一種組合物之用途，其係用於製備治療宿主動物之創傷性腦損傷(TBI)之藥劑，其中該組合物包含選自下式化合物及其醫藥學上可接受之鹽之選擇性血管加壓素V1a受體拮抗劑： <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="149px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="431px" width="755px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>實例234 <br/><br/><img align="absmiddle" height="92px" width="149px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="100px" width="91px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="89px" width="146px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="144px" width="119px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>實例225 <br/><br/><img align="absmiddle" height="119px" width="139px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>實例222 <br/><br/><img align="absmiddle" height="99px" width="150px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="97px" width="149px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="148px" width="104px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="94px" width="86px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="104px" width="101px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="139px" width="135px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>實例236 <br/><br/><img align="absmiddle" height="88px" width="95px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="184px" width="148px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="192px" width="161px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="184px" width="171px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>及 <br/><br/><img align="absmiddle" height="191px" width="161px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>及其醫藥學上可接受之鹽。

如請求項1之用途，其中該拮抗劑係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="137px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN228、 <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="79px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN246、 <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="78px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN251、 <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="132px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN296及 <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="79px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN576， <br/>及其醫藥學上可接受之鹽，及其組合。

如請求項1之用途，其中該拮抗劑係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="79px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN246、 <br/><img align="absmiddle" height="92px" width="78px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN251及 <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="79px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>AVN576， <br/>及其醫藥學上可接受之鹽，及其組合。

如請求項1至3中任一項之用途，其中該TBI為爆炸TBI、反覆輕微TBI (rmTBI)、TBI引起之腦水腫、慢性創傷性腦病(CTE)或腦震盪。

一種蛋白質，其包含：(a)第一融合多肽，其包含第一Fc多肽，該第一Fc多肽鍵聯至酶替代療法(ERT)酶，其中該ERT酶係溶酶體貯積症(lysosomal storage disorder)中缺乏之酶；及(b)第二Fc多肽，其與該第一Fc多肽形成Fc二聚體，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽為經修飾之Fc多肽，該經修飾之Fc多肽(1)能夠特異性結合於人類轉鐵蛋白受體(TfR)，且(2)包含SEQ ID NO：34-38、58及60-90中任一者之依據EU編號之位置380-390及413-421的胺基酸；且其中該蛋白質不包括免疫球蛋白重鏈及/或輕鏈可變區序列或其抗原結合部分。

如請求項1之蛋白質，其中該ERT酶為：i)艾杜糖醛酸2-硫酸酯酶(iduronate 2-sulfatase，IDS)或其催化活性片段；ii)N-磺基葡糖胺磺基水解酶(N-sulfoglucosamine sulfohydrolase，SGSH)或其催化活性片段；iii)酸性神經鞘磷脂酶(acid sphingomyelinase，ASM)或其催化活性片段；或iv)β-葡糖腦苷脂酶(β-glucocerebrosidase，GBA)或其催化活性片段。

如請求項1之蛋白質，其中：i)該ERT酶為IDS或其催化活性片段，且該ERT酶包含與SEQ ID NO：91、92、230及234中之任一者之胺基酸序列具有至少90%一致性的胺基酸序列；ii)該ERT酶為SGSH或其催化活性片段，且該ERT酶包含與SEQ ID NO：119及120中之任一者之胺基酸序列具有至少90%一致性的胺基酸序列；iii)該ERT酶為ASM或其催化活性片段，且該ERT酶包含與SEQ ID NO：121、122及123中之任一者之胺基酸序列具有至少90%一致性的胺基酸序列；iv)該ERT酶為GBA或其催化活性片段，且該ERT酶包含與SEQ ID NO：93及94中之任一者之胺基酸序列具有至少90%一致性的胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一Fc多肽為融合多肽，其藉由多肽連接子鍵聯至該ERT酶。

如請求項4之蛋白質，其中該蛋白質包含單個ERT酶，且其中該第一Fc多肽之N端或C端鍵聯至該ERT酶。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其包含第二融合多肽，該第二融合多肽包含該第二Fc多肽，該第二Fc多肽鍵聯至ERT酶；且其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽藉由多肽連接子鍵聯至該ERT酶。

如請求項6之蛋白質，其中：i)該第一Fc多肽之N端及/或該第二Fc多肽之N端鍵聯至該ERT酶；或ii)該第一Fc多肽之C端及/或該第二Fc多肽之C端鍵聯至該ERT酶。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中根據EU編號，該第一Fc多肽含有T366S、L368A及Y407V取代且該第二Fc多肽含有T366W取代；或其中根據EU編號，該第一Fc多肽含有T366W取代且該第二Fc多肽含有T366S、L368A及Y407V取代。

如請求項8之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：232、233、236及237中之任一者具有至少90%一致性之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽包括降低效應功能之修飾，及其中該降低效應功能之修飾為根據EU編號在位置234之Ala及在位置235之Ala的取代。

如請求項10之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：149、150、152、153、231及235中之任一者具有至少90%一致性之胺基酸序列。

如請求項11之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：149、150、152、153、231及235中之任一者具有95%一致性之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽具有與SEQ ID NO：34-38、58、60-90、151及156-227中之任一者之胺基酸111-217具有至少85%一致性的CH3結構域。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽包含與SEQ ID NO：156-229中任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項14之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：156-229中之任一者之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：98、169、181、193、205及151中之任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項16之蛋白質，其中該第一Fc多肽及/或該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：98、169、181、193、205及151中之任一者之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第二Fc多肽具有與SEQ ID NO：151之胺基酸111-217具有至少95%一致性的CH3結構域；且該ERT酶包含與SEQ ID NO：91、92、230及234中之任一者之胺基酸序列具有至少95%一致性的胺基酸序列。

如請求項18之蛋白質，其中該第一Fc多肽藉由多肽連接子鍵聯至該ERT酶。

如請求項19之蛋白質，其中該多肽連接子為富含甘胺酸之連接子。

如請求項20之蛋白質，其中該富含甘胺酸之連接子為G₄S(SEQ ID NO：239)或(G₄S)₂(SEQ ID NO：240)。

如請求項18之蛋白質，其中該蛋白質包含單個ERT酶，且其中該第一Fc多肽之N端鍵聯至該ERT酶。

如請求項18之蛋白質，其中：(a)根據EU編號，該第一Fc多肽含有T366S、L368A及Y407V取代且該第二Fc多肽含有T366W取代；及/或(b)根據EU編號，該第一Fc多肽及該第二Fc多肽包含突變L234A及L235A；及/或(c)根據EU編號，該第二Fc多肽包含T366W、L234A及L235A取代，且與SEQ ID NO：157、158、169、170、181、182、193、194、205、206、217、218、228及229中之任一者之序列具有至少95%一致性。

如請求項18之蛋白質，其中該第二Fc多肽與SEQ ID NO：97-100、116、151、156-161、168-173、180-185、192-197、204-209、216-221、228及229中之任一者具有至少95%一致性。

如請求項24之蛋白質，其中該第二Fc多肽與SEQ ID NO：116、228及229中之任一者具有至少95%一致性。

如請求項18之蛋白質，其中該第一Fc多肽與SEQ ID NO：101-104中之任一者具有至少95%一致性。

如請求項18之蛋白質，其中該第一融合多肽與SEQ ID NO：231、232、235及236中之任一者具有至少95%一致性。

如請求項27之蛋白質，其中該第一融合多肽與SEQ ID NO：231及235中之任一者具有95%一致性。

如請求項15之蛋白質，其中該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：156-229中之任一者之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中：i)該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：231及235中之任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列，及該第二Fc多肽包含與SEQ ID NO：205及228中之任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列；或ii)該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：231及235中之任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列，及該第二Fc多肽包含與SEQ ID NO：169及229中之任一者具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中：(a)該第一融合多肽包含SEQ ID NO：235之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：205之胺基酸序列；或(b)該第一融合多肽包含SEQ ID NO：235之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：228之胺基酸序列；或(c)該第一融合多肽包含SEQ ID NO：235之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：169之胺基酸序列；或(d)該第一融合多肽包含SEQ ID NO：235之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：229之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：235具有至少95%一致性之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含與SEQ ID NO：229具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該第一融合Fc多肽包含SEQ ID NO：235之胺基酸序列，且該第二Fc多肽包含SEQ ID NO：229之胺基酸序列。

如請求項6之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：149具有至少95%一致性之胺基酸序列，且該第二融合多肽包含與SEQ ID NO：154具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項6之蛋白質，其中該第一融合多肽包含與SEQ ID NO：150具有至少95%一致性之胺基酸序列，且該第二融合多肽包含與SEQ ID NO：155具有至少95%一致性之胺基酸序列。

如請求項1至3中任一項之蛋白質，其中該蛋白質與TfR之該結合不實質上抑制轉鐵蛋白結合於該TfR；及/或其中該蛋白質以10nM至1μM之親和力結合於TfR。

如請求項36之蛋白質，其中該蛋白質以50nM至250nM之親和力結合於TfR。

一種聚核苷酸，其包含核酸序列，該核酸序列編碼：如請求項1至37中任一項所載1)該第一融合多肽；及2)該第二Fc多肽或該第二融合多肽。

一種載體，其包含如請求項38之聚核苷酸。

一種宿主細胞，其包含如請求項38之聚核苷酸或請求項39之載體。

一種宿主細胞，其包含：1)聚核苷酸，其包含編碼如請求項1至37中任一項所載該第一融合多肽之核酸序列；及2)聚核苷酸，其包含編碼如請求項1至37中任一項所載該第二Fc多肽或該第二融合多肽之核酸序列。

一種醫藥組合物，其包含如請求項1至37中任一項之蛋白質或醫藥學上可接受之賦形劑。

一種如請求項1至37中任一項之蛋白質之用途，其係用於製備治療溶酶體貯積症(LSD)及/或減少患有LSD之患者中毒性代謝產物之累積之藥劑。

如請求項43之用途，其中該LSD為亨特症候群(Hunter syndrome)，該ERT酶為IDS，及該毒性代謝產物包含硫酸肝素衍生之二醣及/或硫酸皮膚素衍生之二醣。

如請求項43之用途，其中該LSD為聖菲利柏症候群A(Sanfilippo syndrome A)，該ERT酶為SGSH，及該毒性代謝產物包含硫酸肝素衍生之寡醣。

如請求項43之用途，其中該LSD為尼曼-皮克病(Niemann-Pick disease)，該ERT酶為ASM，及該毒性代謝產物包含神經鞘磷脂；或該LSD為高歇氏病(Gaucher's disease)或帕金森氏病(Parkinson's disease)，該ERT酶為GBA，及該毒性代謝產物包含葡糖基神經醯胺。

一種導電性漿料，其含有導電性粉末、陶瓷粉末、分散劑、黏合劑樹脂以及有機溶劑，其特徵係， <br/>前述分散劑包含第一酸系分散劑以及第二酸系分散劑， <br/>前述第一酸系分散劑的平均分子量超過500且為2000以下，且相對於主鏈具有一個以上的由烴基構成的支鏈， <br/>前述第二酸系分散劑是前述第一酸系分散劑以外的分散劑並具有羧基， <br/>前述黏合劑樹脂包含縮醛系樹脂， <br/>前述有機溶劑包含二醇醚系溶劑， <br/>前述第一酸系分散劑為以聚羧酸作為主鏈的烴系接枝共聚物； <br/>其中，相對於100質量份的前述導電性粉末，含有0.2質量份以上且2質量份以下的前述第一酸系分散劑，相對於100質量份的前述導電性粉末，含有0.01質量份以上且2質量份以下的前述第二酸系分散劑； <br/>前述導電性粉末的含量相對於導電性漿料總量為30質量%以上且不足70質量%； <br/>前述陶瓷粉末的含量相對於導電性漿料總量為1質量%以上20質量%以下； <br/>前述黏合劑樹脂的含量相對於導電性漿料總量為0.5質量%以上10質量%以下； <br/>前述第二酸系分散劑，係分子量為500以下，且含有碳原子數為10以上20以下的烷基或碳原子數為10以上20以下的烯基。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述導電性粉末含有選自Ni、Pd、Pt、Au、Ag、Cu以及上述元素之合金中的至少一種的金屬粉末。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述導電性粉末的平均粒徑為0.05μm以上且1.0μm以下。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述陶瓷粉末含有鈣鈦礦型氧化物。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述陶瓷粉末的平均粒徑為0.01μm以上且0.5μm以下。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述黏合劑樹脂含有縮丁醛系樹脂。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述導電性漿料在剪切速率為100sec^-1時的黏度為0.8Pa·S以下，在剪切速率為10000sec^-1時的黏度為0.18Pa·S以下。

如申請專利範圍第1項所記載之導電性漿料，其中，前述導電性漿料用於積層陶瓷零件的內部電極。

一種電子零件，其特徵係其係具有使用申請專利範圍第1至8項中任一項所記載之導電性漿料而形成之乾燥膜之積層體的電子零件。

一種積層陶瓷電容器，其特徵係其至少具有將電介質層及內部電極進行積層而成的積層體，前述內部電極使用申請專利範圍第8項所記載之導電性漿料而形成。

一種抗體-藥物結合物用於製造治療癌症的藥物之用途，其中該抗體-藥物結合物與PARP抑制劑被組合投予，其中該抗體-藥物結合物係由下式所示之藥物連接子，藉由硫醚鍵而與抗體結合之抗體-藥物結合物，<figure><img align="absmiddle" height="258px" width="636px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>(式中，A表示與抗體的結合位置)，其中，抗體-藥物結合物中之抗體為抗HER2抗體、抗HER3抗體、抗TROP2抗體、或抗CDH6抗體；其中，PARP抑制劑為奧拉帕尼(Olaparib)、盧卡帕尼(Rucaparib)、尼拉帕尼(Niraparib)、他拉唑帕尼(Talazoparib)、或者維利帕尼(Veliparib)、或其等藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，抗體-藥物結合物中之抗體為抗HER2抗體。

如請求項2之用途，其中，抗HER2抗體為包含重鏈及輕鏈而成的抗體，該重鏈包含由序列識別號1中胺基酸編號26至33所記載的胺基酸序列而成之CDRH1、由序列識別號1中胺基酸編號51至58所記載的胺基酸序列而成之CDRH2、及由序列識別號1中胺基酸編號97至109所記載的胺基酸序列而成之CDRH3，該輕鏈包含由序列識別號2中胺基酸編號27至32所記載的胺基酸序列而成之CDRL1、由序列識別號2中胺基酸編號50至52所記載的胺基酸序列而成之CDRL2、及由序列識別號2中胺基酸編號89至97所記載的胺基酸序列而成之CDRL3。

如請求項2之用途，其中，抗HER2抗體為包含重鏈及輕鏈而成的抗體，該重鏈包含由序列識別號1中胺基酸編號1至120所記載的胺基酸序列而成之重鏈可變區，該輕鏈包含由序列識別號2中胺基酸編號1至107所記載的胺基酸序列而成之輕鏈可變區。

如請求項2之用途，其中，抗HER2抗體為包含由序列識別號1所記載的胺基酸序列而成之重鏈及由序列識別號2所記載的胺基酸序列而成之輕鏈而成的抗體。

如請求項2之用途，其中，抗HER2抗體為包含由序列識別號1中胺基酸編號1至449所記載的胺基酸序列而成之重鏈及由序列識別號2中胺基酸編號1至214所記載的胺基酸序列而成之輕鏈而成的抗體。

如請求項2之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項3之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項4之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項5之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項6之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項1之用途，其中，抗體-藥物結合物中之抗體為抗HER3抗體。

如請求項12之用途，其中，抗HER3抗體為包含由序列識別號3所記載的胺基酸序列而成之重鏈及由序列識別號4所記載的胺基酸序列而成之輕鏈而成的抗體。

如請求項13之用途，其中，抗HER3抗體的重鏈羧基末端的離胺酸殘基缺失。

如請求項12之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項13之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項14之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項1之用途，其中，抗體-藥物結合物中之抗體為抗TROP2抗體。

如請求項18之用途，其中，抗TROP2抗體為包含由序列識別號5中胺基酸編號20至470所記載的胺基酸序列而成之重鏈及由序列識別號6中胺基酸編號21至234所記載的胺基酸序列而成之輕鏈而成的抗體。

如請求項19之用途，其中，抗TROP2抗體的重鏈羧基末端的離胺酸殘基缺失。

如請求項18之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為3.5至4.5個的範圍。

如請求項19之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為3.5至4.5個的範圍。

如請求項20之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為3.5至4.5個的範圍。

如請求項1之用途，其中，抗體-藥物結合物中之抗體為抗CDH6抗體。

如請求項24之用途，其中，抗CDH6抗體為包含由序列識別號11中胺基酸編號20至471所記載的胺基酸序列而成之重鏈及由序列識別號12中胺基酸編號21至233所記載的胺基酸序列而成之輕鏈而成的抗體。

如請求項25之用途，其中，抗CDH6抗體的重鏈羧基末端的離胺酸殘基缺失。

如請求項24之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項25之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項26之用途，其中，抗體-藥物結合物中之每一抗體的藥物連接子的平均結合數為7至8個的範圍。

如請求項1之用途，其中，PARP抑制劑為奧拉帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，PARP抑制劑為盧卡帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，PARP抑制劑為尼拉帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，PARP抑制劑為他拉唑帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，PARP抑制劑為維利帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1之用途，其中，抗體-藥物結合物與PARP抑制劑分別被包含在不同製劑中作為有效成分，並同時或在不同時間被投予。

如請求項2至34中任一項之用途，其中，抗體-藥物結合物與PARP抑制劑分別被包含在不同製劑中作為有效成分，並同時或在不同時間被投予。

如請求項2至29中任一項之用途，其中，PARP抑制劑為奧拉帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項2至29中任一項之用途，其中，PARP抑制劑為盧卡帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項2至29中任一項之用途，其中，PARP抑制劑為尼拉帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項2至29中任一項之用途，其中，PARP抑制劑為他拉唑帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項2至29中任一項之用途，其中，PARP抑制劑為維利帕尼、或其藥理上可容許的鹽。

如請求項1至35中任一項之用途，其中該癌症係選自包含乳癌、胃癌、大腸癌、肺癌、食道癌、頭頸部癌、胃食道連接部腺癌、膽管癌、佩吉特氏病(Paget’s disease)、胰臟癌、卵巢癌、膀胱癌、前列腺癌、子宮癌肉瘤、胃腸道間質瘤、腎癌、及肉瘤之群組的至少一者。

如請求項42之用途，其中該癌症為乳癌。

如請求項43之用途，其中該癌症為HER2低表現乳癌。

如請求項42之用途，其中該癌症為胃癌。

如請求項42之用途，其中該癌症為卵巢癌。

如請求項42之用途，其中該癌症為肺癌。

如請求項42之用途，其中該癌症為胰臟癌。

一種能夠結合於補體組分5(C5)之經分離之抗體或其抗原結合片段，其包含：(a)重鏈可變區(VH)，其包含SEQ ID NO：22之HCDR1胺基酸序列；SEQ ID NO：29之HCDR2胺基酸序列；及SEQ ID NO：35之HCDR3胺基酸序列；以及(b)輕鏈可變區(VL)，其包含SEQ ID NO：38之LCDR1胺基酸序列、SEQ ID NO：44之LCDR2胺基酸序列及SEQ ID NO：49之LCDR3胺基酸序列。

一種能夠結合於補體組分5(C5)之經分離之抗體或其抗原結合片段，其包含：(a)VH，其包含SEQ ID NO：55之HCDR1胺基酸序列；SEQ ID NO：60之HCDR2胺基酸序列；及SEQ ID NO：66之HCDR3胺基酸序列；以及(b)VL，其包含SEQ ID NO：71之LCDR1胺基酸序列、SEQ ID NO：77之LCDR2胺基酸序列及SEQ ID NO：82之LCDR3胺基酸序列。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含與SEQ ID NO：4具有至少85%、90%或95%一致性之胺基酸序列之VH。

如請求項3之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含SEQ ID NO：4之胺基酸序列之VH。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含與SEQ ID NO：11具有至少85%、90%或95%一致性之胺基酸序列之VL。

如請求項5之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含SEQ ID NO：11之胺基酸序列之VL。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含與SEQ ID NO：4具有至少85%、90%或95%一致性之胺基酸序列之VH，及包含與SEQ ID NO：11具有至少85%、90%或95%一致性之胺基酸序列之VL。

如請求項7之抗體或其抗原結合片段，其包含有包含SEQ ID NO：4之胺基酸序列之VH及包含SEQ ID NO：11之胺基酸序列之VL。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其係抗原結合片段。

如請求項9之抗體或其抗原結合片段，其中該抗原結合片段包含Fab、F(ab')2、Fv或scFv。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含選自IgG1、IgG2、IgG3或IgG4或兩種或更多種同型之嵌合體(例如IgG2/4)之重鏈恆定區之重鏈恆定區。

如請求項11之抗體或其抗原結合片段，其中該重鏈恆定區包含鉸鏈、CH2或CH3區中之一或多個胺基酸修飾，如在IgG2/4-LS或IgG2/4-YTE中所見。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含選自κ或λ之輕鏈恆定區之輕鏈恆定區。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含選自IgG1、IgG2、IgG3、IgG4或兩種或更多種同型(例如IgG2及IgG4)之嵌合體之重鏈恆定區之重鏈恆定區，及選自κ或λ之輕鏈恆定區之輕鏈恆定區。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含Fc區。

如請求項15之抗體或其抗原結合片段，其中該Fc區在分別對應於甲硫胺酸428及天冬醯胺434之殘基處包含Met-428-Leu及Asn-434-Ser取代中之一者或兩者，各自根據EU編號。

如請求項15之抗體或其抗原結合片段，其中該Fc區在分別對應於甲硫胺酸252、絲胺酸254及蘇胺酸256之殘基處包含Met-252-Tyr、Ser-254-Thr及Thr-256-Glu取代中之一者、兩者或三者，各自根據EU編號。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其包含兩個VH及兩個VL。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體分子為人類化抗體分子。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體分子為單株抗體分子。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體分子為合成抗體分子。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體分子為單特異性抗體分子。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其為多特異性抗體分子。

如請求項23之抗體或其抗原結合片段，其為雙特異性抗體分子。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其中該C5為人類C5。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其以小於2μg/ml(例如小於0.5μg/ml)之EC₅₀結合於人類C5，如藉由ELISA所測定。

如請求項26之抗體或其抗原結合片段，其以0.01μg/ml與2μg/ml之間(例如0.02μg/ml與0.2μg/ml之間)的EC₅₀結合於人類C5，如藉由ELISA所測定。

如請求項27之抗體或其抗原結合片段，其以0.03μg/ml與0.8μg/ml之間(例如0.03μg/ml與0.16μg/ml之間)的EC₅₀結合於人類C5，如藉由ELISA所測定。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其以小於10μg/ml之IC50抑制溶血作用，如藉由活體外溶血作用分析法所測定。

如請求項29之抗體或其抗原結合片段，其以0.5μg/ml與6μg/ml之間(例如2μg/ml與6μg/ml之間)的IC50抑制溶血作用，如藉由活體外溶血作用分析法所測定。

如請求項30之抗體或其抗原結合片段，其以0.5μg/ml與3.3μg/ml之間(例如2.3μg/ml與3.3μg/ml之間)的IC50抑制溶血作用，如藉由活體外溶血作用分析法所測定。

如請求項1或2之抗體或其抗原結合片段，其結合於包含SEQ ID NO：53之胺基酸序列之人類C5。

一種醫藥組合物，其包含如請求項1至32中任一項之經分離之抗體或其抗原結合片段及醫藥學上可接受之載劑、賦形劑或穩定劑。

一種經分離之核酸，其編碼如請求項1至32中任一項之抗體或其抗原結合片段之多肽鏈。

一種表現載體，其包含如請求項34之核酸。

一種宿主細胞，其包含如請求項34之核酸或如請求項35之載體。

一種製備抗體分子之方法，其包含在適合基因表現之條件下培養如請求項36之宿主細胞。

一種活體外抑制C5之方法，其包含使C5在活體外與如請求項1至32中任一項之抗體或其抗原結合片段接觸。

一種偵測C5之方法，其包含(i)使樣本與如請求項1至32中任一項之抗體或其抗原結合片段在允許發生該抗體或其抗原結合片段與C5之相互相用之條件下接觸，及(ii)偵測該抗體或其抗原結合片段與該樣本之間的複合物形成。

如請求項39之方法，其進一步包含使參考樣本與如請求項1至32中任一項之抗體或其抗原結合片段在允許發生該抗體或其抗原結合片段與C5之相互相用之條件下接觸，及(ii)偵測該抗體或其抗原結合片段與該參考樣本之間的複合物形成。

一種如請求項1至32中任一項之抗體或其抗原結合片段或如請求項33之醫藥組合物之用途，其特徵在於用於製造治療個體中之補體相關病症之藥劑。

如請求項41之用途，其特徵在於該補體相關病症係選自局部缺血-再灌注損傷、非典型性溶血性尿毒症症候群(aHUS)、典型性或感染性溶血性尿毒症症候群(tHUS)、密度沈積病(DDD)、陣發性夜間血紅素尿症(PNH)、視神經脊髓炎(NMO)、黃斑變性、血栓性血小板減少性紫癲(TTP)、重症肌無力、冷凝集素疾病、格-巴二氏症候群、德高氏病、移植排斥反應、敗血症、絲球體腎炎或血栓性微血管病(TMA)。

如請求項41或42之用途，其中該抗體或其抗原結合片段係以0.1mg/kg與50mg/kg之間的劑量投與該個體。

一種抗體或其抗體片段，其係結合於CCR8之單株抗體或其抗體片段，其包含下述1)、2)、3)、4)、5)或6)： <br/>1) 下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號2之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號3之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號4之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號5之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號6之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號7之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>此處，可具有下述C)之置換，亦可更具有下述A)或B)之置換： <br/>A) 以賴胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第10位之天冬醯胺， <br/>B) 以白胺酸或精胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第11位之甘胺酸， <br/>C) 以麩醯胺置換序列編號3之胺基酸序列第4位之天冬醯胺， <br/>2) 下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號2之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號3之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號4之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號8之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號6之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號7之胺基酸序列構成之CDR3； <br/>3) 下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號2之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號9之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號10之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號8之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號6之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號11之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>此處，亦可具有下述之任一種置換： <br/>A) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第2位之絲胺酸， <br/>B) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第3位之絲胺酸， <br/>C) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第5位之絲胺酸， <br/>D) 以天冬醯胺置換序列編號10之胺基酸序列第2位之麩醯胺， <br/>E)以絲胺酸置換序列編號8之胺基酸序列第1位之蘇胺酸， <br/>F) 以纈胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第14位之丙胺酸， <br/>G) 以精胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第18位之賴胺酸， <br/>H) 以麩胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第19位之天冬胺酸， <br/>I) 以麩醯胺置換序列編號11之胺基酸序列第5位之天冬醯胺， <br/>J) 以苯基丙胺酸置換序列編號11之胺基酸序列第12位之酪胺酸； <br/>4) 下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號14之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號15之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號16之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號17之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號18之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號19之胺基酸序列構成之CDR3；或 <br/>5) 下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號20之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號21之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號22之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號23之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號24之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號25之胺基酸序列構成之CDR3。

如申請專利範圍第1項所述之抗體或其抗體片段，其包含下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號2之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號3之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號4之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號5之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號6之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號7之胺基酸序列構成之CDR3； <br/>並且，可具有下述C)之置換，亦可更具有下述A)或B)之置換： <br/>A) 以賴胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第10位之天冬醯胺， <br/>B) 以白胺酸或精胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第11位之甘胺酸， <br/>C) 以麩醯胺置換序列編號3之胺基酸序列第4位之天冬醯胺。

如申請專利範圍第2項所述之抗體或其抗體片段，其中，序列編號3之胺基酸序列第4位之天冬醯胺係以麩醯胺置換，再者，序列編號2之胺基酸序列第11位之甘胺酸係以精胺酸置換。

如申請專利範圍第1項所述之抗體或其抗體片段，其包含下述輕鏈可變區域及重鏈可變區域， <br/>其中，該輕鏈可變區域含有 <br/>由序列編號2之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號9之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號10之胺基酸序列構成之CDR3， <br/>該重鏈可變區域含有 <br/>由序列編號8之胺基酸序列構成之CDR1、 <br/>由序列編號6之胺基酸序列構成之CDR2、及 <br/>由序列編號11之胺基酸序列構成之CDR3； <br/>並且，具有下述之任一種置換： <br/>A) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第2位之絲胺酸， <br/>B) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第3位之絲胺酸， <br/>C) 以蘇胺酸置換序列編號2之胺基酸序列第5位之絲胺酸， <br/>D) 以天冬醯胺置換序列編號10之胺基酸序列第2位之麩醯胺， <br/>E) 以絲胺酸置換序列編號8之胺基酸序列第1位之蘇胺酸， <br/>F) 以纈胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第14位之丙胺酸， <br/>G) 以精胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第18位之賴胺酸， <br/>H) 以麩胺酸置換序列編號6之胺基酸序列第19位之天冬胺酸， <br/>I) 以麩醯胺置換序列編號11之胺基酸序列第5位之天冬醯胺， <br/>J) 以苯基丙胺酸置換序列編號11之胺基酸序列第12位之酪胺酸。

如申請專利範圍第1項至第4項中任1項所述之抗體或其抗體片段，其為人類化單株抗體或其抗體片段。

如申請專利範圍第5項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含下述1)、2)、3)、4)、5)、6)、7)、8)、9)、10)、11)或12)： <br/>1) 具有序列編號40之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>2) 具有序列編號42之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>3) 具有序列編號43之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>4) 具有序列編號44之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>5) 具有序列編號45之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>6) 具有序列編號47之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>7) 具有序列編號40之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>8) 具有序列編號42之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>9) 具有序列編號43之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>10) 具有序列編號44之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>11) 具有序列編號45之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域，或 <br/>12) 具有序列編號47之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號46之胺基酸序列之重鏈可變區域； <br/>在此，可具有下述C)之置換，亦可更具有下述A)或B)之置換： <br/>A) 以賴胺酸置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第33位之天冬醯胺， <br/>B) 以白胺酸或精胺酸置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第34位之甘胺酸， <br/>C) 以麩醯胺置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第58位之天冬醯胺。

如申請專利範圍第6項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其具有下述C)之置換，亦可更具有下述A)或B)之置換： <br/>A) 以賴胺酸置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第33位之天冬醯胺， <br/>B) 以白胺酸或精胺酸置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第34位之甘胺酸， <br/>C) 以麩醯胺置換序列編號40、42、43、44、45或47之胺基酸序列第58位之天冬醯胺。

如申請專利範圍第7項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含：具有序列編號40或42之胺基酸序列之輕鏈可變區域、及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域； <br/>並且，具有下述C)之置換，亦可更具有下述A)或B)之置換： <br/>A) 以賴胺酸置換序列編號40或42之胺基酸序列第33位之天冬醯<br/> 胺， <br/>B) 以白胺酸或精胺酸置換序列編號40或42之胺基酸序列第34位之甘胺酸， <br/>C) 以麩醯胺置換序列編號40或42之胺基酸序列第58位之天冬醯<br/> 胺。

如申請專利範圍第8項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含：具有序列編號42之胺基酸序列之輕鏈可變區域、及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域； <br/>並且，以麩醯胺置換序列編號42之胺基酸序列第58位之天冬醯胺，以精胺酸置換序列編號42之胺基酸序列第34位之甘胺酸。

如申請專利範圍第8項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含：具有序列編號59之胺基酸序列之輕鏈可變區域、及具有序列編號41之胺基酸序列之重鏈可變區域。

如申請專利範圍第5項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含下述1)、2)、3)、4)、5)、6)： <br/>1) 具有序列編號54之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號57之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>2) 具有序列編號55之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號57之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>3) 具有序列編號56之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號57之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>4) 具有序列編號54之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號58之胺基酸序列之重鏈可變區域， <br/>5) 具有序列編號55之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號58之胺基酸序列之重鏈可變區域，或 <br/>6) 具有序列編號56之胺基酸序列之輕鏈可變區域及具有序列編號58之胺基酸序列之重鏈可變區域； <br/>並且，可具有下述之任一種置換： <br/>A) 以蘇胺酸置換序列編號54、55或56之胺基酸序列第25位之絲胺<br/> 酸， <br/>B) 以蘇胺酸置換序列編號54、55或56之胺基酸序列第26位之絲胺<br/> 酸， <br/>C) 以蘇胺酸置換序列編號54、55或56之胺基酸序列第28位之絲胺<br/> 酸， <br/>D) 以天冬醯胺置換序列編號54、55或56之胺基酸序列第95位之麩醯胺， <br/>E) 以絲胺酸置換序列編號57或58之胺基酸序列第31位之蘇胺酸， <br/>F) 以纈胺酸置換序列編號57或58之胺基酸序列第63位之丙胺酸， <br/>G) 以精胺酸置換序列編號57或58之胺基酸序列第67位之賴胺酸， <br/>H) 以麩胺酸置換序列編號57或58之胺基酸序列第68位之天冬胺<br/> 酸， <br/>I) 以麩醯胺置換序列編號57或58之胺基酸序列第105位之天冬醯<br/> 胺， <br/>J) 以苯基丙胺酸置換序列編號57或58之胺基酸序列第112位之酪胺<br/> 酸。

如申請專利範圍第11項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其包含：具有序列編號56之胺基酸序列之輕鏈可變區域、及具有序列編號57之胺基酸序列之重鏈可變區域； <br/>並且，亦可具有1種以上之下述之任1種置換： <br/>A) 以蘇胺酸置換序列編號56之胺基酸序列第25位之絲胺酸， <br/>B) 以蘇胺酸置換序列編號56之胺基酸序列第26位之絲胺酸， <br/>C) 以蘇胺酸置換序列編號56之胺基酸序列第28位之絲胺酸， <br/>D) 以天冬醯胺置換序列編號56之胺基酸序列第95位之麩醯胺， <br/>E) 以絲胺酸置換序列編號57之胺基酸序列第31位之蘇胺酸， <br/>F) 以纈胺酸置換序列編號57之胺基酸序列第63位之丙胺酸， <br/>G) 以精胺酸置換序列編號57之胺基酸序列第67位之賴胺酸， <br/>H) 以麩胺酸置換序列編號57之胺基酸序列第68位之天冬胺酸， <br/>I) 以麩醯胺置換序列編號57之胺基酸序列第105位之天冬醯胺， <br/>J) 以苯基丙胺酸置換序列編號57之胺基酸序列第112位之酪胺酸。

如申請專利範圍第5項所述之作為抗體之人類化單株抗體或其抗體片段，其更包含：具有序列編號52之胺基酸序列之輕鏈恆定區域、及具有序列編號53之胺基酸序列之重鏈恆定區域； <br/>並且，可於序列編號53之C末端加成或不加成賴胺酸。

一種醫藥組成物，其含有申請專利範圍第1項至第4項中任1項所述之抗體或其抗體片段。

一種醫藥組成物，其含有申請專利範圍第1項至第4項中任1項所述之抗體或其抗體片段，該抗體或其抗體片段係用於阻礙CCR8與CCR8配位基之任一者的結合。

一種醫藥組成物，其含有申請專利範圍第1項至第4項中任1項所述之抗體或其抗體片段，該抗體或其抗體片段係作為中和抗體使<br/> 用。

一種醫藥組成物，其含有結合於如申請專利範圍第1項至第4項中任1項所述之CCR8之單株抗體或其抗體片段，該抗體或其抗體片段係用於辨識序列編號1表示之胺基酸序列第17位之酪胺酸。

如申請專利範圍第17項所述之醫藥組成物，其係用於阻礙CCR8與CCR8配位基之任一者的結合。

如申請專利範圍第14項所述之醫藥組成物，其中，抗體為具有ADCC活性者。

如申請專利範圍第14項所述之醫藥組成物，其中，抗體為IgG抗體。

如申請專利範圍第14項所述之醫藥組成物，其係用於治療癌症。

一種多核苷酸，其編碼申請專利範圍第5項所述之抗體之輕鏈可變區域或重鏈可變區域。

一種表現載體，其含有如申請專利範圍第22項所述之多核苷酸。

一種口腔照護產品，其包含洛赫西定（chlorhexidine）和DNA鈉鹽，該口腔照護產品進一步包含至少一種鹼金屬或鹼土金屬的偏二亞硫酸鹽以及抗壞血酸，其中該口腔照護產品係選自由漱口水、牙周凝膠和牙膏組成之群，其中： <br/>- 當該口腔照護產品係漱口水時，其包含相對於該漱口水之總體積，0.01重量%至0.30重量%的洛赫西定、0.01重量%至0.2重量%的DNA鈉鹽、0.1重量%至0.5重量%的至少一種鹼金屬或鹼土金屬的偏二亞硫酸鹽、0.1重量%至1.0重量%的抗壞血酸、0.05重量%至1重量%的至少一種聚乙烯吡咯啶酮-乙酸乙烯酯共聚物； <br/>- 當該口腔照護產品係牙周凝膠時，其包含相對於該牙周凝膠之總體積，0.5重量%至1.0重量%的洛赫西定以及至多0.3重量%的量的DNA鈉鹽；且 <br/>- 當該口腔照護產品係牙膏時，其包含相對於該牙膏之總體積，0.05重量%至0.2重量%的洛赫西定以及0.01重量%至0.05重量%的量的DNA鈉鹽。

如請求項1之口腔照護產品，其中該口腔照護產品是漱口水。

如請求項2之口腔照護產品，其中洛赫西定呈鹽或錯合物的形式。

如請求項1之口腔照護產品，其中該口腔照護產品是包含至少一種聚乙烯吡咯啶酮-乙酸乙烯酯共聚物的漱口水。

如請求項2之口腔照護產品，其中該口腔照護產品是包含檸檬酸三鈉的漱口水。

如請求項1之口腔照護產品，其中該口腔照護產品是牙周凝膠。

如請求項1之口腔照護產品，其中該口腔照護產品是牙膏。

一種如請求項1之口腔照護產品的用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用作口腔黏膜抗刺激劑。

一種如請求項1之口腔照護產品的用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用作口腔黏膜癒合劑。

一種如請求項1之口腔照護產品的用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用於治療至少一種選自由牙齦炎、細菌斑和牙周炎所組成的群的病狀。

一種如請求項1之口腔照護產品的用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用於治療植入物周圍黏膜炎。

一種如請求項1之口腔照護產品之用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用於治療口腔黏膜病狀，其中該病狀涉及該口腔黏膜的細胞結構的改變，該細胞結構的改變選自由液泡形成、細胞核退化和細胞間隙擴張所組成的群。

一種DNA鈉鹽之用途，其係用於製造醫藥品，該醫藥品係用於治療經歷洛赫西定治療的患者中的洛赫西定副作用，其中該等副作用涉及該患者的口腔黏膜的細胞結構的改變，該細胞結構的改變選自由液泡形成、細胞核退化和細胞間隙擴張所組成的群。

一種「血纖維蛋白溶酶原活化子抑制子1」（plasminogen activator inhibitor 1；PAI-1）抑制劑的用途，其係用於製備用於治療罹患腹膜癌病之個體之藥物，其中該個體係藉由以下方法來鑑別： 測定由該個體獲得之樣本中的PAI-1之濃度及測定由該個體獲得之樣本中的「信號轉導子及轉錄物活化子3」（signal transducer and activator of transcript 3；STAT3）之磷酸化量； <br/>其中若該個體展示：（a）PAI-1濃度增加及STAT3磷酸化增加，或（b）PAI-1濃度降低及STAT3磷酸化增加，則向該個體投予該藥物； <br/>其中該PAI-1之濃度及STAT3磷酸化之增加及/或降低係與參考值比較，其中該參考值取自包含罹患腹膜癌病之個體之參考組； <br/>其中該樣本為腹水或腫瘤樣本；及 <br/>其中該PAI-1抑制劑為TM5441（5-氯-2-[[2-[2-[[3-(3-呋喃基)苯基]胺基]-2-側氧基乙氧基]乙醯基]胺基]苯甲酸鈉鹽；CAS 1190221-43-2）或替普西汀（tiplaxtinin）（2-(1-苄基-5-(4-(三氟甲氧基)苯基)-1H-吲哚-3-基)側氧基乙酸；CAS 393105-53-8）。

一種偵測或測定罹患腹膜癌病之個體對用「血纖維蛋白溶酶原活化子抑制子1」（PAI-1）抑制劑的治療之易感性的方法，該方法包含 <br/>測定由個體獲得之樣本中的PAI-1之濃度及測定由個體獲得之樣本中的「信號轉導子及轉錄物活化子3」（signal transducer and activator of transcript 3；STAT3）之磷酸化量； <br/>其中若該個體展示（a）PAI-1濃度增加及STAT3磷酸化增加，或（b）PAI-1濃度降低及STAT3磷酸化增加，則該個體對該治療易感； <br/>其中若該個體展示（c）PAI-1濃度降低及STAT3磷酸化降低，則該個體不視為對治療易感； <br/>其中該PAI-1之濃度及STAT3磷酸化量之增加及/或降低與參考值進行比較，其中該參考值取自包含罹患腹膜癌病之個體之參考組； <br/>其中該樣本為腹水或腫瘤樣本；及 <br/>其中該PAI-1抑制劑為TM5441（5-氯-2-[[2-[2-[[3-(3-呋喃基)苯基]胺基]-2-側氧基乙氧基]乙醯基]胺基]苯甲酸鈉鹽；CAS 1190221-43-2）或替普西汀（2-(1-苄基-5-(4-(三氟甲氧基)苯基)-1H-吲哚-3-基)側氧基乙酸；CAS 393105-53-8）。

如請求項1之用途，其中PAI-1之濃度係藉由直接量測PAI-1之濃度及/或量測在一或多種複合物中的PAI-1之濃度來測定。

如請求項2之方法，其中PAI-1之濃度係藉由直接量測PAI-1之濃度及/或量測在一或多種複合物中的PAI-1之濃度來測定。

如請求項1之用途，其中STAT3磷酸化量係藉由量測兩或多個替代標記之濃度及/或藉由直接量測STAT3磷酸化之濃度來測定，其中該等兩或多個替代標記係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9、ANGPT1、TGFB1、POSTN、VSIG4、CD44及CXCL10，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

如請求項2之方法，其中STAT3磷酸化量係藉由量測兩或多個替代標記之濃度及/或藉由直接量測STAT3磷酸化之濃度來測定，其中該等兩或多個替代標記係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9、ANGPT1、TGFB1、POSTN、VSIG4、CD44及CXCL10，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

如請求項5之用途，其中該等兩或多個替代標記：（i）係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；（ii）係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2及MMP9，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；或（iii）包含IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；或其中兩或多個替代標記包含至少IL6、IL10、CCL2及MMP9，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

如請求項6之方法，其中該等兩或多個替代標記：（i）係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；（ii）係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2及MMP9，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；或（iii）包含IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；或其中該等兩或多個替代標記包含至少IL6、IL10、CCL2及MMP9，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

如請求項1之用途，其中該PAI-1抑制劑係腹膜內所投予。

如請求項2之方法，其中該PAI-1抑制劑係腹膜內所投予。

如請求項1之用途，其中該腹膜癌病係選自由以下者組成之群：結腸直腸腹膜癌病（colorectal peritoneal carcinomatosis）、小腸腹膜癌病（small bowel peritoneal carcinomatosis）、間皮瘤（mesothelioma）、子宮內膜腹膜癌病（endometrial peritoneal carcinomatosis）、胃腹膜癌病（gastric peritoneal carcinomatosis）、卵巢腹膜癌病（ovarian peritoneal carcinomatosis）、闌尾腹膜癌病（appendiceal peritoneal carcinomatosis）、胰臟腹膜癌病（pancreatic peritoneal carcinomatosis）、泌尿上皮癌病（urothelial carcinomatosis）及腹膜假黏液瘤（Pseudomyxoma peritonei；PMP）。

如請求項2之方法，其中該腹膜癌病係選自由以下者組成之群：結腸直腸腹膜癌病、小腸腹膜癌病、間皮瘤、子宮內膜腹膜癌病、胃腹膜癌病、卵巢腹膜癌病、闌尾腹膜癌病、胰臟腹膜癌病、泌尿上皮癌病及腹膜假黏液瘤（PMP）。

如請求項1之用途，其中該療法係在選自由以下者組成之群的治療情境中所進行：前導性情境（neoadjuvant setting）、輔助性情境（adjuvant setting）、舒緩性情境及預防性情境。

如請求項2之方法，其中該療法係在選自由以下者組成之群的治療情境中所進行：前導性情境、輔助性情境、舒緩性情境及預防性情境。

如請求項1之用途，其中相比於罹患相同疾病之患者，PAI-1抑制之投予引起PAI-1活性之抑制。

如請求項2之方法，其中相比於罹患相同疾病之患者，PAI-1抑制之投予引起PAI-1活性之抑制。

一種標記組之試管內用途，其用於偵測或測定罹患腹膜癌病之個體對用「血纖維蛋白溶酶原活化子抑制子1」（PAI-1）抑制劑的治療之易感性，其中該標記組包含PAI-1以及STAT3磷酸化或p-STAT3之兩或多個替代標記，其中該等兩或多個替代標記係（a）或（b）： <br/>（a）選自由以下者組成之群之兩或多個替代標記：IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9；或 <br/>（b）TGFB1、POSTN、VSIG4、CD44及CXCL10； <br/>其中該標記組在選自由以下者組成之群的樣本中進行量測：腹水或腫瘤樣本；及 <br/>其中該PAI-1抑制劑為TM5441（5-氯-2-[[2-[2-[[3-(3-呋喃基)苯基]胺基]-2-側氧基乙氧基]乙醯基]胺基]苯甲酸鈉鹽；CAS 1190221-43-2）或替普西汀（2-(1-苄基-5-(4-(三氟甲氧基)苯基)-1H-吲哚-3-基)側氧基乙酸；CAS 393105-53-8）。

一種標記組在如請求項1之用途中之試管內用途，其中該組包含PAI-1及STAT3磷酸化之兩或多個替代標記或PAI-1及p-STAT3，其中該等兩或多個替代標記係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9、ANGPT1、TGFB1、POSTN、VSIG4、CD44及CXCL10，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

一種標記組在如請求項2之方法中之試管內用途，其中該組包含PAI-1及STAT3磷酸化之兩或多個替代標記或PAI-1及p-STAT3，其中該等兩或多個替代標記係選自由以下者組成之群：IL6、IL10、CCL2、MMP9、ANGPT1、TGFB1、POSTN、VSIG4、CD44及CXCL10，其中該等兩或多個替代標記中之一者為MMP9。

如請求項17之用途，其中該組包含PAI-1以及IL6、IL10、CCL2及MMP9中之兩或多者或所有，其中該替代標記中之一者為MMP9；或其中該組包含PAI-1以及IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1中之一或多者或所有，其中該替代標記中之一者為MMP9。

如請求項18或19之用途，其中該組包含PAI-1以及IL6、IL10、CCL2及MMP9中之兩或多者或所有，其中該替代標記中之一者為MMP9；或其中該組包含PAI-1以及IL6、IL10、CCL2、MMP9及ANGPT1中之一或多者或所有，其中該替代標記中之一者為MMP9。

一種自含有包含Q311R以及P343R的胺基酸殘基的置換的IgG抗體之組成物純化該抗體之方法，其包含以下步驟： <br/>（a） 準備包含固定化有蛋白質A改變配體的載體之親和力管柱的步驟，該蛋白質A改變配體包含具有序列編號3或5所示的胺基酸序列之改變免疫球蛋白結合域或該些改變免疫球蛋白結合域的集合體； <br/>（b） 將含有上述IgG抗體的組成物充填至步驟（a）的親和力管柱的步驟；以及 <br/>（c） 自步驟（b）的親和力管柱溶出並回收IgG抗體的步驟， <br/>其中該IgG抗體包含含有選自由序列編號12~57所組成之群組的胺基酸序列之重鏈恆定區域。

如請求項1所述之方法，其中上述改變免疫球蛋白結合域的集合體為二聚物至十聚物。

如請求項1所述之方法，其中上述蛋白質A改變配體為由包含選自由序列編號3以及5所組成之群組中至少一個胺基酸序列所形成的改變免疫球蛋白結合域之改變配體。

如請求項1至3中任一項所述之方法，其中上述蛋白質A改變配體為進一步包含序列編號4的改變免疫球蛋白結合域之改變配體。

如請求項1至3中任一項所述之方法，其中抗體的pI值為4.0～10.0。

一種抗CTGF抗體，其包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中：該重鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：16、SEQ ID NO：17和SEQ ID NO：18所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3，該輕鏈可變區包含分別如SEQ ID NO：19、SEQ ID NO：20和SEQ ID NO：21所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3。

如請求項1之抗CTGF抗體，其中該抗CTGF抗體是鼠源抗體、嵌合抗體或人源化抗體。

如請求項2之抗CTGF抗體，其中該抗CTGF抗體為人源化抗體，該人源化抗體包含人抗體的框架區或其框架區變體，該框架區變體在人抗體的輕鏈框架區和/或重鏈框架區上分別具有至多10個回復突變；輕鏈可變區，其包含：分別如SEQ ID NO：19、SEQ ID NO：20和SEQ ID NO：21所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3，以及選自36V、44F、46G或49G中的回復突變，和重鏈可變區，其包含：分別如SEQ ID NO：16、SEQ ID NO：17和SEQ ID NO：18所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3，以及選自44G、49G、27F、48L、67L、71K、78V或80F中的回復突變，該回復突變位點的位置根據Kabat編號規則決定。

如請求項1之抗CTGF抗體，其包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中：(ix)該重鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：8所示；和該輕鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：9所示；或(x)該重鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：33、34、35或36所示；和該輕鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：30、31或32所示。

如請求項4之抗CTGF抗體，其包含重鏈可變區和輕鏈可變區，其中：該重鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：34所示；和該輕鏈可變區，其胺基酸序列如SEQ ID NO：30所示。

如請求項1之抗CTGF抗體，其中該抗體進一步包含抗體重鏈恆定區和輕鏈恆定區；該重鏈恆定區選自人IgG1、IgG2、IgG3和IgG4的恆定區及其變體，該輕鏈恆定區選自人抗體κ和λ鏈的恆定區及其變體。

如請求項1之抗CTGF抗體，其中該抗體包含如SEQ ID NO：37或38所示的重鏈恆定區和如SEQ ID NO：40所示的輕鏈恆定區。

如請求項1之抗CTGF抗體，其包含：如SEQ ID NO：54、56、57、58、59、60、61、62或63所示的重鏈和如SEQ ID NO：55、64、65或66所示的輕鏈。

如請求項1之抗CTGF抗體，其包含：如SEQ ID NO：61所示的重鏈和如SEQ ID NO：64所示的輕鏈。

一種核酸分子，其編碼如請求項1至9中任一項之抗CTGF抗體。

一種宿主細胞，其包含如如請求項10之核酸分子。

一種醫藥組成物，其含有治療有效量的如請求項1至9中任一項之抗CTGF抗體，或如請求項10之核酸分子，以及一種或更多種藥學上可接受的載體、稀釋劑、緩衝劑或賦形劑。

一種用於免疫檢測或測定CTGF的方法，該方法包括使如請求項1至9中任一項之抗CTGF抗體接觸受試者或其樣本的步驟。

一種試劑盒，其包含如請求項1至9中任一項之抗CTGF抗體。

一種如請求項1至9中任一項之抗CTGF抗體，或如請求項10之核酸分子，或如請求項12之醫藥組成物的用途，其用在製備用於治療或預防與CTGF相關的疾病的藥物，其中該與CTGF相關的疾病為纖維性疾病、高血壓、糖尿病、心肌梗死、關節炎、CTGF相關細胞增殖性疾病、動脈粥樣硬化、青光眼或癌症。

如請求項15之用途，該纖維性疾病選自：自發性肺纖維化、糖尿病性腎病、糖尿病性視網膜病骨關節炎、硬皮病、慢性心衰竭、肝硬化或腎纖維化；該癌症選自：急性淋巴母細胞性白血病、皮膚纖維瘤、乳腺癌、血管脂肪瘤、血管平滑肌瘤、結締組織生成性癌症、前列腺癌、卵巢癌、結腸直腸癌、胰腺癌、胃腸道癌症或肝癌。

一種乾燥藥物製劑，其中，所述乾燥藥物製劑包含CNP綴合物、緩衝劑、填充劑和pH調節劑，且其中所述CNP綴合物包含共價和可逆地綴合至聚合物部分的CNP部分，其中所述填充劑是海藻糖二水合物，所述緩衝劑是琥珀酸，且所述pH調節劑是Tris，其中所述乾燥藥物製劑能夠用水重構為pH 值 4.5 至 5.5，且，基於所述乾燥藥物製劑的總重量，所述乾燥藥物製劑包含： <br/>CNP綴合物                   1.3-45.4%(w/w) <br/>琥珀酸                           0.2-3.2%(w/w) <br/>海藻糖二水合物           52.6-98.4%(w/w) <br/>Tris                                 0.1-5.6%(w/w)；且 <br/>其中所述CNP綴合物為式(IIf)： <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="75px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IIf), <br/>其中，未標記的虛線表示通過形成醯胺鍵而連接至具有SEQ ID NO：24的序列的CNP部分的位置26的賴氨酸的側鏈提供的胺官能團；且 <br/>標記有星號的虛線表示附接至具有以下結構的-Z <br/><img align="absmiddle" height="94px" width="112px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中， <br/>各‑Z^a為： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="188px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，各c1獨立地為範圍200-250的整數。

如請求項1所述的乾燥藥物製劑，其中，基於所述乾燥藥物製劑的總重量，所述乾燥藥物製劑包含： <br/>CNP綴合物                   1.3-38.7%(w/w) <br/>琥珀酸                           0.2-3.2%(w/w) <br/>海藻糖二水合物           52.6-98.4%(w/w) <br/>Tris                                 0.1-5.6%(w/w)。

一種製備請求項1所述的乾燥藥物製劑的方法，其中，該方法包含以下步驟： <br/>(i)將所述CNP綴合物與琥珀酸和海藻糖二水合物混合以生成一製劑，其包括 <br/>CNP綴合物                   0.9-82.1 mg/ml <br/>琥珀酸                           1.3-57.6 mM <br/>海藻糖二水合物           67-111.6 mg/ml； <br/>(ii)以Tris調節步驟(i)的混合物的pH至pH 4.5至pH 5.5； <br/>(iii)過濾來自步驟(ii)的混合物； <br/>(iv)將步驟(iii)的混合物轉移到容器中； <br/>(v)透過冷凍乾燥來乾燥所述混合物；且 <br/>(vi)密封所述容器。

一種重構請求項1所述的乾燥藥物製劑的方法，其中，所述方法包含以下步驟： <br/>(a)使請求項1所述的乾燥藥物製劑與水接觸。

一種重構藥物製劑，其可從請求項4所述的重構方法獲得。

一種如請求項1所述的乾燥藥物製劑在製備用於治療軟骨發育不全的藥物的用途。

一種如請求項5所述的重構藥物製劑在製備用於治療軟骨發育不全的藥物的用途。

一種電感器，其包含：<br/> 在一基體層中之複數個鍍通孔(PTH)穿孔；<br/> 在該基體層中具有複數個開口之複數個磁性互連件，其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口圍繞該等複數個PTH穿孔；<br/> 在該基體層中之一絕緣層，其中該絕緣層具有一第一部件及一第二部件，且其中該絕緣層之該第一部件橫向圍繞且接觸該等複數個磁性互連件之一最外表面；<br/> 在該等複數個PTH穿孔、該等複數個磁性互連件及該絕緣層上方之一第一導電層；以及<br/> 在該等複數個PTH穿孔、該等複數個磁性互連件及該絕緣層下方之一第二導電層，<br/> 其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口暴露該等複數個磁性互連件之複數個內側壁，<br/> 其中該等複數個磁性互連件之該等複數個內側壁完全地圍繞該等複數個PTH穿孔之複數個外側壁，其中該等複數個PTH穿孔各自具有一寬度，其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口各自具有大於該寬度之一第一寬度，且其中該絕緣層之該第二部件係設置在該等複數個磁性互連件的該等複數個內側壁與該等複數個PTH穿孔的該等複數個外側壁之間。

如請求項1之電感器，其中該等複數個磁性互連件具有係實質地等於該等複數個PTH穿孔之一厚度的厚度，其中該等複數個磁性互連件被塑形成複數個中空圓柱形磁心，其中該等複數個中空圓柱形磁心包括一或多個磁性材料，其中該等複數個中空圓柱形磁心為複數個鐵電磁心，其中該等一或多個磁性材料包括一或多個鐵磁材料，且其中該等一或多個鐵磁材料包括鈷(Co)、鐵(Fe)、氧化鐵(III)(Fe₂O₃)、氧化鐵(II)(FeO)及氧化鐵(III)(FeOFe₂O₃)、氧化鎳(NiO)及氧化鐵(III)(NiOFe₂O₃)、氧化銅(II)(CuO)及氧化鐵(III)(CuOFe₂O₃)、氧化鎂(MgO)及氧化鐵(III)(MgOFe₂O₃)、鉍化錳(III)(MnBi)、鎳(Ni)、銻化錳(III)(MnSb)、氧化錳(II)(MnO)及氧化鐵(III)(MnOFe₂O₃)、氧化釔鐵(Y₃Fe₅O₁₂)、氧化鉻(IV)(CrO₂)、砷化錳(III)(MnAs)、或碲化鎘鋅(CdZnTe)。

如請求項2之電感器，其中該基體層具有係實質地等於該等複數個PTH穿孔之該厚度的厚度，且其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口從該第二導電層垂直地延伸到該第一導電層。

如請求項1之電感器，其中該等複數個PTH穿孔從該第二導電層垂直地延伸到該第一導電層，且其中該等複數個PTH穿孔將該第二導電層導電式耦接至該第一導電層。

一種形成電感器之方法，其包含：<br/> 圖案化穿過一基體層之複數個第一開口；<br/> 將具有複數個開口之複數個磁性互連件設置至該基體層之該等複數個第一開口中；<br/> 將一絕緣層設置至該等複數個磁性互連件之該等複數個開口及該基體層之該等複數個第一開口中，其中該絕緣層具有一第一部件及一第二部件，且其中該絕緣層之該第一部件橫向圍繞且接觸該等複數個磁性互連件之一最外表面；<br/> 圖案化穿過位在該等複數個磁性互連件之該等複數個開口內的該絕緣層之複數個穿孔開口；<br/> 將一導電材料設置至該等複數個穿孔開口中以形成複數個鍍通孔(PTH)穿孔，其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口圍繞該等複數個PTH穿孔；<br/> 將一第一導電層設置在該等複數個PTH穿孔、該等複數個磁性互連件及該絕緣層上方；以及<br/> 將一第二導電層設置在該等複數個PTH穿孔、該等複數個磁性互連件及該絕緣層下方，<br/> 其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口暴露該等複數個磁性互連件之複數個內側壁，<br/> 其中該等複數個磁性互連件之該等複數個內側壁完全地圍繞該等複數個PTH穿孔之複數個外側壁，其中該等複數個PTH穿孔各自具有一寬度，其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口各自具有大於該寬度之一第一寬度，且其中該絕緣層之該第二部件係設置在該等複數個磁性互連件的該等複數個內側壁與該等複數個PTH穿孔的該等複數個外側壁之間。

如請求項5之方法，其中該等複數個磁性互連件具有係實質地等於該等複數個PTH穿孔之一厚度的厚度，其中該等複數個磁性互連件被塑形成複數個中空圓柱形磁心，其中該等複數個中空圓柱形磁心包括一或多個磁性材料，其中該等複數個中空圓柱形磁心為複數個鐵電磁心，其中該等一或多個磁性材料包括一或多個鐵磁材料，且其中該等一或多個鐵磁材料包括Co、Fe、Fe₂O₃、FeOFe₂O₃、NiOFe₂O₃、CuOFe₂O₃、MgOFe₂O₃、MnBi、Ni、MnSb、MnOFe₂O₃、Y₃Fe₅O₁₂、CrO₂、MnAs、或CdZnTe。

如請求項6之方法，其中該基體層具有係實質地等於該等複數個PTH穿孔之該厚度的厚度，且其中該等複數個磁性互連件之該等複數個開口從該第二導電層垂直地延伸到該第一導電層。

如請求項5之方法，其中該等複數個PTH穿孔從該第二導電層垂直地延伸到該第一導電層，且其中該等複數個PTH穿孔將該第二導電層導電式耦接至該第一導電層。

一種半導體封裝，其包含：<br/> 在一封裝基體上的一基體；<br/> 如請求項1-4中任一項之電感器，該電感器係設置在該基體或該封裝基體中或上；以及<br/> 在該基體上的一晶粒。

一種配置成處理基板的電漿處理系統，包含：<br/>一電漿腔室，其包含一基板固持器及一聚焦環；<br/>一射頻(RF)源，配置成施加一RF場至該電漿腔室以在該電漿腔室中產生一RF電漿；<br/>一電位移場量測感測器，其包含附接至該聚焦環的一電容性介電層，該電容性介電層係一鐵電材料，該電位移場量測感測器配置成偵測基板處理期間的該鐵電材料之極化上的改變，該電位移場量測感測器包含嵌入附接至該聚焦環之該電容性介電層內的一感測電容器，該感測電容器包含設置在該電容性介電層中且配置成產生一差動電容訊號的兩個電容器拾波器板；以及<br/>控制電子裝置，耦接至該電位移場量測感測器，該控制電子裝置配置成基於該極化上的改變而判定該RF電漿的一直流(DC)電壓(Vdc)。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電位移場量測感測器包含複數個該感測電容器。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電位移場量測感測器為環形。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該感測電容器包含一第一電容器板，且該兩個電容器拾波器板包含一第二電容器板及一第三電容器板，該第一、第二、及第三電容器板係嵌入該電容性介電層內，該第一電容器板耦接以從配置成在雙頻下產生激發訊號之訊號產生器接收激發訊號，該第二電容器板及該第三電容器板耦接至一量測電路，該量測電路係配置成基於該鐵電材料因該Vdc而產生之極化上的改變來量測一差動電容變化。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電位移場量測感測器包含複數個該感測電容器，該複數個該感測電容器係沿著該聚焦環對稱地設置，使得該RF電漿的該Vdc在多個位置處受量測。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中包含該感測電容器的該電容性介電層係沿著該聚焦環的一側壁而設置。

如請求項1之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電漿處理系統為脈衝電漿處理系統。

如請求項7之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該脈衝電漿處理系統係於至多10 kHz的頻率下操作。

一種配置成處理基板的電漿處理系統，包含：<br/>一電漿腔室；<br/>一射頻(RF)源，配置成施加一RF場至該電漿腔室，並在該電漿腔室中產生一RF電漿；<br/>一電位移場量測感測器，位於該電漿處理系統內，該電位移場量測感測器具有一電容性層，該電容性層之差動電容上的改變指示該RF電漿的直流(DC)電壓(Vdc)，該電容性層包含一第一電容器板、一第二電容器板、及一第三電容器板，該第一電容器板耦接以從配置成在雙頻下產生激發訊號之訊號產生器接收激發訊號，該第二電容器板及該第三電容器板耦接至一量測電路，該量測電路係配置成量測該差動電容上的改變；及<br/>控制電子裝置，耦接至該電位移場量測感測器，該控制電子裝置基於該電容性層之該差動電容上的改變而偵測該Vdc之值。

如請求項9之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電容性層為一鐵電材料。

如請求項10之配置成處理基板的電漿處理系統，其中該電位移場量測感測器為環形。

如請求項9之配置成處理基板的電漿處理系統，更包含：<br/>一聚焦環，設置在待處理之一基板周圍，其中該電容性層係沿著該聚焦環的一側壁而設置。

如請求項9之配置成處理基板的電漿處理系統，更包含：<br/>一聚焦環，設置在待處理之一基板周圍；<br/>一介電層，附接至該聚焦環，該聚焦環係設置於該介電層與該電漿腔室之一電漿形成區域之間；<br/>該第一電容器板，設置於該介電層中；及<br/>該第二電容器板及該第三電容器板，設置於該介電層中，該第一電容器板和該第二及第三電容器板為該電位移場量測感測器的一部分。

一種操作電漿處理系統的方法，包含：<br/>藉由在一電漿腔室中施加一射頻(RF)場而產生一電漿，該電漿在該電漿與一電極之間建立一電場直流(DC)電壓(Vdc)，該電漿腔室包含設置在一基板周圍的一聚焦環；<br/>設置一電容式電位移場電壓感測器，該電容式電位移場電壓感測器包含一感測電容器，該感測電容器包含一電容性介電層，該電容性介電層具有一鐵電材料並附接至該聚焦環，該感測電容器包含設置在該電容性介電層中且配置成產生一差動電容訊號的兩個電容器拾波器板；<br/>藉由監測該電容式電位移場電壓感測器因該Vdc而產生的電容變化，偵測該Vdc；及<br/>在利用所偵測的Vdc來操作該電漿處理系統時，對該基板進行電漿處理。

如請求項14之操作電漿處理系統的方法，其中該感測電容器係嵌入一環形結構內。

如請求項14之操作電漿處理系統的方法，其中該電漿處理系統為脈衝電漿處理系統，該電容式電位移場電壓感測器偵測脈衝電漿的Vdc變化。

如請求項14之操作電漿處理系統的方法，更包含：<br/>在產生該電漿之前收集Vdc校準資料，所偵測的該Vdc係基於該Vdc校準資料。

如請求項17之操作電漿處理系統的方法，其中該Vdc校準資料係於不具有電漿或具有與該RF場產生之電漿不同的電漿的情況下收集。

如請求項14之操作電漿處理系統的方法，更包含：<br/>經由耦接至一第一電容器板之一訊號產生器，在該第一電容器板處施加一交流(AC)訊號；及<br/>回應於施加該AC訊號，在耦接至該兩個電容器拾波器板的一量測電路處接收來自該兩個電容器拾波器板的一輸入訊號，該第一電容器板和該兩個電容器拾波器板嵌入該電容性介電層內，該感測電容器包含該第一電容器板和該兩個電容器拾波器板。

一種操作電漿處理系統的方法，包含：<br/>施加一射頻(RF)場至一電漿腔室並在該電漿腔室中產生一RF電漿，該RF電漿在該RF電漿與一電極之間建立一電場直流(DC)電壓(Vdc)；<br/>在該電漿處理系統內設置一基板，該電漿處理系統包含一電位移場量測感測器，該電位移場量測感測器具有附接至一聚焦環的一電容性層，該電容性層之差動電容上的變化指示該電漿腔室中之該Vdc的Vdc值；<br/>使用耦接至該電位移場量測感測器之複數電容器板的一量測電路，來量測該電容性層之差動電容上的變化，該量測包含：<br/>經由耦接至該複數電容器板之一第一電容器板的一訊號產生器，在該第一電容器板處施加一交流(AC)訊號，及<br/>回應於施加該AC訊號，在該量測電路處接收來自該複數電容器板之一第二電容器板的一第一輸入訊號及來自該複數電容器板之一第三電容器板的一第二輸入訊號，該量測電路耦接至該第二電容器板及該第三電容器板；及<br/>基於該差動電容上的變化判定該Vdc值。

如請求項20之操作電漿處理系統的方法，其中該電容性層為一鐵電材料。

如請求項20之操作電漿處理系統的方法，其中該Vdc值提供指示該基板之表面處之Vdc的資料。

如請求項20之操作電漿處理系統的方法，更包含在利用所判定的Vdc來操作該電漿處理系統時，使用該RF電漿對該基板進行電漿處理。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)包含質子幫浦抑制劑之填充材料，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>(b)腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶殼組合物包含角叉菜膠； <br/>其中該填充材料包含約10 mg至約50 mg之該質子幫浦抑制劑，或約20 mg之該質子幫浦抑制劑，或約40 mg之該質子幫浦抑制劑；及 <br/>其中當使用UPLC並根據USP41-NF36測試該填充材料時，在緩衝階段期間在約6.8之pH下在約30分鐘內溶解約60%或更多之該質子幫浦， <br/>其中該填充材料包含：包含中鏈甘油三酸酯及單硬脂酸甘油酯之懸浮系統，其中該中鏈甘油三酸酯與單硬脂酸甘油酯w/w比率係約1:1至約50:1、約5:1至約40:1、約8:1至約30:1或約10:1至約25:1， <br/>其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約2% w/w至約10% w/w、約2% w/w至約8% w/w或約2% w/w至約5% w/w角叉菜膠。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)包含質子幫浦抑制劑之填充材料，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>(b)具有約7.0至約9.0之pH之腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶殼組合物包含角叉菜膠； <br/>其中該填充材料包含約10 mg至約50 mg之該質子幫浦抑制劑，或約20 mg之該質子幫浦抑制劑，或約40 mg之該質子幫浦抑制劑；及 <br/>其中當在約37 ± 2℃下，該軟膠囊係於0.1N HCl中時，該腸溶殼不破裂至少一小時， <br/>其中該填充材料包含：包含中鏈甘油三酸酯及單硬脂酸甘油酯之懸浮系統，其中該中鏈甘油三酸酯與單硬脂酸甘油酯w/w比率係約1:1至約50:1、約5:1至約40:1、約8:1至約30:1或約10:1至約25:1， <br/>其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約2% w/w至約10% w/w、約2% w/w至約8% w/w或約2% w/w至約5% w/w角叉菜膠。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)包含質子幫浦抑制劑之填充材料，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>(b)腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶殼組合物包含角叉菜膠； <br/>其中該填充材料包含約10 mg至約50 mg之該質子幫浦抑制劑，或約20 mg之該質子幫浦抑制劑，或約40 mg之該質子幫浦抑制劑；及 <br/>其中在經歷在約25℃之溫度及60%相對濕度之應力條件下進行之穩定性測試約2週後，該質子幫浦抑制劑之約90% w/w或更多保留於該腸溶軟膠囊中， <br/>其中該填充材料包含：包含中鏈甘油三酸酯及單硬脂酸甘油酯之懸浮系統，其中該中鏈甘油三酸酯與單硬脂酸甘油酯w/w比率係約1:1至約50:1、約5:1至約40:1、約8:1至約30:1或約10:1至約25:1， <br/>其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約2% w/w至約10% w/w、約2% w/w至約8% w/w或約2% w/w至約5% w/w角叉菜膠。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該填充材料之總重量計，該腸溶軟膠囊包含約60% w/w至約90% w/w、約65% w/w至約85% w/w或約70% w/w至約80% w/w之該懸浮系統。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該腸溶殼組合物具有約7.0至約9.0、約7.0至約8.0、約8.0至約9.0、約7.5至約8.5、約7.5至約9.0、約7至約8.5、約7.0至約7.5、約7.5至約8.0、約8.0至約8.5或約8.5至約9.0之pH。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含小於約1% w/w、小於約0.5% w/w、小於約0.25% w/w、小於約0.1% w/w、小於約0.05% w/w、小於約0.01% w/w或0% w/w之習知腸溶聚合物。

如請求項6之腸溶軟膠囊，其中習知腸溶聚合物包含下列中之一或多者：酸不溶性聚合物、丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物、乙酸纖維素琥珀酸酯、乙酸纖維素鄰苯二甲酸酯、乙酸纖維素丁酸酯、羥丙基甲基纖維素鄰苯二甲酸酯、羥丙基甲基纖維素乙酸琥珀酸酯(羥丙甲纖維素乙酸琥珀酸酯)、聚乙酸乙烯鄰苯二甲酸酯(PVAP)、海藻酸鹽及硬脂酸，或其混合物。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該腸溶殼組合物包含係i-角叉菜膠、κ-角叉菜膠及其混合物中之至少一者之角叉菜膠。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中當使用UPLC並根據USP41-NF36測試該填充材料時，在緩衝階段期間在約6.8之pH下在約30分鐘內溶解約70%或更多、約75%或更多、約80%或更多、約85%或更多或約90%或更多之該質子幫浦抑制劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中在經歷在約25℃之溫度及60%相對濕度之應力條件下進行之穩定性測試約2週後，該質子幫浦抑制劑之約90% w/w或更多、約95% w/w或更多、約98% w/w或更多、約99% w/w或更多或約99.5% w/w或更多或約99.8% w/w或更多保留於該腸溶軟膠囊中。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中在經歷在約30℃之溫度及75%相對濕度之應力條件下進行之穩定性測試約4週後，該質子幫浦抑制劑之約90% w/w或更多、約95% w/w或更多，其中約98% w/w或更多、約99% w/w或更多或約99.5% w/w或更多或約99.8% w/w或更多保留於該腸溶軟膠囊中。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中當在約37 ± 2℃下，該軟膠囊係於0.1N HCl中時，腸溶殼不破裂至少約一小時、至少約兩小時、至少約三小時、至少約四小時或至少約五小時。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該填充材料包含抗氧化劑，其係d-α-生育酚、dl生育酚、β生育酚、γ生育酚，及其組合。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含約0.1% w/w至約5% w/w、約0.5% w/w至約4% w/w、約1% w/w至約3% w/w或約1.5% w/w至約2.5% w/w之抗氧化劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該填充材料包含表面活性劑及/或分散劑，其係聚山梨醇酯80。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含約0.5% w/w至約5% w/w、約1% w/w至約5% w/w、約2% w/w至約5% w/w、約3% w/w至約5% w/w或約4% w/w至約5% w/w之表面活性劑及/或分散劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該填充材料包含鹼化劑，其係氧化鎂。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含約0.5% w/w至約10% w/w、約2% w/w至約10% w/w、約5% w/w至約10% w/w或約7% w/w至約9% w/w之鹼化劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該填充材料包含潤濕劑，其係卵磷脂。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含約0.5% w/w至約5% w/w、約1% w/w至約3% w/w或約1.5% w/w至約2.5% w/w之潤濕劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該填充材料包含約70% w/w至約80% w/w之懸浮系統、約1.5% w/w至約2.5% w/w之抗氧化劑、約4% w/w至約5% w/w之表面活性劑及/或分散劑及約7% w/w至約9% w/w之鹼化劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該腸溶殼組合物包含明膠，其係A型明膠、B型明膠及其混合物中之至少一者。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該腸溶殼組合物包含明膠，其係魚明膠、獸皮明膠、骨明膠及其混合物中之至少一者。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約1% w/w至約50% w/w、約5% w/w至約40% w/w或約10% w/w至約30% w/w之明膠。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中該腸溶殼組合物包含塑化劑，其係甘油、山梨糖醇及其混合物中之至少一者。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約1% w/w至約55% w/w、約5% w/w至約45% w/w或約10% w/w至約35% w/w之塑化劑。

如請求項1至3中任一項之腸溶軟膠囊，其中基於該腸溶殼組合物之總重量計，該腸溶殼組合物包含約5% w/w至約60% w/w、約10% w/w至約55% w/w或約20% w/w至約50% w/w之溶劑。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)填充材料，基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含質子幫浦抑制劑、約60% w/w至約90% w/w之懸浮系統、約0.1% w/w至約5% w/w之抗氧化劑、約0.5% w/w至約5% w/w之表面活性劑及/或分散劑及約0.5% w/w至約10% w/w之鹼化劑，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>(b)腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶軟膠囊不含習知腸溶聚合物，及 <br/>其中在經歷在約25℃之溫度及60%相對濕度之應力條件下進行之穩定性測試約2週後，該質子幫浦抑制劑之約90% w/w或更多保留於該腸溶軟膠囊中。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)填充材料，基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含質子幫浦抑制劑、約60% w/w至約90% w/w之懸浮系統、約0.1% w/w至約5% w/w之抗氧化劑、約0.5% w/w至約5% w/w之表面活性劑及/或分散劑及約0.5% w/w至約10% w/w之鹼化劑，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>(b)腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶軟膠囊不含習知腸溶聚合物，及 <br/>其中當約37 ± 2℃下，該軟膠囊係於0.1N HCl中時，腸溶殼不破裂至少一小時。

一種填充材料，基於該填充材料之總重量計，該填充材料包含質子幫浦抑制劑、約60% w/w至約90% w/w之懸浮系統、約0.1% w/w至約5% w/w之抗氧化劑、約0.5% w/w至約5% w/w之表面活性劑及/或分散劑及約0.5% w/w至約10% w/w之鹼化劑，其中該質子幫浦抑制劑係埃索美拉唑(esomeprazole)或其醫藥上可接受之鹽，或二水合埃索美拉唑鎂；及 <br/>其中當使用UPLC並根據USP41-NF36測試該填充材料時，在緩衝階段期間在約6.8之pH下在約30分鐘內溶解約60%或更多之該質子幫浦抑制劑。

一種腸溶軟膠囊，其包含： <br/>(a)如請求項30之填充材料；及 <br/>(b)腸溶殼組合物， <br/>其中該腸溶軟膠囊不含習知腸溶聚合物。

一種組織修復膜，其包含：<br/> 組織修復膜基質；<br/> 施加於該組織修復膜基質的表面之至少一部分的第一塗層，其中該第一塗層包含由玻尿酸及海藻酸鹽之溶液形成的第一水凝膠聚合物；以及<br/> 施加於該第一塗層上的第二塗層，其中該第二塗層包含由不含海藻酸鹽的玻尿酸之溶液形成的第二水凝膠聚合物，<br/> 其中該第一塗層或該第二塗層之至少一者在處於水合狀態時向該組織修復膜提供自黏附及潤滑之一者或多者。

如請求項1之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物也由額外的聚陰離子聚合物形成，該聚陰離子聚合物包含以下一者或多者：軟骨素、海藻酸鹽、氧化纖維素、肝素、皮膚素、前述聚合物之硫酸化或以其他方式改質之型式及該等之組合。

如請求項1之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物也由聚陽離子聚合物形成，該聚陽離子聚合物包含以下一者或多者：聚葡萄胺糖、聚離胺酸、聚鳥胺酸、聚六亞甲基雙胍（polyhexamethylene biguanide）、聚乙烯亞胺（polyethyleneimine）、二乙胺基乙基-聚葡萄糖（diethylaminoethyl-dextran）、聚（醯胺基胺）（poly（amidoamine））、該等之四級銨、該等之以其他方式改質之型式、及該等之組合。

如請求項1之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物也由包含聚葡萄胺糖之聚陽離子聚合物形成。

如請求項1之組織修復膜，其中該組織修復膜基質選自人類組織及動物組織之一者及該等之組合。

如請求項1之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含以下一者或多者：人類屍體組織、人類胎盤組織、豬類動物組織、反芻動物組織、薄膜以及天然及合成聚合物之編織物或非編織物、及該等之組合。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物包含按重量計約0.5%至5%的海藻酸鹽及按重量計約0.5%至5%的玻尿酸。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物包含按重量計2%的海藻酸鹽及按重量計2%的玻尿酸。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含1至8層。

如請求項9之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含2至6層。

如請求項10之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含2至4層。

如請求項11之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含4層。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為約1%至約100%。

如請求項13之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為大約5%。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為該第一水凝膠聚合物內之大約每一單體或100%改質至每一千單體（0.1%改質）。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為大約二十分之一單體（5%改質）至五分之一單體（20%改質）。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物結合至該組織修復膜基質包括選自如下之組的技術：1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)-碳化二亞胺／N-羥基丁二醯亞胺（EDC／NHS）酯、巰基/二硫鍵結合、硫基-烯反應、順丁烯二醯亞胺、環氧化物、亞胺酯、任何點擊化學（click chemistry）或該等之組合。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜的平均摩擦係數小於0.2。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該第一塗層或該第二塗層之至少一者覆蓋該組織修復膜的第一表面及第二表面。

如請求項1至6中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜基質為薄片。

一種組織修復膜，其包含：<br/> 組織修復膜基質；<br/> 施加於該組織修復膜基質的表面之至少一部分的第一塗層，其中該第一塗層包含由玻尿酸及海藻酸鹽之溶液形成的第一水凝膠聚合物；以及<br/> 施加於該第一塗層之至少一部份上的第二塗層，該第二塗層由第二水凝膠聚合物形成，該第二水凝膠聚合物由玻尿酸之溶液形成，<br/> 其中當該水凝膠聚合物處於水合狀態時，該第一塗層或該第二塗層之至少一者降低靜態摩擦係數。

如請求項21之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含以下一者或多者：組織源性膜、薄膜、以及天然及合成聚合物之編織物或非編織物、及該等之組合。

如請求項21之組織修復膜，其中該組織修復膜基質由小腸黏膜下層薄片製備。

如請求項21之組織修復膜，其中該組織修復膜基質進一步包含提供該海藻酸鹽之至少部分離子交聯之二價離子。

如請求項21之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物至少部分地物理互滲透該組織修復膜基質。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物包含按重量計約0.5%至5%的海藻酸鹽及按重量計約0.5%至5%的玻尿酸。

如請求項26之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物包含按重量計2%的海藻酸鹽及按重量計2%的玻尿酸。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含1至8層。

如請求項28之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含2至6層。

如請求項29之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含2至4層。

如請求項30之組織修復膜，其中該組織修復膜基質包含4層。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為約1%至約100%。

如請求項32之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為大約5%。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為該第一水凝膠聚合物內之大約每一單體或100%改質至每一千單體（0.1%改質）。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為大約二十分之一單體（5%改質）至五分之一單體（20%改質）。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物結合至該組織修復膜基質包括選自如下之組的技術：1-乙基-3-（3-二甲基胺基丙基）-碳化二亞胺／N-羥基丁二醯亞胺（EDC／NHS）酯、巰基/二硫鍵結合、硫基-烯反應、順丁烯二醯亞胺、環氧化物、亞胺酯、任何點擊化學或該等之組合。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一塗層或該第二塗層之至少一者在處於水合狀態時向該組織修復膜提供自黏附及潤滑之一者或多者。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一水凝膠聚合物的聚陰離子區域提供潤滑。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜的平均摩擦係數小於0.2。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該第一塗層或該第二塗層之至少一者覆蓋組織修復膜的第一表面及第二表面。

如請求項21至25中任一項之組織修復膜，其中該組織修復膜基質為薄片。

一種製備組織修復膜之方法，其包含： <br/> 將包含玻尿酸及海藻酸鹽之第一水凝膠聚合物溶液的第一塗層施加於組織修復膜基質之至少一部分；<br/> 將已施加有該第一水凝膠聚合物溶液之組織修復膜基質進行乾燥，以於該組織修復膜基質上提供經乾燥之水凝膠聚合物的至少部分塗層；<br/> 將包含玻尿酸且不含海藻酸鹽之第二水凝膠聚合物溶液的第二塗層施加於該第一塗層；以及<br/> 將已施加有該第二水凝膠聚合物溶液之該組織修復膜基質進行乾燥。

如請求項42之方法，其中該組織修復膜基質包含以下一者或多者：組織源性膜、薄膜、天然及合成聚合物之編織物或非編織物、及該等之組合。

如請求項42之方法，其中該組織修復膜基質由小腸黏膜下層薄片製備。

如請求項42之方法，進一步包含添加二價離子，該二價離子提供該第一水凝膠聚合物的該海藻酸鹽之至少部分離子交聯。

如請求項42之方法，其中該第一水凝膠聚合物至少部分地物理互滲透該組織修復膜基質。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一水凝膠聚合物包含重量按重量計約0.5%至5%的海藻酸鹽及按重量計約0.5%至5%的玻尿酸。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該組織修復膜基質包含2至6層。

如請求項48之方法，其中該組織修復膜基質包含2至4層。

如請求項49之方法，其中該組織修復膜基質包含4層。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為約1%至約100%。

如請求項51之方法，其中該第一水凝膠聚合物之取代程度為大約5%。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為該第一水凝膠聚合物內之大約每一單體或100%改質至每一千單體（0.1%改質）。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一水凝膠聚合物與該組織修復膜基質之間的連接位準為大約二十分之一單體（5%改質）至五分之一單體（20%改質）。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一水凝膠聚合物結合至該組織修復膜基質包括選自如下之組的技術：1-乙基-3-（3-二甲基胺基丙基）-碳化二亞胺／N-羥基丁二醯亞胺（EDC／NHS）酯、巰基/二硫鍵結合、硫基-烯反應、順丁烯二醯亞胺、環氧化物、亞胺酯、任何點擊化學或該等之組合。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該第一塗層或該第二塗層之至少一者在處於水合狀態時向該組織修復膜提供自黏附及潤滑之一者或多者。

如請求項42至46中任一項之方法，其中該組織修復膜的平均摩擦係數小於0.2。

如請求項42至46中任一項之方法，其中將該第一水凝膠聚合物施加於該組織修復膜基質的持續時間為大約2分鐘。

如請求項42至46中任一項之方法，其中施加該第一塗層或該第二塗層之一者或兩者是藉由以下一者或多者達成：將該組織修復膜基質與該第一水凝膠聚合物或該第二水凝膠聚合物進行浸泡、塗覆、大致地塗覆、接枝、浸沒、水合、以及飽和。

如請求項42至46中任一項之方法，其中施加該第一塗層較施加該第二塗層花費更長的時間。

一種治療組成物於製備用於治療有此需要的受試者中炎症反應所導致的腦損傷之藥物的用途，其中，該治療組成物包括臍帶血(UCB)，且該UCB包括血漿減除(PD)UCB或紅血球減少(RCR)UCB，其中，該UCB含有抗炎細胞激素IL-10，且該IL-10於治療組成物中的水平高於選自由IL-1-β、IL-2、IL-6、IFN-γ及TNF-α所組成群組之促炎細胞激素於治療組成物中的水平，其中，該藥物係與血腦障壁(BBB)透化劑組成物併用，以及其中，該受試者係辨識為具有4/6或更好的HLA匹配。

如請求項1所述之用途，其中該治療組成物進一步包括冷凍保護劑。

如請求項2所述之用途，其中該冷凍保護劑為二甲基亞碸(DMSO)。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該PD UCB包括紅血球。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該PD UCB包括所有來自UCB的紅血球。

如請求項2或3所述之用途，其中該治療組成物包括5體積%至10體積%的冷凍保護劑。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該治療組成物係藉由解凍包括UCB之貯存組成物而獲得。

如請求項7所述之用途，其中該解凍之步驟在5分鐘內完成。

如請求項7所述之用途，其中該解凍之步驟包括將貯存之組成物於維持在37℃±2℃之間之水浴中培育。

如請求項7所述之用途，其中該貯存之組成物在解凍後未經清洗。

如請求項7所述之用途，其中該治療組成物可在解凍完成後1至2小時內完成植入。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該UCB包括單核細胞，及該單核細胞係以2 x 10⁸至1 x 10⁹個單核細胞/kg投予該受試者。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中藉由輸注而投予該藥物。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中以5至10ml/分鐘投予該藥物。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該BBB透化劑包括甘露醇。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該受試者具有心血管疾病。

如請求項16所述之用途，其中該心血管疾病為中風或心肌病。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該受試者為人類患者。

如請求項18所述之用途，其中該患者具有美國國家衛生研究院腦中風評估表(NIHSS)評分為6至18或更高。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該UCB係與該受試者相容的ABO。

如請求項1至3中任一項所述之用途，其中該治療組成物包含EGF、FGF-鹼性、VEGF、G-CSF或GM-CSF，且於該治療組成物中，該EGF、FGF-鹼性、VEGF、G-CSF或GM-CSF的水平高於IL-1-β、IL-2、IL-4、IL-5、IL-6、IFN-γ或TNF-α的水平。

如請求項17所述之用途，其中該心肌病是缺血性心肌病。

一種賦予類啤酒香的組成物之製造方法，其係包含：<br/> 前述組成物係透過在溫度30~70°C的條件下使用酵素針對啤酒酵母的細胞壁進行處理1~40小時之酵素處理步驟來獲得，<br/> 前述酵素處理步驟係：<br/> (a) 同時或依序使用外切葡聚醣酶、蛋白酶及外切肽酶進行處理；<br/> (b) 僅使用外切葡聚醣酶進行處理。

如請求項1所述的製造方法，其中前述酵素處理步驟係僅使用外切葡聚醣酶來進行處理。

如請求項1所述的製造方法，其中前述酵素處理步驟係同時或依序使用外切葡聚醣酶、蛋白酶及外切肽酶來進行處理。

如請求項1所述的製造方法，其中前述組成物係包含己酸乙酯、辛酸乙酯、癸酸乙酯、苯乙醇及癸酸。

如請求項1所述的製造方法，其中前述組成物為飲食品。

如請求項1所述的製造方法，其中前述組成物為寵物食品。

一種用於賦予類啤酒香的組成物，其係由如請求項1~3中任一項所述之製造方法所製造，且其特徵在於包含己酸乙酯、辛酸乙酯、癸酸乙酯、苯乙醇及癸酸。

如請求項7所述之用於賦予類啤酒香的組成物，其被作為飲食品。

如請求項7所述之用於賦予類啤酒香的組成物，其被作為寵物食品用適口性提升劑。

一種酵母細胞壁來源分解物的製造方法，其係包含：<br/> 前述酵母細胞壁來源分解物係透過在溫度30~70°C的條件下針對啤酒酵母的細胞壁進行處理1~40小時之酵素處理步驟的方法來獲得，<br/> 前述酵素處理步驟係：<br/> (a) 同時或依序使用外切葡聚醣酶、蛋白酶及外切肽酶進行處理；<br/> (b) 僅使用外切葡聚醣酶進行處理；<br/> 在以下條件測定時，酵母細胞壁來源分解物的靜置物的體積為50mL以下，<br/> 測定條件：在前述酵母細胞壁來源分解物中添加水使固體成分濃度為10質量%，將pH調整為5.5後，將100mL容量的前述添加水的酵母細胞壁來源分解物放入100mL玻璃量筒中，在25℃及常壓下靜置48小時的時候之靜置物的體積。

一種碳化矽基板，係具備：<br/> 基底基板；<br/> 差排轉換層，係形成於前述基底基板上；以及<br/> 磊晶成長層，係直接形成於前述差排轉換層上；<br/> 前述差排轉換層係從基底面差排朝貫穿刃狀差排的轉換率為大於95%；<br/> 前述差排轉換層的摻雜濃度為1×10¹⁵cm^-3以上且比前述磊晶成長層的摻雜濃度還高。

如請求項1所記載之碳化矽基板，其中前述差排轉換層的摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3以上。

如請求項1或2所記載之碳化矽基板，其中前述差排轉換層係具有1μm以上的厚度。

如請求項1或2所記載之碳化矽基板，其中前述差排轉換層係從基底面差排朝貫穿刃狀差排的轉換率為100%。

如請求項1或2所記載之碳化矽基板，其中前述基底基板係已去除了加工變質層。

如請求項1或2所記載之碳化矽基板，其中前述基底基板的階高度為一晶胞的高度。

如請求項1或2所記載之碳化矽基板，其中前述差排轉換層為單一的層。

一種碳化矽基板的製造方法，係包含：<br/> 結晶成長步驟，係以台階寬增大之條件使摻雜濃度為1×10¹⁵cm^-3以上的差排轉換層成長於基底基板上；以及<br/> 磊晶成長步驟，係使磊晶成長層直接成長於前述差排轉換層上，前述磊晶成長層的摻雜濃度係比前述差排轉換層的摻雜濃度還低。

如請求項8所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述結晶成長步驟係用以在碳化矽－碳平衡蒸氣壓環境下進行成長之步驟。

如請求項8或9所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述結晶成長步驟係用以對未形成有宏階褶的表面進行結晶成長之步驟。

如請求項8或9所記載之碳化矽基板的製造方法，其中包含：加工變質層去除步驟，係去除前述基底基板的加工變質層。

如請求項8或9所記載之碳化矽基板的製造方法，其中包含：褶分解步驟，係分解前述基底基板的表面的宏階褶。

如請求項8或9所記載之碳化矽基板的製造方法，其中前述結晶成長步驟係使前述差排轉換層作為單一的層而成長。

一種碳化矽半導體裝置，係具備：<br/> 基底基板；<br/> 差排轉換層，係形成於前述基底基板上；以及<br/> 磊晶成長層，係直接形成於前述差排轉換層上；<br/> 前述差排轉換層係從基底面差排朝貫穿刃狀差排的轉換率為大於95%；<br/> 前述差排轉換層的摻雜濃度為1×10¹⁵cm^-3以上且比前述磊晶成長層的摻雜濃度還高。

如請求項14所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述差排轉換層的摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3以上。

如請求項14或15所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述差排轉換層係具有1μm以上的厚度。

如請求項14或15所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述差排轉換層係從基底面差排朝貫穿刃狀差排的轉換率為100%。

如請求項14或15所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述基底基板係已去除了加工變質層。

如請求項14或15所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述基底基板的階高度為一晶胞的高度。

如請求項14或15所記載之碳化矽半導體裝置，其中前述差排轉換層為單一的層。

一種碳化矽半導體裝置的製造方法，係包含：<br/> 結晶成長步驟，係以台階寬增大之條件使摻雜濃度為1×10¹⁵cm^-3以上的差排轉換層成長於基底基板上；以及<br/> 磊晶成長步驟，係使磊晶成長層直接成長於前述差排轉換層上，前述磊晶成長層的摻雜濃度係比前述差排轉換層的摻雜濃度還低。

如請求項21所記載之碳化矽半導體裝置的製造方法，其中前述結晶成長步驟係用以在碳化矽－碳平衡蒸氣壓環境下進行成長之步驟。

如請求項21或22所記載之碳化矽半導體裝置的製造方法，其中前述結晶成長步驟係用以對未形成有宏階褶的表面進行結晶成長之步驟。

如請求項21或22所記載之碳化矽半導體裝置的製造方法，其中包含：加工變質層去除步驟，係去除前述基底基板的加工變質層。

如請求項21或22所記載之碳化矽半導體裝置的製造方法，其中包含：褶分解步驟，係分解前述基底基板的表面的宏階褶。

如請求項21或22所記載之碳化矽半導體裝置的製造方法，其中前述結晶成長步驟係使前述差排轉換層作為單一的層而成長。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： 獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端且包含複數個軸向槽之一末端部分，其中該等軸向槽中之每一軸向槽包含在該複合管之該末端之一外表面處且沿著每一軸向槽之長度延伸的兩個邊緣，其中該等軸向槽界定該末端部分上之複數個臂； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑； <br/>將該配件之該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該配件之該漸縮形外表面之第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該等臂中之每一者徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上，其中每一軸向槽之該等兩個邊緣彼此不重疊；及 <br/>將該等臂中之每一者連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面，其中在連接或黏附之後，每一軸向槽以平面檢視時為三角形，每一軸向槽之一寬度在朝向該複合管之該末端之一方向上減小。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該軸向槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W可根據公式W = (C _max- C _min) / N計算，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該軸向槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W係在根據公式W _c= (C _max- C _min) / N計算之寬度W _c之25%內，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該軸向槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W係在根據公式W _c= (C _max- C _min) / N計算之寬度W _c之20%內，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該軸向槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W係在根據公式W _c= (C _max- C _min) / N計算之寬度W _c之15%內，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據該公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W係在根據公式W _c= (C _max- C _min) / N計算之寬度W _c之10%內，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項1之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之寬度W _x係根據該公式W _X= W – 2*X*tan(Θ)計算，其中W為該軸向槽之遠端邊緣處之一寬度，Θ為該槽之對置的該等兩個邊緣之間的角且可根據公式Θ =2*tan ^-1(LW/2)計算，其中L為該軸向槽之一長度，且其中W係在根據公式W _c= (C _max- C _min) / N計算之寬度W _c之5%內，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： <br/>獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端且包含複數個軸向槽之一末端部分，其中該等軸向槽中之每一軸向槽包含在該複合管之該末端之一外表面處且沿著每一軸向槽之長度延伸的兩個邊緣，其中該等軸向槽界定該末端部分上之複數個臂； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑； <br/>將該配件之該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該配件之該漸縮形外表面之第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該等臂中之每一者徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上，其中每一軸向槽之該等兩個邊緣彼此不重疊；及 <br/>將該等臂中之每一者連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之一寬度W _x係根據公式W _x= (C _max– C _x)/N計算，其中C _max為該配件之該漸縮形外表面之最大外表面圓周，C _x為當該配件正確裝配於該複合管內時自該軸向槽之近端頂點量測的一距離X處的該配件之一圓周，且N為槽之數目。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： <br/>獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端且包含複數個軸向槽之一末端部分，其中該等軸向槽中之每一軸向槽包含在該複合管之該末端之一外表面處且沿著每一軸向槽之長度延伸的兩個邊緣，其中該等軸向槽界定該末端部分上之複數個臂； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑； <br/>將該配件之該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該配件之該漸縮形外表面之第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該等臂中之每一者徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上，其中每一軸向槽之該兩個邊緣彼此不重疊；及 <br/>將該等臂中之每一者連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之一寬度W _x係在根據公式W _c= (C _max– C _x)/N計算之寬度W _c之25%內，其中C _max為該配件之該漸縮形外表面之最大外表面圓周，C _x為當該配件正確裝配於該複合管內時自該軸向槽之近端頂點量測的一距離X處的該配件之一圓周，且N為槽之數目。

如請求項9之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之該寬度W _x在該寬度W _c之20%內。

如請求項9之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之該寬度W _x在該寬度W _c之15%內。

如請求項9之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之該寬度W _x在該寬度W _c之10%內。

如請求項9之方法，其中作為長度X之函數的該等複數個軸向槽中之每一軸向槽之該寬度W _x在該寬度W _c之5%內。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： <br/>獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端且包含複數個軸向槽之一末端部分，其中該等軸向槽中之每一軸向槽包含在該複合管之該末端之一外表面且沿著每一軸向槽之長度延伸的兩個邊緣，其中該等軸向槽界定該末端部分上之複數個臂； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑； <br/>將該配件之該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該配件之該漸縮形外表面之第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該等臂中之每一者徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上，其中每一軸向槽之該等兩個邊緣彼此不重疊；及 <br/>將該等臂中之每一者連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面，其中該配件包含處於或接近該配件之該第一末端之至少一個環狀梯級，且其中該複合管包含一內表面，該內表面包含一環狀梯級，該方法進一步包含將該複合管之該內表面之該環狀梯級配對至該配件之該至少一個環狀梯級。

如請求項14之方法，其中該配件之該至少一個環狀梯級為複數個鄰近梯級。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： <br/>獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端之一末端部分，其中該複合管包含一內表面，該內表面包含一環狀梯級； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑，其中該配件包含處於或接近該配件之該第一末端之至少一個環狀梯級； <br/>將該配件之呈環狀的該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該複合管之該內表面之該環狀梯級配對至該配件之該至少一個環狀梯級，且該配件之呈環狀的該漸縮形外表面之該第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之呈環狀的該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之呈環狀的該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該複合管之該末端部分徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上；及 <br/>將徑向地壓緊的該複合管之該末端部分連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面。

如請求項16之方法，其中該配件之該至少一環狀梯級為複數個鄰近梯級。

一種用於形成複合管總成之方法，其包含下列步驟： <br/>獲得包含一末端之一複合管，其中該複合管由纖維及樹脂形成，該複合管包含了延伸至該末端且包含複數個軸向槽之一末端部分，其中該等軸向槽中之每一軸向槽包含在該複合管之該末端之一外表面處且沿著每一軸向槽之長度延伸的兩個邊緣，其中該等軸向槽界定該末端部分上之複數個臂； <br/>獲得一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，該配件包含呈環狀的一漸縮形外表面，該漸縮形外表面自處於或接近該第一末端之一第一直徑漸縮至一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二直徑； <br/>將該配件之該漸縮形外表面置放於該複合管之該末端部分中，使得該配件之該漸縮形外表面之第二直徑處於或接近該複合管之該末端，且該配件之該漸縮形外表面之該第一直徑比該配件之該漸縮形外表面之該第二直徑更深入至該複合管中； <br/>將該等臂中之每一者徑向地壓緊在該配件之呈環狀的該漸縮形外表面上，其中每一軸向槽之該等兩個邊緣彼此不重疊；及 <br/>將該等臂中之每一者連接或黏附至該配件之該漸縮形外表面，其中在連接或黏附後，每一軸向槽具有沿著其全部長度或實質上沿著其全部長度之一恆定寬度。

如請求項18之方法，進一步包含：在該等臂上置放一支撐結構(bolstering structure)或一軸環以用於抵靠該複合管之該漸縮形外表面的部分來保持該等臂。

如請求項18之方法，其中W = (C _max- C _min) / N，其中W為該寬度，C _max為該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項18之方法，其中該寬度在一計算寬度之25%內，其中該計算寬度W = (C _max- C _min) / N，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項18之方法，其中該寬度在一計算寬度之20%內，其中該計算寬度W = (C _max- C _min) / N，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項18之方法，其中該寬度在一計算寬度之15%內，其中該計算寬度W = (C _max- C _min) / N，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項18之方法，其中該寬度在一計算寬度之10%內，其中該計算寬度W = (C _max- C _min) / N，其中C _max為該第一直徑處的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

如請求項18之方法，其中該寬度在一計算寬度之5%內，其中該計算寬度W = (C _max- C _min) / N，其中C _max為該第一直徑的該配件之該漸縮形外表面之最大圓周，C _min為該第二直徑處的該漸縮形外表面之最小圓周，且N為槽之數目。

一種複合管總成，包含： <br/>包含一漸縮形外表面之一配件，該配件包含與一第二末端相對之一第一末端，其中該配件之該漸縮形外表面自或接近該第一末端朝向該第二末端延伸，且其中該配件包含處於或接近該第一末端之至少一個環狀梯級；及 <br/>一複合管，其末端延伸越過該配件之該漸縮形外表面且與該配件之該漸縮形外表面配對，其中該複合管包含形成於該複合管之內表面上之一環狀梯級，該環狀梯級與該配件之該至少一個環狀梯級配對。

如請求項26之複合管總成，其中該配件之該至少一個環狀梯級為複數個鄰近之環狀梯級。

一種製備化學式V之化合物的方法，其中 <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="91px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（化學式V） <br/>R₇、R₈及R₁₀係各自獨立地選自氫、鹵素、鹵化的C₁-C₅烷基和C₁-C₅烷基； <br/>R₉為氯；以及 <br/>其中該化學式V之化合物係根據一方法製備，該方法包含： <br/>i）形成一第一混合物，其含有： <br/>a）一化學式III之化合物，其中 <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="90px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（化學式III） <br/>R₁、R₂及R₄係各自獨立地選自氫、鹵素和C₁-C₅烷基； <br/>R₃為氫； <br/>b）一溶劑；以及 <br/>c）一鹵化試劑，其中該鹵化試劑為硫醯氯； <br/>ii）使該第一混合物反應； <br/>iii）將一氧化劑添加至反應後的該第一混合物，以形成一後續混合物，其中該氧化劑為過氧化氫，且該後續混合物包含一催化劑，係由硫醯氯及過氧化氫產生的硫酸；以及 <br/>iv）使該後續混合物反應。

如請求項1所述的方法，其中該溶劑b）係選自乙腈、二氯乙烷、甲苯、氯苯、二甲苯、乙酸、乙酸酐、丙酸、丁酸及其組合。

如請求項1所述的方法，其中使該第一混合物反應的該方法步驟ii）在20℃至140℃範圍內的反應溫度下發生。

如請求項1所述的方法，其中使該後續混合物反應的該方法步驟iv）在20℃至100℃範圍內的反應溫度下發生。

如請求項1所述的方法，其中該化學式III之化合物係根據一方法製備，該方法包含： <br/>I）形成一混合物，其含有： <br/>A）一化學式II之化合物，其中 <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="122px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（化學式II） <br/>R₁、R₂、R₄及R₅係各自獨立地選自氫、鹵素和C₁-C₅烷基； <br/>R₃為氫；以及 <br/>其中該化學式II之化合物是根據一方法製備，該方法包含： <br/>i）形成一混合物，其含有： <br/>a）一化學式I之化合物，其中 <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="71px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（化學式I） <br/>R₁、R₂、R₄及R₅係各自獨立地選自氫、鹵素和C₁-C₅烷基； <br/>R₃為氫； <br/>b）一水合氯醛； <br/>c）一羥基胺衍生物，係選自硫酸羥胺、鹽酸羥胺及其組合； <br/>d）一溶劑； <br/>e）一無機鹽；以及 <br/>f）一酸；以及 <br/>ii）使該混合物反應；以及 <br/>B）一酸；以及 <br/>II）使該混合物反應。

一種製備化學式VI之化合物的方法，其中 <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="95px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（化學式VI） <br/>R₇、R₈及R₁₀係各自獨立地選自氫、鹵素、鹵化的C₁-C₅烷基和C₁-C₅烷基； <br/>R₉為氯；以及 <br/>其中R₁₁係選自支鏈C₁-C₁₀烷基和非支鏈C₁-C₁₀烷基，該方法包含： <br/>I）形成一混合物，包含 <br/>A）如請求項1所述的化學式V之化合物，且該化學式V之化合物係以請求項1所述的方法製備； <br/>B）一烷基胺，以及； <br/>C）一溶劑；以及 <br/>II）使該混合物反應。

一種色材分散液，其係含有色材、分散劑及溶劑者， 上述分散劑含有接枝共聚物及嵌段共聚物之至少1種，上述接枝共聚物於主鏈具有下述通式(I)所表示之結構單元及下述通式(II)所表示之結構單元，還具有下述通式(III)所表示之結構單元，且於主鏈共聚合之其他結構單元(與上述通式(I)所表示之結構單元、上述通式(II)所表示之結構單元及上述通式(III)所表示之結構單元不同之結構單元)為0質量%，上述嵌段共聚物具有包含下述通式(I)所表示之結構單元及下述通式(II)所表示之結構單元之A嵌段以及包含下述通式(IV)所表示之結構單元之B嵌段，且 上述嵌段共聚物之上述A嵌段中，與上述通式(I)所表示之結構單元及上述通式(II)所表示之結構單元不同之其他結構單元為20質量%以下，上述B嵌段之胺值為0 mgKOH/g； <img align="absmiddle" height="167px" width="279px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(I)中，R¹表示氫原子或甲基， <br/>通式(II)中，R^1'表示氫原子或甲基，R²表示可含有氧原子之脂肪族烴基，R³表示脂肪族烴基) <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="163px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(III)中，R^1''表示氫原子或甲基，A¹表示直接鍵結或2價連結基，Polymer表示聚合物鏈，於將上述聚合物鏈之總結構單元設為100質量%時，上述聚合物鏈中之含氮原子之結構單元之合計比率為0質量%) <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="193px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(IV)中，R¹¹係氫原子或甲基，A²係2價連結基，R⁴係可具有取代基且可含有雜原子之烴基)。

如請求項1之色材分散液，其中於上述分散劑中， <br/>上述接枝共聚物之上述通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈包含上述通式(IV)所表示之結構單元，該通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈之玻璃轉移溫度為85℃以下，且 <br/>上述嵌段共聚物中之上述B嵌段之玻璃轉移溫度為85℃以下。

如請求項1或2之色材分散液，其中於上述分散劑中，上述接枝共聚物及上述嵌段共聚物之至少1種之酸值為30 mgKOH/g～180 mgKOH/g。

如請求項1或2之色材分散液，其中於上述分散劑中， <br/>上述接枝共聚物之上述通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元，且 <br/>上述嵌段共聚物具有B嵌段，該B嵌段包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元； <br/><img align="absmiddle" height="211px" width="354px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(V)中，R^11'係氫原子或甲基，A^2'係2價連結基，R⁵係伸乙基或伸丙基，R⁶係氫原子或烴基，m表示2以上80以下之數； 通式(V')中，R^11''係氫原子或甲基，A^2''係2價連結基，R⁷係碳數為1～10之伸烷基，R⁸係碳數為3～7之伸烷基，R⁹係氫原子或烴基，n表示1以上40以下之數)。

一種分散劑，其係接枝共聚物及嵌段共聚物之至少1種，上述接枝共聚物於主鏈具有下述通式(I)所表示之結構單元及下述通式(II)所表示之結構單元，還具有下述通式(III)所表示之結構單元，且於主鏈共聚合之其他結構單元(與上述通式(I)所表示之結構單元、上述通式(II)所表示之結構單元及上述通式(III)所表示之結構單元不同之結構單元)為0質量%，上述嵌段共聚物具有包含下述通式(I)所表示之結構單元及下述通式(II)所表示之結構單元之A嵌段以及包含下述通式(IV)所表示之結構單元之B嵌段； 上述嵌段共聚物之上述A嵌段中，與上述通式(I)所表示之結構單元及上述通式(II)所表示之結構單元不同之其他結構單元為20質量%以下，上述B嵌段之胺值為0 mgKOH/g； <img align="absmiddle" height="166px" width="274px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(I)中，R¹表示氫原子或甲基， <br/>通式(II)中，R^1'表示氫原子或甲基，R²表示可含有氧原子之脂肪族烴基，R³表示脂肪族烴基) <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="163px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(III)中，R^1''表示氫原子或甲基，A¹表示直接鍵結或2價連結基，Polymer表示聚合物鏈，於將上述聚合物鏈之總結構單元設為100質量%時，上述聚合物鏈中之含氮原子之結構單元之合計比率為0質量%) <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="193px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(IV)中，R¹¹係氫原子或甲基，A²係2價連結基，R⁴係可具有取代基且可含有雜原子之烴基)。

如請求項5之分散劑，其中上述接枝共聚物之上述通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈包含上述通式(IV)所表示之結構單元，該通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈之玻璃轉移溫度為85℃以下，且 <br/>上述嵌段共聚物中之上述B嵌段之玻璃轉移溫度為85℃以下。

如請求項5或6之分散劑，其酸值為30 mgKOH/g～180 mgKOH/g。

如請求項5或6之分散劑，其中上述接枝共聚物之上述通式(III)所表示之結構單元中之聚合物鏈包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元，且上述嵌段共聚物具有B嵌段，該B嵌段包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元； <br/><img align="absmiddle" height="95px" width="226px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="354px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(V)中，R^11'係氫原子或甲基，A^2'係2價連結基，R⁵係伸乙基或伸丙基，R⁶係氫原子或烴基，m表示2以上80以下之數； 通式(V')中，R^11''係氫原子或甲基，A^2''係2價連結基，R⁷係碳數為1～10之伸烷基，R⁸係碳數為3～7之伸烷基，R⁹係氫原子或烴基，n表示1以上40以下之數)。

一種感光性著色樹脂組合物，其含有色材、如請求項5至8中任一項之分散劑、多官能單體、光起始劑及溶劑。

如請求項9之感光性著色樹脂組合物，其進而含有多官能硫醇化合物。

如請求項10之感光性著色樹脂組合物，其中上述多官能硫醇化合物係下述通式(A)所表示之多官能硫醇化合物； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="175px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(通式(A)中，R^a表示氫原子或碳數1～6之烷基，R^b表示碳數1～6之伸烷基，Q表示羥基數2～6之多元醇之殘基，s係2～6之整數)。

一種硬化物，其係如請求項9至11中任一項之感光性著色樹脂組合物之硬化物。

一種彩色濾光片，其係至少具備基板、及設置於該基板上之著色層者，且該著色層之至少1個係如請求項12之感光性著色樹脂組合物之硬化物。

一種顯示裝置，其具有上述如請求項13之彩色濾光片。

一種用於加速分組卷積之方法，其包含： <br/>藉由一硬體加速器之一第一緩衝器自一記憶體接收一輸入特徵圖(IFM)的一第一列； <br/>藉由包含一第一多個片體之一第一分組自該第一緩衝器接收該IFM之一第一列，其中該第一分組之每一片體包含多個處理元件； <br/>藉由該等第一多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第一列及一核心計算一輸出特徵圖(OFM)的一第一列之至少一部分； <br/>藉由一第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第三列； <br/>藉由包含一第二多個片體之一第二分組自該第二緩衝器接收該IFM之該第三列，其中該第二分組之每一片體包含多個處理元件；以及 <br/>藉由該等第二多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第三列及該核心計算該OFM之一第三列的至少一部分，其中該OFM之該第一列及該第三列的該等部分係藉由該硬體加速器並行計算以作為一分組卷積運算之部分。

如請求項1之方法，其中計算該OFM之該第一列的該部分包含： <br/>在一第一循環中對該IFM之該第一列及該核心執行一乘法累加(MAC)運算； <br/>在該第一緩衝器中移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第一列； <br/>藉由該第一分組接收該IFM之該第一經移位第一列； <br/>在一第二循環中對該IFM之該第一經移位第一列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第一緩衝器中移位該IFM之該第一經移位第一列以產生該IFM之一第二經移位第一列；及 <br/>在一第三循環中對該IFM之該第二經移位第一列及該核心執行該MAC運算。

如請求項2之方法，其中計算該OFM之該第三列的該部分包含： <br/>在該第二循環中對該IFM之該第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第三列； <br/>藉由該第二分組接收該IFM之該第一經移位第三列； <br/>在該第三循環中對該IFM之該第一經移位第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中移位該IFM之該第一經移位第三列以產生該IFM之一第二經移位第三列；及 <br/>在一第四循環中對該IFM之該第二經移位第三列及該核心執行該MAC運算。

如請求項3之方法，其進一步包含： <br/>藉由該第一緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第二列； <br/>藉由該第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第四列； <br/>至少部分地基於該IFM之該第二列計算該OFM之該第一列的至少一第二部分；及 <br/>至少部分地基於該IFM之該第四列計算該OFM之一第四列的至少一部分，其中第一OFM之該第二部分及該OFM之該第四列的該部分係藉由該硬體加速器並行計算。

如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>判定在一或多個組配暫存器中指定的該核心之一大小或該核心之一步幅大小； <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小產生該第一分組及該第二分組；及 <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小將該第一分組及該第二分組之該等片體組織成一計算柵格。

如請求項1之方法，其中該硬體加速器包含用於一卷積神經網路之邏輯，其中該硬體加速器經組配以使用該卷積神經網路執行分組卷積運算。

如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>計算該OFM之多個列中之每一者，其中該OFM之該第一列及該第三列屬於該OFM的該等多個列；及 <br/>在該記憶體中儲存該OFM之該等多個列。

一種用於加速分組卷積之設備，其包含： <br/>記憶體；及 <br/>一硬體加速器，其耦接至該記憶體，該硬體加速器包含經組配以執行以下操作之邏輯： <br/>藉由該硬體加速器之一第一緩衝器自該記憶體接收一輸入特徵圖(IFM)的一第一列； <br/>藉由包含一第一多個片體之一第一分組自該第一緩衝器接收該IFM之一第一列，其中該第一分組之每一片體包含多個處理元件； <br/>藉由該等第一多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第一列及一核心計算一輸出特徵圖(OFM)之一第一列的至少一部分； <br/>藉由一第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第三列； <br/>藉由包含多個第二片體之一第二分組自該第二緩衝器接收該IFM之該第三列，其中該第二分組之每一片體包含多個處理元件；以及 <br/>藉由該等第二多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第三列及該核心計算該OFM之一第三列的至少一部分，其中該OFM之該第一列及該第三列的該等部分係藉由該硬體加速器並行計算以作為一分組卷積運算之部分。

如請求項8之設備，用以計算該OFM之該第一列的該部分之該邏輯包含執行以下操作之邏輯： <br/>在一第一循環中對該IFM之該第一列及該核心執行一乘法累加(MAC)運算； <br/>在該第一緩衝器中，移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第一列； <br/>藉由該第一分組接收該IFM之該第一經移位第一列； <br/>在一第二循環中對該IFM之該第一經移位第一列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第一緩衝器中，移位該IFM之該第一經移位第一列以產生該IFM之一第二經移位第一列；及 <br/>在一第三循環中對該IFM之該第二經移位第一列及該核心執行該MAC運算。

如請求項9之設備，用以計算該OFM之該第三列的該部分的該邏輯包含用以執行以下操作之邏輯： <br/>在該第二循環中對該IFM之該第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第三列； <br/>藉由該第二分組接收該IFM之該第一經移位第三列； <br/>在該第三循環中對該IFM之該第一經移位第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中，移位該IFM之該第一經移位第三列以產生該IFM的一第二經移位第三列；及 <br/>在一第四循環中對該IFM之該第二經移位第三列及該核心執行該MAC運算。

如請求項10之設備，該硬體加速器包含經組配以執行以下操作之邏輯： <br/>藉由該第一緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第二列； <br/>藉由該第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第四列； <br/>至少部分地基於該IFM之該第二列計算該OFM之該第一列的至少一第二部分；及 <br/>至少部分地基於該IFM之該第四列計算該OFM之一第四列的至少一部分，其中第一OFM之該第二部分及該OFM之該第四列的該部分係藉由該硬體加速器並行計算。

如請求項8之設備，該硬體加速器包含經組配以執行以下操作之邏輯： <br/>判定在一或多個組配暫存器中指定的該核心之一大小或該核心之一步幅大小； <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小產生該第一分組及該第二分組；及 <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小將該第一分組及該第二分組之該等片體組織成一計算柵格。

如請求項8之設備，其中該硬體加速器包含用於一卷積神經網路之邏輯，其中該硬體加速器經組配以使用該卷積神經網路執行分組卷積運算。

如請求項8之設備，該硬體加速器包含經組配以執行以下操作之邏輯： <br/>計算該OFM之多個列中之每一者，其中該OFM之該第一列及該第三列屬於該OFM之該等多個列；及 <br/>在該記憶體中儲存該OFM之該等多個列。

一種儲存指令之非暫時性電腦可讀儲存媒體，該等指令在由一硬體加速器執行時使得該硬體加速器執行以下操作： <br/>藉由該硬體加速器之一第一緩衝器自一記憶體接收一輸入特徵圖(IFM)的一第一列； <br/>藉由包含一第一多個片體的一第一分組自該第一緩衝器接收該IFM之一第一列，其中該第一分組之每一片體包含多個處理元件； <br/>藉由該等第一多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第一列及一核心計算一輸出特徵圖(OFM)之一第一列的至少一部分； <br/>藉由一第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第三列； <br/>藉由包含第二多個片體之一第二分組自該第二緩衝器接收該IFM之該第三列，其中該第二分組之每一片體包含多個處理元件；以及 <br/>藉由該等第二多個片體之該等多個處理元件，基於該IFM之該第三列及該核心計算該OFM之一第三列的至少一部分，其中該OFM之該第一列及該第三列的該等部分係藉由該硬體加速器並行計算以作為一分組卷積運算之部分。

如請求項15之電腦可讀儲存媒體，用以計算該OFM之該第一列的該部分之該等指令包含用以執行以下操作之指令： <br/>在一第一循環中對該IFM之該第一列及該核心執行一乘法累加(MAC)運算； <br/>在該第一緩衝器中，移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第一列； <br/>藉由該第一分組接收該IFM之該第一經移位第一列； <br/>在一第二循環中對該IFM之該第一經移位第一列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第一緩衝器中，移位該IFM之該第一經移位第一列以產生該IFM之一第二經移位第一列；及 <br/>在一第三循環中對該IFM之該第二經移位第一列及該核心執行該MAC運算。

如請求項16之電腦可讀儲存媒體，用以計算該OFM之該第三列的該部分的該等指令包含用以執行以下操作之指令： <br/>在該第二循環中對該IFM之該第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中移位該IFM之該第一列以產生該IFM之一第一經移位第三列； <br/>藉由該第二分組接收該IFM之該第一經移位第三列； <br/>在該第三循環中對該IFM之該第一經移位第三列及該核心執行該MAC運算； <br/>在該第二緩衝器中，移位該IFM之該第一經移位第三列以產生該IFM的一第二經移位第三列；及 <br/>在一第四循環中對該IFM之該第二經移位第三列及該核心執行該MAC運算。

如請求項17之電腦可讀儲存媒體，其進一步包含在由該硬體加速器執行時使得該硬體加速器執行以下操作的指令： <br/>藉由該第一緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第二列； <br/>藉由該第二緩衝器自該記憶體接收該IFM之一第四列； <br/>至少部分地基於該IFM之該第二列計算該OFM之該第一列的至少一第二部分；及 <br/>至少部分地基於該IFM之該第四列計算該OFM之一第四列的至少一部分，其中第一OFM之該第二部分及該OFM之該第四列的該部分係藉由該硬體加速器並行計算。

如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其進一步包含用於一卷積神經網路之指令，其中該硬體加速器經組配以使用用於卷積神經網路之該等指令執行分組卷積運算。

如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其進一步包含在由該硬體加速器執行時使得該硬體加速器執行以下操作的指令： <br/>判定在一或多個組配暫存器中指定的該核心之一大小或該核心之一步幅大小； <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小產生該第一分組及該第二分組； <br/>至少部分地基於該核心之該大小或該核心之該步幅大小將該第一分組及該第二分組之該等片體組織成一計算柵格； <br/>計算該OFM之多個列中之每一者，其中該OFM之該第一列及該第三列屬於該OFM之該等多個列；及 <br/>在該記憶體中儲存該OFM之該等多個列。

一種光學積層體之製造方法，其係：準備光學積層體之母基板，該光學積層體具備：第一黏著劑層，其具有第一主面及第二主面；第一被黏著體，其貼合於上述第一黏著劑層之第一主面；及第二被黏著體，其貼合於上述第一黏著劑層之第二主面；藉由對上述母基板進行切割加工，切割出尺寸較上述母基板更小之晶片；構成上述第一黏著劑層之黏著劑含有基礎聚合物，且進而包含具有光固化官能基之單體或低聚物，或藉由具有光固化性官能基之化合物鍵結於上述基礎聚合物，使黏著劑具有光固化性，對上述母基板進行切割加工時，向上述母基板照射紫外線雷射，對上述光學積層體進行切割加工，並且使切割面之上述第一黏著劑層光固化，於切割加工後之光學積層體中，上述第一黏著劑層之切割加工面之藉由奈米壓痕測定之負載曲線的最小負重為-0.2μN以上，卸載曲線之位移量為8μm以下。

如請求項1之光學積層體之製造方法，於切割加工後之光學積層體中，上述第一黏著劑層之面內中央部之黏著劑之凝膠分率為25%以上。

如請求項1之光學積層體之製造方法，於切割加工後之光學積層體中，上述第一黏著劑層之藉由奈米壓痕測定之切割加工面之負載曲線的最小負重之絕對值為面內中央部之負載曲線之最小負重之絕對值的0.3倍以下。

如請求項1之光學積層體之製造方法，於切割加工後之光學積層體中，上述第一黏著劑層之藉由奈米壓痕測定之切割加工面之卸載曲線的位移量為面內中央部之卸載曲線的位移量的0.5倍以下。

如請求項1之光學積層體之製造方法，其中上述黏著劑進而含有光聚合起始劑。

如請求項1之光學積層體之製造方法，其中上述第一黏著劑層之面內中央部之黏著劑之光固化後的凝膠分率為70%以上。

如請求項1之光學積層體之製造方法，其中上述第一黏著劑層之面內中央部之黏著劑之光固化後的凝膠分率為光固化前之凝膠分率的1.2倍以上。

如請求項1至7中任一項之光學積層體之製造方法，其中上述第一黏著劑層含有紫外線吸收劑。

如請求項1至7中任一項之光學積層體之製造方法，其中上述第一黏著劑層之厚度為30μm以上。

如請求項1至7中任一項之光學積層體之製造方法，其中上述第二被黏著體具有與上述第一黏著劑層相接之偏光板。

如請求項10之光學積層體之製造方法，其中上述第二被黏著體進而包含圖像顯示元件，該圖像顯示元件經由第二黏著劑層貼合於上述偏光板。

如請求項11之光學積層體之製造方法，其中上述圖像顯示元件為有機EL元件。

如請求項11之光學積層體之製造方法，其中上述圖像顯示元件包含聚醯亞胺膜。

如請求項1至7中任一項之光學積層體之製造方法，其中上述第一被黏著體為可剝離地貼合於上述第一黏著劑層之離型膜。

一種發電設備，其包含：一導管，一第一流體通過該導管；一第一熱電模組及一第二熱電模組，其安置於該導管之一第一表面上以彼此間隔開；複數個連接器，其彼此間隔地在該導管之該第一表面上安置於該第一熱電模組與該第二熱電模組之間；以及一屏蔽部件，其在該導管之該第一表面上的該第一熱電模組和該第二熱電模組之間，其中該屏蔽部件包括相對於該導管之該第一表面具有一第一高度的一第一面，及複數個第二面，該些第二面彼此間隔開且相對於該導管的該第一表面具有一第二高度；其中，該第二個高度高於該第一高度，其中，該些連接器設置在該導管的該第一表面和該屏蔽部件的該些第二面之間，其中該屏蔽部件進一步包括一第三面，其安置於該第一面與該些第二面之間，且具有高於該第一高度且低於該第二高度的一高度，且其中該第三面之一面積大於該些第二面之一面積。

如請求項1之發電設備，其中該第一熱電模組及該第二熱電模組中之每一者包括安置於該第一表面上之一熱電裝置及安置於該熱電裝置上之一散熱片；且其中該第一面之一上部表面安置於低於或等於該散熱片之一下部表面之一高度的一高度處。

如請求項2之發電設備，其中自該第一熱電模組之該熱電裝置及該第二熱電模組之該熱電裝置中之至少一者引出的一電線連接至該些連接器中之至少一者；且其中該些第二面之每一個下部表面安置於高於該電線之一高度及該些連接器之一高度的一高度處。

如請求項3之發電設備，其中該第三面安置於高於該電線之該高度的該高度處；且其中該些第二面安置於高於該些連接器之該高度的該高度處。

如請求項4之發電設備，其中該屏蔽部件進一步包括連接該第一面之該上部表面與該第三面之一上部表面的一第一連接面及連接該第三面之該上部表面與該些第二面之上部表面的複數個第二連接面；且其中該第一連接面相對於該第一面之該上部表面傾斜大於0°且小於90°之一角度。

如請求項5之發電設備，其中該屏蔽部件之該第一面對稱地安置於該第一熱電模組與該第二熱電模組之間。

如請求項6之發電設備，其中該些第二連接面對稱地安置以連接該些第二面之該上部表面與該第三面之該上部表面。

如請求項3之發電設備，其進一步包含安置於該第一表面與該屏蔽部件之一下部表面之間的一隔熱部件。

如請求項8之發電設備，其中該隔熱部件在該第一表面上安置於該電線及該些連接器之側表面上。

如請求項9之發電設備，其中該隔熱部件不安置於在該電線與該屏蔽部件之該下部表面之間及在該些連接器與該屏蔽部件之該下部表面之間的至少一部分上。

如請求項3之發電設備，其中該些第二面之一上部表面經安置以具有自該散熱片之該下部表面起的一最大高度，其為該散熱片之該下部表面與該散熱片之一上部表面之間的一高度差之0.25倍。

如請求項3之發電設備，其中依序通過該第一熱電模組之該散熱片、該屏蔽部件之一上部表面及該第二熱電模組之該散熱片的一第二流體之一溫度不同於該第一流體之一溫度。

如請求項12之發電設備，其中該第一流體之一流動方向不同於該第二流體之一流動方向。

如請求項13之發電設備，其中該第一流體之該流動方向垂直於該第二流體之該流動方向。

如請求項1之發電設備，其中該導管包括一第一導管及鄰近於該第一導管之一第二導管；且其中該屏蔽部件安置於安置於該第一導管上的該第一熱電模組與安置於該第二導管上的該第一熱電模組之間。

一種發電設備，其包含：一導管，一第一流體通過該導管；一第一熱電模組及一第二熱電模組，其安置於該導管之一第一表面上以彼此間隔開；複數個第一連接器，其彼此間隔地設置在該導管之該第一表面上安置於該第一熱電模組與該第二熱電模組之間；一第一屏蔽部件，其在該導管之該第一表面上安置於該第一熱電模組與該第二熱電模組之間；一第三熱電模組及一第四熱電模組，其安置於該導管之面向該第一表面的一第二表面上以彼此間隔開；複數個第二連接器，其彼此間隔地設置在該導管之該第二表面上安置於該第三熱電模組與該第四熱電模組之間；以及一第二屏蔽部件，其在該導管之該第二表面上安置於該第三熱電模組與該第四熱電模組之間，其中，該第一屏蔽部件包括相對於該導管之該第一表面具有一第一高度的一第一面，及複數個第二面，該些第二面彼此間隔開且相對於該導管的該第一表面具有一第二高度；其中，該第二個高度高於該第一高度，其中，該些第一連接器設置在該導管的該第一表面和該第一屏蔽部件的該些第二面之間其中該第一屏蔽部件進一步包括一第三面，其安置於該第一面與該些第二面之間，且具有高於該第一高度且低於該第二高度的一高度，且其中該第三面之一面積大於該些第二面之一面積。

如請求項16之發電設備，其中該第一熱電模組至該第四熱電模組中之每一者包括安置於該導管之對應表面上之一熱電裝置及安置於該熱電裝置上之一散熱片；且其中該導管之該第一表面與該第一面之間的一距離小於或等於該導管之該第一表面與該散熱片之間的一最小距離。

一種用於一微影設備之表膜隔膜，該隔膜包含一表膜核心且具有包括在其中分佈之複數個內含物的一基質，其中該複數個內含物包含複數個晶體。

如請求項1之表膜隔膜，其中該等晶體隨機地分佈。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該等內含物或晶體包含一第一材料且該基質包含一第二材料，該第一材料之發射率大於該第二材料之發射率。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該等內含物或晶體包含矽化鉬、矽化鋯、矽化釕、矽化鎢或其組合。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該基質包含矽。

如請求項5之表膜隔膜，其中該基質包含氮化矽及/或碳化矽。

如請求項5之表膜隔膜，其中該矽可包含p-Si、a-Si、nc-Si、單晶Si或其組合。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該隔膜不包括一金屬塗層。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該隔膜具有為約10 nm至約50 nm之一厚度。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該隔膜為多孔的。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該隔膜不包含多個堆疊層。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該鉬、鋯、鎢及/或釕以約2%至約40%、約2%至約30%、約2%至約30%或5%至約10% (原子%)之一量存在於該表膜隔膜中，或其中該表膜隔膜具有該內含物材料之約10體積%至約60體積%。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該基質材料為非細絲狀(non-filamentary)。

如請求項1或請求項2之表膜隔膜，其中該基質材料不包含碳。

一種微影設備，其包含如請求項1至14中任一項之表膜隔膜。

一種供在一微影設備中使用的表膜總成，該表膜總成包含如請求項1至14中任一項之表膜隔膜。

一種控制一表膜隔膜之組成物的方法，該方法包含 <br/>提供一濺鍍目標，及調整功率以調整該表膜隔膜之該組成物， <br/>執行一退火步驟，以形成晶體於該表膜隔膜中。

如請求項17之方法，其中該濺鍍目標包含一基質材料，其中該基質材料包含矽或氮化矽。

如請求項17或請求項18之方法，其中該濺鍍目標包含一內含物材料，其中該內含物材料包含矽化鉬、矽化鋯、矽化釕、矽化鎢或其組合。

如請求項17或請求項18之方法，其中使用兩個或多於兩個濺鍍目標。

如請求項17或請求項18之方法，其中該方法包含50至1000 W之一目標功率。

如請求項17或請求項18之方法，其中該方法包含提供50 W至約300 W之一目標功率至第二濺鍍目標以提供具有10體積%至60體積%的該內含物材料之一體積%的一表膜隔膜。

一種設計用於一微影設備之一隔膜的方法，該隔膜包含包括在其中分佈之複數個內含物的一基質並由至少部分取決於一輸入性質的一輸出性質特性化，該方法包含： <br/>接收與該輸入性質相關聯的一組輸入值； <br/>使用半經驗熱力學模型化產生一組模型化隔膜，每一模型化隔膜係基於與該輸入性質相關聯之該組輸入值的一輸入值而模型化； <br/>基於該模型預測與用於該組模型化隔膜中之每一者的該輸出性質相關聯的一輸出值； <br/>基於該等預測輸出值自該組模型化隔膜選擇一或多個隔膜； <br/>基於該等所選擇一或多個隔膜自該組輸入值輸出一或多個輸入值。

一種用於將至少二種材料固定在一起的緊固組裝件（fastener assembly），該緊固組裝件包含：<br/>螺釘，其具有外部帶螺紋的柄及放大的頭，該螺釘的放大的頭具有內表面及外表面；<br/>螺帽，其具有內部有盲孔的柄，該盲孔係內部帶螺紋以螺紋狀地接收該螺釘之外部帶螺紋的柄；<br/>該螺帽在柄之與具有盲孔之開口的末端相對的末端上具有放大的頭，該螺帽的放大的頭具有外表面及內表面，<br/>其中該螺帽的柄從該螺帽之放大的頭的內表面延伸出並遠離之，<br/>其中該螺帽之放大的頭的內表面包含圍繞該柄的凹陷（depression），該凹陷提供內肩及外肩，以及<br/>其中該螺釘之放大的頭的內表面包含圍繞該外部帶螺紋之柄的凹陷。

如請求項1所述之緊固組裝件，其中該螺帽之放大的頭的該凹陷為環狀凹陷。

如請求項1所述之緊固組裝件，其中該柄包含與該柄之縱向軸平行延伸的多個平行縱向脊。

如請求項3所述之緊固組裝件，更包含圍繞該多個平行縱向脊的密封構件。

如請求項4所述之緊固組裝件，其中該密封構件包含O形環、墊圈、或預塗的複合密封劑。

如請求項1所述之緊固組裝件，其中至少該螺帽之放大的頭的外表面係包含經電鍍的表面。

一種用於將至少二種材料固定在一起的緊固組裝件，該緊固組裝件包含：<br/>螺釘，其具有外部帶螺紋的柄及放大的頭，該螺釘的放大的頭具有內表面及外表面；<br/>螺帽，其具有內部有盲孔的柄，該盲孔係內部帶螺紋以螺紋狀地接收該螺釘之外部帶螺紋的柄；<br/>該螺帽在柄之與具有盲孔之開口的末端相對的末端上具有放大的頭，該螺帽的放大的頭具有外表面及內表面，<br/>其中該螺帽的柄從該螺帽之放大的頭的內表面延伸出並遠離之，<br/>其中該螺帽包含經電鍍的外表面，<br/>其中該螺釘之放大的頭的內表面包含圍繞該外部帶螺紋之柄的凹陷，以及<br/>其中該螺帽之放大的頭的內表面包含圍繞該柄的凹陷，該凹陷提供內肩及外肩。

如請求項7所述之緊固組裝件，其中該柄包含與該柄之縱向軸平形延伸的多個平行縱向脊。

如請求項8所述之緊固組裝件，更包含圍繞該多個平行縱向脊的密封構件。

如請求項9所述之緊固組裝件，其中該密封構件包含O形環、墊圈、或預塗的複合密封劑。

如請求項7所述之緊固組裝件，其中該螺帽之放大的頭的內表面上圍繞該柄的該凹陷為環狀凹陷。

一種用於將至少二種材料固定在一起的緊固組裝件，該緊固組裝件包含：<br/>螺釘，其具有外部帶螺紋的柄及放大的頭，該螺釘的放大的頭具有內表面及外表面；<br/>螺帽，其具有內部有盲孔的柄，該盲孔係內部帶螺紋以螺紋狀地接收該螺釘之外部帶螺紋的柄，該螺帽在柄之與具有盲孔之開口的末端相對的末端上具有放大的頭，該螺帽的放大的頭具有外表面及內表面；以及<br/>密封構件，其設置於該螺帽的柄周圍，<br/>其中該螺帽的柄從該螺帽之放大的頭的內表面延伸出並遠離之，以及<br/>其中該螺帽包含經電鍍的外表面，<br/>其中該螺帽之放大的頭的內表面包含圍繞該柄的凹陷，該凹陷提供內肩及外肩，以及<br/>其中該螺釘之放大的頭的內表面包含圍繞該外部帶螺紋之柄的凹陷。

如請求項12所述之緊固組裝件，其中該密封構件包含O形環、墊圈、或預塗的複合密封劑。

如請求項12所述之緊固組裝件，其中該螺帽之放大的頭的該凹陷為環狀凹陷。

一種混合辛香料，係包含：選自由香菜籽、香菜葉、百里香、丁香、多香果、迷迭香、檸檬草、義大利芹及牛至所組成之群組中的至少1種辛香料；以及烘焙香菜籽； <br/>其中，前述烘焙香菜籽具有清涼香及烘焙香； <br/>前述清涼香係選自由β–芳樟醇、檸檬烯、乙酸芳樟酯、乙酸香茅酯、橙花醇、香葉醇及乙酸香葉酯所組成之群組中的至少1種； <br/>前述烘焙香係選自由2–甲基吡嗪、2–乙基吡嗪、2,3–二甲基吡嗪、2,5–二甲基吡嗪、2,6–二甲基吡嗪、2–乙基–5–甲基吡嗪、2–乙基–6–甲基吡嗪、3–乙基–2,5–二甲基吡嗪、三甲基吡嗪、糠醛、乙酸糠酯、乙醯基呋喃、吡咯、糠機吡咯及2–乙醯基吡咯所組成之群組中的至少1種； <br/>將前述烘焙香菜籽粉碎至粒徑1mm以下，將相對於此粉碎的烘焙香菜籽之質量以14.7質量ppm的比率添加癸烷作為內部標準物質，在以氣體層析質量分析法(GC／MS法)分析時，來自前述清涼香的波峰面積之合計[A]、來自前述烘焙香的波峰面積之合計[B]及來自前述癸烷的波峰面積[D]係滿足以下的條件(1)及條件(2)： <br/>(1) 0.01 ≦ [B]／[A] ≦ 0.2 <br/>(2) [B]／[D] ≧ 0.1　。

一種遮蔽用組成物，其含有請求項1所述之混合辛香料。

一種飲食品，其含有請求項1所述之混合辛香料。

一種混合辛香料的製造方法，其包括： <br/>將未粉碎的香菜籽在物品溫度170℃以上進行加熱處理而調製烘焙香菜籽的步驟；以及 <br/>將選自由香菜籽、香菜葉、百里香、丁香、多香果、迷迭香、檸檬草、義大利芹及牛至所組成之群組中的至少1種辛香料與前述烘焙香菜籽混合之步驟。

如請求項4所述之製造方法，其中，前述混合辛香料係遮蔽用。

一種減少食品的不快味道用之組成物，係含有：選自由香菜籽、香菜葉、百里香、丁香、多香果、迷迭香、檸檬草、義大利芹及牛至所組成之群組中的至少1種辛香料；以及烘焙香菜籽； <br/>其中，前述烘焙香菜籽具有清涼香及烘焙香； <br/>前述清涼香係選自由β–芳樟醇、檸檬烯、乙酸芳樟酯、乙酸香茅酯、橙花醇、香葉醇及乙酸香葉酯所組成之群組中的至少1種； <br/>前述烘焙香係選自由2–甲基吡嗪、2–乙基吡嗪、2,3–二甲基吡嗪、2,5–二甲基吡嗪、2,6–二甲基吡嗪、2–乙基–5–甲基吡嗪、2–乙基–6–甲基吡嗪、3–乙基–2,5–二甲基吡嗪、三甲基吡嗪、糠醛、乙酸糠酯、乙醯基呋喃、吡咯、糠機吡咯及2–乙醯基吡咯所組成之群組中的至少1種； <br/>將前述烘焙香菜籽粉碎至粒徑1mm以下，將相對於此粉碎的烘焙香菜籽之質量以14.7質量ppm的比率添加癸烷作為內部標準物質，在以氣體層析質量分析法(GC／MS法)分析時，來自前述清涼香的波峰面積之合計[A]、來自前述烘焙香的波峰面積之合計[B]及來自前述癸烷的波峰面積[D]係滿足以下的條件(1)及條件(2)： <br/>(1) 0.01 ≦ [B]／[A] ≦ 0.2 <br/>(2) [B]／[D] ≧ 0.1　。

如請求項6所述之組成物，其中，前述食品係肉類加熱烹調品。

一種樹脂膜，係含有聚合物成分、環氧樹脂、熱硬化劑、及添加劑之硬化性樹脂膜；<br/> 前述樹脂膜中，前述環氧樹脂及前述熱硬化劑的總含量相對於前述聚合物成分的含量100質量份為600質量份至1000質量份；<br/> 前述添加劑為流變控制劑、界面活性劑、或聚矽氧油；<br/> 前述樹脂膜中，前述添加劑的含量相對於前述樹脂膜的總質量之比例為0.5質量%至10質量%；<br/> 於溫度90℃、頻率1Hz之條件下，使直徑25mm、厚度1mm之前述樹脂膜之試片產生應變，測定前述試片的儲存彈性模數，當將前述試片的應變為1%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc1、將前述試片的應變為300%時的前述試片的儲存彈性模數設為Gc300時，藉由下述式：<br/> 　　X＝Gc1/Gc300<br/> 　　所算出之X值為19以上至未達10000。

如請求項1所記載之樹脂膜，其中前述樹脂膜用於貼附於凹凸面。

一種複合片，具備基材、設置於前述基材上之緩衝層、及設置於前述緩衝層上之樹脂膜；<br/> 　　前述樹脂膜為如請求項1或2所記載之樹脂膜。

一種半導體裝置之製造方法，具有：<br/> 　　貼附步驟，係將如請求項3所記載之複合片中之前述樹脂膜貼附於半導體晶圓中之具有凸塊之面，使前述凸塊的頭頂部自前述樹脂膜突出，藉此於前述半導體晶圓設置前述複合片；<br/> 　　去除步驟，係於前述貼附步驟之後，將前述複合片中的前述樹脂膜以外的層自前述樹脂膜移除；<br/> 　　硬化步驟，係於前述去除步驟之後，使前述樹脂膜硬化，藉此形成第1保護膜；<br/> 　　分割步驟，係於前述硬化步驟之後，分割前述半導體晶圓，藉此製作半導體晶片；<br/> 　　切斷步驟，係於前述硬化步驟之後，切斷前述第1保護膜；以及<br/> 　　構裝步驟，係將具第1保護膜之半導體晶片於前述凸塊的前述頭頂部覆晶連接於基板，前述具第1保護膜之半導體晶片具備於前述分割步驟及前述切斷步驟之後所獲得之前述半導體晶片、及設置於前述半導體晶片中之具有前述凸塊之前述面之前述第1保護膜，且前述凸塊的前述頭頂部自前述第1保護膜突出。

一種圖像顯示裝置之製造方法，其係圖像顯示構件與保護上述圖像顯示構件之圖像顯示面之保護面板介隔光硬化樹脂層積層而成之圖像顯示裝置之製造方法，且具有： <br/>＜步驟A＞ <br/>將第1光硬化性樹脂組合物塗佈於上述保護面板，形成外緣部具有凸部之第1光硬化性樹脂組合物層之步驟； <br/>＜步驟B＞ <br/>對上述第1光硬化性樹脂組合物層照射硬化光，形成第1硬化樹脂層之步驟； <br/>＜步驟C＞ <br/>對上述第1硬化樹脂層塗佈第2光硬化性樹脂組合物，形成減小或消除與上述凸部之高低差之第2光硬化性樹脂組合物層之步驟； <br/>＜步驟D＞ <br/>將上述保護面板與上述圖像顯示構件介隔上述第2光硬化性樹脂組合物層進行積層，形成圖像顯示模組之步驟； <br/>＜步驟E＞ <br/>自上述第2光硬化性樹脂組合物層側照射硬化光，形成上述光硬化樹脂層之步驟；其中 <br/>上述第2光硬化性樹脂組合物係比上述第1光硬化性樹脂組合物黏度高之組合物。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟C之後且上述步驟D之前，進行上述步驟E。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第1光硬化性樹脂組合物之黏度為3～1000 mPa·s。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中至少上述第2光硬化性樹脂組合物係藉由自噴出裝置噴出而進行塗佈，該噴出裝置係與上述保護面板對圖像顯示構件之貼附面相對向配置，且排列有複數個噴出孔。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第1光硬化性樹脂組合物係塗佈於上述保護面板之整面。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第2光硬化性樹脂組合物係塗佈於上述第1硬化樹脂層之由上述凸部包圍之主面部。

如請求項6之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟C中，塗佈上述第2光硬化性樹脂組合物直至上述第1硬化樹脂層之上述凸部之外側斜面。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟B中，使上述第1光硬化性樹脂組合物層進行預硬化。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟B中，使上述第1光硬化性樹脂組合物層進行正式硬化。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟A中，複數次塗佈上述第1光硬化性樹脂組合物。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述步驟C中，複數次塗佈上述第2光硬化性樹脂組合物。

如請求項1之圖像顯示裝置之製造方法，其中於上述保護面板中，藉由於周緣部形成遮光部而設置與主面部之間之階差部， <br/>於上述步驟A中，使上述保護面板之上述主面部上之上述第1光硬化性樹脂組合物之塗佈厚度厚於上述遮光部上之上述第1光硬化性樹脂組合物之塗佈厚度，將上述保護面板之上述遮光部上之上述第1光硬化性樹脂組合物之塗佈厚度設為上述階差部之高度±30%之範圍內。

如請求項12之圖像顯示裝置之製造方法，其中藉由噴墨方式之噴出裝置塗佈上述光硬化性樹脂組合物。

一種血管連接器置放裝置，其包含：一手柄；一延伸心軸，其自該手柄向遠側延伸；一血管連接器，其圍繞該心軸同軸配置；一可伸縮護套組件，其包括可伸縮地置放於一內護套上的一外護套，其中該可伸縮護套組件配置成將該血管連接器限制於該心軸上而呈一插入外型，且其中一遠側轉接處位於該外護套與該內護套之間，可在視覺上作為血管連接器位置的指示；一固定肩管，該肩管同軸地設置於該心軸上且在該外護套與該內護套內，鄰接該血管連接器的近端；及一致動器，其位於該手柄上，該致動器配置成相對心軸選擇性地縮回該外護套及該內護套。

如請求項1所述之血管連接器置放裝置，其中透過該外護套可看到該內護套。

如請求項2所述之血管連接器置放裝置，其中該外護套是透明的。

如請求項2所述之血管連接器置放裝置，其中該外護套在縮回前覆蓋全部的該血管連接器，且其中該內護套在縮回前覆蓋預定部分的該血管連接器近端部分。

如請求項4所述之血管連接器置放裝置，其中該內護套在縮回前覆蓋近端一半的該血管連接器。

如請求項5所述之血管連接器置放裝置，其中透過該外護套可見該血管連接器的遠端。

如請求項1所述之血管連接器置放裝置，其中該致動器配置成最初僅相對於該心軸縮回該外護套以暴露該血管連接器的遠側部分，並隨後相對於該心軸縮回該外護套及該內護套以暴露全部的該血管連接器。

如請求項7所述之血管連接器置放裝置，其中該致動器包含一滑件。

如請求項8所述之血管連接器置放裝置，其中該滑件具有一運動範圍並可配置成在該運動範圍的第一部分上僅接合該外護套，且在該運動範圍的剩餘部分上接合該內護套和該外護套兩者。

如請求項1所述之血管連接器置放裝置，其中透過該外護套和該內護套可見到該固定肩管。

如請求項1所述之血管連接器置放裝置，其中該血管連接器為自擴張連接器，且能在22℃至37℃之溫度範圍內保持徑向力。

一種血管連接器置放裝置，其包含：一手柄；一延伸心軸，其自該手柄向遠側延伸；一血管連接器，其圍繞該心軸同軸配置；一可伸縮護套組件，其包括可伸縮地置放於一內護套上的一外護套，其中該可伸縮護套組件配置成將該血管連接器限制於該心軸上而呈一插入外型，且其中一遠側轉接處位於該外護套與該內護套之間，可在視覺上作為血管連接器位置的指示；一滑件，其位於該手柄上，該滑件配製成最初僅接合該外護套，在第一次作動後僅縮回該外護套，並在重置時接合該內護套和該外護套兩者，使得隨後的第二次作動可同時縮回該內護套和該外護套兩者。

如請求項12所述之血管連接器置放裝置，其中該內護套是透明的，且透過該外護套可見到該內護套遠端的一標記。

一種用於製備有機殺蟲劑之水性懸浮劑的製程，該製程包含： <br/>I）形成一混合物，其包含： <br/>A）一調配添加劑，其中該調配添加劑係選自於水、抗凍劑、黏度調節劑、消泡劑、殺菌劑、界面活性劑、及其組合；以及 <br/>B）一晶質有機殺蟲劑，其中該晶質有機殺蟲劑選自氯蟲苯甲醯胺或氰蟲醯胺； <br/>II）在攪拌或乳化條件下將一非晶形有機殺蟲劑添加至該混合物中，其中該非晶形有機殺蟲劑為畢芬寧； <br/>III）將該非晶形有機殺蟲劑結晶； <br/>IV）選擇性地將該混合物過濾； <br/>V）選擇性地將該混合物乾燥；以及 <br/>VI）選擇性地研磨該混合物； <br/>其中該非晶形有機殺蟲劑與該晶質有機殺蟲劑不相同，該製程步驟係依照上述順序進行，該非晶型有機殺蟲劑之熔點範圍為40℃至70℃，且將該非晶型有機殺蟲劑添加至該混合物之製程步驟發生在溫度80℃至100℃的範圍內。

一種用於製備有機殺蟲劑之水性懸浮劑的製程，該製程包含： <br/>I）形成一包含調配添加劑的混合物，其中該調配添加劑係選自於水、抗凍劑、黏度調節劑、消泡劑、殺菌劑、界面活性劑、及其組合； <br/>II）在攪拌或乳化條件下將一非晶形有機殺蟲劑添加至該混合物中； <br/>III）將一晶質有機殺蟲劑添加至該混合物中，其中該晶質有機殺蟲劑選自氯蟲苯甲醯胺或氰蟲醯胺； <br/>IV）將該非晶形有機殺蟲劑結晶； <br/>V）選擇性地將該混合物過濾； <br/>VI）選擇性地將該混合物乾燥；以及 <br/>VII）選擇性地研磨該混合物； <br/>其中該至少一非晶形有機殺蟲劑與該至少一晶質有機殺蟲劑不相同，該製程步驟係依照上述順序進行，該非晶型有機殺蟲劑之熔點範圍為40℃至70℃，且將該非晶型有機殺蟲劑添加至該混合物之製程步驟發生在溫度80℃至100℃的範圍內。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該非晶形有機殺蟲劑在20℃下之水中溶解度小於2 mg/L。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該非晶形有機殺蟲劑在20℃下之水中溶解度小於10 µg/L。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該晶質有機殺蟲劑在20℃下之水中溶解度小於2 g/L。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該晶質有機殺蟲劑在20℃下之水中溶解度小於600 mg/L。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該晶質有機殺蟲劑之熔點大於80℃。

如請求項1-2中任一項之製程，其中該選擇性地研磨該混合物之製程步驟發生在一選自於磨碎機、珠磨機、膠磨機、定轉子、噴射磨機、氣流式粉碎分級機、環磨機、錘磨機、針磨機、削磨機、及其組合的裝置上。

一種頁面展示方法，其係由處理器來執行，其特徵在於，包括：接收到對目標頁面的存取請求後，獲取頁面資料，該目標頁面包括商品物件資訊服務系統的客戶端首頁，該客戶端首頁為用於對應用程式中的多個應用服務進行流量引導的頁面，該頁面資料中包括多個標籤頁對應的資料，該多個標籤頁中包括第一標籤頁以及至少一個第二標籤頁；其中，該第一標籤頁中包括多個資源位，用於展示多個第一應用服務的鏈接，該鏈接用於跳轉呈現該第一應用服務的承接頁面；該第二標籤頁對應第二應用服務的承接頁面；該第二應用服務的承接頁面由該第二應用服務的開發方提供，該頁面資料中還包括：由該開發方提供的關於該第二應用服務的承接頁面的頁面類型資訊；在展示該第一標籤頁的頁面內容的狀態下，透過接收對頁面中的第一應用服務的鏈接執行的點擊操作，跳轉至該第一應用服務的承接頁面，透過接收在該多個標籤頁之間進行的切換操作的方式，切換至該第二標籤頁展示該第二應用服務的承接頁面，以便透過點擊鏈接的方式向該第一應用服務的承接頁面進行流量引導，透過切換標籤頁的方式，向該第二應用服務的承接頁面進行流量引導；其中，該第二標籤頁對應的第二應用服務為動態配置，在切換到該第二標籤頁進行展示的過程中，根據對應的第二應用服務的承接頁的頁面類型資訊，動態加載匹配的頁面容器，以便透過該頁面容器加載第二應用服務的承接頁的頁面內容。

根據請求項1所述的方法，其中，還包括：在展示出該第二應用服務的承接頁面後，透過在該多個標籤頁之間進行的切換操作的方式返回該第一標籤頁；以及在展示該第一標籤頁的狀態下，如果該第一標籤頁已滾動至針對當前用戶的個性化推薦模組，則將該多個標籤頁之間的切換功能置為禁用狀態。

根據請求項1所述的方法，其中，該透過在該多個標籤頁之間進行切換的方式，切換至該第二標籤頁，包括：透過在標籤選項排列方向上執行滑動操作的方式在該多個標籤頁之間進行切換。

根據請求項3所述的方法，其中，該滑動操作包括：透過關聯的終端設備的觸控螢幕，在該標籤頁內進行的滑動操作。

根據請求項3所述的方法，其中，該滑動操作包括：透過隔空手勢的方式執行的滑動手勢操作。

根據請求項3所述的方法，其中，還包括：在從源標籤頁切換到目標標籤頁的過程中，提供具有牽拉效果的過渡動畫，以提示用戶可透過向相反的方向進行滑動的方式切換回該源標籤頁。

根據請求項1所述的方法，其中，該透過在該多個標籤頁之間進行切換的方式，切換至第二標籤頁，包括：透過點擊該標籤頁對應的標籤選項的方式在該多個標籤頁之間進行切換。

根據請求項2所述的方法，其中，還包括：在將該多個標籤頁之間的切換功能置為禁用狀態後，將該多個標籤頁對應的標籤選項隱藏，以便在螢幕空間內展示出關於該第一標籤頁的更多內容。

根據請求項1所述的方法，其中，還包括：在切換到該第二應用服務的承接頁面進行展示後，將系統標籤選項隱藏。

根據請求項1至9任一項所述的方法，其中，標籤頁的數量為可配置。

根據請求項1至9任一項所述的方法，其中，該第二標籤頁對應的第二應用服務為可配置。

根據請求項11所述的方法，其中，該第二標籤頁對應的第二應用服務為根據當前頁面的個性化資訊進行配置。

根據請求項12所述的方法，其中，還包括：在展示該第一標籤頁的狀態下，接收對其中的第一應用服務對應的圖標向標籤選項欄進行拖動的操作；將被拖動的第一應用服務確定為第二應用服務，並根據其承接頁面產生新的第二標籤頁。

根據請求項12所述的方法，其中，還包括：提供用於添加新的第二標籤頁的操作選項；透過該操作選項接收到操作請求後，提供可選的應用服務列表，並根據被選中的應用服務對應的承接頁面產生新的第二標籤頁。

一種頁面展示裝置，其特徵在於，包括：頁面資料獲取單元，用於接收到對目標頁面的存取請求後，獲取頁面資料，該目標頁面包括商品物件資訊服務系統的客戶端首頁，該客戶端首頁為用於對應用程式中的多個應用服務進行流量引導的頁面，該頁面資料中包括多個標籤頁對應的資料，該多個標籤頁中包括第一標籤頁以及至少一個第二標籤頁；其中，該第一標籤頁中包括多個資源位，用於展示多個第一應用服務的鏈接，該鏈接用於跳轉呈現該第一應用服務的承接頁面；該第二標籤頁對應第二應用服務的承接頁面；該第二應用服務的承接頁面由該第二應用服務的開發方提供，該頁面資料中還包括：由該開發方提供的關於該第二應用服務的承接頁面的頁面類型資訊；頁面切換單元，用於在展示該第一標籤頁的頁面內容的狀態下，透過接收對頁面中的第一應用服務的鏈接執行的點擊操作，跳轉至該第一應用服務的承接頁面，透過接收在該多個標籤頁之間進行的切換操作的方式，切換至第二標籤頁展示該第二應用服務的承接頁面，以便透過點擊鏈接的方式向該第一應用服務的承接頁面進行流量引導，透過切換標籤頁的方式，向該第二應用服務的承接頁面進行流量引導；其中，該第二標籤頁對應的第二應用服務為動態配置，在切換到該第二標籤頁進行展示的過程中，根據對應的第二應用服務的承接頁的頁面類型資訊，動態加載匹配的頁面容器，以便透過該頁面容器加載第二應用服務的承接頁的頁面內容。

一種電子設備，其特徵在於，包括：一個或多個處理器；以及與該一個或多個處理器關聯的記憶體，該記憶體用於儲存程式指令，該程式指令在被該一個或多個處理器讀取執行時，執行請求項1至14任一項所述的方法的步驟。

一種電力系統，其包含有：<br/> 一原動機，該原動機被組配來轉動一軸；以及<br/> 一繞線轉子感應發電機(WRIG)，該WRIG包含有：<br/>         一轉子，該轉子被耦合到該原動機的該軸並被組配成當該軸旋轉時做旋轉，該轉子包含有一轉子繞組；以及<br/>         一定子繞組，該定子繞組被電氣連接到一公用電源及一負載；<br/> 其中：<br/>         當該定子繞組從該公用電源接收到第一電力時，該WRIG被組配成在把該第一電力的至少一部分輸出到該負載之前，對該第一電力的一電壓及一頻率中的至少一個進行轉換；以及<br/>         當該定子繞組沒有從該公用電源接收該第一電力時，該WRIG被組配成由於該轉子的動能來產生第二電力，並把該第二電力的至少一部分輸出到該負載。

如請求項1之電力系統，其更包含有：<br/> 一能量儲存庫，該能量儲存庫被電氣連接到該定子繞組，該能量儲存庫被組配成：<br/>         從該WRIG接收該第一電力的一第二部分；<br/> 當該WRIG正在從該公用電源接收該第一電力時，儲存該第一電力的該第二部分；<br/>         從該WRIG接收該第二電力的一第二部分；以及<br/>         當該WRIG正在產生該第二電力時，儲存該第二電力的該第二部分。

如請求項2之電力系統，其更包含有：<br/> 一整流器，該整流器被組配成在該等第一及第二電力的該第二部分在該能量儲存庫處被接收到之前把該第一電力及該第二電力從交流(AC)整流成為直流(DC)；以及<br/> 一換流器，該換流器被組配成把來自該整流器或該能量儲存庫的第三電力從DC轉換成為AC。

如請求項3之電力系統，其中該換流器更被組配成把該第三電力的一頻率轉換成適合於該負載之多個頻率中的任何一個。

如請求項4之電力系統，其中該整流器、該能量儲存庫、以及該換流器被組配成在該第一電力與該第二電力之間的一轉移期間電氣隔離該負載。

如請求項1之電力系統，其中該WRIG的該定子繞組包含多個抽頭，該等抽頭被組配成把該第一電力的該電壓轉換成用於不是單相就是多相之該公用電源的多個電壓準位中的任何一個。

如請求項1之電力系統，其更包含有：<br/> 一轉子勵磁電源供應，其被電氣連接到該轉子繞組並被組配成當該WRIG在從該公用電源接收該第一電力與產生該第二電力之間做轉移時勵磁該轉子。

如請求項1之電力系統，其更包含有：<br/> 一開關，其被電氣連接在該定子繞組與該公用電源之間，並被組配成從該定子繞組斷開該公用電源。

如請求項1之電力系統，其中該系統被組配成以一種對該負載透明的方式在一個電氣週期內從該公用電源轉移到該WRIG。

一種電力系統，其包含有：<br/> 一原動機，該原動機被組配來轉動一軸；以及<br/> 一繞線轉子感應發電機(WRIG)，該WRIG包含有：<br/>         一轉子，該轉子被耦合到該原動機的該軸並被組配成當該軸旋轉時做旋轉，該轉子包含有一轉子繞組；<br/>         一第一定子繞組，該第一定子繞組被電氣連接到一公用電源及一負載；<br/>         一第二定子繞組，該第二定子繞組被電氣連接到一能量儲存庫；<br/> 其中：<br/>         當該第一定子繞組從該公用電源接收到第一電力時，該WRIG被組配成在把該第一電力的至少一部分輸出到該負載之前，對該第一電力的一電壓及一頻率中的至少一個進行轉換；以及<br/>         當該第一定子繞組沒有從該公用電源接收該第一電力時，該WRIG被組配成透過該第二定子繞組由於該轉子的動能產生第二電力，並把該第二電力的至少一部分輸出到該負載。

如請求項10之電力系統，其中：<br/> 該WRIG被組配成把該第一電力的一第二部分輸出到該能量儲存庫，以及<br/> 該能量儲存庫被組配成儲存該第一電力的該第二部分，以在當該WRIG在從該公用電源接收該第一電力與產生第二電力之間做轉移時來使用。

如請求項11之電力系統，其更包含有：<br/> 一整流器，該整流器被組配成在該第二部分在該能量儲存庫處被接收到之前把該第一電力的該第二部分從交流(AC)整流成為直流(DC)；以及<br/> 一換流器，該換流器被組配成把來自該整流器或該能量儲存庫的第三電力從DC轉換成為一可控制頻率的AC電力。

如請求項12之電力系統，其中該換流器在電力及電流流動方面係雙向的，並且被組配成允許負載能量對該能量儲存庫進行充電。

如請求項10之電力系統，其中該第一定子繞組包含多個抽頭，該等抽頭被組配成把該第一電力的該電壓轉換成為多個電壓準位中的任何一個。

如請求項10之電力系統，其更包含有一第三定子繞組，其中：<br/> 該第一定子繞組從該公用電源以一第一電壓準位被饋電，<br/> 該第三定子繞組從一第二公用電源以一第二電壓準位被饋電，<br/> 該第二定子繞組被組配成以一第三電壓準位輸出該第一電力的一第二部分，<br/> 該第二定子繞組被組配成抽取衍生自該轉子之該動能的能量，並把該能量傳輸至該能量儲存庫，以及<br/> 該第一電力的該第二部分隨後被整流並被使用來充電該能量儲存庫。

如請求項10之電力系統，其更包含有：<br/> 一轉子勵磁電源供應，其被電氣連接到該轉子繞組並被組配成當該WRIG在從該公用電源接收該第一電力與產生該第二電力之間做轉移時以一可控制的頻率及通量準位勵磁該轉子。

一種電力裝置，其包含有：<br/> 一轉子，該轉子被組配成將被耦合到一原動機的一軸並且當該軸旋轉時做旋轉，該轉子包含有一轉子繞組；以及<br/> 至少一個定子繞組，該至少一個定子繞組被組配成將被電氣連接到一公用電源及一負載；<br/> 其中：<br/>         當該至少一個定子繞組從該公用電源接收到第一電力時，該裝置被組配成在把該第一電力的至少一部分輸出到該負載之前，對該第一電力的一電壓及一頻率中的至少一個進行轉換；以及<br/>         當該至少一個定子繞組沒有從該公用電源接收該第一電力時，則該裝置被組配成由於該轉子的動能來產生第二電力，並把該第二電力的至少一部分輸出到該負載。

如請求項17之電力裝置，其中：<br/> 該至少一個定子繞組更被組配成在整流後將被電氣連接到一能量儲存庫；以及<br/> 該裝置被組配成把該第一電力的一第二部分輸出到該能量儲存庫，該能量儲存庫儲存該第一電力的該第二部分以當該裝置在從該公用電源接收該第一電力與產生該第二電力之間做轉移時來使用。

如請求項18之電力裝置，其中該至少一個定子繞組包含：<br/> 一第一定子繞組，其被電氣連接到該負載並被組配來提供AC電力；以及<br/> 一第二定子繞組，其在整流後被電氣連接到該能量儲存庫，其中該整流係雙向的使得儲存在該能量儲存庫中多餘能量可以透過該第二定子繞組返回給該裝置。

如請求項17之電力裝置，其中該至少一個定子繞組包含多個抽頭，該等抽頭被組配成把該第一電力的該電壓轉換成為多個電壓準位中的任何一個。

如請求項17之電力裝置，其中該轉子的勵磁具有一可變的頻率勵磁特性，其允許頻率直接回應於轉子速度因為能量從該轉子被提取出降低而增加，以在當轉子能量正被提取時的模式期間將一定子輸出頻率及電壓保持幾乎恆定。

如請求項18之電力裝置，其中：<br/> 該至少一個定子繞組包含一第一定子繞組及一第二定子繞組，並且該能量儲存庫包含一第一能量儲存庫；<br/> 該第一定子繞組被組配成充電該第一能量儲存庫；<br/> 該第二定子繞組被組配成充電一第二能量儲存庫；以及<br/> 該等第一及第二能量儲存庫被組配成使用在獨立的匯流排上或被組合以供電共同的負載。

如請求項22之電力裝置，其中：<br/> 該第一定子繞組被組配成以一第一電壓準位充電該第一能量儲存庫；<br/> 該第二定子繞組被組配成以一第二電壓準位充電該第二能量儲存庫；以及<br/> 該等第一及第二能量儲存庫的每一個具有一獨立的充電及放電時間或設定檔。

一種防全球導航衛星系統（GNSS）仿冒的確定行動設備位置的方法，所述方法包括：<br/>基於來自一個或多個非GNSS資料源的定位資訊來確定所述行動設備的非GNSS定位；<br/>在所述行動設備處接收第一GNSS訊號；<br/>針對基於所述非GNSS定位的預測頻率和預測碼相位來確定所述第一GNSS訊號包括：<br/>與所述預測頻率的頻率差大於第一預確定閾值的頻率，<br/>與所述預測碼相位的碼相位差大於第二預確定閾值的碼相位，或<br/>兩者；<br/>基於所述非GNSS定位、所述第一預確定閾值和所述第二預確定閾值，在搜索窗口內接收第二GNSS訊號；以及<br/>確定針對所述第二GNSS訊號的量測。

如請求項1所述的方法，其中來自一個或多個非GNSS資料源的所述定位資訊包括：<br/>至少部分地基於來自地面收發機的訊號對所述行動設備的多點定位，<br/>廣域網（WAN）蜂窩小區扇區中心，<br/>存取點（AP）位置，<br/>地圖資料，<br/>感測器資料，或<br/>航位推算定位資訊，或<br/>其組合。

如請求項2所述的方法，其中所述感測器資料包括來自以下各項的資料：<br/>運動感測器，<br/>磁力計，<br/>車輪感測器，<br/>相機，<br/>雷達，<br/>LIDAR，或<br/>聲納感測器，<br/>或其組合。

如請求項1所述的方法，進一步包括在所述行動設備的GNSS接收機處從所述行動設備的應用處理器接收所述非GNSS定位。

如請求項4所述的方法，其中所述非GNSS定位基於針對所述行動設備的先前定位估計。

如請求項1所述的方法，進一步包括選擇所述搜索窗口以使得所述第一GNSS訊號在所述搜索窗口之外。

如請求項1所述的方法，其中所述搜索窗口是使用一個或多個追蹤環路來實現的。

如請求項1所述的方法，其中所述搜索窗口是包括碼相位偏移和訊號頻率的不同組合的二維追蹤網格的一部分。

如請求項1所述的方法，進一步包括基於針對所述第二GNSS訊號的所述量測來確定所述行動設備的經更新定位。

如請求項1所述的方法，進一步包括確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號至少部分地基於所述仿冒訊號具有大於閾值的訊號強度。

如請求項11所述的方法，其中所述閾值是基於開闊天空狀況下的GNSS訊號強度等級來確定的。

如請求項10所述的方法，其中進一步包括從多個所接收訊號中減去所述仿冒訊號以接收所述第二GNSS訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>基於包括所述第一GNSS訊號以及來自多個GNSS衛星的附加GNSS訊號的所接收訊號來確定所述行動設備的定位鎖定；以及<br/>基於確定所述定位鎖定與所述非GNSS定位不一致而將所接收訊號標識為包括所述仿冒訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>基於確定從所述第一GNSS訊號的偽距確定的位置與地圖資料不一致而將所述第一GNSS訊號標識為所述仿冒訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>確定所述第一GNSS訊號的訊號頻率與先前擷取的GNSS訊號的訊號頻率之差大於所述第一預確定閾值。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>獲得兩組自相容訊號，其中一組自相容訊號包括所述第一GNSS訊號；<br/>基於所述兩組自相容訊號中的每一組來確定所述行動設備的相應定位鎖定；以及<br/>基於所述兩個相應定位鎖定之差來將包括所述第一GNSS訊號的所述一組自相容訊號標識為包括所述仿冒訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>基於以下情形來將所述第一GNSS訊號標識為所述仿冒訊號：<br/>確定所述第一GNSS訊號的碼相位的變化大於所述第二預確定閾值，<br/>確定所述第一GNSS訊號的頻率的變化大於所述第一預確定閾值，<br/>或兩者。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號包括：<br/>獲得所述第一GNSS訊號；以及<br/>基於確定所述第一GNSS訊號的碼相位、頻率或兩者的變化率與預先確定或預測的變化率相差超過閾值而將所述第一GNSS訊號標識為仿冒訊號。

如請求項10所述的方法，其中確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號至少部分地基於確定所述第一GNSS訊號來自第一群集並與使用第二群集確定的所述行動設備的位置不一致。

如請求項1所述的方法，其中所述第一GNSS訊號是由所述行動設備經由第一頻率或第一GNSS群集來接收的，而所述第二GNSS訊號是由所述行動設備經由第二頻率或第二GNSS群集來接收的。

一種防全球導航衛星系統（GNSS）仿冒的用於確定位置的行動設備，所述行動設備包括：<br/>天線，所述天線被配置成接收GNSS訊號；<br/>記憶體；以及<br/>與所述天線和所述記憶體通訊地耦接的一個或多個處理單元，其中所述一個或多個處理單元被配置成：<br/>基於來自一個或多個非GNSS資料源的定位資訊來確定所述行動設備的非GNSS定位；<br/>經由所述天線來接收第一GNSS訊號；<br/>針對基於所述非GNSS定位的預測頻率和預測碼相位來確定所述第一GNSS訊號包括：<br/>與所述預測頻率的頻率差大於第一預確定閾值的頻率，<br/>與所述預測碼相位的碼相位差大於第二預確定閾值的碼相位，或<br/>兩者；<br/>經由所述天線，基於所述非GNSS定位、所述第一預確定閾值和所述第二預確定閾值，在搜索窗口內接收第二GNSS訊號；以及<br/>確定針對所述第二GNSS訊號的量測。

如請求項22所述的行動設備，其中來自一個或多個非GNSS資料源的所述定位資訊包括：<br/>至少部分地基於來自地面收發機的訊號對所述行動設備的多點定位，<br/>廣域網（WAN）蜂窩小區扇區中心，<br/>存取點（AP）位置，<br/>地圖資料，<br/>感測器資料，或<br/>航位推算定位資訊，或<br/>其組合。

如請求項23所述的行動設備，其中所述感測器資料包括來自以下各項的資料：<br/>運動感測器，<br/>磁力計，<br/>車輪感測器，<br/>相機，<br/>雷達，<br/>LIDAR，或<br/>聲納感測器，<br/>或其組合。

如請求項22所述的行動設備，其中：<br/>所述一個或多個處理單元包括應用處理器以及在所述行動設備的GNSS接收機內的處理器；並且<br/>所述行動設備的GNSS接收機內的所述處理器被配置成從所述應用處理器接收所述非GNSS定位。

如請求項25所述的行動設備，其中所述應用處理器被配置成執行定位引擎，並且其中所述非GNSS定位是使用所述定位引擎來確定的。

如請求項22所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被進一步配置成選擇所述搜索窗口以使得所述第一GNSS訊號在所述搜索窗口之外。

如請求項22所述的行動設備，其中所述搜索窗口是使用一個或多個追蹤環路來實現的。

如請求項22所述的行動設備，其中所述搜索窗口是包括碼相位偏移和訊號頻率的不同組合的二維追蹤網格的一部分。

如請求項22所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被進一步配置成基於針對所述第二GNSS訊號的所述量測來確定所述行動設備的經更新定位。

如請求項22所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被進一步配置成確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被配置成至少部分地基於所述仿冒訊號具有大於閾值的訊號強度來確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被進一步配置成從多個所接收訊號中減去所述仿冒訊號以接收所述第二GNSS訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成：<br/>基於包括所述第一GNSS訊號以及來自多個GNSS衛星的附加GNSS訊號的所接收訊號來確定所述行動設備的定位鎖定；以及<br/>基於確定所述定位鎖定與所述非GNSS定位不一致而將所接收訊號標識為包括所述仿冒訊號。

如請求項34所述的行動設備，其中：<br/>所述一個或多個處理單元包括應用處理器以及在所述行動設備的GNSS接收機內的處理器；並且<br/>所述應用處理器被配置成：<br/>確定所述定位鎖定與所述非GNSS定位不一致；以及<br/>基於確定所述定位鎖定與所述非GNSS定位不一致，向所述GNSS接收機內的所述處理器提供關於所述非GNSS定位、所述搜索窗口、或兩者的資訊。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成：<br/>基於確定從所述第一GNSS訊號的偽距確定的位置與地圖資料不一致而將所述第一GNSS訊號標識為仿冒訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成確定所述第一GNSS訊號的訊號頻率與先前擷取的GNSS訊號的訊號頻率之差大於所述第一預確定閾值。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成：<br/>獲得兩組自相容訊號，其中一組自相容訊號包括所述第一GNSS訊號；<br/>基於所述兩組自相容訊號中的每一組來確定所述行動設備的相應定位鎖定；以及<br/>基於兩個相應定位鎖定之差來將包括所述第一GNSS訊號的所述一組自相容訊號標識為包括仿冒訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成：<br/>基於以下情形來將所述第一GNSS訊號標識為仿冒訊號：<br/>確定所述第一GNSS訊號的碼相位的變化大於所述第二預確定閾值，<br/>確定所述第一GNSS訊號的頻率的變化大於所述第一預確定閾值，<br/>或兩者。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元在確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號時被配置成：<br/>基於確定所述第一GNSS訊號的碼相位、頻率或兩者的變化率與預先確定或預測的變化率相差超過閾值而將所述第一GNSS訊號標識為仿冒訊號。

如請求項31所述的行動設備，其中所述一個或多個處理單元被配置成至少部分地基於確定所述第一GNSS訊號來自第一群集並與使用第二群集確定的所述行動設備的位置不一致來確定所述第一GNSS訊號為仿冒訊號。

如請求項22所述的行動設備，其中所述第一GNSS訊號是由所述行動設備經由第一頻率或第一GNSS群集來接收的，而所述第二GNSS訊號是由所述行動設備經由第二頻率或第二GNSS群集來接收的。

一種防全球導航衛星系統（GNSS）仿冒的用於確定行動設備位置的裝備，所述裝備包括：<br/>用於基於來自一個或多個非GNSS資料源的定位資訊來確定所述行動設備的非GNSS定位的構件；<br/>用於在所述行動設備處接收第一GNSS訊號的構件；<br/>用於針對基於所述非GNSS定位的預測頻率和預測碼相位來確定所述第一GNSS訊號包括以下各項的構件：<br/>與所述預測頻率的頻率差大於第一預確定閾值的頻率，<br/>與所述預測碼相位的碼相位差大於第二預確定閾值的碼相位，或<br/>兩者；<br/>用於基於所述非GNSS定位、所述第一預確定閾值和所述第二預確定閾值，在搜索窗口內接收第二GNSS訊號的構件；以及<br/>用於確定針對所述第二GNSS訊號的量測的構件。

如請求項43所述的裝備，進一步包括用於選擇所述搜索窗口以使得所述第一GNSS訊號在所述搜索窗口之外的構件。

如請求項43所述的裝備，其中所述搜索窗口是使用一個或多個追蹤環路來實現的。

如請求項43所述的裝備，其中所述搜索窗口是包括碼相位偏移和訊號頻率的不同組合的二維追蹤網格的一部分。

一種儲存防全球導航衛星系統（GNSS）仿冒的用於確定行動設備位置的指令的非瞬態計算機可讀媒體，所述指令包括用於以下操作的代碼：<br/>基於來自一個或多個非GNSS資料源的定位資訊來確定所述行動設備的非GNSS定位；<br/>接收第一GNSS訊號；<br/>針對基於所述非GNSS定位的預測頻率和預測碼相位來確定所述第一GNSS訊號包括：<br/>與所述預測頻率的頻率差大於第一預確定閾值的頻率，<br/>與所述預測碼相位的碼相位差大於第二預確定閾值的碼相位，或<br/>兩者；<br/>基於所述非GNSS定位、所述第一預確定閾值和所述第二預確定閾值，在搜索窗口內接收第二GNSS訊號；以及<br/>確定針對所述第二GNSS訊號的量測。

一種式(I)化合物、藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="47px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/>其中， <br/>環A為C_6-10芳基或9-10員雜芳基； <br/>R₆獨立地為H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、-O-R_1a、-S-R_1a、-NH(R_1a)、-NHC(O)R_1a； <br/>n=0、1、2、3、4、5、6或7； <br/>L₁為<img align="absmiddle" height="20px" width="18px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="23px" width="11px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><br/>R₁為<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基；其任選被R’取代；並且R_a和R_b可以形成化學鍵從而使得雙鍵變為三鍵； <br/>其中R’為H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、-O-R_1a、-S-R_1a或-N(R_1a)₂； <br/>L₂為化學鍵； <br/>L₃為化學鍵、-CH₂-或-CH₂CH₂-； <br/>R₃為H、D、苯基或5-6員雜芳基；其任選被1-3個R取代； <br/>其中R為H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、-O-R_1a、-S-R_1a、-N(R_1a)₂、-C(O)N(R_1a)₂、C_3-10環烷基或3-10員雜環基； <br/>R₄為鹵素； <br/>Z₁為CR₅； <br/>Z₂為CR₅； <br/>R₅獨立地為H、D或鹵素； <br/>R₇與-L₂-R₂形成=Z； <br/>Z為O； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜芳基獨立地具有1-3個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫； <br/>雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

一種式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="41px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I-2) <br/>其中， <br/>Z為O； <br/>L₁為<img align="absmiddle" height="20px" width="18px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>環B為5-6員雜芳基； <br/>R₆獨立地為H、D、鹵素、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、-O-R_1a或-NH(R_1a)； <br/>n=0、1、2、3、4或5； <br/>R₁為<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>L₃為化學鍵； <br/>R₃為苯基或5-6員雜芳基；其任選被1-3個R取代； <br/>其中R為H、D、鹵素、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-10環烷基或3-10員雜環基； <br/>R₄為鹵素； <br/>R₅為H、D或鹵素； <br/>m=1或2； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜芳基獨立地具有1-3個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫； <br/>雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

如請求項2的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素或-CN。

如請求項2的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₁為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="11px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項4的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₁為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項2-5中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中， <br/>R₃為<img align="absmiddle" height="21px" width="13px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選被1-3個R取代。

如請求項2-5中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物或、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項2-5中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項2-5中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為F或Cl。

如請求項9的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為Cl。

如請求項2-5中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="23px" width="16px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="25px" width="16px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項2的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其為式(II)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="53px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II) <br/>其中，環B、R₆、n、L₃、R₁、R₃和R₄如請求項2所定義。

如請求項12的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="23px" width="16px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="25px" width="16px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

一種式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="59px" width="71px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (V) <br/>其中， <br/>R_a為H或D； <br/>R_b和R_c獨立地選自H、D、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基；其中所述C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基任選被D、鹵素、-CN、-O-R_1a、-S-R_1a或-N(R_1a)₂取代； <br/>Q₁選自N或CR_3b； <br/>Q₂選自N或CR_3c； <br/>Q₃選自N或CR_3d； <br/>Q₄選自N或CR_3e； <br/>R_3a選自鹵素、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6員雜環基； <br/>R_3b、R_3c、R_3d和R_3e獨立地選自H、D、鹵素、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6員雜環基； <br/>Z為N或CR_6a； <br/>R_6b和R_6e之一為-OH、-NH(R_1a)或-NHC(O)R_1a，另一與R_6a、R_6c和R_6d獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>或者，R_6d和R_6e可以結合形成苯基或5-6員雜芳基，其任選被1、2或3個選自-OH、-NH(R_1a)或-NHC(O)R_1a的基團取代； <br/>R₄為鹵素； <br/>R₅為H或鹵素； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜芳基獨立地具有1-3個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫； <br/>雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

如請求項14的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_a、R_b和R_c獨立地選自H或D。

如請求項14的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項14的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_6b為-OH、-NH(R_1a)或-NHC(O)R_1a。

如請求項14的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體，以及它們的混合物，其中R_6e為-OH、-NH(R_1a)或-NHC(O)R_1a。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₄為F或Cl。

如請求項19的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₄為Cl。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a選自C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基或C_3-6環烷基；R_3b、R_3c、R_3d和R_3e獨立地選自H、D、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基或C_3-6環烷基。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a為C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基。

如請求項22的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a為異丙基。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中Z為CR_6a。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_6b或R₆_e之一為-OH或-NH₂。

如請求項14-16中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="22px" width="28px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="25px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="28px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="25px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="28px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="35px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="35px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="25px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="25px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="20px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項14-16中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="22px" width="28px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="25px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="28px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="29px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="25px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="28px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="35px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="35px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="20px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="21px" width="30px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項14-18中任一項的式(V)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="21px" width="30px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

一種式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="69px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (VI) <br/>其中， <br/>R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>Q₁選自N或CR_3b； <br/>Q₂選自N或CR_3c； <br/>Q₃為CR_3d； <br/>Q₄選自N或CR_3e； <br/>R_3a選自鹵素、-CN、-O-R_1a、-S-R_1a、-N(R_1a)₂、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6員雜環基； <br/>R_3b、R_3c、R_3d和R_3e獨立地選自H、D、鹵素、-CN、-O-R_1a、-S-R_1a、-N(R_1a)₂、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6員雜環基； <br/>R₄為鹵素； <br/>R₆為-O-R_1a、-S-R_1a或-NH(R_1a)； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

如請求項30的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素或-CN。

如請求項30的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₄為F或Cl。

如請求項30的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₄為Cl。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a選自C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基或C_3-6環烷基；R_3b、R_3c、R_3d和R_3e獨立地選自H、D、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基或C_3-6環烷基。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a為C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R_3a為異丙基。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₆為-OH或-NH(R_1a)。

如請求項37的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中R₆為-OH。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="11px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項39的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項30-33中任一項的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="28px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="20px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項41的式(VI)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="20px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

一種式(III )化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="69px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III)<b>  </b><br/>其中， <br/>R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>L₃為-CH₂-或-CH₂CH₂-； <br/>R₃為C_3-6環烷基或3-6元雜環基；其任選被1-5個R取代； <br/>其中R為H、D、鹵素、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>R₄為鹵素； <br/>R₆為-O-R_1a； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

如請求項43的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₆為-OH。

如請求項43的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，L₃為-CH₂-。

如請求項43的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為3-6元雜環基。

如請求項43-46中任一項的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="15px" width="15px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項43-46中任一項的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為Cl或F。

如請求項48的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為F。

如請求項43-46中任一項的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素或-CN。

如請求項43的式(III)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其為式(III-1)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="62px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III-1) <br/>L₃、R₃、R₄和R₆如請求項43所定義。

一種式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物： <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="41px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I-2) <br/>其中， <br/>Z為O； <br/>L₁為<img align="absmiddle" height="23px" width="11px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R₁為<img align="absmiddle" height="14px" width="17px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素、-CN、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="16px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="22px" width="24px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>L₃為化學鍵； <br/>R₃為<img align="absmiddle" height="21px" width="13px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其任選被1-3個R取代； <br/>其中R為H、D、鹵素、-CN、-O-R_1a、-S-R_1a、-N(R_1a)₂、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6元雜環基； <br/>R₄為鹵素； <br/>R₅為H、D或鹵素； <br/>m=1或2； <br/>R_1a為H、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基； <br/>其中雜環基獨立地具有1-2個環雜原子，其中每個雜原子獨立地選自氮、氧和硫。

如請求項52的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R_a、R_b和R_c獨立地選自H、D、鹵素或-CN。

如請求項52的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₁為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="11px" file="ed10498.jpg" alt="ed10498.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項54的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₁為<img align="absmiddle" height="6px" width="11px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="21px" width="13px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其任選被1-3個R取代。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R為H、D、鹵素、C_1-6烷基、C_1-6鹵代烷基、C_3-6環烷基或4-6元雜環基。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R為H、D、鹵素、C_1-6烷基或C_1-6鹵代烷基。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10510.jpg" alt="ed10510.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="28px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10516.jpg" alt="ed10516.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項59的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="25px" file="ed10504.jpg" alt="ed10504.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10512.jpg" alt="ed10512.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項60的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₃為<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10500.jpg" alt="ed10500.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10502.jpg" alt="ed10502.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為F或Cl。

如請求項52-55中任一項的式(I-2)化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中，R₄為Cl。

一種化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體或它們的混合物，其中所述化合物選自： <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10593.jpg" alt="ed10593.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="63px" file="ed10597.jpg" alt="ed10597.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="63px" file="ed10599.jpg" alt="ed10599.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="63px" file="ed10601.jpg" alt="ed10601.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="51px" file="ed10606.jpg" alt="ed10606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10608.jpg" alt="ed10608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="51px" file="ed10611.jpg" alt="ed10611.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10613.jpg" alt="ed10613.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10615.jpg" alt="ed10615.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10617.jpg" alt="ed10617.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="61px" file="ed10619.jpg" alt="ed10619.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="61px" file="ed10621.jpg" alt="ed10621.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="61px" file="ed10623.jpg" alt="ed10623.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="65px" file="ed10625.jpg" alt="ed10625.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="27px" file="ed10627.jpg" alt="ed10627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="64px" file="ed10629.jpg" alt="ed10629.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="59px" file="ed10631.jpg" alt="ed10631.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="69px" file="ed10633.jpg" alt="ed10633.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="62px" file="ed10635.jpg" alt="ed10635.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="64px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="64px" file="ed10639.jpg" alt="ed10639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="64px" file="ed10641.jpg" alt="ed10641.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10643.jpg" alt="ed10643.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10645.jpg" alt="ed10645.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="55px" file="ed10647.jpg" alt="ed10647.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10649.jpg" alt="ed10649.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10651.jpg" alt="ed10651.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10653.jpg" alt="ed10653.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="39px" file="ed10655.jpg" alt="ed10655.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="44px" file="ed10657.jpg" alt="ed10657.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10659.jpg" alt="ed10659.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="54px" file="ed10661.jpg" alt="ed10661.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10663.jpg" alt="ed10663.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10665.jpg" alt="ed10665.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10667.jpg" alt="ed10667.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10669.jpg" alt="ed10669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10671.jpg" alt="ed10671.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10673.jpg" alt="ed10673.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10675.jpg" alt="ed10675.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10677.jpg" alt="ed10677.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="60px" file="ed10679.jpg" alt="ed10679.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10681.jpg" alt="ed10681.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10683.jpg" alt="ed10683.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10687.jpg" alt="ed10687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10689.jpg" alt="ed10689.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10691.jpg" alt="ed10691.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10693.jpg" alt="ed10693.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="129px" file="ed10695.jpg" alt="ed10695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10697.jpg" alt="ed10697.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="55px" file="ed10699.jpg" alt="ed10699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10701.jpg" alt="ed10701.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10703.jpg" alt="ed10703.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10705.jpg" alt="ed10705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10707.jpg" alt="ed10707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="63px" file="ed10709.jpg" alt="ed10709.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" 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一種藥物組合物，其含有如請求項1-64中任一項的化合物、其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體，和藥學上可接受的賦形劑。

如請求項65的藥物組合物，其還含有其它治療劑。

一種如請求項1-64中任一項的化合物或其藥學上可接受的鹽、鏡像異構物、非鏡像異構物、外消旋物、水合物、同質多晶物、氘代同位素變體在製備用於治療和/或預防KRAS或其G12C突變蛋白介導的疾病的藥物中的用途。

如請求項67的用途，其中所述KRAS或其G12C突變蛋白介導的疾病包括選自以下的癌症：急性骨髓性白血病、兒童腎上腺皮質癌、AIDS相關的癌症、肛門癌、闌尾癌、星形細胞瘤、非典型畸胎樣、基底細胞癌、膽管癌、膀胱癌、骨癌、腦瘤、乳腺癌、支氣管腫瘤、類癌瘤、胚胎腫瘤、生殖細胞腫瘤、子宮頸癌、心臟腫瘤、慢性淋巴細胞性白血病(CLL)、慢性骨髓性白血病(CML)、慢性骨髓增生疾病、大腸直腸癌、顱咽管瘤、肝外導管原位癌(DCIS)、CNS癌症、子宮內膜癌、室管膜瘤、食道癌、嗅神經母細胞瘤、眼癌、骨骼的纖維組織細胞瘤、膽囊癌、胃癌、妊娠滋養細胞腫瘤、毛細胞白血病、頭頸癌、肝癌、胰島細胞瘤、胰腺神經內分泌瘤、腎癌、喉癌、肺癌、淋巴瘤、轉移性鱗狀頸癌伴隱匿原發灶、中線道癌、口腔癌、多發性內分泌瘤綜合征、漿細胞瘤、骨髓發育不良綜合征、骨髓增殖性瘤、梅克爾細胞癌、惡性間皮瘤、鼻咽癌、神經母細胞瘤、卵巢癌、胰腺癌、乳頭瘤、副神經節瘤、甲狀旁腺癌、陰莖癌、前列腺癌、移行性細胞癌、橫紋肌肉瘤、唾液腺癌、皮膚癌、小腸癌、軟組織肉瘤、睾丸癌、胸腺瘤和胸腺癌、甲狀腺癌、滋養細胞腫瘤、尿道癌、子宮肉瘤、陰道癌或外陰癌。

如請求項68的用途，其中所述AIDS相關的癌症為卡波西氏肉瘤； <br/>所述大腸直腸癌選自大腸癌或直腸癌； <br/>所述類癌瘤為胃腸道類癌瘤； <br/>所述淋巴瘤選自布凱特氏淋巴瘤、原發性淋巴瘤、何杰金氏淋巴瘤、非何杰金氏淋巴瘤、原發性中樞神經系統(CNS)淋巴瘤或細胞淋巴瘤； <br/>所述腦瘤為腦幹膠質細胞瘤； <br/>所述骨癌選自脊索瘤、尤文氏肉瘤、多發性骨髓瘤、骨骼的惡性纖維組織細胞瘤或骨肉瘤； <br/>所述生殖細胞腫瘤選自顱外生殖細胞腫瘤或性腺外生殖細胞腫瘤； <br/>所述眼癌選自眼內黑色素瘤或視網膜母細胞瘤； <br/>所述乳腺癌為小葉原位癌； <br/>所述肺癌選自非小細胞肺癌(NSCLC)、小細胞肺癌或胸膜肺母細胞瘤； <br/>所述口腔癌為唇癌； <br/>所述鼻咽癌選自鼻竇癌、鼻腔癌或咽癌； <br/>所述移行性細胞癌為腎盂和輸尿管的移行性細胞癌。

如請求項69的用途，其中所述胃腸道類癌瘤為胃腸道間質瘤(GIST)； <br/>所述細胞淋巴瘤為皮膚T細胞淋巴瘤； <br/>所述咽癌選自口咽癌和下咽癌。

如請求項70的用途，其中所述皮膚T細胞淋巴瘤為蕈樣真菌病。

一種半導體結構(100)，其包括單晶半導體材料製成且在一主平面(x,y)中延伸之一工作層(10)，半導體材料製成之一載體底材(30)，以及位於該工作層(10)與該載體底材(30)間且與該主平面(x,y)平行延伸於之一交界區(20)，該半導體結構(100)之特徵在於該交界區(20)包含多個結核(21)：<br/>               - 該多個結核(21)是導電的，且包含一金屬材料，以形成與該工作層(10)及該載體底材(30)之歐姆接觸，<br/>               - 該多個結核(21)沿着垂直於該主平面(x,y)之軸(z)具有小於或等於30 nm之厚度，<br/>               - 該多個結核(21)是斷續的或連接的，斷續的結核(21)彼此之間以該工作層(10)與該載體底材(30)間的直接接觸區(22)分開。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該工作層(10)及該載體底材(30)由相同半導體材料形成並具有完全相同的摻雜類型。

如請求項1或2之半導體結構(100)，其中該工作層(10)之半導體材料係從矽碳化物、矽、氮化鎵、鍺當中選定。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該載體底材(30)之半導體材料係從碳化物、矽、氮化鎵、鍺當中選定，且具有單晶、多晶或非晶結構。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該多個結核(21)之金屬材料係從鎢、鈦、鎳、鋁、鉬、鈮、鉭、鈷、銅當中選定。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該多個結核(21)在該交界區(20)之中心平面(P)的覆蓋度在1%及70%之間。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該多個結核(21)具有低於0.1 mohm.cm²之電阻率，優選爲低於或等於0.01 mohm.cm²之電阻率，以爲該交界區(20)獲得低於0.1 mohm.cm²之電阻率，優選爲低於或等於0.01 mohm.cm²之電阻率。

如請求項1之半導體結構(100)，其中該多個結核(21)具有小於或等於20 nm之厚度，或甚至小於或等於10 nm之厚度。

一種製作在如請求項1至8任一項之半導體結構(100)之工作層(10)上面及/或當中之功率元件，且該功率元件包括在該載體底材(30)上面及/或當中的至少一電接觸，位於該半導體結構(100)之背面。

一種用於製作如請求項1至8任一項之半導體結構(100)之方法，該方法包括以下步驟：<br/>               a) 提供單晶半導體材料製成之一工作層(10)，其具有待接合之一自由面(10a)，<br/>               b) 提供半導體材料製成之一載體底材(30)，其具有待接合之一自由面(30a)，<br/>               c) 在非氧化的受控氣氛下沈積一金屬材料製成之一薄膜(2)，其能夠形成與該工作層(10)及該載體底材(30)之歐姆接觸，且在該工作層(10)之待接合之自由面(10a)上及/或在該載體底材(30)之待接合之自由面(30a)上具有小於或等於20 nm之厚度，<br/>               d) 形成一中間結構(150)，其包括在非氧化的受控氣氛下直接接合該工作層(10)及該載體底材(30)各自之自由面之操作，該中間結構(150)包含一包覆薄膜(2')，該包覆薄膜(2')源自步驟c)所沈積的一個或多個薄膜(2)，<br/>               e) 在高於或等於一臨界溫度之溫度下對該中間結構(150)進行回火，以造成該包覆薄膜(2')分割成導電的多個結核(21)而形成與該工作層(10)及該載體底材(30)之歐姆接觸，並形成一交界區(20)。

如請求項10之方法，其中該工作層(10)及該載體底材(30)由相同半導體材料形成並具有完全相同的摻雜類型。

如請求項10或11之方法，其中步驟a)包括將輕質物種植入一供體底材(1)之操作，以形成一埋置弱化平面(11)，該埋置弱化平面(11)與該供體底材(1)之正面(10a)界定出該工作層(10)。

如請求項12之方法，其中步驟a)包括在一初始底材上磊晶生長一供體層(1')以形成該供體底材(1)，然後對該供體層(1')進行所述植入。

如請求項10之方法，其中步驟d)包括，在形成包含該供體底材(1)及該載體底材(30)之一鍵合組件(200)之直接鍵合後，於該埋置弱化平面(11)處進行分離，以一方面形成包含該工作層(10)、該包覆薄膜(2')及該載體底材(30)之該中間結構(150)，另一方面形成該供體底材之剩餘部(1'')。

如請求項10之方法，其包括在沈積步驟c)之前，待接合之該工作層(10)之自由面(10a)及/或待接合之該載體底材(30)之自由面(30a)之脫氧步驟step c')。

如請求項10之方法，其中步驟c)的沈積及步驟d)的直接鍵合在同一設備中進行。

如請求項10之方法，其中步驟c)所沈積之該薄膜(2)的厚度小於或等於10 nm，或甚至小於或等於5 nm，或甚至小於或等於2 nm。

如請求項10或16之方法，其中步驟c)及步驟d)在真空中進行。

如請求項10或16之方法，其中沈積步驟c)在環境溫度下以濺鍍法進行。

如請求項10之方法，其中該臨界溫度在500°C及1800°C之間，該臨界溫度取決於該包覆薄膜(2')之金屬材料的性質，以及該工作層(10)及該載體底材(30)之一種或多種半導體材料的性質。

一種自主遍歷換胎機器人，包括：<br/>台車，其具有：<br/>台車框架，<br/>支撐該台車框架之車輪，及<br/>台車驅動部，具有界定至少一個自由度之至少一個馬達，該至少一個馬達對該車輪之至少一者提供動力以進行該台車相對於其上擱置該自主遍歷換胎機器人之遍歷表面或地板沿著遍歷路徑的自主遍歷；<br/>機器人框架，其包含：<br/>至少一個致動器，其安裝至該台車，使得該機器人框架隨著該台車以一單元沿著該遍歷路徑遍歷，及<br/>機器人驅動部，具有界定一致動器自由度的馬達，該致動器自由度獨立於且不同於該至少一個自由度，<br/>其中，該至少一個致動器具有端效器，該端效器具有輪胎接合工具，其被安置成使得具有該致動器自由度之該至少一個致動器之關節進行該輪胎接合工具與安裝在車輛上之輪胎的接合接觸；及<br/>控制器，其通信地連接至該台車驅動部及該機器人驅動部，以進行該自主遍歷換胎機器人沿著該遍歷路徑進行該至少一個致動器相對於該車輛在該輪胎安裝於其上之情況下之可變位置的動態定位之遍歷。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該至少一個致動器相對於該車輛在輪胎安裝於其上之情況下之該可變位置的該動態定位被安置成使得該至少一個致動器之關節將該輪胎接合工具接合至在該可變位置中之該車輛上的該輪胎。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中該台車係被軌道引導的。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該台車被組構成用於在該遍歷表面或該地板之不確定表面上的自主導引且不受限的遍歷。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該台車具有定位感測器，且該控制器被組構成用以：<br/>記錄該車輛之該可變位置，<br/>記錄由該可變位置界定之該車輛上之該輪胎的可變位置，或<br/>記錄被放置在該輪胎上之標籤或其他記號的位置。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，由具有該致動器自由度之該至少一個致動器之關節界定之致動器關節軸線係獨立於且不同於該遍歷路徑。

如請求項6之自主遍歷換胎機器人，其中，該至少一個致動器包含多於一個的致動器，該多於一個的致動器之各者具有不同的各自致動器關節軸線，及被安置成對安裝在該車輛上之該輪胎工作之不同的各自端效器。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該至少一個車輪或輪胎接合工具係輪胎安裝/拆卸工具，其在該至少一個致動器之關節上接合安裝於該車輛上之車輪之該輪胎且在該車輪原位安裝在該車輛的情況下進行該車輪上之該輪胎的安裝及將該輪胎從該車輪拆卸下來。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其進一步包括耦接至該控制器之至少一個視覺系統，該視覺系統被組構成進行以下之一或多者：<br/>識別車輪及輪胎之一或多者之位置及定向；<br/>讀取安裝至該車輪之該輪胎的輪胎側壁資訊以在車輪原位安裝在該車輛的情況下識別輪胎資訊；<br/>識別該車輛之品牌及型號以從可由該控制器存取之記憶體針對該車輛進行原始設備輪胎資訊之檢索；<br/>在車輪原位安裝在該車輛的情況下針對損傷及侵蝕之一或多者來檢查該車輪；<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以基於該識別的輪胎資訊及該原始設備輪胎資訊之一或多者來確認該替換或新輪胎是正確尺寸；<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以確認運輸部代碼或資訊，其中，該運輸部代碼或資訊被儲存在與該車輛之識別資訊相關聯之資料庫或記憶體中；及<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以確認該替換或新輪胎之旋轉方向。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含位在該至少一個致動器之關節上的輪胎放氣工具，其在車輪原位安裝在該車輛上之情況下放氣安裝於該車輪的該輪胎。

如請求項10之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包括閥桿蓋移除工具。

如請求項10之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器進一步包括閥芯移除工具。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包括位在該至少一個致動器之關節上的胎唇拆卸器工具，其在車輪原位安裝在該車輛上之情況下從該車輪拆卸該輪胎之胎唇。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器被組構成在車輪原位安裝在該車輛上之情況下清潔該車輪。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含輪胎平衡器，其被組構成在該輪胎及車輪以操作速度旋轉且在該車輪原位安裝在該車輛上之情況下平衡該輪胎及該車輪之組合重量。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含輪胎平衡珠施配器，其被組構成在車輪原位安裝在該車輛上且在將該輪胎之胎唇安座於該車輪之前施配輪胎平衡珠至該輪胎。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含位在該至少一個致動器之關節上的輪胎充氣工具，其在車輪原位安裝在該車輛上之情況下充氣安裝於該車輪的該輪胎。

如請求項17之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器進一步包括閥芯安裝工具。

如請求項17之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包括閥桿蓋安裝工具。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其進一步包括耦接至該控制器之至少一個視覺系統，該視覺系統被組構成進行以下之一或多者：<br/>識別車輪及輪胎之一或多者之位置及定向；<br/>讀取安裝至該車輪之該輪胎的輪胎側壁資訊以識別輪胎資訊；<br/>識別該車輛之品牌及型號以從可由該控制器存取之記憶體針對該車輛進行原始設備輪胎資訊之檢索；<br/>針對損傷及侵蝕之一或多者來檢查該車輪；<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以基於該識別的輪胎資訊及該原始設備輪胎資訊之一或多者來確認該替換或新輪胎是正確尺寸；<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以確認運輸部代碼或資訊，其中，該運輸部代碼或資訊被儲存在與該車輛之識別資訊相關聯之資料庫或記憶體中；及<br/>讀取替換或新輪胎之輪胎側壁資訊以確認該替換或新輪胎之旋轉方向。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含位在該至少一個致動器之關節上的輪胎放氣工具，其放氣安裝於車輪的該輪胎。

如請求項21之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包括閥桿蓋移除工具。

如請求項21之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器進一步包括閥芯移除工具。

如請求項21之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包括位在該至少一個致動器之關節上的胎唇拆卸器工具，其從該車輪拆卸該輪胎之胎唇。

如請求項21之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器被組構成用以清潔該車輪。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含以下之一或多者：<br/>輪胎充氣工具，其位在該至少一個致動器之關節上，以充氣安裝於車輪之輪胎，<br/>閥芯安裝工具，及<br/>閥桿蓋安裝工具。

如請求項1之自主遍歷換胎機器人，其中，該端效器包含輪胎平衡器，其被組構成在該輪胎及車輪以操作速度旋轉之情況下平衡該輪胎及該車輪之組合重量。

一種用於自主地更換輪胎之方法，該方法包括：<br/>提供自主遍歷換胎機器人，其具有：<br/>台車，其具有：<br/>台車框架，<br/>支撐該台車框架之車輪，及<br/>台車驅動部，具有界定至少一個自由度之至少一個馬達，該至少一個馬達對該車輪之至少一者提供動力以進行該台車相對於其上擱置該自主遍歷換胎機器人之遍歷表面或地板沿著遍歷路徑的自主遍歷；<br/>機器人框架，其包含：<br/>至少一個致動器，其安裝至該台車，使得該機器人框架隨著該台車以一單元沿著該遍歷路徑遍歷，及<br/>機器人驅動部，具有界定一致動器自由度的馬達，該致動器自由度獨立於且不同於該至少一個自由度，<br/>其中，該至少一個致動器具有端效器，該端效器具有輪胎接合工具；<br/>藉由通信地連接至該台車驅動部及該機器人驅動部之控制器以沿著該遍歷路徑遍歷該自主遍歷換胎機器人，以進行該至少一個致動器相對於該車輛在該輪胎安裝於其上之情況下之可變位置的動態定位；及<br/>在該控制器之控制下致動該至少一個致動器，且該致動器自由度進行該輪胎接合工具與安裝在該車輛上之該輪胎的接合接觸以利用該自主遍歷換胎機器人來進行更換該輪胎。

一種式(III)之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="95px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) 其中： X¹、X²、X⁴及X⁵為CH且X³為CR²； <br/>每一R¹獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、苯基、環烷基、鹵代烷基、雜芳基及雜環，其中兩個R¹可與其所連接之環原子一起視情況構成5、6或7員環烷基；其中藉由組合兩個R¹與其所連接之原子所形成之該環烷基可視情況經1個獨立地選自R⁵⁰之取代基取代； <br/>每一R²獨立地選自由以下組成之群：-NR¹⁴C(O)R⁶、NR¹⁴S(O)R⁶、-NR¹⁴S(O)₂R⁶、-NR¹⁴C(S)R⁶、-OC(O)R⁶、-OS(O)R⁶、-OS(O)₂R⁶、-OC(S)R⁶、-C(O)R⁶、-C(S)R⁶、-S(O)R⁶、-S(=NR¹⁴)₂R⁶、-S(=NR¹⁴)(O)R⁶及-S(O)₂R⁶； <br/>R³係選自由以下組成之群：氫、烷基、及-C(O)烷基； <br/>每一R⁴獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、芳基、環烷基、鹵代烷基、雜芳基、雜環、鹵素、氰基、-OR¹⁴、-NR¹⁴R¹⁵、-NR¹⁴C(O)R⁶、-NR¹⁴S(O)R⁶、-NR¹⁴S(O)₂R⁶、-NR¹⁴C(S)R⁶、-OC(O)R⁶、-OS(O)R⁶、-OS(O)₂R⁶、-OC(S)R⁶、-C(O)R⁶、-C(S)R⁶、-S(O)R⁶及-S(O)₂R⁶； <br/>每一R⁶獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環、芳基、雜芳基、NR⁷R⁷及OR⁷；除氫、NR⁷R⁷及OR⁷外之每一R⁶視情況經1、2、3或4個R⁸基團取代； <br/>每一R⁷獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環、芳基、烷基-芳基、烷基-雜芳基及雜芳基；除氫外之每一R⁷視情況經1、2、3或4個R⁸基團取代； <br/>每一R⁸獨立地選自由以下組成之群：氫、鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、環烷基、雜環、芳基、雜芳基、-S(O)₂烷基、NR¹²R¹³、烷基-雜芳基、烷基-芳基及OR¹²； <br/>每一R¹²及R¹³獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、烯基、炔基、-C(O)烷基、-C(S)烷基、芳基、-SO₂烷基、-S(O)烷基、雜芳基、烷基-芳基、環烷基、雜環及烷基-雜芳基； <br/>每一R¹⁴及R¹⁵獨立地選自由以下組成之群：氫、烷基、烯基、炔基、-C(O)R⁶、-C(O)烷基、-C(S)烷基、芳基、-SO₂烷基、雜芳基、雜環、-烷基-芳基及-烷基-雜芳基；且 <br/>每一R⁵⁰獨立地選自由以下組成之群：氫、-NR¹⁴R¹⁵、OR¹⁴及R⁴。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中該化合物具有結構： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="61px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R³及R¹⁴皆為氫。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R²係-NR¹⁴C(O)R⁶、-C(O)R⁶、-C(S)R⁶、-S(O)R⁶、-S(=NR¹⁴)₂R⁶、-S(=NR¹⁴)(O)R⁶、或-S(O)₂R⁶。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R⁶為NR⁷R⁷。

如請求項1至5中任一項之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R⁷為氫。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="61px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項7之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R²係-NR¹⁴C(O)R⁶、-C(O)R⁶、-C(S)R⁶、-S(O)R⁶、-S(=NR¹⁴)₂R⁶、-S(=NR¹⁴)(O)R⁶、或-S(O)₂R⁶。

如請求項7至8中任一項之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，其中R²係<img align="absmiddle" height="18px" width="22px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="20px" file="ed10571.jpg" alt="ed10571.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="25px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="25px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，該化合物係具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="57px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="57px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或 <img align="absmiddle" height="69px" width="57px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，該化合物係具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="45px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="45px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="45px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="56px" width="46px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，該化合物係具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="45px" file="ed10592.jpg" alt="ed10592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="51px" file="ed10594.jpg" alt="ed10594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="54px" width="45px" file="ed10596.jpg" alt="ed10596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，該化合物係具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="45px" file="ed10598.jpg" alt="ed10598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="45px" file="ed10600.jpg" alt="ed10600.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="46px" file="ed10602.jpg" alt="ed10602.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="56px" width="45px" file="ed10604.jpg" alt="ed10604.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

如請求項1之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，該化合物係具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="45px" file="ed10606.jpg" alt="ed10606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="45px" file="ed10608.jpg" alt="ed10608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="45px" file="ed10610.jpg" alt="ed10610.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="45px" file="ed10612.jpg" alt="ed10612.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><br/><img align="absmiddle" height="55px" width="45px" file="ed10614.jpg" alt="ed10614.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="55px" width="45px" file="ed10616.jpg" alt="ed10616.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

一種具有以下結構之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="66px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。

一種醫藥組合物，其包括如請求項1至15中任一項之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽，及醫藥上可接受之賦形劑。

一種醫藥組合物，其包含具有以下結構之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="66px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽及醫藥上可接受之賦形劑。

一種治療有效量之如請求項1至16中任一項之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備用於治療與異常細胞增殖有關之病症之藥劑。

一種治療有效量之具有以下結構之化合物或其對映異構體或非對映異構體或水合物或前述任一者之醫藥上可接受之鹽之用途， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="66px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>，其係用於製備用於治療與異常細胞增殖有關之病症之藥劑。

如請求項18或19之用途，其中該病症係由CDK2介導。

如請求項18或19之用途，其中該病症係發炎性病症。

如請求項18或19之用途，其中該病症係纖維化病症。

如請求項18或19之用途，其中該病症係自體免疫病症。

如請求項18或19之用途，其中該病症係腫瘤。

如請求項18或19之用途，其中該病症係癌症。

如請求項18或19之用途，其中該病症係類風濕性關節炎。

如請求項25之用途，其中該癌症係乳癌。

如請求項27之用途，其中該乳癌為激素受體陽性(HR+)。

如請求項27之用途，其中該乳癌為雌激素受體陽性(ER+)。

如請求項27之用途，其中該乳癌為助孕酮受體陽性(PR+)。

如請求項27之用途，其中該乳癌為HER2陰性(HER2-)。

如請求項28之用途，其中該乳癌為HER2陰性(HER2-)。

如請求項29之用途，其中該乳癌為HER2陰性(HER2-)。

如請求項30之用途，其中該乳癌為HER2陰性(HER2-)。

如請求項18或19之用途，其中該病症係卵巢癌。

一種通電燒結方法，包含有：<br/> 加壓成型步驟，對填充於模具的粉末進行加壓，藉此將生壓胚成型；<br/> 脫模步驟，使前述生壓胚自前述模具脫模；以及<br/> 通電燒結步驟，對自前述模具脫模的前述生壓胚通電，藉此形成燒結體。

如請求項1所記載之通電燒結方法，其中在前述加壓成型步驟中，使用由含有金屬的材料製成且形成為一側以及另一側呈開口之筒狀的前述模具，藉由插入一側之開口部的第一沖頭以及插入另一側之開口部的第二沖頭對前述生壓胚加壓。

如請求項2所記載之通電燒結方法，其中在前述脫模步驟中，藉由前述第一沖頭將前述生壓胚自前述模具推出，藉此使前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 　　在前述通電燒結步驟中，透過前述第一沖頭以及前述第二沖頭對前述生壓胚通電。

如請求項2所記載之通電燒結方法，其中在前述脫模步驟中，將前述生壓胚自前述模具、前述第一沖頭以及前述第二沖頭脫離，藉此將前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 　　在前述通電燒結步驟中，透過第一端子以及第二端子對前述生壓胚通電。

如請求項1至4中任一項所記載之通電燒結方法，其中在前述通電燒結步驟中，前述生壓胚中的前述粉末的各個顆粒藉由以下至少一種熱量進行燒結或者擴散鍵結：各個前述顆粒之間產生的熱量、各個前述顆粒的內部產生的熱量以及藉由熱傳導而從前述顆粒的外部傳遞的熱量。

如請求項1至4中任一項所記載之通電燒結方法，其中在前述加壓成型步驟中將第一生壓胚成型時，並行地在前述通電燒結步驟中對與前述第一生壓胚不同的第二生壓胚通電，藉此形成燒結體。

如請求項1至4中任一項所記載之通電燒結方法，其中在前述加壓成型步驟中，前述粉末的溫度低於500[℃]，對前述粉末加壓的壓力為100[MPa]至700[MPa]；<br/> 　　在前述通電燒結步驟中，前述生壓胚的溫度為500[℃]以上，除了不可避免的壓力外對前述生壓胚加壓的壓力為0[MPa]。

如請求項1至4中任一項所記載之通電燒結方法，其中在前述加壓成型步驟中，使前述粉末的填充密度自低於60[%]變化為60[%]以上；<br/> 　　　在前述通電燒結步驟中，將前述粉末的前述填充密度保持在60[%]以上。

一種通電燒結裝置，包含有：<br/> 加壓成型機構，用以對填充於模具之粉末加壓，藉此將生壓胚成型；<br/> 脫模機構，用以將前述生壓胚自前述模具脫模；以及<br/> 通電燒結機構，用以對自前述模具脫模的前述生壓胚通電，藉此形成燒結體。

如請求項9所記載之通電燒結裝置，其中前述模具係由含有金屬的材料製成，且形成為一側以及另一側呈開口之筒狀；<br/> 　　前述加壓成型機構係藉由插入一側之開口部的第一沖頭以及插入另一側之開口部的第二沖頭對前述生壓胚加壓。

如請求項10所記載之通電燒結裝置，其中前述脫模機構係藉由前述第一沖頭將前述生壓胚自前述模具推出，藉此使前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 　　前述通電燒結機構係透過前述第一沖頭以及前述第二沖頭對前述生壓胚通電。

如請求項10所記載之通電燒結裝置，其中前述脫模機構係將前述生壓胚自前述模具、前述第一沖頭以及前述第二沖頭脫離，藉此使前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 　　前述通電燒結機構係透過第一端子以及第二端子對前述生壓胚通電。

一種通電燒結裝置，包含： <br/> 加壓成型機構，用以對填充於模具之粉末加壓，藉此將生壓胚成型；<br/> 脫模機構，用以將前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 通電燒結機構，用以對自前述模具脫模的前述生壓胚通電，藉此形成燒結體；<br/> 加壓成型部，包含前述加壓成型機構以及前述脫模機構；<br/> 通電燒結部，與前述加壓成型部並列設置且包含前述通電燒結機構；以及<br/> 運送機構，將前述生壓胚自前述加壓成型部運送至前述通電燒結部。

如請求項13所記載之通電燒結裝置，其中前述模具係由含有金屬的材料製成，且形成為一側以及另一側呈開口之筒狀；<br/> 　　前述加壓成型機構係藉由插入一側之開口部的第一沖頭以及插入另一側之開口部的第二沖頭對前述生壓胚加壓。

如請求項14所記載之通電燒結裝置，其中前述脫模機構係將前述生壓胚自前述模具、前述第一沖頭以及前述第二沖頭脫離，藉此使前述生壓胚自前述模具脫模；<br/> 　　前述通電燒結機構係透過第一端子以及第二端子對前述生壓胚通電。

如請求項13至15中任一項所記載之通電燒結裝置，其中前述加壓成型機構將第一生壓胚成型時，並行地前述通電燒結機構係對與前述第一生壓胚不同的第二生壓胚通電，藉此形成前述燒結體。

如請求項9至15中任一項所記載之通電燒結裝置，其中前述加壓成型機構更具有：控制裝置，係控制前述脫模機構以及前述通電燒結機構。

如請求項9至15中任一項所記載之通電燒結裝置，其中前述通電燒結機構係使前述生壓胚中的前述粉末的各個顆粒藉由以下至少一種熱量燒結或者擴散鍵結：各個前述顆粒之間產生的熱量、各個前述顆粒的內部產生的熱量以及藉由熱傳導而從前述顆粒之外部傳遞的熱量。

如請求項9至15中任一項所記載之通電燒結裝置，其中前述加壓成型機構係在前述粉末的溫度低於500[℃]的狀態下將對前述粉末加壓的壓力設定成100[MPa]至700[MPa]；<br/> 　　前述通電燒結機構係在除了不可避免的壓力外對前述粉末加壓的壓力為0[MPa]的狀態下使前述粉末的溫度達到500[℃]以上。

如請求項9至15中任一項所記載之通電燒結裝置，其中前述加壓成型機構係使前述粉末的填充密度自低於60[%]變化為60[%]以上；<br/> 　　前述通電燒結機構係使前述粉末的前述填充密度保持在60[%]以上。