一種圓偏光板，係具備：偏光板，係具備偏光件，積層在該偏光件之一面之第1保護膜，及積層在該偏光件之另一面之第2保護膜；以及相位差膜，係包含由聚合性液晶化合物所硬化成之相位差層， <br/>其中， <br/>前述第1保護膜係由環狀聚烯烴系樹脂所成的膜，或是透濕度為50g/m<sup>2</sup>・24小時以下的膜， <br/>前述第2保護膜係由纖維素系樹脂所成的膜， <br/>前述聚合性液晶化合物係具有(甲基)丙烯醯基， <br/>前述相位差層係賦予λ/2之相位差的層、賦予λ/4之相位差的層或正C層， <br/>前述相位差層的厚度為5μm， <br/>該圓偏光板在下述的測定條件中，在以85℃加熱400小時之情形下，面內中央之相位差值之降低量的幅度ΔRe(nm)為10nm以下， <br/>該圓偏光板符合以下條件1及條件2’； <br/>條件1：在將前述第1保護膜之透濕度作為x(g/m<sup>2</sup>・24小時)，前述第2保護膜之透濕度作為y(g/m<sup>2</sup>・24小時)時，符合式(1)； <br/> 1/x＋1/y≧0.0030 式(1) <br/>條件2’：前述偏光板之水分率為2.00%以下， <br/>測定條件：製作由玻璃板/黏著劑層/圓偏光板/黏著劑層/玻璃板所構成的評價用樣品後，將評價用樣品投入85℃之烘箱400小時，測定投入前後之圓偏光板的面內相位差值，並算出其差分ΔRe。
如申請專利範圍第1 項所述之圓偏光板，其係符合以下條件1’; <br/>條件1’：符合式(1’) ， <br/>1/x+1/y≧0.050 式（1’) 。
如申請專利範圍第1項或第2項中所述之圓偏光板，其中，前述偏光件之厚度為13μm以下。
一種治療組合物，其包含至少一種特異性結合於人類神經纖毛蛋白-2(NRP2)多肽之抗體或其抗原結合片段(抗-NRP2抗體)，其中該抗-NRP2抗體特異性結合於神經纖毛蛋白B1域中之至少一個抗原決定基且抑制該人類NRP2多肽與VEGF-C及SEMA-3F之結合，其由表面電漿子共振(SPR)所量測，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段包含重鏈可變區(V<sub>H</sub>)序列，其包含互補決定區V<sub>H</sub>CDR1、V<sub>H</sub>CDR2及V<sub>H</sub>CDR3序列；及輕鏈可變區(V<sub>L</sub>)序列，其包含互補決定區V<sub>L</sub>CDR1、V<sub>L</sub>CDR2及V<sub>L</sub>CDR3序列，其中：該V<sub>H</sub>CDR1序列、該V<sub>H</sub>CDR2序列及該V<sub>H</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：59-61，且該V<sub>L</sub>CDR1序列、該V<sub>L</sub>CDR2序列及該V<sub>L</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：62-64；該V<sub>H</sub>CDR1序列、該V<sub>H</sub>CDR2序列及該V<sub>H</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：35-37，且該V<sub>L</sub>CDR1序列、該V<sub>L</sub>CDR2序列及該V<sub>L</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：38-40；該V<sub>H</sub>CDR1序列、該V<sub>H</sub>CDR2序列及該V<sub>H</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：41-43，且該V<sub>L</sub>CDR1序列、該V<sub>L</sub>CDR2序列及該V<sub>L</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：44-46；或該V<sub>H</sub>CDR1序列、該V<sub>H</sub>CDR2序列及該V<sub>H</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：47-49，且該V<sub>L</sub>CDR1序列、該V<sub>L</sub>CDR2序列及該V<sub>L</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：50-52。
如請求項1之治療組合物，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段特異性結合於該人類NRP2多肽之天然形式，但實質上不結合於該人類NRP2多肽之變性形式。
如請求項1之治療組合物，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段特異性結合於該人類NRP2 B1域內包含SEQ ID NO：12之至少5個連續胺基酸之抗原決定基，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段選擇性地抑制NRP2與FLT4(VEGFR3)之間的受體二聚合而實質上不抑制NRP2與叢蛋白A1之間的二聚合，且其中該V<sub>H</sub>CDR1序列、該V<sub>H</sub>CDR2序列及該V<sub>H</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：59-61，且該V<sub>L</sub>CDR1序列、該V<sub>L</sub>CDR2序列及該V<sub>L</sub>CDR3序列分別包含SEQ ID NO：62-64。
如請求項1至3中任一項之治療組合物，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段包含IgA、IgD、IgE、IgG或IgM Fc域，或其混雜體及/或變異體；或其中該至少一種抗體或其抗原結合片段包含在人體內具有高效應子功能之IgG Fc域；或其中該至少一種抗體或其抗原結合片段包含在人體內具有低效應子功能之IgG Fc域；或其中該至少一種抗體或其抗原結合片段包含IgG1或IgG4 Fc域。
如請求項4之治療組合物，其中該IgA為子類IgA1或IgA2，及該IgG為子類IgG1、IgG2、IgG3或IgG4。
如請求項4之治療組合物，其中該Fc域為人類Fc域。
如請求項4之治療組合物，其中該在人體內具有高效應子功能之IgG Fc域為IgG1或IgG3 Fc域。
如請求項4之治療組合物，其中該在人體內具有低效應子功能之IgG Fc域為IgG2或IgG4 Fc域。
如請求項4之治療組合物，其中該IgG1或IgG4 Fc域係選自SEQ ID NOs：116-118。
如請求項1至3中任一項之治療組合物，其中該至少一種抗體或其抗原結合片段為單株抗體、人類化抗體、Fv片段、單鏈Fv(scFv)多肽、纖連蛋白(adnectin)、抗運載蛋白(anticalin)、適體、高親和性多聚體、駱駝科抗體、經設計錨蛋白重複蛋白(DARPin)、微型抗體、奈米抗體或單抗體。
如請求項1至3中任一項之治療組合物，其中該組合物關於該至少一種抗體或抗原結合片段具有以蛋白質計至少約90%之純度且實質上不含聚集體，及實質上不含內毒素。
一種如請求項1至11中任一項之治療組合物之用途，其係用於製備治療有需要之個體之疾病或病況的醫藥品，其中該疾病或病況為NRP2相關疾病或病況。
如請求項12之用途，其中該疾病或病況係選自以下中之一或多者：癌症以及與癌症相關之疾病及路徑；與發炎、自體免疫相關之疾病及相關發炎性疾病；與淋巴發育、淋巴管生成及淋巴損傷相關之疾病；與感染相關之疾病；與過敏性病症/疾病、過敏反應相關之疾病；與肉芽腫性發炎性疾病相關之疾病；與纖維化相關之疾病；與不當平滑肌收縮性以及不當血管平滑肌細胞遷移及黏著相關之疾病；與不當自體吞噬、吞噬作用及胞葬作用相關之疾病；與不當遷移性細胞移動相關之疾病；與神經元疾病、周邊神經系統重塑及疼痛感覺相關之疾病；以及與骨發育及骨再成型相關之疾病。
如請求項13之用途，其中該癌症以及與癌症相關之疾病及路徑為癌細胞生長、引發、遷移、黏著、侵襲及/或轉移；與發炎、自體免疫相關之疾病及相關發炎性疾病為與不當免疫細胞活化或遷移相關之疾病；與淋巴發育、淋巴管生成及淋巴損傷相關之疾病為水腫、淋巴水腫、繼發性淋巴水腫、不當脂肪吸收及沈積、過量脂肪沈積及血管滲透性；與感染相關之疾病為潛伏性感染；與過敏性病症/疾病、過敏反應相關之疾病為慢性阻塞性肺病(COPD)、嗜中性哮喘、抗嗜中性球細胞質抗體(antineutrophil cytoplasmic antibody；ANCA)相關全身性血管炎、全身性紅斑狼瘡、類風濕性關節炎、炎性體相關疾病及皮膚相關嗜中性球介導疾病(skin-related neutrophil-mediated disease)；與肉芽腫性發炎性疾病相關之疾病為類肉瘤病及肉芽腫；及與纖維化相關之疾病為纖維化疾病、纖維化、內皮細胞向間葉細胞轉化(endothelial to mesenchymal transition；EMT)及創傷癒合。
如請求項14之用途，其中該與不當免疫細胞活化或遷移相關之疾病為移植體對抗宿主疾病(GVHD)；及該皮膚相關嗜中性球介導疾病為壞疽性膿皮病(pyoderma gangrenosum)。
如請求項12至14中任一項之用途，其中該疾病為癌症。
如請求項16之用途，其中該癌症表現或過度表現NRP2。
如請求項16之用途，其中該癌症呈現NRP2依賴性生長、NRP2依賴性黏著、NRP2依賴性遷移及/或NRP2依賴性侵襲。
如請求項16之用途，其中該癌症表現或過度表現NRP2，但實質上不表現神經纖毛蛋白-1(NRP1)。
如請求項12至15中任一項之用途，其中該醫藥品係用於與至少一種選自癌症免疫治療劑、化學治療劑、激素治療劑及激酶抑制劑中之一或多者的額外藥劑組合使用。
如請求項20之用途，其中該癌症免疫治療劑係選自以下中之一或多者：免疫檢查點調節劑、癌症疫苗、溶瘤病毒、細胞介素及基於細胞之免疫療法。
如請求項13之用途，其中該癌症為原發癌。
如請求項13或22之用途，其中該癌症為轉移癌。
如請求項23之用途，其中該轉移癌表現NRP2及/或NRP2B。
如請求項13或22之用途，其中該癌症係選自以下中之一或多者：黑素瘤、胰臟癌、骨癌、前列腺癌、小細胞肺癌、非小細胞肺癌(NSCLC)、間皮瘤、白血病、淋巴瘤、肝癌、肉瘤、B細胞惡性病、乳癌、卵巢癌、結腸直腸癌、神經膠質瘤、多形性神經膠母細胞瘤、腦膜瘤、垂體腺瘤、前庭神經鞘瘤、原發性CNS淋巴瘤、原始神經外胚層瘤、腎癌、膀胱癌、子宮癌、食道癌、腦癌、頭頸癌、子宮頸癌、睪丸癌、甲狀腺癌及胃癌。
如請求項25之用途，其中該黑素瘤為轉移性黑素瘤；該白血病係選自淋巴細胞性白血病、慢性骨髓性白血病、急性骨髓白血病或復發急性骨髓白血病；該肝癌為肝細胞癌；該原始神經外胚層瘤為神經管胚細胞瘤；或該腎癌為腎細胞癌。
一種生物檢定系統，其包含如請求項1至9中任一項所定義之實質上純的抗-NRP2抗體或其抗原結合片段及在細胞表面上表現人類NRP2多肽之宿主細胞株。
一種特異性結合成員，其結合OX40且包含定位於該特異性結合成員之一CH3域中的一OX40抗原結合位點，其中該OX40抗原結合位點包含以下特異性結合成員之第一、第二及第三序列： <br/>(i)分別列舉於SEQ ID NOs 43、54及71中之 <b>FS20-22-49</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(ii)分別列舉於SEQ ID NOs 43、54及45中之 <b>FS20-22-41</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(iii)分別列舉於SEQ ID NOs 43、54及62中之 <b>FS20-22-47</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(iv)分別列舉於SEQ ID NOs 43、54及80中之 <b>FS20-22-85</b>的第一、第二及第三序列；或 <br/>(v)分別列舉於SEQ ID NOs 43、44及45中之 <b>FS20-22-38</b>的第一、第二及第三序列；且 <br/>其中該第一、第二及第三序列分別定位於該特異性結合成員之該CH3域的AB、CD及EF結構環中。
如請求項1之特異性結合成員，其中該特異性結合成員包含分別列舉於SEQ ID NO 72、55、63、81及46中之特異性結合成員 <b>FS20-22-49</b>、 <b>FS20-22-41</b>、 <b>FS20-22-47</b>、 <b>FS20-22-85</b><b>或</b><b>FS20-22-38</b>的CH3域序列。
如請求項1之特異性結合成員，其中該特異性結合成員包含以下特異性結合成員之序列： <br/>(i)分別列舉於SEQ ID NOs 74、57、65、83及48中之 <b>FS20-22-49</b>、 <b>FS20-22-41</b>、 <b>FS20-22-47</b>、 <b>FS20-22-85</b><b>或FS20-22-38</b>的序列；或 <br/>(ii)分別列舉於SEQ ID NOs 76、59、67、85及50中之 <b>FS20-22-49</b>、 <b>FS20-22-41</b>、 <b>FS20-22-47</b>、 <b>FS20-22-85</b><b>或FS20-22-38</b>的序列。
一種特異性結合成員，其結合OX40且包含定位於該特異性結合成員之一CH3域中的一OX40抗原結合位點，其中該OX40抗原結合位點包含以下特異性結合成員之第一、第二及第三序列： <br/>(i)分別列舉於SEQ ID NOs 122、142及133中之 <b>FS20-31-115</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(ii)分別列舉於SEQ ID NOs 122、132及133中之 <b>FS20-31-108</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(iii)分別列舉於SEQ ID NOs 91、92及93中之 <b>FS20-31-58</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(iv)分別列舉於SEQ ID NOs 111、112及113中之 <b>FS20-31-94</b>的第一、第二及第三序列； <br/>(v)分別列舉於SEQ ID NOs 122、123及102中之 <b>FS20-31-102</b>的第一、第二及第三序列；或 <br/>(vi)分別列舉於SEQ ID NOs 91、92及102中之 <b>FS20-31-66</b>的第一、第二及第三序列；且 <br/>其中該第一、第二及第三序列分別定位於該特異性結合成員之該CH3域的AB、CD及EF結構環中。
如請求項4之特異性結合成員，其中該特異性結合成員包含分別列舉於SEQ ID NOs 143、134、94、114、124及103中之特異性結合成員 <b>FS20-31-115</b>、 <b>FS20-31-108</b>、 <b>FS20-31-58</b>、 <b>FS20-31-94</b><b>、</b><b>FS20-31-102</b>或 <b>FS20-31-66</b>的CH3域序列。
如請求項4之特異性結合成員，其中該特異性結合成員包含以下特異性結合成員之序列： <br/>(i)分別列舉於SEQ ID NOs 145、136、96、116、126及105中之 <b>FS20-31-115</b>、 <b>FS20-31-108</b>、 <b>FS20-31-58</b>、 <b>FS20-31-94</b>、 <b>FS20-31-102</b><b>或FS20-31-66</b>的序列；或 <br/>(ii)分別列舉於SEQ ID NOs 147、138、98、118、128及107中之 <b>FS20-31-115</b>、 <b>FS20-31-108</b>、 <b>FS20-31-58</b>、 <b>FS20-31-94</b>、 <b>FS20-31-102</b><b>或FS20-31-66</b>的序列。
如請求項2至3及5至6中任一項之特異性結合成員，其中該CH3域在該CH3域序列之最接近的C端處包含一離胺酸殘基(K)。
如請求項1至6中任一項之特異性結合成員，其中該特異性結合成員進一步包含一基於CDR之抗原結合位點，任選地其中該特異性結合成員係一抗體分子。
如請求項8之特異性結合成員，其中該CH3域在該CH3域序列之最接近的C端處包含一離胺酸殘基(K)。
如請求項8之特異性結合成員，其中該基於CDR之抗原結合位點結合一第二抗原，該第二抗原選自由以下組成之群：一免疫細胞抗原、一腫瘤抗原及一病原抗原。
如請求項1至6中任一項之特異性結合成員，其中該特異性結合成員不結合至Fcγ受體。
一種核酸，其編碼如請求項1至11中任一項之特異性結合成員。
一種重組宿主細胞，其包含如請求項12之核酸。
一種產生如請求項1至11中任一項之特異性結合成員之方法，該方法包含在用於產生該特異性結合成員之條件下培養如請求項13之重組宿主細胞。
一種如請求項1至11中任一項之特異性結合成員在製備一藥物的用途，該藥物係用於治療一個體中之癌症或一感染性疾病。
一種醫藥組合物，其包含： <br/>(i)式(I)化合物： <br/><img align="absmiddle" height="188px" width="290px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>(ii)水；及 <br/>(iii)磷酸鉀緩衝液，其中該磷酸鉀緩衝液包含單鹽基磷酸鉀及二鹽基磷酸鉀； <br/>其中該醫藥組合物具有7.5至8.5之pH， <br/>其中該醫藥組合物為藉由靜脈內(I.V.)注射或輸注投與的水溶液且包含10 mg/mL至50 mg/mL之式(I)化合物。
如請求項1之醫藥組合物，其中該醫藥組合物具有8.0之pH。
如請求項1之醫藥組合物，其中該磷酸鉀緩衝液之濃度為20 mM至50 mM。
如請求項1之醫藥組合物，其中該磷酸鉀緩衝液之濃度為20 mM。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其在-20℃至8℃之溫度下穩定長達24個月。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其在-20℃之溫度下穩定12至24個月之期間。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物之該pH係用鹽酸及/或氫氧化鈉調整。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其包含10 mg/mL至40 mg/mL之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含10 mg/mL至30 mg/mL之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含20 mg/mL之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含少於5% (w/w)之至少一種雜質，其中該至少一種雜質為： <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="142px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其包含10 mg至1000 mg之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含50 mg至600 mg之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含250 mg至450 mg之式(I)化合物。
如請求項1至4中任一項之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含350 mg之式(I)化合物。
如請求項1之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含： <br/>(i)式(I)化合物； <br/>(ii)水；及 <br/>(iii)磷酸鉀緩衝液，其中該磷酸鉀緩衝液包含單鹽基磷酸鉀及二鹽基磷酸鉀； <br/>其中該醫藥組合物具有7.5至8.5之pH， <br/>其中該醫藥組合物包含10 mg/mL至40 mg/mL之式(I)化合物。
如請求項1之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含： <br/>(i)20 mg/mL之式(I)化合物； <br/>(ii)水；及 <br/>(iii)20 mM至50 mM之磷酸鉀緩衝液，其中該磷酸鉀緩衝液包含單鹽基磷酸鉀及二鹽基磷酸鉀； <br/>其中該醫藥組合物具有7.5至8.0之pH。
如請求項1之醫藥組合物，其中該醫藥組合物包含： <br/>(i)20 mg/mL之式(I)化合物； <br/>(ii)水；及 <br/>(iii)20 mM之磷酸鉀緩衝液，其中該磷酸鉀緩衝液包含單鹽基磷酸鉀及二鹽基磷酸鉀； <br/>其中該醫藥組合物具有8.0之pH。
一種抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其係用於製造治療HER3突變癌之醫藥，其中該抗HER3抗體-藥物結合物為下式所示藥物連接子(drug-linker)<figure><img align="absmiddle" height="247px" width="599px" file="d10018.TIF" alt="化學式ed10018.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10018.png"/></figure>與抗HER3抗體藉由硫醚鍵而結合之抗HER3抗體-藥物結合物，其中，A表示與抗HER3抗體的結合位置。
如請求項1之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌中之HER3突變為選自由V104L、V104M、A232V、P262H、G284R、D297Y、G325R、T355I、Q809R、S846I、及E928G所組成之群組的至少一個。
如請求項1之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌中之HER3突變為Q809R。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌過度表現HER2。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌並未過度表現HER2。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物之溶小體移行性在野生型HER3表現細胞與突變型HER3表現細胞之間並無實質上不同。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物之溶小體移行性在過度表現HER2的HER3表現細胞與未過度表現HER2的HER3表現細胞之間並無實質上不同。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物為下式所示抗HER3抗體-藥物結合物：<figure><img align="absmiddle" height="232px" width="665px" file="d10019.TIF" alt="化學式ed10019.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10019.png"/></figure>其中，藥物連接子與抗HER3抗體藉由硫醚鍵而結合，n表示每1抗體之藥物連接子的平均結合數。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體為包含下述重鏈可變區以及輕鏈可變區之抗體：包含由序列識別號1所示胺基酸序列構成的CDRH1、由序列識別號2所示胺基酸序列構成的CDRH2、及由序列識別號3所示胺基酸序列構成的CDRH3之重鏈可變區；包含由序列識別號4所示胺基酸序列構成的CDRL1、由序列識別號5所示胺基酸序列構成的CDRL2、及由序列識別號6所示胺基酸序列構成的CDRL3之輕鏈可變區。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體包含由序列識別號7所示胺基酸序列構成的重鏈可變區及由序列識別號8所示胺基酸序列構成的輕鏈可變區。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體為包含由序列識別號9所示胺基酸序列構成的重鏈、及由序列識別號10所示胺基酸序列構成的輕鏈之抗體。
如請求項11之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體之重鏈羧基末端的離胺酸殘基缺失。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物中之每1抗體之藥物連接子的平均結合數為2~8個之範圍。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物中之每1抗體之藥物連接子的平均結合數為3~8個之範圍。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物中之每1抗體之藥物連接子的平均結合數為7~8個之範圍。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物中之每1抗體之藥物連接子的平均結合數為7.5~8個之範圍。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物中之每1抗體之藥物連接子的平均結合數為8。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中癌為選自由乳癌、肺癌、大腸癌、胃癌、卵巢癌、頭頸部癌、多形性神經膠質胚細胞瘤、黑色素瘤、腎臓癌、尿道上皮癌(urothelial cancer)、前列腺癌、胰臟癌、膀胱癌、胃腸道基質瘤(gastrointestinal stromal tumor)、子宮頸癌、食道癌、鱗狀細胞癌(squamous cell carcinoma)、腹膜癌、多形性神經膠質母細胞瘤、肝臓癌、肝細胞癌、子宮內膜癌、子宮癌、唾液腺癌、陰門癌、甲狀腺癌、肝癌腫瘤、肛門癌腫瘤、及陰莖癌所組成之群組的至少一個。
如請求項1至3中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中癌為選自由乳癌、非小細胞肺癌、大腸癌、胃癌、卵巢癌、頭頸部癌、多形性神經膠質胚細胞瘤、及黑色素瘤所組成之群組的至少一個。
一種抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其係用於製造治療HER3突變癌之醫藥，其中該抗HER3抗體-藥物結合物為下式所示：<figure><img align="absmiddle" height="229px" width="677px" file="d10020.TIF" alt="化學式ed10020.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10020.png"/></figure>其中，n表示平均藥物結合數(Drug-to-Antibody Ratio)；其中藥物連接子與抗HER3抗體藉由硫醚鍵而結合。
如請求項20之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌中之HER3突變為選自由V104L、V104M、A232V、P262H、G284R、D297Y、G325R、T355I、Q809R、S846I、及E928G所組成之群組的至少一個。
如請求項20之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌中之HER3突變為Q809R。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌過度表現HER2。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中HER3突變癌並未過度表現HER2。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物之溶小體移行性在野生型HER3表現細胞與突變型HER3表現細胞之間並無實質上不同。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體-藥物結合物之溶小體移行性在過度表現HER2的HER3表現細胞與未過度表現HER2的HER3表現細胞之間並無實質上不同。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體為包含下述重鏈可變區以及輕鏈可變區之抗體：包含由序列識別號1所示胺基酸序列構成的CDRH1、由序列識別號2所示胺基酸序列構成的CDRH2、及由序列識別號3所示胺基酸序列構成的CDRH3之重鏈可變區；包含由序列識別號4所示胺基酸序列構成的CDRL1、由序列識別號5所示胺基酸序列構成的CDRL2、及由序列識別號6所示胺基酸序列構成的CDRL3之輕鏈可變區。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體包含由序列識別號7所示胺基酸序列構成的重鏈可變區及由序列識別號8所示胺基酸序列構成的輕鏈可變區。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體為包含由序列識別號9所示胺基酸序列構成的重鏈、及由序列識別號10所示胺基酸序列構成的輕鏈之抗體。
如請求項29之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中抗HER3抗體之重鏈羧基末端的離胺酸殘基缺失。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中n為2~8個之範圍。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中n為3~8個之範圍。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中n為7~8個之範圍。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中n為7.5~8個之範圍。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中n為8。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中癌為選自由乳癌、肺癌、大腸癌、胃癌、卵巢癌、頭頸部癌、多形性神經膠質胚細胞瘤、黑色素瘤、腎臓癌、尿道上皮癌、前列腺癌、胰臟癌、膀胱癌、胃腸道基質瘤、子宮頸癌、食道癌、鱗狀細胞癌、腹膜癌、多形性神經膠質母細胞瘤、肝臓癌、肝細胞癌、子宮內膜癌、子宮癌、唾液腺癌、陰門癌、甲狀腺癌、肝癌腫瘤、肛門癌腫瘤、及陰莖癌所組成之群組的至少一個。
如請求項20至22中任一項之抗HER3抗體-藥物結合物的用途，其中癌為選自由乳癌、非小細胞肺癌、大腸癌、胃癌、卵巢癌、頭頸部癌、多形性神經膠質胚細胞瘤、及黑色素瘤所組成之群組的至少一個。
一種用於在鈍化層之至少一部分上提供後處理層之水性後處理組合物，該鈍化層覆蓋在含鐵基板之至少一部分上之鋅層之至少一部分，該水性後處理組合物之特徵在於 <br/>該水性後處理組合物不含六價鉻，包含至少一種鉻(III)離子源及至少一種含化學元素矽之化合物；其中給出該組合物中矽對鉻之莫耳比，前提條件係對於藉由電解酸性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在2600:1至20:1之範圍內；或對於藉由電解鹼性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在5200:1至20:1之範圍內，且其中 <br/>鉻(III)離子之濃度係在0.005 g/l至30 g/l之範圍內，且 <br/>該至少一種含化學元素矽之化合物係陰離子膠體二氧化矽，或該至少一種含化學元素矽之化合物係矽烷。
如請求項1之水性後處理組合物，其中對於藉由電解酸性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比係在2550:1至20:1之範圍內。
如請求項1之水性後處理組合物，其中對於藉由電解酸性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比係在1700:1至20:1之範圍內。
如請求項1之水性後處理組合物，其中對於藉由電解鹼性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比係在5150:1至20:1之範圍內。
如請求項1之水性後處理組合物，其中對於藉由電解鹼性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比係在1200:1至20:1之範圍內。
如請求項1至5中任一項之水性後處理組合物，其中鉻(III)離子之濃度係在0.008 g/l至20 g/l之範圍內。
如請求項1至5中任一項之水性後處理組合物，其中該至少一種含化學元素矽之化合物係陰離子膠體二氧化矽。
如請求項1至5中任一項之水性後處理組合物，其中該矽烷具有以下通式 <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="85px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中A係以下殘基 <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="271px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中x係1至6之整數；y係0或1至6之整數；R可相同或不同且係氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；且z係1至4之整數。
一種含鐵基板之腐蝕保護方法，其以此順序包含以下步驟 <br/>i. 提供含鐵基板， <br/>ii. 藉由使用鋅沈積浴將鋅層電解沈積於該含鐵基板之至少一部分上， <br/>iii. 藉由使用鈍化沈積浴將鈍化層沈積於在該含鐵基板之至少一部分上之該鋅層之至少一部分上， <br/>其中該方法之特徵在於額外方法步驟iv，其係隨後在方法步驟iii之後執行，即 <br/>iv. 藉由利用水性後處理組合物在方法步驟iii之該鈍化層之至少一部分上沈積後處理層，該水性後處理組合物不含六價鉻，包含至少一種鉻(III)離子源及至少一種含化學元素矽之化合物；其中給出該組合物中之矽對鉻之莫耳比，前提條件係對於在方法步驟ii中使用酸性鋅沈積浴而言，該莫耳比在2600:1至20:1之範圍內；或對於在方法步驟ii中使用鹼性鋅沈積浴而言，該莫耳比在5200:1至20:1之範圍內， <br/>其中該至少一種含化學元素矽之化合物係陰離子膠體二氧化矽，或該至少一種含化學元素矽之化合物係矽烷。
如請求項9之腐蝕保護方法，其中對於在方法步驟ii中使用酸性鋅沈積浴而言，在方法步驟iv中，該莫耳比係在2550:1至20:1之範圍內。
如請求項9之腐蝕保護方法，其中對於在方法步驟ii中使用鹼性鋅沈積浴而言，在方法步驟iv中，該莫耳比係在1200:1至20:1之範圍內。
如請求項9至11中任一項之腐蝕保護方法，其中在實施方法步驟iv之後，不執行後續熱處理步驟。
如請求項9之腐蝕保護方法，其特徵在於隨後在方法步驟iv之後執行之其他額外方法步驟v，即 <br/>v.在方法步驟iv之後，執行所接收該基板之熱處理。
如請求項13之腐蝕保護方法，其中對於在方法步驟ii中使用酸性鋅沈積浴而言，在方法步驟iv中，該莫耳比係在1700:1至20:1之範圍內。
如請求項13之腐蝕保護方法，其中對於在方法步驟ii中使用鹼性鋅沈積浴而言，在方法步驟iv中，該莫耳比係在5150:1至20:1之範圍內。
一種用於在鈍化層之至少一部分上提供後處理層之水性後處理組合物之製備方法，該鈍化層覆蓋在含鐵基板之至少一部分上之鋅層之至少一部分，其特徵在於 <br/>該水性後處理組合物不含六價鉻，包含至少一種鉻(III)離子源及至少一種含化學元素矽之化合物；其中給出該組合物中矽對鉻之莫耳比，前提條件係對於藉由電解酸性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在2600:1至20:1之範圍內；或對於藉由電解鹼性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在5200:1至20:1之範圍內，且其中 <br/>鉻(III)離子之濃度係在0.005 g/l至30 g/l之範圍內，且 <br/>該至少一種含化學元素矽之化合物係陰離子膠體二氧化矽，或該至少一種含化學元素矽之化合物係矽烷。
一種水性後處理組合物用於在鈍化層之至少一部分上提供後處理層之用途，該鈍化層覆蓋在含鐵基板之至少一部分上之鋅層之至少一部分，其特徵在於 <br/>該水性後處理組合物不含六價鉻，包含至少一種鉻(III)離子源及至少一種含化學元素矽之化合物；其中給出該組合物中矽對鉻之莫耳比，前提條件係對於藉由電解酸性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在2600:1至20:1之範圍內；或對於藉由電解鹼性鋅沈積製程獲得之該鋅層，該莫耳比在5200:1至20:1之範圍內，且其中 <br/>鉻(III)離子之濃度係在0.005 g/l至30 g/l之範圍內，且 <br/>該至少一種含化學元素矽之化合物係陰離子膠體二氧化矽，或該至少一種含化學元素矽之化合物係矽烷。
一種經組態以使具有一折射率n<sub>0</sub>之一樣本成像之斜面顯微鏡系統，該系統包括： <br/>一第一顯微鏡，其經配置以接收自該樣本發射之光，該第一顯微鏡包含一第一物鏡，該第一物鏡具有一第一數值孔徑NA<sub>1 </sub>≥ n<sub>0</sub>及具近似等於n<sub>0</sub>之一第一折射率n<sub>1</sub>之一第一浸漬介質之至少一者； <br/>一第二顯微鏡，其包含一第二物鏡，該第一顯微鏡及該第二顯微鏡之一組合經組態以依一放大率M<sub>RR</sub>產生該樣本之一中間影像，該第二物鏡具有一第二數值孔徑NA<sub>2</sub>，該中間影像經形成於具有一第二折射率n<sub>2</sub>之一第二浸漬介質中，其中該放大率M<sub>RR</sub>近似等於該第一浸漬介質之該折射率及該第二浸漬介質之該折射率之一比率(n<sub>1</sub>/n<sub>2</sub>)；及 <br/>一第三顯微鏡，其經聚焦於該中間影像上且包含具有一第三數值孔徑之一第三物鏡，該第三物鏡具有一光學軸，該光學軸相對於該第二物鏡之一光學軸傾斜達一傾斜角，使得該第三顯微鏡使該中間影像中之一斜面對應於該樣本中之一斜面而成像，該第三物鏡經組態及經配置以自該第二顯微鏡收集實質上所有該光；且 <br/>其中該第三物鏡包含一實心玻璃截錐體且經組態為在空氣中具有0 μm至20 μm之一範圍內之一工作距離。
如請求項1之斜面顯微鏡系統，其中該樣本之該折射率在1.33至1.41之一範圍內。
如請求項2之斜面顯微鏡系統，其中該第一物鏡係一聚矽氧浸漬透鏡，該聚矽氧浸漬透鏡具有NA1 ≥ 1.35之第一數值孔徑及n<sub>1 </sub>= 1.41之第一折射率。
如請求項3之斜面顯微鏡系統，其中該第二浸漬介質係空氣，使得該第二折射率係n<sub>2 </sub>= 1.0且該第二數值孔徑係NA<sub>2 </sub>≥ 0.95。
如請求項1之斜面顯微鏡系統，其中該第二數值孔徑與該第二折射率之一比率(NA<sub>2</sub>/n<sub>2</sub>)大於或等於該第一數值孔徑與該第一折射率之一比率(NA<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)； <br/>該第一物鏡係一甘油浸漬透鏡；且 <br/>該第三數值孔徑係NA<sub>3 </sub>≥ n<sub>2</sub>。
如請求項1之斜面顯微鏡系統，其進一步包括一光源，該光源經配置以穿過該第一物鏡提供一入射光束以照明該樣本中之一斜面，該經照明斜面對應於該經成像斜面。
如請求項6之斜面顯微鏡系統，其中該第三顯微鏡可旋轉以調整該傾斜角，該傾斜角部分地基於該照明光束之一發散角來選擇。
如請求項1之斜面顯微鏡系統，其中該第一顯微鏡進一步包含一第一透鏡，該第一顯微鏡具有一第一放大率M<sub>1</sub>，且其中該第二顯微鏡進一步包含具有一焦距f<sub>TL2</sub>之一第二透鏡，該焦距f<sub>TL2</sub>經選擇以設定該第二顯微鏡之一放大率M<sub>2</sub>，使得M<sub>RR </sub>= M<sub>1</sub>*M<sub>2</sub><sup>-1 </sup>= (n<sub>1</sub>/n<sub>2</sub>)。
一種經組態以使具有一折射率n<sub>0</sub>之一樣本成像之斜面顯微鏡系統，該系統包括： <br/>一第一顯微鏡，其經配置以接收自該樣本發射之光，該第一顯微鏡包含一第一物鏡，該第一物鏡具有一第一數值孔徑NA<sub>1</sub>及具一第一折射率n<sub>1</sub>之一第一浸漬介質，該第一物鏡基於NA<sub>1 </sub>≥ n<sub>0</sub>之一第一理想條件與n<sub>1</sub>近似等於n<sub>0</sub>之一第二理想條件之間的一選定折衷來組態； <br/>一第二顯微鏡，其包含一第二空氣浸漬物鏡，該第一顯微鏡及該第二顯微鏡之一組合經組態以依一放大率M<sub>RR </sub>= n<sub>1</sub>產生該樣本之一中間影像，且其中該第二空氣浸漬物鏡之一第二數值孔徑NA<sub>2</sub>經選擇以接近NA<sub>2</sub>大於或等於該第一數值孔徑與該第一折射率之一比率(NA<sub>1</sub>/n<sub>1</sub>)之一第三理想條件；及 <br/>一第三顯微鏡，其經聚焦於該中間影像上且包含具有一第三數值孔徑NA<sub>3 </sub>≥ 1之一第三物鏡，該第三物鏡具有一光學軸，該光學軸相對於該第二物鏡之一光學軸傾斜達一傾斜角，使得該第三顯微鏡使該中間影像中之一斜面對應於該樣本中之一斜面而成像。
如請求項9之斜面顯微鏡系統，其中： <br/>該第一物鏡係一聚矽氧浸漬物鏡；或者 <br/>該傾斜角經選擇以最佳化該斜面顯微鏡系統之一收集效率。
如請求項9之斜面顯微鏡系統，其中該第三物鏡包含一實心玻璃截錐體，該實心玻璃截錐體經定位以與該空氣浸漬物鏡之一視場相交，其中該實心玻璃截錐體具有一斜角邊緣且經塑形以允許具有對應於該空氣浸漬物鏡之該視場之一大小之一端區插入至該視場中且自該空氣浸漬物鏡收集可用光。
如請求項11之斜面顯微鏡系統，其中該第三顯微鏡可旋轉以調整該傾斜角。
一種組態一顯微鏡系統以使一樣本中之一斜面成像之方法，該顯微鏡系統包含一第一顯微鏡、一第二顯微鏡及一第三顯微鏡，該方法包括： <br/>基於一第一物鏡之第一理想條件與第二理想條件之間的一選定折衷選擇該第一顯微鏡之該第一物鏡，該第一理想條件係該第一物鏡具有一第一數值孔徑NA<sub>1 </sub>≥ n<sub>0</sub>，其中n<sub>0</sub>係該樣本之一折射率之一估計，且該第二理想條件係該第一物鏡具有具一第一折射率n<sub>1 </sub>≈ n<sub>0</sub>之一第一浸漬介質，其中該第一物鏡經組態以將一照明光片引導至該樣本及自該樣本收集發射光； <br/>選擇該第二顯微鏡之一第二物鏡，該第二物鏡經組態以自該第一物鏡收集實質上所有該發射光； <br/>組態該第二顯微鏡以使該樣本中之該斜面重新成像至一中間影像平面上； <br/>選擇該第三顯微鏡之一第三物鏡，該第三物鏡相對於該第二物鏡定位於該中間影像平面之一相對側上且經組態以自該第二物鏡收集實質上所有該發射光，同時適應一傾斜角α；及 <br/>定位該第三物鏡，使得該第三物鏡之一主光學軸相對於該第二物鏡之一主光學軸旋轉達該傾斜角α； <br/>其中組態該第二顯微鏡以使該樣本中之該斜面重新成像包含組態該第二顯微鏡之一放大率M<sub>2</sub>，使得該樣本中之該斜面之一影像在該中間影像平面處之一放大率M<sub>RR</sub>滿足以下條件：<img align="absmiddle" height="9px" width="57px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中M<sub>1</sub>係該第一顯微鏡之一放大率，n<sub>1</sub>係該第一物鏡之一浸漬介質之一折射率，且n<sub>2</sub>係該第二物鏡之一浸漬介質之一折射率；且 <br/>選擇該第二物鏡包含選擇一空氣浸漬第二物鏡；或者 <br/>部分地基於該照明光片之一發散角調整該傾斜角。
如請求項13之方法，其中該第二顯微鏡包含一透鏡，且其中組態該第二顯微鏡之該放大率包含選擇該透鏡之一焦距；或者選擇該第二物鏡包含最小化n<sub>2</sub>且選擇該第二物鏡之一第二數值孔徑NA<sub>2</sub>以滿足以下條件：<img align="absmiddle" height="10px" width="46px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13之方法，其中選擇該第一物鏡包含選擇一聚矽氧浸漬物鏡或選擇一聚矽氧浸漬物鏡。
如請求項13之方法，其中： <br/>選擇該第三物鏡包含選擇具有一實心玻璃截錐體之一第三物鏡； <br/>選擇該第二物鏡包含最小化n<sub>2</sub>且選擇該第二物鏡之一第二數值孔徑NA<sub>2</sub>以滿足以下條件：<img align="absmiddle" height="10px" width="46px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/>定位該第三物鏡包含定位該第三物鏡，使得該實心玻璃截錐體之一尖端與該第二物鏡之一視場相交。
如請求項13之方法，其進一步包括部分地基於該照明光片之一發散角調整該傾斜角。
一種用於預充電位元線之裝置，其包括： <br/>多個單獨的(separate)位元胞庫(banks)，其中各庫具有一單獨的位元胞陣列以及耦合至該等位元胞之行(columns)之單獨的位元線，其中在各庫中之該等單獨的位元線包括一第一位元線及一第二位元線，該第二位元線係該第一位元線之一互補線(complement)；及 <br/>預充電電路，其具有用於各庫之單獨的開關結構； <br/>其中該等單獨的開關結構係耦合至在位元胞之各行之各庫中之該等單獨的位元線； <br/>其中該等單獨的開關結構中之各開關結構包括對應於該第一位元線及該第二位元線之N型電晶體，其中該等N型電晶體之汲極係耦合至對應的位元線及該等N型電晶體之源極係耦合至接地(ground)； <br/>其中該等單獨的開關結構中之各開關結構進一步包括一傳遞(passing)電晶體，其將該第一位元線連接至該第二位元線，其中該傳遞電晶體之一閘極係連接至對應於該第一位元線及該第二位元線之該等N型電晶體之閘極； <br/>其中在各庫中之該等單獨的開關結構中之各開關結構在當啟動時使用該單一路徑以單獨地將該等單獨的位元線中之各位元線預充電至該接地；及 <br/>其中在各庫中之該等單獨的開關結構在一讀取操作之前及在一寫入操作之前單獨地將在各庫中之該等單獨的位元線中之各者預充電至該接地。
如請求項1之裝置，其進一步包括耦合至該等位元胞之列之字線，其中可經由該等字線之一選定字線及該等位元線之一選定位元線存取位元胞之各單獨的陣列中之各位元胞。
如請求項1之裝置，其中在各庫中之該等單獨的開關結構由一預充電信號啟動，以在該讀取操作或該寫入操作之後單獨地將在各庫中之該等單獨的位元線中之各位元線預充電至該接地。
如請求項1之裝置，其中在各庫中之該等單獨的開關結構包括具有耦合至該等位元線之汲極及耦合至該接地之源極之N型電晶體。
如請求項4之裝置，其中該等N型電晶體由耦合至其之一閘極之一預充電信號啟動。
如請求項5之裝置，其中該等N型電晶體在該讀取操作及該寫入操作之前由該預充電信號啟動以將在各庫中之該等單獨的位元線預充電至接地。
一種用於預充電位元線之系統，其包括： <br/>記憶體電路，其具有多個位元胞庫，其中各庫具有配置成行及列之一位元胞陣列； <br/>互補位元線之多個組，其等耦合至該等位元胞之該等行，以使得位元胞之各庫具有互補位元線之一單獨的組(set)，其單獨地耦合至在各庫中之該等位元線； <br/>字線，其等耦合至在各庫中之該等位元胞之該等列(rows)；及 <br/>預充電電路，其具有預充電電晶體之多個組，以使得位元胞之各庫具有用於各庫之預充電電晶體之一單獨的組； <br/>其中用於各庫之預充電電晶體之該單獨的組係基於一預充電信號而啟動，該預充電信號將預充電電晶體之該單獨的組連接在一起； <br/>其中在各庫中之預充電電晶體之各單獨的組具有用於該等位元胞之各行之多個電晶體，其單獨地將在各庫中之該等互補位元線中之各位元線耦合至接地，以提供自各位元線至接地之一單一路徑； <br/>其中在預充電電晶體之各單獨的組中之各預充電電晶體經組態以在當啟動時單獨地將互補位元線之各單獨的組中之各位元線放電至接地；及 <br/>其中各預充電電晶體由該預充電信號啟動，以在一讀取操作之前及在一寫入操作之前單獨地及獨立地(independently)將在互補位元線之各單獨的組中之各位元線預充電至接地。
如請求項7之系統，其進一步包括： <br/>行多工器電路，其耦合至該多組互補位元線， <br/>其中該行多工器電路經組態以用該等字線之一選定字線及在互補位元線中之各單獨的組中之選定位元線存取位元胞之各陣列中之各位元胞。
如請求項8之系統，其進一步包括： <br/>讀取及寫入電路，其耦合至該行多工器電路， <br/>其中該讀取及寫入電路經組態以在該讀取操作期間自一存取位元胞讀取資料，及 <br/>其中該讀取及寫入電路經組態以在該寫入操作期間將資料寫入該存取位元胞。
如請求項7之系統，其中該等互補位元線包含選定位元線及未選擇位元線，及其中在該讀取操作及該寫入操作之前將該等未選擇位元線中之各未選擇位元線放電至接地。
如請求項7之系統，其中在用於各庫之預充電電晶體中之各單獨的組中之該等預充電電晶體包括耦合於在各庫中之互補位元線中之各單獨的組與接地之間的N型電晶體，且其中該等N型電晶體由耦合至其之一閘極之該預充電信號啟動。
如請求項11之系統，其中該等N型電晶體在該讀取操作之前及該寫入操作之前由該預充電信號啟動，以在啟動時將該等互補位元線放電至接地。
一種用於預充電位元線之方法，其包括： <br/>提供多個單獨的記憶體庫，其中各單獨的庫具有可經由用於各單獨的庫之單獨的位元線存取之一位元胞陣列； <br/>單獨地將預充電電晶體之單獨的組耦合於用於各單獨的庫之該等單獨的位元線與一接地電壓之間； <br/>其中用於各庫之預充電電晶體之該單獨的組係基於一預充電信號而啟動，該預充電信號將預充電電晶體之該單獨的組連接在一起； <br/>其中在預充電電晶體之各單獨的組中之各預充電電晶體單獨地將用於各單獨的庫之各位元線耦合至該接地電壓，以提供自各位元線至該接地電壓之一單一路徑；及 <br/>在執行一讀取操作及一寫入操作之後藉由在預充電電晶體之各單獨的組中之各預充電電晶體以單獨地將各單獨的位元線預充電至該接地電壓。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>提供耦合至該等位元胞之字線，其中可經由該等字線之一選定字線及該等位元線之一選定位元線存取在各單獨的庫中之各單獨的位元胞陣列中之各位元胞。
如請求項13之方法，其中單獨地將用於各單獨的庫之該等單獨的位元線預充電至該接地電壓指代用該預充電信號啟動在各單獨的庫中之該等預充電電晶體。
如請求項13之方法，其中在各庫中之該等預充電電晶體包括具有耦合至該等單獨的位元線之汲極及耦合至該接地電壓之源極的N型電晶體，且其中該等N型電晶體由耦合至其之一閘極之該預充電信號啟動。
如請求項16之方法，其中該等N型電晶體在執行該讀取操作之前及在執行該寫入操作之前由該預充電信號啟動，以將該等位元線預充電至該接地電壓。
一種光阻圖案金屬化程序用組成物，其特徵係前述組成物含有：(A)成分：於分類成(A1)成分及(A2)成分時，前述(A1)成分係金屬氧化物(a1)，前述(A2)成分係選自水解性矽烷化合物(a2)、前述水解性矽烷化合物的水解物(a3)、及前述水解性矽烷化合物的水解縮合物(a4)所成群中至少一種，存在單獨使用(A2)成分之情形、及併用(A1)成分與(A2)成分之情形，其中，前述水解性矽烷化合物(a2)，係含有選自含有含胺基之有機基的水解性矽烷(i)及含有具有離子性官能基之有機基的水解性矽烷(ii)所成群中至少一種；(B)成分：不含有羧酸基(-COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶劑；前述組成物中固體成分的濃度，相對於前述組成物的總質量，為0.01至10.0質量%；前述水性溶劑中水為100%。
如申請專利範圍第1項所記載之組成物，其中，前述(B)成分，係含有磺酸基(-SO<sub>3</sub>H)的酸化合物。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，前述水解性矽烷化合物(a2)，係含有選自下述以式(1)表示之水解性矽烷及以式(1-1)表示之水解性矽烷所成群中至少一種；〔R<sup>1</sup><sub>a0</sub>Si(R<sup>2</sup>)<sub>3-a0</sub>〕<sub>b0</sub>R<sup>3</sup><sub>c0</sub> 式(1) 〔〔Si(R<sup>10</sup>)<sub>2</sub>O〕<sub>n0</sub>Si(R<sup>20</sup>)<sub>2</sub>〕R<sup>30</sup><sub>2</sub> 式(1-1)(式(1)中，R<sup>3</sup>係含胺基之有機基，或是具有離子性官能基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結或Si-N鍵結與矽原子鍵結者，並且當前述R<sup>3</sup>複數存在時，前述R<sup>3</sup>係表示亦可形成環並鍵結於Si原子的基團；R<sup>1</sup>係烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烯基，或具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、或氰基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結與矽原子鍵結的基團；R<sup>2</sup>係表示烷氧基、醯氧基、或鹵素基團；a0係表示0或1的整數；b0係表示1至3的整數；c0係表示1或2的整數；式(1-1)中，R<sup>10</sup>及R<sup>20</sup>係分別表示羥基、烷氧基、醯氧基、或鹵素基團；R<sup>30</sup>係含胺基之有機基，或是具有離子性官能基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結或Si-N鍵結與矽原子鍵結者，並且當前述R<sup>30</sup>複數存在時，前述R<sup>30</sup>係表示亦可形成環並鍵結於Si原子的基團；n0係表示1至10的整數)。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，前述金屬氧化物(a1)，係選自鈦、鉿、鋯、鍺、鋁、銦、錫、鎢及釩所成群中至少一種的金屬的氧化物。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，前述(B)成分，相對於前述(A)成分之100質量份，係含有0.5至15質量份的比例。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，其進一步含有硬化觸媒。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，其進一步含有界面活性劑。
如申請專利範圍第1或2項所記載之組成物，其中，其進一步含有光酸發生劑。
一種光阻圖案金屬化方法，其特徵係包含：於基板上塗布光阻溶液之步驟；使光阻膜曝光並顯影之步驟；於前述顯影中或前述顯影後之光阻圖案塗布如申請專利範圍第1至8項中任一項所記載之組成物，而於光阻圖案上形成塗膜之步驟；以及加熱前述塗膜以形成加熱後塗膜之步驟；並提供於光阻中滲透有前述組成物成分之光阻圖案。
一種光阻圖案金屬化方法，其特徵係包含：於基板上塗布光阻溶液之步驟；使光阻膜曝光並顯影之步驟；於前述顯影中或前述顯影後之光阻圖案塗布如申請專利範圍第1至8項中任一項所記載之組成物，以形成埋沒前述光阻圖案之塗膜之步驟；加熱前述塗膜以形成加熱後塗膜之步驟；以及藉由水或顯影液將前述加熱後塗膜除去之步驟；並提供於光阻中滲透有前述組成物成分之光阻圖案。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：藉由由申請專利範圍第9或10項所記載之方法所獲得之金屬化光阻圖案加工基板之步驟。
一種光阻圖案金屬化程序用組成物，其特徵係含有：(A)成分：選自水解性矽烷化合物(a2)、前述水解性矽烷化合物的水解物(a3)、及前述水解性矽烷化合物的水解縮合物(a4)所成群中至少一種；(B)成分：不含有羧酸基(-COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶劑；前述水解性矽烷化合物(a2)，係含有選自下述以式(1)表示之水解性矽烷及以式(1-1)表示之水解性矽烷所成群中至少一種；〔R<sup>1</sup><sub>a0</sub>Si(R<sup>2</sup>)<sub>3-a0</sub>〕<sub>b0</sub>R<sup>3</sup><sub>c0</sub> 式(1) 〔〔Si(R<sup>10</sup>)<sub>2</sub>O〕<sub>n0</sub>Si(R<sup>20</sup>)<sub>2</sub>〕R<sup>30</sup><sub>2</sub> 式(1-1)前述式(1)中，R<sup>3</sup>係含胺基之有機基，或是具有離子性官能基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結或Si-N鍵結與矽原子鍵結者，並且當前述R<sup>3</sup>複數存在時，前述R<sup>3</sup>係表示亦可形成環並鍵結於Si原子的基團；R<sup>1</sup>係烷基、芳基、鹵化烷基、鹵化芳基、烯基，或具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、或氰基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結與矽原子鍵結的基團；R<sup>2</sup>係表示烷氧基、醯氧基、或鹵素基團；a0係表示0或1的整數；b0係表示1至3的整數；c0係表示1或2的整數；前述式(1-1)中，R<sup>10</sup>及R<sup>20</sup>係分別表示羥基、烷氧基、醯氧基、或鹵素基團；R<sup>30</sup>係含胺基之有機基，或是具有離子性官能基之有機基，且表示藉由Si-C鍵結或Si-N鍵結與矽原子鍵結者，並且當前述R<sup>30</sup>複數存在時，前述R<sup>30</sup>係表示亦可形成環並鍵結於Si原子的基團；n0係表示1至10的整數；前述水解性矽烷化合物(a2)中，所含前述式(1)及前述式(1-1)表示之水解性矽烷與其他的水解性矽烷(b)，以莫耳比計，為前述式(1)及前述式(1-1)表示之水解性矽烷：其他的水解性矽烷(b)=3：97至100：0；前述水性溶劑中水為100%。
一種無機物質，藉由PNb<sub>9</sub>O<sub>25</sub>、GeNb<sub>9</sub>O<sub>25</sub>、GeNb<sub>19.144</sub>O<sub>50</sub>以及此等固溶體中之一種或是二種以上之氧化物結晶所構成，在25℃的1kHz至100kHz之頻率中的介電係數為900以上至5000以下，並且在-50℃至350℃之範圍中之1kHz或是100kHz之頻率中的介電係數之溫度變化率為30%以下。
一種介電質，係含有如請求項1所記載之無機物質。
如請求項2所記載之介電質，為強介電質。
一種電容器，係包含如請求項2或3所記載之介電質。
一種多晶矽原料，其係包括複數的多晶矽塊之電阻率為10000Ωcm以上50000Ωcm以下的p型單晶矽製造用多晶矽原料，其中在將存在於前述多晶矽原料的主體內的施體元素的總濃度設為Cd1[ppta]，將存在於前述多晶矽原料的主體內的受體元素的總濃度設為Ca1[ppta]，將存在於前述多晶矽原料的表面的施體元素的總濃度設為Cd2[ppta]，且將存在於前述多晶矽原料的表面的受體元素的總濃度設為Ca2[ppta]的情況下，前述Cd1、Ca1、Cd2及Ca2滿足5[ppta]≦（Ca1+Ca2）-（Cd1+Cd2）≦26[ppta]的關係式。
如請求項1所述之多晶矽原料，其中將前述多晶矽原料中所包含的多晶矽塊的總重量設為100％，多晶矽塊的最大邊長為10mm以上45mm以下之多晶矽塊的重量為90％以上。
如請求項1所述之多晶矽原料，其中將前述多晶矽原料中所包含的多晶矽塊的總重量設為100％，多晶矽塊的最大邊長為20mm以上70mm以下之多晶矽塊的重量為90％以上。
如請求項1所述之多晶矽原料，其中將前述多晶矽原料中所包含的多晶矽塊的總重量設為100％，多晶矽塊的最大邊長為60mm以上100mm以下之多晶矽塊的重量為90％以上。
一種p型單晶矽的製造方法，其係為熔融包括複數的多晶矽塊之多晶矽原料，而製造p型單晶矽的方法， <br/>具有在前述多晶矽原料熔融時不添加摻雜物，而製造電阻率為10000Ωcm以上50000Ωcm以下的p型單晶矽的步驟， <br/>作為前述多晶矽原料，將存在於多晶矽原料的主體內的施體元素的總濃度設為Cd1[ppta]，將存在於多晶矽原料的主體內的受體元素的總濃度設為Ca1[ppta]，將存在於多晶矽原料的表面的施體元素的總濃度設為Cd2[ppta]，且將存在於多晶矽原料的表面的受體元素的總濃度設為Ca2[ppta]的情況下，使用前述Cd1、Ca1、Cd2及Ca2滿足5[ppta]≦（Ca1+Ca2）-（Cd1+Cd2）≦26[ppta]的關係式的多晶矽原料。
一種式(I)之化合物 <br/> <img align="absmiddle" height="57px" width="100px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>其中 <br/>Q<sup>1</sup>和Q<sup>2</sup> 獨立地為CR<sup>5</sup>或N，前提在於Q<sup>1</sup>和Q<sup>2</sup>中之至少一者為N； <br/>Y 為直接鍵； <br/>R<sup>1</sup> 為氫； <br/>R<sup>2 </sup>為選自以下之雙環雜環中之一者：T1、T2、T3、T7、T10、T11、T12、T16、T17、T18、T22、T25、T26、T27、T31、T34、T35、T36，或T40，其中與N原子相鍵結的鍵係以#標示： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="180px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="35px" width="56px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="178px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="41px" width="180px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="32px" width="51px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="43px" width="182px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="36px" width="53px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="177px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="31px" width="52px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>n 係0至4之整數； <br/>X 係由下列組成之群中選出：氫、鹵素、羥基、-CN、-COOH、-CONH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基硫基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基亞磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基磺醯基、苯硫基(phenylsulfanyl)、苯基亞磺醯基、苯基磺醯基、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHCO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、NHCO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-NHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、 -N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH-苯基、-CONHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、 -CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-苯基、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)H、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>Z<sup>1</sup> 為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>3</sup> 為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>4</sup> 為吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基，其中該吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基視情況係經一至三個選自由下列組成之群的取代基取代： <br/>鹵素、羥基、-CN、-COOH、-CONH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>； <br/>及在各情況下視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵基環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷硫基(cycloalkylthio)、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基亞磺醯基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基磺醯基、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHCO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-NHCO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-NHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH-苯基、-CONHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-苯基、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)H、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；； <br/>及3-6員雜環基，其含有1-2個選自由N、O和S組成之群之雜原子且視情況經至多4個獨立地選自由氟、氯、溴和C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基組成之群的取代基取代， <br/>或其中一個取代基為S16，其中與吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基相鍵結的鍵係以#標示，且Z<sup>4</sup>為CO或SO<sub>2</sub>： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="28px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>41</sup>和R<sup>42</sup> 與其所連接的氮原子一起代表單環之4-至12-員飽和或部分不飽和雜環基，其可含有至多二個選自由氧、氮和硫組成之群的另外雜原子且視情況經一至三個選自由下列組成之群的取代基取代： <br/>鹵素、羥基、-CN、-COOH、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-CONH<sub>2</sub>、-CSNH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>和-NH<sub>2</sub>； <br/>R<sup>5</sup> 為氫、鹵素、-CN、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵基環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、-CH-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基)<sub>2</sub>、-CO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHCO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)H，或-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基。
根據請求項1之化合物，其中 <br/>Q<sup>1</sup> 為N； <br/>Q<sup>2</sup> 為CR<sup>5</sup>； <br/>Y 為直接鍵； <br/>R<sup>1</sup> 為氫； <br/>R<sup>2</sup> 係選自下列雙環雜環中之一者：T1、T2、T3、T7、T10、T11、T12、T16、T17、T18、T25、T26、T27、T34、T35，或T36，其中與N原子相鍵結的鍵係以#標示； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="180px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="35px" width="56px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="178px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="41px" width="180px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="43px" width="182px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="42px" width="177px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>n 為從0至4之整數； <br/>X 係選自由下列組成之群：氫、鹵素、羥基、-CN、-COOH、-CONH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、SF<sub>5</sub>及在各情況下視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基磺醯基、環烷基硫基、環烷基亞磺醯基、環烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基磺醯基、苯基磺醯基、-NH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-NHCO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、NHCO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-NHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH-苯基、-CONHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-苯基、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)H、-C(=NOC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基； <br/>Z<sup>1</sup> 係選自由氫和C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基組成之群； <br/>R<sup>3</sup> 為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基； <br/>R<sup>4</sup> 為吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基，其中該吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基視情況係經一至三個選自由下列組成之群的取代基取代：鹵素、羥基、-CN、-COOH、-CONH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-NO<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>，及在各情況下視情況經取代之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>鹵基環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基硫基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基亞磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基磺醯基、、-NHCO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、NHCO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-NHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)CO-C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基、-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-N(SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH-苯基、-CONHSO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基)、-CONH(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)(C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基烷基)、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-苯基、-CON(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)SO<sub>2</sub>(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)； <br/>及3-6員雜環基，其含有1-2個選自由N、O和S組成之群之雜原子且視情況經至多4個獨立地選自由氟、氯、溴、甲基和乙基組成之群的取代基取代； <br/>或其中一個取代基為S16，其中與吡啶、嘧啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或5-員雜芳基相鍵結的鍵係以#標示，且Z<sup>4</sup>為CO： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="28px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>41</sup>和R<sup>42</sup>與其所連接的氮原子一起代表單環的4-至8-員飽和雜環基，其可含有至多一個選自由氧、氮和硫組成之群的另外雜原子且其視情況係經一至三個選自由下列組成之群的取代基取代： <br/>鹵素、羥基和-CN、 <br/>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基； <br/>R<sup>5</sup> 為氫、鹵素、CN、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>4</sub>鹵基環烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基。
根據請求項1或2之化合物，其中 <br/>Q<sup>1</sup> 為N； <br/>Q<sup>2</sup> 為CR<sup>5</sup>； <br/>Y 為直接鍵； <br/>R<sup>1</sup> 為氫； <br/>R<sup>2</sup> 係選自下列雙環雜環T1、T2、T3或T7中之一者，其中與N原子相鍵結的鍵係以#標示； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="180px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="35px" width="56px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>n 為從0至2之整數；及 <br/>X 係選自由下列組成之群：氫、氟、氯、溴、碘、-CN、-NO<sub>2</sub>、-SF<sub>5</sub>、甲基、乙基、異丙基、第三丁基、二氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、環丙基、環丁基、氧雜環丁基、環戊基、氧雜環戊-2-基、甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、甲硫基、甲基亞磺醯基、甲基磺醯基、乙基硫基、乙基亞磺醯基、乙基磺醯基、二氟甲硫基、二氟甲基亞磺醯基、二氟甲基磺醯基、三氟甲硫基、三氟甲基亞磺醯基和三氟甲基磺醯基；環丙基硫基、環丙基亞磺醯基、還丙基磺醯基、苯硫基、苯基亞磺醯基、苯基磺醯基，及 <br/>Z<sup>1</sup> 係選自由氫和甲基組成之群； <br/>R<sup>3</sup> 為氫或甲基； <br/>R<sup>4</sup> 為噻唑、吡啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或嘧啶，其中該噻唑、吡啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或嘧啶視情況係經一至三個由下列組成之群中選出的取代基取代：氟、氯、溴、碘、-CN、-NO<sub>2</sub>、-CONH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、甲基、乙基、二氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、環丙基、甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、甲硫基、甲基亞磺醯基、甲基磺醯基、二氟甲硫基、二氟甲基亞磺醯基、二氟甲基磺醯基、三氟甲硫基、三氟甲基亞磺醯基、三氟甲基磺醯基、<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉基羰基、二甲基<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉基羰基、哌啶基羰基、吡咯啶基羰基、氮呾基羰基、氮<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>基羰基、氧氮<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>基羰基、N-甲基胺甲醯基、N-乙基胺甲醯基、N,N-二甲基胺甲醯基、N,N-二乙基胺甲醯基、N-環丙基甲基、N-甲基胺甲醯基、<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉基磺醯基、二甲基<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉基磺醯基、哌啶基磺醯基、吡咯啶基磺醯基、氮呾基磺醯基、氮<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>基磺醯基和氧氮<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="d10003.TIF" alt="ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/>基磺醯基；氧呾基、四氫呋喃基、吡喃基(pyranyl)； <br/>R<sup>5</sup> 為氫、甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基或二氟甲基。
根據請求項1或2之化合物，其中 <br/>Q<sup>1</sup> 為N； <br/>Q<sup>2</sup> 為CR<sup>5</sup>； <br/>Y 為直接鍵； <sup> </sup><br/>R<sup>1</sup> 為氫； <br/>R<sup>2</sup> 係選自下列雙環雜環T1、T2和T7中之一者，其中與N原子相鍵結的鍵係以#標示 <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="161px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>n 為0至2之整數；及 <br/>X 係獨立地選自由下列組成之群：氫、氯、溴、-CN、-SF<sub>5</sub>、三氟甲基、三氟甲氧基、二氟甲氧基、甲基、異丙基、第三丁基、環丙基、甲硫基、乙硫基、環丙基硫基和苯基磺醯基； <br/>R<sup>3</sup> 為甲基； <br/>R<sup>4</sup> 為噻唑、吡啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或嘧啶，其中該噻唑、吡啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或嘧啶為未經取代或經一個選自由下列組成之群的取代基取代：氟、氯、溴、-CN、-NH<sub>2</sub><sub>、</sub>-CONH<sub>2</sub>、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、甲基、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉-4-基羰基、二甲基<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="d10002.TIF" alt="ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/>啉-4-基羰基、吡咯啶-1-基羰基、N-乙基胺甲醯基、N,N-二乙基胺甲醯基、(N-環丙基甲基,N-甲基)胺甲醯基和氧呾基，或該噻唑、吡啶、吡<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>、嗒<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="d10001.TIF" alt="ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/>或嘧啶視情況帶有選自氟、氯和溴之第二取代基； <br/>R<sup>5</sup> 為氫、甲基、甲氧基或環丙基。
根據請求項1或2之化合物，其特徵在於該化合物係具有根據式(I’)之結構 <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="67px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I’)， <br/>其中結構元素Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>具有請求項1中所給予之意義或請求項2中所給予之意義。
根據請求項1或2之化合物，其特徵在於該化合物係具有根據式(I’’)之結構 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="86px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I’’)， <br/>其中結構元素Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>具有請求項1中所給予之意義或請求項2中所給予之意義。
根據請求項1或2之化合物，其中Q<sup>1</sup>係代表N或CR<sup>5</sup>，及Q<sup>2</sup>係代表N且所有的結構元素Y、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>係具有請求項1中所給予之意義或請求項2中所給予之意義。
根據請求項1或2之化合物，其中Q<sup>1</sup>係代表N及Q<sup>2</sup>係代表CR<sup>5</sup>且所有的結構元素Y、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>係具有請求項1中所給予之意義或請求項2中所給予之意義。
一種調配物，其包括至少一種根據請求項1至8中任一項之式(I)化合物。
根據請求項9之調配物，其特徵在於式(I)之化合物係與至少一種另外的活性化合物於混合物中。
一種用於防治害蟲之方法，其特徵在於使根據請求項1至8中任一項之式(I)化合物，或根據請求項9至10中任一項之調配物能夠作用於害蟲上及/或其棲地，其中不包括藉由手術或治療處理動物體的方法和施行在動物體上的診斷方法。
根據請求項11之方法，其中該害蟲為動物害蟲。
一種用於保護種子或發芽植物免於蟲害之方法，其係包括其中將根據請求項1至8中任一項之式(I)化合物或根據請求項9至10中任一項之調配物與種子接觸的方法步驟。
根據請求項13之方法，其中該蟲害為動物蟲害。
一種醫藥懸浮液，其包含：<br/>(a)約40 mg/mL丙酮安西諾隆(triamcinolone acetonide)；及<br/>(b)濕潤劑；<br/>其中該懸浮液基本上不含微粒且不含聚集體，其中該等丙酮安西諾隆粒子之D<sub>50</sub>小於3.0 µm；且<br/>其中該懸浮液之黏度為約5 cPs至約20 cPs。
如請求項1之懸浮液，其中該等丙酮安西諾隆粒子之D<sub>10</sub>小於2.0 µm。
如請求項1之懸浮液，其中該等丙酮安西諾隆粒子之D<sub>90</sub>小於7.0 µm。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其中與該懸浮液有關之技術特徵包含該懸浮液之可注射力分佈(Syringeability Force Distribution) (D<sub>f</sub>90)，其不超過760 g<sup>f</sup>。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其中組合物包含約0.02% w/v之該濕潤劑。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其中該濕潤劑為聚山梨醇酯80。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其進一步包含一或多種等張劑及一或多種黏性劑。
如請求項7之懸浮液，其中該等一或多種等張劑包含氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣及氯化鎂。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其進一步包含一或多種黏性劑。
如請求項9之懸浮液，其中該黏性劑為羧甲基纖維素鈉。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其中與該懸浮液有關之技術特徵包含，在劇烈攪拌10秒之後，攪拌懸浮液之微觀分析顯示視覺上分散且基本上不含聚集體之均相懸浮液。
如請求項1至3中任一項之懸浮液，其中該懸浮液包含：<br/>。
一種製備如請求項1至12中任一項之醫藥懸浮液之方法，其包含：<br/>(a)提供包含含一或多種黏性劑、一或多種張力劑及一或多種pH緩衝劑之水性溶劑之基本上不含微粒之第一溶液；<br/>(b)提供包含含一或多種濕潤劑之水性溶劑之基本上不含微粒之第二溶液；<br/>(c)將D<sub>50</sub>小於3 µm之丙酮安西諾隆粒子添加至步驟(b)之該溶液中，得到懸浮液；<br/>(d)將步驟(c)之該懸浮液添加至步驟(a)之該溶液中；及<br/>(e)對步驟(d)之該懸浮液進行音波處理。
如請求項13之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液基本上不含聚集體為止。
如請求項13之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液藉由可注射力測試所測定，基本上不含聚集體為止。
如請求項13之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液之可注射力分佈(D<sub>f</sub>90)不超過760 g<sup>f</sup>為止。
如請求項13至16中任一項之方法，其進一步包含過濾步驟(e)之經過音波處理之懸浮液。
如請求項17之方法，其中經由234 μm孔徑過濾器過濾步驟(e)之該懸浮液。
如請求項13至16中任一項之方法，其中藉由以下得到該基本上不含微粒之第一溶液：<br/>(a)過濾包含一或多種黏性劑之溶液；<br/>(b)過濾包含含一或多種張力劑及一或多種pH緩衝劑之水性溶劑之溶液；及<br/>(c)合併步驟(a)及步驟(b)之該等溶液以得到該基本上不含微粒之第一溶液。
如請求項13至16中任一項之方法，其中該基本上不含微粒之第二溶液係藉由過濾包含含一或多種濕潤劑之水性溶劑之溶液來提供，從而得到基本上不含微粒之第一溶液。
如請求項19之方法，其中經由0.2 μm孔徑過濾器過濾該等溶液。
如請求項13至16之方法，其中該濕潤劑為聚山梨醇酯80。
如請求項22之方法，其中該懸浮液包含約0.02% w/v聚山梨醇酯80。
如請求項13至16中任一項之方法，其中該等一或多種張力劑包含氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣及氯化鎂。
如請求項13至16中任一項之方法，其中該黏性劑為羧甲基纖維素鈉。
一種製備如請求項1至12中任一項之醫藥懸浮液之方法，其包含：<br/>(a)加熱一或多種濕潤劑、一或多種張力劑、一或多種pH緩衝劑及D<sub>50</sub>小於3 µm之丙酮安西諾隆粒子於水性溶劑中的混合物；<br/>(b)冷卻步驟(a)之該懸浮液；<br/>(c)將一或多種黏性劑之水溶液添加至步驟(b)之該懸浮液中；<br/>(d)在低剪切攪拌速率下攪拌步驟(c)之該懸浮液；及<br/>(e)對步驟(d)之該懸浮液進行音波處理。
如請求項26之方法，其中該濕潤劑為聚山梨醇酯80。
如請求項27之方法，其中該懸浮液包含約0.02% w/v聚山梨醇酯80。
如請求項26至28中任一項之方法，其中該等一或多種張力劑包含氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣及氯化鎂。
如請求項26至28中任一項之方法，其中該黏性劑為羧甲基纖維素鈉。
如請求項26至28中任一項之方法，其中步驟(a)之該混合物加熱至約120℃持續約15分鐘。
如請求項26至28中任一項之方法，其中該低剪切攪拌速率為約60 rpm至約120 rpm。
如請求項26至28中任一項之方法，其進一步包含在步驟(c)之前過濾該黏性劑之水溶液。
如請求項26之方法，其中該懸浮液之黏度為約10 cPs。
如請求項26之方法，其中藉由沈降測試(Settling Test)所測定，在約8小時之後小於70%之該等粒子沈降。
一種套組，其包含：<br/>(a)在適合容器中之如請求項1至12中任一項之懸浮液及<br/>(b)用於脈絡膜上腔注射該懸浮液之懸浮液遞送系統。
如請求項36之套組，其中該適合容器為玻璃瓶。
如請求項37之套組，其中該玻璃瓶含有約0.9 mL該懸浮液。
如請求項36至38中任一項之套組，其中該懸浮液遞送系統包含注射器及至少一個微針。
如請求項39之套組，其中該微針之直徑為約30號規。
如請求項39之套組，其中該微針之長度係選自900 µm及1100 µm。
如請求項36之套組，其包含：<br/>(a)封裝於玻璃瓶中之如請求項1至12中任一項之懸浮液，<br/>(b)小瓶轉接器，及<br/>(c)懸浮液遞送系統，其包含<br/>(i)注射器，<br/>(ii) 900 µm長度之30號規微針，及<br/>(iii) 1100 µm長度之30號規微針。
一種封裝產品，其包含在適合容器中之如請求項1至12中任一項之懸浮液。
如請求項43之封裝產品，其中該適合容器填充有約0.9 mL該懸浮液。
如請求項44之封裝產品，其中與該懸浮液有關之技術特徵包含含有恆定重量之丙酮安西諾隆之該封裝產品，其藉由具有符合USP＜905＞劑量單位均一性測試(Uniformity of Dosage Units test)之要求之含量均一性之該封裝產品所指示。
如請求項43至45中任一項之封裝產品，其中與該懸浮液有關之技術特徵包含含有恆定含量之丙酮安西諾隆之該封裝產品，其藉由具有由高效液相層析法所測定之含量為約90.0%至約110.0%(按重量計)之產品標示值之該封裝產品所指示。
如請求項46之封裝產品，其中該產品標示值為約40 mg/mL之丙酮安西諾隆。
一種如請求項1至12中任一項之懸浮液之用途，其係用於製備用於治療有需要之患者之黃斑水腫之醫藥品，其中該治療包含向該患者眼部後區投與治療有效量之該懸浮液，其中藉由脈絡膜上腔注射投與該懸浮液。
如請求項48之用途，其中該黃斑水腫係選自與視網膜靜脈阻塞相關之黃斑水腫、與非感染性葡萄膜炎相關之黃斑水腫、及糖尿病性黃斑水腫。
一種製備醫藥懸浮液之方法，其包含：<br/>(a)提供包含含一或多種黏性劑、一或多種張力劑及一或多種pH緩衝劑之水性溶劑之基本上不含微粒之第一溶液；<br/>(b)提供包含含一或多種濕潤劑之水性溶劑之基本上不含微粒之第二溶液；<br/>(c)將D<sub>70</sub>小於5 µm之丙酮安西諾隆粒子添加至步驟(b)之該溶液中以得到懸浮液；<br/>(d)將步驟(c)之該懸浮液添加至步驟(a)之該溶液中；及<br/>(e)對步驟(d)之該懸浮液進行音波處理，<br/>其中該懸浮液包含約40 mg/mL丙酮安西諾隆。
如請求項50之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液基本上不含聚集體為止。
如請求項50之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液藉由可注射力測試所測定，基本上不含聚集體為止。
如請求項50之方法，其中進行該音波處理步驟(e)直至該懸浮液之可注射力分佈(D<sub>f</sub>90)不超過760 g<sup>f</sup>為止。
如請求項50至53中任一項之方法，其進一步包含過濾步驟(e)之經過音波處理之懸浮液。
如請求項54之懸浮液，其中經由234 μm孔徑過濾器過濾步驟(e)之該懸浮液。
一種製備醫藥懸浮液之方法，其包含：<br/>(a)加熱一或多種濕潤劑、一或多種張力劑、一或多種pH緩衝劑及D<sub>50</sub>小於3 µm之丙酮安西諾隆於水性溶劑中的混合物以提供懸浮液；<br/>(b)冷卻步驟(a)之該懸浮液；<br/>(c)將一或多種黏性劑之水溶液添加至步驟(b)之該懸浮液中；<br/>(d)在低剪切攪拌速率下攪拌步驟(c)之該懸浮液；及<br/>(e)對步驟(d)之該懸浮液進行音波處理，<br/>其中該懸浮液包含約40 mg/mL丙酮安西諾隆。
如請求項56之方法，其中該濕潤劑為聚山梨醇酯80。
如請求項57之方法，其中該懸浮液包含約0.02% w/v聚山梨醇酯80。
如請求項56至58中任一項之方法，其中該一或多種張力劑包含氯化鈉、氯化鉀、氯化鈣及氯化鎂。
如請求項56至58中任一項之方法，其中該黏性劑為羧甲基纖維素鈉。
如請求項56至58中任一項之方法，其中步驟(a)之該混合物加熱至約120℃持續約15分鐘。
如請求項56至58中任一項之方法，其中該低剪切攪拌速率為約60至約120 rpm。
如請求項56至58中任一項之方法，其進一步包含在步驟(c)之前過濾該黏性劑之水溶液。
如請求項63之方法，其中經由聚醚碸濾膜過濾該黏性劑之水溶液。
如請求項56至58中任一項之方法，其進一步包含將約0.9 mL步驟(e)之該懸浮液填充至適合容器中以提供封裝產品。
如請求項65之方法，其中該填充提供具有藉由該封裝產品所指示之恆定重量之丙酮安西諾隆的封裝產品，該封裝產品具有符合USP＜905＞劑量單位均一性測試之要求的含量均一性。
如請求項65之方法，其中該填充提供具有藉由該封裝產品所指示之恆定含量之丙酮安西諾隆的封裝產品，該封裝產品具有藉由高效液相層析法所測定之含量為約90.0%至約110.0重量%(按重量計)之產品標示值。
如請求項65之方法，其中該適合容器為使用活塞驅動或蠕動泵系統填充之玻璃瓶。
如請求項67之方法，其中該產品標示值為約40 mg/mL之丙酮安西諾隆。<sub/>
一種用於控制一第一浮動式風力渦輪機平台之一傾斜以最佳化電力產量之方法，該第一浮動式風力渦輪機平台包括：一發電機，該發電機連接至一軸，該軸具有一軸縱軸線；一組渦輪機葉片，該組渦輪機葉片連接至該軸且界定一葉片平面，該葉片平面垂直於該軸縱軸線；一塔，該塔具有一塔縱軸線，該軸連接至該塔，使得在該葉片平面與該塔縱軸線之間存在一非零角度；一浮動式平台，其包含至少三個穩定柱子，該塔連接至該浮動式平台，該至少三個穩定柱子中之每一者具有用於容納壓載物之一內部體積；及一壓載系統，該壓載系統用於在該等穩定柱子之間分配壓載物以改變該浮動式平台的傾斜，該第一浮動式風力渦輪機平台具有一額定風速、一最小風速及一浮動位置，在該浮動位置，該塔縱軸線為垂直的，該方法包括以下步驟：<br/> 藉由在該壓載系統之一處理器上執行之一控制軟體模組，接收與該第一浮動式風力渦輪機平台之一傾斜相關聯的傾斜資料；<br/> 藉由該控制軟體模組，接收第一風速資料及第一風向資料；<br/> 藉由該控制軟體模組，使用該第一風速資料來判定一平台風速；<br/> 藉由該控制軟體模組，使用該第一風向資料來判定該軸縱軸線與一風向之間的一相差角度，該相差角度具有相對於一水平平面之一垂直分量；<br/> 在該平台風速低於該最小風速時，藉由該控制軟體模組，致使該壓載系統分配壓載物以使該第一浮動式風力渦輪機平台維持於該浮動位置；及<br/> 在該平台風速大於該最小風速且小於該額定風速時，藉由該控制軟體模組，致使該壓載系統分配壓載物，以將該相差角度之該垂直分量，減小為被選擇來最佳化電力產量的一第一垂直目標角度。
如請求項1之方法，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該控制軟體模組，自一第二浮動式風力渦輪機平台接收該第一垂直目標角度。
如請求項2之方法，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該控制軟體模組，自該第二浮動式風力渦輪機平台接收第二風速資料及第二風向資料；及<br/> 藉由該控制軟體模組，將該第二風速資料與該第一風速資料進行比較且將該第二風向資料與該第一風向資料進行比較，<br/> 其中在以下兩種情況時，致使該壓載系統分配壓載物，以將該相差角度之該垂直分量，減小為所接收到之該第一垂直目標角度：該平台風速大於該最小風速且小於該額定風速；且所述比較步驟指示該第一風速與該第二風速之差值在一第一臨限值之內，且該第一風向與該第二風向之差值在一第二臨限值之內。
如請求項2之方法，其中，回應於該第二浮動式風力渦輪機平台接收到該第一風速資料及該第一風向資料，而自該第二風力渦輪機平台接收該第一垂直目標角度。
如請求項1之方法，其中該第一垂直目標角度為自一數值查找表中之複數個潛在垂直目標角度中選擇的一所選垂直目標角度，該所選垂直目標角度係基於以下群組中之至少一項來選擇：第一風速、第一風向、海況、平台運動及渦輪機運動。
如請求項1之方法，其中該第一垂直目標角度為根據以下群組中之至少一項來計算之一經計算之垂直目標角度：第一風速、第一風向、海況、平台運動及渦輪機運動。
如請求項1之方法，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 藉由在該處理器上執行之該控制軟體模組，接收關於在該平台以該第一垂直目標角度傾斜時藉由該發電機產生之電力的第一電力資料；<br/> 藉由該控制軟體模組，將該第一垂直目標角度修改為一第二垂直目標角度；<br/> 藉由該控制軟體模組，接收關於在該平台以該第二垂直目標角度傾斜時藉由該發電機產生之電力的第二電力資料；及<br/> 在該第二電力資料大於該第一電力資料時，藉由該控制軟體模組，將該第一浮動式風力渦輪機平台之該傾斜維持於該第二垂直目標角度。
如請求項1之方法，其中：<br/> 該第一風速資料及該第一風向資料表示與該第一浮動式風力渦輪機平台相距一距離之一位置處的風況；<br/> 判定該平台風速的所述步驟使用該第一風速資料、該第一風向資料、該位置及該距離；<br/> 該平台風速為在一將來時間對該平台處之風速的一估計；且<br/> 相對於該水平平面之該垂直分量為在該將來時間對該垂直分量之一估計；該方法進一步包括：<br/> 藉由該控制軟體模組，基於該垂直分量來估計該壓載系統將該垂直分量減小為該第一垂直目標角度所需之一準備時間量，其中：<br/> 在該平台風速大於該最小風速且小於該額定風速時，藉由該控制軟體模組，致使該壓載系統分配壓載物，以將該相差角度之該垂直分量，減小為被選擇來最佳化電力產量的該第一垂直目標角度的所述步驟，包括：<br/> 在該平台風速大於該最小風速且小於該額定風速時，藉由該控制軟體模組，致使該壓載系統在該將來時間之前的該準備時間量處開始分配壓載物以將該相差角度之該垂直分量減小為該第一垂直目標角度。
一種非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體包括儲存於其中的數個指令，該等指令在由至少一處理器執行時致使該至少一處理器實施請求項1至8中任一項之方法。
一種用於分配壓載物以控制一浮動式風力渦輪機平台之一傾斜以最佳化電力產量的壓載系統，該壓載系統包含：<br/> 三個穩定柱子，每一穩定柱子具有用於容納壓載物之一內部體積；<br/> 數個泵及管路，其組配來使該壓載物在該等內部體積之間移動；以及<br/> 一控制器，其包括一或多個處理器、記憶體及結合於其中之數個指令，該等指令在由該控制器執行時致使該壓載系統實施請求項1至8中任一項之方法。
一種玻璃陶瓷製品，包含：<br/> 一透鋰長石晶相(petalite crystalline phase)； <br/> 一矽酸鋰晶相；以及<br/> 一或多種著色劑，含量從0.01重量%至5重量%，該一或多種著色劑選自由NiO、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Au及V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>所組成之群組，<br/> 其中該玻璃陶瓷製品中之該透鋰長石晶相和該矽酸鋰晶相各自的重量百分比大於存在該玻璃陶瓷製品中之其他晶相各自的重量百分比；且<br/> 其中針對SCI UVC條件下之CIE施照體F02，該玻璃陶瓷製品具有在CIELAB色空間中之以下透射色座標(transmittance color coordinate)：<br/> L*= 從20至90；<br/> a*= 從-20至40；及<br/> b*= 從-60至60。
如請求項1所述之玻璃陶瓷製品，其中以重量%計，該玻璃陶瓷製品具有之一組成物包含：<br/> 含量從55至80的SiO<sub>2</sub>；<br/> 含量從2至20的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 含量從5至20的Li<sub>2</sub>O；<br/> 含量從0.5至6的P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；以及<br/> 含量從0.2至15的ZrO<sub>2</sub>。
如請求項1所述之玻璃陶瓷製品，包含0.5至5重量%的該一或多種著色劑。
如請求項1所述之玻璃陶瓷製品，其中至少80重量%之該一或多種著色劑存在該玻璃陶瓷製品之一殘留玻璃相(residual glass phase)中。
如請求項1所述之玻璃陶瓷製品，其中至少95重量%之該一或多種著色劑存在該玻璃陶瓷製品之一殘留玻璃相中。
如請求項2所述之玻璃陶瓷製品，其中，以重量%計，該一或多種著色劑選自由以下者組成之群組：<br/> 含量從0.1至1.5的Au；<br/> 含量從0.05至1.0的Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 含量從0.1至2.0的NiO； <br/> 含量從0.1至2.0的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；或<br/> 含量從0.01至2.0的Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>；以及<br/> 前述者之組合。
如請求項6所述之玻璃陶瓷製品，其中針對SCI UVC條件下之CIE施照體F02，該玻璃陶瓷製品具有在CIELAB色空間中之以下透射色座標：<br/> L*= 從50至90；<br/> a*= 從-20至30；及<br/> b*= 從0至40。
一種玻璃陶瓷製品，包含：<br/> 一透鋰長石晶相；<br/> 一矽酸鋰晶相；以及<br/> 一殘留玻璃相，包含含量從0.01重量%至5重量%的一或多種著色劑，該一或多種著色劑選自由NiO、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Au及V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>所組成之群組，<br/> 其中：<br/> 該玻璃陶瓷製品具有1 MPa·m<sup>1/2</sup>或更大之破壞韌性(fracture toughness)；且<br/> 針對SCI UVC條件下之CIE施照體F02，該玻璃陶瓷製品具有在CIELAB色空間中之以下透射色座標(transmittance color coordinate)：<br/> L*= 從20至90；<br/> a*= 從-20至40；及<br/> b*= 從-60至60。
如請求項8所述之玻璃陶瓷製品，其中以重量%計，該玻璃陶瓷製品具有之一組成物包含：<br/> 含量從55至80的SiO<sub>2</sub>；<br/> 含量從2至20的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 含量從5至20的Li<sub>2</sub>O；<br/> 含量從0.5至6的P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；以及<br/> 含量從0.2至15的ZrO<sub>2</sub>。
如請求項8所述之玻璃陶瓷製品，包含0.5至5重量%的該一或多種著色劑。
一種緩釋軟膠囊，其包括： <br/>(a)填充材料；及 <br/>(b)pH相依殼組合物， <br/>其中該填充材料包括至少一種醫藥上活性成分， <br/>其中該pH相依殼組合物包括明膠、果膠及右旋糖，但不包括任何選自由以下組成之群之習知pH相依聚合物：丙烯酸及甲基丙烯酸聚合物、丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物、乙酸琥珀酸纖維素、乙酸鄰苯二甲酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、羥丙基甲基纖維素鄰苯二甲酸酯、乙酸琥珀酸羥丙基甲基纖維素(乙酸琥珀酸羥丙甲纖維素)、鄰苯二甲酸聚乙酸乙烯酯(PVAP)、藻酸鹽、硬脂酸及蟲膠， <br/>其中該pH相依殼組合物具有在自2:1至11:1之範圍內之明膠對果膠w:w比率， <br/>其中該緩釋軟膠囊已在30°C至60°C之溫度下固化。
如請求項1之緩釋軟膠囊，其中該pH相依殼組合物進一步包括塑化劑。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該果膠係低甲氧基果膠。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該果膠係選自由醯胺果膠、非醯胺果膠及其組合組成之群組。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該pH相依殼組合物包括基於該乾pH相依殼組合物重量計40重量%至80重量%之明膠、2重量%至20重量%之果膠及/或0.01重量%至4重量%之右旋糖。
如請求項2之緩釋軟膠囊，其中該pH相依殼組合物包括基於該乾pH相依殼組合物重量計15重量%至40重量%之塑化劑。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該明膠係選自由A型明膠、B型明膠及其混合物組成之群組。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該明膠係選自由魚明膠、生皮明膠、骨明膠及其混合物組成之群組。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該果膠係非醯胺果膠。
如請求項2之緩釋軟膠囊，其中該塑化劑係選自由以下組成之群：甘油、山梨醇及其組合。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中基於在一USP設備II中使用攪棒以50 rpm之速度在視情況具有胰酶之pH 6.8之磷酸鹽緩衝劑中進行之溶解/崩解測試，該膠囊在腸環境中在小於60分鐘、小於45分鐘、小於30分鐘、小於20分鐘、小於10分鐘或小於5分鐘內溶解/崩解，及/或其中基於在一USP設備II中使用攪棒以50 rpm之速度在視情況具有胃蛋白酶之0.1N HCl中進行之溶解/崩解測試，該膠囊在酸性介質中在至少15分鐘、至少30分鐘、至少一小時、至少兩小時、至少三小時、至少四小時或至少五小時內溶解/崩解。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其不含額外pH相依聚合物。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該pH相依殼組合物以流變儀在60°C下測量具有在自110,000 cPs至125,000 cPs之範圍內之黏度。
如請求項1或2之緩釋軟膠囊，其中該pH相依殼組合物具有在自5:1至1:5之範圍內之塑化劑對明膠w:w比率。
一種製備如請求項1至14中任一項之緩釋軟膠囊之方法，其包括以下步驟： <br/>(a)製備包括活性劑之填充材料；及 <br/>(b)使用pH相依殼組合物囊封該填充材料。
一種外用劑之用途，係將用於抑制大氣有害物質附著之外用劑塗佈於皮膚，抑制大氣有害物質附著於皮膚，其中， <br/>該外用劑係含有下述成分(AI)與成分(BII)，且該外用劑中的成分(BII)含量相對於成分(AI)含量之質量比[(BII)/(AI)]係3.5以下；成分(AI)對皮膚的塗佈量係0.04 mg/cm<sup>2</sup>以上且0.60 mg/cm<sup>2</sup>以下； <br/>成分(AI)：平均一次粒徑d<sub>AI</sub>為10 nm以上且700 nm以下、且經疏水化處理、且從氧化鈦及氧化鋅中選擇之1種以上的金屬氧化物； <br/>成分(BII)：包含選自碳數18以上之飽和或不飽和烴之1種或2種以上的非揮發性烴油。
一種外用劑之用途，係將用於抑制大氣有害物質附著之外用劑塗佈於皮膚，抑制大氣有害物質附著於皮膚，其中， <br/>該外用劑係含有下述成分(AI)與成分(BIII)，且該外用劑中的成分(BIII)含量相對於成分(AI)含量之質量比[(BIII)/(AI)]係0.85以下；成分(AI)對皮膚的塗佈量係0.04 mg/cm<sup>2</sup>以上且0.60 mg/cm<sup>2</sup>以下； <br/>成分(AI)：平均一次粒徑d<sub>AI</sub>為10 nm以上且700 nm以下、且經疏水化處理、且從氧化鈦及氧化鋅中選擇之1種以上的金屬氧化物； <br/>成分(BIII)：包含直鏈狀有機聚矽氧烷的非揮發性聚矽氧油。
如請求項1或2之外用劑之用途，其中，外用劑中的成分(AI)含量係1質量%以上且40質量%以下。
如請求項1或2之外用劑之用途，其中，成分(AI)係從下述成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)中選擇之1種以上； <br/>成分(AI-1)：平均一次粒徑d<sub>AI</sub>為10nm以上且700nm以下、且經脂肪酸處理且、從氧化鈦及氧化鋅中選擇之一種以上的金屬氧化物； <br/>成分(AI-2)：平均一次粒徑d<sub>AI</sub>為10nm以上且700nm以下、且經烷基烷氧基矽烷處理且、從氧化鈦及氧化鋅中選擇之一種以上的金屬氧化物； <br/>成分(AI-3)：平均一次粒徑d<sub>AI</sub>為10nm以上且700nm以下、且經聚矽氧處理且、從氧化鈦及氧化鋅中選擇之一種以上的金屬氧化物。
如請求項4之外用劑之用途，其中，外用劑中的成分(BI)含量相對於成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)合計含量之質量比{(BI)/[(AI-1)+(AI-2)+(AI-3)]}係9以下。
如請求項4之外用劑之用途，其中，外用劑中的成分(BII)含量相對於成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)合計含量的質量比{(BII)/[(AI-1)+(AI-2)+(AI-3)]}係3.5以下。
如請求項4之外用劑之用途，其中，外用劑中的成分(BIII)含量相對於成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)合計含量的質量比{(BIII)/[(AI-1)+(AI-2)+(AI-3)]}係0.85以下。
如請求項4之外用劑之用途，其中，成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)對皮膚的合計塗佈量係0.04mg/cm<sup>2</sup>以上且0.60mg/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項4之外用劑之用途，其中，外用劑中的成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)合計含量係1質量%以上且40質量%以下。
如請求項4之外用劑之用途，其中，成分(AI-1)、成分(AI-2)及成分(AI-3)對皮膚的合計塗佈量係0.06mg/cm<sup>2</sup>以上且0.60mg/cm<sup>2</sup>以下。
一種外用劑之用途，係將平均一次粒徑d<sub>A</sub>為10 nm以上且700 nm以下、且從氧化鈦及氧化鋅中選擇之1種以上的金屬氧化物(A)，依0.04 mg/cm<sup>2</sup>以上且0.60 mg/cm<sup>2</sup>以下塗佈於皮膚，抑制大氣有害物質附著於皮膚。
如請求項11之外用劑之用途，其中，金屬氧化物(A)係其表面經施行疏水化處理或親水化處理者。
如請求項11或12之外用劑之用途，其中，金屬氧化物(A)係表面經施行疏水化處理者。
一種鋰離子電池，該鋰離子電池包括：負極，該負極包含約75重量%至約92重量%的活性材料(active material)、約1重量%至約7重量%的奈米尺度導電碳(nanoscale conductive carbon)與約6重量%至約20重量%的聚合物黏結劑(polymer binder)，其中該活性材料包含約35重量%至約95重量%的氧化矽系材料(silicon oxide-based material)與約5重量%至約65重量%的石墨；正極，該正極包含鋰鎳鈷錳氧化物、導電碳與聚合物黏結劑，該鋰鎳鈷錳氧化物大致上可以式LiNi<sub>x</sub>Mn<sub>y</sub>Co<sub>z</sub>O<sub>2</sub>表示，其中x+y+z<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10001.bmp" alt="其他非圖式ed10001.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>1，0.3<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>x，0.025<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>y<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>0.35，0.025<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>z<img align="absmiddle" height="18px" width="11px" file="d10006.TIF" alt="其他非圖式ed10006.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10006.png"/>0.35；在該負極與該正極之間的間隔物(separator)；電解質，該電解質包含約1M至約2M鋰鹽與非水溶劑，其中該非水溶劑包含約5體積%至約20體積%的氟代碳酸乙烯酯(fluoroethylene carbonate)、至少約25體積%總量(combined amount)的碳酸二甲酯與碳酸甲乙酯、及約20體積%至約50體積%的碳酸二乙酯，其中該電解質基本上不含碳酸伸乙酯；以及包封(enclosing)其它電池組件的容器(container)。
如請求項1所述的鋰離子電池，其中相對於第三循環的電容量(3rd cycle capacity)，該鋰離子電池可在1C充電率(charge rate)與1C放電率(discharge rate)循環經歷至少約700個循環而電容量降低不超過20%。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該負極活性材料包含約40重量%至約90重量%的氧化矽系材料與約10重量%至約60重量%的石墨，其中石墨的BET表面積為約2m<sup>2</sup>/g(平方公尺/公克)至約100m<sup>2</sup>/g。
如請求項3所述的鋰離子電池，其中該氧化矽系材料包括矽-氧化矽碳複合材料(silicon-silicon oxide carbon composite material)。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該負極的聚合物黏結劑包括聚醯亞胺與第二黏結劑聚合物的摻合物(blend)，該第二黏結劑聚合物選自由以下各項所組成的群組：聚偏二氟乙烯(poly vinylidene fluoride)、羧甲基纖維素(carboxymethyl cellulose)、苯乙烯-丁二烯橡膠、鋰化聚丙烯酸(lithiated polyacrylic acid)、前述的共聚物及前述的混合物。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該電解質包含約1.25M至約1.8M鋰鹽，且其中該非水溶劑包含約8體積%至約20體積%的氟代碳酸乙烯酯與至少約50體積%總量的碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯與碳酸二乙酯。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該電解質更包含約2重量%至約12重量%的碳酸伸丙酯(propylene carbonate)與約2重量%至約12重量%的氟苯。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該鋰鎳錳鈷氧化物大致上可以式LiNi<sub>x</sub>Mn<sub>y</sub>Co<sub>z</sub>O<sub>2</sub>表示，其中x+y+z<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10011.bmp" alt="其他非圖式ed10011.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>1，0.50<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10012.TIF" alt="其他非圖式ed10012.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10012.png"/>x，0.03<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10013.TIF" alt="其他非圖式ed10013.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10013.png"/>y<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10007.TIF" alt="其他非圖式ed10007.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10007.png"/>0.325，0.03<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10008.TIF" alt="其他非圖式ed10008.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10008.png"/>z<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10009.TIF" alt="其他非圖式ed10009.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10009.png"/>0.325。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，該鋰離子電池更包含補充鋰(supplemental lithium)，補充鋰的量係佔負極第一循環不可逆電容量損失(first cycle irreversible capacity loss)的約80%至約180%，該鋰離子電池在C/3放電率下的第四循環時負極電容量除以正極電容量的比率為約1.10至約1.95。
如請求項1或2所述的鋰離子電池，其中該正極更包含約20重量%至約80重量%的由式Li<sub>1+b</sub>Ni<sub>α</sub>Mn<sub>β</sub>Co<sub>γ</sub>A<sub>δ</sub>O<sub>2-z</sub>F<sub>z</sub>表示的富含(鋰+錳)的鋰金屬氧化物，其中b+α+β+γ+δ<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10010.bmp" alt="其他非圖式ed10010.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>1，b在約0.04至約0.3的範圍內，α在0至約0.4的範圍內，β在約0.2至約0.65的範圍內，γ在0至約0.46的範圍內，δ在約0至約0.15的範圍內，且z在0至0.2的範圍內，條件是α及γ不同時為0，且其中A是與鋰、錳、鎳及鈷不同的金屬。
一種鋰離子電池，該鋰離子電池包括：負極，該負極包含約75重量%至約92重量%的活性材料、約1重量%至約7重量%的奈米尺度導電碳與約6重量%至約20重量%的聚合物黏結劑，其中該活性材料包含約40重量%至約95重量%的氧化矽系材料與約5重量%至約60重量%的石墨；正極，該正極包含富含鎳的鋰鎳鈷金屬氧化物、導電碳與聚合物黏結劑，其中該富含鎳的鋰鎳鈷氧化物大致上可以式LiNi<sub>x</sub>M<sub>y</sub>Co<sub>z</sub>O<sub>2</sub>表示，其中x+y+z<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10014.bmp" alt="其他非圖式ed10014.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>1，0.3<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10015.TIF" alt="其他非圖式ed10015.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10015.png"/>x,0.025<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10016.TIF" alt="其他非圖式ed10016.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10016.png"/>y<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10017.TIF" alt="其他非圖式ed10017.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10017.png"/>0.35，0.025<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10018.TIF" alt="其他非圖式ed10018.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10018.png"/>z<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10019.TIF" alt="其他非圖式ed10019.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10019.png"/>0.35，且M是Mn、Al、Mg、Sr、Ba、Cd、Zn、Ga、B、Zr、Ti、Ca、Ce、Y、Nb、Cr、Fe、V或其組合；在該負極與該正極之間的間隔物；電解質，該電解質包含約1M至約2M鋰鹽與非水溶劑，其中該非水溶劑實質上由約5體積%至約20體積%的氟代碳酸乙烯酯、及至少約25體積%總量的碳酸二甲酯與碳酸甲乙酯、及約20體積%至約50體積%的碳酸二乙酯所組成；以及包封其他電池組件的容器，其中相對於第三循環的電容量，該鋰離子電池可在1C充電率與1C放電率循環經歷至少約700個循環而電容量降低不超過20%。
如請求項11所述的鋰離子電池，其中相對於第三循環的電容量，該鋰離子電池可在1C充電率與1C放電率循環經歷至少約750個循環而電容量降低不超過20%。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，其中負極活性材料包含約50重量%至約90重量%的氧化矽系材料與約10重量%至約50重量%的石墨，其中石墨的BET表面積為約2m<sup>2</sup>/g至約100m<sup>2</sup>/g。
如請求項13所述的鋰離子電池，其中該氧化矽系材料包括矽-氧化矽碳複合材料。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，其中該負極的聚合物黏結劑包括聚醯亞胺與第二黏結劑聚合物的摻合物，該第二黏結劑聚合物選自以下群組：聚偏二氟乙烯、羧甲基纖維素、苯乙烯-丁二烯橡膠、鋰化聚丙烯酸、該等的共聚物以及該等的混合物。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，其中該電解質包含約1.25M至約1.8M鋰鹽，且其中該非水溶劑實質上由約8體積%至約20體積%的氟代碳酸乙烯酯及至少約50體積%總量的碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯與碳酸二乙酯所組成。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，其中該鋰鎳金屬鈷氧化物大致上可以式LiNi<sub>x</sub>Mn<sub>y</sub>Co<sub>z</sub>O<sub>2</sub>表示，其中x+y+z<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10020.bmp" alt="其他非圖式ed10020.bmp" img-content="character" orientation="portrait" inline="no"/>1，0.50<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10021.TIF" alt="其他非圖式ed10021.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10021.png"/>x，0.03<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10022.TIF" alt="其他非圖式ed10022.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10022.png"/>y<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10023.TIF" alt="其他非圖式ed10023.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10023.png"/>0.325，0.03<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10024.TIF" alt="其他非圖式ed10024.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10024.png"/>z<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10025.TIF" alt="其他非圖式ed10025.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10025.png"/>0.325。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，該鋰離子電池更包含補充鋰，補充鋰的量係佔負極第一循環不可逆電容量損失的約80%至約180%，該鋰離子電池在C/3放電率下的第四循環時負極電容量除以正極電容量的比率為約1.10至約1.95。
如請求項11或12所述的鋰離子電池，其中相對於第三循環的電容量，該鋰離子電池可在1C充電率與1C放電率循環經歷至少約800個循環而電容量降低不超過20%。
一種2,2'-脫水嘧啶或其衍生物用於製備用以治療受試者肝臟疾病之藥劑的用途，該肝臟疾病之特徵為在肝細胞中存在纖維化或脂肪積聚，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為化學式(I)的化合物：<figure><img align="absmiddle" height="226px" width="492px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽、水合物和前體藥物形式，以及立體異構體形式；其中：每一個R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由氫、取代或未取代的雜原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的雜環烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的雜芳香基、取代或未取代的芳香烷基、鹵素或假鹵素、碳水化合物、核酸、氨基酸、肽和多肽組成的群組。
根據請求項1的用途，其中每個R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>獨立地選自由氫、羥基、巰基、氨基、鹵素、假鹵素和取代或未取代的有1至20個碳的低級烴組成的群組。
根據請求項2的用途，其中該低級烴選自羥甲基、甲氧基、烷基、烯基、烷醯基、芳香基、芳香醯基、芳香烷基和烷氨基及其酯組成的群組。
根據請求項1的用途，其中R<sup>1</sup>為氫、氟、甲基、乙基、丙基、芐基或2-溴乙烯基；R<sup>2</sup>為氫、羥基氟、甲基、乙基、丙基、芐基、苯甲醯基、苯甲醯氧基或2-溴乙烯基；R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由羥基和苯甲醯氧基組成的群組。
根據請求項4的用途，其中R<sup>1</sup>為氫或甲基；R<sup>2</sup>為氫；R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由羥基和苯甲醯氧基組成的群組。
根據請求項1的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物選自由以下各物組成的群組：2,2'-脫水-5-甲基尿苷、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水尿苷、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷、5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水尿苷和5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項6的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項6的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項6的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項1的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物包含立體異構體。
根據請求項10的用途，其中該立體異構體選自由2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-尿嘧啶、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶、5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-尿嘧啶和5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶組成的群組。
根據請求項1至11中任一項的用途，其中該肝臟疾病選自NAFLD、NASH和DILI組成的群組。
根據請求項1的用途，其中該治療為預防性的。
根據請求項13的用途，其中該肝臟疾病為DILI。
根據請求項1的用途，其中該受試者患有肝臟疾病。
一種2,2'-脫水嘧啶或其衍生物用於製備用以治療受試者肝臟疾病之藥劑的用途，該肝臟疾病之特徵為在肝細胞中存在纖維化或脂肪積聚，其中該藥劑進一步包含尿苷(UR)活性劑或與尿苷(UR)活性劑聯合使用，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為化學式(I)的化合物：<figure><img align="absmiddle" height="231px" width="506px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽、水合物和前體藥物形式，以及立體異構體形式；其中：每一個R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由氫、取代或未取代的雜原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環烷基、取代或未取代的雜環烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的雜芳香基、取代或未取代的芳香烷基、鹵素或假鹵素、碳水化合物、核酸、氨基酸、肽和多肽組成的群組。
根據請求項16的用途，其中每個R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>獨立地選自由氫、羥基、巰基、氨基、鹵素、假鹵素和取代或未取代的有1至20個碳的低級烴組成的群組。
根據請求項17的用途，其中該低級烴選自羥甲基、甲氧基、烷基、烯基、烷醯基、芳香基、芳香醯基、芳香烷基和烷氨基及其酯組成的群組。
根據請求項16的用途，其中R<sup>1</sup>為氫、氟、甲基、乙基、丙基、芐基或2-溴乙烯基；R<sup>2</sup>為氫、羥基氟、甲基、乙基、丙基、芐基、苯甲醯基、苯甲醯氧基或2-溴乙烯基；R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由羥基和苯甲醯氧基組成的群組。
根據請求項19的用途，其中R<sup>1</sup>為氫或甲基；R<sup>2</sup>為氫；R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地選自由羥基和苯甲醯氧基組成的群組。
根據請求項16的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物選自由以下各物組成的群組：2,2'-脫水-5-甲基尿苷、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水尿苷、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷、5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水尿苷和5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項21的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項21的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項21的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物為5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-5-甲基尿苷。
根據請求項16的用途，其中2,2’-脫水嘧啶或其衍生物包含立體異構體。
根據請求項25的用途，其中該立體異構體選自由2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-尿嘧啶、3'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶、5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-尿嘧啶和5'-O-苯甲醯基-2,2'-脫水-1-(β-D-阿拉伯呋喃糖基)-5-甲基尿嘧啶組成的群組。
根據請求項16至26中任一項的用途，其中該肝臟疾病選自由NAFLD、NASH和DILI組成的群組。
根據請求項16的用途，其中該治療為預防性的。
根據請求項28的用途，其中該肝臟疾病為DILI。
根據請求項16的用途，其中該受試者患有肝臟疾病。
根據請求項1或16的用途，其中該藥劑改善纖維化。
根據請求項1或16的用途，其中所述雜原子係選自由以下組成之群：氮、氧、硫、磷、硼、氯、溴及碘。
根據請求項12的用途，其中該肝臟疾病為NAFLD。
根據請求項12的用途，其中該肝臟疾病為NASH。
根據請求項12的用途，其中該肝臟疾病為DILI。
根據請求項27的用途，其中該肝臟疾病為NAFLD。
根據請求項27的用途，其中該肝臟疾病為NASH。
根據請求項27的用途，其中該肝臟疾病為DILI。
根據請求項16的用途，其中該UR活性劑係選自由以下組成之群：尿苷、尿苷前體及UR類似物。
一種適用於100 nm至200 nm波長之包括可透射光之四硼酸鍶之線性光學組件，其中該線性光學組件包括可透射寬頻深紫外光及寬頻真空紫外光之一透鏡、一透鏡陣列、一稜鏡、或一光束分離器之至少一者。
如請求項1之線性光學組件，其中該四硼酸鍶係一光學玻璃。
一種適用於100 nm至200 nm波長之寬頻紫外線燈，其包括： <br/>一或多個線性光學組件，其中該一或多個線性光學組件之至少一部分係由可透射寬頻深紫外光及寬頻真空紫外光之四硼酸鍶形成。
如請求項3之寬頻紫外線燈，其中該四硼酸鍶係一光學玻璃。
如請求項3之寬頻紫外線燈，其中該一或多個線性光學組件包括一鏡面、一透鏡、一透鏡陣列、一稜鏡、一光束分離器、一窗或一燈單元之至少一者。
如請求項3之寬頻紫外線燈，其中該寬頻紫外線燈經組態以發射寬頻深紫外光或寬頻真空紫外光之至少一者。
一種適用於100 nm至200 nm波長之光學系統，其包括： <br/>一或多個線性光學組件，其中該一或多個線性光學組件之至少一部分係由可透射寬頻深紫外光及寬頻真空紫外光之四硼酸鍶形成。
如請求項7之光學系統，其中該四硼酸鍶係一光學玻璃。
如請求項7之光學系統，其中該一或多個線性光學組件包括一鏡面、一透鏡、一透鏡陣列、一稜鏡、一光束分離器、一窗或一燈單元之至少一者。
一種適用於100 nm至200 nm波長之寬頻燈，其包括： <br/>一電漿燈泡，其由四硼酸鍶形成，其中該四硼酸鍶可透射寬頻真空紫外光。
一種適用於100 nm至200 nm波長之包括可透射光之四硼酸鍶之寬頻燈，其中該寬頻燈進一步包括可透射寬頻真空紫外光之至少一窗。
一種偏光板，係具備膜狀之偏光片、及包含樹脂之至少一對之光學膜，其中， <br/>前述偏光片係位於前述一對之光學膜之間，且與前述一對之光學膜重疊， <br/>前述一對之光學膜係任一者皆為保護前述偏光片之保護膜， <br/>前述保護膜之至少一方係由環烯烴系樹脂所構成， <br/>在俯視中，在外周設有凹部，或在面內設有貫通孔， <br/>在側視中，前述凹部內、或前述貫通孔內，前述偏光片之端部係比前述一對之光學膜之任一者的端部更靠內側35μm至45μm，且前述偏光片之端部係以接觸外部空氣之方式露出。
如請求項1所述之偏光板，其中，前述偏光片係在經延伸之聚乙烯醇系樹脂膜吸附定向有二色性色素者。
如請求項1或2所述之偏光板，前述偏光板在與具備前述保護膜之側為相反側之面更具備黏著劑層。
如請求項1或2所述之偏光板，其中，在側視中，前述凹部內、或前述貫通孔內，前述一對之光學膜的端部彼此間之位置的差為20μm以內。
一種圖像顯示裝置，係包含請求項1至4中任一項所述之偏光板。
一種偏光板之製造方法，係製造請求項1至4中任一項所述之偏光板，該製造方法具有切削步驟，該切削步驟係一面使旋轉切削工具接觸使膜狀之偏光片與至少一對之光學膜重疊而形成的積層體之側面，一面使前述旋轉切削工具沿著前述積層體之側面移動， <br/>在俯視中，前述積層體係在外周設有凹部，或在面內設有貫通孔， <br/>前述一對之光學膜係任一者皆為保護前述偏光片之保護膜， <br/>前述保護膜之至少一方係由環烯烴系樹脂所構成， <br/>在前述切削步驟中，在前述凹部內、或前述貫通孔內進行切削時，將前述旋轉切削工具之旋轉速度設為20000至35000rpm，將進給速度設為0.42至0.60m/分鐘，且將前述旋轉切削工具之旋轉的方向與進給之方向之關係設為上銑，同時使前述旋轉切削工具從相對於前述偏光片之吸收軸方向呈垂直之方向進入而朝成為平行之方向移動。
如請求項6所述之偏光板之製造方法，其中，將前述旋轉切削工具之旋轉速度設為25000至32000rpm，將進給速度設為0.45至0.50m/分鐘。
一種用以在編碼一容積場景以及表示該容積場景中導航限制之資訊之方法，該方法包括在包含代表該容積場景之視訊資料的資料流中編碼元資料表示，該元資料包括：表示該容積視訊之3D空間中一曲線路徑之第一資料；表示該曲線路徑上至少二個視點之第二資料，與觀看方向範圍有關；表示以該至少兩個視點之一為中心之一觀看限制盒之第三資料；在資料流中編碼第一、第二及第三資料。
如申請專利範圍第1項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括一3D點表，及其中該表之一點與至少一觀看方向範圍有關。
如申請專利範圍第1項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括參數式3D曲線之參數表示，及其中至少一觀看方向範圍之資料表示與曲線路徑之原點有關。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該元資料包括該容積視訊之3D空間中至少二曲線路徑之資料表示。
如申請專利範圍第1項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括一相機參數參考表，其與至少一觀看方向範圍有關。
一種用以在編碼一容積場景以及表示該容積場景中傳送導航限制之資訊之裝置，該裝置包括在一處理器，其調配成用於在包含代表該容積場景之視訊資料的資料流中編碼元資料表示，該元資料包括：表示該容積視訊之3D空間中一曲線路徑之第一資料；表示該曲線路徑上至少二個視點之第二資料，與觀看方向範圍有關；表示以該至少兩個視點之一為中心之一觀看限制盒之第三資料；在資料流中編碼第一、第二及第三資料。
如申請專利範圍第6項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括一3D點表，及其中該表之一點與至少一觀看方向範圍有關。
如申請專利範圍第6項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括參數式3D曲線之參數表示，及其中至少一觀看方向範圍之資料表示與曲線路徑之原點有關。
如申請專利範圍第6項之裝置，其中該元資料包括該容積視訊之3D空間中至少二曲線路徑之資料表示。
如申請專利範圍第6項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括一相機參數參考表，其與至少一觀看方向範圍有關。
一種用以在一容積場景中導航限制來渲染容積場景之方法，該方法包括從包含代表該容積視訊之視訊資料的資料流中解碼元資料，該元資料包括：表示該容積場景之3D空間中一曲線路徑之資料；表示該曲線路徑上至少二個視點之資料，與觀看方向範圍有關；表示以該至少兩個視點之一為中心之一觀看限制盒之資料；從與該至少兩個視點中第一視點有關的觀看盒內之一個視點，在觀看方向範圍有關之限制內，渲染該容積場景。
如申請專利範圍第11項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括一3D點表，及其中該表之一點與至少一觀看方向範圍有關。
如申請專利範圍第11項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括參數式3D曲線之參數表示，及其中至少一觀看方向範圍之資料表示與曲線路徑之原點有關。
如申請專利範圍第11項之方法，其中該元資料包括該容積視訊之3D空間中至少二曲線路徑之資料表示。
如申請專利範圍第11項之方法，其中一曲線路徑之該資料表示包括一相機參數參考表，其與至少一觀看方向範圍有關。
一種用以在一容積場景中導航限制來渲染容積場景之裝置，該裝置包括一處理器，其調配成用於在包含代表該容積視訊之視訊資料的資料流中解碼元資料表示，該元資料包括：表示該容積視訊之3D空間中一曲線路徑之資料；表示該曲線路徑上至少二個視點之資料，與觀看方向範圍有關；表示以該至少兩個視點之一為中心之一觀看限制盒之資料；從與該至少兩個視點中第一視點有關的觀看盒內之一個視點，在觀看方向範圍有關之限制內，渲染該容積場景。
如申請專利範圍第16項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括一3D點表，及其中該表之一點與至少一觀看方向範圍有關。
如申請專利範圍第16項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括參數式3D曲線之參數表示，及其中至少一觀看方向範圍之資料表示與曲線路徑之原點有關。
如申請專利範圍第16項之裝置，其中該元資料包括該容積視訊之3D空間中至少二曲線路徑之資料表示。
如申請專利範圍第16項之裝置，其中一曲線路徑之該資料表示包括一相機參數參考表，其與至少一觀看方向範圍有關。
一種儲存電腦程式之記錄媒體，包括指令，當一電腦執行程式時，該指令致給電腦執行如申請專利範圍第1項之方法。
一種電腦程式，包括指令，當一電腦執行程式時，該指令致給電腦執行如申請專利範圍第11項之方法。
一種用於使流通槽基板圖案化之方法，其包含：製備用於經光起始化學反應之流通槽，其中該流通槽包括：基板，其上形成有光耦合光柵；第一材料層，其安置於該基板上方；第二材料層，其安置於該第一材料層上方；及奈米井，其形成於該第二材料層中，其中每一奈米井包括頂部部分及底部部分，且其中製備該流通槽包括：使該第二材料層矽烷化；用第一組反應物塗佈該矽烷化第二材料層及該等奈米井；將第二組反應物引入至該等奈米井中，其中該第二組反應物包括至少一種目標反應物、銅螯合配位體及光敏光起始劑體系；及在該流通槽內內部地將光通過該等光耦合光柵僅引導至每一奈米井之該底部部分，以用於在該第一組反應物與該第二組反應物之間光起始化學反應，其中該經光起始化學反應將該目標反應物僅共價結合至每一奈米井之該底部部分，其中該方法不存在拋光步驟以移除在該等奈米井之間的填隙區中發現的任何現有表面化學物質。
如請求項1之方法，其進一步包含將未反應之反應物自該等奈米井洗除。
如請求項1之方法，其進一步包含將聚合物及結合至該聚合物之疊氮部分用作該第一組反應物。
如請求項3之方法，其進一步包含將聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基))丙烯醯胺用作該聚合物。
如請求項1之方法，其進一步包含將使用約470nm之光波長的樟腦醌-胺光敏體系用作該光敏光起始劑體系及/或將炔烴鍵聯引子用作該目標反應物。
如請求項1之方法，其進一步包含將雷射用作光源。
如請求項1之方法，其進一步包含將具有在1.0至1.3之範圍內之折射率的材料用於該基板並將具有在2.0至2.15之範圍內之折射率的材料用於該第一材料層。
如請求項1之用於使流通槽基板圖案化之方法，其進一步包含：製造流通槽，其中製造該流通槽包括：在玻璃基板層上形成光耦合光柵層；在該光耦合光柵層上沉積第一材料層，該第一材料層為核心層；在該核心層上沉積第二材料層，該第二材料層為包覆層；及在該包覆層中形成奈米井基板，其中每一奈米井基板包括頂部部分及底部部分，且其中該等奈米井基板在其之間界定填隙區域。
如請求項8之方法，其中該流通槽為平面波導流通槽。
如請求項8之方法，其中該第一組反應物進一步包括聚合物、結合至該聚合物之疊氮部分、銅配位體及光敏光起始劑體系；且其中在用該第一組反應物塗佈該矽烷化第二材料層之後以及在將該第二組反應物引入之前，該方法包括以下步驟：在該流通槽內內部地將預定波長之光僅引導至每一奈米井基板之該底部部分，以用於在該第一組反應物中之該等反應物之間光起始化學反應，其中該經光起始化學反應將該聚合物僅共價結合至每一奈米井基板之該底部部分；其中該在該流通槽內內部地將預定波長之光僅引導至每一奈米井基板之該底部部分之進一步步驟，該步驟係在將該第二組反應物引入之後進行，該步驟係用於在該經共價結合聚合物與該第二組反應物之間光起始化學反應。
如請求項10之方法，其中該方法包含在每一經光起始化學反應之後將未反應之反應物自該等奈米井基板洗除。
如請求項10之方法，其進一步包含將3-疊氮基丙基三甲氧基矽烷用於使該包覆層矽烷化。
如請求項12之方法，其中藉由3-疊氮基丙基三甲氧基矽烷之氣相沉積來實行矽烷化。
如請求項4之方法，此後使用經光起始反應將聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基))丙烯醯胺交聯至疊氮部分，該經光起始反應使用雙官能交聯劑。
如請求項1之方法，其中藉助於降冰片烯矽烷之化學氣相沉積來實行矽烷化。
如請求項4之方法，其中藉助於以下程序將聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基))丙烯醯胺旋塗於該矽烷化第二材料層上：步驟1：600rpm，5秒，加速度1500rpm/秒；步驟2：1500rpm，30秒，加速度5000rpm/秒；步驟3：4000rpm，5秒，加速度5000rpm/秒；步驟4：600rpm，5秒，加速度5000rpm/秒。
如請求項16之方法，其中該方法進一步包含隨後在65℃至75℃下加熱該該矽烷化第二材料層1小時。
如請求項4之方法，其中使用該光將該聚(N-(5-疊氮基乙醯胺基戊基))丙烯醯胺共價結合至該等奈米井之底部處之表面。
如請求項1之方法，其中隨後使用EDTA(0.1M)之稀溶液移除銅。
如請求項18之方法，其中該光為雷射光。
一種如請求項1之方法所製造的用於經光起始化學反應之流通槽。
一種用於經光起始化學反應之系統，其包含如請求項1之方法所製造的流通槽及光源。
一種使用如請求項1之方法所製造的流通槽或如請求項22之系統對核酸進行定序的方法。
如請求項22之系統，其中該光源為雷射光源。
一種雜環化合物，由以下化學式1表示：<figure><img align="absmiddle" height="364px" width="569px" file="d10111.TIF" alt="化學式ed10111.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10111.png"/></figure>其中，在化學式1中，R1為氫；或氘；R2和R3彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的C1至C20烷基；未經取代的苯基，或者彼此相鄰的二或更多個基團彼此鍵結以形成苯環；L1為直接鍵；經取代或未經取代的伸苯基；或者經取代或未經取代的伸聯苯基；L2和L3各自獨立地為直接鍵；Z1為鹵素基；氰基；-P(=O)(R104')(R105')；經取代或未經取代的甲基；未經取代或經咔唑基取代的苯基；聯苯基；三聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的蒽基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的芘基；經取代或未經取代的芴基；經取代或未經取代的螢蒽基；經取代或未經取代的嘧啶基；經取代或未經取代的三嗪基；經取代或未經取代的喹唑啉基；經取代或未經取代的咔唑基；經取代或未經取代的啡啉基；經取代或未經取代的啡啶基；經取代或未經取代的苯並啡啶基；經取代或未經取代的二苯並呋喃基；經取代或未經取代的二苯並噻吩基；經取代或未經取代的二苯並環丁碸；經取代或未經取代的螺環[芴-9,9'-呫噸]；經取代或未經取代的苯並[4,5]噻吩並[3,2-d]嘧啶基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[3,2-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[3,2-c]喹啉基；或者經取代或未經取代的吡唑並[5,1-a]異喹啉基；Z2和Z3彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；鹵素基；氰基；-P(=O)(R104')(R105')；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C2至C60烯基；經取代或未經取代的C1至C60烷氧基；經取代或未經取代的C3至C60環烷基；未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的三聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的蒽基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的芘基；經取代或未經取代的芴基；經取代或未經取代的螢蒽基；經取代或未經取代的嘧啶基；經取代或未經取代的三嗪基；經取代或未經取代的喹唑啉基；經取代或未經取代的咔唑基；經取代或未經取代的啡啉基；經取代或未經取代的啡啶基；經取代或未經取代的苯並啡啶基；經取代或未經取代的二苯並呋喃基；經取代或未經取代的二苯並噻吩基；經取代或未經取代的二苯並環丁碸；經取代或未經取代的螺環[芴-9,9'-呫噸]；經取代或未經取代的苯並[4,5]噻吩並[3,2-d]嘧啶基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[3,2-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[3,2-c]喹啉基；或者經取代或未經取代的吡唑並[5,1-a]異喹啉基；R104、R105、R104'及R105'各自獨立地為氫；氘；鹵素基；烷基；烯基；烷氧基；環烷基；芳基；或雜環基；r1及r2分別為1至3的整數；r3為1至4的整數；l1至l3以及z'1至z'3各自獨立地為1至5的整數；且當r1至r3、l1至l3及z'1至z'3分別為2或大於2時，括弧中的取代基彼此相同或不同。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1由以下化學式1-1至1-4中的任一者表示：[化學式1-1]<figure><img align="absmiddle" height="401px" width="578px" file="d10112.TIF" alt="化學式ed10112.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10112.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="415px" width="587px" file="d10113.TIF" alt="化學式ed10113.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10113.png"/></figure>[化學式1-3]<figure><img align="absmiddle" height="291px" width="559px" file="d10114.TIF" alt="化學式ed10114.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10114.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="344px" width="544px" file="d10115.TIF" alt="化學式ed10115.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10115.png"/></figure>在化學式1-1至1-4中，r1至r3、l1至l3及z'1至z'3具有與化學式1中相同的定義；R11為氫；或氘；R12和R13彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；經取代或未經取代的C1至C20烷基；未經取代的苯基，或者彼此相鄰的二或更多個基團彼此鍵結以形成苯環；L11為直接鍵；經取代或未經取代的伸苯基；或者經取代或未經取代的伸聯苯基；L12和L13各自獨立地為直接鍵；Z11為鹵素基；氰基；-P(=O)(R104')(R105')；經取代或未經取代的甲基；未經取代或經咔唑基取代的苯基；聯苯基；三聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的蒽基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的芘基；經取代或未經取代的芴基；經取代或未經取代的螢蒽基；經取代或未經取代的嘧啶基；經取代或未經取代的三嗪基；經取代或未經取代的喹唑啉基；經取代或未經取代的咔唑基；經取代或未經取代的啡啉基；經取代或未經取代的啡啶基；經取代或未經取代的苯並啡啶基；經取代或未經取代的二苯並呋喃基；經取代或未經取代的二苯並噻吩基；經取代或未經取代的二苯並環丁碸；經取代或未經取代的螺環[芴-9,9'-呫噸]；經取代或未經取代的苯並[4,5]噻吩並[3,2-d]嘧啶基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[3,2-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[3,2-c]喹啉基；或者經取代或未經取代的吡唑並[5,1-a]異喹啉基；Z12和Z13彼此相同或不同，且各自獨立地為鹵素基；氰基；-P(=O)(R104')(R105')；經取代或未經取代的C1至C60烷基；經取代或未經取代的C2至C60烯基；經取代或未經取代的C1至C60烷氧基；經取代或未經取代的C3至C60環烷基；未經取代的苯基；經取代或未經取代的聯苯基；經取代或未經取代的三聯苯基；經取代或未經取代的萘基；經取代或未經取代的蒽基；經取代或未經取代的菲基；經取代或未經取代的芘基；經取代或未經取代的芴基；經取代或未經取代的螢蒽基；經取代或未經取代的嘧啶基；經取代或未經取代的三嗪基；經取代或未經取代的喹唑啉基；經取代或未經取代的咔唑基；經取代或未經取代的啡啉基；經取代或未經取代的啡啶基；經取代或未經取代的苯並啡啶基；經取代或未經取代的二苯並呋喃基；經取代或未經取代的二苯並噻吩基；經取代或未經取代的二苯並環丁碸；經取代或未經取代的螺環[芴-9,9'-呫噸]；經取代或未經取代的苯並[4,5]噻吩並[3,2-d]嘧啶基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並呋喃並[3,2-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[2,3-c]喹啉基；經取代或未經取代的苯並噻吩並[3,2-c]喹啉基；或者經取代或未經取代的吡唑並[5,1-a]異喹啉基；且R104、R105、R104'及R105'各自獨立地為氫；氘；鹵素基；烷基；烯基；烷氧基；環烷基；芳基；或雜環基。
如請求項1所述的雜環化合物，其中化學式1是由以下化合物中的任一者表示：<figure><img align="absmiddle" height="787px" width="643px" file="d10116.TIF" alt="化學式ed10116.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10116.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="868px" width="636px" file="d10117.TIF" alt="化學式ed10117.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10117.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="967px" width="612px" file="d10118.TIF" alt="化學式ed10118.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10118.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="530px" width="625px" file="d10119.TIF" alt="化學式ed10119.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10119.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="531px" width="622px" file="d10120.TIF" alt="化學式ed10120.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10120.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="568px" width="596px" file="d10121.TIF" alt="化學式ed10121.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10121.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="658px" width="677px" file="d10122.TIF" alt="化學式ed10122.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10122.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="784px" width="637px" file="d10123.TIF" alt="化學式ed10123.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10123.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="848px" width="570px" file="d10124.TIF" alt="化學式ed10124.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10124.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="831px" width="592px" file="d10125.TIF" alt="化學式ed10125.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10125.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="762px" width="587px" file="d10126.TIF" alt="化學式ed10126.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10126.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="896px" width="626px" file="d10127.TIF" alt="化學式ed10127.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10127.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="849px" width="591px" file="d10128.TIF" alt="化學式ed10128.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10128.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="825px" width="593px" file="d10129.TIF" alt="化學式ed10129.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10129.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="851px" width="586px" file="d10130.TIF" alt="化學式ed10130.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10130.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="840px" width="588px" file="d10131.TIF" alt="化學式ed10131.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10131.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="898px" width="644px" file="d10132.TIF" alt="化學式ed10132.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10132.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="836px" width="645px" file="d10133.TIF" alt="化學式ed10133.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10133.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="850px" width="616px" file="ed10134.bmp" alt="化學式ed10134.bmp" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="763px" width="605px" file="d10135.TIF" alt="化學式ed10135.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10135.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="841px" width="591px" file="d10136.TIF" alt="化學式ed10136.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10136.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="868px" width="573px" file="d10137.TIF" alt="化學式ed10137.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10137.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="663px" width="624px" file="d10138.TIF" alt="化學式ed10138.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10138.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="854px" width="617px" file="d10139.TIF" alt="化學式ed10139.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10139.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="607px" width="632px" file="d10140.TIF" alt="化學式ed10140.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10140.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="677px" width="589px" file="d10141.TIF" alt="化學式ed10141.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10141.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="634px" width="641px" file="d10142.TIF" alt="化學式ed10142.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10142.png"/></figure>
一種有機發光裝置，包括：第一電極；第二電極；以及有機材料層，設置於所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述有機材料層包含一或多種類型的如請求項1至3中任一項所述的雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光裝置，其中所述有機材料層包括電子傳輸層，且所述電子傳輸層包含一或多種類型的所述雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光裝置，其中所述有機材料層包括電洞阻擋層，且所述電洞阻擋層包含一或多種類型的所述雜環化合物。
如請求項4所述的有機發光裝置，更包括選自由發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、電子阻擋層及電洞阻擋層組成的群組中的一個層。
如請求項4所述的有機發光裝置，包括：第一堆疊，設置在所述第一電極上且包括第一發光層；電荷產生層，設置在所述第一堆疊上；以及第二堆疊，設置在所述電荷產生層上且包括第二發光層，其中所述第二電極設置在所述第二堆疊上。
如請求項8所述的有機發光裝置，其中所述電荷產生層包含所述雜環化合物。
如請求項9所述的有機發光裝置，其中所述電荷產生層是N型電荷產生層，且所述N型電荷產生層包含所述雜環化合物。
一種半導體裝置的形成方法，包括：形成一鰭狀物於一多層堆疊中，且該鰭狀物包括一基板與該基板上的至少一第一層；形成一虛置閘極於該鰭狀物上；蝕刻一開口於與該虛置閘極相鄰的該鰭狀物中；沿著該開口的一側壁形成一凹陷，且該凹陷形成於該至少一第一層中；沉積一間隔物材料於該凹陷中；形成一底間隔物於該開口中的底部，且該底間隔物與該間隔物材料具有一第一界面；形成一源極/汲極區於該底間隔物上；以及將該虛置閘極的至少一部分置換為一閘極；形成一介電結構穿過該閘極至該鰭狀物的該基板中，且該介電結構的底部高於該底間隔物的底部。
如請求項1之半導體裝置的形成方法，其中該凹陷中的該間隔物材料的厚度大於該至少一第一層的厚度。
一種半導體裝置的形成方法，包括：蝕刻一第一開口穿過一閘極，且該第一開口中露出一閘極介電層；移除該第一開口中的該閘極介電層，其中移除該閘極介電層之後露出一基板的一部分、多個奈米線的一堆疊、與多個隔離區，其中該些奈米線的該堆疊包括一第一奈米線位於該基板上以及一第二奈米線位於該第一奈米線上；進行一蝕刻製程以移除該第一開口中的該些奈米線的該堆疊，並使該基板的部分凹陷至該些隔離區的上表面與該些隔離區的下表面之間的一第一水平；以及沉積一介電材料於該第一開口中，且該介電材料隔離該閘極的第一部份與該閘極的第二部分。
如請求項3之半導體裝置的形成方法，其中該第一水平低於該些隔離區的上表面的距離為頂多20nm。
一種半導體裝置的形成方法，包括：形成多個奈米結構的一堆疊於一第一半導體鰭狀物上，且該第一半導體鰭狀物位於一基板上；形成一隔離區延伸於該第一半導體鰭狀物與該基板上的一第二半導體鰭狀物之間，該隔離區的一第一表面遠離該基板，且該第一表面與該基板隔有一第一距離；形成一第一底間隔物朝該基板向下延伸至該第二半導體鰭狀物中，且該第一底間隔物延伸至該基板上的一第一水平；形成一介電材料以與該些奈米結構的該堆疊中的每一該些奈米結構相鄰，且該介電材料的一第一部分與該第二半導體鰭狀物相鄰，而該第一部分與該基板隔有一第二距離且該第一部分高於該第一水平，且該第二距離小於該第一距離；以及在形成該介電材料之前，形成一閘極以圍繞該些奈米結構的該堆疊中的每一該些奈米結構，其中形成該介電材料之後的該閘極與該介電材料相鄰。
如請求項5之半導體裝置的形成方法，其中該第二距離頂多比該第一距離小20nm。
一種半導體裝置，包括：一第一奈米結構與一第二奈米結構，位於一半導體基板上的一鰭狀物之上；一第一內側間隔物，位於該第一奈米結構與該半導體基板之間；一第一間隔物材料，物理接觸該第一內側間隔物；一第一源極/汲極區，位於該第一間隔物材料與該第一內側間隔物上並物理接觸該第一間隔物材料與該第一內側間隔物；一閘極，圍繞該第一奈米結構與該第二奈米結構；以及一介電結構，延伸穿過該閘極至該鰭狀物中，且該介電結構的底部高於該第一間隔物材料的底部。
如請求項7之半導體裝置，其中該第一間隔物材料的高度介於約3nm至約30nm之間。
一種半導體裝置，包括：一第一底間隔物，分隔一第一源極/汲極區與一半導體基板；一第一內側間隔物，物理接觸該第一底間隔物與該第一源極/汲極區；一第一奈米結構，物理接觸該第一內側間隔物與該第一源極/汲極區；一第二奈米結構，位於該第一奈米結構上；一閘極，圍繞該第一奈米結構與該第二奈米結構；以及一介電材料，與該閘極相鄰，該介電材料的下表面比該第一底間隔物更遠離該半導體基板。
一種半導體裝置，包括：多個奈米結構的一堆疊，位於一第一半導體鰭狀物上，且該第一半導體鰭狀物位於一基板上；一隔離區，延伸於該基板上的該第一半導體鰭狀物與一第二半導體鰭狀物之間，該隔離區的一第一表面遠離該基板，且該第一表面與該基板隔有一第一距離；一閘極，圍繞該些奈米結構的該堆疊中的每一該些奈米結構；以及一介電材料，與該閘極相鄰，該介電材料具有一第一下表面，且該介電材料的一第一部分與該第二半導體鰭狀物相鄰，該第一部分與該基板隔有一第二距離，且該第二距離小於該第一距離；以及一第一底間隔物，與該介電材料相鄰，該第一底間隔物具有一第二下表面，且該第二下表面低於該第一下表面。
一種磁耦合裝置，其包含：一第一芯及一第二芯，其在一第一方向上彼此間隔開；一第一線圈及一第二線圈，其安置於處於在該第一方向上彼此間隔開之一狀態中的該第一芯與該第二芯之間；及一芯連接器，其電連接至該第一芯及該第二芯，其中在該第一方向上之該第一線圈與該第二線圈之間的一間隔距離為在該第一方向上之該第一芯之一厚度與在該第一方向上之該第二芯之一厚度的一總和的0.004倍至0.025倍，且其中該芯連接器接觸該第一芯之一外側表面及該第二芯之一外側表面。
如請求項1之磁耦合裝置，其中該第一芯包含在該第一方向上突出之複數個第一突起，且其中該第二芯包含在該第一方向上突出之複數個第二突起。
如請求項2之磁耦合裝置，其中該複數個第一突起與該複數個第二突起彼此相對。
如請求項3之磁耦合裝置，其中該複數個第一突起中之每一者在一第二方向上延伸，該第二方向垂直於該第一方向，且其中該複數個第二突起中之每一者在該第二方向上延伸。
如請求項4之磁耦合裝置，其中該複數個第一突起包含在一第三方向上彼此間隔開之兩個第一外部支腳及安置於該兩個第一外部支腳之間的一第一中心支腳，且其中該複數個第二突起包含在該第三方向上彼此間隔開之兩個第二外部支腳及安置於該兩個第二外部支腳之間的一第二中心支腳，其中該第三方向垂直於該第一方向及該第二方向。
如請求項5之磁耦合裝置，其中在該第三方向上之該等第一外部支腳中之每一者的一寬度小於在該第三方向上之該第一中心支腳的一寬度。
如請求項1之磁耦合裝置，其中該第一芯及該第二芯中之每一者包含一第一側表面、一第二側表面、一第三側表面及一第四側表面，該第一側表面與該第二側面表面彼此相對，該第三側表面及該第四側表面垂直於該第一側表面，該第三側表面與該第四側表面彼此相對，且其中該第一線圈及該第二線圈自該第一芯之該第三側表面及該第四側表面的內部向外延伸。
如請求項7之磁耦合裝置，其中該芯連接器自該第一芯之該第三側表面延伸至該第二芯之該第三側表面。
如請求項8之磁耦合裝置，其中該芯連接器之一面積為該第三側表面之一面積的1/4至1/2倍。
如請求項1之磁耦合裝置，其進一步包含：一絕緣薄膜，其覆蓋該芯連接器之一外表面，其中該絕緣薄膜將該芯連接器、該第一芯及該第二芯耦接至彼此。
如請求項10之磁耦合裝置，其中該芯連接器不延伸至該第一芯之一上表面及該第二芯之一下表面。
如請求項11之磁耦合裝置，其中該芯連接器包含銅(Cu)，其中初級線圈包含在一圓周方向上捲繞複數次之一導電線，且其中次級線圈包含一印刷電路板。
一種磁耦合裝置，其包含：一第一芯及一第二芯，其在一第一方向上彼此間隔開；一第一線圈及一第二線圈，其安置於處於在該第一方向上彼此間隔開之一狀態中的該第一芯與該第二芯之間；一絕緣部件，其安置於該第一線圈與該第二線圈之間；及一芯連接器，其電連接至該第一芯及該第二芯，其中在該第一方向上之該絕緣部件的一厚度為在該第一方向上之該第一芯之一厚度與在該第一方向上之該第二芯之一厚度的一總和的0.004至0.025倍；其中該第一芯包含一第一上表面、與該第一上表面相對之一第一下表面，及安置於該第一上表面與該第一下表面之間的一第一側表面，其中複數個第一凹槽自該第一芯之該第一下表面朝向該第一芯之該第一上表面凹入，其中該第一側表面包括一1-1側表面及與該1-1側表面相對之一1-2側表面，其中該複數個第一凹槽自該1-1側表面延伸至該1-2側表面；其中該第二芯包含一第二上表面、與該第二上表面相對之一第二下表面，及安置於該第二上表面與該第二下表面之間的一第二側表面，其中複數個第二凹槽自該第二芯之該第二上表面朝向該第二芯之該第二下表面凹入，其中該第二側表面包括一2-1側表面及與該2-1側表面相對之一2-2側表面，其中該複數個第二凹槽自該2-1側表面延伸至該2-2側表面；其中該第一芯包含一1-3側表面及一1-4側表面，該1-3側表面及該1-4側表面垂直於該1-1側表面及該1-2側表面，該1-3側表面與該1-4側表面彼此相對，其中該第二芯包含一2-3側表面及一2-4側表面，該2-3側表面及該2-4側表面垂直於該2-1側表面及該2-2側表面，該2-3側表面與該2-4側表面彼此相對，其中該1-3側表面及該2-3側表面在一相同方向上定向，且其中該芯連接器自該1-3側表面延伸至該2-3側表面；其中該芯連接器之一面積為該1-3側表面之一面積與該2-3側表面之一面積的一總和的1/4至1/2倍。
如請求項13之磁耦合裝置，其中該絕緣部件包含一第一絕緣層及一第二絕緣層，其中該第一絕緣層安置於該第一線圈之一下表面上，其中該第二絕緣層安置於該第二線圈之一上表面上。
如請求項13之磁耦合裝置，其中該第一下表面包含由該複數個第一凹槽劃分的一1-1下表面、一1-2下表面及一1-3下表面，該1-3下表面位於該1-1下表面與該1-2下表面之間，其中該1-1下表面、該1-2下表面及該1-3下表面在一第二方向上自該1-1側表面至該1-2側表面之長度彼此相等，且其中該1-3下表面在一第三方向上自該1-1下表面至該1-2下表面之一寬度大於在該第三方向上之該1-1下表面之一寬度。
一種研磨用組成物，其包含研磨粒、鹼性化合物、pH緩衝劑及水，作為前述pH緩衝劑，包含酸解離常數(pKa)值之至少一者為9~11的範圍之鹽S<sub>L</sub>，以及pKa值之至少一者為12以上之鹽S<sub>H</sub>，作為前述鹽S<sub>H</sub>，包含選自由矽酸、鍺酸、精胺酸、氮基三(甲基膦酸)、磷酸、及四甲基胍所成群組的至少一種的化合物的鹽，前述矽酸的鹽包含鹼金屬鹽，前述磷酸的鹽包含鹼金屬鹽。
如請求項1之研磨用組成物，其中，相對於前述鹽S<sub>L</sub>的含量(C<sub>L</sub>)之前述鹽S<sub>H</sub>的含量(C<sub>H</sub>)的比(C<sub>H</sub>/C<sub>L</sub>)為0.1以上、10以下。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中，作為前述鹽S<sub>L</sub>，包含碳酸鹽。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中，作為前述pH緩衝劑，包含具有有機碳的鹽。
如請求項4之研磨用組成物，其中，前述具有有機碳的鹽為選自有機碳酸鹽及有機碳酸氫鹽。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中，作為前述研磨粒，包含二氧化矽粒子。
如請求項1或2之研磨用組成物，其中，作為前述鹼性化合物，包含氫氧化四級銨類。
如請求項1或2之研磨用組成物，其係使用於已附加硬雷射標誌的矽晶圓的研磨步驟。
一種壓縮模製設備，包含：<br/> 用於由聚合物材料之一劑量(10)形成一物件(11)的至少一個模具(6)；<br/> 一運送裝置(8)，該運送裝置(8)具有一中心支撐件(13)，該中心支撐件(13)可繞一第一軸線(Z1)旋轉，該運送裝置(8)包含至少一個運送元件(9、109、209)，該至少一個運送元件(9、109、209)可沿一第一閉合路徑(P1)移動，用於收集該劑量(10)且隨後將該劑量(10)釋放在該模具(6)中；<br/> 一移除裝置(12)，該移除裝置(12)具有一中心主體(14)，該中心主體(14)可繞一第二軸線(Z2)旋轉，該移除裝置(12)包含至少一個移除元件(17)，該至少一個移除元件(17)可沿一第二閉合路徑(P2)移動，該移除元件(17)經組配來將來自該模具(6)之該物件(11)朝向一出料運送機(18)運送；<br/> 其中該第一軸線(Z1)與該第二軸線(Z2)相異，且存在選自該第一閉合路徑(P1)與該第二閉合路徑(P2)之間的一個路徑與選自該第二閉合路徑(P2)與該第一閉合路徑(P1)之間的另一路徑重疊的至少一個點(O1、O2)；<br/> 且其中該模具(6)可在一移動方向(RS)上移動，該運送元件(9)可在一第一前進方向(R1)上沿該第一閉合路徑(P1)移動，該移除元件(17)可在相對於該移動方向(RS)相反的一第二前進方向上沿該第二閉合路徑(P2)移動，其中該第一前進方向(R1)相對於該移動方向(RS)與其相反；<br/> 且其中該第一軸線(Z1)與該第二軸線(Z2)兩者皆在該第一閉合路徑(P1)與該第二閉合路徑(P2)內。
如請求項1之設備，其中該模具(6)包含一凸形部分(28)及一凹形部分(29)，該移除元件(17)經組配來在其中該移除元件(17)介入該凸形部分(28)與該凹形部分(29)之間的一移除位置(RP)中收納該物件(11)。
如請求項1或2之設備，且進一步包含用於分配該聚合物材料的一分配裝置(2)，該分配裝置(2)具有一出料開口(3)，該出料開口(3)面向下，用於在一出料方向(E)上分配聚合物材料之一連續擠出物，該移除元件(17)經組配來從該出料開口(3)下方經過，以便收集該劑量(10)。
如請求項3之設備，其中在該出料開口(3)附近，該第二閉合路徑(P2)相對於該第一閉合路徑(P1)側向地位移，以便防止該移除元件(17)沿著該第二閉合路徑(P2)與該出料開口(3)垂直對準且避免該移除元件(17)與該連續擠出物之間的干擾。
如請求項1之設備，其中該模具(6)包含一凸形部分(28)及一凹形部分(29)，該凸形部分(28)定位在該凹形部分(29)下方。
如請求項1之設備，其中該第一閉合路徑(P1)包含至少一個圓形部分，該第二閉合路徑(P2)包含至少一個圓形部分(P2C)，該第一圓形部分具有一半徑(D1)，該半徑(D1)小於該第二圓形部分(P2C)之該半徑(Dd2)。
如請求項1之設備，其中選自該第一閉合路徑(P1)與該第二閉合路徑(P2)之間的該路徑在彼此相異且彼此相距一距離的兩個點(O1、O2)處與選自該第二閉合路徑(P2)與該第一閉合路徑(P1)之間的該另一路徑重疊，且其中該第一閉合路徑(P1)及該第二閉合路徑(P2)在定位於該等兩個點(O1、O2)中之每一個之上游及下游的個別部分中彼此不重疊。
如請求項1之設備，其中：<br/> 該模具(6)可沿一軌跡(PS)移動；<br/> 一輸送位置(DP)經沿該軌跡(PS)限定，該模具(6)在該輸送位置(DP)中處於該運送元件(9、109、209)附近，使得該運送元件(9、109、209)將該劑量(10)釋放在該模具(6)中；<br/> 一移除位置(RP)經沿該軌跡(PS)限定，該模具(6)在該移除位置(RP)中處於該移除元件(17)附近，使得該移除元件(17)收納來自該模具(6)之該物件(11)，用於自該模具(6)移離該物件(11)；<br/> 該輸送位置(DP)與該移除位置(RP)相異。
如請求項8之設備，其中該輸送位置(DP)沿該軌跡(PS)限定於相對於沿著該軌跡(PS)的該模具(6)之一移動方向(RS)的該移除位置(RP)上游。
如請求項8或9之設備，其中該軌跡(PS)繞一中心軸線(A)延伸，該輸送位置(DP)及該移除位置(RP)配置在彼此相距繞該中心軸線(A)計算的小於或等於20°的一角距離(Q)處。
如請求項1之設備，其中該第二閉合路徑(P2)定位在相較於該第一閉合路徑(P1)的一較高水平處。
如請求項1之設備，其中該第一閉合路徑(P1)為一圓形路徑。
如請求項1之設備，其中該出料運送機(18)定位在該移除裝置(12)下游，該第二閉合路徑(P2)具有一非圓形部分(P2E)，該非圓形部分(P2E)以使得該移除元件(17)逐漸自該第二軸線(Z2)移離該物件(11)以將該物件(11)輸送至該出料運送機(18)的方式組配。
如請求項1之設備，其中該第一軸線(Z1)平行於該第二軸線(Z2)。
如請求項1之設備，其中該中心支撐件(13)及該中心主體(14)可藉由一共用馬達(30)驅動以分別繞該第一軸線(Z1)及繞該第二軸線(Z2)旋轉。
如請求項15之設備，且進一步包含一齒輪傳動裝置(32)，該共用馬達(30)可藉由該齒輪傳動裝置(32)使該中心支撐件(13)及該中心主體(14)旋轉。
如請求項1之設備，其中該運送元件(9、109、209)進一步可繞橫向於該第一軸線(Z1)定位的一旋轉軸線(R)旋轉，以便將該劑量(10)自該劑量(10)藉以由該運送元件(9、109、209)收納的一第一定向轉動至該劑量(10)藉以由該運送元件(9、109、209)釋放在該模具(6)中的一第二定向。
如請求項17之設備，且進一步包含用於使該運送元件(9、109、209)在該第一定向與該第二定向之間移動的一移動裝置(39)，該移動裝置(39)包含兩個凸輪(40、45)，該等兩個凸輪(40、45)彼此協同操作，使得該運送元件(9、109、209)當其沿著該第一閉合路徑(P1)移動時，繞該旋轉軸線(R)旋轉。
如請求項18之設備，其中該移動裝置(39)進一步包含一托架(42)，該托架(42)與該運送元件(9、109、209)相關聯，該托架(42)藉由該中心支撐件(13)可滑動地支撐，該等兩個凸輪(40、45)包含配置在一固定位置中用於自該第一軸線(Z1)移離該托架(42)或朝向該第一軸線(Z1)移動該托架(42)的一第一凸輪(40)。
如請求項19之設備，其中該等兩個凸輪(40、45)包含相對於該運送元件(9、109、209)固定的一又一凸輪(45)，該又一凸輪(45)能夠藉助於該托架(42)繞該旋轉軸線(R)振盪。
如請求項20之設備，其中該托架(42)支撐可與該第一凸輪(40)之一凸輪輪廓(41)嚙合的一第一凸輪從動件(44)及可與該又一凸輪(45)之一導引輪廓(47)嚙合的一第二凸輪從動件(48)。
一種製備複合濾料(1)的方法，其特徵在於該方法包括：一利用一靜電紡絲製程及透過奈米纖維 (4) 的沉積在一基底織物 (2) 上形成一第一濾料 (8) 的步驟；隨後覆蓋該複合濾料(1)之步驟為透過在一電漿處理室(9)一電漿沉積的聚合物層(7)覆蓋第一濾料(8) ，在有形成聚合物層的氣體存在下，前述的聚合物層(7)覆蓋該基底織物(2)與該奈米纖維(4)的表面；及一隨後透過對先前電漿沉積步驟中所獲得的複合濾料(1)進行電漿處理，以在前述聚合物層(7)的表面上形成凹凸； <br/> 該靜電紡絲製程涉及利用一噴嘴 (5) 擠出溶解在合適溶劑中的聚合物，以及隨後在該噴嘴本體及一電極之間拉伸該奈米纖維，從而在適當地插入噴嘴和電極之間的該基底織物(2)上獲得奈米纖維的沉積，如此獲得的第一濾料 (8) 隨後過在基底織物（2）和奈米纖維層（4）的暴露表面上透過電漿沉積奈米厚度的聚合物層（7）進行表面處理， 從而獲得該上述複合濾料（1）， 其中上述該等基底織物（2）的單絲（3）和上述該等奈米纖維（4）的外表面塗有該聚合物層（7）， 由此獲得的複合濾料隨後在存有載氣及沒有任何含聚合物氣體的情況下進行的電漿處理的額外步驟； <br/> 該上述之電漿沉積處理包括真空度為10-50毫托，電極功率為150-350瓦及接觸時間為0.5分鐘至6分鐘的設定條件；<br/> 該上述額外的電漿處理的額外步驟包括產生10-400毫托的工作壓力，100-2000瓦電極功率， 以及5秒至5分鐘的暴露時間；<br/> 該上述之載氣是選自氮、或 氦、或 氬、 以及或 氧之一種。
一種依據請求項1所述的方法所製得之複合濾料，其類型包括沉積有奈米纖維（4）的一基底織物（2）， 其特徵在於該基底織物(2)及該奈米纖維(4)被一奈米級聚合物層(7) 所覆蓋，應用一電漿製程，該奈米級聚合物層(7)具有通過沒有任何含聚合物氣體的情況下進行的電漿處理獲得的一奈米槽；藉此增進該聚合物層與壓敏膠黏著層之附著性，並維持其疏水表面性質。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該上述聚合物層（7）是係經由膜所形成，且厚度為15-60奈米。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該上述之聚合物層 (7)是一基於氟碳丙烯酸酯及具有拒水和拒油特性的聚合物層。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該基底織物(2)係由單絲 (3)組成，前述的單絲(3) 是聚酯、 或聚醯胺、 或聚丙烯、 或聚醚碸、 或聚醯亞胺、 或聚醯胺醯亞胺、 或聚苯硫醚、 或聚醚醚酮、 或聚偏二氟乙烯、或聚四氟乙烯、 或芳綸之一種所形成。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該上述之基底織物 (2) 具有一2500-5 微米之網孔。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該上述之基底織物 (2) 具有一4-300 織線/厘米的紡織結構， 織線直徑為10-500 微米，編織的重量為15-300 g/m<sup>2</sup>及厚度為18-1000 微米。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該上述之奈米纖維 (4) 是聚酯、 聚氨酯、 聚醯胺、 聚醯亞胺、 聚丙烯、 聚碸、 聚醚碸、 聚醯胺醯亞胺、 聚苯硫醚、 聚醚醚酮、 聚偏二氟乙烯、 聚四氟乙烯、 藻酸鹽、 聚碳酸酯、 聚乙烯醇 (PVA)、 PLA(聚乳酸)、 PAN (聚丙烯腈)、 PEVA (聚乙烯-醋酸乙烯共聚物)、 PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、 PEO (聚環氧乙烷)、 PE (聚乙烯)、 PVC、 PI 或聚苯乙烯 奈米纖維。
如請求項2所述的複合濾料，其特徵在於該奈米纖維 (4)是聚偏二氟乙烯 (PVDF)材質具有介於50 奈米及 700 奈米之間的直徑。
一種運用請求項2所述的複合濾料之應用， 該應用是為保護手機中的電聲組件。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，<img align="absmiddle" height="142px" width="286px" file="ed10396.jpg" alt="ed10396.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中：X為氮或-CH-；U為CH或CMe；Y為CH；<img align="absmiddle" height="9px" width="27px" file="ed10397.jpg" alt="ed10397.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>指示單鍵或雙鍵；R1a、R1b各自獨立地為氫、直鏈C1-C6烷基，或可與其所結合之原子一起形成(C3-C6)環烷基；A為苯基、吡啶基或嘧啶基；R4為氫；R5a及R5b可與其所結合之原子一起形成視情況經取代之3員至7員環烷基或含有選自O、N-R6之雜原子的雜環基；其中：R6為視情況經取代之直鏈或分支鏈C1-C6烷基或-COR8；其中：R8為視情況經取代之直鏈或分支鏈C1-C6烷基；M為鍵、NH或NR6，其中R6如上文所定義；G1為N、CH或CO；Z1為CR9aR9b；Z2為CR10aR10b；其中：R9a、R9b、R10a及R10b獨立地為氫或視情況經取代之直鏈C1-C6烷基；m1為1或2；m2為0、1或2；E為CN，或式-COR11之基團；其中：R11為視情況經取代之直鏈或分支鏈C2-C6烷基或C2-C6烯基或C2-C6炔基；R2為選自以下之視情況經取代的基團：直鏈或分支鏈C1-C6烷基或環戊基；R3為氫、氰基、NH2或NR12aR12b；其中：R12a、R12b各自獨立地選自氫或直鏈C1-C6烷基。
如請求項1之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：R1a、R1b各自獨立地為氫、直鏈C1-C3烷基，或可與其所結合之原子一起形成環丙基；A為苯基或吡啶基；R5a及R5b可與其所結合之原子一起形成視情況經取代之3員至7員環烷基或含有一個選自O或N-R6之雜原子的雜環基；其中：R6為直鏈或分支鏈(C1-C6)烷基或COR8；其中：R8為直鏈或分支鏈(C1-C6)烷基；R2為直鏈或分支鏈C1-C6烷基或環戊基；R3為氫、氰基、NH2或NR12aR12b；及X、U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10399.jpg" alt="ed10399.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R4、M、G1、Z1、Z2、m1、m2、E、R12a及R12b如請求項1中所定義。
如請求項2之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：R1a、R1b各自獨立地為氫、甲基、乙基，或可與其所結合之原子一起形成環丙基；A為苯基；R4為氫；R5a及R5b可與其所結合之原子一起形成選自以下的視情況經取代之3員至7員環烷基或雜環基：環戊基、環己基、4,4-二氟環己基、哌喃基、氧雜環丁基(oxetyl)、N-甲基哌啶基，及N-乙醯基哌啶基；R2為甲基、乙基、異丙基或環戊基；R3為氫、NH2、NHMe或N(Me)2；E為式-COR11之基團；其中：R11為視情況經取代之直鏈或分支鏈C2-C6烷基或C2-C6烯基或C2-C6炔基：X、U、Y、<img align="absmiddle" height="6px" width="19px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所定義。
如請求項1之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物選自由以下組成之群：2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物1)；2-{[(1S)-1-{4-[3-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)氧呾(oxetan)-3-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物3)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(丁-2-炔醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物5)；2-{[(1S)-1-{4-[1-乙醯基-4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)哌啶-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物6)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物8)；2-{[(1R)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物9)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(2,3-二羥基丙醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物10)；7-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物11)；2-{[(1S)-1-{6-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]吡啶-3-基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物12)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-4-甲基-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物13)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-乙基吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物14)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-環戊基-5-甲基吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物15)；2-{[(1S)-1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)環戊基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物16)；2-{[(1S)-1-{4-[3-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫呋喃-3-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物17)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-5-甲基-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物18)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-4-胺基-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物19)；2-{[(1S)-1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)環己基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物20)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(2-甲基丙烯醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物21)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(氯乙醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物22)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(3-氯丙醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物23)；7-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-1-乙基-1,4-二氫-2H-嘧啶并[4,5-d][1,3]㗁 𠯤-2-酮(化合物24)；7-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,4-二氫-2H-吡啶并[4,3-d][1,3]㗁 𠯤-2-酮(化合物25)；2-{[(1S)-1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)-4,4-二氟環己基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物26)；2-{[(1S)-1-{5-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]吡啶-2-基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物27)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[(1-丙烯醯基吖呾(azetidin)-3-基)(甲基)胺基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物28)；2-[(1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}環丙基)胺基]-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物30)；2-({4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯甲基}胺基)-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物31)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)-1-甲基哌啶-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物32)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-(戊-3-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物35)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-4-(二甲胺基)-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物36)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-4-(甲胺基)-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物37)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-4-甲腈(化合物38)；2-[(2-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}丙-2-基)胺基]-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物40)；7-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-5-胺基-1-(丙-2-基)-1,4-二氫-2H-嘧啶并[4,5-d][1,3]㗁 𠯤-2-酮(化合物41)；7-{[(1S)-1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)-4,4-二氟環己基]苯基}乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物47)；7-{[(1S)-1-(4-{4-[(1-丙烯醯基吖呾-3-基)(甲基)胺基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物48)；2-[(1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)環戊基]苯基}環丙基)胺基]-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物49)；2-{[(1S)-1-(4-{1-[(1-丙烯醯基吖呾-3-基)(甲基)胺基]-4,4-二氟環己基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物50)；8-(丙-2-基)-2-({(1S)-1-[4-(4-{4-[(<sup>2</sup>H3)丙-2-烯醯基]哌𠯤-1-基}四氫-2H-哌喃-4-基)苯基]乙基}胺基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物51)；2-[(2-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)-4,4-二氟環己基]苯基}丙-2-基)胺基]-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物52)；2-{[(1S)-1-(4-{1-[{1-[氯(氟)乙醯基]吖呾-3-基}(甲基)胺基]-4,4-二氟環己基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物53)；2-{[(1S)-1-(4-{4-[4-(2-氟丙烯醯基)哌𠯤-1-基]四氫-2H-哌喃-4-基}苯基)乙基]胺基}-8-(丙-2-基)吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物54)；2-{[(1S)-1-{4-[4-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)四氫-2H-哌喃-4-基]苯基}乙基]胺基}-8-[(<sup>2</sup>H7)丙-2-基]吡啶并[2,3-d]嘧啶-7(8H)-酮(化合物55)；N-{2-[(4,4-二氟-1-{4-[(1S)-1-{[7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-基]胺基}乙基]苯基}環己基)胺基]-2-側氧基乙基}丙-2-烯醯胺(化合物56)；N2-丙烯醯基-N-(4,4-二氟-1-{4-[(1S)-1-{[7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-基]胺基}乙基]苯基}環己基)-D-丙胺醯胺(化合物57)；N2-丙烯醯基-N-(4,4-二氟-1-{4-[(1S)-1-{[7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-基]胺基}乙基]苯基}環己基)-L-丙胺醯胺(化合物58)；7-{[(1S)-1-(4-{1-[4-(2,3-二羥基丙醯基)哌𠯤-1-基]-4,4-二氟環己基}苯基)乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物60)；7-{[(1S)-1-(4-{1-[(1-丙烯醯基吖呾-3-基)(甲基)胺基]-4,4-二氟環己基}苯基)乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物61)；N-(1-丙烯醯基吖呾-3-基)-N-(4,4-二氟-1-{4-[(1S)-1-{[2-側氧基-1-(丙-2-基)-1,2-二氫-1,6-㖠啶-7-基]胺基}乙基]苯基}環己基)乙醯胺(化合物62)；7-{[(1R)-1-{4-[1-(4-丙烯醯基哌𠯤-1-基)-4,4-二氟環己基]苯基}乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物63)；4-(4-{4-[(1S)-1-{[7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-基]胺基}乙基]苯基}四氫-2H-哌喃-4-基)哌𠯤-1-甲腈(化合物65)；N-{2-[(4-{4-[(1S)-1-{[7-側氧基-8-(丙-2-基)-7,8-二氫吡啶并[2,3-d]嘧啶-2-基]胺基}乙基]苯基}四氫-2H-哌喃-4-基)(三氟乙醯基)胺基]乙基}丙-2-烯醯胺(化合物66)；及7-{[(1S)-1-{4-[4,4-二氟-1-(4-丙醯基哌𠯤-1-基)環己基]苯基}乙基]胺基}-1-(丙-2-基)-1,6-㖠啶-2(1H)-酮(化合物67)。
如請求項1之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其用作藥劑。
一種製備如請求項1之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽的方法，該方法包含以下步驟：<b>步驟</b><b>1a)</b>使式(II)化合物：<img align="absmiddle" height="120px" width="228px" file="ed10403.jpg" alt="ed10403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X、U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R2、R3、R1a、R1b、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1及Z2如請求項1中所定義與式(III)化合物反應：<img align="absmiddle" height="51px" width="27px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中E如請求項1中所定義，且Q為羥基，或氯基，或溴基，得到式(I)化合物，其中X、U、Y、<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R2、R3、R1a、R1b、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2及E如上文所定義；可根據包含以下步驟之方法由式(IV)化合物製備該式(II)化合物：<b>步驟</b><b>2a)</b>使式(IV)化合物：<img align="absmiddle" height="90px" width="97px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中G為氯基、MeS(O)<sub>2</sub>-、MeS(O)-或OTrif，且X、U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="25px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R2及R3如請求項1中所定義，與式(V)化合物反應：<img align="absmiddle" height="111px" width="160px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R1a、R1b、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所定義，且PG為選自以下之保護基：羧酸第三丁酯、羧酸苯甲酯、羧酸苯酯；<b>步驟</b><b>2b)</b>使式(VI)化合物與適合之去保護劑反應：<img align="absmiddle" height="111px" width="236px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中PG如上文<b>步驟</b><b>2a</b>中所定義；得到式(II)化合物，其中X、U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="25px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、A、R1a、R1b、R2、R3、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如上文<b>步驟</b><b>2a</b>中所定義；該式(IV)化合物：<img align="absmiddle" height="91px" width="97px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中G為MeS(O)<sub>2</sub>-或MeS(O)-，X為N，R3為氫或氯基，且U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及R2如請求項1中所定義，可根據包含以下步驟之方法製備：<b>步驟</b><b>3a)</b>將式(VII)之中間化合物的氯：<img align="absmiddle" height="89px" width="111px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R3為氫或氯基，用式(VIII)之胺中間化合物取代：<img align="absmiddle" height="38px" width="57px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2如請求項1中所定義；<b>步驟</b><b>3b)</b>使式(IX)化合物與還原劑反應：<img align="absmiddle" height="91px" width="103px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2及R3如上文<b>步驟</b><b>3a</b>中所定義；<b>步驟</b><b>3c)</b>使所得式(X)化合物與適當氧化試劑反應：<img align="absmiddle" height="90px" width="97px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2及R3如上文<b>步驟</b><b>3a</b>中所定義；<b>步驟</b><b>3d)</b>使所得式(XI)化合物：<img align="absmiddle" height="80px" width="93px" file="ed10433.jpg" alt="ed10433.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2及R3如上文<b>步驟</b><b>3a</b>中所定義，與式T-CH<sub>2</sub>COOEt (XIV)之試劑反應，其中T為氫或氟基；<b>步驟</b><b>3e)</b>將所得式(XII)之中間化合物與氧化試劑混合：<img align="absmiddle" height="90px" width="105px" file="ed10435.jpg" alt="ed10435.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中U、Y及<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10437.jpg" alt="ed10437.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如請求項1中所定義且R2及R3如上文<b>步驟</b><b>3a</b>中所定義，得到式(IV)化合物，其中G為MeS(O)<sub>2</sub>-或MeS(O)-，X為N，且R2、R3、U、Y及<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10439.jpg" alt="ed10439.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如上文所定義；或<b> </b><b>步驟</b><b>3f)</b>使式(X)化合物與羰基二咪唑或三光氣反應：<img align="absmiddle" height="88px" width="103px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2及R3如上文<b>步驟</b><b>3e</b>中所定義，得到式(XII)化合物，其中U為CH2，Y為O，<img align="absmiddle" height="9px" width="26px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為單鍵，且R2及R3如上文所定義；或<b>步驟</b><b>3g)</b>將式(XIII)之中間化合物：<img align="absmiddle" height="88px" width="103px" file="ed10445.jpg" alt="ed10445.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R3、U、Y、<img align="absmiddle" height="9px" width="26px" file="ed10447.jpg" alt="ed10447.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如上文<b>步驟</b><b>3e</b>中所定義，用式R2-Lg (XV)之烷化劑烷化，其中Lg為溴、碘、-OMs、-OTs或羥基，且R2如上文<b>步驟</b><b>3e</b>中所定義；得到式(XII)化合物，其中R2、R3、U、Y及<img align="absmiddle" height="9px" width="26px" file="ed10449.jpg" alt="ed10449.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>如上文所定義；式(IV)中G為氯基，R3、X、U、Y及R2如請求項1中所定義之化合物可根據包含以下步驟之方法製備：<b>步驟</b><b>4a)</b>將式(XVI)之中間化合物的氯：<img align="absmiddle" height="86px" width="105px" file="ed10451.jpg" alt="ed10451.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X及R3如請求項1中所定義，用式(VIII)之胺中間化合物取代：<img align="absmiddle" height="38px" width="57px" file="ed10453.jpg" alt="ed10453.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R2如請求項1中所定義；<b>步驟</b><b>4b)</b>使式(XVII)化合物與還原劑反應：<img align="absmiddle" height="99px" width="106px" file="ed10455.jpg" alt="ed10455.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X、R3及R2如上文<b>步驟</b><b>4a</b>中所定義；<b>步驟</b><b>4c)</b>使所得式(XVIII)化合物與適當氧化試劑反應：<img align="absmiddle" height="87px" width="97px" file="ed10457.jpg" alt="ed10457.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X、R3及R2如上文<b>步驟</b><b>4b</b><b>中</b>所定義；然後<b>步驟</b><b>4d)</b>使所得式(XIX)化合物：<img align="absmiddle" height="87px" width="86px" file="ed10459.jpg" alt="ed10459.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X、R2及R3如上文<b>步驟</b><b>4c</b>中所定義，與式T-CH<sub>2</sub>COOEt (XIV)化合物反應，其中T為氫或氟基；得到式(IV)化合物，其中G為氯基，U、Y、X、<img align="absmiddle" height="8px" width="25px" file="ed10461.jpg" alt="ed10461.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R3及R2如請求項1中所定義；或<b>步驟</b><b>4e)</b>使所得式(XVIII)化合物與羰基二咪唑或三光氣反應：<img align="absmiddle" height="87px" width="88px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中X、R3及R2如上文<b>步驟</b><b>4c</b>中所定義；得到式(IV)化合物，其中G為氯基，U為CH<sub>2</sub>，Y為O，<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為單鍵且X及R2如上文所定義；視需要，根據包含以下轉化之方法將式(XII)之第一化合物轉化為式(XII)之第二化合物：<b>轉化</b><b>A)</b>式(XII)化合物：<img align="absmiddle" height="90px" width="243px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R3為氯基，藉由與氰化物源反應轉化為式(XII)中R3為CN之化合物；<b>轉化</b><b>B)</b>式(XII)化合物：<img align="absmiddle" height="100px" width="232px" file="ed10469.jpg" alt="ed10469.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R3為氯基，藉由與胺PG-NH2反應轉化為式(XII)中R3為NHPG之化合物；<b>轉化</b><b>C)</b>式(XII)化合物：<img align="absmiddle" height="100px" width="236px" file="ed10471.jpg" alt="ed10471.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R3為氯基，藉由與胺HNR12aR12b反應，其中R12a及R12b各自獨立地選自氫或視情況經取代之直鏈或分支鏈(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基，而轉化為式(XII)中R3為NR12aR12b之化合物；視需要，根據包含以下轉化之方法將式(IV)之第一化合物轉化為式(IV)之第二化合物：<b>轉化</b><b>A1)</b>式(IV)化合物：<b> </b><img align="absmiddle" height="92px" width="332px" file="ed10473.jpg" alt="ed10473.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中G為MeS(O)<sub>2</sub>-，藉由兩步驟序列使用適合試劑轉化為式(IV)中G為-OTrif (三氟甲磺酸酯)之化合物；式(V)中R1a、R1b、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所述且PG為保護基之化合物可根據包含以下步驟之方法製備：<b>步驟</b><b>5a)</b>使式(XX)化合物：<img align="absmiddle" height="80px" width="89px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1為溴基、氰基、COR1a，且A、R4、R5a、R5b及R1a如請求項1中所定義，與ClCH<sub>2</sub>CN反應，隨後以酸性條件、鹼性條件或用硫脲使醯胺中間物去保護，獲得式(XXI)化合物；<b>步驟</b><b>5b)</b>使式(XXI)之胺基中間物：<img align="absmiddle" height="81px" width="100px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1、A、R4、R5a及R5b如上文<b>步驟</b><b>5a</b>中所定義，與式(XXII)化合物反應：<img align="absmiddle" height="87px" width="87px" file="ed10479.jpg" alt="ed10479.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所述，PG為保護基，且Hal為鹵素；得到式(XXIII)化合物，其中W1、A、R4、R5a、R5b、Z1、Z2及PG如上文所定義，m1及m2為1、2或3，G1為N，且M為鍵；或<b>步驟</b><b>5b')</b>使該式(XXI)之胺基中間物與式(XXIIa)之雜環基鹵化物反應<img align="absmiddle" height="90px" width="87px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中Z1、Z2、m1、m2及PG如上文<b>步驟</b><b>5b</b>中所述，且Hal為鹵素；然後使所獲得中間物藉由與甲醛或與適合的烷基醛衍生物還原胺化，或藉由與適合的鹵醯基衍生物R8CO-hal醯化，其中R8如請求項1中所定義；形成式(XXIII)化合物，其中PG如上文所定義，W1、A、R4、R5a、R5b、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所定義；G1為CH且M為NR6，其中R6如請求項1中所定義；或<b>步驟</b><b>5b")</b>使該式(XXI)之胺基中間物與式(XXIIb)之經保護胺基烷基反應<img align="absmiddle" height="72px" width="74px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中Z1、m1及PG如上文<b>步驟</b><b>5b</b>中所述，且FG為選自醛(-CHO)或羧酸(-COOH)之官能基；得到式(XXIII)化合物，其中m2為0，G1為CH2或CO，M為NH或NR6，PG如上文<b>步驟</b><b>5b</b>中所定義，且W1、A、R4、R5a、R5b、Z1、m1及R6如請求項1中所定義；或<b>步驟</b><b>5a')</b>使式(XX)化合物：<img align="absmiddle" height="70px" width="97px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1、A、R4、R5a及R5b如上文<b>步驟</b><b>5a</b>中所定義，與式(XXIIa)之雜環基鹵化物反應<img align="absmiddle" height="88px" width="86px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中Hal、Z1、Z2、m1、m2及PG如<b>步驟</b><b>5b'</b>中所定義；形成式(XXIII)化合物，其中W1、A、R4、R5a、R5b如<b>步驟</b><b>5a</b>中所定義；Z1、Z2、m1、m2及PG如上文<b>步驟</b><b>5b'</b>中所定義；G1為CH且M為O；然後<b>步驟</b><b>5c)</b>使自<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b"</b>或<b>5a'</b>獲得之式(XXIII)化合物與溴化乙基鎂及三氟化硼二乙醚反應：<img align="absmiddle" height="101px" width="137px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1為氰基，且A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、m1、m2及PG如<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>中所述；得到所需式(V)化合物，其中A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2及PG如上文<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>中所定義，且R1a與R1b相同並且如請求項1中所定義；或R1a與R1b一起為環丙基；或<b>步驟</b><b>5c')</b>使自<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>獲得之式(XXIII)化合物與第三丁烷亞磺醯胺反應：<img align="absmiddle" height="100px" width="137px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1為COR1a，其中R1a、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2、PG及R1a如上文<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>中所定義；得到式(XXIV)化合物，其中R1b為氫，且R1a、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2、PG及R1a如上文所定義；或<b>步驟</b><b>5c'')</b>使自<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>獲得之式(XXIII)化合物與第三丁烷亞磺醯胺反應：<img align="absmiddle" height="101px" width="135px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中W1為COR1a，且A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2、PG及R1a如上文<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>中所定義；得到式(XXV)化合物；然後<b>步驟</b><b>5e)</b>使所獲得之式(XXV)化合物與烷基格林納試劑(Grignar reagent)反應：<img align="absmiddle" height="109px" width="194px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R1a、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2及PG如上文<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>中所定義；得到所需式(XXIV)化合物；最後<b>步驟</b><b>5d)</b>使如<b>步驟</b><b>5c'</b>或<b>5e</b>中所描述而獲得之式(XXIV)化合物與酸性去保護試劑或與碘反應：<img align="absmiddle" height="100px" width="192px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中R1b、R1a、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1、m2及PG如上文<b>步驟</b><b>5c'</b>或<b>5e</b>中所定義；得到所需式(V)化合物，其中R1b、R1a、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所定義，且PG為保護基；替代地，式(XXIII)化合物亦可藉由根據如下轉化來轉化式(XXIII)之另一化合物而獲得：<b>轉化</b><b>F)</b>藉由自<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>獲得之對應式(XXIII)之化合物，其中W1為溴基，遵循此項技術中已知用於芳基鹵化物之鈀催化氰化的條件，用氰化物源轉化而獲得式(XXIII)中W1為氰基之化合物；<img align="absmiddle" height="98px" width="346px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>轉化</b><b>G)</b>藉由自<b>步驟</b><b>5b</b>或<b>5b'</b>或<b>5b''</b>或<b>5a'</b>獲得之式(XXIII)化合物，其中W1為溴基，用適合的烯醇醚有機金屬衍生物轉化，隨後水解而獲得式(XXIII)中W1為COR1a，其中R1a如請求項1中所定義之化合物；<img align="absmiddle" height="101px" width="367px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>根據<b>步驟</b><b>1a</b>製備之式(I)化合物可根據包含以下轉化之方法而進一步轉化為式(I)之另一化合物：<b>轉化</b><b>1)</b>將式(I)化合物：<img align="absmiddle" height="139px" width="596px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b>其中E為丙烯醯胺基，轉化為其中E為二羥基丙酸基且X、U、Y、<img align="absmiddle" height="8px" width="26px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R2、R3、R1a、R1b、A、R4、R5a、R5b、M、G1、Z1、Z2、m1及m2如請求項1中所定義之化合物。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1中所定義之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽與醫藥學上可接受之賦形劑、載劑或稀釋劑結合。
如請求項7之醫藥組合物，其進一步包含一或多種化學治療劑。
一種產品或套組，其包含如請求項1中所定義之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽以及一或多種化學治療劑，以組合製劑同時、分別或依序用於抗癌療法中。
一種如請求項1中所定義之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，用於製備治療選自由以下組成之群之癌症的藥物：淋巴系造血腫瘤；骨髓系造血腫瘤；間葉來源之腫瘤；中樞及周邊神經系統之腫瘤。
如請求項10之用途，其中該淋巴系造血腫瘤選自白血病、B細胞淋巴瘤、血管免疫母細胞T細胞淋巴瘤、霍奇金氏淋巴瘤(Hodgkin's lymphoma)、非霍奇金氏淋巴瘤、毛細胞淋巴瘤、及伯基特氏淋巴瘤(Burkitt's lymphoma)；該骨髓系造血腫瘤選自急性及慢性骨髓性白血病、骨髓發育不良症候群、及前髓細胞性白血病；該間葉來源之腫瘤選自纖維肉瘤及橫紋肌肉瘤；該中樞及周邊神經系統之腫瘤選自神經膠質瘤、膠質母細胞瘤、多形性膠質母細胞瘤、星形細胞瘤、寡樹突神經膠質瘤、副神經膠質瘤(paraglioma)、神經母細胞瘤及神經鞘瘤；及其他腫瘤，係選自黑素瘤、精細胞瘤、畸胎癌、骨肉瘤、著色性乾皮病、角化黃瘤、乳頭狀甲狀腺癌、甲狀腺髓質癌、卡波西氏肉瘤(Kaposi's sarcoma)、軟骨肉瘤，及膽管癌。
一種如請求項1中所定義之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，用於製備治療選自由以下組成之群之癌症的藥物：膀胱癌、乳癌、腎癌、肝癌、結腸癌、肺癌、食道癌、膽囊癌、卵巢癌、胰臟癌、胃癌、子宮頸癌、前列腺癌，及皮膚癌。
如請求項12之用途，其中該肺癌症為小細胞肺癌。
一種重組腺相關病毒(AAV)載體，在其基因體中包含： <br/>a. 5'及3' AAV反向末端重複(ITR)序列，及 <br/>b. 位於該5' ITR與該3' ITR之間，編碼包含α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之多肽的異源核酸序列，其中該異源核酸可操作地連接至選自以下中之任一者的肝啟動子：SEQ ID NO: 91-93，其中該編碼GAA多肽之核酸序列編碼包含所有三個選自SEQ ID NO: 10之V780I、H199R或R223H之胺基酸修飾的GAA多肽。
如請求項1之重組AAV載體，其中該異源核酸序列編碼包含與該GAA多肽融合之分泌信號的融合蛋白，或編碼包含與該GAA多肽融合之靶向肽的融合多肽，或編碼包含與該GAA多肽融合之分泌信號及靶向肽的融合蛋白。
如請求項2之重組AAV載體，其中該AAV基因體在5'至3'方向上包含： <br/>a. 5' ITR， <br/>b. 肝啟動子序列， <br/>c. 內含子序列， <br/>d. 編碼分泌信號肽之核酸， <br/>e. 編碼IGF2靶向肽之核酸， <br/>f. 編碼α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之核酸， <br/>g. 聚A序列，及 <br/>h. 3' ITR。
如請求項1至3中任一項之重組AAV載體，其中該編碼分泌信號肽之核酸編碼選自以下中之任一者的信號序列：AAT信號肽、纖維接合素信號肽(FN1)、GAA前導序列、IL-2 wt前導序列、經修飾之IL-2前導序列、IL2(1-3)前導序列、IgG前導序列、AAT前導序列或具有分泌信號活性之其活性片段。
如請求項3之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽結合人類陽離子非依賴性甘露糖-6-磷酸受體(CI-MPR)或IGF2受體。
如請求項5之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽包含SEQ ID NO: 5或包含與該IGF2受體結合之SEQ ID NO: 5中之至少一個胺基酸修飾。
如請求項6之重組AAV載體，其中該SEQ ID NO: 5中之至少一個胺基酸修飾為：V43M胺基酸修飾，其具有SEQ ID NO: 9之序列；或Δ2-7，其具有SEQ ID NO: 6之序列；或Δ1-7，其具有SEQ ID NO: 7之序列。
如請求項1或2之重組AAV載體，其中該核酸序列編碼野生型GAA多肽或經修飾之GAA多肽。
如請求項1之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之核酸序列為人類GAA基因或人類經密碼子優化之GAA基因(coGAA)或經修飾之GAA核酸序列。
如請求項1之重組AAV載體，其中經編碼之融合多肽進一步包含間隔子，其包含位於該GAA多肽之胺基末端及IGF2靶向肽之C末端之至少1個胺基酸的核苷酸序列。
如請求項10之重組AAV載體，其進一步包含編碼位於該編碼IGF2靶向肽之核酸與該編碼GAA多肽之核酸之間的至少1個胺基酸之間隔子之核酸。
如請求項1之重組AAV載體，其進一步包含位於該編碼GAA基因之核酸之3'及該3' ITR序列之5'的至少一個聚A序列。<i> </i>
如請求項1之重組AAV載體，其中該異源核酸序列進一步包含位於該編碼GAA多肽之核酸之3'及該3' ITR序列之5'的膠原蛋白穩定性(CS)序列、或3' UTR序列、或CS及3' UTR序列。
如請求項1之重組AAV載體，其進一步包含編碼位於該編碼GAA多肽之核酸與該聚A序列之間的膠原蛋白穩定性(CS)序列、或3' UTR序列、或CS及3' UTR序列之核酸。
如請求項1之重組AAV載體，其進一步包含位於該編碼分泌信號肽之序列之5'及該啟動子之3'的內含子序列。
如請求項15之重組AAV載體，其中該內含子序列包含MVM序列、或HBB2序列、或SV40序列。
如請求項1之重組AAV載體，其中該ITR包含插入、缺失或取代。
如請求項17之重組AAV載體，其中移除該ITR中之一或多個CpG島。
如請求項1之重組AAV載體，其中 <br/>a. 該編碼分泌信號肽之核酸選自由以下組成之群中之任一者： <br/>AAT信號肽，其具有SEQ ID NO: 17之序列； <br/>纖維接合素信號肽(FN1)，其具有SEQ ID NO: 18-21之序列； <br/>同源GAA信號肽，其具有SEQ ID NO: 175之序列； <br/>hIGF2信號肽，其具有SEQ ID NO: 22之序列； <br/>IgG1前導肽，其具有SEQ ID NO: 177之序列； <br/>wtIL2前導肽，其具有SEQ ID NO: 179之序列； <br/>突變IL2前導肽，其具有SEQ ID NO: 181之序列；且 <br/>b. 該編碼GAA多肽之核酸係SEQ ID NO: 182。
如請求項3之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽選自以下中之任一者：SEQ ID NO: 5、SEQ ID NO: 6、SEQ ID NO: 7、SEQ ID NO: 8或SEQ ID NO: 9。
如請求項3之重組AAV載體，其中該編碼IGF2靶向肽之核酸位於該編碼分泌信號肽之核酸與該編碼α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之核酸之間。
如請求項1之重組AAV載體，其中該重組AAV載體為嵌合AAV載體、單倍體AAV載體、雜合AAV載體或多倍體AAV載體。
如請求項1之重組AAV載體，其中該重組AAV載體為合理單倍體載體、鑲嵌型AAV載體、經化學修飾之AAV載體或來自任何AAV血清型之AAV載體。
如請求項1之重組AAV載體，其中該重組AAV載體選自由以下組成之群：AAVXL32載體、AAVXL32.1載體、AAV8載體、或包含至少一種AAV8衣殼蛋白之單倍體AAV8載體。
如請求項23之重組AAV載體，其中該血清型為AAV3b。
如請求項25之重組AAV載體，其中該AAV3b血清型包含選自以下中之任一者的衣殼蛋白中之一或多個突變：265D、549A、Q263Y。
如請求項26之重組AAV載體，其中該AAV3b血清型選自以下中之任一者：AAV3b265D、AAV3b265D549A、AAV3b549A或AAV3bQ263Y、或AAV3bSASTG。
一種重組腺相關病毒(AAV)載體，在其基因體中包含： <br/>a. 5'及3' AAV反向末端重複(ITR)序列，及 <br/>b.位於該5' ITR與該3' ITR之間，編碼包含α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之多肽的異源核酸序列，其中該異源核酸可操作地連接至肝啟動子，其中該肝啟動子選自以下中之任一者：SEQ ID NO: 91-93，且 <br/>其中該重組AAV載體包含選自血清型AAV3、AAV3b、AAV8之衣殼蛋白，其中該編碼GAA多肽之核酸序列編碼包含所有三個選自SEQ ID NO: 10之V780I、H199R或R223H之胺基酸修飾的GAA多肽。
如請求項28之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之異源核酸序列進一步包含編碼位於該編碼GAA多肽之核酸之5'的分泌信號肽之核酸。
如請求項29之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之異源核酸序列進一步包含編碼位於該編碼分泌信號肽之核酸與該編碼α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之核酸之間的靶向肽之核酸。
如請求項28之重組AAV載體，其中該AAV基因體在5'至3'方向上包含： <br/>a. 5' ITR， <br/>b. 肝啟動子序列， <br/>c. 內含子序列， <br/>d. 編碼分泌信號肽之核酸， <br/>e. 編碼α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之核酸， <br/>f. 聚A序列，及 <br/>g. 3' ITR。
如請求項28之重組AAV載體，其中該AAV基因體在5'至3'方向上包含： <br/>a. 5' ITR， <br/>b. 肝啟動子序列， <br/>c. 內含子序列， <br/>d. 編碼靶向肽之核酸， <br/>e. 編碼α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之核酸， <br/>f. 聚A序列，及 <br/>g. 3' ITR。
如請求項29至31中任一項之重組AAV載體，其中該分泌信號肽選自以下中之任一者：AAT信號肽、纖維接合素信號肽(FN1)、GAA前導序列、IL-2 wt前導序列、經修飾之IL-2前導序列、IL2(1-3)前導序列、IgG前導序列、AAT前導序列或具有分泌信號活性之其活性片段或具有分泌信號活性之其活性片段。
如請求項30或32之重組AAV載體，其中該靶向肽選自以下中之任一者：結合人類陽離子非依賴性甘露糖-6-磷酸受體(CI-MPR)或IGF2受體之IGF2靶向肽序列或其功能性變體。
如請求項34之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽包含SEQ ID NO: 5；或包含SEQ ID NO: 5中之至少一個胺基酸修飾，該胺基酸修飾不影響與該CI-MPR受體之結合，或確實減少與至少一種血清IGF結合蛋白(IGFBP)之結合；或包含與SEQ ID NO: 5具有至少85%的序列一致性之胺基酸序列。
如請求項29至32中任一項之重組AAV載體，其中該核酸序列編碼SEQ ID NO: 10之野生型GAA多肽或經修飾之GAA多肽。
如請求項29至32中任一項之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之核酸序列為人類GAA基因或人類經密碼子優化之GAA基因(coGAA)或經修飾之GAA核酸序列。
如請求項29至31中任一項之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之核酸序列經密碼子優化以減少CpG島。
如請求項29至32中任一項之重組AAV載體，其中該編碼GAA多肽之核酸序列經密碼子優化以減少CpG島。
如請求項31或32之重組AAV載體，其中該內含子序列包含MVM序列或HBB2序列。
如請求項28至32中任一項之重組AAV載體，其中該ITR包含插入、缺失或取代，或移除該等CpG島中之任一者或多者。
如請求項41之重組AAV載體，其中該重組AAV載體為AAVXL32或AAVXL32.1、或AAV8或包含至少一種AAV8衣殼蛋白之單倍體AAV8載體。
如請求項29至31中任一項之重組AAV載體，其中 <br/>a. 該編碼分泌信號肽之核酸選自由以下組成之群中之任一者： <br/>AAT信號肽，其具有SEQ ID NO: 17之序列； <br/>纖維接合素信號肽(FN1)，其具有SEQ ID NO: 18-21之序列； <br/>同源GAA信號肽，其具有SEQ ID NO: 175之序列； <br/>hIGF2信號肽，其具有SEQ ID NO: 22之序列； <br/>IgG1前導肽，其具有SEQ ID NO: 177之序列； <br/>wtIL2前導肽，其具有SEQ ID NO: 179之序列； <br/>突變IL2前導肽，其具有SEQ ID NO: 181之序列；且 <br/>b. 該編碼GAA多肽之核酸係SEQ ID NO: 182。
如請求項34之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽選自SEQ ID NO: 5、SEQ ID NO: 6、SEQ ID NO: 7、SEQ ID NO: 8或SEQ ID NO: 9中之任一者。
如請求項34之重組AAV載體，其中該IGF2靶向肽為SEQ ID NO: 8或SEQ ID NO: 9或與其具有至少85%的序列一致性之功能性變體。
一種醫藥組合物，其在醫藥學上可接受之載劑中包含如請求項1至45中任一項之重組AAV載體。
一種核酸序列，其包含： <br/>可操作地連接至編碼GAA多肽之核酸序列的肝啟動子，其中該肝啟動子選自以下肝啟動子中之任一者：SEQ ID NO: 91-93，其中該GAA多肽包含所有三個選自SEQ ID NO: 10之V780I、H199R或R223H之胺基酸修飾。
一種重組腺相關病毒(rAAV)載體基因體之核酸序列，其包含： <br/>a. 5'及3' AAV反向末端重複(ITR)核酸序列，及 <br/>b.位於該5' ITR序列與該3' ITR序列之間，編碼包含分泌信號肽及α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽之多肽的異源核酸序列，其中該異源核酸序列可操作地連接至肝啟動子，其中該肝啟動子選自以下肝啟動子中之任一者：SEQ ID NO: 91-93，且其中該GAA多肽包含所有三個選自SEQ ID NO: 10之V780I、H199R或R223H之胺基酸修飾。
如請求項47或48之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之異源核酸序列進一步包含位於編碼該分泌信號肽之核酸與編碼該GAA多肽之核酸之間的編碼IGF2靶向肽之核酸。
如請求項48之核酸序列，其中該編碼分泌信號肽之核酸選自SEQ ID NO: 17、22-26、177、179、181或與其具有至少85%的序列一致性之核酸中之任一者。
如請求項49之核酸序列，其中該編碼IGF2靶向肽之核酸選自SEQ ID NO: 2、SEQ ID NO: 3或SEQ ID NO: 4或與其具有至少85%的序列一致性之核酸中之任一者。
如請求項47之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之核酸序列為人類GAA基因或人類經密碼子優化之GAA基因(coGAA)或經修飾之GAA核酸序列。
如請求項52之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之核酸序列經密碼子優化以減少CpG島。
如請求項47之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之核酸序列經密碼子優化以增強活體內表現。
如請求項47之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之核酸選自SEQ ID NO: 55、SEQ ID NO: 56、或SEQ ID NO: 82、或SEQ ID NO: 182。
如請求項47之核酸序列，其中該編碼GAA多肽之核酸選自SEQ ID NO: 74、SEQ ID NO: 75、SEQ ID NO: 76及SEQ ID NO: 82。
一種如請求項1至45中任一項之重組AAV載體、如請求項46之醫藥組合物或如請求項47至56中任一項之核酸序列之用途，其用於製備治療II型肝醣貯積病(GSD II、龐貝症、酸性麥芽糖酶缺乏症)或α-葡萄糖苷酶(GAA)多肽缺乏症之醫藥品，其中該AAV載體、rAAV基因體、或核酸序列包含選自具有SEQ ID NO: 86之CRM_SP0412或具有SEQ ID NO: 91之SP0412之肝啟動子。
如請求項57之用途，其中GAA多肽自肝分泌，且被骨骼肌組織、心肌組織、膈膜肌組織或其組合吸收，其中吸收所分泌GAA使得該一或多種組織中之溶酶體肝醣貯積減少。
如請求項57之用途，其中該醫藥品之投藥法係選自以下中之任一者：肌肉內、皮下、脊椎內、腦池內、鞘內、靜脈內投藥法。
如請求項57之用途，其中該重組AAV載體為嵌合AAV載體、單倍體AAV載體、雜合AAV載體或多倍體AAV載體。
如請求項57之用途，其中該重組AAV載體為合理單倍體載體、鑲嵌型AAV載體、經化學修飾之AAV載體或來自任何AAV血清型之AAV載體。
如請求項57之用途，其中該重組AAV載體為AAVXL32載體、或AAVXL32.1載體、或AAV8載體、或包含至少一種AAV8衣殼蛋白之單倍體AAV8載體。
如請求項57之用途，其中該重組AAV載體為AAV8載體。
一種如請求項1至45中任一項之重組AAV載體、如請求項46之醫藥組合物或如請求項47至56中任一項之核酸序列之用途，其用於製備治療溶酶體貯積病(LSD)的醫藥品，其中該AAV載體、rAAV基因體、或核酸序列包含選自具有SEQ ID NO: 86之CRM_SP0412或具有SEQ ID NO: 91之SP0412之肝啟動子且表現治療性多肽。
如請求項64之用途，其中該重組AAV載體為嵌合AAV載體、單倍體AAV載體、雜合AAV載體或多倍體AAV載體。
如請求項64之用途，其中該重組AAV載體為合理單倍體載體、鑲嵌型AAV載體、經化學修飾之AAV載體或來自任何AAV血清型之AAV載體。
如請求項64之用途，其中該重組AAV載體為AAVXL32載體、或AAVXL32.1載體、或AAV8載體、或包含至少一種AAV8衣殼蛋白之單倍體AAV8載體。
一種磁性塗料，其包含磁性填料及黏合劑樹脂，磁性填料係Fe-Cr合金，由該磁性塗料形成之磁性薄片中，860MHz~960MHz下之複比透磁率的損失係數tanδ為0.3以下，實數部μ’為5以上、7以下。
如請求項1之磁性塗料，其中該磁性填料之厚度為0.5μm以上、10μm以下；該磁性填料之長徑為1μm以上、200μm以下；該磁性填料之短徑為1μm以上、100μm以下。
一種磁性塗料，其包含磁性填料及黏合劑樹脂，磁性填料係Fe-Cr合金，磁性填料之長徑除以平均厚度之長寬比為5~40，磁性填料與黏合劑之固形分之質量比(磁性填料之質量/黏合劑之固形分質量)為70/30~95/5，黏合劑樹脂係胺基甲酸酯樹脂，相對於磁性塗料總量，其不揮發分含量為45~95質量%。
如請求項1之磁性塗料，其中黏合劑樹脂係選自環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂及聚酯樹脂所成之群之1種以上的黏合劑樹脂。
如請求項1或4之磁性塗料，其中磁性填料與黏合劑之固形分之質量比(磁性填料之質量/黏合劑之固形分質量)為70/30~95/5。
如請求項1或2之磁性塗料，其中磁性填料之長徑除以平均厚度之長寬比為5~40。
一種磁性塗料，其包含磁性填料及黏合劑樹脂，磁性填料係Fe-Cr合金，磁性填料與黏合劑之固形分之質量比(磁性填料之質量/黏合劑之固形分質量)為70/30~95/5，黏合劑樹脂係胺基甲酸酯樹脂，溶劑含量為50質量%以下，相對於磁性塗料總量，其不揮發分含量為50~95質量%。
一種磁性塗料，其包含磁性填料及黏合劑樹脂，磁性填料係Fe-Cr合金，磁性填料與黏合劑之固形分之質量比(磁性填料之質量/黏合劑之固形分質量)為70/30~95/5，黏合劑樹脂係聚酯系聚胺基甲酸酯，相對於磁性塗料總量，其不揮發分含量為45~95質量%。
一種磁性薄片，其係由如請求項1至8中任一項之磁性塗料所形成。
如請求項9之磁性薄片，其膜厚為50~500μm。
一種金屬對應標籤，其具備如請求項9或10之磁性薄片與可無線通訊之標籤。
一種密封劑，其係具備含鉛部之電子元件用之密封劑，前述密封劑包含：無機填料及樹脂，前述無機填料為氧化鈣，前述密封劑之鉛吸附性參數為10μg/m<sup>2</sup>以上，前述密封劑之水蒸氣滲透障壁性參數未達0.025cm/h<sup>0.5</sup>，前述鉛吸附性參數表示於進行鉛吸附能評價試驗時密封劑之層每1m<sup>2</sup>吸附之鉛質量，前述鉛吸附能評價試驗係準備聚對苯二甲酸乙二酯膜與形成於前述聚對苯二甲酸乙二酯膜上之厚20μm之前述密封劑之層的長16cm、寬24cm之第一試驗用薄片；對前述第一試驗用薄片之前述密封劑之層側，貼合尼龍製之絲網布；將貼合有絲網布之前述第一試驗用薄片切斷為1cm見方；將切斷之前述第一試驗用薄片浸漬於經調整為20℃~25℃之鉛離子濃度20μg/L之含鉛離子水溶液50ml中攪拌15分鐘而進行，前述水蒸氣滲透障壁性參數表示於進行水蒸氣障壁性評價試驗時由下述式(1)求出之常數K，前述水蒸氣障壁性評價試驗係將具備具有厚30μm之鋁箔及厚25μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜的支撐膜與形成於前述支撐膜之前述鋁箔上之前述密封劑之層的第二試驗用薄片乾燥；將以無鹼玻璃形成之50mm見方之玻璃板以煮沸之異丙醇洗淨5分鐘並乾燥；於前述玻璃板之單面之與前述玻璃板之端部距離0mm~2mm之區域除外之部分蒸鍍鈣，形成厚200nm之鈣膜；於氮氣環境內，將前述第二試驗用薄片之前述密封劑之層與前述玻璃板之前述鈣膜側之面貼合，獲得評價樣品；測定前述評價樣品之端部與前述鈣膜之端部之間的距離X2[mm]；將前述評價樣品收納於溫度85℃、濕度85%RH之恆溫恆濕槽；測定自前述評價樣品收納於前述恆溫恆濕槽之時點起至收納於前述恆溫恆濕槽之前述評價樣品之端部與前述鈣膜之端部之間的距離X1[mm]成為[X2+0.1mm]之時點的時間t[小時]；及基於下述式(1)，計算常數K而進行，<figure><img align="absmiddle" height="73px" width="263px" file="d10005.TIF" alt="數學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>
如請求項1之密封劑，其中前述水蒸氣障壁性評價試驗中之第二試驗用薄片之乾燥係以130℃ 60分鐘之條件及100℃ 5分鐘之條件之至少一條件下進行。
如請求項1之密封劑，其中相對於前述密封劑之不揮發成分100質量%，前述氧化鈣之量為20質量%以上。
如請求項1至3中任一項之密封劑，其中前述樹脂包含聚烯烴系樹脂。
如請求項1至3中任一項之密封劑，其中前述樹脂包含環氧樹脂。
如請求項1至3中任一項之密封劑，其中前述無機填料之量相對於前述密封劑之不揮發成分100質量%為5質量%以上且80質量%以下。
一種密封薄片，其具備支撐體，及形成於前述支撐體上之如請求項1至6中任一項之密封劑之層。
一種電子元件，其具備含鉛部與密封前述含鉛部之密封部，前述密封部包含如請求項1至6中任一項之密封劑。
一種鈣鈦礦型太陽電池，其具備第一電極、包含鉛原子之鈣鈦礦層、第二電極及密封前述鈣鈦礦層之密封部，前述密封部包含如請求項1至6中任一項之密封劑。
一種晶圓加工用假性接著劑，其係由包含無官能性有機聚矽氧烷之熱硬化性聚矽氧樹脂組成物所成，用於將晶圓假性接著於支撐體， <br/> 前述包含無官能性有機聚矽氧烷之熱硬化性聚矽氧樹脂組成物包含： <br/> (A) 具有式(A-3)、在1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷：100質量份， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="172px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R<sup>1</sup>～R<sup>16</sup>各自獨立為脂肪族不飽和烴基以外的1價烴基， <br/> X<sup>1</sup>～X<sup>5</sup>各自獨立為含烯基的1價有機基， <br/> e為1～3之整數， <br/> f<sup>1</sup>、f<sup>2</sup>及f<sup>3</sup>係(f<sup>2</sup>+f<sup>3</sup>)/f<sup>1</sup>成為0.3～3.0，且f<sup>3</sup>/(f<sup>1</sup>+f<sup>2</sup>+f<sup>3</sup>)成為0.01～0.6之數， <br/> (B)在1分子中含有2個以上鍵結至矽原子的氫原子(SiH基)之有機氫聚矽氧烷：(B)成分中的SiH基合計相對於(A)成分中的烯基合計係以莫耳比成為0.3～10之量， <br/> (C)無官能性有機聚矽氧烷：0.1～200質量份，及 <br/> (D)氫矽化反應觸媒：相對於(A)、(B)及(C)成分之合計質量，以金屬原子量換算為0.1～5,000ppm， <br/> 前述包含無官能性有機聚矽氧烷之熱硬化性聚矽氧樹脂組成物進一步含有相對於前述(A)、(B)及(C)成分之合計質量，0.01～10質量份的氫矽化反應控制劑作為(E)成分。
如請求項1之晶圓加工用假性接著劑，其中(C)成分之無官能性有機聚矽氧烷在30質量%甲苯溶液的25℃中之黏度為100～500,000mPa･s。
如請求項1或2之晶圓加工用假性接著劑，其中於前述包含無官能性有機聚矽氧烷之熱硬化性聚矽氧樹脂組成物之硬化後，在25℃的對於矽基板之25mm寬度的試驗片之180°撕開剝離力為2gf以上50gf以下。
如請求項1或2之晶圓加工用假性接著劑，其中於前述包含無官能性有機聚矽氧烷之熱硬化性聚矽氧樹脂組成物之硬化後，在25℃的儲存彈性模數為1,000Pa以上1,000MPa以下。
一種薄型晶圓的製造方法，其包含： <br/> (a)將在表面具有電路形成面及在背面具有電路非形成面之晶圓的前述電路形成面，使用如請求項1～4中任一項之晶圓加工用假性接著劑，能剝離地接著於支撐體，形成晶圓積層體之步驟， <br/> (b)使前述假性接著劑熱硬化之步驟， <br/> (c)研削或研磨前述晶圓積層體之晶圓的電路非形成面之步驟， <br/> (d)對於前述晶圓的電路非形成面，施予加工之步驟，及 <br/> (e)將施有前述加工的晶圓從前述支撐體剝離之步驟。
一種晶圓積層體，其係具備支撐體、積層於其上之由如請求項1～4中任一項之晶圓加工用假性接著劑所得之假性接著劑層、與在表面具有電路形成面及在背面具有電路非形成面之晶圓的晶圓積層體， <br/> 前述假性接著劑層係能剝離地接著於前述晶圓之表面者。
一種用於一沉積腔室的蓋加熱器，包含：<br/>一陶瓷加熱器主體，具有相對於一第二側的一第一側，其中該陶瓷加熱器主體包括從該第一側上的一或更多第一氣體入口延伸的第一複數個氣體通道，其中該一或更多第一氣體入口之各者延伸至在該第二側上的複數個第一氣體出口；<br/>一加熱元件，嵌入該陶瓷加熱器主體中；及<br/>一RF電極，嵌入該陶瓷加熱器主體中而靠近該第二側，其中該第一複數個氣體通道延伸通過該RF電極。
如請求項1所述之蓋加熱器，其中該第一複數個氣體通道包括從該一或更多第一氣體入口實質上垂直延伸朝向該第二側的一第一通路，從該第一通路徑向向外延伸的複數個第二通路，及從該等第二通路之各者延伸至該複數個第一氣體出口的複數個第三通路。
如請求項1所述之蓋加熱器，其中該第一複數個氣體通道具有一遞迴的流動路徑。
如請求項1所述之蓋加熱器，其中該陶瓷加熱器主體包括內部導管，且該複數個第一氣體出口透過複數個通路流體耦合至該等內部導管。
如請求項1所述之蓋加熱器，進一步包含一第二複數個氣體通道，從該第一側上的一第二氣體入口延伸至在該第二測上的複數個第二氣體出口。
如請求項5所述之蓋加熱器，其中該複數個第二氣體出口由該複數個第一氣體出口徑向向內佈置。
如請求項1至6任一項所述之蓋加熱器，其中該RF電極從該第二側以約0.5mm至約1.5mm而佈置。
如請求項1至6任一項所述之蓋加熱器，其中該第一複數個氣體通道具有一圓形的剖面。
如請求項1至6任一項所述之蓋加熱器，其中為以下至少一者：<br/>該第一複數個氣體通道具有約2.0mm至約12.0mm之一直徑，或<br/>該第一氣體出口具有約0.02英吋至約0.10英吋之一直徑。
一種基板處理裝置，包含：<br/>一蓋加熱器，具有一陶瓷加熱器主體，該陶瓷加熱器主體具有相對於一第二側的一第一側，其中該陶瓷加熱器主體包括從該第一側上的一或更多第一氣體入口延伸至在該第二側上的複數個第一氣體出口的第一複數個氣體通道，其中該第一複數個氣體通道包括從該一或更多第一氣體入口實質上垂直延伸朝向該第二側的一第一通路，從各個第一通路徑向向外延伸的複數個第二通路，及從該複數個第二通路之各者朝向該複數個第一氣體出口延伸的複數個第三通路；<br/>一RF電極，嵌入該陶瓷加熱器主體中而靠近該第二側，其中該第一複數個氣體通道延伸通過該RF電極；及<br/>一加熱元件，嵌入該陶瓷加熱器主體中。
如請求項10所述之裝置，其中該RF電極為一導電板，具有開口或一導電網格。
如請求項11所述之裝置，其中該加熱元件佈置於該RF電極及該第一側之間。
如請求項10至12任一項所述之裝置，其中該第一複數個氣體通道包括從該複數個第三通路之各者水平向外延伸的複數個第四通路，從該複數個第四通路之各者實質上垂直延伸的複數個第五通路，從該複數個第五通路之各者水平向外延伸的複數個第六通路，及從該等第六通路之各者延伸至該複數個第一氣體出口的複數個第七通路。
如請求項10至12任一項所述之裝置，其中該第一複數個氣體通道具有一矩形的剖面。
一種沉積腔室，包含：<br/>一處理腔室，具有一腔室蓋，且在其中界定一處理空間；<br/>一支撐基座，佈置於該處理空間中，以支撐一基板；<br/>一蓋加熱器，耦合至該腔室蓋，其中該蓋加熱器包括一陶瓷加熱器主體，該陶瓷加熱器主體具有相對於一第二側的一第一側及一加熱元件嵌入其中，其中該蓋加熱器包括從該第一側上的一或更多第一氣體入口延伸的第一複數個氣體通道，其中該一或更多第一氣體入口之各者延伸至在該第二側上的複數個第一氣體出口；及<br/>一RF電極，嵌入該陶瓷加熱器主體中而靠近該第二側，其中該第一複數個氣體通道延伸通過該RF電極。
如請求項15所述之沉積腔室，進一步包含一噴淋頭，佈置於該支撐基座及該蓋加熱器之間。
如請求項16所述之沉積腔室，其中一第一氣流線耦合至該蓋加熱器，且一第二氣流線耦合至該噴淋頭。
如請求項15所述之沉積腔室，進一步包含一第二複數個氣體通道，從該第一側上的一第二氣體入口延伸至在該第二側上的複數個第二氣體出口。
如請求項15至18任一項所述之沉積腔室，其中該陶瓷加熱器主體包括內部導管，佈置於該RF電極及該加熱器元件之間，且其中該等內部導管包括一環狀溝槽。
如請求項15至18任一項所述之沉積腔室，其中該等內部導管在該環狀溝槽四周以一正交圖案安排。
一種阻劑下層膜形成用組成物，其包含具有下述式(1)所示之重複單位的純化聚合物及有機溶劑，上述純化聚合物為將包含粗聚合物的溶液與不良溶劑混合使其沉澱、過濾分離而得者，且純化聚合物中之重量平均分子量1,000以下之低分子量成分的含量為10質量%以下，將該組成物塗佈於矽晶圓基板上升溫至205℃，進行烘烤形成阻劑下層膜時，與包含上述粗聚合物的阻劑下層膜形成組成物相比，昇華物量減少，<figure><img align="absmiddle" height="103px" width="437px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>{式(1)中，A互相獨立，表示氫原子、甲基或乙基，Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>表示式(2)或式(3)：<figure><img align="absmiddle" height="160px" width="649px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>[式中，Q<sup>3</sup>表示可含硫醚鍵或二硫鍵之碳數1~10之伸烷基、碳數2~10之伸烯基、伸苯基、伸萘基或伸蒽基，上述伸苯基、伸萘基及伸蒽基互相獨立，可被選自由碳數1~6之烷基、苯基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代；B互相獨立，表示單鍵或碳數1~5之伸烷基；n互相獨立，為0或1；m互相獨立，為0或1；X表示式(4)或式(5)：<figure><img align="absmiddle" height="152px" width="315px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>(式中，R<sup>1</sup>互相獨立，表示氫原子、鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數3~6之烯基、苄基或苯基，上述烷基及烯基，可被鹵素原子、羥基或氰基取代，上述苄基，芳香環上之氫原子可被羥基取代，上述苯基，可被選自由碳數1~6之烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代，2個R<sup>1</sup>亦可互相鍵結形成碳數3~6之環；R<sup>2</sup>表示鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數3~6之烯基、苄基或苯基，上述苯基，可被選自由碳數1~6之烷基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代)]；惟，Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>之至少一者定為含式(3)所示之結構者}。
如請求項1之阻劑下層膜形成用組成物，其進一步包含交聯劑。
如請求項1或2之阻劑下層膜形成用組成物，其進一步包含酸觸媒。
一種阻劑下層膜，其係由如請求項1~3中任一項之阻劑下層膜形成用組成物而得者。
一種具有下述式(1)所示之重複單位的純化聚合物，其為將包含粗聚合物的溶液與不良溶劑混合使其沉澱、過濾分離而得之純化聚合物，且純化聚合物中之重量平均分子量1,000以下之低分子量成分的含量為10質量%以下，將包含上述純化聚合物及有機溶劑之阻劑下層膜形成用組成物塗佈於矽晶圓基板上升溫至205℃，進行烘烤形成阻劑下層膜時，與包含上述粗聚合物及有機溶劑的阻劑下層膜形成組成物相比，昇華物量減少，<figure><img align="absmiddle" height="111px" width="459px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>{式(1)中，A互相獨立，表示氫原子、甲基或乙基，Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>表示式(2)或式(3)：<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="687px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>[式中，Q<sup>3</sup>表示可含硫醚鍵或二硫鍵之碳數1~10之伸烷基、碳數2~10之伸烯基、伸苯基、伸萘基或伸蒽基，上述伸苯基、伸萘基及伸蒽基互相獨立，可被選自由碳數1~6之烷基、苯基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代；B互相獨立，表示單鍵或碳數1~5之伸烷基；n互相獨立，為0或1；m互相獨立，為0或1；X表示式(4)或式(5)：<figure><img align="absmiddle" height="147px" width="324px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>(式中，R<sup>1</sup>互相獨立，表示氫原子、鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數3~6之烯基、苄基或苯基，上述烷基及烯基，可被鹵素原子、羥基或氰基取代，上述苄基，芳香環上之氫原子可被羥基取代，上述苯基，可被選自由碳數1~6之烷基、鹵素原子、碳原子數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代，2個R<sup>1</sup>亦可互相鍵結形成碳數3~6之環；R<sup>2</sup>表示鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數3~6之烯基、苄基或苯基，上述苯基，可被選自由碳數1~6之烷基、鹵素原子、碳數1~6之烷氧基、硝基、氰基、羥基及碳數1~6之烷硫基所成群組中之基取代)]；惟，Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>之至少一者定為含式(3)所示之結構者}。
一種製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其係含有槲皮素或其醣苷作為有效成分(其中，不包括製造含有雙氯芬酸及槲皮素之組成物的用途)。
如請求項1之製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其係為了用於促進參與硫酸軟骨素的合成之醣基轉移酶的表現。
如請求項2之製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其中參與硫酸軟骨素的合成之醣基轉移酶係選自由硫酸軟骨素N-乙醯基半乳糖胺基轉移酶1、硫酸軟骨素N-乙醯基半乳糖胺基轉移酶2、木糖轉移酶2、β-1,3-半乳糖基轉移酶1、硫酸軟骨素合成酵素1及軟骨素聚合因子2所成群組的1種以上。
如請求項2或3之製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其中參與硫酸軟骨素的合成之醣基轉移酶係硫酸軟骨素N-乙醯基半乳糖胺基轉移酶1及/或硫酸軟骨素N-乙醯基半乳糖胺基轉移酶2。
如請求項1至3中任一項之製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其係飲食品、化妝料或準醫藥品。
如請求項1至3中任一項之製造用於促進硫酸軟骨素合成之組成物的用途，其中槲皮素或其醣苷為酵素處理異槲皮苷。
一種槲皮素或其醣苷的非治療的用途，其係用來促進硫酸軟骨素的合成(其中，不包括含有雙氯芬酸及槲皮素之組成物的用途)。
如請求項7之用途，其係藉由促進參與硫酸軟骨素的合成之醣基轉移酶的表現來促進硫酸軟骨素的合成。
一種硫化物固體電解質，其包含鋰(Li)元素、磷(P)元素硫(S)元素及鹵素元素的硫化物固體電解質，鋰(Li)元素之含量相對於磷(P)元素之含量之比，係莫耳比為4.8以上7.0以下，硫(S)元素之含量相對於磷(P)元素之含量之比，係莫耳比為3.6以上6.0以下，前述鹵素(X)元素為由氯(Cl)元素及溴(Br)元素中選出的至少一種，於使用CuKα1線測定的X射線繞射圖型中，在2θ=23.2°±1.0°及2θ=29.2°±0.5°之位置具有源自屬於空間群Pmna之結晶構造之結晶相的波峰。
如請求項1之硫化物固體電解質，其於使用CuKα1線測定的X射線繞射圖型中，在2θ=19.5°±1.0°及2θ=30.5°±0.5°之位置具有源自屬於空間群Pmna之結晶構造之結晶相的具有波峰。
如請求項1之硫化物固體電解質，其於使用CuKα1線測定的X射線繞射圖型中，在2θ=15.34°±1.00°及2θ=25.19°±1.00°之位置具有源自硫銀鍺礦型結晶構造之結晶相的波峰。
如請求項1~3中任一項之硫化物固體電解質，其具有3m<sup>2</sup>/g以上11m<sup>2</sup>/g以下的BET比表面積。
如請求項1~3中任一項之硫化物固體電解質，其具有下述式所示的組成：Li<sub>a</sub>PS<sub>b</sub>X<sub>c</sub>[式中，X為氯(Cl)元素及溴(Br)元素中選出的至少一種的鹵素元素，a為3.0以上6.5以下，b為3.5以上5.5以下，c為0.50以上3.0以下]。
一種電極混合材料，其包含如請求項1~5中任一項之硫化物固體電解質與活性物質。
一種漿料，其包含如請求項1~5中任一項之硫化物固體電解質與分散介質。
一種電池，其具備正極層、負極層、及位於前述正極層及前述負極層之間的固體電解質層，前述固體電解質層包含如請求項1~5中任一項之硫化物固體電解質。
一種硫化物固體電解質之製造方法，其包含下述步驟：(1)準備包含鋰(Li)元素、磷(P)元素硫(S)元素及鹵素元素的硫化物固體電解質，鋰(Li)元素之含量相對於磷(P)元素之含量之比，係莫耳比為4.8以上7.0以下，硫(S)元素之含量相對於磷(P)元素之含量之比，係莫耳比為3.6以上6.0以下，前述鹵素(X)元素為由氯(Cl)元素及溴(Br)元素中選出的至少一種的硫化物固體電解質材料作為中間體之步驟；以及(2)熱處理前述中間體，得到如請求項1~5中任一項之硫化物固體電解質之步驟。
一種用於形成一單晶矽錠之方法，其包括： <br/>將固相多晶矽添加至具有一側壁及一底部之一坩堝； <br/>加熱該固相多晶矽以形成具有一表面之一矽熔融物； <br/>將該矽熔融物與一晶種接觸； <br/>自該矽熔融物抽出該晶種以形成一矽錠； <br/>將固相合成石英添加至該矽熔融物；及 <br/>至少部分溶解該固相合成石英，該固相合成石英在被溶解時在該矽熔融物之該表面處毗連該坩堝側壁，該矽熔融物之該表面在該矽錠與該固相合成石英之間係無阻礙的，在將所有固相合成石英添加至該矽熔融物之後該固相合成石英與該矽錠之間存在一間隙。
如請求項1之方法，其中該固相合成石英經塑形為一棒、管、球體或具有一不規則形狀。
如請求項1之方法，其中該固相合成石英含有5.0 ppmw或更少之雜質。
如請求項1之方法，其中該坩堝包括一石英基底層及安置於該石英基底層上之一合成石英襯層。
如請求項1之方法，其中該固相合成石英在該矽熔融物之該表面處繞該坩堝之整個圓周安置。
如請求項1之方法，其包括旋轉該坩堝，其中由該坩堝之旋轉引起之離心力引起該固相合成石英毗連該坩堝側壁。
如請求項1之方法，其中在該矽錠之生長之前添加該固相合成石英。
如請求項1之方法，其中在錠生長期間添加該固相合成石英。
如請求項1之方法，其中將該固相合成石英添加至該矽熔融物不多於一次。
如請求項1之方法，其中在兩個或兩個以上週期中將該固相合成石英添加至該矽熔融物。
如請求項1之方法，其中在一批量丘克拉斯基程序中生長該錠且在錠生長期間不將固相多晶矽添加至該矽熔融物。
如請求項1之方法，其中在其中在錠生長期間將固相多晶矽添加至該矽熔融物之一連續丘克拉斯基程序中生長該錠。
一種用於形成一單晶矽錠之方法，其包括： <br/>將固相多晶矽添加至具有一側壁及一底部之一坩堝； <br/>加熱該固相多晶矽以形成一矽熔融物； <br/>將該矽熔融物與一晶種接觸； <br/>自該矽熔融物抽出該晶種以形成一矽錠，該矽錠係在一批量丘克拉斯基程序中生長且在錠生長期間不將固相多晶矽添加至該矽熔融物； <br/>將固相石英添加至該矽熔融物，使得固相石英僅部分延伸穿過該矽熔融物的一表面；及 <br/>至少部分溶解該固相石英以使該坩堝之溶解減量，該固相石英在被溶解時在該矽熔融物之表面處毗連該坩堝之整個圓周。
如請求項13之方法，其中該固相石英經塑形為一棒、管、球體或具有一不規則形狀。
如請求項13之方法，其中該固相石英含有5.0 ppmw或更少之雜質。
如請求項13之方法，其中該坩堝包括一石英基底層及安置於該石英基底層上之一合成石英襯層。
如請求項13之方法，其包括旋轉該坩堝，其中由該坩堝之旋轉引起之離心力引起該固相石英毗連該坩堝側壁。
如請求項13之方法，其中藉由一固定裝置抵靠該坩堝側壁固持該固相石英。
如請求項13之方法，其中在該矽錠之生長之前添加該固相石英。
如請求項13之方法，其中在錠生長期間添加該固相石英。
如請求項13之方法，其中將該固相石英添加至該矽熔融物不多於一次。
如請求項13之方法，其中在兩個或兩個以上週期中將該固相石英添加至該矽熔融物。
一種化合物(<b>I</b>)之晶形B： <br/><br/><img align="absmiddle" height="57px" width="73px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (<b>I</b>)， <br/><br/>其中C*係立體化學中心，其特徵在於X射線粉末繞射圖在10.8 ± 0.2、15.3 ± 0.2、16.3 ± 0.2、17.9 ± 0.2、18.4 ± 0.2、18.7 ± 0.2、22.0 ± 0.2、及22.9 ± 0.2之2θ值處具有訊號。
如請求項1之晶形B，其中化合物(<b>I</b>)之至少＞99%係(E)-異構物。
如請求項1之晶形B，其中化合物(<b>I</b>)之95%至99%係(E)-異構物。
如請求項2之晶形B，其進一步特徵在於： <br/>(a) DSC熱分析圖在約144℃至約146℃處具有吸熱峰（熔融溫度）；及/或 <br/>(b) DSC熱分析圖在約139.3℃處開始顯示熔融；及/或 <br/>(c) 在95%相對濕度(RH)下儲存時水含量小於1.3%。
如請求項3中之晶形B，其進一步特徵在於： <br/>(a) DSC熱分析圖在約141℃至約142℃處具有吸熱峰（熔融溫度）；及/或 <br/>(b) DSC熱分析圖在約131.8℃至約132.4℃處開始顯示熔融；及/或 <br/>(c) 在95%相對濕度(RH)下儲存時水含量小於1.3%。
如請求項1至5中任一項之化合物(I)的晶形B，其係由包含以下之方法製備： <br/>在非晶形(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧環丁烷-3-基)哌𠯤-1-基]戊-2-烯腈中添加乙酸乙酯，以形成溶液； <br/>用氯化鈉接種該溶液，且攪拌該溶液以獲得懸浮液； <br/>藉由該懸浮液之過濾而單離晶形B。
如請求項1至5中任一項之化合物(<b>I</b>)的晶形B，其係由包含以下之方法製備： <br/>在(R)-2-[3-[4-胺基-3-(2-氟-4-苯氧基-苯基)吡唑并[3,4-d]嘧啶-1-基]哌啶-1-羰基]-4-甲基-4-[4-(氧環丁烷-3-基)哌𠯤-1-基]戊-2-烯腈之晶形C中添加乙醇，以形成溶液或漿液，其中該晶形C之特徵在於X射線粉末繞射圖在9.8 ± 0.2、10.2 ± 0.2、15.6 ± 0.2、16.6 ± 0.2、18.6 ± 0.2、18.9 ± 0.2、19.6 ± 0.2、及21.6 ± 0.2之2θ值處具有訊號； <br/>用化合物(<b>I</b>)之形式B的晶種接種該溶液或該漿液；及 <br/>藉由過濾而單離化合物(<b>I</b>)之晶形B。
一種固體口服醫藥組成物，其包含： <br/>如請求項1至7中任一項之化合物(<b>I</b>)之晶形B；及 <br/>至少一種醫藥上可接受之賦形劑。
如請求項8之醫藥組成物，其中該醫藥組成物係呈錠劑或膠囊之形式。
一種如請求項1至7中任一項之化合物(<b>I</b>)之晶形B之用途，其用於製備在有需要的哺乳動物中治療以下的藥物： <br/>(a) 由布魯頓氏酪胺酸激酶(BTK)介導之疾病；及/或 <br/>(b) 尋常型天疱瘡；或 <br/>(c) 落葉型天疱瘡；或 <br/>(d) 免疫性血小板減少症；或 <br/>(e) 氣喘；或 <br/>(f) 皮膚炎。
如請求項10之用途，其中該哺乳動物係人類。
一種異二聚蛋白質，其包含第一多肽及第二多肽，其中該第一多肽自N端至C端包含至少一部分之第一免疫球蛋白鉸鏈區、第一免疫球蛋白重鏈恆定結構域2(CH2結構域)及第一免疫球蛋白重鏈恆定結構域3(CH3結構域)，且其中該第二多肽自N端至C端包含至少一部分之第二免疫球蛋白鉸鏈區、第二CH2結構域及第二CH3結構域，其中該第一CH3結構域及該第二CH3結構域為人類CH3結構域，其中該等CH2結構域及該等CH3結構域形成IgG Fc區，且其中該第一CH3結構域包含在390位置之半胱胺酸(C)殘基且該第二CH3結構域包含在400位置之半胱胺酸殘基，或該第一CH3結構域包含在位置400之半胱胺酸殘基且該第二CH3結構域包含在位置390之半胱胺酸殘基；且其中胺基酸殘基編號係基於EU編號。
如請求項1之異二聚蛋白質，其中該第一CH3結構域包含N390C取代且該第二CH3結構域包含S400C取代，或該第一CH3結構域包含S400C取代且該第二CH3結構域包含N390C取代。
如請求項1之異二聚蛋白質，其中：i)該第一CH3結構域進一步包含在位置357之帶正電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置351之帶負電荷之殘基，或該第一CH3結構域進一步包含在位置351之帶負電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置357之帶正電荷之殘基；或ii)該第一CH3結構域進一步包含在位置411之帶正電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置370之帶負電荷之殘基，或該第一CH3結構域進一步包含在位置370之帶負電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置411之帶正電荷之殘基；或iii)該第一CH3結構域進一步包含在位置364之帶正電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置370之帶負電荷之殘基，或該第一CH3結構域進一步包含在位置370之帶負電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置364之帶正電荷之殘基；或i)與ii)之組合，或i)與iii)之組合；且其中胺基酸殘基編號係基於EU編號。
如請求項1-3中任一項之異二聚蛋白質，其中該第一CH3結構域進一步包含在位置356之帶正電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置439之帶負電荷之殘基，或第一CH3結構域進一步包含在位置439之帶負電荷之殘基且該第二CH3結構域進一步包含在位置356之帶正電荷之殘基；並且其中胺基酸殘基編號係基於EU編號。
如請求項4之異二聚蛋白質，其中：i)該帶正電荷之殘基為離胺酸(K)殘基，且該帶負電荷之殘基為天冬胺酸(D)殘基；或ii)該帶正電荷之殘基為離胺酸(K)殘基，且該帶負電荷之殘基為麩胺酸(E)殘基；或iii)該帶正電荷之殘基為精胺酸(R)殘基，且該帶負電荷之殘基為天冬胺酸(D)殘基；或iv)該帶正電荷之殘基為精胺酸(R)殘基，且該帶負電荷之殘基為麩胺酸(E)殘基。
如請求項5之異二聚蛋白質，其中：i)該第一CH3結構域包含E357K及T411K取代且該第二CH3結構域包含L351D及K370D取代，或該第一CH3結構域包含L351D及K370D取代且該第二CH3結構域包含E357K及T411K取代；或ii)該第一CH3結構域包含E357K及S364K取代且該第二CH3結構域包含L351D及K370D取代，或該第一CH3結構域包含L351D及K370D取代且該第二CH3結構域包含E357K及S364K取代；或iii)該第一CH3結構域包含D356K、E357K及S364K取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D及K439D取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D及K439D取代且該第二CH3結構域包含D356K、E357K及S364K取代。
如請求項1-3中任一項之異二聚蛋白質，其中：i)該第一CH3結構域進一步包含K392D及K409D取代且該第二CH3結構域進一步包含D356K及D399K取代，或該第一CH3結構域進一步包含D356K及D399K取代且該第二CH3結構域進一步包含K392D及K409D取代；或ii)該第一CH3結構域進一步包含L368D及K370S取代且該第二CH3結構域進一步包含E357Q及S364K取代，或該第一CH3結構域進一步包含E357Q及S364K取代且該第二CH3結構域進一步包含L368D及K370S取代；或iii)該第一CH3結構域進一步包含L351K及T366K取代且該第二CH3結構域進一步包含L351D及L368E取代，或該第一CH3結構域進一步包含L351D及L368E取代且該第二CH3結構域進一步包含L351K及T366K取代；或iv)該第一CH3結構域進一步包含P395K、P396K及V397K取代且該第二CH3結構域包含T394D、P395D及P396D取代，或該第一CH3結構域進一步包含T394D、P395D及P396D取代且該第二CH3結構域進一步包含P395K、P396K及V397K取代；或v)該第一CH3結構域進一步包含F405E、Y407E及K409E取代且該第二CH3結構域包含F405K及Y407K取代，或該第一CH3結構域進一步包含F405K及Y407K取代且該第二CH3結構域進一步包含F405E、Y407E及K409E取代。
如請求項6之異二聚蛋白質，其中i)該第一CH3結構域包含E357K、S364K及N390C取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D及S400C取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D及S400C取代且該第二CH3結構域包含E357K、S364K及N390C取代；或ii)該第一CH3結構域包含E357K、S364K及S400C取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D及N390C取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D及N390C取代且該第二CH3結構域包含E357K、S364K及S400C取代；或iii)該第一CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及S400C取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D、N390C及K439D取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D、N390C及K439D取代且該第二CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及S400C取代；或iv)該第一CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及N390C取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D、K439D及S400C取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D、K439D及S400C取代且該第二CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及N390C取代。
如請求項1-3中任一項之異二聚蛋白質，其中該第一CH3結構域及該第二CH3結構域進一步包含杵入臼殘基。
如請求項9之異二聚蛋白質，其中：i)該第一CH3結構域包含T366S、L368A及Y407V取代且該第二CH3結構域包含T366W取代，或該第一CH3結構域包含T366W取代且該第二CH3結構域包含T366S、L368A及Y407V取代；或ii)該第一CH3結構域包含L368V及Y407V取代且該第二CH3結構域包含T366W取代，或該第一CH3結構域包含T366W取代且該第二CH3結構域包含L368V及Y407V取代。
如請求項1之異二聚蛋白質，其中該Fc區屬於人類IgG1亞類。
如請求項1之異二聚蛋白質，其中該Fc區屬於人類IgG4亞類。
如請求項12之異二聚蛋白質，其中該Fc區進一步包含S228P取代。
如請求項11之異二聚蛋白質，其中該Fc區進一步包含N297A取代。
如請求項1-3中任一項之異二聚蛋白質，其中該第一多肽及該第二多肽為抗體重鏈，且其中該異二聚蛋白質進一步包含一或多個抗體輕鏈。
如請求項15之異二聚蛋白質，其中該異二聚蛋白質為多特異性抗體。
如請求項16之異二聚蛋白質，其進一步包含第三多肽及第四多肽，其中：(i)該第一多肽包含由下式表示之結構：VH1-CH1-鉸鏈-CH2-第一CH3-L1-scFv1 (Ia)；(ii)該第二多肽包含由下式表示之結構：VH2-CH1-鉸鏈-CH2-第二CH3-L2-scFv2 (IIa)；(iii)該第三多肽包含由下式表示之結構：VL1-CL (Ib)；且(iv)該第四多肽包含由下式表示之結構：VL2-CL (IIb)；其中：VL1為第一免疫球蛋白輕鏈可變結構域；VH1為第一免疫球蛋白重鏈可變結構域；VL2為第二免疫球蛋白輕鏈可變結構域；VH2為第二免疫球蛋白重鏈可變結構域；scFv1為第一單鏈可變片段；scFv2為第二單鏈可變片段；CL為免疫球蛋白輕鏈恆定結構域；CH1為免疫球蛋白重鏈恆定結構域1；CH2為免疫球蛋白重鏈恆定結構域2；鉸鏈為連接該CH1結構域及該CH2結構域之免疫球蛋白鉸鏈區；且L1及L2各自獨立地為鍵或肽連接子；其中VL1與VH1相締合以形成特異性結合於第一靶標之第一Fv；其中VL2與VH2相締合以形成特異性結合於第二靶標之第二Fv；其中scFv1特異性結合於第三靶標；且其中scFv2特異性結合於第四靶標。
如請求項17之異二聚蛋白質，其中scFv1與scFv2為相同的。
如請求項17之異二聚蛋白質，其中VL1與VL2為相同的。
如請求項18之異二聚蛋白質，其中該第一Fv特異性結合PDL1，該第二Fv特異性結合CD137，且scFv1及scFv2特異性結合CTLA-4。
如請求項16之異二聚蛋白質，其進一步包含第三多肽，其中：(i)該第一多肽包含由下式表示之結構：VH-CH1-鉸鏈-CH2-第一CH3 (IIIa)；(ii)該第二多肽包含由下式表示之結構：scFv-鉸鏈-CH2-第二CH3 (IVa)；且(iii)該第三多肽包含由下式表示之結構：VL-CL (IIIb)；其中：VL為免疫球蛋白輕鏈可變結構域；VH為免疫球蛋白重鏈可變結構域；scFv為單鏈可變片段；CL為免疫球蛋白輕鏈恆定結構域；CH1為免疫球蛋白重鏈恆定結構域1；CH2為免疫球蛋白重鏈恆定結構域2；且鉸鏈為連接該CH1結構域及該CH2結構域之免疫球蛋白鉸鏈區；其中VL與VH相締合以形成特異性結合於第一靶標之Fv；且其中該scFv特異性結合於第二靶標。
如請求項21之異二聚蛋白質，其中該Fv特異性結合CD137且該scFv特異性結合PDL1。
如請求項16之異二聚蛋白質，其中該異二聚蛋白質為可活化抗體，其中該異二聚蛋白質包含第三多肽，且其中：(i)該第一多肽包含由下式表示之結構：VH-CH1-鉸鏈-CH2-第一CH3 (Va)；(ii)該第二多肽包含由下式表示之結構：MM1-CM1-scFv-鉸鏈-CH2-第二CH3 (VIa)；且(iii)該第三多肽包含由下式表示之結構：MM2-CM2-VL-CL (IVb)；其中：VL為免疫球蛋白輕鏈可變結構域；VH為免疫球蛋白重鏈可變結構域；scFv為單鏈可變片段；CL為免疫球蛋白輕鏈恆定結構域；CH1為免疫球蛋白重鏈恆定結構域1；CH2為免疫球蛋白重鏈恆定結構域2；鉸鏈為連接該CH1結構域及該CH2結構域之免疫球蛋白鉸鏈區；MM1為第一遮蔽肽；MM2為第二遮蔽肽；CM1為第一可裂解肽；且CM2為第二可裂解肽；其中VL與VH相締合以形成特異性結合於第一靶標之第一Fv；其中該scFv特異性結合於第二靶標；其中當CM1未裂解時，MM1抑制該scFv結合至該第一靶標；且其中當CM2未裂解時，MM2抑制該第一Fv結合至該第二靶標。
如請求項21之異二聚蛋白質，其中該第一靶標為腫瘤抗原，且該第二靶標為CD3。
如請求項23之異二聚蛋白質，其中MM1包含SEQ ID NO：35之胺基酸序列。
如請求項24之異二聚蛋白質，其中該第一靶標為HER2。
如請求項23之異二聚蛋白質，其中MM2包含SEQ ID NO：36之胺基酸序列。
如請求項24之異二聚蛋白質，其中該第一Fv包含VH，該VH包含含有SEQ ID NO：61之胺基酸序列的CDR-H1、含有SEQ ID NO：62之胺基酸序列的CDR-H2及/或含有SEQ ID NO：63之胺基酸序列的CDR-H3；及/或VL，該VL包含含有SEQ ID NO：64之胺基酸序列的CDR-L1、含有SEQ ID NO：65之胺基酸序列的CDR-L2及/或含有SEQ ID NO：66之胺基酸序列的CDR-L3。
如請求項26之異二聚蛋白質，其中該scFv包含VH，該VH包含含有SEQ ID NO：69之胺基酸序列的CDR-H1、含有SEQ ID NO：70之胺基酸序列的CDR-H2及/或含有SEQ ID NO：71之胺基酸序列的CDR-H3；及/或VL，該VL包含含有SEQ ID NO：72之胺基酸序列的CDR-L1、含有SEQ ID NO：73之胺基酸序列的CDR-L2及/或含有SEQ ID NO：74之胺基酸序列的CDR-L3。
如請求項23之異二聚蛋白質，其中該第一CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及S400C取代且該第二CH3結構域包含L351D、K370D、N390C及K439D取代，或該第一CH3結構域包含L351D、K370D、N390C及K439D取代且該第二CH3結構域包含D356K、E357K、S364K及S400C取代。
一或多種核酸，其編碼如請求項1-30中任一項之異二聚蛋白質。
一種載體，其包含如請求項31之一或多種核酸。
一種宿主細胞，其包含如請求項31之一或多種核酸。
一種宿主細胞，其包含如請求項32之載體。
一種用於製備異二聚蛋白質之方法，該方法包括：(a)在允許該一或多種核酸或載體表現之條件下培養如請求項34之宿主細胞；及(b)自宿主細胞培養物回收該異二聚蛋白質。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1-30中任一項之異二聚蛋白質，及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1-30中任一項之異二聚蛋白質或如請求項36之醫藥組合物之用途，其用於製備治療有需要之個體之癌症的藥劑，其中該治療包括向該個體投與有效量之該異二聚蛋白質或該醫藥組合物。
一種樹脂層合體，其具備以第一樹脂組成物構成之第一層與設於前述第一層之一面之以第二樹脂組成物構成之第二層，<br/>前述第一樹脂組成物包含<br/>含有環氧樹脂、二胺化合物及聚醯亞胺樹脂之樹脂成分，與<br/>相對於前述第一樹脂組成物之固形分100重量份為60重量份以上85重量份以下之包含選自由Ba、Ti、Sr、Pb、Zr、La、Ta及Bi所成之群之至少2種之複合金屬氧化物的介電體填料，<br/>前述第一樹脂組成物之前述聚醯亞胺樹脂之含量相對於前述樹脂成分100重量份為20重量份以上60重量份以下，<br/>前述第二樹脂組成物包含<br/>含有環氧樹脂及二胺化合物但不含聚醯亞胺樹脂之樹脂成分，與<br/>相對於前述第二樹脂組成物之固形分100重量份為70重量份以上90重量份以下之包含選自由Ba、Ti、Sr、Pb、Zr、La、Ta及Bi所成之群之至少2種之複合金屬氧化物的介電體填料。
如請求項1之樹脂層合體，其中於前述第二層之遠離前述第一層之側的面進而具備以前述第一樹脂組成物構成之再一個第一層。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第一樹脂組成物中，前述環氧樹脂與前述二胺化合物之合計含量，相對於前述樹脂成分100重量份，為40重量份以上80重量份以下。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第一樹脂組成物中，前述二胺化合物之含量，係於將前述環氧樹脂之環氧基數設為1時，前述二胺化合物之活性氫基數成為0.5以上1.5以下之量。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第一樹脂組成物中，前述二胺化合物之含量，係於將前述環氧樹脂之環氧基數設為1時，前述二胺化合物之活性氫基數成為0.65以上1.0以下之量。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第一樹脂組成物中所含之前述複合金屬氧化物包含選自由BaTiO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>、Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>、PbLaTiO<sub>3</sub>、PbLaZrO及SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>所成之群之至少1種。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第一樹脂組成物中所含之前述複合金屬氧化物係BaTiO<sub>3</sub>。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第二樹脂組成物中，前述二胺化合物之含量，係於將前述環氧樹脂之環氧基數設為1時，前述二胺化合物之活性氫基數成為0.5以上1.5以下之量。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第二樹脂組成物中，前述二胺化合物之含量，係於將前述環氧樹脂之環氧基數設為1時，前述二胺化合物之活性氫基數成為0.65以上1.0以下之量。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第二樹脂組成物中所含之前述複合金屬氧化物包含選自由BaTiO<sub>3</sub>、SrTiO<sub>3</sub>、Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>、PbLaTiO<sub>3</sub>、PbLaZrO及SrBi<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>9</sub>所成之群之至少1種。
如請求項1或2之樹脂層合體，其中前述第二樹脂組成物中所含之前述複合金屬氧化物係BaTiO<sub>3</sub>。
一種介電體層，其包含如請求項1至11中任一項之樹脂層合體，係將前述第一樹脂組成物及前述第二樹脂組成物硬化而成。
如請求項12之介電體層，其中前述介電體層之厚度為0.2μm以上30μm以下。
一種附樹脂之金屬箔，其包含金屬箔與設於前述金屬箔之至少一面之如請求項1至11中任一項之樹脂層合體。
如請求項14之附樹脂之金屬箔，其中前述金屬箔係設於前述樹脂層合體之兩面。
如請求項14或15之附樹脂之金屬箔，其中前述金屬箔係銅箔。
一種電容器元件，其具有如請求項12或13之介電體層。
一種內置電容器之印刷配線板，其具有如請求項12或13之介電體層。
一種噴淋頭組件，包括：<br/> 一氣體分配板，該氣體分配板包括一內部和一外部，該內部由單晶矽（Si）製成，且該外部由單晶矽（Si）或多晶矽（poly-Si）之一製成，其中一結合層被設置在該內部或外部之至少一者的一背面上；<br/> 一或多個連接器，該一或多個連接器由該結合層結合至該內部和該外部中的至少一個，該一或多個連接器包含一或多個環體；以及<br/> 一背板，該背板由矽（Si）和碳化矽（SiC）作為主要成分形成，其中該背板由該結合層與該一或多個連接器結合到該氣體分配板的該內部或外部之至少一者的該背面的至少一者。
如請求項1所述之噴淋頭組件，其中該內部和外部是由單晶矽（Si）製成的一均質的整體。
如請求項1所述之噴淋頭組件，其中該結合層包括至少一個同心環，該至少一個同心環位於該內部或外部之至少一者的該背面上的一對應的同心凹槽內。
如請求項1所述之噴淋頭組件，其中該結合層由具有鈦（Ti）的鋁矽合金製成或由鋁製成。
如請求項1至4中任一項所述之噴淋頭組件，其中該氣體分配板與該背板的熱膨脹係數（CTE）皆分別為大約2至大約7 ppm/°C。
一種處理室，該處理室包含：<br/> 一噴淋頭組件，該噴淋頭組件包括：<br/> 一氣體分配板，該氣體分配板包括一內部和一外部，該內部由單晶矽（Si）製成，且該外部由單晶矽（Si）或多晶矽（poly-Si）之一製成，其中一結合層被設置在該內部或外部之至少一者的一背面上；<br/> 一或多個連接器，該一或多個連接器由該結合層結合至該內部和該外部中的至少一個，該一或多個連接器包含一或多個環體；以及<br/> 一背板，該背板由矽（Si）和碳化矽（SiC）作為主要成分形成，其中該背板由該結合層與該一或多個連接器結合到該氣體分配板的該內部或外部之至少一者的該背面的至少一者。
如請求項6所述之處理室，其中該內部和外部是由單晶矽（Si）製成的一均質的整體。
如請求項6所述之處理室，其中該結合層包括至少一個同心環，該至少一個同心環位於該內部或外部之至少一者的該背面上的一對應的同心凹槽內。
如請求項6所述之處理室，其中該結合層由具有鈦（Ti）的鋁矽合金製成或由鋁製成。
如請求項6至9中任一項所述之處理室，其中該氣體分配板與該背板的熱膨脹係數（CTE）皆分別為大約2至大約7 ppm/°C。
一種形成一噴淋頭組件的方法，包含以下步驟：<br/> 在一氣體分配板的一背面上沉積一結合層，該氣體分配板由單晶矽（Si）或多晶矽（poly-Si）之至少一者製成，該氣體分配板包含一內部與一外部；<br/> 將一或多個連接器由該結合層結合至該內部和該外部中的至少一個，該一或多個連接器包含一或多個環體；以及<br/> 將一背板由該結合層與該一或多個連接器結合到該氣體分配板的該背面，該背板由矽（Si）和碳化矽（SiC）作為主要成分形成。
如請求項11所述之方法，其中該內部和外部是由單晶矽（Si）製成的一均質的整體。
如請求項11所述之方法，其中該結合層包括至少一個同心環，該至少一個同心環位於該背面上的一對應的同心凹槽內。
如請求項11所述之方法，其中該結合層由具有鈦（Ti）鋁矽合金製成或由鋁製成。
如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：執行掃描聲學顯微鏡（SAM）測量方法、聲納掃描、或聲納成像之至少一者來檢查該氣體分配板和該背板之間的該結合。
如請求項11所述之方法，其中將該背板結合到該氣體分配板的該背面之步驟包括以下步驟：使用提供大約350攝氏度到大約750攝氏度的溫度的爐處理。
如請求項16所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在執行該爐處理的同時引入一回流氣體。
一種形成一結構之方法，該方法包括下列步驟：<br/> 於一反應室內提供一基材，該基材包括一或多個凹部；<br/> 將一惰性氣體提供至該反應室，以用於電漿引燃；<br/> 向該反應室提供一碳前驅物；<br/> 於該反應室內形成一電漿，以於該基材之一表面上形成一起始黏性的碳材料，其中該起始黏性的碳材料成為一碳材料；<br/> 終止該碳前驅物至該反應室之一流動；<br/> 終止該電漿；以及<br/> 在終止該電漿後經過一預定時間，形成該電漿但不提供該碳前驅物，以利用活化物種處理該碳材料，以形成經處理的碳材料，<br/> 其中用於處理該碳材料的該電漿的功率與用於形成該起始黏性的碳材料的電漿的功率相同，<br/> 其中，該反應室提供該碳前驅物的步驟、於該反應室內形成該電漿的步驟、終止該碳前驅物至該反應室之該流動的步驟、以及終止該電漿的步驟形成一碳材料沉積循環。
如請求項1之方法，其中將以下該等步驟施行一數目為N的次數，以填充該一或多個凹部：<br/> 向該反應室提供該碳前驅物；<br/> 於該反應室內形成該電漿，以於該基材之該表面上形成該起始黏性的碳材料；<br/> 終止該碳前驅物之該流動；<br/> 終止該電漿；以及<br/> 利用活化物種處理該碳材料，<br/> 其中N在約1至約50之範圍內。
如請求項1之方法，其中該處理之該步驟包括於該反應室內使用該惰性氣體來引燃該電漿。
如請求項1之方法，其中，於該碳材料沉積循環期間，向該反應室提供該碳前驅物之該步驟係於在該反應室內形成該電漿之該步驟之前進行並在在該反應室內形成該電漿之該步驟期間繼續。
如請求項1之方法，其中，於該碳材料沉積循環期間，終止該碳前驅物之該流動及終止該電漿之該等步驟係實質上同時地進行。
如請求項1之方法，其中，於該碳材料沉積循環期間，終止該碳前驅物之該流動的該步驟係在終止該電漿之該步驟之前進行。
如請求項1之方法，其中於終止該碳前驅物之該流動後降低經提供來形成該電漿的一射頻功率。
如請求項1之方法，其中提高用來形成該電漿之射頻功率，以進行利用活化物種處理該碳材料的該步驟。
如請求項1之方法，其中於在該反應室內形成該電漿的該步驟期間，使該惰性氣體及該碳前驅物兩者流動至該反應室。
如請求項1之方法，其中，在向該反應室提供該碳前驅物及在該反應室內形成該電漿之該等步驟期間，使該惰性氣體連續流動至該反應室。
如請求項1之方法，其中一沉積及處理循環包括：<br/> 將該碳材料沉積循環進行一或多次；且然後<br/> 利用活化物種處理該碳材料，<br/> 其中針對N個沉積及一個處理步驟將該沉積及處理循環進行若干次，且<br/> 其中該惰性氣體在該N個沉積及一個處理步驟期間，連續流動至該反應室，<br/> 其中N在約1至約50之範圍內。
如請求項1之方法，其中在利用活化物種處理該碳材料的該步驟之前，將於該反應室內形成該電漿，以於該基材之該表面上形成該起始黏性的碳材料及終止該電漿之該等步驟重複若干次。
如請求項1之方法，其中，於該碳材料沉積循環期間，在向該反應室提供該碳前驅物及終止該碳前驅物之流動的該等步驟期間，於該反應室內連續地形成該電漿。
如請求項1之方法，其中在重複一或多個碳材料沉積循環的同時，於該反應室內連續地形成該電漿。
如請求項1之方法，其中，於該碳材料沉積循環期間，於該反應室內形成該電漿，以形成該起始黏性碳材料的該步驟的一持續時間係介於約1.0秒與約30.0秒之間。
如請求項11之方法，其中，於一沉積及處理循環期間，利用活化物種處理該碳材料之該步驟的一持續時間係介於約1.0秒與約30.0秒之間。
如請求項1之方法，其中該惰性氣體包括氬氣、氦氣、氮氣、或其任何混合物。
如請求項1之方法，其中該碳前驅物的化學式係以C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>N<sub>z</sub>表示，其中x係2或更大的一自然數，y係一自然數，且z係0或一自然數。
如請求項11之方法，其中該碳前驅物包括具有至少一雙鍵之環一狀結構。
如請求項1之方法，其中在該反應室內的一溫度在以下步驟期間係低於或等於100°C：<br/> 向該反應室提供該碳前驅物；<br/> 於該反應室內形成該電漿，以於該基材之該表面上形成該起始黏性的碳材料；<br/> 終止該碳前驅物的該流動；<br/> 終止該電漿；以及<br/> 利用活化物種處理該碳材料。
一種根據如請求項1之方法所形成之膜結構。
如請求項21之膜結構，其中一經處理碳層包括原子百分比為45%或以上的碳。
如請求項22之膜結構，其中該膜結構在300毫米晶圓上，在具有100奈米或以上之一層厚度之該經處理碳層的一表面上包括少於50個可偵測尺寸超過50奈米的顆粒。
一種用來執行如請求項1之方法及/或用來形成如請求項21之膜結構的反應器系統。
一種單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，包括： <br/>由矽基板支撐的氮化鎵結構，其中由所述矽基板支撐的所述氮化鎵結構包括第一氮化鎵島和第二氮化鎵島，其中所述第一氮化鎵島和所述第二氮化鎵島在矽基板上物理上分開及橫向並排； <br/>具有發射模式和接收模式的矽基發射/接收開關； <br/>發射放大器，配置以放大所述MMIC前端模塊發送的輸出信號，其中所述發射放大器電性連接到所述發射/接收開關，其中所述發射放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)； 以及 <br/>接收放大器，配置以放大由所述MMIC前端模塊接收的輸入信號，其中所述接收放大器電性連接到所述發射/接收開關，其中所述接收放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的氮化鎵HEMT。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述發射放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的複數個HEMT。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述接收放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的複數個HEMT。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，更包括： <br/>矽基頻率升頻器，電性連接至所述發射放大器，其中所述頻率升頻器配置以將所述MMIC前端模塊發射的所述輸出信號的頻率升頻；以及 <br/>矽基頻率降頻器，電性連接至所述接收放大器，其中所述頻率降頻器配置以將所述MMIC前端模塊接收的所述輸入信號的頻率降頻。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述發射放大器的所述氮化鎵HEMT形成在所述第一氮化鎵島中，以及所述接收放大器的所述氮化鎵HEMT形成在所述第二氮化鎵島中。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述第一氮化鎵島和所述第二氮化鎵島的橫向尺寸在0.1μm至10μm的範圍內。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述氮化鎵結構的橫向尺寸在0.1μm至10μm的範圍內。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，更包括天線，配置以發射和接收無線信號，其中所述發射/接收開關電性連接至所述天線。
如請求項8所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述天線由所述矽基板支撐。
如請求項8所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述天線是陣列天線，所述陣列天線包括複數個天線陣列元件。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述氮化鎵結構包括垂直佈置於所述矽基板的垂直奈米線結構。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述氮化鎵結構包括氮化鎵層以及Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N層，其中0≤x≤0.95。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述氮化鎵結構包括氮化鋁層。
如請求項1所述之單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，其中所述矽基發射/接收開關整體形成在所述矽基板中，或者其中所述矽基發射/接收開關由所述矽基板支撐。
一種單片微波積體電路(MMIC)前端模塊，包括： <br/>由矽基板支撐的氮化鎵結構，其中所述氮化鎵結構包括垂直佈置於所述矽基板的垂直奈米線結構； <br/>具有發射模式和接收模式的矽基發射/接收開關； <br/>發射放大器，配置以放大所述MMIC前端模塊發送的輸出信號，其中所述發射放大器電性連接到所述發射/接收開關，其中所述發射放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT)；以及 <br/>接收放大器，配置以放大由所述MMIC前端模塊接收的輸入信號，其中所述接收放大器電性連接到所述發射/接收開關，其中所述接收放大器包括在所述氮化鎵結構中形成的氮化鎵HEMT。
一種液晶裝置，其包含： <br/>至少兩個相對之透明基板， <br/>夾在該等相對基板之間的至少一個液晶轉換層，其包含 <br/>可自一或多種式I光反應性液晶原獲得之聚合物， <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="323px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>A<sup>11</sup> 表示選自下列群組之基團： <br/> a) 由1,4-伸苯基及1,3-伸苯基組成之群組，其中，另外，一或兩個CH基團視需要經N置換，且其中，另外，一或多個H原子視需要經L置換， <br/> b) 選自由以下組成之群之群組： <br/><img align="absmiddle" height="178px" width="239px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="121px" width="197px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，另外，此等基團中之一或多個H原子視需要經L置換，及/或一或多個雙鍵視需要經單鍵置換，及/或一或多個CH基團視需要經N置換， <br/>A 在每次出現時彼此獨立地各具有針對A<sup>11</sup>之含義中之一者或 <br/> a) 由反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基組成之群組，其中，另外，一或多個非相鄰CH<sub>2</sub>基團視需要經-O-及/或-S-置換，且其中，另外，一或多個H原子視需要經F置換，或 <br/> b) 由四氫哌喃-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基、四氫呋喃-2,5-二基、環丁烷-1,3-二基、哌啶-1,4-二基、噻吩-2,5-二基及硒吩-2,5-二基組成之群組， <br/> 其等中之各者亦可經L單取代或多取代， <br/>L 在每次出現時相同或不同地表示-OH、-F、-Cl、-Br、-I、-CN、-NO<sub>2</sub>、SF<sub>5</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R<sup>z</sup>)<sub>2</sub>、-C(=O)R<sup>z</sup>、-N(R<sup>z</sup>)<sub>2</sub>、視需要經取代之矽基、具有6至20個C原子之視需要經取代之芳基，或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈或環形烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，或X<sup>21</sup>-Sp<sup>21</sup>-R<sup>21</sup>， <br/>M 表示-O-、-S-、-CH<sub>2</sub>-、-CHR<sup>z</sup>-或-CR<sup>y</sup>R<sup>z</sup>-， <br/>R<sup>y</sup>及R<sup>z</sup> 各彼此獨立地表示H、CN、F或具有1至12個C原子之烷基，其中一或多個H原子視需要經F置換， <br/>Y<sup>11</sup>及Y<sup>12</sup> 各彼此獨立地表示H、F、苯基或具有1至12個C原子之視需要氟化烷基， <br/>Z<sup> </sup>在每次出現時彼此獨立地表示單鍵、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-CO-S-、-S-CO-、-CS-S-、-S-CS-、-S-CSS-或-C≡C-， <br/>n 表示介於2至8之間的整數， <br/>o及p 各獨立地表示0、1或2， <br/>x及y 各獨立地表示0或1，前提條件為若x表示0，則y不可表示1， <br/>X<sup>11</sup>及X<sup>21</sup> 在每次出現時彼此獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-O-COO-、-O-、-CH=CH-、 -C≡C-、-CF<sub>2</sub>-O-、-O-CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>-CF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-O-、-O-CH<sub>2</sub>-、-CO-S-、-S-CO-、-CS-S-、-S-CS-、-S-CSS-或-S-， <br/>Sp<sup>11</sup>及Sp<sup>21</sup> 在每次出現時各獨立地表示單鍵或包含1至20個C原子之間隔基團，其中一或多個非相鄰及非末端CH<sub>2</sub>基團視需要經-O-、-S-、-NH-、-N(CH<sub>3</sub>)-、-CO-、-O-CO-、-S-CO-、-O-COO-、-CO-S-、-CO-O-、-CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH(OH)-、-CH(烷基)-、-CH(烯基)-、-CH(烷氧基)-、-CH(氧雜烷基)-、-CH=CH-或-C≡C-置換，然而置換方式係使得無兩個O原子彼此相鄰且無兩個選自-O-CO-、-S-CO-、-O-COO-、-CO-S-、-CO-O-及-CH=CH-之基團彼此相鄰， <br/>R<sup>11</sup> 表示P， <br/>R<sup>21</sup> 表示P；鹵素；CN；具有多達15個C原子之視需要氟化之烷基或烯基，其中一或多個非相鄰CH<sub>2</sub>-基團視需要經-O-、-S-、-CO-、-C(O)O-、-O-C(O)-、O-C(O)-O-置換， <br/>P 在每次出現時各彼此獨立地係可聚合基團， <br/>及一或多種向列型化合物， <br/>提供在該等相對基板之一或兩者上之電極結構， <br/>其特徵在於該等基板中之一或多者對應於光柵或透鏡結構或該等基板另外配備與該液晶轉換層相鄰之光柵或透鏡結構， <br/>其中該裝置為液晶光束轉向裝置或光束聚焦裝置。
如請求項1之裝置，其中一或多個基板對應於或配備有平凹透鏡結構、或平凸透鏡結構、或雙凸透鏡結構、或雙凹透鏡結構、或折射菲涅耳(Fresnel)透鏡結構、或繞射菲涅耳透鏡結構。
如請求項1之裝置，其中一或多個基板對應於或配備有表面浮雕光柵、或炫耀光柵、或體積光柵、或潘恰拉特南-貝瑞光柵(Pancharatnam-Berry grating)或布拉格偏振光柵(Bragg Polarization Grating)。
如請求項1至3中任一項之裝置，其中該液晶轉換層之最大厚度係在1 µm至100 µm之範圍內。
如請求項1至3中任一項之裝置，其中該利用之電極結構係選自指叉式電極、IPS電極、FFS電極或梳狀電極。
如請求項1至3中任一項之裝置，其中一或多種向列型化合物係選自下列式： <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="205px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>a 係1或2， <br/>b 係0或1， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="193px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup> 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中，另外，一或多個非相鄰CH<sub>2</sub>基團視需要經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-以使得O原子不彼此直接連接之方式置換， <br/>Z<sup>x</sup> 表示-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-O-、-CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-或單鍵， <br/>L<sup>1-4</sup> 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF<sub>3</sub>、CF<sub>3</sub>、CH<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>F、CHF<sub>2</sub>。
如請求項1至3中任一項之裝置，其中一或多種向列型化合物係選自下列式： <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="228px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="67px" width="228px" file="ed10157.jpg" alt="ed10157.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>20</sup> 各相同或不同地表示具有1至15個C原子之鹵化或未經取代之烷基或烷氧基基團，其中，另外，此等基團中之一或多個CH<sub>2</sub>基團視需要彼此獨立地經-C≡C-、-CF<sub>2</sub>O-、-CH=CH-、<img align="absmiddle" height="17px" width="63px" file="ed10159.jpg" alt="ed10159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子不彼此直接連接之方式置換， <br/>X<sup>20</sup> 各相同或不同地表示F、Cl、CN、SF<sub>5</sub>、SCN、NCS、鹵化烷基基團、鹵化烯基基團、鹵化烷氧基基團或鹵化烯氧基基團，其各具有至多6個C原子，及 <br/>Y<sup>20-24</sup> 各相同或不同地表示H或F， <br/>W 表示H或甲基， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="170px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="65px" width="126px" file="ed10163.jpg" alt="ed10163.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1至3中任一項之裝置，其中一或多種向列型化合物係選自下列式： <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="237px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>20</sup>、X<sup>20</sup>、W及Y<sup>20-23</sup>具有請求項7之式III中指示之含義，及 <br/><img align="absmiddle" height="120px" width="229px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="102px" width="258px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1至3中任一項之裝置，其中一或多種向列型化合物係選自下式： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="216px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中個別基團具有下列含義： <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="256px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup> 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中，另外，一或兩個非相鄰CH<sub>2</sub>基團視需要經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-以使得O原子不彼此直接連接之方式置換， <br/>Z<sup>y</sup> 表示-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CO-O-、-O-CO-、-C<sub>2</sub>F<sub>4</sub>-、-CF=CF-、-CH=CH-CH<sub>2</sub>O-或單鍵。
一種產生如請求項1至9中任一項之裝置之方法，其包括下列步驟中之一或多者： <br/> 在該等基板中之一或多者上提供電極結構，在一或多個基板上提供光柵或透鏡結構，組裝單元， <br/> 用包含一或多種式I光反應性液晶原及一或多種向列型化合物之液晶介質填充該單元， <br/> 用線性偏振光照射該單元， <br/> 藉由用波長為450 nm或以下之紫外光或可見光照射來固化該液晶介質之可聚合化合物。
一種如請求項1至9中任一項之裝置之用途，其用於電光裝置中。
一種電光裝置，其包含如請求項1至9中任一項之裝置。
如請求項12之電光裝置，其中該電光裝置係選自用於擴增實境或虛擬實境應用之裝置。
如請求項12或13之電光裝置，其中該電光裝置係護目鏡或隱形眼鏡。
一種聚醯亞胺薄膜之製造方法，係製造由聚醯亞胺樹脂構成之聚醯亞胺薄膜的方法；<br/>該聚醯亞胺樹脂具有來自四羧酸二酐之構成單元A及來自二胺之構成單元B；<br/>構成單元A包含來自脂環族四羧酸二酐之構成單元；<br/>構成單元B包含來自下列通式(b1)表示之化合物之構成單元(B1)及構成單元(B2)；<br/>該構成單元(B2)包含選自由來自下式(b211)表示之化合物之構成單元、來自下式(b212)表示之化合物之構成單元、及來自下式(b213)表示之化合物之構成單元構成之群組中之至少1種構成單元；<br/>將使該聚醯亞胺樹脂溶解於有機溶劑而成之聚醯亞胺清漆塗布於支持體上，並於60～140℃除去該有機溶劑，製成自支持性薄膜，將該自支持性薄膜從支持體剝離，並將該自支持性薄膜之端部固定，於超過聚醯亞胺樹脂之玻璃轉移溫度且等於或小於比起聚醯亞胺樹脂之玻璃轉移溫度高10℃的溫度之溫度下進行煅燒；<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="140px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(b1)中，X<sup>1</sup>表示單鍵、亦可經氟取代之碳數1～5之伸烷基、亦可經氟取代之碳數2～5之亞烷基、-S-、-SO-、-SO<sub>2</sub>-、-O-或-CO-；<br/><img align="absmiddle" height="148px" width="201px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，獲得之聚醯亞胺薄膜之厚度為5～100μm。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，進行煅燒的時間為5～60分鐘。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，進行煅燒的溫度為190～360℃。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，構成單元A包含來自下式(a1)表示之化合物之構成單元(A1)；<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="61px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，該構成單元(B2)更包含選自由來自下列通式(b22)表示之化合物之構成單元(B22)、及來自下列通式(b23)表示之化合物之構成單元(B23)構成之群組中之至少1種構成單元；<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="204px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，X<sup>4</sup>～X<sup>7</sup>各自獨立地表示單鍵、碳數1～5之伸烷基、碳數2～5之亞烷基、-S-、-SO-、-SO<sub>2</sub>-、-O-或-CO-。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，構成單元(B1)與構成單元(B2)之莫耳比[(B1)/(B2)]為40/60～80/20。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，構成單元B更包含來自下列通式(b3)表示之化合物之構成單元(B3)；<br/><img align="absmiddle" height="33px" width="153px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(b3)中，Z<sup>1</sup>及Z<sup>2</sup>各自獨立地表示亦可含有氧原子之2價脂肪族基、或2價芳香族基，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地表示1價芳香族基或1價脂肪族基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地表示1價脂肪族基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立地表示1價脂肪族基或1價芳香族基，m及n各自獨立地表示1以上之整數，m與n之和表示2～1000之整數。
如請求項8之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，前述R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>為苯基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>為甲基。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，具有如下步驟：<br/>將提供來自四羧酸二酐之構成單元A的四羧酸成分、與提供來自二胺之構成單元B的二胺成分，在鹼觸媒及有機溶劑之存在下進行醯亞胺化，並視需要添加有機溶劑，來獲得聚醯亞胺清漆。
如請求項1或2之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，構成單元(B1)係選自由來自下列通式(b11)表示之化合物之構成單元(B11)及來自下式(b12)表示之化合物之構成單元(B12)構成之群組中之至少1種構成單元；<br/><img align="absmiddle" height="43px" width="148px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(b11)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地表示甲基或三氟甲基。
如請求項6之聚醯亞胺薄膜之製造方法，其中，構成單元(B2)更包含來自下式(b231)表示之化合物之構成單元；<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="197px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種光透射性積層體之檢查方法，係在將光透射性積層體逐片固定於半空中之狀態下進行透射檢查，並檢測該光透射性積層體中之8µm~50µm尺寸的缺陷，且該缺陷之檢測包含以下步驟： <br/>將預定倍率之光學系統的焦點對準該光透射性積層體之第1主面之表面，並以該光學系統掃描該光透射性積層體，而製作出缺陷的XY座標圖； <br/>使該光學系統之焦點從該光透射性積層體之第1主面之表面往厚度方向內側偏移預定距離，並以該光學系統掃描該光透射性積層體，而製作出另一缺陷的XY座標圖；及 <br/>整合該製作出之缺陷的XY座標圖。
如請求項1之光透射性積層體之檢查方法，其中前述缺陷之檢測包含以下步驟：使前述光學系統之焦點往前述光透射性積層體之厚度方向內側再偏移前述預定距離並以該光學系統掃描該光透射性積層體，反覆進行前述操作預定次數，而製作出預定數量之缺陷的XY座標圖。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其中前述缺陷之檢測包含以下步驟：僅針對前述經整合之缺陷的XY座標圖中之缺陷發生座標，使用相較於前述預定倍率為高倍率之光學系統來測定該缺陷之厚度方向的位置。
如請求項3之光透射性積層體之檢查方法，其中前述缺陷之厚度方向的位置之測定包含以下步驟：將前述高倍率之光學系統的焦點對準前述光透射性積層體之第1主面之表面；及，使該焦點往該光透射性積層體之厚度方向內側移動，並測定從該第1主面之表面到該缺陷為止的距離。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其中前述預定距離為10µm~100µm。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其中前述預定倍率為5倍以下。
如請求項3之光透射性積層體之檢查方法，其中前述高倍率為10倍以上。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光透射性積層體係選自光學薄膜、黏著劑片及該等之組合之中。
如請求項8之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光學薄膜係選自偏光板、相位差板及包含該等之積層體之中。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光透射性積層體之厚度為300µm以下。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其係在以下區域中進行前述缺陷之檢測：以前述預定倍率之光學系統進行掃描時，每1000µm掃描距離的前述光透射性積層體之第1主面之厚度方向的變動量在±10µm以內之區域。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其係在前述光透射性積層體之撓曲角度相對於水平方向呈±0.57°以內之區域中進行前述缺陷之檢測。
如請求項1或2之光透射性積層體之檢查方法，其係在將前述光透射性積層體橫向架設之狀態下進行前述缺陷之檢測。
如請求項13之光透射性積層體之檢查方法，其係在將前述光透射性積層體中屬於非製品區域之相對向之端部固定在一對可相對地靠近或遠離之支持構件上之狀態下，進行前述缺陷之檢測。
如請求項14之光透射性積層體之檢查方法，其中前述一對支持構件可滑動，且已朝互相遠離的方向被賦予勢能。
如請求項14之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光透射性積層體包含黏著劑層，且該光透射性積層體係透過該黏著劑層固定於前述一對支持構件上。
如請求項16之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光透射性積層體透過前述黏著劑層所進行之固定包含以下步驟：將該光透射性積層體之一端部的分離件剝離去除，並透過所露出之該黏著劑層貼合於其中一支持構件上；接著，將另一端部之分離件剝離去除，並透過所露出之該黏著劑層貼合於另一支持構件上。
如請求項14之光透射性積層體之檢查方法，其中前述光透射性積層體包含以可剝離之方式暫時黏附於至少一表面的表面保護薄膜，且該光透射性積層體之檢查方法包含以下步驟：在將該光透射性積層體固定於前述一對支持構件後，暫時剝離該表面保護薄膜。
如請求項18之光透射性積層體之檢查方法，其包含以下步驟：在前述缺陷之檢測後，於前述光透射性積層體之至少一表面，以可剝離之方式暫時黏附前述已暫時剝離之前述表面保護薄膜或與該表面保護薄膜不同之另一表面保護薄膜。
一種光透射性積層體，係用於如請求項1至19中任一項之光透射性積層體之檢查方法者， <br/>且其更包含至少1片以可剝離之方式暫時黏附於前述第1主面側之反射性保護薄膜， <br/>該反射性保護薄膜具有在將前述預定倍率之光學系統的焦點對準該第1主面之表面時反射照射光且透射檢查光之功能。
如請求項20之光透射性積層體，其中前述反射性保護薄膜滿足以下關係： <br/>y≧0.0181x-11.142 <br/>在此，x係650nm~800nm之波長區域下之檢測波長的絕對值，y係反射率的絕對值。
如請求項20或21之光透射性積層體，其更包含以可剝離之方式暫時黏附於前述反射性保護薄膜之表面的表面保護薄膜。
如請求項20或21之光透射性積層體，其更包含形成於前述反射性保護薄膜之表面的硬塗層。
如請求項20或21之光透射性積層體，其設有可於檢查後辨識檢查完畢區域之辨識手段。
一種抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體包含以下之H-CDR1-3及L-CDR1-3胺基酸序列：<br/>a) 分別為SEQ ID NO: 5-10；<br/>b) 分別為SEQ ID NO: 25-30；或<br/>c) 分別為SEQ ID NO: 35-40。
如請求項1之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體包含與以下之胺基酸序列至少90%一致的重鏈可變域胺基酸序列及輕鏈可變域胺基酸序列：<br/>a) 分別為SEQ ID NO: 3及4；<br/>b) 分別為SEQ ID NO: 23及24；或<br/>c) 分別為SEQ ID NO: 33及34。
如請求項1之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體包含含有以下之胺基酸序列的重鏈可變域及輕鏈可變域：<br/>a) 分別為SEQ ID NO: 3及4；<br/>b) 分別為SEQ ID NO: 23及24；或<br/>c) 分別為SEQ ID NO: 33及34。
如請求項1至3中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體為IgG。<b/>
如請求項4之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體為IgG<sub>1</sub>。
如請求項1至3中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體在F<sub>C</sub>區中包含至少一個突變。
如請求項1至3中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體為IgG<sub>1</sub>且在根據IMGT<sup>®</sup>編號方案編號之重鏈胺基酸位置234及235中之一者或兩者中包含突變。
如請求項7之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中位置234及235處之胺基酸殘基中之一者或兩者自Leu突變為Ala。
一種抗AXL抗體，其包含：<br/>a) 包含SEQ ID NO: 3及61之胺基酸序列的HC及包含SEQ ID NO: 4及62之胺基酸序列的LC；<br/>b) 包含SEQ ID NO: 23及61之胺基酸序列的HC及包含SEQ ID NO: 24及62之胺基酸序列的LC；或<br/>c) 包含SEQ ID NO: 33及61之胺基酸序列的HC及包含SEQ ID NO: 34及62之胺基酸序列的LC。
如請求項1至3中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體或抗原結合部分具有至少一種選自以下之特性：<br/>a) 以3 × 10<sup>-8</sup>M或更小之K<sub>D</sub>結合於人類AXL；<br/>b) 以8 × 10<sup>-8</sup>M或更小之K<sub>D</sub>結合於石蟹獼猴AXL；<br/>c) 不結合於小鼠AXL；<br/>d) 結合於人類AXL之Ig1或Ig2域；<br/>e) 抑制GAS6與人類AXL之結合；<br/>f) 在存在GAS6之情況下活體外抑制H1299細胞之增殖；<br/>g) 在不存在GAS6之情況下不展現促效活性；<br/>h) 在穩定表現外源AXL之MDA-MB-468-AXL細胞中抑制GAS6誘導之含磷脂醯絲胺酸之脂質體的攝取；及<br/>i) 活體內抑制腫瘤生長。
如請求項10之抗AXL抗體或其抗原結合部分，其中該抗體或抗原結合部分具有至少兩種、三種、四種、五種、六種、七種、八種或所有該等特性。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分及醫藥學上可接受之賦形劑。<b/>
如請求項12之醫藥組合物，其進一步包含免疫刺激劑、疫苗、化學治療劑、抗贅生劑、抗血管生成劑或酪胺酸激酶抑制劑。<b/>
一種經分離之核酸分子，其包含編碼如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分之重鏈或其抗原結合部分的核苷酸序列，或編碼如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分之輕鏈或其抗原結合部分的核苷酸序列，或編碼兩者的核苷酸序列。
如請求項14之經分離之核酸分子，其中該核酸分子包含SEQ ID NO: 41、42、11、12、1、2、21、22、31、32、51及52中之任一者之核苷酸序列。
一種載體，其包含如請求項14或15之經分離之核酸分子，其中該載體進一步包含可操作地連接至該核苷酸序列之表現控制序列。
一種宿主細胞，其包含編碼如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分之重鏈或其抗原結合部分的核苷酸序列，及編碼如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分之輕鏈或其抗原結合部分的核苷酸序列。
一種產生抗AXL抗體或其抗原結合部分之方法，其包含提供如請求項17之宿主細胞，在適合於表現該抗體或部分之條件下培養該宿主細胞，及分離所得抗體或部分。
一種雙特異性結合分子，其包含如請求項1至11中任一項之一種或兩種不同抗AXL抗體之抗原結合部分。
一種如請求項1至11中任一項之抗AXL抗體或其抗原結合部分、如請求項12或13之醫藥組合物或如請求項19之雙特異性結合分子之用途，其係用以製備治療患者之癌症之藥物。
如請求項20之用途，其中該癌症在選自由以下組成之群的組織中：皮膚、肺、腸、結腸、卵巢、腦、前列腺、腎、軟組織、造血系統、頭頸部、肝、骨、膀胱、乳房、胃、子宮、子宮頸及胰臟。
如請求項20之用途，其中該癌症為黑素瘤、頭頸癌、神經膠母細胞瘤、甲狀腺癌、非小細胞肺癌、乳癌(例如，三陰性乳癌)、胰臟癌、卵巢癌、子宮頸癌、輸卵管癌、原發性腹膜癌、子宮內膜癌、尿路上皮癌、腎細胞癌、大腸直腸癌、直腸癌、前列腺癌、間皮瘤、鱗狀細胞癌、肉瘤、慢性骨髓性白血病、急性骨髓性白血病、慢性淋巴球性白血病、小淋巴球性白血病、骨髓發育不良症候群或霍奇金氏淋巴瘤(Hodgkin's lymphoma)。
如請求項20至22中任一項之用途，其中該治療進一步包含向該患者投與免疫刺激劑、疫苗、化學治療劑、抗贅生劑、抗血管生成劑、酪胺酸激酶抑制劑或放射療法。
如請求項20至22中任一項之用途，其中該患者為人類。
一種載體膜，包括： <br/>一黏合層，包括重量在50%至100%的一氫化苯乙烯嵌段共聚物和重量在0%至50%的一第一聚烯烴彈性體，該氫化苯乙烯嵌段共聚物具有在25°C、頻率1 Hz下小於或等於400 kPa的一儲存模數（G’），其中該黏合層的一厚度介於約1 µm與約20 µm之間； <br/>一芯層，該芯層包括一第二聚烯烴彈性體，其中該芯層的一厚度介於約40 µm與約80 µm之間；以及 <br/>一離型層，該離型層包括一聚烯烴，其中該離型層的一厚度介於約1 µm與約20 µm之間， <br/>其中該芯層的該厚度大於該黏合層的該厚度及該離型層的該厚度的一總和， <br/>其中該芯層的該厚度是該黏合層的該厚度、該離型層的該厚度及該芯層的該厚度的一總和的至少75%， <br/>其中該氫化苯乙烯嵌段共聚物具有至少20%的一苯乙烯含量，以及 <br/>其中該載體膜具有大於或等於590%的一機器方向最大伸長率。
如請求項1所述之載體膜，其中該氫化苯乙烯嵌段共聚物具有在25°C下小於或等於300 kPa之一儲存模數（G’）。
如請求項1所述之載體膜，其中該氫化苯乙烯嵌段共聚物具有在230°C、2.16 kg質量下大於200 g/10分鐘之一熔體流動速率（MFR）。
如請求項1所述之載體膜，其中該第一聚烯烴彈性體和該第二聚烯烴彈性體為相同材料。
如請求項4所述之載體膜，其中該第一聚烯烴彈性體和該第二聚烯烴彈性體為乙烯-辛烯共聚物。
如請求項1所述之載體膜，其中該第一聚烯烴彈性體為一α-烯烴共聚物。
如請求項6所述之載體膜，其中該第二聚烯烴彈性體為一乙烯-辛烯共聚物。
如請求項1所述之載體膜，其中該芯層進一步包括一第三聚烯烴彈性體。
如請求項8所述之載體膜，其中該第二聚烯烴彈性體和該第三聚烯烴彈性體具有不同的熔體流動速率（MFR）。
如請求項9所述之載體膜，其中該芯層進一步包括低密度聚乙烯。
如請求項1所述之載體膜，其中該離型層中的聚烯烴為一低密度聚乙烯。
如請求項11所述之載體膜，其中該離型層進一步包括高密度聚乙烯。
如請求項1所述之載體膜，其中該載體膜具有大於或等於25 MPa的一機器方向抗拉強度。
如請求項1所述之載體膜，其中該黏合層中的該氫化苯乙烯嵌段共聚物具有在230°C、2.16 kg質量下10 g/10分鐘與300 g/10分鐘之間的一熔體流動速率（MFR）。
如請求項1所述之載體膜，其中該黏合層中的該第一聚烯烴彈性體具有在190°C、2.16 kg質量下1 g/10分鐘與100 g/10分鐘之間的一熔體流動速率。
如請求項1所述之載體膜，其中，在氫化之前，該黏合層中的該氫化苯乙烯嵌段共聚物氫包括一聚苯乙烯嵌段-聚二烯嵌段聚合物結構，該聚苯乙烯嵌段-聚二烯嵌段聚合物結構是線性或徑向中的至少一者。
如請求項1所述之載體膜，其中該離型層中的該聚烯烴包括低密度聚乙烯（LDPE）、線性低密度聚乙烯（LLDPE）、高密度聚乙烯（HPDE）、中密度聚乙烯（MDPE）、聚丙烯（PP）、隨機共聚物聚丙烯、聚丙烯耐衝擊共聚物以及茂金屬線性低密度聚乙烯中的至少一者。
如請求項1所述之載體膜，其中該芯層中的該第二聚烯烴彈性體包括： <br/>乙烯-辛烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物中的至少一者，以及 <br/>至少一聚烯烴。
一種熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物，其包含以下之反應產物： <br/>(a)組合物，該組合物包含： <br/>(i)至少一種硝基取代之聚酯二醇(NO<sub>2</sub>-PED)，其中該聚酯二醇在該NO<sub>2</sub>-PED之兩個羧基之間經硝基取代，及 <br/>(ii)至少一種未經硝基取代之聚酯二醇， <br/>其中該NO<sub>2</sub>-PED具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="234px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為0至14，y為1至100，X=H或NO<sub>2</sub>，且R為伸烷基、具有一或多個經-O-取代之CH<sub>2</sub>基團之伸烷基、伸環烷基或伸芳基，其中至少一個X為NO<sub>2</sub>， <br/>(b)至少一種聚異氰酸酯，及 <br/>(c)至少一種擴鏈劑。
如請求項1之組合物，其中R為 <br/>- 伸烷基； <br/>- 伸烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>基團經-O-取代；或 <br/>- 伸芳基。
如請求項1之組合物，其中該NO<sub>2</sub>-PED在反應之前具有400至10,000 g/mol之分子量。
如請求項1之組合物，其中該擴鏈劑為： <br/>- 二羥基烷烴或二羥基環烷烴； <br/>- 伸烷基二胺或伸芳烷基二胺； <br/>- 芳族二胺； <br/>- 肼； <br/>- 胺基醇；或 <br/>- 經取代之芳族二胺。
如請求項4之組合物，其中該擴鏈劑為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,10-癸二醇、新戊二醇、1,4-環己烷二甲醇、1,4-二羥基環己烷或其混合物。
如請求項1之組合物，其中該熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物進一步包含至少一種交聯劑。
如請求項6之組合物，其中該至少一種交聯劑為甘油、三羥甲基丙烷、二乙醇胺、三乙醇胺或其混合物。
如請求項1之組合物，其中聚異氰酸酯與含活性氫之基團之比率(NCO指數)為0.9至1.5。
如請求項1之組合物，其中該至少一種聚異氰酸酯為4,4'-二異氰酸根基二苯基甲烷(4,4'-MDI)、2,4'-二異氰酸根基二苯基甲烷(2,4'-MDI)、對苯二異氰酸酯、1,3-雙(異氰酸根基甲基)環己烷、1,4-二異氰酸根基環己烷、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、3,3'-二甲基-4,4'-聯苯二異氰酸酯、4,4'-二異氰酸根基-二環己基甲烷、2,6-甲苯二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯或其混合物。
如請求項1之組合物，其進一步包含： <br/>- 至少一種添加劑，該添加劑包括： <br/>(a)光穩定劑或UV穩定劑； <br/>(b)無機填料或有機填料； <br/>(c)矽酸鹽礦物質、金屬氧化物、金屬鹽、黏土、金屬矽酸鹽、玻璃纖維、天然纖維材料或合成纖維礦物質； <br/>(d)碳黑、富勒烯、碳奈米管、生物炭、三聚氰胺松香、纖維素纖維、聚醯胺纖維、聚丙烯腈纖維、聚胺基甲酸酯纖維、基於芳族及/或脂族二羧酸酯之聚酯纖維、或碳纖維；及 <br/>(e)有機磷酸酯、金屬聚磷酸鹽、金屬氧化物、金屬鹽或三聚氰酸衍生物； <br/>其中該等添加劑以0.5至30重量%之該組合物存在。
如請求項1之組合物，其進一步包含： <br/>- 至少一種阻燃劑，該阻燃劑為有機膦酸酯、金屬聚磷酸鹽、金屬氧化物、金屬鹽、三聚氰酸衍生物或其混合物；其中該至少一種阻燃劑以500至4000 ppm之該組合物存在；或 <br/>- 發泡劑，該發泡劑為水、戊烷、環戊烷或氫氟碳或其混合物。
如請求項1之組合物，其中該至少一種硝基取代之聚酯二醇包含至少一種經單個硝基取代之C8-C20二羧酸及至少一種多元醇。
如請求項12之組合物，其中該至少一種多元醇為C<sub>1-8</sub>二醇。
如請求項1之組合物，其包含20至80重量%之該硝基取代之聚酯二醇。
如請求項1之組合物，其中至少一種添加劑加入該組合物中，其中該至少一種添加劑係氧化劑、染料、潤濕劑、消泡劑、增稠劑、光敏劑或溶劑，其中該等添加劑相對於組合物之總重量計係小於20重量%之量存在。
如請求項1之組合物，其中至少一種添加劑加入該組合物中，其中該至少一種添加劑係金屬-、有機-、無機-或有機/無機混合型填料，其中該等填料相對於組合物之總重量計係小於20重量%之量存在。
一種於製造如請求項1之熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物之方法，其包含使以下反應：至少一種硝基取代之聚酯二醇(NO<sub>2</sub>-PED)、至少一種聚異氰酸酯及至少一種擴鏈劑。
如請求項17之方法，其中反應條件包括25至120℃之溫度。
一種包含如請求項1至16項中任一項之熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物之製品。
如請求項19之製品，其係模塑製品、鞋底、硬固體塑膠、用於電子儀器儀表前蓋及結構部件、可撓性塑膠、皮帶或帶；或係用於密封、墊片、持久彈性車輪及輪胎、汽車懸架襯套或電子絕緣部件。
一種用於鞋襪應用之TPU發泡體，其包含如請求項1之熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物，其中該熱塑性聚胺基甲酸酯彈性體組合物係經製粒及膨脹。
一種含硝基官能基聚酯二醇(NO<sub>2</sub>-PED)之組合物，其包含： <br/>(i) 至少一種硝基取代之聚酯二醇，其中該聚酯二醇在該聚酯二醇之兩個羧基之間經硝基取代；及 <br/>(ii) 至少一種未經硝基取代之聚酯二醇， <br/>其中該NO<sub>2</sub>-PED具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="234px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為0至14，y為1至100，X=H或NO<sub>2</sub>，且R為伸烷基、具有一或多個經-O-取代之CH<sub>2</sub>基團之伸烷基、伸環烷基或伸芳基，其中至少一個X為NO<sub>2</sub>。
如請求項22之組合物，其中R為伸乙基、伸丙基、伸異丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基或伸辛基。
如請求項22之組合物，其中R為伸烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>基團經-O-取代。
如請求項22之組合物，其中該聚酯二醇具有300至10,000 g/mol之分子量。
一種紡織工具零件對(15)，其由兩個紡織工具零件(16)組成，所述兩個紡織工具零件分別被構造成用於插入紡織機的引導通道或工具底座中，其中，每個紡織工具零件(16)沿縱向方向(L)在前端(22)和後端(21)之間延伸並且包括工作區段(25)，所述工作區段佈置成到所述後端(21)有一定距離並且可以用於線接觸和/或線圈形成，其中，所述紡織工具零件(16)在其後端(21)處通過預定的斷裂連接部(45)彼此連接，所述預定的斷裂連接部可以手動地而不使用工具來分離，其中，所述預定的斷裂連接部(45)被構造成允許所述紡織工具零件(16)圍繞正交於所述縱向方向(L)延伸的彎曲軸線(A)彎曲，其中，所述兩個紡織工具零件(16)中的每一者具有沿著共同的參考平面(E)延伸的基底表面(31)，所述共同的參考平面由所述縱向方向(L)和橫向方向(Q)限定，其中，所述彎曲軸線(A)正交於所述紡織工具零件(16)的所述基底表面(31)而延伸，其中，所述預定的斷裂連接部(45)被構造成使得阻礙所述紡織工具零件(16)圍繞定向成平行於所述橫向方向(Q)或平行於所述縱向方向(L)的軸線的彎曲。
根據請求項1所述的紡織工具零件對，其中，所述預定的斷裂連接部(45)包括至少一個腹板(46)，所述至少一個腹板在所述紡織工具零件(16)的所述兩個後端(21)之間延伸並與所述紡織工具零件(16)的所述後端(21)相比具有較小的橫截面面積。
根據請求項2所述的紡織工具零件對，其中，所述至少一個腹板(46)與所述兩個紡織工具零件(16)一體式地構造。
根據請求項2或3所述的紡織工具零件對，其中，所述至少一個腹板(46)在彼此面對的所述後端(21)的兩個端表面(47)之間延伸。
根據請求項2或3所述的紡織工具零件對，其中，所述紡織工具零件(16)始自所述預定的斷裂連接部(45)遠離彼此延伸直到其相應的前端(22)。
根據請求項1所述的紡織工具零件對，其中，所述參考平面(E)是從下方與所述紡織工具零件對(15)接觸直到所述基底表面(31)在所述參考平面(E)中延伸的接觸平面，借此所述紡織工具零件對(15)中沒有部件延伸穿過所述參考平面(E)。
根據請求項2或3所述的紡織工具零件對，其中，所述兩個紡織工具零件(16)中的每一者包括鄰接表面(49)，其中，所述鄰接表面(49)在所述預定的斷裂連接部(45)進行所述分離之前佈置成到彼此有一定距離並被構造成在所述預定的斷裂連接部(45)進行分離之後抵靠彼此鄰接，使得所述兩個紡織工具零件(16)形成紡織工具(18、19)。
根據請求項7所述的紡織工具零件對，其中，所述所形成的紡織工具是沉降片(18)。
根據請求項2或3所述的紡織工具零件對，其中，所述至少一個腹板(46)的總高度的尺寸大於所述至少一個腹板(46)沿所述縱向方向(L)和沿所述橫向方向(Q)的尺寸。
一種用於裝備紡織機的方法，所述方法包括以下步驟：提供根據前述請求項1至9中任一項所述的紡織工具零件對(15)，在所述預定的斷裂連接部(45)處手動地而不使用工具來分離所述紡織工具零件對(15)的所述兩個紡織工具零件(16)，將所述分離後的紡織工具零件(16)插入所述紡織機的引導通道(42)或工具底座中。
根據請求項10所述的方法，其中，通過圍繞彎曲軸線(A)彎曲實施手動地而不使用工具來分離所述紡織工具零件對(15)的所述兩個紡織工具零件(16)，所述彎曲軸線在所述兩個紡織工具零件(16)的所述兩個後端(21)之間延伸。
根據請求項10或11所述的方法，其中，所述紡織工具零件(16)在無進一步後處理的情況下被插入所述相應的引導通道(42)或所述工具底座中。
一種用於產生用於訓練用於對準複數個影像之一類神經網路的一輸入影像資料集之方法，該方法包含： <br/>獲得一參考影像之一第一複本； <br/>獲得該參考影像之一第二複本； <br/>使該參考影像之該第一複本在一第一方向位移，以產生一第一經位移影像； <br/>使該參考影像之該第二複本在一第二方向位移，以產生一第二經位移影像；及 <br/>基於該第一經位移影像及該第二經位移影像產生包含複數個影像之一輸入影像資料集。
如請求項1之方法，其中使該參考影像之該第一複本在該第一方向位移包含使該參考影像之該第一複本在該第一方向位移達一距離， <br/>且其中使該參考影像之該第二複本在該第二方向位移包含使該參考影像之該第二複本在一第二相反方向位移達相同距離。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>建立該參考影像之一第三複本； <br/>使該參考影像之該第三複本在一第三方向位移，以產生一第三經位移影像， <br/>且其中產生該輸入影像資料集經進一步基於該第三經位移影像。
如請求項3之方法，其中分別藉由第一向量、第二向量、及第三向量來表示該參考影像之該第一複本、該第二複本、及該第三複本之該位移以產生該第一經位移影像、該第二經位移影像、及該第三經位移影像，且其中該第一向量、該第二向量、及該第三向量之總和等於零。
如請求項1至4中任一項之方法，其中產生該輸入影像資料集包含串連該第一經位移影像及該第二經位移影像。
如請求項1至4中任一項之方法，其中使該參考影像之該第一複本在一第一方向位移包含： <br/>對該參考影像之該第一複本施加一位移操作，以產生一中間影像，該中間影像包含在該第一方向位移的該參考影像之所有像素；及 <br/>裁切該中間影像以產生該第一經位移影像。
如請求項1至4中任一項之方法，其中使該參考影像之該第一複本在一第一方向位移包含： <br/>用一前景影像覆蓋該參考影像之該第一複本之一部分，以產生一經部分遮擋影像，該經部分遮擋影像由下列所組成：該參考影像之一未遮擋部分；及一經遮擋部分，其係由該前景影像所組成； <br/>對該參考影像之該未遮擋部分施加一第一位移操作，以產生一中間未遮擋部分，該中間未遮擋部分包含在該第一方向位移達一第一位移距離的參考影像之該未遮擋部分之所有像素； <br/>對該經遮擋部分施加一第二位移操作，以產生：一中間遮擋部分，其包含在該第一方向位移達一第二較大位移距離的該前景影像之所有像素；及一中間空白部分，其不含來自該參考影像與前景影像的像素； <br/>從下列形成一中間影像：該中間未遮擋部分；該中間遮擋部分；及該中間空白部分；及 <br/>裁切該中間影像以產生該第一經位移影像。
如請求項1至4中任一項之方法，其中使該參考影像之該第一複本在一第一方向位移包含： <br/>對該參考影像之該第一複本施加一位移操作，其中該位移操作經組態以模擬該參考影像之一預測未對準。
一種訓練用於對準複數個影像之一類神經網路之方法，該方法包含： <br/>根據請求項1至8中任一項產生一輸入影像資料集；及 <br/>訓練該類神經網路以映射該輸入影像資料集至該參考影像。
如請求項9之方法，其中訓練該類神經網路包含： <br/>提供該輸入影像資料集至一Lucas-Kanade光流，其中該光流經配置為該類神經網路之一子圖表。
一種用於產生一經合成影像之方法，其包含： <br/>獲得複數個輸入影像； <br/>提供該複數個輸入影像至如請求項9之方法所訓練的一類神經網路； <br/>使用該類神經網路以基於該複數個輸入影像產生一或多個預測；及 <br/>基於所產生的該一或多個預測而產生一經合成影像。
一種電腦程式，其包含電腦程式碼構件，當該電腦程式運行於一電腦上時，該電腦程式碼構件經調適以實施如請求項1至10中任一項之方法。
一種用於產生用於訓練用於對準複數個影像之一類神經網路的一輸入影像資料集之系統，該系統包含： <br/>一位移組件，其經組態以使一參考影像之一第一複本在一第一方向位移，以產生一第一經位移影像，及使該參考影像之一第二複本在一第二方向位移，以產生一第二經位移影像；及 <br/>一樣本產生器，其經組態以基於該第一經位移影像及該第二經位移影像產生包含複數個影像之一輸入影像資料集。
一種用於訓練用於對準複數個影像之一類神經網路之系統，該系統包含： <br/>一系統，其用於產生如請求項13之一輸入影像資料集；及 <br/>一訓練組件，其經組態以訓練該類神經網路以映射該輸入影像資料集至該參考影像。
一種用於產生一經合成影像之系統，其包含： <br/>一輸入介面，其經調適以獲得複數個輸入影像； <br/>如請求項14之一類神經網路訓練系統； <br/>一類神經網路，其經組態以藉由該類神經網路訓練系統予以訓練；及 <br/>一輸出組件，其經組態以基於由該類神經網路產生之一或多個預測而產生一經合成影像， <br/>其中該類神經網路經組態以基於由該輸入介面所獲得之該複數個輸入影像產生一或多個預測。
一種組裝式台架管理系統，其用於將卷狀物搭載於重複使用之組裝式台架並收納於運輸容器中進行運輸的物流中之上述組裝式台架之管理，且經由網路連接於資訊終端機；其特徵在於，其具備有： <br/>記憶部，其儲存零件管理資訊及存取權限資訊；上述零件管理資訊包含進展資訊及零件資訊；上述進展資訊表示將上述組裝式台架之各零件之自製造訂購至重複使用及破損後之廢棄的步驟為止，預先劃分成之複數個管理步驟中，正在進行及已完成之上述管理步驟；上述零件資訊表示已進行過之上述管理步驟之各零件狀態； <br/>上述存取權限資訊表示上述管理步驟之任一管理負責人經由上述資訊終端機瀏覽及更新上述零件管理資訊之權限；及 <br/>控制部，其從上述資訊終端機接收到包含表示請求上述零件管理資訊之更新之上述管理負責人及更新內容之資訊的更新申請資訊時，在上述存取權限資訊所表示之請求上述更新之上述管理負責人之權限範圍內更新上述零件管理資訊。
如請求項1之組裝式台架管理系統，其中，上述進展資訊針對構成上述組裝式台架之每個零件包含具有以下資訊：作為上述組裝式台架之運輸對象的上述卷狀物之種類、上述卷狀物之運輸出發地與運輸目的地、正在進行之上述管理步驟、及每個上述管理步驟之上述管理負責人。
如請求項1或2之組裝式台架管理系統，其中，上述管理步驟包括： <br/>台架訂購步驟，其係於上述卷狀物輸出中訂購上述組裝式台架；零件訂購步驟，其係訂購上述組裝式台架之零件；零件交付步驟，其係交付所製成之上述零件；上述組裝式台架之包裝步驟；交付步驟，其係交付經包裝後之上述組裝式台架；卷狀物搭載步驟，其係將上述卷狀物搭載於上述組裝式台架並搭載於上述運輸容器；運輸步驟，其係將搭載有上述卷狀物之上述運輸容器運輸至運輸目的地；回送步驟，其係將運輸步驟後之上述組裝式台架回送；檢查步驟，其係檢查回送步驟後之上述組裝式台架能否回收；保管步驟，其係將上述檢查步驟中判斷為可回收之上述組裝式台架作為庫存而保管；及廢棄步驟，其係將上述檢查步驟中判斷為無法回收之上述組裝式台架廢棄。
如請求項3之組裝式台架管理系統，其中， <br/>上述運輸步驟包括： <br/>出發港陸運步驟，其係將上述卷狀物搭載步驟後之上述運輸容器陸運至出發港；輸出報關步驟，其係進行上述卷狀物之輸出報關；海上運輸步驟，其係將搭載有上述卷狀物之上述運輸容器從輸出國海上運輸至輸入國；輸入報關步驟，其係進行搭載有上述卷狀物之上述運輸容器之輸入報關；及輸入方陸運步驟，其係於輸入國將上述卷狀物陸運至輸入方； <br/>上述回送步驟包括： <br/>回收保管步驟，其係於上述卷狀物之輸入國將上述運輸步驟後之上述組裝式台架分解回收並於完成回送準備之前進行保管；出發港回送步驟，其係將上述組裝式台架回送至出發港；輸入目的地報關步驟，其係於上述卷狀物之輸入國進行上述組裝式台架回送時之報關；海上回送步驟，其係藉由海上運輸將上述組裝式台架從上述卷狀物之輸入國回送至輸出國；輸出出發地回送報關步驟，其係於上述卷狀物之輸出國進行回送時之報關；及陸路回送步驟，其係於上述卷狀物之輸出國以陸運將上述卷狀物回送。
如請求項1或2之組裝式台架管理系統，其中，上述零件資訊包含表示每個已進行過之上述管理步驟之構成上述組裝式台架的各零件之外觀的圖像資訊。
如請求項5之組裝式台架管理系統，其中，上述零件資訊包含租賃資訊，該租賃資訊係每個已進行過之上述管理步驟與構成上述組裝式台架之各零件的租賃相關之資訊。
如請求項1或2之組裝式台架管理系統，其中，上述控制部於已更新了上述零件管理資訊之情形時，將表示更新結果之資訊經由上述資訊終端機發送給有上述零件管理資訊之瀏覽權限之管理負責人。
如請求項3之組裝式台架管理系統，其中， <br/>上述記憶部儲存有表示上述組裝式台架中回送後以可回收狀態保管之上述組裝式台架之庫存數的庫存資訊， <br/>上述存取權限資訊包含表示經由上述資訊終端機申請獲取上述庫存資訊之每個管理負責人之瀏覽權限的資訊， <br/>上述控制部擷取上述零件管理資訊中處於回送後以可回收狀態保管之狀態之上述組裝式台架，並將擷取之數量作為上述庫存數儲存於上述庫存資訊中。
如請求項1或2之組裝式台架管理系統，其中，上述控制部算出台架周轉期間，並將算出之期間作為台架周轉期間資訊而儲存；上述台架周轉期間係上述零件管理資訊中儲存之所有上述組裝式台架於上述卷狀物之運輸中回送1次所需之期間。
如請求項3之組裝式台架管理系統，其中， <br/>上述管理步驟中之上述台架訂購步驟包括申請訂購之訂購申請步驟及批准訂購之訂購批准步驟， <br/>上述存取權限資訊係於作為上述台架訂購步驟之管理負責人之事業者中，將上述訂購申請步驟之更新權限及上述訂購批准步驟之更新權限賦予給不同負責人的資訊。
如請求項1或2之組裝式台架管理系統，其中，上述控制部於上述管理負責人經由上述資訊終端機發送了瀏覽申請資訊、即請求上述零件管理資訊之瀏覽且包含請求瀏覽之上述管理負責人之資訊時，在上述存取權限資訊所表示之請求瀏覽之上述管理負責人之權限範圍內將上述零件管理資訊發送至上述資訊終端機。
一種資訊終端機，其經由網路連接於請求項1至11中任一項之組裝式台架管理系統，其特徵在於，其具備有： <br/>更新申請資訊產生手段，其產生上述更新申請資訊；及 <br/>更新申請資訊發送手段，其發送所產生之上述更新申請資訊。
一種資訊終端機，其經由網路連接於請求項11之組裝式台架管理系統，其特徵在於，其具備有： <br/>瀏覽申請資訊產生手段，其產生上述瀏覽申請資訊； <br/>瀏覽申請資訊發送手段，其發送所產生之上述瀏覽申請資訊；及 <br/>零件管理資訊接收手段，其於允許瀏覽時接收由組裝式台架管理系統發送之上述零件管理資訊。
一種程式，其使電腦作為請求項1至11中任一項之組裝式台架管理系統運行。
一種程式，其使電腦作為請求項12或13之資訊終端機運行。
一種結構體，依序包含一第一膜、一固化性樹脂層及一第二膜，其特徵在於，<br/> 該第一膜的褲形撕裂力與該第二膜的褲形撕裂力之差為+0.05N以上，且<br/> 該第一膜的霧度與該第二膜的霧度之差為-5％以下或+5％以上。
一種結構體，依序包含一第一膜、一固化性樹脂層及一第二膜，其特徵在於，<br/> 該第一膜的褲形撕裂力與該第二膜的褲形撕裂力之差為+0.05N以上，且<br/> 從該結構體之該第一膜側測量的Lab顏色空間中的L *值、a *值和b *值，與從該結構體之該第二膜側測量的Lab顏色空間中的L *值、a *值和b *值之差，滿足以下條件(i)至(iii)之至少一者：<br/> (i) L *值之差為-0.1以下或+0.1以上；<br/> (ii) a *值之差為-0.1以下或+0.1以上；<br/> (iii) b *值之差為-1以下或+1以上。
如請求項1或2所述之結構體，其中該第一膜係選自聚酯膜及聚烯烴膜。
如請求項1或2所述之結構體，其中該第二膜係選自聚酯膜及聚烯烴膜。
一種用於低間隙底部填充應用之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其包含： <br/>環氧組分，其包含具有環脂肪族、脂環族或混合環脂肪族-芳香族、脂環族-芳香族主鏈之環氧化合物； <br/>多官能酚系組分；及 <br/>觸媒，其係選自咪唑、經取代咪唑、潛在性咪唑、經囊封咪唑、酚官能化咪唑及萘酚官能化咪唑。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該環氧化合物係選自雙環戊二烯酚型環氧化物、氫化雙酚A型環氧化物、環己烷二甲醇二縮水甘油醚、單及多官能十氫萘縮水甘油基醚、單及多官能DCPD縮水甘油基醚、氫化雙酚A之二縮水甘油醚、單及多官能金剛烷基縮水甘油基醚、環脂肪族縮水甘油基酯、衍生自環脂肪族單胺及二胺之縮水甘油基化合物、環狀單烯及多烯之單及多官能環氧化物及其混合物。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該觸媒係選自1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑，2-苯基-4,5-雙(羥甲基)咪唑，2-苯基咪唑，2-苯基咪唑-吖嗪衍生物，<img align="absmiddle" height="52px" width="57px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc.製造之Ajicure系列，A&C Catalysts, Inc. 製造之Technicure系列、Resicure系列及Technirez系列，以及胺及多胺官能咪唑。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該多官能酚系組分係選自結構I、II、III及/或IV： <br/><img align="absmiddle" height="393px" width="361px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中X係單環、二環或多環結構，其係視情況具有脂肪族側鏈之環脂肪族或脂環族；酯基團之氧直接連接至該環或該脂肪族側鏈； <br/>X<sub>1</sub>係視情況包含雜原子O或S之伸烷基或具支鏈伸烷基； <br/>R<sub>3</sub>係H、烷基或環烷基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地選自共價鍵、視情況包含雜原子O或S之伸烷基、具支鏈伸烷基及伸環烷基； <br/>R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>獨立地係H、甲基或OH，前提條件係在每一環中R<sub>1</sub>或R<sub>2</sub>中之至少一者係OH；且 <br/>結構I、II、III及IV中存在之酯基團可為一級或二級酯基團。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該多官能酚系組分係選自以下酚系化合物： <br/><img align="absmiddle" height="155px" width="395px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>DCPD清漆型酚醛樹脂、甲酚清漆型酚醛樹脂、雙酚A清漆型酚醛樹脂、酚清漆型酚醛樹脂、三嗪清漆型酚醛樹脂、二烯丙基雙酚A、二羥基萘(所有異構物)、2-烯丙基苯基清漆型酚醛樹脂、二羥基二苯甲酮(所有異構物)、三羥基二苯甲酮(所有異構物)、酚甲醛清漆型酚醛樹脂、雙(4-羥基苯基)硫醚及雙(4-羥基苯基)碸。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該多官能酚系組分係選自結構V、VI及/或VIII： <br/><img align="absmiddle" height="207px" width="259px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R係脂肪族、環脂肪族、脂環族、混合芳香族-環脂肪族或聚合物主鏈；另外，在結構V及VII中，R可為稠合環； <br/>R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>係H、烷基或OH，前提條件係R<sub>1</sub>或R<sub>2</sub>中之至少一者係OH； <br/>L選自共價鍵、視情況具有雜原子O或S之伸烷基、伸環烷基及具支鏈伸烷基；L亦可含有酯或碳酸酯鍵聯； <br/>n=1-10；且 <br/>連接至結構V中之酚環的稠合環係可選的且在存在時可為芳香族、環脂肪族、脂環族或雜環。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其進一步包含馬來醯亞胺樹脂。
如請求項7之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該馬來醯亞胺樹脂係雙馬來醯亞胺、多官能馬來醯亞胺、或結構VIII或IX之酚官能馬來醯亞胺： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="146px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中L選自共價鍵、視情況具有雜原子O或S之伸烷基、伸環烷基及具支鏈伸烷基；L亦可含有酯或碳酸酯鍵聯；且 <br/>結構VIII中之稠合環係可選的且當存在時其係芳香族、環脂肪族、脂環族或雜環。
如請求項8之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該雙馬來醯亞胺或多官能馬來醯亞胺係藉由單或多官能一級胺利用馬來酸酐亞胺化獲得或藉由單或多官能脂肪族、環脂肪族、脂環族或芳烷基醇利用6-馬來醯亞胺基己酸費歇爾酯化(Fisher esterification)來獲得。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中該環氧組分對該多官能酚系組分之比率係1:1至1:0.05。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其進一步包含固化劑、加速劑、流動改質劑、填充劑、黏著促進劑及觸變劑。
如請求項1之與助熔劑相容的環氧酚黏著劑，其中： <br/>該環氧化合物選自雙環戊二烯酚型環氧化物、氫化雙酚A型環氧化物、環己烷二甲醇二縮水甘油醚及其混合物； <br/>該多官能酚系組分選自： <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="387px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>；且該觸媒係選自1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-雙(羥甲基)咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基咪唑-吖嗪衍生物及<img align="absmiddle" height="50px" width="57px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種物體表面輪廓測量系統，該系統包括：<br/>一光源組件，包含一寬頻光源；<br/>一共焦顯微鏡組件，包含：<br/>一分束器，用以將來自該寬頻光源的均勻光導引至該物體；<br/>一針孔裝置，包含一針孔陣列，該針孔裝置被配置以使來自該分束器的所述均勻光通過該等針孔至該物體；<br/>一組入射光學元件，用以將來自該針孔裝置的所述均勻光導引至該物體，該組入射光學元件包含一色差透鏡，係將通過該等入射光學元件的不同波長的均勻光聚焦在橫跨該物體的表面輪廓的不同高度的位置；及<br/>該針孔裝置被配置以使來自該物體的反射光通過該等針孔至該分束器，所述反射光包含基於橫跨該物體的該表面輪 廓的所述不同高度的位置的該表面輪廓的光譜資訊；及<br/>一光學偵測組件，包含：<br/>一光學偵測器，係接收來自該分束器的所述反射光；及<br/>一組偵測光學元件，係將來自該分束器的所述反射光導引至該光學偵測器；<br/>其中，根據該光學偵測器接收的所述反射光的光譜資訊可以測量該物體的該表面輪廓，而無需垂直移動該系統的任何部件，該光學偵測器接收的所述反射光的所述光譜資訊代表橫跨該物體的該表面輪廓的所述不同高度。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中該寬頻光源包含：<br/>一光學積分球；<br/>一組燈光，係被安置圍繞該光學積分球，該光學積分球被配置以整合來自該等燈光的光能；及<br/>一光學光圈，係導引發射自該等燈光的所述均勻光離開該寬頻光源。
如請求項2所述的物體表面輪廓測量系統，其中該等燈光為白光元件，係配置以發射紅光至藍光，或紅外光至紫外光。
如請求項1至3之任一項所述的物體表面輪廓測量系統，其中該針孔裝置包含一或多個微透鏡陣列，來搭配該針孔陣列，以使每一該針孔搭配至少一該微透鏡，而該等微透鏡被配置以將來自該分束器的光線聚焦至個別的該等針孔。
如請求項4所述的物體表面輪廓測量系統，其中該等微透鏡陣列係安置於該針孔裝置的一邊或兩邊。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中該共焦顯微鏡組件包含一驅動機構，用以平面地移動該針孔裝置。
如請求項6所述的物體表面輪廓測量系統，其中該驅動機構被配置以平面地沿X軸及/或Y軸移動該針孔裝置。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中該組入射光學元件包含：<br/>一物鏡，用以將光線聚焦於該物體；<br/>一鏡筒透鏡，用以將來自該物體的所述反射光聚焦於該針孔裝置；及<br/>該色差透鏡， 係設置在該鏡筒透鏡與該物鏡之間。
如請求項8所述的物體表面輪廓測量系統，其中該物鏡及該色差透鏡係整合成一個單一透鏡元件。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中該光學偵測組件是一超光譜成像組件 (hyperspectral imaging assembly)，係配置以測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓。
如請求項10所述的物體表面輪廓測量系統，其中該超光譜成像組件 是一單次拍攝超光譜成像組件 ，係被配置以單一影像測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓。
如請求項11所述的物體表面輪廓測量系統，其中該單次拍攝超光譜成像組件 包含：<br/>該光學偵測器，係包含一高光譜攝像儀(hyperspectral camera)；<br/>一光圈裝置，其中來自該分束器的所述反射光通過該光圈裝置至該高光譜攝像儀；及<br/>一波長分開裝置(wavelength differentiation device)，係設置於該光圈裝置與該高光譜攝像儀之間並用以分開所述反射光；及<br/>該組偵測光學元件包含：<br/>一中繼透鏡(relay lens)，係設置於該分束器與該光圈裝置之間；<br/>一準直器(collimator)，係設置於該光圈裝置與該波長分開裝置之間；及<br/>一成像透鏡，係設置於該波長分開裝置與該高光譜攝像儀之間並用以將所述反射光聚焦於該高光譜攝像儀。
如請求項12所述的物體表面輪廓測量系統，其中該光圈裝置包含一陣列的針孔或一狹縫光圈。
如請求項13所述的物體表面輪廓測量系統，其中該光圈裝置包含該陣列的針孔與搭配該陣列的針孔的一陣列的微透鏡，以使得每一該針孔配搭一該微透鏡，其中該微透鏡被配置以將來自該分束器的所述反射光聚焦至個別的該針孔。
如請求項12至14之任一項所述的物體表面輪廓測量系統，其中該波長分開裝置包含一光柵，用以繞射所述反射光，或者一光學稜鏡，用以散開所述反射光。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中<br/>該光源組件 包含該寬頻光源與一照明裝置，該照明裝置用以均勻地導引來自該寬頻光源的均勻光線；<br/>該共焦顯微鏡組件包含：<br/>該分束器與該組入射光學元件；<br/>該針孔裝置，係包含該針孔陣列與搭配該針孔陣列的一或多個陣列的微透鏡，以使每一該針孔配搭至少一該微透鏡，其中該微透鏡用以將來自該分束器的光線聚焦進入個別的該等針孔；及<br/>一驅動機構，用以沿著X軸及Y軸平面地移動該針孔裝置；以及<br/>該光學偵測組件，係包含一彩色攝像儀，係用以測量該物體的該表面輪廓。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中該光源組件包含該寬頻光源與一照明裝置，該照明裝置用以均勻地導引來自該寬頻光源的均勻光線；<br/>該共焦顯微鏡組件包含：<br/>該分束器與該組入射光學元件；及<br/>該針孔裝置，係包含該針孔陣列與搭配該針孔陣列的一或多個陣列的微透鏡，以使每一該針孔配搭至少一該微透鏡，其中該微透鏡用以將來自該分束器的光線聚焦進入個別的該等針孔；以及<br/>該光學偵測組件係一單次拍攝超光譜成像組件 ，係被配置以測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓，該單次拍攝超光譜成像組件 包含：<br/>一高光譜攝像儀(hyperspectral camera)；及<br/>一光圈裝置，其中來自該分束器的所述反射光通過該光圈裝置至該高光譜攝像儀，該光圈裝置包含一陣列的針孔與搭配該陣列的針孔的一陣列的微透鏡，以使得每一該針孔配搭一該微透鏡，該微透鏡被配置以將來自該分束器的所述反射光聚焦進入個別的該等針孔。
如請求項17所述的物體表面輪廓測量系統，其中更包含一驅動機構沿著X軸及Y軸平面地移動該針孔裝置。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中<br/>該光源組件包含該寬頻光源與一鏡筒透鏡，該鏡筒透鏡用以將來自該寬頻光源的均勻光線聚焦成一線光束，以線性掃描該物體；<br/>該共焦顯微鏡組件包含：<br/>該分束器與該組入射光學元件；<br/>該針孔裝置，係包含基於該線性掃描呈一單排的該針孔陣列與配搭該單排針孔的一或多個陣列的微透鏡，以使得每一該針孔配搭至少一該微透鏡，該微透鏡被配置將來自該分束器的光線聚焦進入個別的該等針孔；及<br/>一驅動機構，係平行於該單排針孔平面地移動該針孔裝置；以及<br/>該光學偵測組件係一單次拍攝超光譜成像組件 ，係被配置以測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓，該單次拍攝超光譜成像組件 包含：<br/>一高光譜攝像儀；及<br/>一光圈裝置，其中來自該分束器的所述反射光通過該光圈裝置至該高光譜攝像儀，該光圈裝置包含用以該線性掃描的一單排針孔及配搭該單排針孔的一單排微透鏡，以使得每一該針孔搭配一該微透鏡，而該微透鏡被配置以聚焦來自該分束器的所述反射光進入個別的該等針孔。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中<br/>該光源組件包含該寬頻光源與一鏡筒透鏡，該鏡筒透鏡用以將來自該寬頻光源的均勻光線聚焦成一線光束，以線性掃描該物體；<br/>該共焦顯微鏡組件包含：<br/>該分束器與該組入射光學元件；<br/>該針孔裝置，係包含基於該線性掃描呈一單排的該針孔陣列與配搭該單排針孔的一或多個陣列的微透鏡，以使得每一該針孔配搭至少一該微透鏡，該微透鏡被配置將來自該分束器的光線聚焦進入個別的該等針孔；及<br/>一驅動機構，係平行於該單排針孔平面地移動該針孔裝置；以及<br/>該光學偵測組件係一單次拍攝超光譜成像組件 ，係被配置以測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓，該單次拍攝超光譜成像組件 包含：<br/>一高光譜攝像儀；及<br/>一光圈裝置，其中來自該分束器的所述反射光通過該光圈裝置至該高光譜攝像儀，該光圈裝置包含一狹縫光圈，用以該線性掃描。
如請求項1所述的物體表面輪廓測量系統，其中<br/>該光源組件包含該寬頻光源與一照明裝置，該照明裝置用以均勻地導引來自該寬頻光源的均勻光線；<br/>該共焦顯微鏡組件包含：<br/>該分束器與該組入射光學元件；及<br/>該針孔裝置，係一尼普科夫圓盤且包含該針孔陣列；及<br/>一驅動機構，用以沿著Z軸轉動該針孔裝置；以及<br/>該光學偵測組件係一單次拍攝超光譜成像組件 ，係被配置以測量該物體的該表面輪廓與次表面輪廓，該單次拍攝超光譜成像組件 包含：<br/>一高光譜攝像儀(hyperspectral camera)；及<br/>一光圈裝置，其中來自該分束器的所述反射光通過該光圈裝置至該高光譜攝像儀，該光圈裝置包含一陣列的針孔與搭配該陣列的針孔的一陣列的微透鏡，以使得每一該針孔配搭一該微透鏡，該微透鏡被配置以將來自該分束器的所述反射光聚焦進入個別的該等針孔。
如請求項21所述的物體表面輪廓測量系統，其中該尼普科夫圓盤更包含一或多個陣列的微透鏡，來搭配該針孔陣列，以使得每一該針孔配搭至少一該微透鏡，該微透鏡用以將來自該分束器的光線聚焦進入個別的該等針孔。
如請求項22所述的物體表面輪廓測量系統，其中該等陣列的微透鏡係安置於該針孔裝置的一邊或兩邊。
如請求項21至23之任一項所述的物體表面輪廓測量系統，其中該等針孔呈圓形或方形。
一種介電透鏡（dielectric lens），包含：<br/>由介電材料而成之三維（three-dimensional，3D）本體，具有空間上變化介電常數（spatially varying dielectric constant）Dk；<br/>該三維本體具有至少三個區R(i)，該至少三個區R(i)相對於該至少三個區R(i)中之相應區之周圍區係具有局部最大介電常數值Dk(i)，該至少三個區R(i)之位置係相對於與該三維本體相關聯之特定共同原點而由以下局部座標來界定：方位角(i)、天頂角 (i)及徑向距離(i)，其中(i)為介於1到至少3之範圍內之索引（index）；<br/>其中該三維本體之空間上變化Dk係被配置成在給定方位角下及給定徑向距離下在區R(1)與區R(2)之間至少隨著該天頂角而變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中該給定徑向距離係為第一給定徑向距離，且進一步其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk更被配置成在該給定方位角下及第二變化徑向距離下在該區R(1)與該區R(2)之間隨著該天頂角而變化，該第二變化徑向距離係隨著該天頂角而變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在給定方位角下及給定徑向距離下在該區R(1)與區R(3)之間隨著該天頂角而變化。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在給定天頂角下及給定徑向距離下在該區R(2)與該區R(3)之間隨著該方位角而變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在該特定共同原點與R(1)之間隨著該徑向距離而變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在該特定共同原點與R(2)之間隨著該徑向距離而變化。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在該特定共同原點與R(3)之間隨著該徑向距離而變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體具有基底區（base region）及外表面區（outer surface region），且該特定共同原點係靠近該基底區。
如請求項8所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk亦被配置成在至少三個不同之徑向方向上自該特定共同原點至該外表面區而變化。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>R(2)及R(3)係在隔開180度之對應方位角處相對於彼此而對稱。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>R(2)及R(3)係在隔開180度之對應方位角處相對於彼此且相對於R(1)而對稱。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體在該特定共同原點處具有一等於或大於空氣且等於或小於1.2之Dk。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體在距該特定共同原點之限定徑向距離（defined radial distance）rk處具有一等於或大於空氣且等於或小於2之Dk。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體在距該特定共同原點之限定徑向距離rk處具有一等於或大於空氣且等於或小於1.5之Dk。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體在距該特定共同原點之限定徑向距離rk處具有一等於或大於空氣且等於或小於1.2之Dk。
如請求項13所述之介電透鏡，其中：<br/>rk係等於或小於2λ，其中λ係為可操作電磁輻射訊號（operational electromagnetic radiating signal）在自由空間（free space）中之波長。
如請求項16所述之介電透鏡，其中：<br/>該可操作電磁輻射訊號係在等於或大於1吉赫（GHz）且等於或小於300吉赫之頻率範圍下可操作。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>R(1)係設置於等於或大於0度且等於或小於15度之天頂角(1)處。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>R(2) 係設置於等於或大於75度且等於或小於90度之天頂角(2)處。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>R(3) 係設置於等於或大於75度且等於或小於90度之天頂角(3)處。
如請求項1所述之介電透鏡，更包含區R(4)，其中：<br/>R(4) 係設置於等於或大於15度且等於或小於75度之天頂角(4)處。
如請求項21所述之介電透鏡，更包含區R(5)，其中：<br/>R(5) 係設置於等於或大於15度且等於或小於75度之天頂角(5)處。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>R(2)及R(3)係藉由等於或大於150度且等於或小於180度之方位角而分隔開。
如請求項22所述之介電透鏡，其中：<br/>R(4)及R(5)係藉由等於或大於150度且等於或小於180度之方位角而分隔開。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該三維本體之空間上變化Dk係在大於1與等於或小於15之間變化。
如請求項1所述之介電透鏡，其中：<br/>該至少三個區R(i)之對應區的各該局部最大介電常數值Dk(i)係具有一等於或大於2且等於或小於15之Dk。
如請求項3所述之介電透鏡，其中：<br/>具有局部最大介電常數值Dk(i)之該至少三個區R(i)更包含區R(6)及區R(7)，其中該區R(1)係設置於等於或大於0度且等於或小於15度之天頂角(1)處，且其中該區R(2)、該區R(3)、該區R(6)及該區R(7)係各自設置於等於或大於+15度且等於或小於+90度或者等於或大於-15度且等於或小於-90度之天頂角(2)處。
如請求項27所述之介電透鏡，其中：<br/>該區R(2)及該區R(3)係藉由等於或大於150度且等於或小於180度之方位角而分隔開；<br/>該區R(6)及該區R(7)係藉由等於或大於150度且等於或小於180度之方位角而分隔開；<br/>該區R(2)及該區R(6)係藉由等於或大於30度且等於或小於90度之方位角而分隔開；<br/>該區R(3)及該區R(6)係藉由等於或大於30度且等於或小於90度之方位角而分隔開；<br/>該區R(2)及該區R(7)係藉由等於或大於30度且等於或小於90度之方位角而分隔開；以及<br/>該區R(3)及該區R(7)係藉由等於或大於30度且等於或小於90度之方位角而分隔開。
如請求項1至28中任一項所述之介電透鏡，其中：<br/>該由介電材料而成之三維本體的空間上變化Dk係隨著該方位角(i)、該天頂角(i)及該徑向距離(i)而逐漸變化（varies gradually）。
如請求項29所述之介電透鏡，其中：<br/>該由介電材料而成之三維本體的逐漸變化Dk對於操作頻率之每波長改變係不大於所限定最大Dk值（defined maximum Dk value）。
如請求項30所述之介電透鏡，其中：<br/>該所限定最大Dk值係為+/- 1.9。
一種介電透鏡，包含：<br/>由介電材料而成之三維（3D）本體，具有一空間上變化Dk，該空間上變化Dk係沿著具有不同方向及特定共同原點之至少三個不同之射線而自該特定共同原點至該三維本體之外表面變化，該特定共同原點係由該三維本體包封（enveloped）；<br/>其中該至少三個不同之射線係界定該三維本體之至少三個區R(i)中之對應區之位置，該至少三個區R(i)相對於該至少三個區R(i)中之對應區之緊鄰周圍區之介電材料而具有局部最大介電常數值Dk(i)，其中(i)為介於1到至少3之範圍內之索引；<br/>其中該三維本體之該介電材料係自該至少三個區R(i)中之每一者至該至少三個區R(i)中之任一其他區沿著該三維本體內之任一路徑而具有空間上變化Dk。
一種電磁裝置（electromagnetic (EM) device），包含：<br/>相控陣列天線（phased array antenna）；以及<br/>如請求項1至32中任一項所述之介電透鏡；<br/>其中該介電透鏡係被配置及設置成當該相控陣列天線受到電磁激發時與該相控陣列天線進行電磁通訊。
如請求項33所述之電磁裝置，其中：<br/>該介電透鏡係居中設置於該相控陣列天線之頂部上。
如請求項33所述之電磁裝置，其中：<br/>如在俯視平面圖中所觀察，該介電透鏡之佔據區（footprint）係大於該相控陣列天線之對應佔據區，使得該介電透鏡係延伸超出該相控陣列天線之邊緣。
如請求項35所述之電磁裝置，其中：<br/>該介電透鏡在天頂角為90度處之部分之Dk係自該特定共同原點向外超出該相位陣列之邊緣沿著指定徑向方向先增加、然後減小、然後再次增加。
如請求項33所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係為平面（planar）相控陣列天線。
如請求項33所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係為非平面（non-planar）相控陣列天線。
如請求項38所述之電磁裝置，其中：<br/>該非平面相控陣列天線具有圓柱體表面（cylindrical surface）或設置於圓柱體表面上。
如請求項39所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成自該圓柱體表面之凹側（concave side）朝向該介電透鏡發射電磁輻射。
如請求項39所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成自該圓柱體表面之凸側（convex side）朝向該介電透鏡發射電磁輻射。
如請求項38所述之電磁裝置，其中：<br/>該非平面相控陣列天線具有球體表面（spherical surface）或設置於球體表面上。
如請求項42所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成自該球體表面之凹側朝向該介電透鏡發射電磁輻射。
如請求項42所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成自該球體表面之凸側朝向該介電透鏡發射電磁輻射。
如請求項33所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成使得每一單獨之天線元件關於訊號相角、訊號振幅或訊號相角及訊號振幅係可控的。
如請求項45所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置成相對於對應電磁輻射波前（EM radiation wavefront）之傳播方向呈+/- 90度對電磁波前進行波束轉向（beam steering）。
如請求項46所述之電磁裝置，其中：<br/>對該電磁波前呈+/- 90度之波束轉向係相對於水平軸、豎直軸或水平軸及豎直軸而進行。
如請求項33至47中任一項所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置及調適成在等於或大於1吉赫且等於或小於300吉赫之頻率範圍下而操作。
如請求項33至47中任一項所述之電磁裝置，其中：<br/>該相控陣列天線係被配置及調適成在毫米波頻率（millimeter wave frequency）下操作。
如請求項49所述之電磁裝置，其中：<br/>該毫米波頻率係為第五代毫米波頻率（fifth-generation (5G) millimeter wave frequency）。
一種液體檢測感測器，其係具備金屬空氣電池，該金屬空氣電池具有：正極、負極、以及位於前述正極與前述負極之間之電解液構成成分；<br/>於前述正極與前述負極之間更具備支撐構件，該支撐構件具有空隙，且支撐前述正極與前述負極；<br/>前述電解液構成成分被封入於樹脂製袋體的內部，前述樹脂製袋體的樹脂對於檢測對象的液體具有溶解性或分散性；<br/>封入有前述電解液構成成分之前述樹脂製袋體為複數個；<br/>前述電解液構成成分被分割成複數個並分別封入於前述樹脂製袋體的內部；並且，<br/>前述樹脂製袋體被導入於前述支撐構件的前述空隙部分。
如請求項1所述之液體檢測感測器，其中前述樹脂製袋體的樹脂為水溶性樹脂或油溶性樹脂。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其中封入有前述電解液構成成分之前述樹脂製袋體係被載持於前述支撐構件。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其中封入有前述電解液構成成分之前述樹脂製袋體係配置在前述正極與前述負極之間。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其中封入有前述電解液構成成分之前述樹脂製袋體係配置在前述支撐構件與前述正極之間及/或前述支撐構件與前述負極之間。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其中前述電解液構成成分係含有水、鹼金屬鹽或鹼金屬鹽的水溶液。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其中前述負極的活性物質係含有選自由鎂(Mg)、鋁(Al)、鋰(Li)、鈣(Ca)及鋅(Zn)所組成之群組的至少1種金屬。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其係具有接收前述金屬空氣電池的電力來通知液體檢測之通知部。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其係具有可將前述金屬空氣電池的檢測訊號往接收部無線傳送之通知部。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其係水檢測感測器。
如請求項1或2所述之液體檢測感測器，其係油檢測感測器。
一種用於處理來自銅化學機械拋光製程之含水廢料流之方法，該含水廢料流包括一定濃度之溶解銅及包含具有小於0.75μm之數目加權平均尺寸之研磨粒子的漿料固體，該方法包含：將該含水廢料流引入進料槽中；使該含水廢料流自該進料槽流動至超過濾模組中；經由該超過濾模組之膜過濾該含水廢料流以形成貧固體濾液；將該貧固體濾液自該超過濾模組引導至濾液儲料槽中；將該貧固體濾液自該濾液儲料槽引導至離子交換單元以移除溶解銅且產生銅濃度比該含水廢料流之銅濃度低的經處理之水性溶液；反洗該超過濾模組之該膜以自該超過濾模組之該膜移除該等漿料固體；其中反洗該超過濾模組包括用來自該濾液儲料槽之該貧固體濾液反洗該超過濾模組之該膜；將用於反洗該超過濾模組的該貧固體濾液及所移除之漿料固體引導至反洗儲料槽中；在該反洗儲料槽中沉降該等所移除之漿料固體；及合併該等所移除之漿料固體與該經處理之水性溶液以形成銅濃度適合於排放至環境中之合併排出流。
如請求項1之方法，其進一步包含將來自該反洗儲料槽的上清液引導至該進料槽中。
如請求項1之方法，其進一步包含調整該進料槽中之該含水廢料流之pH。
如請求項3之方法，其中調整該進料槽中之該含水廢料流之該pH包含將該含水廢料流之該pH調整至約3之pH。
如請求項1之方法，其中經由該超過濾模組之該膜過濾該含水廢料流包括經由該超過濾模組之該膜過濾約40加侖之該含水廢料流/平方呎之膜面積/天(GFD)，同時維持該超過濾模組之入口壓力低於約1.5磅/平方吋。
如請求項1之方法，其中在過濾及反洗之各循環中，在過濾該含水廢料流預定時間之後進行該超過濾模組之反洗。
如請求項1之方法，其中將該含水廢料流引入該進料槽中包括引入尺寸為0.50μm及以上之該等研磨粒子之濃度為至少10<sup>6</sup>個/ml的含水廢料流。
一種用於處理來自銅化學機械拋光製程之含水廢料流之系統，該含水廢料流包括一定濃度之溶解銅及包含具有小於0.75μm之數目加權平均尺寸之研磨粒子的漿料固體，該系統包含：進料槽，其可流體連接至該含水廢料流之來源；超過濾單元，其具有可流體連接至該進料槽之出口的入口；離子交換單元，其包括可操作以自穿過該離子交換單元之物流中移除銅的介質且具有可流體連接至該超過濾單元之濾液出口之入口；濾液儲料槽，其可流體連接在該超過濾單元之該濾液出口與該離子交換單元之該入口之間；反洗儲料槽，其具有可流體連接至該超過濾單元之反洗出口的入口，可流體連接至該離子交換單元之純化水出口的沉降固體出口，及可流體連接至該進料槽的上清液出口；及反洗泵，其經配置以引導來自該濾液儲料槽的濾液穿過該超過濾單元且進入該反洗儲料槽中。
如請求項8之系統，其進一步包含控制器，其經配置以使該系統執行方法，該方法包含：將該含水廢料流引入該進料槽中；使該含水廢料流自該進料槽流動至該超過濾單元中；經由該超過濾單元之膜過濾該含水廢料流以形成貧固體濾液；引導來自該超過濾單元的該貧固體濾液穿過該離子交換單元以產生銅濃度比該含水廢料流之銅濃度低的經處理之水性溶液；反洗該超過濾單元之該膜以自該超過濾單元之該膜移除漿料固體；及合併所移除之漿料固體與該經處理之水性溶液以形成銅濃度適合於排放至環境中之合併排出流。
如請求項9之系統，其中該控制器進一步經配置以使該系統在該反洗儲料槽中沉降該等所移除之漿料固體。
如請求項10之系統，其中該控制器進一步經配置以使該系統調整該進料槽中之該含水廢料流之pH。
如請求項11之系統，其中該控制器進一步經配置以使該系統將該進料槽中之該含水廢料流之該pH調整至約3之pH。
如請求項9之系統，其中該控制器進一步經配置以使該系統經由該超過濾單元之該膜過濾約40加侖之該含水廢料流/平方呎之膜面積/天(GFD)，同時維持該超過濾單元之入口壓力低於約1.5磅/平方吋。
一種可沿著一緊固件軸線附接至一面板之繫留緊固件，該繫留緊固件包括： <br/>一緊固件，其具有在該緊固件之一近端處之一頭部部分及自該頭部部分延伸且沿著該緊固件軸線延伸至該緊固件之一遠端部分之一軸件； <br/>一旋鈕，其與該緊固件分開地形成且組裝至該緊固件，該旋鈕具有嚙合至該緊固件之該頭部部分之一近端部分以及在該緊固件軸線及該緊固件之該軸件周圍徑向延伸且自該緊固件之該頭部部分向遠端延伸至該旋鈕之一遠端部分之一環狀部分，該旋鈕包括一近端組件及一遠端組件，該旋鈕之該近端組件熱接合至該旋鈕之該遠端組件，藉此抵抗該旋鈕之該近端組件與該旋鈕之該遠端組件分開及該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回； <br/>一套圈，其與該旋鈕相關聯，該套圈界定沿著該緊固件軸線延伸且接納該緊固件之該軸件之一開口，該套圈具有經構形以阻止該旋鈕沿著該緊固件軸線與該套圈分開之一近端部分及經構形以嚙合至該面板之一遠端部分；及 <br/>一彈簧，其經定位以相對於該套圈在近端偏置該旋鈕或該緊固件且抑制該旋鈕或該緊固件相對於該緊固件軸線傾斜； <br/>該套圈之該近端部分已經定位為在一插入方向上沿著該緊固件軸線與該旋鈕相關聯； <br/>該緊固件之該頭部部分已在該插入方向上插入於該旋鈕內以嚙合至該旋鈕；且 <br/>該旋鈕之該近端部分與該緊固件之該頭部部分之間的該嚙合經構形以抵抗該旋鈕相對於該緊固件沿著該緊固件軸線之軸向移動、該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動及該旋鈕相對於該緊固件軸線之樞轉移動。
如請求項1之繫留緊固件，該緊固件係金屬的。
如請求項1之繫留緊固件，該旋鈕係非金屬的。
如請求項1之繫留緊固件，該套圈之該近端部分及該緊固件之該頭部部分已在該插入方向上插入於該旋鈕內，該插入方向係自該旋鈕之該近端部分開始沿著該緊固件軸線之一遠端方向。
如請求項1之繫留緊固件，該套圈之該近端部分及該緊固件之該頭部部分已在該插入方向上插入於該旋鈕內，該插入方向係自該旋鈕之該遠端部分開始沿著該緊固件軸線之一近端方向。
如請求項1之繫留緊固件，該套圈之該近端部分包含相對於該緊固件軸線徑向向外延伸以與該旋鈕嚙合從而阻止該旋鈕與該套圈之該分開之一徑向延伸部。
如請求項6之繫留緊固件，該套圈之該近端部分之該徑向延伸部自 <br/>一經延伸位置，其中該套圈之該近端部分可插入於該旋鈕內，藉此准許該套圈之該近端部分在該插入方向上沿著該緊固件軸線移動至該旋鈕中，變形至 <br/>一嚙合位置，其中該套圈之該近端部分無法在與該插入方向相反之一方向上自該旋鈕內經移除，藉此阻止該旋鈕沿著該緊固件軸線與該套圈之該分開。
如請求項1之繫留緊固件，該旋鈕之該近端部分機械嚙合至該緊固件之該頭部部分，其中： <br/>該緊固件之該頭部部分具有面朝該緊固件之該近端之一面對近端表面、面朝該緊固件之該遠端部分之一面對遠端表面以及橫向於該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面及該面對遠端表面而延伸之一橫向表面； <br/>該旋鈕具有面朝該旋鈕之一近端之一面對近端表面、面朝該旋鈕之一遠端之一面對遠端表面以及橫向於該旋鈕之該面對近端表面及該面對遠端表面而延伸之一橫向表面； <br/>該旋鈕之該面對近端表面及該旋鈕之該面對遠端表面中之至少一者係可相對於該緊固件軸線在以下各項之間徑向移動的 <br/>一嚙合位置，其中該旋鈕之該面對近端表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面且該旋鈕之該面對遠端表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動，及<br/>一經延伸位置，其中該旋鈕之該面對近端表面或該旋鈕之該面對遠端表面中之至少一者與該緊固件之該頭部部分脫離，藉此准許該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動；且<br/>該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動。
如請求項8之繫留緊固件，該旋鈕包括界定該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面之一支腿，該旋鈕之該支腿係可徑向向外移動的以使該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面自該嚙合位置移動至該經延伸位置，藉此准許將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕中，且自該經延伸位置移動至該嚙合位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項9之繫留緊固件，該旋鈕包括一內壁，該內壁界定該旋鈕之該面對近端表面或該旋鈕之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項10之繫留緊固件，該旋鈕之該支腿界定該旋鈕之該面對遠端表面，該旋鈕之該內壁界定該旋鈕之該面對近端表面，該旋鈕之該支腿之該面對遠端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且該旋鈕之該內壁之該面對近端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面。
如請求項9之繫留緊固件，該旋鈕包括兩個或多於兩個支腿，該等支腿中之至少一者界定該旋鈕之該橫向表面。
如請求項12之繫留緊固件，該等支腿由一間隙分開。
如請求項13之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分之該橫向表面延伸至該間隙中且該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接該旋鈕之該支腿之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動。
如請求項9之繫留緊固件，該旋鈕經構形以藉由該旋鈕之該支腿將該緊固件之該頭部部分卡扣嚙合於該嚙合位置中，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項15之繫留緊固件，該旋鈕之該支腿進一步界定自該支腿之一徑向向外部分至該支腿之一徑向向內部分漸縮之一斜坡表面，該旋鈕之該支腿之該斜坡表面經定位以促進該在該將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕中期間使該旋鈕之該支腿徑向向外移動。
如請求項16之繫留緊固件，該旋鈕之該支腿之該斜坡表面面對該旋鈕之一近端，該套圈之該近端部分及該緊固件之該頭部部分已在該插入方向上插入於該旋鈕內，該插入方向係自該旋鈕之該近端部分開始沿著該緊固件軸線之一遠端方向。
如請求項9之繫留緊固件，該旋鈕進一步包括自該旋鈕之該支腿徑向向外定位且至少部分地封圍該旋鈕之該支腿之一環狀壁，該環狀壁界定經定位以抓持該旋鈕之一徑向面向外表面。
如請求項8之繫留緊固件，該旋鈕包括一內組件及固定至該內組件之一外組件，該旋鈕之該內組件界定該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面中之至少一者，且該旋鈕之該外組件界定經定位以抓持該旋鈕之一徑向面向外表面。
如請求項19之繫留緊固件，旋鈕之該內組件包含界定該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面之一支腿，該旋鈕之該內組件之該支腿係可徑向向外移動的以使該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面自該嚙合位置移動至該經延伸位置，藉此准許將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕中，且自該經延伸位置移動至該嚙合位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項19之繫留緊固件，該旋鈕之該內組件包括一內壁，該內壁界定該旋鈕之該面對近端表面或該旋鈕之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項19之繫留緊固件，該旋鈕之該外組件具有一面對表面，該面對表面經定位以將該旋鈕之該外組件機械耦合至該旋鈕之該內組件或機械耦合至該緊固件之該頭部部分，藉此阻止該旋鈕之該外組件沿著該緊固件軸線與該旋鈕之該內組件分開。
如請求項22之繫留緊固件，該旋鈕之該外組件之該面對表面係經定位以接觸該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面之一面對遠端表面。
如請求項22之繫留緊固件，該旋鈕之該外組件之該面對表面係經定位以接觸該旋鈕之該內組件之一遠端部分之一面對近端表面。
如請求項24之繫留緊固件，該旋鈕之該外組件之該面對表面係可自接觸該旋鈕之該內組件之該遠端部分之一嚙合位置徑向向外移動至一經延伸位置，藉此准許將該旋鈕之該內組件插入至該旋鈕之該外組件中，且自該經延伸位置延伸至該嚙合位置，藉此抵抗該旋鈕之該內組件自該旋鈕之該外組件抽回。
如請求項25之繫留緊固件，該旋鈕經構形以使該旋鈕之該內組件在該旋鈕之該外組件中與該旋鈕之該外組件之該面對表面卡扣嚙合於該嚙合位置中，藉此抵抗該旋鈕之該內組件自該旋鈕之該外組件抽回。
如請求項19之繫留緊固件，該旋鈕之該外組件具有一橫向表面，該橫向表面經定位以與該旋鈕之該內組件或該緊固件之該頭部部分接觸，藉此阻止該旋鈕之該外組件相對於該旋鈕之該內組件圍繞該緊固件軸線旋轉。
如請求項8之繫留緊固件，該旋鈕包括一內壁，該內壁界定經定大小以容納該緊固件之該頭部部分之一環狀凹槽且界定該旋鈕之該面對遠端表面及該旋鈕之該面對近端表面，藉此抵抗在將該緊固件之該頭部部分插入至界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽中之後該緊固件之該頭部部分旋即自該旋鈕抽回。
如請求項28之繫留緊固件，界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽係一連續凹槽，使得該旋鈕之該面對遠端表面及該旋鈕之該面對近端表面中之至少一者係一連續表面。
如請求項28之繫留緊固件，該旋鈕之該內壁進一步界定一漸縮區域，該漸縮區域毗鄰該環狀凹槽且自經定大小以容納該緊固件之該頭部部分之一較大部分至經定大小以抵抗該緊固件之該頭部部分通過之一較小部分漸縮，藉此准許將該緊固件之該頭部部分按壓插入至界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽中。
如請求項30之繫留緊固件，該旋鈕之該內壁之該漸縮區域之該較小部分界定延伸至該環狀凹槽中之間隙，藉此促進該將該緊固件之該頭部部分按壓插入至界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽中。
如請求項30之繫留緊固件，界定於該旋鈕之該內壁中之該漸縮區域係毗鄰由該旋鈕之該環狀凹槽界定之該面對近端表面而定位，藉此准許該在該插入方向上將該緊固件之該頭部部分按壓插入至界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽中，該插入方向係自該旋鈕之該遠端部分開始沿著該緊固件軸線之一近端方向。
如請求項28之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分之一周界邊緣界定該緊固件之該頭部部分之該橫向表面，在該將該緊固件之該頭部部分插入至該環狀凹槽中之後該旋鈕之該橫向表面旋即形成於界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽內。
如請求項8之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分界定提供該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面及該面對遠端表面的一環狀凹槽，該旋鈕包括具有提供該旋鈕之該面對近端表面及該旋鈕之該面對遠端表面之一向內延伸突出部的一內壁，該旋鈕之該向內延伸突出部經定位以延伸至該緊固件之該頭部部分之該環狀凹槽中，藉此准許將該緊固件之該頭部部分按壓插入於該旋鈕之該內壁內且抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項34之繫留緊固件，界定於該緊固件之該頭部部分中之該環狀凹槽係一連續凹槽。
如請求項34之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分進一步界定提供該緊固件之該橫向表面之至少一個軸向凹槽，該旋鈕進一步包括提供該旋鈕之該橫向表面之一向內延伸凸塊，該旋鈕之該向內延伸凸塊經定位以延伸至該緊固件之該頭部部分之該軸向凹槽中，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之該旋轉移動。
如請求項1之繫留緊固件，該旋鈕之該近端部分經變形為與該緊固件之該頭部部分嚙合，其中： <br/>該緊固件之該頭部部分具有面朝該緊固件之該近端之一面對近端表面、面朝該緊固件之該遠端部分之一面對遠端表面以及橫向於該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面及該面對遠端表面而延伸之一橫向表面； <br/>該旋鈕具有一嚙合表面及橫向於該旋鈕之該嚙合表面而延伸之一橫向表面，該旋鈕之該嚙合表面係可在以下各項之間變形的 <br/>一經延伸位置，其中該旋鈕之該嚙合表面與該緊固件之該頭部部分脫離，藉此准許該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動；及<br/>自該經延伸位置徑向向內之一經變形位置，其中該旋鈕之該嚙合表面嚙合該緊固件之該頭部部分，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動，且<br/>該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線旋轉。
如請求項37之繫留緊固件，該旋鈕包括界定該嚙合表面之一支腿，該旋鈕之該支腿係可相對於該緊固件軸線徑向向內變形的以使該旋鈕之該嚙合表面自該經延伸位置移動至該經變形位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項38之繫留緊固件，該旋鈕包括界定該面對近端表面之一內壁，該旋鈕之該支腿之該嚙合表面提供該旋鈕之該面對遠端表面，該旋鈕之該嚙合表面之該面對遠端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且該旋鈕之該內壁之該面對近端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項38之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分之一周界邊緣界定該緊固件之該頭部部分之該橫向表面，該旋鈕之該橫向表面由界定於該旋鈕之一內壁中之一凹部提供，該緊固件之該頭部部分之該橫向表面延伸至界定於該旋鈕之該內壁中之該凹部中，且該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動。
如請求項37之繫留緊固件，該旋鈕包括界定該嚙合表面之一近端環狀邊緣部分，該旋鈕之該近端環狀邊緣部分係可徑向向內變形的以使該嚙合表面自該經延伸位置變形至該經變形位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項41之繫留緊固件，該旋鈕包括界定該面對近端表面之一內壁，該旋鈕之該近端環狀邊緣部分之該嚙合表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且該旋鈕之該內壁之該面對近端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項41之繫留緊固件，該旋鈕具有界定該面對近端表面之一內壁，該旋鈕之該近端環狀邊緣部分之該嚙合表面提供該旋鈕之該面對遠端表面，該嚙合表面之該面對遠端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且該旋鈕之該內壁之該面對近端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項41之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面提供該緊固件之該頭部部分之該橫向表面，且該旋鈕之該近端環狀邊緣部分之該嚙合表面經變形以提供該旋鈕之該橫向表面，在使該嚙合表面自該經延伸位置變形至該經變形位置之後該旋鈕之該橫向表面旋即形成於該旋鈕之該嚙合表面上，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線旋轉。
如請求項37之繫留緊固件，該近端組件界定該旋鈕之該嚙合表面且該遠端組件界定該旋鈕之該橫向表面。
如請求項45之繫留緊固件，該旋鈕之該近端組件具有沿著該緊固件軸線延伸之一環狀突出部，隨著該旋鈕之該近端組件之該嚙合表面自該經延伸位置變形至該經變形位置，該環狀突出部係變形的。
如請求項45之繫留緊固件，該旋鈕之該遠端組件具有界定該面對近端表面之一內壁，該旋鈕之該近端組件之該嚙合表面提供該旋鈕之該面對遠端表面，該嚙合表面之該面對遠端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且該旋鈕之該內壁之該面對近端表面鄰接該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項45之繫留緊固件，該緊固件之該頭部部分之一周界邊緣界定該緊固件之該頭部部分之該橫向表面，該旋鈕之該橫向表面由界定於該旋鈕之一內壁中之一凹部提供，該緊固件之該頭部部分之該橫向表面延伸至界定於該旋鈕之該內壁中之該凹部中，且該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動。
一種藉由將旋鈕之近端部分機械嚙合至緊固件之頭部部分而組裝如請求項8之繫留緊固件之方法，該方法包括： <br/>使該旋鈕之該面對近端表面及該旋鈕之該面對遠端表面中之至少一者相對於該緊固件軸線徑向向外移動至該經延伸位置，其中該旋鈕之該面對近端表面或該旋鈕之該面對遠端表面中之至少一者與該緊固件之該頭部部分脫離； <br/>將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕之該近端部分中； <br/>使該旋鈕之該面對近端表面及該旋鈕之該面對遠端表面中之該至少一者相對於該緊固件軸線自 <br/>該經延伸位置徑向向內返回至<br/>該嚙合位置，使得該旋鈕之該面對近端表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面且該旋鈕之該面對遠端表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動；<br/>使該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接抵靠該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動； <br/>將該彈簧定位為在近端偏置該旋鈕或該緊固件且抑制該旋鈕或該緊固件相對於該緊固件軸線傾斜；及 <br/>使該套圈與該旋鈕相關聯，使得界定於該套圈中之該開口沿著該緊固件軸線延伸且接納該緊固件之該軸件，且使得該套圈之該近端部分阻止該旋鈕沿著該緊固件軸線與該套圈分開。
如請求項49之方法，該移動步驟包括使界定該旋鈕之該面對遠端表面或該旋鈕之該面對近端表面之一支腿徑向向外移動至該經延伸位置，藉此准許將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕中，且該返回步驟包括使該支腿自該經延伸位置返回至該嚙合位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項50之方法，該返回步驟包括藉由該旋鈕之該支腿將該緊固件之該頭部部分卡扣嚙合於該嚙合位置中，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項49之方法，其進一步包括將該旋鈕之一外組件機械耦合至該旋鈕之一內組件或機械耦合至該緊固件之該頭部部分，藉此阻止該旋鈕之該外組件沿著該緊固件軸線與該旋鈕之該內組件分開。
如請求項52之方法，其進一步包括使該旋鈕之該外組件之一面對表面徑向向外移動至一經延伸位置，藉此准許將該旋鈕之該內組件插入至該旋鈕之該外組件中，且自該經延伸位置移動至一嚙合位置，藉此抵抗該旋鈕之該內組件自該旋鈕之該外組件抽回。
如請求項49之方法，該插入步驟包含將該緊固件之該頭部部分按壓插入至界定於該旋鈕之一內壁中之一環狀凹槽中。
如請求項54之方法，該插入步驟之該按壓插入包含將該緊固件之該頭部部分插入穿過毗鄰該環狀凹槽的該旋鈕之該內壁之一漸縮區域，藉此准許將該緊固件之該頭部部分按壓插入至界定於該旋鈕之該內壁中之該環狀凹槽中。
如請求項54之方法，該插入步驟包含使該旋鈕之一向內延伸突出部延伸至該緊固件之該頭部部分之一環狀凹槽中，藉此准許將該緊固件之該頭部部分按壓插入至該旋鈕之該內壁中且抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項56之方法，其進一步包括使該旋鈕之一向內延伸凸塊延伸至該緊固件之該頭部部分之一軸向凹槽中，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之該旋轉移動。
一種藉由使旋鈕之近端部分變形為與緊固件之頭部部分嚙合而組裝如請求項37之繫留緊固件之方法，該方法包括： <br/>將該緊固件之該頭部部分插入至該旋鈕之該近端部分中； <br/>使該旋鈕之該嚙合表面相對於該緊固件軸線自 <br/>該經延伸位置，其中該旋鈕之該嚙合表面與該緊固件之該頭部部分脫離，徑向向內變形至<br/>該經變形位置，其中該旋鈕之該嚙合表面嚙合該緊固件之該頭部部分，使得該旋鈕之該面對近端表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面且該旋鈕之該嚙合表面嚙合該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動；<br/>使該緊固件之該頭部部分之該橫向表面鄰接抵靠該旋鈕之該橫向表面，藉此限制該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動； <br/>將該彈簧定位為在近端偏置該旋鈕或該緊固件且抑制該旋鈕或該緊固件相對於該緊固件軸線傾斜；及 <br/>使該套圈與該旋鈕相關聯，使得界定於該套圈中之該開口沿著該緊固件軸線延伸且接納該緊固件之該軸件，且使得該套圈之該近端部分阻止該旋鈕沿著該緊固件軸線與該套圈分開。
如請求項58之方法，其進一步包括使該嚙合表面之該面對遠端表面鄰接抵靠該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項59之方法，其進一步包括使該旋鈕之一內壁之該面對近端表面鄰接抵靠該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項58之方法，該變形步驟包含使界定該嚙合表面的該旋鈕之一近端環狀邊緣部分徑向向內變形以使該嚙合表面自該經延伸位置移動至該經變形位置，藉此抵抗該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項61之方法，其進一步包括使該旋鈕之該近端環狀邊緣部分鄰接抵靠該緊固件之該頭部部分之該面對近端表面，且使該旋鈕之一內壁之該面對近端表面鄰接抵靠該緊固件之該頭部部分之該面對遠端表面，藉此限制該緊固件之該頭部部分相對於該旋鈕沿著該緊固件軸線移動。
如請求項58之方法，其進一步包括將該旋鈕之一近端組件熱接合至該旋鈕之一遠端組件，藉此抵抗該旋鈕之該近端部分與該旋鈕之該遠端組件分開及該緊固件之該頭部部分自該旋鈕抽回。
如請求項63之方法，其進一步包括隨著該旋鈕之該近端組件之該嚙合表面自該經延伸位置移動至該經變形位置，使該旋鈕之該近端組件之一環狀突出部變形。
一種沿著插入方向及緊固件軸線組裝如請求項1之繫留緊固件之方法，該方法包括： <br/>提供該緊固件、該旋鈕、該彈簧及該套圈作為單獨組件； <br/>將該套圈之該近端部分定位為在該旋鈕內在該插入方向上且沿著該緊固件軸線延伸； <br/>在該插入方向上且沿著該緊固件軸線將該彈簧插入於該旋鈕內； <br/>在該插入方向上且沿著該緊固件軸線將該緊固件之該頭部部分插入在該旋鈕內以嚙合至該旋鈕；及 <br/>嚙合該旋鈕之該近端部分與該緊固件之該頭部部分以抵抗該旋鈕相對於該緊固件沿著該緊固件軸線之軸向移動、該旋鈕相對於該緊固件圍繞該緊固件軸線之旋轉移動及該旋鈕相對於該緊固件軸線之樞轉移動； <br/>其中該套圈之該插入方向、該彈簧之該插入方向及該緊固件之該頭部部分之該插入方向係相同插入方向。
如請求項65之方法，該插入方向係一遠端方向。
如請求項65之方法，其進一步包括使該套圈之該遠端部分自其中該套圈之該遠端部分經定大小以延伸穿過該旋鈕的一縮回狀況變形至其中該套圈之該遠端部分經放大且經構形以嚙合至該面板的一經延伸狀況。
如請求項65之方法，該嚙合步驟包括卡扣嚙合該旋鈕之該近端部分與該緊固件之該頭部部分。
如請求項68之方法，該嚙合步驟係在不會使該旋鈕永久地變形的情況下完成。
一種玻璃組成物，基本上由以下成分組成：<br/> 約60莫耳%至約80莫耳%的SiO<sub>2</sub>； <br/> 0莫耳%至約11莫耳%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 約4.0莫耳%至約12莫耳%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 約0.5莫耳%至10莫耳%的K<sub>2</sub>O；<br/> 0莫耳%至約18.5莫耳%的MgO；以及<br/> 0莫耳%至約1莫耳%的SnO<sub>2</sub>，<br/> 其中界定為([K<sub>2</sub>O]-[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>])/[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]之R’值在約-0.7至約0.7之範圍內，且界定為([K<sub>2</sub>O]+0.5*[MgO]-[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>])/[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]之R’’值在約-0.3至約1.3之範圍內，其中[K<sub>2</sub>O]、[MgO]、[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]及[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]各分別表示K<sub>2</sub>O、MgO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳含量。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量在以下範圍中：約0.1莫耳%至約10.5莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中K<sub>2</sub>O的含量在以下範圍中：1.0莫耳%至10莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中SiO<sub>2</sub>的含量在以下範圍中：約60莫耳%至約75莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中MgO的含量在以下範圍中：0莫耳%至約15莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量在以下範圍中：約4.9莫耳%至約11.5莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中SnO<sub>2</sub>的含量在以下範圍中：約0.01莫耳%至約0.5莫耳%。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中K<sub>2</sub>O/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在從約0.4至約360之範圍內。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中MgO/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在0至約10之範圍內。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中MgO/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在0至約4之範圍內。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中SiO<sub>2</sub>/B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在約6至約15之範圍內。
如請求項1所述之玻璃組成物，其中在20 °C至300 °C之溫度下，該玻璃組成物具有以下範圍內之熱膨脹係數：從約40×10<sup>−7</sup>/°C至約85×10<sup>−7</sup>/°C。
一種玻璃組成物，基本上由以下成分組成：<br/> 約60莫耳%至約75莫耳%的SiO<sub>2</sub>；<br/> 約4莫耳%至約10.5莫耳%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 約5莫耳%至約11莫耳%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>；<br/> 約3.5莫耳%至10莫耳%的K<sub>2</sub>O；<br/> 0莫耳%至約6 莫耳%的MgO；以及<br/> 0莫耳%至約1莫耳%的SnO<sub>2</sub>，<br/> 其中K<sub>2</sub>O/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在從約0.4至約2之範圍內，且MgO/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在0至約4之範圍內，其中界定為([K<sub>2</sub>O]-[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>])/[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]之R’值在約-0.7至約0.7之範圍內，且界定為([K<sub>2</sub>O]+0.5*[MgO]-[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>])/[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]之R’’值在約-0.3至約1.3之範圍內，其中[K<sub>2</sub>O]、[MgO]、[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]及[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]各分別表示K<sub>2</sub>O、MgO、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳含量。
如請求項13所述之玻璃組成物，其中SiO<sub>2</sub>/B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的莫耳比在約6至約15之範圍內。
一種玻璃製品，包含如請求項1所述之玻璃組成物。
一種顯示裝置，包含如請求項1所述之玻璃組成物，其中一薄膜電阻器與如請求項1所述之玻璃組成物接觸。
如請求項16所述之顯示裝置，其中該玻璃組成物或該玻璃基板為用於顯示應用之一電子裝置中之一蓋體或背板。
一種顯示裝置，包含如請求項13所述之玻璃組成物或一玻璃製品，該玻璃製品包含如請求項13所述之玻璃組成物。
一種用於偵測螢光之系統，其包括：<br/> a. 經標記之樣品，其中該經標記之樣品在經所限定波長之LASER束照射時發射相稱波長之電磁輻射，<br/> b. 用於發射該LASER束之源，其定向為瞄準該經標記之樣品，<br/> c. 用於在該LASER照射期間容納(可移動或不可移動)該經標記之樣品之室，<br/> d. 經定位以反射該電磁輻射之反射層，<br/> e. 經定位以偵測並放大該電磁輻射之偵測器，<br/> f. 包括該室之微流體晶片，<br/> 其中該反射層嵌入該微流體晶片上，<br/> 其中該反射層包括平坦表面。
如請求項1之系統，其另外包括：<br/> a. 第一分色鏡及第二分色鏡，<br/> b. 該第一分色鏡定位於該源與該室之間，<br/> c. 該第二分色鏡定位於該第一分色鏡與該偵測器之間，<br/> 其中該第一分色鏡朝向該第二分色鏡偏轉自該反射層反射之該電磁輻射，該第二分色鏡進一步偏轉至該偵測器。
如請求項1或2之系統，其進一步包括：<br/> a. 用於使該LASER束聚焦並成形在該樣品上之透鏡，<br/> b. 用於分析該偵測器放大之電磁輻射之信號處理區塊。
如請求項1或2之系統，其中該偵測器亦偵測並放大直接自該樣品發射而未經該反射層反射之該電磁輻射。
如請求項1或2之系統，其中該反射層亦反射該LASER束。
如請求項1或2之系統，其中該LASER束之波長包含可見及紅外電磁波譜。
如請求項2之系統，其中該第一分色鏡與該源之預定角度包括±45°及±135°但不包括180°。
如請求項2之系統，其中該反射層與該第一分色鏡之預定角度不包括180°。
如請求項1或2之系統，其中該經標記之樣品包含經標記之生物細胞。
如請求項1或2之系統，其中該標記包含螢光染料。
如請求項10之系統，其中該螢光染料包含鏈霉抗生物素蛋白-BV421及DY 777。
如請求項1或2之系統，其中該反射層具有包含矩形及正方形或其組合之形狀。
如請求項1或2之系統，其中該電磁輻射之波長包含介於423 nm與763 nm之間且包括423 nm及763 nm之範圍之特定電磁波譜。
如請求項1或2之系統，其中該源經組態以發射波長包含介於405 nm與730 nm之間且包括405 nm及730 nm之範圍之特定電磁波譜之LASER束。
如請求項3之系統，其中該透鏡包括鮑威爾透鏡(Powell lens)。
如請求項1或2之系統，其包括朝向該樣品反射該LASER束之一或多個其他鏡。
如請求項1或2之系統，其中該反射層及該室構成藉由光微影製造之該微流體晶片之部分。
如請求項1或2之系統，其中該微流體晶片係使用來自用於可見及紅外波譜輻射之高反射率金屬之群之材料製造，該等高反射率金屬包括鈦、鉑、金及鋁。
如請求項1或2之系統，其中在分析之前使用包括聲學致動之方法分選該等經標記之樣品。
如請求項2之系統，其中該反射層與該第一分色鏡組合形成空腔。
一種用於偵測及/或量測來自樣品之螢光之方法，其包括：<br/> i. 提供如請求項1至20中任一項之系統，<br/> ii. 提供經標記之樣品，<br/> iii. 偵測及/或量測自該樣品發射之該螢光。
一種操作一電子設備的方法，該電子設備與一自行車部件相關聯並且包括一處理器和一喚醒單元，該方法包括能夠由該電子設備的該處理器執行的以下步驟：<br/> - 以待機模式和運行模式交替地操作，<br/> - 在預定喚醒條件下，在從該喚醒單元接收到一喚醒信號時，從待機模式切換到運行模式，以及<br/> - 在從該運行模式切換到該待機模式之前，藉由更新該等預定喚醒條件來修改該喚醒單元的配置，使得後續的喚醒信號在更新後的喚醒條件下被發送到該處理器， <br/> 其中在修改該喚醒單元的配置的步驟中，從該等預定喚醒條件開始或者從在該處理器的該運行模式切換到該待機模式時由該喚醒單元檢測到的該等參數呈現的一值開始，定義該等更新後的喚醒條件，<br/> 其中該喚醒單元包括一感測器，並且該方法進一步包括能夠由該電子設備的該喚醒單元執行的以下步驟：<br/> -借助該感測器檢測與該自行車部件相關聯的參數；和<br/> -當該感測器檢測到的該等參數滿足該等預定喚醒條件時，向該處理器發送該喚醒信號。
如請求項1所述之方法，其中該自行車部件是一自行車移動部件。
如請求項1所述之方法，其中該等預定喚醒條件包括從由下列項組成的組中選取的至少一個條件：該自行車部件相對於一自行車的一固定參考元件的一預定位置，由一自行車及/或該自行車部件相對於一參考軸線呈現的一預定傾斜度，作用在該自行車部件上的一預定載荷，旋轉的該自行車部件在圍繞一旋轉軸線的一旋轉運動期間呈現的一預定角位置。
如請求項1所述之方法，其中當該等預定喚醒條件包括旋轉的該自行車部件的一預定角位置時，在修改該喚醒單元的配置的步驟中，該等預定喚醒條件被更新為一更新後的角位置：<br/> - 該更新後的角位置相對於該預定角位置被移動一預定更新角度，或者<br/> - 該更新後的角位置相對於在從該處理器的該運行模式切換到該待機模式時該自行車部件呈現的該角位置被移動一預定更新角度。
如請求項1所述之方法，其中由該喚醒單元的該感測器檢測到的該等參數包括沿著該感測器的一第一檢測軸線測量到的一向量的一第一分量，並且優選地是包括沿著該感測器的一第二檢測軸線測量到的一向量的一第二分量，該向量的該第一分量並且在存在的情況下還有該第二分量由一相應的量值和一正或負號來定義，該正或負號代表該第一分量和該第二分量沿著相應的該檢測軸線的指向。
如請求項5所述之方法，其中該等預定喚醒條件規定：沿著該感測器的該第一檢測軸線測量到的該向量的該第一分量在量值上超過該向量的一第一量值閾值，並且與一正號或一負號匹配；或者在還存在該向量的該第二分量的情況下，該等預定喚醒條件規定：<br/> - 沿著該感測器的該第一檢測軸線測量到的該向量的該第一分量在量值上超過該向量的一第一量值閾值，並且與一正號或一負號匹配；或者<br/> - 沿著該感測器的該第二檢測軸線測量到的該向量的該第二分量在量值上超過該向量的一第二量值閾值，並且與一正號或一負號匹配。
如請求項5所述之方法，其中該喚醒單元的該感測器是一加速度計，並且檢測到的該向量是一加速度。
如請求項1所述之方法，亦包括能夠由該電子設備的該處理器執行的步驟：在睡眠條件下，從該運行模式切換到該待機模式，該等睡眠條件包括從由下列項組成的組中選取的至少一個條件：該自行車部件相對於一自行車的一固定參考元件的一預定位置、由一自行車及/或該自行車部件相對於一參考軸線呈現的一預定傾斜度、作用在該自行車部件上的一預定載荷、旋轉的該自行車部件在圍繞一旋轉軸線的一旋轉運動期間呈現的一預定角位置的一持續時間長於一時間閾值；及旋轉的該自行車部件在長於一時間閾值的一時間內沒有旋轉運動。
一種包括一電子設備的自行車部件，該電子設備包括：<br/> - 一處理器，該處理器適於以待機模式和運行模式交替地操作，和<br/> - 一喚醒單元，該喚醒單元在操作上連接到該處理器，並被配置用以在預定喚醒條件下向該處理器發送一喚醒信號，以從該待機模式切換到該運行模式，<br/> 其中在從該運行模式切換到該待機模式之前，該處理器每次適於藉由更新該等預定喚醒條件來修改該喚醒單元的配置，使得後續的喚醒信號在更新後的喚醒條件下被發送到該處理器，<br/> 其中在修改該喚醒單元的配置的步驟中，從該等預定喚醒條件開始或者從在該處理器的該運行模式切換到該待機模式時由該喚醒單元檢測到的該等參數呈現的一值開始，定義該等更新後的喚醒條件，<br/> 其中該喚醒單元包括一感測器，並且被配置以：<br/> - 借助該感測器檢測與該自行車部件相關聯的參數；和<br/> - 當該感測器檢測到的該等參數滿足該等預定喚醒條件時，向該處理器發送該喚醒信號。
如請求項9所述之自行車部件，該部件是一自行車移動部件，該自行車傳動部件優選從由下列部件組成的組中選取：一曲柄臂，一踏板，在傳動側上的一曲柄臂的一蜘蛛架導桿，一齒盤，一中軸心軸，一齒輪組的一飛輪體，一鏈輪。
如請求項9所述之自行車部件，其中該喚醒單元包括被配置用以檢測與該自行車部件相關聯的參數的一感測器，並且其中該喚醒單元被配置用以當該感測器檢測到的該等參數滿足該等預定喚醒條件時將該喚醒信號發送到該處理器，該感測器是選自由下列感測器組成的組：一加速度計，一磁場感測器，一傾角計，一陀螺儀，一壓力感測器，一荷重感測器。
如請求項9所述之自行車部件，其中該電子設備包括從由下列部件組成的組中選取的一或多個電子部件：至少一個應力/應變檢測器，一節奏檢測器，一類比數位轉換器，一通訊模組，一外部/內部溫度感測器，一揮發性/非揮發性記憶體，一電池電源單元，一連接器，一電池充電及電流及/或電壓限制電路，該電池電源單元的一保護電路，一或多個光指示器，一機電或電動液壓致動器的一控制設備。
如請求項9所述之自行車部件，其中該電子設備實現一扭矩計及/或一功率計及/或一無線通訊系統及/或一機電或電動液壓致動器，或者是一扭矩計及/或一功率計及/或一無線通訊系統及/或一機電或電動液壓致動器的組成部分。
一種無轉向氣體給劑系統，包含：<br/> 一處理氣體入口，係以氣動方式耦合至一入口閥；<br/> 一流動控制器，係以氣動方式耦合至該入口閥；<br/> 一自我校正流量計，具有一流動控制閥，該自我校正流量計位於該流動控制器之下游；<br/> 一線裝填體積(LCV)，係以氣動方式耦合而成為該入口閥及該流動控制器之下游，該LCV係用以接收一處理氣體之一初始體積；<br/> 一壓力感測器，係耦合至該LCV以判斷該LCV內的一壓力位準；及<br/> 一出口閥，係以氣動方式耦合而成為該LCV的下游，該出口閥係用以氣動方式耦合至該出口閥的下游側上的一處理室，且在該出口閥與該處理室之間無轉向氣體路徑，該流動控制器係用以獨立於該入口閥而控制流至該處理室之該處理氣體並在該出口閥處於開啟狀態時實質上將該處理氣體流維持在一預定的設定點，該無轉向氣體給劑系統就該處理氣體之該初始體積的一強度而言是時間獨立的。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，其中在該氣體給劑系統內未使用轉向閥且未使用前驅物氣體轉向至一前線。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，其中：<br/> 僅基於該LCV內判斷出的該壓力位準判斷該處理氣體之該初始體積；及<br/> 不基於將該LCV充填至該處理氣體之該初始體積的一位準所需的一時間，判斷該處理氣體之該初始體積。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，其中該流動控制器的一上升速度及一下降速度係藉由在該LCV內判斷出的該壓力位準加以補償。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，其中該流動控制器係用以在三模式中的至少一者下操作，該三模式係選自下列者：<br/> 一流動控制模式，其中該流動控制器係用以控制該處理氣體的一流率；<br/> 一壓力控制模式，其中該流動控制器係用以基於來自該壓力感測器的一反饋迴路控制該LCV上至且包含該LCV內的一預定壓力；及<br/> 一維持模式，其中該流動控制器基於該控制閥的一位置反饋維持該流動控制器內的一控制閥。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，其中該出口閥係維持關閉狀態，直到該壓力感測器指示該LCV內的該壓力位準係處於一預定位準為止。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，更包含：<br/> 一第二壓力感測器，係位於該流動控制閥之上游，該流動控制閥及該第二壓力感測器係皆位於該流動控制器的下游。
如請求項7之無轉向氣體給劑系統，其中，該自我校正流量計更包含位於該流動控制閥之下游及該LCV之上游的一第三壓力感測器，其中該自我校正流量計係用以在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該第二壓力感測器及該第三壓力感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
如請求項1之無轉向氣體給劑系統，更包含：<br/> 一差動壓力感測器，耦合橫跨該流動控制閥，該差動壓力感測器具有耦合至該流動控制閥之上游的一第一足部及耦合至該流動控制閥之下游的一第二足部；及<br/> 一溫度感測器，係耦合至鄰近於該流動控制閥及該LCV之上游，其中該自我校正流量計係用以在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自包含下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該差動壓力感測器及該溫度感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
一種前驅物氣體供給設備，包含：<br/> 一前驅物氣體入口，係以氣動方式耦合至一入口閥；<br/> 一流動控制器，係以氣動方式耦合而成為該入口閥之下游；<br/> 一自我校正流量計，具有一流動控制閥，該自我校正流量計位於該流動控制器之下游；<br/> 一線裝填體積(LCV)，係以氣動方式耦合而成為該流動控制器之下游，該LCV係用以裝填該前驅物氣體的一初始體積；<br/> 一壓力感測器，係耦合至該LCV以判斷該LCV內的一壓力位準，基於該LCV內的該壓力位準判斷該前驅物氣體的該初始體積；及<br/> 一出口閥，係以氣動方式耦合而成為該LCV的下游，該出口閥之設置使其在該出口閥的下游側上以氣動方式耦合至一處理室，且在該出口閥與該處理室之間無轉向氣體路徑，該出口閥之設置使其在該LCV之該壓力位準到達一預定值之後開啟而將該前驅物氣體的該初始體積釋放至該處理室，該流動控制器係用以獨立於該入口閥而控制流至該處理室之該前驅物氣體並在該出口閥處於開啟狀態時實質上將該前驅物氣體流維持在一預定的設定點，該設備就該前驅物氣體之該初始體積的一強度而言是時間獨立的。
如請求項10之前驅物氣體供給設備，其中在該氣體給劑系統內未使用轉向閥且未使用前驅物氣體轉向至一前線。
如請求項10之前驅物氣體供給設備，其中該流動控制器係用以在三模式中的至少一者下操作，該三模式係選自包含下列者：<br/> 一流動控制模式，其中該流動控制器係用以控制該前驅物氣體的一流率；<br/> 一壓力控制模式，其中該流動控制器係用以基於來自該壓力感測器的一反饋迴路控制該LCV上至且包含該LCV內的一預定壓力；及<br/> 一維持模式，其中該流動控制器基於該控制閥的一位置反饋維持該流動控制器內的一控制閥。
如請求項10之前驅物氣體供給設備，更包含：<br/> 一第二壓力感測器，係位於該流動控制閥之上游，該流動控制閥及該第二壓力感測器係皆位於該流動控制器的下游；及<br/> 一第三壓力感測器，係位於該流動控制閥之下游及該LCV之上游，其中該自我校正流量計係用以在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自包含下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該第二壓力感測器及該第三壓力感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
如請求項10之前驅物氣體供給設備，更包含：<br/> 一差動壓力感測器，係耦合橫跨該流動控制閥，該差動壓力感測器具有耦合至該流動控制閥之上游的一第一足部及耦合至該流動控制閥之下游的一第二足部；<br/> 一溫度感測器，耦合至鄰近於該流動控制閥及該LCV之上游，其中該自我校正流量計係用以在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自包含下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該差動壓力感測器及該溫度感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
一種無轉向氣體給劑系統，包含：<br/> 一第一處理氣體入口，係以氣動方式耦合至第一入口閥以接收一第一處理氣體；<br/> 一第二處理氣體入口，係以氣動方式耦合至第二入口閥以接收一第二處理氣體；<br/> 一第一流動控制器及一第二流動控制器，係以氣動方式分別耦合至該第一入口閥及該第二入口閥的下游；<br/> 一第一自我校正流量計及一第二自我校正流量計，係分別位於該第一流動控制器及該第二流動控制器之下游，該第一自我校正流量計及該第二自我校正流量計中的每一者包含一流動控制閥；<br/> 至少一線裝填體積(LCV)，係以氣動方式耦合而成為該第一流動控制器及該第二流動控制器之下游，該至少一LCV係用以接收下列者中之至少一者的一初始體積：該第一處理氣體與該第二處理氣體的一混合物及該第一處理氣體與該第二處理氣體之分別初始體積；<br/> 至少一壓力感測器，係分別耦合至該至少一LCV的對應者，以判斷該至少一LCV中之每一者內的一壓力位準；及<br/> 一出口閥，係以氣動方式耦合而成為該至少一LCV的下游，該出口閥係用以在該出口閥的下游側上氣動耦合至一處理室，且在該出口閥與該處理室之間無轉向氣體路徑，該無轉向氣體給劑系統就該處理氣體之該初始體積的一強度而言是時間獨立的。
如請求項15之無轉向氣體給劑系統，其中該第一處理氣體入口及該第二處理氣體入口係耦合至包含不同前驅物氣體的處理氣體供給件。
如請求項15之無轉向氣體給劑系統，更包含：<br/> 一第二壓力感測器，係位於該流動控制閥之上游。
如請求項17之無轉向氣體給劑系統，其中，該第一自我校正流量計及該第二自我校正流量計中的每一者更包含一第三壓力感測器，該第三壓力感測器係位於其對應流動控制閥的下游及該至少一LCV的上游。
如請求項18之無轉向氣體給劑系統，其中該第一自我校正流量計及該第二自我校正流量計中的每一者在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自包含下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該第二壓力感測器及該第三壓力感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
如請求項15之無轉向氣體給劑系統，更包含：<br/> 一差動壓力感測器，係耦合橫跨該對應流動控制閥，該差動壓力感測器具有耦合至該流動控制閥之上游的一第一足部及耦合至該流動控制閥之下游的一第二足部；及<br/> 一溫度感測器，係耦合至鄰近於該對應流動控制閥及該至少一LCV之上游，其中該第一自我校正流量計及該第二自我校正流量計中的每一者係用以在兩模式中的至少一者下操作，該兩模式係選自包含下列者：<br/> 一第一模式，其中該流動控制閥的一位置係基於來自該壓力感測器的讀數、來自該差動壓力感測器及該溫度感測器中至少一者之讀數、及該流動控制器的校正數據，該第一模式係用以提供比一第二模式更快速之響應時間；及<br/> 該第二模式，其中該流動控制閥的控制係基於自該流動控制器所接收之反饋，該第二模式係用以提供下列之至少一者：比該第一模式更高之控制該流動控制閥的準確度及更高之控制該流動控制閥的精準度。
一種氣體噴嘴，係為對於燃燒器供給燃料氣體之藉由板材料之衝壓加工所成形的氣體噴嘴，並具備有： <br/>筒狀之噴嘴本體，係具有使燃料氣體流入之內部空間；和 <br/>端壁部，係位置在與身為燃料氣體之流入側的噴嘴本體之基端相反側處， <br/>在端壁部處，係被形成有使流入至了噴嘴本體之內部空間中的燃料氣體噴出之噴嘴孔， <br/>該氣體噴嘴，其特徵為： <br/>在位置於噴嘴本體之內部空間側處的噴嘴孔之基部處，係被設置有隨著朝向噴嘴本體之內部空間而使孔徑逐漸擴大的擴徑部， <br/>前述擴徑部，係以會隨著朝向前述噴嘴本體之內部空間而使孔徑之擴大率逐漸增加的方式而被形成， <br/>前述孔徑之擴大率，是將在從孔徑為R的場所起而朝向孔軸方向作了單位長度ΔD之分離的場所處之孔徑設為R+ΔR，並以ΔR/ΔD所表現的值。
如請求項1所記載之該氣體噴嘴，其中， <br/>從前述噴嘴本體之基端起而至端壁部之距離，係被設定為能夠藉由1次的衝壓加工而拉伸成形的距離。
一種燃燒裝置，係具備有燃燒器、和藉由從燃燒器而來之燃燒氣體而被加熱的熱交換器， <br/>該燃燒裝置，其特徵為： <br/>作為對於燃燒器供給燃料氣體之氣體噴嘴，係使用有如請求項1或2所記載之氣體噴嘴。
一種晶圓加工用臨時接著劑，其係由包含無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧樹脂組成物所成，且用以將晶圓臨時接著於支撐體，前述包含無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧樹脂組成物包含：(A)1分子中具有2個以上烯基之有機聚矽氧烷：100質量份，(B)1分子中含有2個以上之鍵結於矽原子之氫原子(SiH基)之有機氫聚矽氧烷：相對於(A)成分中之烯基合計的(B)成分中之SiH基合計，以莫耳比計為0.3~10之量，(C)無官能性有機聚矽氧烷：0.1~200質量份，及(D)光活性型氫矽烷化反應觸媒：相對於(A)、(B)及(C)成分之合計質量，以金屬原子量換算為0.1~5,000ppm，前述(C)無官能性有機聚矽氧烷，係主鏈由二有機矽氧烷單元重複而成，且分子鏈兩末端經三有機矽氧基封端之直鏈狀二有機聚矽氧烷。
如請求項1之晶圓加工用臨時接著劑，其中(C)成分之無官能性有機聚矽氧烷之30質量%甲苯溶液於25℃之黏度為100~500,000mPa．s。
如請求項1或2之晶圓加工用臨時接著劑，其中前述含有無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧樹脂組成物，進而包含作為(E)成分之氫矽烷化反應控制劑，其相對於前述(A)、(B)及(C)成分之合計質量為0.001~10質量份。
如請求項1或2之晶圓加工用臨時接著劑，其中前述包含無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧樹脂組成物硬化後，於25℃對矽基板以25mm寬之試驗片的180°之剝離力為2gf以上且50gf以下。
如請求項1或2之晶圓加工用臨時接著劑，其中前述包含無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧樹脂組成物硬化後，於25℃之儲存彈性模數為1,000Pa以上且1,000MPa以下。
一種薄型晶圓之製造方法，其係透過臨時用接著劑層接合晶圓與支撐體，且於硬化步驟(以下，為(a)、(b)之步驟)，包含以下之任一態樣，且使用前述包含無官能性有機聚矽氧烷之光硬化性矽氧組成物；其中，任一態樣中關於(c)~(e)之步驟為共通，(態樣1)(a1)於表面具有電路形成面及於背面具有電路非形成面之晶圓之前述電路形成面，及/或於支撐體之與前述晶圓之接合面，塗佈如請求項1~5中任一項之晶圓加工用臨時接著劑組成物而接合之步驟；(b1)使前述接合後之晶圓之臨時接著劑光硬化之步驟；(態樣2)(a2)對如請求項1~5中任一項之晶圓加工用臨時接著劑組成物進行光照射之步驟，(b2)於表面具有電路形成面及於背面具有電路非形成面之晶圓之前述電路形成面，及/或於支撐體之與前述晶圓之接合面，塗佈於前述(a2)進行光照射後之晶圓加工用臨時接著劑組成物並接合之步驟，(c)研削或研磨前述晶圓積層體之晶圓的電路非形成面之步驟，(d)對前述晶圓之電路非形成面實施加工之步驟，(e)自前述支撐體剝離前述實施加工後的晶圓之步驟。
一種晶圓積層體，其具備支撐體、積層於其上之由如請求項1~5中任一項之晶圓加工用臨時接著劑所得之臨時接著劑層，及於表面具有電路形成面及於背面具有電路非形成面之晶圓，前述臨時接著劑層係可剝離地接著於前述晶圓之表面者。
一種配線基板，其係配置於圖像顯示裝置者，且具備： <br/>基板；及 <br/>網格配線層，其配置於上述基板上，且包含複數個配線； <br/>上述基板對於波長400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上， <br/>上述配線具有表面粗糙度Ra，上述表面粗糙度Ra為100 nm以下， <br/>以覆蓋於上述基板之表面上且覆蓋上述網格配線層之全域之方式形成有保護層， <br/>上述保護層之厚度為0.3 μm以上10 μm以下， <br/>上述配線包含金屬結晶，上述金屬結晶之面積平均粒徑為300 nm以上。
如請求項1之配線基板，其中上述配線之線寬為0.1 μm以上5.0 μm以下。
如請求項1之配線基板，其中上述網格配線層為天線。
如請求項1之配線基板，其中上述配線包含金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵或鎳。
如請求項1之配線基板，其中上述基板之介電損耗因數為0.002以下。
如請求項1之配線基板，其中上述基板之厚度為5 μm以上200 μm以下。
如請求項1之配線基板，其中上述基板包含環烯烴聚合物或聚降冰片烯聚合物。
如請求項1之配線基板，其中上述網格配線層僅存在於上述基板之一部分。
如請求項1之配線基板，其中上述表面粗糙度Ra為90 nm以下。
一種配線基板之製造方法，上述配線基板係配置於圖像顯示裝置者，且上述配線基板之製造方法具備： <br/>準備基板之步驟；及 <br/>於上述基板上形成包含複數個配線之網格配線層之步驟；且 <br/>上述基板對於波長400 nm以上700 nm以下之光線之透過率為85%以上， <br/>上述配線具有表面粗糙度Ra，上述表面粗糙度Ra為100 nm以下， <br/>以覆蓋於上述基板之表面上且覆蓋上述網格配線層之全域之方式形成有保護層， <br/>上述保護層之厚度為0.3 μm以上10 μm以下， <br/>上述配線包含金屬結晶，上述金屬結晶之面積平均粒徑為300 nm以上。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述配線之線寬為0.1 μm以上5.0 μm以下。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述網格配線層為天線。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述配線包含金、銀、銅、鉑、錫、鋁、鐵或鎳。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述基板之介電損耗因數為0.002以下。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述基板之厚度為5 μm以上200 μm以下。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述基板包含環烯烴聚合物或聚降冰片烯聚合物。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述網格配線層僅存在於上述基板之一部分。
如請求項10之配線基板之製造方法，其中上述表面粗糙度Ra為90 nm以下。
一種用於易損道路用戶（VRU）設備的無線通信方法，包括： <br/>由易損道路用戶（VRU）設備從交通工具用戶裝備（VUE）設備接收事件報告配置，所述事件報告配置指定一個或多個閾值； <br/>由所述VRU設備確定與所述VRU設備的移動相關聯的參數滿足所述一個或多個閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定所述參數滿足所述一個或多個閾值來由所述VRU設備並且向所述VUE設備傳送對與所述VRU設備相關聯的事件的指示，其中與所述VRU設備相關聯的所述事件包括與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的事件類型。
如請求項1所述的方法，其中所述事件報告配置識別： <br/>絕對移動事件，以及 <br/>相對移動事件，以及 <br/>其中所述相對移動事件是與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的所述事件類型。
如請求項1所述的方法，其中所述事件報告配置進一步指定與絕對移動事件相關的一個或多個閾值；並且 <br/>其中所述一個或多個不同的閾值包括： <br/>與所述VRU設備的速度相關聯的速度閾值， <br/>與所述VRU設備的偏航角、俯仰角、或滾轉角中的至少一者相關聯的角度閾值， <br/>與所述VRU設備的速度相關聯的所述速度閾值和時間歷時閾值， <br/>與所述VRU設備的航向相關聯的航向範圍閾值和時間歷時閾值， <br/>與所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率相關聯的速率閾值， <br/>與所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度相關聯的加速度閾值，或 <br/>與所述VRU設備的角速度相關聯的角速度閾值。
如請求項1所述的方法， <br/>其中所述一個或多個閾值包括： <br/>與所述VRU設備的速度相關聯的速度改變閾值， <br/>與所述VRU設備的偏航角、俯仰角、或滾轉角中的至少一者相關聯的角度改變閾值， <br/>與所述VRU設備的速度相關聯的所述速度改變閾值和時間歷時閾值， <br/>航向改變閾值， <br/>與所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率相關聯的速率改變閾值， <br/>與所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度相關聯的加速度改變閾值， <br/>或與所述VRU設備的角速度相關聯的角速度改變閾值。
如請求項1所述的方法，其中所述事件報告配置指示降低的用於週期性狀態報告的頻率，以及 <br/>其中所述降低的用於週期性狀態報告的頻率相對於用於所述VRU設備的週期性狀態報告的基線頻率被降低。
如請求項5所述的方法，進一步包括： <br/>確定由所述VRU設備標識的VUE設備的數量不滿足數量閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定由所述VRU設備標識的所述VUE設備的數量不滿足所述數量閾值，在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前以降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送週期性狀態報告。
如請求項6所述的方法，進一步包括： <br/>以用於所述VRU設備的週期性狀態報告的所述基線頻率週期性地標識附近的VUE設備。
如請求項5所述的方法，進一步包括： <br/>在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前，以降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第一週期性狀態報告； <br/>在傳送所述一個或多個第一週期性狀態報告之後，確定由所述VRU設備標識的VUE設備的數量滿足數量閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定由所述VRU設備標識的所述VUE設備的數量滿足所述數量閾值，以所述基線頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第二週期性狀態報告。
如請求項5所述的方法，進一步包括： <br/>在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前，以所述降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第一週期性狀態報告；以及 <br/>至少部分地基於確定所述參數滿足所述一個或多個閾值來以所述基線頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第二週期性狀態報告。
如請求項1的方法，其中所述一個或多個閾值至少部分基於所述VUE設備的移動。
如請求項1的方法，其中所述參數被確定以滿足使用所述VRU設備的一個或多個感測器的一個或多個閾值。
一種用於交通工具用戶裝備（VUE）設備的無線通信方法，包括： <br/>由交通工具用戶裝備（VUE）設備確定易損道路用戶（VRU）設備的移動相關的一種或多種事件類型的一個或多個閾值； <br/>由所述VUE設備傳送指示要所述VRU設備向所述VUE設備報告與所述VRU設備的移動相關聯的一種或多種事件類型的請求的事件報告配置， <br/>其中所述事件報告配置指定所述一個或多個閾值；以及 <br/>由所述VUE設備接收對與所述VRU設備相關聯的事件的指示， <br/>其中與所述VRU相關聯的所述事件包括所述一種或多種事件類型中與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的事件類型。
如請求項12所述的方法，其中所述事件報告配置指示要所述VRU設備以第一頻率進行週期性狀態報告的請求；並且 <br/>其中所述方法進一步包括： <br/>至少部分地基於與所述VRU設備相關聯的所述事件，以第二頻率從所述VRU設備接收一個或多個第一週期性狀態報告, <br/>其中所述第二頻率大於所述第一頻率。
如請求項13所述的方法，進一步包括： <br/>在接收到對與所述VRU設備相關聯的所述事件的所述指示之前，以所述第一頻率從所述VRU設備接收一個或多個第二週期性狀態報告。
如請求項13所述的方法，進一步包括： <br/>從所述VRU設備接收一個或多個第二週期性狀態報告； <br/>至少部分地基於所述一個或多個第二週期性狀態報告來確定關於所述VRU設備的一個或多個狀態報告參數滿足一個或多個閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定關於所述VRU設備的所述一個或多個狀態報告參數滿足所述一個或多個閾值來傳送指示要所述VRU設備以所述第一頻率進行週期性狀態報告的請求的事件報告配置。
如請求項12所述的方法，其中所述一種或多種事件類型包括： <br/>絕對移動事件，以及 <br/>相對移動事件，以及 <br/>其中所述相對移動事件是與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的所述事件類型。
如請求項12所述的方法，其 <br/>其中所述一種或多種事件類型進一步包括： <br/>所述VRU設備的速度滿足速度閾值， <br/>所述VRU設備的偏航角、俯仰角、或滾轉角中的至少一者滿足角度閾值， <br/>所述VRU設備的速度滿足所述速度閾值達至少第一時間歷時， <br/>所述VRU設備的航向在航向範圍內達至少第二時間歷時， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率滿足速率閾值， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度滿足加速度閾值，或 <br/>所述VRU設備的角速度滿足角速度閾值。
如請求項12所述的方法， <br/>其中所述一種或多種事件類型進一步包括： <br/>所述VRU設備的速度改變滿足速度改變閾值， <br/>所述VRU設備的偏航角改變、俯仰角改變、或滾轉角改變中的至少一者滿足角度改變閾值， <br/>所述VRU設備的速度改變滿足所述速度改變閾值達至少第一時間歷時， <br/><br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率改變滿足速率改變閾值， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度改變滿足加速度改變閾值，或 <br/>所述VRU設備的角速度改變滿足角速度改變閾值。
如請求項12所述的方法，進一步包括： <br/>至少部分地基於接收到對與所述VRU設備相關聯的所述事件的所述指示來向所述VRU設備傳送安全性警告通信。
一種用於無線通信的易損道路用戶（VRU）設備，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>耦接至所述記憶體的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置成： <br/>從交通工具用戶裝備（VUE）設備接收事件報告配置，所述事件報告配置指定一個或多個閾值； <br/>確定與所述VRU設備的移動相關聯的參數滿足所述一個或多個閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定所述參數滿足所述一個或多個閾值來向所述VUE設備傳送對與所述VRU設備相關聯的事件的指示，其中與所述VRU設備相關聯的所述事件包括與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的事件類型。
如請求項20所述的VRU設備，其中所述事件報告配置指示降低的用於週期性狀態報告的頻率，以及 <br/>其中所述降低的用於週期性狀態報告的頻率相對於用於所述VRU設備的週期性狀態報告的基線頻率被降低。
如請求項21所述的VRU設備，其中所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>確定由所述VRU設備標識的VUE設備的數量不滿足數量閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定由所述VRU設備標識的所述VUE設備的數量不滿足所述數量閾值，在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前以降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送週期性狀態報告。
如請求項22所述的VRU設備，其中所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>以用於所述VRU設備的週期性狀態報告的所述基線頻率週期性地標識附近的VUE設備。
如請求項21所述的VRU設備，其中所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前，以降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第一週期性狀態報告； <br/>在傳送所述一個或多個第一週期性狀態報告之後，確定由所述VRU設備標識的VUE設備的數量滿足數量閾值；以及 <br/>至少部分地基於確定由所述VRU設備標識的所述VUE設備的數量滿足所述數量閾值，以所述基線頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第二週期性狀態報告。
如請求項21所述的VRU設備，其中所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>在確定所述參數滿足所述一個或多個閾值之前，以所述降低的用於週期性狀態報告的頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第一週期性狀態報告；以及 <br/>至少部分地基於確定所述參數滿足所述一個或多個閾值來以所述基線頻率向所述VUE設備傳送一個或多個第二週期性狀態報告。
如請求項20的VRU設備，其中所述VRU設備位於包含所述VUE設備的交通工具外部。
一種用於無線通信的交通工具用戶裝備（VUE）設備，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>耦接至所述記憶體的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置成： <br/>確定易損道路用戶（VRU）設備的移動相關的一種或多種事件類型的一個或多個閾值； <br/>傳送指示要所述VRU設備向所述VUE設備報告與所述VRU設備的移動相關聯的一種或多種事件類型的請求的事件報告配置， <br/>其中所述事件報告配置指定所述一個或多個閾值；以及 <br/>從所述VRU設備接收對與所述VRU設備相關聯的事件的指示， <br/>其中與所述VRU相關聯的所述事件包括所述一種或多種事件類型中與所述VRU設備的移動方向的變化率相關的事件類型。
如請求項27所述的VUE設備，其中所述事件報告配置指示要所述VRU設備以第一頻率進行週期性狀態報告的請求；並且 <br/>其中，所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>至少部分地基於與所述VRU設備相關聯的所述事件，以第二頻率從所述VRU設備接收一個或多個第一週期性狀態報告, <br/>其中所述第二頻率大於所述第一頻率。
如請求項27所述的VUE設備， <br/>其中所述一種或多種事件類型進一步包括： <br/>所述VRU設備的速度滿足速度閾值， <br/>所述VRU設備的偏航角、俯仰角、或滾轉角中的至少一者滿足角度閾值， <br/>所述VRU設備的速度滿足所述速度閾值達至少第一時間歷時， <br/>所述VRU設備的航向在航向範圍內達至少第二時間歷時， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率滿足速率閾值， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度滿足加速度閾值，或 <br/>所述VRU設備的角速度滿足角速度閾值。
如請求項27所述的VUE設備， <br/>其中所述一種或多種事件類型進一步包括： <br/>所述VRU設備的速度改變滿足速度改變閾值， <br/>所述VRU設備的偏航角改變、俯仰角改變、或滾轉角改變中的至少一者滿足角度改變閾值， <br/>所述VRU設備的速度改變滿足所述速度改變閾值達至少第一時間歷時， <br/><br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的軸的速率改變滿足速率改變閾值， <br/>所述VRU設備沿垂直於所述VUE設備的行駛方向的所述軸的加速度改變滿足加速度改變閾值，或 <br/>所述VRU設備的角速度改變滿足角速度閾值改變。
如請求項27所述的VUE設備，其中所述一個或多個處理器被進一步配置成： <br/>至少部分地基於接收到對與所述VRU設備相關聯的所述事件的所述指示來向所述VRU設備傳送安全性警告通信。
如請求項27的VUE設備，其中所述一個或多個閾值包括複數個閾值。
一種用於調整一自行車座椅的一傾斜度的裝置，包括：<br/>一座桿耦合部，該座桿耦合部用於耦合至一自行車座桿；<br/>一座椅耦合部，該座椅耦合部用於耦合至一自行車座椅；<br/>一座椅傾斜度驅動器，該座椅傾斜度驅動器用於使該座椅耦合部相對於該座桿耦合部旋轉；<br/>一或更多個第一感測器，該一或更多個第一感測器用於決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的一角度；<br/>一或更多個第二感測器，該一或更多個第二感測器用於決定該座桿耦合部相對於一參考位置的一角度；及<br/>一或更多個處理器，該一或更多個處理器被組態成執行儲存於一電腦可讀媒體上的電腦程式碼，以實行包括下者的一座椅傾斜度調整操作：<br/>自該一或更多個第一感測器決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度；<br/>自該一或更多個第二感測器決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度；及<br/>藉由致動該座椅傾斜度驅動器，基於所決定的該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度，及基於所決定的該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度，調整該自行車座椅的該傾斜度，<br/>其中該一或更多個第一感測器包括相對於該座椅耦合部及該座桿耦合部中的一者固定的一或更多個磁通量感測器。
如請求項1所述的裝置，其中藉由致動該座椅傾斜度驅動器調整該自行車座椅的該傾斜度包括：<br/>存取座椅傾斜度位置及對應的自行車斜度的一資料庫；<br/>使用所決定的該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度，在該資料庫中識別一或更多個對應的自行車斜度及一或更多個對應的座椅傾斜度位置；<br/>將所識別的該一或更多個座椅傾斜度位置與所決定的該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度進行比較；及<br/>基於該比較，藉由致動該座椅傾斜度驅動器，調整該自行車座椅的該傾斜度。
如請求項1或請求項2所述的裝置，進一步包括一或更多個第三感測器，用於決定對一參考區域施加的一負荷，其中該座椅傾斜度調整操作進一步包括：自該一或更多個第三感測器決定對該參考區域施加的該負荷；及<br/>在調整該自行車座椅的該傾斜度之前，使用所決定的該負荷，決定是否藉由致動該座椅傾斜度驅動器來調整該自行車座椅的該傾斜度。
如請求項1至請求項3中任一項所述的裝置，其中該參考位置為一水平面。
如請求項1至請求項4中任一項所述的裝置，其中該座椅傾斜度驅動器包括下者中的一或更多者：一電動馬達；一步進馬達；一交流馬達；及一直流馬達。
如請求項1至請求項5中任一項所述的裝置，其中該一或更多個第一感測器包括下者中的一或更多者：一磁感測器；一電位計；及一慣性感測器。
如請求項1至請求項6中任一項所述的裝置，進一步包括一或更多個相對於該座椅耦合部及該座桿耦合部中的另一者固定的磁構件，且其中該一或更多個磁通量感測器用於檢測該一或更多個磁構件產生的一或更多個磁場。
如請求項1至請求項7中任一項所述的裝置，其中該一或更多個第二感測器包括下者中的一或更多者：一慣性感測器；及一磁感測器。
如請求項1至請求項8中任一項所述的裝置，其中該一或更多個第二感測器包括：一或更多個陀螺儀，該一或更多個陀螺儀用於決定該裝置於正交的x、y、及z軸線的每一者中的一角速度；及一或更多個加速計，該一或更多個加速計用於決定該裝置於該x、y、及z軸線的每一者中的一加速度。
如請求項1至請求項9中任一項所述的裝置，進一步包括：<br/>一使用者輸入裝置，<br/>其中該電腦可讀媒體進一步包括一電腦程式碼，該電腦程式碼被組態成當藉由該一或更多個處理器執行時導致該一或更多個處理器實行一另外座椅傾斜度調整操作，該另外座椅傾斜度調整操作包括：<br/>檢測於該使用者輸入裝置處接收的一或更多個使用者輸入；及<br/>基於所檢測的該一或更多個使用者輸入，藉由致動該座椅傾斜度驅動器來調整該自行車座椅的該傾斜度。
如請求項1至請求項10中任一項所述的裝置，進一步包括：<br/>一高度可調整座桿，該高度可調整座桿用於耦合至該座桿耦合部，且包括一座管耦合部，該座管耦合部用於耦合至一自行車座管；<br/>一座椅高度驅動器，該座椅高度驅動器用於相對於該座管耦合部調整該座桿耦合部的一高度；及<br/>一使用者輸入裝置，<br/>其中該電腦可讀媒體進一步包括電腦程式碼，該電腦程式碼被組態成當藉由該一或更多個處理器執行時導致該一或更多個處理器實行一座椅高度調整操作，該座椅高度調整操作包括：<br/>檢測於該使用者輸入裝置處接收的一或更多個使用者輸入；及<br/>基於所檢測的該一或更多個使用者輸入，藉由致動該座椅高度驅動器來調整該座桿耦合部相對於該座管耦合部的該高度。
如請求項1至請求項11中任一項所述的裝置，其中決定該一或更多個坡度包括：<br/>存取地理位置及對應的坡度的一資料庫；及<br/>基於該自行車的該目前地理位置，在該資料庫中識別該一或更多個坡度。
如請求項12所述的裝置，其中該資料庫包括於一拓撲地圖中。
如請求項12或請求項13所述的裝置，其中該地理位置包括沿一或更多個預定路線的位置。
如請求項1至請求項14中任一項所述的裝置，其中該一或更多個第一感測器及該一或更多個第二感測器被包括於一共同PCB上。
如請求項1至請求項15中任一項所述的裝置，進一步包括一座椅位置驅動器，該座椅位置驅動器用於使該座椅耦合部相對於該座桿耦合部平移，藉此調整該自行車座椅相對於該座桿耦合部的一向前或向後位置。
如請求項1至請求項16中任一項所述的裝置，其中該座椅傾斜度驅動器被組態成驅動耦合至被連接至該座椅耦合部的一連桿系統之一驅動機件之一平移，以使得該驅動機件的平移驅動該座椅耦合部之旋轉。
如請求項17所述的裝置，其中該連桿系統包括耦合至該驅動機件之一第一連桿，以及連接至該座椅耦合部並且繞一樞軸而樞軸耦合至該第一連桿之一連桿總成。
如請求項18所述的裝置，其中該連桿總成包括一對第二連桿，且其中該驅動機件可操作以在該對第二連桿之間被平移。
如請求項18或19所述的裝置，其中該連桿總成包括一磁構件，用於與該一或更多個磁通量感測器磁性相互作用。
如請求項1-20中任一項所述的裝置，其中該一或更多個第一感測器被設於一印刷電路板（PCB）上，且其中該一或更多個第二感測器被設於相同的該PCB上。
一種用於調整一自行車座椅的一傾斜度的裝置，包括：<br/>一座桿耦合部，該座桿耦合部用於耦合至一自行車座桿；<br/>一座椅耦合部，該座椅耦合部用於耦合至一自行車座椅；<br/>一座椅傾斜度驅動器，該座椅傾斜度驅動器用於使該座椅耦合部相對於該座桿耦合部旋轉；<br/>一或更多個第一感測器，該一或更多個第一感測器用於決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的一角度；<br/>一或更多個第二感測器，該一或更多個第二感測器用於決定該座桿耦合部相對於一參考位置的一角度；及<br/>一或更多個處理器，該一或更多個處理器被組態成執行儲存於一電腦可讀媒體上的電腦程式碼，以實行包括下者的一座椅傾斜度調整操作：<br/>自該一或更多個第一感測器決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度；<br/>自該一或更多個第二感測器決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度；及<br/>藉由致動該座椅傾斜度驅動器，基於所決定的該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度，及基於所決定的該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度，調整該自行車座椅的該傾斜度，<br/>其中該座椅傾斜度驅動器被組態成驅動一驅動機件的平移，該驅動機件耦合至一連桿系統，該驅動機件被連接至該座椅耦合部，使得該驅動機件的平移驅動該座椅耦合部之旋轉，以及<br/>其中該連桿系統包括耦合至該驅動機件之一第一連桿，以及連接至該座椅耦合部並且繞一樞軸而樞軸耦合至該第一連桿之一連桿總成。
如請求項22所述的裝置，其中該連桿系統包括：一第一連桿，該第一連桿被耦合至該驅動機件；及一連桿總成，該連桿總成連接至該座椅耦合部且繞一樞軸而被樞軸耦合至該第一連桿。
如請求項23所述的裝置，其中該連桿總成進一步包括一對第二連桿，且其中該驅動機件可操作而在該對第二連桿之間被平移。
如請求項22至請求項24中任一項所述的裝置，其中該連桿總成包括一磁構件，用於與該一或更多個第一感測器磁性地相互作用。
一種用於調整一自行車座椅之一傾斜度的裝置，包括：<br/>一座桿耦合部，該座桿耦合部用於耦合至一自行車座桿；<br/>一座椅耦合部，該座椅耦合部用於耦合至一自行車座椅；<br/>一座椅傾斜度驅動器，該座椅傾斜度驅動器用於使該座椅耦合部相對於該座桿耦合部旋轉；<br/>一或更多個第一感測器，該一或更多個第一感測器用於決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的一角度；<br/>一或更多個第二感測器，該一或更多個第二感測器用於決定該座桿耦合部相對於一參考位置的一角度；以及<br/>一或更多個處理器，該一或更多個處理器被組態成執行儲存於一電腦可讀媒體上的電腦程式碼，以實行包括下者的一座椅傾斜度調整操作：<br/>自該一或更多個第一感測器決定該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該角度；<br/>自該一或更多個第二感測器決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度；及<br/>藉由致動該座椅傾斜度驅動器，基於該座椅耦合部相對於該座桿耦合部的該所決定角度，及基於該座桿耦合部相對於該參考位置的該所決定角度，調整該自行車座椅的該傾斜度，<br/>其中該一或更多個第二感測器包括一或更多個全球導航衛星系統（GNSS）感測器，以用於決定一自行車的一目前位置，且其中決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度包括：<br/>自該一或更多個GNSS感測器而決定該自行車的一目前地理位置；及<br/>基於該自行車之至少該目前地理位置，決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度。
如請求項26所述的裝置，其中決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度包括：<br/>識別對應於該自行車的該目前地理位置的一或更多個坡度；以及<br/>基於該一或更多個坡度而決定該座桿耦合部相對於該參考位置的該角度。
如請求項27所述的裝置，其中識別該一或更多個坡度包括：<br/>存取地理位置及對應坡度的一資料庫；以及<br/>基於該自行車的該目前地理位置，在該資料庫中識別該一或更多個坡度。
如請求項28所述的裝置，其中該地理位置包括沿一或更多個預定路線的位置。
一種用於調整一自行車座椅之一座椅位置的裝置，該裝置包括：<br/>一座管耦合部，被組態成耦合至一自行車座管；<br/>一座椅耦合部，被組態成耦合至一自行車座椅；<br/>一座椅調整機構，其可動地耦合該座管耦合部及該座椅耦合部並且包括：<br/>一原動機；以及<br/>一傾斜度致動器，該傾斜度致動器可操作而調整該座椅耦合部相對於座管耦合部的一傾斜度，其中該傾斜度致動器包括連接在該原動機之一輸出與該座椅耦合部之間的一連桿系統，以使得該原動機之該操作對該連桿系統進行操作並且因而調整該座椅耦合部相對於該座管耦合部的該傾斜度；以及<br/>一傾斜度控制器，該傾斜度控制器與該座椅調整機構相通，並且可藉由一自行車的一騎乘者操作，以致動該原動機，藉此調整該座椅耦合部相對於該座管耦合部的該傾斜度。
如請求項30所述的裝置，其中該原動機被組態成驅動一驅動機件之一平移，該驅動機件被耦合至該連桿系統，以使得該驅動機件的平移驅動該座椅耦合部之旋轉。
如請求項31所述的裝置，其中其該連桿系統包括：<br/>耦合至該驅動機件之一第一連桿；以及<br/>連接至該座椅耦合部並且繞一樞軸而樞軸耦合至該第一連桿之一連桿總成。
如請求項32所述的裝置，其中該連桿總成包括一對第二連桿，且其中該驅動機件可操作以在該對第二連桿之間被平移。
如請求項30-33任一者所述的裝置，其中該傾斜度控制器遠離該座椅調整機構且在該騎乘者騎乘該自行車的時候可藉由該自行車的該騎乘者操作。
一種耦合至一或多個基地台分佈式單元(DU)之一基地台中央單元(CU)中之方法，該方法包括：藉由該基地台CU傳輸針對一UE之一UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息至該基地台DU，該UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息包含一CG-<i>ConfigInfo</i>資訊元素(IE)；藉由該基地台CU自該基地台DU接收包含具有一<i>ReconfigurationWithSync</i> IE之一<i>cellGroupConfig</i> IE之一UE CONTEXT SETUP RESPONSE訊息；及藉由該基地台CU基於該UE CONTEXT SETUP RESPONSE訊息產生針對該UE之包含該<i>cellGroupConfig</i> IE之一訊息。
如請求項1之方法，其中：該基地台CU及該基地台DU操作為一副節點(SN)來以一主節點(MN)提供雙重連接性(DC)至該UE；該方法進一步包括：傳輸針對該UE之該訊息至該MN。
如請求項2之方法，其進一步包括：自該MN並在傳輸該UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息之前接收增加該基地台CU及該基地台DU作為該SN之一請求，該請求包含一單元組態資訊。
一種耦合至一或多個基地台分佈式單元(DU)之一基地台中央單元(CU)中之方法，該方法包括：藉由該基地台DU自該基地台CU接收針對一UE之一UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息，該UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息包含一CG-<i>ConfigInfo</i>資訊元素(IE)；回應於判定該UE CONTEXT SETUP REQUEST訊息包含該CG-<i>ConfigInfo</i> IE，在一<i>cellGroupConfig</i> IE中包含一<i>ReconfigurationWithSync</i> IE<i>；</i>及自該基地台DU傳輸包含該CG-<i>ConfigInfo</i> IE之一UE CONTEXT SETUP RESPONSE訊息至該基地台CU。
一種基地台單元，其包括處理硬體，該處理硬體經組態以實施請求項1至4中任一項之方法。
一種由下列結構式表示之化合物(I)之酒石酸鹽：<figure><img align="absmiddle" height="134px" width="400px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure>其中化合物(I)與酒石酸之間之莫耳比率為1：1。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽係結晶。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之至少90重量%係呈單晶形。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於包含11.9°、15.4°、16.9°及17.2°±0.2 2θ處之峰之X-射線粉末繞射圖。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於包含選自11.9°、15.4°、16.9°、17.2°及25.6°±0.2 2θ處之至少三個峰之X-射線粉末繞射圖。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於包含11.9°、14.0°、15.4°、16.9°、17.2°、25.6°、26.3°及30.7°±0.2 2θ處之峰之X-射線粉末繞射圖。
如請求項1之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於包含11.9°、14.0°、15.4°、16.9°、17.2°、22.1°、25.6°、26.3°、30.7°及34.0°±0.2 2θ處之峰之X-射線粉末繞射圖。
如請求項4之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於進一步包含8.7°及12.9°±0.2 2θ處之峰之X-射線粉末繞射圖。
如請求項1至8中任一項之酒石酸鹽，其中該酒石酸鹽之特徵在於189±2℃之示差掃描量熱計(DSC)峰相變溫度。
如請求項1至8中任一項之酒石酸鹽，其中如在下列條件下測量時，在90%相對濕度(RH)下之水分吸收小於4%之該酒石酸鹽之質量：i)將介於0.5與1.5mg之間之酒石酸鹽在氮氣氛圍下在0%相對濕度下乾燥2小時；ii)以10%之步進自0%至90%，然後至0%增加或減少該相對濕度；iii)維持各步驟之相對濕度直至每分鐘與該原始酒石酸鹽之質量相比之質量變化小於0.01(%/min)，限制條件為各步驟之最小及最大持續時間分別為10分鐘及180分鐘；及iv)量測該酒石酸鹽在90%相對濕度下之質量且其中在25℃下進行步驟i)至iv)。
如請求項10之酒石酸鹽，其中在90%相對濕度(RH)下水分吸收小於1%之該酒石酸鹽之質量。
如請求項1至8中任一項之酒石酸鹽，其中如在下列條件下測量時，在30%相對濕度(RH)下之水分吸收小於1%之該酒石酸鹽之質量：i)將介於0.5與1.5mg之間之酒石酸鹽在氮氣氛圍下在0%相對濕度下乾燥2小時；ii)以10%之步進自0%至90%，然後至0%增加或減少該相對濕度；iii)維持各步驟之相對濕度直至每分鐘與該原始酒石酸鹽之質量相比之質量變化小於0.01(%/min)，限制條件為各步驟之最小及最大持續時間分別為10分鐘及180分鐘；及iv)量測該酒石酸鹽在30%相對濕度下之質量且其中在25℃下進行步驟i)至iv)。
如請求項12之酒石酸鹽，其中在30%相對濕度(RH)下之水分吸收小於0.1%之該酒石酸鹽之質量。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至13中任一項之酒石酸鹽及醫藥上可接受之載劑或稀釋劑。
一種如請求項1至13中任一項之酒石酸鹽或如請求項14之醫藥組合物於製備藥劑之用途，該藥劑係用於治療患有癌症之個體。
一種如請求項1至13中任一項之酒石酸鹽或如請求項14之醫藥組合物於製備藥劑之用途，該藥劑係用於治療患有癌症之個體，其中該藥劑係與第二抗癌治療組合使用。
如請求項16之用途，其中該第二抗癌治療係化療劑、靶向治療劑、放射或手術。
一種如請求項1至13中任一項之酒石酸鹽或如請求項14之醫藥組合物於製備藥劑之用途，該藥劑係用於治療患有癌症之個體，其中該藥劑係與免疫調節劑組合使用。
如請求項18之用途，其中該免疫調節劑係檢查點抑制劑或色胺酸氧化之抑制劑。
如請求項19之用途，其中該檢查點抑制劑係抗PD-1抗體、抗CTLA4抗體或抗PD-L1抗體。
如請求項19之用途，其中該色胺酸氧化之抑制劑係IDO1、IDO2或TDO2抑制劑。
一種安裝用於結構的基礎(1)的方法，包括：沿插入方向將基礎主體(2)插入土壤(5)，其中，該主體(2)在其遠端具有趾部(7)，該趾部(7)界定有開孔，該開孔通往內表面(8)所界定的內空腔(12)；從設置在該主體(2)的遠端區域的複數個噴嘴(9)噴射流體以將流體向遠處引導至該趾部(7)前方的該土壤(5)中；使用泵送裝置(13)改變該內空腔(12)的近端的流體量；以及使用控制器(16)控制該泵送裝置(13)，以改變流體連通渠道(11)中鄰近該趾部(7)處的流體懸浮壓力，該流體連通渠道(11)位於該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間，且該趾部(7)形成於該內表面(8)和該土壤(5)之間，其中，該控制器基於作為趾部深度的函數的目標流體懸浮壓力隨著該趾部(7)更深地插入該土壤(5)中而改變該流體懸浮壓力。
如請求項1所述之方法，進一步包括控制從該複數個噴嘴(9)噴射的流體的流量以改變該流體連通渠道(11)中的該流體懸浮壓力的步驟。
如請求項1或2所述之方法，其中，該目標流體懸浮壓力隨趾部深度而增加。
如請求項1所述之方法，其中，該目標流體懸浮壓力係基於該土壤(5)的特性而決定。
如請求項4所述之方法，其中，該目標流體懸浮壓力根據不同土壤層中的土壤類型而變化。
如請求項1所述之方法，其中，該目標流體懸浮壓力係基於估計的主動泥土壓力係數而決定。
如請求項1所述之方法，進一步包括在從該複數個噴嘴(9)噴射流體的該步驟之前，確定作為趾部深度的函數的目標流體懸浮壓力的步驟。
如請求項1所述之方法，其中，使用該控制器(16)控制該泵送裝置(13)的該步驟包括基於接收到的感測器輸入進行控制的步驟，其中，該接收到的感測器輸入包括對應於鄰近該趾部(7)的該流體懸浮壓力的輸入和/或對應於安裝阻力的輸入。
如請求項1所述之方法，其中，改變該內空腔(12)的近端的流體量的該步驟包括該泵送裝置(13)將水泵出該內空腔(12)和/或將水送入該內空腔(12)。
如請求項1所述之方法，進一步包括使用分離該內表面(8)和該土壤(5)的機制，以維持在該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間的該流體連通渠道(11)的開通。
一種用於結構的基礎(1)，包括：基礎主體(2)，用於沿插入方向插入土壤(5)，其中，該主體(2)在其遠端具有趾部(7)，該趾部(7)界定有開孔，該開孔通往內表面(8)所界定的內空腔(12)；複數個噴嘴(9)，設置在該主體(2)的遠端區域，用於將流體向遠處噴射至該趾部(7)前方的該土壤(5)中；泵送裝置(13)，用於改變該內空腔(12)的近端的流體量；以及控制器(16)，用於控制該泵送裝置(13)以改變流體連通渠道(11)中鄰近該趾部(7)處的流體懸浮壓力，該流體連通渠道(11)位於該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間，且該趾部(7)形成於該內表面(8)和該土壤(5)之間，其中，該控制器基於作為趾部深度的函數的目標流體懸浮壓力隨著該趾部(7)更深地插入該土壤(5)中而改變該流體懸浮壓力。
如請求項11所述之基礎，進一步包括：壓力感測器(24)，用於確定該流體懸浮壓力；以及安裝阻力感測器(23)，用於確定該基礎主體插入該土壤(5)的阻力，其中，使用該控制器(16)控制該泵送裝置(13)的該步驟包括基於從該壓力感測器和該安裝阻力感測器接收到的感測器輸入進行控制的步驟。
一種用於結構的基礎(1)，包括：主體(2)，用於在安裝過程中沿插入方向插入土壤(5)，該主體(2)在其遠端具有趾部(7)，該趾部(7)界定有開孔，該開孔通往內表面(8)所界定的內空腔(12)；一個或多個噴嘴(9)，用於將流體的噴流向遠處引導至該趾部(7)前方的該土壤(5)中；泵(13)，用於自該內空腔(12)的近端排出流體；以及用於維持(10)流體連通渠道(11)的機制，該流體連通渠道(11)位於該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間，且該趾部(7)形成於該內表面(8)和該土壤(5)之間。
一種控制器(16)，用於控制用於結構的基礎(1)的安裝，該基礎包括基礎主體(2)，該基礎主體(2)用於沿插入方向插入土壤(5)，其中，該主體(2)在其遠端具有趾部(7)，該趾部(7)界定有開孔，該開孔通往內表面(8)所界定的內空腔(12)，該控制器包括：噴射控制部，用於控制設置在該主體(2)的遠端區域的複數個噴嘴(9)的流體噴射，以將流體向遠處引導至該趾部(7)前方的該土壤(5)中；以及泵控制部，用於控制泵送裝置(13)以改變該內空腔(12)的近端的流體量，其中，該控制器(16)改變流體連通渠道(11)中鄰近該趾部(7)處的流體懸浮壓力，該流體連通渠道(11)位於該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間，且該趾部(7)形成於該內表面(8)和該土壤(5)之間，其中，該控制器基於作為趾部深度的函數的目標流體懸浮壓力隨著該趾部(7)更深地插入該土壤(5)中而改變該流體懸浮壓力。
一種軟體，用於操作控制器(16)以控制用於結構的基礎(1)的安裝，該基礎包括基礎主體(2)，該基礎主體(2)用於沿插入方向插入土壤(5)，其中，該主體(2)在其遠端具有趾部(7)，該趾部(7)界定有開孔，該開孔通往內表面(8)所界定的內空腔(12)，該軟體包括：用於控制設置在該主體(2)的遠端區域的複數個噴嘴(9)的流體噴射以將流體向遠處引導至該趾部(7)前方的該土壤(5)中的指令；以及用於控制泵送裝置(13)以改變該內空腔(12)的近端的流體量的指令，其中，流體懸浮壓力在流體連通渠道(11)中鄰近該趾部(7)處被改變，該流體連通渠道(11)位於該內空腔(12)的該近端與該趾部(7)之間，且該趾部(7)形成於該內表面(8)和該土壤(5)之間，其中，當時，該流體懸浮壓力基於作為趾部深度的函數的目標流體懸浮壓力隨著該趾部(7)更深地插入該土壤(5)中而被改變。
一種天線結構，包括： <br/>一基板，包括第一主面、第二主面與一側面，該第一主面包括： <br/>一第一橫向延伸導電結構，沿著該基板的該第一主面的一第一邊緣延伸；及 <br/>一分叉導電結構，包括一第一分支，從該第一橫向延伸導電結構的一中央部分朝向該基板的該第一主面的一第一角落延伸，該第一角落位於與該基板的該第一主面的該第一邊緣相對的一邊緣上，以及一第二分支，從該第一橫向延伸導電結構的該中央部分朝向該基板的該第一主面的一第二角落延伸，該第二角落位於與該基板的該第一主面的該第一邊緣相對的該邊緣上； <br/>該第二主面包括： <br/>一第二橫向延伸導電結構，沿著該基板的該第二主面的一第一邊緣延伸；及 <br/>一縱向延伸導電結構，在該第二橫向延伸導電結構之間朝向該基板的該第二主面的一第二邊緣延伸，該第二邊緣與該基板的該第二主面的該第一邊緣相對；以及 <br/>一導電結構，與該第二主面的該縱向延伸導電結構對齊，該導電結構將該第一主面上的該等導電結構與該第二主面上的該等導電結構電性連通。
如請求項1之天線結構，其中該第一橫向延伸導電結構相對於該分叉導電結構不對稱地對齊。
如請求項2之天線結構，其中該第一橫向延伸導電結構的從該分叉導電結構之一第一側延伸的一第一部分較長於該第一橫向延伸導電結構的從該分叉導電結構之一第二側延伸的一第二部分。
如請求項3之天線結構，其中該分叉導電結構包括一實質上為V形的結構。
如請求項3之天線結構，其中該分叉導電結構包括一實質上為U形的結構。
如請求項1之天線結構，其中該第一分支的寬度隨著與該第一橫向延伸導電結構的距離增加而增加，且其中該第二分支的寬度隨著與該第一橫向延伸導電結構的距離增加而增加。
如請求項6之天線結構，其中該第一橫向延伸導電結構僅沿著該基板的該第一主面的該第一邊緣的一部分延伸。
如請求項7之天線結構，其中該第一主表面與該第二主表面具有大約10毫米(mm)乘以20毫米(mm)的尺寸。
如請求項8之天線結構，其中該側表面具有大約3毫米(mm)乘以20毫米(mm)的尺寸。
一種天線組件，包括： <br/>一印刷電路板，包括： <br/>一饋入線； <br/>一接地平面；及 <br/>一阻抗匹配件，電性連通在該饋入線與該接地平面之間；以及 <br/>一表面安裝天線，安裝至該印刷電路板，該表面安裝天線包括： <br/>一基板； <br/>一導電結構，在該基板的遠離該印刷電路板的一第一主表面上，該導電結構包括： <br/>一橫向延伸部，沿著該第一主表面的靠近該饋入線的第一邊緣延伸； <br/>一第一分支，以相對於該橫向延伸部的一第一斜角而延伸遠離該橫向延伸部；以及 <br/>一第二分支，以相對於該橫向延伸部的一第二斜角而延伸遠離該橫向延伸部；以及 <br/>一實質上為T形的導電結構，在該表面安裝天線的靠近該印刷電路板的一第二主表面上； <br/>其中該第一分支的一寬度隨著與該橫向延伸部的距離增加而增加，且其中該第二分支的一寬度隨著與該橫向延伸部的距離增加而增加。
如請求項10之天線組件，其中該第一分支與該第二分支形成一實質上為V形的結構。
如請求項11之天線組件，其中該橫向延伸部相對於該第一分支與該第二分支而不對稱地安置。
如請求項10之天線組件，其中該第一分支與該第二分支形成一實質上為U形的結構。
如請求項10之天線組件，其中該印刷電路板包括一接地層在該印刷電路板的與該接地平面相對的一側上，以及複數個通孔延伸穿過該印刷電路板並將該接地平面電連接至該接地層。
如請求項14之天線組件，其中該印刷電路板具有一長度在30毫米(mm)與65毫米(mm)之間。
如請求項15之天線組件，其中該印刷電路板具有一長度在40與45毫米(mm)之間。
如請求項10之天線組件，其中該表面安裝天線包括在該表面安裝天線的一側表面上的一導電結構，該側表面上的該導電結構將該第一主表面上的該導電結構與該二主表面上的該實質上為T形的導電結構電性連通。
如請求項17之天線組件，其中該橫向延伸部僅沿著該基板的該第一主面的該第一邊緣的一部分延伸。
如請求項18之天線組件，其中該基板具有大約20毫米(mm)×10毫米(mm)×3毫米(mm)的尺寸。
一種化合物，其選自(RS)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮及其醫藥學上可接受之鹽。
一種化合物，其選自(S)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮及其醫藥學上可接受之鹽。<b><i/></b>
如請求項2之化合物，其中該化合物不含(R)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮及其醫藥學上可接受之鹽。<b><i/></b>
如請求項2之化合物，其中該化合物具有大於約95%之鏡像異構物過量。
一種化合物，其選自：<br/> (RS)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮，<br/> (S)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮，及<br/> (R)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮，<br/> 及其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項5之化合物，其中該化合物係(S)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮。
如請求項6之化合物，其中該化合物不含(R)-3-(3-氟苯基)-2-(1-((8-羥基-9H-嘌呤-6-基)胺基)丙基)-4H-苯并哌喃-4-酮。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至7中任一項之化合物及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1至7中任一項之化合物於製造藥劑的用途，該藥劑是用於抑制存在於細胞中的鹽誘導型激酶-3 (SIK3)之催化活性。
如請求項9之用途，其中該抑制發生在患有如下疾病或病症之個體中：癌症、骨病症、發炎性疾病、免疫疾病、神經系統疾病、代謝疾病、呼吸道疾病、血栓形成或心臟疾病。
一種有效量的如請求項1至7中任一項之化合物於製造藥劑的用途，該藥劑是用於治療有需要之個體中的SIK3相關之疾病、病症或疾患。
如請求項11之用途，其中該藥劑進一步包含至少一種其他抗癌劑、抗炎劑、免疫抑制劑、類固醇、非類固醇抗炎劑、抗組織胺、止痛劑或其任何混合物。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患係免疫系統相關之疾病、涉及發炎之疾病或病症、癌症或其他增殖性疾病、肝臟疾病或病症或腎臟疾病或病症。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患選自腎小球性腎炎、眼色素層炎、慢性阻塞性肺病、血管炎、皮膚炎、發炎性肌病、過敏性鼻炎、陰道炎、間質性膀胱炎、硬皮病、骨質疏鬆症、濕疹、同種異體或異種移植、移植物排斥、肺纖維化、皮肌炎、甲狀腺炎、重症肌無力、自體免疫性溶血性貧血、囊性纖維化、慢性復發性肝炎、原發性膽汁性肝硬化、過敏性結膜炎、氣喘、薛格連氏症候群(Sjogren's syndrome)、器官移植排斥、多發性硬化、格林-巴利症候群(Guillain-Barre)、自體免疫性眼色素層炎、惡性貧血、自體免疫性血小板減少症、顳動脈炎、抗磷脂症候群、貝賽特氏病(Behcet's disease)、牛皮癬、尋常天疱瘡、白斑病、克隆氏病(Crohn's disease)、結腸炎、自體免疫性肝炎、1型或免疫介導之糖尿病、格雷氏病(Grave's disease)、橋本氏甲狀腺炎(Hashimoto's thyroiditis)、自體免疫性卵巢炎及睪丸炎、全身性紅斑狼瘡、多發性肌炎、關節黏連性脊椎炎、關節炎、與骨吸收增加相關之骨病、迴腸炎、巴瑞特氏症候群(Barrett's syndrome)、成人呼吸窘迫症候群、角膜營養不良、沙眼、蟠尾絲蟲病、交感性眼炎、眼內炎、牙齦炎、牙周炎、結核症、麻風病、尿毒症併發症、腎病、硬化性皮炎、慢性神經系統脫髓鞘疾病、AIDS相關之神經退化、阿茲海默氏病(Alzheimer's disease)、感染性腦膜炎、腦脊髓炎、帕金森氏病(Parkinson's disease)、亨庭頓氏病(Huntington's disease)、肌肉萎縮性脊髓側索硬化症、病毒性或自體免疫性腦炎、免疫複合物血管炎、心肌病、缺血性心臟病、高膽固醇血症、動脈粥樣硬化、子癇前症、慢性肝衰竭、腦及脊髓創傷以及癌症。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患選自急性淋巴球性白血病、急性淋巴母細胞性白血病、B細胞淋巴瘤、T細胞淋巴瘤、霍奇金氏淋巴瘤(Hodgkin's lymphoma)、非霍奇金氏淋巴瘤、毛細胞淋巴瘤、柏基特氏淋巴瘤(Burkett's lymphoma) 、急性骨髓性白血病、慢性骨髓性白血病、骨髓發育不良症候群、前骨髓細胞性白血病、膀胱癌、乳癌、結腸癌、腎癌、肝癌、肺癌、食管癌、膽囊癌、卵巢癌、胰臟癌、胃癌、子宮頸癌、甲狀腺癌、前列腺癌、鱗狀細胞癌、纖維肉瘤、橫紋肌肉瘤、星細胞瘤、神經母細胞瘤、神經膠質瘤、神經鞘瘤、黑色素瘤、精原細胞瘤、畸形癌、骨肉瘤、著色性乾皮病、角質棘皮瘤、甲狀腺濾泡癌及卡波西氏肉瘤(Kaposi's sarcoma)。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患選自慢性阻塞性肺病、氣喘、類風濕性關節炎、慢性支氣管炎、異位性皮膚炎、多發性硬化、發炎性腸病、過敏性鼻炎、紅斑狼瘡及移植排斥。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患選自急性淋巴球性白血病、急性淋巴母細胞性白血病、B細胞淋巴瘤、T細胞淋巴瘤、霍奇金氏淋巴瘤、非霍奇金氏淋巴瘤、慢性淋巴球性白血病、毛細胞淋巴瘤、柏基特氏淋巴瘤、急性骨髓性白血病、慢性骨髓性白血病、骨髓發育不良症候群、前骨髓細胞性白血病、燜燃型多發性骨髓瘤、非分泌型骨髓瘤、骨硬化性骨髓瘤、漿細胞白血病、孤立性漿細胞瘤及髓外漿細胞瘤。
如請求項11之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患選自慢性淋巴球性白血病(CLL)、非霍奇金氏淋巴瘤(NHL)、霍奇金氏淋巴瘤(HL)、急性骨髓樣白血病(AML)、多發性骨髓瘤(MM)、小淋巴球性淋巴瘤(SLL)、無痛性非霍奇金氏淋巴瘤(I-NHL)、急性淋巴球性白血病(ALL)、外套細胞淋巴瘤(MCL)、濾泡性淋巴瘤、瓦登斯特隆巨球蛋白血症(Waldestrom's macroglobulinemia, WM)、T細胞淋巴瘤、B細胞淋巴瘤及瀰漫性大B細胞淋巴瘤(DLBCL)。
如請求項15之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患係乳癌或卵巢癌。
如請求項17之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患係T細胞淋巴瘤。
如請求項18之用途，其中該SIK3相關之疾病、病症或疾患係急性骨髓樣白血病(AML)。
一種行動裝置，包含： <br/>壓板； <br/>該壓板下方的顯示屏； <br/>該顯示屏下方的薄膜電晶體（TFT）層； <br/>與該TFT層毗鄰並耦合到該TFT層的壓電聚合物層；以及 <br/>與該壓電聚合物層毗鄰並耦合到該壓電聚合物層的電極層，其中該壓電聚合物層位於該電極層與該TFT層之間； <br/>其中該壓電聚合物層被組態以產生聲波並在d33拉伸模式及d31彎曲模式中操作，其中該行動裝置被組態以選擇性地在該d33拉伸模式中驅動該壓電聚合物層在約1 MHz與約100 MHz之間的第一頻率範圍中操作以充當超聲感測器，並且其中該行動裝置被組態以選擇性地在該d31彎曲模式中驅動該壓電聚合物層在（1）約20 kHz與約1 MHz之間的第二頻率範圍中操作以充當近接感測器或者在（2）約20 Hz與約20 kHz之間的第三頻率範圍中操作以充當音訊揚聲器或麥克風。
如請求項1之行動裝置，進一步包含： <br/>該壓電聚合物層與該顯示屏之間的間隔層，其中該間隔層包括塑料、金屬或玻璃材料。
如請求項2之行動裝置，其中該間隔層被組態以調整由該壓電聚合物層在一個或多個頻率範圍中產生的聲波之信號輸出及/或使由該壓電聚合物層產生的該聲波之峰值頻率移位。
如請求項2之行動裝置，其中該間隔層之厚度比該壓電聚合物層之厚度大至少兩倍。
如請求項1之行動裝置，其中該TFT層之厚度比該壓板之厚度小至少兩倍。
如請求項1之行動裝置，進一步包含： <br/>該TFT層與該顯示屏之間的剛性環氧樹脂黏合層。
如請求項1之行動裝置，進一步包含： <br/>附接到該壓電聚合物層的一個或多個質量特徵，其中該一個或多個質量特徵包括塑料、金屬或玻璃材料。
如請求項7之行動裝置，其中該一個或多個質量特徵至少部分地覆蓋該壓電聚合物層之主表面。
如請求項1之行動裝置，其中該壓電聚合物層之主表面橫跨該顯示屏之約50％以上。
如請求項1之行動裝置，進一步包含： <br/>該壓電聚合物層下方的一個或多個附加壓電聚合物層。
如請求項10之行動裝置，其中該壓電聚合物層及該一個或多個附加壓電聚合物層一起被佈置在薄膜堆疊中，以使得該薄膜堆疊中的複數壓電聚合物層以相反的極性來交替地驅動或者該複數壓電聚合物層之每一者以相同的極性來驅動。
如請求項1之行動裝置，其中該壓電聚合物層包含聚偏二氟乙烯（PVDF）或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）共聚物，其中該壓板包含覆蓋玻璃，其中該TFT層之厚度等於或小於約250 µm。
一種行動裝置，包含： <br/>壓板； <br/>該壓板下方的顯示屏； <br/>該顯示屏下方的薄膜電晶體（TFT）層； <br/>與該TFT層毗鄰並耦合到該TFT層的第一壓電聚合物層； <br/>與該第一壓電聚合物層毗鄰並耦合到該第一壓電聚合物層的電極層，其中該第一壓電聚合物層位於該電極層與該TFT層之間，其中該TFT層及該第一壓電聚合物層形成超聲感測器，該超聲感測器被組態以在d33拉伸模式中操作；以及 <br/>該顯示屏下方的第二壓電聚合物層，其中該第二壓電聚合物層被組態以在d31彎曲模式中操作， <br/>其中該行動裝置被組態以選擇性地在該d33拉伸模式中驅動該超聲感測器在約1 MHz與約100 MHz之間的第一頻率範圍中操作，並且 <br/>其中該行動裝置被組態以選擇性地在該d31彎曲模式中驅動該第二壓電聚合物層在（1）約20 kHz與約1 MHz之間的第二頻率範圍中操作以充當近接感測器或者在（2）約20 Hz與約20 kHz之間的第三頻率範圍中操作以充當音訊揚聲器或麥克風。
如請求項13之行動裝置，其中該第二壓電聚合物層在該顯示屏之與由該超聲感測器佔用的區域分開的區域中機械耦合到該顯示屏。
如請求項13之行動裝置，其中該第二壓電聚合物層被機械耦合到該超聲感測器並位於該超聲感測器下方。
如請求項13之行動裝置，進一步包含： <br/>該第二壓電聚合物層與該顯示屏之間的間隔層，其中該間隔層包括塑料、金屬或玻璃材料。
如請求項16之行動裝置，其中該第二壓電聚合物層被組態以產生聲波，其中該間隔層被組態以調整由該第二壓電聚合物層在一個或多個頻率範圍中產生的該聲波之信號輸出及/或使由該第二壓電聚合物層產生的該聲波之峰值頻率移位。
如請求項16之行動裝置，其中該間隔層之厚度比該第二壓電聚合物層之厚度大至少兩倍。
如請求項13之行動裝置，其中該TFT層之厚度比該壓板之厚度小至少兩倍。
如請求項13之行動裝置，進一步包含： <br/>該TFT層與該顯示屏之間的剛性環氧樹脂黏合層。
如請求項13之行動裝置，進一步包含： <br/>附接到該第二壓電聚合物層的一個或多個質量特徵，其中該一個或多個質量特徵包括塑料、金屬或玻璃材料。
如請求項13之行動裝置，其中該第二壓電聚合物層之主表面橫跨該顯示屏之約50％以上。
如請求項13之行動裝置，進一步包含： <br/>該第二壓電聚合物層下方的複數壓電聚合物層。
如請求項13之行動裝置，其中該第一壓電聚合物層及第二壓電聚合物層之每一者包含聚偏二氟乙烯（PVDF）或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）共聚物，其中該壓板包含覆蓋玻璃，其中該TFT層之厚度等於或小於約250 µm。
一種多官能乙烯基樹脂，其特徵在於，由下述通式(1)表示，<figure><img align="absmiddle" height="179px" width="567px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>-CH<sub>2</sub>-Ar-CH=CH<sub>2</sub> (1a)此處，R<sup>1</sup>獨立地表示碳數1~8的烴基，R<sup>2</sup>獨立地表示氫原子或二環戊烯基，至少一者是二環戊烯基；X獨立地表示氫原子或上述式(1a)所表示的含乙烯基的芳香族基，至少一者是含乙烯基的芳香族基，Ar表示芳香環；n表示重覆數，其平均值為1~5的數。
如請求項1所述的多官能乙烯基樹脂，其中，式(1a)的Ar為選自苯環、萘環及聯苯環的群組中的芳香環，所述芳香環Ar未經取代或具有一個以上的取代基。
一種多官能乙烯基樹脂的製造方法，其特徵在於，為製造如請求項1所述的多官能乙烯基樹脂的方法，其中，相對於下述通式(2)所表示的2,6-二取代苯酚1莫耳而使二環戊二烯以0.28倍莫耳~2倍莫耳的比率反應，獲得下述通式(3)所表示的多元羥基樹脂後，使所獲得的多元羥基樹脂與下述通式(4)所表示的芳香族乙烯基化劑反應，<figure><img align="absmiddle" height="117px" width="253px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="167px" width="550px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>X-R<sup>3</sup> (4)此處，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、n、X分別與所述通式(1)中的定義為相同含義，R<sup>3</sup>表示鹵素。
一種多官能乙烯基樹脂組成物，含有如請求項1所述的多官能乙烯基樹脂以及自由基聚合起始劑作為必需成分。
一種硬化物，其為將如請求項1所述的多官能乙烯基樹脂或如請求項4所述的多官能乙烯基樹脂組成物硬化而成。
一種預浸體，其包含如請求項4所述的多官能乙烯基樹脂組成物的半硬化物、以及纖維質基材。
一種樹脂片，其包含如請求項4所述的多官能乙烯基樹脂組成物的半硬化物的樹脂層、以及支持膜。
一種積層板，其為將如請求項6所述的預浸體及/或如請求項7所述的樹脂片積層並成形而成。
一種由一電子設備提供關於一訂單之資訊之方法，該方法包括： <br/>獲取包含關於至少一個訂購物品之資訊、關於該至少一個訂購物品之一訂購數量之資訊及關於該至少一個訂購物品之一前置時間之資訊之所需訂單資訊； <br/>基於關於該前置時間之該資訊確認一參考日期； <br/>確認關於一履行中心在該參考日期之一剩餘儲存容量之資訊； <br/>當對應於該所需訂單資訊之訂購數量超過該履行中心在該參考日期之該剩餘儲存容量時，確認其訂購數量將自該所需訂單資訊調整之一目標訂購物品；及 <br/>提供其中調整該目標訂購物品之該訂購數量之更新訂單資訊， <br/>其中該確認其訂購數量將自該所需訂單資訊調整之該目標訂購物品包括基於包含於關於該至少一個訂購物品之該資訊中之優先級資訊來確認其訂購數量將調整之該目標訂購物品， <br/>其中該優先級資訊包含關於具有一高優先級之一第一群組、具有一中等優先級之一第二群組及具有一低優先級之一第三群組之資訊， <br/>其中該第一群組包含該至少一個訂購物品中對其應用一價格折扣之訂購物品，該第二群組包含排除該第一群組之剩餘訂購物品中具有一高優先級之一些訂購物品，且該第三群組包含排除該第一群組及該第二群組之剩餘訂購物品，且 <br/>其中該基於該優先級資訊確認其訂購數量將調整之該目標訂購物品包括根據藉由比較對應於該所需訂單資訊之該訂購數量與該履行中心之該剩餘儲存容量來計算之一超額訂購數量來確認其訂購數量依優先級之遞增順序調整之一目標群組之一目標訂購物品。
如請求項1之方法，其中關於該剩餘儲存容量之該資訊基於關於該履行中心之一物品儲存容量之資訊、關於該履行中心中之一當前庫存量之資訊及關於根據既有訂單該履行中心之一預定入庫數量之資訊來確認。
如請求項1之方法，其中關於該剩餘儲存容量之該資訊基於截至該參考日期之估計釋放數量資訊來確認。
如請求項1之方法，其中該確認該剩餘儲存容量之該資訊包括： <br/>基於關於該至少一個訂購物品之該資訊確認對應於該至少一個訂購物品之一儲存類型；及 <br/>確認關於該履行中心中對應於該儲存類型之一儲存位置之一剩餘儲存容量之資訊。
如請求項1之方法，其中該目標訂購物品包含該第三群組之訂購物品。
如請求項5之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第三群組之該等訂購物品包含用於基本庫存之一訂購物品及用於安全庫存之一訂購物品。
如請求項5之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第三群組之該等訂購物品基於銷售量判定。
如請求項5之方法，其中當該超額訂購數量大於該第三群組之該等訂購物品可調整之訂購數量時，該目標訂購物品進一步包含該第二群組之訂購物品。
如請求項8之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第二群組之該等訂購物品包含用於基本庫存之一訂購物品及用於安全庫存之一訂購物品。
如請求項8之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第二群組之該等訂購物品基於銷售量判定。
如請求項8之方法，其中當該超額訂購數量大於該第二群組及該第三群組之該等訂購物品可調整之訂購數量時，該目標訂購物品進一步包含該第一群組之訂購物品。
如請求項11之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第一群組之該等訂購物品包含用於基本庫存之一訂購物品及用於安全庫存之一訂購物品。
如請求項11之方法，其中包含於該目標訂購物品中之該第一群組之該等訂購物品基於銷售量判定。
如請求項1之方法，該方法進一步包括： <br/>獲取該剩餘儲存容量之變化資訊；及 <br/>當該剩餘儲存容量根據該變化資訊增加時，根據該增加剩餘儲存容量確認一群組及經確認之該群組中再訂購之一訂購物品及其訂購數量依優先級之遞減順序調整之經確認之該訂購物品。
一種用於提供關於一訂單之資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一處理器；及 <br/>一或多個記憶體，其等經組態以儲存一或多個指令， <br/>其中當執行該一或多個指令時，該一或多個指令控制該處理器執行以下操作： <br/>獲取包含關於至少一個訂購物品之資訊、關於該至少一個訂購物品之一訂購數量之資訊及關於該至少一個訂購物品之一前置時間之資訊之所需訂單資訊； <br/>基於關於該前置時間之該資訊確認一參考日期； <br/>確認關於一履行中心在該參考日期之一剩餘儲存容量之資訊； <br/>當對應於該所需訂單資訊之訂購數量超過該履行中心在該參考日期之該剩餘儲存容量時，確認其訂購數量將自該所需訂單資訊調整之一目標訂購物品；及 <br/>提供其中調整該目標訂購物品之該訂購數量之更新訂單資訊， <br/>其中該確認其訂購數量將自該所需訂單資訊調整之該目標訂購物品包括基於包含於關於該至少一個訂購物品之該資訊中之優先級資訊來確認其訂購數量將調整之該目標訂購物品， <br/>其中該優先級資訊包含關於具有一高優先級之一第一群組、具有一中等優先級之一第二群組及具有一低優先級之一第三群組之資訊， <br/>其中該第一群組包含該至少一個訂購物品中對其應用一價格折扣之訂購物品，該第二群組包含排除該第一群組之剩餘訂購物品中具有一高優先級之一些訂購物品，且該第三群組包含排除該第一群組及該第二群組之剩餘訂購物品，且 <br/>其中該基於該優先級資訊確認其訂購數量將調整之該目標訂購物品包括根據藉由比較對應於該所需訂單資訊之該訂購數量與該履行中心之該剩餘儲存容量來計算之一超額訂購數量來確認其訂購數量依優先級之遞增順序調整之一目標群組之一目標訂購物品。
一種半導體記憶體胞，包括： <br/> 浮接體區，其組態以被充電到指示該記憶體胞的狀態的準位； <br/> 第一區，其與該浮接體區電接觸； <br/> 第二區，其與該浮接體區電接觸且與該第一區間隔開； <br/> 閘極，其位在該第一區和第二區之間； <br/> 埋層，其在該浮接體區下面； <br/> 絕緣層，其組態以將該記憶體胞與在第一方向上相鄰的多個記憶體胞絕緣；以及 <br/> 埋絕緣層，其組態以將該記憶體胞與在垂直於該第一方向的第二方向上相鄰的多個記憶體胞絕緣， <br/> 其中，該第一區具有選自p型導電類型和n型導電類型的第一導電類型； <br/> 該浮接體區具有選自該p型和n型導電類型的第二導電類型，該第二導電類型與該第一導電類型不同； <br/> 該第二區具有該第一導電類型；以及 <br/> 該埋層具有該第一導電類型。
如請求項1之半導體記憶體胞，其中，該埋絕緣層未延伸到該記憶體胞的表面，而是埋在該第一和第二區下面。
如請求項1或2之半導體記憶體胞，其中，該埋層被組態以向該浮接體區注入電荷或從該浮接體區提取電荷以維持該記憶體胞的該狀態。
如請求項1或2之半導體記憶體胞，進一步包括在該埋層下面的基板，該基板具有選自p型導電類型和n型導電類型的第一導電類型； <br/> 其中，該第一區具有選自該p型和n型導電類型的第二導電類型，該第二導電類型與該第一導電類型不同； <br/> 其中，該浮接體區具有該第一導電類型； <br/> 其中，該第二區具有該第二導電類型；以及 <br/> 其中，該埋層具有該第二導電類型且位在該浮接體區和該基板之間。
如請求項1或2之半導體記憶體胞，其中， <br/> 該埋絕緣層的底部終止於該埋層內；以及 <br/> 該絕緣層的底部終止於該埋層內。
如請求項1或2之半導體記憶體胞，其中： <br/> 該埋絕緣層的底部延伸到該埋層的底部之下；以及 <br/> 該絕緣層的底部終止於該埋層內。
一種半導體記憶體陣列，包括以列和行的矩陣排列的複數個如請求項1或2之半導體記憶體胞。
一種半導體記憶體胞，包括： <br/> 雙穩態浮接體電晶體和存取電晶體，其等串聯連接； <br/> 該雙穩態浮接體電晶體包括第一浮接體區和與該第一浮接體區電接觸的第一區； <br/> 該存取電晶體包括第二體區和與該第二體區接觸的第二區； <br/> 第三區，其與該第一浮接體區和該第二體區接觸； <br/> 閘極，其位在該第一區和該第三區之間； <br/> 埋層，其在該第一浮接體區下面； <br/> 絕緣層，其組態以將該記憶體胞與在第一方向上相鄰的多個記憶體胞絕緣；以及 <br/> 埋絕緣層，其組態以將該第一浮接體區與在垂直於該第一方向的第二方向上相鄰的記憶體胞絕緣，以及將該第一浮接體區與該第二體區絕緣。
如請求項8之半導體記憶體胞，其中，該埋絕緣層被附加提供在該第二區下面，以在該埋絕緣層將該第二體區與該第一浮接體區絕緣的一側相反的一側上使該第二體區絕緣。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，其中，該埋層也被提供在該第二體區下面。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，其中，該埋絕緣層未延伸到該記憶體胞的表面。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，其中，該埋層被組態以向該第一浮接體區注入電荷或從該第一浮接體區提取電荷以維持該記憶體胞的該狀態。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，進一步包括在該埋層下面的基板。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，其中， <br/> 該埋絕緣層的底部終止於該埋層內；以及 <br/> 該絕緣層的底部終止於該埋層內。
如請求項8或9之半導體記憶體胞，其中： <br/> 該埋絕緣層的底部延伸到該埋層的底部之下；以及 <br/> 該絕緣層的底部終止於該埋層內。
一種半導體記憶體陣列，包括以列和行的矩陣排列的複數個如請求項8或9之半導體記憶體胞。
一種製造半導體記憶體胞的方法，該方法包括： <br/> 執行氧離子植入和熱退火以形成多個埋絕緣層； <br/> 形成鰭； <br/> 形成埋層區； <br/> 藉由氧化矽沉積然後藉由平坦化和回蝕形成絕緣層；以及 <br/> 形成閘極介電質、閘極、以及源極和汲極區。
一種製造半導體記憶體胞的方法，該方法包括： <br/> 藉由離子植入，磊晶生長或經由固態擴散製程在基板中形成埋層； <br/> 形成鰭； <br/> 形成多個絕緣層； <br/> 執行氧離子植入和熱退火以形成多個埋絕緣層； <br/> 形成閘極介電質和閘極；以及 <br/> 形成源極和汲極區。
一種製造半導體記憶體胞的方法，該方法包括： <br/> 藉由離子植入或磊晶生長製程或經由固態擴散製程在基板中形成埋層； <br/> 藉由遮蔽該基板的區和蝕刻與被遮蔽的該區相鄰的多個區形成鰭區； <br/> 用犧牲層填充相鄰的多個鰭區之間的多個區； <br/> 遮蔽不形成多個埋絕緣層的區； <br/> 形成間隔物遮罩以保護該鰭； <br/> 蝕刻該犧牲層以暴露該鰭的底部部分；以及 <br/> 執行熱氧化和退火直到該鰭的該底部部分被消耗到該埋絕緣層中。
一種製造半導體記憶體胞的方法，該方法包括： <br/> 遮蔽基板中不形成多個埋絕緣層的區； <br/> 蝕刻該基板； <br/> 用氧化矽填充物填充藉由該蝕刻所形成的多個空隙以形成該多個埋絕緣層； <br/> 移除該遮蔽； <br/> 遮蔽該基板中不形成鰭的部分； <br/> 在與被遮蔽的該部分相鄰的未遮蔽位置處蝕刻該基板； <br/> 用氧化矽在該鰭的兩側上填充所蝕刻出的區； <br/> 移除該遮蔽；以及 <br/> 磊晶和橫向過度生長矽以生長該鰭。
一種在半導體記憶體胞製造埋絕緣體層的方法，該方法包括： <br/> 在基板上分別磊晶生長SiGe和Si區； <br/> 蝕刻待形成該埋絕緣體層的該SiGe和Si區； <br/> 磊晶生長矽； <br/> 平坦化磊晶生長的該矽； <br/> 形成鰭； <br/> 蝕刻該SiGe區；以及 <br/> 形成該埋絕緣體層。
一種壓縮機，包括：<br/> 擴散器通道，該擴散器通道被配置成從該壓縮機的葉輪接收製冷劑流，其中，該擴散器通道至少部分地由該壓縮機的壓縮機排放板限定；<br/> 幾何形狀可變擴散器，該幾何形狀可變擴散器被定位在該擴散器通道內，並且被配置成調整該擴散器通道的製冷劑流動路徑的尺寸；<br/> 致動器，該致動器聯接到該幾何形狀可變擴散器，並且被配置成調整該幾何形狀可變擴散器在該擴散器通道內的位置；以及<br/> 控制器，該控制器被配置成調節該致動器的運行，其中，該控制器被配置成指導該致動器使用第一力來調整該幾何形狀可變擴散器從第一位置到第二位置的位置，並且使用比該第一力更小的第二力來調整該幾何形狀可變擴散器從該第二位置到第三位置的位置，其中，該幾何形狀可變擴散器在該第三位置時抵接該壓縮機排放板。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該控制器被配置成指導該致動器使用該第一力在該擴散器通道內的幾何形狀可變擴散器位置的範圍內調整該幾何形狀可變擴散器之位置，並且該第一位置位於該幾何形狀可變擴散器位置的範圍內。
如請求項2所述之壓縮機，其中，該控制器被配置成在該壓縮機的運行期間指導該致動器在該幾何形狀可變擴散器位置的範圍內調整該幾何形狀可變擴散器之位置。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該控制器被配置成基於由該控制器接收到的指示壓縮機停機的信號，來指導該致動器使用該第二力來調整該幾何形狀可變擴散器從該第二位置到該第三位置之位置。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該致動器包括感測器，該感測器被配置成向該控制器提供指示該幾何形狀可變擴散器處於該第三位置的回饋。
如請求項5所述之壓縮機，其中，該致動器係馬達，並且該感測器係被配置成檢測作用在該馬達上的轉矩的轉矩感測器。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該幾何形狀可變擴散器被配置成在該第三位置時完全阻擋製冷劑流過該壓縮機。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該幾何形狀可變擴散器處於第二位置時，該擴散器通道的製冷劑流動路徑的尺寸與該壓縮機運行期間該製冷劑流動路徑的下限閥值尺寸相對應。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該幾何形狀可變擴散器係幾何形狀可變擴散環。
如請求項1所述之壓縮機，其中，該致動器包括鎖定系統，該鎖定系統被配置成在該壓縮機暫停運行期間，將該幾何形狀可變擴散器保持在該第三位置。
一種供暖、通風、空調與製冷（HVAC&R）系統，包括：<br/> 壓縮機，該壓縮機被配置成對製冷劑回路內的製冷劑加壓，其中，該壓縮機包括被配置成從該壓縮機的葉輪接收該製冷劑的擴散器通道；<br/> 該壓縮機的幾何形狀可變擴散器，其中，該幾何形狀可變擴散器被配置成定位在該擴散器通道內，並且被配置成調整該擴散器通道的製冷劑流動路徑的尺寸；<br/> 致動器，該致動器被配置成調整該幾何形狀可變擴散器在該擴散器通道內的位置；以及<br/> 控制器，該控制器被配置成調節該致動器的運行，其中，該控制器被配置成在該壓縮機停止期間在該幾何形狀可變擴散器與一壓縮機排放板接觸之前減少由該致動器施加的第一力，以將該幾何形狀可變擴散器抵靠該壓縮機排放板定位。
如請求項11所述之系統，其中，該控制器被配置成基於由該控制器接收到的壓縮機停機或壓縮機故障的指示，來指導該致動器將該幾何形狀可變擴散器抵靠該壓縮機排放板定位。
如請求項11所述之系統，其中，該控制器被配置成指導該致動器在該壓縮機運行期間將該幾何形狀可變擴散器定位在該擴散器通道內的第一位置範圍內，並且被配置成指導該致動器在該壓縮機停止期間將該幾何形狀可變擴散器定位在該擴散器通道內的第二位置範圍內。
如請求項13所述之系統，其中，該第一位置範圍和該第二位置範圍彼此不重疊。
如請求項13所述之系統，其中，該控制器被配置成指導該致動器將該幾何形狀可變擴散器定位在該擴散器通道內的該第一位置範圍內，以控制該壓縮機的喘振和/或控制該壓縮機的容量。
如請求項13所述之系統，其中，該控制器被配置成指導該致動器使用該第一力將該幾何形狀可變擴散器定位在該第一位置範圍內，該控制器被配置成指導該致動器使用第二力將該幾何形狀可變擴散器定位在該第二位置範圍內，並且該第二力小於該第一力。
如請求項11所述之系統，包括第一製冷劑回路和第二製冷劑回路，其中，該第一製冷劑回路包括該壓縮機，該第一製冷劑回路和該第二製冷劑回路各自被配置成藉由冷卻流體的流動進行熱交換，該第一製冷劑回路和該第二製冷劑回路各自被配置成藉由調節流體的流動進行熱交換，並且該第一製冷劑回路和該第二製冷劑回路被佈置成相對於該冷卻流體的流動和該調節流體的流動處於串聯回流式構型。
一種供暖、通風、空調與製冷（HVAC&R）系統控制器，包括有形非暫時電腦可讀介質，該有形非暫時電腦可讀介質包括電腦可執行指令，當被執行時，該指令被配置成使處理電路：<br/> 控制致動器在壓縮機運行期間將幾何形狀可變擴散器定位在該壓縮機的擴散器通道中的第一位置範圍內；<br/> 控制該致動器在該壓縮機停止期間將該幾何形狀可變擴散器定位在該壓縮機的擴散器通道中的第二位置範圍內； <br/> 控制該致動器在該壓縮機停止期間將該幾何形狀可變擴散器定位在該擴散器通道內並抵靠該壓縮機的壓縮機排放板；<br/> 接收來自感測器的指示作用在該致動器上的轉矩的回饋；並且<br/> 基於該回饋，控制該致動器將該幾何形狀可變擴散器抵靠該壓縮機的壓縮機排放板定位。
如請求項18所述之系統控制器，其中，該電腦可執行指令在被執行時被配置成使處理電路：<br/> 控制該致動器將第一力施加到該幾何形狀可變擴散器，以將該幾何形狀可變擴散器定位在該壓縮機的擴散器通道中的該第一位置範圍內；並且<br/> 控制該致動器將第二力施加到該幾何形狀可變擴散器，以將該幾何形狀可變擴散器定位在該壓縮機的擴散器通道中的該第二位置範圍內；<br/> 其中，該第一力大於該第二力。
如請求項18所述之系統控制器，其中，該電腦可執行指令在被執行時被配置成使處理電路在該壓縮機停止期間激活該致動器之鎖定系統，以將該幾何形狀可變擴散器的位置保持在該擴散器通道內，並且抵靠壓縮機排放板。
一種用於以金屬鎢填充結構的方法，包含以下步驟： <br/>將一基板表面暴露至一第一處理條件，該基板表面具有形成於其上的一結構，該結構具有一底部及側壁，該結構的該底部包含一導電表面且該結構的該側壁包含一介電表面，該第一處理條件包含無氟的鎢前驅物的一流動及一第一還原劑的一流動，以在該基板表面上相對於該介電表面於該導電表面上選擇性形成一含鎢的膜，該含鎢的膜實質上無鎢金屬，該第一還原劑的一流率為該無氟的鎢前驅物的一流率的5%至70%的範圍中； <br/>將該含鎢的膜暴露至一第二處理條件，該第二處理條件包含一第二還原劑的一流動，以在該基板表面上將該含鎢的膜還原成一金屬鎢膜；及 <br/>使用基於六氟化鎢的塊體鎢沉積，以金屬鎢填充該結構。
如請求項1所述之方法，其中該無氟的鎢前驅物本質上以鹵化鎢組成。
如請求項1所述之方法，其中該無氟的鎢前驅物包含以下一或更多者：五氯化鎢（WCl <sub>5</sub>）或六氯化鎢（WCl <sub>6</sub>）。
如請求項1所述之方法，其中該第一還原劑包含以下一或更多者：氫氣（H <sub>2</sub>）、甲矽烷（SiH <sub>4</sub>）、乙矽烷（Si <sub>2</sub>H <sub>6</sub>）、丙矽烷（Si <sub>3</sub>H <sub>8</sub>）、丁矽烷（Si <sub>4</sub>H <sub>10</sub>） 或氨氣（NH <sub>3</sub>）。
如請求項1所述之方法，其中該第二還原劑包含以下一或更多者：氫氣（H <sub>2</sub>）、甲矽烷（SiH <sub>4</sub>）、乙矽烷（Si <sub>2</sub>H <sub>6</sub>）、丙矽烷（Si <sub>3</sub>H <sub>8</sub>）、丁矽烷（Si <sub>4</sub>H <sub>10</sub>） 或氨氣（NH <sub>3</sub>）。
如請求項1所述之方法，其中該第一還原劑及該第二還原劑包含相同的反應物種。
如請求項1所述之方法，其中該第一還原劑具有在50至500 sccm之範圍中的一流率。
如請求項1所述之方法，其中該介電表面包含以下一或更多者：氮化矽、氧化矽。
如請求項1所述之方法，其中該導電表面包含以下一或更多者：氮化鈦、鈦鋁、鋁或鈦。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在該第一處理條件及該第二處理條件之間進行清洗。
如請求項1所述之方法，其中該金屬鎢膜以大於或等於在該第一處理條件中不具該第一還原劑的一實質上類似處理的一沉積速率的兩倍的一速率沉積。
如請求項1所述之方法，其中在該第一處理條件及該第二處理條件期間，該基板表面維持在400ºC至550ºC的範圍中的一溫度下。
如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在暴露至該第一處理條件之前，於該基板表面上形成一種晶層，且在該種晶層的形成及該第一處理條件之間該基板表面不暴露至空氣。
一種式(I)或(II)所示之化合物或其鹽用於製造人類用抗真菌劑的用途， <br/> 前述真菌為選自念珠菌屬菌(Candida)、馬拉色菌屬菌(Malassezia)、毛癬菌屬菌(Trichophyton)、小孢癬菌屬菌(Microsporum)、分節癬菌屬菌(Arthroderma)、麴菌屬菌(Aspergillus)及隱球菌屬菌(Cryptococcus)中之至少一者， <br/><img align="absmiddle" height="437px" width="997px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中， <br/> R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子或鹵素原子，或者為可經碳數1～6的烷基及鹵素原子中之至少1個基取代之苯基； <br/> X為氫原子或羥基。
如請求項1之用途，其中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>為彼此不同的基。
如請求項1或2之用途，其中，前述式(I)或(II)所示之化合物係選自下列者： <br/> 5-氯-4-(4-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 4-(4-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-4-(3-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-4-(2-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-4-(2-氯-4-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-4-(3-氯-4-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-4-(4-氯-3-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 4-(2-氯-4-甲基苯基)-1H-咪唑-2-甲腈、 <br/> 5-氯-1-羥基-4-(4-甲基苯基)-咪唑-2-甲腈，及 <br/> 4-氯-1-羥基-5-(4-甲基苯基)-咪唑-2-甲腈。
如請求項1或2之用途，其中前述人類用抗真菌劑為醫藥。
如請求項1或2之用途，其中前述人類用抗真菌劑為用於改善起因於前述真菌之症狀或疾患之劑。
如請求項5之用途，其中，前述症狀或疾患為皮膚疾患。
如請求項5之用途，其中，前述症狀或疾患為花斑癬、尋常性乾癬、皮膚絲狀菌症、念珠菌症、皮膚馬拉色菌症、麴菌症、隱球菌症、異位性皮膚炎或外耳炎。
如請求項5之用途，其中，前述症狀或疾患為皮膚馬拉色菌症、皮膚絲狀菌症、念珠菌症、麴菌症或隱球菌症。
一種揚聲器定位方法，其包含：<br/> 從複數個音頻輸入組件接收一多聲道音頻訊號；<br/> 判斷該多聲道音頻訊號是否包含與一音頻源相關聯的目標音頻；<br/> 將該多聲道音頻訊號轉換成與多個子頻帶訊框關聯之一時頻段向量；<br/> 計算多雜訊言語的共變異數為該目標音頻存在時該時頻段向量之一函數；<br/> 計算純雜訊的共變異數為該目標音頻不存在時該時頻段向量之一函數；<br/> 基於該多雜訊言語的共變異數與該純雜訊的共變異數，估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的一位置；及<br/> 基於該所估計的相對位置，藉由增強該多聲道音頻訊號中的該目標音頻，處理該多聲道音頻訊號以產生一音頻輸出訊號。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含基於該多雜訊言語的共變異數與該純雜訊的共變異數之一特徵值分解(Eigenvalue decomposition)，以估計一目標言語相對傳輸函數。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含計算一經修改的基於共變異數的定位，以識別該多聲道音頻訊號到達的時間差。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含判斷該多聲道音頻訊號之一輸入音頻訊框是否為一言語訊框或一非言語訊框。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含使用該等音頻輸入組件之一者作為一參考來建構針對該多聲道音頻訊號之複數個頻帶之每一者的一導引矩陣。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含當言語存有(active)在該多聲道音頻訊號時，計算一基於相對傳輸函數的共變異數。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含建構該多聲道音頻訊號之跨頻帶一致地對齊的指向性共變異數矩陣。
如請求項1所述的方法，其中該估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置更包含判斷遵循無失真準則將波束功率最小化之一方向；及選擇到達的一時間差，該時間差產生與該音頻源相關的該目標音頻的一最大概度。
一種揚聲器定位系統，其包含：<br/> 複數個音頻輸入組件，其構造成產生複數個音頻輸入訊號；以及<br/> 一邏輯裝置，其構造成：<br/> 判斷該等音頻輸入訊號是否包含與一音頻源相關聯的目標音頻；將該等音頻輸入訊號轉換成與多個子頻帶訊框關聯之一時頻段向量；<br/> 計算多雜訊言語的共變異數為該目標音頻存在時該時頻段向量之一函數；<br/> 計算純雜訊的共變異數為該目標音頻不存在時該時頻段向量之一函數；<br/> 基於該多雜訊言語的共變異數與該純雜訊的共變異數，估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的一位置；及<br/> 基於該所估計的相對位置，藉由增強該目標音頻，以處理該等音頻輸入訊號以產生一音頻輸出訊號。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成基於該多雜訊言語的共變異數與該純雜訊的共變異數之一特徵值分解，估計一目標言語相對傳輸函數，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成計算一經修改的基於共變異數的定位，識別該等音頻輸入訊號到達的時間差，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成判斷該等音頻輸入訊號之一輸入音頻訊框是否為一言語訊框或一非言語訊框，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成使用該等音頻輸入組件之一者作為一參考來建構針對該等音頻輸入訊號之複數個頻帶之每一者的一導引矩陣，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成當言語存有在該等音頻輸入訊號之時，計算一基於相對傳輸函數的共變異數，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成建構該等音頻輸入訊號之跨頻帶一致地對齊的一指向性共變異數矩陣，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
如請求項9所述的系統，其中該邏輯裝置更構造成判斷遵循無失真準則將波束功率最小化之一方向；及選擇到達的一時間差，該時間差產生與該音頻源相關的該目標音頻的一最大概度，以估計該音頻源相對於該等音頻輸入組件的該位置。
一種預清潔之方法，該方法包含以下步驟：<br/>使一基座上之一基板暴露於一電漿處理，該基板包含一表面結構，該表面結構具有一金屬底部、介電質側壁及一介電質場(field of dielectric)，以從該金屬底部、該等介電質側壁及/或該介電質場去除化學殘留物及/或雜質，及/或修復該等介電質側壁及/或該介電質場中之表面缺陷，其中該電漿處理包含一直接氧電漿(direct oxygen plasma)，且該金屬底部包含鎢(W)；以及<br/>將包含一冷卻特徵之該基座的一溫度設定為小於或等於100 ºC。
如請求項1所述之方法，其中該基座包含射頻(RF)能力(radio frequency (RF) capability)。
如請求項1所述之方法，其中該電漿處理進一步包含一氫電漿。
如請求項1所述之方法，其中於電漿暴露期間，將大於或等於0瓦且小於或等於1000瓦的範圍內之一偏壓施加至該基板。
如請求項1所述之方法，其中於該電漿暴露期間，將該基座維持在大於或等於-20 ºC至小於或等於100 ºC的範圍內之溫度下。
如請求項1所述之方法，其中該介電質包含以下一或多者：氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氮氧化矽(SiON)或一高k介電質。
一種處理方法，包含以下步驟：<br/>將一製程腔室中之一基座的一溫度設定為小於或等於100 ºC，該基座包含射頻(RF)能力及一冷卻特徵；<br/>使該基座上之一基板暴露於該製程腔室中之一電漿處理，該基板包含一表面結構，該表面結構具有一金屬底部、介電質側壁及一介電質場，以從該金屬底部、該等介電質側壁及/或該介電質場去除化學殘留物及/或雜質，及/或修復該等介電質側壁及/或該介電質場中之表面缺陷，其中該電漿處理包含一直接氧電漿(direct oxygen plasma)，且該金屬底部包含鎢(W)；以及<br/>使該基板暴露於一金屬的至少一種前驅物，以於該基板上選擇性地形成一金屬膜。
如請求項7所述之方法，其中於該電漿暴露期間，將大於或等於0瓦且小於或等於1000瓦的範圍內之一偏壓施加至該基板。
如請求項7所述之方法，其中於該電漿暴露期間，將該基座維持在大於或等於-20 ºC至小於或等於100 ºC的範圍內之溫度下。
如請求項7所述之方法，其中該介電質包含以下一或多者：氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氮氧化矽(SiON)或一高k介電質。
一種非暫態(non-transitory)電腦可讀取媒體，包括指令，當該等指令被一製程腔室的一控制器執行時，導致該製程腔室執行以下操作：<br/>使一第一製程腔室中之包含一冷卻特徵之一基座上之一基板在該第一製程腔室中暴露於一電漿處理，該基板包含一表面結構，該表面結構具有一金屬底部、介電質側壁及一介電質場，其中該電漿處理包含一直接氧電漿(direct oxygen plasma)，且該金屬底部包含鎢(W)；以及<br/>將該基座的一溫度設定為小於或等於100 ºC。
如請求項11所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該基座包含射頻(RF)能力。
如請求項11所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括指令，當該等指令被一製程腔室的一控制器執行時，導致該製程腔室執行以下操作：於該電漿暴露期間，將大於或等於0瓦且小於或等於1000瓦的範圍內之一偏壓施加至該基板。
如請求項11所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括指令，當該等指令被一製程腔室的一控制器執行時，導致該製程腔室執行以下操作：於該電漿暴露期間，將該基座維持在大於或等於-20 ºC至小於100 ºC的範圍內之溫度下。
如請求項11所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該介電質包含以下一或多者：氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)、氮氧化矽(SiON)或一高k介電質。
一種偏光膜，係以含二色性物質之聚乙烯醇系樹脂薄膜構成，<br/> 該偏光膜之單體透射率為40.0%以上且偏光度為99.0%以上，厚度為6.7µm以下，<br/> 並且，於令單體透射率為x%、且令該聚乙烯醇系樹脂薄膜於波長1000nm下之面內相位差為znm時，滿足下述式(2)：<br/> z＜-60x+2875 (2)。
如請求項1之偏光膜，其厚度為6.2μm以下。
如請求項1之偏光膜，其單體透射率為41.0%以上，且偏光度為99.0%以上。
一種偏光板，具有如請求項1至3中任一項之偏光膜與配置於該偏光膜之至少一側的保護層。
如請求項4之偏光板，其總厚度為30µm以下。
一種偏光膜之製造方法，係製造如請求項1至3中任一項之偏光膜的方法，該製造方法包含以下步驟：<br/> 於長條狀熱塑性樹脂基材之單側形成包含碘化物或氯化鈉與聚乙烯醇系樹脂之聚乙烯醇系樹脂層，而製成積層體；以及<br/> 對該積層體依序施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係將該積層體一邊沿長邊方向輸送一邊加熱，藉此使其於寬度方向收縮2%以上；<br/> 該空中輔助延伸處理及該水中延伸處理之延伸的總倍率相對於該積層體之原長為3.0倍~4.5倍，且<br/> 該空中輔助延伸處理之延伸倍率大於該水中延伸處理之延伸倍率。
一種沉積鎢的方法，該方法包含以下步驟： <br/>使用包含一第一預處理製程與一第二預處理製程的一界面處理來預處理一基板，該第一預處理製程包含一遠端電漿清洗製程，該第二預處理製程包含一熱前驅物浸泡； <br/>將該基板暴露於一氫氣流；以及 <br/>在將該基板暴露於該氫氣流的同時將該基板暴露於一鎢前驅物的一流以在該基板上沉積一鎢層， <br/>其中將該基板維持在小於或等於約350℃的一溫度下。
如請求項1所述的方法，其中該氫氣流及該鎢前驅物的該流均係連續的。
如請求項1所述的方法，其中該鎢前驅物的該流係脈衝的並且該氫氣流係連續的。
如請求項1所述的方法，其中該氫氣流與該鎢前驅物的該流的一比率大於或等於約500:1。
如請求項1所述的方法，其中該鎢層具有小於或等於約1 nm的一均方根粗糙度。
如請求項1所述的方法，其中該鎢層的該應力小於或等於約1000 MPa。
如請求項1所述的方法，其中該鎢前驅物包含WF <sub>6</sub>。
如請求項6所述的方法，其中該鎢層具有小於或等於約10 <sup>19</sup>原子/cm <sup>3</sup>的一氟濃度。
一種沉積鎢的方法，該方法包含以下步驟： <br/>使用包含一第一預處理製程與一第二預處理製程的一界面處理來預處理一基板，該第一預處理製程包含一遠端電漿清洗製程，該第二預處理製程包含一熱前驅物浸泡； <br/>將該基板暴露於一氫氣流；以及 <br/>在將該基板暴露於該氫氣流的同時將該基板暴露於一鎢前驅物的一流， <br/>其中該氫氣流與該鎢前驅物的該流的一比率大於或等於約500:1。
如請求項9所述的方法，其中該氫氣流及該鎢前驅物的該流均係連續的。
如請求項9所述的方法，其中該鎢前驅物的該流係脈衝的並且該氫氣流係連續的。
如請求項1所述的方法，其中該鎢層具有小於或等於約1 nm的一均方根粗糙度。
如請求項1所述的方法，其中該鎢層的該應力小於或等於約1000 MPa。
如請求項1所述的方法，其中該鎢前驅物包含WF <sub>6</sub>。
如請求項6所述的方法，其中該鎢層具有小於或等於約10 <sup>19</sup>原子/cm <sup>3</sup>的一氟濃度。
一種選擇性沉積鎢的方法，該方法包含以下步驟： <br/>使用包含一第一預處理製程與一第二預處理製程的一界面處理來預處理包含一第一材料表面及一第二材料表面的一基板，該第一預處理製程包含一遠端電漿清洗製程，該第二預處理製程包含一熱前驅物浸泡； <br/>將該基板暴露於一氫氣流；以及 <br/>在將該基板暴露於該氫氣流的同時將該基板暴露於一鎢前驅物的一流以在該第一材料表面上沉積一第一厚度的鎢並且在該第二材料表面上沉積一第二厚度的鎢，該第一厚度與該第二厚度的一比率大於或等於約200:1。
如請求項16所述的方法，其中將該基板維持在小於或等於約350℃的一溫度下。
如請求項16所述的方法，其中該氫氣流與該鎢前驅物的該流的一比率大於或等於約500:1。
如請求項16所述的方法，其中該氫氣流及該鎢前驅物的該流均係連續的。
如請求項16所述的方法，其中該鎢前驅物的該流係脈衝的並且該氫氣流係連續的。
一種固定環，包含：<br/> 一底面，該底面經配置以接觸一拋光墊；以及<br/> 一頂面，該頂面經配置以附接至一承載頭，其中該頂面包含：<br/> 複數個螺紋螺孔； <br/> 複數個對準槽，該複數個對準槽之每一者經配置以接收一對準銷；以及<br/> 一第一插入件，該第一插入件設置在該複數個對準槽中的一第一對準槽中，該第一插入件與該頂面齊平或低於該頂面，該第一插入件經配置以防止該對準銷插入該第一對準槽中，<br/> 其中該複數個對準槽位於該複數個螺紋螺孔的第一與第二相鄰螺紋螺孔之間。
如請求項1所述之固定環，其中該複數個對準槽位於約20度的一徑向角內。
如請求項1所述之固定環，其中該複數個對準槽中的每個對準槽與該固定環的一中心線徑向對準。
如請求項1所述之固定環，其中該頂面包含一金屬且該插入件包含一聚合物。
如請求項1所述之固定環，其中該複數個對準槽中的每個對準槽具有選自由以下組成之群組的一形狀：圓形、長圓形和橢圓形。
如請求項1所述之固定環，其中至少一個對準槽是開放的以允許該對準銷插入。
如請求項1所述之固定環，其中該第一插入件經配置以設置在該等對準槽中的任意對準槽中。
如請求項1所述之固定環，其中該複數個對準槽進一步包含：<br/> 一第二對準槽；<br/> 一第三對準槽；以及<br/> 一第四對準槽。
如請求項8所述之固定環，其中該第二對準槽、該第三對準槽與該第四對準槽為開放的並設置在該第一對準槽的相同側上，且其中該第一對準槽、該第二對準槽、該第三對準槽與該第四對準槽設置在該複數個螺紋螺孔中的相鄰的兩個螺紋螺孔之間。
如請求項8所述之固定環，其中該第一對準槽設置在該第二對準槽與該第三對準槽之間，且該第三對準槽與該第四對準槽為開放的並設置在該第一對準槽的相同側上，且其中該第一對準槽、該第二對準槽、該第三對準槽與該第四對準槽設置在該複數個螺紋螺孔中的相鄰的兩個螺紋螺孔之間。
如請求項8所述之固定環，該固定環進一步包含：<br/> 一第二插入件，該第二插入件設置在該第二對準槽中。
如請求項11所述之固定環，其中該第一對準槽與該第二對準槽被設置為彼此相鄰，且該第三對準槽與該第四對準槽是開放的。
如請求項11所述之固定環，其中該第一對準槽與該第二對準槽被由該第三對準槽與該第四對準槽中的至少一者分隔開，且該第三對準槽與該第四對準槽是開放的。
如請求項8所述之固定環，該固定環進一步包含：<br/> 一第二插入件，該第二插入件設置在該第二對準槽中；以及 <br/> 一第三插入件，該第三插入件設置在該第三對準槽中。
如請求項14所述之固定環，其中該第一對準槽、該第二對準槽與該第三對準槽被設置為彼此相鄰，且該第四對準槽是開放的。
如請求項14所述之固定環，其中該第四對準槽為開放的並設置在該第一對準槽、該第二對準槽與該第三對準槽中的兩個對準槽之間。
如請求項8所述之固定環，該固定環進一步包含：<br/> 一第二插入件，該第二插入件設置在該第二對準槽中； <br/> 一第三插入件，該第三插入件設置在該第三對準槽中；以及<br/> 一第四插入件，該第四插入件設置在該第四對準槽中。
一種拋光系統，包含：<br/> 如請求項1所述之固定環；以及<br/> 一承載頭，該承載頭具有一底面，該底面接觸該固定環的該頂面，其中該承載頭包含該複數個對準銷中的至少一個對準銷，該至少一個對準銷從該底面延伸入該複數個對準槽中的開放的對準槽中。
如請求項18所述之拋光系統，其中對準槽的數量大於該等對準銷的數量。
一種自動化傾斜系統，用於調整在一基板處理室中之一構件之一方向，該自動化傾斜系統包含：<br/> 至少一傾斜調整馬達，佈置為與該構件協作；以及<br/> 一以上負載補償件；<br/> 該至少一傾斜調整馬達藉由一接合件直接或間接連接至該構件之一連接部分，該接合件配置使得由該至少一傾斜調整馬達的自動化旋轉運動將相對於該至少一傾斜調整馬達或一基準結構的對應軸向運動傳入該構件之該連接部分，進而調整在該處理室中之該構件之該方向。
如請求項1之自動化傾斜系統，其中該構件係一噴淋頭構件或一冷卻板構件。
如請求項1之自動化傾斜系統，其中該接合件包含一軸向插入接合器-螺絲介面（axial plunge coupler-screw interface）。
如請求項3之自動化傾斜系統，其中該軸向插入接合器-螺絲介面將軸向負載自一相關傾斜調整馬達解耦。
如請求項3之自動化傾斜系統，其中該軸向插入接合器-螺絲介面包含接收於一球型杯件中之一球端螺絲。
如請求項1之自動化傾斜系統，進一步包含插入於該構件與該處理室之間的一伸縮囊。
如請求項6之自動化傾斜系統，其中該伸縮囊至少部份地提供一真空密封於該構件與該處理室之間。
如請求項1之自動化傾斜系統，其中該構件係一摩擦攪拌銲接構件或包含一摩擦攪拌銲接構件。
一種基板處理系統，包含：<br/> 一自動化傾斜系統，用於調整在一基板處理室中之一構件之一方向，該自動化傾斜系統包含：<br/> 至少一傾斜調整馬達，佈置為與該構件協作；以及<br/> 一以上負載補償件；<br/> 該至少一傾斜調整馬達藉由一接合件直接或間接連接至該構件之一連接部分，該接合件配置使得由該至少一傾斜調整馬達的自動化旋轉運動將相對於該至少一傾斜調整馬達或一基準結構的對應軸向運動傳入該構件之該連接部分，進而調整在該處理室中之該構件之該方向。
如請求項9之基板處理系統，其中該構件係一噴淋頭構件或一冷卻板構件。
如請求項9之基板處理系統，其中該接合件包含一軸向插入接合器-螺絲介面（axial plunge coupler-screw interface）。
如請求項9之基板處理系統，其中該軸向插入接合器-螺絲介面將軸向負載自一相關傾斜調整馬達解耦。
如請求項11之基板處理系統，其中該軸向插入接合器-螺絲介面包含接收於一球型杯件中之一球端螺絲。
如請求項9之基板處理系統，其中該自動化傾斜系統進一步包含插入於該構件與該處理室之間的一伸縮囊。
如請求項14之基板處理系統，其中該伸縮囊至少部份地提供一真空密封於該構件與該處理室之間。
如請求項9之基板處理系統，其中該構件係一摩擦攪拌銲接構件或包含一摩擦攪拌銲接構件。
一種使用如請求項1之自動化傾斜系統調整在一基板處理室中之一構件之一方向的方法，包含：<br/> 將該至少一傾斜調整馬達佈置為與該構件協作；<br/> 藉由該接合件將各傾斜調整馬達直接或間接連接至該構件之該連接部分；以及<br/> 選擇性地接合該至少一傾斜調整馬達，以調整該構件之該方向。
一種有形的電腦可讀取儲存媒體，包含當由一電腦執行時令該電腦實施如請求項17之方法的指令。
一種可聚合的LC材料，其包含至少一種雙反應性或多反應性液晶原基化合物，一或多種式UVI化合物，<figure><img align="absmiddle" height="100px" width="412px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中個別基團具有以下含義：R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup> 各自獨立地表示選自由以下組成之群：H、-烷基、-OH、-烷基芳基、-烷基雜芳基、-環烷基、環雜烷基、烯基、芳基及-SO<sub>3</sub>H，及R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup> 各自且獨立地表示氫原子、羥基或鹵素原子，或R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>形成視情況經取代之環烷基或環雜烷基環，及一或多種式TRI化合物，<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="493px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中R<sup>1</sup>至R<sup>9</sup> 各自彼此獨立地表示氫原子、羥基、鹵素原子、具有1至20個碳原子之烷基、具有3至20個碳原子之烯基、具有1至20個碳原子之烷氧基或具有6至20個碳原子之芳基；R<sup>a</sup> 表示具有1至20個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰的CH<sub>2</sub>基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-NR<sup>xx</sup>-、-SiR<sup>xx</sup>R<sup>yy</sup>-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR<sup>xx</sup>-CO-O-、-O-CO-NR<sup>xx</sup>-、-NR<sup>xx</sup>-CO-NR<sup>yy</sup>-、-CH=CH-或-C≡C-置換，及R<sup>xx</sup>及R<sup>yy</sup> 各自且彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式UVI化合物係選自以下子式：<figure><img align="absmiddle" height="87px" width="469px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="89px" width="503px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="86px" width="539px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="140px" width="557px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="98px" width="532px" file="d10012.TIF" alt="化學式ed10012.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10012.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="87px" width="529px" file="d10013.TIF" alt="化學式ed10013.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10013.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="97px" width="528px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="89px" width="496px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="102px" width="497px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="98px" width="506px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="101px" width="524px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure>其中R<sup>1</sup>至R<sup>5</sup> 各自獨立地表示選自由以下組成之群：H、-烷基、-OH、-烷基芳基、-烷基雜芳基、-環烷基、環雜烷基、烯基、芳基及-SO<sub>3</sub>H，及R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup> 各自且獨立地表示氫原子、羥基或鹵素原子，R<sup>8</sup>至R<sup>13</sup> 各自獨立地為選自由以下組成之群的基團：H、烷基、芳基、雜芳基、烷基芳基、烷基雜芳基、烯基及炔基，X<sup>1</sup> 表示O或S，及R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup> 選自由以下組成之群：H、-C(=O)R<sup>8</sup>、烷基、烯基、炔基、芳基、環烷基、雜芳基及環雜烷基。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式TRI化合物係選自以下子式TRI-6：<figure><img align="absmiddle" height="198px" width="544px" file="d10014.TIF" alt="化學式ed10014.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10014.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>、R<sup>6</sup>及R<sup>9</sup>具有如根據式TRI所給出的含義中之一者，且其中Y<sub>1</sub>、Y<sub>2</sub>及Y<sub>3</sub> 各自且彼此獨立地表示單鍵、-COO-、-OCO-、-L<sub>1</sub>-、-O-L<sub>1</sub>O-、-OL<sub>1</sub>-、-L<sub>1</sub>OCO-、-L<sub>1</sub>COO-、-CO-CH=CH-、-CH=CH-CO-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-或-COO-CH=CH-，L<sub>1</sub> 在每次出現時各自且彼此獨立地表示具有1至8個碳原子的視情況選用之分支鏈伸烷基，m、n及o 各自且彼此獨立地表示0至8之間的整數，及X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>及X<sub>3</sub> 各自且彼此獨立地表示具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰的CH<sub>2</sub>基團可以使得O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-NR<sup>xx</sup>-、-SiR<sup>xx</sup>R<sup>yy</sup>-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR<sup>xx</sup>-CO-O-、-O-CO-NR<sup>xx</sup>-、-NR<sup>xx</sup>-CO-NR<sup>yy</sup>-、-CH=CH-或-C≡C-置換。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式UVI化合物係選自以下子式：<figure><img align="absmiddle" height="88px" width="540px" file="d10015.TIF" alt="化學式ed10015.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10015.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="92px" width="528px" file="d10016.TIF" alt="化學式ed10016.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10016.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="527px" file="d10017.TIF" alt="化學式ed10017.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10017.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="534px" file="d10018.TIF" alt="化學式ed10018.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10018.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="139px" width="505px" file="d10019.TIF" alt="化學式ed10019.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10019.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="101px" width="570px" file="d10020.TIF" alt="化學式ed10020.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10020.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="93px" width="554px" file="d10021.TIF" alt="化學式ed10021.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10021.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="88px" width="534px" file="d10022.TIF" alt="化學式ed10022.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10022.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="100px" width="532px" file="d10023.TIF" alt="化學式ed10023.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10023.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="97px" width="539px" file="d10024.TIF" alt="化學式ed10024.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10024.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="96px" width="530px" file="d10025.TIF" alt="化學式ed10025.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10025.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>至R<sup>5</sup> 各自獨立地表示選自由以下組成之群：H、-烷基、-OH、-烷基芳基、-烷基雜芳基、-環烷基、環雜烷基、烯基、芳基及-SO<sub>3</sub>H，及R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup> 各自且獨立地表示氫原子、羥基或鹵素原子，R<sup>8</sup>至R<sup>13</sup> 各自獨立地為選自由以下組成之群的基團：H、烷基、芳基、雜芳基、烷基芳基、烷基雜芳基、烯基及炔基，X<sup>1</sup> 表示O或S，及R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup> 選自由以下組成之群：H、-C(=O)R<sup>8</sup>、烷基、烯基、炔基、芳基、環烷基、雜芳基及環雜烷基。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式UVI化合物係選自以下子式：<figure><img align="absmiddle" height="88px" width="611px" file="d10026.TIF" alt="化學式ed10026.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10026.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="92px" width="597px" file="d10027.TIF" alt="化學式ed10027.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10027.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="88px" width="565px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="581px" file="d10029.TIF" alt="化學式ed10029.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10029.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="89px" width="572px" file="d10030.TIF" alt="化學式ed10030.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10030.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="88px" width="589px" file="d10031.TIF" alt="化學式ed10031.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10031.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="114px" width="597px" file="d10032.TIF" alt="化學式ed10032.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10032.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="100px" width="616px" file="d10033.TIF" alt="化學式ed10033.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10033.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="98px" width="597px" file="d10034.TIF" alt="化學式ed10034.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10034.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="101px" width="630px" file="d10035.TIF" alt="化學式ed10035.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10035.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="96px" width="592px" file="d10036.TIF" alt="化學式ed10036.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10036.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>及R<sup>4</sup> 各自獨立地表示選自由以下組成之群：H、-烷基、-OH、-烷基芳基、-烷基雜芳基、-環烷基、環雜烷基、烯基、芳基及-SO<sub>3</sub>H，及R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup> 各自且獨立地表示氫原子、羥基或鹵素原子，R<sup>8</sup>至R<sup>13</sup> 各自獨立地為選自由以下組成之群的基團：H、烷基、芳基、雜芳基、烷基芳基、烷基雜芳基、烯基及炔基，X<sup>1</sup> 表示O或S，及R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup> 選自由以下組成之群：H、-C(=O)R<sup>8</sup>、烷基、烯基、炔基、芳基、環烷基、雜芳基及環雜烷基。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式UVI化合物係選自如下化合物之群：其中R<sup>2</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立地表示烷基芳基或烷基，其中一或多個-(CH<sub>2</sub>)-基團可以使得無兩個氧原子連接在一起之方式經-COO-、-OCO-取代。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該等式UVI化合物係選自以下子式之化合物之群，<figure><img align="absmiddle" height="692px" width="658px" file="d10037.TIF" alt="化學式ed10037.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10037.png"/></figure>
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其中至少一種雙反應性或多反應性液晶原基化合物係選擇式DRM P<sup>1</sup>-Sp<sup>1</sup>-MG-Sp<sup>2</sup>-P<sup>2</sup> DRM其中P<sup>1</sup>及P<sup>2</sup> 彼此獨立地表示可聚合的基團，Sp<sup>1</sup>及Sp<sup>2</sup> 彼此獨立地為間隔基團或單鍵，及MG 為棒狀液晶原基基團，其係選自式MG -(A<sup>1</sup>-Z<sup>1</sup>)<sub>n</sub>-A<sup>2</sup>- MG其中A<sup>1</sup>及A<sup>2</sup> 在多次出現之情況下彼此獨立地表示芳族或脂環族基團，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子且視情況經L<sup>1</sup>單取代或多取代，L<sup>1</sup> 為P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO<sub>2</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>00</sup>R<sup>000</sup>、-C(=O)OR<sup>00</sup>、-C(=O)R<sup>00</sup>、-NR<sup>00</sup>R<sup>000</sup>、-OH、-SF<sub>5</sub>、視情況經取代之矽基、具有1至12個C原子之芳基或雜芳基，具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換，R<sup>00</sup>及R<sup>000</sup> 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，Z<sup>1</sup> 在多次出現之情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR<sup>00</sup>-、-NR<sup>00</sup>-CO-、-NR<sup>00</sup>-CO-NR<sup>000</sup>、-NR<sup>00</sup>-CO-O-、-O-CO-NR<sup>00</sup>-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-SCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>S-、-SCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n1</sub>、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR<sup>00</sup>-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup> 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN，n 為1、2、3或4，及n1 為1至10之整數。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其中至少一種雙反應性液晶原基化合物係選自下式，<figure><img align="absmiddle" height="76px" width="641px" file="d10038.TIF" alt="化學式ed10038.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10038.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="86px" width="637px" file="d10039.TIF" alt="化學式ed10039.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10039.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="111px" width="709px" file="d10040.TIF" alt="化學式ed10040.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10040.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="89px" width="646px" file="d10041.TIF" alt="化學式ed10041.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10041.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="92px" width="653px" file="d10042.TIF" alt="化學式ed10042.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10042.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="81px" width="634px" file="d10043.TIF" alt="化學式ed10043.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10043.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="78px" width="614px" file="d10044.TIF" alt="化學式ed10044.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10044.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="78px" width="651px" file="d10045.TIF" alt="化學式ed10045.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10045.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="79px" width="622px" file="d10046.TIF" alt="化學式ed10046.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10046.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="88px" width="624px" file="d10047.TIF" alt="化學式ed10047.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10047.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="72px" width="644px" file="d10048.TIF" alt="化學式ed10048.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10048.png"/></figure>其中P<sup>0</sup> 在多次出現之情況下彼此獨立地為丙烯基、甲基丙烯基、氧呾(oxetane)、環氧基、乙烯基、庚二烯、乙烯基氧基、丙烯基醚或苯乙烯基，L 在每次出現時相同或不同地具有針對式DRM中之L<sup>1</sup>給出的含義中之一者，r 為0、1、2、3或4，x及y 彼此獨立地為0或1至12之相同或不同整數，z 各自且獨立地為0或1，其中若鄰近的x或y為0，則z為0。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其包含至少一種單反應性液晶原基化合物，該單反應性液晶原基化合物係選自式MRM，P<sup>1</sup>-Sp<sup>1</sup>-MG-R MRM其中P<sup>1</sup>、Sp<sup>1</sup>及MG具有如式DRM中給出之含義，R 為F、Cl、Br、I、-CN、-NO<sub>2</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-C(=O)X、-C(=O)OR<sup>x</sup>、-C(=O)R<sup>y</sup>、-NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-OH、-SF<sub>5</sub>、視情況經取代之矽基，具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl置換，X 為鹵素，及R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup> 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其中至少一種單反應性液晶原基化合物係選自下式，<figure><img align="absmiddle" height="69px" width="616px" file="d10049.TIF" alt="化學式ed10049.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10049.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="59px" width="613px" file="d10050.TIF" alt="化學式ed10050.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10050.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="68px" width="637px" file="d10051.TIF" alt="化學式ed10051.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10051.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="73px" width="625px" file="d10052.TIF" alt="化學式ed10052.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10052.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="87px" width="630px" file="d10053.TIF" alt="化學式ed10053.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10053.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="78px" width="625px" file="d10054.TIF" alt="化學式ed10054.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10054.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="67px" width="624px" file="d10055.TIF" alt="化學式ed10055.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10055.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="97px" width="619px" file="d10056.TIF" alt="化學式ed10056.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10056.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="77px" width="642px" file="d10057.TIF" alt="化學式ed10057.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10057.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="110px" width="628px" file="d10058.TIF" alt="化學式ed10058.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10058.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="89px" width="649px" file="d10059.TIF" alt="化學式ed10059.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10059.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="78px" width="649px" file="d10060.TIF" alt="化學式ed10060.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10060.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="63px" width="646px" file="d10061.TIF" alt="化學式ed10061.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10061.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="124px" width="668px" file="d10062.TIF" alt="化學式ed10062.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10062.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="127px" width="657px" file="d10063.TIF" alt="化學式ed10063.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10063.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="97px" width="705px" file="d10064.TIF" alt="化學式ed10064.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10064.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="96px" width="646px" file="d10065.TIF" alt="化學式ed10065.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10065.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="634px" file="d10066.TIF" alt="化學式ed10066.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10066.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="103px" width="676px" file="d10067.TIF" alt="化學式ed10067.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10067.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="70px" width="662px" file="d10068.TIF" alt="化學式ed10068.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10068.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="74px" width="654px" file="d10069.TIF" alt="化學式ed10069.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10069.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="73px" width="642px" file="d10070.TIF" alt="化學式ed10070.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10070.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="101px" width="642px" file="d10071.TIF" alt="化學式ed10071.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10071.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="112px" width="667px" file="d10072.TIF" alt="化學式ed10072.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10072.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="72px" width="654px" file="d10073.TIF" alt="化學式ed10073.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10073.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="628px" file="d10074.TIF" alt="化學式ed10074.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10074.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="86px" width="694px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure>其中P<sup>0</sup>、L、r、x、y及z如請求項8中所定義，R<sup>0</sup> 為具有1至15個C原子之烷基、烷氧基、硫烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基或表示Y<sup>0</sup>，Y<sup>0</sup> 為F、Cl、CN、NO<sub>2</sub>、OCH<sub>3</sub>、OCN、SCN、SF<sub>5</sub>或具有1至4個C原子之單氟化、寡氟化或多氟化烷基或烷氧基，R<sup>01</sup>及R<sup>02</sup> 為H，具有1至15個C原子之烷基、烷氧基、硫烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基或表示Y<sup>0</sup>，Z<sup>0</sup> 為-COO-、-OCO-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-COO-或單鍵，A<sup>0</sup> 在多次出現之情況下彼此獨立地為未經取代或經1、2、3或4個基團L取代之1,4-伸苯基，或反式-1,4-伸環己基，u及v 彼此獨立地為0、1或2，w 為0或1，且其中苯環及萘環可另外經一或多個相同或不同的基團L取代。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其包含一或多種式ND化合物，<figure><img align="absmiddle" height="117px" width="445px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure>其中U<sup>1、2</sup> 彼此獨立地選自<figure><img align="absmiddle" height="89px" width="510px" file="d10077.TIF" alt="化學式ed10077.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10077.png"/></figure>包括其鏡像，其中該環U<sup>1</sup>及該環U<sup>2</sup>各自經由軸向鍵鍵結至基團-(B)<sub>q</sub>-，且此等環中之一個或兩個不相鄰的CH<sub>2</sub>基團視情況經O及/或S置換，且該環U<sup>1</sup>及該環U<sup>2</sup>視情況經一或多個基團L取代，L 在每次出現時相同或不同地具有針對式DRM中之L<sup>1</sup>給出的含義中之一者，Q<sup>1、2</sup> 彼此獨立地為CH或SiH，Q<sup>3</sup> 為C或Si，B 在每次出現時彼此獨立地為-C≡C-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-或視情況經取代之芳族或雜芳族基團，Y<sup>1、2</sup> 彼此獨立地為H、F、Cl、CN或R<sup>0</sup>，q 為1至10之整數，較佳為1、2、3、4、5、6或7，A<sup>1-4</sup> 彼此獨立地選自非芳族、芳族或雜芳族碳環基或雜環基，其視情況經一或多個基團R<sup>5</sup>取代，且其中-(A<sup>1</sup>-Z<sup>1</sup>)<sub>m</sub>-U<sup>1</sup>-(Z<sup>2</sup>-A<sup>2</sup>)<sub>n</sub>-及-(A<sup>3</sup>-Z<sup>3</sup>)<sub>o</sub>-U<sup>2</sup>-(Z<sup>4</sup>-A<sup>4</sup>)<sub>p</sub>-中之每一者之中，芳族基團之數量小於或等於非芳族基團之數量，Z<sup>1-4</sup> 彼此獨立地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR<sup>0</sup>-、-NR<sup>0</sup>-CO-、-NR<sup>0</sup>-CO-NR<sup>00</sup>-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-SCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>S-、-SCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR<sup>0</sup>-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>或單鍵，R<sup>0</sup>及R<sup>00</sup> 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基，m及n 彼此獨立地為0、1、2、3或4，o及p 彼此獨立地為0、1、2、3或4，R<sup>1-5</sup> 彼此獨立地為選自以下之相同或不同的基團：H、鹵素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、-C(=O)R<sup>0</sup>、-NH<sub>2</sub>、-NR<sup>0</sup>R<sup>00</sup>、-SH、-SR<sup>0</sup>、-SO<sub>3</sub>H、-SO<sub>2</sub>R<sup>0</sup>、-OH、-NO<sub>2</sub>、-CF<sub>3</sub>、-SF<sub>5</sub>、P-Sp-，視情況經取代之矽基，或視情況經取代且視情況包含一或多個雜原子的具有1至40個C原子的碳基或烴基，或表示P或P-Sp-，或經P或P-Sp-取代，其中該等化合物包含至少一個表示或經P或P-Sp-取代之基團R<sup>1-5</sup>，P 為可聚合的基團，Sp 為間隔基團或單鍵。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其中雙反應性或多反應性可聚合的液晶原基化合物之比例在5重量%至99重量%之範圍內。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其中單反應性可聚合的液晶原基化合物之比例在5重量%至80重量%之範圍內。
如請求項1至7中任一項之可聚合的LC材料，其視情況包含一或多種添加劑，該一或多種添加劑選自由以下組成之群：界面活性劑、另外的穩定劑、催化劑、敏化劑、抑制劑、鏈轉移劑、共反應單體、反應性減黏劑、界面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改良劑、除氣劑或消泡劑、脫氣劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、著色劑、染料、顏料及奈米粒子。
一種用於製備如請求項1至15中任一項之可聚合的LC材料的方法，其包含將一或多種式UVI化合物及一或多種式TRI化合物與至少一種雙反應性或多反應性液晶原基化合物混合的步驟。
一種用於製備聚合物膜之方法，其藉由下述進行將如請求項1至15中任一項之可聚合的LC材料之層提供於基板上，使該可聚合的LC材料光聚合，及視情況自該基板移除經聚合之LC材料，及/或視情況將其提供於另一基板上。
一種聚合物膜，其可藉由包含以下步驟之方法自如請求項1至15中任一項之可聚合的LC材料獲得，將該可聚合的LC材料的層提供於基板上，使該LC材料光聚合，及視情況自該基板移除經聚合之LC材料，及/或視情況將其提供於另一基板上。
如請求項18之聚合物膜，其中該LC材料為均勻配向的。
一種如請求項17或18之聚合物膜或如請求項1至14中任一項之可聚合的LC材料之用途，其用於光學、電光學、資訊儲存、裝飾及安全應用。
一種光學組件，其包含如請求項18或19之至少一種聚合物膜或如請求項1至15中任一項之可聚合的LC材料。
一種根據式(I)之化合物<img align="absmiddle" height="163px" width="330px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中A係選自由苯基、噻吩基、苯并噻吩基或苯并呋喃基組成之群，其未經取代或經一個、兩個或三個基團R<sup>3</sup>成員取代，基團R<sup>3</sup>係選自由鹵素、CN、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基、O-C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>氟烷基、O-C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>氟烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>環烷基、O-C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>環烷基、C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>環氟烷基及O-C<sub>3</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>環氟烷基組成之群；或A係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="81px" width="122px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="147px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="87px" width="149px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；E係選自由O、S、SO、SO<sub>2</sub>及CH<sub>2</sub>組成之群；及R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係獨立地選自由H、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>4</sub>氟烷基及鹵素組成之群，或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所連接之碳一起形成環丙基或環丁基環。
如請求項1之式(I)化合物，其中A係選自由苯基、噻吩基、苯并噻吩基或苯并呋喃基組成之群，其未經取代或經一或兩個基團R<sup>3</sup>成員取代，基團R<sup>3</sup>係選自由F、Cl、Br、CH<sub>3</sub>、CN及OCH<sub>3</sub>組成之群，或A為<img align="absmiddle" height="78px" width="123px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其中A係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="110px" width="584px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，未經取代或經一或兩個基團R<sup>3</sup>成員取代，或A為<img align="absmiddle" height="81px" width="124px" file="ed10157.jpg" alt="ed10157.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之式(I)化合物，其中R<sup>3</sup>係選自由F、Cl、Br、CH<sub>3</sub>、CN及OCH<sub>3</sub>組成之群。
如請求項1之式(I)化合物，其中A係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="808px" width="149px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="838px" width="173px" file="ed10159.jpg" alt="ed10159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="394px" width="126px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="119px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3及5中任一項之式(I)化合物，其中E為O。
如請求項1至3及5中任一項之式(I)化合物，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>係獨立地選自由H、CH<sub>3</sub>及F組成之群。
如請求項1至3及5中任一項之式(I)化合物，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>為H。
如請求項1至3及5中任一項之式(I)化合物，其係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="558px" width="285px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="121px" width="321px" file="ed10163.jpg" alt="ed10163.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其係選自由以下組成之群：<img align="absmiddle" height="709px" width="374px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="938px" width="368px" file="ed10165.jpg" alt="ed10165.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="852px" width="383px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="173px" width="256px" file="ed10167.jpg" alt="ed10167.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="93px" width="301px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="262px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="282px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="264px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="282px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="252px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="280px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="283px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="263px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="258px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之式(I)化合物，其具有下式：<img align="absmiddle" height="84px" width="252px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1至20中任一項之化合物之鹽。
一種如請求項1至20中任一項之化合物之醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥組合物，其包含至少一種如請求項1至20中任一項之式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑。<b> </b>
一種如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其用於製造供治療或預防發炎性氣管疾病或纖維變性疾病或咳嗽之藥劑。
一種如請求項1至20中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其用於製造供治療或預防特發性肺病(idiopathic lung disease；IPF)或咳嗽之藥劑。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一主動區及一第二主動區，佈設於一基板之上；<br/> 一第一源極/汲極部件，成長於該第一主動區之上；<br/> 一第二源極/汲極部件，成長於該第二主動區之上；<br/> 一層間電介質，佈設於該第一源極/汲極部件及該第二源極/汲極部件周圍；以及<br/> 一隔離結構，垂直延伸穿越該層間電介質，且分離該第一源極/汲極部件及該第二源極/汲極部件。
一種半導體裝置，包括：<br/> 多個主動區，佈設於一基板之上；<br/> 多個閘極結構，佈設於該主動區之上；<br/> 多個源極/汲極，分別磊晶成長於該主動區之上，並且彼此間隔，其中該源極/汲極的至少一第一源極/汲極在一剖面圖中具有一非對稱式側面形狀；以及<br/> 至少一隔離結構，與具有該非對稱式側面形狀的該至少一第一源極/汲極接面。
一種半導體裝置之製造方法，包括：<br/> 在一基板之上形成一第一主動區及一第二主動區；<br/> 分別在該第一主動區及該第二主動區之上磊晶成長一第一源極/汲極部件及一第二源極/汲極部件；<br/> 在該第一源極/汲極部件及該第二源極/汲極部件之上形成一材料層；<br/> 蝕刻出穿越該材料層的一開口，其中該開口分離該第一源極/汲極部件及該第二源極/汲極部件；以及<br/> 以一或多個介電材料填充該開口。
如請求項3之半導體裝置之製造方法，其中該材料層的形成包括形成一層間電介質(ILD)作為該材料層，且其中該半導體裝置之製造方法更包括：<br/> 在填充該開口後，在該基板之上形成一包含金屬的閘極結構；以及<br/> 在形成該包含金屬的閘極結構後，在該第一源極/汲極部件之上形成一第一源極/汲極接點，並在該第二源極/汲極部件之上形成一第二源極/汲極接點。
如請求項3之半導體裝置之製造方法，其中該材料層的形成包括形成一層間電介質(ILD)作為該材料層，且其中該半導體裝置之製造方法更包括：<br/> 在蝕刻該開口前，在該基板之上形成一包含金屬的閘極結構；以及在<br/> 以該一或多個介電材料填充該開口後，在該第一源極/汲極部件之上形成一第一源極/汲極接點，並在該第二源極/汲極部件之上形成一第二源極/汲極接點。
如請求項3之半導體裝置之製造方法，其中該材料層的形成包括形成一層間電介質(ILD)作為該材料層，且其中該半導體裝置之製造方法更包括：<br/> 在蝕刻該開口前，進行以下操作：<br/> 在該基板之上形成一包含金屬的閘極結構；<br/> 在該第一源極/汲極部件之上形成一第一源極/汲極接點，並在該第二源極/汲極部件之上形成一第二源極/汲極接點；<br/> 其中該開口的蝕刻在該第一源極/汲極接點及該第二源極/汲極接點形成後進行。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一主動區、一第二主動區、一第三主動區、及一第四主動區；<br/> 一第一磊晶部件、一第二磊晶部件、一第三磊晶部件、及一第四磊晶部件，分別形成在該第一主動區、該第二主動區、該第三主動區、及該第四主動區上；以及<br/> 一介電材料，佈設於該第二磊晶部件及該第三磊晶部件之間；<br/> 其中：<br/> 該第一磊晶部件與該第二磊晶部件相互融合；<br/> 該第三磊晶部件與該第四磊晶部件相互融合；<br/> 在一剖面圖中，該第一磊晶部件的一第一最外側部分比該第二磊晶部件的一第二最外側部分更尖；以及<br/> 在該剖面圖中，該第四磊晶部件的一第四最外側部分比該第三磊晶部件的一第三最外側部分更尖。
如請求項7之半導體裝置，更包括：<br/> 一第五主動區和一第六主動區；以及<br/> 一第五磊晶部件和一第六磊晶部件分別形成在該第五主動區和該第六主動區之上；<br/> 其中：<br/> 該第五磊晶部件與該第四磊晶部件間隔；<br/> 該第五磊晶部件包括一第五最外側部分和一第六最外側部分；<br/> 該第六磊晶部件包括一第七最外側部分和一第八最外側部分；<br/> 該第五最外側部分比該第六最外側部分更尖；<br/> 該第八最外側部分比該第七最外側部分更尖；以及<br/> 該介電材料的一部分進一步佈設於該第五磊晶部件和該第六磊晶部件之間。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一主動區、一第二主動區、一第三主動區、及一第四主動區，分別佈設在一基板之上；<br/> 一第一源極/汲極、一第二源極/汲極、一第三源極/汲極、及一第四源極/汲極，分別形成在該第一主動區、該第二主動區、該第三主動區、及該第四主動區上，其中該第一源極/汲極與該第二源極/汲極在一水平方向上融合，其中該第三源極/汲極與該第四源極/汲極在該水平方向上融合，其中該第一源極/汲極在該水平方向上寬於該第二源極/汲極，並且其中該第四源極/汲極在該水平方向上寬於該第三源極/汲極；以及<br/> 一介電結構，佈設於該第二源極/汲極和該第三源極/汲極之間；<br/> 其中該第一源極/汲極、該第二源極/汲極、該第三源極/汲極、及該第四源極/汲極為FinFET裝置或GAA裝置的源極/汲極。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一主動區和一第二主動區，皆垂直地突出於一基板之外；<br/> 一第一磊晶結構，成長在該第一主動區之上，其中該第一磊晶結構在一第一水平方向上比與該第一水平方向相反的一第二水平方向突出得更遠；<br/> 一第二磊晶結構，成長在該第二主動區之上，其中該第二磊晶結構在該第二水平方向上比該第一水平方向突出得更遠；以及<br/> 一介電結構，分離該第一磊晶結構及該第二磊晶結構。
一種用於在一研磨系統中固持一基板之承載頭，包括：<br/> 一外殼；<br/> 一可撓性膜，在該外殼下方延伸，該可撓性膜將該可撓性膜上方之一空間劃分成多個可獨立加壓腔室；<br/> 可獨立加壓的第一複數條壓力供應管線；<br/> 可獨立加壓的第二複數條壓力供應管線；以及<br/> 一閥組件，耦接至該第一複數條壓力供應管線、該第二複數條壓力供應管線及該多個可獨立加壓腔室，該閥組件具有多個閥，其中該多個閥中之每一相應閥耦接至來自該多個可獨立加壓腔室的一個相應可加壓腔室，且其中每一相應閥經配置以選擇性地將該一個相應可加壓腔室耦接至來自一相應對壓力供應管線之一條壓力供應管線，每一相應對壓力供應管線包括來自該第一複數條壓力供應管線之一壓力供應管線及來自該第二複數條壓力供應管線之一壓力供應管線。
如請求項1所述之承載頭，其中該多個可獨立加壓腔室包括第一複數個可獨立加壓腔室，且該多個閥包括第一複數個閥，且其中該第一複數個閥中之每一閥經配置以選擇性地將該第一複數個可加壓腔室中之一不同壓力腔室耦接至一對壓力供應管線，該對壓力供應管線與耦接至該第一複數個閥中之任何其他閥之一對壓力供應管線不同。
如請求項2所述之承載頭，其中該多個可獨立加壓腔室包括第二複數個可獨立加壓腔室，且該多個閥包括第二複數個閥，且其中該第二複數個閥中之每一閥經配置以選擇性地將該第二複數個可加壓腔室中之一不同可加壓腔室耦接至一對壓力供應管線，該對壓力供應管線與耦接至該第二複數個閥中之任何其他閥之一對壓力供應管線不同。
如請求項3所述之承載頭，其中來自該第一複數個閥之至少一個閥及來自該第二複數個閥之至少一個閥將相應腔室耦接至共同對壓力供應管線。
如請求項4所述之承載頭，其中對於來自該第一複數個閥之每個閥而言，存在將相應腔室耦接至共同對壓力供應管線之來自該第二複數個閥的一對應閥。
如請求項1所述之承載頭，其中該第一複數條壓力供應管線包括比該第二複數條壓力供應管線更多的壓力供應管線。
如請求項6所述之承載頭，其中該第一複數條壓力供應管線及該第二複數條壓力供應管線各自包括至少4條壓力供應管線。
如請求項7所述之承載頭，其中該第一複數條壓力供應管線不超過8條壓力供應管線，且該第二複數條壓力供應管線不超過4條壓力供應管線。
如請求項1所述之承載頭，其中該多個可獨立加壓腔室包括連接至第三複數條壓力供應管線之一或更多個腔室。
如請求項9所述之承載頭，其中該一或更多個腔室經由該第三複數條壓力供應管線耦接至一驅動軸中的一預設的一或更多個通道。
如請求項1所述之承載頭，其中該多個可獨立加壓腔室包括佈置於該承載頭的一中心軸周圍的不同角度位置處之腔室。
如請求項11所述之承載頭，其中該多個可獨立加壓腔室包括佈置於該承載頭的該中心軸的不同徑向位置處之腔室。
如請求項11所述之承載頭，該多個可獨立加壓腔室呈一極性陣列佈置。
如請求項13所述之承載頭，其中該極性陣列包括一中心腔室及複數個徑向環，每一徑向環包括複數個按角度分離之腔室。
如請求項13所述之承載頭，其中複數個按角度分離之腔室均勻地佈置於該中心軸周圍。
如請求項1所述之承載頭，其中該多個閥包括電磁閥。
如請求項16所述之承載頭，其包括電路系統，該電路系統緊固至該外殼以在一資料線上接收資料且經配置以基於該資料選擇性地致動該多個閥中之該等閥。
如請求項1所述之承載頭，其包括一支撐板，該支撐板可撓性地連接至該外殼以相對於該外殼可垂直移動，且其中該可撓性膜固定至該支撐板，且該多個可加壓腔室形成於該可撓性膜與該支撐板之間。
如請求項18所述之承載頭，其中該支撐板與該外殼之間之一空間可控制地加壓。
一種保管裝置，其係包含可個別保管保管對象物之複數個保管部者，且包含： <br/>取得部，其取得表示複數個上述保管部中，可保管新的上述保管對象物之上述保管部之數量即可保管數、或是否存在可保管新的上述保管對象物之上述保管部之可保管資訊； <br/>上述保管裝置進而包含： <br/>提供部，其對上述保管對象物之使用者，提供由上述保管部保管中之上述保管對象物；及 <br/>領受部，其自上述使用者，領受由上述保管部保管之新的上述保管對象物；其中 <br/>上述取得部取得表示上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>上述提供部於上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述保管裝置，對上述使用者提供由上述保管部保管中之上述保管對象物， <br/>上述領受部係由曾保管上述提供部已提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物。
如請求項1之保管裝置，其中 <br/>上述取得部取得表示上述可保管數為1以上、或存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>上述領受部由可保管之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物， <br/>上述提供部對上述使用者，提供由上述領受部已領受新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物。
如請求項1之保管裝置，其中 <br/>上述領受部係於自上述使用者已領受之新的上述保管對象物、與前一刻上述提供部已提供給上述使用者之上述保管對象物相同之情形時，輸出用於報知上述保管對象物相同之通知資訊，及/或使上述提供部對上述使用者再次提供所領受之相同之上述保管對象物。
如請求項1之保管裝置，其進而包含： <br/>選定部，其選定正保管要提供給上述保管對象物之使用者之上述保管對象物之上述保管部、及將保管自上述使用者領受之新的上述保管對象物之上述保管部，其中 <br/>於上述取得部取得表示上述可保管數為1以上、或存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>上述選定部選定不同之上述保管部，來作為正保管要提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部、及將保管自上述使用者領受之新的上述保管對象物之上述保管部。
如請求項1至4中任一項之保管裝置，其中 <br/>上述取得部係取得上述可保管數者，且進而包含： <br/>其他取得部，其取得新的上述保管對象物之數量即需要保管數。
如請求項5之保管裝置，其中 <br/>於上述取得部取得表示上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>上述提供部對上述使用者，提供由上述保管部保管之上述保管對象物中，上述其他取得部取得之上述需要保管數所示之數量之上述保管對象物， <br/>上述領受部由曾保管上述提供部已提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部，領受來自上述使用者之上述需要保管數所示之數量之新的上述保管對象物。
如請求項5之保管裝置，其中 <br/>於上述取得部取得表示上述可保管數為1以上，或存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊，且上述其他取得部取得未達上述需要保管數之情形時， <br/>上述領受部由可保管之上述保管部，領受來自上述使用者之未達上述需要保管數之新的上述保管對象物， <br/>上述提供部對上述使用者，提供由上述領受部已領受新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物， <br/>上述領受部由已提供上述保管對象物之上述保管部，領受上述需要保管數中剩餘之新的上述保管對象物， <br/>上述提供部對上述使用者，提供由上述領受部已領受新的上述保管對象物、及上述剩餘之新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物。
如請求項5之保管裝置，其中 <br/>於上述取得部取得之上述可保管數為上述其他取得部取得之上述需要保管數以上之情形時， <br/>上述領受部由可保管之上述保管部，領受來自上述使用者之上述需要保管數之新的上述保管對象物， <br/>上述提供部對上述使用者，提供由上述領受部已領受新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物。
如請求項1之保管裝置，其中 <br/>上述保管對象物為蓄電裝置，且上述保管裝置進而包含： <br/>充電部，其進行由上述保管部保管中之上述蓄電裝置之充電。
如請求項9之保管裝置，其中 <br/>上述蓄電裝置係可裝卸地安裝於利用電力之電力機器。
一種保管方法，其係，包含可個別保管保管對象物之複數個保管部之保管裝置之電腦包括以下步驟： <br/>取得表示複數個上述保管部中，可保管新的上述保管對象物之上述保管部之數量即可保管數、或是否存在可保管新的上述保管對象物之上述保管部之可保管資訊； <br/>對上述保管對象物之使用者，提供由上述保管部保管中之上述保管對象物； <br/>自上述使用者，領受由上述保管部保管之新的上述保管對象物； <br/>於取得表示上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>於上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述保管裝置，對上述使用者提供由上述保管部保管中之上述保管對象物；及 <br/>由曾保管已提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物。
如請求項11之保管方法，其進而包含以下步驟： <br/>於取得表示上述可保管數為1以上、或存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>由可保管之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物；及 <br/>對上述使用者，提供由已領受新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物。
如請求項12之保管方法，其進而包含以下步驟： <br/>判定自上述使用者領受之新的上述保管對象物，是否與前一刻提供給上述使用者之上述保管對象物相同； <br/>自上述使用者已領受之新的上述保管對象物、與已提供給上述使用者之上述保管對象物相同之情形時，輸出用於報知上述保管對象物相同之通知資訊，及/或對上述使用者再次提供與自上述使用者已領受之上述保管對象物相同之上述保管對象物。
如請求項13之保管方法，其包含以下步驟： <br/>取得複數個上述保管部中，可保管新的上述保管對象物之上述保管部之數量即可保管數； <br/>取得新的上述保管對象物之數量即需要保管數；且 <br/>於取得表示上述可保管數為1以上，或存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊，且取得未達上述需要保管數之情形時， <br/>由可保管之上述保管部，領受來自上述使用者之未達上述需要保管數之新的上述保管對象物； <br/>對上述使用者，提供由已領受新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物； <br/>由已提供上述保管對象物之上述保管部，領受上述需要保管數中剩餘之新的上述保管對象物；及 <br/>對上述使用者，提供由已領受新的上述保管對象物、及上述剩餘之新的上述保管對象物之上述保管部以外之上述保管部保管中之上述保管對象物。
一種程式，其用於使包含可個別保管保管對象物之複數個保管部之保管裝置之電腦，執行以下步驟： <br/>取得表示複數個上述保管部中，可保管新的上述保管對象物之上述保管部之數量即可保管數、或是否存在可保管新的上述保管對象物之上述保管部之可保管資訊； <br/>對上述保管對象物之使用者，提供由上述保管部保管中之上述保管對象物； <br/>自上述使用者，領受由上述保管部保管之新的上述保管對象物； <br/>於取得表示上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>於上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述保管裝置，對上述使用者提供由上述保管部保管中之上述保管對象物；及 <br/>由曾保管已提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物。
一種存儲有程式之電腦可讀取之記憶媒體， <br/>該程式係用於使具備可個別保管保管對象物之複數個保管部之保管裝置之電腦，執行以下步驟： <br/>取得表示複數個上述保管部中，可保管新的上述保管對象物之上述保管部之數量即可保管數、或是否存在可保管新的上述保管對象物之上述保管部之可保管資訊； <br/>對上述保管對象物之使用者，提供由上述保管部保管中之上述保管對象物； <br/>自上述使用者，領受由上述保管部保管之新的上述保管對象物； <br/>於取得表示上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述可保管資訊之情形時， <br/>於上述可保管數為零、或不存在可保管之上述保管部之上述保管裝置，對上述使用者提供由上述保管部保管中之上述保管對象物；及 <br/>由曾保管已提供給上述使用者之上述保管對象物之上述保管部，領受來自上述使用者之新的上述保管對象物。
一種半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 接著構件，配置於前述基板的表面上；<br/> 第一晶片，經由第一接著劑片積層於前述接著構件；及<br/> 第二晶片，經由第二接著劑片積層於前述第一晶片，<br/> 前述接著構件具有多層結構，前述多層結構包括由熱固化性樹脂組成物的固化物形成之一對表面層和配置於前述一對表面層之間之中間層，<br/> 前述中間層的拉伸彈性係數為8.0MPa以上。
一種半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 晶片，配置於前述基板的表面上；<br/> 複數個支撐片，配置於前述基板的表面上且前述晶片的周圍；<br/> 接著構件，由前述複數個支撐片支撐且以覆蓋前述晶片之方式配置；及<br/> 第一晶片，經由第一接著劑片積層於前述接著構件，<br/> 前述接著構件具有多層結構，前述多層結構包括由熱固化性樹脂組成物的固化物形成之一對表面層和配置於前述一對表面層之間之中間層。
如請求項2所述之半導體裝置，其進一步具備經由第二接著劑片積層於前述第一晶片之第二晶片。
如請求項1或請求項3所述之半導體裝置，其中<br/> 前述第二晶片的至少一部分周緣部比前述第一晶片更向側方突出。
如請求項1至請求項3之任一項所述之半導體裝置，其中<br/> 前述第一晶片的至少一部分周緣部比前述接著構件更向側方突出。
一種半導體裝置，其具備：<br/> 基板；<br/> 第一附接著劑片之晶片，配置於前述基板的表面上；<br/> 接著構件，配置於前述第一附接著劑片之晶片的接著劑片的表面上；及<br/> 第二附接著劑片之晶片，配置於前述接著構件的表面上，<br/> 前述接著構件具有多層結構，前述多層結構包括由熱固化性樹脂組成物的固化物形成之一對表面層和配置於前述一對表面層之間之中間層，<br/> 前述中間層的拉伸彈性係數為8.0MPa以上。
如請求項6所述之半導體裝置，其中<br/> 前述第二附接著劑片之晶片的至少一部分周緣部比前述接著構件更向側方突出。
如請求項1至請求項3、請求項6及請求項7之任一項所述之半導體裝置，其中<br/> 前述中間層為聚醯亞胺層。
如請求項1至請求項3、請求項6及請求項7之任一項所述之半導體裝置，其中<br/> 前述中間層為金屬層。
如請求項1至請求項3、請求項6及請求項7之任一項所述之半導體裝置，其為三維NAND型記憶體。
一種半導體裝置的製造方法，其包括：<br/> 藉由切割將具有多層結構之接著膜單片化而獲得各自具有該多層結構之複數個接著構件之步驟，前述多層結構包括由熱固化性樹脂組成物形成之一對表面層和配置於前述一對表面層之間之中間層；<br/> 於基板上，在前述接著構件的表面上經由第一接著劑片積層第一晶片之步驟；及<br/> 在前述第一晶片的表面上經由第二接著劑片積層第二晶片之步驟，<br/> 前述第一及第二接著劑片由熱固化性樹脂組成物形成，<br/> 前述中間層的拉伸彈性係數為8.0MPa以上，<br/> 統括實施前述接著構件、前述第一接著劑片及前述第二接著劑片的固化處理。
一種半導體封裝，包括： <br/>基礎基板，包括第一內連結構； <br/>中介層基板，包括：半導體基板，具有面對所述基礎基板的第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；內連區，位於所述第二表面上且包括第二內連結構；穿孔，延伸穿過所述半導體基板且將所述第二內連結構電性連接至所述第一內連結構；以及鈍化層，位於所述第一表面的至少一部分上； <br/>多個連接凸塊，位於所述基礎基板與所述中介層基板之間且將所述穿孔電性連接至所述第一內連結構； <br/>底部填充樹脂，位於所述基礎基板與所述中介層基板之間的空間中；以及 <br/>第一半導體晶片及第二半導體晶片，位於所述中介層基板的所述內連區上且藉由所述第二內連結構電性連接至彼此， <br/>其中所述中介層基板包括：第一區，包括所述多個連接凸塊；第二區，與所述第一區的周邊相鄰；以及第三區，與所述第二區的周邊相鄰， <br/>所述鈍化層位於所述第一區及所述第二區中且在所述第二區中包括第一浮凸圖案，且 <br/>所述第三區不具有所述鈍化層。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第二區及所述第三區不具有所述多個連接凸塊，且所述第二區具有較所述第三區的寬度大的寬度。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第三區位於距所述中介層基板的邊緣第一距離內，且所述第三區位於所述第二區與所述中介層基板的所述邊緣之間。
如請求項3所述的半導體封裝，其中所述第一距離為約10微米（μm）或大於10微米。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第三區直接接觸所述底部填充樹脂。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一浮凸圖案的表面直接接觸所述底部填充樹脂。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一表面上的所述鈍化層與所述中介層基板的邊緣間隔開約10微米或大於10微米。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述中介層基板更在所述半導體基板的上面具有所述鈍化層的所述第一表面上包括第一虛設圖案， <br/>所述第一虛設圖案位於所述第二區中，且 <br/>所述第一浮凸圖案是彎曲的以適形於所述第一虛設圖案。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一區的所述周邊延伸超出所述多個連接凸塊之中的最外連接凸塊預定距離，且 <br/>所述鈍化層更在所述第二區與所述最外連接凸塊之間在所述第一區的所述周邊中包括第二浮凸圖案。
如請求項9所述的半導體封裝，其中所述中介層基板更在所述半導體基板的上面具有所述鈍化層的所述第一表面上包括第二虛設圖案， <br/>所述第二虛設圖案位於所述第二區與所述最外連接凸塊之間所述第一區的所述周邊中，且 <br/>所述第二浮凸圖案是彎曲的以適形於所述第二虛設圖案。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述中介層基板更包括位於所述半導體基板的所述第一表面上的第三內連結構，且 <br/>所述穿孔將所述第二內連結構電性連接至所述第三內連結構。
一種半導體封裝，包括： <br/>中介層基板，具有：第一區，包括多個穿孔；第二區，與所述第一區的周邊相鄰；以及第三區，與所述第二區的周邊相鄰； <br/>鈍化層，在所述第二區中位於所述中介層基板的第一表面上，所述鈍化層的表面包括位於所述第二區中的第一浮凸圖案；以及 <br/>多個半導體晶片，位於所述中介層基板的與所述第一表面相對的第二表面上， <br/>其中所述第二區與所述中介層基板的邊緣間隔開，且所述第三區位於所述第二區與所述中介層基板的所述邊緣之間。
如請求項12所述的半導體封裝，其中所述第一浮凸圖案包括以下形狀：在所述形狀中，具有預定長度的多個桿結構及/或多個點結構環繞所述第一區。
如請求項12所述的半導體封裝，更包括： <br/>第一虛設圖案，在上面具有所述鈍化層的所述第二區中位於所述中介層基板的所述第一表面上， <br/>其中所述第一浮凸圖案是彎曲的以適形於所述第一虛設圖案。
如請求項12所述的半導體封裝，其中所述鈍化層更位於所述第一區中的所述第一表面上，且其中所述鈍化層的所述表面更包括位於所述第一區內且與所述多個穿孔的周邊相鄰的第二浮凸圖案。
如請求項15所述的半導體封裝，其中所述第二浮凸圖案包括以下形狀：在所述形狀中，具有預定長度的多個桿結構及/或多個點結構環繞所述多個穿孔的所述周邊。
如請求項15所述的半導體封裝，更包括： <br/>第二虛設圖案，在上面具有所述鈍化層的所述第一區中位於所述中介層基板的所述第一表面上， <br/>其中所述第二浮凸圖案是彎曲的以適形於所述第二虛設圖案。
一種半導體封裝，包括： <br/>中介層基板，包括：半導體基板，具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；內連區，位於所述第二表面上且包括內連結構；多個凸塊接墊，位於所述第一表面上；多個虛設圖案，與所述第一表面上的所述多個凸塊接墊的周邊相鄰；多個穿孔，延伸穿過所述半導體基板且將所述內連結構電性連接至所述多個凸塊接墊；以及鈍化層，位於所述多個凸塊接墊及所述多個虛設圖案上；以及 <br/>第一半導體晶片及第二半導體晶片，位於所述中介層基板上且藉由所述內連結構電性連接至彼此， <br/>其中所述鈍化層與所述中介層基板的邊緣間隔開預定距離且所述鈍化層包括浮凸圖案，所述浮凸圖案是沿著所述多個虛設圖案的表面彎曲的。
如請求項18所述的半導體封裝，其中所述鈍化層與所述中介層基板的所述邊緣間隔開約10微米或大於10微米。
如請求項18所述的半導體封裝，其中所述多個虛設圖案中的每一者在第一方向上的線寬度為約0.5微米或大於0.5微米，且 <br/>所述多個虛設圖案之中緊鄰的虛設圖案之間在所述第一方向上的分隔距離為約0.5微米或大於0.5微米。
一種蝕刻液組合物，其包含：<br/>磷酸40至65重量%；<br/>硝酸2至10重量%；<br/>非揮發性有機酸1至10重量%，該非揮發性有機酸從由丁二酸、丙二酸、蘋果酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸以及其混合物構成的組中選擇；<br/>銨鹽化合物；以及，<br/>氨基酸；<br/>該銨鹽化合物的含量以及該氨基酸的含量的和為2至10重量%。
如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該銨鹽化合物的含量為1至9重量%。
如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該銨鹽化合物從由草酸銨、磷酸銨、乙酸銨以及上述之混合物構成的組中選擇。
如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該氨基酸的含量為1至9重量%。
如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該氨基酸從由丙氨酸、甘氨酸、天冬醯胺、天冬氨酸、焦谷氨酸、馬尿酸、谷氨酸以及上述之混合物構成的組中選擇。
如請求項1所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該蝕刻液組合物用於對銀（Ag）單一膜或包含銀（Ag）的多重膜進行蝕刻。
如請求項6所述之蝕刻液組合物，其中：<br/>該包含銀（Ag）的多重膜包含從由銀（Ag）膜；以及氧化銦膜、氧化銦錫膜、氧化銦鋅膜、氧化銦鎵膜以及上述之合金膜構成的組中選擇的氧化膜。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(c)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項1之方法，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入，且至少部分基於該3D功能影像之該經接收部分之體素之強度自動偵測該一或多個熱點。
如請求項1之方法，其中該機器學習模組接收3D分割圖作為輸入，該3D分割圖識別該3D功能影像內之一或多個所關注體積(VOI)，各VOI對應於該受試者內之特定目標組織區域及/或特定解剖區域。
如請求項1之方法， <br/>其包括藉由該處理器，接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示， <br/>且其中該機器學習模組接收至少兩個輸入通道，該等輸入通道包括對應於至少一部分該3D解剖影像之第一輸入通道及對應於至少一部分該3D功能影像之第二輸入通道。
如請求項4之方法，其中該機器學習模組接收3D分割圖作為輸入，該3D分割圖在該3D功能影像及/或該3D解剖影像內識別一或多個所關注體積(VOI)，各VOI對應於特定目標組織區域及/或特定解剖區域。
如請求項5之方法，其包括藉由該處理器自動分割該3D解剖影像，從而建立該3D分割圖。
如請求項1之方法，其中該機器學習模組係區域特定機器學習模組，其接收該3D功能影像之對應於該受試者之一或多個特定組織區域及/或解剖區域之特定部分作為輸入。
如請求項1之方法，其包括： <br/>(d)藉由該處理器，針對至少一部分該等熱點之各熱點，判定對應於該熱點所表示該受試者內病變之可能性之病變可能性分類。
如請求項8之方法，其中步驟(d)包括使用該機器學習模組，以針對該部分之各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項8之方法，其中步驟(d)包括使用第二機器學習模組，以針對各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項10之方法，其包括藉由該處理器，針對各熱點判定一或多個熱點特徵之集合，及使用該一或多個熱點特徵之集合作為送至第二機器學習模組之輸入。
如請求項8之方法，其包括： <br/>(e)藉由該處理器，至少部分基於該等熱點之該等病變可能性分類，選擇對應於具有對應於癌性病變高可能性的熱點之該一或多個熱點之子集。
如請求項1之方法，其包括： <br/>(f)藉由該處理器，調整該3D功能影像之體素之強度，以校正來自該3D功能影像之一或多個高強度體積之強度滲出，該一或多個高強度體積之各者對應於與正常情況下之高放射性藥物攝取相關聯的在該受試者內之高攝取組織區域。
如請求項13之方法，其中步驟(f)包括以循序方式一次一個地校正來自複數個高強度體積之強度滲出。
如請求項13之方法，其中該一或多個高強度體積對應於選自由腎臟、肝臟及膀胱組成之群組之一或多個高攝取組織區域。
如請求項1之方法，其包括： <br/>(g)藉由該處理器，針對至少一部分該一或多個熱點之各者，判定指示該熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準及/或該潛在性病變之大小的對應病變指數。
如請求項16之方法，其中步驟(g)包括比較與該熱點相關聯的一或多個體素之(若干)強度與一或多個參考值，各參考值與對應於該參考組織區域之參考體積之特定參考組織區域相關聯。
如請求項17之方法，其中該一或多個參考值包括選自由與該受試者之主動脈部分相關聯的主動脈參考值及與該受試者之肝臟相關聯的肝臟參考值組成之群組之一或多個成員。
如請求項17之方法，其中針對與特定參考組織區域相關聯的至少一個特定參考值判定該特定參考值，包括將對應於該特定參考組織區域之特定參考體積內之體素之強度擬合至多組分混合模型。
如請求項16之方法，其包括使用該等經判定病變指數值運算指示該受試者之癌症狀態及/或風險之該受試者之整體風險指數。
如請求項1之方法，其包括藉由該處理器，針對各熱點判定對應於該受試者內之特定解剖區域及/或解剖區域群組的解剖分類，其中判定該熱點所表示該潛在癌性病變之位置。
如請求項1之方法，其包括： <br/>(h)藉由該處理器，引起轉列至少一部分該一或多個熱點之圖形表示，以用於在圖形使用者介面(GUI)內顯示，供使用者查看。
如請求項22之方法，其包括： <br/>(i)藉由該處理器，經由該GUI，接收由使用者查看確認為有可能表示該受試者內之潛在性癌性病變的一或多個熱點之子集的使用者選擇。
如請求項1之方法，其中該3D功能影像包括在向該受試者投予試劑之後獲得的PET或SPECT影像。
如請求項24之方法，其中該試劑包括PSMA結合劑。
如請求項24之方法，其中該試劑包括<sup>18</sup>F。
如請求項25之方法，其中該試劑包括[18F]DCFPyL。
如請求項25之方法，其中該試劑包括PSMA-11。
如請求項24之方法，其中該試劑包括選自由<sup>99m</sup>Tc、<sup>68</sup>Ga、<sup>177</sup>Lu、<sup>225</sup>Ac、<sup>111</sup>In、<sup>123</sup>I、<sup>124</sup>I及<sup>131</sup>I組成之群組之一或多個成員。
如請求項1之方法，其中該機器學習模組實施神經網路。
如請求項1之方法，其中該處理器係基於雲端之系統之處理器。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示； <br/>(c)藉由該處理器，使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積， <br/>其中該機器學習模組接收至少兩個輸入通道，該等輸入通道包括對應於至少一部分該3D功能影像之第一輸入通道及對應於至少一部分該3D解剖影像之第二輸入通道及/或自其等導出之解剖資訊，且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(d)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用第一機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立針對各熱點識別該熱點之位置之熱點清單，其中該機器學習模組實施經訓練以基於至少一部分該3D功能影像之體素之強度判定一或多個位置之機器學習演算法，各位置對應於該一或多個熱點之一者之位置； <br/>(c)藉由該處理器，使用第二機器學習模組及該熱點清單，針對該一或多個熱點之各者自動判定該3D功能影像內之對應3D熱點體積，從而建立3D熱點圖，其中該第二機器學習模組實施經訓練以至少部分基於該熱點清單以及該3D功能影像之體素之強度分割該3D功能影像以識別該3D熱點圖之該等3D熱點體積之機器學習演算法；及 <br/>(d)儲存及/或提供該熱點清單及/或該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項33之方法，其包括： <br/>(e)藉由該處理器，針對至少一部分該等熱點之各熱點，判定對應於該熱點表示該受試者內之病變之可能性之病變可能性分類。
如請求項34之方法，其中步驟(e)包括使用第三機器學習模組，針對各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項33之方法，其包括： <br/>(f)藉由該處理器，至少部分基於該等熱點之該等病變可能性分類，選擇對應於具有對應於癌性病變之高可能性的熱點之一或多個熱點之子集。
一種量測對應於參考組織區域之參考體積內之強度值以便避免來自與低放射性藥物攝取相關聯的組織區域之影響的方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收受試者之3D功能影像，該3D功能影像係使用功能成像模態獲得； <br/>(b)藉由該處理器，識別該3D功能影像內之該參考體積； <br/>(c)藉由該處理器，將多組分混合模型擬合至該參考體積內之體素之強度之分佈； <br/>(d)藉由該處理器，識別該多組分模型之主要模式； <br/>(e)藉由該處理器，判定對應於該主要模式之強度之量度，從而判定對應於體素之強度之量度之參考強度值，該等體素(i)在該參考組織體積內且(ii)與該主要模式相關聯； <br/>(f)藉由該處理器，在該功能影像內偵測對應於潛在癌性病變之一或多個熱點；及 <br/>(g)藉由該處理器，針對至少一部分該等經偵測熱點之各特定熱點，基於(i)該特定熱點之強度之量度及(ii)該參考強度值判定病變指數值，其指示該特定熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準及/或潛在性病變之大小。
如請求項37之方法，其中在步驟(g)判定之該病變指數值指示：(I)特定熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準，及/或(II)特定熱點所對應之潛在性病變之大小，且其中該病變指數值基於(i)對應於特定熱點之強度之量度及(ii)該參考強度值而判定。
一種校正來自歸因於與正常情況下之高放射性藥物攝取相關聯的在受試者內之高攝取組織區域之強度滲出的方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收該受試者之3D功能影像，該3D功能影像係使用功能成像模態獲得； <br/>(b)藉由該處理器，識別該3D功能影像內之高強度體積，該高強度體積對應於其中在正常情況下發生高放射性藥物攝取之特定高攝取組織區域； <br/>(c)藉由該處理器，基於該經識別之高強度體積，識別該3D功能影像內之抑制體積，該抑制體積對應於位於該經識別之高強度體積之邊界之外且在距該經識別之高強度體積之該邊界之預定衰減距離內的體積； <br/>(d)藉由該處理器，判定對應於該3D功能影像之背景影像，其中用基於該抑制體積內之該3D功能影像之體素之強度判定之內插值來取代該高強度體積內之體素之強度； <br/>(e)藉由該處理器，由自來自該3D功能影像之體素之強度減去該背景影像之體素之強度來判定估計影像； <br/>(f)藉由該處理器，由以下來判定抑制圖： <br/>將對應於該高強度體積之該估計影像之體素之強度外推至該抑制體積內之體素之位置以判定對應於該抑制體積之該抑制圖之體素之強度；及 <br/>將對應於該抑制體積之外之位置的該抑制圖之體素之強度設定為零； <br/>(g)藉由該處理器，基於該抑制圖來調整該3D功能影像之體素之強度，從而校正來自該高強度體積之強度滲出； <br/>(h)藉由該處理器，使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(i)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項39之方法，其包括以循序方式，針對複數個高強度體積之各者執行步驟(b)至步驟(g)，從而校正來自該複數個高強度體積之各者之強度滲出。
如請求項40之方法，其中該複數個高強度體積包括選自由腎臟、肝臟及膀胱組成之群組之一或多個成員。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生表示該一或多個所偵測的熱點之該3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)藉由該處理器，引起轉列該一或多個熱點之圖形表示，以在互動式圖形使用者介面(GUI)內顯示； <br/>(d)藉由該處理器，經由該互動式GUI，接收包括至少一部分該一或多個經自動偵測之熱點之最終熱點集合的使用者選擇；及 <br/>(e)儲存及/或提供該最終熱點集合，供顯示及/或進一步處理。
如請求項42之方法，其包括： <br/>(f)藉由該處理器，經由該GUI接收一或多個額外、使用者識別之熱點之使用者選擇，用於包含在該最終熱點集合中；及 <br/>(g)藉由該處理器，更新該最終熱點集合，以便包括該一或多個額外使用者識別之熱點。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生表示該一或多個所偵測的熱點之該3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)藉由該處理器，針對至少一部分該一或多個熱點之各者，自動判定對應於該受試者內之特定解剖區域群組的解剖分類，其中判定該熱點所表示潛在癌性病變的位置；及 <br/>(d)儲存及/或提供該一或多個熱點之識別及針對各熱點之對應於該熱點之解剖分類，供顯示及/或進一步處理。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時，引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態所得該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(c)儲存及/或提供3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項45之系統，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入，且至少部分基於該3D功能影像之該經接收部分之體素之強度自動偵測該一或多個熱點。
如請求項45之系統，其中該機器學習模組接收3D分割圖作為輸入，該3D分割圖識別該3D功能影像內之一或多個所關注體積(VOI)，各VOI對應於該受試者內之特定目標組織區域及/或特定解剖區域。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示， <br/>且其中該機器學習模組接收至少兩個輸入通道，該等輸入通道包括對應於至少一部分該3D解剖影像之第一輸入通道及對應於至少一部分該3D功能影像之第二輸入通道。
如請求項48之系統，其中該機器學習模組接收3D分割圖作為輸入，該3D分割圖在該3D功能影像及/或該3D解剖影像內識別一或多個所關注體積(VOI)，各VOI對應於特定目標組織區域及/或特定解剖區域。
如請求項49之系統，其中該等指令引起該處理器自動分割該3D解剖影像，從而建立該3D分割圖。
如請求項45之系統，其中該機器學習模組係區域特定機器學習模組，其接收該3D功能影像之對應於該受試者之一或多個特定組織區域及/或解剖區域之特定部分作為輸入。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(d)針對至少一部分該等熱點之各熱點，判定對應於該熱點表示該受試者內之病變可能性之病變可能性分類。
如請求項52之系統，其中在步驟(d)，該等指令引起該處理器使用該機器學習模組，針對該部分之各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項52之系統，其中在步驟(d)，該等指令引起該處理器使用第二機器學習模組，針對各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項54之系統，其中該等指令引起該處理器針對各熱點判定一或多個熱點特徵之集合，及使用該一或多個熱點特徵之該集合作為送至該第二機器學習模組之輸入。
如請求項52之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(e)至少部分基於該等熱點之該等病變可能性分類，選擇對應於具有對應於癌性病變之高可能性的熱點之該一或多個熱點之子集。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(f)藉由該處理器，調整該3D功能影像之體素之強度，以校正來自該3D功能影像之一或多個高強度體積之強度滲出，該一或多個高強度體積之各者對應於與正常情況下之高放射性藥物攝取相關聯的在該受試者內之高攝取組織區域。
如請求項57之系統，其中在步驟(f)，該等指令引起該處理器以循序方式一次一個地校正來自複數個高強度體積之強度滲出。
如請求項57之系統，其中該一或多個高強度體積對應於選自由腎臟、肝臟及膀胱組成之群組之一或多個高攝取組織區域。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(g)針對至少一部分該一或多個熱點之各者，判定指示該熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準及/或該潛在性病變之大小的對應病變指數。
如請求項60之系統，其中在步驟(g)，該等指令引起該處理器比較與該熱點相關聯的一或多個體素之(若干)強度與一或多個參考值，各參考值與該受試者內之特定參考組織區域相關聯，且基於對應於該參考組織區域之參考體積之強度判定。
如請求項61之系統，其中該一或多個參考值包括選自由與該受試者之主動脈部分相關聯的主動脈參考值及與該受試者之肝臟相關聯的肝臟參考值組成之群組之一或多個成員。
如請求項61之系統，其中針對與特定參考組織區域相關聯的至少一個特定參考值，該等指令引起該處理器藉由將對應於該特定參考組織區域之特定參考體積內之體素之強度擬合至多組分混合模型，來判定該特定參考值。
如請求項60之系統，其中該等指令引起該處理器使用該等經判定病變指數值運算該受試者之整體風險指數，其指示該受試者之癌症狀態及/或風險。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器針對各熱點判定對應於該受試者內之特定解剖區域及/或解剖區域群組的解剖分類，其中判定該熱點所表示潛在癌性病變的位置。
如請求項45之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(h)引起轉列至少一部分該一或多個熱點之圖形表示，在圖形使用者介面(GUI)內顯示，供使用者查看。
如請求項66之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(i)經由該GUI，接收經由使用者查看確認為有可能表示該受試者內之潛在性癌性病變的一或多個熱點之子集的使用者選擇。
如請求項45之系統，其中該3D功能影像包括在向該受試者投予試劑之後獲得的PET或SPECT影像。
如請求項68之系統，其中該試劑包括PSMA結合劑。
如請求項68之系統，其中該試劑包括<sup>18</sup>F。
如請求項69之系統，其中該試劑包括[18F]DCFPyL。
如請求項69之系統，其中該試劑包括PSMA-11。
如請求項68之系統，其中該試劑包括選自由<sup>99m</sup>Tc、<sup>68</sup>Ga、<sup>177</sup>Lu、<sup>225</sup>Ac、<sup>111</sup>In、<sup>123</sup>I、<sup>124</sup>I及<sup>131</sup>I組成之群組之一或多個成員。
如請求項45之系統，其中該機器學習模組實施神經網路。
如請求項45之系統，其中該處理器係基於雲端之系統之處理器。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示； <br/>(c)使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積， <br/>其中該機器學習模組接收至少兩個輸入通道，該等輸入通道包括對應於至少一部分該3D功能影像之第一輸入通道及對應於至少一部分該3D解剖影像之第二輸入通道，及/或自其等導出之解剖資訊，且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(d)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用第一機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立針對各熱點識別該熱點之位置之熱點清單，其中該機器學習模組實施經訓練以基於至少一部分該3D功能影像之體素之強度判定一或多個位置之機器學習演算法，各位置對應於該一或多個熱點之一者之位置； <br/>(c)使用第二機器學習模組及該熱點清單，針對該一或多個熱點之各者自動判定該3D功能影像內之對應3D熱點體積，從而建立3D熱點圖，其中該第二機器學習模組實施經訓練以至少部分基於該熱點清單以及該3D功能影像之體素之強度分割該3D功能影像以識別該3D熱點圖之該等3D熱點體積之機器學習演算法；及 <br/>(d)儲存及/或提供該熱點清單及/或該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項77之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(e)針對至少一部分該等熱點之各熱點，判定對應於該熱點表示該受試者內之病變之可能性之病變可能性分類。
如請求項78之系統，其中在步驟(e)，該等指令引起該處理器使用第三機器學習模組，針對各熱點判定該病變可能性分類。
如請求項77之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(f)至少部分基於該等熱點之該等病變可能性分類，選擇對應於具有對應於癌性病變之高可能性的熱點之該一或多個熱點之子集。
一種用於量測對應於參考組織區域之參考體積內之強度值以便避免來自與低放射性藥物攝取相關聯的組織區域之影響的系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收受試者之3D功能影像，該3D功能影像係使用功能成像模態獲得； <br/>(b)識別該3D功能影像內之該參考體積； <br/>(c)將多組分混合模型擬合至該參考體積內之體素之強度之分佈； <br/>(d)識別該多組分模型之主要模式； <br/>(e)判定對應於該主要模式之強度之量度，從而判定對應於體素之強度之量度之參考強度值，該等體素(i)在該參考組織體積內且(ii)與該主要模式相關聯； <br/>(f)在該3D功能影像內偵測對應於潛在癌性病變之一或多個熱點；及 <br/>(g)針對至少一部分該等經偵測熱點之各特定熱點，基於(i)該特定熱點之強度之量度及(ii)至少該參考強度值判定病變指數值，其指示該特定熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準及/或潛在性病變之大小。
如請求項81之方法，其中在步驟(g)判定之該病變指數值指示：(I)特定熱點所對應之潛在性病變內之放射性藥物攝取之位準，及/或(II)特定熱點所對應之潛在性病變之大小，且其中該指令引起該處理器基於(i)對應於特定熱點之強度之量度及(ii)該參考強度值而判定該病變指數值。
一種用於校正來自歸因於與正常情況下之高放射性藥物攝取相關聯的在受試者內之高攝取組織區域之強度滲出的系統，該方法包括： <br/>(a)接收該受試者之3D功能影像，該3D功能影像係使用功能成像模態獲得； <br/>(b)識別該3D功能影像內之高強度體積，該高強度體積對應於其中在正常情況下發生高放射性藥物攝取之特定高攝取組織區域； <br/>(c)基於該經識別之高強度體積識別該3D功能影像內之抑制體積，該抑制體積對應於位於該經識別之高強度體積之邊界之外且在距該經識別之高強度體積之該邊界之預定衰減距離內的體積； <br/>(d)判定對應於該3D功能影像之背景影像，其中用基於該抑制體積內之該3D功能影像之體素之強度判定之內插值來取代該高強度體積內之體素之強度； <br/>(e)由來自該3D功能影像之體素之強度減去該背景影像之體素之強度，判定估計影像； <br/>(f)藉由以下來判定抑制圖： <br/>將對應於該高強度體積之該估計影像之體素之強度外推至該抑制體積內之體素之位置，判定對應於該抑制體積之該抑制圖之體素之強度；及 <br/>將對應於該抑制體積之外之位置的該抑制圖之體素之強度設定為零； <br/>(g)基於該抑制圖來調整該3D功能影像之體素之強度，從而校正來自該高強度體積之強度滲出； <br/>(h)使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(c)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項83之系統，其中指令引起處理器以循序方式針對複數個高強度體積之各者執行步驟(b)至步驟(g)，從而校正來自該複數個高強度體積之各者之強度滲出。
如請求項84之系統，其中該複數個高強度體積包括選自由腎臟、肝臟及膀胱成之群組之一或多個成員。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生表示該一或多個所偵測的熱點之該3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)引起轉列該一或多個熱點之圖形表示，以在互動式圖形使用者介面(GUI)內顯示； <br/>(d)經由該互動式GUI，接收包括至少一部分該一或多個經自動偵測之熱點之最終熱點集合的使用者選擇；及 <br/>(e)儲存及/或提供該最終熱點集合，供顯示及/或進一步處理。
如請求項86之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>(f)經由該GUI接收一或多個額外、使用者識別之熱點之使用者選擇，以用於包括在該最終熱點集合中；及 <br/>(g)更新該最終熱點集合，以包括該一或多個額外之使用者識別之熱點。
如請求項86之系統，其中在步驟(b)，該等指令引起該處理器使用一或多個機器學習模組。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用機器學習模組自動偵測該3D功能影像內之一或多個熱點，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生表示該一或多個所偵測的熱點之該3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)針對至少一部分該一或多個熱點之各者，自動判定對應於該受試者內之特定解剖區域群組的解剖分類，其中判定該熱點所表示潛在癌性病變的位置；及 <br/>(d)儲存及/或提供該一或多個熱點之識別以及針對各熱點之對應於該熱點之該解剖分類，供顯示及/或進一步處理。
如請求項89之系統，其中該等指令引起該處理器使用一或多個機器學習模組執行步驟(b)。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像； <br/>(c)藉由該處理器接收3D分割圖，該3D分割圖識別該3D功能影像內及/或該3D解剖影像內之一或多個特定組織區域或組織區域群組； <br/>(d)藉由該處理器，使用一或多個機器學習模組自動偵測及/或分割該3D功能影像內之一或多個熱點之集合，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積， <br/>其中該一或多個機器學習模組之至少一者接收(i)該3D功能影像、(ii)該3D解剖影像及(iii)該3D分割圖作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(e)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項91之方法，其包括： <br/>藉由該處理器接收初始3D分割圖，該初始3D分割圖識別該3D解剖影像及/或該3D功能影像內之一或多個特定組織區域；及 <br/>藉由該處理器，將至少一部分該一或多個特定組織區域識別為屬於一或多個組織群組之特定者，及藉由該處理器更新該3D分割圖，以指示該等經識別特定區域為屬於該特定組織群組；及 <br/>藉由該處理器，使用該經更新之3D分割圖作為送至該一或多個機器學習模組之至少一者之輸入。
如請求項92之方法，其中該一或多個組織群組包括軟組織群組，因而識別該表示軟組織之特定組織區域為屬於該軟組織群組。
如請求項92之方法，其中該一或多個組織群組包括骨組織群組，因而識別該表示骨之特定組織區域為屬於該骨組織群組。
如請求項92之方法，其中該一或多個組織群組包括高攝取器官群組，因而識別該與高放射性藥物攝取相關聯的一或多個器官經為屬於該高攝取群組。
如請求項91之方法，其包括針對各經偵測及/或分割之熱點，藉由該處理器判定該熱點之分類。
如請求項96之方法，其包括使用該一或多個機器學習模組之至少一者，針對各經偵測及/或分割之病變判定該熱點之分類。
如請求項91之方法，其中該一或多個機器學習模組包括： <br/>(A)偵測及/或分割遍及整個身體之熱點之全身病變偵測模組；及 <br/>(B)偵測及/或分割前列腺內之熱點之前列腺病變模組。
如請求項98之方法，其包括使用(A)及(B)之各者產生熱點清單及/或圖，且合併該等結果。
如請求項91之方法，其中： <br/>步驟(d)包括： <br/>藉由以下操作對該一或多個熱點之集合進行分割及分類，建立經標記之3D熱點圖，該經標記之3D熱點圖針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，且其中各熱點體積經標記為屬於複數個熱點類別之特定熱點類別： <br/>使用第一機器學習模組分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第一初始集合，從而建立識別第一初始熱點體積集合之第一初始3D熱點圖，其中該第一機器學習模組根據單個熱點類別，分割該3D功能影像之熱點； <br/>使用第二機器學習模組分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第二初始集合，從而建立識別第二初始熱點體積集合之第二初始3D熱點圖，其中該第二機器學習模組根據該複數個不同熱點類別，分割該3D功能影像，因而該第二初始3D熱點圖係多類別3D熱點圖，其中各熱點體積經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定者；及 <br/>藉由該處理器，針對該第一初始3D熱點圖所識別之至少一部分該等熱點體積，進行以下操作來合併該第一初始3D熱點圖與該第二初始3D熱點圖： <br/>識別該第二初始3D熱點圖之匹配熱點體積，該第二3D熱點圖之該匹配熱點體積已經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定熱點類別；及 <br/>將該第一初始3D熱點圖之該特定熱點體積標記為屬於該特定熱點類別，從而建立經合併3D熱點圖，該經合併3D熱點圖包括該第一3D熱點圖之經分割熱點體積，其已根據該第二3D熱點圖之匹配熱點體積經識別所屬類別來進行標記；及 <br/>步驟(e)包括儲存及/或提供該經合併之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項100之方法，其中該複數個不同熱點類別包括選自由以下各者組成之群組之一或多個成員： <br/>(i)骨熱點，其等經判定以表示定位於骨中之病變； <br/>(ii)淋巴熱點，其等經判定以表示定位於淋巴結中之病變，及 <br/>(iii)前列腺熱點，其等經判定以表示定位於前列腺中之病變。
如請求項91之方法，其進一步包括： <br/>(f)接收及/或存取該熱點清單；及 <br/>(g)針對該熱點清單中之各熱點，使用分析模型分割該熱點。
如請求項91之方法，其進一步包括： <br/>(h)接收及/或存取該熱點圖；及 <br/>(i)針對該熱點圖中之各熱點，使用分析模型分割該熱點。
如請求項103之方法，其中該分析模型係自適應定限方法，且步驟(i)包括： <br/>判定一或多個參考值，各參考值基於定位在對應於特定參考組織區域之特定參考體積內之該3D功能影像之體素之強度的量度；及 <br/>針對該3D熱點圖之各特定熱點體積： <br/>藉由該處理器，基於該特定熱點體積內之體素之強度來判定對應熱點強度；及 <br/>藉由該處理器，針對該特定熱點，基於(i)該對應熱點強度及(ii)至少一個該一或多個參考值，判定熱點特定臨限值。
如請求項104之方法，其中該熱點特定臨限值係使用選自複數個定限函數之特定定限函數來判定，該特定定限函數係基於該對應熱點強度與該至少一個參考值之比較來選擇。
如請求項104之方法，其中該熱點特定臨限值係判定為該對應熱點強度之可變百分比，其中該可變百分比隨著熱點強度增加而減小。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用第一機器學習模組自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第一初始集合，從而建立識別第一初始熱點體積集合之第一初始3D熱點圖，其中該第一機器學習模組根據單個熱點類別，分割該3D功能影像之熱點，從而將所有熱點識別為屬於單個熱點類別，以便區分背景區域與熱點體積，但不區分不同類型之熱點； <br/>(c)藉由該處理器，使用第二機器學習模組自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第二初始集合，從而建立識別第二初始熱點體積集合之第二初始3D熱點圖，其中該第二機器學習模組根據複數個不同熱點類別，分割該3D功能影像，因而該第二初始3D熱點圖係多類別3D熱點圖，其中各熱點體積經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定者，各熱點類別識別藉由熱點表示之病變經判定所定位之特定解剖及/或組織區域； <br/>(d)藉由該處理器，針對該第一初始3D熱點圖所識別之至少一部分該第一初始熱點體積集合之各特定熱點體積，進行以下操作來合併該第一初始3D熱點圖與該第二初始3D熱點圖： <br/>識別該第二初始3D熱點圖之匹配熱點體積，該第二3D熱點圖之該匹配熱點體積已經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定熱點類別；及 <br/>將該第一初始3D熱點圖之該特定熱點體積標記為屬於該特定熱點類別，從而建立經合併3D熱點圖，該經合併3D熱點圖包括該第一3D熱點圖之經分割熱點體積，其已根據該第二3D熱點圖之匹配熱點經識別所屬類別來進行標記；及 <br/>(e)儲存及/或提供該經合併之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項107之方法，其中該複數個不同熱點類別包括選自由以下各者組成之群組之一或多個成員： <br/>(i)骨熱點，其等經判定以表示定位於骨中之病變； <br/>(ii)淋巴熱點，其等經判定以表示定位於淋巴結中之病變，及 <br/>(iii)前列腺熱點，其等經判定以表示定位於前列腺中之病變。
一種經由自適應定限方法自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)藉由該處理器，使用機器學習模組判定在該3D功能影像內識別一或多個初步熱點體積之初步3D熱點圖，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該初步3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)藉由該處理器判定一或多個參考值，各參考值基於定位於對應於特定參考組織區域之特定參考體積內之該3D功能影像之體素之強度的量度； <br/>(d)藉由該處理器，針對該初步3D熱點圖所識別之至少一部份該一或多個初步熱點體積的各特定初步熱點體積進行以下操作，基於該等初步熱點體積及使用基於自適應定限之分割，建立精細化之3D熱點圖： <br/>基於該特定初步熱點體積內之體素之強度來判定對應熱點強度； <br/>針對該特定初步熱點體積，基於(i)該對應熱點強度及(ii)至少一個該一或多個參考值，判定熱點特定臨限值； <br/>使用基於定限之分割演算法，分割至少一部分該3D功能影像，該基於定限之分割演算法使用針對該特定初步熱點體積判定之該熱點特定臨限值執行影像分割，從而判定對應於該特定初步熱點體積之精細化、分析分割之熱點體積；及 <br/>將該精細化之熱點體積包括於該精細化之3D熱點圖中；及 <br/>(e)儲存及/或提供該精細化之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項109之方法，其中該熱點特定臨限值係使用選自複數個定限函數之特定定限函數來判定，該特定定限函數係依據該對應熱點強度與該至少一個參考值之比較來選擇。
如請求項109之方法，其中該熱點特定臨限值係判定為該對應熱點強度之可變百分比，其中該可變百分比隨著熱點強度增加而減小。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之方法，該方法包括： <br/>(a)藉由運算裝置之處理器，接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示； <br/>(b)藉由該處理器自動分割該3D解剖影像，建立3D分割圖，該3D分割圖識別該3D解剖影像中之複數個所關注體積(VOI)，包括對應於該受試者之肝臟之肝臟體積及對應於主動脈部分之主動脈體積； <br/>(c)藉由該處理器，接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(d)藉由該處理器使用機器學習模組自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點，各經分割熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而識別一或多個經自動分割之熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生描繪該經分割熱點之3D邊界之3D熱點圖作為輸出； <br/>(e)藉由該處理器，引起轉列該一或多個經自動分割之熱點體積之圖形表示，用於在互動式圖形使用者介面(GUI)內顯示； <br/>(f)藉由該處理器，經由該互動式GUI，接收包括至少一部分該一或多個經自動分割之熱點體積之最終熱點集合的使用者選擇； <br/>(g)藉由該處理器，針對該最終集合之各熱點體積，基於(i)對應於該熱點體積之該功能影像之體素之強度及(ii)使用對應於該肝臟體積及該主動脈體積之該功能影像之體素之強度判定的一或多個參考值，判定病變指數值；及 <br/>(e)儲存及/或提供該最終熱點集合及/或該等病變指數值，供顯示及/或進一步處理。
如請求項112之方法，其中： <br/>步驟(b)包括分割該解剖影像，使得該3D分割圖識別對應於該受試者之一或多個骨之一或多個骨體積，且 <br/>步驟(d)包括在該功能影像內，使用該一或多個骨體積識別骨骼體積，及分割定位於該骨骼體積內之一或多個骨熱點體積。
如請求項112之方法，其中： <br/>步驟(b)包括分割該解剖影像，使得該3D分割圖識別對應於該受試者之軟組織器官之一或多個器官體積，且 <br/>步驟(d)包括在該功能影像內，使用該一或多個經分割之器官體積識別一或多個軟組織體積，及分割定位於該軟組織體積內之一或多個淋巴及/或前列腺熱點體積。
如請求項114之方法，其中步驟(d)進一步包括，在分割該一或多個淋巴及/或前列腺熱點體積之前，調整該功能影像之強度以抑制來自一或多個高攝取組織區域之強度。
如請求項112之方法，其中步驟(g)包括使用對應於該肝臟體積之該功能影像之體素之強度，判定肝臟參考值。
如請求項116之方法，其包括將雙組分高斯混合模型(Gaussian mixture model)擬合至對應於該肝臟體積之功能影像體素之強度的直方圖，其係使用該雙組分高斯混合模型擬合，以便從該肝臟體積識別及排除具有與異常低攝取之區域相關聯的強度的體素，及使用剩餘體素之強度判定該肝臟參考值。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像； <br/>(c)接收3D分割圖，該3D分割圖識別該3D功能影像內及/或該3D解剖影像內之一或多個特定組織區域或組織區域群組； <br/>(d)使用一或多個機器學習模組自動偵測及/或分割該3D功能影像內之一或多個熱點之集合，各熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而建立3D熱點圖，其針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積， <br/>其中該一或多個機器學習模組之至少一者接收(i)該3D功能影像、(ii)該3D解剖影像及(iii)該3D分割圖作為輸入且產生該3D熱點圖作為輸出；及 <br/>(e)儲存及/或提供該3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項118之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>接收初始3D分割圖，該初始3D分割圖識別該3D解剖影像及/或該3D功能影像內之一或多個特定組織區域； <br/>將至少一部分該一或多個特定組織區域識別為屬於一或多個組織群組之特定者，及更新該3D分割圖，以指示該等經識別特定區域為屬於該特定組織群組；及 <br/>使用該經更新之3D分割圖作為送至該一或多個機器學習模組之至少一者之輸入。
如請求項119之系統，其中該一或多個組織群組包括軟組織群組，因而識別該表示軟組織之特定組織區域為屬於該軟組織群組。
如請求項119之系統，其中該一或多個組織群組包括骨組織群組，因而識別該表示骨之特定組織區域為屬於該骨組織群組。
如請求項119之系統，其中該一或多個組織群組包括高攝取器官群組，因而識別該與高放射性藥物攝取相關聯的一或多個器官為屬於該高攝取群組。
如請求項118之系統，其中該等指令引起該處理器，針對各經偵測及/或分割之熱點，判定該熱點之分類。
如請求項123之系統，其中該等指令引起該處理器使用該一或多個機器學習模組之至少一者，以針對各經偵測及/或分割之熱點判定該熱點之該分類。
如請求項118之系統，其中該一或多個機器學習模組包括： <br/>(A)偵測及/或分割遍及整個身體之熱點之全身病變偵測模組；及 <br/>(B)偵測及/或分割前列腺內之熱點之前列腺病變模組。
如請求項125之系統，其中該等指令引起該處理器使用(A)及(B)之各者產生該熱點清單及/或該等圖，且合併該等結果。
如請求項118之系統，其中： <br/>在步驟(d)，該等指令引起該處理器藉由以下操作，對該一或多個熱點之集合進行分割及分類，建立經標記之3D熱點圖，該經標記之3D熱點圖針對各熱點識別該3D功能影像內之對應3D熱點體積，且其中各熱點經標記為屬於複數個熱點類別之特定熱點類別： <br/>使用第一機器學習模組分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第一初始集合，從而建立識別第一初始熱點體積集合之第一初始3D熱點圖，其中該第一機器學習模組根據單個熱點類別分割該3D功能影像之熱點； <br/>使用第二機器學習模組分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第二初始集合，從而建立識別第二初始熱點體積集合之第二初始3D熱點圖，其中該第二機器學習模組根據該複數個不同熱點類別分割該3D功能影像，因而該第二初始3D熱點圖係多類別3D熱點圖，其中各熱點體積經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定者；及 <br/>藉由針對該第一初始3D熱點圖所識別之至少一部分該等熱點體積進行以下操作，合併該第一初始3D熱點圖與該第二初始3D熱點圖： <br/>識別該第二初始3D熱點圖之匹配熱點體積，該第二3D熱點圖之該匹配熱點體積已經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定熱點類別；及 <br/>將該第一初始3D熱點圖之該特定熱點體積標記為屬於該特定熱點類別，從而建立經合併3D熱點圖，該經合併3D熱點圖包括該第一3D熱點圖之經分割熱點體積，其已根據該第二3D熱點圖之匹配熱點經識別所屬類別來進行標記；且 <br/>在步驟(e)，該等指令引起該處理器儲存及/或提供該經合併之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項127之系統，其中該複數個不同熱點類別包括選自由以下各者組成之群組之一或多個成員： <br/>(i)骨熱點，其等經判定以表示定位於骨中之病變； <br/>(ii)淋巴熱點，其等經判定以表示定位於淋巴結中之病變，及 <br/>(iii)前列腺熱點，其等經判定以表示定位於前列腺中之病變。
如請求項118之系統，其中該等指令進一步引起該處理器： <br/>(f)接收及/或存取該熱點清單；及 <br/>(g)針對該熱點清單中之各熱點，使用分析模型分割該熱點。
如請求項118之系統，其中該等指令進一步引起該處理器： <br/>(h)接收及/或存取該熱點圖； <br/>(i)針對該熱點圖中之各熱點，使用分析模型分割該熱點。
如請求項130之系統，其中該分析模型係自適應定限方法，且在步驟(i)，該等指令引起該處理器： <br/>判定一或多個參考值，各參考值係基於定位於對應於特定參考組織區域之特定參考體積內之該3D功能影像之體素之強度的量度；及 <br/>針對該3D熱點圖之各特定熱點體積： <br/>基於該特定熱點體積內之體素之強度，判定對應熱點強度；及 <br/>針對該特定熱點，基於(i)該對應熱點強度及(ii)至少一個該一或多個參考值，判定熱點特定臨限值。
如請求項131之系統，其中該熱點特定臨限值係使用選自複數個定限函數之特定定限函數來判定，該特定定限函數係基於該對應熱點強度與該至少一個參考值之比較來選擇。
如請求項131之系統，其中該熱點特定臨限值係判定為該對應熱點強度之可變百分比，其中該可變百分比隨著熱點強度增加而減小。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用第一機器學習模組，自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第一初始集合，從而建立識別第一初始熱點體積集合、該3D功能影像內之對應3D熱點體積之第一初始3D熱點圖，其中該第一機器學習模組根據單個熱點類別，分割該3D功能影像之熱點，從而將所有熱點識別為屬於單個熱點類別，以便區分背景區域與熱點體積，但不區分不同類型之熱點； <br/>(c)使用第二機器學習模組，自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點之第二初始集合，從而建立識別第二初始熱點體積集合之第二初始3D熱點圖，其中該第二機器學習模組根據複數個不同熱點類別分割該3D功能影像，因而該第二初始3D熱點圖係多類別3D熱點圖，其中各熱點體積經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定者，各熱點類別識別藉由熱點表示之病變經判定所定位之特定解剖及/或組織區域； <br/>(d)藉由針對該第一初始3D熱點圖所識別之至少一部分該第一初始熱點體積集合之各特定熱點體積進行以下操作，合併該第一初始3D熱點圖與該第二初始3D熱點圖： <br/>識別該第二初始3D熱點圖之匹配熱點體積，該第二3D熱點圖之該匹配熱點體積已經標記為屬於該複數個不同熱點類別之特定熱點類別；及 <br/>將該第一初始3D熱點圖之該特定熱點體積標記為屬於該特定熱點類別，從而建立經合併3D熱點圖，該經合併3D熱點圖包括該第一3D熱點圖之經分割熱點體積，其已根據該第二3D熱點圖之匹配熱點經識別所屬類別來進行標記；及 <br/>(e)儲存及/或提供該經合併之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項134之系統，其中該複數個不同熱點類別包括選自由以下各者組成之群組之一或多個成員： <br/>(i)骨熱點，其等經判定以表示定位於骨中之病變； <br/>(ii)淋巴熱點，其等經判定以表示定位於淋巴結中之病變，及 <br/>(iii)前列腺熱點，其等經判定以表示定位於前列腺中之病變。
一種經由自適應定限方法自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(b)使用機器學習模組判定在該3D功能影像內識別一或多個初步熱點體積之初步3D熱點圖，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生該初步3D熱點圖作為輸出； <br/>(c)判定一或多個參考值，各參考值係基於定位於對應於特定參考組織區域之特定參考體積內之該3D功能影像之體素之強度的量度； <br/>(d)藉由針對由該初步3D熱點圖所識別之至少一部分該一或多個初步熱點體積的各特定初步熱點體積進行以下操作，基於該等初步熱點體積及使用基於自適應定限之分割，建立精細化之3D熱點圖： <br/>基於該特定初步熱點體積內之體素之強度來判定對應熱點強度；及 <br/>針對該特定初步熱點體積，基於(i)該對應熱點強度及(ii)至少一個該一或多個參考值，判定熱點特定臨限值； <br/>使用基於定限之分割演算法分割至少一部分3D功能影像，該基於定限之分割演算法係使用針對該特定初步熱點判定之該熱點特定臨限值執行影像分割，從而判定對應於該特定初步熱點體積之精細化、分析分割之熱點體積；及 <br/>將該精細化之熱點體積包括於該精細化之3D熱點圖中；及 <br/>(e)儲存及/或提供該精細化之3D熱點圖，供顯示及/或進一步處理。
如請求項136之系統，其中該熱點特定臨限值係使用選自複數個定限函數之特定定限函數來判定，該特定定限函數係基於該對應熱點強度與該至少一個參考值之比較來選擇。
如請求項136之系統，其中該熱點特定臨限值係判定為該對應熱點強度之可變百分比，其中該可變百分比隨著熱點強度增加而減小。
一種用於自動化處理受試者之3D影像以識別及/或表徵化該受試者內之癌性病變之系統，該系統包括： <br/>運算裝置之處理器；及 <br/>具有儲存於其上之指令之記憶體，其中該等指令在藉由該處理器執行時引起該處理器： <br/>(a)接收使用解剖成像模態獲得的該受試者之3D解剖影像，其中該3D解剖影像包括該受試者內之組織之圖形表示； <br/>(b)自動分割該3D解剖影像，建立3D分割圖，該3D分割圖識別該3D解剖影像中之複數個所關注體積(VOI)，包括對應於該受試者之肝臟之肝臟體積及對應於主動脈部分之主動脈體積； <br/>(c)接收使用功能成像模態獲得的該受試者之3D功能影像； <br/>(d)使用機器學習模組自動分割該3D功能影像內之一或多個熱點，各經分割熱點對應於相對於其周圍提高強度之局部區域，且表示該受試者內之潛在癌性病變，從而識別一或多個經自動分割之熱點體積，其中該機器學習模組接收至少一部分該3D功能影像作為輸入且產生描繪該經分割熱點之3D邊界之3D熱點圖作為輸出； <br/>(e)引起轉列該一或多個經自動分割之熱點體積之圖形表示，用於在互動式圖形使用者介面(GUI)內顯示； <br/>(f)經由該互動式GUI，接收包括至少一部分該一或多個經自動分割之熱點體積之最終熱點集合的使用者選擇； <br/>(g)針對該最終集合之各熱點體積，基於(i)對應於該熱點體積之該功能影像之體素之強度及(ii)使用對應於該肝臟體積及該主動脈體積之該功能影像之體素之強度判定的一或多個參考值，判定病變指數值；及 <br/>(e)儲存及/或提供該最終熱點集合及/或該等病變指數值，供顯示及/或進一步處理。
如請求項139之系統，其中： <br/>在步驟(b)，該等指令引起該處理器分割該解剖影像，使得該3D分割圖識別對應於該受試者之一或多個骨之一或多個骨體積，且 <br/>在步驟(d)，該等指令引起該處理器在該功能影像內使用該一或多個骨體積識別骨骼體積，及分割定位於該骨骼體積內之一或多個骨熱點體積。
如請求項139之系統，其中： <br/>在步驟(b)，該等指令引起該處理器分割該解剖影像，使得該3D分割圖識別對應於該受試者之軟組織器官之一或多個器官體積，且 <br/>在步驟(d)，該等指令引起該處理器在該功能影像內使用該一或多個經分割之器官體積識別軟組織體積，及分割定位於該軟組織體積內之一或多個淋巴及/或前列腺熱點體積。
如請求項141之系統，其中在步驟(d)，該等指令引起該處理器，在分割該一或多個淋巴及/或前列腺熱點體積之前，調整該功能影像之強度，以抑制來自一或多個高攝取組織區域之強度。
如請求項139之系統，其中在步驟(g)，該等指令引起該處理器使用對應於該肝臟體積之該功能影像之體素之強度，來判定肝臟參考值。
如請求項143之系統，其中該等指令引起該處理器： <br/>將雙組分高斯混合模型擬合至對應於該肝臟體積之功能影像體素之強度的直方圖， <br/>使用該雙組分高斯混合模型擬合，以便從該肝臟體積識別及排除具有與異常低攝取之區域相關聯的強度的體素，及 <br/>使用剩餘體素之強度判定該肝臟參考值。
一種由經工程改造之中國倉鼠卵巢(CHO)細胞產生一或多種重組多肽的方法，該方法包含： <br/>(a) 於培養基中在適合產生該一或多種重組多肽之條件下培養該經工程改造之CHO細胞，且在培養期間提高該培養基中乙醇之濃度，其中該乙醇之濃度係每日提高0.018%至0.15% (v/v)；及 <br/>(b) 產生該一或多種重組多肽， <br/>其中該培養基包含： <br/>(i) 基礎培養基或進料培養基；及 <br/>(ii) 乙醇。
如請求項1之方法，其中該方法另外包含(c)分離該一或多種重組多肽。
如請求項1之方法，其中該培養基為(a)基礎培養基；或(b)進料培養基。
如請求項1之方法，其中該一或多種重組多肽為抗體或其片段。
如請求項4之方法，其中該抗體為單株抗體。
如請求項5之方法，其中該單株抗體抑制增生細胞的生長。
如請求項4之方法，其中該抗體或其片段結合於HER2、TNF-α、VEGF-A、α4-整合素、CD20、CD52、CD25、CD11a、EGFR、呼吸道融合病毒(RSV)、醣蛋白IIb/IIIa、IgG1、IgE、補體成分5 (C5)、B細胞活化因子(BAFF)、CD19、CD30、介白素-1β (IL1β)、前列腺特異性膜抗原(PSMA)、CD38、RANKL、GD2、SLAMF7 (CD319)、前蛋白轉化酶枯草桿菌蛋白酶/科星蛋白酶9型(proprotein convertase subtilisin/kexin type 9，PCSK9)、達比加群(dabigatran)、細胞毒性T淋巴細胞相關蛋白4 (CTLA4)、介白素-5 (IL-5)、計劃性細胞死亡蛋白(PD-1)、VEGFR2 (KDR)、炭疽芽孢桿菌(<i>B</i><i>. </i><i>anthracis</i>)之保護性抗原(PA)、介白素-17 (IL-17)、介白素-6 (IL-6)、介白素-6受體(IL6R)、介白素-12 (IL-12)、介白素23 (IL-23)、硬骨素(SOST)、肌肉抑制素(GDF-8)、活化素受體樣激酶1、德耳塔樣配體4 (delta like ligand 4，DLL4)、血管生成素3、VEGFR1、選擇素、氧化型低密度脂蛋白(oxLDL)、血小板衍生生長因子受體β、神經纖毛蛋白1、溫韋伯氏因子(Von Willebrand factor，vWF)、整合素α<sub>V</sub>β<sub>3</sub>、神經細胞凋亡調節蛋白酶1、整合素α<sub>IIb</sub>β<sub>3</sub>、β-澱粉狀蛋白、內質網蛋白4 (RTN4)/神經突生長抑制劑(NOGO-A)、神經生長因子(NGF)、LINGO-1、髓鞘相關醣蛋白或整合素α4β7。
如請求項5之方法，其中該單株抗體係選自曲妥珠單抗(trastuzumab)、帕妥珠單抗(pertuzumab)、英利昔單抗(infliximab)、阿達木單抗(adalimumab)、貝伐單抗(bevacizumab)、蘭比珠單抗(ranibizumab)、那他珠單抗(natalizumab)、利妥昔單抗(rituximab)、阿侖單抗(alemtuzumab)、達利珠單抗(daclizumab)、依法利珠單抗(efalizumab)、戈利木單抗(golimumab)、賽妥珠單抗(certolizumab)、西妥昔單抗(cetuximab)、帕尼單抗(panitumumab)、帕利珠單抗(palivizumab)、阿昔單抗(abciximab)、巴利昔單抗(basiliximab)、替伊莫單抗(ibritumomab)、奧馬珠單抗(omalizumab)、依庫麗單抗(eculizumab)、阿利若單抗(alirocumab)、貝利單抗(belimumab)、布林莫單抗(blinatumomab)、貝倫妥單抗(brentuximab)、康納單抗(canakinumab)、卡羅單抗(capromab)、達土木單抗(daratumumab)、德諾單抗(denosumab)、迪奴圖單抗(dinutuximab)、埃羅妥珠單抗(elotuzumab)、依伏洛單抗(evolocumab)、艾達西單抗(idarucizumab)、伊匹單抗(ipilimumab)、美泊利單抗(mepolizumab)、耐昔妥珠單抗(necitumumab)、尼沃單抗(nivolumab)、奧妥珠單抗(obinutuzumab)、奧法木單抗(ofatumumab)、派姆單抗(pembrolizumab)、雷莫蘆單抗(ramucirumab)、瑞西巴單抗(raxibacumab)、依庫其單抗(ecukinumab)、思圖昔單抗(siltuximab)、托珠單抗(tocilizumab)、優特克單抗(ustekinumab)、阿西珠單抗(alacizumab)、布洛蘇單抗(blosozumab)、洛莫松單抗(romosozumab)、司他莫單抗(stamulumab)、阿斯科林單抗(ascrinvacumab)、伊諾替珠單抗(enoticumab)、艾維那單抗(evinacumab)、依庫克單抗(icrucumab)、因克拉單抗(inclacumab)、內斯瓦庫單抗(nesvacumab)、奧替庫單抗(orticumab)、瑞奴庫單抗(rinucumab)、韋森庫單抗(vesencumab)、玻可昔單抗(bococizumab)、卡普拉單抗(caplacizumab)、登西珠單抗(demcizumab)、埃達珠單抗(etaracizumab)、拉帕珠單抗(ralpancizumab)、他度珠單抗(tadocizumab)、阿杜卡單抗(aducanumab)、阿提努單抗(atinumab)、法神單抗(fasinumab)、弗蘭努單抗(fulranumab)、甘特羅單抗(gantenerumab)、歐匹西單抗(opicinumab)、貝頻珠單抗(bapineuzumab)、克雷內單抗(crenezumab)、歐紮尼單抗(ozanezumab)、泊尼株單抗(ponezumab)、瑞法尼單抗(refanezumab)、索拉珠單抗(solanezumab)、他尼珠單抗(tanezumab)及維多珠單抗(vedolizumab)。
一種用於調節由經遺傳工程改造之CHO細胞產生之一或多種重組多肽的糖基化概況的方法，該方法包含： <br/>(a) 於培養基中在適合產生該一或多種重組多肽之條件下培養該CHO細胞，且在培養期間提高該培養基中乙醇之濃度，其中該乙醇之濃度係每日提高0.018%至0.15% (v/v)；及 <br/>(b) 產生該一或多種重組多肽， <br/>其中該培養基包含： <br/>(i) 基礎培養基或進料培養基；及 <br/>(ii) 乙醇， <br/>且其中該一或多種重組多肽與由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽相比，具有經調節之糖基化概況。
如請求項9之方法，其中該經調節之糖基化概況包含經調節之末端甘露糖聚糖種類。
如請求項9之方法，其中該經調節之糖基化包含調節選自以下之一或多個聚糖種類：甘露糖-5-N-乙醯基葡糖胺-2 (Man5)、甘露糖-6-N-乙醯基葡糖胺-2 (Man6)、甘露糖-3-N-乙醯基葡糖胺-4 (G0)、甘露糖-3-N-乙醯基葡糖胺-4-海藻糖(G0F)、甘露糖-3-N-乙醯基葡糖胺-4-半乳糖-1-海藻糖(G1F)及/或甘露糖-3-N-乙醯基葡糖胺-4-半乳糖-2-海藻糖(G2F)。
如請求項9之方法，其中該末端甘露糖聚糖種類比聚糖種類總和之比率經調節40%至50%。
如請求項9之方法，其中該一或多種重組多肽為抗體或其片段。
如請求項13之方法，其中該抗體為單株抗體。
如請求項14之方法，其中該單株抗體抑制增生細胞的生長。
如請求項13之方法，其中該抗體或其片段結合於HER2、TNF-α、VEGF-A、α4-整合素、CD20、CD52、CD25、CD11a、EGFR、呼吸道融合病毒(RSV)、醣蛋白IIb/IIIa、IgG1、IgE、補體成分5 (C5)、B細胞活化因子(BAFF)、CD19、CD30、介白素-1β (IL1β)、前列腺特異性膜抗原(PSMA)、CD38、RANKL、GD2、SLAMF7 (CD319)、前蛋白轉化酶枯草桿菌蛋白酶/科星蛋白酶9型(PCSK9)、達比加群、細胞毒性T淋巴細胞相關蛋白4 (CTLA4)、介白素-5 (IL-5)、計劃性細胞死亡蛋白(PD-1)、VEGFR2 (KDR)、炭疽芽孢桿菌之保護性抗原(PA)、介白素-17 (IL-17)、介白素-6 (IL-6)、介白素-6受體(IL6R)、介白素-12 (IL-12)、介白素23 (IL-23)、硬骨素(SOST)、肌肉抑制素(GDF-8)、活化素受體樣激酶1、德耳塔樣配體4 (DLL4)、血管生成素3、VEGFR1、選擇素、氧化型低密度脂蛋白(oxLDL)、血小板衍生生長因子受體β、神經纖毛蛋白1、溫韋伯氏因子(vWF)、整合素α<sub>V</sub>β<sub>3</sub>、神經細胞凋亡調節蛋白酶1、整合素α<sub>IIb</sub>β<sub>3</sub>、β-澱粉狀蛋白、內質網蛋白4 (RTN4)/神經突生長抑制劑(NOGO-A)、神經生長因子(NGF)、LINGO-1、髓鞘相關醣蛋白或整合素α4β7。
如請求項14之方法，其中該單株抗體係選自曲妥珠單抗、帕妥珠單抗、英利昔單抗、阿達木單抗、貝伐單抗、蘭比珠單抗、那他珠單抗、利妥昔單抗、阿侖單抗、達利珠單抗、依法利珠單抗、戈利木單抗、賽妥珠單抗、西妥昔單抗、帕尼單抗、帕利珠單抗、阿昔單抗、巴利昔單抗、替伊莫單抗、奧馬珠單抗、依庫麗單抗、阿利若單抗、貝利單抗、布林莫單抗、貝倫妥單抗、康納單抗、卡羅單抗、達土木單抗、德諾單抗、迪奴圖單抗、埃羅妥珠單抗、依伏洛單抗、艾達西單抗、伊匹單抗、美泊利單抗、耐昔妥珠單抗、尼沃單抗、奧妥珠單抗、奧法木單抗、派姆單抗、雷莫蘆單抗、瑞西巴單抗、依庫其單抗、思圖昔單抗、托珠單抗、優特克單抗、阿西珠單抗、布洛蘇單抗、洛莫松單抗、司他莫單抗、阿斯科林單抗、伊諾替珠單抗、艾維那單抗、依庫克單抗、因克拉單抗、內斯瓦庫單抗、奧替庫單抗、瑞奴庫單抗、韋森庫單抗、玻可昔單抗、卡普拉單抗、登西珠單抗、埃達珠單抗、拉帕珠單抗、他度珠單抗、阿杜卡單抗、阿提努單抗、法神單抗、弗蘭努單抗、甘特羅單抗、歐匹西單抗、貝頻珠單抗、克雷內單抗、歐紮尼單抗、泊尼株單抗、瑞法尼單抗、索拉珠單抗、他尼珠單抗及維多珠單抗。
一種用於調節由經遺傳工程改造之CHO細胞產生之一或多種重組多肽的高或低分子量種類之量的方法，該方法包含： <br/>(a) 於培養基中在適合產生該一或多種重組多肽之條件下培養該CHO細胞，且在培養期間提高該培養基中乙醇之濃度，其中該乙醇之濃度係每日提高0.018%至0.15% (v/v)；及 <br/>(b) 產生該一或多種重組多肽， <br/>其中該培養基包含： <br/>(i) 基礎培養基或進料培養基；及 <br/>(ii) 乙醇， <br/>且其中該一或多種重組多肽與由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽相比，高或低分子量種類之量減少。
如請求項18之方法，其中該一或多種重組多肽具有減少量之(a)高分子量種類；或(b)低分子量種類。
如請求項19之方法，其中該低分子量種類包含未完全組裝及/或摺疊的多肽片段。
如請求項19之方法，其中該高分子量種類包含大於一個次單位的重組多肽。
如請求項21之方法，其中該低分子量種類與所有(1)非聚集體；(2)低分子量種類；及(3)高分子量種類之總和的特定百分比比率，與由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽相比，相對於特定百分比比率有所調節。
如請求項22之方法，其中該高分子量種類與所有(1)非聚集體；(2)低分子量種類；及(3)高分子量種類之總和的特定百分比比率，與由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽相比，相對於特定百分比比率有所調節。
如請求項18之方法，其中該一或多種重組多肽為抗體或其片段。
如請求項24之方法，其中該抗體為單株抗體。
如請求項25之方法，其中該單株抗體抑制增生細胞的生長。
如請求項24之方法，其中該抗體或其片段結合於HER2、TNF-α、VEGF-A、α4-整合素、CD20、CD52、CD25、CD11a、EGFR、呼吸道融合病毒(RSV)、醣蛋白IIb/IIIa、IgG1、IgE、補體成分5 (C5)、B細胞活化因子(BAFF)、CD19、CD30、介白素-1β (IL1β)、前列腺特異性膜抗原(PSMA)、CD38、RANKL、GD2、SLAMF7 (CD319)、前蛋白轉化酶枯草桿菌蛋白酶/科星蛋白酶9型(PCSK9)、達比加群、細胞毒性T淋巴細胞相關蛋白4 (CTLA4)、介白素-5 (IL-5)、計劃性細胞死亡蛋白(PD-1)、VEGFR2 (KDR)、炭疽芽孢桿菌之保護性抗原(PA)、介白素-17 (IL-17)、介白素-6 (IL-6)、介白素-6受體(IL6R)、介白素-12 (IL-12)、介白素23 (IL-23)、硬骨素(SOST)、肌肉抑制素(GDF-8)、活化素受體樣激酶1、德耳塔樣配體4 (DLL4)、血管生成素3、VEGFR1、選擇素、氧化型低密度脂蛋白(oxLDL)、血小板衍生生長因子受體β、神經纖毛蛋白1、溫韋伯氏因子(vWF)、整合素α<sub>V</sub>β<sub>3</sub>、神經細胞凋亡調節蛋白酶1、整合素α<sub>IIb</sub>β<sub>3</sub>、β-澱粉狀蛋白、內質網蛋白4 (RTN4)/神經突生長抑制劑(NOGO-A)、神經生長因子(NGF)、LINGO-1、髓鞘相關醣蛋白或整合素α4β7。
如請求項25之方法，其中該單株抗體係選自曲妥珠單抗、帕妥珠單抗、英利昔單抗、阿達木單抗、貝伐單抗、蘭比珠單抗、那他珠單抗、利妥昔單抗、阿侖單抗、達利珠單抗、依法利珠單抗、戈利木單抗、賽妥珠單抗、西妥昔單抗、帕尼單抗、帕利珠單抗、阿昔單抗、巴利昔單抗、替伊莫單抗、奧馬珠單抗、依庫麗單抗、阿利若單抗、貝利單抗、布林莫單抗、貝倫妥單抗、康納單抗、卡羅單抗、達土木單抗、德諾單抗、迪奴圖單抗、埃羅妥珠單抗、依伏洛單抗、艾達西單抗、伊匹單抗、美泊利單抗、耐昔妥珠單抗、尼沃單抗、奧妥珠單抗、奧法木單抗、派姆單抗、雷莫蘆單抗、瑞西巴單抗、依庫其單抗、思圖昔單抗、托珠單抗、優特克單抗、阿西珠單抗、布洛蘇單抗、洛莫松單抗、司他莫單抗、阿斯科林單抗、伊諾替珠單抗、艾維那單抗、依庫克單抗、因克拉單抗、內斯瓦庫單抗、奧替庫單抗、瑞奴庫單抗、韋森庫單抗、玻可昔單抗、卡普拉單抗、登西珠單抗、埃達珠單抗、拉帕珠單抗、他度珠單抗、阿杜卡單抗、阿提努單抗、法神單抗、弗蘭努單抗、甘特羅單抗、歐匹西單抗、貝頻珠單抗、克雷內單抗、歐紮尼單抗、泊尼株單抗、瑞法尼單抗、索拉珠單抗、他尼珠單抗及維多珠單抗。
一種用於調節由經遺傳工程改造之CHO細胞產生之一或多種重組多肽的酸性或鹼性電荷種類之量的方法，該方法包含： <br/>(a) 於培養基中在適合產生該一或多種重組多肽之條件下培養該CHO細胞，且在培養期間提高該培養基中乙醇之濃度，其中該乙醇之濃度係每日提高0.018%至0.15% (v/v)；及 <br/>(b) 產生該一或多種重組多肽， <br/>其中該培養基包含： <br/>(i) 基礎培養基或進料培養基；及 <br/>(ii) 乙醇， <br/>且其中該一或多種重組多肽與由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽相比，酸性電荷種類之量減少。
如請求項29之方法，其中該酸性或鹼性電荷種類與所有(1)酸性種類；(2)主要種類；及(3)鹼性種類之總和的特定百分比比率，相對於由不在該培養基中培養的CHO細胞產生之重組多肽有所降低。
如請求項29之方法，其中該一或多種重組多肽為抗體或其片段。
如請求項31之方法，其中該抗體為單株抗體。
如請求項31之方法，其中該抗體或其片段結合於HER2、TNF-α、VEGF-A、α4-整合素、CD20、CD52、CD25、CD11a、EGFR、呼吸道融合病毒(RSV)、醣蛋白IIb/IIIa、IgG1、IgE、補體成分5 (C5)、B細胞活化因子(BAFF)、CD19、CD30、介白素-1β (IL1β)、前列腺特異性膜抗原(PSMA)、CD38、RANKL、GD2、SLAMF7 (CD319)、前蛋白轉化酶枯草桿菌蛋白酶/科星蛋白酶9型(PCSK9)、達比加群、細胞毒性T淋巴細胞相關蛋白4 (CTLA4)、介白素-5 (IL-5)、計劃性細胞死亡蛋白(PD-1)、VEGFR2 (KDR)、炭疽芽孢桿菌之保護性抗原(PA)、介白素-17 (IL-17)、介白素-6 (IL-6)、介白素-6受體(IL6R)、介白素-12 (IL-12)、介白素23 (IL-23)、硬骨素(SOST)、肌肉抑制素(GDF-8)、活化素受體樣激酶1、德耳塔樣配體4 (DLL4)、血管生成素3、VEGFR1、選擇素、氧化型低密度脂蛋白(oxLDL)、血小板衍生生長因子受體β、神經纖毛蛋白1、溫韋伯氏因子(vWF)、整合素α<sub>V</sub>β<sub>3</sub>、神經細胞凋亡調節蛋白酶1、整合素α<sub>IIb</sub>β<sub>3</sub>、β-澱粉狀蛋白、內質網蛋白4 (RTN4)/神經突生長抑制劑(NOGO-A)、神經生長因子(NGF)、LINGO-1、髓鞘相關醣蛋白或整合素α4β7。
如請求項32之方法，其中該單株抗體係選自曲妥珠單抗、帕妥珠單抗、英利昔單抗、阿達木單抗、貝伐單抗、蘭比珠單抗、那他珠單抗、利妥昔單抗、阿侖單抗、達利珠單抗、依法利珠單抗、戈利木單抗、賽妥珠單抗、西妥昔單抗、帕尼單抗、帕利珠單抗、阿昔單抗、巴利昔單抗、替伊莫單抗、奧馬珠單抗、依庫麗單抗、阿利若單抗、貝利單抗、布林莫單抗、貝倫妥單抗、康納單抗、卡羅單抗、達土木單抗、德諾單抗、迪奴圖單抗、埃羅妥珠單抗、依伏洛單抗、艾達西單抗、伊匹單抗、美泊利單抗、耐昔妥珠單抗、尼沃單抗、奧妥珠單抗、奧法木單抗、派姆單抗、雷莫蘆單抗、瑞西巴單抗、依庫其單抗、思圖昔單抗、托珠單抗、優特克單抗、阿西珠單抗、布洛蘇單抗、洛莫松單抗、司他莫單抗、阿斯科林單抗、伊諾替珠單抗、艾維那單抗、依庫克單抗、因克拉單抗、內斯瓦庫單抗、奧替庫單抗、瑞奴庫單抗、韋森庫單抗、玻可昔單抗、卡普拉單抗、登西珠單抗、埃達珠單抗、拉帕珠單抗、他度珠單抗、阿杜卡單抗、阿提努單抗、法神單抗、弗蘭努單抗、甘特羅單抗、歐匹西單抗、貝頻珠單抗、克雷內單抗、歐紮尼單抗、泊尼株單抗、瑞法尼單抗、索拉珠單抗、他尼珠單抗及維多珠單抗。
如請求項1之方法，其中該乙醇以0.001%至4%(v/v)之濃度存在。
如請求項1之方法，其中該培養基另外包含(c)一或多種脂肪酸；及/或(d)一或多種鋰離子源。
如請求項36之方法，其中該一或多種脂肪酸係選自由以下組成之群：油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、瑞香草酚、膽固醇乙酸酯、辛酸甲酯、1-辛醯基-外消旋-甘油、膽固醇、丁酸(C4)、戊酸(C5)、己酸(C6)、庚酸(C7)、辛酸(C8)、壬酸(C9)、癸酸(C10)、十一酸(C11)、月桂酸(C12)、十三酸(C13)、肉豆蔻酸(C14)、十五酸(C15)、十七酸(C17)、十九酸(C19)、花生酸(C20)、二十一酸(C21)、二十二酸(C22)、二十三酸(C23)、二十四酸(C24)、二十五酸(C25)、蠟酸(C26)、二十七酸(C27)、二十八酸(C28)、二十九酸(C29)、三十酸(C30)、三十一酸(C31)、三十二酸(C32)、三十三酸(C33)、三十四酸(C34)、三十五酸(C35)、三十六酸(C36)、三十七酸(C37)及三十八酸(C38)。
如請求項36之方法，其中該一或多種脂肪酸以1 µM至4 mM之濃度存在。
如請求項36之方法，其中該一或多種鋰離子源係選自乙酸鋰、氯化鋰、碳酸鋰、氧基丁酸鋰、乳清酸鋰、溴化鋰、檸檬酸鋰、氟化鋰、碘化鋰、硝酸鋰及硫酸鋰中之一或多者之群。
如請求項36之方法，其中該等鋰離子係以0.1 μM至25 mM之濃度存在。
如請求項1之方法，其中該一或多種重組多肽之效價與由不在該培養基中培養之CHO細胞產生的重組多肽之效價相比有所升高。
如請求項1之方法，其中由該等細胞產生之該一或多種重組多肽之高分子量種類的量，與由不在該培養基中培養之CHO細胞產生之重組多肽相比有所調節。
如請求項1之方法，其中由該等細胞產生之該一或多種重組多肽之低分子量種類的量，與由不在該培養基中培養之CHO細胞產生之重組多肽相比有所調節。
如請求項1、9、18及29中任一項之方法，其中該培養基中乙醇之濃度係每日提高0.018%、0.05%、0.057%、0.072%、0.09%、0.1%、0.144%或0.15% (v/v)。
如請求項1、9、18及29中任一項之方法，其中乙醇之濃度係每日提高至範圍為0.2%至1.58% (v/v)之累積濃度。
如請求項45之方法，其中該培養基中之累積乙醇濃度係0.2%、0.51%、0.79%、1.35%或1.58% (v/v)。
一種用於雷射圖案化一半導體元件基板的系統，包含： <br/>一二極體泵送固態雷射源，經構造為產生一脈衝雷射束，該雷射源包含一平板增益介質，該雷射源進一步具有以下特徵： <br/>在約0.25 mJ與約10 mJ之間的一脈衝能； <br/>在約1 ns與約4000 ns之間的一脈衝寬度；及 <br/>在約1 kHz與約200 kHz之間的一脈衝頻率； <br/>一大角度電流計光學掃描器； <br/>一第一遠心透鏡，具有橫向尺寸實質上等於或大於約137 mm的一視野(FOV)，該第一遠心透鏡具有在約30 mm與約500 mm之間的一工作距離；及 <br/>一第二遠心透鏡，具有橫向尺寸實質上等於或大於約137 mm的FOV及在約30 mm與約500 mm之間的一工作距離。
如請求項1所述的系統，其中該雷射源係一紅外(IR)雷射源。
如請求項1所述的系統，其中該第一遠心透鏡具有小於約5°的一遠心誤差值。
如請求項1所述的系統，其中該第一遠心透鏡專用於IR波長並且該第二遠心透鏡專用於UV波長。
如請求項4所述的系統，其中該第一及該第二遠心透鏡的一最大遠心誤差及標稱斑點大小實質上相同。
如請求項1所述的系統，進一步包含與該雷射源及該電流計光學掃描器通訊的一控制器，該控制器經構造為調變該雷射源的該脈衝能、該脈衝寬度、及該脈衝頻率。
如請求項6所述的系統，其中該控制器進一步構造為調變該雷射源的一脈衝形狀。
如請求項7所述的系統，該雷射源的該脈衝形狀係矩形或椅形。
如請求項6所述的系統，進一步包含在線性及平行軌道上安置的一可調節平台。
如請求項9所述的系統，其中該可調節平台經構造為接收具有約156 mm或更大的橫向尺寸的一基板。
如請求項9所述的系統，其中該可調節平台耦合到一線性平台編碼器以將該平台的位置資訊提供到該控制器。
如請求項11所述的系統，進一步包含指向該可調節平台並且與該控制器通訊的一照相機。
如請求項12所述的系統，其中該照相機、該可調節平台、及該控制器形成用於該電流計光學掃描器的位置校準的一封閉迴路校準系統。
如請求項1所述的系統，進一步包含用於在該系統的一處理區域中產生循環氣體的一交叉流的一碎屑收集器。
一種用於雷射圖案化一半導體元件基板的系統，包含： <br/>一二極體泵送固態雷射源，經構造為產生一脈衝雷射束，該雷射源包含一平板增益介質，該雷射源進一步具有以下特徵： <br/>在約0.25 mJ與約10 mJ之間的一脈衝能； <br/>在約1 ns與約4000 ns之間的一脈衝寬度；及 <br/>在約1 kHz與約200 kHz之間的一脈衝頻率； <br/>一電流計光學掃描器； <br/>一第一遠心透鏡，具有橫向尺寸實質上等於或大於約137 mm的一視野(FOV)，該遠心透鏡具有在約30 mm與約500 mm之間的一工作距離； <br/>一第二遠新透鏡，具有實質上等於該第一遠新透鏡的橫向尺寸的FOV；及 <br/>一可調節平台，具有雙向移動，該平台的該移動與該電流計光學掃描器的一移動同步。
如請求項15所述的系統，其中該第一遠心透鏡具有小於約5°的一遠心誤差值。
如請求項15所述的系統，其中該第一遠心透鏡專用於IR波長並且該第二遠心透鏡專用於UV波長。
一種用於雷射圖案化一半導體元件基板的系統，包含： <br/>一二極體泵送固態雷射源，經構造為產生一脈衝雷射束，該雷射源包含一紅外(IR)平板增益介質，該雷射源進一步具有以下特徵： <br/>在約0.25 mJ與約10 mJ之間的一脈衝能； <br/>在約1 ns與約4000 ns之間的一脈衝寬度；及 <br/>在約1 kHz與約200 kHz之間的一脈衝頻率； <br/>一電流計光學掃描器； <br/>一第一遠心透鏡，具有橫向尺寸實質上等於或大於約137 mm的一視野(FOV)，該遠心透鏡具有在約30 mm與約500 mm之間的一工作距離； <br/>一可調節平台，具有雙向移動，該平台經構造為從一裝載位置平移到用於雷射圖案化的一處理位置及用於校準該電流計光學掃描器的一絕對位置；及 <br/>一控制器，與該雷射源、該電流計光學掃描器、及該可調節平台通訊，該控制器經構造為調變該雷射源的該脈衝能、該脈衝寬度、及該脈衝頻率。
一種脂質奈米粒子(LNP)，其包含：- 可離子化的脂質；- 磷脂；- 固醇；- PEG脂質；及- 一種或多種mRNA分子；其特徵在於：- 該PEG脂質為C14-PEG脂質；- 該LNP包含小於1mol%之該PEG脂質；- 該可離子化的脂質之莫耳百分比為55~60mol%之間；- 該磷脂之莫耳百分比為5~10mol%之間；及- 該固醇之莫耳百分比為25~39.5mol%之間。
如請求項1之脂質奈米粒子(LNP)，其包含：- 可離子化的脂質；- 磷脂；- 固醇；- PEG脂質；及- 一種或多種mRNA分子；其特徵在於：- 該PEG脂質為C14-PEG脂質；- 該LNP包含小於1mol%之該PEG脂質；- 該可離子化的脂質之莫耳百分比為55~60mol%之間；- 該磷脂之莫耳百分比為5~10mol%之間；及- 該固醇之莫耳百分比為30~39.5mol%之間。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該可離子化的脂質對該磷脂之比例高於5：1。
如請求項3之脂質奈米粒子，其中該可離子化的脂質對該磷脂之比例為6：1至11：1之間。
如請求項3之脂質奈米粒子，其中該可離子化的脂質對該磷脂之比例為11：1。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該C14-PEG脂質為C14-PEG2000脂質。
如請求項6之脂質奈米粒子，其中該C14-PEG2000脂質選自包含以下所列：DMG-PEG2000及DMPE-PEG2000。
如請求項7之脂質奈米粒子，其中該C14-PEG2000脂質為DMG-PEG2000。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該可離子化的脂質選自包含以下所列：- 1,1‘-((2-(4-(2-((2-(雙(2-羥基十二烷基)胺基)乙基)(2-羥基十二烷基)胺基)乙基)哌<img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>-1-基)乙基)氮烷二基)雙(十二烷基-2-醇)(C12-200)；- 二亞麻油基甲基-4-二甲基胺基丁酸酯(DLin-MC3-DMA)；或- 式(I)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="68px" width="179px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中：RCOO 選自包含以下所列：肉豆蔻醯基、α-D-生育酚琥珀醯基、亞油醯基及油醯基；且X選自包含以下所列：<figure><img align="absmiddle" height="76px" width="422px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>
如請求項9之脂質奈米粒子，其中該可離子化的脂質為式(I)之脂質，其中RCOO為α-D-生育酚琥珀醯基，且X為<figure><img align="absmiddle" height="78px" width="210px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該磷脂選自包含以下所列：DOPE、DOPC、DSPC及其等之混合物。
如請求項11之脂質奈米粒子，其中該磷脂選自包含以下所列：DOPE、DOPC及其等之混合物。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該固醇選自包含以下所列：膽固醇、麥角固醇、菜油固醇、氧固醇、樟芝素(antrosterol)、鏈固醇(desmosterol)、尼卡固醇(nicasterol)、穀固醇(sitosterol)及豆固醇。
如請求項13之脂質奈米粒子，其中該固醇為膽固醇。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該LNP包含：- 56.5mol%之該可離子化的脂質；- 5mol%之DOPE；- 38mol%之膽固醇；及- 0.5mol%之DMG-PEG2000。
一種脂質奈米粒子(LNP)，其中該LNP包含：- 65mol%之該可離子化的脂質；- 9.5mol%之DOPE；- 25mol%之膽固醇；及- 0.5mol%之DMG-PEG2000。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該一種或多種mRNA分子係編碼免疫調節多肽之mRNA及/或編碼抗原之mRNA。
如請求項1之脂質奈米粒子，其中該一種或多種mRNA分子係編碼CD40L、CD70及caTLR4之mRNA分子；及/或編碼抗原之mRNA。
一種醫藥組成物或疫苗，其包含一種或多種如請求項1至18中任一項之脂質奈米粒子、及可接受的醫藥載劑。
如請求項1至18中任一項之脂質奈米粒子，其係用於人類或獸醫之藥物。
如請求項19之醫藥組成物或疫苗，其係用於人類或獸醫之藥物。
如請求項1至18中任一項之脂質奈米粒子，其係用於治療癌症或傳染性疾病。
如請求項19之醫藥組成物或疫苗，其係用於治療癌症或傳染性疾病。
一種用於處理一組半導體晶圓之半導體晶圓處理系統，該系統包括：<br/>一控制器；<br/>一傳送機器人，其由該控制器控制；<br/>一濕浴，其用於容納一清潔溶液；及<br/>一匣，其定位於該濕浴中用於固持該組晶圓，其中該傳送機器人將該晶圓自一傳送位置傳送至該匣且該控制器在該傳送期間控制該傳送機器人，<br/>其中該濕浴包括自該濕浴之一底部延伸之一自動引導車(AGV)定心引導件，及用於當一AGV將該匣定位至該濕浴內時將該匣引導至定位之一匣台引導件。
如請求項1之晶圓處理系統，其中該傳送機器人包含一6軸機器人及附接至該6軸機器人之用於在該傳送位置與該濕浴之間的該傳送期間固持該晶圓之一晶圓端執行器。
如請求項1之晶圓處理系統，其進一步包括用於將該晶圓自一拋光器傳送至該傳送位置之一卸載機器人。
如請求項3之晶圓處理系統，其中該卸載機器人包含一6軸機器人。
如請求項3之晶圓處理系統，其中該卸載機器人包含用於在該拋光器與該傳送位置之間的該傳送期間固持該晶圓之一真空附件。
如請求項3之晶圓處理系統，其中該拋光器包含一雙面拋光器，且該組半導體晶圓包含至少5個半導體晶圓。
如請求項1之晶圓處理系統，其中該AGV包含用於將該匣定位於該濕浴中且將該匣自該濕浴移除之一機械臂。
如請求項7之晶圓處理系統，其中該AGV包含附接至該機械臂用於將該AGV附接至該匣之一匣傳送附件。
如請求項8之晶圓處理系統，其中該匣傳送附件包含用於附接至該匣傳送附件至該匣之一匣夾及用於當該AGV將該匣定位於該濕浴內時將該匣定位於該濕浴內之一定心桿。
一種用於處理一晶圓之晶圓處理系統，該系統包括：<br/>一傳送機器人；<br/>一濕浴，其包含一壁且界定用於容納一清潔溶液之一容器；<br/>一匣，其定位於該濕浴內用於固持該晶圓，其中該傳送機器人將該晶圓自一傳送位置傳送至該匣；<br/>一自動引導車(AGV)，其包含用於將該匣定位於該濕浴中且將該匣自該濕浴移除之一機械臂；及<br/>一匣固持器，其附接至該壁用於固持該匣在該濕浴內之一位置，其中該AGV將該匣定位於該匣固持器內且自該匣固持器移除該匣，<br/>其中該濕浴進一步包括自該濕浴之一底部延伸之一AVG定心引導件，及用於當該AGV將該匣定位至該濕浴內時將該匣引導至定位之一匣台引導件。
如請求項10之晶圓處理系統，其中該匣固持器包含用於接合該等晶圓之延伸部，其中在該AGV將該匣定位於該濕浴內之後旋轉該匣固持器使得該等延伸部在該等晶圓之間相互交叉。
如請求項10之晶圓處理系統，其進一步包括用於當該AGV自該濕浴移除該匣時將該清潔溶液保留於該濕浴內之一流體捕集器，其中該流體捕集器可在一儲存組態與一延伸組態之間移動。
如請求項10之晶圓處理系統，其中該AGV定心引導件包含界定一開口之一管。
如請求項13之晶圓處理系統，其中該AGV包含具有一定心桿之一匣傳送附件，其中當該AGV將該匣定位於該濕浴內時，該定心桿滑入該AGV定心引導件之該開口中以將該匣定位於該濕浴內。
一種處理一晶圓之方法，該方法包括：<br/>用一自動引導車(AGV)將一匣定位於一濕浴內；<br/>用一傳送機器人將該晶圓自一傳送位置傳送至該匣；及<br/>用該AGV自該濕浴移除該匣及該晶圓，<br/>其中該濕浴包括自該濕浴之一底部延伸之一AVG定心引導件，及用於當該AGV將該匣定位至該濕浴內時將該匣引導至定位之一匣台引導件。
如請求項15之方法，其進一步包括：<br/>用一拋光器拋光該晶圓；及<br/>用一卸載機器人將該晶圓自該拋光器傳送至該傳送位置。
如請求項16之方法，其中用該AGV將該匣定位於該濕浴內包括：用該AGV定心引導件及一定心桿將該匣定心於該濕浴內。
如請求項15之方法，其進一步包括用一匣固持器維持該匣在該濕浴內之一位置。
如請求項18之方法，其中該匣固持器包含用於接合該等晶圓之延伸部，該方法進一步包括在該AGV將該匣定位於該濕浴內之後旋轉該匣固持器使得該等延伸部在該等晶圓之間相互交叉。
一種半導體裝置的形成方法，包括：自第一基底的第一矽層形成第一波導，所述第一基底具有所述第一矽層、第二矽層及在所述第一矽層與所述第二矽層之間的絕緣層；在所述第一波導上方形成鈍化層；在所述鈍化層上方形成光子晶粒；將電子晶粒附接至所述光子晶粒；在所述第二矽層中形成腔；以及用第一回填材料填充所述腔，其中所述第一回填材料在所述第一基底的邊緣上，其中所述第一回填材料重疊於所述第一波導。
如請求項1所述的半導體裝置的形成方法，更包括：將所述第一基底附接至封裝基底。
如請求項2所述的半導體裝置的形成方法，更包括：將第一光纖附接單元附接至所述封裝基底，其中所述第一光纖附接單元包括光纖，其中所述光纖與所述第一波導對準。
如請求項3所述的半導體裝置的形成方法，其中將所述第一光纖附接單元附接至所述封裝基底包括使用透明黏著劑附接所述第一光纖附接單元，其中所述透明黏著劑在所述第一光纖附接單元與所述光子晶粒之間延伸。
如請求項3所述的半導體裝置的形成方法，更包括：沿著所述電子晶粒的側壁形成包封體；以及將支撐基底附接至所述電子晶粒及所述包封體，所述支撐基底具有對準調整片，其中將所述第一光纖附接單元附接至所述封裝基底包括將所述對準調整片與所述第一光纖附接單元的對準凹口對準。
如請求項3所述的半導體裝置的形成方法，其中所述光纖重疊於所述第一回填材料。
一種半導體裝置的形成方法，包括：形成與第一氧化物層相鄰的第一波導；形成與所述第一波導相鄰且光耦合到所述第一波導的光子晶粒；將電子晶粒與所述光子晶粒混合接合；以及相對於所述第一波導鄰近所述第一氧化物層形成第二波導，所述第二波導通過所述第一氧化物層光耦合到所述第一波導。
如請求項7所述的半導體裝置的形成方法，更包括：在形成所述第二波導之前，將所述光子晶粒、所述電子晶粒及模製穿孔包封在包封體中，其中形成所述第二波導包括以聚合物材料形成所述第二波導。
一種半導體裝置，包括：鄰近半導體基底的第一氧化物基底結構；氧化物層，在所述半導體基底及所述第一氧化物基底結構上方；第一波導，在所述氧化物層上方；光子晶粒，在所述氧化物層上方且光耦合到所述第一波導；以及電子晶粒，電耦合到所述光子晶粒。
如請求項9所述的半導體裝置，更包括：第二氧化物基底結構，延伸穿過所述半導體基底，其中所述第一氧化物基底結構包括第一材料，且所述第二氧化物基底結構包括與所述第一材料不同的第二材料。
一種自鑽鑿螺絲(10)，其包括一頭部(20)、至少部分地帶有一螺紋(35)之一軸件(30)及一鑽尖(40)，包含該鑽尖(40)之該螺絲(10)之基材由具有400至600 HV 0.3之一表面硬度(無塗層)之一沃斯田300系列鋼一體地製造，其特徵在於沈積於該沃斯田基材上之具有12至15%之間的一鎳含量之一鋅鎳塗層。
如請求項1之自鑽鑿螺絲，其中該螺絲(10)由原始沃斯田300系列鋼之一坯料製造，該坯料在一第一次操作中藉由冷成型進行初始擠壓以減小其直徑，且在後續冷成型操作中形成該頭部、該鑽尖及一螺紋。
如請求項1之自鑽鑿螺絲，其中該鋅鎳塗層之厚度在5至30 μm之間。
如請求項1之自鑽鑿螺絲，其中該鋅鎳塗層展現410至450 HV 0.1之間的一維克氏硬度。
如請求項1之自鑽鑿螺絲，其中該鋅鎳塗層展現包括一蠟、一精細分散的熱塑性塑料或兩者之一進一步潤滑塗層。
如請求項5之自鑽鑿螺絲，其中該潤滑塗層主要施加至該螺絲之該鑽尖及該軸件。
一種鋅鎳塗層之用途，該鋅鎳塗層係應用於一自鑽鑿螺絲(10)之表面上以增強其鑽鑿效能，該螺絲(10)包括一頭部(20)、至少部分地帶有一螺紋(35)之一軸件(30)及一鑽尖(40)，包含該鑽尖(40)之該螺絲(10)之基材由具有400至600 HV 0.3之一表面硬度(無塗層)之一沃斯田300系列鋼一體地製造。
如請求項7之鋅鎳塗層之用途，其中該鋅鎳塗層具有5至30 μm之間的一厚度。
如請求項7之鋅鎳塗層之用途，其中該鋅鎳塗層展現410至450 HV 0.1之間的一維克氏硬度。
一種乙烯醇系聚合物，其係將乙烯酯單體與多官能性單體之共聚物進行皂化而獲得，1質量%水溶液之660 nm之透過率(A)與1質量%水溶液之430 nm之透過率(B)的差(A－B)為15.7～25，且1質量%水溶液之200 nm～800 nm之波長全域之透過率為90%以下。
如請求項1之乙烯醇系聚合物，其黃色指數為10以下。
如請求項1或2之乙烯醇系聚合物，其為油井水泥用添加劑。
一種熱固化性有機矽組成物，其包含：(A)分子鏈兩末端烯基封端的直鏈狀有機聚矽氧烷，其由以下結構式表示：R<sup>1</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO(R<sup>2</sup><sub>2</sub>SiO)<sub>n</sub>SiR<sup>1</sup>R<sup>2</sup><sub>2</sub>，式中，R<sup>1</sup>為烯基，R<sup>2</sup>各自獨立地為C1-12烷基，n為5-1500的整數；(B)在分子鏈末端具有至少兩個烯基的樹脂狀有機聚矽氧烷，其中烯基在(B)成分的全部矽原子鍵合官能基中所占的量，相對於該全部矽原子鍵合官能基的量，為6莫耳%以上；(C)在分子鏈側鏈上具有至少兩個矽原子鍵合氫原子的有機氫聚矽氧烷；以及(D)固化反應用催化劑，其中該組成物進一步包含甲基-三(3-甲基-1-丁炔-3-氧)矽烷作為反應抑制劑。
如請求項1所述之熱固化性有機矽組成物，其中，(C)成分的有機氫聚矽氧烷為直鏈狀。
一種包含如請求項1所述之熱固化性有機矽組成物的密封材料。
一種光半導體裝置，其特徵在於，其由請求項3所述之密封材料密封。
一種由一無線設備進行無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/>基於一時間窗上的時間平均射頻（RF）暴露量測結果，以一第一發射功率發射一第一訊號；<br/>儲存與該時間窗相關聯的RF暴露資訊；<br/>偵測與該無線設備相關聯的一異常事件發生；及<br/>回應於該異常事件的該偵測以及回應於該RF暴露資訊通過一可靠性檢查的一決定，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以一第二發射功率發射一第二訊號。
根據請求項1之方法，其中儲存該RF暴露資訊包括週期性地儲存該RF暴露資訊。
根據請求項1之方法，其中儲存該RF暴露資訊包括以下步驟：將該RF暴露資訊儲存在抵抗來自該異常事件的破壞的一記憶體中。
根據請求項1之方法，其中：<br/>儲存該RF暴露資訊包括以下步驟：<br/>將該RF暴露資訊與一時間戳記一起儲存，該時間戳記對應於產生一最近的時間平均RF暴露量測結果的時間，以及<br/>從抵抗該異常事件的一計數器獲得該時間戳記；並且<br/>發射該第二訊號包括以下步驟：回應於決定該RF暴露資訊的該時間戳記在一當前時間窗內，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項1之方法，其中儲存該RF暴露資訊包括：將該RF暴露資訊與一校驗值一起儲存，該校驗值包括該RF暴露資訊的一循環冗餘檢查（CRC）中的一餘數。
根據請求項5之方法，其中發射該第二訊號包括以下步驟：回應於決定該RF暴露資訊的該CRC與該校驗值匹配，基於利用所儲存的該RF暴露資訊補充一當前時間窗的時間平均RF暴露量測結果，以該第二發射功率發射該第二訊號，其中所通過的該可靠性檢查包括當該RF暴露資訊的該CRC匹配該校驗值時。
根據請求項1之方法，其中發射該第二訊號包括以下步驟：基於利用所儲存的該RF暴露資訊補充時間平均RF暴露量測結果，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項7之方法，其中發射該第二訊號包括以下步驟：當從一當前時間窗中缺少至少一個RF暴露量測結果時，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項1之方法，其中該RF暴露資訊包括以下步驟：該時間平均RF暴露量測結果之一和，或該時間平均RF暴露量測結果之每一者量測結果的單獨值。
根據請求項1之方法，其中該異常事件包括一錯誤、一重定、一系統故障或一重啟中的至少一個，其影響在發射該第一訊號和該第二訊號中使用的該無線設備或一數據機的一操作。
根據請求項1之方法，其中該時間平均RF暴露量測結果包括一時間平均比吸收率（SAR）或一時間平均功率密度（PD）中的至少一個。
根據請求項1之方法，其中發射該第二訊號是基於對該異常事件的一類型的一決定。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/>一發射器，被配置為：基於一時間窗上的時間平均射頻（RF）暴露量測結果，以一第一發射功率發射一第一訊號；<br/>一記憶體；及<br/>一處理器，被耦合到該記憶體，該處理器和該記憶體被配置為：<br/>儲存與該時間窗相關聯的RF暴露資訊，以及<br/>偵測與該裝置相關聯的一異常事件發生；<br/>其中該發射器亦被配置為：回應於該異常事件的該偵測以及回應於該RF暴露資訊通過一可靠性檢查的一決定，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以一第二發射功率發射一第二訊號。
根據請求項13之裝置，亦包括被耦合到該發射器和該處理器的一數據機，該數據機被配置為：向該發射器提供關於該第一發射功率和該第二發射功率的指令。
根據請求項13之裝置，其中該處理器和該記憶體亦被配置為週期性地儲存該RF暴露資訊。
根據請求項13之裝置，其中該記憶體抵抗來自該異常事件的破壞。
根據請求項13之裝置，亦包括一計數器，該計數器被配置為提供一時間戳記並且抵抗該異常事件，其中：<br/>該處理器和該記憶體亦被配置為：<br/>從該計數器獲得該時間戳記，以及<br/>將該RF暴露資訊與該時間戳記一起儲存，該時間戳記對應於產生一最近的時間平均RF暴露量測結果的時間；並且<br/>該發射器亦被配置為：回應於決定該RF暴露資訊的該時間戳記在一當前時間窗內，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項17之裝置，亦包括一功率管理積體電路（PMIC），其中該計數器與該PMIC整合在一起。
根據請求項13之裝置，其中該處理器和該記憶體亦被配置為：將該RF暴露資訊與一校驗值一起儲存，該校驗值包括該RF暴露資訊的一循環冗餘檢查（CRC）中的一餘數。
根據請求項19之裝置，其中該發射器亦被配置為：回應於決定該RF暴露資訊的該CRC與該校驗值匹配，基於利用所儲存的該RF暴露資訊補充一當前時間窗的時間平均RF暴露量測結果，以該第二發射功率發射該第二訊號，其中所通過的該可靠性檢查包括當該RF暴露資訊的該CRC匹配該校驗值時。
根據請求項13之裝置，其中該發射器亦被配置為：基於利用所儲存的該RF暴露資訊補充時間平均RF暴露量測結果，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項21之裝置，其中該發射器亦被配置為：當從該時間窗缺少至少一個RF暴露量測結果時，至少部分地基於所儲存的該RF暴露資訊，以該第二發射功率發射該第二訊號。
根據請求項13之裝置，其中該RF暴露資訊包括：該時間平均RF暴露量測結果之一和，或該時間平均RF暴露量測結果之每一者量測結果的單獨值。
根據請求項13之裝置，其中該異常事件包括一錯誤、一重定、一系統故障或一重啟中的至少一個，其影響在發射該第一訊號和該第二訊號中使用的該裝置或一數據機的一操作，並且其中該時間平均RF暴露量測結果包括一時間平均比吸收率（SAR）或一時間平均功率密度（PD）中的至少一個。
根據請求項13之裝置，其中該處理器和該記憶體被配置為：決定來自該裝置的傳輸在對應於該異常事件的一部分時間期間停止，並且其中該發射器被配置為：基於該決定，以該第二發射功率發射該第二訊號。
一種由一使用者設備（UE）進行無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/>基於一時間窗上的時間平均射頻（RF）暴露量測結果，以一第一發射功率發射一第一訊號；<br/>儲存與該時間窗相關聯的RF暴露資訊；<br/>偵測與該UE相關聯的一異常事件發生；<br/>決定與一最近的時間平均RF暴露量測結果相對應的一時間戳記不在一當前時間窗內，或決定一校驗值未通過該RF暴露資訊的一循環冗餘檢查（CRC）；及<br/>基於該決定，在一故障安全模式下，以一第二發射功率發射一第二訊號。
根據請求項26之方法，包括從抵抗該異常事件的一計數器獲得該時間戳記。
根據請求項26之方法，其中該第二發射功率基於在該當前時間窗的一先前部分上一最大的一發射功率或暴露來被決定。
根據請求項26之方法，其中在該故障安全模式下，不利用所儲存的該RF暴露資訊補充該當前時間窗的時間平均RF暴露量測結果。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/>一發射器，被配置為：基於一時間窗上的時間平均射頻（RF）暴露量測結果，以一第一發射功率發射一第一訊號；<br/>一記憶體；及<br/>一處理器，被耦合到該記憶體，該處理器和該記憶體被配置為：<br/>儲存與該時間窗相關聯的RF暴露資訊，<br/>偵測與該無線設備相關聯的一異常事件發生，以及<br/>決定該RF暴露資訊在一當前時間窗之外，或決定該RF暴露資訊未通過一可靠性檢查；<br/>其中該發射器亦被配置為：基於該決定，在一故障安全模式下，以一第二發射功率發射一第二訊號。
一種結構體，其係具有：<br/>絕緣膜；<br/>複數個導體，沿厚度方向貫通前述絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置，<br/>前述導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上之至少一側表面突出；及<br/>樹脂層，設置於前述絕緣膜的前述至少一側表面上，且覆蓋前述複數個導體中的一部分，並暴露出前述複數個導體中的另一部分，使得被前述樹脂層覆蓋的前述導體與前述結構體的接合目標的導電部接合。
如請求項1所述之結構體，其中<br/>前述導體分別從前述絕緣膜的前述厚度方向上之兩面突出，<br/>前述樹脂層分別局部覆蓋前述絕緣膜的前述厚度方向上之前述兩面的各表面。
如請求項1所述之結構體，其中<br/>前述導體的平均突出長度小於前述樹脂層的平均厚度。
如請求項1至請求項3之任一項所述之結構體，其中<br/>在將由前述樹脂層覆蓋之前述絕緣膜的面積設為Sa、將沒有設置前述樹脂層的前述絕緣膜的面積設為Sb、將前述導體的平均突出高度設為Hd、將前述樹脂層的平均厚度設為hm時，滿足<br/>0.7≤（Sb×2/3×Hd）/（Sa×（hm-Hd））≤1.5。
如請求項1至請求項3之任一項所述之結構體，其中<br/>前述樹脂層由微細圖案形成。
如請求項1至請求項3之任一項所述之結構體，其中<br/>設置於前述絕緣膜的前述厚度方向上之前述兩面上之前述樹脂層分別以相同的圖案形成。
如請求項1至請求項3之任一項所述之結構體，其中<br/>前述絕緣膜由陽極氧化膜構成。
一種結構體的製造方法，其具有：<br/>在具有沿厚度方向延伸之複數個細孔之絕緣膜中填充導電性物質而形成複數個導體之步驟；<br/>突出步驟，使前述複數個導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上之至少一側表面突出；及<br/>形成步驟，在前述絕緣膜的前述複數個導體突出之前述表面上局部形成樹脂層，<br/>其中前述樹脂層覆蓋前述複數個導體中的一部分，並暴露出前述複數個導體中的另一部分，使得被前述樹脂層覆蓋的前述導體與前述結構體的接合目標的導電部接合。
如請求項8所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述樹脂層的形成步驟使用噴墨法。
如請求項8所述之結構體的製造方法，其中<br/>樹脂層的前述形成步驟在前述絕緣膜的前述導體突出之前述表面的整個表面上形成前述樹脂層之後，局部去除。
如請求項8所述之結構體的製造方法，其中<br/>樹脂層的前述形成步驟在前述絕緣膜的前述導體突出之前述表面的整個表面上形成前述樹脂層之後，局部去除形成於前述絕緣膜的端部之前述樹脂層。
如請求項8至請求項11之任一項所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述導體的突出步驟為使前述導體分別從前述絕緣膜的前述厚度方向上之兩面突出之步驟，<br/>樹脂層的前述形成步驟在前述絕緣膜的前述厚度方向上之前述兩面的各表面上分別局部形成前述樹脂層。
如請求項8至請求項11之任一項所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述導體的平均突出長度小於前述樹脂層的平均厚度。
如請求項8至請求項11之任一項所述之結構體的製造方法，其中<br/>在將由前述樹脂層覆蓋之前述絕緣膜的面積設為Sa、將沒有設置前述樹脂層的前述絕緣膜的面積設為Sb、將前述導體的平均突出高度設為Hd、將前述樹脂層的平均厚度設為hm時，滿足<br/>0.7≤（Sb×2/3×Hd）/（Sa×（hm-Hd））≤1.5。
如請求項12所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述形成步驟在前述絕緣膜的前述厚度方向上之前述兩面上分別以相同的圖案形成前述樹脂層。
如請求項13所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述形成步驟在前述絕緣膜的前述厚度方向上之兩面上分別以相同的圖案形成前述樹脂層。
如請求項14所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述形成步驟在前述絕緣膜的前述厚度方向上之兩面上分別以相同的圖案形成前述樹脂層。
如請求項8至請求項11之任一項所述之結構體的製造方法，其中<br/>前述絕緣膜由陽極氧化膜構成。
一種接合體的製造方法，其具有接合步驟，前述接合步驟藉由使結構體的導體與導電部接觸而接合具備具有導電性之前述導電部之導電構件與如請求項1至請求項7之任一項所述之結構體。
一種器件的製造方法，其具有接合步驟，前述接合步驟藉由使結構體的導體與半導體元件的電極接觸而接合具有前述電極之前述半導體元件與如請求項1至請求項6之任一項所述之結構體。
一種半導體晶圓用處理液，其係用以蝕刻半導體晶圓上之過渡金屬的處理液，且包含 <br/> (A)次鹵酸離子， <br/> (B)以下述式(1)表示之烷基銨鹽， <br/><img align="absmiddle" height="375px" width="748px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，a為6~20之整數，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>獨立為氫原子或碳數1~20之烷基，X<sup>-</sup>為含溴離子) <br/> 前述次鹵酸離子係次溴酸離子，且次溴酸離子之濃度為0.0096~1.92質量%。
如請求項1之半導體晶圓用處理液，其中前述(B)以式(1)表示之烷基銨鹽之濃度為0.0001~10質量%。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中進而包含(C)選自由四甲基銨離子、乙基三甲基銨離子、四乙基銨離子、四丙基銨離子及四丁基銨離子所成之群之至少1種銨離子。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中於25℃之pH超過7且未達14.0。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中前述半導體晶圓上之過渡金屬為第6族金屬或釕。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中進而包含氯化物離子。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中進而包含氯酸離子。
如請求項1或2之半導體晶圓用處理液，其中半導體晶圓用處理液所含之金屬濃度以質量基準計為1ppb以下。
一種蝕刻方法，其包括使如請求項1至8中任一項之半導體晶圓用處理液與半導體晶圓接觸之步驟。
一種用於製造如請求項1至8中任一項之半導體晶圓用處理液的半導體晶圓用藥液，其包含下述(A)、(B)及(C)， <br/> (A)選自由溴化四甲基銨、溴化乙基三甲基銨、溴化四乙基銨、溴化四丙基銨及溴化四丁基銨所成之群之至少1種銨鹽， <br/> (B)以下述式(1)表示之烷基銨鹽， <br/> (C)濃度以質量基準計為1ppb以下之金屬， <br/><img align="absmiddle" height="351px" width="743px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，a為6~20之整數，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>獨立為氫原子或碳數1~20之烷基，X<sup>-</sup>為含溴離子)。
一種半導體晶圓用處理液之製造方法，其包括使如請求項10之半導體晶圓用藥液與包含次氯酸離子之溶液混合之步驟。
一種如請求項10之半導體晶圓用藥液之製造方法，其包括：使包含(A)選自由溴化四甲基銨、溴化乙基三甲基銨、溴化四乙基銨、溴化四丙基銨及溴化四丁基銨所成之群之至少1種銨鹽之藥液與(B)以下述式(1)表示之烷基銨鹽混合之步驟， <br/><img align="absmiddle" height="348px" width="741px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，a為6~20之整數，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>獨立為氫原子或碳數1~20之烷基，X<sup>-</sup>為含溴離子) <br/> 前述半導體晶圓用藥液包含(C)濃度以質量基準計為1ppb以下之金屬。
如請求項12之半導體晶圓用藥液之製造方法，其中前述(A)之藥液係藉由使氫氧化四甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨或氫氧化四丁基銨與包含溴化物離子之溶液或若溶解於水中則產生溴化物離子之含溴氣體混合之步驟而製造者。
一種鍍銅積層體，其特徵在於包含：<br/>低介電樹脂膜，其頻率10 GHz時之相對介電常數為3.5以下且介電損耗因數為0.008以下；及<br/>無電解鍍銅層，其積層於上述低介電樹脂膜之至少一面；而且<br/>上述無電解鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸為25～300 nm，且上述樹脂膜與上述無電解鍍銅層之密接強度為4.2 N/cm以上，且<br/>上述低介電樹脂膜中與上述無電解鍍銅層相接之鍍層側界面處之平均表面粗糙度Ra為1～150 nm。
如請求項1之鍍銅積層體，其中，上述無電解鍍銅層之體積電阻率為7.0 μΩ・cm以下。
如請求項1或2之鍍銅積層體，其進而具備積層於上述無電解鍍銅層之上的電鍍銅層，且<br/>上述電鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸為40～300 nm。
如請求項1或2之鍍銅積層體，其進而於上述無電解鍍銅層之上具備電鍍銅層，且<br/>將上述無電解鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸設為第1微晶，將上述電鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸設為第2微晶，上述第2微晶相對於上述第1微晶之比率（第2微晶/第1微晶）為2.0以下。
如請求項3之鍍銅積層體，其中，上述電鍍銅層之體積電阻率為5.0 μΩ・cm以下。
如請求項1或2之鍍銅積層體，其中，上述低介電樹脂膜為聚醯亞胺、改質聚醯亞胺、液晶聚合物、氟系樹脂中之任一種或其等之混合物。
如請求項1或2之鍍銅積層體，其中，上述樹脂膜之鍍層側界面處之利用飛行時間型質譜法（TOF-SIMS）所得之質量121的強度為800以上，且上述樹脂膜之鍍層側界面被賦予有羥基及/或羧基。
一種鍍銅積層體，其特徵在於包含：<br/>低介電樹脂膜，其頻率10 GHz時之相對介電常數為3.5以下且介電損耗因數為0.008以下；及<br/>無電解鍍銅層，其積層於上述低介電樹脂膜之至少一面；而且<br/>於上述無電解鍍銅層之上具備電鍍銅層，<br/>上述電鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸為40～300 nm，<br/>將上述無電解鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸設為第1微晶，將上述電鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸設為第2微晶，上述第2微晶相對於上述第1微晶之比率（第2微晶/第1微晶）為2.0以下，且<br/>上述樹脂膜與上述無電解鍍銅層之密接強度為4.2 N/cm以上。
如請求項8之鍍銅積層體，其中，上述無電解鍍銅層中之微晶之加權平均尺寸為25～300 nm。
如請求項8或9之鍍銅積層體，其中，上述電鍍銅層之體積電阻率為5.0 μΩ・cm以下。
如請求項8或9之鍍銅積層體，其中，上述低介電樹脂膜為聚醯亞胺、改質聚醯亞胺、液晶聚合物、氟系樹脂中之任一種或其等之混合物。
如請求項8或9之鍍銅積層體，其中，上述樹脂膜之鍍層側界面處之利用飛行時間型質譜法（TOF-SIMS）所得之質量121的強度為800以上，且上述樹脂膜之鍍層側界面被賦予有羥基及/或羧基。
如請求項1、2、8及9中任一項之鍍銅積層體，其中，上述低介電樹脂膜中與上述無電解鍍銅層相接之鍍層側界面處之平均表面粗糙度Ra為20～150 nm。
一種可撓性電路基板，其形成有利用請求項1至12中任一項之鍍銅積層體而獲得之電路。
如請求項14之可撓性電路基板，其具有：利用上述鍍銅積層體而獲得之形成於上述低介電樹脂膜上之金屬配線之上述電路，且<br/>於上述金屬配線之至少一部分，將自上述低介電樹脂膜起之配線高度設為Hw，將與上述低介電膜相接之底邊之寬度設為Lb，將上表面之寬度設為Lt，將與上述低介電樹脂膜上相鄰之其他金屬配線之配線間距離設為S時，<br/>由上述配線高度除以上述底邊寬度與上述上表面寬度之差而得之值（Hw/（Lb－Lt））所界定之上述金屬配線的導體形狀之矩形度A為2.5以上，<br/>S為60 μm以下，且<br/>由上述配線間距離除以上述導體形狀之矩形度而得之值（S/A）所界定之導體配線密度WD為10.0以下。
如請求項15之可撓性電路基板，其具有包含上述金屬配線之導體層且積層至少4層以上而構成，<br/>整體厚度除以上述導體層之層數而得之平均厚度為50 μm以下。
一種形成一微電子結構之方法，該方法包括：<br/>可擇地在一基板表面形成一或多個中間層，若有一或多個中間層存在則在該基板表面上有一在最上面之中間層；<br/>若有一或多個中間層存在，施加一組成物至該在最上面之中間層，若無中間層則施加該組成物至該基板表面，該組成物包括溶解或分散在一溶劑系統中之二醯亞胺(diimide)，該二醯亞胺係二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者；及<br/>加熱該組成物以形成一富碳層(carbon-rich layer)，該富碳層具有以下特性：若經受化學氣相沉積存活率測試(CVD survivability test)，則具有小於約 0.1個缺陷/cm<sup>2</sup>層表面積。
如請求項1所述之方法，其進一步包括： <br/>可擇地在該富碳層上形成一或多其他中間層，若有一或多其他中間層存在則在該富碳層上有一最上面之其他中間層； <br/>若有一或多其他中間層存在，施加一成像層至該一或多其他中間層，若無其他中間層存在則施加該成像層至該富碳層； <br/>圖案化該成像層以形成一圖案於其中； <br/>轉印該圖案至該富碳層上之該一或多其他中間層(若存在)及至該富碳層；及 <br/>將該富碳層與SC1接觸。
如請求項1所述之方法，其中該基板表面包括一中間層，且該中間層選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該富碳層具有抗SC1特性。
如請求項1所述之方法，其中該組成物進一步包括一組分，其選自於多酚(polyphenols)、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合。
如請求項1所述之方法，其中該溶劑系統包括丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether)，且施加該組成物係在施加前不去除部分或全部該丙二醇單甲醚而進行。
如請求項1所述之方法，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項1所述之方法，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐(benzophenone-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride)，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐(9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride)，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺(2-vinylaniline)，4-乙烯基苯胺(4-vinylaniline)，2-烯丙苯胺(2-allylaniline)，4-烯丙苯胺(4-allylaniline)，3-乙炔基苯胺(3-ethynylaniline)，4-乙炔基苯胺(4-ethynylaniline)，2-乙炔基苯胺(2-ethynylaniline)及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐(maleic anhydride)，4-環己烯-1,2-二羧酸酐(4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride)，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐(5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride)，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐(4-ethynyl phthalic anhydride)，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐(4-methylethynyl phthalic anhydride)，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐(4-phenylethynyl phthalic anhydride)，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺(4,4'-oxydianiline)，雙(4-氨基苯基)碸(bis(4-aminophenyl)sulfone)，9,9-雙(4-氨基苯基)芴(9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene)，及其組合。
一種形成一微電子結構之方法，該方法包括： <br/>可擇地在一基板表面上形成一或多中間層，若一或多中間層存在則在該基板表面上有一最上面之中間層； <br/>若有一或多個中間層存在，施加一組成物至該在最上面之中間層，若無中間層存在則施加該組成物至該基板表面，該組成物包括溶解或分散在一溶劑系統中之二醯亞胺，該二醯亞胺係二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者； <br/>加熱該組成物以形成一富碳層； <br/>可擇地在該富碳層上形成一或多其他中間層，若一或多其他中間層存在則在該富碳層上有一最上面之其他中間層； <br/>若有一或多其他中間層存在，施加一成像層至該一或多其他中間層，若無其他中間層存在則施加該成像層至該富碳層； <br/>圖案化該成像層以形成一圖案於其中； <br/>轉印該圖案至在該富碳層上之該一或多其他中間層(若存在)及至該富碳層；且 <br/>使該富碳層與SC1接觸。
如請求項9所述之方法，其中該基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項9所述之方法，其中該富碳層具有抗SC1特性。
如請求項9所述之方法，其中該組成物進一步包括一組分，其選自於多酚(polyphenols)、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合。
如請求項9所述之方法，其中該溶劑系統包括丙二醇單甲醚，且施加該組成物係在施加前不去除部分或全部該丙二醇單甲醚而進行。
如請求項9所述之方法，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項9所述之方法，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
一種形成一微電子結構之方法，該方法包括： <br/>可擇地在一基板表面上形成一或多中間層，若一或多中間層存在則在該基板表面上有一最上面之中間層； <br/>若有一或多個中間層存在，施加一組成物至該在最上面之中間層，若無中間層存在則施加該組成物至該基板表面，該組成物包括溶解或分散在一溶劑系統中之二醯亞胺，該二醯亞胺係二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者；及 <br/>加熱該組成物以形成一富碳層，其具有抗SC1特性。
如請求項16所述之方法，其中該基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項16所述之方法，其中該組成物進一步包括一組分，其選自於多酚(polyphenols)、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合。
如請求項16所述之方法，其中該溶劑系統包括丙二醇單甲醚，且施加該組成物係在施加前不去除部分或全部該丙二醇單甲醚而進行。
如請求項16所述之方法，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項16所述之方法，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴 二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺 及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
一種形成一微電子結構之方法，該方法包括： <br/>可擇地在一基板表面上形成一或多中間層，若一或多中間層存在在該基板表面上有一最上面之中間層； <br/>若有一或多個中間層存在，施加一組成物至該在最上面之中間層，若無中間層存在則施加該組成物至該基板表面，該組成物包括二醯亞胺，及一溶解或分散在一溶劑系統中之組分， <br/>其中該組分係選自於：多酚(polyphenols)，其包括至少四個酚環、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合；以及 <br/>其中該二醯亞胺係二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者；以及 <br/>加熱該組成物以形成一富碳層。
如請求項22所述之方法，其中該基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項22所述之方法，其中該溶劑系統包括丙二醇單甲醚，且施加該組成物係在施加前不去除部分或全部該丙二醇單甲醚而進行。
如請求項22所述之方法，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項22所述之方法，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺 及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
如請求項22所述之方法，其中： <br/>該多酚(polyphenols)係選自於 <br/><img align="absmiddle" height="295px" width="218px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為1至5且該分子鏈鍵合至碳α'而非碳α或者鍵合至碳α'及碳α； <br/>該多羥基化合物(polyhydroxy compounds)選自於：沒食子酸(gallic acid)，沒食子酸甲酯(methyl gallate)，4-羥基苯甲酸(4-hydroxybenzoic acid)，鄰苯三酚(pyrogallol)，2,3,4,3',4',5'-六羥基二苯基酮(2,3,4,3',4',5'-hexahydroxybenzophenone)，硼化聚苯乙烯(boronated polystyrene)，3,3',5,5'-四(甲氧基甲基)-[1,1'-聯苯]-4,4'-二醇(3,3',5,5'-tetrakis(methoxymethyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diol)，及聚(4-乙烯基苯酚)(poly(4-vinyl phenol))，及其組合；及 <br/>該磷化合物(phosphoric compounds)選自於：苯基雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物(phenylbis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide)，及苯磷酸二甲酯(dimethyl phenyl phosphonate)，磷酸苯酯(phenyl phosphate)，苯基膦酸(phenyl phosphonic acid)，植酸(phytic acid)，及其組合。
一種形成一微電子結構之方法，該方法包括： <br/>醯亞胺化在一包括丙二醇單甲醚之溶劑系統中之二醯胺酸或聚醯胺酸之一者或二者，從而形成一組成物，其包括二醯亞胺，該二醯亞胺係二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者； <br/>可擇地在一基板表面上形成一或多中間層，若一或多中間層存在則在該基板表面上有一最上面之中間層； <br/>不去除部分或全部該丙二醇單甲醚，若有一或多個中間層存在，施加該組成物至該在最上面之中間層，若無中間層存在則施加該組成物至該基板表面；及 <br/>加熱該組成物以形成一富碳層。
如請求項28所述之方法，其進一步包括： <br/>可擇地在該富碳層上形成一或多其他中間層，若一或多其他中間層存在則在該富碳層上有一最上面之其他中間層； <br/>若有一或多個中間層存在，施加一成像層至該一或多其他中間層，若無其他中間層存在則施加該成像層至該富碳層； <br/>圖案化該成像層以在其中形成一圖案； <br/>轉印該圖案至在該富碳層上之該一或多其他中間層(若存在)及至該富碳層；及 <br/>使該富碳層與SC1接觸。
如請求項28所述之方法，其中該基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項28所述之方法，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項28所述之方法，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺 及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
一種微電子結構，其包括： <br/>一微電子基板，其具有一表面； <br/>可擇地在該微電子基板表面上有一或多中間層，若一或多中間層存在則在該微電子基板表面上有一最上面之中間層； <br/>一層組成物，其在該最上面之中間層(若存在)或若無中間層存在則在該微電子基板表面上，該組成物包括： <br/>二醯亞胺係自二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者；以及 <br/>一組分，其選自於：多酚(polyphenols)，其包括至少四個酚環、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合；及 <br/>一溶劑系統。
如請求項33所述之結構，其中該微電子基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項33所述之結構，其中該溶劑系統包括丙二醇單甲醚。
如請求項33所述之結構，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項33所述之結構，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
一種微電子結構，其包括： <br/>一微電子基板，其具有一表面； <br/>可擇地在該微電子基板表面上有一或多中間層，若一或多中間層存在則在該微電子基板表面上有一最上面之中間層； <br/>一富碳層，其在該最上面之中間層(若存在)或若無中間層存在則在該微電子基板表面上，該富碳層包括： <br/>經交聯之二醯亞胺，係自二醯胺酸(diamic acid)形成，該二醯胺酸由以下形成： <br/>(i)二酐(dianhydride)及單胺(monoamine)； <br/>(ii)單酸酐(monoanhydride)及二胺(diamine)；或 <br/>(iii) (i)及(ii)二者；及 <br/>一組分，其選自於：多酚(polyphenols)，其包括至少四個酚環、多羥基化合物(polyhydroxy compounds)、磷化合物(phosphoric compounds)、或前述之組合。
如請求項38所述之結構，其中該微電子基板表面包括一中間層，且該中間層係選自於TiN或SiO<sub>2</sub>。
如請求項38所述之結構，其中單胺或單酸酐中之一者或兩者是可交聯的。
如請求項38所述之結構，其中： <br/>該二酐選自於：二苯基酮-3,3'4,4'-四羧酸二酐，4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐，9,9-雙(3,4-二羧基苯基)芴二酐，及其組合； <br/>該單胺選自於：2-乙烯基苯胺，4-乙烯基苯胺，2-烯丙苯胺，4-烯丙苯胺，3-乙炔基苯胺，4-乙炔基苯胺，2-乙炔基苯胺及其組合； <br/>該單酸酐選自於：順丁烯二酐，4-環己烯-1,2-二羧酸酐，5-降莰烯-2,3-二羧酸酐，4-乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-甲基乙炔基鄰苯二甲酸酐，4-苯基乙炔基鄰苯二甲酸酐，及其組合；及 <br/>該二胺選自於：4,4'-氧基二苯胺，雙(4-氨基苯基)碸，9,9-雙(4-氨基苯基)芴，及其組合。
如請求項38所述之結構，其進一步包括： <br/>在該富碳層上之一或多其他中間層，若一或多其他中間層存在則在該富碳層上有一最上面之其他中間層；及 <br/>一成像層，其在該一或多其他中間層(若存在)或若無其他中間層存在則在該富碳層上。
一種樹脂組成物，其含有聚醯胺酸酯及選自包括磷酸酯、磷酸酯醯胺及磷酸醯胺之群組中之1種以上的化合物B， <br/>所述聚醯胺酸酯係指，醯胺酸酯結構的莫耳含量與樹脂中所含有之所有醯胺酸結構及醯胺酸酯結構的合計莫耳量之比例為50%以上之樹脂， <br/>所述樹脂組成物中相對於樹脂100質量份含有0.5～5質量%的化合物B， <br/>前述聚醯胺酸酯含有由下述式（2）表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="310px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2）中，A<sup>1</sup>及A<sup>2</sup>表示氧原子或-NH-，R<sup>113</sup>及R<sup>114</sup>分別獨立地表示1價的有機基，R<sup>115</sup>表示4價的有機基，R<sup>111</sup>表示2價的有機基。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中 <br/>式（2）中的前述R<sup>113</sup>及R<sup>114</sup>中的至少一者為含有自由基聚合性基之1價的有機基。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述化合物B包含由式（1）表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="135px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>分別獨立地表示氫原子或可以具有取代基之碳數1～20的1價的有機基，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>中的至少1個為碳數1～20的1價的有機基，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分別獨立地為-O-或-NR<sup>N</sup>-，R<sup>N</sup>為氫原子或可以具有取代基之碳數1至20的1價的有機基。
如請求項3所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>中，至少一個為含有聚合性基之1價的有機基。
如請求項4所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>中，至少一個為自由基聚合性基。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其還含有光聚合起始劑及熱聚合起始劑中的至少一者。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其還包含光聚合起始劑。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其用於形成再配線層用層間絕緣膜。
一種硬化物，其硬化請求項1至請求項8之任一項所述之樹脂組成物而成。
一種積層體，其包含2層以上的由請求項9所述之硬化物構成之層，在由前述硬化物構成之層之間的任一層之間包含金屬層。
一種硬化物的製造方法，其包括將請求項1至請求項8之任一項所述之樹脂組成物適用於基材上以形成膜之膜形成步驟。
如請求項11所述之硬化物的製造方法，其包括選擇性曝光前述膜之曝光步驟及使用顯影液顯影前述膜來形成圖案之顯影步驟。
如請求項11或請求項12所述之硬化物的製造方法，其包括在50～450℃下加熱前述膜之加熱步驟。
一種半導體器件，其包含請求項9所述之硬化物。
一種包括帶有電晶體元件的可程式化電阻器的記憶體單元，包括：<br/>一第一可程式化電阻器，包括：<br/>一第一閘極結構，電性耦接至一第一控制線；以及<br/>一共享的源極/汲極結構；<br/>一第二可程式化電阻器，包括：<br/>一第二閘極結構，電性耦接至一第二控制線；以及<br/>該共享的源極/汲極結構；以及<br/>一電晶體，包括：<br/>一第一源極/汲極結構，電性耦接至一位元線；<br/>一第三閘極結構，電性耦接至一字元線；以及<br/>一第二源極/汲極結構，該第二源極/汲極結構電性耦接至該第一可程式化電阻器的該共享的源極/汲極結構以及該第二可程式化電阻器的該共享的源極/汲極結構。
如請求項1所述之記憶體單元，進一步包括：<br/>一絕緣結構，設置於該第一閘極結構與該電晶體的該第二源極/汲極結構之間，以電性隔離於該第一閘極結構與該電晶體的該第二源極/汲極結構之間。
如請求項2所述之記憶體單元，進一步包括： <br/>一介電層，設置於該第一閘極結構與該共享的源極/汲極結構之間，其中該共享的源極/汲極結構接觸該介電層的一第一區域，其中該絕緣結構接觸該介電層的一第二區域。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>該共享的源極/汲極結構電性耦接至一輸出節點；以及<br/>該第二源極/汲極結構電性耦接至該輸出節點。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>該第一可程式化電阻器呈現一第一可變電阻狀態； <br/>該第二可程式化電阻器呈現一第二可變電阻狀態； <br/>該第二源極/汲極結構電性耦接至一輸出節點，該輸出節點共同連接至該共享的源極/汲極結構，其中 <br/>該第一可程式化電阻器進一步包括電性浮動的一第一浮動的源極/汲極結構；以及 <br/>該第二可程式化電阻器進一步包括電性浮動的一第二浮動的源極/汲極結構。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>該第一源極/汲極結構以及該第二源極/汲極結構，設置於該第三閘極結構的複數個相對側； <br/>該共享的源極/汲極結構設置於該第二閘極結構與該第一閘極結構之間，其中該第二閘極結構位於該第一閘極結構與該第三閘極結構之間，該第二源極/汲極結構以及該共享的源極/汲極結構設置於該第二閘極結構的複數個相對側；以及 <br/>該記憶體單元更包含: <br/>一第一介電層，設置於該第二閘極結構下方以及呈現一第一可變電阻狀態；以及 <br/>一第二介電層，設置於該第一閘極結構下方以及呈現一第二可變電阻狀態。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>該第一源極/汲極結構以及該第二源極/汲極結構設置於該第三閘極結構的複數個相對側； <br/>該共享的第三源極/汲極結構設置於該第二閘極結構與該第一閘極結構之間，其中該第二閘極結構位於該第一閘極結構與該第三閘極結構之間，該第二源極/汲極結構以及該共享的源極/汲極結構設置於該第二閘極結構的複數個相對側；以及 <br/>該記憶體單元更包含: <br/>一第一介電層，設置於該第二閘極結構下方以及呈現一第一可變電阻狀態； <br/>一第二介電層，設置於該第一閘極結構下方以及呈現一第二可變電阻狀態；以及 <br/>一互連金屬軌，用以將該共享的源極/汲極結構電性耦接至該第二源極/汲極結構。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>一記憶體控制器，耦接至該記憶體單元，該記憶體控制器用以： <br/>對該第一可程式化電阻器的該第一閘極結構施加一第一電壓，以將該第一可程式化電阻器設定為具有一第一電阻，同時啟用該電晶體；以及<br/>對該第一可程式化電阻器的該第一閘極結構施加低於該第一電壓的一第二電壓，以將該第一可程式化電阻器設定為具有高於該第一電阻的一第二電阻，同時啟用該電晶體。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>一記憶體控制器，耦接至該記憶體單元，該記憶體控制器用以： <br/>對該第一可程式化電阻器的該第一閘極結構施加一第一電壓，以將該第一可程式化電阻器設定為具有一第一電阻，用以響應該電晶體被啟用，從而用一第一邏輯值對該記憶體單元進行編程；以及<br/>對該第二可程式化電阻器的該第二閘極結構施加該第一電壓，以將該第二可程式化電阻器設定為具有該第一電阻，該電晶體被啟用，從而用一第二邏輯值對該記憶體單元進行編程。
如請求項1所述之記憶體單元，其中 <br/>該第一可程式化電阻器更包括一第三源極/汲極； <br/>該第二可程式化電阻器更包括一第四源極/汲極結構； <br/>一記憶體控制器，耦接至該記憶體單元，該記憶體控制器用以： <br/>對該第一可程式化電阻器的該第一閘極結構施加一第一電壓，以將該第一可程式化電阻器設定為具有一第一電阻，用以響應該電晶體被啟用，從而用一第一邏輯值對該記憶體單元進行編程；以及<br/>對該第二可程式化電阻器的該第二閘極結構施加該第一電壓，以將該第二可程式化電阻器設定為具有該第一電阻，該電晶體被啟用，從而用一第二邏輯值對該記憶體單元進行編程；<br/>其中該第一可程式化電阻器的該第三源極/汲極結構為電性浮動，以及該第二可程式化電阻器的該第四源極/汲極結構為電性浮動。
一種積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其具有一位元單元陣列； <br/>一前側電力網路，其耦接至該位元單元陣列； <br/>一背側電力網路，其將電力提供至該位元單元陣列；及 <br/>轉換通孔，其將該背側電力網路耦接至該前側電力網路， <br/>其中該背側電力網路藉由耦接至該前側電力網路的該等轉換通孔將電力提供至該位元單元陣列， <br/>其中該前側電力網路至少部分定位於該位元單元陣列上方，而該背側電力網路定位於該位元單元陣列下方。
如請求項1之裝置，其中：<br/>該記憶體電路系統具有控制邏輯，該控制邏輯經設置成相鄰於該位元單元陣列， <br/>該背側電力網路將電力提供至該控制邏輯， <br/>該等轉換通孔將該背側電力網路耦接至該控制邏輯，且 <br/>該背側電力網路藉由該等轉換通孔將電力直接提供至該控制邏輯。
如請求項2之裝置，其中： <br/>該位元單元陣列包括配置成一陣列的位元單元及耦接至該等位元單元的標頭邏輯，且 <br/>該控制邏輯係指具有感測放大器邏輯及行多工器邏輯的輸入輸出(I/O)控制邏輯。
如請求項3之裝置，其中該背側電力網路包括多個背側電力網路，該多個背側電力網路包括一第一背側電力網路、一第二背側電力網路、及一第三背側電力網路。
如請求項4之裝置，其中： <br/>該第一背側電力網路藉由該等轉換通孔耦接至該前側電力網路， <br/>該第一背側電力網路將一外部核心電壓(VDDCE)提供至該標頭邏輯，且 <br/>該標頭邏輯接收該外部核心電壓(VDDCE)並將一內部核心電壓(VDDC)提供至該等位元單元。
如請求項4之裝置，其中： <br/>該第二背側電力網路直接耦接至該感測放大器邏輯，且 <br/>該第二背側電力網路將一內部週邊電壓(VDDP)提供至該感測放大器邏輯。
如請求項4之裝置，其中： <br/>該第三背側電力網路直接耦接至該行多工器邏輯，且 <br/>該第三背側電力網路將一外部週邊電壓(VDDPE)提供至該行多工器邏輯。
一種積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其具有一位元單元陣列； <br/>一前側電力網路，其耦接至該位元單元陣列； <br/>一背側電力網路，其將電力提供至該位元單元陣列；及 <br/>轉換通孔，其將該背側電力網路耦接至該前側電力網路， <br/>其中該背側電力網路藉由耦接至該前側電力網路的該等轉換通孔將電力提供至該位元單元陣列，其中： <br/>該前側電力網路係以前側金屬形成， <br/>該背側電力網路係以設置在該等前側金屬下方的埋入式背側金屬形成，且 <br/>該等轉換通孔係指設置在該等前側金屬與該等埋入式背側金屬之間的埋入式轉換通孔。
如請求項8之裝置，其進一步包含： <br/>背側至前側轉換單元，其具有將該背側電力網路耦接至該前側電力網路的該等埋入式轉換通孔， <br/>其中該背側電力網路藉由耦接至該前側電力網路的該等埋入式轉換通孔將電力提供至該位元單元陣列。
一種積體電路裝置，其包含： <br/>記憶體電路系統，其具有控制邏輯； <br/>一背側電力網路，其將電力提供至該控制邏輯；及 <br/>轉換通孔，其將該背側電力網路耦接至該控制邏輯， <br/>其中該背側電力網路藉由該等轉換通孔將電力直接提供至該控制邏輯， <br/>該記憶體電路系統具有耦接至一前側電力網路的一位元單元陣列，其中該前側電力網路至少部分定位於該位元單元陣列上方。
如請求項10之裝置，其中： <br/>該位元單元陣列經設置成相鄰於該控制邏輯， <br/>該背側電力網路將電力提供至該位元單元陣列， <br/>該等轉換通孔將該背側電力網路耦接至該前側電力網路，且 <br/>該背側電力網路藉由耦接至該前側電力網路的該等轉換通孔將電力提供至該位元單元陣列。
如請求項11之裝置，其中： <br/>該位元單元陣列包括配置成一陣列的位元單元及耦接至該等位元單元的標頭邏輯，且 <br/>該控制邏輯係指具有感測放大器邏輯及行多工器邏輯的輸入輸出(I/O)控制邏輯。
如請求項12之裝置，其中該背側電力網路包括多個背側電力網路，該多個背側電力網路包括一第一背側電力網路、一第二背側電力網路、及一第三背側電力網路。
如請求項13之裝置，其中： <br/>該第一背側電力網路藉由該等轉換通孔耦接至該前側電力網路， <br/>該第一背側電力網路將一外部核心電壓(VDDCE)提供至該標頭邏輯，且 <br/>該標頭邏輯接收該外部核心電壓(VDDCE)並將一內部核心電壓(VDDC)提供至該等位元單元。
如請求項13之裝置，其中： <br/>該第二背側電力網路直接耦接至該感測放大器邏輯，且 <br/>該第二背側電力網路將一內部週邊電壓(VDDP)提供至該感測放大器邏輯。
如請求項13之裝置，其中： <br/>該第三背側電力網路直接耦接至該行多工器邏輯，且 <br/>該第三背側電力網路將一外部週邊電壓(VDDPE)提供至該行多工器邏輯。
如請求項10之裝置，其中： <br/>該前側電力網路係以前側金屬形成， <br/>該背側電力網路係以設置在該等前側金屬下方的埋入式背側金屬形成，且 <br/>該等轉換通孔係指設置在該等前側金屬與該等埋入式背側金屬之間的埋入式轉換通孔。
如請求項17之裝置，其進一步包含： <br/>背側至前側轉換單元，其具有將該背側電力網路耦接至該控制邏輯的該等埋入式轉換通孔， <br/>其中該背側電力網路藉由該等埋入式轉換通孔將電力直接提供至該控制邏輯。
一種用於一積體電路裝置之方法，其包含： <br/>提供具有一位元單元陣列及控制邏輯的記憶體電路系統； <br/>將一前側電力網路耦接至該位元單元陣列； <br/>使用轉換通孔將一背側電力網路耦接至該前側電力網路； <br/>使用該等轉換通孔將該背側電力網路耦接至該控制邏輯，其中該前側電力網路至少部分定位於該位元單元陣列上方，而該背側電力網路定位於該位元單元陣列下方；及 <br/>從該背側電力網路將電力提供至該記憶體電路系統的該位元單元陣列及該控制邏輯。
如請求項19之方法，其中： <br/>該控制邏輯經設置成相鄰於該位元單元陣列， <br/>該背側電力網路藉由耦接至該前側電力網路的該等轉換通孔將電力提供至該位元單元陣列，且 <br/>該背側電力網路藉由該等轉換通孔將電力直接提供至該控制邏輯。
一種蝕刻方法，其包含以下工序，即 <br/>a)將具有基底層與形成於上述基底層上之蝕刻對象膜之基板提供至載置台上； <br/>b)自處理氣體產生電漿； <br/>c)對上述載置台供給具有第1頻率之偏壓電力而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻，以此形成凹部；及 <br/>d)根據上述c)之後之上述凹部之縱橫比，將上述偏壓電力之頻率變更為與上述第1頻率不同之第2頻率，進而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且 <br/>於上述電漿產生後至上述基底層露出為止之期間，連續地對上述蝕刻對象膜進行蝕刻； <br/>其中針對上述偏壓電力之每一頻率，參照表示對上述蝕刻對象膜進行蝕刻直至上述基底層露出之情形時所形成之凹部之形狀的資料而特定出與上述第1頻率對應之凹部之形狀，基於該與上述第1頻率對應之凹部之形狀而選擇上述第2頻率。
如請求項1之蝕刻方法，其中於上述電漿產生後至上述基底層露出為止之期間，連續地自上述處理氣體產生電漿。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中於上述電漿產生後至上述基底層露出為止之期間，連續地對上述載置台供給偏壓電力。
如請求項1之蝕刻方法，其中於上述資料中，於所特定出之上述凹部之形狀為錐狀形狀之情形時，選擇相較上述第1頻率大之頻率作為上述第2頻率。
如請求項1之蝕刻方法，其中於上述資料中，於所特定出之上述凹部之形狀為彎曲形狀之情形時，選擇相較上述第1頻率小之頻率作為上述第2頻率。
如請求項1之蝕刻方法，其係參照藉由上述資料特定出之上述凹部之形狀，於上述凹部之開口尺寸之最大值成為容許範圍內之上限值之前，或於上述凹部之開口尺寸之最小值成為上述容許範圍之下限值之前，結束上述c)，執行上述d)。
如請求項1之蝕刻方法，其係參照藉由上述資料特定出之上述凹部之形狀而特定出上述凹部之開口尺寸處於容許範圍內之縱橫比之範圍，且於上述特定出之縱橫比之範圍內，結束上述c)，執行上述d)。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述凹部之縱橫比係使用自上述c)開始時算起之經過時間或上述電漿之狀態而推定。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中於上述d)之後，至少執行1次以上之如下工序，即，根據上述凹部之縱橫比，將上述偏壓電力之頻率變更為與前一次上述蝕刻對象膜之蝕刻中使用之頻率不同之頻率，進而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻。
如請求項1或2之蝕刻方法，其於上述蝕刻對象膜上形成最終具有50以上之縱橫比之凹部。
如請求項1或2之蝕刻方法，其進而具備如下工序，即，於上述d)之後，監測蝕刻形狀，調整上述第1頻率及/或上述第2頻率。
如請求項1或2之蝕刻方法，其中上述偏壓電力為RF偏壓電力。
如請求項12之蝕刻方法，其中上述偏壓電力係電壓之大小週期性變化之電壓脈衝， <br/>上述偏壓電力以於上述基板產生負電位之方式供給至上述載置台。
一種蝕刻方法，其包含以下工序，即 <br/>a)將具有基底層與形成於上述基底層上之蝕刻對象膜之基板提供至載置台上； <br/>b)自處理氣體產生電漿； <br/>c)對上述載置台供給具有第1頻率之RF偏壓電力而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻，以此形成凹部；及 <br/>d)於上述c)開始起經過特定時間之後，將上述RF偏壓電力之頻率變更為相較上述第1頻率大之第2頻率，進而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且 <br/>於上述電漿產生後至上述基底層露出為止之期間，連續地對上述蝕刻對象膜進行蝕刻， <br/>上述第1頻率為0.1 MHz以上1 MHz以下， <br/>上述第2頻率為1 MHz以上13 MHz以下， <br/>形成於上述蝕刻對象膜之凹部最終具有50以上之縱橫比。
一種蝕刻裝置，其包含： <br/>處理腔室，其具有氣體供給口及氣體排出口； <br/>載置台，其構成為於上述處理腔室內載置基板； <br/>RF電源，其構成為供給電漿產生用RF電力； <br/>偏壓電源，其構成為對上述載置台供給互不相同之複數個頻率；及 <br/>控制部；且 <br/>上述控制部使各部執行如下蝕刻方法，該蝕刻方法包含以下工序，即 <br/>a)將具有基底層與形成於上述基底層上之蝕刻對象膜之基板提供至載置台上； <br/>b)自處理氣體產生電漿； <br/>c)對上述載置台供給具有第1頻率之偏壓電力而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻，以此形成凹部；及 <br/>d)根據上述c)之後之凹部之縱橫比，將上述偏壓電力之頻率變更為與上述第1頻率不同之第2頻率，進而對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且 <br/>於上述電漿產生後至上述基底層露出為止之期間，連續地對上述蝕刻對象膜進行蝕刻； <br/>其中針對上述偏壓電力之每一頻率，參照表示對上述蝕刻對象膜進行蝕刻直至上述基底層露出之情形時所形成之凹部之形狀的資料而特定出與上述第1頻率對應之凹部之形狀，基於該與上述第1頻率對應之凹部之形狀而選擇上述第2頻率。
如請求項15之蝕刻裝置，其中上述偏壓電源能夠變更上述偏壓電力之頻率。
如請求項15或16之蝕刻裝置，其中上述偏壓電源係構成為對上述載置台供給RF偏壓電力之RF偏壓電源。
如請求項15或16之蝕刻裝置，其中上述偏壓電源係構成為對上述載置台供給電壓之大小週期性變化之電壓脈衝之電壓脈衝電源， <br/>上述電壓脈衝係以於上述基板產生負電位之方式供給至上述載置台。
如請求項15或16之蝕刻裝置，其進而具備監測裝置，該監測裝置監測形成於上述蝕刻對象膜之蝕刻形狀， <br/>上述控制部使各部執行進而包含以下工序之蝕刻處理，即，基於由上述監測裝置所測定之蝕刻形狀而調整上述第1頻率及上述第2頻率。
一種光學測量系統，測量樣本的分光反射率，包含： <br/>光源，產生測量光； <br/>受光部，將該測量光照射於該樣本產生的光作為觀測光並接收； <br/>探測器，光學連接該光源以及該受光部，可配置於任意的位置；以及 <br/>演算處理部，基於該受光部執行的檢測結果測量該樣本的分光反射率，算出基於測量的分光反射率的測量結果； <br/>其中，該探測器包含： <br/>本體部，由使用者所把持；以及 <br/>可撓部，可以彎曲使得該測量光能夠垂直入射於該樣本。
如請求項1之光學測量系統， <br/>其中，該探測器更包含接觸部，與設置於該可撓部的前端的樣本接觸。
如請求項1之光學測量系統， <br/>其中，該探測器的內部配置有可以彎曲的導光路。
如請求項1至3中任何1項之光學測量系統， <br/>其中，該可撓部是由具有可撓性的材質所構成。
如請求項1至3中任何1項之光學測量系統， <br/>其中，該可撓部包含彈簧，連結該本體部。
如請求項1至3中任何1項之光學測量系統， <br/>其中，該可撓部包含軸機構，能夠以互相正交的2個軸為中心各自旋轉。
如請求項1至3中任何1項之光學測量系統， <br/>其中，該可撓部包含波紋管，連接該本體部。
如請求項1至3中任何1項之光學測量系統， <br/>其中，該可撓部包含球形接頭，可以旋轉式連接該本體部。
一種探測器，構成測量樣本的分光反射率的光學測量系統； <br/>該光學測量系統包含： <br/>光源，產生測量光； <br/>受光部，將該測量光照射於該樣本產生的光作為觀測光並接收；以及 <br/>演算處理部，基於該受光部執行的檢測結果測量該樣本的分光反射率，算出基於測量的分光反射率的測量結果； <br/>其中，該探測器包含： <br/>本體部，由使用者所把持；以及 <br/>可撓部，可以彎曲使得該測量光能夠垂直入射於該樣本； <br/>其中，該探測器光學連接該光源以及該受光部，可配置於任意的位置。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 多個記憶體單元，排列於多個欄以及多個列；<br/> 多條字元線，該些字元線各自耦接至相對應之一列上的該些記憶體單元；<br/> 多條位元線，該些位元線各自耦接至相對應之一欄上的該些記憶體單元；以及<br/> 多條第二字元線，該些第二字元線各自耦接至相對應之一欄上的該些記憶體單元；<br/>其中，該些記憶體單元各自包含: <br/>一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至一對應的字元線； <br/>一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及一對應的第二字元線； <br/> 一記憶體元件，耦接至該第二金屬氧化半導體電晶體；以及 <br/>一第三金屬氧化半導體電晶體，耦接至該記憶體元件以及一對應的位元線； <br/> 其中該第三金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件、該第二金屬氧化半導體電晶體以及該第一金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該些記憶體單元進一步包含一第四金屬氧化半導體電晶體，耦接於該第三金屬氧化半導體電晶體以及該記憶體元件之間，且該第四金屬氧化半導體電晶體耦接至一對應第二位元線。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該些記憶體單元進一步包含一第四金屬氧化半導體電晶體，耦接於該第二金屬氧化半導體電晶體以及該記憶體元件之間，且該第四金屬氧化半導體電晶體耦接至一對應第三字元線。
一種記憶體系統，包含：<br/> 多個記憶體單元，該些記憶體單元各自耦接至一字元線、一位元線以及一第二字元線；以及<br/> 一解碼器，耦接至該些記憶體單元各自的該位元線以及該些記憶體單元各自的該第二字元線;<br/> 其中，該些記憶體單元各自包含:<br/> 一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至一對應的字元線；<br/> 一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及一對應的第二字元線；<br/> 一記憶體元件，耦接至該第二金屬氧化半導體電晶體；以及<br/> 一第三金屬氧化半導體電晶體，耦接至該記憶體元件以及一對應的位元線；<br/> 其中該第三金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件、該第二金屬氧化半導體電晶體以及該第一金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
一種操作記憶體裝置的方法，包含：<br/> 從耦接至一第一解碼器及相對應的一列上的複數個記憶體單元的一字元線接收一第一字元線信號；<br/> 從耦接至一第二解碼器的一位元線接收一位元線信號；以及<br/> 從耦接至該第二解碼器及相對應的一欄上的該些記憶體單元的一第二字元線接收一第二字元線信號。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 多個記憶體單元，排列於多個列以及多個欄之上；<br/> 多條第一字元線，該些第一字元線各自耦接至相對應的一列上的該些記憶體單元；<br/> 多條位元線，該些位元線各自耦接至相對應的一欄上的該些記憶體單元；以及<br/> 多條第二字元線，該些第二字元線各自耦接至相對應的一欄上的該些記憶體單元;。<br/> 其中，該些記憶體單元各自包含:<br/> 一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至一對應的字元線；<br/> 一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及一對應的第二字元線；<br/> 一記憶體元件，耦接至該第二金屬氧化半導體電晶體；以及<br/> 一第三金屬氧化半導體電晶體，耦接至該記憶體元件以及一對應的位元線；<br/> 其中該第一金屬氧化半導體電晶體、該第二金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件以及該第三金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式彼此連接，並且該串聯的該第一金屬氧化半導體電晶體、該第二金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件以及該第三金屬氧化半導體電晶體耦接在一電源供應器及一地線之間。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 多個記憶體單元，排列於多個列以及多個欄之上；<br/> 多條第一字元線，耦接至相對應之一列上的該些記憶體單元；以及<br/> 多條第二字元線，耦接至相對應之一欄上的該些記憶體單元；<br/> 其中，該些記憶體單元各自包含:<br/> 一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至一對應的該些第一字元線；<br/> 一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及一對應的該些第二字元線；<br/> 一記憶體組件；以及<br/> 一第三金屬氧化半導體電晶體，<br/> 其中該第三金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件、該第二金屬氧化半導體電晶體以及該第一金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 多條第一字元線，耦接至相對應之一列上的複數個記憶體單元；<br/> 多條第二字元線，耦接至相對應之一欄上的該些記憶體單元；以及<br/> 一第一記憶體單元包含:<br/> 一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至該些第一字元線的一第一者；<br/> 一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及該些第二字元線的一第一者；<br/> 一第一記憶體組件；以及<br/> 一第三金屬氧化半導體電晶體，耦接至多個位元線的一第一者；<br/> 其中該第一金屬氧化半導體電晶體、該第二金屬氧化半導體電晶體、該第一記憶體元件以及該第三金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
如請求項8所述之記憶體裝置，進一步包含:<br/> 一第二記憶體單元包含:<br/> 一第四金屬氧化半導體電晶體，耦接於該些第一字元線的一第二者；<br/> 一第五金屬氧化半導體電晶體，耦接於該些第二字元線的該第一者；<br/> 一第二記憶體元件；以及<br/> 一第六金屬氧化半導體電晶體，耦接於該些位元線的該第一者；<br/> 其中該第四金屬氧化半導體電晶體、該第五金屬氧化半導體電晶體、該第二記憶體元件以及該第六金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 多個記憶體單元，排列於多個列以及多個欄之上；<br/> 多條第一字元線，耦接至相對應之一列上的該些記憶體單元；以及<br/> 多條第二字元線，耦接至相對應之一欄上的該些記憶體單元；<br/> 其中，該些記憶體單元各自包含:<br/> 一第一金屬氧化半導體電晶體，耦接至該些第一字元線相應的一者；<br/> 一第二金屬氧化半導體電晶體，耦接至該第一金屬氧化半導體電晶體以及該些第二字元線相應的一者；<br/> 一記憶體元件，耦接至該第二金屬氧化半導體電晶體；以及<br/> 一第三金屬氧化半導體電晶體，耦接至該記憶體元件及多個位元線相應的一者；<br/> 其中該第三金屬氧化半導體電晶體、該記憶體元件、該第二金屬氧化半導體電晶體以及該第一金屬氧化半導體電晶體以串聯的方式連接。
一種腔室蓋，包含：<br/> 一頂壁；<br/> 一底壁；<br/> 複數個垂直側壁；<br/> 一內部容積，在由該頂壁、該底壁和該複數個垂直側壁界定的該腔室蓋內；<br/> 複數個空氣流孔口，其中該複數個空氣流孔口配置為將空氣流體地連通進該內部容積和連通出該內部容積；<br/> 一網，設置在該複數個空氣流孔口的至少一個空氣流孔口的一面上；及<br/> 一把手，耦合到該腔室蓋，以向上或向下移動該腔室蓋。
如請求項1所述之腔室蓋，其中一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的該頂壁上。
如請求項2所述之腔室蓋，其中：<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第一垂直側壁上；<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第二垂直側壁上；或<br/> 它們的組合。
如請求項3所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為流體連通空氣，令空氣從該複數個垂直側壁的一外表面向內移動至該內部容積，並且從該內部容積通過該腔室蓋的該頂壁的該一個或多個空氣流孔口向外移動。
如請求項3所述之腔室蓋，其中：<br/> 該第一垂直側壁和該第二垂直側壁上的該複數個空氣流孔口的該一個或多個空氣流孔口是多個空氣入口；及<br/> 該頂壁上的該複數個空氣流孔口的該一個或多個空氣流孔口是一空氣出口。
如請求項2所述之腔室蓋，其中：<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第三垂直側壁上，及<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第四垂直側壁上；或<br/> 它們的組合。
如請求項1所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制為約150℃或更低。
如請求項1所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制為從約100℃至約150℃。
如請求項1所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制在位於該腔室蓋下方的一腔室主體的約50℃或更低內。
如請求項1所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制在位於該腔室蓋下方的一腔室主體的約25℃或更低內。
一種腔室蓋，包含：<br/> 一頂壁；<br/> 一底壁；<br/> 複數個垂直側壁；<br/> 一內部容積，在由該頂壁、該底壁和該複數個垂直側壁界定的該腔室蓋內；<br/> 複數個空氣流孔口，其中：<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第一垂直側壁上，<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第二垂直側壁上，<br/> 一個或多個空氣流孔口在該腔室蓋的該頂壁上，並且<br/> 該複數個空氣流孔口配置為流體連通空氣，空氣從該複數個垂直側壁的一外表面向內移動到該內部容積，並通過該腔室蓋的該頂壁上的該一個或多個空氣流孔口從該內部容積向外移動；<br/> 一網，設置在該複數個空氣流孔口的至少一個空氣流孔口的一面上；及<br/> 一把手，耦合到該腔室蓋，以向上或向下移動該腔室蓋。
如請求項11所述之腔室蓋，其中：<br/> 該第一垂直側壁和該第二垂直側壁上的該複數個空氣流孔口的該一個或多個空氣流孔口是多個空氣入口；及<br/> 該頂壁上的該複數個空氣流孔口的該一個或多個空氣流孔口是一空氣出口。
如請求項12所述之腔室蓋，其中：<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第三垂直側壁上，及<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第四垂直側壁上；或<br/> 它們的組合。
如請求項11所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制為約150℃或更低。
如請求項11所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制為從約100℃至約150℃。
如請求項11所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制在位於該腔室蓋下方的一腔室主體的約50℃或更低內。
如請求項11所述之腔室蓋，其中該複數個空氣流孔口配置為將一腔室蓋溫度控制在位於該腔室蓋下方的一腔室主體的約25℃或更低內。
一種處理一基板的方法，包含以下步驟：<br/> 將該基板引入一基板處理腔室的一處理容積中，該基板處理腔室包含一腔室蓋，該腔室蓋包含：<br/> 一頂壁；<br/> 一底壁；<br/> 複數個垂直側壁；<br/> 一內部容積，在由該頂壁、該底壁和該複數個垂直側壁界定的該腔室蓋內；<br/> 複數個空氣流孔口，其中該複數個空氣流孔口配置為將空氣流體地連通進該內部容積和連通出該內部容積；<br/> 一網，設置在該複數個空氣流孔口的至少一個空氣流孔口的一面上；及<br/> 一把手，耦合到該腔室蓋，以向上或向下移動該腔室蓋；及<br/> 在該基板上執行一個或多個操作。
如請求項18所述之方法，其中：<br/> 一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的該頂壁上；及<br/> 該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第一垂直側壁上，該複數個空氣流孔口的一個或多個空氣流孔口位於該腔室蓋的一第二垂直側壁上，或它們的組合。
如請求項19所述之方法，其中該複數個空氣流孔口配置為流體連通空氣，空氣從該複數個垂直側壁的一外表面向內移動到該內部容積，並通過該腔室蓋的該頂壁上的該一個或多個空氣流孔口從該內部容積向外移動。
一種冗餘開關電源，其特徵在於，包括：<br/>三相變壓器，包括用於連接至三相交流電的初級繞組，以及用於輸出電氣隔離的第一交流電及第二交流電的第一次級繞組及第二次級繞組；<br/>第一開關電源模組，其用於將所述第一次級繞組輸出的第一交流電轉換成所需的直流電；以及<br/>第二開關電源模組，其用於將所述第二次級繞組輸出的第二交流電轉換成所需的直流電；<br/>其中，所述初級繞組包括第一初級繞組及第二初級繞組，所述第一初級繞組的一個端子連接至第一相交流電，其另一個端子連接至所述第二初級繞組的中心分接頭，所述第二初級繞組的兩個端子分別連接至第二相交流電及第三相交流電。
如請求項1之冗餘開關電源，其中，所述第二初級繞組的匝數與所述第一初級繞組的匝數之比為1:<img align="absmiddle" height="18px" width="17px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之冗餘開關電源，其中，所述第一次級繞組的匝數等於所述第二次級繞組的匝數。
如請求項1之冗餘開關電源，其中，所述第一初級繞組、第二初級繞組、第一次級繞組及第二次級繞組纏繞在同一個磁芯上。
如請求項1至4中之任一項之冗餘開關電源，其中，所述第一開關電源模組包括：<br/>第一單相整流器，其輸入端連接至所述第一次級繞組的兩端；以及<br/>第一DC/DC轉換器，其輸入端連接至所述第一單相整流器的輸出端，其輸出端用於輸出所需的直流電。
如請求項5之冗餘開關電源，其中，所述第一開關電源模組進一步包括連接在所述第一DC/DC轉換器的輸出端的輸出熔斷器。
如請求項5之冗餘開關電源，其中，所述第一DC/DC轉換器是降壓截波電路。
如請求項1至4中之任一項之冗餘開關電源，其中，所述第二開關電源模組包括：<br/>第二單相整流器，其輸入端連接至所述第二次級繞組的兩端；以及<br/>第二DC/DC轉換器，其輸入端連接至所述第二單相整流器的輸出端，其輸出端用於輸出所需的直流電。
如請求項1之冗餘開關電源，其中，所述冗餘開關電源包括連接在所述三相交流電及所述三相變壓器的初級繞組之間的輸入熔斷器。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一或多個主動區結構，各自在垂直方向中垂直地向外凸出一基板，並在一第一水平方向中水平延伸；<br/> 一源極/汲極構件，在該垂直方向中位於該或該些主動區結構上；<br/> 一源極/汲極接點，在該垂直方向中位於該源極/汲極構件上，其中該源極/汲極接點包括一底部與一頂部，且該底部為至少部分弧形；以及<br/> 一保護襯墊層，位於該源極/汲極接點的該頂部的側表面上，但不位於該源極/汲極接點的該底部的側表面上，<br/> 其中該保護襯墊層的厚度隨著該保護襯墊層的高度增加而變厚。
如請求項1所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一閘極結構，在該第一水平方向中與該源極/汲極接點相鄰；以及<br/> 一閘極接點，在該垂直方向中位於該閘極結構上，其中該保護襯墊層在該第一水平方向中分開該閘極接點與該源極/汲極接點。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一或多個鰭狀結構，各自在一垂直方向中垂直地凸出基板並在一第一水平方向中水平延伸；<br/> 一磊晶源極/汲極，在該垂直方向中位於該或該些鰭狀結構上；<br/> 一源極/汲極接點，在該垂直方向中位於該磊晶源極/汲極上，<br/> 其中該源極/汲極接點包括一上側部分與一下側部分，以及<br/> 在該垂直方向與垂直於該第一水平方向的一第二水平方向所定義的剖面中，該下側部分具有弧形輪廓，且該下側部分的一第一最大寬度大於該上側部分的一第二最大寬度。
如請求項3所述之半導體裝置，更包括：<br/> 一閘極結構，在該垂直方向中位於該基板上並在該第一水平方向中與該源極/汲極接點相鄰；<br/> 一閘極接點，在該垂直方向中位於該閘極結構上；以及<br/> 一保護襯墊層，在該第一水平方向中位於該閘極接點與該源極/汲極接點之間，其中該保護襯墊層位於該源極/汲極接點的該上側部分的側表面上，且不位於該源極/汲極接點的該下側部分的側表面上。
一種半導體裝置的形成方法，包括:<br/> 提供一積體電路裝置，其包括一主動區、一源極/汲極構件形成於該主動區上、一閘極結構形成於該主動區上並與該源極/汲極構件相鄰、以及一層間介電層形成於該源極/汲極構件上；<br/> 蝕刻一開口於該源極/汲極構件上，其中該開口部分地延伸穿過該層間介電層但不露出該源極/汲極構件的上側表面；<br/> 形成一保護襯墊層於該開口的側壁上；<br/> 移除該源極/汲極構件的上側表面上的該層間介電層的保留部分，以露出該源極/汲極構件的上側表面；<br/> 形成一源極/汲極接點於該開口中；以及<br/> 形成一閘極接點於該閘極結構上，其中<br/> 露出步驟包括完全露出該源極/汲極構件的上側表面；以及<br/> 形成該源極/汲極接點的步驟包括形成該源極/汲極接點於該源極/汲極構件的所有上側表面上。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一源極/汲極構件；<br/> 一源極/汲極接點，位於該源極/汲極構件上；以及<br/> 一襯墊層，在一第一側剖視圖中位於該源極/汲極接點的側壁的一部分而非全部上，<br/> 其中該襯墊層的厚度隨著該襯墊層的高度增加而變厚。
如請求項6所述之半導體裝置，其中：<br/> 該第一側剖視圖沿著一垂直方向與一第一水平方向所定義的一第一平面；以及<br/> 該襯墊層在一第二側剖視圖更位於該源極/汲極接點的側壁的一部分而非全部上，該第二側剖視圖沿著該垂直方向與一第二水平方向所定義的一第二平面，且該第二水平方向垂直於該第一水平方向。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一主動區與一第二主動區，各自在一垂直方向中垂直凸出一基板，其中該第一主動區與該第二主動區在一第一水平方向中分開；<br/> 一源極/汲極構件，包覆該第一主動區與該第二主動區的上表面與側表面的部分；以及<br/> 一源極/汲極接點，位於該源極/汲極構件上，其中該源極/汲極接點的側表面的至少一部分為弧形，<br/> 其中該源極/汲極接點位於該源極/汲極構件的所有上側表面上。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 形成一開口以垂直延伸並部分穿過一層間介電層，其中該開口對準但不露出一電晶體的一源極/汲極區；<br/> 形成一襯墊層於該開口的側表面上；<br/> 垂直延伸開口穿過該層間介電層，使該開口露出該源極/汲極區的至少一部分；以及<br/> 將一源極/汲極接點填入該開口，<br/> 其中該襯墊層的厚度隨著該襯墊層的高度增加而變厚。
一種動壓軸承，於內周面包括沿著軸方向分離設置的第一動壓產生部以及第二動壓產生部，且第一動壓產生部以及第二動壓產生部動壓產生部的各者分別包括以人字形形狀排列的傾斜方向不同的多條動壓槽，第一動壓產生部於傾斜方向不同的多條所述動壓槽的軸方向間包括環狀丘部，第二動壓產生部的傾斜方向不同的多條所述動壓槽於軸方向上連續，所述第一動壓產生部的所述動壓槽相對於周方向的傾斜角度小於所述第二動壓產生部的所述動壓槽相對於周方向的傾斜角度，所述第一動壓產生部的所述動壓槽相對於周方向的傾斜角度為20°以下，所述第二動壓產生部的所述動壓槽相對於周方向的傾斜角度為20°以上且40°以下。
一種流體動壓軸承裝置，包括：如請求項1所述的動壓軸承；軸構件，插入所述動壓軸承的內周；以及徑向軸承部，藉由形成於所述動壓軸承的內周面與所述軸構件的外周面之間的徑向軸承間隙的潤滑流體的動壓作用支持所述軸構件的相對旋轉。
一種馬達，包括：如請求項2所述的流體動壓軸承裝置；轉子，與所述軸構件或所述動壓軸承一體旋轉；以及驅動部，旋轉驅動所述轉子。
如請求項3所述的馬達，將所述第一動壓產生部配置於較所述第二動壓產生部更接近包括所述轉子的旋轉側整體的重心的軸方向位置。
如請求項3或請求項4所述的馬達，其中所述轉子包括葉輪。
一種著色組成物，其係包含著色劑、樹脂、聚合性化合物及光聚合起始劑，前述著色組成物中前述著色劑包含黃色顏料，前述黃色顏料包含比色指數顏料黃185、除了比色指數顏料黃185以外的異吲哚啉系黃色顏料及偶氮次甲基系黃色顏料，前述異吲哚啉系黃色顏料為比色指數顏料黃139，前述著色劑中的比色指數顏料黃185的含量為10質量%以上且70質量%以下，所述異吲哚啉系黃色顏料的含量為10質量%~30質量%，所述偶氮次甲基系黃色顏料的含量為10質量%~30質量%，前述著色組成物，其係黃色著色組成物。
如請求項1所述之著色組成物，其中前述著色劑中的前述黃色顏料的含量為60~100質量%。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述著色劑中的比色指數顏料黃185的含量為40質量%以上。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中相對於比色指數顏料黃185和前述異吲哚啉系黃色顏料的總計100質量份，包含10~60質量份的前述偶氮次甲基系黃色顏料。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述偶氮次甲基系黃色顏料為比色指數顏料黃150。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述光聚合起始劑包含肟化合物。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述樹脂包含具有交聯性基之樹脂。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述樹脂包含具有環狀醚基之樹脂。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中前述聚合性化合物包含選自包括二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯及該等的改質體之群組中之至少1種。
如請求項1或請求項2所述之著色組成物，其中在使用前述著色組成物形成膜厚為0.6μm的膜時，前述膜在400~475nm的波長範圍內的透射率的平均值小於4%，550~700nm的波長範圍內的透射率的平均值為90%以上。
一種膜，其係使用請求項1至請求項10之任一項所述之著色組成物來獲得。
一種濾色器，其係包含請求項11所述之膜。
一種光感測器，其係包含請求項11所述之膜。
一種顯示裝置，其係包含請求項11所述之膜。
一種著色組成物，其係包含著色劑、樹脂、聚合性化合物及光聚合起始劑，前述著色組成物中前述著色劑包含黃色顏料，前述黃色顏料包含比色指數顏料黃185、除了比色指數顏料黃185以外的異吲哚啉系黃色顏料及偶氮次甲基系黃色顏料，前述著色劑中的比色指數顏料黃185的含量為40質量%以上。
一種著色組成物，其係包含著色劑、樹脂、聚合性化合物及光聚合起始劑，前述著色組成物中前述著色劑包含黃色顏料，前述黃色顏料包含比色指數顏料黃185、除了比色指數顏料黃185以外的異吲哚啉系黃色顏料及偶氮次甲基系黃色顏料，前述異吲哚啉系黃色顏料為比色指數顏料黃139，前述偶氮次甲基系黃色顏料為比色指數顏料黃150，前述著色劑中的比色指數顏料黃185的含量為40~70質量%，比色指數顏料黃139的含量為10~30質量%，比色指數顏料黃150的含量為10~30質量%。
一種著色組成物，其係包含著色劑、樹脂、聚合性化合物及光聚合起始劑，前述著色組成物中前述著色劑包含黃色顏料，前述黃色顏料包含比色指數顏料黃185、除了比色指數顏料黃185以外的異吲哚啉系黃色顏料及偶氮次甲基系黃色顏料，前述著色劑中的比色指數顏料黃185的含量為10質量%以上，其中在使用前述著色組成物形成膜厚為0.6μm的膜時，前述膜在400~475nm的波長範圍內的透射率的平均值小於4%，550~700nm的波長範圍內的透射率的平均值為90%以上。
一種自具有細胞壁之複數個細胞純化蛋白質之方法，該方法包括以下步驟：<br/> a) 用鹼處理該複數個細胞之水性懸浮液，直至該水性懸浮液之pH為8.5至12.0；<br/> b) 在小於或等於12°C的溫度下對該複數個細胞之該等細胞壁進行穿孔，並接著將該複數個細胞加熱到至少60°C；<br/> c) 分離該複數個細胞之水性懸浮液以形成固體部分及液體部分；<br/> d) 過濾該液體部分以形成濾液及滲餘物；<br/> e) 濃縮該滲餘物以形成蛋白質組合物；及<br/> f) 視情況對該蛋白質組合物進行巴氏滅菌，<br/> 其中a)至e)中之每一者獨立地在8.5至12.0之pH下進行，及/或其中該方法使該液體部分包含至少10重量%之該複數個細胞的胞質蛋白。
一種自具有細胞壁之複數個細胞純化蛋白質之方法，該方法包括以下步驟：<br/> a) 在小於或等於12°C的溫度下對該複數個細胞之該等細胞壁進行穿孔，並接著將該複數個細胞加熱到至少60°C；<br/> b) 視情況用鹼處理該複數個細胞之水性懸浮液，直至該水性懸浮液之pH為8.5至12.0；<br/> c) 分離該複數個細胞之水性懸浮液以形成固體部分及液體部分；<br/> d) 過濾該液體部分以形成濾液及滲餘物；<br/> e) 濃縮該滲餘物以形成蛋白質組合物；及<br/> f) 視情況對該蛋白質組合物進行巴氏滅菌，<br/> 其中a)至e)中之每一者獨立地在8.5至12.0之pH下進行，及/或其中該方法使該液體部分包含至少10重量%之該複數個細胞的胞質蛋白。
如請求項1所述之方法，其中該蛋白質組合物包含一可溶性蛋白質，其中該可溶性蛋白質為含血基質之蛋白質(heme-containing protein)。
如請求項3所述之方法，其中該可溶性蛋白質具有熔點，且該方法進一步包括以下步驟：在a)之前將該複數個細胞加熱至比該可溶性蛋白質的該熔點低10°C或5°C之溫度。
如請求項3所述之方法，其中以乾重計，該可溶性蛋白質佔該蛋白質組合物中蛋白質之至少30%。
如請求項2所述之方法，其中該蛋白質組合物包含一可溶性蛋白質，其中該可溶性蛋白質視情況為含血基質之蛋白質(heme-containing protein)。
如請求項6所述之方法，其中該可溶性蛋白質具有熔點，且該方法進一步包括以下步驟：在a)之前將該複數個細胞加熱至比該可溶性蛋白質的該熔點低10°C或5°C之溫度。
如請求項6所述之方法，其中以乾重計，該可溶性蛋白質佔該蛋白質組合物中蛋白質之至少30%。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中a)至e)中之每一者獨立地在9.0至10.0之pH下進行；及/或其中a)至e)中之每一者獨立地在低於或等於12°C之溫度下進行。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中穿孔包括用還原劑處理、用酶處理、電穿孔或其組合。
如請求項10所述之方法，其中用該還原劑處理之步驟包括以下步驟：用10 mM至500 mM還原當量之該還原劑處理；其中該還原劑係選自由半胱胺酸、麩胱甘肽、亞硫酸氫鹽及其組合組成之群；及/或其中該還原劑為食品安全還原劑。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該方法使該液體部分包含至少50重量%之該複數個細胞的胞質蛋白。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該方法使該複數個細胞中至少25重量%之細胞保持完整。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該方法不包括對該複數個細胞進行機械溶解(mechanical lysis)，視情況其中與包括機械溶解之類似方法相比，該蛋白質組合物包含較高比例之胞質蛋白。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中該過濾係進行直至將該蛋白質組合物之2% (w/v)懸浮液之pH自pH 3調節至pH 12所需之氫氧化鈉之量小於或等於3 mmol。
如請求項1至8中任一項所述之方法，其中當未將L-半胱胺酸添加至該蛋白質組合物時，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S的量小於0.1 ppm；及/或其中在25°C下將25 mM L-半胱胺酸添加至該蛋白質組合物之後24小時，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S的量為至少0.2 ppm。
一種藉由如請求項1至16中任一項所述之方法製備之蛋白質組合物，其中該蛋白質組合物具有以下一或多個特徵：<br/> 其中該蛋白質組合物之緩衝容量為小於約3.0 mmol NaOH/公克乾固體；<br/> 其中將該蛋白質組合物之10% (w/v)懸浮液加熱至至少約95°C產生儲存模數為至少100 Pa之凝膠；以及<br/> 其中當未將L-半胱胺酸添加至pH 7.0下之5 mL的該蛋白質組合物之2% (w/v)懸浮液時，在25°C下24小時之後，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S之量小於0.1 ppm，及/或其中在25 °C下將約25 mM L-半胱胺酸添加至pH 7.0下之5 mL的該蛋白質組合物之2% (w/v)懸浮液之後24小時，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S之量為至少0.2 ppm。
一種藉由如請求項1至16中任一項所述之方法製備之蛋白質組合物在食品、飲料或補充劑中之用途。
一種蛋白質組合物，其包含：<br/> 複數種功能性蛋白質，<br/> 其中該蛋白質組合物具有以下一或多個特徵：<br/> 其中該蛋白質組合物之緩衝容量為小於3.0 mmol NaOH/公克乾固體；<br/> 其中將該蛋白質組合物之10% (w/v)懸浮液加熱至至少95°C產生儲存模數為至少100 Pa之凝膠；以及<br/> 其中當未將L-半胱胺酸添加至pH 7.0下之5 mL的該蛋白質組合物之2% (w/v)懸浮液時，在25°C下24小時之後，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S之量小於0.1 ppm，及/或其中在25 °C下將25 mM L-半胱胺酸添加至pH 7.0下之5 mL的該蛋白質組合物之2% (w/v)懸浮液之後24小時，頂部空間中可偵測到之H<sub>2</sub>S之量為至少0.2 ppm。
如請求項19所述之蛋白質組合物，其中以乾重計，該複數種功能性蛋白質包含至少50%的胞質蛋白。
如請求項19所述之蛋白質組合物，其中該蛋白質組合物可使水包油乳液(oil-in-water emulsion)穩定；及/或其中該蛋白質組合物可使水包氣乳液(air-in-water emulsion)穩定。
如請求項19所述之蛋白質組合物，其中以乾重計，至少30%之該蛋白質組合物包含豐富蛋白(abundant protein)，視情況其中該豐富蛋白為含血基質之蛋白質。
如請求項19所述之蛋白質組合物，其中該蛋白質組合物不包含選自由以下組成之群的一或多種化合物：半胱胺酸、1-己醇、2-丁基呋喃、2-甲基-2-戊烯醛、3-辛酮、乙酸乙酯、2-乙基-呋喃、2-戊基-呋喃、吡嗪、1-癸醇、苯乙酮、1-壬醇、2,5-二甲基-吡嗪、十二醛、苯乙醛、壬醛、丁內酯、辛醛、2-癸酮、己醛、2-壬酮、苯甲醛、庚醛、2-辛酮、糠醛、2-庚酮及戊醛。
一種食品、飲料或補充劑，其包含如請求項19至23中任一項所述之蛋白質組合物。
一種處理具有細胞壁之複數個細胞的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 對該複數個細胞之該等細胞壁進行穿孔，其中視情況在8.5至12.0的pH下進行該穿孔；其中視情況在低於或等於12 °C的溫度下進行該穿孔；其中該方法視情況進一步包括：在穿孔後，將該複數個細胞加熱到至少60 °C；<br/> 其中用甘露糖苷酶處理該複數個細胞之上清液在該上清液中產生少於30 µg/mL的可偵測甘露糖，且其中在50°C下在pH 10.5下培育10分鐘並離心以移除固體之後使用該複數個細胞之10% (w/v)懸浮液製備該上清液。
一種處理複數個細胞之方法，該方法包括以下步驟：<br/> 用鹼處理該複數個細胞之水性懸浮液，直至該水性懸浮液之pH為8.5至12.0，其中視情況在低於或等於12 °C的溫度下進行該處理；<br/> 其中用甘露糖苷酶處理該複數個細胞之上清液在該上清液中產生少於30 µg/mL的可偵測甘露糖，且其中在50°C下在pH 10.5下培育10分鐘並離心以移除固體之後使用該複數個細胞之10% (w/v)懸浮液製備該上清液。
一種處理複數個細胞之方法，該方法包括以下步驟：<br/> 將該複數個細胞加熱至50°C至85°C之溫度，其中視情況在8.5至12.0的pH下進行該加熱；其中該方法視情況進一步包括：在加熱該複數個細胞後，用鹼處理該複數個細胞之水性懸浮液，直至該水性懸浮液之pH為8.5至12.0，其中當該複數個細胞具有細胞壁時，該方法視情況進一步包括：在加熱該複數個細胞後，對該複數個細胞之該等細胞壁進行穿孔；<br/> 其中用甘露糖苷酶處理該複數個細胞之上清液在該上清液中產生少於30 µg/mL的可偵測甘露糖，其中在50°C下在pH 10.5下培育10分鐘並離心以移除固體之後使用該複數個細胞之10% (w/v)懸浮液製備該上清液。
如請求項25至27中任一項所述之方法，其中在可溶相中可偵測少於200 μg/mL β葡聚糖，其中在50°C下在pH 12.0下培育10分鐘之後使用該複數個細胞之10% (w/v)懸浮液製備該可溶相。
一種組合物，該組合物包括藉由如請求項25至28中任一項所述之方法製備之該複數個細胞。
一種產生方法，適用於對於一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中對上述宏電路的一輸出狀態元件產生上述定制時脈偏移資訊之步驟更包括決定自一內部宏時脈樹之根部至上述輸出狀態元件之一時脈延遲之最大值以及上述時脈延遲與上述宏電路之所有輸出狀態元件之一平均輸出設置寬鬆之差值； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
如請求項1所述之產生方法，上述產生上述定制時脈偏移資訊之步驟更包括基於每一宏電路之一時脈端之一時脈信號之複數轉移延遲之複數轉折點所決定之一索引，對一維時脈延遲查找表進行查找。
一種非時變機器可讀取媒體，用以儲存複數指令，其中當一處理器執行上述指令時，上述處理器運行一產生方法而對一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，其中上述產生方法包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中對上述宏電路的一輸出狀態元件產生上述定制時脈偏移資訊之步驟更包括決定自一內部宏時脈樹之根部至上述輸出狀態元件之一時脈延遲之最大值以及上述時脈延遲與上述宏電路之所有輸出狀態元件之一平均輸出設置寬鬆之差值； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種積體電路設計系統，包括： <br/>一電腦，具有一處理器及一記憶體； <br/>一軟體應用，由上述電腦之處理器所運行，且暫存於上述記憶體； <br/>其中上述軟體應用包括複數軟體功能模組，且上述軟體功能模組包括： <br/>一佈局佈線模組，上述布局佈線模組用以接收以一硬體描述語言所指定之一特定應用積體電路設計，且將上述特定應用積體電路設計之每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>一偏移決定模組，上述偏移決定模組具有耦接至一宏時脈延遲模型之一時脈偏移計算引擎，其中上述偏移決定模組用以： <br/>基於上述宏時脈延遲模型對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊而對位於上述半導體基板之每一宏電路產生一時脈傳送電路；以及 <br/>藉由決定自一內部宏時脈樹之根部至上述輸出狀態元件之一時脈延遲之最大值以及上述時脈延遲與上述宏電路之所有輸出狀態元件之一平均輸出設置寬鬆之差值，以決定對上述宏電路的一輸出狀態元件產生上述定制時脈偏移資訊； <br/>一時脈傳送調整模組，當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時序要求時，上述時脈傳送調整模組用以調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>一佈線模組，上述佈線模組用以輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種產生方法，適用於對於一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中上述產生上述定制時脈偏移資訊之步驟更包括基於每一宏電路之一時脈端上的一時脈信號之複數轉移延遲之複數轉折點所決定之一索引，對上述一維時脈延遲查找表進行查找； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種非時變機器可讀取媒體，用以儲存複數指令，其中當一處理器執行上述指令時，上述處理器運行一產生方法而對一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，其中上述產生方法包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中上述產生上述定制時脈偏移資訊之步驟更包括基於每一宏電路之一時脈端上的一時脈信號之複數轉移延遲之複數轉折點所決定之一索引，對上述一維時脈延遲查找表進行查找； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種積體電路設計系統，包括： <br/>一電腦，具有一處理器及一記憶體； <br/>一軟體應用，由上述電腦之處理器所運行，且暫存於上述記憶體； <br/>其中上述軟體應用包括複數軟體功能模組，且上述軟體功能模組包括： <br/>一佈局佈線模組，上述佈局佈線模組用以接收以一硬體描述語言所指定之一特定應用積體電路設計，且將上述特定應用積體電路設計之每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>一偏移決定模組，上述偏移決定模組具有耦接至一宏時脈延遲模型之一時脈偏移計算引擎，其中上述偏移決定模組用以： <br/>基於上述宏時脈延遲模型對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊而對位於上述半導體基板之每一宏電路產生一時脈傳送電路；以及 <br/>基於每一宏電路之一時脈端上的一時脈信號之複數轉移延遲之複數轉折點所決定之一索引，對上述一維時脈延遲查找表進行查找； <br/>一時脈傳送調整模組，當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時序要求時，上述時脈傳送調整模組用以調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>一佈線模組，上述佈線模組用以輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種產生方法，適用於對於一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中上述產生一定制時脈偏移資訊之步驟更包括對指定每一宏電路之一時脈端上的一時脈信號之一轉移延遲之一共同查找表進行查找，並且提取自最接近由一自動佈局佈線工具所提供之上述轉移延遲的一轉折點之一索引； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種非時變機器可讀取媒體，用以儲存複數指令，其中當一處理器執行上述指令時，上述處理器運行一產生方法而對一特定應用積體電路設計之每一宏電路產生一時脈傳送電路，其中上述產生方法包括： <br/>接收以一硬體描述語言描述之上述特定應用積體電路設計； <br/>將每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>基於一宏時脈延遲模型，對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊，其中上述產生一定制時脈偏移資訊之步驟更包括對指定每一宏電路之一時脈端上的一時脈信號之一轉移延遲之一共同查找表進行查找，並且提取自最接近由一自動佈局佈線工具所提供之上述轉移延遲的一轉折點之一索引； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊，對放置於上述半導體基板之每一宏電路產生上述時脈傳送電路； <br/>當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時脈要求時，調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種積體電路設計系統，包括： <br/>一電腦，具有一處理器及一記憶體； <br/>一軟體應用，由上述電腦之處理器所運行，且暫存於上述記憶體； <br/>其中上述軟體應用包括複數軟體功能模組，且上述軟體功能模組包括： <br/>一佈局佈線模組，上述布局佈線模組用以接收以一硬體描述語言所指定之一特定應用積體電路設計，且將上述特定應用積體電路設計之每一宏電路放置於一半導體基板上之指定位置； <br/>一偏移決定模組，上述偏移決定模組具有耦接至一宏時脈延遲模型之一時脈偏移計算引擎，其中上述偏移決定模組用以： <br/>基於上述宏時脈延遲模型對每一宏電路產生一定制時脈偏移資訊； <br/>基於上述定制時脈偏移資訊而對位於上述半導體基板之每一宏電路產生一時脈傳送電路；以及 <br/>透過判斷自一內部宏時脈樹之根部至一輸出狀態元件之一時脈延遲之最大值以及上述時脈延遲與每一宏電路之所有輸出狀態元件之一平均輸出設置寬鬆之差值，而決定每一宏電路之上述輸出狀態元件之上述定制時脈偏移資訊； <br/>一時脈傳送調整模組，當上述時脈傳送電路不符合上述特定應用積體電路設計之時序要求時，上述時脈傳送調整模組用以調整上述時脈傳送電路；以及 <br/>一佈線模組，上述佈線模組用以輸出上述特定應用積體電路設計之一物理佈局而以一半導體製造程進行製造。
一種用於產生包含多醣之液體材料之方法，其包括： <br/>輻射包含多醣及水性溶劑之混合物， <br/>其中該輻射步驟在低於該混合物之膠化溫度之溫度下發生， <br/>其中經輻射所得材料之M<sub>n</sub>對該多醣之M<sub>n</sub>的比率為90%或以上。
如請求項1之方法，其中該混合物中該多醣之濃度係介於3%與25% (w/v)之間。
如請求項2之方法，其中該混合物中該多醣之濃度係介於8%與18% (w/v)之間。
如請求項1之方法，其中該混合物係用超音波輻射。
如請求項4之方法，其中施用該等超音波之溫度係比該混合物之膠化溫度低介於1℃與25℃之間。
如請求項4之方法，其中施用該等超音波之溫度係小於30℃。
如請求項4之方法，其中該等超音波之頻率係介於20 kHz與400 kHz之間。
如請求項4之方法，其中該等超音波之輸出係20 W/L或更小。
如請求項4之方法，其中將該等超音波之輸出施用至該混合物持續介於5分鐘與30分鐘之間。
如請求項4之方法，其中輻射包含多醣及水性溶劑之該混合物進一步包括攪拌該混合物。
如請求項10之方法，其中攪拌該混合物進一步包括使惰性氣體鼓泡通過該混合物。
如請求項1之方法，其中該材料包括直鏈澱粉、支鏈澱粉、肝醣、纖維素、幾丁質、幾丁聚醣、瓊脂糖、木葡聚糖、葡甘聚醣、玻尿酸、結冷膠、脫醯結冷膠、鼠李糖膠(rhamzan gum)、地坦膠(diutan gum)、瓜爾膠、黃原膠、角叉菜膠、黃原膠、己醣醛酸、褐藻糖膠、果膠、果膠酸、果膠酯酸、肝素前體、硫酸乙醯肝素、肝素、硫酸角質素、硫酸軟骨素、硫酸皮膚素、硫酸鼠李聚醣(rhamnan sulfate)、其等鹽，或其組合。
如請求項1之方法，其中該水性溶劑包括小於10% (v/v)有機溶劑。
一種包含多醣之液體材料，其係藉由如請求項1之方法獲得，其中該液體中該多醣之濃度係3至25% (w/v)及該液體之黏度係120 Pa s或更小。
如請求項14之液體材料，其中該等多醣包括直鏈澱粉、支鏈澱粉、肝醣、纖維素、幾丁質、幾丁聚醣、瓊脂糖、木葡聚糖、葡甘聚醣、玻尿酸、結冷膠、脫醯結冷膠、鼠李糖膠、地坦膠、瓜爾膠、黃原膠、角叉菜膠、黃原膠、己醣醛酸、褐藻糖膠、果膠、果膠酸、果膠酯酸、肝素前體、硫酸乙醯肝素、肝素、硫酸角質素、硫酸軟骨素、硫酸皮膚素、硫酸鼠李聚醣、其等鹽，或其組合。
如請求項14之液體材料，其中該混合物係用超音波輻射。
如請求項16之液體材料，其中施用該等超音波之溫度係比該混合物之膠化溫度低介於1℃與25℃之間。
如請求項16之液體材料，其中該混合物係經由使惰性氣體鼓泡通過該混合物來攪拌。
一種醫藥成分，其包含如請求項14之包含多醣之液體材料。
一種食品成分，其包含如請求項14之包含多醣之液體材料。
一種營養補充劑，其包含如請求項14之包含多醣之液體材料。
一種化妝品成分，其包含如請求項14之包含多醣之液體材料。
一種藥妝品成分，其包含如請求項14之包含多醣之液體材料。
一種感光性樹脂組成物，為遮光膜形成用的感光性樹脂組成物，係含有下述成分(A)至(E)： <br/>(A)(甲基)丙烯酸環氧酯酸加成物、 <br/>(B)具有至少1個乙烯性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸酯類、 <br/>(C)肟酯系光聚合起始劑、 <br/>(D)平均粒徑為50至180nm之碳黑、 <br/>(E) 含有平均粒徑為20至150nm之二氧化矽粒子的PGMEA分散液；並且 <br/>成分(A)與成分(B)之質量比([成分(A)]/[成分(B)])為 85/15至55/45； <br/>相對於感光性樹脂組成物中之固形分的總量，成分(E)的含量為1至7質量%； <br/>在將平均膜厚位於0.5至2.5μm的範圍且由前述感光性樹脂組成物的硬化物所構成之膜成膜於玻璃基板上，並使用STEM-EDS以能量分散型X射線分析法對該膜的剖面進行元素分析而藉此求取下述原子比(X)、(Y)及(Z)之情形時： <br/>[原子比(X)]該膜中的Si元素相對於該膜中所存在之C、O及Si元素的合計量之原子比， <br/>[原子比(Y)]該膜於玻璃基板附近之區域中的Si元素，相對於從前述玻璃基板與前述膜之界面至厚度200nm為止之間之前述膜於玻璃基板附近的區域中所存在之C、O及Si元素的合計量之原子比， <br/>[原子比(Z)]該膜於表面附近之區域中的Si元素，相對於從不與前述玻璃基板接觸之一側之前述膜的表面至厚度200nm為止之間之前述膜於表面附近的區域中所存在之C、O及Si元素的合計量之原子比， <br/>前述原子比(Y)之值成為前述原子比(X)之值之1.1至10倍的大小，並且前述原子比(Z)之值成為前述原子比(X)之值之0.5至2.8倍的大小。
一種遮光膜，係由如請求項1所述之感光性樹脂組成物的光硬化物所構成之膜，且平均厚度為0.5μm至2.5μm。
一種顯示裝置，係具備如請求項2所述之遮光膜。
一種音頻訊號處理方法，包括：<br/> 接收一訓練批次的音頻樣本，包括多個說話者中每一個的多個口語聲調；<br/> 從該等音頻樣本中提取特徵以產生一批特徵；<br/> 使用一類神經網路處理該批特徵以產生多個嵌入向量，該等嵌入向量設置為按說話者區分音頻樣本；<br/> 至少部分地基於該等嵌入向量，計算該訓練批次的一廣義化負對數似然損失（GNLL）值；以及<br/> 修改該類神經網路的權重，以減少該GNLL值。
如請求項1的音頻訊號處理方法，其中計算該GNLL還包括，至少部分地基於該等嵌入向量，為多個說話者中的每一個產生一質心向量。
如請求項1的音頻訊號處理方法，其中修改該類神經網路的權重以減少GNLL值包括，使用反向傳播優化該類神經網路。
如請求項1的音頻訊號處理方法，其中該訓練批次的音頻樣本包括一第一數量的說話者及一第二數量的每個說話者的音頻樣本。
如請求項1的音頻訊號處理方法，還包括一註冊程序，包括：<br/> 接收一註冊音頻訊號，其包括與一已知使用者相關聯的言語；<br/> 識別該註冊音頻訊號中的言語段；<br/> 從該等言語段中提取使用者特徵；<br/> 將該等提取的使用者特徵輸入該類神經網路，以產生多個使用者嵌入向量；以及<br/> 儲存一質心向量，該質心向量是從該等使用者嵌入向量及一使用者識別符計算而來的。
如請求項1的音頻訊號處理方法，還包括一說話者認證程序，包括：<br/> 從一目標說話者接收包括言語的一目標音頻訊號；<br/> 從該目標音頻訊號中提取目標特徵；<br/> 透過該類神經網路處理該等目標特徵，以產生至少一個目標嵌入向量；以及<br/> 藉由比較該目標嵌入向量與和一使用者識別符相關聯的一儲存質心向量，來判斷該目標說話者是否與該使用者識別符相關聯。
如請求項6的音頻訊號處理方法，其中判斷該目標說話者是否與一使用者識別符相關聯包括，計算測量該目標嵌入向量與該儲存質心向量之間的一相似性的一信賴分數。
如請求項7的音頻訊號處理方法，其中計算一信賴分數包括，計算一目標嵌入向量與該質心向量的一內積並應用一sigmoid函數。
如請求項6的音頻訊號處理方法，其中判斷該目標說話者是否與一使用者識別符相關聯，還包括：<br/> 儲存多個使用者識別符及對應的質心向量，其中該等多個使用者識別符中的每一個與一不同的說話者相關聯；以及<br/> 計算該等多個使用者識別符中每一個的一信賴分數，部分地基於一似然，該似然是該目標嵌入向量與該對應的質心向量係來自相同說話者。
如請求項1的音頻訊號處理方法，還包括在該等嵌入向量中插入一額外邊界，該額外邊界設置為在該等嵌入向量中分離說話者類別的嵌入。
如請求項10的音頻訊號處理方法，其中該等嵌入向量包括具有該額外邊界的單位向量。
如請求項9的音頻訊號處理方法，其中計算一信賴分數包括，藉由使用說話者的該等樣本計算一質心，來計算每一批資料的總損失。
一種音頻訊號處理系統，包括：<br/> 一邏輯裝置，設置為使用一廣義化負對數似然損失（GNLL）函數來訓練一類神經網路，該邏輯裝置設置為執行邏輯，包括：<br/> 接收一訓練批次的音頻樣本，包括多個說話者中每一個的多個口語聲調；<br/> 從該等音頻樣本中提取特徵以產生一批特徵；<br/> 使用一類神經網路處理該批特徵以產生嵌入向量，該等嵌入向量設置為按說話者區分音頻樣本；<br/> 至少部分地基於該等嵌入向量，計算該訓練批次的一廣義化負對數似然損失（GNLL）值；以及<br/> 修改該類神經網路的權重，以減少該GNLL值。
如請求項13的音頻訊號處理系統，其中計算該GNLL還包括，至少部分地基於該等嵌入向量，為多個說話者中的每一個產生一質心向量。
如請求項13的音頻訊號處理系統，其中修改該類神經網路的權重以減少GNLL值包括，使用反向傳播優化該類神經網路。
如請求項13的音頻訊號處理系統，其中該訓練批次的音頻樣本包括一第一數量的說話者及一第二數量的每個說話者的音頻樣本。
一種音頻訊號處理系統，包括：<br/> 一儲存部件；以及<br/> 一邏輯裝置，設置為藉由執行邏輯來驗證一說話者的一身份，包括：<br/> 執行一註冊程序，包括：<br/> 接收一註冊音頻訊號，其包括與一已知使用者相關聯的言語；<br/> 識別該註冊音頻訊號中的言語段；<br/> 從該等言語段中提取使用者特徵；<br/> 透過一類神經網路處理該等提取的使用者特徵，該類神經網路被優化以最小化一輸入批次音頻樣本的一廣義化負對數似然損失（GNLL）值，以產生多個使用者嵌入向量；以及<br/> 儲存一質心向量，該質心向量是從該等使用者嵌入向量及一使用者識別符計算而來的。
如請求項17的音頻訊號處理系統，其中該邏輯裝置還設置為執行邏輯，包括：<br/> 執行一說話者認證程序，包括：<br/> 從一目標說話者接收包括言語的一目標音頻訊號；<br/> 從該目標音頻訊號中提取目標特徵；<br/> 透過該類神經網路處理該等目標特徵，以產生至少一個目標嵌入向量；以及<br/> 藉由比較該目標嵌入向量與和一使用者識別符相關聯的一儲存質心向量，來判斷該目標說話者是否與該使用者識別符相關聯。
如請求項18的音頻訊號處理系統，其中判斷該目標說話者是否與一使用者識別符相關聯包括，藉由計算一目標嵌入向量與該質心向量的一內積，來計算測量該目標嵌入向量與該儲存質心向量之間的一相似性的一信賴分數，並應用一sigmoid函數。
如請求項18的音頻訊號處理系統，其中判斷該目標說話者是否與一使用者識別符相關聯，還包括：<br/> 儲存多個使用者識別符及對應的質心向量，其中該等多個使用者識別符中的每一個與一唯一的說話者相關聯；以及<br/> 計算該等多個使用者識別符中每一個的一信賴分數，部分地基於一似然，該似然是該目標嵌入向量與該對應的質心向量係來自相同說話者。
一種運算設備，其包含：<br/> 一處理器單元，其包含：<br/> 電路系統，其用以針對一第一網路主機產生對一第二網路主機之一物件的一請求，其中該請求包含一位址，該位址包含該第二網路主機之一可路由的主機ID及一至少部分地經加密之物件ID，其中該位址唯一地識別一分散式運算域內之該物件；及<br/> 一記憶體元件，其用以儲存該物件之至少一部分。
如請求項1之運算設備，其中該部分地經加密之物件ID係不可偽造的。
如請求項1之運算設備，其中該電路系統係用於執行具有一運算元之一記憶體存取指令，該運算元參照該位址。
如請求項1之運算設備，其中該物件ID包括用於與該物件相關聯之一密碼操作的上下文資訊。
如請求項1之運算設備，其中該位址包含至少128個位元。
如請求項1之設備，其中該可路由的主機ID長達64個位元，且該物件ID長達64個位元。
如請求項1之運算設備，其中該電路系統要使用該位址作為對該物件進行解密之一密碼密鑰。
如請求項1之運算設備，其中該分散式運算域包含整個網際網路。
如請求項1之運算設備，其中該電路系統係用於回應於參照該位址之一呼叫指令及基於運行該第一網路主機之一處理器單元的一當前負載來轉移一程式碼物件的執行之一判定而產生該請求。
如請求項1之運算設備，其中該電路系統係用於回應於一頁表不包括該物件ID至一實體位址之一映射的一判定而產生該請求。
如請求項1之運算設備，其進一步包含用以將該主機ID與對該物件進行解密之一密鑰相關聯的一密鑰後備緩衝器。
如請求項11之運算設備，其中該電路系統係用於回應於該密鑰後備緩衝器中之一未命中而調用一授權協定以獲得該密鑰。
一種電腦可讀媒體，其包含指令，該等指令在由一機器執行時使得該機器用以：<br/> 藉由一第一網路主機產生對一第二網路主機之一物件的一請求，其中該請求包含一位址，該位址包含第二網路主機之一可路由的主機ID及一至少部分地經加密之物件ID，其中該位址唯一地識別一分散式運算域內之該物件；及<br/> 存取該物件。
如請求項13之電腦可讀媒體，其中該部分地經加密之物件ID係不可偽造的。
如請求項13之電腦可讀媒體，該等指令使得該機器藉由該第一網路主機執行具有一運算元之一記憶體存取指令，該運算元參照該位址。
如請求項13之電腦可讀媒體，其中該物件ID包括用於與該物件相關聯之一密碼操作的上下文資訊。
如請求項13之電腦可讀媒體，其中該位址包含至少128個位元。
如請求項13之電腦可讀媒體，其中該可路由的主機ID長達64個位元，且該物件ID長達64個位元。
如請求項13之電腦可讀媒體，該等指令使得該機器使用該位址作為對該物件進行解密之一密碼密鑰。
如請求項13之電腦可讀媒體，其中該分散式運算域包含整個網際網路。
如請求項13之電腦可讀媒體，該等指令使得該機器回應於參照該位址之一呼叫指令及基於運行該第一網路主機之一處理器單元的一當前負載來轉移一程式碼物件的執行之一判定而產生該請求。
如請求項13之電腦可讀媒體，該等指令使得該機器回應於一頁表不包括該物件ID至一實體位址之一映射的一判定而產生該請求。
一種用於密碼運算之方法，其包含：<br/> 藉由一第一網路主機產生對一第二網路主機之一物件的一請求，其中該請求包含一位址，該位址包含該第二網路主機之一可路由的主機ID及一至少部分地經加密之物件ID，其中該位址唯一地識別一分散式運算域內之該物件；及<br/> 存取該物件。
一種用於密碼運算之方法，其包含：<br/> 經由一互連件自一IO裝置接收一經編碼指標；<br/> 對該經編碼指標進行解碼以獲得記憶體中之一記憶體位址；<br/> 在該記憶體位址處存取與該IO裝置相關聯之經加密資料；<br/> 基於該經編碼指標及與該IO裝置相關聯之一密鑰來對該經加密資料進行解密；及<br/> 將該經解密資料傳輸至該IO裝置。
一種處理器，其包含：<br/> 一暫存器，其用以將一經編碼指標儲存至用於一資料區之一記憶體分配中之一記憶體位置，其中該經編碼指標要包括對應於該記憶體位置之一線性位址之至少一部分；<br/> 電路系統，其用以：<br/> 回應於用以存取該記憶體位置之一記憶體存取請求，而計算該記憶體分配之一中點位址且使用該中點位址來計算用於與儲存於該記憶體位置處之第一資料相關聯的一第一訊息鑑別碼(MAC)之一第二記憶體位址；<br/> 讀取該第二記憶體位址處之該第一MAC；<br/> 自對應於該線性位址之該記憶體位置讀取該第一資料；<br/> 部分地基於該第一MAC來判定該第一資料未經損壞；及<br/> 回應於判定該第一資料未經損壞，而允許執行該記憶體存取請求。
一種拋光系統，包括：<br/> 一基板載體，該基板載體包括一環形扣環，該環形扣環被配置為在一拋光製程期間包圍一待處理基板；以及<br/> 一可旋轉拋光工作臺，該拋光工作臺包括一圓柱形金屬主體，該圓柱形金屬主體具有一墊安裝表面，其中<br/> 該墊安裝表面包括多個拋光區，該等多個拋光區包括具有一圓形形狀或環形形狀的一第一區、外接該第一區的一第二區、以及外接該第二區的一第三區，<br/> 在該第一區和該第三區中的該墊安裝表面的至少部分限定一平面，<br/> 該平面與該拋光工作臺的一旋轉軸線正交，<br/> 在該第二區中的該墊安裝表面從該平面凹入，<br/> 該第二區的一寬度小於該環形扣環的一外徑，並且<br/> 在該第三區中的該墊安裝表面從在該第二區中的該墊安裝表面向上傾斜，而以一銳角與該工作臺的一周向邊緣相交。
如請求項1所述的拋光系統，其中在該第二區中的該墊安裝表面的至少一部分從該平面凹入約20μm或更大的距離。
如請求項1所述的拋光系統，進一步包括一墊調節器組件，該墊調節器組件包括一調節器臂，該調節器臂用於使一調節盤掃過設置在該拋光工作臺上的一拋光墊的一表面，其中該調節盤具有小於該第二區的該寬度的一直徑，其中該墊調節器組件進一步包括一感測器，該感測器耦接到該調節器臂，並且該感測器被配置為確定在該調節臂與設置在該調節器臂下方的該拋光工作臺的一表面之間的一距離。
如請求項3所述的拋光系統，進一步包括一非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體上存儲有在由一處理器執行時用於執行處理一基板的一方法的指令，該方法包括以下步驟：<br/> 將該基板推靠在該拋光墊的該表面上，該拋光墊設置在該拋光工作臺的該墊安裝表面上；<br/> 將該調節盤推靠在該拋光墊的該表面上；<br/> 確定該調節盤相對於該拋光工作臺的一徑向位置；<br/> 使用該感測器和該調節盤的該徑向位置來確定在該等多個區中的每一者中的該拋光墊的一厚度；以及<br/> 基於在該等多個拋光區中的一者或多者中的該拋光墊的所確定的厚度來改變在該等多個拋光區中的該一者或多者中的調節停留時間或調節下壓力中的一者或兩者。
如請求項4所述的拋光系統，其中該方法包括改變該調節停留時間，使得在該第二區中每cm<sup>2</sup>的拋光墊表面積的該調節停留時間大於在該第一區或該第三區中的任一者中每cm<sup>2</sup>的拋光墊表面積的該調節停留時間。
一種拋光基板的方法，包括以下步驟：<br/> 使用一基板載體將一基板推靠在一拋光墊的一表面上，該拋光墊設置在一拋光工作臺的一墊安裝表面上，其中<br/> 該墊安裝表面包括多個拋光區，該等多個拋光區包括具有一圓形形狀或環形形狀的一第一區、外接該第一區的一第二區、以及外接該第二區的一第三區，<br/> 該第一區和該第三區的該墊安裝表面的至少部分限定一平面，<br/> 在該第三區中的該墊安裝表面從在該第二區中的該墊安裝表面向上傾斜，而以一銳角與該工作臺的一周向邊緣相交，<br/> 該平面與該拋光工作臺的一旋轉軸線正交，並且<br/> 在該第二區中的該墊安裝表面從該平面凹入。
如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將一調節盤推靠在該拋光墊的該表面上；<br/> 確定該調節盤相對於該拋光工作臺的一徑向位置；<br/> 使用一感測器和該調節盤的該徑向位置來確定在該等多個拋光區中的每一者中的該拋光墊的一厚度；以及<br/> 基於在該等多個拋光區中的一者或多者中的該拋光墊的所確定的厚度來改變在該等多個拋光區中的該一者或多者中的調節停留時間或調節下壓力中的一者或兩者。
如請求項7所述的方法，其中該調節盤具有小於該第二區的一寬度的一直徑。
如請求項8所述的方法，其中使用一墊調節器組件將該調節盤推靠在該拋光墊上，該墊調節器組件包括一調節器臂，<br/> 該調節器臂用於使該調節盤掃過該拋光墊的該表面，其中<br/> 該感測器耦接到該調節器臂，並且<br/> 該感測器被配置為確定在該調節臂與設置在該調節器臂下方的該拋光工作臺的一表面之間的一距離。
如請求項9所述的方法，其中在該第二區中每cm<sup>2</sup>的拋光墊表面積的該調節停留時間大於在該第一區或該第三區中的任一者中每cm<sup>2</sup>的拋光墊表面積的該調節停留時間。
如請求項6所述的方法，其中<br/> 該基板載體包括一環形扣環，該環形扣環包圍該基板，<br/> 該第二區的一寬度小於該環形扣環的一外徑。
如請求項11所述的方法，其中在該第二區中的該墊安裝表面的至少一部分從該平面凹入約20μm或更大的距離。
一種拋光工作臺，包括：<br/> 一圓柱形金屬主體，該圓柱形金屬主體具有一墊安裝表面，其中<br/> 該墊安裝表面包括多個拋光區，該等多個拋光區包括具有一圓形形狀或環形形狀的一第一區、外接該第一區的一第二區、以及外接該第二區的一第三區，<br/> 在該第三區中的該墊安裝表面從在該第二區中的該墊安裝表面向上傾斜，而以一銳角與該工作臺的一周向邊緣相交，<br/> 該第一區和該第三區的該墊安裝表面的至少部分限定一平面，<br/> 該平面與該拋光工作臺的一旋轉軸線正交，並且<br/> 在該第二區中的該墊安裝表面從該平面凹入。
如請求項13所述的拋光工作臺，其中在該第二區中的該墊安裝表面的至少一部分從該平面凹入約20μm或更大的一距離。
如請求項14所述的拋光工作臺，其中該墊安裝表面包括一含氟聚合物材料塗層，並且該第二區的該凹入表面至少部分地形成在該聚合物材料中。
如請求項14所述的拋光工作臺，其中該第二區的該凹入表面至少部分地形成在該圓柱形金屬主體中，並且該墊安裝表面包括設置在該圓柱形金屬主體上的一含氟聚合物材料塗層。
如請求項13所述的拋光工作臺，其中<br/> 該第二區的一內半徑大於該墊安裝表面的該半徑的約0.15×，<br/> 該第二區的一外半徑小於該墊安裝表面的該半徑的約0.85×，並且<br/> 該第二區的一寬度至少為該墊安裝表面的該半徑的約0.15×。
一種熱收縮性聚酯系膜，係於膜表面背面具有聚酯樹脂層之單層或積層的熱收縮性聚酯系膜，前述聚酯樹脂層包含350ppm以上至20000ppm以下之平均粒徑為1.0μm以上至5.0μm以下的微粒子；前述熱收縮性聚酯系膜滿足以下之(1)至(6)之條件：<br/> (1)將前述熱收縮性聚酯系膜於90℃之溫水浸漬10秒鐘時之溫水熱收縮率於膜寬度方向為40%以上至80%以下；<br/> (2)將前述熱收縮性聚酯系膜於90℃之溫水浸漬10秒鐘時之溫水熱收縮率於膜長邊方向為-5%以上至10%以下；<br/> (3)至少一膜面之最大突起高度Sp為0.8μm以上至3.0μm以下；<br/> (4)前述至少一膜面之算術平均高度Sa為0.03μm以上至0.2μm以下；<br/> (5)於前述膜表面背面彼此之空氣脫除時間為12秒以下；<br/> (6)前述熱收縮性聚酯系膜之厚度為30μm以上至50μm以下。
如請求項1所記載之熱收縮性聚酯系膜，其中膜厚度30μm時之霧度為2%以上至11%以下。
如請求項1或2所記載之熱收縮性聚酯系膜，為將至少兩層以上之前述聚酯樹脂層加以積層而成之積層熱收縮性聚酯系膜。
一種熱收縮性標籤，係使用有如請求項1至3中任一項所記載之熱收縮性聚酯系膜。
一種包裝體，係以如請求項4所記載之熱收縮性標籤被覆包裝對象物的至少外周之一部分，並加以熱收縮而形成。
一種自其上具有殘留物之微電子裝置基板移除該等殘留物之組合物，該組合物包含： <br/>a.水； <br/>b.錯合劑；及 <br/>c.胺基(C<sub>6</sub>-C<sub>12</sub>烷基)醇； <br/>其中該組合物不含選自含胍官能基化合物、含吡唑酮官能基化合物或羥基喹啉化合物之腐蝕抑制劑， <br/>其中該基板具有包含選自銅、鈷、鉬或介電質組合物之物質之至少一個表面。
如請求項1之組合物，其中該胺基(C<sub>6</sub>-C<sub>12</sub>烷基)醇為胺基(C<sub>8</sub>-C<sub>10</sub>烷基)醇。
如請求項1之組合物，其進一步包含C<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>烷醇胺。
如請求項1之組合物，其中該錯合劑係選自 <br/>a. 4-(2-羥乙基)嗎啉、1,2-環己二胺-N,N,N',N'-四乙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、乙二胺四乙酸、間苯二甲胺、亞胺基二乙酸、三甲胺、異丙醇胺、二異丙醇胺、哌嗪、羥乙基哌嗪、二羥乙基哌嗪、葡糖胺、N-甲基葡糖胺、2-(羥乙基)亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、脲、尿酸； <br/>b.選自以下之胺基酸：丙胺酸、精胺酸、天冬醯胺、天冬胺酸、半胱胺酸、麩胺酸、麩胺醯胺、組胺酸、異白胺酸、白胺酸、離胺酸、甲硫胺酸、苯丙胺酸、脯胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、纈胺酸、牛磺酸、甜菜鹼； <br/>c.選自以下之包含膦酸部分之化合物：1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、1,5,9-三氮雜環十二烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸)、1,4,7,10-四氮雜環十二烷-N,N',N'',N'''-肆(亞甲基膦酸)、氮基參(亞甲基)三膦酸、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、胺基三(亞甲基膦酸)、雙(六亞甲基)三胺五亞甲基膦酸、1,4,7-三氮雜環壬烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸)、羥乙基二膦酸鹽、氮基參(亞甲基)膦酸；及 <br/>d.選自2-膦醯基-丁烷-1,2,3,4-四甲酸、羧基乙基膦酸、胺基乙基膦酸、草甘膦、乙二胺四(亞甲基膦酸)、苯基膦酸之羧酸；選自草酸、琥珀酸、馬來酸、蘋果酸、丙二酸、己二酸、酞酸、檸檬酸、檸檬酸鈉、檸檬酸鉀、檸檬酸銨、丙三羧酸、三羥甲基丙酸、吡啶甲酸、吡啶二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、磺基酞酸、磺基琥珀酸、葡糖酸、酒石酸、葡糖醛酸、2-羧基吡啶之羧酸及/或選自4,5-二羥基-1,3-苯二磺酸二鈉鹽之磺酸。
如請求項1之組合物，其中該胺基(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>烷基)醇係選自3-胺基-4-辛醇、DL-2-胺基-1-己醇、2-(丁胺基)乙醇、1-胺基環己醇及8-胺基-1-辛醇。
如請求項1之組合物，其中該胺基(C<sub>8</sub>-C<sub>12</sub>烷基)醇包括3-胺基-4-辛醇。
如請求項1之組合物，其進一步包含水溶性或水可分散性聚合物。
如請求項1之組合物，其進一步包含殺生物劑。
如請求項1之組合物，其進一步包含表面活性劑。
如請求項1之組合物，其進一步包含水可混溶溶劑及/或佐劑。
如請求項1之組合物，其包含： <br/>a.水； <br/>b.氫氧化膽鹼； <br/>c. 1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸； <br/>d.單乙醇胺；及 <br/>e.胺基(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>烷基)醇； <br/>其中該組合物不含選自含胍官能基化合物、含吡唑酮官能基化合物或羥基喹啉化合物之腐蝕抑制劑。
如請求項1之組合物，其中該組合物為含有小於80重量%水之濃縮物。
如請求項1之組合物，其進一步包含選自嗎啉、L-半胱胺酸、雙氰胺、羥基乙基纖維素、聚乙烯吡咯啶酮、聚胺及其組合之化合物。
一種自其上具有殘留物之微電子裝置基板移除該等殘留物之方法，其中該基板具有包含選自銅、鈷、鉬或介電質組合物之物質之至少一個表面，該方法包括： <br/>使該微電子裝置基板之表面與組合物接觸，該組合物包含： <br/>a.水； <br/>b.錯合劑；及 <br/>c.胺基(C<sub>8</sub>-C<sub>12</sub>烷基)醇； <br/>其中該組合物不含選自含胍官能基化合物、含吡唑酮官能基化合物或羥基喹啉化合物之腐蝕抑制劑，及自該基板至少部分移除該等殘留物。
如請求項14之方法，其中該表面包含鈷、銅及/或鉬中之至少一者。
如請求項14之方法，其中該表面為選自以下之介電質：原矽酸四乙酯、含矽有機聚合物、含矽雜化有機-無機材料、有機矽酸鹽玻璃、氟化矽酸鹽玻璃及摻雜碳之氧化物玻璃。
一種式(6A)所示化合物之製造方法， <br/>式(6A)： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="295px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該方法係包括有以下步驟： <br/>步驟1：藉由使式(2)： <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="79px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物，與甲胺及式(3)： <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="134px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，X<sup>1</sup>係脫離基，R<sup>1</sup>係C<sub>1-6</sub>烷基]所示化合物進行反應，而製造式(4)： <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="162px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>係與上述定義相同]所示化合物的步驟； <br/>步驟2：藉由將上述式(4)所示化合物在酸存在下，使用還原劑進行還原，而製造式(5)： <br/>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="142px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>係與上述定義相同]所示化合物的步驟； <br/>步驟3：藉由將上述式(5)所示化合物在鹼存在下，與正丙胺進行反應，而製造式(6)： <br/>[化6] <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="191px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物的步驟；以及 <br/>步驟4：藉由將上述式(6)所示化合物，與L-酒石酸反應，而製造上述式(6A)所示化合物，再依固體狀態施行離析的步驟。
如請求項1之製造方法，其中，更進一步包括有步驟4P：視需要將上述式(6A)所示化合物利用再結晶施行精製的步驟。
如請求項1之製造方法，其中，X<sup>1</sup>係鹵原子。
如請求項2之製造方法，其中，X<sup>1</sup>係鹵原子。
如請求項1至4中任一項之製造方法，其中，上述步驟2中的酸係甲磺酸；還原劑係硼氫化鈉。
如請求項1至4中任一項之製造方法，其中，上述步驟3中的鹼係甲氧化鈉。
如請求項5之製造方法，其中，上述步驟3中的鹼係甲氧化鈉。
一種式(6A)所示化合物，其係工業性製造式(P)所示化合物或其藥學上容許之鹽用之製造中間體， <br/>式(P)： <br/>[化7] <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="260px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(6A)： <br/>[化8] <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="291px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 。
一種式(P)所示化合物或其藥學上容許的鹽之製造方法， <br/>式(P)： <br/>[化9] <br/><img align="absmiddle" height="138px" width="260px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述製造方法包含： <br/>使用式(6A)所示化合物，製造式(6B)所示化合物之步驟； <br/>式(6A)： <br/>[化10] <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="290px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式(6B)： <br/>[化11] <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="74px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><u> </u><br/>使用上述式(6B)所示化合物，製造式(8)所示化合物的步驟； <br/>式(8)： <br/>[化12] <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="64px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>2</sup>係被從非取代、或鹵原子及硝基所構成之群組中獨立選擇之1~3個基取代的苯基) <br/>使用上述式(8)所示化合物，製造式(9)所示化合物的步驟； <br/>式(9)： <br/>[化13] <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="85px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>使用上述式(9)所示化合物，製造式(10)所示化合物的步驟； <br/>式(10)： <br/>[化14] <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="88px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及 <br/>使用上述式(10)所示化合物，製造上述式(P)所示化合物的步驟。
一種式(P)所示化合物或其藥學上容許的鹽之製造方法， <br/>式(P)： <br/>[化15] <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="254px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該方法係包括有： <br/>步驟5：藉由使式(6A)： <br/>[化16] <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="316px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物、與鹼進行反應，而製造式(6B)： <br/>[化17] <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="195px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物的步驟；以及 <br/>步驟6：藉由使上述式(6B)所示化合物、與 <br/>式(7)： <br/>R<sup>2</sup>-OC(O)-X<sup>2</sup> (7) <br/>[式中，X<sup>2</sup>係氯原子或溴原子；R<sup>2</sup>係被從非取代、或鹵原子及硝基所構成之群組中獨立選擇之1~3個基取代的苯基]所示化合物進行反應，而製造式(8)： <br/>[化18] <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="140px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>2</sup>係與上述定義相同]所示化合物的步驟； <br/>步驟7：藉由使上述式(8)所示化合物、與N,N-二甲基伸乙二胺進行反應，而製造式(9)： <br/>[化19] <br/><img align="absmiddle" height="96px" width="188px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物的步驟； <br/>步驟8：藉由將上述式(9)所示化合物施行水解，而製造式(10)： <br/>[化20] <br/><img align="absmiddle" height="96px" width="200px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>所示化合物的步驟； <br/>步驟9：藉由使上述式(10)所示化合物、與硫及丙二腈進行反應，而製造上述式(P)所示化合物，再依固體狀態施行離析的步驟； <br/>步驟9P：視需要將上述式(P)所示化合物利用再結晶施行精製的步驟；以及 <br/>步驟10：更進一步視需要將上述式(P)所示化合物，轉換為式(P)所示化合物的藥學上容許之鹽之步驟。
一種用於決定行動設備的位置的方法，包括：<br/>向網路實體傳送陣列增益資訊，所述陣列增益資訊包括至少部分地基於子頻帶以及所述行動設備的狀態的波束模式資訊；<br/>在一個或多個子頻帶中接收一個或多個參考信號，其中用於所述一個或多個參考信號中的每一者的接收波束至少部分地基於所述一個或多個參考信號正在其中被接收的所述子頻帶以及所述行動設備的當前狀態；<br/>基於所述一個或多個參考信號來決定測量值；以及<br/>至少部分地基於所述測量值來決定所述行動設備的所述位置，其中所述行動設備的所述狀態至少部分地基於用戶與所述行動設備的鄰近度、或可操作地耦接到所述行動設備的周邊設備、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中決定所述行動設備的所述位置包括：使用所述行動設備向所述網路實體提供基於所述一個或多個參考信號的所述測量值，所述一個或多個參考信號包括與用於接收所述一個或多個參考信號的相應接收波束中的每一者相關聯的接收波束識別。
如請求項1所述的方法，其中所述周邊設備是耳機、電源線、讀卡器、或行動設備殼中的至少一者。
如請求項1所述的方法，其中所述子頻帶基於由所述行動設備利用的作用頻寬部分。
如請求項1所述的方法，其中所述子頻帶基於資源頻寬。
如請求項1所述的方法，其中所述陣列增益資訊包括基於來自多個天線模組的多個天線元件的波束模式資訊。
如請求項1所述的方法，其中所述波束模式資訊包括主瓣、旁瓣、波束零點和柵瓣中的至少一者的增益和方向資訊。
如請求項1所述的方法，其中所述測量值包括抵達角（AoA）、收到信號強度指示符（RSSI）、往返信號傳播時間（RTT）、參考信號時間差（RSTD）、參考信號收到功率（RSRP）和參考信號收到品質（RSRQ）中的一者或多者。
一種用於決定位置的裝置，包括：<br/>記憶體；<br/>至少一個收發機；<br/>至少一個處理器，所述至少一個處理器通信地耦接到所述記憶體和所述至少一個收發機並被配置成：<br/>使用所述至少一個收發機向網路實體傳送陣列增益資訊，所述陣列增益資訊包括至少部分地基於子頻帶以及所述裝置的狀態的波束模式資訊，其中所述行動設備的所述狀態至少部分地基於用戶與所述行動設備的鄰近度、或可操作地耦接到所述行動設備的周邊設備、或其組合；<br/>使用所述至少一個收發機在一個或多個子頻帶中接收一個或多個參考信號，其中用於所述一個或多個參考信號中的每一者的接收波束至少部分地基於所述一個或多個參考信號正在其中被接收的所述子頻帶以及所述裝置的當前狀態；<br/>基於所述一個或多個參考信號來決定測量值；以及<br/>至少部分地基於所述測量值來決定位置。
如請求項9所述的裝置，其中所述至少一個處理器被進一步配置成向所述網路實體提供基於所述一個或多個參考信號的所述測量值，所述一個或多個參考信號包括與用於接收所述一個或多個參考信號的相應接收波束中的每一者相關聯的接收波束識別。
如請求項9所述的裝置，其中所述周邊設備是耳機、電源線、讀卡器、或行動設備殼中的至少一者。
如請求項9所述的裝置，其中所述子頻帶基於由所述裝置利用的作用頻寬部分。
如請求項9所述的裝置，其中所述子頻帶基於資源頻寬。
如請求項9所述的裝置，其中所述陣列增益資訊包括基於來自多個天線模組的多個天線元件的波束模式資訊。
如請求項9所述的裝置，其中所述波束模式資訊包括主瓣、旁瓣、波束零點和柵瓣中的至少一者的增益和方向資訊。
如請求項9所述的裝置，其中所述測量值可包括抵達角（AoA）、收到信號強度指示符（RSSI）、往返信號傳播時間（RTT）、參考信號時間差（RSTD）、參考信號收到功率（RSRP）和參考信號收到品質（RSRQ）中的一者或多者。
一種用於決定行動設備的位置的裝備，包括：<br/>用於向網路實體傳送陣列增益資訊的構件，所述陣列增益資訊包括至少部分地基於子頻帶以及所述行動設備的狀態的波束模式資訊；<br/>用於在一個或多個子頻帶中接收一個或多個參考信號的構件，其中用於所述一個或多個參考信號中的每一者的接收波束至少部分地基於所述一個或多個參考信號正在其中被接收的所述子頻帶以及所述行動設備的當前狀態；<br/>用於基於所述一個或多個參考信號來決定測量值的構件；以及<br/>用於至少部分地基於所述測量值來決定所述行動設備的所述位置的構件，其中所述行動設備的所述狀態至少部分地基於用戶與所述行動設備的鄰近度、或可操作地耦接到所述行動設備的周邊設備、或其組合。
一種包括被配置成使一個或多個處理器決定行動設備的位置的處理器可讀指令的非暫時性處理器可讀儲存媒體，包括：<br/>用於向網路實體傳送陣列增益資訊的碼，所述陣列增益資訊包括至少部分地基於子頻帶以及所述行動設備的狀態的波束模式資訊；<br/>用於在一個或多個子頻帶中接收一個或多個參考信號的碼，其中用於所述一個或多個參考信號中的每一者的接收波束至少部分地基於所述一個或多個參考信號正在其中被接收的所述子頻帶以及所述行動設備的當前狀態；<br/>用於基於所述一個或多個參考信號來決定測量值的碼；以及<br/>用於至少部分地基於所述測量值來決定所述行動設備的所述位置的碼，其中所述行動設備的所述狀態至少部分地基於用戶與所述行動設備的鄰近度、或可操作地耦接到所述行動設備的周邊設備、或其組合。
一種用於決定行動設備的位置的方法，包括：<br/>向網路實體傳送陣列增益資訊，所述陣列增益資訊包括至少部分地基於子頻帶以及所述行動設備的狀態的波束模式資訊，其中所述陣列增益資訊至少部分地基於用戶與所述行動設備的鄰近度、或可操作地耦接到所述行動設備的周邊設備、或其組合；<br/>在一個或多個子頻帶中接收一個或多個參考信號，其中用於所述一個或多個參考信號中的每一者的接收波束至少部分地基於所述一個或多個參考信號正在其中被接收的所述子頻帶以及所述行動設備的當前狀態；<br/>基於所述一個或多個參考信號來決定測量值；以及<br/>至少部分地基於所述測量值來決定所述行動設備的所述位置。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>腔室； <br/>第1下部電極，其設置於上述腔室之內部，且具有載置基板之基板載置區域； <br/>第2下部電極，其配置於上述基板載置區域之外側之區域； <br/>第1上部電極，其與上述基板載置區域對向配置； <br/>第2上部電極，其配置於上述第1上部電極之外側之區域，且與上述第2下部電極對向配置； <br/>第1電源，其對上述第1下部電極供給具有週期性之信號； <br/>第5電源，其對上述第2下部電極供給具有週期性之信號； <br/>感測器，其測量上述第2下部電極中產生之自給偏壓電壓或電壓波形；及 <br/>控制部，其根據利用上述感測器測量出之測量值而控制上述第5電源之輸出； <br/>上述第2下部電極及上述第2上部電極之至少一者具有凹部，且 <br/>上述第2下部電極或上述第2上部電極位於對於上述凹部之表面之法線上。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述第2下部電極及上述第2上部電極兩者具有上述凹部， <br/>上述第2上部電極之上述凹部位於對於上述第2下部電極之上述凹部之表面之法線上，且 <br/>上述第2下部電極之上述凹部位於對於上述第2上部電極之上述凹部之表面之法線上。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有對上述第2上部電極供給直流電壓之第2電源。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有對上述第2上部電極供給具有週期性之信號之第3電源。
如請求項4之電漿處理裝置，其具有： <br/>第1饋電線，其將自上述第3電源輸出之具有上述週期性之信號供給至上述第1上部電極；及 <br/>第2饋電線，其將自上述第3電源輸出之具有上述週期性之信號供給至上述第2上部電極；且 <br/>於上述第1饋電線或上述第2饋電線中具有可變阻抗電路。
如請求項3之電漿處理裝置，其進而具備對上述第2下部電極供給直流電壓之第4電源。
如請求項5之電漿處理裝置，其進而具有測量上述第2下部電極或上述第2上部電極中產生之自給偏壓電壓或電壓波形的感測器，且具有根據利用上述感測器測量出之測量值而控制上述可變阻抗電路之阻抗的控制部。
如請求項1至7中任一項之電漿處理裝置，其中上述第2上部電極與上述第2下部電極之間的間隔較上述第1上部電極與上述第1下部電極之間的間隔窄。
如請求項1至7中任一項之電漿處理裝置，其中於供載置上述基板之基板載置區域與上述第2下部電極之間具有導電性之邊緣環。
如請求項1至7中任一項之電漿處理裝置，其中上述第2上部電極及上述第2下部電極係以對於上述凹部之底面之法線與對於上述基板載置區域之法線傾斜的方式配置。
如請求項10之電漿處理裝置，其中上述第2上部電極由上述腔室之內壁或沿著上述腔室之內壁設置之積存物遮罩構成。
一種由無線設備執行的無線通訊方法，包括：<br/>基於射頻（RF）暴露資訊和一個或多個其他準則，將第一功率量分配給用於時間視窗的所述無線設備的複數無線電裝置；<br/>從被分配給用於所述時間視窗的所述複數無線電裝置中的至少一個無線電裝置的至少所述第一功率量，將第二功率量分配給將由所述至少一個無線電裝置在所述時間視窗內的一個或多個時間幀傳輸之選擇的通道或通訊，<br/>其中所述第一功率量不同於所述第二功率量，<br/>其中所述第二功率量係基於通道傳輸優先順序被分配，以及<br/>其中超過在高優先順序通道集合上傳輸所需要功率的功率被分發給自主通訊；以及<br/>基於所述第二功率量，傳輸所述選擇的通道或通訊。
根據請求項1所述的方法，其中所述RF暴露資訊包括時間平均功率。
根據請求項1所述的方法，其中所述一個或多個其他準則基於的是與維持鏈路相關聯的最少量或類型的通訊，所述鏈路關聯於所述複數無線電裝置。
根據請求項1所述的方法，還包括基於在分配所述第一功率量之後存在可用於傳輸的功率，將第三功率量分配給用於所述時間視窗的所述複數無線電裝置的一個或多個無線電裝置。
根據請求項4所述的方法，其中所述第三功率量被分配，使得所述可用於傳輸的功率在所述一個或多個無線電裝置之間被均勻地分配。
根據請求項4所述的方法，其中所述第三功率量被分配，使得所述可用於傳輸的功率基於所述一個或多個無線電裝置的優先順序被分配。
根據請求項4所述的方法，其中所述第二功率量從所述第一功率量和所述第三功率量被分配。
根據請求項4所述的方法，其中所述第三功率量基於所述一個或多個無線電裝置的歷史功率使用被分配。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一功率量基於所述複數無線電裝置被耦接到的天線組被分配。
根據請求項1所述的方法，其中所述複數無線電裝置的第一一個或多個無線電裝置對應於第一組頻帶；並且所述複數無線電裝置的第二一個或多個無線電裝置對應於第二組頻帶。
根據請求項10所述的方法，其中所述複數無線電裝置的第一一個或多個無線電裝置是蜂窩無線電裝置；並且所述複數無線電裝置的第二一個或多個無線電裝置是無線區域網(WLAN)或藍牙無線電裝置。
根據請求項1所述的方法，其中分配所述第一功率量包括基於所述高優先順序通道集合來分配所述第一功率量，所述高優先順序通道集合包括與第一頻率範圍相關聯的第一控制通道和與第二頻率範圍相關聯的第二控制通道，所述第二頻率範圍不同於所述第一頻率範圍。
根據請求項12所述的方法，其中如果沒有足夠功率來傳輸所述高優先順序通道集合中的所有高優先順序通道，則所述第一控制通道基於所述第一頻率範圍和所述第二頻率範圍而被優先於所述第二控制通道。
根據請求項13所述的方法，其中如果沒有足夠功率傳輸所述高優先順序通道集合中的所有高優先順序通道，則所述第二控制通道不被傳輸。
根據請求項1所述的方法，其中自主語音通訊被優先於自主資料通訊。
根據請求項1所述的方法，其中所述第二功率量基於與所述選擇的通道或通訊相關聯的應用被分配。
根據請求項1所述的方法，其中分配所述第一功率量包括：基於與第一無線電存取技術（RAT）和第二RAT相關聯的通訊的優先順序，將功率指派給與所述第一RAT相關聯的第一無線電裝置，而不將功率指派給與所述第二RAT相關聯的第二無線電裝置。
根據請求項1所述的方法，其中存在在持續時間上與所述時間視窗相稱的一個時間幀。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一功率量是在通道集合上傳輸所需要的功率量。
根據請求項19所述的方法，其中所述第一功率量基於的是與所述通道集合相關聯的網路配置。
根據請求項20所述的方法，其中所述第一功率量基於的是與所述通道集合中的第一類型通道相關聯的占空比，並且所述第二功率量基於的是與第二類型通道相關聯的占空比。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一功率量基於的是用以傳輸一個或多個基本通道的功率量和用以傳輸語音通訊的功率量。
根據請求項22所述的方法，其中除了用以傳輸所述一個或多個基本通道的所述功率量和用以傳輸所述語音通訊的所述功率量，所述第一功率量還包括餘量。
根據請求項1所述的方法，其中所述時間視窗包括多個時間幀，所述第二功率量是被分配給用於所述多個時間幀中的每個時間幀的所述選擇的通道或通訊的可變傳輸功率量，並且所述第二功率量符合被分配給整個所述時間視窗中的所述複數無線電裝置的所述第一功率量和第三功率量。
根據請求項24所述的方法，其中所述可變傳輸功率量基於路徑損耗或估計的占空比被分配。
根據請求項1所述的方法，其中所述無線設備包括使用者設備。
一種用於無線通訊的使用者設備（UE），包括：<br/>一個或多個記憶體；以及<br/>一個或多個處理器，耦接到所述一個或多個記憶體，所述一個或多個記憶體和所述一個或多個處理器被配置為：<br/>基於射頻（RF）暴露資訊和一個或多個其他準則，將第一功率量分配給用於時間視窗的複數無線電裝置；<br/>從被分配給用於所述時間視窗的所述複數無線電裝置中的至少一個無線電裝置的至少所述第一功率量，將第二功率量分配給將由所述至少一個無線電裝置在所述時間視窗內的一個或多個時間幀傳輸之選擇的通道或通訊，<br/>其中所述第一功率量不同於所述第二功率量，<br/>其中所述第二功率量係基於通道傳輸優先順序被分配，以及<br/>其中超過在高優先順序通道集合上傳輸所需要功率的功率被分發給自主通訊；以及<br/>基於所述第二功率量，傳輸所述選擇的通道或通訊。
根據請求項27所述的UE，其中所述RF暴露資訊包括時間平均功率。
一種非瞬態電腦可讀媒體，儲存用於無線通訊的一個或多個指令，所述一個或多個指令包括：<br/>一個或多個指令，在由使用者設備的一個或多個處理器執行時，使所述一個或多個處理器執行以下操作：<br/>基於射頻（RF）暴露資訊和一個或多個其他準則，將第一功率量分配給用於時間視窗的所述使用者設備的複數無線電裝置；<br/>從被分配給用於所述時間視窗的所述複數無線電裝置中的至少一個無線電裝置的至少所述第一功率量，將第二功率量分配給將由所述至少一個無線電裝置在所述時間視窗內的一個或多個時間幀傳輸之選擇的通道或通訊，<br/>其中所述第一功率量不同於所述第二功率量，<br/>其中所述第二功率量係基於通道傳輸優先順序被分配，以及<br/>其中超過在高優先順序通道集合上傳輸所需要功率的功率被分發給自主通訊；以及<br/>基於所述第二功率量，傳輸所述選擇的通道或通訊。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/>用於基於射頻（RF）暴露資訊和一個或多個其他準則、將第一功率量分配給用於時間視窗的包括所述裝置的設備的複數無線電裝置的部件；以及<br/>用於從被分配給用於所述時間視窗的所述複數無線電裝置中的至少一個無線電裝置的至少所述第一功率量、將第二功率量分配給將由所述至少一個無線電裝置在所述時間視窗內的一個或多個時間幀傳輸之選擇的通道或通訊的部件，<br/>其中所述第一功率量不同於所述第二功率量，<br/>其中所述第二功率量係基於通道傳輸優先順序被分配，以及<br/>其中超過在高優先順序通道集合上傳輸所需要功率的功率被分發給自主通訊；以及<br/>用於基於所述第二功率量，傳輸所述選擇的通道或通訊的部件。
一種再加工式(I)之結晶化合物之方法，<figure><img align="absmiddle" height="292px" width="231px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>該方法包括以下步驟：i)將該式(I)之結晶化合物於平盤乾燥機中或於盤式乾燥機中乾燥，以提供具有下列特徵之式(I)之結晶化合物之乾燥型式(結晶多晶型物II)：- 在下列2θ值處之特徵X-射線反射：4.1°、4.6°、10.0°、16.7°及18.0°；或- 選自以下之特徵<sup>13</sup>C固態NMR化學位移：130.1ppm、46.6ppm及25.0ppm；或-在選自-64.0、-65.6、-66.6、-78.2及-79.1ppm之化學位移處之至少三個特徵<sup>19</sup>F固態核磁共振峰，及ii)將來自步驟i)之該式(I)之結晶化合物之乾燥型式均質化，以提供式(I)之結晶化合物之再加工型式。
如請求項1之方法，其中乾燥步驟i)係在80℃或更低(例如，50至80℃)之機套溫度(mantle temperature)下進行。
如請求項1或2中任一項之方法，其中乾燥步驟i)及/或步驟ii)之均質化係在減壓下完成。
如請求項1至3中任一項之方法，其中乾燥步驟i)係在存在載氣下進行，該載氣係氬氣或氮氣。
如請求項1至4中任一項之方法，其中當<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>0.5%殘留溶劑剩餘時，例如，當利用鹵素乾燥機在110℃下檢測到<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>0.5%之乾燥損失時，終止乾燥步驟i)。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該步驟ii)之均質化係於混合乾燥機中進行。
如請求項6之方法，其中該步驟ii)之均質化係利用100至800rpm之切碎機速度在切碎下進行。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該步驟ii)之均質化係在10至40℃之機套溫度下進行。
如請求項1或2中任一項之方法，其包含下列步驟以產生步驟i)中使用之該式(I)之結晶化合物之結晶多晶型物II：(a)將式(I)之結晶化合物及2-丙醇之混合物加熱至70℃以得到溶液；(b)將該步驟(a)之溶液過濾；(c)將該來自步驟(b)之濾液冷卻至55℃；(d)用水處理該步驟(c)之經冷卻之溶液；(e)將該步驟(d)之經水處理之混合物冷卻至20℃；及(f)收集所得呈多晶型物II之式(I)之結晶化合物。
如請求項9之方法，其進一步包含以下步驟(d1)將該步驟(d)之經水處理之溶液接晶種；(d2)將該經接晶種之溶液在55℃下混合；及(d3)將該經接晶種之溶液用水處理，之後冷卻至20℃。
如請求項1至2中任一項之方法，其進一步包含以下步驟iii)將來自步驟ii)之該式(I)之結晶化合物之再加工型式與一或多種其他成分摻合，iv)將該步驟iii)之預摻合物於篩磨機中使用2.5至4.0mm之篩網尺寸篩選，v)視情況向於步驟iv)後獲得之經篩選之預摻合物中添加潤滑劑，較佳地硬脂酸鎂，vi)將該步驟iv)或v)之混合物於篩磨機中使用0.8至2.0mm之篩網尺寸篩選，vii)視情況將該經篩選之潤滑劑/預摻合物組合摻合，以獲得去聚結之均勻分散之醫藥摻合物。
如請求項11之方法，其進一步包含以下步驟viii)將該步驟vii)之摻合物壓縮成帶狀物，及ix)使用篩磨機利用0.8至1.2mm之篩網尺寸將該等帶狀物研磨成顆粒，以獲得顆粒。
如請求項12之方法，其進一步包括以下步驟x)使用篩磨機利用0.8至2.0mm之篩網尺寸將獲自步驟ix)之該等顆粒，視情況與潤滑劑一起篩選，xi)視情況將該潤滑劑/顆粒組合摻合，xii)將該步驟x)或xi)之摻合物壓縮成錠劑或錠劑核。
一種式(I)之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，其自如請求項1至13中任一項之方法獲得。
如請求項14之式(I)之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，其中，式(I)之結晶化合物係呈多晶型物II存在，其具有：- 在下列2θ值處之特徵X-射線反射：4.1°、4.6°、10.0°、16.7°及18.0°；或- 選自以下之特徵13C固態NMR化學位移：130.1ppm、46.6ppm及25.0ppm；或- 在選自-64.0、-65.6、-66.6、-78.2及-79.1ppm之化學位移處之至少三個特徵<sup>19</sup>F固態核磁共振峰。
如請求項14之式(I)之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，其中該式(I)之結晶化合物係呈多晶型物II存在，其藉由選自4.1°、4.6°、10.0°、16.7°及18.0°之2θ角處之至少四個XRPD峰表徵。
如請求項14至16中任一項之式(I)之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，其特徵在於，於鹵素乾燥機中在110℃下乾燥後之重量損失係<img align="absmiddle" height="18px" width="12px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>0.5%。
一種具有下列結構之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，<figure><img align="absmiddle" height="364px" width="298px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>其中，化合物(I)係呈多晶型物II存在，其具有：- 在下列2θ值處之特徵X-射線反射：4.1°、4.6°、10.0°、16.7°及18.0°；或- 選自以下之特徵<sup>13</sup>C固態NMR化學位移：130.1ppm、46.6ppm及25.0ppm；或-在選自-64.0、-65.6、-66.6、-78.2及-79.1ppm之化學位移處之至少三個特徵<sup>19</sup>F固態核磁共振峰，其可自如請求項1至13中任一項之方法獲得。
一種呈乾燥及經均質化之型式之式(I)之結晶化合物，<figure><img align="absmiddle" height="367px" width="273px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>其特徵在於該式(I)之化合物之容積密度為0.15g/ml或更低。
如請求項19之式(I)之結晶化合物，其中，式(I)之結晶化合物係呈多晶型物II存在，其具有：- 在下列2θ值處之特徵X-射線反射：4.1°、4.6°、10.0°、16.7°及18.0°；或- 選自以下之特徵<sup>13</sup>C固態NMR化學位移：130.1ppm、46.6ppm及25.0ppm；或- 在選自-64.0、-65.6、-66.6、-78.2及-79.1ppm之化學位移處之至少三個特徵<sup>19</sup>F固態核磁共振峰。
如請求項19或20之式(I)之結晶化合物，其特徵在於，式(I)之結晶化合物於鹵素乾燥機中在110℃下乾燥後之重量損失係<img align="absmiddle" height="13px" width="10px" file="d10007.TIF" alt="其他非圖式ed10007.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10007.png"/>0.5%。
一種醫藥組合物，其包含如請求項14至18中任一項之式(I)之結晶化合物之經均質化及乾燥之型式，及一或多種惰性載劑及/或稀釋劑。
如請求項22之醫藥組合物，其中該組合物係呈錠劑之形式。
如請求項22或23之醫藥組合物，其中該組合物進一步包含乳糖單水合物、微晶纖維素、羥丙基纖維素、交聯羧甲基纖維素鈉及硬脂酸鎂。
如請求項22或23之醫藥組合物，其中該錠劑之溶解譜包含於45分鐘後大於80%，諸如大於90%，或等於或大於95%或介於95與99%之間之溶解速率。
一種如請求項14至21中任一項之化合物或如請求項22至25中任一項之醫藥組合物之用途，其用於製造用於治療神經病症或精神病症之藥劑。
一種用於將一物體安裝到一表面的黏著劑總成，該總成包含：一第一黏著劑構造，其包括一第一主表面及一第二主表面，該第一黏著劑構造包括一第一黏著劑層；一第一核，其相鄰於該第一黏著劑層，該核包含核材料並包括第一主表面及第二主表面；及凹部之一第一配置圖案，其至少在該第一核的該第一主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的一底部表面界定並包含核材料；及一第一黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內；及一勁化載體，其經層壓到該第一黏著劑構造的該第二主表面，該勁化載體具有比該第一黏著劑構造更高的一勁度。
如請求項1之黏著劑總成，其中該載體包含一載體背襯，該載體背襯包括相對的主表面。
如請求項2之黏著劑總成，其中該載體進一步包括在該載體背襯之一第一主表面上的一第一載體黏著劑層。
如請求項3之黏著劑總成，其中該載體進一步包括在該載體背襯之一第二主表面上的一第二載體黏著劑層，該第二載體黏著劑層係與該第一載體黏著劑層相對。
如請求項1或2之黏著劑總成，其中該第一核包含一非織造材料。
如請求項1或2之黏著劑總成，其中該第一核的該材料具有一空隙體積，且其中該第一薄膜的該空隙體積係小於在相鄰凹部之間的間隙空間中之該核材料的一空隙體積。
如請求項1之黏著劑總成，其中該薄膜駐留在平行於與該第一主表面重合之一平面的一多個平面中。
如請求項2之黏著劑總成，其中該載體背襯包含一發泡體、膜、紙、或其組合。
如請求項8之黏著劑總成，其中該載體背襯層係一發泡體與膜的一層壓體。
如請求項9之黏著劑總成，其中該載體背襯層包括一膜-發泡體-膜層壓體。
如請求項2之黏著劑總成，其中該載體背襯係由一載體黏著劑層組成。
如請求項1之黏著劑總成，其進一步包含一第二黏著劑構造，其相鄰於該載體的該第二主表面，該第二黏著劑構造包括相對的主表面，該第二黏著劑構造包括一第二黏著劑層；一第二核，其相鄰於該第二黏著劑層，該第二核包含核材料並包括相對的主表面；及凹部之一第二配置圖案，其至少在該第二核的該第二主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的該底部表面界定並包含核材料；及一第二黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內。
如請求項1之黏著劑總成，其中該第一載體黏著劑層係膠黏丙烯酸或合成橡膠壓敏性黏著劑。
一種用於製作一黏著劑物品的方法，該方法包含：提供一第一黏著劑構造，其包括一第一主表面及一第二主表面，該第一黏著劑構造包括一第一黏著劑層；一第一核，其相鄰於該第一黏著劑層，該核包含核材料並包括第一主表面及第二主表面；及凹部之一第一配置圖案，其至少在該第一核的該第一主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的該底部表面界定並包含核材料；及一第一黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內；提供一載體，其包括一背襯及一第一載體黏著劑層中之至少一者，該載體具有比該第一黏著劑構造更高的一勁度；及將該載體層壓到該第一黏著劑構造。
如請求項14之方法，其中該載體包含一載體背襯層，該載體背襯層包括相對的主表面及一第一載體黏著劑層，其中該第一載體黏著劑層係黏固到該背襯層的該第一主表面<b>。</b>
如請求項15之方法，其中該載體進一步包括在該載體背襯層之一第二主表面上的一第二載體黏著劑層。
如請求項14至16中任一項之方法，其中該層壓步驟在高於200℉發生。
如請求項14至16中任一項之方法，其中提供一第一黏著劑構造包含提供一核，其具有相對之第一主表面及第二主表面並包括一可固結核材料；將一第一黏著劑層壓到該等主表面中之至少一者；及固結該核材料的複數個離散區域以形成凹部之一配置圖案；及在該黏著劑與該核之各固結區域之間產生複數個黏著劑介面，其中該層壓步驟在該固結步驟之前或期間發生。
如請求項14至16中任一項之方法，且進一步包含提供一第二黏著劑構造，其相鄰於該載體的該第二主表面，該第二黏著劑構造包括相對的主表面，該第二黏著劑構造包括一第二黏著劑層；一第二核，其相鄰於該第二黏著劑層，該第二核包含核材料並包括相對的主表面；及凹部之一第二配置圖案，其至少在該第二核的該第二主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的該底部表面界定並包含核材料；及一第二黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內；及將該第二黏著劑構造層壓到該載體的該第二主表面，其中該第二黏著劑構造層壓到該載體與該第一黏著劑構造層壓到該載體同時發生。
一種用於將一物體安裝到一表面的黏著劑總成，該總成包含：一第一外部黏著劑構造，其包括一第一主表面及一第二主表面，該第一外部黏著劑構造包括一第一黏著劑層；一第一核，其相鄰於該第一黏著劑層，該核包含核材料並包括第一主表面及第二主表面；及凹部之一第一配置圖案，其至少在該第一核的該第一主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的該底部表面界定並包含核材料；及一第一黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內；一載體，其包括一第一載體黏著劑層、一第二載體黏著劑層、及一背襯層，該背襯層包括相對的主表面，該第一載體黏著劑層層壓到該第一外部黏著劑構造的該第二主表面及該背襯層的該第一主表面；及一第二外部黏著劑構造，其相鄰於該載體的該第二主表面，該第二外部黏著劑構造包括相對的主表面，該第二外部黏著劑構造包括一第二黏著劑層；一第二核，其相鄰於該第二黏著劑層，該第二核包含核材料並包括相對的主表面；及凹部之一第二配置圖案，其至少在該第二核的該第二主表面上，各凹部終止於一薄膜中，其中該薄膜係由該凹部的該底部表面界定並包含核材料；及一第二黏著劑介面，其係在該底部表面處或在該薄膜內，其中該第一外部黏著劑構造及該第二外部黏著劑構造駐留在該載體之相對的側上，且其中該載體具有比該第一外部黏著劑構造及該第二外部黏著劑構造更高的一勁度。
一種電子筆，其特徵為，係具備有： <br/> 線圈；和 <br/> 磁性體芯，係被捲繞有前述線圈，並具備有軸心方向之貫通孔；和 <br/> 電容器，係與前述線圈一同構成共振電路；和 <br/> 棒狀之芯體，係插通於前述磁性體芯之前述貫通孔中， <br/> 該電子筆，係在自身與位置檢測感測器之間藉由電磁感應而將訊號作送收訊， <br/> 前述芯體，係在筆尖部處，具備有磁鐵部、和保持前述磁鐵部之軛部， <br/> 在前述電子筆之與前端相反側之後端處，係被配置有使與在前端處所露出的前述磁鐵之磁極相反的磁極作了露出之磁鐵。
如請求項1所記載之電子筆，其中， <br/> 被設置有前述磁鐵部與前述軛部之前述芯體的至少前述筆尖部，係以從電子筆框體而作了突出的狀態而被作使用。
如請求項1所記載之電子筆，其中， <br/> 前述磁性體芯之前端部、和被設置有前述磁鐵部與前述軛部之前述芯體的前述筆尖部，係以從電子筆框體而作了突出的狀態而被作使用。
如請求項1所記載之電子筆，其中， <br/> 前述芯體，係構成為在軸部之前端部被設置有前述磁鐵部與前述軛部。
如請求項1所記載之電子筆，其中， <br/> 前述芯體係具備有軸部， <br/> 在前述軸部之前端處，係被設置有前述磁鐵部與前述軛部， <br/> 前述軸部之除了設置有前述磁鐵部與前述軛部之前端部和從前述軸部之後端起朝向前端部側而涵蓋特定範圍的後端部以外之部分，係位置於補強管內。
如請求項1所記載之電子筆，其中， <br/> 前述芯體，係具備有筆尖側軸部，和後端側軸部， <br/> 在前述筆尖側軸部之前端處，係被設置有前述磁鐵部與前述軛部， <br/> 前述筆尖側軸部之除了被設置有前述磁鐵部與前述軛部的前端部以外之部分，係位置於補強管內， <br/> 前述後端側軸部之除了從前述軸部之後端起朝向前端部側而涵蓋特定範圍的後端部以外之部分，係位置於補強管內。
如請求項1～6中之任一項所記載之電子筆，其中， <br/> 前述磁鐵部，係為在軸心方向上使N極與S極作並排之柱狀物， <br/> 前述軛部，係為於前端側處具有開口之杯狀之物，在將前述磁鐵部作了保持的情況時，係使前述磁鐵部之前端部分從前述開口而突出。
如請求項7所記載之電子筆，其中， <br/> 在後端處，係被設置有與被配置在前端處之前述共振電路相異頻率之共振電路。
一種手寫輸入裝置，其特徵為，係具備有： <br/> 位置檢測裝置部，係在會使磁極作了接近或接觸的位置之顏色改變的磁性薄片之下方處，將電磁感應方式之位置檢測感測器與前述磁性薄片相重疊地而作了配設；和 <br/> 電子筆， <br/> 前述電子筆，係具備有： <br/> 線圈；和 <br/> 磁性體芯，係被捲繞有前述線圈，並具備有軸心方向之貫通孔；和 <br/> 電容器，係與前述線圈一同構成共振電路；和 <br/> 棒狀之芯體，係插通於前述磁性體芯之前述貫通孔中， <br/> 前述芯體，係在筆尖部處，具備有磁鐵部、和保持前述磁鐵部之軛部， <br/> 在前述電子筆之與前端相反側之後端處，係被配置有使與在前端處所露出的前述磁鐵之磁極相反的磁極作了露出之磁鐵， <br/> 前述位置檢測裝置部之前述位置檢測感測器，係在自身與前述電子筆之前述共振電路之間，藉由電磁感應耦合來交換與前述共振電路之共振頻率相對應的頻率之訊號。
如請求項9所記載之手寫輸入裝置，其中， <br/> 前述磁性薄片，係具備有由複數個的微膠囊所成之層，該些複數個的微膠囊，係包含有由磁性材料所成之粉體， <br/> 在前述電子筆之前述芯體之筆尖部之磁極對於前述磁性薄片作了接近或者是接觸的位置處，前述磁性薄片之前述層之由前述磁性材料所成之粉體，係被磁性吸引至前述芯體之筆尖部之磁極側，藉由此，前述磁性薄片之表面的前述芯體之筆尖部之磁極所作了接近或者是接觸的位置之顏色係改變。
如請求項10所記載之手寫輸入裝置，其中，係具備有： <br/> 消去構件，係藉由使前述磁性薄片之前述層之前述微膠囊的前述芯體之筆尖部所作了接近或者是接觸的前述粉體回到原本之位置處，來在前述磁性薄片處而將前述作了改變的顏色消去。
一種電子筆用芯體，係為電子筆用之棒狀之芯體，其特徵為： <br/> 係具有筆尖部與軸部， <br/> 在前述筆尖部處，係具備有磁鐵部、和保持前述磁鐵部之軛部， <br/> 在前述電子筆之與前端相反側之後端處，係被配置有使與在前端處所露出的前述磁鐵之磁極相反的磁極作了露出之磁鐵。
如請求項12所記載之電子筆用芯體，其中， <br/> 前述磁鐵部，係為在軸心方向上使N極與S極作並排之柱狀物， <br/> 前述軛部，係為於前端側處具有開口之杯狀之物，在將前述磁鐵部作了保持的情況時，係使前述磁鐵部之前端部分從前述開口而突出。
如請求項12所記載之電子筆用芯體，其中， <br/> 前述軸部，係藉由非磁性體之材料所構成。
一種光學裝置計量系統，包括：<br/> 一載物臺，經配置以沿一載物臺路徑移動一托盤；<br/> 一第一子系統，包括：<br/> 一第一主體，具有一第一開口及一第二開口以允許該載物臺移動經過該第一開口及該第二開口，<br/> 一第一光引擎，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑上方，該第一光引擎經配置以將第一光束導向該載物臺路徑，<br/> 一第一偵測器，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑上方以接收自該載物臺路徑向上投射之第一投射光束，以及<br/> 一第二偵測器，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑下方以接收自該載物臺路徑向下投射之第二投射光束；以及<br/> 一第二子系統，包括：<br/> 一第二主體，具有一第一開口及一第二開口以允許該載物臺移動經過該第二主體之該第一開口及該第二開口，<br/> 一第二光引擎，定位在該第二主體內且安裝在該載物臺路徑上方，該第二光引擎經配置以將第二光束導向該載物臺路徑，以及<br/> 一面部照明偵測器，經配置以接收自該載物臺路徑向上投射之第三投射光束；以及<br/> 一控制器，與該載物臺、該第一子系統及該第二子系統通訊，該控制器包括指令，執行該等指令以進行：<br/> 對該第一光引擎之一對準操作，其中：<br/> 一雷射源引導一第一雷射光經過一針孔並導向該光學裝置；<br/> 一對準偵測器決定一第一反射雷射光之一光強度；<br/> 該雷射源之一傾斜度及一間距經調整以將該光強度增大至一增大的光強度；<br/> 該載物臺將一光學裝置定位在該第一子系統內以使該光學裝置與該第一子系統之該第一偵測器及該第二偵測器對準；<br/> 該第一光引擎將第一光束導向該光學裝置；<br/> 該第一偵測器擷取自該光學裝置投射之第一投射光束的複數個第一影像；<br/> 該第二偵測器擷取自該光學裝置投射之第二投射光束的複數個第二影像；<br/> 處理該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者以決定該光學裝置之複數個第一指標；<br/> 該載物臺將該光學裝置定位在該第二子系統內以使該光學裝置與該第二子系統之該面部照明偵測器對準；<br/> 該第二光引擎將第二光束導向該光學裝置；<br/> 該面部照明偵測器擷取自該光學裝置投射之第三投射光束的複數個第三影像；<br/> 處理該複數個第三影像以決定該光學裝置之一或更多個第二指標，該一或更多個第二指標包括一顯示洩漏指標。
一種光學裝置計量系統，包括：<br/> 一載物臺，經配置以沿一載物臺路徑移動一托盤；<br/> 一第一子系統，包括：<br/> 一第一主體，具有一第一開口及一第二開口以允許該載物臺移動經過該第一開口及該第二開口，<br/> 一第一光引擎，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑上方，該第一光引擎經配置以將第一光束導向該載物臺路徑，<br/> 一第一偵測器，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑上方以接收自該載物臺路徑向上投射之第一投射光束，以及<br/> 一第二偵測器，定位在該第一主體內且安裝在該載物臺路徑下方以接收自該載物臺路徑向下投射之第二投射光束；以及<br/> 一第二子系統，包括：<br/> 一第二主體，具有一第一開口及一第二開口以允許該載物臺移動經過該第二主體之該第一開口及該第二開口，<br/> 一第二光引擎，定位在該第二主體內且安裝在該載物臺路徑上方，該第二光引擎經配置以將第二光束導向該載物臺路徑，以及<br/> 一面部照明偵測器，經配置以接收自該載物臺路徑向上投射之第三投射光束；以及<br/> 一控制器，該控制器與該第一子系統及該第二子系統通訊，該控制器包括指令，執行該等指令以進行：<br/> 使用該第一子系統決定一光學裝置的一或更多個第一指標，該一或更多個第一指標包括一調變傳遞函數(MTF)指標、一重影指標、或一眼框指標中之一或更多者。
如請求項2所述之光學裝置計量系統，其中該第一光引擎包括：<br/> 一第一照明器，包括一第一光源及一第一投射結構；<br/> 一第一透鏡，定位在該第一照明器與該載物臺路徑之間；以及<br/> 一對準模組，包括一雷射源、一分束器、一針孔及一對準偵測器。
如請求項3所述之光學裝置計量系統，其中該第一偵測器包括一第一照相機及定位在該第一照相機與該載物臺路徑之間的一第二透鏡，且該第二偵測器包括一第二照相機及定位在該第二照相機與該載物臺路徑之間的一第三透鏡。
如請求項4所述之光學裝置計量系統，其中該第一子系統之該第一光引擎進一步包括定位在該第一透鏡與該載物臺路徑之間的一四分之一波板或一線性偏振器中的一或更多者。
如請求項4所述之光學裝置計量系統，其中該第一子系統之該第一光引擎進一步包括：<br/> 一透鏡，定位在該第一透鏡與該載物臺路徑之間；以及<br/> 一可調孔隙，定位在該透鏡與該第一透鏡之間。
如請求項4所述之光學裝置計量系統，其中該第二子系統之該第二光引擎包括一第二照明器及定位在該第二照明器與該載物臺路徑之間的一第四透鏡，該第二照明器包括一第二光源及一第二投射結構。
如請求項7所述之光學裝置計量系統，其中該第二子系統之該面部照明偵測器包括：<br/> 一第三照相機；<br/> 一第五透鏡，定位在該第三照相機與該載物臺路徑之間；以及<br/> 一眼框阻擋器，定位在該第五透鏡與該載物臺路徑之間。
如請求項8所述之光學裝置計量系統，其中該第一投射結構及該第一透鏡定向成平行於該載物臺路徑，且該控制器包括指令，執行該等指令以進行：<br/> 使用該第一子系統決定一光學裝置之一額外的一或更多個第一指標，該額外的一或更多個第一指標包括一角度均勻性指標、一對比度指標、一效率指標、一顏色均勻性指標、或一視場(FOV)指標中之一或更多者；以及<br/> 使用該第二子系統決定該光學裝置之一或更多個第二指標，該一或更多個第二指標包括一顯示洩漏指標。
一種分析光學裝置之方法，包括以下步驟：<br/> 將一光學裝置定位在一第一子系統內以使該光學裝置與該第一子系統之一第一偵測器及一第二偵測器對準；<br/> 自該第一子系統之一第一光引擎引導第一光束並導向該光學裝置；<br/> 使用該第一子系統之該第一偵測器擷取自該光學裝置投射之第一投射光束的複數個第一影像；<br/> 使用該第一子系統之該第二偵測器擷取自該光學裝置投射之第二投射光束的複數個第二影像；<br/> 處理該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者以決定該光學裝置之複數個第一指標，該複數個第一指標包括一調變傳遞函數(MTF)指標、一重影指標、或一眼框指標中之一或更多者；<br/> 將該光學裝置定位在一第二子系統內以使該光學裝置與該第二子系統之一面部照明偵測器對準；<br/> 自該第二子系統之一第二光引擎引導第二光束並導向該光學裝置；<br/> 使用該第二子系統之該面部照明偵測器擷取自該光學裝置投射之第三投射光束的複數個第三影像；<br/> 處理該複數個第三影像以決定該光學裝置之一或更多個第二指標，該一或更多個第二指標包括一顯示洩漏指標。
如請求項10所述之方法，進一步包括以下步驟：針對該第一光引擎進行一對準操作，該對準操作包括：<br/> 使用一雷射源引導第一雷射光經過一針孔並導向該光學裝置；<br/> 使用一對準偵測器決定第一反射雷射光之一光強度；<br/> 調整該雷射源之一傾斜度及一間距以將該光強度增大至一增大的光強度；<br/> 在該增大的光強度下決定該對準偵測器所接收之該第一反射雷射光的一第一位置；<br/> 引導第二雷射光經過該針孔並導向該第一光引擎之一第一透鏡；<br/> 調整該第一透鏡之一傾斜度及一間距，直至該對準偵測器所接收之第二反射雷射光的一第二位置匹配該第一位置為止；<br/> 引導第三雷射光經過該針孔並導向該第一光引擎之一第一投射結構；以及<br/> 調整該第一投射結構之一傾斜度及一間距，直至該對準偵測器所接收之第三反射雷射光的一第三位置匹配該第一位置為止。
如請求項10所述之方法，其中該複數個第一指標包括一角度均勻性指標，且對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：<br/> 在一單個影像內比較一光圖案設計之一或更多個第一部分與該光圖案設計之一或更多個第二部分。
如請求項10所述之方法，其中該複數個第一指標包括一對比度指標，且對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：<br/> 在一單個影像內比較一光圖案設計之一或更多個明亮部分與該光圖案設計之一或更多個黑暗部分。
如請求項10所述之方法，其中：<br/> 該複數個第一指標包括一顏色均勻性指標；<br/> 該複數個第一影像、該複數個第二影像或該複數個第三影像中之一或更多者擷取一紅色光譜、一綠色光譜及一藍色光譜；以及<br/> 對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：<br/> 使用該同一場區域比較一紅色光譜影像與一綠色光譜影像及一藍色光譜影像。
如請求項10所述之方法，其中該複數個第一指標包括一效率指標，且該方法進一步包括以下步驟：在該複數個第一影像的該擷取之步驟及該複數個第二影像的該擷取之步驟之前：<br/> 定位該第二偵測器以與該光學裝置之一輸入耦合器對準；<br/> 自該第一子系統之該第一光引擎引導校準光束並導向該光學裝置；<br/> 使用該第二偵測器擷取自該光學裝置之該輸入耦合器投射的校準投射光束之一或更多個校準影像；以及<br/> 定位該第二偵測器以與該光學裝置之一輸出耦合器對準。
如請求項15所述之方法，其中對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：比較該一或更多個校準影像與該複數個第一影像及該複數個第二影像。
如請求項10所述之方法，其中該複數個第一指標包括一調變傳遞函數(MTF)指標，且該方法進一步包括以下步驟：在該複數個第一影像的該擷取之步驟及該複數個第二影像的該擷取之步驟之前：<br/> 自該第一子系統之該第一光引擎引導校準光束並導向該第二偵測器；以及<br/> 當該第二偵測器未對準該光學裝置時使用該第二偵測器擷取該等校準光束之一或更多個校準影像；<br/> 其中對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：比較該一或更多個校準影像之一或更多個部分的一外邊緣與該複數個第一影像或該複數個第二影像中的一或更多者之相同的該一或更多個部分的相同的該外邊緣。
如請求項10所述之方法，其中：<br/> 該複數個第一指標包括一眼框指標；<br/> 在該複數個第一影像的該擷取之步驟或該複數個第二影像的該擷取之步驟期間移動該第一偵測器或該第二偵測器以沿該光學裝置之一輸出耦合器掃描跨過複數個位置；以及<br/> 對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：比較對應於該輸出耦合器之不同場區域的不同影像。
如請求項10所述之方法，其中該複數個第一指標包括一重影指標，且該方法進一步包括以下步驟：在該複數個第一影像的該擷取之步驟及該複數個第二影像的該擷取之步驟之前：<br/> 自該第一子系統之該第一光引擎引導校準光束並導向該第二偵測器；以及<br/> 當該第二偵測器未對準該光學裝置時使用該第二偵測器擷取該等校準光束之一或更多個校準影像；<br/> 其中對該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者的該處理之步驟包括以下步驟：比較該一或更多個校準影像與該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者以決定該一或更多個校準影像與該複數個第一影像或該複數個第二影像中之一或更多者之間的一偏移量。
如請求項19所述之方法，其中該複數個第三影像包括該等第三投射光束，其係自該光學裝置投射並越過該面部照明偵測器之一眼框阻擋器。
一種蝕刻方法，其包含以下步驟： <br/>(a)準備具有包含氧化矽膜之含矽膜之基板，該基板載置於設置在腔室內之基板支持器上； <br/>(b)將包含六氟化鎢氣體、含有碳及氟之氣體、以及含氧氣體之處理氣體供給至上述腔室內；及 <br/>(c)自上述處理氣體產生電漿，對上述含矽膜進行蝕刻；且 <br/>上述(c)包含： <br/>於不對設置於上述基板支持器上方之上部電極施加第2負直流電壓時，對上述基板支持器施加第1負直流電壓；及 <br/>於不對上述基板支持器施加上述第1負直流電壓時，對設置於上述基板支持器上方之上述上部電極施加上述第2負直流電壓。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述(c)中之上述腔室內之壓力設定為未達1.333 Pa。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述處理氣體中之上述六氟化鎢氣體之流量相對於上述處理氣體之流量之比率為5體積%以下。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述處理氣體進而包含三氟化氮氣體。
如請求項4之蝕刻方法，其中上述處理氣體中之上述三氟化氮氣體之流量相對於上述處理氣體之流量之比率多於上述處理氣體中之上述六氟化鎢氣體之流量相對於上述處理氣體之流量之比率。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述處理氣體包含氟碳氣體作為含有碳及氟之上述氣體。
如請求項6之蝕刻方法，其中上述含矽膜進而包含氮化矽膜。
如請求項7之蝕刻方法，其中於上述(c)中，於藉由上述蝕刻而形成於上述氮化矽膜之側壁形成含鎢膜。
如請求項6之蝕刻方法，其中上述含矽膜進而包含多晶矽膜。
如請求項1之蝕刻方法，其中 <br/>上述含矽膜進而包含氮化矽膜， <br/>上述處理氣體包含氫氟碳氣體作為含有碳及氟之上述氣體。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述含矽膜包含具有上述氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜， <br/>上述(c)包含以下步序： <br/>將使上述負直流電壓施加至上述基板支持器之時間間隔之倒數即偏壓頻率設定為第1頻率之狀態下，對上述氮化矽膜進行蝕刻；及 <br/>於將上述偏壓頻率設定為大於上述第1頻率之第2頻率之狀態下，對上述氧化矽膜進行蝕刻。
如請求項1之蝕刻方法，其中於上述(c)中，將上述基板支持器之溫度設定為0℃以上、120℃以下之溫度。
如請求項1之蝕刻方法，其中於上述(c)中施加至上述基板支持器之上述負直流電壓之絕對值為1 kV以上、20 kV以下。
如請求項1之蝕刻方法，其中上述基板進而具有基底區域或蝕刻停止層，該蝕刻方法進而包含以下步驟： <br/>(d)於包含上述基底區域或上述蝕刻停止層露出時在內之期間內，停止上述處理氣體中之六氟化鎢氣體之供給；及 <br/>(e)藉由自上述處理氣體中包含之除上述六氟化鎢氣體以外之其他氣體產生之電漿，對上述含矽膜進行蝕刻。
一種製備化合物 (10) 之方法， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="59px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(10) <br/>該方法包括將化合物 (9)： <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="36px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(9) <br/>在除了二甲基甲醯胺以外的合適的有機溶劑中的鹼存在下與3-氟-5-羥基苯甲腈反應。
如請求項1之方法，其中該鹼係無機鹼。
如請求項2之方法，其中該無機鹼係碳酸銫或碳酸鉀，且該有機溶劑係四氫呋喃。
如請求項1或2之方法，該方法進一步包括從醚和烷烴溶劑的混合物中結晶化合物 (10)。
如請求項4之方法，其中化合物 (10) 從甲基三級丁基醚和正庚烷的混合物中結晶。
如請求項1至3中任一項之方法，該方法進一步包括製備化合物 (9)： <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="36px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(9) <br/>藉由使用合適的有機溶劑或水性有機溶劑中的合適的氧化劑，對化合物 (8) 之亞乙烯基部分進行氧化裂解： <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="36px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(8)。
如請求項6之方法，其中在水性乙腈中的催化劑量的氯化釕存在下用高碘酸鈉對亞乙烯基進行氧化裂解。
如請求項7之方法，該方法進一步包括製備化合物 (8)： <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="30px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(8) <br/>藉由在合適的有機溶劑中的鹼存在下使用鈀催化劑，在化合物 (7) 中的烯烴和溴基之間進行分子內環化： <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="30px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(7)。
如請求項8之方法，其中該鈀催化劑係Pd(PPh<sub>3</sub>)<sub>4</sub>、Pd(dppf)Cl<sub>2</sub>、Pd(PPh<sub>3</sub>)<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>、Pd(PPh<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(OAc)<sub>2</sub>、Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>/XPhos、或Pd(1,2-雙(二苯基膦基)-乙烷)(OAc)<sub>2</sub>，並且該有機溶劑係乙腈、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃、甲苯、1,4-二㗁𠮿或二甲基甲醯胺。
如請求項8之方法，其中該鈀催化劑係Pd(PPh<sub>3</sub>)<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>，該鹼係乙酸鉀，並且該溶劑係乙腈。
如請求項8之方法，該方法進一步包括製備化合物 (7)： <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="30px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(7) <br/>藉由在合適的有機溶劑中的去質子化劑存在下使用溴化劑處理化合物 (6)： <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="36px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(6)。
如請求項11之方法，其中該溴化劑係1,2-二溴-1,1,2,2-四氟乙烷，該去質子化劑係二異丙基胺基鋰並且該溶劑係四氫呋喃。
如請求項12之方法，該方法進一步包括製備化合物 (6)： <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="30px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(6) <br/>藉由在合適的有機溶劑中的(S)-2-((3-(三級丁基)-2-羥基苄基)胺基)-N,N,3-三甲基丁醯胺和鹼存在下使用4,4,5,5-四甲基-2-(丙-2-烯-1-基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷處理化合物 (5)： <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(5)。
如請求項11之方法，該方法進一步包括製備化合物 (6)： <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="30px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(6) <br/>藉由在合適的有機溶劑中的(S)-2-((3-(三級丁基)-2-羥基苄基)胺基)-N,N,3-三甲基丁醯胺和鹼存在下使用4,4,5,5-四甲基-2-(丙-2-烯-1-基)-1,3,2-二氧雜環戊硼烷處理化合物 (5)： <br/><img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(5)。
如請求項13之方法，其中該鹼係三級丁醇鈉並且該有機溶劑係甲醇和甲苯的混合物。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>處理室； <br/>基板支撐器，包含偏壓電極，並設置於該處理室內； <br/>電漿產生部，其構成以在該處理室內從氣體產生出電漿；以及 <br/>偏壓電源，其構成為：電性連接於該偏壓電極，並產生施加於該偏壓電極的複數個電壓脈波之序列； <br/>該複數個電壓脈波之各者，包含：前緣期間，其係從基準電壓準位轉換到脈波電壓準位的期間；以及，後緣期間，其係從該脈波電壓準位轉換到該基準電壓準位的期間；該前緣期間的時間長以及該後緣期間的時間長之至少一者，係比0秒長並且在0.5微秒以下。
如請求項1所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該前緣期間的時間長以及該後緣期間的時間長之至少一者，係比0秒長且在0.25微秒以下。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該前緣期間的時間長以及該後緣期間的時間長之至少一者，係在0.05微秒以上。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數個電壓脈波之各者，在該前緣期間與該後緣期間之至少一者的期間中的那段時間內，會轉換至該基準電壓準位與該脈波電壓準位之間的至少一個不同的電壓準位。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數個電壓脈波之各者係負的電壓脈波。
如請求項5所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該脈波電壓準位，係在-20kV以上且在-0.5kV以下。
如請求項5所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該基準電壓準位為0V。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該偏壓電源，係構成以將該複數個電壓脈波週期性地向該偏壓電極施加。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該偏壓電源，包含： <br/>直流電源；以及 <br/>脈波單元，設置於該直流電源與該偏壓電極之間； <br/>該脈波單元，包含： <br/>第一開關元件及第二開關元件，在該直流電源的正極與負極之間串聯連接；以及 <br/>阻抗電路，在該第一開關元件和該第二開關元件之間的節點、與該偏壓電極之間連接。
如請求項9所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>脈波控制器，其構成以控制該脈波單元； <br/>該脈波控制器係構成以交互進行第一控制與第二控制；該第一控制，係使該第一開關元件閉合並使該第二開關元件開放；該第二控制，係使該第一開關元件開放並使該第二開關元件閉合。
如請求項9所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該阻抗電路包含：在該節點與該偏壓電極之間串聯連接之電感器以及電阻元件。
如請求項1或2所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該電漿產生部包含射頻電源。
一種電漿處理方法，包含以下步驟： <br/>在電漿處理裝置的處理室內，於基板支撐器上準備基板之步驟； <br/>在該處理室內產生電漿之步驟；以及 <br/>以在該處理室內產生有該電漿的狀態，向該基板支撐器施加複數個電壓脈波的序列之步驟； <br/>該複數個電壓脈波之各者，包含：前緣期間，其係從基準電壓準位轉換到脈波電壓準位的期間；以及，後緣期間，其係從該脈波電壓準位轉換到該基準電壓準位的期間；該前緣期間的時間長以及該後緣期間的時間長之至少一者，係比0秒長並且在0.5微秒以下。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>處理室； <br/>基板支撐器，其包含偏壓電極，該基板支撐器係設置於該處理室內； <br/>電漿產生部，其構成以在該處理室內從氣體產生出電漿；以及 <br/>偏壓電源，其構成為：電性連接於該偏壓電極，並產生複數個電壓脈波的序列； <br/>該偏壓電源包含： <br/>直流電源；以及 <br/>脈波單元，設置於該直流電源與該偏壓電極之間； <br/>該脈波單元包含： <br/>第一開關元件以及第二開關元件，在該直流電源的正極與負極之間串聯連接；以及 <br/>阻抗電路，在該第一開關元件和該第二開關元件之間的節點、與該偏壓電極之間連接。
如請求項14所述之電漿處理裝置，更包含： <br/>脈波控制器，其構成以控制該脈波單元； <br/>該脈波控制器係構成以交互進行第一控制與第二控制；該第一控制，係使該第一開關元件閉合並使該第二開關元件開放；該第二控制，係使該第一開關元件開放並使該第二開關元件閉合。
如請求項14或15所述之電漿處理裝置，其中， <br/>該阻抗電路包含：在該節點與該偏壓電極之間串聯連接之電感器以及電阻元件。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 從一基地台接收用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息從該基地台接收下行鏈路控制資訊（DCI），該DCI指示用於細胞啟動量測的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該非週期性參考訊號來量測該輔細胞的一或多個特性。
根據請求項1之裝置，其中該DCI排程一共享通道通訊，該共享通道通訊提供該輔細胞啟動訊息並且指示用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項1之裝置，其中<br/> 用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在該DCI中的一資訊欄位中提供的，並且<br/> 該資訊欄位具有與在該DCI中發送的一通道狀態資訊（CSI）請求欄位相同的一格式。
根據請求項1之裝置，其中該DCI是與一排程DCI分別的一DCI，該排程DCI對用於提供該輔細胞啟動訊息的一共享通道通訊進行排程。
根據請求項4之裝置，其中該分別的DCI包括用於與該UE的下行鏈路共享通道通訊的其他排程資訊、以及用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項4之裝置，其中該分別的DCI與不提供用於共用通道通訊的排程資訊的一下行鏈路控制通道通訊包括在一起。
根據請求項6之裝置，其中用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在該分別的DCI中的一或多個欄位中提供的，該一或多個欄位否則用於共享通道通訊的該排程資訊。
根據請求項1之裝置，其中用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在具有與一上行鏈路授權中的一通道狀態資訊（CSI）請求欄位相同的一格式的一資訊欄位中提供的。
根據請求項8之裝置，其中該資訊欄位中的一位元數量是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞配置的或者是至少部分地基於一可用追蹤參考訊號（TRS）狀態數量來決定的。
根據請求項8之裝置，其中該資訊欄位被映射到用於一或多個服務細胞的以下各項中的一項或多項：一TRS定時或時槽、一TRS資源、一TRS功率偏移、或其任何組合。
根據請求項1之裝置，其中該DCI具有一回退DCI格式或一非回退DCI格式。
根據請求項1之裝置，其中對該非週期性參考訊號的量測是由具有一預先配置的DCI格式的該DCI來觸發的。
根據請求項12之裝置，其中該預先配置的DCI格式是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
根據請求項1之裝置，其中對該非週期性參考訊號的量測是由位於一預先配置的DCI搜尋空間集合中的該DCI來觸發的。
根據請求項14之裝置，其中能夠包含用於觸發對該非週期性參考訊號的量測的DCI的一或多個預先配置的DCI搜尋空間集合是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該UE進行以下操作：<br/> 從一基地台接收用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息從該基地台接收一媒體存取控制（MAC）控制元素（CE），該MAC-CE指示用於細胞啟動量測的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該非週期性參考訊號來量測該輔細胞的一或多個特性。
根據請求項16之裝置，其中提供用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數的該MAC-CE亦提供該輔細胞啟動訊息。
根據請求項16之裝置，其中一第一MAC-CE提供用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數，並且一第二MAC-CE提供該輔細胞啟動訊息。
根據請求項18之裝置，其中該第一MAC-CE和該第二MAC-CE在來自該基地台的一相同的下行鏈路共享通道通訊中，或者在來自該基地台的不同的下行鏈路共享通道通訊中。
根據請求項16之裝置，其中該MAC-CE包括一第一欄位和一第二欄位，該第一欄位指示要啟動的該輔細胞，該第二欄位指示用於要啟動的該輔細胞的該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項16之裝置，其中該MAC-CE包括用於指示用於該非週期性參考訊號的該載波的一第一欄位、以及用於指示用於該非週期性參考訊號的一或多個其他參數的一第二欄位。
根據請求項16之裝置，其中若攜帶該MAC-CE的一共享通道通訊是由一預先配置的下行鏈路控制資訊（DCI）格式來排程的，則該非週期性參考訊號被啟用。
根據請求項22之裝置，其中該預先配置的DCI格式是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
根據請求項16之裝置，其中若攜帶該MAC-CE的一共享通道通訊是由經由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞配置的一下行鏈路控制資訊（DCI）搜尋空間集合中的一DCI傳輸來排程的，則該非週期性參考訊號被啟用。
一種用於一基地台處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該基地台進行以下操作：<br/> 向一使用者設備（UE）發送用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息向該UE發送下行鏈路控制資訊（DCI），該DCI指示用於該輔細胞的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該DCI的發送來向該UE發送該非週期性參考訊號。
根據請求項25之裝置，其中該DCI排程一共享通道通訊，該共享通道通訊提供該輔細胞啟動訊息並且指示用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項25之裝置，其中<br/> 用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在該DCI中的一資訊欄位中提供的，並且<br/> 該資訊欄位具有與在該DCI中發送的一通道狀態資訊（CSI）請求欄位相同的一格式。
根據請求項25之裝置，其中該DCI是與排程一DCI分別的一DCI，該排程DCI對用於提供該輔細胞啟動訊息的一共享通道通訊進行排程。
根據請求項28之裝置，其中該分別的DCI包括用於與該UE的下行鏈路共享通道通訊的其他排程資訊、以及用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項28之裝置，其中該分別的DCI與不提供用於共享通道通訊的排程資訊的一下行鏈路控制通道通訊包括在一起。
根據請求項30之裝置，其中用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在該分別的DCI中的一或多個欄位中提供的，該一或多個欄位否則用於共享通道通訊的該排程資訊。
根據請求項25之裝置，其中用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數是在具有與一上行鏈路授權中的一通道狀態資訊（CSI）請求欄位相同的一格式的一資訊欄位中提供的。
根據請求項32之裝置，其中該資訊欄位中的一位元數量是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞配置的或者是至少部分地基於一可用追蹤參考訊號（TRS）狀態數量來決定的。
根據請求項32之裝置，其中該資訊欄位被映射到用於一或多個服務細胞的以下各項中的一項或多項：一TRS定時或時槽、一TRS資源、一TRS功率偏移、或其任何組合。
根據請求項25之裝置，其中該DCI具有一回退DCI格式或一非回退DCI格式。
根據請求項25之裝置，其中對該非週期性參考訊號的量測是由具有一預先配置的DCI格式的該DCI來觸發的。
根據請求項36之裝置，其中該預先配置的DCI格式是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
根據請求項25之裝置，其中對該非週期性參考訊號的量測是由位於一預先配置的DCI搜尋空間集合中的該DCI來觸發的。
根據請求項38之裝置，其中能夠包含用於觸發對該非週期性參考訊號的量測的DCI的一或多個預先配置的DCI搜尋空間集合是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
一種用於一基地台處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該基地台進行以下操作：<br/> 向一使用者設備（UE）發送用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息向該UE發送一媒體存取控制（MAC）控制元素（CE），該MAC-CE指示用於該輔細胞的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該MAC-CE的發送來向該UE發送該非週期性參考訊號。
根據請求項40之裝置，其中提供用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數的該MAC-CE亦提供該輔細胞啟動訊息。
根據請求項40之裝置，其中一第一MAC-CE提供用於該非週期性參考訊號的該一或多個參數，並且一第二MAC-CE提供該輔細胞啟動訊息。
根據請求項42之裝置，其中該第一MAC-CE和該第二MAC-CE在來自該基地台的一相同的下行鏈路共享通道通訊中，或者在來自該基地台的不同的下行鏈路共享通道通訊中。
根據請求項40之裝置，其中該MAC-CE包括一第一欄位和一第二欄位，該第一欄位指示要啟動的該輔細胞，該第二欄位指示用於要啟動的該輔細胞的該非週期性參考訊號的該一或多個參數。
根據請求項40之裝置，其中該MAC-CE包括用於指示用於該非週期性參考訊號的該載波的一第一欄位、以及用於指示用於該非週期性參考訊號的一或多個其他參數的一第二欄位。
根據請求項40之裝置，其中若攜帶該MAC-CE的一共享通道通訊是由一預先配置的下行鏈路控制資訊（DCI）格式來排程的，則該非週期性參考訊號被啟用。
根據請求項46之裝置，其中該預先配置的DCI格式是由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞來配置的。
根據請求項40之裝置，其中若攜帶該MAC-CE的一共享通道通訊是由經由無線電資源控制（RRC）訊號傳遞配置的一下行鏈路控制資訊（DCI）搜尋空間集合中的一DCI傳輸來排程的，則該非週期性參考訊號被啟用。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一基地台接收用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息從該基地台接收下行鏈路控制資訊（DCI），該DCI指示用於細胞啟動量測的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該非週期性參考訊號來量測該輔細胞的一或多個特性。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一基地台接收用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息從該基地台接收一媒體存取控制（MAC）控制元素（CE），該MAC-CE指示用於細胞啟動量測的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該非週期性參考訊號來量測該輔細胞的一或多個特性。
一種用於一基地台處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）發送用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息向該UE發送下行鏈路控制資訊（DCI），該DCI指示用於該輔細胞的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該DCI的發送來向該UE發送該非週期性參考訊號。
一種用於一基地台處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）發送用於指示除了一主細胞之外亦將在該UE處啟動一輔細胞的一輔細胞啟動訊息；<br/> 至少部分地基於該輔細胞啟動訊息向該UE發送一媒體存取控制（MAC）控制元素（CE），該MAC-CE指示用於該輔細胞的一非週期性參考訊號的一或多個參數，其中該一或多個參數包括用於該非週期性參考訊號的一載波、該非週期性參考訊號的一時槽位置、該非週期性參考訊號的一參考訊號配置、用於該非週期性參考訊號的一波束配置、或其任何組合；及<br/> 至少部分地基於該MAC-CE的發送來向該UE發送該非週期性參考訊號。
一種利用濕度變動之發電方法，其為利用環境中的濕度變動而得到電動勢之發電方法，<br/>前述發電方法係藉由離子滲透膜將具有潮解性的離子性化合物的水溶液隔開並在離子滲透膜的兩側分別插入電極，且使一側與外部空氣隔離而密閉並且使另一側與外部空氣連接，利用外部空氣中的濕度變化使前述水溶液中的源自於前述離子性化合物的離子的濃度隔著前述離子滲透膜產生差異，而在前述電極間產生電動勢。
如請求項1所述之發電方法，其中，前述離子滲透膜係陽離子交換膜。
如請求項1或2所述之發電方法，其中，前述離子性化合物係鹵化物，前述電極係銀-鹵化銀電極。
如請求項3所述之發電方法，其中，前述鹵化物係鋰的鹵化物。
如請求項1所述之發電方法，其中，前述水溶液係滲入並保持於多孔質體。
一種利用濕度變動之發電元件，其為利用環境中的濕度變動而得到電動勢之發電元件，係具有：<br/>將具有潮解性的離子性化合物的水溶液隔開之離子滲透膜，以及分別插入前述離子滲透膜的兩側的前述水溶液之電極，<br/>前述發電元件係使利用前述離子滲透膜隔開的前述水溶液的一側與外部空氣隔離而密閉並且使另一側與外部空氣連接，利用外部空氣中的濕度變化使前述水溶液中的源自於前述離子性化合物的離子的濃度隔著前述離子滲透膜產生差異，而在前述電極間產生電動勢。
如請求項6所述之發電元件，其中，前述離子滲透膜係陽離子交換膜。
如請求項6或7所述之發電元件，其中，前述離子性化合物係鹵化物，前述電極係銀-鹵化銀電極。
如請求項8所述之發電元件，其中，前述鹵化物係鋰的鹵化物。
如請求項6所述之發電元件，其中，前述水溶液係滲入並保持於多孔質體。
如請求項6所述之發電元件，其內部電阻係在10歐姆以下。
一種油中水型乳化化妝料，其含有下述成分(A)～(E)：<br/> (A)經N-醯基胺基酸處理的微粒子氧化鋅，<br/> (B)經疏水化處理的微粒子氧化鈦，<br/> (C)聚羥基硬脂酸，<br/> (D)在25℃下為液態的酯油，<br/> (E)HLB2～9的非離子性界面活性劑，且<br/> 前述(A)成分與前述(B)成分的合計含量為15～40質量%；<br/> 前述成分(A)為經月桂醯基離胺酸處理的微粒子氧化鋅及/或經月桂醯基麩胺酸處理的微粒子氧化鋅；<br/> 前述成分(B)之疏水化處理劑為選自聚矽氧處理劑及脂肪酸處理劑所構成群組中的至少一種；<br/> 前述成分(D)之IOB值為0.1～0.5；<br/> 前述成分(E)為選自聚矽氧系界面活性劑、去水山梨醇脂肪酸酯、及聚乙二醇脂肪酸酯的群組中的至少一種。
如請求項1之油中水型乳化化妝料，其中前述成分(A)及成分(B)的含有質量比(A)/(B)為1.5～6。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述成分(B)為經三乙氧基辛基矽烷處理的微粒子氧化鈦及/或經脂肪酸處理的微粒子氧化鈦。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其波長500nm之光線的穿透率為60%以上。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述成分(A)～(C)的含有質量比[(A)＋(B)]/(C)為10～50。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述成分(E)為選自聚矽氧系界面活性劑及聚乙二醇脂肪酸酯的群組中的至少一種。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述成分(E)包含聚矽氧系界面活性劑及聚乙二醇脂肪酸酯，且聚乙二醇脂肪酸酯相對於聚矽氧系界面活性劑的含有質量比(聚乙二醇脂肪酸酯/聚矽氧系界面活性劑)為0.7以下。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述成分聚乙二醇脂肪酸酯為PEG-30二聚羥基硬脂酸酯。
如請求項1或2之油中水型乳化化妝料，其中前述油中水型乳化化妝料不含有機紫外線吸收劑。
一種樹脂積層體，包括支撐體以及積層在所述支撐體上的樹脂層，其中所述樹脂層具有：未硬化區域，包含通過熱或光進行硬化的樹脂組成物；以及硬化區域，包含所述樹脂組成物的硬化物，在所述樹脂層中，所述未硬化區域的周圍被所述樹脂組成物的硬化物包圍，以使未硬化的所述樹脂組成物不從所述未硬化區域沿平面方向移動，所述未硬化區域的平面形狀為幾何形狀，且所述未硬化區域內的所述樹脂組成物在60℃~150℃的溫度範圍內的任一溫度下的黏度為100Pa．s以下，所述樹脂組成物含有具有(甲基)丙烯酸基以及茀骨架的化合物。
如請求項1所述的樹脂積層體，其中所述未硬化區域是用以安裝元件的區域。
如請求項1或2所述的樹脂積層體，其中所述未硬化區域的平面形狀為選自由圓形、橢圓形及多邊形所組成的群組中的至少一種形狀。
一種安裝結構體，包括：硬化樹脂積層體，其為將如請求項1或2所述的樹脂積層體的所述樹脂層硬化而成；以及元件，其將所述硬化樹脂積層體中經硬化的樹脂層的所述未硬化區域所存在的區域作為安裝區域進行配置。
一種降低獲自純化平台之組成物的酶促聚山梨醇酯水解活性率之方法，該方法包含使樣品經歷依序包含下述步驟的該純化平台： <br/>捕獲步驟； <br/>陽離子交換 (CEX) 層析步驟； <br/>陰離子交換 (AEX) 層析步驟；以及 <br/>深層過濾步驟或疏水性交互作用層析 (HIC) 步驟， <br/>從而相較於未經該深層過濾步驟或該 HIC 步驟之該樣品的純化，降低該組成物的該酶促聚山梨醇酯水解活性率。
如請求項 1 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該捕獲步驟； <br/>該 CEX 層析步驟； <br/>該 AEX 層析步驟； <br/>該深層過濾步驟或該 HIC 步驟； <br/>病毒過濾步驟；以及 <br/>超過濾/透析過濾 (UF/DF) 步驟。
如請求項 1 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該捕獲步驟； <br/>該 CEX 層析步驟； <br/>該 AEX 層析步驟；以及 <br/>該深層過濾步驟。
如請求項 1 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該捕獲步驟； <br/>該 CEX 層析步驟； <br/>該 AEX 層析步驟；以及 <br/>該 HIC 步驟。
如請求項 1 之方法，其中該深層過濾步驟包含經由深層過濾器之處理。
如請求項 1 之方法，其進一步包含額外的 HIC 步驟或多模式疏水性交互作用/離子交換 (MM-HIC/IEX) 層析步驟。
一種降低獲自純化平台之組成物的酶促聚山梨醇酯水解活性率之方法，該方法包含使樣品經歷依序包含下述步驟的該純化平台： <br/>陽離子交換 (CEX) 層析步驟； <br/>疏水性交互作用層析 (HIC) 步驟； <br/>多模式離子交換 (MMIEX) 層析步驟； <br/>陰離子交換 (AEX) 層析步驟； <br/>深層過濾步驟或額外 HIC 步驟；以及 <br/>超過濾/透析過濾 (UF/DF) 步驟， <br/>從而相較於未經該額外 HIC 步驟或該深層過濾步驟之該樣品的純化，降低該組成物的該酶促聚山梨醇酯水解活性率。
如請求項 7 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該 CEX 層析步驟； <br/>該 HIC 步驟； <br/>該 MMIEX 層析步驟； <br/>該 AEX 層析步驟； <br/>該深層過濾步驟；以及 <br/>該 UF/DF 步驟。
如請求項 7 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該 CEX 層析步驟； <br/>該 HIC 步驟； <br/>該 MMIEX 層析步驟； <br/>該 AEX 層析步驟； <br/>該額外 HIC 步驟；以及 <br/>該 UF/DF 步驟。
一種降低獲自純化平台之組成物的酶促聚山梨醇酯水解活性率之方法，該方法包含使樣品經歷依序包含下述步驟的該純化平台： <br/>捕獲步驟； <br/>陽離子交換 (CEX) 層析步驟； <br/>多模式疏水性交互作用/離子交換 (MM-HIC/IEX) 層析步驟；其中該純化平台進一步包含在該捕獲步驟之後及該 CEX 層析步驟之前、在該 CEX 層析步驟之後及該 MM-HIC/IEX 層析步驟之前、或在該 MM-HIC/IEX 層析步驟之後進行的深層過濾步驟或疏水性交互作用層析 (HIC) 步驟， <br/>從而相較於未經該 HIC 步驟或該深層過濾步驟之該樣品的純化，降低該組成物的該酶促聚山梨醇酯水解活性率。
如請求項 10 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該捕獲步驟； <br/>該 CEX 層析步驟；以及 <br/>該 MM-HIC/IEX 層析步驟； <br/>其中該純化平台進一步包含在該捕獲步驟之後及該 CEX 層析步驟之前、在該 CEX 層析步驟之後及該 MM-HIC/IEX 層析步驟之前、或在該 MM-HIC/IEX 層析步驟之後進行的該深層過濾步驟。
如請求項 10 之方法，其中該純化平台依序包含： <br/>該捕獲步驟； <br/>該 CEX 層析步驟；以及 <br/>該 MM-HIC/IEX 層析步驟； <br/>其中該純化平台進一步包含在該捕獲步驟之後及該 CEX 層析步驟之前、在該 CEX 層析步驟之後及該 MM-HIC/IEX 層析步驟之前、或在該 MM-HIC/IEX 層析步驟之後進行的該 HIC 步驟。
如請求項 10 之方法，其進一步包含病毒過濾步驟。
如請求項 10 之方法，其進一步包含超過濾/透析過濾 (UF/DF) 步驟。
如請求項 10 之方法，其中該深層過濾步驟作為負載過濾器而執行以用於該 MM-HIC/IEX 層析步驟、作為負載過濾器而執行以用於該 HIC 步驟，或接續該 HIC 步驟而執行。
如請求項 10 之方法，其中該 MM-HIC/IEX 層析步驟為多模式疏水性交互作用/陰離子交換 (MM-HIC/AEX) 層析步驟。
如請求項 16 之方法，其中該 MM-HIC/AEX 層析步驟包含經由 Capto™ Adhere 或 Capto™ Adhere ImpRes 之處理。
一種降低獲自純化平台之組成物的酶促聚山梨醇酯水解活性率之方法，該方法包含使樣品經歷依序包含下述步驟的該純化平台： <br/>捕獲步驟； <br/>多模式疏水性交互作用/離子交換 (MM-HIC/IEX) 層析步驟；以及 <br/>疏水性交互作用層析 (HIC) 步驟； <br/>其中該純化平台進一步包含在該捕獲步驟之後及該 MM-HIC/IEX 層析步驟之前、在該 MM-HIC/IEX 層析步驟之後及該 HIC 步驟之前、或在該 HIC 步驟之後進行的深層過濾步驟， <br/>從而相較於未經該 HIC 步驟及/或該 MM-HIC/IEX 層析步驟之該樣品的純化，降低該組成物的該酶促聚山梨醇酯水解活性率。
一種降低獲自純化平台之組成物的酶促聚山梨醇酯水解活性率之方法，該方法包含使樣品經歷依序包含下述步驟的該純化平台： <br/>捕獲步驟； <br/>陽離子交換 (CEX) 層析步驟；以及 <br/>疏水性交互作用層析 (HIC) 步驟； <br/>其中該純化平台進一步包含在該捕獲步驟之後及該 CEX 層析步驟之前、在該 CEX 層析步驟之後及該 HIC 步驟之前、或在該 HIC 步驟之後進行的深層過濾步驟， <br/>從而相較於未經該 HIC 步驟之該樣品的純化，降低該組成物的該酶促聚山梨醇酯水解活性率。
如請求項 1 之方法，其中該捕獲步驟包含經由親和力層析之處理。
如請求項 20 之方法，其中該親和力層析選自由蛋白質 A 層析、蛋白質 G 層析、蛋白質 A/G 層析、FcXL 層析、蛋白質 XL 層析、kappa 層析及 kappaXL 層析所組成之群組。
如請求項 5 之方法，其中該深層過濾器包含受質，該受質包含矽藻土組成物、二氧化矽組成物、纖維素纖維、聚合物纖維、黏合樹脂及灰分組成物中之一者或多者。
如請求項 22 之方法，其中該深層過濾器的該受質的至少一部分包含表面改質，其中該表面改質為四級胺表面改質、陽離子表面改質及陰離子表面改質中之一者或多者。
如請求項 5 之方法，其中該深層過濾器包含選自由以下所組成之群組之材料： <br/>(i) 二氧化矽助濾劑及聚丙烯酸纖維紙漿； <br/>(ii) 水凝膠 Q (四級胺)功能化的非紡織介質及多區微孔膜； <br/>(iii) 纖維素纖維、矽藻土及珍珠岩；以及 <br/>(iv) Q (四級胺)-功能化的非紡織材料及 Gu(胍)-功能化的膜。
如請求項 24 之方法，其中該深層過濾器包含二氧化矽助濾劑及聚丙烯酸纖維紙漿，且其中在 pH 4.5 至 8 執行經由該深層過濾器之處理。
如請求項 24 之方法，其中該深層過濾器包含水凝膠 Q (四級胺)功能化的非紡織介質及多區微孔膜，且其中在 pH 7 至 9.5 執行經由該深層過濾器之處理。
如請求項 24 之方法，其中該深層過濾器包含Q (四級胺)-功能化的非紡織材料及 Gu(胍)-功能化的膜，且其中在 pH 4.5 至 9 執行經由該深層過濾器之處理。
如請求項 18 之方法，其中該 HIC 步驟包含經由 HIC 膜或 HIC 管柱之處理。
如請求項 28 之方法，其中該 HIC 步驟不包含經由該 HIC 膜或該 HIC 管柱處理該樣品前向該樣品添加鹽。
如請求項 28 之方法，其中該 HIC 膜或 HIC 管柱包含受質，該受質包含醚基、乙基、丙基、異丙基、丁基、己基、辛基及苯基中之一者或多者。
如請求項 28 之方法，其中該 HIC 膜或該 HIC 管柱包含選自由以下所組成之群組之材料： <br/>(i) 與連接至受質的聚乙烯亞胺 (PEI) 配位體上的氮共價連接的丙基； <br/>(ii) 芳族苯基修飾的瓊脂糖珠； <br/>(iii) 與己基鍵合的基於聚甲基丙烯酸酯的材料； <br/>(iv) 具有芳香族疏水性芐基配位體的交聯聚(苯乙烯-二乙烯基苯)基珠；以及 <br/>(v) 與穩定的強化纖維素過濾器結合的苯基部分。
如請求項 31 之方法，其中在 pH 4.5 至 7 執行經由該 HIC 膜或該 HIC 管柱之處理。
如請求項 1 至 32 中任一項之方法，其中該純化平台用於自該樣品純化標的物，且其中該樣品包含該標的物及一種或多種宿主細胞不純物。
如請求項 33 之方法，其中該標的物包含抗體部分。
如請求項 1 至 32 中任一項之方法，其中該酶促聚山梨醇酯水解活性率的該降低係至少 20%。
如請求項 1 至 32 中任一項之方法，其中該組成物包含聚山梨醇酯。
如請求項 36 之方法，其中該聚山梨醇酯選自由聚山梨醇酯 20、聚山梨醇酯 40、聚山梨醇酯 60 及聚山梨醇酯 80 所組成之群組。
一種包含指令儲存於其上之至少一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令若由一或多個處理器所執行則致使該一或多個處理器用以：<br/> 針對在該一或多個處理器中之一處理器上執行之一第一處理程序，基於至少一個網路計時器時間戳記及基於一處理器節點計時器，將該第一處理程序之一時間域與一網路介面裝置之一以精確時間協定(PTP)為基礎之時間域同步；<br/> 針對在該一或多個處理器中之該處理器上執行之一第二處理程序，基於至少一個網路計時器時間戳記及基於該處理器節點計時器，將該第二處理程序之一時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步；<br/> 針對在該一或多個處理器中之一第二處理器上執行之一第三處理程序，基於至少一個網路計時器時間戳記及基於該處理器節點計時器，將該第三處理程序之一時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步。
如請求項1之電腦可讀媒體，其中該將該第一處理程序之該時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步係基於(i)該處理器節點計時器與一網路介面裝置主計時器之間的一關係以及(ii)一網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係。
如請求項1之電腦可讀媒體，其中該至少一個網路計時器時間戳記係基於以精確時間協定(PTP)為基礎之時間戳記與基於該處理器節點計時器之時間戳記之間的一關係。
如請求項1之電腦可讀媒體，其中該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域係基於：<br/> 精確時間協定(PTP)時間戳記值= (m<sub>2</sub>((處理器節點計時器時間戳記值 - b<sub>1</sub>)/m<sub>1</sub>)) - b<sub>2</sub>，其中：<br/> m<sub>1</sub>包含該處理器節點計時器與一網路介面裝置主計時器之間的一關係之一係數；<br/> m<sub>2</sub>包含一網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係之一係數；<br/> b<sub>1</sub>包含該處理器節點計時器與該網路介面裝置主計時器之間的一關係中之一偏移量；並且<br/> b<sub>2</sub>包含該網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係中之一偏移量。
如請求項1之電腦可讀媒體，其包含儲存於其上之指令，該等指令若由一或多個處理器所執行則致使該一或多個處理器：<br/> 自該網路介面裝置接收包含下列之資料：(i)一網路介面裝置主計時器之一時間戳記值及一關聯處理器節點計時器時間戳記值，以及(ii)一以精確時間協定(PTP)為基礎之時間戳記及該網路介面裝置主計時器之一關聯時間戳記。
如請求項5之電腦可讀媒體，其中該基於該至少一個網路計時器時間戳記及基於該處理器節點計時器，將該第一處理程序之一時間域與一網路介面裝置之一以精確時間協定(PTP)為基礎之時間域同步係基於包含下列之該資料：(i)該網路介面裝置主計時器之該時間戳記值及該關聯處理器節點計時器時間戳記值，以及(ii)以精確時間協定(PTP)為基礎之時間戳記及該網路介面裝置主計時器之該關聯時間戳記。
如請求項1之電腦可讀媒體，其中該網路介面裝置包含下列中之一或多者：一網路介面控制器(NIC)、一啟用遠端直接記憶體存取(RDMA)之NIC、SmartNIC、路由器、交換器、轉發元件、基礎架構處理單元(IPU)或資料處理單元(DPU)。
一種運算設備，其包含：<br/> 一第一中央處理單元(CPU)節點，其基於一第一時脈訊號產生時間戳記計數器(TSC)值；<br/> 一第二CPU節點，其基於一第二時脈訊號產生TSC值，其中：<br/> 該第一CPU節點係用以執行一第一處理程序，<br/> 該第一CPU節點係用以執行一第二處理程序，<br/> 該第一CPU節點係用以基於至少一個網路計時器時間戳記及基於一處理器節點計時器，將該第一處理程序之一時間域與一網路介面裝置之一以精確時間協定(PTP)為基礎之時間域同步，並且<br/> 該第一CPU節點係用以基於至少一個網路計時器時間戳記及基於該處理器節點計時器，將該第二處理程序之一時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步。
如請求項8之運算設備，其中該將該第一處理程序之該時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步係基於(i)一第一時脈訊號與一網路介面裝置主計時器之間的一關係以及(ii)一網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係。
如請求項8之運算設備，其中該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域係基於：<br/> 精確時間協定(PTP)時間戳記值= (m<sub>2</sub>((處理器節點計時器時間戳記值- b<sub>1</sub>)/m<sub>1</sub>)) - b<sub>2</sub>，其中：<br/> m<sub>1</sub>包含該第一時脈訊號與一網路介面裝置主計時器之間的一關係之一係數；<br/> m<sub>2</sub>包含一網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係之一係數；<br/> b<sub>1</sub>包含該第一時脈訊號與該網路介面裝置主計時器之間的一關係中之一偏移量；並且<br/> b<sub>2</sub>包含該網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係中之一偏移量。
如請求項8之運算設備，其中該第一CPU節點係用以自該網路介面裝置接收包含下列之資料：(i)一網路介面裝置主計時器之一時間戳記值及一關聯處理器節點計時器時間戳記值，以及(ii)一以精確時間協定(PTP)為基礎之時間戳記及該網路介面裝置主計時器之一關聯時間戳記。
如請求項11之運算設備，其中該基於至少一個網路計時器時間戳記及基於該處理器節點計時器，將該第一處理程序之該時間域與該網路介面裝置之該以PTP為基礎之時間域同步係基於包含下列之該資料：(i)該網路介面裝置主計時器之該時間戳記值及該關聯處理器節點計時器時間戳記值，以及(ii)以精確時間協定(PTP)為基礎之時間戳記及該網路介面裝置主計時器之該關聯時間戳記。
如請求項8之運算設備，其包含一伺服器、框架或一資料中心，其中該至少一個網路計時器時間戳記係基於該伺服器、框架或一資料中心中之一或多者中之一網路計時器。
如請求項8之運算設備，其中該至少一個網路計時器時間戳記係基於下列中之一或多者：基於IEEE 1588之一乙太網埠時間戳記或一全球定位系統(GPS)訊號。
如請求項8至14中任一項之運算設備，其包含該網路介面裝置，其中該網路介面裝置包含下列中之一或多者：一網路介面控制器(NIC)、一啟用遠端直接記憶體存取(RDMA)之NIC、SmartNIC、路由器、交換器、轉發元件、基礎架構處理單元(IPU)或資料處理單元(DPU)。
一種用於時間域同步之方法，其包含：<br/> 判定相對於一處理器計時器之至少一個網路計時器時間戳記；<br/> 藉由在一處理器上執行之一第一處理程序來存取所判定之該至少一個網路計時器時間戳記；<br/> 藉由在一處理器上執行之一第二處理程序來存取所判定之該至少一個網路計時器時間戳記；<br/> 基於經存取的所判定之該至少一個網路計時器時間戳記，將該第一處理程序之一時間域與一網路介面裝置之一時間域同步；以及<br/> 基於經存取的所判定之該至少一個網路計時器時間戳記，將該第二處理程序之一時間域與該網路介面裝置之該時間域同步。
如請求項16之方法，其中該判定相對於該處理器計時器之至少一個網路計時器時間戳記係基於(a)該處理器計時器與一網路介面裝置主計時器之間的一關係以及(b)一網路計時器源與該網路介面裝置主計時器之間的一關係。
如請求項16或17中任一項之方法，其中至少一個網路計時器時間戳記係基於下列中之一或多者：基於IEEE 1588之一乙太網埠時間戳記或一全球定位系統(GPS)訊號。
一種異常探測系統，包含探測製造裝置的異常之異常探測裝置，該異常探測系統包含： <br/>控制裝置，執行該製造裝置的運轉控制，傳送示意該運轉控制的內容之運轉資料；以及 <br/>感測器，檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量，輸出示意檢測的物理量的時序之感測值資料； <br/>其中，該異常探測裝置包含： <br/> 通訊部，接收從該控制裝置傳送的該運轉資料； <br/> 取得部，取得從該感測器輸出的感測值資料；以及 <br/> 處理部，算出該取得部取得的感測值資料的統計量，基於算出的該統計量、以及接收的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>其中，該異常探測系統構成為與診斷該製造裝置的異常之雲端上的診斷裝置通訊，而接收診斷結果； <br/>其中，該異常探測裝置係， <br/>與該診斷裝置相比為硬體的規格較低的電腦； <br/>該通訊部將判定結果以及該統計量連同該診斷結果傳送至該控制裝置。
如請求項1之異常探測系統， <br/>其中，該控制裝置接收從該異常探測裝置傳送的該判定結果，監視該製造裝置的狀態。
如請求項1之異常探測系統， <br/>其中，該控制裝置接收從該異常探測裝置傳送的該統計量，顯示基於接收的該統計量之圖表或數值。
如請求項1至3任一項之異常探測系統， <br/>其中，該製造裝置為包含減速機的成形機； <br/>其中，該感測器檢測該減速機的振動； <br/>其中，該處理部判定該減速機的異常振動的有無。
如請求項1至3任一項之異常探測系統， <br/>其中，該製造裝置為包含螺旋軸的成形機； <br/>其中，該感測器檢測施加於該螺旋軸的軸力矩、該螺旋軸的溫度、或該螺旋軸的變位； <br/>其中，該處理部判定對於該成形機以及該螺旋軸的過負荷的有無。
如請求項1至3任一項之異常探測系統， <br/>其中，該製造裝置為成形機； <br/>其中，該感測器檢測該成形機製造的成形品的尺寸； <br/>其中，該處理部判定該成形品的尺寸的異常的有無。
一種成形機系統，包含： <br/>如請求項1至6任一項之異常探測系統；以及 <br/>成形機； <br/>其中，該異常探測系統被設置以探測該成形機的異常。
一種異常探測裝置，探測製造裝置的異常，該異常探測裝置包含： <br/>通訊部，接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得部，取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料；以及 <br/>處理部，算出該取得部取得的感測值資料的統計量，基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>其中，該異常探測裝置構成為與診斷該製造裝置的異常之雲端上的診斷裝置通訊，而接收診斷結果； <br/>其中，該異常探測裝置係， <br/>與該診斷裝置相比為硬體的規格較低的電腦； <br/>其中，該通訊部將判定結果以及該統計量連同該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種異常探測方法，構成為與診斷製造裝置的異常之雲端上的診斷裝置通訊，由與該診斷裝置相比為硬體的規格較低的電腦執行檢測製造裝置的異常之處理，該電腦執行下列處理： <br/>接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料； <br/>算出取得的感測值資料的統計量； <br/>基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無；以及 <br/>與診斷該製造裝置的異常之雲端上的該診斷裝置通訊，而接收診斷結果； <br/>將判定結果連同該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種記錄並可讀取電腦程式的記錄媒體，構成為與診斷製造裝置的異常之雲端上的診斷裝置通訊，在與該診斷裝置相比為硬體的規格較低的電腦，用以執行檢測製造裝置的異常之處理，該記錄並可讀取電腦程式的記錄媒體用以使該電腦執行下列處理： <br/>接收從執行該製造裝置的運轉控制之控制裝置所傳送，示意該運轉控制的內容之運轉資料； <br/>取得從檢測該製造裝置的動作或產品相關的物理量之感測器輸出的時序的感測值資料； <br/>算出取得的感測值資料的統計量； <br/>基於算出的該統計量、以及取得的該運轉資料相應的臨界值，判定該製造裝置的異常的有無； <br/>與診斷該製造裝置的異常之雲端上的該診斷裝置通訊，而接收診斷結果； <br/>將判定結果連同該診斷結果傳送至該控制裝置。
一種剎車液壓控制裝置(1)，其係跨騎式車輛(200)用之剎車液壓控制裝置(1)，其具備：基體(10)，其形成有制動液之流路(13)；線圈(70)，其立設於上述基體(10)，驅動使上述流路(13)開閉之液壓調整閥(20)；電路基板(31)，其控制對上述線圈(70)之通電；及殼體(40)，其連接於上述基體(10)，覆蓋上述線圈(70)及上述電路基板(31)；上述殼體(40)具備：本體部(50)，其連接於上述基體(10)，形成有開口部(51)；及蓋(60)，其覆蓋上述開口部(51)，安裝於上述本體部(50)；上述本體部(50)於上述開口部(51)之外周側具有朝向上述蓋(60)開口之溝槽部(52)，上述蓋(60)具有朝向上述本體部(50)延伸而插入上述溝槽部(52)之插入壁(61)，上述溝槽部(52)與上述插入壁(61)之間由密封材料密閉，且上述溝槽部(52)具備：底部(53)；外周壁(54)，其構成該溝槽部(52)之外周側之壁，自上述底部(53)向上述蓋(60)延伸；及內周壁(55)，其構成該溝槽部(52)之內周側之壁，自上述底部(53)向上述蓋(60)延伸；於上述外周壁(54)與上述插入壁(61)之間、及上述內周壁(55)與上述插入壁(61)之間，形成有貯存上述密封材料之空間(80)，於將上述本體部(50)與上述蓋(60)之對向方向設為第1方向(Y)之情形時，上述外周壁(54)之上述第1方向(Y)之長度較上述內周壁(55)之上述第1方向(Y)之長度長；上述剎車液壓控制裝置(1)具備：第2定位部(92)，其於上述第1方向(Y)對上述本體部(50)及上述蓋(60)進行定位；上述第2定位部(92)為突起，且配置於上述外周壁(54)之端部與上述蓋(60)之間；上述第2定位部(92)固定於上述蓋(60)，與上述外周壁(54)之上述端部接觸。
如請求項1之剎車液壓控制裝置(1)，其中於在平行於上述第1方向(Y)且通過上述插入壁(61)、上述外周壁(54)及上述內周壁(55)之假想平面切斷上述殼體(40)而得之剖面中，於將垂直於上述第1方向(Y)之方向設為第2方向(X)，將通過上述插入壁(61)位於上述溝槽部(52)之內側之區域即插入區域(62)之根部(63)中之上述第2方向(X)之中心點，且平行於上述第1方向(Y)之直線設為中心線(64)，將通過上述插入區域(62)中最靠上述外周壁(54)側之點，且平行於上述第1方向(Y)之直線設為外周側直線(65)，將通過上述插入區域(62)中最靠上述內周壁(55)側之點，且平行於上述第1方向(Y)之直線設為內周側直線(66)，將由上述插入壁(61)、上述中心線(64)、上述外周側直線(65)及上述底部(53)包圍之區域設為外周側區域(81)，將由上述插入壁(61)、上述中心線(64)、上述內周側直線(66)及上述底部(53)包圍之區域設為內周側區域(82)之情形時，上述內周側區域(82)之面積大於上述外周側區域(81)之面積。
如請求項2之剎車液壓控制裝置(1)，其中上述插入區域(62)以上述中心線(64)為對稱軸，為非對稱形狀。
如請求項1至3中任一項之剎車液壓控制裝置(1)，其具備：第1定位部(91)，其於與上述第1方向(Y)垂直之方向上對上述本體部(50)及上述蓋(60)進行定位。
如請求項4之剎車液壓控制裝置(1)，其中上述第1定位部(91)為突起，且配置於上述外周壁(54)與上述插入壁(61)之間。
如請求項5之剎車液壓控制裝置(1)，其中上述第1定位部(91)固定於上述插入壁(61)。
一種跨騎式車輛(200)，其具備如請求項1至6中任一項之剎車液壓控制裝置(1)。
一種分離經黏著劑結合之基板之方法，其包括以下步驟：(1)用包含油酸、水、烷醇胺及非離子型表面活性劑之剝離劑在20℃至90℃之溫度下處理經黏著劑結合之兩個基板，及(2)自該黏著劑移除該等基板。
如請求項1之方法，其中該方法進一步包括在步驟(1)前及/或在步驟(2)後清潔該等基板之步驟。
如請求項1之方法，其中步驟(1)中之該溫度係20℃至70℃。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該黏著劑係選自由以下組成之群：環氧樹脂、丙烯酸酯及聚胺基甲酸酯。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該等基板係各自獨立地選自由以下組成之群：金屬、玻璃、聚合物、陶瓷及軟木。
一種如請求項1至5中任一項之方法之用途，其用以回收電子裝置之零件。
一種螢光體粒子，以選自於由 CASN所構成之粉末狀螢光體及由SCASN所構成之粉末狀螢光體中的1種或2種所構成； 在將該螢光體粒子之利用雷射繞射散射法所得之體積基準的累積分率中之相當於累積分布50%的粒徑設為Dx50，且將相當於該累積分布90%的粒徑設為Dx90； <br/>將對該螢光體粒子施加以下之處理後的相當於累積分布50%的粒徑設為Dy50，將相當於該累積分布90%的粒徑設為Dy90時； <br/>(a)Dx50為0.5μm以上至35μm以下；且 <br/>(b)Dx90／Dy90為0.7以上至15以下； <br/>該處理係為： <br/>準備將該螢光體粒子30mg均勻地分散於濃度0.2%之六偏磷酸鈉水溶液100mL中的分散液； <br/>將該分散液裝入至底面的內徑為5.5cm之圓柱狀容器； <br/>接著，自該分散液之上方，插入超音波均質器的振盪器(外徑為20mm的圓柱狀端部)部分；而 <br/>在該振盪器浸泡到深度1.0cm以上的狀態下，以頻率19.5kHz、輸出150W來對該分散液照射超音波3分鐘。
如請求項1記載之螢光體粒子，其中， <br/>(c)Dx50／Dy50為0.8以上至10以下。
如請求項1或2記載之螢光體粒子，其中， <br/>(d)(Dx90-Dx50)／(Dx50)為0.1以上至25以下。
如請求項1或2記載之螢光體粒子，其中， <br/>在將相當於該螢光體粒子之利用雷射繞射散射法所得的體積基準之累積分率中之累積分布10%的粒徑設為Dx10時； <br/>(e)(Dx90-Dx10)／(Dx50)為0.1以上至25以下。
如請求項1或2記載之螢光體粒子，其中， <br/>該螢光體粒子之比表面積為1.0m <sup>2</sup>／g以上至10m <sup>2</sup>／g以下。
如請求項1或2記載之螢光體粒子，其係為Micro LED(微發光二極體)用或Mini LED(次毫米發光二極體)用。
如請求項6記載之螢光體粒子，其中， <br/>(a’)Dx50為0.5μm以上至10μm以下。
一種發光裝置，包含： <br/>發光元件，發出激發光；以及 <br/>如請求項1至7中任一項記載之螢光體粒子。
一種用於模型化之方法，其包括： <br/>存取用於在於一晶圓上印刷一圖案之一微影程序中使用之一遮罩圖案；及 <br/>藉由一處理器將該遮罩圖案應用於該微影程序之一確定性模型以預測受局部隨機變動影響之該經印刷圖案之一特性，其包括： <br/>將該遮罩圖案應用於預測該經印刷圖案之該特性之一確定性的緊湊模型，其中該緊湊型模型未考量該特性之局部隨機變動；及 <br/>將一確定性的校正應用於來自該緊湊模型之該經預測特性，其中該校正考量該經印刷圖案中之該特性之該等局部隨機變動。
如請求項1之方法，其中將該校正應用於來自該緊湊模型之該經預測特性包括(a)來自該緊湊模型之該經預測特性及(b)該校正之一線性組合，其中該校正依據與該經預測特性之該等局部隨機變動相關之一隨機模型性質而變化。
如請求項1之方法，其中將該校正應用於來自該緊湊模型之該經預測特性包括(a)來自該緊湊模型之該經預測特性及(b)該校正之一非線性組合，其中該校正依據與該經預測特性之該等局部隨機變動相關之一隨機模型性質而變化。
如請求項1之方法，其中該緊湊模型依據劑量、焦點及該遮罩圖案來預測該經印刷圖案之該特性。
如請求項1之方法，其中該緊湊模型針對第一經驗資料進行迴歸，且該校正針對包含該經預測特性之局部隨機變動之第二經驗資料進行迴歸。
一種模型化系統，其包括： <br/>一記憶體，其儲存指令；及 <br/>一處理器，其與該記憶體耦合且執行該等指令，該等指令在被執行時引起該處理器執行包括以下之操作： <br/>存取用於在於一晶圓上印刷一圖案之一微影程序中使用之一遮罩圖案；及 <br/>將該遮罩圖案應用於該微影程序之一確定性模型以預測受局部隨機變動影響之該經印刷圖案之一特性，其中該確定性模型包含(a)一確定性的緊湊模型，其預測該經印刷圖案之該特性但未考量該特性之局部隨機變動，及(b)對來自該緊湊模型之該經預測特性之一確定性的校正，該校正考量該經印刷圖案中之該特性之該等局部隨機變動。
如請求項6之系統，其中該經印刷圖案之該經預測特性用於遮罩合成及/或用於遮罩校正。
如請求項7之系統，其中該遮罩圖案包括用於一整個晶粒之一遮罩圖案。
如請求項6之系統，其中該等局部隨機變動包括該經印刷圖案之10 um × 10 um區域內之隨機變動。
如請求項6之系統，其中該確定性的校正係依據一隨機模型性質，且該隨機模型性質與該經預測特性之該等局部隨機變動相關。
如請求項10之系統，其中該等操作進一步包括：將該緊湊模型針對不包含該隨機模型性質之量測之經驗資料進行迴歸。
如請求項10之系統，其中： <br/>該至少一個隨機模型性質係以下之一者：擴散空中影像信號；酸濃度或密度；淬滅劑濃度或密度；抑制劑濃度或密度；空中影像、酸、淬滅劑或抑制劑信號之梯度；遮罩圖案密度；二次電子濃度；配位基濃度；及光阻表面張力；及 <br/>該確定性的模型依據該遮罩圖案來預測該經印刷圖案中之熱點。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包括經儲存指令，該等指令在由一處理器執行時引起該處理器執行包括以下之操作： <br/>存取用於在於一晶圓上印刷一圖案之一微影程序中使用之一遮罩圖案；及 <br/>將該遮罩圖案應用於該微影程序之一確定性模型以預測受局部隨機變動影響之該經印刷圖案之一特性，其中該確定性模型包含(a)一確定性的緊湊模型，其預測該經印刷圖案之該特性但未考量該特性之局部隨機變動，及(b)對來自該緊湊模型之該經預測特性之一確定性的校正，該校正依據包含與該經預測特性之該等局部隨機變動相關之至少一個隨機模型性質的模型性質來預測該經印刷圖案之該特性。
如請求項13之非暫時性電腦可讀媒體，其中該至少一個隨機模型性質係以下之一者：擴散空中影像信號；酸濃度或密度；淬滅劑濃度或密度；抑制劑濃度或密度；空中影像、酸、淬滅劑或抑制劑信號之梯度；遮罩圖案密度；二次電子濃度；配位基濃度；及光阻表面張力。
如請求項13之非暫時性電腦可讀媒體，其中該確定性校正針對包含該經預測特性之局部隨機變動之經驗資料進行迴歸。
如請求項15之非暫時性電腦可讀媒體，其中該經驗資料包含線邊緣粗糙度、臨界尺寸(CD)變動及最壞情況CD之一者。
如請求項13之非暫時性電腦可讀媒體，其中該確定性模型依據該遮罩圖案來預測該經印刷圖案中之熱點。
如請求項13之非暫時性電腦可讀媒體，其中該確定性模型依據該遮罩圖案來預測該經印刷圖案中之一故障率。
如請求項13之非暫時性電腦可讀媒體，其中該緊湊模型依據劑量、焦點、及該遮罩圖案來預測該經印刷圖案之該特性。
一種用以整合錨以用於將微裝置固定至一基板之方法，該方法包含： <br/>提供一第一基板； <br/>在該第一基板之至少一部分上提供一第一釋放層，該第一釋放層經組態為用於受控去活化以釋放微裝置； <br/>在該第一釋放層上提供至少一個微裝置； <br/>在遠離該第一基板之一頂側上之該微裝置上具有襯墊； <br/>藉由鈍化層覆蓋微裝置；及 <br/>利用一保護層覆蓋該微裝置。
如請求項1之方法，其中該等鈍化層之部分經圖案化以形成第一及第二錨。
如請求項2之方法，其中一空隙結構形成於該錨之一部分下方。
如請求項1之方法，其中在該微裝置與該第一基板之間存在一緩衝層。
如請求項3之方法，其中該等微裝置使用一接合層及一平坦化層接合至一第二基板。
如請求項4之方法，其中移除該第一基板及該緩衝層，且沈積一第三錨定層。
如請求項6之方法，其中該第三錨定層為一介電質或一金屬。
如請求項6之方法，其中一第二釋放層沈積於該等微裝置上且經圖案化。
如請求項8之方法，其中該第二釋放層至少自一微裝置邊緣之一部分延伸。
如請求項6之方法，其中該第三錨定層為多個層之一組合。
如請求項6之方法，其中該第三錨定層在諸如溫度、電偏置或光之不同條件下改變以向前推動該等微裝置。
如請求項6之方法，其中該等微裝置在底側上具有襯墊且亦具有鈍化層。
如請求項8之方法，其中該等微裝置接合至一第三基板且自該第二基板移除。
如請求項13之方法，其中移除該平坦化層及第一接合層，且圖案化該錨。
如請求項14之方法，其中該等微裝置在該第二釋放層之移除期間藉由一第二保護層覆蓋。
如請求項15之方法，其中該第二保護層為一光阻。
一種用以轉移光電微裝置之方法，該方法包含： <br/>在一基板上具有微裝置； <br/>藉由一第一釋放層覆蓋面向該基板之一第一微裝置之至少一部分；及 <br/>在一錨處必須固定該等微裝置以固定至該基板。
如請求項17之方法，其中在該基板與該等微裝置之間存在一緩衝層。
如請求項18之方法，其中該錨固定該微裝置以固定至該基板或該緩衝層。
如請求項19之方法，其中該錨形成為覆蓋該微裝置之至少部分之一層的一延伸部，且未由該釋放層覆蓋之該錨之一部分耦接至該緩衝層或基板。
如請求項18之方法，其中在形成該錨之一延伸層與該微裝置之至少部分之間存在一間隙。
如請求項18之方法，其中該錨形成為覆蓋該微裝置之面向該基板之一表面之至少部分的一層。
如請求項18之方法，其中該錨形成為該微裝置之部分。
如請求項23之方法，其中對應於該錨之一釋放層不覆蓋該微裝置之面向該基板之表面的部分。
如請求項24之方法，其中該微裝置之面向該基板之該表面之未覆蓋的該部分耦接該基板或緩衝層。
如請求項25之方法，其中該緩衝層為一黏著劑、一聚合物或一金屬。
如請求項19、21、22或23之方法，其中該等釋放層去活化或移除，且該等微裝置經由該等錨固定至該基板。
如請求項27之方法，其中該釋放層可以光學方式、以化學方式、以熱方式或以機械方式去活化。
如請求項28之方法，其中對於化學去活化或移除，暴露該釋放層之部分，使得一化學物質滲透且移除該釋放層。
如請求項28之方法，其中對於該光學去活化，該基板對於使該釋放層去活化之一特定波長為透明的。
一種用以整合錨以將一微裝置固定至一基板之方法，該方法包含： <br/>具有一結構，該結構具有一微裝置、一載物台、一釋放層及一錨； <br/>利用該釋放層將該微裝置耦接至該載物台； <br/>利用該錨覆蓋該微裝置之一表面之部分及該載物台；及 <br/>在一基板上具有該結構。
一種用以整合錨以將一微裝置固定至一基板之方法，該方法包含： <br/>在一基板之一頂部上形成一錨； <br/>利用一釋放層將該錨之至少一部分與該基板分離；及 <br/>利用一接合劑將該微裝置耦接至該錨。
如請求項32之方法，其中該釋放層經移除或變形以使得該微裝置能夠與該基板分離。
如請求項32之方法，其中該錨及釋放層形成於該基板上且將該微裝置接合至該錨。
一種薄膜之製造方法，其係藉由原子層沉積法，而於基體的表面製造含有鋯原子之薄膜之方法，其係包含： <br/>步驟1，其係使含有下述通式(1)表示之鋯化合物之薄膜形成用原料經氣化的原料氣體吸附於基體的表面而形成前驅物薄膜； <br/>步驟2，其係排出未反應之原料氣體；及 <br/>步驟3，其係於240℃以上450℃以下的溫度，使前述前驅物薄膜與反應性氣體反應，而於前述基體的表面形成含有鋯原子之薄膜； <br/><img align="absmiddle" height="78px" width="169px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R <sup>1</sup>表示氫原子或碳原子數1~3之烷基，R <sup>2</sup>表示氫原子，R <sup>3</sup>及R <sup>4</sup>各自獨立地表示碳原子數1~3之烷基；惟，R <sup>1</sup>及R <sup>2</sup>此兩者為氫原子的鋯化合物除外)。
如請求項1之薄膜之製造方法，其中前述步驟1係在將前述基體加熱至240℃以上450℃以下的狀態下進行。
如請求項1或2之薄膜之製造方法，其中前述反應性氣體為氧化性氣體，且前述含有鋯原子之薄膜為氧化鋯。
如請求項3之薄膜之製造方法，其中前述反應性氣體為含有選自由氧氣、臭氧及水蒸氣所成群組之至少一種的氣體。
一種鑑定SARS-CoV-2 S蛋白與接觸素-1(contactin-1)(CNTN1)、介白素12受體次單元β1(IL12RB1)或類介白素1受體輔助蛋白2(IL1RAPL2)之間交互作用的調節劑之方法，該方法包含：(a)提供候選調節劑；(b)在允許SARS-CoV-2 S蛋白受體結合域(RBD)與CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2之結合的條件下，在存在或不存在該候選調節劑時，使該SARS-CoV-2 S蛋白RBD與CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2接觸；以及(c)測量SARS-CoV-2 S蛋白RBD與CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2的蛋白質結合，其中相對於不存在該候選調節劑時的結合，依存在該候選調節劑時結合增加或降低來鑑定該候選調節劑為SARS-CoV-2 S蛋白與CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2之間交互作用的調節劑。
如請求項1之方法，其中如藉由表面電漿子共振、生物層干涉術或酶聯免疫吸附測定(ELISA)所測量，結合的增加或降低為至少50%。
如請求項1之方法，其中該調節劑為細胞被SARS-CoV-2感染的抑制劑。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該調節劑為小分子、抗體或其抗原結合片段、肽、模擬物(mimic)或抑制性核酸。
如請求項4之方法，其中該抑制性核酸為反義寡核苷酸(ASO)或小干擾RNA(siRNA)。
如請求項4之方法，其中該抗原結合片段為雙Fab、Fv、Fab、Fab'-SH、F(ab')<sub>2</sub>、雙抗體、線性抗體、scFv、scFab、VH域或VHH域。
如請求項4之方法，其中該抗體或其抗原結合片段結合該SARS-CoV-2 S蛋白RBD。
如請求項4之方法，其中該抗體或其抗原結合片段結合CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該調節劑為結合該SARS-CoV-2 S蛋白RBD的抗體或其抗原結合片段。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該調節劑為結合CNTN1、IL12RB1或IL1RAPL2的抗體或其抗原結合片段。
一種經組態以安裝至一表面(20)之裝置(10)，其包括一基底部分(102)及一附接部分(104)，該附接部分(104)可附接至該基底部分(102)，其中該基底部分(102)具有用於接收包括一頭部(32)及一桿身(34)之一緊固件(30)以將該基底部分(102)附接至該表面(20)之一鎖孔形開口(106)，該鎖孔形開口(106)包括允許該頭部(32)及該桿身(34)通過之一第一分段(108)及允許該桿身(34)通過但防止該頭部(32)通過之一第二分段(110)，其中該附接部分(104)包括在該基底部分(102)及該附接部分(104)之一組裝狀態中限制該緊固件(30)與該基底部分(102)之間相對移動之一突片(122)，其中該附接部分(104)可藉由該附接部分(104)與該基底部分(102)之間的線性相對移動來附接至該基底部分(102)，且其中該附接部分(104)包括經組態以在該組裝狀態中由設置於該基底部分(102)中之一額外開口(114)接收之一額外突片(112)。
如請求項1之裝置(10)，其中該基底部分(102)係一攝影機基底部分(102)。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該附接部分(104)係一圓頂窗(104)。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該鎖孔形開口(106)及該突片(122)分別周邊配置於該基底部分(102)及該附接部分(104)上。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該附接部分(104)可藉由該附接部分(104)與該基底部分(102)之間的旋轉相對移動來附接至該基底部分(102)。
如請求項1或2之裝置(10)，其中在該附接部分(104)及該基底部分(102)之該組裝狀態中，該突片(122)延伸至該鎖孔形開口(106)中。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該基底部分(102)包括複數個鎖孔形開口(106)。
如請求項7之裝置(10)，其中該附接部分(104)包括複數個突片(122)。
如請求項7之裝置(10)，其中該等鎖孔形開口(106)周向分佈於該基底部分(102)上。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該附接部分(104)包括一外環形底部區段(116)、一內環形底部區段(118)及連接該外環形底部區段(116)與該內環形底部區段(118)之一橋接區段(120)，其中該橋接區段(120)包括形成該突片(122)之一遠端(122)。
如請求項1或2之裝置(10)，其中該附接部分(104)可釋放地附接至該基底部分(102)。
一種檢查裝置之控制方法，係具備載置被檢查體之吸盤、將電力供應至該被檢查體來檢查該被檢查體之測試器、以及控制該吸盤的溫度之控制部的檢查裝置之控制方法；<br/>該檢查裝置之控制方法在該被檢查體之實際溫度無法反饋的情況，會基於供應至該被檢查體的該電力來推測該被檢查體之發熱量，並基於該被檢查體之該發熱量來推測該吸盤之溫度及該被檢查體之溫度的溫度差；<br/>基於該被檢查體之目標溫度及該溫度差來修正該吸盤之目標溫度；<br/>基於修正後該吸盤之目標溫度及該吸盤之實際溫度來控制該吸盤之溫度。
如申請專利範圍第1項之檢查裝置之控制方法，其在可反饋該被檢查體之實際溫度的情況，係基於該被檢查體的實際溫度及該吸盤的實際溫度溫度，來算出該吸盤的溫度與該笨檢查體的溫度之溫度差；<br/>基於該被檢查體之目標溫度及該溫度差來修正該吸盤之目標溫度；<br/>基於修正後該吸盤之目標溫度及該吸盤之實際溫度來控制該吸盤之溫度。
如申請專利範圍第2項之檢查裝置之控制方法，其在可反饋該被檢查體之實際溫度的情況，係基於該吸盤的實際溫度與該被檢查體的實際溫度之溫度差，以及該被檢查體的發熱量，來更新表示該發熱量及該溫度差之對應的參數。
如申請專利範圍第3項之檢查裝置之控制方法，其中該參數為該發熱量及該溫度差之增益(gain)係數。
如申請專利範圍第3項之檢查裝置之控制方法，其中該參數係該發熱量與該溫度差的一階遲滯函數之係數。
如申請專利範圍第3至5項任一項之檢查裝置之控制方法，其中該參數係以檢出該吸盤之溫度的感應器與該被檢查體之中心的距離之函數來加以定義。
如申請專利範圍第3至5項任一項之檢查裝置之控制方法，其中該參數係依各該檢查體的位置來加以定義。
一種檢查裝置，係具備：<br/>吸盤，係載置被檢查體；<br/>測試器，係將電力供應至該被檢查體來檢查該被檢查體；以及<br/>控制部，係控制該吸盤的溫度；<br/>該控制部在該被檢查體之實際溫度無法反饋的情況，會基於供應至該被檢查體的該電力來推測該被檢查體之發熱量，並基於該被檢查體之該發熱量來推測該吸盤之溫度及該被檢查體之溫度的溫度差；<br/>基於該被檢查體之目標溫度及該溫度差來修正該吸盤之目標溫度；<br/>基於修正後該吸盤之目標溫度及該吸盤之實際溫度來控制該吸盤之溫度。
一種編織工具(1)，包含下列特徵：<br/>一針柄(2)，其實質上在一工具縱向方向(z)中延伸，該編織工具(1)於編織期間在該工具縱向方向(z)中運動；<br/>其中該針柄(2)沿著其長度在每一點處具有一橫截面表面(8)，該橫截面表面(8)對於該工具縱向方向(z)呈直角行進且係藉由其側向方向(y)與高程方向(x)來界定；<br/>其中這些橫截面表面(8)之各者具有一質心(9)，一虛構的重心線(4)行進通過該質心(9)並沿著該工具縱向方向(z)互連於所有橫截面表面(8)之質心(9)；<br/>其中該針柄(2)具有至少一功能性部分(5)；<br/>於該功能性部分(5)中，該橫截面表面(8)之高度在沿著該功能性部分(5)之長度之每一點處係小於該功能性部分(5)內之針柄高度(6)；<br/>其中該功能性部分(5)具有一長度，該長度大於整個編織工具(1)之長度的20%；<br/>其特徵在於：<br/>該功能性部分(5)具有多個子區段(7)，於該等子區段(7)中，該重心線(4)之梯度的絕對值係介於0與∞之間；以及<br/>在各該子區段(7)中，該重心線(4)變化其高度。
如請求項1所述之編織工具(1)，其中該編織工具(1)具有至少一導針凸片(18)。
如請求項1或2所述之編織工具(1)，其中該功能性部分(5)係由至少二子部分(33)所組成，該等子部分(33)之各者具有多個子區段(7)，於該等子區段(7)中，該重心線(4)之梯度的絕對值係介於0與∞之間；且其中這些子部分(33)在編織工具縱向方向(z)中彼此間隔開。
如請求項3所述之編織工具(1)，其中該編織工具(1)具有在該工具縱向方向(z)中觀看在該導針凸片(18)之前方的該功能性部分(5)的至少一子部分(33)以及在該工具縱向方向(z)中觀看在該導針凸片(18)之後方的該功能性部分(5)的至少一子部分(33)。
如請求項3所述之編織工具(1)，其中該功能性部分(5)之至少一子部分(33)在該工具縱向方向(z)中直接地聯接於該導針凸片(18)或與該導針凸片(18)僅間隔開達一距離，該距離小於或等於整個編織工具之長度的10%。
如請求項1或2所述之編織工具(1)，其中該功能性部分(5)具有該重心線(4)之至少一局部高程末端、即最小處(15)或最大處(14)。
如請求項6所述之編織工具(1)，其中該針柄(2)面向該編織工具(1)之正的高程方向(x)之表面、即頂部表面(10)，在該工具縱向方向(z)中在該重心線(4)之至少二局部最大處(14)之位置處具有相同高度；及/或該針柄(2)面向該編織工具(1)之負的高程方向(x)之表面、即底部表面(13)，在該重心線(4)之至少二局部最小處(15)之位置處具有相同高度。
如請求項6所述之編織工具(1)，其中該針柄(2)面向該側向方向(y)之多個側向表面之至少一者在至少一局部最大處(14)之位置處相對於大部分之該功能性部分(5)側向地升高。
如請求項6所述之編織工具(1)，其中在該重心線(4)之局部最大處(14)之位置處，該針柄(2)係與該功能性部分(5)之最小針柄高度(11)間隔開；且其中在該重心線(4)之局部最小處(15)之位置處，該針柄(2)係與該功能性部分(5)之最大針柄高度(12)間隔開。
如請求項1或2所述之編織工具(1)，其中在x-z平面中，該功能性部分(5)之至少一子部分(33)包含至少一三角形凹槽(19)及/或至少一波形凹槽(20)，其在側向方向(y)中穿透過該功能性部分(5)。
如請求項6所述之編織工具(1)，其中該針柄(2)面向該編織工具(1)之正的高程方向(x)之表面、即頂部表面(10)，具有一梯度路線，該梯度路線在正的工具縱向方向(z)指向工具延伸方向中在該重心線(4)之至少一局部高度最大處(14)的前面具有一局部梯度最大處(40)；及/或其中該針柄(2)面向該編織工具(1)之負的高程方向(x)之表面、即底部表面(13)，具有一梯度路線，該梯度路線在正的工具縱向方向(z)指向工具延伸方向中在該重心線(4)之至少一局部高度最小處(15)的前面具有一局部梯度最小處(41)。
如請求項11所述之編織工具(1)，其中該頂部表面(10)之該局部梯度最大處(40)的絕對值及/或該底部表面(13)之該局部梯度最小處(41)的值係介於0.57與2.75之間。
如請求項1或2所述之編織工具(1)，其中該針柄(2)面向該編織工具(1)之正的高程方向(x)之表面、即頂部表面(10)和該針柄(2)面向該編織工具(1)之負的高程方向(x)之表面、即底部表面(13)，在該功能性部分(5)之該等子區段(7)中大體上彼此平行。
如請求項6所述之編織工具(1)，其中在負的工具縱向方向(z)中，該功能性部分(5)之該重心線(4)之最後的最大處(14)係一球狀最大處(42)。
一種編織裝置(27)，具有至少一針槽(28)，其係被配置成容納一編織工具(1)且在操作期間導引該編織工具(1)，且至少一編織工具(1)包含下列特徵：<br/>一針柄(2)，其大部分地在一工具縱向方向(z)中延伸，該編織工具(1)於編織期間在該工具縱向方向(z)中運動；<br/>其中該針柄沿著其長度在每一點處具有一橫截面表面(8)，該橫截面表面(8)對於該工具縱向方向(z)呈直角行進且係藉由其側向方向(y)與高程方向(x)來界定；<br/>其中這些橫截面表面(8)之各者具有一質心(9)，一虛構的重心線(4)行進通過該質心(9)並沿著該工具縱向方向(z)互連於該針柄之所有橫截面表面(8)之質心(9)；<br/>其中該針柄(2)具有至少一功能性部分(5)；<br/>於該功能性部分(5)中，該橫截面表面(8)之高度在沿著該功能性部分(5)之長度之每一點處係小於該功能性部分(5)內之針柄高度(6)；<br/>其中該功能性部分(5)具有一長度，該長度大於整個編織工具(1)之長度的20%；<br/>其特徵在於：<br/>該功能性部分(5)具有多個子區段(7)，於該等子區段(7)中，該重心線(4)之梯度的絕對值係介於0與∞之間；以及<br/>在各該子區段(7)中，該重心線(4)變化其高度。
如請求項15所述之編織裝置(27)，其中該針槽(28)在該編織工具(1)之縱向方向(z)中的長度、該功能性部分(5)在該編織工具(1)之縱向方向(z)中的伸距、以及該編織工具(1)在編織期間之編織運動之行程(34)的量值係互相協同，使得該編織工具(1)在編織期間在其縱向方向(z)中之該功能性部分(5)的伸距的至少80%係保留在該針槽(28)內。
如請求項15或16所述之編織裝置(27)，其中該針槽(28)之上邊緣(36)在該高程方向(x)中與面向該編織工具(1)之正的高程方向(x)的針柄表面、即與頂部表面(10)之最高點(39)間隔開達最大0.5mm。
如請求項15或16所述之編織裝置(27)，其中該編織工具(1)具有一導針凸片(18)，該導針凸片(18)在正的高程方向(x)中相對於該功能性部分(5)升高；其中該導針凸片(18)接合於該編織裝置(27)之一凹槽、即凸輪曲線(30)；且其中在正的高程方向(x)中，該針柄(2)面向該編織工具(1)之正的高程方向(x)之表面、即頂部表面(10)的最高點(39)係與在該工具縱向方向(z)中的該凸輪曲線(30)間隔開。
一種由含銅之金合金製成之珠寶件，<b>其特徵在於</b>該金合金由以下組成：75.0至75.2wt%金，16.5至17.0wt%銅，3.1至7.1wt%銀，1.2至3.2wt%鈀，及其餘部分，其包含0.5至2.5wt%鋅。
如請求項1之珠寶件，<b>其特徵在於</b>該金合金由以下組成：75.0至75.2wt%金，16.5至17.0wt%銅，3.1至7.1wt%銀，1.2至3.2wt%鈀，及其餘部分，其包含0.8至1.1wt%鋅。
如請求項2之珠寶件，<b>其特徵在於</b>該金合金由以下組成：75.1wt%金，16.5至17.0wt%銅，3.1至7.1wt%銀，1.2至3.2wt%鈀，及其餘部分，其包含0.8至1.1wt%鋅。
一種如請求項1至3中任一項之含銅之金合金，其用於生產珠寶件。
一種用於生產如請求項4之含銅之金合金之方法，其特徵在於鋅含量係藉由將黃銅與其餘組分一起熔融而獲得。
如請求項5之生產方法，其特徵在於該黃銅以CuZn37形式熔融。
如請求項5或6之生產方法，其特徵在於熔體在生產之後經手工鑄造。
如請求項5或6之生產方法，其特徵在於熔體在生產之後供應至連續鑄造製程。
一種多區加熱器控制系統，其包含：<br/> 一多區加熱器，其包含一基板支撐件中的多個加熱元件，該基板支撐件經配置以加熱正在處理的一基板，其中該多個加熱元件對應於該基板支撐件的多個區域；及<br/> 一處理裝置，耦接至該多個加熱元件，該處理裝置用以：<br/> 存取一溫度矩陣，其包括對應於該多個區域的多個向量，其中每一向量的值表示由於該多個加熱元件中的一對應加熱元件在一溫度設定點啟動而造成的跨該基板支撐件上位置的一溫度上升；<br/> 藉由將該溫度矩陣與一權重向量相乘確定該基板支撐件的一溫度圖，其中該權重向量含有該溫度矩陣的每一各別向量的估計權重值；<br/> 基於一原始厚度圖及該溫度圖確定將在該基板支撐件上處理的一基板上的一膜的一目標厚度圖，該原始厚度圖包括資料，其表徵在一均勻溫度下加熱的一原始基板上跨一原始膜的位置的一原始厚度；<br/> 迭代地更新該權重向量的該等估計權重值，使得該溫度圖的結果是對該目標厚度圖中厚度值的一標準差的最小化；及<br/> 在處理後續基板時對該多個加熱元件中的各別元件使用該等估計權重值作為控制值。
如請求項1所述之系統，其中藉由確保該等厚度值的該標準差小於一臨界值執行對該標準差的該最小化。
如請求項1所述之系統，其中該多個向量中之一向量的值包含：<br/> 對應於該向量的該多個區域中之一區域的位置的第一值；及<br/> 不在對應於該向量的該區域中的位置的第二值，其中該等第一值大於該等第二值，且離該區域越遠，該等第二值越小。
如請求項1所述之系統，其中該處理裝置進一步：<br/> 存取一溫度靈敏度值；<br/> 藉由自該溫度圖減去該均勻溫度確定一更新後溫度圖；<br/> 將該溫度靈敏度值與該更新後溫度圖相乘，以確定一改變後厚度圖；及<br/> 藉由將該改變後厚度圖與該原始厚度圖相加確定該目標厚度圖。
一種多區加熱器控制方法，其包含以下步驟：<br/> 使一基板支撐件的一多區加熱器中的多個加熱元件中的每一加熱元件與經配置以在處理期間加熱一基板的該基板支撐件的多個區域中之一區域相關；<br/> 藉由一處理裝置存取一溫度矩陣，其包括對應於該多個區域的多個向量，其中每一向量的值表示由於該多個加熱元件中的一對應加熱元件在一溫度設定點啟動而造成的跨該基板支撐件上位置的一溫度上升；<br/> 藉由該處理裝置，藉由將該溫度矩陣與一權重向量相乘確定該基板支撐件的一溫度圖，其中該權重向量含有該溫度矩陣的每一各別向量的估計權重值；<br/> 藉由該處理裝置基於一原始參數圖及該溫度圖確定將在該基板支撐件上處理的一基板上的一膜的一目標參數圖，該原始參數圖包括資料，該資料表徵在一均勻溫度下加熱的一原始基板上跨一原始膜的位置上的一製程參數；<br/> 藉由該處理裝置迭代地更新該權重向量的該等估計權重值，使得該溫度圖的結果是對該目標參數圖中參數值的一標準差的最小化；及<br/> 藉由該處理裝置在處理後續基板時對該多個加熱元件中的各別者使用該等估計權重值作為控制值。
如請求項5所述之方法，其中藉由確保該等參數值的該標準差小於一臨界值執行最小化該標準差。
如請求項5所述之方法，其中該製程參數為該膜的一消光係數(k)。
如請求項5所述之方法，其中該多個向量中之一向量的值包含：<br/> 對應於該向量的該多個區域中之一區域的位置的第一值；及<br/> 不在對應於該向量的該區域中的位置的第二值，其中該等第一值大於該等第二值，且離該區域越遠，該等第二值越小。
如請求項5所述之方法，其進一步包含以下步驟：<br/> 存取一參數靈敏度值；<br/> 藉由自該溫度圖減去該均勻溫度確定一更新後溫度圖；<br/> 將該參數靈敏度值與該更新後溫度圖相乘，以確定一改變後參數圖；及<br/> 藉由將該改變後參數圖與該原始參數圖相加確定該目標參數圖。
一種多區加熱器控制方法，其包含以下步驟：<br/> 藉由一計算裝置接收包括複數個資料項的一訓練資料集，該複數個資料項中之每一資料項包括跨含有一多區加熱器的一基板支撐件的位置的一組溫度值以及在該基板支撐件上受處理的一基板上一膜的一組厚度值；<br/> 藉由該計算裝置將該訓練資料集輸入至一機器學習模型中；及<br/> 藉由該計算裝置基於該訓練資料集訓練該機器學習模型，以產生一經訓練機器學習模型，其更新包含對應於該多區加熱器的多個區域的多個向量的一溫度矩陣的值，其中每一向量的值表示由於該多區加熱器的多個加熱元件中之對應加熱元件設定至一或多個溫度設定點而導致的跨該基板支撐件上位置的一溫度上升，且其中該多個向量的一組合包含跨該基板支撐件的可用於確保膜均勻性的一臨界位準的一組目標溫度值。
如請求項10所述之方法，其中該機器學習模型為一人工神經網路。
如請求項10所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用一厚度成像感測器產生該等基板上該膜的該組厚度值。
如請求項10所述之方法，其中訓練該機器學習模型之步驟進一步包含以下步驟：在更新之前藉由將一權重向量與該溫度矩陣相乘而確定可用於一後續訓練迭代中的每一組溫度值，其中該權重向量含有該溫度矩陣的每一各別向量的估計權重值。
如請求項10所述之方法，其進一步包含以下步驟，對於將處理的一後續基板：<br/> 藉由將該溫度矩陣與一權重向量相乘確定該基板支撐件的該組目標溫度值，其中該權重向量含有該溫度矩陣的每一各別向量的估計權重值；及<br/> 基於一先前製程基板的一組直接在前的厚度值及該組目標溫度值，確定該後續基板上的該膜的一組目標厚度值。
如請求項14所述之方法，其進一步包含以下步驟：<br/> 迭代地更新該權重向量的該等估計權重值，使得該目標溫度值組的結果是對該目標厚度值組的一標準差的最小化；及<br/> 在處理該後續基板時對該多個加熱元件中的各別者使用該等估計權重值以確定溫度設定點。
如請求項14所述之方法，其進一步包含以下步驟：<br/> 存取一溫度靈敏度值；<br/> 藉由自該組目標溫度值減去該組溫度值確定一組更新後溫度值；<br/> 將該溫度靈敏度值與該組更新後溫度值相乘，以確定一組改變後厚度值；及<br/> 藉由將該組改變後厚度值與該組直接在前的厚度值相加而確定該組目標厚度值。
一種多區加熱器控制方法，其包含以下步驟：<br/> 使一基板支撐件的一多區加熱器中的多個加熱元件中的每一加熱元件與經配置以在處理期間加熱基板的該基板支撐件的多個區域中之一區域相關；<br/> 接收包含複數個資料項的一訓練資料集，該複數個資料項的每一資料項包含與一基板相關的複數個溫度設定點及一厚度圖，其中該複數個溫度設定點控制該多個加熱元件，並且該厚度圖包含表徵該基板上跨一膜的位置的一膜厚度的資料；<br/> 藉由一處理裝置將該訓練資料集輸入至一機器學習模型中；及<br/> 藉由該處理裝置基於該訓練資料集訓練該機器學習模型以產生一經訓練機器學習模型，其接收作為一輸入的一目標厚度，並且對於該多個加熱元件輸出一組溫度設定點，其使該膜具有該目標厚度。
如請求項17所述之方法，其中該機器學習模型為一人工神經網路。
如請求項17所述之方法，該目標厚度為一大體上均勻的厚度，其包含跨該膜的位置的厚度值的一標準差，該標準差低於一臨界值。
如請求項17所述之方法，其進一步包含以下步驟：使用一厚度成像感測器產生每一厚度圖，其包括該等基板上該膜的厚度值。
如請求項17所述之方法，其中訓練該機器學習模型之步驟包括以下步驟：對於每一基板使該複數個溫度設定點導致的跨該膜的該等位置的一溫度值組合與跨彼等位置的該厚度圖的厚度值相關。
一種多區加熱器控制方法，其包含以下步驟：<br/> 接收一基板至一處理腔室的一基板支撐件上，該基板支撐件經配置以使用對應於該基板支撐件中一多區加熱器的多個區域的多個加熱元件在處理期間加熱該基板；<br/> 藉由該處理腔室的一處理裝置接收資訊，其指示將對該基板執行的一製程以及該基板上膜的一目標厚度；<br/> 將待執行的該製程或該目標厚度中之至少一者輸入至一經訓練機器學習模型，其中該經訓練機器學習模型輸出該多個加熱元件的與該製程相關的一組溫度設定點，其中該組溫度設定點使該基板上的該膜具有該目標厚度，其中跨該基板的位置的厚度值的一標準差小於一臨界值；<br/> 藉由該處理裝置將該多個加熱元件設定為在該組溫度設定點操作；及<br/> 使用處於該組溫度設定點的該多個加熱元件在該處理腔室中處理該基板。
一種用於還原礦石之系統，其包括： <br/>質子交換膜(PEM)電解器，其供應氫； <br/>熔爐，其使用該供應之氫來還原該礦石，該熔爐流體連接至該PEM電解器；及 <br/>包含PEM氫泵之氫回收單元，其從自該熔爐排放之排放氣體回收氫，該氫回收單元流體連接至該熔爐，其中該氫回收單元包括流體連接多個進口及出口之串聯-並聯冷卻劑流動通道。
如請求項1之系統，其進一步包括： <br/>混合氣體運輸線，其流體連接至該PEM電解器之出口及該熔爐之進口，該混合氣體運輸線將該供應之氫及該回收之氫運輸至該熔爐； <br/>排氣線，其流體連接至該熔爐之出口及該PEM氫泵之進口，該排氣線將該排放氣體自該熔爐運輸至該PEM氫泵；及 <br/>回收氫線，其流體連接至該PEM氫泵之出口及該混合氣體運輸線，該回收氫線將該回收之氫自該PEM氫泵運輸至該混合氣體運輸線。
如請求項2之系統，其進一步包括分離該PEM電解器之水/氧輸出流中之氧與水之分離單元。
如請求項3之系統，其中該分離單元包括： <br/>第一容器，其分離該水/氧輸出流中之該氧與該水； <br/>第二容器，其含有使用空氣來稀釋該分離之氧之風扇或鼓風機； <br/>文氏管，其具有流體連接至該第一容器之進口及流體連接至該第二容器之出口；及 <br/>空氣返回導管，其具有流體連接至該第二容器之進口及流體連接至該文氏管之喉部之出口。
如請求項4之系統，其中該第一容器包括： <br/>第一槽； <br/>第二槽； <br/>該第一槽與該第二槽之間的第一流體連接件，其定位於該第一槽及該第二槽中之水位上方且經組態以允許氧在該第一槽與該第二槽之間交換； <br/>該第一槽與該第二槽之間的第二流體連接件，其定位於該第一槽及該第二槽中之該水位下方且經組態以允許水在該第一槽與該第二槽之間交換； <br/>再循環水線，其流體連接至該第一槽，該再循環水線將該水再循環至該PEM電解器；及 <br/>補給水供應線，其流體連接至該第二槽，該補給水供應線使該第一槽及該第二槽中之該水位維持高於預定高度。
如請求項2之系統，其進一步包括換熱器，其流體連接至該排氣線及該混合氣體運輸線，該換熱器使用來自該排放氣體之熱來加熱該供應之氫及該回收之氫。
如請求項6之系統，其進一步包括： <br/>轉化反應器，其流體連接至該排氣線；及 <br/>水供應線，其流體連接至該轉化反應器， <br/>其中該轉化反應器使該排放氣體中之一氧化碳與自該水供應線提供之水反應以形成氫及二氧化碳。
如請求項7之系統，其進一步包括優先氧化器，其流體連接至該轉化反應器下游之該排氣線，該優先氧化器將該排放氣體中之該一氧化碳優先氧化成二氧化碳。
如請求項8之系統，其中該氫泵包括板，該板包括： <br/>氫進口； <br/>氫出口； <br/>氫通道，其等將該等氫進口流體連接至該等氫出口； <br/>冷卻劑進口； <br/>冷卻劑出口；及 <br/>冷卻劑通道，其等以串聯及並聯組態將該等冷卻劑進口流體連接至該等冷卻劑出口。
如請求項1之系統，其中該熔爐包括鼓風爐。
一種用於還原礦石之系統，其包括： <br/>電解器； <br/>鼓風爐； <br/>第一導管，其將該電解器之氫出口流體連接至該鼓風爐；及 <br/>氫回收單元，其流體連接至該鼓風爐，該氫回收單元自該鼓風爐回收氫且將該回收之氫再循環至該鼓風爐，其中該氫回收單元包括流體連接多個進口及出口之串聯-並聯冷卻劑流動通道。
如請求項11之系統，其進一步包括： <br/>第二導管，其將該電解器之氧出口流體連接至該鼓風爐。
一種還原礦石之方法，其包括： <br/>供應由質子交換膜(PEM)電解器所產生之氫； <br/>在熔爐中使用該供應之氫來還原該礦石；及 <br/>使用PEM氫泵從自該熔爐排放之排放氣體回收氫，該PEM氫泵包括流體連接多個進口及出口之串聯-並聯冷卻劑流動通道。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>分離該PEM電解器之水/氧輸出流中之氧與水。
如請求項14之方法，其進一步包括將該供應之氫、該回收之氫及該分離之氧供應至該熔爐。
如請求項14之方法，其中分離該氧與該水包括： <br/>分離第一容器中之該氧與該水； <br/>透過文氏管將該分離之氧提供至第二容器； <br/>在該第二容器中使用空氣來稀釋該分離之氧；及 <br/>將空氣自該第二容器提供至該文氏管之喉部。
如請求項13之方法，其進一步包括使用來自該排放氣體之熱來加熱該供應之氫及該回收之氫。
如請求項17之方法，其進一步包括： <br/>使該排放氣體中之一氧化碳與水反應以形成氫及二氧化碳；及 <br/>在使該一氧化碳與該水反應的下游，將該排放氣體中之剩餘一氧化碳氧化成二氧化碳。
如請求項17之方法，其中該加熱係透過換熱器完成。
一種細胞培養器材，其特徵在於，<br/> 將無論有無刺激，與刺激反應區域相比具有強細胞黏著力而用於抑制細胞剝離的細胞剝離抑制區域設置於細胞培養面的周圍延綿一整圈，<br/> 在前述細胞剝離抑制區域的內側配置根據外部刺激而針對細胞的黏著性會變化的刺激反應區域，<br/> 即使在不施加刺激於前述刺激反應區域的狀態下，前述細胞剝離抑制區域相對於前述刺激反應區域具有3倍以上15倍以下的範圍的強細胞黏著性。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞培養器材的容器形狀為培養皿、培養瓶、或多孔盤，在前述細胞培養器材的細胞培養表面直接設置刺激反應區域及細胞剝離抑制區域。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞培養器材使用回收用支持體並用於進行細胞層片的回收。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞培養器材的前述細胞培養表面為3.5 cm<sup>2</sup>以上300 cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域在1℃以上50℃以下的溫度範圍中為細胞黏著性表面。
如請求項5所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞黏著性表面為對於外部刺激無反應的培養表面。
如請求項6所記載的細胞培養器材，其中，前述外部刺激為光、溫度、pH、或磁場。
如請求項5所記載的細胞培養器材，其中，前述刺激反應區域為對於溫度所導致的刺激有反應的溫度反應性表面，且為在0℃以上32℃以下的溫度下細胞會剝離的表面。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域及刺激反應區域是在同一平面上作區分。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域的為寬度2 mm以上10 mm以下。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域除了設置於細胞培養面的周圍之外，更設置成分割細胞培養面。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域及前述刺激反應區域是加工成透過目視即可區別。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述細胞剝離抑制區域及前述刺激反應區域具有透光性。
如請求項1所記載的細胞培養器材，是用於製造上皮細胞、間葉系幹細胞、或成肌細胞的細胞層片。
如請求項1所記載的細胞培養器材，其中，前述刺激反應區域及前述細胞剝離抑制區域是透過將溫度反應性單體被覆於前述細胞培養表面，將電子束、γ線、或紫外線只照射於前述刺激反應區域來形成刺激反應性層而製造。
一種細胞層片製造用套組，具備：<br/> 如請求項1至15任一項所記載的細胞培養器材，及<br/> 用於細胞層片回收的回收用支持體。
如請求項16所記載的細胞層片製造用套組，其中，前述回收用支持體為厚度30 μm以上400 μm以下、基重10 g／m<sup>2</sup>以上350 g／m<sup>2</sup>以下的紙、纖維素薄膜、或塑膠薄膜。
如請求項16所記載的細胞層片製造用套組，其中，前述回收用支持體的直徑或垂直與水平的長度小於前述刺激反應區域。
一種細胞層片的製造方法，其特徵在於：<br/> 細胞層片的製造方法包含：以如請求項1至15任一項所記載的細胞培養器材來培養細胞以形成細胞層片的步驟，及以回收用支持體來回收細胞層片的步驟，<br/> 前述回收用支持體為厚度30 μm以上400 μm以下、基重10 g／m<sup>2</sup>以上350 g／m<sup>2</sup>以下的紙、纖維素薄膜、或塑膠薄膜。
一種細胞層片的製造方法，包含下列步驟：<br/> 使用如請求項16所記載的細胞層片製造用套組，<br/> 培養細胞以形成細胞層片，<br/> 回收細胞層片。
一種光學積層體之製造方法，包含以下步驟：<br/> 分離件貼合步驟，其係透過形成於長條帶狀分離件上之黏著劑層，將前述分離件貼合於長條帶狀偏光板上；<br/> 第2分離件剝離・貼合步驟，其係在前述分離件貼合步驟之後，將長條帶狀分離件從前述黏著劑層剝離後，透過前述黏著劑層將長條帶狀分離件貼合於前述偏光板上；<br/> 表面保護薄膜貼合步驟，其係在前述第2分離件剝離・貼合步驟之後，於前述偏光板貼合長條帶狀表面保護薄膜；及<br/> 第1分離件剝離・貼合步驟，其係在前述表面保護薄膜貼合步驟之後，將長條帶狀分離件從前述黏著劑層剝離後，透過前述黏著劑層將長條帶狀分離件貼合於前述偏光板上。
如請求項1之光學積層體之製造方法，其中前述分離件貼合步驟包含黏著劑層形成步驟，該黏著劑層形成步驟係於長條帶狀分離件塗佈黏著劑，並將前述已塗佈之黏著劑加熱使其硬化而形成前述黏著劑層。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述第2分離件剝離・貼合步驟係兼作檢查步驟，該檢查步驟係在剝離長條帶狀分離件後，檢查前述偏光板。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述第1分離件剝離・貼合步驟中，剝離長條帶狀分離件後至貼合長條帶狀分離件為止之時間為1分鐘以內。
如請求項1或2之光學積層體之製造方法，其中前述第1分離件剝離・貼合步驟中，係藉由貼合滾筒貼合長條帶狀分離件與前述偏光板；<br/> 前述分離件進入前述貼合滾筒之進入角度小於90°，且前述偏光板進入前述貼合滾筒之進入角度小於90°。
如請求項5之光學積層體之製造方法，其中前述貼合滾筒係由接觸前述分離件之第1滾筒與接觸前述偏光板之第2滾筒構成，並且<br/> 前述第1滾筒及前述第2滾筒中，其中一者之表面係由樹脂形成，另一者之表面係由金屬形成。
如請求項6之光學積層體之製造方法，其中前述第1滾筒之表面係由金屬形成，<br/> 前述第2滾筒之表面係由樹脂形成。
一種片狀光硬化性組成物，包含下列(A)~(D)成分，且硬化前的狀態在25℃為片狀： <br/>(A)成分：(甲基)丙烯酸系三嵌段共聚物； <br/>(B)成分：胺基甲酸酯改性(甲基)丙烯酸酯寡聚物，惟排除該(A)成分； <br/>(C)成分：下述式1表示之化合物；以及 <br/>[化1] <br/>[式1] <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="233px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式1中，R<sup>1</sup>為氫原子或甲基，R<sup>2</sup>為下述式2表示之一價有機基； <br/>[式2] <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="159px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式2中，R’為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，A為氫原子或碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，「*」係與該式1中之氮原子的鍵結點； <br/>(D)成分：光起始劑； <br/>其中，相對於該(A)成分100質量份，包含0.1~10質量份之該(C)成分。
如請求項1所述之片狀光硬化性組成物，其中，相對於該(B)成分100質量份，包含1~50質量份之該(C)成分。
如請求項1或2所述之片狀光硬化性組成物，其中，相對於該(A)成分100質量份，包含10~80質量份之該(B)成分。
如請求項1或2所述之片狀光硬化性組成物，其中，該(C)成分係選自羥基乙基(甲基)丙烯醯胺及N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺所構成之群組中之至少1種。
如請求項1或2所述之片狀光硬化性組成物，其中，該(B)成分為每1分子具有2個(甲基)丙烯醯基之胺基甲酸酯改性(甲基)丙烯酸酯寡聚物。
如請求項1或2所述之片狀光硬化性組成物，更包含偶合劑作為(E)成分。
一種光硬化性組成物溶液，包含下列(A)~(D)成分及溶劑： <br/>(A)成分：(甲基)丙烯酸系三嵌段共聚物； <br/>(B)成分：胺基甲酸酯改性(甲基)丙烯酸酯寡聚物，惟排除該(A)成分； <br/>(C)成分：下述式1表示之化合物；以及 <br/>[化2] <br/>[式1] <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="233px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式1中，R<sup>1</sup>為氫原子或甲基，R<sup>2</sup>為下述式2表示之一價有機基； <br/>[式2] <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="159px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>上述式2中，R’為碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，A為氫原子或碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基，「*」係與該式1中之氮原子的鍵結點； <br/>(D)成分：光起始劑； <br/>其中，相對於該(A)成分100質量份，包含0.1~10質量份之該(C)成分。
一種片狀光硬化性組成物之製造方法，係硬化前在25℃的狀態為片狀的光硬化性組成物之製造方法，包含下列步驟： <br/>將如請求項7所述之光硬化性組成物溶液所含之該溶劑進行揮發。
如請求項8所述之片狀光硬化性組成物之製造方法，其中，該溶劑的揮發係於離型紙或離型膜上進行。
一種積層體，係具有第1被著體、片狀光硬化性組成物、以及第2被著體依序貼合之構成的積層體， <br/>該片狀光硬化性組成物係藉由將如請求項7所述之光硬化性組成物溶液所含之該溶劑於該第1被著體及/或該第2被著體上進行揮發而形成者。
一種電子遊戲使用者介面，該使用者介面包括：<br/> 一武器顯示區域，配置為顯示一虛擬化身的武器，該等武器中的每一個皆能夠處於一啟用狀態或一非啟用狀態，並分配有一預測武器排名值，該預測武器排名值對應於將選用的一特定武器的一預測相對可能性，該武器顯示區域包括： <br/> 一當前武器面板，其中該當前武器面板配置為顯示該等武器中處於該啟用狀態的一第一武器，以及<br/> 複數備用武器面板，其中該等複數備用武器面板中的每一個，皆分配有一面板排名值，並配置為在任何時候顯示該等武器的其中一種武器處於該非啟用狀態，以反映該顯示的武器當前未使用，該面板排名值反映每一備用武器面板相對於其他備用武器面板在該武器顯示區域中的一定位的一顯著性或重要性，該等複數備用武器面板根據該等面板排名值排列；以及<br/> 其中選擇該等備用武器面板中任一個導致<br/> 顯示在該所選備用武器面板上處於該非啟用狀態的一對應武器，切換到該啟用狀態並推進到該當前武器面板以代替該第一武器，以反映該對應武器當前使用中，<br/> 該第一武器切換到該非啟用狀態並後退到一備用武器面板，以及 <br/> 根據該等備用武器面板的該面板排名值及該預測武器排名值，將包含該後退的第一武器的處於該非啟用狀態的該等武器，動態地排序並顯示在該等複數備用武器面板上，其中當前使用中的該對應武器，未顯示在該等複數備用武器面板上。
如請求項1的使用者介面，其中該當前武器面板定位為鄰接該等複數備用武器面板中的至少一個。
如請求項1或2的使用者介面，其中該當前武器面板定位為鄰接該等複數備用武器面板中的每一個並位於其正上方。
如請求項1的使用者介面，其中處於該非啟用狀態的該武器分配有最高預測武器排名值，映射到分配有最高面板排名值的該備用武器面板。
如請求項1的使用者介面，其中處於該非啟用狀態的該武器分配有最低預測武器排名值，映射到分配有最低面板排名值的該備用武器面板。
如請求項1的使用者介面，其中選擇該當前武器面板導致顯示在該當前武器面板上的該武器被重裝彈藥。
如請求項6的使用者介面，其中該當前武器面板定位為鄰接分配有一最高面板排名值的該備用武器面板，因此當選擇分配有該最高面板排名值的該備用武器面板時，將執行武器切換及武器重裝功能的一使用者操作區，侷限在該使用者介面的一小區內。
如請求項1的使用者介面，其中該備用武器面板的面板排名值越高，則反映該備用武器面板的容易取用性越大。
如請求項1的使用者介面，其中該備用武器面板的面板排名值越高，則反映該備用武器面板更接近該當前武器面板。
如請求項1的使用者介面，其中該虛擬化身的該等武器包括至少一主武器、至少一副武器，以及至少一格鬥武器。
如請求項10的使用者介面，其中相對於該至少一副武器及該至少一格鬥武器，該至少一主武器分配有一較高預測武器排名值。
如請求項11的使用者介面，其中相對於該至少一格鬥武器，該至少一副武器分配有一較高預測武器排名值。
如請求項1的使用者介面，其中該武器顯示區域包括兩個以上的備用武器面板。
如請求項1的使用者介面，其中該使用者介面是一圖形使用者介面，在一電子裝置的一觸敏顯示螢幕上渲染並呈現。
一種顯示電子遊戲的圖形使用者介面之系統，該系統包括一或多個電腦及一或多個儲存電腦可讀指令的儲存裝置，當由該等一或多個電腦執行該等指令時，使該一或多個電腦產生並渲染如請求項1至14中任一項的該使用者介面。
一種非暫態電腦儲存媒體，其儲存一或多個指令，用於顯示電子遊戲的使用者介面，當該等指令由一或多個電腦執行時，使該一或多個電腦產生並渲染如請求項1至14中任一項的該使用者介面。
一種半導體元件之形成方法，包括：<br/>沉積一金屬光阻層在一待圖案化的層上方，該待圖案化的層係形成在一基板上方；<br/>使用一微影處理而圖案化該金屬光阻層，以形成一已圖案化的金屬光阻層並且暴露該待圖案化的層之複數部分；<br/>藉由使該基板暴露至一氣體混合物，以選擇性地沉積一含矽層在該已圖案化的金屬光阻層上方，該氣體混合物包括一矽前驅物，該含矽層係優先地沉積在該金屬光阻層之頂表面上方；及<br/>藉由使該待圖案化的層及被該含矽層所覆蓋之該已圖案化的金屬光阻層暴露至具有一蝕刻化學品之一電漿處理，以實施一表面清潔處理，該蝕刻化學品包括一鹵素或氫，<br/>其中該氣體混合物包括氧且該矽前驅物包括四氯化矽，及其中該含矽層包括矽氧化物，及<br/>藉由使被一蝕刻遮罩所覆蓋之該待圖案化的層暴露至一感應耦合電漿或一電容耦合電漿，以圖案化該待圖案化的層，該蝕刻遮罩包括被該含矽層所覆蓋之該已圖案化的金屬光阻層。
如請求項1之半導體元件之形成方法，更包括：藉由使該待圖案化的層暴露至一指向性蝕刻處理、利用一蝕刻遮罩以圖案化該待圖案化的層，該蝕刻遮罩包括被該含矽層所覆蓋之該已圖案化的金屬光阻層。
如請求項1之半導體元件之形成方法，其中圖案化該金屬光阻層包括：形成一金屬缺陷在該待圖案化的層之該等暴露部分其中一者上方，及其中該表面清潔處理係去除該金屬缺陷。
如請求項1之半導體元件之形成方法，其中該金屬光阻層更包括一金屬氧化物極紫外線（EUV）光阻，及其中形成該已圖案化的金屬光阻層更包括：<br/>使該金屬光阻層暴露至一EUV光束；及<br/>在暴露以形成該已圖案化的金屬光阻層之後，使該金屬光阻層顯影。
如請求項1之半導體元件之形成方法，其中該含矽層係選擇性地沉積在該已圖案化的光阻層之該頂表面及側壁上。
如請求項1之半導體元件之形成方法，其中包括該鹵素或氫之該蝕刻化學品係包括BCl<sub>3</sub>或HBr。
如請求項1之半導體元件之形成方法，其中包括該鹵素或氫之該蝕刻化學品係包括H<sub>2</sub>或CH<sub>4</sub>。
一種半導體元件之形成方法，包括：<br/>沉積一金屬光阻層在一待圖案化的層上方，該待圖案化的層係形成在一基板上方；<br/>使用一微影處理而圖案化該金屬光阻層，以形成一已圖案化的金屬光阻層並且暴露該待圖案化的層之複數部分；<br/>藉由使該基板暴露至一氣體混合物，以選擇性地沉積一含矽層在該已圖案化的金屬光阻層上方，該氣體混合物包括一矽前驅物，該含矽層係優先地沉積在該金屬光阻層之頂表面上方；及<br/>藉由使該待圖案化的層及被該含矽層所覆蓋之該已圖案化的金屬光阻層暴露至具有一蝕刻化學品之一電漿處理，以實施一表面清潔處理，該蝕刻化學品包括一鹵素或氫，<br/>其中該矽前驅物包括二氯矽烷，及其中該含矽層包括一矽層，及<br/>藉由使被該蝕刻遮罩所覆蓋之該待圖案化的層暴露至一電容耦合電漿，以圖案化該待圖案化的層，該蝕刻遮罩包括被該含矽層所覆蓋之該已圖案化的金屬光阻層。
一種半導體元件之形成方法，包括：<br/>沉積一金屬光阻層在一待圖案化的層上方，該待圖案化的層係設置在一基板上方；<br/>使用一極紫外線（EUV）微影處理而圖案化該金屬光阻層，以形成一已圖案化的金屬光阻層，以便暴露該待圖案化的層之一第一組區域；<br/>沉積一第一材料在該第一組區域上方；<br/>選擇性地去除該已圖案化的金屬光阻層，以暴露該待圖案化的層之一第二組區域；<br/>沉積一第二材料而覆蓋該待圖案化的層之該第二組區域，該第二材料係不同於該第一材料；<br/>選擇性地去除該第一材料，以重新暴露該待圖案化的層之該第一組區域；<br/>藉由使該待圖案化的層之該第一組區域暴露至一電漿處理，以實施一表面清潔處理；及<br/>蝕刻該待圖案化的層之該第一組區域，以在該待圖案化的層中形成一圖案。
如請求項9之半導體元件之形成方法，其中該第一材料包括矽氧化物，且該第二材料包括矽氮化物。
如請求項9之半導體元件之形成方法，其中該去除該第一材料、該實施該表面清潔處理及該蝕刻該第一組區域係以一共同蝕刻處理而依序實施。
如請求項9之半導體元件之形成方法，其中該去除該第一材料包括：暴露至由包括氟碳化物及氧之一氣體所產生之一第一電漿，其中實施該表面清潔處理包括：暴露至由鹵素、H<sub>2</sub>或CH<sub>4</sub>所產生之一第二電漿，及其中蝕刻該第一組區域包括：暴露至由包括氟碳化物及氧之一氣體所產生之一第三電漿。
如請求項9之半導體元件之形成方法，其中在圖案化該金屬光阻層時，一橋接缺陷係形成在該待圖案化的層之該第一組區域之一區域之一主表面上。
一種氣體供給裝置，其被設於具有加熱缸及螺桿的射出裝置，該加熱缸係設有氣體注入口，該螺桿係可驅動地被設在上述加熱缸內， <br/>該氣體供給裝置具有： <br/>氣體供給源；及 <br/>氣體壓力調整部，其調整來自上述氣體供給源的氣體之壓力而供給至上述氣體注入口； <br/>上述氣體壓力調整部係構成為在上述射出裝置中所實施的成形循環中一面持續地供給氣體一面使上述氣體注入口中之氣體壓力主動地產生變化，且對於構成上述成形循環之步驟即旋轉上述螺桿以計量樹脂之計量步驟，其構成為以與該計量步驟至少一部分重疊的方式設定升壓期間而將氣體壓力升壓，且於上述計量步驟完成後之既定時間後將氣體壓力降壓。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體壓力調整部係在成形循環之計量步驟完成之規定時間前、完成時、或自完成起之規定時間後使氣體壓力降壓。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體壓力調整部係在成形循環中使氣體壓力可切換成2階段以上。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體供給源包含有1個或複數個氣體鋼瓶。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體注入口係於上述加熱缸設有2個以上。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體壓力調整部具有1個或複數個減壓閥。
如請求項1至6中任一項之氣體供給裝置，其中，上述氣體壓力調整部至少具有將氣體壓力調整為高壓的高壓調整部、及將氣體壓力調整為低壓的低壓調整部。
如請求項7之氣體供給裝置，其中，上述高壓調整部具有緩衝器。
如請求項1之氣體供給裝置，其中，上述氣體壓力調整部具有將氣體壓力升壓的升壓機構。
一種射出成形機，其具備有： <br/>鎖模裝置，其將模具鎖模；及 <br/>射出裝置，其射出樹脂； <br/>上述射出裝置具有： <br/>加熱缸，其設有氣體注入口； <br/>螺桿，其可驅動地設置在上述加熱缸內； <br/>氣體供給源；及 <br/>氣體壓力調整部，其調整來自上述氣體供給源的氣體之壓力而供給至上述氣體注入口； <br/>上述氣體壓力調整部係構成為在上述射出裝置中所實施的成形循環中一面持續地供給氣體一面使上述氣體注入口中之氣體壓力主動地產生變化，且對於構成上述成形循環之步驟即旋轉上述螺桿以計量樹脂之計量步驟，其構成為以與該計量步驟至少一部分重疊的方式設定升壓期間而將氣體壓力升壓，且於上述計量步驟完成後之既定時間後將氣體壓力降壓。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體壓力調整部係在成形循環之計量步驟完成之規定時間前、完成時、或自完成起之規定時間後使氣體壓力降壓。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體壓力調整部係在成形循環中使氣體壓力可切換成2階段以上。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體供給源包含有1個或複數個氣體鋼瓶。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體注入口係於上述加熱缸設有2個以上。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體壓力調整部具有1個或複數個減壓閥。
如請求項10至15中任一項之射出成形機，其中，上述氣體壓力調整部至少具有將氣體壓力調整為高壓的高壓調整部、及將氣體壓力調整為低壓的低壓調整部。
如請求項16之射出成形機，其中，上述高壓調整部具有緩衝器。
如請求項10之射出成形機，其中，上述氣體壓力調整部具有將氣體壓力升壓的升壓機構。
一種發泡成形方法，其係在射出成形機中獲得發泡成形品者，該射出成形機具備有： <br/>加熱缸，其設有氣體注入口； <br/>螺桿，其可驅動地設在上述加熱缸內；及 <br/>氣體供給源； <br/>來自上述氣體供給源的氣體係藉由氣體壓力調整處理來調整壓力而自上述氣體注入口供給至上述加熱缸， <br/>上述氣體壓力調整處理係設為在上述射出成形機中所實施的成形循環中一面持續地供給氣體一面使上述氣體注入口中之氣體壓力主動地產生變化，且對於構成上述成形循環之步驟即旋轉上述螺桿以計量樹脂之計量步驟，其設為以與該計量步驟至少一部分重疊的方式設定升壓期間而將氣體壓力升壓，且於上述計量步驟完成後之既定時間後將氣體壓力降壓。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體壓力調整處理係在成形循環之計量步驟完成之規定時間前、完成時、或自完成起之規定時間後使氣體壓力降壓。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體壓力調整處理係在成形循環中使氣體壓力可切換成2階段以上。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體供給源包含有1個或複數個氣體鋼瓶。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體注入口係於上述加熱缸設有2個以上。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體壓力調整處理係藉由1個或複數個減壓閥來調整氣體壓力。
如請求項19至24中任一項之發泡成形方法，其中，上述氣體壓力調整處理至少具有將氣體壓力調整為高壓的高壓調整處理、及將氣體壓力調整為低壓的低壓調整處理。
如請求項19之發泡成形方法，其中，上述氣體壓力調整處理具有將氣體壓力升壓的升壓處理。
一種接合物，其包括：尖端部，作用於對象物；本體部，支撐該尖端部；以及接合部，接合該本體部與該尖端部，該接合部係包含嵌合部，該嵌合部係包含：本體嵌合部，被設於該本體部；尖端嵌合部，被設於該尖端部；插入構造，藉關於高度方向之該本體部與該尖端部之相對性移動，該本體嵌合部與該尖端嵌合部係相嵌合；以及限制構造，於該本體嵌合部與該尖端嵌合部相嵌合後之狀態下，限制關於與該高度方向交叉之交叉方向之該本體部與該尖端部之相對性移動；該本體嵌合部係包含第1本體起伏部及第2本體起伏部，該尖端嵌合部係包含：第1尖端起伏部，對應於該第1本體起伏部；以及第2尖端起伏部，對應於該第2本體起伏部，該限制構造係包含第1限制嵌合部及第2限制嵌合部，該交叉方向係包含第1交叉方向及第2交叉方向，該第2交叉方向係與該第1交叉方向相反之方向，該第1限制嵌合部，其包含限制關於該第1交叉方向之該本體部與該尖端部之相對性移動之該第1本體起伏部及該第1尖端起伏部，該第2限制嵌合部，其包含限制關於該第2交叉方向之該本體部與該尖端部之相對性移動之該第2本體起伏部及該第2尖端起伏部，該第1本體起伏部係包含凹部或凸部，該第1尖端起伏部係包含凸部或凹部，該第1本體起伏部的凹部或凸部係包含側面，該第1本體起伏部的凹部或凸部的側面係包含傾斜面，該第1尖端起伏部的凸部或凹部係包含側面，該第1尖端起伏部的凸部或凹部的側面係包含傾斜面，該接合部係包含接著該本體嵌合部與該尖端嵌合部之接著部，該本體部及該尖端部係薄板。
如請求項1之接合物，其中該第1本體起伏部係包含凹部，該第1本體起伏部的凹部係包含底面，該第1本體起伏部的凹部的底面係包含傾斜面，該第1尖端起伏部係包含凸部，該第1尖端起伏部的凸部係包含頂面，該第1尖端起伏部的凸部的頂面係包含傾斜面。
如請求項1之接合物，其中該第1本體起伏部係包含凸部，該第1本體起伏部的凸部係包含頂面，該第1本體起伏部的凸部的頂面係包含傾斜面，該第1尖端起伏部係包含凹部，該第1尖端起伏部的凹部係包含底面，該第1尖端起伏部的凹部的底面係包含傾斜面。
如請求項1之接合物，其中該第2本體起伏部係包含凹部或凸部，該第2尖端起伏部係包含凸部或凹部。
如請求項4之接合物，其中該第2本體起伏部的凹部或凸部係包含側面，該第2本體起伏部的凹部或凸部的側面係包含傾斜面，該第2尖端起伏部的凸部或凹部係包含側面，該第2尖端起伏部的凸部或凹部的側面係包含傾斜面。
如請求項4或5之接合物，其中該第2本體起伏部係包含凹部，該第2本體起伏部的凹部係包含底面，該第2本體起伏部的凹部的底面係包含傾斜面，該第2尖端起伏部係包含凸部，該第2尖端起伏部的凸部係包含頂面，該第2尖端起伏部的凸部的頂面係包含傾斜面。
如請求項4或5之接合物，其中該第2本體起伏部係包含凸部，該第2本體起伏部的凸部係包含頂面，該第2本體起伏部的凸部的頂面係包含傾斜面，該第2尖端起伏部係包含凹部，該第2尖端起伏部的凹部係包含底面，該第2尖端起伏部的凹部的底面係包含傾斜面。
一種適合於積層製造之預合金Al基粉末，其由以下組成： <br/>3至5.5重量%之Mn， <br/>0.2至2重量%之Zr， <br/>0.2至1.4重量%之Cr， <br/>0至2重量%之Mg， <br/>總計至多0.7重量%之Fe及Si， <br/>至多0.7重量%之作為不可避免之雜質的O， <br/>及至多0.5重量%之其他不可避免的雜質， <br/>餘量為Al。
如請求項1之預合金Al基粉末，其中Zr之含量為0.3至1.8重量%。
如請求項1之預合金Al基粉末，其中Cr之含量為0.3至1.4重量%。
如請求項1至3中任一項之預合金Al基粉末，其中Fe及Si之總含量為至多0.2重量%。
如請求項1至3中任一項之預合金Al基粉末，該預合金Al基粉末不含有意添加之Mg。
如請求項1至3中任一項之預合金Al基粉末，其具有低於20℃之凝固開裂易感性指數<b><i>S</i></b>，其中<b><i>S</i></b>係根據方程式(1)定義： <br/>(1) <img align="absmiddle" height="48px" width="82px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中T為溫度，且f<sub>s</sub>為固體之質量分率。
如請求項1至3中任一項之預合金Al基粉末，其具有如根據ISO 13320-1 1999，藉由雷射繞射所量測的10至53 µm之粒度範圍，其中小於10%之粒子落在指定粒度範圍之外。
一種藉由積層製造來生產物件之方法，其包含以下步驟： <br/>提供如請求項1至7中任一項之預合金Al基粉末； <br/>沈積一層該預合金Al基粉末，形成粉末床； <br/>根據預定圖案，藉由雷射或電子射束加熱該預合金Al基粉末以熔合或熔融待結合之粒子； <br/>冷卻熔合或熔融粒子； <br/>重複該沈積、加熱及冷卻步驟，直至形成積層製造之物件； <br/>回收所生產之物件。
如請求項8之方法，其隨後進行熱處理。
如請求項9之方法，其中該熱處理涵蓋在空氣氛圍中將該所生產之物件加熱至150至450℃之溫度，保持至少0.5小時之時間段。
一種藉由積層製造生產之物件，其係藉由對如請求項1至7中任一項之預合金Al粉末執行熔體熔合方法形成。
一種藉由積層製造生產之物件，其係藉由對如請求項11之預合金Al粉末執行熱熔合方法形成，其中熔體熔合方法係根據請求項8至10中任一項。<sub> </sub>
一種熔射材料，其係由複合化物所構成，該複合化物以40mol%以上80mol%以下之比例含有氟化釔，以10mol%以上40mol%以下之比例含有氟化鎂，且以0mol%以上40mol%以下之比例含有氟化鈣， <br/> 前述複合化物係一次粒子的平均粒徑為10μm以下之氟化釔、氟化鎂及氟化鈣的造粒粉，該造粒粉的平均粒徑為5μm以上40μm以下。
如請求項1之熔射材料，其中前述複合化物係將前述造粒粉燒結而得之造粒燒結粉。
一種熔射皮膜，其係以40mol%以上80mol%以下之比例含有氟化釔，以10mol%以上40mol%以下之比例含有氟化鎂，以0mol%以上40mol%以下之比例含有氟化鈣，包含結晶相與非晶質相，結晶化度為1%以上75%以下，且氣孔率為2.0面積%以下。
一種熔射皮膜之形成方法，其使用如請求項1或2之熔射材料，藉由電漿熔射法、高速火焰熔射法、火焰熔射法或爆炸熔射法而形成如請求項3之熔射皮膜。
一種電漿蝕刻裝置用零件，其係藉由如請求項3之熔射皮膜被覆表面者。
一種用於閘控時序訊號的積體電路，該積體電路包括： <br/>一控制訊號產生器，該控制訊號產生器被配置為根據一資料致能訊號從一高位準變為一低位準時的一時序將一閘控控制訊號從該低位準變為該高位準，並且在從一水平同步訊號的上升邊緣的一預定水平後沿間隔之後將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準；以及 <br/>一時序閘控電路，該時序閘控電路被配置為當該高位準的該閘控控制訊號輸入到一控制端時，停止透過一第一輸入端輸入的一第一時序訊號的翻轉以透過一第一輸出端輸出保持處於該低位準的一第二時序訊號，並且當該低位準的該閘控控制訊號輸入到該控制端時，恢復該第一時序訊號的翻轉以透過該第一輸出端輸出在該高位準和該低位準之間翻轉的該第二時序訊號。
如請求項1所述之積體電路，其中，在從一個幀中的多個資料致能訊號當中的一最後資料致能訊號的下降邊緣的一預定垂直前沿間隔期間，該控制訊號產生器將該閘控控制訊號保持處於該高位準。
如請求項2所述之積體電路，其中，該控制訊號產生器從一主機系統接收指示以一第一畫面播放速率操作一顯示裝置的一第一命令或指示以高於該第一畫面播放速率的一第二畫面播放速率操作該顯示裝置的一第二命令，並且在從該主機系統接收到該第一命令時產生該高位準的該閘控控制訊號。
如請求項3所述之積體電路，其中，根據該第一畫面播放速率或該第二畫面播放速率來不同地設置該垂直前沿間隔。
如請求項1所述之積體電路，其中，在該資料致能訊號從該低位準變為該高位準之前，該控制訊號產生器將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準。
如請求項1所述之積體電路，該積體電路還包括： <br/>一資料處理邏輯電路，該資料處理邏輯電路包括連接至該時序閘控電路的該第一輸出端的一時序輸入端和用於接收資料的一第二輸入端； <br/>一旁通路線，該旁通路線連接至該時序閘控電路的該第一輸入端並且被配置為旁路該第一時序訊號；以及 <br/>一時序控制器，該時序控制器包括連接至該時序閘控電路的該第一輸出端的一第一焊盤和連接至該旁通路線的第二焊盤。
如請求項6所述之積體電路，其中，該時序控制器包括： <br/>一源極驅動器，該源極驅動器被配置為回應於透過該第一焊盤輸入的該第二時序訊號而透過一資料驅動電路向一顯示裝置傳送由該資料處理邏輯電路處理的一資料；以及 <br/>一閘極控制電路，該閘極控制電路被配置為回應於透過該第二焊盤輸入的該第一時序訊號而向該顯示裝置傳送多個閘極脈衝。
如請求項1所述之積體電路，其中，該控制訊號產生器與該資料致能訊號從該高位準變為該低位準時的一時序同步地將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準，或者在該資料致能訊號從該高位準變為該低位準之後的一預時序間將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準。
一種顯示系統，該顯示系統包括： <br/>一顯示裝置，該顯示裝置被配置為以一第一畫面播放速率或高於該第一畫面播放速率的一第二畫面播放速率操作；以及 <br/>一驅動器積體電路，該驅動器積體電路被配置為控制該顯示裝置的操作， <br/>其中，該驅動器積體電路包括： <br/>一控制訊號產生器，該控制訊號產生器被配置為根據一資料致能訊號從一高位準變為一低位準時的一時序將一閘控控制訊號從該低位準變為該高位準，並且在從一水平同步訊號的一上升邊緣的一預定水平後沿間隔之後將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準；以及 <br/>一時序閘控電路，該時序閘控電路被配置為當該高位準的該閘控控制訊號輸入到一控制端時，停止透過一第一輸入端輸入的一第一時序訊號的翻轉以透過一第一輸出端輸出保持處於該低位準的一第二時序訊號，並且當該低位準的該閘控控制訊號輸入到該控制端時，恢復該第一時序訊號的翻轉以透過該第一輸出端輸出在該高位準和該低位準之間翻轉的該第二時序訊號。
如請求項9所述之顯示系統，其中，在從該水平同步訊號的一上升邊緣經過該水平後沿間隔之後並且在該資料致能訊號從該低位準變為該高位準之前，該控制訊號產生器將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準。
如請求項9所述之顯示系統，其中，該控制訊號產生器與該資料致能訊號從該高位準變為該低位準時的一時序同步地將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準，或者在該資料致能訊號從該高位準變為該低位準之後的一預時序間將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準。
如請求項9所述之顯示系統，其中，在從一個幀中的多個資料致能訊號當中的一最後資料致能訊號的一下降邊緣的一預定垂直前沿間隔期間，該控制訊號產生器將該閘控控制訊號保持處於該高位準。
如請求項12所述之顯示系統，其中，根據該第一畫面播放速率或該第二畫面播放速率來不同地設置該垂直前沿間隔。
如請求項9所述之顯示系統，其中，該控制訊號產生器從一主機系統接收指示以該第一畫面播放速率操作該顯示裝置的一第一命令或指示以該第二畫面播放速率操作該顯示裝置的一第二命令，並且在從該主機系統接收到該第一命令時產生該高位準的該閘控控制訊號。
如請求項9所述之顯示系統，其中，該驅動器積體電路包括： <br/>一資料處理邏輯電路，該資料處理邏輯電路包括連接至該時序閘控電路的該第一輸出端的依時序輸入端和用於接收資料的一第二輸入端； <br/>一旁通路線，該旁通路線連接至該時序閘控電路的該第一輸入端並且被配置為旁路該第一時序訊號； <br/>一源極驅動器，該源極驅動器被配置為回應於從該時序閘控電路的該第一輸出端輸出的該第二時序訊號而透過一資料驅動電路向該顯示裝置傳送由該資料處理邏輯電路處理的一資料；以及 <br/>一閘極控制電路，該閘極控制電路被配置為回應於透過該旁通路線輸入的該第一時序訊號而向該顯示裝置傳送多個閘極脈衝。
一種用於閘控時序訊號的積體電路的操作方法，該操作方法包括以下步驟： <br/>當一資料致能訊號從一高位準變為一低位準時，將閘控控制訊號從該低位準變為該高位準； <br/>回應於該高位準的該閘控控制訊號而停止透過一第一輸入端輸入的一第一時序訊號的翻轉以向一第一輸出端輸出保持處於該低位準的一第二時序訊號； <br/>在從一水平同步訊號的一上升邊緣的一預定水平後沿間隔之後，將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準；以及 <br/>回應於該低位準的該閘控控制訊號而恢復該第一時序訊號的翻轉以向該第一輸出端輸出在該高位準和該低位準之間翻轉的該第二時序訊號。
如請求項16所述之操作方法，其中，在將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準的步驟中，該閘控控制訊號在從一個幀中的多個資料致能訊號當中的一最後資料致能訊號的一下降邊緣的一預定垂直前沿間隔期間保持處於該高位準。
如請求項16所述之操作方法，其中，將該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準的步驟包括：從一主機系統接收指示以一第一畫面播放速率操作一顯示裝置的一第一命令或指示以高於該第一畫面播放速率的一第二畫面播放速率操作該顯示裝置的一第二命令，並且 <br/>其中，當從該主機系統接收到該第一命令時，該閘控控制訊號從該低位準變為該高位準。
如請求項16所述之操作方法，其中，在將該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準的步驟中，在從該水平同步訊號的一上升邊緣經過該水平後沿間隔之後並且在該資料致能訊號從該低位準變為該高位準之前，該閘控控制訊號從該高位準變為該低位準。
一種電漿處理方法，其具備以下步驟： <br/>a)於電漿處理腔室內之基板支持部上，提供具有含矽膜、與上述含矽膜上之遮罩之基板； <br/>b)對上述電漿處理腔室內供給處理氣體； <br/>c)對上述基板支持部週期性地供給脈衝電壓；及 <br/>d)週期性地供給RF電力，藉由上述RF電力自上述處理氣體產生電漿而對上述含矽膜進行蝕刻；且 <br/>上述脈衝電壓具有負極性， <br/>上述c)中，使供給第1脈衝電壓之第1期間、與不供給上述具有負極性之脈衝電壓或供給絕對值小於上述第1脈衝電壓之第2脈衝電壓之第2期間反覆， <br/>上述d)中，使供給第1RF電力之第3期間、與不供給上述RF電力或供給相較上述第1RF電力小之第2RF電力之第4期間反覆， <br/>於上述第3期間開始前開始上述第1期間。
如請求項1之電漿處理方法，其中 <br/>上述c)中，供給至上述基板支持部之上述具有負極性之脈衝電壓之絕對值為0.5 kV以上且20 kV以下。
一種電漿處理方法，其具備以下步驟： <br/>a)於電漿處理腔室內之基板支持部上，提供具有含矽膜、與上述含矽膜上之遮罩之基板； <br/>b)對上述電漿處理腔室內供給處理氣體； <br/>c)對上述基板支持部週期性地供給脈衝電壓；及 <br/>d)週期性地供給RF電力，藉由上述RF電力自上述處理氣體產生電漿而對上述含矽膜進行蝕刻；且 <br/>上述脈衝電壓以使上述電漿與上述基板之間產生電位差之方式供給至上述基板支持部， <br/>上述c)中，使供給第1脈衝電壓之第1期間、與不供給上述脈衝電壓或供給相較上述第1脈衝電壓小之第2脈衝電壓之第2期間反覆， <br/>上述d)中，使供給第1RF電力之第3期間、與不供給上述RF電力或供給相較上述第1RF電力小之第2RF電力之第4期間反覆， <br/>於上述第3期間開始前開始上述第1期間。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述c)包含將直流電壓進行波形成形，作為上述脈衝電壓供給至上述基板支持部。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1期間係相較上述第3期間之開始提前1 μsec以上且20 μsec以下開始。
如請求項5之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1期間係相較上述第3期間之開始提前3 μsec以上且14 μsec以下開始。
如請求項6之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1期間係相較上述第3期間之開始提前5 μsec以上且10 μsec以下開始。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>自開始上述第1期間起至開始上述第3期間為止之期間所包含之脈衝電壓之波數為1波形以上且6波形以下。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1期間之上述脈衝電壓之導通、斷開之週期之倒數即第1頻率為100 kHz以上且3.2 MHz以下。
如請求項9之電漿處理方法，其中 <br/>於上述第1期間，表示上述脈衝電壓之導通時間之比率之第1工作比為30%以下。
如請求項10之電漿處理方法，其中 <br/>上述第1工作比為20%以下。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>於上述c)中，上述第1期間與上述第2期間之週期之倒數即第2頻率為0.1 kHz以上且20 kHz以下。
如請求項12之電漿處理方法，其中 <br/>於上述c)中，表示上述第1期間之比率之第2工作比為40%以下。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述脈衝電壓具有矩形波、三角波、脈衝波形、梯形波、或該等之組合之脈衝波形。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述含矽膜為氧化矽膜、氮化矽膜、矽鍺膜、或碳化矽膜、或包含2種以上該等膜之積層膜之任一者。
如請求項15之電漿處理方法，其中 <br/>上述含矽膜為氧化矽膜、或氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜。
如請求項1至3中任一項之電漿處理方法，其中 <br/>上述遮罩為多晶矽膜、摻硼矽膜、有機膜或含鎢膜。
如請求項17之電漿處理方法，其中 <br/>上述含鎢膜為矽化鎢膜或碳化鎢硼膜。
一種電漿處理裝置，其具備： <br/>處理腔室，其具有氣體供給口及氣體排出口； <br/>基板支持部，其配置於上述處理腔室內； <br/>電漿產生部；及 <br/>控制部；且 <br/>上述控制部以執行以下處理之方式構成，該處理包含以下步驟，即 <br/>a)於上述基板支持部上，配置具有含矽膜與上述含矽膜上之遮罩之基板； <br/>b)對上述處理腔室內供給處理氣體； <br/>c)對上述基板支持部週期性地供給脈衝電壓；及 <br/>d)週期性地供給RF電力，藉由上述RF電力自上述處理氣體產生電漿而對上述含矽膜進行蝕刻；且 <br/>上述脈衝電壓具有負極性， <br/>上述c)中，使供給第1脈衝電壓之第1期間、與不供給上述具有負極性之脈衝電壓或供給絕對值小於上述第1脈衝電壓之第2脈衝電壓之第2期間反覆， <br/>上述d)中，使供給第1RF電力之第3期間、與不供給上述RF電力或供給相較上述第1RF電力小之第2RF電力之第4期間反覆， <br/>於上述第3期間開始前開始上述第1期間。
如請求項19之電漿處理裝置，其進而具備直流電源與波形成形器， <br/>上述控制部於上述c)中，藉由上述波形成形器對由上述直流電源產生之直流電壓進行成形，且作為上述脈衝電壓週期性地供給至上述基板支持部。
一種形成聚醯亞胺氣凝膠之方法，包括：提供聚醯胺酸鹽的水性溶液，該聚醯胺酸鹽包括含有羧酸基的聚醯胺酸，其中，該羧酸基與鹼金屬陽離子結合且大於95%的羧酸基以羧酸鹽陰離子的形式存在，其中，該提供聚醯胺酸鹽的水性溶液包括：提供聚醯胺酸；添加該聚醯胺酸至水中，以形成該聚醯胺酸的水性懸浮液；以及添加鹼至該聚醯胺酸的水性懸浮液中，以形成該聚醯胺酸鹽的水性溶液；亞胺化該聚醯胺酸鹽，以形成聚醯亞胺凝膠；乾燥該聚醯亞胺凝膠，以形成該聚醯亞胺氣凝膠；以及視需要，轉化該聚醯亞胺氣凝膠為同形碳氣凝膠，該轉化包括在至少約650℃的溫度於惰性氣氛下熱解該聚醯亞胺氣凝膠。
如請求項1所述之方法，其中，該鹼金屬氫氧化物係氫氧化鋰、氫氧化鈉或氫氧化鉀。
如請求項1所述之方法，其中，以下一或多者適用：該聚醯胺酸包括選自由苯-1,2,4,5-四羧酸、[1,1'-聯苯]-3,3',4,4'-四羧酸、4,4'-氧代二鄰苯二甲酸、4,4'-磺醯基二鄰苯二甲酸、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸、4,4'-(丙烷-2,2-二基)二苯二甲酸、4,4'-(全氟丙烷-2,2-二基)二鄰苯二甲酸、萘-1,4,5,8-四羧酸、4-(2-(4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基)丙-2-基)鄰苯二甲酸、苝四羧酸及其組合所組成之群組；及/或該聚醯胺酸包括C2-C6亞烷基二胺，該C2-C6亞烷基的一或多個碳原子可選地經一或多個烷基取代；及/或該聚醯胺酸包括1,3-苯二胺、1,4-苯二胺、4,4'-亞甲基二苯胺、4,4'-二氨基二苯醚或其組合。
如請求項1所述之方法，其中，該聚醯亞胺凝膠為獨塊狀，並且其中，亞胺化該聚醯胺酸鹽包括將脫水劑添加至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中，以形成凝膠混合物，該方法還包括將該凝膠混合物倒入模具中，並使該凝膠混合物凝膠化。
如請求項1所述之方法，其中，該聚醯亞胺凝膠為獨塊狀，並且其中，亞胺化該聚醯胺酸鹽係熱進行的，該方法還包括：將δ-葡糖酸內酯添加至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中，以形成凝膠混合物；將該凝膠混合物倒入模具中，並使該凝膠混合物凝膠化；以水洗滌所得到的該聚醯胺酸凝膠；以及熱亞胺化該聚醯胺酸凝膠，以形成該聚醯亞胺凝膠，該熱亞胺化包括將該聚醯胺酸凝膠暴露至微波頻率照射下。
如請求項1所述之方法，其中，該聚醯亞胺凝膠為珠狀，並且其中，以下(i)至(iv)中的一者適用：(i)亞胺化該聚醯胺酸鹽包括將脫水劑添加至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中以形成凝膠混合物；該方法還包括將該凝膠混合物添加至水溶性酸的水性溶液中以形成該聚醯亞胺凝膠珠，添加包括將該凝膠混合物滴入該水溶性酸的該水性溶液中，利用壓力透過一或多個噴嘴將該凝膠混合物在壓力下噴灑入該水溶性酸的該水性溶液中；或將該凝膠混合物電噴灑入該水溶性酸的該水性溶液中；可選地，其中，該方法包括在約5至約60kV的電壓範圍內，透過一或多個針頭電噴灑該凝膠混合物；(ii)亞胺化該聚醯胺酸鹽包括添加脫水劑至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中，以形成凝膠混合物，該方法還包括添加該凝膠混合物至可選地包含酸的水不混溶性溶劑中，添加包括將該凝膠混合物滴入該水不混溶性溶劑中、利用壓力透過一或多個噴嘴將該凝膠混合物在壓力下噴灑入該水不混溶性溶劑中或者電噴灑該凝膠混合物至該水不混溶性溶劑中；(iii)亞胺化該聚醯胺酸鹽包括添加脫水劑至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中，以形成凝膠混合物，該方法還包括將該凝膠混合物與包括界面活性劑的水不混溶性溶劑結合；及在高剪切條件下混合所得的混合物；或者(iv)亞胺化該聚醯胺酸鹽包括化學性亞胺化，該方法包括：結合該聚醯胺酸鹽的水性溶液與包括界面活性劑的水不混溶性溶劑；在高剪切條件下混合該所得的混合物，以形成準穩態乳化劑；以及添加脫水劑至該準穩態乳化劑中。
一種形成珠狀的聚醯胺酸氣凝膠之方法，包括：提供聚醯胺酸鹽的水性溶液，該聚醯胺酸鹽包括含有羧酸基的聚醯胺酸，其中，該羧酸基與陽離子物種結合且大於95%的羧酸基以羧酸鹽陰離子的形式存在；亞胺化該聚醯胺酸鹽，以形成聚醯亞胺凝膠，其中，該亞胺化包括添加脫水劑至該聚醯胺酸鹽的水性溶液中，以形成凝膠混合物；添加該凝膠混合物至水不混溶性溶劑中，其中，該添加包括將該凝膠混合物滴入該水不混溶性溶劑中、利用壓力透過一或多個噴嘴將該凝膠混合物在壓力下噴灑入該水不混溶性溶劑中或者電噴灑該凝膠混合物至該水不混溶性溶劑中；以及乾燥該聚醯胺酸凝膠，以形成該聚醯胺酸氣凝膠。
如請求項1或7所述之方法，其中，該聚醯亞胺凝膠在乾燥之前含有量大於約75體積%的殘留水。
一種藉由請求項1至6中任一項所述之方法製備的聚醯亞胺氣凝膠或碳氣凝膠。
一種保持台之製造方法，其特徵在於，具備： <br/>第一槽形成步驟，其在板狀物的正面形成沿著第一方向之多個第一槽； <br/>第二槽形成步驟，其將該板狀物翻面，在該板狀物的背面形成沿著與該第一方向交叉之第二方向之多個第二槽； <br/>吸引板形成步驟，其將分別形成有多個該第一槽與多個該第二槽之多個該板狀物重疊，將多個該板狀物一體化而形成吸引板；以及 <br/>容納步驟，其將該吸引板容納於已在上表面形成容納凹部之框體的該容納凹部而形成保持台， <br/>該第一槽及該第二槽未到達該板狀物的側面， <br/>該第一槽的深度及該第二槽的深度之和大於該板狀物的厚度，該第一槽及該第二槽互相連通， <br/>該吸引板的厚度大於該容納凹部的深度。
如請求項1之保持台之製造方法，其中， <br/>在該第一槽形成步驟中，藉由以圓環狀的切割刀片切割該板狀物的該正面側而形成該第一槽， <br/>在該第二槽形成步驟中，藉由以該切割刀片切割該板狀物的該背面側而形成該第二槽。
如請求項1之保持台之製造方法，其中， <br/>在該第一槽形成步驟中，將會被該板狀物吸收之波長的雷射光束照射於該板狀物的該正面側，藉由燒蝕加工而形成該第一槽， <br/>在該第二槽形成步驟中，將該雷射光束照射於該板狀物的該背面側，藉由燒蝕加工而形成該第二槽。
如請求項1至3項中任一項之保持台之製造方法，其中，在該容納步驟中，藉由接著材而將該吸引板固定於該框體的該容納凹部。
如請求項1至3項中任一項之保持台之製造方法，其中，在該吸引板形成步驟之前，進一步具備：蝕刻步驟，其蝕刻多個該板狀物各自的該正面側及該背面側。
如請求項1至3項中任一項之保持台之製造方法，其中，該板狀物係與以該保持台所保持之被加工物為相同素材。
如請求項1至3項中任一項之保持台之製造方法，其中，多個該第一槽的間隔與多個該第二槽的間隔之一者或兩者係離該板狀物的中心愈遠而愈窄。
一種供電用線束，包括： <br/>一第一連接器，可以連接至電源； <br/>一第二連接器，可以連接至設有單一致動器的供電用連接器，長方向的至少一部份，具有以並排地設置的複數個小直徑線纜組成的一可動區域； <br/>一連接線纜，連接該第一連接器和該第二連接器；以及 <br/>一載體，圍繞該可動區域的至少一部份，並引導該可動區域的移動； <br/>其中，該載體的內部空間，區分有複數個小空間，各該小直徑線纜沿著該載體的長度方向貫穿該些小空間； <br/>其中，該些小空間具有相同的尺寸，該些小空間的數量，相較於該些小直徑電纜的數量多； <br/>其中，全部的該些小直徑線纜的容許電流值之和，滿足該連接線纜的容許電流值。
一種機器人，包括： <br/>受支撐且可以相對移動的一第一構件及一第二構件；及 <br/>如請求項1所述之供電用線束； <br/>其中，該載體的一端被固定於該第一構件，該載體的另一端被固定於該第二構件。
一種供電用線束，包括： <br/>一第一連接器，可以連接至電源； <br/>一第二連接器，可以連接至設有單一致動器的供電用連接器； <br/>一連接線纜，連接該第一連接器和該第二連接器；以及 <br/>該連接線纜的長方向的至少一部份，具有以並排地設置的複數個小直徑線纜組成的一可動區域，其中，該長方向的一另一部分，具有將該小直徑線纜集整合成一根之一區域； <br/>其中，全部的該些小直徑線纜的容許電流值之和，滿足該連接線纜的容許電流值。
如請求項3所述之供電用線束，更包括一載體，圍繞該可動區域的至少一部份，並引導該可動區域的移動，其中，該載體的內部空間，區分有複數個小空間，各該小直徑線纜沿著該載體的長度方向貫穿該些小空間。
如請求項4所述之供電用線束，其中，該些小空間具有相同的尺寸，該些小空間的數量，相較於該些小直徑電纜的數量多。
一種機器人，包括： <br/>受支撐且可以相對移動的一第一構件及一第二構件；及 <br/>如請求項4或5所述之供電用線束； <br/>其中，該載體的一端被固定於該第一構件，該載體的另一端被固定於該第二構件。
一種式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="210px" width="211px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中：R<sub>1</sub>為-C(R<sub>2</sub>)(R<sub>3</sub>)-[C(R<sub>4</sub>)(R<sub>5</sub>)]<sub>m</sub>-L-R<sub>6</sub>或-R<sub>7</sub> m表示0、1、2或3；R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>獨立地表示氫原子、氘原子、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基-OH基團、-C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷氧基或-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基；R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>獨立地表示氫原子、氘原子、氟原子、-NH<sub>2</sub>基團、-OH基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、-CF<sub>3</sub>基團、羧基或-R<sub>8</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基-R<sub>9</sub>基團，其中：R<sub>8</sub>表示鍵、-O-、-OC(=O)-基團、-N(H)C(=O)-基團、-C(=O)O-基團或-C(=O)N(H)-基團；R<sub>9</sub>表示氫原子、-C(=O)-OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-OH基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-NH<sub>2</sub>基團；或者R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>可以與它們所附接的碳原子一起形成包含3至5個碳原子並且包含1或2個選自氧和氮的雜原子的雜環烷基；L表示鍵、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-伸烷基-基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-伸烷基-基團、-O-、-OC(=O)-基團、-N(H)-基團、-C(=O)-基團、-C(=O)O-基團、-C(=O)-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-基團、-C(=O)-N(H)-或-CONH(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基-基團；R<sub>6</sub>選自-OH基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、苯基、包含3至5個碳原子並且包含1至2個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的單環雜芳基、包含7至10個碳原子並且包含1至4個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子的鄰位稠合雙環雜芳基、包含8至11個碳原子的鄰位稠合雙環環烷基、和包含8至9個碳原子並且包含1或2個獨立地選自氧和氮的雜原子的鄰位稠合雙環雜環烷基；所述苯基、單環雜芳基、鄰位稠合雙環雜芳基、鄰位稠合雙環環烷基、鄰位稠合雙環雜環烷基未被取代或被1至3個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、-OH基團、側氧基、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、-NO<sub>2</sub>基團、-CN基團、-C(=O)H基團、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-OCH<sub>2</sub>C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-R<sub>10</sub>基團和-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團，所述-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團未被取代或在(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基上被1至3個獨立地選自-OH基團、-NH<sub>2</sub>基團和-OCH<sub>3</sub>基團的取代基取代；其中n表示1、2或3；R<sub>10</sub>表示-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)-烷基、-N<sup>+</sup>-(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>基團或-N<sup>+</sup>H-(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>基團；R<sub>11</sub>表示鍵、-O-或-C(=O)O基團；R<sub>12</sub>表示-OH基團、-C(=O)OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NH<sub>2</sub>基團、-NH-C(=O)(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)H基團、雜環基團或-O-雜環基團，所述雜環基團和所述-O-雜環基團包含3至9個碳原子並且包含1至3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子，未被取代或被1至3個獨立地選自側氧基和-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基的取代基取代；R<sub>7</sub>表示苯基、包含4至7個碳原子的單環環烷基、包含3至6個碳原子並且包含1至2個獨立地選自氧和氮的雜原子的單環雜環烷基、包含8至11個碳原子的鄰位稠合雙環環烷基、或包含8至9個碳原子並且包含1或2個獨立地選自氧和氮的雜原子的鄰位稠合雙環雜環烷基；其中所述苯基未被取代或被1至3個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基和嗎啉基團；所述單環環烷基、單環雜環烷基、鄰位稠合雙環雜環烷基未被取代或被1至3個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、側氧基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基、苯基、-O-基團、苄基、-OH基團和-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基；但排除以下化合物：<figure><img align="absmiddle" height="158px" width="255px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中R<sub>1</sub>表示-C(R<sub>2</sub>)(R<sub>3</sub>)-[C(R<sub>4</sub>)(R<sub>5</sub>)]<sub>m</sub>-L-R<sub>6</sub>基團；m表示0或1。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其具有對應於式(Ia)的化合物的絕對組態，<figure><img align="absmiddle" height="230px" width="371px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中：m表示0或1；R<sub>6</sub>表示苯基，其中所述苯基未被取代或被1至3個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、-OH基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NO<sub>2</sub>基團、-CN基團、-C(=O)H基團、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-OCH<sub>2</sub>C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-R<sub>10</sub>基團和-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團，所述-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團未被取代或在(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基上被1至3個獨立地選自-OH基團、-NH<sub>2</sub>基團和-OCH<sub>3</sub>基團的取代基取代；其中n表示1、2或3；R<sub>10</sub>表示-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-N<sup>+</sup>-(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>基團或-N<sup>+</sup>H-(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>基團；R<sub>11</sub>表示鍵、-O-或-C(=O)O基團；R<sub>12</sub>表示-OH基團、-C(=O)OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NH<sub>2</sub>基團、-NH-C(=O)(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)H基團、雜環基團或-O-雜環基團，所述雜環基團和所述-O-雜環基團包含3至9個碳原子並且包含1至3個獨立地選自氧、氮和硫的雜原子，未被取代或被1至3個獨立地選自側氧基和-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基的取代基取代。
如請求項3所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中，在式(Ia)中，R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>獨立地表示氫原子、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-OH基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷氧基；R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>獨立地表示氫原子、氘原子、氟原子、-NH<sub>2</sub>基團、-OH基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-CF<sub>3</sub>基團或-R<sub>8</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)-烷基-R<sub>9</sub>基團，其中：R<sub>8</sub>表示鍵、-O-、-OC(=O)-基團、-N(H)C(=O)-基團、-C(=O)O-基團或-C(=O)N(H)-基團；R<sub>9</sub>表示氫原子、-C(=O)-OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-OH基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-NH<sub>2</sub>基團；L表示鍵、-O-、-OC(=O)-基團、-C(=O)-基團、-C(=O)O-基團、-C(=O)-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-基團或-C(=O)-N(H)-；R<sub>6</sub>表示苯基，其中所述苯基未被取代或被1至3個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、-OH基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NO<sub>2</sub>基團、-CN基團、-C(=O)H基團、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-OCH<sub>2</sub>C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-R<sub>10</sub>基團和-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團，所述-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團未被取代或在(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基上被1至3個獨立地選自-OH基團、-NH<sub>2</sub>基團和-OCH<sub>3</sub>基團的取代基取代；其中n表示1、2或3；R<sub>10</sub>表示-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-N<sup>+</sup>-(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>基團或-N<sup>+</sup>H-(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>基團；R<sub>11</sub>表示鍵、-O-或-C(=O)O基團；R<sub>12</sub>表示-OH基團、-C(=O)OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NH<sub>2</sub>基團、-NH-C(=O)(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)H基團。
如請求項3所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中，在式(Ia)中，m表示1；R<sub>2</sub>和R<sub>3</sub>獨立地表示氫原子、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-OH基團；R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>獨立地表示氫原子、氘原子、氟原子、-NH<sub>2</sub>基團、-OH基團、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-CF<sub>3</sub>基團，L表示鍵或-C(=O)-基團；R<sub>6</sub>表示苯基，其中所述苯基未被取代或被1至2個獨立地選自以下的取代基取代：鹵素原子、-OH基團、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NO<sub>2</sub>基團、-CN基團、-C(=O)H基團、-SO<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-OCH<sub>2</sub>C(=O)NH<sub>2</sub>基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-(OCH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-R<sub>10</sub>基團和-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團，所述-R<sub>11</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基-R<sub>12</sub>基團未被取代或在(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷基上被-OH基團或-NH<sub>2</sub>基團取代；其中n表示1、2或3；R<sub>10</sub>表示-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-N<sup>+</sup>-(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>基團；R<sub>11</sub>表示鍵、-O-或-C(=O)O基團；R<sub>12</sub>表示-OH基團、-C(=O)OH基團、-C(=O)O(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-C(=O)N(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基、-NH<sub>2</sub>基團、-NH-C(=O)(C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>)-烷基或-C(=O)H基團。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(3-羥基苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷甲醯胺。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為2-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(2-(2-羥基乙基)苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸甲酯。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為(1S,2S,5R)-N-(2-(2-胺基-2-側氧基乙氧基)苯乙基)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為(1S,2S,5R)-1-羥基-N-((S)-2-羥基-2-苯基乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯。
如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物為(1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基-N-((3-苯基氧雜環丁烷-3-基)甲基)環己烷-1-甲醯胺。
一種用於製備如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽的方法，其包括使化合物(中間體4)<figure><img align="absmiddle" height="186px" width="153px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>與式(Ic)的化合物或式(Id)的化合物進行耦合反應<figure><img align="absmiddle" height="81px" width="405px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>其中m、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>、L、R<sub>7</sub>如請求項1中所定義。
一種如請求項1所定義之式(I)化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中該化合物選自以下組成之群組：(1S,2S,5R)-1-羥基-N-((S)-2-羥基-2-苯基乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺；2-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯；(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(3-羥基苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺；3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯；(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(2-(2-羥基乙基)苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺；3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸甲酯；(1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基-N-((3-苯基氧雜環丁烷-3-基)甲基)環己烷-1-甲醯胺；和(1S,2S,5R)-N-(2-(2-胺基-2-側氧基乙氧基)苯乙基)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1所述的式(I)的化合物或醫藥上可接受的鹽和至少一種醫藥上可接受的賦形劑。
如請求項16所述的醫藥組合物，其中所述式(I)的化合物選自以下組成之群組：(1S,2S,5R)-1-羥基-N-((S)-2-羥基-2-苯基乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺、2-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯、(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(3-羥基苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺、3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸2-羥乙基酯、(1S,2S,5R)-1-羥基-N-(2-(2-羥基乙基)苯乙基)-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺、3-(2-((1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺基)乙基)苯甲酸甲酯、(1S,2S,5R)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基-N-((3-苯基氧雜環丁烷-3-基)甲基)環己烷-1-甲醯胺及(1S,2S,5R)-N-(2-(2-胺基-2-側氧基乙氧基)苯乙基)-1-羥基-2-異丙基-5-甲基環己烷-1-甲醯胺。
一種如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽在製備治療涉及TRPM8受體活化的疾病之藥物的用途。
一種如請求項1所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽在製備治療口咽性吞咽困難(oropharyngeal dysphagia)之藥物的用途。
一種藥物，其特徵在於包含如請求項1至5中任一項所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽。
如請求項1至5中任一項所述的式(I)的化合物或其醫藥上可接受的鹽，用於治療口咽性吞咽困難。
一種錫合金鍍液，其包含(A)至少含有亞錫鹽的可溶性鹽或氧化物，(B)比錫貴重之金屬的可溶性鹽或氧化物，(C)由碳原子之數為4個以上6個以下的糖醇所構成之錫的錯合劑，(D)游離酸，與(E)抗氧化劑；前述錫的錯合劑之含量為1g/L以上5g/L以下，前述比錫貴重之金屬的可溶性鹽或氧化物之含量為0.1g/L以上2g/L以下，二價錫離子(Sn<sup>2+</sup>)濃度為30g/L以上。
如請求項1之錫合金鍍液，其pH為3以下。
如請求項1之錫合金鍍液，其中前述比錫貴重之金屬為銀或銅。
如請求項1之錫合金鍍液，其在剛剛建浴後或在遮光容器密封條件下於40℃保管6個月後，四價錫離子(Sn<sup>4+</sup>)濃度為5g/L以下。
一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括： <br/>一面板驅動器，該面板驅動器被配置為驅動一面板的多條閘極線和多條資料線並驅動和感測多個觸控電極； <br/>一時序控制器，該時序控制器被配置為控制該面板驅動器的一操作；以及 <br/>一觸控控制器，該觸控控制器被配置為控制該面板驅動器的一觸控電極驅動和一感測操作， <br/>其中，該時序控制器針對發生觸控的一觸控節點與未發生觸控的一觸控節點之間的狀況差異或多個觸控節點之間的物理結構差異來補償一顯示信號， <br/>其中，該時序控制器透過施加一預設補償值來補償供應到發生觸控的該觸控節點所處的一觸控發生區域的多個子像素或者供應到根據該些觸控節點之間的物理結構差異而設置為一補償區域的一觸控節點的該些子像素的一資料信號和一閘極信號中至少一者。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器透過施加該預設補償值，額外補償供應到該些觸控電極當中的具有不同尺寸的多個觸控電極所處的該些子像素的該資料信號和該閘極信號中至少一者。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中： <br/>與每個該觸控節點交疊的該些子像素根據與一相鄰觸控節點的一距離被劃分為多個補償區域；並且 <br/>透過向每個該子像素施加根據該些補償區域的一不同補償值或一相同補償值，該時序控制器補償將供應到該觸控發生區域的該些子像素或該補償區域的該些子像素的資料。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器透過向每個該子像素施加一不同補償值或一相同補償值來補償將供應到該觸控發生區域或該補償區域的該些子像素的該閘極信號的脈衝寬度。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器： <br/>從該觸控控制器接收發生觸控的每個該觸控節點的一位置資訊，並決定相應的該些子像素是被包括在該觸控發生區域或一觸控未發生區域中；或 <br/>從該觸控控制器接收每個該觸控節點的物理結構資訊和該位置資訊，並決定相應的該些子像素是被包括在該觸控發生區域或該觸控未發生區域中。
如請求項1所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器： <br/>生成用於將每個幀時段分時驅動為每個顯示操作時段和每個觸控操作時段的一觸控同步信號； <br/>基於該觸控同步信號來控制該面板驅動器以引導該面板在每個該顯示操作時段期間執行一顯示操作；以及 <br/>與該觸控控制器共用該觸控同步信號，並控制該面板驅動器以引導該面板在每個該觸控操作時段期間執行一觸控操作。
如請求項6所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器包括： <br/>一記憶體，該記憶體被配置為儲存一輸入資料； <br/>一補償資訊暫存器，該補償資訊暫存器被配置為儲存該補償區域的一位置資訊和一補償值；以及 <br/>一顯示資料計算器，該顯示資料計算器在每個該顯示操作時段期間在該觸控發生區域或該補償區域中包括該子像素的情況下，被配置為根據從該補償資訊暫存器提供的該補償區域的該位置資訊施加該補償值於從該記憶體輸出的該資料，輸出補償後該資料，並且在該子像素被包括在該觸控未發生區域或一非補償區域中的情況下不加補償地輸出來自該記憶體的該資料。
如請求項7所述之觸控顯示裝置，其中，在每個該顯示操作時段期間，在由於該些觸控電極之間的尺寸差異而導致該補償資訊暫存器中儲存該補償區域的該子像素的情況下，該顯示資料計算器將來自該補償資訊暫存器的該補償值施加於從該記憶體輸出的該資料，並輸出補償後該資料。
如請求項7所述之觸控顯示裝置，其中，該時序控制器包括： <br/>一閘極控制信號計算器，該閘極控制信號計算器被配置為在每個該顯示操作時段期間在該觸控發生區域中包括該子像素或者在該補償資訊暫存器中儲存該補償區域的子像素的情況下，生成用於根據從該補償資訊暫存器提供的該補償區域的該位置資訊和該補償值來調整相應的該閘極信號的一脈衝寬度的一調整信號；以及 <br/>一閘極控制信號產生器，該閘極控制信號產生器被配置為在每個該顯示操作時段期間使用多個同步信號和該調整信號來生成和輸出用於控制該面板驅動器的一閘極驅動器的多個閘極控制信號。
如請求項6所述之觸控顯示裝置，其中，該面板驅動器包括： <br/>一觸控資料驅動器，該觸控資料驅動器被配置為在每個該顯示操作時段期間向該些資料線供應該資料信號並向該些觸控電極供應一公共電壓，在每個該觸控操作時段期間向該些資料線和相應的該些觸控電極供應該觸控同步信號、讀取相應的該些觸控電極的電容變化並輸出一觸控感測資料；以及 <br/>一閘極驅動器，該閘極驅動器被配置為在每個該顯示操作時段期間向相應的該些閘極線供應一閘極信號，並在每個該觸控操作時段期間向該些閘極線供應具有與該觸控同步信號相同的相位和相同的振幅的一閘極調變信號。
一種驅動觸控顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟： <br/>使用一觸控同步信號將每個幀時段時分為每個顯示操作時段和每個觸控操作時段； <br/>在每個該觸控操作時段期間在一觸控發生區域上生成一資訊，該資訊包括發生觸控的每個觸控節點的一位置資訊；以及 <br/>在每個該顯示操作時段期間，補償供應到發生觸控的該觸控節點所處的該觸控發生區域的多個子像素或者供應到根據每個該觸控節點的物理結構差異而作為一補償區域的該觸控節點的該些子像素的一顯示信號， <br/>其中，該顯示信號的補償透過施加一預設補償值來補償供應到該觸控發生區域或該補償區域的該些子像素的一資料信號和一閘極信號中至少一者。
如請求項11所述之驅動觸控顯示裝置的方法，該方法還包括在每個該顯示操作時段期間，透過施加該預設補償值來補償供應到具有不同尺寸的多個觸控電極所處的該些子像素的該資料信號和該閘極信號中至少一者。
如請求項11所述之驅動觸控顯示裝置的方法，其中： <br/>與每個該觸控節點交疊的該些子像素根據與ㄧ相鄰觸控節點的一距離被劃分為多個補償區域；並且 <br/>補償該顯示信號的步驟包括： <br/>透過向每個子像素施加根據該些補償區域的一不同補償值或一相同補償值，補償將供應到該觸控發生區域或該補償區域的該些子像素的資料；或 <br/>透過向每個該子像素施加該不同補償值或該相同補償值來補償將供應到該觸控發生區域的該些子像素或該補償區域的該些子像素的該閘極信號的一脈衝寬度。
一種時序控制器，該時序控制器針對一面板中發生觸控的一觸控節點與未發生觸控的一觸控節點之間的狀況差異或多個觸控節點之間的物理結構差異來補償一顯示信號， <br/>其中，施加一預設補償值以補償供應到發生觸控的該觸控節點所處的一觸控發生區域的多個子像素或者供應到根據該面板中該些觸控節點之間的物理結構差異而作為一補償區域的該觸控節點的該些子像素的一資料信號和一閘極信號中至少一者。
如請求項14所述之時序控制器，其中，施加該預設補償值以額外補償供應到多個觸控電極當中的具有不同尺寸的該些觸控電極所處的該子像素的該資料信號和該閘極信號中至少一者。
如請求項14所述之時序控制器，其中： <br/>與每個該觸控節點交疊的該些子像素根據與一相鄰觸控節點的一距離被劃分為該面板中的多個補償區域；並且 <br/>向每個該子像素施加根據該些補償區域的一不同補償值或一相同補償值，以補償將供應到該觸控發生區域的該些子像素或該補償區域的該些子像素的資料。
如請求項14所述之時序控制器，其中，向每個該子像素施加一不同補償值或一相同補償值，以補償將供應到該補償區域的該些子像素的該閘極信號的一脈衝寬度。
一種記憶體裝置，包含：<br/> 一記憶體陣列，具有以列及行佈置的單元，其中在該等列的每一者中的該等單元的一子集保持每一列的一列啟用計數；<br/> 一計數器單元，該計數器單元：<br/> 回應於藉由對該列的至少一部分的一讀取操作導致的一列的一啟用，在該讀取操作的一完成之前遞增該等列的至少一者的該列啟用計數，其中該列的該啟用導致該列被讀出到一列緩衝器；並且<br/> 以繞過該列緩衝器的一方式將處於一遞增狀態的該列啟用計數寫回到在該啟用之前保持該列啟用計數的該列中的該等單元的該子集；以及<br/> 一服務單元，耦合到該計數器單元，回應於與滿足服務準則的一列相關聯的該列啟用計數，關於從該列偏移的一或多個其他列執行一服務。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該服務單元包含一刷新單元，該服務準則包含刷新準則，該服務包含該刷新單元刷新該一或多個其他列，並且該計數器單元包含：<br/> 遞增電路系統，遞增該列啟用計數；以及<br/> 警告電路系統，警告該刷新單元該列的該列啟用計數已滿足該刷新準則。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中該遞增電路系統包含：<br/> 讀取電路系統，從該列緩衝器讀出該列啟用計數；<br/> 加法器電路系統，使該列啟用計數遞增一；以及<br/> 寫入電路系統，將處於一遞增狀態的該列啟用計數直接寫回到從中讀取其的該列。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中該刷新單元包含：<br/> 刷新電路系統，在刷新週期期間刷新指定列；<br/> 追蹤電路系統，儲存該一或多個其他列的每一者的一標識；以及<br/> 控制電路系統，導引該刷新電路系統在該等刷新週期的一下一者上刷新該一或多個其他列。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該列包含處於一安全性利用的一侵入列，並且其中該一或多個其他列包含由該安全性利用靶向的犧牲列。
如請求項5所述之記憶體裝置，其中該記憶體陣列中的該等單元包含動態隨機存取記憶體(DRAM)單元。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該計數器單元回應於該列的一正常刷新歸零該列的該列啟用計數的一位元。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該服務單元包含一列複製單元、一列移動單元、及一列歸零單元的一或多者，並且其中該服務包含該列複製單元複製該一或多個列、該列移動單元移動該一或多個列、及該列歸零單元歸零該一或多個列的一或多者。
一種操作一記憶體裝置的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 將資料寫入該記憶體裝置中的一記憶體陣列及從該記憶體陣列讀取資料，其中該記憶體陣列包含以列及行佈置的單元，其中在該等列的每一者中的該等單元的一子集保持每一列的一列啟用計數；<br/> 在該記憶體裝置中的一計數器單元中，回應於一列的一啟用，遞增該等列的至少一者的該列啟用計數，其中該列的該啟用導致該列被讀出到一列緩衝器；<br/> 在該記憶體裝置中的該計數器單元中，以繞過該列緩衝器的一方式將處於一遞增狀態的該列啟用計數寫回到在該啟用之前保持該列啟用計數的該列中的該等單元的該子集；以及<br/> 在耦合到該計數器單元的一服務單元中，回應於與滿足服務準則的該列相關聯的該列啟用計數，關於從該列偏移的一或多個其他列執行一服務。
如請求項9所述之方法，其中：該服務單元包含一刷新單元，執行該服務包含該刷新單元刷新該一或多個其他列，並且該服務準則包含刷新準則。
如請求項10所述之方法，其中：在該記憶體陣列中的該等單元包含動態隨機存取記憶體(DRAM)單元；該列包含處於一安全性利用的一侵入列；以及該一或多個其他列包含由該安全性利用靶向的犧牲列。
一種計算設備，包含：<br/> 複數個記憶體裝置；<br/> 一控制器，控制對該複數個記憶體裝置的存取；<br/> 其中該等記憶體裝置的每一者包含：<br/> 一記憶體陣列，包含以列及行佈置的單元，其中在該等列的每一者中的該等單元的一子集保持每一列的一列啟用計數；<br/> 一計數器單元，該計數器單元：<br/> 回應於該列的一啟用，遞增該等列的至少一者的該列啟用計數，其中該列的該啟用導致該列被讀出到一列緩衝器；及<br/> 以繞過該列緩衝器的一方式將處於一遞增狀態的該列啟用計數寫回到在該啟用之前保持該列啟用計數的該列中的該等單元的該子集；以及<br/> 一服務單元，耦合到該計數器單元，回應於與滿足服務準則的該列相關聯的該列啟用計數，關於從該列偏移的一或多個其他列執行一服務。
如請求項12所述之計算設備，其中該服務單元包含一刷新單元，該服務包含該刷新單元對該一或多個其他列的一刷新，並且該服務準則包含刷新準則，並且其中該計數器單元包含：<br/> 遞增電路系統，遞增該列啟用計數；以及<br/> 警告電路系統，警告該刷新單元該列的該列啟用計數已滿足該刷新準則。
如請求項13所述之計算設備，其中該遞增電路系統包含：<br/> 讀取電路系統，從該列緩衝器讀出該列啟用計數；<br/> 加法器電路系統，使該列啟用計數遞增一；以及<br/> 寫入電路系統，將處於一遞增狀態的該列啟用計數直接寫回到從中讀取其的該列。
如請求項13所述之計算設備，其中該刷新單元包含：<br/> 刷新電路系統，在正常刷新週期期間刷新指定列；<br/> 追蹤電路系統，儲存該一或多個其他列的每一者的一標識；以及<br/> 控制電路系統，導引該刷新電路系統在該等正常刷新週期的一下一者之前刷新該一或多個其他列。
一種積體電路，包含：<br/> 一記憶體陣列，包含以列及行佈置的單元，其中在該等列的每一者中的該等單元的一子集保持每一列的一列啟用計數；<br/> 計數器電路系統，該計數器電路系統：<br/> 回應於該列的一啟用，遞增該等列的至少一者的該列啟用計數，其中該列的該啟用導致該列被讀出到一列緩衝器；及<br/> 以繞過該列緩衝器的一方式將處於一遞增狀態的該列啟用計數寫回到在該啟用之前保持該列啟用計數的該列中的該等單元的該子集；以及<br/> 刷新電路系統，耦合到該計數器電路系統，回應於與滿足刷新準則的該列相關聯的該列啟用計數，刷新從該列偏移的一或多個其他列。
如請求項16所述之積體電路，其中該計數器電路系統包含：<br/> 遞增電路系統，遞增該列啟用計數；以及<br/> 警告電路系統，警告該刷新單元該列的該列啟用計數已滿足該刷新準則。
如請求項17所述之積體電路，其中該遞增電路系統包含：<br/> 讀取電路系統，從該列緩衝器讀出該列啟用計數；<br/> 加法器電路系統，使該列啟用計數遞增一；以及<br/> 寫入電路系統，將處於一遞增狀態的該列啟用計數直接寫回到從中讀取其的該列。
如請求項18所述之積體電路，其中該刷新電路系統包含：<br/> 刷新電路系統，在正常刷新週期期間刷新指定列；<br/> 追蹤電路系統，儲存該一或多個其他列的每一者的一標識；以及<br/> 控制電路系統，導引該刷新電路系統在該等正常刷新週期的一下一者之前刷新該一或多個其他列。
如請求項16所述之積體電路，其中該計數器電路系統回應於該列的一正常刷新歸零該列的該列啟用計數的一位元。
一種管理裝置，包含： <br/>預測模型部，學習了控制對象中之時間T時之多變量控制值與該控制對象中之時間T＋ΔT時之多變量處理值之輸入輸出關係；以及， <br/>最佳化模型部，探索將由該預測模型部輸出之時間T＋ΔT時之多變量處理值與對應的目標值之間的各差值最小化之時間T時之多變量控制值，並利用探索出之該多變量控制值對該控制對象進行控制； <br/>該預測模型部，在管理該預測模型部的代理人根據實體空間中發生的事態，判斷必須變更控制値，因此有來自該代理人的要求時，預測在以指定之控制值控制該控制對象之情況下之該控制對象中的時間ΔT後之多變量處理值，並向該代理人輸出； <br/>具有設定該目標値的機能之該代理人，掌握該控制對象中之時間ΔT後之多變量處理值的變化並應對該事態。
如請求項1所述之管理裝置，更包含： <br/>第1學習部，對預測模型部進行學習處理，以使其在輸入了時間T時之多變量實測控制值之情況下的多變量輸出，接近時間T＋ΔT時之該控制對象中的多變量實測處理值。
如請求項1所述之管理裝置，更包含： <br/>第2學習部，對最佳化模型部進行學習處理，以使藉由輸入該控制對象中之時間T＋ΔT時之多變量實測處理值與對應的目標值之間的各差值而輸出之時間T時之多變量控制值，接近對該控制對象進行控制時之時間T時的多變量實測控制值。
一種預測方法，包含以下步驟： <br/>執行預測模型部之步驟，該預測模型部學習了控制對象中之時間T時之多變量控制值與該控制對象中之時間T＋ΔT時之多變量處理值的輸入輸出關係；以及， <br/>執行最佳化模型部之步驟，該最佳化模型部探索將由該預測模型部輸出之時間T＋ΔT時之多變量處理值與對應的目標值之間的各差值最小化之時間T時之多變量控制值，並利用探索出之該多變量控制值對該控制對象進行控制； <br/>該執行預測模型部之步驟中，在管理該預測模型部的代理人根據實體空間中發生的事態，判斷必須變更控制値，因此有來自該代理人之要求時，預測以指定之控制值對該控制對象進行控制之情況下的該控制對象中之時間ΔT後的多變量處理值，並向該代理人輸出； <br/>具有設定該目標値的機能之該代理人，掌握該控制對象中之時間ΔT後之多變量處理值的變化並應對該事態。
一種預測程式，係用以由電腦執行以下步驟：執行預測模型部之步驟，該預測模型部學習了控制對象中之時間T時之多變量控制值與該控制對象中之時間T＋ΔT時之多變量處理值的輸入輸出關係；以及執行最佳化模型部之步驟，該最佳化模型部探索將由該預測模型部輸出之時間T＋ΔT時之多變量處理值與對應的目標值之間的各差值最小化之時間T時之多變量控制值，並利用探索出之該多變量控制值對該控制對象進行控制； <br/>該執行預測模型部之步驟中，在管理該預測模型部的代理人根據實體空間中發生的事態，判斷必須變更控制値，因此有來自該代理人之要求時，預測以指定之控制值對該控制對象進行控制之情況下的該控制對象中之時間ΔT後的多變量處理值，並向該代理人輸出； <br/>具有設定該目標値的機能之該代理人，掌握該控制對象中之時間ΔT後之多變量處理值的變化並應對該事態。
一種替芯盒，其特徵為：具備：盒本體，將由背面板與左右的腳板所圍繞的內側空間作為替芯收容室，並隔著施作於前述背面板之長度方向的前端部附近之可彎曲的薄壁部，在前端部側形成蓋體部，並在後部側形成盒部；蓋構件，藉由前面板與左右的外側腳板，使正交於長度方向的剖面成形為ㄈ字型，以前述前面板覆蓋前述盒本體側的替芯收容室，並使前述盒本體的腳板位於前述外側腳板的內側，而將盒本體支承成可滑動於長度方向，在前述蓋體部的至少其中一個腳板、與覆蓋該腳板之蓋構件側的外側腳板的其中任一個，沿著前述長度方向形成有導引體，並在其中另一個形成有接觸前述導引體的滑動體，伴隨著將前述盒本體的蓋體部從前述蓋構件的前端部送出的滑動動作，藉由前述滑動體對前述導引體的滑接，而隔著前述薄壁部，作用使前述蓋體部朝背面側彎曲的轉動動作。
如請求項1所記載的替芯盒，其中更進一步具備：被安裝於前述盒本體之左右的腳板，並在前面側覆蓋前述替芯收容室的內蓋，在前述盒本體之背面板的前述替芯收容室側的內面、及前述內蓋之替芯收容室側的內面分別施作：避免與所收容的替芯形成面接觸的突起。
如請求項1所記載的替芯盒，其中前述導引體，在前述蓋體部之腳板的外側，以突出成沿著長度方向延伸之軌道狀的狀態所形成，並且前述滑動體，在藉由前述滑動動作而送出前述蓋體部之蓋構件的前端部，以接觸前述導引體的方式突出而形成，藉由在前述導引體，從前述前端部朝向前述薄壁部側，形成相對於前述背面板而分離的傾斜領域，而伴隨著前述滑動動作，隔著前述薄壁部對前述蓋體部施加朝背面側彎曲的轉動動作。
如請求項1所記載的替芯盒，其中在前述蓋體部的前端部形成有：連結左右的前述腳板並封閉前述前端部的封閉板，將前述蓋體部收容於前述蓋構件，且在正面觀視前述蓋構件之前述前面板的狀態下，前述封閉板可視覺辨識地配置於前述蓋構件的前端部。
如請求項1所記載的替芯盒，其中前述盒本體與前述蓋構件皆由樹脂材料所形成，在前述盒本體之背面板的背面形成有：被排列在正交於長度方向之方向的大量線狀的突起群，在前述蓋構件之前面板的表面形成有凹槽。
如請求項2所記載的替芯盒，其中滑動用肋沿著前述內蓋的長度方向形成於前述內蓋的外表面，且前述蓋構件的內底面為粗糙面。
如請求項1所記載的替芯盒，其中在前述盒本體設有朝前述腳板的外側突出的操作部，藉由相對於前述蓋構件的長度方向使前述操作部相對移動，而實現從前述蓋構件的前端部送出前述盒本體之蓋體部的滑動動作。
一種替芯盒，具備有：藉由在主面板的兩側一體地具備左右的腳板，使正交於長度方向的剖面成形為ㄈ字型，並以相對於前述左右的腳板成為向內的方式，將內部突出部一體地形成於前述腳板的替芯盒零件，其特徵為：在被前述替芯盒零件之左右的腳板所包夾的前述主面板的內底面，對前述內底面具有段差的第1段部，沿著前述內底面的長度方向中除了中央部以外之左右的腳板側形成，在前述左右的腳板相對向的內側面，對前述內側面具有段差的第2段部，連接於前述第1段部而形成在被前述左右的腳板所包夾之前述主面板的內底面，凹凸方向有別於前述第1段部的第3段部，形成在從前述第1段部分離的位置。
如請求項8所記載的替芯盒，其中前述第1段部，相對於前述內底面突出成形，前述第3段部，相對於前述內底面凹陷成形。
一種液壓控制裝置(1、2)，其係用於可執行防鎖死煞車控制之煞車系統（100），且安裝於跨騎式車輛（200）之把手（233）者，其係如下構成： <br/>將於上述防鎖死煞車控制中之減壓時自輪缸（253）逃逸之煞車液儲存於積儲器（58），將上述積儲器（58）內之上述煞車液無泵排出至上述積儲器（58）外； <br/>且具備： <br/>主缸一體型之基體（10），其形成有主缸（50）之活塞（51）往復移動自如地設置之活塞安裝孔（21）、連接於上述活塞安裝孔（21）而貯存上述煞車液之儲液罐（52）、及連通上述活塞安裝孔（21）與上述輪缸（253）之成為上述煞車液之流路之一部分之內部流路（40）； <br/>入口閥（56），其於形成於上述基體（10）之入口閥安裝孔（24）往復移動自如地設置，使上述內部流路（40）中自上述活塞安裝孔（21）流向上述輪缸（253）之上述煞車液所通過之流路開啟及關閉；及 <br/>出口閥（57），其於形成於上述基體（10）之出口閥安裝孔（26）往復移動自如地設置，使上述內部流路（40）中自上述輪缸（253）流向上述積儲器（58）之上述煞車液所通過之流路開啟及關閉； <br/>於上述基體（10）中，於將形成有上述儲液罐（52）之開口部（53）之面設為第1面（11），將該第1面（11）之相反面設為第2面（12）之情形時， <br/>上述入口閥安裝孔（24）及上述出口閥安裝孔（26）於上述第2面（12）開口， <br/>上述液壓控制裝置(1、2)且具備： <br/>壓力感測器（59），其設於形成於上述基體（10）之壓力感測器安裝孔（30），檢測上述內部流路（40）之上述煞車液之壓力； <br/>上述壓力感測器安裝孔（30）於上述第2面（12）開口。
如請求項1之液壓控制裝置(1、2)，其具備： <br/>作為上述入口閥（56）之驅動源之第1線圈（61）； <br/>作為上述出口閥（57）之驅動源之第2線圈（62）； <br/>控制基板（71），其與上述第1線圈（61）及上述第2線圈（62）電氣連接，控制對上述第1線圈（61）及上述第2線圈（62）之通電；及 <br/>殼體（80），其與上述基體（10）連接，內部收納有上述第1線圈（61）、上述第2線圈（62）、及上述控制基板（71）。
如請求項1或2之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>上述第2面（12）中之上述入口閥安裝孔（24）之開口部（25）與上述出口閥安裝孔（26）之開口部（27）之排列方向沿著上述活塞安裝孔（21）之延伸方向。
如請求項1之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>上述第2面（12）中之上述入口閥安裝孔（24）之開口部（25）、上述出口閥安裝孔（26）之開口部（27）、及上述壓力感測器安裝孔（30）之開口部（31）之排列方向沿著上述活塞安裝孔（21）之延伸方向。
如請求項1之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>上述壓力感測器（59）係如下構成：檢測對上述輪缸（253）賦予壓力之上述煞車液之壓力。
如請求項5之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>於上述基體（10），形成有與上述輪缸（253）連通之液管（101）所連接之輪缸端口（45）， <br/>上述入口閥安裝孔（24）、上述出口閥安裝孔（26）、及上述壓力感測器安裝孔（30）之順序以相對於上述輪缸端口（45）較遠之順序排列。
如請求項1或2之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>於上述基體（10）形成有上述積儲器（58）， <br/>上述積儲器（58）以上述活塞安裝孔（21）之底部（22）為基準，配置於與該活塞安裝孔（21）之開口部（23）相反之側。
如請求項1或2之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>於上述基體（10）一體形成有被騎乘者之手握住之煞車桿（241）之保持部（95）之至少一部分。
如請求項1或2之液壓控制裝置(1、2)，其中， <br/>上述內部流路（40）係如下構成：使上述積儲器（58）內之上述煞車液不經由上述出口閥（57）無法返回至上述活塞安裝孔（21）。
一種跨騎式車輛（200），其具備： <br/>請求項1至9中任一項之液壓控制裝置(1、2)。
如請求項10之跨騎式車輛（200），其中， <br/>該跨騎式車輛（200）為自行車。
如請求項10之跨騎式車輛（200），其中， <br/>該跨騎式車輛（200）為機器腳踏車。
一種煞車系統(100)，其係控制供給至輪缸(253)之制動液之壓力，可執行防鎖死煞車控制之跨騎式車輛(200)用之煞車系統(100)，且具備：前輪側液壓控制裝置(1)，其安裝於把手(233)，控制供給至前輪側制動部(251)之上述輪缸(253)之制動液之壓力；及後輪側液壓控制裝置(2)，其安裝於上述把手(233)，控制供給至後輪側制動部(252)之上述輪缸(253)之制動液之壓力；上述前輪側液壓控制裝置(1)及上述後輪側液壓控制裝置(2)雙方具備：主缸一體型之基體(10)，其形成有讓主缸(50)之活塞(51)往復移動自如地設置之活塞安裝孔(21)、及連通上述活塞安裝孔(21)及上述輪缸(253)之作為制動液流路之一部分之內部流路(40)；及控制閥(55)，其開啟及關閉上述內部流路(40)，調節供給至上述輪缸(253)之制動液之壓力；上述前輪側液壓控制裝置(1)及上述後輪側液壓控制裝置(2)雙方具備：控制基板(71)，其控制上述控制閥(55)之開閉動作；上述煞車系統(100)具備：動作決定用控制基板(72)，其基於上述跨騎式車輛(200)之行駛狀態之資訊，決定上述前輪側液壓控制裝置(1)之上述控制閥(55)之開閉動作，決定上述後輪側液壓控制裝置(2)之上述控制閥(55)之開閉動作；上述前輪側液壓控制裝置(1)之上述控制基板(71)係構成為基於上述動作決定用控制基板(72)之決定，控制上述前輪側液壓控制裝置(1)之上述控制閥(55)之開閉動作，上述後輪側液壓控制裝置(2)之上述控制基板(71)係構成為基於上述動作決定用控制基板(72)之決定，控制上述後輪側液壓控制裝置(2)之上述控制閥(55)之開閉動作。
如請求項1之煞車系統(100)，其中上述動作決定用控制基板(72)安裝於上述跨騎式車輛(200)中較上述把手(233)更靠後方之位置。
如請求項1或2之煞車系統(100)，其中上述跨騎式車輛(200)係構成為搭載有作為除該煞車系統(100)以外之裝置之控制基板之其他裝置控制基板(280)，上述動作決定用控制基板(72)與上述其他裝置控制基板(280)一體形成。
如請求項1或2之煞車系統(100)，其中上述前輪側液壓控制裝置(1)及上述後輪側液壓控制裝置(2)雙方係如下構成：將於上述防鎖死煞車控制中之減壓時自上述輪缸(253)逃逸之制動液儲存在形成於上述基體(10)之積蓄器(58)，將上述積蓄器(58)內之制動液無泵排出至上述積蓄器(58)外。
如請求項4之煞車系統(100)，其中上述前輪側液壓控制裝置(1)及上述後輪側液壓控制裝置(2)雙方具備：出口閥(57)，其作為上述控制閥(55)，使上述內部流路(40)中之自上述輪缸(253)流向上述積蓄器(58)之制動液所通過之流路開啟及關閉；上述前輪側液壓控制裝置(1)及上述後輪側液壓控制裝置(2)雙方之上述內部流路(40)係構成為使上述積蓄器(58)內之制動液不經由上述出口閥(57)就無法返回至上述活塞安裝孔(21)。
一種跨騎式車輛(200)，其具備：如請求項1至5中任一項之煞車系統(100)。
如請求項6之跨騎式車輛(200)，其中該跨騎式車輛(200)為自行車。
如請求項6之跨騎式車輛(200)，其中該跨騎式車輛(200)為機車。
一種用於一配製及在杯中混合飲料平台之智能庫存管理系統，其包括： <br/>至少一個容器，其具有一資訊標籤，該資訊標籤經組態以儲存特定於一特定產品之唯一資訊； <br/>一讀取器，其經定位成靠近該容器，該讀取器經組態以從該資訊標籤讀取該所儲存資訊； <br/>一控制板，其經組態以託管一基於軟體之決策引擎，該基於軟體之決策引擎經組態以解釋特定於一特定產品之該資訊，並至少部分地基於該資訊來控制一或多個系統組件； <br/>至少一泵，其由該控制板控制，並經組態以將飲料濃縮物從該等容器泵出，以便基於儲存在該資訊標籤上之該資訊將該飲料濃縮物配製至一飲料固持器中；及 <br/>至少一個止回閥，其定位於該容器上之一開口與該泵之間，該止回閥經組態以提供防止外來溶液回沖至該容器中， <br/>其中特定於一特定產品之該資訊包括特定於該特定產品的過敏原相關資訊，且 <br/>其中對一或多個系統組件之該控制包括基於該過敏原相關資訊起始清潔協定。
如請求項1之系統，其中特定於一特定產品之該資訊進一步包括以下至少一者：飲料產品組合物參數、飲料產品處置參數、飲料生產日期參數、飲料產品保存期限參數及飲料產品配製參數。
如請求項1之系統，其中該資訊標籤係一射頻識別(RFID)標籤、一快速回應(QR)代碼或一條碼之一者，並且無線激發器係一射頻識別(RFID)激發器、一快速回應(QR)代碼掃描器、一條碼掃描器或一相機。
如請求項1之系統，其中對一或多個系統組件之該控制進一步包括以下至少一者：管理系統庫存、調整泵參數或調整配製參數。
如請求項1之系統，其中該等外來溶液包括沖洗用水或清潔化學品。
如請求項1之系統，其中特定於一特定產品之該資訊包含至少飲料產品識別資訊；及 <br/>其中該基於軟體之決策引擎經組態以在啟動該至少一個泵之前核准該飲料產品識別資訊。
如請求項1之系統，其中該容器包括能夠固持各種可消耗液體之一液體密封袋。
一種用於基於決策規則之動作之電腦實施方法，其包括： <br/>使用經定位成靠近一容器之一無線激發器無線地讀取定位於該容器上之一資訊標籤，該資訊標籤經組態以儲存特定於一特定產品之唯一資訊； <br/>基於該唯一資訊對與該特定產品相關聯之一產品識別、產品真實性及產品原產地之至少一者執行一檢查； <br/>基於該檢查之結果更新一軟體庫存管理系統中之參數；及 <br/>基於從該資訊標籤讀取之該資訊判定是否應對耦合至該容器之流體導管執行一清潔程序， <br/>其中特定於一特定產品之該唯一資訊包括特定於該特定產品的過敏原相關資訊，且 <br/>其中該清潔程序係基於該過敏原相關資訊。
如請求項8之方法，其中該等參數包含一產品保存期限、一產品生產日期之至少一者。
如請求項8之方法，其進一步包含基於該唯一資訊調整一飲料配製系統上之設定以與產品特定參數相一致。
如請求項10之方法，其中該等設定包含以下至少一者：一泵速度、一清潔常式及一風味設定檔。
如請求項8之方法，其進一步包括基於從該資訊標籤讀取之該資訊來判定防止一飲料配製器使用儲存在該容器內之該產品輸出一飲料。
如請求項8之方法，其進一步包括基於從該資訊標籤讀取之該資訊判定待輸出至一使用者介面之一配方清單。
如請求項8之方法，其進一步包括基於從該資訊標籤讀取之該資訊來判定防止一飲料配製器在一未來日期或時間之後使用儲存在該容器內之該產品輸出一飲料。
如請求項8之方法，其進一步包括更新與該產品相關聯之一區塊鏈分類帳，以指示該容器至一飲料配製系統的耦合。
一種形成在升高的溫度下穩定之顏料分散體的方法，該方法包括：(1)製備含有以下之分散體：(a)溶劑，其中該溶劑具有沸騰溫度(T)，其中該溶劑包括乙二醇或乙二醇寡聚物或由其所組成；(b)顏料；及(c)分散劑，該分散劑包括P及X之鹽；其中P為經由(i)多元酸Z以及(ii)聚醚單親核體C與(iii)非聚合單親核體D兩者中的至少一者之反應所形成的聚醚官能化多元酸中間體，且X為鹼金屬、鹼土金屬、氨、胺或其混合物；(i)其中多元酸Z具有式(A)<sub>n</sub>-(B)<sub>m</sub>-(E)<sub>t</sub>-(G)<sub>q</sub>；其中A為具有以下結構之羧酸重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="92px" width="108px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>R選自H、CH<sub>3</sub>或CH<sub>2</sub>COOH，且R'選自H或COOH，前提條件係當R為H時R'只能為COOH，B為具有2至30個碳原子之烷基或芳基重複單元，視情況被鹵化物、醚或硝基取代，前提條件係B實質上不含或不含酸官能基，E為具有以下結構之重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="101px" width="130px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中R"為H或CH<sub>3</sub>，Y為-P(=O)-(OH)<sub>k</sub>或-S-(=O)<sub>2</sub>-OH，且W為主鏈碳原子與Y之P或S原子之間的直接連接、或具有1-7個碳原子之伸烴基連接基團，該伸烴基連接基團視情況包含醚、酯或醯胺連接基團，且k為1或2；G為具有以下結構之重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="89px" width="149px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中R'''為H或CH<sub>3</sub>，J為環氧乙烷或環氧丙烷，其中至少50%或至少70%之J為環氧乙烷，L為H、或具有1至20個碳原子之直鏈或支鏈、飽和或不飽和鏈，其視情況含有羰基以與J與L之間之氧原子形成酯，且r為1至100；其中n為10-200，m為0至40，t為0至20，且q為0至70，前提條件係n為所有重複單元(n+m+t+q)之至少30%；(ii)其中該聚醚單親核體C含有6至70個乙二醇重複單元，且視情況含有丙二醇及/或丁二醇重複單元，前提條件係所有重複單元之至少50%或至少70%為乙二醇，且其中該聚醚單親核體C含有單個醇、一級胺或二級胺基團；(iii)其中該非聚合單親核體D為具有1至22個碳原子之直鏈或支鏈、飽和或不飽和烷基或芳基鏈，且含有單個醇、一級胺或二級胺基團及視情況一或多個三級胺、鹵化物或硝基，前提條件係D實質上不含或不含酸基；其中若q為1或更大，則重複單元A之總莫耳數之0%至50%與C反應，若q為0，則A之總莫耳數之10%至50%與C反應，且A之總莫耳數之0%至30%與D反應；(2)添加沸點高於溫度(T)之材料；及(3)將該分散體至少加熱至該溶劑之該沸騰溫度(T)。
如請求項1之方法，其中A之該等羧酸重複單元中之一或多者與聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D反應以形成一或多個鍵，其中該鍵選自：(i)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之醇基團與A之羧酸重複單元之反應產物所形成的酯鍵；(ii)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之一級胺或二級胺與A之羧酸重複單元之反應產物所形成的鹽鍵及/或醯胺鍵；或(iii)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之一級胺基團與來自同一重複單元A或相鄰重複單元A之兩個相鄰羧酸之反應產物所形成的醯亞胺鍵。
如請求項1或2之方法，其中P對X之重量比為30：1至1：1。
如請求項1或2之方法，其中A衍生自(甲基)丙烯酸、馬來酸、衣康酸或其混合物。
如請求項1或2之方法，其中C含有1至15個丙二醇重複單元。
如請求項1或2之方法，其中X為胺。
如請求項6之方法，其中X為選自聚乙烯亞胺、烷醇胺或其混合物之胺。
如請求項6之方法，其中X含有多個胺基。
如請求項1或2之方法，其中該顏料包括碳黑或由其所組成。
如請求項1或2之方法，其中該溶劑包括乙二醇或由其所組成。
如請求項1或2之方法，其中該溶劑包括具有2至5個乙二醇重複單元之乙二醇寡聚物或由其所組成。
如請求項1或2之方法，其中該分散體含有0.5重量%至40重量%之顏料、0.5重量%至40重量%之該分散劑及20重量%至99重量%之溶劑。
如請求項1或2之方法，其中該沸點高於溫度(T)之材料選自對苯二甲酸雙(2-羥乙基)酯、2-羥乙基對苯二甲酸或其混合物。
如請求項1或2之方法，其中溫度(T)為至少180℃。
一種分散劑之用途，其係在至少180℃之溫度下提供穩定之顏料分散體，其中該分散劑包括：P及X之鹽；其中P為經由(i)多元酸Z以及(ii)聚醚單親核體C與(iii)非聚合單親核體D兩者中的至少一者之反應所形成的聚醚官能化多元酸中間體，且X為鹼金屬、鹼土金屬、氨、胺或其混合物；(i)其中多元酸Z具有式(A)<sub>n</sub>-(B)<sub>m</sub>-(E)<sub>t</sub>-(G)<sub>q</sub>；其中A為具有以下結構之羧酸重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="92px" width="114px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>R選自H、CH<sub>3</sub>或CH<sub>2</sub>COOH，且R'選自H或COOH，前提條件係當R為H時R'只能為COOH，B為具有2至30個碳原子之烷基或芳基重複單元，視情況被鹵化物、醚或硝基取代，前提條件係B實質上不含或不含酸官能基，E為具有以下結構之重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="92px" width="126px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>其中R"為H或CH<sub>3</sub>，Y為-P(=O)-(OH)<sub>k</sub>或-S-(=O)<sub>2</sub>-OH，且W為主鏈碳原子與Y之P或S原子之間的直接連接、或具有1-7個碳原子之伸烴基連接基團，該伸烴基連接基團視情況包含醚、酯或醯胺連接基團，且k為1或2；G為具有以下結構之重複單元：<figure><img align="absmiddle" height="90px" width="155px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>其中R'''為H或CH<sub>3</sub>，J為環氧乙烷或環氧丙烷，其中至少50%或至少70%之J為環氧乙烷，L為H或具有1至20個碳原子之直鏈或支鏈、飽和或不飽和鏈，其視情況含有羰基以與J與L之間之氧原子形成酯，且r為1至100；其中n為10-200，m為0至40，t為0至20，且q為0至70，前提條件係n為所有重複單元(n+m+t+q)之至少30%；(ii)其中該聚醚單親核體C含有6至70個乙二醇重複單元，且視情況含有丙二醇及/或丁二醇重複單元，前提條件係所有重複單元之至少50%或至少70%為乙二醇，且其中該聚醚單親核體C含有單個醇、一級胺或二級胺基團；(iii)其中該非聚合單親核體D為具有1至22個碳原子之直鏈或支鏈、飽和或不飽和烷基或芳基鏈，且含有單個醇、一級胺或二級胺基團及視情況一或多個三級胺、鹵化物或硝基，前提條件係D實質上不含或不含酸基；其中若q為1或更大，則重複單元A之總莫耳數之0%至50%與C反應，若q為0，則A之總莫耳數之10%至50%與C反應，且A之總莫耳數之0%至30%與D反應。
如請求項15之分散劑之用途，其中該分散體包括：溶劑，其中該溶劑包括乙二醇或乙二醇寡聚物或由其所組成；及顏料。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中A之該等羧酸重複單元中之一或多者與聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D反應，以形成一或多個鍵，其中該鍵選自：(i)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之醇基團與A之羧酸重複單元之反應產物所形成的酯鍵；(ii)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之一級胺或二級胺與A之羧酸重複單元之反應產物所形成的鹽鍵及/或醯胺鍵；或(iii)由聚醚單親核體C及/或非聚合單親核體D之一級胺基團與來自同一重複單元A或相鄰重複單元A之兩個相鄰羧酸之反應產物所形成的醯亞胺鍵。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中P對X之重量比為30：1至1：1。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中A衍生自(甲基)丙烯酸、馬來酸、衣康酸或其混合物。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中C含有1至15丙二醇重複單元。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中X為胺。
如請求項21之分散劑之用途，其中X為選自聚乙烯亞胺、烷醇胺或其混合物之胺。
如請求項21之分散劑之用途，其中X含有多個胺基。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中該顏料包括碳黑或由其所組成。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中該溶劑包括乙二醇或由其所組成。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中該溶劑包括具有2至5個乙二醇重複單元之乙二醇寡聚物或由其所組成。
如請求項15或16之分散劑之用途，其中該分散體含有0.5重量%至40重量%之顏料、0.5重量%至40重量%之該分散劑及20重量%至99重量%之溶劑。
一種用以偵測一自行車的速度的方法，上述自行車在前輪裝有一防鎖死剎車系統(anti-lock brake system(ABS))，上述方法包含以下步驟：<br/> a)從上述前輪上的一第一轉速感測器取得一前輪速度；<br/> b)從一後輪上的一第二轉速感測器取得一後輪速度；<br/> c)從在一前剎車液壓迴路中的一壓力傳感器取得一前剎車迴路壓力；<br/> d)計算一後輪減速度； <br/> e)若是上述後輪減速度小於一預設閥值，則認定上述自行車的速度是上述後輪速度，若否則進行： <br/> f)若是上述前剎車迴路壓力小於預設的一低壓力閥值，則認定上述自行車的速度是上述前輪速度；以及<br/> g)若是上述前剎車迴路壓力不小於上述低壓力閥值，則上述自行車的速度為一估計速度，上述估計速度根據以下子步驟計算：<br/> i) 將上述前輪速度載入一記憶緩衝區中；<br/> ii) 當上述記憶緩衝區被填滿時，計算一前輪平均速度以及一前輪減速度；<br/> iii) 若是上述前輪減速度的值小於預設的一減速度閥值，上述自行車的速度被估計為最後計算的上述前輪平均速度的值，並且儲存上述前輪平均速度的值及上述前輪減速度的值；<br/> iv) 若是上述前輪減速度的值大於預設的上述減速度閥值，上述自行車的速度被估計為所儲存的上述前輪平均速度的值與所儲存的上述前輪減速度的值乘上一第一經過時間二者間的差值，上述第一經過時間為從上述前輪平均速度及上述前輪減速度的值在子步驟iii)中儲存後經過的時間。
如請求項1所述之方法，其中步驟d)、e)、f)及g)是由一有限狀態機執行，上述有限狀態機有一第一狀態、一第二狀態以及一第三狀態，在上述第一狀態中上述自行車的速度為上述後輪速度，在上述第二狀態中上述自行車的速度為上述估計速度，在上述第三狀態中上述自行車的速度為上述前輪速度，其中：<br/> 當上述前剎車迴路壓力大於一高壓力閥值，並且上述前輪速度與上述後輪速度的差值大於預設的一高輪速差閥值時，從上述第一狀態轉換到上述第二狀態；<br/> 當上述前剎車迴路壓力小於預設的一低壓力閥值時，從上述第二狀態轉換到上述第三狀態；<br/> 當上述前剎車的迴路壓力大於預設的上述高壓力閥值時，從上述第三狀態轉換到上述第二狀態；<br/> 當上述估計速度與上述後輪速度的差值小於預設的一低輪速差閥值時，從上述第二狀態轉換到上述第一狀態；<br/> 當上述前剎車迴路壓力小於預設的上述低壓力閥值，並且上述前輪速度與上述後輪速度的差值大於預設的上述高輪速差閥值時，從上述第一狀態轉換到上述第三狀態；<br/> 當上述前輪速度與上述後輪速度的差值小於預設的上述低輪速差閥值時，從上述第三狀態轉換到上述第一狀態。
如請求項2所述之方法，其中上述高壓力閥值為壓力的閥值，當大於上述高壓力閥值時，認定上述前輪打滑或是鎖住。
如請求項2所述之方法，其中上述低壓力閥值為壓力的閥值，當小於上述低壓力閥時，認定上述前輪自由轉動。
如請求項2所述之方法，其中上述高輪速差閥值為車輪速度差的閥值，當大於上述高輪速差閥值時，認定上述前輪與上述後輪其中一者正在打滑。
如請求項2所述之方法，其中上述低輪速差閥值為車輪速度差的閥值，當小於上述低輪速差閥值時，認定上述前輪與上述後輪以相同速度轉動。
如請求項1至6中任一項所述的方法，其中若是上述自行車偵測的速度從一舊值轉變成不相同的一新值時，則提供一轉變偵測時間，上述舊值係對應於上述前輪速度、上述後輪速度以及上述估計速度其中之一者；上述新值係對應於上述前輪速度、上述後輪速度以及上述估計速度其中之一者，但是所對應者和上述舊值不相同；在上述轉變偵測時間內，上述自行車的速度被計算為逐漸從上述舊值改變為上述新值。
如請求項7所述之方法，其中當上述自行車的偵測的速度從上述舊值轉變成上述新值時，儲存最後偵測到的值，並且計算一過渡速度的值為：<br/> 過渡速度的值 = 新值 – (儲存的值/(第二經過時間)<sup>n</sup>)<br/> 其中上述第二經過時間為從上述舊值改變後經過的時間，並且n＜1。
一種用以偵測一自行車的速度的系統，上述自行車在前輪裝有一防鎖死剎車系統(anti-lock brake system(ABS))，上述系統包含：<br/> 一第一轉速感測器，用於偵測一前輪速度；<br/> 一第二轉速感測器，用於偵測一後輪速度；<br/> 一壓力傳感器，用於偵測一前剎車液壓迴路中的一前剎車迴路壓力；以及<br/> 一電子控制單元，操作性地耦接上述第一轉速感測器、上述第二轉速感測器以及上述壓力傳感器，並被配置以執行請求項2至7中任一項所述的偵測一自行車的速度的方法。
如請求項9所述之系統，其中上述電子控制單元包含一速度估計器模組，上述速度估計器模組操作性地耦接上述第一轉速感測器及一記憶緩衝區，上述速度估計器模組用以：<br/> 載入上述前輪速度到上述記憶緩衝區中；<br/> 當上述記憶緩衝區被填滿時，計算一前輪平均速度以及一前輪減速度；<br/> 若是上述前輪減速度的值小於預設的一減速度閥值，上述自行車的速度為一估計速度，上述估計速度是最後計算的上述前輪平均速度的值；<br/> 將上述前輪平均速度的值及上述前輪減速度的值儲存到上述記憶緩衝區；以及<br/> 若是上述前輪減速度的值大於預設的上述減速度閥值，上述自行車的速度為上述估計速度，上述估計速度被計算為所儲存的上述前輪平均速度的值與所儲存的上述前輪減速度的值乘上一第一經過時間的差值，上述第一經過時間為從上述前輪平均速度的值及上述前輪減速度的值在儲存後經過的時間。
如請求項10所述之系統，其中上述電子控制單元包含一速度選擇狀態機模組，上述速度選擇狀態機模組操作性地耦接上述第一轉速感測器、上述第二轉速感測器、上述壓力傳感器，以及上述速度估計器模組，並用以根據請求項2-6其中之一所述的方法執行一速度選擇狀態機。
如請求項11所述之系統，其中上述電子控制單元更包含一速度選擇切換模組，上述速度選擇切換模組操作性地耦接上述第一轉速感測器、上述第二轉速感測器以及上述速度估計器模組，並用以根據從上述速度選擇狀態機模組接收的一控制訊號，選擇性地輸出上述第一轉速感測器、上述第二轉速感測器以及上述速度估計器模組其中之一者的輸出。
如請求項10所述之系統，其中上述電子控制單元更包含一不連續更正模組，當偵測到的上述自行車的速度從一舊值轉變成不相同的一新值時，上述不連續更正模組用以儲存最後偵測到的速度的值，並計算一過渡速度的值為：<br/> 過渡速度的值 = 新值 – (儲存的值/(第二經過時間)<sup>n</sup>)<br/> 其中上述第二經過時間為從上述舊值改變後經過的時間，並且n＜1，上述舊值對應於上述前輪速度、上述後輪速度，以及上述估計速度中之一者，上述新值對應於上述前輪速度、上述後輪速度，以及上述估計速度其中之一者，但是所對應者與上述舊值不相同。
一種積層體之製造方法，其特徵在於：具有將硬化性聚矽氧組成物以填充於分配用管、桶、或筒之形態噴出到至少一個基材的表面的一部分或全部之製程，前述硬化性聚矽氧組成物作為組成物整體而言具有熱熔性，於100℃之熔融黏度為50Pa･s以下，且藉由照射高能量線而硬化， <br/>前述熔融黏度係利用流量測試儀測定：噴嘴直徑1 mm、加壓2.5 MPa， <br/>前述硬化性聚矽氧組成物係含有下述成分而成之組成物： <br/>(A) 按20:80至90:10之質量比包含下述(A1)成分及(A2)成分，且各成分單獨不具有熱熔性之於25℃為固體的有機聚矽氧烷樹脂100質量份， <br/>(A1) 分子內具有含有碳-碳雙鍵之硬化反應性官能基，且含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上之SiO<sub>4/2</sub>所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷樹脂， <br/>(A2) 分子內不具有含有碳-碳雙鍵之硬化反應性官能基，且含有全部矽氧烷單元之至少20莫耳%以上之SiO<sub>4/2</sub>所表示之矽氧烷單元的有機聚矽氧烷樹脂； <br/>(B) 分子內具有含有至少2個碳-碳雙鍵之硬化反應性官能基，且於25℃為液狀之直鏈狀有機聚矽氧烷10至100質量份； <br/>(C) 一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機氫聚矽氧烷組成物整體中所含之與矽原子鍵結之烯基每1個中與矽原子鍵結之氫原子之數為0.5至20.0個之量； <br/>(D) 若不照射高能量線則不顯示活性，但藉由照射高能量線而於組成物中顯示活性的矽氫化反應用催化劑之催化劑量。
如請求項1之積層體之製造方法，其中，積層體於基材的表面的一部分或全部具有未硬化之硬化性聚矽氧組成物。
如請求項1之積層體之製造方法，其中，積層體於基材的表面的一部分或全部具有使硬化性聚矽氧組成物硬化而成之硬化物。
如請求項1之積層體之製造方法，其中，積層體於2個以上之基材間具備由硬化性聚矽氧組成物構成之層或使該硬化性聚矽氧組成物硬化而成之硬化物層。
如請求項1至4中任一項之積層體之製造方法，其中，積層體為選自電子零件、半導體裝置或光半導體裝置中的1種以上或這些裝置之前驅物。
如請求項1之積層體之製造方法，其包括： <br/>製程(1)：將填充於分配用管、桶、或筒之形態之硬化性聚矽氧組成物加熱至50℃以上而賦予流動性之製程；以及 <br/>製程(2)：藉由分配器將製程(1)之硬化性聚矽氧組成物噴出到至少一個基材的表面的一部分或全部之製程。
如請求項1之積層體之製造方法，其具有： <br/>製程(1)：將填充於分配用管、桶、或筒之形態之硬化性聚矽氧組成物加熱至50℃以上而賦予流動性之製程； <br/>製程(2)：藉由分配器將製程(1)之硬化性聚矽氧組成物噴出到至少一個基材的表面的一部分或全部之製程; <br/>製程(3)：與製程(2)同時或於製程(2)之後，對自分配器噴出之硬化性聚矽氧組成物照射高能量線之製程；以及 <br/>製程(4)：與製程(3)同時或於製程(3)之後，使硬化性聚矽氧組成物硬化之製程。
如請求項6或7之積層體之製造方法，其中，上述製程(1)係藉由具備加溫部之分配器將填充於分配用管、桶、或筒之形態之硬化性聚矽氧組成物加熱至50℃以上而賦予流動性之製程。
如請求項6或7之積層體之製造方法，其中，上述製程(2)係分配的出口與加熱至50℃以上之狹縫式模具連接，以膜或片狀之形態噴出，以預定厚度塗佈於基材之製程。
如請求項7之積層體之製造方法，其中，上述製程(3)中之高能量線之照射係對硬化性聚矽氧組成物直接或隔著其他基材照射高能量線之製程，且具有： <br/>製程(5)：於製程(2)之後且製程(4)之前，使其他基材密接於自分配器噴出之硬化性聚矽氧組成物之製程。
如請求項10之積層體之製造方法，其中，上述製程(5)係對於製程(2)中自分配器噴出至基材上且處於未硬化之狀態或硬化反應進行中之半硬化狀態之硬化性聚矽氧組成物，施加外力使其他基材密接之製程，且係伴隨有所噴出之硬化性聚矽氧組成物之形狀變化之製程。
一種用於LDPC碼的合併查找解碼器的方法，包括以下步驟：<br/> 從一量子測量電路接收一校正子，該校正子包括複數個提供關於一量子位元暫存器中的一個或多個錯誤的資訊的校正子位元；及<br/> 從該校正子生成一解碼圖，該圖具有位元節點和檢查節點，該等位元節點中的每一者對應於該測量電路中的一個或多個資料量子位元，及該等檢查節點中的每一者對應於該等校正子位元中之一者；<br/> 在對應於該校正子中的一非平凡(non-trivial)值之該等檢查節點中的每一者周圍增長一群集，該群集包括該檢查節點和位於距該檢查節點d個邊長的一距離內的一組相鄰節點； <br/> 決定該等群集中的每一者是否為中性，當該群集內部存在完全解釋該群集的該非平凡校正子位元的一解決方案集時，該群集為中性；及<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定該等群集中的一者或多者為非中性，將包含相鄰節點的群集合併在一起。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定一個或多個獨立群集為非中性，增長該等群集中的每一者，以包括位於距該群集的一邊界d個邊長的最大距離內的一組附加節點；<br/> 決定該等群集中的每一者在該增長操作之後是否為中性；<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項1所述的方法，其中該量子測量電路實施一表面代碼，且d個邊長的該距離由一個邊組成。
如請求項1所述的方法，其中該量子測量電路實施一折疊代碼，且d個邊長的該距離由兩個邊組成。
如請求項5所述的方法，其中該量子測量電路實施一六邊形架構，該六邊形架構在多個物理位點中的每一者處包括一對資料量子位元。
如請求項5所述的方法，其中多個物理位點中的每一者皆包括一對藉由交互通道連接的量子位元。
如請求項1所述的方法，其中該量子位元暫存器包括在由物理量子位元構建的一LDPC碼中編碼的邏輯量子位元。
一種量子系統，包括：<br/> 一量子測量電路，其經配置成測量在量子位元的一網格上編碼的一校正子；<br/> 儲存在記憶體中的一解碼器，該解碼器可執行以下操作：<br/> 基於該校正子生成一解碼圖，該解碼圖具有位元節點和檢查節點，該等位元節點中的每一者對應於該網格上的一個或多個資料量子位元，及該等檢查節點中的每一者對應於該經測量的校正子中的複數個校正子位元中的一者；<br/> 在對應於該經測量的校正子中的一非平凡值之該等檢查節點中的每一者周圍增長一群集，該群集包括該檢查節點和位於距該檢查節點d個邊長的一距離內的一組相鄰節點；<br/> 決定該等群集中的每一者是否為中性，當該群集內部存在完全解釋該群集的該非平凡校正子位元的一解決方案集時，該群集為中性；及<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項9所述的量子系統，其中該解碼器進一步可執行以下步驟：<br/> 回應於決定該等群集中的一者或多者為非中性，將包含一個或多個相鄰節點的群集合併在一起。
如請求項9所述的量子系統，其中該解碼器進一步可執行以下步驟：<br/> 回應於決定一個或多個獨立群集為非中性，增長該等群集中的每一者，以包括位於距該群集的一邊界d個邊長的最大距離內的一組附加節點；<br/> 決定該等群集中的每一者在該增長操作之後是否為中性；<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項9所述的量子系統，其中該量子測量電路實施一表面代碼，且d個邊長的該距離由一個邊組成。
如請求項9所述的量子系統，其中該量子測量電路實施一折疊代碼，且d個邊長的該距離由兩個邊組成。
如請求項13所述的量子系統，其中該量子測量電路實施馬約拉納(Majorana)六邊形架構，該馬約拉納六邊形架構在多個物理量子位點中的每一者處包括一對資料量子位元。
如請求項13所述的量子系統，其中多個物理位點中的每一者包括由相互作用通道連接的一對量子位元。
一個或多個記憶體裝置，其對用於執行一電腦處理的電腦可執行指令進行編碼，該電腦處理包括以下步驟：<br/> 從一量子測量電路接收一校正子，該校正子包括複數個提供關於一量子位元暫存器中的一個或多個錯誤的資訊的校正子位元；及<br/> 從該校正子生成一解碼圖，該圖具有位元節點和檢查節點，該等位元節點中的每一者對應於該測量電路中的一個或多個資料量子位元，及該等檢查節點中的每一者對應於該等校正子位元中之一者；<br/> 在對應於該校正子中的一非平凡值之該等檢查節點中的每一者周圍增長一群集，該群集包括該檢查節點和位於距該檢查節點d個邊長的一距離內的一組相鄰節點；<br/> 決定該等群集中的每一者是否為中性，當該群集內部存在完全解釋該群集的該非平凡校正子位元的一解決方案集時，該群集為中性；及<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項16所述的一個或多個記憶體裝置，其中該電腦處理進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定該等群集中的一者或多者為非中性，將包含一個或多個相鄰節點的群集合併在一起。
如請求項16所述的一個或多個記憶體裝置，其中該電腦處理進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定一個或多個獨立群集為非中性，增長該等群集中的每一者，以包括位於距該群集的一邊界d個邊長的最大距離內的一組附加節點；<br/> 決定該等群集中的每一者在該增長操作之後是否為中性；<br/> 回應於決定該等群集全部皆為中性，識別且回傳至少一個解決方案集，該至少一個解決方案集完全解釋該校正子中的該非平凡位元集。
如請求項16所述的一個或多個記憶體裝置，其中該量子測量電路實施一表面代碼，且d個邊長的該距離由一個邊組成。
如請求項16所述的一個或多個記憶體裝置，其中該量子測量電路實施一折疊代碼，且d個邊長的該距離由兩個邊組成。
一種著色樹脂組成物，其包含：著色劑，於700nm以上1100nm以下之波長頻帶具有最大吸收；共聚物，包含由下述式(1)所表示且源自包含環氧基的丙烯酸單體的第1重複單元、源自包含酚性羥基的單體的第2重複單元、及源自具有由下述式(2)所表示之結構的具有芳香環的丙烯酸單體或選自(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸o-苯氧基苯基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸9-蒽基甲酯之具有芳香環的丙烯酸單體的第3重複單元或源自具有由下述式(3)所表示之結構的具有脂環式結構的丙烯酸單體的第3重複單元；及溶媒；相對於前述共聚物之總重量，前述共聚物含有7.5重量%以上17.5重量%以下之前述第1重複單元，且於前述共聚物中，前述第2重複單元之重量相對於前述第1重複單元之重量的比為1.0以上3.0以下，<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="523px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>惟，於式(1)，R1為氫原子或甲基，R2為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基；R3為環氧基，<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="573px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>惟，於式(2)，R4為氫原子或甲基，R5為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基；R6為氫原子；於式(2)，m為5，<figure><img align="absmiddle" height="157px" width="579px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>惟，於式(3)，R7為氫原子或甲基，R8為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基；於式(3)，R9為碳數3以上之脂環式結構。
如請求項1之著色樹脂組成物，其中前述著色劑之重量相對於前述溶媒之重量的百分率為0.6重量%以上30重量%以下。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中就前述著色劑而言，前述著色劑於具有最大吸收的波長中的莫耳吸光係數ε滿足以下之式：ε≧3.0×10<sup>4</sup>。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中相對於前述共聚物之總重量，前述共聚物含有65重量%以上之前述第3重複單元。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中前述共聚物之玻璃轉移溫度為75℃以上。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中前述共聚物之平均分子量為3萬以上15萬以下。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中前述單體之重量(WM)相對於前述共聚物之重量與對應構成前述共聚物的重複單元的單體之重量的和(W(M+P))的百分率(100×WM/W(M+P))為20%以下。
如請求項1或2之著色樹脂組成物，其中前述著色劑為花青(cyanine)色素、酞菁(phthalocyanine)色素、方酸菁(squarylium)色素、克酮酸(croconium)色素、二亞胺(diimmonium)色素、二硫醇金屬錯合物系色素、萘酞菁(naphthalocyanine)色素、氧雜菁(oxonol)色素、及亞甲基吡咯色素(pyrromethene)之任一者。
如請求項8之著色樹脂組成物，其中前述著色劑為花青色素，該花青色素包含：具有聚次甲基(polymethine)及位於聚次甲基的各末端且包含氮的雜環的陽離子、與參(五氟乙基)三氟磷酸陰離子。
一種光學濾光片，其為使用如請求項1至9中任一項之著色樹脂組成物而形成的光學濾光片，其包含前述著色劑、及前述共聚物。
一種如請求項10之光學濾光片之製造方法，其為包含將使用包含著色劑、共聚物、及溶媒的著色樹脂組成物而調整的塗液塗布於基材，及使前述塗液硬化的光學濾光片之製造方法，其中前述著色劑於700nm以上1100nm以下之波長頻帶具有最大吸收，前述共聚物包含第1重複單元、第2重複單元、及第3重複單元，前述第1重複單元係由下述式(1)所表示且源自包含環氧基的丙烯酸單體，前述第2重複單元係源自包含酚性羥基的單體，前述第3重複單元係源自具有由下述式(2)所表示之結構的具有芳香環的丙烯酸單體或選自(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸o-苯氧基苯基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸9-蒽基甲酯之具有芳香環的丙烯酸單體、或源自具有由下述式(3)所表示之結構的包含脂環式結構的丙烯酸單體，<figure><img align="absmiddle" height="153px" width="560px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>惟，於式(1)，R1為氫原子或甲基，R2為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基，R3為環氧基，<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="585px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>惟，於式(2)，R4為氫原子或甲基，R5為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基，R6為氫原子，於式(2)，m為5，<figure><img align="absmiddle" height="150px" width="544px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>惟，於式(3)，R7為氫原子或甲基，R8為單鍵、碳數1以上之直鏈狀伸烷基、碳數3以上之分支鏈狀伸烷基、或碳數1以上之氧伸烷基，於式(3)，R9為碳數3以上之脂環式結構。
如請求項11之光學濾光片之製造方法，其中就前述著色樹脂組成物而言，前述著色劑之重量相對於前述溶媒之重量的百分率為0.6重量%以上30重量%以下。
如請求項11或12之光學濾光片之製造方法，其中就前述著色樹脂組成物所含的前述著色劑而言，前述著色劑於具有最大吸收的波長中的莫耳吸光係數ε滿足以下之式：ε≧3.0×10<sup>4</sup>。
一種樹脂組成物，其包含(A)具有式(a-1)所示之脂環式結構之烯丙基化合物、(B)環氧樹脂及(C)活性酯化合物，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A)成分之含量為0.01質量%以上、10質量%以下，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分之含量為0.1質量%以上、30質量%以下，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(C)成分之含量為0.1質量%以上、50質量%以下，前述(A)成分具有式(A2)及式(A3)之任一式所示之基；<figure><img align="absmiddle" height="69px" width="244px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>[式中，＊表示鍵結部位]；<figure><img align="absmiddle" height="95px" width="242px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>[式中，R<sup>2</sup>表示氫原子或烯丙基，R<sup>3</sup>各自獨立，表示烴基，b個R<sup>3</sup>中之至少1個為烯丙基，b表示0~3之整數，＊表示鍵結部位]；<figure><img align="absmiddle" height="109px" width="315px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>[式中，X表示單鍵、-C(R<sup>5</sup>)<sub>2</sub>-、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO<sub>2</sub>-，R<sup>2</sup>表示氫原子或烯丙基，R<sup>5</sup>各自獨立，表示氫原子或烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立，表示烴基，b個R<sup>3</sup>中之至少1個為烯丙基，c個R<sup>4</sup>中之至少1個為烯丙基，b及c各自獨立，表示0~3之整數，＊表示鍵結部位]。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含(D)分子量未達1000之(甲基)丙烯酸酯化合物。
如請求項2之樹脂組成物，其中(D)成分相對於(A)成分之質量比((D)成分/(A)成分)為0.1~10。
如請求項1之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(C)成分之含量為10質量%以上。
如請求項1之樹脂組成物，其中進而包含(E)無機填充材。
如請求項5之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(E)成分之含量為60質量%以上。
一種樹脂組成物，其係包含(A)具有式(a-1)所示之脂環式結構之烯丙基化合物、(B)環氧樹脂、(C)活性酯化合物及(E)無機填充材之樹脂組成物，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A)成分之含量為0.01質量%以上、10質量%以下，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分之含量為0.1質量%以上、未達30質量%，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(C)成分之含量為10質量%以上、50質量%以下，將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(E)成分之含量為60質量%以上、90質量%以下，前述(A)成分具有式(A2)及式(A3)之任一式所示之基；<figure><img align="absmiddle" height="66px" width="238px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>[式中，＊表示鍵結部位]；<figure><img align="absmiddle" height="93px" width="238px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>[式中，R<sup>2</sup>表示氫原子或烯丙基，R<sup>3</sup>各自獨立，表示烴基，b個R<sup>3</sup>中之至少1個為烯丙基，b表示0~3之整數，＊表示鍵結部位]；<figure><img align="absmiddle" height="95px" width="317px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>[式中，X表示單鍵、-C(R<sup>5</sup>)<sub>2</sub>-、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO<sub>2</sub>-，R<sup>2</sup>表示氫原子或烯丙基，R<sup>5</sup>各自獨立，表示氫原子或烴基，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各自獨立，表示烴基，b個R<sup>3</sup>中之至少1個為烯丙基，c個R<sup>4</sup>中之至少1個為烯丙基，b及c各自獨立，表示0~3之整數，＊表示鍵結部位]。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中(A)成分之重量平均分子量為1000~20000。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中(A)成分之烯丙基當量為200g/eq.~2000g/eq.。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(A)成分之含量為5質量%以下。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(B)成分之含量為1質量%~20質量%。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中(B)成分相對於(A)成分之質量比((B)成分/(A)成分)為1.5~100。
如請求項5或7之樹脂組成物，其中(E)成分為二氧化矽。
如請求項5或7之樹脂組成物，其中將樹脂組成物中之不揮發成分定為100質量%時，(E)成分之含量為70質量%以上。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中進而包含咪唑系硬化促進劑。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中進而包含選自由苯酚系硬化劑及碳二亞胺系硬化劑所成群組中之硬化劑。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中樹脂組成物之硬化物之破斷點伸度，於23℃測定時，為1.0%以上。
如請求項1或7之樹脂組成物，其中樹脂組成物之硬化物之介電損耗角正切(Df)，以5.8GHz、23℃測定時，為0.0030以下。
一種如請求項1或7之樹脂組成物之硬化物。
一種薄片狀層合材料，其含有如請求項1或7之樹脂組成物。
一種樹脂薄片，其具有支撐體與設置於該支撐體上之樹脂組成物層，該樹脂組成物層由如請求項1或7之樹脂組成物所形成。
一種印刷配線板，其具備由如請求項1或7之樹脂組成物之硬化物而成之絕緣層。
一種半導體裝置，其包含如請求項22之印刷配線板。
一種光學構件用黏著膠帶，具有：<br/> 光學構件保護用黏著膠帶(I)，其係於基材薄膜(1)之一面具有黏著劑層(1)者；<br/> 保持膠帶(II)，其係直接積層於該光學構件保護用黏著膠帶(I)之該黏著劑層(1)之相反側的最外表面；及<br/> 脫模襯墊(III)，其係直接積層於該光學構件保護用黏著膠帶(I)具有之該黏著劑層(1)之露出面上；<br/> 於1個該保持膠帶(II)上係以具有間隙之配置方式積層有2個以上該光學構件保護用黏著膠帶(I)；<br/> 該黏著劑層(1)之厚度小於25µm；<br/> 並且，包夾著該間隙相鄰之2個該光學構件保護用黏著膠帶(I)中，形成於其等相對向之側面的角部中之至少一者為去角部。
如請求項1之光學構件用黏著膠帶，其中前述去角部為C面，且該去角部之去角量為C0.05mm以上。
如請求項1之光學構件用黏著膠帶，其中前述去角部為R面，且該去角部之去角量為R0.05mm以上。
如請求項1至3中任一項之光學構件用黏著膠帶，其在溫度23℃、濕度50%RH之環境下，剝離前述脫模襯墊(III)時之剝離力A小於剝離前述保持膠帶(II)時之黏著力B。
如請求項1至3中任一項之光學構件用黏著膠帶，其中構成前述黏著劑層(1)之黏著劑在23℃下之儲存彈性模數G'為5.0×10<sup>5</sup>Pa以下。
如請求項1至3中任一項之光學構件用黏著膠帶，其中沿前述1個該保持膠帶(II)之長邊方向積層的2個以上該光學構件保護用黏著膠帶(I)之側面中，形成於長邊方向上兩端之側面的角部中之至少一者為去角部。
一種感溫性探針，其含有平均粒徑為1～100 nm且具有MV中心（M表示選自由Si、Ge、Sn及Pb所構成之群之第14族元素，V表示空位（vacancy））之摻雜第14族元素之奈米鑽石，且 <br/>粒徑之相對標準偏差（RSD）為25～40%。
如請求項1之感溫性探針，其中，M為Si。
如請求項1之感溫性探針，其中，摻雜第14族元素之奈米鑽石之形狀為球狀。
如請求項2之感溫性探針，其中，摻雜第14族元素之奈米鑽石之形狀為球狀。
如請求項1至4中任一項之感溫性探針，其中，MV中心之濃度為1×10<sup>14</sup>/cm<sup>3</sup>以上。
一種摻雜第14族元素之奈米鑽石之用途，其係用以測定微小空間之溫度，上述摻雜第14族元素之奈米鑽石之平均粒徑為1～100 nm且具有MV中心（M表示選自由Si、Ge、Sn及Pb所構成之群之第14族元素，V表示空位（vacancy））。
如請求項6之摻雜第14族元素之奈米鑽石之用途，其中，微小空間為細胞或細胞內胞器。
一種測定細胞內溫度之方法，其包含：藉由將含有平均粒徑為1～100 nm且具有MV中心（M表示選自由Si、Ge、Sn及Pb所構成之群之第14族元素，V表示空位（vacancy））之摻雜第14族元素之奈米鑽石的感溫性探針於水中與細胞混合，而將該感溫性探針導入細胞內；對導入有上述摻雜第14族元素之奈米鑽石之細胞照射激發光，測定MV中心之零聲子線的峰位置（波長）及/或螢光強度；及由測得之上述峰位置（波長）及/或螢光強度測定細胞溫度。
一種加工裝置，包括：耳軸台，所述耳軸台適於保持工件並被設置為藉由樞轉電機圍繞樞轉軸線樞轉，其中，所述樞轉軸線平行於水平面；主軸，所述主軸適於保持切削工具指向上方，並被設置為透過主軸輸送裝置在平行於所述水平面的平面上移動；以及耳軸台輸送裝置，所述耳軸台輸送裝置適於朝向和遠離所述切削工具垂直地輸送所述耳軸台，使得在切削狀態下，從所述工件切削的切屑透過重力從所述工件去除。
如請求項1所述的加工裝置，其中，所述加工裝置還包括：工件台，所述工件台可旋轉地連接至所述耳軸台並適於保持所述工件，其中，所述工件台被設置為圍繞旋轉軸線旋轉，其中，所述旋轉軸線與所述樞轉軸線正交。
如請求項2所述的加工裝置，包括附加工件台，所述附加工件台可旋轉地連接至所述耳軸台並適於保持附加工件，其中，所述附加工件台被設置為圍繞附加旋轉軸線旋轉，其中，所述附加旋轉軸線與所述樞轉軸線正交。
如前述請求項1至3中任一項所述的加工裝置，其中，所述加工裝置包括附加主軸，其中，所述附加主軸適於保持附加切削工具指向上方，並被設置為透過所述主軸輸送裝置在平行於所述水平面的所述平面上移動。
如前述請求項1至3中任一項所述的加工裝置，還包括：底座支撐結構；側支撐結構；以及頂部連接結構，其中，所述側支撐結構在第一端連接至所述底座支撐結構，其中，所述側支撐結構在第二端連接至所述頂部連接結構，其中，所述耳軸台輸送裝置連接至所述側支撐結構，並且其中，所述主軸輸送裝置連接至所述底座支撐結構。
如請求項5所述的加工裝置，其中，所述耳軸台輸送裝置在相對的兩端處連接至所述側支撐結構，使得所述耳軸台在相對的兩端處由所述耳軸台輸送裝置支撐。
如請求項5所述的加工裝置，其中，所述側支撐結構包括用於水平裝載和/或卸載所述工件的至少一個開口。
如請求項5所述的加工裝置，其中，所述頂部連接結構包括設置在所述耳軸台上方的開口，以用於垂直裝載和/或卸載所述工件。
如請求項5所述的加工裝置，其中，所述主軸藉由第一電機沿第一方向可移動地設置在所述主軸輸送裝置上，其中，所述主軸輸送裝置藉由第二電機沿第二方向可移動地設置在所述底座支撐結構上，其中，所述第一方向和所述第二方向平行於所述水平面，並且其中，所述第一方向與所述第二方向正交。
如請求項5所述的加工裝置，其中，所述主軸輸送裝置沿附接至所述底座支撐結構的軌道移動。
如請求項9所述的加工裝置，其中，所述樞轉軸線平行於所述第一方向。
如前述請求項1至3中任一項所述的加工裝置，還包括切屑輸送器，所述切屑輸送器設置在所述主軸下方以用於將所述切屑輸送離開所述加工裝置。
一種使用加工裝置來加工工件的方法，所述加工裝置包括保持所述工件的耳軸台和保持切削工具指向上方的主軸，所述方法包括：透過將所述切削工具施加至所述工件上來從下方加工所述工件；沿第一方向和第二方向在水平面上移動所述主軸，其中，所述第一方向與所述第二方向正交；垂直移動所述耳軸台，由此移動所述工件；透過圍繞樞轉軸線樞轉所述耳軸台來使所述工件傾斜，其中，所述樞轉軸線平行於所述第一方向。
如請求項13所述的方法，其中，所述加工裝置還包括工件台，所述工件台適於圍繞自身的旋轉軸線旋轉並附接至所述耳軸台，其中，將所述工件附接至所述工件台，並且其中，所述方法還包括：圍繞所述工件台的所述旋轉軸線旋轉所述工件，其中，所述旋轉軸線與所述樞轉軸線正交。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，在其上存儲有程式碼部分，以用於當在具有處理能力的裝置上執行時實現如請求項13至14中任一項所述的方法。
一種電力系統，包括：直流匯流排，連接發電裝置以及複數之電力設備；以及複數之蓄電裝置，以特定間隔連接前述直流匯流排之一端到另一端，對前述直流匯流排進行電力之授受；其中，前述直流匯流排包括：基準線、相對於前述基準線具有特定電壓差的第1電源線，以及相對於前述基準線具有特定電壓差的第2電源線；其中，前述複數之蓄電裝置具有第1蓄電裝置以及第2蓄電裝置；前述第1蓄電裝置的第1極與前述第2蓄電裝置的第1極透過第1開關被連接；前述第1蓄電裝置的第1極被連接到前述第1電源線；前述第2蓄電裝置的第1極透過第2開關被連接到前述第2電源線；前述第1蓄電裝置的第2極與前述第2蓄電裝置的第2極被連接到前述基準線；更包括：平衡控制部，控制前述第1開關與前述第2開關並使前述第1蓄電裝置與前述第2蓄電裝置之充電率均一化。
如請求項1之電力系統，其中，前述第2電源線透過將交流轉換為直流之轉換器被連接到交流之電力系統。
如請求項1之電力系統，其中，前述複數之蓄電裝置具有第1蓄電裝置以及第2蓄電裝置；前述第1蓄電裝置的第1極透過第4開關被連接到前述第1電源線；前述第1蓄電裝置的第2極透過第3開關被連接到前述第2蓄電裝置的第1極或前述基準線；前述第2蓄電裝置的第1極透過第2開關被連接到前述第2電源線；前述第1蓄電裝置的第1極與前述第2蓄電裝置的第1極之間透過第1開關被連接；前述第2蓄電裝置的第2極被連接到前述基準線；更包括：平衡控制部，控制前述第1開關到前述第4開關並使前述第1蓄電裝置與前述第2蓄電裝置之充電率均一化。
如請求項3之電力系統，其中，前述第2電源線透過將交流轉換為直流之轉換器被連接到交流之電力系統。
一種製造包含至少1個N-取代胺基酸的胜肽化合物、其鹽、或此等的溶媒化合物的方法，包括： <br/>將在包含第一溶媒的溶媒中使其膨潤的固相合成用樹脂，與(i)包含胺基酸以及第二溶媒的溶液，或者與(ii)包含胺基酸、第二溶媒以及第三溶媒的溶液接觸，獲得將胺基酸負載至固相合成用樹脂的步驟(步驟1)，上述方法中， <br/>第一溶媒以及第三溶媒分別獨立地選自鹵系溶媒，且， <br/>第二溶媒為醚系溶媒。
一種製造被負載至固相合成用樹脂的胺基酸的方法，包括：將在包含第一溶媒的溶媒中，使其膨潤的固相合成用樹脂，與(i)包含胺基酸以及第二溶媒的溶液，或者與(ii)包含胺基酸、第二溶媒、以及第三溶媒的溶液接觸的步驟(步驟2)，上述方法中， <br/>第一溶媒以及第三溶媒分別獨立地選自鹵系溶媒，且， <br/>第二溶媒為醚系溶媒。
如請求項1或2所記載之方法，其中，溶液為包含胺基酸以及第二溶媒的溶液。
如請求項1或2所記載之方法，其中，溶液為包含胺基酸、第二溶媒以及第三溶媒的溶液。
如請求項1或2所記載之方法，其中，第一溶媒以及第三溶媒為相同種類的溶媒。
如請求項1或2所記載之方法，其中，第二溶媒及第三溶媒的體積比為1：1～1：10。
如請求項1所記載之方法，其中，包含胺基酸以及第二溶媒的溶液為藉由包含使用第二溶媒的萃取操作，以及隨之其後的任意的脫水操作所獲得的溶液，萃取操作是在步驟1之前的胺基酸的羧基的保護基的去保護反應後進行。
如請求項2所記載之方法，其中，包含胺基酸以及第二溶媒的溶液為藉由包含使用第二溶媒的萃取操作，以及隨之其後的任意的脫水操作所獲得的溶液，萃取操作是在步驟2之前的胺基酸的羧基的保護基的去保護反應後進行。
如請求項1所記載之方法，其中，包含胺基酸、第二溶媒以及第三溶媒的溶液為在藉由包含使用第二溶媒的萃取操作，以及在隨之其後的任意的脫水操作所獲得的溶液中，並藉由進一步添加第三溶媒所獲得的溶液，萃取操作是在步驟1之前的胺基酸的羧基的保護基的去保護反應後進行。
如請求項2所記載之方法，其中，包含胺基酸、第二溶媒以及第三溶媒的溶液為在藉由包含使用第二溶媒的萃取操作，以及在隨之其後的任意的脫水操作所獲得的溶液中，並藉由進一步添加第三溶媒所獲得的溶液，萃取操作是在步驟2之前的胺基酸的羧基的保護基的去保護反應後進行。
如請求項7～10中任一項所記載之方法，其中，脫水操作為藉由乾燥劑進行。
如請求項7～10中任一項所記載之方法，其中，羧基的保護基能夠藉由酸去除。
如請求項1～2及7～10中任一項所記載之方法，其中，固相合成用樹脂為CTC樹脂、Wang樹脂、SASRIN樹脂、Trt樹脂、Mtt樹脂或者Mmt樹脂。
如請求項1～2及7～10中任一項所記載之方法，其中，胺基酸為非天然胺基酸。
如請求項14所記載之方法，其中，非天然胺基酸為透過鍵結在胺基的β位的碳原子或γ位的碳原子的羧基，而負載於固相合成用樹脂。
如請求項1、7、9中任一項所記載之方法，其中，胜肽化合物包括2個以上的N-取代胺基酸。
一種環狀胜肽化合物、其鹽、或此等的溶媒化合物的製造方法，包括以下步驟： <br/>依照請求項1以及7～10中任一項所記載之方法，獲得包含至少1個N-取代胺基酸的胜肽化合物、其鹽、或此等的溶媒化合物的步驟； <br/>去除固相合成用樹脂的步驟；以及 <br/>將該胜肽化合物、其鹽、或此等的溶媒化合物的C末端側的基與N末端側的基，進行環化而形成環狀部的步驟。
一種半導體裝置，其包括： <br/>一開關元件，其具有一表面以及第一及第二區域，且包含具有一帶隙之一第一半導體材料，該開關元件之該第一區域耦合至一源極接觸件； <br/>一浮動電極，其具有第一及第二端，該浮動電極之該第一端耦合至該開關元件之該第二區域； <br/>一電壓支援結構，其包含具有大於該第一半導體材料之該帶隙之一帶隙的一第二半導體材料，該電壓支援結構與該浮動電極之該第二端接觸；及 <br/>一汲極接觸件，其耦合至該電壓支援結構。
如請求項1之半導體裝置，其中該浮動電極包含金屬或矽化物之至少一者。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該浮動電極之該第一端與該開關元件之該第二區域歐姆接觸；及 <br/>該浮動電極之該第二端與電壓支援結構歐姆接觸。
如請求項1之半導體裝置，其中該開關元件係一個二極體、一個雙極電晶體、一場效電晶體或一絕緣閘極雙極電晶體之至少一者。
如請求項4之半導體裝置，其中： <br/>該開關元件包含一場效電晶體；及 <br/>該場效電晶體係一p型場效電晶體或一n型場效電晶體。
如請求項5之半導體裝置，其中該開關元件係一橫向擴散金屬氧化物半導體場效電晶體。
如請求項5之半導體裝置，其中該開關元件包含一閘極。
如請求項7之半導體裝置，其中該開關元件之該閘極在正交於該開關元件之該表面之一方向上延伸或在平行於該開關元件之該表面之一方向上延伸。
如請求項1之半導體裝置，其中該第二半導體材料包含碳化矽或氮化鎵之至少一者。
如請求項1之半導體裝置，其中該第二半導體材料包含一奈米管材料。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一半導體材料包含矽、鍺或砷化鎵之至少一者。
如請求項1之半導體裝置，其進一步包括： <br/>一場控制元件，其朝向該汲極接觸件延伸。
如請求項12之半導體裝置，其中該場控制元件係電耦合至該源極接觸件或另一電壓接觸件之一場板。
如請求項12之半導體裝置，其中： <br/>該場控制元件係該開關元件之一第三區域；及 <br/>該開關元件之該第三區域耦合至該源極接觸件且朝向該汲極接觸件延伸。
如請求項1之半導體裝置，其中該電壓支援結構在該開關元件上且在正交於該開關元件之該表面之一方向上延伸。
如請求項1之半導體裝置，其中： <br/>該電壓支援結構在平行於該開關元件之該表面之一方向上延伸；及 <br/>該電壓支援結構至少部分由該開關元件包圍。
一種半導體裝置，其包括： <br/>一源極接觸件； <br/>一開關元件，其具有： <br/>一表面， <br/>一第一半導體區域，其具有一第一摻雜極性且包含一通道區域， <br/>一源極區域，其具有一第二摻雜極性且與該源極接觸件及該第一半導體區域接觸，及 <br/>一汲極區域，其具有該第二摻雜極性且與該第一半導體區域接觸，及 <br/>一閘極，其對應於該第一半導體區域之該通道區域，其中該第一半導體區域、該源極區域及該汲極區域各自包含具有一帶隙之一第一半導體材料； <br/>一浮動電極，其具有第一及第二端，該浮動電極之該第一端耦合至該開關元件之該汲極區域； <br/>一電壓支援結構，其包含具有大於該第一半導體材料之該帶隙之一帶隙的一第二半導體材料，該電壓支援結構與該浮動電極之該第二端接觸；及 <br/>一汲極接觸件，其耦合至該電壓支援結構。
如請求項17之半導體裝置，其中該電壓支援結構在該開關元件上且在正交於該開關元件之該表面之一方向上延伸。
一種用於形成一半導體裝置之方法，其包括： <br/>形成包含具有一帶隙之一第一半導體材料之一開關元件； <br/>形成具有第一及第二端之一浮動電極，該浮動電極之該第一端耦合至該開關元件； <br/>形成包含具有大於該第一半導體材料之該帶隙之一帶隙之一第二半導體材料的一電壓支援結構； <br/>形成耦合至該開關元件之一源極接觸件； <br/>形成耦合至該電壓支援結構之一汲極接觸件；及 <br/>形成一場控制元件。
如請求項19之方法，其中該第一半導體材料包含矽、鍺或砷化鎵之至少一者。
一種製造能量傳遞元件之方法，該方法包含：<br/> 形成一U形磁性粉末芯，該U形磁性粉末芯在其磁路中具有一間隙；<br/> 至該U形磁性粉末芯添加功率繞組；<br/> 將未磁化的可磁化材料放置於該間隙中，且該未磁化的可磁化材料産生初始通量密度；以及<br/> 向未磁化的磁性材料施加磁場，使得該未磁化的磁性材料被磁化，<br/> 其中由該被磁化的材料産生之通量密度偏離該初始通量密度。
如請求項1所述之方法，其中將未磁化的可磁化材料放置於該間隙中包含：<br/> 施加包含環氧樹脂及可磁化顆粒之混合物；以及<br/> 固化該混合物。
如請求項2所述之方法，其中可磁化顆粒對懸浮介質之體積比大於1。
如請求項2所述之方法，其中固化該混合物包含將該混合物之溫度升高至高於與該懸浮介質相關聯之固化溫度。
如請求項2所述之方法，其中固化該混合物包含讓該懸浮介質有時間固化。
如請求項2所述之方法，其中固化該混合物更包含照射該混合物。
如請求項1所述之方法，其中將未磁化的可磁化材料放置於該間隙中包含：<br/> 將未磁化的磁體插入該間隙中。
如請求項1所述之方法，其中將未磁化的可磁化材料放置於該間隙中包含：<br/> 施加包含環氧樹脂、可磁化顆粒及粉末芯之混合物；以及<br/> 固化該混合物。
一種能量傳遞元件，包含：<br/> 一U形粉末芯，該U形粉末芯具有二個腿部及在磁路中之一間隙；以及<br/> 一棒，包含可磁化材料，其中該棒置於該間隙中，使得該U形粉末芯及該棒形成矩形環形線圈，<br/> 其中該可磁化材料能夠被磁化，<br/> 其中當該可磁化材料未被磁化時，該可磁化材料具有初始通量密度，並且<br/> 其中當該可磁化材料被磁化時，由該被磁化的材料産生之一通量密度偏離該初始通量密度；以及<br/> 功率繞組，纏繞在該磁路周圍。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該可磁化材料包含懸浮在懸浮介質中之可磁化顆粒。
如請求項10所述之能量傳遞元件，其中該等可磁化顆粒選自包含釹鐵硼（NdFeB）系材料或釤鈷（SmCo）系材料之群組。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該可磁化材料係為懸浮介質，該懸浮介質包含環氧樹脂以及磁化的可磁化顆粒及粉末芯。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該可磁化材料係為未磁化的磁體。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中：<br/> 該棒包含具有第一斜接端及第二斜接端之磁性材料，並且<br/> 該U形粉末芯之每一腿部具有一斜接端，使得該棒之該等斜接端與該U形粉末芯之該等斜接端相匹配。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中包含磁性材料之該棒置於該U形粉末芯之該等腿部之間。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該棒包含可磁化材料和不可磁化的磁性粉末。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該棒係於與該U形粉末芯組裝後被磁化。
如請求項9所述之能量傳遞元件，其中該棒包含橫亙該U形粉末芯之該等腿部的磁性材料。
一種能量傳遞元件，包含：<br/> 一U形粉末芯，該U形粉末芯包含二個腿部，其中該二個腿部具有分佈間隙且在一磁路中實質上無額外的分立間隙；<br/> 一棒，包含可磁化材料，其中該棒被放置為使得該U形粉末芯及該棒形成矩形環形線圈；以及<br/> 功率繞組；<br/> 其中當該可磁化材料未被磁化時，該可磁化材料具有一初始通量密度，並且<br/> 其中當該可磁化材料被磁化時，由該被磁化的材料産生之一通量密度偏離該初始通量密度。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中該棒包含可磁化材料和不可磁化的磁性粉末。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中該可磁化材料包含懸浮在懸浮介質中的可磁化顆粒。
如請求項21所述之能量傳遞元件，其中該等可磁化顆粒係選自包含釹鐵硼（NdFeB）系材料或釤鈷（SmCo）系材料之群組。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中該可磁化材料係為懸浮介質，且該懸浮介質包含環氧樹脂以及磁化的可磁化顆粒及粉末芯。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中：<br/> 該棒包含具有第一斜接端及第二斜接端之磁性材料，並且<br/> 該U形粉末芯之每一腿部具有一斜接端，使得該棒之該第一斜接端及該第二斜接端與該U形粉末芯之該等斜接端相匹配。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中包含磁性材料之該棒係置於該U形粉末芯之該等腿部之間。
如請求項19所述之能量傳遞元件，其中該棒橫亙該U形粉末芯之該等腿部。
一種生產一摻雜單晶矽錠之拉錠裝置，該拉錠裝置包括： <br/>一外殼，其界定一室； <br/>一坩堝，其安置於該室內；及 <br/>一摻雜物注射器，其延伸到該外殼，該摻雜物注射器包括： <br/>一注射模組，其附接至該外殼之一外表面，該注射模組包括： <br/>一第一儲存器，其用於容納一液體摻雜物； <br/>一第二儲存器，其用於容納該液體摻雜物； <br/>一第一閥，其用於選擇性地將該液體摻雜物自該第一儲存器引導至該第二儲存器；及 <br/>一第二閥，其用於選擇性地將該液體摻雜物自該第二儲存器引導至該室；及 <br/>一輸送模組，其附接至該注射模組且延伸穿過該外殼到該室，其中該第二閥選擇性地將該液體摻雜物引導至該輸送模組，且該輸送模組將該液體摻雜物氣化為一氣化摻雜物。
如請求項1之拉錠裝置，其進一步包括耦合至該第二閥之一軸，其中該軸致動第二閥。
如請求項1之拉錠裝置，其中該第一儲存器及該第二儲存器保持在高於該室之一壓力之一壓力下。
如請求項1之拉錠裝置，其中該第二閥可在一關閉位置和一打開位置間移動，該第二閥於該關閉位置時，該液體摻雜物保持在該第二儲存器內；該第二閥於該打開位置時，將該液體摻雜物引導至該輸送模組。
如請求項1之拉錠裝置，其中該第二閥係定位於該第二儲存器及該輸送模組間。
一種用於生產一摻雜單晶矽錠之拉錠裝置，該拉錠裝置包括： <br/>一外殼，其界定一室； <br/>一坩堝，其安置於該室內；及 <br/>一摻雜物注射器，其延伸到該外殼，該摻雜物注射器包括： <br/>一注射模組，其附接至該外殼之一外表面，該注射模組包括： <br/>一第一儲存器，其用於容納一液體摻雜物； <br/>一第二儲存器，其用於容納該液體摻雜物； <br/>一第一閥，其用於選擇性地將該液體摻雜物自該第一儲存器引導至該第二儲存器；及 <br/>一第二閥，其用於選擇性地將該液體摻雜物自該第二儲存器引導至該室；及 <br/>一輸送模組，其附接至該注射模組且延伸穿過該外殼到該室，該輸送模組包括： <br/>一摻雜物注射管，其定位於該室內；及 <br/>一氣化杯，其定位於該摻雜物注射管及該室內，其中該第二閥選擇性地將該液體摻雜物引導至該氣化杯，且該氣化杯將該液體摻雜物氣化為一氣化摻雜物。
如請求項6之拉錠裝置，其中該摻雜物注射管包含定位於接近一熔體之一表面之一第一端，以將該氣化摻雜物導引至該表面。
如請求項6之拉錠裝置，其進一步包括耦合至該第二閥之一軸，其中該軸致動第二閥。
如請求項6之拉錠裝置，其中該氣化杯包括： <br/>一接收器；及 <br/>一氣化塞，其定位於該接收器內，其中該液體摻雜物注射到該氣化塞上，且該氣化塞將該液體摻雜物氣化成該氣化摻雜物。
如請求項9之拉錠裝置，其中該氣化塞將該接收器分為一液體接收部分及一蒸氣通道部分。
如請求項10之拉錠裝置，其中該接收器界定通道，該通道將該氣化摻雜物自該液體接收部分引導至該摻雜物注射管。
如請求項11之拉錠裝置，其中該氣化塞包含一第一端及一第二端，且界定自該第一端延伸至該第二端之蒸氣通道，其中該液體摻雜物注射到該氣化塞且該氣化摻雜物透過該等蒸氣通道引導至該等通道。
如請求項6之拉錠裝置，其中該摻雜物注射器包含用於將該摻雜物注射管移動到接近該坩堝之一風箱。
如請求項6之拉錠裝置，其進一步包括一加熱系統，用於使用來自該加熱系統之輻射熱來加熱該氣化杯，其中來自該加熱系統之該輻射熱係該加熱系統在該坩堝中熔化多晶矽時來自該加熱系統之過剩熱。
如請求項6之拉錠裝置，其中該第二閥可在一關閉位置和一打開位置間移動，該第二閥於該關閉位置時，該液體摻雜物保持在該第二儲存器內；該第二閥於該打開位置時，將該液體摻雜物引導至該輸送模組。
如請求項6之拉錠裝置，其中該第二閥係定位於該第二儲存器及該輸送模組間。
一種基於處理器的系統，包括：<br/> 一功率電路，該功率電路經配置成基於一功率預算設置一功率信號的一運行電壓；<br/> 一時脈控制電路，該時脈控制電路用於在一時脈輸出上產生一當前頻率的一時脈信號；<br/> 一處理單元，該處理單元包括至少一個計算處理器核心，每個計算處理器核心耦合到該時脈輸出，每個計算處理器核心經配置成以基於該時脈信號的該當前頻率作為一運行頻率的一速率來執行程式代碼；及<br/> 一限制頻率記憶體，該限制頻率記憶體經配置成存儲一限制頻率；<br/> 該時脈控制電路經配置成執行以下操作：<br/> 接收指示一頻率限制事件的一頻率限制信號；及<br/> 回應於接收到指示該頻率限制事件的該頻率限制信號：<br/> 藉由經配置成以下步驟，以低於該當前頻率的該限制頻率產生該時脈信號，該等以下步驟為：<br/> (a)在該時脈輸出上產生在該當前頻率和該限制頻率之間的一下一個中間頻率的該時脈信號；及<br/> (b)驗證該下一個中間頻率的該時脈信號；及<br/> 回應於驗證該下一個中間頻率的該時脈信號，重複步驟(a)－(b)一次或多次，直到該下一個中間頻率是該限制頻率為止；以及<br/> 傳送指示一頻率限制完成事件的一頻率限制完成信號，該頻率限制完成事件指示在該限制頻率的該時脈信號；以及<br/> 一功率控制電路，該功率控制電路經配置成：<br/> 接收指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號；及<br/> 回應於接收到指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號：<br/> 將該功率信號的該運行電壓設置為高於該功率信號之一當前運行電壓的一下一個運行電壓。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中該時脈控制電路包括一鎖相迴路(PLL)電路，該PLL電路經配置為產生該時脈信號。
如請求項2所述的基於處理器的系統，其中該PLL電路經配置為根據該時脈信號的該當前頻率、該時脈信號的先前當前頻率的積分及該時脈信號的該當前頻率的變化率來產生該時脈信號。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中該時脈控制電路包括：<br/> 一第一鎖相迴路(PLL)電路，該第一PLL電路經配置為產生一第一頻率的一第一時脈信號；<br/> 一第二PLL電路，該第二PLL電路經配置為產生一第二頻率的一第二時脈信號；及<br/> 一時脈選擇電路，該時脈選擇電路經配置為接收該第一時脈信號和該第二時脈信號，並基於一時脈選擇信號將該第一時脈信號和該第二時脈信號中之一者傳遞到該時脈輸出；<br/> 藉由經配置成以下步驟，該時脈控制電路進一步經配置成在該時脈輸出上產生在該當前頻率和該限制頻率之間的該下一個中間頻率的該時脈信號，該等以下步驟為：<br/> (c)產生該時脈選擇信號以選擇來自該第一PLL電路的該第一時脈信號以耦合到該時脈輸出；<br/> (d)使該第二PLL電路產生該下一個中間頻率的該第二時脈信號；<br/> (e)產生該時脈選擇信號以選擇來自該第二PLL電路的該第二時脈信號以耦合到該時脈輸出；及<br/> (f)使該第一PLL電路產生該下一個中間頻率的該第一時脈信號。
如請求項4所述的基於處理器的系統，其中該時脈控制電路經進一步配置為重複步驟(c)－(f)，直到該下一個中間頻率是該限制頻率為止。
如請求項1所述的基於處理器的系統，進一步包括至少一個溫度監控器電路，每個溫度監控器電路經配置為執行以下操作：<br/> 檢測該至少一個計算處理器器核心的一環境溫度；及<br/> 回應於該檢測到的環境溫度超過一定義的閾值溫度，產生指示該頻率限制事件的該頻率限制信號。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中該時脈控制電路經進一步配置為從一外部裝置接收指示該頻率限制事件的該頻率限制信號。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中該功率電路進一步經配置為將該功率信號分配到一功率輸出上；<br/> 進一步包含：一電源軌，該電源軌經耦合到該功率輸出；<br/> 其中：<br/> 該至少一個計算處理器核心，每者皆耦合到該電源軌；及<br/> 該基於處理器的系統進一步經配置為回應於指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號，使該功率電路停止產生該功率信號。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中：<br/> 該功率電路進一步經配置為將該功率信號分配到一功率輸出上；以及<br/> 進一步包含：<br/> 一電源軌，該電源軌經耦合到該功率輸出；<br/> 該至少一個計算處理器核心，每者皆耦合到該電源軌；並且<br/> 該功率控制電路進一步經配置為執行以下步驟：<br/> 回應於接收到指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號：<br/> (g)基於以該時脈信號的該當前頻率運行的該至少一個計算處理器核心和該功率信號的該當前運行電壓，確定該基於處理器的系統的一當前功率需求；<br/> (h) 確定該基於處理器的系統的該當前功率需求是否大於該基於處理器的系統的該功率預算；及<br/> (i) 回應於確定該當前功率需求低於該功率預算：<br/> 使該功率電路產生高於該當前運行電壓的該下一個運行電壓的該功率信號；<br/> 判斷該功率信號的該當前運行電壓是否等於或高於該下一個運行電壓；及<br/> 回應確定該當前運行電壓等於或高於該下一個運行電壓：<br/> 使該時脈控制電路產生高於該當前頻率的一下一個運行頻率的該時脈信號；及<br/> (j) 將該功率信號的該運行電壓設置為該下一個運行電壓。
如請求項9所述的基於處理器的系統，其中該功率控制電路進一步經配置為回應於確定該當前功率需求大於該功率預算：<br/> 使該時脈控制電路產生低於該當前頻率的一下一個運行頻率的該時脈信號；<br/> 判斷該時脈信號的該當前頻率是否等於或低於該下一個運行頻率；及<br/> 回應確定該當前頻率等於或低於該下一個運行頻率：<br/> 使該功率電路產生低於該當前運行電壓的一下一個運行電壓的該功率信號。
如請求項9所述的基於處理器的系統，其中該功率控制電路經進一步配置為：<br/> 確定該基於處理器的系統的該當前功率需求是否等於該基於處理器的系統的該功率預算；及<br/> 回應於確定該當前功率需求等於該功率預算：<br/> 不使該功率電路產生與該當前運行電壓不同的一下一個運行電壓的該功率信號；及<br/> 不使該時脈控制電路產生與該當前頻率不同的一下一個運行頻率的該時脈信號。
如請求項10所述的基於處理器的系統，其中該功率控制電路經配置為重複步驟(g)－(i)。
如請求項1所述的基於處理器的系統，其中該處理單元進一步經配置為對具有該限制頻率的該限制頻率記憶體進行程式化。
如請求項9所述的基於處理器的系統，包括：<br/> 一第一積體電路(IC)晶片，該第一IC晶片包括該電源軌、該時脈控制電路、該處理單元和該功率控制電路；及<br/> 一第二IC晶片，該第二IC晶片包括該功率電路。
如請求項14所述的基於處理器的系統，其中該第一IC晶片包括一半導體晶粒，該半導體晶粒包括該電源軌、該時脈控制電路、該處理單元和該功率控制電路。
一種在一基於處理器的系統中限制一處理器的一運行頻率的方法，包括以下步驟：<br/> 基於一功率預算設置一功率信號的一運行電壓；<br/> 在一時脈輸出上產生一當前頻率的一時脈信號；及<br/> 在包括至少一個接收該時脈信號的計算處理器核心的一處理單元中以基於該時脈信號的該當前頻率的一速率來執行程式代碼； <br/> 接收指示一頻率限制事件的一頻率限制信號；及<br/> 回應於接收到指示該頻率限制事件的該頻率限制信號，藉由以下步驟以低於該當前頻率的一限制頻率產生該時脈信號：<br/> (a) 在該時脈輸出上產生在該當前頻率和該限制頻率之間的一下一個中間頻率的該時脈信號；及<br/> (b) 驗證該下一個中間頻率的該時脈信號；及<br/> 回應於驗證該下一個中間頻率的該時脈信號，重複步驟(a)－(b)一次或多次，直到該下一個中間頻率為該限制頻率為止；及<br/> 傳送指示一頻率限制完成事件的一頻率限制完成信號，該頻率限制完成事件指示在該限制頻率的該時脈信號；以及<br/> 接收指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號；及<br/> 回應於接收到指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號：<br/> 將該功率信號的該運行電壓設置為高於該功率信號之一當前運行電壓的一下一個運行電壓。
如請求項16所述的方法，其中在該時脈輸出上產生該下一個中間頻率的該時脈信號之步驟包括以下步驟：基於該時脈信號的鎖相迴路，在該時脈輸出上產生該下一個中間頻率的該時脈信號。
如請求項16所述的方法，其中在該時脈輸出上產生該下一個中間頻率的該時脈信號之步驟包括以下步驟：<br/> (c)產生一時脈選擇信號以選擇來自一第一鎖相迴路(PLL)電路的一第一時脈信號以耦合到該時脈輸出；<br/> (d)使一第二PLL電路產生該下一個中間頻率的一第二時脈信號；<br/> (e)產生該時脈選擇信號以選擇來自該第二PLL電路的該第二時脈信號以耦合到該時脈輸出；及<br/> (f)使該第一PLL電路產生該下一個中間頻率的該第一時脈信號。
如請求項18所述的方法，進一步包括以下步驟：重複步驟(c)－(f)，直到該下一個中間頻率是該限制頻率為止。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 檢測該至少一個計算處理器核心的一環境溫度；及<br/> 回應於該檢測到的環境溫度超過一定義的閾值溫度，產生指示該頻率限制事件的該頻率限制信號。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：從一外部裝置接收指示該頻率限制事件的該頻率限制信號。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將該功率信號分配到耦合到該至少一個計算處理器核心的一功率輸出上；及<br/> 回應於指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號，使一功率電路停止產生該功率信號。
如請求項16所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 將該功率信號分配到耦合到該至少一個計算處理器核心的一功率輸出上；<br/> 回應於接收到指示該頻率限制完成事件的該頻率限制完成信號；<br/> (g)基於以該時脈信號的該當前頻率運行的該至少一個計算處理器核心和該功率信號的該當前運行電壓，確定該基於處理器的系統的一當前功率消耗；<br/> (h) 確定該基於處理器的系統的該當前功率消耗是否大於該基於處理器的系統的該功率預算；及<br/> (i) 回應於確定該當前功率消耗小於該功率預算：<br/> 使一功率電路產生高於該當前運行電壓的一下一個運行電壓的一功率信號；<br/> 判斷該功率信號的該當前運行電壓是否等於或高於該下一個運行電壓；及<br/> 回應於確定該當前運行電壓等於或高於該下一個運行電壓：<br/> 使該時脈控制電路產生高於該當前頻率的一下一個運行頻率的該時脈信號；及<br/> (j)將該功率信號的該運行電壓設置為該下一個運行電壓。
一種生產氧化鋰之方法，其係自以下：<br/> -藉由雷射繞射所確定，中值粒徑(D<sub>50</sub>)為2至150 µm之碳酸鋰，及<br/> -藉由電子顯微術所確定，中值一次粒徑(D<sub>50</sub>)為 ＜ 1 µm之碳， <br/> 藉由在600至1200℃之溫度範圍內煆燒來生產氧化鋰之方法，其中該煆燒係在真空條件下或在惰性氣體中或在惰性氣體之混合物中進行，<br/> 其特徵在於：<br/> 在該煆燒之前，使該碳酸鋰及該碳以1: 0.1至1: 1.2之莫耳比組合且進行混合及壓實，由該碳包圍該碳酸鋰且形成塗層，且與不經壓實製備之該碳酸鋰及該碳之混合物的整體密度相比，所得混合物之整體密度增加至少5%，該整體密度根據EN ISO 697確定。
如請求項1之方法，其特徵在於與未壓實混合物之整體密度相比，經壓實混合物之整體密度增加了至少15%。
如請求項1或2之方法，其特徵在於進行該組合及混合且在研磨單元、旋轉強混合器或壓實裝置中壓實。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該組合及混合以及壓實在以下中進行：<br/> a)能量輸入為10至500 kW/m<sup>3</sup>之旋轉強混合器或<br/> b)轉子打擊式磨機、針磨機或研磨介質磨機，或者<br/> c)壓實機。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該煆燒在設備中進行，該設備面向產物之表面由耐高溫及耐鹼性鋰鹽腐蝕之材料製成，該等材料為<br/> a)碳基材料，其選自材料-石墨及具有無序石墨結構之純碳，或<br/> b)氧化物陶瓷，其係鋁酸鋰陶瓷、Ce穩定之ZrO<sub>2</sub>，或<br/> c)非氧化物陶瓷，其係碳化物陶瓷、氮化物陶瓷、硼化物陶瓷，或<br/> d)含鉻及/或鋁之金屬材料。
如請求項5之方法，其特徵在於該煆燒在設備中進行，該設備面向產物之表面選自金屬材料，該等金屬材料選自：<br/> -耐高溫含Cr及/或含Al之鎳基合金、<br/> -含Ni及含Cr之奧氏體鋼(austenitic steel)、<br/> -低Ni及/或無Ni之含Cr及含Al鐵磁體鋼或含Cr之混合奧氏體-鐵磁體鋼，<br/> 其中在Al＜0.1重量%下該等金屬材料之鉻含量為至少15重量%，或在至少1重量% Al存在下，該鉻含量為至少5重量%。
如請求項5之方法，其特徵在於除鉻及鋁外，該等金屬材料亦含有元素鈮、鈦、鉭及/或矽，每一者之比例為0至10重量%。
如請求項5之方法，其特徵在於，該等金屬材料含有＜ 2 wt.%鉬。
如請求項5之方法，其特徵在於，該等金屬材料包含在面向產物之側具有含Cr金屬塗層之耐高溫黑鋼或不鏽鋼，該塗層中之鉻含量為至少10重量%。
如請求項9之方法，其特徵在於藉由電子顯微術所確定的該塗層之厚度為至少5 μm。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該煆燒係：<br/> -在包含0.01至50毫巴(1至5000 Pa)範圍內之負壓的真空條件下進行，或<br/> -在溢流條件下進行，其中溢流氣體或氣體混合物在＞ 600℃之溫度下對碳呈惰性或實質上呈惰性，其中該溢流氣體或氣體混合物係該惰性氣體或該惰性氣體之混合物。
如請求項11之方法，其特徵在於該惰性氣體或該惰性氣體之混合物包含氮氣或稀有氣體。
如請求項1或2之方法，其特徵在於，該碳酸鋰與該碳之莫耳比在1:0.6至1:1.1範圍內。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該碳包含粉末形式之元素碳，該等元素碳之比表面積(BET)為10至1500 m<sup>2</sup>/g，且中值一次粒徑 D<sub>50</sub> ＜1000 nm。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該碳包含碳粉末，該碳粉末之硫含量＜1000 ppm，且殘餘灰分含量為＜1000 ppm。
如請求項15之方法，其特徵在於，該碳粉末與Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>之中值粒徑D<sub>50</sub>比率在1:50至1:20,000範圍內。
如請求項1或2之方法，其特徵在於該煆燒在移動床條件下進行。
如請求項1或2之方法，其特徵在於使所產生之該氧化鋰 進行去碳化純化步驟，其中使所產生之該氧化鋰與包含含氧氣氣體或選自O<sub>2</sub>、CO<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O或其混合物之氣體混合物與對碳呈惰性之其他氣體的混合物的氣流在至少300℃之溫度下接觸。
如請求項14之方法，其特徵在於所用該粉末形式之元素碳為非粒狀碳黑。
一種熱硬化性樹脂組成物的製造方法，包括： <br/>去溶劑步驟，自包含熱硬化性樹脂、硬化劑及含有無機填充材與溶劑的漿料的第一混合物中，於第一去溶劑溫度下去除所述溶劑來獲得第二混合物；以及 <br/>混練步驟，向所述第二混合物中加入硬化促進劑，於溫度低於所述第一去溶劑溫度的第一混練溫度下混練加入了所述硬化促進劑的所述第二混合物， <br/>所述熱硬化性樹脂組成物中的所述無機填充材的含有率為所述熱硬化性樹脂組成物整體的70體積%～95體積%。
一種熱硬化性樹脂組成物的製造方法，包括： <br/>去溶劑步驟，自包含熱硬化性樹脂及硬化劑的其中一者以及含有無機填充材與溶劑的漿料的第三混合物中，於第二去溶劑溫度下去除所述溶劑，繼而加入所述熱硬化性樹脂及所述硬化劑的另一者，來獲得第四混合物，或者自包含熱硬化性樹脂及硬化劑的其中一者以及含有無機填充材與溶劑的漿料的第三混合物中，於第二去溶劑溫度下一邊去除所述溶劑一邊加入所述熱硬化性樹脂及所述硬化劑的另一者，來獲得第四混合物；以及 <br/>混練步驟，向所述第四混合物中加入硬化促進劑，於溫度低於所述第二去溶劑溫度的第二混練溫度下混練加入了所述硬化促進劑的所述第四混合物， <br/>所述熱硬化性樹脂組成物中的所述無機填充材的含有率為所述熱硬化性樹脂組成物整體的70體積%～95體積%。
如請求項1所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述第一混練溫度為藉由示差掃描熱量測定對加入了所述硬化促進劑的所述第二混合物進行測定而測得的使得反應率成為40%的溫度以下。
如請求項2所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述第二混練溫度為藉由示差掃描熱量測定對加入了所述硬化促進劑的所述第四混合物進行測定而測得的使得反應率成為40%的溫度以下。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述去溶劑步驟與所述混練步驟能連續進行。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述去溶劑步驟能以批次式進行。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述第一去溶劑溫度或所述第二去溶劑溫度高於所述熱硬化性樹脂的熔點或軟化點。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述漿料更包含偶合劑。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述無機填充材的頂切徑為10 μm以下。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述溶劑的沸點為50℃～200℃。
如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述無機填充材於所述漿料中的固體成分比率為40質量%～90質量%。
如請求項1所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述第一混合物的固體成分比率為30質量%～90質量%。
如請求項2所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法，其中，所述第三混合物的固體成分比率為30質量%～90質量%。
一種電子零件裝置的製造方法，包括藉由利用如請求項1至請求項13中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物的製造方法而獲得的熱硬化性樹脂組成物來密封元件的步驟。
一種基板固定裝置，其包括： <br/>一底板； <br/>一靜電吸附部件，其吸附並固持一基板；及 <br/>一第一黏著劑層，其將該靜電吸附部件黏著地接合至該底板， <br/>其中在-110℃至250℃之一溫度範圍內，該第一黏著劑層之一儲存模數係不小於0.01 MPa且不超過25 MPa。
如請求項1之基板固定裝置，其中， <br/>在-110℃至140℃之一溫度範圍內，該第一黏著劑層之該儲存模數係不小於0.01 MPa且不超過21 MPa。
如請求項1或2之基板固定裝置，其中， <br/>該第一黏著劑層之一厚度係不小於0.05 mm且不超過0.4 mm。
如請求項3之基板固定裝置，其中， <br/>該第一黏著劑層之該厚度係不小於0.05 mm且不超過0.2 mm。
如請求項1或2之基板固定裝置，其中， <br/>在該溫度範圍內，該第一黏著劑層之一熱導率係不小於0.5 W/(m·K)且不超過10 W/(m·K)。
如請求項1或2之基板固定裝置，其中， <br/>該底板具有面對該靜電吸附部件之一上部面，及與該上部面相對之一下部面， <br/>該基板固定裝置進一步包括設置於該底板之該上部面上之一第一底漆層，且 <br/>該第一黏著劑層直接接觸該第一底漆層。
如請求項1或2之基板固定裝置，其進一步包括： <br/>一第二黏著劑層，其設置於該底板與該第一黏著劑層之間且比該第一黏著劑層薄， <br/>其中在該溫度範圍內，該第二黏著劑層之一熱導率高於該第一黏著劑層之一熱導率。
如請求項7之基板固定裝置，其中， <br/>在-100℃至0℃之一溫度範圍內，該第二黏著劑層之一儲存模數高於該第一黏著劑層之該儲存模數。
如請求項7之基板固定裝置，其中， <br/>該第二黏著劑層之一厚度係不小於0.05 mm且不超過0.12 mm。
如請求項1或2之基板固定裝置，其中， <br/>該靜電吸附部件具有一上部面，及與該上部面相對且面對該底板之一下部面， <br/>該基板固定裝置進一步包括設置於該靜電吸附部件之該下部面上之一第二底漆層，且 <br/>該第一黏著劑層直接接觸該第二底漆層。
如請求項1或2之基板固定裝置，其中， <br/>在該基板固定裝置之一厚度方向上，該底板與該靜電吸附部件之間的一距離係不小於0.025 mm且不超過1.025 mm。
一種使用於靜電吸盤之異常判定方法之測定用治具，上述測定用治具具備：<br/>基板，其形狀與半導體製造用晶圓大致相同；及<br/>光纖，其內部具有複數個反射元件，上述反射元件可反射波長與應力引起之上述基板之變形對應之光，且上述光纖係以上述複數個反射元件分別配置於上述基板之一面上之複數個位置之狀態固定於上述基板之一面上；<br/>上述基板具有：<br/>溝部，其於上述一面上延伸；及<br/>複數個凹部，其等在與上述一面上之上述溝部重疊之位置沿著上述溝部之延伸方向排列而形成；<br/>上述光纖配置於上述溝部；且<br/>上述複數個反射元件係：與上述複數個凹部之底面分開而分別配置於上述複數個凹部之位置；其中<br/>上述靜電吸盤之異常判定方法包含以下步驟：<br/>第1吸附步驟，其使上述測定用治具吸附於第1靜電吸盤；<br/>第1算出步驟，其在上述測定用治具被吸附於上述第1靜電吸盤之狀態下，測定自上述反射元件反射之反射光，藉此算出上述基板之上述複數個位置之第1應變量；<br/>第2吸附步驟，其使上述測定用治具吸附於第2靜電吸盤；<br/>第2算出步驟，其在上述測定用治具被吸附於上述第2靜電吸盤之狀態下，測定自上述反射元件反射之反射光，藉此算出上述基板之上述複數個位置之第2應變量；<br/>自上述第1應變量與上述第2應變量之差，判定上述第2靜電吸盤之異常之有無。
如請求項1之測定用治具，其進而具備設置於上述基板之一面上之溫度感測器。
如請求項2之測定用治具，其中上述溫度感測器與上述各反射元件鄰接設置。
如請求項3之測定用治具，其中藉由接著劑將上述光纖接著於上述基板之一面上隔著上述各反射元件之位置；<br/>藉由接著上述光纖之上述接著劑將上述溫度感測器接著於上述基板之一面上隔著上述各反射元件之位置之一。
如請求項1之測定用治具，其中上述複數個反射元件中之至少一個反射元件用作溫度感測器；<br/>上述測定用治具進而具備罩蓋構件，上述罩蓋構件覆蓋上述光纖之與用作溫度感測器之上述至少一個反射元件對應之部分，阻斷自上述基板施加至上述至少一個反射元件之應力。
如請求項1或2之測定用治具，其中上述基板由矽、或可撓性較矽更高之樹脂而形成。
如請求項1之測定用治具，其中上述靜電吸盤之異常判定方法進而包含：<br/>算出上述第1算出步驟中之上述基板之溫度即第1溫度的步驟；<br/>算出上述第2算出步驟中之上述基板之溫度即第2溫度的步驟；<br/>對上述第1應變量使用上述第1溫度而進行補償的步驟；<br/>對上述第2應變量使用上述第2溫度而進行補償的步驟。
一種用於電漿輸送及/或電漿處理的方法，包括以下步驟：<br/> 藉由一處理元件接收包括第一複數個曝光值之資料，每一者與經配置以將一基板暴露於相關通量之複數個受控元件中的一相應受控元件相關聯；及<br/> 藉由該處理元件使一控制器基於該等資料啟動該複數個受控元件以將該基板暴露於由該複數個受控元件在一電漿製程期間所產生的該等相關通量，其中該複數個受控元件中之每一相應受控元件係基於來自該第一複數個曝光值中之與該相應受控元件相關聯的一相應曝光值而被啟動歷時一持續時間。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該處理元件接收與該基板之一量測相關聯的一第一低解析度(LR)製程影像；及<br/> 藉由該處理元件將該第一LR製程影像轉換成與該複數個受控元件相關聯之一第一高解析度(HR)製程影像。
如請求項2所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該處理元件接收第二資料，其包括與該等受控元件相關聯之第二複數個曝光值；<br/> 藉由該處理元件使該控制器基於該等第二資料啟動該複數個受控元件以將一第二基板暴露於由該複數個受控元件在該電漿製程期間所產生的該等相關通量，其中該複數個受控元件中之每一相應受控元件係基於來自該第二複數個曝光值中之一相應曝光值而被啟動歷時一第二持續時間；<br/> 藉由該處理元件接收指示該第二基板之一第二量測的一第二LR製程影像；<br/> 藉由該處理元件將該第二LR製程影像轉換成與該等受控元件相關聯之一第二HR製程影像；及<br/> 基於該第一HR製程影像與該第二HR製程影像之間的一比較產生一HR製程速率影像。
如請求項2所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該處理元件接收一製程速率HR影像檔案，其指示與每一受控元件相關聯之該基板的位置處之製程速率；及<br/> 藉由該處理元件基於該製程速率HR影像檔案及該第一HR製程影像產生一經更新之HR製程影像。
如請求項1所述之方法，其中該複數個受控元件係呈一網格佈置，其中該等資料包括一圖，且其中來自該圖之每一相應曝光值與該網格中之該複數個受控元件中的一者相關聯。
如請求項1所述之方法，其中該複數個受控元件包括一電漿源、一電漿擋閘、一偏置電極或一熱源中之一或更多者。
一種用於電漿輸送及/或電漿處理的方法，包括以下步驟：<br/> 藉由一處理元件接收第一資料，其包括第一複數個電漿曝光持續時間，每一者與經配置以產生電漿相關通量之複數個電漿元件中的一相應電漿元件相關聯；<br/> 藉由該處理元件接收一第一基板之一第一厚度輪廓，該第一厚度輪廓包括在將該第一基板暴露於該等電漿相關通量中歷時在該等第一資料中所定義之相應電漿曝光持續時間以後所量測之該第一基板的第一複數個厚度值；<br/> 藉由該處理元件決定該第一厚度輪廓包括該第一基板上之一第一位置的一第一厚度值，其與該複數個電漿元件中偏離一參考厚度值之一第一電漿元件相關聯；及<br/> 響應於決定該第一厚度輪廓包括偏離該參考厚度值之該第一厚度值，藉由該處理元件藉由改變該複數個電漿曝光持續時間中之與該第一電漿元件相關聯的一第一電漿曝光持續時間而修改該等第一資料。
如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該處理元件接收一第二基板之一第二厚度輪廓，該第二厚度輪廓包括在將該第二基板暴露於該等電漿相關通量中歷時在該等經修改的第一資料中所定義之該等相應電漿曝光持續時間以後所量測之該第二基板的第二複數個厚度值；<br/> 藉由該處理元件決定該第二厚度輪廓包括該基板上之一第二位置的一第二厚度值，其與該複數個電漿元件中偏離該參考厚度值之一第二電漿元件相關聯；及<br/> 響應於決定該第二厚度輪廓包括偏離該參考厚度值之該第二厚度值，藉由該處理元件藉由改變該複數個電漿曝光持續時間中之與該第二電漿元件相關聯的一第二電漿曝光持續時間而進一步修改該等經修改之第一資料。
如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 藉由該處理元件接收包括第二複數個電漿曝光持續時間之第二資料，每一者與該等電漿元件相關聯；<br/> 藉由該處理元件接收一第二基板之一第二厚度輪廓，該第二厚度輪廓包括在將該第二基板暴露於該等電漿相關通量中歷時在該等第二資料中所定義之該等相應電漿曝光持續時間以後所量測之該第二基板的第二複數個厚度值；<br/> 比較該第一厚度輪廓與該第二厚度輪廓；及<br/> 基於該第一厚度輪廓與該第二厚度輪廓之間的一比較來決定針對該第一基板及該第二基板上之一或更多個處理位置的一厚度值變化速率，<br/> 其中修改該等第一資料之步驟進一步響應於決定該一或更多個處理位置之該厚度值變化速率滿足一臨限值。
如請求項7所述之方法，其中該複數個電漿曝光持續時間中之一者包括相關聯電漿元件將該第一基板暴露於由該等相關聯電漿元件所產生之該等電漿相關通量的一時間量。
如請求項7所述之方法，其中該等第一資料進一步包括一製程持續時間，其指示用以在該第一基板上執行一基板製程操作的一總時間量，其中該第一複數個電漿曝光持續時間中之一者包括該製程持續時間的一百分比值。
如請求項7所述之方法，其中該第一複數個電漿曝光持續時間包括在一電漿製程期間一相關聯電漿元件將該第一基板暴露於其中之電漿脈衝的一數量。
如請求項7所述之方法，其中該等第一資料作為一影像檔案被儲存，其中該複數個電漿曝光持續時間中之每一者作為亮度值或顏色值中之至少一者的一數組被儲存。
一種用於電漿輸送及/或電漿處理的系統，包括：<br/> 一處理腔室；<br/> 複數個電漿元件，安置在該處理腔室內，該複數個電漿元件經配置以產生電漿相關通量；<br/> 一電漿控制器，以通訊方式耦合至該複數個電漿元件且經配置以控制該複數個電漿元件；及<br/> 一處理元件，以通訊方式耦合至該電漿控制器，以便：<br/> 接收包括第一複數個電漿曝光值之第一資料，每一者與該複數個電漿元件中之一相應電漿元件相關聯；及<br/> 使該電漿控制器基於該等第一資料啟動該複數個電漿元件以將一第一基板暴露於由該複數個電漿元件在一電漿製程期間所產生的該等電漿相關通量，其中該複數個電漿元件中之每一相應電漿元件係基於來自該第一複數個曝光值中之與該相應電漿元件相關聯的一相應電漿曝光值而被啟動歷時一持續時間。
如請求項14所述之系統，其中該處理元件進一步用以：<br/> 在該電漿製程期間量測該第一基板上的一薄膜之一第一位置的一第一厚度，其與一第一電漿元件相關聯；<br/> 基於該第一厚度與該薄膜的一目標厚度之間的一差別來決定將啟動該第一電漿元件的一經更新之第一持續時間；及<br/> 基於該第一厚度、該目標厚度、該第一複數個電漿曝光值及一第二電漿曝光值來決定將啟動一第二電漿元件的一經更新之第二持續時間。
如請求項14所述之系統，其中該複數個電漿元件係呈一網格佈置，其中該等第一資料包括一圖，且其中來自該圖之每一相應電漿曝光值與該網格中之該複數個電漿元件中的一者相關聯。
如請求項14所述之系統，其中該處理元件進一步用以：<br/> 接收第一資料，其包括第一複數個電漿曝光持續時間，每一者與經配置以產生電漿相關通量之複數個電漿元件中的一相應電漿元件相關聯；<br/> 接收一第一基板之一第一厚度輪廓，該第一厚度輪廓包括在將該第一基板暴露於該等電漿相關通量中歷時在該等第一資料中所定義之該等相應電漿曝光持續時間以後所量測之該第一基板的第一複數個厚度值；<br/> 決定該第一厚度輪廓包括該基板上之一第一位置的一第一厚度值，其與該複數個電漿元件中偏離一參考厚度值之一第一電漿元件相關聯；及<br/> 響應於決定該第一厚度輪廓包括偏離該參考厚度值之該第一厚度值，藉由改變該複數個電漿曝光持續時間中之與該第一電漿元件相關聯的一第一電漿曝光持續時間而修改該等第一資料。
如請求項17所述之系統，其中該處理元件進一步用以：<br/> 接收一第二基板之一第二厚度輪廓，該第二厚度輪廓包括在將該第二基板暴露於該等電漿相關通量中歷時在該等經修改的第一資料中所定義之一相應電漿曝光持續時間以後所量測之該第二基板的第二複數個厚度值；<br/> 決定該第二厚度輪廓包括該基板上之一第二位置的一第二厚度值，其與該複數個電漿元件中偏離該參考厚度值之一第二電漿元件相關聯；及<br/> 響應於決定該第二厚度輪廓包括偏離該參考厚度值之該第二厚度值，藉由該處理元件藉由改變該複數個電漿曝光持續時間中之與該第二電漿元件相關聯的一第二電漿曝光持續時間而進一步修改該等經修改之第一資料。
如請求項14所述之系統，其中該等電漿元件包括經配置以產生等同的電漿相關通量之一或更多個獨立電漿源。
如請求項19所述之系統，其中該一或更多個獨立電漿源包括一介電阻障放電(DBD)單元。
一種基板處理方法，其具有如下製程：<br/>a)提供基板，該基板具備：蝕刻對象膜；第1遮罩，其形成於上述蝕刻對象膜上；及第2遮罩，其形成於上述第1遮罩上，膜種類與上述第1遮罩不同，且具有開口；<br/>b)相對於上述第2遮罩選擇性地蝕刻上述第1遮罩，形成上述第1遮罩之至少一部分之開口尺寸大於上述第2遮罩之底部之開口尺寸的開口；及<br/>c)對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且<br/>上述b)執行1次以上之包含如下製程之序列：<br/>b-1)藉由自第1氣體產生之第1電漿對上述第1遮罩之一部分進行改質而形成改質區域；及<br/>b-2)藉由自第2氣體產生之第2電漿將上述改質區域去除。
一種基板處理方法，其具有如下製程：<br/>a)提供基板，該基板具備：蝕刻對象膜；第1遮罩，其形成於上述蝕刻對象膜上；及第2遮罩，其形成於上述第1遮罩上，膜種類與上述第1遮罩不同，且具有開口；<br/>b)相對於上述第2遮罩選擇性地蝕刻上述第1遮罩，形成上述第1遮罩之至少一部分之開口尺寸大於上述第2遮罩之底部之開口尺寸的開口；及<br/>c)對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且<br/>上述a)係使用自HF氣體產生之電漿對第1遮罩進行蝕刻。
如請求項1或2之基板處理方法，其中<br/>上述b)以上述第1遮罩之底部之開口尺寸大於上述第2遮罩之底部之開口尺寸之方式對上述第1遮罩進行蝕刻。
如請求項3之基板處理方法，其中<br/>上述第1遮罩之開口為倒錐形狀。
如請求項1或2之基板處理方法，其中<br/>上述第1遮罩為含矽膜、有機膜或含金屬膜。
如請求項1或2之基板處理方法，其中<br/>上述第1遮罩為含矽膜，<br/>上述第2遮罩為與上述第1遮罩不同之含矽膜、有機膜或含金屬膜。
如請求項1或2之基板處理方法，其中<br/>上述第1遮罩為氮化矽膜、氧化矽膜或碳化矽膜，<br/>上述第2遮罩為與上述第1遮罩不同之含矽膜。
如請求項2之基板處理方法，其中<br/>上述b)執行1次以上之包含如下製程之序列：<br/>b-1)藉由自第1氣體產生之第1電漿對上述第1遮罩之一部分進行改質而形成改質區域；及<br/>b-2)藉由自第2氣體產生之第2電漿將上述改質區域去除。
如請求項8之基板處理方法，其中<br/>上述第1遮罩為含矽膜或含金屬膜，<br/>上述第1氣體為氦氣、含氫氣體或含氮氣體，<br/>上述第2氣體為含氟氣體。
如請求項9之基板處理方法，其中<br/>上述含氫氣體為選自H<sub>2</sub>氣體、D<sub>2</sub>氣體及NH<sub>3</sub>氣體之群中之至少1種，<br/>上述含氟氣體為選自NF<sub>3</sub>氣體、SF<sub>6</sub>氣體、及氟碳氣體之群中之至少1種。
如請求項8至10中任一項之基板處理方法，其中<br/>上述第2氣體進而包含含氧氣體。
如請求項11之基板處理方法，其中<br/>上述含氧氣體為選自O<sub>2</sub>氣體、CO<sub>2</sub>氣體及CO氣體之群中之至少1種。
如請求項1、2、8至10中任一項之基板處理方法，其中<br/>上述b)係使用蝕刻氣體對上述第1遮罩進行各向同性蝕刻之製程。
如請求項1、2、8至10中任一項之基板處理方法，其中<br/>上述a)包含如下製程，即，<br/>a-1)提供基板，該基板具有上述蝕刻對象膜、上述第1遮罩、形成於上述第1遮罩上且膜種類與上述第1遮罩不同之第2遮罩、及形成於上述第2遮罩上之具有開口之第3遮罩；以及<br/>a-2)使用上述第3遮罩，於上述第2遮罩上形成上述開口。
一種基板處理裝置，其具有：<br/>腔室；<br/>基板支持台，其設置於上述腔室之內部；<br/>進氣口，其接受對上述腔室之內部供給處理氣體；<br/>電漿產生部；及<br/>控制部；<br/>上述控制部構成為以如下方式控制上述基板處理裝置，即，a)提供基板，該基板具備：蝕刻對象膜；第1遮罩，其形成於上述蝕刻對象膜上；及第2遮罩，其形成於上述第1遮罩上，膜種類與上述第1遮罩不同，且具有開口；<br/>上述控制部構成為以如下方式控制上述基板處理裝置，即，b)相對於上述第2遮罩選擇性地蝕刻上述第1遮罩，形成上述第1遮罩之至少一部分之開口尺寸大於上述第2遮罩之底部之開口尺寸的開口；及<br/>上述控制部構成為以如下方式控制上述基板處理裝置，即，c)對上述蝕刻對象膜進行蝕刻；且<br/>上述b)執行1次以上之包含如下製程之序列：<br/>b-1)藉由自第1氣體產生之第1電漿對上述第1遮罩之一部分進行改質而形成改質區域；及<br/>b-2)藉由自第2氣體產生之第2電漿將上述改質區域去除。
一種用於控制一資料電纜元件的電力的方法，包括以下步驟：<br/> 藉由一感測器，偵測接近在一電纜插頭與一電纜插座之間的一連接的一使用者的存在，該電纜插頭與該感測器係為該資料電纜元件的一部分，該資料電纜元件進一步包括耦接到該插頭的一電纜部分，該感測器係容納在該電纜插頭內；<br/> 藉由該感測器，回應於偵測到該存在來產生一偵測信號；及<br/> 回應於該偵測信號來降低在該電纜插頭與該電纜插座之間傳送的一電力信號的一位準。
根據請求項1之方法，其中該電纜插頭和該電纜插座被配置用於通用序列匯流排（USB）電力輸送。
根據請求項1之方法，其中降低該電力信號的該位準之步驟包括以下步驟：將該電力信號的該位準從一第一位準降低到一第二非零位準。
根據請求項1之方法，其中偵測該使用者的該存在之步驟包括以下步驟：在一電源設備處偵測接近該連接的該使用者的該存在。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：經由該電纜部分和該電纜插頭來傳輸該偵測信號。
根據請求項5之方法，其中：<br/> 偵測該使用者的該存在之步驟包括以下步驟：在一電力接收器設備處偵測接近該連接的該使用者的該存在；並且<br/> 傳輸該偵測信號之步驟包括以下步驟：經由該電纜部分來向一電源設備傳輸該偵測信號。
根據請求項1之方法，其中偵測該使用者的該存在之步驟包括以下步驟：偵測該使用者的一觸摸。
根據請求項7之方法，其中偵測該使用者的該觸摸之步驟包括以下步驟：偵測該使用者在該電纜插頭的一部分上的該觸摸。
根據請求項7之方法，其中偵測該使用者的該觸摸之步驟包括以下步驟：偵測該使用者在該電纜插座的一部分上的該觸摸。
根據請求項1之方法，其中偵測該使用者的該存在之步驟包括以下步驟：偵測該使用者的一非零接近度。
根據請求項10之方法，其中偵測該使用者的該非零接近度之步驟包括以下步驟：偵測該使用者與該電纜插頭的一部分的該非零接近度。
根據請求項10之方法，其中偵測該使用者的該非零接近度之步驟包括以下步驟：偵測該使用者與該電纜插座的一部分的該非零接近度。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：在以下各項中的至少一項中使用緩衝電路系統對該電力信號進行濾波：該電纜插頭、提供該電力信號的一電源設備，以及接收該電力信號的一電力接收器設備。
根據請求項13之方法，其中該緩衝電路系統包括彼此串聯的一電容器和一電阻器。
根據請求項13之方法，其中該緩衝電路系統包括一二極體。
一種用於一資料電纜元件中的電力控制的系統，包括：<br/> 包含一或多條資料信號路徑和至少一個電力導體的一電纜；<br/> 附接到該電纜的一端點的一電纜插頭，該電纜與該電纜插頭形成該資料電纜元件；<br/> 容納在該電纜插頭中的一感測器，其被配置為偵測接近該電纜插頭的一使用者的存在；及<br/> 容納在該電纜插頭中的一電力輸送控制器，其被配置為回應於偵測到接近該電纜插頭的一使用者的該存在，經由該電纜插頭傳輸一電力位準降低信號。
根據請求項16之系統，其中該電纜插頭被配置用於通用序列匯流排（USB）電力輸送。
根據請求項16之系統，其中該感測器是一觸摸感測器。
根據請求項16之系統，其中該感測器是一非零接近度感測器。
根據請求項16之系統，亦包括：耦合到該電纜部分的一電力導體的緩衝電路系統。
根據請求項20之系統，其中該緩衝電路系統包括彼此串聯的一電容器和一電阻器。
根據請求項20之系統，其中該緩衝電路系統包括一二極體。
根據請求項16之系統，亦包括：<br/> 與該電纜插頭可匹配的一電源電纜插座；<br/> 一電源；及<br/> 一源電力控制器，其被配置為接收該電力位準降低信號，並且回應於該電力位準降低信號來降低由該電源提供給該電源電纜插座的一電力信號的一位準。
根據請求項23之系統，其中該源電力控制器被配置為將該電力信號的該位準從一第一位準降低到一第二非零位準。
一種用於一電力接收器設備中的電纜供應的電力控制的系統，包括：<br/> 一電力接收器電纜插座，具有一資料埠與控制通道埠；<br/> 一感測器，其被容納在該電纜插座內，並被配置為偵測接近該電力接收器電纜插座的一使用者的存在；及<br/> 一接收器電力控制器，其耦接至該控制通道埠並被容納在該電力接收器設備內，且被配置為回應於藉由該感測器偵測到接近該電力接收器電纜插座的一使用者的該存在，經由該電力接收器電纜插座的該控制通道埠傳輸一電力位準降低信號。
根據請求項25之系統，其中該電力接收器電纜插座被配置用於通用序列匯流排（USB）電力輸送。
根據請求項25之系統，其中該感測器是一觸摸感測器。
根據請求項25之系統，其中該感測器是一非零接近度感測器。
根據請求項25之系統，亦包括：耦合到該電力接收器電纜插座的一電力導體的緩衝電路系統。
根據請求項29之系統，其中該緩衝電路系統包括彼此串聯的一電容器和一電阻器。
根據請求項29之系統，其中該緩衝電路系統包括一二極體。
根據請求項25之系統，亦包括：<br/> 與一電纜可匹配的一電源電纜插座；<br/> 一電源；及<br/> 一源電力控制器，其被配置為經由該電纜和該電源電纜插座接收該電力位準降低信號，並且回應於該電力位準降低信號來降低由該電源提供給該電源電纜插座的一電力信號的一位準。
根據請求項32之系統，其中該源電力控制器被配置為將該電力信號的該位準從一第一位準降低到一第二非零位準。
一種用於一電源設備中的電纜供應的電力控制的系統，包括：<br/> 一電源電纜插座，具有一資料埠與控制通道埠；<br/> 一感測器，其容納在該電纜插座內，並被配置為偵測接近該電源電纜插座的一使用者的存在；<br/> 一電源；及<br/> 一源電力控制器，其耦接至該控制通道埠並容納在該源電力控制器內，且被配置為回應於藉由該感測器偵測到接近該電源電纜插座的一使用者的該存在，來降低由該電源提供給該電源電纜插座的一電力信號的一位準。
根據請求項34之系統，其中該電源電纜插座被配置用於通用序列匯流排（USB）電力輸送。
根據請求項34之系統，其中該感測器是一觸摸感測器。
根據請求項34之系統，其中該感測器是一非零接近度感測器。
根據請求項34之系統，亦包括：耦合到該電力接收器電纜插座的一電力導體的緩衝電路系統。
根據請求項38之系統，其中該緩衝電路系統包括彼此串聯的一電容器和一電阻器。
根據請求項38之系統，其中該緩衝電路系統包括一二極體。
根據請求項34之系統，其中該源電力控制器被配置為將該電力信號的該位準從一第一位準降低到一第二非零位準。
一種用於驗證無電壓測試器與電氣設備中的電力線的連接性的方法，該方法包含： <br/> 使用射頻(RF)信號產生器產生預定頻率的不平衡RF信號； <br/> 將該不平衡RF信號轉換為平衡差分RF信號； <br/> 跨包括一對導線的電路傳輸該差分RF信號，該對導線中的每一導線連接到具有同相位的電力線； <br/> 在RF檢測器處接收該差分RF信號；以及 <br/> 透過該電路的特性阻抗的變化來確定該對導線中的每一導線是否連接到同一電力線。
如請求項1之方法，其中，該電路的該特性阻抗的該變化由該RF檢測器信號的輸出的振幅變化確定。
如請求項2之方法，其中，基於該輸出的振幅確定該對導線中的每一導線是否連接到該同一電力線包含： <br/> 比較該振幅與閾值；以及 <br/> 驗證當該振幅低於該閾值時，該對導線中的每一導線都連接到該同一電力線。
如請求項2之方法，其中，基於該輸出的振幅確定該對導線中的每一導線是否連接到該同一電力線包含： <br/> 比較該振幅與閾值；以及 <br/> 驗證當該振幅超過該閾值時，該對導線中的每一導線都連接到該同一電力線。
如請求項1之方法，還包含： <br/> 在跨該電路傳輸該平衡差分RF信號之前，使用類比開關將該RF信號產生器連接到該電路。
如請求項5之方法，還包含： <br/> 在將該RF信號產生器連接到該電路之前，在該RF信號產生器關閉的情況下分析該RF檢測器的該輸出。
如請求項5之方法，還包含： <br/> 在將該RF信號產生器連接到該電路之前，在該RF信號產生器開啟的情況下分析該RF檢測器的該輸出。
一種連接性驗證系統，包含： <br/> 射頻(RF)信號產生器，被配置為產生不平衡RF信號； <br/> RF檢測器，與該RF信號產生器通訊；以及 <br/> 電路，具有特性阻抗，透過另一電路和該RF檢測器耦合到該RF信號產生器，該另一電路被配置為將該不平衡RF信號轉換為平衡差分RF信號，該電路包括一對導線，該對導線中的每一導線連接到電力線的同相位導線； <br/> 其中，藉由分析該特性阻抗的變化來驗證該對導線與該電力線的該同相位導線的連接性。
如請求項8之連接性驗證系統，其中，該電路包括至少一個LC巴倫器(Balun)，其被配置為將該RF信號從單端轉換為差分，其中，該LC Balun的每一輸出透過LC共振濾波器連接到該對導線中的一條導線。
如請求項8之連接性驗證系統，其中，該電路包括信號變壓器，該信號變壓器包括一次側和具有至少二個二次繞組的二次側，該信號變壓器的該一次側由該RF信號產生器驅動，屬於該同相位的該對導線中的每一導線連接到該二個二次繞組的其中一側，其中，該等二次繞組的其他側連接到整流器和該RF檢測器。
如請求項8之連接性驗證系統，其中，該電路包括信號變壓器，該信號變壓器包括一次側和具有至少第一二次繞組和第二二次繞組的二次側，該信號變壓器的該一次側由該RF信號產生器驅動，該第一二次繞組跨屬於該同相位的該對導線中的二導線連接，該第二二次繞組連接到該RF檢測器。
一種微影設備，其包括一隔膜總成及一輻射光束路徑，其中該隔膜總成包括一隔膜，該隔膜安置在該輻射光束路徑中，其中該隔膜總成經組態以將該隔膜自該輻射光束路徑中之一第一位置選擇性地移動至該輻射光束路徑中之一第二位置，其中該隔膜之該移動係與該隔膜之一透射率之一變化相關聯，且該隔膜之該移動致使一新區域(fresh area)曝露於該輻射光束。
如請求項1之微影設備，其中該設備包括一控制系統，該控制系統經組態以控制該隔膜相對於該輻射光束路徑之該移動。
如請求項1或2之微影設備，其中該設備經組態以旋轉該隔膜及/或在一或多個方向上移動該隔膜。
如請求項1或2之微影設備，其中該隔膜總成經組態以連續地(continuously)或以一逐步方式(stepwise manner)移動。
如請求項1或2之微影設備，其中該隔膜總成經組態以將該隔膜一次移動至多10 mm、至多20 mm、至多30 mm、至多40 mm或至多50 mm。
如請求項1或2之微影設備，其中該隔膜總成為一動態氣鎖總成或其一組件。
一種用於一微影設備之隔膜總成，該隔膜總成包括一隔膜，其中該隔膜總成經組態以將該隔膜自該微影設備之一輻射光束路徑中之一第一位置移動至該輻射光束路徑中之一第二位置，其中該隔膜之該移動係與該隔膜之一透射率之一變化相關聯，且該隔膜之該移動致使一新區域曝露於該輻射光束。
如請求項7之隔膜總成，其中該總成包括一控制系統，該控制系統經組態以控制該隔膜相對於該微影設備之該移動。
如請求項7或8之隔膜總成，其中該總成經組態以旋轉該隔膜及/或在一或多個方向上移動該隔膜。
如請求項7或8之隔膜總成，其中該隔膜總成經組態而以一連續或逐步方式移動該隔膜。
如請求項7或8之隔膜總成，其中該隔膜總成經組態以將該隔膜一次移動至多10 mm、至多20 mm、至多30 mm、至多40 mm或至多50 mm。
如請求項7或8之隔膜總成，其中該隔膜總成為一動態氣鎖總成或其一組件。
一種延長一微影設備之一隔膜之壽命的方法，該方法包括在該微影設備之一輻射光束路徑中提供一隔膜，以及相對於該輻射光束路徑移動該隔膜，其中該隔膜之該移動係與該隔膜之一透射率之一變化相關聯，且該隔膜之該移動致使一新區域曝露於該輻射光束。
如請求項13之方法，其中移動該隔膜包括旋轉該隔膜及/或在一或多個方向上移動該隔膜。
一種光酸產生劑，其特徵在於：含有下述通式（1）所表示的硒鎓鹽，<br/><br/><img align="absmiddle" height="111px" width="166px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（1）中，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分別獨立地為鹵素原子、碳數1～10的烷基、或碳數6～10的芳基，該些烷基及芳基的氫原子的一部分或全部可經氟原子取代，y<sub>1</sub>、y<sub>2</sub>及y<sub>3</sub>相互獨立地為0～5，A<sup>-</sup>為磺酸根陰離子。
如請求項1所述的光酸產生劑，其中通式（1）中，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>為F、CF<sub>3</sub>、C<sub>2</sub>F<sub>5</sub>、C<sub>3</sub>F<sub>7</sub>、C<sub>4</sub>F<sub>9</sub>、或C<sub>6</sub>F<sub>5</sub>。
如請求項1或請求項2所述的光酸產生劑，用於極紫外線（EUV）或電子束（EB）。
一種光微影用樹脂組成物，包含如請求項1至請求項3中任一項所述的光酸產生劑。
一種馬達用制動器，具備： <br/> 固定側卡合板，其被安裝於控制對象的馬達軸，與該馬達軸一體旋轉，不會朝中心軸線的方向移動；及 <br/> 可動側卡合板，其從前述中心軸線的方向與前述固定側卡合板同軸地對峙；及 <br/> 電磁線圈，其將前述可動側卡合板，沿著前述中心軸線的方向，朝遠離前述固定側卡合板的解除停止位置及卡合於前述固定側卡合板的停止位置移動； <br/> 前述可動側卡合板，具備： <br/> 與前述固定側卡合板對峙的可動側端面、及 <br/> 從前述可動側端面朝前述中心軸線的方向突出的圓環狀突出部、及 <br/> 由第1角度間隔沿著前述圓環狀突出部的圓形外周面形成且朝半徑方向的外方呈圓弧狀突出的外周側卡合用凸部、及 <br/> 由第2角度間隔沿著前述圓環狀突出部的圓形內周面形成且朝半徑方向的內方呈圓弧狀突出的內周側卡合用凸部， <br/> 前述固定側卡合板，具備： <br/> 與前述可動側端面對峙的固定側端面；及 <br/> 圓環狀溝部，其形成於前述固定側端面，讓前述圓環狀突出部從前述中心軸線的方向可插入；及 <br/> 外周側卡合用凹部，其在前述圓環狀溝部的外周側的溝側面也就是圓形內周面，由前述第1角度間隔沿著該圓形內周面形成；及 <br/> 內周側卡合用凹部，其在前述圓環狀溝部的內周側的溝側面也就是圓形外周面，由前述第2角度間隔沿著該圓形外周面形成； <br/> 前述外周側卡合用凹部中的前述外周側卡合用凸部側的凹部端，是形成開口，使可以讓前述外周側卡合用凸部從前述中心軸線的方向插入， <br/> 前述內周側卡合用凹部中的前述內周側卡合用凸部側的凹部端，是形成開口，使可以讓前述內周側卡合用凸部從前述中心軸線的方向插入， <br/> 前述可動側卡合板的前述圓環狀突出部，是具備圓環狀前端部，其比前述外周側卡合用凸部及前述內周側卡合用凸部更朝前述固定側卡合板的側突出， <br/> 在前述可動側卡合板的前述解除停止位置的狀態下，只有前述圓環狀突出部的前述圓環狀前端部，被插入前述固定側卡合板的前述圓環狀溝部，前述外周側卡合用凸部及前述內周側卡合用凸部，是各別從前述外周側卡合用凹部及前述內周側卡合用凹部脫離，使前述固定側卡合板及前述可動側卡合板可相對旋轉自如， <br/> 在前述可動側卡合板的前述停止位置的狀態下，前述外周側卡合用凸部及前述內周側卡合用凸部，是各別被插入前述外周側卡合用凹部及前述內周側卡合用凹部，使前述固定側卡合板及前述可動側卡合板成為不可相對旋轉的卡合狀態。
如請求項1的馬達用制動器，其中， <br/> 前述電磁線圈，是自我保持型電磁線圈，具備： <br/> 框架；及 <br/> 滑閥，其藉由前述框架而朝軸線方向可移動地被支撐；及 <br/> 磁性電路，其包含線圈，其可發生將前述滑閥朝前述軸線方向的退縮位置及突出位置移動用的電磁力；及 <br/> 永久磁鐵，其可發生吸引力，將朝前述退縮位置及前述突出位置移動之後的前述滑閥，保持於其位置； <br/> 在前述滑閥安裝有前述可動側卡合板，在前述滑閥的前述退縮位置中前述可動側卡合板是位於前述解除停止位置，在前述滑閥的前述突出位置中前述可動側卡合板是位於前述停止位置。
一種用於堆疊通孔的積體電路(IC)結構，包括： <br/> 基板； <br/> 在該基板上方的第一金屬化層和第二金屬化層，其中該第一金屬化層包括底部導電線，該第二金屬化層包括頂部導電線，並且該第一金屬化層位於該基板和該第二金屬化層之間；和 <br/> 具有耦合到該底部導電線的底部通孔部分和耦合到該頂部導電線的頂部通孔部分的通孔， <br/> 其中： <br/> 該底部通孔部分自對準至該底部導電線， <br/> 該頂部通孔部分自對準至該頂部導電線，並且 <br/> 在沿著垂直於該基板並垂直於該底部導電線的縱軸的平面的橫截面中，該底部通孔部分在遠離該基板的方向上逐漸縮減。
根據請求項1的IC結構，其中該底部通孔部分透過以下方式自對準至該底部導電線： <br/> 具有該底部通孔部分的第一面基本上與該底部導電線的第一側壁在單個平面中，並且 <br/> 具有該底部通孔部分的第二面基本上與該底部導電線的第二側壁在單個平面中。
根據請求項1的IC結構，其中該頂部通孔部分透過以下方式自對準至該頂部導電線： <br/> 具有該頂部通孔部分的第三面基本上與該頂部導電線的第一側壁在單個平面中，並且 <br/> 具有該頂部通孔部分的第四面基本上與該頂部導電線的第二側壁在單個平面中。
根據請求項1的IC結構，其中該頂部通孔部分透過以下方式自對準至該頂部導電線： <br/> 具有該頂部通孔部分的第三面與該頂部導電線的第一側壁對準，並且 <br/> 具有該頂部通孔部分的第四面與該頂部導電線的第二側壁對準。
根據請求項1至3中任一項的IC結構，其中： <br/> 該底部通孔部分和該頂部通孔部分之各者具有第一面、第二面、第三面和第四面，其中該第二面與該第一面相對，且其中該第四面與該第三面相對， <br/> 該底部通孔部分的該第一面與該底部導電線的第一側壁在單個平面中， <br/> 該底部通孔部分的該第二面與該底部導電線的第二側壁在單個平面中， <br/> 該頂部通孔部分的該第三面與該頂部導電線的第一側壁在單個平面中，並且 <br/> 該頂部通孔部分的該第四面與該頂部導電線的第二側壁在單個平面中。
根據請求項5的IC結構，其中該底部通孔部分的該第一面和該第二面之間的距離小於該頂部通孔部分的該第一面和該第二面之間的距離。
根據請求項5的IC結構，其中該頂部通孔部分的該第三面和該第四面之間的距離小於該底部通孔部分的該第三面和該第四面之間的距離。
根據請求項1的IC結構，其中在沿著垂直於該基板且垂直於該頂部導電線的縱軸的平面的橫截面中，該頂部通孔部分在朝向該基板的方向上逐漸縮減。
一種用於堆疊通孔的電子裝置，包括： <br/> 電路板；和 <br/> 積體電路(IC)晶粒，耦合到該電路板上方，該IC晶粒包括： <br/> 基板， <br/> 在該基板上的底部導電線， <br/> 頂部導電線，比該底部導電線更遠離該基板，和 <br/> 通孔，其具有耦合到該底部導電線的底部通孔部分和耦合到該頂部導電線的頂部通孔部分， <br/> 其中： <br/> 在沿著垂直於該基板且垂直於該頂部導電線的縱軸的平面的橫截面中，該頂部通孔部分的寬度沿著朝向該基板的方向逐漸縮減。
根據請求項9的電子裝置，其中在沿著垂直於該基板且垂直於該底部導電線的縱軸的平面的橫截面中，該底部通孔部分的寬度沿著遠離該基板的方向逐漸縮減。
根據請求項9的電子裝置，其中該底部通孔部分在距該基板的第一距離處具有第一寬度，並且在距該基板的第二距離處具有第二寬度，其中該第一距離小於該第二距離，並且該底部通孔部分的該第二寬度小於該底部通孔部分的該第一寬度。
根據請求項9的電子裝置，其中該頂部通孔部分在距該支撐結構的第三距離處具有第一寬度，並且在距該支撐結構的第四距離處具有第二寬度，其中該第三距離小於該第四距離，且該頂部通孔部分的該第一寬度小於該頂部通孔部分的該第二寬度。
根據請求項12的電子裝置，其中： <br/> 該底部導電線和該頂部導電線之各者有長度、寬度和高度，該長度大於該寬度和該高度之各者， <br/> 該底部導電線的該長度是沿座標系的x軸測量的尺寸， <br/> 該頂部導電線的該長度是沿該座標系的y軸測量的尺寸， <br/> 該底部導電線和該頂部導電線之各者的該高度是沿該座標系的z軸測量的尺寸， <br/> 該底部通孔部分的該第一寬度和該第二寬度之各者是沿該座標系的y-z平面測量的尺寸，並且 <br/> 該頂部通孔部分的該第一寬度和該第二寬度之各者是沿該座標系的x-z平面測量的尺寸。
根據請求項13的電子裝置，其中該底部通孔部分沿該座標系的該y-z平面的橫截面和該頂部通孔部分沿該座標系的該x-z平面的橫截面之各者是基本上梯形的。
根據請求項9的電子裝置，其中： <br/> 該底部通孔部分的第一面與該底部導電線的第一側壁在單個平面中， <br/> 該底部通孔部分的第二面與該底部導電線的第二側壁在單個平面中， <br/> 該頂部通孔部分的第三面與該頂部導電線的第一側壁在單個平面中，並且 <br/> 該頂部通孔部分的第四面與該頂部導電線的第二側壁在單個平面中。
根據請求項15的電子裝置，其中至少一種為真： <br/> 該底部通孔部分的第三面與該頂部導電線的第一側壁不在單個平面中， <br/> 該底部通孔部分的第四面與該頂部導電線的第二側壁不在單個平面中， <br/> 該頂部通孔部分的第一面與該底部導電線的第一側壁不在單個平面中，並且 <br/> 該頂部通孔部分的第二面與該底部導電線的第二側壁不在單個平面中。<i/>
根據請求項10的電子裝置，其中該電子裝置為可穿戴電子裝置、手持電子裝置或主機板的一個。
一種用於堆疊通孔的積體電路(IC)結構，包括： <br/> 第一層中的第一導電線； <br/> 第二層中的導電通孔；以及 <br/> 第三層中的第二導電線， <br/> 其中： <br/> 該第三層位於該第一層和該第二層之間， <br/> 該導電通孔的第一部分與該第一導電線導電接觸， <br/> 該導電通孔的第二部分與該第二導電線導電接觸，且 <br/> 該導電通孔的該第一部分在垂直於該第一層且橫切該第一導電線的平面中的寬度沿著從該第一層到該第三層的方向減少。
根據請求項18的積體電路結構，其中： <br/> 該導電通孔的該第二部分在垂直於該第一層且橫切該第二導電線的平面中的寬度沿著從該第一層到該第三層的方向增加。
根據請求項18的積體電路結構，其中： <br/> 該導電通孔的該第一部分與該第一導電線自對準，且 <br/> 該導電通孔的該第二部分與該第二導電線自對準。
一種可折疊式裝置用光學黏著片材，其係具有黏著劑層者， <br/>上述黏著劑層於25℃下具有20 kPa以上50 kPa以下之剪切儲存彈性模數， <br/>上述黏著劑層在貼附於被黏著體，其後於50℃、0.5 MPa及15分鐘之條件下進行加熱加壓處理，且其後於25℃下靜置72小時後，對該被黏著體於25℃下具有第1黏著力Xa， <br/>上述黏著劑層在貼附於上述被黏著體，進行上述加熱加壓處理及上述靜置後，對該被黏著體於60℃下具有第2黏著力Xb， <br/>上述第1黏著力Xa及上述第2黏著力Xb滿足0.5≦Xb/Xa≦1.0， <br/>上述黏著劑層在貼附於上述被黏著體，進行上述加熱加壓處理及上述靜置後，對該被黏著體於85℃下具有第3黏著力Xc， <br/>上述第1黏著力Xa及上述第3黏著力Xc滿足0.5≦Xc/Xa≦0.8。
如請求項1之可折疊式裝置用光學黏著片材，其中上述黏著劑層在貼附於上述被黏著體，進行上述加熱加壓處理及上述靜置後，對該被黏著體於25℃以上85℃以下之溫度範圍內所具有之最小黏著力為10 N/25 mm以上。
如請求項2之可折疊式裝置用光學黏著片材，其中上述黏著劑層於60℃以上具有上述最小黏著力。
如請求項1至3中任一項之可折疊式裝置用光學黏著片材，其中上述黏著劑層在貼附於上述被黏著體後於25℃下進行2分鐘靜置後對該被黏著體於25℃下所具有之黏著力為0.5 N/25 mm以上12 N/25 mm以下。
一種心率監測器，其包括： <br/>一束帶，其包括一固定元件；及 <br/>一盒，其可釋放地耦合至該固定元件且經組態以偵測一使用者之一心率，該盒可選擇性地自該固定元件移除； <br/>其中該盒包含： <br/>一頂部外殼及一底部外殼，該頂部外殼及該底部外殼界定一內部空腔； <br/>位於該內部空腔內之一LED支架總成、一LED可撓性印刷電路、一內框架、一主印刷電路板總成、一電池、一海綿、一振動器、一板對板可撓性印刷電路、一光電容積脈搏波感測器及一壓敏黏著劑；且 <br/>其中該LED可撓性印刷電路經組裝至該LED支架總成並定位於該頂部外殼內，該內框架固定於該頂部外殼內以將該LED可撓性印刷電路及該LED支架總成固定且界定一頂蓋總成；該壓敏黏著劑固定於該底部外殼中以將該光電容積脈搏波感測器固定；該振動器放置於該底部外殼中相鄰於該光電容積脈搏波感測器及放置於該光電容積脈搏波感測器之頂部上之該海綿；該電池及該板對板可撓性印刷電路定位於該底部外殼內，其中該板對板可撓性印刷電路連接至該光電容積脈搏波感測器且該電池定位於該海綿上方；該主印刷電路板總成固定至該底部外殼，其中該電池及該板對板可撓性印刷電路連接至該主印刷電路板總成以界定一底蓋總成；該頂蓋總成經組裝至該底蓋總成。
如請求項1之心率監測器，其中： <br/>該固定元件係安置於該束帶中之一環；且 <br/>該盒經卡扣配合至該環以將該盒可釋放地耦合至該束帶。
如請求項1之心率監測器，其中： <br/>該盒與該固定元件之間的一介面經構形以自該束帶之一底部安裝該盒並自該束帶之一頂部移除該盒。
如請求項1之心率監測器，其中： <br/>該頂部外殼包括一按鈕；及 <br/>該底部外殼包括一感測器透鏡及一或多個充電器觸點。
如請求項4之心率監測器，其中該感測器透鏡安置於一感測器本體中，該感測器本體經塑形以與一充電器介接以使該盒之該一或多個充電器觸點與該充電器對準。
如請求項4之心率監測器，其中： <br/>該盒之一頂部表面界定該按鈕，使得該頂部表面之偏轉啟動該按鈕；且 <br/>一或多個發光元件安置於該頂部表面中以向該使用者提供光動畫回饋。
如請求項1之心率監測器，其中該盒包括經組態以向該使用者提供觸覺回饋之一振動器或經組態以偵測該盒之一移動之一慣性量測單元之至少一者。
如請求項1之心率監測器，其中該束帶包括： <br/>一扣環，其固定至該束帶之一第一端且經構形以接納該束帶之一相對第二端以使該束帶形成圍繞在該使用者之一手腕的環圈；及 <br/>一或多個鉤環緊固件襯墊，其或其等安置於該束帶之該第二端上。
一種心率監測系統，其包括： <br/>如請求項1之心率監測器；及 <br/>一充電器，其經組態以當該盒放置於該充電器上時對該盒充電。
一種心率監測系統，其包括 <br/>一束帶，其包括一固定元件； <br/>一盒，其耦合至該固定元件且經組態以偵測一使用者之一心率，該盒可選擇性地自該固定元件移除且包括一或多個充電器觸點；及 <br/>一充電器，其包括一或多個接腳，該一或多個接腳經構形以當該盒耦合至該充電器時與該一或多個充電器觸點介接； <br/>其中該盒包含： <br/>一頂部外殼及一底部外殼，該頂部外殼及該底部外殼界定一內部空腔； <br/>位於該內部空腔內之一LED支架總成、一LED可撓性印刷電路、一內框架、一主印刷電路板總成、一電池、一海綿、一振動器、一板對板可撓性印刷電路、一光電容積脈搏波感測器及一壓敏黏著劑；且 <br/>其中該LED可撓性印刷電路可經組裝至該LED支架總成並定位於該頂部外殼內，該內框架固定於該頂部外殼內以將該LED可撓性印刷電路及該LED支架總成固定且界定一頂蓋總成；該壓敏黏著劑固定於該底部外殼中以將該光電容積脈搏波感測器固定；該振動器放置於該底部外殼中相鄰於該光電容積脈搏波感測器及放置於該光電容積脈搏波感測器之頂部上之該海綿；該電池及該板對板可撓性印刷電路定位於該底部外殼內，其中該板對板可撓性印刷電路連接至該光電容積脈搏波感測器且該電池定位於該海綿上方；該主印刷電路板總成固定至該底部外殼，其中該電池及該板對板可撓性印刷電路連接至該主機板以界定一底蓋總成；該頂蓋總成經組裝至該底蓋總成。
如請求項10之心率監測系統，其中該底部外殼包括一感測器透鏡及該一或多個充電器觸點，該底部外殼經塑形以與該充電器介接以使該一或多個充電器觸點與該充電器之該一或多個接腳對準。
如請求項11之心率監測系統，其中： <br/>該充電器包括一碟形凹部；且 <br/>該感測器透鏡安置於該底部外殼之一感測器本體中，該感測器本體經塑形以與該碟形凹部介接以使該盒與該充電器對準。
如請求項10之心率監測系統，其中該充電器包括一或多個磁體，該一或多個磁體經組態以將該盒磁性地耦合至該充電器，該盒與該充電器之一磁性接合維持該盒之該一或多個充電器觸點與該充電器之該一或多個接腳之接合。
如請求項10之心率監測系統，其中該盒包括： <br/>一卡扣配件，其用以將該盒可釋放地耦合至該固定元件； <br/>一頂部表面，其界定一單一按鈕； <br/>一或多個發光二極體，其或其等安置於該頂部表面中以向該使用者提供光動畫回饋； <br/>一振動器，其經組態以向該使用者提供觸覺回饋；及 <br/>一慣性量測單元，其經組態以偵測該盒之一移動。
如請求項10之心率監測系統，其中該束帶包括： <br/>一扣環，其固定至該束帶之一第一端且經構形以接納該束帶之一相對第二端以使該束帶形成圍繞在該使用者之一手腕的環圈； <br/>一或多個鉤環緊固件襯墊，其或其等安置於該束帶之該第二端上；及 <br/>矽氧橡膠，其印刷在該束帶之一內表面上。
一種監測心率之方法，其包括： <br/>將一心率監測器之一盒耦合至安置於一束帶中之一固定元件，該盒可選擇性地自該固定元件移除且經組態以偵測一使用者之一心率；及 <br/>使用該盒來量測該使用者之該心率； <br/>其中該盒包含： <br/>一頂部外殼及一底部外殼，該頂部外殼及該底部外殼界定一內部空腔； <br/>位於該內部空腔內之一LED支架總成、一LED可撓性印刷電路、一內框架、一主印刷電路板總成、一電池、一海綿、一振動器、一板對板可撓性印刷電路、一光電容積脈搏波感測器及一壓敏黏著劑；且 <br/>其中該LED可撓性印刷電路可經組裝至該LED支架總成並定位於該頂部外殼內，該內框架固定於該頂部外殼內以將該LED可撓性印刷電路及該LED支架總成固定且界定一頂蓋總成；該壓敏黏著劑固定於該底部外殼中以將該光電容積脈搏波感測器固定；該振動器放置於該底部外殼中相鄰於該光電容積脈搏波感測器及放置於該光電容積脈搏波感測器之頂部上之該海綿；該電池及該板對板可撓性印刷電路定位於該底部外殼內，其中該板對板可撓性印刷電路連接至該光電容積脈搏波感測器且該電池定位於該海綿上方；該主印刷電路板總成固定至該底部外殼，其中該電池及該板對板可撓性印刷電路連接至該主機板以界定一底蓋總成；該頂蓋總成經組裝至該底蓋總成。
如請求項16之監測心率之方法，其進一步包括將該盒與一充電器接合以使該盒之一或多個充電器觸點與該充電器之一或多個接腳對準，其中該接合包括將該盒之一感測器本體定位於安置於該充電器中之一凹部內，該感測器本體及凹部具有互補形狀以使該盒與該充電器對準。
如請求項17之監測心率之方法，其進一步包括將該盒磁性地耦合至該充電器，其中一磁性接合使該盒之該一或多個充電器觸點與該充電器之該一或多個接腳對準並維持其等之接合。
如請求項16之監測心率之方法，其進一步包括藉由該盒向一使用者提供一光動畫回饋或一觸覺回饋之至少一者。
如請求項16之監測心率之方法，其進一步包括使用與該盒整合之一慣性量測單元來偵測該盒之一移動。
一種功率供應電路，包含： <br/>一可切換匹配，該可切換匹配配置成回應於連接至該可切換匹配的一負載之變化而改變其電學特性，該可切換匹配包括： <br/>一高電壓匯流排，可連接至該負載； <br/>一低電壓匯流排，可連接至該負載以使得該負載串聯在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間； <br/>至少兩個具有一固定電容值之電容器，選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間；以及 <br/>複數個固態開關，數目等於可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之電容器的數目，每一開關經配置且經佈置以選擇性地將選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之該等電容器中的一者連接進該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的電通訊或與該電通訊斷開；以及 <br/>一變頻功率供應電路，包括一變頻功率供應器，操作性地連接至一高電壓輸出連接，該高電壓輸出連接連接至該高電壓匯流排， <br/>其中該可切換匹配配置成包括： <br/>一第一固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第一固定電容，該可切換匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第一範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之一功率的一高百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第二範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載；以及 <br/>一第二固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中不同於提供該第一固定電容的彼些之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第二固定電容，該可切換匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第三範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較大百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第四範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載，該第三範圍不同於該第一範圍。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該變頻功率供應電路包括一DC功率供應器及一變頻輸出之DC至AC轉換器。
如請求項2所述之功率供應電路，其中該變頻功率供應電路進一步包括一放大器。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該變頻功率供應器為一RF產生器。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該可切換匹配被配置為一L匹配。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該可切換匹配被配置為一π匹配。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該第二範圍及該第四範圍之該負載的電阻及電抗之該等範圍重疊。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該第一範圍與該第四範圍及該第二範圍與該第三範圍中的一者之該負載的電阻及電抗之該等範圍重疊。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該低電壓匯流排為一接地匯流排。
如請求項1所述之功率供應電路，其中該等固態開關以電學方式插入在該等固定電容電容器中的對應者與該高電壓匯流排之間。
一種可連接在一變頻功率供應器與一負載之間的匹配，包括操作性地連接至該負載的一變頻功率供應器，其中該負載之電學特性可動態地改變，包括： <br/>一高電壓匯流排，可連接至該負載； <br/>一低電壓匯流排，可連接至該負載以使得該負載串聯在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間； <br/>至少兩個具有一固定電容值之電容器，選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間；以及 <br/>複數個固態開關，數目等於可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之電容器的數目，每一開關經配置且經佈置以選擇性地將選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之該等電容器中的一者連接進該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的電通訊或與該電通訊斷開， <br/>其中該匹配可配置成包括： <br/>一第一固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第一固定電容，該匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第一範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之一功率的一高百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第二範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載；以及 <br/>一第二固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中不同於提供該第一固定電容的彼些之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第二固定電容，該匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第三範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較大百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第四範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載，該第三範圍不同於該第一範圍。
如請求項11所述之匹配，其中該匹配被配置為一L匹配及一π匹配中之一者。
如請求項11所述之匹配，其中該第二範圍及該第四範圍之該負載的電阻及電抗之該等範圍重疊。
如請求項11所述之匹配，其中該第一範圍與該第四範圍及該第二範圍與該第三範圍中的一者之該負載的電阻及電抗之該等範圍重疊。
如請求項11所述之匹配，其中該等固態開關以電學方式插入在該等固定電容電容器中的對應者與該高電壓匯流排之間。
一種將一功率供應器匹配至一負載之方法，包括以下步驟： <br/>提供一功率供應電路，包括： <br/>一可切換匹配，經配置以回應於該負載之變化改變其電學特性，該可切換匹配連接至該負載，該匹配包括： <br/>一高電壓匯流排，可連接至該負載； <br/>一低電壓匯流排，可連接至該負載以使得該負載串聯在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間； <br/>至少兩個具有一固定電容值之電容器，選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間；以及 <br/>複數個固態開關，數目等於可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之電容器的數目，每一開關經配置且經佈置以選擇性地將選擇性地可連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的具有一固定電容值之該等電容器中的一者連接進該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的電通訊或與該電通訊斷開；以及 <br/>提供一變頻功率供應電路，包括一變頻功率供應器，操作性地連接至一高電壓輸出連接，一高電壓連接連接至該高電壓匯流排； <br/>提供一第一固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第一固定電容，該可切換匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第一範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一高百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第二範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載；以及 <br/>提供一第二固定電容，包括電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該等固定電容電容器中不同於提供該第一固定電容的彼些之一或更多者的該等電容之總和，且藉由電連接在該高電壓匯流排與該低電壓匯流排之間的該第二固定電容，該可切換匹配經配置以在該負載之電阻及電抗值的一第三範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較大百分比傳輸至與其連接之該負載，且在該負載之電阻及電抗值的一第四範圍內將由該變頻功率供應器向其傳輸之該功率的一較低百分比傳輸至與其連接之該負載，該第三範圍不同於該第一範圍。
一種式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽： <br/> <img align="absmiddle" height="39px" width="44px" file="ed10400.jpg" alt="ed10400.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I) <br/>其中： <br/><b>R<sub>1</sub></b>表示： <br/>- 氫原子，或 <br/>- 選自以下的基團： <br/>a) <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>- 羥基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團，或 <br/>- NH<sub>2</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>b) <br/>- 未經取代或被一個選自以下的取代基取代的苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團： <br/> b1) - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)-烷氧基基團； <br/> b3) - -C(O)-H基團，以及 <br/> b4) - 被至少一個選自以下的取代基取代的(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團： <br/> b4.1) - 羥基； <br/> b4.2) - -NR<sub>4</sub>R<sub>5</sub>基團，其中R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>彼此獨立地選自： <br/> b4.2.1) - 氫原子； <br/> b4.2.2) - (C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基基團； <br/> b4.2.3) - 其中n是從1至30的整數的CH<sub>3</sub>-[O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>]<sub>n</sub>基團、(C<sub>1</sub>C<sub>6</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團、或(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/> b4.2.4) - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-S(O<sub>2</sub>)基團； <br/> b4.2.5) - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-NH-C(O)基團； <br/> b4.2.6) - (C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基-C(O)基團； <br/> b4.2.7) - (C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基-O-C(O)基團； <br/> b4.2.8) - 其中n是從1至30的整數的CH<sub>3</sub>-[O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>]<sub>n</sub>-C(O)基團； <br/> b4.2.9) - 未經取代或被至少一個(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或羥基取代的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)環烷基基團； <br/> b4.2.10) - 包含從一至四個選自以下的雜原子的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團：氧、氮和-SO<sub>2</sub>-； <br/> b4.2.11) - 苯基-C(O)基團； <br/> b4.2.12) - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基-苯基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-O-C(O)基團； <br/> b4.2.13) - (C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基-C(O)-NH-苯基-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-O-C(O)基團； <br/> b4.2.14) - (C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基-O-C(O)-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>或R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>與它們附接的氮原子一起形成(C<sub>3</sub>C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團，所述(C<sub>3</sub>C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團包含一至兩個選自氧和氮的雜原子； <br/>c) - 未經取代或被一個選自以下的取代基取代的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)環烷基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團：-NH<sub>2</sub>和NH<sub>2</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>d) - 包含一至兩個氮雜原子的未經取代的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>e) - 包含一個氮原子的(C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>)員雜芳基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團， <br/>所述雜芳基未經取代或被至少一個選自以下的取代基取代： <br/> - NH<sub>2</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團，以及 <br/> - 氰基； <br/>f) - (C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基基團，所述雜環烷基包含一個選自氧、氮、S(O)、SO<sub>2</sub>和硫的雜原子； <br/>g) - (C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基-N(C(O)-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基)-(C<sub>1</sub>-C<sub>16</sub>)烷基基團，所述雜環烷基包含一個選自氧、氮、S(O)、SO<sub>2</sub>和硫的雜原子； <br/><b>R<sub>2</sub></b>表示： <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷硫基基團； <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-S(O)基團； <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-NH基團；以及 <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷氧基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/><b>R<sub>3</sub></b>表示： <br/>- 氫原子，或 <br/>- 選自以下的基團： <br/>a) - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>- (C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基基團； <br/>- (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷硫基基團； <br/>b) <br/>- -OR<sub>6</sub>基團，其中R<sub>6</sub>選自： <br/> - 氫原子； <br/> - (C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/> - 其中n是從1至30的整數的CH<sub>3</sub>-[O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>]<sub>n</sub>基團； <br/> - (C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>)烯基； <br/> - (C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)環烷基； <br/> - 苯基； <br/> - 苯基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)基團；以及 <br/> - 包含一個選自氧、硫、-S(O)-和-SO<sub>2</sub>雜原子的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團； <br/>c) <br/>- -NR<sub>7</sub>R<sub>8</sub>基團，其中R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>彼此獨立地選自： <br/> - 氫原子； <br/> - CH<sub>3</sub>-[O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>]<sub>n</sub>-，其中n是從1至30的整數； <br/> - 未經取代或被以下取代的(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團： <br/> - 包含一個氧原子的(C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>)員雜芳基基團；或 <br/> - 未經取代或被至少一個選自以下的取代基取代的苯基： <br/> - 氰基，以及 <br/> - NR<sub>9</sub>R<sub>10</sub>-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團，其中R<sub>9</sub>和R<sub>10</sub>彼此獨立地選自： <br/> - 氫原子； <br/> - -(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基，或 <br/> - CH<sub>3</sub>-[O-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>]<sub>n</sub>-，其中n是從1至30的整數； <br/>或R<sub>9</sub>和R<sub>10</sub>與它們附接的氮原子一起形成(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團，所述(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團包含一至兩個選自氧和氮的雜原子， <br/>所述(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團被以下取代：至少一個(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/><br/>或R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>與它們附接的氮原子一起形成(C<sub>3</sub>C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團，所述(C<sub>3</sub>C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團包含一個氮雜原子， <br/>所述雜環烷基未經取代或被至少一個選自以下的取代基取代： <br/> - 苯基，以及 <br/> - 羥基(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基-苯基基團； <br/>d) <br/>- 包含一個選自氧和氮的雜原子的(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)員雜環烷基基團； <br/>e) <br/>- 包含一至兩個選自氧、氮和硫的雜原子的(C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>)員雜芳基基團， <br/>所述(C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>)員雜芳基基團未經取代或被以下取代：至少一個(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基基團； <br/>f) <br/>- (C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>)員芳基基團，以及 <br/>g) <br/>- (C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>)環烷基基團； <br/>其條件是R<sub>1</sub>和R<sub>3</sub>中的至少一個不是氫原子。
如請求項1所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，所述化合物選自： <br/>(1) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(2) 2-丁基-N7-異丙基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(3) 2-丁基-7-(異丙硫基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(4) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(2-甲氧基乙氧基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(5) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(6) 7-(烯丙氧基)-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(7) 7-(二級丁氧基)-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(8) 7-丁氧基-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(9) 2-丁基-7-(環戊氧基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(10) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(吡咯啶-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(11) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1-甲基-1H-吡咯-3-基)-1H-咪唑並[4,5d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(12) (E)-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(3-甲基丁-1-烯-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(13) 2-丁基-7-異戊基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(14) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1H-吡咯-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(15) 2-丁基-7-(環戊-1-烯-1-基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(16) 2-丁基-7-環戊基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(17) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(丙-1-烯-2-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(18) 2-丁基-7-異丙基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(19) 4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(20) 4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(21) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(22) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(23) 1-(((1S,3R)-3-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺（和對映異構體）； <br/>(24) 1-(4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)-2-甲基丙-2-醇； <br/>(25) 反式1-(4-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(26) 1-((5-(胺基甲基)吡啶-2-基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(27) 6-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)菸鹼腈； <br/>(28) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)乙醯胺； <br/>(29) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)十一醯胺； <br/>(30) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)戊醯胺； <br/>(31) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)-3-(2-甲氧基乙氧基)丙醯胺； <br/>(32) 1-(((1S,3S)-3-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-]嗒𠯤-4-胺（和對映異構體）； <br/>(33) 1-(3-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(34) 4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苯甲醛； <br/>(35) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苯基)甲醇； <br/>(36) 2-丁基-1-(4-((環丙基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(37) 3-((4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-基)甲基)苄基)胺基)硫雜環丁烷1,1-二氧化物； <br/>(38) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)-N-(1,1-二氧化硫雜環丁烷-3-基)乙醯胺； <br/>(39) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(((1-甲基環丁基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(40) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(哌嗪-1-基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(41) 2-丁基-N7,N7,1-三甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(42) 2-丁基-1-甲基-7-(吡咯啶-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(43) 2-丁基-N7-(4-((二甲基胺基)甲基)苄基)-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(44) 2-丁基-N7,1-二甲基-N7-(4-(嗎啉基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(45) 4-(((4-胺基-2-丁基-1-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-基)(甲基)胺基)甲基)苄腈； <br/>(46) N7-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(47) 2-丁基-N7-(4-(((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)甲基)苄基)-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(48) 2-丁基-7-乙氧基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(49) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-N7-(2-甲氧基乙基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(50) 2-丁基-7-甲氧基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(51) 2-丁基-7-環己基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(52) 7-(苄氧基)-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(53) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-N7-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(54) (S)-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-((四氫呋喃-3-基)氧基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(55) 2-丁基-7-(呋喃-2-基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(56) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-((四氫呋喃-3-基)氧基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(57) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-((四氫-2H-吡喃-4-基)氧基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(58) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-((四氫噻吩-3-基)氧基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(59) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(四氫呋喃-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(60) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(2-甲基丙-1-烯-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(61) 2-丁基-7-異丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(62) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(噻吩-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(63) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(噻吩-2-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(64) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1H-吡咯-2-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(65) 3-((4-胺基-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-基)氧基)四氫噻吩1-氧化物異構體A； <br/>(66) 2-丁基-7-(環己-1-烯-1-基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(67) 2-丁基-7-(呋喃-3-基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(68) 3-((4-胺基-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-基)氧基)四氫噻吩1,1-二氧化物； <br/>(69) 3-((4-胺基-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-基)氧基)四氫噻吩1-氧化物異構體B； <br/>(70) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1-甲基-1H-吡咯-2-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(71) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-N7,N7-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(72) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-苯氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(73) 2-丁基-7-(2,5-二氫呋喃-3-基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(74) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(吡啶-3-基甲基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(75) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(吡啶-2-基甲基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(76) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(吡啶-4-基甲基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(77) 1-(5-胺基戊基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(78) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(2-(哌啶-4-基)乙基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(79) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(2-(哌嗪-1-基)乙基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(80) 1-苄基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(81) 2-丁基-1-(環己基甲基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(82) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(((四氫-2H-吡喃-4-基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺鹽酸鹽； <br/>(83) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-((異丙基胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(84) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)庚醯胺； <br/>(85) (4-(1-(4-胺基-2-丁基-1-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-基)吡咯啶-3-基)苯基)甲醇鹽酸鹽； <br/>(86) 2-丁基-7-異丙氧基-1-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(87) N7-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-1-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(88) 2-丁基-N7-異丙基-1-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(89) 2-丁基-1-甲基-7-(3-苯基吡咯啶-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(90) N7-苄基-2-丁基-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(91) 2-丁基-1-甲基-N7-(4-((4-甲基哌嗪-1-基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(92) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-苯基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(93) 4-胺基-2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-醇； <br/>(94) 2-丁基-N7-(3-(呋喃-2-基)丙基)-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(95) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(96) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1H-吡唑-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(97) 2-丁基-1-(4-甲氧基苄基)-7-(1-甲基-1H-吡唑-4-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(98) 2-丁基-N7-異丙基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(99) 2-丁基-7-(異丙硫基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(100) (1R,3R)-3-((4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基)環丁-1-醇二鹽酸鹽； <br/>(101) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(吡咯啶-1-基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(102) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(嗎啉基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(103) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)丙醯胺； <br/>(104) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(((2-甲氧基乙基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(105) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[[4-[[2-[2-[2-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙基胺基]甲基]苯基]甲基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(106) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)苯甲醯胺； <br/>(107) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)-3-甲氧基丙醯胺； <br/>(108) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(((2-(2-甲氧基乙氧基)乙基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(109) 2-丁基-1-(4-((己基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(110) 2-丁基-1-(4-((癸基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(111) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基甲酸乙酯； <br/>(112) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基甲酸4-甲氧基苄酯； <br/>(113) 1-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)-3-乙基脲； <br/>(114) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基甲酸4-乙醯胺基苄酯； <br/>(115) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)甲磺醯胺； <br/>(116) 2-丁基-1-(4-((二甲基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(117) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)甘胺酸三級丁酯； <br/>(118) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-((甲基胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(119) 3-((4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基)丙酸三級丁酯； <br/>(120) 1-(4-(5,8,11-三氧雜-2-氮雜十二烷基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(121) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[[4-[[2-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]乙基胺基]甲基]苯基]甲基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(122) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[[4-[[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙基胺基]甲基]苯基]甲基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺二2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(123) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[[4-[[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙基胺基]甲基]苯基]甲基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺二2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(124) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(3-((甲基胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(125) 2-丁基-1-(3-((二甲基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(126) 2-丁基-1-(3-((環丁基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(127) 2-丁基-1-(3-((環丙基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(128) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(3-((異丙基胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(129) 3-((3-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)胺基)硫雜環丁烷1,1-二氧化物； <br/>(130) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(3-(((1-甲基環丁基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(131) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(3-(哌嗪-1-基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(132) (E)-1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-(3-甲基丁-1-烯-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(133) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異戊基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(134) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-(吡咯啶-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(135) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-(1H-吡咯-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(137) 1-(((1R,4R)-4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-((E)-3-甲基丁-1-烯-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺 <br/>(138) 1-(((1R,4R)-4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-異戊基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(139) 1-(((1R,4R)-4-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-((E)-3-甲基丁-1-烯-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(140) 1-(((1R,4R)-4-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異戊基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(141) 1-(((1R,4R)-4-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-(1H-吡咯-3-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(142) 1-(((1R,4R)-4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-(吡咯啶-1-基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(143) 3-[(4-胺基環己基)甲基]-2-丁基-4-吡咯啶-1-基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(144) 1-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-2-丁基-7-(2,5-二氫-1H-吡咯-3-基)咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(145) 1-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-2-丁基-7-吡咯啶-3-基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(146) 3-(6-胺基己基)-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺二鹽酸鹽； <br/>(147) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[6-(四氫吡喃-4-基胺基)己基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺二鹽酸鹽； <br/>(148) N-[6-(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)己基]-N-四氫吡喃-4-基-乙醯胺； <br/>(149) 3-(4-胺基丁基)-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺二鹽酸鹽； <br/>(150) 2-丁基-4-異丙氧基-3-[4-(四氫吡喃-4-基胺基)丁基]咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺鹽酸鹽； <br/>(151) N-[4-(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)丁基]-N-四氫吡喃-4-基-乙醯胺； <br/>(152) 2-丁基-3-[4-[(1,1-二氧代硫雜環丁烷-3-基)胺基]丁基]-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(153) N-[4-(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)丁基]-N-(1,1-二氧代硫雜環丁烷-3-基)乙醯胺； <br/>(154) 2-丁基-3-[6-[(1,1-二氧代硫雜環丁烷-3-基)胺基]己基]-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(155) N-[6-(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)己基]-N-(1,1-二氧代硫雜環丁烷-3-基)乙醯胺鹽酸鹽； <br/>(156) 2-[(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)甲基]-2-甲基-丙-1,3-二醇鹽酸鹽； <br/>(157) 2-[(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)甲基]丙-1,3-二醇鹽酸鹽； <br/>(158) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-7-異丙氧基-2-丙基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(159) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-(乙氧基甲基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(160) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-7-異丙氧基-2-甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(161) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-4-異丙氧基-2-丙基硫烷基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(162) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-4-異丙氧基-2-丙基亞磺醯基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(163) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-4-異丙氧基-N2-丙基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-2,7-二胺； <br/>(164) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-2-(乙基胺基甲基)-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺；和 <br/>(165) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(哌啶-4-基甲基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，所述化合物選自： <br/>(19) 4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺二鹽酸鹽； <br/>(20) 4-(胺基甲基)環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(21) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(22) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(23) 1-(((1S,3R)-3-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺（和對映異構體）； <br/>(24) 1-(4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)-2-甲基丙-2-醇； <br/>(25) 反式1-(4-胺基環己基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(26) 1-((5-(胺基甲基)吡啶-2-基)甲基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(28) N-(4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5d]嗒𠯤-1-基)甲基)苄基)乙醯胺； <br/>(33) 1-(3-(胺基甲基)苄基)-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺2,2,2-三氟乙酸鹽； <br/>(35) (4-((4-胺基-2-丁基-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-1-基)甲基)苯基)甲醇； <br/>(36) 2-丁基-1-(4-((環丙基胺基)甲基)苄基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(39) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(((1-甲基環丁基)胺基)甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(40) 2-丁基-7-異丙氧基-1-(4-(哌嗪-1-基甲基)苄基)-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(43) 2-丁基-N7-(4-((二甲基胺基)甲基)苄基)-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(47) 2-丁基-N7-(4-(((2-甲氧基乙基)(甲基)胺基)甲基)苄基)-N7,1-二甲基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4,7-二胺； <br/>(144) 1-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-2-丁基-7-(2,5-二氫-1H-吡咯-3-基)咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(156) 2-[(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)甲基]-2-甲基-丙-1,3-二醇鹽酸鹽； <br/>(157) 2-[(7-胺基-2-丁基-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-3-基)甲基]丙-1,3-二醇鹽酸鹽； <br/>(159) 1-(4-(胺基甲基)苄基)-2-(乙氧基甲基)-7-異丙氧基-1H-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-4-胺； <br/>(161) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-4-異丙氧基-2-丙基硫烷基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺； <br/>(163) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-4-異丙氧基-N2-丙基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-2,7-二胺；和 <br/>(164) 3-[[4-(胺基甲基)苯基]甲基]-2-(乙基胺基甲基)-4-異丙氧基-咪唑並[4,5-d]嗒𠯤-7-胺。
一種用於製備如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽的方法，所述方法至少包括以下步驟： <br/>(iB) 提供式 (II) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="39px" file="ed10401.jpg" alt="ed10401.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)； <br/>(iiB) 通過與R<sub>2</sub>-C(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或R<sub>2</sub>-COCl反應將步驟 (iB) 中提供的式 (II) 的化合物環化以便獲得式 (III) 的化合物，其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="41px" file="ed10402.jpg" alt="ed10402.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(iiiB) 將從步驟 (iiB) 獲得的式 (III) 的化合物上存在的腈基水解以便獲得式 (IV) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="48px" file="ed10403.jpg" alt="ed10403.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(ivB) 將從步驟 (iiiB) 獲得的式 (IV) 的化合物上存在的羧酸官能團酯化以便獲得式 (V) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(V) <br/>其中R是(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基基團，並且R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(vB) 任選地使從步驟 (ivB) 獲得的式 (V) 的化合物與R<sub>1</sub>-X反應以便獲得式 (Vb) 的化合物，其中R<sub>1</sub>如請求項1或2所定義，並且X表示鹵素原子， <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="52px" file="ed10405.jpg" alt="ed10405.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Vb) <br/>其中R是(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基，並且R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(viB) 將從步驟 (vB) 獲得的式 (Vb) 的化合物或從步驟 (ivB) 獲得的式 (V) 的化合物（其中R<sub>1</sub>是氫原子）環化以便獲得式 (VIb) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="53px" file="ed10406.jpg" alt="ed10406.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIb) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(viiB) 將從步驟 (viB) 獲得的式 (VIb) 的化合物二鹵化以便獲得式 (VIIa) 的化合物，<img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10407.jpg" alt="ed10407.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIa) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>(viiiB) 對從步驟 (viiB) 獲得的式 (VIIa) 的化合物進行親核芳族取代以便獲得式 (VIIIa) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="47px" file="ed10408.jpg" alt="ed10408.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIIa) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>(ixB) 對從步驟 (viiiB) 獲得的式 (VIIIa) 的化合物進行取代和/或偶聯以便獲得式 (Ia) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="46px" file="ed10409.jpg" alt="ed10409.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ia) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團； <br/>(xB) 當R<sub>3a</sub>不是如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>時，則使從步驟 (ixB) 獲得的式 (Ia) 的化合物與任何合適的試劑在任何合適的條件下反應以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物。
一種用於製備如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽的方法，所述方法至少包括以下步驟： <br/>(i) 提供式 (II) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="39px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)； <br/>(ii) 通過與R<sub>2</sub>-C(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或R<sub>2</sub>-COCl反應將步驟 (i) 中提供的式 (II) 的化合物環化以便獲得式 (III) 的化合物，其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="41px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子； <br/>(iii) 將從步驟 (ii) 獲得的式 (III) 的化合物的腈基水解以便獲得式 (IV) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="48px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子； <br/>(iv) 將從步驟 (iii) 獲得的式 (IV) 的化合物的羧酸官能團酯化以便獲得式 (V) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(V) <br/>其中R是(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基，並且R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子； <br/>(v) 將從步驟 (iv) 獲得的式 (V) 的化合物環化以便獲得式 (VI) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VI) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子； <br/>(vi) 將從步驟 (v) 獲得的式 (VI) 的化合物二鹵化以便獲得式 (VII) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VII) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子，並且HAL是鹵素原子； <br/>(vii) 將從步驟 (vi) 獲得的式 (VII) 的化合物用式 (AA) 的化合物進行親核芳族取代 <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="55px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(AA) <br/>其中兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基， <br/>以便獲得式 (VIII) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="76px" file="ed10416.jpg" alt="ed10416.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIII) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子，HAL是鹵素原子，並且兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基； <br/>(viii) 對從步驟 (vii) 獲得的式 (VIII) 的化合物進行取代和/或偶聯反應以便獲得式 (IX) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="76px" file="ed10417.jpg" alt="ed10417.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IX) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子，R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，並且兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基； <br/>然後 (ixAlpha，也稱為ixα) 使從步驟 (viii) 獲得的式 (IX) 的化合物與R<sub>1a</sub>-X反應以便獲得式 (X) 的化合物，其中R<sub>1a</sub>是如請求項1或2所定義的R<sub>1</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，並且X表示鹵素原子、甲苯磺酸酯或甲磺酸酯， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="76px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(X) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子，R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基，並且R<sub>1a</sub>如上此步驟 (ixAlpha) 中所定義； <br/>或 (ixBeta，也稱為ixβ) 使從步驟 (viii) 獲得的式 (IX) 的化合物與式<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的環氧化物反應以便獲得式 (X) 的化合物，其中R’和R’’獨立地是氫原子或(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="76px" file="ed10418.jpg" alt="ed10418.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(X) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義或是氫原子，R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基，並且R<sub>1a</sub>如上步驟 (ixAlpha) 中所定義； <br/>以及 <br/><b>(x)</b> 將從步驟 (ixAlpha) 或 (ixBeta) 獲得的式 (X) 的化合物脫保護以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物；並且當在脫保護之前式 (X) 的化合物中R<sub>2</sub>是氫原子時，所述氫通過化學修飾為如式 (I) 中所定義的R<sub>2</sub>，如果需要，其進一步經受其他化學反應，以得到所需的R<sub>2</sub>； <br/><b>或</b><b> (x)</b> 將從步驟 (ixAlpha) 或 (ixBeta) 獲得的式 (X) 的化合物脫保護以便獲得式 (XI) 的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="386px" width="360px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/>其中R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且R<sub>1b</sub>是如請求項1或2所定義的R<sub>1a</sub>或具有官能團的R<sub>1a</sub>；<b>然後</b><b> (xi)</b> 還原、還原胺化、親核取代和/或氧化從此步驟 (x) 獲得的式 (XI) 的化合物以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物； <br/><b>或</b><b> (Gamma</b><b>，也稱為</b><b>γ</b><b>) </b>還原、還原胺化、親核取代和/或氧化從步驟 (ixAlpha) 或 (ixBeta) 獲得的式 (X) 的化合物以便獲得式 (XII) 的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="675px" width="575px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/>其中R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基，並且R<sub>1b</sub>是通過還原胺化、還原、取代和/或氧化的如請求項1或2所定義的R<sub>1a</sub>的衍生物；<b>然後</b><b>(x)</b> 將從步驟 (Gamma) 獲得的式 (XII) 的化合物脫保護以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物。
一種用於製備如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽的方法，所述方法至少包括以下步驟： <br/>(iA) 提供式 (II) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="39px" file="ed10422.jpg" alt="ed10422.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)； <br/>(iiA) 通過與R<sub>2</sub>-C(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或R<sub>2</sub>-COCl反應將步驟 (iA) 中提供的式 (II) 的化合物環化以便獲得式 (III) 的化合物，其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="41px" file="ed10423.jpg" alt="ed10423.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(iiiA) 將從步驟 (iiA) 獲得的式 (III) 的化合物的腈基水解以便獲得式 (IV) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="48px" file="ed10424.jpg" alt="ed10424.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(ivA) 將從步驟 (iiiA) 獲得的式 (IV) 的化合物的羧酸官能團酯化以便獲得式 (V) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(V) <br/>其中R是(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基基團，並且R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(vA) 將從步驟 (ivA) 獲得的式 (V) 的化合物環化以便獲得式 (VI) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="53px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VI) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(viA) 將從步驟 (vA) 獲得的式 (VI) 的化合物二鹵化以便獲得式 (VII) 的化合物； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VII) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>(viiA) 任選地使從步驟 (viA) 獲得的式 (VII) 的化合物與R<sub>1</sub>-X反應以便獲得式 (VIIa) 的化合物，其中R<sub>1</sub>如請求項1或2所定義，並且X表示鹵素原子； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="47px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIa) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>(viiiA) 對從步驟 (viiA) 獲得的式 (VIIa) 的化合物或從步驟 (viA) 獲得的式 (VII) 的化合物（其中R<sub>1</sub>是氫原子）進行親核芳族取代以便獲得式 (VIIIa) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="47px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIIa) <br/>其中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>(ixA) 對從步驟 (viiiA) 獲得的式 (VIIIa) 的化合物進行取代和/或偶聯以便獲得式 (Ia) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="46px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(Ia) <br/>其中R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，並且R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(xA) 當R<sub>3a</sub>不是如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>時，則使從步驟 (ixA) 獲得的式 (Ia) 的化合物與任何合適的試劑在任何合適的條件下反應以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物。
一種用於製備如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽的方法，所述方法至少包括以下步驟： <br/>(i) 提供式 (II) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="39px" file="ed10410.jpg" alt="ed10410.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(II)； <br/>(ii) 通過與R<sub>2</sub>-C(OCH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或R<sub>2</sub>-COCl反應將步驟 (i) 中提供的式 (II) 的化合物環化以便獲得式 (III) 的化合物，其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="41px" file="ed10411.jpg" alt="ed10411.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(iii) 將從步驟 (ii) 獲得的式 (III) 的化合物的腈基水解以便獲得式 (IV) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="48px" file="ed10412.jpg" alt="ed10412.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IV) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(iv) 將從步驟 (iii) 獲得的式 (IV) 的化合物的羧酸官能團酯化以便獲得式 (V) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10404.jpg" alt="ed10404.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(V) <br/>其中R是(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>)烷基基團，並且R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(v) 將從步驟 (iv) 獲得的式 (V) 的化合物環化以便獲得式 (VI) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="52px" file="ed10413.jpg" alt="ed10413.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VI) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義； <br/>(vi) 將從步驟 (v) 獲得的式 (VI) 的化合物二鹵化以便獲得式 (VII) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10414.jpg" alt="ed10414.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VII) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且HAL是鹵素原子； <br/>然後 (viialpha，也稱為viiα) 使從步驟 (vi) 獲得的式 (VII) 的化合物與R<sub>1a</sub>-X反應以便獲得式 (VIIIaa) 的化合物，其中R<sub>1a</sub>是如請求項1或2所定義的R<sub>1</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，並且X表示鹵素原子、甲苯磺酸酯或甲磺酸酯， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIIaa) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，HAL是鹵素原子，並且R<sub>1a</sub>如上此步驟 (viialpha) 中所定義； <br/>或 (viiBeta，也稱為viiβ) 使從步驟 (vi) 獲得的式 (VII) 的化合物與式<img align="absmiddle" height="23px" width="36px" file="ed10419.jpg" alt="ed10419.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的環氧化物反應以便獲得式 (VIIIaa) 的化合物，其中R’和R’’獨立地是氫原子或(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="47px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(VIIIaa) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，HAL是鹵素原子，並且R<sub>1a</sub>如上步驟 (viialpha) 中所定義； <br/>(viiiAA) 將從步驟 (viialpha) 或步驟 (viibeta) 獲得的式 (VIIIaa) 的化合物用式 (AA) 的化合物進行親核芳族取代 <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="55px" file="ed10415.jpg" alt="ed10415.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(AA) <br/>其中兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基， <br/>以便獲得式 (IXaa) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="76px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(IXaa) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，HAL是鹵素原子，R<sub>1a</sub>如上步驟 (viialpha) 所定義，並且兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基； <br/>(ixAA) 對從步驟 (viiiAA) 獲得的式 (IXaa) 的化合物進行取代和/或偶聯反應以便獲得式 (X) 的化合物， <br/><img align="absmiddle" height="79px" width="76px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(X) <br/>其中R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，R<sub>1a</sub>如上步驟 (viialpha) 所定義，R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，並且兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基； <br/>以及 <br/><b>(x)</b> 將從步驟 (ixAA) 獲得的式 (X) 的化合物脫保護以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物； <br/><b>或</b><b> (x)</b> 將從步驟 (ixAA) 獲得的式 (X) 的化合物脫保護以便獲得式 (XI) 的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="386px" width="360px" file="ed10420.jpg" alt="ed10420.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/>其中R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，並且R<sub>1b</sub>是R<sub>1</sub>a或具有官能團的R<sub>1</sub>a；<b>然後</b><b> (xi)</b> 還原、還原胺化、親核取代和/或氧化從此步驟 (x) 獲得的式 (XI) 的化合物以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物； <br/><b>或</b><b> (Gamma</b><b>，也稱為</b><b>γ</b><b>) </b>還原、還原胺化、親核取代和/或氧化從步驟 (ixAA) 獲得的式 (X) 的化合物以便獲得式 (XII) 的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="675px" width="575px" file="ed10421.jpg" alt="ed10421.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<b> </b><br/>其中R<sub>3a</sub>表示如請求項1或2所定義的R<sub>3</sub>，其包含或不包含羥基保護基團、胺基保護基團、羧酸保護基團、醛保護基團或酮保護基團，R<sub>2</sub>如請求項1或2所定義，兩個G<sub>1</sub>獨立地表示氫原子或甲氧基，並且R<sub>1b</sub>是通過還原胺化、還原、取代和/或氧化的R<sub>1a</sub>的衍生物；<b>然後</b><b> (x)</b> 將從步驟 (Gamma) 獲得的式 (XII) 的化合物脫保護以便獲得如請求項1或2所定義的式 (I) 的化合物。
一種藥劑，其包含如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽以及至少一種醫藥上可接受的賦形劑。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其用作藥劑。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其用作TLR7和/或TLR8促效劑。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其用於預防和/或治療與TLR7和/或TLR8活性相關的疾病或障礙。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其用於預防和/或治療與TLR7和/或TLR8活性相關的疾病或障礙，其中所述與TLR7和/或TLR8活性相關的疾病或障礙是細胞增殖性疾病、癌症、慢性骨髓性白血病、毛細胞白血病、皮膚疾病、自體免疫疾病、發炎性疾病、呼吸系統疾病、敗血症、過敏、氣喘、移植物排斥、移植物抗宿主病、或免疫缺陷。
如請求項13所述的用於所述用途的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其中所述與TLR7和/或TLR8活性相關的疾病或障礙是癌症。
如請求項1或2所述的式 (I) 的化合物或其醫藥上可接受的鹽，其用於疫苗。
一種晶圓結構，包含一基板及一輻射敏感有機金屬塗層，該輻射敏感有機金屬塗層之平均厚度不超過100奈米且以3毫米邊緣排除方式進行評估時，每平方公分具有不超過約1個缺陷尺寸大於48奈米的缺陷，其中該輻射敏感有機金屬塗層係包含單烷基錫組合物且係藉由沈積可水解前驅物組合物而形成，該可水解前驅物組合物係包含可水解錫鍵以及每毫升不超過約10之粒徑至少約70奈米的顆粒，且其中該晶圓結構具有一光滑頂表面，<br/> 其中該輻射敏感有機金屬塗層，當完全水解，係包含由式RSnO<sub>（</sub><sub>1.5-</sub><sub>（</sub><sub>x/2</sub><sub>））</sub>(OH)<sub>x</sub>表示之一組合物，其中0 ＜ x ≤ 3，其中R係為具有1至31個碳原子之一有機配位基，其中一碳原子鍵結至Sn，且一或多個碳原子可選地被一或多個雜原子官能基取代。
如請求項1所述之晶圓結構，其中在該基板之一表面上及／或該基板之層中包含一矽晶圓、一矽石基板、一陶瓷材料、一聚合物基板、前述之複合物或前述之組合。
如請求項1所述之晶圓結構，包含一矽晶圓。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該輻射敏感有機金屬塗層包含具有不同化學結構之複數個R基團。
如請求項1所述之晶圓結構，其中R為具有1至10個碳原子之一烷基或環烷基。
如請求項1所述之晶圓結構，其中R係為由R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>C-表示之一支鏈烷基配位基，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立為具有1至10個碳原子之一烷基，且R<sup>3</sup>為氫或具有1至10個碳原子之一烷基。
如請求項1所述之晶圓結構，其中R包含甲基（CH<sub>3</sub>-）、乙基（CH<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>-）、異丙基（CH<sub>3</sub>CH<sub>3</sub>HC-）、三級丁基（(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>C-）、三級戊基（CH<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>C-）、二級丁基（CH<sub>3</sub>(CH<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>)CH-）、新戊基（(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>CCH<sub>2</sub>-）、環己基、環戊基、環丁基、苄基、烯丙基或環丙基。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該輻射敏感有機金屬塗層具有不超過50奈米之平均厚度。
如請求項1所述之晶圓結構，其以3毫米邊緣排除方式進行評估時，每平方公分具有不超過約0.5個缺陷尺寸大於48奈米的缺陷。
如請求項1所述之晶圓結構，其以3毫米邊緣排除方式進行評估時，每平方公分具有不超過約0.2個缺陷尺寸大於48奈米的缺陷。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該塗層具有一極低之非錫金屬污染及不超過2重量%之聚烷基氧化錫氫氧化物（polyalkyl tin oxide hydroxide）污染。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該可水解前驅物組合物包含由式RSX<sub>3</sub>表示之一組合物，其中X為可水解配位基。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該可水解前驅物組合物於該前驅物組合物沈積於該基板的期間或該期間之後水解。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該輻射敏感有機金屬塗層包含一聚合金屬氧代-氫氧網路（polymeric metal oxo-hydroxo network）。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該輻射敏感有機金屬塗層具有不超過2重量%之聚烷基氧化錫氫氧化物（polyalkyl tin oxide hydroxide）污染。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該輻射敏感有機金屬塗層具有約1奈米至約50奈米之平均厚度。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該可水解前驅物組合物係在限制在一包含該可水解前驅物組合物之容器與一遞送噴嘴之間的一遞送管線的水接觸的條件下沈積。
如請求項1所述之晶圓結構，其中自該容器至該遞送噴嘴之該遞送管線首先用溶劑沖洗，然後用一定量之抗蝕劑（resist）沖洗，在執行該沈積之前清除該抗蝕劑。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該遞送管線包含位於該遞送噴嘴附近之一過濾器。
如請求項1所述之晶圓結構，其中該沈積包含旋塗。
一種形成一低缺陷塗層之方法，該方法包含：<br/> 使用一旋塗機系統將一純化的輻射敏感有機金屬抗蝕劑溶液旋塗至一晶圓上以形成一經塗佈的晶圓，該旋塗機系統包含一遞送管線及連接至該遞送管線之一遞送噴嘴，<br/> 其中該有機金屬抗蝕劑溶液係包含一包含可水解錫鍵之可水解前驅物組合物，且其中該有機金屬抗蝕劑溶液具有約0.01莫耳／公升至約0.25莫耳／公升的錫濃度，並且已被過濾而每毫升含有不超過約10個粒徑為至少約70奈米的顆粒，並且自連接至該遞送管線之一容器遞送，其中顆粒雜質係在一封閉的過濾系統中在實質上無氣泡之條件下量測，以及<br/> 其中該有機金屬抗蝕劑溶液之遞送係在限制該容器與該遞送噴嘴之間之水接觸之條件下執行；以及<br/> 乾燥該經塗佈的晶圓以形成一包含單烷基錫組合物且以3毫米邊緣排除方式進行評估時，每平方公分具有不超過約1個缺陷尺寸大於48奈米的缺陷的輻射敏感有機金屬塗層。
如請求項21所述之方法，其中自該容器至該遞送噴嘴之該遞送管線首先用溶劑沖洗，然後用一定量之抗蝕劑沖洗，在執行該旋塗之前清除該抗蝕劑。
如請求項21所述之方法，其中該遞送管線包含一過濾器，該過濾器被設計成去除尺寸大於3奈米之微粒。
如請求項21所述之方法，其中該遞送管線包含位於該遞送噴嘴處或附近之一過濾器。
如請求項22所述之方法，其中該在執行該旋塗之前被清除之抗蝕劑的量為至少5毫升，至少每60分鐘一次。
如請求項22所述之方法，其中該在執行該旋塗之前被清除之抗蝕劑的量為至少3毫升，至少每30分鐘一次。
如請求項21所述之方法，其中該容器由高密度聚乙烯（HDPE）、聚四氟乙烯（PTFE）或聚丙烯（PP）製成。
如請求項21所述之方法，其中該有機金屬抗蝕劑溶液已被過濾而每毫升含有不超過約4個顆粒，並且包含由式RSnX<sub>3</sub>表示之一組合物，其中X係為一可水解的配位基，其中R係為以一碳鍵結至Sn之一有機配位基。
如請求項21所述之方法，其中以3毫米邊緣排除方式進行評估時，該輻射敏感有機金屬塗層每平方公分具有不超過約0.5個缺陷尺寸大於48奈米的缺陷。
一種液狀組合物，其係含有：具有含羰基之基或含羥基之基之四氟乙烯系聚合物的粉末、黏度未達10000 mPa・s且為多官能(甲基)丙烯酸酯的液狀(甲基)丙烯酸酯、以及經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之液狀組合物， <br/>上述液狀(甲基)丙烯酸酯係選自由二醇(甲基)丙烯酸酯、伸烷二醇(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、丁四醇(甲基)丙烯酸酯、及二丁四醇(甲基)丙烯酸酯所組成之群中之至少1種多官能(甲基)丙烯酸酯， <br/>上述液狀組合物不含有除上述液狀(甲基)丙烯酸酯以外之其他液狀成分，或者相對於上述液狀組合物全體，以30質量%以下之比率含有上述其他液狀成分， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂為酚系樹脂， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之酸值為40～150 mgKOH/g， <br/>上述液狀(甲基)丙烯酸酯之含量相對上述粉末之含量之比為0.5～50。
如請求項1之液狀組合物，其中上述四氟乙烯系聚合物係氟原子含量為70質量%以上之四氟乙烯系聚合物。
如請求項1或2之液狀組合物，其中上述粉末之平均粒徑(體積基準累積50%直徑)為0.1～25 μm。
如請求項1或2之液狀組合物，其中上述粉末之比表面積為1～25 m<sup>2</sup>/g。
如請求項1或2之液狀組合物，其進而包含無機填料。
如請求項1或2之液狀組合物，其進而包含環氧化合物。
如請求項1或2之液狀組合物，其進而包含硬化劑。
如請求項1或2之液狀組合物，其用於負型抗蝕劑組合物。
一種液狀組合物之製造方法，其係將具有含羰基之基或含羥基之基之四氟乙烯系聚合物的粉末與黏度未達10000 mPa・s且為多官能(甲基)丙烯酸酯的液狀(甲基)丙烯酸酯混合而獲得混合物，並將上述混合物與經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之清漆混合，而獲得包含上述四氟乙烯系聚合物、上述液狀(甲基)丙烯酸酯及上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之液狀組合物， <br/>上述液狀(甲基)丙烯酸酯係選自由二醇(甲基)丙烯酸酯、伸烷二醇(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、丁四醇(甲基)丙烯酸酯、及二丁四醇(甲基)丙烯酸酯所組成之群中之至少1種多官能(甲基)丙烯酸酯， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂為酚系樹脂， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之酸值為40～150 mgKOH/g。
一種液狀組合物之製造方法，其係將具有含羰基之基或含羥基之基之四氟乙烯系聚合物的粉末、黏度未達10000 mPa・s且為多官能(甲基)丙烯酸酯的液狀(甲基)丙烯酸酯、以及經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂混合而獲得混合物，並將上述混合物與經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之清漆混合，而獲得包含上述四氟乙烯系聚合物、上述液狀(甲基)丙烯酸酯及上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之液狀組合物， <br/>上述液狀(甲基)丙烯酸酯係選自由二醇(甲基)丙烯酸酯、伸烷二醇(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、丁四醇(甲基)丙烯酸酯、及二丁四醇(甲基)丙烯酸酯所組成之群中之至少1種多官能(甲基)丙烯酸酯， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂為酚系樹脂， <br/>上述經(甲基)丙烯酸改性之含羧基的芳香族樹脂之酸值為40～150 mgKOH/g。
一種附有凸部之基材，其具有基材及凸部，該凸部設置於上述基材之表面，且由如請求項1至9中任一項之液狀組合物形成，具有特定圖案。
如請求項11之附有凸部之基材，其中上述凸部之高度為500 μm以下。
如請求項11或12之附有凸部之基材，其中上述基材具備包含四氟乙烯系聚合物之聚合物層、及設置於上述聚合物層之表面之金屬層，且於上述金屬層之與上述聚合物層相反側之表面具有上述凸部。
一種藉由火焰水解所製備之經表面處理之煙霧狀（熱解）二氧化矽，其特徵在於： <br/>平均初始粒度d<sub>50</sub>為5 nm至50 nm； <br/>數值中值粒度d<sub>50</sub>小於10 µm； <br/>摩擦靜電電荷為-500 µC/g至+500 µC/g； <br/>摩擦靜電電荷與BET表面積之比為-3.5 µC/m<sup>2</sup>至+3.5 µC/m<sup>2</sup>； <br/>甲醇潤濕性為甲醇/水混合物中至少20體積%之甲醇；及 <br/>碳含量與BET表面積之比為至多0.020 wt.%×g/m<sup>2</sup>。
如請求項1之二氧化矽，其中該二氧化矽之BET表面積為30 m<sup>2</sup>/g至500 m<sup>2</sup>/g。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽係使用選自由以下組成之群的表面處理劑來獲得：有機矽烷、矽氮烷、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷及其混合物。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽之數值中值粒度d<sub>50</sub>小於10 µm，在25℃下對該二氧化矽於甲醇中之5重量%分散液進行120秒超音波處理後藉由靜態光散射所測定。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽之碳含量為0.1重量%至5重量%。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽之乾燥損失小於0.4重量%，根據ASTM D280-01之方法A所測定。
如請求項1或2之二氧化矽，其中該二氧化矽粉末之夯實密度不超過250 g/L。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽為包含至少50重量%之二氧化矽的基於二氧化矽之混合氧化物、基於二氧化矽之摻雜氧化物或其混合物。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽之粒度分佈的跨度(d<sub>90</sub>-d<sub>10</sub>)/d<sub>50</sub>小於3.0。
如請求項1或2之二氧化矽， <br/>其中該二氧化矽之甲醇潤濕性為甲醇/水混合物中30體積%-70體積%之甲醇。
一種用於生產如請求項1至10中任一項之經表面處理之煙霧狀（熱解）二氧化矽的方法，其包含以下步驟： a)將具有BET表面積s<sup>1</sup>及矽烷醇密度d<sup>1</sup><sub>SiOH</sub>之表面未處理之親水煙霧狀二氧化矽在300℃至1400℃之溫度下進行熱處理，直至所獲得之經熱處理之二氧化矽的矽烷醇基團密度d<sup>2</sup><sub>SiOH</sub>為減少該d<sup>1</sup><sub>SiOH</sub>值至少5%之值且所獲得之經熱處理之二氧化矽的BET表面積s<sup>2</sup>為減少該s<sup>1</sup>值至多30%之值； <br/>b)用至少一種選自由以下組成之群的表面處理劑對步驟a)中獲得之經熱處理之二氧化矽進行表面處理：有機矽烷、矽氮烷、非環狀聚矽氧烷、環狀聚矽氧烷及其混合物； <br/>c)視情況壓碎步驟a)及/或步驟b)中獲得之二氧化矽。
如請求項11之方法，其中步驟a)之持續時間為2分鐘至8小時。
如請求項11或12之方法，其中該方法之步驟a)係在旋窯中進行。
一種包含如請求項1至10中任一項之二氧化矽的調色劑組成物。
一種如請求項1至10中任一項之二氧化矽的用途，其用作油漆或塗料、聚矽氧、醫藥或化妝品製劑、黏著劑或密封劑、調色劑組成物中成分，以及用於改變液體系統之流變特性，作為抗沉降劑，用於改良粉末之流動性，及用於改良聚矽氧組成物之機械或光學特性。
一種永久膜之製造方法，其係包括： <br/>使用第1樹脂組成物，將第1樹脂組成物膜形成於基材上而獲得具有第1圖案之基材之步驟； <br/>在具有前述第1圖案之基材上賦予第2樹脂組成物而在第1圖案上且第1圖案之間的區域中形成第2樹脂組成物的被膜之步驟；及 <br/>去除第2樹脂組成物的被膜的一部分而形成與第1圖案接觸之第2圖案之步驟， <br/>由前述第1圖案及前述第2圖案形成之複合圖案中之圖案之間的區域窄於前述第1圖案中之圖案之間的區域，所獲得之永久膜包含聚醯亞胺或聚苯并㗁唑。
如請求項1所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第1樹脂組成物為負型感放射線性樹脂組成物。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>獲得具有前述第1圖案之基材之步驟為選擇性地曝光前述第1樹脂組成物膜之後，藉由溶劑顯影進行顯影之步驟。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>形成前述第2圖案之步驟為藉由溶劑顯影去除前述第2樹脂組成物的被膜的一部分之步驟。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其係在形成前述第2樹脂組成物的被膜之步驟之後且在形成前述第2圖案之步驟之前，進一步包括對前述第1圖案及前述第2樹脂組成物的被膜進行加熱之步驟。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第2樹脂組成物包含熱聚合起始劑。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第2樹脂組成物包含具有聚合性基之樹脂。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第2樹脂組成物包含具有聚合性基及茀骨架之化合物。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第1樹脂組成物中所包含之樹脂為聚醯亞胺前驅物或聚苯并㗁唑前驅物。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第2樹脂組成物中所包含之樹脂為聚醯亞胺前驅物或聚苯并㗁唑前驅物。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其係在形成前述第2圖案之步驟之後，進一步包括加熱步驟。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述複合圖案的斷裂伸長率為40%以上。
如請求項1或請求項2所述之永久膜之製造方法，其中 <br/>前述第1圖案包含孔圖案及溝槽圖案中的至少一者。
一種積層體之製造方法，其係包括請求項1至請求項13之任一項所述之永久膜之製造方法。
一種半導體裝置之製造方法，其係包括請求項1至請求項13之任一項所述之永久膜之製造方法。
一種積體電路結構，包括：<br/> 一矩形金屬-絕緣體-金屬結構，具有複數個圓弧角，其中該矩形金屬-絕緣體-金屬結構包括：<br/> 一第一金屬層；<br/> 一絕緣體層，設置於該第一金屬層上方；<br/> 一第二金屬層，設置於該絕緣體層上方，該第一絕緣體層防止該第二金屬層與該第一金屬層交界；<br/> 一第二絕緣層，設置在該第二金屬層上方；以及<br/> 一第三金屬層，設置在該第二絕緣體層上方，該第二絕緣體層防止該第三金屬層與該第二金屬層交界，<br/> 其中該第三金屬層具有一第一圓角。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一金屬-絕緣體-金屬結構，設置在一基底上方，其中該第一金屬-絕緣體-金屬結構包括：<br/> 一第一金屬層；<br/> 一第一絕緣體層 ，設置在該第一金屬層上方；<br/> 一第二金屬層，設置在該第一絕緣體層上方，該第一絕緣體層防止該第二金屬層與該第一金屬層交界；<br/> 一第二絕緣層，設置在該第二金屬層上方；以及<br/> 一第三金屬層，設置在該第二絕緣體層上方，該第二絕緣體層防止該第三金屬層與該第二金屬層交界，<br/> 其中該第三金屬層具有一第一圓角；以及<br/> 一第二金屬-絕緣體-金屬結構，設置在該基底上方，其中第二金屬-絕緣體-金屬結構具有一第二圓角；<br/> 其中第一金屬-絕緣體-金屬結構的該第一圓角和該第二金屬-絕緣體-金屬結構的該第二圓角之間的一空間由一介電材料所填充，且該空間提供該第一金屬-絕緣體-金屬結構的該第一圓角和該第二圓角之間的一對角距離。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在一基底上方形成一介電層；以及<br/> 在該介電層上方形成具有複數個圓角的一矩形金屬-絕緣體-金屬結構，其中形成具有該等圓角的該矩形金屬-絕緣體-金屬結構包括：<br/> 在該介電層上方形成一第一導體層，其中一第一接觸特徵設置在該介電層內；<br/> 在該第一導體層上方形成一絕緣層； <br/> 在該絕緣體層上方形成一第二導體層；以及<br/> 形成穿過該第一導體層到達該第一接觸特徵的一第二接觸特徵，使得該第二接觸特徵電性耦合到該第一導體層，而與該第二導體層電性隔離。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一金屬-絕緣體-金屬結構，設置在一基底上方，其中該第一金屬-絕緣體-金屬結構包括：<br/> 一第一金屬層； <br/> 一第一絕緣體層 ，設置在該第一金屬層上方； <br/> 一第二金屬層，設置在該第一絕緣層上方，該第一絕緣層防止該第二金屬層與該第一金屬層交界，該第二金屬層從該第一金屬層橫向偏移； <br/> 一第二絕緣體層，設置在該第二金屬層上方；以及 <br/> 一第三金屬層，設置在該第二絕緣層上方，該第二絕緣層防止該第三金屬層與該第二金屬層交界，其中該第三金屬層的一角落是圓角，且該第三金屬層橫向偏離該第二金屬層。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一金屬-絕緣體-金屬結構，設置在一基底上，其中該第一金屬-絕緣體-金屬結構包括： <br/> 一第一導電層，該第一導電層具有一第一圓角； <br/> 一第一絕緣體層，設置在該第一導電層上並與該第一導電層交界； <br/> 一第二導電層，設置在該第一絕緣層上並與該第一絕緣層交界，該第一絕緣層防止該第二金屬層與該第一導電層交界，該第二導電層具有一第二圓角； <br/> 一第二絕緣體層，設置在該第二導電層上並與該第二導電層交界；以及<br/> 一第三導電層，設置在該第二絕緣層上並與該第二絕緣層交界，該第二絕緣層防止該第三導電層與該第二導電層交界，該第三導電層具有一第三圓角。
如請求項5之半導體裝置，其中該第一絕緣層和該第二絕緣層的其中至少一者是包括一第一氧化鋯層、一氧化鋁層和一第二氧化鋯層的三層結構。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在一基底上形成一第一金屬-絕緣體-金屬結構，其中形成該第一金屬-絕緣體-金屬結構包括：<br/> 在該基底上形成一第一導體層，該第一導體層具有一第一圓角；<br/> 在該第一導體層上形成一第一絕緣層；以及 <br/> 在該第一絕緣層上形成一第二導體層，該第二導體層具有一第二圓角；以及 <br/> 形成穿過該第一導體層的一第一接觸特徵，使得該第一接觸特徵相較於該第一導體層更靠近該基底，其中該第一接觸特徵電性耦合到該第一導體層，而與該第二導體層電性隔離。
一種裝置結構，包括：<br/> 一主動金屬-絕緣體-金屬結構，具有沿一第一方向延伸的一第一主動金屬-絕緣體-金屬側、沿一第二方向延伸的一第二主動金屬-絕緣體-金屬側以及位於該第一主動金屬-絕緣體-金屬側和該第二主動金屬-絕緣體-金屬側之間的一第一圓角，其中該第二方向不同於該第一方向； 以及<br/> 一虛設金屬-絕緣體-金屬結構，具有沿該第一方向延伸的一第一虛設金屬-絕緣體-金屬側、沿該第二方向延伸的一第二虛設金屬-絕緣體-金屬側以及位於該第一虛設金屬-絕緣體-金屬側和該第二虛設金屬-絕緣體-金屬側之間的一第二圓角，其中一介電材料填充該主動金屬-絕緣體-金屬結構的該第一圓角和該虛設金屬-絕緣體-金屬結構的該第二圓角之間的一空間；<br/> 其中該空間是該主動金屬-絕緣體-金屬結構的該第一圓角與該虛設金屬-絕緣體-金屬結構的該第二圓角之間沿一第三方向的距離，其中該第三方向不同於該第一方向和該第二方向。
一種裝置結構，包括：<br/> 一第一金屬-絕緣體-金屬電容器，在沿一第一方向延伸的一第一側和沿一第二方向延伸的一第二側之間具有一第一圓角，其中該第一方向不同於該第二方向；<br/> 一第二金屬-絕緣體-金屬電容器，在沿該第一方向延伸的一第三側和沿該第二方向延伸的一第四側之間具有一第二圓角，其中該第二金屬-絕緣體-金屬電容器的該第二圓角對角地定位且朝向該第一金屬-絕緣體-金屬電容器的該第一圓角，使得該第二金屬-絕緣體-金屬電容器和該第一金屬-絕緣體-金屬電容器沿該第一方向不重疊，且該第二金屬-絕緣體-金屬電容器和該第一金屬-絕緣體-金屬電容器沿該第二方向不重疊；以及<br/> 一絕緣材料，從該第二金屬-絕緣體-金屬電容器的該第二圓角以一對角距離不間斷地延伸到該第一金屬-絕緣體-金屬電容器的該第一圓角，其中該對角距離是沿一第三方向，且該第三方向不同於該第一方向和該第二方向。
一種裝置結構的製造方法，包括：<br/> 接收包括一第一金屬-絕緣體-金屬結構和一第二金屬-絕緣體-金屬結構的一設計佈局，其中該設計佈局包括該第一金屬-絕緣體-金屬結構和該第二金屬-絕緣體-金屬結構的一第一配置，其中該第一配置包括將該第一金屬-絕緣體-金屬結構的一第一角落對角地定位且朝向該第二金屬-絕緣體-金屬結構的一第二角落，其中該第一角落具有一第一角落輪廓，該第二角落具有一第二角落輪廓，且一對角距離位於該第一金屬-絕緣體-金屬結構的該第一角落與該第二金屬-絕緣體-金屬結構的該第二角落之間；以及 <br/> 修改該設計佈局以提供該第一金屬-絕緣體-金屬結構和該第二金屬-絕緣體-金屬結構的一第二配置，其中該第二配置不同於該第一配置，且該第二配置修改該第一角落輪廓、該第二角落輪廓、該對角距離或其組合，以減少在包括對角地定位且朝向該第二金屬-絕緣體-金屬結構的該第二角落的該第一金屬-絕緣體-金屬結構的該第一角落的一區域中所累積的應力。
一種能量儲存裝置，包括：<br/> 一陽極；<br/> 一陰極；<br/> 一隔離膜，其係設置於該陽極及該陰極之間；<br/> 一電解質，其係設置於該陽極及該陰極之間，且包覆該隔離膜；<br/> 其中，該隔離膜係為由聚丙烯腈所構成之纖維膜，且該纖維膜之表面係經酸性官能基團或其鹽類修飾，<br/> 其中該電解質係為可傳導鋰離子之膠體物質，<br/> 其中該膠體物質係衍生自一膠態高分子電解質前驅液，該膠態高分子電解質前驅液包含：兩端具有丙烯酸基(Acrylic group)之合成二甲基丙烯酸酯(Synthetic dimethacrylate, SDMA)、聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯(Poly(ethylene glycol)methyl ether methacrylate, PEGMEMA)、偶氮二異丁腈(Azobisisobutyronitrile, AIBN)以及鋰鹽。
如請求項1所述之能量儲存裝置，其中該酸性官能基團係選自由羧酸基(carboxylic acid group, -COOH)、磺酸基(sulfonic acid group, -SO<sub>3</sub>H)、硫酸基(sulfuric acid group, -OSO<sub>3</sub>H)、磷酸基(phosphoric acid group, -OPO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>)、亞磷酸基(Phosphorous acid group, -PO<sub>3</sub>H<sub>2</sub>)以及碳酸基(carbonic acid group, -OCO<sub>2</sub>H)所組成之群組。
如請求項1所述之能量儲存裝置，其中該鹽類係選自由鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽、鈣鹽、鋁鹽以及四級胺鹽所組成之群組。
如請求項1所述之能量儲存裝置，其中該纖維膜係藉由一電紡製程或一熔噴製程所獲得。
一種製造微電子裝置的方法，該方法包含用以下步驟沉積一金屬觸點堆疊：<br/> 藉由一DC物理氣相沉積(PVD)處理或一RF PVD處理在一基板上沉積一金屬蓋層，該金屬蓋層包含鎢；及<br/> 藉由原子層沉積(ALD)在該金屬蓋層上沉積一鉬導體層，其中該基板包括一閘極電極與一結構，該閘極電極在該基板的一表面上的一閘極介電層上，該結構具有至少一側壁與一底部，該至少一側壁包括一介電質而該底部包括一金屬，且該金屬蓋層相對於該至少一側壁選擇性地沉積於該結構的該底部上。
如請求項1所述之方法，其中在300 ºC至350 ºC的範圍中的一溫度沉積該金屬蓋層。
如請求項1所述之方法，其中該金屬蓋層沉積至從10 Å至200 Å的範圍中的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中該ALD處理是一熱處理。
如請求項1所述之方法，其中該鉬導體層選擇性地沉積在該金屬蓋層上。
如請求項1所述之方法，其中該ALD處理包含將該基板依序地暴露至一反應物與一鉬前驅物。
如請求項6所述之方法，其中該鉬前驅物包含一鉬鹵化物或鉬氧鹵化物。
如請求項7所述之方法，其中該鉬前驅物包含五氯化鉬或二氯二氧化鉬的一者或多者。
如請求項6所述之方法，其中該反應物包含氫(H<sub>2</sub>)。
如請求項6所述之方法，其中該鉬導體層沉積至從1 nm至50 nm的範圍中的一厚度。
如請求項6所述之方法，其中該ALD處理發生在450 ºC至500 ºC的範圍中的一溫度。
如請求項1所述之方法，其中該金屬觸點堆疊具有在100 Å的一總厚度之小於或等於20 µΩ-cm的一片電阻。
如請求項12所述之方法，其中該結構具有在10 nm至12 nm的範圍中的一寬度。
如請求項12所述之方法，其中該結構以一由下而上的方式被填充。
一種沉積一金屬觸點堆疊的方法，該金屬觸點堆疊具有從10 µΩ-cm至20 µΩ-cm的範圍中的一片電阻，該方法包含以下步驟：<br/> a. 藉由DC物理氣相沉積(PVD)在一基板上沉積一金屬蓋層，其中該基板在35 kW的一直流、1160 W的一偏壓暴露至包含鎢的一金屬前驅物，及<br/> 藉由一熱原子層沉積在該金屬蓋層上沉積一鉬導體層，其中該金屬蓋層暴露至一鉬前驅物；<br/> b. 藉由RF物理氣相沉積(PVD)在一基板上沉積一金屬蓋層，其中該基板在3 kW的一射頻、50 W的一偏壓及230毫托的一壓力暴露至包含鎢的一金屬前驅物，及<br/> 藉由一熱原子層沉積在該金屬蓋層上沉積一鉬導體層，其中該金屬蓋層暴露至一鉬前驅物；或<br/> c. 藉由RF物理氣相沉積(PVD)在一基板上沉積一金屬蓋層，其中該基板在3 kW的一射頻、50 W的一偏壓及100毫托的一壓力暴露至包含鉬的一金屬前驅物，及<br/> 藉由一熱原子層沉積在該金屬蓋層上沉積一鉬導體層，其中該金屬蓋層暴露至一鉬前驅物。
一種用於資料編碼的裝置，所述裝置包括： <br/>記憶體；以及 <br/>耦合到所述記憶體的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>接收視頻資料，所述視頻資料包括描繪第一時間處的場景的輸入幀和描繪第二時間處的所述場景的參考幀； <br/>基於所述輸入幀和所述參考幀來生成光流，所述光流識別在所述參考幀和所述輸入幀之間所述場景的一個或多個區域中的一個或多個移動； <br/>基於所述參考幀和所述輸入幀來生成權重圖，所述權重圖識別所述光流中的確定程度且包括對應於所述參考幀的第一區域的第一組值及對應於所述參考幀的第二區域的第二組值，所述第二組值不同於所述第一組值；以及 <br/>至少部分地通過基於所述光流和所述權重圖對所述視頻資料進行編碼，來生成經編碼的視頻資料，所述經編碼的視頻資料包括： <br/>第一組資料，對應於所述參考幀的所述第一區域，並基於來自所述權重圖的所述第一組值以第一細節級別進行編碼；以及 <br/>第二組資料，對應於所述參考幀的所述第二區域，並基於來自所述權重圖的所述第二組值以第二細節級別進行編碼，所述第二細節級別不同於所述第一細節級別。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述第一時間在所述第二時間之後。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述參考幀是在所述經編碼的視頻資料中被編碼為經幀內譯碼的幀，其中，所述輸入幀是在所述經編碼的視頻資料中被編碼為經幀間譯碼的幀。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>至少部分地通過基於所述光流和所述權重圖對所述參考幀進行扭轉，來生成預測幀；以及 <br/>基於所述輸入幀和所述預測幀之間的差異，來生成殘差，其中，為了基於所述光流和所述權重圖對所述視頻資料進行編碼，所述一個或多個處理器被配置為基於所述殘差對所述視頻資料進行編碼。
根據請求項4所述的裝置，其中，為了基於所述光流和所述權重圖對所述參考幀進行扭轉，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
根據請求項4所述的裝置，其中，為了基於所述光流和所述權重圖對所述參考幀進行扭轉，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>基於所述權重圖，來至少生成有區別地加了索引的第一權重圖和有區別地加了索引的第二權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述光流對所述參考幀進行扭轉，來生成第一經扭轉幀； <br/>至少部分地通過基於所述光流的經降尺度的變體對所述參考幀的經降尺度的變體進行扭轉，來生成第二經扭轉幀； <br/>確定所述第一經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第一權重圖的第一乘積； <br/>確定所述第二經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第二權重圖的第二乘積；以及 <br/>確定所述第一乘積和所述第二乘積的經升尺度的變體的和。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>基於所述光流，來生成經重構的光流； <br/>基於所述權重圖，來生成經重構的權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，來生成所述預測幀；以及 <br/>基於所述輸入幀和所述預測幀之間的差異，來生成殘差，其中，為了基於所述光流和所述權重圖對所述視頻資料進行編碼，所述一個或多個處理器被配置為基於所述殘差來對所述視頻資料進行編碼。
根據請求項7所述的裝置，其中，為了基於所述光流來生成所述經重構的光流，所述一個或多個處理器被配置為使用自動編碼器。
根據請求項7所述的裝置，其中，為了基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>基於所述經重構的權重圖，來至少生成有區別地加了索引的第一權重圖和有區別地加了索引的第二權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流對所述參考幀進行扭轉，來生成第一經扭轉幀； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流的經降尺度的變體對所述參考幀的經降尺度的變體進行扭轉，來生成第二經扭轉幀； <br/>確定所述第一經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第一權重圖的第一乘積； <br/>確定所述第二經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第二權重圖的第二乘積；以及 <br/>確定所述第一乘積和所述第二乘積的經升尺度的變體的和。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述權重圖的所述第一組值包括比針對所述參考幀的第一區域的閾值大的值，其中，所述權重圖的所述第二組值包括比針對所述參考幀的第二區域的閾值小的值。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述光流為二維光流，以及所述一個或多個移動是沿具有兩個垂直維度的平面的。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述光流識別所述輸入幀的每個像素的移動方向和移動幅度。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了生成所述光流，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
根據請求項1所述的裝置，其中，為了生成所述權重圖，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
一種用於資料解碼的裝置，所述裝置包括： <br/>記憶體；以及 <br/>耦合到所述記憶體的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>接收經編碼的視頻資料，所述經編碼的視頻資料包括對應於參考幀的第一區域並基於來自權重圖的第一組值以第一細節級別進行編碼的第一組資料，以及對應於所述參考幀的第二區域並基於來自所述權重圖的第二組值以第二細節級別進行編碼的第二組資料，所述第二細節級別不同於所述第一細節級別，其中，所述權重圖識別與所述經編碼的視頻資料相關的光流的確定程度； <br/>根據所述經編碼的視頻資料來生成經重構的光流，所述經重構的光流識別在所述參考幀和輸入幀之間場景的一個或多個區域中的一個或多個移動，所述參考幀和所述輸入幀描繪在不同的時間處的所述場景； <br/>根據所述經編碼的視頻資料來生成經重構的權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，來生成預測幀；以及 <br/>基於所述預測幀來生成基於所述輸入幀的經重構的輸入幀。
根據請求項15所述的裝置，其中，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>根據所述經編碼的視頻資料，來生成基於殘差的經重構的殘差，其中，為了生成所述經重構的輸入幀，所述一個或多個處理器被配置為基於所述預測幀和所述經重構的殘差來生成所述經重構的輸入幀。
根據請求項16所述的裝置，其中，所述殘差是基於所述輸入幀和所述預測幀之間的差異的。
根據請求項16所述的裝置，其中，所述殘差是基於所述輸入幀和第二預測幀之間的差異，其中，所述第二預測幀是所述參考幀的變體，所述變體是基於光流和權重圖而被扭轉的，所述光流和所述權重圖是已基於所述參考幀和所述輸入幀來生成的。
根據請求項15所述的裝置，其中，為了基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>基於所述經重構的權重圖，來至少生成有區別地加了索引的第一權重圖和有區別地加了索引的第二權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流對所述參考幀進行扭轉，來生成第一經扭轉幀； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流的經降尺度的變體對所述參考幀的經降尺度的變體進行扭轉，來生成第二經扭轉幀； <br/>確定所述第一經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第一權重圖的第一乘積； <br/>確定所述第二經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第二權重圖的第二乘積；以及 <br/>確定所述第一乘積和所述第二乘積的經升尺度的變體的和。
根據請求項15所述的裝置，其中，為了基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
根據請求項15所述的裝置，其中，為了根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的光流，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
根據請求項15所述的裝置，其中，為了根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的權重圖，所述一個或多個處理器被配置為使用一個或多個經訓練的神經網路。
一種用於資料解碼的方法，該方法包括： <br/>接收經編碼的視頻資料，所述經編碼的視頻資料包括對應於參考幀的第一區域並基於來自權重圖的第一組值以第一細節級別進行編碼的第一組資料，以及對應於所述參考幀的第二區域並基於來自所述權重圖的第二組值以第二細節級別進行編碼的第二組資料，所述第二細節級別不同於所述第一細節級別，其中，所述權重圖識別與所述經編碼的視頻資料相關的光流的確定程度； <br/>根據所述經編碼的視頻資料來生成經重構的光流，所述經重構的光流識別在所述參考幀和輸入幀之間場景的一個或多個區域中的一個或多個移動，所述參考幀和所述輸入幀描繪在不同的時間處的所述場景； <br/>根據所述經編碼的視頻資料來生成經重構的權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉，來生成預測幀；以及 <br/>基於所述預測幀來生成基於所述輸入幀的經重構的輸入幀。
根據請求項23所述的方法，還包括： <br/>根據所述經編碼的視頻資料，來生成基於殘差的經重構的殘差，其中，生成所述經重構的輸入幀包括：基於所述預測幀和所述經重構的殘差來生成所述經重構的輸入幀。
根據請求項24所述的方法，其中，所述殘差是基於所述輸入幀和所述預測幀之間的差異的。
根據請求項24所述的方法，其中，所述殘差是基於所述輸入幀和第二預測幀之間的差異，其中，所述第二預測幀是所述參考幀的變體，所述變體是基於光流和權重圖而被扭轉的，所述光流和所述權重圖是已基於所述參考幀和所述輸入幀來生成的。
根據請求項23所述的方法，其中，基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉包括： <br/>基於所述經重構的權重圖，來至少生成有區別地加了索引的第一權重圖和有區別地加了索引的第二權重圖； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流對所述參考幀進行扭轉，來生成第一經扭轉幀； <br/>至少部分地通過基於所述經重構的光流的經降尺度的變體對所述參考幀的經降尺度的變體進行扭轉，來生成第二經扭轉幀； <br/>確定所述第一經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第一權重圖的第一乘積； <br/>確定所述第二經扭轉幀和所述有區別地加了索引的第二權重圖的第二乘積；以及 <br/>確定所述第一乘積和所述第二乘積的經升尺度的變體的和。
根據請求項23所述的方法，其中，基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖對所述參考幀進行扭轉包括：基於所述經重構的光流和所述經重構的權重圖，使用一個或多個經訓練的神經網路，對所述參考幀進行扭轉。
根據請求項23所述的方法，其中，根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的光流包括：使用一個或多個經訓練的神經網路，根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的光流。
根據請求項23所述的方法，其中，根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的權重圖包括：使用一個或多個經訓練的神經網路，根據所述經編碼的視頻資料來生成所述經重構的權重圖。
一種計算裝置，包含： <br/>一處理器，該處理器經配置以進行用於一硬體加速器的資料傳輸排程，該硬體加速器包括複數個處理區域，其中進行資料傳輸排程的步驟包括： <br/>接收編寫有請求的複數個資料傳輸指令，該等請求用以傳輸資料至該硬體加速器中所包括該複數個處理區域的個別處理區域； <br/>識別出該複數個資料傳輸指令之間的複數個傳輸路徑衝突； <br/>將該複數個資料傳輸指令排序成為複數個傳輸指令子集，該複數個傳輸指令子集各包括該複數個資料傳輸指令的兩個或更多個資料傳輸指令，其中在各傳輸指令子集內，該兩個或更多個資料傳輸指令中沒有與彼此有傳輸路徑衝突的資料傳輸指令；及 <br/>針對該複數個傳輸指令子集中的各傳輸指令子集，將該個傳輸指令子集中所包括的該複數個資料傳輸指令傳達至該硬體加速器，其中該複數個資料傳輸指令在對應至該複數個傳輸指令子集的複數個連續的資料傳輸階段中被傳達至該硬體加速器。
如請求項1所述之計算裝置，其中進行資料傳輸排程的步驟進一步包括： <br/>決定用於該複數個資料傳輸階段的一資料傳輸階段順序，其中決定該資料傳輸階段順序的步驟包括基於經各傳輸指令子集中包括的該相應兩個或更多個資料傳輸指令指示出用於傳輸的該資料的個別總大小來將該複數個傳輸指令子集排名；及 <br/>按照該資料傳輸階段順序來將包括在該複數個傳輸指令子集中的該複數個資料傳輸指令傳達至該硬體加速器。
如請求項2所述之計算裝置，其中該資料傳輸階段順序在總大小遞減順序及總大小遞增順序之間交替。
如請求項1所述之計算裝置，其中該複數個資料傳輸指令的各資料傳輸指令編寫有從該硬體加速器中包括之一記憶體緩衝區傳輸資料到該複數個處理區域之一處理區域的一請求，或是從該複數個處理區域之一第一處理區域傳輸資料到該複數個處理區域之一第二處理區域的一請求。
如請求項1所述之計算裝置，其中識別出該複數個傳輸路徑衝突的步驟包括決定該複數個資料傳輸指令中至少兩個資料傳輸指令編寫有沿著該硬體加速器中所包括的一相同互連件來同時傳輸資料的個別的請求。
如請求項1所述之計算裝置，其中將該複數個資料傳輸指令排序成為該複數個傳輸指令子集的步驟包括以複數個迭代針對一第一傳輸指令子集來進行以下步驟，直到該第一傳輸指令子集中所包括的資料傳輸指令沒有具有傳輸路徑衝突的資料傳輸指令為止： <br/>將具有一或更多個傳輸路徑衝突的一衝突資料傳輸指令從該第一傳輸指令子集移動至一第二傳輸指令子集；及 <br/>決定是否該第一傳輸指令子集包括複數個衝突資料傳輸指令。
如請求項6所述之計算裝置，其中： <br/>當該第一傳輸指令子集包括複數個衝突資料傳輸指令時，將該複數個資料傳輸指令排序成為該複數個傳輸指令子集的步驟進一步包括按照該等衝突資料傳輸指令之間個別的傳輸路徑衝突個數來將該複數個衝突資料傳輸指令排名；及 <br/>被移動至該第二傳輸指令子集的該衝突資料傳輸指令是具有最高傳輸路徑衝突個數的衝突資料傳輸指令。
如請求項1所述之計算裝置，其中該複數個資料傳輸指令的至少一個資料傳輸指令是用以從一起始者處理區域或一起始者記憶體緩衝區將該資料多播至複數個接收者處理區域的一指令。
如請求項1所述之計算裝置，其中該複數個資料傳輸指令經接收自經配置以產生可執行碼的一編譯器，該可執行碼在被執行時致使該計算裝置至少部分地在該硬體加速器處訓練一機器學習模型。
如請求項1所述之計算裝置，其中： <br/>該複數個處理區域經排列在複數個處理區域群組中； <br/>該複數個處理區域群組的各處理區域群組包括該複數個處理區域的三個或更多個處理區域，該三個或更多個處理區域經排列在一完全連接圖中；及 <br/>該複數個處理區域群組的各處理區域群組經連接至兩個或更多個其他處理區域群組。
如請求項10所述之計算裝置，其中該複數個處理區域群組的各處理區域群組藉由一第一互連環及一第二互連環連接至該兩個或更多個其他處理區域群組。
一種用於在一計算裝置處使用以進行用於一硬體加速器的資料傳輸排程的方法，該硬體加速器包括複數個處理區域，該方法包含下列步驟： <br/>接收編寫有請求的複數個資料傳輸指令，該等請求用以傳輸資料至該硬體加速器中所包括該複數個處理區域的個別處理區域； <br/>識別出該複數個資料傳輸指令之間的複數個傳輸路徑衝突； <br/>將該複數個資料傳輸指令排序成為複數個傳輸指令子集，該複數個傳輸指令子集各包括該複數個資料傳輸指令的兩個或更多個資料傳輸指令，其中在各傳輸指令子集內，該兩個或更多個資料傳輸指令中沒有與彼此有傳輸路徑衝突的資料傳輸指令；及 <br/>針對該複數個傳輸指令子集中的各傳輸指令子集，將該個傳輸指令子集中所包括的該複數個資料傳輸指令傳達至該硬體加速器，其中該複數個資料傳輸指令在對應至該複數個傳輸指令子集的複數個連續的資料傳輸階段中被傳達至該硬體加速器。
如請求項12所述之方法，進一步包含下列步驟： <br/>決定用於該複數個資料傳輸階段的一資料傳輸階段順序，其中決定該資料傳輸階段順序的步驟包括基於經各傳輸指令子集中包括的該相應兩個或更多個資料傳輸指令指示出用於傳輸的該資料的個別總大小來將該複數個傳輸指令子集排名；及 <br/>按照該資料傳輸階段順序來將包括在該複數個傳輸指令子集中的該複數個資料傳輸指令傳達至該硬體加速器。
如請求項13所述之方法，其中該資料傳輸階段順序在總大小遞減順序及總大小遞增順序之間交替。
如請求項12所述之方法，其中該複數個資料傳輸指令的各資料傳輸指令編寫有從該硬體加速器中包括之一記憶體緩衝區傳輸資料到該複數個處理區域之一處理區域的一請求，或是從該複數個處理區域之一第一處理區域傳輸資料到該複數個處理區域之一第二處理區域的一請求。
如請求項12所述之方法，其中識別出該複數個傳輸路徑衝突的步驟包括決定該複數個資料傳輸指令中至少兩個資料傳輸指令編寫有沿著該硬體加速器中所包括的一相同互連件來同時傳輸資料的個別的請求。
如請求項12所述之方法，其中將該複數個資料傳輸指令排序成為該複數個傳輸指令子集的步驟包括以複數個迭代針對一第一傳輸指令子集來進行以下步驟，直到該第一傳輸指令子集中所包括的資料傳輸指令沒有具有傳輸路徑衝突的資料傳輸指令為止： <br/>將具有一或更多個傳輸路徑衝突的一衝突資料傳輸指令從該第一傳輸指令子集移動至一第二傳輸指令子集；及 <br/>決定是否該第一傳輸指令子集包括複數個衝突資料傳輸指令。
如請求項17所述之方法，其中： <br/>當該第一傳輸指令子集包括複數個衝突資料傳輸指令時，將該複數個資料傳輸指令排序成為該複數個傳輸指令子集的步驟進一步包括按照該等衝突資料傳輸指令之間個別的傳輸路徑衝突個數來將該複數個衝突資料傳輸指令排名；及 <br/>被移動至該第二傳輸指令子集的該衝突資料傳輸指令是具有最高傳輸路徑衝突個數的衝突資料傳輸指令。
如請求項12所述之方法，其中該複數個資料傳輸指令的至少一個資料傳輸指令是用以從一起始者處理區域或一起始者記憶體緩衝區將該資料多播至複數個接收者處理區域的一指令。
一種計算裝置，包含： <br/>一硬體加速器，該硬體加速器包括複數個處理區域及複數個記憶體緩衝區；及 <br/>一處理器，該處理器經配置以至少部分地藉由以下步驟來進行用於該硬體加速器的資料傳輸排程： <br/>接收複數個資料傳輸指令，其中： <br/>該複數個資料傳輸指令編寫有用以傳輸資料至該硬體加速器中所包括該複數個處理區域的個別處理區域的請求；及 <br/>該複數個資料傳輸指令經接收自一編譯器，該編譯器經配置以產生可執行碼，當該等可執行碼被執行時致使該計算裝置至少部分地於該硬體加速器處訓練一機器學習模型； <br/>識別出該複數個資料傳輸指令之間的複數個傳輸路徑衝突，其中識別出該複數個傳輸路徑衝突的步驟包括決定該複數個資料傳輸指令中至少兩個資料傳輸指令編寫有沿著該硬體加速器中所包括的一相同互連件來同時傳輸資料的個別的請求； <br/>將該複數個資料傳輸指令排序成為複數個傳輸指令子集，該複數個傳輸指令子集各包括該複數個資料傳輸指令的兩個或更多個資料傳輸指令，其中在各傳輸指令子集內，該兩個或更多個資料傳輸指令中沒有與彼此有傳輸路徑衝突的資料傳輸指令；及 <br/>針對該複數個傳輸指令子集中的各傳輸指令子集，將該個傳輸指令子集中所包括的該複數個資料傳輸指令傳達至該硬體加速器，其中該複數個資料傳輸指令在對應至該複數個傳輸指令子集的複數個連續的資料傳輸階段中被傳達至該硬體加速器。
一種貼附方法，其將貼附有工件之膠膜貼附於環狀框架，且特徵在於，具備：<br/>轉移步驟，在表面貼附有保護膠膜的狀態下的該工件的背面貼附該膠膜，接著，在以夾具機構夾持該膠膜的四角而藉此消除該膠膜的鬆弛之狀態下剝離該保護膠膜，接著，以第一、第二、第三及第四夾持單元夾持該膠膜的四邊後，解除以該夾具機構對該膠膜的夾持，藉此使該工件及該膠膜從該夾具機構轉移至該第一、該第二、該第三及該第四夾持單元；<br/>擴張步驟，其在該轉移步驟後，以該第一、該第二、該第三及該第四夾持單元將該膠膜往四周擴張；<br/>配置步驟，其在已擴張該膠膜之狀態下，以該工件位於該環狀框架的開口部之方式，將該環狀框架配置於該膠膜；<br/>第一貼附步驟，其在該配置步驟之後，沿著該開口部的內周圓將該膠膜推壓往該環狀框架的一面，藉此將該膠膜貼附於該一面的第一環狀區域；<br/>緩和步驟，其在該第一貼附步驟之後，緩和經擴張之該膠膜的張力；<br/>第二貼附步驟，其在該緩和步驟之後，沿著該開口部的內周圓將該膠膜推壓往該環狀框架的該一面，藉此將該膠膜貼附於該一面中之位於該第一環狀區域的外側之第二環狀區域；以及<br/>分離步驟，其在該第二貼附步驟之後，在已使切刃切入位於比該第一環狀區域更外側之該膠膜的預定位置之狀態下，沿著該開口部的內周圓將該膠膜切取成圓形，藉此將該膠膜分離成圓形區域與外周區域，該圓形區域係該工件及該環狀框架成為一體而成，該外周區域位於該圓形區域的外側。
如請求項1之貼附方法，其中，在該分離步驟中，在已使該切刃切入與該第二環狀區域對應之該膠膜的對應區域的外周緣之狀態下，將該膠膜切取成圓形。
如請求項1或2之貼附方法，其中，在該擴張步驟中，以該第一、該第二、該第三及該第四夾持單元將該膠膜往四周擴張，<br/>在該緩和步驟中，將夾持該膠膜的該第一、該第二、該第三及該第四夾持單元的每一個，向與在該擴張步驟中移動的方向相反的方向，以僅移動短於在該擴張步驟中的移動距離之距離，緩和經擴張之該膠膜的張力。
一種用於測量光學系統的成像特性的裝置，其中，所述裝置包括： <br/>試樣保持器，被設置用於將待測試的所述光學系統定位在預定的測試位置處； <br/>剛性的保持裝置；和 <br/>多個MTF測量裝置，被布置在所述保持裝置的可固定預定的位置處，使得藉助所述多個MTF測量裝置中的每個能夠在所述光學系統的像場中的彼此不同的、同樣可固定預定的角位置處測量調製傳遞函數，其中， <br/>所述保持裝置至少包括第一保持器和第二保持器，並且所述多個MTF測量裝置包括第一組MTF測量裝置和第二組MTF測量裝置，其中， <br/>所述第一保持器被設置用於將所述第一組MTF測量裝置保持在第一位置處，使得所述第一組MTF測量裝置的感測器布置在第一球殼的第一半徑內， <br/>所述第二保持器被設置用於將所述第二組MTF測量裝置保持在第二位置處，使得所述第二組MTF測量裝置的感測器布置在第二球殼的第二半徑內，且其中， <br/>所述第一球殼的所述第一半徑和所述第二球殼的所述第二半徑不同，並且所述第一球殼和所述第二球殼彼此同心地布置。
如請求項1所述的裝置，其中所述多個MTF測量裝置布置在所述保持裝置上，使得所述多個MTF測量裝置的光軸在待測試的所述光學系統的孔徑的平面中相交。
如請求項1或2所述的裝置，其中所述保持裝置包括第三保持器，並且所述多個MTF測量裝置包括所述第一組MTF測量裝置，所述第二組MTF測量裝置以及附加地包括第三組MTF測量裝置，其中，所述第三保持器被設置用於將所述第三組MTF測量裝置保持在第三位置處，使得所述第三組MTF測量裝置布置在第三球殼上，其中，所述第三球殼具有不同於所述第一半徑和所述第二半徑的第三半徑並且與所述第一球殼和所述第二球殼同心地布置。
如請求項3所述的裝置，其中所述第一球殼的所述第一半徑大於所述第二球殼的所述第二半徑，並且所述第二球殼的所述第二半徑大於所述第三球殼的所述第三半徑，使得所述第一組MTF測量裝置分別具有比所述第二組MTF測量裝置更大的距待測試的所述光學系統的距離，並且所述第二組MTF測量裝置分別具有比所述第三組MTF測量裝置更大的距待測試的所述光學系統的距離。
如請求項3所述的裝置，其中對於所述第一組MTF測量裝置內的所有MTF測量裝置來說，待測試的所述光學系統的光軸與所述第一組MTF測量裝置的光軸之間的第一橫向角度小於待測試的所述光學系統的光軸與所述第二組MTF測量裝置內的任意MTF測量裝置的光軸之間的第二橫向角度，並且對於所述第二組MTF測量裝置內的所有MTF測量裝置來說，待測試的所述光學系統的光軸與所述第二組MTF測量裝置的光軸之間的第二橫向角度小於待測試的所述光學系統的光軸與所述第三組MTF測量裝置內的任意MTF測量裝置的光軸之間的橫向角度。
如請求項5中所述的裝置，其中所述第一組MTF測量裝置內兩個相鄰布置的MTF測量裝置之間的橫向角度小於所述第二組MTF測量裝置內兩個相鄰布置的MTF測量裝置之間的橫向角度，並且所述第二組MTF測量裝置內兩個相鄰布置的MTF測量裝置之間的橫向角度小於所述第三組MTF測量裝置內兩個相鄰布置的MTF測量裝置之間的橫向角度。
如請求項1所述的裝置，其中所述保持裝置的所述第一保持器和所述第二保持器至少區段式地分別沿著相應的所述第一球殼和所述第二球殼延伸。
如請求項3所述的裝置，其中所述第一保持器實施為球頂形，並且所述第二保持器和/或所述第三保持器實施為具有中央開口的球頂形，此外所述第二保持器和/或所述第三保持器實施為球形區域的形式。
如請求項3所述的裝置，其中所述第一保持器實施為球頂形，並且所述第二保持器和/或所述第三保持器分別實施為至少一個弓形件，其中，所述弓形件分別在靠近所述第一保持器的第一端部處固定在所述第一保持器處，並且沿著所述第二球殼的大圓或所述第三球殼的大圓朝遠端自由端部的方向延伸，其中，所述大圓是以待測試的所述光學系統為圓心在沿著待測試的所述光學系統（4）的光軸相交的平面內之完整的圓，且其中所述大圓為相應球殼的片段。
如請求項1所述的裝置，其中所述保持裝置的所述第一保持器和所述第二保持器被設置用於使得所述多個MTF測量裝置能夠在所屬的所述第一球殼和所述第二球殼上移動。
一種利用如請求項1至10中任一項所述的裝置測量光學系統的成像特性的方法，所述方法包括以下步驟： <br/>將待測試的所述光學系統布置在所述試樣保持器中， <br/>用所有所述多個MTF測量裝置同時執行MTF測量。
一種用於在裝訂縫製機(100)中將書帖(115)縫入書芯(155)的方法，其中用於前述書芯(155<sub>f</sub>)中的每一者，前述方法包括以下步驟：<br/> 以一個或多個針(220)及一個或多個鉤針(225)之方式在前述書芯(155<sub>f</sub>)的前述書帖(115)之間用對應的縫製線(205)形成一個或多個縫線(230、235)，其中前述縫線(230、235)包括由前述針(220)形成的一列或多列平縫線(230)、及由彼此拼接的前述鉤針(225)形成的一列或多列環形縫線(235)，前述列的環形縫線(235)在前述書芯(155<sub>f</sub>)的前述書帖(115<sub>N</sub>)中的最後一者上以對應的自由線圈(305)結束；<br/> 在對應的前述平縫線(230)的上游將前述縫製線(205)各自沿著前述縫製線(205)的對應進給方向自對應線軸(210)帶至捕捉位置，前述捕捉位置在其前述縫製裝訂期間沿著前述書帖(115)的前進線路與由前述縫製線(205)形成的前述自由線圈(305)中的對應一者對準；及<br/> 藉由使前述縫製線(205)沿著前述前進線路穿過對應的前述自由線圈(305)而將前述縫製線(205)各自自前述捕捉位置帶至拼接位置，<br/> 其中，<br/> 以對應的一個或多個鉤件(255)之方式將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至遠離對應的前述自由線圈(305)的閉合位置，從而將前述自由線圈(305)拉緊在穿過其中的前述縫製線(205)周圍，在前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置期間，前述縫製線(205)相對於對應的前述鉤件(255)自由滑動，且<br/> 將前述縫製線(205)各自沿著前述進給方向在其由對應的前述自由線圈(305)拉緊的一部分的上游切斷，前述縫製線(205)在前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置之後被切斷。
如請求項1所述之方法，其中前述方法進一步包括在前述書芯(155)中的下一者的複數個書帖(115)的前述縫製裝訂之後切斷前述縫製線(205)。
如請求項1所述之方法，其中前述將前述縫製線(205)各自自前述捕捉位置帶至前述拼接位置包括：<br/> 使前述鉤件(255)各自在前述前進線路的第一方向上移動，從而使前述鉤件(255)穿過對應的前述自由線圈(305)以捕捉對應的前述縫製線(205)，及<br/> 使前述鉤件(255)各自在前述前進線路的第二方向上移動，前述第二方向與前述第一方向相對，從而推動對應的前述縫製線(205)以穿過對應的前述自由線圈(305)。
如請求項3所述之方法，其中前述前進線路的前述第一方向為前述書帖(115)在其前述縫製裝訂期間的前進方向。
如請求項1所述之方法，其中前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置包括：<br/> 橫向於前述前進線路移動前述鉤件(255)。
如請求項1所述之方法，其中前述書帖(115)在連續的縫製裝訂周期期間無縫地縫製裝訂在每對連續的書芯(155)之間，前述將前述縫製線(205)各自帶至前述捕捉位置，在前述書芯(155<sub>f</sub>)的最後一個書帖(115<sub>N</sub>)的前述縫製裝訂與前述書芯(155)中的下一者的前述書帖中的第一書帖(115<sub>1</sub>)的前述縫製裝訂之間執行前述將前述縫製線(205)各自自前述捕捉位置帶至前述拼接位置及前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置。
如請求項6所述之方法，其中在前述縫製線(205)自前述對應線軸(210)自由退繞且前述針(220)及前述鉤針(225)處於下一者的前述書芯(155)的前述第一書帖(115<sub>1</sub>)內部的情況下執行前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置。
如請求項7所述之方法，其中在前述針(220)及前述鉤針(225)到達下一者的前述書芯的前述第一書帖(115<sub>1</sub>)中的一死點之前執行前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置。
如請求項7所述之方法，其中沿前述進給方向處於對應的前述鉤件(255)上游的前述縫製線(205)的對應上游部分穿過前述對應線軸(210)與前述針(220)之間的前述裝訂縫製機(100)的一個或多個構件，從而使前述上游部分抵抗前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置的上游阻力，前述上游阻力高於下游阻力，前述下游阻力與前述沿前述進給方向處於對應的前述鉤件(255)下游的前述縫製線(205)的對應下游部分將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置相反。
如請求項1所述之方法，其中前述方法進一步包括：<br/> 藉由將前述縫製線(205)的自由端拉至在前述縫製線(205)周圍拉緊的對應的前述自由線圈(305)的外部，使被切斷的前述縫製線(205)各自滑脫。
如請求項10所述之方法，其中前述鉤件(255)包括對應的主體(260)，前述主體(260)具有在前述書帖(115)的前述縫製裝訂期間在前述書帖的前進方向上變寬的錐形形狀，前述縫製線(205)的對應部分纏繞在前述鉤件(255)的前述主體(260)周圍，在前述書芯(155<sub>f</sub>)的前述書帖(155)的前述期間在前述前進方向上，每一前述鉤件沿對應的前述鉤件(255)的前述主體(260)被推動，從而導致使被切斷的前述縫製線(205)的前述滑脫。
如請求項11所述之方法，其中前述方法進一步包括：<br/> 將纏繞在前述鉤件(255)周圍的前述縫製線(205)的對應部分吹向其較寬的端部。
如請求項1所述之方法，其中前述方法進一步包括：<br/> 切斷前述縫製線(205)以獲得自前述書芯(155)中的下一者的前述書帖中的第一書帖(115<sub>1</sub>)突出的對應的自由尾部，其長度為8 mm至12 mm。
如請求項1所述之方法，其中前述方法進一步包括：<br/> 以對應的一個或多個梭子(245)相對於前述前進線路傾斜地直線移動之方式將前述縫製線(205)帶至前述捕捉位置。
一種用於將書帖(115)縫製裝訂至書芯(155)中的裝訂縫製機(100)，其中前述裝訂縫製機(100)包括：<br/> 用於提供對應縫製線(205)的一個或多個線軸(210)；<br/> 一個或多個針(220)及一個或多個鉤針(225)，用於在前述書芯(155)中的每一者的前述書帖(115)之間用前述縫製線(205)形成對應的一個或多個縫線(230、235)，其中前述縫線(230、235)包括由前述針(220)形成的一列或多列平縫線(230)、及由彼此拼接的前述鉤針(225)形成的一列或多列環形縫線(235)，前述列的環形縫線(235)在前述書芯(155<sub>f</sub>)的前述書帖(115<sub>N</sub>)中的最後一者上以對應的自由線圈(305)結束；<br/> 用於在對應的前述平縫線(230)的上游將前述縫製線(205)沿著前述縫製線(205)的對應進給方向自對應線軸(210)各自帶至捕捉位置的裝置(245)，前述捕捉位置在其前述縫製裝訂期間沿著前述書帖(115)的前進線路與由前述縫製線(205)形成的前述自由線圈(305)中的對應一者對準；<br/> 用於藉由使前述縫製線(205)沿著前述前進線路穿過對應的前述自由線圈(305)而將前述縫製線(205)各自自前述捕捉位置帶至拼接位置的裝置(255)；<br/> 對應的一個或多個鉤件(255)，用於將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至遠離對應的前述自由線圈(305)的閉合位置，從而將前述自由線圈(305)拉緊在穿過其中的前述縫製線(205)周圍，在前述將前述縫製線(205)自前述拼接位置帶至前述閉合位置期間，前述縫製線(205)相對於對應的前述鉤件(255)自由滑動；及<br/> 用於將前述縫製線(205)各自沿著前述進給方向在其由前述對應自由線圈(305)拉緊的一部分的上游切斷的裝置(240)，用於切斷的前述裝置(240)經組態用於在前述將前述縫製線(205)各自自前述拼接位置帶至前述閉合位置之後切斷前述縫製線(205)。
一種裝訂設備，包括一個或多個如請求項15所述之裝訂縫製機(100)。
一種氫化嵌段共聚物，其係包含基於聚合物嵌段(A)之合計質量而言含有90質量%以上的源自芳香族乙烯基化合物的結構單元之聚合物嵌段(A)及基於聚合物嵌段(B)之合計質量而言含有90質量%以上的源自共軛二烯化合物的結構單元之聚合物嵌段(B)的嵌段共聚物之加氫氫化物，<br/> 該氫化嵌段共聚物係藉由包含下列步驟的方法所製造而成者：在將該共軛二烯化合物進行聚合而形成聚合物嵌段(B)後，將該芳香族乙烯基化合物進行聚合而形成聚合物嵌段(A)之步驟，<br/> 其滿足下述條件(1)～(3)全部：<br/> (1)該嵌段共聚物之峰頂分子量為50,000～300,000，<br/> (2)該氫化嵌段共聚物中的該聚合物嵌段(A)之含量為20.0～50.0質量%，<br/> (3)在以質量比9：1之比例含有作為基油之石蠟油與該氫化嵌段共聚物之凝膠組成物中，該凝膠組成物滿足下述條件(3-1)～(3-3)全部：<br/> (3-1)相對於剛製備後，該凝膠組成物之從製備經過48小時後的以25℃、50/秒測定之剪切速度條件下的黏度之變化率為95～110%，<br/> (3-2)該凝膠組成物之根據JIS K 2220：2013而測定之滴點為200℃以上，<br/> (3-3)該凝膠組成物之根據JIS K 2220：2013而測定之離油度為1.0%以下。
如請求項1之氫化嵌段共聚物，其進一步滿足下述條件(4)：<br/> (4)關於該(3)之凝膠組成物，剛製備後及從製備經過48小時後的以25℃、50/秒測定之剪切速度條件下的黏度皆為2,000～10,000mPa・s。
如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中該芳香族乙烯基化合物含有苯乙烯。
如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中該共軛二烯化合物含有異戊二烯。
如請求項1或2之氫化嵌段共聚物，其中該聚合物嵌段(B)之加氫氫化率為90.0～99.8莫耳%。
一種如請求項1至5中任一項之氫化嵌段共聚物之製造方法，其具有得到嵌段共聚物之步驟，該步驟係在反應系統內，添加該共軛二烯化合物而聚合後，添加該芳香族乙烯基化合物而聚合，藉此得到該嵌段共聚物。
一種包含如請求項1至5中任一項之氫化嵌段共聚物之團粒。
一種含有基油及如請求項1至5中任一項之氫化嵌段共聚物之凝膠組成物。
如請求項8之凝膠組成物，其中相對於該基油及該氫化嵌段共聚物之合計100質量份而言，該基油之含量為80質量份以上94質量份以下。
如請求項8或9之凝膠組成物，其中該基油係選自石蠟系礦油、及環烷(naphthene)系礦油之至少1種。
如請求項8或9之凝膠組成物，其中相對於剛製備後，該凝膠組成物之從製備經過48小時後的以25℃、50/秒測定之剪切速度條件下的黏度之變化率為95～110%。
如請求項8或9之凝膠組成物，其中以25℃、50/秒測定之剪切速度條件下的黏度為2,000～10,000mPa・s。
一種纜線填充材，其包含如請求項8至12中任一項之凝膠組成物。
一種用於管理用戶設備（UE）組的通信設備，所述通信設備包括： <br/>收發機； <br/>記憶體；以及 <br/>處理器，其通信地耦接到所述收發機和所述記憶體，所述處理器被配置為： <br/>基於所述UE組的多個UE中的每個UE與所述多個UE中的至少一個其它UE的接近度來決定所述多個UE； <br/>經由所述收發機向所述UE組的所述多個UE中的至少一個UE發送對所述UE組的指示； <br/>經由所述收發機向所述UE組的所述多個UE中的選定UE發送定位請求，所述定位請求被配置為使得所述選定UE提供請求的位置資訊；以及 <br/>經由所述收發機向所述UE組的所述多個UE中的所述選定UE發送共用請求，所述共用請求被配置為使得所述選定UE與所述UE組的所述多個UE中的指定UE共用所述請求的位置資訊。
根據請求項1所述的通信設備，其中，對所述UE組的所述指示包括組識別。
根據請求項1所述的通信設備，其中，所述處理器被配置為：基於所述UE組的所述多個UE中的全部UE的接近度來決定所述UE組的所述多個UE。
根據請求項1所述的通信設備，其中，所述處理器還被配置為： <br/>經由所述收發機接收指示預期UE組成員的加入請求；以及 <br/>響應於接收所述加入請求來決定是否將所述預期UE組成員包括在所述UE組的所述多個UE中。
根據請求項1所述的通信設備，其中，所述處理器還被配置為： <br/>偵測到預期UE組成員的新側行鏈路連接；以及 <br/>響應於偵測到所述預期UE組成員的所述新側行鏈路連接，決定是否將所述預期UE組成員包括在所述UE組的所述多個UE中。
根據請求項1所述的通信設備，其中，所述處理器還被配置為：透過從所述UE組的所述多個UE中的一個或多個UE收集相應的位置資訊並且將所述相應的位置資訊發送到網路實體，來向所述UE組的所述多個UE中的選定UE發送指示所述選定UE充當所述UE組的委派的委派指示。
根據請求項1所述的通信設備，其中，所述處理器還被配置為：經由所述收發機發送組改變指示，所述組改變指示指示所述UE組的新成員、移除所述UE組的先前成員、或其組合，其中，所述處理器可選地被配置為：發送組改變指示，所述組改變指示指示在以下情況的至少一種情況下移除所述UE組的所述先前成員：響應於接收到針對移除所述UE組的所述先前成員的請求、或者響應於所述通信設備和所述UE組的所述先前成員之間的側行鏈路連接的丟失。
一種用於管理UE組（用戶設備組）的方法，所述方法包括： <br/>基於所述UE組的多個UE中的每個UE與所述多個UE中的至少一個其它UE的接近度來決定所述多個UE； <br/>從通信設備向所述UE組的所述多個UE中的至少一個UE發送對所述UE組的指示； <br/>經由所述收發機向所述UE組的所述多個UE中的選定UE發送定位請求，所述定位請求被配置為使得所述選定UE提供請求的位置資訊；以及 <br/>經由所述收發機向所述UE組的所述多個UE中的所述選定UE發送共用請求，所述共用請求被配置為使得所述選定UE與所述UE組的所述多個UE中的指定UE共用所述請求的位置資訊。
根據請求項8所述的方法，其中，對所述UE組的所述指示包括組識別。
根據請求項8所述的方法，還包括：基於所述UE組的所述多個UE中的全部UE的接近度來決定所述UE組的所述多個UE。
根據請求項8所述的方法，還包括： <br/>接收指示預期UE組成員的加入請求；以及 <br/>響應於接收所述加入請求來決定是否將所述預期UE組成員包括在所述UE組的所述多個UE中。
根據請求項8所述的方法，還包括： <br/>偵測到預期UE組成員的新側行鏈路連接；以及 <br/>響應於偵測到所述預期UE組成員的所述新側行鏈路連接，決定是否將所述預期UE組成員包括在所述UE組的所述多個UE中。
根據請求項8所述的方法，還包括：透過從所述UE組的所述多個UE中的一個或多個UE收集相應的位置資訊並且將所述相應的位置資訊發送到網路實體，來向所述UE組的所述多個UE中的選定UE發送指示所述選定UE充當所述UE組的委派的委派指示。
根據請求項8所述的方法，還包括：發送組改變指示，所述組改變指示指示所述UE組的新成員、移除所述UE組的先前成員、或其組合，其中，可選地，所述組改變指示指示在以下情況的至少一種情況下移除所述UE組的所述先前成員：響應於接收到針對移除所述UE組的所述先前成員的請求、或者響應於所述通信設備和所述UE組的所述先前成員之間的側行鏈路連接的丟失。
一種非暫時性處理器可讀儲存媒體，包括用於使得通信設備的處理器為了管理UE組（用戶設備組）而執行請求項8至14中的任一項所述的方法的處理器可讀指令。
一種用於製作一半導體結構(100)之方法，包括：<br/><b>a)</b> 提供一臨時底材(1)之步驟，該臨時底材爲石墨製，且具有4微米至35微米之間的晶粒大小，6至17%之間的孔隙率，以及4.10<sup>-6</sup>/°C至5.10<sup>-6</sup>/°C之間的熱膨脹係數；<br/> <b>b)</b> 在該臨時底材(1)之前面(1a)上直接沈積一載體層(2)之步驟，該載體層爲多晶碳化矽製且具有10微米至200微米之間的厚度，<br/> <b>c)</b>將單晶碳化矽製之一工作層(3)直接或經由一中間層而移轉至該載體層(2)上之步驟，以形成一複合結構(10)，所述移轉係透過分子黏附實施鍵合，<br/> <b>d)</b>在該工作層(3)上形成一主動層(4)之步驟，<br/> <b>e)</b> 移除該臨時底材(1)以形成該半導體結構(100)之步驟，該半導體結構包括該主動層(4)、該工作層(3)及該載體層(2)。
如請求項1之方法，其中所述沈積步驟b)亦實施在：<br/> 該臨時底材(1)之後面(1b)上，以形成一第二載體層(2')，及/或<br/> 該臨時底材(1)之外圍邊緣(1c)上。
如請求項1或2之方法，其中所述移轉步驟c)包括：<br/> 將輕質元素導入單晶碳化矽製之一供體底材(30)以形成一埋置弱化平面(31)，該埋置弱化平面與該供體底材(30)之前面(30a)界定出該工作層(3)，<br/> 以分子黏附鍵合之方式，使該供體底材(30)之前面(30a)直接或經由一中間層而接合至該載體層(2)，<br/> 沿着該埋置弱化平面(31)進行分離，以將該工作層(3)移轉至該載體層(2)。
如請求項3之方法，其中該中間層由鎢、矽、碳化矽或其他導電或半導體材料形成。
如請求項1之方法，其中所述步驟d)包括在該工作層(3)上磊晶生長摻雜單晶碳化矽製之至少一額外層，所述額外層形成該主動層(4)之全部或一部。
如請求項1之方法，其包括在所述步驟d)及步驟e)之間，插入在該主動層(4)上面及/或當中製作全部或部分電子元件(40)之步驟d')。
如請求項1之方法，其中：<br/> 所述步驟e)包括在施加機械應力後，透過使一裂縫在該臨時底材(1)中傳播而進行機械分離，該裂縫實質上平行於該臨時底材(1)與該載體層(2)之間的界面平面而延伸，或<br/> 所述步驟e)包括透過橫向化學蝕刻在該載體層(2)與該臨時底材(1)之間進行化學分離，或<br/> 所述步驟e)包括對該臨時底材(1)之全部或一部進行化學蝕刻，或<br/> 所述步驟e)包括透過熱破壞該臨時底材(1)的石墨而使其分離。
如請求項2之方法，其中：<br/> 所述步驟c)包括使單晶碳化矽製之一第二工作層(3')直接或經由一第二中間層而移轉至該第二載體層(2')，所述移轉係透過分子黏附實施鍵合，<br/> 所述步驟d)包括在該第二工作層(3')上形成一第二主動層，<br/> 所述步驟e)允許一第二半導體結構(100)形成，該第二半導體結構包括該第二主動層、該第二工作層(3')及該第二載體層(2')。
如請求項1之方法，其中在所述步驟a)提供之該臨時底材(1)採用圓形晶圓的形式，且其直徑比該半導體結構(100)的目標直徑寬5%至10%。
如請求項1之方法，其中在所述步驟a)提供之該臨時底材(1)採用圓形晶圓的形式，且其直徑略小於該半導體結構(100)的目標直徑，以使亦實施在該臨時底材(1)之外圍邊緣(1c)上之所述沈積步驟b)得以達到所述目標直徑。
一種複合結構(10)，包括：<br/> 一臨時底材(1)，其爲石墨製，具有4微米至35微米之間的晶粒大小，6至17%之間的孔隙率，以及4.10<sup>-6</sup>/°C至5.10<sup>-6</sup>/°C之間的熱膨脹係數，<br/> 一載體層(2)，其爲多晶碳化矽製且具有10微米至200微米之間的厚度，其至少被設置在該臨時底材(1)的前面上並與該臨時底材(1)的前面接觸，<br/> 一工作層(3)，其爲單晶碳化矽製且被設置在該載體層(2)上。
如請求項11之複合結構，其中該工作層(3)具有100奈米至1500奈米之間的厚度。
如請求項11或12之複合結構，其中該臨時底材(1)具有100微米至2000微米之間的厚度。
如請求項11之複合結構，其中該臨時底材(1)具有70 W.m<sup>-1</sup>.K<sup>-1</sup>至130 W.m<sup>-1</sup>.K<sup>-1</sup>之間的導熱率。
一種用於入侵檢測之運算設備，其包含：<br/> 一處理器，其位處一車輛之一入侵檢測系統；以及<br/> 記憶體，其儲存指令，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以進行下列動作：<br/> 基於雷達信號來接收複數個目標之一測距及一速度的一指示；<br/> 基於該等複數個目標之該速度，將該等複數個目標中之一第一者標記為一潛在虛假目標；<br/> 發出一命令以造成該車輛之該速率之一擾動；<br/> 接收該等複數個目標中之該第一者之一已更新測距的一指示；以及<br/> 基於該等複數個目標中之該第一者之該測距及該等複數個目標中之該第一者之該已更新測距，將該潛在虛假目標確認為一實際虛假目標。
如請求項1之運算設備，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以進行下列動作：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度是否係該等複數個目標中之另一者之速度的一半(½)；以及<br/> 基於該等複數個目標中之該第一者之該速度係該等複數個目標中之另一者之速度的½之該判定，將該等複數個目標中之該第一者標記為該潛在虛假目標。
如請求項1之運算設備，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以進行下列動作：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度在一特定數量之時段內是否恆定；<br/> 基於該等複數個目標中之該第一者之該速度在該特定數量之時段內為恆定的一判定，識別一車輛速度變化；以及<br/> 產生一命令以造成該車輛速度變化。
如請求項3之運算設備，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以經由一車載匯流排將該命令發送至該車輛之一或多個電子控制單元(ECU)。
如請求項4之運算設備，該一或多個ECU包含一加速器ECU、一煞車ECU、或一速度ECU。
如請求項2至5中任一項之運算設備，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以進行下列動作：<br/> 基於該等複數個目標中之第一者之測距及速度，推導該等複數個目標中之該第一者之一估計已更新測距；<br/> 推導該估計已更新測距與該已更新測距之間的一差異；<br/> 判定該差異是否大於或等於一臨界值；以及<br/> 基於該差異係大於或等於該臨界值之一判定，將該潛在虛假目標確認為該實際虛假目標。
如請求項6之運算設備，該等指令在由該處理器執行時，組配該設備以基於該等複數個目標中之該第一者之該測距與該速度及該等雷達信號之一間達時間，推導該等複數個目標中之該第一者之該估計已更新測距。
一種用於入侵檢測之方法，其包含：<br/> 於一車輛之一入侵檢測系統(IDS)處，基於雷達信號來接收複數個目標之一測距及一速度的一指示；<br/> 基於該等複數個目標之該速度，將該等複數個目標中之一第一目者標記為一潛在虛假目標；<br/> 發出一命令以造成該車輛之該速率之一擾動；<br/> 接收該等複數個目標中之該第一者之一已更新測距的一指示；以及<br/> 基於該等複數個目標中之該第一者之該測距及該等複數個目標中之該第一者之該已更新測距，將該潛在虛假目標確認為一實際虛假目標。
如請求項8之方法，其包含：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度是否係該等複數個目標中之另一者之速度的½；以及<br/> 基於判定該等複數個目標中之該第一者之該速度係該等複數個目標中之另一者之速度的½，將該等複數個目標中之該第一者標記為該潛在虛假目標。
如請求項8之方法，其包含：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度在一特定數量之時段內是否恆定；<br/> 基於判定該等複數個目標中之該第一者之該速度在該特定數量之時段內為恆定，識別一車輛速度變化；以及<br/> 產生一命令以造成該車輛速度變化。
如請求項10之方法，其包含經由一車載匯流排將該命令發送至該車輛之一或多個電子控制單元(ECU)。
如請求項11之方法，該一或多個ECU包含一加速器ECU、一煞車ECU、或一速度ECU。
如請求項9至12中任一項之方法，其包含：<br/> 基於該等複數個目標中之第一者之測距及速度，推導該等複數個目標中之該第一者之一估計已更新測距；<br/> 推導該估計已更新測距與該已更新測距之間的一差異；<br/> 判定該差異是否大於或等於一臨界值；以及<br/> 基於判定該差異係大於或等於該臨界值，將該潛在虛假目標確認為該實際虛假目標。
如請求項13之方法，其包含基於該等複數個目標中之該第一者之該測距與該速度及該等雷達信號之一間達時間，推導該等複數個目標中之該第一者之該估計已更新測距。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀儲存媒體包括指令，該等指令在由一車輛之一入侵檢測系統(IDS)之處理電路系統執行時，致使該IDS進行下列動作：<br/> 基於雷達信號來接收複數個目標之一測距及一速度的一指示；<br/> 基於該等複數個目標之該速度，將該等複數個目標中之一第一者標記為一潛在虛假目標；<br/> 發出一命令以造成該車輛之該速率之一擾動；<br/> 接收該等複數個目標中之該第一者之一已更新測距的一指示；以及<br/> 基於該等複數個目標中之該第一者之該測距及該等複數個目標中之該第一者之該已更新測距，將該潛在虛假目標確認為一實際虛假目標。
如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其包含指令，該等指令在由該IDS之該處理電路系統執行時，致使該IDS進行下列動作：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度是否係該等複數個目標中之另一者之速度的½；以及<br/> 基於判定該等複數個目標中之該第一者之該速度係該等複數個目標中之另一者之速度的½，將該等複數個目標中之該第一者標記為潛在虛假目標。
如請求項15之電腦可讀儲存媒體，其包含指令，該等指令在由該IDS之該處理電路系統執行時，致使該IDS進行下列動作：<br/> 判定該等複數個目標中之該第一者之該速度在一特定數量之時段內是否恆定；<br/> 基於判定該等複數個目標中之該第一者之該速度在該特定數量之時段內為恆定，識別一車輛速度變化；以及<br/> 產生一命令以造成該車輛速度變化。
如請求項17之電腦可讀儲存媒體，其包含指令，該等指令在由該IDS之該處理電路系統執行時，致使該IDS經由一車載匯流排將該命令發送至該車輛之一或多個電子控制單元(ECU)。
如請求項18之電腦可讀儲存媒體，該一或多個ECU包含一加速器ECU、一煞車ECU、或一速度ECU。
如請求項16至19中任一項之電腦可讀儲存媒體，其包含指令，該等指令在由該IDS之該處理電路系統執行時，致使該IDS進行下列動作：<br/> 基於該等複數個目標中之第一者之測距及速度，推導該等複數個目標中之該第一者之一估計已更新測距；<br/> 推導該估計已更新測距與該已更新測距之間的一差異；<br/> 判定該差異是否大於或等於一臨界值；以及<br/> 基於判判定該差異係大於或等於該臨界值，將該潛在虛假目標確認為該實際虛假目標。
如請求項20之電腦可讀儲存媒體，其包含指令，該等指令在由該IDS之該處理電路系統執行時，致使該IDS基於該等複數個目標中之該第一者之該測距與該速度及該等雷達信號之一間達時間，推導該等複數個目標中之該第一者之該估計已更新測距。
一種操作伺服器偵測造假的全球導航衛星系統（GNSS）信號的方法，包括： <br/>從被監測設備集合中的被監測設備接收警告訊息，所述警告訊息包括GNSS測量資料，其中，所述GNSS測量資料包括： <br/>由所述被監測設備決定的第一多個GNSS定位的短期平均值； <br/>由所述被監測設備決定的第二多個GNSS定位的長期平均值； <br/>在所述短期平均值與所述長期平均值之間的差異；以及 <br/>由所述被監測設備決定的水平估計位置誤差； <br/>至少部分基於對所述GNSS測量資料的分析，決定是否存在造假的GNSS狀況；以及 <br/>基於所述決定，向一個或多個用戶設備（UE）發送造假警報訊息。
根據請求項1所述的方法，其中： <br/>所述造假的GNSS狀況被決定為不存在，並且所述造假警報訊息提供關於不存在所述造假的GNSS狀況的指示，或 <br/>所述造假的GNSS狀況被決定為存在，並且所述造假警報訊息提供關於存在所述造假的GNSS狀況的指示。
根據請求項2所述的方法，其中，決定存在所述造假的GNSS狀況包括： <br/>決定發送所述警告訊息的被監測設備的數量大於數量閾值； <br/>決定發送所述警告訊息的所述被監測設備的數量占被監測設備總數的百分比大於百分比閾值； <br/>決定在其中被監測設備正在發送所述警告訊息的子區域的大小大於大小閾值；以及 <br/>決定在所述被監測設備發送所述警告訊息的期間的時間長度大於時間閾值。
根據請求項3所述的方法，其中，所述造假警報訊息包括以下各項中的至少一項： <br/>造假的GNSS信號使用的造假的星座；或 <br/>所述造假的GNSS信號使用的頻率。
根據請求項2所述的方法，其中，決定不存在所述造假的GNSS狀況包括： <br/>對於占所述被監測設備集合總數的百分比大於百分比閾值的所述被監測設備集合的數量，決定GNSS定位的短期平均值與GNSS定位的長期平均值之間的差異小於差異閾值。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>決定不存在所述造假的GNSS狀況； <br/>對於多個設備中的特定設備，決定： <br/>第一多個全球導航衛星系統定位的短期平均值與第二多個全球導航衛星系統定位的長期平均值之間的差異小於或等於差異閾值；以及 <br/>水平估計位置誤差小於或等於誤差閾值；以及 <br/>在所述被監測設備集合中包括所述特定設備。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>從所述被監測設備集合中的第二被監測設備接收第二警告訊息，所述第二警告訊息包括第二GNSS測量資料； <br/>至少部分地基於所述第二GNSS測量資料，決定所述第二被監測設備有缺陷；以及 <br/>從所述被監測設備集合中移除所述第二被監測設備。
根據請求項7所述的方法，還包括： <br/>向所述第二被監測設備發送指令，所述指令包括以下各項中的一項： <br/>用於停用所述第二被監測設備的導航感測器的第一指令；或 <br/>用於將所述第二被監測設備轉換到低功耗模式的第二指令。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>決定針對發送所述警告訊息的每個被監測設備的GNSS定位的長期平均值的加權平均值，其中，用於每個設備的權重基於以下兩者之間的差異： <br/>由發送所述警告訊息的所述被監測設備決定的GNSS定位的短期平均值，與 <br/>由發送所述警告訊息的所述被監測設備決定的GNSS定位的長期平均值；以及 <br/>基於GNSS定位的所述長期平均值的所述加權平均值，決定正在發送所述造假的GNSS信號的造假者的近似位置。
一種用於偵測造假的全球導航衛星系統（GNSS）信號的伺服器，包括： <br/>記憶體；以及 <br/>一個或多個處理器，其通信地耦接到所述記憶體，所述一個或多個處理器，單獨或組合地，被配置為： <br/>從被監測設備集合中的被監測設備接收警告訊息，所述警告訊息包括全球導航衛星系統（GNSS）測量資料，其中，所述GNSS測量資料包括： <br/>由所述被監測設備決定的第一多個GNSS定位的短期平均值； <br/>由所述被監測設備決定的第二多個GNSS定位的長期平均值； <br/>在所述短期平均值與所述長期平均值之間的差異；以及 <br/>由所述被監測設備決定的水平估計位置誤差； <br/>至少部分基於對所述GNSS測量資料的分析，決定是否存在造假的GNSS狀況；以及 <br/>基於所述決定，向一個或多個用戶設備（UE）發送造假警報訊息。
根據請求項10所述的伺服器，其中： <br/>所述造假的GNSS狀況被決定為不存在，並且所述造假警報訊息提供關於不存在所述造假的GNSS狀況的指示，或 <br/>所述造假的GNSS狀況被決定為存在，並且所述造假警報訊息提供關於存在所述造假的GNSS狀況的指示。
根據請求項11所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器被配置為決定存在所述造假的GNSS狀況包括所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>決定發送所述警告訊息的被監測設備的數量大於數量閾值； <br/>決定發送所述警告訊息的所述被監測設備的數量占被監測設備總數的百分比大於百分比閾值； <br/>決定在其中被監測設備正在發送所述警告訊息的子區域的大小大於大小閾值；以及 <br/>決定在其期間所述被監測設備發送所述警告訊息的時間長度大於時間閾值。
根據請求項12所述的伺服器，其中，所述造假警報訊息包括以下各項中的至少一項： <br/>造假的GNSS信號使用的造假的星座；或 <br/>所述造假的GNSS信號使用的頻率。
根據請求項10所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器被配置為決定不存在所述造假的GNSS狀況包括所述一個或多個處理器被配置為進行以下操作： <br/>對於占所述被監測設備集合總數的百分比大於百分比閾值的所述被監測設備集合的數量，決定GNSS定位的短期平均值與GNSS定位的長期平均值之間的差異小於差異閾值。
根據請求項10所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>決定所述造假的GNSS狀況不存在； <br/>對於多個設備中的特定設備，決定： <br/>在第一多個全球導航衛星系統定位的短期平均值與第二多個全球導航衛星系統定位的長期平均值之間的差異小於或等於差異閾值；以及 <br/>水平估計位置誤差小於或等於誤差異閾值；以及 <br/>在所述被監測設備集合中包括所述特定設備。
根據請求項10所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>從所述被監測設備集合中的第二被監測設備接收第二警告訊息，所述第二警告訊息包括第二GNSS測量資料； <br/>至少部分地基於所述第二GNSS測量資料，決定所述第二被監測設備有缺陷；以及 <br/>從所述被監測設備集合中移除所述第二被監測設備。
根據請求項16所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>向所述第二被監測設備發送指令，所述指令包括以下各項中的一項： <br/>用於停用所述第二被監測設備的導航感測器的第一指令；或 <br/>用於將所述第二被監測設備轉換到低功耗模式的第二指令。
根據請求項10所述的伺服器，其中，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>決定針對發送所述警告訊息的每個被監測設備的GNSS定位的長期平均值的加權平均值，其中，用於每個設備的權重基於以下兩者之間的差異： <br/>由發送所述警告訊息的所述被監測設備決定的GNSS定位的短期平均值，以及 <br/>由發送所述警告訊息的所述被監測設備決定的GNSS定位的長期平均值；以及 <br/>基於GNSS定位的所述長期平均值的所述加權平均值，決定正在發送所述造假的GNSS信號的造假者的近似位置。
一種防護薄膜框架，呈框狀且具有兩端面、外側面及內側面，其中， <br/>於該兩端面中之下端面，包含從該外側面往該內側面延伸的缺口部； <br/>該缺口部，係在防護薄膜組件之使用時將該防護薄膜組件之內外加以通氣之通氣部之構成要素， <br/>該防護薄膜框架的厚度未滿2.5mm。
如請求項1所述之防護薄膜框架，其中， <br/>該缺口部係從該外側面形成至該內側面。
如請求項1所述之防護薄膜框架，其中， <br/>該缺口部的高度為該防護薄膜框架之厚度的50%以下。
如請求項1所述之防護薄膜框架，其中， <br/>該通氣部之在該外側面開口之開口部的總面積為至少5mm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之防護薄膜框架，其中， <br/>該外側面中的該缺口部的寬度係大於該外側面中的該缺口部的高度。
如請求項1所述之防護薄膜框架，其係使用於EUV曝光用防護薄膜組件。
一種防護薄膜組件，包含有如請求項1~6中任一項所述之防護薄膜框架作為其構成要素。
一種附有光罩黏著劑的防護薄膜框架，係在如請求項1~6中任一項所述之防護薄膜框架的一個端面上形成有光罩黏著劑。
一種貼附有防護薄膜組件的曝光原版，係將如請求項7所述之防護薄膜組件貼附於光罩的表面。
一種曝光方法，係使用如請求項9所述之貼附有防護薄膜組件的曝光原版來執行曝光。
一種半導體之製造方法，包含藉由對半導體晶圓照射光線而製作圖形的步驟，該半導體之製造方法係使用如請求項9所述之貼附有防護薄膜組件的曝光原版。
一種用於製造藥物遞送裝置的柱塞之方法，該方法包括： <br/>形成柱塞本體，該柱塞本體具有限定了軸向腔室的內環形壁、和外環形壁，該柱塞本體包括第一端和與該第一端相反的第二端； <br/>將該柱塞本體裝載到模製系統的第一模製工具的空腔中； <br/>將第二模製工具聯接至該第一模製工具以形成由該第一和第二模製工具中的凹槽限定的多個通道，該第二模製工具包括空腔，該空腔的大小被確定為在該柱塞本體佈置在該第一模製工具的空腔中時接納該柱塞本體的一部分；以及 <br/>向該多個通道中注入熔融塑膠以形成經包覆模製的柱塞本體，該經包覆模製的柱塞本體具有至少一個包覆模製部分。
如請求項1所述之方法，其中，注入熔融塑膠包括：注入熔融塑膠以形成聯接至該柱塞本體的第一端的頭和聯接至該柱塞本體的第二端的腳，該腳至少部分地聯接至該柱塞本體的該內環形壁，並且該頭聯接至該外環形壁。
如請求項1或2所述之方法，進一步包括在將該第二模製工具聯接至該第一模製工具之前，將該第一模製工具從第一位置移動至第二位置。
如請求項1或2所述之方法，進一步包括在將該第一模製工具聯接至該第二模製工具之前，將桿插入該柱塞本體的軸向腔室中。
如請求項1或2所述之方法，向該多個通道注入包括：向形成在該第二模製工具中的彎曲通道注入，該彎曲通道包括在約0.1 mm至約0.2 mm範圍內的直徑並且聯接至該空腔的第二模製部分，該空腔至少部分地由第一模製部分、中間部分、和該第二模製部分限定。
如請求項1或2所述之方法，進一步包括藉由啟用該第一模製工具中的彈出銷來將該固化的柱塞從該第一模製工具中移除，該彈出銷將該固化的柱塞推離形成在該第一模製工具中的空腔。
如請求項1或2所述之方法，其中，裝載該柱塞本體包括：將多個柱塞本體裝載到該模製系統的第一模製工具上，該第一模製工具包括多個空腔。
如請求項1或2所述之方法，其中，將該柱塞本體裝載到該空腔中包括：將該柱塞本體放在形成在該第一模製工具的壁中的真空槽縫上，該真空被配置用於將該柱塞本體附著至該模製工具。
如請求項1或2所述之方法，其中，形成該柱塞本體包括由鈑金毛坯衝壓成多個柱塞本體。
如請求項1或2所述之方法，其中，形成該柱塞本體包括：在鈑金毛坯中切割出波紋邊緣並且將該波紋邊緣壓彎，使得該柱塞本體的第一端包括相對於該軸向腔室向外壓彎的波紋邊緣。
如請求項1或2所述之方法，其中，形成該柱塞本體包括：在鈑金毛坯中切割出波紋邊緣並且將該波紋邊緣壓彎，使得該柱塞本體的第二端包括相對於該軸向腔室向內壓彎的波紋邊緣。
一種用於模製藥物遞送裝置的柱塞之方法，該方法包括： <br/>將柱塞本體裝載到模製系統的第一模製工具的空腔中，該柱塞本體包括限定了軸向腔室的內環形壁、外環形壁、第一端、與該第一端相反的第二端，其中，該空腔至少部分地限定第一模製部分、中間部分、以及第二模製部分； <br/>將第二模製工具聯接至該第一模製工具以形成由該第一和第二模製工具中的凹槽限定的多個通道；以及 <br/>向該第一和第二模製工具的該多個通道中和該第一模製部分和該第二模製部分中注入熔融塑膠以形成經包覆模製的柱塞本體，該經包覆模製的柱塞本體包括頭和腳，該頭聯接至該外環形壁並且至少部分地環繞該柱塞本體的第一端，該腳聯接至該柱塞本體的第二端。
如請求項12所述之方法，進一步包括在將該第二模製工具聯接至該第一模製工具之前，將該第一模製工具從第一位置移動至第二位置。
如請求項13所述之方法，其中，移動該第一模製工具包括：將可移動桌台旋轉至少180度，該第一模製工具附接至該可移動桌台的表面。
如請求項12至14中任一項所述之方法，其中，向該多個通道中注入熔融塑膠包括：當該第一模製工具聯接至該第二模製工具時，向該第二模製工具注入熔融塑膠。
如請求項12至14中任一項所述之方法，進一步包括在將該第一模製工具聯接至該第二模製工具之前，將桿插入該柱塞本體的軸向腔室中。
如請求項12至14中任一項所述之方法，其中，向該多個通道中注入熔融塑膠包括：向形成在該第二模製工具中的彎曲通道注入熔融塑膠，該彎曲通道聯接至該空腔的第二模製部分。
如請求項12至14中任一項所述之方法，其中，裝載該柱塞本體包括：將該第一端裝載到該第一模製部分中，並且將該第二端裝載到該空腔的第二模製部分中。
如請求項12至14中任一項所述之方法，其中，向該多個通道中注入熔融塑膠包括：向該第一和第二模製工具中注入熔融塑膠，該多個通道在該第一模製工具的第一模製部分與第二模製部分之間、以及該第二模製工具的第一模製部分與第二模製部分之間延伸。
如請求項19所述之方法，其中，向該第一和第二模製工具中注入熔融塑膠包括：形成包括從該柱塞本體徑向地向外延伸的至少一個凸緣的頭；以及在該至少一個凸緣上形成凸輪從動件。
一種用於人力車輛的控制系統，該控制系統包含： <br/> 第一操作裝置，其包括第一底座、第一操作構件、被設置於該第一底座的第一車把附接件、及被耦接於該第一底座及該第一操作構件中的至少一者的第一電開關單元； <br/> 第二操作裝置，其包括第二底座、被設置於該第二底座的第二車把附接件、及被耦接於該第二底座的第二電開關單元，該第二操作裝置被電連接於該第一操作裝置； <br/> 無線通訊單元，其被電連接於該第一操作裝置及該第二操作裝置；及 <br/> 控制單元，其被建構成根據該控制單元的控制狀態而選擇性地控制該無線通訊單元，以建立與作動裝置的無線通訊，該控制狀態包括第一控制狀態及第二控制狀態，該控制單元被建構成在該第二控制狀態下建立對該作動裝置的該無線通訊。
如請求項1所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該無線通訊單元被設置在該第一操作裝置、該第二操作裝置及該控制單元中的至少一者上。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，還包含 <br/> 有線通訊埠，其被電連接於該控制單元，以用來將該第一操作裝置及該第二操作裝置經由電纜線而選擇性地連接於該作動裝置。
如請求項3所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該控制狀態包括該有線通訊埠被電連接於該電纜線之該第一控制狀態、及該有線通訊埠未電連接於該電纜線之該第二控制狀態，且 <br/> 該控制單元被建構成建立有線通訊，其中該第一操作裝置及該第二操作裝置在該第一控制狀態下經由該電纜線而被電連接於該作動裝置。
如請求項4所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該控制單元被進一步建構成在該第一控制狀態下控制從第一電力供應器所供應至該第一操作裝置及該第二操作裝置之電力。
如請求項5所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第一電力供應器被連接於該第一操作裝置、該第二操作裝置及該控制單元中的至少一者。
如請求項4所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該控制單元被進一步建構成控制從第二電力供應器所供應之電力，使得該第一操作裝置及該第二操作裝置在該第二控制狀態下經由該無線通訊單元而與該作動裝置無線地通訊。
如請求項7所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第二電力供應器被設置於該第一操作裝置、該第二操作裝置、該控制單元及該無線通訊單元中的至少一者。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第一操作裝置及該第二操作裝置中的至少一者包括電連接埠。
如請求項9所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第一操作裝置及該第二操作裝置中的另一者包括被耦接於該電連接埠的電連接器。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，還包含 <br/> 偵測器，其被建構成偵測該控制狀態的資訊。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，還包含 <br/> 通知單元，被建構成通知該控制狀態。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第一操作裝置包括被設置於該第一操作構件及該第一底座中的至少一者之至少一個第一使用者輸入器，該第一使用者輸入器被連接於該第一電開關單元，且 <br/> 該第二操作裝置包括第二使用者輸入器及第二操作構件中的至少一者，該第二使用者輸入器及該第二操作構件中的該至少一者被連接於該第二電開關單元。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該第一操作構件被可樞轉地安裝於該第一底座。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該控制單元被建構成根據該第一電開關單元及該第二電開關單元中的至少一者的致動而選擇性地傳送訊號。
如請求項1或2所述之用於人力車輛的控制系統，其中 <br/> 該作動裝置是傳動裝置。
一種偏光板，其係在含碘及硼之偏光片的兩面具有熱塑性樹脂膜， <br/>前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部，相較於至少一面的前述熱塑性樹脂膜中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部，在面方向上位於相同位置，或是位於面方向外側， <br/>前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部滿足下述式(I)： <br/>硼酸交聯度指數≤0.9 (I) <br/>其中，硼酸交聯度指數係以波數780cm<sup>-1</sup>中的拉曼散射光強度/波數850cm<sup>-1</sup>中的拉曼散射光強度定義； <br/>且前述偏光片滿足下述式(II)： <br/>硼酸交聯度指數(1)/硼酸交聯度指數(2)≤0.95 (II) <br/>其中，硼酸交聯度指數(1)係在前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部的硼酸交聯度指數，硼酸交聯度指數(2)係從前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部往面方向內側100μm處的硼酸交聯度指數。
一種偏光板的製造方法，包含： <br/>積層步驟，係藉由在含碘及硼之偏光片的兩面積層熱塑性樹脂膜而得到偏光板；及 <br/>端部處理步驟，係使前述偏光板中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部接觸20℃以上的處理液3至150秒。
如請求項2所述之偏光板的製造方法，更包含：端部形成步驟，係藉由對前述偏光板進行切斷及/或衝切加工， 形成前述偏光板中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部。
如請求項2或3所述之偏光板的製造方法，更包含：表面保護步驟，係在前述偏光板中，於前述熱塑性樹脂膜中與配置有前述偏光片之一側相反之側之面積層偏光板用表面保護膜。
如請求項2或3所述之偏光板的製造方法，其中前述處理液含水。
如請求項2或3所述之偏光板的製造方法，其中前述處理液為水。
如請求項2或3所述之偏光板的製造方法，其中前述處理液為pH 3至9。
一種偏光板，其中在含碘及硼之偏光片的至少一面具有熱塑性樹脂膜， <br/>前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部，相較於前述熱塑性樹脂膜中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部，在面方向上位於相同位置，或是位於面方向外側， <br/>前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部滿足下述式(I)： <br/>硼酸交聯度指數≤0.9 (I) <br/>其中，硼酸交聯度指數係以波數780cm<sup>-1</sup>中的拉曼散射光強度/波數850cm<sup>-1</sup>中的拉曼散射光強度定義； <br/>且前述偏光片滿足下述式(II)： <br/>硼酸交聯度指數(1)/硼酸交聯度指數(2)≤0.95 (II) <br/>其中，硼酸交聯度指數(1)係在前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部的硼酸交聯度指數，硼酸交聯度指數(2)係從前述偏光片中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部往面方向內側100μm處的硼酸交聯度指數。
一種偏光板的製造方法，包含： <br/>積層步驟，係藉由在含碘及硼之偏光片的至少一面積層熱塑性樹脂膜而得到偏光板；及 <br/>端部處理步驟，係使前述偏光板中與偏光片穿透軸方向平行之方向的端部接觸20℃以上的處理液3至150秒。
一種控制行動設備的設備，包括： <br/>慣性感測器系統，所述慣性感測器系統包含至少一個慣性感測器； <br/>近接感測器系統，所述近接感測器系統包含至少一個近接感測器； <br/>天線系統，被配置為發送和接收無線電信號；以及 <br/>控制系統，所述控制系統被配置用於： <br/>從所述慣性感測器系統接收慣性感測器資料； <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示等於或超過加速度閾值的一或多個加速度；以及 <br/>至少部分地基於所述慣性感測器資料來控制所述近接感測器系統和所述天線系統，其中所述控制包括如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示等於或超過所述加速度閾值的一個或多個加速度，停用所述近接感測器系統並且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項1所述的設備，其中，所述控制系統還被配置為： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示所述設備正被握持、正被攜帶或在人體上；以及 <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，停用所述近接感測器系統。
根據請求項2所述的設備，其中所述控制系統進一步被配置以用於在所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上的情況下降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項2所述的設備，其中，決定所述設備是否在所述人體上涉及決定所述設備中的至少一些是否在所述人的口袋內。
根據請求項1所述的設備，其中，所述控制系統還被配置為： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示所述設備正被握持、正被攜帶或在人體上； <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料不指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，從所述近接感測器系統獲得近接感測器信號； <br/>決定所述近接感測器信號是否指示目標物體接近所述設備；以及 <br/>根據所述控制系統是否決定所述目標物體接近所述設備來控制所述天線系統的發送功率。
根據請求項1所述的設備，其中，所述近接感測器系統包括至少一個雷達感測器。
根據請求項1所述的設備，其中，所述天線系統被配置為以6吉赫或更高的頻率發送至少一些無線電信號。
根據請求項1所述的設備，其中，所述天線系統被配置為發送波束成形的無線電信號。
根據請求項1所述的設備，其中，所述控制系統還被配置為： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示人類接觸的微運動特性；以及 <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示人類接觸的一個或多個微運動特性，停用所述近接感測器系統並且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項1所述的設備，其中，所述控制系統還被配置為： <br/>經由所述控制系統實施神經網路，所述神經網路被訓練以決定所述慣性感測器資料是否指示所述設備正被握持、正被攜帶或在人體上；以及 <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，停用所述近接感測器系統並且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項1所述的設備，其中所述慣性感測器系統包括至少一個加速度計或至少一個陀螺儀。
根據請求項1所述的設備，其中，所述設備是行動設備。
一種控制行動設備的方法，包括： <br/>由所述行動設備的控制系統從所述行動設備的慣性感測器系統接收慣性感測器資料； <br/>透過所述控制系統決定所述慣性感測器資料是否指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在人體上；以及 <br/>由所述控制系統至少部分地基於所述慣性感測器資料是否指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上而控制所述行動設備的近接感測器系統和天線系統，其中所述控制涉及如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，由所述控制系統停用所述近接感測器系統。
根據請求項13所述的方法，其進一步包括如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項13所述的方法，其中決定所述行動設備是否在所述人體上涉及決定所述行動設備中的至少一些是否在所述人的口袋內。
根據請求項13所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料不指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，從所述近接感測器系統獲得近接感測器信號； <br/>決定所述近接感測器信號是否指示目標物體接近所述行動設備；以及 <br/>根據所述控制系統是否決定所述目標物體接近所述行動設備來控制所述天線系統的發送功率。
根據請求項13所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示等於或超過加速度閾值的加速度；以及 <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示等於或超過所述加速度閾值的一個或多個加速度，停用所述近接感測器系統並且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項13所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示人類接觸的微運動特性；以及 <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示人類接觸的一個或多個微運動特性，停用所述近接感測器系統且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項13所述的方法，其中，所述方法還包括： <br/>實施神經網路，所述神經網路被訓練以決定所述慣性感測器資料是否指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上<br/>。
一種或多種非暫時性媒體，其上儲存有軟體，所述軟體包括用於實現控制行動設備的方法的指令，所述方法包括： <br/>由所述行動設備的控制系統從所述行動設備的慣性感測器系統接收慣性感測器資料； <br/>透過所述控制系統決定所述慣性感測器資料是否指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在人體上；以及 <br/>由所述控制系統至少部分地基於所述慣性感測器資料是否指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上而控制所述行動設備的近接感測器系統和天線系統，其中所述控制涉及如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，由所述控制系統停用所述近接感測器系統。
根據請求項20所述的一種或多種非暫時性媒體，其中所述方法涉及如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項20所述的一種或多種非暫時性媒體，其中決定所述行動設備是否在所述人體上涉及決定所述行動設備中的至少一些是否在所述人的口袋內。
根據請求項20所述的一種或多種非暫時性媒體，其中所述方法涉及： <br/>如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料不指示所述行動設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，從所述近接感測器系統獲得近接感測器信號； <br/>決定所述近接感測器信號是否指示目標物體接近所述行動設備；以及 <br/>根據所述控制系統是否決定所述目標物體接近所述行動設備來控制所述天線系統的發送功率。
一種控制行動設備的設備，包括： <br/>慣性感測器系統，所述慣性感測器系統包含至少一個慣性感測器； <br/>近接感測器系統，所述近接感測器系統包含至少一個近接感測器； <br/>天線系統，被配置為發送和接收無線電信號；以及 <br/>控制組件，用於： <br/>從所述慣性感測器系統接收慣性感測器資料； <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示等於或超過加速度閾值的一或多個加速度；以及 <br/>至少部分地基於所述慣性感測器資料來控制所述近接感測器系統和所述天線系統，其中所述控制包括如果所述控制系統決定所述慣性感測器資料指示等於或超過所述加速度閾值的一個或多個加速度，停用所述近接感測器系統並且降低所述天線系統的發送功率。
根據請求項24所述的設備，其中，所述控制組件包括用於以下操作的組件： <br/>決定所述慣性感測器資料是否指示所述設備正被握持、正被攜帶或在人體上；以及 <br/>如果所述控制組件決定所述慣性感測器資料指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上，停用所述近接感測器系統。
根據請求項25所述的設備，其中所述控制組件包含用於在所述控制設備決定所述慣性感測器資料指示所述設備正被握持、正被攜帶或在所述人體上的情況下降低所述天線系統的發送功率的組件。
一種阻止病毒感染之粒子，其特徵在於含有：樹脂粒子；及病毒感染阻止劑，其存在於上述樹脂粒子之表面，且包含具有磺酸基及/或磺酸基衍生物之磺酸化合物，上述樹脂粒子為一次粒子，其平均粒徑為1μm以上20μm以下，上述磺酸化合物包含選自由直鏈烷基苯磺酸、直鏈烷基苯磺酸鹽、α-烯烴磺酸、烷基二苯醚磺酸、烷基二苯醚磺酸鹽、α-烯烴磺酸鹽、聚氧伸烷基烷基醚硫酸酯鹽、在線性高分子之側鏈具有來自磺酸之基之聚合物所組成之群之至少任1種的磺酸化合物，構成上述樹脂粒子之合成樹脂係選自由苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺酯(urethane)系樹脂、氯乙烯系樹脂、ABS樹脂、及合成橡膠所組成之群之至少一種合成樹脂，上述線性高分子係選自由乙烯系聚合物、聚酯、聚胺酯(polyurethane)所組成之群之至少一種線性高分子。
如請求項1之阻止病毒感染之粒子，其中，磺酸化合物附著於樹脂粒子之表面。
如請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，其中，相對於樹脂粒子之磺酸化合物之存在量，相對於樹脂粒子100質量份，為1質量份以上100質量份以下。
如請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，其中，樹脂粒子包含樹脂粒子(一次粒子)彼此凝聚並一體化而成之凝聚粒子。
如請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，其中，磺酸化合物具有芳香環。
如請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，其中，一次粒子之樹脂粒子之平均粒徑為10μm以下。
如請求項4之阻止病毒感染之粒子，其中，凝聚粒子之平均粒徑為20~75μm。
如請求項4之阻止病毒感染之粒子，其中，阻止病毒感染之粒子中之凝聚粒子之含量為30%以上。
如請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，其中，構成上述樹脂粒子之合成樹脂含有芳香環。
一種阻止病毒感染之製品，其特徵在於含有：基材；及包含於上述基材中之請求項1或2之阻止病毒感染之粒子，上述基材係選自由合成樹脂成形體、塗料、壁紙、裝飾片、地板材料、纖維製品、載具用之內用品、載具用之內裝材料、廚房用品、嬰兒用品、及建築內裝材料所組成之群之至少一種。
一種色材分散液，其含有色材、分散劑、pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物、pKa為4.0以下之含酸性基之化合物、及溶劑， 上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物為選自由含有三級胺基之鹼性化合物及鹼性雜環式化合物所組成之群中之1種以上、且pKa表現為11.5以上之化合物，其分子量為60以上800以下，波長400 nm～波長700 nm之範圍之透過率為90%以上， 上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物之分子量為60以上1000以下，波長400 nm～波長700 nm之範圍之透過率為90%以上， 相對於上述色材100質量份，含有上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物與上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物各0.1質量份～30.0質量份， 上述分散劑包含具有下述通式(I)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值未達10 mgKOH/g之聚合物： [化1] <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="219px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(於通式(I)中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，A表示直接鍵或二價連結基，Q為酸性基)。
如請求項1之色材分散液，其中於具有上述通式(I)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值未達10 mgKOH/g之聚合物中，上述通式(I)所含之酸性基之至少一部分與上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物形成鹽。
如請求項1或2之色材分散液，其中具有上述通式(I)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值未達10 mgKOH/g之聚合物為如下共聚物之至少1種： <br/>具有上述通式(I)所表示之結構單元之接枝共聚物、及該接枝共聚物中上述通式(I)所含之酸性基之至少一部分與鹼性化合物形成鹽之鹽型接枝共聚物、以及 <br/>具有包含上述通式(I)所表示之結構單元之A嵌段的嵌段共聚物、及該嵌段共聚物中上述通式(I)所含之酸性基之至少一部分與鹼性化合物形成鹽之鹽型嵌段共聚物。
如請求項1或2之色材分散液，其中具有上述通式(I)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值未達10 mgKOH/g之聚合物具有下述通式(II-1)所表示之結構單元與下述通式(II-2)所表示之結構單元作為上述通式(I)所表示之結構單元： <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="264px" width="342px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II-2) <br/>(於通式(II-1)中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基， <br/>通式(II-2)中，R<sup>1</sup>表示氫原子或甲基，R<sup>2</sup>表示可含有氧原子之脂肪族烴基，R<sup>3</sup>表示烴基)。
如請求項1或2之色材分散液，其中上述分散劑包含如下共聚物之至少1種： <br/>為具有上述通式(I)所表示之結構單元及下述通式(III)所表示之結構單元且該通式(III)中之聚合物鏈包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元之接枝共聚物、及該接枝共聚物中上述通式(I)所含之酸性基之至少一部分與鹼性化合物形成鹽之鹽型接枝共聚物、以及 <br/>具有包含上述通式(I)所表示之結構單元之A嵌段與包含下述通式(IV)所表示之結構單元之B嵌段且該B嵌段包含選自由下述通式(V)所表示之結構單元及下述通式(V')所表示之結構單元所組成之群中之至少1種結構單元之嵌段共聚物、及該嵌段共聚物中上述通式(I)所含之酸性基之至少一部分與鹼性化合物形成鹽之鹽型嵌段共聚物： <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="218px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(於通式(III)中，R<sup>1"</sup>表示氫原子或甲基，A<sup>1</sup>表示直接鍵或二價連結基，Polymer表示聚合物鏈) <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="148px" width="255px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(於通式(IV)中，R<sup>11</sup>為氫原子或甲基，A<sup>2</sup>為二價連結基，R<sup>4</sup>為可具有取代基且可含有雜原子之烴基)<sup> </sup>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="264px" width="311px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (V') <br/>(於通式(V)中，R<sup>11'</sup>為氫原子或甲基，A<sup>2'</sup>為二價連結基，R<sup>5</sup>為伸乙基或伸丙基，R<sup>6</sup>為氫原子、或烴基，m表示2以上80以下之數； 通式(V')中，R<sup>11"</sup>為氫原子或甲基，A<sup>2"</sup>為二價連結基，R<sup>6'</sup>為氫原子、或烴基，k表示3以上7以下之整數，n表示2以上80以下之數)。
如請求項1或2之色材分散液，其中具有上述通式(I)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值未達10 mgKOH/g之聚合物之鹽形成前之酸值為20～250 mgKOH/g。
如請求項1或2之色材分散液，其中上述分散劑進而包含具有下述通式(VI)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值為35 mgKOH/g以上之聚合物： <br/>[化6] <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (於通式(VI)中，R<sup>31</sup>表示氫原子或甲基，A<sup>3</sup>表示二價連結基，R<sup>32</sup>及R<sup>33</sup>分別獨立地表示氫原子、或可含有雜原子之烴基，R<sup>32</sup>及R<sup>33</sup>可互相鍵結而形成環結構)。
如請求項7之色材分散液，其中於具有上述通式(VI)所表示之結構單元且鹽形成前之胺值為35 mgKOH/g以上之聚合物中，上述通式(VI)所表示之結構單元之末端的氮部位之至少一部分與上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物形成鹽。
如請求項1或2之色材分散液，其中上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物為選自由下述通式(1)及通式(2)所表示之化合物所組成之群中之1種以上化合物： <br/>[化7] <img align="absmiddle" height="134px" width="324px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(於通式(1)中，R<sup>a</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或-O-R<sup>b</sup>，R<sup>b</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者介隔碳數1～4之伸烷基之(甲基)丙烯醯基； <br/>於通式(2)中，R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>分別獨立地表示氫原子、羥基、碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者-O-R<sup>e</sup>，R<sup>e</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者介隔碳數1～4之伸烷基之(甲基)丙烯醯基；但，R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>之至少一者含有碳原子)。
一種修飾色材，其含有色材、pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物、及pKa為4.0以下之含酸性基之化合物， <br/>上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物為選自由含有三級胺基之鹼性化合物及鹼性雜環式化合物所組成之群中之1種以上、且pKa表現為11.5以上之化合物，其分子量為60以上800以下，波長400 nm～波長700 nm之範圍之透過率為90%以上， 上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物之分子量為60以上1000以下，波長400 nm～波長700 nm之範圍之透過率為90%以上， 相對於上述色材100質量份，含有上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物與上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物各0.1質量份～30.0質量份。
如請求項10之修飾色材，其中上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物為選自由下述通式(1)及通式(2)所表示之化合物所組成之群中之1種以上化合物： [化8] <img align="absmiddle" height="131px" width="317px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(於通式(1)中，R<sup>a</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或-O-R<sup>b</sup>，R<sup>b</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者介隔碳數1～4之伸烷基之(甲基)丙烯醯基； <br/>於通式(2)中，R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>分別獨立地表示氫原子、羥基、碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者-O-R<sup>e</sup>，R<sup>e</sup>表示碳數1～20之直鏈、支鏈或環狀之烷基、乙烯基、可具有取代基之苯基或苄基、或者介隔碳數1～4之伸烷基之(甲基)丙烯醯基；但，R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>之至少一者含有碳原子)。
如請求項10或11之修飾色材，其中上述pKa為11.5以上之含氮鹼性化合物之至少一部分與上述pKa為4.0以下之含酸性基之化合物之至少一部分形成鹽。
一種著色硬化性組合物，其含有如請求項1至9中任一項之色材分散液、聚合性化合物、及起始劑。
一種彩色濾光片，其係至少具備基板、及設置於該基板上之著色層者，且該著色層之至少一層為如請求項13之著色硬化性組合物之硬化物。
一種顯示裝置，其具有如上述請求項14之彩色濾光片。
一種用於室內測繪的裝置，包括： <br/>至少一個記憶體；以及 <br/>至少一個處理器，其被耦接到所述至少一個記憶體並被配置為： <br/>從多個無線設備接收與第一無線設備對應的第一射頻（RF）感測資料集合和方向資料，其中，所述第一RF感測資料集合與至少一個接收波形相關聯，所述至少一個接收波形是第一反射器對發送波形的反射；以及 <br/>基於所述第一RF感測資料集合、所述方向資料和與所述第一無線設備對應的位置資料，產生包括對所述第一反射器的參考的室內地圖。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述第一RF感測資料集合包括所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於所述第一RF感測資料集合，決定所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角。
根據請求項3所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於所述方向資料和所述位置資料，決定所述第一無線設備的移動；以及 <br/>基於所述第一無線設備的所述移動，調整所述距離和所述到達角。
根據請求項3所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於與第二無線設備對應的第二RF感測資料集合，決定所述第二無線設備與第二反射器之間的第二距離和第二到達角；以及 <br/>響應於決定所述第一無線設備和所述第二無線設備位於相同的室內環境中，修改所述室內地圖以包括對所述第二反射器的第二參考。
根據請求項5所述的裝置，其中，所述第二無線設備是Wi-Fi存取點，並且其中，所述第一無線設備不與所述Wi-Fi存取點相關聯。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>接收與所述多個無線設備對應的多個RF感測資料集合，其中，所述多個RF感測資料集合與多個接收波形相關聯，所述多個接收波形是所述第一反射器對至少一個發送波形的反射； <br/>基於所述多個RF感測資料集合，決定與所述第一反射器相關聯的多個位置測量；以及 <br/>基於所述多個位置測量，決定所述第一反射器的位置。
根據請求項7所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於與所述多個無線設備對應的所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於瞬態物件；以及 <br/>修改所述室內地圖，以刪除對所述第一個反射器的所述參考。
根據請求項7所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於與所述多個無線設備對應的所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於結構元件，其中，對所述第一反射器的所述參考指示所述結構元件的類型。
根據請求項9所述的裝置，其中，所述結構元件的所述類型包括門、窗、牆壁、地板、天花板、屋頂、柱子、或它們的組合中的至少一種。
根據請求項7所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>基於所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於靜態物件，其中，對所述第一反射器的所述參考指示所述靜態物件的類型。
根據請求項11所述的裝置，其中，所述靜態物件的所述類型包括家具、器具、配件、或它們的組合中的至少一種。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述發送波形包括Wi-Fi信號、新無線電（NR）信號、RADAR信號、超寬頻（UWB）信號、或它們的任意組合中的至少一種。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述發送波形是由Wi-Fi存取點發送的。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述至少一個處理器被配置為： <br/>向所述第一無線設備提供所述室內地圖。
一種產生一個或多個室內地圖的方法，所述方法包括： <br/>由伺服器設備從多個無線設備接收與第一無線設備對應的第一射頻（RF）感測資料集合和方向資料，其中，所述第一RF感測資料集合與至少一個接收波形相關聯，所述至少一個接收波形是第一反射器對發送波形的反射；以及 <br/>由所述伺服器設備，基於所述第一RF感測資料集合、所述方向資料和與所述第一無線設備對應的位置資料，產生包括對所述第一反射器的參考的室內地圖。
根據請求項16所述的方法，其中，所述第一RF感測資料集合包括所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角。
根據請求項16所述的方法，還包括： <br/>基於所述第一RF感測資料集合，決定所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>基於所述方向資料和所述位置資料，決定所述第一無線設備的移動；以及 <br/>基於所述第一無線設備的所述移動，調整所述距離和所述到達角。
根據請求項18所述的方法，還包括： <br/>基於與第二無線設備對應的第二RF感測資料集合，決定所述第二無線設備與第二反射器之間的第二距離和第二到達角；以及 <br/>響應於決定所述第一無線設備和所述第二無線設備位於相同的室內環境中，修改所述室內地圖以包括對所述第二反射器的第二參考。
根據請求項16所述的方法，還包括： <br/>接收與所述多個無線設備對應的多個RF感測資料集合，其中，所述多個RF感測資料集合與多個接收波形相關聯，所述多個接收波形是所述第一反射器對至少一個發送波形的反射； <br/>基於所述多個RF感測資料集合，決定與所述第一反射器相關聯的多個位置測量；以及 <br/>基於所述多個位置測量，決定所述第一反射器的位置。
根據請求項21所述的方法，還包括： <br/>基於與所述多個無線設備對應的所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於瞬態物件；以及 <br/>修改所述室內地圖，以刪除對所述第一個反射器的所述參考。
根據請求項21所述的方法，還包括： <br/>基於與所述多個無線設備對應的所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於結構元件，其中，對所述第一反射器的所述參考指示所述結構元件的類型。
根據請求項23所述的方法，其中，所述結構元件的所述類型包括門、窗、牆壁、地板、天花板、屋頂、柱子、或它們的組合中的至少一種。
根據請求項21所述的方法，還包括： <br/>基於與所述多個無線設備對應的所述多個RF感測資料集合，決定所述第一反射器對應於靜態物件，其中，對所述第一反射器的所述參考指示所述靜態物件的類型。
根據請求項25所述的方法，其中，所述靜態物件的所述類型包括家具、器具、配件、或它們的組合中的至少一種。
根據請求項16所述的裝置，其中，所述發送波形包括Wi-Fi信號、新無線電（NR）信號、RADAR信號、超寬頻（UWB）信號、或它們的任意組合中的至少一種。
根據請求項16所述的方法，其中，所述第一RF感測資料集合包括與對應於所述發送波形的至少一個接收到的洩漏波形相關聯的資料。
根據請求項16所述的方法，其中，所述發送波形是由Wi-Fi存取點發送的。
根據請求項16所述的方法，還包括： <br/>向所述第一無線設備提供所述室內地圖。
一種計算機可讀媒體，包括用於使計算機或處理器進行以下操作的至少一條指令： <br/>從多個無線設備接收與第一無線設備對應的第一射頻（RF）感測資料集合和方向資料，其中，所述第一RF感測資料集合與至少一個接收波形相關聯，所述至少一個接收波形是第一反射器對發送波形的反射；以及 <br/>基於所述第一RF感測資料集合、所述方向資料和與所述第一無線設備對應的位置資料，產生包括對所述第一反射器的參考的室內地圖。
根據請求項31所述的計算機可讀媒體，還包括用於使所述計算機或所述處理器進行以下操作的至少一條指令： <br/>基於所述第一RF感測資料集合，決定所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角。
根據請求項32所述的計算機可讀媒體，還包括用於使所述計算機或所述處理器進行以下操作的至少一條指令： <br/>基於所述方向資料和所述位置資料，決定所述第一無線設備的移動；以及 <br/>基於所述第一無線設備的所述移動，調整所述距離和所述到達角。
一種用於室內測繪的裝置，包括： <br/>用於從多個無線設備接收與第一無線設備對應的第一射頻（RF）感測資料集合和方向資料的構件，其中，所述第一RF感測資料集合與至少一個接收波形相關聯，所述至少一個接收波形是第一反射器對發送波形的反射；以及 <br/>用於基於所述第一RF感測資料集合、所述方向資料和與所述第一無線設備對應的位置資料來產生包括對所述第一反射器的參考的室內地圖的構件。
根據請求項34所述的裝置，還包括： <br/>用於基於所述第一RF感測資料集合來決定所述第一無線設備與所述第一反射器之間的距離和到達角的構件。
根據請求項35所述的裝置，還包括： <br/>用於基於所述方向資料和所述位置資料來決定所述第一無線設備的移動的構件；以及 <br/>用於基於所述第一無線設備的所述移動來調整所述距離和所述到達角的構件。
根據請求項35所述的裝置，還包括： <br/>用於基於與第二無線設備對應的第二RF感測資料集合來決定所述第二無線設備與第二反射器之間的第二距離和第二到達角的構件；以及 <br/>用於響應於決定所述第一無線設備和所述第二無線設備位於相同的室內環境中來修改所述室內地圖以包括對所述第二反射器的第二參考的構件。
根據請求項34所述的裝置，還包括： <br/>用於基於與所述多個無線裝置對應的多個RF感測資料集合來決定所述第一反射器對應於結構元件、靜態物件、瞬態物件、或它們的組合中的至少一個的構件。
一種將複數個微型LED群集自一基板轉移至一顯示面板的方法，該方法包含：<br/>將該基板定位於一第一位置中，使得該複數個微型LED群集之一第一微型LED群集與設置於該顯示面板上的一第一電連接器群集對準，該複數個微型LED群集之各者包括至少兩個微型LED； <br/>將該基板朝向該顯示面板移動，使得該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集與該第一電連接器群集接觸； <br/>自該基板釋放該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集； <br/>將該基板自該第一位置移動至相對於該顯示面板之一第二位置，該第二位置不同於該第一位置；及 <br/>將該基板自該第二位置朝向該顯示面板移動，使得該複數個微型LED群集之一第二微型LED群集與一第二電連接器群集接觸。
如請求項1之方法，其中該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集包括經組態以發射一第一顏色的一微型LED及經組態以發射一第二顏色的一微型LED。
如請求項2之方法，其中該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集進一步包括經組態以發射一第三顏色的一微型LED。
如請求項1之方法，其中該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集進一步包括一積體電路。
如請求項4之方法，其中該積體電路接合至該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集。
如請求項4之方法，其中該積體電路與該複數個微型LED之該第一微型LED群集單片(monolithically)形成。
如請求項4之方法，其中該積體電路與該顯示面板上的一電路耦合。
如請求項4之方法，其中該積體電路與一被動顯示面板耦合。
如請求項4之方法，其進一步包含與該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集耦合的一微透鏡。
如請求項4之方法，其進一步包含與該複數個微型LED群集之該第一微型LED群集耦合的複數個微透鏡。
一種轉移微型LED群集之方法，包含：<br/>在一第一位置處將耦合至一基板之一第一微型LED群集與設置於一顯示面板上的一第一電連接器群集對準，該第一微型LED群集包括至少兩個微型LED； <br/>將該基板朝向該顯示面板移動，使得該第一微型LED群集與該第一電連接器群集接觸； <br/>自該基板釋放該第一微型LED群集； <br/>將該基板自該第一位置移動至相對於該顯示面板之一第二位置，該第二位置與該第一位置不重疊；及 <br/>將該基板朝向該顯示面板移動，使得一第二微型LED群集與一第二電連接器群集接觸。
如請求項11之方法，其中該第一微型LED群集包括經組態以發射一第一顏色的一微型LED及經組態以發射一第二顏色的一微型LED。
如請求項11之方法，其中該第一微型LED群集進一步包括一積體電路，該積體電路接合至該微型LED群集。
如請求項13之方法，其中該積體電路與該第一微型LED群集單片形成。
如請求項13之方法，其進一步包含與該第一微型LED群集耦合的一微透鏡。
一種轉移微型LED群集之方法，包含：<br/>定位一基板，使得耦合至該基板之一第一微型LED群集與設置於一顯示面板上的一第一電連接器群集在一第一位置處對準，該第一微型LED群集包括至少兩個微型LED； <br/>將該基板朝向該顯示面板移動，使得該第一微型LED群集與該第一電連接器群集接觸； <br/>自該基板釋放該第一微型LED群集； <br/>將該基板自該第一位置移動至相對於該顯示面板之一第二位置；及 <br/>將該基板朝向該顯示面板移動，使得一第二微型LED群集與一第二電連接器群集接觸。
如請求項16之方法，其中該第一微型LED群集係包括於複數個微型LED群集中，該第一電連接器群集係包括於複數個電連接器群集中，<br/>該定位包括將該複數個微型LED群集與設置於該顯示面板上之該複數個電連接器群集定位，<br/>該移動包括將該基板朝向該顯示面板移動，使得該複數個微型LED群集與該複數個電連接器群集接觸，<br/>該釋放包括自該基板釋放該複數個微型LED群集。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 提供從一基板延伸的一鰭片，其中該鰭片包括複數個半導體通道層；<br/> 在該鰭片上形成一閘極結構；<br/> 移除該些半導體通道層之鄰近該閘極結構的一源極/汲極區內的一部分以在該源極/汲極區中形成一溝槽，包括：<br/> 沉積一間隔層於該閘極結構上方以及該些半導體通道層之鄰近該閘極結構的該源極/汲極區上方；以及<br/> 去除該源極/汲極區中的該間隔層並蝕刻該源極/汲極區中的該些半導體通道層以形成該溝槽；<br/> 在形成該溝槽之後，沿著該溝槽的一側壁表面在該源極/汲極區內沉積一黏著層；以及<br/> 在沉積該黏著層之後，沿著該溝槽的該側壁表面在該黏著層上磊晶成長連續的一第一源極/汲極層。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，更包括：<br/> 在沉積該黏著層之前，沿著該溝槽的該側壁表面形成多個內間隔物，該些內間隔物插入(interposing)該些半導體通道層中相鄰的半導體通道層之間，其中該溝槽的該側壁表面包括該些半導體通道層暴露的多個表面以及該些內間隔物暴露的多個表面。
如請求項1或2所述之半導體裝置的製造方法，其中該鰭片設置在一P型裝置類型區(P-type device type region)中，並且其中沉積該黏著層的步驟包括沿著該溝槽的該側壁表面在該源極/汲極區內沉積一二硼烷基材料(di-borane based material)。
如請求項3所述之半導體裝置的製造方法，其中所述二硼烷基材料包括B<sub>2</sub>H<sub>x</sub>或SiB<sub>2</sub>H<sub>x</sub>。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，其中該鰭片設置在一N型裝置類型區(N-type device type region)中，並且其中沉積該黏著層的步驟包括沿著該溝槽的該側壁表面在該源極/汲極區內沉積一二磷基材料(di-phosphorous based material)。
如請求項5所述之半導體裝置的製造方法，其中所述二磷基材料包括P<sub>2</sub>H<sub>x</sub>或SiP<sub>2</sub>H<sub>x</sub>。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，更包括：<br/> 在該黏著層上磊晶生長連續的該第一源極/汲極層之後，在連續的該第一源極/汲極層上方磊晶生長一第二源極/汲極層。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中該鰭片設置在一P型裝置類型區中，並且其中該第一源極/汲極層以及該第二源極/汲極層包括SiGe、SiB或SiGeBx。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中該鰭片設置於一N型裝置類型區中，並且其中該第一源極/汲極層以及該第二源極/汲極層包括SiP、SiAs或SiPAsx。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在一第一裝置區中提供一第一鰭片，並且在鄰近該第一裝置區的一第二裝置區中提供一第二鰭片；<br/> 在該第一鰭片上方形成一第一虛置閘極，並且在該第二鰭片上方形成一第二虛置閘極；<br/> 在該第一虛置閘極、該第二虛置閘極、鄰近該第一虛置閘極的一第一源極/汲極區以及鄰近該第二虛置閘極的一第二源極/汲極區上方沉積一間隔層；<br/> 去除該第一源極/汲極區中的該間隔層並且刻蝕該第一源極/汲極區中的該第一鰭片以形成一第一溝槽；<br/> 在形成該第一溝槽之後，沿著該第一溝槽的一第一側壁在該第一源極/汲極區內沉積一二硼烷基材料；以及<br/> 在沉積所述二硼烷基材料後，在該第一源極/汲極區域內以及沿著該第一溝槽的該第一側壁沉積的所述二硼烷基材料上方形成一第一源極/汲極部件。
如請求項10所述之半導體裝置的製造方法，更包括：<br/> 在形成該第一源極/汲極部件之後，去除該第二源極/汲極區的該間隔層並且刻蝕該第二源極/汲極區中的該第二鰭片以形成一第二溝槽；<br/> 在形成該第二溝槽後，沿著該第二溝槽的一第二側壁在該第二源極/汲極區內沉積一二磷基材料；以及<br/> 在沉積所述二磷基材料後，在該第二源極/汲極區內以及沿著該第二溝槽的該第二側壁沉積的所述二磷基材料上方形成一第二源極/汲極部件。
如請求項10所述之半導體裝置的製造方法，其中該第一裝置區包括一P型裝置區(P-type device region)，並且其中該第二裝置區包括一N型裝置區(N-type device region)。
如請求項10所述之半導體裝置的製造方法，其中在該第一源極/汲極區內形成該第一源極/汲極部件的步驟包括在所述二硼烷基材料上方磊晶生長連續的該第一源極/汲極層以及在連續的該第一源極/汲極層上方磊晶生長一第二源極/汲極層。
如請求項11所述之半導體裝置的製造方法，其中在該第二源極/汲極區內形成該第二源極/汲極部件的步驟包括在所述二磷基材料上方磊晶生長連續的該第一源極/汲極層以及在連續的該第一源極/汲極層上方磊晶生長一第二源極/汲極層。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一閘極結構以及一第一源極/汲極部件，該第一閘極結構形成在一基板的一第一區域中的一第一鰭片上方並且該第一源極/汲極部件鄰近該第一閘極結構；以及<br/> 一第二閘極結構以及一第二源極/汲極部件，該第二閘極結構形成在該基板的一第二區域中的一第二鰭片上方並且該第二源極/汲極部件鄰近該第二閘極結構；<br/> 其中該第一鰭片包括由多個第一內間隔物插入其中的多個第一半導體通道層，該些第一半導體通道層以及該些第一內間隔物共同定義一第一側壁表面；<br/> 其中該第二鰭片包括由多個第二內間隔物插入其中的多個第二半導體通道層，該些第二半導體通道層以及該些第二內間隔物共同定義一第二側壁表面；<br/> 其中連續的一第一黏著層插入並且接觸該第一源極/汲極部件以及該第一側壁表面中的每一個；並且<br/> 其中連續的一第二黏著層插入並且接觸該第二源極/汲極部件以及該第二側壁表面中的每一個。
一種液晶密封劑，係硬化物在23℃所測定楊氏模數為0.5GPa以上且未滿3.0GPa，其含有： <br/>包含分子內具環氧基的熱硬化性化合物(A)(其中，不含部分環氧(甲基)丙烯酸酯)的硬化性樹脂、以及 <br/>熱硬化劑(E)； <br/>其中，上述熱硬化劑(E)係對20℃水的溶解度在5g/100g以下之熱硬化劑。
如請求項1之液晶密封劑，其中，上述熱硬化劑(E)係從咪唑系熱潛性硬化劑、胺加成物系熱潛性硬化劑、及聚胺系熱潛性硬化劑所構成群組中選擇至少一種的熱硬化劑。
如請求項1或2之液晶密封劑，其中，一邊利用動態黏彈性測定裝置(流變儀)測定儲存彈性模數(G')與損失彈性模數(G'')，一邊將25℃的上述液晶密封劑在120℃加熱時，直到G'與G''呈一致的時間係450秒以下。
如請求項1或2之液晶密封劑，其中，上述硬化性樹脂係含有：特性比在4.70以下、Tg為250℃以上且340℃以下、且重量平均分子量(Mw)達1000以上的硬化性化合物(B)。
如請求項4之液晶密封劑，其中，上述硬化性化合物(B)係一般式(2)所示化合物： <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="146px" width="603px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(一般式(2)中，R<sub>1</sub>係表示源自多價環氧化合物的二價殘基；R<sub>2</sub>係獨立表示使環狀內酯開環而獲得的二價結構；R<sub>3</sub>係獨立表示具有碳數1以上且6以下之直鏈狀或分支鏈的伸烷基；R<sub>4</sub>係獨立表示氫原子或甲基)。
如請求項4之液晶密封劑，其中，相對於上述硬化性樹脂100質量份，上述硬化性化合物(B)的含量係40質量份以上且90質量份以下。
如請求項1或2之液晶密封劑，其中，進一步含有無機填充劑(G)； <br/>相對於上述硬化性樹脂100質量份，上述無機填充劑(G)的含量係20質量份以上且55質量份以下。
如請求項1或2之液晶密封劑，其中，厚度0.6mm硬化物在60℃、90%Rh環境下的透濕量係未滿50g/m<sup>2</sup>。
一種液晶顯示面板之製造方法，係包括有： <br/>對分別具有配向膜的一對基板，於其中一基板的上述配向膜上塗佈請求項1至8中任一項之液晶密封劑，而形成密封圖案的步驟； <br/>在上述密封圖案未硬化之狀態下，於上述其中一基板上且為上述密封圖案的區域內、或另一基板上，滴下液晶的步驟； <br/>將上述其中一基板與上述另一基板隔著上述密封圖案相重疊的步驟；以及 <br/>使上述密封圖案硬化的步驟。
如請求項9之液晶顯示面板之製造方法，其中，在使上述密封圖案硬化的步驟中，對上述密封圖案照射光而使上述密封圖案硬化。
如請求項10之液晶顯示面板之製造方法，其中，對上述密封圖案照射的光包含有可見光區域的光。
如請求項10或11之液晶顯示面板之製造方法，其中，在使上述密封圖案硬化的步驟中，對經光照射後的上述密封圖案更進一步施行加熱。
如請求項9或10之液晶顯示面板之製造方法，其中，包括有：在使上述密封圖案硬化的步驟後，對上述基板施行加壓處理的步驟。
一種液晶顯示面板，係具備有： <br/>一對基板，其係分別具有配向膜； <br/>框狀密封構件，其係配置於上述一對基板的上述配向膜間；以及 <br/>液晶層，其係填充於上述一對基板間由上述密封構件包圍的空間中； <br/>其中，上述密封構件係請求項1至8中任一項之液晶密封劑的硬化物。
一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有： <br/>處理容器，係收納基板； <br/>載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板； <br/>分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周； <br/>內側供氣部，係具有將處理氣體供應至該分隔壁的內側的第1內側供氣部與將第1非活性氣體供應至該分隔壁的內側的第2內側供氣部； <br/>外側供氣部，係具有擴散空間與複數供應口，該複數供應口係與該擴散空間相連通且在該處理容器的內部將第2非活性氣體僅供應至該分隔壁的外側以抑制該處理氣體流出至該分隔壁的外側；以及 <br/>控制部，係控制該內側供氣部與該外側供氣部； <br/>該控制部係在供應該處理氣體前，藉由供應該第1非活性氣體及該第2非活性氣體來將該分隔壁的內側的壓力調整成相對於該分隔壁的外側的壓力為正壓，在開始供應該處理氣體後，將該分隔壁的內側的壓力控制為相對於該分隔壁的外側的壓力為相等或正壓。
如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該內側供氣部與該外側供氣部係設置於相同的噴淋頭。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中在該處理容器的底面而於該分隔壁的外側係設置有會將該處理容器的內部排氣之排氣部。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其係具有會讓該分隔壁升降之升降機構。
一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有： <br/>處理容器，係收納基板； <br/>分隔壁，係區劃該處理容器的內部； <br/>噴淋頭，係將氣體供應至該處理容器的內部；以及 <br/>控制部； <br/>該噴淋頭係藉由該分隔壁而被區劃為會將處理氣體及第1非活性氣體供應至該分隔壁的內側之區域，與會藉由與擴散空間相連通的複數供應口在該處理容器的內部將第2非活性氣體僅供應至該分隔壁的外側以抑制該處理氣體流出至該分隔壁的外側之區域； <br/>該控制部係在供應該處理氣體前，藉由供應該第1非活性氣體及該第2非活性氣體來將該分隔壁的內側的壓力調整成相對於該分隔壁的外側的壓力為正壓，在開始供應該處理氣體後，將該分隔壁的內側的壓力控制為相對於該分隔壁的外側的壓力為相等或正壓。
一種基板處理方法，係使用基板處理裝置來處理基板之基板處理方法； <br/>該基板處理裝置具有： <br/>處理容器，係收納基板； <br/>載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板； <br/>分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周； <br/>內側供氣部，係具有將處理氣體供應至該分隔壁的內側的第1內側供氣部與將第1非活性氣體供應至該分隔壁的內側的第2內側供氣部；以及 <br/>外側供氣部，係具有擴散空間與複數供應口，該複數供應口係與該擴散空間相連通且在該處理容器的內部將第2非活性氣體僅供應至該分隔壁的外側以抑制該處理氣體流出至該分隔壁的外側； <br/>該基板處理方法具有： <br/>(a)將基板載置於該載置台之工序； <br/>(b)在供應該處理氣體前，藉由供應該第1非活性氣體及該第2非活性氣體來將該分隔壁的內側的壓力調整成相對於該分隔壁的外側的壓力為正壓之工序；以及 <br/>(c)在開始供應該處理氣體後，將該分隔壁的內側的壓力控制為相對於該分隔壁的外側的壓力為相等或正壓之工序。
如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中該(c)工序中，係從該分隔壁的外側來將該處理容器的內部排氣。
一種處理裝置，係具有：<br/> 拾取器，會保持並搬送基板；<br/> 第1吸附墊，係配置在該拾取器中與彎曲成凹狀的基板接觸之位置；<br/> 第2吸附墊，係配置在該拾取器中與彎曲成凸狀的基板接觸之位置；<br/> 壓力感測器，係檢出該第1吸附墊所連接之第1吸附路徑的壓力以及該第2吸附墊所連接之第2吸附路徑的壓力；以及，<br/> 控制部，係基於該壓力檢測器之檢出值，控制該第1吸附墊及該第2吸附墊所致之吸附動作；<br/> 該第2吸附墊係配置在較該第1吸附墊更遠離該基板之中心的位置。
如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中該控制部會基於該壓力感測器之檢出值，停止該第1吸附墊及該第2吸附墊之任一者所致之吸附。
如申請專利範圍第1或2項之處理裝置，其中該第1吸附墊係配置在較該基板之中心更靠該拾取器的前端側；<br/> 該第2吸附墊係配置在較該基板之中心更靠該拾取器的基端側。
如申請專利範圍第1或2項之處理裝置，其進一步具有設置在該拾取器來支撐彎曲成凹狀的基板之第1支撐墊；以及設置在該拾取器來支撐彎曲成凸狀的基板之第2支撐墊。
如申請專利範圍第3項之處理裝置，其進一步具有設置在該拾取器來支撐彎曲成凹狀的基板之第1支撐墊；以及設置在該拾取器來支撐彎曲成凸狀的基板之第2支撐墊。
如申請專利範圍第4項之處理裝置，其中該第1吸附墊及該第1支撐墊係配置在遠離該基板之中心的相等距離之位置；<br/> 第2吸附墊及該第2支撐墊係配置在遠離該基板之中心的相等距離之位置。
如申請專利範圍第1或2項之處理裝置，其中該基板具有矩形狀。
如申請專利範圍第1或2項之處理裝置，其進一步具有開閉該第1吸附路徑的第1閥，以及開閉該第2吸附路徑的第2閥；<br/> 該控制部會藉由關閉該第1閥來停止該第1吸附墊所致之吸附，並藉由關閉該第2閥來停止該第2吸附墊所致之吸附。
一種基板搬送方法，係藉由設置有第1吸附墊及第2吸附墊的拾取器來搬送基板的方法，該第1吸附墊係配置在會與彎曲成凹狀的基板接觸之位置，該第2吸附墊係配置在會與彎曲成凸狀的基板接觸之位置；<br/> 該方法係基於該第1吸附墊所連接之吸附路徑的壓力以及該第2吸附墊所連接之吸附路徑的壓力，來控制該第1吸附墊及該第2吸附墊所致之吸附動作；<br/> 該第2吸附墊係配置在較該第1吸附墊更遠離該基板之中心的位置。
一種半導體電路，係備於半導體裝置之半導體電路，其特徵係 <br/> 前述半導體電路係具有包含第1之n型半導體層、和金屬層、和於前述第1之n型半導體層及前述金屬層之間之蕭特基能障之半導體元件； <br/> 前述半導體元件係於前述半導體裝置之信號線和接地之間，向順方向連接者； <br/> 前述半導體元件之順方向啟動電壓係較前述半導體裝置之動作電壓為大之電壓。
如請求項1記載之半導體電路，其中，前述第1之n型半導體層係具有包含選自Ga、In、Sn、Mg、Zn、Al、B所成群之至少1個之氧化物、氮化物、或此等之化合物加以形成。
如請求項1記載之半導體電路，其中，前述金屬層係含選自Ti、Ni、Pt、W、Mo、Au、Ta、Cu、Fe、Ag、Cr所成群之1個以上之元素、或此等之合金而形成。
如請求項2記載之半導體電路，其中，前述金屬層係含選自Ti、Ni、Pt、W、Mo、Au、Ta、Cu、Fe、Ag、Cr所成群之1個以上之元素、或此等之合金而形成。
如請求項1記載之半導體電路，其中，前述半導體元件係於前述第1之n型半導體層與前述金屬層之間，具備與前述第1之n型半導體層組成不同，較前述第1之n型半導體層能帶隙為大之第2之n型半導體層。
如請求項2記載之半導體電路，其中，前述半導體元件係於前述第1之n型半導體層與前述金屬層之間，具備與前述第1之n型半導體層組成不同，較前述第1之n型半導體層能帶隙為大之第2之n型半導體層。
如請求項3記載之半導體電路，其中，前述半導體元件係於前述第1之n型半導體層與前述金屬層之間，具備與前述第1之n型半導體層組成不同，較前述第1之n型半導體層能帶隙為大之第2之n型半導體層。
如請求項4記載之半導體電路，其中，前述半導體元件係於前述第1之n型半導體層與前述金屬層之間，具備與前述第1之n型半導體層組成不同，較前述第1之n型半導體層能帶隙為大之第2之n型半導體層。
如請求項5~8之任一項記載之半導體電路，其中，又，前述第1之n型半導體和前述第2之n型半導體之至少一方係包含各別選自Al、Si、Mg、Zn、In、Ga、Ge、Sn所成群之1個以上之摻雜元素。
一種光學積層體，其係具有硬塗層、透明樹脂膜、偏光膜及相位差膜，其中， <br/>前述硬塗層、前述透明樹脂膜及前述偏光膜係以於前述光學積層體之使用時較前述相位差膜更朝向視認側之方式配置， <br/>前述硬塗層係含有紫外線吸收劑， <br/>前述硬塗層之壓痕彈性模數為1000MPa至4000MPa， <br/>前述相位差膜係包含聚合性液晶化合物所聚合而成之硬化物。
如請求項1所述之光學積層體，其中，前述硬塗層對波長400nm的光之吸光度為1.0至4.1。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述硬塗層對波長410nm的光之吸光度為0.7至3.0。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述硬塗層係於波長380nm至420nm之範圍內具有吸收最大譜峰者。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述硬塗層的厚度為2μm至7μm。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述相位差膜係顯示逆波長分散性者。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，前述透明樹脂膜包含環烯烴系樹脂， <br/>前述硬塗層係直接積層於前述透明樹脂膜上。
如請求項1或2所述之光學積層體，其中，依序地積層前述硬塗層、透明樹脂膜、前述偏光膜、前述相位差膜。
一種顯示裝置，其係具備請求項1至8中任一項所述之光學積層體。
一種光學積層體之製造方法，其係具有： <br/>積層膜準備步驟，係準備具備硬塗層及透明樹脂膜之積層膜；及 <br/>貼合步驟，係於偏光膜之兩面中之一側貼合前述積層膜，並於另一側貼合相位差膜、或隔著保護膜而貼合相位差膜； <br/>前述硬塗層係含有紫外線吸收劑者， <br/>前述硬塗層之壓痕彈性模數為1000MPa至4000MPa， <br/>前述相位差膜係包含聚合性液晶化合物聚合而成之硬化物者。
如請求項10所述之光學積層體之製造方法，其中，前述積層膜準備步驟係包括：自於前述積層膜之任一面積層有支撐膜之貼合膜將前述支撐膜剝離之步驟。
如請求項11所述之光學積層體之製造方法，其中，前述支撐膜為包含聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂或聚烯烴之膜。
一種可在一旋轉方向(RD)上圍繞一中心軸(A1)旋轉之切削頭(20)，該中心軸(A1)界定一向前至向後軸向方向(DF、DR)，且包括： <br/>一尖端部(22)，其具有含於該中心軸(A1)中之一軸向最前尖端點(NT)及形成從該尖端點(NT)延伸或含有該尖端點(NT)之至少一個鑿緣(28)之至少兩個軸向面向前之前表面(26)， <br/>該至少一個鑿緣(28)具有至少兩個徑向最外鑿端點(NRC)；及 <br/>各前表面(26)具有從該等徑向最外鑿端點(NRC)之一者徑向向外延伸之一切割邊緣(30)，及 <br/>一中間部分(24)，其具有與至少兩個排屑通道(44)周向交替之至少兩個頭凸台(42)，各頭凸台(42)具有從該尖端部(22)軸向向後延伸之一前導邊緣(46)，且各排屑通道(44)具有從該尖端部(22)軸向向後延伸且與該等前導邊緣(46)之一者相交的一頭槽(48)， <br/>各前導邊緣(46)具有一軸向最前端點(NFA)，且該至少兩個軸向最前端點(NFA)界定具有一切割直徑(DC)及與該中心軸(A1)重合之一中心的一虛構切割圓(CC)， <br/>其中： <br/>該至少兩個切割邊緣(30)含於展現圍繞該中心軸(A1)之圓形對稱性之一虛構環形環表面(SA)中，及 <br/>在於含有該中心軸(A1)且與該虛構環形環表面(SA)相交的一第一虛構徑向平面(PR1)中截取之一橫截面中，該虛構環形環表面(SA)形成兩個虛構徑向切割輪廓(PRC)，各虛構徑向切割輪廓(PRC)包含連續徑向向外延伸之第一、第二及第三切割輪廓部分(PCP1、PCP2、PCP3)， <br/>且其中： <br/>各第一切割輪廓部分(PCP1)具有一第一徑向最內端點(NRI1)及一第一徑向最外端點(NRO1)，且遠離該中心軸(A1)徑向向外及軸向向後延伸， <br/>各第二切割輪廓部分(PCP2)具有一第二徑向最內端點(NRI2)及一第二徑向最外端點(NRO2)，且包含藉由一彎曲第一凸出子部分(CVX1)隔開之彎曲第一及第二凹入子部分(CCV1、CCV2)， <br/>該整個第二凹入子部分(CCV2)定位於該整個第一凹入子部分(CCV1)之徑向外部及軸向後部，及 <br/>切向於沿著該等第二切割輪廓部分(PCP2)之一者之任何點之一第一虛構直線(L1)係垂直於該中心軸(A1)或遠離該中心軸(A1)徑向向外及軸向向後傾斜；其中： <br/>該等第一及第二凹入子部分(CCV1、CCV2)分別具有第一及第二凹入半徑(RCV1、RCV2)， <br/>該第一凸出子部分(CVX1)具有一第一凸出半徑(RCX1)，及 <br/>該第一凸出半徑(RCX1)大於該等第一及第二凹入半徑(RCV1、RCV2)之各者。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>分別沿著該等虛構徑向切割輪廓(PRC)之一者之該等第一及第二凹入子部分(CCV1、CCV2)同時切向於第一及第二切點(NT1、NT2)之一第三虛構直線(L3)與該中心軸(A1)形成銳角的第二傾斜角(α2)，及 <br/>該第二傾斜角(α2)具有55度之一最小值及80度之一最大值。
如請求項2之切削頭(20)，其中： <br/>除了該等第一及第二切點(NT1、NT2)之外，該整個相關聯之虛構徑向切割輪廓(PRC)定位於該第三虛構直線(L3)之一側上。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該等第一及第二凹入半徑(RCV1、RCV2)之各者小於該切割直徑(DC)之15%。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該第一凸出半徑(RCX1)具有一第三角度範圍(EA3)，及 <br/>該第三角度範圍(EA3)大於30度。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該兩個第二徑向最內端點(NRI2)位於具有一第二直徑(D2)及與該中心軸(A1)重合之一中心的一第二虛構圓(C2)上，及 <br/>該第二直徑(D2)係介於該切割直徑(DC)之10%與30%之間。
如請求項6之切削頭(20)，其中： <br/>該兩個第二徑向最外端點(NRO2)位於具有一第三直徑(D3)及與該中心軸(A1)重合之一中心之一第三虛構圓(C3)上，及 <br/>該第三直徑(D3)與該第二直徑(D2)之間的差大於該切割直徑(DC)之25%。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>各第一切割輪廓部分(PCP1)遠離該中心軸(A1)徑向向外及軸向向後直線延伸，從而與該中心軸(A1)形成銳角的第一傾斜角(α1)，及 <br/>該第一傾斜角(α1)具有45度之一最小值及70度之一最大值。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該第一徑向最外端點(NRO1)係與該第二切割輪廓部分之第二徑向最內端點(NRI2)重合。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該至少兩個徑向最外鑿端點(NRC)界定具有一第一切割直徑(D1)及與該中心軸(A1)重合之一中心之一第一虛構圓(C1)，及 <br/>該兩個第一徑向最內端點(NRI1)位於該第一虛構圓(C1)上。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>各第三切割輪廓部分(PCP3)為凸出的。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>各第三切割輪廓部分(PCP3)具有一第三徑向最內端點(NRI3)及一第三徑向最外端點(NRO3)，且遠離該中心軸(A1)徑向向外及軸向向後連續延伸。
如請求項12之切削頭(20)，其中： <br/>該第三徑向最內端點(NRI3)係與該第二切割輪廓部分之第二徑向最外端點(NRO2)重合。
如請求項12之切削頭(20)，其中： <br/>切向於沿著與其之第三徑向最外端點(NRO3)相鄰之該等第三切割輪廓部分(PCP3)之一者之一第三切點(NT3)之一第六虛構直線(L6)與該中心軸(A1)形成銳角的第三傾斜角(α3)，及 <br/>該第三傾斜角(α3)具有60度之一最小值及80度之一最大值。
如請求項12之切削頭(20)，其中： <br/>該第三徑向最外端點(NRO3)位於該虛構切割圓(CC)上。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>各切割邊緣(30)具有一徑向內部次切割邊緣部分(32)，以及直接從該次切割邊緣部分(32)或經由一過渡切割邊緣部分(36)徑向向外延伸之一主切割邊緣部分(34)，及 <br/>各前表面(26)包含一主及次離隙表面(38、40)，其分別與其相關聯之主及次切割邊緣部分(34、32)相鄰。
如請求項16之切削頭(20)，其中： <br/>各虛構徑向切割輪廓(PRC)之該第二凹入子部分(CCV2)至少部分地由該等主切割邊緣部分(34)界定，及 <br/>各主切割邊緣部分(34)隨著其徑向向外延伸而旋轉地向後延伸。
如請求項16之切削頭(20)，其中： <br/>各虛構徑向切割輪廓(PRC)之該第一凹入子部分(CCV1)係完全由該等次切割邊緣部分(32)界定， <br/>各虛構徑向切割輪廓(PRC)之該第一凸出子部分(CVX1)係至少部分地由該等次切割邊緣部分(32)界定，及 <br/>在該切削頭(20)之一前端視圖中，各次切割邊緣部分(32)係直線的。
如請求項16之切削頭(20)，其中： <br/>在該切削頭(20)之一前端視圖中，各過渡切割邊緣部分(36)係凸出的。
如請求項16之切削頭(20)，其中： <br/>各主切割邊緣部分(34)的形成在該等頭槽(48)之一者與該等主離隙表面(38)之一者之相交部處， <br/>一主前刀表面(52)安置在與該相關聯之主切割邊緣部分(34)相鄰之各頭槽(48)上， <br/>且其中： <br/>在於平行於該中心軸(A1)且在沿著其長度之任何點處與該等主切割邊緣部分(34)之一者相交的一第一橫向平面(PT1)中截取之一橫截面中，該主前刀表面(52)以相對於平行於該中心軸(A1)之一第一虛構垂直參考線(VL1)之一第一軸向前刀角(β1)傾斜，及 <br/>該第一軸向前刀角(β1)為正的。
如請求項16之切削頭(20)，其中： <br/>各排屑通道(44)具有從該尖端部(22)軸向向後延伸且與該等頭槽(48)之一者相交的一深口(50)， <br/>各次切割邊緣部分(32)的形成在該等深口(50)之一者與該等次離隙表面(40)之一者之相交部處，及 <br/>一次前刀表面(54)安置在與該相關聯之次切割邊緣部分(32)相鄰之各深口(50)上， <br/>且其中： <br/>在於平行於該中心軸(A1)且在沿著其長度之任何點處與該等次切割邊緣部分(32)之一者相交的一第二橫向平面(PT2)中截取之一橫截面中，該次前刀表面(54)以相對於平行於該中心軸(A1)之一第二虛構垂直參考線(VL2)之一第二軸向前刀角(β2)傾斜，及 <br/>該第二軸向前刀角(β2)為負的。
一種纖維強化樹脂之製造裝置，係強化纖維朝單一方向配向排列的纖維強化樹脂之製造裝置；其具備有： <br/>含浸部，其係使強化纖維含浸樹脂；以及 <br/>切換裝置，其係在較上述含浸部更靠上游端，將上述強化纖維由先行強化纖維切換為新強化纖維； <br/>其中，上述切換裝置係在上述強化纖維切換時，形成以上述先行強化纖維與上述新強化纖維為經紗，並以其他纖維為緯紗的織物，而將上述新強化纖維與上述先行強化纖維相連接。
如請求項1之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述切換裝置具有： <br/>第一綜絲，其係保持著上述新強化纖維與先行強化纖維中之一者，並進行上下移動； <br/>第二綜絲，其係保持著上述新強化纖維與先行強化纖維中之另一者，並進行上下移動；以及 <br/>入緯機構，其係使強化纖維橫向通過由上述第一綜絲與第二綜絲所保持的強化纖維之間。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，具備有： <br/>複數保持部，其係將複數條上述強化纖維依互異位置保持；以及 <br/>合一部，其係從上述複數保持部接收上述複數條強化纖維並使其合一，再輸送給上述含浸部；且 <br/>複數上述切換裝置係分別配置於上述複數保持部中。
如請求項3之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述複數保持部均保持著複數條上述強化纖維； <br/>上述合一部係將從上述複數保持部接收的複數條強化纖維，配置於互異位置並使其合一成片狀，且在利用上述切換裝置進行上述強化纖維切換的前後，變更從上述複數保持部所接收到之複數條強化纖維的配置。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述切換裝置係由與新強化纖維及先行強化纖維相同之材料構成的強化纖維作為上述緯紗，而形成上述織物。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述切換裝置係由與新強化纖維及先行強化纖維不同之材料構成的強化纖維作為上述緯紗，而形成上述織物。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，具有從在上述含浸部經含浸樹脂而成的纖維強化樹脂中，除去由上述強化纖維形成上述織物之部位的除去部。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述強化纖維係碳纖維。
如請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，其中，上述樹脂係熱可塑性樹脂。
一種纖維強化樹脂之製造方法，係強化纖維朝單一方向配向排列的纖維強化樹脂之製造方法，上述製造方法係使用請求項1或2之纖維強化樹脂之製造裝置，一邊切換強化纖維，一邊製造纖維強化樹脂。
一種硬塗薄膜，特徵在於：<br/> 其包含基材、第1硬塗層、第2硬塗層及第3硬塗層，且係從視辨側起依序積層前述第1硬塗層、前述第2硬塗層、前述基材及前述第3硬塗層；<br/> 前述第1硬塗層及前述第2硬塗層分別含有奈米二氧化矽粒子，<br/> 前述第1硬塗層中所含前述奈米二氧化矽粒子之重量平均粒徑大於前述第2硬塗層中所含前述奈米二氧化矽粒子之重量平均粒徑；<br/> 前述第1硬塗層中所含前述奈米二氧化矽粒子之重量平均粒徑為30~50nm，且前述第2硬塗層中所含前述奈米二氧化矽粒子之重量平均粒徑為5~30nm；<br/> 並且，前述第3硬塗層不含奈米二氧化矽粒子。
如請求項1之硬塗薄膜，其中前述第3硬塗層之厚度小於前述第1硬塗層之厚度與前述第2硬塗層之厚度的合計厚度。
如請求項1或2之硬塗薄膜，其中前述硬塗薄膜整體於波長550nm下的透光率為90%以上。
一種光學構件，包含如請求項1至3中任一項之硬塗薄膜。
如請求項4之光學構件，其係偏光板。
一種影像顯示裝置，包含如請求項1至3中任一項之硬塗薄膜。
一種影像顯示裝置，包含如請求項4或5之光學構件。
一種接著劑組成物，其特徵係， <br/>該接著劑組成物係聚矽氧烷系接著劑； <br/>塗布該接著劑組成物而獲得之接著劑塗布層在25℃以上100℃以下之複數黏度為10Pa･s以上10,000Pa･s以下，並且該接著劑塗布層之以下述式（1）求得之黏度降低率為80%以下； <br/>黏度降低率(%)=((V<sub>25</sub>-V<sub>100</sub>)/V<sub>25</sub>)×100 ･･･式（1） <br/>V<sub>25</sub>：25℃時之複數黏度 <br/>V<sub>100</sub>：100℃時之複數黏度。
一種接著劑組成物，其特徵係 <br/>該接著劑組成物係聚矽氧烷系接著劑； <br/>用於積層體之製造，該積層體之製造係包含：塗布該接著劑組成物並形成賦予接著層之接著劑塗布層之步驟、以及對第一基板及第二基板以該接著劑塗布層介於其間而使其相接之方式於加熱及加壓下進行貼合之步驟；並且 <br/>塗布該接著劑組成物而獲得之接著劑塗布層在25℃以上且該加熱之溫度以下之複數黏度為10Pa･s以上10,000Pa･s以下，並且該接著劑塗布層之以下述式（2）求得之黏度降低率為80%以下； <br/>黏度降低率(%)=((V<sub>25</sub>-V<sub>T</sub>)/V<sub>25</sub>)×100 ･･･式（2） <br/>V<sub>25</sub>：25℃時之複數黏度 <br/>V<sub>T</sub>：該加熱之溫度時之複數黏度。
如請求項1或2所述之接著劑組成物，其中，該接著劑組成物含有成為接著劑成分之硬化成分（A）。
如請求項3所述之接著劑組成物，其中，該成分（A）為藉由矽氫化反應而硬化之成分。
如請求項3所述之接著劑組成物，其中，該成分（A）含有： <br/>具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、 <br/>具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、及 <br/>鉑族金屬系觸媒（A2）。
如請求項5所述之接著劑組成物，其中，選自該具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）及該具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）之至少一種之25℃之複數黏度為1,000～10,000Pa･s。
如請求項1或2所述之接著劑組成物，其中，該接著劑組成物含有非硬化性聚有機矽氧烷作為不會發生硬化反應之成分（B）。
如請求項7所述之接著劑組成物，其中，該非硬化性聚有機矽氧烷之25℃之複數黏度為1,000～10,000Pa･s。
一種積層體，其特徵係具有第一基板、第二基板以及設在該第一基板與該第二基板之間之接著層；且 <br/>該接著層係由如請求項1或2所述之接著劑組成物所形成的層。
如請求項9所述之積層體，其中，該積層體進一步具有設在該第一基板與該第二基板之間之剝離層。
如請求項9所述之積層體，其中，該第一基板為具備半導體之基板，該第二基板為支撐基板。
一種積層體之製造方法，其特徵係包含： <br/>塗布如請求項1或2所述之接著劑組成物並形成賦予接著層之接著劑塗布層之步驟、以及 <br/>對第一基板及第二基板以該接著劑塗布層介於其間而使其相接之方式於加熱及加壓下進行貼合之步驟。
如請求項12所述之積層體之製造方法，其中，該積層體之製造方法進一步包含於該貼合步驟之後對該接著劑塗布層進行加熱而形成該接著層之步驟。
如請求項12所述之積層體之製造方法，其中，該積層體之製造方法包含塗布剝離劑組成物而形成賦予剝離層之剝離劑塗布層之步驟；且 <br/>該貼合步驟，係對第一基板及第二基板以該剝離劑塗布層及該接著劑塗布層介於其間而使其相接之方式於加熱及加壓下進行貼合之步驟。
如請求項12所述之積層體之製造方法，其中，該第一基板為具備半導體之基板，該第二基板為支撐基板。
一種加工後之基板之製造方法，其特徵係包含： <br/>對如請求項9所述之積層體之該第一基板進行加工之第一步驟、及 <br/>使藉由該第一步驟所加工之該第一基板與該第二基板分離之第二步驟。
一種聚醯亞胺樹脂組成物，含有： <br/>具有下列通式(1)表示之重複單元的聚醯亞胺，及 <br/>選自於由下列通式(2-1)表示之化合物、下列通式(2-2)表示之化合物、下列通式(2-3)表示之化合物及下列通式(2-4)表示之化合物構成之群組中之至少一者之矽烷化合物； <br/>該聚醯亞胺具有來自四羧酸二酐之構成單元A及來自二胺之構成單元B，該構成單元A同時含有來自至少具有1個降莰烷骨架之脂環族四羧酸二酐之構成單元(A1)及來自芳香族四羧酸二酐之構成單元(A2)； <br/>該構成單元(A1)與該構成單元(A2)之莫耳比[(A1)/(A2)]為50/50～90/10； <br/>該矽烷化合物的合計含量，相對於該聚醯亞胺為10ppm以上且為50,000ppm以下； <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="197px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，X<sup>1</sup>為選自於由下列式(4)、下列式(5)、下列式(6)及下列式(7)構成之群組中之至少一者，X為選自於由單鍵、-NHCO-、-CONH-、-COO-及-OCO-構成之群組中之至少一者； <br/>式(2-1)及式(2-4)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氫、碳數1～6之烷基、苯基、或碳數1～6之胺基烷基； <br/>式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)及式(2-4)中，R<sup>3</sup>為碳數1～6之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="186px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(5)中，W為選自於由單鍵、碳數1～16之有機基構成之群組中之至少一者； <br/>式(6)中，Z為選自於由單鍵、碳數1～13之有機基構成之群組中之至少一者； <br/>式(7)中，R各自獨立地為甲基或三氟甲基，m為1或2，n為0～4之整數。
如請求項1之聚醯亞胺樹脂組成物，其中，該通式(1)表示之重複單元為下列通式(1-2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="128px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1-2)中，X<sup>1</sup>如請求項1所述，X為選自於由單鍵、-NHCO-、-CONH-、-COO-及-OCO-構成之群組中之至少一者。
如請求項1或2之聚醯亞胺樹脂組成物，其中，該式(1)中之X為單鍵。
如請求項1或2之聚醯亞胺樹脂組成物，其中，該式(1)中之X<sup>1</sup>為選自於由下列式(8)、下列式(9)及下列式(10)構成之群組中之至少一者； <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="194px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之聚醯亞胺樹脂組成物，其中，該式(1)表示之重複單元，相對於該聚醯亞胺的全部重複單元為10莫耳%以上。
一種清漆，含有如請求項1至5中任一項之聚醯亞胺樹脂組成物及有機溶劑。
一種聚醯亞胺薄膜，係將如請求項6之清漆塗佈在支持體上並進行加熱而獲得。
如請求項7之聚醯亞胺薄膜，其中，聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度為350℃以上。
一種聚醯亞胺薄膜之製造方法，其特徵為：將如請求項6之清漆塗佈在支持體上並進行加熱。
一種聚醯亞胺前驅體組成物，含有： <br/>具有下列通式(11)表示之重複單元的聚醯亞胺前驅體，及 <br/>選自於由下列通式(2-1)表示之化合物、下列通式(2-2)表示之化合物、下列通式(2-3)表示之化合物及下列通式(2-4)表示之化合物構成之群組中之至少一者之矽烷化合物； <br/>該聚醯亞胺前驅體具有來自四羧酸二酐之構成單元AA及來自二胺之構成單元BA，該構成單元AA同時含有來自至少具有1個降莰烷骨架之脂環族四羧酸二酐之構成單元(AA1)及來自芳香族四羧酸二酐之構成單元(AA2)； <br/>該構成單元(AA1)與該構成單元(AA2)之莫耳比[(AA1)/(AA2)]為50/50～90/10； <br/>該矽烷化合物的合計含量，相對於該聚醯亞胺前驅體為10ppm以上且為50,000ppm以下； <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="198px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(11)中，X<sup>2</sup>為選自於由下列式(4)、下列式(5)、下列式(6)及下列式(7)構成之群組中之至少一者，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>各自獨立地為氫、碳數1～6之烷基、碳數3～9之烷基矽基，X為選自於由單鍵、-NHCO-、-CONH-、-COO-及-OCO-構成之群組中之至少一者； <br/>式(2-1)及式(2-4)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氫、碳數1～6之烷基、苯基、或碳數1～6之胺基烷基； <br/>式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)及式(2-4)中，R<sup>3</sup>為碳數1～6之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="186px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(5)中，W為選自於由單鍵、碳數1～16之有機基構成之群組中之至少一者。 <br/>式(6)中，Z為選自於由單鍵、碳數1～13之有機基構成之群組中之至少一者。 <br/>式(7)中，R各自獨立地為甲基或三氟甲基，m為1或2，n為0～4之整數。
一種清漆，含有如請求項10之聚醯亞胺前驅體組成物及有機溶劑。
一種聚醯亞胺薄膜，係將如請求項11之清漆塗佈在支持體上並進行加熱而獲得。
如請求項12之聚醯亞胺薄膜，其中，聚醯亞胺薄膜的玻璃轉移溫度為350℃以上。
一種聚醯亞胺薄膜之製造方法，其特徵為：將如請求項11之清漆塗佈在支持體上並進行加熱。
一種聚酯薄膜，其面內遲滯(in-plane retardation)為3000nm以上30000nm以下，<br/> 面配向度為0.128以上0.155以下，<br/> 製膜流動方向之厚度不均為8%以下，<br/> 將製膜流動方向之厚度測定數據進行傅立葉轉換，將頻率置換成薄膜的長度之周期時，下述A與下述B之比率A/B為5以下；<br/> (此外，厚度不均為以(最大厚度-最小厚度)/平均厚度×100(%)所求出的值)；<br/> A：周期為10cm以上，振幅值的上位5點之振幅的平均值；<br/> B：周期為10cm以下，振幅值的上位5點之振幅的平均值。
如請求項1之聚酯薄膜，其中將製膜流動方向之厚度測定數據進行傅立葉轉換，將頻率置換成薄膜的長度之周期時，下述Amax與B之比率Amax/B為7以下；<br/> Amax：周期為10cm以上，振幅的最大值。
如請求項1或2之聚酯薄膜，其NZ係數為1.65以上3以下。
如請求項1或2之聚酯薄膜，其厚度為25μm以上150μm以下。
如請求項1或2之聚酯薄膜，其製膜流動方向之斷裂伸度為4%以上。
如請求項1或2之聚酯薄膜，其製膜流動方向之斷裂強度為50MPa以上。
一種偏光鏡保護膜，其包含如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。
一種偏光板，其積層有如請求項7之偏光鏡保護膜與偏光鏡。
一種影像顯示裝置，其在影像顯示單元的視覺辨認側設置有如請求項8之偏光板。
一種透明電極基材薄膜，其包含如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。
一種飛散防止薄膜，其包含如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。
一種畫面表面保護膜，其包含如請求項1至6中任一項之聚酯薄膜。
一種影像顯示裝置，其包含如請求項10之透明電極基材薄膜、如請求項11之飛散防止薄膜及如請求項12之畫面表面保護膜的任一者。
如請求項13之影像顯示裝置，其為可撓性影像顯示裝置。
一種推定裝置，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的含水量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 含水模型資訊取得部、含水指數資訊取得部以及含水量推定部；<br/> 前述含水模型資訊取得部構成為取得含水模型資訊，前述含水模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含水指數與前述物質中的含水量的關係；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含水指數的含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為基於前述含水模型資訊及前述含水指數資訊來推定推定對象亦即前述物質的含水量；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含水指數資訊輸入至前述含水模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質的含水量。
如請求項1所記載之推定裝置，其中前述含水模型資訊顯示前述含水指數與前述物質的含水量的線性關係。
如請求項1或2所記載之推定裝置，其中前述光學特性係吸收率、反射率或者透過率。
如請求項1或2所記載之推定裝置，其中用超光譜相機或者多光譜相機來測定推定對象亦即前述物質的前述光學特性。
如請求項4所記載之推定裝置，其中推定對象亦即前述物質的前述光學特性由安裝在飛行體上的前述超光譜相機或者前述多光譜相機測定。
一種推定裝置，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的藥劑含有量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 藥劑含有模型資訊取得部、含有指數資訊取得部以及含有量推定部；<br/> 前述藥劑含有模型資訊取得部構成為取得藥劑含有模型資訊，前述藥劑含有模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含有指數與前述物質中的藥劑含有量或含有的有無的關係；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含有指數的含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為基於前述藥劑含有模型資訊及前述含有指數資訊來推定推定對象亦即前述物質中的藥劑含有量或含有的有無；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含有指數資訊輸入至前述藥劑含有模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質中的藥劑含有量或含有的有無。
一種推定系統，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的含水量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 含水模型資訊取得部、含水指數資訊取得部以及含水量推定部；<br/> 前述含水模型資訊取得部構成為取得含水模型資訊，前述含水模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含水指數與前述物質中的含水量的關係；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含水指數的含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為基於前述含水模型資訊及前述含水指數資訊來推定推定對象亦即前述物質的含水量；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含水指數資訊輸入至前述含水模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質的含水量。
一種推定系統，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的藥劑含有量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 藥劑含有模型資訊取得部、含有指數資訊取得部以及含有量推定部；<br/> 前述藥劑含有模型資訊取得部構成為取得藥劑含有模型資訊，前述藥劑含有模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含有指數與前述物質中的藥劑含有量或含有的有無的關係；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含有指數的含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為基於前述藥劑含有模型資訊及前述含有指數資訊來推定推定對象亦即前述物質中的藥劑含有量或含有的有無；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含有指數資訊輸入至前述藥劑含有模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質中的藥劑含有量或含有的有無。
一種推定方法，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的含水量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 含水模型資訊取得工序、含水指數資訊取得工序以及含水量推定工序；<br/> 在前述含水模型資訊取得工序中，取得含水模型資訊，前述含水模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含水指數與前述物質中的含水量的關係；<br/> 在前述含水指數資訊取得工序中，取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含水指數的含水指數資訊；<br/> 在前述含水量推定工序中，基於前述含水模型資訊及前述含水指數資訊來推定推定對象亦即前述物質的含水量；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 在前述含水指數資訊取得工序中，以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含水指數資訊；<br/> 在前述含水量推定工序中，將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含水指數資訊輸入至前述含水模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質的含水量。
如請求項9所記載之推定方法，其中還具備光學特性測定工序以及光學特性取得工序；<br/> 在前述光學特性測定工序中，用超光譜相機或多光譜相機來測定推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性；<br/> 在前述光學特性取得工序中，取得推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性。
如請求項10所記載之推定方法，其中在前述光學特性測定工序中，推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性由安裝在飛行體上的前述超光譜相機或者前述多光譜相機測定。
一種推定方法，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的藥劑含有量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並具備：<br/> 藥劑含有模型資訊取得工序、含有指數資訊取得工序以及含有量推定工序；<br/> 在前述藥劑含有模型資訊取得工序中，取得藥劑含有模型資訊，前述藥劑含有模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含有指數與前述物質中的藥劑含有量或含有的有無的關係；<br/> 在前述含有指數資訊取得工序中，取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含有指數的含有指數資訊；<br/> 在前述含有量推定工序中，基於前述藥劑含有模型資訊及前述含有指數資訊來推定推定對象亦即前述物質中的藥劑含有量或含有的有無；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 在前述含有指數資訊取得工序中，以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含有指數資訊；<br/> 在前述含有量推定工序中，將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含有指數資訊輸入至前述藥劑含有模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質中的藥劑含有量或含有的有無。
一種推定電腦程式，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的含水量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並使電腦作為含水模型資訊取得部、含水指數資訊取得部以及含水量推定部發揮功能；<br/> 前述含水模型資訊取得部構成為取得含水模型資訊，前述含水模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含水指數與前述物質中的含水量的關係；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含水指數的含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為基於前述含水模型資訊及前述含水指數資訊來推定推定對象亦即前述物質的含水量；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含水指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含水指數資訊；<br/> 前述含水量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含水指數資訊輸入至前述含水模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質的含水量。
一種推定電腦程式，係推定製鐵原料及／或發電燃料亦即物質中的藥劑含有量且前述物質為在堆場內以堆狀所堆積的煤或鐵礦石，並使電腦作為藥劑含有模型資訊取得部、含有指數資訊取得部以及含有量推定部發揮功能；<br/> 前述藥劑含有模型資訊取得部構成為取得藥劑含有模型資訊，前述藥劑含有模型資訊顯示作為前述物質相對於800nm至2400nm的波長範圍內的兩個不同波長的光的兩個光學特性的差的函數而計算出的含有指數與前述物質中的藥劑含有量或含有的有無的關係；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為取得顯示推定對象亦即前述物質的前述含有指數的含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為基於前述藥劑含有模型資訊及前述含有指數資訊來推定推定對象亦即前述物質中的藥劑含有量或含有的有無；<br/> 推定對象亦即前述物質的兩個前述光學特性與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯；<br/> 前述含有指數資訊取得部構成為以與從前述堆場的上空俯視時的二維位置資訊相關聯的方式取得前述含有指數資訊；<br/> 前述含有量推定部構成為將已與前述二維位置資訊相關聯之前述含有指數資訊輸入至前述藥劑含有模型資訊藉此輸出每個二維位置的前述物質中的藥劑含有量或含有的有無。
一種顯示裝置，其具備：複數個發光元件； <br/>基板，其以構成一個像素之次像素（sub pixel）為單位排列發光元件；及 <br/>硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；且 <br/>上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部， <br/>上述單片自上述發光元件之突出量未達30 μm， <br/>上述單片之面積相對於上述發光元件之面積之比為0.5～5.0， <br/>上述露出部係不具有有助於該連接之硬化樹脂膜之間隙部分， <br/>上述硬化樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
如請求項1之顯示裝置，其係於上述基板上以次像素為單位排列上述單片而成。
如請求項1或2之顯示裝置，其中，上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。
如請求項1或2之顯示裝置，其中，上述基板為透明基板。
如請求項1或2之顯示裝置，其中，上述發光元件之大小未達200 μm。
一種顯示裝置之製造方法，其具有： <br/>單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片； <br/>貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及 <br/>安裝步驟，其係將發光元件以構成一個像素之次像素為單位安裝至貼附於上述基板之單片上， <br/>於上述單片間具有露出上述基板之露出部， <br/>上述單片自上述發光元件之突出量未達30 μm， <br/>上述單片之面積相對於上述發光元件之面積之比為0.5～5.0， <br/>上述露出部係不具有有助於連接之硬化性樹脂膜之間隙部分， <br/>上述硬化性樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
如請求項6之顯示裝置之製造方法，其於上述單片形成步驟中，於上述基材上以次像素為單位形成上述單片，且 <br/>於上述貼附步驟中，將上述基材上之上述單片轉印至上述基板上。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述基板為透明基板。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述貼附步驟後之貼附有上述複數個單片之基板之可見光之平均穿透率為20%以上。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述發光元件之大小未達200 μm。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片之厚度為2～10 μm。
如請求項6或7之顯示裝置之製造方法，其中，上述單片係藉由雷射剝蝕而形成。
一種發光裝置，其具備：複數個發光元件； <br/>基板，其排列上述發光元件；及 <br/>硬化樹脂膜，其將上述複數個發光元件與上述基板連接；且 <br/>上述硬化樹脂膜由複數個單片構成，且於上述單片間具有露出上述基板之露出部， <br/>上述單片自上述發光元件之突出量未達30 μm， <br/>上述單片之面積相對於上述發光元件之面積之比為0.5～5.0， <br/>上述露出部係不具有有助於該連接之硬化樹脂膜之間隙部分， <br/>上述硬化樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
如請求項14之發光裝置，其中，上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。
一種發光裝置之製造方法，其具有： <br/>單片形成步驟，其係去除形成於基材上之硬化性樹脂膜之一部分，於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之複數個單片； <br/>貼附步驟，其係將上述複數個單片貼附於基板上；及 <br/>安裝步驟，其係將發光元件安裝至貼附於上述基板之單片上， <br/>於上述單片間具有露出上述基板之露出部， <br/>上述單片自上述發光元件之突出量未達30 μm， <br/>上述單片之面積相對於上述發光元件之面積之比為0.5～5.0， <br/>上述露出部係不具有有助於連接之硬化性樹脂膜之間隙部分， <br/>上述硬化性樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成。
如請求項16之發光裝置之製造方法，其中，上述單片之厚度為2～10 μm。
如請求項16或17之發光裝置之製造方法，其中，上述單片係藉由雷射剝蝕而形成。
如請求項16或17之發光裝置之製造方法，其中，上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下。
一種接著膜，其具備基材、及形成於上述基材上之由硬化性樹脂膜構成之複數個單片，且 <br/>上述單片間之距離為3 μm以上且3000 μm以下， <br/>上述硬化性樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成，其粒子面密度為40000個/mm<sup>2</sup>以上1000000個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項20之接著膜，其中，上述單片之厚度為2～10 μm。
如請求項20或21之接著膜，其中，上述單片係藉由雷射而形成。
一種接著膜之製造方法，其對形成於基材上之硬化性樹脂膜之去除部照射雷射光，從而於上述基材上形成由硬化性樹脂膜構成之單片， <br/>上述硬化性樹脂膜含有導電粒子，且係於面方向上排列上述導電粒子而構成，其粒子面密度為40000個/mm<sup>2</sup>以上1000000個/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項23之接著膜之製造方法，其中，上述單片之厚度為2～10 μm。
一種多晶矽收納袋的密封裝置，其特徵在於，包含：<br/> 接觸構件，其從上方插入收納有多晶矽的收納袋之開口部的內側，並與前述收納袋的內側接觸；<br/> 密封構件，其密封前述收納袋中的密封處；<br/> 驅動機構，其驅動插入前述收納袋的前述開口部中的前述接觸構件，拉伸前述開口部中至少兩個點，使前述密封處變得平整；及<br/> 夾持構件，其夾持在前述密封處的下方位置，且能夠在比第一距離還短的第二距離的範圍內夾持住前述收納袋，其中，前述第一距離為前述密封處被前述驅動機構拉得平整的狀態下，沿前述收納袋的前述開口部的長度。
如請求項1所述之密封裝置，其中，<br/> 前述接觸構件包括第一治具及第二治具，<br/> 前述第一治具及前述第二治具分別從上方插入前述收納袋的前述開口部的內側，並與前述收納袋的內側接觸，<br/> 前述驅動機構藉由使前述第一治具及前述第二治具彼此反向移動，拉伸前述開口部的兩端，而使前述密封處變得平整。
如請求項1或2所述之密封裝置，其中，在前述夾持構件解除了對前述收納袋的夾持後，前述密封構件在特定時間內密封前述密封處。
如請求項1或2所述之密封裝置，其中，前述第二距離的長度為前述第一距離的長度的60%以上至95%以下。
如請求項1或2所述之密封裝置，其中，前述接觸構件、前述密封構件及前述夾持構件中至少其一與前述收納袋的接觸面由樹脂製成。
一種多晶矽填充物的製造裝置，其特徵在於，包含<br/> 請求項1或2所述之密封裝置；<br/> 將收納有多晶矽的收納袋搬運進前述密封裝置的運入手段；及<br/> 將在前述密封裝置中密封之前述收納袋作為多晶矽填充物運出的運出手段。
一種多晶矽填充物的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟：<br/> 從收納有多晶矽的收納袋的開口部上方插入接觸構件，使前述收納袋內側與前述接觸構件接觸的接觸步驟；<br/> 驅動插入前述收納袋的前述開口部中的前述接觸構件，拉伸前述開口部中至少兩個點，使前述收納袋的密封處變得平整的驅動步驟；<br/> 夾持在前述收納袋的前述密封處的下方位置，且能夠在比第一距離還短的第二距離的範圍內以夾持構件夾持的夾持步驟，其中，前述第一距離為前述密封處在前述驅動步驟中被拉得平整的狀態下，沿前述收納袋的前述開口部的長度；及<br/> 密封前述密封處，使前述收納袋成為前述多晶矽填充物的密封步驟。
一種1-(8-溴吡啶并[2,3-e][1,2,4]三唑并[4,3-a]吡𠯤-4-基)-N-甲基氮雜環丁-3-胺硫酸氫鹽單水合物之結晶化合物，其由(°2θ) 8.4、14.7及17.0 (±0.2度)處之一或多個XRPD反射表徵。
如請求項1之結晶化合物，其由(°2θ) 8.4、14.7及17.0 (±0.2度)處之XRPD反射表徵。
如請求項1之結晶化合物，其中該等XRPD反射進一步包含(°2θ) 11.9及/或15.1 (±0.2度)處之一或多個XRPD反射。
如請求項1至3中任一項之結晶化合物，其中該等XRPD反射進一步包含23.0及/或24.0 (±0.2度)處之一或多個XRPD反射。
如請求項3之結晶化合物，其中該等XRPD反射包含(°2θ) 8.4、11.9、14.7、15.1及17.0 (±0.2度)處之XRPD反射。
如請求項4之結晶化合物，其中該等XRPD反射包含(°2θ) 8.4、11.9、14.7、15.1、17.0、23.0及24.0 (±0.2度)處之XRPD反射。
如請求項1或2之結晶化合物，其中 <br/>該結晶化合物具有根據圖1中之XRPD圖案的XRPD圖案。
如請求項1或2之結晶化合物，其中該結晶化合物由在151.5、150.6、145.7、138.8、136.1、126.6、125.4、115.7、59.7、54.5、50.7、36.0及32.9 ppm ±0.2 ppm中之一或多者處具有峰之固態<sup>13</sup>C CP/MAS NMR譜表徵。
一種1-(8-溴吡啶并[2,3-e][1,2,4]三唑并[4,3-a]吡𠯤-4-基)-N-甲基氮雜環丁-3-胺硫酸氫鹽單水合物之結晶化合物，其由在151.5、150.6、145.7、138.8、136.1、126.6、125.4、115.7、59.7、54.5、50.7、36.0及32.9 ppm ±0.2 ppm中之一或多者處具有峰之固態<sup>13</sup>C CP/MAS NMR譜表徵。
如請求項9之結晶化合物，其中該固態<sup>13</sup>C CP/MAS NMR譜包含151.5、150.6、145.7、138.8、136.1、126.6、125.4、115.7、59.7、54.5、50.7、36.0及32.9 ppm ±0.2 ppm處之峰。
如請求項9或10之結晶化合物，其特徵為具有 <br/>根據圖6中之<sup>13</sup>C CP/MAS NMR譜的<sup>13</sup>C CP/MAS NMR譜。
如請求項9或10之結晶化合物，其進一步由(°2θ) 8.4、11.9、14.7、15.1、17.0、23.0及24.0 (±0.2度)處之一或多個XRPD反射表徵。
如請求項1、2、9及10中任一項之結晶化合物，其具有包含在90℃ (± 10℃)處起始之事件的TGA曲線。
如請求項1、2、9及10中任一項之結晶化合物，其特徵在於 <br/>(i)1-(8-溴吡啶并[2,3-e][1,2,4]三唑并[4,3-a]吡𠯤-4-基)-N-甲基氮雜環丁-3-胺與氫硫酸之莫耳比在1:0.8至1:1.2範圍內，或/及 <br/>(ii)1-(8-溴吡啶并[2,3-e][1,2,4]三唑并[4,3-a]吡𠯤-4-基)-N-甲基氮雜環丁-3-胺硫酸氫鹽與水之莫耳比在1:0.8至1:1.2範圍內。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至14中任一項之結晶化合物及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項1、2、9及10中任一項之結晶化合物，其用於治療選自異位性皮膚炎、癢症、搔癢症及各種形式之蕁麻疹之疾病。
如請求項16之結晶化合物，其中該等形式之蕁麻疹包括慢性特發性蕁麻疹亞型。
如請求項17之結晶化合物，其中該慢性特發性蕁麻疹亞型包括膽鹼性蕁麻疹。
一種用於一人力交通工具之操作裝置，其包括： <br/>一基座結構，其經構形以安裝至該人力交通工具； <br/>一開關單元，其經構形以回應於一使用者輸入而啟動； <br/>一電組件，其經構形以電連接至該開關單元；及 <br/>一電組件外殼，其經構形以可拆離地耦接至該基座結構，該電組件外殼經構形以支撐該電組件，使得該電組件經由該電組件外殼可拆離地耦接至該基座結構，其中 <br/>該電組件外殼包含一容納空間及一插入開口， <br/>該容納空間包含一電源供應器容納空間，一電源供應器將設置於該電源供應器容納空間中， <br/>該電源供應器具有沿著該電源供應器之一軸向方向延伸的一厚度，且 <br/>當該電源供應器被插入該電源供應器容納空間時，該電源供應器係以正交於該軸向方向的一方向插入該插入開口。
一種用於一人力交通工具之操作裝置，其包括： <br/>一基座結構，其經構形以安裝至該人力交通工具； <br/>一開關單元，其經構形以回應於一使用者輸入而啟動； <br/>一電組件，其經構形以電連接至該開關單元； <br/>一電組件外殼，其經構形以可拆離地耦接至該基座結構；且 <br/>該開關單元經構形以可拆離地耦接至該電組件外殼及該基座結構中之至少一者，其中 <br/>該電組件外殼包含一容納空間及一插入開口， <br/>該容納空間包含一電源供應器容納空間，一電源供應器將設置於該電源供應器容納空間中， <br/>該電源供應器具有沿著該電源供應器之一軸向方向延伸的一厚度，且 <br/>當該電源供應器被插入該電源供應器容納空間時，該電源供應器係以正交於該軸向方向的一方向插入該插入開口。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該電組件包含一基板、一無線通信器及一有線通信器中之至少一者。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該電組件至少部分地設置於該容納空間中。
如請求項4之操作裝置，其中 <br/>該電組件包含一基板，且 <br/>該基板係設置於該容納空間中。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>該電組件包含一無線通信器，且 <br/>該無線通信器電安裝於該基板上且設置於該容納空間中。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該電組件包含一端子，在其中該電源供應器設置於該電源供應器容納空間中之一狀態中，該端子可與該電源供應器接觸，且 <br/>該端子係設置於該容納空間中。
如請求項4之操作裝置，其中 <br/>該電組件外殼包含一外殼主體， <br/>該外殼主體包含該容納空間，且 <br/>該外殼主體經構形以經由一外殼緊固件可拆離地耦接至該基座結構。
如請求項8之操作裝置，其中 <br/>該外殼緊固件經構形以可拆離地附接至該基座結構及該外殼主體中之至少一者。
如請求項8之操作裝置，其中 <br/>該外殼緊固件包含一工具接合部件，以該工具接合部件接合一工具。
如請求項8之操作裝置，其中 <br/>該基座結構包含一附接開口，且 <br/>該外殼主體及該外殼緊固件中之至少一者經構形以設置於該附接開口中。
如請求項11之操作裝置，其中 <br/>該附接開口包含一第一附接開口及一第二附接開口， <br/>該外殼主體經構形以設置於該第一附接開口中，且 <br/>該外殼緊固件經構形以設置於該第二附接開口中。
如請求項12之操作裝置，其中 <br/>該第一附接開口與該第二附接開口連通。
如請求項12之操作裝置，其中 <br/>該外殼主體經構形以在一第一方向上插入至該第一附接開口中及自該第一附接開口移除， <br/>該外殼緊固件經構形以在一第二方向上插入至該第二附接開口中及自該第二附接開口移除，且 <br/>該第一方向不同於該第二方向。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>該開關單元繞一附接軸樞轉地耦接至該基座結構，且 <br/>該第一方向及該第二方向中之至少一者不平行於該附接軸。
如請求項1之操作裝置，其進一步包括 <br/>一安裝結構，其經構形以將該基座結構耦接至該人力交通工具。
如請求項16之操作裝置，其中 <br/>該安裝結構包含一安裝構件，且 <br/>該安裝構件包含一安裝開口，在其中該安裝結構將該基座結構耦接至該人力交通工具之一管狀部件之一安裝狀態中，該人力交通工具之該管狀部件延伸穿過該安裝開口。
如請求項17之操作裝置，其中 <br/>該安裝結構包含一安裝基座及一調整構件，且 <br/>該安裝基座係固定至該基座結構，且該調整構件可調整地附接至該安裝基座並且經構形以將該安裝基座可調整地耦接至該安裝構件。
如請求項1之操作裝置，其進一步包括： <br/>一額外開關單元，其經構形以回應於一額外使用者輸入而啟動；及 <br/>一緊固件，其經構形以將該開關單元及該額外開關單元緊固至該基座結構。
如請求項1之操作裝置，其進一步包括： <br/>一額外構件，其經構形以可拆離地附接至該基座結構及該電組件外殼中之至少一者。
如請求項20之操作裝置，其進一步包括： <br/>一第三開關單元，其經構形以回應於一第三使用者輸入而啟動，該第三開關單元係設置至該額外構件。
一種電子零件包裝用蓋帶，其依序具有： <br/>基材層； <br/>中間層；及 <br/>密封劑層， <br/>該密封劑層含有（A）接著性樹脂， <br/>該（A）接著性樹脂的按照以下＜玻璃轉移溫度的測量方法＞測量之玻璃轉移溫度大於60℃且為120℃以下， <br/>該密封劑層的藉由以下＜黏著力的測量方法＞測量之黏著力為0N/cm<sup>2</sup>以上且5.0N/cm<sup>2</sup>以下， <br/>該中間層含有選自聚丙烯酸衍生物、聚丙烯酸酯衍生物、烯烴系樹脂及環狀烯烴樹脂中之1種或2種以上， <br/>＜玻璃轉移溫度的測量方法＞ <br/>使用示差掃描熱量儀（DSC），以升溫條件10℃/分鐘使該（A）接著性樹脂的玻璃轉移溫度（℃）升溫至0℃～200℃，並在氮氣環境條件下進行測量， <br/>＜黏著力的測量方法＞ <br/>將以接觸速度30mm/分鐘將接觸面積20mm<sup>2</sup>的不鏽鋼材料按壓於該電子零件包裝用蓋帶的該密封劑層，以測量溫度60℃、接觸荷重25N保持20秒鐘後，以600mm/分鐘的速度剝離時的每單位面積的荷重的測量值設為60℃時的黏著力（N/cm<sup>2</sup>）。
如請求項1之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>該密封劑層的該（A）接著性樹脂含有苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂及酯系樹脂中的至少1種以上。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>該密封劑層還含有（B）抗靜電劑。
如請求項3之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>該（B）抗靜電劑含有由摻銻氧化錫、摻磷氧化錫、摻氟氧化錫及導電性高分子組成之群組中的1種以上。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>在藉由以下＜耐附著性試驗＞進行評價之情況下，附著於聚苯乙烯製薄膜之接著痕的長度為0mm以上且15mm以下， <br/>＜耐附著性試驗＞ <br/>將該電子零件包裝用蓋帶設為寬度10.0mm的尺寸，將該蓋帶的密封劑層側與寬度為8.0mm的尺寸，且凹凸面的平均表面粗糙度（Ra）為0.25μm之聚苯乙烯製薄膜的該凹凸面側重合，作為樣品，在該樣品的蓋帶的上表面放置設置部分的寬度為0.5mm，長度為32.0mm，重量為46.0g的密封鐵，在60℃90%RH的條件下靜置24小時，靜置後，在附著於聚苯乙烯製薄膜之接著痕中，將聚苯乙烯製薄膜的長度方向的尺寸作為附著於聚苯乙烯製薄膜之接著痕的長度進行測量。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>在25℃、50%RH的條件下測量之該基材層的表面的表面電阻值為1.0×10<sup>3</sup>Ω以上且1.0×10<sup>13</sup>Ω以下。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>在25℃、50%RH的條件下測量之該密封劑層的表面的表面電阻值為1.0×10<sup>3</sup>Ω以上且1.0×10<sup>12</sup>Ω以下。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>依據JIS K 7361-1（1997）之利用光源D65測量之總透光率為70%以上且95%以下。
如請求項1或2之電子零件包裝用蓋帶，其中， <br/>依據JIS K 7136（2000）之利用光源D65測量之外部霧度為5%以上且50%以下。
一種電子零件包裝體，其具有： <br/>載體帶，在凹部收容有電子零件；及 <br/>請求項1至9中任一項之電子零件包裝用蓋帶， <br/>將該密封劑層側接著於該載體帶上，以密封該電子零件。
一種顯示裝置用積層體，其依次具有基材層、第1層及第2層， <br/>當使光以入射角60°入射至上述顯示裝置用積層體之上述第2層側之表面時，鏡面反射光之視感反射率為10.0%以下，且 <br/>相對於上述顯示裝置用積層體之上述第2層側之表面之法線成60°方向之穿透光之黃度YI1與相對於上述顯示裝置用積層體之上述第2層側之表面之法線成15°方向之穿透光之黃度YI2的差之絕對值為3.0以下。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其中，上述第2層之厚度為1 μm以上且10 μm以下，上述第2層之折射率為1.40以上且1.50以下。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其中，上述第2層之厚度為50 nm以上且1 μm以下，上述第1層之折射率相對於上述第2層之折射率的比為1.05以上且1.20以下。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其中，上述基材層兼作上述第1層。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其於上述基材層及上述第1層之間具有硬塗層。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其於上述基材層之與上述第1層相反之表面側、或上述基材層及上述第1層之間具有衝擊吸收層。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其於上述基材層之與上述第1層相反之表面側具有貼附用黏著層。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其於上述第2層之與上述第1層相反一側之表面具有防污層。
一種顯示裝置，其具備：顯示面板；及 <br/>請求項1至8中任一項之顯示裝置用積層體，其配置於上述顯示面板之觀察者側。
一種含矽之光阻下層膜形成用組成物，其特徵係含有： <br/>[A]聚矽氧烷，其藉由凝膠滲透層析(GPC)分析以聚苯乙烯換算得到之重量平均分子量為1,800以下，並且 <br/>藉由凝膠滲透層析(GPC)分析以聚苯乙烯換算得到之積分分子量分布曲線中分子量超過2,500的比例小於20%； <br/>固體成分中該[A]聚矽氧烷之含量為50質量%以上； <br/>該[A]聚矽氧烷係含有水解縮合物與醇之脫水反應物，且該水解縮合物係含有至少一種下述式(1)所表示之水解性矽烷之水解性矽烷之水解縮合物；以及 <br/>[B]溶劑； <br/>〔化1〕 <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="291px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中， <br/>R<sup>1</sup>係與矽原子鍵結之基團，其互相獨立地表示可經取代之烷基、可經取代之芳基、可經取代之芳烷基、可經取代之鹵化烷基、可經取代之鹵化芳基、可經取代之鹵化芳烷基、可經取代之烷氧烷基、可經取代之烷氧芳基、可經取代之烷氧芳烷基、或可經取代之烯基，或者表示具有環氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、胺基、醯胺基、烷氧基、磺醯基或氰基之有機基、或其等之組合； <br/>R<sup>2</sup>係與矽原子鍵結之基團或原子，其互相獨立地表示烷氧基、芳烷氧基、醯氧基、或鹵素原子； <br/>a係表示0至3之整數)。
如請求項1所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該[A]聚矽氧烷，係藉由凝膠滲透層析(GPC)分析以聚苯乙烯換算得到之積分分子量分布曲線中分子量超過2,000的比例小於35%之聚矽氧烷。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該[A]聚矽氧烷，係具有1,100以上1,800以下之重量平均分子量。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，其係即使為膜厚10nm以下之光阻下層膜亦能夠形成圖案之組成物。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該[A]聚矽氧烷係進一步含有選自：含有至少一種該式(1)所表示之水解性矽烷之水解性矽烷之水解縮合物、該縮合物具有之矽醇基之至少一部分經醇改性之水解縮合物之改性物、以及該縮合物具有之矽醇基之至少一部分受縮醛保護之水解縮合物之改性物所成群中至少一種。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，不含有硬化觸媒。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，該[B]溶劑係含有水。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，進一步含有pH調整劑。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，含有[C]二醇化合物，其標準沸點為230.0℃以上且由下述式(2)所表示； <br/>〔化2〕 <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="295px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>係各自獨立地表示氫原子、碳原子數1至4之烷基或碳原子數3至4之醯基；n係表示3以上之整數)。<sup> </sup>
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，進一步含有界面活性劑。
如請求項1或2所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，進一步含有金屬氧化物。
如請求項1或2之含矽之光阻下層膜形成用組成物，其中，其係用於形成EUV(極紫外線)微影用光阻下層膜。
一種光阻下層膜，其特徵係其為如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物之硬化物。
如請求項13所述之光阻下層膜，其中，具有10nm以下之膜厚。
一種半導體加工用基板，其特徵係具備半導體基板、及如請求項13或14所述之光阻下層膜。
一種半導體元件之製造方法，其特徵係包含： <br/>於基板上形成有機下層膜之步驟； <br/>於該有機下層膜上使用如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物形成含矽之光阻下層膜之步驟；以及 <br/>於該含矽之光阻下層膜上形成光阻膜之步驟。
如請求項16所述之製造方法，其中，形成該含矽之光阻下層膜之步驟中，使用經尼龍過濾器過濾之含矽之光阻下層膜形成用組成物。
一種光阻下層膜，其特徵係其藉由將如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物塗布於半導體基板上並進行燒成而得。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：將如請求項1至12中任一項所述之含矽之光阻下層膜形成用組成物塗布於半導體基板上並進行燒成而形成光阻下層膜之步驟；於該下層膜之上塗布光阻膜形成用組成物而形成光阻膜之步驟；使該光阻膜曝光之步驟；於曝光後顯影光阻而得到光阻圖案之步驟；藉由光阻圖案蝕刻光阻下層膜之步驟；以及藉由經圖案化之光阻下層膜對半導體基板進行加工之步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：於半導體基板上形成有機下層膜之步驟；於其上塗布如請求項1至12中任一項所述之光阻下層膜形成用組成物並進行燒成而形成光阻下層膜之步驟；於該光阻下層膜之上塗布光阻膜形成用組成物而形成光阻膜之步驟；使該光阻膜曝光之步驟；於曝光後顯影光阻而得到光阻圖案之步驟；藉由光阻圖案蝕刻光阻下層膜之步驟；藉由經圖案化之光阻下層膜蝕刻有機下層膜之步驟；以及藉由經圖案化之有機下層膜對半導體基板進行加工之步驟。
一種式GF化合物 <br/><img align="absmiddle" height="84px" width="435px" file="ed10463.jpg" alt="ed10463.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>G</sup> 指代H；各自具有1至12個C原子的直鏈或分支鏈之非氟化烷基或烷氧基，或具有2至12個C原子的直鏈或分支鏈之非氟化烯基，在其中之每一者中，一或多個CH<sub>2</sub>-基團可經以下置換：<img align="absmiddle" height="44px" width="443px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或基團R<sup>P</sup>， <br/>R<sup>P</sup> 指代鹵素、CN、NCS、R<sup>F</sup>-、R<sup>F</sup>-O-或R<sup>F</sup>-S-，其中 <br/>R<sup>F</sup> 指代具有1至9個C原子之氟化烷基， <br/>Z<sup>G1</sup>，Z<sup>G2</sup> 相同或不同地指代-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-C≡C-C≡C-或單鍵， <br/>X<sup>G1</sup>，X<sup>G2</sup> 相同或不同地指代Cl或F， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="89px" file="ed10488.jpg" alt="ed10488.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="39px" width="90px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同地指代選自以下群組之基團： <br/>a) 由以下組成之群：1,4-伸苯基、1,4-伸萘基及2,6-伸萘基，其中一或兩個CH基團可經N置換，且其中一或多個H原子可經L置換， <br/>b) 由以下組成之群：反-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫萘-2,6-二基、四氫萘-5,8-二基、十氫萘-2,6-二基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、4,4´-伸聯環己基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基及螺[3.3]庚烷-2,6-二基，其中一或兩個CH基團可經N置換，一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團可經-O-及/或-S-置換，且其中一或多個H原子可經L置換， <br/>c) 由以下組成之群：噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基及硒吩-2,5-二基，其中之每一者亦可經L單取代或多取代， <br/>L 在每次出現時相同或不同地指代F、Cl、CN、SCN、SF<sub>5</sub>或在各情況下視情況經氟化的各自具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，及 <br/>u 為0、1或2， <br/>其中<img align="absmiddle" height="39px" width="90px" file="ed10490.jpg" alt="ed10490.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="38px" width="89px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中之至少一者不為反-1,4-伸環己基。
如請求項1之化合物，其中該化合物係選自式GF-1至GF-5之化合物之群： <br/><img align="absmiddle" height="582px" width="492px" file="ed10492.jpg" alt="ed10492.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>G</sup>、X<sup>G1</sup>及X<sup>G2</sup>、<img align="absmiddle" height="38px" width="89px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="39px" width="91px" file="ed10494.jpg" alt="ed10494.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>具有請求項1中所給出之含義。
如請求項1或2之化合物，其中X<sup>G1</sup>及X<sup>G2</sup>指代F。
如請求項1或2之化合物，其中基團<img align="absmiddle" height="39px" width="89px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>指代1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換，且其中一或多個H原子可經L置換，及 <br/>L 指代F、各自具有1至6個C原子之視情況氟化之烷基或視情況氟化之烷氧基。
如請求項1或2之化合物，其中R<sup>G</sup>指代具有1至7個C原子之直鏈烷基或具有3至9個C原子之分支鏈烷基。
如請求項1或2之化合物，其中R<sup>G</sup>指代具有1至7個C原子之直鏈氟化烷基或直鏈氟化烷氧基。
一種液晶介質，其包含一或多種如請求項1至6中任一項之式GF化合物。
如請求項7之介質，其中該介質另外包含一或多種選自式I、II及III之化合物之群的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="197px" width="502px" file="ed10496.jpg" alt="ed10496.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>1</sup> 指代H；具有1至17個C原子之非氟化烷基或非氟化烷氧基；或具有2至15個C原子之非氟化烯基、非氟化烯氧基或非氟化烷氧基烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>-基團可經以下置換： <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="435px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>n 為0、1或2， <br/>R<sup>2</sup> 指代H；具有1至17個C原子之非氟化烷基或非氟化烷氧基；或具有2至15個C原子之非氟化烯基、非氟化烯氧基或非氟化烷氧基烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>-基團可經以下置換：<img align="absmiddle" height="32px" width="69px" file="ed10508.jpg" alt="ed10508.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="39px" width="369px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>Z<sup>21</sup> 指代反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，及 <br/>R<sup>3</sup> 指代H；具有1至17個C原子之非氟化烷基或非氟化烷氧基；或具有2至15個C原子之非氟化烯基、非氟化烯氧基或非氟化烷氧基烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>-基團可經以下置換：<img align="absmiddle" height="35px" width="68px" file="ed10514.jpg" alt="ed10514.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="37px" width="367px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>Z<sup>31</sup>及Z<sup>32</sup>中之一者 指代反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且其另一者獨立地指代-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，及 <br/>且其中式GF化合物排除在式I、II及III之化合物外。
如請求項7或8之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式I-1至I-5之化合物之群的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="250px" width="443px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="188px" width="441px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>L<sup>1</sup>、L<sup>2</sup>及L<sup>3</sup> 在每次出現時相同或不同地指代H或F，及 <br/>R<sup>1</sup>、<img align="absmiddle" height="44px" width="207px" file="ed10465.jpg" alt="ed10465.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>具有請求項8中針對式I所給出之含義。
如請求項7或8之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式II-1至II-3之化合物之群的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="241px" width="439px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>2</sup>、<img align="absmiddle" height="44px" width="214px" file="ed10467.jpg" alt="ed10467.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>具有請求項8中針對式II所給出之含義。
如請求項7或8之介質，其中該介質包含一或多種選自由式III-1至III-6之化合物組成之群的式III化合物： <br/><img align="absmiddle" height="430px" width="547px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>Z<sup>31</sup>及Z<sup>32</sup> 彼此獨立地指代反-CH=CH-或反-CF=CF-，且在式III-6中，替代地，Z<sup>31</sup>及Z<sup>32</sup>中之一者可指代-C≡C-且另一基團具有請求項8中在式III下給出之含義， <br/>R<sup>3</sup> 指代具有1至7個C原子之非氟化烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之非氟化烯基， <br/>且 <br/>
如請求項7或8之介質，其中該介質包含一或多種式T化合物， <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="465px" file="ed10477.jpg" alt="ed10477.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>T</sup> 指代鹵素、CN、NCS、R<sup>F</sup>、R<sup>F</sup>-O-或R<sup>F</sup>-S-，其中 <br/>R<sup>F</sup>指代具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基， <br/>L<sup>4</sup>及L<sup>5</sup> 相同或不同地指代F、Cl或各自具有至多12個C原子之直鏈或分支鏈或環狀烷基或烯基； <br/>Z<sup>T3</sup>、Z<sup>T4</sup> 相同或不同地指代-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-或單鍵，及 <br/>t 為0或1。
如請求項7或8之介質，其中該介質包含一或多種式U化合物， <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="425px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sup>U</sup> 指代H；具有1至12個C原子之烷基或烷氧基；或具有2至12個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一或多個CH<sub>2</sub>-基團可經以下置換：<img align="absmiddle" height="44px" width="360px" file="ed10482.jpg" alt="ed10482.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="37px" width="82px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，或指代基團R<sup>P</sup>， <br/>R<sup>P</sup> 指代鹵素、CN、NCS、R<sup>F</sup>、R<sup>F</sup>-O-或R<sup>F</sup>-S-，其中 <br/>R<sup>F</sup> 指代具有至多9個C原子之氟化烷基或氟化烯基， <br/>Z<sup>U1</sup>、Z<sup>U2</sup> 相同或不同地指代-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-或單鍵， <br/>X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4 </sup>相同或不同地指代Cl或F， <br/>t 為0或1，及 <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="192px" file="ed10484.jpg" alt="ed10484.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>指代選自以下群組之基團： <br/>a) 由以下組成之群：1,4-伸苯基、1,4-伸萘基及2,6-伸萘基，其中一或兩個CH基團可經N置換，且其中一或多個H原子可經L置換，其中不包括四氟-1,4-伸苯基， <br/>b) 由以下組成之群：反-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、4,4´-伸聯環己基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基及螺[3.3]庚烷-2,6-二基，其中一或多個不相鄰CH<sub>2</sub>基團可經-O-及/或-S-置換，且其中一或多個H原子可經F置換，及 <br/>c) 由以下組成之群：噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基、硒吩-2,5-二基，其中之每一者亦可經L單取代或多取代，其中 <br/>L 在每次出現時相同或不同地指代F、Cl、CN、SCN、SF<sub>5</sub>或在各情況下視情況經氟化的具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基。
如請求項7或8之介質，其中該介質包含一或多種選自由式U-1至U-11之化合物組成之群的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="468px" width="523px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="847px" width="538px" file="ed10486.jpg" alt="ed10486.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>L<sup>1</sup>、L<sup>2</sup>及L<sup>3</sup> 相同或不同地指代H、F、Cl、甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊烯基，及 <br/>R<sup>U</sup>、X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>具有請求項13中給出之含義。
一種電子組件，其包含：彼此面對之第一基板及第二基板；提供於各基板上的一電極或提供於該等基板中之僅一者上的兩個電極，其特徵在於該組件包含包夾於該第一基板與該第二基板之間的如請求項7至14中任一項之液晶介質。
如請求項15之組件，其中該組件中之該液晶介質經配置為經組態用於高頻技術中之可調諧介電質。
如請求項16之組件，其中該組件為基於液晶之天線元件、移相器、可調諧濾波器、可調諧超材料結構、匹配網路或可變電抗器。
如請求項15之組件，其中該組件為透射式或反射式空間光調變器。
一種微波天線陣列，其特徵在於其包含一或多個如請求項15至17中任一項之組件。
一種用於最大化環氧化催化劑在環氧乙烷反應器系統中之選擇性（S）的方法，其包括： 自環氧乙烷產生系統接收量測之反應器選擇性（Smeas）、量測之反應器溫度（Tmeas）及一或多個操作參數，該環氧乙烷產生系統經組態以在該環氧乙烷反應器系統中，在該環氧化催化劑及含氯催化劑緩和劑之存在下，將包括乙烯及氧氣之進料氣體轉化為環氧乙烷，其中該環氧化催化劑包括銀及促進量之錸（Re），且其中該量測之反應器選擇性（Smeas）、該量測之反應器溫度（Tmeas）及該一或多個操作參數包括由該環氧乙烷產生系統隨時間推移生成之即時及歷史操作數據點；及 <br/>使用處理器進行以下： <br/>（a） 使用模型計算每個時間點的該環氧化催化劑在最佳緩和劑含量（Mopt）下的模型估計之選擇性（Sest）及模型估計之溫度（Test），其中基於該等時間點處該一或多個操作參數之至少一個操作參數來確定該模型估計之選擇性（Sest）及該模型估計之溫度（Test），其中該至少一個操作參數不包含含氯緩和劑含量，且其中該模型至少部分基於與該環氧化催化劑、該環氧乙烷產生系統或兩者相關的經驗歷史數據； <br/>（b） 確定該等時間點中之每一者的該量測之反應器選擇性（Smeas）與該模型估計之選擇性（Sest）之間的差值（ΔS）及該量測之反應器溫度（Tmeas）與該模型估計之溫度（Test）之間的差值（ΔT）； <br/>（c） 將曲線擬合至隨對應Δ溫度（ΔT）數據點而變化的Δ選擇性（ΔS）數據點以獲得擬合曲線； <br/>（d） 基於該擬合曲線及ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之即時值確定即時相對有效緩和劑含量（RCleffreal-time）； <br/>（e） 基於該即時RCleff（RCleffreal-time）輸出可操作建議，其中該建議包括緩和劑含量（M）至其最佳值（Mopt）之目標變化（Mchange），使得該RCleff自其即時值（RCleffreal-time）變為根據定義之最佳含量0.0或等效的絕對緩和劑含量目標（Mopt）；及 <br/>（f） 在顯示器上顯示該可操作建議； <br/>其中 <br/>將該RCleff定義為該緩和劑含量（M）與該最佳緩和劑含量（Mopt）的比值減一： <br/>RCleff = (M/Mopt) - 1 <br/>並且其中將該緩和劑含量（M）定義為該環氧乙烷反應器系統之該進料氣體中氯化物物種之總濃度或加權總濃度、氯化物之補充進料速率或催化劑氯化有效性值（Cleff），其如下計算： <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="287px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中在該進料氣體中，[MC]、[EC]、[EDC]及[VC]分別為氯甲烷（MC）、氯乙烷（EC）、二氯乙烷（EDC）及氯乙烯（VC）之以ppmv為單位的濃度，且[CH<sub>4</sub>]、[C<sub>2</sub>H<sub>6</sub>]及[C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>]分別為甲烷、乙烷及乙烯之以莫耳百分比為單位的濃度； <br/>其中將使該緩和劑含量（M）自其即時含量（Mreal-time）至其最佳含量（Mopt）且使該RCleff至其最佳含量0.0之建議變化定義為 <br/>Mchange = (1/(RCleffreal-time + 1) - 1) *100%， <br/>以百分比表示，或作為緩和劑含量的等效增量變化，或等效地，其中將絕對建議的最佳緩和劑含量目標（Mopt）定義為 <br/>Mopt = Mreal-time/(RCleffreal-time + 1) <br/>且 <br/>其中該即時RCleff（RCleffreal-time）係藉由以下來確定： <br/>（i）確定在ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之該等即時值下該擬合曲線之斜率且將該斜率與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或 <br/>（ii）根據該擬合曲線確定最大ΔS（ΔSopt）及該最大ΔS處之對應ΔT（ΔTopt），其中該ΔSopt出現在該最佳RCleff處，藉由自該ΔS中減去該ΔSopt來計算相對選擇性差值（RSD）且藉由自該ΔT中減去該ΔTopt來計算相對溫度差值（RTD），且將該RSD（RSDreal-time）及該RTD（RTDreal-time）之即時值與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或藉由該等方法（i）及（ii）之組合來確定， <br/>其中該等參考曲線係由先前的實驗室測試、中試設備測試或早期設備操作生成，其使選擇性偏差及溫度偏差與最佳與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關或使針對該等溫度偏差繪製的該等選擇性偏差之曲線之斜率與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關。
如請求項1之方法，其中ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之該等即時值下該擬合曲線之該斜率在正常參考界限內，且其中該等正常參考界限在± 1%/℃至± 3%/℃之範圍內。
如請求項1或2中任一項之方法，其中該即時RCleff（RCleffreal-time）在其為零或接近零時處於該最佳RCleff，其中為零或接近零在±0.01至±0.05之範圍內，其中該環氧化催化劑在RCleffreal-time為正且不為零或接近零時經過度緩和，且其中該環氧化催化劑在RCleffreal-time為負且不為零或接近零時緩和不足。
如請求項1或2之方法，其中ΔS（ΔSreal-time）之該即時值在該擬合曲線之預測界限內，且其中該預測界限在± 0.1%至± 0.5%之範圍內。
如請求項1或2之方法，其包括進行緩和劑含量（M）至其最佳值（Mopt）之目標變化（Mchange），使得該RCleff自其即時值（RCleffreal-time）變為該最佳含量0.0。
如請求項1或2之方法，其包括在該環氧乙烷反應器系統中之該即時RCleff（RCleffreal-time）不處於該最佳RCleff或不在該最佳RCleff之± 0.01至± 0.05之範圍內時觸發警報。
如請求項1或2之方法，其中該一或多個操作參數包括氣時空速（GHSV）、壓力、該緩和劑含量、進料氣體組成、EO產生參數及其組合，其中該EO產生參數選自包括以下的群組：產物氣體環氧乙烷濃度、該環氧乙烷反應器系統中自反應器之入口至出口產生的EO之莫耳數的變化、環氧乙烷產生速率、負載至該反應器中的每質量銀之環氧乙烷產生速率、每催化劑質量之環氧乙烷產生速率及工作速率。
一或多種有形的非暫時性的機器可讀媒體，其經組態以最大化環氧化催化劑在環氧乙烷反應器系統中之選擇性（S）且包括進行以下之指令： （a） 基於在該等時間點處來自包括該環氧乙烷反應器系統之環氧乙烷產生系統之至少一個操作參數使用模型計算隨時間變化之即時及歷史點的該環氧化催化劑在最佳緩和劑含量（Mopt）下的模型估計之選擇性（Sest）及模型估計之溫度（Test），其中該模型至少部分基於與該環氧化催化劑、該環氧乙烷產生系統或兩者相關的經驗歷史數據，其中該至少一個操作參數不包含含氯緩和劑含量，且其中該環氧化催化劑包括銀及促進量之錸（Re）； <br/>（b） 確定該等時間點中之每一者的量測之反應器選擇性（Smeas）與該模型估計之選擇性（Sest）之間的差值（ΔS）及量測之反應器溫度（Tmeas）與該模型估計之溫度（Test）之間的差值（ΔT），其中該量測之反應器選擇性（Smeas）、該量測之反應器溫度（Tmeas）包括在該等時間點處由該環氧乙烷產生系統隨時間推移生成之即時和歷史操作數據點； <br/>（c） 將曲線擬合至隨該等對應Δ溫度（ΔT）數據點而變化的該Δ選擇性（ΔS）數據點以獲得擬合曲線； <br/>（d） 基於該擬合曲線及ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之即時值確定即時相對有效緩和劑含量（RCleffreal-time）； <br/>（e） 基於該即時RCleff（RCleffreal-time）輸出可操作建議，其中該建議包括緩和劑含量（M）至其最佳值（Mopt）之目標變化（Mchange），使得該RCleff自其即時值（RCleffreal-time）變為根據定義之最佳含量0.0或該等效的絕對緩和劑目標（Mopt）；及 <br/>（f） 在顯示器上顯示該可操作建議； <br/>其中 <br/>將該RCleff定義為該緩和劑含量（M）與該最佳緩和劑含量（Mopt）的比值減一： <br/>RCleff = (M/Mopt) - 1 <br/>並且其中將該緩和劑含量（M）定義為該環氧乙烷反應器系統之該進料氣體中氯化物物種之總濃度或加權總濃度、氯化物之補充進料速率或催化劑氯化有效性值（Cleff），其如下計算： <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="288px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中在該進料氣體中，[MC]、[EC]、[EDC]及[VC]分別為氯甲烷（MC）、氯乙烷（EC）、二氯乙烷（EDC）及氯乙烯（VC）之以ppmv為單位的濃度，且[CH<sub>4</sub>]、[C<sub>2</sub>H<sub>6</sub>]及[C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>]分別為甲烷、乙烷及乙烯之以莫耳百分比為單位的濃度； <br/>其中將使該緩和劑含量（M）自其即時含量（Mreal-time）至其最佳含量（Mopt）且使該RCleff至其最佳含量0.0之建議變化定義為 <br/>Mchange = (1/(RCleffreal-time + 1) - 1) *100%， <br/>以百分比表示，或作為緩和劑含量的等效增量變化，或等效地，其中將絕對建議的最佳緩和劑含量目標（Mopt）定義為 <br/>Mopt = Mreal-time/(RCleffreal-time + 1)， <br/>其中該即時RCleff（RCleffreal-time）係藉由以下來確定： <br/>（i）確定在ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之該等即時值下該擬合曲線之斜率且將該斜率與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或 <br/>（ii）根據該擬合曲線確定最大ΔS（ΔSopt）及該最大ΔS處之對應ΔT（ΔTopt），其中該ΔSopt出現在該最佳RCleff處，藉由自該ΔSreal-time中減去該ΔSopt來計算即時相對選擇性差值（RSDreal-time）且藉由自該ΔTreal-time中減去該ΔTopt來計算即時相對溫度差值（RTDreal-time）且將該RSD（RSDreal-time）及該RTD（RTDreal-time）之即時值與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或藉由該等方法（i）及（ii）之組合來確定， <br/>其中該等參考曲線係由先前的實驗室測試、中試設備測試或早期設備操作生成，其使選擇性偏差及溫度偏差與最佳與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關或使針對該等溫度偏差繪製的該等選擇性偏差之曲線之斜率與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關。
如請求項8之一或多種機器可讀媒體，其中該即時RCleff（RCleffreal-time）在其為零或接近零時處於該最佳RCleff，其中將為零或接近零定義為在±0.01至±0.05之範圍內，且其中該環氧化催化劑在該即時RCleff（RCleffreal-time）為正且不為零或不接近零時經過度緩和，且其中該環氧化催化劑在該即時RCleff（RCleffreal-time）為負且不為零或不接近零時緩和不足。
如請求項8或9之一或多種機器可讀媒體，其包括進行緩和劑含量（M）自其即時含量（Mreal-time）至其最佳值（Mopt）之目標變化（Mchange）的指令，使得該RCleff自其即時值變為該最佳含量0.0，或等效地，進行該緩和劑含量至絕對目標最佳緩和劑含量（Mopt）之變化的指令。
如請求項8或9之一或多種機器可讀媒體，其包括在該環氧乙烷反應器系統中之該即時RCleff（RCleffreal-time）不處於該最佳RCleff或在該最佳RCleff之±0.01及±0.05之範圍內時觸發警報的指令。
一種系統，其包括： 反應器，其安置於環氧乙烷產生系統中且包括乙烯、氧氣、環氧化催化劑及含氯催化劑緩和劑，其中該反應器經組態以將該乙烯及該氧氣轉化為環氧乙烷，且其中該環氧化催化劑包括銀及促進量之錸（Re）； <br/>顯示器；及 <br/>數據處理系統，其經組態以自該環氧乙烷產生系統接收量測之反應器選擇性（Smeas）、量測之反應器溫度（Tmeas）及一或多個操作參數，其中該量測之反應器選擇性（Smeas）、該量測之反應器溫度（Tmeas）及該一或多個操作參數包括藉由該環氧乙烷產生系統隨時間推移生成之即時及歷史操作數據點，且其中該數據處理系統包括處理器及包括指令的一或多個有形的非暫時性的機器可讀媒體，在由該處理器執行時，該等指令經組態以： <br/>（a） 使用模型計算每個時間點的該環氧化催化劑在最佳緩和劑含量（Mopt）下的模型估計之選擇性（Sest）及模型估計之溫度（Test），其中基於該等時間點處該一或多個操作參數之至少一個操作參數來確定該模型估計之選擇性（Sest）及溫度（Test），其中該至少一個操作參數不包含含氯緩和劑含量，且其中該模型至少部分基於與該環氧化催化劑、該環氧乙烷產生系統或兩者相關的經驗歷史數據; <br/>（b） 確定該等時間點中之每一者的該量測之反應器選擇性（Smeas）與該模型估計之選擇性（Sest）之間的差值（ΔS）及該量測之反應器溫度（Tmeas）與該模型估計之溫度（Test）之間的差值（ΔT）； <br/>（c） 將曲線擬合至隨對應Δ溫度（ΔT）數據點而變化的Δ選擇性（ΔS）數據點以獲得擬合曲線； <br/>（d） 基於該擬合曲線及ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之即時值確定即時相對有效緩和劑含量（RCleffreal-time）； <br/>（e） 基於該即時RCleff（RCleffreal-time）輸出可操作建議，其中該建議包括緩和劑含量（M）至其最佳值（Mopt）的目標變化（Mchange），使得該RCleff自其即時值（RCleffreal-time）變為根據定義之該最佳含量0.0或該等效的絕對緩和劑含量目標（Mopt）；及 <br/>（f） 在顯示器上顯示該可操作建議； <br/>其中 <br/>將該RCleff定義為該緩和劑含量（M）與該最佳緩和劑含量（Mopt）的比值減一： <br/>RCleff = (M/Mopt) - 1 <br/>並且其中將該緩和劑含量（M）定義為該環氧乙烷反應器系統之該進料氣體中氯化物物種之總濃度或加權總濃度、氯化物之補充進料速率或催化劑氯化有效性值（Cleff），其如下計算： <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="288px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中在該進料氣體中，[MC]、[EC]、[EDC]及[VC]分別為氯甲烷（MC）、氯乙烷（EC）、二氯乙烷（EDC）及氯乙烯（VC）之以ppmv為單位的濃度，且[CH<sub>4</sub>]、[C<sub>2</sub>H6]及[C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>]分別為甲烷、乙烷及乙烯之以莫耳百分比為單位的濃度； <br/>其中將使該緩和劑含量（M）自其即時含量（Mreal-time）至其最佳含量（Mopt）且使該RCleff至其最佳含量0.0之建議變化定義為 <br/>Mchange = (1/(RCleffreal-time + 1) - 1) *100%， <br/>以百分比表示，或作為緩和劑含量的等效增量變化，或等效地，其中將絕對建議的最佳緩和劑含量目標（Mopt）定義為 <br/>Mopt = Mreal-time/(RCleffreal-time<sub> </sub>+ 1)， <br/>其中該即時RCleff（RCleffreal-time）係藉由以下來確定： <br/>（i）確定在ΔS（ΔSreal-time）及ΔT（ΔTreal-time）之該等即時值下該擬合曲線之斜率且將該斜率與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或 <br/>（ii）根據該擬合曲線確定最大ΔS（ΔSopt）及該最大ΔS處之對應ΔT（ΔTopt），其中該ΔS出現在該最佳RCleff處，藉由自該ΔS中減去該ΔSopt來計算相對選擇性差值（RSD）且藉由自該ΔT中減去該ΔTopt來計算相對溫度差值（RTD）且將該RSD（RSDreal-time）及該RTD（RTDreal-time）之即時值與該環氧化催化劑之參考曲線進行比較，或藉由該等方法（i）及（ii）之組合來確定， <br/>其中該等參考曲線係由先前的實驗室測試、中試設備測試或早期設備操作生成，其使選擇性偏差及溫度偏差與最佳與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關或使針對該等溫度偏差繪製的該等選擇性偏差之曲線之斜率與該相對有效緩和劑含量（RCleff）相關。
如請求項12之系統，其中該即時RCleff（RCleffreal-time）在其為零或接近零時處於該最佳RCleff，其中將為零或接近零定義為在±0.01至±0.05之範圍內，且其中該環氧化催化劑在該即時RCleff（RCleffreal-time）為正且不為零或不接近零時經過度緩和，且其中該環氧化催化劑在該即時RCleff（RCleffreal-time）為負且不為零或不接近零時緩和不足。
如請求項12或13之系統，其中該數據處理系統經組態以在該環氧乙烷反應器系統中之該即時RCleff（RCleffreal-time）不處於該最佳RCleff或不在該最佳RCleff之±0.01及±0.05之範圍內時觸發警報。
一種接合體，其於30℃～200℃時之線膨脹係數為50 ppm/℃以上且厚度為5～100 μm之樹脂（1）之一面接合有厚度為5～50 μm之金屬， <br/>曲率為-40～40 /m， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1，且 <br/>上述樹脂（1）與上述金屬之接合面藉由90度剝離試驗測定之剝離強度為3 N/cm以上，或者於90度剝離試驗時母材被破壞。
一種接合體，其係基板用介電材料，並且於30℃～200℃時之線膨脹係數為17 ppm/℃以上且厚度為5～100 μm之樹脂（1）之一面接合有厚度為5～50 μm之金屬， <br/>曲率為-40～40 /m， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1，且 <br/>上述樹脂（1）與上述金屬之接合面藉由90度剝離試驗測定之剝離強度為3 N/cm以上，或者於90度剝離試驗時母材被破壞。
如請求項1或2之接合體，其中，上述樹脂（1）包含氟樹脂。
如請求項3之接合體，其中，上述樹脂（1）實質上僅由上述氟樹脂構成。
如請求項3之接合體，其中，上述氟樹脂之熔點為320℃以下。
如請求項1或2之接合體，其中，上述金屬為銅。
如請求項6之接合體，其中，上述銅為壓延銅或電解銅。
如請求項1或2之接合體，其係使用於上述金屬之吸收率為5%以上、於上述樹脂（1）之吸收率為30%以下、且於上述金屬之吸收率＞於上述樹脂（1）之吸收率的光進行接合而成者。
如請求項1或2之接合體，其中，上述金屬之與上述樹脂（1）接合之側之表面粗糙度Rz為2 μm以下。
如請求項1或2之接合體，其中，上述樹脂（1）於與上述金屬接合之側實施有接著性表面處理。
如請求項1之接合體，其係基板用介電材料。
一種基板，其於請求項1至11中任一項之接合體進而積層有樹脂（2）。
如請求項12之基板，其中，上述樹脂（2）為熱硬化性樹脂。
如請求項13之基板，其中，上述熱硬化性樹脂係選自由聚醯亞胺、改質聚醯亞胺、環氧樹脂、及熱硬化性改質聚苯醚（modified polyphenylene ether）所組成之群中之至少一種。
如請求項12之基板，其中，上述樹脂（2）係選自由液晶聚合物、聚苯醚（polyphenylene ether）、熱塑性改質聚苯醚、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚苯乙烯、及對排聚苯乙烯（syndiotactic polystyrene）所組成之群中之至少一種。
如請求項12至15中任一項之基板，其為印刷基板、積層電路基板、或高頻基板。
一種接合體之製造方法，其包括下述步驟：將厚度為5～100 μm且30℃～200℃時之線膨脹係數為50 ppm/℃以上之樹脂（1）與厚度為5～50 μm之金屬積層，藉由隔著上述金屬對上述樹脂（1）進行加熱之加熱處理，使上述樹脂（1）與上述金屬接合，從而獲得曲率為-40～40 /m之接合體， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1。
一種接合體之製造方法，其包括下述步驟：將厚度為5～100 μm且30℃～200℃時之線膨脹係數為17 ppm/℃以上之樹脂（1）與厚度為5～50 μm之金屬積層，藉由隔著上述金屬對上述樹脂（1）進行加熱之加熱處理，使上述樹脂（1）與上述金屬接合，從而獲得曲率為-40～40 /m之接合體，且 <br/>上述接合體係基板用介電材料， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1。
如請求項17或18之接合體之製造方法，其中，上述加熱處理係對上述金屬照射光。
如請求項19之接合體之製造方法，其中，上述光於上述金屬之吸收率為5%以上，於上述樹脂（1）之吸收率為30%以下，且於上述金屬之吸收率＞於上述樹脂（1）之吸收率。
如請求項17之接合體之製造方法，其中，上述接合體為基板用介電材料。
一種基板之製造方法，其包括將藉由請求項17至21中任一項之製造方法所獲得之接合體與樹脂（2）接合之步驟。
如請求項22之基板之製造方法，其中，上述樹脂（2）為熱硬化性樹脂。
如請求項23之基板之製造方法，其中，上述熱硬化性樹脂係選自由聚醯亞胺、改質聚醯亞胺、環氧樹脂、及熱硬化性改質聚苯醚所組成之群中之至少一種。
如請求項22之基板之製造方法，其中，上述樹脂（2）係選自由液晶聚合物、聚苯醚、熱塑性改質聚苯醚、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物、聚苯乙烯、及對排聚苯乙烯所組成之群中之至少一種。
如請求項22至25中任一項之基板之製造方法，其中，上述基板為印刷基板、積層電路基板、或高頻基板。
一種接合體，其於30℃～200℃時之線膨脹係數為50 ppm/℃以上且厚度為5～100 μm之樹脂（1）之一面接合有厚度為5～50 μm之金屬， <br/>上述樹脂（1）之上述金屬側之熱影響層相對於上述樹脂（1）之厚度為80%以下， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1。
一種接合體，其係基板用介電材料，並且於30℃～200℃時之線膨脹係數為17 ppm/℃以上且厚度為5～100 μm之樹脂（1）之一面接合有厚度為5～50 μm之金屬， <br/>上述樹脂（1）之上述金屬側之熱影響層相對於上述樹脂（1）之厚度為80%以下， <br/>上述金屬之厚度/上述樹脂（1）之厚度為0.1～1。
如請求項27或28之接合體，其曲率為-40～40 /m。
如請求項27或28之接合體，其中，上述樹脂（1）包含氟樹脂。
如請求項30之接合體，其中，上述樹脂（1）實質上僅由上述氟樹脂構成。
如請求項27或28之接合體，其中，上述金屬為銅。
如請求項27或28之接合體，其中，上述樹脂（1）與上述金屬之接合面藉由90度剝離試驗測定之剝離強度為3 N/cm以上，或者於90度剝離試驗時母材被破壞。
如請求項27之接合體，其係基板用介電材料。
一種基板，其於請求項27至34中任一項之接合體進而積層有樹脂（2）。
如請求項35之基板，其中，上述樹脂（2）為熱硬化性樹脂。
一種聚合物組成物，其包含：<br/> 一由乙烯、一或多種分支乙烯基酯單體及可選之乙酸乙烯酯(VA)生產的乙烯系聚合物；以及<br/> 一熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)，<br/> 其中該一或多種分支乙烯基酯單體具有通用結構(I)或通用結構(II)：<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="82px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <img align="absmiddle" height="54px" width="88px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> 其中R<sup>1</sup>、及R<sup>2</sup>獨立地選擇自一由烷基或芳基所組成之群組，而R<sup>3</sup>選擇自一由氫、烷基或芳基所組成之群組；且<br/> 其中R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>具有一6或7的合併碳數，且<br/> 其中該熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)為一聚酯系熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)或一聚醚系熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)。
如請求項1之聚合物組成物，其中該乙烯系聚合物以一在0.5至85 wt%範圍內的量存在。
如請求項1之聚合物組成物，其中該熱塑性聚胺基甲酸酯以一在15至99.5 wt%範圍內的量存在。
如請求項1之聚合物組成物，其進一步包含一在大於0至10 wt%範圍內的相容劑。
如請求項4之聚合物組成物，其中該相容劑為一反應性相容劑。
如請求項4之聚合物組成物，其中該相容劑係選擇自一有機過氧化物、一乙烯共聚物、一環氧樹脂、一乙烯-丙烯酸共聚物、一苯乙烯系聚合物、一聚碳酸酯多元醇、聚丁二烯多元醇、聚矽氧烷多元醇，或其等之一組合。
如請求項1之聚合物組成物，其進一步包含一彈性體。
如請求項7之聚合物組成物，其中該彈性體包含一天然橡膠(NR)、一合成橡膠或其等之一混合物。
如請求項8之聚合物組成物，其中該合成橡膠聚合物為二烯系的，其包含共軛二烯單體的均聚物，以及該等共軛二烯單體與單乙烯基芳香族單體及三烯的共聚物和三元聚合物。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物為交聯的。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物為動態交聯的。
如請求項1之聚合物組成物，其中該組成物為發泡的。
如請求項1之聚合物組成物，其中該乙烯系聚合物具有在約0至約40 wt%範圍內的乙酸乙烯酯(VA)含量。
如請求項1之聚合物組成物，其中該TPU為聚酯系的或聚醚系的。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物具有一在0.9至1.7 g/cm<sup>3</sup>範圍內的密度，其係根據ASTM D1505來量測。
如請求項1之聚合物組成物，其中與一基本上由該TPU和該EVA所組成的且與該聚合物組成物中的該乙烯系聚合物具有相同濃度和相同乙烯含量的參考摻合組成物相比，該聚合物組成物具有一更低的玻璃轉移溫度和更高的耐磨性。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物具有一在50蕭氏A至96蕭氏A範圍內的蕭氏A硬度，其係根據ASTM D2240來量測。
如請求項1之聚合物組成物，其中相比於一基本上由TPU所組成的參考組成物，該聚合物組成物具有一減低至少2%的蕭氏A硬度，及在100%(M100)的拉伸應變下增加至少5%的一彈性模數，其中該蕭氏A硬度係根據ASTM D2240來量測，且該彈性模數係根據ASTM D638來量測。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物在一100%(M100)的拉伸應變下具有至少300 psi的一彈性模數，其係根據ASTM D638來量測。
如請求項1之聚合物組成物，其中該聚合物組成物具有在70℃至200℃範圍內的一菲卡軟化溫度，其係根據ASTM D1525來量測。
一種製品，其係由請求項1之該聚合物組成物所形成。
如請求項21之製品，其中該製品係選擇自以下所組成之群組：鞋底或一鞋部件、膜材、管材、纖維、纜線、耳牌、汽車部件、車用部件、軟管、皮帶、阻尼元件、扶手、家具元件、滑雪靴、止衝器、滾筒、滑雪護目鏡、粉漿、天線及天線底座、手柄、外殼、開關、泡沫、黏合劑以及覆層及覆層元件。
如請求項21之製品，其中該製品係藉由一選擇自以下所組成之一群組中的方法所製備：射出成形、壓縮成形、擠壓成形、3D列印、發泡及熱成型。
一種製備一聚合物組成物之方法，其包含：<br/> 摻合一熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)與一由乙烯、一或多種分支乙烯基酯單體及可選之乙酸乙烯酯(VA)生產的乙烯系聚合物；且形成一摻合混合物；以及<br/> 擠壓該摻合混合物以形成該聚合物組成物，<br/> 其中該一或多種分支乙烯基酯單體具有通用結構(I)或通用結構(II)：<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="82px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <img align="absmiddle" height="54px" width="88px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> 其中R<sup>1</sup>、及R<sup>2</sup>獨立地選擇自一由烷基或芳基所組成之群組，而R<sup>3</sup>選擇自一由氫、烷基或芳基所組成之群組；且<br/> 其中R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>具有一6或7的合併碳數，且<br/> 其中該熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)為一聚酯系熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)或一聚醚系熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)。
一種用於調整雙相標記編碼(BMC)信號臨界值之設備，包含： <br/>一雙相標記編碼(BMC)輸入埠，用以從一通用串列匯流排(USB)纜線接收諸多BMC信號； <br/>一臨界值調整電路，用以產生一電壓臨界值；以及 <br/>一比較器，用以： <br/>比較來自該BMC輸入埠的一輸入BMC信號與該電壓臨界值；以及 <br/>根據該比較，產生一調整後的輸入BMC信號， <br/>其中，該臨界值調整電路用以： <br/>根據該輸入BMC信號而經由該調整後的輸入BMC信號之評估調整該電壓臨界值； <br/>判定該調整後的輸入BMC信號是否是閒置的；以及 <br/>根據該調整後的輸入BMC為閒置的判定，將該電壓臨界值調整為一估計的電壓臨界值。
如請求項1之設備，其中，該臨界值調整電路用以：根據在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號與邏輯低位準信號之相對持續時間而調整該電壓臨界值。
如請求項2之設備，其中，該臨界值調整電路用以：提高或降低該電壓臨界值，直到在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號及邏輯低位準信號之持續時間幾近相等為止。
如請求項3之設備，其中，該定義時間長度為該輸入BMC信號之4個位元。
如請求項1之設備，其中，該臨界值調整電路用以：藉由遞增地調整該電壓臨界值直到該調整後的輸入BMC不再是閒置為止而判定該估計的電壓臨界值。
如請求項1之設備，其中，該臨界值調整電路用以： <br/>判定流經該USB纜線的電流； <br/>判定該USB纜線之阻抗；以及 <br/>藉由計算該電流及該阻抗所導致的一電壓而判定該估計的電壓臨界值。
一種用於調整雙相標記編碼(BMC)信號臨界值之方法，包含： <br/>在一BMC輸入埠從一通用串列匯流排(USB)纜線接收雙相標記編碼(BMC)信號； <br/>產生一電壓臨界值； <br/>比較來自該BMC輸入埠的一輸入BMC信號與該電壓臨界值； <br/>根據該比較，產生一調整後的輸入BMC信號；以及 <br/>根據該輸入BMC信號調整該電壓臨界值； <br/>判定該調整後的輸入BMC信號是否是閒置的；以及 <br/>根據該調整後的輸入BMC為閒置的判定，將該電壓臨界值調整為一估計的電壓臨界值； <br/>其中，根據該輸入BMC信號調整該電壓臨界值包括：評估該調整後的輸入BMC信號。
如請求項7之方法，其中，根據在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號與邏輯低位準信號之相對持續時間而調整該電壓臨界值。
如請求項8之方法，其中，藉由提高或降低該電壓臨界值，直到在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號及邏輯低位準信號之持續時間幾近相等為止而調整該電壓臨界值。
如請求項9之方法，其中，該定義時間長度為該輸入BMC信號之4個位元。
如請求項7之方法，包含：藉由遞增地調整該電壓臨界值直到該調整後的輸入BMC不再是閒置為止而判定該估計的電壓臨界值。
如請求項7之方法，包含： <br/>判定流經該USB纜線的電流； <br/>判定該USB纜線之阻抗；以及 <br/>藉由計算該電流及該阻抗所導致的電壓而判定該估計的電壓臨界值。
一種通用串列匯流排(USB)元件，包含： <br/>一雙相標記編碼(BMC)輸入埠，用以從一USB纜線接收諸多BMC信號； <br/>一臨界值調整電路，用以產生一電壓臨界值；以及 <br/>一比較器，用以： <br/>比較來自該BMC輸入埠的一輸入BMC信號與該電壓臨界值；以及 <br/>根據該比較，產生一調整後的輸入BMC信號； <br/>其中，該臨界值調整電路用以： <br/>根據該輸入BMC信號而經由該調整後的輸入BMC信號之評估調整該電壓臨界值； <br/>判定該調整後的輸入BMC信號是否是閒置的；以及 <br/>根據該調整後的輸入BMC為閒置的判定，將該電壓臨界值調整為一估計的電壓臨界值。
如請求項13之USB元件，其中，該臨界值調整電路用以：根據在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號與邏輯低位準信號之相對持續時間而調整該電壓臨界值。
如請求項14之USB元件，其中，該臨界值調整電路用以：提高或降低該電壓臨界值，直到在該輸入BMC信號之一定義時間長度期間中的邏輯高位準信號及邏輯低位準信號之持續時間幾近相等為止。
一種清潔片，其係具備清潔層者，且 <br/>當自相對於該清潔層之表面之法線方向觀察，將自該表面之端部朝向中心之方向設為中心方向，並 <br/>將於該表面上自該端部朝向中心方向，10 mm寬度所佔之區域設為端部區域時， <br/>該端部區域內之該清潔層之法線方向之最大厚度L、與該清潔層之除該端部區域以外之區域內之該清潔層之法線方向之平均厚度T具有0 μm＜L－T≤5 μm的關係， <br/>上述清潔層中之具有較上述平均厚度T大1 μm以上之厚度之部分於上述中心方向上的寬度d為4000 μm以下。
如請求項1之清潔片，其中上述清潔層包含選自由聚醯亞胺系樹脂及聚苯并㗁唑系樹脂所組成之群中之至少一種。
如請求項1之清潔片，其中上述清潔層之厚度為1 μm~100 μm。
如請求項1之清潔片，其包含黏著劑層。
如請求項1之清潔片，其包含支持體。
一種具清潔功能之搬送構件，其具有如請求項1之清潔片及搬送構件。
一種用於在兩個連接點（6、7）之間引導管線的供能拖鏈（10），該等兩個連接點（6、7）中的至少一個連接點可以相對於另一個連接點移動，該供能拖鏈（10）包括多個在縱向方向（L）上連接的鏈節（102），該等鏈節（102）可相對於彼此樞轉並且各自包含兩個側翼板（103）以及將該等兩個側翼板（103）相互連接的橫向連接板（104；…504），其中該供能拖鏈（10）在該等連接點（6、7）相對移動時可移動，以形成兩個鏈（4、5），該等兩個鏈（4、5）藉由一偏轉區域（3）相互銜接，<br/> 其中，其中一個鏈（4）能夠在另一個鏈（5）上滑動，並為了滑動，在該偏轉區域（3）中的內側（16）和在至少一個縱向段的鏈節（102）上各自佈置一對滑橇（101；…501），其中每對的兩個滑橇（101；…501）各自藉由一固定裝置（205；…505）固定到一橫向連接板（104；…504）上，並且在操作位置上總是跨越該等兩個側翼板（103）之中的一個側翼板的一窄面（107）；<br/> 其特徵在於：<br/> 至少設置有滑橇（101；…501）的該橫向連接板（104；…504）在其兩端分別包含朝向該側翼板（103）的一加寬部分（318；418；518），並且<br/> 該固定裝置（205；…505）包含在縱向方向（L）上間隔開的兩個相對佈置的固定部件（209；409；509），藉由該等固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可在該等加寬部分（318；418；518）之間放置於該橫向連接板（104；…504）上以及可橫向向外移動而與該等加寬部分（318；418；518）中的一個加寬部分接合，在該接合狀態下，該等相對佈置的固定部件（209；409；509）以形狀配合和/或強力配合的方式在該加寬部分（318；418；518）的一個區域之中或之後接合，以將該滑橇（101；…501）固定於操作位置。
根據請求項1所述的供能拖鏈（10），其中，該固定裝置（205；405；505）包含至少一個閉鎖元件（210；413；513），該至少一個閉鎖元件（210；413；513）與位於該橫向連接板（104；…504）上的一突出物（311）和/或一凹口（411；511）閉鎖，以防止在該滑橇（101；…501）處於操作位置時或在該等固定部件（209；409；509）與相關的該加寬部分（318；418；518）接合時，該滑橇（101；501）發生側向移動。
根據請求項2所述的供能拖鏈（10），其中，該固定裝置（205；405；505）包含在縱向方向（L）上間隔開來的兩個閉鎖元件（210；413；513），該等兩個閉鎖元件（210；413；513）<br/> 分別和該橫向連接板（304）的該加寬部分（318）上的兩個端側鎖定凸耳（311）中的一個鎖定凸耳閉鎖地相互作用；以及/或者<br/> 和一上側工具開口閉鎖地相互作用，該上側工具開口是為了分離該橫向連接板（404；504）而設置。
根據請求項1至3中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該等固定部件（209；409；509）作為朝向彼此的固定鉗（209）、固定爪（509）或者作為帶有朝向彼此的固定槽（409）的突出物設計而成，並且在或者從該滑橇（101；501）的背離該滑動面（206；406；506）的一底面（203；403；503）突出。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，該等固定部件（209；409；509）圍繞該加寬部分（318；418；518）的相互作用區域的指向縱向方向（L）的端面（310；410；510）接合，並且接合在該加寬部分（318；518）後面，且/或與該加寬部分（318；418；518）的相應區域的指向縱向方向（L）的該等端面（310；410；510）上的一凹口或一突出物（422）以形狀配合的方式相互作用。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，該固定裝置（505）包含一對在縱向方向（L）上彼此間隔開的導引元件（532），當該滑橇（501）移動到該操作位置時，該等導引元件（532）在該橫向連接板（504）的端面（510）上滑動。
根據請求項1至3中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）包含一上側滑動面（206；406；506），該上側滑動面（206；406；506）具有一橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）以及在縱向方向（L）上偏移的一內部滑動區域（202a；402a；502a），該橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）在操作位置跨越相應的該側翼板（103）的一窄面（107），在該內部滑動區域（202a；402a；502a）下方佈置了該固定裝置（205；405；505），<br/> 其中較佳地，在該外部滑動區域（202b；402b；502b）下方提供用於擱置在相應的該側翼板（103）的該窄面（107）上的一下側支撐面（203b；403b；503b）。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，該滑橇（101；…501）特別是在每個滑動區域（202a；202b；…502a，502b）上包含指向縱向方向（L）的端側坡道（208；408；508）。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，該等固定部件（209；409；509）各自包含與該橫向連接板（104；…504）的端部上的連續加寬的端面（310；410；510）形狀互補的一接觸面（214；414；514）。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）作為單獨的一體式塑膠部件，尤其是作為射出成型部件製成；以及/或者<br/> 該滑橇（101；…501）至少在該等滑動面上包含一塑膠，該塑膠包含與該等側翼板的材料相關的優化磨蝕性能、磨損性能和/或摩擦性能。
根據請求項1至3之中的一項所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該橫向連接板（104；…504）以其加寬部分（318；418；518）的橫向支撐面（320；420；520）停靠在相關的該側翼板（103）的一內表面（109a）上；以及<br/> 較佳地藉由一杠桿機構（331）與該側翼板（103）的一緊固突起（330）固定，其中該滑橇（201）在其頂面（202）上包含用於該橫向連接板（304）的一致動桿（331）的一凹口（230），或者藉由一鎖扣（430）以閉鎖方式固定在相應的該側翼板（103）的該內表面（109a）上。
一種用於根據請求項1之前言所述的供能拖鏈（10）的具有滑橇的鏈節（102），其中該鏈節（102）包括兩個側翼板（103）和連接該等側翼板的兩個橫向連接板（104；…504），其中，兩個滑橇（101；…501）各自藉由一固定裝置（205；…505）固定到該等橫向連接板（104；…504）中的一個橫向連接板上，並且在操作位置上總是跨越該等兩個側翼板（103）之中的一個側翼板的一窄面（107）；其特徵在於：<br/> 至少設置有滑橇（101；…501）的該橫向連接板（104；…504）在其兩端分別包含朝向該側翼板（103）的一加寬部分（318；418；518），並且<br/> 該固定裝置（205；…505）包含在縱向方向（L）上間隔開的兩個相對佈置的固定部件（209；409；509），藉由該等固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可在該等加寬部分（318；418；518）之間放置於該橫向連接板（104；…504）上以及可橫向向外移動而與該等加寬部分（318；418；518）中的一個加寬部分接合，在該接合狀態下，該等相對佈置的固定部件（209；409；509）以形狀配合和/或強力配合的方式在該加寬部分（318；418；518）的一個區域之中或之後接合，以將該滑橇（101；…501）固定於操作位置。
一種用於一供能拖鏈（10）的可加裝的滑橇（101；…501），包括至少一個上側滑動面（206；406；506）和用於將該滑橇（101；501）固定在該供能拖鏈（10）的一鏈節（102）上的一底側固定裝置（205；…505），<br/> 其特徵在於：該固定裝置（205；…505）設計成與一橫向連接板（104；…504）的兩個端部加寬部分（318；418；518）中的一端部加寬部分相互作用，且為此該固定裝置包含在縱向方向（L）上間隔開來並且相對佈置的兩個固定部件（209；409；509），藉由該等兩個固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可在該等加寬部分（318；418；518）之間放置於該橫向連接板（104；…504）上以及可橫向向外移動而與該等加寬部分（318；418；518）中的一個加寬部分接合，其中該等相對佈置的固定部件（209；409；509）設計成以形狀配合和/或強力配合的方式在該加寬部分（318；418；518）的一個區域之中或之後接合。
根據請求項13所述的滑橇（101；…501），其中，該固定裝置（205；405；505）包含至少一個閉鎖元件（210；413；513），該至少一個閉鎖元件（210；413；513）與位於該橫向連接板（104；…504）上的一突出物（311）和/或一凹口（411；511）閉鎖，以防止在該滑橇（101；…501）處於操作位置時或在該等固定部件（209；409；509）與相關的該加寬部分（318；418；518）接合時，該滑橇（101；501）發生側向移動。
根據請求項14所述的滑橇（101；…501），其中，該固定裝置（205；405；505）包含在縱向方向（L）上間隔開來的兩個閉鎖元件（210；413；513），該等兩個閉鎖元件（210；413；513）<br/> 分別和該橫向連接板（304）的該加寬部分（318）上的兩個端側鎖定凸耳（311）中的一個鎖定凸耳閉鎖地相互作用；以及/或者<br/> 和一上側工具開口閉鎖地相互作用，該上側工具開口是為了分離該橫向連接板（404；504）而設置。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該等固定部件（209；409；509）作為朝向彼此的固定鉗（209）、固定爪（509）或者作為帶有朝向彼此的固定槽（409）的突出物設計而成，並且在或者從該滑橇（101；501）的背離該滑動面（206；406；506）的一底面（203；403；503）突出。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，該等固定部件（209；409；509）圍繞該加寬部分（318；418；518）的相互作用區域的指向縱向方向（L）的端面（310；410；510）接合，並且接合在該加寬部分（318；518）後面，且/或與該加寬部分（318；418；518）的相應區域的指向縱向方向（L）的該等端面（310；410；510）上的一凹口或一突出物（422）以形狀配合的方式相互作用。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，該固定裝置（505）包含一對在縱向方向（L）上彼此間隔開的導引元件（532），當該滑橇（501）移動到該操作位置時，該等導引元件（532）在該橫向連接板（504）的端面（510）上滑動。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）包含一上側滑動面（206；406；506），該上側滑動面（206；406；506）具有一橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）以及在縱向方向（L）上偏移的一內部滑動區域（202a；402a；502a），該橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）在操作位置跨越相應的該側翼板（103）的一窄面（107），在該內部滑動區域（202a；402a；502a）下方佈置了該固定裝置（205；405；505），<br/> 其中較佳地，在該外部滑動區域（202b；402b；502b）下方提供用於擱置在相應的該側翼板（103）的該窄面（107）上的一下側支撐面（203b；403b；503b）。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，該滑橇（101；…501）特別是在每個滑動區域（202a；202b；…502a，502b）上包含指向縱向方向（L）的端側坡道（208；408；508）。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，該等固定部件（209；409；509）各自包含與該橫向連接板（104；…504）的端部上的連續加寬的端面（310；410；510）形狀互補的一接觸面（214；414；514）。
根據請求項13至15之中的一項所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）作為單獨的一體式塑膠部件，尤其是作為射出成型部件製成；以及/或者<br/> 該滑橇（101；…501）至少在該等滑動面上包含一塑膠，該塑膠包含與該等側翼板的材料相關的優化磨蝕性能、磨損性能和/或摩擦性能。
一種用於在兩個連接點（6、7）之間引導管線的供能拖鏈（10），該等兩個連接點（6、7）中的至少一個連接點可以相對於另一個連接點移動，該供能拖鏈（10）包括多個在縱向方向（L）上連接的鏈節（102），該等鏈節（102）可相對於彼此樞轉並且各自包含兩個側翼板（103）以及將該等兩個側翼板（103）相互連接的橫向連接板（104；…504），其中該供能拖鏈（10）在該等連接點（6、7）相對移動時可移動，以形成兩個鏈（4、5），該等兩個鏈（4、5）藉由一偏轉區域（3）相互銜接，<br/> 其中，其中一個鏈（4）能夠在另一個鏈（5）上滑動，並為了滑動，在該偏轉區域（3）中的內側（16）和在至少一個縱向段的鏈節（102）上各自佈置一對滑橇（101；…501），其中每對的兩個滑橇（101；…501）各自藉由一固定裝置（205；…505）固定到一橫向連接板（104；…504）上，並且在操作位置上總是跨越該等兩個側翼板（103）之中的一個側翼板的一窄面（107）；<br/> 其特徵在於：<br/> 至少設置有滑橇（101；…501）的該橫向連接板（104；…504）在其兩端分別包含朝向該側翼板（103）的一端部區域，並且<br/> 該固定裝置（205；…505）包含在縱向方向（L）上間隔開的兩個相對佈置的固定部件（209；409；509），藉由該等固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可放置於該橫向連接板（104；…504）上，其中該等相對佈置的固定部件（209；409；509）以形狀配合和/或強力配合的方式在該等端部區域的一個端部區域之中或之後接合，以將該滑橇（101；…501）固定於操作位置。
根據請求項23所述的供能拖鏈（10），其中，該固定裝置（205；405；505）包含至少一個閉鎖元件（210；413；513），該至少一個閉鎖元件（210；413；513）與位於該橫向連接板（104；…504）上的一突出物（311）和/或一凹口（411；511）閉鎖，以防止在該滑橇（101；…501）處於操作位置時，該滑橇（101；501）發生側向移動。
根據請求項23或24所述的供能拖鏈（10），其中，該固定裝置（205；405；505）包含在縱向方向（L）上間隔開來的兩個閉鎖元件（210；413；513），該等兩個閉鎖元件（210；413；513）<br/> 和一上側工具開口閉鎖地相互作用，該上側工具開口是為了分離該橫向連接板（404；504）而設置。
根據請求項23或24所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該等固定部件（209；409；509）作為朝向彼此的固定鉗（209）、固定爪（509）或者作為帶有朝向彼此的固定槽（409）的突出物設計而成，並且在或者從該滑橇（101；501）的背離該滑動面（206；406；506）的一底面（203；403；503）突出。
根據請求項23或24所述的供能拖鏈（10），其中，該等固定部件（209；409；509）圍繞相互作用的端部區域的指向縱向方向（L）的端面（310；410；510）接合，並且接合在該端部區域後面，且/或與相應端部區域的指向縱向方向（L）的該等端面（310；410；510）上的一凹口或一突出物（422）以形狀配合的方式相互作用。
根據請求項23或24所述的供能拖鏈（10），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）作為單獨的一體式塑膠部件，尤其是作為射出成型部件製成；以及/或者<br/> 該滑橇（101；…501）至少在該等滑動面上包含一塑膠，該塑膠包含與該等側翼板的材料相關的優化磨蝕性能、磨損性能和/或摩擦性能。
根據請求項23或24所述的供能拖鏈（10），其中，至少設置有滑橇（101；…501）的該橫向連接板（104；…504）在其兩端分別包含朝向該側翼板（103）的一截面擴張部分，其中該等相對佈置的固定部件（209；409；509）以形狀配合和/或強力配合的方式在該截面擴張部分的一個區域之中或之後接合，以將該滑橇（101；…501）固定於操作位置。
一種用於根據請求項23之前言所述的供能拖鏈（10）的具有滑橇的鏈節（102），其中該鏈節（102）包括兩個側翼板（103）和連接該等側翼板的兩個橫向連接板（104；…504），其中，兩個滑橇（101；…501）各自藉由一固定裝置（205；…505）固定到該等橫向連接板（104；…504）中的一個橫向連接板上，並且在操作位置上總是跨越該等兩個側翼板（103）之中的一個側翼板的一窄面（107）；其特徵在於：<br/> 至少設置有滑橇（101；…501）的該橫向連接板（104；…504）在其兩端分別包含朝向該側翼板（103）的一端部區域，並且<br/> 該固定裝置（205；…505）包含在縱向方向（L）上間隔開的兩個相對佈置的固定部件（209；409；509），藉由該等固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可放置於該橫向連接板（104；…504）上，其中該等相對佈置的固定部件（209；409；509）以形狀配合和/或強力配合的方式在該等端部區域的一個端部區域之中或之後接合，以將該滑橇（101；…501）固定於操作位置。
一種用於一供能拖鏈（10）的可加裝的滑橇（101；…501），包括至少一個上側滑動面（206；406；506）和用於將該滑橇（101；501）固定在該供能拖鏈（10）的一鏈節（102）上的一底側固定裝置（205；…505），<br/> 其特徵在於：該固定裝置（205；…505）設計成與一橫向連接板（104；…504）的兩個端部區域中的一端部區域相互作用，且為此該固定裝置包含在縱向方向（L）上間隔開來並且相對佈置的兩個固定部件（209；409；509），藉由該等兩個固定部件（209；409；509），該固定裝置（205；…505）可放置於該橫向連接板（104；…504）上，其中該等相對佈置的固定部件（209；409；509）設計成以形狀配合和/或強力配合的方式在該等端部區域的一個端部區域之中或之後接合，其中該等固定部件（209；409；509）在或者從該滑橇（101；501）的背離該滑動面（206；406；506）的一底面（203；403；503）突出，並且作為朝向彼此的固定鉗（209）、固定爪（509）或者作為帶有朝向彼此的固定槽（409）的突出物設計而成。
根據請求項31所述的滑橇（101；…501），其中，該固定裝置（205；405；505）包含至少一個閉鎖元件（210；413；513），該至少一個閉鎖元件（210；413；513）與位於該橫向連接板（104；…504）上的一突出物（311）和/或一凹口（411；511）閉鎖，以防止在該滑橇（101；…501）處於操作位置時，該滑橇（101；501）發生側向移動。
根據請求項31或32所述的滑橇（101；…501），其中，該固定裝置（205；405；505）包含在縱向方向（L）上間隔開來的兩個閉鎖元件（210；413；513），該等兩個閉鎖元件（210；413；513）<br/> 和一上側工具開口閉鎖地相互作用，該上側工具開口是為了分離該橫向連接板（404；504）而設置。
根據請求項31或32所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該等固定部件（209；409；509）作為朝向彼此的固定鉗（209）、固定爪（509）或者作為帶有朝向彼此的固定槽（409）的突出物設計而成，並且在或者從該滑橇（101；501）的背離該滑動面（206；406；506）的一底面（203；403；503）突出。
根據請求項31或32所述的滑橇（101；…501），其中，該等固定部件（209；409；509）圍繞相互作用的端部區域的指向縱向方向（L）的端面（310；410；510）接合，並且接合在該端部區域後面，且/或與相應端部區域的指向縱向方向（L）的該等端面（310；410；510）上的一凹口或一突出物（422）以形狀配合的方式相互作用。
根據請求項31或32所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）包含一上側滑動面（206；406；506），該上側滑動面（206；406；506）具有一橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）以及在縱向方向（L）上偏移的一內部滑動區域（202a；402a；502a），該橫向的外部滑動區域（202b；402b；502b）在操作位置跨越相應的該側翼板（103）的一窄面（107），在該內部滑動區域（202a；402a；502a）下方佈置了該固定裝置（205；405；505），<br/> 其中較佳地，在該外部滑動區域（202b；402b；502b）下方提供用於擱置在相應的該側翼板（103）的該窄面（107）上的一下側支撐面（203b；403b；503b）。
根據請求項31或32所述的滑橇（101；…501），其中，<br/> 該滑橇（101；…501）作為單獨的一體式塑膠部件，尤其是作為射出成型部件製成；以及/或者<br/> 該滑橇（101；…501）至少在該等滑動面上包含一塑膠，該塑膠包含與該等側翼板的材料相關的優化磨蝕性能、磨損性能和/或摩擦性能。
一種測量靜電之方法，其包括： <br/>將一電容器放置於一絕緣管之一區段之一外表面上，其中該電容器包含位於該絕緣管之該區段之該外表面上的一第一金屬層、與該第一金屬層相對之一第二金屬層，及夾置於該第一金屬層與該第二金屬層之間的一介電層； <br/>將一靜電屏蔽層放置於該絕緣管與該電容器之間；將該電容器電耦合至一靜電計； <br/>沿著該絕緣管之一內部供應一流體； <br/>藉由該靜電計測量累積在該絕緣管之該區段內部之該靜電，其中該流體與該電容器分離；及 <br/>校準該靜電計。
如請求項1之方法，其中該電容器之該放置包含：藉由該電容器完全包圍該絕緣管之該區段。
如請求項1之方法，其中該電容器之該放置包含：將該電容器螺旋地包覆於該絕緣管之該區段周圍。
如請求項1之方法，其中校準該靜電計係在該流體之該供應及該靜電之該測量之後執行。
如請求項1之方法，其於該靜電之該測量之前進一步包括： <br/>移除該靜電屏蔽層。
一種測量一靜電之方法，其包括： <br/>將一可撓電容器包覆於一絕緣管之一區段之一外表面周圍，其中一流體放置在該絕緣管內部，該可撓電容器包括： <br/>一第一金屬層，接觸該絕緣管之該區段之該外表面； <br/>一介電層，放置於該第一金屬層上；及 <br/>一第二金屬層，放置於該介電層上； <br/>將一靜電屏蔽層放置於該絕緣管與該可撓電容器之間； <br/>將該可撓電容器電耦合至一靜電計； <br/>校準該靜電計； <br/>移除該靜電屏蔽層；及 <br/>藉由連接至該可撓電容器之一靜電計測量在該絕緣管之該區段之一內表面上累積的該靜電。
如請求項6之方法，其進一步包括： <br/>程式化在該靜電之該測量期間該流體流動通過該絕緣管之一持續時間；及 <br/>將與由該靜電計測量之在該絕緣管之該區段之該內表面上的該靜電相關聯之一資料傳輸至一電腦。
一種測量系統，其包括： <br/>一絕緣管，其經組態用於使一流體流動通過該絕緣管的一內表面； <br/>一電容器，其放置於該絕緣管之一區段之一外表面上，其中該電容器包含： <br/>一第一金屬層，接觸該絕緣管之該區段之該外表面； <br/>一介電層，放置於該第一金屬層上且透過該第一金屬層與該絕緣管隔離；及 <br/>一第二金屬層，放置於該介電層上； <br/>一靜電計，其電耦合至該電容器，且經組態以測量累積在該絕緣管之該區段之一內表面上的一靜電； <br/>一第一絕緣膠帶，覆蓋該第一金屬層；及 <br/>一第二絕緣膠帶，覆蓋該第二金屬層， <br/>其中該第一絕緣膠帶、該第一金屬層、該介電層、該第二金屬層及該第二絕緣膠帶包圍該絕緣管之該區段之該外表面。
如請求項8之測量系統，其中該第二金屬層與該絕緣管完全隔離。
如請求項8之測量系統，其中該電容器形成一螺旋形狀。
一種分段延遲系統，包括： <br/>延遲鎖相迴路(delay locked loop, DLL)，包括： <br/>具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端的相位檢測器，其中所述相位檢測器的所述第一輸入端耦合到所述DLL的輸入端； <br/>第一延遲電路； <br/>第二延遲電路，其中所述第一延遲電路和所述第二延遲電路串聯耦合在所述DLL的所述輸入端和所述相位檢測器的所述第二輸入端之間； <br/>具有輸入端、第一輸出端和第二輸出端的第一控制電路，其中所述第一控制電路的所述輸入端耦合到所述相位檢測器的所述輸出端，所述第一控制電路的所述第一輸出端耦合到所述第一延遲電路的控制輸入端，並且所述第一控制電路的所述第二輸出端耦合到所述第二延遲電路的控制輸入端； <br/>具有輸入端和輸出端的第二控制電路，其中所述第二控制電路的所述輸入端耦合到所述第一控制電路；以及 <br/>從延遲電路，具有耦合到所述第二控制電路的所述輸出端的控制輸入端。
如請求項1所述的系統，其中所述第一控制電路包括： <br/>具有輸入端和輸出端的累加器，其中所述累加器的所述輸入端耦合到所述相位檢測器的所述輸出端；以及 <br/>具有輸入端、第一輸出端和第二輸出端的暫存器，其中所述暫存器的所述輸入端耦合到所述累加器的所述輸出端，所述暫存器的所述第一輸出端耦合到所述第一控制電路的所述第一輸出端，並且所述暫存器的所述第二輸出端耦合到所述第一控制電路的所述第二輸出端。
如請求項1所述的系統，還包括： <br/>具有資料登錄端、時脈輸入端和輸出端的鎖存器，其中所述資料登錄端被配置為接收資料訊號，並且所述時脈輸入端耦合到所述從延遲電路的輸出端。
如請求項3所述的系統，還包括耦合到所述從延遲電路的輸入端的時脈源。
如請求項1所述的系統，其中所述從延遲電路包括： <br/>第三延遲電路；以及 <br/>第四延遲電路，其中所述第三延遲電路和所述第四延遲電路串聯耦合； <br/>其中所述第二控制電路的所述輸出端包括耦合到所述第三延遲電路的控制輸入端的第一輸出端，以及耦合到所述第四延遲電路的控制輸入端的第二輸出端。
如請求項1所述的系統，其中所述第一控制電路被配置為： <br/>基於來自所述相位檢測器的相位誤差訊號，來調整第一延遲控制訊號； <br/>在所述第一控制電路的所述第一輸出端處，輸出所述第一延遲控制訊號的第一部分；以及 <br/>在所述第一控制電路的所述第二輸出端處，輸出所述第一延遲控制訊號的第二部分。
如請求項6所述的系統，其中： <br/>所述第一延遲控制訊號包括數位代碼；以及 <br/>所述第一控制電路被配置為：如果所述相位誤差訊號具有第一值，則遞增所述數位代碼，並且如果所述相位誤差訊號具有第二值，則遞減所述數位代碼。
如請求項6所述的系統，其中： <br/>所述第一延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第一部分，來以第一延遲步長調整第一延遲；以及 <br/>所述第二延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第二部分，來以第二延遲步長調整第二延遲，其中所述第二延遲步長是所述第一延遲步長的倍數。
如請求項6所述的系統，其中所述第二控制電路被配置為： <br/>接收來自所述第一控制電路的所述第一延遲控制訊號； <br/>基於所述第一延遲控制訊號和第三延遲控制訊號，來生成第二延遲控制訊號；以及 <br/>將所述第二延遲控制訊號輸出到所述從延遲電路的所述控制輸入端。
如請求項9所述的系統，其中所述第三延遲控制訊號包括：所述從延遲電路的延遲除以參考時脈訊號的週期的比率。
如請求項6所述的系統，其中所述第一延遲電路包括多個延遲裝置，並且所述第一延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第一部分，選擇性地將一定數量的所述多個延遲裝置放置在所述第一延遲電路的延遲路徑中。
如請求項11所述的系統，其中所述第二延遲電路包括： <br/>環形振盪器；以及 <br/>計數器，所述計數器被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第二部分對所述環形振盪器的週期進行計數。
如請求項1所述的系統，其中第二控制電路包括： <br/>具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端的乘法器，其中所述乘法器的所述第一輸入端耦合到所述第二控制電路的所述輸入端，並且所述乘法器的所述第二輸入端被配置為接收第三延遲控制訊號；以及 <br/>具有輸入端和輸出端的量化器，其中所述量化器的所述輸入端耦合到所述乘法器的所述輸出端，並且所述量化器的所述輸出端耦合到所述第二控制電路的所述輸出端。
如請求項13所述的系統，其中所述第三延遲控制訊號包括：所述從延遲電路的延遲除以參考時脈訊號的週期的比率。
如請求項1所述的系統，其中所述DLL還包括： <br/>第三延遲電路，其中所述第一延遲電路、所述第二延遲電路和所述第三延遲電路串聯耦合在所述DLL的所述輸入端和所述相位檢測器的所述第二輸入端之間，並且所述第一控制電路具有耦合到所述第三延遲電路的控制輸入端的第三輸出端。
如請求項15所述的系統，其中所述從延遲電路包括： <br/>第四延遲電路；以及 <br/>第五延遲電路，其中所述第四延遲電路和所述第五延遲電路串聯耦合； <br/>其中所述第二控制電路的所述輸出端包括耦合到所述第四延遲電路的控制輸入端的第一輸出端，以及耦合到所述第五延遲電路的控制輸入端的第二輸出端。
如請求項16所述的系統，其中所述第一控制電路被配置為： <br/>基於來自所述相位檢測器的相位誤差訊號，來調整第一延遲控制訊號； <br/>在所述第一控制電路的所述第一輸出端處，輸出所述第一延遲控制訊號的第一部分； <br/>在所述第一控制電路的所述第二輸出端處，輸出所述第一延遲控制訊號的第二部分；以及 <br/>在所述第一控制電路的所述第三輸出端處，輸出所述第一延遲控制訊號的第三部分。
如請求項16所述的系統，其中所述第二控制電路被配置為： <br/>接收來自所述第一控制電路的所述第一延遲控制訊號； <br/>基於所述第一延遲控制訊號和第三延遲控制訊號，來生成第二延遲控制訊號；以及 <br/>在所述第二控制電路的所述第一輸出端處，輸出所述第二延遲控制訊號的第一部分，並且在所述第二控制電路的所述第二輸出端處，輸出所述第二延遲控制訊號的第二部分。
如請求項18所述的系統，其中所述第三延遲控制訊號包括：所述從延遲電路的延遲除以參考時脈訊號的週期的比率。
如請求項16所述的系統，其中所述第四延遲電路包括多個延遲裝置，並且所述第四延遲電路被配置為：基於所述第二延遲控制訊號的所述第二部分，選擇性地將一定數量的所述多個延遲裝置放置在所述第四延遲電路的延遲路徑中。
如請求項20所述的系統，其中所述第三延遲電路包括延遲內插器。
一種操作包括延遲鎖相迴路(DLL)和從延遲電路的系統的方法，所述DLL包括相位檢測器、第一延遲電路和第二延遲電路，其中所述相位檢測器的第一輸入端耦合到所述DLL的輸入端，並且所述第一延遲電路和所述第二延遲電路串聯耦合在所述DLL的所述輸入端和所述相位檢測器的第二輸入端之間，所述方法包括： <br/>從所述相位檢測器的輸出端接收相位誤差訊號； <br/>基於所述相位誤差訊號來調整第一延遲控制訊號； <br/>將所述第一延遲控制訊號的第一部分輸出到所述第一延遲電路的控制輸入端； <br/>將所述第一延遲控制訊號的第二部分輸出到所述第二延遲電路的控制輸入端； <br/>基於所述第一延遲控制訊號來生成第二延遲控制訊號；以及 <br/>將所述第二延遲控制訊號輸出到所述從延遲電路的控制輸入端。
如請求項22所述的方法，其中： <br/>所述第一延遲控制訊號包括數位代碼；以及 <br/>調整所述第一延遲控制訊號包括： <br/>如果所述相位誤差訊號具有第一值，則遞增所述數位代碼；以及 <br/>如果所述相位誤差訊號具有第二值，則遞減所述數位代碼。
如請求項23所述的方法，其中： <br/>所述第一延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第一部分，來以第一延遲步長調整第一延遲；以及 <br/>所述第二延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第二部分，來以第二延遲步長調整第二延遲，其中所述第二延遲步長是所述第一延遲步長的倍數。
如請求項22所述的方法，其中： <br/>所述DLL還包括第三延遲電路； <br/>所述第一延遲電路、所述第二延遲電路和所述第三延遲電路串聯耦合在所述DLL的所述輸入端和所述相位檢測器的所述第二輸入端之間；以及 <br/>所述方法還包括將所述第一延遲控制訊號的第三部分輸出到所述第三延遲電路的控制輸入端。
如請求項25所述的方法，其中： <br/>所述第一延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第一部分，來以第一延遲步長調整第一延遲； <br/>所述第二延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第二部分，來以第二延遲步長調整第二延遲； <br/>所述第三延遲電路被配置為：基於所述第一延遲控制訊號的所述第三部分，來以第三延遲步長調整第三延遲； <br/>所述第二延遲步長是所述第一延遲步長的第一倍數；以及 <br/>所述第一延遲步長是所述第三延遲步長的第二倍數。
如請求項22所述的方法，其中基於所述第一延遲控制訊號來生成所述第二延遲控制訊號包括： <br/>將所述第一延遲控制訊號與第三延遲控制訊號相乘。
如請求項27所述的方法，其中所述第三延遲控制訊號包括：所述從延遲電路的延遲除以參考時脈訊號的週期的比率。
如請求項22所述的方法，其中所述從延遲電路包括第三延遲電路、以及與所述第三延遲電路串聯耦合的第四延遲電路，並且其中輸出所述第二延遲控制訊號包括： <br/>將所述第二延遲控制訊號的第一部分輸出到所述第三延遲電路的控制輸入端；以及 <br/>將所述第二延遲控制訊號的第二部分輸出到所述第四延遲電路的控制輸入端。
一種聚胺基甲酸酯發泡體，係由含有多元醇類與聚異氰酸酯類的組成物所獲得的聚胺基甲酸酯發泡體，其中， <br/>將25℃之條件下所測定的25%壓縮荷重設為P1(MPa)、且將-30℃之條件下所測定的25%壓縮荷重設為P2(MPa)時，滿足 <br/>(P2/P1)×100≦180； <br/>上述聚胺基甲酸酯發泡體的表觀密度為200kg/m<sup>3</sup>~900kg/m<sup>3</sup>。
如請求項1之聚胺基甲酸酯發泡體，其玻璃轉移點係-30℃以下。
如請求項1或2之聚胺基甲酸酯發泡體，其遲滯損失率係15%以下。
如請求項1或2之聚胺基甲酸酯發泡體，其中，由下述式(a)所求得的A，滿足1000≦A： <br/>[數1] <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="235px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>m1i：上述多元醇類所含n種(n係1以上的自然數)多元醇類中，第i種(i係1≦i≦n的自然數)多元醇類的重量平均分子量 <br/>f1i：上述多元醇類所含n種(n係1以上的自然數)多元醇類中，第i種(i係1≦i≦n的自然數)多元醇類每1分子的羥基數 <br/>x1i：上述多元醇類所含n種(n係1以上的自然數)多元醇類中，第i種(i係1≦i≦n的自然數)多元醇類的調配量(質量份) <br/>y1：上述多元醇類所含n種(n係1以上的自然數)多元醇類全體的調配量(質量份)。
一種緩衝材，係具備有請求項1至4中任一項之聚胺基甲酸酯發泡體。
一種（甲基）丙烯酸系樹脂膜，前述（甲基）丙烯酸系樹脂膜為將含有（甲基）丙烯酸系聚合物、橡膠化合物、交聯劑以及抗氧化劑的（甲基）丙烯酸系樹脂組合物進行交聯而成的樹脂層，其特徵在於， <br/>前述（甲基）丙烯酸系聚合物為由將（A）80重量份以上的甲基丙烯酸甲酯和前述甲基丙烯酸甲酯以外的均聚物的Tg為0℃以上且烷基的碳原子數為C1～C14的（甲基）丙烯酸烷基酯的至少一種以上的合計量100重量份、和（B）具有能夠與前述交聯劑進行反應的官能團的可共聚單體的至少一種以上的合計量1.0重量份～20.0重量份進行共聚而成的重量平均分子量超過10萬且100萬以下的共聚物構成的（甲基）丙烯酸系聚合物， <br/>相對於前述（A）的合計量100重量份，前述（甲基）丙烯酸系樹脂組合物以1.0重量份～25.0重量份的比例含有前述橡膠化合物， <br/>前述樹脂層的厚度為0.1~9μm。
根據請求項1所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述（B）具有能夠與前述交聯劑進行反應的官能團的可共聚單體為選自由具有羥基的可共聚單體以及具有羧基的可共聚單體組成的單體群組的至少一種。
根據請求項1或2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述抗氧化劑為選自酚醛系抗氧化劑、硫醚系抗氧化劑、亞磷酸酯系抗氧化劑、受阻胺系抗氧化劑中的至少一種， <br/>相對於前述（A）的合計量100重量份，以0.01重量份～0.5重量份的比例含有前述抗氧化劑。
根據請求項1或2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述交聯劑為選自由環氧化合物、氮丙啶化合物、異氰酸酯化合物組成的化合物群組中的一種以上。
根據請求項1或2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述橡膠化合物為由在核部以SBR或者丁二烯為主體的橡膠層和在殼部以甲基丙烯酸甲酯為主體的丙烯酸層形成的核殼顆粒，前述核殼顆粒的體積基準平均粒徑為0.1μm～0.3μm。
根據請求項2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述具有羥基的可共聚單體為選自甲基丙烯酸8-羥基辛酯、甲基丙烯酸6-羥基己酯、甲基丙烯酸4-羥基丁酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯中的至少一種以上。
根據請求項1或2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述（甲基）丙烯酸系樹脂膜的面內相位差Re為1.0nm以下，霧度值為3.0%以下。
根據請求項1或2所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜，其特徵在於， <br/>前述（甲基）丙烯酸系樹脂膜的作為耐溶劑性的凝膠分率為90%以上，並且，作為耐折性的耐折次數（JIS P8115）為200次以上，斷裂伸長率為20%以上。
一種黏合片，其特徵在於， <br/>在請求項1至8中任一項所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜的單面或者兩面形成黏合層而成。
一種偏光膜，其特徵在於， <br/>將請求項1至8中任一項所述的（甲基）丙烯酸系樹脂膜形成在偏光片的單面或者兩面而成，並且總厚度為80μm以下。
一種醯亞胺-醯胺酸共聚物，含有下式(1)表示之重複單元、及下式(2)表示之重複單元，式(1)表示之重複單元與式(2)表示之重複單元的莫耳比[(1)/(2)]係5/95~60/40；<br/><img align="absmiddle" height="56px" width="144px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，A<sup>1</sup>係選自於由下式(4)表示之基、及下式(7)表示之基構成之群組中之至少1種，B<sup>1</sup>係上述通式(3)表示之基；<br/> 式(2)中，A<sup>2</sup>係下式(8)表示之基，B<sup>2</sup>係上述通式(3)表示之基，X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>係各自獨立地為氫原子、碳數1~6之烷基、或碳數3~9之烷基矽基；<br/> 式(3)中，Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>係各自獨立地為以-COO-表示之基、或以-OCO-表示之基；R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>係各自獨立地表示碳數1~20之有機基；h、i、j、k係0~4之整數；<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="589px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之醯亞胺-醯胺酸共聚物，其重量平均分子量為10,000以上，300,000以下。
如請求項1或2之醯亞胺-醯胺酸共聚物，具有醯亞胺重複結構單元及醯胺酸重複結構單元，<br/> 醯亞胺重複結構單元具有來自四羧酸二酐之構成單元A1A及來自二胺之構成單元B1B，<br/> 醯胺酸重複結構單元具有來自四羧酸二酐之構成單元A2A、來自二胺之構成單元B2B，<br/> 構成單元A1A包含來自芳香族四羧酸二酐之構成單元，<br/> 構成單元A2A包含來自芳香族四羧酸二酐之構成單元，<br/> 構成單元B1B及B2B包含來自下述通式(b11)表示之二胺的構成單元(B11)；<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="111px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(b11)中，Y<sup>1</sup>、Y<sup>2</sup>係各自獨立地為以-COO-表示之基、或以-OCO-表示之基；R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>係各自獨立地表示碳數1~20之有機基；h、i、j、k係0~4之整數。
如請求項3之醯亞胺-醯胺酸共聚物，其中，構成單元A2A包含來自芳香族四羧酸二酐(a21)之構成單元(A21)，<br/> 構成單元(A21)係包含來自下式(a211)表示之化合物之構成單元(A211)；<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="108px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3之醯亞胺-醯胺酸共聚物，其中，構成單元A1A係包含選自於由來自下式(a11)表示之化合物之構成單元(A11)、及來自下式(a12)表示之化合物之構成單元(A12)構成之群組中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="175px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種清漆，係將如請求項1至5中任一項之醯亞胺-醯胺酸共聚物溶解於有機溶劑而成。
一種聚醯亞胺薄膜，係含有將如請求項1至5中任一項之醯亞胺-醯胺酸共聚物中之醯胺酸部位予以醯亞胺化而成之聚醯亞胺樹脂。
如請求項7之聚醯亞胺薄膜，其中，該聚醯亞胺薄膜之玻璃轉移溫度為430℃以上。
如請求項7或8之聚醯亞胺薄膜，其進行2次430℃、1小時之熱處理後之黃色度YI1與初始之黃色度YI0符合下式(8)；<br/> ΔYI=YI1-YI0≦20 (8)。
一種疊層體，係由如請求項7至9中任一項之聚醯亞胺薄膜、及至少1種以上之無機層構成。
如請求項10之疊層體，其進行2次430℃、1小時之熱處理後之黃色度YI1與初始之黃色度YI0符合下式(8)；<br/> ΔYI=YI1-YI0≦20 (8)。
一種醯亞胺-醯胺酸共聚物之製造方法，係製造如請求項1至5中任一項之醯亞胺-醯胺酸共聚物的方法，具有下述步驟1及步驟2；<br/> 步驟1：使構成醯亞胺部分之四羧酸成分、與二胺成分反應，獲得醯亞胺寡聚物；<br/> 步驟2：使步驟1獲得之醯亞胺寡聚物，與構成醯胺酸部分之四羧酸成分及二胺成分反應，獲得包含由醯亞胺部分及醯胺酸部分構成之重複單元的醯亞胺-醯胺酸共聚物。
如請求項12之醯亞胺-醯胺酸共聚物之製造方法，其中，步驟1獲得之醯亞胺寡聚物於分子鏈之主鏈之兩末端具有胺基。
如請求項12或13之醯亞胺-醯胺酸共聚物之製造方法，其中，步驟1中，二胺成分相對於四羧酸成分之莫耳比(二胺/四羧酸)為1.01~2。
一種製造合成燃料的系統(10)，該系統包含： <br/> a) 用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水的設備(12)， <br/> b) 用於製造包含一氧化碳、氫、二氧化碳及水之原料合成氣的合成氣製造設備(18)，該合成氣製造設備(18)具有來自用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水的該設備(12)之二氧化碳的供應管線(20)、空氣的供應管線(22)及水的供應管線(24)， <br/> c) 用於分離在該合成氣製造設備(18)中所製造之該原料合成氣中之二氧化碳和水的分離設備(26)， <br/> d) 用於藉由費托程序(Fisher-Tropsch process)以從該合成氣製造烴類的費托設備(28)，其中該合成氣中之二氧化碳和水於該分離設備(26)中分離出， <br/> e) 用於將在該費托設備(28)中所製造之該烴類精煉成合成燃料的精煉設備(30)， <br/> f) 用於將水除鹽的除鹽設備(32)，該除鹽設備(32)具有來自用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水的該設備(12)的水供應管線(34)以及導引至該費托設備(28)之水排放管線(40)，及 <br/> g) 水純化設備(42)，其包含來自該費托設備(28)的水供應管線(46)，以用於純化於該費托設備(28)中所產生的水， <br/> 其中該系統進一步包含將甲烷以外的烴類轉化成甲烷、碳氧化物、水和氫的預重組器(48)、及i)從該水純化設備(42)導引至該預重組器(48)之水蒸氣供應管線(50)、ii)從該精煉設備(30)導引至該預重組器(48)之程序氣體供應管線(54,52)及/或從該費托設備(28)導引至該預重組器(48)之返回氣體管線(56,52)、及iii)從該預重組器(48)導引至與該合成氣製造設備(18)連接之水供應管線(24)的循環管線(62)。
如請求項1之系統(10)，其中該系統不具有外加水(fresh water)供應管線。
如請求項1或2之系統(10)，其中該水純化設備(42)係經設計成部分蒸發器，其中不僅水，還有其中所含之烴類被部分地蒸發。
如請求項1之系統(10)，其中該精煉設備(30)包含至少一個異構裂解反應器(isocracker reactor)，該至少一個異構裂解反應器具有不須硫化之觸媒。
如請求項1之系統(10)，其中用於將水除鹽之該除鹽設備(32)也具有來自該合成氣製造設備(18)之水供應管線(36)以及來自該分離設備(26)之水供應管線(38)。
如請求項1之系統(10)，其中該水純化設備(42)也包含來自該精煉設備(30)之水供應管線(44)，以用於純化於該精煉設備(30)中所產生的水。
如請求項1之系統(10)，其中該合成氣製造設備(18)包含一或多個共固體氧化物電解電池。
如請求項1之系統(10)，其中該分離設備(26)包含用於藉由吸收以分離在該合成氣中之二氧化碳的胺洗滌器、用於將水冷凝且將該氣體壓縮至在該費托合成中所需之壓力的壓縮器、導引至該合成氣製造設備(18)或至該二氧化碳之管線(20)(其係從用於分開地萃取二氧化碳和水之該設備(12)至該合成氣製造設備(18))之二氧化碳返回管線(27)、以及導引至該費托設備(28)之合成氣供應管線(29)。
如請求項1之系統(10)，其中該除鹽設備(32)包含一或多個陰離子及陽離子交換器及用於脫氣之薄膜設備，彼等經設計使得水可被除鹽且脫氣至其導電度少於20μS/cm的程度。
如請求項1之系統(10)，其中該精煉設備(30)包含氫洗滌器及一或多個蒸餾塔。
如請求項1之系統(10)，其中該系統進一步具有氫製造設備(66)和氫壓縮設備(68)，該系統(10)進一步具有從用於將水除鹽之該設備(12)導引至該氫製造設備(66)之水管線(70)、從該氫壓縮設備(68)導引至該除鹽設備(32)之水管線(80)、從該氫製造設備(66)導引至該氫壓縮設備(68)之氫管線(76)、及從該氫壓縮設備(68)導引至該精煉設備(30)之氫管線(78)。
一種製造合成燃料的方法，其係在如請求項1至11項中任一項之系統(10)中進行。
如請求項12之方法，其中在該方法中，供應少於20%的外加水，外加水供應意指從外部進入該系統之任何水的供應，該水未在用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水的該設備中獲得。
如請求項12或13之方法，其中在該除鹽設備(32)中，將該水純化成具有少於20μS/cm之導電度的水。
如請求項12之方法，其中噴燈(torch)氣體係衍生自該費托設備(28)，噴燈氣體之流量大於從用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水的該設備(12)所排出之流中所含之氮和氬的量與從該費托設備(28)至該預重組器(48)之該返回氣流中所設定之氮和氬的總濃度的商，其中從該費托設備(28)至該預重組器(48)之該返回氣流中之氮和氬的總濃度被設定成1.5至10質量%。
如請求項12之方法，其中該系統(10)具有氫製造設備(66)和氫壓縮設備(68)，且該精煉設備(30)包含一或多個異構裂解反應器、氫洗滌器及一或多個蒸餾塔，其中在該氫製造設備(66)中所製造之氫經供應至該氫壓縮設備(68)且在其中被壓縮，及該經壓縮之氫經供應至該精煉設備(30)之氫洗滌器。
如請求項12之方法，其中該精煉設備(30)包含一或多個異構裂解反應器，其中使用不需要硫化之觸媒，且該水純化設備(42)經供應來自該費托設備(28)之水及來自該精煉設備(30)之水，其中該水在該水純化設備(42)中利用部分蒸發而純化，含有烴之該經部分蒸發的水蒸氣中之至少70%係經由水蒸氣供應管線(50)供應至該預重組器(48)，且該純化的水中之至少30%具有少於2,000 mg/l之COD且經供應至都市廢水廠。
如請求項12之方法，其中在用於分開地萃取周圍空氣中之二氧化碳和水之該設備(12)、該合成氣製造設備(18)、該分離設備(26)及該任意的氫壓縮設備(68)中所累積之水中之至少80%的水經供應至該除鹽設備(32)。
一種防水風扇，具有： <br/> 旋轉翼，其係可以繞旋轉軸線旋轉； <br/> 轉子，其係具有永久磁體； <br/> 定子，其係具有：比起前述旋轉翼更位置在內徑側且相對於前述旋轉軸線延伸在徑方向之複數個定子芯、及捲繞在各個前述定子芯之繞線； <br/> 電路基板，其係與前述繞線電性連接； <br/> 第一樹脂製的防水蓋，其係覆蓋前述電路基板；以及 <br/> 第二樹脂製的模塑部，其係至少覆蓋前述定子； <br/> 其中，前述防水蓋具有：分隔部，其係分隔前述繞線與前述電路基板；及複數個突出部，其係從前述分隔部朝向相鄰的兩個前述繞線彼此之間的各個空間突出且每一個的內部為空洞； <br/> 前述繞線與前述分隔部及前述突出部之間的間隙，被前述第二樹脂埋住。
如請求項1的防水風扇，其中， <br/> 前述分隔部乃是，沿著與前述旋轉軸線交叉的面而延伸之板狀的部位； <br/> 前述複數個突出部的每一個乃是，沿著前述旋轉軸線而延伸之筒狀的部位。
如請求項1的防水風扇，其中， <br/> 前述防水蓋具有：第一蓋，其係包含前述分隔部及前述突出部；以及第二蓋，其係與前述第一蓋一起，形成收容前述電路基板的收容空間； <br/> 前述第一蓋及前述第二蓋被固定在前述定子； <br/> 前述第二樹脂不進入到前述收容空間。
如請求項1的防水風扇，其中， <br/> 於前述旋轉軸線的方向上，前述突出部之離前述電路基板較遠的側的端部係比起前述繞線之離前述電路基板較遠的側的端部，位置在更靠前述電路基板側。
如請求項3的防水風扇，其中， <br/> 在前述第一蓋，設置有被電性連接前述電路基板與前述繞線的聯絡端子插通之聯絡孔。
一種半導體製程工具的操作方法，包含以下步驟：<br/>將一光敏感性材料形成在一半導體基板上；<br/>在將該光敏感性材料形成在該半導體基板上之後裝載該半導體基板；<br/>組配包括在一照明系統之一基板上的一可組態像素之複數個多層鏡及一多層極化器，其中該可組態像素用以能夠在複數極化組態其中不同極化組態之間切換；<br/>調變未極化射線且使用該些多層鏡及該多層極化器以由該未極化射線形成極化射線；以及<br/>將該半導體基板上的該光敏感性材料曝光於該極化射線，<br/>其中該極化射線係基於該些極化組態之一特定極化組態。
如請求項1所述之方法，其中該特定極化組態包含一橫向電極化組態；且<br/>其中組配該些多層鏡及該多層極化器之步驟包含以下步驟：<br/>致動該些多層鏡中的處於該多層極化器以下的一多層鏡，使得該極化射線包含該未極化射線之一橫向電極化分量。
如請求項2所述之方法，其中調變該未極化射線且使用該些多層鏡及該多層極化器以由該未極化射線形成該極化射線之步驟包含以下步驟：<br/>使用該多層極化器將該未極化射線極化成該橫向電極化分量及一橫向磁極化分量；以及<br/>使用該些多層鏡中之另一多層鏡反射該橫向電極化分量。
如請求項2所述之方法，其中該特定極化組態包含一橫向磁極化組態；且<br/>其中組配該些多層鏡及該多層極化器之步驟包含以下步驟：<br/>致動該些多層鏡中的鄰近於該多層極化器的一多層鏡，使得該極化射線包含該未極化射線之一橫向磁極化分量。
如請求項4所述之方法，其中調變該未極化射線且使用該些多層鏡及該多層極化器以由該未極化射線形成該極化射線之步驟包含以下步驟：<br/>使用該多層極化器將該未極化射線極化成該橫向磁極化分量及一橫向電極化分量。
如請求項1所述之方法，其中該特定極化組態包含一未極化的極化組態；且<br/>其中組配該些多層鏡及該多層極化器之步驟包含以下步驟：<br/>致動該多層極化器，使得該未極化射線導向該半導體基板。
如請求項6所述之方法，其中該多層鏡處於該多層極化器以下。
一種用於在極紫外線曝光工具中使用的照明系統，該照明系統包含：<br/>一基板；<br/>複數個固定橫向電極化像素；以及<br/>複數個可組態像素，各自能夠選擇性地以複數個極化組態中之一各別極化組態組配，<br/>其中該些極化組態包含：<br/>一橫向電極化組態，<br/>一橫向磁極化組態，<br/>一橫向電極化及橫向磁極化組態，或<br/>一未極化組態，且<br/>其中該些可組態像素之一者或多者用以能夠在該些極化組態其中不同極化組態之間選擇性切換。
如請求項8所之的照明系統，進一步包含：<br/>一控制器，用以選擇性地以該各別極化組態組配該些可組態像素。
一種半導體製程工具的操作方法，包含以下步驟：<br/>藉由一控制器傳輸一第一訊號以使一照明系統之複數個可組態像素中之至少一個以複數個極化組態中之一極化組態組配，其中該些可組態像素之至少一個用以能夠在該些極化組態其中不同極化組態之間切換；以及<br/>當該些可組態像素中之該至少一個以該極化組態組配時，藉由該控制器傳輸一第二訊號以使一微影系統執行一曝光操作，<br/>其中該照明系統包括在該微影系統之一曝光工具中。
一種物品搬送設備，具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品之複數台物品搬送車、及控制前述物品搬送車之控制裝置，<br/> 前述物品搬送設備具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地即搬送目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有前述搬送目的地之狀態，<br/> 前述第2狀態包含：前述物品搬送車朝向非搬送目的地行走之狀態、以及到達前述非搬送目的地且停車中的狀態，前述非搬送目的地是未將接收前述物品或移交前述物品作為行走目的而行走之際的前述目的地，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 前述控制裝置執行偏差減少控制，前述偏差減少控制為：分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區，並且將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內。
如請求項1之物品搬送設備，其是將複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度的平均值作為平均密度，將前述待機搬送車的密度為設定成比前述平均密度更大之值的第1基準密度以上之前述區當作高密度區，<br/> 前述控制裝置進行使前述高密度區內的前述待機搬送車往其他的前述區移動之密度調整處理，來作為前述偏差減少控制。
如請求項2之物品搬送設備，其是將前述待機搬送車的密度為設定成比前述平均密度更小之值的第2基準密度以下之前述區當作低密度區，<br/> 前述控制裝置在前述密度調整處理中，於有前述低密度區的情況下，使前述高密度區內的前述待機搬送車往前述低密度區移動。
如請求項2或3之物品搬送設備，其中複數個前述區的每一個中的前述第1基準密度是設定成隨著由前述待機搬送車所進行之在各個前述區內之前述物品的接收的數量變多而變高。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中視為存在於前述區內的前述待機搬送車的數量包含：存在於該區內且在該區內未設定有前述非搬送目的地之前述待機搬送車的數量、與無論是否存在於該區內都在該區內設定有前述非搬送目的地之前述待機搬送車的數量。
如請求項1或2之物品搬送設備，其是將複數個前述區設定成使包含於各個前述區之前述可行走路徑的路徑長度變得均等，<br/> 前述控制裝置將存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的台數視為前述密度，來執行前述偏差減少控制。
一種搬送車配置方法，是在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，藉由前述控制裝置來配置前述物品搬送車之搬送車配置方法，<br/> 前述搬送車配置方法具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有接收前述物品以及移交前述物品這樣的目的之狀態，<br/> 前述第2狀態包含：前述物品搬送車朝向非搬送目的地行走之狀態、以及到達前述非搬送目的地且停車中的狀態，前述非搬送目的地是未將接收前述物品或移交前述物品作為行走目的而行走之際的前述目的地，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 藉由前述控制裝置執行之偏差減少控制具備以下步驟：<br/> 分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區；及<br/> 將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內。
一種搬送車配置程式，是在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，為了配置前述物品搬送車而使前述控制裝置實現之搬送車配置程式，<br/> 前述搬送車配置程式具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有接收前述物品以及移交前述物品這樣的目的之狀態，<br/> 前述第2狀態包含：前述物品搬送車朝向非搬送目的地行走之狀態、以及到達前述非搬送目的地且停車中的狀態，前述非搬送目的地是未將接收前述物品或移交前述物品作為行走目的而行走之際的前述目的地，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 前述搬送車配置程式使前述控制裝置實現偏差減少控制功能，前述偏差減少控制功能具備以下功能：<br/> 分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區；及<br/> 將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內。
一種物品搬送設備，具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品之複數台物品搬送車、及控制前述物品搬送車之控制裝置，<br/> 前述物品搬送設備具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地即搬送目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有前述搬送目的地之狀態，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 前述控制裝置執行偏差減少控制，前述偏差減少控制為：分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區，並且將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內，<br/> 將複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度的平均值作為平均密度，將前述待機搬送車的密度為設定成比前述平均密度更大之值的第1基準密度以上之前述區當作高密度區，<br/> 前述控制裝置進行使前述高密度區內的前述待機搬送車往其他的前述區移動之密度調整處理，來作為前述偏差減少控制。
一種搬送車配置方法，是在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，藉由前述控制裝置來配置前述物品搬送車之搬送車配置方法，<br/> 前述搬送車配置方法具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有接收前述物品以及移交前述物品這樣的目的之狀態，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 藉由前述控制裝置執行之偏差減少控制具備以下步驟：<br/> 分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區；及<br/> 將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內，<br/> 將複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度的平均值作為平均密度，將前述待機搬送車的密度為設定成比前述平均密度更大之值的第1基準密度以上之前述區當作高密度區，<br/> 前述控制裝置進行使前述高密度區內的前述待機搬送車往其他的前述區移動之密度調整處理，來作為前述偏差減少控制。
一種搬送車配置程式，是在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，為了配置前述物品搬送車而使前述控制裝置實現之搬送車配置程式，<br/> 前述搬送車配置程式具有以下之特徵：<br/> 在前述物品搬送車的運行狀態中包含第1狀態與第2狀態，前述第1狀態是朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之目的地行走之狀態，前述第2狀態是未設定有接收前述物品以及移交前述物品這樣的目的之狀態，<br/> 將前述第2狀態的前述物品搬送車設為待機搬送車，<br/> 前述搬送車配置程式使前述控制裝置實現偏差減少控制功能，前述偏差減少控制功能具備以下功能：<br/> 分割前述可行走路徑的整體來設定複數個區；及<br/> 將前述待機搬送車配置成使存在於複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度之偏差在事先決定之範圍內，<br/> 將複數個前述區的每一個中的前述待機搬送車的密度的平均值作為平均密度，將前述待機搬送車的密度為設定成比前述平均密度更大之值的第1基準密度以上之前述區當作高密度區，<br/> 前述控制裝置進行使前述高密度區內的前述待機搬送車往其他的前述區移動之密度調整處理，來作為前述偏差減少控制。
一種L-麥角硫因(L-ergothioneine)或其鹽使用於製造人類的抗焦慮用組成物之用途。
如請求項1之用途，其中前述抗焦慮用組成物使用於欲預防或改善人類的焦慮症狀，該預防或改善係藉由抑制麩胺酸受體之活化而達成。
如請求項1或2之用途，其中前述抗焦慮用組成物為經口用組成物。
如請求項1或2之用途，其中前述抗焦慮組成物為飲食品。
如請求項1或2之用途，其中前述抗焦慮組成物中，L-麥角硫因或其鹽的含量係成人的每1日攝取量中以L-麥角硫因換算時的2~50mg。
一種阻劑組成物，其係因曝光而產生酸，且，因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化之阻劑組成物，其中含有： <br/> 因酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化之基材成分(A)， <br/> 因曝光而產生酸之酸產生劑成分(B)， <br/> 前述酸產生劑成分(B)包含下述一般式(b03)所示之化合物(B0)； <br/><img align="absmiddle" height="223px" width="462px" file="ed10121.jpg" alt="ed10121.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，M<sup>m+</sup>表示m價之有機陽離子，m為1以上之整數，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>係各自獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="163px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 為雙鍵或單鍵；在原子價容許之情況，Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>係各自獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子，或亦可2個以上相互結合而形成環構造；但，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>及Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>之中至少1個具有下述一般式(b0-r-an1)所示之陰離子基，且陰離子部全體會成為n價之陰離子，n為1以上之整數，又，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>及Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>之中至少1個具有下述一般式(pg-1)所示之酸分解性基，R<sup>021</sup>為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基，n1為1，n11為0~8之整數，R<sup>022</sup>為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基，n2為1，n21為0~8之整數； <br/><img align="absmiddle" height="230px" width="1038px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，Yb<sup>0</sup>為2價連結基或單鍵，Vb<sup>0</sup>為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基，R<sup>0</sup>為碳數1~5之氟化烷基或氟原子，＊表示鍵結處； <br/><img align="absmiddle" height="366px" width="425px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(pg-1)中，Rpg為下述一般式(pg-r-1)所示之酸解離性基、下述一般式(pg-r-2)所示之酸解離性基、下述一般式(pg-r-3)所示之酸解離性基，或，下述一般式(pg-r-4)所示之酸解離性基；＊表示鍵結處； <br/><img align="absmiddle" height="601px" width="1188px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(pg-r-1)中，Rb<sup>1</sup>~Rb<sup>3</sup>係各自獨立為烴基且Rb<sup>1</sup>及Rb<sup>2</sup>亦可互相結合而形成環； <br/> 式(pg-r-2)中，Rb<sup>001</sup>為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，Ya<sup>002</sup>為單鍵或2價連結基，Rb<sup>002</sup>為氫原子或取代基，Ar為苯環或萘環，Rm<sup>01</sup>為取代基，n01為1~4之整數； <br/> 式(pg-r-3)中，Xb為第2級碳原子，X為可具有取代基之脂環式烴環，Ar為苯環或萘環，Rm<sup>02</sup>為取代基，n02為1~4之整數； <br/> 式(pg-r-4)中，Rb’<sup>1</sup>、Rb’<sup>2</sup>為氫原子或烷基，Rb’<sup>3</sup>為烴基且Rb’<sup>3</sup>亦可與Rb’<sup>1</sup>、Rb’<sup>2</sup>之任一者結合而形成環； <br/> ＊表示與前述一般式(pg-1)中之氧原子(-O-)之鍵結處。
一種阻劑圖型形成方法，其具有：在支持體上使用如請求項1之阻劑組成物來形成阻劑膜的步驟、曝光前述阻劑膜的步驟，及將前述曝光後之阻劑膜予以顯影而形成阻劑圖型的步驟。
一種下述一般式(b03)所示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="223px" width="462px" file="ed10121.jpg" alt="ed10121.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，M<sup>m+</sup>表示m價之有機陽離子，m為1以上之整數，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>係各自獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子； <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="163px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 為雙鍵或單鍵；在原子價容許之情況，Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>係各自獨立表示可具有取代基之烴基或氫原子，或亦可2個以上相互結合而形成環構造；但，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>及Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>之中至少1個具有下述一般式(b0-r-an1)所示之陰離子基，且陰離子部全體會成為n價之陰離子，n為1以上之整數，又，Rx<sup>5</sup>~Rx<sup>6</sup>及Rz<sup>1</sup>~Rz<sup>4</sup>之中至少1個具有下述一般式(pg-1)所示之酸分解性基，R<sup>021</sup>為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基，n1為1，n11為0~8之整數，R<sup>022</sup>為烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基或硝基，n2為1，n21為0~8之整數； <br/><img align="absmiddle" height="230px" width="1038px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，Yb<sup>0</sup>為2價連結基或單鍵，Vb<sup>0</sup>為單鍵、伸烷基或氟化伸烷基，R<sup>0</sup>為碳數1~5之氟化烷基或氟原子，＊表示鍵結處； <br/><img align="absmiddle" height="366px" width="425px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(pg-1)中，Rpg為下述一般式(pg-r-1)所示之酸解離性基、下述一般式(pg-r-2)所示之酸解離性基、下述一般式(pg-r-3)所示之酸解離性基，或，下述一般式(pg-r-4)所示之酸解離性基；＊表示鍵結處； <br/><img align="absmiddle" height="601px" width="1188px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(pg-r-1)中，Rb<sup>1</sup>~Rb<sup>3</sup>係各自獨立為烴基且Rb<sup>1</sup>及Rb<sup>2</sup>亦可互相結合而形成環； <br/> 式(pg-r-2)中，Rb<sup>001</sup>為直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，Ya<sup>002</sup>為單鍵或2價連結基，Rb<sup>002</sup>為氫原子或取代基，Ar為苯環或萘環，Rm<sup>01</sup>為取代基，n01為1~4之整數； <br/> 式(pg-r-3)中，Xb為第2級碳原子，X為可具有取代基之脂環式烴環，Ar為苯環或萘環，Rm<sup>02</sup>為取代基，n02為1~4之整數； <br/> 式(pg-r-4)中，Rb’<sup>1</sup>、Rb’<sup>2</sup>為氫原子或烷基，Rb’<sup>3</sup>為烴基且Rb’<sup>3</sup>亦可與Rb’<sup>1</sup>、Rb’<sup>2</sup>之任一者結合而形成環； <br/> ＊表示與前述一般式(pg-1)中之氧原子(-O-)之鍵結處。
一種酸產生劑，其包含如請求項3之化合物。
一種含三嗪環聚合物，其特徵為包含以下述式(1)所示之重複單元構造，且具有至少1個三嗪環末端，該三嗪環末端之至少一部分被具有交聯基之胺基封閉，並且，前述具有交聯基之胺基係以式(15)所示者， <br/> <img align="absmiddle" height="400px" width="590px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(1)中，R及R’相互獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基，Ar表示具有酚性羥基之2價基，＊表示鍵結鍵) <br/> <img align="absmiddle" height="522px" width="229px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(15)中，R<sup>102</sup>表示交聯基，＊表示鍵結鍵)。
如請求項1之含三嗪環聚合物，其中前述式(1)中之Ar表示選自以式(2)~(13)所示之群組中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="1161px" width="1268px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式(2)~式(13)中，R<sup>1</sup>~R<sup>92</sup>相互獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、磺基、碳數1~10之烷基、碳數1~10之鹵化烷基或碳數1~10之烷氧基， <br/> R<sup>93</sup>及R<sup>94</sup>表示氫原子或碳數1~10之烷基， <br/> W<sup>1</sup>及W<sup>2</sup>相互獨立地表示單鍵、CR<sup>95</sup>R<sup>96</sup>(R<sup>95</sup>及R<sup>96</sup>相互獨立地表示氫原子、碳數1~10之烷基(但該等可一起形成環)或碳數1~10之鹵化烷基)、C=O、O、S、SO、SO<sub>2</sub>或NR<sup>97</sup>(R<sup>97</sup>表示氫原子、碳數1~10之烷基或苯基)， <br/> X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup>相互獨立地表示單鍵、碳數1~10之伸烷基或以式(14)所示之基， <br/> <img align="absmiddle" height="360px" width="418px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(14)中，R<sup>98</sup>~R<sup>101</sup>相互獨立地表示氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、磺基、碳數1~10之烷基、碳數1~10之鹵化烷基、或碳數1~10之烷氧基， <br/> Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup>相互獨立地表示單鍵或碳數1~10之伸烷基) <br/> 但，式(2)~(13)各自具有至少1個酚性羥基， <br/> ＊表示鍵結鍵]。
如請求項1之含三嗪環聚合物，其中前述具有交聯基之胺基係以式(16)所示者， <br/> <img align="absmiddle" height="564px" width="164px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(16)中，R<sup>102</sup>表示與上述相同意義，＊表示鍵結鍵)。
如請求項1之含三嗪環聚合物，其中前述R<sup>102</sup>為含羥基之基或含(甲基)丙烯醯基之基。
如請求項4之含三嗪環聚合物，其中前述R<sup>102</sup>為羥烷基、(甲基)丙烯醯氧基烷基或以下述式(i)所示之基， <br/> <img align="absmiddle" height="356px" width="542px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(i)中，A<sup>1</sup>表示碳數1~10之伸烷基，A<sup>2</sup>表示單鍵或以下述式(j)所示之基， <br/> <img align="absmiddle" height="311px" width="234px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> A<sup>3</sup>表示可被羥基取代之(a+1)價之脂肪族烴基，A<sup>4</sup>表示氫原子或甲基，a表示1或2，＊表示鍵結鍵)。
如請求項5之含三嗪環聚合物，其中前述R<sup>102</sup>為選自羥基甲基、2-羥基乙基、(甲基)丙烯醯氧基甲基、(甲基)丙烯醯氧基乙基、及以下述式(i-2)~式(i-5)所示基之基， <br/> <img align="absmiddle" height="507px" width="855px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(i-2)~式(i-5)中，＊表示鍵結鍵)。
如請求項1之含三嗪環聚合物，其中前述式(1)中之Ar具有鹵化烷基。
如請求項1之含三嗪環聚合物，其中前述式(1)中之Ar係以式(5A)所示者， <br/> <img align="absmiddle" height="383px" width="547px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(5A)中，＊表示鍵結鍵)。
如請求項8之含三嗪環聚合物，其中前述式(1)中之Ar係以式(5B)所示者， <br/> <img align="absmiddle" height="385px" width="567px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式(5B)中，＊表示鍵結鍵)。
一種圖型形成用組成物，其包含如請求項1~9中任一項之含三嗪環聚合物。
如請求項10之圖型形成用組成物，其進而包含有機溶劑。
如請求項11之圖型形成用組成物，其中前述有機溶劑包含選自二醇酯(glycol ester)系溶劑、酮系溶劑及酯系溶劑中之至少1種。
如請求項10之圖型形成用組成物，其進而包含交聯劑。
如請求項13之圖型形成用組成物，其中前述交聯劑為多官能(甲基)丙烯酸化合物。
如請求項10之圖型形成用組成物，其進而包含無機微粒子。
如請求項15之圖型形成用組成物，其中前述無機微粒子於表面具有鹼反應性基。
如請求項10之圖型形成用組成物，其用於有機電致發光元件之光取出層。
一種硬化物，其係由如請求項10之圖型形成用組成物製作而成者。
一種電子裝置，其具備基材與形成於前述基材上之如請求項18之硬化物。
如請求項19之電子裝置，其係有機電致發光。
一種光學構件，其具備基材與形成於前述基材上之如請求項18之硬化物。
一種圖型之製作方法，其特徵為將如請求項10之圖型形成用組成物塗佈於基材上，使有機溶劑蒸發，介隔形成有圖型之遮罩進行光照射後，進行顯影並進一步燒成。
一種在正方向及反方向的任一方向都可以產生氣流之可逆扇，包含： <br/> 動葉輪，其係可以繞旋轉軸線旋轉； <br/> 馬達，其係使前述動葉輪旋轉； <br/> 基座部，其係支撐前述馬達； <br/> 筒狀的框架，其係收容前述動葉輪、前述馬達及前述基座部； <br/> 輻條，其係從前述框架的內周圍面往前述旋轉軸線延伸，而且，支撐前述基座部；以及 <br/> 止擋部，其係構成制止用於對前述馬達通電之沿前述輻條設置的引線的至少一部分； <br/> 其中， <br/> 於前述止擋部，設有往前述反方向開口，而且，沿前述輻條延伸之收容空間； <br/> 前述輻條具有：沿略前述旋轉軸線的方向伸長之偏平的剖面形狀； <br/> 前述止擋部係從前述輻條的前述正方向的端部突出到與前述旋轉軸線交叉的方向，而且，往前述反方向延伸。
如請求項1的可逆扇，其中， <br/> 前述止擋部為往前述正方向凸的形狀。
如請求項1的可逆扇，其中， <br/> 於前述輻條，設有抑制部，該抑制部係構成抑制從前述開口拔出收容在前述收容空間的前述引線。
如請求項3的可逆扇，其中， <br/> 前述抑制部係從前述輻條的前述反方向的端部突出在與前述旋轉軸線交叉的方向。
如請求項1的可逆扇，其中， <br/> 前述止擋部具有前述輻條的徑方向尺寸的1/10以上、未達1/3的長度。
如請求項1的可逆扇，其中， <br/> 前述框架具有：成為筒狀的部位之主體部、以及設在前述主體部的外周圍之凸緣部； <br/> 於位置在前述主體部的前述正方向的端部之底面，設有往前述基座部突出的突出部； <br/> 於位置在前述框架的前述正方向的端部之底面，設有構成固定前述引線之安裝溝；還有， <br/> 前述安裝溝係延伸在徑方向，開口在前述反方向，更進一步，設在從前述突出部跨到前述凸緣部之位置。
如請求項6的可逆扇，其中， <br/> 前述安裝溝包含：往前述徑方向延伸之直線部、以及相對於前述徑方向彎曲之彎曲部； <br/> 前述彎曲部設在前述突出部。
一種聚酯樹脂，含有二羧酸結構單元，及二醇結構單元； <br/>該二醇結構單元，含有來自具有環狀縮醛骨架之二醇之結構單元A1，來自2,2,4,4-四甲氧基-1,3-環丁二醇之結構單元A2，及來自乙二醇之結構單元A3； <br/>該二羧酸結構單元，含有來自2,6-萘二羧酸及/或2,6-萘二羧酸二甲酯之結構單元B1； <br/>該結構單元A1之含量，相對於該二醇結構單元之總量，為1~60莫耳%， <br/>該結構單元A2之含量，相對於該二醇結構單元之總量，為3~55莫耳%， <br/>該結構單元B1之含量，相對於該二羧酸結構單元之總量，為10~100莫耳%。
如請求項1之聚酯樹脂，其中，該具有環狀縮醛骨架之二醇，含有選自下式(1)及式(2)表示之化合物構成之群組中至少一種； <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="892px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(1)中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地表示碳數係1~10之2價脂肪族基、碳數係3~10之2價脂環族基、或碳數係6~10之2價芳香族基； <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="892px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中，R<sup>1</sup>表示碳數係1~10之2價脂肪族基、碳數係3~10之2價脂環族基、或碳數係6~10之2價芳香族基；R<sup>3</sup>表示碳數係1~10之1價脂肪族基、碳數係3~10之1價脂環族基、或碳數係6~10之1價芳香族基。
如請求項1之聚酯樹脂，其中，該具有環狀縮醛骨架之二醇，含有3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺〔5.5〕十一烷。
一種基板處理裝置，其係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理裝置，具有： <br/> 加熱處理部，其係對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理；和 <br/> 流體供給部，其係對上述加熱處理部所致的處理中或被處理後的基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差， <br/> 上述塗佈膜為SiARC膜，抑制上述偏差的上述流體為水。
一種基板處理裝置，其係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理裝置，具有： <br/> 加熱處理部，其係對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理；和 <br/> 流體供給部，其係對上述加熱處理部所致的處理中或被處理後的基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差， <br/> 上述塗佈膜為KrF光阻膜，抑制上述偏差的上述流體為稀釋劑。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 <br/> 上述流體供給部係被構成於在上述加熱處理部的加熱處理後，在與上述加熱處理部不同的處理容器內對上述基板供給上述流體。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 <br/> 上述流體供給部係被構成於在上述加熱處理部的加熱處理後，在與上述加熱處理部不同的處理容器內供給高濕度氛圍。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 <br/> 上述流體供給部係被構成對上述基板，供給針對該基板在下一次處理工程所供給的液體。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中 <br/> 上述流體供給部係被構成在加熱處理部供給高濕度氛圍。
一種基板處理方法，其係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理方法，具有： <br/> 對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理的工程；和 <br/> 對在上述加熱處理的工程中的加熱處理中或被加熱處理後的上述基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差的工程， <br/> 上述塗佈膜為SiARC膜，抑制上述偏差的上述流體為水。
一種基板處理方法，其係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理方法，具有： <br/> 對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理的工程；和 <br/> 對在上述加熱處理的工程中的加熱處理中或被加熱處理後的上述基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差的工程， <br/> 上述塗佈膜為KrF光阻膜，抑制上述偏差的上述流體為稀釋劑。
一種電腦可讀取的記憶媒體，其係儲存有以基板處理裝置實行基板處理方法之方式控制控制部的程式， <br/> 上述基板處理方法係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理方法， <br/> 包含： <br/> 對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理的工程；和 <br/> 對在上述加熱處理的工程中的加熱處理中或被加熱處理後的上述基板，供給抑制起因於以上述膜厚測定裝置被膜厚測定為止的測定時間之差異的膜厚偏差之流體的工程， <br/> 上述基板處理裝置係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理裝置，具有： <br/> 加熱處理部，其係對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理；和 <br/> 流體供給部，其係對上述加熱處理部所致的處理中或被處理後的基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差， <br/> 上述塗佈膜為SiARC膜，抑制上述偏差的上述流體為水。
一種電腦可讀取的記憶媒體，其係儲存有以基板處理裝置實行基板處理方法之方式控制控制部的程式， <br/> 上述基板處理方法係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理方法， <br/> 包含： <br/> 對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理的工程；和 <br/> 對在上述加熱處理的工程中的加熱處理中或被加熱處理後的上述基板，供給抑制起因於以上述膜厚測定裝置被膜厚測定為止的測定時間之差異的膜厚偏差之流體的工程， <br/> 上述基板處理裝置係對應以膜厚測定裝置被測定的基板進行處理的基板處理裝置，具有： <br/> 加熱處理部，其係對被塗佈塗佈膜的基板進行加熱處理；和 <br/> 流體供給部，其係對上述加熱處理部所致的處理中或被處理後的基板供給流體，上述流體係用於抑制直至以上述膜厚測定裝置進行膜厚測定為止的測定時間之差異所引起的膜厚之偏差， <br/> 上述塗佈膜為KrF光阻膜，抑制上述偏差的上述流體為稀釋劑。
一種磺醯基矽烷之合成方法，其包含下列步驟： <br/> (a) 將式(I)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="99px" width="459px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 與選自由Li、Na、Mg、Al、Cs、Sn、Ni、與Hg所組成之群組的金屬(M)反應，以獲得式(II)之次磺醯基(sulfenyl)金屬中間物： <br/><img align="absmiddle" height="97px" width="476px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (b) 將該次磺醯基金屬中間物(II)與式(III)之矽烷接觸： <br/><img align="absmiddle" height="98px" width="495px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 以獲得次磺醯化的含矽反應產物，其中該次磺醯化的含矽反應產物是次磺醯化的矽烷，並將該次磺醯化的矽烷用水處理以形成次磺醯化的矽氧烷；及 <br/> (c) 將該次磺醯化的矽氧烷與氧化劑接觸， <br/> 及其中X是選自由Cl、Br與I所組成之群組的鹵素；各下標n是從1至10的整數；各R是H或具有從1至12個碳原子之單價有機基團；各R*是具有從1至8個碳原子之二價有機基團；及各R<sup>1</sup>是具有從1至12個碳原子之單價有機基團；下標a是0或1；及下標b是從1至10的整數，先決條件是當a是0時，則b是從1至10，及當a是1時，則b是1。
如請求項1之方法，其中步驟(b)的該次磺醯化的含矽反應產物是式(IVa)： <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="491px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中Q是Q<sup>1</sup>或Q<sup>2</sup>，其中Q<sup>1</sup>是選自由Cl、Br與I所組成之群組的鹵素；及Q<sup>2</sup>是式-(R*)<sub>n</sub>-S-R之部分。
如請求項2之方法，其中Q是選自由Cl、Br與I所組成之群組的鹵素。
如請求項2之方法，其中Q是式-(R*)<sub>n</sub>-S-R的部分。
如請求項2之方法，其中R與R<sup>1</sup>各為甲基，各R*為-(CH<sub>2</sub>)-，且各n是從2至4的整數。
如請求項1之方法，其中在步驟(b)中將該式(II)之次磺醯基金屬中間物與該式(III)之矽烷接觸，其中該式(III)之矽烷係以相對於該式(II)之次磺醯基金屬中間物之莫耳化學計量過量存在。
如請求項1之方法，其中在步驟(b)中藉由將該式(II)之次磺醯基金屬中間物反復添加至該式(III)之矽烷而將該次磺醯基金屬中間物(II)與該式(III)之矽烷接觸。
如請求項7之方法，其中該反復添加係藉由將該式(II)之次磺醯基金屬中間物逐滴施配至該式(III)之矽烷而進行。
如請求項1之方法，其中該次磺醯化的矽氧烷係如通式(V)表示： <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="870px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中各R與R<sup>1</sup>各獨立地是從1至12個碳原子之單價脂族基團，各R*是從1至8個碳原子之二價有機基團，各下標n是從1至10的整數及下標x是從0至10的整數。
如請求項1之方法，其中步驟(b)的該次磺醯化的含矽反應產物是在步驟(c)之前經鹼及水處理以形成該次磺醯化的矽氧烷。
如請求項1之方法，其中步驟(c)的該氧化劑係選自由下列所組成之群組：氧、臭氧、過氧化氫、與有機過氧化物。
如請求項1之方法，其中方法步驟(a)、(b)或(c)中一或多者係在引發劑存在下進行。
如請求項12之方法，其中該引發劑係選自由下列所組成之群組：二鹵烷、金屬碘化物與碘。
一種有機矽化合物，其係由下式(1TQ)表示， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="386px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(上式中，M為單鍵或可具有取代基之碳數1～20之伸烷基；苯環可具有取代基；苯環上之乙烯基之取代位置為任意位置；n為3；R為氫原子、羥基或有機基，於R為有機基時，與Si鍵結之原子為C)。
如請求項1之有機矽化合物，其中R為可具有取代基之碳數1～18之烷基。
如請求項1或2之有機矽化合物，其中M為單鍵或碳數1～4之伸烷基。
一種交聯劑，其係由下式(1TQ)表示， <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="132px" width="388px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(上式中，M為單鍵或可具有取代基之碳數1～20之伸烷基；苯環可具有取代基；苯環上之乙烯基之取代位置為任意位置；n為3；R為氫原子、羥基或有機基，於R為有機基時，與Si鍵結之原子為C)。
如請求項4之交聯劑，其中R為可具有取代基之碳數1～18之烷基。
如請求項4或5之交聯劑，其中M為單鍵或碳數1～4之伸烷基。
如請求項4或5之交聯劑，其係用於預浸體、覆金屬之積層板或配線基板之製造中所使用之硬化性組合物。
一種硬化性組合物，其包含：如請求項4或5之交聯劑、及具有能夠與該交聯劑交聯之2個以上交聯性官能基之硬化性化合物。
一種預浸體，其包含：纖維基材、及硬化性組合物之半硬化物或硬化物， <br/>上述硬化性組合物包含交聯劑、及具有能夠與該交聯劑交聯之2個以上交聯性官能基之硬化性化合物， <br/>上述交聯劑由下式(1TQ)表示， <br/><img align="absmiddle" height="132px" width="388px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(上式中，M為單鍵或可具有取代基之碳數1～20之伸烷基；苯環可具有取代基；苯環上之乙烯基之取代位置為任意位置；n為整數3或4；R為氫原子、羥基或有機基，於R為有機基時，與Si鍵結之原子為C)。
一種積層體，其包含：基材、及含有如請求項8之硬化性組合物之硬化性組合物層。
一種積層體，其包含：基材、及含有如請求項8之硬化性組合物之半硬化物或硬化物之含(半)硬化物之層。
如請求項10或11之積層體，其中上述基材為樹脂膜或金屬箔。
一種覆金屬之積層板，其包含：含有如請求項8之硬化性組合物之硬化物之絕緣層、及金屬箔。
一種配線基板，其包含：含有如請求項8之硬化性組合物之硬化物之絕緣層、及配線。
一種修正光徑長度量測誤差之系統，其具備： <br/>光源，其產生光； <br/>第1光學部，其構成為對量測對象物出射上述光，並供來自上述量測對象物之第1干涉光入射； <br/>第2光學部，其構成為對基準物體出射上述光，並供來自上述基準物體之第2干涉光入射，上述基準物體構成為光徑長度相對於溫度變動維持固定； <br/>分光器，其構成為連接於上述第1光學部及上述第2光學部，供上述第1干涉光及上述第2干涉光入射；以及 <br/>控制部，其連接於上述分光器；且 <br/>上述控制部 <br/>基於上述基準物體之量測光徑長度及預先取得之上述基準物體之基準光徑長度，算出特定溫度環境下上述量測光徑長度相對於上述基準光徑長度之變動率，上述基準物體之量測光徑長度係基於入射至上述特定溫度環境下之上述分光器之上述第2干涉光而算出； <br/>基於上述變動率修正上述量測對象物之光徑長度，上述量測對象物之光徑長度係基於上述特定溫度環境下入射至上述分光器之上述第1干涉光而算出。
如請求項1之修正光徑長度量測誤差之系統，其進而具備： <br/>循環器，其連接於上述光源；及 <br/>光開關，其連接於上述循環器； <br/>上述第1光學部具有： <br/>第1光纖，其傳播來自上述光開關之光；及 <br/>第1光學元件，其構成為對上述量測對象物出射上述光，並供來自上述量測對象物之上述第1干涉光入射。
如請求項2之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述第1光學元件為聚焦器或準直器。
如請求項2或3之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述第2光學部具有： <br/>第2光纖，其傳播來自上述光開關之光；及 <br/>第2光學元件，其構成為對上述基準物體出射上述光，並供來自上述基準物體之上述第2干涉光入射。
如請求項4之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述第2光學元件為聚焦器或準直器。
如請求項1至3中任一項之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述基準物體為標準元件， <br/>上述第2光學部具有：第3光學元件，其將上述光出射至上述標準元件；及第4光學元件，其構成為供來自上述標準元件之透過光入射。
如請求項6之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述第3光學元件及上述第4光學元件為聚焦器或準直器。
如請求項1至3中任一項之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述基準物體具有一對對向之平行平板。
如請求項8之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述平行平板間之空間內為真空。
如請求項8之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述基準物體於上述平行平板之相對之內表面中之至少一者具有反射膜。
如請求項8之修正光徑長度量測誤差之系統，其中上述一對對向之平行平板係由單晶矽形成。
如請求項1至3中任一項之修正光徑長度量測誤差之系統，其進而具備保持器，該保持器保持上述第2光學部與上述基準物體之相對位置。
一種修正光徑長度量測誤差之方法，其包括如下步驟： <br/>對量測對象物出射光，並將來自上述量測對象物之第1干涉光入射至特定溫度環境下之分光器； <br/>基於上述第1干涉光算出上述量測對象物之光徑長度； <br/>對構成為光徑長度相對於溫度變動維持固定之基準物體出射上述光，並將來自上述基準物體之第2干涉光入射至上述特定溫度環境下之上述分光器； <br/>基於上述第2干涉光算出上述基準物體之量測光徑長度； <br/>取得上述基準物體之基準光徑長度； <br/>基於上述基準物體之量測光徑長度及上述基準物體之基準光徑長度，算出上述特定溫度環境下上述量測光徑長度相對於上述基準光徑長度之變動率，上述基準物體之量測光徑長度係基於上述第2干涉光而算出；以及 <br/>基於上述變動率而修正上述量測對象物之光徑長度。
一種半導體封裝件，該半導體封裝件包括： 基板； <br/>第一子半導體封裝件，所述第一子半導體封裝件設置於所述基板上方，所述第一子半導體封裝件包括第一緩衝器晶片、第一記憶體晶片以及填充所述第一緩衝器晶片和所述第一記憶體晶片之間的空間以與所述第一緩衝器晶片和所述記憶體晶片的側表面直接接觸的第一模製層；以及 <br/>第二記憶體晶片，所述第二記憶體晶片設置於所述第一子半導體封裝件上方， <br/>其中，所述第一緩衝器晶片和所述基板使用第一接合佈線彼此電連接，其中，所述第一緩衝器晶片和所述第一記憶體晶片使用第一再分配線彼此電連接，並且 <br/>其中，所述第一緩衝器晶片和所述第二記憶體晶片使用第二接合佈線彼此電連接。
根據請求項1所述的半導體封裝件，其中，所述第一緩衝器晶片包括設置於所述第一緩衝器晶片的上表面上方的第一內部通道襯墊、第二內部通道襯墊和外部通道襯墊， <br/>其中，所述第一記憶體晶片包括設置於所述第一記憶體晶片的上表面上方的第一記憶體晶片襯墊，並且 <br/>其中，所述第一再分配線在所述第一緩衝器晶片的所述上表面、所述第一記憶體晶片的所述上表面以及所述第一模製層的上表面上方延伸，以連接所述第一內部通道襯墊和所述第一記憶體晶片襯墊。
根據請求項2所述的半導體封裝件，該半導體封裝件還包括： <br/>第二再分配線，所述第二再分配線在連接至所述第二內部通道襯墊的同時在所述第一緩衝器晶片的所述上表面上方延伸，所述第二再分配線具有在該第二再分配線的端部的再分配襯墊，並且 <br/>其中，所述第二接合佈線連接至所述再分配襯墊。
根據請求項3所述的半導體封裝件，其中，所述第一模製層圍繞所述第一緩衝器晶片的側表面， <br/>其中，所述第二再分配線包括多條第二再分配線，所述多條第二再分配線分別具有在所述多條第二再分配線的端部的多個再分配襯墊， <br/>其中，所述多條第二再分配線中的至少一條在所述第一模製層的所述上表面上方延伸，並且 <br/>其中，所述多個再分配襯墊當中的設置於所述多條第二再分配線中的所述至少一條的端部的至少一個再分配襯墊設置於所述第一模製層的所述上表面上方。
根據請求項3所述的半導體封裝件，其中，所述第一緩衝器晶片具有面對所述第一記憶體晶片的第一側表面和與所述第一側表面相對的第二側表面， <br/>其中，所述第一內部通道襯墊、所述第二內部通道襯墊和所述外部通道襯墊從所述第一側表面起依次設置，並且 <br/>其中，所述再分配襯墊設置於所述外部通道襯墊與所述第二內部通道襯墊之間。
根據請求項5所述的半導體封裝件，其中，所述第一側表面與所述第一內部通道襯墊之間的距離大於所述外部通道襯墊與所述第二側表面之間的距離。
根據請求項5所述的半導體封裝件，其中，所述第一側表面與所述第一內部通道襯墊之間的距離大於所述第一記憶體晶片與所述第一緩衝器晶片之間的距離。
根據請求項3所述的半導體封裝件，其中，所述第二記憶體晶片被設置為使得整個所述第二記憶體晶片與所述第一子半導體封裝件重疊同時暴露出所述再分配襯墊。
根據請求項2所述的半導體封裝件，其中，所述第一內部通道襯墊包括沿著所述第一緩衝器晶片的面對所述第一記憶體晶片的第一側表面佈置的多個第一內部通道襯墊， <br/>其中，所述第一記憶體晶片襯墊包括沿著所述第一記憶體晶片的面對所述第一緩衝器晶片的第一側表面佈置的多個第一記憶體晶片襯墊， <br/>其中，所述第一再分配線包括分別連接所述多個第一記憶體晶片襯墊和所述多個第一內部通道襯墊的多條第一再分配線， <br/>其中，所述多條第一再分配線中的至少一條包括與所述第一緩衝器晶片的所述第一側表面和所述第一記憶體晶片的所述第一側表面平行的水平部分，並且 <br/>其中，當設置於所述第一內部通道襯墊與所述第一記憶體晶片襯墊之間的所述水平部分的數量為N，其中，N為等於或大於2的自然數，所述第一再分配線的寬度為W1，並且相鄰的水平部分之間的距離為S1時，所述第一內部通道襯墊與所述第一記憶體晶片襯墊之間的距離具有大於N*W1+（N+1）*S1的值。
根據請求項3所述的半導體封裝件，其中，所述第二內部通道襯墊包括沿著所述第一緩衝器晶片的面對所述第一記憶體晶片的第一側表面佈置的多個第二內部通道襯墊， <br/>其中，所述第二再分配線包括分別連接至所述多個第二內部通道襯墊的多條第二再分配線， <br/>其中，分別設置於所述多條第二再分配線的端部的多個再分配襯墊沿著與所述第一緩衝器晶片的所述第一側表面平行的方向佈置， <br/>其中，所述多條第二再分配線中的至少一條包括與所述第一緩衝器晶片的所述第一側表面平行的水平部分，並且 <br/>其中，當設置於所述第二內部通道襯墊與所述再分配襯墊之間的所述水平部分的數量為M，其中M為等於或大於2的自然數，所述第二再分配線的寬度為W2，並且相鄰的水平部分之間的距離為S2時，所述第二內部通道襯墊與所述再分配襯墊之間的距離具有大於M*W2+（M+1）*S2的值。
根據請求項3所述的半導體封裝件，其中，所述外部通道襯墊的尺寸和間距大於所述第一內部通道襯墊的尺寸和間距， <br/>其中，所述外部通道襯墊的尺寸和間距大於所述第二內部通道襯墊的尺寸和間距， <br/>其中，所述再分配襯墊的尺寸和間距大於所述第一內部通道襯墊的尺寸和間距，並且 <br/>其中，所述再分配襯墊的尺寸和間距大於所述第二內部通道襯墊的尺寸和間距。
根據請求項1所述的半導體封裝件，該半導體封裝件還包括： <br/>第二子半導體封裝件，所述第二子半導體封裝件設置於所述基板上方，所述第二子半導體封裝件包括第二緩衝器晶片、第三記憶體晶片和填充所述第二緩衝器晶片和所述第三記憶體晶片之間的空間的第二模製層；以及 <br/>第四記憶體晶片，所述第四記憶體晶片設置於所述第二子半導體封裝件上方， <br/>其中，所述第二緩衝器晶片和所述基板使用第三接合佈線彼此連接， <br/>其中，所述第二緩衝器晶片和所述第三記憶體晶片使用第三再分配線彼此連接，並且 <br/>其中，所述第二緩衝器晶片和所述第四記憶體晶片使用第四接合佈線彼此連接。
根據請求項12所述的半導體封裝件，其中，所述第二子半導體封裝件具有與所述第一子半導體封裝件圍繞垂直方向的一個軸旋轉180度的狀態相同的狀態，並且 <br/>所述第四記憶體晶片具有與所述第二記憶體晶片圍繞垂直方向上的一個軸旋轉180度的狀態相同的狀態。
根據請求項13所述的半導體封裝件，其中，所述第三記憶體晶片與所述第一緩衝器晶片部分地重疊。
根據請求項13所述的半導體封裝件，其中，所述基板的一個側表面與所述第一子半導體封裝件的和所述基板的所述一個側表面彼此鄰近的一個側表面之間的距離大於所述第一子半導體封裝件的和所述第一子半導體封裝件的所述一個側表面相對的另一側表面與所述第二子半導體封裝件的和所述第一子半導體封裝件的所述另一側表面鄰近的另一側表面之間的距離。
根據請求項1所述的半導體封裝件，該半導體封裝件還包括： <br/>附加第一記憶體晶片，該附加第一記憶體晶片在所述第一記憶體晶片上方使用附加第一接合佈線連接至所述第一記憶體晶片；以及 <br/>附加第二記憶體晶片，該附加第二記憶體晶片在所述第二記憶體晶片上方使用附加第二接合佈線連接至所述第二記憶體晶片。
根據請求項12所述的半導體封裝件，該半導體封裝件還包括： <br/>附加第三記憶體晶片，該附加第三記憶體晶片在所述第三記憶體晶片上方使用附加第三接合佈線連接至所述第三記憶體晶片；以及 <br/>附加第四記憶體晶片，該附加第四記憶體晶片在所述第四記憶體晶片上方使用附加第四接合佈線連接至所述第四記憶體晶片。
一種半導體封裝件，該半導體封裝件包括： <br/>緩衝器晶片，該緩衝器晶片具有面對記憶體晶片的第一側表面和被定位為與所述第一側表面相對的第二側表面，所述緩衝器晶片包括從所述第一側表面起依次佈置的第一內部通道襯墊和外部通道襯墊； <br/>所述記憶體晶片，所述記憶體晶片設置於所述緩衝器晶片的一側以與所述緩衝器晶片間隔開，所述記憶體晶片包括通過再分配線電連接至所述第一內部通道襯墊的記憶體晶片襯墊；以及 <br/>模製層，該模製層填充所述緩衝器晶片和所述記憶體晶片之間的空間以與所述緩衝器晶片和所述記憶體晶片的側表面直接接觸， <br/>其中，所述第一側表面與所述第一內部通道襯墊之間的距離大於所述外部通道襯墊與所述第二側表面之間的距離。
根據請求項18所述的半導體封裝件，其中，所述第一側表面與所述第一內部通道襯墊之間的距離大於所述記憶體晶片與所述緩衝器晶片之間的距離。
根據請求項18所述的半導體封裝件，其中，所述第一內部通道襯墊包括沿著所述緩衝器晶片的所述第一側表面佈置的多個第一內部通道襯墊， <br/>其中，所述記憶體晶片襯墊包括沿著所述記憶體晶片的面對所述緩衝器晶片的側表面佈置的多個記憶體晶片襯墊， <br/>其中，所述再分配線包括分別連接所述多個記憶體晶片襯墊和所述多個第一內部通道襯墊的多條再分配線， <br/>其中，所述多條再分配線中的至少一條包括與所述緩衝器晶片的所述第一側表面和所述記憶體晶片的所述側表面平行的水平部分，並且 <br/>其中，當設置於所述第一內部通道襯墊與所述記憶體晶片襯墊之間的所述水平部分的數量為N，其中N為等於或大於2的自然數，所述再分配線的寬度為W1，並且相鄰的水平部分之間的距離為S1時，所述第一內部通道襯墊與所述記憶體晶片襯墊之間的距離具有大於N*W1+（N+1）*S1的值。
根據請求項18所述的半導體封裝件，其中，所述緩衝器晶片還包括位於所述外部通道襯墊和所述第一內部通道襯墊之間的第二內部通道襯墊。
一種基板處理系統，具備： <br/>基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理； <br/>基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入； <br/>距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離；以及 <br/>控制裝置； <br/>該基板搬送機構係將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台； <br/>該距離感測器係測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離，並且當該基板保持部在該載置台上方移動以使該距離感測器移動於俯視觀看下會橫切該環狀組件之方向的期間，會連續地測定從該基板保持部到該環狀組件之距離； <br/>該控制裝置係依據到該基準面之距離的測定結果及到該環狀組件之距離的連續性測定結果，來推測橫切方向上之該環狀組件的高度分布。
如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其係於該基板保持部設置有至少2個該距離感測器； <br/>當該基板保持部在該載置台上方移動以使一該距離感測器移動於俯視觀看下會橫切該環狀組件之方向的期間，前述一該距離感測器會連續地測定從該基板保持部到該環狀組件之距離，並且，另一該距離感測器會連續地測定從該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離； <br/>該控制裝置會依據前述一該距離感測器及前述另一該距離感測器所為之測定中的各時間點中，到該基準面之距離的測定結果與到該環狀組件之距離的測定結果，來推測該橫切方向上之該環狀組件的高度分布。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中該治具基板係具有從該基準面而遠離相異特定距離的複數補正用面，複數補正用面在高度方向上自該基準面起的距離係相異； <br/>該距離感測器係測定從該基板保持部到該治具基板的各該複數補正用面之距離； <br/>該控制裝置會依據到各該複數補正用面之距離的測定結果，來補正該距離感測器所為的測定結果。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其另具有會測定該距離感測器的溫度之溫度感測器； <br/>該控制裝置係依據該距離感測器在測定時之該距離感測器的溫度測定結果，來補正該距離感測器所為的測定結果。
如申請專利範圍第3項之基板處理系統，其另具有會測定該距離感測器的溫度之溫度感測器； <br/>該控制裝置係依據該距離感測器在測定時之該距離感測器的溫度測定結果，來補正該距離感測器所為的測定結果。
如申請專利範圍第4項之基板處理系統，其中該距離感測器係至少2次測定從該基板保持部到該治具基板中的特定部分之距離； <br/>該溫度感測器係測定該距離感測器在測定到該特定部分的距離之各時間點中之該距離感測器的溫度； <br/>該控制裝置係依據到該特定部分的距離之至少2次的測定結果與所測定之該各時間點中之該距離感測器的溫度，來取得該距離感測器所為的測定結果與該距離感測器的溫度之關聯性； <br/>並依據該測定時之該距離感測器的溫度與該關聯性來補正該距離感測器所為的測定結果。
如申請專利範圍第5項之基板處理系統，其中該距離感測器係至少2次測定從該基板保持部到該治具基板中的特定部分之距離； <br/>該溫度感測器係測定該距離感測器在測定到該特定部分的距離之各時間點中之該距離感測器的溫度； <br/>該控制裝置係依據到該特定部分的距離之至少2次的測定結果與所測定之該各時間點中之該距離感測器的溫度，來取得該距離感測器所為的測定結果與該距離感測器的溫度之關聯性； <br/>並依據該測定時之該距離感測器的溫度與該關聯性來補正該距離感測器所為的測定結果。
如申請專利範圍第1或2項之基板處理系統，其中該環狀組件為鄰接於該載置台上的基板般所配置之聚焦環，或覆蓋該聚焦環的外側面般所配置之覆蓋環的至少任一者。
一種環狀組件的高度推測方法，係在基板處理系統中推測環狀組件的高度之方法； <br/>該基板處理系統具備： <br/>基板處理裝置，係具有載置有基板與圍繞基板般配置的環狀組件之載置台，來對該載置台所載置之基板施予特定處理； <br/>基板搬送機構，係具有基板保持部，且以該基板保持部來保持基板而相對於該基板處理裝置進行搬出入；以及 <br/>距離感測器，係設置於該基板保持部來測定自該基板保持部的距離； <br/>包含以下工序： <br/>藉由該基板搬送機構來將具有會成為該環狀組件之高度基準的基準面之治具基板載置於載置有該環狀組件的該載置台之工序； <br/>以該距離感測器來測定從位在該載置台上方的該基板保持部到該治具基板的該基準面之距離，並且當該基板保持部在該載置台上方移動以使該距離感測器移動於俯視觀看下會橫切該環狀組件之方向的期間，以該距離感測器來連續地測定從該基板保持部到該環狀組件之距離之工序；以及 <br/>依據到該基準面之距離的測定結果及到該環狀組件之距離的連續性測定結果來推測橫切方向上之該環狀組件的高度分布之工序。
一種半導體裝置，包含:<br/>一深溝槽電容器結構，包含一層堆疊，該層堆疊包括:<br/>一第一金屬電極層；<br/>一第二金屬電極層；以及<br/>至少一節點介電層，其中該至少一節點介電層位於該第一金屬電極層與該第二金屬電極層之間；<br/>一電晶體結構，包含:<br/>一基極；<br/>形成於該基極內的一第一端子；以及<br/>形成於該基極內的一第二端子；<br/>一第一串聯連接結構，包括電連接該第一金屬電極層與該第一端子的多個通孔結構及至少一金屬互連結構；以及<br/>一第二串聯連接結構，包括電連接該第二金屬電極層與該第二端子的多個通孔結構及至少一金屬互連結構，其中該第一端子與該第二端子之間的一電壓擊穿值小於該第一金屬電極層與該第二金屬電極層之間的一電壓擊穿值。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該深溝槽電容器結構的該層堆疊進一步包含:<br/>一第三金屬電極層，其中該至少一節點介電層位於該第二金屬電極層與該第三金屬電極層之間；以及<br/>一第四金屬電極層，其中該至少一節點介電層位於該第三金屬電極層與該第四金屬電極層之間，<br/>其中該第一端子經由該第一串聯連接結構電連接至該第三金屬電極層，<br/>其中該第二端子經由該第二串聯連接結構電連接至該第四金屬電極層。
一種半導體裝置，包含:<br/>一電晶體結構，包含:<br/>一基極；<br/>形成於該基極內的一第一端子；以及<br/>形成於該基極內的一第二端子，其中該第一端子及該第二端子藉由摻雜該基極而形成；以及<br/>一深溝槽電容器結構，包含:<br/>一第一金屬電極層；以及<br/>一第二金屬電極層，其中該第一端子電連接至該第一金屬電極層，且其中該第二端子電連接至該第二金屬電極層。
一種形成一半導體裝置之方法，包含:<br/>在一基板中形成多個深溝槽；<br/>形成一溝槽電容器結構，該溝槽電容器結構包含一層堆疊，該層堆疊包括該些深溝槽中與至少一節點介電層交錯的至少兩個金屬電極層；<br/>摻雜該基板以形成一電晶體結構的一基極；<br/>摻雜該基極以形成一第一端子及一第二端子；<br/>形成一第一串聯連接結構，包括多個通孔結構及至少一金屬互連結構，以電連接該第一端子與該至少兩個金屬電極層的一第一金屬電極層；及<br/>形成一第二串聯連接結構，包括多個通孔結構及至少一金屬互連結構，以電連接該第二端子與該至少兩個金屬電極層的一第二金屬電極層。
如請求項4所述之方法，進一步包含經由該第一串聯連接結構將該第一端子電連接至該至少兩個金屬電極層的一第三金屬電極層。
如請求項4所述之方法，進一步包含經由該第二串聯連接結構將該第二端子電連接至該至少兩個金屬電極層的一第四金屬電極層。
如請求項4所述之方法，進一步包含:<br/>在該基極的頂部上形成一閘極結構，且位於該第一端子與該第二端子之間；以及<br/>將該閘極結構電耦合至地面。
一種半導體裝置，包含：<br/>一第一深溝槽電容器，包含：<br/>一第一金屬電極層；<br/>一第二金屬電極層；及<br/>一節點介電層將該第一金屬電極層與該第二金屬電極層分離；及<br/>一電晶體結構，包含：<br/>一第一端子電連接至該第一金屬電極層；及<br/>一第二端子電連接至該第二金屬電極層，<br/>其中該第一端子與該第二端子之間的一第一電壓擊穿值小於該第一金屬電極層與該第二金屬電極層之間的一第二電壓擊穿值。
一種半導體裝置，包含：<br/>一深溝槽電容器，包含：<br/>一第一金屬電極層；<br/>一第二金屬電極層；及<br/>一節點介電層將該第一金屬電極層與該第二金屬電極層分離；及<br/>一深溝槽電容器熔絲，包含：<br/>一第一端子電連接至該第一金屬電極層；及<br/>一第二端子電連接至該第二金屬電極層，<br/>其中該第一端子與該第二端子之間的一第一電壓擊穿值小於該第一金屬電極層與該第二金屬電極層之間的一第二電壓擊穿值。
一種形成一半導體裝置的方法，包含：<br/>在一基板中形成一深溝槽電容器，該深溝槽電容器包含：<br/>一第一金屬電極層；<br/>一第二金屬電極層；及<br/>一節點介電層將該第一金屬電極層與該第二金屬電極層分離；及<br/>形成一電晶體結構藉由：<br/>摻雜該基板以形成該電晶體結構的一基極；及<br/>摻雜該基極以形成一第一端子與一第二端子，<br/>該電晶體結構包含：<br/>該第一端子電連接至該第一金屬電極層；及<br/>該第二端子電連接至該第二金屬電極層。
一種觸摸感測信號處理電路，包括： <br/>前置放大電路，被配置成比較與用於觸摸感測的感測節點的電容變化對應的觸摸感測信號和用於驅動所述觸摸感測的觸摸驅動信號，並輸出與所述比較的結果對應的感測電流；以及 <br/>三角積分類比轉數位轉換器，被配置成產生藉由對所述感測電流進行取樣而獲得的取樣電壓，輸出與所述取樣電壓對應的數位信號，並藉由使用所述數位信號來調諧所述取樣電壓， <br/>其中，所述前置放大電路包括緩衝器、低通濾波器和輸出電路；所述緩衝器被配置成根據第一控制信號和第二控制信號來產生輸出；所述低通濾波器被配置成對所述第一控制信號及所述第二控制信號的峰值分量進行濾波；所述輸出電路具有與所述緩衝器的內部電路相同的結構，並且根據已濾波的所述第一控制信號及所述第二控制信號輸出所述感測電流。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，其中： <br/>所述緩衝器被配置成藉由與第一輸入級的所述觸摸感測信號對應的所述第一控制信號和與第二輸入級的所述觸摸驅動信號對應的所述第二控制信號來產生與所述觸摸感測信號和所述觸摸驅動信號之間的差對應的所述輸出，並將所述輸出回授到所述第一輸入級； <br/>所述輸出電路被配置成藉由使用所述第一控制信號和所述第二控制信號來輸出從所述緩衝器的內部電流鏡像的所述感測電流以用於所述輸出；以及 <br/>所述低通濾波器包括濾波電容器，並且被配置成藉由使用所述濾波電容器對從所述緩衝器傳輸到所述輸出電路的所述第一控制信號和所述第二控制信號進行濾波。
根據請求項2所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述緩衝器是單位增益緩衝器。
根據請求項2所述的觸摸感測信號處理電路，其中， <br/>所述濾波電容器包括第一電容器和第二電容器， <br/>所述第一電容器對與所述觸摸感測信號對應的所述第一控制信號的第一峰值分量進行濾波，以及 <br/>所述第二電容器對與所述觸摸驅動信號對應的所述第二控制信號的第二峰值分量進行濾波。
根據請求項2所述的觸摸感測信號處理電路，其中， <br/>用於驅動所述輸出電路的內部電路與所述緩衝器的所述內部電路的電流鏡像比能夠變化，以及 <br/>所述感測電流的範圍隨著所述電流鏡像比的變化而變化。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述觸摸驅動信號具有與施加到所述感測節點的所述觸摸驅動信號的波形和相位相同的波形和相位。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述觸摸驅動信號設置為在正弦波和方波中選擇的一個波形。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述三角積分類比轉數位轉換器被配置成： <br/>產生藉由對所述感測電流進行積分而獲得的所述取樣電壓， <br/>藉由將所述取樣電壓與預設的參考電壓進行比較來輸出量化數位信號，以及 <br/>藉由回授所述數位信號來調諧所述取樣電壓。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述三角積分類比轉數位轉換器包括： <br/>積分器，被配置成藉由對所述感測電流進行積分來產生所述取樣電壓； <br/>比較器，被配置成將所述取樣電壓與預設的參考電壓進行比較，並且輸出具有基於所述取樣電壓的電壓準位而量化的值的所述數位信號；以及 <br/>數位轉類比轉換器，被配置成接收所述數位信號並藉由所述數位信號的回授來調諧所述取樣電壓。
根據請求項9所述的觸摸感測信號處理電路，其中， <br/>所述積分器使用可變電容器來配置，以及 <br/>所述可變電容器具有用所述感測電流充電的所述取樣電壓。
根據請求項9所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述數位轉類比轉換器被配置成： <br/>接收所述數位信號， <br/>回應於具有邏輯高值的所述數位信號來執行降低所述積分器的所述取樣電壓的操作，以及 <br/>回應於具有邏輯低值的所述數位信號來執行提升所述積分器的所述取樣電壓的操作。
根據請求項9所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述數位轉類比轉換器向所述積分器施加正電荷或負電荷，以便調諧所述取樣電壓。
根據請求項9所述的觸摸感測信號處理電路，其中，所述數位轉類比轉換器用電流對所述積分器進行充電或者釋放所述積分器的電流，以便調諧所述取樣電壓。
根據請求項1所述的觸摸感測信號處理電路，還包括： <br/>邏輯濾波器，被配置成輸出藉由濾除所述數位信號的雜訊而獲得的邏輯信號， <br/>其中，所述邏輯濾波器包括在抽取濾波器和滑動離散傅立葉轉換濾波器中選擇的一個濾波器，並且藉由所選擇的所述濾波器從所述數位信號中去除非信號頻帶的量化雜訊。
一種用於在設備之間傳送多維資料的方法，包含以下步驟：<br/> 識別一發送器設備上之一第一多維記憶體區塊上之資料的一第一組資料特性，該第一組資料特性包含該第一多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 自一接收器設備接收一訊息，其中包含該接收器設備上之一第二多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 產生複數個網路封包以將資料自該發送器設備傳送至該接收器設備，其中該複數個網路封包中之每一網路封包包含該第一記憶體區塊的該一或多個形狀性質及該第二記憶體區塊的該一或多個形狀性質上的一或多個標頭欄位，且其中該複數個網路封包包括：<br/> 包括一第一組網路封包的一第一訊息塊及表示該第一訊息塊的一終止的一第一遠程旗號訊息；及<br/> 包括一第二組網路封包的一第二訊息塊及表示該第二訊息塊的一終止的一第二遠程旗號訊息；及<br/> 向該接收器設備提供該複數個網路封包，以向該第二記憶體區塊寫入資料；<br/> 其中提供該複數個網路封包之步驟包括以下步驟：提供該第一訊息塊及該第二訊息塊，而無需等待自該第一訊息塊接收一或多個資料封包的確認。
如請求項1所述之方法，其中該第一多維記憶體區塊的一第一形狀具有與該第二多維記憶體區塊的一第二形狀不同的尺寸。
如請求項1所述之方法，其進一步包括以下步驟：產生一旗號訊息，其確認該複數個網路封包的傳送；並將該旗號訊息提供至該發送器設備上的一處理器。
如請求項1所述之方法，其中該複數個網路封包包含具有一固定分段大小的一第一組網路封包以及一大小等於或小於該固定分段大小的最後一個網路封包，其中該固定分段大小基於該發送器設備及該接收器設備上的網路控制器的一或多個硬體規格。
如請求項4所述之方法，其中每一網路封包的該一或多個標頭欄位包含與該第一記憶體區塊上之一基記憶體位址相關的一第一基址以及表示該複數個網路封包中之一給定封包之一次序的一偏移值，該給定封包的該次序表示來自該第一基址的數個位元組。
如請求項1所述之方法，其中將該複數個網路封包經由以下的一或多者自該發送器設備的一第一網路控制器提供至該接收器設備的一第二網路控制器：<br/> 連接該第一網路控制器及該第二網路控制器的一直接乙太網路線路；或<br/> 一系列乙太網路開關及路由器。
如請求項1所述之方法，其中該第一多維記憶體區塊包含儲存於該發送器設備上之記憶體硬體中之一二維形狀中的資料。
如請求項1所述之方法，其中該第一多維記憶體區塊包含儲存於該發送器設備上之記憶體硬體中之一三維形狀中的資料。
一種用於在設備之間傳送多維資料的系統，包含：<br/> 一或多個處理器；<br/> 記憶體，與該一或多個處理器電通信；及<br/> 指令，儲存於該記憶體中，該等指令可由該一或多個處理器執行以：<br/> 識別一發送器設備上之一第一多維記憶體區塊上之資料的一第一組資料特性，該第一組資料特性包含該第一多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 自一接收器設備接收一訊息，其中包含該接收器設備上之一第二多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 產生複數個網路封包以將資料自該發送器設備傳送至該接收器設備，其中該複數個網路封包中之每一網路封包包含該第一記憶體區塊的該一或多個形狀性質及該第二記憶體區塊的該一或多個形狀性質上的一或多個標頭欄位，且其中該複數個網路封包包括：<br/> 包括一第一組網路封包的一第一訊息塊及表示該第一訊息塊的一終止的一第一遠程旗號訊息；及<br/> 包括一第二組網路封包的一第二訊息塊及表示該第二訊息塊的一終止的一第二遠程旗號訊息；及<br/> 向該接收器設備提供該複數個網路封包，以向該第二記憶體區塊寫入資料；<br/> 其中提供該複數個網路封包包括提供該第一訊息塊及該第二訊息塊，而無需等待自該第一訊息塊接收一或多個資料封包的確認。
如請求項9所述之系統，其中該第一多維記憶體區塊的一第一形狀具有與該第二多維記憶體區塊的一第二形狀不同的尺寸。
如請求項9所述之系統，其中該複數個網路封包包含具有一固定分段大小的一第一組網路封包以及一大小等於或小於該固定分段大小的最後一個網路封包，其中該固定分段大小基於該發送器設備及該接收器設備上的網路控制器的一或多個硬體規格。
如請求項11所述之系統，其中每一網路封包的該一或多個標頭欄位包含與該第一多維記憶體區塊上之一基記憶體位址相關的一第一基址以及表示該複數個網路封包中之一給定封包之一次序的一偏移值，該給定封包的該次序表示來自該第一基址的數個位元組。
如請求項9所述之系統，其中將該複數個網路封包經由以下的一或多者自該發送器設備的一第一網路控制器提供至該接收器設備的一第二網路控制器：<br/> 連接該第一網路控制器及該第二網路控制器的一直接乙太網路線路；或<br/> 一系列乙太網路開關及路由器。
如請求項9所述之系統，其中該第一記憶體區塊包含儲存於該發送器設備上之記憶體硬體中之一二維形狀或一三維形狀中之一或多者中的資料。
一種非暫時性電腦可讀媒體，儲存由一或多個處理器執行時使一計算設備進行以下操作的指令：<br/> 識別一發送器設備上之一第一多維記憶體區塊上之資料的一第一組資料特性，該第一組資料特性包含該第一多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 自一接收器設備接收一訊息，其中包含該接收器設備上之一第二多維記憶體區塊的一或多個形狀性質；<br/> 產生複數個網路封包以將資料自該發送器設備傳送至該接收器設備，其中該複數個網路封包中之每一網路封包包含該第一記憶體區塊的該一或多個形狀性質及該第二記憶體區塊的該一或多個形狀性質上的一或多個標頭欄位，且其中該複數個網路封包包括：<br/> 包括一第一組網路封包的一第一訊息塊及表示該第一訊息塊的一終止的一第一遠程旗號訊息；及<br/> 包括一第二組網路封包的一第二訊息塊及表示該第二訊息塊的一終止的一第二遠程旗號訊息；及<br/> 向該接收器設備提供該複數個網路封包，以向該第二記憶體區塊寫入資料；<br/> 其中提供該複數個網路封包包括提供該第一訊息塊及該第二訊息塊，而無需等待自該第一訊息塊接收一或多個資料封包的確認。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀媒體，其中該第一多維記憶體區塊的一第一形狀具有與該第二多維記憶體區塊的一第二形狀不同的尺寸，且其中該第一多維記憶體區塊包含儲存於該發送器設備上之記憶體硬體中之一二維形狀或一三維形狀的一或多者中的資料。
如請求項15所述之非暫時性電腦可讀媒體，<br/> 其中該複數個網路封包包含具有一固定分段大小的一第一組網路封包以及一大小等於或小於該固定分段大小的最後一個網路封包，其中該固定分段大小基於該發送器設備及該接收器設備上的網路控制器的一或多個硬體規格，及<br/> 其中每一網路封包的該一或多個標頭欄位包含與該第一多維記憶體區塊上之一基記憶體位址相關的一第一基址以及表示該複數個網路封包中之一給定封包之一次序的一偏移值，該給定封包的該次序表示來自該第一基址的數個位元組。
一種火爐用燃燒器，是具有上下2層焰口的火爐用燃燒器，具備： <br/>燃燒器本體，具有外側筒體、中間筒體、內側筒體的內外3層筒體； <br/>環狀的下燃燒器帽蓋，在內周部垂設有嵌合於燃燒器本體之中間筒體的筒部，與燃燒器本體的外側筒體之間，存有周方向的間隔地區劃出多數個下層焰口； <br/>環狀的上燃燒器帽蓋，在內周部垂設有嵌合於燃燒器本體之內側筒體的筒部，與下燃燒器帽蓋之間，存有周方向的間隔地區劃出多數個上層焰口， <br/>透過被燃燒器本體的外側筒體與中間筒體與下燃燒器帽蓋所圍繞的下層焰口用混合氣室，對下層焰口供給混合氣，並且透過被燃燒器本體的中間筒體與內側筒體與下燃燒器帽蓋與上燃燒器帽蓋所圍繞的上層焰口用混合氣室，對上層焰口供給混合氣， <br/>下層焰口之中，位於周方向1個位置的焰口構成點火焰口，將位於點火焰口上方的靶部設在下燃燒器帽蓋，並藉由配置成面向靶部的點火電極、與靶部之間的火花放電，對從點火焰口噴出的混合氣點火， <br/>其特徵為： <br/>在下層焰口用混合氣室設有：一對肋，隔著點火焰口而位在周方向上分離的2個周方向位置，從下燃燒器帽蓋之內周部的筒部、與燃燒器本體的外側筒體的其中一個突出，並抵接或接近其中另一個，且上下方向較長。
一種疊加計量系統，其包括： <br/>一疊加計量工具，其經組態以實施用於量測一樣本上之一疊加目標之一計量配方，與該計量配方相關聯之該疊加目標包含具有沿著一或多個量測方向分佈之圖案化特徵之一或多個光柵結構，其中該疊加計量工具包括： <br/>一物鏡；<br/>一照明通路，其包含一或多個照明光學器件以當實施該計量配方時用分佈在一或多個照明分佈當中之兩個或更多個傾斜照明波瓣來照明該疊加目標，其中該一或多個照明分佈使得，對於該一或多個量測方向中之每一者，只有一0階繞射波瓣及一單個一階繞射波瓣自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之任一個特定者由該物鏡收集；及<br/>一收集通路，其包含一或多個收集光學器件以當實施該計量配方時，基於由該物鏡收集的來自該疊加目標之光將該疊加目標成像在一或多個偵測器上；以及<br/>一控制器，其通信地耦合至至少該一或多個偵測器，該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令致使該一或多個處理器： <br/>基於該一或多個照明分佈，自該一或多個偵測器接收該疊加目標之一或多個亮場影像，其中依照該計量配方，該一或多個亮場影像之每一者只根據由該物鏡收集的自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者的該0階繞射波瓣及該單個一階繞射波瓣來產生；且<br/>基於該一或多個影像，產生該疊加目標的與該一或多個量測方向相關聯之一或多個疊加量測。
如請求項1之疊加計量系統，其中該計量配方界定該疊加目標中沿著該一或多個量測方向之該等光柵結構之間距或者該一或多個照明分佈中該兩個或更多個傾斜照明波瓣之波長中的至少一者以使得，對於該一或多個量測方向中之每一者，只有一0階繞射波瓣及一單個一階繞射波瓣自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之任一個特定者由該物鏡收集。
如請求項1之疊加計量系統，其中該一或多個光柵結構包含與一第一微影曝光相關聯之一第一組光柵結構以及與一第二微影曝光相關聯之一第二組光柵結構，其中該一或多個疊加量測對應於該等第一微影曝光與該等第二微影曝光之間的疊加量測。
如請求項3之疊加計量系統，其中該第一組光柵結構位於該樣本之一第一層上，其中該第二組光柵結構位於該樣本之一第二層上。
如請求項3之疊加計量系統，其中該第一組光柵結構及該第二組光柵結構位於該樣本之一共同層上。
如請求項1之疊加計量系統，其中該疊加目標包含具有該一或多個光柵結構的具有沿著該一或多個量測方向中之一第一者之週期性的一部分之一或多個單元，其中該疊加目標進一步包含具有該一或多個光柵結構的具有沿著該一或多個量測方向中之一第二者之週期性的一部分之一或多個單元。
如請求項1之疊加計量系統，其中該疊加目標包括： <br/>一進階成像計量(AIM)目標、一穩健AIM目標或一個三重AIM目標中之至少一者。
如請求項1之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一圓形。
如請求項1之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一橢圓形。
如請求項1之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一幾何透鏡。
如請求項1之疊加計量系統，其中該一或多個照明分佈包括： <br/>一單個照明分佈。
如請求項1之疊加計量系統，其中該一或多個照明分佈包括： <br/>依序產生之兩個或更多個照明分佈。
如請求項1之疊加計量系統，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成沿著該一或多個量測方向中之一者定向之一雙極照明分佈之兩個傾斜照明波瓣。
如請求項1之疊加計量系統，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成以不正交於該一或多個量測方向之一角度定向之一旋轉式雙極照明分佈之兩個傾斜照明波瓣。
如請求項1之疊加計量系統，其中該一或多個量測方向包括： <br/>兩個量測方向，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成沿著該兩個量測方向定向之一個四極照明分佈之四個傾斜照明波瓣。
如請求項1之疊加計量系統，其中該一或多個量測方向包括： <br/>兩個量測方向，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成以不正交於該兩個量測方向之一角度定向之一旋轉式四極照明分佈之四個傾斜照明波瓣。
一種疊加計量系統，其包括： <br/>一控制器，其與一疊加計量工具通信地耦合，其中該疊加計量工具經組態以實施用於量測一樣本上之一疊加目標之一計量配方，與該計量配方相關聯之該疊加目標包含具有沿著一或多個量測方向分佈之圖案化特徵之一或多個光柵結構，其中該疊加計量工具包括： <br/>一物鏡；<br/>一照明通路，其包含一或多個照明光學器件以當實施該計量配方時用分佈在一或多個照明分佈當中之兩個或更多個傾斜照明波瓣來照明該疊加目標，其中該一或多個照明分佈使得，對於該一或多個量測方向中之每一者，只有一0階繞射波瓣及一單個一階繞射波瓣自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之任一個特定者由該物鏡收集；及<br/>一收集通路，其包含一或多個收集光學器件以當實施該計量配方時，基於由該物鏡收集的來自該疊加目標之光將該疊加目標成像在一或多個偵測器上；<br/>其中該控制器包含經組態以執行程式指令之一或多個處理器，該等程式指令致使該一或多個處理器： <br/>基於該一或多個照明分佈，自該一或多個偵測器接收該疊加目標之一或多個亮場影像，其中依照該計量配方，該一或多個亮場影像之每一者只根據由該物鏡收集的自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者的該0階繞射波瓣及該單個一階繞射波瓣來產生；且<br/>基於該一或多個亮場影像，產生該疊加目標的與該一或多個量測方向相關聯之一或多個疊加量測。
如請求項17之疊加計量系統，其中該計量配方界定該疊加目標中沿著該一或多個量測方向之該一或多個光柵結構之間距或者該一或多個照明分佈中該兩個或更多個傾斜照明波瓣之波長中的至少一者以使得，對於該一或多個量測方向中之每一者，只有一0階繞射波瓣及一單個一階繞射波瓣自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之任一個特定者由該物鏡收集。
如請求項17之疊加計量系統，其中該一或多個光柵結構包含與一第一微影曝光相關聯之一第一組光柵結構以及與一第二微影曝光相關聯之一第二組光柵結構，其中該一或多個疊加量測對應於該等第一微影曝光與該等第二微影曝光之間的疊加量測。
如請求項19之疊加計量系統，其中該第一組光柵結構位於該樣本之一第一層上，其中該第二組光柵結構位於該樣本之一第二層上。
如請求項19之疊加計量系統，其中該第一組光柵結構及該第二組光柵結構位於該樣本之一共同層上。
如請求項17之疊加計量系統，其中該疊加目標包含具有該一或多個光柵結構的具有沿著該一或多個量測方向中之一第一者之週期性的一部分之一或多個單元，其中該疊加目標進一步包含具有該一或多個光柵結構的具有沿著該一或多個量測方向中之一第二者之週期性的一部分之一或多個單元。
如請求項17之疊加計量系統，其中該疊加目標包括： <br/>一進階成像計量(AIM)目標、一穩健AIM目標或一個三重AIM目標中之至少一者。
如請求項17之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一圓形。
如請求項17之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一橢圓形。
如請求項17之疊加計量系統，其中將該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者塑形為一幾何透鏡。
如請求項17之疊加計量系統，其中該一或多個照明分佈包括： <br/>一單個照明分佈。
如請求項17之疊加計量系統，其中該一或多個照明分佈包括： <br/>依序產生之兩個或更多個照明分佈。
如請求項17之疊加計量系統，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成沿著該一或多個量測方向中之一者定向之一雙極照明分佈之兩個傾斜照明波瓣。
如請求項17之疊加計量系統，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成以不正交於該一或多個量測方向之一角度定向之一旋轉式雙極照明分佈之兩個傾斜照明波瓣。
如請求項17之疊加計量系統，其中該一或多個量測方向包括： <br/>兩個量測方向，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成沿著該兩個量測方向定向之一個四極照明分佈之四個傾斜照明波瓣。
如請求項17之疊加計量系統，其中該一或多個量測方向包括： <br/>兩個量測方向，其中該兩個或更多個傾斜照明波瓣包括： <br/>用以形成以不正交於該兩個量測方向之一角度定向之一旋轉式四極照明分佈之四個傾斜照明波瓣。
一種疊加方法，其包括： <br/>使用一疊加計量工具來擷取一疊加目標之一或多個亮場影像，其中該疊加計量工具經組態以實施用於量測一樣本上之該疊加目標之一計量配方，與該計量配方相關聯之該疊加目標包含具有沿著一或多個量測方向分佈之圖案化特徵之一或多個光柵結構，其中該疊加計量工具包括： <br/>一物鏡；<br/>一照明通路，其包含一或多個照明光學器件以當實施該計量配方時用分佈在一或多個照明分佈當中之兩個或更多個傾斜照明波瓣來照明該疊加目標，其中該一或多個照明分佈使得，對於該一或多個量測方向中之每一者，只有一0階繞射波瓣及一單個一階繞射波瓣自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之任一個特定者由該物鏡收集；及<br/>一收集通路，其包含一或多個收集光學器件以回應於該一或多個照明分佈，基於由該物鏡收集的來自該疊加目標之光將該疊加目標成像在一或多個偵測器上，其中依照該計量配方，該一或多個亮場影像之每一者只根據由該物鏡收集的自該兩個或更多個傾斜照明波瓣中之至少一者的該0階繞射波瓣及該單個一階繞射波瓣來產生；以及<br/>基於該一或多個影像，產生該疊加目標的與該一或多個量測方向相關聯之一或多個疊加量測。
一種刀把(22)，其沿其之一刀把縱向軸線(B)伸長，該刀把縱向軸線(B)界定相反向前及向後方向(D<sub>F</sub>、D<sub>R</sub>)，該刀把(22)經構形以固定於其之一後端處，該刀把(22)包括： <br/>一質量外殼部分(40)，其包括具有一向內腔壁面(38)之一內部刀把腔(36)；及 <br/>一抗震裝置(34)，其包括： <br/>兩個減震質量(54a、54b)，其等包含具有一長質量中心軸線(E1)之一長減震質量(54a)及具有一短質量中心軸線(E2)之一短減震質量(54b)，該長及短減震質量(54a、54b)之各者具有軸向對置向前及向後質量端(60a、60b)；及 <br/>至少三個彈性懸吊部件(62)；其中： <br/>該長減震質量(54a)沿該長質量中心軸線(E1)延伸一長質量軸向長度(LL)且包括一長質量材料； <br/>該短減震質量(54b)沿該短質量中心軸線(E2)延伸一短質量軸向長度(LS)且包括一短質量材料； <br/>該短質量軸向長度(LS)小於該長質量軸向長度(LL)且該長及短減震質量(54a、54b)由不同材料製成；且 <br/>該刀把(22)可在一未組裝狀態與一組裝狀態之間調整，且在該組裝狀態中： <br/>該兩個減震質量(54a、54b)安置於該內部刀把腔(36)中且藉由接觸該向內腔壁面(38)之該至少三個懸吊部件(62)彈性懸吊於該內部刀把腔(36)內，其中 <br/>該至少三個懸吊部件(62)包括至少一個中心懸吊部件(63)；且 <br/>該長及短減震質量(54a、54b)由該至少一個中心懸吊部件(63)間隔開。
如請求項1之刀把(22)，其中該長及短減震質量(54a、54b)沿該刀把縱向軸線(B)軸向偏移，使得該長及短減震質量(54a、54b)之一者比另一者更靠近該刀把(22)之一前端。
如請求項2之刀把(22)，其中該短減震質量(54b)比該長減震質量(54a)更靠近該刀把(22)之該前端定位。
如請求項2或3之刀把(22)，其中該長及短減震質量(54a、54b)中更靠近該刀把(22)之該前端之一者具有大於該長及短減震質量(54a、54b)之另一者之一密度之一密度。
如請求項1之刀把(22)，其中該長質量材料比該短質量材料更剛性。
如請求項1之刀把(22)，其中： <br/>該抗震裝置(34)包括四個懸吊部件(62)，其等包含： <br/>一個懸吊部件(62)，其位於該兩個減震質量(54a、54b)之一軸向向前者之該向前質量端(60a)處； <br/>另一懸吊部件(62)，其位於該兩個減震質量(54a、54b)之一軸向向後者之該向後質量端(60b)處；及 <br/>兩個中心懸吊部件(63)，其等使該兩個減震質量(54a、54b)間隔開。
如請求項6之刀把(22)，其中該兩個中心懸吊部件(63)彼此彈性接觸。
如請求項1之刀把(22)，其中該抗震裝置(34)包括正好兩個減震質量(54a、54b)。
如請求項1之刀把(22)，其中： <br/>該長減震質量(54a)在遠離該長減震質量(54a)之該等質量端(60a、60b)之垂直於該長質量中心軸線(E1)定向之一平面中具有一恆定長質量橫截面積(CL)； <br/>該短減震質量(54b)在遠離該短減震質量(54b)之該等質量端(60a、60b)之垂直於該短質量中心軸線(E2)定向之一平面中具有一恆定短質量橫截面積(CS)；且 <br/>該長質量橫截面積(CL)相同於該短質量橫截面積(CS)。
如請求項1之刀把(22)，其中： <br/>兩個減震質量(54a、54b)具有含相同直徑之圓柱形形狀；且 <br/>在該組裝狀態中，該長質量中心軸線(E1)及該短質量中心軸線(E2)對準且共用平行於該刀把縱向軸線(B)之一質量共同中心軸線(E)。
一種切削刀具(20)，其包括： <br/>一如請求項1至10其中任一項所述之刀把(22)；及 <br/>一切削部分(24)，其位於該刀把(22)之一前端處，該切削部分(24)包括至少一個切削刀片(26)。
如請求項11之切削刀具(20)，其中該切削部分(24)可釋放地附接至該刀把(22)。
一種清洗方法，其為在具有具備攪拌機之混合槽之製造裝置內混合包含著色劑及有機溶劑之原料來製造著色組成物、並且從前述製造裝置排出前述著色組成物之後的前述製造裝置的清洗方法，前述清洗方法中， <br/>使用包含有機溶劑之溶劑對前述攪拌機進行超音波清洗， <br/>使前述超音波清洗後的前述攪拌機與使用清洗後的製造裝置製造之著色組成物中所包含者相同種類的有機溶劑接觸。
如請求項1所述之清洗方法，其中 <br/>前述超音波清洗中所使用之溶劑的溫度為15～50℃。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其中 <br/>前述超音波清洗中所使用之溶劑中所包含之前述有機溶劑包含選自N-甲基-2-吡咯啶酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚及環己酮中之至少1種。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其進行複數次前述超音波清洗。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其中 <br/>使用不同之前述溶劑進行複數次前述超音波清洗。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其中 <br/>前述超音波清洗中的、超音波的頻率為10～100kHz，超音波的照射時間為30～120分鐘。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其中 <br/>前述著色劑包含黑色著色劑。
如請求項1或請求項2所述之清洗方法，其中 <br/>前述著色劑包含顏料及染料。
一種積層體，係依序包含：光吸收異向性膜、水平配向相位差膜i、偏光片以及水平配向相位差膜ii；<br/>該光吸收異向性膜，係由包含雙色性色素及液晶化合物之液晶組成物的硬化物所構成之光吸收異向性膜，在以膜面內之任意的位置方向為x軸，以膜面內與x軸正交之方向為y軸，以與x軸及y軸正交之膜厚方向為z軸時，滿足下述式(1)至(3)：<br/>Az>(Ax+Ay)/2 (1) <br/>Ax(z=60°)/Ax>5 (2) <br/>Ay(z=60°)/Ay>5 (3)<br/>式(1)至(3)中，Ax、Ay、Az、Ax(z=60°)及Ay(z=60°)皆為前述光吸收異向性膜中的前述雙色性色素於極大吸收波長時之吸光度，<br/>Ax表示在x軸方向振動之直線偏光的吸光度，<br/>Ay表示在y軸方向振動之直線偏光的吸光度，<br/>Az表示在z軸方向振動之直線偏光的吸光度，<br/>Ax(z=60°)表示以y軸為旋轉軸使前述膜旋轉60°時在x軸方向振動之直線偏光的吸光度，<br/>Ay(z=60°)表示以x軸為旋轉軸使前述膜旋轉60°時在y軸方向振動之直線偏光的吸光度；<br/>該水平配向相位差膜i，係滿足下述式(4)：<br/>70nm≦Re<sub>i</sub>(550)≦170nm (4)<br/>式(4)中，Re<sub>i</sub>(λ)表示於波長λnm時之水平配向相位差膜i的面內相位差值；<br/>該水平配向相位差膜ii，係滿足下述式(5)：<br/>120nm≦Re<sub>ii</sub>(550)≦160nm (5)<br/>式(5)中，Re<sub>ii</sub>(λ)表示於波長λnm時之水平配向相位差膜ii的面內相位差值。
如請求項1所述之積層體，其中前述水平配向相位差膜ii係滿足下述式(6)：<br/>Re<sub>ii</sub>(450)/Re<sub>ii</sub>(550)<1.00 (6)<br/>式(6)中，Re<sub>ii</sub>(λ)與上述式(5)為相同涵義；<br/>前述水平配向相位差膜ii的慢軸與偏光片的吸收軸所形成之角θ<sub>ii</sub>的範圍為下述式(7)：<br/>15°≦|θ<sub>ii</sub>|≦75° (7)。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述水平配向相位差膜i係滿足下述式(8)：<br/>Re<sub>i</sub>(450)/Re<sub>i</sub>(550)≧1.00 (8)<br/>式(8)中，Re<sub>i</sub>(λ)係與上述式(4)為相同涵義；<br/>前述水平配向相位差膜i的慢軸與偏光片的吸收軸所形成之角θ<sub>i</sub>的範圍為下述式(9)：<br/>15°≦|θ<sub>i</sub>|≦75° (9)。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述水平配向相位差膜i與偏光片係隔著黏接著劑而積層。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述水平配向相位差膜i係由至少在一方向經延伸之膜所構成。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述水平配向相位差膜ii係由包含至少1種聚合性液晶化合物之聚合性液晶組成物的硬化物所構成。
如請求項1或2所述之積層體，其中前述光吸收異向性膜所含有之液晶化合物係顯示層列狀液晶相。
如請求項1或2所述之積層體，其中於前述光吸收異向性膜之與水平配向相位差膜i為相反側的面更包含透明保護膜。
如請求項1或2所述之積層體，其更包含垂直配向相位差膜iii，係滿足下述式(10)：<br/>-100nm≦Rth<sub>iii</sub>(550)≦-20nm (10)<br/>式(10)中，Rth<sub>iii</sub>(λ)表示於波長λnm時之垂直配向相位差膜iii的厚度相位差值；<br/>前述垂直配向相位差膜iii係積層於前述偏光片與前述水平配向相位差膜ii之間，或是前述水平配向相位差膜ii之與偏光片相反的一側。
如請求項9所述之積層體，其中前述垂直配向相位差膜iii係滿足下述式(11)：<br/>Rth<sub>iii</sub>(450)/Rth<sub>iii</sub>(550)>1.00 (11)<br/>式(11)中，Rth<sub>iii</sub>(λ)表示於波長λnm時之垂直配向相位差膜iii的厚度相位差值。
如請求項9所述之積層體，其中前述垂直配向相位差膜iii係由包含至少1種聚合性液晶化合物之聚合性液晶組成物的硬化物所構成。
一種有機EL顯示裝置，係包含如請求項1或2所述之積層體。
一種評估設備，包含：<br/> 一處理器；及<br/> 一記憶體，該記憶體儲存指令，而當該處理器執行指令時，執行包含下列的操作：<br/> 從一儲存器讀取一拓撲模擬器的一模擬參數以及與該模擬參數彼此關聯的第一範圍資訊及第二範圍資訊，該拓撲模擬器的該模擬參數被計算而使得該拓撲模擬器響應輸入至該拓撲模擬器的一未處理目標物件之拓撲資訊而輸出相似於待藉由在一預定處理條件下處理該未處理目標物件而獲取的一處理後目標物件之拓撲資訊的拓撲資訊，該第一範圍資訊指示被視為與該未處理目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍，且該第二範圍資訊指示被視為與該處理後目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍；<br/> 提供一新未處理目標物件之拓撲資訊及該模擬參數至該拓撲模擬器，以致使該拓撲模擬器預測待藉由在該預定處理條件下處理該新未處理目標物件而獲取的一新處理後目標物件之拓撲資訊；以及<br/> 輸出比較該新未處理目標物件之該拓撲資訊與該第一範圍資訊的一結果及比較該新處理後目標物件之該拓撲資訊與該第二範圍資訊的一結果。
如請求項1之評估設備，其中該處理器更配置為基於比較該新未處理目標物件的該拓撲資訊與該第一範圍資訊的該結果以及比較該新處理後目標物件的該拓撲資訊與該第二範圍資訊的該結果，來判斷該新處理後目標物件的該拓撲資訊是高準確度預測結果還是低準確度預測結果。
如請求項2之評估設備，其中該處理器係進一步配置以，響應於偵測到該新未處理目標物件之該拓撲資訊係在該第一範圍資訊之外或偵測到該新處理後目標物件之該拓撲資訊係在該第二範圍資訊之外，判定該新處理後目標物件之該拓撲資訊為該低準確度預測結果。
如請求項2之評估設備，其中該處理器係進一步配置以，響應於偵測到該新未處理目標物件之該拓撲資訊係包括在該第一範圍資訊內且該新處理後目標物件之該拓撲資訊係包括在該第二範圍資訊內，判定該新處理後目標物件之該拓撲資訊為該高準確度預測結果。
如請求項3或4之評估設備，其中該處理器係進一步配置以執行使用複數模擬參數的處理，以提供該新處理後目標物件之該拓撲資訊至該拓撲模擬器，並操作該拓撲模擬器複數次以預測待藉由在複數處理條件下處理該新未處理目標物件而獲取的一最終處理後新目標物件的拓撲資訊。
如請求項5之評估設備，其中該處理器係進一步配置以輸出比較第n次的該新處理後目標物件之該預測拓撲資訊與關聯於一第n模擬參數之該第二範圍資訊的一結果，其中n為一或更大的整數，以及輸出比較該第n次的該新處理後目標物件之該預測拓撲資訊與關聯於一第(n+1)模擬參數之該第一範圍資訊的一結果。
如請求項6之評估設備，其中該處理器係進一步配置以，響應於基於複數次比較該拓撲資訊與該第一及第二範圍資訊而偵測到在該複數次的任一次中，該拓撲資訊係在由該第一範圍資訊所識別的範圍之外或係在由該第二範圍資訊所識別的範圍之外，判定該最終處理後新目標物件之該拓撲資訊為一低準確度預測結果。
如請求項6之評估設備，其中該處理器係進一步配置以，響應於基於複數次比較該拓撲資訊與該第一及第二範圍資訊而偵測到在全部的該複數次比較中，該拓撲資訊係包括在由該第一範圍資訊所識別的範圍內且係包括在由該第二範圍資訊所識別的範圍內，判定該最終處理後新目標物件之該拓撲資訊為一高準確度預測結果。
如請求項6之評估設備，其中該處理器係進一步配置以產生複數模擬參數之複數組合，<br/> 其中於該處理器藉由重複提供該複數模擬參數之複數組合至該拓撲模擬器的處理而搜尋該複數模擬參數之複數組合的情況下，該處理器係進一步配置以，響應於偵測到第n次的該新處理後目標物件之該拓撲資訊係在關聯於一第m組合之該第(n+1)模擬參數的該第一範圍資訊之外，使得當產生一第(m+1)組合時不太可能將第(n+1)次的該模擬參數包括在該第(m+1)組合中，其中m為等於或大於一的整數。
如請求項9之評估設備，其中使用基因演算法產生該第(m+1)組合。
如請求項9之評估設備，其中該處理器係進一步配置以對該第(n+1)次的該模擬參數施加一罰則以使得當產生該第(m+1)組合時不太可能將該第(n+1)次的該模擬參數包括在該第(m+1)組合中。
一種評估方法，包含：<br/> 從一儲存器讀取一拓撲模擬器的一模擬參數以及與該模擬參數彼此關聯的第一範圍資訊及第二範圍資訊，該拓撲模擬器的該模擬參數被計算而使得該拓撲模擬器響應輸入至該拓撲模擬器的一未處理目標物件之拓撲資訊而輸出相似於待藉由在一預定處理條件下處理該未處理目標物件而獲取的一處理後目標物件之拓撲資訊的拓撲資訊，該第一範圍資訊指示被視為與該未處理目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍，且該第二範圍資訊指示被視為與該處理後目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍；<br/> 提供一新未處理目標物件之拓撲資訊及該模擬參數至該拓撲模擬器，以致使該拓撲模擬器預測待藉由在該預定處理條件下處理該新未處理目標物件而獲取的一新處理後目標物件之拓撲資訊；以及<br/> 輸出比較該新未處理目標物件之該拓撲資訊與該第一範圍資訊的一結果及比較該新處理後目標物件之該拓撲資訊與該第二範圍資訊的一結果。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其儲存包括指令的一程式，而當藉由一評估設備的一處理器執行指令時，致使該處理器執行包含下列的操作：<br/> 從一儲存器讀取一拓撲模擬器的一模擬參數以及與該模擬參數彼此關聯的第一範圍資訊及第二範圍資訊，該拓撲模擬器的該模擬參數被計算而使得該拓撲模擬器響應輸入至該拓撲模擬器的一未處理目標物件之拓撲資訊而輸出相似於待藉由在一預定處理條件下處理該未處理目標物件而獲取的一處理後目標物件之拓撲資訊的拓撲資訊，該第一範圍資訊指示被視為與該未處理目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍，且該第二範圍資訊指示被視為與該處理後目標物件之一拓撲相同的一拓撲範圍；<br/> 提供一新未處理目標物件之拓撲資訊及該模擬參數至該拓撲模擬器，以致使該拓撲模擬器預測待藉由在該預定處理條件下處理該新未處理目標物件而獲取的一新處理後目標物件之拓撲資訊；以及<br/> 輸出比較該新未處理目標物件之該拓撲資訊與該第一範圍資訊的一結果及比較該新處理後目標物件之該拓撲資訊與該第二範圍資訊的一結果。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，儲存用於對半導體製作製程進行優化的程式碼，所述程式碼包括框架及機器學習模型，所述程式碼在由處理器執行時使所述處理器：<br/> 將包括與所述半導體製作製程相關聯的多個參數的製作資料輸入至所述框架，以產生用於對所述製作資料進行分析的第一類別，其中所述多個參數彼此不同；<br/> 自所述多個參數提取旨在用於分析的第一參數及與所述第一參數相關聯的第二參數，以產生用於對所述第一參數進行分析的第二類別作為所述第一類別的子類別；<br/> 將所述第一參數及所述第二參數修改成具有適於儲存於所述第二類別中的格式的資料結構；<br/> 對所述資料結構實行資料分析，以對所述第一參數與所述第二參數之間的相關性進行計算；<br/> 當所述相關性超過臨限值時，將所述第一參數及所述第二參數變換成張量，否則將所述第一參數及與所述第一參數相關聯的所述多個參數中的第三參數變換成所述張量；<br/> 將所述張量輸入至所述機器學習模型以實行用於對所述半導體製作製程的特性進行預測的機器學習演算法；以及<br/> 基於所預測的所述特性改變所述半導體製作製程。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述多個參數包括良率參數、分組參數、電性測試（ET）參數、缺陷參數、行內量測資料、錯誤偵測及分類（FDC）、機器資訊、腔室資訊或製法資訊。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述張量是矩陣。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中<br/> 所述相關性是使用皮爾森相關係數來計算。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述機器學習演算法包括支援向量機（SVM）、k最近鄰（KNN）或隨機森林。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述處理器進一步藉由將所述張量輸入至所述機器學習模型來對所述機器學習模型進行訓練。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述第一參數是良率參數，且所述特性是所述半導體製作製程的良率。
如請求項1所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中所述第一參數是缺陷參數，且所述特性是所述半導體製作製程的缺陷。
一種用於對半導體製作製程進行優化的計算裝置，所述計算裝置包括：<br/> 處理器；以及<br/> 記憶體，<br/> 其中所述記憶體儲存包括框架及機器學習模型的程式碼，<br/> 其中所述程式碼在由所述處理器執行時使所述處理器：<br/> 將包括與所述半導體製作製程相關聯的多個參數的製作資料輸入至所述框架，以產生用於對所述製作資料進行分析的第一類別，其中所述多個參數彼此不同；<br/> 自所述多個參數提取旨在用於分析的第一參數及與所述第一參數相關聯的第二參數，以產生用於對所述第一參數進行分析的第二類別作為所述第一類別的子類別；<br/> 將所述第一參數及所述第二參數修改成具有適於儲存於所述第二類別中的格式的資料結構；<br/> 對所述資料結構實行資料分析，以對所述第一參數與所述第二參數之間的相關性進行計算；<br/> 當所述相關性超過臨限值時，將所述第一參數及所述第二參數變換成張量，否則將所述第一參數及與所述第一參數相關聯的所述多個參數中的第三參數變換成所述張量；<br/> 將所述張量輸入至所述機器學習模型以實行用於對所述半導體製作製程的特性進行預測的機器學習演算法；以及<br/> 基於所預測的所述特性改變所述半導體製作製程。
如請求項9所述的計算裝置，其中所述多個參數包括良率參數、分組參數、電性測試（ET）參數、缺陷參數、行內量測資料、錯誤偵測及分類（FDC）、機器資訊、腔室資訊或製法資訊。
如請求項9所述的計算裝置，其中所述製作資料包括閘極誘導汲極洩漏（GIDL）、汲極誘導能障降低（DIBL）、電流、功率、操作頻率、臨限電壓、等待時間、定時裕度或壽命。
如請求項9所述的計算裝置，其中所述張量是矩陣。
如請求項9所述的計算裝置，其中所述相關性是使用皮爾森相關係數來計算。
如請求項9所述的計算裝置，其中所述機器學習演算法包括支援向量機（SVM）、k最近鄰（KNN）或隨機森林。
一種用於對半導體製作製程進行優化的方法，所述方法包括：<br/> 產生用於對製作資料進行分析的第一類別，所述製作資料包括與所述半導體製作製程相關聯的多個參數，其中所述多個參數彼此不同；<br/> 自所述多個參數提取旨在用於分析的第一參數及與所述第一參數相關聯的第二參數，以產生用於對所述第一參數進行分析的第二類別作為所述第一類別的子類別；<br/> 將所述第一參數及所述第二參數修改成具有適於儲存於所述第二類別中的格式的資料結構；<br/> 對所述資料結構實行資料分析，以對所述第一參數與所述第二參數之間的相關性進行計算；<br/> 當所述相關性超過臨限值時，將所述第一參數及所述第二參數變換成張量，否則將所述第一參數及與所述第一參數相關聯的所述多個參數中的第三參數變換成所述張量；<br/> 藉由將所述張量輸入至機器學習模型來實行機器學習演算法，以用於對所述半導體製作製程的特性進行預測；以及<br/> 基於所預測的所述特性改變所述半導體製作製程。
如請求項15所述的方法，其中所述多個參數包括良率參數、分組參數、電性測試（ET）參數、缺陷參數、行內量測資料、錯誤偵測及分類（FDC）、機器資訊、腔室資訊或製法資訊。
如請求項15所述的方法，其中所述張量是矩陣。
如請求項15所述的方法，其中所述相關性是使用皮爾森相關係數來計算。
如請求項15所述的方法，更包括：<br/> 藉由將所述張量輸入至所述機器學習模型來對所述機器學習模型進行訓練。
如請求項15所述的方法，其中所述機器學習演算法包括支援向量機（SVM）、k最近鄰（KNN）或隨機森林。
一種熱處理設備，包含：<br/> 一圓柱形之處理容器；<br/> 一加熱器，配置成加熱該處理容器；及<br/> 一冷卻器，配置成冷卻該處理容器，<br/> 其中該冷卻器包含：<br/> 複數個排放孔，該等排放孔係於該處理容器之縱向上間隔設置，該複數個排放孔係配置成朝向該處理容器排出一冷卻介質；<br/> 一分支部，配置成將該冷卻介質分成與該複數個排放孔連通的複數個流動路徑；及<br/> 複數個吹送機，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個吹送機係配置成將該冷卻介質傳送至與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔，且<br/> 其中該分支部包含設置成多個階段的複數個分支腔室。
如請求項1之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個止回閥，該複數個止回閥係配置成防止該冷卻介質從與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔至該複數個吹送機之對應者的逆流。
如請求項1或2之熱處理設備，更包含一控制器，該控制器係配置成獨立地控制該複數個吹送機之各者。
如請求項3之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個感測器，該複數個感測器係配置成偵測該複數個流動路徑之對應者的一特性值，其中該控制器基於該複數個感測器的偵測值監測該冷卻介質的逆流。
如請求項3之熱處理設備，更包含針對該複數個流動路徑之對應者而設置的複數個感測器，該複數個感測器係配置成偵測該複數個流動路徑之對應者的一特性值，其中該控制器基於該複數個感測器的偵測值控制該複數個吹送機的轉速。
如請求項4之熱處理設備，其中該特性值包含從該複數個吹送機傳送至該複數個排放孔的該冷卻介質之溫度。
如請求項4之熱處理設備，其中該特性值包含該複數個吹送機之前與之後的一差異壓力。
如請求項4之熱處理設備，其中該特性值包含從該複數個吹送機傳送到該複數個排放孔的該冷卻介質之流率。
一種熱處理設備，包含：<br/> 一圓柱形之處理容器；<br/> 一加熱器，配置成加熱該處理容器；<br/> 一冷卻器，配置成冷卻該處理容器；及<br/> 一控制器，<br/> 其中該冷卻器包含：<br/> 複數個排放孔，該等排放孔係於該處理容器之縱向上間隔設置，該複數個排放孔係配置成朝向該處理容器排出一冷卻介質；<br/> 一分支部，配置成將該冷卻介質分成與該複數個排放孔連通的複數個流動路徑；<br/> 複數個吹送機，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個吹送機係配置成將該冷卻介質傳送至與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔；及<br/> 複數個感測器，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個感測器係配置成偵測該複數個流動路徑之對應者的一特性值，<br/> 其中該控制器係配置成獨立地控制該複數個吹送機之各者，且<br/> 其中該控制器基於該複數個感測器的偵測值監測該冷卻介質的逆流。
一種熱處理設備中的熱處理方法，該熱處理設備包含：<br/> 一加熱器，配置成加熱圓柱形之一處理容器；及<br/> 一冷卻器，配置成冷卻該處理容器，<br/> 其中該冷卻器包含：<br/> 複數個排放孔，該等排放孔係於該處理容器之縱向上間隔設置，該複數個排放孔係配置成朝向該處理容器排出一冷卻介質；<br/> 一分支部，配置成將該冷卻介質分成與該複數個排放孔連通的複數個流動路徑；及<br/> 複數個吹送機，其係針對該複數個流動路徑之對應者而設置，該複數個吹送機係配置成將該冷卻介質傳送至與該複數個流動路徑之對應者連通的該複數個排放孔，且<br/> 其中該分支部包含設置成多個階段的複數個分支腔室，其中當在該處理容器中執行一熱處理時，該複數個吹送機之對應者係依據該熱處理之條件而獨立地受控制。
一種處理基板的方法，該方法包括執行包含複數循環的循環製程，其中該循環製程包括：在一電漿處理室中，藉由以下步驟在一含碳層中的一凹部的側壁上形成一鈍化層： <br/>將一基板曝露於第一氣體，該第一氣體包括硼、矽、或鋁，該含碳層設置在該基板上； <br/>用第二氣體吹淨該電漿處理室，該第二氣體包括含氫氣體、含氧氣體、或含氮氣體；以及 <br/>將該基板曝露於由該第二氣體產生的電漿， <br/>其中該複數循環的每一循環使該凹部垂直延伸到該含碳層中。
如請求項1的處理基板的方法，其中，該循環製程還包括： <br/>利用由第三氣體產生的第二電漿，延伸該含碳層中的該凹部，該第三氣體包括含氧氣體、含硫氣體、含氮氣體、或含氫氣體。
如請求項2的處理基板的方法，還包括： <br/>在曝露該基板的一主要表面之後，重複將該基板曝露於該第一氣體、吹淨該電漿處理室、及將該基板曝露於電漿的步驟，以延伸該鈍化層至該基板。
如請求項1的處理基板的方法，還包括： <br/>在形成該鈍化層之前，藉由使用一蝕刻遮罩，執行一各向異性電漿蝕刻製程來形成該凹部，該蝕刻遮罩包括該含碳層上的一圖案化遮罩層，該基板包括該含碳層及該圖案化遮罩層。
如請求項4的處理基板的方法，其中，該圖案化遮罩層包括氮化矽、氧化矽(SiO <sub>2</sub>)、或氮氧化矽(SiON)。
如請求項4的處理基板的方法，其中，該各向異性電漿蝕刻製程是利用蝕刻氣體執行，該蝕刻氣體包括含氧氣體、含硫氣體、含氮氣體、或含氫氣體。
如請求項1的處理基板的方法，其中，該含碳層包括非晶碳。
如請求項1的處理基板的方法，還包括： <br/>藉由塗佈一旋塗碳硬遮罩材料或塗佈一含矽抗反射塗膜，在該基板上形成該含碳層。
如請求項1的處理基板的方法，其中，該第一氣體包括BCl <sub>3</sub>、BH <sub>3</sub>、BBr <sub>3</sub>、SiCl <sub>x</sub>H <sub>4-x</sub>(x=0~4)、Si <sub>2</sub>Cl <sub>x</sub>H <sub>6-x</sub>(x=0~6)、AlCl <sub>3</sub>、或AlF <sub>x</sub>(CH <sub>3</sub>) <sub>3-x</sub>(x=0~2)。
如請求項1的處理基板的方法，其中，該含氫氣體包括H <sub>2</sub>、H <sub>2</sub>O、CH <sub>4</sub>、HBr、CH <sub>3</sub>F、或NH <sub>3</sub>，該含氧氣體包括O <sub>2</sub>、CO、CO <sub>2</sub>、或H <sub>2</sub>O，以及該含氮氣體包括N <sub>2</sub>或NH <sub>3</sub>。
一種處理基板的方法，該方法包括在一電漿處理室中執行一循環鈍化製程，該電漿處理室具有一電漿源，該循環鈍化製程包括複數循環，其中該循環鈍化製程的一循環包括： <br/>藉由下列步驟形成一鈍化層: <br/>在不對該電漿源供電的情況下，將該基板曝露於第一氣體，該第一氣體包括硼、矽、或鋁，該基板包括一含碳層，該第一氣體與該含碳層反應以形成該鈍化層； <br/>用第二氣體吹淨該電漿處理室，該第二氣體包括氫；以及 <br/>藉由對該電漿源供電，將該基板曝露於由該第二氣體產生的電漿。
如請求項11的處理基板的方法，其中，該第一氣體包括BCl <sub>3</sub>、BH <sub>3</sub>、BBr <sub>3</sub>、SiCl <sub>x</sub>H <sub>4-x</sub>(x=0~4)、Si <sub>2</sub>Cl <sub>x</sub>H <sub>6-x</sub>(x=0~6)、AlCl <sub>3</sub>、或AlF <sub>x</sub>(CH <sub>3</sub>) <sub>3-x</sub>(x=0~2)。
如請求項11的處理基板的方法，其中，該第二氣體包括H <sub>2</sub>、N <sub>2</sub>、O <sub>2</sub>、CO、CO <sub>2</sub>、H <sub>2</sub>O、CH <sub>4</sub>、HBr、CH <sub>3</sub>F、或NH <sub>3</sub>。
如請求項11的處理基板的方法，還包括： <br/>使用一蝕刻氣體執行一各向異性電漿蝕刻製程來圖案化該含碳層，該蝕刻氣體包括含氧氣體、含硫氣體、含氮氣體、或含氫氣體，其中圖案包括該含碳層中的一垂直凹部。
如請求項11的處理基板的方法，其中，該循環鈍化製程的該循環還包括： <br/>用第三氣體吹淨該電漿處理室；以及 <br/>將該基板曝露於該第三氣體的第三電漿，其中該第三氣體包括H <sub>2</sub>、N <sub>2</sub>、CH <sub>4</sub>、HBr、CH <sub>3</sub>F、H <sub>2</sub>O、O <sub>2</sub>、或NH <sub>3</sub>，該第三氣體不同於該第二氣體。
一種處理基板的方法，該方法包括執行一循環蝕刻製程的複數循環，以在一基板的一含碳層中形成一凹部，該基板係裝載於一製程室中，每一循環包括藉由以下步驟從該含碳層形成一鈍化層： <br/>將該基板曝露於由第一氣體形成的電漿，該第一氣體包括含氫氣體； <br/>在關閉對該電漿的電力之後，用第二氣體吹淨該製程室，該第二氣體包括硼和鹵素；以及 <br/>用該第一氣體吹淨該製程室，並開啟對該電漿的電力。
如請求項16的處理基板的方法，其中，該複數循環的一循環還包括： <br/>藉由執行一第一電漿蝕刻製程從而以各向異性的方式移除由一第一蝕刻遮罩所曝露的該含碳層，以延伸該凹部。
如請求項17的處理基板的方法，還包括： <br/>在該循環蝕刻製程之後，使用該含碳層作為一第二蝕刻遮罩，執行一第二電漿蝕刻製程，從而以各向異性的方式移除一下方層。
如請求項18的處理基板的方法，該下方層包括氧化物、氧化矽(SiO <sub>2</sub>)、氮化矽、氮氧化矽(SiON)、碳化矽、氮化鈦、或氮化鉭。
如請求項16的處理基板的方法，在執行該複數循環之後，該凹部具有介於5和100之間的深寬比。
一種用於與一真空閥(1, 1')一起使用之高頻接地裝置(40)，該真空閥(1, 1')用於關閉及打開一真空室系統(50)的一閥門開口(2)，具有由導電材料所製成之一接地帶(42)，用於使發生在該真空閥(1)上的電荷放電，其中該接地帶(42)具有一第一端部(41)及一第二端部(43)、用於將該真空閥(1, 1')接地、且設計為在該第一端部(41)連接至該真空閥(1, 1')之一閥門閉合件(4)並於該第二端部(43)連接至該真空室系統(50)的部件、尤其是外殼或壁面(12)，其特徵在於該高頻接地裝置(40)具有一校正阻抗，其中該接地帶(42)係耦接至該校正阻抗，以致產生包含該接地帶(42)及該校正阻抗之一諧振電路；及該校正阻抗具有用於轉移該諧振電路的一諧振頻率之一第一元件及/或用於降低該諧振電路的品質之一第二元件。
如請求項1之高頻接地裝置(40)，其中該真空室系統(50)具有一製程室(52)，一低壓電漿可於其內藉由在一激勵頻率的激勵來生成。
如請求項2之高頻接地裝置(40)，其中該低壓電漿可藉著短波激勵來生成，尤其是其中該低壓電漿的激勵頻率為13.56 MHz。
如請求項2或請求項3之高頻接地裝置(40)，其中該校正阻抗具有該第一元件，且該第一元件設計為使該諧振電路的一諧振頻率與該低壓電漿之該激勵頻率有一段距離，尤其是以使得該諧振頻率比該激勵頻率至少低20%的方式。
如請求項4之高頻接地裝置(40)，其中該第一元件係設計為使得該諧振電路具有的一諧振頻率係小於該低壓電漿之激勵頻率的一半、尤其是小於該激勵頻率的四分之一的方式。
如請求項2或請求項3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該真空室系統(50)具有在該製程室(52)上游的一氣鎖室(51)，其中該氣鎖室(51)及該真空室系統(50)之環境係藉著一第一真空閥(1)相互連接；且該製程室(52)及該氣鎖室(51)係藉著一第二真空閥(1')相互連接。
如請求項6之高頻接地裝置(40)，其中該高頻接地裝置(40)係設計為用於與該第二真空閥(1')一起使用，其中該閥門開口(2)是該製程室(52)與該氣鎖室(51)之間的開口。
如請求項1至3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該校正阻抗至少具有該第二元件，其中該第二元件具有降低該諧振電路的品質之一電阻，該電阻至少為1Ω、尤其是在1與100Ω之間。
如請求項8之高頻接地裝置(40)，其中該第二元件係設計為使得該諧振電路的品質因數小於0.5、尤其是小於0.25之方式。
如請求項1至3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該校正阻抗至少具有該第一元件，其中用於轉移該諧振頻率的該第一元件具有1至100μH之電感、尤其是10與40μH之間的電感。
如請求項1至3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該校正阻抗至少具有該第一元件，其中該第一元件被設計為一線圈(45)，其中該線圈(45)具有一本體(46)及捲繞著該本體的一金屬線(47)，尤其是其中該本體為圓柱形。
如請求項11之高頻接地裝置(40)，其中該本體(46)由聚醚醚酮所組成，或具有聚醚醚酮的成分、尤其是至少25%之成分。
如請求項11之高頻接地裝置(40)，其中該線圈(45)具有環繞該本體(46)的在12與25圈之間、尤其是22圈的該金屬線(47)；該金屬線(47)是鋼線、尤其是由防銹鋼所製成；及/或該金屬線(47)具有大約0.6 mm之直徑。
如請求項1至3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該接地帶(42)係金屬帶、尤其是由防銹鋼所製成的鋼帶；及於該第一端部(41)與該第二端部(43)之間具有至少50 cm的長度；尤其是其中該鋼帶具有小於1Ω之電阻。
如請求項1至3中任一項之高頻接地裝置(40)，其中該諧振電路具有可定義的諧振頻率及/或可定義的品質；及/或係藉由該校正阻抗、該接地帶(42)、及該真空閥(1, 1')的部分、尤其是該閥門閉合件(4)，尤其是藉由該真空閥(1, 1')或該閥門閉合件(4)之寄生阻抗。
一種真空閥(1, 1')、尤其是一真空傳送閥，用於關閉及打開一真空室系統(50)的一閥門開口(2)，具有一閥座，其具有定義一開口軸線(A)之一閥門開口(2)，及圓周地環繞該閥門開口(2)的一第一密封表面(3)；一閥門閉合件(4)、尤其是閥板，用於調節體積或質量流量，及/或用於使用與該第一密封表面(3)對應之一第二密封表面(6)基本上氣密地關閉該閥門開口(2)；及一接地裝置，具有用於使發生的電荷放電之一接地帶(42)；其特徵在於該接地裝置係設計為如請求項1至15中任一項的高頻接地裝置(40)。
如請求項16之真空閥(1, 1')，精準地具有一個高頻接地裝置(40)其係精準地具有一個接地帶(42)及精準地具有一個線圈(45)作為該校正阻抗的該第一元件。
如請求項16或請求項17之真空閥(1, 1')，具有耦接至該閥門閉合件(4)的驅動單元(7)，該驅動單元配置為提供該閥門閉合件(4)運動，其方式為該閥門閉合件(4)係可從在該閥門閉合件(4)至少部分地釋放該閥門開口(2)時的一打開位置(O)，調整進入至在該第一密封表面(3)及該第二密封表面(6)與設在兩者之間的一密封材料存在的密封接觸因而氣密地關閉該閥門開口(2)時的一關閉位置(S)。
如請求項18之真空閥(1, 1')，具有連接至該閥門閉合件(4)及該閥門外殼(9)的一波紋管，用於該驅動單元從製程體積之大氣分離，其中該波紋管係設計及配置為在該打開位置(O)中被壓縮及於該關閉位置(S)中擴展的方式。
一種真空室系統(50)，具有低壓電漿可在其中生成之一製程室(52)、及位於該製程室(52)上游的一氣鎖室(51)，其特徵在於如請求項16至19中任一項之至少一個真空閥(1, 1')。
一種用於生產基於鈰的核-殼顆粒在液體中的分散體之方法，該方法包括以下步驟： <br/> (a)提供包含視需要摻雜有至少一種金屬(M)的氧化鈰的顆粒的水性分散體；提供包含鈰(III)鹽的水溶液；提供過氧水溶液(aqueous peroxygen solution)；以及視需要提供包含至少一種金屬(M’)鹽的水溶液； <br/> (b)使步驟(a)中提供的該水性分散體與該等水溶液接觸，同時保持溫度包括在0℃與80℃之間並且pH低於或等於11，以產生該基於鈰的核-殼顆粒的分散體； <br/> 步驟(a)和(b)中的至少一個係在硝酸根離子的存在下進行。
如請求項1之方法，其中，相對於該水性分散體的總重量，步驟(a)中的該水性分散體包含至少3 wt%的視需要摻雜有至少一種金屬(M)的氧化鈰的顆粒。
如請求項1之方法，其中，步驟(a)中的該水性分散體中提供的該等顆粒係氧化鈰的顆粒。
如請求項1之方法，其中，步驟(a)中的該水性分散體中提供的該等顆粒係摻雜有至少一種金屬(M)的氧化鈰的顆粒，該至少一種金屬選自由以下組成之群組：來自週期表中的鹼金屬元素、鹼土金屬元素、稀土元素、錒系元素、過渡金屬元素和後過渡金屬元素。
如請求項4之方法，其中，該金屬(M)選自由以下組成之群組：Zr、Al、La、Pr、Nd、Y和Sr。
如請求項4之方法，其中，步驟(a)中的該水性分散體中提供的該等顆粒中的莫耳比M/(M+Ce)包括在0.01與0.15之間。
如請求項1之方法，其中，步驟(a)中提供的該過氧水溶液係過氧化氫溶液。
如請求項1之方法，其中，在步驟(a)中提供該包含該至少一種金屬(M’)鹽的水溶液，並且其中該金屬(M’)選自由以下組成之群組：來自週期表中的鹼金屬元素、鹼土金屬元素、稀土元素、錒系元素、過渡金屬元素和後過渡金屬元素。
如請求項8之方法，其中，該金屬(M’)選自由以下組成之群組：Zr、Al、La、Pr、Nd、Y和Sr。
如請求項8之方法，其中，所生產的該等核-殼顆粒的殼中的莫耳比M’/(M’+Ce)包括在0.01與0.15之間。
如請求項1至10中任一項之方法，其中，步驟(b)中的該溫度保持在10℃與60℃之間。
如請求項1至10中任一項之方法，其中，步驟(b)中的該pH保持在3與11之間。
如請求項1至10中任一項之方法，其中，在開始步驟(b)之前的莫耳比氧化鈰/鈰(III)包括在1/1與100/1之間。
如請求項1至10中任一項之方法，該方法進一步包括，以任何順序，酸化該基於鈰的核-殼顆粒的分散體的步驟(c)和/或洗滌該基於鈰的核-殼顆粒的分散體的步驟(d)。
如請求項1至10中任一項之方法，該方法進一步包括該等基於鈰的核-殼顆粒的去黏聚的步驟(e)。
如請求項1至10中任一項之方法，該方法進一步包括乾燥該等基於鈰的核-殼顆粒的步驟(f)。
一種藉由如請求項1至15中任一項之方法可獲得的基於鈰的核-殼顆粒在液體中的分散體，其中，每個基於鈰的核-殼顆粒具有由視需要摻雜有至少一種金屬(M)的氧化鈰製成的核顆粒和由視需要摻雜有至少一種金屬(M’)的氧化鈰的多個奈米顆粒組成的殼，所述奈米顆粒在該核顆粒的表面上形成，其中藉由TEM測量的平均核-殼顆粒尺寸係至多200 nm、由BET表面測量計算的平均核-殼顆粒尺寸係至多120 nm、及藉由TEM測量的該等核-殼顆粒的平均尺寸與藉由BET測量的該等核-殼顆粒的平均尺寸的比率係至少1.5。
一種藉由如請求項16之方法可獲得的基於鈰的核-殼顆粒粉末，其中，每個基於鈰的核-殼顆粒具有由視需要摻雜有至少一種金屬(M)的氧化鈰製成的核顆粒和由視需要摻雜有至少一種金屬(M’)的氧化鈰的多個奈米顆粒組成的殼，所述奈米顆粒在該核顆粒的表面上形成，其中藉由TEM測量的平均核-殼顆粒尺寸係至多200 nm、由BET表面測量計算的平均核-殼顆粒尺寸係至多120 nm、及藉由TEM測量的該等核-殼顆粒的平均尺寸與藉由BET測量的該等核-殼顆粒的平均尺寸的比率係至少1.5。
一種包含如請求項17之基於鈰的核-殼顆粒的分散體或如請求項18之基於鈰的核-殼顆粒粉末之拋光組成物。
一種如請求項17之基於鈰的核-殼顆粒的分散體或如請求項18之基於鈰的核-殼顆粒粉末用於製備拋光組成物之用途。
一種去除基材的一部分之方法，該方法包括用由如請求項17之基於鈰的核-殼顆粒的分散體或由如請求項18之基於鈰的核-殼顆粒粉末製備的拋光組成物拋光該基材。
一種包括藉由如請求項21之方法拋光之基材之半導體。
一種驅動器設備，用於基於一輸入信號來驅動一換能器，包含：<br/> 一第一驅動器輸出節點，該第一驅動器輸出節點用於輸出一第一驅動信號；<br/> 一交換網路；<br/> 一飛馳電容器驅動器，該飛馳電容器驅動器具有用於在使用中連接至一飛馳電容器之一第一端子的一輸出電壓節點，該飛馳電容器驅動器可選擇性地在一第一狀態及一第二狀態下操作，在該第一狀態下，該飛馳電容器之一第二端子連接至一第一輸入電壓且該飛馳電容器之該第一端子連接至一第二輸入電壓以對該飛馳電容器充電且將該輸出電壓節點驅動至該第二輸入電壓，在該第二狀態下，該飛馳電容器之該第二端子連接至不同於該第一電壓之一第三輸入電壓且該飛馳電容器之該第一端子與該第二輸入電壓斷開以將該輸出電壓節點驅動至一升壓電壓；以及<br/> 一控制器；<br/> 其中，該交換網路可操作以選擇性地將該第一驅動器輸出節點連接至該飛馳電容器驅動器之該輸出電壓節點或連接至一第一組之至少三個不同的切換電壓中之任一者，其中，該第一組之該等切換電壓在使用中在該驅動器設備之一切換循環中始終維持在一相應的電壓節點處；以及<br/> 其中，該控制器經組態以控制該交換網路及該飛馳電容器驅動器以基於該輸入信號在該第一驅動器輸出節點處產生該第一驅動信號，其中，在至少一種操作模式下，該第一驅動器輸出節點基於該輸入信號以一受控工作週期在該第一組之該等切換電壓中的兩個切換電壓之間切換，且在至少一種操作模式下，該第一驅動器輸出節點連接至該飛馳電容器驅動器之該輸出電壓節點且該飛馳電容器基於該輸入信號以一受控工作週期在該第一狀態與該第二狀態之間切換。
如請求項1之驅動器設備，其中，該第一組之該等切換電壓包含由該驅動器設備接收之一第一供應電壓及一第二供應電壓。
如請求項2之驅動器設備，其中，該驅動器設備包含一DC-DC轉換器，該DC-DC轉換器經組態以自該第一供應電壓及該第二供應電壓中之至少一者產生至少一第三供應電壓。
如請求項3之驅動器設備，其中，該DC-DC轉換器包含一電荷泵或電感式升壓轉換器。
如請求項3之驅動器設備，其中，該第一供應電壓比該第二供應電壓正值更小或負值更大，且該DC-DC轉換器經組態以產生V3 = V2 + (V2 – V1)之該第三供應電壓，其中，V1為該第一供應電壓且V2為該第二供應電壓。
如請求項1之驅動器設備，其中，該第一輸入電壓、該第二輸入電壓及該第三輸入電壓中之至少一者與該第一組之該等切換電壓中之一電壓相同。
如請求項6之驅動器設備，其中，該第一組之該等切換電壓包含由該驅動器設備接收之一第一供應電壓及一第二供應電壓，且該第一輸入電壓與該第二供應電壓相同且該第二輸入電壓及該第三輸入電壓中之每一者與該第一供應電壓相同。
如請求項1之驅動器設備，進一步包含一第二驅動器輸出節點，其中，該交換網路進一步經組態以選擇性地將該第二驅動器輸出節點連接至該飛馳電容器驅動器之該輸出電壓節點或連接至該第一組之該等至少三個不同的切換電壓中之任一者；<br/> 其中，該控制器進一步經組態以控制該交換網路及該飛馳電容器驅動器，以基於該輸入信號在該第二驅動器輸出節點處產生一第二驅動信號，以便用一差分驅動信號來驅動連接在該第一驅動器輸出節點與該第二驅動器輸出節點之間的一換能器。
如請求項8之驅動器設備，其中，該交換網路包含：<br/> 用於選擇性地將該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點分別連接至一第一電壓軌的複數開關及用於選擇性地將該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點分別連接至一第二電壓軌的複數開關；以及<br/> 用於選擇性地將該第一組之該等切換電壓中之至少兩個切換電壓中之任一者連接至該第一電壓軌的複數開關；<br/> 且其中，該飛馳電容器驅動器之該輸出電壓節點在使用中經由該第二電壓軌耦接至該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點中之一者。
如請求項9之驅動器設備，其中，該交換網路進一步包含用於選擇性地將該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點分別連接至該第一組之該等切換電壓中之一個切換電壓的複數開關，該切換電壓不同於可選擇性地連接至該第一電壓軌之該等電壓。
如請求項8之驅動器設備，其中，該控制器可在以下模式下操作：<br/> 一第一模式，在該第一模式下，該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點中之每一者在該第一組之該等切換電壓中之一第一供應電壓與一第二供應電壓之間切換；<br/> 一第二模式，在該第二模式下，該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點中之一者在該第一供應電壓與該第二供應電壓之間切換，且該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點中之另一者連接至該飛馳電容器驅動器之該輸出電壓節點，該飛馳電容器驅動器操作以使該電壓輸出節點在該第一供應電壓與該升壓電壓之間切換；以及<br/> 一第三模式，在該第三模式下，該第一驅動器輸出節點及該第二驅動器輸出節點中之一者在該第一組之該等切換電壓之該第二供應電壓與一第三供應電壓之間切換。
如請求項11之驅動器設備，其中，該驅動器設備包含一DC-DC轉換器，該DC-DC轉換器經組態以自該第一供應電壓及該第二供應電壓產生該第三供應電壓。
如請求項1之驅動器設備，進一步包含一第二飛馳電容器驅動器，其中，該控制器可操作以一起控制該第一飛馳電容器驅動器及該第二飛馳電容器驅動器以在由該第一飛馳電容器驅動器產生之該升壓電壓與由該第二飛馳電容器驅動器產生之一額外升壓電壓之間調變該第一驅動器輸出節點。
如請求項1之驅動器設備，其中，該第一組之該等切換電壓及由該飛馳電容器驅動器產生之該升壓電壓一起形成一組等間隔的複數電壓位準。
如請求項1之驅動器設備，其中，該第一組之該等切換電壓包含一接收之接地電壓、一接收之正供應電壓及等於該接收之正供應電壓的兩倍之一升壓電壓。
如請求項1之驅動器設備，其中，該驅動器設備為用於基於一音訊輸入信號來驅動一音訊輸出換能器之一音訊驅動器設備。
一種積體電路，該積體電路包含如請求項1之驅動器設備。
一種電子裝置，該電子裝置包含如請求項1之驅動器設備。
一種黏著片，係由包含(甲基)丙烯酸系聚合物(A)、交聯劑之黏著劑組成物所形成，<br/> 前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)包含源自含芳香環單體之構成單元，<br/> 前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)中之源自前述含芳香環單體之前述構成單元之含有率為1~30重量%，<br/> 對前述黏著片之截面影像任意設定10處1.5µm見方之評估區域，將具有100nm以上之短徑的島狀區域定義為第1領域時，存在有前述第1領域之前述評估區域之數量為5個以下；且<br/> 該黏著片具有0.1%以上之霧度。
如請求項1之黏著片，其中關於在前述設定之評估區域中所觀察之全部前述第1領域，鄰接之前述第1領域之間的最短距離為300nm以上。
如請求項1或2之黏著片，其將具有50nm以上且小於100nm之短徑的島狀區域定義為第2領域時，在前述設定之評估區域中，前述第2領域之數量為10個以下之前述評估區域之數量為3個以上。
如請求項1或2之黏著片，其將具有50nm以上且小於100nm之短徑的島狀區域定義為第2領域時，關於在前述設定之評估區域中所觀察之全部前述第2領域，鄰接之前述第2領域之間的最短距離為150nm以上。
如請求項1或2之黏著片，其將具有50nm以上且小於100nm之短徑的島狀區域定義為第2領域時，在前述設定之評估區域中所觀察之全部前述第2領域中，鄰接之前述第2領域之間的最短距離為100nm以上之前述第2領域之比率為50%以上。
如請求項1或2之黏著片，其儲存彈性模數G'(25℃)為0.15MPa以上。
如請求項1或2之黏著片，其儲存彈性模數G'(25℃)小於0.5MPa。
如請求項1或2之黏著片，其中前述黏著劑組成物包含前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)作為主成分，且包含異氰酸酯系交聯劑(B)作為前述交聯劑。
如請求項8之黏著片，其中前述第1領域包含前述異氰酸酯系交聯劑(B)之聚合物。
如請求項8之黏著片，其中前述黏著劑組成物中，相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，前述異氰酸酯系交聯劑(B)之摻混量為1.5重量份以上。
如請求項8之黏著片，其中前述異氰酸酯系交聯劑(B)為二異氰酸甲苯酯系。
如請求項8之黏著片，其中前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)係以1重量%以下之含有率包含源自含羥基單體之構成單元。
如請求項8之黏著片，其中前述黏著劑組成物為溶劑型。
一種光學積層體，包含如請求項1至13中任一項之黏著片與光學薄膜。
一種影像顯示裝置，具備如請求項14之光學積層體。
一種用於低功率對象偵測的裝置，包括：<br/> 至少一個記憶體，被配置為儲存資料；及<br/> 至少一個處理器，被耦合到該至少一個記憶體並被配置為：<br/> 基於一觸發事件，獲得由一影像捕捉設備所捕捉的一場景的一第一影像，該第一影像是用該影像捕捉設備的處於複數個可用鏡頭配置的一第一鏡頭配置下的一鏡頭捕捉的，該第一鏡頭配置包括一第一光學影像穩定模式，其中該第一影像包括一感興趣對象；<br/> 基於該場景的該第一影像和一第一偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第一影像中的一可能性的一第一置信度值；<br/> 回應於決定該第一置信度值小於至少一置信度閾值，啟動一鏡頭馬達以將該鏡頭調整到從該複數個可用鏡頭配置中選擇的一第二鏡頭配置，該第二鏡頭配置包括一第二光學影像穩定模式；<br/> 當該鏡頭處於該第二鏡頭配置時，由該影像捕捉設備獲得該場景的一第二影像，其中該第二影像包括該感興趣對象； <br/> 基於該場景的該第二影像和一第二偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第二影像中的一可能性的一第二置信度值；及 <br/> 回應於決定該第二置信度值大於該至少一置信度閾值，處理該第二影像。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為相對於由該影像捕捉設備將該鏡頭從該複數個可用鏡頭配置調整到一或多個其他鏡頭配置所需的一或多個不同的功率的量，基於由該影像捕捉設備將該鏡頭調整到一第三鏡頭配置所需的功率的一量而從該鏡頭選擇該第三鏡頭配置。
如請求項1所述的裝置，其中該鏡頭的一第三鏡頭配置包括一第一鏡頭定位，其中該鏡頭的一第四鏡頭配置包括不同於該第一鏡頭定位的一第二鏡頭定位，並且其中為了將該鏡頭調整到該第四鏡頭配置，該至少一個處理器被配置為：<br/> 使用該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到該第二鏡頭定位。
如請求項3所述的裝置，其中該至少一處理器被配置為：<br/> 基於該第一置信度值，減少該複數個可用鏡頭定位的一數量，排除一或多個定位作為用於從該複數個可用鏡頭定位中選擇該第二鏡頭定位的不可用鏡頭定位。
如請求項3所述的裝置，其中該第二鏡頭定位是基於該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到該第二鏡頭定位所需的功率的一量，從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項5所述的裝置，其中為了選擇該第二鏡頭定位，該至少一個處理器被配置為：<br/> 將該功率的量與該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到來自該複數個可用鏡頭定位的一或多個其他定位所需的一或多個功率的量進行比較。
如請求項3所述的裝置，其中該第二鏡頭定位是基於與從該第一鏡頭定位到該第二鏡頭定位的一鏡頭位移相關聯的一置信度值而從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項3所述的裝置，其中該第二鏡頭定位是基於與該複數個可用鏡頭定位相關聯的焦距的優先順序從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項8所述的裝置，其中與該複數個可用鏡頭定位相關聯的該等焦距的該等優先順序是基於該感興趣對象的一預設類型或在該第一影像中所偵測到的該對象的一類型。
如請求項3所述的裝置，該第二鏡頭定位是基於該第一鏡頭定位與該複數個可用鏡頭定位的每一個之間的一相對距離而從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項3所述的裝置，該第二鏡頭定位是基於該鏡頭的一或多個特性從該複數個可用鏡頭定位中選擇的，該鏡頭的該一或多個特性包括與該鏡頭相關聯的一光圈、與該鏡頭相關聯的一視場和與該鏡頭相關聯的一對焦功率分佈中的至少一個。
如請求項3所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為基於該鏡頭的一或多個特性以及與該感興趣對象相關聯的一焦距而從複數個可用鏡頭中選擇該鏡頭用於該第三鏡頭配置或該第四鏡頭配置中的至少一個。
如請求項12所述的裝置，其中該一或多個特性包括一光圈、一視場和一對焦功率分佈中的至少一個。
如請求項12所述的裝置，其中該鏡頭是基於決定與該鏡頭相關聯的一對焦功率分佈包括比來自該複數個可用鏡頭的一或多個鏡頭的一相應的對焦功率分佈更低的一對焦功率而從該複數個可用鏡頭中選擇的。
如請求項1所述的裝置，其中該感興趣對象包括一文件、一快速回應（QR）碼、一臉、一手指、一手、一設備、一產品和一動物中的至少一個。
如請求項1所述的裝置，其中該觸發事件包括高於一閾值的慣性運動、高於一閾值的一音訊變化、高於一閾值的周圍光的一變化、高於一閾值的到該對象的一範圍的一變化、來自與該裝置相關聯的一應用程式的一觸發、來自一主動深度感測系統的一深度量測、來自一全球導航衛星系統的一觸發、來自一全球定位系統的一觸發、一資料連接或高於一閾值的一相位偵測變化中的至少一個。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 回應於決定一額外感興趣對象存在於由該影像捕捉設備捕捉的一第三影像中，調整與該裝置相關聯的一不同影像捕捉設備，其中調整該不同影像捕捉設備包括開啟該不同影像捕捉設備和初始化該不同影像捕捉設備中的至少一個，其中該不同影像捕捉設備包括一主相機設備和比該影像捕捉設備功率更高的一相機設備中的至少一者。
如請求項17所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 經由該不同影像捕捉設備處理該場景的一或多個影像，該一或多個影像包括由該不同影像捕捉設備捕捉的該第三影像或一第四影像中的至少一個。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一個處理器被配置為：<br/> 基於該第二偵測結果，將該鏡頭維持在該第二鏡頭配置。
如請求項1所述的裝置，其中該第一鏡頭配置包括一非主動光學影像穩定模式，並且該第二鏡頭配置包括一主動光學影像穩定模式，並且<br/> 為了將該鏡頭調整到該第二鏡頭配置，該至少一個處理器被配置為：使用該鏡頭馬達啟動該主動光學影像穩定模式。
如請求項1所述的裝置，其中該鏡頭的一第三鏡頭配置包括一第一光圈設置，並且其中該鏡頭的一第四鏡頭配置包括不同於該第一光圈設置的一第二光圈設置，並且<br/> 其中為了將該鏡頭調整到該第四鏡頭配置，該至少一個處理器被配置為：使用一光圈馬達將該鏡頭的一光圈從該第一光圈設置改變為該第二光圈設置。
如請求項1所述的裝置，其中該裝置包括一行動設備。
如請求項1所述的裝置，其中該裝置包括該影像捕捉設備，並且其中該影像捕捉設備包括一相機。
一種用於低功率對象偵測的方法，包括以下步驟：<br/> 基於一觸發事件，獲得由一影像捕捉設備所捕捉的一場景的一第一影像，該第一影像是用該影像捕捉設備的處於複數個可用鏡頭配置的一第一鏡頭配置下的一鏡頭捕捉的，該第一鏡頭配置包括一第一光學影像穩定模式，其中該第一影像包括一感興趣對象；<br/> 基於該場景的該第一影像和一第一偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第一影像中的一可能性的一第一置信度值；<br/> 回應於決定該第一置信度值小於至少一置信度閾值，啟動一鏡頭馬達以將該鏡頭調整到從該複數個可用鏡頭配置中選擇的一第二鏡頭配置，該第二鏡頭配置包括一第二光學影像穩定模式；<br/> 當該鏡頭處於該第二鏡頭配置時，由該影像捕捉設備獲得該場景的一第二影像，其中該第二影像包括該感興趣對象； <br/> 基於該場景的該第二影像和一第二偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第二影像中的一可能性的一第二置信度值；及<br/> 回應於決定該第二置信度值大於該至少一置信度閾值，處理該第二影像。
如請求項24所述的方法，進一步包括相對於由該影像捕捉設備將該鏡頭調整到一或多個其他鏡頭配置所需的一或多個不同的功率的量，基於由該影像捕捉設備將該鏡頭調整到一第三鏡頭配置所需的功率的一量而為該鏡頭選擇該第三鏡頭配置。
如請求項24所述的方法，其中該鏡頭的一第三鏡頭配置包括一第一鏡頭定位，其中該鏡頭的一第四鏡頭配置包括不同於該第一鏡頭定位的一第二鏡頭定位，並且其中將該鏡頭調整到該第四鏡頭配置包括：<br/> 使用該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到該第二鏡頭定位。
如請求項26所述的方法，進一步包括：<br/> 基於該第一置信度值，減少該複數個可用鏡頭定位的一數量，排除一或多個定位作為用於從複數個可用鏡頭定位中選擇該第二鏡頭定位的不可用鏡頭定位。
如請求項26所述的方法，其中該第二鏡頭定位是基於該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到該第二鏡頭定位所需的功率的一量從複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項28所述的方法，其中選擇該第二鏡頭定位進一步包括以下步驟：<br/> 將該功率的量與該鏡頭馬達將該鏡頭從該第一鏡頭定位移動到來自該複數個可用鏡頭定位的一或多個其他定位所需的一或多個功率的量進行比較。
如請求項26所述的方法，其中該第二鏡頭定位是基於與從該第一鏡頭定位到該第二鏡頭定位的一鏡頭位移相關聯的一置信度值而從複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項26所述的方法，其中該第二鏡頭定位是基於與複數個可用鏡頭定位相關聯的焦距的優先順序而從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項31所述的方法，其中與該複數個可用鏡頭定位相關聯的該等焦距的該等優先順序是基於該感興趣對象的一預設類型或在該第一影像中偵測到的該對象的一類型。
如請求項26所述的方法，其中該第二鏡頭定位是基於該第一鏡頭定位與該複數個可用鏡頭定位的每一個之間的一相對距離而從該複數個可用鏡頭定位中選擇的。
如請求項26所述的方法，其中該第二鏡頭定位是基於該鏡頭的一或多個特性從複數個可用鏡頭定位中選擇的，該鏡頭的該一或多個特性包括與該鏡頭相關聯的一光圈、與該鏡頭相關聯的一視場和與該鏡頭相關聯的一對焦功率分佈中的至少一個。
如請求項26所述的方法，進一步包括基於該鏡頭的一或多個特性以及與該感興趣對象相關聯的一焦距而從複數個可用鏡頭中選擇該鏡頭用於該第三鏡頭配置或該第四鏡頭配置中的至少一個，其中該一或多個特性包括一光圈、一視場和一對焦功率分佈中的至少一個。
如請求項35所述的方法，其中該鏡頭是基於決定與該鏡頭相關聯的一對焦功率分佈包括比來自該複數個可用鏡頭的一或多個鏡頭的一相應的對焦功率分佈更低的一對焦功率而從該複數個可用鏡頭中選擇的。
如請求項24所述的方法，其中該觸發事件包括高於一閾值的慣性運動、高於一閾值的一音訊變化、高於一閾值的周圍光的一變化、高於一閾值的到該對象的一範圍的一變化、來自與該方法相關的一應用程式的一觸發、來自一主動深度感測系統的一深度量測、來自一全球導航衛星系統的一觸發、來自一全球定位系統的一觸發、一資料連接或高於一閾值的一相位偵測變化中的至少一個。
如請求項24所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於決定一額外感興趣對象存在於由該影像捕捉設備捕捉的一第三影像中，調整與該方法相關聯的一不同影像捕捉設備，其中調整該不同影像捕捉設備包括開啟該不同影像捕捉設備和初始化該不同影像捕捉設備中的至少一個，其中該不同影像捕捉設備包括一主相機設備或比該影像捕捉設備功率更高的一相機設備中的至少一個。
如請求項38所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 經由該不同影像捕捉設備處理該場景的一或多個影像，該一或多個影像包括由該不同影像捕捉設備捕捉的該第三影像和一第四影像中的至少一個。
如請求項24所述的方法，其中：該第一鏡頭配置包括一非主動光學影像穩定模式，並且該第二鏡頭配置包括一主動光學影像穩定模式；及<br/> 將該鏡頭調整到該第二鏡頭配置進一步包括使用該鏡頭馬達啟動該主動光學影像穩定模式。
如請求項24所述的方法，其中該鏡頭的一第三鏡頭配置包括一第一光圈設置，並且其中該鏡頭的一第四鏡頭配置包括與該第一光圈設置不同的一第二光圈設置，並且其中將該鏡頭調整到該第四鏡頭配置包括使用一光圈馬達將該鏡頭的一光圈從該第一光圈設置改變為該第二光圈設置。
一種在其上儲存有指令的非暫時性電腦可讀取媒體，當由至少一個處理器執行時，使該至少一個處理器：<br/> 基於一觸發事件，獲得由一影像捕捉設備捕捉的一場景的一第一影像，該第一影像是利用該影像捕捉設備的處於複數個可用鏡頭配置的一第一鏡頭配置下的一鏡頭捕捉的，該第一鏡頭配置包括一第一光學影像穩定模式，其中該第一影像包括一感興趣對象；<br/> 基於該場景的該第一影像和一第一偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第一影像中的一可能性的一第一置信度值；<br/> 回應於決定該第一置信度值小於至少一置信度閾值，啟動一鏡頭馬達以將該鏡頭調整到從該複數個可用鏡頭配置中選擇的一第二鏡頭配置，該第二鏡頭配置包括一第二光學影像穩定模式；<br/> 當該鏡頭處於該第二鏡頭配置下時，由該影像捕捉設備獲得該場景的一第二影像，其中該第二影像包括該感興趣對象； <br/> 基於該場景的該第二影像和一第二偵測結果，決定指示該感興趣對象存在於該第二影像中的一可能性的一第二置信度值；及<br/> 回應於決定該第二置信度值大於該至少一置信度閾值，處理該第二影像。
如請求項1所述的裝置，其中該至少一置信度閾值包括一第一置信度閾值和一第二置信度閾值，該第二置信度閾值大於該第一置信度閾值，並且其中該至少一處理器被配置為： 基於該第一置信度值大於該第一置信度閾值且小於該第二置信度閾值，將該鏡頭調整到一第二鏡頭配置。
如請求項43所述的裝置，其中該至少一處理器被配置為： 基於該第二置信度值大於該第二置信度閾值，決定該感興趣對象存在於該第二影像中。
如請求項1所述的裝置，其中為了處理該第二影像，該至少一處理器被配置為決定該感興趣對象存在於該第二影像中。
如請求項1所述的裝置，其中為了處理該第二影像，該至少一處理器被配置為儲存該第二影像或捕捉該第二影像中的至少一個。
如請求項24所述的方法，其中該至少一置信度閾值包括一第一置信度閾值和一第二置信度閾值，該第二置信度閾值大於該第一置信度閾值，該方法進一步包括： 基於該第一置信度值大於該第一置信度閾值且小於該第二置信度閾值，將該鏡頭調整到一第二鏡頭配置。
如請求項47所述的方法，進一步包括： 基於該第二置信度值大於該第二置信度閾值，決定該感興趣對象存在於該第二影像中。
如請求項24所述的方法，其中處理該第二影像包括決定該感興趣對象存在於該第二影像中。
如請求項24所述的方法，其中處理該第二影像包括儲存該第二影像或捕捉該第二影像中的至少一個。
一種資訊處理設備，用於控制一輸送設備以輸送將由一基板處理設備進行處理之一基板，該資訊處理設備包括:一處理器；以及一記憶體，其儲存指令，當該處理器執行該等指令時，該等指令進行包括以下之操作:根據教示資料來控制該輸送設備，以進行包括將該基板放入配置成容裝該基板之一容器的第一移動操作，以及包括從該容器取出該基板之第二移動操作；獲取圖像資料，其包括在該第一移動操作及該第二移動操作期間一攝像設備所擷取之該基板於該容器中之放置位置的圖像，該攝像設備包括附接於該輸送設備的第一攝像設備，該攝像設備更包括第二攝像設備，該第二攝像設備設置在該基板處理設備之一側壁上以擷取相對於該輸送設備之該容器之一背側的圖像，且該側壁設置於該基板處理設備的一頂板與一底板之間；對該圖像資料進行圖像處理，以量化該容器之位置與該基板之位置之間的關係；以及判斷該容器之該位置與該基板之該位置之間的該量化關係，以產生一判斷結果，以及基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作，輸出用於校正該輸送設備的校正資料。
如請求項1所述之資訊處理設備，其中該判斷操作進一步包括比較該容器之該位置與該基板之該位置之間的該量化關係與該關係之設計基準值，以產生該判斷結果，以及該輸出操作進一步包括:響應於確定該判斷結果不在異常範圍內，基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作輸出用於校正該輸送設備的校正資料；以及響應於確定該判斷結果在異常範圍內，對於該第一移動操作及該第二移動操作，請求對該輸送設備的教示。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中進行該圖像處理之操作進一步包括量化該容器中之該放置位置、該輸送設備之位置與該基板之該位置之間的關係，以及該輸出操作進一步包括對於將該基板放入及取出該容器中之該放置位置之該第一移動操作及該第二移動操作，請求對該輸送設備的教示。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中獲取該圖像資料之操作進一步包括獲取可透過該圖像處理將以下量化之該圖像資料: 該基板之該位置與在容裝該基板之該容器中支撐該基板之至少三個支撐部之位置間的關係，進行該圖像處理之操作進一步包括對於每一該至少三個支撐部，量化該基板之該位置與在容裝該基板之該容器中支撐該基板之每一該至少三個支撐部之位置間的關係，該判斷操作進一步包括對於每一該至少三個支撐部，判斷該基板之該位置與在容裝該基板之該容器中支撐該基板之每一該至少三個支撐部之位置間的該量化關係，以產生該判斷結果，以及該輸出操作進一步包括基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作輸出用於校正該輸送設備的該校正資料。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中進行該圖像處理之操作進一步包括在該輸送設備之該第二移動操作中該輸送設備取出該基板之前，對該輸送設備移動至第一位置時所擷取的第一圖像資料進行該圖像處理，並在該輸送設備之該第一移動操作中該輸送設備放置該基板之前，對該輸送設備移動至第二位置時所擷取的第二圖像資料進行該圖像處理，以量化該容器之該位置與該基板於該第一位置及該第二位置之每一處之位置之間的關係，該判斷操作進一步包括判斷該容器之該位置與該基板於該第一位置及該第二位置之每一處之位置之間的該量化關係，以產生該判斷結果，以及該輸出操作進一步包括基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作輸出用於校正該輸送設備的該校正資料。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中該輸送設備可在垂直水平方向及前後方向上進行該第一移動操作及該第二移動操作，以及該攝像設備包括:複數第一攝像設備，配置成在該垂直水平方向上擷取顯示該容器中該放置位置錯誤的該圖像；以及至少一第二攝像設備，配置成在該前後方向上擷取顯示該容器中該放置位置錯誤的該圖像。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中該基板包括複數基板，以及該容器為一晶舟，配置成支撐透過該輸送設備輸送之該複數基板。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中該第一移動操作包括緊接於將該基板放入該容器之前的該輸送設備之操作，且該第二移動操作包括緊接於從該容器取出該基板之前的該輸送設備之操作。
如請求項1或2所述之資訊處理設備，其中該容器配置成容納該基板並且與該基板一起被裝載至一處理容器中。
一種傳送位置校正方法，可透過一資訊處理設備執行，該資訊處理設備用於控制一輸送設備以輸送將由一基板處理設備進行處理之一基板，該資訊處理設備包括一處理器及一記憶體，該記憶體儲存指令，當該處理器執行該等指令時，該等指令使該資訊處理設備進行該傳送位置校正方法，其包括:根據教示資料來控制該輸送設備，以進行包括將該基板放入能夠容裝該基板之一容器的第一移動操作，以及包括從該容器取出該基板之第二移動操作；獲取圖像資料，其包括在該第一移動操作及該第二移動操作期間一攝像設備所擷取之該基板於該容器中之放置位置的圖像，該攝像設備包括附接於該輸送設備的第一攝像設備，該攝像設備更包括第二攝像設備，該第二攝像設備設置在該基板處理設備之一側壁上以擷取相對於該輸送設備之該容器之一背側的圖像，且該側壁設置於該基板處理設備的一頂板與一底板之間；對該圖像資料進行圖像處理，以量化該容器之位置與該基板之位置之間的關係；以及判斷該容器之該位置與該基板之該位置之間的該量化關係，以產生一判斷結果，以及基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作輸出用於校正該輸送設備的校正資料。
一種用於處理基板之基板處理設備，包括:一輸送機構，配置成將該基板放入配置成容裝該基板之一容器中或從該容器取出該基板；一攝像設備，設置成能夠擷取該基板於該容器中之放置位置的圖像；一處理器；以及一記憶體，其儲存指令，當該處理器執行該等指令時，該等指令進行包括以下之操作:根據教示資料來控制該輸送機構，以進行包括將該基板放入該容器的第一移動操作，以及包括從該容器取出該基板之第二移動操作；獲取圖像資料，其包括在該第一移動操作及該第二移動操作期間該攝像設備所擷取之該基板於該容器中之放置位置的圖像，該攝像設備包括附接於該輸送機構的第一攝像設備，該攝像設備更包括第二攝像設備，該第二攝像設備設置在該基板處理設備之一側壁上以擷取相對於該輸送機構之該容器之一背側的圖像，且該側壁設置於該基板處理設備的一頂板與一底板之間；對該圖像資料進行圖像處理，以量化該容器之位置與該基板之位置之間的關係；以及判斷該容器之該位置與該基板之該位置之間的該量化關係，以產生一判斷結果，以及基於該判斷結果，對於該第一移動操作及該第二移動操作輸出用於校正該輸送機構的校正資料。
一種用於處理一基板的方法，包括以下步驟：<br/>施加一DC靶電壓至一靶，該靶設置於一電漿處理腔室的一處理容積內；<br/>以一預設速度旋轉設置於該靶上方的一磁體，以引導來自該靶的噴濺材料朝向設置於該處理容積內的一基板支撐件；<br/>測量該處理容積中的原位DC電壓，該原位DC電壓與該DC靶電壓不同；<br/>決定一測量的原位DC電壓是否大於一預定值；<br/>若該測量的原位DC電壓小於或等於該預定值，將該磁體維持於該預設速度；及<br/>若該測量的原位DC電壓大於該預定值，以小於該預設速度的一速度旋轉該磁體，以減低該原位DC電壓。
如請求項1所述之方法，其中該預設速度是基於待電漿處理的一基板的一半徑。
如請求項1所述之方法，其中以小於該預設速度的該速度旋轉該磁體之步驟是基於針對待電漿處理的一基板的一半徑的一停留時間，且其中該停留時間為沿著該磁體的一途徑每吋花費的一持續時間。
如請求項1所述之方法，其中測量該原位DC電壓之步驟包括以下步驟：測量該靶及該基板支撐件之間的一DC電壓。
如請求項1所述之方法，其中將該磁體維持於該預設速度之步驟及以小於該預設速度的該速度旋轉該磁體之步驟是在將該DC靶電壓維持於該靶的同時執行的。
如請求項1所述之方法，其中一磁鐵旋轉半徑為約6吋至約7吋。
如請求項1所述之方法，其中該預定值為1000 V。
如請求項1所述之方法，其中該原位DC電壓為約870 V至約1000 V。
如請求項1至8之任一項所述之方法，其中旋轉該磁體之步驟包括以下步驟：以約0.5 rps至約1.2 rps旋轉該磁體。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，該非暫態電腦可讀取儲存媒體具有儲存於其上的複數個指令，在由一處理器執行時，該等指令執行用於處理一基板的一方法，該方法包括以下步驟：<br/>施加一DC靶電壓至一靶，該靶設置於一電漿處理腔室的一處理容積內；<br/>以一預設速度旋轉設置於該靶上方的一磁體，以引導來自該靶的噴濺材料朝向設置於該處理容積內的一基板支撐件；<br/>測量該處理容積中的原位DC電壓，該原位DC電壓與該DC靶電壓不同；<br/>決定一測量的原位DC電壓是否大於一預定值；<br/>若該測量的原位DC電壓小於或等於該預定值，將該磁體維持於該預設速度；及<br/>若該測量的原位DC電壓大於該預定值，以小於該預設速度的一速度旋轉該磁體，以減低該原位DC電壓。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該預設速度是基於待電漿處理的一基板的一半徑。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中以小於該預設速度的該速度旋轉該磁體之步驟是基於針對待電漿處理的一基板的一半徑的一停留時間，且其中該停留時間為沿著該磁體的一途徑每吋花費的一持續時間。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中測量該原位DC電壓之步驟包括以下步驟：測量該靶及該基板支撐件之間的一DC電壓。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中將該磁體維持於該預設速度之步驟及以小於該預設速度的該速度旋轉該磁體之步驟是在將該DC靶電壓維持於該靶的同時執行的。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中一磁鐵旋轉半徑為約6吋至約7吋。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該預定值為1000 V。
如請求項10所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該原位DC電壓為約870 V至約1000 V。
如請求項10至17之任一項所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中旋轉該磁體之步驟包括以下步驟：以約0.5 rps至約1.2 rps旋轉該磁體。
一種用於電漿處理一基板的系統，包括：<br/>一DC功率源，該DC功率源經配置以提供一DC靶電壓至一靶，該靶設置於一電漿處理腔室的一處理容積內；<br/>一磁控管組件，該磁控管組件包括一磁體，該磁體設置於該靶上方且可沿著一途徑以一預設速度旋轉；及<br/>一控制器，該控制器經配置以：<br/>施加該DC靶電壓至該靶；<br/>以該預設速度旋轉該磁體，以引導來自該靶的噴濺材料朝向設置於該處理容積內的一基板支撐件；<br/>測量該處理容積中的一原位DC電壓，該原位DC電壓與該DC靶電壓不同；<br/>決定一測量的原位DC電壓是否大於一預定值；<br/>若該測量的原位DC電壓小於或等於該預定值，將該磁體維持於該預設速度；及<br/>若該測量的原位DC電壓大於該預定值，以小於該預設速度的一速度旋轉該磁體，以減低該原位DC電壓。
如請求項19所述之系統，其中該預設速度是基於待電漿處理的該基板的一半徑。
一種樹脂組成物，其係包含含脂環結構聚合物與碳酸鍶粉末的樹脂組成物，其中前述樹脂組成物中之前述碳酸鍶粉末的含有比例為0.2質量%以上且0.8質量%以下，前述碳酸鍶粉末包含碳酸鍶奈米粒子與附著於前述碳酸鍶奈米粒子之表面的界面活性劑。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中遵循JIS K6719，在280℃之溫度及21.18 N之荷重下量測的熔體流動速率為40 g／10 min以上。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中前述碳酸鍶粉末的長寬比為1.1以上。
如請求項1至3之任一項所述之樹脂組成物，其中前述碳酸鍶粉末的平均直徑為10 nm以上且100 nm以下。
一種光學元件，其係將如請求項1至4任一項所述之樹脂組成物成形而成者。
一種金屬氮化物膜蝕刻組合物，其係包含硫酸、過氧化氫、硼系化合物和水的蝕刻組合物，<br/> 其中，相對於該蝕刻組合物總重量，包含該硼系化合物0.0001至3重量%，<br/> 其中，該硼系化合物為選自三氧化二硼、硼酸鈉、過硼酸鈉四水合物、過硼酸鎂、三苯基環硼氧烷（triphenylboroxin）及由下述化學式1表示的硼化合物中的任一種或多種，<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="57px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，在化學式1中，<br/> L<sub>1</sub>至L<sub>3</sub>彼此獨立為單鍵或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>亞烷基；<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>3</sub>彼此獨立為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>鹵代烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、單C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基胺基、二C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基胺基、單C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基胺基或二C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基胺基，<br/> 其中，該蝕刻組合物包含硫酸75至95重量%、過氧化氫1至12重量%、硼系化合物0.0001至1重量%、以及餘量的水。
如請求項1所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物，其中，相對於過氧化氫100重量份，包含該硼系化合物0.001至10重量份。
如請求項1所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物，其中，該蝕刻組合物還包含選自蝕刻穩定劑、氟系化合物、二元醇系化合物和pH調節劑中的一種或二種以上的額外的添加劑。
如請求項1所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物，其中，該金屬氮化物膜為選自鈦氮化物膜、鉭氮化物膜和鈦-鉭氮化物膜中的一種以上。
如請求項4所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物，其中，該金屬氮化物膜由包含選自鎢、銅、鉬、鈦、銦、鋅、錫和鈮中的一種或二種以上的金屬膜層疊而成。
一種金屬氮化物膜的蝕刻方法，其中，包括以下步驟：使選自如請求項1至5中的任一項所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物與包含金屬氮化物膜和金屬膜的微電子器件接觸，將金屬氮化物膜從該微電子器件選擇性地去除的步驟。
如請求項6所述的金屬氮化物膜的蝕刻方法，其中，該金屬氮化物膜包括選自鈦氮化物膜、鉭氮化物膜和鈦-鉭氮化物膜中的一種以上。
如請求項6所述的金屬氮化物膜的蝕刻方法，其中，該金屬膜包含選自鎢、銅、鉬、鈦、銦、鋅、錫和鈮中的一種或二種以上。
一種微電子器件的製造方法，其中，包括利用選自如請求項1至5 中的任一項所述的金屬氮化物膜蝕刻組合物而進行的蝕刻製程。
一種黏附組成物，其包含以下的(A)成分～(D)成分： <br/> (A)具有環氧基的烯烴系聚合物、 <br/> (B)具有酸酐基及/或羧基、且數均分子量為20000～500000的烯烴系聚合物、 <br/> (C)具有酸酐基及/或羧基、且數均分子量為500以上且小於10000的烯烴系聚合物、以及 <br/> (D)吸濕性填料， <br/> (A)成分具有的環氧基的量(mol)：(B)成分和(C)成分具有的酸酐基的量(mol)及羧基的量(mol)的總計是20：80～80：20， <br/> (A)成分及(B)成分的含量的總計，相對於黏附組成物的除去了(D)成分的不揮發成分是5質量%以上且80質量%以下， <br/> (A)成分：(B)成分的質量比是5：95～95：5， <br/> (C)成分的含量，相對於(D)成分100質量份是1質量份以上且30質量份以下， <br/> (D)成分的含量，相對於黏附組成物的不揮發成分是10質量%以上且75質量%以下。
如請求項1記載的黏附組成物，其中，(B)成分是具有酸酐基、且數均分子量為20000～500000的烯烴系聚合物。
如請求項1或2記載的黏附組成物，其中，(C)成分是具有酸酐基、且數均分子量為500以上且小於10000的烯烴系聚合物。
如請求項1或2記載的黏附組成物，其中，進一步包含除(A)成分、(B)成分和(C)成分以外的液態烯烴系聚合物。
如請求項1或2記載的黏附組成物，其中，進一步包含增黏劑。
一種黏附片材，其具有疊層結構， <br/> 所述疊層結構包含：支撐體、和由請求項1～5中任一項記載的黏附組成物形成的黏附層。
一種電子設備，其包含由請求項1～5中任一項記載的黏附組成物形成的黏附層。
一種影像感測器，包括： <br/>多個紅色像素群組，各自包含各自組態成感測紅色的第一紅色像素及第二紅色像素，所述第一紅色像素及所述第二紅色像素在第一方向上彼此鄰近且彼此共用單個微透鏡； <br/>多個綠色像素群組，各自包含各自組態成感測綠色的第一綠色像素及第二綠色像素，所述第一綠色像素及所述第二綠色像素在所述第一方向上彼此鄰近且彼此共用單個微透鏡； <br/>多個藍色像素群組，各自包含各自組態成感測藍色的第一藍色像素及第二藍色像素，所述第一藍色像素及所述第二藍色像素在所述第一方向上彼此鄰近且彼此共用單個微透鏡；以及 <br/>至少一個色彩像素群組，包含各自組態成感測特定色彩的第一色彩像素及第二色彩像素，所述第一色彩像素及所述第二色彩像素在第二方向上彼此鄰近且彼此共用單個微透鏡，所述第一方向垂直於所述第二方向； <br/>所述特定色彩與所述紅色、所述藍色以及所述綠色不同；且 <br/>所述至少一個色彩像素群組在所述紅色像素群組與所述綠色像素群組之間以及所述綠色像素群組與所述藍色像素群組之間。
如請求項1所述的影像感測器，其中 <br/>所述多個紅色像素群組包含在所述第二方向上彼此依序鄰近的第一紅色像素群組、第二紅色像素群組及第三紅色像素群組， <br/>所述多個藍色像素群組包含在所述第二方向上彼此依序鄰近的第一藍色像素群組、第二藍色像素群組及第三藍色像素群組， <br/>所述多個綠色像素群組包含第一綠色像素群組、第二綠色像素群組、第三綠色像素群組及第四綠色像素群組， <br/>所述第一綠色像素群組、所述第二綠色像素群組以及所述第四綠色像素群組在所述第二方向上彼此依序鄰近， <br/>所述第一綠色像素群組、所述第三綠色像素群組以及所述第四綠色像素群組在所述第二方向上彼此依序鄰近，且 <br/>所述第二綠色像素群組與所述第三綠色像素群組在所述第一方向上彼此鄰近。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述特定色彩包含選自青藍色、洋紅色以及黃色中的至少一者。
如請求項3所述的影像感測器，其中所述至少一個色彩像素群組包含： <br/>青藍色像素群組，組態成感測所述青藍色； <br/>洋紅色像素群組，組態成感測所述洋紅色；以及 <br/>黃色像素群組，組態成感測所述黃色， <br/>其中自所述黃色像素群組的中心至所述青藍色像素群組的中心的距離等於自所述黃色像素群組的所述中心至所述洋紅色像素群組的中心的距離。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述特定色彩包含白色。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述至少一個色彩像素群組組態成經由與連接至所述多個紅色像素群組、所述多個綠色像素群組以及所述多個藍色像素群組的轉移控制信號線不同的轉移控制信號線接收轉移控制信號，所述轉移控制信號組態成控制光電荷的累積。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述至少一個色彩像素群組組態成經由與連接至所述多個紅色像素群組、所述多個綠色像素群組以及所述多個藍色像素群組的行輸出線不同的行輸出線輸出像素信號。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個紅色像素群組、所述多個綠色像素群組、所述多個藍色像素群組以及所述至少一個色彩像素群組中的同一像素群組中的像素彼此共用浮動擴散區，且 <br/>所述浮動擴散區組態成累積光電荷。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述多個紅色像素群組中所包含的所述第一紅色像素和所述第二紅色像素以及所述至少一個色彩像素群組中所包含的所述第一色彩像素和所述第二色彩像素彼此共用浮動擴散區，且 <br/>所述浮動擴散區組態成累積光電荷。
如請求項1所述的影像感測器，其中包含於所述多個紅色像素群組中的一個紅色像素群組中的第一紅色像素及第二紅色像素的數目大於包含於所述至少一個色彩像素群組中的一個色彩像素群組中的第一色彩像素及第二色彩像素的數目。
如請求項1所述的影像感測器，其中，包含於所述多個綠色像素群組中的一個綠色像素群組中的第一綠色像素和第二綠色像素的數目為8，包含於所述多個紅色像素群組中的一個紅色像素群組中的第一紅色像素和第二紅色像素的數目為6，包含於所述至少一個色彩像素群組中的一個色彩像素群組中的所述第一色彩像素和所述第二色彩像素的數目為2。
一種由用戶裝備（UE）執行的用於支援在無線網路中獲取經校正的當前時間的方法，包括： <br/>從所述無線網路接收針對基站的公共加密密鑰； <br/>接收從所述基站廣播的訊息，所述訊息包括：針對所述基站的數位簽名，其中所述數位簽名係基於與所述公共加密密鑰對應的私有加密密鑰、以及由多個數表示的當前時間，其中表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分被加密； <br/>基於針對所述基站的所述數位簽名驗證所述訊息中的所述當前時間，其中驗證所述當前時間使用所述公共加密密鑰； <br/>解密至少經加密的表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分； <br/>確定所述基站與所述UE之間的傳播延遲；以及 <br/>在所述UE，基於所述當前時間，其包含至少已解密的表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分、和所述傳播延遲來確定所述經校正的當前時間。
如請求項1所述的方法，其中所述當前時間包括協調世界時（UTC）時間、全球定位系統（GPS）時間、GLONASS時間、北斗時間、伽利略時間、全球導航衛星系統（GNSS）時間、或本地區域時間。
如請求項1所述的方法，其中確定所述傳播延遲包括以下一者： <br/>從所述基站獲得定時提前，其中所述傳播延遲是根據所述定時提前來確定的； <br/>獲得所述UE的位置和所述基站的位置，其中所述傳播延遲是基於所述UE的位置與所述基站的位置之間的距離來確定的；或者 <br/>量測所述UE與所述基站之間的往返傳播時間（RTT），其中所述傳播延遲等於所述RTT的一半。
如請求項3的方法，其中獲得所述UE的位置和所述基站的位置包括以下至少一者： <br/>在系統資訊塊（SIB）中接收來自所述基站的關於所述基站的位置的廣播； <br/>接收包含所述基站的位置的長期演進（LTE）定位協議（LPP）輔助資料訊息； <br/>接收包含所述UE的位置的移動發起位置請求（MO-LR）響應訊息；或者 <br/>執行定位會話以確定所述UE的位置。
如請求項3所述的方法，其中量測所述RTT包括： <br/>從所述基站接收指示針對所述基站的第一本地傳輸時間的第一訊息； <br/>基於針對所述基站的第一本地傳輸時間和在所述UE中接收到所述第一訊息的本地時間來將所述UE中的本地定時與針對所述基站的本地傳輸時間相關聯； <br/>在隨機存取通道（RACH）上向所述基站傳送第二訊息，所述第二訊息包括隨機變量，所述第二訊息在第一時間被傳送，其中所述第一時間是所述UE中的本地時間或針對所述基站的相關聯本地傳輸時間； <br/>響應於所述第二訊息而從所述基站接收第三訊息，所述第三訊息包括第二時間和所述隨機變量，其中所述第二時間是在所述基站處接收到所述第二訊息的針對所述基站的本地傳輸時間；以及 <br/>基於所述第一時間和所述第二時間來確定所述RTT。
如請求項5所述的方法，其中所述第三訊息被加密。
如請求項5所述的方法，其中所述第三訊息進一步包括針對所述基站的數位簽名，所述方法進一步包括： <br/>基於針對所述基站的所述數位簽名來認證所述第三訊息。
如請求項3所述的方法，其中攻擊方設備在所述無線網路中在所述UE與所述基站之間存在，其中所述訊息是在重放攻擊中經由所述攻擊方設備接收的，所述方法進一步包括： <br/>根據所述定時提前或通過量測所述RTT來確定所述傳播延遲；以及 <br/>基於所述傳播延遲超出預期射程來檢測所述攻擊方設備的存在。
如請求項8所述的方法，其中所述預期射程包括基於到所述基站的最大預期距離的最大傳播延遲。
如請求項8所述的方法，進一步包括： <br/>獲得所述UE的所估計位置和所述基站的位置； <br/>確定所述UE的所估計位置與所述基站的位置之間的距離估計；以及 <br/>基於所述距離估計來確定所述預期射程。
如請求項1所述的方法，其中所述訊息進一步包括以下至少一者：所述當前時間到基站子幀或時隙邊界的隱式或顯式對齊、所述當前時間的不確定性、所述當前時間的源、或其組合。
一種配置成用於支援在無線網路中獲取經校正的當前時間的用戶裝備（UE），包括： <br/>無線收發機，所述無線收發機被配置成與所述無線網路中的基站進行無線通訊； <br/>至少一個記憶體； <br/>耦接到所述無線收發機和所述至少一個記憶體的至少一個處理器，其中所述至少一個處理器被配置成： <br/>從所述無線網路接收針對基站的公共加密密鑰； <br/>經由所述無線收發機接收從所述基站廣播的訊息，所述訊息包括：針對所述基站的數位簽名，其中所述數位簽名係基於與所述公共加密密鑰對應的私有加密密鑰、以及由多個數表示的當前時間，其中表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分被加密； <br/>基於針對所述基站的所述數位簽名驗證所述訊息中的所述當前時間，其中驗證所述當前時間使用所述公共加密密鑰； <br/>解密至少經加密的表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分； <br/>確定所述基站與所述UE之間的傳播延遲；以及 <br/>在所述UE，基於所述當前時間，其包含至少已解密的表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分、和所述傳播延遲來確定所述經校正的當前時間。
如請求項12所述的UE，其中所述當前時間包括協調世界時（UTC）時間、全球定位系統（GPS）時間、GLONASS時間、北斗時間、伽利略時間、全球導航衛星系統（GNSS）時間、或本地區域時間。
如請求項12所述的UE，其中所述至少一個處理器被配置成通過以下一者來確定所述傳播延遲： <br/>經由所述無線收發機從所述基站獲得定時提前，其中所述傳播延遲是根據所述定時提前來確定的； <br/>獲得所述UE的位置和所述基站的位置，其中所述傳播延遲是基於所述UE的位置與所述基站的位置之間的距離來確定的；或者 <br/>量測所述UE與所述基站之間的往返傳播時間（RTT），其中所述傳播延遲等於所述RTT的一半。
如請求項14所述的UE，其中所述至少一個處理器被配置成通過以下至少一者來獲得所述UE的位置和所述基站的位置： <br/>經由所述無線收發機在系統資訊塊（SIB）中接收來自所述基站的關於所述基站的位置的廣播； <br/>經由所述無線收發機接收包含所述基站的位置的長期演進（LTE）定位協議（LPP）輔助資料訊息； <br/>經由所述無線收發機接收包含所述UE的位置的移動發起位置請求（MO-LR）響應訊息；或者 <br/>執行定位會話以確定所述UE的位置。
如請求項14所述的UE，其中所述至少一個處理器通過被配置成進行以下操作來配置成量測所述RTT： <br/>經由所述無線收發機從所述基站接收指示針對所述基站的第一本地傳輸時間的第一訊息； <br/>基於針對所述基站的第一本地傳輸時間和在所述UE中接收到所述第一訊息的本地時間來將所述UE中的本地定時與針對所述基站的本地傳輸時間相關聯； <br/>經由所述無線收發機在隨機存取通道（RACH）上向所述基站傳送第二訊息，所述第二訊息包括隨機變量，所述第二訊息在第一時間被傳送，其中所述第一時間是所述UE中的本地時間或針對所述基站的相關聯本地傳輸時間； <br/>經由所述無線收發機響應於所述第二訊息而從所述基站接收第三訊息，所述第三訊息包括第二時間和所述隨機變量，其中所述第二時間是在所述基站處接收到所述第二訊息的針對所述基站的本地傳輸時間；以及 <br/>基於所述第一時間和所述第二時間來確定所述RTT。
如請求項16所述的UE，其中所述第三訊息被加密。
如請求項16所述的UE，其中所述第三訊息進一步包括針對所述基站的數位簽名，所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>基於針對所述基站的所述數位簽名來認證所述第三訊息。
如請求項14所述的UE，其中攻擊方設備在所述無線網路中在所述UE與所述基站之間存在，其中所述訊息是在重放攻擊中經由所述攻擊方設備接收的，所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>根據所述定時提前或通過量測所述RTT來確定所述傳播延遲；以及 <br/>基於所述傳播延遲超出預期射程來檢測所述攻擊方設備的存在。
如請求項19所述的UE，其中所述預期射程包括基於到所述基站的最大預期距離的最大傳播延遲。
如請求項19所述的UE，其中所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>獲得所述UE的所估計位置和所述基站的位置； <br/>確定所述UE的所估計位置與所述基站的位置之間的距離估計；以及 <br/>基於所述距離估計來確定所述預期射程。
如請求項12所述的UE，其中所述訊息進一步包括以下至少一者：所述當前時間到基站子幀或時隙邊界的隱式或顯式對齊、所述當前時間的不確定性、所述當前時間的源、或其組合。
一種由基站執行的用於支援由用戶裝備（UE）在無線網路中獲取經校正的當前時間的方法，包括： <br/>獲得當前時間； <br/>使用多個數表示所述當前時間； <br/>加密表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分； <br/>發送針對所述基站的公共加密密鑰至所述UE；以及 <br/>廣播包括所述當前時間與針對所述基站的數位簽名的訊息，其中所述數位簽名係基於與所述公共加密密鑰對應的私有加密密鑰， <br/>其中所述UE接收所述訊息，通過解密所述當前時間的所述經加密的部分獲得未經加密的當前時間，並且確定所述基站與所述UE之間的傳播延遲，其中所述UE基於所述未經加密的當前時間和所述傳播延遲來確定所述經校正的當前時間，其中所述UE使用所述公共加密密鑰驗證所述當前時間。
如請求項23所述的方法，其中所述當前時間包括協調世界時（UTC）時間、全球定位系統（GPS）時間、GLONASS時間、北斗時間、伽利略時間、全球導航衛星系統（GNSS）時間、或本地區域時間。
如請求項23所述的方法，進一步包括通過執行以下一者來輔助所述UE確定所述傳播延遲： <br/>向所述UE發送定時提前，其中所述定時提前實現由所述UE確定所述傳播延遲； <br/>向所述UE發送包括所述UE的位置和所述基站的位置中的至少一者的訊息，其中所述傳播延遲由所述UE基於所述UE的位置與所述基站的位置之間的距離來確定；或者 <br/>輔助所述UE量測所述UE與所述基站之間的往返傳播時間（RTT），其中所述傳播延遲等於所述RTT的一半。
如請求項25所述的方法，其中向所述UE發送包括所述UE的位置和所述基站的位置中的至少一者的訊息包括以下至少一者： <br/>在系統資訊塊（SIB）中廣播所述基站的位置； <br/>向所述UE轉發包含所述基站的位置的長期演進（LTE）定位協議（LPP）輔助資料訊息； <br/>向所述UE發送包含所述UE的位置的移動發起位置請求（MO-LR）響應訊息；或者 <br/>在所述UE與針對所述UE的位置伺服器之間傳遞LPP訊息以確定所述UE的位置。
如請求項25所述的方法，其中輔助所述UE量測所述RTT包括： <br/>向所述UE發送指示針對所述基站的第一本地傳輸時間的第一訊息，其中所述UE基於針對所述基站的第一本地傳輸時間和在所述UE中接收到所述第一訊息的本地時間來將所述UE中的本地定時與針對所述基站的本地傳輸時間相關聯； <br/>在隨機存取通道（RACH）上從所述UE接收第二訊息，所述第二訊息包括隨機變量，所述第二訊息在第一時間被傳送，其中所述第一時間是所述UE中的本地時間或針對所述基站的相關聯本地傳輸時間； <br/>量測第二時間，其中所述第二時間是在所述基站處接收到所述第二訊息的針對所述基站的本地傳輸時間；以及 <br/>響應於所述第二訊息而向所述UE發送第三訊息，所述第三訊息包括所述第二時間和所述隨機變量， <br/>其中所述UE基於所述第一時間和所述第二時間來確定所述RTT。
如請求項27所述的方法，進一步包括加密所述第三訊息。
如請求項27所述的方法，進一步包括在所述第三訊息中包括針對所述基站的數位簽名，其中所述UE基於針對所述基站的所述數位簽名來認證所述第三訊息。
如請求項25所述的方法，其中攻擊方設備在所述無線網路中在所述UE與所述基站之間存在，其中所述訊息是由所述UE在重放攻擊中經由所述攻擊方設備接收的，其中所述UE根據所述定時提前或通過量測所述RTT來確定所述傳播延遲；並且其中所述UE基於所述傳播延遲超出預期射程來檢測所述攻擊方設備的存在。
如請求項30所述的方法，其中所述預期射程包括基於所述UE與所述基站之間的最大預期距離的最大傳播延遲。
如請求項30所述的方法，其中所述預期射程基於所述UE的所估計位置和由所述UE獲得的所述基站的位置。
如請求項23所述的方法，進一步包括在所述訊息中包括以下至少一者：所述當前時間到針對所述基站的子幀或時隙邊界的隱式或顯式對齊、所述當前時間的不確定性、從其獲得所述當前時間的源、其組合。
一種配置成用於支援由用戶裝備（UE）在無線網路中獲取經校正的當前時間的基站，包括： <br/>外部介面，所述外部介面被配置成與所述無線網路中的實體進行無線通訊； <br/>至少一個記憶體； <br/>耦接到所述外部介面和所述至少一個記憶體的至少一個處理器，其中所述至少一個處理器被配置成： <br/>獲得當前時間； <br/>使用多個數表示所述當前時間； <br/>加密表示所述當前時間的所述多個數的至少一部分； <br/>發送針對所述基站的公共加密密鑰至所述UE；以及 <br/>廣播包括所述當前時間與針對所述基站的數位簽名的訊息，其中所述數位簽名係基於與所述公共加密密鑰對應的私有加密密鑰， <br/>其中所述UE接收所述訊息，通過解密所述當前時間的所述經加密的部分獲得未經加密的當前時間，並且確定所述基站與所述UE之間的傳播延遲，其中所述UE基於所述未經加密的當前時間和所述傳播延遲來確定所述經校正的當前時間，其中所述UE使用所述公共加密密鑰驗證所述當前時間。
如請求項34所述的基站，其中所述當前時間包括協調世界時（UTC）時間、全球定位系統（GPS）時間、GLONASS時間、北斗時間、伽利略時間、全球導航衛星系統（GNSS）時間、或本地區域時間。
如請求項34所述的基站，其中所述至少一個處理器通過被配置成用於以下一者來進一步配置成輔助所述UE確定所述傳播延遲： <br/>向所述UE發送定時提前，其中所述定時提前實現由所述UE確定所述傳播延遲； <br/>向所述UE發送包括所述UE的位置和所述基站的位置中的至少一者的訊息，其中所述傳播延遲由所述UE基於所述UE的位置與所述基站的位置之間的距離來確定；或者 <br/>輔助所述UE量測所述UE與所述基站之間的往返傳播時間（RTT），其中所述傳播延遲等於所述RTT的一半。
如請求項36所述的基站，其中所述至少一個處理器通過被配置成用於以下至少一者來進一步配置成向所述UE發送包括所述UE的位置和所述基站的位置中的至少一者的所述訊息： <br/>在系統資訊塊（SIB）中廣播所述基站的位置； <br/>向所述UE轉發包含所述基站的位置的長期演進（LTE）定位協議（LPP）輔助資料訊息； <br/>向所述UE發送包含所述UE的位置的移動發起位置請求（MO-LR）響應訊息；或者 <br/>在所述UE與針對所述UE的位置伺服器之間傳遞LPP訊息以確定所述UE的位置。
如請求項36所述的基站，其中所述至少一個處理器通過被配置成進行以下操作來進一步配置成輔助所述UE量測所述RTT： <br/>向所述UE發送指示針對所述基站的第一本地傳輸時間的第一訊息，其中所述UE基於針對所述基站的第一本地傳輸時間和在所述UE中接收到所述第一訊息的本地時間來將所述UE中的本地定時與針對所述基站的本地傳輸時間相關聯； <br/>在隨機存取通道（RACH）上從所述UE接收第二訊息，所述第二訊息包括隨機變量，所述第二訊息在第一時間被傳送，其中所述第一時間是所述UE中的本地時間或針對所述基站的相關聯本地傳輸時間； <br/>量測第二時間，其中所述第二時間是在所述基站處接收到所述第二訊息的針對所述基站的本地傳輸時間；以及 <br/>響應於所述第二訊息而向所述UE發送第三訊息，所述第三訊息包括所述第二時間和所述隨機變量， <br/>其中所述UE基於所述第一時間和所述第二時間來確定所述RTT。
如請求項38所述的基站，其中所述至少一個處理器被進一步配置成加密所述第三訊息。
如請求項38所述的基站，其中所述至少一個處理器被進一步配置成在所述第三訊息中包括針對所述基站的數位簽名，其中所述UE基於針對所述基站的所述數位簽名來認證所述第三訊息。
如請求項36所述的基站，其中攻擊方設備在所述無線網路中在所述UE與所述基站之間存在，其中所述訊息是由所述UE在重放攻擊中經由所述攻擊方設備接收的，其中所述UE根據所述定時提前或通過量測所述RTT來確定所述傳播延遲；並且其中所述UE基於所述傳播延遲超出預期射程來檢測所述攻擊方設備的存在。
如請求項41所述的基站，其中所述預期射程包括基於所述UE與所述基站之間的最大預期距離的最大傳播延遲。
如請求項41所述的基站，其中所述預期射程基於所述UE的所估計位置和由所述UE獲得的所述基站的位置。
如請求項34所述的基站，其中所述至少一個處理器被進一步配置成在所述訊息中包括以下至少一者：所述當前時間到針對所述基站的子幀或時隙邊界的隱式或顯式對齊、所述當前時間的不確定性、從其獲得所述當前時間的源、其組合。
一種有機錫化合物，其由以下化學式2或以下化學式3表示： <br/>[化學式2] <br/><img align="absmiddle" height="124px" width="110px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化學式3] <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="121px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的有機錫化合物，其中所述有機錫化合物在室溫下為液體。
一種用於沉積含錫薄膜的前體組合物，其包含如請求項1至2中任一項所述的有機錫化合物。
一種用於形成含錫薄膜的方法，其包含使用如請求項1至2中任一項所述的有機錫化合物作為前體，透過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程或原子層沉積(ALD)製程在襯底上沉積薄膜。
如請求項4所述的方法，其中所述沉積製程在50至700℃的溫度範圍內進行。
如請求項4所述的方法，其中所述沉積製程包含透過選自鼓泡法、氣相品質流量控制器(MFC)法、直接氣體注入(DGI)法、直接液體注入(DLI)法和將所述有機錫化合物溶解在有機溶劑中並移動的有機溶液供應法中的一種將所述有機錫化合物移動到所述襯底的步驟。
如請求項6所述的方法，其中透過所述鼓泡法或所述直接氣體注入法將所述有機錫化合物與載氣一起移動到所述襯底上，並且所述載氣為含有選自氬(Ar)、氮氣(N<sub>2</sub>)、氦氣(He)和氫氣(H<sub>2</sub>)中的一種或多種的混合物。
如請求項4所述的方法，其中所述沉積製程包含在形成所述含錫薄膜時供應選自水蒸氣(H<sub>2</sub>O)、氧氣(O<sub>2</sub>)、臭氧(O<sub>3</sub>)和過氧化氫(H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>)中的一種或多種反應氣體的步驟。
如請求項4所述的方法，其中所述沉積製程包含在形成所述含錫薄膜時供應選自氨(NH<sub>3</sub>)、肼(N<sub>2</sub>H<sub>4</sub>)、一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)和氮氣(N<sub>2</sub>)中的一種或多種反應氣體的步驟。
一種處理系統，包括： <br/>二或更多個快取層級，每一個快取層級包括錯失狀態保持暫存器；以及 <br/>一預取器，該預取器被連接至該二或更多個快取層級中的每一者，該預取器經配置以： <br/>針對先前發送的預取而接收來自在每一個快取層級處的該錯失狀態保持暫存器的回授；以及 <br/>基於該回授，控制針對一經訓練之條目而發送給該二或更多個快取層級中的每一個快取層級的預取的數目。
如請求項1所述的處理系統，其中該回授包括於每一個快取層級的該錯失狀態保持暫存器的一充滿度指示符，該預取器經配置以： <br/>將預取發送至具有可用錯失狀態保持暫存器的該二或更多個快取層級中的快取層級。
如請求項2所述的處理系統，其中該充滿度指示符為使該預取器不知道在每一個快取層級的該錯失狀態保持暫存器的一絕對大小的一相對指示符。
如請求項1所述的處理系統，其中該回授包括針對該經訓練之條目的一確認，該確認表明一需求負載位址匹配一未決預取位址，該預取器經配置以： <br/>將針對該經訓練之條目的一預取發送至該二或更多個快取層級的一第一快取層級；以及 <br/>將針對該經訓練之條目的另一個快取發送至該二或更多個快取層級的至少一第二快取層級。
如請求項1所述的處理系統，其中該回授包括針對該經訓練之條目的一確認，該確認表明該經訓練之條目正在一適合的方向上預取，該預取器經配置以： <br/>將針對該經訓練之條目的一預取發送至該二或更多個快取層級中的一第一快取層級；以及 <br/>將針對該經訓練之條目的另一個預取發送至該二或更多個快取層級中的至少一第二快取層級。
如請求項1所述的處理系統，進一步包括一預取發出佇列，如果在完成發送一預取之前，錯失狀態保持暫存器被用盡、頁表快取中的錯失、由於一資源檢查的錯失、或由於一危害檢查的錯失，則該預取發出佇列賦能該預取器重播該預取。
如請求項6所述的處理系統，其中藉由即時地將該預取從一個快取層級轉換至另一個快取層級，該預取器可重播該預取。
如請求項6所述的處理系統，其中藉由重播來自該預取發出佇列的該預取，該預取器可重播該預取。
如請求項6所述的處理系統，其中該預取發出佇列包括針對每一個快取層級的專用預取槽。
如請求項1所述的處理系統，其中該預取器包括： <br/>一狀態機，該狀態機經配置以在該預取器中建立經訓練之條目，每一個條目具有一基位址及一步幅；以及 <br/>一寬恕計數器，該寬恕計數器追蹤由需求請求導致的步幅失配的數目， <br/>其中該狀態機經配置以當該寬恕計數器超過一步幅失配臨界值時，針對一經訓練之條目從一經訓練之狀態至一非經訓練之狀態的移動進行控制。
如請求項1所述的處理系統，其中該預取器包括： <br/>針對每一個快取層級的一快取命中計數器，每一個快取命中計數器追蹤針對命中由一需求請求建立的一快取標籖的一經訓練之條目發送的預取的數目， <br/>其中該預取器經配置以當該快取命中計數器超過相關快取層級的一快取命中臨界值時，停止針對該經訓練之條目發送預取。
如請求項1所述的處理系統，其中該預取器包括： <br/>針對每一個快取層級的一快取命中計數器，每一個快取命中計數器追蹤針對命中由一需求請求建立的一快取標籖的一經訓練之條目發送的預取的數目， <br/>其中該預取器經配置以當該快取命中計數器超過相關快取層級的一快取命中臨界值時，使針對一相關快取層級的該經訓練之條目無效。
如請求項1所述的處理系統，其中該預取器包括： <br/>針對一第一快取層級的一第一快取層級錯失狀態保持暫存器確認或命中計數器，該第一快取層級錯失狀態保持暫存器確認或命中計數器對命中由第一快取層級預取所建立的一錯失狀態保持暫存器條目的一經訓練之條目的需求請求的數目計數、或對命中由一需求所建立的一錯失狀態保持暫存器條目的一經訓練之條目的第一快取層級預取請求的數目計數，其中當該第一快取層級錯失狀態保持暫存器確認或命中計數器超過一第一快取層級錯失狀態保持暫存器命中臨界值時，一第一快取層級錯失狀態保持暫存器命中事件被產生；以及 <br/>針對每一個更高快取層級的一更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中計數器，每一個更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中計數器對該第一快取層級預取的命中數目計數，該第一快取層級預取命中由更高層級預取或命中由一更低快取層級預取所建立的一條目的更高層級預取所建立的一更高快取層級錯失狀態保持暫存器條目，其中當該更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中計數器超過一更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中臨界值時，一更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中事件被產生， <br/>其中在該第一快取層級錯失狀態保持暫存器命中事件或該更高快取層級錯失狀態保持暫存器命中事件發生時，該預取器的一進取性被增加。
一種發送預取的方法，該方法包括： <br/>由一預取器針對先前發送的預取而接收來自一多快取層級階層的每一個快取層級處的錯失狀態保持暫存器的回授；以及 <br/>由該預取器基於該回授控制針對一經訓練之條目而對該多快取層級階層中的二或更多個快取層級發送的預取的數目。
如請求項14所述的方法，其中該回授包括在每一個快取層級的該錯失狀態保持暫存器的一充滿度指示符，且其中該充滿度指示符為使該預取器不知道在每一個快取層級的該錯失狀態保持暫存器的一絕對大小的一相對指示符，該發送進一步包括： <br/>將預取發送至具有可用錯失狀態保持暫存器的該多快取層級階層中的快取層級。
如請求項14所述的方法，其中該回授包括針對該經訓練之條目的一確認，該確認表明一需求負載位址匹配一未決預取位址，該方法進一步包括： <br/>將針對該經訓練之條目的一預取發送至該多快取層級階層的一第一快取層級；以及 <br/>將針對該經訓練之條目的另一個快取發送至該多快取層級階層的至少一第二快取層級。
如請求項14所述的方法，進一步包括： <br/>藉由該預取器中的一狀態機建立經訓練之條目，每一個條目具有一基位址及一步幅； <br/>藉由該預取器中的一寬恕計數器對由一經訓練之條目的需求請求導致的步幅失配的數目計數；以及 <br/>當該寬恕計數器超過一步幅失配臨界值時，針對該經訓練之條目從一經訓練之狀態轉移至一非經訓練之狀態。
一種預取器，包括： <br/>針對至少一二層級快取階層中的每一個快取的一或複數經訓練之條目，該預取器經配置以： <br/>針對先前發送的預取而接收來自在該至少二層級快取階層的每一個快取處的錯失狀態保持暫存器的回授；以及 <br/>基於該回授，控制針對一經訓練之條目的預取至在該至少二層級快取階層中的二或更多個快取的發送。
如請求項18所述的預取器，其中該回授包括在每一個快取層級的該錯失狀態保持暫存器的一充滿度指示符，且其中該充滿度指示符為一相對指示符，該相對指示符使該預取器不知道在該至少一二層級快取階層的每一個快取層級處的該錯失狀態保持暫存器的一絕對大小，該預取器進一步配置以： <br/>將預取發送至具有可用錯失狀態保持暫存器的該至少一二層級快取階層中的快取層級。
如請求項18所述的預取器，其中該回授包括針對該經訓練之條目的一確認，該確認表明一需求負載位址匹配一未決預取位址，該預取器經進一步配置以： <br/>將針對該經訓練之條目的一預取發送至該至少一二層級快取階層的一第一快取層級；以及 <br/>將針對該經訓練之條目的另一個快取發送至至少一二層級快取階層的至少一第二快取層級。
一種刀架(20)，其包括： <br/>一刀架本體(22)，其具有：一縱向軸線(AL)，其界定一向後至向前方向(DR、DF)，具有背向彼此而對置的第一本體側面(36a)及第二本體側面(36b)，及頂部本體面及底部本體面(50、53)，該第一本體側面及該第二本體側面(36a、36b)在該頂部本體面及底部本體面(50、53)之間延伸； <br/>該刀架本體(22)進一步具有：分別界定一嵌件接收袋(34)之上袋面及下袋面(30、32)之對置上爪及下爪(26、28)，該上爪及該下爪(26、28)之一者可相對於另一者彈性位移； <br/>一彈性狹槽(38)，其遠離該嵌件接收袋(34)延伸且進一步分離該上爪與該下爪(26、28)；及 <br/>一第一平面(P1)，該第一平面(P1)穿過該等本體側面(36a、36b)之間，而與該頂部本體面及該底部本體面(50、53)相交，並其與該上袋面及該下袋面(30、32)相交， <br/>其中： <br/>一致動部件(42)，在該向後方向(DR)中位於該嵌件接收袋(34)的後方，並與該第一平面(P1)相交，其自該上爪(26)沿一第一軸線(A1)在一向下方向(DD)上延伸且橫穿該彈性狹槽(38)，該致動部件(42)具有一鎖定部分(44)， <br/>形成於該下爪(28)中之一接取孔(46)沿一第二軸線(A2)延伸，且 <br/>沿一第三軸線(A3)延伸之一鎖定部件(48)佔據該接取孔(46)且接合該致動部件(42)之該鎖定部分(44)， <br/>且其中： <br/>該上爪(26)及該致動部件(42)一體成型以具有整體單件式構造； <br/>該上爪(26)具有面向與該向下方向(DD)相反之一向上方向(DU)之一頂部爪面(40)，且 <br/>該第一軸線(A1)與該頂部爪面(40)相交。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該上袋面及該下袋面(30、32)間隔開一夾緊距離(DC)，且 <br/>該夾緊距離(DC)因該鎖定部件(48)圍繞其第三軸線(A3)旋轉而增大或減小。
如請求項2之刀架(20)，其中： <br/>在該鎖定部件(48)圍繞其第三軸線(A3)旋轉期間，不發生該鎖定部件(48)沿該接取孔之第二軸線(A2)平移移動。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該鎖定部件(48)具有沿其第三軸線(A3)安置之一凸輪部分(68)及至少一個旋轉部分(70a、70b)，且 <br/>該至少一個旋轉部分(70a、70b)佔據該接取孔(46)。
如請求項4之刀架(20)，其中： <br/>該致動部件之鎖定部分(44)具有一啟動孔(76)，且 <br/>該凸輪部分(68)佔據該啟動孔(76)。
如請求項4之刀架(20)，其中： <br/>該凸輪部分(68)具有橫截面呈非圓形之一周邊凸輪面(78)，且 <br/>該周邊凸輪面(78)之至少一圓周部分定位成在一第一旋轉方向(DR1)上與該第三軸線(A3)相距一連續減小徑向凸輪距離(DRC)。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該致動部件(42)佔據該下爪(28)中之一致動腔(62)，且 <br/>該接取孔(46)與該致動腔(62)連通。
如請求項7之刀架(20)，其中： <br/>該致動腔(62)包含面向彼此之第一腔側壁及第二腔側壁(64a、64b)，且 <br/>該接取孔(46)與該第一腔側壁及該第二腔側壁(64a、64b)之至少一者相交。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該上爪及該下爪(26、28)一體成型以具有整體單件式構造。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該接取孔(46)與該第一本體側面及該第二本體側面(36a、36b)之至少一者相交。
如請求項10之刀架(20)，其中： <br/>該縱向軸線(AL)垂直於該第一軸線(A1)； <br/>該嵌件接收袋(34)位於該刀架本體(22)之一前端(37)處；且 <br/>該第一平面(P1)含有該縱向軸線(AL)及該第一軸線(A1)兩者。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該上袋面及該下袋面(30、32)展現關於該第一平面(P1)之鏡像對稱性。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該第二軸線(A2)垂直於該第一平面(P1)。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>一上冷卻劑管道(54)延伸穿過該上爪(26)，且 <br/>該第一軸線(A1)與該上冷卻劑管道(54)相交。
如請求項14之刀架(20)，其中： <br/>該上冷卻劑管道(54)通向相鄰於該上袋面(30)之該頂部爪面(40)上之一上出口孔(56)。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>一下冷卻劑管道(58)延伸穿過該下爪(28)，且 <br/>該第一軸線(A1)與該下冷卻劑管道(58)相交。
如請求項16之刀架(20)，其中： <br/>該下爪(28)具有一前爪面(52)， <br/>該下冷卻劑管道(58)通向相鄰於該下袋面(32)之該前爪面(52)上之一下出口孔(60)。
如請求項1之刀架(20)，其中： <br/>該上爪及該下爪(26、28)展現關於該第一平面(P1)之鏡像對稱性。
一種切削刀具(80)，其包括如請求項1之刀架(20)及可移除地固定於該刀架之嵌件接收袋(34)中之一切削嵌件(82)。
如請求項19之切削刀具(80)，其中： <br/>該刀架本體(22)包含背向彼此之對置第一本體側面及第二本體側面(36a、36b)， <br/>由該第一本體側面及該第二本體側面(36a、36b)界定之第九平面及第十平面(P9、P10)間隔開垂直於該第一平面(P1)之一刀架寬度(WH)，且 <br/>該切削嵌件(82)具有界定垂直於該第一平面(P1)之一切削寬度(WCT)之至少一個切削刃(84)， <br/>其中： <br/>該切削寬度(WCT)大於該刀架寬度(WH)。
如請求項20之切削刀具(80)，其中： <br/>該刀架本體(22)之任何部分不橫穿該第九平面及該第十平面(P9、P10)。
一種刀架(20)，其包括： <br/>一刀架本體(22)，其沿一縱向軸線(AL)在一向後至向前方向(DR、DF)上延伸，該刀架本體(22)具有： <br/>頂部本體面及底部本體面(50、53)及在該頂部本體面與該底部本體面(50、53)之間延伸之第一本體側面及第二本體側面(36a、36b)； <br/>一嵌件接收袋(34)，其位於該刀架本體(22)之一前端(37)處，該嵌件接收袋(34)由對置上爪及下爪(26、28)界定，該上爪具有一頂部爪面(40)，該上爪及該下爪(26、28)之一者可相對於另一者彈性位移； <br/>一彈性狹槽(38)，其在該向後方向(DR)上遠離該嵌件接收袋(34)延伸且進一步分離該上爪與該下爪(26、28)； <br/>上袋面及下袋面(30、32)，其等分別界定於該上爪及該下爪(26、28)上； <br/>一第一平面(P1)，其含有該縱向軸線(AL)，穿過該第一本體側面與該第二本體側面(36a、36b)之間，且與該頂部本體面及該底部本體面(50、53)及該上袋面及該下袋面(30、32)相交； <br/>一第一軸線(A1)，其含於該第一平面(P1)中且垂直於該縱向軸線(AL)，該第一軸線(A1)在一向上至向下方向(DU、DD)上延伸且與該頂部爪面(40)相交； <br/>一致動部件(42)，其從該上爪(26)沿該第一軸線(A1)在該向下方向(DD)上延伸且橫穿該彈性狹槽(38)，該上爪(26)及該致動部件(42)一體成型以具有整體單件式構造，該致動部件(42)具有一鎖定部分(44)；及 <br/>一接取孔(46)，其形成於該下爪(28)中且沿與該第一平面(P1)相交之一第二軸線(A2)延伸；及 <br/>一鎖定部件(48)，其沿與該第一平面(P1)相交之一第三軸線(A3)延伸，該鎖定部件(48)佔據該接取孔(46)且接合該致動部件(42)之該鎖定部分(44)。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>腔室，其於內部設置有配置基板之載置台，上述載置台之周圍設置有與排氣系統相連之排氣口； <br/>擋具，其設置於上述載置台之周圍，將上述腔室內之空間分為對上述基板實施電漿處理之處理空間、及與上述排氣口相連之排氣空間； <br/>切換機構，其使上述擋具於遮斷電漿之遮斷狀態與電漿能夠通過之透過狀態間切換；以及 <br/>控制部，其對上述切換機構進行控制以使上述擋具從遮斷狀態成為透過狀態，或者從透過狀態成為遮斷狀態；且 <br/>上述擋具形成有複數個狹縫， <br/>上述切換機構藉由改變上述複數個狹縫之寬度，而使上述擋具於上述遮斷狀態與上述透過狀態間切換。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部對上述切換機構進行控制，以於在上述腔室內產生電漿而對上述基板實施電漿處理之情形時，使上述擋具成為上述遮斷狀態，且於實施上述腔室內之電漿清潔之情形時，使上述擋具成為上述透過狀態。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述擋具沿著載置台之周圍形成有開口，分別固定於軸之複數個葉片排列配置於上述開口，各葉片之間形成有狹縫； <br/>上述切換機構使上述複數個葉片之上述軸旋轉而改變上述狹縫之寬度，藉此於上述遮斷狀態與上述透過狀態間進行切換。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述切換機構藉由使上述狹縫之寬度小於電漿之鞘寬之2倍而使上述擋具成為上述遮斷狀態，藉由使上述狹縫之寬度大到成為上述鞘寬之2倍以上而使上述擋具成為上述透過狀態。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>腔室，其於內部設置有配置基板之載置台，上述載置台之周圍設置有與排氣系統相連之排氣口； <br/>擋具，其設置於上述載置台之周圍，將上述腔室內之空間分為對上述基板實施電漿處理之處理空間、及與上述排氣口相連之排氣空間； <br/>切換機構，其使上述擋具於遮斷電漿之遮斷狀態與電漿能夠通過之透過狀態間切換；以及 <br/>控制部，其對上述切換機構進行控制以使上述擋具從遮斷狀態成為透過狀態，或者從透過狀態成為遮斷狀態；且 <br/>上述切換機構能夠使上述擋具於接地電位與浮動狀態間切換，藉由使上述擋具成為接地電位而使上述擋具成為上述遮斷狀態，藉由使上述擋具成為浮動狀態而使上述擋具成為上述透過狀態。
如請求項5之電漿處理裝置，其中 <br/>上述切換機構設置於成為接地電位之導電構件與上述擋具之連接部位，且被作為使導電構件與擋具於導通狀態與非導通狀態間切換之開關。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中 <br/>上述擋具沿著載置台之周向被劃分為複數個區域，上述複數個區域能夠單獨地於遮斷狀態與透過狀態間切換， <br/>上述切換機構於上述複數個區域分別單獨地於遮斷狀態與透過狀態間進行切換。
如請求項7之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部對上述切換機構進行控制，以於對上述基板實施上述電漿處理之情形時，使上述擋具之上述複數個區域成為上述遮斷狀態，且於實施上述腔室內之電漿清潔之情形時，使上述擋具之上述複數個區域中之一部分或全部成為上述透過狀態。
如請求項8之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部對上述切換機構進行控制，以於實施上述腔室內之電漿清潔之情形時，使上述擋具之上述複數個區域依序成為上述透過狀態。
一種加工裝置，就晶圓製作晶圓的地圖，前述晶圓是：藉由在第一方向上延伸之複數條第一分割預定線、與在和該第一方向正交之第二方向上延伸之複數條第二分割預定線來區劃複數個器件，並且在該第一以及第二分割預定線形成有TEG，前述加工裝置具備： <br/>可旋轉的工作夾台，保持該晶圓； <br/>加工單元，對已保持在該工作夾台之該晶圓施行加工； <br/>X軸進給機構，使該工作夾台與該加工單元在X軸方向上相對地加工進給； <br/>Y軸進給機構，使該工作夾台與該加工單元在Y軸方向上相對地分度進給； <br/>操作單元，用於操作該X軸進給機構與該Y軸進給機構； <br/>拍攝單元，對已保持在該工作夾台之該晶圓進行拍攝且檢測應加工之區域； <br/>顯示單元，顯示藉由該拍攝單元所拍攝到之區域；及 <br/>控制單元， <br/>該控制單元包含： <br/>X軸方向定位部，從藉由該拍攝單元拍攝了已保持在該工作夾台之該晶圓之該第一分割預定線與該第二分割預定線的交叉區域，來檢測和該第一分割預定線對應之直線區域，並求出前述直線區域與X軸方向之角度，且使該工作夾台旋轉，來將和該第一分割預定線對應之直線區域朝X軸方向定位； <br/>第一分割預定線間隔設定部，作動該Y軸進給機構來檢測下一個和該第一分割預定線對應之直線區域，並設定該第一分割預定線的間隔； <br/>第二分割預定線間隔設定部，作動該X軸進給機構來相鄰地檢測2條和該第二分割預定線對應之直線區域，並設定該第二分割預定線的間隔； <br/>器件圖像製作部，製作並記憶被相鄰的一對該第一分割預定線與相鄰的一對該第二分割預定線所包圍之1個器件圖像； <br/>倍縮光罩圖像提取部，一邊使該拍攝單元拍攝之區域在X軸方向、Y軸方向上移動，一邊取得複數個器件圖像，且藉由純相位相關來連結所取得之複數個器件圖像，且提取並記憶包含複數個器件與TEG之倍縮光罩圖像；及 <br/>地圖製作部，藉由純相位相關來連結複數個倍縮光罩圖像而製作晶圓的地圖。
如請求項1之加工裝置，其中該地圖製作部是一邊使該拍攝單元拍攝之區域在X軸方向、Y軸方向上移動，一邊取得複數個倍縮光罩圖像，並藉由純相位相關來連結所取得之複數個倍縮光罩圖像而製作晶圓的地圖。
一種晶圓形狀度量衡系統，其包括： <br/>一晶圓形狀度量衡子系統，其經組態以對一經接合晶圓對執行一或多個無應力形狀量測，其中該經接合晶圓對係使用一接合工具接合；及 <br/>一控制器，其通信地耦合至該晶圓形狀度量衡子系統，該控制器包含經組態以執行儲存於一記憶體中之一組程式指令之一或多個處理器，該組程式指令經組態以引起該一或多個處理器： <br/>接收該經接合晶圓對之該一或多個無應力形狀量測； <br/>將該經接合晶圓對之該一或多個無應力形狀量測轉換為該經接合晶圓對之一或多個疊對失真圖案； <br/>偵測該經接合晶圓對中之一或多個局部偏差以識別在該接合工具上之一或多個污染顆粒；及 <br/>報告該經接合晶圓對中之該一或多個局部偏差，其中該一或多個無應力形狀量測包括局部形狀曲率(LSC)或平面內失真(IPD)之至少一者，以及其中該一或多個無應力形狀量測被輸入至一機器學習演算法中以將該一或多個無應力形狀量測轉換為該一或多個疊對失真圖案。
如請求項1之系統，其中該一或多個無應力形狀量測係使用干涉量測技術對該經接合晶圓對執行。
如請求項1之系統，其中該一或多個疊對失真圖案包括一疊對模型化演算法，其中該疊對模型化演算法經組態以移除在長度上超過5 mm之變動。
如請求項1之系統，其中該一或多個疊對失真圖案係由一熱圖或一經產生向量分佈之至少一者表示。
如請求項4之系統，其中藉由獲取一模型向量分佈與該經產生向量分佈之間之差值而計算一殘餘向量分佈。
如請求項5之系統，其中該偵測該經接合晶圓對中之一或多個局部偏差包括一臨限演算法，其中該臨限演算法對一殘餘向量之一長度進行操作。
如請求項6之系統，其中當該殘餘向量之該長度超過一臨限值時，報告該一或多個局部偏差。
如請求項1之系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以判定該一或多個局部偏差之一位置，其中該一或多個局部偏差之該位置用於經由一位置相關演算法判定在該接合工具上之該污染顆粒之一位置。
一種晶圓形狀度量衡系統，其包括： <br/>一控制器，其經組態以接收來自一晶圓形狀度量衡子系統之一或多個無應力形狀量測，其中該控制器包含經組態以執行儲存於一記憶體中之一組程式指令之一或多個處理器，其中該組程式指令經組態以引起該一或多個處理器： <br/>接收一經接合晶圓對之該一或多個無應力形狀量測； <br/>將該經接合晶圓對之該一或多個無應力形狀量測轉換為該經接合晶圓對之一或多個疊對失真圖案； <br/>偵測該經接合晶圓對之該一或多個疊對失真圖案中之一或多個局部偏差以識別在一接合工具上之一或多個污染顆粒；及 <br/>報告該經接合晶圓對中之該一或多個局部偏差，其中該一或多個無應力形狀量測包括局部形狀曲率(LSC)或平面內失真(IPD)之至少一者，以及其中該一或多個無應力形狀量測被輸入至一機器學習演算法中以將該一或多個無應力形狀量測轉換為該一或多個疊對失真圖案。
如請求項9之系統，其中該一或多個無應力形狀量測係使用干涉量測技術對該經接合晶圓對執行。
如請求項9之系統，其中一機器學習演算法用於移除中至長程疊對變動，從而產生疊對殘餘。
如請求項9之系統，其中該一或多個疊對失真圖案係由一熱圖或一經產生向量分佈之至少一者表示。
如請求項12之系統，其中藉由獲取一模型向量分佈與該經產生向量分佈之間之差值而計算一殘餘向量分佈。
如請求項13之系統，其中該偵測該經接合晶圓對中之一或多個局部偏差包括一臨限演算法，其中該臨限演算法對一殘餘向量之一長度進行操作。
如請求項14之系統，其中當該殘餘向量之該長度超過一臨限值時，報告該一或多個局部偏差。
如請求項15之系統，其中該一或多個處理器進一步經組態以判定該一或多個局部偏差之一位置，其中該一或多個局部偏差之該位置用於經由一位置相關演算法判定在該接合工具上之該污染顆粒之一位置。
一種方法，其包括： <br/>獲取一經接合晶圓對之一或多個無應力形狀量測； <br/>將該經接合晶圓對之該一或多個無應力形狀量測轉換為該經接合晶圓對之一或多個疊對失真圖案； <br/>偵測該經接合晶圓對中之該一或多個疊對失真圖案中之一或多個局部偏差以識別在一接合工具上之一或多個污染顆粒；及 <br/>報告該經接合晶圓對中之該一或多個局部偏差，其中該一或多個無應力形狀量測包括局部形狀曲率(LSC)或平面內失真(IPD)之至少一者，以及其中該一或多個無應力形狀量測被輸入至一機器學習演算法中以將該一或多個無應力形狀量測轉換為該一或多個疊對失真圖案。
一種消耗部件，其係由石英或陶瓷之任一種材料所形成之用於電漿處理裝置者，且具有： <br/>芯部，其由第1純度之上述材料所形成；及 <br/>保護部，其於上述芯部之周圍，使上述芯部不露出於電漿處理空間地包圍，設置於會被上述電漿處理裝置中之電漿損耗之部分，且由高於上述第1純度之第2純度之上述材料所形成。
如請求項1之消耗部件，其中 <br/>上述消耗部件係邊緣環、蓋環、設置於靜電吸盤之側面之絕緣環、設置於簇射頭之頂面之上部電極罩、壓住該上部電極罩之屏蔽環或支持簇射頭之支持部件中之至少任一種。
如請求項1或2中任一項之消耗部件，其中 <br/>上述保護部係利用漿料澆鑄法形成於上述芯部之周圍。
一種電漿處理裝置，其具備如請求項1至3中任一項之消耗部件。
一種消耗部件之製造方法，其係由石英或陶瓷之任一種材料所形成之用於電漿處理裝置之消耗部件之製造方法，且該製造方法包括： <br/>(a)將由第1純度之上述材料所形成之芯部載置於模具之工序； <br/>(b)向上述模具供給高於上述第1純度之第2純度之上述材料之漿料之工序；及 <br/>(c)對供給至上述模具之上述漿料進行煅燒而形成保護部之工序；且 <br/>上述保護部形成為：於上述消耗部件設置於上述理電漿處理裝置時，包圍上述芯部，使得上述芯部不露出於上述理電漿處理裝置內之電漿處理空間。
一種消耗部件之製造方法，其係由石英或陶瓷之任一種材料所形成之用於電漿處理裝置之消耗部件之製造方法，且該製造方法包括： <br/>(a)將由第1純度之上述材料所形成之芯部載置於模具之工序； <br/>(b)向上述模具供給高於上述第1純度之第2純度之上述材料之漿料之工序； <br/>(c)對供給至上述模具之上述漿料進行煅燒而形成擴展保護部之工序；及 <br/>(d)對上述擴展保護部進行加工而形成保護部之工序；且 <br/>上述保護部形成為：於上述消耗部件設置於上述理電漿處理裝置時，包圍上述芯部，使得上述芯部不露出於上述理電漿處理裝置內之電漿處理空間之方式。
如請求項5或6中任一項之消耗部件之製造方法，其進而具備如下述之步驟： <br/>於上述(a)之前，向芯部用模具供給上述第1純度之上述材料之第2漿料，對供給至上述芯部用模具之上述第2漿料進行煅燒而形成上述芯部。
如請求項5或6之消耗部件之製造方法，其中 <br/>上述消耗部件係由石英材料所形成。
一種消耗部件，其係由石英或陶瓷之任一種材料所形成之用於電漿處理裝置者，且具有： <br/>芯部，其由第1純度之上述材料所形成；及 <br/>保護部，其設置於上述芯部之周圍中之會被上述電漿處理裝置中之電漿損耗之部分，且由高於上述第1純度之第2純度之上述材料所形成；且 <br/>上述消耗部件露出於電漿，上述芯部藉由上述保護部而不露出於上述電漿。
如請求項9之消耗部件，其中 <br/>上述消耗部件係：邊緣環、蓋環、設置於靜電吸盤之側面的絕緣環、設置於簇射頭之頂面的上部電極罩、壓住該上部電極罩之屏蔽環或支持簇射頭之支持部件中之至少任一種。
如請求項9或10之消耗部件，其中 <br/>上述保護部係利用漿料澆鑄法形成於上述芯部之周圍。
如請求項1、2、9中任一項之消耗部件，其中 <br/>上述消耗部件係由石英材料所形成。
一種無線通訊終端，係具備： <br/> 生成部，係生成資料單元，其係將對無線通訊裝置之送訊中所適用之非正交多工存取方式所致之多工領域中自己所使用之前記非正交多工存取方式之參數資訊及表示中綴之位置的位置資訊，包含在前文中；和 <br/> 無線控制部，係令已被前記生成部所生成之前記資料單元，對前記無線通訊裝置進行送訊；和 <br/> 收訊部，係將從其他無線通訊終端所被發送過來的前記資料單元，且表示前記非正交多工存取方式的類型資訊也包含在前記前文中的第1資料單元，予以接收； <br/> 前記無線控制部，係基於已被接收之前記第1資料單元的前記前文，而判定是否進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊； <br/> 在判定為要進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊的情況下， <br/> 前記生成部，係基於前記第1資料單元的前記前文，而生成以使得前記第1資料單元的前記中綴、與前記第2資料單元的前記前文會於前記無線通訊裝置中在同時刻上被接收的方式，令前記前文之位置與長度吻合於前記中綴之位置與長度而被配置的前記第2資料單元； <br/> 前記無線控制部，係將前記第2資料單元，對前記無線通訊裝置進行送訊。
如請求項1所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 在判定為要進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊的情況下， <br/> 前記生成部，係基於前記第1資料單元的前記前文，而決定前記自己所使用之參數資訊，並生成將已決定之前記自己所使用之參數資訊包含在前記前文中的前記第2資料單元。
如請求項1所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 前記收訊部，係將從前記無線通訊裝置所被發送過來的關於前記非正交多工存取方式之資訊，予以接收； <br/> 前記無線控制部，係基於已被接收之關於前記非正交多工存取方式之資訊，而判定是否進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊。
如請求項3所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 關於前記非正交多工存取方式之資訊中係含有：表示所被推薦之前記非正交多工存取方式的資訊、表示可實施前記非正交多工存取方式之無線通訊終端的資訊、及可實施前記非正交多工存取方式之無線通訊終端在進行適用前記非正交多工存取方式之前記送訊的情況下，表示可使用之最大串流數的資訊之其中至少1者。
如請求項1所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 前記生成部係生成，表示前記非正交多工存取方式的類型資訊也包含在前記前文中的前記資料單元。
如請求項5所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 還具備：收訊部，係將從前記無線通訊裝置所被發送過來的關於前記非正交多工存取方式之資訊，予以接收； <br/> 前記生成部，係基於關於前記非正交多工存取方式之資訊，而生成前記資料單元。
如請求項6所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 關於前記非正交多工存取方式之資訊中係含有：表示所被推薦之前記非正交多工存取方式的資訊、表示可實施前記非正交多工存取方式之無線通訊終端的資訊、及可實施前記非正交多工存取方式之無線通訊終端在進行適用前記非正交多工存取方式之前記送訊的情況下，表示可使用之最大串流數的資訊之其中至少1者。
如請求項6所記載之無線通訊終端，其中， <br/> 前記無線控制部，係將表示關於前記非正交多工存取方式之能力的資訊，與前記無線通訊裝置相互進行通知； <br/> 前記生成部，係基於表示關於前記非正交多工存取方式之能力的資訊，而生成前記資料單元。
一種無線通訊方法，係由無線通訊終端： <br/> 生成資料單元，其係將對無線通訊裝置之送訊中所適用之非正交多工存取方式所致之多工領域中自己所使用之前記非正交多工存取方式之參數資訊及表示中綴之位置的位置資訊，包含在前文中； <br/> 令已被生成之前記資料單元，對前記無線通訊裝置進行送訊； <br/> 將從其他無線通訊終端所被發送過來的前記資料單元，且表示前記非正交多工存取方式的類型資訊也包含在前記前文中的第1資料單元，予以接收； <br/> 基於已被接收之前記第1資料單元的前記前文，而判定是否進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊； <br/> 在判定為要進行適用了前記非正交多工存取方式之送訊的情況下， <br/> 基於前記第1資料單元的前記前文，而生成以使得前記第1資料單元的前記中綴、與前記第2資料單元的前記前文會於前記無線通訊裝置中在同時刻上被接收的方式，令前記前文之位置與長度吻合於前記中綴之位置與長度而被配置的前記第2資料單元； <br/> 將前記第2資料單元，對前記無線通訊裝置進行送訊。
一種處理腔室，包括：<br/> 一靶背板，該靶背板在該處理腔室的一頂部部分中；<br/> 一基板支撐件，該基板支撐件在該處理腔室的一底部部分中，該基板支撐件具有一支撐表面，該支撐表面與該靶背板間隔開一距離以形成一處理空腔；<br/> 一沉積環，該沉積環定位在該基板支撐件的一外周緣處，該沉積環具有一外部部分，該外部部分具有一輪廓相符的形狀；<br/> 一護罩，該護罩形成該處理空腔的一外邊界，該護罩具有在該處理腔室的該頂部部分中的一護罩頂端和在該處理腔室的該底部部分中的一護罩底端，該護罩頂端定位成圍繞該靶背板的一周緣並且該護罩底端定位成圍繞該基板支撐件的一周緣，該護罩底端包括一輪廓相符的表面，該輪廓相符的表面具有與該沉積環的該外部部分互補的一形狀；以及<br/> 一擋板盤，該擋板盤定位在該護罩下方，其中該基板支撐件和該擋板盤可在一處理位置與一清潔位置之間移動，在該處理位置處該擋板盤水平地移出以使該基板支撐件向上移動並形成該處理空腔，且在該清潔位置處該基板支撐件向下移動以使該擋板盤斷開該基板支撐件與該處理空腔之間的一流體連接，<br/> 其中該處理腔室的該頂部部分包括一頂部氣體流動路徑，該頂部氣體流動路徑在該靶背板的該周緣與該護罩頂端之間，並且<br/> 該處理腔室的該底部部分包括一底部氣體流動路徑，該底部氣體流動路徑在該護罩與該沉積環之間。
如請求項1所述之處理腔室，進一步包括：<br/> 一密封支架，該密封支架定位在該基板支撐件的與該靶背板相對的一側上，使得該沉積環位於該靶背板與該密封支架之間；以及<br/> 一伸縮軟管組件，該伸縮軟管組件連接至該護罩，<br/> 其中該沉積環及該密封支架可在該處理位置與該清潔位置之間移動，在該處理位置處該密封支架與該沉積環之間有一間隙，且在該清潔位置處該密封支架接觸該伸縮軟管組件。
如請求項1所述之處理腔室，進一步包括一渦輪泵殼體，該渦輪泵殼體當處於該處理位置中時經由該底部氣體流動路徑與該處理空腔流體連通，並且當處於該清潔位置中時經由該底部氣體流動路徑與該處理空腔隔離。
如請求項1所述之處理腔室，進一步包括一粗抽泵，該粗抽泵經由該頂部氣體流動路徑與該處理空腔流體連通。
如請求項4所述之處理腔室，進一步包括一粗抽閥，該粗抽閥在該粗抽泵與該處理空腔之間，該粗抽閥被配置為當該粗抽閥被打開時允許一氣流從該處理空腔經由該頂部氣體流動路徑到達該粗抽泵，並且當該粗抽閥被關閉時阻止氣體流到該粗抽泵。
如請求項5所述之處理腔室，其中該處理腔室被配置為當該粗抽閥被關閉時允許一氣流經由該頂部氣體流動路徑進入該處理空腔。
如請求項6所述之處理腔室，其中當該沉積環和一密封支架處於該清潔位置中時，該粗抽閥是關閉的。
如請求項4所述之處理腔室，其中該護罩、該靶背板、該基板支撐件、該沉積環、一密封支架或一渦輪泵殼體中的一或多者抵抗氟自由基和/或氟濺射。
一種腔室內清潔方法，包括以下步驟：<br/> 當一處理腔室處於一處理位置中時，關閉該處理腔室至一處理空腔的一底部氣體流動路徑，該處理空腔由一基板支撐件、一靶背板和一護罩限定；<br/> 使一惰性氣體從一惰性氣體入口流入一腔室中，該腔室由該基板支撐件、一接地支架、該護罩、一配接器和一腔室主體限定；<br/> 使一反應物從一反應物入口經由該護罩中的一開口流入該處理空腔；以及<br/> 經由一頂部氣體流動路徑從該處理空腔中排空該反應物，該頂部氣體流動路徑位於該處理腔室的一頂部部分內，該頂部氣體流動路徑經過該護罩上方，<br/> 其中關閉該底部氣體流動路徑之步驟包括以下步驟：<br/> 將該基板支撐件移動到該腔室中；以及<br/> 將一擋板盤從該護罩下方滑入該處理空腔中以使該腔室與該處理空腔斷開。
如請求項9所述之方法，其中關閉該底部氣體流動路徑是藉由移動一密封支架以接觸一伸縮軟管組件來執行的，其中該密封支架定位在該基板支撐件的與該靶背板相對的一側上，使得一沉積環在該靶背板與該密封支架之間，並且該伸縮軟管組件連接至該護罩。
如請求項9所述之方法，其中該反應物包括NF<sub>3</sub>、氟自由基、氫(H<sub>2</sub>)、氧(O<sub>2</sub>)或其組合。
如請求項9所述之方法，其中以下中的一或多者：一靶材維持在40℃至65℃的一範圍內的一溫度下，該基板支撐件維持在200℃至250℃的一範圍內的一溫度下，或者該護罩維持在200℃至250℃的一範圍內的一溫度下。
如請求項11所述之方法，其中該氟自由基是藉由向一基座施加RF偏壓而形成。
如請求項11所述之方法，其中1公升的NF<sub>3</sub>流入該處理空腔中。
如請求項9所述之方法，其中該方法係藉由使該反應物在100毫托至1托的一範圍內的一壓力下流入該處理空腔中或使該惰性氣體在2托至3托的一範圍內的一壓力下流入該腔室中的一或多者來執行。
如請求項9所述之方法，其中該反應物包括氟自由基，該氟自由基是從一遠端電漿源中的NF<sub>3</sub>產生。
如請求項9所述之方法，進一步包括以下步驟：用一塗層材料塗覆該基板支撐件、該護罩、一沉積環、一密封支架、一伸縮軟管組件或該靶背板中的一或多者，該塗層材料選自由以下項組成的一群組：YF、YOF、AlOF、ZrO<sub>2</sub>F、ZrO<sub>2</sub>、AlO<sub>x</sub>或Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項9所述之方法，該方法移除一積聚材料，該積聚材料包括SiN或一其衍生物。
一種雷射加工設備，其包含： <br/>雷射源，其可操作以產生雷射能量射束，其中該雷射能量射束可沿著射束路徑傳播； <br/>聲光偏轉器（AOD），其配置於該射束路徑內，其中該聲光偏轉器（AOD）可操作以繞射該雷射能量射束； <br/>控制器，其耦接至該聲光偏轉器（AOD）；及 <br/>射束分析系統，其可操作以測量該雷射能量射束之一或多個特性、產生代表所測得的射束特性中之一或多者之測量資料，並將所述測量資料傳輸至該控制器， <br/>其中該控制器可操作以至少部分地基於所述測量資料來控制該聲光偏轉器（AOD）之操作；且 <br/>其中該聲光偏轉器（AOD）可操作以改變該雷射能量射束的第一特性，藉此改變該雷射能量射束的第二特性；並且 <br/>該射束分析系統可操作以： <br/>測量該第二射束特性； <br/>產生代表所測得的該第二射束特性之測量資料； <br/>將所述測量資料自該射束分析系統傳輸至該控制器；以及 <br/>至少部分地基於所述測量資料來從該控制器輸出控制命令至該聲光偏轉器（AOD），其中該聲光偏轉器（AOD）可操作以減少該第二射束特性之該改變之幅度。
如請求項1之雷射加工設備，其中該雷射能量射束之該特性為脈衝重複率、射束直徑、光點大小、圓度、射束像散、聚焦高度、射束腰或射束軸位置中之至少一者。
如請求項1之雷射加工設備，其中該聲光偏轉器（AOD）包括可操作以分別在第一方向及第二方向上繞射該射束路徑之一對聲光偏轉器（AOD）。
如請求項1之雷射加工設備，其中該射束分析系統包括基於攝影機之射束輪廓儀、瑞利散射射束輪廓儀以及旋轉狹縫射束輪廓儀中的至少一者。
如請求項1之雷射加工設備，其中該聲光偏轉器（AOD）包括一對聲光偏轉器（AOD）。
一種控制雷射射束特性之方法，其包含： <br/>產生雷射能量射束； <br/>使用至少一個聲光偏轉器（AOD）將該雷射能量射束沿著射束路徑引導至射束分析系統； <br/>使用該射束分析系統測量該雷射能量射束之一或多個特性； <br/>產生代表所測得的射束特性中之一或多者之測量資料； <br/>將所述測量資料自該射束分析系統傳輸至一控制器；及 <br/>至少部分地基於所述測量資料，將控制命令自該控制器輸出至該至少一個聲光偏轉器（AOD）， <br/>其中該至少一個聲光偏轉器（AOD）可操作以改變該雷射能量射束之第一特性，藉此改變該雷射能量射束之第二特性，該方法包括: <br/>使用該射束分析系統測量該第二射束特性； <br/>產生代表所測得的該第二射束特性之測量資料； <br/>將所述測量資料自該射束分析系統傳輸至控制器；及 <br/>至少部分地基於所述測量資料將控制命令自該控制器輸出至該至少一個聲光偏轉器（AOD），其中該至少一個聲光偏轉器（AOD）可操作以減少該第二射束特性之該改變之幅度。
如請求項6之方法，其中該一或多個射束特性中之一者為脈衝重複率、射束直徑、光點大小、圓度、像散、聚焦高度、射束腰或射束軸位置中之至少一者。
如請求項6之方法，其中該至少一個聲光偏轉器（AOD）包括一對聲光偏轉器（AOD）。
一種接觸插座模組(100)，所述接觸插座模組(100)用於在自動化測試設備(ATE)(500)中使用以對由承載件(300)承載的電子組件(DUT)(301)進行測試，所述接觸插座模組(100)包括： <br/> 多組(101)彈簧接觸件(111)，其中，每個彈簧接觸件(111)包括DUT側接觸末端(112)， <br/> 可移動的縮回板(124)，以及對所述縮回板(124)的移動進行控制的控制器(270)，其中，所述縮回板(124)以機械的方式作用於所述彈簧接觸件(111)， <br/> 使得在測試位置，所述縮回板(124)處於第一位置，並且在所述縮回板(124)的所述第一位置中，所述DUT側接觸末端(112)被適配成與所述電子組件(301)的接觸部分(302)接觸，以及 <br/> 當所述DUT側接觸末端(112)被適配成使得與所述電子組件(301)的所述接觸部分(302)的接觸被釋放時，所述縮回板(124)處於第二位置，其中， <br/> 所述控制器(270)控制所述縮回板(124)從所述第一位置移動到所述第二位置以及從所述第二位置移動回所述第一位置。
根據請求項1所述的接觸插座模組(100)， <br/> 其中，所述接觸插座模組(100)被適配成使得：當所述電子組件(DUT)(301)處於所述測試位置時，所述控制器(270)控制所述縮回板(124)從所述第一位置移動到所述第二位置，以及/或者 <br/> 其中，在所述縮回板(124)的所述第二位置中，所述接觸插座模組(100)被適配成將所述DUT側接觸末端(112)從所述電子組件(301)的所述接觸部分(302)提離，以及/或者 <br/> 其中，所述縮回板(124)包括接納表面(125)，並且所述彈簧接觸件(111)包括抵接面(115)，並且所述接納表面(125)和所述抵接面(115)彼此互鎖，使得在所述第一位置中，所述縮回板(124)對所述彈簧接觸件(111)進行輕微地預載入，並且在所述第二位置中，所述縮回板(124)向所述彈簧接觸件(111)施加較強的應力。
根據請求項1或2所述的接觸插座模組(100)，所述接觸插座模組(100)還包括： <br/> 升高的抵接面(230)，所述升高的抵接面相對於所述縮回板(124)從所述第一位置到所述第二位置的移動相反地延伸，使得所述升高的抵接面(230)對所述縮回板(124)從所述第一位置到所述第二位置的移動進行限制，以及/或者 <br/> 其中，所述多組(101)彈簧接觸件(111)中的每一組彈簧接觸件形成接觸部位(101)，所述接觸部位(101)被適配成一次與所述承載件(300)上的一個電子組件(DUT)(301)接觸。
根據請求項1所述的接觸插座模組(100)，所述接觸插座模組(100)還包括： <br/> 凹部(212)，其中，所述DUT側接觸末端(112)位於所述凹部內的中央，其中，在所述縮回板(124)的所述第一位置中，所述DUT側接觸末端(112)延伸到所述凹部(212)中，並且其中，在所述縮回板(124)的所述第二位置中，所述DUT側接觸末端(112)從所述凹部(212)縮回。
根據請求項1所述的接觸插座模組(100)，所述接觸插座模組(100)還包括： <br/> 由所述控制器(270)控制的泵(260)，所述泵(260)在所述縮回板(124)的第二位置中向所述縮回板(124)提供空氣壓力。
一種自動化測試設備(ATE)(500)，所述自動化測試設備(ATE)(500)包括： <br/> 接觸器(400)，以及 <br/> 至少兩個接觸插座模組(100)， <br/> 其中，所述至少兩個接觸插座模組(100)彼此平行地佈置在所述接觸器(400)的主平面中，使得所述至少兩個接觸插座模組(100)被適配成與至少兩倍數量的電子組件(301)同時接觸。
根據請求項6所述的自動化測試設備(ATE)(500)，所述自動化測試設備(ATE)(500)還包括： <br/> 用於向所述承載件(300’)提供真空的真空源(510)，其中，所述承載件(300’)被適配成：在提供較短的一段時間的真空的情況下，通過真空吸力連續地保持所述電子組件(301)一段時間。
一種在自動化測試設備(ATE)(500)中使用接觸插座模組(100)對電子組件(DUT)(301)進行測試的方法，其中，所述接觸插座模組包括： <br/> 多組(101)彈簧接觸件(111)，其中，每個彈簧接觸件(111)包括至少一個DUT側接觸末端(112)， <br/> 可移動的縮回板(124)，其中，所述縮回板(124)以機械的方式作用於所述彈簧接觸件(111)， <br/> 以及控制器(270)，所述方法包括： <br/> 通過所述控制器(270)對所述縮回板(124)的移動進行控制，其中，所述控制器(270)控制所述縮回板(124)從第一位置移動到第二位置以及從所述第二位置移動回所述第一位置， <br/> 當所述縮回板(124)處於所述第一位置時對所述電子組件(DUT)(301)進行測試，在所述第一位置中，所述DUT側接觸末端(112)被適配成與所述電子組件(301)的接觸部分(302)接觸，其中 <br/> 控制所述縮回板(124)移動到所述第二位置，此時所述DUT側接觸末端(112)被適配成釋放與所述電子組件(301)的所述接觸部分(302)的接觸。
根據請求項8所述的方法(600)，還包括： <br/> 當所述電子組件(DUT)(301)處於所述測試位置時，通過所述控制器(270)控制所述縮回板(124)從所述第一位置移動到所述第二位置，以及/或者 <br/> 在所述縮回板(124)的所述第二位置中，將所述DUT側接觸末端(112)從所述電子組件(301)的所述接觸部分(302)提離，以及/或者 <br/> 其中，所述縮回板(124)包括接納表面(125)，並且所述彈簧接觸件(111)包括抵接面(115)，其中，所述接納表面(125)與所述抵接面(115)彼此互鎖，並且特別地，所述方法還包括： <br/> 在所述縮回板(124)的所述第一位置中，對所述彈簧接觸件(111)進行輕微地預載入，以及 <br/> 在所述縮回板(124)的所述第二位置中，向所述彈簧接觸件(111)施加較強的應力。
根據請求項8或9所述的方法(600)，其中，接觸模組(100)還包括升高的抵接面(230)，所述升高的抵接面相對於所述縮回板(124)從所述第一位置到所述第二位置的移動相反地延伸，並且所述方法還包括： <br/> 通過所述升高的抵接面(230)對所述縮回板(124)從所述第一位置到所述第二位置的移動進行限制。
根據請求項8所述的方法(600)，所述方法(600)還包括 <br/> 使用所述多組(101)彈簧接觸件(111)中的每組彈簧接觸件形成接觸部位(101)，以及 <br/> 使用一個接觸部位(101)一次與所述承載件(300)上的一個電子組件(DUT)(301)接觸。
根據請求項8所述的方法(600)，所述接觸模組(100)還包括凹部(212)，其中，所述DUT側接觸末端(112)位於所述凹部(212)內的中央，其中，所述方法還包括： <br/> 在所述縮回板(124)的所述第一位置中，讓所述DUT側接觸末端(112)延伸到所述凹部(212)中，並且其中， <br/> 當使所述縮回板(124)移動到所述第二位置時，將所述DUT側接觸末端(112)從所述凹部(212)縮回。
根據請求項8所述的方法(600)，其中，接觸模組(100)還包括泵(260)，並且所述方法包括： <br/> 通過從所述泵(260)提供空氣壓力來對所述縮回板(124)的移動進行控制。
根據請求項8所述的方法(600)，其中，所述自動化測試設備(ATE)(500)包括接觸器(400)和至少兩個接觸插座模組(100)，其中，所述至少兩個接觸插座模組(100)彼此平行地佈置在所述接觸器(400)的主平面中，所述方法包括： <br/> 使所述至少兩個接觸插座模組(100)與至少兩倍數量的電子組件(301)同時接觸。
根據請求項8所述的方法(600)，其中，所述自動化測試設備(ATE)(500)包括真空源(510)，並且所述方法包括： <br/> 通過向所述承載件(300’)提供較短的一段時間的真空，來通過真空吸力連續地保持所述電子組件(301)一時間段。
一種醫療用程式，其係用以於與具備攝像機之醫療用檢查裝置一起使用之終端裝置中實現各種處理者，且用於實現如下功能： <br/>合焦度運算功能，其算出構成記錄於上述終端裝置所具備之記錄手段之動畫資料亦即記錄完成之動畫資料之一部分或全部幀之合焦度； <br/>靜止圖像提取功能，其提取已算出上述合焦度之幀中之上述合焦度為既定值以上之幀（以下稱為候選幀）之一部分或全部作為提取靜止圖像資料；及 <br/>記錄功能，其將上述提取靜止圖像資料記錄於上述終端裝置所具備之記錄手段。
如請求項1之醫療用程式，其實現如下功能： <br/>接收功能，其接收包含由上述醫療用檢查裝置拍攝同時即時發送之動畫資料（以下稱為即時動畫資料）之各種資料； <br/>顯示控制功能，其藉由實時播放將所接收之上述即時動畫資料所示之動畫顯示於上述終端裝置所具備之顯示部； <br/>錄影功能，其基於對上述終端裝置之既定操作，對實時播放中之上述即時動畫資料之錄影之開始/停止進行控制；及 <br/>記錄控制功能，其將由該錄影功能開始錄影至停止期間之上述即時動畫資料記錄於上述記錄手段中作為上述記錄完成之動畫資料。
如請求項2之醫療用程式，其中， <br/>於上述顯示控制功能中實現如下功能，即，將用於指示實時播放中之上述即時動畫資料之錄影之開始/停止之第1按鍵顯示於上述終端裝置所具備之作為觸控面板之上述顯示部； <br/>於上述錄影功能中實現如下功能，即，基於對上述第1按鍵之輸入操作，對實時播放中之上述即時動畫資料之錄影之開始/停止進行控制。
如請求項2之醫療用程式，其中， <br/>於上述接收功能中實現如下功能，即，自上述醫療用檢查裝置接收表示上述即時動畫資料之錄影之開始/停止之控制要求之資訊，該資訊基於針對物理設置於上述醫療用檢查裝置之既定操作部之操作； <br/>於上述錄影功能中實現如下功能，即，基於自上述醫療用檢查裝置接收之表示上述控制要求之資訊，對實時播放中之上述即時動畫資料之錄影之開始/停止進行控制。
如請求項2之醫療用程式，其中， <br/>於上述顯示控制功能中實現如下功能，即，於播放上述記錄完成之動畫資料將動畫顯示於上述顯示部時，將用於接受自該記錄完成之動畫資料提取靜止圖像資料之提取要求之輸入操作之第2按鍵顯示於上述顯示部； <br/>於上述記錄控制功能中實現如下功能，即，將與於進行對上述第2按鍵之輸入操作時顯示於上述顯示部之靜止圖像對應之靜止圖像資料記錄於上述記錄手段。
如請求項2之醫療用程式，其實現接受用於識別檢查對象之識別資訊之輸入操作之接受功能； <br/>於上述記錄控制功能中實現如下功能，即，僅於上述識別資訊之輸入操作被接受之情形時，將上述即時動畫資料記錄於上述記錄手段作為上述記錄完成之動畫資料。
如請求項2之醫療用程式，其實現接受用於識別檢查對象之識別資訊之輸入操作之接受功能； <br/>於上述顯示控制功能中實現如下功能，即，僅於上述識別資訊之輸入操作被接受之情形時，藉由實時播放將所接收之上述即時動畫資料所示之動畫顯示於上述顯示部。
如請求項2之醫療用程式，其中， <br/>上述醫療用檢查裝置係用於檢查受檢眼之裝置； <br/>於上述顯示控制功能中實現如下功能，即，將用於選擇上述受檢者之左右哪個受檢眼為檢查對象之第3按鍵顯示於上述顯示部； <br/>於上述記錄控制功能中實現如下功能，即，基於對上述第3按鍵之選擇操作，將上述即時動畫資料與受檢眼之左右之選擇資訊建立對應關係而記錄於上述記錄手段作為上述記錄完成之動畫資料。
如請求項2之醫療用程式，其實現如下功能： <br/>發送功能，其將上述記錄完成之動畫資料發送至既定之伺服器裝置；及 <br/>通訊控制功能，其以如下方式進行控制，即，於利用上述接收功能進行上述即時動畫資料之接收之通訊、及利用上述發送功能進行上述記錄完成之動畫資料之發送之通訊中，於一通訊正在進行時禁止與另一者之通訊。
如請求項2之醫療用程式，其中， <br/>於上述顯示控制功能中，可於播放上述記錄完成之動畫資料將動畫顯示於上述顯示部時，基於既定操作，對該動畫進行放大/縮小來變更顯示範圍而顯示； <br/>於上述記錄控制功能中，可進而記錄藉由上述顯示控制功能變更顯示範圍而顯示之動畫。
如請求項1或2之醫療用程式，其中， <br/>於上述靜止圖像提取功能中，於在上述候選幀按時間序列順序排列時預先設定之時間範圍內存在複數個上述候選幀之情形時，自上述合焦度較小者中將既定數量之上述候選幀自提取對象排除。
如請求項10之醫療用程式，其中， <br/>於上述靜止圖像提取功能中，自上述候選幀提取上述提取靜止圖像資料時，將上述候選幀中之上述合焦度最小之幀自提取對象排除以使上述提取靜止圖像資料之合計數不超過既定之上限數。
一種醫療用檢查系統，其係具備具有攝像機之醫療用檢查裝置、終端裝置及伺服器裝置者，其中， <br/>上述醫療用檢查裝置將藉由拍攝檢查對象而生成之動畫資料即時發送至上述終端裝置； <br/>上述終端裝置具備： <br/>接收部，其接收包含由上述醫療用檢查裝置拍攝同時即時發送之動畫資料（以下稱為即時動畫資料）之各種資料； <br/>顯示控制部，其藉由實時播放將所接收之上述即時動畫資料所示之動畫顯示於上述終端裝置所具備之顯示部； <br/>錄影部，其基於對上述終端裝置之既定操作，對實時播放中之上述即時動畫資料之錄影之開始/停止進行控制； <br/>記錄控制部，其將由該錄影部開始上述即時動畫資料之錄影至停止期間之上述即時動畫資料記錄於本機終端所具備之記錄手段中作為記錄完成之動畫資料； <br/>發送部，其將上述記錄完成之動畫資料發送至上述伺服器裝置； <br/>合焦度運算部，其算出構成上述記錄完成之動畫資料之一部分或全部幀之合焦度； <br/>靜止圖像提取部，其提取已算出上述合焦度之幀中之上述合焦度為既定值以上之幀（以下稱為候選幀）之一部分或全部作為提取靜止圖像資料；及 <br/>記錄部，其將上述提取靜止圖像資料記錄於上述終端裝置所具備之記錄手段。
如請求項13之醫療用檢查系統，其中， <br/>上述伺服器裝置基於用於識別檢查對象之資訊且由上述終端裝置建立對應關係之識別資訊，將自上述終端裝置接收之上述記錄完成之動畫資料分類而進行管理。
如請求項13之醫療用檢查系統，其中， <br/>上述醫療用檢查裝置作為1個存取點發揮功能，於與上述終端裝置確立通訊連接時不可與其他裝置進行通訊連接。
一種時機調整閥，包含： <br/>一引導本體，係設置有一第一埠、一第二埠及一驅動埠，該引導本體形成有一內部流路，該內部流路於該第一埠及該第二埠之間延伸； <br/>一止回閥機構部，係允許自該第一埠向該第二埠的該內部流路內的流體的流通，且防止自該第二埠向該第一埠的該內部流路內的流體的流通； <br/>一時機調整機構部，係藉由對該驅動埠的驅動流體的供給及排出，而進行該內部流路的開閉； <br/>其中，該時機調整機構部配置為於該內部流路中與該止回閥機構部並列，且構成為於通過該驅動埠對該時機調整機構部供給及排出的驅動流體的壓力成為預定值以下時，允許該第一埠與該第二埠之間的流體的流通。
如請求項1所述之時機調整閥，其中於該引導本體內更形成有一引導汽缸室、一引導閥室、一連接孔、一第一流路及一第二流路，該引導汽缸室與該驅動埠連通，該引導閥室與該第二埠連通，該連接孔將該引導汽缸室及該引導閥室予以連接，該第一流路從該引導閥室延伸至該第一埠，該第二流路與該第一流路並排而延伸且連通於該第一埠及該第二埠，於到該引導閥室的該第一流路的開口的周緣部設有一引導閥座， <br/>該止回閥機構部配置於該第二埠與該第二流路之間而防止從該第二埠向該第二流路的流體的流通且允許從該第二流路向該第二埠的流體的流通，該時機調整機構部係包括一引導活塞、一引導桿、一引導閥體部、一栓構件及一引導偏置構件，該引導活塞係配置於該引導汽缸室內，該引導桿係從該引導活塞延伸且插通於該連接孔，該引導閥體部係設於該引導桿的前端部且配置為在該引導閥室內與該引導閥座相對向，該栓構件係貫穿一流通孔而延伸且安裝於與該第一埠連接的該第一流路的端部，該引導偏置構件於使該引導閥體部遠離該引導閥座的方向偏置該引導活塞，其中，通過該驅動埠將驅動流體供給至該引導汽缸室，藉此抵抗該引導偏置構件的偏置力，而將該引導閥體部推壓於該引導閥座，封閉該第一流路的流體的流通。
如請求項2所述之時機調整閥，其中該引導偏置構件配置為被夾持於該引導閥體部與該栓構件之間。
如請求項3所述之時機調整閥，其中該栓構件螺接於該第一流路的端部，藉由旋轉該栓構件而調整該第一流路內的該栓構件的位置。
如請求項2所述之時機調整閥，其中該引導本體包括一第一引導框體及一第二引導框體，於該第一引導框體設置該驅動埠、該引導汽缸室、該連接孔、該引導閥室及該第一流路，於該第二引導框體設置貫穿而延伸的一插入孔、與該插入孔並排而延伸的一第二流路、該第一埠及該第二埠，該第一引導框體插入該第二引導框體的該插入孔，而使該第二流路連通於該插入孔的內周面與該第一引導框體的外周面之間形成的間隙通路，並且藉由跨越該第一引導框體及該第二引導框體而延伸的連通路使該第二埠與該引導閥室連通，該間隙通路與該連通路連接，該止回閥機構部配置於該間隙通路。
如請求項5所述之時機調整閥，其中該止回閥機構部係配置於該插入孔的內周面與該第一引導框體的外周面之間，且該止回閥機構部為具有得以撓曲的脣形構造部的脣形密封件，該脣形密封件配置為使該脣形構造部位於靠近該連通路的位置。
如請求項6所述之時機調整閥，其中該脣形密封件選自U型密封件、V型密封件及Y型密封件中的一種。
一種回吸閥，係包含：一開閉閥部、一回吸機構部及如請求項1至7中任一項所述之時機調整閥，該開閉閥部進行流體通路的開閉，該回吸機構部配置於該開閉閥部的下游側且於藉由該開閉閥部的流體通路的封閉後進行該流體通路內的流體的回吸， <br/>其中，該開閉閥部及該回吸機構部連接於共通的切換閥，經由該切換閥進行對該開閉閥部及該回吸機構部的驅動流體的供給及排出，當進行經由該切換閥的驅動流體的供給，則該開閉閥部開啟並且該回吸機構部成為待機狀態，當進行經由該切換閥的驅動流體的排出，則該開閉閥部關閉並且該回吸機構部進行回吸動作，該時機調整閥的該第一埠及該第二埠分別連接於該切換閥及該回吸機構部，並且該時機調整閥的該驅動埠連接於該切換閥與該開閉閥部之間的管線。
如請求項8所述之回吸閥，更包含一閥本體，該閥本體設有一內部流路及一回吸室，該內部流路包括一入口流路及一出口流路且用於讓流體流通，該回吸室與該出口流路連通，於藉由該開閉閥部的該內部流路的流體的流通的封閉後，使用該回吸機構部使該回吸室的容積增加，藉此從該出口流路回吸流體， <br/>該回吸機構部包括一回吸用驅動部框體、一回吸活塞及一回吸用偏置構件，該回吸用驅動部框體於內部形成一回吸汽缸室，該回吸活塞收納於該回吸汽缸室內而得以沿著該回吸汽缸室的內周面滑動，該回吸用偏置構件配置於該回吸汽缸室內且於使該回吸室的容積增加的方向偏置該回吸活塞，藉由將驅動流體供給至該回吸汽缸室而抵抗該回吸用偏置構件的偏置力，使該回吸活塞於該回吸室的容積減少的方向移動。
如請求項9所述之回吸閥，其中該回吸機構部於外周緣部更包含一隔膜，該隔膜係夾持於該回吸用驅動部框體與該閥本體之間，而將該回吸用驅動部框體與該閥本體之間予以分隔，該隔膜從該回吸活塞延伸而與一回吸桿的前端部連接，該回吸桿插通於設在該回吸汽缸室的底部的貫穿孔，藉由隨著該回吸活塞的移動的該隔膜的變形，使該回吸室的容積增加或減少。
如請求項9所述之回吸閥，其中該閥本體設有一閥室，該閥室與該入口流路連通且透過一連通路而與該回吸室連通，與一閥體接近或遠離的一閥座係形成於從該入口流路到該閥室的開口的周緣部， <br/>該開閉閥部包含：一開閉用驅動部框體、一開閉活塞、一開閉桿及一開閉用偏置構件，該開閉用驅動部框體於內部形成一開閉汽缸室，該開閉活塞收納於該開閉汽缸室內而得以沿著該開閉汽缸室的內周面滑動，該開閉桿從該開閉活塞延伸而貫穿該開閉汽缸室的底部且突出至該閥室內，該開閉用偏置構件於使與該開閉桿的前端部連接的該閥體接近該閥座的方向偏置該開閉活塞，藉由將驅動流體供給至該開閉汽缸室而抵抗該開閉用偏置構件的偏置力，使該開閉活塞於該閥體從該閥座遠離的方向移動。
如請求項10所述之回吸閥，其中該閥本體設有一閥室，該閥室與該入口流路連通且透過一連通路而與該回吸室連通，與一閥體接近或遠離的一閥座係形成於從該入口流路到該閥室的開口的周緣部， <br/>該開閉閥部包含：一開閉用驅動部框體、一開閉活塞、一開閉桿及一開閉用偏置構件，該開閉用驅動部框體於內部形成一開閉汽缸室，該開閉活塞收納於該開閉汽缸室內而得以沿著該開閉汽缸室的內周面滑動，該開閉桿從該開閉活塞延伸而貫穿該開閉汽缸室的底部且突出至該閥室內，該開閉用偏置構件於使與該開閉桿的前端部連接的該閥體接近該閥座的方向偏置該開閉活塞，藉由將驅動流體供給至該開閉汽缸室而抵抗該開閉用偏置構件的偏置力，使該開閉活塞於該閥體從該閥座遠離的方向移動。
一種用於發光顯示器之發光模組(11000)，其包含配置成一層疊的一第一底板(11100)及一第三底板(11300)，其中，<br/>該第一底板包含沉積在一第一基材上的一薄膜電晶體(TFT)層，該薄膜電晶體層進一步包含複數個發光元件(11102)、相關聯的接觸墊、傳導軌道和半導體材料，<br/>該第三底板設置在該等發光元件的頂部，其中，該第三底板包含在該等發光元件之位置處的多個空腔(11190)和至少一接地層(11110)與一電源層(11140)，該至少一接地層與電源層各自交替配置為該第三底板之一下層或一上層，其中，該下層配置在該第一底板的該薄膜電晶體層之頂部，該下層及該上層經組配為可提供電源給該等發光元件。
如請求項1之發光模組，其中，該上層為該電源層，該下層為該接地層，或其中，該上層為該接地層且該下層為該電源層。
如請求項1之發光模組，其中，在該上層與該下層之間提供一絕緣層，該絕緣層較佳為聚醯亞胺(PI)、FR4、鐵氟龍。
如請求項1的發光模組，其中，金屬化該等空腔(11190)以使該上層連接到該下層。
如請求項1的發光模組，其中，各空腔被一絕緣環包圍藉此提供環繞各空腔的一隔離島，致使該上層的功能性傳送到該隔離島，藉此若是該上層為該電源層時則該隔離島包含電源，或者若是該上層為該接地層時則該隔離島包含接地。
如請求項1的發光模組，其中，該等發光元件的傳導軌道使各個接觸墊連接到一接地連接及一電源連接，該接地連接及該電源連接經組配為可與該下層及該隔離島接觸或相反地接觸。
如請求項1的發光模組，其中，該第三底板進一步包含數個中間傳導層。
如請求項7之發光模組，其中，該等中間傳導層為下列中之任一者：一掃描線層、一R資料層、一G資料層、與一B資料層。
如請求項7的發光模組，其中，該等空腔係經金屬化以使該上層及該等中間層連接到該下層。
如請求項9之發光模組，其中，該下層包含環繞各空腔的一隔離島，該隔離島被一絕緣環包圍，且該隔離島經組配為可藉由金屬化腔壁連接到另一層。
如請求項10之發光模組，其中，擬藉由該金屬化腔壁連接到該下層的該等層包含在該層上環繞該腔壁的一隔離島。
如請求項9之發光模組，其中，在不被連接的該等層上提供環繞該金屬化腔壁的一絕緣環。
如請求項1的發光模組，其中，該等信號藉由側邊連接而路由到該第三底板的至少一層。
如請求項1的發光模組，其中，該第三底板為一PCB底板。
如請求項1的發光模組，其中，一像素由一紅色、一綠色及一藍色子像素構成，該等子像素由發光元件提供。
如請求項1的發光模組，其中，該第一基材由經組配為可收容該TFT層的一絕緣材料製成，例如聚醯亞胺(PI)、聚合物、塑料、玻璃、陶瓷、矽、氧化鋁、碳化矽。
如請求項1的發光模組，其中，該等發光元件為下列中之任一者：LED、OLED、其等之變體、QD-LED、EL-QLED、AMOLED、mini-LED、micro-LED。
如請求項1的發光模組，其中，該等空腔用來提供至少一輔助光件(11170)，例如量子點、光散射構件、對比加強構件、光指向性構件、光吸收粒子、極化濾鏡。
如請求項18之發光模組，其中，提供用於紅色及/或綠色及/或藍色中之任一者的該等量子點及合適藍色/UV發光元件。
如請求項18之發光模組，其中，所有發光元件都相同，且量子點填料經組配為可提供紅色及/或綠色及/或藍色中之任一者。
如請求項1的發光模組，其中，用一黑色遮罩(11180)覆蓋該第三底板的該上層。
如請求項1的發光模組，其中，該第三底板藉由下列中之任一者連接到該第一底板：各向異性導電膜(ACF)、導電膠、奈米纏結或焊球。
如請求項1的發光模組，其中，該第三底板的表面大於該第一底板的表面。
如請求項1的發光模組，其中，該第三底板由一多層PCB的核心提供。
如請求項24之發光模組，其中，該PCB核心層壓板的厚度在50到300微米的範圍內。
如請求項24的發光模組，其中，該等空腔的直徑大於該等發光元件的直徑。
如請求項1的發光模組，其中，該等空腔呈漏斗形。
如請求項1的發光模組，其中，一阻焊層係印刷於該第三底板之上表面上。
如請求項1的發光模組，其進一步包含一第二底板(11200)，其中，該第二底板配置在與該第三底板相對的該第一底板之第一基材的背面，其中，該第二底板經組配為可至少提供驅動電流及/或電源給該等發光元件。
如請求項29之發光模組，其中，該第二底板藉由配置在側邊上的一可撓PCB及/或奈米纏結連接到該第一底板。
如請求項29之發光模組，其中，該第二底板藉由一可撓PCB連接到該第三底板且經組配為可傳送功率信號、資料信號、接地中之至少一者。
如請求項29的發光模組，其中，該第一底板進一步包含用於接觸該等發光元件的數個第一接觸墊，與數個相關聯的傳導軌道，該第二底板包含數個第二接觸墊，該等第二接觸墊經組配為可提供驅動電流及/或電源給該等發光元件的該等第一接觸墊，其中，該第一底板進一步包含在各個第一接觸墊之位置處設於該第一基材中的數個貫穿孔，且其中，第一電性貼附構件設在該第一底板的該等貫穿孔中且第二電性貼附構件設在該第二底板的該等第二接觸墊上，該第一及第二電性貼附構件相連接致使來自該第二底板的驅動電流及/或電源傳送到該第一底板。
一種用於判定樣品組成之方法，其包含： <br/>用一帶電粒子束照射一第一樣品； <br/>偵測來自該第一樣品之一第一類型發射，並根據所偵測第一類型發射形成一或多個第一光譜； <br/>藉由用一經訓練神經網路處理該等第一光譜而識別該第一樣品內之一或多種第一化學元素； <br/>偵測來自該第一樣品之一第二類型發射且顯示基於所偵測第二類型發射產生之一樣品影像； <br/>選擇該樣品影像中之一或多個像素； <br/>顯示對應於所選擇之像素的一或多種化學元素； <br/>回應於所顯示之不同於一已知元素組成的化學元素，用對應於所選擇之像素的光譜及該已知元素組成重新訓練該經訓練神經網路； <br/>用該帶電粒子束照射一第二樣品之一或多個位置； <br/>藉由偵測來自該第二樣品之該第一類型發射來獲取一或多個第二光譜；及 <br/>藉由用經重新訓練神經網路處理該等第二光譜來識別該第二樣品內之一或多種第二化學元素。
如請求項1之方法，其中藉由用一經訓練神經網路處理該等第一光譜來識別該第一樣品內之一或多種第一化學元素包含： <br/>將該等第一光譜中之一或多者輸入至該經訓練神經網路中； <br/>自該經訓練神經網路輸出一或多種化學元素及機率，其中每一化學元素對應於一個機率；及 <br/>選擇機率大於一臨限機率之該等化學元素作為該等第一化學元素。
如請求項1至2中任一項之方法，其進一步包含產生一元素圖，該元素圖展示該第二樣品中之該等第二化學元素的一空間分佈。
如請求項1至2中任一項之方法，其進一步包含基於該等第二化學元素將該等第二光譜中之每一者分解為一或多個光譜分量及豐度，其中每一分量對應於一個豐度。
如請求項4之方法，其進一步包含基於該等光譜分量及/或該等豐度產生該第二樣品之一組成圖。
如請求項5之方法，其中每一光譜分量為包括該等第二化學元素中之一或多者的一分量之一光譜。
如請求項1之方法，其中，進一步基於該等第一化學元素顯示該樣品影像，且其中，該樣品影像展示該等第一化學元素之一空間分佈。
如請求項1之方法，其進一步包含藉由用多種化學元素之訓練光譜訓練一神經網路來產生該經訓練神經網路。
如請求項8之方法，其中該訓練光譜包括模擬光譜及/或實驗光譜。
如請求項1之方法，其進一步包含經由使用者輸入接收該第一樣品之該已知元素組成。
如請求項10之方法，其中用對應於該等所選擇之像素的光譜及該已知元素組成來重新訓練該經訓練神經網路包括：自對應於該等所選擇之像素的該等光譜產生一整合光譜，及用該整合光譜及該已知元素組成重新訓練該經訓練神經網路。
如請求項11之方法，其進一步包含與該等第一化學元素中對應於該等所選擇之像素的該一或多種化學元素同時顯示該整合光譜。
如請求項11之方法，其中在一顯示器上顯示該等第一化學元素包括在一元素週期表中顯示該等第一化學元素，且其中該使用者輸入包括選擇或取消選擇在該元素週期表中顯示的該等第一化學元素。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>在選擇該樣品影像中之一或多個像素之後，將該帶電粒子束導引至與該等所選擇之像素對應的一或多個樣品區域，並獲得該等樣品區域之一或多個光譜；及 <br/>藉由用該經訓練神經網路處理所獲得的光譜來識別對應於該等所選擇之像素的該一或多種化學元素。
一種帶電粒子顯微鏡系統，其包含： <br/>一樣品固持器，其用於定位一樣品； <br/>一帶電粒子源，其用於向該樣品照射一帶電粒子束； <br/>一第一偵測器，其用於回應於帶電粒子束照射而偵測來自該樣品之一第一類型發射； <br/>一第二偵測器，其用於回應於該帶電粒子束照射而偵測來自該樣品之一第二類型發射；及 <br/>一控制器，其包括儲存指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由該控制器之一處理器執行時，使該控制器進行以下操作： <br/>用該帶電粒子束照射一第一樣品； <br/>偵測來自該第一樣品之該第一類型發射，並根據所偵測第一類型發射形成一或多個第一光譜； <br/>偵測來自該第一樣品之該第二類型發射且顯示基於所偵測第二類型發射產生之一樣品影像； <br/>接收該樣品影像中之一或多個像素的選擇； <br/>獲得對應於所選擇之像素之一或多個光譜； <br/>藉由用一經訓練神經網路處理所獲得的光譜來識別該第一樣品內之一或多種第一化學元素； <br/>回應於與一已知元素組成不同的該等第一化學元素，用所選擇之光譜及該已知元素組成重新訓練該經訓練神經網路；及 <br/>將經重新訓練神經網路保存在該非暫時性電腦可讀媒體中。
如請求項15之帶電粒子顯微鏡系統，其中該非暫時性電腦可讀媒體包括進一步的指令，該等指令在由該控制器之該處理器執行時使該控制器進行以下操作： <br/>用該帶電粒子束照射一第二樣品之一或多個位置； <br/>藉由偵測來自該第二樣品之該第一類型發射來獲取一或多個第二光譜；及 <br/>藉由用該經重新訓練神經網路處理該等第二光譜來識別該第二樣品內之一或多種第二化學元素。
如請求項16之帶電粒子顯微鏡系統，其中該非暫時性電腦可讀媒體包括進一步的指令，該等指令在由該控制器之該處理器執行時使該控制器進行以下操作：偵測來自該第二樣品之該第二類型發射；及基於所偵測第二類型發射，產生展示該第二樣品中之該等第二化學元素之一分佈的一組成圖。
如請求項17之帶電粒子顯微鏡系統，其中基於該等第二化學元素產生該第二樣品之一組成圖包括：基於該等第二化學元素，將該等第二光譜分解為一或多個光譜分量及每一光譜分量之一豐度；且基於該等光譜分量及/或該等豐度產生該第二樣品之該組成圖。
如請求項15至18中任一項之帶電粒子顯微鏡系統，其中該帶電粒子束為一電子束，該第一類型發射為一X射線，且該第二類型發射為一散射電子。
如請求項15之帶電粒子顯微鏡系統，其中該經訓練神經網路接收一光譜並輸出一或多種化學元素及每一化學元素的一機率。
如請求項20之帶電粒子顯微鏡系統，其中藉由用一經訓練神經網路處理該等第一光譜來判定該第一樣品內之一或多種第一化學元素包括以高於一臨限機率之一機率選擇自該經訓練神經網路輸出的該等化學元素作為該等第一化學元素。
如請求項15之帶電粒子顯微鏡系統，其中獲得對應於該等所選擇之像素的一或多個光譜包括選擇該等第一光譜中對應於該等所選擇之像素的該一或多個光譜。
如請求項15之帶電粒子顯微鏡系統，其中獲得對應於該等所選擇之像素的一或多個光譜包括：將該帶電粒子束導引至對應於該等所選擇之像素的樣品區域；及藉由偵測來自該等樣品區域之該第一類型發射來獲取該一或多個光譜。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包含指令，該等指令在由一處理器執行時使一計算裝置進行以下操作： <br/>存取對應於來自一樣品之一第一類型發射的第一偵測器資料，其中該第一偵測器資料回應於用一帶電粒子束照射該樣品而獲得； <br/>引起基於該第一偵測器資料產生之一樣品影像的一顯示； <br/>接收該樣品影像中之一或多個像素的選擇； <br/>存取對應於來自對應於所選擇之像素的一或多個樣品區域之一第二類型發射的第二偵測器資料，其中回應於用該帶電粒子束照射該等樣品區域而獲得該第二偵測器資料； <br/>藉由用一經訓練神經網路處理該第二偵測器資料而識別該樣品內之一或多種化學元素； <br/>引起所識別化學元素之一顯示； <br/>回應於與一已知元素組成不同的所顯示化學元素，用該第二偵測器資料及該已知元素組成重新訓練該經訓練神經網路；及 <br/>將經重新訓練神經網路儲存在該非暫時性電腦可讀媒體中。
一種切削頭(20)，其可在一第一旋轉方向(R1)上圍繞一頭軸線(AH)旋轉，該頭軸線(AH)建立一軸向向前方向(DF)及與該軸向向前方向(DF)相反之一軸向向後方向(DR)，該切削頭包括： <br/>一帽部分(22)，其具有與四個頭槽(28)周向交替之恰好四個切削部分(26)及面向該軸向向後方向(DR)之一頭基底面(30)， <br/>各切削部分(26)具有一前表面(32)，其面向該軸向向前方向(DF)，且與相對於該第一旋轉方向(R1)的周向相鄰並旋轉向前的一頭槽(28)相交，以形成一徑向延伸切削刃(34)，及 <br/>一剛性安裝隆凸(24)，其自該頭基底面(30)軸向向後延伸且具有恰好兩個周向間隔開之凸夾緊面(38)， <br/>其中： <br/>各切削部分(26)具有背向該第一旋轉方向(R1)之一扭矩傳輸面(54)；且 <br/>在垂直於該頭軸線(AH)且在該兩個夾緊面(38)處與該安裝隆凸(24)相交之一第一水平面(PH1)中截取之一橫截面中，僅該兩個夾緊面(38)由具有一第一直徑(D1)及與該頭軸線(AH)重合之一中心之一假想第一圓(C1)外接。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該四個切削刃(34)係相同的。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該四個切削刃(34)圍繞該頭軸線(AH)周向等距間隔。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該安裝隆凸(24)展現圍繞該頭軸線(AH)之2重旋轉對稱性。
如請求項1之切削頭(20)，其中在該第一水平面(PH1)中截取之該橫截面中： <br/>該兩個夾緊面(38)形成與該假想第一圓(C1)重合之兩個夾緊弧(40)。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該剛性安裝隆凸(24)具有兩個周向間隔開之凸導面(42)， <br/>該兩個導面(42)與該兩個夾緊面(38)周向交替，且 <br/>在該第一水平面(PH1)中截取之該橫截面中，該兩個導面(42)位於該假想第一圓(C1)內部。
如請求項6之切削頭(20)，其中在該第一水平面(PH1)中截取之該橫截面中： <br/>該兩個導面(42)由具有一第三直徑(D3)及與該頭軸線(AH)重合之一中心之一假想第三圓(C3)外接，且 <br/>該第三直徑(D3)小於該第一直徑(D1)，但大於該第一直徑(D1)之85%。
如請求項7之切削頭(20)，其中在該第一水平面(PH1)中截取之該橫截面中： <br/>該兩個導面(42)形成與該假想第三圓(C3)重合之兩個導弧(37)。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該安裝隆凸(24)具有位於該兩個夾緊面(38)之軸向後之四個周向間隔開之軸向止擋部分(39)，且 <br/>該四個軸向止擋部分(39)之各者在外接該兩個夾緊面(38)之該假想第一圓(C1)之一軸向投影之徑向外延伸。
如請求項1之切削頭(20)，其中在垂直於該頭軸線(AH)且與該帽部分(22)相交之一第二水平面(PH2)中截取之一橫截面中： <br/>該四個頭槽(28)由具有一第二直徑(D2)及與該頭軸線(AH)重合之一中心之一假想第二圓(C2)內接，該假想第二圓(C2)通過四個徑向最內的頭槽點(NH)，各頭槽點(NH)與該四個頭槽(28)之一對應者相關聯，且 <br/>該第二直徑(D2)大於該第一直徑(D1)。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>該四個切削刃(34)界定對應於一切削圓(CC)之一切削直徑(DC)， <br/>該第一直徑(D1)小於該切削直徑(DC)之40%。
如請求項1之切削頭(20)，其中： <br/>一前刀面(44)安置於各頭槽(28)上相鄰於其相關聯切削刃(34)，且 <br/>在平行於該頭軸線(AH)且橫向於該等切削刃(34)之一者沿其至少一徑向外部分之一第三垂直面(PV3)中截取之一橫截面中，該前刀面(44)以一正前刀角(α1)傾斜。
如請求項12之切削頭(20)，其中： <br/>該頭基底面(30)包含一中心基底區(46)及四個徑向外基底區(48)， <br/>各頭槽(28)與該四個徑向外基底區(48)之一者相交以形成一徑向外基底邊緣(50)，且 <br/>該第三垂直面(PV3)與該等徑向外基底邊緣(50)之一者相交。
如請求項13之切削頭(20)，其中： <br/>一結合面(52)安置於各頭槽(28)上相鄰於其相關聯徑向外基底邊緣(50)， <br/>在該第三垂直面(PV3)中截取之該橫截面中，與該結合面(52)相切之一直切線(LT)以一零或正結合角(β1)傾斜，且 <br/>該結合角(β1)小於該前刀角(α1)。
一種旋轉切削刀具(56)，其包括： <br/>一細長刀柄(58)，其具有其一前端(62)處之一頭接納穴(60)及沿一刀柄軸線(AS)遠離該前端(62)延伸之四個刀柄槽(64)，及 <br/>一切削頭(20)，其可釋放地固定至該頭接納穴(60)，該切削頭(20)可在一第一旋轉方向(R1)上圍繞一頭軸線(AH)旋轉，該頭軸線(AH)建立一軸向向前方向(DF)及與該軸向向前方向(DF)相反之一軸向向後方向(DR)，該切削頭包括： <br/>一帽部分(22)，其具有與四個頭槽(28)周向交替之恰好四個切削部分(26)及面向該軸向向後方向(DR)之一頭基底面(30)， <br/>各切削部分(26)具有一前表面(32)，其面向該軸向向前方向(DF)，且與相對於該第一旋轉方向(R1)的周向相鄰並旋轉向前的一頭槽(28)相交，以形成一徑向延伸的切削刃(34)，及 <br/>一剛性安裝隆凸(24)，其自該頭基底面(30)軸向向後延伸且具有恰好兩個周向間隔開之凸夾緊面(38)， <br/>其中： <br/>在垂直於該頭軸線(AH)且在該兩個夾緊面(38)處與該安裝隆凸(24)相交之一第一水平面(PH1)中截取之一橫截面中，僅該兩個夾緊面(38)由具有一第一直徑(D1)及與該頭軸線(AH)重合之一中心之一假想第一圓(C1)外接； <br/>其中： <br/>該頭接納穴(60)具有橫向於該刀柄軸線(AS)之一刀柄支撐面(66)及形成於該刀柄支撐面(66)中之一中心凹部(68)， <br/>該中心凹部(68)具有四個周向間隔開之可彈性位移鄰接部分(74)，各鄰接部分(74)具有一徑向向內鄰接面(76)， <br/>該安裝隆凸(24)彈性保持於該中心凹部(68)中四個轉位位置之任何一者中，且 <br/>在各轉位位置中： <br/>該頭基底面(30)面向該刀柄支撐面(66)， <br/>該兩個夾緊面(38)與該四個鄰接面(76)之兩個操作性鄰接面(76')夾緊接觸，且 <br/>在該剛性安裝隆凸(24)與該四個鄰接面(76)之兩個非操作性鄰接面(76'')之間不發生夾緊接觸。
如請求項15之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該四個鄰接部分(74)可獨立彈性位移。
如請求項15之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該剛性安裝隆凸(24)具有兩個周向間隔開之凸導面(42)， <br/>該兩個導面(42)與該兩個夾緊面(38)周向交替， <br/>在該第一水平面(PH1)中截取之該橫截面中，該兩個導面(42)位於該假想第一圓(C1)內部，且 <br/>該兩個導面(42)面向該兩個非操作性鄰接面(76'')。
如請求項15之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該頭基底面(30)與該刀柄支撐面(66)接觸，且 <br/>除該兩個夾緊面(38)與該兩個操作性鄰接面(76')夾緊接觸之外，該安裝隆凸(24)之其他部分不與該中心凹部(68)夾緊接觸。
如請求項18之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該頭基底面(30)包含一中心基底區(46)及四個徑向外基底區(48)， <br/>該刀柄支撐面(66)包含一中心支撐區(70)及四個徑向外支撐區(72)，且 <br/>該四個徑向外基底區(48)之至少三者與該四個徑向外支撐區(72)之至少三者接觸。
如請求項15之旋轉切削刀具(56)，其中在垂直於該刀柄軸線(AS)且通過該中心凹部(68)之一第三水平面(PH3)中截取之一橫截面中： <br/>具有一第四直徑(D4)及與該刀柄軸線(AS)重合之一中心之一假想第四圓(C4)內接該兩個操作性鄰接面(76')， <br/>具有一第五直徑(D5)及與該刀柄軸線(AS)重合之一中心之一假想第五圓(C5)內接該兩個非操作性鄰接面(76'')，且 <br/>該第四直徑(D4)大於該第五直徑(D5)。
如請求項20之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該第一及第三水平面(PH1、PH3)重合，且 <br/>該第一直徑(D1)大於該第五直徑(D5)。
如請求項20之旋轉切削刀具(56)，其中： <br/>該第一及第三水平面(PH1、PH3)重合，且 <br/>該第一直徑(D1)等於該第四直徑(D4)。
一種組裝如請求項15之旋轉切削刀具(56)之方法， <br/>其中該中心凹部(68)進一步包括與該四個鄰接部分(74)周向交替之四個中間部分(78)；且 <br/>該方法包括： <br/>a) 將該頭基底面(30)定向為面向該刀柄支撐面(66)； <br/>b) 使該頭軸線(AH)與該刀柄軸線(AS)對準； <br/>c) 使該兩個夾緊面(38)與該四個中間部分(78)之兩者旋轉對準； <br/>d) 將該安裝隆凸(24)插入至該中心凹部(68)中，直至該頭基底面(30)與該刀柄支撐面(66)接觸；及 <br/>e) 使該切削頭(20)圍繞其頭軸線(AH)與該第一旋轉方向(R1)相反旋轉，直至該兩個夾緊面(38)彈性保持抵靠該四個鄰接面(76)之兩個操作性鄰接面(76')。
一種圖像信號處理的方法，包括以下步驟：<br/> 利用一第一目標參數集執行一第一自動曝光控制操作以決定一第一曝光水平；<br/> 在該第一曝光水平下執行一第一自動聚焦操作以決定一第一聚焦位置；<br/> 在執行該第一自動聚焦操作之後，利用與該第一目標參數集不同的一第二目標參數集執行一第二自動曝光控制操作以決定一第二曝光水平；<br/> 在該第二曝光水平下擷取一第一圖像訊框；<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作之後，藉由基於一第二自動聚焦操作來決定焦距上的一變化超過一閾值，來偵測一場景變化；及<br/> 回應於偵測到該場景變化，重複執行該第一自動曝光控制操作和執行該第一自動聚焦操作。
根據請求項1之方法，其中利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作決定該第一曝光水平以改良一場景的一感興趣區域中的聚焦。
根據請求項2之方法，其中執行該第一自動曝光控制操作包括提高一目標曝光或降低一目標曝光中的至少一個。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作之前決定表示一感興趣區域的一特性的一值；及<br/> 決定該值是否滿足一條件，<br/> 其中利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作是回應於決定該值是否滿足該條件。
根據請求項4之方法，其中決定該值是否滿足該條件之步驟包括以下步驟：決定該值是否指示以下中的一或多個：該感興趣區域中的對比度低於一對比度閾值、一聚焦位置的低置信度、一自動聚焦操作的一收斂速率低於一速率閾值或該感興趣區域中的光水平低於一光閾值。
根據請求項4之方法，其中決定表示該感興趣區域的該特性的該值之步驟包括以下步驟：決定以下中的至少一個：一亮度、一對比度、一PDAF置信水平或一感測器水平。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作期間執行該第二自動聚焦操作。
根據請求項1之方法，其中執行該第二自動聚焦操作之步驟包括以下步驟：執行一鐳射輔助自動聚焦操作。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 由至少一個處理器接收關於該第一自動曝光控制操作的第一資訊；<br/> 由至少一個處理器基於該第一資訊控制該第一自動聚焦操作的執行；<br/> 由至少一個處理器接收關於該第一自動聚焦操作的第二資訊；及<br/> 由至少一個處理器基於該第二資訊來控制該第二自動曝光控制操作的執行。
一種圖像信號處理的裝置，包括：<br/> 一記憶體，儲存處理器可讀取代碼；及<br/> 至少一個處理器，耦合到該記憶體，該至少一個處理器被配置為：<br/> 利用一第一目標參數集執行一第一自動曝光控制操作以決定一第一曝光水平；<br/> 在該第一曝光水平下執行一第一自動聚焦操作以決定一第一聚焦位置；<br/> 在執行該第一自動聚焦操作之後，利用與該第一目標參數集不同的一第二目標參數集執行一第二自動曝光控制操作以決定一第二曝光水平；<br/> 在該第二曝光水平下擷取一第一圖像訊框；<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作之後，藉由基於一第二自動聚焦操作來決定焦距上的一變化超過一閾值，來偵測一場景變化；及<br/> 回應於偵測到該場景變化，重複執行該第一自動曝光控制操作和執行該第一自動聚焦操作。
根據請求項10之裝置，其中利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作決定該第一曝光水平以經由增加一場景的一感興趣區域中的亮度來改良該場景的該感興趣區域中的聚焦。
根據請求項11之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 在利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作之前決定表示該感興趣區域的一特性的一值；及<br/> 決定該值是否滿足一條件，<br/> 其中該至少一個處理器回應於決定該值是否滿足該條件而利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作。
根據請求項12之裝置，其中決定該值是否滿足該條件包括：決定該值是否指示以下中的一或多個：該感興趣區域中的低對比度、一聚焦位置中的低置信度、一自動聚焦操作中的一收斂速率低於一速率閾值或該感興趣區域中的一光水平低於一光閾值。
根據請求項10之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作期間執行該第二自動聚焦操作。
根據請求項11之裝置，其中執行該第二自動聚焦操作包括執行一鐳射輔助自動聚焦操作。
根據請求項10之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 接收關於該第一自動曝光控制操作的第一資訊；<br/> 基於該第一資訊來控制該第一自動聚焦操作的執行；<br/> 接收關於該第一自動聚焦操作的第二資訊；及<br/> 基於該第二資訊來控制該第二自動曝光控制操作的執行。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取媒體，該等指令在由一處理器執行時使該處理器執行操作，該等操作包括：<br/> 利用一第一目標參數集執行一第一自動曝光控制操作以決定一第一曝光水平；<br/> 在該第一曝光水平下執行一第一自動聚焦操作以決定一第一聚焦位置；<br/> 在執行該第一自動聚焦操作之後，利用與該第一目標參數集不同的一第二目標參數集執行一第二自動曝光控制操作以決定一第二曝光水平；<br/> 在該第二曝光水平下擷取一第一圖像訊框；<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作之後，藉由基於一第二自動聚焦操作來決定焦距上的一變化超過一閾值，來偵測一場景變化；及<br/> 回應於偵測到該場景變化，重複執行該第一自動曝光控制操作和執行該第一自動聚焦操作。
根據請求項17之非暫時性電腦可讀媒體，其中利用一第一目標參數集執行一第一自動曝光控制操作決定一第一曝光水平以經由增加一場景的一感興趣區域中的亮度來改良該場景的該感興趣區域中的聚焦。
根據請求項17之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等指令在由該處理器執行時使該處理器執行進一步操作，該等進一步操作包括：<br/> 在利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作之前決定表示一感興趣區域的一特性的一值；及<br/> 決定該值是否滿足一條件，<br/> 其中利用該第一目標參數集執行該第一自動曝光控制操作是回應於決定該值是否滿足該條件。
根據請求項17之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等指令在由該處理器執行時使該處理器執行進一步操作，該等進一步操作包括：<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作期間執行該第二自動聚焦操作。
根據請求項17之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等指令在由該處理器執行時使該處理器執行進一步操作，該等進一步操作包括：<br/> 接收關於該第一自動曝光控制操作的第一資訊；<br/> 基於該第一資訊控制該第一自動聚焦操作的執行；<br/> 接收關於該第一自動聚焦操作的第二資訊；及<br/> 基於該第二資訊來控制該第二自動曝光控制操作的執行。
一種圖像信號處理的裝置，包括：<br/> 一相機；<br/> 一記憶體；及<br/> 至少一個處理器，耦合到該記憶體並且被配置為：<br/> 從該相機接收一第一圖像訊框；<br/> 決定關於該第一圖像訊框的一感興趣區域的一統計量；<br/> 決定該統計量是否滿足一條件；<br/> 當該統計量滿足該條件時：<br/> 利用一第一目標參數集執行一第一自動曝光控制操作以決定一第一曝光水平；<br/> 在該第一曝光水平下執行一第一自動聚焦操作以決定一第一聚焦位置；<br/> 在執行該第一自動聚焦操作之後，利用與該第一目標參數集不同的一第二目標參數集執行一第二自動曝光控制操作以決定一第二曝光水平；<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作時接收一組圖像訊框；<br/> 藉由決定焦距上的一變化超過一閾值來偵測該一組圖像訊框中的兩個圖像訊框之間的一場景變化；及<br/> 在偵測到一場景變化之後，重複以下操作：接收一第一圖像訊框、決定一統計量，和決定該統計量是否滿足該條件。
根據請求項22之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 在執行該第二自動曝光控制操作期間執行一第二自動聚焦操作。
根據請求項23之裝置，其中執行該第二自動聚焦操作包括執行一鐳射輔助自動聚焦操作。
根據請求項23之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為：<br/> 在執行該第二自動聚焦操作時在該第二曝光水平下擷取一第二圖像訊框。
一種用於氫氣回收之系統，其包含：<br/>乾燥器，其包含可流體連接至氫氣產生器之入口，該氫氣產生器包含電解器堆疊，其中該乾燥器為變壓吸附（PSA）乾燥器、變溫吸附（TSA）乾燥器或混合PSA-TSA乾燥器；以及<br/>使用氫氣之應用，其包含流體連接至該乾燥器之乾燥氫氣出口的入口、及流體連接至該乾燥器之該入口的出口，使得來自該使用氫氣之應用的該出口之氫氣排出流再循環回至該乾燥器之該入口。
如請求項1之系統，其進一步包含一或多個泵，該一或多個泵流體連接至該乾燥器、該氫氣產生器、該使用氫氣之應用或前述之組合。
如請求項2之系統，其中該一或多個泵中之各者包含流體連接至該使用氫氣之應用之入口、及流體連接至該乾燥器之該入口的出口。
如請求項2之系統，其進一步包含一或多個增濕器，該一或多個增濕器流體連接至該乾燥器。
如請求項4之系統，其中該一或多個增濕器中之各者包含入口及出口，該出口流體連接至該一或多個泵。
如請求項2之系統，其進一步包含純化器，該純化器流體連接至該乾燥器。
如請求項6之系統，其中該純化器包含流體連接至該乾燥器之該乾燥氫氣出口之入口、及流體連接至該使用氫氣之應用之該入口之出口。
如請求項1之系統，其進一步包含至少一個氧氣感測器。
如請求項1之系統，其中該乾燥器進一步包含流體連接至該乾燥器之該入口之濕氫氣出口。
如請求項3之系統，其中該乾燥器進一步包含流體連接至該一或多個泵中之至少一者之該入口的濕氫氣出口。
如請求項1之系統，其進一步包含摻合槽。
如請求項11之系統，其中該摻合槽包含流體連接至該使用氫氣之應用之該出口之入口。
如請求項1之系統，其進一步包含電化氫氣泵，該電化氫氣泵在該乾燥器的該乾燥氫氣出口和該乾燥器的該入口之間進行流體連通。
一種用於回收氫氣之方法，該方法包含： 將濕氫氣流自氫氣產生器提供至乾燥器之入口；<br/>將乾燥氫氣流自該乾燥器之第一出口輸出至使用氫氣之應用；<br/>將淨化濕氫氣流自該乾燥器之第二出口提供至該乾燥器之該入口；及<br/>藉由將排出氫氣流自該使用氫氣之應用提供至該乾燥器之該入口，以自該使用氫氣之應用回收氫氣。
如請求項14之方法，其中將該排出氫氣流自該使用氫氣之應用提供至該乾燥器之該入口係藉由一或多個泵實現。
如請求項14之方法，其進一步包含在將該排出氫氣流自該使用氫氣之應用提供至該乾燥器之該入口之前，對來自該使用氫氣之應用之該排出氫氣流進行增濕。
如請求項14之方法，其進一步包含在將該乾燥氫氣流自該乾燥器之該第一出口輸出至該使用氫氣之應用之前，純化來自該乾燥器之該第一出口之該乾燥氫氣流。
如請求項17之方法，其中該純化係經由純化器實現。
如請求項18之方法，其進一步包含對來自該純化器之出口之淨化濕氫氣流進行增濕。
如請求項14之方法，其進一步包含在將來自該使用氫氣之應用之該排出氫氣流以及來自該乾燥器之該第二出口之該淨化濕氫氣流提供至該乾燥器之該入口之前，組合來自該使用氫氣之應用之該排出氫氣流與來自該乾燥器之該第二出口之該淨化濕氫氣流。
如請求項20之方法，其中該組合係經由摻合槽實現。
如請求項20之方法，其進一步包含在將來自該使用氫氣之應用之該排出氫氣流以及來自該乾燥器之該第二出口之該淨化濕氫氣流提供至該乾燥器之該入口之前，對經組合的來自該使用氫氣之應用之該排出氫氣流以及來自該乾燥器之該第二出口之該淨化濕氫氣流進行增濕。
如請求項14之方法，其中該氫氣產生器包含電解器堆疊。
一種硬化性樹脂組成物，係包含下述(A)至(D)： <br/>(A)多官能(甲基)丙烯酸酯化合物； <br/>(B)包含下述(b1)及/或(b2)之調節劑， <br/>(b1)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物、 <br/>(b2)不具有反應性不飽和雙鍵的環氧樹脂； <br/>(C)多官能硫醇化合物；及 <br/>(D)光自由基起始劑； <br/>其中，[有關(A)多官能(甲基)丙烯酸酯化合物之(甲基)丙烯醯氧基的總數]/ [有關(C)多官能硫醇化合物之硫醇基的總數]為0.4至0.8， <br/>[有關(B)調節劑之(甲基)丙烯醯氧基的總數＋有關(B)調節劑之環氧基的總數]/[有關(C)多官能硫醇化合物之硫醇基的總數]為0.05至0.65； <br/>於此， <br/>（1） (B)調節劑包含(b1)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物及(b2)不具有反應性不飽和雙鍵的環氧樹脂之兩者，[有關(B)調節劑之(甲基)丙烯醯氧基之總數]：[有關(B)調節劑之環氧基之總數]為1：0.01至1：20，或者， <br/>（2） (B)調節劑實質上係由(b1)單官能(甲基)丙烯酸酯化合物所構成，[有關(B)調節劑之(甲基)丙烯醯氧基的總數＋有關(B)調節劑之環氧基的總數]/[有關(C)多官能硫醇化合物之硫醇基的總數]為0.2至0.5。
如請求項1所述之硬化性樹脂組成物，更包含(E)熱硬化促進劑。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，[有關(A)多官能(甲基)丙烯酸酯化合物之(甲基)丙烯醯氧基的總數]/[有關(C)多官能硫醇化合物之硫醇基的總數]為0.5至0.7。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(C)多官能硫醇化合物具有3個以上之硫醇基。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(C)多官能硫醇化合物包含3官能硫醇化合物及/或4官能硫醇化合物。
如請求項1或2所述之硬化性樹脂組成物，其中，(A)多官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含2官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
一種接著劑，係包含請求項1至6中任一項所述之硬化性樹脂組成物。
一種硬化物，係可藉由使請求項1至6中任一項所述之硬化性樹脂組成物或請求項7所述之接著劑進行硬化而得到者。
一種半導體裝置，係包含請求項8所述之硬化物。
一種感測器模組，係包含請求項8所述之硬化物。
一種硬化性樹脂組成物，包含下述(A)至(E)： <br/>(A)包含(甲基)丙烯醯基的胺酯化合物 <br/>(B)不含胺酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物 <br/>(C)多官能硫醇化合物 <br/>(D)光自由基起始劑 <br/>(E)熱硬化促進劑； <br/>(A)胺酯化合物的(甲基)丙烯酸酯當量為800以上； <br/>(B)(甲基)丙烯酸酯化合物包含多官能(甲基)丙烯酸酯化合物； <br/>[有關(A)胺酯化合物的(甲基)丙烯醯基之總數]/[ 有關(C)多官能硫醇化合物的硫醇基之總數]=0.001至0.2； <br/>[有關(A)胺酯化合物的(甲基)丙烯醯基之總數+有關(B)(甲基)丙烯酸酯化合物的(甲基)丙烯醯基之總數]/[ 有關(C)多官能硫醇化合物的硫醇基之總數]=0.7至1.3。
如請求項1所述之硬化性樹脂組成物，其中，(B)(甲基)丙烯酸酯化合物更包含單官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
如請求項1所述之硬化性樹脂組成物，其更包含(F)環氧樹脂； <br/>[有關(A)胺酯化合物的(甲基)丙烯醯基之總數+有關(B)(甲基)丙烯酸酯化合物的(甲基)丙烯醯基之總數+有關(F)環氧樹脂的環氧基之總數]/[ 有關(C)多官能硫醇化合物的硫醇基之總數]=0.5至1.3； <br/>[有關(F)環氧樹脂的環氧基之總數]/[ 有關(C)多官能硫醇化合物的硫醇基之總數]＜0.6。
如請求項1至3中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中，(C)多官能硫醇化合物包含3個以上的硫醇基。
如請求項1至3中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中，(C)多官能硫醇化合物包含3官能硫醇化合物及/或4官能硫醇化合物。
如請求項1至3中任一項所述之硬化性樹脂組成物，其中，(A)胺酯化合物含有包含2個(甲基)丙烯醯基的胺酯化合物。
一種接著劑，其包含請求項1至6中任一項所述之硬化性樹脂組成物。
一種硬化物，其係可藉由使請求項1至6中任一項所述之硬化性樹脂組成物或請求項7所述之接著劑進行硬化而得者。
一種半導體裝置，其係包含請求項8所述之硬化物。
一種感測器模組，其係包含請求項8所述之硬化物。
一種諧波齒輪裝置，具備： <br/> 齒數不同的第1內齒齒輪及第2內齒齒輪； <br/> 可嚙合於前述第1、第2內齒齒輪，且齒數與前述第2內齒齒輪相同之可撓性的外齒齒輪； <br/> 將前述外齒齒輪撓曲成非圓形，而分別對前述第1、第2內齒齒輪形成局部性嚙合的諧波產生器， <br/> 前述第1內齒齒輪為不轉動的靜止側的齒輪，前述第2內齒齒輪為相對於前述第1內齒齒輪支承成相對自由轉動的驅動側的內齒齒輪， <br/> 前述諧波齒輪裝置，具有： <br/> 具備摩擦面的摩擦構件，該摩擦面配置在：將沿著軸線從前述第1內齒齒輪側朝向前述第2內齒齒輪側的方向設為第1方向時，只要前述外齒齒輪朝前述第1方向移動，即可進行抵接的位置，以及 <br/> 具備內側端面的端板，該內側端面配置在：只要前述外齒齒輪朝與前述第1方向相反的第2方向移動，即可進行抵接的位置， <br/> 前述摩擦構件，是與前述諧波產生器的轉動軸部一體轉動且不會在前述軸線的方向上相對移動地被安裝於該轉動軸部、或者一體形成於該轉動軸部， <br/> 前述內側端面，是比前述摩擦面摩擦抵抗小的平滑面。
如請求項1所記載的諧波齒輪裝置，其中， <br/> 前述諧波產生器具備： <br/> 諧波產生器栓塞，具備非圓形外周面； <br/> 諧波產生器軸承，被安裝於前述非圓形外周面， <br/> 在前述諧波產生器栓塞，一體形成有前述轉動軸部及前述摩擦構件。
如請求項1所記載的諧波齒輪裝置，其中， <br/> 前述外齒齒輪，被前述諧波產生器撓曲成橢圓狀，而嚙合於前述第1、第2內齒齒輪， <br/> 前述摩擦構件的前述摩擦面為圓環狀的端面， <br/> 前述摩擦面的外徑大於等於：被撓曲成橢圓狀的前述外齒齒輪中抵接於前述摩擦面之那一側的端面的長軸外徑，前述摩擦面的內徑小於等於：前述端面之短軸內徑。
如請求項1所記載的諧波齒輪裝置，其中， <br/> 將用來規定前述外齒齒輪在前述軸線的方向中所容許之可動範圍的前述第1方向的位置設為第1位置，將前述第2方向的位置設為第2位置，並將前述第1、第2位置之中間的位置設為中立位置時， <br/> 則前述摩擦面被配置在前述第1位置與前述中立位置之間，前述抵接面被配置於前述第2位置。
一種強化用玻璃板，其特徵在於：板厚為0.2 mm以下，且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有50～80%之SiO<sub>2</sub>、2～20%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3～15%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、2～20%之Na<sub>2</sub>O，莫耳比Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Na<sub>2</sub>O為超過0.62～2，莫耳比Na<sub>2</sub>O/(Li<sub>2</sub>O＋Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)為0.90以上，稀土類氧化物之含量為0.1%以下。
如請求項1之強化用玻璃板，其板厚為0.15 mm以下，且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有50～80%之SiO<sub>2</sub>、2～20%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3～15%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0～8%之MgO、2～20%之Na<sub>2</sub>O，莫耳比Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Na<sub>2</sub>O為0.68～2，莫耳比Na<sub>2</sub>O/(Li<sub>2</sub>O＋Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)為0.90以上，稀土類氧化物之含量為0.1%以下。
如請求項1或2之強化用玻璃板，其板厚為0.10 mm以下。
如請求項1或2之強化用玻璃板，其中玻璃組成中包含10.5～20莫耳%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1或2之強化用玻璃板，其中玻璃組成中包含5.5～15莫耳%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1或2之強化用玻璃板，其中依據JIS K7116計算而得之彎曲應變為40.0×10<sup>-5</sup>以下。
一種強化玻璃板，其特徵在於： <br/>其係對強化用玻璃板進行離子交換處理而成者， <br/>表面具有壓縮應力層， <br/>強化用玻璃板為如請求項1至6中任一項之強化用玻璃板。
如請求項7之強化玻璃板，其中壓縮應力層之最表面之壓縮應力值為100～800 MPa。
一種強化玻璃板，其特徵在於：板厚為0.2 mm以下，表面具有壓縮應力層，並且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有50～80%之SiO<sub>2</sub>、2～20%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3～15%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、2～20%之Na<sub>2</sub>O，莫耳比Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Na<sub>2</sub>O為超過0.62～2，莫耳比Na<sub>2</sub>O/(Li<sub>2</sub>O＋Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)為0.90以上，稀土類氧化物之含量為0.1%以下。
如請求項9之強化玻璃板，其板厚為0.15 mm以下，表面具有壓縮應力層，並且作為玻璃組成，以莫耳%計，含有50～80%之SiO<sub>2</sub>、2～20%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3～15%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0～8%之MgO、2～20%之Na<sub>2</sub>O，莫耳比Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Na<sub>2</sub>O為0.68～2，莫耳比Na<sub>2</sub>O/(Li<sub>2</sub>O＋Na<sub>2</sub>O＋K<sub>2</sub>O)為0.90以上，稀土類氧化物之含量為0.1%以下。
如請求項9或10之強化玻璃板，其板厚為0.10 mm以下。
如請求項9或10之強化玻璃板，其依據JIS K7116計算而得之彎曲應變為40.0×10<sup>-5</sup>以下。
一種引線框架材料，具有導電性的基體、與形成在前述基體的表面的至少一部分上之表面覆膜，其中， <br/>前述表面覆膜包含至少一層粗化層，並且，利用雷射粗糙度測定儀測定表面性狀時的空隙容積Vv及突出部實體體積Vmp分別在0.6 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以上且5.1 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以下的範圍內、以及0.02 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以上且0.30 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以下的範圍內。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述表面覆膜利用雷射粗糙度測定儀測定表面性狀時的核心部空隙容積Vvc在0.6 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以上且4.7 cm <sup>3</sup>/m <sup>2</sup>以下的範圍內。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述表面覆膜的前述空隙容積Vv相對於前述突出部實體體積Vmp之比Vv/Vmp在14以上且30以下的範圍內。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述基體由銅、銅合金、鐵、鐵合金、鋁或鋁合金組成。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述粗化層由銅、銅合金、鎳或鎳合金組成。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述表面覆膜在前述基體與前述粗化層之間進一步具有至少一層基底層， <br/>前述基底層由銅、銅合金、鎳或鎳合金組成。
如請求項1所述之引線框架材料，其中，前述表面覆膜具有前述粗化層、與形成在前述粗化層的至少表面上之表面包覆層。
如請求項7所述之引線框架材料，其中，前述表面覆膜在前述粗化層與前述表面包覆層之間進一步具有至少一層粗化包覆層。
如請求項8所述之引線框架材料，其中，前述粗化包覆層及前述表面包覆層中的至少一層為具有與前述粗化層不同組成之金屬或合金，並由銅、銅合金、鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、鈀、鈀合金、銠、銠合金、釕、釕合金、鉑、鉑合金、銥、銥合金、金、金合金、銀、銀合金、錫、錫合金、銦或銦合金組成。
一種引線框架材料的製造方法，其是請求項1～9中任一項所述之引線框架材料的製造方法，其中，具有藉由電鍍形成前述粗化層的步驟。
一種半導體封裝體，具有使用請求項1～9中任一項所述之引線框架材料所形成之引線框架。
一種影像感測裝置，該影像感測裝置包括：<br/> 多個像素組，被佈置成矩陣，所述多個像素組中的每一個包括3×2個子像素；以及<br/> 第一浮動擴散部和第二浮動擴散部，所述第一浮動擴散部和所述第二浮動擴散部中的每一個被佈置在所述3×2個子像素之中的四個相鄰子像素之間，其中所述四個相鄰子像素中的三個子像素共享所述第一浮動擴散部和所述第二浮動擴散部中的一個，<br/> 其中，所述3×2個子像素中的每一個包括：<br/> 光電轉換單元，被構造成轉換入射光以產生電荷；及<br/> 傳輸閘，被佈置在所述光電轉換單元與所述第一浮動擴散部和所述第二浮動擴散部中的所選擇的一個之間，所述傳輸閘鄰近於所述第一浮動擴散部和所述第二浮動擴散部中的所述所選擇的一個，並且<br/> 其中，在所述像素組中的所述3×2個子像素中的3×2個傳輸閘關於所述像素組的對角線方向而對稱地被佈置。
如請求項1所述的影像感測裝置，其中，所述第一浮動擴散部鄰近於在所述3×2個傳輸閘之中的三個傳輸閘，並且所述第二浮動擴散部鄰近於在所述3×2個傳輸閘之中的剩餘的三個傳輸閘。
如請求項1所述的影像感測裝置，該影像感測裝置還包括具有與所述像素組的尺寸相對應的尺寸的濾色器。
一種用於結合整體及局部洩漏檢測的洩漏檢測裝置，包含：一測試樣本接口；一樣本高真空泵，該樣本高真空泵的入口連接於該測試樣本接口； 至少一預真空泵，該至少一預真空泵的入口透過一測試樣本線路連接於該樣本高真空泵的出口；以及一氣體檢測器，連接於該至少一預真空泵，該氣體檢測器透過至少一第一氣體線路連接於該樣本高真空泵、該測試樣本線路及/或該測試樣本接口，使得來自該測試樣本接口的氣體透過該第一氣體線路被提供至該氣體檢測器以進行氣體分析；其中：連接於一氣體壓力感測器的一氣體壓力量測容積設置於該測試樣本線路中，使得在以該氣體檢測器的氣體量測過程中，可透過量測該氣體壓力量測容積的壓力分佈實現一整體洩漏檢測；以及提供一裝置，以在用該氣體壓力感測器量測該氣體壓力量測容積的壓力分佈時，使該至少一預真空泵的抽吸能力對該氣體壓力量測容積的作用失效。
一種用於結合整體及局部洩漏檢測的洩漏檢測裝置，包含：一測試樣本接口；一檢測器高真空泵；至少一預真空泵，該至少一預真空泵的入口透過一檢測器線路連接於該檢測器高真空泵的出口；以及一氣體檢測器，連接於該檢測器高真空泵的入口，該氣體檢測器透過至少一第一氣體線路連接於一測試樣本線路及/或該測試樣本接口，使得來自該測試樣本接口的氣體透過該第一氣體線路被提供至該氣體檢測器以進行氣體分析；其中該測試樣本線路連接該至少一預真空泵的入口及一樣本高真空泵的入口，該樣本高真空泵的入口連接該測試樣本接口；其中： 連接於一氣體壓力感測器的一氣體壓力量測容積設置於該檢測器線路中，使得在以該氣體檢測器的氣體量測過程中，可透過量測該氣體壓力量測容積的壓力分佈實現一整體洩漏檢測；以及提供一裝置，以在用該氣體壓力感測器量測該氣體壓力量測容積的壓力分佈時，使該至少一預真空泵的抽吸能力對該氣體壓力量測容積的作用失效。
如請求項2所述之洩漏檢測裝置，其中該樣本高真空泵的入口連接於該測試樣本接口，且該樣本高真空泵的出口透過一測試樣本線路連接於該至少一預真空泵。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中用於使該至少一預真空泵的抽吸能力對該氣體壓力量測容積的作用失效的該裝置為用於該至少一預真空泵之停止閥門或關閉裝置之形式。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中該第一氣體線路連接於該樣本高真空泵的一中間氣體接口。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中連接於該氣體壓力量測容積的該測試樣本線路及其他的氣體線路中的至少一者設置有一節流閥。
如請求項2所述的洩漏檢測裝置，其中至少一節流閥設置於將該氣體壓力量測容積及該檢測器高真空泵連接的一中間氣體線路。
如請求項1、2及7中任一項所述的洩漏檢測裝置，其中該第一氣體線路及/或其他氣體線路中的至少一者通向對該氣體檢測器抽氣的一檢測器高真空泵。
如請求項7所述的洩漏檢測裝置，其中該檢測器高真空泵的出口連接於該至少一預真空泵，以從而被抽氣。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中該氣體檢測器為質譜儀。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中該氣體壓力感測器為作為總壓力感測器、氣密感測器或壓差感測器的壓力計。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中提供有可選擇性關閉之停止閥門的至少一其他氣體線路，及/或該第一氣體線路具有可選擇性關閉的停止閥門。
如請求項2所述的洩漏檢測裝置，其中連接該檢測器高真空泵及該至少一預真空泵的該檢測器線路設有可選擇性關閉的停止閥門。
如請求項13所述的洩漏檢測裝置，其中該停止閥門形成於連接該氣體壓力量測容積及該至少一預真空泵的該檢測器線路的一部分。
如請求項1或2所述的洩漏檢測裝置，其中該測試樣本線路具有介於該氣體壓力量測容積及該至少一預真空泵之間的可選擇性關閉的停止閥門。
一種用於以如請求項1所述之洩漏檢測裝置結合整體及局部洩漏檢測的洩漏檢測方法，包含以下步驟：將一測試樣本連接於該測試樣本接口；對該測試樣本抽氣；從該測試樣本抽取氣體至該氣體壓力量測容積中且量測該氣體壓力量測容積中的壓力分佈； 以測試氣體噴灑該測試樣本；以及在以該氣體壓力感測器量測該氣體壓力量測容積中的壓力分佈時，將從該測試樣本抽出之氣體的部分氣流輸送至該氣體檢測器，且以該氣體檢測器分析氣體。
如請求項16所述之洩漏檢測方法，其中該部分氣流至少透過該第一氣體線路被輸送，或透過該第一氣體線路及將該氣體壓力量測容積連接於一檢測器高真空泵且具有已知的一節流閥的一中間氣體線路被輸送。
如請求項17所述之洩漏檢測方法，其中在透過該中間氣體線路傳輸該部分氣流時考慮該節流閥，以確定該氣體壓力量測容積中的壓力分佈。
如請求項16所述之洩漏檢測方法，其中在以該氣體壓力感測器量測該氣體壓力量測容積中的壓力分佈時，使該至少一預真空泵的抽吸能力對該氣體壓力量測容積的作用失效。
如請求項16所述之洩漏檢測方法，其中將該氣體壓力量測容積連接於該至少一預真空泵的一檢測器線路、該測試樣本線路或至少一中間氣體線路根據該氣體壓力量測容積中所量測到之壓力的函數循環地被關閉且再開啟，基於根據壓力增加方法在該氣體壓力量測容積中所量測到的壓力增加，推斷在閉合狀態下該測試樣本中的洩漏，其中該檢測器線路連接該至少一預真空泵及一檢測器高真空泵。
一種評估方法，用於評估一真空偵漏器的一量測訊號，該真空偵漏器包含一真空泵（16）及連接於該真空泵（16）的一測試腔室（12）以及連接於該測試腔室（12）的一氣體偵測器（14），其特徵在於： 判斷該真空偵漏器的一系統時間常數τ，其中該系統時間常數τ為量測得的訊號之系統相關上升的持續時間或量測得的訊號之系統相關下降的持續時間，其中所述系統相關上升的持續時間響應於透過一測試對象的一洩漏而逃脫的一氣體成分，所述系統相關下降的持續時間響應於該氣體成分不再來自該測試對象的該洩漏，接著執行以下步驟： 透過該真空泵（16）在一時間t產生從該測試腔室（12）抽取的氣體的一量測訊號I（t），其中該測試腔室（12）包含該測試對象，且其中該量測訊號I（t）是透過使用該氣體偵測器（14）而產生； 緩衝該量測訊號I（t）； 基於經緩衝的該量測訊號I（t）的一量測值與該系統時間常數τ形成預測的一未來時間t+t0的一量測訊號Í（t+t0），其中t0小於該系統時間常數τ； 使用該氣體偵測器（14）產生在該未來時間t+t0從該測試腔室（12）抽取的氣體的一量測訊號I（t+t0）； 形成在該量測訊號Í（t+t0）與該量測訊號I（t+t0）之間的一差值；以及 基於形成的該差值判斷該測試對象是否有滲漏。
如請求項1所述的評估方法，其中若該差值大於一閾值，判斷偵測到該測試對象的該洩漏。
如請求項1及2中任一項所述的評估方法，其中當該差值小於或等於一閾值且大於或等於零時，判斷該測試對象為緊密的。
如請求項1所述的評估方法，其中當該差值小於零時，假設一誤差。
如請求項4所述的評估方法，其中該誤差為一不準確系統時間常數的形式。
如請求項2所述的評估方法，其中該閾值被假設為該量測訊號的一背景訊號的值的r倍，其中r為大於零的有理數。
如請求項1所述的評估方法，其中一加速量測訊號Í（t）係透過一轉換形成自該量測訊號I（t），其中該轉換包含： 使用一先前時間t’的一先前量測訊號I（t’），其中該先前時間t’係該時間t減去該系統時間常數τ除以數值n的值，n為大於零的有理數， 將該先前量測訊號I（t’）乘上一第二常數C2， 將該量測訊號I（t）減掉乘上該第二常數C2的該先前量測訊號I（t’）以形成該量測訊號I（t）與乘上該第二常數C2的該先前量測訊號I（t’）之間的另一差值， 將該另一差值乘上一第一常數C1， 進而取得以一因子n加速的另一量測訊號Í，其中該因數n對應於以該系統時間常數τ補償的量測訊號。
如請求項7所述的評估方法，其中該第二常數C2為小於1的正實數。
如請求項8所述的評估方法，其中該第二常數C2對應於尤拉數e的n次根的一倒數<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或包括該倒數。
如請求項7所述的評估方法，其中該第一常數C1為大於1的實數。
如請求項10所述的評估方法，其中該第一常數C1包括或對應於<img align="absmiddle" height="14px" width="44px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項8所述的評估方法，其中該第二常數C2包括尤拉數e的n次根且包括尤拉數e的n次根的該倒數。
如請求項7所述的評估方法，其中該第二常數C2被乘上一因子F，其中該因子F為小於1的有理數。
如請求項7所述的評估方法，其中該加速量測訊號Í（t）係透過以下公式計算而得，其中參數F代表洩漏率抑制的因子： <img align="absmiddle" height="38px" width="118px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的評估方法，其中該系統時間常數τ係透過一測試洩漏的方式判斷，該測試洩漏為該真空偵漏器的一內部測試洩漏或連接於該測試腔室（12）的一外部測試洩漏。
如請求項1所述的評估方法，其中該真空偵漏器的一真空時間常數從該測試腔室（12）與連接該測試腔室（12）及該氣體偵測器（14）的一管線的一容積及該真空泵（16）的一吸力被計算作為該系統時間常數τ。
如請求項1所述的評估方法，其中該系統時間常數τ係從一時間週期判斷而得， 其中該時間週期係從關閉、停用或移除該真空偵漏器的一測試洩漏到該量測訊號衰減至一預定值所經過的時間，或 該時間週期係從開啟、啟動或加入一測試洩漏至該真空偵漏器到該量測訊上升至另一預定值所經過的時間。
如請求項1所述的評估方法，其中該預定時間對應於該量測訊號對應於該測試洩漏的一穩定量測訊號的1/e倍。
一種真空偵漏器，包含一真空泵（16）、連接於該真空泵（16）的一測試腔室（12）以及連接於該測試腔室（12）的一氣體偵測器（14），其特徵在於，評估該氣體偵測器（14）的該量測訊號的一評估單元（22），其中該評估單元（22）用於執行如請求項1到18任一項所述的評估方法。
如請求項19所述的真空偵漏器，其中該評估單元（22）包含一記憶體，儲存該評估方法的步驟。
如請求項19所述的真空偵漏器，其中該評估單元（22）包含一微控制器，用於以自動的方式執行該評估方法。
一種簽署將與一接收者共用之視訊資料之方法，該方法包括： <br/>獲得表示一視訊序列之視訊資料； <br/>獲得未從該視訊資料提取之一位元串； <br/>藉由對該位元串進行雜湊以提供一鹽(salt)； <br/>產生可由經簽署之該視訊資料之該接收者重新產生之一第一指紋，其中該第一指紋在一記憶體中藉由以下產生： <br/>a)該鹽及該視訊資料之一第一部分之一組合，或 <br/>b)該鹽及該視訊資料之一第一部分之一雜湊之一組合； <br/>對該記憶體中之該組合進行雜湊；及 <br/>提供包含該第一指紋之該視訊資料並實現該接收者驗證該視訊資料之真實性(authenticity)或完整性(integrity)之一簽章。
如請求項1之方法，其中使用不同雜湊函數產生該鹽及該第一指紋，該方法進一步包括： <br/>透過一專用通信路徑與該經簽署視訊資料之一接收者共用用於產生該鹽之該雜湊函數之一定義。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>藉由對以下進行雜湊來產生一第二指紋 <br/>a)該鹽及該視訊資料之一第二部分之一組合，或 <br/>b)該鹽及該視訊資料之一第二部分之一雜湊之一組合， <br/>其中該視訊資料之該簽章進一步包含該第二指紋。
如請求項3之方法，其中該等第一及第二部分表示該視訊序列之各自時間片段。
如請求項4之方法，其中該等第一及第二部分表示該視訊序列之各自圖框。
如請求項4之方法，其中該等第一及第二部分表示該視訊序列之各自可獨立解碼之圖像群組GOP。
如請求項3之方法，其進一步包括： <br/>快取該鹽，其中產生該第二指紋包含使用該快取鹽。
如請求項1之方法，其中該視訊資料之該第一部分係全部該所獲得視訊資料。
如請求項1之方法，其中以下之至少一者成立： <br/>該位元串包含與該視訊序列之獲取相關之可再現資訊； <br/>從與該視訊資料相關聯之後設資料提取該位元串之至少部分； <br/>將可唯一地導出該位元串之資訊插入至與該視訊資料相關聯之後設資料中； <br/>該視訊資料之該簽章進一步包含該位元串。
如請求項1之方法，其中該視訊序列係一串流視訊序列。
如請求項10之方法，其中該視訊資料具有一時間序列結構，且該簽章由與該視訊資料之各自片段相關之多個子簽章組成， <br/>其中藉由將該等子簽章插入至該視訊資料之該等各自片段中或附近來提供該簽章。
如請求項1之方法，其中該視訊資料之該簽章被包含在與該視訊資料相關聯之後設資料中。
如請求項1之方法，其中該視訊資料之該簽章經密碼編譯簽署。
一種裝置，其包括經配置以執行如請求項1之方法之處理電路。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其具有儲存於其上以當在具有處理能力之一裝置上執行時實施如請求項1之方法之指令。
一種黏著片，其為至少具備黏著劑層的黏著片，其特徵在於： <br/>構成該黏著劑層的黏著劑含有具有主鏈的聚合物，該主鏈是由丙烯酸類單體和具有聚合性基團的環糊精衍生物共聚而成， <br/>構成該黏著劑層的黏著劑的凝膠分率小於10%， <br/>在23℃進行拉伸試驗時，該黏著劑層的500%模數為0.02N/mm<sup>2</sup>以上、5N/mm<sup>2</sup>以下。
一種黏著片，其為至少具備黏著劑層的黏著片，其特徵在於： <br/>構成該黏著劑層的黏著劑含有具有主鏈的聚合物，該主鏈是由丙烯酸類單體和具有聚合性基團的環糊精衍生物共聚而成， <br/>該環糊精衍生物的含量為，在以該丙烯酸類單體的總量作為100莫耳時的莫耳比為0.5以上10以下， <br/>構成該黏著劑層的黏著劑的凝膠分率小於10%。
如請求項2所述之黏著片，其中： <br/>在23℃進行拉伸試驗時，該黏著劑層的500%模數為0.02N/mm<sup>2</sup>以上、5N/mm<sup>2</sup>以下。
如請求項1或2所述之黏著片，其中： <br/>將該黏著劑層對鈉鈣玻璃的黏著力設為P1(N/25mm)， <br/>將由溶解該黏著劑層得到的黏著劑溶解液所形成的再形成黏著劑層對鈉鈣玻璃的黏著力設為P2(N/25mm)時， <br/>P2對P1的黏著力比(P2/P1)為0.5以上、小於1.47。
如請求項1或2所述之黏著片，其中： <br/>將該黏著劑層的每單位體積的質量設為M1(mg)， <br/>將溶解該單位體積的黏著劑層得到的黏著劑溶解液以特多龍網#200過濾、乾燥後的黏著劑的質量設為M2(mg)時， <br/>M2對M1的質量比(M2/M1)為0.7以上。
如請求項1或2所述之黏著片，其中該環糊精衍生物所具有的該聚合性基團為含有聚合性不飽和雙鍵的基團。
如請求項1或2所述之黏著片，其中該黏著劑不含有可包合於該環糊精衍生物的客體分子。
如請求項1或2所述之黏著片，其中該黏著劑的溶膠成分由凝膠滲透層析法測定的重量平均分子量為10萬以上、300萬以下。
如請求項1或2所述之黏著片，其中該聚合物的玻璃轉換溫度(Tg)為超過-55℃、20℃以下。
如請求項1或2所述之黏著片，其中該黏著片具備兩張剝離片，該黏著劑層以與該兩張剝離片的剝離面接觸的方式夾在該剝離片之間。
一種黏著片的製造方法，係請求項1或2所述之黏著片的製造方法，其特徵在於： <br/>塗佈含有丙烯酸類單體和具有聚合性基團的環糊精衍生物的黏著劑組成物以形成塗膜， <br/>對該塗膜照射活性能量射線，使該丙烯酸類單體和該環糊精衍生物共聚以形成黏著劑層。
一種抗CCR8抗體，其包含(i)包含三個互補決定區(CDR)之重鏈可變區(VH)鏈；及(ii)包含三個CDR之輕鏈可變區(VL)鏈，其中：<br/>VH CDR#1係GFIFSNAVMY (SEQ ID NO:1)； <br/>VH CDR#2係RIKTKFNNYATYYADAVKG (SEQ ID NO:2)； <br/>VH CDR#3係GDRNKPFAY (SEQ ID NO:3)； <br/>VL CDR#1係RASTSVITLLH (SEQ ID NO:4)； <br/>VL CDR#2係GASNLES (SEQ ID NO:5)；及 <br/>VL CDR#3係QQSWNDPYT (SEQ ID NO:6)； <br/>其中該抗體進一步包含去岩藻醣基化(afucosylated)之IgG1恆定區。
如請求項1之抗CCR8抗體，其中該抗體包含重鏈可變區及輕鏈可變區，該重鏈可變區包含SEQ ID NO: 7所示之胺基酸序列，該輕鏈可變區包含SEQ ID NO: 8所示之胺基酸序列。
如請求項1或2之抗CCR8抗體，其中該抗體包含重鏈及輕鏈，該重鏈包含SEQ ID NO: 9所示之胺基酸序列，該輕鏈包含SEQ ID NO: 10所示之胺基酸序列。
如請求項3之抗CCR8抗體，其中該抗體去岩藻醣基化(afucosylated)。
一種組成物，其包含複數個如請求項1至4中任一項之抗CCR8抗體。
如請求項5之組成物，其中該組成物中大於80%之該等抗CCR8抗體去岩藻醣基化。
一種半導體元件封閉用層積體，其特徵係具有：熱硬化性樹脂層(X)、<br/>和設於熱硬化性樹脂層(X)之一方面上，具有至少1層之能量線硬化性黏著劑層(Y1)或至少1層之熱剝離性黏著劑層(Y2)之兩面黏著性之黏著薄片(Y)、<br/>和設於熱硬化性樹脂層(X)之另一方面之非硬化性黏著劑層(Z)；<br/>非硬化性黏著劑層(Z)係由不含有熱硬化性之成分及能量線硬化性之成分之黏著劑組成物所成。
如請求項1記載之半導體元件封閉用層積體，其中，黏著薄片(Y)係不具有基材。
如請求項1或2記載之半導體元件封閉用層積體，其中，黏著薄片(Y)係僅由能量線硬化性黏著劑層(Y1)或熱剝離性黏著劑層(Y2)所成。
如請求項1或2記載之半導體元件封閉用層積體，其中，黏著薄片(Y)係僅由能量線硬化性黏著劑層(Y1)所成。
如請求項1或2記載之半導體元件封閉用層積體，其中，非硬化性黏著劑層(Z)之厚度係1~20μm。
一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含下述工程(1)~工程(6)：<br/>工程(1)：將半導體元件封閉用層積體之黏著薄片(Y)，黏貼於支持體的工程，且前述半導體元件封閉用層積體具有：<br/>熱硬化性樹脂層(X)、<br/>和設於熱硬化性樹脂層(X)之一方面上，具有至少1層之能量線硬化性黏著劑層(Y1)或至少1層之熱剝離性黏著劑層(Y2)之兩面黏著性之黏著薄片(Y)、<br/>和設於熱硬化性樹脂層(X)之另一方面之非硬化性黏著劑層(Z)；<br/>工程(2)：在黏貼於前述支持體之半導體元件封閉用層積體之非硬化性黏著劑層(Z)上，以與半導體晶片之背面對向之方式，接合前述半導體晶片的工程；<br/>工程(3)：將接合於非硬化性黏著劑層(Z)上之前述半導體晶片，經由塑模樹脂加以塑模之同時，硬化熱硬化性樹脂層(X)的工程；<br/>工程(4)：分離熱硬化性樹脂層(X)之硬化物與黏著薄片(Y)的工程；<br/>工程(5)：於塑模前述半導體晶片之前述塑模樹脂上，形成再配線層的工程；<br/>工程(6)：研磨熱硬化性樹脂層(X)之硬化物、非硬化性黏著劑層(Z)及前述半導體晶片之背面，除去熱硬化性樹脂層之硬化物(X)及非硬化性黏著劑層(Z)之同時，薄化加工前述半導體晶片的工程。
如請求項6記載之半導體裝置之製造方法，其中，黏著薄片(Y)係不具有基材。
如請求項6記載之半導體裝置之製造方法，其中，黏著薄片(Y)係僅由能量線硬化性黏著劑層(Y1)或熱剝離性黏著劑層(Y2)所成。
如請求項6記載之半導體裝置之製造方法，其中，黏著薄片(Y)係僅由能量線硬化性黏著劑層(Y1)所成。
如請求項6記載之半導體裝置之製造方法，其中，非硬化性黏著劑層(Z)係由不含有熱硬化性之成分及能量線硬化性之成分之黏著劑組成物所成。
如請求項6記載之半導體裝置之製造方法，其中，非硬化性黏著劑層(Z)之厚度係1~20μm。
一種防護膜的製造方法，所述防護膜包含防護薄膜以及防護膜框架，所述製造方法包括： <br/>將合成後的氮化硼奈米管堆積形成具有氮化硼奈米管的膜（氮化硼奈米管膜）； <br/>將形成的所述氮化硼奈米管膜轉移到支撐框體；以及 <br/>將張設於所述支撐框體上的所述氮化硼奈米管膜轉印到所述防護膜框架，所述氮化硼奈米管膜的厚度於所述防護薄膜的整體厚度中所佔的比例為90%以上。
一種防護膜的製造方法，所述防護膜包含防護薄膜以及防護膜框架，所述製造方法包括： <br/>將合成後的氮化硼奈米管堆積於過濾層上，以形成具有氮化硼奈米管的膜（氮化硼奈米管膜）； <br/>將形成的所述氮化硼奈米管膜與帶有黏著劑或接著劑的支撐框體的所述黏著劑或所述接著劑接觸，以將所述氮化硼奈米管膜自所述過濾層剝離；以及 <br/>將張設於所述支撐框體上的所述氮化硼奈米管膜與帶有黏著劑或接著劑的所述防護膜框架的所述黏著劑或所述接著劑接觸，以除去較所述防護膜框架更靠外側的所述氮化硼奈米管膜，所述氮化硼奈米管膜的厚度於所述防護薄膜的整體厚度中所佔的比例為90%以上。
如請求項1或請求項2所述的防護膜的製造方法，其中所述氮化硼奈米管是利用懸浮觸媒化學氣相沈積法合成。
如請求項1或請求項2所述的防護膜的製造方法，其中所述防護薄膜實質上僅包含氮化硼奈米管膜。
如請求項1或請求項2所述的防護膜的製造方法，其中，所述氮化硼奈米管膜包括具有所述氮化硼奈米管的束的網格、網狀物或格柵。
如請求項1或請求項2所述的防護膜的製造方法，對於具有13.5 nm的波長的光而言，所述防護薄膜的透過率為80%以上。
如請求項1或請求項2所述的防護膜的製造方法，所述防護薄膜用於將13.5 nm波長用作主曝光波長的極紫外線（EUV）光的曝光。
一種樹脂組成物，係含有 <br/>(A)(甲基)丙烯酸酯化合物、 <br/>(B)聚硫醇化合物、及 <br/>(C)下述式(1)表示的光聚合起始劑： <br/><img align="absmiddle" height="181px" width="840px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R係氫或烷基， <br/>其中，相對於該樹脂組成物的總質量，(A)成分的含量係20至60質量％， <br/>(B)成分的硫醇基當量數相對於(A)成分的(甲基)丙烯醯基當量數之比，亦即[(B)成分的硫醇基當量數]/[(A)成分的(甲基)丙烯醯基當量數]係0.5至1.8。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中，(B)成分的硫醇基當量數相對於(A)成分的(甲基)丙烯醯基當量數之比，亦即[(B)成分的硫醇基當量數]/[(A)成分的(甲基)丙烯醯基當量數]係0.6至1.6。
如請求項1或2所述之樹脂組成物，其更含有(D)熱聚合起始劑。
一種接著劑，係含有請求項1至3中任一項所述之樹脂組成物。
如請求項4所述之接著劑，其係使用於構成影像感測器或相機模組的構件之接著。
一種硬化物，係使請求項1至3中任一項所述之樹脂組成物或請求項4或5所述之接著劑硬化而成者。
一種半導體裝置，係含有請求項6所述之硬化物。
一種電子構件，係含有請求項7所述之半導體裝置。
如請求項8所述之電子構件，係影像感測器或相機模組。
一種有機電致發光元件，其係於陽極與陰極之間自陽極側起依序至少具備第一電洞傳輸層、第二電洞傳輸層、藍色發光層及電子傳輸層之多層構造，在上述第一電洞傳輸層與上述電子傳輸層之間具有含有下述通式(1)所表示之三芳香胺化合物之層；上述藍色發光層係含有下述通式(3-1)或(3-2)所表示之化合物； <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="83px" width="145px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>通式(1)中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>可相同亦可不同，係下述通式(2-1)或(2-2)所表示之基，其中之一係下述通式(2-1)所表示之基； <br/>M係氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、硫醇基、羥基、經取代或未經取代之碳數1～6之直鏈狀或分支狀之烷基、經取代或未經取代之碳數5～10之環烷基、經取代或未經取代之直鏈狀或分支狀之碳數2～6之烯基、經取代或未經取代之碳數1～6之直鏈狀或分支狀之烷氧基、可具有取代基之碳數5～10之環烷氧基、經取代或未經取代之芳氧基、經取代或未經取代之芳香族烴、經取代或未經取代之芳香族雜環基、經取代或未經取代之矽基、或者經取代或未經取代之硼基； <br/>n係0～4之整數，於n為2以上之情形時，M可彼此相同亦可互不相同，相鄰之M彼此可經由單鍵、經取代或未經取代之亞甲基、氧原子、硫原子或者單取代氮原子連結而形成環； <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="102px" width="189px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="163px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>於通式(2-1)及(2-2)中，L係連結基，表示經取代或未經取代之二價芳香族烴基、或者經取代或未經取代之二價芳香族雜環基； <br/>m係0～4之整數，於m為0之情形時，L表示單鍵，於m為2以上之情形時，L可彼此相同亦可互不相同； <br/>Ar<sub>1</sub>表示取代之苯基或聯苯基，上述取代基為經取代或未經取代之二苯并呋喃基或咔唑基； <br/>Ar<sub>2</sub>表示經取代或未經取代之苯基或聯苯基； <br/>Ar<sub>3</sub>表示經取代或未經取代之芳香族烴基； <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="130px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="150px" width="111px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>於通式(3-1)及(3-2)中，Q<sub>1</sub>、Q<sub>2</sub>及Q<sub>3</sub>可彼此相同亦可互不相同，表示經取代或未經取代之芳香族烴、或者經取代或未經取代之芳香族雜環； <br/>X<sub>2</sub>表示B、P、P=O、或P=S； <br/>Y<sub>1</sub>、Y<sub>2</sub>及Y<sub>3</sub>可彼此相同亦可互不相同，表示N-R<sub>3</sub>、C-R<sub>4</sub>R<sub>5</sub>、O、S、Se、或Si-R<sub>6</sub>R<sub>7</sub>，R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>可彼此相同亦可互不相同，表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或分支狀之烷基、可具有取代基之碳原子數5～10之環烷基、可具有取代基之碳原子數2～6之直鏈狀或分支狀之烯基、可具有取代基之碳原子數1～6之直鏈狀或分支狀之烷氧基、可具有取代基之碳原子數5～10之環烷氧基、經取代或未經取代之芳香族烴基、經取代或未經取代之芳香族雜環基、或者經取代或未經取代之芳氧基；又，R<sub>4</sub>與R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>與R<sub>7</sub>各個基彼此可經由單鍵、經取代或未經取代之亞甲基、氧原子、硫原子、或者單取代胺基彼此鍵結而形成環，於Y<sub>1</sub>、Y<sub>2</sub>及Y<sub>3</sub>為N-R<sub>3</sub>、C-R<sub>4</sub>R<sub>5</sub>、或Si-R<sub>6</sub>R<sub>7</sub>之情形時，R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>可分別與相鄰之Q<sub>1</sub>、Q<sub>2</sub>或Q<sub>3</sub>經由單鍵、經取代或未經取代之亞甲基、氧原子、硫原子、或者單取代胺基彼此鍵結而形成環。
如請求項1之有機電致發光元件，其中，含有上述通式(1)所表示之三芳香胺化合物之層係第二電洞傳輸層。
如請求項1之有機電致發光元件，其中，於上述通式(1)中，R<sub>1</sub>係上述通式(2-1)，R<sub>2</sub>係上述通式(2-2)。
如請求項1之有機電致發光元件，其中，於上述通式(1)中，R<sub>1</sub>係上述通式(2-2)，R<sub>2</sub>係上述通式(2-1)。
如請求項1至4中任一項之有機電致發光元件，其中，上述藍色發光層係含有在分子中具有芘骨架之芘衍生物。
如請求項1至4中任一項之有機電致發光元件，其中，上述藍色發光層係含有在分子中具有蒽骨架之蒽衍生物。
一種熱硬化性膜，係含有黏合劑(a)、環氧樹脂(b1)、熱硬化劑(b2)、硬化促進劑(c)、以及層狀化合物(z)； <br/>前述硬化促進劑(c)係擔載於前述層狀化合物(z)而形成硬化促進劑複合體(y)。
如請求項1所記載之熱硬化性膜，其中前述層狀化合物(z)為磷酸鋯。
如請求項1或2所記載之熱硬化性膜，其中前述熱硬化性膜為膜狀接著劑。
如請求項1或2所記載之熱硬化性膜，其中前述熱硬化性膜係用以於半導體晶片之內面形成保護膜之保護膜形成膜。
一種複合片，係具備支撐片、以及設置於前述支撐片的一面上之熱硬化性膜； <br/>前述熱硬化性膜係如請求項1至4中任一項所記載之熱硬化性膜。
如請求項5所記載之複合片，其中前述支撐片係由基材膜所構成； <br/>前述熱硬化性膜係直接接觸於前述基材膜而設置。
一種半導體裝置之製造方法，係具有如下步驟： <br/>將如請求項1至4中任一項所記載之熱硬化性膜的一面、或如請求項5或6所記載之複合片中之前述熱硬化性膜的露出面貼附於半導體晶圓的內面之步驟； <br/>若為利用前述複合片之情形時，於前述複合片中之前述支撐片上，將前述半導體晶圓分割成半導體晶片，沿著前述半導體晶圓的分割部位切斷前述熱硬化性膜，若為利用未構成前述複合片之前述熱硬化性膜之情形時，於前述熱硬化性膜的另一面貼附切割片之後，於前述切割片上將前述半導體晶圓分割成半導體晶片，沿著前述半導體晶圓的分割部位切斷前述熱硬化性膜，藉此製作由具備有前述半導體晶片、以及設置於前述半導體晶片的內面之切斷後的前述熱硬化性膜而成之具熱硬化性膜之半導體晶片之步驟； <br/>將前述具熱硬化性膜之半導體晶片自前述切割片或支撐片扯離而拾取之步驟；以及 <br/>將所拾取之前述具熱硬化性膜之半導體晶片中之前述熱硬化性膜貼附於基板的電路形成面，藉此將前述具熱硬化性膜之半導體晶片接著於前述電路形成面之步驟。
一種半導體裝置的製作方法，包括：<br/> 在一III-V族化合物半導體層上形成一III-V族化合物阻障層；<br/> 在該III-V族化合物阻障層上形成一保護層；<br/> 形成一開口，該開口在一垂直方向上貫穿該保護層且暴露出該III-V族化合物阻障層的一部分；<br/> 在該開口中形成一P型摻雜III-V族化合物材料；<br/> 在該P型摻雜III-V族化合物材料上形成一圖案化阻障層，其中該圖案化阻障層與該P型摻雜III-V族化合物材料之間的接觸面積小於該P型摻雜III-V族化合物材料的上表面的面積；以及<br/> 在該圖案化阻障層、該P型摻雜III-V族化合物材料以及該保護層上形成一第二介電層。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，其中形成該P型摻雜III-V族化合物材料的方法包括：<br/> 形成一P型摻雜III-V族化合物層，其中該P型摻雜III-V族化合物層的一部分形成在該開口中，且該P型摻雜III-V族化合物層的另一部分形成在該開口之外且形成在該保護層上；以及<br/> 對該P型摻雜III-V族化合物層進行一平坦化製程，用以移除形成在該開口之外的該P型摻雜III-V族化合物層，其中在該平坦化製程之後保留在該開口中的該P型摻雜III-V族化合物層成為該P型摻雜III-V族化合物材料。
如請求項2所述之半導體裝置的製作方法，其中在該平坦化製程之後，該P型摻雜III-V族化合物材料的該上表面與該保護層的上表面共平面。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，其中形成該圖案化阻障層的方法包括：<br/> 在該P型摻雜III-V族化合物材料以及該保護層上形成一阻障層；<br/> 在該阻障層上形成一遮罩層；<br/> 進行一第一蝕刻製程，其中該遮罩層被該第一蝕刻製程蝕刻而成為一圖案化遮罩層；以及<br/> 以該圖案化遮罩層為蝕刻遮罩進行一第二蝕刻製程，其中該阻障層被該第二蝕刻製程蝕刻而成為該圖案化阻障層。
如請求項4所述之半導體裝置的製作方法，其中該第二蝕刻製程包括等向性蝕刻製程。
如請求項4所述之半導體裝置的製作方法，其中形成在該保護層上的該阻障層被該第一蝕刻製程移除，該阻障層的一部分位於該圖案化遮罩層與該P型摻雜III-V族化合物材料之間且被該第二蝕刻製程部分移除。
如請求項4所述之半導體裝置的製作方法，其中形成在該保護層上的該阻障層被該第二蝕刻製程移除。
如請求項4所述之半導體裝置的製作方法，其中該圖案化遮罩層在該圖案化阻障層形成之後被移除。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，還包括：<br/> 在形成該保護層之前，在該III-V族化合物阻障層上形成一第一介電層，其中該保護層形成在該第一介電層上，且該開口還在該垂直方向上貫穿該第一介電層。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，其中該第二介電層直接接觸該圖案化阻障層的上表面、該P型摻雜III-V族化合物材料的該上表面以及該保護層的上表面。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，還包括：<br/> 在該圖案化阻障層上形成一閘極電極，其中該閘極電極通過該圖案化阻障層而與該P型摻雜III-V族化合物材料電性連接。
如請求項1所述之半導體裝置的製作方法，還包括：<br/> 形成一接觸結構在該垂直方向上貫穿該保護層，其中該接觸結構與該III-V族化合物半導體層電性連接。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一III-V族化合物半導體層；<br/> 一III-V族化合物阻障層，設置在該III-V族化合物半導體層上；<br/> 一保護層，設置在該III-V族化合物阻障層上；<br/> 一開口，在一垂直方向上貫穿該保護層；<br/> 一P型摻雜III-V族化合物材料，設置該開口中；<br/> 一圖案化阻障層，設置在該P型摻雜III-V族化合物材料上，其中該圖案化阻障層與該P型摻雜III-V族化合物材料之間的接觸面積小於該P型摻雜III-V族化合物材料的上表面的面積，且該P型摻雜III-V族化合物材料的該上表面與該保護層的上表面共平面；以及<br/> 一第二介電層，設置在該圖案化阻障層、該P型摻雜III-V族化合物材料以及該保護層上，其中該第二介電層直接接觸該圖案化阻障層的上表面、該P型摻雜III-V族化合物材料的該上表面以及該保護層的該上表面。
如請求項13所述之半導體裝置，還包括：<br/> 一第一介電層，設置在該III-V族化合物阻障層與該保護層之間，其中該開口還在該垂直方向上貫穿該第一介電層。
如請求項13所述之半導體裝置，還包括：<br/> 一閘極電極設置在該圖案化阻障層上，其中該閘極電極通過該圖案化阻障層而與該P型摻雜III-V族化合物材料電性連接。
如請求項13所述之半導體裝置，還包括：<br/> 一接觸結構，在該垂直方向上貫穿該保護層且與該III-V族化合物半導體層電性連接。
一種連續移植用連續集合盆體，其係將複數之六角筒狀之個別盆體集合所成的連續移植用連續集合盆體，其特徵係具備： <br/>連續體，其係將連結片以第1折疊部呈對向方向按錯開連結片的整個寬度的1/2寬度的方式呈交錯狀地相互排列相同數量，並以非水溶性接著劑將該第1折疊部的兩側端部黏著於呈對向之該第1折疊部；其中，該連結片包含將帶狀之片材的寬度方向之兩側在同一片面上折疊1/6寬度，將所折疊內面以水溶性接著劑黏著而形成之第1折疊部，及與折疊之相反側，以跟已折疊之寬度相同的寬度折疊，將所折疊內面以水溶性黏著而形成之第2折疊部；及 <br/>個別盆體，其係於該第1折疊部及和該第1折疊部呈對向之該第1折疊部之間形成者； <br/>該連續體係具備：第1接續片，係黏著於該連續體之一端，由全長為形成該連結片之該片材之全長之約2/3的帶狀片材所形成，為蛇腹狀並變為3個山折，從一端依序形成第1折疊部、第2折疊部及第3折疊部，將該山折部分之內面以水溶性接著劑黏著而形成； <br/>第2接續片，係黏著於該連續體之另一端，由全長為形成該連結片之該片材之全長之約1/2的帶狀片材所形成，為蛇腹狀並變為2個山折，形成第1折疊部及第2折疊部，將該山折部分之內面以水溶性接著劑黏著而形成； <br/>該第1接續片，係從該片材之一端使約3/4的寬度變為約均等寬度之蛇腹狀並變為2個山折，從此一端依序形成該第1折疊部及該第2折疊部，且從該片材之另一端使約1/4的寬度變為均等寬度之山折，形成該第3折疊部； <br/>該第2接續片，係使該片材為三等份之蛇腹狀並變為2個山折，從而形成該第1折疊部及該第2折疊部； <br/>將該第1接續片之該第1折疊部之兩側端部，與該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部之兩側端部以非水溶性接著劑黏著，在該連結片之該第1折疊部以及與該第1折疊部呈對向的該第1接續片之該第1折疊部之間形成個別盆體； <br/>將該第2接續片之該第1折疊部之兩側端部，與該連續體之另一端所配置該連結片之該第1折疊部之兩側端部以非水溶性接著劑黏著，在該連結片之該第1折疊部以及與該第1折疊部呈對向的該第2接續片之該第1折疊部之間形成個別盆體； <br/>該第1接續片之該第1折疊部之端部，係位於對向黏著之該連結片之約中央處； <br/>該第2接續片之該第1折疊部之端部，係位於對向黏著之該連結片之約中央處； <br/>將該連續體交互地保持頂面方向狀態下180度翻轉而使多數重疊的同時，在重疊的該連續體相互之間以水溶性接著劑黏著； <br/>上段之該連續體之個別盆體以位於下段之該連續體中相鄰的2個個別盆體的中間位置的方式呈交錯狀地排列； <br/>將一邊的該連續體所設置該第1接續片之該第3折疊部，與另一邊的該連續體所設置該第2接續片之該第2折疊部以非水溶性接著劑黏著； <br/>與一邊之該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部呈對向的該第1接續片之該第1折疊部之間形成的該個別盆體的中心部，以及與另一邊之該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部呈對向的該第2接續片之該第1折疊部之間形成的該個別盆體的中心部，係排列為交錯狀。
如請求項1所述之連續移植用連續集合盆體，其中，該連結片，在六角筒狀之該個別盆體之稜的位置形成騎縫孔。
一種連續移植用連續集合盆體之製造方法，其係將複數之六角筒狀之個別盆體集合變成連續移植用連續集合盆體的製造方法，其特徵係包含： <br/>第一次步驟，係形成包含第1折疊部與第2折疊部的連結片；其中，第1折疊部，係將帶狀之片材的寬度方向之兩側，在同一片面上折疊1/6寬度，將所折疊內面以水溶性接著劑黏著而形成者；第2折疊部，係將於該折疊之相反側，以跟已折疊之寬度相同的寬度折疊，將所折疊內面以水溶性接著劑黏著而形成者； <br/>第二次步驟，係將該第1折疊部呈對向方向按錯開連結片的整個寬度的1/2寬度的方式呈交錯狀地相互排列相同數量，並以非水溶性接著劑將該第1折疊部的兩側端部黏著於呈對向之該第1折疊部形成連續體的同時，在該第1折疊部及和該第1折疊部呈對向之該第1折疊部之間形成個別盆體； <br/>第三次步驟，係將該連續體交互地保持頂面方向狀態下180度翻轉而使多數重疊的同時，在重疊的該連續體相互之間以水溶性接著劑黏著； <br/>其中，該第二次步驟係包含將第1接續片黏著於該連續體之一端，並將第2接續片黏著於該連續體之另一端的步驟；該第1接續片，由全長為形成該連結片之該片材之全長之約2/3的帶狀片材所形成，為蛇腹狀並變為3個山折，從一端依序形成第1折疊部、第2折疊部及第3折疊部，將該山折部分之內面以水溶性接著劑黏著而形成； <br/>該第2接續片，由全長為形成該連結片之該片材之全長之約1/2的帶狀片材所形成，為蛇腹狀並變為2個山折，形成第1折疊部及第2折疊部，將該山折部分之內面以水溶性接著劑黏著而形成；且 <br/>該第1接續片，係從該片材之一端使約3/4的寬度變為約均等寬度之蛇腹狀並變為2個山折，從此一端依序形成該第1折疊部及該第2折疊部，且從該片材之另一端使約1/4的寬度變為均等寬度之山折，形成該第3折疊部； <br/>該第2接續片，係使該片材為三等份之蛇腹狀並變為2個山折，從而形成該第1折疊部及該第2折疊部； <br/>將該第1接續片之該第1折疊部之兩側端部，與該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部之兩側端部以非水溶性接著劑黏著，在該連結片之該第1折疊部以及與該第1折疊部呈對向的該第1接續片之該第1折疊部之間形成個別盆體； <br/>將該第2接續片之該第1折疊部之兩側端部，與該連續體之另一端所配置該連結片之該第1折疊部之兩側端部以非水溶性接著劑黏著，在該連結片之該第1折疊部以及與該第1折疊部呈對向的該第2接續片之該第1折疊部之間形成個別盆體； <br/>該第1接續片之該第1折疊部之端部，係位於對向黏著之該連結片之約中央處； <br/>該第2接續片之該第1折疊部之端部，係位於對向黏著之該連結片之約中央處； <br/>該第三次步驟係包含：將一邊的該連續體所設置該第1接續片之該第3折疊部，與另一邊的該連續體所設置該第2接續片之該第2折疊部以非水溶性接著劑黏著； <br/>與一邊之該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部呈對向的該第1接續片之該第1折疊部之間形成的該個別盆體的中心部，以及與另一邊之該連續體之一端所設置該連結片之該第1折疊部呈對向的該第2接續片之該第1折疊部之間形成的該個別盆體的中心部，係排列為交錯狀； <br/>一邊之該連續體之個別盆體以位於另一邊之該連續體中相鄰的2個個別盆體的中間位置的方式呈交錯狀地排列。
如請求項3所述之連續移植用連續集合盆體之製造方法，其中，於該第二次步驟，該連結片，於六角筒狀之該個別盆體之稜的位置形成騎縫孔。
一種生成物去除裝置，其特徵在於，具備：<br/>感測器，係用於測量真空泵的內部的溫度、或前述真空泵內的流路上的生成物的膜厚、或前述真空泵的振動頻率；<br/>氣體供給裝置，係用於對前述真空泵供給包含鹵化氫、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的氣體；以及<br/>控制裝置；<br/>前述控制裝置係依據由前述感測器所測量出的前述溫度而計算出的升溫速度、或前述膜厚、或前述振動頻率，控制前述氣體供給裝置停止對前述真空泵供給前述氣體。
如請求項1所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述感測器係具備用於測量前述真空泵的內部的前述溫度的溫度感測器；<br/>前述控制裝置係依據由前述感測器所測量出的前述溫度而計算前述升溫速度，前述升溫速度開始減少時或前述升溫速度從預定升溫速度以上成為預定升溫速度以下時，控制前述氣體供給裝置停止對前述真空泵供給前述氣體。
如請求項2所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述溫度感測器係具有用於配置在前述真空泵的轉子的下游側的溫度測量部。
如請求項1至3中任一項所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述感測器係具備用於測量前述真空泵內的流路上的生成物的膜厚的膜厚計；<br/>膜厚計所測量出的前述膜厚成為預定厚度以下時，前述控制裝置係控制前述氣體供給裝置停止對前述真空泵供給前述氣體。
如請求項4所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述膜厚計為光學式膜厚計；<br/>前述光學式膜厚計係具有用於射出光的入射光纖及用於接收前述光反射後的反射光的接收光纖，且前述光學式膜厚計係構成為依據前述接收光纖所接收到的前述反射光而求出前述膜厚。
如請求項1至3中任一項所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述感測器係具備用於測量前述真空泵的振動頻率的振動測量器；<br/>前述振動測量器所測量出的前述振動頻率收斂於預定範圍時，前述控制裝置係控制前述氣體供給裝置停止對前述真空泵供給前述氣體。
如請求項1至3中任一項所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述氣體供給裝置係具有用於調整對前述真空泵供給的前述氣體的流量的閥；<br/>前述控制裝置係控制前述閥而停止對前述真空泵供給前述氣體。
如請求項1至3中任一項所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述氣體供給裝置係具備用於生成前述氟自由基的電漿源。
如請求項8所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述電漿源係構成為從三氟化氮、六氟化硫或四氟碳生成前述氟自由基。
如請求項8所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述氣體供給裝置係具備減壓器，該減壓器係位於前述電漿源的下游側，且構成為將前述電漿源的內部的壓力保持在10Torr以上。
如請求項8所述之生成物去除裝置，其中，<br/>前述氣體供給裝置係具備配管，該配管係位於前述電漿源的下游，並被覆氧化鋁層或絕緣層。
一種處理系統，係具備：<br/>腔室；<br/>真空泵；<br/>用於連接前述腔室與前述真空泵的配管；以及<br/>連接於前述配管之請求項1至3中任一項所述之生成物去除裝置。
如請求項12所述之處理系統，<br/>更具備位於前述真空泵的下游的無害化裝置。
一種生成物去除方法，係具有下列步驟：<br/>對真空泵供給包含鹵化氫、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的氣體的步驟；<br/>測量前述真空泵的內部的溫度、或前述真空泵內的流路上的生成物的膜厚、或前述真空泵的振動頻率的步驟；以及<br/>依據由前述溫度所計算出的升溫速度、或前述膜厚、或前述振動頻率，停止對前述真空泵供給前述氣體的步驟。
一種凝聚處理裝置，其特徵在於，具有： <br/>凝聚劑添加裝置，向配管或凝聚槽中添加凝聚劑； <br/>凝聚狀態監測感測器，以與配管或凝聚槽的凝聚液相接的方式設置；以及 <br/>控制器，基於所述凝聚狀態監測感測器的檢測值，控制所述凝聚劑添加裝置， <br/>所述凝聚狀態監測感測器具有向水中照射雷射光的照射部及接收散射光的受光部， <br/>所述控制器根據散射光的受光訊號強度的時間性變化來判斷所述配管或凝聚槽內的絮凝物形成狀態，所述凝聚處理裝置中， <br/>所述控制器使用包含受光訊號強度的受光訊號強度資訊，對包含受光訊號強度變化幅度的受光訊號強度變化幅度資訊進行修正，並基於所述受光訊號強度變化幅度資訊的修正值來判斷絮凝物形成狀態， <br/>所述控制器基於不同的多個時間點的恰當凝聚狀態下的受光訊號強度資訊和與其對應的多個受光訊號強度變化幅度資訊的相關關係，且基於控制時間點下的受光訊號強度資訊來修正受光訊號變化幅度資訊，並基於所述受光訊號變化幅度資訊的修正值來判斷絮凝物形成狀態。
一種凝聚處理裝置，其特徵在於，具有： <br/>凝聚劑添加裝置，向配管或凝聚槽中添加凝聚劑； <br/>凝聚狀態監測感測器，以與配管或凝聚槽的凝聚液相接的方式設置；以及 <br/>控制器，基於所述凝聚狀態監測感測器的檢測值，控制所述凝聚劑添加裝置， <br/>所述凝聚狀態監測感測器具有向水中照射雷射光的照射部及接收散射光的受光部， <br/>所述控制器根據散射光的受光訊號強度的時間性變化來判斷所述配管或凝聚槽內的絮凝物形成狀態，所述凝聚處理裝置中， <br/>所述控制器使用包含受光訊號強度的受光訊號強度資訊，對包含受光訊號強度變化幅度的受光訊號強度變化幅度資訊進行修正，並基於所述受光訊號強度變化幅度資訊的修正值來判斷絮凝物形成狀態， <br/>所述控制器基於絮凝物形成狀態測量時間區域的始期與終期之間的受光訊號強度變化幅度的平均值與平均受光訊號強度之比來判斷絮凝物形成狀態。
如請求項2所述的凝聚處理裝置，其中，所述控制器以使所述受光訊號強度變化幅度的平均值與平均受光訊號強度之比成為第一規定值以上且第二規定值以下的方式進行凝聚劑添加控制。
如請求項1至請求項3中任一項所述的凝聚處理裝置，其中，所述受光訊號強度變化幅度是於表示受光訊號強度的經時變化的圖表中，任意的極大值與在表示所述極大值的時刻的最近之前或之後出現的極小值之差。
如請求項1至請求項3中任一項所述的凝聚處理裝置，其中，所述受光訊號強度變化幅度是於表示受光訊號強度的經時變化的圖表中，任意的極大值與表示所述極大值的時刻最近前後的極小值的平均值之差。
如請求項2或請求項3所述的凝聚處理裝置，其中，所述平均受光訊號強度是於表示受光訊號強度的經時變化的圖表中，將所述絮凝物形成狀態測量時間區域的自始期至終期為止的受光訊號強度的積分值除以所述自始期至終期為止的時間而得的值。
一種靜電元件包括： <br/> 一個上面的矽層； <br/> 一個下面的矽層； <br/> 一個埋入層，包括二氧化矽，設置在上下矽層之間； <br/> 一個從上面打開的射束孔洞通過上矽層； <br/> 一個從下面打開的射束孔洞通過下矽層； <br/> 一個電絕緣層包裹住上下矽層； <br/> 一個電極，包括位於第一個矽結構周圍的電絕緣層表面的第一個導電層；以及 <br/> 一個接地結構，包括位於第二個矽結構周圍的電絕緣層表面的第二個導電層； <br/> 其中： <br/> 上層孔洞的中心軸對準下層孔洞的中心軸； <br/> 第一個電極和其側的接地結構是靠一條在上層矽層中的微型溝渠從形體上分離的，而它們之間的導電隔離是靠在絕緣埋層中或附近的一條微型溝渠的微型底切橫槽實施的；以及 <br/> 第一個電極構成上層射束孔洞的一部份。
如請求項1所述之靜電元件進一步包括： <br/> 一個下層導電層位於包裹下層矽層的絕緣層的部份表面。
如請求項2所述之靜電元件中： <br/> 下面導電層和第一個電極在型體上的分離和導電的隔離是靠另一條微型底切橫槽實施的。
如請求項2所述之靜電元件中： <br/> 第一個電極低於其側的接地結構。
如請求項1所述之靜電元件進一步包括： <br/> 一個或多個電極，在這一個或多個電極中， <br/> 包括位於第三個矽結構周圍的電絕緣層表面的第三個導電層；其導電層: <br/> 至少覆蓋的束上孔洞的一部份表面；以及 <br/> 和其側的接地結構是靠一條在上層矽層中的微型溝渠從形體上分離的，而它們之間的導電隔離是靠在絕緣埋層中或附近的一條微型底切橫槽實施的。
如請求項1所述之靜電元件中： <br/> 第一個電極具有一個狹長的島嶼形狀，它的一端構成射束孔洞的一部份，它的另一端構成在元件邊緣的電極觸墊。
如請求項6所述之靜電元件中： <br/> 狹長的島嶼結構包括受支撐錨支撐的部份懸垂的結構。
如請求項1所述之靜電元件中： <br/> 上層射束孔洞的直徑小於下層射束孔洞的直徑，這樣上層電極的一端就懸垂在下層孔洞上。
如請求項1所述之靜電元件中： <br/> 下層的射束孔洞有一個外圍的微型柵欄和一條微型溝渠，其中下層的微型柵欄位於上層矽結構的下面，由一條微型底切橫槽將其在型體上和導電上與上層的矽結構分離。
如請求項9所述之靜電元件中： <br/> 下層的微型柵欄是被懸垂的微型橋樑連接在下層矽層上的。
一種製造靜電元件的方法，該方法包括： <br/> 製造開始用的晶圓包括一個上面的矽層，一個下面的矽層，以及一個埋藏在上下矽層中間的電絕緣層； <br/> 在上面矽層形成一個射束孔洞，一條或多條微型溝渠和或者微型溝渠的微型底切橫槽； <br/> 在下面矽層形成一個射束孔洞，一條或多條微型溝渠，微型柵欄，微型橋樑，和或者微型溝渠的微型底切橫槽； <br/> 用一層電絕緣層包覆所有結構的表面；以及 <br/> 在暴露的結構表面沉積一層導電材料層。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 埋藏絕緣層包括熱生長的二氧化矽。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 形成一條微型溝渠，該溝渠是由深層離子蝕刻(DRIE)的製程形成的，蝕刻過程中用的遮罩層可包括至少一層的光阻，二氧化矽，鋁或者沉積形成的聚合材料。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 形成微型底切橫槽包括時間控制的矽蝕刻和/或時間控制的二氧化矽蝕刻。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 用絕緣層包覆表面包括熱生長二氧化矽層。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 用絕緣層包覆表面包括原子層沉積製成的氧化鋁。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 在暴露的表面上沉積導電層包括使用由微型溝渠和微型底切橫槽提供的陰影遮罩效應。
如請求項11所述的方法，其中： <br/> 在暴露的表面上沉積導電層包括使用濺鍍製程。
如請求項11所述的方法，其中還包括： <br/> 使用蝕刻來切割晶片。
一種製造靜電元件的方法，包括： <br/> 在第一矽晶圓中形成矽凹槽； <br/> 在第二個矽晶片上熱生長二氧化矽； <br/> 將第一矽片接合到第二矽片上以形成上面矽層、下面矽層以及設置在上面矽層和下面矽層之間的埋入層； <br/> 形成上層的射束孔洞和在上矽層的微型溝渠； <br/> 形成下層的射束孔洞和在下矽層的微型溝渠； <br/> 分割上下矽晶圓形成晶片； <br/> 通過晶片的熱氧化將所有的矽表面包覆上一層電絕緣層；以及 <br/> 在暴露的表面上沉積導電層。
如請求項20所述之方法進一步包括：用蝕刻來切割晶片。
一種支座組件，包括：<br/> 一基板支撐件，該基板支撐件具有一支撐表面及一外周邊壁架，該支撐表面具有一支撐表面外邊緣，該外周邊壁架具有一壁架頂部表面及一壁架外周邊面，該外周邊壁架具有從該壁架外周邊面徑向向內延伸進入該基板支撐件的複數個在圓周上間隔的沖洗出口，該壁架頂部表面在該支撐表面下方；及<br/> 一沖洗環，該沖洗環具有界定該沖洗環的一厚度的一內直徑面及一外直徑面，及界定該沖洗環的一高度的一頂部表面及一底部表面，該沖洗環包括延伸穿過該厚度且與該複數個在圓周上間隔的沖洗出口在圓周上對齊的複數個孔，其中該基板支撐件及該沖洗環進一步包括互補對齊特徵，該等互補對齊特徵經配置以協作地相互作用以將該複數個孔與該複數個在圓周上間隔的沖洗出口對齊。
如請求項1所述之支座組件，其中該複數個孔具有在6至36個的一範圍的孔。
如請求項1所述之支座組件，其中該沖洗環中的該等孔之每一者與該基板支撐件中的該等在圓周上間隔的沖洗出口之其中一者對齊。
如請求項1所述之支座組件，其中該沖洗環進一步包括一熱膨脹特徵。
如請求項1所述之支座組件，其中該沖洗環可從該基板支撐件移除。
如請求項1所述之支座組件，其中該沖洗環具有在1 mm至5 mm的一範圍的一厚度。
如請求項1所述之支座組件，其中在該基板支撐件及該沖洗環在攝氏375度的一溫度下時，該沖洗環具有比該壁架外周邊面的一外直徑大0.5 mil至5 mil的一範圍的一內直徑。
如請求項1所述之支座組件，其中該沖洗環中的該複數個孔之每一者具有在10 mil至80 mil的範圍的一水力直徑。
如請求項1所述之支座組件，其中該複數個孔之每一者為具有在20 mil至50 mil的一範圍的一直徑的圓。
如請求項9所述之支座組件，其中該複數個孔之每一者在該外直徑面中具有比該內直徑面大的一開口，且該等孔之每一者的該直徑是在該內直徑面測量的。
如請求項1所述之支座組件，進一步包括一支撐基座，該支撐基座具有一頂部表面，該基板支撐件具有在該基板支撐件的一底部表面中形成的複數個凹部，使得在該基板支撐件連接至該支撐基座時，該複數個凹部形成複數個通道以允許一氣體流經該基板支撐件至該複數個在圓周上間隔的沖洗出口。
如請求項11所述之支座組件，進一步包括一邊緣環，該邊緣環被放置於該支撐基座的該頂部表面的一外周邊部分上，該邊緣環具有一沖洗面，該沖洗面在該壁架頂部表面上向內延伸至一沖洗內面，該沖洗內面與該支撐表面外邊緣間隔一距離，以形成該壁架外周邊面之間，穿過該沖洗環，且在該壁架頂部表面及該沖洗面之間且在該支撐表面外邊緣及沖洗內面之間的一邊緣沖洗流動路徑。
如請求項12所述之支座組件，其中流經該邊緣沖洗流動路徑的一氣體具有比流經沒有該沖洗環的該邊緣沖洗流動路徑的一氣體高出大於或等於攝氏15度的一溫度。
如請求項1所述之支座組件，其中該基板支撐件包括一加熱器。
一種用於一基板支撐支座的沖洗環，該沖洗環包括：<br/> 界定該沖洗環的一厚度於1 mm至5 mm的一範圍的一內直徑面及一外直徑面，界定該沖洗環的一高度的一頂部表面及一底部表面，及一熱膨脹特徵；<br/> 複數個孔，該複數個孔在6至36個孔的一範圍，該複數個孔之每一者具有一圓形，該圓形具有在20 mil至50 mil的一範圍的一直徑，該複數個孔之每一者延伸穿過該沖洗環的該厚度且與該基板支撐支座中的複數個在圓周上間隔的沖洗出口在圓周上對齊，其中該基板支撐支座及沖洗環包括互補對齊特徵，該等互補對齊特徵經配置以協作地相互作用以將該複數個孔與該複數個在圓周上間隔的沖洗出口對齊；及<br/> 一內直徑，在該基板支撐支座及該沖洗環在攝氏375度的一溫度下時，該內直徑在比該基板支撐支座的一壁架外周邊面的一外直徑大0.5 mil至5 mil的一範圍。
一種用於傳遞腫瘤治療場至受試者的身體之傳感器設備，所述傳感器設備包括： <br/>一陣列的複數個電極元件； <br/>其中所述複數個電極元件包括第一電極元件以及第二電極元件，其中所述第一電極元件以及所述第二電極元件實質位於所述傳感器設備的一平面中；以及 <br/>當從垂直於所述平面的方向觀看時， <br/>所述第一電極元件以及所述第二電極元件具有位於相鄰彼此處的邊緣，而在所述第一電極元件以及所述第二電極元件之間無任何其它電極，其中所述第一電極元件以及所述第二電極元件的所述邊緣沿著其長度平行於彼此而延伸，且所述邊緣中的每一個邊緣是實質上直的邊緣部分，其位於對應的電極元件的兩個圓弧的角落之間。
如請求項1之傳感器設備，其中所述第一電極元件的所述邊緣具有大於所述第一電極元件的周長的5%的長度，並且所述第二電極元件的所述邊緣具有大於所述第二電極元件的周長的5%的長度。
如請求項1之傳感器設備，其中在所述陣列中的所述複數個電極元件中的至少一個電極元件具有方形、矩形、或六角形的形狀、或是具有一或多個圓弧的角落的實質上方形、矩形、或六角形的形狀；或者在所述陣列中的所述複數個電極元件中的至少一個電極元件具有三角形的形狀、具有圓弧的角落的實質上三角形的形狀、截頭三角形的形狀、具有圓弧的角落的實質上截頭三角形的形狀、楔形的形狀、具有圓弧的角落的實質上楔形的形狀、截頭楔形的形狀、或是具有圓弧的角落的實質上截頭楔形的形狀。
如請求項1之傳感器設備，其中所述第一電極元件具有： <br/>第二邊緣；以及 <br/>至少一圓弧的邊緣，其在所述第一電極元件的一端連接所述第一電極元件的所述邊緣至所述第二邊緣。
如請求項4之傳感器設備，其中所述第一電極元件的所述邊緣以及所述第二邊緣實質平行。
如請求項4之傳感器設備，其中所述第一電極元件的所述邊緣以及所述第二邊緣並未實質平行。
如請求項1之傳感器設備，其中在所述陣列中的所述複數個電極元件中的至少一個電極元件從所述陣列的中央部分朝向所述陣列的外周邊延伸。
如請求項1之傳感器設備，其中在所述陣列中的所述複數個電極元件是電容性耦合的。
如請求項1之傳感器設備，其中在所述陣列中的所述複數個電極元件並非電容性耦合的。
一種用於傳遞腫瘤治療場至受試者的身體之傳感器設備，所述傳感器設備包括： <br/>第一電極元件，其具有第一邊緣； <br/>第二電極元件，其電耦接至所述第一電極元件，所述第二電極元件具有第二邊緣； <br/>其中所述第一電極元件以及所述第二電極元件實質位於所述傳感器設備的一平面中；以及 <br/>當從垂直於所述平面的方向觀看時， <br/>所述第一邊緣位於接近至所述第二邊緣之處；以及 <br/>從所述第一邊緣至所述第二邊緣的距離沿著所述第一邊緣的長度及所述第二邊緣的長度呈現不均勻的距離， <br/>其中所述第一電極元件以及所述第二電極元件是非圓形的。
如請求項10之傳感器設備，其中所述第一邊緣以及所述第二邊緣都是線性的。
如請求項10之傳感器設備，其中當平分線被畫在所述第一邊緣以及所述第二邊緣之間時，沿著所述第一邊緣的長度及所述第二邊緣的長度，在垂直於所述平分線的方向上量測的從所述第一邊緣至所述平分線的距離等於在垂直於所述平分線的所述方向上量測的從所述第二邊緣至所述平分線的距離。
如請求項10之傳感器設備，其中： <br/>所述第一邊緣以及所述第二邊緣分別從所述傳感器設備的中央部分朝向所述傳感器設備的外周邊延伸；以及 <br/>從所述第一邊緣至所述第二邊緣的所述距離沿著所述第一邊緣的長度及所述第二邊緣的長度，從所述傳感器設備的所述中央部分朝向所述傳感器設備的所述外周邊減小。
如請求項10之傳感器設備，其中： <br/>所述第一邊緣以及所述第二邊緣分別從所述傳感器設備的中央部分朝向所述傳感器設備的外周邊延伸；以及 <br/>從所述第一邊緣至所述第二邊緣的所述距離沿著所述第一邊緣的長度及所述第二邊緣的長度，從所述傳感器設備的所述中央部分朝向所述傳感器設備的所述外周邊增加。
如請求項10之傳感器設備，其中從所述第一邊緣至所述第二邊緣的所述距離沿著所述第一邊緣的長度及所述第二邊緣的長度，從所述傳感器設備的中央部分朝向所述傳感器設備的外周邊增加。
一種用於傳遞腫瘤治療場至受試者的身體之傳感器設備，所述傳感器設備包括： <br/>一陣列的多個電極元件，所述陣列被配置以定位在所述受試者的身體之上，其中所述陣列的一面係面對所述受試者的身體； <br/>其中，當從垂直於所述陣列的所述面的方向觀看時， <br/>至少一電極元件位於接近所述陣列的中心部分，所述至少一電極元件包括： <br/>第一邊緣，其延伸在相對於所述陣列的所述中心部分的徑向向外的方向上； <br/>第二邊緣，其延伸在相對於所述陣列的所述中心部分的徑向向外的方向上；以及 <br/>圓弧的邊緣，其在所述電極元件的位於徑向遠離所述陣列的所述中心部分的一端連接所述第一邊緣至所述第二邊緣。
如請求項16之傳感器設備，其中所述多個電極元件繞著所述陣列的所述中心部分的周圍而配置。
如請求項16之傳感器設備，其中從所述第一邊緣至所述第二邊緣的距離朝向所述陣列的外周邊減小。
如請求項16之傳感器設備，其中從所述第一邊緣至所述第二邊緣的距離朝向所述陣列的外周邊增加。
一種組成物，其含有無機粒子、環狀矽氧烷化合物及前述環狀矽氧烷化合物以外的聚矽氧系界面活性劑， <br/>前述環狀矽氧烷化合物的含量相對於前述聚矽氧系界面活性劑的100質量份為0.01～10質量份。
如請求項1所述之組成物，其中 <br/>前述環狀矽氧烷化合物為由式（1）表示之化合物， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="419px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地表示氫原子、碳數為1～10的烷基或碳數為6～20的芳基，m表示3～20的整數。
如請求項1或請求項2所述之組成物，其中 <br/>前述環狀矽氧烷化合物含有選自八甲基環四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷及十二甲基環六矽氧烷中之至少1種。
一種組成物，其含有無機粒子、環狀矽氧烷化合物及前述環狀矽氧烷化合物以外的聚矽氧系界面活性劑， <br/>前述環狀矽氧烷化合物為選自八甲基環四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷及十二甲基環六矽氧烷中之至少1種， <br/>前述環狀矽氧烷化合物的含量相對於前述聚矽氧系界面活性劑的100質量份為0.01～10質量份。
如請求項1或請求項4所述之組成物，其含有2種以上前述環狀矽氧烷化合物。
如請求項1或請求項4所述之組成物，其中 <br/>前述組成物中的前述聚矽氧系界面活性劑的含量為1～2000質量ppm。
如請求項1或請求項4所述之組成物，其中 <br/>前述無機粒子包含二氧化矽粒子。
如請求項7所述之組成物，其中 <br/>前述二氧化矽粒子包含選自複數個球狀二氧化矽以念珠狀連接之形狀的二氧化矽粒子、複數個球狀二氧化矽以平面連接之形狀的二氧化矽粒子及中空結構的二氧化矽粒子中之至少1種。
如請求項1或請求項4所述之組成物，其中 <br/>前述組成物的總固體成分中的前述無機粒子的含量為20質量%以上。
一種膜，其使用請求項1或請求項4所述之組成物來獲得。
一種濾光器，其具有請求項10所述之膜。
一種光學感測器，其具有請求項10所述之膜。
一種圖像顯示裝置，其具有請求項10所述之膜。
一種結構體，其具有： <br/>支撐體； <br/>隔壁，使用設置於前述支撐體上之請求項1或請求項4所述之組成物來獲得；及 <br/>像素，設置於由前述隔壁劃分之區域。
一種製作高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)的方法，其特徵在於，包含：<br/> 形成一緩衝層於一基底上；<br/> 形成一阻障層於該緩衝層上；<br/> 形成一P型半導體層於該阻障層上；以及<br/> 形成一氮化鈦層於該P型半導體層上，其中該氮化鈦層之氮對鈦比例約為1.042，且該氮化鈦層之(200)晶面相對於(111)晶面之比例介於0.730至0.745之間。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 形成一保護層於該氮化鈦層以及該阻障層上；<br/> 去除該保護層以形成一開口；<br/> 形成一閘極電極於開口內；以及<br/> 形成一源極電極以及一汲極電極於該閘極電極兩側。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該緩衝層包含氮化鎵。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該阻障層包含氮化鋁鎵(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N)。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型半導體層包含P型氮化鎵。
一種高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)，其特徵在於，包含：<br/> 一緩衝層設於一基底上；<br/> 一阻障層設於該緩衝層上；<br/> 一P型半導體層設於該阻障層上；以及<br/> 一氮化鈦層設於該P型半導體層上，其中該氮化鈦層之氮對鈦比例約為1.042，且該氮化鈦層之(200)晶面相對於(111)晶面之比例介於0.730至0.745之間。
如申請專利範圍第6項所述之高電子遷移率電晶體，另包含：<br/> 一保護層設於該氮化鈦層以及該阻障層上；<br/> 一閘極電極設該保護層以及該P型半導體層上；以及<br/> 一源極電極以及一汲極電極設於該閘極電極兩側。
如申請專利範圍第6項所述之高電子遷移率電晶體，其中該緩衝層包含氮化鎵。
如申請專利範圍第6項所述之高電子遷移率電晶體，其中該阻障層包含氮化鋁鎵(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N)。
如申請專利範圍第6項所述之高電子遷移率電晶體，其中該P型半導體層包含P型氮化鎵。
一種聚三亞甲基醚二醇，其具有1.5至2.1之多分散性及100 ppmw或更小之水分含量。
如請求項1之聚三亞甲基醚二醇，其中該聚三亞甲基醚二醇具有1.7至2.0之多分散性。
如請求項1之聚三亞甲基醚二醇，其中該聚三亞甲基醚二醇具有45 ppmw或更小之一水分含量。
如請求項1之聚三亞甲基醚二醇，其中該聚三亞甲基醚二醇具有1500至3000之數目平均分子量。
如請求項1之聚三亞甲基醚二醇，其中該聚三亞甲基醚二醇具有100 ppmw或更小之一1,3-丙二醇含量。
一種用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其包含以下步驟： <br/>聚合1,3-丙二醇以製備包含聚三亞甲基醚二醇之一產物(步驟1)； <br/>在100至250℃之一溫度及100.0至10.0托之一壓力的條件下進行步驟1之該產物的薄膜蒸發(步驟2)；及 <br/>在150至350℃之一溫度及1.0至0.001托之一壓力的條件下進行步驟2之蒸發殘餘物之薄膜蒸發(步驟3)。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟1在選自由路易斯酸(Lewis acid)、布氏酸(Bronsted acid)、超強酸及其一混合物組成之群的一催化劑存在下進行。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟1在150℃至250℃下進行。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟2在180℃至230℃下進行。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟2在50.0至20.0托下進行。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟3在200℃至270℃下進行。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中步驟3之薄膜蒸發之該溫度等於或高於步驟2之薄膜蒸發之該溫度。
如請求項6之用於製備聚三亞甲基醚二醇之方法，其中該步驟3在0.01至0.1托下進行。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 提供一基底包含一單次可程式化元件區；<br/> 形成一淺溝隔離於該基底內；<br/> 形成一第一摻雜區於該淺溝隔離旁；<br/> 去除部分該淺溝隔離，其中在去部分該淺溝隔離之後，剩餘的該淺溝隔離具有一L形剖面；以及<br/> 形成一第一閘極結構於該基底以及該淺溝隔離上，其中該第一閘極結構包含：<br/> 一高介電常數介電層設於該基底上，其中該高介電常數介電層包含第一L形；以及<br/> 一閘極電極設於該高介電常數介電層上。
如申請專利範圍第1項所述之方法，另包含：<br/> 形成一高介電常數介電層於該基底之頂表面以及側壁；<br/> 形成一閘極材料層於該高介電常數介電層上；<br/> 圖案化該閘極材料層以及該高介電常數介電層以形成該第一閘極結構以及一第二閘極結構；<br/> 形成一側壁子於該第一閘極結構以及該第二閘極結構旁；<br/> 形成一第二摻雜區於該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間；<br/> 形成一層間介電層環繞該第一閘極結構以及該第二閘極結構；以及<br/> 進行一金屬閘極置換製程將該第一閘極結構以及該第二閘極結構轉換為第一金屬閘極以及第二金屬閘極。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一摻雜區接觸該第二摻雜區。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一摻雜區濃度小於該第二摻雜區濃度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一摻雜區接觸該高介電常數介電層。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一L形接觸該基底側壁。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該高介電常數介電層包含第二L形。
如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第二L形接觸該基底側壁以及該淺溝隔離頂表面。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一基底包含一單次可程式化元件區；<br/> 一淺溝隔離設於該基底內，其中該淺溝隔離具有一L形剖面；<br/> 一第一摻雜區設於該淺溝隔離旁；以及<br/> 一第一閘極結構設於該基底以及該淺溝隔離上，其中該第一閘極結構包含：<br/> 一高介電常數介電層設於該基底上，其中該高介電常數介電層包含第一L形；以及<br/> 一閘極電極設於該高介電常數介電層上。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一側壁子設於該第一閘極結構以及一第二閘極結構旁；<br/> 一第二摻雜區設於該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間；以及<br/> 一層間介電層環繞該第一閘極結構以及該第二閘極結構。
如申請專利範圍第11項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區接觸該第二摻雜區。
如申請專利範圍第11項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區包含相同導電型式。
如申請專利範圍第11項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區濃度小於該第二摻雜區濃度。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，其中該第一摻雜區接觸該高介電常數介電層。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，其中該第一L形接觸該基底頂表面及側壁。
如申請專利範圍第10項所述之半導體元件，其中該高介電常數介電層包含第二L形。
如申請專利範圍第17項所述之半導體元件，其中該第二L形接觸該基底側壁以及該淺溝隔離頂表面。
一種天線總成，其包含： <br/>一天線基座，其具有一饋電；及 <br/>一天線元件，其耦合到該天線基座，該天線元件包括一中央輻射元件；一第一側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件；及一第二側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件形成沿著一中央天線軸延伸的一十字型天線結構，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件為了高全向相符性而具有相對於該中央天線軸的徑向對稱； <br/>其中該天線基座的該饋電具有一十字型饋電狹槽，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件之多個饋電部包括多個饋電凸片，其接受在該十字型饋電狹槽中。
如請求項1所述之天線總成，其中該中央輻射元件界定出該中央軸前面的一前輻射器及該中央軸後面的一後輻射器，該第一側輻射元件界定出該中央軸之一第一側處的一第一側輻射器，且該第二側輻射元件界定出該中央軸之一第二側處的一第二側輻射器，該前輻射器、該後輻射器、該第一側輻射器、及該第二側輻射器為徑向對稱。
如請求項1所述之天線總成，其中該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件具有小於3dB之一全向相符性，且其中該天線元件為一寬頻天線元件，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件可在600兆赫（MHz）至700兆赫（MHz）之間之一低頻帶以及7000兆赫（MHz）至8000兆赫（MHz）之間之一高頻帶中操作。
如請求項1所述之天線總成，其中該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件在其底部處具有錐形。
如請求項1所述之天線總成，其中該天線基座具有包括一孔的一接頭本體，該天線基座具有一接受在該孔中的絕緣體，該絕緣體包括一絕緣體孔，該天線基座的該饋電接受在該絕緣體孔中，該接頭本體為電氣接地，該絕緣體將該饋電與該接頭本體隔離。
如請求項5所述之天線總成，其中該接頭本體包括一上凸緣，其具有一上表面；及一端緣，其從該上凸緣延伸，該端緣形成一凹部，該饋電延伸到該凹部中，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件之該等饋電部延伸到該凹部中以耦合到該饋電，該端緣係與該等饋電部間隔開一預定距離。
如請求項6所述之天線總成，其中該等饋電部為錐形以延伸到該凹部中。
如請求項1所述之天線總成，其中該第一側輻射元件係相同於該第二側輻射元件。
如請求項1所述之天線總成，其中： <br/>該中央輻射元件包括一主面板，其在該中央輻射元件之一頂部與一底部之間延伸，該中央輻射元件之該主面板具有一第一側與一第二側，該中央輻射元件之該主面板在該底部處具有一該饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該中央輻射元件之該主面板在該中央輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該中央輻射元件包括一前翼板，其從該主面板之一前邊緣延伸，該前翼板係橫向於該中央輻射元件之該主面板定向，該中央輻射元件包括一後翼板，其從該主面板之一後邊緣延伸，該後翼板係橫向於該中央輻射元件之該主面板定向； <br/>該第一側輻射元件係耦合到該中央輻射元件之該第一側，該第一側輻射元件具有在該第一側輻射元件之一頂部與一底部之間延伸的一主面板，該第一側輻射元件之該主面板在該底部處具有一該饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該第一側輻射元件之該主面板在該第一側輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該第一側輻射元件包括一第一側翼板，其從該主面板之一第一側邊緣延伸，該第一側翼板係橫向於該第一側輻射元件之該主面板定向； <br/>該第二側輻射元件係耦合到該中央輻射元件之該第二側，該第二側輻射元件具有在該第二側輻射元件之一頂部與一底部之間延伸的一主面板，該第二側輻射元件之該主面板在該底部處具有一該饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該第二側輻射元件之該主面板在該第二側輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該第二側輻射元件包括一第二側翼板，其從該主面板之一第二側邊緣延伸，該第二側翼板係橫向於該第二側輻射元件之該主面板定向。
如請求項9所述之天線總成，其中該第一側輻射元件和該第二側輻射元件在該中央輻射元件之該主面板之一中央軸處耦合到該中央輻射元件之該主面板。
如請求項9所述之天線總成，其中該等孔口係相互對位並相互敞開。
如請求項9所述之天線總成，其中該等饋電部為錐形，使得該等饋電部在該等主面板之該等底部處較狹窄。
如請求項9所述之天線總成，其中每個共振器部包括一分支，其包括一內支腳；及一外支腳，其與該內支腳分開一狹槽。
如請求項9所述之天線總成，其中該前翼板沿著該中央輻射元件之該主面板之該饋電部和該共振器部延伸，該後翼板沿著該中央輻射元件之該主面板之該饋電部和該共振器部延伸，該第一側翼板沿著該第一側輻射元件之該主面板之該饋電部和該共振器部延伸，該第二側翼板沿著該第二側輻射元件之該主面板之該饋電部和該共振器部延伸。
如請求項9所述之天線總成，其中該前翼板係相對於該中央輻射元件之該主面板以一銳角傾斜，該後翼板係相對於該中央輻射元件之該主面板以一銳角傾斜，該第一側翼板係相對於該第一側輻射元件之該主面板以一銳角傾斜，且該第二側翼板係相對於該第二側輻射元件之該主面板以一銳角傾斜。
如請求項9所述之天線總成，其中該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件形成一十字型天線結構。
一種天線總成，其包含： <br/>一天線罩，其具有一腔體； <br/>一天線基座，其具有包括具有一孔的一接頭本體，該天線基座具有一接受在該孔中的絕緣體，該絕緣體包括一絕緣體孔，該天線基座包括一接受在該絕緣體孔中的饋電，該接頭本體為電氣接地，該絕緣體將該饋電與該接頭本體隔離；及 <br/>一天線元件，其接受在該天線罩之該腔體中，該天線元件包括一中央輻射元件；一第一側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件；及一第二側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件，該中央輻射元件、該第一側輻射元件、及該第二側輻射元件形成耦合到該天線基座之該饋電的一十字型天線結構； <br/>該中央輻射元件具有在該中央輻射元件之一頂部與一底部之間延伸的一主面板，該中央輻射元件之該主面板具有一第一側和一第二側，該中央輻射元件之該主面板在耦合到該天線基座的該底部處具有一饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該中央輻射元件之該主面板在該中央輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該中央輻射元件包括一前翼板，其從該主面板之一前邊緣延伸，該前翼板係橫向於該中央輻射元件之該主面板定向，該中央輻射元件包括一後翼板，其從該主面板之一後邊緣延伸，該後翼板係橫向於該中央輻射元件之該主面板定向； <br/>該第一側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件之該第一側，該第一側輻射元件具有在該第一側輻射元件之一頂部與一底部之間延伸的一主面板，該第一側輻射元件之該主面板在耦合到該天線基座的該底部處具有一饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該第一側輻射元件之該主面板在該第一側輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該第一側輻射元件包括一第一側翼板，其從該主面板之一第一側邊緣延伸，該第一側翼板係橫向於該第一側輻射元件之該主面板定向； <br/>該第二側輻射元件，其耦合到該中央輻射元件之該第二側，該第二側輻射元件具有在該第二側輻射元件之一頂部與一底部之間延伸的一主面板，該第二側輻射元件之該主面板在耦合到該天線基座的該底部處具有一饋電部，並在該頂部處具有一共振器部，該第二側輻射元件之該主面板在該第二側輻射元件之該饋電部與該共振器部之間具有一孔口，該第二側輻射元件包括一第二側翼板，其從該主面板之一第二側邊緣延伸，該第二側翼板係橫向於該第二側輻射元件之該主面板定向。
一種半導體裝置，其特徵在於包括：<br/> 基底，包括高壓區以及電容區；<br/> 第一電晶體，設置在該高壓區內，該第一電晶體包括：<br/> 第一閘極介電層，設置在該基底的一平面上；<br/> 第一閘極電極，設置在該第一閘極介電層上；以及<br/> 第一蓋層，設置在該第一閘極電極上；<br/> 電容，設置在該電容區內，該電容包括：<br/> 第二閘極電極，設置在該基底上；<br/> 第二蓋層，設置在該第二閘極電極上，該第二蓋層部分覆蓋該第二閘極電極，且該第二蓋層的頂面與該第二閘極電極的頂面齊平；<br/> 介電層，設置在該第二蓋層與該第一蓋層上；以及<br/> 導電層，設置在該介電層上；以及<br/> 兩個第一插塞，設置於該電容上，其中，該兩個第一插塞中其中一個穿過該第二蓋層並直接接觸該第二閘極電極，該兩個第一插塞中另一個直接接觸該導電層。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在於，該介電層覆蓋該第一閘極電極以及該第二閘極電極，且該介電層包括四乙氧基矽烷或高介電常數介電材質。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在於，該兩個第一插塞的底面相互齊平。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在於，該導電層於一投影方向上部分重疊於該第二蓋層，且該導電層與該兩第一插塞中的一個相互分隔開一距離。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 第一淺溝渠隔離，設置於該基底內；以及<br/> 第二淺溝渠隔離，設置於該基底內，該第二閘極電極設置於該第二淺溝渠隔離上，且該第一淺溝渠隔離的深度大於該第二淺溝渠隔離的深度。
如申請專利範圍第5項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 第二閘極介電層設置於該第二閘極電極與該第二淺溝渠隔離之間。
如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置，其特徵在於，該第一閘極電極與該第二閘極電極包括相同的材質，以及相互齊平的頂面。
如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 第二電晶體，設置在該基底的低壓區內，該第二電晶體包括：<br/> 多個鰭狀結構，設置於該基底內；<br/> 第三閘極介電層設置於該鰭狀結構上；<br/> 第三閘極電極，設置於該第三閘極介電層上；以及<br/> 第三蓋層，設置在該第三閘極電極上。
如申請專利範圍第8項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 多個第二插塞，分別設置在該第一電晶體與該第二電晶體上，其中，設置在該第一電晶體上的該些第二插塞的底面低於設置在該第二電晶體上的該些第二插塞的底面。
如申請專利範圍第8項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 第三電晶體，設置在該基底上，介於該第二電晶體與該電容之間，該第三電晶體包括：<br/> 第四閘極介電層設置於該基底上；<br/> 第四閘極電極，設置於該第四閘極介電層上；以及<br/> 第四蓋層，設置在該第四閘極電極上。
如申請專利範圍第10項所述的半導體裝置，其特徵在於，還包括：<br/> 第三插塞，設置在該第三電晶體上，其中，該第三插塞的底面齊平於該兩個第一插塞的底面。
一種半導體裝置的製作方法，其特徵在於包括：<br/> 提供基底，該基底包括高壓區以及電容區；<br/> 於該高壓區內形成第一電晶體，該第一電晶體包括：<br/> 第一閘極介電層，設置在該基底的一平面上；<br/> 第一閘極電極，設置在該第一閘極介電層上；以及<br/> 第一蓋層，設置在該第一閘極電極上；<br/> 於該電容區內形成電容，該電容包括：<br/> 第二閘極電極，設置在該基底上；<br/> 第二蓋層，設置在該第二閘極電極上，該第二蓋層部分覆蓋該第二閘極電極，且該第二蓋層的頂面與該第二閘極電極的頂面齊平；<br/> 介電層，設置在該第二蓋層與該第一蓋層上；以及<br/> 導電層，設置在該介電層上；以及<br/> 於該電容上形成兩個第一插塞，其中，該兩個第一插塞中其中一個穿過該第二蓋層並直接接觸該第二閘極電極，該兩個第一插塞中另一個直接接觸該導電層。
如申請專利範圍第12項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，還包括：<br/> 於該基底內形成第一淺溝渠隔離；以及<br/> 於該基底內第二淺溝渠隔離，該第二閘極電極設置於該第二淺溝渠隔離上，且該第一淺溝渠隔離的深度大於該第二淺溝渠隔離的深度。
如申請專利範圍第13項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，還包括：<br/> 於該基底上形成多個閘極結構；以及<br/> 進行金屬閘極置換製程，形成多個金屬閘極。
如申請專利範圍第14項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，還包括：<br/> 於該金屬閘極置換製程進行後，於該基底上形成遮罩層，以部分覆蓋該些金屬閘極位在該電容區內的其中一個；以及<br/> 透過該遮罩層進行蝕刻製程，形成該第一閘極電極與該第二閘極電極。
如申請專利範圍第15項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，該第一蓋層與該第二蓋層係在該蝕刻製程後形成，該第二蓋層部分覆蓋該第二閘極電極，且該第一蓋層完全覆蓋該第一閘極電極。
如申請專利範圍第15項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，於該蝕刻製程後還包括：<br/> 形成該介電層覆蓋該第一蓋層與該第二蓋層；<br/> 於該介電層上依序形成導電材料層與保護材料層；以及<br/> 圖案化該導電材料層與該保護材料層，以在該介電層上形成該導電層與保護層，其中，該導電層在一投影方向上部分重疊於該第二蓋層，且該導電層與該兩第一插塞中的一個相互分隔開一距離。
如申請專利範圍第12項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，還包括：<br/> 於該基底的低壓區內形成第二電晶體，該第二電晶體包括：<br/> 多個鰭狀結構，設置於該基底內；<br/> 第三閘極介電層設置於該鰭狀結構上；<br/> 第三閘極電極，設置於該第三閘極介電層上；以及<br/> 第三蓋層，設置在該第三閘極電極上。
如申請專利範圍第18項所述的半導體裝置的製作方法，其特徵在於，還包括：<br/> 於該基底上形成第三電晶體，介於該第二電晶體與該電容之間，該第三電晶體包括：<br/> 第四閘極介電層設置於該基底上；<br/> 第四閘極電極，設置於該第四閘極介電層上；以及<br/> 第四蓋層，設置在該第四閘極電極上。
一種電漿處理方法，包含以下工序： <br/>(a)對於電漿處理室內供給惰性氣體之工序； <br/>(b)於配置在該電漿處理室內的第1溫度之靜電吸盤載置基板之工序； <br/>(c)將該基板以靜電吸附在該靜電吸盤之工序； <br/>(d)在該基板與該靜電吸盤之間開始供給導熱氣體之工序； <br/>(e)檢測該導熱氣體的流量或者該基板與該靜電吸盤之間的壓力之工序； <br/>(f)判定該流量或者該壓力是否超過既定的閾值之工序； <br/>(g)基於該判定的結果，於停止供給該惰性氣體之後使該靜電吸盤升溫成為比該第1溫度高的第2溫度之工序；及 <br/>(h)在該電漿處理室內藉由製程氣體產生電漿之工序。
如請求項1的電漿處理方法，其中， <br/>該(g)的工序，係連續令其升溫成為比該第1溫度高的第2溫度。
如請求項1的電漿處理方法，其中， <br/>該(g)的工序，係階段式地令其升溫成為比該第1溫度高的第2溫度。
如請求項1至3中任一項的電漿處理方法，其中， <br/>在該靜電吸盤到達該第2溫度之後經過既定的期間後，在該電漿處理室內產生電漿。
如請求項1至3中任一項的電漿處理方法，其中， <br/>在將該基板吸附在該靜電吸盤的工序之前，將射頻電力施加到配置在該電漿處理室內的電極， <br/>在判斷該流量或者該壓力是否超過既定的閾值之工序之後，停止施加該射頻電力。
如請求項5的電漿處理方法，其中， <br/>該射頻電力為電漿產生用的來源射頻信號及比該來源射頻信號之頻率低的頻率之偏壓射頻信號的其中至少一者。
如請求項1至3中任一項的電漿處理方法，更包含： <br/>(i)在該(g)的工序之後並且在該(h)的工序之前，使該電漿處理室內的氣體環境穩定的工序。
如請求項1至3中任一項的電漿處理方法，其中， <br/>該(e)的工序，係在該(d)的工序中，於該基板與該靜電吸盤之間開始供給該導熱氣體經過既定時間後停止供給該導熱氣體之後，檢測再次供給導熱氣體時的該流量或者該壓力。
如請求項1至3中任一項的電漿處理方法，其中， <br/>該(g)的工序，係在該流量或者該壓力為既定的閾值以下時，使該靜電吸盤升溫。
如請求項9的電漿處理方法，其中， <br/>該(g)的工序，係在該流量或者該壓力超過既定的閾值之期間，不使該靜電吸盤升溫。
一種電漿處理裝置，具有： <br/>電漿處理室；靜電吸盤，配置在該電漿處理室內；及控制部， <br/>該控制部控制包含以下工序的工序： <br/>(a)對於該電漿處理室內供給惰性氣體之工序； <br/>(b)對於配置在該電漿處理室內的第1溫度之靜電吸盤載置基板之工序； <br/>(c)將該基板以靜電吸附在該靜電吸盤之工序； <br/>(d)在該基板與該靜電吸盤之間開始供給導熱氣體之工序； <br/>(e)檢測該導熱氣體的流量或者該基板與該靜電吸盤之間的壓力之工序； <br/>(f)判定該流量或者該壓力是否超過既定的閾值之工序； <br/>(g)基於該判定的結果，於停止供給該惰性氣體之後使該靜電吸盤升溫成為比該第1溫度高的第2溫度之工序；及 <br/>(h)在該電漿處理室內藉由製程氣體產生電漿之工序。
如請求項11的電漿處理裝置，其中， <br/>該(g)的工序，係連續令其升溫成為比該第1溫度高的第2溫度。
如請求項11的電漿處理裝置，其中， <br/>該(g)的工序，係階段式地令其升溫成為比該第1溫度高的第2溫度。
如請求項11至13中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>在該靜電吸盤到達該第2溫度之後經過既定的期間後，在該電漿處理室內產生電漿。
如請求項11至13中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>在將該基板吸附在該靜電吸盤的工序之前，將射頻電力施加到配置在該電漿處理室內的電極， <br/>在判斷該流量或者該壓力是否超過既定的閾值之工序之後，停止施加該射頻電力。
如請求項15的電漿處理裝置，其中， <br/>該射頻電力為電漿產生用的來源射頻信號及比該來源射頻信號之頻率低的頻率之偏壓射頻信號的其中至少一者。
如請求項11至13中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部所控制之工序中更包含： <br/>(i)在該(g)的工序之後並且在該(h)的工序之前，使該電漿處理室內的氣體環境穩定的工序。
如請求項11至13中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該(e)的工序，係在該(d)的工序中，於該基板與該靜電吸盤之間開始供給該導熱氣體經過既定時間後停止供給該導熱氣體之後，檢測再次供給導熱氣體時的該流量或者該壓力。
如請求項11至13中任一項的電漿處理裝置，其中， <br/>該(g)的工序，係在該流量或者該壓力為既定的閾值以下時，使該靜電吸盤升溫。
如請求項19的電漿處理裝置，其中， <br/>該(g)的工序，係在該流量或者該壓力超過既定的閾值之期間，不使該靜電吸盤升溫。
一種對一半導體取樣進行運行時缺陷檢查的電腦化系統，該系統包括： <br/>一處理及記憶體電路系統（PMC）， <br/>其中該PMC配置成執行一種方法，該方法包含以下步驟： <br/>藉由該PMC獲得表示該半導體取樣的至少部分的一第一圖像，其中該第一圖像由用一第一焦點平面配置的一檢查工具獲取； <br/>藉由該PMC，使用一機器學習（ML）模型，來估計該第一圖像是否是對焦的，其中該ML模型被預先訓練用於將圖像分類為對焦圖像和散焦圖像； <br/>在估計該第一圖像散焦時，藉由該PMC對該檢查工具執行焦點校準以便選擇與一最優對焦分數相關聯的一第二焦點平面；並且 <br/>藉由該PMC獲得由用該第二焦點平面配置的該檢查工具獲取的一第二圖像，並且藉由該PMC，使用該ML模型，來估計該第二圖像是否是對焦的，其中在該第二圖像被估計為對焦時，該第二圖像用於對該半導體取樣進行缺陷檢查。
根據請求項1之電腦化系統，其中該檢查工具是一電子束工具。
根據請求項1之電腦化系統，其中該ML模型是一二元分類器，該二元分類器先前使用一訓練資料集進行訓練，該訓練資料集包括一對焦圖像子集和一散焦圖像子集，該對焦圖像子集和該散焦圖像子集各自與一對應的真值標籤相關聯。
根據請求項3之電腦化系統，其中該訓練資料集是藉由以下方式獲得的：針對具有相應的設計圖案的一或多個取樣之每一者取樣收集在該檢查工具的不同焦點平面配置下掃瞄的該取樣的一圖像集合，並且提供分別與該圖像集合相關聯的真值標籤。
根據請求項4之電腦化系統，其中藉由將一對焦閾值應用於該圖像集合來提供該真值標籤，其中基於針對一特定檢查應用的一對焦靈敏度需求來決定該對焦閾值。
根據請求項3之電腦化系統，其中該散焦圖像子集中的一或多個散焦圖像是使用一產生對抗網路（GAN）基於該對焦圖像子集中的一對應對焦圖像中指示的一圖像圖案而人工產生的。
根據請求項1之電腦化系統，其中該焦點校準藉由以下方式執行： <br/>沿一焦軸將該檢查工具的一焦點平面調整到複數個焦點； <br/>獲取對應於該複數個焦點的複數個圖像； <br/>為該複數個圖像之每一者圖像計算一對焦分數，從而產生複數個對焦分數； <br/>從該複數個圖像中選擇具有該複數個對焦分數中的一最優對焦分數的一圖像；並且 <br/>用與所選圖像相關聯的一第二焦點平面配置該檢查工具。
根據請求項7之電腦化系統，其中藉由機械地移動該半導體取樣的一放置台或者電氣地改變該檢查工具的一電子束的一著陸能量來調整該焦點平面。
根據請求項1之電腦化系統，其中在估計該第二圖像散焦時，該PMC進一步配置成對該檢查工具執行焦點校準以選擇與一最優對焦分數相關聯的一第三焦點平面，獲得由用該第三焦點平面配置的該檢查工具獲取的一第三圖像，並且估計該第三圖像是否是對焦的。
根據請求項1之電腦化系統，其中在估計該第一圖像對焦時，該PMC進一步配置成決定使用該第一圖像對該取樣進行缺陷檢查。
一種對一半導體取樣進行運行時缺陷檢查的電腦化方法，該方法由一處理和記憶體電路系統（PMC）執行，該方法包括以下步驟： <br/>獲得表示該半導體取樣的至少部分的一第一圖像，其中該第一圖像由用一第一焦點平面配置的一檢查工具獲取； <br/>使用一機器學習（ML）模型，來估計該第一圖像是否是對焦的，其中該ML模型被預先訓練用於將圖像分類為對焦圖像和散焦圖像； <br/>在估計該第一圖像散焦時，對該檢查工具執行焦點校準以便選擇與一最優對焦分數相關聯的一第二焦點平面；並且 <br/>獲得由用該第二焦點平面配置的該檢查工具獲取的一第二圖像，並且使用該ML模型來估計該第二圖像是否是對焦的，其中在該第二圖像被估計為對焦時，該第二圖像用於對該半導體取樣進行缺陷檢查。
根據請求項11之電腦化方法，其中該檢查工具是一電子束工具。
根據請求項11之電腦化方法，其中該ML模型是一二元分類器，該二元分類器先前使用一訓練資料集進行訓練，該訓練資料集包括一對焦圖像子集和一散焦圖像子集，該對焦圖像子集和該散焦圖像子集各自與一對應的真值標籤相關聯。
根據請求項13之電腦化方法，其中該訓練資料集是藉由以下方式獲得的：針對具有相應的設計圖案的一或多個取樣之每一者取樣收集在該檢查工具的不同焦點平面配置下掃瞄的該取樣的一圖像集合，並且提供分別與該圖像集合相關聯的真值標籤。
根據請求項14之電腦化方法，其中藉由將一對焦閾值應用於該圖像集合來提供該真值標籤，其中基於針對一特定檢查應用的對一焦靈敏度需求來決定該對焦閾值。
根據請求項13之電腦化方法，其中該散焦圖像子集中的一或多個散焦圖像是使用一產生對抗網路（GAN）基於該對焦圖像子集中的一對應對焦圖像中指示的一圖像圖案而人工產生的。
根據請求項11之電腦化方法，其中該焦點校準藉由以下方式執行： <br/>沿一焦軸將該檢查工具的一焦點平面調整到複數個焦點； <br/>獲取對應於該複數個焦點的複數個圖像； <br/>為該複數個圖像之每一者圖像計算一對焦分數，從而產生複數個對焦分數； <br/>從該複數個圖像中選擇具有該複數個對焦分數中的一最優對焦分數的一圖像；並且 <br/>用與所選圖像相關聯的一第二焦點平面配置該檢查工具。
根據請求項17之電腦化方法，其中藉由機械地移動該半導體取樣的一放置台或者電氣地改變該檢查工具的一電子束的一著陸能量來調整該焦點平面。
根據請求項11之電腦化方法，進一步包括：在估計該第二圖像散焦時，對該檢查工具執行焦點校準以選擇與一最優對焦分數相關聯的一第三焦點平面，獲得由用該第三焦點平面配置的該檢查工具獲取的一第三圖像，並且估計該第三圖像是否是對焦的。
一種有形地體現一指令程式的非暫態電腦可讀取儲存媒體，當該等指令程式由一電腦執行時，使該電腦執行對一半導體取樣進行運行時缺陷檢查的一方法，該方法包括： <br/>獲得表示該半導體取樣的至少部分的一第一圖像，其中該第一圖像由用一第一焦點平面配置的一檢查工具獲取； <br/>使用一機器學習（ML）模型，來估計該第一圖像是否是對焦的，其中該ML模型被預先訓練用於將圖像分類為對焦圖像和散焦圖像； <br/>在估計該第一圖像散焦時，對該檢查工具執行焦點校準以便選擇與一最優對焦分數相關聯的一第二焦點平面；並且 <br/>獲得由用該第二焦點平面配置的該檢查工具獲取的一第二圖像，並且使用該ML模型來估計該第二圖像是否是對焦的，其中在該第二圖像被估計為對焦時，該第二圖像用於對該半導體取樣進行缺陷檢查。
一種薄膜形成方法，包括：<br/> 將膜質改良劑注入到原子層沉積（ALD）腔室內使其吸附到被裝載的基板表面的步驟，其中，前述膜質改良劑是3-氯-3-甲基戊烷。
如請求項1所述之薄膜形成方法，包括以下步驟：<br/> （ⅰ）將前述膜質改良劑汽化並使其吸附到裝載於原子層沉積腔室內的基板表面；<br/> （ⅱ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第一次吹掃；<br/> （ⅲ）將薄膜前體化合物汽化並使其吸附到裝載於前述原子層沉積腔室內的基板表面；<br/> （ⅳ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第二次吹掃；<br/> （ⅴ）向前述原子層沉積腔室內部供給反應氣體；以及<br/> （ⅵ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第三次吹掃。
如請求項1所述之薄膜形成方法，包括以下步驟：<br/> （ⅰ）將薄膜前體化合物汽化並使其吸附到裝載於原子層沉積腔室內的基板表面；<br/> （ⅱ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第一次吹掃；<br/> （ⅲ）將前述膜質改良劑汽化並使其吸附到裝載於前述原子層沉積腔室內的基板表面；<br/> （ⅳ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第二次吹掃；<br/> （ⅴ）向前述原子層沉積腔室內部供給反應氣體；以及<br/> （ⅵ）利用吹掃氣體對前述原子層沉積腔室內部進行第三次吹掃。
如請求項2所述之薄膜形成方法，其中，以體積為基準，前述步驟（ⅱ）中注入到前述原子層沉積腔室內的前述吹掃氣體的量為前述步驟（ⅰ）中注入的前述膜質改良劑的10至100,000倍。
如請求項3所述之薄膜形成方法，其中，以體積為基準，前述步驟（ⅳ）中注入到前述原子層沉積腔室內的前述吹掃氣體的量為前述步驟（ⅲ）中注入的前述膜質改良劑的10至100,000倍。
如請求項2或3所述之薄膜形成方法，其中，前述膜質改良劑以及薄膜前體化合物藉由氣相流量控制（VFC）方式、直接液體注入（DLI）方式或者液體移送系統（LDS）方式被移送至原子層沉積腔室內。
如請求項2或3所述之薄膜形成方法，其中，前述膜質改良劑和前述前體化合物向原子層沉積腔室內的投入量（mg/cycle）之比為1:1.5至1:20。
如請求項2或3所述之薄膜形成方法，其中，前述薄膜形成方法中，藉由數學式1計算出的每週期薄膜生長速率（Å/Cycle）的減小率為-5%以下，<br/> 數學式1：<br/> 每週期薄膜生長速率的減小率（%） ＝ [(使用膜質改良劑時的每週期薄膜生長速率 － 未使用膜質改良劑時的每週期薄膜生長速率) / 未使用膜質改良劑時的每週期薄膜生長速率] × 100。
如請求項2或3所述之薄膜形成方法，其中，前述薄膜形成方法中，基於二次離子質譜法（SIMS）測量的經200週期後所形成的薄膜內殘留鹵素強度（c/s）為10,000以下。
如請求項2或3所述之薄膜形成方法，其中，前述反應氣體為還原劑、氮化劑或氧化劑。
一種半導體基板，其係藉由如請求項1所述之薄膜形成方法製造而成。
如請求項11所述之半導體基板，其中，前述薄膜的厚度為30nm以下，以10nm的薄膜厚度為基準時的比電阻值為10至400μΩ·cm，鹵素含量為1,000ppm以下，台階覆蓋性為80%以上。
如請求項11所述之半導體基板，其中，前述薄膜包括氮化鈦膜。
如請求項11所述之半導體基板，其中，前述薄膜為兩層或三層的多層結構。
一種氧化劑試劑水溶液用於檢測總氮含量為10-50 mg/L的水中的總氮含量的用途，所述氧化劑試劑水溶液包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物，並且還包括鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬碳酸氫鹽或二者的組合，其中<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸鹽時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物和該鹼金屬碳酸鹽的重量比為1:(0.30-0.45):(0.025-0.625)並且該鹼金屬碳酸鹽的濃度範圍為1.5-7.5 g/L；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸氫鹽時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物和該鹼金屬碳酸氫鹽的重量比為1:(0.30-0.45):(0.0125-0.20)並且該鹼金屬碳酸氫鹽的濃度範圍為1.5-4.5 g/L；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物，以及鹼金屬碳酸鹽和鹼金屬碳酸氫鹽的組合時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物，以及該鹼金屬碳酸鹽和鹼金屬碳酸氫鹽的組合的重量比為1:(0.30-0.45):(0.0125-0.625)並且該鹼金屬碳酸鹽和鹼金屬碳酸氫鹽的組合的濃度範圍為2-4.5 g/L，<br/> 其中所述鹼金屬過硫酸鹽為過硫酸鉀，所述鹼金屬氫氧化物為氫氧化鈉，所述鹼金屬碳酸鹽為碳酸鈉，所述鹼金屬碳酸氫鹽為碳酸氫鈉。
如請求項1所述的用途，其中所述氧化劑試劑水溶液用於檢測總氮含量為20-50 mg/L的水中的總氮含量。
如請求項1或2所述的用途，其中檢測時所述水的樣品無需稀釋。
如請求項1或2所述的用途，其中<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸鹽時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物和該鹼金屬碳酸鹽的重量比為1:(0.30-0.45):(0.025-0.3)；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸氫鹽時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物和該鹼金屬碳酸氫鹽的重量比為1:(0.30-0.45):(0.0375-0.113)；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物，以及鹼金屬碳酸鹽和鹼金屬碳酸氫鹽的組合時，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物，以及該鹼金屬碳酸鹽和鹼金屬碳酸氫鹽的組合的重量比為1:(0.30-0.45):(0.025-0.2)。
如請求項1或2所述的用途，其中<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸鹽且用於檢測含高濃度氨氮的水中的總氮含量時，其中該鹼金屬碳酸鹽的濃度範圍為3-25 g/L；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸鹽且用於檢測含高濃度有機氮的水中的總氮含量時，其中該鹼金屬碳酸鹽的濃度範圍為1.5-7.5 g/L。
如請求項1或2所述的用途，其中<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸氫鹽且用於檢測含高濃度氨氮的水中的總氮含量時，其中該鹼金屬碳酸氫鹽的濃度範圍為1.5-8 g/L；<br/> 當所述氧化劑試劑水溶液中包括鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物和鹼金屬碳酸氫鹽且用於檢測含高濃度有機氮的水中的總氮含量時，其中該鹼金屬碳酸氫鹽的濃度範圍為0.5-4.5 g/L。
一種測量含10-50 mg/L氮濃度的水中總氮含量的方法，其包括<br/> 步驟（一）配製如請求項1至6中任一項所述的氧化劑試劑水溶液，並且配製一系列濃度由低到高的硝酸鹽標準溶液，該系列濃度涵蓋10-50 mg/L的範圍；<br/> 步驟（二）將步驟（一）中配製的所述氧化劑試劑水溶液分別和所述系列濃度的硝酸鹽標準溶液以及作為空白溶液的水混合，並置於處於120-124℃的高溫下的高壓蒸汽滅菌器中30-60分鐘，然後冷卻並混勻，得到空白樣品和相應系列的硝酸鹽標準樣品；<br/> 步驟（三）採用紫外分光光度法，於波長220 nm和275 nm處，分別測量該空白樣品和該相應系列的硝酸鹽標準樣品的吸光度A<sub>220</sub>和A<sub>275</sub>；所述空白樣品的校正吸光度A<sub>b</sub>、所述相應系列的硝酸鹽標準樣品的校正吸光度A<sub>s</sub>以及前二者的差值A<sub>r</sub>按照公式（2）、（3）、（4）進行計算，並且將所述系列濃度的硝酸鹽標準溶液中的氮含量（以mg/L計）作為縱坐標，所述相應系列的硝酸鹽標準樣品的A<sub>r</sub>值作為橫坐標，繪製線性標準曲線；<br/> A<sub>b</sub>=A<sub>b220</sub>-2A<sub>b275</sub>(2)<br/> A<sub>s</sub>=A<sub>s220</sub>-2A<sub>s275</sub>(3)<br/> A<sub>r</sub>=A<sub>s</sub>-A<sub>b</sub>(4)<br/> 式中，<br/> A<sub>b</sub>——該空白樣品的校正吸光度；<br/> A<sub>b220</sub>——該空白樣品於波長220 nm處的吸光度；<br/> A<sub>b275</sub>——該空白樣品於波長275 nm處的吸光度；<br/> A<sub>s</sub>——該相應系列的硝酸鹽標準樣品的校正吸光度；<br/> A<sub>s220</sub>——該相應系列的硝酸鹽標準樣品於波長220nm處的吸光度；<br/> A<sub>s275</sub>——該相應系列的硝酸鹽標準樣品於波長275nm處的吸光度；<br/> A<sub>r</sub>——該相應系列的硝酸鹽標準樣品校正吸光度與所述空白樣品的校正吸光度的差；<br/> 步驟（四）取水樣，將所述水樣選擇性地稀釋或不稀釋；將步驟（一）中配製的該氧化劑試劑水溶液等量地和該水樣混合，並根據步驟（二）使用該高壓蒸汽滅菌器處理該水樣，得到一水樣樣品；然後根據步驟（三）採用紫外分光光度法，於波長220 nm和275 nm處，分別測量該水樣樣品的吸光度A<sub>220</sub>和A<sub>275</sub>，並按照公式（2）、（3）、（4）計算得到該水樣樣品的A<sub>r</sub>值；利用步驟（三）中繪製的該線性標準曲線確定該水樣樣品中的總氮含量（mg/L），如果該水樣有被稀釋，則換算為稀釋前的濃度；如果該水樣未被稀釋，則無需換算；其中，該水樣樣品中的總氮含量的確定方式如下：<br/> 根據該水樣樣品的A<sub>r</sub>值從該線性標準曲線中讀出；或者按公式（5）進行計算：<br/> ρ = (A<sub>r</sub> × a + b) × f （5）<br/> 其中<br/> ρ——該水樣樣品中總氮的質量濃度，mg/L；<br/> A<sub>r</sub>——該水樣樣品的校正吸光度與該空白樣品校正吸光度的差值；<br/> a——所述線性標準曲線的斜率；<br/> b——所述線性標準曲線的截距；<br/> f——稀釋倍數。
一種試劑盒，其中<br/> 包括如請求項1至6中任一項所述的氧化劑試劑水溶液；或者，<br/> 包括獨立包裝的鹼金屬過硫酸鹽、鹼金屬氫氧化物，並且還包括獨立包裝的鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬碳酸氫鹽或二者的組合，其中該鹼金屬過硫酸鹽、該鹼金屬氫氧化物，以及該鹼金屬碳酸鹽、該鹼金屬碳酸氫鹽或該二者的組合之間的重量比如請求項1至6中任一項所述。
一種有效量之GroEL或者包含該GroEL之醫藥組合物的用途，其用於製造供預防、改善及/或治療有需要之個體之睡眠障礙及/或改善睡眠品質用的藥劑，其中該GroEL來源於醱酵乳桿菌PS150。
如請求項1之用途，其中該GroEL具有SEQ ID NO：4之胺基酸序列。
如請求項1之用途，其中該GroEL由具有SEQ ID NO：5之序列之核苷酸編碼。
一種有效量之GroEL或者包含該GroEL之醫藥組合物的用途，其用於製造供預防、改善及/或治療有需要之個體之睡眠障礙及/或改善睡眠品質用的藥劑，其中該GroEL來源於大腸桿菌。
如請求項4之用途，其中該GroEL具有SEQ ID NO：6之胺基酸序列。
如請求項4之用途，其中該GroEL由具有SEQ ID NO：7之序列之核苷酸編碼。
如請求項1或4之用途，其中該睡眠障礙為失眠。
如請求項1或4之用途，其中該GroEL含於提取物中。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該醫藥組合物呈適合於經口投與之形式。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該醫藥組合物呈固體、半固體、液體或顆粒形式。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該藥劑用於減少睡眠潛伏期。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該藥劑用於增加睡眠持續時間。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該藥劑用於減少自睡眠之恢復時間。
一種黃氏響聲噴霧劑的製備方法，其中，包括：1）將膨大海、桔梗、蟬蛻、甘草、連翹、大黃、川芎、訶子肉、浙貝母、薄荷、方兒茶進行水提處理，過濾得到除雜母液；2）將所述除雜母液在除雜劑為ZTC1+1 ⅡB和ZTC1+1 ⅡA的條件下進行除雜處理；3）將步驟2）中除雜處理後獲得的產物進行醇沉處理，得醇沉清膏； 4）將所述醇沉清膏與薄荷腦進行混合，獲得黃氏響聲噴霧劑；其中，所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液和ZTC1+1 ⅡA組分溶液的濃度均為0.5%-5%；所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液的用量為所述除雜母液用量的10%-40%；所述ZTC1+1 ⅡA組分溶液的用量為所述除雜母液用量的5%-20%；其中，所述膨大海的用量為1-50份，所述桔梗的用量為10-200份，所述蟬蛻的用量為5-100份，所述甘草的用量為10-200份，所述連翹的用量為10-200份，所述大黃的用量為5-100份，所述川芎的用量為5-100份，所述訶子肉的用量為5-100份，所述浙貝母的用量為15-250份，所述薄荷的用量為10-200份，所述方兒茶的用量為10-200份，所述薄荷腦的用量為0.1-10份，所述聚山梨酯80的用量為10-50份以及所述泊洛沙姆-188的用量為10-50份；所述除雜母液的料液比為1:8-1:10；所述除雜處理後、醇沉處理前，進一步包括對除雜處理後的產物進行過濾處理，獲得濾液，將所述濾液在溫度為60℃～80℃濃縮至相對密度1.15-1.18；所述醇沉處理至上清液含醇量75%；所述醇沉處理的時間為12小時到18小時；所述薄荷腦預先經過溶解處理；所述溶解處理是在增溶劑為聚山梨酯80、泊洛沙姆-188，溶劑為水的條件下進行的。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述水提處理前將所述膨大海、桔梗、蟬蛻、甘草、連翹、大黃、川芎、訶子肉、浙貝母、薄荷、方兒茶在10倍量水中浸泡1小時。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述水提處理是在溫度為100℃的條件下進行1.5小時。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述水提處理進行兩次。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述水提處理後進一步包括將步驟1）中過濾後得到的濾液在溫度為60℃～80℃的條件下進行減壓濃縮。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述除雜母液的料液比為1︰8。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述除雜處理是在溫度為50℃～70℃的條件下進行的。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液的濃度為1%。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述ZTC1+1 ⅡA組分溶液的濃度為1%。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液的用量為所述除雜母液用量的25%。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述ZTC1+1 ⅡA組分溶液的用量為所述除雜母液用量的12.5%。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述醇沉處理是在所用的溶劑為乙醇。
如請求項1所述的製備方法，其中，所述醇沉清膏的相對密度為1.15～1.20。
一種黃氏響聲噴霧劑的製備方法，其中，包括： <br/>1）將浙貝母破碎後與膨大海、桔梗、蟬蛻、甘草、連翹、大黃、川芎、訶子肉、薄荷、方兒茶進行水提處理，所述水提處理是通過加10倍量水浸泡1小時，之後10倍量水提取兩次，過濾，並在溫度為60℃～80℃的條件下進行減壓濃縮至藥液料液比1︰8，得到除雜母液； <br/>2）將所述除雜母液在溫度為50℃～70℃下，加入ZTC1+1 ⅡB組分溶液，所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液的用量為所述除雜母液用量的25%，所述ZTC1+1 ⅡB組分溶液的濃度為1%，攪拌10分鐘後，保溫靜置30分鐘，之後加入ZTC1+1 ⅡA組分溶液，所述ZTC1+1 ⅡA組分溶液的用量為所述除雜母液用量的12.5%，所述ZTC1+1 ⅡA組分溶液的濃度為1%，攪拌10分鐘後，保溫靜置30分鐘，之後放冷靜置12小時-24小時，得到除雜後液體； <br/>3）將所述除雜後液體進行離心過濾，獲得濾液，將所述濾液進行減壓濃縮至相對密度為1.15～1.18，加乙醇醇沉至上清液含醇量75%，醇沉靜置12小時-18小時，過濾，濾液在溫度為50℃～70℃的條件下減壓濃縮至相對密度為1.15～1.20，得到醇沉清膏； <br/>4）將所述醇沉清膏與薄荷腦進行混合，獲得黃氏響聲噴霧劑；其中，所述薄荷腦預先經過溶解處理；所述溶解處理是在增溶劑為聚山梨酯80、泊洛沙姆-188，溶劑為水的條件下進行的；所述膨大海的用量為1-50份，所述桔梗的用量為10-200份，所述蟬蛻的用量為5-100份，所述甘草的用量為10-200份，所述連翹的用量為10-200份，所述大黃的用量為5-100份，所述川芎的用量為5-100份，所述訶子肉的用量為5-100份，所述浙貝母的用量為15-250份，所述薄荷的用量為10-200份，所述方兒茶的用量為10-200份，所述薄荷腦的用量為0.1-10份，所述聚山梨酯80的用量為10-50份以及所述泊洛沙姆-188的用量為10-50份。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述膨大海的用量為5 份，所述桔梗的用量為50 份，所述蟬蛻的用量為20 份，所述甘草的用量為50 份，所述連翹的用量為50 份，所述大黃的用量為20 份，所述川芎的用量為20 份，所述訶子肉的用量為20 份，所述浙貝母的用量為60 份，所述薄荷的用量為40 份，所述方兒茶的用量為40 份，以及所述薄荷腦的用量為1 份。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述溶解處理是在溫度為50℃～60℃的條件下進行的。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述水的用量為300-800份。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述聚山梨酯80的用量為28份。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述泊洛沙姆-188的用量為28份。
如請求項14所述的製備方法，其中，所述水的用量為500份。
一種感光性組成物的檢定方法，包括： <br/> 製程1，使用含有具有藉由酸的作用分解而產生極性基的基團的酸分解性樹脂和光酸產生劑的基準感光性組成物，在基材1上形成光阻膜，使該基材1上的光阻膜與處理液接觸，測定該基材1上的光阻膜的溶解速度，以取得基準數據； <br/> 製程2，使用含有與該基準感光性組成物所含的成分相同種類的成分的測定用感光性組成物在基材2上形成光阻膜，使該基材2上的光阻膜與處理液接觸，測定該基材2上的光阻膜的溶解速度，以取得測定數據；以及 <br/> 製程3，比較該基準數據和該測定數據以判定是否在容許範圍內， <br/> 該處理液含有芳香族烴、有機溶劑和金屬X， <br/> 該有機溶劑不含有該芳香族烴，且含有脂肪族烴， <br/> 該金屬X為選自由Al、Fe及Ni所組成的群組中的至少一種金屬， <br/> 該芳香族烴的含量與該金屬X的含量的質量比為5.0×10<sup>4</sup>～2.0×10<sup>10</sup>。
如請求項1所述之感光性組成物的檢定方法，其中，在該製程3中，當該測定數據在容許範圍外時，實施該測定用感光性組成物的成分調整。
如請求項1所述之感光性組成物的檢定方法，其中，在該製程1和該製程2中，該基材1上的光阻膜和該基材2上的光阻膜分別是在形成該光阻膜後，對該光阻膜進行了全面曝光的經曝光的光阻膜。
如請求項3所述之感光性組成物的檢定方法，其中，該製程1和該製程2中的該曝光使用KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束和極紫外線中的任一種。
如請求項1所述之感光性組成物的檢定方法，其中，該酸分解性樹脂含有具有酚性羥基的重複單元。
如請求項1所述之感光性組成物的檢定方法，其中， <br/> 該脂肪族烴是十一烷， <br/> 該有機溶劑更含有乙酸丁酯。
如請求項6所述之感光性組成物的檢定方法，其中，該乙酸丁酯的含量與該十一烷的含量之比為65/35～99/1。
如請求項7所述之感光性組成物的檢定方法，其中，該乙酸丁酯的含量與該十一烷的含量之比為90/10。
如請求項1至8中任一項所述之感光性組成物的檢定方法，其中， <br/> 該酸分解性樹脂具有來源於單體的重複單元，該單體具有藉由酸的作用分解而產生極性基的基團， <br/> 所有該單體的由式（1）表示的、相對於該處理液的基於漢森溶解度參數之溶解指標R為2.0～5.0（MPa）<sup>1/2</sup>，並且 <br/> 該單體中的至少一種在酸脫離前後的溶解指標差ΔR為4.0（MPa）<sup>1/2</sup>以上， <br/> 式（1） R=（4（δd1-δd2）<sup>2</sup>+（δp1-δp2）<sup>2</sup>+（δh1-δh2）<sup>2</sup>）<sup>1/2</sup><br/> δd1表示該單體的漢森溶解度參數中的分散項， <br/> δp1表示該單體的漢森溶解度參數中的極性項， <br/> δh1表示該單體的漢森溶解度參數中的氫鍵項， <br/> δd2表示該處理液的漢森溶解度參數中的分散項， <br/> δp2表示該處理液的漢森溶解度參數中的極性項， <br/> δh2表示該處理液的漢森溶解度參數中的氫鍵項。
如請求項1至8中任一項所述之感光性組成物的檢定方法，其中，該芳香族烴的含量相對於該處理液的總質量為1質量%以下。
一種感光性組成物的製造方法，其包括請求項1至10中任一項所述之感光性組成物的檢定方法。
一種感光性樹脂組成物，包含： <br/>（A）含有不飽和基的鹼可溶性樹脂； <br/>（B）具有至少兩個以上的不飽和鍵的光聚合性化合物； <br/>（C）光聚合起始劑； <br/>（D）選自由黑色顏料、混色顏料及遮光材所組成的群組中的至少一種遮光成分；以及 <br/>（E）折射率為1.50～1.80的微粒子， <br/>所述（D）遮光成分與所述（E）微粒子的調配比例以重量比（D）/（E）計為85/15～92/8或95/5～99/1。
如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述（E）微粒子為氧化鋁粒子。
如請求項1或請求項2所述的感光性樹脂組成物，其中所述（E）微粒子的平均粒徑為10 nm～300 nm。
如請求項1或請求項2所述的感光性樹脂組成物，其中所述（E）微粒子在固體成分中的比例為1質量%～30質量%。
如請求項1或請求項2所述的感光性樹脂組成物，其中通過光而將所述感光性樹脂組成物硬化所獲得的膜厚為1 μm的硬化膜的遮光度光密度[μm<sup>-1</sup>]為2.6以上且所述硬化膜的反射率[%]為6.5以下，並且所述硬化膜的反射率除以所述遮光度光密度所得的值未滿1.65。
一種硬化膜，是將如請求項1至請求項5中任一項所述的感光性樹脂組成物硬化而成。
一種彩色濾光片，具有如請求項6所述的硬化膜作為黑色矩陣。
一種觸控面板，具有如請求項6所述的硬化膜作為黑色矩陣。
一種顯示裝置，具有如請求項7所述的彩色濾光片或如請求項8所述的觸控面板。 <br/><b><u> </u></b>
一種插座連接器組件（102），其包括：<br/> 一插座殼罩（120），其具有殼罩壁（124），界定一第一模組通道（128a）、一堆疊在該第一模組通道上方的第二模組通道（128b）及一堆疊在該第二模組通道上方的第三模組通道（128c），該插座殼罩在一前端（140）與一後端（142）之間延伸，該等殼罩壁包括一頂壁（130）、一第一側壁（134）、一第二側壁（136）、一第一分隔板（148）及一第二分隔板，該第一側壁沿著該等第一、第二和第三模組通道延伸，該第二側壁沿著該等第一、第二和第三模組通道延伸，該第一分隔板位於該等第一與第二模組通道之間，該第二分隔板位於該等第二與第三模組通道之間； <br/> 一第一插座模組（300a），其位在該第一模組通道中用於配接一第一插頭模組（200）； <br/> 一第二插座模組（300b），其位在該第二模組通道中用於配接一第二插頭模組；及 <br/> 一第三插座模組（300c），其位在該第三模組通道中用於配接一第三插頭模組。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該第一與第二插座模組（300a、300b）之至少一者為一板模組（304），並且該第二與第三插座模組（300b，300c）之至少一者為一電纜模組（306）。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該第一插座模組（300a）為一第一板模組（304），且該第二插座模組（300b）為一堆疊在該第一板模組上方的第二板模組（304），該等第一和第二板模組分別具有第一和第二接觸點（438），其配置成端接到該插座殼罩（120）的佔用面積內部之一電路板（106），該第三插座模組（300c）為一電纜模組（306），其具有端接到一電纜（308）的第三接觸點，該電纜從該插座殼罩的該電纜模組外部延伸。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該第一插座模組（300a）和該第二插座模組（300b）與固持該第一插座模組的第一接觸點（438）以及該第二插座模組的第二接觸點之一共同殼體（410）整合在一起。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該插座殼罩（120）及該等第一、第二和第三插座模組（300a、300b、300c）均配置成堆疊在電路板（106）的相同側。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該第一模組通道（128a）、該第二模組通道（128b）及該第三模組通道（128c）為一致，以可互換式接受該等第一、第二或第三插頭模組（200）之任一者。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該頂壁（130）、該第一側壁（134）和該第二側壁（136）由一共同金屬板（108）形成。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該插座殼罩（120）包括一配置成安裝到電路板（106）的底部（132），該頂壁（130）係平行於及隔開該底部，其中該等第一、第二和第三模塊通道（ 128a、128b、128c）呈堆疊配置對齊在該底壁與該頂壁之間。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該等殼罩壁（124）進一步界定堆疊在該第三模組通道（128c）上方的一第四模組通道（128d），該等第一和第二側壁（134、136）沿該第四模組通道延伸，該等殼罩壁更包括一位於該第三與第四模組通道之間的第三分隔板。
如請求項1所述之插座連接器組件（102），其中該插座殼罩（120）包括一配置成安裝到電路板（106）的上表面（152）之底部（132），該插座連接器組件更包含一下插座殼罩（120），其具有下殼罩壁（124）以界定一第四模組通道（128d），該下插座殼罩配置成安裝到該電路板的下表面（154），使得該第四模組通道與該等第一、第二和第三模組通道（128a、128b、128c）呈堆疊配置對齊，其中該電路板位於該四模組通道與該第一模組通道之間，該插座連接器組件更包含一第四插座模組（300d），其位在該第四模組通道中用於配接該第四插頭模組（200）。
一種超導裝置之循環冷卻式初始冷卻之附加價值決定方法，前述超導裝置具備在內部收納有超導線圈之液態冷媒槽，前述循環冷卻式初始冷卻包括如下步驟：(i)使用使經冷卻之氣體循環至前述液態冷媒槽之循環冷卻裝置，將前述超導線圈從前述超導裝置的周圍溫度冷卻至既定的極低溫；及(ii)將前述超導線圈在前述液態冷媒槽中浸沒於液氦中而從前述既定的極低溫冷卻至使前述超導線圈進行動作之目標極低溫，前述方法包括如下步驟：取得藉由使用液氦、或液氦和其他液態冷媒之浸沒冷卻將前述超導線圈從前述周圍溫度冷卻至前述目標極低溫時的液氦消耗量；取得前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量；及根據前述浸沒冷卻的液氦消耗量與前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量的比較，提示前述循環冷卻式初始冷卻對於前述浸沒冷卻的附加價值。
如請求項1所述之方法，其中，提示前述附加價值包括：根據前述浸沒冷卻的液氦消耗量與前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量的比較來計算前述附加價值。
如請求項2所述之方法，其中，計算前述附加價值包括：將每單位量的氦價格乘以前述浸沒冷卻的液氦消耗量與前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量之差來計算附加價值額。
如請求項3所述之方法，前述方法進一步包括如下步驟：取得前述循環冷卻式初始冷卻時的前述循環冷卻裝置的使用成本；計算前述附加價值額包括：從前述附加價值額扣除前述使用成本。
如請求項3或請求項4所述之方法，前述方法進一步包括如下步驟：取得前述浸沒冷卻時的前述其他液態冷媒的消耗量，計算前述附加價值額包括：將前述其他液態冷媒的消耗量的相當額與前述附加價值額相加。
如請求項3或請求項4所述之方法，其中，提示前述附加價值包括：計算將既定比率乘以前述附加價值額而得之額作為前述循環冷卻式初始冷卻時的前述循環冷卻裝置的使用費。
如請求項1所述之方法，其中，提示前述附加價值包括：將前述浸沒冷卻的液氦消耗量及前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量輸入到電腦；及前述電腦根據前述浸沒冷卻的液氦消耗量與前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量的比較來計算前述附加價值，並輸出前述附加價值。
如請求項7所述之方法，其中，計算前述附加價值包括：前述電腦將每單位量的氦價格乘以前述浸沒冷卻的液氦消耗量與前述循環冷卻式初始冷卻的液氦消耗量之差來計算附加價值額。
如請求項8所述之方法，前述方法進一步包括如下步驟：將前述循環冷卻式初始冷卻時的前述循環冷卻裝置的使用成本輸入到前述電腦；計算前述附加價值額包括：前述電腦從前述附加價值額扣除前述使用成本。
如請求項8或請求項9所述之方法，前述方法進一步包括如下步驟：將前述浸沒冷卻時的前述其他液態冷媒的消耗量輸入到前述電腦，計算前述附加價值額包括：前述電腦將前述其他液態冷媒的消耗量的相當額與前述附加價值額相加。
如請求項8或請求項9所述之方法，其中，提示前述附加價值包括：前述電腦計算將既定比率乘以前述附加價值額而得之額作為前述循環冷卻式初始冷卻時的前述循環冷卻裝置的使用費。
一種附加價值決定裝置，係超導裝置之循環冷卻式初始冷卻之附加價值決定裝置，其特徵為，係具備運算處理裝置，該運算處理裝置構成為執行如請求項1至請求項11之任一項所述之方法。
一種電腦程式，其特徵為，係具備使電腦執行如請求項1至請求項11之任一項所述之方法之命令。
一種磁性檢測裝置，其特徵係，具備有： <br/> 磁阻抗感測器元件，具備有：感磁體，在供給激磁電流時，與磁場之強度對應地產生磁化變化；及檢測線圈，被捲繞於前述感磁體，輸出因前述感磁體之前述磁化變化而產生的感應電壓； <br/> 主運算放大器，反相輸入端子及非反相輸入端子之一方被連接於前述檢測線圈的第一端，且前述反相輸入端子及前述非反相輸入端子之另一方被連接於與前述檢測線圈的前述第一端為相反側之第二端； <br/> 主放大電路，以預定放大率放大前述檢測線圈之兩端的電位差，具備有前述主運算放大器與用以定義放大率的一對電阻； <br/> 第一輸入電路，被連接於前述檢測線圈的前述第一端與前述主運算放大器之前述反相輸入端子之間，保持預定時間點時的前述第一端之電壓； <br/> 第二輸入電路，被連接於前述檢測線圈的前述第二端與前述主運算放大器之前述非反相輸入端子之間，保持預定時間點時的前述第二端之電壓； <br/> 第一回饋電路，被連接於前述主運算放大器的輸出端子與前述檢測線圈的前述第一端之間，生成用以在前述檢測線圈產生回饋電流的第一回饋電壓；及 <br/> 第二回饋電路，被連接於前述主運算放大器的輸出端子與前述檢測線圈的前述第二端之間，為了使前述檢測線圈產生前述回饋電流，從而在以預定基準電壓作為基準的情況下，生成使極性相對於前述第一回饋電壓反轉的第二回饋電壓。
如請求項1之磁性檢測裝置，其中， <br/> 前述第一回饋電路，係具備有：第一回饋用運算放大器，輸入端子被連接於前述主運算放大器的輸出端子側，且輸出端子被連接於前述檢測線圈的前述第一端側， <br/> 前述第二回饋電路，係具備有：第二回饋用運算放大器，輸入端子被連接於前述主運算放大器的輸出端子側，且輸出端子被連接於前述檢測線圈的前述第二端側， <br/> 前述第一回饋電壓，係前述第一回饋用運算放大器之輸出端子的電壓， <br/> 前述第二回饋電壓，係前述第二回饋用運算放大器之輸出端子的電壓， <br/> 於「在前述第一回饋用運算放大器中被連接於前述主運算放大器之輸出端子側的輸入端子與在前述第二回饋用運算放大器中被連接於前述主運算放大器之輸出端子側的輸入端子」中，一方之輸入端子為反相輸入端子，另一方之輸入端子為非反相輸入端子。
如請求項2之磁性檢測裝置，其中， <br/> 前述第一回饋電路之放大率與前述第二回饋電路之放大率，係被設成為相同， <br/> 前述第二回饋電壓，係被設為在以前述預定基準電壓作為基準的情況下，將前述第一回饋電壓反轉的電壓。
如請求項2或3之磁性檢測裝置，其中， <br/> 前述第一回饋電路，係具備有： <br/> 前述第一回饋用運算放大器；及 <br/> 第一阻抗電路，被連接於前述第一回饋用運算放大器的輸出端子與前述檢測線圈的前述第一端之間，抑制「藉由前述檢測線圈所輸出之前述感應電壓朝前述第一回饋用運算放大器側移動」的情形， <br/> 前述第二回饋電路，係具備有： <br/> 前述第二回饋用運算放大器；及 <br/> 第二阻抗電路，被連接於前述第二回饋用運算放大器的輸出端子與前述檢測線圈的前述第二端之間，抑制「藉由前述檢測線圈所輸出之前述感應電壓朝前述第二回饋用運算放大器側移動」的情形。
如請求項4之磁性檢測裝置，其中， <br/> 前述第一阻抗電路之阻抗與前述第二阻抗電路之阻抗，係被設定為相同。
如請求項2或3之磁性檢測裝置，其中，更具備有： <br/> 共用回饋輸入電壓生成電路，被連接於前述主運算放大器的輸出端子，對前述主運算放大器之輸出電壓進行相位調整處理、微分處理及積分處理的至少一個處理，生成針對前述第一回饋電路及前述第二回饋電路的共用回饋輸入電壓。
如請求項2或3之磁性檢測裝置，其中，更具備有： <br/> 第一輸入電路，被連接於前述檢測線圈的前述第一端與前述主運算放大器的前述反相輸入端子之間，保持預定時間點時的前述第一端之電壓，並將經保持的前述第一端之電壓輸入至前述主運算放大器的前述反相輸入端子；及 <br/> 第二輸入電路，被連接於前述檢測線圈的前述第二端與前述主運算放大器的前述非反相輸入端子之間，保持與前述預定時間點相同之時間點時的前述第二端之電壓，並將經保持的前述第二端之電壓輸入至前述主運算放大器的前述非反相輸入端子。
如請求項2或3之磁性檢測裝置，其中， <br/> 前述預定基準電壓，係正電壓。
如請求項8之磁性檢測裝置，其中，更具備有： <br/> 共用基準電源，將作為前述預定基準電壓的前述正電壓施加至前述第一回饋電路及前述第二回饋電路。
如請求項2或3之磁性檢測裝置，其中，更具備有： <br/> 信號輸出部，將前述第一回饋電壓與前述第二回饋電壓之電位差或前述回饋電流輸出作為表示作用於前述感磁體的檢測對象磁場之強度的檢測信號。
一種多嵌段共聚物，其包含基於聚苯乙烯之嵌段和基於聚烯烴之嵌段，該基於聚苯乙烯之嵌段包含源自基於芳香族乙烯基的單體之重複單元，且該基於聚烯烴之嵌段包含源自乙烯之重複單元和源自基於α-烯烴的單體之重複單元，其中 <br/> 該多嵌段共聚物具有液體狀有序相和層狀相； <br/> 該液體狀有序相具有15.0 nm至22.0 nm之結構域大小(R)和40.0 nm至60.0 nm之結構域之間之距離(D1)；且 <br/> 該層狀相具有2.0 nm至9.0 nm之結構域大小(T)和10.0 nm至50.0 nm之結構域之間之距離(D2)； <br/> 其中該結構域大小和該等結構域之間之距離係藉由小角度X光散射測量。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該多嵌段共聚物具有該液體狀有序相作為主相和該層狀相作為次生相。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該基於α-烯烴的單體係5至20個碳原子之基於α-烯烴的單體。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該基於α-烯烴的單體係選自1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十一碳烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-二十碳烯、4,4-二甲基-1-戊烯、4,4-二乙基-1-已烯及3,4-二甲基-1-己烯所組成群組中一或多者。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該多嵌段共聚物具有該液體狀有序相的15.0 nm至20.0 nm之結構域大小(R)。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該多嵌段共聚物具有該液體狀有序相的43.0 nm至56.0 nm之結構域之間之距離(D1)。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該多嵌段共聚物具有該層狀相的2.0 nm至5.0 nm之結構域大小(T)。
如請求項1之多嵌段共聚物，其中該多嵌段共聚物具有該層狀相的12.0 nm至43.0 nm之結構域之間之距離(D2)。
一種製備如請求項1之多嵌段共聚物之方法，該方法包含： <br/> (S1)於包含過渡金屬化合物之觸媒組成物的存在下使用有機鋅化合物作為鏈轉移劑使乙烯與基於α-烯烴的單體反應以製備基於聚烯烴之嵌段之步驟，其中該過渡金屬化合物係如下式1所示之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="583px" width="412px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 於式1中， <br/> M係Ti、Zr或Hf； <br/> R<sub>1</sub>至R<sub>4</sub>各別獨立為氫、經取代或未經取代之1至20個碳原子之烷基、經取代或未經取代之3至20個碳原子之環烷基或經取代或未經取代之6至20個碳原子之芳基，其中該等基之相鄰2或更多者可經連接以形成環； <br/> R<sub>5</sub>和R<sub>6</sub>各別獨立為氫、經取代或未經取代之1至20個碳原子之烷基、經取代或未經取代之3至20個碳原子之環烷基或經取代或未經取代之6至20個碳原子之芳基，其中該取代係藉由1至12個碳原子之烷基進行； <br/> 每個R<sub>7</sub>獨立地為經取代或未經取代之4至20個碳原子之烷基、經取代或未經取代之4至20個碳原子之環烷基或經取代或未經取代之6至20個碳原子之芳基； <br/> n係1至5；且 <br/> Y<sub>1</sub>和Y<sub>2</sub>各別獨立為鹵素基、經取代或未經取代之1至20個碳原子之烷基、2至20個碳原子之烯基、2至20個碳原子之炔基、3至20個碳原子之環烷基、6至20個碳原子之芳基、7至20個碳原子之烷基芳基、7至20個碳原子之芳基烷基、5至20個碳原子之雜芳基、1至20個碳原子之烷氧基、經取代或未經取代之5至20個碳原子之芳氧基、1至20個碳原子之烷胺基、5至20個碳原子之芳胺基、1至20個碳原子之烷硫基、5至20個碳原子之芳硫基、1至20個碳原子之烷基矽基、5至20個碳原子之芳基矽基、羥基、胺基、巰基、矽基、氰基或硝基；和 <br/> (S2)於陰離子性聚合反應起始劑之存在下使基於芳香族乙烯基的單體與該基於聚烯烴之嵌段反應以製備多嵌段共聚物之步驟。
如請求項9之製備多嵌段共聚物之方法，其中該有機鋅化合物係如下式5所示： <br/> <img align="absmiddle" height="265px" width="794px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 於式5中， <br/> R<sub>8</sub>和R<sub>10</sub>各別獨立為單鍵或1至10個碳原子之伸烷基，R<sub>9</sub>係1至10個碳原子之伸烷基或-SiR<sub>11</sub>R<sub>12</sub>-，且R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>各別獨立為1至10個碳原子之烷基。
如請求項9之製備多嵌段共聚物之方法，其中該陰離子性聚合反應起始劑包含烷基鋰化合物，該烷基鋰化合物包含烯丙基，且該烯丙基與鋰結合。
如請求項11之製備多嵌段共聚物之方法，其中該烷基鋰化合物係如下式11所示： <br/> <img align="absmiddle" height="256px" width="317px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 於式11中， <br/> R<sub>13</sub>係氫或1至20個碳原子之烴基，且 <br/> Am係如下式12所示之基於胺之化合物： <br/> <img align="absmiddle" height="326px" width="624px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 於式12中， <br/> R<sub>14</sub>至R<sub>18</sub>各別獨立為氫或1至20個碳原子之烴基，且 <br/> a和b各別獨立為0至3之整數，其中a和b不同時為0。
一種熱塑性樹脂組成物，其包含聚丙烯和如請求項1之多嵌段共聚物。
如請求項13之熱塑性樹脂組成物，其中所包含之該聚丙烯與該多嵌段共聚物之重量比為1:0.1至1:9。
如請求項13之熱塑性樹脂組成物，其中該熱塑性樹脂組成物滿足下述條件a)至c)： <br/> a)源自動態黏彈性分析之依據溫度的應力變化(tan δ)峰之高度係0.02至0.13； <br/> b)分散相之半徑(Rv)係0.10 μm至0.50 μm；及 <br/> c)玻璃轉化溫度(Tg)係-60℃至-30℃。
如請求項15之熱塑性樹脂組成物，其中該熱塑性樹脂組成物滿足b)該分散相之半徑(Rv)係0.10 μm至0.27 μm。
一種電漿處理方法，包含：在一電漿處理室中維持一電漿，該電漿處理室包含一第一射頻(RF)電極及一第二RF電極，其中維持該電漿的步驟包含：將一RF訊號源耦合至該第一RF電極；及在該第一RF電極與該第二RF電極之間施加一偏壓訊號，該偏壓訊號具有一雙極DC(B-DC)波形，其包含複數B-DC脈動，每一該B-DC脈動包含：一負偏壓持續期間，在此期間該脈動相對於一參考電位具有負極性；一正偏壓持續期間，在此期間該脈動相對於該參考電位具有正極性；及一中性偏壓持續期間，在此期間該脈動相對於該參考電位具有中性極性，其中該偏壓訊號具有包含一系列B-DC-叢發脈動的一B-DC-叢發波形，其中每一該B-DC-叢發脈動具有存在於一B-DC-叢發持續期間內的複數連續B-DC脈動，在該B-DC-叢發持續期間之後為一B-DC-叢發分離時間，在該B-DC-叢發分離時間期間並無任何偏壓訊號，該B-DC-叢發持續期間及該B-DC-叢發分離時間的一總和被定義為一叢發時期。
如請求項1之電漿處理方法，更包含將該電漿處理室之壁之一導電部分耦合至該參考電位。
如請求項1之電漿處理方法，更包含：將該第二RF電極耦合至該參考電位；及將一偏壓訊號源耦合至該第一RF電極，該偏壓訊號源施加該偏壓訊號。
如請求項1之電漿處理方法，更包含：將一偏壓訊號源耦合至該第二RF電極，該偏壓訊號源施加該偏壓訊號。
如請求項1之電漿處理方法，其中該RF訊號源產生一連續波(CW)RF波形且該偏壓訊號具有一連續B-DC波形，該連續B-DC波形包含一系列連續B-DC脈動。
如請求項1之電漿處理方法，其中該中性偏壓持續期間被分割為一第一中性偏壓脈動區段及一第二中性偏壓脈動區段，該第一中性偏壓脈動區段分離該負偏壓持續期間之末端與下一正偏壓持續期間之開始，該第二中性偏壓脈動區段分離該正偏壓持續期間之末端與下一負偏壓持續期間之開始。
如請求項1之電漿處理方法，其中該RF訊號源產生一連續波(CW)RF波形。
如請求項1之電漿處理方法，其中該RF訊號源產生包含一系列RF-叢發脈動的一RF-叢發波形，其中每一該RF-叢發脈動具有存在於一RF-叢發持續期間內的一RF波形，在該RF-叢發持續期間之後為一RF-叢發分離時間，在該RF-叢發分離時間期間並無任何RF源訊號；其中該RF-叢發持續期間及該RF-叢發分離時間的一總和係等於該叢發時期；及其中該方法更包含：同步化該B-DC-叢發波形與該RF-叢發波形，其中該同步化步驟為自該RF-叢發脈動以一固定叢發遲延而遲延該B-DC-叢發脈動。
如請求項8之電漿處理方法，其中該RF-叢發持續期間係大於或等於該B-DC-叢發持續期間，且其中該叢發遲延係大於或等於零且小於或等於該RF叢發持續期間與該B-DC-叢發持續期間之間的一差。
如請求項8之電漿處理方法，其中該B-DC叢發持續期間係小於或等於該RF叢發分離時間；且其中該叢發遲延係大於或等於該RF-叢發持續期間且小於或等於該B-DC-叢發分離時間。
如請求項8之電漿處理方法，其中該叢發遲延係大於零且小於或等於該RF-叢發持續期間與該B-DC-叢發分離時間之中的較小者，且其中該叢發遲延與該B-DC-叢發持續期間的一總和係大於該RF-叢發持續期間。
一種電漿處理系統，包含：一電漿處理室，包含：一第一射頻(RF)電極；一第二RF電極；及一基板支撐件，係用以在該電漿處理室中支撐一半導體基板；一處理器；一非瞬變記憶體，儲存欲在該處理器中執行的一程式，該程式包含：將一RF訊號源耦合至該第一RF電極的指令；及在該第一RF電極與該第二RF電極之間施加一偏壓訊號的指令，該偏壓訊號具有一雙極DC(B-DC)波形，其包含複數B-DC脈動，每一該B-DC脈動包含：一負偏壓持續期間，在此期間內該脈動相對於一參考電位具有負極性；一正偏壓持續期間，在此期間內該脈動相對於該參考電位具有正極性；及一中性偏壓持續期間，在此期間內該脈動相對於該參考電位具有中性極性；一連續波(CW)RF源訊號源；一可程式化連續B-DC偏壓訊號源；一可程式化第一斬波器，係耦合至該CW-RF源訊號源；一可程式化第二斬波器，係耦合至該連續B-DC偏壓訊號源；及一時序控制器，係耦合至該連續B-DC偏壓訊號源、該第一斬波器、及該第二斬波器，其中該時序控制器係用以自該處理器接收命令，當執行時，該處理器同步控制該第一斬波器之一輸出訊號、該第二斬波器之一輸出訊號、及該連續B-DC偏壓訊號源之一輸出訊號。
如請求項12之電漿處理系統，其中該系統之一組態包含：該第一RF電極，係耦合至來自該第一斬波器之該輸出訊號及來自該第二斬波器之該輸出訊號；及該第二RF電極，係耦合至該參考電位。
如請求項12之電漿處理系統，其中該系統之一組態包含：該第一RF電極，係耦合至來自該第一斬波器之該輸出訊號；及該第二RF電極，係耦合至來自該第二斬波器之該輸出訊號。
一種電漿處理方法，包含：在一電漿處理室中維持一電漿，該電漿處理室包含一第一射頻(RF)電極及一第二RF電極，其中維持該電漿的步驟包含：將一RF訊號源耦合至該第一RF電極；及在該第一RF電極與該第二RF電極之間施加一偏壓訊號，該偏壓訊號具有一雙極DC(B-DC)波形，該雙極DC(B-DC)波形為一第一單極性DC(U-DC)波形與一第二單極性DC波形之間的一差，該第一U-DC波形之極性係與該第二U-DC波形之極性相同，且其中施加該偏壓訊號的步驟包含：將一第一U-DC訊號施加至該第一RF電極，該第一U-DC訊號具有包含第一複數U-DC脈動的該第一U-DC波形，其中該第一複數U-DC脈動中的每一者皆包含：一第一U-DC脈動寬度，在此寬度期間該脈動相對於一參考電位具有一第一偏壓極性；及一第一U-DC脈動分離時間，在此分離時間期間該脈動具有實質上等於該參考電位的一中性偏壓極性；將一第二U-DC訊號施加至該第二RF電極，該第二U-DC訊號具有包含第二複數U-DC脈動的該第二U-DC波形，其中該第二複數U-DC脈動中的每一者包含：一第二U-DC脈動寬度，在此寬度期間該脈動相對於該參考電位具有該第一偏壓極性；及一第二U-DC脈動分離時間，在此分離時間期間該脈動具有實質上等於該參考電位的中性偏壓極性；及同步化該第一U-DC訊號與該第二U-DC訊號，其中該同步化步驟為自該第二U-DC訊號之該U-DC脈動以一固定U-DC遲延時間而遲延該第一U-DC訊號之該U-DC脈動。
如請求項15之電漿處理方法，更包含將該電漿處理室之一壁之一導電部分耦合至該參考電位。
如請求項15之電漿處理方法，其中該第一偏壓極性相對於該參考電位為一正偏壓極性。
一種加工裝置，具備： <br/>保持單元，保持被加工物； <br/>加工單元，對已保持在該保持單元之該被加工物施行加工； <br/>進給機構，將該保持單元與該加工單元相對地加工進給； <br/>拍攝單元，對已保持在該保持單元之該被加工物進行拍攝並檢測應加工之區域； <br/>顯示單元，顯示藉由該拍攝單元所拍攝到的圖像；及 <br/>控制單元，具有儲存部， <br/>該保持單元包含： <br/>透明板，具有保持該被加工物之上表面；及 <br/>框體，支撐該透明板， <br/>該拍攝單元以夾著該透明板的方式包含： <br/>上部拍攝單元，定位在該透明板的上表面側；及 <br/>下部拍攝單元，定位在該透明板的下表面側， <br/>在前述控制單元的前述儲存部保存有校正函數，前述校正函數校正以該下部拍攝單元從該透明板的下表面側拍攝到的第1圖像的相對於亮度的階層之明度， <br/>以前述校正函數校正以該下部拍攝單元從該透明板的下表面側拍攝到的該第1圖像的相對於亮度的階層之明度，使其近似於以該上部拍攝單元從該透明板的上方側拍攝到的第2圖像的畫質。
如請求項1之加工裝置，其中該校正函數是伽瑪校正的轉換式。
如請求項1之加工裝置，其可以調整該亮度的階層的範圍。
一種先導式止回閥，具有：<br/>第1主體，具有輸入埠及輸出埠；<br/>主流路，設置在上述第1主體內，連通上述輸入埠與上述輸出埠；<br/>止回閥體，設置在上述主流路上，容許從連通於上述輸入埠的初級側朝連通於上述輸出埠的次級側之壓力流體的流動，<br/>藉先導流體的供排，構成使上述止回閥體可選擇性地在阻止從上述輸出埠朝輸入埠側之流動的位置，及容許同一流動的位置移動的先導式止回閥，其特徵為，具有：<br/>殘壓排氣流路，其中一端連接於形成於上述主流路之上述初級側的連接部，另一端連接於開設在上述第1主體的排氣孔；<br/>密封部，設置在上述殘壓排氣流路上，阻止從上述主流路的連接部朝上述排氣孔側之壓力流體的流動；及<br/>操作部，可以使上述止回閥體朝著容許壓力流體從上述主流路的上述次級側朝初級側流動的位置移動的同時，使上述密封部朝著容許壓力流體從上述殘壓排氣流路的上述主流路的連接部朝上述排氣孔流動的位置移動。
如請求項1記載的先導式止回閥，其中，上述第1主體為軸向延伸形成筒狀，在軸向的兩端具有基端與前端，<br/>在上述第1主體內，形成有沿著軸向延伸的貫穿孔，<br/>在上述第1主體的軸向的中間部開口的第1開口部連通上述輸入埠，在上述第1主體的軸向的基端部開口的第2開口部連通上述輸出埠，<br/>在軸向延伸的上述貫穿孔的軸向基端部，可軸向移動地支撐上述止回閥體，<br/>將上述操作部可軸向移動地收容在比上述止回閥體更軸向前端側的上述貫穿孔。
如請求項2記載的先導式止回閥，其中，上述操作部是沿著上述貫穿孔延伸的桿構件，<br/>上述桿構件的外徑比上述貫穿孔的內徑還小，<br/>形成在上述桿構件的外圍面與上述貫穿孔的內周圍面之間的間隙是形成上述殘壓排氣流路。
如請求項3記載的先導式止回閥，其中，上述密封部，具有：環狀形成於上述桿構件的外圍面的凹槽，及收容於上述凹槽內的密封構件，<br/>上述密封構件為唇形的密封構件，上述密封構件的唇部形成為隨著朝軸向的基端側而朝徑向外側傾斜。
如請求項4記載的先導式止回閥，其中，連通上述第1開口部與上述第2開口部的上述貫穿孔的一部分是形成上述主流路的一部分，<br/>在朝軸向延伸的上述貫穿孔的軸向基端部，形成有上述止回閥體可抵接的閥座，<br/>上述止回閥體是可在抵接於上述閥座以阻止壓力流體從上述輸出埠朝上述輸入埠側流動的止回位置，及從上述閥座朝軸向基端側移動容許同一流動的第1開放位置移動。
如請求項5記載的先導式止回閥，其中，上述桿構件接受朝上述止回閥體側的力，藉此可在上述貫穿孔內沿著軸向移動，<br/>使上述密封構件朝上述連接部內的殘壓排氣位置移動時，容許從上述主流路的連接部朝上述排氣孔之壓力流體的流動，<br/>使上述止回閥體較上述第1開放位置更朝著軸向基端側的第2開放位置移動時，容許從上述主流路的上述次級側朝初級側之壓力流體的流動，<br/>上述桿構件可藉著軸向的移動，在上述密封構件朝上述殘壓排氣位置移動的同時，使上述止回閥體朝著上述第2開放位置移動。
如請求項6記載的先導式止回閥，其中，在上述止回閥體設有將此閥體朝上述閥座側彈推的第1復位彈簧，<br/>在上述桿構件設有將此朝軸向的前端側彈推的第2復位彈簧。
如請求項6記載的先導式止回閥，其中，在上述貫穿孔的軸向前端側形成有排氣閥室，<br/>在上述排氣閥室的內部，設置有將上述排氣閥室區隔成壓力室與排出室並可在上述貫穿孔內滑動的活塞，<br/>上述第1主體形成有將先導壓導入上述壓力室用的先導埠，及位在上述密封構件與上述活塞之間連通上述排出室與外部的上述排氣孔。
如請求項8記載的先導式止回閥，其中，上述先導式止回閥，進一步具有配設於上述桿構件的軸向前端側並設置成可沿著上述貫穿孔移動的活塞桿，<br/>上述活塞桿的軸向基端部是可軸向移動地插接於上述活塞，<br/>上述活塞桿從在上述第1主體的軸向前端開口的第3開口部進行朝軸向基端側的推壓操作時，推壓上述桿構件朝著軸向基端側移動，可以使上述密封構件朝著上述殘壓排氣位置移動的同時，使上述止回閥體朝第2開放位置移動。
如請求項2至9中任一項記載的先導式止回閥，其中，設上述軸向為X軸方向，設相對於X軸方向正交的方向為Z軸方向，並設相對於X軸方向及Z軸方向正交的方向為Y軸方向時，<br/>上述第1主體是朝X軸方向延伸，<br/>在上述第1主體的X軸方向的基端側，連接有朝著與X軸方向正交的Z軸方向延伸並於一端具備上述輸出埠的第2主體，<br/>在上述第1主體的X軸方向的前端側，連接有外嵌於上述第1主體並可在X軸周圍自由轉動的先導體，<br/>較上述先導體更在X軸方向的基端側，連接有外嵌於上述第1主體並可在X軸周圍自由轉動的連接管部，<br/>上述連接管部連接有環狀主體，可在與X軸及Z軸正交的Y軸周圍自由轉動地連結，<br/>在上述第2主體連接有可自由轉動外嵌於Z軸周圍，並相對於上述第2主體連結上述第1主體的基端部的筒狀連結部。
一種基材，其係用於具有凸部之半導體晶圓之加工用黏著片材之基材，且 <br/>上述基材於MD(Machine Direction)及TD(Transverse Direction)上以130℃加熱10分鐘後之熱縮率均為0%以上， <br/>上述基材具備支持層及緩衝層， <br/>上述緩衝層之熔點為70℃以上， <br/>上述支持層係以聚醯亞胺、聚醯胺或聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製成，且 <br/>上述支持層由聚醯亞胺製成之情形時，上述基材於MD及TD上以130℃加熱10分鐘後之熱縮率之比(MD/TD)為0.9以下， <br/>上述支持層由聚醯胺或PET製成之情形時，上述基材於MD及TD上以130℃加熱10分鐘後之熱縮率之比(MD/TD)為3.5以下。
如請求項1之基材，其中上述基材於MD及TD上以130℃加熱10分鐘後之熱縮率均為1.0%以下。
如請求項1之基材，其中上述支持層由PET製成之情形時，上述支持層之厚度為5～50 μm。
如請求項1之基材，其中上述緩衝層係藉由乾式層壓積層於上述支持層。
一種黏著片材，其係具有凸部之半導體晶圓之加工用黏著片材，且 <br/>具備如請求項1之基材、及設置於上述基材上之黏著劑層， <br/>構成為在上述半導體晶圓貼著於上述黏著劑層之狀態下上述凸部被上述基材保護。
如請求項5之黏著片材，其中自上述緩衝層觀察，上述支持層設置於與上述黏著劑層相反側。
如請求項6之黏著片材，其中上述凸部係藉由埋入上述基材而受到保護。
如請求項6之黏著片材，其中上述半導體晶圓貼著於上述黏著劑層。
一種半導體元件之製造方法，其係使用如請求項5至8中任一項之黏著片材之半導體元件之製造方法，且 <br/>包括框架貼附步驟、晶圓貼附步驟、加溫步驟、研磨步驟、及切割步驟， <br/>上述框架貼附步驟中，將上述黏著片材貼附於環狀框， <br/>上述晶圓貼附步驟中，將上述黏著片材貼附於上述半導體晶圓之設置有凸部之面， <br/>上述加溫步驟中，對上述基材進行加溫， <br/>上述研磨步驟中，對上述半導體晶圓之背面進行研磨， <br/>上述切割步驟中，將上述半導體晶圓單片化。
如請求項9之半導體元件之製造方法，其中上述切割步驟進而具有介隔上述黏著片材將上述半導體晶圓固定於工作台之固定步驟。
一種佈局設計支援裝置，其為耐壓不同的多個電路元件所混合存在的積體電路的佈局設計支援裝置，其特徵在於包括： <br/>記憶裝置，記憶所述積體電路的電路連接資料，所述積體電路是將包括第一外部端子、第二外部端子、以及附加元件種類資訊及耐壓資訊的所述電路元件在內的電路要素組合而成； <br/>輸入裝置，接收對所述第一外部端子附加的第一電位資訊；以及 <br/>控制裝置，於連接於被附加所述第一電位資訊的所述第一外部端子的所述電路元件中，根據與所述元件種類資訊及所述耐壓資訊相應的判定基準對是否使連接於所述第一外部端子的一端子與另一端子短路進行判定， <br/>於判定為未使所述電路元件的所述一端子與所述另一端子短路的情形時，對所述第一外部端子至所述電路元件的所述一端子的路徑的所述電路要素附加所述第一電位資訊，而確定出第一同電位區域， <br/>於判定為使所述電路元件的所述一端子與所述另一端子短路的情形時，對連接於所述另一端子的所述電路元件反覆進行所述判定，而確定出所述第一同電位區域，且 <br/>若所述輸入裝置接收到對所述第二外部端子附加的第二電位資訊，則所述控制裝置確定出第二同電位區域。
如請求項1所述的佈局設計支援裝置，其將所述第一同電位區域及所述第二同電位區域確定為低耐壓區域， <br/>將於所述第一同電位區域及所述第二同電位區域的任一者中均確定的區域確定為高耐壓區域。
如請求項2所述的佈局設計支援裝置，其中所述控制裝置於所述耐壓資訊為高耐壓的所述電路元件存在於所述低耐壓區域時或所述耐壓資訊為低耐壓的所述電路元件存在於所述高耐壓區域時，於對象的所述電路元件附加錯誤資訊。
如請求項2或請求項3所述的佈局設計支援裝置，其中所述判定基準包括： <br/>於所述高耐壓區域所包括的所述電路元件、或位於與所述高耐壓區域相接的位置的所述電路元件為N型金屬氧化物半導體電晶體時，進行不使閘極-汲極間及汲極-源極間短路而使閘極-源極間短路的判定。
如請求項1至請求項3中任一項所述的佈局設計支援裝置，其中所述控制裝置於根據所述電路連接資料製作佈局資料時，將根據對所述電路要素附加的所述耐壓資訊所生成的虛設層包括於所述佈局資料中而製作。
如請求項4所述的佈局設計支援裝置，其中所述控制裝置於根據所述電路連接資料製作佈局資料時，將根據對所述電路要素附加的所述耐壓資訊所生成的虛設層包括於所述佈局資料中而製作。
一種佈局設計支援方法，其為耐壓不同的多個電路元件所混合存在的積體電路的佈局設計支援方法，其特徵在於包括： <br/>記憶將包括第一外部端子、第二外部端子、以及附加元件種類資訊及耐壓資訊的所述電路元件在內的電路要素組合而成的所述積體電路的電路連接資料， <br/>接收對所述第一外部端子附加的第一電位資訊， <br/>於連接於被附加所述第一電位資訊的所述第一外部端子的所述電路元件中，根據與所述元件種類資訊及所述耐壓資訊相應的判定基準對是否使連接於所述第一外部端子的一端子與另一端子短路進行判定， <br/>於判定為未使所述電路元件的所述一端子與所述另一端子短路的情形時，對所述第一外部端子至所述電路元件的所述一端子的路徑的所述電路要素附加所述第一電位資訊，而確定出第一同電位區域， <br/>於判定為使所述電路元件的所述一端子與所述另一端子短路的情形時，對連接於所述另一端子的所述電路元件反覆進行所述判定，而確定出所述第一同電位區域，且包括： <br/>若接收到對所述第二外部端子附加的第二電位資訊，則確定出第二同電位區域。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於包括如下步驟：使用如請求項1至請求項6中任一項所述的佈局設計支援裝置進行設計。
一種阻劑組成物，其係藉由曝光而產生酸，且，藉由酸的作用使對於顯影液之溶解性產生變化之阻劑組成物，其中，含有 <br/> 藉由酸的作用使對於顯影液之溶解性產生變化之樹脂成分(A1)，及 <br/> 控制藉由曝光而產生之酸之酸擴散控制劑成分(D)，且 <br/> 前述樹脂成分(A1)係包含僅由下述一般式(a1-1)所表示之構成單位及下述一般式(a1-2)所表示之構成單位所構成之群中選出之至少1種構成單位(a1)與下述一般式(a10-1)所表示之構成單位(a10)之重複結構所構成之高分子化合物， <br/> 前述酸擴散控制劑成分(D)係含有以pka為0.50以上之羧酸為產生酸之下述一般式(d0)所表示之光降解性鹼(D0)， <br/><img align="absmiddle" height="317px" width="892px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R為氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基；Va<sup>1</sup>為可具有醚鍵之2價之烴基；n<sub>a1</sub>為0～2之整數；Ra<sup>1</sup>為上述之一般式(a1-r-1)或(a1-r-2)所表示之酸解離性基；Wa<sup>1</sup>為n<sub>a2</sub>+1價之烴基，n<sub>a2</sub>為1～3之整數，Ra<sup>2</sup>為上述之一般式(a1-r-1)或(a1-r-3)所表示之酸解離性基]；<img align="absmiddle" height="141px" width="892px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，Ra'<sup>1</sup>、Ra'<sup>2</sup>為氫原子或烷基；Ra'<sup>3</sup>為烴基，Ra'<sup>3</sup>亦可與Ra'<sup>1</sup>、Ra'<sup>2</sup>之任一者鍵結而形成環]； <br/><img align="absmiddle" height="140px" width="892px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，Ra'<sup>4</sup>～Ra'<sup>6</sup>係各自為烴基，Ra'<sup>5</sup>、Ra'<sup>6</sup>亦可相互鍵結而形成環]； <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="892px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，Ra'<sup>7</sup>～Ra'<sup>9</sup>係各自為烷基]； <br/><img align="absmiddle" height="282px" width="892px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R為氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基；Ya<sup>x1</sup>為單鍵或2價之連結基；Wa<sup>x1</sup>為可具有取代基之芳香族烴基；n<sub>ax1</sub>為1以上之整數]； <br/><img align="absmiddle" height="415px" width="955px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中，R<sup>m</sup>為氫原子或羥基；X<sup>0</sup>為溴原子或碘原子；nb1為1～4之整數；Yd<sup>0</sup>為2價之連結基或單鍵；Rb<sup>1</sup>為氟原子或氟化烷基；p01為1～5之整數；Rb<sup>2</sup>及Rb<sup>3</sup>係各自獨立地為可具有取代基之烴基；Rb<sup>2</sup>及Rb<sup>3</sup>亦可相互鍵結，與式中之硫原子共同形成環；Rb<sup>2</sup>或Rb<sup>3</sup>亦可與苯環及式中之硫原子共同形成縮合環；惟，至少1個Rb<sup>1</sup>係鍵結於苯環之鄰位或間位；又，鍵結於鍵結於式中之硫原子之芳香環之-F及/或-CFRx<sup>1</sup>Rx<sup>2</sup>中所包含之全部氟原子的數量為3個以上；Rx<sup>1</sup>及Rx<sup>2</sup>係各自獨立地為氟原子或氫原子]。
一種阻劑圖型形成方法，其係具有於支持體上使用如請求項1所記載之阻劑組成物來形成阻劑膜之步驟、曝光前述阻劑膜之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜進行顯影來形成阻劑圖型之步驟。
如請求項2中所記載之阻劑圖型形成方法，其中，於前述之曝光阻劑膜之步驟中，係對於前述阻劑膜進行EUV(極端紫外線)或EB(電子束)曝光。
一種磊晶成長用種基板，具備支持基板、 <br/> 和設於前述支持基板之上面之0.5~3μm之平坦化層、 <br/> 和設於前述平坦化層之上面之種晶層之磊晶成長用種基板，其特徵係 <br/> 前述支持基板係包含 <br/> 經由Al或Si之氧化物、氮化物、氧氮化物、或此等之混合物，埋設多結晶陶瓷之表面空洞之平坦化之核心、 <br/> 和封閉前述核心之0.05~1.5μm之封閉層； <br/> 前述種晶層係經由薄膜轉印0.1~1.5μm之Si＜111＞單結晶之表層而設置， <br/> 前述種晶層係氧化誘導堆積缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下之Si＜111＞。
如請求項1記載之磊晶成長用種基板，其中，前述多結晶陶瓷之表面空洞，係將聚矽氧化合物及/或至少添加SiO<sub>2</sub>、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、AlN粉之任一者之聚矽氧化合物，塗佈於多結晶陶瓷之表面後，經由在N<sub>2</sub>環境下處理，進行埋設加以平坦化者。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，前述聚矽氧化合物係烷氧基矽烷及/或烷氧基矽烷之縮合物。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，前述多結晶陶瓷為AlN陶瓷。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，前述封閉層係至少包含Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>之層。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，前述平坦化層係由SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)或AlAs所成。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，於前述支持基板之最下面，更具備多結晶Si等之半導電性化合物所成應力調整層。
如請求項1或2記載之磊晶成長用種基板，其中，前述應力調整層係由在於前述支持基板下面之正下方，介入存在SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)之多結晶Si所成。
一種半導體基板，其特徵係於如請求項1至8記載之任1項之磊晶成長用種基板之上面，成膜III-V族半導體薄膜。
如請求項9記載之半導體基板，其中，前述III-V族半導體薄膜係包含Ga及/或Al之氮化物半導體薄膜。
一種磊晶成長用種基板之製造方法，其係具有以下步驟，準備III族氮化物之多結晶陶瓷之表面空洞，經由Al或Si之氧化物、氮化物、氧氮化物、或此等之混合物加以埋設平坦化之核心的步驟、 <br/> 和成膜厚度0.05μm以上1.5μm以下之封閉層，以便包覆前述核心，成為支持基板的步驟、 <br/> 和於前述支持基板之上面，成膜厚度0.5μm以上3.0μm以下之平坦化層的步驟、 <br/> 和於前述平坦化層之上面，經由薄膜轉印0.1~1.5μm之Si＜111＞單結晶之表層，設置種晶層的步驟， <br/> 設置前述種晶層之步驟中，於氧化誘導堆積缺陷為10個/cm<sup>2</sup>以下之Si＜111＞單結晶，離子植入氫及/或He後，經由450℃以下之物理性手段，轉印0.1~1.5μm之薄膜，設置前述種晶層。
如請求項11記載之磊晶成長用種基板之製造方法，其中，前述封閉層係以LPCVD法加以成膜。
如請求項11或12記載之磊晶成長用種基板之製造方法，其中，前述平坦化層係於前述支持基板之上面單側或整面，將SiO<sub>2</sub>及/或氧氮化矽(Si<sub>x</sub>O<sub>y</sub>N<sub>z</sub>)或AlAs，經由電漿CVD法、LPCVD法、低壓MOCVD法之任一者加以成膜者。
如請求項11或12記載之磊晶成長用種基板之製造方法，其中，於前述支持基板之最下面，更具備更設置應力調整層之步驟。
如請求項14記載之磊晶成長用種基板之製造方法，其中，前述應力調整層係具備前述平坦化層後，由以更可矯正前述種基板之彎曲之至少選自濺鍍法、電漿CVD、LPCVD法之方法作成之多結晶Si所成。
一種半導體基板之製造方法，其特徵係具備：經由記載於請求項11至15記載之任1項之磊晶成長用種基板之製造方法，製造磊晶成長用種基板的步驟、 <br/> 和於前述磊晶成長用種基板之上面，成膜III-V族半導體薄膜的步驟。
一種經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，包含以下步驟：<br/>(a)提供一高分子聚合物層；<br/>(b)使用一大氣冷電漿裝置電漿活化丙烯酸，包含將丙烯酸以及氬氣導入容置於一V字形中空管的一第一中空部件中的一中空金屬電極中，從而產生一丙烯酸電漿自該V字形中空管的一底部開口對該高分子聚合物層進行表面改質，獲得一丙烯酸修飾層；<br/>(c)將該丙烯酸修飾層浸泡於包含鈣離子的一第一溶液中，獲得一含鈣修飾層；以及<br/>(d)將該含鈣修飾層浸泡於包含磷酸鹽的一第二溶液中，獲得經由該氫氧基磷灰石修飾的該改質高分子聚合物層。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中該步驟(b)更包含使用容置於該V字形中空管的一第二中空部件中的一針狀金屬電極對該高分子聚合物層進行表面改質，其中該第一中空部件以及該第二中空部件交會形成該底部開口。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(b)包含在25°C至70°C的溫度中電漿活化該丙烯酸。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(b)包含以10<sup>-5</sup>安培至1安培的電流電漿活化該丙烯酸。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(b)包含對該高分子聚合物層進行表面改質持續0.5秒至20秒。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(c)中的該第一溶液中該鈣離子的濃度為0.1莫耳濃度至0.5莫耳濃度，以及該第二溶液中該磷酸鹽的濃度為0.05莫耳濃度至0.3莫耳濃度。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(c)中的該第一溶液為四水合硝酸鈣溶液，以及步驟(d)中的該第二溶液為磷酸氫二銨溶液。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，其中步驟(c)或步驟(d)中的浸泡時間為0.25小時至1小時。
如請求項1所述的經由氫氧基磷灰石修飾的改質高分子聚合物層的製造方法，更包含重複步驟(c)以及步驟(d)，將該改質高分子聚合物層交互浸泡於該第一溶液以及該第二溶液中，持續1次至5次循環。
一種抑制產氣菌生長的組合物，係包括：由具有寄存編號BCRC 910940的發酵黏液乳桿菌(<i>Limosilactobacillus fermentum</i>)TCI275、具有寄存編號BCRC 910887的動物雙歧桿菌乳亞種(<i>Bifidobacterium animalis</i> subsp.<i>lactis</i>)TCI604、及具有寄存編號BCRC 910946的凝結魏茨曼氏菌(<i>Weizmannia coagulans</i>)TCI803以1：1：1的體積比例所組成的菌種組合，其中該產氣菌為大腸桿菌。
如請求項1所述之組合物，其中該發酵黏液乳桿菌TCI275、該動物雙歧桿菌乳亞種TCI604及該凝結魏茨曼氏菌TCI803為具有活性的菌株。
如請求項1所述之組合物，其中該發酵黏液乳桿菌TCI275、該動物雙歧桿菌乳亞種TCI604及該凝結魏茨曼氏菌TCI803為去活性的菌株。
如請求項1所述之組合物，其中該組合物包括一食品組合物。
一種菌種組合用於製備用以改善腸道菌相及改善食慾不振的組合物的用途，其中該菌種組合是由具有寄存編號BCRC 910940的發酵黏液乳桿菌(<i>Limosilactobacillus fermentum</i>)TCI275、具有寄存編號BCRC 910887的動物雙歧桿菌乳亞種(<i>Bifidobacterium animalis</i> subsp.<i>lactis</i>)TCI604、及具有寄存編號BCRC 910946的凝結魏茨曼氏菌(<i>Weizmannia coagulans</i>)TCI803以1：1：1的體積比例所組成。
如請求項5所述之用途，其中該改善腸道菌相為增加至少一種好菌的豐度。
如請求項6所述之用途，其中該至少一種好菌為瘤胃菌科(<i>Ruminococcaceae</i>)細菌、艾克曼菌屬(<i>Akkermansia</i>)細菌、或其組合。
如請求項5所述之用途，其中該改善腸道菌相是提升短鏈脂肪酸的含量。
如請求項5所述之用途，其中該改善腸道菌相的組合物具有改善打嗝困難的作用。
如請求項5所述之用途，其中該改善腸道菌相的組合物具有改善胃脹氣的作用。
如請求項5所述之用途，其中該改善腸道菌相的組合物具有改善腹部打結感的作用。
如請求項5所述之用途，其中該發酵黏液乳桿菌TCI275及該動物雙歧桿菌乳亞種TCI604是分離自人類母乳，及該凝結魏茨曼氏菌TCI803是分離自橘皮。
一種積體電路結構，包含：<br/>第一鰭，側向與第二鰭分開；<br/>介電錨，在該第一鰭與該第二鰭之間並與之側向分開；<br/>閘極結構，在該第一鰭之上、在該第二鰭之上、及在該介電錨之上，其中該閘極結構具有最低表面在該介電錨的最低表面之上，及其中該閘極結構的該最低表面在該介電錨之最高表面之下；<br/>第一磊晶源極或汲極結構，在該閘極結構的一側上的該第一鰭上；<br/>第二磊晶源極或汲極結構，在該閘極結構的該側上的該第二鰭上，該第二磊晶源極或汲極結構側向與該第一磊晶源極或汲極結構分開，其中該介電錨係在該第一磊晶源極或汲極結構與該第二磊晶源極或汲極結構之間並與之側向分開，及其中該介電錨的頂係在該第一磊晶源極或汲極結構的頂及該第二磊晶源極或汲極結構的頂之下；以及<br/>閘極切割插塞在該閘極結構的兩部分之間，其中該閘極切割插塞係直接形成在該介電錨上或者形成進入該介電錨上的閘極介電層中。
如請求項1之積體電路結構，其中該介電錨具有頂面，在該第一鰭的頂與該第二鰭的頂之下。
如請求項1之積體電路結構，其中該介電錨具有與該第一鰭的頂與該第二鰭的頂相同位準的頂面。
如請求項1之積體電路結構，其中該介電錨具有頂面，在該第一鰭結構的頂與該第二鰭結構的頂之上。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一鰭是在第一鰭下部之上，及該第二鰭係在第二鰭下部之上。
如請求項1之積體電路結構，其中該介電錨具有最低表面，於溝渠隔離結構的最高表面之下。
一種積體電路結構，包含：<br/>第一半導體鰭，側向與第二半導體鰭分開；<br/>介電結構，在該第一半導體鰭與該第二半導體鰭之間並與之側向分開；<br/>閘極電極，在該第一半導體鰭之上、在該第二半導體鰭之上、及在該介電結構之上，其中該閘極電極具有最低表面在該介電結構的最低表面之上，及其中該閘極電極的該最低表面在該介電結構之最高表面之下；<br/>第一源極或汲極結構，在該閘極電極的一側上的該第一半導體鰭上；<br/>第二源極或汲極結構，在該閘極電極的該側上的該第二半導體鰭上，該第二源極或汲極結構側向與該第一源極或汲極結構分開，其中該介電結構係在該第一源極或汲極結構與該第二源極或汲極結構之間並與之側向分開，及其中該介電結構的頂係在該第一源極或汲極結構的頂及該第二源極或汲極結構的頂之下；以及<br/>閘極切割插塞在該閘極結構的兩部分之間，其中該閘極切割插塞係直接形成在該介電結構上或者形成進入該介電結構上的閘極介電層中。
如請求項7之積體電路結構，其中該介電結構具有頂面，在該第一半導體鰭的頂與該第二半導體鰭的頂之下。
如請求項7之積體電路結構，其中該介電結構具有與該第一半導體鰭的頂與該第二半導體鰭的頂相同位準的頂面。
如請求項7之積體電路結構，其中該第一半導體鰭是在第一鰭下部之上，及該第二半導體鰭係在第二鰭下部之上。
如請求項7之積體電路結構，其中該介電結構具有最低表面，於溝渠隔離結構的最高表面之下。
一種積體電路結構，包含：<br/>第一堆疊奈米線，側向與第二堆疊奈米線分開；<br/>介電錨，在該第一堆疊奈米線與該第二堆疊奈米線之間並與之側向分開；<br/>閘極結構，在該第一堆疊奈米線之上、在該第二堆疊奈米線之上、及在該介電錨之上，其中該閘極結構具有最低表面在該介電錨的最低表面之上，及其中該閘極結構的該最低表面在該介電錨之最高表面之下；<br/>第一磊晶源極或汲極結構，在該閘極結構的一側上的該第一堆疊奈米線上；<br/>第二磊晶源極或汲極結構，在該閘極結構的該側上的該第二堆疊奈米線上，該第二磊晶源極或汲極結構側向與該第一磊晶源極或汲極結構分開，其中該介電錨係在該第一磊晶源極或汲極結構與該第二磊晶源極或汲極結構之間並與之側向分開，及其中該介電錨的頂係在該第一磊晶源極或汲極結構的頂及該第二磊晶源極或汲極結構的頂之下；以及<br/>閘極切割插塞在該閘極結構的兩部分之間，其中該閘極切割插塞係直接形成在該介電錨上或者形成進入該介電錨上的閘極介電層中。
如請求項12之積體電路結構，其中該介電錨具有頂面，在該第一堆疊奈米線的頂與該第二堆疊奈米線的頂之下。
如請求項12之積體電路結構，其中該介電錨具有與該第一堆疊奈米線的頂與該第二堆疊奈米線的頂相同位準的頂面。
如請求項12之積體電路結構，其中該介電錨具有頂面，在該第一堆疊奈米線結構的頂與該第二堆疊奈米線結構的頂之上。
如請求項12之積體電路結構，其中該第一堆疊奈米線是在第一鰭下部之上，及該第二堆疊奈米線係在第二鰭下部之上。
如請求項12之積體電路結構，其中該介電錨具有最低表面，於溝渠隔離結構的最高表面之下。
一種切割刀片，係由將鑽石磨粒及CBN磨粒之一方或雙方分散配置的結合材之燒結體所構成之切割刀片，其特徵在於， <br/> 前述切割刀片呈薄板環狀，在該切割刀片之厚度方向兩側面的外周緣部，以相對於該切割刀片之半徑方向的線段成為傾斜的方式分別形成有深度小於該切割刀片之厚度的1/2之複數個凹槽， <br/> 前述凹槽係具有：朝前述切割刀片的外周面開放之槽前端部、及該槽前端部的相反側之封閉的槽後端部， <br/> 該凹槽相對於前述線段傾斜的方向，係從前述槽前端部側朝向前述槽後端部側而逐漸從前述線段往前述切割刀片的旋轉方向後方側遠離的方向。
如請求項1所述之切割刀片，其中， <br/> 前述凹槽之前述槽後端部的內表面呈凹曲面狀。
如請求項1或2所述之切割刀片，其中， <br/> 前述凹槽係具有：位於前述切割刀片的旋轉方向前方側之第1側壁、及位於該切割刀片的旋轉方向後方側之第2側壁， <br/> 前述第1側壁的長度比前述第2側壁的長度更長，前述第1側壁及前述第2側壁係以朝向前述切割刀片的旋轉方向後方側呈凸形的方式彎曲。
如請求項1所述之切割刀片，其中， <br/> 前述凹槽的寬度與該凹槽從前述切割刀片的外周面朝向該切割刀片的半徑方向豎起的距離相等。
如請求項1所述之切割刀片，其中， <br/> 前述切割刀片之一方的側面之複數個前述凹槽及另一方的側面之複數個前述凹槽，係在該切割刀片的周方向分別等間隔地配置，且兩側面的前述凹槽係以在該切割刀片的厚度方向不重疊的方式配置在錯開的位置。
如請求項1所述之切割刀片，其中， <br/> 前述切割刀片係具有：包含該切割刀片的外周面之環狀的外周部、及被該外周部包圍之環狀的內周部，前述外周部和前述內周部係由不同種類的結合材所形成，形成前述內周部之結合材的硬度及彈性模數係比形成前述外周部之結合材的硬度及彈性模數更大。
如請求項6所述之切割刀片，其中， <br/> 前述內周部的半徑方向寬度比前述外周部的半徑方向寬度大，前述凹槽形成為斜向橫跨前述外周部而到達前述內周部。
如請求項1所述之切割刀片，其中， <br/> 前述結合材係由超硬合金、金屬陶瓷、高硬度金屬間化合物之任1種所構成。
一種切割刀片之製造方法，係具有粉末製造工序、燒成工序、尺寸調整工序、凹槽形成工序及精加工工序， <br/> 前述粉末製造工序，係藉由在結合材的粉末讓鑽石磨粒及CBN磨粒之一方或雙方均等地分散來製造燒成用粉末， <br/> 前述燒成工序，是在燒成模具之呈環狀的燒成室內填充前述燒成用粉末並進行燒成，藉此獲得外徑及厚度比前述切割刀片的外徑及厚度大且內徑比前述切割刀片的內徑小之環狀的刀片材， <br/> 前述尺寸調整工序，係以切割刀片的外徑、內徑及厚度作為目標尺寸而將前述刀片材的外徑、內徑及厚度調整成接近該目標尺寸， <br/> 前述凹槽形成工序，係在已調整尺寸後之前述刀片材的兩側面之外周緣部藉由化學或機械方法來形成複數個凹槽， <br/> 前述精加工工序，係讓形成有前述凹槽之前述刀片材的外徑、內徑及厚度與前述目標尺寸一致。
一種切割刀片之製造方法，係具有粉末製造工序、燒成工序、尺寸調整工序、凹槽形成工序及精加工工序， <br/> 前述粉末製造工序，係在硬度及彈性模數不同之2種結合材的粉末分別讓鑽石磨粒及CBN磨粒之一方或雙方均等地分散，藉此製造由硬度及彈性模數大的結合材所構成之第1燒成用粉末、及由硬度及彈性模數小的結合材所構成之第2燒成用粉末， <br/> 前述燒成工序，係在燒成模具之呈環狀的燒成室內，將前述第2燒成用粉末呈環狀地填充在該燒成室的外周側並將前述第1燒成用粉末呈環狀地填充在前述第2燒成用粉末的內周側而進行燒成，藉此獲得外徑及厚度比前述切割刀片的外徑及厚度大且內徑比前述切割刀片的內徑小之環狀的刀片材， <br/> 前述尺寸調整工序，係以前述切割刀片的外徑、內徑及厚度作為目標尺寸而將前述刀片材的外徑、內徑及厚度調整成接近該目標尺寸， <br/> 前述凹槽形成工序，係在已調整尺寸後之前述刀片材的兩側面之外周緣部藉由化學或機械方法來形成複數個凹槽， <br/> 前述精加工工序，係讓形成有前述凹槽之前述刀片材的外徑、內徑及厚度與前述目標尺寸一致。
一種半導體計量之方法，其包括： <br/>使用一處理器，依據一晶圓上之複數個特徵使用來自一晶圓計量工具的該晶圓之多個量測值以及該晶圓之一設計而判定一設計輔助複合信號，其中該設計輔助複合信號係該等量測值之組合； <br/>使用該處理器，判定該晶圓之該設計之一模擬工具信號，該模擬工具信號計及該晶圓計量工具之雜訊源及成像性質； <br/>使用該處理器判定係該設計輔助複合信號與該模擬工具信號之間的一差之一邊緣安置均勻性信號；及 <br/>分析該邊緣安置均勻性信號之一形狀及/或一區域，藉此判定多個隨機指標之安置，其中該形狀及該區域係至少由該等隨機指標導致的。
如請求項1之方法，其中該晶圓計量工具係一掃描電子顯微鏡。
如請求項1之方法，其中在該晶圓之疊對量測期間產生該晶圓之該等量測值。
如請求項1之方法，其進一步包括基於該形狀判定邊緣安置誤差之一分佈。
如請求項4之方法，其進一步包括在具有該等邊緣安置誤差之位置處檢驗該晶圓。
如請求項1之方法，其中該等量測值係該晶圓上之裝置之複數個線之量測值。
如請求項6之方法，其中該複數個線中之每一者具有該等邊緣安置均勻性信號中之一者。
如請求項1之方法，其進一步包括使用該處理器比較該邊緣安置均勻性信號與該晶圓之一規格。
如請求項1之方法，其中該設計輔助複合信號係該等量測值之一平均值。
如請求項1之方法，其中該特徵係該晶圓上之一結構之一邊緣。
如請求項1之方法，其中該特徵係該晶圓上之一結構之一中心。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存經組態以指示處理器執行如請求項1之方法之一程式。
一種半導體計量之系統，其包括： <br/>一粒子束源，其產生一粒子束； <br/>一載台，其經組態以將一晶圓固持在該粒子束之一路徑中； <br/>一偵測器，其自該晶圓接收粒子；及 <br/>一處理器，其與該偵測器進行電子通信，其中該處理器經組態以： <br/>依據該晶圓上之複數個特徵使用該晶圓之多個量測值以及該晶圓之一設計而判定一設計輔助複合信號，其中該設計輔助複合信號係該等量測值之組合；<br/>判定該晶圓之該設計之一模擬工具信號，該模擬工具信號計及該晶圓計量工具之雜訊源及成像性質；<br/>判定係該設計輔助複合信號與該模擬工具信號之間的一差之一邊緣安置均勻性信號；及<br/>分析該邊緣安置均勻性信號之一形狀及/或一區域，藉此判定多個隨機指標之安置，其中該形狀及該區域係至少由該等隨機指標導致的。
如請求項13之系統，其中該系統係一掃描電子顯微鏡。
如請求項13之系統，其中該處理器進一步經組態以基於該形狀判定邊緣安置誤差之分佈。
如請求項15之系統，其中該處理器進一步經組態以發送指令以使用該粒子束在具有該等邊緣安置誤差之位置處檢驗該晶圓。
如請求項13之系統，其中該處理器進一步經組態以比較該邊緣安置均勻性信號與該晶圓之一規格。
如請求項13之系統，其中該粒子束係一電子束、一光子束、一離子束或一中性粒子束。
一種結構(A)之無規共聚物，其包含， <br/>具有結構<b>(I)</b>之重複單元之羧酸，其中R<sub>m1</sub>係H或C-1至C-4烷基，且n1係此重複單元的總數；其中該共聚物中此重複單元佔1.0莫耳%至5.0莫耳%之範圍內； <br/>結構<b>(II)</b>之4-乙烯基苯并環丁烯衍生之重複單元，其中R<sub>m2</sub>係H或C-1至C-4烷基，且n2係此重複單元的總數；其中該共聚物中此重複單元佔5.0莫耳%至35.0莫耳%之範圍內； <br/>結構<b>(III)</b>之苯乙烯重複單元，其中R<sub>m3</sub>係H或C-1至C-4烷基，R<sub>sty</sub>選自H、C-2至C-8直鏈烷基及C-1至C-4烷氧基且n3係此重複單元的總數；其中該共聚物中此重複單元佔25莫耳%至94莫耳%之範圍內； <br/>結構(IV)之丙烯酸烷酯或2-亞甲基烷酸烷酯衍生之重複單元，其中R<sub>m4</sub>係H或C-1至C-4烷基，R<sub>I</sub>係C-1至C-8烷基且n4係此重複單元的總數，其中該共聚物中此重複單元佔0莫耳%至64莫耳%之範圍內； <br/>結構<b>(V)</b>之含羥基官能基之丙烯酸烷酯或2-亞甲基烷酸烷酯衍生之重複單元，其中R<sub>m5</sub>係H或C-1至C-4烷基，L<sub>1</sub>係C-2至C-8伸烷基部分且n5係此重複單元的總數，其中該共聚物中此重複單元佔0莫耳%至3莫耳%之範圍內，且 <br/>如結構(A)中所示的兩個端基，其中一者係H及另一者係經Rr、Rr<sub>1</sub>及Rr<sub>2</sub>取代之甲基部分，其中Rr<sub>1</sub>係C-1至C-8烷基，Rr<sub>2</sub>選自C-1至C-8烷基、C-1至C-8伸烷基羥基部分(-伸烷基-OH)、C-1至C-8伸烷基羧酸部分(-伸烷基-CO<sub>2</sub>H)、或結構(B)之含苄醇部分，其中ni係0至5範圍之整數，nia係1至5之整數，nib係1至5之整數，且「*」指定此部分之連接點， <br/>Rr係氰基部分(-CN)或羰基烷基部分(-C(=O)-Ri)，其中Ri係C-1至C-8烷基或芳基部分；且此外 <br/>其中結構(I)、(II)、(III)、(IV)及(V)之重複單元之個別莫耳%的總和係小於或等於存在於該共聚物中之總重複單元的100莫耳%： <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="316px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(A) </b><br/><img align="absmiddle" height="40px" width="131px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(B)</b><b>。</b>
如請求項1之共聚物，其中該共聚物中結構<b>(III)</b>之苯乙烯重複單元佔30.0莫耳%至94.0莫耳%之範圍內；且結構(IV)之丙烯酸烷酯或2-亞甲基烷酸烷酯衍生之重複單元佔0莫耳%至45莫耳%之範圍內。
如請求項1或2之共聚物，其重複單元由結構(I)、(II)及(III)之重複單元組成，其中 <br/>該結構(I)之重複單元在1莫耳%至5莫耳%之範圍內， <br/>該結構(II)之重複單元在5莫耳%至9莫耳%之範圍內， <br/>該結構(III)之重複單元在90莫耳%至94莫耳%之範圍內，且此外其中結構(I)、(II)及(III)之重複單元之個別莫耳%的總和等於該共聚物中總重複單元的100莫耳%。
如請求項1或2之共聚物，其中R<sub>sty</sub>係H。
如請求項1或2之共聚物，其中該共聚物具有結構(A-1)， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="220px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(A 1)。
如請求項1或2之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8伸烷基羥基部分、C-1至C-8伸烷基羧酸部分或結構(B)之含苄醇部分。
如請求項1之共聚物，其具有結構(A-2)，其中 <br/>該結構(I)之重複單元在1莫耳%至5莫耳%之範圍內， <br/>該結構(II)之重複單元在15莫耳%至35莫耳%之範圍內， <br/>該結構(III)之重複單元在25莫耳%至79莫耳%之範圍內，且 <br/>該結構(IV)之重複單元在5莫耳%至59莫耳%之範圍內， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="267px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(A-2)。
如請求項7之共聚物，其重複單元由結構(I)、(II)、(III)及(IV)之重複單元組成。
如請求項7之共聚物，其中該共聚物具有結構(A-3)， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="267px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(A-3)。
如請求項1或2之共聚物，其具有結構(A)，其中 <br/>該結構(I)之重複單元在1莫耳%至5莫耳%之範圍內， <br/>該結構(II)之重複單元在15莫耳%至35莫耳%之範圍內， <br/>該結構(III)之重複單元在30莫耳%至60莫耳%之範圍內， <br/>該結構(IV)之重複單元在15莫耳%至45莫耳%之範圍內， <br/>該結構(V)之重複單元在1莫耳%至3莫耳%之範圍內， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="316px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(A)</b>。
如請求項10之共聚物，其中該共聚物具有結構(A-4)， <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="316px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(A-4)。
一種包含如請求項1至11中任一項之共聚物及有機旋轉澆鑄溶劑之組合物。
一種用於形成共聚物之交聯或接枝且交聯之塗層於基材上之方法，其包括下列步驟： <br/>i) 形成如請求項12之組合物之塗層於基材上， <br/>ii) 將該塗層在90℃至180℃之溫度下加熱以移除溶劑且形成該共聚物之交聯或接枝且交聯之塗層， <br/>iii) 將步驟ii)之該交聯或接枝且交聯之塗層從200℃加熱至250℃以形成完全交聯或完全交聯且接枝之共聚物塗層。
如請求項13之方法，其中 <br/>a) 該方法係用於形成交聯或者接枝且交聯之非極性釘紮塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項1至6中任一項之共聚物，其重複單元由結構(I)、(II)及(III)組成，或者 <br/>b) 該方法係用於形成交聯之非極性釘紮塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項1至5中任一項之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8烷基；或者 <br/>c) 該方法係用於形成交聯或者接枝且交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項7至9中任一項之共聚物；或者 <br/>d) 該方法係用於形成接枝且交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項7至9中任一項之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8伸烷基羥基部分、C-1至C-8伸烷基羧酸部分或結構(B)之含苄醇部分；或者 <br/>e) 該方法係用於形成交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項7至9中任一項之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8烷基；或者 <br/>f) 該方法係用於形成交聯或者接枝且交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項10或11之共聚物；或者 <br/>g) 該方法係用於形成接枝且交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項10或11之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8伸烷基羥基部分、C-1至C-8伸烷基羧酸部分或結構(B)之含苄醇部分；或者 <br/>h) 該方法係用於形成交聯之中性塗層於基材上，其中如請求項12之組合物包含請求項10或11之共聚物，其中Rr<sub>2</sub>係C-1至C-8烷基。
一種用於形成自組裝嵌段共聚物塗層於中性塗層上之方法，其包括下列步驟： <br/>ij) 形成如請求項14中d)、e)、f)、g)或h)之中性塗層， <br/>iij) 將嵌段共聚物施用於中性塗層之上且退火直至發生該嵌段共聚物塗層之定向自組裝。
一種用於形成影像之嵌段共聚物塗層之製圖磊晶定向自組裝之方法，其包括下列步驟： <br/>ik) 形成如請求項14中d)、e)、f)、g)或h)之中性塗層， <br/>iik) 提供光阻劑塗層之塗層於該中性塗層之上，且在該光阻劑塗層中形成圖案， <br/>iiik) 將包含蝕刻抗性嵌段及高度可蝕刻嵌段之嵌段共聚物施用於該光阻劑圖案之上且退火直至發生定向自組裝；且， <br/>ivk) 蝕刻該嵌段共聚物，由此移除該基材之該等共聚物外塗覆區域之該高度可蝕刻嵌段且同時在該基材中選擇性地於此等區域中形成圖案。
一種用於形成影像之嵌段共聚物塗層之化學磊晶定向自組裝之方法，其包括下列步驟： <br/>il) 形成如請求項14中d)、e)、f)、g)或h)之中性塗層於基材上， <br/>iil) 提供光阻劑塗層之塗層於該中性塗層上，且 <br/>在該光阻劑塗層中形成圖案，由此形成其中該中性塗層未經光阻劑覆蓋之區域， <br/>iiil) 處理該未覆蓋的中性塗層以移除其，形成釘紮區域， <br/>ivl) 移除該光阻劑，使未受影響的中性塗層露出，從而形成含有中性區域及釘紮區域之化學磊晶圖案， <br/>vl) 將包含蝕刻抗性嵌段及高度可蝕刻嵌段之嵌段共聚物施用於該中性塗層之上且退火直至發生定向自組裝；且 <br/>vil) 蝕刻該嵌段共聚物，由此移除該基材之該等共聚物外塗覆區域之該高度可蝕刻嵌段且同時在該基材中選擇性地於此等區域中形成圖案。
一種用於形成影像之嵌段共聚物塗層之化學磊晶定向自組裝之方法，其包括下列步驟： <br/>im) 形成如請求項14中a)或b)之非極性釘紮塗層於基材上， <br/>iim) 提供光阻劑塗層之塗層於釘紮塗層之上， <br/>iiim) 在該光阻劑塗層中形成圖案，由此形成其中釘紮塗層未經光阻劑覆蓋之區域， <br/>ivm) 處理該未覆蓋的釘紮塗層以移除其，形成裸露基材區域， <br/>vm) 移除該光阻劑，使該未受影響的釘紮塗層及該等裸露基材區域露出， <br/>vim) 將中性塗層施用於裸露基材之該等區域中，從而形成含有中性區域及釘紮區域之化學磊晶圖案， <br/>viim) 將包含蝕刻抗性嵌段及高度可蝕刻嵌段之嵌段共聚物施用於該化學磊晶圖案之上且退火直至發生定向自組裝；及 <br/>viiim) 蝕刻該嵌段共聚物，由此移除該基材之該等共聚物外塗覆區域之該高度可蝕刻嵌段且同時在該基材中選擇性地於此等區域中形成圖案。
一種微電子装置，其使用在如請求項16至18中任一項中形成的圖案製成。
一種如請求項1至11中任一項之共聚物或如請求項12之組合物於製備經塗覆基材或電子裝置中之用途。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一第一導電層，設置於所述基板上，所述第一導電層具有一第一連接線以及一第二連接線，於一週期中，所述第一連接線用以傳輸一正極性訊號且所述第二連接線用以傳輸一負極性訊號；<br/> 一絕緣層，設置於所述第一導電層上；以及<br/> 一第二導電層，設置於所述絕緣層上，所述第二導電層包括複數個部分，且覆蓋所述第一連接線以及所述第二連接線；<br/> 其中，所述複數個部分各自覆蓋的所述第一連接線的數量相等於覆蓋的所述第二連接線的數量。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述第二導電層的材料包括一透明導電材料。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述複數個部分為不相連的。
如請求項1所述之電子裝置，更包括一電子元件，設置於所述基板上，其中所述第一導電層與所述電子元件電性連接。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述第一連接線與所述第二連接線交替地排列。
如請求項1所述之電子裝置，其中所述第一導電層更包括一第三連接線，且所述第二導電層更覆蓋所述第三連接線。
如請求項6所述之電子裝置，所述複數個部分各自覆蓋至少一條第一連接線、至少一條第二連接線以及至少一條第三連接線。
如請求項7所述之電子裝置，其中所述複數個部分為不相連的。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述第三連接線用以傳輸一觸控訊號。
如請求項6所述之電子裝置，其中所述第三連接線設置於所述第一連接線與所述第二連接線之間。
一種電漿燈，其包括： <br/>一電漿燈泡，其經組態以容納一氣體且在該電漿燈泡內產生一電漿，該電漿燈泡由對來自一泵浦雷射之照明及藉由該電漿發射之寬頻輻射之至少一部分至少部分透明之一材料形成， <br/>其中該電漿燈泡包括一錐形囊(conical pocket)，其中該錐形囊包含一收斂區段或一發散錐形區段之至少一者且經組態以中斷從該電漿上升之一羽流(plume)。
如請求項1之電漿燈，其中該錐形囊抑制從該電漿至該電漿燈泡之一或多個壁之熱傳輸。
如請求項1之電漿燈，其中該電漿燈泡包括一本體。
如請求項3之電漿燈，其中該錐形囊係與該本體成一體以在該電漿撞擊至該電漿燈泡之一頂部部分上之前中斷從該電漿上升之該羽流。
如請求項3之電漿燈，其中該本體包括一橢圓區段。
如請求項1之電漿燈，其中該錐形區段具有一非均勻形狀。
如請求項1之電漿燈，其中該錐形區段之一壁係非均勻的。
如請求項1之電漿燈，其中該錐形區段包括與一收窄錐形區段成一體之一筆直區段。
如請求項1之電漿燈，其中該錐形區段包括與一收窄錐形區段成一體之一加寬錐形區段。
如請求項1之電漿燈，其進一步包括一或多個金屬棒。
如請求項1之電漿燈，其中該燈泡無電極。
如請求項1之電漿燈，其進一步包括： <br/>一或多個電極，其或其等安置於該燈泡內，該一或多個電極經組態以在該燈泡內起始電漿產生。
如請求項1之電漿燈，其中容納於氣體容納結構內之該氣體包括Xe、Ar、Ne、Kr、He、N<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>、D<sub>2</sub>、F<sub>2</sub>、CF<sub>6</sub>之至少一種或Xe、Ar、Ne、Kr、He、N<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>、D<sub>2</sub>、F<sub>2</sub>或CF<sub>6</sub>之至少兩種或更多種之一混合物。
如請求項1之電漿燈，其中該電漿燈泡之玻璃材料包括一熔融石英玻璃材料。
一種電漿燈，其包括： <br/>一電漿燈泡，其經組態以容納一氣體且在該電漿燈泡內產生一電漿，該電漿燈泡由對來自一泵浦雷射之照明及藉由該電漿發射之寬頻輻射之至少一部分至少部分透明之一材料形成， <br/>其中該電漿燈泡包括一多階錐形囊，其中該多階錐形囊包含一系列收窄階狀區段且經組態以中斷從該電漿上升之一羽流。
一種雷射持續電漿光源，其包括： <br/>一電漿燈泡，其經組態以容納一定體積之氣體； <br/>一雷射泵浦源，其經組態以產生一光學泵浦以維持該電漿燈泡內之一電漿；及 <br/>一集光器元件，其經組態以收集從該電漿發射之寬頻光之至少一部分，其中該電漿燈泡係由對來自一泵浦雷射之照明及藉由該電漿發射之寬頻輻射之至少一部分至少部分透明之一材料形成，其中該電漿燈泡包括一錐形囊，其中該錐形囊包含一收斂區段或一發散錐形區段之至少一者且經組態以中斷從該電漿上升之一羽流。
一種光學特性化系統，其包括： <br/>一雷射持續光源，其包括： <br/>一電漿燈泡，其經組態以容納一定體積之氣體； <br/>一雷射泵浦源，其經組態以產生一光學泵浦以維持該電漿燈泡內之一電漿； <br/>一集光器元件，其經組態以收集從該電漿發射之寬頻光之至少一部分，其中該電漿燈泡係由對來自一泵浦雷射之照明及藉由該電漿發射之寬頻輻射之至少一部分至少部分透明之一材料形成，其中該電漿燈泡包括一錐形囊，其中該錐形囊包含一收斂區段或一發散錐形區段之至少一者且經組態以中斷從該電漿上升之一羽流； <br/>一照明光學器件組，其經組態以將來自該雷射持續光源之寬頻光引導至一或多個樣本； <br/>一集光光學器件組，其經組態以收集從該一或多個樣本射出之光；及 <br/>一偵測器總成，其經組態以透過該集光光學器件組捕獲從該一或多個樣本射出之光。
一種減少一雷射持續電漿源中之熱傳輸之方法，其包括： <br/>產生泵浦照明； <br/>將該泵浦照明之一部分引導至一電漿燈泡中以維持該電漿燈泡之一本體內之一電漿； <br/>運用一錐形囊中斷從該電漿上升之一羽流之一部分以減少從該電漿至該電漿燈泡之一或多個壁之熱傳輸，其中該錐形囊包含一收斂區段或一發散錐形區段之至少一者；及 <br/>收集從該電漿發射之寬頻光之一部分及將寬頻光之該部分引導至一或多個下游應用。
一種製造半導體裝置之方法，其包含： <br/>提供包括複數個單元之條帶基板； <br/>在該條帶基板中形成孔； <br/>在該條帶基板上方沈積囊封體； <br/>在該條帶基板及該囊封體上方安置遮罩，其中該遮罩之支腳安置於該孔中； <br/>在該遮罩及該條帶基板上方形成屏蔽層； <br/>在形成該屏蔽層之後移除該遮罩；及 <br/>單粒化該條帶基板以在形成該屏蔽層之後將該複數個單元彼此分離。
如請求項1之方法，其進一步包括僅在該囊封體之一部分上方安置該遮罩。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>在該條帶基板中形成槽；及 <br/>形成延伸至該槽中之該屏蔽層。
如請求項3之方法，其進一步包括經由該槽單粒化該條帶基板。
如請求項3之方法，其中該槽為彎曲的。
如請求項1之方法，其進一步包括在該囊封體之彎曲邊緣上方安置該遮罩。
一種製造半導體裝置之方法，其包含： <br/>提供基板； <br/>在該基板中形成孔；及 <br/>在該基板上方安置遮罩，其中該遮罩之支腳安置於該孔中，其中該基板圍繞該支腳延伸。
如請求項7之方法，其進一步包括： <br/>從該基板移除該遮罩；及 <br/>在第二基板上方安置該遮罩。
如請求項8之方法，其進一步包括在該遮罩及該第二基板上方形成第二屏蔽層。
如請求項7之方法，其進一步包括： <br/>在該基板上方沈積囊封體；及 <br/>在該囊封體之曲面或凹部上方安置該遮罩。
如請求項7之方法，其中該遮罩平躺在該基板上。
如請求項7之方法，其中該遮罩包括側壁及頂部。
一種製造半導體裝置之方法，其包含： <br/>提供基板； <br/>在該基板中形成孔； <br/>在該基板上方安置遮罩，其中該遮罩之支腳安置於該孔中，其中該基板圍繞該支腳延伸； <br/>在該遮罩及該基板上方形成屏蔽層；以及 <br/>在形成該屏蔽層之後移除該遮罩。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>沉積延伸橫跨該基板的複數個單元的囊封體；以及 <br/>在該複數個單元上方安置該遮罩。
如請求項13之方法，其中在該基板上方安置該遮罩之後，該遮罩平躺在該基板上。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>在該基板中形成槽；以及 <br/>在該槽中形成該屏蔽層。
如請求項13之方法，其進一步包括在該基板上方沉積囊封體，其中該囊封體包括傾斜表面。
如請求項17之方法，其進一步包括在該囊封體上方安置該遮罩。
如請求項13之方法，其進一步包括在移除該遮罩之後，單粒化該基板為複數個單元。
一種製造半導體裝置之方法，其包含： <br/>提供基板，所述基板包括在該基板中形成的孔；及 <br/>在該基板上方安置遮罩，其中該遮罩之支腳安置於該孔中； <br/>在該基板及該遮罩上方形成屏蔽層；以及 <br/>在形成該屏蔽層之後單粒化該基板。
如請求項20之方法，其進一步包括在該基板上方沉積囊封體。
如請求項21之方法，其進一步包括在該囊封體上方安置該遮罩。
如請求項20之方法，其進一步包括： <br/>在該基板中形成槽；以及 <br/>形成延伸至該槽中之該屏蔽層。
如請求項23之方法，其中該槽為彎曲的。
如請求項20之方法，其中所述基板包括複數個單元。
一種廢棄物焚化設備，包括： <br/>焚化爐，焚化廢棄物； <br/>廢氣流路，供自所述焚化爐排出的廢氣流通； <br/>集塵器，設置於所述廢氣流路； <br/>再循環廢氣線，在所述廢氣流路中連接於所述集塵器的下游側的取出位置，取出在所述廢氣流路中流通的所述廢氣的一部分作為再循環廢氣並供給至所述焚化爐內； <br/>氧氣混合部，對在所述再循環廢氣線中流通的所述再循環廢氣混合氧濃度高於空氣的高濃度氧氣； <br/>二氧化碳回收裝置，在所述廢氣流路中設置於所述取出位置的下游側，自所述廢氣中回收二氧化碳；及 <br/>已處理氣體線，將通過所述二氧化碳回收裝置的所述廢氣的至少一部分混合於在所述再循環廢氣線中流通的所述再循環廢氣中； <br/>所述氧氣混合部設置於所述已處理氣體線，由通過所述二氧化碳回收裝置的所述廢氣生成所述高濃度氧氣，並將其混合於在所述再循環廢氣線中流通的所述再循環廢氣中。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，其中經由氣體管供給至所述焚化爐內的燃燒用氣體的主氣體是混合有所述高濃度氧氣的所述再循環廢氣。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，其中所述再循環廢氣線連接於所述焚化爐的一次燃燒室或/及二次燃燒室， <br/>混合有所述高濃度氧氣的所述再循環廢氣被用作一次燃燒用氣體或/及二次燃燒用氣體。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>脫水部，設置於所述再循環廢氣線，自所述再循環廢氣中去除水。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>預熱器，設置於所述再循環廢氣線，對所述再循環廢氣進行加熱。
如請求項1至請求項5中任一項所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>濕式洗煙塔，在所述廢氣流路中設置於所述集塵器與所述取出位置之間，對所述廢氣供給包含水的液體，並自所述廢氣中去除規定成分， <br/>藉由所述廢氣流路中的所述濕式洗煙塔的上游側的所述廢氣與在所述再循環廢氣線中流通的所述再循環廢氣的熱交換，而對所述再循環廢氣進行加熱。
如請求項1至請求項5中任一項所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>廢棄物坑，貯存投入所述焚化爐前的廢棄物；及 <br/>抽出氣體線，抽出所述廢棄物坑內的氣體作為抽出氣體， <br/>所述氧氣混合部由所述抽出氣體的至少一部分生成所述高濃度氧氣，並將其混合於在所述再循環廢氣線中流通的所述再循環廢氣中。
如請求項7所述的廢棄物焚化設備，其中所述氧氣混合部將所述抽出氣體所包含的氧氣濃縮而生成所述高濃度氧氣，並將所述抽出氣體的剩餘氣體經由除臭裝置向外部排出。
如請求項7所述的廢棄物焚化設備，其中在連接於所述廢棄物坑的平台中設置雙層門結構。
如請求項1至請求項5中任一項所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>二氧化碳利用裝置，利用所述二氧化碳回收裝置所回收的二氧化碳生成規定的產物。
如請求項1至請求項5中任一項所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>廢氣處理部，在所述廢氣流路中設置於所述集塵器的下游側，對所述廢氣供給包含水的液體，並自所述廢氣中去除規定成分；及 <br/>分離膜，自剛通過所述廢氣處理部後的所述廢氣中去除水。
一種由式（V）所表示的去氮黃素并-環戊[a]菲衍生物在用於製備ATP產生激活劑的用途， <br/><br/> <img align="absmiddle" height="131px" width="254px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sub>1</sub>表示氫原子、未經取代的C1-C20烷基、經鹵素取代的C1-C20烷基、經羧基取代的C1-C20烷基、未經取代的苯基、經鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基中的一個取代而成的苯基；R<sub>2</sub>表示未經取代的C1-C20烷基、C3-C20環烷基、經苯基取代的C1-C6烷基、未經取代的苯基、經鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基中的一個取代而成的苯基、或經兩個C1-C6烷基取代的苯基；R<sub>3</sub>表示羥基或辛基。
如請求項1所述的用途，其中R<sub>1</sub>表示氫原子、未經取代的C1-C20烷基、或未經取代的苯基；R<sub>2</sub>表示未經取代的C1-C20烷基、未經取代的苯基、經鹵素原子、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基中的一個取代而成的苯基、或經兩個C1-C6烷基取代的苯基。
如請求項1所述的用途，其中R<sub>1</sub>表示氫原子、甲基或未經取代的苯基；R<sub>2</sub>表示未經取代的C1-C4烷基、芐基、未經取代的苯基、經一或兩個甲基取代的苯基、經羥基、甲氧基、亞甲基二氧基、氯原子、溴原子或氟原子取代的苯基。
如請求項1所述的用途，其中R<sub>1</sub>表示甲基或未經取代的苯基；R<sub>2</sub>表示甲基、乙基、丁基或經兩個甲基取代的苯基。
一種使用Pt以及碘或溴之烯烴的氫甲醯化之方法，其包含以下方法步驟： <br/> a) 先裝入烯烴(olefin)； <br/> b) 添加式(<b>I</b>)之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="67px" width="102px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (<b>I</b>) <br/> 其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>係選自：-H、-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基、-(C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>)-芳基，以及 <br/> R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>係選自：-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基、-(C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>)-芳基， <br/> 以及，若R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>為-(C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>)-芳基，則芳環可具有選自以下之取代基：-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基； <br/> c) 添加能形成錯合物之Pt化合物； <br/> d) 添加碘化合物或溴化合物； <br/> e) 進料CO及H<sub>2</sub>； <br/> f) 加熱來自步驟a)至e)之反應混合物，以將該烯烴轉化成醛。
如請求項1之方法， <br/> 其中，R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>係選自：-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基、-(C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>)-芳基。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>為-(C<sub>6</sub>-C<sub>20</sub>)-芳基。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>為-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，R<sup>1</sup>及R<sup>4</sup>各為-H。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，R<sup>9</sup>及R<sup>10</sup>為-(C<sub>1</sub>-C<sub>12</sub>)-烷基。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，化合物(<b>I</b>)具有結構(<b>1</b>)： <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="117px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (<b>1</b>)。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，該Pt化合物係選自：Pt(II)I<sub>2</sub>、Pt(II)Br<sub>2</sub>、Pt(IV)I<sub>4</sub>、Pt(IV)Br<sub>4</sub>、二苯基(1,5-COD)Pt(II)、Pt(II)(acac)<sub>2</sub>、Pt(0)(PPh<sub>3</sub>)<sub>4</sub>、Pt(0)(DVTS)溶液(CAS:68478-92-2)、Pt(0)(伸乙基)(PPh<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、Pt(II)Br<sub>2</sub>(COD)、參(亞苄丙酮)Pt(0)、Pt(II)(OAC)<sub>2</sub>溶液、Pt(0)(t-Bu)<sub>2</sub>、Pt(II)(COD)Me<sub>2</sub>、Pt(II)(COD)I<sub>2</sub>、Pt(IV)IMe<sub>3</sub>、Pt(II)(六氟乙醯丙酮)<sub>2</sub>。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，碘化合物係於方法步驟d)添加。
如請求項9之方法， <br/> 其中，以Pt為基準之當量(equivalent)測量，該碘化合物之添加量係在0.1至10之範圍。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，溴化合物係於方法步驟d)添加。
如請求項11之方法， <br/> 其中，以Pt為基準之當量測量，該溴化合物之添加量係在0.1至10之範圍。
如請求項1或2之方法， <br/> 其包含另外的方法步驟e')： <br/> e')添加溶劑。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，CO及H<sub>2</sub>係在1 MPa(10巴(bar))至6 MPa(60巴)之範圍的壓力下進料。
如請求項1或2之方法， <br/> 其中，將該反應混合物加熱至25℃至150℃之範圍的溫度。
一種光散射油墨組合物，其係包含：平均粒徑為150奈米至300奈米的第一散射粒子、平均粒徑為10奈米至90奈米的第二散射粒子、光聚合性化合物、以及光聚合引發劑，其中<br/> 該第一散射粒子是二氧化鈦（TiO<sub>2</sub>），且該第二散射粒子是金屬氧化物。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該第一散射粒子的平均粒徑為180奈米至250奈米，並且該第二散射粒子的平均粒徑為15奈米至70奈米。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該光聚合性化合物包含由以下化學式1表示的化合物：<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="86px" width="299px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在化學式 1 中，<br/> R<sub>1</sub>至R<sub>5</sub>各自獨立為氫原子、甲基或羥基，<br/> R<sub>6</sub>為直接鍵或碳原子數為1至4的伸烷基，<br/> m 為1至5的整數。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該第二散射粒子係選自以下群組的至少一種：氧化鈦（TiO<sub>2</sub>）、氧化鋅（ZnO）、氧化矽（SiO<sub>2</sub>）、氧化鋇（BaO）、硫酸鋇（BaSO<sub>4</sub>）、及氧化鋯（ZrO<sub>2</sub>）。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該第一散射粒子與該第二散射粒子的重量比為30：70至70：30。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，相對於該光散射油墨組合物的固體含量的總重量，該光聚合性化合物的含量為10至95重量%。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該光聚合引發劑包含氧化膦類化合物。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，相對於該光散射油墨組合物的固體含量的總重量，該光聚合引發劑的含量為0.2至15重量%。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該光散射油墨組合物更包含添加劑。
如請求項1所述的光散射油墨組合物，其中，該光散射油墨組合物不包含溶劑。
如請求項1至10中任一項所述的光散射油墨組合物，其中，當該光散射油墨組合物在室溫下儲存30天時，平均粒徑變化率為5%以下。
如請求項1至10中任一項所述的光散射油墨組合物，其中，該光散射油墨組合物的粒徑分佈（SPAN）為1.5以下。
如請求項1至10中任一項所述的光散射油墨組合物，其中，當該光散射油墨組合物在穩定性分析儀（Turbiscan）中放置24小時時，頂部的背散射變化率為-5%至0%。
一種彩色濾光片，其包含由如請求項1至13中任一項所述的光散射油墨組合物製造的光散射層。
一種圖像顯示裝置，其包含如請求項14所述的彩色濾光片。
一種電子材料用填料，其具有以乾式法製造之氧化矽粒子材料，D50為0.2 μm以上且7.0 μm以下，（BET比表面積）／（由D50算出之理論比表面積）為0.85以上且1.2以下並且D10／D50為0.55以上且0.75以下，每個依據BET比表面積之單位表面積（1 m<sup>2</sup>）在自25℃加熱至200℃時產生的水分量為90 ppm以下，每個依據BET比表面積之單位表面積（1 m<sup>2</sup>）在自200℃加熱至550℃時產生的水分量為150 ppm以下。
一種電子材料用填料，其具有以乾式法製造之氧化矽粒子材料，D50為0.2 μm以上且2.5 μm以下，D10／D50為0.62以上且0.75以下，BET比表面積為0.3 m<sup>2</sup>／g以上且4.5 m<sup>2</sup>／g以下。
如請求項2所述之電子材料用填料，其每個依據BET比表面積之單位表面積（1 m<sup>2</sup>）在自25℃加熱至200℃時生成的水分量為90 ppm以下，每個依據BET比表面積之單位表面積（1 m<sup>2</sup>）在自200℃加熱至550℃時生成的水分量為150 ppm以下。
如請求項1至3之任一項所述之電子材料用填料，其中前述電子材料係高頻基板。
如請求項1至3之任一項所述之電子材料用填料，其係經具有由乙烯基及苯基而成之群組之1者以上之官能基的矽烷化合物表面處理者。
一種電子材料用漿料，其具有如請求項1至5之任一項所述之電子材料用填料與將前述電子材料用填料分散的分散介質。
一種電子材料用樹脂組成物，其具有如請求項1至5之任一項所述之電子材料用填料與將前述電子材料用填料分散的樹脂材料。
一種電子材料用填料的製造方法，其係製造如請求項1至5之任一項所述之電子材料用填料的方法，具有以乾式法製造原料氧化矽粒子材料之原料氧化矽粒子材料製備工序，與自前述原料氧化矽粒子材料分離出粒徑大的粒級之分級工序，其中前述分級工序擁有在使前述原料氧化矽粒子材料分散至氣體中之狀態下進行離心分級之工序，或在使之分散至分散介質中之後透過沉澱速度之差來分離之沉澱分級工序。
如請求項8所述之電子材料用填料的製造方法，其在前述分級工序後具有乾燥工序。
如請求項2所述之電子材料用填料，其（BET比表面積）／（由D50算出之理論比表面積）為0.85以上且1.2以下。
一種探針卡，其特徵在於包括： <br/>配線基板，支持複數個探針； <br/>發熱被膜，形成於上述配線基板上；以及 <br/>一對電極端子，對上述發熱被膜供給電流；並且 <br/>上述發熱被膜係藉由塗佈包含微細碳粒子及黏合劑之發熱塗佈材料而形成於上述配線基板之表面上； <br/>上述配線基板在與主面平行之水平面內，區分為形成電路圖案之電路區域、以及包圍上述電路區域之非電路區域； <br/>上述發熱被膜僅形成於上述非電路區域。
如請求項1之探針卡，其中 <br/>於上述配線基板之上述電路區域內包括由電熱線組成之加熱器。
如請求項1或2之探針卡，其中 <br/>上述一對電極端子形成於上述電路區域。
一種儲存單元，包括： <br/>至主機的介面； <br/>用於資料的儲存器； <br/>用以自所述主機接收啟動功率資料的接收器，所述啟動功率資料包含第一功率位準及持續時間；以及 <br/>電路，用以： <br/>基於所述持續時間，使用所述第一功率位準起始所述儲存單元的第一部分啟動程序；以及 <br/>基於所述持續時間，使用第二功率位準起始所述儲存單元的第二部分啟動程序，其中： <br/>所述啟動功率資料更包含第三功率位準及第二持續時間，且 <br/>所述第一功率位準及所述第三功率位準大於所述第二功率位準； <br/>其中所述持續時間為在所述儲存單元預期返回至所述第二功率位準之前，所述儲存單元使用所述第一功率位準的時間長度。
如請求項1所述的儲存單元，其中所述儲存單元包含固態硬碟（SSD）、硬碟機、相變記憶體（PCM）、磁阻性隨機存取記憶體（MRAM）或電阻性隨機存取記憶體（ReRAM）中的至少一者。
如請求項1所述的儲存單元，其中所述啟動功率資料包含由所述儲存單元消耗的功率的上限。
如請求項1所述的儲存單元，更包括用以將第二啟動功率資料傳輸至所述主機的傳輸器，所述第二啟動功率資料包含第三功率位準及第二持續時間。
如請求項1所述的儲存單元，其中所述電路包含供所述電路至少部分地基於所述持續時間使用所述第一功率位準啟動所述儲存單元的計時器。
如請求項5所述的儲存單元，其中所述電路進一步經組態以至少部分地基於指示所述持續時間流逝的所述計時器，使用所述第二功率位準啟動所述儲存單元。
如請求項1所述的儲存單元，其中所述啟動程序的所述第二部分是基於所述持續時間的屆滿而起始。
一種操作儲存單元的方法，所述方法包括：在所述儲存單元處自主機接收啟動功率資料，所述啟動功率資料包含第一功率位準及持續時間； <br/>基於所述持續時間，使用所述第一功率位準起始所述儲存單元的第一部分啟動程序；以及 <br/>基於所述持續時間，使用第二功率位準起始所述儲存單元的第二部分啟動程序，其中： <br/>所述啟動功率資料更包含第三功率位準及第二持續時間，且 <br/>所述第一功率位準及所述第三功率位準大於所述第二功率位準； <br/>其中所述持續時間為在所述儲存單元預期返回至所述第二功率位準之前，所述儲存單元使用所述第一功率位準的時間長度。
如請求項8所述的方法，其中所述儲存單元包含固態硬碟（SSD）、硬碟機、相變記憶體（PCM）、磁阻性隨機存取記憶體（MRAM）或電阻性隨機存取記憶體（ReRAM）中的至少一者。
如請求項8所述的方法，其中所述啟動功率資料包含由所述儲存單元消耗的功率的上限。
如請求項8所述的方法，更包括將第二啟動功率資料自所述儲存單元傳輸至所述主機，所述第二啟動功率資料包含第三功率位準及第二持續時間。
如請求項8所述的方法，其中至少部分地基於所述第一功率位準、所述持續時間以及所述第二功率位準中的一者啟動所述儲存單元包含至少部分地基於所述第一功率位準或所述持續時間使用計時器對所述儲存單元的啟動進行計時。
如請求項12所述的方法，其中至少部分地基於所述第一功率位準、所述持續時間以及所述第二功率位準中的一者啟動所述儲存單元包含至少部分地基於指示所述持續時間流逝的所述計時器，使用所述第二功率位準啟動所述儲存單元。
如請求項8所述的方法，其中 <br/>所述啟動功率資料更包含第三功率位準及第二持續時間；且 <br/>至少部分地基於所述持續時間使用所述第一功率位準啟動所述儲存單元包含： <br/>至少部分地基於所述持續時間使用所述第一功率位準以及至少部分地基於所述第二持續時間使用所述第三功率位準來啟動所述儲存單元， <br/>其中所述第一功率位準及所述第三功率位準大於所述第二功率位準。
一種操作儲存單元的方法，所述方法包括： <br/>為所述儲存單元的第一部分啟動程序選擇第一功率位準及持續時間，所述儲存單元包含用於所述儲存單元的第二部分啟動程序的第二功率位準；以及 <br/>將包含所述第一功率位準及所述持續時間的啟動功率資料自主機傳輸至所述儲存單元， <br/>其中： <br/>所述啟動功率資料更包含第三功率位準及第二持續時間，且 <br/>所述第一功率位準及所述第三功率位準大於所述第二功率位準； <br/>其中所述持續時間為在所述儲存單元預期返回至所述第二功率位準之前，所述儲存單元使用所述第一功率位準的時間長度。
如請求項15所述的方法，其中所述啟動功率資料包含由所述儲存單元消耗的功率的上限。
如請求項15所述的方法，更包括在所述主機處自所述儲存單元接收第二啟動功率資料，所述第二啟動功率資料包含第三功率位準及第二持續時間。
如請求項15所述的方法，更包括將使用所述啟動功率資料啟動的請求自所述主機傳輸至所述儲存單元。
如請求項18所述的方法，更包括將使用第二啟動功率資料啟動的第二請求自所述主機傳輸至第二儲存單元。
如請求項19所述的方法，更包括至少部分地基於所述啟動功率資料使用計時器對所述儲存單元的啟動進行計時。
一種用於波形產生之方法，包括以下步驟： <br/>自一能量源輸送具有一相關聯設定點之一第一波形； <br/>使用至少一個感測器偵測該第一波形之至少一個特性； <br/>藉由使用該經偵測之至少一個特性及至少一個已儲存之電壓衰減值函數來決定該第一波形內所提供之一脈衝的一部分期間之一電壓衰減值； <br/>藉由使用該經偵測之至少一個特性及至少一個已儲存之鞘耦合電壓值函數來決定該第一波形之該脈衝的該部分期間之一鞘耦合電壓值； <br/>基於該經決定之電壓衰減值及該經決定之鞘耦合電壓值計算一補償因數；及 <br/>藉由將該已計算之補償因數施加至該第一波形之該至少一個特性來調整該第一波形之至少一個特性。
如請求項1所述之方法，其中該第一波形為一高電壓脈衝波形，並建立一鞘。
如請求項1所述之方法，其中該相關聯設定點為一基線製程、電壓及溫度(PVT)設定點。
如請求項1所述之方法，其中該至少一個特性為一電流感測器度量。
如請求項1所述之方法，其中該至少一個感測器為一內聯感測器，且被包括在一電流變換器中。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>藉由使用耦接至一有線晶圓之至少一個第二感測器來偵測在該第一波形之該脈衝的該部分期間與一初始電壓相關聯之至少一個值及與一最終電壓相關聯之至少一個值； <br/>藉由使用與一初始電壓相關聯之該至少一個值及與一最終電壓相關聯之該至少一個值來決定至少一個電壓德爾塔值； <br/>藉由使用該至少一個感測器來偵測在該第一波形之該脈衝的該部分期間之至少一個經量測電流值；及 <br/>儲存該至少一個已儲存之電壓衰減值，其表示該至少一個電壓德爾塔值與該至少一個經量測電流值之間的一關係。
如請求項6所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>儲存該至少一個已儲存之鞘耦合電壓值，其表示與一初始電壓相關聯之該至少一個值與該至少一個經量測電流值之間的一第二關係。
如請求項1所述之方法，其中已知該第一波形之一製程、電壓及溫度(PVT)開啟時間。
如請求項1所述之方法，其中該補償因數為一電壓衰減梯級計數。
如請求項1所述之方法，其中調整該第一波形之該至少一個特性之步驟包括以下步驟：將一連續電壓斜坡施加至該脈衝的一部分。
一種波形產生器，包括： <br/>一感測器組件，耦接至一脈衝器之一輸出，其中該感測器組件包括至少一個感測器，其經配置以偵測該波形產生器所產生之一第一波形的至少一個特性；及 <br/>一系統控制器，耦接至該波形產生器，其中該系統控制器包括： <br/>一處理器及記憶體，其中該記憶體包括指令，該等指令在由該處理器執行時會導致： <br/>使用至少一個已儲存之電壓衰減值函數來決定該第一波形期間之一脈衝的一部分內之一電壓衰減量； <br/>使用至少一個已儲存之鞘耦合電壓值函數來決定該第一波形之一脈衝的該部分內之一鞘耦合電壓的一量； <br/>基於該經決定之電壓衰減量及該經決定之鞘耦合電壓量計算一補償因數；及 <br/>基於該補償因數的一施加調整該第一波形之該至少一個特性。
如請求項11所述之波形產生器，其中： <br/>該第一波形為一高電壓脈衝波形，且 <br/>該第一波形建立一鞘。
如請求項11所述之波形產生器，其中該第一波形具有一相關聯設定點，且該相關聯設定點為一基線製程、電壓及溫度(PVT)設定點。
如請求項11所述之波形產生器，其中該至少一個特性為一電流感測器度量。
如請求項11所述之波形產生器，其中該至少一個感測器為一內聯感測器。
如請求項11所述之波形產生器，其中該記憶體包括其他指令，該等指令在由該處理器執行時會導致： <br/>藉由使用耦接至一有線晶圓之至少一個第二感測器來決定在該第一波形的該部分期間與一初始電壓相關聯之至少一個值及與一最終電壓相關聯之至少一個值； <br/>藉由使用與一初始電壓相關聯之該至少一個值及與一最終電壓相關聯之該至少一個值來決定至少一個電壓德爾塔值； <br/>使用該至少一個感測器來決定在該第一波形的該部分期間之至少一個經量測電流值；及 <br/>將該至少一個已儲存之電壓衰減值函數儲存在該記憶體中，該至少一個已儲存之電壓衰減值函數表示該至少一個電壓德爾塔值與該至少一個經量測電流值之間的一關係。
如請求項16所述之波形產生器，其中該記憶體包括其他指令，該等指令在由該處理器執行時會導致： <br/>將該至少一個已儲存之鞘耦合電壓值公式儲存在該記憶體中，該至少一個已儲存之鞘耦合電壓值公式表示與一初始電壓相關聯之該至少一個值與該至少一個經量測電流值之間的一第二關係。
如請求項11所述之波形產生器，其中已知該第一波形之一製程、電壓及溫度(PVT)開啟時間。
如請求項11所述之波形產生器，其中該補償因數為一電壓衰減梯級計數。
如請求項11所述之波形產生器，其中補償因數係作為一連續電壓斜坡或一非線性電壓斜坡來施加。
一種波形產生器，包含：<br/> 一第一電壓級，該第一電壓級具有：<br/> 一第一電壓源；<br/> 一第一開關，其中該第一電壓源的一第一端子經耦接至該第一開關的一第一端子；<br/> 一接地參考點，其中該第一開關的一第二端子經耦接至該接地參考點；<br/> 一第一變壓器，該第一變壓器具有一第一變壓比，該第一變壓器包含：<br/> 一主要繞組，該主要繞組經耦接至該第一電壓源的一第二端子及該接地參考點；及<br/> 一次要繞組，該次要繞組具有一第一末端及一第二末端，其中該第一末端經耦接至該接地參考點；及<br/> 一第二電壓級，該第二電壓級具有：<br/> 一第二電壓源；<br/> 一第二開關，其中該第二電壓源的一第一端子經耦接至該第二開關的一第一端子；<br/> 一第二接地參考點，其中該第二開關的一第二端子經耦接至該第二接地參考點；<br/> 一第二變壓器，該第二變壓器具有一第二變壓比，該第二變壓器包含：<br/> 一主要繞組，該主要繞組經耦接至該第二電壓源的一第二端子及該第二接地參考點；及<br/> 一次要繞組，該次要繞組具有一第一末端及一第二末端，其中該第一末端經耦接至該第一變壓器之該次要繞組的該第二末端，而該第二末端經配置以藉由一共同節點耦接至一負載。
如請求項1之波形產生器，其中<br/> 該第一電壓級進一步包含一第一二極體，該第一二極體與該第一變壓器之該主要繞組並聯耦接，及<br/> 該第二電壓級進一步包含一第二二極體，該第二二極體與該第二變壓器之該主要繞組並聯耦接。
如請求項2之波形產生器，其中該第一二極體經耦接至一第一節點及一第二節點，其中該第一節點在該電壓源之該第二端子與該主要繞組的一第一端子之間，而該第二節點在該第一開關之該第一端子與該主要繞組之一第二端子之間。
如請求項2之波形產生器，其中該第一二極體包含該第一開關的一主體二極體，或者該第二二極體包含該第二開關的一主體二極體。
如請求項1之波形產生器，其中該第一變壓比不同於該第二變壓比。
如請求項5之波形產生器，其中該第一變壓比小於該第二變壓比。
如請求項5之波形產生器，其中該第一變壓比大於該第二變壓比。
如請求項1之波形產生器，其中該第一開關包含：<br/> 一電晶體，該電晶體是一金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）；及<br/> 一閘極驅動電路。
如請求項1之波形產生器，其中該第一電壓源包含一電容元件。
如請求項1之波形產生器，其中該共同節點經配置以經電容耦接至一電漿，該電漿形成在一電漿處理系統的一處理區域中。
如請求項10之波形產生器，其中該共同節點經耦接至設置在一基板支撐件內的一偏壓電極，該基板支撐件經設置在該電漿處理系統內。
如請求項1之波形產生器，進一步包含一第三電壓級，該第三電壓級具有：<br/> 一第三電壓源；<br/> 一第三開關，其中該第三電壓源的一第一端子經耦接至該第三開關的一第一端子；<br/> 一第三接地參考點，其中該第三開關的一第二端子經耦接至該第三接地參考點；<br/> 一第三變壓器，該第三變壓器具有一第三變壓比，該第三變壓器包含：<br/> 一主要繞組，該主要繞組經耦接至該第三電壓源的一第二端子及該第三接地參考點；及<br/> 一次要繞組，該次要繞組具有一第一末端及第二末端，該第一末端經耦接至該第二變壓器之該次要繞組的該第二末端，且該第三變壓器的該第二末端經配置以藉由該共同節點耦接至該負載；及<br/> 一第三二極體，該第三二極體與該第二變壓器的該主要繞組並聯耦接。
一種產生一電壓波形的方法，包含以下步驟：<br/> 於一第一時間，藉由關閉一第一開關來於一共同節點處產生一第一電壓脈衝，該第一開關具有一第一端子及一第二端子，其中：<br/> 該第一開關的該第一端子經耦接至該第一電壓源的一第一端子； <br/> 該第一電壓源的一第二端子經耦接至一第一變壓器的一主要繞組的一第一端子，該第一變壓器具有一第一變壓比；<br/> 該第一開關的該第二端子經耦接至該第一變壓器之該主要繞組的一第二端子且接地；及<br/> 該共同節點經耦接至該第一變壓器之一次要繞組的一第一端子；及<br/> 於一第二時間，藉由關閉一第二開關來於該共同節點處產生一第二電壓脈衝，該第二開關具有一第一端子及一第二端子，其中： <br/> 該第二開關的該第一端子經耦接至該第二電壓源的一第一端子； <br/> 該第二電壓源的一第二端子經耦接至一第二變壓器的一主要繞組的一第一端子，該第二變壓器具有一第二變壓比； <br/> 該第一開關的該第二端子經耦接至該第二變壓器之該主要繞組的一第二端子且接地；<br/> 由該第二電壓源在該第二電壓源之該第一端子與該第二端子之間產生一第二偏壓電壓；及<br/> 該第二變壓器之一次要繞組的一第一端子經耦接至該第一變壓器之該次要繞組的一第二端子，<br/> 其中該共同節點經設置在該第一變壓器之該次要繞組之該第一端子與一負載之間。
如請求項13之方法，其中該第一電壓脈衝與該第二電壓脈衝在時間上重疊。
如請求項13之方法，其中該共同節點經耦接至設置在一基板支撐件內的一偏壓電極，該基板支撐件經設置在一電漿處理系統內。
如請求項13之方法，其中該第一變壓比不同於該第二變壓比。
如請求項13之方法，其中該第一時間與該第二時間重疊。
如請求項13之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 於一第三時間，藉由關閉一第三開關來於該共同節點處產生一第三電壓脈衝，該第三開關具有一第一端子及一第二端子，其中： <br/> 該第三開關的該第一端子經耦接至一第三電壓源的一第一端子；<br/> 該第三電壓源的一第二端子經耦接至一第三變壓器的一主要繞組的一第一端子，該第三變壓器具有一第三變壓比；<br/> 該第三開關的該第二端子經耦接至該第三變壓器之該主要繞組之一第二端子且接地； <br/> 一第三偏壓電壓由該第三電壓源產生在該第三電壓源的該第一端子與該第二端子之間；及<br/> 該第二變壓器的一次要繞組的一第一端子經耦接至該第一變壓器之該次要繞組的一第二端子。
如請求項18之方法，其中該第三變壓比不同於該第一變壓比與該第二變壓比。
一種用於產生一波形的非暫態電腦可讀取媒體，該非暫態電腦可讀取媒體包含指令，該等指令可由一或更多個處理器執行以：<br/> 於一第一時間，藉由關閉一第一開關來於一共同節點處產生一第一電壓脈衝，該第一開關具有一第一端子及一第二端子，其中：<br/> 該第一開關的該第一端子經耦接至該第一電壓源的一第一端子；<br/> 該第一電壓源的一第二端子經耦接至一第一變壓器的一主要繞組的一第一端子，該第一變壓器具有一第一變壓比；<br/> 該第一開關的該第二端子經耦接至該第一變壓器之該主要繞組的一第二端子且接地；及<br/> 該共同節點經耦接至該第一變壓器之一次要繞組的一第一端子；及<br/> 於一第二時間，藉由關閉一第二開關來於該共同節點處產生一第二電壓脈衝，該第二開關具有一第一端子及一第二端子，其中：<br/> 該第二開關的該第一端子經耦接至該第二電壓源的一第一端子； <br/> 該第二電壓源的一第二端子經耦接至一第二變壓器的一主要繞組的一第一端子，該第二變壓器具有一第二變壓比； <br/> 該第一開關的該第二端子經耦接至該第二變壓器之該主要繞組的一第二端子且接地； <br/> 由該第二電壓源在該第二電壓源之該第一端子與該第二端子之間產生一第二偏壓電壓；及<br/> 該第二變壓器之一次要繞組的一第一端子經耦接至該第一變壓器之該次要繞組的一第二端子，<br/> 其中該共同節點經設置在該第一變壓器之該次要繞組之該第一端子與一負載之間。
一種製造且臨場篩選包含一熱敏性物質之複數個微粒之方法，包含下列步驟：<br/> 製備一溶液，其中該溶液包含該熱敏性物質以及一溶劑；分別將該溶液以及形成一超臨界流體之一噴霧介質注入至一飽和槽內，其中於該飽和槽內，該噴霧介質溶於該溶液形成該噴霧介質飽和之該溶液，形成該超臨界流體之該噴霧介質與該溶液注入該飽和槽之一質量流率比範圍為0.8至2.8；將該噴霧介質飽和之該溶液經由一噴霧元件噴入一沉澱槽中進而形成複數個一次霧化液滴，其中該沉澱槽內係為一絕對壓力，且該絕對壓力之範圍為5psi至10psi，於該沉澱槽內，該複數個一次霧化液滴瞬間膨脹，使溶解於每一個一次霧化液滴內之該噴霧介質變相成一氣相迅速釋放進而形成複數個二次霧化液滴；將經加熱之一非反應性氣體導入至該沉澱槽內，使該複數個二次霧化微滴與該非反應性氣體進行傳熱及傳質，進而使該複數個二次霧化微滴中之該溶劑迅速蒸發以轉變成該複數個微粒；將該複數個微粒沿關於該沉澱槽之一抽氣方向傳遞經過一旋風分離器，其中由該旋風分離器收集該複數個微粒之一第一部份，該複數個微粒之一第二部份通過該旋風分離器並未被收集；以及將該複數個微粒之該第二部份繼續沿該抽氣方向傳遞經過一過濾器，其中由該過濾器收集該複數個微粒之該第二部份，該複數個微粒之該第一部份之一第一平均粒徑係大於該複數個微粒之該第二部份之一第二平均粒徑，該複數個微粒之該第二部份之一第二平均粒徑範圍從439nm至539nm。
如請求項1所述之方法，其中該熱敏性物質係選自由聚乙二醇(polyethylene glycol, PEG)、聚乳酸(polylactic acid)、脂質(lipid)、卵磷脂(lecithin)、聚氧乙烯硬脂酰醚(polyoxyethylene stearyl ether)、氫化棕櫚油(hydrogenated palm oil)、牛血清白蛋白(bovine serum albumin, BSA)、溶菌酶(lysozyme)以及胰凝乳蛋白酶(chymotrypsin)所組成之群中之其一，該溶劑係選自由二甲基亞碸、二氯甲烷、丙酮、甲醇、乙醇、乙酸、純水以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一。
如請求項2所述之方法，其中該噴霧介質係選自由二氧化碳、氮氣、一氧化氮、氟氯碳化物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一。
一種製造且臨場篩選包含一熱敏性物質之複數個微粒之製造設備，包含：<br/> 一噴霧介質供應源，其內儲存一噴霧介質；一第一加熱裝置；一飽和槽；一第一壓力幫浦，係分別連通該噴霧介質供應源以及該飽和槽，該第一壓力幫浦汲取該噴霧介質，該噴霧介質經加壓並藉由該第一加熱裝置加熱以形成一超臨界流體進而注入至該飽和槽內；一容器，其內盛裝一溶液，該溶液包含該熱敏性物質以及一溶劑；一第二壓力幫浦，係分別連通該容器以及該飽和槽，該第二壓力幫浦汲取該溶液，該溶液經加壓並藉由該第一加熱裝置加熱進而注入至該飽和槽內，其中於該飽和槽內，該噴霧介質溶於該溶液形成該噴霧介質飽和之該溶液，形成該超臨界流體之該噴霧介質與該溶液注入該飽和槽之一質量流率比範圍為0.8至2.8；一沉澱槽；一噴霧元件，係連通於該飽和槽之一第一底部與該沉澱槽之一頂部之間；一非反應性氣體供應源，其內儲存一非反應性氣體；一第二加熱裝置；一流體控制器，係分別連通該非反應性氣體供應源以及該沉澱槽，該流體控制器控制該非反應性氣體並藉由該第二加熱裝置加熱進而導入至該沉澱槽內；一旋風分離器，係連通該沉澱槽之一第二底部；一過濾器，係連通該旋風分離器；以及一真空幫浦，係連通該過濾器，其中該真空幫浦通過該過濾器與該旋風分離器對該沉澱槽抽氣，使該沉澱槽內係為一絕對壓力，且該絕對壓力之範圍為5psi至10psi；其中該飽和槽內之該噴霧介質飽和之該溶液經由該噴霧元件噴入該沉澱槽中進而形成複數個一次霧化液滴，於該沉澱槽內，該複數個一次霧化液滴瞬間膨脹，使溶解於每一個一次霧化液滴內之該噴霧介質變相成一氣相迅速釋放進而形成複數個二次霧化液滴，該複數個二次霧化微滴與該非反應性氣體進行傳熱及傳質，進而使該複數個二次霧化微滴中之該溶劑迅速蒸發以轉變成該複數個微粒，該複數個微粒沿關於該沉澱槽之一抽氣方向傳遞經過該旋風分離器，由該旋風分離器收集該複數個微粒之一第一部份，該複數個微粒之一第二部份通過該旋風分離器並未被收集，該複數個微粒之該第二部份繼續沿該抽氣方向傳遞經過該過濾器，由該過濾器收集該複數個微粒之該第二部份，該複數個微粒之該第一部份之一第一平均粒徑係大於該複數個微粒之該第二部份之一第二平均粒徑，該複數個微粒之該第二部份之一第二平均粒徑範圍從439nm至539nm。
如請求項4所述之製造設備，其中該熱敏性物質係選自由聚乙二醇(polyethylene glycol, PEG)、聚乳酸(polylactic acid)、脂質(lipid)、卵磷脂(lecithin)、聚氧乙烯硬脂酰醚(polyoxyethylene stearyl ether)、氫化棕櫚油(hydrogenated palm oil)、牛血清白蛋白(bovine serum albumin, BSA)、溶菌酶(lysozyme)以及胰凝乳蛋白酶(chymotrypsin)所組成之群中之其一，該溶劑係選自由二甲基亞碸、二氯甲烷、丙酮、甲醇、乙醇、乙酸、純水以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一。
如請求項5所述之製造設備，其中該噴霧介質係選自由二氧化碳、氮氣、一氧化氮、氟氯碳化物以及上述化合物之混合物所組成之群組中之其一。
如請求項6所述之製造設備，進一步包含：<br/> 一冷凝槽，係連通於該過濾器與該真空幫浦之間，其中於沉澱槽內被蒸發之該溶劑流經該旋風分離器、該過濾器，並於該冷凝槽內被冷凝進而回收。
一種半導體結構之形成方法，包括：接收一工件，上述工件包括：一第一半導體鰭片和一第二半導體鰭片，由在一基板上方的一第一隔離特徵分開；以及一閘極結構，包括與上述第一半導體鰭片和上述第二半導體鰭片相交，並且直接設置在上述第一隔離特徵上方的一第一部分；移除上述閘極結構的上述第一部分和直接設置在上述閘極結構的上述第一部分下方的上述第一半導體鰭片、上述第二半導體鰭片、以及上述第一隔離特徵的複數部分，以形成一鰭片隔離溝槽；在上述工件上方形成一介電層，以大抵填充上述鰭片隔離溝槽；以及平坦化上述介電層，以在上述鰭片隔離溝槽中形成一鰭片隔離結構，其中上述鰭片隔離結構的一底表面低於上述閘極結構的一最底部分，並且低於上述第一隔離特徵的一最底部分。
如請求項1之半導體結構之形成方法，其中上述第一半導體鰭片和上述第二半導體鰭片各自沿著一第一方向縱向延伸，上述閘極結構沿著與上述第一方向大抵垂直的一第二方向縱向延伸，並且上述鰭片隔離結構沿著上述第二方向縱向延伸。
如請求項2之半導體結構之形成方法，更包括：形成延伸穿過上述閘極結構並且相鄰於上述第一半導體鰭片設置的一第一閘極隔離結構；以及形成延伸穿過上述閘極結構並且相鄰於上述第二半導體鰭片設置的一第二閘極隔離結構，其中上述鰭片隔離結構沿著第二方向設置在上述第一閘極隔離結構和上述第二閘極隔離結構之間。
如請求項3之半導體結構之形成方法，其中形成上述第一閘極隔離結構和上述第二閘極隔離結構的操作包括：形成延伸穿過上述閘極結構並且相鄰於上述第一半導體鰭片的一第一溝槽和延伸穿過上述閘極結構並且相鄰於上述第二半導體鰭片的一第二溝槽；在上述工件上方沉積一介電材料層，以大抵填充上述第一溝槽和上述第二溝槽；以及回蝕上述介電材料層，從而在上述第一溝槽中形成上述第一閘極隔離結構，並且在上述第二溝槽中形成上述第二閘極隔離結構。
如請求項3之半導體結構之形成方法，其中移除上述閘極結構的上述第一部分、直接設置在上述閘極結構的上述第一部分下方的上述第一半導體鰭片、上述第二半導體鰭片、以及上述第一隔離特徵的上述部分的操作包括：執行一第一蝕刻製程以選擇性地使上述閘極結構的上述第一部分凹陷以形成一開口，其中上述閘極結構的上述凹陷的第一部分的一頂表面在上述第一半導體鰭片和上述第二半導體鰭片的複數頂表面上方；以及執行一第二蝕刻製程以選擇性地移除上述閘極結構的上述第一部分的一剩餘部分，以及在其下方的上述第一半導體鰭片、上述第二半導體鰭片和上述第一隔離特徵的上述部分以延伸上述開口，從而形成上述鰭片隔離溝槽。
一種半導體結構之形成方法，包括：接收一工件，上述工件包括；複數鰭片，沿著一第一方向縱向延伸，並且在一基板上方，複數隔離特徵，其中上述鰭片中的兩個相鄰鰭片被上述隔離特徵的一相應隔離特徵分開，以及一閘極結構，沿著一第二方向縱向延伸，並且直接在上述鰭片和上述隔離特徵上方，上述第二方向大抵垂直於上述第一方向；形成一第一溝槽和一第二溝槽，以將上述閘極結構分成一第一部分、一第二部分和一第三部分，其中上述第一部分藉由上述第一溝槽和上述第二溝槽個別與上述第二部分和上述第三部分分開；在上述第一溝槽和上述第二溝槽中個別形成一第一隔離結構和一第二隔離結構；在形成上述第一隔離結構和上述第二隔離結構之後，選擇性地移除上述閘極結構的上述第一部分和直接設置在上述閘極結構的上述第一部分下方的上述鰭片的複數部分和上述隔離特徵的複數部分，以形成一第三溝槽；以及在上述第三溝槽中形成一第三隔離結構。
如請求項6之半導體結構之形成方法，其中形成上述第一溝槽和上述第二溝槽的操作包括：在上述工件上方沉積一第一介電層；在上述第一介電層上方沉積一材料層，其中上述材料層的一成分不同於上述第一介電層的一成分；在上述材料層上方沉積一硬罩幕層；圖案化上述硬罩幕層、上述材料層和上述第一介電層以形成一第一開口和一第二開口；以及執行一第一蝕刻製程以選擇性地移除由上述第一開口和上述第二開口暴露上述閘極結構的複數部分，以形成上述第一溝槽和上述第二溝槽。
如請求項7之半導體結構之形成方法，更包括：在形成上述第一隔離結構和上述第二隔離結構之後，在上述工件上方形成一圖案化罩幕薄膜，其中上述圖案化罩幕薄膜包括一第三開口，其中上述第三開口直接在上述閘極結構的上述第一部分上方，並且進一步暴露上述第一隔離結構和上述第二隔離結構兩者；以及執行一第二蝕刻製程以移除直接設置在上述閘極結構的上述第一部分上方的上述硬罩幕層、上述材料層和上述第一介電層的複數部分，以暴露上述閘極結構的上述第一部分。
一種半導體結構，包括：一第一電晶體，包括：一第一鰭片和一第二鰭片，從一基板突出，並且由一隔離特徵隔開；一第一閘極結構，在上述第一鰭片和上述第二鰭片的複數通道區上方；以及一第一源極/汲極特徵，設置並且跨越上述第一鰭片和上述第二鰭片上方；一第二電晶體，包括：一第三鰭片和一第四鰭片，從上述基板突出，並且由上述隔離特徵隔開；一第二閘極結構，在上述第三鰭片和上述第四鰭片的複數通道區上方；以及一第二源極/汲極特徵，設置並且跨越上述第三鰭片和上述第四鰭片上方；以及一鰭片隔離結構，設置在上述第一閘極結構和上述第二閘極結構之間，並且沿著平行於上述第一閘極結構和上述第二閘極結構的一方向延伸，其中上述鰭片隔離結構提供上述第一電晶體和上述第二電晶體之間的隔離，以及其中上述鰭片隔離結構的一底表面整體與上述基板直接接觸。
如請求項9之半導體結構，更包括：一第一閘極隔離結構；以及一第二閘極隔離結構，其中上述第一閘極結構、上述第二閘極結構和上述鰭片隔離結構中的每一者與上述第一閘極隔離結構和上述第二閘極隔離結構兩者直接接觸。
一種壓敏性黏著劑，其包含：-至少一種聚(甲基)丙烯酸酯；及-至少一種丙烯腈-丁二烯橡膠，其中該至少一種丙烯腈-丁二烯橡膠係以10至45重量%存在，以該壓敏性黏著劑的總重量為基準，該壓敏性黏著劑係經發泡的壓敏性黏著劑，該丙烯腈-丁二烯橡膠係以分散形式存在於聚(甲基)丙烯酸酯中，該壓敏性黏著劑包含48至70重量%之聚(甲基)丙烯酸酯，以該壓敏性黏著劑的總重量為基準。
如請求項1之壓敏性黏著劑，其中該至少一種丙烯腈-丁二烯橡膠具有丙烯腈分率10至60重量%，以該丙烯腈-丁二烯橡膠的總重量為基準。
如請求項1或2之壓敏性黏著劑，其中該至少一種丙烯腈-丁二烯橡膠係經氫化或部分氫化的丙烯腈-丁二烯橡膠。
如請求項1或2的壓敏性黏著劑，其中該至少一種丙烯腈-丁二烯橡膠根據DIN ISO 289-1：2018-12測量，在100℃下具有孟納(Mooney)黏度係至少19。
如請求項1或2的壓敏性黏著劑，其中該壓敏性黏著劑係呈網狀膜片形式的壓敏性黏著劑。
如請求項1或2的壓敏性黏著劑，其中該壓敏性黏著劑包括<img align="absmiddle" height="20px" width="14px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>40重量%的聚(甲基)丙烯酸酯，以該壓敏性黏著劑的總重量為基準。
如請求項1或2的壓敏性黏著劑，其中該壓敏性黏著劑包含至少一種增黏劑及/或多個微球。
一種製造如請求項1至7之任一項的壓敏性黏著劑之方法，其中該製造包含通過混煉及擠出設備及該方法係連續方法。
一種如請求項1至7之任一項的壓敏性黏著劑之用途，其係使用來黏接電子裝置的構件或在汽車中的構件。
一種膠帶，其包含至少一層如請求項1至7之任一項的壓敏性黏著劑。
一種多孔質膜積層體，其具備1個或複數個以聚四氟乙烯為主成分之多孔質膜，且滿足下述式（1）， <br/>P／γ＞－31.6×lnRa＋168 …（1） <br/>（式（1）中，P為平均泡點[kPa]，γ為測定上述平均泡點所用之試液的表面張力[dyn／cm]，Ra為上述多孔質膜的表面粗糙度[nm]，且14nm≦Ra≦96nm）。
如請求項1之多孔質膜積層體，其滿足下述式（2）， <br/>K＜31.6×lnRa－58 …（2） <br/>（式（2）中，K為平均流量孔徑[nm]，Ra為與上述式（1）同義）。
如請求項2之多孔質膜積層體，其中，上述平均流量孔徑K為58nm以下，上述表面粗糙度Ra為55nm以下。
如請求項1至3中任一項之多孔質膜積層體，其進而具備1個或複數個以聚四氟乙烯為主成分的多孔質之支撐膜，且 <br/>上述支撐膜積層於上述多孔質膜之單面或雙面。
一種基板處理裝置，其特徵係具備： <br/> 支撐基板的基板支撐柱； <br/> 被設在前述基板支撐柱的基板支撐區域的下方的隔熱部；及 <br/> 收容前述基板支撐柱及前述隔熱部的處理容器， <br/> 前述隔熱部係具有： <br/> 與前述處理容器的內壁對向的筒狀的側壁部；及 <br/> 面對前述基板支撐區域來閉塞前述側壁部的上端的上端部， <br/> 且前述隔熱部係具有藉由前述側壁部及前述上端部所包圍，在內部未容納有加熱器及隔熱體的中空構造， <br/>在前述側壁部設有使藉由前述中空構造形成的內部空間與前述隔熱部的外周空間之間連通的開口， <br/> 前述上端部之中與前述基板支撐區域對向的面的至少一部分為藉由熱傳導率比形成前述側壁部的上端及前述基板支撐柱的第2材料更大的第1材料所形成的上面部來構成。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述基板支撐柱係被構成可將複數的前述基板予以水平姿勢彼此隔開間隔的狀態下支撐。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，更具備：在前述處理容器的內壁與前述側壁部之間供給惰性氣體的惰性氣體供給系。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述上面部係被設為包含前述上端部的至少中央。
如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述上端部的外緣係藉由前述第2材料所形成。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述上面部係藉由板狀體所構成，該板狀體係藉由前述第1材料所形成。
如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述板狀體係被設成可裝卸於被設在前述上端部的支撐部。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，前述支撐部係具有凹部， <br/> 前述板狀體係被安裝為嵌入至前述凹部。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，前述支撐部係藉由前述第2材料所形成。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第1材料為碳化矽，前述第2材料為石英。
如請求項1~10的任一項記載的基板處理裝置，其中，具備：對於前述隔熱部的外周空間或內部空間的至少任一者供給惰性氣體的惰性氣體供給系。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述基板支撐柱係被立設在位於前述隔熱部的最下部的基部上。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，更具備：被設在前述隔熱部的外側，且面對前述基板支撐區域的位置之加熱器。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，更具備：被構成為供給成膜氣體至前述處理容器內的成膜氣體供給部， <br/> 藉由前述成膜氣體被供給至前述處理容器內，而堆積於前述處理容器的內壁及前述上面部的膜的熱膨脹率係比前述第2材料的熱膨脹率更接近前述第1材料的熱膨脹率。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： <br/> 使基板支撐於基板支撐具的工序； <br/> 供給成膜氣體至收容有支撐了前述基板的狀態的前述基板支撐具之處理容器內的工序； <br/> 從前述基板支撐具取出前述基板的工序；及 <br/> 供給蝕刻氣體至收容有未支撐前述基板的狀態的前述基板支撐具之前述處理容器內的工序， <br/> 前述基板支撐具係具有： <br/> 支撐前述基板的基板支撐柱；及 <br/> 被設在前述基板支撐柱的基板支撐區域的下方的隔熱部， <br/> 前述隔熱部係具有： <br/> 與前述處理容器的內壁對向的筒狀的側壁部；及 <br/> 面對前述基板支撐區域來閉塞前述側壁部的上端的上端部， <br/> 且前述隔熱部係具有藉由前述側壁部及前述上端部所包圍，在內部未容納有加熱器及隔熱體的中空構造， <br/>在前述側壁部設有使藉由前述中空構造形成的內部空間與前述隔熱部的外周空間之間連通的開口， <br/> 前述上端部之中與前述基板支撐區域對向的面的至少一部分為藉由熱傳導率比形成前述側壁部的上端及前述基板支撐柱的第2材料更大的第1材料所形成的上面部來構成。
一種基板支撐具，其特徵係具備： <br/> 支撐基板的基板支撐柱；及 <br/> 被設在前述基板支撐柱的基板支撐區域的下方的隔熱部， <br/> 前述隔熱部係具有： <br/> 與處理容器的內壁對向的筒狀的側壁部；及 <br/> 面對前述基板支撐區域來閉塞前述側壁部的上端的上端部， <br/> 且前述隔熱部係具有藉由前述側壁部及前述上端部所包圍，在內部未容納有加熱器及隔熱體的中空構造， <br/>在前述側壁部設有使藉由前述中空構造形成的內部空間與前述隔熱部的外周空間之間連通的開口， <br/> 前述上端部之中與前述基板支撐區域對向的面的至少一部分為藉由熱傳導率比形成前述側壁部的上端及前述基板支撐柱的第2材料更大的第1材料所形成的上面部來構成。
一種固體電解質組成物，其由一基質與至少一種機械強化物(組分d)組成，該基質由以下組分a)、b)及c)組成：<br/> a)至少一種共聚物，係偏二氟乙烯(VDF)及至少一種與VDF相容之共聚單體的共聚物，包含偏二氟乙烯及六氟丙烯(HFP)之共聚物，其具有一大於或等於5%且小於或等於45%的HFP之按重量計的含量，<br/> b)至少一種塑化劑，<br/> c)至少一種鋰鹽；且<br/> 其中基於該組成物之總重量，該組成物由以下組成：<br/> a)8重量%至66.5重量%之該至少一種共聚物，<br/> b)4重量%至76重量%之一或多種塑化劑，<br/> c)0.8重量%至28.5重量%之一或多種鋰鹽，及<br/> d)5重量%至60重量%之一或多種機械強化物，<br/> 其中該機械強化物係選自以下清單：微孔膜、織品底層、不織品底層、纖維素隔板、短纖纖維或熔紡纖維，且<br/> 其中該機械強化物係選自由聚合物、碳纖維、碳奈米管、無機纖維及植物纖維所構成之群組。
如請求項1之組成物，其中該共聚單體係選自氟乙烯、三氟乙烯、氯三氟乙烯、1,2-二氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、全氟(甲基乙烯基)醚、全氟(乙基乙烯基)醚及全氟(丙基乙烯基)醚。
如請求項1或2之組成物，其中該偏二氟乙烯及六氟丙烯(HFP)之共聚物具有一大於或等於8%且小於或等於30%的HFP之按重量計的含量。
如請求項1或2之組成物，其中該偏二氟乙烯及六氟丙烯(HFP)之共聚物具有一大於或等於11%的HFP之按重量計的含量。
如請求項1或2之組成物，其中該塑化劑為一離子液體，其包含選自以下之一陰離子：四氟硼酸根(BF<sub>4</sub><sup>-</sup>)、雙(草酸根基)硼酸根(BOB<sup>-</sup>)、六氟磷酸根(PF<sub>6</sub><sup>-</sup>)、六氟砷酸根(AsF<sub>6</sub><sup>-</sup>)、三氟甲磺酸根或三氟甲基磺酸根(CF<sub>3</sub>SO<sub>3</sub><sup>-</sup>)、雙(氟磺醯基)醯亞胺(FSI<sup>-</sup>)、雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺(TFSI<sup>-</sup>)、硝酸根(NO<sub>3</sub><sup>-</sup>)及4,5-二氰基-2-(三氟甲基)咪唑(TDI<sup>-</sup>)，及選自以下清單之一陽離子：銨、鋶、吡啶鎓、吡咯啶鎓、咪唑鎓、咪唑啉鎓、鏻、鈲、哌啶鎓、噻唑鎓、三唑鎓、㗁唑鎓、吡唑鎓及其混合物。
如請求項1或2之組成物，其中該塑化劑為至少一種離子液體及至少一種具有沸點大於160℃之溶劑的混合物，該溶劑係選自由碳酸伸乙烯酯、氟代碳酸乙烯酯、反-4,5-二氟-1,3-二㗁𠷬-2-酮、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、(2-氰基乙基)三乙氧基矽烷、3-甲氧基丙腈、環丁碸及聚乙二醇二甲醚所構成之群組。
如請求項1或2之組成物，其中該鋰鹽係選自由LiPF<sub>6</sub>、LiFSI、LiTFSI、LiTDI、LiBF<sub>4</sub>、LiNO<sub>3</sub>及LiBOB所構成之群組。
如請求項1之組成物，其中該聚合物係選自以下清單：聚烯烴、PVDF、PTFE、聚醯胺、聚醯亞胺、聚芳醯胺、聚苯并㗁唑、聚苯并咪唑、聚苯并噻唑、聚膦氮烯、PEKK、PEEK、PES或PSU；該無機纖維係玻璃纖維；及該植物纖維係選自以下清單：紙、木質素、纖維素或纖維素奈米鬚。
一種無孔膜，其由如請求項1至8中任一項之組成物組成。
如請求項9之無孔膜，其展現一具有沸點小於150℃之一或多種溶劑的含量小於1重量%。
如請求項9之無孔膜，其展現一具有沸點小於150℃之一或多種溶劑的含量小於0.1重量%。
如請求項9之無孔膜，其展現一具有沸點小於150℃之一或多種溶劑的含量小於10 ppm。
如請求項9至12中任一項之無孔膜，其展現在25℃下藉由電化學阻抗譜法量測的0.01至5 mS/cm之離子電導率。
如請求項9至12中任一項之無孔膜，其展現在25℃下藉由電化學阻抗譜法量測的0.05至5 mS/cm之離子電導率。
如請求項9至12中任一項之無孔膜，其展現在25℃下藉由電化學阻抗譜法量測的0.5至5 mS/cm之離子電導率。
一種藉由浸漬製備如請求項9至15中任一項之無孔膜的方法，該方法包含以下階段：<br/> 將該至少一種共聚物在環境溫度下溶解於選自以下之溶劑中：N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、二甲基甲醯胺、甲基乙基酮、乙腈及丙酮；<br/> 將該至少一種鋰鹽溶解於一塑化劑中，以便獲得一鋰鹽溶液；<br/> 混合該至少一種共聚物及鋰鹽溶液，<br/> 將一機械強化物浸漬於所獲得之混合物中，及<br/> 乾燥由此獲得之膜。
一種藉由塗佈製備如請求項9至15中任一項之無孔膜的方法，該方法包含以下階段：<br/> 將該至少一種共聚物在環境溫度下溶解於選自以下之溶劑中：N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、二甲基甲醯胺、甲基乙基酮、乙腈及丙酮；<br/> 將該至少一種鋰鹽溶解於一塑化劑中，以便獲得一鋰鹽溶液；<br/> 混合該至少一種共聚物及鋰鹽溶液，<br/> 以由此獲得之混合物塗佈一機械強化物，及<br/> 乾燥由此獲得之膜。
一種用於一可充電Li離子電池之隔板，其包含如請求項9至15中任一項之無孔膜。
一種電化學裝置，其選自以下組群：用於一燃料電池或一電致變色裝置之電池、電容器、電化學雙層電容器及薄膜電極組(MEA)，該裝置包含如請求項9至15中任一項之無孔膜。
一種全固態電池，其包含一陽極、一陰極及一隔板，其中該隔板包含如請求項9至15中任一項之無孔膜。
一種全固態電池，其包含一陽極、一陰極及一隔板，其中該陽極及/或該陰極包含如請求項9至15中任一項之無孔膜。
一種樹脂組合物，其包含聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂，且 <br/>聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之合計100質量份中之聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之質量比為10/90～90/10， <br/>相對於聚碳酸酯樹脂100質量份，上述聚碳酸酯樹脂中所含之鋁元素之含量為0.50～1000.00質量ppm， <br/>上述聚碳酸酯樹脂之分子量分佈(Mw/Mn)為2.8以上。
如請求項1之樹脂組合物，其中上述聚酯樹脂包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂。
如請求項1之樹脂組合物，其中上述聚碳酸酯樹脂包含再循環品。
如請求項3之樹脂組合物，其中上述聚碳酸酯樹脂之黏度平均分子量Mv為20,000以上。
如請求項3之樹脂組合物，其中於上述聚碳酸酯樹脂100質量份中，再循環品占50質量份以上。
如請求項1之樹脂組合物，其中相對於聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之合計100質量份，聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之質量比為50/50～90/10。
如請求項1之樹脂組合物，其進而包含無機填充劑。
如請求項7之樹脂組合物，其中上述無機填充劑包含玻璃纖維及/或玻璃碎片。
如請求項1之樹脂組合物，其進而包含磷系穩定劑。
如請求項1之樹脂組合物，其以1.5 mm之厚度成形時之波長1064 nm下之光線透過率為20.0%以上。
如請求項1之樹脂組合物，其用於雷射標記。
如請求項1之樹脂組合物，其用於針對雷射熔接之雷射光的透過樹脂構件。
如請求項1之樹脂組合物，其中上述聚酯樹脂包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂， <br/>上述聚碳酸酯樹脂包含再循環品， <br/>於上述聚碳酸酯樹脂100質量份中，再循環品占50質量份以上， <br/>相對於聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之合計100質量份，聚酯樹脂與聚碳酸酯樹脂之質量比為50/50～90/10， <br/>該樹脂組合物進而包含無機填充劑， <br/>上述無機填充劑包含玻璃纖維及/或玻璃碎片， <br/>該樹脂組合物進而包含磷系穩定劑， <br/>以1.5 mm之厚度成形時之波長1064 nm下之光線透過率為20.0%以上， <br/>該樹脂組合物用於雷射標記，且 <br/>用於針對雷射熔接之雷射光的透過樹脂構件。
如請求項1之樹脂組合物，其中於上述聚碳酸酯樹脂100質量份中，再循環品占50質量份以上，上述聚碳酸酯樹脂之黏度平均分子量Mv為20,000以上， <br/>上述聚酯樹脂包含聚對苯二甲酸丁二酯樹脂， <br/>該樹脂組合物進而包含無機填充劑，且 <br/>進而包含磷系穩定劑， <br/>該樹脂組合物用於雷射標記，且 <br/>用於針對雷射熔接之雷射光的透過樹脂構件。
一種成形體，其由如請求項1至14中任一項之樹脂組合物形成。
一種顆粒，其為如請求項1至14中任一項之樹脂組合物之顆粒。
一種成形體，其由如請求項16之顆粒形成。
如請求項15或17之成形體，其用於雷射標記。
一種雷射熔接體，其包含如請求項15、17或18之成形體。
一種由液體混合物生產用於電池單元的顆粒材料的方法，包括： <br/>使用處理系統的一個或多個動力噴射模塊從液體混合物產生一個或多個單一大小的液滴流並將其噴射到所述處理系統的一分散室中； <br/>將一個或多個第一氣體輸送到處理系統內的一個或多個第一氣體流中； <br/>使用所述一個或多個第一氣體流，將所述一個或多個單一大小的液滴流從所述分散室攜帶到所述處理系統的一反應室中； <br/>形成具有所述一個或多個第一氣體和所述單一大小液滴流的一個或多個氣液混合物； <br/>使所述氣液混合物在所述處理系統的所述反應室內反應一段停留時間； 和 <br/>形成具有所述顆粒材料和所述一個或多個第一氣體的一個氣固混合物。
根據請求項1所述的方法，還包括將所述一個或多個第一氣體流加熱到第一溫度。
根據請求項1所述的方法，其特徵在於，所述一個或多個第一氣體的所述第一氣體流和所述一個或多個單一大小的液滴流以介於0度和約180°之間的分散角 (α) 彼此分散。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>使來自一個或多個第二氣體源的一個或多個第二氣體通過一個氣體分配環的一個或多個通道進入所述反應室內部，形成所述第二氣體的多個第二氣體流，其中所述氣體分配環的所述一個或多個通道係在所述氣體分配環上分佈和形成於其中。
根據請求項4所述的方法，還包括： <br/>在所述反應室內將所述一個或多個第二氣體加熱至第二溫度，其中所述第二溫度不同於所述第一溫度。
根據請求項5所述的方法，還包括： <br/>在所述反應室內，使用一個或多個加熱的第二氣體以加熱所述反應室內部並乾燥所述氣液混合物，使所述氣液混合物反應。
根據請求項1所述的方法，還包括： <br/>分離所述氣固混合物並收集所述顆粒材料的固體顆粒。
一種由液體混合物生產用於電池單元的顆粒材料的方法，包括： <br/>使用處理系統的一個或多個動力噴射模塊從液體混合物產生一個或多個單一大小的液滴流並將其噴射到所述處理系統的一分散室中； <br/>使一個或多個第一氣體從一個或多個第一氣體源流入所述處理系統，其中所述第一氣體源連接到一條或多條第一氣體管線； <br/>從一氣體分配器的兩個或多個通道產生所述第一氣體的一個或多個第一氣體流，其中所述兩個或多個通道係在所述氣體分配器上分佈和形成於其中； <br/>用從所述動力噴射模塊噴出的所述單一大小液滴流將所述處理系統內的所述第一氣體流分散到所述分散室內的一個或多個氣液混合物中，其中所述分散室連接到所述動力噴射模塊； <br/>透過用所述第一氣體流將所述一個或多個單一大小的液滴流從所述分散室攜帶到所述處理系統的一反應室中； <br/>在所述反應室內對所述一個或多個氣液混合物進行反應和處理； 和 <br/>形成具有所述顆粒材料和所述一個或多個第一氣體的一氣固混合物。
根據請求項8所述的方法，還包括將所述一個或多個第一氣體流加熱到第一溫度。
根據請求項8所述的方法，還包括： <br/>使來自一個或多個第二氣體源的一個或多個第二氣體通過一個氣體分配環的一個或多個通道進入所述反應室內部，形成所述第二氣體的多個第二氣體流，其中所述氣體分配環的所述一個或多個通道係在所述氣體分配環上分佈和形成於其中。
根據請求項10所述的方法，還包括： <br/>在所述反應室內將所述一個或多個第二氣體加熱至第二溫度，其中所述第二溫度不同於所述第一溫度。
根據請求項10所述的方法，其特徵在於，所述氣體分配環的形狀為圍繞所述反應室的內壁的圓環。
根據請求項8所述的方法，其特徵在於，所述一個或多個第一氣體的所述第一氣體流和所述一個或多個單一大小的液滴流以介於0度和約180°之間的分散角(α) 彼此分散。
根據請求項13所述的方法，其中，所述分散角(α) 約為90度。
根據請求項13所述的方法，其特徵在於，所述分散角(α)為0度，並且所述一個或多個第一氣體的第一氣體流與所述單一大小的液滴流從相同的方向共同流入彼此。
根據請求項13所述的方法系統，其特徵在於，所述分散角(α)為180度，並且所述一個或多個第一氣體的第一氣體流與所述單一大小的液滴流從相反方流入彼此。
根據請求項8所述的方法，其中所述氣體分配器的所述兩個或多個通道係分佈在氣體分配器上並形成於其中。
根據請求項8所述的方法，其特徵在於，所述一個或多個第一氣體從所述一個或多個第一氣體源流入所述處理系統的緩衝室，而所述氣體分配器位於連接所述緩衝室和所述分散室。
一種由液體混合物生產用於電池單元的顆粒材料的方法，包括： <br/>使用處理系統的一個或多個動力噴射模塊從液體混合物產生一個或多個單一大小的液滴流並將其噴射到所述處理系統的一分散室中； <br/>使一個或多個第一氣體從一個或多個第一氣體源流入所述處理系統，其中所述第一氣體源連接到一條或多條第一氣體管線； <br/>從一氣體分配器的兩個或多個通道產生所述第一氣體的一個或多個第一氣體流，其中所述兩個或多個通道係在所述氣體分配器上分佈和形成於其中； <br/>用從所述動力噴射模塊噴出的所述單一大小液滴流將所述處理系統內的所述第一氣體流分散到所述分散室內的一個或多個氣液混合物中，其中所述分散室連接到所述動力噴射模塊； <br/>透過所述第一氣體流將所述一個或多個單一大小的液滴流從所述分散室攜帶到所述處理系統的一反應室中； <br/>使來自一個或多個第二氣體源的一個或多個第二氣體通過一個氣體分配環的一個或多個通道進入所述反應室內部，形成所述第二氣體的多個第二氣體流，其中所述氣體分配環的所述一個或多個通道係在所述氣體分配環上分佈和形成於其中。 <br/>在所述反應室內對所述一個或多個氣液混合物進行反應和處理； 和 <br/>形成具有所述顆粒材料和所述一個或多個第一氣體的一氣固混合物。
根據請求項19所述的方法，其特徵在於，所述一個或多個第一氣體的第一氣體流和所述一個或多個單一大小的液滴流以介於0度和約180°之間的分散角(α) 彼此分散。
一種石蓴水萃物用於製備治療異位性皮膚炎藥物的用途，其中 <br/>該石蓴水萃物之製備方法如下： <br/>將石蓴藻粉與去離子水以1：20(g/mL)之比例混合，加熱至100℃萃取1小時，獲得石蓴藻粉萃取混合物； <br/>將該石蓴藻粉萃取混合物靜置冷卻後，添加纖維素酶與蛋白酶於50℃反應3小時，再於100℃加熱10分鐘停止酵素反應，獲得經發酵石蓴藻粉萃取混合物； <br/>將該經發酵石蓴藻粉萃取混合物靜置冷卻後除去雜質並離心，獲得上清液；以及 <br/>將該上清液進行冷凍乾燥，獲得該石蓴水萃物，其中 <br/>該石蓴水萃物之多醣分子量約為458kDa，且其單醣組成為鼠李糖約86.1wt%及葡萄糖約13.9wt%，而約係指涵盖±15%的變異。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物約含有436.34mg之總醣、223.38mg之硫酸根及10.07mg之總酚，而約係指涵盖±15%的變異。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由降低肥大細胞的脫顆粒作用以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由減緩皮膚增厚以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由降低嗜酸性白血球浸潤以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由降低血清中免疫球蛋白E(IgE)之表達以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由降低皮膚中細胞激素Th1及Th2之表達以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由增加皮膚中細胞激素Treg之表達以治療異位性皮膚炎。
如請求項1所述之用途，其中該石蓴水萃物係藉由改善腸道菌相以治療異位性皮膚炎。
一種氧化物半導體薄膜積層體，具有能隙係3eV以下之活性層及積層在該活性層上之蓋層；該蓋層，係用以由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物為主成分的氧化物半導體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，該蓋層的能隙係2.5eV以上且3.4eV以下。
如請求項1之氧化物半導體薄膜積層體，其中，該蓋層具有可與該活性層一起藉由蝕刻而圖案化之蝕刻速率。
如請求項2之氧化物半導體薄膜積層體，其中，用該蓋層的硫酸、硝酸系蝕刻劑或乙酸系蝕刻劑進行蝕刻時之蝕刻速率係1nm/秒以上。
如請求項1之氧化物半導體薄膜積層體，其中，該蓋層的氫退火處理後之電阻值係1E+2Ω/□以上。
如請求項1之氧化物半導體薄膜積層體，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體，更含有選自於Si、Ti、W、Zr、Nb、Ni、Ge、Ta、Al及Y中之至少一個元素的A群元素。
如請求項5之氧化物半導體薄膜積層體，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體中，Si係4at%以下，Ti係6at%以下，W係6at%以下，Zr係7at%以下，Nb係7at%以下，Ni係7at%以下，Ge係7at%以下，Ta係8at%以下，Al係8at%以下及Y係9at%以下，該A群元素之含量係小於10at%。
如請求項1之氧化物半導體薄膜積層體，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體，更含有選自於Mo、Sb、Hf、La、Fe、Ga、Zn、Ca及Sr中之至少一個元素的B群元素。
如請求項7之氧化物半導體薄膜積層體，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體中，Mo係10at%以下，Sb係13at%以下，Hf係13at%以下，La係13at%以下，Fe係21at%以下，Ga係27at%以下，Zn係38at%以下，Ca係38at%以下，Sr係38at%以下，該In、Mg及Sn以外之元素的合計含量係38at%以下。
一種氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，包含下述步驟：形成能隙係3eV以下的活性層；及在該活性層上形成蓋層以作為氧化物半導體薄膜積層體；該蓋層，係用以由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物為主成分的氧化物半導體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，該蓋層的能隙係2.5eV以上且3.4eV以下。
如請求項9之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，該蓋層，係藉由使用濺鍍靶材進行濺鍍而形成，該濺鍍靶材係用以由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物為主成分的氧化物半導體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>該濺鍍靶材係由上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內之氧化物燒結體形成。
如請求項9之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，該蓋層具有可與該活性層一起藉由蝕刻而圖案化之蝕刻速率。
如請求項11之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，用該蓋層的硫酸、硝酸系蝕刻劑或乙酸系蝕刻劑進行蝕刻時之蝕刻速率係1nm/秒以上。
如請求項9之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，該蓋層的氫退火處理後之電阻值係1E+2Ω/□以上。
如請求項9之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體，更含有選自於Si、Ti、W、Zr、Nb、Ni、Ge、Ta、Al及Y中之至少一個元素的A群元素。
如請求項14之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體中，Si係4at%以下，Ti係6at%以下，W係6at%以下，Zr係7at%以下，Nb係7at%以下，Ni係7at%以下，Ge係7at%以下，Ta係8at%以下，Al係8at%以下及Y係9at%以下，該A群元素之含量係小於10at%。
如請求項9之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體，更含有選自於Mo、Sb、Hf、La、Fe、Ga、Zn、Ca及Sr中之至少一個元素的B群元素。
如請求項16之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，其中，構成該蓋層的該氧化物半導體中，Mo係10at%以下，Sb係13at%以下，Hf係13at%以下，La係13at%以下，Fe係21at%以下，Ga係27at%以下，Zn係38at%以下，Ca係38at%以下，Sr係38at%以下，該In、Mg及Sn以外之元素的合計含量係38at%以下。
如請求項9至17中任一項之氧化物半導體薄膜積層體之製造方法，更包含下述步驟：同時對該活性層及該蓋層進行濕式蝕刻。
一種薄膜半導體裝置，具有如請求項1至8中任一項之包含活性層及蓋層之氧化物半導體薄膜積層體。
如請求項19之薄膜半導體裝置，更具有：閘極電極；及閘極絕緣膜，設置在該閘極電極上；該活性層係設置在該閘極絕緣膜上；且該薄膜半導體裝置，更具有：源極電極與汲極電極，連接於該活性層及該蓋層。
如請求項20之薄膜半導體裝置之製造方法，其中，在閘極電極上形成閘極絕緣膜，在該閘極絕緣膜上用濺鍍法形成該活性層，在該活性層上用濺鍍法形成該蓋層，使該活性層及該蓋層之積層體藉由濕式蝕刻而圖案化，形成以圖案化之該活性層及該蓋層作為基底膜的金屬層，且用濕式蝕刻法使該金屬層圖案化，藉以形成源極電極及汲極電極。
一種濺鍍靶材，用以形成成為如請求項1至8中任一項的蓋層之氧化物半導體薄膜；其係以包含由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物且不包含MgO相的氧化物燒結體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，其相對密度係90%以上，比電阻係10mΩ．cm以下。
如請求項22之濺鍍靶材，其中該氧化物燒結體更含有選自於Si、Ti、W、Zr、Nb、Ni、Ge、Ta、Al及Y中之至少一個元素的A群元素。
如請求項23之濺鍍靶材，其中，Si係4at%以下，Ti係6at%以下，W係6at%以下，Zr係7at%以下，Nb係7at%以下，Ni係7at%以下，Ge係7at%以下，Ta係8at%以下，Al係8at%以下及Y係9at%以下，該A群元素之含量係小於10at%。
如請求項22之濺鍍靶材，其中該氧化物燒結體更含有選自於Mo、Sb、Hf、La、Fe、Ga、Zn、Ca及Sr中之至少一個元素的B群元素。
如請求項25之濺鍍靶材，其中Mo係10at%以下，Sb係13at%以下，Hf係13at%以下，La係13at%以下，Fe係21at%以下，Ga係27at%以下，Zn係38at%以下，Ca係38at%以下，Sr係38at%以下，該In、Mg及Sn以外之元素的合計含量係38at%以下。
一種濺鍍靶材，用以形成成為如請求項1至8中任一項的蓋層之氧化物半導體薄膜；其以包含由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物的氧化物燒結體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，其相對密度係90%以上，比電阻係10mΩ．cm以下，該氧化物燒結體更含有選自於Mo、Sb、Hf、La、Fe、Ga、Zn、Ca及Sr中之至少一個元素的B群元素。
如請求項27之濺鍍靶材，其中，Mo係10at%以下，Sb係13at%以下，Hf係13at%以下，La係13at%以下，Fe係21at%以下，Ga係27at%以下，Zn係38at%以下，Ca係38at%以下，Sr係38at%以下，該In、Mg及Sn以外之元素的合計含量係38at%以下。
一種濺鍍靶材，用以形成成為如請求項1至8中任一項的蓋層之氧化物半導體薄膜；其以包含由銦、鎂及錫形成之下述式之氧化物的氧化物燒結體構成，In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，其相對密度係90%以上，比電阻係10mΩ．cm以下，該氧化物燒結體，更含有選自於Si、W、Zr、Nb、Ni、Ge、Ta及Y中之至少一個元素的A群元素。
如請求項29之濺鍍靶材，其中，Si係4at%以下，W係6at%以下，Zr係7at%以下，Nb係7at%以下，Ni係7at%以下，Ge係7at%以下，Ta係8at%以下及Y係9at%以下，該A群元素之含量係小於10at%。
一種濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材以包含由銦、鎂及錫形成之式In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>的氧化物之氧化物燒結體構成，上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，其相對密度係90%以上，比電阻係10mΩ．cm以下；係以乾式混合氧化銦粉末、氧化鎂粉末及氧化錫粉末，或混合作為使用不含水之有機溶劑的漿液而形成成形體，接著在1100℃以上且1650℃以下煆燒該成形體以製造具有該氧化物燒結體的濺鍍靶材。
一種濺鍍靶材之製造方法，該濺鍍靶材以包含由銦、鎂及錫形成之式In<sub>X</sub>Mg<sub>Y</sub>Sn<sub>Z</sub>的氧化物之氧化物燒結體構成，上述式之X係0.32以上且0.65以下，Y係0.17以上且0.46以下，Z係超過0且0.22以下，且在X+Y+Z=1成立之範圍內，其相對密度係90%以上，比電阻係10mΩ．cm以下；係混合銦、鎂及錫之氧化物、氫氧化物或碳酸鹽並在1000℃至1500℃預煆燒而形成不包含MgO相的前驅物粉末以作成成形體，接著在1100℃以上且1650℃以下煆燒該成形體以製造具有該氧化物燒結體之濺鍍靶材。
一種具有雷射產生光源之照明系統，其包含： <br/>一腔室； <br/>一對電極，其定位於該腔室內； <br/>在該對電極之一暴露表面上一保護層；及 <br/>一層形成氣體之一來源，其連接至該腔室，其中該層形成氣體包括與該保護層相同之一化學元素，其中該層形成氣體之該來源不含氟， <br/>其中該照明系統進一步包含經由複數個光學器件連接至該腔室之另一腔室。
如請求項1之系統，其中該層形成氣體包括氧氣或氮氣中之至少一者。
如請求項1之系統，其中相同之該化學元素包括氧或氮中之至少一者。
如請求項2之系統，其中該層形成氣體包括O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>、O<sub>3</sub>、NO<sub>x</sub>、N<sub>2</sub>、NH<sub>3</sub>或空氣中之至少一者。
如請求項1之系統，其進一步包含連接至該腔室之一含氟氣體之一來源，其中該含氟氣體經組態以與一雷射氣體反應以產生一輻射。
如請求項1之系統，其中該保護層包括與該對電極相同之一化學元素。
如請求項1之系統，其中該保護層包括銅或鋅中之至少一者。
如請求項1之系統，其中該保護層之一厚度的範圍在奈米級至10微米級之間。
一種準分子雷射設備，其包含： <br/>一第一腔室，產生一第一輻射； <br/>一第一對電極，部分地位於該第一腔室，其中一第一抗氟侵蝕層(fluorine erosion-resisting layer)係在該第一對電極之一頂部表面上； <br/>一第一層形成氣體之一第一來源，其連接至該第一腔室，其中該第一層形成氣體之該第一來源不含氟； <br/>一第二腔室，產生一第二輻射；及 <br/>一第二對電極，部分地位於該第二腔室，其中一第二抗氟侵蝕層係在該第二對電極之一頂部表面上。
如請求項9之準分子雷射設備，其中該第一抗氟侵蝕層及該第一層形成氣體之該第一來源包括氧氣或氮氣中之至少一者。
如請求項9之準分子雷射設備，其進一步包含一第二層形成氣體之一第二來源，其連接至該第二腔室。
如請求項11之準分子雷射設備，其中該第一層形成氣體及該第二層形成氣體包括氧氣或氮氣中之至少一者。
如請求項9之準分子雷射設備，其進一步包含一雷射氣體之一第三來源，其中該第一腔室中的該第一層形成氣體與該雷射氣體之一濃度比範圍為百萬分之一至約1%。
如請求項13之準分子雷射設備，其中該雷射氣體不含氟。
一種用於在一放電腔室中形成一抗氟層的方法，其包含： <br/>引入一層形成氣體至該放電腔室以達到一預定分壓，其中該層形成氣體包括O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>、O<sub>3</sub>、NO<sub>x</sub>、N<sub>2</sub>、NH<sub>3</sub>或空氣中之至少一者，其中該層形成氣體不含氟，且其中該放電腔室進一步經由複數個光學器件連接至另一腔室； <br/>使用一對電極以在該放電腔室內產生電漿並持續一預定時間量；及 <br/>從該對電極之一頂部表面生長該抗氟層，其中該抗氟層包括氧化銅、氮化銅、氮氧化銅、氧化鋅、氮化鋅或氮氧化鋅中之至少一者。
如請求項15之方法，其中使用該對電極以產生該電漿包括： <br/>施加在約17 kV至約28 kV之範圍內的一電壓差。
如請求項15之方法，其中引入該層形成氣體包括： <br/>添加一含氧氣體或一含氮氣體以達到約百萬分之一位準至約38 kPa之範圍內或在約百萬分之一至約4 kPa之範圍內。
一種用於製造一基板支撐組件的方法，該方法包含以下步驟：<br/>提供一陶瓷頂板，該陶瓷頂板具有帶一處理區域的一頂表面；<br/>在該處理區域內並在該陶瓷頂板的該頂表面上形成複數個檯面；以及<br/>雷射加工該複數個檯面中的一或多個檯面以減少該複數個檯面中的該一或多個檯面的一表面粗糙度，<br/>其中該複數個檯面中的該一或多個檯面僅包括該複數個檯面的少於全部檯面。
如請求項1所述之方法，其中降低該表面粗糙度包括以下步驟：從8-12微米Ra之間降低到1-4微米Ra之間。
如請求項1所述之方法，其中降低該複數個檯面中的該一或多個檯面的該表面粗糙度包括以下步驟：在該複數個檯面中的該一或多個檯面上形成圓角。
如請求項1所述之方法，其中該複數個檯面與該陶瓷頂板的該頂表面連續。
如請求項1所述之方法，其中該陶瓷頂板包含氮化鋁。
如請求項1所述之方法，其中該陶瓷頂板包含氧化鋁。
如請求項1所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：在該陶瓷頂板內形成一或多個電極。
一種用於製造一基板支撐組件的方法，該方法包含以下步驟：<br/>提供一陶瓷頂板，該陶瓷頂板具有帶一處理區域的一頂表面；<br/>在該處理區域內並且在該陶瓷頂板的該頂表面上形成複數個檯面；以及<br/>雷射加工該複數個檯面中的一或多個檯面以增加該複數個檯面中的該一或多個檯面的一表面粗糙度。
如請求項8所述之方法，其中增加該表面粗糙度包括以下步驟：從1-4微米Ra之間增加到8-12微米Ra之間。
如請求項8所述之方法，其中增加該複數個檯面中的該一或多個檯面的該表面粗糙度包括以下步驟：在該複數個檯面中的該一或多個檯面上形成尖角。
如請求項8所述之方法，其中該複數個檯面與該陶瓷頂板的該頂表面連續。
如請求項8所述之方法，其中該複數個檯面中的該一或多個檯面僅包括該複數個檯面的少於全部檯面。
如請求項8所述之方法，其中該陶瓷頂板包含氮化鋁。
如請求項8所述之方法，其中該陶瓷頂板包含氧化鋁。
如請求項8所述之方法，該方法進一步包括以下步驟：在該陶瓷頂板內形成一或多個電極。
一種基板支撐組件，包含：<br/>一陶瓷頂板，該陶瓷頂板具有帶一處理區域的一頂表面；<br/>一或多個DC銅焊連結，該一或多個DC銅焊連結位於該陶瓷頂板內；<br/>一或多個電極，該一或多個電極位於該陶瓷頂板內；以及<br/>複數個檯面，該複數個檯面位於該處理區域內且位於該陶瓷頂板的該頂表面上，其中該等檯面中的一或多個檯面為雷射加工檯面，<br/>其中該複數個檯面中沒有一個檯面豎直地位於該一或多個DC銅焊連結之上或豎直地位於該一或多個電極中的一個電極的一邊緣之上。
如請求項16所述之基板支撐組件，其中該複數個檯面與該陶瓷頂板的該頂表面連續。
如請求項16所述之基板支撐組件，其中該陶瓷頂板包含氮化鋁。
如請求項16所述之基板支撐組件，其中該陶瓷頂板包含氧化鋁。
如請求項16所述之基板支撐組件，其中該一或多個電極包含鉬。
一種用於提供經皮神經電刺激（TENS）治療的膝關節裝置，該膝關節裝置耦合至一患者的膝蓋骨以定位並經皮刺激該患者的足三里穴（ST-36），用於治療或緩解骨關節炎疼痛，該膝關節裝置包含：<br/> 可安裝於該患者膝蓋骨下的腿部的一下組件，其中，該下組件包含：<br/> 複數個接觸點，該複數個接觸點被配置在該下組件的底面，用於接觸在小腿上的該足三里穴（ST-36）穴道；以及<br/> 一或更多個導熱貼片，該一或更多個導熱貼片被配置在該下組件的該底面，用於施加熱處理至鄰近該足三里穴（ST-36）穴道的區域；<br/> 可安裝於該患者的大腿的一上組件，其中，該上組件包含：<br/> 一脈衝寬度調變（PWM）產生器，經組態以產生一脈衝刺激訊號，並將該脈衝刺激訊號耦合至該複數個接觸點，以刺激該足三里穴（ST-36）穴道；以及<br/> 一套筒，該套筒適於連接該上組件與該下組件，其中該套筒有一膝蓋骨開口，通過該膝蓋骨開口，能定位以包覆該患者的膝關節並將該複數個接觸點置於該足三里穴（ST-36）穴道上；<br/> 其中，該複數個接觸點包含一第一接觸貼片及一第二接觸貼片，其中，該第一接觸貼片電連接至該脈衝寬度調變（PWM）產生器以耦合該脈衝刺激訊號，該第二接觸貼片電連接至一低參考電壓；<br/> 該第一接觸貼片及該第二接觸貼片的尺寸係為涵蓋該足三里穴（ST-36）穴道的位置在個體間的差異，該第二接觸貼片的尺寸為65 mm x 45 mm，且該第一接觸貼片的尺寸為30 mm x 20 mm；<br/> 其中，當該患者穿戴該膝關節裝置時，該膝蓋骨開口容納該膝蓋骨，用於定義一錨位，並相對於該錨位定位該第一及該第二接觸貼片，以接觸該足三里穴（ST-36）穴道；<br/> 該脈衝刺激訊號具有在20 μA至60 μA之間的定電流，從而在持續使用該膝關節裝置時不影響療效；<br/> 該脈衝刺激訊號為脈衝寬度在100毫秒至120毫秒之間的方波。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，該一或更多個導熱貼片中的每一個皆包含一由導熱材料組成的繞組，該繞組用於以40°C以下的溫度傳遞熱能至該足三里穴（ST-36）穴道以及鄰近該足三里穴（ST-36）穴道的該區域。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，進一步包含：<br/> 一或更多個溫度感測器，用於取得鄰近該一或更多個導熱貼片的區域以及該膝關節裝置下方的區域的溫度讀數；<br/> 一電流感測器，用於偵測經由該複數個接觸點流經該患者的電流；以及<br/> 在該上組件內的一處理器，其中，該處理器經組態以根據該一或更多個溫度感測器所偵測到的該溫度讀數以及該電流感測器所偵測到的該電流，持續監控並調整該一或更多個導熱貼片及該脈衝寬度調變（PWM）產生器。
如請求項3所述之膝關節裝置，其中，該上組件包含一藍芽模組，經組態以根據該藍芽無線協定操作以發射及接收無線訊號。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，使用柔性電纜將該上組件及該下組件電連接在一起。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，該上組件及該下組件各包含固定裝置，用於施加拉力以將該上組件及該下組件分別保持在該患者的該大腿及該小腿上，其中，該固定裝置包含一束帶及一帶扣。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，該套筒由彈性材料製成，該彈性材料選自由天然橡膠、矽膠、乳膠、尼龍、彈性紡織品以及棉組成的群組。
如請求項7所述之膝關節裝置，其中，該套筒的尺寸係為部分覆蓋或圍繞該膝蓋骨以及精準定位該足三里穴（ST-36）穴道。
如請求項1所述之膝關節裝置，其中，進一步包含一振動器，該振動器被配置在該下組件的該底面，用於提供該患者心理效應。
一種經皮神經電刺激（TENS）裝置，該裝置適於經皮刺激患者的足三里穴（ST-36），用於治療或減緩骨關節炎疼痛，包含：<br/> 一套筒；<br/> 複數個接觸點，該複數個接觸點被配置在該套筒的底面，用於接觸在該小腿上的該足三里穴（ST-36）穴道；<br/> 一脈衝寬度調變（PWM）產生器，經組態以產生一脈衝刺激訊號，並將該脈衝刺激訊號耦合至該複數個接觸點，以刺激該足三里穴（ST-36）穴道；以及<br/> 一或更多個導熱貼片，該一或更多個導熱貼片被配置在該套筒的該底面，用於施加熱處理至鄰近該足三里穴（ST-36）穴道的區域；<br/> 其中：<br/> 該套筒包含一膝蓋骨開口，該膝蓋骨開口能定位以包覆該患者的膝關節並將該複數個接觸點置於該足三里穴（ST-36）穴道上；<br/> 其中，該複數個接觸點包含一正極端及一負極端，其中，該正極端電連接至該脈衝寬度調變（PWM）產生器以耦合該脈衝刺激訊號，該負極端電連接至一低參考電壓；<br/> 該正極端及該負極端的尺寸係為涵蓋該足三里穴（ST-36）穴道的位置在個體間的差異，該負極端的尺寸為65 mm x 45 mm，且該正極端的尺寸為30 mm x 20 mm；<br/> 其中，當該患者穿戴該套筒時，該膝蓋骨開口容納該膝蓋骨，用於定義一錨位，並相對於該錨位定位該正極及該負極端，以接觸該足三里穴（ST-36）穴道；<br/> 該脈衝刺激訊號具有在20 μA至60 μA之間的定電流，從而在持續使用該經皮神經電刺激（TENS）裝置時不影響療效；<br/> 該脈衝刺激訊號為脈衝寬度在100毫秒至120毫秒之間的方波。
如請求項10所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，該一或更多個導熱貼片中的每一個皆包含一由導熱材料組成的繞組，該繞組用於以40°C以下的溫度傳遞熱能至該足三里穴（ST-36）穴道以及鄰近該足三里穴（ST-36）穴道的該區域。
如請求項10所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，進一步包含：<br/> 一或更多個溫度感測器，用於取得鄰近該一或更多個導熱貼片的區域以及該套筒下方的區域的溫度讀數；<br/> 一電流感測器，用於偵測經由該複數個接觸點流經該患者的電流；以及<br/> 一處理器，該處理器經組態以根據該一或更多個溫度感測器所偵測到的該溫度讀數以及該電流感測器所偵測到的該電流，持續監控並調整該一或更多個導熱貼片及該脈衝寬度調變（PWM）產生器。
如請求項10所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，進一步包含一藍芽模組，經組態以根據該藍芽無線協定操作以發射及接收無線訊號。
如請求項10所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，該套筒由彈性材料製成，該彈性材料選自由天然橡膠、矽膠、乳膠、尼龍、彈性紡織品以及棉組成的群組。
如請求項14所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，該套筒的尺寸係為部分覆蓋或圍繞該膝蓋骨以及精準定位該足三里穴（ST-36）穴道。
如請求項10所述之經皮神經電刺激（TENS）裝置，其中，進一步包含一振動器，該振動器被配置在該套筒的該底面，用於提供該患者心理效應。
一種電動車之變速系統的控制方法，該電動車包含一用以提供行駛動力且連接於該變速系統的動力馬達、一資訊連接於該動力馬達的控制單元、一前輪，及一後輪，該變速系統包括一適用於連接該動力馬達的齒輪組、一與該齒輪組連接的作動機構、一連接於該作動機構的變速鼓，及一連結於該變速鼓並用以控制該變速鼓之轉動角度而使該作動機構執行檔位切換的換檔馬達，該電動車之變速系統的控制方法包含： <br/>一運行步驟，該控制單元接收該動力馬達之一轉速資訊，並判斷該轉速資訊高於一第一轉速門檻，或低於一第二轉速門檻； <br/>一判斷步驟，該控制單元判斷是否滿足一限制條件；及 <br/>一執行步驟，若該控制單元判斷滿足該限制條件，則使該換檔馬達不得執行檔位切換，若該控制單元判斷未滿足該限制條件，則在該轉速資訊高於該第一轉速門檻或低於該第二轉速門檻時，控制該換檔馬達執行檔位切換，其中，該限制條件為該前輪之輪速為零。
一種電動車之變速系統的控制方法，該電動車包含一用以提供行駛動力且連接於該變速系統的動力馬達、一資訊連接於該動力馬達的控制單元、一車身，及一連接於該車身，並能在一固定於地面之定位狀態與一遠離地面之收合狀態間移動的駐車機構，該變速系統包括一適用於連接該動力馬達的齒輪組、一與該齒輪組連接的作動機構、一連接於該作動機構的變速鼓，及一連結於該變速鼓並用以控制該變速鼓之轉動角度而使該作動機構執行檔位切換的換檔馬達，該電動車之變速系統的控制方法包含： <br/>一運行步驟，該控制單元接收該動力馬達之一轉速資訊，並判斷該轉速資訊高於一第一轉速門檻，或低於一第二轉速門檻； <br/>一判斷步驟，該控制單元判斷是否滿足一限制條件；及 <br/>一執行步驟，若該控制單元判斷滿足該限制條件，則使該換檔馬達不得執行檔位切換，若該控制單元判斷未滿足該限制條件，則在該轉速資訊高於該第一轉速門檻或低於該第二轉速門檻時，控制該換檔馬達執行檔位切換，其中，該限制條件為該駐車機構位於該定位狀態。
如請求項2所述電動車之變速系統的控制方法，該電動車還包含一資訊連接於該駐車機構，並用以在該駐車機構移動至該定位狀態時發出一觸發信號的偵測機構，其中，該限制條件為該控制單元接收到該觸發信號。
如請求項1或2所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該限制條件為該轉速資訊低於一第三轉速門檻。
如請求項4所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該第三轉速門檻為每分鐘3000轉。
如請求項4所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該執行步驟還包括一在該轉速資訊高於一第四轉速門檻時，控制該換檔馬達執行檔位切換的恢復子步驟。
如請求項6所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該第四轉速門檻為每分鐘4500轉。
一種電動車之變速系統的控制方法，該電動車包含一用以提供行駛動力且連接於該變速系統的動力馬達、一資訊連接於該動力馬達的控制單元，及一用以偵測一代表一扭力命令值之開度訊號的油門感知器，該變速系統包括一適用於連接該動力馬達的齒輪組、一與該齒輪組連接的作動機構、一連接於該作動機構的變速鼓，及一連結於該變速鼓並用以控制該變速鼓之轉動角度而使該作動機構執行檔位切換的換檔馬達，該電動車之變速系統的控制方法包含： <br/>一運行步驟，該控制單元接收該動力馬達之一轉速資訊，並判斷該轉速資訊高於一第一轉速門檻，或低於一第二轉速門檻； <br/>一判斷步驟，該控制單元判斷是否滿足一限制條件；及 <br/>一執行步驟，若該控制單元判斷滿足該限制條件，則使該換檔馬達不得執行檔位切換，若該控制單元判斷未滿足該限制條件，則在該轉速資訊高於該第一轉速門檻或低於該第二轉速門檻時，控制該換檔馬達執行檔位切換，其中，該控制單元依據該轉速資訊而產生一扭力門檻值，該限制條件為該控制單元接收該開度訊號所代表之該扭力命令值低於該扭力門檻值。
如請求項8所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該控制單元還依據該轉速資訊產生一恢復門檻值，該執行步驟還包括一該控制單元接收該開度訊號所代表之該扭力命令值高於該恢復門檻值時，控制該換檔馬達執行檔位切換的恢復子步驟。
如請求項1至3、5至9任一項所述電動車之變速系統的控制方法，其中，該第一轉速門檻為每分鐘6000轉，而該第二轉速門檻為每分鐘4000轉。
如請求項1至3、5至9任一項所述電動車之變速系統的控制方法，該變速系統之該齒輪組包括一輸入軸、一套設於該輸入軸的第一齒輪、一套設於該輸入軸且與該第一齒輪相間隔的第二齒輪、一與該輸入軸間隔設置的輸出軸、一套設於該輸出軸且與該第一齒輪嚙合的一檔齒輪，及一套設於該輸出軸且與該第二齒輪嚙合的二檔齒輪，該一檔齒輪具有多個朝向該作動機構的孔槽，該二檔齒輪具有多個朝向該作動機構的孔槽，該作動機構包括多個用以與該一檔齒輪或該二檔齒輪之該等孔槽耦合，使得該作動機構能在一耦合該一檔齒輪之一檔位置與一耦合該二檔齒輪之二檔位置間移動的犬齒，其中，該執行步驟包括一在該轉速資訊高於該第一轉速門檻時控制該換檔馬達升檔的升檔子步驟，及一在該轉速資訊低於該第二轉速門檻時控制該換檔馬達降檔的降檔子步驟。
一種晶體晶片，包括： <br/>晶體振子用的多個晶體振動片； <br/>框架，連結所述晶體振動片且厚度厚於所述晶體振動片的厚度；以及 <br/>測定用電極，從所述晶體振動片各者個別地引出到所述框架而用於所述晶體振動片的特性檢查， <br/>所述晶體晶片的特徵在於， <br/>在所述框架的表背面的至少一面的接近所述晶體振動片各者的區域包括底面與所述晶體振動片的主面成為同一平面的凹部，且所述測定用電極設置於包含所述凹部的區域。
如請求項1所述的晶體晶片，其包括： <br/>狹縫，設置於所述晶體晶片的所述晶體振動片與所述框架的交界區域而用於從晶體晶片折取所述晶體振動片；以及 <br/>連結部，在所述狹縫的兩端連結有所述晶體振動片及所述框架， <br/>且所述測定用電極配線於所述連結部上。
如請求項1所述的晶體晶片，其中 <br/>在所述框架的一面包括所述凹部。
如請求項1所述的晶體晶片，其中 <br/>在所述框架的兩面包括所述凹部。
一種6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯的用途，係用以製造增加背外側前額葉皮質的血流的藥物，該6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯係投予一所需人體，藉由增加該所需人體的背外側前額葉皮質的血流以改善該所需人體的情節記憶以及工作記憶。
如請求項1之6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯的用途，其中，該藥物係被單次投予。
如請求項1或2之6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯的用途，其中，該藥物係被經口投予。
如請求項1或2之6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯的用途，其中，該6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯係由包含以6-氯己醇為原料經化學合成法所獲得之步驟所形成。
一種山葵萃取物的用途，係用以製造增加背外側前額葉皮質的血流的藥物，該山葵萃取物為本山葵的萃取物，該山葵萃取物含有6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯，該山葵萃取物投予一所需人體，藉由增加該所需人體的背外側前額葉皮質的血流以改善該所需人體的情節記憶以及工作記憶。
一種6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯的用途，係用以製造增加背外側前額葉皮質的血流的保健食品，該6-甲基亞磺醯基己基異硫氰酸酯係投予一所需人體，藉由增加該所需人體的背外側前額葉皮質的血流以改善該所需人體的情節記憶以及工作記憶。
一種基板清洗系統，包括片盒單元、第一傳送裝置、第二傳送裝置、第三傳送裝置、翻轉緩存裝置、第一清洗裝置和第二清洗裝置； <br/>所述片盒單元用於存放基板； <br/>所述第一傳送裝置置於所述片盒單元與所述翻轉緩存裝置之間，所述第一傳送裝置用於在所述片盒單元與所述翻轉緩存裝置之間輸送基板，所述翻轉緩存裝置用於對基板進行翻轉和存放； <br/>所述第二傳送裝置和所述第三傳送裝置分別設置於所述翻轉緩存裝置的兩側，所述第一清洗裝置對應所述第二傳送裝置設置，所述第二清洗裝置對應所述第三傳送裝置設置，所述第二傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第一清洗裝置之間輸送基板，所述第三傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第二清洗裝置之間輸送基板，所述第一清洗裝置和所述第二清洗裝置均用於對基板進行正背面清洗。
根據請求項1所述的基板清洗系統，其中所述翻轉緩存裝置包括第一翻轉單元、第二翻轉單元和緩存單元； <br/>所述第一翻轉單元、所述第二翻轉單元和所述緩存單元均設置於所述第二傳送裝置和所述第三傳送裝置之間； <br/>所述第一傳送裝置用於在所述第一翻轉單元或所述第二翻轉單元與所述片盒單元之間輸送基板，所述第一傳送裝置還用於在所述緩存單元與所述片盒單元之間輸送基板； <br/>所述第二傳送裝置用於通過所述第一翻轉單元、所述第二翻轉單元和所述緩存單元中的任一個在與所述第一清洗裝置之間輸送基板，所述第三傳送裝置用於通過所述第一翻轉單元、所述第二翻轉單元和所述緩存單元中的任一個在與所述第二清洗裝置之間輸送基板； <br/>所述第一翻轉單元和所述第二翻轉單元均用於翻轉基板，所述緩存單元用於存放基板。
根據請求項1所述的基板清洗系統，其中所述第一清洗裝置包括第一正面清洗單元和第一背面清洗單元； <br/>所述第一背面清洗單元設置於所述第一正面清洗單元的上側或下側，所述第二傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第一正面清洗單元之間輸送基板，且所述第二傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第一背面清洗單元之間輸送基板； <br/>所述第二清洗裝置包括第二正面清洗單元和第二背面清洗單元； <br/>所述第二背面清洗單元設置於所述第二正面清洗單元的上側或下側，所述第三傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第二正面清洗單元之間輸送基板，且所述第三傳送裝置用於在所述翻轉緩存裝置與所述第二背面清洗單元之間輸送基板。
根據請求項1或3所述的基板清洗系統，其中所述第一清洗裝置和所述第二清洗裝置均至少設置為兩個。
根據請求項1所述的基板清洗系統，其中所述第二傳送裝置和所述第三傳送裝置對稱設置於所述翻轉緩存裝置的兩側，且所述第二傳送裝置設置於所述第一傳送裝置遠離所述片盒單元的一側，所述第三傳送裝置設置於所述第一傳送裝置遠離所述片盒單元的一側，並且所述第二傳送裝置和所述第三傳送裝置均與所述第一傳送裝置相鄰設置。
根據請求項5所述的基板清洗系統，其中所述第一清洗裝置設置於所述第二傳送裝置遠離所述第一傳送裝置的一側，所述第二清洗裝置設置於所述第三傳送裝置遠離所述第一傳送裝置的一側，且所述第一清洗裝置和所述第二清洗裝置對稱設置。
根據請求項1所述的基板清洗系統，其中所述第二傳送裝置和所述第三傳送裝置均包括驅動部和至少兩個機械手部； <br/>至少一個所述機械手部設置於另一個所述機械手部的上側或下側，且各個所述機械手部均設置於所述驅動部，所述驅動部用於帶動所述機械手部在所述翻轉緩存裝置與所述第一清洗裝置之間輸送基板，或者所述驅動部用於帶動所述機械手部在所述翻轉緩存裝置與所述第二清洗裝置之間輸送基板，所述機械手部用於放置基板。
一種基板清洗系統的控制方法，用於控制請求項1至7中任一項所述的基板清洗系統，包括以下步驟： <br/>通過所述片盒單元存放待清洗基板； <br/>通過所述第一傳送裝置將待清洗基板輸送至所述翻轉緩存裝置，使得所述翻轉緩存裝置存在至少兩片待清洗基板； <br/>通過所述翻轉緩存裝置帶動其上的待清洗基板進行第一次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第一清洗裝置進行第一次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第二清洗裝置進行第一次清洗； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第一清洗裝置進行第二次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第二清洗裝置進行第二次清洗； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放； <br/>所述第一傳送裝置將所述翻轉緩存裝置處完成第二次清洗的基板輸送至所述片盒單元存放。
根據請求項8所述的基板清洗系統的控制方法，其中所述翻轉緩存裝置包括第一翻轉單元、第二翻轉單元和緩存單元，所述第一翻轉單元和所述第二翻轉單元均設有至少兩個用於放置基板的槽位； <br/>通過所述第一傳送裝置將待清洗基板輸送至所述翻轉緩存裝置，使得所述翻轉緩存裝置存在至少兩片待清洗基板，具體包括：通過所述第一傳送裝置將待清洗基板輸送至所述第一翻轉單元，使得所述第一翻轉單元存在至少兩片待清洗基板； <br/>所述通過所述翻轉緩存裝置帶動其上的待清洗基板進行第一次翻轉，具體包括：通過所述第一翻轉單元帶動其上的待清洗基板進行第一次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉，具體包括：所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述第二翻轉單元進行第二次翻轉，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述第二翻轉單元進行第二次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放，具體包括：所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述緩存單元進行存放，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述緩存單元進行存放。
根據請求項9所述的基板清洗系統的控制方法，其中所述第一清洗裝置包括第一正面清洗單元和第一背面清洗單元；所述第二清洗裝置包括第二正面清洗單元和第二背面清洗單元； <br/>所述第二傳送裝置將一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第一清洗裝置進行第一次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第二清洗裝置進行第一次清洗，具體包括：所述第二傳送裝置將一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第一背面清洗單元進行第一次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第一次翻轉的基板輸送至所述第二背面清洗單元進行第一次清洗； <br/>所述第二傳送裝置將一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第一清洗裝置進行第二次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第二清洗裝置進行第二次清洗，具體包括：所述第二傳送裝置將一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第一正面清洗單元進行第二次清洗，同時所述第三傳送裝置將另一片完成第二次翻轉的基板輸送至所述第二正面清洗單元進行第二次清洗。
根據請求項8所述的基板清洗系統的控制方法，其中所述翻轉緩存裝置包括第三翻轉單元、第四翻轉單元、第五翻轉單元和存放單元，所述第三翻轉單元設有至少兩個用於放置基板的槽位，所述第四翻轉單元和所述第五翻轉單元均設有至少一個用於放置基板的槽位； <br/>通過所述第一傳送裝置將待清洗基板輸送至所述翻轉緩存裝置，使得所述翻轉緩存裝置存在至少兩片待清洗基板，具體包括：通過所述第一傳送裝置將待清洗基板輸送至所述第三翻轉單元，使得所述第三翻轉單元存在至少兩片待清洗基板； <br/>所述通過所述翻轉緩存裝置帶動其上的待清洗基板進行第一次翻轉，具體包括：通過所述第三翻轉單元帶動其上的待清洗基板進行第一次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行第二次翻轉，具體包括：所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述第四翻轉單元進行第二次翻轉，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第一次清洗的基板輸送至所述第五翻轉單元進行第二次翻轉； <br/>所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述翻轉緩存裝置進行存放，具體包括：所述第二傳送裝置將所述第一清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述存放單元進行存放，同時所述第三傳送裝置將所述第二清洗裝置完成第二次清洗的基板輸送至所述存放單元進行存放。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 提供一基底包含一中壓區以及一低壓區，其中該第一閘極結構包含一第一閘極介電層設於該基底上，其中該第一閘極介電層側壁包含一曲面，以及一第一閘極電極設於該第一閘極介電層上；<br/> 形成一第一閘極結構於該中壓區以及一第二閘極結構於該低壓區；<br/> 形成一圖案化遮罩於該中壓區，其中該圖案化遮罩覆蓋該第一閘極結構以及該第二閘極結構並暴露該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間之該基底；以及<br/> 形成一第一磊晶層於該第一閘極結構以及該第二閘極結構之間。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該低壓區包含一第一電晶體區以及一第二電晶體區，該方法包含：<br/> 形成一第三閘極結構於該第一電晶體區以及一第四閘極結構於該第二電晶體區；<br/> 形成該圖案化遮罩於該中壓區以及該第二電晶體區；<br/> 形成該第一磊晶層於該中壓區以及一第二磊晶層於該第三閘極結構旁；以及<br/> 形成一第三磊晶層於該第四閘極結構旁。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該圖案化遮罩覆蓋該中壓區以及該第二電晶體區並同時暴露該第一電晶體區。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該圖案化遮罩完全覆蓋該第二電晶體區。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一磊晶層以及該第二磊晶層包含相同導電型式。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一磊晶層以及該第三磊晶層包含不同導電型式。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基底頂表面以及該曲面間之夾角小於90度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一閘極介電層底表面大於該第一閘極介電層頂表面。
如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第三閘極結構包含：<br/> 一第三閘極介電層設於該基底上，其中該第三閘極介電層側壁包含一垂直表面；以及<br/> 一第三閘極電極設於該第三閘極介電層上。
如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該基底頂表面以及該垂直表面間之夾角等於90度。
如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第三閘極介電層之底表面等於該第三閘極介電層之頂表面。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一基底包含一中壓區以及一低壓區；<br/> 一第一閘極結構設於該中壓區，其中該第一閘極結構包含：<br/> 一第一閘極介電層設於該基底上，其中該第一閘極介電層包含一曲面；<br/> 一第一閘極電極設於該第一閘極介電層上；以及<br/> 一第一磊晶層設於該第一閘極結構旁。
如申請專利範圍第12項所述之半導體元件，其中該基底頂表面以及該曲面間之夾角小於90度。
如申請專利範圍第12項所述之半導體元件，其中該第一閘極介電層底表面大於該第一閘極介電層頂表面。
如申請專利範圍第12項所述之半導體元件，另包含：<br/> 一第二閘極結構設於該低壓區，其中該第二閘極結構包含：<br/> 一第二閘極介電層設於該基底上，其中該第二閘極介電層側壁包含一垂直表面；<br/> 一第二閘極電極設於該第二閘極介電層上；以及<br/> 一第二磊晶層設於該第二閘極結構旁。
如申請專利範圍第15項所述之半導體元件，其中該基底頂表面以及該垂直表面間之夾角等於90度。
如申請專利範圍第15項所述之半導體元件，其中該第二閘極介電層之底表面等於該第二閘極介電層之頂表面。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一奈米結構堆疊；<br/> 一第二奈米結構堆疊，水平偏離該第一奈米結構堆疊；<br/> 一第一源極/汲極區，鄰接該第一奈米結構堆疊；<br/> 一第二源極/汲極區，鄰接該第二奈米結構堆疊；<br/> 一牆結構，位於該第一奈米結構堆疊與該第二奈米結構堆疊之間，並與該第一奈米結構堆疊的奈米結構分開，其中該牆結構的上部的寬度大於該牆結構的下部的寬度；以及<br/> 一第一閘極結構，包括：<br/> 一閘極介電層，包覆該第一奈米結構堆疊的奈米結構；以及<br/> 一導電核心層，位於該閘極介電層上，其中該第一奈米結構堆疊的奈米結構之一者與該牆結構之間的該導電核心層的厚度為0奈米至1 奈米。
如請求項1之半導體裝置，其中該牆結構包括：<br/> 一第一介電層；以及<br/> 一第二介電層，位於該第一介電層與該第一奈米結構堆疊之間以及該第一介電層與該第二奈米結構堆疊之間。
如請求項1或2之半導體裝置，更包括：<br/> 一隔離區，<br/> 其中該牆結構自該第一閘極結構的上表面延伸至低於該第一閘極結構的下表面。
如請求項3之半導體裝置，更包括：<br/> 一第三介電層，位於該牆結構與該隔離區之間。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 形成一第一奈米結構堆疊與一第二奈米結構堆疊；<br/> 形成一犧牲閘極結構於該第一奈米結構堆疊與該第二奈米結構堆疊上：<br/> 形成一第一源極/汲極區與一第二源極/汲極區，該第一源極/汲極區鄰接該第一奈米結構堆疊，且該第二源極/汲極區鄰接該第二奈米結構堆疊；<br/> 移除該犧牲閘極結構以形成一閘極溝槽；<br/> 形成一牆結構於該閘極溝槽中，其中該牆結構的上部的寬度大於該牆結構的下部的寬度；以及<br/> 形成一閘極結構以包覆該第一奈米結構堆疊與該第二奈米結構堆疊並鄰接該牆結構，其中該閘極結構與該牆結構的上表面實質上共平面。
如請求項5之半導體裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成一導電層於該閘極結構與該牆結構上；以及<br/> 形成一閘極隔離結構以完全延伸穿過該導電層並接觸該牆結構。
如請求項5或6之半導體裝置的形成方法，其中形成該牆結構的步驟包括：<br/> 形成一第一介電層於該閘極溝槽中；<br/> 形成一第二介電層於該第一介電層上，且該第一介電層的介電常數高於該第二介電層的介電常數；<br/> 圖案化該第二介電層以形成一圖案化的第二介電層區；以及<br/> 形成一第三介電層於該圖案化的第二介電層區上，其中該第三介電層合併於該圖案化第二介電層區的垂直壁之間的空間中的該閘極溝槽中。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一奈米結構堆疊；<br/> 一第二奈米結構堆疊，水平偏離該第一奈米結構堆疊；<br/> 一第一源極/汲極區，鄰接該第一奈米結構堆疊；<br/> 一第二源極/汲極區，鄰接該第二奈米結構堆疊；<br/> 一牆結構，位於該第一奈米結構堆疊與該第二奈米結構堆疊之間，並與該第一奈米結構堆疊的奈米結構隔有多個第一開口，其中該牆結構的上部的寬度大於該牆結構的下部的寬度；<br/> 一側壁間隔物，自該第一奈米結構堆疊延伸至該第二奈米結構堆疊；以及<br/> 一第一閘極結構，包括一閘極介電層包覆該第一奈米結構堆疊的奈米結構並合併於該些第一開口中。
如請求項8之半導體裝置，更包括：<br/> 一導電層，位於該第一閘極結構與該牆結構上；以及<br/> 一閘極隔離結構，完全延伸穿過該導電層並接觸該牆結構。
如請求項9之半導體裝置，其中該第一閘極結構位於該第一奈米結構堆疊與該導電層之間，且該第一奈米結構堆疊與該導電層之間的分隔距離實質上等於該第一奈米結構堆疊的相鄰奈米結構之間的分隔距離。
一種光學元件，具備基體及設於前述基體之上的光學構造體， <br/> 前述光學構造體，至少具有：第1介電體層；第2介電體層；以及第3介電體層，其位於前述第1介電體層與前述第2介電體層之間，具有比前述第1介電體層及前述第2介電體層低的折射率； <br/> 前述第1介電體層及前述第2介電體層，為含氧化鋁及氫的膜， <br/> 使前述膜中的氧的含量為[O]at%、前述膜中的鋁的含量為[Al]at%、前述膜中的氫的含量為[H]at%時，滿足[Al]+[O]≧50.0at%及[O]/([Al]+[H])≦1.40。
如請求項1的光學元件，其滿足([O]+[H])/ [Al]≧1.90。
如請求項1的光學元件，其滿足[H]/[O]≧0.10。
如請求項1的光學元件，其滿足[H]/([Al]+ [O])≧0.10。
如請求項1的光學元件，其中，使前述膜中的氟的含量為[F]at%時，滿足([O]+[F])/[Al]≧1.60。
如請求項1的光學元件，其滿足[H]/[Al]≧0.25。
如請求項1的光學元件，其滿足以下的至少任一者： <br/> [O]/[Al]≧1.75； <br/> [H]/[Al]≧0.75； <br/> [H]/[O]≧0.46； <br/> [O]/([Al]+[H])≦1.10； <br/> ([O]+[H])/[Al]≧2.68。
如請求項1的光學元件，其滿足以下的至少任一者： <br/> [H]≧10.0at%； <br/> [Al]≦35.0at%； <br/> [O]≦55.5at%； <br/> [Al]+[O]≦90.0at%； <br/> [Al]+[H]≧40.0at%； <br/> [O]+[H]≧60.0at%。
如請求項1的光學元件，其滿足[H]≧20.0at%及[H]≦30.0at%。
如請求項1的光學元件，其滿足以下的至少任一者： <br/> [H]/[O]≦0.75； <br/> [H]/[Al]≦1.25； <br/> [O]/([Al]+[H])≧0.70； <br/> ([O]+[H])/[Al]≦3.00； <br/> [H]/([Al]+[O])≦0.40。
一種光學元件，具備基體及設於前述基體之上的光學構造體， <br/> 前述光學構造體，至少具有包含氧化鋁、氫及氟的膜， <br/> 使前述膜中的氧的含量為[O]at%、前述膜中的鋁的含量為[Al]at%、前述膜中的氫的含量為[H]at%、前述膜中的氟的含量為[F]at%時，滿足[Al]+[O]≧50.0at%及[F]/[H]≦1.0。
如請求項11的光學元件，其滿足[H]/ ([Al]+[F])≧0.25。
如請求項11的光學元件，其滿足[H]/ ([O]+[F])≧0.10。
如請求項11的光學元件，其滿足([H]+ [F])/[Al]≧0.25。
如請求項11的光學元件，其滿足([H]+ [F])/[Al]≧1.00及([H]+[F])/[Al]≦1.50。
如請求項11的光學元件，其滿足[F]/[H]≦0.50。
如請求項11的光學元件，其滿足([H]+ [F])/[O]≧0.50。
如請求項11的光學元件，其滿足[H]+ [F]≧20.0at%及[H]+[F]≦30.0at%。
如請求項11的光學元件，其滿足以下的至少任一者： <br/> [O]+[F]≦60.0at%； <br/> [Al]+[F]≦40.0at%。
如請求項11的光學元件，其滿足([O]+ [F])/[Al]≧1.75。
如請求項11的光學元件，其中， <br/> 前述光學構造體，至少具有：第1介電體層；第2介電體層；以及第3介電體層，其位於前述第1介電體層與前述第2介電體層之間，具有比前述第1介電體層及前述第2介電體層低的折射率； <br/> 前述第1介電體層及前述第2介電體層，為前述膜。
如請求項1至21中任一項的光學元件，其中，前述光學構造體具有防反射構造。
如請求項1至21中任一項的光學元件，其中，前述光學構造體具有反射構造。
如請求項1至21中任一項的光學元件，其中，在前述基體的前述膜之側的表面為凹面或凸面。
如請求項1至21中任一項的光學元件，其中，前述光學元件，為透鏡、反射鏡或棱鏡。
如請求項1至21中任一項的光學元件，其中，前述基體的主成分，為氧化矽或氟化鈣。
一種光學設備， <br/> 具備： <br/> 如請求項1至21中任一項的光學元件；以及 <br/> 保持前述光學元件的保持部件。
一種光學設備， <br/> 具備： <br/> 如請求項1至21中任一項的光學元件；以及 <br/> 生成照射於前述膜的紫外光的光源。
如請求項28的光學設備，其中，前述紫外光的波長不足200nm。
如請求項29的光學設備，其具備： <br/> 搭載倍縮光罩的倍縮光罩台；以及 <br/> 搭載基板的基板台； <br/> 以前述光源而生成的紫外光經由前述倍縮光罩與前述光學元件而照射於前述基板。
如請求項29的光學設備，其中，前述膜含有氬，前述膜中的氧的含量、前述膜中的鋁的含量、前述膜中的氫的含量、前述膜中的氟的含量及前述膜中的氬的含量的和，為99.0at%以上。
一種無鹼玻璃板，其特徵在於：玻璃組成中的Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O的含量為0 mol%～0.5 mol%，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量為12.5 mol%～18 mol%，楊氏模量為78 GPa以上，應變點為720℃以上，液相溫度為1450℃以下，以mol%計而含有1.5%～3.7%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、2%～6.3%的MgO、4.5%～10%的CaO及0%～0.5%的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1所述的無鹼玻璃板，其中作為玻璃組成，以mol%計進而含有58%～68%的SiO<sub>2</sub>及2%～13%的SrO+BaO。
如請求項1所述的無鹼玻璃板，其中作為玻璃組成，以mol%計進而含有58%～67%的SiO<sub>2</sub>、1.5%～8%的SrO及1.5%～8%的BaO，實質不含As<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其進而含有0.001 mol%～1 mol%的SnO<sub>2</sub>。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其中應變點為725℃以上。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其中楊氏模量高於80 GPa。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其中30℃～380℃的溫度範圍內的平均熱膨脹係數為30×10<sup>-7</sup>/℃～50×10<sup>-7</sup>/℃。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其中液相黏度為10<sup>4</sup><sup>.5</sup> dPa·s以上。
如請求項1至3中任一項所述的無鹼玻璃板，其用於有機電致發光元件。
一種製作半導體元件的方法，其特徵在於，包含：<br/> 將一上晶圓接合至一下晶圓，其中該上晶圓包含一第一金屬內連線且該第一金屬內連線包含一第一阻障層，其中該第一阻障層底表面切齊該上晶圓底表面；<br/> 形成一介電層於該上晶圓底表面；以及<br/> 形成一第二金屬內連線於該介電層以及該上晶圓內並連接該第一金屬內連線，其中該第二金屬內連線包含一第二阻障層且該第一阻障層以及該第二阻障層包含一H形。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一阻障層包含一倒U形。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二阻障層包含一U形。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二阻障層底表面小於該第一阻障層底表面。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二阻障層寬度小於該第一阻障層寬度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二阻障層底表面低於該介電層底表面。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二阻障層深入該第一阻障層內。
一種半導體元件，其特徵在於，包含：<br/> 一上晶圓接合至一下晶圓，其中該上晶圓包含一第一金屬內連線且該第一金屬內連線包含一第一阻障層，其中該第一阻障層底表面切齊該上晶圓底表面；<br/> 一介電層設於該上晶圓底表面；以及<br/> 一第二金屬內連線設於該介電層以及該上晶圓內並連接該第一金屬內連線，其中該第二金屬內連線包含一第二阻障層且該第一阻障層以及該第二阻障層包含一H形。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第一阻障層包含一倒U形。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二阻障層包含一U形。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二阻障層底表面小於該第一阻障層底表面。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二阻障層寬度小於該第一阻障層寬度。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二阻障層底表面低於該介電層底表面。
如申請專利範圍第8項所述之半導體元件，其中該第二阻障層深入該第一阻障層內。
一種電子裝置，包含：<br/> 一調光結構；<br/> 一控制單元，與該調光結構電連接；<br/> 複數個感測器，與該控制單元電連接，基於該複數個感測器所感測的感測值，輸出一感測結果；以及<br/> 一角度感測器，與該控制單元電連接，感測該調光結構的一旋轉角度，<br/> 其中，該控制單元基於該感測結果與該旋轉角度，輸出電壓至該調光結構，<br/> 其中，該複數個感測器為太陽能電池，該感測值為太陽能電池的電流值。
如請求項1所述之電子裝置，其中，該複數個感測器為光感測器，該感測值為光感測值。
如請求項2所述之電子裝置，其中，兩相鄰排列的感測器相距一圓心角。
如請求項2所述之電子裝置，其更包含一透鏡，與該複數個感測器對應設置。
如請求項2所述之電子裝置，其中，該調光結構包含有一液晶結構及一框體，該框體圍繞該液晶結構。
如請求項5所述之電子裝置，其中，該複數個感測器設置於該框體。
如請求項5所述之電子裝置，其中，該液晶結構包含有複數個子區，分別與該控制單元電連接，該控制單元基於該感測結果與該旋轉角度，輸出至少一電壓至至少一子區。
如請求項5所述之電子裝置，其中，該控制單元更基於該感測值及一感測閾值的比較，以調整輸出的該電壓。
如請求項1所述之電子裝置，其更包含一偵測器用以偵測駕駛或乘客的眼睛與車頂之間的距離，該控制單元基於該距離及該感測結果與該旋轉角度，輸出電壓至該調光結構。
一種電子裝置，包括： <br/>晶片，具有主動面以及設置在所述主動面上的多個接點； <br/>元件結構層，鄰近所述主動面設置且具有開關元件，所述開關元件通過所述多個接點中的至少一個電性連接於所述晶片； <br/>重佈線結構層，鄰近所述主動面設置且通過所述多個接點中的至少一個電性連接於所述晶片；以及 <br/>保護層，包括第一部分以及第二部分，其中所述第一部分圍繞所述晶片，且所述第二部分圍繞所述元件結構層以及所述重佈線結構層， <br/>其中所述元件結構層包括至少一第一絕緣層，所述重佈線結構層包括至少一第二絕緣層，且所述至少一第一絕緣層的厚度小於所述至少一第二絕緣層的厚度， <br/>其中所述至少一第一絕緣層的熱膨脹係數小於所述至少一第二絕緣層的熱膨脹係數以及所述保護層的熱膨脹係數。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一部分接觸所述晶片的側面，且所述第二部分接觸所述元件結構層以及所述重佈線結構層。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述至少一第一絕緣層包括無機材料，且所述至少一第二絕緣層包括有機材料。
如請求項1所述的電子裝置，還包括： <br/>通孔結構，貫穿所述至少一第一絕緣層以及所述至少一第二絕緣層。
如請求項4所述的電子裝置，其中所述通孔結構具有階梯輪廓。
如請求項1所述的電子裝置，還包括： <br/>緩衝層，其中所述元件結構層設置在所述緩衝層與所述重佈線結構層之間；以及 <br/>絕緣層，其中所述緩衝層設置在所述絕緣層與所述元件結構層之間。
一種製造電子裝置的方法，包括： <br/>在載板上形成元件結構層以及重佈線結構層，其中所述元件結構層具有開關元件，所述元件結構層包括至少一第一絕緣層，所述重佈線結構層包括至少一第二絕緣層，且所述至少一第一絕緣層的厚度小於所述至少一第二絕緣層的厚度； <br/>在所述載板上設置晶片，其中所述晶片具有主動面以及設置在所述主動面上的多個接點，且所述多個接點電性連接於所述開關元件以及所述重佈線結構層；以及 <br/>在所述載板上形成保護層，所述保護層包括第一部分以及第二部分，其中所述第一部分圍繞所述晶片，且所述第二部分圍繞所述元件結構層以及所述重佈線結構層， <br/>其中所述第一部分在形成所述元件結構層以及所述重佈線結構層之前形成，且所述第二部分在形成所述元件結構層以及所述重佈線結構層之後形成。
如請求項7所述的製造電子裝置的方法，還包括： <br/>在形成所述元件結構層以及所述重佈線結構層之前，在所述載板上依序形成絕緣層以及緩衝層，其中部分的所述緩衝層位於所述第一部分以及所述第二部分之間。
一種負型感光性樹脂組成物，其含有下述成分(A)～(D)；<br/> (A)由間甲酚衍生之結構單元(a1)、由苯甲醛衍生之結構單元(a2)、及由柳醛衍生之結構單元(a3)的莫耳比[(a1):(a2):(a3)]為1.0:0.55～0.65:0.35～0.45之酚醛清漆型酚醛樹脂<br/> (B)選自含乙烯性不飽和基的聚醯亞胺、含乙烯性不飽和基的聚醯亞胺前驅物、含乙烯性不飽和基的聚苯并㗁唑及含乙烯性不飽和基的聚苯并㗁唑前驅物之1種以上的樹脂<br/> (C)感光劑，其為光聚合起始劑及自由基聚合性化合物<br/> (D)溶劑。
如請求項1之負型感光性樹脂組成物，其中該成分(A)中的由間甲酚衍生之結構單元(a1)、由苯甲醛衍生之結構單元(a2)、及由柳醛衍生之結構單元(a3)的含量的合計為30質量%以上。
如請求項1或2之負型感光性樹脂組成物，其中該成分(A)的重量平均分子量為1,000以上7,000以下。
如請求項1或2之負型感光性樹脂組成物，其中該成分(A)的分子量小於500的成分，以凝膠滲透層析測定中之面積比率計小於3.0%。
一種硬化膜，其係由如請求項1至4中任一項之負型感光性樹脂組成物而得。
一種光阻膜，其係由如請求項1至4中任一項之負型感光性樹脂組成物而得。
一種半導體處理工具，包括：<br/> 一電漿源；<br/> 一腔室，耦接至該電漿源；<br/> 一泵，耦接至該腔室；及<br/> 一取樣管線，被配置為產生可用雷射吸收光譜法量測的物種，其中該取樣管線包括：<br/> 一反應腔室；及<br/> 一吸收腔室。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該取樣管線被配置為從該電漿源與該腔室之間抽取一樣品。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該取樣管線被配置為從該腔室中抽取一樣品。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該取樣管線被配置為從該腔室下游抽取一樣品。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該取樣管線的一下游側耦接至該泵。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該反應腔室包括：<br/> 一第一氣體輸入管線，耦接至該電漿源；<br/> 一第二氣體輸入管線，耦接至一反應氣體源；及<br/> 一輸出氣體管線，耦接至該吸收腔室。
如請求項6所述之半導體處理工具，其中該反應腔室進一步包括：<br/> 一溫度量測裝置。
如請求項6所述之半導體處理工具，其中該反應腔室進一步包括：<br/> 一換能器，該換能器用於控制該反應腔室中的一壓力。
如請求項6所述之半導體處理工具，其中該吸收腔室包括：<br/> 一第三氣體輸入管線，耦接至該反應腔室的該輸出氣體管線；<br/> 一第二氣體輸出管線，耦接至該泵；<br/> 一第一窗口，在該吸收腔室的一第一表面上；<br/> 一第二窗口，在該吸收腔室的與該第一表面相對的一第二表面上；<br/> 一光源，被配置為經由該第一窗口發射光；以及<br/> 一光偵測器，被配置為經由該第二窗口接收光。
如請求項9所述之半導體處理工具，其中該吸收腔室進一步包括一溫度量測裝置。
如請求項9所述之半導體處理工具，其中該吸收腔室進一步包括一換能器，該換能器用於量測和/或控制該吸收腔室中的一壓力。
如請求項1所述之半導體處理工具，其中該反應腔室和該吸收腔室被配置為一單個腔室。
一種決定一自由基濃度的方法，包括以下步驟：<br/> 用一電漿源產生自由基；<br/> 將該等自由基的一樣品沿一取樣管線向下轉向；<br/> 使該等自由基與一第一物種反應以形成一第二物種；以及<br/> 在一吸收腔室中量測該第二物種，其中該第二物種的一量測結果對應於該等自由基的一量測結果。
如請求項13所述之方法，其中該等自由基包括碳、氮、氟、氯、氧、硫、磷、矽或氫。
如請求項14所述之方法，其中該等第二物種包括HF、HCl、CO、CO<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、OH、NH、NH<sub>2</sub>、NH<sub>3</sub>、HS、H<sub>2</sub>S、PH、PH<sub>2</sub>、PH<sub>3</sub>、C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>、SiH、SiH<sub>2</sub>、SiH<sub>3</sub>、SiH<sub>4</sub>。
如請求項13所述之方法，其中該電漿源是一遠端電漿源。
如請求項13所述之方法，其中使該等自由基與一第一物種反應之步驟係在<i>一</i>第一腔室中進行，並且其中該第一腔室不同於該吸收腔室。
一種半導體處理工具，包括：<br/> 一遠端電漿源；<br/> 一腔室，流體耦合到該遠端電漿源；<br/> 一泵，流體耦合到該腔室；以及<br/> 一取樣管線，與該腔室流體平行並且被配置為產生可用雷射吸收光譜法量測的物種，其中該取樣管線包括：<br/> 一反應腔室；及<br/> 一吸收腔室。
如請求項18所述之半導體處理工具，其中該反應腔室和該吸收腔室組合為一單個腔室。
如請求項18所述之半導體處理工具，其中該反應腔室被配置為使自由基與一第一物種反應以產生一第二物種，並且其中該吸收腔室被配置為量測該第二物種。
一種積體電路結構，包含：<br/> 一第一基板，具有一積體電路形成於其上；<br/> 一第二基板，接合至該第一基板；<br/> 一深溝渠電容器，形成於該第二基板上且電性連接該積體電路，其中該深溝渠電容器包含：<br/> 複數個導電層與複數個介電層之一堆疊，設於複數個深溝渠中，其中該些介電層中的一最上層介電層覆蓋於該些導電層上，且該些介電層包含高k介電材料，以及<br/> 複數個導電插塞，分別落在該些導電層上，其中該些導電插塞之每一者包含一第一金屬層、一第二金屬層設於該第一金屬層上、以及一第三金屬層設於該第二金屬層上，該第一金屬層包含鈷與鎳之一者，該第二金屬層包含銅錳合金，該第三金屬層包含鎢、銅、與銅鋁合金中之一者，且該些導電插塞之每一者的直徑小於100埃；<br/> 一另一介電層，共形的設置於該堆疊的頂表面以及側表面上，其中該另一介電層的材料不同於該堆疊中之該些介電層的材料；以及<br/> 一介電材料層，設置於該另一介電層上，該介電材料層具有一平坦上表面，其中該另一介電層的材料不同於該介電材料層的材料。
如請求項1所述之積體電路結構，其中該些導電層包含一第一數量之該些導電層，且該些導電插塞包含一第二數量之該些導電插塞，且該第二數量等於該第一數量。
如請求項1所述之積體電路結構，其中該些導電插塞落在各自之該些導電層上具有不同之高度。
如請求項1所述之積體電路結構，更包含複數個深溝渠電容器，形成在該第二基板上，且配置成一陣列，其中<br/> 該些深溝渠電容器之一第一者設於沿一第一方向縱向定向之複數個第一深溝渠中；以及<br/> 該些深溝渠電容器之一第二者設於沿一第二方向縱向定向之複數個第二深溝渠中，該第二方向與該第一方向正交，該些深溝渠電容器之該第二者與該陣列中之該些深溝渠電容器之該第一者相鄰。
如請求項4所述之積體電路結構，其中該些深溝渠電容器之該第一者包含複數個第一導電插塞，該些第一導電插塞設於該些第一深溝渠之相鄰二者之間且沿該第一方向對齊。
如請求項5所述之積體電路結構，其中該些深溝渠電容器之該第二者包含複數個第二導電插塞，該些第二導電插塞設於該些第二深溝渠之相鄰二者之間且沿該第二方向對齊。
一種積體電路結構，包含複數個深溝渠電容器形成在一第一基板上且配置成一陣列，其中該些深溝渠電容器包含：<br/> 一第一深溝渠電容器，設於沿一第一方向縱向定向之複數個第一深溝渠中；以及<br/> 一第二深溝渠電容器，與該陣列中之該第一深溝渠電容器相鄰，且設於沿一第二方向縱向定向之複數個第二深溝渠中，該第二方向與該第一方向正交，其中該些深溝渠電容器之每一者包含：<br/> 複數個導電層與複數個介電層之一堆疊，設於複數個深溝渠中，其中該些介電層中的一最上層介電層覆蓋於該些導電層上，且該些介電層包含高k介電材料；以及<br/> 複數個導電插塞，分別落在該些導電層上，其中該些導電插塞之每一者包含一第一金屬層、一第二金屬層設於該第一金屬層上、以及一第三金屬層設於該第二金屬層上，該第一金屬層包含鈷與鎳之一者，該第二金屬層包含銅錳合金，該第三金屬層包含鎢、銅、與銅鋁合金中之一者，且該些導電插塞之每一者的直徑小於100埃，<br/> 其中該積體電路結構更包含：<br/> 一另一介電層，共形的設置於該堆疊的頂表面以及側表面上，其中該另一介電層的材料不同於該堆疊中之該些介電層的材料；以及<br/> 一介電材料層，設置於該另一介電層上，該介電材料層具有一平坦上表面，其中該另一介電層的材料不同於該介電材料層的材料。
如請求項7所述之積體電路結構，其中<br/> 該第一深溝渠電容器之該些導電層與該些介電層之該堆疊包含一第一段延伸到超過該些第一深溝渠之一介電特徵上；<br/> 該第一段包含一階梯式結構，該第一深溝渠電容器之該些導電層側向延伸各別之長度彼此相同；以及<br/> 該第一深溝渠電容器之該些導電插塞分別落在該第一深溝渠電容器之該些導電層上。
如請求項7所述之積體電路結構，更包含一互連結構設於該第一深溝渠電容器與該第二深溝渠電容器上，其中該互連結構包含一第一金屬層，該第一金屬層具有複數個第一金屬線連接至該些導電插塞，其中該些第一金屬線包含一第一子集之該些第一金屬線沿該第一方向縱向定向，以及一第二子集之該些第一金屬線沿該第二方向縱向定向。
一種積體電路結構之製造方法，包含：<br/> 形成複數個第一溝渠於一第一基板上；<br/> 形成一堆疊於該些第一溝渠中，該堆疊包含複數個導電層與複數個介電層，其中該些導電層與該些介電層在該堆疊中互相交錯，其中該些介電層中的一最上層介電層覆蓋於該些導電層上，且該些介電層包含高k介電材料；<br/> 共形形成一另一介電層於該堆疊的頂表面以及側表面上，其中該另一介電層的材料不同於該堆疊中之該些介電層的材料；以及<br/> 形成一介電材料層於該另一介電層上，該介電材料層具有一平坦上表面，其中該另一介電層的材料不同於該介電材料層的材料；<br/> 形成複數個開口於該介電材料層與該另一介電層中，藉以分別暴露出該些開口中之該些導電層，其中該些開口之每一者的直徑小於100埃；<br/> 沉積一第一金屬層於該些開口中，該第一金屬層包含鈷與鎳之一者；<br/> 沉積一第二金屬層於該第一金屬層上，該第二金屬層包含銅錳合金；以及<br/> 沉積一第三金屬層於該第二金屬層上，該第三金屬層包含鎢、銅、與銅鋁合金中之一者。
一種感測裝置，包含：<br/> 一基板； <br/> 一電路層，設置於該基板上，且該電路層包含複數個驅動電路；以及<br/> 複數個感測單元，設置於該電路層上，每個感測單元包含：<br/> 一支撐部，電性連接該些驅動電路的其中一者；以及<br/> 一感測部，電性連接該支撐部，且該感測部藉由該支撐部與該電路層分隔一第一空腔；<br/> 其中，於該基板的法線方向上，至少一部分的該支撐部重疊該感測部；<br/> 其中，於該基板的法線方向上，該支撐部與另一個感測單元的感測部至少部分重疊。
如請求項1所述的感測裝置，其中該支撐部設置於該另一個些感測單元的該感測部與該基板之間。
如請求項1所述的感測裝置，其中於該基板的法線方向上，該感測部與該些驅動電路的該其中一者不重疊。
如請求項1所述的感測裝置，其中還包含一偏壓線，設置於該基板上，且該支撐部包含一第一支撐件與一第二支撐件，該第一支撐件電性連接該些驅動電路的該其中一者，該第二支撐件電性連接該偏壓線。
如請求項4所述的感測裝置，其中該第一支撐件的延伸方向與該第二支撐件的延伸方向之間的夾角介於0至10度之間。
如請求項4所述的感測裝置，其中該第二支撐件的延伸方向與該偏壓線的延伸方向之間的夾角介於0至20度之間。
如請求項6所述的感測裝置，其中該第二支撐件的延伸方向與該偏壓線的延伸方向之間的夾角介於10至20度之間。
如請求項4所述的感測裝置，其中該第一支撐件的延伸方向平行於該第二支撐件的延伸方向。
如請求項4所述的感測裝置，其中該第二支撐件的延伸方向平行於該偏壓線的延伸方向。
如請求項1所述的感測裝置，其中還包含一偏壓線，設置於該基板上，該些感測單元的其中一者的該支撐部與該些感測單元的其中另一者的該支撐部以該偏壓線為鏡像設計。
一種可折疊門鉸鏈（3）<br/> 具有一第一鉸鏈槓桿（31），其包括具有至少一支承開口（31110、31120、31130、31140）的一第一槓桿端件（311），和連接或可連接到一第一安裝部分的一第二槓桿端件（312）；<br/> 具有一第二鉸鏈槓桿（32），其包括具有至少一支承開口（3210）的一第一槓桿端件（321）和連接或可連接到一第二安裝部分的一第二槓桿端件（322）；<br/> 具有一鉸鏈軸（33），其保持在該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32）的該支承開口（31110、31120、31130、31140、3210）中，並且可樞轉地將該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32）彼此連接；及<br/> 具有一驅動彈簧（34），其一方面鄰接該第一鉸鏈槓桿（31），另一方面鄰接該第二鉸鏈槓桿（32），<br/> 其中，該第一鉸鏈槓桿（31）的第一槓桿端件（311）包括兩個間隔開的第一內支承臂和一第二內支承臂（3112、3113），該第一內支承臂和第二內支承臂具有相關聯的該支承開口（31120、31130），該第二鉸鏈槓桿（32）的第一端件（321）保持在支承開口之間；以及兩個與该第一和第二內支承臂（3112、3113）間隔開的一第一外支承臂和一第二外支承臂（3111、3114），並且，<br/> 其中，該驅動彈簧（34）包括一第一彈簧組和一第二彈簧組（341、342），該第一和第二彈簧組包圍鉸鏈軸（33）並且藉由一彈簧中心件（343）互連，該彈簧中心件鄰接該第二鉸鏈槓桿（32），並且其中佈置在該第一內支承臂（3112）和該第一外支承臂（3111）之間的該第一彈簧組（341）在遠離該彈簧中心件（343）的端部處包括一第一彈簧端件（3411），第一彈簧端件鄰接該第一外支承臂（3111）；並且其中佈置在第二內支承臂（3113）和第二外支承臂（3114）之間的該第二彈簧組（342）在遠離彈簧中心件（343）的端部處包括一第二彈簧端件（3421），第二彈簧端件鄰接該第二外支承臂（3114），其中，<br/> 該第一鉸鏈槓桿（31）包括用於該第一及第二彈簧端件（3411、3421）中的每一保持元件（314），相關聯的第一及第二彈簧端件（3411、3421）接合或能夠接合在保持元件中，或者<br/> 該第二鉸鏈槓桿（32）包括一保持構件（324），該彈簧中心件（343）接合或能夠接合在保持構件中，或者<br/> 該第一鉸鏈槓桿（31）包括用於第一及第二彈簧端件（3411、3421）中的每一保持元件（314），該相關聯的第一及第二彈簧端件（3411、3421）接合或能夠接合在保持元件中，並且第二鉸鏈槓桿（32）包括一保持構件（324），該彈簧中心件（343）接合或能夠接合在保持構件中，並且，<br/> 該保持元件（314）設計為閉鎖元件，該第一及第二彈簧端件（3411、3421）能夠接合到閉鎖元件中，或者<br/> 該保持構件（324）形成為一閉鎖元件，該彈簧中心件（343）能夠接合到該閉鎖元件中，或者<br/> 該保持元件（314）形成為該第一及第二彈簧端件（3411、3421）能夠接合到其中的閉鎖元件，並且該保持構件（324）形成為該彈簧中心件（343）能夠接合到其中的閉鎖元件，並且，<br/> 該驅動彈簧（34）連接到該第一鉸鏈槓桿（31），並且藉由該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32）旋轉抵靠彼此而可連接到該第二鉸鏈槓桿（32）上；或者<br/> 該驅動彈簧（34）連接到該第二鉸鏈槓桿（32），並且藉由該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32）旋轉抵靠彼此而可連接到該第一鉸鏈槓桿（31）上；或者<br/> 該驅動彈簧（34）藉由該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32）的旋轉一方面可連接到該第一鉸鏈槓桿（31），另一方面可連接到該第二鉸鏈槓桿（32），並且，<br/> 該第一及該第二外支承臂（3111、3114）各自包括該保持元件（314）中的一個，該保持元件包括一斜面（3141），相關聯的第一彈簧端件（3411）或第二彈簧端件（3421）經由斜面能夠引入位於該保持元件（314）後方的一保持通道（3140）中，在可折疊門鉸鏈（3）已經投入操作後，相關聯的第一彈簧端件（3411）或第二彈簧端件（3421）保持在保持通道中；或者<br/> 該第二鉸鏈槓桿（32）的第一槓桿端件（321）包括呈一閉鎖元件形式的保持構件（324），該彈簧中心件（343）能夠在保持構件上引導並閉鎖在該保持構件（324）後方；或者<br/> 該第一及一第二外支承臂（3111、3114）各自包括該保持元件（314）中的一個，該保持元件包括一斜面（3141），相關聯的第一彈簧端件（3411）或第二彈簧端件（3421）經由該斜面能夠引入位於保持元件（314）後方的一保持通道（3140）中，在該可折疊門鉸鏈（3）已經投入操作後，相關聯的第一彈簧端件（3411）或第二彈簧端件（3421）保持在保持通道中，並且，該第二鉸鏈槓桿（32）的第一槓桿端件（321）包括呈閉鎖元件形式的保持構件（324），該彈簧中心件（343）能夠在保持構件上引導並閉鎖在該保持構件（324）後方。
如請求項1所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，該彈簧中心件（343）保持或者能夠保持在該第二鉸鏈槓桿（32）上、在該保持元件（324）和一鎖扣（325）之間。
如請求項1或請求項2所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，在該驅動彈簧（34）的該第一和第二彈簧組（341、342）內，一支承輥（35）藉由該鉸鏈軸（33）可旋轉且基本無遊隙地保持，其中，該支承輥（35）的外徑小於該該第一和第二彈簧組（341、342）的最小內徑。
如請求項3所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，<br/> 該第一及第二外支承臂（3111、3114）的支承開口（31110、31140）包括允許該支承輥（35）中的一個穿過並進入相關聯的該該第一和第二彈簧組（341、342）的內徑，或者<br/> 該第一及第二外支承臂（3111、3114）的支承開口（31110、31140）包括允許該支承輥（35）中的一個穿過並進入相關聯的該第一和第二彈簧組（341、342），並且進一步進入相鄰的該第一或第二內支承臂（3112、3113）的一支承開口部分（31120B、31130B）的內徑。
如請求項1或請求項2所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，該驅動彈簧（34）的該第一和第二彈簧組（341、342）包括螺旋或螺紋狀圈，該螺旋或螺紋狀圈彼此緊靠或者至少部分地從一圈到另一圈彼此間隔開，使得該第一和第二彈簧組（341、342）能夠軸向地壓縮。
如請求項1或請求項2所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，該鉸鏈軸（33）在一側或兩側上突出超過該第一鉸鏈槓桿（31）有端件，該鉸鏈軸（33）的端件連接到一邊框裝置（4）。
如請求項6所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，該邊框裝置（4）包括一邊框型材（41），該邊框型材具有藉由一型材中心件（411）互連的二型材側件（412），至少一保持模組（42）以形狀配合、可位移和可固定的方式保持在該邊框型材（41）內，該保持模組（42）包括固定地或可拆卸地連接到該鉸鏈軸（33）的一連接元件（423）。
如請求項7所述的可折疊門鉸鏈（3），其中，該第一鉸鏈槓桿（31）的第一槓桿端件（311）設定有至少一第一止動元件（316），該第二鉸鏈槓桿（32）的第一槓桿端件（321）設定有至少一第二止動元件（326），該第一及第二止動元件（316、326）佈置在該第一及第二鉸鏈槓桿（31、32），使得它們在二鉸鏈槓桿（31、32）旋轉後在相反的方向上對齊，並且形成用於該邊框型材（41）的鄰接表面。
一種傢俱，具有帶兩個門元件（111、112）的一可折疊門（11），兩個門元件藉由如請求項1至請求項8中任一項所述的至少一可折疊門鉸鏈（3）彼此連接。
如請求項9所述的傢俱，其中，一邊框裝置（4）藉由該可折疊門鉸鏈（3）保持，該邊框裝置設定用於覆蓋該門元件（111、112）之間的一門間隙。
如請求項9或請求項10所述的傢俱，其中，該可折疊門（11）能夠藉由一保持裝置（2）鎖定在一關閉位置，並且能夠再次從關閉位置釋放，其中，該可折疊門（11）能夠藉由一或複數可折疊門鉸鏈（3）施加的力的作用而至少部分地轉移到折疊狀態。
如請求項9或請求項10所述的傢俱，其中，該第一門元件（111）在遠離該可折疊門鉸鏈（3）的邊緣處藉由安裝多個鉸鏈（13）連接到一安裝型材（12），安裝型材在該傢俱的一門隔間（10）內可位移，並且該第二門元件（112）在遠離該可折疊門鉸鏈（3）的邊緣處連接到一導向滑架（5B），導向滑架在沿著該傢俱的前側延伸的一導軌（5B）中引導。
一種筒管輸送系統，係具備：<br/> 儲料器，係具備複數列的儲料器梭芯，並能夠相對於各儲料器梭芯掛載滿筒管以及空筒管而進行保管；<br/> 筒管移載機器人，係取出保管在前述儲料器中的滿筒管並安裝於紗線加工機的紗架，並從前述紗架取下空筒管並保管在前述儲料器中；<br/> 行駛紗架台車，係具備複數列的台車梭芯，並相對於各台車梭芯掛載滿筒管或者空筒管進行輸送；以及<br/> 控制裝置，係對前述儲料器以及前述行駛紗架台車進行控制，<br/> 前述儲料器係構成為能夠使掛載於前述行駛紗架台車的前述台車梭芯的滿筒管向前述儲料器梭芯移動、以及使掛載於前述儲料器梭芯的空筒管向前述台車梭芯移動；<br/> 一個前述儲料器所具備的前述儲料器梭芯的列數係與一個前述行駛紗架台車所具備的前述台車梭芯的列數加1而得的數量相等；<br/> 前述控制裝置係對前述儲料器以及前述行駛紗架台車進行控制，以使得在前述儲料器梭芯中的一列處於沒有筒管狀態、在剩餘的列全部掛載有空筒管的狀態下，藉由交替地進行第一工序和第二工序，使前述儲料器以及前述行駛紗架台車協作來進行將前述儲料器的空筒管更換為前述行駛紗架台車的滿筒管的更換作業；<br/> 在前述第一工序中，使掛載於前述行駛紗架台車的一列的台車梭芯的滿筒管向成為沒有筒管狀態的一列的前述儲料器梭芯移動，從而使一列的前述台車梭芯成為沒有筒管狀態；<br/> 在前述第二工序中，使掛載於前述儲料器梭芯的一列的空筒管向在前述第一工序中取出了滿筒管而成為沒有筒管狀態的一列的前述台車梭芯移動，從而使一列的前述儲料器梭芯成為沒有筒管狀態；並且，<br/> 前述控制裝置係對前述行駛紗架台車進行控制，以使前述行駛紗架台車在將滿筒管輸送到前述儲料器並更換為前述儲料器的空筒管之後，向與前述儲料器不同的場所輸送前述空筒管。
如請求項1所記載之筒管輸送系統，其中一個前述儲料器所具備的前述儲料器梭芯的層數係與一個前述行駛紗架台車所具備的前述台車梭芯的層數相等；<br/> 前述控制裝置係對前述儲料器以及前述行駛紗架台車進行控制，以使得在前述更換作業中將前述儲料器的所有空筒管更換成前述行駛紗架台車的所有滿筒管。
如請求項1所記載之筒管輸送系統，其中前述行駛紗架台車係從將紗線捲繞於空筒管而形成滿筒管的紡紗捲取機的設置位置、向前述儲料器的設置位置輸送滿筒管；<br/> 前述行駛紗架台車為了將藉由前述更換作業領取的前述空筒管從前述儲料器的設置位置、向前述紡紗捲取機的設置位置返回而進行輸送。
如請求項2所記載之筒管輸送系統，其中前述行駛紗架台車係從將紗線捲繞於空筒管而形成滿筒管的紡紗捲取機的設置位置、向前述儲料器的設置位置輸送滿筒管；<br/> 前述行駛紗架台車為了將藉由前述更換作業領取的前述空筒管從前述儲料器的設置位置、向前述紡紗捲取機的設置位置返回而進行輸送。
如請求項1所記載之筒管輸送系統，其中前述儲料器梭芯能夠沿著環狀的路徑而循環移動；<br/> 對前述台車梭芯交接滿筒管或者空筒管的前述儲料器梭芯的列係藉由循環移動而變化。
如請求項2所記載之筒管輸送系統，其中前述儲料器梭芯能夠沿著環狀的路徑而循環移動；<br/> 對前述台車梭芯交接滿筒管或者空筒管的前述儲料器梭芯的列係藉由循環移動而變化。
如請求項3所記載之筒管輸送系統，其中前述儲料器梭芯能夠沿著環狀的路徑而循環移動；<br/> 對前述台車梭芯交接滿筒管或者空筒管的前述儲料器梭芯的列係藉由循環移動而變化。
如請求項4所記載之筒管輸送系統，其中前述儲料器梭芯能夠沿著環狀的路徑而循環移動；<br/> 對前述台車梭芯交接滿筒管或者空筒管的前述儲料器梭芯的列係藉由循環移動而變化。
如請求項1至8中任一項所記載之筒管輸送系統，其中前述控制裝置係構成為對前述筒管移載機器人進行控制，以使得在進行前述更換作業的期間，前述筒管移載機器人不進行從前述儲料器取出滿筒管的作業而待機。
一種筒管輸送方法，是如下系統的筒管輸送方法，前述系統具備：<br/> 儲料器，係具備複數列的儲料器梭芯，能夠相對於各儲料器梭芯掛載滿筒管以及空筒管而進行保管；<br/> 筒管移載機器人，係取出保管在前述儲料器中的滿筒管並安裝於紗線加工機的紗架，並從前述紗架取下空筒管並保管在前述儲料器中；以及<br/> 行駛紗架台車，係具備複數列的台車梭芯，並相對於各台車梭芯掛載滿筒管或者空筒管進行輸送；<br/> 前述儲料器構成為能夠使掛載於前述行駛紗架台車的前述台車梭芯的滿筒管向前述儲料器梭芯移動、以及使掛載於前述儲料器梭芯的空筒管向前述台車梭芯移動，<br/> 一個前述儲料器所具備的前述儲料器梭芯的列數係與一個前述行駛紗架台車所具備的前述台車梭芯的列數加1而得的數量相等；<br/> 在前述儲料器梭芯中的一列處於沒有筒管狀態、在剩餘的列全部掛載有空筒管的狀態下，藉由交替地進行第一工序和第二工序，來進行將前述儲料器的空筒管更換為前述行駛紗架台車的滿筒管的更換作業；<br/> 在前述第一工序中，使掛載於前述行駛紗架台車的一列的台車梭芯的滿筒管向成為沒有筒管狀態的一列的前述儲料器梭芯移動，從而使一列的前述台車梭芯成為沒有筒管狀態；<br/> 在前述第二工序中，使掛載於前述儲料器梭芯的一列的空筒管向在前述第一工序中取出了滿筒管而成為沒有筒管狀態的一列的前述台車梭芯移動，從而使一列的前述儲料器梭芯成為沒有筒管狀態；<br/> 前述行駛紗架台車在將滿筒管輸送到前述儲料器並更換為前述儲料器的空筒管之後，向與前述儲料器不同的場所輸送上述空筒管。
一種電晶體裝置封裝，其包括： <br/>一主動組件總成，其包括具有一閘極端子、一汲極端子及一源極端子之一電晶體晶粒； <br/>一被動組件總成，其包含一層壓結構，其中該主動組件總成係在該層壓結構之一表面上，該被動組件總成包括電耦合至該閘極端子、該汲極端子及/或該源極端子之一或多個被動電組件，且該被動組件總成包含在該被動組件總成之該層壓結構上之至少一封裝引線； <br/>一模具結構，其在該一或多個被動電組件上；及 <br/>一導熱框架結構，其直接附接至該被動組件總成之該層壓結構之該表面之一部分及至一基板，該部分沿著一橫向方向與該至少一封裝引線間隔開，該導熱框架結構在該被動組件總成之該層壓結構及該基板之間提供一第一熱傳導路徑，且該導熱框架結構提供沿著該電晶體晶粒之側面且沿著該被動組件總成之該層壓結構之該表面延伸之一腔。
如請求項1之電晶體裝置封裝，其中該電晶體晶粒之一第一表面係在該被動組件總成之該層壓結構之該表面上，其中該基板在該電晶體晶粒之與該第一表面相對之一第二表面上。
如請求項1或2之電晶體裝置封裝，其中該腔係由該導熱框架結構及該基板界定之一空氣腔。
如請求項1或2之電晶體裝置封裝，其中該腔填充有圍繞該電晶體晶粒延伸之一囊封劑。
如請求項2之電晶體裝置封裝，其中該基板包括一導熱材料，且該電晶體晶粒之該第二表面提供一第二熱傳導路徑。
如請求項5之電晶體裝置封裝，其中該導熱框架結構及該基板包括一單體結構。
如請求項1之電晶體裝置封裝，其中該被動組件總成之該層壓結構之包含該電晶體晶粒於其上之該表面係一第二表面，且其中該一或多個被動電組件係在該被動組件總成之該層壓結構之與該第二表面相對之一第一表面上。
如請求項7之電晶體裝置封裝，其中該被動組件總成包括藉由該模具結構暴露之一或多個導電墊。
如請求項8之電晶體裝置封裝，其中該被動組件總成之該層壓結構之該第二表面不具有該模具結構，且該第二表面上之該至少一封裝引線包括第一封裝引線及第二封裝引線。
一種被動組件總成，其包括： <br/>一或多個被動電組件，其等在形成一層壓物之一互連結構之一第一表面上，其中該互連結構經組態以將該一或多個被動電組件電耦合至一電晶體晶粒之一閘極端子、汲極端子及/或源極端子； <br/>一支撐結構，其包括一導熱材料，其中該支撐結構直接附接至該互連結構之與該第一表面相對之一第二表面之一部分，其中該支撐結構在該互連結構之該第二表面上提供經組態以接受該電晶體晶粒之一腔，使得該腔沿著該電晶體晶粒之側面且沿著該第二表面延伸，且其中該互連結構之該第二表面之該部分經設置以沿著一橫向方向與一封裝引線間隔開；一模具結構，其在該互連結構之該第一表面上之該一或多個被動電組件上；及 <br/>一或多個導電墊，其等電耦合至該一或多個被動電組件且藉由該模具結構暴露， <br/>其中該支撐結構經組態以在該被動組件總成及一基板之間提供一第一熱傳導路徑。
如請求項10之被動組件總成，其中該被動組件總成之該互連結構之該第二表面包括其上之該一或多個導電墊。
如請求項11之被動組件總成，其中該第二表面不具有該模具結構。
如請求項10至12中任一項之被動組件總成，其中該一或多個導電墊以一接地-信號-接地佈局配置。
如請求項10至12中任一項之被動組件總成，其中該一或多個被動電組件經組態以在將該電晶體晶粒電連接至該被動組件總成之前經由該一或多個導電墊進行電測試。
如請求項10至12中任一項之被動組件總成，其中該一或多個被動電組件包括一表面安裝裝置及/或一整合式被動裝置。
如請求項10至12中任一項之被動組件總成，其中該互連結構之該第二表面經組態以藉由導電凸塊將該一或多個被動電組件電耦合至該電晶體晶粒之該等閘極端子、汲極端子及/或源極端子。
如請求項10之被動組件總成，其中該支撐結構包括一電絕緣材料。
如請求項17之被動組件總成，其中該支撐結構包括該互連結構之自該第二表面突出之一整合部分。
如請求項1之電晶體裝置封裝，其中該電晶體晶粒包括一高電子遷移率電晶體(HEMT)或一橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體，或其中該電晶體晶粒係一基於III族氮化物之RF電晶體放大器晶粒。
一種退貨商品資訊提供方法， <br/>作為藉由計算系統執行的方法，其包括如下步驟： <br/>從使用者終端接收目標商品的詳情請求； <br/>基於該目標商品的類型，確定是否顯示包括與退貨商品相關的至少一個項目的退貨微件； <br/>響應於確定顯示該退貨微件，向該使用者終端發送該目標商品的詳情頁面的資料和該退貨微件的資料， <br/>其中確定是否顯示該退貨微件的步驟包括如下步驟： <br/>當該目標商品的類型為退貨時確定為顯示該退貨微件，當該目標商品的類型為非退貨時確定為不顯示該退貨微件， <br/>其中，當確定為不顯示該退貨微件時，該目標商品的該詳情頁面顯示與該目標商品相關的商品推薦微件。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>確定是否顯示該退貨微件的步驟包括如下步驟： <br/>當該目標商品的類型為非退貨時，基於使用者的服務使用歷史，判斷在接收該詳情請求之前是否從該使用者終端接收到退貨的相關動作；以及 <br/>當接收到該動作時確定為顯示該退貨微件，當未接收到該動作時確定為不顯示該退貨微件。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>基於在接收該詳情請求之前從該使用者終端接收的關鍵字，確定該退貨微件在該詳情頁面內的顯示位置； <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括該退貨微件的顯示位置。
如請求項3之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>基於該關鍵字，確定該退貨微件在該詳情頁面內的顯示位置的步驟包括如下步驟： <br/>確定該退貨微件的顯示位置，以使當該目標商品根據該關鍵字被指定時，該退貨微件的顯示位置低於該詳情頁面內的該目標商品的詳情欄的位置，確定該退貨微件的顯示位置，以使當該目標商品未能根據該關鍵字被指定時，該退貨微件的顯示位置高於該詳情欄的位置。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>該退貨微件包括第一退貨微件和第二退貨微件，該第一退貨微件包括與退貨商品相關的至少一個第一項目，該第二退貨微件包括與退貨商品相關的至少一個第二項目，該至少一個第一項目的退貨商品的價格低於該目標商品的價格，該至少一個第二項目的退貨商品的價格高於該目標商品的價格。
如請求項5之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>確定該第一退貨微件和該第二退貨微件的顯示位置，以使當該目標商品的類型為退貨時，該第一退貨微件在該詳情頁面內的顯示位置高於該第二退貨微件的顯示位置，當該目標商品的類型為非退貨時，該第一退貨微件的顯示位置低於該第二退貨微件的顯示位置； <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括該第一退貨微件和該第二退貨微件的顯示位置。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>確定該至少一個項目的退貨商品，以使當該目標商品的類型為退貨時，優先在該退貨微件顯示具有與該目標商品的退貨狀態相同的退貨狀態的退貨商品；以及 <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括確定的該至少一個項目的退貨商品的資訊。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>向該使用者終端發送該至少一個項目的排列順序作為該退貨微件的資料，其中，基於使用者的服務使用歷史確定該排列順序。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>向該使用者終端發送該至少一個項目的排列順序作為該退貨微件的資料，其中，基於該目標商品的類別確定該排列順序。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>對於該至少一個項目中的每一個，計算該每一個項目的退貨商品和與該每一個項目的退貨商品對應的新商品的差價，向該使用者終端發送該計算的值，作為該退貨微件的資料。
如請求項1之退貨商品資訊提供方法，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的步驟包括如下步驟： <br/>對於該至少一個項目中的每一個，向該使用者終端發送當該每一個項目的退貨商品滿足規定的條件時將附加在該每一個項目的圖形對象的資料，作為該退貨微件的資料， <br/>基於對該每一個項目的退貨商品的屬性和與該每一個項目的退貨商品是相同種類但至少一部分屬性不同的其他退貨商品的屬性進行比較的結果，來確定是否滿足該條件。
一種退貨商品資訊提供系統，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載（load）電腦程式；以及 <br/>處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括如下指令（instructions）： <br/>從使用者終端接收目標商品的詳情請求； <br/>基於該目標商品的類型，確定是否顯示包括與退貨商品相關的至少一個項目的退貨微件； <br/>響應於確定顯示該退貨微件，向該使用者終端發送該目標商品的詳情頁面的資料和該退貨微件的資料， <br/>確定是否顯示該退貨微件的指令包括如下指令： <br/>當該目標商品的類型為退貨時確定為顯示該退貨微件，當該目標商品的類型為非退貨時確定為不顯示該退貨微件， <br/>其中，當確定為不顯示該退貨微件時，該目標商品的該詳情頁面顯示與該目標商品相關的商品推薦微件。
如請求項12之退貨商品資訊提供系統，其中， <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料的指令包括如下指令： <br/>基於在接收該詳情請求之前從該使用者終端接收的關鍵字，確定該退貨微件在該詳情頁面內的顯示位置； <br/>向該使用者終端發送該詳情頁面的資料和該退貨微件的資料，其中，該退貨微件的資料包括該退貨微件的顯示位置。
如請求項13之退貨商品資訊提供系統，其中， <br/>基於該關鍵字確定該退貨微件在該詳情頁面內的顯示位置的指令包括如下指令： <br/>確定該退貨微件的顯示位置，以使當該目標商品根據該關鍵字被指定時，該退貨微件的顯示位置低於該詳情頁面內的該目標商品的詳情欄的位置，確定該退貨微件的顯示位置，以使當該目標商品未能根據該關鍵字被指定時，該退貨微件的顯示位置高於該詳情欄的位置。
如請求項12之退貨商品資訊提供系統，其中， <br/>該退貨微件包括第一退貨微件和第二退貨微件，該第一退貨微件包括與退貨商品相關的至少一個第一項目，該第二退貨微件包括與退貨商品相關的至少一個第二項目，該至少一個第一項目的退貨商品的價格低於該目標商品的價格，該至少一個第二項目的退貨商品的價格高於該目標商品的價格。
一種最佳化一光阻層的一沉積後烘烤的方法，包括以下步驟：<br/> 在一基板上沉積該光阻層；<br/> 烘烤該光阻層；以及<br/> 用一光學工具測量該光阻層的特性，其中在用該光學工具測量該光阻層的特性之前，該光阻層不被曝光和顯影。
如請求項1所述之方法，其中該光學工具包括單燈反射儀、雙燈反射儀、橢偏儀或紫外-可見分光測光儀。
如請求項1所述之方法，其中該光學工具使用200 nm和800 nm之間的電磁輻射。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層的特性包括一折射率、一介電常數、一厚度、一反射率和/或一消光係數。
如請求項4所述之方法，其中該等特性與該光阻層的一微結構相關。
如請求項1所述之方法，其中測量該光阻層的特性之步驟是在該烘烤之後進行的。
如請求項6所述之方法，其中該光學工具是與用於烘烤該光阻層的一工具不同的一工具。
如請求項1所述之方法，其中測量該光阻層的特性之步驟是在該烘烤期間進行的。
如請求項8所述之方法，其中該光學工具與用於該烘烤的一工具在同一位置。
如請求項1所述之方法，其中該等特性與線寬粗糙度、線邊緣粗糙度和對輻射暴露的敏感性中的一個或多個相關。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層是一金屬氧光阻材料。
如請求項1所述之方法，其中該光阻層是一化學性增強光阻(CAR)。
一種最佳化一光阻層的應用後烘烤(PAB)的方法，包括以下步驟：<br/> 在一第一基板上沉積一第一光阻層；<br/> 用一第一PAB烘烤該第一光阻層；<br/> 在該第一PAB期間或之後，用一光學工具測量該第一光阻層的一材料特性；<br/> 在一第二基板上沉積一第二光阻層；<br/> 用一第二PAB烘烤該第二光阻層；<br/> 在該第二PAB期間或之後，用該光學工具測量該第二光阻層的該材料特性；以及<br/> 選擇具有提供最理想的線寬粗糙度、線邊緣粗糙度和/或對輻射暴露的靈敏度的材料特性的該光阻層，其中在不曝光和顯影該第一光阻層或該第二光阻層的情況下最佳化該PAB。
如請求項13所述之方法，其中該第一PAB和該第二PAB處於不同的溫度。
如請求項13所述之方法，其中該第一PAB和該第二PAB具有不同的持續時間。
如請求項13所述之方法，其中該光學工具與實現該PAB的該工具整合。
一種半導體處理工具，包括：<br/> 一沉積模組，其中該沉積模組經配置成用一乾式沉積製程在一基板上沉積一光阻層；<br/> 一應用後烘烤(PAB)模組，其中該PAB模組經配置成烘烤該光阻層；以及<br/> 用於在該烘烤期間或之後測量該光阻層的一個或多個特性的一光學工具，<br/> 其中該光阻層不被曝光和顯影。
如請求項17所述之半導體處理工具，其中該光學工具包括單燈反射儀、雙燈反射儀、橢偏儀或紫外-可見分光測光儀。
如請求項17所述之半導體處理工具，其中該乾式沉積製程包括原子層沉積(ALD)、電漿增強的ALD(PE-ALD)、化學氣相沉積(CVD)或電漿增強的CVD(PE-CVD）。
一種載台，其包含：包含第1溝以及配置成將前述第1溝夾在其間而鄰接之循環流道及加熱器的第1金屬板體；位於前述第1金屬板體之下方之包含貫通口的第2金屬板體；以及位於前述第2金屬板體之下方之包含第2溝的第3金屬板體；其中前述貫通口自前述第2金屬板體之一表面貫通至另一表面，前述第1溝、前述貫通口及前述第2溝彼此連通。
如請求項1所述之載台，其中在剖面圖中，前述第1溝的幅寬與前述貫通口及前述第2溝之至少一者的幅寬相異。
一種載台，其包含：包含第1貫通口以及配置成將前述第1貫通口夾在其間而鄰接之循環流道及加熱器的第1金屬板體；位於前述第1金屬板體之下方之包含第2貫通口的第2金屬板體；以及位於前述第2金屬板體之下方之包含溝的第3金屬板體；其中前述第1貫通口自前述第1金屬板體之一表面貫通至另一表面，前述第2貫通口自前述第2金屬板體之一表面貫通至另一表面，前述第1貫通口、前述第2貫通口及前述溝彼此連通。
如請求項3所述之載台，其中在剖面圖中，前述第1貫通口的幅寬與前述第2貫通口及前述溝之至少一者的幅寬相異。
如請求項3所述之載台，其中在剖面圖中，前述第1貫通口、前述第2貫通口及前述溝之至少一者具有漸擴形狀。
如請求項5所述之載台，其中前述漸擴形狀之幅寬朝向前述第1金屬板體的表面變大。
如請求項5所述之載台，其中前述漸擴形狀之幅寬朝向前述第1金屬板體的表面變小。
一種載台，其包含：包含第1溝以及配置成將前述第1溝夾在其間而鄰接之循環流道及加熱器的第1金屬板體；位於前述第1金屬板體之下方之包含貫通口的第2金屬板體；以及位於前述第2金屬板體之下方之包含第2溝的第3金屬板體；其中前述貫通口自前述第1金屬板體之一表面貫通至另一表面，前述貫通口及前述第2溝彼此連通，前述第1溝與前述貫通口重疊，前述貫通口的一端為前述第1金屬板體所封閉。
如請求項8所述之載台，其中在剖面圖中，前述第1溝的幅寬與前述貫通口及前述第2溝之至少一者的幅寬相異。
一種載台，其包含：包含第1溝以及配置成將前述第1溝夾在其間而鄰接之循環流道及加熱器的第1金屬板體；位於前述第1金屬板體之下方之包含第1貫通口的第2金屬板體；位於前述第2金屬板體之下方之包含第2溝的第3金屬板體；前述第1溝、前述第1貫通口及前述第2溝彼此連通的第1絕熱部；以及在平面視角下，與前述加熱器重疊的第2絕熱部；其中前述第1貫通口自前述第2金屬板體之一表面貫通至另一表面。
如請求項10所述之載台，其中前述第2絕熱部包含設置於前述第2金屬板體的第3溝。
如請求項11所述之載台，其中前述第2絕熱部更包含設置於前述第3金屬板體的第2貫通口，前述第2貫通口自前述第3金屬板體之一表面貫通至另一表面。
如請求項11所述之載台，其更包含：在平面視角下與前述加熱器重疊的第3絕熱部；其中前述第3絕熱部包含設置於前述第3金屬板體的第4溝。
如請求項1至請求項13之任一項所述之載台，其中前述第1金屬板體的最低表面溫度與最高表面溫度的溫度差為20℃以上。
一種光學膜，包含： <br/>光透射基質；以及 <br/>填料，分散於所述光透射基質中， <br/>其中所述填料具有纖維形狀且具有10至500的B/A比率，其中A表示所述填料的直徑且B表示所述填料的長度， <br/>其中所述光學膜具有大於1的Mm/Mt比率， <br/>其中Mm表示縱向（MD）上的楊氏模數且Mt表示橫向（TD）上的楊氏模數， <br/>其中所述縱向（MD）為平行於所述光學膜的製造製程中所述光學膜的澆鑄方向的方向且所述橫向（TD）為垂直於所述縱向（MD）的方向， <br/>其中所述填料具有60%至90%的縱向（MD）取向度，且 <br/>所述縱向（MD）取向度是根據以下條件來量測： <br/>FT-IR光譜儀：珀金埃爾默（PerkinElmer）光譜100 <br/>具有ATR及45度ZnSe晶體的Veemax III <br/>入射角：80度（空氣至晶體），偏光角：0度。
如請求項1所述的光學膜，其中所述B/A比率為10至400。
如請求項1所述的光學膜，其中所述B/A比率為200至400。
如請求項1所述的光學膜，其中所述填料具有2奈米至10奈米的直徑及200奈米至4,000奈米的長度。
如請求項1所述的光學膜，其中所述填料包含玻璃纖維、鋁纖維以及氟化物纖維中的至少一者。
如請求項1所述的光學膜，其中所述填料包含氧化鋁氫氧化物、SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、聚四氟乙烯（PTFE）或聚偏二氟乙烯（PVDF）中的至少一者。
如請求項1所述的光學膜，其中相對於所述光學膜的總重量，所述填料以1%至40%的量存在。
如請求項1所述的光學膜，其中基於大小為10公分×1公分的樣品，所述光學膜具有6.3吉帕（GPa）或大於6.3吉帕的楊氏模數。
如請求項1所述的光學膜，其中所述Mm/Mt比率為1.10或大於1.10。
如請求項1所述的光學膜，其中所述Mm/Mt比率為1.25或大於1.25。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光學膜具有電絕緣特性。
如請求項11所述的光學膜，其中所述光學膜具有1 × 10<sup>10 </sup>Ω/□或大於1 × 10<sup>10 </sup>Ω/□的電阻。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光學膜具有40兆帕（MPa）或大於40兆帕的維氏硬度（Vikers hardness；Hv）。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光學膜具有3或小於3的黃度指數。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光學膜具有4%或小於4%的霧度。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光學膜具有88%或大於88%的透光率。
如請求項1所述的光學膜，其中所述光透射基質包含醯亞胺重複單元或醯胺重複單元中的至少一者。
一種顯示裝置，包含： <br/>顯示面板；以及 <br/>如請求項1至17中任一項所述的光學膜，安置於所述顯示面板上。
一種製造光學膜的方法，包含： <br/>首先將填料分散於用於形成聚合物基質的樹脂溶液中以製得第一混合溶液； <br/>將所述第一混合溶液的pH調節至5至7以改良所述填料的排列特徵； <br/>澆鑄所述第一混合溶液以產生鑄膜； <br/>向所述鑄膜施加壓力；以及 <br/>在以1℃/1分鐘的升溫速率使溫度自80℃升高至120℃的同時乾燥所述鑄膜， <br/>其中所述填料具有纖維形狀且具有10至500的B/A比率，其中A表示所述填料的直徑且B表示所述填料的長度， <br/>其中所述填料具有60%至90%的縱向（MD）取向度，且 <br/>所述縱向（MD）取向度是根據以下條件來量測： <br/>FT-IR光譜儀：珀金埃爾默（PerkinElmer）光譜100 <br/>具有ATR及45度ZnSe晶體的Veemax III <br/>入射角：80度（空氣至晶體），偏光角：0度。
一種半導體結構，包括：<br/> 一中介層，包括：<br/> 一積體被動裝置；<br/> 一晶粒側重布線結構；<br/> 多個第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二中介層上凸塊結構，<br/> 其中該晶粒側重布線結構包括多個第一晶粒側重布線的布線內連線電性連接該積體被動裝置中的多個電性節點至該些第一中介層上凸塊結構，且更包括多個第二晶粒側重布線的布線內連線，其中第一組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第一對所述第二中介層上凸塊結構，第二組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第二對所述第二中介層上凸塊結構；<br/> 一第一半導體晶粒，包括：<br/> 多個第一晶粒上凸塊結構，其經由多個第一焊料材料部分接合至該些第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二晶粒上凸塊結構，其經由多個第二焊料材料部分接合至該些第二中介層上凸塊結構，<br/> 其中該第一半導體晶粒包括多個第一金屬內連線結構埋置於多個介電材料層中，並經由個別的該些第一焊料材料部分與個別的該些第二焊料材料部分提供電性連接於個別的該些第一中介層上凸塊結構與個別的該些第二中介層上凸塊結構之間；以及<br/> 一第二半導體晶粒，該第一半導體晶粒和該第二半導體晶粒與該積體被動裝置垂直重疊。
如請求項1之半導體結構，其中該些第二晶粒側重布線的布線內連線不直接接觸任何該些第一晶粒側重布線的布線內連線。
如請求項1或2之半導體結構，其中該些第一晶粒側重布線的布線內連線包括多個金屬墊與多個金屬通孔結構的多個垂直堆疊，其中該些金屬墊各自接觸上方的個別的該些金屬通孔結構、下方的個別的該些金屬通孔結構、與多個晶粒側重布線介電層。
如請求項1或2之半導體結構，其中該第一金屬內連線結構在平面圖中完全位於該積體被動裝置的區域中。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 形成一中介層，其中該中介層包括：<br/> 一積體被動裝置；<br/> 一晶粒側重布線結構；<br/> 多個第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二中介層上凸塊結構，<br/> 其中該晶粒側重布線結構包括多個第一晶粒側重布線的布線內連線電性連接該積體被動裝置中的多個電性節點至該些第一中介層上凸塊結構，且更包括多個第二晶粒側重布線的布線內連線，其中第一組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第一對所述第二中介層上凸塊結構，第二組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第二對所述第二中介層上凸塊結構；以及<br/> 接合一第一半導體晶粒和一第二半導體晶粒至該中介層，使得該第一半導體晶粒和該第二半導體晶粒與該積體被動裝置垂直重疊，其中該第一半導體晶粒包括：<br/> 多個第一晶粒上凸塊結構，其經由多個第一焊料材料部分接合至該些第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二晶粒上凸塊結構，其經由多個第二焊料材料部分接合至該些第二中介層上凸塊結構，<br/> 其中該第一半導體晶粒包括多個第一金屬內連線結構埋置於多個介電材料層中，且該些第一金屬內連線結構經由個別的該些第一焊料材料部分與個別的該些第二焊料材料部分提供電性連接於個別的該些第一中介層上凸塊結構與個別的該些第二中介層上凸塊結構之間。
如請求項5之半導體結構的形成方法，其中該些第一晶粒側重布線的布線內連線包括多個金屬墊與多個金屬通孔結構的多個垂直堆疊，其中該些金屬墊各自直接接觸上方的個別的該些金屬通孔結構、下方的個別的該些金屬通孔結構、與多個晶粒側重布線介電層。
如請求項5或6之半導體結構的形成方法，其中該些第一金屬內連線結構在平面圖中位於該積體被動裝置的區域中。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 形成一基板側重布線結構與一晶粒側重布線結構於一積體被動裝置上以形成一中介層，其中該基板側重布線結構形成於該積體被動裝置的第一側上，且該晶粒側重布線結構形成於該積體被動裝置的第二側上，其中該晶粒側重布線結構包括：<br/> 多個第一中介層上凸塊結構；<br/> 多個第二中介層上凸塊結構；<br/> 多個第一晶粒側重布線的布線內連線，電性連接該積體被動裝置中的多個電性節點至該些第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二晶粒側重布線的布線內連線，其中第一組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第一對所述第二中介層上凸塊結構，第二組所述第二晶粒側重布線的布線內連線電性連接第二對所述第二中介層上凸塊結構以形成該中介層；以及<br/> 接合一第一半導體晶粒和一第二半導體晶粒至該中介層，使得該第一半導體晶粒和該第二半導體晶粒與該積體被動裝置垂直重疊，其中該第一半導體晶粒包括：<br/> 多個第一晶粒上凸塊結構，經由多個第一焊料材料部分接合至該些第一中介層上凸塊結構；以及<br/> 多個第二晶粒上凸塊結構，經由多個第二焊料材料部分接合至該些第二中介層上凸塊結構。
如請求項8之半導體結構的形成方法，其中該第一半導體晶粒包括多個第一金屬內連線結構埋置於多個介電材料層中，並提供電性連接於個別的該些第一中介層上凸塊結構與個別的該些第二中介層上凸塊結構、個別的該些第一焊料材料部分、與個別的該些第二焊料材料部分之間。
如請求項8或9之半導體結構的形成方法，更包括在接合該第一半導體晶粒至該中介層之前，施加一第一測試偏電壓越過成對的該些第二中介層上凸塊結構，以測試該些第二晶粒側重布線的布線內連線所產生的電性連接。
一種機床，係具備旋轉分度裝置以及空氣吹掃裝置，前述旋轉分度裝置係用於對安裝於旋轉軸的端部之旋轉對象構件的角度位置進行分度，前述旋轉分度裝置係具備在分度後的角度位置保持前述旋轉軸之夾緊裝置，前述空氣吹掃裝置係以提高框架內的空間的內壓的方式向前述空間供給壓縮空氣，前述空氣吹掃裝置係包含壓力調整器，前述壓力調整器係設置在將壓縮空氣的供給源與前述框架連接之供給管路中；<br/> 前述機床係具備異常判別裝置，前述異常判別裝置係包含：壓力感測器，係設於前述供給管路中的比前述壓力調整器靠前述框架側的位置且根據前述供給管路內的壓力而輸出壓力訊號；以及判別器，係基於來自前述壓力感測器的壓力訊號來判別異常的有無；<br/> 前述壓力感測器為壓力開關或壓力檢測器，前述壓力開關係在前述壓力超過了設定壓力的情況下輸出前述壓力訊號，前述壓力檢測器係輸出因應了前述壓力的大小而得的前述壓力訊號； <br/> 前述判別器係構成為在前述壓力感測器為前述壓力開關的情況下是藉由前述壓力訊號被輸入從而判別成發生了異常，在前述壓力感測器為壓力檢測器的情況下是藉由前述壓力訊號超過了臨限值從而判別成發生了異常。
一種製造噴頭的方法，其係製造噴射用於成膜之反應性氣體之噴頭的方法，其包含：將第1板體與第2板體相互擴散接合；以及前述擴散接合之後，於前述第1板體與前述第2板體之表面透過化學鍍來形成含鎳膜體；其中前述第1板體與前述第2板體在經接合之狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第2板體側通過之流道的方式構成。
一種製造噴頭的方法，其係製造噴射用於成膜之反應性氣體之噴頭的方法，其包含：於第1板體與第2板體之表面透過化學鍍來形成含鎳膜體；以及前述含鎳膜體之形成之後，將前述第1板體與前述第2板體相互擴散接合；其中前述第1板體與前述第2板體在經接合之狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第2板體側通過之流道的方式構成。
如請求項1所述之製造噴頭的方法，其更包含：於前述含鎳膜體之形成前將第3板體與前述第2板體擴散接合；其中前述第1板體、前述第2板體及前述第3板體在經接合的狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第3板體側通過之流道的方式構成。
如請求項3所述之製造噴頭的方法，其更包含：於前述含鎳膜體之形成前將第4板體與前述第3板體擴散接合；其中前述第1板體、前述第2板體、前述第3板體及前述第4板體在經接合的狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第4板體側通過之流道的方式構成。
如請求項2所述之製造噴頭的方法，其更包含：於第3板體之表面透過化學鍍來形成含鎳膜體；以及將形成有前述含鎳膜體的前述第3板體擴散接合於前述第2板體；其中前述第1板體、前述第2板體及前述第3板體在經接合的狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第3板體側通過之流道的方式構成。
如請求項5所述之製造噴頭的方法，其更包含：於第4板體之表面透過化學鍍來形成含鎳膜體；以及將形成有前述含鎳膜體的前述第4板體擴散接合於前述第3板體；其中前述第1板體、前述第2板體、前述第3板體及前述第4板體在經接合的狀態下，以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第4板體側通過之流道的方式構成。
如請求項1或2所述之製造噴頭的方法，其中前述第1板體與前述第2板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
如請求項3或5所述之製造噴頭的方法，其中前述第1板體、前述第2板體及前述第3板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
如請求項4或6所述之製造噴頭的方法，其中前述第1板體、前述第2板體、前述第3板體及前述第4板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
一種噴頭，其係噴射用於成膜之反應性氣體的噴頭，其具備：第1板體；第2板體，擴散接合於前述第1板體；以及含鎳膜體，覆蓋前述第1板體與前述第2板體之表面；其中前述第1板體與前述第2板體以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第2板體側通過之流道的方式構成。
一種噴頭，其係噴射用於成膜之反應性氣體的噴頭，其具備：分別由含鎳膜體所覆蓋的第1板體與第2板體；其中前述第1板體與前述第2板體中介相接於前述第1板體與前述第2板體的第1接合層而相互接合；前述第1接合層係由前述第1板體與前述第2板體之前述含鎳膜體而成；前述第1板體與前述第2板體以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第2板體側通過之流道的方式構成。
如請求項10所述之噴頭，其更具備：第3板體，擴散接合於前述第2板體；其中前述含鎳膜體進一步覆蓋前述第3板體之表面。
如請求項12所述之噴頭，其更具備：第4板體，擴散接合於前述第3板體；其中前述含鎳膜體進一步覆蓋前述第4板體之表面。
如請求項13所述之噴頭，其更具備：第3板體，由含鎳膜體所覆蓋；其中前述第2板體與前述第3板體中介相接於前述第2板體與前述第3板體的第2接合層而相互接合；前述第2接合層係由前述第2板體與前述第3板體之前述含鎳膜體而成；前述第1板體、前述第2板體及前述第3板體以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第3板體側通過之流道的方式構成。
如請求項14所述之噴頭，其更具備：第4板體，由含鎳膜體所覆蓋；其中前述第3板體與前述第4板體中介相接於前述第3板體與前述第4板體的第3接合層而相互接合；前述第3接合層係由前述第3板體與前述第4板體之前述含鎳膜體而成；前述第1板體、前述第2板體、前述第3板體及前述第4板體以具有前述反應性氣體自前述第1板體側往前述第4板體側通過之流道的方式構成。
如請求項10或11所述之噴頭，其中前述第1板體與前述第2板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
如請求項12或14所述之噴頭，其中前述第1板體、前述第2板體及前述第3板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
如請求項13或15所述之噴頭，其中前述第1板體、前述第2板體、前述第3板體及前述第4板體包含：包含鋁作為主成分的合金或包含鐵與鎳的合金。
一種用於缺陷分類的方法，包括以下步驟： <br/>在一多維特徵空間中按照複數個分類規則儲存複數個缺陷類別，其中該複數個分類規則為該複數個缺陷類別中的每個缺陷類別在該多維特徵空間中定義與該缺陷類別相關聯的一區域的一邊界； <br/>接收與在受檢驗的一大面積基板上的一個或多個顯示設備中偵測到的複數個缺陷相關聯的一個或多個電子束影像資料； <br/>由一處理器，將一自動分類器應用於該電子束影像資料，該自動分類器基於該複數個分類規則；以及 <br/>識別該複數個缺陷，該複數個缺陷中的每個缺陷是基於至少一個置信度閾值用至少一第一置信度位準分類的。
如請求項1所述的方法，其中該一個或多個電子束影像資料是以一第一資料格式接收的，並由一介面演算法轉換成一第二資料格式，以便應用該自動分類器。
如請求項2所述的方法，其中該第一資料格式包括一參考影像和一缺陷影像。
如請求項3所述的方法，其中該第一資料格式進一步包括一類別影像。
如請求項2所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>由該介面演算法，為用至少該第一置信度位準識別的該複數個缺陷中的每個缺陷將一缺陷分類添加到該第一資料格式。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>產生該大面積基板的一部分的一缺陷影像，該部分包括一缺陷； <br/>產生與該缺陷影像對應的一參考影像； <br/>基於該參考影像決定一遮罩圖案； <br/>比較該遮罩圖案之外的區域中的該缺陷影像和該參考影像，以偵測該缺陷；以及 <br/>在沒有該遮罩圖案的情況下重新偵測該缺陷，以產生該電子束影像資料。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>將具有該一個或多個顯示設備的一個或多個結構的一大面積基板從一第一生產腔室裝載到一真空腔室中，該真空腔室具有與該真空腔室耦合的一電子束顯微鏡，該電子束顯微鏡被配置為測量用於該一個或多個電子束影像資料的電子束影像；以及 <br/>將該大面積基板從該真空腔室直接地或間接地裝載到一第二生產腔室中。
如請求項7所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>在將該大面積基板裝載到該第二生產腔室中之前，將該大面積基板裝載到一修理站。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>用一自動光學檢驗工具或一電子束測試工具中的至少一者測量該一個或多個顯示設備，以獲得與該複數個缺陷相關聯的複數個位置。
如請求項9所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>為該複數個位置中的每一者補償一缺陷位置偏移。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>針對以低於該第一置信度位準分類的缺陷向一操作員提供電子束影像資料，其中該第一置信度位準表明該缺陷位於該複數個缺陷類別中的至少兩者的相應邊界之間的一重疊區域中和/或一單類別分類器的一邊界之外。
如請求項1所述的方法，其中應用該自動分類器的步驟包括以下步驟： <br/>將一多類別分類器應用於該電子束影像資料，以對該複數個缺陷進行分類；以及 <br/>應用一單類別分類器以用該至少一個置信度閾值識別該複數個缺陷。
如請求項12所述的方法，進一步包括以下步驟：設定一純度位準和/或一置信度閾值以調適一剔除率。
一種產生複數個分類規則的方法，該方法包括以下步驟： <br/>接收與在一大面積基板上的一個或多個顯示設備中偵測到的複數個缺陷相關聯的複數個電子束影像資料； <br/>接收缺陷類別，每個缺陷類別與該複數個電子束影像資料中的一者或多者相關聯；以及 <br/>在一多維特徵空間中產生該複數個分類規則，其中該複數個分類規則為複數個缺陷類別中的每個缺陷類別在該多維特徵空間中定義與該缺陷類別相關聯的一區域的一邊界。
如請求項14所述的方法，進一步包括以下步驟： <br/>在產生該複數個分類規則之前，由一介面演算法將該複數個電子束影像資料從一第一資料格式轉換為一第二資料格式。
如請求項15所述的方法，其中該第一資料格式包括一參考影像、一缺陷影像和一類別影像。
一種自動缺陷分類系統，包括： <br/>包括指令的一記憶體，以及一處理器，其中該等指令當由該處理器執行時，使該自動缺陷分類系統執行如請求項1到13中的任一者所述的方法。
一種自動缺陷分類系統，包括： <br/>包括指令的一記憶體，以及一處理器，其中該等指令當由該處理器執行時，使該自動缺陷分類系統執行如請求項14到16中的任一者所述的方法。
一種防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，包含： <br/>一連通件，具有一能鎖固一鋼瓶的接頭部以及一管部，該管部的一端連接於該接頭部，且該管部內部形成有一通道，使得該接頭部能連通至該管部的另一端； <br/>一擺動機構，具有一驅動源以及一擺動件，該擺動件能被該驅動源在一待機位置以及一保護位置之間擺動； <br/>一固定件，連接於該連通件與該擺動機構之間；以及 <br/>一保護蓋，連接於該擺動件，並具有一連接部以及一外蓋部來構造一遮擋空間，該外蓋部包括兩沿著一前視方向間隔的第一遮蓋片以及一連接於該兩第一遮蓋片之間的第二遮蓋片，而該遮擋空間被形成在該兩第一遮蓋片之間，又該連接部連接於該兩第一遮蓋片的其中一者； <br/>其中，當該擺動件被該驅動源驅動來位於該保護位置時，該接頭部以及該管部的一部份同時位在該遮擋空間內部，使得該保護蓋能在該前視方向上遮擋該接頭部；當該擺動件被該驅動源驅動來位於該待機位置時，該管部的另一部份會位在該遮擋空間內部，使得該接頭部能在該前視方向上顯露。
如請求項1所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該外蓋部由該兩第一遮蓋片以及該第二遮蓋片來構築出一開口，該保護蓋被擺動至該待機位置及該保護位置任一者時，該接頭部始終保持在該開口的一延伸位置。
如請求項1所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該連接部連接在該第一遮蓋片的一頂部中央位置，該第二遮蓋片連接於該第一遮蓋片的一底部側邊位置。
如請求項3所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該第一遮蓋片具有一平面板體以及一連接該平面板體的傾斜板體，而該平面板體連接於該第二遮蓋片，且該傾斜板體斜向於該接頭部，使得該遮擋空間由該第二遮蓋片往該傾斜板體方向呈現漸縮的樣態。
如請求項4所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該保護蓋由該保護位置沿著一擺動方向往該待機位置擺動來構成一擺動路徑，使得該兩第一遮蓋片由該接頭部的左右側擺動至該接頭部的上方，進而讓該固定件被移出該兩傾斜板體之間的一傾斜空間。
如請求項5所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該保護蓋沿著該擺動路徑擺動時，該接頭部能被從該遮擋空間移動至該傾斜空間，最後離開該傾斜空間而停留在該遮擋空間與該傾斜空間之外。
如請求項1所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該固定件具有一固定板以及一輔助固定板，該固定板具有複數鎖固孔，而該輔助固定板具有兩輔助鎖固孔以及一設置於該兩輔助鎖固孔之間的凹槽，將兩鎖固件分別一對一穿入該輔助鎖固孔與該鎖固孔，使得該連通件的該管部被定位於該固定板與該輔助固定板之間。
如請求項7所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，藉由該兩鎖固件將該輔助固定板定位於該固定板的一側，使得該兩輔助鎖固孔對齊部份該複數鎖固孔來產生一第一定位位置，而剩餘該複數鎖固孔位在該固定板上產生一第二定位位置，進而讓該連通件可以選擇性的被定位在該固定板上的該第一定位位置或該第二定位位置。
如請求項1所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，當該擺動件位於該保護位置時，該保護蓋的該第二遮蓋片能在一側視方向上遮擋該接頭部，使得該接頭部無法沿著該側視方向來直接被接觸；當該擺動件位於該待機位置時，該接頭部能在該側視方向上顯露，使得該接頭部能沿著該側視方向來直接被接觸。
一種防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，包含： <br/>一連通件，具有一能鎖固一鋼瓶的接頭部以及一管部，該管部的一端連接於該接頭部，且該管部內部形成有一通道，使得該接頭部能連通至該管部的另一端； <br/>一擺動機構，具有一驅動源以及一擺動件，該擺動件能被該驅動源在一待機位置以及一保護位置之間擺動； <br/>一固定件，連接於該連通件與該擺動機構之間；以及 <br/>一保護蓋，連接於該擺動件，並具有一連接部以及一外蓋部來構造一遮擋空間，該連接部連接於該外蓋部的一第一遮蓋片，而該遮擋空間被形成在該第一遮蓋片一側； <br/>其中，當該擺動件被該驅動源驅動來位於該保護位置時，該接頭部以及該管部的一部份同時位在該遮擋空間內部，使得該保護蓋能在一前視方向上遮擋該接頭部；當該擺動件被該驅動源驅動來位於該待機位置時，該管部的另一部份會位在該遮擋空間內部，使得該接頭部能在該前視方向上顯露。
如請求項10所述防誤拆鋼瓶介面的保護裝置，其中，該連接部連接在該第一遮蓋片的一頂部中央位置，而該第一遮蓋片具有一平面板體以及兩連接該平面板體相異側的傾斜板體，而該傾斜板體斜向於該接頭部，使得該遮擋空間由該傾斜板體往該平面板體方向呈現漸縮的樣態。
一種成型模，其用於使引線框的焊盤的背面露出而進行樹脂成型，所述成型模包括：<br/> 上模；以及<br/> 下模，<br/> 其中所述上模及所述下模的至少一者具有能上下移動的引線框按壓機構和在合模時抑制所述引線框變形的變形抑制機構，<br/> 所述引線框除了所述焊盤之外，還具有引線、連接桿和吊銷，<br/> 所述焊盤通過所述吊銷懸掛在所述連接桿上，<br/> 在所述引線框載置於所述下模上的狀態下，對所述上模及所述下模進行合模，<br/> 在對所述上模及所述下模進行合模時，所述引線框在橫向上擴展而發生位移，<br/> 所述引線框的端面是所述引線框的側面，<br/> 其中所述變形抑制機構與所述引線框的端面的至少一部分接觸，抑制所述引線框的變形，並且被配置在所述引線框按壓機構中與所述引線框接觸的部分。
如請求項1所述的成型模，其中，<br/> 所述引線框具有包圍包括所述焊盤、所述引線、所述連接桿及所述吊銷整體的框部件，<br/> 所述引線框的該端面包括所述框部件的端面，<br/> 所述變形抑制機構通過與所述框部件的該端面的至少一部分接觸而抑制所述框部件的位移，從而抑制所述引線框的變形。
如請求項1所述的成型模，其中，<br/> 所述引線框不具有包圍包括所述焊盤、所述引線、所述連接桿及所述吊銷整體的框部件，<br/> 所述引線框的該端面包括所述引線的端面，<br/> 所述變形抑制機構通過與所述引線的該端面的至少一部分接觸而抑制所述引線的位移，從而抑制所述引線框的變形。
如請求項2或3所述的成型模，其中所述成型模包括按壓所述引線框來抑制所述連接桿變形的按壓部件。
如請求項4所述的成型模，其中所述按壓部件設置在所述上模和所述下模的至少一者上。
如請求項4所述的成型模，其中，在所述按壓部件上設置有抑制所述引線框變形的所述變形抑制機構。
如請求項4所述的成型模，其中所述按壓部件設置在能夠按壓所述引線框的最外部的位置。
一種樹脂成型裝置，其包含請求項1至7中任一項所述的成型模。
一種樹脂成型品的製造方法，其使用請求項1至7中任一項所述的成型模使引線框的焊盤的背面露出而進行樹脂成型，<br/> 所述樹脂成型品的製造方法包括：將所述引線框載置在所述下模上的引線框載置工序；以及<br/> 引線框變形抑制工序，其通過所述變形抑制機構抑制所述引線框的變形，<br/> 在通過所述變形抑制機構抑制了所述引線框的變形的狀態下，對所述上模和所述下模進行合模，對所述引線框進行樹脂成型。
一種半導體製程方法，包括：<br/> 將一光子封裝體連接到一基板，其中該光子封裝體包括一波導以及光學耦合到該波導的一邊緣耦合器，其中該邊緣耦合器位於該波導的靠近該光子封裝體的一第一側壁的一端，其中該第一側壁從該光子封裝體的一第二側壁朝向該邊緣耦合器橫向凹陷，使得在該光子封裝體面向該基板的一底表面上形成包括該第一側壁的一橫向凹陷；<br/> 將一半導體裝置連接到相鄰該光子封裝體的該基板，其中該光子封裝體和該半導體裝置透過該基板電性互連；<br/> 在將該光子封裝體連接到該基板之後，在相鄰該邊緣耦合器的該光子封裝體的一第一側壁上沉積一第一保護材料；<br/> 利用一密封劑封裝該光子封裝體、該第一保護材料以及該半導體裝置；<br/> 執行一第一切割製程，通過該密封劑以及該基板，其中該第一切割製程暴露該第一保護材料；以及<br/> 去除該第一保護材料以暴露該光子封裝體的該第一側壁。
如請求項1之半導體製程方法，更包括對該光子封裝體執行一電漿蝕刻製程以形成該橫向凹陷，其中該第一側壁在該橫向凹陷內。
如請求項2之半導體製程方法，其中該橫向凹陷具有在0微米到10微米之間的一橫向深度。
如請求項1之半導體製程方法，其中該光子封裝體包括具有該第二側壁的一支撐件，且其中該第一切割製程暴露該支撐件的該第二側壁。
如請求項1之半導體製程方法，其中去除該第一保護材料包括執行一助焊劑清潔製程且係在執行該第一切割製程之後執行的。
如請求項1之半導體製程方法，更包括將一光纖附接至該光子封裝體，其中該光纖光學耦合至該邊緣耦合器。
如請求項1之半導體製程方法，更包括在將該光子封裝體連接到該基板之前，對該光子封裝體執行一單片化製程，其中該單片化製程包括：<br/> 執行一電漿蝕刻製程以在該光子封裝體的一底側中形成一第一凹陷；以及<br/> 執行一第二切割製程以在該光子封裝體的一頂側中形成一第二凹陷，其中該第二凹陷延伸到該第一凹陷中。
如請求項7之半導體製程方法，其中形成該第一凹陷暴露該光子封裝體的該第一側壁。
一種半導體製程方法，包括：<br/> 將一光子結構附接到一基板，其中該光子結構包括接合至一互連基板的一光子封裝體，該光子封裝體包括一波導以及一邊緣耦合器，其中該邊緣耦合器位於該波導的靠近該光子封裝體的一第一側壁的一端，其中該第一側壁從該光子封裝體的一第二側壁朝向該邊緣耦合器橫向凹陷，使得在該光子封裝體面向該互連基板的一底表面上形成包括該第一側壁的一橫向凹陷；<br/> 將一光纖支撐結構附接至相鄰該第一側壁的該基板；<br/> 沉積一犧牲材料在該第一側壁上；<br/> 沉積一底部填充劑在該光子結構以及該基板之間；<br/> 去除該犧牲材料以暴露該第一側壁；<br/> 將一光纖附接至該光纖支撐結構，其中該光纖光學耦合至該邊緣耦合器；以及<br/> 沉積從該第一側壁延伸至該光纖的一光學膠。
如請求項9之半導體製程方法，其中該底部填充劑遠離該犧牲材料沉積在該基板上相鄰該光子結構的一第三側壁之處，該第三側壁與該第一側壁相對。
一種封裝裝置，包括：<br/> 一光子封裝體，接合至一第一互連基板，其中該光子封裝體包括複數個波導以及複數個邊緣耦合器，其中該等邊緣耦合器分別位於該等波導的相鄰該光子封裝體的一第一側壁表面的一端，其中該第一側壁表面從該光子封裝體的一第二側壁表面朝向該等邊緣耦合器橫向凹陷，使得在該光子封裝體面向該第一互連基板的一底表面上形成包括該第一側壁表面的一橫向凹陷；<br/> 一第二互連基板，其中該第一互連基板接合至該第二互連基板；<br/> 一光纖保持器，在該光纖保持器的一底側上包括複數個凹槽；<br/> 複數個光纖，其中每一個光纖由該些凹槽中相應的一凹槽保持且光學耦合到該些邊緣耦合器中相應的一邊緣耦合器；以及<br/> 一光學黏著劑，在該光子封裝體以及該等光纖之間。
如請求項11之封裝裝置，其中該等光纖包括一光纖束。
如請求項11之封裝裝置，更包括一光纖支撐結構，附接至該第二互連基板，其中該光纖支撐結構在該光纖保持器與該第二互連基板之間。
如請求項11之封裝裝置，其中該等光纖在該等凹槽內的數個部分具有平坦的數個底部表面。
一種衣物處理設備，包括烘乾裝置和衣物容納裝置， <br/>所述烘乾裝置包括： <br/>吸濕排濕轉盤； <br/>殼體，容納所述吸濕排濕轉盤；所述殼體內部空間至少被分隔為吸濕空間和排濕空間； <br/>循環風機，以第一功率運行從而形成流經所述衣物容納裝置和所述吸濕空間的循環氣流； <br/>再生風機，以第二功率運行從而形成穿過所述排濕空間的再生氣流； <br/>所述吸濕空間和所述排濕空間在垂直於旋轉軸的至少一個平面內的投影的面積比的數值與所述第一功率和所述第二功率的功率比的數值相差在±2的範圍內； <br/>其中，所述烘乾裝置還包括：加熱模組，所述加熱模組臨近設置於所述排濕空間；並且 <br/>所述衣物處理設備還包括：轉盤檢測裝置和控制裝置， <br/>其中，所述轉盤檢測裝置，被配置用於監測所述吸濕排濕轉盤的轉速並發送給所述控制裝置，並且 <br/>所述控制裝置，被配置用於根據所述吸濕排濕轉盤的轉速來調節所述加熱模組的加熱功率、所述循環風機的循環功率或所述再生風機的再生功率中的一個或多個。
如請求項1之衣物處理設備，還包括吸濕排濕轉盤驅動部，以第一轉速驅動所述吸濕排濕轉盤在所述殼體內繞旋轉軸旋轉。
如請求項1或2之衣物處理設備，其中所述吸濕排濕轉盤的厚度與直徑的比值為1:20到1:5。
如請求項3之衣物處理設備，其中所述吸濕排濕轉盤的厚度為10mm到100mm；直徑為40mm到500mm。
如請求項4之衣物處理設備，其中所述衣物容納裝置為滾筒，所述滾筒包括內筒和外筒，所述吸濕排濕轉盤的直徑與所述內筒的直徑的比為1:2到3:4。
如請求項1或2之衣物處理設備，其中所述面積比為2:1到4:1；所述功率比為2:1到4:1。
如請求項2之衣物處理設備，其中所述第一轉速為2轉/分鐘到10轉/分鐘。
如請求項1或2之衣物處理設備，其中所述烘乾裝置還包括：加熱模組和冷凝模組，所述加熱模組臨近設置於所述排濕空間；所述冷凝模組設置於所述再生氣流的流路上。
如請求項8之衣物處理設備，其中所述加熱模組運行在第一加熱功率和第二加熱功率之間，所述第一加熱功率為400W到800W，所述第二加熱功率為1200W到1600W。
如請求項9之衣物處理設備，其中所述加熱模組按照方波的形式在所述第一加熱功率和所述第二加熱功率之間波動。
如請求項8之衣物處理設備，其中所述冷凝模組為水冷式冷凝器，水流流速為0.2L/min到0.4L/min。
如請求項1之衣物處理設備，其中 <br/>所述衣物容納裝置具有第一氣流入口，所述第一氣流入口與所述烘乾裝置藉由進風管道連通； <br/>所述衣物容納裝置具有第一氣流出口，所述第一氣流出口與所述烘乾裝置藉由出風管道連通； <br/>所述烘乾裝置還包括： <br/>驅動所述吸濕排濕轉盤旋轉的吸濕排濕轉盤驅動部； <br/>所述衣物處理設備還包括： <br/>第一溫度檢測裝置，設置於所述第一氣流入口附近，用於檢測進入所述衣物容納裝置的氣流溫度； <br/>第二溫度檢測裝置，設置於所述衣物容納裝置內或所述第一氣流出口附近，用於檢測所述衣物容納裝置內的氣流溫度或流出所述衣物容納裝置的氣流溫度； <br/>至少在所述衣物處理設備工作過程的一個階段，所述第一溫度檢測裝置檢測得到的第一檢測溫度與所述第二溫度檢測裝置檢測得到的第二檢測溫度的差值在預設範圍之間。
如請求項12之衣物處理設備，其中所述預設範圍為18℃到30℃。
如請求項12或13之衣物處理設備，其中所述第一檢測溫度為70℃到85℃之間；所述第二檢測溫度為50℃到60℃之間。
一種衣物處理設備的控制方法，該衣物處理設備包括一衣物容納裝置、一吸濕排濕通道和一烘乾裝置，該吸濕排濕通道與該衣物容納裝置連通，該烘乾裝置設置於該吸濕排濕通道，該吸濕排濕通道包括一吸濕通道和一再生通道，該烘乾裝置包括一吸濕排濕轉盤、一加熱模組和一熱交換模組，該吸濕排濕轉盤部分位於該吸濕通道，部分位於該再生通道，該加熱模組和該熱交換模組位於該再生通道，該熱交換模組包括一冷凝模組；該控制方法包括： <br/>在該烘乾裝置處於運行狀態下，獲取該冷凝模組的冷凝進風口附近的一冷凝進風溫度； <br/>當該冷凝進風溫度達到第一溫度閾值時，關閉該加熱模組並保持該冷凝模組和/或該烘乾裝置的再生風機運轉第一時長以破除水膜，其中，該第一溫度閾值用於判斷該衣物處理設備的過濾結構存在水膜的情況。
如請求項1所述的控制方法，該吸濕排濕轉盤用於對該吸濕通道中的循環氣流進行吸濕，該加熱模組用於對該再生通道內的一吸濕排濕轉盤進行加熱以脫附該吸濕排濕轉盤的水分，該熱交換模組用於對脫附水分形成的排濕氣流進行熱交換。
如請求項1所述的控制方法，其中： <br/>該烘乾裝置的再生風機設置於該再生通道，用於形成該再生通道的一再生氣流。
如請求項1所述的控制方法，其中，所述方法还包括： <br/>當該冷凝進風溫度達到一第二溫度閾值時，控制該衣物處理設備進入一強制冷卻模式，該強制冷卻模式包括控制關閉該加熱模組、及控制該冷凝模組和該烘乾裝置的再生風機開啟第二時長中的至少一種，其中該第二溫度閾值大於該第一溫度閾值。
如請求項4所述的控制方法，其中，所述方法还包括： <br/>當該冷凝進風溫度達到該第二溫度閾值時，輸出轉盤異常的異常提示資訊。
如請求項1所述的控制方法，其中，所述方法还包括： <br/>當該冷凝進風溫度在第一預設時間段內的變化量小於或等於第一預設變化量閾值時，關閉該加熱模組。
如請求項6所述的控制方法，其中所述方法还包括： <br/>當該冷凝進風溫度在第一預設時間段內的變化量小於或等於該第一預設變化量閾值時，輸出該加熱裝置異常的異常提示資訊。
如請求項1所述的控制方法，其中該衣物處理設備還包括一進風管道和一出風管道，該衣物容納裝置設置有一進風口和一出風口，該衣物容納裝置的該進風口通過該進風管道與該吸濕排濕通道連通，該衣物容納裝置的該出風口通過該出風管道與該吸濕排濕通道連通； <br/>所述方法还，包括： <br/>获取該衣物容納裝置的進風口附近的一進風溫度； <br/>當該衣物容納裝置的進風口附近的该進風溫度達到一第三溫度閾值時，增大該烘乾裝置的該加熱模組的加熱功率至一第一目標功率； <br/>當該衣物容納裝置的進風口附近的該進風溫度達到一第四溫度閾值時，減小該烘乾裝置的該加熱模組的加熱功率至一第二目標功率，以使該衣物容納裝置的該出風口附近的出風溫度處於目標溫度範圍，其中，該第三溫度閾值小於該第四溫度閾值。
如請求項8所述的控制方法，其中，所述方法还包括： <br/>获取該冷凝模組的冷凝出風口附近的一冷凝出風溫度，当该冷凝出風溫度達到一第六溫度閾值時，關閉該烘乾裝置的該加熱模組；或者， <br/>當該冷凝進風溫度達到一第七溫度閾值時，關閉該烘乾裝置的該加熱模組；或者， <br/>获取該衣物容納裝置的一出風溫度，當該衣物容納裝置的该出風溫度在一第二預設時間段內的變化量大於或等於一第二預設變化量閾值時，關閉該烘乾裝置的該加熱模組。
如請求項9所述的控制方法，其中該控制方法還包括： <br/>在關閉該加熱模組後，保持該吸濕排濕轉盤、該冷凝模組、該烘乾裝置的迴圈風機以及該烘乾裝置的该再生風機運轉； <br/>其中，該烘乾裝置的迴圈風機設置於該吸濕通道，用於形成該衣物容納裝置和該吸濕通道的循環氣流。
如請求項10所述的控制方法，其中該控制方法更包括： <br/>获取該衣物容納裝置的一進風溫度，当該衣物容納裝置的该進風溫度達到一第八溫度閾值時，關閉該吸濕排濕轉盤、該冷凝模組、該烘乾裝置的迴圈風機以及該烘乾裝置的再生風機。
如請求項9至11中任一項所述的控制方法，其中，該控制方法更包括： <br/>當該衣物容納裝置的该出風溫度達到一第五溫度閾值時，控制該衣物容納裝置轉動以進行一第一稱重處理，得到一第一重量值；以及 <br/>根據該第一重量值，生成烘乾時間。
如請求項1至11中任一項所述的控制方法，更包括： <br/>在該烘乾裝置處於運行狀態下，獲取該烘乾裝置的風機的一轉速；以及 <br/>當該轉速小於或等於一預設轉速閾值時，控制該烘乾裝置停止運行，該烘乾裝置的風機包括一迴圈風機和/或该再生風機中的至少一個。
如請求項13所述的控制方法，更包括： <br/>當該轉速小於或等於該預設轉速閾值時，輸出風機異常的異常提示資訊。
如請求項1至11中任一項所述的控制方法，在該烘乾裝置運行之前，該控制方法更包括： <br/>根據預設烘乾模式判斷是否進行一第二稱重處理，若進行該第二稱重處理，則控制該衣物容納裝置轉動，得到一第二重量值；以及 <br/>當該第二重量值大於或等於一預設重量閾值時，控制該衣物容納裝置轉動以進行脫水處理。
如請求項11所述的控制方法，其中該衣物處理設備還包括一測溫感測器，該測溫感測器用於獲取溫度。
如請求項16所述的控制方法，更包括： <br/>獲取該測溫感測器的電阻值和檢測溫度值的一對應關係資料；以及 <br/>比較該對應關係資料與該測溫感測器的一標準電阻溫度對應關係資料，若該對應關係資料與該標準電阻溫度對應關係資料不匹配，則輸出該測溫感測器異常的提示資訊。
如請求項16所述的控制方法，其中該測溫感測器包括一第一感測器、一第二感測器、一第三感測器和一第四感測器； <br/>其中，該第一感測器設置於該烘乾裝置的冷凝模組的冷凝進風口附近，用於獲取該冷凝模組的该冷凝進風溫度；該第二感測器設置於該烘乾裝置的該冷凝模組的冷凝出風口附近，用於獲取該冷凝模組的该冷凝出風溫度；該第三感測器設置於該衣物處理設備的外筒的桶底附近、該衣物容納裝置的氣流出口附近中的任一位置，用於獲取該衣物容納裝置的该出風溫度；該第四感測器設置於該衣物處理設備的進風管道附近，用於獲取該衣物容納裝置的该進風溫度。
一種衣物處理設備，包括一衣物容納裝置、一吸濕排濕通道、一烘乾裝置、一記憶體以及一處理器； <br/>其中，該吸濕排濕通道與該衣物容納裝置連通，該烘乾裝置設置於該吸濕排濕通道，該吸濕排濕通道包括一吸濕通道和一再生通道，該烘乾裝置包括一吸濕排濕轉盤、一加熱模組和一熱交換模組；該吸濕排濕轉盤部分位於該吸濕通道，部分位於該再生通道，該加熱模組和該熱交換模組位於該再生通道，該熱交換模組包括一冷凝模組； <br/>該記憶體存儲有一程式或指令；以及 <br/>該處理器與該記憶體連接，該處理器執行該程式或指令時實現如請求項1至18中任一項所述的衣物處理設備的控制方法的步驟。
一種可讀存儲介質，其上存儲有一程式或指令，該程式或指令被一處理器執行時實現如請求項1至18中任一項所述的衣物處理設備的控制方法的步驟。
一種水性組成物，其包含： <br/> 5-膽甾烯-3,25-二醇3-硫酸酯(25HC3S)或其醫藥上可接受之鹽，以0.01%(w/w)至20%(w/w)之濃度範圍存在於該水性組成物中； <br/> 至少一種環狀寡醣，以0.1%(w/w)至80%(w/w)之濃度範圍存在於該水性組成物中，其中，該環狀寡醣包含羥丙基β-環糊精(hydroxypropyl β-cyclodextrin)和磺丁基醚β-環糊精(sulfobutyl ether β-cyclodextrin)中之至少一者；以及 <br/> 生理上可接受之載劑，其包含至少一種緩衝劑，以0.1 mM至200 mM之濃度範圍存在於該水性組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該環狀寡醣係(a)由羥丙基β-環糊精或磺丁基醚β-環糊精所組成；或(b)包含羥丙基β-環糊精。
如請求項1之組成物，其中，該環狀寡醣係以0.1%(w/w)至50%(w/w)之濃度範圍存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該環狀寡醣係以0.1%(w/w)至40%(w/w)之濃度範圍存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該環狀寡醣係以1%(w/w)至40%(w/w)之濃度範圍存在。
如請求項1之組成物，其中，該環狀寡醣係以4%(w/w)至30%(w/w)之濃度範圍存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以2%(w/w)至20%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以2%(w/w)至10%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以0.01%(w/w)至10%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以0.01%(w/w)至3%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽包含25HC3S之鹽。
如請求項1之組成物，其中，該至少一種緩衝劑係以0.1 mM至50 mM之濃度範圍存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該至少一種緩衝劑係以2 mM至50 mM之濃度範圍存在於該組成物中。
如請求項1之組成物，其中，該至少一種緩衝劑包含磷酸鹽(phosphate)緩衝劑。
如請求項1之組成物，其中，該至少一種緩衝劑包含磷酸鈉。
如請求項1之組成物，其中，該組成物具有270 mmol/kg至432 mmol/kg之範圍的重量滲透濃度(osmolality)。
如請求項1之組成物，其中，該組成物具有270 mmol/kg至340 mmol/kg之範圍的重量滲透濃度。
如請求項1之組成物，其中，該組成物包含20 mg/mL至40 mg/mL之25HC3S或其醫藥上可接受之鹽以及200 mg/mL至350 mg/mL之羥丙基β-環糊精。
如請求項1至18中任一項之組成物，其中，該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽包含25HC3S之鈉鹽。
如請求項1之組成物，其中： <br/> 該環狀寡醣包含羥丙基β-環糊精； <br/> 該環狀寡醣係以4%(w/w)至30%(w/w)之濃度範圍存在於該組成物中； <br/> 該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以2%(w/w)至10%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中； <br/> 該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽包含25HC3S之鈉鹽； <br/> 該至少一種緩衝劑係以2 mM至50 mM之濃度範圍存在於該組成物中；及 <br/> 該至少一種緩衝劑包含磷酸鈉。
如請求項20之組成物，其中，該組成物具有範圍在270 mmol/kg至432 mmol/kg之重量滲透濃度。
如請求項20之組成物，其中，該組成物具有範圍在270 mmol/kg至340 mmol/kg之重量滲透濃度。
如請求項1之組成物，其中： <br/> 該環狀寡醣包含羥丙基β-環糊精； <br/> 該環狀寡醣係以0.1%(w/w)至40%(w/w)之濃度範圍存在於該組成物中； <br/> 該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽係以0.01%(w/w)至3%(w/w)之範圍的量存在於該組成物中； <br/> 該25HC3S或其醫藥上可接受之鹽包含25HC3S之鈉鹽； <br/> 該至少一種緩衝劑係以0.1 mM至50 mM之濃度範圍存在於該組成物中；及 <br/> 該至少一種緩衝劑包含磷酸鈉。
如請求項23之組成物，其中，該組成物具有範圍在270 mmol/kg至432 mmol/kg之重量滲透濃度。
如請求項23之組成物，其中，該組成物具有範圍在270 mmol/kg至340 mmol/kg之重量滲透濃度。
一種如請求項1至25中任一項所定義之組成物之用途，其係用於製造用於治療酒精性肝炎(alcoholic hepatitis)之藥劑。
如請求項26之用途，其中，該組成物係以靜脈投予(administered intravenously)。
一種基板處理裝置，具備： <br/>處理基板的處理室； <br/>對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路； <br/>控制上述氣體流路中氣體之流通的排氣控制部； <br/>控制上述排氣裝置之輸出的輸出控制部；以及 <br/>構成為能夠控制上述排氣控制部和上述輸出控制部進行具備下述處理之處理的控制部； <br/>(a1) 於上述處理室內進行第1處理之處理； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之處理；及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，使上述第1處理和第2處理中從上述處理室排氣之每單位時間的氣體流量不同，對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的處理。
一種基板處理裝置，具備： <br/>處理基板的處理室； <br/>對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路； <br/>控制上述氣體流路中氣體之流通的排氣控制部； <br/>控制上述排氣裝置之輸出的輸出控制部；以及 <br/>構成為能夠控制上述排氣控制部和上述輸出控制部進行具備下述處理之處理的控制部； <br/>(a1) 於上述處理室內進行第1處理之處理； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之處理；及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，於上述第2處理中藉由與上述第1處理中所使用之上述排氣裝置不同的上述排氣裝置對上述處理室進行排氣，對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的處理。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>上述排氣控制部進而具備藉由調整上述氣體流路的開度，將上述處理室的壓力控制成既定壓力的壓力控制部。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>複數個上述排氣裝置中之至少一台的最大排氣量與其他上述排氣裝置不同。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>上述氣體流路係相對於處理基板的複數個處理室將複數個上述排氣裝置並聯連接。
如請求項5之基板處理裝置，其中，上述控制部構成為能夠控制上述排氣控制部或上述輸出控制部中之至少一者，而利用複數個上述排氣裝置中1個以上之上述排氣裝置對複數個上述處理室進行排氣。
如請求項6之基板處理裝置，其中，在上述複數個處理室之內部，進行於上述基板上形成膜的成膜處理。
如請求項1或2之基板處理裝置，其進而具備： <br/>檢測上述排氣裝置之異常的檢測部；及 <br/>構成為在上述檢測部檢測到上述排氣裝置之異常時，可控制上述排氣控制部與上述輸出控制部中的至少一者的緊急控制部。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述控制部構成為可控制上述排氣控制部和上述輸出控制部中的至少一者，使在上述第1處理和上述第2處理中，與上述處理室連接的上述排氣裝置的數量不同。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述控制部構成為可控制上述排氣控制部和上述輸出控制部中的至少一者，使在上述第1處理和上述第2處理中，與上述處理室連接的上述排氣裝置中之至少一台以上的上述排氣裝置的最大排氣量不同。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述控制部控制上述排氣控制部和上述輸出控制部中的至少一者，使在上述第1處理和上述第2處理中，與上述處理室連接的上述排氣裝置中的至少一台以上的上述排氣裝置中的輸出率不同，該輸出率為排氣裝置的輸出相對於最大輸出的值。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>上述第1處理為第1基板處理，上述第2處理為第2基板處理。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>上述第1處理和上述第2處理中的某一者為基板處理，另一者為上述處理室的清洗處理。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中， <br/>上述第1處理和上述第2處理中的某一者為基板處理，另一者為待機狀態。
一種基板處理方法，具有： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之步驟； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之步驟；以及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，使上述第1處理和第2處理中從上述處理室排氣之每單位時間的氣體流量不同，對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置的輸出中的至少一者進行控制的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，具有： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之步驟； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之步驟；以及 <br/>(b) 在 (a1)與(a2)之間，使上述第1處理和第2處理中從上述處理室排氣之每單位時間的氣體流量不同，對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的步驟。
一種藉由電腦使基板處理裝置執行以下程序之程式： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之程序； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之程序；以及 <br/>(b) 在 (a1)與(a2)之間，使上述第1處理和第2處理中從上述處理室排氣之每單位時間的氣體流量不同，對上述處理室使複數個排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置的輸出中的至少一者進行控制的程序。
一種基板處理方法，具有： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之步驟； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之步驟；以及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，於上述第2處理中藉由與上述第1處理中所使用之排氣裝置不同的排氣裝置對上述處理室進行排氣，對上述處理室使複數個上述排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，具有： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之步驟； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之步驟；以及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，於上述第2處理中藉由與上述第1處理中所使用之排氣裝置不同的排氣裝置對上述處理室進行排氣，對上述處理室使複數個上述排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的步驟。
一種藉由電腦使基板處理裝置執行以下程序之程式： <br/>(a1) 於處理室內進行第1處理之程序； <br/>(a2) 在(a1)後，於上述處理室內進行第2處理之程序；以及 <br/>(b) 在(a1)與(a2)之間，於上述第2處理中藉由與上述第1處理中所使用之排氣裝置不同的排氣裝置對上述處理室進行排氣，對上述處理室使複數個上述排氣裝置並聯連接的氣體流路中的流通、和複數個上述排氣裝置之輸出中的至少一者進行控制的程序。
一種帶電粒子束設備，其包含：<br/>一帶電粒子源，其經組態以沿著一主光軸產生一帶電粒子束；<br/>一第一偏轉器，其經組態以使該帶電粒子束偏轉遠離該主光軸；及<br/>一第二偏轉器，其經組態以使該帶電粒子束偏轉回至該主光軸以穿過一物鏡之一振動中心(wobbling center)且在一光束傾斜角(beam-tilt angle)下導降(land)在一樣本之一表面上，其中該第二偏轉器定位於該第一偏轉器與該樣本之間。
如請求項1之帶電粒子束設備，其中該物鏡經組態以在一離軸方位處聚焦該表面上之該帶電粒子束，該帶電粒子束具有該光束傾斜角。
如請求項1或2之帶電粒子束設備，其中該第一偏轉器定位於一聚光器透鏡(condenser lens)與該第二偏轉器之間。
如請求項1或2之帶電粒子束設備，其中：<br/>該第一偏轉器經組態以基於一第一電激勵信號(electrical excitation signal)之一第一靜態分量(static component)及一第一動態分量(dynamic component)而使該帶電粒子束偏轉；<br/>該第二偏轉器經組態以基於一第二電激勵信號之一第二靜態分量及一第二動態分量而使該帶電粒子束偏轉；<br/>該第一靜態分量及該第二靜態分量經組態以使該帶電粒子束偏轉以形成該離軸方位及該光束傾斜角；且<br/>該第一動態分量及該第二動態分量經組態以使該帶電粒子束偏轉以穿過該振動中心且掃描該樣本之該表面上之一視場(FOV)。
如請求項4之帶電粒子束設備，其中該第一動態分量及該第二動態分量之調整引起該FOV之大小之一調整，且其中該第一靜態分量及該第二靜態分量之調整經組態以引起該離軸方位及該光束傾斜角之一調整。
如請求項1或2之帶電粒子束設備，其中該第二偏轉器實質上定位於該物鏡之一前焦平面處。
如請求項6之帶電粒子束設備，其中<br/>該第一偏轉器經組態以基於一第一電激勵信號之一第一靜態分量而使該帶電粒子束偏轉；<br/>該第二偏轉器經組態以基於一第二電激勵信號之一第二靜態分量及一第二動態分量而使該帶電粒子束偏轉；<br/>該第一靜態分量及該第二靜態分量經組態以使該帶電粒子束偏轉以形成該離軸方位及該光束傾斜角；且<br/>該第二動態分量經組態以使該帶電粒子束偏轉以掃描該樣本之該表面上之一視場(FOV)。
如請求項7之帶電粒子束設備，其中該第二動態分量之一調整引起該FOV之大小及定向(orientation)之一調整，且該第一靜態分量及該第二靜態分量之調整引起該方位及該光束傾斜角之一調整。
一種儲存指令集之非暫時性電腦可讀媒體，該指令集可由一帶電粒子束設備之一或多個處理器執行以使得該帶電粒子束設備執行一種使用一傾斜帶電粒子束對一樣本進行成像之方法，該方法包含：<br/>啟動(activating)一帶電粒子源以產生一初級帶電粒子束(primary charged-particle beam)；<br/>藉由一第一偏轉器使該初級帶電粒子束偏轉遠離一主光軸；及<br/>藉由一第二偏轉器使該初級帶電粒子束偏轉回至該主光軸以穿過一物鏡之一振動中心且在一光束傾斜角下導降在一樣本之一表面上，<br/>其中該第二偏轉器定位於該第一偏轉器與該樣本之間。
如請求項9之非暫時性電腦可讀媒體，其中該初級帶電粒子束藉由該物鏡以在一離軸方位處聚焦於該表面上，該帶電粒子束具有該光束傾斜角。
一種有軌道台車系統，其具備： <br/>軌道，其由在第1方向上延伸之複數個第1導軌及在與上述第1方向正交之第2方向上延伸之第2導軌呈格子狀地配置所成； <br/>有軌道台車，其藉由移行部於在上述第2方向上相鄰之一對上述第1導軌上移行而向上述第1方向移動，且藉由上述移行部於在上述第1方向上相鄰之一對上述第2導軌上移行而向上述第2方向移動；及 <br/>控制部，其控制上述有軌道台車；且 <br/>於上述一對上述第1導軌之各者及上述一對上述第2導軌之各者，設有表示上述軌道上之位置資訊的位置辨識用標記， <br/>上述有軌道台車具有4個位置辨識用感測器， <br/>上述位置辨識用感測器係從上述位置辨識用標記中獲取上述位置資訊；其被配置成，於上述有軌道台車向上述第1方向移動時，與上述一對第1導軌之各者中配置有上述位置辨識用標記之面之各者相對向，並被配置成，於上述有軌道台車向上述第2方向移動時，與上述一對第2導軌之各者中配置有上述位置辨識用標記之面之各者相對向， <br/>上述控制部係根據由至少1個上述位置辨識用感測器所獲取之上述位置資訊，導出由上述一對第1導軌與上述一對第2導軌包圍之區域即格子內之既定位置與上述有軌道台車之停止位置的偏移量， <br/>上述控制部係根據由上述4個位置辨識用感測器中之至少3個上述位置辨識用感測器所獲取之上述位置資訊，導出俯視下上述有軌道台車相對於上述格子之傾斜度。
如請求項1之有軌道台車系統，其中，上述4個位置辨識用感測器係隔著上述有軌道台車在上述第1方向上之中心線，被配置於上述有軌道台車在上述第1方向上之一側及另一側，並且，隔著上述有軌道台車在上述第2方向上之中心線，被配置於上述有軌道台車在上述第2方向上之一側及另一側。
如請求項1之有軌道台車系統，其中， <br/>上述有軌道台車具有移載物體之移載裝置， <br/>上述控制部係根據上述偏移量，控制使上述物體於水平方向移動時之上述移載裝置的驅動量。
如請求項1之有軌道台車系統，其中， <br/>上述有軌道台車具有：移載裝置，其移載物體；及水平迴旋機構，其使上述物體繞與上述第1方向及上述第2方向之雙方正交之第3方向水平迴旋； <br/>上述控制部係根據上述偏移量，控制使上述物體水平迴旋時之上述水平迴旋機構的驅動量。
如請求項1之有軌道台車系統，其中，上述控制部係根據上述偏移量而控制上述移行部之驅動量，以使上述有軌道台車移動至上述格子內之既定位置。
一種生成3D場景的方法，由一電腦裝置所實施，該方法包括以下步驟：<br/> 建立一3D網格(3D mesh)，其中該3D網格具有複數個網格頂點(mesh vertices)；<br/> 接收一原始影像；<br/> 估計該原始影像的深度資訊；<br/> 基於估計出的該深度資訊更新該3D網格；<br/> 基於使用者位置資訊，將該3D網格的每一網格頂點投影到一3D場景的一座標系上，其中該使用者位置資訊是指一使用者相對於一顯示裝置的位置；<br/> 基於與該原始影像相關聯的紋理資訊，對投影到該座標系上的該3D網格進行著色，以取得該3D場景；<br/> 在該顯示裝置上顯示該3D場景，其中該顯示裝置既不是裸視立體顯示裝置，也不是穿戴式裝置。
如請求項1之方法，更包括：<br/> 使用一影像分割演算法識別該原始影像中一物件的一邊緣區域；<br/> 減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影(edge artifacts)，以取得一微調影像(fine-tuned image)；及<br/> 從該微調影像中提取該紋理資訊。
如請求項2之方法，其中減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影，以取得該微調影像的步驟，包括：<br/> 使用一模糊演算法(blurring algorithm)對該原始影像中該物件的該邊緣區域進行模糊處理。
如請求項2之方法，其中減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影，以取得該微調影像的步驟，包括：<br/> 基於在該物件外部且毗鄰該邊緣區域的一背景區域，修改該邊緣區域中的一部分像素值。
如請求項2之方法，其中減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影，以取得該微調影像的步驟，包括：<br/> 根據該深度資訊決定該原始影像的複數個層(layers)，其中每一層對應一深度值；及<br/> 將低於一閾值的該深度值所對應的該層擴大。
如請求項1之方法，更包括：<br/> 使用一攝影裝置捕捉一使用者影像；及<br/> 使用一臉部追蹤演算法或一眼部追蹤演算法，基於該使用者影像計算該使用者位置資訊。
如請求項1之方法，其中基於與該原始影像相關聯的該紋理資訊，對投影到該座標系上的該3D網格進行著色，以取得該3D場景的步驟，包括：<br/> 將該原始影像的色彩紋理插補(interpolate)在投影到該3D場景之該座標系上的該3D網格之上。
如請求項1之方法，其中建立該3D網格的步驟，包括：<br/> 建立由相鄰的三個該網格頂點所形成的一三角形的一紋理。
一種生成3D場景的電腦系統，包括一顯示裝置、一儲存裝置及一處理裝置，其中該處理裝置從該儲存裝置載入一程式，以執行以下步驟：<br/> 建立一3D網格(3D mesh)，其中該3D網格具有複數個網格頂點(mesh vertices)；<br/> 接收一原始影像；<br/> 估計該原始影像的深度資訊；<br/> 基於估計出的該深度資訊更新該3D網格；<br/> 基於使用者位置資訊，將該3D網格的每一網格頂點投影到一3D場景的一座標系上，其中該使用者位置資訊是指一使用者相對於該顯示裝置的位置；<br/> 基於與該原始影像相關聯的紋理資訊，對投影到該座標系上的該3D網格進行著色，以取得該3D場景；<br/> 在該顯示裝置上顯示該3D場景；<br/> 其中該顯示裝置既不是裸視立體顯示裝置，也不是穿戴式裝置。
如請求項9之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟：<br/> 使用一影像分割演算法識別該原始影像中一物件的一邊緣區域；<br/> 減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影(edge artifacts)，以取得一微調影像(fine-tuned image)；及<br/> 從該微調影像中提取該紋理資訊。
如請求項10之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟以減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影：<br/> 使用一模糊演算法(blurring algorithm)對該原始影像中該物件的該邊緣區域進行模糊處理。
如請求項10之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟以減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影：<br/> 基於在該物件外部且毗鄰該邊緣區域的一背景區域，修改該邊緣區域中的一部分像素值。
如請求項10之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟以減少該原始影像中該物件的該邊緣區域的邊緣偽影：<br/> 根據該深度資訊決定該原始影像的複數個層(layers)，其中每一層對應一深度值；及<br/> 將低於一閾值的該深度值所對應的該層擴大。
如請求項9之電腦系統，更包括：<br/> 一攝影裝置，用以捕捉一使用者影像；<br/> 其中該處理裝置更使用一臉部追蹤演算法或一眼部追蹤演算法，基於該使用者影像計算該使用者位置資訊。
如請求項9之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟以對該3D網格進行著色：<br/> 將該原始影像的色彩紋理插補(interpolate)在投影到該3D場景的該座標系上的該3D網格之上。
如請求項9之電腦系統，其中該處理裝置更執行以下步驟以建立該3D網格：<br/> 建立由相鄰的三個該網格頂點所形成的一三角形的一紋理。
一種銅接合線，由銅純度為99.99質量%以上的銅合金構成，其特徵在於： <br/>與該銅接合線的線軸垂直之截面的晶粒邊界密度為0.01μm <sup>-1</sup>以上且小於0.6μm <sup>-1</sup>； <br/>該截面線軸方向的結晶方位中，與線軸方向角度差為15°以下的結晶方位＜111＞之方位比率除以結晶方位＜101＞之方位比率的值為10至650； <br/>該截面的動態硬度為45至90； <br/>該截面的楊氏係數為20GPa至70GPa。
如請求項1所述之銅接合線，銅合金總量中銀（Ag）含量為5質量ppm至30質量ppm，磷（P）、鐵（Fe）、矽（Si）、砷（As）和銻（Sb）的含量分別為0質量ppm至3質量ppm，且總計15質量ppm以下。
如請求項1或2所述之銅接合線，線徑為40μm至700μm。
一種銅接合線的製造方法，銅接合線由銅純度為99.99質量%以上的銅合金構成，具有以下步驟： <br/>提供由99.99質量%以上的銅合金構成的原料銅線； <br/>對該原料銅線進行拉線加工； <br/>對該拉線後的原料銅線進行最終熱處理，其中： <br/>與該銅接合線的線軸垂直之截面的晶粒邊界密度為0.01μm <sup>-1</sup>以上且小於0.6μm <sup>-1</sup>； <br/>該截面線軸方向的結晶方位中，與線軸方向角度差為15°以下的結晶方位＜111＞之方位比率除以結晶方位＜101＞之方位比率的值為10至650； <br/>該截面的動態硬度為45至90； <br/>該截面的楊氏係數為20GPa至70GPa。
一種半導體裝置，該半導體裝置為一種功率半導體裝置，包括：至少一基板；基板上的至少一個半導體元件；該半導體元件表面上的電極；該半導體元件上的半導體元件基板；基板上的至少一個電路圖案；將選自由該半導體元件表面的兩個電極、該半導體元件表面的電極和外部電極、該半導體元件表面的電極和該電路圖案中的一個電路圖案、該半導體元件表面的電極和端子、該電路圖案中相鄰兩個電路圖案、該電路圖案中的一個電路圖案和端子、該基板和基板，以及該半導體元件基板和電路圖案組成的組中的一個以上進行連接的銅線；其中， <br/>該銅線為： <br/>一種銅接合線，由銅純度為99.99質量%以上的銅合金構成； <br/>與該銅接合線的線軸垂直之截面的晶粒邊界密度為0.01μm <sup>-1</sup>以上且小於0.6μm <sup>-1</sup>； <br/>該截面線軸方向的結晶方位中，與線軸方向角度差為15°以下的結晶方位＜111＞之方位比率除以結晶方位＜101＞之方位比率的值為10至650；該截面的動態硬度為45至90； <br/>該銅接合線的該截面的楊氏係數為20GPa至70GPa。
一種由一電腦系統執行的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 從與晶圓處理設備相關聯的感測器中識別複數組感測器資料，該感測器資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 從計量設備中識別複數組計量資料，該計量資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 生成複數組聚合的感測器-計量資料，該複數組聚合的感測器-計量資料中的每一組感測器-計量資料包含一組相應的感測器資料和一組相應的計量資料；以及<br/> 基於該複數組聚合的感測器-計量資料，對於一機器學習模型進行訓練，以提供一經過訓練的機器學習模型，其中該經過訓練的機器學習模型被配置成產生用於執行一校正動作的一個或多個輸出，該校正動作與經由該晶圓處理設備處理後續的晶圓、確定預測的計量資料，或確定製造設備或製造製程中的一或多者的最佳設計中的至少一者相關聯。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含對應的感測器值，該等對應的感測器值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含對應的計量值，該等對應的計量值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含一對應的感測器資料標識符；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含一對應的計量資料標識符。
如請求項3所述之方法，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符包括一對應的感測器載體標識符和一對應的感測器時間戳；並且<br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符包括一對應的計量載體標識符和一對應的計量時間戳。
如請求項4所述之方法，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符進一步包括一對應的產品標識符； <br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符進一步包括該對應的產品標識符；並且<br/> 該複數組聚合的感測器-計量資料的該生成步驟係至少部分基於匹配的產品標識符。
如請求項1所述之方法，其中該複數組計量資料對應於產品的歷史屬性資料，並且其中執行該校正動作的該步驟係基於根據該複數組聚合的感測器-計量資料來確定預測的屬性資料。
如請求項1所述之方法，其中該校正動作包含以下之一或多者：<br/> 使得一圖形使用者介面顯示一警示；<br/> 中斷該晶圓處理設備的操作；或<br/> 引發該晶圓處理設備的製造參數的更新。
一種其上儲存有指令的非暫態性電腦可讀取媒體，該等指令在由一處理裝置執行時使得該處理裝置執行作業，該等作業包含：<br/> 從與晶圓處理設備相關聯的感測器中識別複數組感測器資料，該感測器資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 從計量設備中識別複數組計量資料，該計量資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 生成複數組聚合的感測器-計量資料，該複數組聚合的感測器-計量資料中的每一組感測器-計量資料包含一組相應的感測器資料和一組相應的計量資料；以及<br/> 基於該複數組聚合的感測器-計量資料，對於一機器學習模型進行訓練，以提供一經過訓練的機器學習模型，其中該經過訓練的機器學習模型被配置成產生用於執行一校正動作的一個或多個輸出，該校正動作與經由該晶圓處理設備處理後續的晶圓、確定預測的計量資料，或確定製造設備或製造製程中的一或多者的最佳設計中的至少一者相關聯。
如請求項8所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含對應的感測器值，該等對應的感測器值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含對應的計量值，該等對應的計量值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造。
如請求項8所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含一對應的感測器資料標識符；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含一對應的計量資料標識符。
如請求項10所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符包括一對應的感測器載體標識符和一對應的感測器時間戳；並且<br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符包括一對應的計量載體標識符和一對應的計量時間戳。
如請求項11所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符進一步包括一對應的產品標識符； <br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符進一步包括該對應的產品標識符；並且<br/> 該複數組聚合的感測器-計量資料的該生成步驟係基於匹配的產品標識符。
如請求項8所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該複數組計量資料對應於產品的歷史屬性資料，並且其中執行該校正動作的該步驟係基於根據該複數組聚合的感測器-計量資料來確定預測的屬性資料。
如請求項8所述之非暫態性電腦可讀取媒體，其中該校正動作包含以下之一或多者：<br/> 使得一圖形使用者介面顯示一警示；<br/> 中斷該晶圓處理設備的操作；或<br/> 引發該晶圓處理設備的製造參數的更新。
一種系統，包含：<br/> 一記憶體；以及<br/> 一處理裝置，該處理裝置耦接至該記憶體以：<br/> 從與晶圓處理設備相關聯的感測器中識別複數組感測器資料，該感測器資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 從計量設備中識別複數組計量資料，該計量資料相關聯於經由該晶圓處理設備處理的晶圓；<br/> 生成複數組聚合的感測器-計量資料，該複數組聚合的感測器-計量資料中的每一組感測器-計量資料包含一組相應的感測器資料和一組相應的計量資料；以及<br/> 基於該複數組聚合的感測器-計量資料，對於一機器學習模型進行訓練，以提供一經過訓練的機器學習模型，其中該經過訓練的機器學習模型被配置成產生用於執行一校正動作的一個或多個輸出，該校正動作與經由該晶圓處理設備處理後續的晶圓、確定預測的計量資料，或確定製造設備或製造製程中的一或多者的最佳設計中的至少一者相關聯。
如請求項15所述之系統，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含對應的感測器值，該等對應的感測器值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含對應的計量值，該等對應的計量值相關聯於經由該晶圓處理設備的對應的晶圓製造。
如請求項15所述之系統，其中：<br/> 該複數組感測器資料中的每一組感測器資料包含一對應的感測器資料標識符；以及<br/> 該複數組計量資料中的每一組計量資料包含一對應的計量資料標識符。
如請求項17所述之系統，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符包括一對應的感測器載體標識符和一對應的感測器時間戳；並且<br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符包括一對應的計量載體標識符和一對應的計量時間戳。
如請求項18所述之系統，其中：<br/> 對於該複數組感測器資料中的每一組感測器資料，該對應的感測器資料標識符進一步包括一對應的產品標識符； <br/> 對於該複數組計量資料中的每一組計量資料，該對應的計量資料標識符進一步包括該對應的產品標識符；並且<br/> 該處理裝置基於匹配的產品標識符生成該複數組聚合的感測器-計量資料。
如請求項15所述之系統，其中該複數組計量資料對應於產品的歷史屬性資料，並且其中執行該校正動作是基於以下操作：基於該複數組聚合的感測器-計量資料來確定預測的屬性資料。
一種藉由電子裝置而實行之方法，其包括如下步驟： <br/>基於利用電子商務服務之用戶之日誌且基於上述用戶之預定購買商品之明細，判定是否可對上述用戶進行個性化行動； <br/>於上述用戶之用戶終端連接至上述電子商務服務之第1頁面時，基於可進行上述個性化行動之判定，向上述用戶終端傳輸第1顯示資訊，該第1顯示資訊係使引導顯示與上述第1頁面有別之第2頁面之按鈕包括於上述第1頁面中，上述第2頁面包括定義有會員資格加入程序之用戶介面之資訊，其中，只有當上述用戶之上述預定購買商品的總價未滿足上述電子商務服務提供的上述會員資格之優惠條件時，才會顯示該按鈕；及 <br/>基於上述用戶對上述按鈕進行之用戶輸入，向上述用戶終端傳輸與上述第2頁面相關之第2顯示資訊， <br/>其中，上述第2頁面進一步包括上述用戶註冊會員資格時的上述會員資格之優惠之資訊， <br/>其中，上述第2頁面上之上述優惠被顯示之一順序係基於上述用戶的一購買歷史而判定，且 <br/>其中，上述會員資格之上述優惠包括基於上述用戶的上述購買歷史之配送優惠及上述用戶經常購買的商品之類別之折扣優惠中的至少一者。
如請求項1之方法，其中判定是否可對上述用戶進行個性化行動之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之會員資格歷史，判定是否可對上述用戶進行個性化行動。
如請求項1之方法，其中上述第1頁面為上述電子商務服務之購物車頁面。
如請求項1之方法，其中向上述用戶終端傳輸第1顯示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>向上述用戶終端傳輸使第1指示器包括於上述第1頁面中之第3顯示資訊，該第1指示器係對上述用戶之預定購買商品之價格總和與上述電子商務服務中提供之優惠的應用基準進行比較。
如請求項4之方法，其中上述按鈕係鄰接於上述第1頁面內之上述第1指示器之位置而定位。
如請求項1之方法，其中向上述用戶終端傳輸上述第1顯示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>向上述用戶終端傳輸使第2指示器包括於上述第1頁面中之第4顯示資訊，該第2指示器係於加入會員資格時顯示可應用於上述用戶之預定購買商品之優惠。
如請求項6之方法，其中上述第2指示器係鄰接於上述第1頁面內之第3指示器之位置而定位，該第3指示器係顯示預定購買商品之價格總和。
如請求項1之方法，其中向上述用戶終端傳輸第1顯示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之上述日誌，判定上述用戶有無會員資格歷史；及 <br/>基於上述用戶有無上述會員資格歷史之判定結果，確定上述按鈕之顯示屬性。
如請求項8之方法，其中確定上述顯示屬性之步驟包括如下步驟： <br/>若判定上述用戶存在會員資格歷史，則將上述按鈕之顯示屬性確定為第1屬性，若判定上述用戶不存在會員資格歷史，則將上述按鈕之顯示屬性確定為與上述第1屬性有別之第2屬性。
如請求項1之方法，其中上述第2頁面為覆蓋於上述第1頁面上而顯示之頁面。
如請求項1之方法，其中上述第2頁面為顯示於上述第1頁面之下端之底部頁面。
如請求項1之方法，其中向上述用戶終端傳輸上述第2顯示資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之上述日誌，判定上述用戶有無會員資格歷史；及 <br/>基於上述用戶有無上述會員資格歷史之判定結果，產生上述第2顯示資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成：使上述處理器執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊介面，其以可與網路通訊之方式構成； <br/>處理器，其以執行包括一個以上之指令之電腦程式之方式構成；及 <br/>記憶體，其儲存有上述電腦程式；且 <br/>上述處理器以如下方式構成：於藉由上述處理器而執行上述電腦程式時，執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種電漿處理裝置，其具備： <br/>腔室； <br/>基板支持部，其設置於上述腔室內； <br/>高頻電源，其構成為供給高頻電力，以於上述腔室內由氣體產生電漿；及 <br/>控制部； <br/>上述高頻電源構成為：於複數個反覆週期之各者所包含的單獨供給期間中，連續地供給上述高頻電力， <br/>上述控制部構成為：將上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之複數個子期間中第i個子期間中之上述高頻電力之頻率，根據上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之上述複數個子期間中該第i個期間之前的一個以上之子期間之各者中之該高頻電力之該頻率及該高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述一個以上子期間包含第1子期間及該第1子期間後之第2子期間， <br/>上述控制部構成為： <br/>將上述第2子期間中之上述高頻電力之上述頻率設定為與上述第1子期間中之上述高頻電力之上述頻率不同之頻率， <br/>根據自上述第1子期間中之上述高頻電力之上述頻率向上述第2子期間中之上述高頻電力之上述頻率之變化、及上述第1子期間中之上述高頻電力之反射程度向上述第2子期間中之上述高頻電力之反射程度之變化，設定上述第i個子期間中之上述高頻電力之上述頻率，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述控制部構成為：將上述複數個反覆週期中第n個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之各相位下的上述高頻電力之上述頻率，根據上述複數個反覆週期中上述第n個反覆週期之前之一個以上之反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之同一相位下之上述高頻電力之上述頻率及上述高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項3之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部構成為：將上述第n個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之各相位下的上述高頻電力之上述頻率，根據自上述複數個反覆週期中第(n－q)個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之同一相位下之上述高頻電力之上述頻率向上述複數個反覆週期中第(n－p)個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之上述同一相位下之上述高頻電力之上述頻率的變化、及自上述第(n－q)個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之上述同一相位下之上述高頻電力之反射程度向上述第(n－p)個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之上述同一相位下之上述高頻電力之反射程度的變化來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度，此處，q及p為滿足q＞p之1以上之整數。
如請求項3之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部構成為：於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述控制部構成為：於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其進而具備： <br/>偏壓電源，其與上述基板支持部電性耦合，且構成為對上述基板支持部供給用於離子饋入之電偏壓， <br/>上述單獨供給期間係不對上述基板支持部供給來自上述偏壓電源之上述電偏壓之期間。
如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其進而具備： <br/>偏壓電源，其與上述基板支持部電性耦合，且構成為對上述基板支持部供給用於離子饋入之電偏壓， <br/>上述高頻電源構成為：於上述複數個反覆週期之各者所包含之兩個期間中之作為上述單獨供給期間的一個期間中，供給上述高頻電力， <br/>上述偏壓電源構成為：於上述複數個反覆週期之各者中的上述兩個期間中之上述一個期間中，停止對上述基板支持部供給上述電偏壓，於該兩個期間中之另一個期間中，對上述基板支持部供給上述電偏壓。
如請求項8之電漿處理裝置，其中上述高頻電源構成為：於上述另一個期間中停止上述高頻電力之供給。
如請求項8之電漿處理裝置，其中上述高頻電源構成為：於上述另一個期間中供給上述高頻電力。
如請求項10之電漿處理裝置，其中上述一個期間中之上述高頻電力之功率位準低於上述另一個期間中之上述高頻電力之功率位準。
一種電源系統，其具備： <br/>高頻電源，其構成為供給高頻電力，以於電漿處理裝置之腔室內由氣體產生電漿；及 <br/>控制部； <br/>上述高頻電源構成為：於複數個反覆週期之各者所包含的單獨供給期間中，連續地供給上述高頻電力， <br/>上述控制部構成為：將上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之複數個子期間中第i個子期間中之上述高頻電力之頻率，根據上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之上述複數個子期間中該第i個期間之前的一個以上之子期間之各者中之該高頻電力之該頻率及該高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項12之電源系統，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述控制部構成為：將上述複數個反覆週期中第n個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之各相位下的上述高頻電力之上述頻率，根據上述複數個反覆週期中上述第n個反覆週期之前之一個以上之反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之同一相位下之上述高頻電力之上述頻率及上述高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項13之電源系統，其中 <br/>上述控制部構成為：於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
如請求項12之電源系統，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述控制部構成為：於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
一種頻率控制方法，其包含以下步驟： <br/>(a)於複數個反覆週期之各者之單獨供給期間中連續地自高頻電源供給高頻電力，以於電漿處理裝置之腔室內由氣體產生電漿；及 <br/>(b)將上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之複數個子期間中第i個子期間中之上述高頻電力之頻率，根據上述複數個反覆週期之各者中的上述單獨供給期間內之上述複數個子期間中該第i個期間之前的一個以上之子期間之各者中之該高頻電力之該頻率及該高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項16之頻率控制方法，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述頻率控制方法進而包含如下步驟：將上述複數個反覆週期中第n個反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之各相位下的上述高頻電力之上述頻率，根據上述複數個反覆週期中上述第n個反覆週期之前之一個以上之反覆週期內之上述單獨供給期間內之上述上升期間內之同一相位下之上述高頻電力之上述頻率及上述高頻電力之反射程度來進行設定，以抑制該高頻電力之反射程度。
如請求項17之頻率控制方法，其進而包含如下步驟： <br/>於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
如請求項16之頻率控制方法，其中 <br/>上述單獨供給期間進而包含上述複數個子期間之前之上升期間， <br/>上述頻率控制方法進而包含如下步驟：於包含上述複數個反覆週期中至少最初之反覆週期的一個以上的連續之反覆週期之各者中之上述上升期間之開始至結束之間，使上述高頻電力之上述頻率根據初始頻率集而變化。
一種基板蝕刻系統，包含：<br/> 一支撐件，該支撐件將一晶圓保持在一面朝上方向上；一分配器臂，該分配器臂可橫向移動跨越該支撐件上之該晶圓，該分配器臂支撐一輸送端口以選擇性地將一液體蝕刻劑分配至該晶圓之一頂面的一部分上；一光學監測系統，該光學監測系統包括一探針，該探針可橫向移動跨越該支撐件上之該晶圓，其中該探針包括準直器；以及一控制器，該控制器經配置以從該光學監測系統接收複數個量測，並且從該些量測偵測該晶圓的傾斜，其中該光學監測系統包括一光源、一偵測器及一光學元件，該光學元件將來自該光源的光傳送至該基板及將來自該基板的反射光傳送至該偵測器；及該光學元件包含一光纖，及該探針包含鄰近該支撐件定位之該光纖的一端。
如請求項1所述之系統，其中該光學元件被配置成沿著照明方向引導光，使得該晶圓的傾斜導致該偵測器接收到的光的反射的收集量減少。
如請求項2所述之系統，其中在該晶圓不存在傾斜的情況下，該照明方向實質上垂直於該晶圓的表面。
如請求項3所述之系統，其中該晶圓的傾斜導致來自該晶圓的光的反射方向不同於該照明方向。
如請求項2所述之系統，其中該控制器被配置為將反射光強度的大小與閾值進行比較以確定該晶圓是否傾斜。
如請求項1所述之系統，其中以該分配器臂固定該探針且該探針與該分配器臂一起移動。
如請求項1所述之系統，其中以一第二臂固定該探針且該探針與該第二臂一起移動。
一種化合物，其包含式I之第一配位體L<sub>A</sub>， <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="127px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中Y<sup>1</sup>至Y<sup>12</sup>各自獨立地為CR或N； <br/>其中每個R可以相同或不同，且任何兩個相鄰之R視情況接合或稠合成環； <br/>其中選自由Y<sup>3</sup>及Y<sup>4</sup>、Y<sup>7</sup>及Y<sup>8</sup>以及Y<sup>11</sup>及Y<sup>12</sup>組成之群的至少一對係CR，其中該等R接合或稠合成5員或6員碳環或雜環； <br/>其中每個R獨立地為氫或選自由以下組成之群的取代基：氘、鹵素、烷基、環烷基、雜烷基、雜環烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羧酸、醚、酯、腈、異腈、氫硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合； <br/>其中該配位體L<sub>A</sub>與金屬M錯合，該金屬M選自由以下組成之群：Os、Ir、Pd、Pt、Cu及Au； <br/>其中M視情況與其他配位體配位；且 <br/>其中該配位體L<sub>A</sub>視情況與其他配位體連接以構成二齒、三齒、四齒、五齒或六齒配位體。
一種有機發光裝置(OLED)，其包含： <br/>陽極； <br/>陰極；以及 <br/>安置在該陽極與該陰極之間的有機層，該有機層包含如請求項1之包含式I之第一配位體L<sub>A</sub>之化合物。
如請求項2之OLED，其中該有機層係發射層，並且該化合物係發射摻雜劑或非發射摻雜劑。
如請求項2之OLED，其中該有機層進一步包含主體，其中主體包含至少一個選自由以下組成之群的化學基團：聯伸三苯、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮雜聯伸三苯、氮雜咔唑、氮雜-二苯并噻吩、氮雜-二苯并呋喃及氮雜-二苯并硒吩。
如請求項4之OLED，其中該主體選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="860px" width="590px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="366px" width="556px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="59px" width="158px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及其組合。
一種消費型產品，其包含如請求項2至5中任一項之OLED。
一種調配物，其包含如請求項1之化合物。
一種用於形成微電子組裝件的方法，其包含：形成第一基板的接合表面，所述第一基板包括嵌入到所述第一基板的所述接合表面中的第一金屬特徵；將第一金屬材料沉積到所述第一金屬特徵的表面上；形成第二基板的接合表面，所述第二基板包括嵌入到所述第二基板的所述接合表面中的第二金屬特徵；將第二金屬材料沉積到所述第二金屬特徵的表面上；在所述第一金屬特徵的至少一部分和所述第二金屬特徵的至少一部分之間形成合金塊，所述合金塊包括所述第一金屬材料和所述第二金屬材料的合金，其中所述合金塊之所述第一金屬材料的濃度和所述第二金屬材料的濃度在整個所述合金塊中變化；以及經由直接接合且無需使用黏著劑而將所述第二基板的所述接合表面接合至所述第一基板的所述接合表面，包括將所述第二基板的所述接合表面處的第二介電層直接接合至所述第一基板的所述接合表面處的第一介電層。
如請求項1所述之方法，其中所述合金塊包括共晶合金塊。
如請求項1所述之方法，其進一步包括經由所述合金塊將所述第二金屬特徵接合到所述第一金屬特徵，以形成單一固體互連結構。
如請求項1所述之方法，其進一步包括：在所述第一金屬特徵的表面中形成第一凹入部分以及在所述第二金屬特徵的表面中形成第二凹入部分；以及用所述第一金屬材料至少部分地填充所述第一凹入部分，並且用所述第二金屬材料至少部分地填充所述第二凹入部分。
如請求項1所述之方法，其進一步包括在分別沉積所述第一金屬材料或所述第二金屬材料之前，將導電障壁層沉積到所述第一金屬特徵的所述表面及/或所述第二金屬特徵的所述表面上。
如請求項1所述之方法，其進一步包括經由浸漬無電極金屬沉積來沉積所述第一金屬材料及/或所述第二金屬材料。
一種用於形成微電子組裝件的方法，其包含：形成第一基板的接合表面，所述第一基板包括嵌入到所述第一基板的所述接合表面中的第一金屬特徵；形成第二基板的接合表面，所述第二基板包括嵌入到所述第二基板的所述接合表面中的第二金屬特徵；在所述第一金屬特徵及/或所述第二金屬特徵的表面上形成第一金屬材料的不連續層，所述第一金屬材料不同於所述第一金屬特徵或所述第二金屬特徵的材料，所述第一金屬材料包括第一金屬和第二金屬，所述第一金屬的濃度和所述第二金屬的濃度在整個所述不連續層中變化；以及透過直接接合將所述第二基板的所述接合表面接合至所述第一基板的所述接合表面，包括將所述第二基板的所述接合表面處的第二介電層直接接合至所述第一基板的所述接合表面處的第一介電層。
如請求項7所述之方法，其中所述第一金屬特徵透過熱變形直接接合至所述第二金屬特徵。
如請求項7所述之方法，其中所述第一金屬材料包括鈷、鎳或錳。
如請求項7所述之方法，其中所述第一金屬材料的熔點高於所述第一金屬特徵的材料或所述第二金屬特徵的材料的部分的熔點。
一種用於形成微電子組裝件的方法，其包含：形成第一基板的接合表面，所述第一基板包括嵌入到所述第一基板的所述接合表面中的第一金屬特徵；將與所述第一金屬特徵的材料不同的第一金屬材料沉積到所述第一金屬特徵的表面上；形成第二基板的接合表面，所述第二基板包括嵌入到所述第二基板的所述接合表面中的第二金屬特徵；將與所述第二金屬特徵的材料不同且與所述第一金屬材料不同的第二金屬材料沉積到所述第二金屬特徵的表面上；經由直接接合且無需使用黏著劑而將所述第二基板的所述接合表面接合至所述第一基板的所述接合表面，包括將所述第二基板的所述接合表面處的第二介電層直接接合至所述第一基板的所述接合表面處的第一介電層；以及其中所述第一金屬材料的濃度從朝向所述第一金屬特徵設置的位置處的第一量變化到朝向所述第二金屬特徵設置的位置的第二量，其中所述第二金屬材料的濃度從朝向所述第二金屬特徵設置的位置處的第三量變化到朝向所述第一金屬特徵設置的位置處的第四量，且其中所述第一量高於所述第二量且所述第三量高於所述第四量。
如請求項11所述之方法，其進一步包括在所述第一金屬特徵的至少一部分和所述第二金屬特徵的至少一部分之間形成合金塊，所述合金塊包括所述第一金屬材料和所述第二金屬材料的合金，並且透過所述合金塊將所述第一金屬特徵接合至所述第二金屬特徵。
一種微電子組裝件，包括：第一基板，其具有接合表面，所述第一基板的所述接合表面具有平坦化的形貌；第一多個金屬特徵，其位於所述第一基板的所述接合表面處；第一介電材料，其位於所述第一基板的所述接合表面處且圍繞所述第一多個金屬特徵；第一凹入部分，其設置在所述第一多個金屬特徵中的一個或多個的表面中並且在所述第一基板的所述接合表面下方延伸深度，所述第一凹入部分以與所述第一多個金屬特徵的導電材料不同的第一導電材料至少部分地填充；第二基板，其具有接合表面，所述第二基板的所述接合表面具有平坦化的形貌並且直接接合至所述第一基板的所述接合表面；第二多個金屬特徵，其於所述第二基板的接合表面處並且直接接合至所述第一多個金屬特徵；第二介電材料，其於所述第二基板的所述接合表面處且圍繞所述第二多個金屬特徵並且直接接合到所述第一介電材料；以及其中所述第一多個金屬特徵及所述第二多個金屬特徵之間除了如果存在的任何障壁層之外還包括兩個或更多個導電材料，並且其中所述兩個或更多個導電材料中的每一個的濃度在所述第一多個金屬特徵和所述第二多個金屬特徵之間變化。
如請求項13所述之微電子組裝件，其進一步包括第二凹入部分，所述第二凹入部分設置在所述第二多個金屬特徵中的一個或多個的表面中並且在所述第二基板的所述接合表面下方延伸深度，所述第二凹入部分以與所述第二多個金屬特徵的導電材料不同的第二導電材料至少部分地填充。
如請求項14所述之微電子組裝件，其進一步包括設置在所述第一凹入部分及/或所述第二凹入部分內、在所述第一多個金屬特徵的所述導電材料與所述第一導電材料之間及/或在所述第二多個金屬特徵的所述導電材料與所述第二導電材料之間的障壁層，所述障壁層包括與所述第一導電材料或所述第二導電材料不同並且與所述第一多個金屬特徵或所述第二多個金屬特徵的所述導電材料不同的第三導電材料。
如請求項14所述之微電子組裝件，其進一步包括佈置在所述第一多個金屬特徵和所述第二多個金屬特徵的至少一部分之間的合金塊，所述合金塊包括所述第一導電材料和所述第二導電材料的合金。
如請求項16所述之微電子組裝件，其中所述合金塊的熔點高於所述第一金屬特徵和所述第二金屬特徵各自的熔點。
如請求項16所述之微電子組裝件，其中所述合金塊的熔點低於所述第一金屬特徵和所述第二金屬特徵各自的熔點。
如請求項16所述之微電子組裝件，其中所述第一導電材料的濃度和所述第二導電材料的濃度在整個所述合金塊中變化。
一種微電子組裝件，包括：第一基板，其具有表面，所述第一基板的所述表面具有第一導電互連結構和第一介電層；第二基板，其具有表面，所述第二基板的所述表面具有第二導電互連結構和第二介電層，所述第一導電互連結構直接接合到所述第二導電互連結構，並且所述第一介電層直接接合至所述第二介電層；以及導電合金塊，所述導電合金塊將所述第一導電互連結構耦接到所述第二導電互連結構，其中所述導電合金塊包括第一導電材料、第二導電材料和第三導電材料，其中所述第一導電材料的濃度從朝向所述第一導電互連結構的位置處的第一量變化為朝向所述第二導電互連結構的位置處的第二量，其中所述第二導電材料的濃度從朝向所述第二導電互連結構的位置處的第三量變化到朝向所述第一導電互連結構的位置處的第四量，其中所述第一量高於所述第二量且所述第三量高於所述第四量，且其中所述第三導電材料在所述第一導電互連結構和所述第二導電互連結構之間的位置處具有最高濃度。
如請求項20所述之微電子組裝件，其進一步包括設置在所述第一導電互連結構的表面中的第一凹入部分和設置在所述第二導電互連結構的表面中的第二凹入部分，所述第一凹入部分以所述第一導電材料至少部分地填充並且所述第二凹入部分以所述第二導電材料至少部分地填充。
如請求項21所述之微電子組裝件，其進一步包括設置在所述第一凹入部分及/或所述第二凹入部分內的導電障壁層。
一種微電子組裝件，包括：第一基板，其具有凹入於所述第一基板的第一接合表面下方的第一多個金屬特徵，所述第一多個金屬特徵包括兩個或更多個不同的金屬材料；第一非導電區域，其位於所述第一接合表面處，所述第一非導電區域圍繞所述第一多個金屬特徵；第二基板，其具有凹陷到所述第二基板的第二接合表面下方的第二多個金屬特徵，所述第二多個金屬特徵包括兩個或更多個不同的金屬材料；第二非導電區域，其位於所述第二接合表面處，所述第二非導電區域圍繞所述第二多個金屬特徵，所述第二非導電區域至少部分接觸並且直接接合至所述第一非導電區域；以及合金塊，其設置在所述第一多個金屬特徵和所述第二多個金屬特徵之間，該合金塊具有所述第一多個金屬特徵的所述不同金屬材料中的一個或多個之可變濃度並且具有所述第二多個金屬特徵的所述不同金屬材料中的一個或多個之可變濃度。
如請求項23所述之微電子組裝件，其進一步包括設置在所述第一多個金屬特徵的表面上的第一凹入部分和設置在所述第二多個金屬特徵的表面上的第二凹入部分。
如請求項24所述之微電子組裝件，其中所述第一凹入部分以與所述第一多個金屬特徵的所述金屬材料不同的一個或多個導電材料至少部分地填充，並且其中所述第二凹入部分以與所述第二多個金屬特徵的所述金屬材料不同的一個或多個導電材料至少部分地填充。
如請求項24所述之微電子組裝件，其進一步包括設置在所述第一凹入部分及/或所述第二凹入部分內的導電障壁層。
如請求項23所述之微電子組裝件，其中所述第一非導電區域和所述第二非導電區域中的至少一個包括非黏著材料。
一種微電子組裝件，包括：第一基板，其具有表面、第一導電結構和第一介電材料，所述第一導電結構包括第一元件；第二基板，其具有表面、第二導電結構和第一介電材料，所述第一基板的所述表面直接接合到所述第二基板的所述表面，所述第一導電結構直接接合到所述第二導電結構，所述第一介電材料直接接合至所述第二介電材料；以及導電合金區，其將所述第一導電結構耦接到所述第二導電結構，其中所述導電合金區包括具有從所述第一導電結構到所述第二導電結構變化的濃度之所述第一元件。
如請求項28所述之微電子組裝件，其中所述導電合金區域包括鈷、鎳及/或錳。
如請求項28所述之微電子組裝件，其中所述導電合金區域的厚度比所述第一導電結構或所述第二導電結構的厚度薄。
一種微電子組裝件，包括：第一基板，其具有表面、第一導電結構和第一介電材料，所述第一導電結構包括第一元件；第二基板，其具有表面、第二導電結構和第二介電材料，所述第一基板的所述表面直接接合到所述第二基板的所述表面，所述第一導電結構直接接合到所述第二導電結構，所述第一介電材料直接接合至所述第二介電材料；以及導電合金區，其將所述第一導電結構耦接到所述第二導電結構，其中所述導電合金區包括具有濃度從朝向所述第一導電結構設置的位置處的第一量變化到朝向所述第二導電結構設置的位置處的第二量之所述第一元件，並且其中所述第一量高於所述第二量。
一種資訊處理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>基於未加入會員資格之狀態之目標用戶之歷史及優惠券的發放條件，確定上述目標用戶是否為上述優惠券之發放對象； <br/>響應於確定上述目標用戶並非為上述優惠券之上述發放對象，確定上述會員資格之優惠之金錢利益，其中上述優惠包括一個以上之優惠，且其中上述一個以上之優惠係基於上述目標用戶之歷史而確定； <br/>基於上述目標用戶之歷史，確定上述目標用戶之加入類型，其中上述加入類型為新加入或再次加入中之一者； <br/>響應於確定上述目標用戶之上述加入類型為上述再次加入，向上述目標用戶提供與上述會員資格之上述再次加入相關之第一頁面，其中上述第一頁面包括上述金錢利益之資訊； <br/>其中向上述目標用戶提供上述第一頁面之步驟包括： <br/>從加入上述會員資格之狀態之複數個第一用戶中，確定加入類型為上述再次加入之一個以上之第二用戶； <br/>獲得由一個以上之第二用戶產生之與上述會員資格相關之複數個優惠使用評價；及 <br/>從上述複數個優惠使用評價中，確定與上述一個以上之優惠相關之一個以上之優惠使用評價； <br/>其中與上述再次加入相關之上述第一頁面包括上述一個以上之優惠使用評價之資訊。
如請求項1之方法，其中上述優惠券包括加入上述會員資格時發放之優惠券、或已預先確定發放對象之優惠券中之至少一者。
如請求項1之方法，其中確定上述金錢利益之步驟包括如下步驟： <br/>確定藉由使用上述優惠而實現之節省金額。
如請求項3之方法，其中確定上述金錢利益之步驟包括如下步驟： <br/>確定上述優惠之使用次數，該優惠之使用次數係使藉由使用上述優惠而實現之總節省金額大於上述會員資格之會費。
如請求項1之方法，其中確定上述金錢利益之步驟包括如下步驟： <br/>確定於預設期間內藉由使用上述優惠而實現之平均折扣金額。
如請求項1之方法，其中確定上述金錢利益之步驟包括如下步驟： <br/>確定於購買商品時藉由使用上述優惠而實現之額外折扣率。
如請求項1之方法，其中確定上述金錢利益之步驟包括如下步驟： <br/>確定藉由使用上述優惠而無需額外之金額便可觀看內容之最大人數。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>於第1類型頁面或第2類型頁面上接收上述用戶之加入上述會員資格之請求。
如請求項8之方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於確定上述目標用戶之上述加入類型為上述新加入，向上述目標用戶提供與上述會員資格之上述新加入相關之一第二頁面； <br/>與上述新加入相關之上述第二頁面進而包括用戶介面，該用戶介面係用以確定免除上述會員資格之會費之上述新加入。
如請求項9之方法，其中於上述第2類型頁面上接收上述加入請求之情形時，與上述新加入相關之上述第二頁面覆蓋顯示於上述第2類型頁面之至少一部分區域。
如請求項1之方法，其中 <br/>與上述再次加入相關之上述第一頁面進而包括用戶介面，該用戶介面係用以於結算上述會員資格之會費後確定上述再次加入。
如請求項1之方法，其中上述目標用戶之歷史包括與購買商品相關聯之上述目標用戶之行為的歷史、或與上述會員資格相關聯之上述目標用戶之行為之歷史中的至少一者。
如請求項12之方法，與上述購買商品相關聯之上述目標用戶之行為之歷史包括上述目標用戶購買商品的歷史、上述目標用戶選擇商品類別之歷史、或上述目標用戶將商品添加至購物車之歷史中之至少一者。
如請求項12之方法，其中與上述會員資格相關聯之上述目標用戶之行為之歷史包括上述目標用戶加入上述會員資格之歷史、或上述目標用戶過去於加入上述會員資格之狀態下使用優惠之歷史中之至少一者。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將藉由使用上述一個以上之優惠各者實現之節省金額累加； <br/>與上述再次加入相關之上述第一頁面進而包括累加之上述節省金額之資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器； <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器執行之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至15中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有命令，該命令係於藉由一個以上之處理器執行時，使上述一個以上之處理器實行動作， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至15中任一項之方法。
一種可快速關閉之真空閘閥，包含：一閥體，該閥體設有一第一閥座與一第二閥座分別位於該閥體之一閥室之相對兩側，該閥體之該閥室於該第一閥座之一內表面與該第二閥座之一內表面之間具有一單側錐度，該第一閥座位於該閥體之一第一閥開口上；一閥桿，該閥桿於該閥體之該閥室中沿著一軸向進行一軸向位移運動；一閥板，該閥板之兩側分別為一封合面及一非封合面，該閥板具有相同於該閥體之該閥室之該單側錐度，其中該閥板連接該閥桿之一第一端，該閥板藉由該閥桿在該閥室中於一開啟位置與一關閉位置之間進行該軸向位移運動，藉以使得該閥板之該封合面對應地脫離該閥體之該第一閥座以開啟該第一閥開口或者是抵接該閥體之該第一閥座以閉合該第一閥開口，其中該閥板之該封合面及該非封合面之中僅有一者與一縱向平面呈一傾角，該封合面及該非封合面之中之另一者則平行於該縱向平面；至少一滾動式抵頂元件，該滾動式抵頂元件設於該閥板之該非封合面上，其中在該閥板從該開啟位置往該關閉位置進行該軸向位移運動之過程中，當該閥板距離該關閉位置一段長度時，該閥板藉由設於該閥板之該非封合面上之該滾動式抵頂元件持續滾動式抵頂該閥體之該第二閥座，直至該閥板之該封合面完全閉合位於該第一閥開口上之該第一閥座，其中該第一閥座之該內表面與該第二閥座之該內表面之中僅有一者與該縱向平面呈該傾角，該第一閥座之該內表面與該第二閥座之該內表面之中之另一者平行於該縱向平面，其中該滾動式抵頂元件與該閥體之該第二閥座之間因持續滾動接觸所形成之一接觸面係由一平行於該閥板之該非封合面之面所組成；以及一驅動缸，用以驅動該閥桿於該閥室中沿著該軸向進行該軸向位移運動，其中該驅動缸為一扁平型氣壓缸，該扁平型氣壓缸之一活塞連接該閥桿之一第二端，該活塞具有抗扭轉及不旋轉之特性，其中該真空閘閥之該閥桿在進行該軸向位移運動過程時不會產生扭轉及旋轉，無須使用一波紋管即可保持該真空閘閥之氣密效果。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該滾動式抵頂元件僅設於該閥板之該非封合面上，藉以持續滾動式接觸該閥體之該第二閥座直至該閥板之該封合面完全閉合位於該第一閥開口上之該第一閥座。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該滾動式抵頂元件分別設於該閥板之該非封合面與該封合面上，藉以使得設於該閥板之該非封合面上之該滾動式抵頂元件持續滾動式接觸該閥體之該第二閥座直至該閥板之該封合面完全閉合位於該第一閥開口上之該第一閥座。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該閥板更具有一密封環位於該封合面上，或者是該閥體更具有該密封環位於該第一閥座之該內表面上，其中當該閥板位移至該關閉位置時，該閥板之該封合面與該閥體之該第一閥座藉由該密封環彼此密合以閉合該第一閥開口。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該閥板之該封合面與該縱向平面呈該傾角，該閥板之該非封合面平行於該縱向平面，藉以形成該單側錐度。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該閥板之該非封合面與該縱向平面呈該傾角，該閥板之該封合面平行於該縱向平面，藉以形成該單側錐度。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該閥體更包含具有一穿孔之一頂壁，該閥桿穿過該穿孔且僅藉由一墊圈於該軸向位移運動中與該頂壁保持密合。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該閥體更具有一第二閥開口，該第二閥座位於該閥體之該第二閥開口上且位置對應於該第一閥座。
如請求項1所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該滾動式抵頂元件之數量為複數個，且為各自獨立式或連動式設於該閥板之該非封合面上。
如請求項1或9所述之可快速關閉之真空閘閥，其中該滾動式抵頂元件選自於滾珠與滾輪所組成之族群。
一種顯示設備，其包含： <br/>一發光二極體(LED)陣列，其包含複數個LED行； <br/>一電源，其電連接至該複數個LED行，該電源經組態以提供一第一電力位準； <br/>一控制器，其經組態以產生與該複數個LED行中之一第一LED行相關聯的一控制信號，其中該控制信號之一長度為數個位元；及 <br/>複數個電流路徑，其電連接於該第一LED行與一第二電力位準之間，其中該複數個電流路徑並聯連接，其中該複數個電流路徑之各者包括串聯連接之一開關及一電流源；且 <br/>其中該複數個電流路徑之一第一電流路徑的該開關包括一PWM開關，該PWM開關經組態以基於該控制信號之一第一部分而在一掃描週期期間以一工作週期（duty cycle）閉合，該複數個電流路徑之其他電流路徑之該等開關係由該控制信號之一第二部分控制，且由該第一電流路徑之該電流源提供之一電流位準係基於該控制信號之該第一部分之位元數及由該等其他電流路徑之該等電流源之一者提供之最小電流位準，其中當該控制信號之該第一部分的位元之數目為<img align="absmiddle" height="9px" width="8px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>時，由該第一電流路徑之該電流源提供之該電流位準係該最小電流位準之<img align="absmiddle" height="9px" width="8px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>倍。
如請求項1之顯示設備，其中： <br/>該PWM開關之一最小工作週期等於<img align="absmiddle" height="9px" width="20px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之顯示設備，其中該等其他電流路徑之該等電流源提供具有相同電流位準之一或多個電流。
如請求項1之顯示設備，其中由該等其他電流路徑之該等電流源提供的多個電流位準經組態為一幾何數列。
一種抬頭顯示系統，包括： <br/>顯示器，用以顯示第一影像；以及 <br/>投射屏幕，鄰近所述顯示器設置且用以讓所述第一影像投射到其上以形成第二影像，其中： <br/>所述顯示器包括鄰近所述投射屏幕的第一區以及遠離所述投射屏幕的第二區， <br/>所述投射屏幕包括鄰近所述顯示器的第三區以及遠離所述顯示器的第四區，且 <br/>當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第一區與所述第二區的亮度差大於所述第三區與所述第四區的亮度差。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第一區的亮度小於所述第二區的亮度。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中所述投射屏幕包括非投影區以及用以讓所述第一影像投射到其上以形成所述第二影像的投影區，所述第三區以及所述第四區位於所述投影區中，且其中： <br/>所述投影區的曲率小於所述非投影區的曲率。
如請求項1所述的抬頭顯示系統，其中所述投射屏幕包括非投影區以及用以讓所述第一影像投射到其上以形成所述第二影像的投影區，所述第三區以及所述第四區位於所述投影區中，且其中： <br/>所述投影區的透明度小於所述非投影區的透明度。
一種車載系統，鄰近一駕駛座設置且包括： <br/>顯示器，用以顯示第一影像；以及 <br/>擋風玻璃，包括鄰近所述顯示器設置且用以讓所述第一影像投射到其上以形成第二影像的投射屏幕，其中： <br/>所述顯示器設置在所述駕駛座與所述投射屏幕之間且包括鄰近所述駕駛座的第一區以及遠離所述駕駛座的第二區， <br/>所述投射屏幕包括鄰近所述駕駛座的第三區以及遠離所述駕駛座的第四區，且 <br/>當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第一區與所述第二區的亮度差大於所述第三區與所述第四區的亮度差。
如請求項5所述的車載系統，其中當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第一區的亮度小於所述第二區的亮度。
如請求項5所述的車載系統，其中所述投射屏幕包括非投影區以及用以讓所述第一影像投射到其上以形成所述第二影像的投影區，所述第三區以及所述第四區位於所述投影區中，且其中： <br/>所述投影區的曲率小於所述非投影區的曲率。
一種車載系統，鄰近一駕駛座設置且包括： <br/>顯示器，用以顯示第一影像；以及 <br/>擋風玻璃，包括鄰近所述顯示器設置且用以讓所述第一影像投射到其上以形成第二影像的投射屏幕，其中： <br/>所述顯示器設置在所述駕駛座與所述投射屏幕之間且包括鄰近所述駕駛座的第一區以及遠離所述駕駛座的第二區， <br/>所述投射屏幕包括鄰近所述駕駛座的第三區以及遠離所述駕駛座的第四區，且 <br/>當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第一區與所述第二區的色度差大於所述第三區與所述第四區的色度差。
如請求項8所述的車載系統，其中當所述顯示器顯示所述第一影像時，所述第二區的色度比所述第一區的色度偏紅。
如請求項8所述的車載系統，其中所述第一區的色座標為(x1, y1)，所述第二區的色座標為(x2, y2)，其中x1＜x2，且y1＜y2。
一種用於驅動具有複數個顯示像素的電光顯示器之方法，該方法包括： 用包含來自一可捲動內容的一第一部分之影像資料的一第一影像來更新該電光顯示器；<br/> 接收一使用者輸入；<br/> 偵測基於該使用者輸入之一動作，其中該動作包含一滑動手勢；<br/> 偵測關於該使用者輸入之一個以上的參數，其中該一個以上的參數包含：指示該滑動手勢的方向之一第一參數；及指示該滑動手勢的速度、該滑動手勢的線性距離、及該滑動手勢的壓力中之一個以上的大小之一第二參數；<br/> 根據偵測到的動作及該使用者輸入的至少一個偵測到的參數來產生一第二影像，其中該第二影像包含：<br/> 來自該可捲動內容的該第一部分之影像資料的一子集；以及<br/> 來自該可捲動內容的一第二部分之影像資料；以及<br/> 用該第二影像來更新該電光顯示器。
如請求項1之方法，其中用該第二影像來更新該電光顯示器包括：<br/> 用該第二影像的一第一片段來更新該電光顯示器的一第一部分；<br/> 在該電光顯示器的該第一部分之後執行一時間延遲，其中在該時間延遲期間，暫停該電光顯示器的更新；以及<br/> 在該時間延遲之後，用該第二影像的一第二片段來更新該電光顯示器的一第二部分。
如請求項2之方法，進一步包括在該時間延遲期間施加一邊緣清除波形至該電光顯示器的該等顯示像素。
如請求項2之方法，進一步包括：<br/> 使用一演算法來識別具有邊緣偽影的顯示像素，其中該演算法構造成根據一顯示像素之下一個光學狀態及該顯示像素的主要鄰居中之至少一者的光學狀態，來標記該顯示像素具有邊緣偽影；以及<br/> 在該時間延遲期間，施加一邊緣清除波形至該演算法所標記的該等顯示像素。
如請求項1之方法，其中該電光顯示器的該第一部分之位置係基於該滑動手勢的一初始接觸點及該滑動手勢的方向。
如請求項5之方法，其中該電光顯示器的該第二部分之位置係相鄰於該電光顯示器的該第一部分之位置。
如請求項1之方法，其中來自該可捲動內容的該第一部分之影像資料的該子集與來自該可捲動內容的該第二部分之影像資料的比例，係根據該滑動手勢的速度之大小而變化。
如請求項1之方法，其中來自該可捲動內容的該第一部分之影像資料的該子集與來自該可捲動內容的該第二部分之影像資料在該可捲動內容內係相連的。
一種用於驅動具有複數個顯示像素的電光顯示器之方法，該方法包括：<br/> 用包含影像資料的一第一影像來更新該電光顯示器；<br/> 接收一使用者輸入；<br/> 偵測基於該使用者輸入之一動作，其中該動作包含該電光顯示器上的一放大手勢；<br/> 偵測關於該使用者輸入之一個以上的參數，其中該一個以上的參數包含該放大手勢的線性距離；根據偵測到的動作及該使用者輸入的至少一個偵測到的參數來產生一第二影像，其中該第二影像包含該第一影像的影像資料之一子集，但被放大以具有等於該第一影像的尺寸；<br/> 用該第二影像來更新該電光顯示器。
如請求項9之方法，其中用該第二影像來更新該電光顯示器包括：<br/> 用該第二影像的一第一片段來更新該電光顯示器的一第一部分；<br/> 在該電光顯示器的該第一部分之後執行一時間延遲，其中在該時間延遲期間暫停該電光顯示器的更新；以及<br/> 在該時間延遲之後，用該第二影像的一第二片段來更新該電光顯示器的一第二部分。
如請求項10之方法，進一步包括在該時間延遲期間施加一邊緣清除波形至該電光顯示器的該等顯示像素。
如請求項10之方法，進一步包括：<br/> 使用一演算法來識別具有邊緣偽影的顯示像素，其中該演算法構造成根據一顯示像素之下一個光學狀態及該顯示像素的主要鄰居中之至少一者的光學狀態，來標記該顯示像素具有邊緣偽影；以及<br/> 在該時間延遲期間施加一邊緣清除波形至該演算法所標記的該等顯示像素。
如請求項9之方法，其中該第一影像的影像資料之該子集在該第二影像中被放大的量與該放大手勢的線性距離之大小成比例關係。
如請求項10之方法，其中該電光顯示器的該第一部分之位置係基於該放大手勢的一初始接觸點。
如請求項10之方法，其中該電光顯示器的該第二部分之位置係相鄰於該電光顯示器的該第一部分之位置。
如請求項10之方法，其中該電光顯示器的該第二部分圍繞該電光顯示器的該第一部分。
如請求項10之方法，其中該第二影像的該第二片段圍繞該第二影像的該第一片段。
如請求項10之方法，其中該第二影像的該第二片段包含該第二影像的該第一片段之內容。
一種半導體封裝，包括：<br/> 一中介層；<br/> 至少一半導體積體電路晶粒，安裝在該中介層的一第一表面之上；<br/> 一封裝基板，透過複數個焊料連接件接合到該中介層的一第二表面； <br/> 一模制部分，接觸該中介層的該第二表面並橫向圍繞該封裝基板，其中複數個接合焊墊暴露於該封裝基板的與該中介層相對的一下表面，其中該模制部分的一表面與該封裝基板的該下表面共面；以及<br/> 複數個焊球，接觸透過該封裝基板的該下表面暴露的該些接合焊墊並用於將該半導體封裝安裝到一支撐基板。
如請求項1之半導體封裝，其中該封裝基板包括一封裝基板寬度尺寸，該封裝基板寬度尺寸小於該中介層的一對應的中介層寬度尺寸。
如請求項1之半導體封裝，其中複數個半導體積體電路晶粒安裝在該中介層的該第一表面之上，且該模制部分包括一第二模制部分，其中該半導體封裝更包括：<br/> 複數個第一接合結構，將該些半導體積體電路晶粒接合到該中介層的該第一表面；<br/> 一底部填充材料部分，位於該些半導體積體電路晶粒與該中介層的該第一表面之間並橫向圍繞該些第一接合結構；<br/> 一第一模制部分，橫向圍繞該些半導體積體電路晶粒；以及<br/> 複數個第二接合結構，包括該些焊料連接件，將該封裝基板接合到該中介層的該第二表面，其中該第二模制部分至少部分地在該封裝基板與該中介層的該第二表面之間的空間內延伸。
如請求項3之半導體封裝，其中該半導體封裝的多個側表面由該第一模制部分、該中介層和該第二模制部分形成。
如請求項4之半導體封裝，更包括安裝到該第一模制部分的一上表面的一環結構和一蓋結構中的至少一者。
如請求項1之半導體封裝，更包括接合到該中介層的該第二表面的一功能部件，其中該功能部件的至少一部分位於該中介層的該第二表面與該封裝基板之間。
一種半導體封裝，包括：<br/> 一中介層；<br/> 至少一半導體積體電路晶粒，安裝在該中介層的一第一表面之上；<br/> 複數個封裝基板，透過複數個焊料連接件接合到該中介層的一第二表面； <br/> 一模制部分，接觸該中介層的該第二表面並位於該些封裝基板中的相鄰封裝基板之間的一間隙中，其中複數個接合焊墊暴露於該些封裝基板的與該中介層相對的複數個下表面，其中該模制部分的一表面與該些封裝基板的該些下表面共面；以及<br/> 複數個焊球，接觸透過該些封裝基板的該些下表面暴露的該些接合焊墊並用於將該半導體封裝安裝到一支撐基板。
如請求項7之半導體封裝，其中該模制部分橫向圍繞該些封裝基板中的每一者，且在該些封裝基板的外周與該中介層的外圍之間的該模制部分的一厚度為至少40µm。
一種製造半導體封裝的方法，包括：<br/> 將至少一半導體積體電路晶粒安裝在一中介層的一第一表面之上；<br/> 將一封裝基板透過複數個焊料連接件接合到該中介層的一第二表面之上，其中該封裝基板的至少一水平尺寸小於該中介層的一對應的水平尺寸； <br/> 在該中介層的該第二表面之上形成一模制部分並橫向圍繞該封裝基板，其中複數個接合焊墊暴露於該封裝基板的與該中介層相對的一下表面，其中該模制部分的一表面與該封裝基板的該下表面共面；以及<br/> 形成複數個焊球，該些焊球接觸透過該封裝基板的該下表面暴露的該些接合焊墊並用於將該半導體封裝安裝到一支撐基板。
如請求項9之製造半導體封裝的方法，更包括：<br/> 在一載體基板上提供一封裝結構，該封裝結構包括該中介層和安裝到該中介層的該第一表面的該至少一半導體積體電路晶粒，其中當該封裝結構位於該載體基板上時，該封裝基板安裝到該中介層的該第二表面，且該模制部分形成在該中介層的該第二表面之上並橫向圍繞該封裝基板；以及<br/> 使用一平坦化製程去除該模制部分在該封裝基板的該下表面上方延伸的部分，使得該模制部分的該表面與該封裝基板的該下表面共面。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一光源，包含複數個發光單元；<br/> 一電路板，各該發光單元設置於該電路板上；<br/> 一格柵結構，設置於該光源上方，並可相對該光源左右移動；<br/> 一光遮斷器；及<br/> 一控制器及一驅動器，<br/> 其中，當該格柵結構未遮蔽該光遮斷器時，該控制器讀取該光遮斷器的訊號後控制該驅動器輸出一第一訊號給該光源，且當該格柵結構遮蔽該光遮斷器時，該控制器讀取該光遮斷器的訊號後控制該驅動器輸出一第二訊號給該光源，其中該第二訊號的強度大於該第一訊號的強度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中當該光源接收該第一訊號後，該光源穿透該格柵結構中間區域所發出的亮度約略等於當該光源接收該第二訊號後，該光源經由該格柵結構二側區域所發出的亮度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中各該發光單元包含一紅光發光二極體、一綠光發光二極體及一藍光發光二極體。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該光遮斷器設置於該電路板上使該格柵結構左右移動時可遮蔽或未遮蔽該光遮斷器。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該格柵結構包含複數個格柵單元，各該格柵單元包含一左側格柵及一右側格柵，其中該左側格柵及該右側格柵二者間相距一間隔，當該格柵結構未遮蔽該光遮斷器時，各該發光單元穿透其上方之各該格柵單元之該左側格柵及該右側格柵二者間之該間隔發出光線，當該格柵結構遮蔽該光遮斷器時，各該發光單元經由其上方之各該格柵單元之該左側格柵及該右側格柵二側區域發出光線。
如請求項5所述之顯示裝置，其中各該格柵單元中該左側格柵及該右側格柵之一格柵寬度約為該發光單元之一特徵尺寸的0.5至20倍，且該特徵尺寸係指該發光單元之一有效直徑或一有效側邊長度。
如請求項6所述之顯示裝置，其中各該格柵單元與該電路板間之一距離約為各該格柵單元中該左側格柵及該右側格柵之該格柵寬度之1至20倍。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示裝置之一橫向寬度不小於該顯示裝置與一觀察者間之一距離的5倍以上時，對應該觀察者之左、右眼於該第一訊號與該第二訊號中輸出不同訊號，該觀察者可實質獲得一立體顯示。
一種在配置於一製程腔室中的一矽基板上沉積AlN的方法，所述方法包括： <br/>在所述製程腔室中配置一鋁靶； <br/>向所述製程腔室提供包括一惰性氣體及氮的一製程氣體組成； <br/>藉由提供一電場及一磁場來將所述製程氣體組成離子化，使得形成惰性氣體離子及氮離子的一吸氣劑； <br/>在將一正偏壓施加在所述矽基板上的同時濺射所述鋁靶；以及 <br/>在所述矽基板上沉積一鋁與氮的磊晶層， <br/>其中，所述正偏壓作為一DC偏壓來施加，所述DC偏壓的偏壓在1 kV至5 kV的範圍內，所述DC偏壓的功率在900 W至1500 W的範圍內，且所述DC偏壓更以在10kHz到350kHz範圍內的頻率脈衝形式產生， <br/>其中，藉由將所述正偏壓施加在所述矽基板上，使輝光放電以及因此惰性氣體離子及氮離子的所述吸氣劑位移朝向所述矽基板，從而將鋁離子及氮離子吸引至所述矽基板，鋁離子及氮離子的所述吸氣劑將沉積在所述矽基板上，進一步吸引濺射之鋁及離子化的氮，由此，促進了矽基板上的AlN磊晶層的成長。
如請求項1所述的方法，其中所述矽基板具有＜111＞的一晶向。
如請求項1所述的方法，其中所述製程氣體組成在提供給所述製程腔室時具有低於2毫托的一總壓力。
如請求項1所述的方法，其中所述矽基板及所述鋁靶基本上平行的，且經配置成彼此相距在自1 cm至10 cm (包括1 cm及10 cm)之範圍內的距離。
如請求項1所述的方法，其中在濺射期間所述製程腔室中的一總壓力低於7.5毫托(1 Pa)。
如請求項1所述的方法，進一步包括在濺射所述鋁靶之前藉由所述惰性氣體濺射所述矽基板。
如請求項1所述的方法，進一步包括在將所述矽基板配置在所述製程腔室中之前用HF對所述矽基板進行濕式蝕刻。
如請求項7所述的方法，其中在濺射所述矽基板與在所述矽基板上沉積一鋁與氮的磊晶層之間的一時間少於20分鐘。
如請求項7所述的方法，其中在對所述矽基板進行濕式蝕刻與在所述矽基板上沉積一鋁與氮的磊晶層之間的一時間少於20分鐘。
如請求項1所述的方法，其中所述鋁靶與所述矽基板同軸。
如請求項1所述的方法，其中所述製程氣體組成包括氬，並且其中一氮分壓在0.2毫托至0.3毫托的範圍內，一氬分壓在0.1毫托至3毫托的範圍內。
如請求項1所述的方法，進一步包括將所述基板加熱至在600°C至1200°C之範圍內的一溫度。
一種排程方法，由具一處理器之一排程系統進行且包含： <br/>獲取至少一筆訂單資訊及複數個產線限制資訊； <br/>根據該至少一筆訂單資訊及該些產線限制資訊產生一初始排程； <br/>對該初始排程進行一啟發式演算法以產生一優化排程，其中該優化排程對應於一第一目標函數，該第一目標函數之參數包含一訂單逾期罰款、一成品庫存成本、一訂單逾期時間及一訂單提前完成時間； <br/>評估該優化排程下之該至少一筆訂單資訊的一訂單達交率；以及 <br/>根據該訂單達交率判斷是否執行一加班決策模式，其中當該訂單達交率符合一預設達交率時，輸出該優化排程，以及當該訂單達交率不符合該預設達交率時，執行該加班決策模式並產生一加班排程，其中該加班排程對應於一第二目標函數，該第二目標函數之參數包含該訂單逾期罰款、該成品庫存成本、該訂單逾期時間、該訂單提前完成時間、一加班成本及一加班時間。
如請求項1所述的排程方法，其中執行該加班決策模式還包含： <br/>獲取一機台加班資訊及一人員加班資訊； <br/>根據該機台加班資訊及該人員加班資訊估算出該加班成本及一加班量；以及 <br/>根據該加班量及該加班成本調整該優化排程，以產生該加班排程。
如請求項2所述的排程方法，其中根據該加班量及該加班成本調整該優化排程還包含： <br/>根據該加班量及該加班成本調整該優化排程的該第一目標函數為該第二目標函數，並調整該第二目標函數中之該訂單逾期罰款及該成品庫存成本的權重；以及 <br/>判斷該第二目標函數是否達到一終止條件，其中當該第二目標函數達到該終止條件時，發布調整後的該優化排程作為該加班排程，且其中該加班排程符合該預設達交率。
如請求項3所述的排程方法，其中該機台加班資訊包含一機台運行數量、一機台運行日程及一機台運行成本。
如請求項3所述的排程方法，其中該人員加班資訊包含一人員班表、一人員製程能力及一人員可加班時數上下限及一人員加班成本。
如請求項1所述的排程方法，其中該些產線限制資訊包含一訂單交期、一進料情況、一製程難度、一生產耗時、一機台製程能力及一客戶重要性。
如請求項1所述的排程方法，其中該至少一筆訂單資訊的每一者包含一產品名稱、一生產數量，以及該產品名稱所對應的一製程編號、一機台編號及一製程名稱。
一種排程系統，包含： <br/>一處理器，設置以進行： <br/>接收至少一筆訂單資訊及複數個產線限制資訊； <br/>根據該至少一筆訂單資訊及該些產線限制資訊產生一初始排程； <br/>對該初始排程進行一啟發式演算法以產生一優化排程，其中該優化排程對應於一第一目標函數，該第一目標函數之參數包含一訂單逾期罰款、一成品庫存成本、一訂單逾期時間及一訂單提前完成時間；以及 <br/>根據該優化排程下之該至少一筆訂單資訊的一訂單達交率判斷是否執行一加班決策模式，其中當該訂單達交率符合一預設達交率時，輸出該優化排程，以及當該訂單達交率不符合該預設達交率時，執行該加班決策模式並產生一加班排程，其中該加班排程對應於一第二目標函數，該第二目標函數之參數包含該訂單逾期罰款、該成品庫存成本、該訂單逾期時間、該訂單提前完成時間、一加班成本及一加班時間。
如請求項8所述的排程系統，其中該處理器還設置以進行： <br/>獲取一機台加班資訊及一人員加班資訊； <br/>根據該機台加班資訊及該人員加班資訊估算出該加班成本及一加班量；以及 <br/>根據該加班量及該加班成本調整該優化排程，以產生該加班排程。
如請求項9所述的排程系統，其中該處理器還設置以進行： <br/>根據該加班成本及該加班量調整該優化排程的該第一目標函數為該第二目標函數，並調整該第二目標函數中之該訂單逾期罰款及該成品庫存成本的權重；以及 <br/>判斷該第二目標函數是否達到一終止條件，其中當該第二目標函數達到該終止條件，發布調整後的該優化排程作為該加班排程，且其中該加班排程符合該預設達交率。
一種調適來安裝至自行車之車架的座桿總成，其包含：<br/> 一第一管，其可沿著一軸線在一第一位置與一第二位置之間移動；<br/> 一第二管，其可沿著該軸線相對於該第一管而在一縮回位置與一延伸位置之間伸縮地移動；<br/> 一定位總成，其組配來相對於該第一管可調整地定位該第二管；以及<br/> 一電氣致動器，其經調適來在該第一管從該第一位置移動至該第二位置時自動電氣連接至一電源，且其中該電氣致動器經調適來在該第一管從該第二位置移動至該第一位置時自動與該電源電氣斷開，其中該電氣致動器為可移動的，來在該第一管位於該第二位置時，響應於經調適從該電源被傳輸的一電流而致動該定位總成，以相對於該第一管可調整地定位該第二管。
如請求項1之座桿總成，其中該電氣致動器在該第一管位於該第二位置時，響應於經調適從該電源被傳輸的一電流，而可在第一位置與第二位置之間移動，該定位總成包含一閥，其可在該電氣致動器位於該第一位置時的一關閉位置與該電氣致動器位於該第二位置時的一打開位置之間致動。
如請求項1之座桿總成，其中該電氣致動器為一感應供電致動器。
如請求項1之座桿總成，其中該電氣致動器為一螺線管致動器。
如請求項1之座桿總成，其進一步包含連接至該電氣致動器的一電氣連接器。
如請求項5之座桿總成，其中該電氣連接器係從該第一管之一端延伸。
如請求項6之座桿總成，其中該電氣連接器包含一正電壓端子，且其中該第一管為導電的且界定一負電壓端子。
如請求項6之座桿總成，其中該電氣連接器包含負電壓端子及正電壓端子。
如請求項6之座桿總成，其中該電氣連接器包含一可撓性導線、一端部端子及一偏壓構件，其中該端部端子可移動朝向該第一管之該端及遠離該第一管之該端，且其中該偏壓構件將該端部端子偏壓遠離該第一管之該端。
如請求項9之座桿總成，其中該可撓性導線被盤繞且界定一彈簧。
如請求項9之座桿總成，其中該端部端子包含一磁性材料或一鐵磁性材料。
如請求項11之座桿總成，其中該磁性材料具有小於或等於50N之一磁力。
如請求項9之座桿總成，其中該端部端子包含一環狀接點，其界定負端子或正端子中之一者。
如請求項13之座桿總成，其中該端部端子進一步包含一中心軸接點，其界定負端子或正端子中之另一者。
如請求項14之座桿總成，其中該環狀接點包含一最外的第一環狀接點，且其中該端部端子進一步包含一第二環狀接點，其安置在該中心軸接點與該第一環狀接點之間，其中該第二環狀接點界定一信號接點。
如請求項1之座桿總成，其進一步包含：該電源，其位於該第一管及該第二管之遙遠處；以及一電源連接器，其從該電源延伸，其中電源連接器包含一可撓性導線及一端部端子，其中當該第一管位於該第一位置時，該端部端子可移動朝向該第一管之一端及遠離該第一管之該端。
如請求項16之座桿總成，其中該可撓性導線被盤繞，且形成界定一偏壓構件的一彈簧。
如請求項16之座桿總成，其中該端部端子包含界定一偏壓構件之一磁性或鐵磁性材料。
一種調適來安裝至自行車之車架的座桿總成，其包含：<br/> 一第一管，其具有一第一端及一第二端；<br/> 一第二管，其可沿著一軸線相對於該第一管而在一縮回位置與一延伸位置之間伸縮地移動；<br/> 一電氣連接器，其從該第一管之該第一端延伸，其中該電氣連接器包含一端部端子，該端部端子可移動朝向該第一管之該第一端及遠離該第一管之該第一端移動，其中該電氣連接器包含一偏壓構件，其組配來將該端部端子偏壓遠離該第一管之該第一端；<br/> 一電氣致動器，其電氣連接至該電氣連接器，其中該電氣致動器響應於經調適透過該電氣連接器傳輸的一電流，而可在第一位置與第二位置之間移動；以及<br/> 一閥，其可在該電氣致動器位於該第一位置時的一關閉位置與該電氣致動器位於該第二位置時的一打開位置之間致動。
如請求項19之座桿總成，其中該端部端子包含一正電壓端子，且其中該第一管為導電的且界定一負電壓端子。
如請求項19之座桿總成，其中該端部端子包含負電壓端子及正電壓端子。
如請求項19之座桿總成，其中該電氣連接器包含一經盤繞的可撓性導線，且該經盤繞的可撓性導線界定一彈簧。
如請求項19之座桿總成，其中該電氣連接器包含界定該偏壓構件的一彈簧。
如請求項19之座桿總成，其中該偏壓構件包含一磁性或鐵磁性材料。
如請求項19之座桿總成，其進一步包含一接收器管體，其中該第一管之該第一端插入該接收器管體中，且其中該接收器管體包含一導引表面，其相對於該軸線形成小於90度之一角度，其中當該第一管插入該接收器管體中時，該導引表面可與該端部端子銜接。
如請求項25之座桿總成，其中該導引表面具有一截頭錐形形狀。
一種組織治療導管，其包括： <br/>一導管軸件，其具有一遠端軸件端、一流體腔、一導線口及一導線腔，其中該導線腔自該遠端軸件端延伸至該導線口； <br/>一球囊，其經安裝於該導管軸件上且具有與該流體腔流體連通之一內部； <br/>一超音波傳感器，其經定位於該內部中且具有一傳感器腔；及 <br/>一隔離管，其延伸通過該傳感器腔及該導線腔而至該遠端軸件端與該導線口之間的一近端管端，其中該隔離管包含一旋桿，該旋桿包含一彎曲，且該旋桿縱向地處於該超音波傳感器與該導管軸件之間。
如請求項1之組織治療導管，其中該導線口延伸通過該導管軸件之一側壁而至該導線腔中，且其中該近端管端經安置成比該遠端軸件端更靠近該導線口。
如請求項2之組織治療導管，其中該近端管端經安置於該導線口處。
如請求項1之組織治療導管，其進一步包括延伸通過該導線腔接近該隔離管之一穩定部件。
如請求項4之組織治療導管，其中該穩定部件包含一平坦遠端部分及一修圓近端部分。
如請求項1之組織治療導管，其中該導管軸件包含一電纜腔，且進一步包括延伸通過該電纜腔以將能量輸送至該超音波傳感器之一電纜。
一種組織治療導管，其包括： <br/>一導管軸件，其具有一中心軸線、一流體腔及一導線腔，其中該導線腔具有自該中心軸線徑向偏移之一腔軸線； <br/>一球囊，其經安裝於該導管軸件上且具有與該流體腔流體連通之一內部； <br/>一超音波傳感器，其經安置於該內部中且具有一傳感器腔，其中該中心軸線延伸通過該傳感器腔；及 <br/>一隔離管，其沿該中心軸線延伸通過該傳感器腔及沿該腔軸線通過該導線腔，其中該隔離管包含一旋桿，該旋桿包含一彎曲，且該旋桿縱向地處於該超音波傳感器與該導管軸件之間。
如請求項7之組織治療導管，其中該傳感器腔在該中心軸線上居中。
如請求項7之組織治療導管，其中該傳感器腔之一傳感器軸線比該腔軸線更靠近該中心軸線。
如請求項7之組織治療導管，其中該傳感器腔之一傳感器軸線與該中心軸線同軸對準。
如請求項7之組織治療導管，其中該隔離管包含遠離該旋桿之一遠端管軸線及接近該旋桿之一近端管軸線，其中該遠端管軸線不與該近端管軸線同軸，且其中該近端管軸線與該腔軸線同軸。
如請求項11之組織治療導管，其中該遠端管軸線比該腔軸線更靠近該傳感器腔之一傳感器軸線或該導管軸件之該中心軸線，且其中該近端管軸線比該傳感器軸線或該中心軸線更靠近該腔軸線。
如請求項7之組織治療導管，其中該導管軸件包含一遠端導管端處之一凹口，且其中該旋桿接收於該凹口內。
如請求項13之組織治療導管，其進一步包括該旋桿與該遠端導管端之間的一黏著接頭。
如請求項7之組織治療導管，其中該導管軸件包含一電纜腔，且進一步包括延伸通過該電纜腔以將能量輸送至該超音波傳感器之一電纜。
如請求項7之組織治療導管，其中該隔離管包含具有一黏連層之一核心管。
如請求項16之組織治療導管，其中該核心管由聚醯亞胺形成，且其中該黏連層包含胺基甲酸酯塗層。
如請求項16之組織治療導管，其中該黏連層具有5微米至15微米之一範圍內之一厚度。
如請求項1之組織治療導管，其中該導管軸件另具有一電纜腔，所述流體腔包括一第一流體腔及一第二流體腔，該球囊之該內部與該第一流體腔及該第二流體腔流體連通，且其進一步包括： <br/>一腔心，其經耦合至該導管軸件且包含與該第一流體腔流體連通之一第一流體管及與該第二流體腔流體連通之一第二流體管，其中該第一流體管及該第二流體管依一Y形構形自該導管軸件之一縱向軸線向外延伸；及 <br/>一電連接器，其經耦合至徑向地處於該第一流體管與該第二流體管之間的該腔心。
如請求項19之組織治療導管，其中該腔心包含一內模具，其具有經耦合至該導管軸件之一遠端應變釋放件，其中該內模具容納該第一流體管及該第二流體管之遠端以使該第一流體管及該第二流體管與該第一流體腔及該第二流體腔流體連通，且其中該內模具具有與該電纜腔連通之一中心電纜通道。
如請求項20之組織治療導管，其中該內模具包含該第一流體管與該第二流體管之間的一近端凹口，且其中該腔心包含包圍該內模具以形成該近端凹口內之一接收穴之一心殼。
如請求項21之組織治療導管，其進一步包括自該電連接器延伸之一延伸電纜，其中該延伸電纜包含經安裝於該接收穴內之一連接器外殼。
如請求項22組織治療導管，其中該延伸電纜長於該第一流體管及該第二流體管。
如請求項22之組織治療導管，其中該延伸電纜包含該連接器外殼內之一修補板，其中該修補板包含一基板上之一遠端電觸點及該基板上之一近端電觸點，其中一電纜自該遠端電觸點延伸通過該電纜腔，且其中一延伸電纜線自該近端電觸點延伸至該延伸電纜之一近端連接器。
如請求項22之組織治療導管，其中該內模具或該心殼之一或多者包含一槽，且其中該連接器外殼之一鍵經定位於該槽中。
如請求項19之組織治療導管，其進一步包括延伸通過該電纜腔之一張力部件，其中該張力部件環繞一心殼之一柱。
一種用於組織治療之裝置之製造方法，其包括： <br/>將一遠端導管子總成之一隔離管嵌入至一中間導管子總成之一導管軸件之一導線腔中，其中該遠端導管子總成包含經安裝於該隔離管上之一超音波傳感器及容納該超音波傳感器之一球囊，且其中該導管軸件包含與該球囊之一內部流體連通之一第一流體腔及一第二流體腔； <br/>將該中間導管子總成之一電纜結合至一近端導管子總成之一修補板，其中該近端導管子總成包含容納該修補板之一連接器外殼及自該修補板近端延伸至一近端連接器之一延伸電纜線；及 <br/>將該連接器外殼之一鍵定位於該近端導管子總成之一腔心之一槽中。
如請求項27之方法，其進一步包括將該隔離管附接至該導管軸件。
一種用於組織治療之裝置之製造方法，其包括： <br/>將一塑形心軸嵌入至一隔離管之一隔離管腔中，其中該塑形心軸包含一心軸旋桿，且其中該隔離管包含具有一黏連層之一核心管； <br/>加熱設定該隔離管，使得該心軸旋桿於該核心管或該黏連層之一或多者中設定一旋桿；及 <br/>將該隔離管嵌入至一導管軸件之一導線腔中。
如請求項29之方法，其中該核心管由聚醯亞胺形成，且其中該黏連層包含胺基甲酸酯塗層。
如請求項29之方法，其中該黏連層具有5微米至15微米之一範圍內之一厚度。
一種組織治療導管，其包括： <br/>一導管軸件，其具有一遠端軸件端、一導線口及一導線腔，其中該導線腔自該遠端軸件端延伸至該導線口； <br/>一傳感器，其具有一傳感器腔；及 <br/>一隔離管，其延伸通過該傳感器腔及該導線腔而至該導線口，其中該隔離管包含一旋桿，該旋桿包含一彎曲，且該旋桿縱向地處於該傳感器與該導管軸件之間。
一種形成互補式場效電晶體（CFET）元件的方法，包括：<br/> 在鰭上形成奈米結構，其中所述奈米結構包括：<br/> 下奈米結構，包括交錯設置的第一虛設材料的層與第一半導體材料的層；<br/> 上奈米結構，位於所述下奈米結構上且包括交錯設置的所述第一虛設材料的層與所述第一半導體材料的層；<br/> 第二虛設材料，位於所述下奈米結構和所述上奈米結構之間；<br/> 第一蝕刻停止層（ESL），位於所述下奈米結構和所述第二虛設材料之間；以及<br/> 第二蝕刻停止層，位於所述上奈米結構和所述第二虛設材料之間；<br/> 在所述奈米結構的第一部分上形成虛設閘極結構；<br/> 形成與所述虛設閘極結構相鄰並延伸穿過所述奈米結構的源極/汲極開口；<br/> 形成所述源極/汲極開口後，從所述奈米結構中選擇性移除所述第二虛設材料，以在所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層之間形成間隙；<br/> 用隔離結構填充所述間隙；以及<br/> 填充所述間隙後，依序在所述源極/汲極開口中形成第一源極/汲極區、介電結構以及第二源極/汲極區。
如請求項1所述的方法，其中所述第一蝕刻停止層、所述第二蝕刻停止層和所述第一半導體材料由相同的半導體材料形成，其中所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層形成為比所述奈米結構的所述第一半導體材料的所述層更薄。
一種互補式場效電晶體元件，包括：<br/> 鰭；<br/> 多個第一通道區，垂直設置在所述鰭上；<br/> 多個第二通道區，垂直設置在所述多個第一通道區上；<br/> 隔離結構，位於所述多個第一通道區與所述多個第二通道區之間；<br/> 第一蝕刻停止層，位於面向所述鰭的所述隔離結構的下表面上；<br/> 第二蝕刻停止層，位於遠離所述鰭的所述隔離結構的上表面上，其中所述第一蝕刻停止層、所述第二蝕刻停止層、所述多個第一通道區以及所述多個第二通道區是相同的半導體材料；<br/> 第一源極/汲極區，位於所述多個第一通道區的相對端處；<br/> 第二源極/汲極區，位於所述多個第二通道區的相對端處；<br/> 介電結構，位於所述隔離結構的相對端處，且垂直設置在所述第一源極/汲極區和所述第二源極/汲極區之間；<br/> 第一閘極結構，在所述多個第一通道區周圍；以及<br/> 第二閘極結構，在所述多個第二通道區周圍，其中遠離所述鰭的所述介電結構的上表面比面向所述鰭的所述多個第二通道區的最下表面更接近所述鰭，其中面向所述鰭的所述介電結構的下表面比遠離所述鰭的所述多個第一通道區的最上表面更遠離所述鰭。
如請求項3所述的互補式場效電晶體元件，其中所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層比所述多個第一通道區和所述多個第二通道區薄。
如請求項3所述的互補式場效電晶體元件，還包括： <br/> 第一內間隙壁，橫向設置在所述第一閘極結構和所述第一源極/汲極區之間；以及<br/> 第二內間隙壁，橫向設置在所述第二閘極結構和所述第二源極/汲極區之間。
如請求項5所述的互補式場效電晶體元件，其中所述介電結構接觸並沿著所述隔離結構的側壁、所述第一蝕刻停止層的側壁、所述第二蝕刻停止層的側壁、所述第一內間隙壁的最上面的側壁以及所述第二內間隙壁的最下面的側壁延伸。
如請求項3所述的互補式場效電晶體元件，還包括： <br/> 第一介面層，嵌入在所述隔離結構和所述第一閘極結構之間的所述第一蝕刻停止層中；以及<br/> 第二介面層，嵌入在所述隔離結構和所述第二閘極結構之間的所述第二蝕刻停止層中，其中所述第一介面層和所述第二介面層是所述第一蝕刻停止層的所述半導體材料的氧化物。
一種互補式場效電晶體元件，包括：<br/> 基底；<br/> 鰭，突出於所述基底上；<br/> 第一通道區，垂直堆疊在所述鰭上；<br/> 第二通道區，垂直堆疊在所述第一通道區上；<br/> 隔離結構，位於所述第一通道區和所述第二通道區之間；<br/> 第一閘極結構，位於所述第一通道區周圍；<br/> 第二閘極結構，位於所述第二通道區周圍；<br/> 第一蝕刻停止層，沿著面向所述基底的所述隔離結構的下表面延伸；<br/> 第二蝕刻停止層，沿著遠離所述基底的所述隔離結構的上表面延伸，其中所述第一通道區、所述第二通道區、所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層是半導體材料；<br/> 第一介面層，嵌入在所述隔離結構和所述第一閘極結構之間的所述第一蝕刻停止層中；<br/> 第二介面層，嵌入在所述隔離結構和所述第二閘極結構之間的所述第二蝕刻停止層中，其中所述第一介面層和所述第二介面層是所述半導體材料的氧化物；<br/> 第一源極/汲極區，位於所述第一通道區的相對端處；<br/> 第二源極/汲極區，位於所述第二通道區的相對端處；以及<br/> 介電結構，位於所述隔離結構相對端處，其中所述介電結構分開所述第一源極/汲極區和所述第二源極/汲極區。
如請求項8所述的互補式場效電晶體元件，其中在沿著所述多個第一通道區的與縱向方向垂直的方向的剖面中，所述第一介面層和所述第二介面層中的一者具有U形形狀。
一種組合物，其包含： <br/>溶劑； <br/>穩定添加劑；及 <br/>分散於該組合物之非均勻顆粒，其中該等非均勻顆粒包含含有金屬奈米線之第一種類型顆粒及含有碳奈米管之第二種類型顆粒， <br/>其中該組合物形成共穩定分散液，其中該第一種及第二種類型顆粒至少一週不發生不可逆之聚集。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒及該第二種類型顆粒中之一者或兩者係長度對直徑比超過約1之剛性桿顆粒。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒及該第二種類型顆粒係長度對直徑比超過約1之剛性桿顆粒。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒係金屬奈米線。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒係銀奈米線。
如請求項1之組合物，其中該第二種類型顆粒係碳奈米管。
如請求項1之組合物，其中該第二種類型顆粒係選自單壁碳奈米管、雙壁碳奈米管、多壁碳奈米管、其化學衍生物及其組合之群。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒係金屬奈米線，且該第二種類型顆粒係碳奈米管。
如請求項1之組合物，其中該第一種類型顆粒係銀奈米線，且該第二種類型顆粒係碳奈米管。
如請求項1之組合物，其中該穩定添加劑包含表面活性劑。
如請求項10之組合物，其中該表面活性劑係選自由下列所組成之群：聚(甲基丙烯酸)、聚(丙烯酸)、聚(馬來酸)、聚(乙烯基膦酸)、聚(苯乙烯磺酸)、聚(乙烯基胺)鹽酸鹽、聚(L-離胺酸氫溴酸鹽)、聚(烯丙基胺鹽酸鹽)、聚(2-乙烯基-1-甲基吡啶鎓溴化物)、幾丁聚醣、聚(乳酸)、右旋糖酐、聚三葡萄糖、聚乙烯亞胺、聚(乙烯基苄基三甲基氯化銨)、Triton X-100、Triton X-35、Brij 98、Brij 58、Brij 35、Tween 20、Sarkosyl、十二烷基硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、四丁基溴化銨、四丁基溴化鏻、四丁基氫氧化鏻、Span 20、聚乙烯基吡咯啶及其組合。
如請求項1之組合物，其中該穩定添加劑包含聚合添加劑。
如請求項12之組合物，其中該聚合添加劑係選自由下列所組成之群：聚乙烯基吡咯啶(PVP)、聚(甲基丙烯酸)、聚(丙烯酸)、聚(馬來酸)、聚(乙烯基膦酸)、聚(苯乙烯磺酸)、聚丙烯醯胺、聚醚醯亞胺、聚(乙烯基胺)鹽酸鹽、聚(L-離胺酸氫溴化物)、聚(烯丙基胺鹽酸鹽)、聚(4-胺基苯乙烯)、聚(乙二醇)雙(2-胺基乙基)、聚(2-乙烯基-1-甲基吡啶鎓溴化物)、幾丁聚醣、聚(丙交酯-共-乙交酯)、聚(乳酸)、聚己內酯、右旋糖酐、纖維素及纖維素衍生物、聚三葡萄糖、聚乙二醇、聚乙烯亞胺、聚乙烯醇、聚(馬來酸酐)、聚丙烯腈、聚(丙烯醯氯)、聚(乙烯基苄基氯)、聚(乙烯基苄基三甲基氯化銨)及其組合。
如請求項1之組合物，其中當該組合物藉由沈積於表面上而形成膜後，該穩定添加劑可藉由以水或溶劑洗滌該組合物而去除。
如請求項1之組合物，其中該組合物包含共溶劑。
如請求項1之組合物，其中該溶劑包含水。
如請求項1之組合物，其中該溶劑包含有機溶劑。
如請求項12之組合物，其中該聚合添加劑包含纖維素或纖維素衍生物。
一種電源管理方法，適用於一電源供應裝置，包括：<br/> 在一備援模式下，使為一主電源供應器的一第一電源供應器接收一功率設定值，並限制該主電源供應器的一第一輸出功率值不大於該功率設定值； <br/> 在該備援模式下，使為一從電源供應器的一第二電源供應器被啟動，並控制該從電源供應器的輸出功率為一第二輸出功率值，其中該第二輸出功率值根據該電源供應裝置的一總負載量與該第一輸出功率值的差來設定；<br/> 在該備援模式下，使該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者根據該功率設定值、其內部電流訊號、該電源供應裝置的一外部電流訊號以及一外部電壓訊號來產生一控制資訊；<br/> 根據該控制資訊以產生一功率設定信號；<br/> 根據該外部電流訊號以及該外部電壓訊號來獲知負載裝置所需要的該總負載量；以及<br/> 根據該控制資訊和該內部電流訊號來判斷該第一電源供應器所需要提供的該第一輸出功率值。
如請求項1所述的電源管理方法，更包括：<br/> 當該功率設定值大於該總負載量時，使該從電源供應器被關閉。
如請求項1所述的電源管理方法，更包括：<br/> 透過調整該主電源供應器的輸出電壓來調整該主電源供應器的該第一輸出功率值。
如請求項1所述的電源管理方法，更包括：<br/> 當該主電源供應器發生故障時，使該從電源供應器的該第二輸出功率值提升至等於該電源供應裝置的該總負載量。
如請求項1所述的電源管理方法，更包括：<br/> 在一通常模式下，使該主電源供應器的該第一輸出功率值與該從電源供應器的該第二輸出功率值均為該電源供應裝置的該總負載量的一半。
如請求項1所述的電源管理方法，更包括：<br/> 切換該第一電源供應器為該從電源供應器，並切換該第二電源供應器為該主電源供應器。
一種伺服器系統，包括：<br/> 一負載裝置；以及<br/> 一電源供應裝置，耦接該負載裝置，包括：<br/> 一第一電源供應器，被設置為一主電源供應器；以及<br/> 一第二電源供應器，被設置為一從電源供應器，與該第一電源供應器相互並聯耦接，<br/> 其中，在一備援模式下，該主電源供應器接收一功率設定值，該主電源供應器提供的一第一輸出功率值不大於該功率設定值，該負載裝置根據該電源供應裝置的一總負載量與該第一輸出功率值的差來設定該從電源供應器所提供的一第二輸出功率值，<br/> 其中，該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者根據該功率設定值、其內部電流訊號、該電源供應裝置的一外部電流訊號以及一外部電壓訊號來產生一控制資訊，並根據該控制資訊以產生一功率設定信號，<br/> 其中，該第一電源供應器根據該外部電流訊號以及該外部電壓訊號來獲知負載裝置所需要的該總負載量，該第一電源供應器根據該控制資訊和該內部電流訊號來判斷所需要提供的該第一輸出功率值。
如請求項7所述的伺服器系統，其中當該功率設定值大於該總負載量時，該從電源供應器被關閉。
如請求項7所述的伺服器系統，其中該主電源供應器調整所產生的內部輸出電壓來調整該主電源供應器提供的該第一輸出功率值。
如請求項7所述的伺服器系統，其中當該主電源供應器發生故障時，該主電源供應器發送一故障信號至該負載裝置，該負載裝置根據該故障信號使該從電源供應器的該第二輸出功率值提升至等於該電源供應裝置的該總負載量。
如請求項7所述的伺服器系統，其中在一通常模式下，該主電源供應器的該第一輸出功率值與該從電源供應器的該第二輸出功率值均為該電源供應裝置的該總負載量的一半。
如請求項7所述的伺服器系統，其中該負載裝置發送命令以切換該第一電源供應器為該從電源供應器，並切換該第二電源供應器為該主電源供應器。
如請求項7所述的伺服器系統，其中該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者包括：<br/> 一控制器，根據該功率設定值、該第一電源供應器或該第二電源供應器的該內部電流訊號、該電源供應裝置的該外部電流訊號以及該外部電壓訊號來產生該功率設定信號；<br/> 一電源產生器，接收一輸入電壓，並根據一脈寬調變信號以產生一內部輸出電壓；以及<br/> 一脈寬調變信號產生器，耦接該電源產生器以及該控制器，根據該功率設定信號來調整該脈寬調變信號。
如請求項13所述的伺服器系統，該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者更包括一電流偵測器，用以偵測該第一電源供應器或該第二電源供應器的該內部電流訊號。
如請求項13所述的伺服器系統，其中該控制器包括：<br/> 一數位信號處理電路，根據該功率設定值、該內部電流訊號、該外部電流訊號以及該外部電壓訊號以產生該控制資訊；以及<br/> 一功率設定電路，耦接至該數位信號處理電路，根據該控制資訊以產生該功率設定信號。
如請求項13所述的伺服器系統，其中該脈寬調變信號產生器包括：<br/> 一回授電路，接收該外部電壓訊號以產生一回授信號；以及<br/> 一週期信號產生電路，耦接該電源產生器、該控制器以及該回授電路，根據該回授信號以及該功率設定信號以產生該脈寬調變信號。
如請求項7所述的伺服器系統，其中該負載裝置包括：<br/> 一基板管理控制器，用以提供該功率設定值以及該第二輸出功率值。
如請求項15所述的伺服器系統，其中該主電源供應器的該數位信號處理電路將該控制資訊傳送至同在該主電源供應器內的該功率設定電路，並將該主電源供應器的該內部輸出電壓從第一電壓提升至第二電壓；該主電源供應器的該數位信號處理電路並用以確認主電源所承受的負載是否大於該功率設定值。
一種電源供應裝置，包括：<br/> 一第一電源供應器，被設置為一主電源供應器；以及<br/> 一第二電源供應器，被設置為一從電源供應器，與該第一電源供應器相互並聯耦接，<br/> 其中，在一備援模式下，該主電源供應器接收一功率設定值，該主電源供應器的一第一輸出功率值被限制為不大於該功率設定值，該從電源供應器的輸出功率為一第二輸出功率值，其中該第二輸出功率值根據該電源供應裝置的一總負載量與該第一輸出功率值的差來設定，<br/> 其中，該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者根據該功率設定值、其內部電流訊號、該電源供應裝置的一外部電流訊號以及一外部電壓訊號來產生一控制資訊，並根據該控制資訊以產生一功率設定信號，<br/> 其中，該第一電源供應器根據該外部電流訊號以及該外部電壓訊號來獲知負載裝置所需要的該總負載量，該第一電源供應器根據該控制資訊和該內部電流訊號來判斷所需要提供的該第一輸出功率值。
如請求項19所述的電源供應裝置，其中該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者包括：<br/> 一控制器，根據該功率設定值、該第一電源供應器或該第二電源供應器的該內部電流訊號、該電源供應裝置的該外部電流訊號以及該外部電壓訊號來產生該功率設定信號；<br/> 一電源產生器，接收一輸入電壓，並根據一脈寬調變信號以產生一內部輸出電壓；以及<br/> 一脈寬調變信號產生器，耦接該電源產生器以及該控制器，根據該功率設定信號來調整該脈寬調變信號。
如請求項19所述的電源供應裝置，該第一電源供應器以及該第二電源供應器的每一者更包括一電流偵測器，用以偵測該第一電源供應器或該第二電源供應器的該內部電流訊號。
如請求項19所述的電源供應裝置，其中該控制器包括：<br/> 一數位信號處理電路，根據該功率設定值、該內部電流訊號、該外部電流訊號以及該外部電壓訊號以產生該控制資訊；以及<br/> 一功率設定電路，耦接至該數位信號處理電路，根據該控制資訊以產生該功率設定信號。
如請求項19所述的電源供應裝置，其中該脈寬調變信號產生器包括：<br/> 一回授電路，接收該外部電壓訊號以產生一回授信號；以及<br/> 一週期信號產生電路，耦接該電源產生器、該控制器以及該回授電路，根據該回授信號以及該功率設定信號以產生該脈寬調變信號。
如請求項23所述的電源供應裝置，其中該回授電路包括：<br/> 一電流放大器，接收該內部電流訊號並產生一放大後內部電流訊號；以及<br/> 比較器，比較該放大後內部電流訊號與該功率設定值來產生該回授信號。
如請求項19所述的電源供應裝置，其中當該功率設定值大於該總負載量時，該從電源供應器被關閉；<br/> 其中當該主電源供應器發生故障時，該從電源供應器提升所產生的該第二輸出功率值至等於該電源供應裝置的該總負載量，<br/> 其中在一通常模式下，該主電源供應器的該第一輸出功率值與該從電源供應器的該第二輸出功率值均為該電源供應裝置的該總負載量的一半。
一種用於一自行車之高度可調式座桿，該高度可調式座桿包含：<br/> 一上管及一下管，其等組配成一伸縮配置，該下管之一下端將耦接至該自行車之一車架，該上管將耦接至一座椅；<br/> 一軸桿，其耦接至該下管且延伸至該上管中；<br/> 一活塞總成，其耦接至該軸桿且安置在該上管中，該活塞總成包括一活塞，其將該上管劃分成一第一腔室及一第二腔室，該第一腔室及該第二腔室係填充有流體；<br/> 一閥件，其可在一關閉狀態與一打開狀態之間操作，在該關閉狀態中該流體被阻擋而無法在該第一腔室與該第二腔室之間流動，該打開狀態使該流體能夠在該第一腔室與該第二腔室之間流動；以及<br/> 一螺線管，其控制該閥件，<br/> 其中該螺線管係安置在該上管與該下管之間的一重疊區中。
如請求項1之高度可調式座桿，其中該流體為加壓氣體。
如請求項1之高度可調式座桿，其中該螺線管係在該活塞中。
如請求項1之高度可調式座桿，其中該螺線管係耦接至該下管之一下端。
如請求項4之高度可調式座桿，其進一步包括可滑動地安置在該軸桿中的一推桿，該推桿耦接在該閥件與該螺線管之間，以使得該螺線管之促動致使該推桿改變該閥件之狀態。
如請求項4之高度可調式座桿，其進一步包含：<br/> 一控制模組，其用以促動該螺線管，該控制模組在該下管之一上端處或附近耦接至該下管之一外表面；以及<br/> 數條外電氣導線，其等安置在該下管中，該等電氣導線電氣耦接至該控制模組，該等外電氣導線延伸通過該下管至該螺線管。
如請求項1之高度可調式座桿，其中該螺線管包括一電樞，其中在該螺線管被促動時，該電樞係在一第一方向上移動以打開該閥件，且在該螺線管被停用時，該電樞係在一第二方向上移動以關閉該閥件。
如請求項7之高度可調式座桿，其中該螺線管包括一彈簧，其用以在該第二方向上偏壓該電樞。
如請求項7之高度可調式座桿，其中該閥件包括耦接至該電樞的一插塞，且其中該插塞及該電樞係經由該插塞上之一氣壓差在該第二方向上被偏壓。
如請求項9之高度可調式座桿，其中在該閥件處於該關閉狀態時該插塞上的一第一偏壓力係大於在該閥件處於該打開狀態時該插塞上的一第二偏壓力。
如請求項3之高度可調式座桿，其進一步包括：<br/> 一端帽，其耦接至該下管之該下端；<br/> 數條內導線，其等安置在該軸桿中，且在該端帽與該螺線管之間延伸；以及<br/> 一或多個電氣連接件，其在該端帽中，用以將該等內導線電氣耦接至一控制模組來促動該螺線管。
如請求項11之高度可調式座桿，其進一步包括在該下管中的數條外導線，該等外導線電氣耦接至該控制模組，該等外導線延伸通過該下管至該端帽，該控制模組在該下管之一上端處或附近耦接至該下管之一外表面，該一或多個電氣連接件電氣耦接該等內導線及該等外導線，以使得一電氣路徑形成於該控制模組與該螺線管之間。
一種用於一自行車之高度可調式座桿，該高度可調式座桿包含：<br/> 一上管及一下管，其等組配成一伸縮配置，該下管將耦接至該自行車之一車架，該上管將耦接至一座椅；<br/> 一端帽，其耦接至該下管之一下端；<br/> 一軸桿，其耦接至該下管且延伸至該上管中；<br/> 一活塞總成，其耦接至該軸桿且安置在該上管中，該活塞總成將該上管劃分成一第一腔室及一第二腔室，該活塞總成包括一螺線管；<br/> 一控制模組，其用以促動該螺線管；<br/> 數條內導線，其等安置在該軸桿中，且在該端帽與該螺線管之間延伸；以及<br/> 一或多個電氣連接件，其在該端帽中，用以將該等內導線電氣耦接至該控制模組，<br/> 其中該螺線管係安置在該上管與該下管之間的一重疊區中。
如請求項13之高度可調式座桿，其進一步包括安置在該下管中之數條外導線，該等外導線電氣耦接至該控制模組，該等外導線延伸通過該下管至該端帽，該控制模組耦接至該下管之一外表面，該端帽中之該一或多個電氣連接件用以電氣耦接該等外導線及該等內導線，以使得一電氣路徑形成於該控制模組與該螺線管之間。
如請求項14之高度可調式座桿，其中該控制模組在該下管之一上端處或附近耦接至該下管。
如請求項15之高度可調式座桿，其中該控制模組包括耦接至該下管的一軸環及耦接至該軸環的一電源供應器，以使得該電源供應器相對於該下管固定，該電源供應器用以供應電力來對該螺線管通電。
如請求項13之高度可調式座桿，其中該第一腔室及該第二腔室係填充有加壓氣體。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板； <br/>一通信介面，電性連接一輸入裝置以及一主機裝置，並且用以從該主機裝置接收一顯示畫面的一顯示資料，以及從該輸入裝置接收一方向資料以及一距離資料；以及 <br/>一控制器，電性連接該顯示面板以及該通信介面，並且用以根據該顯示資料驅動該顯示面板顯示該顯示畫面，其中該控制器為一縮放控制器， <br/>其中該控制器還透過該顯示面板在該顯示畫面中顯示一彈道路線圖像，並且該控制器根據該方向資料以及該距離資料動態調整該彈道路線圖像，其中該彈道路線圖像的一調整方向與該方向資料呈相反方向， <br/>其中該通信介面為一集線器，該集線器包括一第一通用序列匯流排以及一第二通用序列匯流排，該第一通用序列匯流排用以電性連接該輸入裝置，並且該第二通用序列匯流排用以電性連接該主機裝置。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該顯示面板在該顯示畫面中透過一螢幕選單來顯示該彈道路線圖像。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該彈道路線圖像中的一滑鼠移動建議路徑的一移動距離與該輸入裝置的該距離資料所表示的一距離為相等。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該通信介面還電性連接另一輸入裝置，並且響應於該另一輸入裝置的一快捷鍵被觸發，該控制器透過該顯示面板在該顯示畫面中顯示該彈道路線圖像。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括： <br/>一圖像資料庫，電性連接該控制器，並且用以儲存多個內建彈道路線圖像， <br/>其中該控制器根據該顯示資料中的一射擊物件的物件類型來選擇該些內建彈道路線圖像的其中之一來作為該彈道路線圖像。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括： <br/>一圖像資料庫，電性連接該控制器，並且用以儲存多個內建彈道路線圖像， <br/>其中該控制器根據該主機裝置提供的一準心指令來選擇該些內建彈道路線圖像的其中之一來作為該彈道路線圖像。
一種可動態調整彈道路線的顯示方法，包括： <br/>通過一通信介面從一主機裝置接收一顯示畫面的一顯示資料； <br/>通過一控制器根據該顯示資料驅動一顯示面板顯示該顯示畫面，並且還透過該顯示面板在該顯示畫面中顯示一彈道路線圖像，其中該控制器為一縮放控制器； <br/>通過該通信介面從一輸入裝置接收一方向資料以及一距離資料；以及 <br/>通過該控制器根據該方向資料以及該距離資料動態調整該彈道路線圖像，其中該彈道路線圖像的一調整方向與該方向資料呈相反方向， <br/>其中該通信介面為一集線器，該集線器包括一第一通用序列匯流排以及一第二通用序列匯流排，該第一通用序列匯流排用以電性連接該輸入裝置，並且該第二通用序列匯流排用以電性連接該主機裝置。
如請求項7所述的顯示方法，其中該顯示面板在該顯示畫面中透過一螢幕選單來顯示該彈道路線圖像。
如請求項7所述的顯示方法，其中該彈道路線圖像中的一滑鼠移動建議路徑的一移動距離與該輸入裝置的該距離資料所表示的一距離為相等。
如請求項7所述的顯示方法，其中顯示該彈道路線圖像的步驟包括： <br/>通過該通信介面電性連接另一輸入裝置，並且響應於該另一輸入裝置的一快捷鍵被觸發，通過該控制器透過該顯示面板在該顯示畫面中顯示該彈道路線圖像。
如請求項7所述的顯示方法，其中顯示該彈道路線圖像的步驟包括： <br/>通過該控制器根據該顯示資料中的一射擊物件的物件類型來選擇儲存在一圖像資料庫的多個內建彈道路線圖像的其中之一來作為該彈道路線圖像。
如請求項7所述的顯示方法，其中顯示該彈道路線圖像的步驟包括： <br/>通過該控制器根據該主機裝置提供的一準心指令來選擇該些內建彈道路線圖像的其中之一來作為該彈道路線圖像。
一種半導體裝置，包含：<br/>一第一保護層，位於一基板上方，且含有內嵌之一金屬-絕緣體-金屬（metal-insulator-metal；MIM）電容器；以及<br/>一重佈層（redistribution layer；RDL），形成在該第一保護層之上，該重佈層包含一第一重佈層結構和一第二重佈層結構，該第一重佈層結構透過一介電質填充開口與該第二重佈層結構分隔開，其中該介電質填充開口位於部分之該金屬-絕緣體-金屬電容器之上，其中該介電質填充開口具有位於該介電質填充開口的一頂部的一頂部尺寸、位於該介電質填充開口的一底部的一底部尺寸及位於該頂部與該底部之間並且小於該頂部尺寸與該底部尺寸的一最小尺寸；<br/>其中該第一重佈層結構和該第二重佈層結構中的每一者的一側壁具有一凸形輪廓（profile），該凸形輪廓定義出分隔該第一重佈層結構與該第二重佈層結構之該介電質填充開口；<br/>其中在該些側壁上的該凸形輪廓抵抗由該重佈層至該金屬-絕緣體-金屬電容器的應力遷移（stress migration）以抵抗在該金屬-絕緣體-金屬電容器中形成應力遷移所致之一裂紋。
如請求項1所述的半導體裝置，其中由該重佈層結構之一端部之該第一保護層至該重佈層水平邊界與一向上延伸邊緣所定義之一底部輪廓夾角介於約90度與約120度之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中：<br/>該頂部尺寸介於約1.0微米與約5.0微米之間；<br/>該底部尺寸介於約0.8微米與約4.0微米之間；以及<br/>該最小尺寸介於約0.6微米與約3.6微米之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中：<br/>該頂部尺寸和該最小尺寸之間的差異介於約0.4微米與約1.4微米之間；<br/>該頂部尺寸和該底部尺寸之間的差異介於約0.2微米與約1.0微米之間；以及<br/>該底部尺寸和該最小尺寸之間的差異介於約0.2微米與約0.4微米之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中：<br/>該介電質填充開口中的一桶高定義為該第一保護層的頂部的一平面與該最小尺寸所在的一平面之間距；以及<br/>該桶高與該重佈層之一厚度的比值介於約2%與約20%之間。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該重佈層具有介於約2微米與約3微米之間的厚度。
一種形成半導體結構的方法，包含：<br/>在一基板上方提供含有內嵌之一金屬-絕緣體-金屬電容器之一第一保護層；<br/>在該第一保護層上方形成一重佈層；以及<br/>在該重佈層中且在部分之該金屬-絕緣體-金屬電容器的上方形成一開口，其中該開口將該重佈層分隔成一第一重佈層結構和一第二重佈層結構，其中該第一重佈層結構和該第二重佈層結構中的每一者的一側壁具有一凸形輪廓，該凸形輪廓定義出分隔該第一重佈層結構與該第二重佈層結構之該開口，且形成該開口包含：<br/>進行包含非等向性垂直蝕刻（anisotropic vertical etching）操作之一第一蝕刻操作以去除該重佈層之位於該金屬-絕緣體-金屬電容器上方的部分至一第一深度；以及<br/>進行包含等向性蝕刻（isotropic etching）操作之一第二蝕刻操作以去除該重佈層之位於該金屬-絕緣體-金屬電容器上方的部分至該第一保護層之一頂部的一第二深度，該第二蝕刻操作包含對在該第一重佈層結構和該第二重佈層結構之位於該第一深度以下至該第二深度的該些側壁進行橫向蝕刻以形成該凸形輪廓。
一種形成半導體結構的方法，包含：<br/>提供一基板，該基板具有位於其上方的一介電層中的一互連結構，且具有位於該介電層上方之一第一保護層，該第一保護層具有一第一子層、位於該第一子層上方之一第二子層、及在該第一子層與該第二子層之間形成之一金屬-絕緣體-金屬電容器；<br/>在該第一保護層之上且在位於該互連結構中的一頂部金屬結構之上的該第一保護層的一開口中形成一重佈層，以連接該頂部金屬結構；以及<br/>在該重佈層中且在部分之該金屬-絕緣體-金屬電容器之上形成一開口，其中該開口將該重佈層分隔成未連接至該頂部金屬結構的一第一重佈層結構與連接至該頂部金屬結構之包含該重佈層的一第二重佈層結構，其中該第一重佈層結構和該第二重佈層結構中的每一者的一側壁具有一凸形輪廓，該凸形輪廓定義出分隔該第一重佈層結構與該第二重佈層結構之該重佈層中之該開口，其中在該些側壁上的該凸形輪廓抵抗由該重佈層至該金屬-絕緣體-金屬電容器的應力遷移以抵抗在該金屬-絕緣體-金屬電容器中形成應力遷移所致之一裂紋，且形成該重佈層中之該開口包含：<br/>形成一圖案化光阻層，該圖案化光阻層定義出部分之該金屬-絕緣體-金屬電容器之上的一開口；<br/>進行一第一蝕刻操作以去除該重佈層之在該圖案化光阻層中之該開口之下的部分至一第一深度；<br/>進行一第二蝕刻操作以去除該重佈層之位於該圖案化光阻層中之該開口下方的部分至該第一保護層之一頂部的一第二深度，該第二蝕刻操作包含對在該第一重佈層結構和該第二重佈層結構之位於該第一深度以下至該第二深度的該些側壁進行橫向蝕刻以形成該凸形輪廓；以及<br/>去除該圖案化光阻層。
如請求項8所述的方法，還包含：<br/>在該重佈層上方形成一第一介電層；<br/>在該第一介電層上方形成一第二介電層；<br/>在該第一重佈層結構上方的該第一介電層和該第二介電層中形成一凸塊開口；<br/>在該第二介電層和該凸塊開口的側壁上方形成一第二保護層；以及<br/>在該第二保護層和該凸塊開口上方形成一導電柱。
如請求項9所述的方法，其中該導電柱包含一凸塊下金屬（under bump metallurgy；UBM）層、一銅凸塊結構及一銲料層。
一種金針菇乾零食的製作方法，包含下列步驟：步驟一：將一數量級的金針菇進行一裁減前處理，去除金針菇菇根部的長度約整株金針菇的2%~20%的長度；步驟二：將該裁減前處理後之金針菇以在50度至80度之間一溫水進行抑酶清洗；步驟三：將抑酶清洗後之金針菇以一含酸的清水進行護色清洗，該含酸的清水加入檸檬酸，且檸檬酸濃度為清水中介於0.1%-2%之間；步驟四：將抑酶清洗與護色清洗後之金針菇均勻鋪設於一承載物件上，該承載物件上之金針菇之鋪設厚度為0.1cm至4cm之間；步驟五：將鋪設有金針菇的該承載物件放入一連續微波乾燥設備之輸送帶，進入該連續微波乾燥設備之一腔體中進行一微波乾燥製程，該腔體，包含至少一組微波功率源可依設定提供微波功率與至少一組熱風模組可依設定供給熱風能量，該微波乾燥製程之該微波功率源提供的微波功率密度在0.1kW/kg至5kW/kg之間，該微波乾燥製程之該熱風模組所提供的熱風能量以熱輻射的方式傳遞到該該承載物件上之金針菇的表面，該微波乾燥製程之溫度在室溫至70度之間；以及步驟六：完成該微波乾燥製程後，取出該承載物件上的一金針菇乾以做為該金針菇乾零食。
如請求項1所述之一種金針菇乾零食的製作方法，其中，步驟三之該含酸該含酸的清水更加入氯化鈉，且氯化鈉之濃度在水中介於0.2%-3%之間。
如請求項1所述之一種金針菇乾零食的製作方法，其中，經過步驟六該微波乾燥製程後之該金針菇乾的含水率約為3%~13%。
如請求項1所述之一種金針菇乾零食的製作方法，其中，步驟二與步驟三順序可交換執行或合併執行。
如請求項1所述之一種金針菇乾零食的製作方法，其中，步驟四之該承載物件為不吸收電磁波之網狀材質組成。
一種光達系統的外蓋模組，該光達系統包含一光源單元，該外蓋模組包括： <br/>一第一玻璃； <br/>一第二玻璃；以及 <br/>一加熱單元，設置於該第一玻璃與該第二玻璃之間； <br/>其中，該外蓋模組的一主波段的穿透率與一副波段的穿透率的差值小於2%，該主波段具有高穿透率，且該副波段具有高穿透率，該副波段的波長為以下公式計算：<img align="absmiddle" height="11px" width="130px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中<img align="absmiddle" height="9px" width="7px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該光源單元的初始溫度，<img align="absmiddle" height="10px" width="12px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為露點溫度，<img align="absmiddle" height="9px" width="9px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為除霧溫差，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該光源單元的溫漂係數。
如請求項1所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率大於該副波段的穿透率。
如請求項1所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率與該副波段的穿透率皆大於90%。
如請求項1所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的波長為890～910nm，且該副波段的波長為910～930nm；或者，該主波段的波長為1545～1550nm，且該副波段的波長為1565～1575nm。
一種光達系統的外蓋模組，包括： <br/>一第一玻璃； <br/>一第二玻璃；以及 <br/>一加熱單元，設置於該第一玻璃與該第二玻璃之間； <br/>其中，該外蓋模組的一主波段的穿透率與一副波段的穿透率的差值小於2%，該主波段具有高穿透率，且該副波段具有高穿透率，其中，該主波段的波長為900～910nm，且該副波段的波長為920～930nm。
如請求項5所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率大於該副波段的穿透率。
如請求項5所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率與該副波段的穿透率皆大於90%。
一種光達系統的外蓋模組，包括： <br/>一第一玻璃； <br/>一第二玻璃；以及 <br/>一加熱單元，設置於該第一玻璃與該第二玻璃之間； <br/>其中，該外蓋模組的一主波段的穿透率與一副波段的穿透率的差值小於2%，該主波段具有高穿透率，且該副波段具有高穿透率，其中，該主波段的波長為1545～1555nm，且該副波段的波長為1565～1575nm。
如請求項8所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率大於該副波段的穿透率。
如請求項8所述的光達系統的外蓋模組，其中，該主波段的穿透率與該副波段的穿透率皆大於90%。
一種離岸浮動干預船(10)，其意欲暫時支撐一水體(12)中的一離岸風力渦輪機平台(14)，以對一風力渦輪機(20)實施安裝及/或維護干預，該干預船(10)包含： <br/> - 界定一縱軸(A-A’)的一長形浮動主船體(44)，該主船體(44)具有在一第一高度(h1)處界定一上甲板表面(64)的一上甲板(62)，該主船體(44)具有一船體長度(HL)， <br/> - 自該主船體(44)縱向突出至該離岸浮動干預船(10)的一自由端的一船尾(48)，該船尾(48)界定一上接收表面(72)以接收一離岸風力渦輪機平台(14)，該上接收表面(72)在該主船體(44)與該船尾(48)之該自由端之間之低於該第一高度(h1)的一第二高度(h2)處的一平面中延伸， <br/> 該上接收表面(72)經組態以接合一離岸風力渦輪機平台(14)的一下表面(42)，該離岸浮動干預船(10)具有至少一壓載物接收體積(52)，該離岸浮動干預船(10)具有一壓載物控制器(50)，該壓載物控制器經組態以控制在該壓載物接收體積(52)中所接收之壓載物之量，以提升該船尾(48)與該離岸風力渦輪機平台(14)之該下表面(42)接觸之該上接收表面(72)， <br/> - 一風力渦輪機設備提升塔(100)，其經組態以提升該風力渦輪機(20)之至少一設備，該風力渦輪機設備提升塔(100)自該上甲板表面(64)突出， <br/> 其中，在該自由端處及自該自由端越過該船尾(48)沿著該縱軸(A-A’)取得之長度(SL)之至少50%處，該上接收表面(72)上方之自由體積(84)可在該上接收表面(72)上自由接收一離岸風力渦輪機平台(14)， <br/> 該第二高度(h2)至多等於該第一高度(h1)之40%，和 <br/> 該上接收表面(72)的一風力渦輪機平台接收區域(77)在該上甲板(62)之相鄰於該船尾(48)的一端部與該自由端之間沿著該縱軸取得之長度(SL)，大於該船體長度(HL)之30%。
如請求項1之離岸浮動干預船(10)，其中該上接收表面(72)的該風力渦輪機平台接收區域(77)的長度(SL)，係介於該船體長度(HL)之30%與70%之間。
如請求項1或2之離岸浮動干預船(10)，其中該船尾(48)係一雙體船船尾(catamaran stern) (74)，其具有至少兩個側船體(86)且具有連接該兩個側船體(86)之桁架(88)，該上接收表面(72)經界定在該兩個側船體(86)上。
如請求項1或2之離岸浮動干預船(10)，其中該船尾(48)包含至少一接收阻尼墊(78)，該接收阻尼墊經組態以部分地突出於該上接收表面(72)上方，以接觸該離岸風力渦輪機平台(14)的一下表面(42)，該阻尼墊或各阻尼墊(78)在該船尾(48)中所提供的一殼體(82)中可自一突出組態縮回至一縮回組態。
如請求項4之離岸浮動干預船(10)，其中該阻尼墊或各阻尼墊(78)係有浮力的，且朝向該突出組態偏移，該船尾(48)包含一致動器(80)，以控制該阻尼墊(78)在該突出組態與該縮回組態之間的組態。
如請求項1或2之離岸浮動干預船(10)，其中該主船體(44)包含界定該主船體(44)的一自由端的一前船(58)及該船尾(48)自其突出的一中船(60)，該中船(60)具有相鄰於該船尾(48)的一塔支撐區域(70)，該風力渦輪機設備提升塔(100)自該塔支撐區域(70)突出。
如請求項6之離岸浮動干預船(10)，其中該塔支撐區域(70)於連接至該主船體(44)之該船尾(48)的一儲存區域(76)上方突出並自其分開，該塔支撐區域(70)及該儲存區域(76)界定一儲存空間(90)，該塔支撐區域(70)可選地經懸設於該儲存區域(76)上方。
如請求項7之離岸浮動干預船(10)，其中該風力渦輪機設備提升塔(100)包含經端對端組裝之複數個塔模組(94)，至少一個塔模組(94)經組態以經拆卸並儲存於該儲存空間(90)中。
如請求項6之離岸浮動干預船(10)，其中該前船(58)包含一推進系統(66)，該推進系統經組態以使該離岸浮動干預船(10)在該水體(12)中移動。
一種包含一離岸風力渦輪機平台(14)及一離岸浮動干預船(10)的總成，該離岸浮動干預船(10)係如請求項1至9中任一項所述且用於支撐該離岸風力渦輪機平台(14)，該船尾(48)之該上接收表面(72)經接合於該離岸風力渦輪機平台(14)的一下表面(42)上，且其中優選地，該船尾(48)之該上接收表面(72)完全浸沒在該水體(12)中，該離岸風力渦輪機平台(14)部分地浸沒在該水體(12)中。
如請求項10之總成，其中在沿著該縱軸(A-A’)之投影中，該離岸風力渦輪機平台(14)的一縱向尺寸被包含於該上接收表面(72)的一縱向尺寸中。
如請求項10或11之總成，其中該浮動離岸風力渦輪機平台(14)包含具有至少三個浮柱(22)的一浮基(16)，以及連接該至少三個浮柱(22)之下部浮筒(26A)，該等下部浮筒(26A)界定該浮動離岸風力渦輪機平台(14)之該下表面(42)之至少一部分，該船尾(48)之該上接收表面(72)經接合於該三個浮筒中之各者下方。
一種對一離岸風力渦輪機平台(14)之干預方法，其包含以下步驟： <br/> (i) 在於一水體(12)中浮動的一離岸風力渦輪機平台(14)附近運輸如請求項1至9中任一項之離岸浮動干預船(10)； <br/> (ii) 將該船尾(48)之該上接收表面(72)放置於該離岸風力渦輪機平台(14)的一下表面(42)下方； <br/> (iii) 自該離岸浮動干預船(10)之該壓載物接收體積(52)移除壓載物，以提升該船尾(48)與該離岸風力渦輪機平台(14)之該下表面(42)接觸之該上接收表面(72)，以將該離岸風力渦輪機平台(14)固定於該船尾(48)之該上接收表面(72)上； <br/> (iv) 對該離岸風力渦輪機平台(14)的一風力渦輪機(20)實施一干預； <br/> (v) 藉由在該壓載物接收體積(52)中引入壓載物來對該船尾(48)進行壓載，以使該上表面與該下表面(42)脫離接合； <br/> (vi) 將該離岸浮動干預船(10)運輸遠離該離岸風力渦輪機平台(14)， <br/> 其中在步驟(i)至(vi)期間，該船尾(48)之該上接收表面(72)完全浸沒在該水體(12)中，該離岸風力渦輪機平台(14)保持部分地浸沒在該水體(12)中。
如請求項13之干預方法，其中實施該干預包含使用該風力渦輪機設備提升塔(100)自該風力渦輪機(20)移除一風力渦輪機設備，該風力渦輪機設備具體而言係一葉片(40)，或/及使用該風力渦輪機設備提升塔(100)將一風力渦輪機設備安裝在該風力渦輪機(20)上。
如請求項13或14之干預方法，其中該風力渦輪機設備提升塔(100)包含複數個塔模組(94)，該複數個塔模組經組態以經端對端組裝，至少一個塔模組(94)經組態以經拆卸並儲存於該儲存空間(90)中，該方法包含在步驟(i)期間，保持該至少一個塔模組(94)經拆卸，以及在步驟(iii)與步驟(iv)之間，將經拆卸之該至少一個塔模組(94)組裝至另一塔模組(94)以增加該風力渦輪機設備提升塔(100)之高度。
一種半導體封裝方法，其中，包括： <br/> 提供半導體器件；其中，所述半導體器件包括相對設置的有源面和無源面，所述無源面包括對準焊盤，所述有源面設有保護膜； <br/> 移除所述保護膜，於所述有源面形成連接端子； <br/> 提供載板；其中，所述載板的一側表面具有與所述對準焊盤相對應的對準焊接凸點； <br/> 將所述對準焊接凸點與所述對準焊盤基本對準，對所述對準焊接凸點與所述對準焊盤進行熔融焊接，使得所述半導體器件精確對準並固定至所述載板； <br/> 於所述載板朝向所述半導體器件的一側形成塑封層；所述塑封層包覆所述半導體器件，還覆蓋所述有源面、所述連接端子以及所述載板朝向所述半導體器件的一側表面中未被所述半導體器件佔據的表面，所述塑封層還填充於所述半導體器件與所述載板之間的空隙中， <br/> 在所述提供載板之前，所述半導體封裝方法還包括： <br/> 於所述載板的一側形成第二金屬層； <br/> 於所述第二金屬層背離所述載板的一側形成圖形化的第二光刻膠層；所述第二光刻膠層包括第二開口，所述第二開口曝露所述第二金屬層； <br/> 基於所述第二光刻膠層，對所述第二開口曝露的金屬層進行刻蝕，以形成焊盤； <br/> 移除所述第二光刻膠層，曝露所述焊盤； <br/> 於所述焊盤背離所述載板的一側形成對準焊接凸點。
如請求項1所述的半導體封裝方法，其中，在所述提供半導體器件之前，所述半導體封裝方法還包括： <br/> 於所述有源面形成所述保護膜； <br/> 於所述無源面形成所述對準焊盤。
如請求項2所述的半導體封裝方法，其中，所述於所述無源面形成對準焊盤，包括： <br/> 於所述無源面形成第一金屬層； <br/> 於所述第一金屬層背離所述半導體器件的一側形成圖形化的第一光刻膠層； <br/> 所述第一光刻膠層包括第一開口，所述第一開口曝露所述第一金屬層； <br/> 基於圖形化的所述第一光刻膠層，對所述第一開口曝露的第一金屬層進行刻蝕； <br/> 移除所述第一光刻膠層，曝露所述對準焊盤。
如請求項1所述的半導體封裝方法，其中，所述對所述對準焊接凸點與所述對準焊盤進行熔融焊接，包括： <br/> 對所述對準焊接凸點進行加熱，使得所述對準焊接凸點至少部分處於熔融狀態； <br/> 將至少部分處於熔融狀態的所述對準焊接凸點與所述對準焊盤進行焊接。
如請求項1所述的半導體封裝方法，其中，還包括： <br/> 採用剝離、蝕刻、燒蝕和研磨製造中的至少一種移除所述載板。
如請求項5所述的半導體封裝方法，其中，移除所述載板之後，所述半導體封裝方法還包括： <br/> 對所述塑封層靠近所述對準焊接凸點一側的表面進行減薄處理。
如請求項1所述的半導體封裝方法，其中，還包括： <br/> 對所述塑封層靠近所述有源面以及所述連接端子一側的表面進行減薄處理，以曝露所述連接端子； <br/> 於所述塑封層曝露所述連接端子的一側表面形成互連層和外部端子；所述連接端子通過所述互連層與所述外部端子電連接。
一種半導體元件，其中，所述半導體元件是通過如請求項1-8項中任一項所述的半導體封裝方法進行封裝的。
一種電子設備，其中，包括：如請求項8所述的半導體元件。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>基於對應於與上述電子裝置相關之服務上之促銷而產生之促銷應用詳情資料，設定用以判斷促銷之服務應用狀態之一個以上之判斷條件； <br/>於為了上述服務而設定之複數個促銷中，確認對應於第1促銷而產生之第1促銷應用詳情資料，該第1促銷係為了用戶之第1訂單而應用者；及 <br/>基於上述一個以上之判斷條件及上述第1促銷應用詳情資料，提供判斷上述第1促銷是否已正常應用於上述第1訂單之第1資訊， <br/>其中針對上述複數個促銷中包括之各促銷，產生標準促銷應用詳情資料，及 <br/>其中上述標準促銷應用詳情資料包含當確定該各促銷預期在該服務上無錯誤地正常使用時產生的各個資料， <br/>該方法進而包括如下步驟： <br/>針對將上述複數個促銷中包括之第2促銷於上述服務上應用於上述用戶而產生之特定之第2促銷應用詳情資料，提供比較上述標準促銷應用詳情資料及上述第2促銷應用詳情資料所得之比較資訊， <br/>其中上述比較資訊包括如下資訊中之至少一者： <br/>第1比較資訊，其係比較於上述標準促銷應用詳情資料中設定為將上述第2促銷應用於上述用戶所得之訂單金額與在上述第2促銷應用詳情資料中確認之實際訂單金額所得者；及 <br/>第2比較資訊，其係於上述第2促銷對應於獎勵提供促銷之情形時比較獎勵介紹訊息之提供歷史與實際獎勵介紹訊息之提供歷史所得者，該獎勵介紹訊息之提供歷史係於上述標準促銷應用詳情資料中對應於上述第2促銷之應用而被設定者，該實際獎勵介紹訊息之提供歷史係於上述第2促銷應用詳情資料中對應於上述第2促銷之應用而被確認者。
如請求項1之資訊提供方法，其中促銷應用詳情資料包括： <br/>與訂單詳情相關之資料； <br/>與應用於訂單之促銷之促銷版本及促銷版本之應用時間區間相關之資料； <br/>與對訂單應用促銷而產生之上述服務之內部資料變更詳情及內部資料變更時間戳記相關之資料；及 <br/>與對訂單應用促銷而產生之上述服務之外部資料變更詳情及外部資料變更時間戳記相關之資料。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之判斷條件包括判斷請求訂單之用戶是否符合促銷之應用對象用戶的第1條件。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之判斷條件包括判斷訂單所包括之物品是否符合促銷之應用對象物品的第2條件。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之判斷條件包括判斷已應用於訂單之促銷之促銷版本是否符合與促銷之訂單應用時點對應之對象促銷版本的第3條件。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之判斷條件包括判斷促銷應用於訂單是否於預設為可於上述服務上應用促銷之臨界次數以內的第4條件。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述一個以上之判斷條件所包括之各判斷條件係基於上述各判斷條件輸入至轉換器而應用於促銷應用詳情資料者，該轉換器設定用以判斷促銷之服務應用狀態之判斷條件。
如請求項1之資訊提供方法，其中設定有儲存各促銷應用詳情資料之儲存器，該各促銷應用詳情資料係以上述服務上之複數個訂單為對象應用上述複數個促銷中包括之各促銷而產生者。
如請求項8之資訊提供方法，其中確認上述第1促銷應用詳情資料之步驟包括如下步驟： <br/>自上述儲存器獲得上述第1促銷應用詳情資料。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述比較資訊，提供判斷上述第2促銷是否已於上述服務上正常應用之第2資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述比較資訊包括第3比較資訊，該第3比較資訊係比較包括基於上述標準促銷應用詳情資料而確認之促銷的促銷清單與包括基於針對上述用戶而產生之促銷應用詳情資料而確認之促銷的促銷清單所得者，該基於上述標準促銷應用詳情資料而確認之促銷係於上述複數個促銷中確認為藉由上述服務上之頁面而以上述用戶為對象被介紹者，該基於針對上述用戶而產生之促銷應用詳情資料而確認之促銷係確認為藉由上述服務上之頁面而被實際地介紹給上述用戶者。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>針對上述複數個促銷中包括之第3促銷，確認將上述第3促銷應用於在上述服務上請求之一個以上之訂單而產生的一個以上之第3促銷應用詳情資料； <br/>基於上述一個以上之第3促銷應用詳情資料，獲得與上述第3促銷之應用相關之趨勢統計資訊；及 <br/>提供上述趨勢統計資訊。
如請求項12之資訊提供方法，其中上述趨勢統計資訊包括以下資訊中之至少一者： <br/>第1趨勢統計資訊，其用以判斷上述第3促銷之預計應用結果金額與實際應用結果金額之間是否產生差異，該預計應用結果金額係基於上述服務上確認之上述第3促銷之介紹資訊而判斷者，該實際應用結果金額係將上述第3促銷應用於訂單而獲得者；及 <br/>第2趨勢統計資訊，其用以判斷上述服務上之上述第3促銷之應用是否產生錯誤。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>一個以上記憶體，其儲存一個以上之指令； <br/>於執行上述一個以上之指令時，控制上述處理器以使上述處理器實行如下步驟： <br/>基於對應於與上述電子裝置相關之服務上之促銷而產生之促銷應用詳情資料，設定用以判斷促銷之服務應用狀態之一個以上之判斷條件； <br/>於為了上述服務而設定之複數個促銷中，確認對應於第1促銷而產生之第1促銷應用詳情資料，該第1促銷係為了用戶之第1訂單而應用者；及 <br/>基於上述一個以上之判斷條件及上述第1促銷應用詳情資料，提供判斷上述第1促銷是否已正常應用於上述第1訂單之第1資訊， <br/>其中針對上述複數個促銷中包括之各促銷，產生標準促銷應用詳情資料，及 <br/>其中上述標準促銷應用詳情資料包含當確定該各促銷預期在該服務上無錯誤地正常使用時產生的各個資料， <br/>上述處理器進而實行如下步驟： <br/>針對將上述複數個促銷中包括之第2促銷於上述服務上應用於上述用戶而產生之特定之第2促銷應用詳情資料，提供比較上述標準促銷應用詳情資料及上述第2促銷應用詳情資料所得之比較資訊， <br/>其中上述比較資訊包括如下資訊中之至少一者： <br/>第1比較資訊，其係比較於上述標準促銷應用詳情資料中設定為將上述第2促銷應用於上述用戶所得之訂單金額與在上述第2促銷應用詳情資料中確認之實際訂單金額所得者；及 <br/>第2比較資訊，其係於上述第2促銷對應於獎勵提供促銷之情形時比較獎勵介紹訊息之提供歷史與實際獎勵介紹訊息之提供歷史所得者，該獎勵介紹訊息之提供歷史係於上述標準促銷應用詳情資料中對應於上述第2促銷之應用而被設定者，該實際獎勵介紹訊息之提供歷史係於上述第2促銷應用詳情資料中對應於上述第2促銷之應用而被確認者。
一種光控膜，包括： <br/>主體，具有第一表面及面向所述第一表面的第二表面，在所述主體中在所述第一表面上形成有朝向所述第二表面延伸的多個凹槽；以及 <br/>填充材料，填充於所述多個凹槽中且包含光吸收材料，其中 <br/>所述主體的其中未在所述第一表面及所述第二表面上形成所述多個凹槽的區形成多個透射區，且填充區形成吸收區， <br/>所述多個透射區之中位於所述第一表面上的所述透射區具有為60%或大於60%的孔徑比，且 <br/>所述多個透射區之中位於所述第二表面上的所述透射區具有為85%或大於85%的孔徑比， <br/>其中在填充有所述填充材料的所述多個凹槽中，未利用所述填充材料進行填充的區的平均深度處於0微米至3微米的範圍內，且未經填充的區深度的標準偏差為0.2或小於0.2。
如請求項1所述的光控膜，其中 <br/>所述主體具有為7百萬帕或大於7百萬帕的拉伸強度。
如請求項1所述的光控膜，其中 <br/>所述主體包含丙烯酸聚合物，所述丙烯酸聚合物含有選自由以下式1的鍵及以下式2的鍵的組成的群組中的一或多個鍵： <br/>[式1] <br/><br/><img align="absmiddle" height="34px" width="123px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R<sub>1</sub>是單鍵、伸烷基或亞烷基： <br/>[式2] <br/><br/><img align="absmiddle" height="19px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>其中R<sub>2</sub>是伸烷基或亞烷基，且n是處於1至50範圍內的數。
如請求項1所述的光控膜，其中所述第一表面上的所述透射區的所述孔徑比（O1）與所述第二表面上的所述透射區的所述孔徑比（O2）的比率O2/O1處於1至5的範圍內。
如請求項1所述的光控膜，其中所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值的絕對值處於0至0.1的範圍內。
如請求項1所述的光控膜，其中在所述主體的橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>由所述第一側與所述第一表面的法線方向形成的第一角度以及由所述第二側與所述第二表面的法線方向形成的第二角度各自處於0度至10度的範圍內。
如請求項6所述的光控膜，其中所述第一角度與所述第二角度彼此不同，其中所述第一角度為2度或大於2度，且所述第二角度為2度或小於2度。
如請求項1所述的光控膜，其中在所述主體的橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>所述第一側或所述第二側包括與所述第一表面的法線方向形成角度A的側A、以及形成不同於所述角度A的角度B的側B。
如請求項8所述的光控膜，其中所述側B的位置相對於所述側A更靠近所述主體的所述第二表面，且 <br/>所述角度A為3度或大於3度，且所述角度B為2度或小於2度。
如請求項8所述的光控膜，其中以下方程式1的R處於5%至40%的範圍內： <br/>[方程式1] <br/>R = (100×L<sub>B</sub>×cosθ<sub>B</sub>)/(L<sub>A</sub>×cosθ<sub>A</sub>+L<sub>B</sub>×cosθ<sub>B</sub>) <br/>其中L<sub>A</sub>為所述側A的長度，L<sub>B</sub>為所述側B的長度，θ<sub>A</sub>為所述角度A，且θ<sub>B</sub>為所述角度B。
如請求項1所述的光控膜，其中形成於所述主體中的所述多個凹槽的深度處於50微米至200微米的範圍內， <br/>形成於所述主體中的所述多個凹槽的節距處於10微米至100微米或小於100微米的範圍內，且 <br/>形成於所述主體的所述第一表面上的所述多個凹槽的寬度處於1微米至50微米的範圍內。
如請求項3所述的光控膜，其中所述丙烯酸聚合物包括丙烯酸酯單元，所述丙烯酸酯單元具有選自由式1的所述鍵及式2的所述鍵組成的所述群組中的一或多個鍵。
如請求項12所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式1的所述鍵的丙烯酸酯單元的比率處於20重量%至90重量%的範圍內。
如請求項12所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式2的所述鍵的丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至40重量%的範圍內。
如請求項12所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，多官能丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至80重量%的範圍內。
一種有機發光裝置，包括： <br/>有機發光面板；以及 <br/>如請求項1所述的光控膜，設置於所述有機發光面板的觀看側上。
如請求項16所述的有機發光裝置，更包括位於所述觀看側上的偏振層，其中所述光控膜設置於所述偏振層與所述有機發光面板之間、或者設置於所述偏振層的與面向所述有機發光面板的表面相對的側表面上。
如請求項17所述的有機發光裝置，其中 <br/>所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離為250微米或小於250微米，且 <br/>所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值N1-N2處於0.03至0.06的範圍內。
如請求項17所述的有機發光裝置，其中 <br/>所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離大於250微米，且 <br/>所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2之間的差值N1-N2處於0.02至0.05的範圍內。
一種光控膜，包括： <br/>主體，具有第一表面及面向所述第一表面的第二表面，在所述主體中在所述第一表面上形成有朝向所述第二表面延伸的多個凹槽；以及 <br/>填充材料，填充於所述多個凹槽中且包含光吸收材料，其中 <br/>所述主體的折射率N1與所述填充材料的折射率N2滿足關係N1＞N2，且 <br/>所述折射率N1與所述折射率N2之間的差值大於0且為0.1或小於0.1， <br/>其中在填充有所述填充材料的所述多個凹槽中，未利用所述填充材料進行填充的區的平均深度處於0微米至3微米的範圍內，且未經填充的區深度的標準偏差為0.2或小於0.2。
如請求項1所述的光控膜， <br/>其中在所述主體的橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>由所述第一側與所述第一表面的法線方向形成的第一角度以及由所述第二側與所述第二表面的法線方向形成的第二角度各自處於0度至10度的範圍內， <br/>其中所述第一角度與所述第二角度彼此不同，其中所述第一角度為2度或大於2度，且所述第二角度為2度或小於2度。
如請求項1所述的光控膜， <br/>其中所述主體具有為7百萬帕或大於7百萬帕的拉伸強度。
如請求項1所述的光控膜， <br/>其中所述主體包含丙烯酸聚合物，所述丙烯酸聚合物含有選自由以下式1的鍵及以下式2的鍵組成的群組中的一或多個鍵： <br/>[式1] <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="123px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>1</sub>是單鍵、伸烷基或亞烷基： <br/>[式2] <br/><img align="absmiddle" height="19px" width="59px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>2</sub>是伸烷基或亞烷基，且n是處於1至50範圍內的數。
如任一請求項1至4所述的光控膜，其中在所述主體的所述橫截面中，所述多個凹槽具有第一側及第二側，所述第一側自所述主體的所述第一表面朝向所述主體的所述第二表面延伸，所述第二側面向所述第一側且自所述第一表面朝向所述第二表面延伸，且 <br/>所述第一側或所述第二側包括與所述第一表面的法線方向形成角度A的側A、以及形成不同於所述角度A的角度B的側B。
如請求項5所述的光控膜，其中所述側B的位置相對於所述側A更靠近所述主體的所述第二表面，且 <br/>所述角度A為3度或大於3度，且所述角度B為2度或小於2度。
如請求項5所述的光控膜，其中以下方程式1的R處於5%至40%的範圍內： <br/>[方程式1] <br/>R = (100×L<sub>B</sub>×cosθ<sub>B</sub>)/(L<sub>A</sub>×cosθ<sub>A</sub>+L<sub>B</sub>×cosθ<sub>B</sub>) <br/>其中L<sub>A</sub>為所述側A的長度，L<sub>B</sub>為所述側B的長度，θ<sub>A</sub>為所述角度A，且θ<sub>B</sub>為所述角度B。
如任一請求項1至4所述的光控膜，其中形成於所述主體中的所述多個凹槽的深度處於50微米至200微米的範圍內， <br/>形成於所述主體中的所述多個凹槽的節距處於10微米至100微米或小於100微米的範圍內，且 <br/>形成於所述主體的所述第一表面上的所述多個凹槽的寬度處於1微米至50微米的範圍內。
如請求項4所述的光控膜，其中所述丙烯酸聚合物包括丙烯酸酯單元，所述丙烯酸酯單元具有選自由式1的所述鍵及式2的所述鍵組成的所述群組中的一或多個鍵。
如請求項9所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式1的所述鍵的丙烯酸酯單元的比率處於20重量%至90重量%的範圍內。
如請求項9所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，所述丙烯酸酯單元之中含有式2的所述鍵的丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至40重量%的範圍內。
如請求項9所述的光控膜，其中以包括於所述丙烯酸聚合物中的所述丙烯酸酯單元的總重量計，多官能丙烯酸酯單元的比率處於5重量%至80重量%的範圍內。
一種有機發光裝置，包括： 有機發光面板；以及 <br/>如任一請求項1至4所述的光控膜，設置於所述有機發光面板的觀看側上。
一種有機發光裝置，包括： <br/>有機發光面板；以及 <br/>如請求項1所述的光控膜，設置於所述有機發光面板的觀看側上， <br/>其中所述光控膜設置於偏振層與所述有機發光面板之間、或者設置於偏振層的與面向所述有機發光面板的表面相對的側表面上。
如請求項14所述的有機發光裝置，其中所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離為250微米或小於250微米，且 <br/>所述主體的所述折射率N1與所述填充材料的所述折射率N2之間的差值N1-N2處於0.03至0.06的範圍內。
如請求項14所述的有機發光裝置，其中所述光控膜的所述主體的所述第一表面相對於所述第二表面更靠近所述偏振層設置， <br/>所述偏振層與所述第一表面之間的距離大於250微米，且 <br/>所述主體的所述折射率N1與所述填充材料的所述折射率N2之間的所述差值N1-N2處於0.02至0.05的範圍內。
一種電容器結構，包括： <br/>下部電極； <br/>介電圖案，位於所述下部電極的側壁上；以及 <br/>上部電極結構，所述上部電極結構包括依序堆疊於所述介電圖案的側壁上的第一上部電極與第二上部電極， <br/>其中： <br/>所述第一上部電極及所述第二上部電極中的每一者包含金屬氮化物，其中所述金屬氮化物包括氮化鈦，且 <br/>所述第一上部電極中所包含的所述金屬氮化物具有與所述第二上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶體定向不同的晶體定向， <br/>所述第一上部電極的功函數大於所述第二上部電極的功函數，且 <br/>其中所述第二上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶粒大小大於所述第一上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶粒大小。
如請求項1所述的電容器結構，其中： <br/>所述第一上部電極的所述氮化鈦的主要晶體定向是[111]，且 <br/>所述第二上部電極的所述氮化鈦的主要晶體定向是[200]。
如請求項1所述的電容器結構，其中所述第二上部電極的電阻低於所述第一上部電極的電阻。
如請求項1所述的電容器結構，其中所述第二上部電極更包含15族元素或16族元素。
如請求項1所述的電容器結構，其中： <br/>所述第一上部電極具有介於約5埃至約20埃的範圍內的厚度，且 <br/>所述第二上部電極具有介於約10埃至約50埃的範圍內的厚度。
一種半導體元件，包括： <br/>基板； <br/>主動圖案，位於所述基板上； <br/>閘極結構，在第一方向上延伸穿過所述主動圖案的上部部分，所述第一方向實質上平行於所述基板的上表面； <br/>位元線結構，位於所述主動圖案的中心部分上，所述位元線結構在第二方向上延伸，所述第二方向實質上平行於所述基板的所述上表面且實質上垂直於所述第一方向； <br/>接觸插塞結構，位於所述主動圖案的相對的邊緣部分中的每一者上；以及 <br/>電容器結構，位於所述接觸插塞結構上， <br/>其中： <br/>所述電容器結構包括： <br/>下部電極； <br/>介電圖案，位於所述下部電極的側壁上；以及 <br/>上部電極結構，所述上部電極結構包括依序堆疊於所述介電圖案的側壁上的第一上部電極與第二上部電極， <br/>所述第一上部電極及所述第二上部電極中的每一者包含金屬氮化物，其中所述金屬氮化物包括氮化鈦， <br/>所述第一上部電極中所包含的所述金屬氮化物具有與所述第二上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶體定向不同的晶體定向， <br/>所述第一上部電極的功函數大於所述第二上部電極的功函數，且 <br/>其中所述第二上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶粒大小大於所述第一上部電極中所包含的所述金屬氮化物的晶粒大小。
一種線上會議呈現文件的方法，應用於包含複數個用戶裝置以及一會議伺服器的一線上會議系統，該線上會議呈現文件的方法包含：(A)設置一外掛程式於一文件應用程式，該文件應用程式係安裝於該複數個用戶裝置之中的一第一用戶裝置；(B)該第一用戶裝置以該文件應用程式開啟一文件檔案以顯示該文件檔案中的文件內容；(C)在該第一用戶裝置中安裝的一線上會議應用程式尚未執行建立線上會議的狀態下，觸發該外掛程式以自動啟動該第一用戶裝置中安裝的該線上會議應用程式；(D)該線上會議應用程式被啟動後自動擷取該文件內容，並且傳送一建立線上會議命令以及該文件內容至該會議伺服器，該建立線上會議命令包含一會議成員資料，該會議成員資料至少包含該複數個用戶裝置之中的一第二用戶裝置；(E)該會議伺服器根據該會議成員資料建立一線上會議並且傳送一通知訊息與該文件內容至該第二用戶裝置；以及(F)該第二用戶裝置根據該通知訊息啟動該第二用戶裝置中安裝的線上會議應用程式並且該線上會議應用程式呈現該文件內容，其中該第一、第二用戶裝置各自透過所安裝的線上會議應用程式參與該線上會議。
如申請專利範圍第1項所述之線上會議呈現文件的方法，其中步驟(C)更包含：該第一用戶裝置安裝的該線上會議應用程式提供一通訊錄，選取該通訊錄中部份的用戶裝置作為該會議成員資料。
如申請專利範圍第1項所述之線上會議呈現文件的方法，其中步驟(C)更包含：該第一用戶裝置安裝的該線上會議應用程式根據一預設用戶裝置清單作為該會議成員資料。
如申請專利範圍第1項所述之線上會議呈現文件的方法，其中該會議成員資料更包含該第二用戶裝置對於該文件內容的存取權限，該文件內容的存取權限包含：可以讀取該文件內容和可以儲存該文件內容的其中一種或其組合。
一種線上會議呈現文件的系統，至少包含：一第一用戶裝置，其中安裝一文件應用程式以及一線上會議應用程式，並設置一外掛程式於該文件應用程式，該第一用戶裝置以該文件應用程式開啟一文件檔案以顯示該文件檔案中的文件內容；一會議伺服器；一第二用戶裝置，其中安裝一線上會議應用程式；其中當該線上會議應用程式尚未執行建立線上會議的狀態下，該第一用戶裝置觸發該外掛程式時則自動啟動該第一用戶裝置中安裝的該線上會議應用程式，該線上會議應用程式被啟動後自動擷取該文件內容，並且傳送一建立線上會議命令以及該文件內容至該會議伺服器，該建立線上會議命令包含一會議成員資料，該會議成員資料包含該第二用戶裝置；該會議伺服器根據該會議成員資料建立一線上會議並且傳送一通知訊息與該文件內容至該第二用戶裝置；以及該第二用戶裝置根據該通知訊息啟動該第二用戶裝置中安裝的線上會議應用程式，並且該線上會議應用程式呈現該文件內容，其中該第一、第二用戶裝置各自透過所安裝的線上會議應用程式參與該線上會議。
一種測試器板系統，包括：<br/> 框架，安裝有至少兩個主機板，且提供電力連接，所述框架的尺寸被設計以容納所述至少兩個主機板，所述框架包括至少兩個相應的腔，用於容納所述至少兩個主機板；以及<br/> 所述至少兩個主機板中的每個包括：<br/> 位於正面上的至少一個記憶體通道以及位於背面上的至少一個中央處理器(CPU)，其中，所述至少一個記憶體通道與所述至少一個中央處理器通訊地耦接，並且所述中央處理器位於所述主機板的所述背面，而所述記憶體通道位於所述主機板的所述正面；<br/> 其中，所述至少兩個主機板安裝於所述框架上時彼此對準，以使其中一個主機板的邊緣與另一個主機板的邊緣彼此接觸，以在兩主機板之間形成一連續或幾乎連續的表面，從而在對所述兩主機板之上表面加熱時，所述兩主機板之下表面與所述上表面之間形成熱隔離。
如請求項1所述的測試器板系統，其中，所述框架由金屬或碳複合物製成。
如請求項2所述的測試器板系統，其中，所述金屬包括鋁。
如請求項1所述的測試器板系統，其中，所述框架的尺寸被設計以容納四個至十個之間的主機板。
如請求項4所述的測試器板系統，其中，所述主機板相同。
如請求項1所述的測試器板系統，其中，當所述至少兩個主機板安裝在所述框架上時，所述至少兩個主機板沿著水平面對準。
如請求項6所述的測試器板系統，其中，所述水平面的大小在30cm×30cm與2m×2m之間。
如請求項1所述的測試器板系統，其中，所述框架還包括電連接器，所述電連接器被配置為與所述至少兩個主機板的對應電連接器耦接。
如請求項8所述的測試器板系統，其中，所述電連接器包括至少兩個電連接器，所述至少兩個電連接器中的每個被配置為與所述至少兩個主機板中的每個的對應電連接器耦接。
如請求項1所述的測試器板系統，其中，所述至少一個記憶體通道中的每個包括：被配置為容納記憶體模組的記憶體模組槽或被配置為容納記憶體部件的記憶體部件槽。
如請求項10所述的測試器板系統，其中，所述記憶體模組槽或所述記憶體部件槽佈置在所述主機板上，使得插入的記憶體模組或記憶體部件與所述主機板垂直地對準。
如請求項1所述的測試器板系統，更包括一微氣候室，該微氣候室的尺寸設計以適配在所述框架的至少一部分上方，使得當所述至少兩個主機板安裝於所述框架上時，所述微氣候室覆蓋所述至少兩個主機板各自的所述正面。
如請求項12所述的測試器板系統，其中，所述微氣候室之尺寸設計成覆蓋所述框架的全部。
一種能變頻式控制開關切換頻率以達到穩壓和最大增益之電源供應器，其包含：<br/>一升壓型主動功率因數校正電路，用來將一市電供應之一交流電壓轉換成一直流電壓，再將該直流電壓換成一脈動直流電壓，其包含：<br/>一升壓電感，用來儲存或釋放該直流電壓之能量，其包含：<br/>一第一端，耦接至該直流電壓；以及<br/>一第二端；以及<br/>一功率開關，用來依據一第一控制訊號來控制該升壓電感進行能量儲存與能量釋放，其包含：<br/>一第一端，耦接至該升壓電感之該第二端；<br/>一第二端，耦接至一第一接地電位；以及<br/>一控制端，用來接收在一第一致能電位和一第一除能電位之間週期性切換的該第一控制訊號；<br/>一諧振轉換電路，用來將該脈動直流電壓轉換成一輸出電壓，其包含：<br/>一變壓器，用來將該脈動直流電壓之能量從一第一初級側感應至一第一次級側以供應該輸出電壓，其包含：<br/>一初級側繞組，設置在該第一初級側，其包含一第一打點端和一第一非打點端；<br/>一第一次級側繞組，設置在該第一次級側，其包含一第二打點端和一第二非打點端；以及<br/>一第二次級側繞組，設置在該第一次級側，其包含一第三打點端和一第三非打點端，其中該第二非打點端耦接至該第三打點端；<br/>一諧振槽，用來對該脈動直流電壓進行諧振；<br/>一第一諧振開關，用來依據一第二控制訊號來控制該諧振槽之運作，其包含：<br/>一第一端，耦接至該脈動直流電壓；<br/>一第二端，耦接至該諧振槽；以及<br/>一控制端，用來接收在一第二致能電位和一第二除能電位之間週期性切換的該第二控制訊號；以及<br/>一第二諧振開關，用來依據一第三控制訊號來控制該諧振槽之運作，其包含：<br/>一第一端，耦接至該第一諧振開關之該第二端；<br/>一第二端，耦接至該第一接地電位；以及<br/>一控制端，用來接收在一第三致能電位和一第三除能電位之間週期性切換的該第三控制訊號；以及<br/>一控制電路，用來：<br/>提供該第一控制訊號、該第二控制訊號和該第三控制訊號；以及<br/>依據該升壓型主動功率因數校正電路之瞬時運作狀態、該諧振轉換電路之瞬時運作狀態，以及該電源供應器之瞬時輸出狀態來調整該第一控制訊號、該第二控制訊號和該第三控制訊號之責任週期(duty cycle)。
如請求項1所述之電源供應器，其中：<br/>該升壓型主動功率因數校正電路另包含一電感電流偵測電阻，其第一端耦接至該升壓電感之該第二端，其第二端耦接至該功率開關之該第一端，用來偵測流經該升壓電感之一升壓電感電流，進而提供相關該升壓電感電流之一電感電流偵測電壓；且<br/>該控制電路另用來依據該電感電流偵測電壓判斷該升壓型主動功率因數校正電路之瞬時運作狀態。
如請求項2所述之電源供應器，其中該升壓型主動功率因數校正電路另包含：<br/>一第一儲能電容，其第一端耦接至該脈動直流電壓，其第二端耦接至該第一接地電位，用來儲存該脈動直流電壓之能量；以及<br/>一第一二極體，其陽極耦接至該電感電流偵測電阻之該第一端，而其陰極耦接至該第一儲能電容之該第一端。
如請求項1所述之電源供應器，其中：<br/>該諧振轉換電路另包含一輸出電流偵測電阻，其第一端耦接至該第二非打點端和該第三打點端，而其第二端耦接至一第二接地電位，用來偵測相關該輸出電壓之一輸出電流，進而提供相關該輸出電流之一輸出電流偵測電壓；且<br/>該控制電路另用來依據該輸出電流偵測電壓判斷該電源供應器之瞬時輸出狀態。
如請求項4所述之電源供應器，其中該諧振轉換電路另包含：<br/>一第二儲能電容，其第一端耦接至該輸出電壓，其第二端耦接至該輸出電流偵測電阻之該第一端，用來儲存該輸出電壓之能量；<br/>一第二二極體，其陽極耦接至該第二打點端，而其陰極耦接至該第二儲能電容之該第一端；以及<br/>一第三二極體，其陽極耦接至該第三非打點端，而其陰極耦接至該第二儲能電容之該第一端。
如請求項4所述之電源供應器，其中：<br/>該控制電路另用來依據該輸出電壓判斷該電源供應器之瞬時輸出狀態。
如請求項1所述之電源供應器，其中該諧振槽包含：<br/>一激磁電感，其包含：<br/>一第一端，耦接至該第一打點端；以及<br/>一第二端，耦接至該第一非打點端；<br/>一諧振電感，其包含：<br/>一第一端，耦接至該第一諧振開關之該第二端和耦接至該第二諧振開關之該第一端之間；以及<br/>一第二端，耦接至該第一打點端；<br/>一諧振電容，其包含：<br/>一第一端，耦接至該第一非打點端；以及<br/>一第二端，耦接至該第一接地電位。
如請求項7所述之電源供應器，其中：<br/>該控制電路另用來依據一諧振電容偵測電壓來判定該諧振轉換電路之瞬時運作狀態；且<br/>該諧振電容偵測電壓為該諧振電容之第一端和該諧振電容之第二端之間的壓差。
如請求項7所述之電源供應器，其中該控制電路另用來：<br/>接收一電感電流偵測電壓並依據該電感電流偵測電壓判斷該升壓型主動功率因數校正電路之瞬時運作狀態，其中該電感電流偵測電壓相關流經該升壓電感之一升壓電感電流；<br/>接收一諧振電容偵測電壓並依據該諧振電容偵測電壓判斷該諧振轉換電路之瞬時運作狀態，其中該諧振電容偵測電壓為該諧振電容之第一端和該諧振電容之第二端之間的壓差；<br/>接收一輸出電流偵測電壓，並依據該輸出電流偵測電壓和該輸出電壓判斷該電源供應器之瞬時輸出狀態，其中該輸出電流偵測電壓相關一輸出電流，而該輸出電流相關該輸出電壓；以及<br/>當判定該電感電流偵測電壓之峰值大於一第一預設值，判定該諧振電容電壓之峰值大於一第二預設值，判定該輸出電流偵測電壓之值大於一第三預設值，且判定該輸出電壓之值大於一第四預設值時，提供具相同責任週期之該第一控制訊號、該第二控制訊號和該第三控制訊號。
如請求項9所述之電源供應器，其中：<br/>當該電感電流偵測電壓之峰值不大於該第一預設值，該諧振電容電壓之峰值不大於該第二預設值，該輸出電流偵測電壓之值不大於該第三預設值，或該輸出電壓之值不大於該第四預設值時，該第二控制訊號和該第三控制訊號之責任週期大於該第一控制訊號之責任週期。
一種電源模組元器件的製備方法，所述製備方法包括： <br/>形成電感集合，所述電感集合包括多個成陣列排布的繞組；以及 <br/>切割所述電感集合，得到所述電源模組元器件，所述電源模組元器件包括多個沿第一方向依次間隔排列的繞組； <br/>所述電源模組元器件為一整成型。
如請求項1所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述形成電感集合的步驟包括： <br/>在成型模具底部形成第一磁粉層； <br/>在所述第一磁粉層上形成繞組層； <br/>在所述繞組層上形成第二磁粉層；以及 <br/>壓制所述第一磁粉層、所述繞組層和所述第二磁粉層，得到電感集合。
如請求項2所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述繞組層包括多個成陣列排布的繞組，且所述繞組沿所述第一方向依次間隔排列，所述繞組沿第二方向依次相連，所述第一方向和所述第二方向垂直。
如請求項2所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述壓制的壓力為10~20 T/cm <sup>2</sup>。
如請求項2所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述壓制的保壓時間為1.5~5 s。
如請求項1所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述切割所述電感集合的步驟之前，還包括：研磨所述電感集合，以使所述繞組的引腳露出。
如請求項1所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述切割所述電感集合的步驟之前還包括： <br/>在所述電感集合的第一面上形成多個第一切割定位槽；以及 <br/>在所述電感集合與所述第一面相對設置的第二面上形成多個第二切割定位槽，所述第一切割定位槽與所述第二切割定位槽一一對應設置。
如請求項7所述的電源模組元器件的製備方法，其中所述電感集合的切割方向為所述第一切割定位槽至與所述第一切割定位槽對應的所述第二切割定位槽的方向。
一種電源模組元器件，所述電源模組元器件採用如請求項1-8任一項所述的電源模組元器件的製備方法得到。
如請求項9所述的電源模組元器件，其中所述電源模組元器件為一體成型； <br/>所述電源模組元器件的直流電阻為0.1~0.5 mΩ。
一種用於編碼一視訊資訊的方法，包括： <br/>確定一第一參數組，該第一參數組定義一訊框中的複數個第一柵區； <br/>對於每一第一柵區，確定一第二參數組，該第二參數組定義複數個第二柵區，其中該複數個第二柵區劃分該各自的第一柵區； <br/>基於該第一參數組，將該訊框劃分為該複數個第一柵區； <br/>基於該各自的第二參數組，將每一第一柵區劃分為該複數個第二柵區； <br/>基於該訊框的該劃分的第一柵區及第二柵區，將一圖像編碼至一位元串流，其中要被編碼的該圖像的圖像區被映射至該訊框的各自的第二柵區，以及其中被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的一者的圖像區以一第一解析度等級被編碼，以及被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的另一者的圖像區以一第二解析度等級被編碼；以及 <br/>將該第一參數組以及針對該複數個第一柵區中的每一者的該各自的第二參數組編碼至該位元串流。
如請求項1所述的方法，其中該第一參數組包括一標誌，該標誌表明該訊框要根據一均勻柵被劃分。
如請求項1所述的方法，其中，對於一第一柵區，該各自的第二參數組包括一標誌，該標誌表明該第一柵區要根據一均勻柵被劃分。
如請求項1所述的方法，其中跨該複數個第一柵區的邊界的被映射的圖像區不是被編碼的該圖像的相鄰區。
如請求項1所述的方法，還包括： <br/>產生一填補標誌，該填補標誌表明是否要對該複數個第一柵區的一柵區的複數個邊緣中的各邊緣執行一填補操作；以及 <br/>將該填補標誌編碼至該位元串流。
一種用於視訊編碼的裝置，包括： <br/>一或更多處理器；以及 <br/>儲存指令的一記憶體，該指令在由該一或更多處理器執行時使該裝置： <br/>接收一第一參數組，該第一參數組定義一訊框中的複數個第一柵區； <br/>對於每一第一柵區，接收定義了複數個第二柵區的一各自的第二參數組，其中該複數個第二柵區劃分該各自的第一柵區； <br/>基於第一參數組，將該訊框劃分為該複數個第一柵區； <br/>基於該各自的第二參數組，將每一第一柵區劃分為該複數個第二柵區； <br/>基於該訊框的該劃分的第一柵區及第二柵區，將一圖像編碼至一位元串流，其中要被編碼的該圖像的圖像區被映射至該訊框的各自的第二柵區，以及其中被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的一者的圖像區以一第一解析度等級被編碼，以及被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的另一者的圖像區以一第二解析度等級被編碼；以及 <br/>將該第一參數組以及針對該複數個第一柵區中的每一者的該各自的第二參數組編碼至該位元串流。
如請求項6所述的裝置，其中該第一參數組包括一標誌，該標誌表明該訊框要根據一均勻柵被劃分。
如請求項6所述的裝置，其中，對於一第一柵區，該各自的第二參數組包括一標誌，該標誌表明該第一柵區要根據一均勻柵被劃分。
如請求項6所述的裝置，其中跨該複數個第一柵區的邊界的被映射的圖像區不是被編碼的該圖像的相鄰區。
如請求項6所述的裝置，其中該指令還使該裝置： <br/>產生一填補標誌，該填補標誌表明是否要對該複數個第一柵區的一各自的柵區的複數個邊緣中的各邊緣執行一填補操作；以及 <br/>將該填補標誌編碼至該位元串流。
一種用於解碼一視訊資訊的方法，包括： <br/>從一位元串流解碼一第一參數組，該第一參數組定義一訊框中的複數個第一柵區； <br/>對於每 一第一柵區，從該位元串流解碼定義了複數個第二柵區的一各自的第二參數組，其中該複數個第二柵區劃分該各自的第一柵區； <br/>基於該第一參數組，將該訊框劃分為該複數個第一柵區； <br/>基於該各自的第二參數組，將每一第一柵區劃分為該複數個第二柵區；以及 <br/>基於該訊框的該劃分的第一柵區及第二柵區，從該位元串流解碼一圖像，其中要被解碼的該圖像的圖像區被映射至該訊框的各自的第二柵區，以及其中被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的一者的圖像區以一第一解析度等級被解碼，以及被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的另一者的圖像區以一第二解析度等級被解碼。
如請求項11所述的方法，其中該第一參數組包括一標誌，該標誌表明該訊框要根據一均勻柵被劃分。
如請求項11所述的方法，其中，對於一第一柵區，該各自的第二參數組包括一標誌，該標誌表明該第一柵區要根據一均勻柵被劃分。
如請求項11所述的方法，其中該第一參數組以及該第二參數組在一序列參數集、一圖片參數集、或一截割標頭的任一者中被接收。
如請求項11所述的方法，還包括： <br/>從該位元串流解碼一填補標誌，該填補標誌表明是否要對該複數個第一柵區的一各自的柵區的複數個邊緣中的各邊緣執行一填補操作；以及 <br/>基於該填補標誌，對該各自的柵區的該複數個邊緣執行一填補。
一種用於視訊解碼的裝置，包括： <br/>一或更多處理器；以及 <br/>儲存指令的一記憶體，該指令在由該一或更多處理器執行時使該裝置： <br/>從一位元串流解碼一第一參數組，該第一參數組定義一訊框中的複數個第一柵區； <br/>對於每一第一柵區，從該位元串流解碼定義了複數個第二柵區的一各自的第二參數組，其中該複數個第二柵區劃分該各自的第一柵區； <br/>基於該第一參數組，將該訊框劃分為該複數個第一柵區； <br/>基於該各自的第二參數組，將每一第一柵區劃分為該複數個第二柵區；以及 <br/>基於該訊框的該劃分的第一柵區及第二柵區，從該位元串流解碼一圖像，其中要被解碼的該圖像的圖像區被映射至該訊框的各自的第二柵區，以及其中被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的一者的圖像區以一第一解析度等級被解碼，以及被映射至該訊框的該複數個第一柵區中的另一者的圖像區以一第二解析度等級被解碼。
如請求項16所述的裝置，其中該一或更多處理器還被配置以： <br/>從該位元串流解碼一填補標誌，該填補標誌表明是否要對該複數個第一柵區的一各自的柵區的複數個邊緣中的各邊緣執行一填補操作；以及 <br/>基於該填補標誌，對該各自的柵區的該複數個邊緣執行一填補。
如請求項16所述的裝置，其中該第一參數組包括一標誌，該標誌表明該第訊框要根據一均勻柵被劃分。
如請求項16所述的裝置，其中，對於一第一柵區，該各自的第二參數組包括一標誌，該標誌表明該第一柵區要根據一均勻柵被劃分。
如請求項16所述的裝置，其中該第一參數組以及該第二參數組在一序列參數集、一圖片參數集、或一截割標頭的任一者中被接收。
一種具有集水加熱功能的烘碗機，包括：<br/> 一烘碗機本體，該烘碗機本體內形成一位於上方的烘乾作業空間及一位於下方的集水作業空間，該烘碗機本體的一側形成一開口，該開口與該烘乾作業空間相連通；<br/> 一門板，該門板可動地安裝於該烘碗機本體，而能開啟或封閉該烘碗機本體的開口；<br/> 一導水盤，該導水盤位在該烘碗機本體的烘乾作業空間的下方，該導水盤具有一出水口，該導水盤能用以承接該烘乾作業空間內流下來的液體，並通過該出水口將液體向下排出；<br/> 一集水盤，該集水盤可移動的位在該導水盤下方的該集水作業空間中，該集水盤與該導水盤的出水口相連通，該集水盤內形成一儲水空間，由該出水口向下排出的液體能流至該集水盤的儲水空間內；及<br/> 一電熱裝置，該電熱裝置具有一主電熱加熱件，該主電熱加熱件位在該烘碗機本體的集水作業空間的下方且能以接觸傳導方式加熱該集水盤；其中，該主電熱加熱件是以平面狀彎曲的電熱加熱絲，且是直接接觸該集水盤的底部而能以直接接觸傳導方式加熱該集水盤；其中，該導水盤的下方設置有一支撐架，該支撐架固定於該導水盤的底部，該支撐架內形成一容置空間，該集水盤可移動的設置於該支撐架的容置空間內，該主電熱加熱件是以平面狀彎曲地設置於該支撐架的容置空間內，使該集水盤位於該支撐架的容置空間內時能被加熱。
如請求項1所述的具有集水加熱功能的烘碗機，其中，該集水盤的頂部呈開口狀，該集水盤的頂部可掀開的設置一蓋體，該蓋體具有一通孔，該通孔與該出水口對應，由該出水口向下排出的液體能通過該通孔而流至該集水盤的儲水空間內。
如請求項1所述的具有集水加熱功能的烘碗機，其中，該電熱裝置還具有至少一副電熱加熱件其係電耦接於該主電熱加熱件，該副電熱加熱件設置於該烘碗機本體的烘乾作業空間的側壁且能以接觸傳導方式加熱該烘碗機本體的烘乾作業空間的側壁。
如請求項3所述的具有集水加熱功能的烘碗機，其中，該副電熱加熱件是以平面狀彎曲且是直接接觸該烘碗機本體的烘乾作業空間的側壁而能以直接接觸傳導方式加熱該烘碗機本體的烘乾作業空間的側壁。
一種通信方法，其中，包括：<br/> 第一接入點AP在與增強多鏈路單無線電非接入點多鏈路設備EMLSR non-AP MLD中的第一站點STA進行幀交互的過程中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀；所述第一AP與第一站點STA關聯；<br/> 當所述第一接入點AP沒有接收到所述第一站點STA針對所述下行幀的回復時，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送第一初始控制幀。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一接入點AP屬於接入點多鏈路設備AP MLD。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求立即回復的下行幀。
如請求項1或2所述的方法，其中，所述幀交互的過程，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送第二初始控制幀；<br/> 所述第一接入點AP從所述第一站點STA接收針對所述第二初始控制幀的回應幀。
一種通信方法，其中，包括：<br/> 增強多鏈路單無線電非接入點多鏈路設備EMLSR non-AP MLD中的第一站點STA在與第一接入點AP進行幀交互的過程中，所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的要求回復的下行幀；所述第一站點STA與所述第一AP關聯；<br/> 當所述第一站點STA向所述第一接入點AP發送的針對所述下行幀的回復沒有被接收到時，所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的第一初始控制幀。
如請求項5所述的方法，其中，所述第一接入點AP屬於接入點多鏈路設備AP MLD。
如請求項5或6所述的方法，其中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求立即回復的下行幀。
如請求項5或6所述的方法，其中，所述幀交互的過程，包括：<br/> 所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的第二初始控制幀；<br/> 所述第一站點STA向所述第一接入點AP發送的針對所述第二初始控制幀的回應幀。
一種通信裝置，應用在第一接入點AP側，其中，包括：<br/> 收發單元，用於在與增強多鏈路單無線電非接入點多鏈路設備EMLSR non-AP MLD中的第一站點STA進行幀交互的過程中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀；所述第一AP與第一站點STA關聯；<br/> 所述收發單元還用於，當所述第一接入點AP沒有接收到所述第一站點STA針對所述下行幀的回復時，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送第一初始控制幀。
如請求項9所述的通信裝置，其中，所述第一接入點AP屬於接入點多鏈路設備AP MLD。
如請求項9或10所述的通信裝置，其中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求立即回復的下行幀。
如請求項9或10所述的通信裝置，其中，所述幀交互的過程，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送第二初始控制幀；<br/> 所述第一接入點AP從所述第一站點STA接收針對所述第二初始控制幀的回應幀。
一種通信裝置，應用在增強多鏈路單無線電非接入點多鏈路設備EMLSR non-AP MLD中的第一站點STA側，其中，包括：<br/> 收發單元，用於在與第一接入點AP進行幀交互的過程中，所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的要求回復的下行幀；所述第一站點STA與所述第一AP關聯；<br/> 所述收發單元，還用於當所述第一站點STA向所述第一接入點AP發送的針對所述下行幀的回復沒有被接收到時，所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的第一初始控制幀。
如請求項13所述的通信裝置，其中，所述第一接入點AP屬於接入點多鏈路設備AP MLD。
如請求項13或14所述的通信裝置，其中，所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求回復的下行幀，包括：<br/> 所述第一接入點AP向所述第一站點STA發送要求立即回復的下行幀。
如請求項13或14所述的通信裝置，其中，所述幀交互的過程，包括：<br/> 所述第一站點STA接收所述第一接入點AP發送的第二初始控制幀；<br/> 所述第一站點STA向所述第一接入點AP發送的針對所述第二初始控制幀的回應幀。
一種通信裝置，其中，包括處理器和通信介面，其中，所述通信介面用於收發幀，所述處理器用於通過所述通信介面與其它裝置通信，使得所述通信裝置執行如請求項1至8中任一項所述的方法。
一種電腦可讀儲存介質，其中，所述電腦可讀儲存介質中儲存有指令，當所述指令在電腦上運行時，使得所述電腦執行如請求項1至8中任一項所述的方法。
一種石類材料之製造方法，包含： <br/>步驟A：將包括有甲基丙烯酸甲酯、硬化劑及氫氧化鋁之一原料置入一呈管狀的模具當中，甲基丙烯酸甲酯的重量為α，氫氧化鋁的重量為β，α/β為0.5~0.7；及 <br/>步驟B：旋轉並加熱該模具，將該模具放入35°C的水池中，並以230 RPM~280 RPM的轉速旋轉0.5hr，接著將該池水的水溫逐漸升溫至60°C，之後以同樣轉速並保持該溫度4hr~4.5hr，以使該原料硬化形成一橫剖面呈環狀之一石材半成品。
如請求項1所述的石類材料之製造方法，其中，在該步驟A中，甲基丙烯酸甲酯的重量為α，氫氧化鋁的重量為β，α/β為0.5~0.6。
如請求項1所述的石類材料之製造方法，還包含一位在該步驟B之後的步驟C，於該步驟C中，是將該石材半成品置於溫度35°C~70°C的環境中乾燥成為一石胚。
如請求項3所述的石類材料之製造方法，其中，在該步驟C中，乾燥時間為40~60min。
如請求項3所述的石類材料之製造方法，其中，在該步驟C中，是將該石材半成品置於溫度70~90°C的環境中，並經過40min的乾燥時間，而乾燥成為一石胚。
一種奈米碳管膜表面處理方法，其中，包括以下步驟： 將奈米碳管膜鋪設在襯底表面；<br/> 對所述奈米碳管膜進行退火，使所述奈米碳管膜中奈米碳管封閉的兩端輕微氧化打開，暴露裡面的催化劑顆粒，在對所述奈米碳管膜進行退火的步驟中，使用CVD管式爐將鋪好的奈米碳管膜在空氣氣氛中迅速升溫到500~800℃，保持加熱10~30分鐘，最後迅速冷卻到室溫；<br/> 使用無機酸和揮發性有機溶劑的混合溶液浸沒奈米碳管膜對所述奈米碳管膜進行酸處理，所述奈米碳管膜中的金屬催化劑顆粒與所述無機酸反應生成無機鹽，再用揮發性有機溶劑與水的混合溶液清洗附著在所述奈米碳管膜中的所述無機鹽，所述揮發性有機溶劑為乙醇、丙酮或異丙醇；<br/> 對所述奈米碳管膜進行退火處理，使所述奈米碳管膜或奈米碳管內殘留的無機鹽升華，以去除所述奈米碳管膜中殘留的無機鹽，對所述奈米碳管膜進行退火處理，以去除所述奈米碳管膜中殘留的無機鹽的步驟中，使用CVD管式爐將所述奈米碳管膜在惰性氣體或氮氣的氣氛中退火，溫度控制在300℃~500℃之間，惰性氣體或氮氣流量控制在50~500sccm。
如請求項1所述的奈米碳管膜表面處理方法，其中，所述無機酸為鹽酸、硫酸、磷酸中的任意一種或任意兩種以上的混合酸。
如請求項1所述的奈米碳管膜表面處理方法，其中，在再清洗附著在所述奈米碳管膜中的所述無機鹽的步驟中，將所述奈米碳管膜取出，用揮發性有機溶劑與水的混合溶液沖洗，並在50~80℃下進行烘乾。
如請求項1所述的奈米碳管膜表面處理方法，其中，將奈米碳管膜鋪設在襯底表面之後，使用揮發性有機溶劑收縮所述奈米碳管膜，並在50~80℃下烘乾。
如請求項1所述的奈米碳管膜表面處理方法，其中，將奈米碳管膜鋪設在襯底表面的步驟中，所述奈米碳管膜為超順排奈米碳管膜，奈米碳管碾壓膜或奈米碳管絮化膜。
如請求項5所述的奈米碳管膜表面處理方法，其中，單層超順排奈米碳管膜包括多個沿同一方向擇優取向且平行於所述超順排奈米碳管膜表面排列的奈米碳管，所述奈米碳管之間通過凡得瓦爾力首尾相連。
一種導電性材料組成物，其特徵為包含： <br/>(A)金屬奈米線， <br/>(B)具有選自下列結構之樹脂，及 <br/>(C)溶劑， <br/>該(A)金屬奈米線相對於該(B)樹脂100質量份為5~1000質量份的範圍， <br/>該溶劑的添加量相對於該(B)樹脂100質量份為10~50,000質量份， <br/><img align="absmiddle" height="321px" width="409px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="287px" width="407px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="359px" width="400px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>n表示平均重複單元數。
如請求項1之導電性材料組成物，更含有光酸產生劑或熱酸產生劑。
一種導電膜，係形成在基板上之導電膜，其特徵為： <br/>塗佈在該基板上之如請求項1或2之導電性材料組成物之該樹脂(B)成分利用酸及熱中之任一者或兩者而分解及/或除去。
一種導電膜之形成方法，其特徵為： <br/>在基板上塗佈如請求項1或2之導電性材料組成物，利用酸及熱中之任一者或兩者將該樹脂(B)成分予以分解及/或除去而形成導電膜。
一種運算方法，為包含反或型或反及型的儲存單元陣列的半導體裝置中的運算方法，所述運算方法中，<br/> 在所述儲存單元陣列的多列的讀出中，算出在讀出各列時位元線中流動的行方向上的電流的總和，<br/> 其中，所述運算方法算出在第一組位元線中流動的所述行方向上的第一電流的總和及第二組位元線中流動的所述行方向上的第二電流的總和，並算出所述第一電流的總和與所述第二電流的總和的差值。
如請求項1所述的運算方法，其中，所述運算方法進而算出多條所述位元線的所述行方向上的電流總和的列方向上的電流總和。
如請求項2所述的運算方法，其中，所述運算方法算出與儲存於多列×多行的儲存單元中的資料對應的矩陣方向上的電流的總和。
如請求項1所述的運算方法，其中，所述運算方法包含對所述行方向上的電流的總和或矩陣方向上的電流的總和進行類比/數位轉換而生成多個位元的資料。
如請求項4所述的運算方法，其中，所述運算方法還包含將所述多個位元的資料寫入至所述儲存單元陣列的儲存單元中。
如請求項5所述的運算方法，其中，所述儲存單元陣列包含第一儲存平面及第二儲存平面，<br/> 在所述第一儲存平面的讀出中算出所述位元線中流動的矩陣方向上的電流的總和，並將所述多個位元的資料寫入至所述第二儲存平面中。
如請求項1所述的運算方法，其中，所述第一電流的總和表示正係數，所述第二電流的總和表示負係數。
一種半導體裝置，包含：<br/> 反或型或反及型的儲存單元陣列，包含多條列線、多條位元線及多個儲存單元；<br/> 讀出部件，進行所述儲存單元陣列的讀出；<br/> 寫入部件，進行所述儲存單元陣列的寫入；以及<br/> 運算部件，在通過所述讀出部件進行多列的讀出時，算出在讀出各列時所述位元線中流動的行方向上的電流的總和，<br/> 其中，所述運算部件進而算出所述多條位元線的所述行方向上的電流總和的列方向上的電流總和，<br/> 其中，所述運算部件算出在第一組位元線中流動的所述行方向上的第一電流的總和及第二組位元線中流動的所述行方向上的第二電流的總和，並算出所述第一電流的總和與所述第二電流的總和的差值。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，所述運算部件算出與儲存於多列×多行的所述儲存單元中的資料對應的矩陣方向上的電流的總和。
如請求項8所述的半導體裝置，其中，所述運算部件包含類比/數位轉換部件，所述類比/數位轉換部件對所述行方向上的電流的總和或矩陣方向上的電流的總和進行類比/數位轉換而生成多個位元的資料。
如請求項10所述的半導體裝置，其中，所述寫入部件將所述多個位元的資料寫入至所述儲存單元陣列的所述儲存單元中。
如請求項11所述的半導體裝置，其中，所述儲存單元陣列包含第一儲存平面及第二儲存平面，<br/> 所述運算部件在所述第一儲存平面的讀出中算出所述位元線中流動的矩陣方向上的電流的總和，所述寫入部件將所述多個位元的資料寫入至所述第二儲存平面中。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>處理室，其對基板進行處理； <br/>第一氣體供給機構，其向上述基板的表面供給成膜氣體； <br/>第二氣體供給機構，其向上述基板的背面供給成膜氣體； <br/>基板加熱台，其對上述處理室內的上述基板進行加熱，且設置有上述第二氣體供給機構； <br/>升降機構，其至少在第一位置與第二位置之間使上述基板升降，其中，上述第一位置係能夠向上述處理室內外搬送上述基板的位置，上述第二位置係比上述第一位置接近上述基板加熱台且不與上述基板加熱台接觸的位置；以及 <br/>控制部，其構成為能夠控制上述第一氣體供給機構、上述第二氣體供給機構、上述基板加熱台及上述升降機構，以在上述第二位置處一邊對上述基板進行加熱、一邊在上述基板的兩面形成膜。
如請求項1之基板處理裝置，其中， <br/>上述升降機構具備對上述基板進行支撐的基板支撐部， <br/>上述控制部係構成為，可以在上述第二位置處上述基板被支撐在上述基板支撐部上的狀態下對上述基板進行加熱的方式進行控制。
如請求項1之基板處理裝置，其中，從上述第一氣體供給機構向上述基板的表面供給的成膜氣體的供給條件、及從上述第二氣體供給機構向上述基板的背面供給的成膜氣體的供給條件，係構成為能夠分別設定。
如請求項1之基板處理裝置，其中，藉由從上述第一氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的表面上的膜、與藉由從上述第二氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的背面上的膜為相同組成的膜。
如請求項1之基板處理裝置，其中，藉由從上述第一氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的表面上的膜、與藉由從上述第二氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的背面上的膜為不同組成的膜。
如請求項1之基板處理裝置，其中，藉由從上述第一氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的表面上的膜、與藉由從上述第二氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的背面上的膜為相同膜厚的膜。
如請求項1之基板處理裝置，其中，藉由從上述第一氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的表面上的膜、與藉由從上述第二氣體供給機構供給的成膜氣體沉積到上述基板的背面上的膜為不同膜厚的膜。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>處理室，其對基板進行處理； <br/>第一氣體供給機構，其向上述基板的表面供給成膜氣體； <br/>第二氣體供給機構，其向上述基板的背面供給成膜氣體； <br/>基板加熱台，其對上述處理室內的上述基板進行加熱； <br/>升降機構，其至少在第一位置與第二位置之間使上述基板升降，其中，上述第一位置係能夠向上述處理室內外搬送上述基板的位置，上述第二位置係比上述第一位置接近上述基板加熱台且不與上述基板加熱台接觸的位置；以及 <br/>控制部，其構成為能夠控制上述第一氣體供給機構、上述第二氣體供給機構、上述基板加熱台及上述升降機構，以在上述第二位置處一邊對上述基板進行加熱、一邊在上述基板的兩面形成膜，進而能夠以在上述基板的成膜中每隔既定期間利用上述升降機構使上述基板載置到上述基板加熱台的方式進行控制。
一種半導體裝置之製造方法，其具有： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的步驟；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊從第一氣體供給機構向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時從被設置於上述基板加熱台的第二氣體供給機構向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜的步驟。
如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，向上述基板的表面供給的成膜氣體的供給條件、及向上述基板的背面供給的成膜氣體的供給條件係構成為能夠分別設定。
如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，沉積在上述基板的表面上的膜、與沉積在上述基板的背面上的膜為相同組成的膜。
如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，沉積在上述基板的表面上的膜、與沉積在上述基板的背面上的膜為不同組成的膜。
如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，沉積在上述基板的表面上的膜、與沉積在上述基板的背面上的膜為相同膜厚的膜。
如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，沉積在上述基板的表面上的膜、與沉積在上述基板的背面上的膜為不同膜厚的膜。
一種利用電腦使基板處理裝置執行程序的程式，上述程序係： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的程序；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊從第一氣體供給機構向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時從被設置於上述基板加熱台的第二氣體供給機構向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜的程序。
如請求項15之程式，其中，向上述基板的表面供給的成膜氣體的供給條件、及向上述基板的背面供給的成膜氣體的供給條件係構成為能夠分別設定。
一種基板處理方法，其具有： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的步驟；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊從第一氣體供給機構向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時從被設置於上述基板加熱台的第二氣體供給機構向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜的步驟。
一種半導體裝置之製造方法，其具有： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的步驟；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜，在上述基板的成膜中，每隔既定期間，使上述基板載置到上述基板加熱台的步驟。
一種基板處理方法，其具有： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的步驟；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜，在上述基板的成膜中，每隔既定期間，使上述基板載置到上述基板加熱台的步驟。
一種利用電腦使基板處理裝置執行程序的程式，上述程序係： <br/>在第一位置處向處理室內外搬送基板的程序；以及 <br/>至少使上述基板從上述第一位置下降至接近對上述基板進行加熱的基板加熱台、且不與上述基板加熱台接觸的第二位置，一邊對上述基板進行加熱，一邊向上述基板的表面供給成膜氣體、並同時向上述基板的背面供給成膜氣體，而在上述基板的兩面形成膜，在上述基板的成膜中，每隔既定期間，使上述基板載置到上述基板加熱台的程序。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一源極/汲極區；<br/> 一第二源極/汲極區；<br/> 一半導體通道，設置於該第一源極/汲極區與該第二源極/汲極區之間，其中該半導體通道包括二或更多個半導體層；<br/> 一閘極介電層，形成於該等半導體層周圍；<br/> 一閘極電極層，設置於該閘極介電層上；<br/> 二個閘極側壁間隙壁，設置於該半導體通道的一第一側，其中該閘極電極層及該閘極介電層設置於該等閘極側壁間隙壁之間；<br/> 二或更多個內間隔層與該半導體通道的該等半導體層交替堆疊； <br/> 一閘極接點，設置於該半導體通道的一第二側上的該閘極電極層上，其中該第二側相對於該第一側；以及<br/> 第一及第二埋入式特徵部件，分別設置於該第一及該第二源極/汲極區上方，其中該第一及該第二埋入式特徵部件設置於該半導體通道的該第二側。
如請求項1之半導體裝置，更包括：<br/> 一第一源極/汲極接點，設置於該第一源極/汲極區上，其中該第一源極/汲極接點設置於該半導體通道的該第一側。
如請求項2之半導體裝置，更包括：<br/> 一第二源極/汲極接點，設置於該第一源極/汲極區上，其中該第二源極/汲極接點設置於該半導體通道的該第二側。
如請求項1或2之半導體裝置，更包括：<br/> 一導線，設置於該半導體通道的該第二側，其中該導線與該閘極接點接觸。
如請求項1或2之半導體裝置，更包括：<br/> 一閘極接點間隙壁，環繞該閘極接點。
如請求項1或2之半導體裝置，更包括：<br/> 一隔離層，設置於該第一埋入式特徵部件與該第一源極/汲極區之間。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一第一源極/汲極區；<br/> 一半導體通道，連接至該第一源極/汲極區；<br/> 一閘極結構，形成於該半導體通道上；<br/> 一第一前側源極/汲極接點，設置於該第一源極/汲極區的一前表面上；<br/> 一埋入式特徵部件，設置於該第一源極/汲極區的一背表面上；以及<br/> 一背側閘極接點，設置於該閘極結構上並鄰近一對準特徵部件。
如請求項7之半導體裝置，更包括：<br/> 一隔離層，設置於該埋入式特徵部件與該第一源極/汲極區的該背表面之間。
如請求項7或8之半導體裝置，更包括：<br/> 一閘極間隙壁，設置於該背側閘極接點與該對準特徵部件之間。
如請求項9之半導體裝置，更包括：<br/> 一介電蓋層，設置於該對準特徵部件上，其中該閘極間隙壁與該介電蓋層接觸。
一種半導體裝置之形成方法，包括：<br/> 形成一半導體鰭部於一基底的一前側上；<br/> 形成一犧牲閘極結構於該半導體鰭部上方；<br/> 蝕刻該半導體鰭部及該基底，以形成複數個源極/汲極凹槽於該犧牲閘極結構的兩側；<br/> 沉積複數個埋入式特徵部件於該等源極/汲極凹槽內；<br/> 形成複數個源極/汲極區於該等埋入式特徵部件上方；<br/> 形成一取代閘極結構；<br/> 薄化該基底的一背側，以露出該等埋入式特徵部件；<br/> 選擇性去除該等埋入式特徵部件之間的該基底，以露出該取代閘極結構；以及<br/> 形成一背側閘極接點於該等埋入式特徵部件之間。
如請求項11之半導體裝置之形成方法，更包括：<br/> 在形成該等源極/汲極區之前，沉積一隔離層於該等埋入式特徵部件上。
如請求項11之半導體裝置之形成方法，更包括：<br/> 在形成該背側閘極接點之前，形成一閘極間隙壁於該等埋入式特徵部件上。
如請求項11、12或13之半導體裝置之形成方法，更包括：<br/> 選擇性去除該等埋入式特徵部件的其中一者，以露出該對應的源極/汲極區；以及<br/> 形成一背側源極/汲極接點。
一種電子裝置，包括： <br/>一視角切換構造，包括一第一偏光層、一第二偏光層、一第一液晶層、一第二液晶層及一基板；以及 <br/>一顯示構造，包括一背光模組及一顯示模組， <br/>其中該第一液晶層設置於該第一偏光層及該第二偏光層之間，該顯示模組設置於該第二偏光層及該第二液晶層之間，該第二液晶層設置於該顯示模組及該基板之間，一偏極化光線入射該第二液晶層， <br/>其中該第一偏光層的吸收軸的角度與該偏極化光線的偏極化方向相同。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一偏光層的吸收軸的角度及該第二偏光層的吸收軸的角度的差值為90度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該視角切換構造更包括一第三偏光層，該第二液晶層設置於該第二偏光層及該第三偏光層之間，且一光線通過該第三偏光層以提供該偏極化光線。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第二偏光層的吸收軸及該第三偏光層的吸收軸具有相同角度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該背光模組用於提供該偏極化光線。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一液晶層及該第二液晶層包括扭曲向列型液晶。
如請求項1所述的電子裝置，其包括一液晶單元，該液晶單元包括該第二液晶層和該基板。
一種製造包含一陣列微型裝置(microdevices)之一光電子裝置之方法，其包括： <br/>將製造於一裝置基板上之一微型裝置層經由界定一微型裝置照射區之基板接觸凸塊安裝至一系統上，其中藉由該等基板接觸凸塊部分地界定一整合式結構中之微型裝置， <br/>其中該微型裝置層包括安置於該裝置基板上之一第一經摻雜導電層、安置於該第一經摻雜導電層上之一作用層，及安置於該作用層及該第一經摻雜導電層上之一第二經摻雜導電層，及 <br/>其中該等基板接觸凸塊係用作為用於蝕刻該第二經摻雜導電層之一遮罩。
如請求項1之方法，其中該微型裝置層不具有用以界定該微型裝照射區之任何頂部觸點(top contact)。
如請求項1之方法，其中在該裝置基板上之該微型裝置層以藉由一絕緣體分開之一陣列接觸凸塊接合至之一系統基板。
如請求項3之方法，其中該絕緣體係一介電質。
如請求項3之方法，其中在該等接觸凸塊與該微型裝置層之間進行該接合，其中該等接觸凸塊係金屬。
如請求項5之方法，其中使用任何接合過程，諸如但不限於熱及/或壓力接合或雷射加熱接合，執行該接合。
如請求項6之方法，其中由於該接合，在該微型裝置轉移至該系統基板期間消除一對準程序。
如請求項3之方法，其中藉由該接觸凸塊之一大小部分地界定一微型裝置大小及一間距。
如請求項8之方法，其中該等微型裝置層係在一藍寶石基板上之發光二極體(LED)層且該系統基板係一顯示器背板，該顯示器背板具有驅動藉由該顯示器背板上之該等接觸凸塊部分地界定之個別微型LED所需要之電路。
一種製造包含一陣列微型裝置之一光電子裝置之方法，其包括： <br/>將製造於一裝置基板上之一微型裝置層經由界定一微型裝照射區之基板接觸凸塊安裝至一系統上，其中藉由該等基板接觸凸塊完全地界定一整合式結構中之微型裝置， <br/>其中該微型裝置層包括安置於該裝置基板上之一第一經摻雜導電層、安置於該第一經摻雜導電層上之一作用層，及安置於該作用層及該第一經摻雜導電層上之一第二經摻雜導電層，及 <br/>其中該等基板接觸凸塊係用作為用於蝕刻該第二經摻雜導電層之一遮罩。
如請求項10之方法，其中為界定一微型裝置大小及一微型裝置間距，在一系統基板上沈積且圖案化一堤岸層(bank layer)。
如請求項11之方法，其中該堤岸層包含在每一接觸凸塊周圍完全地界定該微型裝置大小及該微型裝置間距之開口。
如請求項12之方法，其中該堤岸層係用以將該微型裝置層固定至一絕緣體或一介電層之一黏合劑材料。
一種製造包含一陣列微型裝置之一光電子裝置之方法，其包括： <br/>使用一裝置層及一共同電極之接合後圖案化將製造於一裝置基板上之該裝置層安裝至一系統基板上，其中在轉移至該系統基板之後圖案化該裝置層以在接觸凸塊上方包含凸起接觸區段(raised contact sections)，其中該等接觸凸塊界定微型裝照射區， <br/>其中該微型裝置層包括安置於該裝置基板上之一第一經摻雜導電層、安置於該第一經摻雜導電層上之一作用層及安置於該作用層及該第一經摻雜導電層上之一第二經摻雜導電層，及 <br/>其中該等接觸凸塊係用作為用於蝕刻該第二經摻雜導電層之一遮罩。
如請求項14之方法，其中圖案化以將該等微型裝置電及/或光學隔離。
如請求項15之方法，其中在圖案化該裝置層之後，在形成於該等凸起接觸區段周圍及頂部上之該裝置層上沈積共同頂部電極。
如請求項16之方法，其中對於諸如LED之光學裝置，該共同電極係一透明導電層或一反射導電層。
如請求項17之方法，其中在該等經隔離微型裝置之間沈積及/或形成額外層。
如請求項18之方法，其中該等額外層鈍化該等經隔離微型裝置之側壁。
一種轉化β-羥基羰物質的方法，該方法包括 :<br/>將β-羥基羰物質與層狀雙氫氧化物(LDH)衍生之一複合催化劑混合，其中該複合催化劑包括LDH衍生之鹼性混合氧化物載體以及於該LDH衍生之鹼性混合氧化物載體上的氫化活性物質；以及<br/>使用該複合催化劑在氫氣環境下催化逆醛醇縮合以及隨後的氫化，以完成該β-羥基羰物質之轉化。
如請求項1所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該LDH為摻雜之M<sup>3+</sup>/N<sup>2+</sup>-LDH，該M<sup>3+</sup>為三價金屬，且該N<sup>2+</sup>為二價金屬。
如請求項2所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該氫化活性物質來自該摻雜之M<sup>3+</sup>/N<sup>2+</sup>-LDH的摻雜元素，且該摻雜元素與該N<sup>2+</sup>之總莫耳量為該M<sup>3+</sup>之2至4倍。
如請求項2所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該M<sup>3+</sup>為Al<sup>3+</sup>，且該N<sup>2+</sup>為Mg<sup>2+</sup>。
如請求項1所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該氫化活性物質為鎳奈米粒子。
如請求項1至5中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該β-羥基羰物質包括含氮基團。
如請求項1至5中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該β-羥基羰物質在Cα位置包括含氮基團。
如請求項7所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該含氮基團包括N-醯基取代的胺基部分。
如請求項1至5中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該β-羥基羰物質之該轉化產生含有N-醯基取代之胺基部分且碳原子比該β-羥基羰物質少之醇化合物。
如請求項1至5中任一項所述之所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該β-羥基羰物質為醣。
如請求項10所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該醣為單醣。
如請求項1至5中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該β-羥基羰物質之該轉化係在60℃至約120℃範圍內之溫度下進行。
一種製備胺基醇前驅物的方法，包括 :<br/>提供胺基醣；以及<br/>將該胺基醣與層狀雙氫氧化物(LDH)衍生之一複合催化劑混合，以在該複合催化劑之催化下，使該胺基醣經由逆醛醇縮合及隨後之氫化反應而轉化成該胺基醇前驅物，其中該複合催化劑包括LDH衍生之鹼性混合氧化物載體以及於該LDH衍生之鹼性混合氧化物載體上的氫化活性物質。
如請求項13所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該LDH為摻雜之M<sup>3+</sup>/N<sup>2+</sup>-LDH，該M<sup>3+</sup>為三價金屬，且該N<sup>2+</sup>為二價金屬。
如請求項14所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該氫化活性物質來自該摻雜之M<sup>3+</sup>/N<sup>2+</sup>-LDH的摻雜元素，且該摻雜元素與該N<sup>2+</sup>之總莫耳量為該M<sup>3+</sup>之2至4倍。
如請求項14所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該M<sup>3+</sup>為Al<sup>3+</sup>，且該N<sup>2+</sup>為Mg<sup>2+</sup>。
如請求項13所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該氫化活性物質為鎳奈米粒子。
如請求項13至17中任一項所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該胺基醣包括N-醯基取代的胺基部分。
如請求項13至17中任一項所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該胺基醇前驅物為含有N-醯基取代之胺基部分且碳原子比該胺基醣少之醇化合物。
如請求項13至17中任一項所述之所述之製備胺基醇前驅物的方法，其中該胺基醣為N-乙醯葡萄糖胺。
如請求項20所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該胺基醇前驅物為N-乙醯乙醇胺。
如請求項13至17中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該胺基醣之該轉化成該胺基醇前驅物係在60℃至約120℃範圍內之溫度下於氫氣環境中進行。
如請求項13至17中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中該胺基醣與該複合催化劑之間的重量比為2或更小。
如請求項13至17中任一項所述之轉化β-羥基羰物質的方法，其中提供該胺基醣之該步驟包括解聚幾丁質生物質。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>電漿處理容器； <br/>被處理體載置台，配置於該電漿處理容器中； <br/>至少一電極，配置於該被處理體載置台中； <br/>至少一直流電源，電性連接於該至少一電極；及 <br/>控制部，配置用以控制該至少一直流電源，從而： <br/>(i)從該至少一直流電源施加脈衝的負值直流電壓至該至少一電極；及 <br/>(ii)隨著時間將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的頻率降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係控制該至少一直流電源，從而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率連續地或階段性地降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係隨著該等洞的深度變深而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低。
如請求項3之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係控制該至少一直流電源，從而在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而產生離子，該等離子係被引導朝向該被處理體，且該控制部係將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低，從而對該等離子的直進性降低加以抑制。
如請求項5之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項6之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係控制該至少一直流電源，從而將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率連續地或階段性地降低。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該電漿處理裝置而在該被處理體中蝕刻複數洞，且該控制部係在達到該等洞的預定深度的時間點將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率從第一頻率降低至低於該第一頻率的第二頻率。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該電漿處理裝置為蝕刻裝置，且該蝕刻裝置更包含射頻電源，該射頻電源係施加射頻電力以在該電漿處理容器中形成電漿。
如請求項9之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該射頻電源及該直流電源，從而： <br/>開始進行對於該至少一電極的脈衝的負值直流電壓的施加； <br/>在開始進行該脈衝的負值直流電壓的該施加後，開始進行該射頻電力的施加以在該電漿處理容器中形成電漿；及 <br/>在開始進行該射頻電力的該施加後，執行該脈衝的負值直流電壓的該頻率的該降低。
如請求項10之電漿處理裝置，其中， <br/>該控制部係進一步配置用以控制該直流電源，從而在開始進行該射頻電力的該施加後，將施加至該至少一電極的直流電壓的絕對值提高。
一種電漿蝕刻裝置，包含： <br/>電漿處理容器； <br/>被處理體載置台，配置於該電漿處理容器中； <br/>至少一電極，配置於該被處理體載置台中； <br/>直流電源，電性連接於該至少一電極； <br/>射頻電源，施加射頻電力以在該電漿處理容器中形成電漿； <br/>控制部，配置用以： <br/>(i)控制該直流電源以將脈衝的負值直流電壓施加至該至少一電極； <br/>(ii)控制該射頻電源以開始進行該射頻電力的施加，從而形成該電漿且對該被處理體載置台上的被處理體進行蝕刻； <br/>(iii)在開始進行該射頻電力的該施加後，控制該直流電源以進行下列至少一者：將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的頻率降低，或是將施加至該至少一電極的電壓的絕對值提高。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以隨著蝕刻處理增加或隨著在開始進行該射頻電力的該施加後的時間量增加，將施加至該至少一電極的該脈衝的負值直流電壓的該頻率降低。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以在藉由該射頻電源而開始進行該射頻電力的該施加後，既降低該脈衝的負值直流電壓的該頻率，亦提高該直流電源所施加的該電壓的該絕對值的量。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該射頻電源係電性連接於該至少一電極。
如請求項12之電漿蝕刻裝置，其中， <br/>該控制部係配置用以控制該直流電源，從而在開始進行該射頻電力的該施加之前，開始進行對於該至少一電極的直流電壓的施加。
如請求項16之電漿蝕刻裝置，更包含， <br/>氣體供給部，將處理氣體供至該電漿處理容器； <br/>處理氣體控制部，控制來自該氣體供給部的處理氣體的流動，使得該處理氣體的流動係在開始進行該直流電壓的該施加之前開始進行，且該處理氣體的該流動係在該直流電源及該射頻電源均被關閉後中斷。
一種取得一顯示面板的一亮色度資訊之方法，該顯示面板包含有複數個像素，該方法包含有：<br/> 取得一定位資訊，該定位資訊指示該複數個像素在一測試圖片上的位置；<br/> 點亮該複數個像素並拍攝該測試圖片；<br/> 根據該定位資訊來測量該複數個像素，以取得該測試圖片上該複數個像素中的每一像素之一光強度分布；以及<br/> 根據該光強度分布，計算該複數個像素中的每一像素之該亮色度資訊，以還原該複數個像素中的每一像素之一發光元件產生的原始光強度；<br/> 其中，該測試圖片係在該複數個像素中的所有像素被點亮時拍攝。
一種面板偵測系統，包含有：<br/> 一顯示面板，包含有複數個像素；<br/> 一控制器，耦接於該顯示面板，用來點亮該複數個像素；<br/> 一二維亮色度偵測器，用來在該複數個像素被點亮時拍攝一測試圖片；以及<br/> 一處理器，耦接於該控制器及該二維亮色度偵測器，用來：<br/> 取得一定位資訊，該定位資訊指示該複數個像素在該測試圖片上的位置；<br/> 根據該定位資訊來測量該複數個像素，以取得該測試圖片上該複數個像素中的每一像素之一光強度分布；以及<br/> 根據該光強度分布，計算該複數個像素中的每一像素之一亮色度資訊，以還原該複數個像素中的每一像素之一發光元件產生的原始光強度；<br/> 其中，該二維亮色度偵測器係在該複數個像素中的所有像素被點亮時拍攝該測試圖片。
一種取得一顯示面板的一亮色度資訊之方法，該顯示面板包含有複數個像素，該方法包含有：<br/> 取得一定位資訊，該定位資訊指示該複數個像素在一測試圖片上的位置；<br/> 點亮該複數個像素並拍攝該測試圖片；<br/> 根據該定位資訊來測量該複數個像素，以取得該測試圖片上該複數個像素中的每一像素之一光強度分布；以及<br/> 根據該光強度分布，計算該複數個像素中的每一像素之該亮色度資訊；<br/> 其中，取得該定位資訊之步驟包含有：<br/> 部分點亮該複數個像素，其中，複數個點亮像素中的每二像素被該複數個像素中的至少一未點亮像素分隔；<br/> 在拍攝該測試圖片之前先拍攝一定位圖片，其中，該複數個像素在該定位圖片上被部分點亮；以及<br/> 根據該定位圖片，取得該複數個像素的位置。
如請求項3所述之方法，其中取得該定位資訊之步驟另包含有：<br/> 根據該複數個點亮像素所產生的複數個光斑，判斷該複數個點亮像素的複數個位置；以及<br/> 根據該複數個點亮像素的該複數個位置當中至少一者，判斷複數個未點亮像素的複數個位置。
如請求項4所述之方法，其中取得該定位資訊之步驟另包含有：<br/> 根據由該複數個點亮像素中的一第一點亮像素產生的一第一光斑，判斷該第一點亮像素的一第一位置；<br/> 根據由該複數個點亮像素中的一第二點亮像素產生的一第二光斑，判斷該第二點亮像素的一第二位置；以及<br/> 根據該第一位置及該第二位置，判斷該複數個未點亮像素中的一第三未點亮像素的一第三位置。
如請求項3所述之方法，其中取得該定位資訊之步驟包含有：<br/> 根據該測試圖片上的一影像來取得該定位資訊。
如請求項3所述之方法，其中取得該定位資訊之步驟包含有：<br/> 根據該顯示面板上除了該複數個像素以外的一光源來取得該定位資訊。
如請求項3所述之方法，其中該亮色度資訊包含有一亮度資訊及一色度資訊當中至少一者。
如請求項3所述之方法，其中根據該定位資訊來測量該複數個像素以取得該光強度分布之步驟包含有：<br/> 根據該定位資訊，判斷由該複數個像素中的一第一像素產生的一光斑所對應的一範圍；以及<br/> 在該範圍內接收該第一像素之該光強度分布。
如請求項3所述之方法，其中根據該光強度分布計算該複數個像素中的每一像素之該亮色度資訊之步驟包含有：<br/> 對該光強度分布執行一反卷積（deconvolution），以產生該亮色度資訊。
如請求項10所述之方法，其中該反卷積係根據一點擴散函數（Point Spread Function，PSF）來執行。
如請求項3所述之方法，其中根據該光強度分布計算該複數個像素中的每一像素之該亮色度資訊之步驟包含有：<br/> 利用一類神經網路模型（neural network model），以根據該光強度分布計算該亮色度資訊。
一種面板偵測系統，包含有：<br/> 一顯示面板，包含有複數個像素；<br/> 一控制器，耦接於該顯示面板，用來點亮該複數個像素；<br/> 一二維亮色度偵測器，用來在該複數個像素被點亮時拍攝一測試圖片；以及<br/> 一處理器，耦接於該控制器及該二維亮色度偵測器，用來：<br/> 取得一定位資訊，該定位資訊指示該複數個像素在該測試圖片上的位置；<br/> 根據該定位資訊來測量該複數個像素，以取得該測試圖片上該複數個像素中的每一像素之一光強度分布；以及<br/> 根據該光強度分布，計算該複數個像素中的每一像素之一亮色度資訊；<br/> 其中，該處理器執行下列步驟以取得該定位資訊：<br/> 部分點亮該複數個像素，其中，複數個點亮像素中的每二像素被該複數個像素中的至少一未點亮像素分隔；<br/> 在拍攝該測試圖片之前先拍攝一定位圖片，其中，該複數個像素在該定位圖片上被部分點亮；以及<br/> 根據該定位圖片，取得該複數個像素的位置。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器另執行下列步驟以取得該定位資訊：<br/> 根據該複數個點亮像素所產生的複數個光斑，判斷該複數個點亮像素的複數個位置；以及<br/> 根據該複數個點亮像素的該複數個位置當中至少一者，判斷複數個未點亮像素的複數個位置。
如請求項14所述之面板偵測系統，其中該處理器另執行下列步驟以取得該定位資訊：<br/> 根據由該複數個點亮像素中的一第一點亮像素產生的一第一光斑，判斷該第一點亮像素的一第一位置；<br/> 根據由該複數個點亮像素中的一第二點亮像素產生的一第二光斑，判斷該第二點亮像素的一第二位置；以及<br/> 根據該第一位置及該第二位置，判斷該複數個未點亮像素中的一第三未點亮像素的一第三位置。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器係根據該測試圖片上的一影像來取得該定位資訊。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器係根據該顯示面板上除了該複數個像素以外的一光源來取得該定位資訊。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該亮色度資訊包含有一亮度資訊及一色度資訊當中至少一者。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器執行下列步驟以根據該定位資訊來測量該複數個像素以取得該光強度分布：<br/> 根據該定位資訊，判斷由該複數個像素中的一第一像素產生的一光斑所對應的一範圍；以及<br/> 在該範圍內接收該第一像素之該光強度分布。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器對該光強度分布執行一反卷積（deconvolution），以產生該亮色度資訊。
如請求項20所述之面板偵測系統，其中該處理器係根據一點擴散函數（Point Spread Function，PSF）來執行該反卷積。
如請求項13所述之面板偵測系統，其中該處理器利用一類神經網路模型（neural network model），以根據該光強度分布計算該亮色度資訊。
一種檢測裝置，是以多個步驟製造薄膜卷之製造產線所使用的檢測裝置，該多個步驟包括：送出步驟，是送出薄膜；延展步驟，是以多個的一對把持部來把持被搬運且被加熱之搬運中薄膜的兩側端，同時慢慢將該一對把持部之寬度方向的距離拉開，而延展前述薄膜；捲收步驟，是將延展後之薄膜捲收於輥心；以及接合步驟，是在前述延展步驟之前，將先行之薄膜與後行之薄膜這兩個薄膜的前端與後端重疊，並將重疊的接合部加以接合；其特徵為具備： <br/>攝像部，拍攝被搬運的薄膜；以及 <br/>處理部，是將前述攝像部拍攝所得到之包含接合部之薄膜的圖框圖像加以分析，算出前述薄膜中前述接合部的接合程度， <br/>前述處理部是算出將檢測之薄膜的多個端點加以連結而成的近似線，又從前述接合部中除了薄膜端點以外的多個端點算出理想線，並且基於前述近似線與前述理想線來算出前述接合程度。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中，前述接合程度，是評估前述理想線與前述近似線的偏差。
如請求項2所記載之檢測裝置，其中，前述理想線與前述近似線的偏差，是前述理想線與前述近似線的角度差；或者是針對前述接合部在搬運方向上之前後規定長度內，前述理想線與前述近似線之間的面積大小。
如請求項1所記載之檢測裝置，其中，更具備輸出部，是輸出前述接合程度， <br/>前述輸出部，是將前述近似線與前述理想線重疊在前述圖框圖像的顯示圖像上，並顯示於顯示部。
如請求項4所記載之檢測裝置，其中，前述處理部藉由分析前述圖框圖像，來檢測前述薄膜的凹凸， <br/>前述輸出部，是將前述圖框圖像之顯示圖像上所檢測出的前述凹凸，重疊在前述顯示圖像上加以顯示。
如請求項4所記載之檢測裝置，其中，更具備記憶部，是記憶前述薄膜卷的製造履歷資料， <br/>前述輸出部，是將前述製造履歷所記憶之過去薄膜卷製造時所算出的前述近似線及/或前述理想線，重疊在製造中薄膜卷之前述圖框圖像的顯示圖像上加以顯示。
如請求項1至請求項6之任一項所記載的檢測裝置，其中，具備光源，對前述薄膜的監視區域照射光。
如請求項4所記載之檢測裝置，其中，當前述接合程度超過臨限值的情況下，前述輸出部會輸出警告資訊。
一種製造管理系統，具備檢測裝置、與以多個步驟製造薄膜卷之薄膜卷製造裝置，該多個步驟包括：送出步驟，是送出薄膜；延展步驟，是以多個的一對把持部來把持被搬運且被加熱之搬運中薄膜的兩側端，同時慢慢將該一對把持部之寬度方向的距離拉開，而延展前述薄膜；捲收步驟，是將延展後之薄膜捲收於輥心；以及接合步驟，是在前述延展步驟之前，將先行之薄膜與後行之薄膜這兩個薄膜的前端與後端重疊，並將重疊的接合部加以接合， <br/>其特徵為 <br/>前述檢測裝置具備： <br/>攝像部，拍攝被搬運的薄膜；以及 <br/>處理部，是將前述攝像部拍攝所得到之包含接合部之薄膜的圖框圖像加以分析，算出前述薄膜中前述接合部的接合程度， <br/>前述處理部是算出將檢測之薄膜的多個端點加以連結而成的近似線，又從前述接合部中除了薄膜端點以外的多個端點算出理想線，並且基於前述近似線與前述理想線來算出前述接合程度。
如請求項9所記載之製造管理系統，其中，具備輸出部，是當前述接合程度超過臨限值的情況下，輸出警告資訊。
如請求項9或請求項10所記載之製造管理系統，其中，前述薄膜卷製造裝置具備控制裝置， <br/>當前述接合程度超過臨限值的情況下，前述控制裝置是變更前述延展步驟中前述把持部的夾持條件，或者是將製造中的前述薄膜卷停止製造。
如請求項9或請求項10所記載之製造管理系統，其中，前述薄膜卷製造裝置具備控制裝置， <br/>當前述接合程度超過臨限值的情況下，前述控制裝置是變更先行薄膜的搬運條件或捲收步驟中的捲收條件。
如請求項9或請求項10所記載之製造管理系統，其中，前述薄膜卷製造裝置具備控制裝置， <br/>當前述接合程度超過臨限值的情況下，是變更製造條件並記憶變更後的製造條件，該製造條件是關於前述送出步驟中後行薄膜的送出及/或前述接合步驟中的接合， <br/>在下個薄膜卷製造時，或者在下個接合步驟中進行接合處理時，以所記憶之變更後的前述製造條件來製造薄膜卷。
一種檢測方法，是以多個步驟製造薄膜卷之製造產線用來檢測出前述接合部之接合狀況的檢測方法，該多個步驟包括：送出步驟，是送出薄膜；延展步驟，是以多個的一對把持部來把持被搬運且被加熱之搬運中薄膜的兩側端，同時慢慢將該一對把持部之寬度方向的距離拉開，而延展前述薄膜；捲收步驟，是將延展後之薄膜捲收於輥心；以及接合步驟，是在前述延展步驟之前，將先行之薄膜與後行之薄膜這兩個薄膜的前端與後端重疊，並將重疊的接合部加以接合；其特徵為具備： <br/>步驟(a)，拍攝被搬運的薄膜；以及 <br/>步驟(b)，是將拍攝所得到之包含接合部之薄膜的圖框圖像加以分析，算出前述薄膜中前述接合部的接合程度， <br/>前述步驟(b)是算出將檢測之薄膜的多個端點加以連結而成的近似線，又從前述接合部中除了薄膜端點以外的多個端點算出理想線，並且基於前述近似線與前述理想線來算出前述接合程度。
一種控制程式，是控制檢測裝置，該檢測裝置被以多個步驟製造薄膜卷之製造產線用來檢測出前述接合部之接合狀況，該多個步驟包括：送出步驟，是送出薄膜；延展步驟，是以多個的一對把持部來把持被搬運且被加熱之搬運中薄膜的兩側端，同時慢慢將該一對把持部之寬度方向的距離拉開，而延展前述薄膜；捲收步驟，是將延展後之薄膜捲收於輥心；以及接合步驟，是在前述延展步驟之前，將先行之薄膜與後行之薄膜這兩個薄膜的前端與後端重疊，並將重疊的接合部加以接合；其特徵為使電腦執行處理，該處理具備： <br/>步驟(a)，拍攝被搬運的薄膜；以及 <br/>步驟(b)，是將拍攝所得到之包含接合部之薄膜的圖框圖像加以分析，算出前述薄膜中前述接合部的接合程度， <br/>前述步驟(b)是算出將檢測之薄膜的多個端點加以連結而成的近似線，又從前述接合部中除了薄膜端點以外的多個端點算出理想線，並且基於前述近似線與前述理想線來算出前述接合程度。
一種基板處理裝置，具有：處理室，是用以處理基板；<br/>第1氣體供給部，是對前述處理室內的第1區域供給第1氣體；<br/>第2氣體供給部，是設置在前述處理室的下部，對前述處理室內與第1區域不同的第2區域供給第2氣體；以及<br/>控制部，是構成為可控制前述第1氣體供給部與前述第2氣體供給部，使得在沖洗供給前述第1氣體時，以前述第1區域與前述第2區域之壓力差變小的方式供給前述第2氣體。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述第1區域是處理前述基板的基板處理區域。
如請求項2所記載的基板處理裝置，其中，前述基板處理區域是基板保持區域，對應於多個前述基板被保持於基板保持具的區域。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述第2區域是隔熱區域，對應於設置在基板保持具之下部的隔熱部。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述第1氣體供給部具備沖洗槽，沖洗供給前述第1氣體。
如請求項5所記載的基板處理裝置，其中，前述第2氣體供給部具備沖洗槽，在沖洗供給前述第1氣體的時候供給前述第2氣體。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述第1氣體與前述第2氣體的供給是同時供給。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，在沖洗供給前述第1氣體之前供給前述第2氣體。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述第1氣體與前述第2氣體是不同氣體。
如請求項9所記載的基板處理裝置，其中，前述第1氣體是處理氣體，前述第2氣體是排淨氣體。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，同時處理排列於鉛直方向之多片基板。
如請求項11所記載的基板處理裝置，其中，前述第2氣體供給部設置在比前述第2區域之上端更下方的前述處理室側面。
如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，具有將前述第1氣體排氣的排氣部。
如請求項13所記載的基板處理裝置，其中，前述第2氣體供給部設置在面對前述排氣部的位置。
一種基板處理方法，具有：第1步驟，是對處理室內的第1區域供給第1氣體；以及<br/>第2步驟，是從設置於前述處理室之下部的氣體供給部，對前述處理室內與第1區域不同的第2區域供給第2氣體，<br/>前述第2步驟是在沖洗供給前述第1氣體時，以前述第1區域與前述第2區域之壓力差變小的方式供給前述第2氣體。
如請求項15所記載的基板處理方法，其中，前述第2步驟是在沖洗供給前述第1氣體的同時，供給前述第2氣體。
如請求項15所記載的基板處理方法，其中，前述第2步驟是沖洗供給前述第2氣體。
如請求項15所記載的基板處理方法，其中，前述第2步驟是在沖洗供給前述第1氣體之前，供給前述第2氣體。
如請求項15所記載的基板處理方法，其中，前述第2步驟是以規定的流量或流速來供給前述第2氣體。
一種基板處理程式，是藉由電腦使基板處理裝置執行手續，具有：對處理室內的第1區域供給第1氣體的手續；以及<br/>從設置於前述處理室之下部的氣體供給部，對前述處理室內與第1區域不同的第2區域供給第2氣體的手續，<br/>在供給前述第2氣體的手續中，是在沖洗供給前述第1氣體時，以前述第1區域與前述第2區域之壓力差變小的方式供給前述第2氣體。
一種自行車變速器，包括： <br/>一基座構件，其構成能附接至一自行車架； <br/>一可動構件，其可相對於該基座構件移動； <br/>一連桿結構，其連接該基座構件和該可動構件； <br/>一無線通訊器，其設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者； <br/>一電連接器接受部件，其構成能接受一連接器；及 <br/>一電源供應部件，其構成能接收一位於遠離該自行車變速器的位置處之電池的電力； <br/>該電連接器接受部件係配置成電性連接該電源供應部件； <br/>該電池配置成通過該電連接器接受部件和該電源供應部件進行充電。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該無線通訊器為非分離式地設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該無線通訊器配置於該基座構件。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該無線通訊器係安裝在一電路板上；以及 <br/>該電路板設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>在該電池使用一電線與該電連接器接受部電連接之狀態下，該電池通過該電線、該連接器、該電連接器接受部件、和該電源供應部件進行充電。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電源供應部件經由一電線電連接至該電池。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電源供應部件構成能接受不同於該電池的一額外電池。
如請求項7之自行車變速器，其中： <br/>在該額外電池與該電連接器接受部件電連接之狀態下，該額外電池通過一電線、該連接器、該電連接器接受部件、和該電源供應部件進行充電。
如請求項1之自行車變速器，更包括： <br/>一馬達單元，其構成由該電池供電。
如請求項9之自行車變速器，其中，該電源供應部件配置成比該無線通訊器更遠離該馬達單元。
如請求項9之自行車變速器，其中： <br/>該馬達單元設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者。
如請求項9之自行車變速器，更包括： <br/>該馬達單元位於該基座構件。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件位於該基座構件。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件包括一資料通訊介面。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件包括一充電連接埠。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件包括一充電連接埠，且該連接器係配置成電性連接至一電源供應器。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電池係配置成電性連接至該自行車變速器以及一額外的自行車變速器。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電池係配置在該自行車架的一座椅柱中。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電源供應部件係配置成比該電連接器接受部件更靠近該無線通訊器。
如請求項1之自行車變速器，更包括： <br/>一電路板，以及 <br/>該無線通訊器係電性安裝在該電路板上。
如請求項20之自行車變速器，更包括： <br/>一單元固接部件，其中該無線通訊器係經由焊接配置在該單元固接部件。
如請求項21之自行車變速器，其中： <br/>該電池被配置成通過該電連接器接受部件和該電源供應部件進行充電，而不通過該單元固接部件和該無線通訊器。
如請求項20之自行車變速器，更包括： <br/>一馬達單元，其構成由該電池供電； <br/>該電路板配置在該電源供應部件和該馬達單元之間。
如請求項1之自行車變速器，其中： <br/>該電池配置成通過該電連接器接受部件和該電源供應部件進行充電，而不通過該無線通訊器。
一種自行車變速器，包括： <br/>一基座構件，其構成能附接至一自行車架； <br/>一可動構件，其可相對於該基座構件移動； <br/>一連桿結構，其連接該基座構件和該可動構件； <br/>一無線通訊器，其設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者； <br/>一電連接器接受部件，其構成能接受一連接器；及 <br/>一電池，其配置在該基座構件，該電連接器接受部件係配置成電性連接該電池； <br/>該電池係配置成通過該電連接器接受部件進行充電； <br/>該電池包含一電池本體，該電池本體至少部分暴露於該基座構件的一外側上。
如請求項25之自行車變速器，其中： <br/>該電池為分離式配置在該基座構件。
如請求項25之自行車變速器，其中： <br/>該無線通訊器位於該基座構件。
如請求項25之自行車變速器，更包括： <br/>一馬達單元，其構成由該電池供電。
如請求項28之自行車變速器，其中： <br/>該馬達單元設置在該基座構件、該可動構件與該連桿結構之至少其中一者。
如請求項29之自行車變速器，其更包括： <br/>該馬達單元位於該基座構件。
如請求項29之自行車變速器，其中： <br/>該馬達單元位於該連桿結構。
如請求項25之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件位於該基座構件。
如請求項25之自行車變速器，其中： <br/>該電連接器接受部件包括一充電連接埠。
如請求項25之自行車變速器，其中： <br/>該連接器係配置成電性連接至一電源供應器。
一種控制反射板自動調整波束方向之系統，包括： <br/>一反射板，用以將網路訊號之入射波反射、折射或透射至複數特定場域之其中至少一者； <br/>一資料庫，儲存該等特定場域各自之最佳設定組，該等最佳設定組包括使該等特定場域的訊號強度最強的該反射板之高度及該反射板相對於該等特定場域的角度； <br/>一通訊模組，接收一觸發訊號，該觸發訊號包括該等特定場域之一者的一場域名； <br/>一運算處理模組，連接該通訊模組及該資料庫，接收該觸發訊號，並依據該觸發訊號中的該場域名從該資料庫中讀取該場域名所對應之該特定場域的該最佳設定組並傳送；以及 <br/>一控制模組，連接該運算處理模組及該反射板，接收該運算處理模組所傳送之該最佳設定組後，依照該最佳設定組調整該反射板之高度及角度。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，更包括複數感測器，分別設置於該等特定場域，用以在偵測到有至少一使用者進入該等特定場域之其中一者時主動發送該觸發訊號至該通訊模組。
如請求項2所述之自動調整反射板波束方向之系統，其中該感測器為監視器、藍芽感測器、ZigBee感測器、UWB、WIFI訊號偵測器、紅外線感測器、超音波感測器、毫米波感測器、IoT燈光感測器及保全系統感測之其中至少一者。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，更包括複數訊號發射器，分別設置於該等特定場域中，當一使用者進入該等特定場域之其中一者時，其中的該訊號發射器被啟動以發送該觸發訊號至該通訊模組。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，其中該通訊模組接收到該等特定場域中之一感測器發起一最佳化請求時，該運算處理模組根據該最佳化請求控制該控制模組調整該反射板之高度及角度，使該反射板進行不同高度及角度之掃場，當掃場時，該感測器持續量測訊號強度並持續傳送一訊號參考值給該通訊模組，該運算處理模組再根據該反射板在不同高度及不同角度時該感測器所量測之該等訊號參考值，計算每一該等特定場域之最佳設定組。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，其中該角度包括該反射板之方位角及仰俯角。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，其中該通訊模組更訊號連接至一後端控制台以接收一遙控命令，該運算處理模組根據該遙控命令控制該控制模組以調整該反射板的高度及角度。
如請求項1所述之自動調整反射板波束方向之系統，其中該最佳設定組更包括迴避一遮蔽場域的訊號覆蓋角度。
一種反射板波束方向之調整方法，應用於一自動調整反射板波束方向之系統中，該反射板波束方向之調整方法包括下列步驟： <br/>計算複數特定場域各自之最佳設定組並儲存於一資料庫中，該等最佳設定組包括使該等特定場域的訊號強度最強的一反射板之高度及該反射板相對於該等特定場域的角度； <br/>利用一通訊模組接收一觸發訊號，該觸發訊號包括該等特定場域之一者的一場域名； <br/>利用一運算處理模組接收該觸發訊號，並依據該觸發訊號中的該場域名從該資料庫中讀取該場域名所對應之該特定場域的該最佳設定組，及將該最佳設定組傳送到一控制模組；以及 <br/>該控制模組依照該最佳設定組調整該反射板之高度及角度，使該反射板將網路訊號之入射波反射、折射或透射至該等特定場域中該場域名所屬的該特定場域。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，更包括於該等特定場域分別設置一感測器，以在偵測到有至少一使用者進入該等特定場域之其中一者時主動發送該觸發訊號至該通訊模組。
如請求項10所述之反射板波束方向之調整方法，其中該感測器為監視器、藍芽感測器、ZigBee感測器、UWB、WIFI訊號偵測器、紅外線感測器、超音波感測器、毫米波感測器、IoT燈光感測器及保全系統感測之其中至少一者。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，更包括於該等特定場域中分別設置一訊號發射器，當一使用者進入該等特定場域之其中一者時，啟動其中的該訊號發射器以發送該觸發訊號至該通訊模組。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，其中該等最佳設定組其中任一者之計算方法包括下列步驟： <br/>利用設置於該等特定場域中之一感測器發起一最佳化請求； <br/>該通訊模組接收該最佳化請求後，該運算處理模組根據該最佳化請求控制該控制模組調整該反射板之高度及角度，以進行該反射板在不同高度及不同角度之掃場； <br/>該感測器持續量測訊號強度，並持續傳送一訊號參考值給該通訊模組；以及 <br/>根據該反射板在不同高度及不同角度時該感測器所量測之該等訊號參考值，該運算處理模組計算每一該等特定場域之最佳設定組。
如請求項13所述之反射板波束方向之調整方法，其中該感測器在量測完該反射板在所有不同高度和不同角度之訊號強度後，傳送一量測完成回應給該通訊模組。
如請求項13所述之反射板波束方向之調整方法，其中該控制模組係先調整該反射板以大範圍的角度進行該等特定場域其中之一者的掃場，當大範圍的角度的訊號強度量測完成後，選擇其中訊號強度最佳之一大範圍最佳設定組，該控制模組再調整該反射板在該大範圍最佳設定組之範圍內，以相對於該大範圍的角度之小範圍角度進行局部掃場，以找出訊號強度最佳之一小範圍最佳設定組，並將該小範圍最佳設定組做為該等特定場域其中之該者的最佳設定組。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，其中該角度包括該反射板之方位角及仰俯角。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，其中該通訊模組更訊號連接至一後端控制台以接收一遙控命令，該運算處理模組根據該遙控命令控制該控制模組以調整該反射板的高度及角度。
如請求項9所述之反射板波束方向之調整方法，其中該最佳設定組更包括迴避一遮蔽場域的訊號覆蓋角度。
一種重疊測量裝置，包括：<br/> 光源單元，設置以將照明光指向形成於晶圓上的重疊測量目標；<br/> 透鏡單元，形成有物鏡和透鏡焦點致動器，所述物鏡用於將所述照明光聚光於所述重疊測量目標中某一點的檢測位置，所述透鏡焦點致動器用於調節所述物鏡與所述重疊測量目標間的距離；<br/> 檢測單元，通過從所述檢測位置反射的光束獲取所述檢測位置上的焦點圖像；<br/> 工作台，用於放置所述晶圓；以及<br/> 控制單元，通過控制所述透鏡單元獲取所述重疊測量目標，並處理所述檢測單元檢測到的所述重疊測量目標的第1樣本圖像和對以所述第1樣本圖像為基準旋轉180度後的所述重疊測量目標所檢測到的第2樣本圖像，對處理後的圖像進行差異計算，並計算修正圖像以修正用於檢測重疊的圖像。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元獲取包含與所述第1樣本圖像有關的像素資訊的第1圖像資訊，對所述第1樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第1歸一化圖像，以及<br/> 其中，獲取包含與所述第2樣本圖像有關的像素資訊的第2圖像資訊，對所述第2樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第2歸一化圖像。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元利用第1歸一化圖像和第2歸一化圖像的像素單位差異計算所述修正圖像，所述第1歸一化圖像通過處理所述第1樣本圖像而獲取，所述第2歸一化圖像通過處理所述第2樣本圖像而獲取。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元包括：<br/> 儲存單元，用於儲存所述重疊測量目標的所述第1樣本圖像以及所述第2樣本圖像；<br/> 歸一化處理單元，用於獲取第1歸一化圖像和第2歸一化圖像，所述第1歸一化圖像通過將用於形成所述第1樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取，所述第2歸一化圖像通過將用於形成所述第2樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取；<br/> 圖像比較單元，通過將所述第1歸一化圖像或者所述第2歸一化圖像中的任意一個旋轉180度，對所述第1歸一化圖像和所述第2歸一化圖像進行比較；以及<br/> 修正圖像計算單元，通過計算用於形成所述第1歸一化圖像和所述第2歸一化圖像的各個像素的像素單位差異，計算所述修正圖像。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元通過控制在複數個檢測位置上形成的所述重疊測量目標中，在第1檢測位置至第n檢測位置上分別檢測出第1-1樣本圖像至第1-n樣本圖像後，對所述第1-1樣本圖像至所述第1-n樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化，並獲取第1-1歸一化圖像至第1-n歸一化圖像；<br/> 通過控制在所述第1檢測位置至所述第n檢測位置上檢測出各自的第2-1樣本圖像至第2-n樣本圖像後，對所述第2-1樣本圖像至所述第2-n樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化，並獲取第2-1歸一化圖像至第2-n歸一化圖像；以及<br/> 在用於形成所述第1-n歸一化圖像的各個像素和用於形成所述第2-n歸一化圖像的各個像素中，對相互對應的像素分別進行差異計算，算出n個的平均值，並作為所述修正圖像進行儲存。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元包括：<br/> 工作台操作單元，其控制所述工作台的旋轉，<br/> 其中，所述控制單元將所述工作台旋轉180度並檢測出所述第2樣本圖像。
如請求項1所述的重疊測量裝置，其中，所述控制單元包括：<br/> 尺度處理單元，為了檢測形成於所述晶圓上的第1重疊鍵標和第2重疊鍵標的對準，對所述修正圖像的尺度進行修正以使其與所述檢測單元檢測出的檢測圖像的尺度相同，從而獲取修正尺度圖像；以及<br/> 圖像修正單元，在所述檢測圖像中將所述修正尺度圖像以像素為單位通過結合或者刪除進行修正。
一種重疊測量方法，包括：<br/> 第1歸一化圖像獲取步驟，通過檢測單元檢測出晶圓上形成的重疊測量目標的第1樣本圖像，對所述第1樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第1歸一化圖像；<br/> 第2歸一化圖像獲取步驟，對以所述第1樣本圖像為基準旋轉180度後的所述重疊測量目標所檢測出的第2樣本圖像進行檢測，對所述第2樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第2歸一化圖像；以及<br/> 修正圖像計算步驟，利用所述第1歸一化圖像和所述第2歸一化圖像的差異計算修正圖像，所述第1歸一化圖像通過處理所述第1樣本圖像來獲取，所述第2歸一化圖像通過處理所述第2樣本圖像來獲取。
如請求項8所述的重疊測量方法，其中，在所述第2歸一化圖像獲取步驟之前，進一步包括：<br/> 晶圓旋轉步驟，通過使工作台旋轉180度，檢測出基於所述第1樣本圖像旋轉180度的所述第2樣本圖像。
如請求項8所述的重疊測量方法，其中，所述第1歸一化圖像獲取步驟包括：<br/> 第1測量步驟，在所述重疊測量目標的第1檢測位置上檢測出所述第1樣本圖像；以及<br/> 第1歸一化處理步驟，將用於形成所述第1樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取所述第1歸一化圖像；以及<br/> 所述第2歸一化圖像獲取步驟包括：<br/> 第2測量步驟，在所述第1檢測位置上檢測出所述第2樣本圖像；以及<br/> 第2歸一化處理步驟，將用於形成所述第2樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取所述第2歸一化圖像。
如請求項10所述的重疊測量方法，其中，所述第1測量步驟在複數個檢測位置上形成的所述重疊測量目標中，在第1檢測位置至第n檢測位置上分別檢測出第1-1樣本圖像至第1-n樣本圖像；<br/> 所述第1歸一化處理步驟對所述第1-1樣本圖像至所述第1-n樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第1-1歸一化圖像至第1-n歸一化圖像；<br/> 所述第2測量步驟在所述第1檢測位置至所述第n檢測位置上分別檢測出第2-1樣本圖像至第2-n樣本圖像；以及<br/> 所述第2歸一化處理步驟對所述第2-1樣本圖像至所述第2-n樣本圖像的各個像素按照像素單位分別進行歸一化並獲取第2-1歸一化圖像至第2-n歸一化圖像。
如請求項11所述的重疊測量方法，其中，所述修正圖像計算步驟通過比較所述第1-n歸一化圖像與所述第2-n歸一化圖像，在用於形成所述第1-n歸一化圖像的各個像素與用於形成所述第2-n歸一化圖像的各個像素中，對相互對應的像素進行差異計算，算出n個的平均值，並作為所述修正圖像進行儲存。
如請求項8所述的重疊測量方法，其中，所述修正圖像計算步驟將所述第1歸一化圖像或者所述第2歸一化圖像中的任意一個旋轉180度，比較所述第1歸一化圖像與所述第2歸一化圖像，對用於形成所述第1歸一化圖像和所述第2歸一化圖像的各個像素按照像素單位分別進行差異計算，並計算修正圖像。
如請求項8所述的重疊測量方法，還包括：<br/> 圖像檢測步驟，由所述檢測單元檢測所述重疊測量目標並檢測出檢測圖像，以測量形成於所述晶圓上的第1重疊鍵標和第2重疊鍵標的對準；<br/> 尺度處理步驟，修正所述修正圖像的尺度並獲取修正尺度圖像，以使所述修正圖像的尺度與所述檢測圖像的尺度相同；以及<br/> 圖像修正步驟，在所述檢測圖像中將所述修正尺度圖像以像素為單位通過結合或者刪除進行修正，並獲取去除干擾的測量圖像。
一種光子裝置，包括：<br/> 一電介質波導，包括一核心部分以及一包層部分；以及<br/> 一第一光子耦合器，包括：<br/> 一第一電介質柱，形成並暴露於該包層部分的一第一表面處並且光耦合到該核心部分；以及<br/> 一第一電介質帽，附接到該第一電介質柱並且光耦合到該第一電介質柱。
如請求項1所述之光子裝置，其中該第一電介質柱和該第一電介質帽中的每一者包括對紅外線輻射透明的一聚合物材料。
如請求項1所述之光子裝置，其中從該核心部分入射到該第一電介質帽上的輻射被該第一電介質帽聚焦成一光束寬度，該光束寬度小於該電介質波導的該核心部分的一寬度，其中該第一電介質柱對準於該核心部分的一延伸方向。
如請求項1所述之光子裝置，更包括：<br/> 一第二光子耦合器，包括：<br/> 一第二電介質柱，形成並暴露於該包層部分的一第二表面處並且光耦合到該核心部分；以及<br/> 一第二電介質帽，附接到該第二電介質柱並且光耦合到該第二電介質柱。
如請求項4所述之光子裝置，其中：<br/> 該包層部分的該第一表面與該包層部分的該第二表面彼此平行；以及<br/> 該核心部分包括穿過該包層部分的一線性光路，使得該核心部分、該第一光子耦合器和該第二光子耦合器沿一共同軸對準。
如請求項4所述之光子裝置，其中：<br/> 該包層部分的該第一表面與該包層部分的該第二表面彼此平行；以及<br/> 該核心部分包括穿過該包層部分的一彎曲光路，使得該第一光子耦合器和該第二光子耦合器不沿一共同軸對準。
如請求項4所述之光子裝置，其中：<br/> 該包層部分的該第一表面與該包層部分的該第二表面彼此不平行，其中該包層部分的該第一表面與該包層部分的該第二表面彼此垂直；以及<br/> 該核心部分包括穿過該包層部分的一彎曲光路。
一種光子裝置，包括：<br/> 複數個電介質波導，各自包括形成在一包層材料中的相應的一核心部分；以及<br/> 複數個光子耦合器，各自包括：<br/> 一電介質柱，形成並暴露在該包層材料的一第一表面處並且光耦合到相應的該核心部分；以及<br/> 一電介質帽，附接到該電介質柱並且光耦合到該電介質柱。
一種形成光子裝置的方法，包括：<br/> 在一雷射寫入操作中用雷射輻射照射一包層材料的一區域，從而形成一波導的一核心部分，其中該核心部分延伸到該包層材料的一第一表面；<br/> 在該包層材料的該第一表面處形成暴露的一第一電介質柱，使得該第一電介質柱光耦合到該核心部分；以及<br/> 形成附接到該第一電介質柱並且光耦合到該第一電介質柱的一第一電介質帽。
如請求項9所述之方法，其中：<br/> 形成該第一電介質柱更包括：<br/> 在該包層材料的該第一表面之上形成一層的一可輻射固化聚合物，使得該可輻射固化聚合物形成為與該核心部分的一核心表面接觸；以及<br/> 照射該包層材料的該第一表面之上的一局部區域中的該可輻射固化聚合物，從而形成包括該可輻射固化聚合物的一固化區域的該第一電介質柱，<br/> 其中照射該局部區域中的該可輻射固化聚合物更包括將該雷射輻射引入到該波導的該核心部分中，使得該雷射輻射從該波導的該核心部分入射到該可輻射固化聚合物上，並由此被該可輻射固化聚合物吸收，從而形成該第一電介質柱；以及<br/> 形成該第一電介質帽更包括：<br/> 在該第一電介質柱之上形成該可輻射固化聚合物的一部分；以及<br/> 照射該可輻射固化聚合物的該部分，從而形成該第一電介質帽。
一種用於具有垂直旋轉軸線的風力渦輪機的風力渦輪機轉子，所述風力渦輪機轉子包括彼此等距地間隔開的多個轉子葉片，其中，所述風力渦輪機轉子基本上呈縱向褶皺管的形狀，所述縱向褶皺管的褶皺是所述轉子葉片，並且每一轉子葉片由較短壁與較長壁形成，其中所述轉子葉片的所述較短壁與所述較長壁界定所述風力渦輪機轉子的內空間，並且所述風力渦輪機轉子的橫截面形成封閉式圖形。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子具有上端部封閉的蓋體。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述轉子葉片的所述較短壁和所述轉子葉片的所述較長壁是凸起的。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子的所述轉子葉片的數目是奇數。
如請求項4所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子的所述轉子葉片的數目為3、5或7。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子由塑膠、塑膠與二次塑膠的混合物、或鋁製成。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子的外表面全部或部分地塗覆有半導體光伏材料，半導體光伏材料包含單晶矽、多晶矽或鈣鈦礦材料。
如請求項1所述的風力渦輪機轉子，其中，所述風力渦輪機轉子的所述內空間的至少一部分填充有隔音材料，所述隔音材料包含聚氨酯、聚乙烯或它們的混合物。
一種風力渦輪機轉子模組，所述風力渦輪機轉子模組包括如請求項1所定義的所述風力渦輪機轉子，其中在所述風力渦輪機轉子的所述內空間中放置有發電機、下部內軸承以及上部內軸承，所述發電機安置在固定渦輪軸上，所述下部內軸承用於確保所述風力渦輪機轉子圍繞所述固定渦輪軸旋轉，所述上部內軸承在所述固定渦輪軸上佈置在從所述固定渦輪軸的高度的一半到所述固定渦輪軸的上端部的區域中。
一種風力面板，所述風力面板包括至少三個如請求項9所定義的所述風力渦輪機轉子模組，其中所述模組安置在下部支撐軌條上。
如請求項10所述的風力面板，其中，所述風力渦輪機轉子模組通過所述固定渦輪軸連接到所述下部支撐軌條。
如請求項10或11所述的風力面板，其中，所述風力面板包括上部支撐軌條，所述上部內軸承附接到所述上部支撐軌條。
一種如請求項1所述的風力渦輪機轉子的製造方法，所述方法包括以下步驟： <br/>a）將材料輸送到擠壓機， <br/>b）對所述材料進行加熱以獲得所述材料的塑膠狀態， <br/>c）將所述塑膠材料推壓經過塑形頭，所述塑形頭將所述材料塑形為呈縱向褶皺管的型材，所述縱向褶皺管的褶皺是轉子葉片，並且每一轉子葉片由較短壁與較長壁形成，其中所述轉子葉片的所述較短壁與所述較長壁界定所述型材的中空內空間，並且所述型材的橫截面形成封閉式圖形， <br/>d）將所獲得的所述型材切割成預設長度。
如請求項13所述的風力渦輪機轉子的製造方法，其中，所述材料是塑膠、塑膠與二次塑膠的混合物、或鋁。
如請求項14所述的風力渦輪機轉子的製造方法，其中，所述二次塑膠的量至少為所述材料的總量的30 wt%。
如請求項14或15所述的風力渦輪機轉子的製造方法，其中，所述塑膠是PVC、PP和/或PE。
一種通訊裝置，用來指示和應用一傳輸組態指示符（transmission configuration indicator）狀態，包含有：<br/>至少一儲存裝置；以及<br/>至少一處理電路，耦接該至少一儲存裝置，其中該至少一儲存裝置儲存一指令，且該至少一處理電路用來執行該指令，該指令包含有：<br/>透過一控制資源組合（control resource set）由一網路接收一下鏈路控制資訊（downlink control information）；<br/>其中該下鏈路控制資訊包含一傳輸組態指示符欄位，且該傳輸組態指示符欄位指示對應於一第一傳輸組態指示符狀態或一第二傳輸組態指示符狀態的至少其一的一傳輸組態指示符代碼點。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該第一傳輸組態指示符狀態為一下鏈路傳輸組態指示符狀態或一上鏈路（uplink）傳輸組態指示符狀態，且該第二傳輸組態指示符狀態為該下鏈路傳輸組態指示符狀態或該上鏈路傳輸組態指示符狀態。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該控制資源組合配置有由該下鏈路控制資訊指示的至少一傳輸組態指示符狀態，且該至少一傳輸組態指示符狀態包含該第一傳輸組態指示符狀態或該第二傳輸組態指示符狀態的該至少其一。
如請求項3所述的通訊裝置，其中該指令另包含有：<br/>根據該至少一傳輸組態指示符狀態，透過該控制資源組合由該網路接收至少一實體下鏈路控制通道（physical downlink control channel）。
如請求項4所述的通訊裝置，其中透過該控制資源組合接收該至少一實體下鏈路控制通道的一解調製參考訊號（demodulation reference signal）天線端和該至少一傳輸組態指示符狀態提供的複數個參考信號是準共定位的（quasi co-located）。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該控制資源組合相關聯於複數個使用者裝置（user equipment）特定搜尋空間（specific search space）組合或複數個實體下鏈路控制通道公共搜尋空間（common search space）組合的至少其一。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該控制資源組合配置有一控制資源組合池索引的一值，且該控制資源組合池索引的該值相關聯於一第一傳輸組態指示符狀態或一第二傳輸組態指示符狀態的至少其一。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該傳輸組態指示符欄位指示該第一傳輸組態指示符狀態、一分量載波（component carrier）組合中的該第二傳輸組態指示符狀態或一分量載波列表中的一頻寬部（bandwidth part）組合的至少其一。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該指令另包含有：<br/>由該網路接收一啟用命令，以將複數個傳輸組態指示符狀態映射到該傳輸組態指示符欄位的至少一傳輸組態指示符代碼點。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該指令另包含有：<br/>根據與至少一傳輸組態指示符狀態相關聯的一空間設定，傳送一實體上鏈路控制通道（physical uplink control channel）到該網路；<br/>其中該至少一傳輸組態指示符狀態包含該第一傳輸組態指示符狀態或該第二傳輸組態指示符狀態的該至少其一。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該傳輸組態指示符代碼點相關聯於一控制資源組合池索引的一值。
如請求項1所述的通訊裝置，其中如果該傳輸組態指示符代碼點對應於該第一傳輸組態指示符狀態和該第二傳輸組態指示符狀態，該第一傳輸組態指示符狀態和該第二傳輸組態指示符狀態相關聯於一控制資源組合池索引的一相同值。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該指令另包含有：<br/>傳送包含一傳輸組態指示符狀態指示的該下鏈路控制資訊對應的一實體上鏈路控制通道到該網路；<br/>其中該實體上鏈路控制通道的一最終符號包含一混合自動重複請求（Hybrid Automatic Repeat Request）回授。
如請求項1所述的通訊裝置，其中該指令另包含有：<br/>若該第一傳輸組態指示符狀態或該第二傳輸組態指示符狀態的該至少其一不同於由一先前傳輸組態指示符狀態指示指示的一先前傳輸組態指示符狀態，從一時隙（slot）開始應用由該傳輸組態指示符欄位指示的該第一傳輸組態指示符狀態或該第二傳輸組態指示符狀態的該至少其一，其中該時隙是在該實體上鏈路控制通道的該最終符號之後用於波束應用符號（beam application symbols）的至少時間。
一種網路，用於指示和應用一傳輸組態指示符（transmission configuration indicator）狀態，包含有：<br/>至少一儲存裝置；以及<br/>至少一處理電路，耦接該至少一儲存裝置，其中該至少一儲存裝置儲存一指令，且該至少一處理電路用來執行該指令，該指令包含有：<br/>產生一下鏈路控制資訊（downlink control information）；<br/>透過一控制資源組合（control resource set）傳送該下鏈路控制資訊到一通訊裝置；<br/>其中該下鏈路控制資訊包含一傳輸組態指示符欄位，且該傳輸組態指示符欄位指示對應於一第一傳輸組態指示符狀態或一第二傳輸組態指示符狀態的至少其一的一傳輸組態指示符代碼點。
一種帶電粒子束設備，其包含一偵測器及具有至少一個處理器及一非暫時性電腦可讀媒體之一控制器，該非暫時性電腦可讀媒體包含指令，該等指令在由該處理器執行時致使該設備： <br/>處理來自該偵測器之一感測元件陣列(an array of sensing elements)中之複數個感測元件之輸出； <br/>計數入射於一偵測器上之帶電粒子之一數目，其中該計數包括回應於該陣列中之一感測元件上之一帶電粒子到達事件(arrival event)而遞增(incrementing)一計數器；及 <br/>比較由該感測元件接收到的能量之一量(an amount of energy)與一參考，並在基於該參考作出一判定之後遞增該計數器。
如請求項1之帶電粒子束設備，該等指令在由該處理器執行時進一步包含致使該設備判定該帶電粒子到達事件之一時戳(time stamp)。
如請求項2之帶電粒子束設備，其中該時戳係基於該偵測器之一全域系統時間，該全域系統時間為該陣列中之每一感測元件所共用。
如請求項2之帶電粒子束設備，其中該時戳係基於該感測元件之一局部時間(local time)，該局部時間獨立於該陣列中之其他感測元件。
如請求項1之帶電粒子束設備，其中該計數包含在重設之前僅計數一感測元件中之至多一個帶電粒子到達事件，而不鑑別該一個帶電粒子到達事件之能量。
如請求項1之帶電粒子束設備，該等指令在由該處理器執行時進一步包含： <br/>比較來自該感測元件之一輸出信號與包括一下限值及一上限值之一參考範圍，及 <br/>回應於基於該輸出信號相對於該參考範圍之一判定而遞增該計數器。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包含一指令集，該指令集可由一控制器之一或多個處理器執行以致使該控制器執行減少一電子計數偵測器中之錯誤計數之一方法，該方法包含： <br/>將兩個或多於兩個鄰近感測元件中之每一者中偵測到之電荷與一或多個參考值進行比較，實質上在一相同時間偵測該兩個或多於兩個鄰近感測元件中之該電荷；及 <br/>基於該比較，判定該電荷係由衝擊該等感測元件中之一者的一個電子還是衝擊該兩個或多於兩個感測元件之多個電子產生。
如請求項7之非暫時性電腦可讀媒體，其中包括在一感測元件陣列中之一感測元件具有使得一傳入電子(incoming electron)在該相同時間處衝擊不超過四個感測元件之一大小。
如請求項8之非暫時性電腦可讀媒體，其中該大小經組態使得該感測元件之尺寸皆不低於該傳入電子在一材料之該感測元件中的一穿透深度。
一種樹脂組合物，包括： <br/>100重量份的馬來酸酐改質聚烯烴； <br/>5至40重量份的馬來醯亞胺樹脂；以及 <br/>30至90重量份的丙烯酸酯單體、其寡聚物或其組合，該丙烯酸酯單體具有兩個以上的不飽和碳碳雙鍵。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該馬來酸酐改質聚烯烴包括馬來酸酐加成聚丁二烯、馬來酸酐加成聚異戊二烯、馬來酸酐加成苯乙烯-丁二烯共聚物、馬來酸酐加成苯乙烯-異戊二烯共聚物、馬來酸酐-苯乙烯共聚物或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該馬來醯亞胺樹脂包括4,4’-二苯甲烷雙馬來醯亞胺、聚苯甲烷馬來醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙馬來醯亞胺、3,3’-二甲基-5,5’-二乙基-4,4’-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、3,3’-二甲基-5,5’-二丙基-4,4’-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、間亞苯基雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-亞苯基雙馬來醯亞胺、1,6-雙馬來醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷、N-2,3-二甲基苯基馬來醯亞胺、N-2,6-二甲基苯基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、乙烯苄基馬來醯亞胺、含茚滿結構的馬來醯亞胺、含異丙基及間位亞芳基結構的馬來醯亞胺、含聯苯亞烷基結構的馬來醯亞胺、含碳原子數為10至50個的脂肪族結構的馬來醯亞胺或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該馬來醯亞胺樹脂具有馬來醯亞胺基團以及與該馬來醯亞胺基團鍵結的芳香基團。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該丙烯酸酯單體包括三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、二㗁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰尿酸三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該丙烯酸酯單體具有兩個丙烯酸酯基或三個丙烯酸酯基。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該丙烯酸酯單體或其寡聚物固化後具有大於或等於90 <sup>o</sup>C的玻璃轉化溫度。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該丙烯酸酯單體或其寡聚物固化後具有大於或等於150 <sup>o</sup>C的玻璃轉化溫度。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物不包括有機溶劑。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物還包括1至10重量份的有機矽油。
如請求項10所述的樹脂組合物，其中，該有機矽油含有不飽和碳碳雙鍵。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物還包括不同於該馬來酸酐改質聚烯烴的聚烯烴、含不飽和碳碳雙鍵的聚苯醚樹脂、苯并㗁𠯤樹脂、環氧樹脂、活性酯、酚樹脂、胺類固化劑、聚醯胺、聚醯亞胺、氰酸酯樹脂或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物還包括無機填充物、阻燃劑、硬化促進劑、聚合抑制劑、染色劑、表面活性劑、增韌劑或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物的清漆儲期大於90天。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物參考IPC-TM-650 2.4.24.6的方法測量而得的有機物揮發份小於或等於0.5%。
一種由請求項1至15中任一項所述的樹脂組合物製成的製品，其包括半固化片、樹脂膜、積層板或印刷電路板。
一種由請求項1至15中任一項所述的樹脂組合物製成的製品，其包含由該樹脂組合物經固化而得到的樹脂固化物。
如請求項17所述的製品，其中，該製品具有以下特性中的一種、多種或全部： <br/>參考JIS C2565的方法在10 GHz的頻率下測量而得的介電損耗小於或等於0.0038； <br/>參考IPC-TM-650 2.4.24.5的方法測量而得的玻璃轉化溫度大於或等於160 <sup>o</sup>C； <br/>參考IPC-TM-650 2.4.24.5的方法測量而得的Z軸熱膨脹率小於或等於1.6%； <br/>參考IPC-TM-650 2.4.8的方法測量而得的對銅箔拉力大於或等於4.5 lb/in； <br/>參考IPC-TM-650 2.6.2.1和IPC-TM-650 2.6.16.1的方法測量而得的吸水率小於或等於0.60%；以及 <br/>參考GB/T4472-2011的標準測量並計算而得的固化收縮率小於或等於6.0%。
一種將請求項1至15中任一項所述的樹脂組合物應用在印刷電路板塞孔製程或印刷電路板電路填充製程的用途。
如請求項19所述的用途，其中，在該印刷電路板塞孔製程中，印刷電路板的至少一個電鍍孔內填充有該樹脂組合物的固化物，在該印刷電路板電路填充製程中，印刷電路板的至少一個電路空曠區覆蓋有該樹脂組合物的固化物。
一種全固態電池用固態電解質，其由包含Li、B、Al、Cl及V之氧化物形成，具有Li<sub>4</sub>Al<sub>x</sub>B<sub>4</sub>V<sub>3-x</sub>O<sub>12</sub>Cl的組成式，且滿足2≤x≤2.8。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其滿足2.2≤x≤2.6。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其轉移溫度為380℃至410℃。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其離子導電率為1.50×10<sup>-5</sup>至4.19×10<sup>-4</sup>S/cm。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其由Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>及LiCl的前驅物粉末製造。
一種全固態電池用固態電解質，其包含Nasicon型晶體結構的固態電解質及燒結助劑，<br/>前述燒結助劑由包含Li、Te及Zr之氧化物形成；<br/>其中，前述燒結助劑包含Li<sub>2</sub>O 24～30mol%、TeO<sub>2</sub>67～75mol%及ZrO<sub>2</sub>1～4mol%。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其中，前述燒結助劑由Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、TeO<sub>2</sub>及ZrO<sub>2</sub>製造。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其中，常溫下的離子導電率為2.01×10<sup>-7</sup>至約1.02×10<sup>-5</sup>S/cm。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其中，前述Nasicon型晶體結構的固態電解質為LAGP固態電解質或LATP固態電解質。
一種全固態電池用固態電解質的燒結助劑，其由包含Li、Te及Zr之氧化物形成；其中，前述燒結助劑包含Li<sub>2</sub>O 24～30mol%、TeO<sub>2</sub>67～75mol%及ZrO<sub>2</sub>1～4mol%。
如請求項5所述之燒結助劑，其由Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、TeO<sub>2</sub>及ZrO<sub>2</sub>製造。
一種全固態電池用固態電解質，其包含氧化物系固態電解質及燒結助劑，<br/>前述燒結助劑由包含Li、V及P之氧化物形成；<br/>其中，前述燒結助劑包含Li<sub>2</sub>O 25～35mol%、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>35～60mol%及P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>15～30mol%，且前述燒結助劑的粒度等於或小於9μm。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其中，常溫下的離子導電率為5.0×10<sup>-7</sup>至1.95×10<sup>-5</sup>S/cm。
如請求項1所述之全固態電池用固態電解質，其中，前述氧化物系固態電解質為LAGP固態電解質、LATP固態電解質或LLZO固態電解質。
一種全固態電池用固態電解質的燒結助劑，其由包含Li、V及P之氧化物形成；<br/>其中，前述燒結助劑包含Li<sub>2</sub>O 25～35mol%、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>35～60mol%及P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>15～30mol%，且前述燒結助劑的粒度等於或小於9μm。
如請求項4所述之燒結助劑，其由Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>及P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>製造。
一種電容器結構，包含： <br/>一第一井區； <br/>一第一半導體層設置在該第一井區之上； <br/>一第二半導體層設置在該第一半導體層上； <br/>一介電層設置在該第二半導體層上，其中該介電層具有一頂部表面、一底部表面、一或更多的突出延伸朝向該第二半導體層、以及一或更多的開口在該頂部表面中 <br/>一閘極結構設置在該介電層上；以及 <br/>一第二井區設置在該第一井區中。
如請求項1所述的電容器結構，進一步包含一深井區，其中該第一井區設置在該深井區。
如請求項1所述的電容器結構，其中該第一井區以及該第二井區包含相同導電類型的摻雜物。
如請求項1所述的電容器結構，其中該第二井區的摻雜物濃度係實質上大於該第一井區的摻雜物濃度。
如請求項1所述的電容器結構，其中該第一半導體層包含一第一導電類型的種類，並且該第一井區包含相反於該第一導電類型的一第二導電類型的一摻雜物。
如請求項5所述的電容器結構，其中該第一半導體層及該第二半導體層包含相同導電類型的種類。
如請求項1所述的電容器結構，其中該第一半導體層及該第二半導體層藉由磊晶成長製程形成。
如請求項1所述的電容器結構，其中該第一半導體層以及該第二半導體層各具有一蜿蜒的輪廓。
一種電容器結構，包含： <br/>一第一井區； <br/>一半導體層設置在該第一井區之上，其中該半導體層具有n型或p型種類的一梯度濃度其在從該半導體層的一底部表面至該半導體層的一頂部表面的一方向中減少，並且一或更多的開口形成在該半導體層的該頂部表面中； <br/>一介電層設置在該半導體層上並且在該一或更多的開口中； <br/>一閘極結構設置在該介電層上；以及 <br/>一第二井區設置在該第一井區中。
一種電容器結構的形成方法，包含： <br/>形成一第一隔離區以及一第二隔離區在一基底中； <br/>形成一第一井區在該第一隔離區以及該第二隔離區之間； <br/>形成一第二井區在該第一井區中； <br/>形成一或更多的開口在該第二井區中； <br/>使該第二井區凹入，其中該一或更多的開口延伸至該凹入的第二井區中； <br/>形成一第一半導體層在該第二井區上以及在該一或更多的開口中，其中該第一半導體層藉由磊晶成長製程形成，並且該第一半導體層具有一蜿蜒的輪廓；以及 <br/>沉積一介電層在該第一半導體層之上，其中該介電層具有一蜿蜒的輪廓。
一種半導體裝置結構，包含： <br/>一基板； <br/>一源極／汲極特徵，設置在所述基板之上； <br/>一閘極間隔物，設置在所述源極／汲極特徵之上；以及 <br/>一第一隔離溝槽結構，設置在所述基板之上，所述第一隔離溝槽結構包括： <br/>一上部，與所述閘極間隔物相鄰； <br/>一中部，設置在所述上部的下方，並且與所述源極／汲極特徵的一第一側相鄰；以及 <br/>一下部，設置在所述中部的下方並且延伸到所述基板中，其中所述下部具有從所述第一隔離溝槽結構的一側向外延伸的一弓形輪廓； <br/>其中該弓形輪廓的突出點在低於相鄰該源極／汲極特徵的底表面的一高度處。
如請求項1所述的半導體裝置結構，還包含： <br/>一犧牲閘極電極層，設置在所述閘極間隔物和所述第一隔離溝槽結構的所述上部之間。
如請求項1所述的半導體裝置結構，其中所述第一隔離溝槽結構的所述上部具有一第一寬度，所述第一隔離溝槽結構的所述中部具有大於所述第一寬度的一第二寬度，所述第一隔離溝槽結構的所述下部具有大於所述第二寬度的一第三寬度。
如請求項3所述的半導體裝置結構，其中所述第一隔離溝槽結構還包括一底部，所述底部設置在所述下部的下方，並且具有小於所述第一寬度的一第四寬度。
如請求項1所述的半導體裝置結構，還包括： <br/>一第二隔離溝槽結構，設置為與所述源極／汲極特徵的一第二側相鄰，其中所述第二隔離溝槽結構在低於所述第一隔離溝槽結構的一底部的一高度處具有一底部。
如請求項5所述的半導體裝置結構，其中所述第一隔離溝槽結構具有在所述第一隔離溝槽結構的一縱向方向上相對於所述第二隔離溝槽結構橫向偏移的一部分。
如請求項5所述的半導體裝置結構，其中所述第一隔離溝槽結構在所述第一隔離溝槽結構的一深度方向上具有一不對稱輪廓，並且所述第二隔離溝槽結構在所述第二隔離溝槽結構的一深度方向上具有一對稱輪廓。
一種半導體裝置結構，包含： <br/>一基板； <br/>一第一鰭結構，從所述基板沿一第一方向延伸； <br/>一第一閘極結構，設置為跨越所述第一鰭結構，並且沿垂直於所述第一方向的一第二方向延伸；以及 <br/>第一隔離溝槽結構，設置在所述第一閘極結構中，並且延伸穿過所述第一鰭結構的一部分，並且延伸到所述基板中，所述第一隔離溝槽結構包含： <br/>一第一部分； <br/>一第二部分；以及 <br/>一第三部分，連接所述第一部分和所述第二部分，其中所述第三部分相對於所述第一部分橫向偏移一段距離。
如請求項8所述的半導體裝置結構，其中所述第一隔離溝槽結構的一下部具有一弓形輪廓。
一種用於形成半導體裝置結構的方法，包含： <br/>從一基板沿一第一方向形成複數個鰭結構，每個鰭結構具有垂直堆疊的複數個半導體層； <br/>沿一第二方向跨越所述複數個鰭結構以形成複數個閘極結構； <br/>在所述複數個閘極結構之上沉積一遮罩層； <br/>在所述遮罩層之上沉積一光阻層； <br/>在所述光阻層中形成一圖案，其中所述圖案包含： <br/>一第一開口，在一第一方向上從所述複數個閘極結構中的一第一閘極結構的一中心移開；以及 <br/>一第二開口，與所述複數個閘極結構中的一第二閘極結構的一中心對準； <br/>圖案化所述遮罩層以將所述圖案從所述光阻層轉移到所述遮罩層； <br/>使用所述經圖案化的遮罩層移除所述複數個鰭結構中的一第一鰭結構的複數個部分和一第二鰭結構的複數個部分，以分別形成複數個第一隔離溝槽和複數個第二隔離溝槽；以及 <br/>用一介電質材料來填充所述複數個第一隔離溝槽和所述複數個第二隔離溝槽。
一種用以確定會員資格優惠項目之方法，其係藉由電子裝置而實行之會員資格優惠項目確定方法，其包括如下動作： <br/>將包括至少一個解除原因項目之問卷資料傳輸至終端，自上述終端接收與上述問卷資料對應之解除原因資料； <br/>基於認知度資料所確定之認知度低於預定水準之複數個候補會員資格優惠項目中，確定對應於上述解除原因資料且將提供至上述終端之帳戶之複數個會員資格優惠項目； <br/>將包括上述所確定之複數個會員資格優惠項目之會員資格優惠之詢問資料傳輸至上述終端；及 <br/>自上述終端接收是否解除結果資料。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中上述至少一個解除原因項目係於複數個候補解除原因項目中基於與上述終端之帳戶對應之傾向資料而確定者。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中上述至少一個解除原因項目包括如下中之至少一者： <br/>包括金錢原因項目之第1解除原因項目、包括非金錢原因項目之第2解除原因項目、或接收自然語言狀態之輸入之第3解除原因項目。
如請求項3之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中上述第1解除原因項目包括如下中之至少一者： <br/>不滿意服務會員資格之訂閱費項目或不滿意商品折扣項目； <br/>上述第2解除原因項目包括如下中之至少一者： <br/>藉由上述服務之商品購買次數減少項目、不需要迅速配送項目、或家庭成員之服務會員資格之訂閱項目。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中上述複數個候補會員資格優惠項目包括如下中之至少一者： <br/>服務會員資格之訂閱費免費項目、上述服務會員資格之訂閱費折扣項目、商品折扣項目、商品之免費配送項目、配送費折扣項目、商品之迅速配送項目、商品之免費退貨項目、商品購買額之規定比率積分項目、免費提供串流服務項目、基於折扣優惠券之剩餘使用期限而確定之第1推薦商品項目、基於上述終端之帳戶之商品購買日誌資料而確定之第2推薦商品項目。
如請求項5之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中於上述解除原因資料相當於不滿意服務訂閱費項目之情形時，上述複數個會員資格優惠項目包括如下中之至少一者：上述服務會員資格之訂閱費免費項目或上述服務會員資格之訂閱費折扣項目。
如請求項5之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中於上述解除原因資料相當於不滿意商品折扣項目之情形時，上述複數個會員資格優惠項目包括如下中之至少一者：上述商品折扣項目、上述商品之免費配送項目、上述配送費折扣項目、上述商品之迅速配送項目、上述商品之免費退貨項目、上述商品購買額之規定比率積分項目、提供基於上述折扣優惠券之剩餘使用期限而確定之上述第1推薦商品項目或基於上述終端之帳戶之上述商品購買日誌資料而確定之上述第2推薦商品項目。
如請求項5之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中於上述解除原因資料相當於包括非金錢原因項目之第2解除原因項目之情形時，上述複數個會員資格優惠項目包括上述免費提供串流服務項目。
如請求項5之用以確定會員資格優惠項目之方法，其進而包括如下動作： <br/>於上述解除原因資料相當於接收自然語言狀態之輸入之第3解除原因項目之情形時，將自然語言狀態之解除原因資料送入神經網而歸類為第1解除原因項目或第2解除原因項目中之一者；且 <br/>上述神經網係學習作為輸入資料之自然語言狀態之解除原因資料與作為輸出資料之上述第1解除原因項目及上述第2解除原因項目之間之相關性之模型。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其進而包括如下動作： <br/>於基於上述是否解除結果資料，上述服務之是否解除結果為維持服務會員資格之情形時，將確定之上述複數個會員資格優惠項目提供給上述終端之帳戶。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其進而包括如下動作： <br/>接收包括基於上述終端之用戶輸入而確定之會員資格優惠項目的會員資格優惠之選擇資料；及 <br/>將與上述選擇資料中包括之至少一個會員資格優惠項目對應之會員資格優惠提供給上述終端之帳戶。
如請求項1之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中 <br/>確定上述複數個會員資格優惠項目之動作包括如下動作： <br/>基於與上述終端之帳戶對應之傾向資料、上述解除原因資料及與上述終端之帳戶不同之複數個帳戶之上述是否解除結果資料，確定上述複數個會員資格優惠項目。
如請求項12之用以確定會員資格優惠項目之方法，其中 <br/>確定上述複數個會員資格優惠項目之動作包括如下動作： <br/>將於與上述終端之帳戶不同之複數個帳戶之是否解除結果為維持服務之情形時使用之複數個會員資格優惠項目中之至少一部分包括於向上述終端之帳戶提供之上述複數個會員資格優惠項目中。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有以藉由上述處理器而執行之方式構成之命令；且 <br/>於藉由上述處理器而執行時，上述命令使上述處理器如下： <br/>將包括至少一個解除原因項目之問卷資料傳輸至終端，自上述終端接收與上述問卷資料對應之解除原因資料， <br/>基於認知度資料所確定之認知度低於預定水準之複數個候補會員資格優惠項目中，確定對應於上述解除原因資料且將提供至上述終端之帳戶之複數個會員資格優惠項目，將包括所確定之上述複數個會員資格優惠項目之會員資格優惠之詢問資料傳輸至上述終端，並 <br/>自上述終端接收是否解除結果資料。
一種抗菌塗料組成物，包含：<br/> 雙離子高分子，由一第一重複單元及一第二重複單元所組成，該第一重複單元是乙二醇重複單元為20至25的聚乙二醇單甲醚甲基丙烯酸酯經聚合步驟後形成，<br/> 該第二重複單元設置於該第一重複單元的一端，該第二重複單元具有如式(II)所示之結構，<br/><img align="absmiddle" height="113px" width="96px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> R<sup>3</sup>是H或CH<sub>3</sub>，R<sup>4</sup>是COOR’或CONR”H，其中R’及R”是甜菜鹼基，且<br/> 基於該雙離子高分子為100重量百分率，該第一重複單元的一使用量是10重量百分率至15重量百分率；<br/> 至少一種樹脂漆底；以及<br/> 非極性溶劑，且<br/> 其中基於該抗菌塗料組成物為100重量百分率，該雙離子高分子的一使用量為1重量百分率至5重量百分率。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，其中該甜菜鹼基包含磺基甜菜鹼基或羧基甜菜鹼基。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，其中該雙離子高分子的一分子量是15000至25000。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，更包含至少一種顏料。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，其中該至少一種樹脂漆底包含至少一環氧樹脂類重複單元。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，其中該非極性溶劑包含苯類化合物、酯類化合物及/或烷類化合物。
如請求項1所述之抗菌塗料組成物，其中該非極性溶劑的一使用量是80重量百分率至95重量百分率。
一種經噴塗的製品，包含：<br/> 一基材；以及<br/> 一抗菌塗層，形成於該基材的一表面上，其中該抗菌塗層係由如請求項1至請求項7任一項所述之抗菌塗料組成物經一噴塗步驟及一乾燥步驟後形成。
一種集成磁性元件，包含：<br/> 一變壓器結構，具有ㄧ變壓器磁芯，及一設於該變壓器磁芯上的變壓器繞組；<br/> 一諧振電感結構，具有一接觸該變壓器磁芯的電感磁芯，及一設於該電感磁芯上的電感繞組，該諧振電感結構與該變壓器結構共同磁路，該電感磁芯為E型，該電感磁芯具有複數腳部，及一連接該些腳部的身部，該些腳部中的其中二者接觸該變壓器磁芯；<br/> 一比流器結構，具有一比流器磁芯，一設於該比流器磁芯的比流器繞組，及一環繞該比流器磁芯設置的第一絕緣件，該比流器結構，該諧振電感結構及該變壓器結構排列設置以形成一集成結構；及<br/> 一第二絕緣件，環繞該集成結構設置。
如請求項1所述集成磁性元件，其中，該變壓器繞組包含一第一初級繞組，及一第一次級繞組，該比流器繞組包含一第二初級繞組，及一第二次級繞組，該第一初級繞組，該電感繞組與該第二初級繞組為同一線材繞製。
如請求項2所述集成磁性元件，其中，該線材的兩端位於該集成磁性元件的同一側。
如請求項2所述集成磁性元件，其中，該第一次級繞組包含複數導電片，及複數絕緣片，該些絕緣片每一分別設於該些導電片任二相鄰者之間。
如請求項4所述集成磁性元件，其中，該比流器磁芯為EI型。
如請求項1所述集成磁性元件，其中，該比流器結構毗鄰該諧振電感結構，該比流器磁芯與該電感磁芯之間夾有該第一絕緣件。
如請求項1所述集成磁性元件，其中，該變壓器繞組包含一第一初級繞組，及一第一次級繞組，該第一次級繞組包含複數導電片，及複數絕緣片，該些絕緣片每一分別設於該些導電片任二相鄰者之間。
如請求項1所述集成磁性元件，其中，該電感磁芯為E型，該電感磁芯具有複數腳部，及一連接該些腳部的身部，該些腳部接觸該變壓器磁芯。
如請求項1所述集成磁性元件，其中，該比流器結構毗鄰該諧振電感結構，該比流器磁芯與該電感磁芯之間夾有該第一絕緣件。
一種電子裝置，包括： <br/>第一機體，具有第一樞接側與位於該第一樞接側的散熱開口； <br/>第二機體，具有樞接於該第一樞接側的第二樞接側，且該第二樞接側對應該散熱開口設有氣流通道； <br/>第一磁性件，對應該第一樞接側設置於該第一機體內；以及 <br/>活動門蓋，可旋轉地設置於該氣流通道內，且對應該第一磁性件設有第二磁性件， <br/>當該第二機體閉合於該第一機體時，該第二磁性件與該第一磁性件之間產生的磁吸力固定住該活動門蓋，使得該活動門蓋關閉該氣流通道， <br/>當該第二機體相對於該第一機體展開時，該第二磁性件與該第一磁性件之間產生的該磁吸力減弱，使得該活動門蓋受重力作用而相對於該第二機體旋轉以開啟該氣流通道。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第二磁性件與該第一磁性件之間的距離隨著該第二機體相對於該第一機體的展開而加大。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一機體具有頂面與相對於該頂面的底面，且該第一磁性件鄰近該頂面。
如請求項1所述的電子裝置，還包括設置於該第一機體內的風扇，其中該第一磁性件位於該風扇與該散熱開口之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該氣流通道為位於該第二樞接側的凹槽，該活動門蓋的整體適以收納於該凹槽內，隨著該第二機體相對於該第一機體的展開，該活動門蓋的至少部分移出該凹槽外。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第二機體具有顯示面與相對於該顯示面的背面，且該氣流通道貫通該顯示面與該背面。
如請求項6所述的電子裝置，其中該氣流通道具有位於該顯示面的進風開口與位於該背面的排風開口，該第一機體內部的熱空氣適以經由該散熱開口排出並往該進風開口吹送，再由該進風開口流向該排風開口，以經由該排風開口排放至外界。
如請求項6所述的電子裝置，其中該氣流通道具有位於該顯示面的進風開口與位於該背面的排風開口，且該活動門蓋的至少部分適以經由該排風開口移出該氣流通道外。
一種電子裝置，包括： <br/>第一機體，具有第一樞接側與位於該第一樞接側的散熱開口； <br/>第二機體，具有樞接於該第一樞接側的第二樞接側，且該第二樞接側對應該散熱開口設有氣流通道； <br/>第一磁性件，對應該第一樞接側設置於該第一機體內； <br/>活動門蓋，可旋轉地設置於該氣流通道內，且對應該第一磁性件設有第二磁性件；以及 <br/>扭力彈簧，連接於該活動門蓋與該第二機體之間， <br/>當該第二機體閉合於該第一機體時，該第二磁性件與該第一磁性件之間產生的磁吸力大於被擠壓的該扭力彈簧的彈性恢復力，以固定住該活動門蓋，使得該活動門蓋關閉該氣流通道， <br/>當該第二機體相對於該第一機體展開時，該第二磁性件與該第一磁性件之間產生的該磁吸力小於該扭力彈簧的該彈性恢復力，使得該活動門蓋被該扭力彈簧帶動而相對於該第二機體旋轉以開啟該氣流通道。
一種電子裝置，包括： <br/>第一機體，具有第一樞接側與位於該第一樞接側的散熱開口； <br/>第二機體，具有樞接於該第一樞接側的第二樞接側，且該第二樞接側對應該散熱開口設有氣流通道；以及 <br/>活動門蓋，可旋轉地設置於該氣流通道內， <br/>當該第二機體閉合於該第一機體時，該活動門蓋關閉該氣流通道， <br/>當該第二機體相對於該第一機體展開時，該活動門蓋相對於該第二機體旋轉以開啟該氣流通道。
一種橫向擴散金屬氧化物半導體（lateral diffusion metal oxide semiconductor，LDMOS）電晶體，包含：<br/> 一基材；<br/> 一第一閘極，設置在該基材上；<br/> 一第一源極區域，位於該第一閘極的一第一側；<br/> 一汲極區域，位於該第一閘極的一第二側，其中，該第二側與該第一側相對；<br/> 一第一間隔件，圍繞該第一閘極，其中，該第一間隔件包含：<br/> 位於該第一閘極的該第一側的一第一部分，其中，該第一部分的頂表面與該第一閘極的頂表面基本共平面；以及<br/> 位於該第一閘極的該第二側的一第二部分，其中，該第二部分包含延伸高於該第一閘極的頂表面的一第一角結構，其中該第一角結構具有漸縮輪廓，且該第一角結構在離該基材最遠的位置處縮小到一個點。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一間隔件包含單層的氧化矽。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一間隔件包含單層的氮化矽。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一間隔件包含：<br/> 一第一氧化矽層；<br/> 該第一氧化矽層之上的一氮化矽層；以及<br/> 該氮化矽層之上的一第二氧化矽層。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一間隔件包含：<br/> 一氧化矽層；以及<br/> 該氧化矽層之上的一氮化矽層。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一間隔件包含：<br/> 一氮化矽層；以及<br/> 該氮化矽層之上的一氧化矽層。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一角結構包含單一材料。
如請求項1所述之LDMOS電晶體，其中，該第一閘極具有在垂直於該第一閘極的頂表面的方向上測量的一第一厚度，該第一角結構在該第一閘極的頂表面之上延伸一第二厚度，並且該第二厚度小於該第一厚度的約三分之二（2/3）。
一種橫向擴散金屬氧化物半導體（lateral diffusion metal oxide semiconductor，LDMOS）電晶體，包含：<br/> 一基材；<br/> 一第一閘極，設置在該基材上；<br/> 一第二閘極，設置在該基材上；<br/> 一汲極區域，位於該第一閘極和該第二閘極之間，其中，該第一閘極和該第二閘極中的每一個都可用於控制該汲極區域處的電壓；<br/> 一第一間隔件，圍繞該第一閘極，其中，該第一間隔件包含：<br/> 位於該第一閘極最靠近該汲極區域的一側的一第一部分，其中，該第一部分包含延伸高於該第一閘極的頂表面的一第一角結構，其中該第一角結構具有漸縮輪廓，且該第一角結構在離該基材最遠的位置處縮小到一個點；以及<br/> 一第二間隔件，圍繞該第二閘極，其中，該第二間隔件包含：<br/> 位於該第二閘極最靠近該汲極區域的一側的一第二部分，其中，該第二部分包含延伸高於該第二閘極的頂表面的一第二角結構。
一種製造橫向擴散金屬氧化物半導體（lateral diffusion metal oxide semiconductor，LDMOS）電晶體的方法，該方法包含：<br/> 在一基材之上形成一閘極；<br/> 在該閘極和該基材之上沉積一間隔材料；<br/> 在該間隔材料之上沉積一光阻；<br/> 對該光阻進行圖案化，其中，對該光阻進行圖案化包含：<br/> 從位於該閘極的第一側的該間隔材料去除該光阻，以及<br/> 保留位於該閘極的第二側的該間隔材料上的該光阻，其中，該第二側與該第一側相對；以及<br/> 使用經圖案化的該光阻作為遮罩來蝕刻該間隔材料，其中，蝕刻該間隔材料包含：<br/> 形成該間隔材料位於該閘極的該第一側的一第一部分，該第一部分的頂表面與該閘極的頂表面基本共平面；以及<br/> 在該間隔材料位於該閘極的該第二側的一第二部分中形成一角結構，其中，該角結構延伸高於該閘極的頂表面，該角結構具有漸縮輪廓，且該角結構在離該基材最遠的位置處縮小到一個點。
一種堆疊式繞組，包含: <br/>複數內層導電件，分別一體成形有一第一圈繞段及二連接該第一圈繞段的第一連接段，該些內層導電件堆疊設置並以複數該第一連接段依序導通； <br/>二外層導電件，分別一體成形有一第二圈繞段，一連接該第二圈繞段的第二連接段，及一連接該第二圈繞段的出線段，該第二連接段位於該第二圈繞段的內圈，該出線段位於該第二圈繞段的外圈，該二外層導電件設於該些內層導電件的二相對外側，該二外層導電件每一的該第二連接段與該些內層導電件中位於相對外側其中一者的該第一連接段連接；及 <br/>複數隔離片，分別夾於該些內層導電件與該二外層導電件任二相鄰者之間，該些隔離片於二該第一連接段連接處或該第一連接段與該第二連接段連接處成形有一缺口。
如請求項1所述堆疊式繞組，其中，該些內層導電件每一成形有一位於該第一連接段上的第一穿孔，該堆疊式繞組包含複數導電栓，該些導電栓每一設於複數該第一穿孔的至少一者內，以導通該些內層導電件與該二外層導電件任二相鄰者。
如請求項1或2所述堆疊式繞組，其中，該缺口位於該些隔離片其中之一的外緣或內緣。
如請求項3所述堆疊式繞組，其中，該些隔離片任二相鄰者上二該缺口不對應。
如請求項2所述堆疊式繞組，其中，該二外層導電件每一成形有一位於該第二連接段的第二穿孔，該些導電栓其中之一置入該第二穿孔。
如請求項1所述堆疊式繞組，其中，該二外層導電件其中之一的該出線段具有至少一彎折。
如請求項6所述堆疊式繞組，其中，該二外層導電件的二該出線段位於該堆疊式繞組的二相對側。
一種光學裝置的製造方法，包括：<br/> 形成一第一摻質區於一基板上方，該第一摻質區包括一第一波導及一第二波導；<br/> 沉積一披覆材料於該第一波導及該第二波導上方；以及<br/> 形成一第二摻質區上覆於該第一波導及該第二波導，其中形成該第二摻質區的步驟包括形成一第一區延伸於該第一波導及該第二波導上方，該第一區具有一恆定濃度的一第一摻質。
如請求項1所述之光學裝置的製造方法，其中形成該第二摻質區的步驟更包括：<br/> 形成一第二區延伸遠離該第一區，該第二區比該第一區具有更高濃度的該第一摻質；以及<br/> 形成一第三區延伸遠離該第一區，該第三區比該第一區具有更高濃度的該第一摻質。
如請求項2所述之光學裝置的製造方法，更包括：<br/> 形成一第一接觸件至該第二區；以及<br/> 形成一第二接觸件至該第三區。
如請求項3所述之光學裝置的製造方法，其中形成該第一摻質區的步驟包括形成一連接區與該第一波導實體（physical）接觸，該連接區比該第一波導具有更小厚度，其中形成該第一摻質區的步驟包括形成一第一接觸件區與該連接區實體接觸，該第一接觸件區比該連接區具有更大濃度的一第二摻質，其中該第一摻質為一n型摻質且該第二摻質為一p型摻質。
如請求項1至4任一項所述之光學裝置的製造方法，其中該光學裝置為一分光鏡（beam splitter）。
一種光學裝置的製造方法，包括：<br/> 使用一第一波導及一第二波導形成一第一耦合器、一第一調變區、及一第二耦合器；以及<br/> 形成一第一多晶矽材料上覆於該第一波導及該第二波導兩者，該第一多晶矽材料具有一恆定濃度的一第一摻質，該第一多晶矽材料延伸於該第一耦合器上方。
如請求項6所述之光學裝置的製造方法，更包括形成與該第一耦合器、該第一調變區、及該第二耦合器串聯的一第三耦合器、一第二調變區、及一第四耦合器。
如請求項6所述之光學裝置的製造方法，其中該第一波導包括一P+型區，其中該第一多晶矽材料包括一N+型區。
如請求項8所述之光學裝置的製造方法，更包括形成一第一接觸件至一N++型區，該N++型區將該第一多晶矽材料電性地連接至該第一接觸件。
如請求項9所述之光學裝置的製造方法，更包括形成一第二接觸件至一P++型區，該P++型區將該第一波導電性地連接至該第二接觸件，其中該第二接觸件比該第一接觸件更遠離該第一波導。
一種光學裝置，包括：<br/> 一第一波導，於一基板上方；<br/> 一第二波導，於該基板上方，其中該第一波導及該第二波導形成一第一耦合器、一調變區、及一第二耦合器；以及<br/> 一第一多晶矽材料，上覆於該第一波導及該第二波導兩者，該第一多晶矽材料具有一恆定濃度的一第一摻質，該第一多晶矽材料延伸於該第一耦合器上方，其中該第一波導包括一P+型區且該第一多晶矽材料包括一N+型區。
如請求項11所述之光學裝置，更包括一第一接觸件，與一P++型區實體接觸，該P++型區與該第一波導電性接觸。
如請求項12所述之光學裝置，更包括一第二接觸件，與一N++型區實體接觸，該N++型區與該第一多晶矽材料電性接觸，其中該第一接觸件位於該第二接觸件與該N++型區的一相反側。
如請求項11所述之光學裝置，其中該第一波導相鄰於另一P+型區，所述另一P+型區比該第一波導具有更小厚度。
一海域土壤液化監測裝置，用以設置於一海床土壤上並監測該海床土壤之液化狀態，該裝置包括：一第一監測單元，露出於該海床土壤之上，其內設有：一記錄器，用以記錄一土壓計與一水壓計的量測訊號；一加速度計，用以測量該海域土壤液化監測裝置受地震作用之加速度；以及一第二監測單元，固設於該第一監測單元，該第二監測單元包括：一下頂蓋，包括一第一開孔與至少一第二開孔；一沉箱，用以沉入該海床土壤內，其內設有：該土壓計，用以測量該海床土壤的土壤應力；以及該水壓計，用以測量該海床土壤的孔隙水壓；其中，該第一開孔用以通過一電路管，以容置該海域土壤液化監測裝置之訊號線與電源線，該至少一第二開孔用以通過一排水管，以排出該沉箱內之水體。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該沉箱更包含複數根探針伸入該海床土壤，用以連接該加速度計並傳遞地震波資訊。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第一監測單元為密閉腔體，用以阻絕外界海水進入。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該至少一第二開孔為3個且與該第一開孔均勻設置於該下頂蓋之四周。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該水壓計與該土壓計設置於該沉箱內並靠近該第一開孔。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第一監測單元更包括一電池，用以提供電源予該記錄器、該加速度計、該土壓計與該水壓計，該電池可儲存至少五個無日照天的電力。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，更包括：一浮標系統，連接該電路管與該排水管，該浮標系統包括；一訊號傳輸系統，用以將海域土壤液化監測裝置所測量的量測資料回傳，以進行遠端監測；以及一太陽能光電系統，設置於該浮標系統上，用以產生電力並透過該電路管傳送至該電池。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第一監測單元為一第一圓柱形，且該第一監測單元之底面小於該第二監測單元之該頂面以便設置該第一開孔與該至少一第二開孔。
如請求項1之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第一開孔與該至少一第二開孔相對設置於該第二監測單元之兩側。
如請求項8之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第二監測單元為一第二圓柱形，且該第二監測單元之該第二圓柱形之圓底面積大於該第一監測單元之該第一圓柱形之圓底面積，以維持該海域土壤液化監測裝置的結構穩固。
如請求項10之該海域土壤液化監測裝置，其中，該第二監測單元之該圓柱形之側邊高度，大於該第一監測單元之該圓柱形之側邊高度，以維持該海域土壤液化監測裝置的結構穩固。
一種如請求項1之海域土壤液化監測裝置之設置方法，用以將該海域土壤液化監測裝置貫入一海域土壤內，該設置方法包括：透過一繩索將該第一監測單元固定於一工作船之一起重機上；將一電路管之一端固定於該工作船上，該電路管之另一端穿過該下頂蓋之一第一開孔以伸入該沉箱內；將一排水管之一端連結於該工作船之一抽水裝置，該排水管之一另一端穿過該下頂蓋之至少一第二開孔以伸入該沉箱內；打開該排水管之一閥門；控制該起重機，將該海域土壤液化監測裝置，下放至該海域土壤之表面上；解除該繩索之張力，使得該海域土壤液化監測裝置部分貫入該海域土壤內；以及控制該抽水裝置與該排水管，以抽出該沉箱內的水體，使該沉箱幾乎完全貫入該海域土壤內。
一種如請求項1之海域土壤液化監測裝置之設置方法，用以將該海域土壤液化監測裝置貫入一海域土壤內，該設置方法包括：透過一桿件連接一工作船之一鑽桿與該第一監測單元；將一電路管之一端固定於該工作船上，該電路管之另一端穿過該下頂蓋之一第一開孔以伸入該沉箱內；將一排水管之一端連結於該工作船之一抽水裝置，該排水管之一另一端穿過該下頂蓋之至少一第二開孔以伸入該沉箱內；打開該排水管之一閥門；控制該鑽桿，將該海域土壤液化監測裝置，下放至該海域土壤之表面上；以及控制該鑽桿提供貫入該海域土壤所需反力，使得該沉箱幾乎完全貫入海域土壤內。
一種如請求項12之該海域土壤液化監測裝置之設置方法，更包括：當該海域土壤液化監測裝置幾乎完全貫入該海域土壤內後，關閉該排水管之該閥門；以及連接該排水管與該電路管至一浮標系統。
一種如請求項13之海域土壤液化監測裝置之設置方法，更包括：當該海域土壤液化監測裝置幾乎完全貫入該海域土壤內後，關閉該排水管之該閥門；以及連接該排水管與該電路管至一浮標系統。
一種如請求項12之海域土壤液化監測裝置之設置方法，更包括：當該海域土壤液化監測裝置貫入該海域土壤內後，灌注一具高流動性與快速凝結型之材料至該排水管內；以及連接該排水管與該電路管至該浮標系統。
一種如請求項13之海域土壤液化監測裝置之設置方法，更包括：當該海域土壤液化監測裝置貫入該海域土壤內後，灌注一具高流動性與快速凝結型之材料至該排水管內；以及連接該排水管與該電路管至該浮標系統。
一種如請求項14至17中任一項所述之海域土壤液化監測裝置之設置方法，該浮標系統包括：一訊號傳輸系統，用以將海域土壤液化監測裝置所測量得的量測資料即時回傳以進行遠端監測；以及一太陽能光電系統，設置於該浮標系統上，用以產生一電力並透過該電路管傳送至該電池。
一種如請求項14至17中任一項所述之海域土壤液化監測裝置之設置方法，更包括：於該海域土壤液化監測裝置之四周，投放複數個防淘刷保護工，以降低該海域土壤液化監測裝置因海流擾動發生局部淘刷之可能性。
一種多功能電子零件的測試設備，包含：<br/>一箱體，界定出一與外界環境隔絕的密封腔室；<br/>一調節系統，設置於該箱體外，並包括一連通該密封腔室的控溫單元、一連通該密封腔室且適用於將一氣體導入或導出該密封腔室的控壓單元，及一連通該密封腔室且適用於將該密封腔室之氣壓調控至常壓的排壓單元，其中，該控溫單元具有一適用於輸送所述氣體循環的循環模組、一調節所述氣體之溫度的控溫模組，及一連通該循環模組與該控溫模組，且與該密封腔室共同形成一控溫控壓迴路的管路模組，該管路模組具有一位於該箱體外的第一管件，及一位於該箱體內的第二管件，該第一管件與該第二管件彼此是可分離地相互連接；及<br/>一測試裝置，可移除地配置於該密封腔室內，並包括一適用於供複數個所述電子零件擺置的架體、一設置於該架體且適用於連接所述電子零件的檢測單元，及一連接該管路模組且適用於將所述氣體朝所述電子零件導引吹送的輸氣單元，該輸氣單元連接該第二管件，且該第二管件可隨著該輸氣單元移出該密封腔室。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該測試裝置還包括複數個適用於分別配置於所述電子零件，且位於該輸氣單元與所述電子零件之間的鰭片單元。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該管路模組還包括一裝設於該第二管件且連接該測試裝置的旋轉構件。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該管路模組是穿入該密封腔室且可分離地連接該輸氣單元。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該調節系統還包括一連通該密封腔室且適用於測量所述氣體的監控單元。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該控溫單元還包括一連通該管路模組的過濾模組，且該過濾模組具有一適用於過濾該管路模組內之所述氣體中之懸浮微粒的過濾件，及一適用於過濾該管路模組內之所述氣體中之水氣的乾燥件。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該調節系統還包括一連通該密封腔室且適用於將水氣導入該密封腔室的濕度控制單元。
如請求項1所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該測試裝置還包括一設置於該架體底部且用以帶動該架體移動的移動單元。
如請求項1至8中任一項所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該架體沿垂直方向彼此間隔地界定出複數個供所述電子零件擺置的層狀空間，且該輸氣單元具有複數個沿水平方向分別穿入該等層狀空間，並適用於導引所述氣體的輸氣管。
如請求項9所述之多功能電子零件的測試設備，每一個該層狀空間擺放有複數個所述電子零件，其中，該輸氣單元還具有複數個分流管線，該等分流管線是連通每一個穿設於該層狀空間內之該輸氣管，且適用於沿該垂直方向朝同層之所述電子零件分別吹送所述氣體。
如請求項9所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該輸氣單元還具有複數個支流管線，該等支流管線是連通每一個穿設於該層狀空間之該輸氣管，且適用於沿水平方向朝同層之所述電子零件分別吹送所述氣體。
如請求項1至8中任一項所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該架體沿垂直方向彼此間隔地界定出複數個供所述電子零件擺置的層狀空間，該輸氣單元包括一安裝於該架體且連接該管路模組的送風模組，及一設置於該等送風模組且適用於將所述氣體分層導引至該等層狀空間的導風模組。
如請求項12所述之多功能電子零件的測試設備，其中，該輸氣單元還包括一可滑動地設置於該送風模組且用來至少部分地覆蓋於該導風模組的閘板。
一種旋轉連接器，包括： <br/>環形的外周電極； <br/>內周電極，其插通於所述外周電極，並配置為能夠與該外周電極相對轉動； <br/>環形的輥式集電器，其配置在所述外周電極與所述內周電極之間，並與所述外周電極和所述內周電極接觸； <br/>保持銷，其插入於所述輥式集電器，並保持該輥式集電器；以及 <br/>保持板，其對所述保持銷進行軸支承， <br/>所述保持銷分別被軸支承(support)在所述保持板的軸向的一側和另一側， <br/>被軸支承在所述一側的所述保持銷和被軸支承在所述另一側的所述保持銷以不同的相位配置。
如請求項1所述的旋轉連接器，其中，所述保持銷在周向上等間隔地配置。
如請求項1所述的旋轉連接器，其中，在所述保持板上形成有多個貫通孔。
如請求項3所述的旋轉連接器，其中，所述多個貫通孔形成在一個圓周上。
如請求項1所述的旋轉連接器，其中，在所述保持板的軸向一側的面和軸向另一側的面上分別形成有多個凹部。
如請求項5所述的旋轉連接器，其中，所述多個凹部形成在一個圓周上。
如請求項1所述的旋轉連接器，其中，被軸支承在所述一側的所述保持銷和被軸支承在所述另一側的所述保持銷也分別被軸支承在配置在相對於所述保持板的軸向相反側的另一保持板上。
如請求項1所述的旋轉連接器，其中，所述旋轉連接器為縱置，被軸支承在所述另一側的所述保持銷的下端側被軸支承在與所述保持板不同的下端側的保持板上， <br/>所述下端側的保持板載置在從所述外周電極側和所述內周電極側中的一側朝向另一側延伸的下端側的延伸部上。
如請求項8所述的旋轉連接器，其中，被軸支承在所述一側的所述保持銷的上端側被軸支承在與所述保持板不同的上端側的保持板上， <br/>所述上端側的保持板配置在比從所述外周電極側和所述內周電極側中的一側朝向另一側延伸的上端側的所述延伸部靠下方的位置。
一種可用於泵送液態金屬之泵，該泵包含： <br/>致動器，其包含驅動桿； <br/>第一板，其支撐該致動器； <br/>第二板，其界定進入口及排出口； <br/>導桿，其於該第一板與該第二板之間延伸並耦接至該第一板及該第二板； <br/>行進台，其可沿著該等導桿在該第一板與該第二板中間滑動，該行進台操作性耦接至該驅動桿； <br/>伸縮囊，其於該第二板與該行進台之間延伸且氣密密封至該第二板及該行進台，從而界定伸縮囊室，其中該致動器經組態以使該行進台朝向該第一板滑動至第一位置從而擴張該伸縮囊室，並導致一液體流動通過該進入口而進入該伸縮囊室中，及其中該致動器經組態以使該行進台朝向該第二板滑動至第二位置從而收縮該伸縮囊室，並導致該液體流出該伸縮囊室及通過該排出口； <br/>第一彈簧，該第一彈簧環繞該伸縮囊設置在該第二板與該行進台中間，從而將該行進台偏置至該第一位置； <br/>第二彈簧，該第二彈簧環繞該等導桿設置於該第一板與該行進台中間，以抗衡由該第一彈簧施加至該行進台的力，及 <br/>停止器，其環繞該等導桿可移除地設置在該第二板與該行進台中間，其中該伸縮囊室在該行進台處於該第一位置時具有第一體積及在該行進台處於該第二位置時具有第二體積，其中該泵的行程體積係基於該第一體積與該第二體積之間的差值來界定，且其中該停止器藉由防止該行進台朝向該第二板滑動超出該第二位置來控制該行程體積。
如請求項1之泵，其中該第二板包含第二板材料，其中該行進台包含行進台材料，其中該伸縮囊包含伸縮囊材料，其中該第二板材料、該行進台材料、及該伸縮囊材料中之各者與液態鹼金屬化學相容，且其中該第二板材料、該行進台材料、及該伸縮囊材料中之各者經選擇以耐受該液態鹼金屬之液相的溫度及壓力。
如請求項2之泵，其中該液態鹼金屬包含鈉、鉀、銫、銣、鋰、或鍅、或其任何組合之合金。
如請求項3之泵，其中該第二板材料、該行進台材料、及該伸縮囊材料各自包含沃斯田鐵系不鏽鋼。
如請求項4之泵，其中該伸縮囊包含： <br/>第一凸緣，其焊接至該行進台，以使該伸縮囊氣密密封至該行進台； <br/>第二凸緣，其焊接至該第二板，以使該伸縮囊氣密密封至該第二板；及 <br/>於該第一凸緣及該第二凸緣中間的迴旋。
一種可用於泵送液態金屬之泵，該泵包含： <br/>致動器，其包含驅動桿； <br/>第一板，其支撐該致動器； <br/>第二板，其界定進入口及排出口； <br/>導桿，其於該第一板與該第二板之間延伸並耦接至該第一板及該第二板； <br/>行進台，其可沿著該等導桿在該第一板與該第二板中間滑動，該行進台操作性耦接至該驅動桿； <br/>伸縮囊，其於該第二板與該行進台之間延伸且氣密密封至該第二板及該行進台，從而界定伸縮囊室；及 <br/>停止器，其環繞該等導桿可移除地設置在該第二板與該行進台中間； <br/>其中該致動器經組態以使該行進台朝向該第一板滑動至第一位置從而擴張該伸縮囊室，並導致液態金屬流動通過該進入口而進入該伸縮囊室中； <br/>其中該致動器經組態以使該行進台朝向該第二板滑動至第二位置從而收縮該伸縮囊室，並導致該液態金屬流出該伸縮囊室及通過該排出口； <br/>其中該伸縮囊室在該行進台處於該第一位置時具有第一體積及在該行進台處於該第二位置時具有第二體積； <br/>其中該泵的行程體積係基於該第一體積與該第二體積之間的差值來界定；及 <br/>其中該停止器藉由防止該行進台朝向該第二板滑動超出該第二位置來控制該行程體積，藉以防止該伸縮囊室進一步收縮至小於該第二體積之體積。
一種使用填充系統來以金屬填充容器之方法，該填充系統包含請求項1之泵，該填充系統進一步包含：至少部分地填充有該金屬的供料槽、泵、填充室、用於該供料槽與該泵之間之流體連通的第一管線、及用於該泵與該填充室之間之流體連通的第二管線，該方法包含： <br/>將該容器裝載至該填充室中； <br/>向該填充室施加真空； <br/>將該填充室加熱至該金屬之液相溫度； <br/>將該供料槽加熱至該金屬之該液相溫度以液化該金屬； <br/>將該泵、該第一管線、及該第二管線加熱至該金屬之該液相溫度； <br/>加壓該供料槽以導致該金屬自該供料槽流動並填充該泵、該第一管線、及該第二管線；及 <br/>使該泵循環達預定循環次數來用該金屬填充該容器。
如請求項7之方法，其中該第一管線包含致動進入閥，其中該第二管線包含致動排出閥，且其中使該泵循環達該預定循環次數來用該金屬填充該容器包含： <br/>關閉該排出閥； <br/>擴張該伸縮囊室以導致預定體積的金屬進入該伸縮囊室； <br/>關閉該進入閥； <br/>打開該排出閥； <br/>收縮該伸縮囊室以導致該預定體積的金屬離開該伸縮囊室，從而導致該預定體積的金屬進入該容器。
如請求項7之方法，其中該容器係熱管。
如請求項9之方法，其中該金屬係鹼金屬。
如請求項10之方法，其中將該供料槽加熱至該金屬之該液相溫度以液化該金屬包含將該供料槽加熱至在100°C至200°C範圍內之溫度。
一種經組態以使用請求項1之泵以填充金屬於容器之系統，該系統包含： <br/>供料槽，其至少部分地可填充該金屬； <br/>該泵，其中該泵經組態以將預定填充體積之該金屬自該供料槽泵送至該容器； <br/>填充室，其用以至少部分地圍封該容器； <br/>第一管線，其用於該供料槽與該泵之間的流體連通； <br/>第二管線，其用於該泵與該填充室之間的流體連通；及 <br/>烘箱，其用以將該供料槽、該泵、該第一管線、該第二管線、或其組合中之至少一者加熱至該金屬之液相溫度。
如請求項12之系統，其進一步包含： <br/>真空頭座，其用以向該第一管線、該第二管線、該泵、該填充室、或其組合中之至少一者施加真空；及 <br/>惰性氣體頭座，其用以向該供料槽施加壓力，並導致該金屬自該供料槽流動以填充該第一管線、該泵、及該第二管線之至少一部分。
如請求項12之系統，其中該容器係熱管，且其中該金屬係鹼金屬。
如請求項12之系統，其中使該泵在該行程體積循環預定循環次數，導致該泵將該預定填充體積之該金屬自該供料槽泵送至該容器。
一種振動裝置，包含：一振動件；一第一振動產生器，位於該振動件的一表面上；一第一連接件，位於該振動件及該第一振動產生器之間；一第二振動產生器，位於該第一振動產生器；一第二連接件，位於該第一振動產生器及該第二振動產生器之間；其中該第一連接件及該第二連接件每一者包含：一基材；一第一黏合層，覆蓋該基材的一第一表面；以及一第二黏合層，覆蓋該基材的一第二表面，其中該基材的該第二表面相對於該基材的該第一表面。
如請求項1所述之振動裝置，其中：該第一連接件的該第二黏合層接觸該第一振動產生器，並且該第二連接件的該第二黏合層接觸該第二振動產生器。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第二振動產生器用以重疊於該第一振動產生器。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第一振動產生器及該第二振動產生器每一者包含：包含一壓電材料的一振動部。
如請求項4所述之振動裝置，其中該壓電材料由公式1表示：公式1(Pb<sub>A-B</sub>C<sub>B</sub>)((Mg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)<sub>a</sub>(Ni<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)<sub>b</sub>Zr<sub>c</sub>Ti<sub>d</sub>)O<sub>3</sub>在公式1中，C為鈣、鍶和鋇其中一者，a+b+c+d=1，0.02≤B≤0.20，0.80≤A−B≤0.98，0.05≤a≤0.25，0.05≤b≤0.25，0.10≤c≤0.50，且0.10≤d≤0.50。
如請求項4所述之振動裝置，其中該振動部包含透明壓電材料、半透明壓電材料或不透明壓電材料。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第一連接件及該第二連接件每一者的該基材包含：包含聚對苯二甲酸(Polyethylene terephthalate，PET)的一聚合物薄膜或包含聚醯亞胺(Polyimide，PI)的一聚合物薄膜。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第一連接件及該第二連接件每一者的該基材的彈性模數的範圍為3.5 GPa至11 GPa或3.7 GPa至20 GPa。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第一連接件及該第二連接件每一者的該第一黏合層及該第二黏合層其中至少一者包含環氧樹脂、壓克力、矽樹脂或氨酯。
如請求項1所述之振動裝置，其中該第一振動產生器包含：一第一振動部；一第一電極部，位於該第一振動部的一第一表面上；以及一第二電極部，位於該第一振動部的一第二表面上，該第一振動部的該第一表面相對於該第一振動部的該第二表面；其中該第二振動產生器包含：一第二振動部；一第一電極部，位於該第二振動部的一第一表面上；以及一第二電極部，位於該第二振動部的一第二表面上，該第二振動部的該第一表面相對於該第二振動部的該第二表面。
如請求項10所述之振動裝置，更包含：一第一防護件，位於該第一振動產生器的該第一電極部之下；以及一第二防護件，位於該第一振動產生器的該第二電極部上。
如請求項11所述之振動裝置，其中該第一防護件及該第二防護件每一者包含塑膠材料或纖維材料。
如請求項11所述之振動裝置，其中該第一防護件及該第二防護件每一者包含：一基材；以及一黏合層，位於該基材，並且其中該黏合層位於該第一防護件及該第二防護件之間。
如請求項13所述之振動裝置，其中該第一防護件及該第二防護件的該基材包含PI薄膜或PET薄膜。
如請求項13所述之振動裝置，其中該第一防護件及該第二防護件的該黏合層包含環氧樹脂、壓克力、矽樹脂或氨酯。
如請求項10所述之振動裝置，更包含：一第三防護件，位於該第二振動產生器的該第一電極部之下；以及一第四防護件，位於該第二振動產生器的該第二電極部上。
如請求項16所述之振動裝置，其中該第三防護件及該第四防護件的每一者包含塑膠材料或纖維材料。
如請求項16所述之振動裝置，其中該第三防護件及該第四防護件的每一者包含：一基材；以及一黏合層，位於該基材，並且其中該黏合層位於該第三防護件及該第四防護件之間。
如請求項18所述之振動裝置，其中該第三防護件及該第四防護件的該基材包含PI薄膜或PET薄膜。
如請求項18所述之振動裝置，其中該第三防護件及該第四防護件的該黏合層包含環氧樹脂、壓克力、矽樹脂或氨酯。
一種電子裝置，包含如請求項1至20任一項所述之振動裝置。
如請求項21所述之電子裝置，其中該振動件為包含用以顯示影像的多個像素的一顯示面板、投射有來自一顯示裝置的影像的一螢幕面板、一照明面板、一振動板、一木頭面板、一塑膠面板、一玻璃面板、一布面板、一車輛內裝材料、一車輛玻璃窗、一建築物室內天花板、一建築物玻璃窗、一飛機內裝材料以及飛機玻璃窗的其中一者。
如請求項21所述之電子裝置，更包含一支撐件，該支撐件設置於該振動件的一後表面，該振動裝置位於該支撐件和該振動件之間。
一種探針，係在檢查對象物之電性特性的檢查中所使用者，該探針係具備： <br/>前端構件，係具有接觸部及連結於前述接觸部的基端部； <br/>主體部，係沿著軸方向直線狀地延伸而呈柱狀，且與前述軸方向垂直的剖面呈矩形狀而具有長邊方向與短邊方向，並且，前述基端部係埋入該主體部的端部而使前述接觸部露出；以及 <br/>第一補強材，係僅配置在前述主體部的沿著前述長邊方向呈平面的第一側面而與前述基端部的至少一部分重疊，並且從埋入前述基端部的埋入區域起接續到前述埋入區域周圍的區域； <br/>前述第一補強材係埋入前述第一側面； <br/>前述埋入區域的周圍的前述主體部的前述第一側面與前述第一補強材的表面係沒有落差地接續； <br/>前述第一補強材比起前述主體部硬度更高。
如請求項1所述之探針，其更具備第二補強材，該第二補強材係僅配置在前述主體部的與前述第一側面相對向的第二側面的表面而與前述基端部的至少一部分重疊，並且從埋入前述基端部的前述埋入區域起接續到前述埋入區域周圍的區域； <br/>前述第二補強材的前述長邊方向的尺寸係小於前述主體部的前述長邊方向的尺寸； <br/>前述第二補強材比起前述主體部硬度更高。
如請求項1所述之探針，其更具備第二補強材，該第二補強材係僅配置在前述主體部的與前述第一側面相對向的第二側面而與前述基端部的至少一部分重疊，並且從埋入前述基端部的前述埋入區域起接續到前述埋入區域周圍的區域； <br/>前述第二補強材係埋入前述第二側面； <br/>前述埋入區域的周圍的前述主體部的前述第二側面與前述第二補強材的表面係沒有落差地接續； <br/>前述第二補強材比起前述主體部硬度更高。
如請求項1所述之探針，其中，前述前端構件與前述補強材的材料相同。
如請求項1所述之探針，其中，前述前端構件比起前述主體部硬度更高。
一種電性連接裝置，其具備： <br/>探針頭，係具有使分別形成有導孔的複數個導板彼此分隔配置而成的構成；以及 <br/>如請求項1至5中任一項所述的探針，該探針係接續地插入在前述複數個導板各自的前述導孔而被保持在前述探針頭。
一種半導體結構，包含：一第一電路區域，具有在一基板的上方沿著一第一方向縱向延伸的複數個第一鰭主動區，該等第一鰭主動區之各者包括位於複數個第一源極/汲極特徵之間的複數個第一通道區；一第二電路區域，具有在該基板的上方沿著該第一方向縱向延伸的複數個第二鰭主動區，該等第二鰭主動區之各者包括位於複數個第二源極/汲極特徵之間的複數個第二通道區；一閘極連接器區域，位於該第一電路區域和該第二電路區域之間，並分隔開該第一電路區域和該第二電路區域，該閘極連接器區域具有在該基板的上方沿著該第一方向縱向延伸的複數個濾波器鰭；以及一閘極結構，沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸跨越該第一電路區域、該閘極連接器區域和該第二電路區域，該閘極結構設置在該等第一通道區和該等第二通道區的上方以及該等濾波器鰭的上方，其中該閘極結構包括位於該等第一鰭主動區、該等第二鰭主動區和該等濾波器鰭的複數個頂表面和複數個側表面的上方的一閘極介電質，其中該閘極結構在該閘極連接器區域中的一部分具有比該閘極結構在該等第一電路區域和該等第二電路區域中的複數個部分更大的一電阻率。
如請求項1所述的半導體結構，其中該等第一鰭主動區沿該第二方向彼此間隔開一第一間距，該等濾波器鰭沿該第二方向彼此間隔開一第二間距，且該第一間距大於該第二間距。
如請求項1所述的半導體結構，其中該等第一鰭主動區具有沿著該第二方向的一第一寬度，該等濾波器鰭具有沿著該第二方向的一第二寬度，且該第二寬度大於該第一寬度。
如請求項1所述的半導體結構，還包含：一隔離結構，位於該基板的上方並圍繞該等第一鰭主動區、該等第二鰭主動區和該等濾波器鰭，其中，該等第一鰭主動區具有突出於該隔離結構的一頂表面之上的一第一高度，該等濾波器鰭具有突出於該隔離結構的該頂表面之上的一第二高度，且該第二高度大於該第一高度。
如請求項1所述的半導體結構，其中該等第一鰭主動區的該等源極/汲極特徵、該等第二鰭主動區的該等源極/汲極特徵以及該等濾波器鰭被一層間介電(ILD)層包圍，其中該ILD層包括圍繞該等第一鰭主動區和該等第二鰭主動區的該等源極/汲極特徵的一第一介電部分、圍繞該等濾波器鰭的一第二介電部分，並且該第二介電部分具有比該第一介電部分更大的一介電常數。
如請求項5所述的半導體結構，其中該閘極結構為一第一閘極結構，更包含：一第二閘極結構，沿著該第一方向與該第一閘極結構相鄰，該第二閘極結構沿著該第二方向延伸跨越該第一電路區域、該閘極連接器區域以及該第二電路區域，並且該第二閘極結構設置在該等第一鰭主動區和該等第二鰭主動區的複數個第三通道區的上方以及該等濾波器鰭的上方，其中該第二閘極結構在該閘極連接器區域內的一部分具有比該第二閘極結構在該第一電路區域和該第二電路區域內的複數個部分更大的一電阻率，其中該第一閘極結構和該第二閘極結構在該閘極連接器區域內的該部分具有比該第一閘極結構和該第二閘極結構在該第一電路區域和該第二電路區域內的該等部分更大的沿著該第一方向的一寬度，其中，該第一閘極結構電性連接至一閘極電壓，且該第二閘極結構電性接地。
如請求項5所述的半導體結構，其中該閘極結構為一第一閘極結構，更包含：一第二閘極結構，沿著該第一方向與該第一閘極結構相鄰，該第二閘極結構沿著該第二方向延伸跨越該第一電路區域、該閘極連接器區域以及該第二電路區域，並且該第二閘極結構設置在該等第一鰭主動區和該等第二鰭主動區的複數個第三通道區的上方以及該等濾波器鰭的上方，其中該第二閘極結構在該閘極連接器區域內的一部分具有比該第二閘極結構在該第一電路區域和該第二電路區域內的複數個部分更大的一電阻率；以及一金屬特徵，沿著該第一方向位於該第一閘極結構和該第二閘極結構之間，該金屬特徵落在該ILD層的該第二部分上，並且隔離於該第一閘極結構和該第二閘極結構，其中該第一閘極結構或該第二閘極結構電性連接至一閘極電壓，且該金屬特徵電性接地。
一種半導體結構，包含：一電晶體區域，具有在一基板的上方沿著一第一方向縱向延伸的複數個鰭主動區，該等鰭主動區之各者包括介於複數個源極/汲極特徵之間的複數個通道區；一濾波器區域，沿著垂直於該第一方向的一第二方向以和該電晶體區域相鄰，該濾波器區域具有在該基板的上方沿著該第一方向縱向延伸的複數個濾波器鰭；以及一閘極結構，具有一閘極介電質和位於該閘極介電質的上方的一閘極填充金屬，該閘極結構沿著該第二方向延伸跨越該電晶體區域和該濾波器區域，且閘極結構設置在該等鰭主動區的該等通道區的正上方以及該等濾波器鰭的正上方，其中該等鰭主動區的該等源極/汲極特徵包括複數個磊晶特徵，且該等濾波器鰭沒有磊晶特徵。
如請求項8所述的半導體結構，其中該閘極結構包括該電晶體區域內的一第一閘極部分和該濾波器區域內的一第二閘極部分，並且該第二閘極部分具有比該第一閘極部分更大的一電阻率。
一種半導體結構，包含：一電晶體區，具有在一基板的上方沿著一第一方向縱向延伸的複數個鰭主動區，該等鰭主動區之各者包括複數個源極/汲極特徵之間的複數個通道區；一濾波器區，沿著垂直於該第一方向的一第二方向與該電晶體區相鄰，濾波器區具有在該基板的上方沿著該第一方向縱向延伸的複數個濾波器鰭；一第一閘極結構，具有一第一閘極介電質和位於該第一閘極介電質的上方的一第一閘極電極，該第一閘極結構沿著該第二方向延伸跨越該電晶體區和該濾波器區，並且該第一閘極結構設置在一第一組通道區和濾波器鰭的上方；一第二閘極結構，具有一第二閘極介電質和位於該第二閘極介電質的上方的一第二閘極電極，該第二閘極結構沿著該第二方向延伸跨越該電晶體區和該濾波器區，並且該第二閘極結構設置在一第二組通道區和濾波器鰭的上方；以及一層間介電(ILD)層，具有圍繞該等源極/汲極特徵的一第一介電部分、圍繞該等濾波器鰭的一第二介電部分，且該第二介電部分具有比該第一介電部分更大的一介電常數。
一種超音波傳感器裝置，包括：<br/>一超音波探頭，該超音波探頭包含複數個探頭元件，該些探頭元件之各者用以將接收到的一電壓轉換為超音波並發射，及接收被反射的超音波並轉換為一電能訊號；<br/>複數個補償電路，分別耦接至該些探頭元件；以及<br/>一系統，耦接至該些補償電路，該系統透過該些補償電路之各者提供對應的該電壓至該些探頭元件之各者，以及透過該些補償電路從該些探頭元件之各者接收該電能訊號，<br/>其中，該系統用以比較該些探頭元件之各者所回傳之該電能訊號於一預期值，並產生一比較結果，並根據該比較結果提供該些補償電路中的對應該補償電路一控制訊號，該補償電路根據該控制訊號提供至少一補償電壓以調整傳送至該些探頭元件中對應該探頭元件的該電壓，以分別對應調整該些探頭元件所回傳至該系統的該些電能訊號。
如請求項1所述之超音波傳感器裝置，其中，若該比較結果為該電能訊號小於該預期值，則增加該控制訊號，該補償電壓為對應增加該電壓，<br/>其中，若該比較結果為該電能訊號大於該預期值，則降低該控制訊號，該補償電壓為對應減少該電壓。
如請求項1所述之超音波傳感器裝置，其中，該些探頭元件具有複數種結構，該些結構使對應的該些探頭元件之各者具有不同的該預期值，<br/>其中，對應的該些補償電壓調整具有該些結構之對應該些探頭元件所接收到的該電壓，以對應於調整具有該些結構之對應該些探頭元件所回傳的該些電能訊號符合不同的該些預期值。
如請求項1所述之超音波傳感器裝置，其中，該些補償電路之各者包括：<br/>一峰值檢波器，用於偵測該電壓之峰值；<br/>一比較器，耦接至該峰值檢波器及該系統，該比較器用於比較該系統提供之該控制訊號及該電壓；以及<br/>一調整電路，耦接至該比較器及對應的該些探頭元件其中之一，該調整電路用於根據該控制訊號提供該補償電壓。
如請求項4所述之超音波傳感器裝置，其中，該電壓為一交流電壓，該峰值檢波器用於偵測該交流電壓之峰值，及該比較器比較該控制訊號及該交流電壓之峰值，<br/>其中，該調整電路為一可變增益放大器(variable gain amplifier, VGA)，該可變增益放大器根據該控制訊號所提供之該補償電壓係一補償交流電壓，以調整該交流電壓。
如請求項4所述之超音波傳感器裝置，其中，該電壓為一直流電壓，該峰值檢波器用於偵測該直流電壓之峰值，及該比較器比較該控制訊號及該直流電壓之峰值，<br/>其中，該調整電路為一倍壓電路，該倍壓電路根據該控制訊號所提供之該補償電壓係一補償直流電壓，以調整該直流電壓。
一種用於超音波傳感器裝置的操作方法，該操作方法包括：<br/>藉由該超音波傳感器裝置的一系統比較該超音波傳感器裝置的複數個探頭元件之各者所回傳之一電能訊號於一預期值，並產生一比較結果；<br/>該系統根據該比較結果提供該超音波傳感器裝置的複數個補償電路中的對應補償電路一控制訊號；以及<br/>該對應補償電路根據該控制訊號提供至少一補償電壓以調整傳送至該些探頭元件中對應該探頭元件的該電壓，以分別對應調整該些探頭元件所回傳至該系統的該些電能訊號。
如請求項7所述之操作方法，其中，若該比較結果為該電能訊號小於該預期值，則增加該控制訊號，該補償電壓為對應增加該電壓，<br/>其中，若該比較結果為該電能訊號大於該預期值，則降低該控制訊號，該補償電壓為對應減少該電壓。
如請求項7所述之操作方法，其中，該些探頭元件具有複數種結構，該些結構使對應的該些探頭元件之各者具有不同的該預期值，<br/>其中，對應的該些補償電壓調整具有該些結構之對應該些探頭元件所接收到的該電壓，以對應於調整具有該些結構之對應該些探頭元件所回傳的該些電能訊號符合不同的該些預期值。
如請求項7所述之操作方法，其中，藉由該些補償電路之各者的一峰值檢波器偵測該電壓之峰值，<br/>其中，藉由該些補償電路之各者的一比較器比較該系統提供之該控制訊號及該電壓之峰值，<br/>其中，藉由該些補償電路之各者的一調整電路根據該控制訊號提供該補償電壓，以對應調整該電壓。
一種乙太網路供電之電氣隔離模組，包括： <br/>一網路端子連接部，包括複數第一腳位； <br/>一網路晶片連接部，包括複數第二腳位；及 <br/>至少一隔離電路，該隔離電路包括： <br/>一變壓器； <br/>一共模扼流圈，連接於該變壓器與該網路端子連接部之間；及 <br/>一瞬態電壓抑制二極體，連接於該變壓器與該網路晶片連接部之間； <br/>其中該變壓器包括一第一繞組及一第二繞組，該第一繞組連接該共模扼流圈，該第二繞組連接該瞬態電壓抑制二極體，其中該瞬態電壓抑制二極體並聯於該第二繞組，且該瞬態電壓抑制二極體的二端分別連接該些第二腳位中的其中二者。
如請求項1所述之電氣隔離模組，其中該共模扼流圈包括二第三繞組，各該第三繞組串聯地連接於該第一繞組及該些第一腳位中的其中之一。
如請求項1所述之電氣隔離模組，其中該瞬態電壓抑制二極體的一寄生電容值與該乙太網路供電之一網路連接埠的支援傳輸速度成負相關。
一種連接插座，包括： <br/>一座體，包括一插接口及相對於該插接口的一容室；及 <br/>至少一電氣隔離模組，位於該容室中，該電氣隔離模組包括： <br/>一網路端子連接部，包括複數第一腳位； <br/>一網路晶片連接部，包括複數第二腳位；及 <br/>至少一隔離電路，該隔離電路包括： <br/>一變壓器； <br/>一共模扼流圈，連接於該變壓器與該網路端子連接部之間；及 <br/>一瞬態電壓抑制二極體，連接於該變壓器與該網路晶片連接部之間； <br/>其中該變壓器包括一第一繞組及一第二繞組，該第一繞組連接該共模扼流圈，該第二繞組連接該瞬態電壓抑制二極體，其中該瞬態電壓抑制二極體並聯於該第二繞組，且該瞬態電壓抑制二極體的二端分別連接該些第二腳位中的其中二者。
如請求項4所述之連接插座，其中該共模扼流圈包括二第三繞組，各該第三繞組串聯地連接於該第一繞組及該些第一腳位中的其中之一者。
如請求項4所述之連接插座，其中該瞬態電壓抑制二極體的一寄生電容值與該連接插座的支援傳輸速度成負相關。
如請求項4所述之連接插座，更包括至少一濾波電路，其中該第一繞組與該第二繞組中的至少一者具有一中央抽頭，每一該中央抽頭連接該至少一濾波電路中之一者。
一種電子裝置，包括如請求項4至7中任一項所述之連接插座。
一種跨場域語音辨識系統，包括： <br/>語音向量化模組，用以接收一帶噪語音訊號以萃取對應於該帶噪語音訊號的特徵向量； <br/>多個語音增強模組，用以接收該特徵向量以產生多個增強語音訊號，其中每一該些增強語音訊號對應每一該些語音增強模組； <br/>場域輔助分類模組，用以接收該特徵向量以產生一組場域分類加權係數向量，其中該場域分類加權係數向量中包括多個場域分類加權係數，該些場域分類加權係數的數量相同於該些語音增強模組的數量，並且每一該些場域分類加權係數對應於每一該些語音增強模組； <br/>場域分類係數向量模組，用以將每一該些增強語音訊號依序與每一該些場域分類加權係數相乘後加總以產生一場域適應增強語音訊號； <br/>語音辨識模組，用以接收該場域適應增強語音訊號以產生文字結果；以及 <br/>辨識率效能模組，用以接收該文字結果，基於該文字結果透過目標函數計算一語音辨識率效能指標，並將該語音辨識率效能指標傳送至該場域輔助分類模組以更新該場域輔助分類模組。
如請求項1所述的跨場域語音辨識系統，其中該語音訊號是透過網路或者收音裝置擷取後傳送至該語音向量化模組。
如請求項1所述的跨場域語音辨識系統，其中該語音向量化模組更用以基於該帶噪語音訊號的時域波形作為對應於該帶噪語音訊號的該特徵向量。
如請求項1所述的跨場域語音辨識系統，其中該帶噪語音向量化模組更用以將該帶噪語音訊號的時域波形轉換為複數頻譜圖，並將該些頻譜圖作為對應於該帶噪語音訊號的該特徵向量。
如請求項1所述的跨場域語音辨識系統，其中該些語音增強模組為不同的類神經網路模型。
如請求項1所述的跨場域語音辨識系統，其中該場域輔助分類模組包括： <br/>預訓練的音訊自監督學習模型，用以自該特徵向量提取一組具高代表性的嵌入式向量；以及 <br/>卷積神經網路模型，用以根據該組具高代表性的嵌入式向量產生該場域分類加權係數向量。
一種跨場域語音辨識方法，包括： <br/>透過語音向量化模組接收一帶噪語音訊號以萃取對應於該語音訊號的特徵向量； <br/>透過多個語音增強模組接收該特徵向量以產生多個增強語音訊號，其中每一該些增強語音訊號對應每一該些語音增強模組； <br/>透過場域輔助分類模組接收該特徵向量以產生一場域分類加權係數向量，其中該場域分類加權係數向量中所包括的多個場域分類加權係數的數量相同於該些語音增強模組的數量，並且每一該些場域分類加權係數對應於每一該些語音增強模組； <br/>透過場域分類係數向量模組將每一該些增強語音訊號依序與每一該些場域分類加權係數相乘後加總以產生一場域適應增強語音訊號； <br/>透過語音辨識模組接收該場域適應增強語音訊號以產生文字結果；以及 <br/>透過辨識率效能模組接收該文字結果，基於該文字結果透過目標函數計算一語音辨識率效能指標，並將該語音辨識率效能指標傳送至該場域輔助分類模組以更新該場域輔助分類模組。
如請求項7所述的跨場域語音辨識方法，其中該帶噪語音訊號是透過網路或者收音裝置擷取後傳送至該語音向量化模組。
如請求項7所述的跨場域語音辨識方法，更包括： <br/>透過該語音向量化模組基於該帶噪語音訊號的時域波形作為對應於該語音訊號的該特徵向量。
如請求項7所述的跨場域語音辨識方法，更包括： <br/>透過該語音向量化模組將該帶噪語音訊號的時域波形轉換為複數頻譜圖，並將該複數頻譜圖作為對應於該帶噪語音訊號的該特徵向量。
如請求項7所述的跨場域語音辨識方法，其中該場域輔助分類模組包括預訓練的音訊自監督學習模型以及卷積神經網路模型，該跨場域語音辨識方法更包括： <br/>透過該預訓練的音訊自監督學習模型自該特徵向量提取一組具高代表性的嵌入式向量；以及 <br/>透過卷積神經網路模型根據該一具高代表性的嵌入式向量產生該一場域分類加權係數向量。
一種功率轉換器，包括： <br/>變壓器，該變壓器包括初級繞組和次級繞組； <br/>第一開關，該第一開關與該次級繞組耦合； <br/>濾波電路，該濾波電路與該第一開關耦合並且包括與第二開關串聯耦合的電阻電容（RC）濾波器； <br/>開關控制器，該開關控制器與該第一開關和該濾波電路耦合並且被配置為： <br/>感測該第一開關上的電壓； <br/>將該第一開關上的電壓與電壓閾值進行比較；以及 <br/>回應於對該電壓的比較來控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極， <br/>其中，該第一開關是同步開關，該第二開關是濾波開關，該開關控制器是同步開關控制器，該第二開關耦合在該濾波電路和信號接地之間，並且該第二開關的閘極經由共用節點與該第一開關的閘極耦合。
如請求項1所述的功率轉換器，其中該電壓閾值是接通電壓閾值；並且 <br/>其中該開關控制器在被配置為控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極時，被配置為向該第一開關的閘極和該第二開關的閘極施加足以使該第一開關和該第二開關接通的閘極控制信號。
如請求項1所述的功率轉換器，其中該電壓閾值是關斷電壓閾值；並且 <br/>其中該開關控制器在被配置為控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極時，被配置為向該第一開關的閘極和該第二開關的閘極施加足以使該第一開關和該第二開關關斷的閘極控制信號。
如請求項1所述的功率轉換器， <br/>其中該第二開關是第一濾波開關； <br/>其中該濾波電路還包括與該第一濾波開關串聯耦合的第二濾波開關；並且 <br/>其中該開關控制器還被配置為：與該同步開關的閘極和該第一濾波開關的閘極同步地控制該第二濾波開關的閘極，以控制該同步開關、該第一濾波開關和該第二濾波開關的傳導模式。
如請求項1所述的功率轉換器，其中該RC濾波器包括濾波電阻器，該濾波電阻器經由第一共用節點與濾波電容器串聯耦合；並且 <br/>其中該濾波電阻器經由第二共用節點與該第一開關耦合。
如請求項5所述的功率轉換器，其中該濾波電阻器的阻抗值與該濾波電容器的阻抗值的乘積等於該第一開關的寄生電感的阻抗除以該第一開關在其傳導模式下的汲極至源極阻抗的商數。
如請求項5所述的功率轉換器，其中該RC濾波器還包括電荷耗散電阻器，該電荷耗散電阻器與該濾波電容器並聯耦合。
如請求項1所述的功率轉換器，其中該濾波電路和該第二開關與該第一開關並聯耦合。
如請求項1所述的功率轉換器，還包括電壓轉換器，該電壓轉換器與該初級繞組耦合並且包括至少一個初級側開關，該初級側開關被配置為控制向該初級繞組輸送輸入電流的至少一部分。
如請求項9所述的功率轉換器，其中該電壓轉換器包括LLC轉換器。
如請求項1所述的功率轉換器，其中該第一開關是第一同步開關； <br/>其中該濾波電路是第一濾波電路； <br/>其中該開關控制器是第一開關控制器；並且 <br/>該功率轉換器還包括： <br/>第二同步開關，該第二同步開關與該次級繞組耦合； <br/>第二濾波電路，該第二濾波電路與該第二同步開關耦合並且包括與濾波開關串聯耦合的RC濾波器；以及 <br/>第二開關控制器，該第二開關控制器與該第二同步開關和該第二濾波電路耦合，並且被配置為： <br/>感測該第二同步開關上的電壓； <br/>將該第二同步開關上的電壓與該電壓閾值進行比較；以及 <br/>回應於對該第二同步開關上的電壓的比較，控制該第二同步開關和該第二濾波電路的該濾波開關。
一種用於控制功率轉換器的方法，該功率轉換器具有：變壓器，該變壓器具有初級繞組和次級繞組；第一開關，該第一開關與該次級繞組耦合；濾波電路，該濾波電路與該第一開關耦合並且包括與第二開關串聯耦合的電阻電容（RC）濾波器；以及開關控制器，該開關控制器與該第一開關和該濾波電路耦合，該方法包括： <br/>經由該開關控制器感測該第一開關上的電壓； <br/>經由該開關控制器將該第一開關上的電壓與電壓閾值進行比較；以及 <br/>經由該開關控制器回應於對該電壓的比較來控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極， <br/>其中，該第一開關是同步開關，該第二開關是濾波開關，該開關控制器是同步開關控制器，該第二開關耦合在該濾波電路和信號接地之間，並且該第二開關的閘極經由共用節點與該第一開關的閘極耦合。
如請求項12所述的方法，其中比較包括將該第一開關上的電壓與接通電壓閾值進行比較，並且 <br/>其中控制包括控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極以接通。
如請求項13所述的方法，還包括： <br/>經由該開關控制器將該第一開關上的電壓與關斷電壓閾值進行比較；以及 <br/>回應於對該第一開關上的電壓與該關斷電壓閾值的比較，經由該開關控制器控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極以關斷。
如請求項12所述的方法，其中該第二開關是第一濾波開關； <br/>其中該濾波電路還包括第二濾波開關；並且 <br/>其中控制還包括與該第一濾波開關的閘極同步地該第二濾波開關的閘極。
如請求項15所述的方法，其中該第一濾波開關和該第二濾波開關串聯耦合在該濾波電路與信號接地之間。
如請求項12所述的方法，還包括： <br/>經由該初級繞組引起該次級繞組中的電流；以及 <br/>經由該電流生成該第一開關上的電壓。
如請求項17所述的方法，還包括：生成該初級繞組中的電流； <br/>其中該初級繞組中的該電流引起該次級繞組中的該電流。
如請求項18所述的方法，其中該功率轉換器還具有LLC電壓轉換器；並且 <br/>其中該初級繞組構成該LLC電壓轉換器的諧振槽路的一部分。
如請求項19所述的方法，其中該LLC電壓轉換器包括： <br/>初級開關；以及 <br/>初級開關控制器，該初級開關控制器被配置為控制該初級開關的傳導模式； <br/>其中該開關控制器被配置為控制該第一開關的閘極和該第二開關的閘極，而不從該初級開關控制器接收控制信號來控制該閘極。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認分撥中心可收容之入庫貨物量之資訊及預定入庫至上述分撥中心之一個以上之物品中包括之各物品之資訊，其中上述各物品之資訊選自以下群組之至少一者：上述各物品之識別資訊、上述各物品之特性資訊、與服務上之上述各物品之銷售相關之資訊、及用於上述各物品之物流處理之資訊；基於上述各物品之資訊，確認設定為上述各物品預定入庫至上述分撥中心之上述各物品之最初設定訂單量之資訊、及基於上述各物品之訂購時點而判斷之上述各物品之預計庫存量之資訊； <br/>基於上述各物品之資訊，判斷上述各物品之需求訂單量之資訊，其中上述需求訂單量之資訊係為了於上述分撥中心對上述各物品進行物流處理，上述各物品需要多少訂單量之資訊；及 <br/>基於上述最初設定訂單量之資訊、上述預計庫存量之資訊及上述需求訂單量之資訊，提供所判斷之上述各物品之相對訂單量距離比率之資訊，以對應於上述可收容之入庫貨物量來調節上述最初設定訂單量； <br/>其中上述相對訂單量距離比率＝(上述最初設定訂單量－各物品之目標訂單量)/上述需求訂單量。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述預計庫存量之資訊及上述需求訂單量之資訊，獲得上述各物品之目標訂單量之資訊；及 <br/>基於上述最初設定訂單量之資訊、上述需求訂單量之資訊及上述目標訂單量之資訊，判斷上述相對訂單量距離比率之資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中將於上述最初設定訂單量設定為0之情形時時所獲得之上述相對訂單量距離比率確定為上述相對訂單量距離比率之最低值。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認累加上述各物品之最初設定訂單量而得到之上述一個以上之物品之總預定訂單量；及 <br/>於上述總預定訂單量小於或等於上述可收容之入庫貨物量之情形時，提供上述各物品之最初設定訂單量之資訊及上述總預定訂單量之資訊。
如請求項4之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述總預定訂單量大於上述可收容之入庫貨物量之情形時，基於上述相對訂單量距離比率之資訊來調節上述各物品之最初設定訂單量；及 <br/>於累加上述各物品之調節後之設定訂單量而得到之上述一個以上之物品之調節後之總預定訂單量小於或等於上述可收容之入庫貨物量之情形時，提供上述各物品之調節後之設定訂單量之資訊及上述調節後之總預定訂單量之資訊。
如請求項5之資訊提供方法，其中調節上述各物品之最初設定訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>設定與調節上述各物品之最初設定訂單量相關之複數個基準比率； <br/>基於上述複數個基準比率之降序，對上述複數個基準比率中包括之各基準比率與上述相對訂單量距離比率進行比較；及 <br/>基於上述各基準比率與上述相對訂單量距離比率之比較結果，調節上述各物品之最初設定訂單量。
如請求項6之資訊提供方法，其中上述複數個基準比率係按照一定之比率間隔而設定者。
如請求項6之資訊提供方法，其中調節上述各物品之最初設定訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>於上述複數個基準比率中確認具有最大值之第1基準比率； <br/>於上述一個以上之物品中確認具有超過上述第1基準比率之第1相對訂單量距離比率之第1物品及上述第1物品之最初第1設定訂單量； <br/>將上述第1相對訂單量距離比率再次設定為上述第1基準比率之值；及 <br/>調節上述最初第1設定訂單量，以便與上述再次設定之第1相對訂單量距離比率對應。
如請求項8之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>判斷基於上述調節後之第1設定訂單量而調節之上述一個以上之物品之總預定訂單量是否小於或等於上述可收容之入庫貨物量。
如請求項9之資訊提供方法，其中調節上述各物品之最初設定訂單量之步驟包括如下步驟： <br/>於基於上述調節後之第1設定訂單量而調節之上述一個以上之物品之總預定訂單量大於上述可收容之入庫貨物量之情形時，於上述複數個基準比率中確認具有僅小於上述第1基準比率之值之第2基準比率； <br/>於上述一個以上之物品中確認具有超過上述第2基準比率之第2相對訂單量距離比率之第2物品及上述第2物品之最初第2設定訂單量； <br/>將上述第2相對訂單量距離比率再次設定為上述第2基準比率之值；及 <br/>調節上述最初第2設定訂單量，以便與上述再次設定之第2相對訂單量距離比率對應。
如請求項10之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>判斷基於上述調節後之第2設定訂單量而調節之上述一個以上之物品之總預定訂單量是否小於或等於上述可收容之入庫貨物量。
如請求項11之資訊提供方法，其中調節上述各物品之上述最初設定訂單量係根據上述各基準比率之降序來實行，直至累加上述各物品之調節後之設定訂單量而得到之上述一個以上之物品之調節後之總預定訂單量小於或等於上述可收容之入庫貨物量為止。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述需求訂單量係基於服務分位數而確定者，該服務分位數包括針對上述各物品而判斷之服務等級， <br/>上述服務等級係基於概率資訊而設定，該概率資訊係判斷為上述各物品之庫存不會出現斷貨且上述各物品之銷售量可維持於一預定水準以上者。
如請求項13之資訊提供方法，其中上述服務等級係基於是否進行上述各物品之促銷之第1資訊、上述各物品之可銷售期限之第2資訊、上述各物品之每日需求量之第3資訊、及上述各物品之庫存之第4資訊而確定。
如請求項14之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>設定上述第1資訊、上述第2資訊、上述第3資訊、及上述第4資訊之應用優先級；及 <br/>基於上述應用優先級來判斷上述各物品之上述服務等級。
如請求項15之資訊提供方法，其中上述應用優先級係基於上述各物品之特性而針對上述各物品來適應性地設定者。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存一個以上之指令； <br/>上述一個以上之指令於執行時，控制上述處理器以使上述處理器實行如下步驟： <br/>確認分撥中心可收容之入庫貨物量之資訊及預定入庫至上述分撥中心之一個以上之物品中包括之各物品之資訊，其中上述各物品之資訊選自以下群組之至少一者：上述各物品之識別資訊、上述各物品之特性資訊、與服務上之上述各物品之銷售相關之資訊、及用於上述各物品之物流處理之資訊； <br/>基於上述各物品之資訊，確認設定為上述各物品預定入庫至上述分撥中心之上述各物品之最初設定訂單量之資訊、及基於上述各物品之訂購時點而判斷之上述各物品之預計庫存量之資訊； <br/>基於上述各物品之資訊，判斷上述各物品之需求訂單量之資訊，其中上述需求訂單量之資訊係為了於上述分撥中心對上述各物品進行物流處理，上述各物品需要多少訂單量之資訊；及 <br/>基於上述最初設定訂單量之資訊、上述預計庫存量之資訊及上述需求訂單量之資訊，提供所判斷之上述各物品之相對訂單量距離比率之資訊，以對應於上述可收容之入庫貨物量來調節上述最初設定訂單量； <br/>其中上述相對訂單量距離比率＝(上述最初設定訂單量－各物品之目標訂單量)/上述需求訂單量。
一種針對永續發展的整合性管理系統，包括：一優勢及機會計分卡，包括多個欄位，透過該些欄位接收多個內部優勢資料以及多個外部機會資料，其中該些內部優勢資料包括多個構面的資料；一平衡計分卡，其在一第一方向上包括基於該些構面的資料所建構的多個構面欄位，並且針對每一該些構面欄位在一第二方向上設置多個內容欄位，其中該些構面欄位包括在該第一方向上依序排序一永續能力構面欄位、一永續流程構面欄位、一利益關係人構面欄位以及一影響及結果構面欄位，以構成一垂直因果關係鏈，該些內容欄位包括依序排序的一策略性議題欄位、一策略性目標欄位、一策略性衡量指標欄位、一策略性行動方案欄位、一策略性預算欄位以及一策略性獎酬欄位，以構成一水平因果關係鏈；一流程價值管理模組；以及至少一處理器，經配置以執行：基於該優勢及機會計分卡，產生一永續發展策略；透過該平衡計分卡，產生對應於該永續發展策略的一策略地圖，並基於該策略地圖提供該永續發展策略的一執行架構；以及透過該流程價值管理模組針對一永續發展目標執行一成本價值分析，其中，在該成本價值分析中，透過該流程價值管理模組針對被分配至一作業中心的每一資源賦予一環境屬性、一社會屬性、一治理屬性以及一非永續發展屬性中的其中一者，並且計算該作業中心所包括的每一作業的一作業耗費時間以及一作業成本，其中該至少一處理器經配置以：基於該水平因果關係鏈，在該些內容欄位的其中一第一欄位尚未填寫，而排序在該第一欄位之後的一第二欄位已填寫，則發出一提醒訊號。
如請求項1所述的整合性管理系統，其中該些外部機會資料包括多個方面的資料，該些方面包括一環境面、一社會面、一治理面以及一技術面。
如請求項1所述的整合性管理系統，其中該至少一處理器經配置以：對該平衡計分卡執行一策略性診斷，以確保該些構面之間的連接關係，以及確保該策略性議題、該策略性目標、該策略地圖以及該策略性衡量指標之間的連接關係。
如請求項1所述的整合性管理系統，其中該流程價值管理模組包括：一資源模組，用以將每一該資源分配至對應的該作業中心；一作業中心模組，用以將分配至該作業中心的每一該資源分攤給多個作業中的其中一者；以及一作業模組，用以針對被分配至該作業中心的每一該資源賦予該環境屬性、該社會屬性、該治理屬性以及該非永續發展屬性中的其中一者，並且計算該作業中心所包括的每一該作業的該作業耗費時間以及該作業成本，其中該作業模組包括一作業分配介面，透過該作業分配介面針對每一該資源賦予該環境屬性、該社會屬性、該治理屬性以及該非永續發展屬性中的其中一者。
如請求項4所述的整合性管理系統，其中至少一處理器經配置以：透過該流程價值管理模組，基於被分配至該作業中心的每一該資源經由計算所獲得的該作業耗費時間以及該作業成本，計算該環境屬性、該社會屬性、該治理屬性以及該非永續發展屬性各自的統計後的作業時間以及統計後的作業成本。
一種解析裝置，其特徵在於，其係對於測定資料所遵循之概率分佈函數為已知之前述測定資料，算出表示包含電子密度分佈之資訊的模型之最佳化程度之指標者，且包含： <br/>測定資料取得部，其取得前述測定資料； <br/>計算資料取得部，其取得根據前述模型計算出之計算資料；及 <br/>指標算出部，其對於由包含前述測定資料及前述計算資料之規定之數式所定義之殘差、及基於前述概率分佈函數與前述規定之數式而定義之前述殘差之期望值，算出包含前述殘差與前述殘差之期望值之比的指標GOF。
如請求項1之解析裝置，其包含評估前述GOF之收斂之指標評估部。
如請求項1之解析裝置，其中前述規定之數式包含前述測定資料之對數與前述計算資料之對數之殘差平方和。
如請求項1之解析裝置，其中前述規定之數式包含權重參數，該權重參數在前述測定資料為規定之值以下之強度時設為常數倍，在前述測定資料為較前述規定之值大之強度時取對數之值。
如請求項1之解析裝置，其中前述概率分佈函數係泊松分佈，前述指標算出部以高斯分佈近似求得前述殘差之期望值。
如請求項2之解析裝置，其包含模型製作部，該模型製作部製作前述模型，基於製作成之前述模型而計算前述計算資料；且 <br/>前述計算資料取得部取得前述模型製作部計算出之前述計算資料； <br/>當前述指標評估部評估為已將前述GOF收斂時，前述模型製作部輸出前述模型； <br/>當前述指標評估部評估為未將前述GOF收斂時，前述模型製作部更新前述模型之模型參數，進行前述模型之製作及前述計算資料之計算，前述指標算出部基於計算出之前述計算資料而算出前述GOF。
一種解析系統，其特徵在於包含： <br/>X射線分析裝置，其包含：產生X射線之X射線產生部、設置試料之試料台、及檢測X射線之檢測器；及 <br/>如請求項1至6中任一項之解析裝置。
一種解析方法，其特徵在於，其係對於測定資料所遵循之概率分佈函數為已知之前述測定資料，算出表示包含電子密度分佈之資訊的模型之最佳化程度之指標者，且包含： <br/>測定資料取得步驟，其取得前述測定資料； <br/>計算資料取得步驟，其取得根據前述模型計算出之計算資料；及 <br/>指標算出步驟，其對於由包含前述測定資料及前述計算資料之規定之數式所定義之殘差、及基於前述概率分佈函數與前述規定之數式而定義之前述殘差之期望值，算出包含前述殘差與前述殘差之期望值之比的指標GOF。
一種電腦程式產品，其特徵在於，其係對於測定資料所遵循之概率分佈函數為已知之前述測定資料，算出表示包含電子密度分佈之資訊的模型之最佳化程度之指標者，且使電腦執行如下處理： <br/>取得前述測定資料； <br/>取得根據前述模型計算出之計算資料；及 <br/>對於由包含前述測定資料及前述計算資料之規定之數式所定義之殘差、及基於前述概率分佈函數與前述規定之數式而定義之前述殘差之期望值，算出包含前述殘差與前述殘差之期望值之比的指標GOF。
一種天線設計方法，包括：<br/> 獲取天線規格資訊與天線環境資訊，其中所述天線規格資訊包括目標天線參數與天線尺寸；<br/> 將所述天線尺寸對應的天線區域分割為多個網格；<br/> 隨機指派各所述多個網格的導通屬性而產生一隨機天線圖案，其中隨機指派為導通金屬材質的網格形成隨機天線圖案；<br/> 基於所述目標天線參數與所述隨機天線圖案執行一最佳化演算法，以獲取各所述多個網格的最佳導通屬性；以及<br/> 根據各所述多個網格的最佳導通屬性，決定滿足所述天線規格資訊的一天線圖案。
如請求項1所述的天線設計方法，其中隨機指派各所述多個網格的導通屬性而產生所述隨機天線圖案的步驟包括：<br/> 針對各所述多個網格，生成介於預設區間內的一隨機常數；<br/> 將各所述多個網格的所述隨機常數映射為二元指示值，其中各所述多個網格對應的所述二元指示值用以指示各所述多個網格的導通屬性；以及<br/> 基於各所述多個網格對應的所述二元指示值，產生所述隨機天線圖案。
如請求項2所述的天線設計方法，其中當所述多個網格中的第一網格的所述二元指示值為第一值，則所述第一網格配置為導通金屬材質；當所述多個網格中的所述第一網格的所述二元指示值為第二值，則所述第一網格配置為非導通材質。
如請求項2所述的天線設計方法，其中將各所述多個網格的所述隨機常數映射為所述二元指示值的步驟包括：<br/> 當所述多個網格中的第一網格的所述隨機常數介於第一數值區間之內，將所述第一網格的所述隨機常數映射為第一值；以及<br/> 當所述多個網格中的第一網格的所述隨機常數介於第二數值區間之內，將所述第一網格的所述隨機常數映射為第二值。
如請求項1所述的天線設計方法，其中所述目標天線參數包括目標操作頻段與S參數要求。
如請求項1所述的天線設計方法，其中基於所述目標天線參數與所述隨機天線圖案執行所述最佳化演算法，以獲取各所述多個網格的最佳導通屬性的步驟包括：<br/> 決定所述最佳化演算法的目標函數；以及<br/> 透過將所述隨機天線圖案設置為初始狀態執行所述最佳化演算法，以獲取最佳化所述目標函數的所述多個網格的最佳導通屬性。
如請求項6所述的天線設計方法，其中透過將所述隨機天線圖案設置為初始狀態執行所述最佳化演算法，以獲取最佳化所述目標函數的所述多個網格的最佳導通屬性的步驟包括：<br/> 根據當前迭代循環的第一天線圖案與所述天線操作環境執行一電磁模擬，以獲取所述第一天線圖案的模擬天線參數；<br/> 將所述第一天線圖案的模擬天線參數代入所述目標函數；以及<br/> 基於所述最佳化演算法、所述目標天線參數與所述目標函數，更新各所述多個網格的導通屬性。
如請求項1所述的天線設計方法，還包括：<br/> 於一使用者介面顯示所述天線圖案。
如請求項1所述的天線設計方法，其中根據各所述多個網格的最佳導通屬性，決定滿足所述天線規格資訊的所述天線圖案的步驟包括：<br/> 根據所述天線圖案執行一電磁模擬，以獲取所述天線圖案的另一模擬天線參數；以及<br/> 根據所述另一模擬天線參數驗證所述天線圖案是否合格。
一種電子裝置，包括：<br/> 儲存裝置，記錄多個指令；<br/> 處理器，耦接所述儲存裝置，存取所述多個指令以執行： <br/> 獲取天線規格資訊與天線環境資訊，其中所述天線規格資訊包括目標天線參數與天線尺寸；<br/> 將所述天線尺寸對應的天線區域分割為多個網格；<br/> 隨機指派各所述多個網格的導通屬性而產生一隨機天線圖案，其中隨機指派為導通金屬材質的網格形成隨機天線圖案；<br/> 基於所述目標天線參數與所述隨機天線圖案執行一最佳化演算法，以獲取各所述多個網格的最佳導通屬性；以及<br/> 根據各所述多個網格的最佳導通屬性，決定符合所述天線規格資訊的一天線圖案。
一種多工器，應用於陣列天線模組，其改良在於，所述陣列天線模組包括陣列天線及波束成形模組，所述多工器包括： 一第一端；<br/> 至少二相同第二端，所述至少二相同第二端朝向所述第一端的方向延伸；及<br/> 第一連接部和第二連接部，所述第一連接部連接於所述第一端，所述第二連接部的一端連接於所述第一連接部遠離所述第一端的端部，所述第二連接部的另一端連接所述至少二相同第二端，所述至少二相同第二端在第一方向上的投影位於所述第一連接部在所述第一方向上的投影範圍內；<br/> 所述第一端或所述至少二相同第二端中的一者連接於所述陣列天線，所述第一端或所述至少二相同第二端中的另一者連接於所述波束成形模組，所述第一端和所述至少二相同第二端用於在所述陣列天線與所述波束成形模組之間傳導訊號。
如請求項1所述的多工器，其中，所述第一端與所述至少二相同第二端位於不同層。
如請求項1所述的多工器，其中，所述多工器還包括電阻，所述電阻與所述至少二相同第二端接觸。
如請求項1所述的多工器，其中，在所述至少二相同第二端連接於所述陣列天線的接收天線時，所述第一端連接於所述波束成形模組，所述多工器為功率合成器，用於通過所述至少二相同第二端接收所述陣列天線的訊號，並通過所述第一端向所述波束成形模組傳導所述訊號；或<br/> 在所述至少二相同第二端連接於所述陣列天線的發射天線時，所述第一端連接於所述波束成形模組，所述多工器為功率分配器，用於通過所述第一端接收所述波束成形模組的訊號，並通過所述至少二相同第二端向所述陣列天線傳導所述訊號。
如請求項2所述的多工器，其中，所述第一連接部與所述第一端共面；所述第二連接部連接所述第一端所在層與所述至少二相同第二端所在層。
一種陣列天線模組，其改良在於，所述陣列天線模組包括陣列天線、波束成形模組及如請求項1至5任一項所述的多工器。
如請求項6所述的陣列天線模組，其中，所述陣列天線模組還包括低雜訊放大器LNA，所述LNA一端連接於所述陣列天線，另一端連接於所述至少二相同第二端。
如請求項6所述的陣列天線模組，其中，所述陣列天線還包括：<br/> 若干成行設置的所述發射天線，在每一行中，每兩相鄰的所述發射天線之間以第一預設距離間隔設置；<br/> 若干成行設置的所述接收天線，在每一行中，每兩相鄰的所述接收天線之間以第二預設距離間隔設置，且每一所述接收天線錯位設置於兩所述發射天線之間；<br/> 每行所述發射天線及每行所述接收天線錯位設置，形成陣列設置；<br/> 所述多工器錯位設置於所述發射天線與所述接收天線之間。
如請求項6所述的陣列天線模組，其中，所述陣列天線模組還包括第一接地層，所述第一接地層位於所述第一端所在層與所述至少二相同第二端所在層之間。
如請求項9所述的陣列天線模組，其中，所述陣列天線模組還包括第二接地層，所述第二接地層位於所述第一端所在層與所述陣列天線所在層之間。
一種光學瞄準設備，包括： <br/>設置於該光學瞄準設備的一第一端的一透射式螢幕，該透射式螢幕包括一內凹表面；以及 <br/>設置於該光學瞄準設備的一第二端的一主動式顯示裝置，面向該透射式螢幕的該內凹表面，其中該主動式顯示裝置發出的光在到達該透射式螢幕的該內凹表面之前未改變路徑方向，其中： <br/>該主動式顯示裝置經配置以在該透射式螢幕上投射一第一圖案； <br/>該主動式顯示裝置更經配置以在該透射式螢幕上投射一第二圖案；且 <br/>該第一圖案與該第二圖案具有不同的外型。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該主動式顯示裝置包含多個像素，其中該主動式顯示裝置經配置以開啟該多個像素中的一第一群組以在該透射式螢幕上形成該第一圖案，且該主動式顯示裝置經配置以開啟該多個像素中的一第二群組以在該透射式螢幕上形成該第二圖案。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該第一圖案包括呈現一第一色彩的一第一部分及呈現一第二色彩的一第二部分，且該第一色彩與該第二色彩不同。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該第一色彩與該第二色彩互為互補色。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該第一色彩為紅色且該第二色彩為綠色。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該第一圖案的該第一部分與該第二部分具有不同的粗細大小。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該主動式顯示裝置包含一主動式微型顯示發光元件，該主動式微型顯示發光元件包含：矽基液晶(LCOS)、液晶顯示器(LCD)、數位微鏡器件(DMD)、數位光處理(DLP)、矽基有機發光二極體(OLEDOS)、或微發光二極體(Micro LED)中至少一者。
如請求項1之光學瞄準設備，其中當一觀測者使用該光學瞄準設備瞄準一目標物時，投射在該透射式螢幕上的該第一圖案與該目標物至少部分重疊。
如請求項1之光學瞄準設備，更包括一按鈕，其中該按鈕經配置以將該第一圖案變更為該第二圖案。
如請求項9之光學瞄準設備，其中該第二圖案包括呈現該第一色彩的一第三部分及呈現該第二色彩的一第四部分。
如請求項1之光學瞄準設備，更包括一記憶單元及一控制單元，其中該記憶單元及控制單元經配置以使該主動式顯示裝置在一第一時間段內顯示該第一圖案，並在一第二時間段內顯示與該第一圖案不同的該第二圖案。
如請求項1之光學瞄準設備，更包括一控制單元及一環境感測器，其中回應於該環境感測器提供的信號，該控制單元經配置以調整該主動式顯示裝置的亮度。
如請求項1之光學瞄準設備，其中該主動式顯示裝置更經配置以在該透射式螢幕上投射資訊，該資訊包括風速、彈道偏移、或濕度的至少一者。
一種光學瞄準設備，包括： <br/>設置於該光學瞄準設備的一第一端的一透射式螢幕，該透射式螢幕包括一內凹表面； <br/>設置於該光學瞄準設備的一第二端的一主動式顯示裝置，該主動式顯示裝置包括多個像素且面向該透射式螢幕的該內凹表面，其中該主動式顯示裝置發出的光在到達該透射式螢幕的該內凹表面之前未改變路徑方向；以及 <br/>一按鈕，其中： <br/>該主動式顯示裝置經配置以開啟該多個像素中的一第一群組以在該透射式螢幕上投射一第一圖案； <br/>回應於該按鈕提供的信號，該主動式顯示裝置經配置以開啟該多個像素中的一第二群組以將該第一圖案變更為一第二圖案。
如請求項14該的光學瞄準設備，其中： <br/>該第一圖案包括呈現一第一色彩的一第一部分； <br/>該第二圖案包括呈現該第二色彩的一第二部分；且 <br/>該第一色彩與該第二色彩不同。
如請求項14之光學瞄準設備，其中該主動式顯示裝置更經配置以在該透射式螢幕上投射資訊，該資訊包括風速、彈道偏移、或濕度的至少一者。
如請求項14之光學瞄準設備，其中該第一色彩為紅色且該第二色彩為綠色。
如請求項14之光學瞄準設備，其中該主動式顯示裝置包含一主動式微型顯示發光元件，該主動式微型顯示發光元件包含：矽基液晶(LCOS)、液晶顯示器(LCD)、數位微鏡器件(DMD)、數位光處理(DLP)、矽基有機發光二極體(OLEDOS)、或微發光二極體(Micro LED)中至少一者。
如請求項14之光學瞄準設備，其中該第一圖案整體呈現該第一色彩，且該第二圖案整體呈現該第二色彩。
如請求項14之光學瞄準設備，更包括一控制單元及一環境感測器，其中回應於該環境感測器提供的信號，該控制單元經配置以調整該主動式顯示裝置的亮度。
一種整體式電鍍密封件，包括：<br/> 一外部密封構件，包括一內部環狀半徑、一外部環狀半徑、及一外部密封構件主體，該外部密封構件主體定義於一外表面及一內表面之間，該內表面相反於該外表面，該外表面以至少一聚合物層製成，該至少一聚合物層包括少於或約為10 vol.%之一孔隙率(porosity)，以及其中該外部密封構件主體包括一填充物；以及<br/> 一內部密封構件，與該外部密封構件之該內表面的至少一部分一體成形，且從該內部環狀半徑沿著該外部密封構件之該內表面的該至少一部分朝向該外部環狀半徑延伸，其中該內部密封構件包括一可變形熱塑性彈性體。
如請求項1所述之整體式電鍍密封件，其中該外部密封構件之該外表面的一部分定義一或多個傾斜特徵。
如請求項2所述之整體式電鍍密封件，其中該一或多個傾斜特徵相對於該外部密封構件之該外表面的一第二部分具有從約1°至約45°之一斜率。
如請求項2所述之整體式電鍍密封件，其中該整體式電鍍密封件係積層製造。
如請求項1所述之整體式電鍍密封件，其中形成該外表面的該至少一聚合物層包括一熱塑性聚合物。
如請求項1所述之整體式電鍍密封件，其中該外部密封構件主體包括一熱塑性聚合物及基於該外部密封構件主體的一重量之從約10 wt.%至約50 wt.%的該填充物。
如請求項1所述之整體式電鍍密封件，其中該整體式電鍍密封件不含黏膠及/或金屬支撐構件。
如請求項1所述之整體式電鍍密封件，其中該外部密封構件之該外表面包括聚丙烯(polypropylene)，該外部密封構件主體包括玻璃填充聚丙烯，及該內部密封構件包括熱塑性硫化彈性體(thermoplastic vulcanizate)或苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯(styrene ethylene butylene styrene)。
一電鍍系統密封件，包括：<br/> 一環狀母線，包括一內部環狀半徑及一外部環狀半徑，其中該環狀母線包括複數個接觸延伸件，沿著該內部環狀半徑設置；<br/> 一外部密封構件，包括一內部環狀半徑、一外部環狀半徑、及一外部密封構件主體，該外部密封構件主體定義於一外表面及一內表面之間，該內表面相反於該外表面，該外表面以至少一聚合物層製成，該至少一聚合物層包括少於或約為10 vol.%之一孔隙率(porosity)，以及其中該外部密封構件主體包括一填充物；以及<br/> 一內部密封構件，與該外部密封構件之該內表面的至少一部分一體成形，且從該內部環狀半徑沿著該外部密封構件之該內表面的該至少一部分朝向該外部環狀半徑延伸。
如請求項9所述之電鍍系統密封件，其中該內部密封構件及該外部密封件形成一整體式密封主體。
如請求項10所述之電鍍系統密封件，其中該整體式密封主體藉由積層製造(additive manufacturing)形成。
如請求項9所述之電鍍系統密封件，更包括一背板。
如請求項12所述之電鍍系統密封件，其中該環狀母線設置於該背板及該外部密封構件之至少一部分之間。
一種形成一聚合半導體系統元件之方法，包括：<br/> 沿著一平台(platen)的一上表面列印一熔融的第一原料，而形成至少一第一層；以及<br/> 列印一第二原料於該至少一第一層上，而形成至少一第二層；<br/> 其中該平台的該上表面的一部分定義一傾斜特徵，相對於該平台的該上表面的一第二部分具有從約1°至約45°的一斜率，以及其中該平台以具有10 vol.%或更少之一孔隙率(porosity)的一惰性材料製成。
如請求項14所述之方法，其中該平台更包括一第二傾斜特徵於一第三部分中，該第二傾斜特徵與該傾斜特徵分隔，其中該第二傾斜特徵相對於該平台的該上表面的該第二部分包括從約1°至約45°的一斜率。
如請求項14所述之方法，其中該第一原料及該第二原料以複數個不同的聚合物製成而形成一相容界面。
如請求項14所述之方法，其中該第一原料及該第二原料以相同的聚合物製成，其中該第二原料更包括一填充物。
如請求項14所述之方法，其中列印各個該第一層，使得各個該第一層包括為該平台的該上表面之鏡像的一或多個傾斜特徵。
如請求項14所述之方法，其中該熔融之第一原料在大於形成該第一原料的一材料的一熔點約10°C至約70°C的一溫度下進行列印。
如請求項14所述之方法，其中該聚合半導體系統元件係為一電鍍密封件，該方法更包括：<br/> 列印一第三原料於該至少一第二層及/或該至少一第一層的一部分上，該至少一第二層及/或該至少一第一層的該部分相鄰於該至少一第二層及/或該至少一第一層之一內部環狀半徑；<br/> 其中：<br/> 該第一原料包括一熱塑性聚合物，及該至少一第一層包括10 vol.%或更少的一孔隙率，<br/> 該第二原料包括一熱塑性聚合物及基於各該第二層之一重量的從約10 wt.%至約50 wt.%的一填充物，以及<br/> 其中該第三原料包括熱塑性硫化彈性體(thermoplastic vulcanizate)或苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯(styrene ethylene butylene styrene)。
一種半導體元件製造方法，包括：<br/> 提供一透光基板並在該透光基板的一第一面上佈置至少一不透光層；<br/> 在該透光基板的該第一面和該不透光層上塗布一第一光阻層；<br/> 由該透光基板的一第二面射入一光源，其中該第一面相對於該第二面；<br/> 移除該不透光層上的該第一光阻層；<br/> 在該不透光層上形成一第一材料層，且該第一材料層的厚度小於該不透光層上之該第一光阻層厚度的三分之一；<br/> 移除該透光基板上的該第一光阻層，露出該透光基板的一部份，以提高一半導體元件上之一微奈米結構的深寬比。
如請求項1所述之半導體元件製造方法，其中以濕式蝕刻或乾式蝕刻移除該透光基板上的該第一光阻層。
如請求項1所述之半導體元件製造方法，其中該第一材料層以沈積方式形成於該不透光層上。
如請求項1所述之半導體元件製造方法，其中該第一材料層為金屬材料，且該第一材料層以電鍍方式形成於該不透光層上。
如請求項4所述之半導體元件製造方法，其中形成於該不透光層上之該第一材料層和該第一光阻層切齊。
如請求項1所述之半導體元件製造方法，其中該不透光層和該第一材料層的材質不同。
如請求項1所述之半導體元件製造方法，其中該製造方法包括：<br/> 在露出的該透光基板以及該第一材料層上塗布一第二光阻層；<br/> 由該透光基板的該第二面射入該光源；<br/> 移除該第一材料層上的該第二光阻層；<br/> 在該第一材料層上形成一第二材料層；<br/> 移除該透明基板上的該第二光阻層，露出該透光基板的一部份。
如請求項7所述之半導體元件製造方法，其中該第一材料層與該第二材料層的材質不同。
一種半導體元件製造方法，包括：<br/> 提供一透光基板並在該透光基板的一第一面上佈置至少一不透光層；<br/> 在該透光基板的該第一面和該不透光層上塗布一光阻層；<br/> 由該透光基板的一第二面射入一光源，其中該第一面相對於該第二面；<br/> 移除該光阻層中未被固化的部分；<br/> 在該光阻層之間形成一材料層；<br/> 移除該材料層兩側的材料，露出該透光基板的一部份，以提高一半導體元件上之一微奈米結構的深寬比。
一種半導體元件，其係以如申請專利範圍第9項之方法製造。
一種用於插入一外科手術腔的外科手術插管，該外科手術插管包括： <br/>一入口，位於該外科手術插管的一近端以用於接收一醫療器械；以及 <br/>一細長軸，界定在該外科手術插管的一遠端的一出口處終止的一管腔，以及其中該入口經由該管腔而與該出口流體連通； <br/>其中該細長軸包括一引導元件，該引導元件被配置以在該管腔中支撐該醫療器械，其中該引導元件包括該細長軸的一第一截面，該第一截面具有一非圓形形狀。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該第一截面被形成在橫向於該外科手術插管的一縱軸的一第一平面中。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該第一截面與在該細長軸的該遠端處或鄰近該遠端的一截面有關。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該第一截面與該細長軸的一內部截面有關且沿著該細長軸的一區段延伸。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該第一截面的該非圓形形狀是六邊形的。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該近端具有在橫向於該外科手術插管的一縱軸的一第二平面中形成的一第二截面，其中該第二截面具有與該第一截面的形狀不同的形狀。
如請求項6所述的外科手術插管，其中該第二截面的該形狀是圓形的。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該近端具有在橫向於該外科手術插管的一縱軸的一第二平面中形成的一第二截面，其中該第二截面形成比該第一截面的截面面積大的一截面面積。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該非圓形的第一截面被設置以在具有一圓形截面的該醫療器械被容納在該外科手術插管中時為例如吹入氣體的氣體提供間隙以向下通過該管腔。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該引導元件被配置以在使用中同軸或同心地支撐該醫療器械。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該引導元件被形成在該細長軸的一側壁中，其中該側壁界定該內腔。
如請求項1所述的外科手術插管，其中該引導元件沿著該細長軸的一長度的一部分延伸。
如請求項1所述的外科手術插管，包括複數個該引導元件。
如請求項1所述的外科手術插管，包括用於將吹入氣體接收在該管腔中的一氣體入口，其中該管腔被配置以經由該外科手術插管的該遠端處的該出口將該接收的吹入氣體提供至該外科手術腔。
如請求項1所述的外科手術插管，包括被配置以防止吹入氣體經由該入口逸出的一第一密封件。
如請求項15所述的外科手術插管，包括一第二密封件，該第二密封件被設置以在該醫療器械被容納在該外科手術插管時提供一器械密封。
如請求項1所述的外科手術插管，包括一加熱元件以加熱該管腔。
一種用於將吹入氣體供應至一外科手術腔的外科手術插管系統，包括： <br/>如請求項1至請求項17中任一項所述的該外科手術插管； <br/>一醫療器械，用於插入該外科手術插管中；以及 <br/>一氣體供應裝置，用於將吹入氣體提供至該外科手術插管的該氣體入口。
一種電子紙顯示裝置，包含： <br/>一液晶顯示面板；以及 <br/>一控制器，電性連接該液晶顯示面板，並包含： <br/>一顯示控制模組，用以驅動該液晶顯示面板進行顯示與更新；及 <br/>一更新方向判斷模組，電性連接該顯示控制模組，並用以自該顯示控制模組取得一部分更新區域，並確認該部分更新區域的一更新方向是否與一歷史更新區域的一歷史更新方向交錯，以取得一方向判斷結果； <br/>其中，當該方向判斷結果為是時，該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板執行全畫面更新。
如請求項1所述之電子紙顯示裝置，其中該部分更新區域及該歷史更新區域分別包含至少一矩形，該更新方向判斷模組依據該部分更新區域的該至少一矩形的二座標及該歷史更新區域的該至少一矩形的二座標而分別確認該更新方向及該歷史更新方向。
如請求項1所述之電子紙顯示裝置，更包含： <br/>一畫面占比判斷模組，電性連接該顯示控制模組及該更新方向判斷模組，並用以計算該部分更新區域與該歷史更新區域的一全畫面占比值。
如請求項3所述之電子紙顯示裝置，其中， <br/>當該更新方向判斷模組中的該方向判斷結果為否時，該畫面占比判斷模組計算該全畫面占比值。
如請求項3所述之電子紙顯示裝置，其中該畫面占比判斷模組更用以判斷該全畫面占比值是否大於一預定值，以取得一占比判斷結果； <br/>其中，當該占比判斷結果為是時，該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板執行全畫面更新； <br/>當該占比判斷結果為否時，該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板依據該部分更新區域執行部分畫面更新。
如請求項5所述之電子紙顯示裝置，更包含： <br/>一管理模組，電性連接該更新方向判斷模組及該畫面占比判斷模組，並用以管理該部分更新區域與該歷史更新區域。
如請求項6所述之電子紙顯示裝置，其中， <br/>當該更新方向判斷模組中的該方向判斷結果為是時，該管理模組清除該歷史更新區域。
如請求項6所述之電子紙顯示裝置，其中， <br/>當該畫面占比判斷模組中的該占比判斷結果為否時，該管理模組將該部分更新區域儲存為該歷史更新區域。
如請求項5所述之電子紙顯示裝置，其中該預定值介於0.4至0.6之間。
如請求項1所述之電子紙顯示裝置，更包含： <br/>一記憶體，電性連接該控制器，並用以儲存該歷史更新區域。
一種電子紙顯示裝置的更新方法，包含： <br/>藉由一控制器的一更新方向判斷模組取得一部分更新區域； <br/>藉由該更新方向判斷模組確認該部分更新區域的一更新方向是否與一歷史更新區域的一歷史更新方向交錯，以取得一方向判斷結果；以及 <br/>藉由該控制器的一顯示控制模組依據該方向判斷結果驅動一液晶顯示面板進行顯示與更新； <br/>其中，當該方向判斷結果為是時，該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板執行全畫面更新。
如請求項11所述之電子紙顯示裝置的更新方法，其中該部分更新區域及該歷史更新區域分別包含至少一矩形，該更新方向判斷模組依據該部分更新區域的該至少一矩形的二座標及該歷史更新區域的該至少一矩形的二座標而分別確認該更新方向及該歷史更新方向。
如請求項11所述之電子紙顯示裝置的更新方法，更包含： <br/>當該方向判斷結果為否時，藉由一畫面占比判斷模組計算該部分更新區域與該歷史更新區域的一全畫面占比值。
如請求項13所述之電子紙顯示裝置的更新方法，更包含： <br/>藉由該畫面占比判斷模組判斷該全畫面占比值是否大於一預定值，以取得一占比判斷結果； <br/>其中，當該占比判斷結果為是時，藉由該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板執行全畫面更新； <br/>當該占比判斷結果為否時，藉由該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板依據該部分更新區域執行部分更新。
如請求項14所述之電子紙顯示裝置的更新方法，更包含： <br/>該液晶顯示面板執行全畫面更新後，藉由一管理模組清除該歷史更新區域。
如請求項15所述之電子紙顯示裝置的更新方法，更包含： <br/>當該占比判斷結果為否時，藉由該管理模組將該部分更新區域儲存為該歷史更新區域。
如請求項14所述之電子紙顯示裝置的更新方法，其中該預定值介於0.4至0.6之間。
一種電子紙顯示裝置的更新方法，包含： <br/>藉由一控制器的一畫面占比判斷模組計算一部分更新區域與一歷史更新區域的一全畫面占比值； <br/>藉由該畫面占比判斷模組判斷該全畫面占比值是否大於一預定值，以取得一占比判斷結果；以及 <br/>藉由該控制器的一顯示控制模組依據該占比判斷結果驅動一液晶顯示面板進行顯示與更新； <br/>其中，當該占比判斷結果為是時，該顯示控制模組驅動該液晶顯示面板執行全畫面更新。
如請求項18所述之電子紙顯示裝置的更新方法，其中， <br/>當該占比判斷結果為否時，藉由一更新方向判斷模組確認該部分更新區域的一更新方向是否與該歷史更新區域的一歷史更新方向交錯，以取得一方向判斷結果。
如請求項18所述之電子紙顯示裝置的更新方法，其中該全畫面占比值為該部分更新區域與該歷史更新區域的聯集面積除以該液晶顯示面板的畫面面積。
一種手勢檢測裝置，包括：<br/> 殼體，具有一底部與至少一側表面，其中該側表面具有至少一開孔；<br/> 穿戴部，固定於該殼體的該底部，用於穿戴於使用者的手掌上；及<br/> 感測模組，設置在該殼體內，且該感測模組包括：<br/> 光源發射元件，用以從該至少一開孔發射光束；<br/> 機電元件，包括被壓電效應（Piezoelectric effect）所驅動的微機電系統（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）鏡，用以反射該光束，以調整該光束的方向，使得該光束朝向檢測區域發射，該檢測區域包括該手掌上的手指區域；以及<br/> 光感測器，用以從該至少一開孔接收來自該手指區域且對應該光束的反射光，並根據該反射光產生電子訊號，<br/> 其中該電子訊號被用以產生該手指區域的影像。
如請求項1所述的手勢檢測裝置，其中該感測模組更包括：<br/> 處理器，用以根據該電子訊號產生該手指區域的該影像；以及<br/> 無線通訊模組，電性連接該處理器，用以將該手指區域的該影像傳送至一電腦裝置。
如請求項1所述的手勢檢測裝置，其中該感測模組更包括：<br/> 處理器，用以接收該電子訊號；以及<br/> 無線通訊模組，電性連接該處理器，用以將該電子訊號傳送至一電腦裝置，以透過該電腦裝置根據該電子訊號產生該手指區域的該影像。
如請求項1所述的手勢檢測裝置，更包括：<br/> 運動感測器，用以提供該手掌的姿態數據，其中該姿態數據包括該手掌的朝向數據、速度數據以及加速度數據的至少其中之一；以及<br/> 處理器，耦接該運動感測器，其中該處理器更用以基於該手指區域的該影像以及該手掌的該姿態數據，判斷手勢資訊。
一種手勢檢測方法，適用於穿戴於使用者的手掌的手勢檢測裝置，該手勢檢測裝置包括光源發射元件、機電元件以及光感測器，其中該機電元件包括被壓電效應（Piezoelectric effect）所驅動的微機電系統（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）鏡，且該手勢檢測方法包括：<br/> 利用該光源發射元件發射光束；<br/> 利用該機電元件的該微機電系統鏡反射該光束，以調整該光束的方向，使得該光束朝向檢測區域發射，其中該檢測區域包括該手掌上的手指區域；<br/> 利用該光感測器接收來自該手指區域且對應該光束的反射光，並根據該反射光產生電子訊號；以及<br/> 根據該電子訊號產生該手指區域的影像。
如請求項5所述的手勢檢測方法，更包括：<br/> 基於該影像判斷手指姿勢。
如請求項5所述的手勢檢測方法，其中該手勢檢測裝置更包括運動感測器，該手勢檢測方法更包括：<br/> 利用該運動感測器取得該手掌的姿態數據，該姿態數據包括該手掌的朝向數據、速度數據以及加速度數據的至少其中之一。
如請求項7所述的手勢檢測方法，更包括：<br/> 基於該手指區域的該影像以及該手掌的該姿態數據，判斷手勢資訊。
一種半導體元件，包含： <br/>一積體電路； <br/>一保護環結構，在該半導體元件的俯視圖中圍繞該積體電路； <br/>其中該保護環結構包含： <br/>一主動區域； <br/>一第一複數導電結構，在該主動區域上方； <br/>其中，該第一複數導電結構在該半導體元件中沿一第一方向延伸，並在該半導體元件中沿與該第一方向大致垂直的一第二方向佈置；以及 <br/>一第二複數導電結構，在該主動區域上方； <br/>其中該第二複數導電結構沿該第二方向延伸並沿該第一方向佈置；以及 <br/>一互連結構，在該保護環結構上方； <br/>其中該第一複數導電結構從該主動區域橫向向外延伸。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一複數導電結構的一全部整體位在該互連結構的一範圍內；以及 <br/>其中該第二複數導電結構的一部分從該互連結構橫向向外延伸。
如請求項1所述的半導體元件，其中該積體電路為該半導體元件的一第一積體電路，該主動區域為該半導體元件的一第一主動區域；其中該保護環結構為該半導體元件的一第一保護環結構；該半導體元件另包含一第二保護環結構，該第二保護環結構包含：<br/> 一第二主動區域，位於鄰近該第一積體電路的一第二積體電路周圍；<br/> 一第三複數導電結構，位於該第二主動區域上方，沿該第一方向延伸並沿該第二方向佈置；<br/> 一第四複數導電結構，位於該第二主動區域上方，沿該第二方向延伸並沿該第一方向佈置；<br/> 其中該第三複數導電結構和該第四複數導電結構相交，該第二保護環結構在該第二主動區域上方。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第一複數導電結構的一全部整體和該第二複數導電結構的一全部整體都位於互連結構的一範圍內。
如請求項1所述的半導體元件，其中該第二複數導電結構從該主動區域橫向向外延伸。
如請求項1所述的半導體元件，其中該保護環結構進一步包含： <br/>一多晶矽結構，在該主動區域上方； <br/>其中該多晶矽結構沿該第一方向延伸，並位於該第一複數導電結構的一第一子集和該第一複數導電結構的一第二子集之間。
如請求項6所述的半導體元件，其中該多晶矽結構從該主動區域向外橫向延伸。
一種半導體元件，包含： <br/>一積體電路； <br/>一保護環結構，在該半導體元件的俯視圖中圍繞該積體電路； <br/>其中該保護環結構包含： <br/>一第一複數導電結構； <br/>其中該第一複數導電結構在該半導體元件中沿一第一方向延伸，並在該半導體元件中沿與該第一方向大致垂直的一第二方向佈置； <br/>一第二複數導電結構； <br/>其中該第二複數導電結構沿該第二方向延伸並沿該第一方向佈置；以及 <br/>其中該第二複數導電結構的一第一子集的一第一長度大於該第二複數導電結構的一第二子集的一第二長度；以及 <br/>複數多晶矽結構，沿該第一方向延伸； <br/>其中，該每個多晶矽結構位於相鄰地成對的該第一複數導電結構之間； <br/>一第一互連結構，在該保護環結構上方； <br/>其中該第一複數導電結構的至少一第一子集位於該第一互連結構的一範圍內；以及 <br/>一第二互連結構，在該保護環結構上方； <br/>其中該第一複數導電結構的至少一第二子集位於該第二互連結構的一範圍內。
如請求項8所述的半導體元件，其中該第一複數導電結構的至少一第三子集位於該第一互連結構和該第二互連結構的下方並在兩者之間延伸。
一種半導體元件的形成方法，包含： <br/>在一半導體元件的一積體電路周圍提供一主動區域； <br/>在該主動區域上方形成一第一複數導電結構，沿該半導體元件的一第一方向延伸，並沿該半導體元件中與該第一方向近似垂直的一第二方向佈置，其中該第一複數導電結構從該主動區域橫向向外延伸； <br/>在該主動區域上方形成一第二複數導電結構，沿該第二方向延伸並沿該第一方向佈置； <br/>其中該第一複數導電結構和該第二複數導電結構相交，以在該主動區域上方形成一保護環結構；以及 <br/>在該保護環結構上方形成一個或多個互連結構。
一種三相驅動定子結構，係包含：複數基板，該等基板相互疊設，每一基板設有一佈線層及複數個穿孔及複數電性連接孔，該佈線層由複數個感應線圈所組成，每一感應線圈分別環繞形成於該等穿孔的外側，每一相鄰基板的該等感應線圈係透過該電性連接孔延伸至另一基板的佈線層進行電性連接，並每一穿孔插設有一金屬棒。
如請求項1所述之三相驅動定子結構，其中該等感應線圈的輸出相具有三相，所述三相依次為U相、V相、W相，每一佈線層的感應線圈數目為3個或6個或9個或3的倍數所設置，並且該等感應線圈相互間隔排列設置。
如請求項1所述之三相驅動定子結構，其中該等感應線圈係透過印刷或蝕刻方式形成於該等基板上。
如請求項1所述之三相驅動定子結構，其中該等感應線圈係透過由前述電性連接孔設置一導電材進行電性連接，該導電材係為銅、鎳、銀其中任一。
一種具有如請求項1所述的三相驅動定子結構之風扇，係包含：一風扇框，具有一底側，並該底側向上延伸一軸筒，並該軸筒內部設有一軸承，該等基板設置於該底側並環設於該軸筒外側；一轉子，具有一輪轂並外緣向外延伸複數扇葉，該輪轂內的底面設有一磁性元件，該磁性元件與前述基板的該等感應線圈相互對應設置，靠近該輪轂內部的中央處垂設一軸心，該軸心對應插設於該軸筒內的軸承與其樞設。
如請求項5所述之風扇，其中該等感應線圈的輸出相具有三相，所述三相依次為U相、V相、W相，每一佈線層的感應線圈數目為3個或6個或9個或3的倍數所設置，並且該等感應線圈相互間隔排列設置。
如請求項5所述之風扇，其中該等感應線圈係透過印刷或蝕刻方式形成於該等基板上。
如請求項5所述之風扇，其中該等感應線圈係透過由前述電性連接孔設置一導電材進行電性連接，該導電材係為銅、鎳、銀其中任一。
一種用於二線式序列匯流排的集線器，其中該集線器通過該二線式序列匯流排耦接一主機裝置和多個感測器，且包括：<br/> 一事件資料庫，經配置儲存對應於該些感測器的多個觸發條件；以及<br/> 一控制電路，耦接該事件資料庫，經配置週期性的依序詢問每一個該感測器的一檢測值，並且響應於判斷該感測器的該檢測值符合對應於該感測器的該觸發條件，通過該二線式序列匯流排以通知該主機裝置執行對應於該感測器的一處理程序；<br/> 其中，該二線式序列匯流排係採用一二線式序列匯流協定，該二線式序列匯流協定包括有一第一序列通訊協定以及一第二序列通訊協定；其中，該第一序列通訊協定向下相容於(backward compatible with)該第二序列通訊協定，該第一序列通訊協定支援一帶內中斷請求，該第二序列通訊協定不支援該帶內中斷請求；<br/> 其中，該集線器與該主機裝置之間使用該第一序列通訊協定；以及該集線器與至少一該感測器之間使用該第二序列通訊協定；<br/> 其中，該集線器通過該二線式序列匯流排向該主機裝置發起該帶內中斷請求，以通知該主機裝置執行對應於該至少一感測器的該處理程序。
如請求項1所述的集線器，其中該事件資料庫還經配置儲存對應於該些感測器的多個閾值，且針對每一個該感測器，對應於該感測器的該觸發條件為該感測器的該檢測值發生一第一轉變事件和一第二轉變事件的其中之一或組合；<br/> 其中該感測器的該檢測值發生該第一轉變事件是從高於對應於該感測器的該閾值到小於或等於該閾值，且該感測器的該檢測值發生該第二轉變事件是從低於對應於該感測器的該閾值到大於或等於該閾值。
如請求項2所述的集線器，還包括：<br/> 一管理電路，耦接該主機裝置和該事件資料庫，其中該主機裝置經配置通過該管理電路以設定該事件資料庫中儲存的該些觸發條件和該些閾值。
如請求項1所述的集線器，其中該集線器和該主機裝置為採用一改進的內部積體電路（Improved Inter Integrated Circuit，I3C）匯流排協定來通過該二線式序列匯流排進行通訊，且每一個該感測器為一I3C目標裝置、一內部積體電路（Inter-Integrated Circuit，I2C）目標裝置與一系統管理匯流排（System Management Bus，SMBus）目標裝置的其中一個。
一種用於二線式序列匯流排的輪詢方法，其中一集線器通過該二線式序列匯流排耦接一主機裝置和多個感測器，且該輪詢方法包括下列步驟：<br/> 配置該集線器的一事件資料庫以儲存對應於該些感測器的多個觸發條件；以及<br/> 配置該集線器的一控制電路以週期性的依序詢問每一個該感測器的一檢測值，並且響應於判斷該感測器的該檢測值符合對應於該感測器的該觸發條件，通過該二線式序列匯流排以通知該主機裝置執行對應於該感測器的一處理程序；<br/> 其中，該二線式序列匯流排係採用一二線式序列匯流協定，該二線式序列匯流協定包括有一第一序列通訊協定以及一第二序列通訊協定；其中，該第一序列通訊協定向下相容於(backward compatible with)該第二序列通訊協定，該第一序列通訊協定支援一帶內中斷請求，該第二序列通訊協定不支援該帶內中斷請求；<br/> 其中，該集線器與該主機裝置之間使用該第一序列通訊協定；以及該集線器與至少一該感測器之間使用該第二序列通訊協定；<br/> 其中，該集線器通過該二線式序列匯流排向該主機裝置發起該帶內中斷請求，以通知該主機裝置執行對應於該至少一感測器的該處理程序。
如請求項5所述的輪詢方法，其中該事件資料庫還經配置儲存對應於該些感測器的多個閾值，且針對每一個該感測器，對應於該感測器的該觸發條件為該感測器的該檢測值發生一第一轉變事件和一第二轉變事件的其中之一或組合；<br/> 其中該感測器的該檢測值發生該第一轉變事件是從高於對應於該感測器的該閾值到小於或等於該閾值，且所述檢測值發生該第二轉變事件是從低於對應於該感測器的該閾值到大於或等於該閾值。
如請求項6所述的輪詢方法，還包括下列步驟：<br/> 配置該主機裝置以通過該集線器的一管理電路，以設定該事件資料庫中儲存的該些觸發條件和該些閾值。
如請求項5所述的輪詢方法，其中該集線器和該主機裝置為採用一I3C匯流排協定來通過該二線式序列匯流排進行通訊，且每一個該感測器為一I3C目標裝置、一I2C目標裝置與一SMBus目標裝置的其中一個。
一種記憶體系統，係具備有： <br/> 半導體記憶體，係包含有以個別因應於臨限值電壓而將資料非揮發性地作記憶的方式所被構成之複數之第1記憶體胞；和 <br/> 控制器， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 針對前述複數之第1記憶體胞，而基於第1硬位元資料以及使用複數之第1軟位元電壓所取得的第1軟位元資料，來進行第1錯誤訂正， <br/> 當基於藉由前述第1錯誤訂正而被作了訂正的訂正資料所致之第1條件為被滿足的情況時，基於身為關連於前述複數之第1軟位元電壓之電位差的第1橫移電壓，來決定與前述第1橫移電壓相異之第2橫移電壓。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述半導體記憶體，係更進而包含有以個別因應於臨限值電壓而將資料非揮發性地作記憶的方式所被構成之複數之第2記憶體胞， <br/> 前述控制器，係構成為在前述第1錯誤訂正之後， <br/> 基於針對前述複數之第2記憶體胞之第2硬位元資料以及使用複數之第2軟位元電壓所取得的第2軟位元資料，來進行第2錯誤訂正， <br/> 前述複數之第2軟位元電壓，係使用前述第2橫移電壓而被決定。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第1硬位元資料，係使用被包含於前述複數之第1軟位元電壓之中之最低的第1電壓與前述複數之第1軟位元電壓之中之最高的第2電壓之間之第1硬位元電壓，而被取得， <br/> 前述第1橫移電壓，係身為在前述第1硬位元電壓以下之範圍中的前述複數之第1軟位元電壓之中之相鄰之電壓之電位差， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 當第2條件為被滿足的情況時，基於身為前述第1硬位元電壓以上之範圍中的前述複數之第1軟位元電壓之中之相鄰之電壓之電位差的第3橫移電壓，來決定與前述第3橫移電壓相異之第4橫移電壓。
如請求項3所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第2橫移電壓係較前述第1橫移電壓而更高，並且前述第4橫移電壓係較前述第3橫移電壓而更高。
如請求項3所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 當前述第1錯誤訂正為成功的情況時，能夠實行前述第2橫移電壓以及前述第4橫移電壓之決定。
如請求項5所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係基於前述第1錯誤訂正之結果， <br/> 來算出在被包含於前述複數之第1記憶體胞中並且於前述訂正資料中為記憶第1值的複數之第2記憶體胞之中之前述臨限值電壓為未滿前述第1電壓之前述複數之第2記憶體胞之第1數量、和在被包含於前述複數之第1記憶體胞中並且於前述訂正資料中為記憶與前述第1值相異之第2值的複數之第3記憶體胞之中之前述臨限值電壓為前述第2電壓以上之前述複數之第3記憶體胞之第2數量。
如請求項6所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第1條件，係包含有前述第1數量乃為1以上一事， <br/> 前述第2條件，係包含有前述第2數量乃為1以上一事。
如請求項7所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 基於使用有在被包含於前述第1電壓以及前述第2電壓之間之複數之臨限值電壓範圍之各者中的前述複數之第2記憶體胞之數量所得到的擬合之結果，來算出前述第2橫移電壓， <br/> 並基於使用有在被包含於前述第1電壓以及前述第2電壓之間之複數之臨限值電壓範圍之各者中的前述複數之第3記憶體胞之數量所得到的擬合之結果，來算出前述第4橫移電壓。
如請求項8所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 以並不會使前述複數之第2記憶體胞被包含於未滿當在前述第1硬位元電壓以下而將前述第1硬位元資料以及前述複數之第1軟位元電壓之中之相鄰之電壓的電位差從前述第1橫移電壓來變更為前述第2橫移電壓的情況時之前述複數之第1軟位元電壓之中之最低之電壓之範圍內的方式，來算出前述第2橫移電壓， <br/> 並以並不會使前述複數之第3記憶體胞被包含於當在前述第1硬位元電壓以上而將前述第1硬位元資料以及前述複數之第1軟位元電壓之中之相鄰之電壓的電位差從前述第3橫移電壓來變更為前述第4橫移電壓的情況時之前述複數之第1軟位元電壓之中之最高之電壓以上之範圍內的方式，來算出前述第4橫移電壓。
如請求項6所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第1條件，係包含有針對前述第1數量之第1比例乃為第1基準比例以上一事， <br/> 前述第2條件，係包含有針對前述第2數量之第2比例乃為第2基準比例以上一事。
如請求項10所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第1比例，係為相對於臨限值電壓乃為未滿前述第1硬位元電壓之前述複數之第2記憶體胞之數量的前述第1數量之比例， <br/> 前述第2比例，係為相對於臨限值電壓乃為前述第1硬位元電壓以上之前述複數之第3記憶體胞之數量的前述第2數量之比例。
如請求項6所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述第1條件，係包含有前述第1數量乃為第1基準數量以上一事， <br/> 前述第2條件，係包含有前述第2數量乃為第2基準數量以上一事。
如請求項6所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 因應於針對前述第1數量之第1比例之大小，來決定前述第2橫移電壓， <br/> 並因應於針對前述第2數量之第2比例之大小，來決定前述第4橫移電壓。
如請求項1所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述半導體記憶體，係更進而具備有： <br/> 被與前述複數之第1記憶體胞作連接之第1字元線；和 <br/> 以個別因應於臨限值電壓而將資料非揮發性地作記憶的方式所被構成，並且與前述複數之第1記憶體胞一同地而被與前述第1字元線作連接之複數之第2記憶體胞， <br/> 前述第1硬位元資料以及前述第1軟位元資料，係分別包含有針對前述第1記憶體胞以及前述複數之第2記憶體胞之資料。
如請求項5所記載之記憶體系統，其中， <br/> 前述控制器，係構成為： <br/> 當前述第1錯誤訂正為失敗的情況時，算出與前述第1橫移電壓相異之第5橫移電壓以及與前述第2橫移電壓相異之第6橫移電壓之中之至少其中一者， <br/> 基於針對前述複數之第1記憶體胞之第2硬位元資料以及使用利用前述第5橫移電壓與前述第6橫移電壓之中之至少其中一者所被決定的複數之第2軟位元電壓所取得的第2軟位元資料，來進行第2錯誤訂正。
一種固定裝置，係包括基座、套筒、軸桿及扳動件，其中：<br/> 該基座內部具有貫穿之通孔，且於該通孔一側設有擴大孔徑之限位槽，而相對該限位槽於該基座另側邊緣設有呈連續起伏狀之導引路徑；<br/> 該套筒係包括活動穿設於該基座的該通孔處之桿體、位於該桿體一側卡制於該限位槽處之座體、相對該座體位於該桿體另側穿出該基座外部之限位環體，且該套筒內部設有貫穿之容置空間，並於該容置空間一側設有位於該限位環體處呈減縮孔徑之穿孔，而該限位環體外環面設有漸縮外徑之滑動路徑， 再於該滑動路徑一側凹設有卡固槽；<br/> 該軸桿係活動穿設於該套筒的該容置空間處，一側設有位於該容置空間處活動伸縮進出之卡制桿體、另側設有穿出該容置空間及該穿孔外部之銜接部，並於該軸桿處套設有一側抵持於該卡制桿體處之彈性件；及<br/> 該扳動件係套設於該套筒外部並抵持於該基座的該導引路徑處，內部設有收容空間，且該收容空間內壁面設有沿著該套筒的該限位環體外部該滑動路徑旋動滑移後、以進出該卡固槽之止擋肋體，再於該收容空間一側設有供該軸桿一側該銜接部組裝定位之固定體、另側外緣邊設有活動抵持於該導引路徑處之驅動路徑，並於該驅動路徑處設有對位於該止擋肋體外側之推頂面，而該基座於一側邊緣設有呈U形連續起伏狀之該導引路徑，而該導引路徑係包括位於二相對高點處之頂持面、位於二相對低點處之定位部，則該扳動件一側邊緣設有亦呈U形連續起伏狀之該驅動路徑，該驅動路徑設有沿著該二頂持面、該二定位部處旋動位移之二相對式推頂面、二容置部。
如請求項1所述之固定裝置，其中該基座於內部該通孔一側該限位槽一側設有平直狀之擋止邊，而該套筒一側該座體的一側邊設有對位抵貼於該擋止邊處之抵持切邊。
如請求項1所述之固定裝置，其中該套筒於該桿體一側設有擴大外徑之該座體、另側為設有外徑小於該座體外徑之該限位環體，並於該限位環體外部凹設有呈Ｊ形狀具高處、低處之該卡固槽，再於該卡固槽的該低處之該限位環體外徑以漸增式環狀延伸至該卡固槽另側該高處另側外側邊，以供該扳動件之該止擋肋體沿著該限位環體外徑該低處滑移至該卡固槽內、並受到該卡固槽另側該高處抵擋限位。
如請求項1所述之固定裝置，其中該軸桿一側設有擴大桿徑之卡制桿體，而於該軸桿與該卡制桿體間形成供該彈性件一側抵持之肩部，且該軸桿另側該銜接部則利用緊配合、干涉配合、黏膠黏合或焊接方式，予以組裝於該扳動件的該收容空間一側該固定體處，該固定體設有供該銜接部對位組裝之固定孔。
如請求項1所述之固定裝置，其中該扳動件的該收容空間內部凸設有圓弧狀之該止擋肋體、該止擋肋體並對位於一側該驅動路徑的其中一該推頂面，相對該止擋肋體及該推頂面於該扳動件外部凸設有呈梯形狀之扳動部。
如請求項1所述之固定裝置，其中該扳動件於該收容空間一側設有供該固定體組裝定位之結合孔。
一種香味吸嚐器，係具備：在一端形成有開口，且經由前述開口而收容香味產生物品之至少一部分的收容部； <br/>前述收容部係具有： <br/>筒狀部，係圍繞前述香味產生物品之周圍； <br/>抵接部，係配置於前述收容部之另一端，且由與前述筒狀部不同之構件所形成，並且與收容於前述收容部之前述香味產生物品相抵接； <br/>導引部，係與前述筒狀部之開口相抵接，且導引前述香味產生物品插入至前述筒狀部；以及 <br/>蓋部，係以覆蓋前述筒狀部與前述導引部之抵接部位之周圍的方式配置；其中， <br/>前述抵接部係具有與前述香味產生物品抵接的抵接面； <br/>前述筒狀部係具有凸緣部，該凸緣部係形成在劃定前述開口的端部， <br/>前述凸緣部係遍及全周而與前述導引部相抵接， <br/>在前述抵接部形成有與收容於前述收容部之前述香味產生物品相連通的第1空氣流路， <br/>前述第1空氣流路係藉由前述抵接面所具有的凹凸而形成的溝槽來劃<br/> 定。
如請求項1所述之香味吸嚐器，其中，前述抵接部係由樹脂所構成。
如請求項1所述之香味吸嚐器，其中，前述筒狀部係由金屬所構成。
如請求項1所述之香味吸嚐器，更具備封閉前述筒狀部與前述抵接部之間的封閉部。
如請求項1所述之香味吸嚐器，其中，前述抵接部係在前述收容部之另一端側與前述筒狀部卡合。
如請求項1所述之香味吸嚐器，更具備加熱部，該加熱部係構成為：配置在前述筒狀部之外周，以加熱收容於前述收容部之前述香味產生物品；且 <br/>前述抵接部與前述加熱部係未在前述收容部之軸方向疊合。
如請求項6所述之香味吸嚐器，其中，前述加熱部係藉由感應加熱而對前述筒狀部進行加熱。
一種吸煙系統，係具備： <br/>如請求項1至請求項7中任一項所述之香味吸嚐器；以及 <br/>香味產生物品。
一種牽引線裝置，其包含： <br/>捲軸； <br/>牽引線，其纏繞在所述捲軸上且裝配以從所述捲軸取出； <br/>編碼輪，其耦接到所述牽引線以響應於所述牽引線之延伸而旋轉； <br/>複數個磁鐵，其定位於所述編碼輪上以隨著所述牽引線從所述捲軸取出而移動，其中所述複數個磁鐵圍著所述編碼輪均勻隔開； <br/>複數個感測器，其裝配以偵測所述磁鐵且產生指示所述偵測的訊號；及 <br/>控制器，其和所述感測器連通且裝配以： <br/>根據所述訊號而確定所述牽引線的移動方向； <br/>基於所述訊號和所述移動方向而確定所述牽引線之延伸量；及 <br/>輸出確定的所述延伸量。
如請求項1之裝置，其更包含： 握把，其耦接到所述捲軸，所述握把包含經裝配以從所述捲軸分配所述牽引線之開口。
如請求項2之裝置，其中： <br/>所述握把包含主要迴路與次要迴路， <br/>所述主要迴路的周長是大於所述次要迴路的周長，且 <br/>所述次要迴路和所述主要迴路共用一個壁部。
如請求項2之裝置，其中所述開口包含清洗墊，所述清洗墊在所述牽引線從所述開口分配時清洗所述牽引線。
如請求項4之裝置，其中所述清洗墊塑形成以浮動在所述開口內且在相對於所述牽引線及垂直於所述牽引線的延伸方向之實質固定位置。
如請求項1之裝置，其中： <br/>所述牽引線包含第一側與第二側， <br/>所述編碼輪接觸所述牽引線的所述第一側，且 <br/>所述裝置更包含軸承，其定位以接觸所述牽引線的所述第二側且裝配以對所述牽引線施加壓力朝向所述編碼輪。
如請求項1之裝置，其中所述捲軸包含線軌，其具有槽部以及在所述槽部的相對側上之第一壁部與第二壁部，所述槽部具有寬度為實質等於所述牽引線的寬度。
如請求項1之裝置，其中： <br/>所述感測器是第一感測器且所述訊號是第一訊號； <br/>所述裝置更包含第二感測器，其裝配以偵測所述磁鐵且產生指示由所述第二感測器之所述偵測的第二訊號；且 <br/>所述控制器裝配成以基於所述第一訊號與所述第二訊號而確定所述捲軸的旋轉方向。
如請求項8之裝置，其中所述第一感測器與所述第二感測器偏移為相對於由所述捲軸的中心所界定之一點的60與120度之間。
如請求項1之裝置，其中所述牽引線的所述延伸量之確定包含： <br/>擷取指示所述捲軸的函數周長之儲存值，且 <br/>將旋轉數相乘以所述儲存值。
如請求項10之裝置，其中所述儲存值是藉由以下所確定： <br/>從所述捲軸拉出預定量的長度； <br/>接收來自所述感測器的旋轉數；及 <br/>將所述預定量相除以所述旋轉數。
如請求項1之裝置，其中所述裝置更包含顯示器，且其中所述控制器將所述確定量輸出在所述顯示器上。
一種用於確定從牽引線分配器分配牽引線的長度的方法，所述方法包含： <br/>校準控制器，藉由： <br/>從所述牽引線分配器之捲軸拉出預定長度的所述牽引線； <br/>接收來自第一感測器或第二感測器的編碼輪之旋轉數，所述第一感測器或所述第二感測器偵測磁鐵的移動，其中所述磁鐵耦接到所述編碼輪且所述編碼輪經裝配以促進從所述捲軸取出所述牽引線；及 <br/>基於所述預定長度與接收的所述旋轉數來設定儲存值； <br/>在校準之後，經由所述第一感測器與所述第二感測器來偵測所述磁鐵的移動； <br/>藉由所述控制器，基於偵測的所述移動來確定感測磁性交互作用的數目與旋轉方向；及 <br/>藉由所述控制器，基於所述感測磁性交互作用的數目、所述儲存值與所述旋轉方向來確定分配牽引線的量。
如請求項13之方法，其中： <br/>所述儲存值是指示所述輪的函數周長，且 <br/>確定所述分配牽引線的量包含將所述感測磁性交互作用的數目相乘以所述儲存值。
一種牽引線裝置，其包含： <br/>殼體； <br/>捲軸，其配置在所述殼體內； <br/>牽引線，其纏繞在所述捲軸上； <br/>編碼輪，其耦接到所述牽引線以響應於所述牽引線之延伸而旋轉； <br/>複數個磁鐵，其配置在所述編碼輪上； <br/>複數個感測器，其配置鄰近所述編碼輪且裝配以偵測所述磁鐵且產生指示所述磁鐵之偵測的訊號；及 <br/>控制器，其裝配以： <br/>執行校準程序，包含： <br/>當從所述捲軸取出預定長度的所述牽引線時，接收來自所述感測器的旋轉數；及 <br/>基於所述預定長度與接收的所述旋轉數來設定儲存值； <br/>接收所述訊號且根據所述訊號及所述儲存值而確定所述牽引線之延伸方向及所述牽引線之延伸量。
如請求項15之裝置，其中所述殼體更包含經裝配以從所述捲軸分配所述牽引線之開口，所述開口包含清洗墊，所述清洗墊在所述牽引線從所述開口分配時清洗所述牽引線。
如請求項15之裝置，其中： <br/>所述牽引線包含第一側與第二側， <br/>所述編碼輪接觸所述牽引線的所述第一側，且 <br/>所述殼體更包含軸承，其定位以接觸所述牽引線的所述第二側且裝配以對所述牽引線施加壓力朝向所述編碼輪。
一種連續成形多層複合面料的系統，包括薄膜放料裝置、多層貼合裝置及收料裝置，該薄膜放料裝置配置在多層貼合裝置下方，可固定與輸送捲狀薄膜基材，該多層貼合裝置配置在薄膜放料裝置上方，可承接薄膜放料裝置的薄膜和兩布料進行一次貼合及二次貼合，形成多層複合面料，該收料裝置配置在該多層貼合裝置左側，可承接並捲收完成貼合的多層複合面料，該多層貼合裝置包含兩組相同結構的第一貼合裝置及第二貼合裝置，其中，該第一貼合裝置及第二貼合裝置分別具有一布料放料輪、一滾輪、一點膠輪、一貼合輪及一伺服馬達控制模組，其特徵在於：該第一貼合裝置及第二貼合裝置中的點膠輪、滾輪及貼合輪為90度相鄰設置，且該第一貼合裝置及第二貼合裝置中的伺服馬達控制模組與該點膠輪、滾輪及貼合輪連結，可同步連動控制該滾輪、點膠輪及貼合輪將薄膜與布料進行上膠與貼合。
如請求項1所述的連續成形多層複合面料的系統，其中，該第一貼合裝置及第二貼合裝置中的各點膠輪上設有膠槽，用以提供容置濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)。
如請求項1所述的連續成形多層複合面料的系統，其中，該第一貼合裝置及第二貼合裝置中的各點膠輪中設有熱媒加熱管。
如請求項1所述的連續成形多層複合面料的系統，其中，該薄膜放料裝置包括薄膜放料輪及多數個導輪，該薄膜放料輪主要用以提供捲狀薄膜基材套設固定。
如請求項1所述的連續成形多層複合面料的系統，其中，該收料裝置包括多數個導輪、收料輪及伺服馬達控制模組，該多數個導輪分布設置在該第二貼合裝置與收料輪之間，該伺服馬達控制模組與收料輪連結，用以驅動該收料輪轉動。
一種連續成形多層複合面料的製法，步驟包括：(1)提供一連續成形多層複合面料的系統，該系統包括：一薄膜放料裝置，配置在該系統下方，可固定與輸送捲狀薄膜基材，該薄膜放料裝置有薄膜放料輪及多數個導輪；一第一貼合裝置，配置在薄膜放料裝置上方，可承接薄膜放料裝置的薄膜和布料進行一次貼合，該第一貼合裝置有一布料放料輪、一滾輪、一點膠輪、一貼合輪及一伺服馬達控制模組，該點膠輪上設有膠槽，點膠輪內設有熱媒加熱管，其中，該點膠輪、滾輪及貼合輪為90度相鄰設置，且該伺服馬達控制模組與該點膠輪、滾輪及貼合輪連結，可同步連動控制該滾輪、點膠輪及貼合輪同步轉動；一第二貼合裝置，配置在第一貼合裝置左側，可承接第一貼合裝置的薄膜和布料進行二次貼合形成多層複合面料，該第二貼合裝置有一布料放料輪、一滾輪、一點膠輪、一貼合輪及一伺服馬達控制模組，該點膠輪上設有膠槽，點膠輪內設有熱媒加熱管，其中，該點膠輪、滾輪及貼合輪為90度相鄰設置，且該伺服馬達控制模組與該點膠輪、滾輪及貼合輪連結，可同步連動控制該滾輪、點膠輪及貼合輪同步轉動；以及一收料裝置，配置在該第二貼合裝置左側，可承接並捲收完成貼合的多層複合面料，該收料裝置有多數個導輪、收料輪及伺服馬達控制模組；(2)提供一捲狀薄膜基材，並將該捲狀薄膜基材套設在步驟(1)中薄膜放料裝置的薄膜放料輪上，該薄膜基材可受第一貼合裝置及第二貼合裝置中的點膠輪、滾輪及貼合輪的滾動而移動；(3)薄膜轉印第一黏結層：提供一濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)原料，並將其置入第一貼合裝置的點膠輪上膠槽中，接著將第一貼合裝置中點膠輪內的熱媒加熱管加熱至100~130℃，使膠槽中濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)維持熔融狀，再透過第一貼合裝置的伺服馬達控制模組驅動該點膠輪與滾輪將熔融狀的濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)轉印至該步驟(2)提供的薄膜上形成第一黏結層；(4)一次貼合：提供一捲狀B1布料基材，並將該B1布料基材套設在步驟(1)中第一貼合裝置的布料放料輪上，接著透過第一貼合裝置的伺服馬達控制模組驅動貼合輪與滾輪將B1布料與步驟(3)薄膜上第一黏結層貼合成二合一的複合面料；(5)薄膜轉印第二黏結層：提供一濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)原料，並將其置入該二貼合裝置的點膠輪上膠槽中，接著將第二貼合裝置中點膠輪內的熱媒加熱管加熱至100~130℃，使膠槽中濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)維持熔融狀，再透過第二貼合裝置的伺服馬達控制模組驅動點膠輪與滾輪將熔融狀的濕氣硬化型聚氨酯熱熔膠(PUR)轉印至該步驟(4)一次貼合後複合面料的薄膜上形成第二黏結層；(6)二次貼合：提供一捲狀B2布料基材，並將該B2布料基材套設在步驟(1)中第二貼合裝置的布料放料輪上，接著透過第二貼合裝置的伺服馬達控制模組驅動貼合輪與滾輪將B2布料與步驟(5)薄膜上第二黏結層貼合成三合一的複合面料；及(7)收料：透過多數個導輪及收料輪將步驟(6)貼合形成三合一的複合面料捲收，完成連續成形多層複合面料的製法。
如請求項6所述的連續成形多層複合面料的製法，其中，該步驟(3)、(4)的第一貼合裝置中點膠輪、貼合輪與滾輪為相同轉速進行一次貼合，該步驟(5)、(6)的第二貼合裝置中點膠輪、貼合輪與滾輪為相同轉速進行二次貼合，且該第一貼合裝置中的一次貼合的轉速與第二貼合裝置中的二次貼合的轉速比為1：1.05至1：1.2。
如請求項6所述的連續成形多層複合面料的製法，其中，所製得的該多層複合面料包括薄膜、第一黏結層、第二黏結層、B1布料及B2布料，其中，該薄膜為多孔性結構，該第一黏結層及第二黏結層分別結合於薄膜兩面，該B1布料結合於該第一黏結層上，該B2布料結合於該第二黏結層上。
如請求項6所述的連續成形多層複合面料的製法，其中，該第一黏結層及第二黏結層為點狀、網狀或不規則形狀。
如請求項6所述的連續成形多層複合面料的製法，其中，該B1布料及B2布料為相同或相異的材料。
一種固體攝像裝置，其特徵在於，具有：<br/> 像素部，配置有像素，該像素存儲通過光電轉換生成的電荷，並能夠以不同的轉換增益至少讀出一次所存儲的光電荷；以及<br/> 讀出部，根據轉換增益從該像素部的該像素讀出像素訊號，<br/> 該像素至少包括：<br/> 光電轉換元件，具有第一存儲節點，該第一存儲節點在存儲期間存儲通過光電轉換生成的電荷；<br/> 傳輸元件，能夠在傳輸期間傳輸存儲在該光電轉換元件的電荷；<br/> 輸出節點，通過該傳輸元件傳輸該光電轉換元件中存儲的電荷；<br/> 輸出緩衝器部，將該輸出節點的電荷轉換為與電荷量相應的電壓訊號，並輸出轉換後的電壓訊號；<br/> 連接元件，與該輸出節點連接；以及<br/> 存儲電容元件，包括第二存儲節點，並能夠在曝光期間存儲超過該光電轉換元件的存儲電容的訊號電荷量，該第二存儲節點能夠經由該連接元件存儲該輸出節點的電荷，<br/> 該讀出部包括：<br/> 模擬數字轉換部ADC，對溢出電荷訊號及該光電轉換元件的存儲電荷訊號進行從模擬訊號轉換為數字訊號的模擬數字AD轉換以輸出數字化後的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號；以及<br/> 數字運算處理部，進行從ADC輸出的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號的線性化處理，該溢出電荷訊號及存儲電荷訊號具有不同的增益和偏移，以便在不同節點中存儲，<br/> 該讀出部將該輸出節點、該第一存儲節點及該第二存儲節點保持為耦合狀態，以控制該溢出電荷訊號讀出動作；將該輸出節點和該第二存儲節點保持為非耦合狀態，以控制該存儲電荷訊號讀出動作。
如請求項1中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 在該像素中，光電荷在該第一存儲節點被填滿之後被存儲到進行第二存儲的該第一存儲節點及該輸出節點，並通過高轉換增益HCG讀出，<br/> 溢出電荷被獨立全域地存儲到該輸出節點以及能夠與該第一存儲節點耦合的該第二存儲節點，並通過低於該高轉換增益的低轉換增益LCG讀出。
如請求項2中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該讀出部在讀出序列中，不在該輸出節點中進行電荷耦合，而在該存儲電荷訊號的讀出動作之前進行該溢出電荷訊號的讀出動作。
如請求項3中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該像素包括：復位元件，能夠將該輸出節點復位為復位電位，<br/> 該讀出部在該讀出序列中，依次進行低轉換增益訊號讀出處理、低轉換增益復位讀出處理、高轉換增益復位讀出處理以及高轉換增益訊號讀出處理。
如請求項2中記載之固體攝像裝置，其特徵在於， <br/> 在該像素中，溢出電荷通過與該第一存儲節點連接的電荷排出路徑被撇取。
如請求項2中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該ADC能夠在一次幀期間對從該像素的該輸出緩衝器部輸出的各訊號進行增益不同的至少一次以上的AD轉換。
如請求項6中記載之固體攝像裝置，其特徵在於， <br/> 該像素或該讀出部包括冗餘存儲器，以便至少能夠對每個像素實施偏移校正，該冗餘存儲器能夠暫時寫入該存儲電荷訊號。
如請求項7中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 暫時存儲該存儲電荷訊號的數字轉換結果的該冗餘存儲器被設置在每個像素、每個列或芯片外部。
如請求項8中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 配置在該像素內的存儲器形成有標志位，使得能夠根據訊號量選擇獲取訊號。
如請求項7中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該數字運算處理部能夠進行訊號處理，該訊號處理用於數字化地對每個該像素實施飽和偏差校正及增益校正，並進行各訊號的線性化。
如請求項10中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該數字運算處理部混合該存儲電荷訊號和該溢出電荷訊號的電荷的總量，以在兩個存儲節點之間具有線性光響應而不損失訊號區域的方式進行混合，並將冗餘數字存儲器數據添加到各個該像素的數字代碼。
如請求項11中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 存儲在該第二存儲節點的溢出電荷對達到與其訊號量相應的規定電壓的時間進行數字轉換。
如請求項12中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 形成為數字像素的該像素的該光電轉換元件的存儲電荷量被編碼，與該第二存儲節點中的溢出電荷對應的量以其本身的時間代碼被編碼。
如請求項1至13的任意一項中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 能夠在任意時間獨立地讀出該第二存儲節點的溢出電荷訊號。
如請求項1至13的任意一項中記載之固體攝像裝置，其特徵在於，<br/> 該像素能夠將至少兩個存儲節點與該輸出節點耦合以共享該輸出節點，並能夠將耦合的該光電轉換元件的溢出電荷存儲到該第二存儲節點。
一種固體攝像裝置的驅動方法，其特徵在於，<br/> 該固體攝像裝置具有：<br/> 像素部，配置有像素，該像素存儲通過光電轉換生成的電荷，並能夠以不同的轉換增益至少讀出一次所存儲的光電荷；以及<br/> 讀出部，根據轉換增益從該像素部的該像素讀出像素訊號，<br/> 該像素至少包括：<br/> 光電轉換元件，具有第一存儲節點，該第一存儲節點在存儲期間存儲通過光電轉換生成的電荷；<br/> 傳輸元件，能夠在傳輸期間傳輸存儲在該光電轉換元件的電荷；<br/> 輸出節點，通過該傳輸元件傳輸該光電轉換元件中存儲的電荷；<br/> 輸出緩衝器部，將該輸出節點的電荷轉換為與電荷量相應的電壓訊號，並輸出轉換後的電壓訊號；<br/> 連接元件，與該輸出節點連接；以及<br/> 存儲電容元件，包括第二存儲節點，並能夠存儲超過該光電轉換元件的存儲電容的訊號電荷量，該第二存儲節點能夠經由該連接元件存儲該輸出節點的電荷，<br/> 該讀出部包括：<br/> 模擬數字轉換部ADC，對溢出電荷訊號及該光電轉換元件的存儲電荷訊號進行從模擬訊號轉換為數字訊號的模擬數字AD轉換以輸出數字化後的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號；以及<br/> 數字運算處理部，進行從ADC輸出的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號的線性化處理，該溢出電荷訊號及存儲電荷訊號具有不同的增益和偏移，以便在不同節點中存儲，<br/> 其中，在該讀出部中，將該輸出節點、該第一存儲節點及該第二存儲節點保持為耦合狀態，以控制該溢出電荷訊號讀出動作；將該輸出節點和該第二存儲節點保持為非耦合狀態，以控制該存儲電荷訊號讀出動作，<br/> 在讀出序列中，不在該輸出節點中進行電荷混合，而在該存儲電荷訊號的讀出動作之前進行該溢出電荷訊號的讀出動作。
一種電子設備，其特徵在於，具有：<br/> 固體攝像裝置；以及<br/> 光學系統，在該固體攝像裝置將被攝體像成像，<br/> 該固體攝像裝置具有：<br/> 像素部，配置有像素，該像素存儲通過光電轉換生成的電荷，並能夠以不同的轉換增益至少讀出一次所存儲的光電荷；以及<br/> 讀出部，根據轉換增益從該像素部的該像素讀出像素訊號，<br/> 該像素至少包括：<br/> 光電轉換元件，具有第一存儲節點，該第一存儲節點在存儲期間存儲通過光電轉換生成的電荷；<br/> 傳輸元件，能夠在傳輸期間傳輸存儲在該光電轉換元件的電荷；<br/> 輸出節點，通過該傳輸元件傳輸該光電轉換元件中存儲的電荷；<br/> 輸出緩衝器部，將該輸出節點的電荷轉換為與電荷量相應的電壓訊號，並輸出轉換後的電壓訊號；<br/> 連接元件，與該輸出節點連接；以及<br/> 存儲電容元件，包括第二存儲節點，並能夠在曝光期間存儲超過該光電轉換元件的存儲電容的訊號電荷量，該第二存儲節點能夠經由該連接元件存儲該輸出節點的電荷，<br/> 該讀出部包括：<br/> 模擬數字轉換部ADC，對溢出電荷訊號及該光電轉換元件的存儲電荷訊號進行從模擬訊號轉換為數字訊號的模擬數字AD轉換以輸出數字化後的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號；以及<br/> 數字運算處理部，進行從ADC輸出的溢出電荷訊號及存儲電荷訊號的線性化處理，該溢出電荷訊號及存儲電荷訊號具有不同的增益和偏移，以便在不同節點中存儲，<br/> 該讀出部將該輸出節點、該第一存儲節點及該第二存儲節點保持為耦合狀態，以控制該溢出電荷訊號讀出動作；將該輸出節點和該第二存儲節點保持為非耦合狀態，以控制該存儲電荷訊號讀出動作。
一種顯示面板，包括：<br/>第一區域，被配置為進行顯示；<br/>第二區域，被配置為透過光，所述第一區域位於所述第二區域的至少一側；<br/>第三區域，位於所述第一區域與所述第二區域之間；<br/>多個子像素，位於所述第一區域，至少部分子像素中的每個子像素包括發光功能層，所述發光功能層包括多個膜層；<br/>襯底基板，以及位於所述襯底基板上的無機層；<br/>第一隔斷結構，位於所述襯底基板上，且位於所述第一區域中的相鄰的子像素之間，所述第一隔斷結構包括層疊設置的第一隔離部和第二隔離部，所述第一隔離部位於所述第二隔離部的遠離所述襯底基板的一側，所述第一隔離部包括相對於所述第二隔離部的邊緣突出的第一突出部；<br/>第二隔斷結構，位於所述襯底基板上，且位於所述第三區域，所述第二隔斷結構包括層疊設置的第一隔離件和第二隔離件，所述第一隔離件位於所述第二隔離件的遠離所述襯底基板的一側，所述第一隔離件包括相對於所述第二隔離件的至少部分邊緣突出的第二突出部；<br/>其中，所述第一隔斷結構和所述第二隔斷結構均被配置為隔斷所述發光功能層的至少一層，所述無機層的位於所述第一區域的至少部分作為所述第一隔離部，所述無機層的位於所述第三區域的至少部分作為所述第一隔離件。
如請求項1所述之顯示面板，還包括位於所述襯底基板上的有機層，所述無機層位於所述有機層的遠離所述襯底基板的一側，<br/>其中，所述有機層的位於所述第一區域的至少部分作為所述第二隔離部，所述有機層的位於所述第三區域的至少部分作為所述第二隔離件的至少部分。
如請求項1所述之顯示面板，其中，所述第一隔離部的所述第一突出部在所述襯底基板上的正投影呈第一環形，所述第一隔離件的所述第二突出部在所述襯底基板上的正投影呈第二環形，所述第一環形的平均環寬小於所述第二環形的平均環寬。
如請求項3所述之顯示面板，其中，所述第二環形的平均環寬為所述第一環形的平均環寬的1.2 ~ 3倍。
如請求項1至4任一項所述之顯示面板，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述第一隔離部的厚度基本等於所述第一隔離件的厚度。
如請求項2所述之顯示面板，其中，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述有機層的位於所述第一區域中的部分的最大厚度大於或等於所述有機層的位於所述第三區域中的部分的最大厚度。
如請求項6所述之顯示面板，其中，所述第二隔斷結構的所述第一隔離件在所述襯底基板上的正投影落入所述第二隔斷結構的所述第二隔離件在所述襯底基板上的正投影中。
如請求項6或7所述之顯示面板，其中，所述第二隔離件包括第一子隔離部和第二子隔離部，所述第一子隔離部位於所述第二子隔離部的遠離所述襯底基板的一側，<br/>所述第一隔離件的邊緣相對於所述第一子隔離部的邊緣突出，所述第二子隔離部的邊緣相對於所述第一隔離件的邊緣突出或與所述第一隔離件的邊緣齊平。
如請求項2所述之顯示面板，其中，所述第二隔離件包括至少一層金屬結構，所述有機層的位於所述第三區域中的至少部分覆蓋在所述至少一層金屬結構的表面。
如請求項9所述之顯示面板，其中，所述至少一層金屬結構包括沿垂直於所述襯底基板的方向依次層疊設置的第一金屬結構和第二金屬結構，所述第一金屬結構比所述第二金屬結構更靠近所述第一隔離件，所述第二金屬結構的邊緣相對於所述第一金屬結構的邊緣突出。
如請求項10所述之顯示面板，其中，所述第一金屬結構與所述第一隔離件彼此接觸，且所述第一金屬結構在所述襯底基板上的正投影落入所述第一隔離件在所述襯底基板上的正投影中。
如請求項11所述之顯示面板，其中，所述有機層的覆蓋在所述第一金屬結構的表面的部分的厚度小於所述有機層的覆蓋在所述第二金屬結構的表面的部分的厚度。
如請求項10所述之顯示面板，其中，所述第二隔離件還包括絕緣結構，所述絕緣結構位於所述第一金屬結構和所述第二金屬結構之間，以使得所述第一金屬結構與所述第二金屬結構彼此絕緣，所述絕緣結構包括無機材料。
如請求項9至13任一項所述之顯示面板，其中，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述第二隔離件的最大厚度為所述有機層的位於所述第一區域中的部分的最大厚度的1/3 ~ 1。
如請求項10至13任一項所述之顯示面板，還包括：<br/>像素限定圖案，位於所述第一區域且位於所述襯底基板上，所述像素限定圖案包括多個第一開口以限定所述至少部分子像素的發光區，<br/>其中，所述第一隔斷結構位於所述發光功能層與所述襯底基板之間，所述第一隔斷結構包括圍繞所述至少部分子像素中的每個子像素的發光區的部分，<br/>所述像素限定圖案還包括第二開口，所述發光功能層中至少一層的位於所述第一開口中的部分為連續的部分，且位於至少一個第二開口中的至少部分隔斷，所述第一隔斷結構中被所述第二開口暴露的部分被配置為隔斷所述發光功能層的所述至少一層；<br/>所述至少部分子像素中的每個子像素還包括：沿垂直於所述襯底基板的方向位於所述發光功能層兩側的第一電極和第二電極，所述第一電極位於所述發光功能層與所述襯底基板之間，所述像素限定圖案位於所述第一電極的遠離所述襯底基板的一側，所述第一隔斷結構位於所述第一電極與所述襯底基板之間，<br/>所述顯示面板還包括像素電路，所述像素電路位於所述第一隔斷結構的靠近所述襯底基板的一側，所述像素電路與所述第一電極電連接。
如請求項15所述之顯示面板，還包括數據線和柵線，位於所述襯底基板上且位於所述第一區域，所述數據線和所述柵線分別與所述像素電路電連接，所述數據線被配置為向所述像素電路提供數據信號，所述柵線被配置為向所述像素電路提供掃描信號，<br/>其中，所述第一金屬結構與所述數據線同層設置，所述第二金屬結構與所述柵線同層設置。
如請求項8所述之顯示面板，其中，在垂直於所述襯底基板的方向上，所述第一子隔離部的厚度為所述第二子隔離部的厚度的1/4 ~ 1/3。
一種顯示裝置，包括請求項1至17任一項所述之顯示面板。
一種顯示面板的製作方法，其中，所述顯示面板包括第一區域、第二區域以及位於所述第一區域與所述第二區域之間的第三區域，所述第一區域被配置為進行顯示，所述第二區域被配置為透過光，且所述第一區域位於所述第二區域的至少一側；<br/>所述製作方法包括：<br/>在襯底基板上形成有機材料層，對所述有機材料層進行圖案化，以在所述第三區域中形成有機層圖案；<br/>在所述有機層圖案上形成無機材料層，對所述無機材料層進行圖案化，以在所述第一區域形成第一隔斷結構，以及在所述第三區域形成第二隔斷結構，<br/>其中，所述第一隔斷結構包括層疊設置的第一隔離部和第二隔離部，所述第一隔離部位於所述第二隔離部的遠離所述襯底基板的一側，所述第一隔離部包括第一突出部，所述第一突出部相對於所述第二隔離部的邊緣突出；所述第二隔斷結構包括層疊設置的第一隔離件和第二隔離件，所述第一隔離件位於所述第二隔離件的遠離所述襯底基板的一側，所述第一隔離件包括第二突出部，所述第二突出部相對於所述第二隔離件的至少部分邊緣突出，<br/>所述第一隔斷結構和所述第二隔斷結構均被配置為隔斷發光功能層的至少一層，所述無機材料層的位於所述第一區域的至少部分圖案化形成所述第一隔離部，所述無機材料層的位於所述第三區域的至少部分圖案化形成所述第一隔離件。
如請求項19所述之製作方法，其中，在所述有機層圖案上形成無機材料層，對所述無機材料層進行圖案化，以在所述第一區域形成第一隔斷結構，以及在所述第三區域中形成第二隔斷結構，包括：<br/>對所述無機材料層進行圖案化，以在所述第一區域中形成所述第一隔斷結構，並在所述第三區域中形成初始隔斷結構，其中，所述初始隔斷結構包括所述第一隔離件和第二初始隔離件，所述第一隔離件和所述第二初始隔離件層疊設置，且所述第一隔離件的邊緣相對於所述第二初始隔離件的至少部分邊緣突出；以及<br/>對所述第三區域中的所述第二初始隔離件進一步蝕刻，以形成所述第二隔斷結構。
一種藉由一電子裝置提供資訊之方法，其包括： <br/>識別針對一物品之一第一使用者輸入，其中該物品相應於在一服務中銷售之一產品； <br/>基於該第一使用者輸入，識別關於該物品之詳細資訊及關於與該物品有關之一菜肴之資訊； <br/>提供包含該詳細資訊及關於該菜肴之該資訊之一第一頁面； <br/>識別針對關於該菜肴之該資訊之一第二使用者輸入；及 <br/>基於該第二使用者輸入，提供包含關於該菜肴之配方資訊之一第二頁面與關於作為該菜肴之配料之物品之資訊， <br/>其中提供該第二頁面包含： <br/>識別該配方資訊中之該菜肴之各配料之一所需量； <br/>對應於在該電子裝置所提供之一服務中銷售之該菜肴之各配料的物品當中，識別單件物品待銷售之量大於該所需量之物品； <br/>將該菜肴之各配料之經識別的物品判定為該菜肴之各配料之經推薦物品；及 <br/>提供關於該第二頁面上該等經推薦物品之資訊以作為關於作為該菜肴之配料之物品的資訊； <br/>其中，該方法更包括： <br/>週期性地識別來自使用者針對對應於該菜肴之複數個配方資訊的評論分數； <br/>在該複數個配方資訊中，選擇具有最高評論分數之一配方資訊；以及 <br/>藉由在該第二頁面上提供所選擇的該配方資訊，週期性地更新關於該菜肴之該配方資訊； <br/>其中，該第一頁面為基於該第一使用者輸入之一個別的詳細頁面，用以銷售經選擇之該物品； <br/>其中，該第二頁面顯示用於銷售該等經推薦物品之一物品清單，且基於針對在該第二頁面上之該等經推薦物品中之一經推薦物品之選擇輸入，提供用於銷售所選擇之該經推薦物品之個別詳細頁面。
如請求項1之方法，其中該第二頁面進一步包含關於該菜肴之影像資訊及關於該菜肴之視訊資訊之至少一者。
如請求項2之方法，其進一步包括指引作為該菜肴之配料之該等物品之打包購買。
如請求項3之方法，其進一步包括，若接收對應於該指引之關於作為該菜肴之配料之該等物品之該打包購買的資訊，則提供關於作為該菜肴之配料之該等物品之折扣價格的資訊。
如請求項1之方法，其中該第二頁面進一步包含關於作為該菜肴之配料之物品之資訊， <br/>其中該提供該第二頁面包含： <br/>識別關於作為該菜肴之配料之該等物品之該資訊；及 <br/>基於該所識別資訊配置該等物品並顯示經配置之該等物品， <br/>其中關於作為該菜肴之配料之該等物品之該資訊包含關於一單位毛利潤(GPPU)之資訊、關於一折扣率之資訊、關於一商品交易總額(GMV)之資訊、關於一購買轉換率之資訊及銷售量資訊之至少一者。
如請求項1之方法，其中該提供該第一頁面包含： <br/>識別關於與該物品有關之複數個菜肴之資訊；及 <br/>按基於該所識別資訊設定之一順序顯示該複數個菜肴之一清單。
如請求項6之方法，其中關於與該物品有關之該複數個菜肴之該資訊包含基於關於一使用者對該複數個菜肴之各者之一搜尋歷史之資訊、關於包含於該複數個菜肴之各者中之物品之一購買轉換率的資訊及關於該等物品之GPPU之資訊之至少一者的資訊。
如請求項6之方法，其進一步包括： <br/>獲得關於該複數個菜肴之資訊及關於對應於該複數個菜肴之各者之複數個物品之資訊；及 <br/>基於該所獲得資訊識別關於該菜肴之該資訊。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>接收一搜尋關鍵字； <br/>識別該搜尋關鍵字係與一特定菜肴有關之一關鍵字；及 <br/>顯示該搜尋關鍵字之一搜尋結果及關於該特定菜肴之資訊。
如請求項2之方法，其中關於作為該菜肴之配料之該等物品之該資訊包含該第一頁面上所提供之一物品之資訊，且顯示該第一頁面上所提供之該物品以與用作該菜肴之配料之其他物品區分。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>識別針對一配方推薦服務之一使用者輸入； <br/>將一菜肴清單提供至與該配方推薦服務有關之一區段；及 <br/>基於針對來自該菜肴清單之一第一菜肴之該使用者輸入，提供該第一菜肴之配方資訊及關於用作一配方之配料之物品之資訊。
如請求項5之方法，其中關於作為該菜肴之配料之該等物品之該資訊進一步包含關於藉由替代作為該菜肴之配料之該等物品而用作該菜肴之配料之物品的資訊。
如請求項1之方法，其中該提供該第二頁面包含： <br/>識別關於與該菜肴有關之另一菜肴之資訊；及 <br/>顯示該另一菜肴之配方資訊及關於作為該另一菜肴之配料之物品之資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>一記憶體；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器經組態以： <br/>識別針對一物品之一第一使用者輸入；其中該物品相應於在一服務中銷售之一產品； <br/>基於該第一使用者輸入，識別關於該物品之詳細資訊及關於與該物品有關之一菜肴之資訊； <br/>提供包含該詳細資訊及關於該菜肴之該資訊之一第一頁面； <br/>識別針對關於該菜肴之該資訊之一第二使用者輸入；及 <br/>基於該第二使用者輸入，提供包含關於該菜肴之配方資訊之一第二頁面與關於作為該菜肴之配料之物品之資訊， <br/>其中為了要提供該第二頁面，該處理器進一步經組態以： <br/>識別該配方資訊中之該菜肴之各配料之一所需量； <br/>對應於在該電子裝置所提供之一服務中銷售之該菜肴之各配料的物品當中，識別單件物品待銷售之量大於該所需量之物品； <br/>將該菜肴之各配料之經識別的物品判定為該菜肴之各配料之經推薦物品；及 <br/>提供關於該第二頁面上該等經推薦物品之資訊以作為關於作為該菜肴之配料之物品的資訊； <br/>其中，該處理器進一步經組態以： <br/>週期性地識別來自使用者針對對應於該菜肴之複數個配方資訊的評論分數； <br/>在該複數個配方資訊中，選擇具有最高評論分數之一配方資訊；以及 <br/>藉由在該第二頁面上提供所選擇的該配方資訊，週期性地更新關於該菜肴之該配方資訊； <br/>其中，該第一頁面為基於該第一使用者輸入之一個別的詳細頁面，用以銷售經選擇之該物品； <br/>其中，該第二頁面顯示用於銷售該等經推薦物品之一物品清單，且基於針對在該第二頁面上之該等經推薦物品中之一經推薦物品之選擇輸入，提供用於銷售所選擇之該經推薦物品之個別詳細頁面。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括經組態以儲存電腦可讀指令之一媒體， <br/>其中該等電腦可讀指令在由一處理器執行時引起該處理器執行提供資訊之一方法，該方法包括： <br/>識別針對一物品之一第一使用者輸入；其中該物品相應於在一服務中銷售之一產品； <br/>基於該第一使用者輸入，識別關於該物品之詳細資訊及關於與該物品有關之一菜肴之資訊； <br/>提供包含該詳細資訊及關於該菜肴之該資訊之一第一頁面； <br/>識別針對關於該菜肴之該資訊之一第二使用者輸入；及 <br/>基於該第二使用者輸入，提供包含關於該菜肴之配方資訊之一第二頁面與關於作為該菜肴之配料之物品之資訊， <br/>其中提供該第二頁面包含： <br/>識別該配方資訊中之該菜肴之各配料之一所需量； <br/>對應於在該電子裝置所提供之一服務中銷售之該菜肴之各配料的物品當中，識別單件物品待銷售之量大於該所需量之物品； <br/>將該菜肴之各配料之經識別的物品判定為該菜肴之各配料之經推薦物品；及 <br/>提供關於該第二頁面上該等經推薦物品之資訊以作為關於作為該菜肴之配料之物品的資訊； <br/>其中，該方法更包括： <br/>週期性地識別來自使用者針對對應於該菜肴之複數個配方資訊的評論分數； <br/>在該複數個配方資訊中，選擇具有最高評論分數之一配方資訊；以及 <br/>藉由在該第二頁面上提供所選擇的該配方資訊，週期性地更新關於該菜肴之該配方資訊； <br/>其中，該第一頁面為基於該第一使用者輸入之一個別的詳細頁面，用以銷售經選擇之該物品； <br/>其中，該第二頁面顯示用於銷售該等經推薦物品之一物品清單，且基於針對在該第二頁面上之該等經推薦物品中之一經推薦物品之選擇輸入，提供用於銷售所選擇之該經推薦物品之個別詳細頁面。
一種電路基板之過孔導體形成方法，其特徵在於包含對一多層軟板執行一注膠工序，該注膠工序包括： <br/>驅使一注膠裝置下移至一定位以使該注膠裝置之多個注膠管對應伸入該多層軟板之多個過孔中並與該些過孔之底部相隔一間距； <br/>驅使該注膠裝置之該些注膠管各輸出一定量之一導電膠；以及 <br/>移除該注膠裝置以在各該過孔形成一杯狀過孔導體，該杯狀過孔導體之杯身黏附所述過孔之內周壁，且該杯狀過孔導體之杯口凸緣黏附所述過孔之洞口周緣； <br/>其中，該注膠裝置具有一加熱功能及一排氣功能以排除所述導電膠中之氣泡。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，該些過孔係盲孔。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，該些過孔係通孔，且該些過孔之所述底部係由該多層軟板之一可移除附加底板提供。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，所述導電膠之材料係選自由銅膏、銀膏和錫膏所組成之群組。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，該多層軟板之該些過孔係經一雷射切割工序形成。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，該多層軟板之該些過孔係經一蝕刻工序形成。
如請求項1所述之電路基板之過孔導體形成方法，其中，該排氣功能係由一負壓操作實現。
一種電路基板之過孔導體形成設備，其具有一控制電路、一注膠裝置及一工作平台，該控制電路係用以驅使該注膠裝置對一多層軟板執行一注膠工序，該注膠工序包括： <br/>將該多層軟板置於該工作平台上，該多層軟板具有多個過孔； <br/>驅使該注膠裝置下移至一定位以使該注膠裝置之多個注膠管對應伸入該多層軟板之該些過孔中並與該些過孔之底部相隔一間距； <br/>驅使該注膠裝置之該些注膠管各輸出一定量之一導電膠；以及 <br/>移除該注膠裝置以在各該過孔形成一杯狀過孔導體，該杯狀過孔導體之杯身黏附所述過孔之內周壁，且該杯狀過孔導體之杯口凸緣黏附所述過孔之洞口周緣； <br/>其中，該注膠裝置具有一加熱功能及一排氣功能以排除所述導電膠中之氣泡。
如請求項8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，該些過孔係盲孔。
如請求項8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，該些過孔係通孔，且該些過孔之所述底部係由該多層軟板之一可移除附加底板提供。
如請求8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，所述導電膠之材料係選自由銅膏、銀膏和錫膏所組成之群組。
如請求項8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，該多層軟板之該些過孔係經一雷射切割工序形成。
如請求項8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，該多層軟板之該些過孔係經一蝕刻工序形成。
如請求項8所述之電路基板之過孔導體形成設備，其中，該排氣功能係由一負壓操作實現。
一種電腦輔助IC設計和製造系統(0)，用於最佳化產生多核心和/或多處理器積體電路(2)的架構或佈局、效能和製造良率，上述多核心和/或多處理器積體電路(2)具有通過執行平行化處理機器碼(32)同時處理針對資料的指令的複數個處理單元(21)和/或處理管線(53)， <br/>其中，多核心和/或多處理器積體電路(2)對上述平行化處理程式碼(32)的執行包括延遲時間(26)的發生，上述延遲時間由在處理單元(21)針對資料處理完處理程式碼(32)的特定指令塊之後發回資料與接收上述處理單元(21)執行上述處理程式碼(32)的連續指令塊所需的資料之間的上述處理單元(21) 的閒置時間給出， <br/>其特徵在於，上述電腦輔助IC設計和製造系統(0)包括自動平行化編譯器系統(1)和IC佈局系統(5)，上述自動平行化編譯器系統(1)用於將以程式語言編寫的程式碼(3)的循序原始碼(31)轉換為平行處理機器碼(32)，上述平行處理機器碼(32)包括能夠由上述多核心和/或多處理器積體電路(2)的上述處理單元(21)執行或控制上述處理單元(21)的操作的複數個指令，上述IC佈局系統(5)用於產生具有複數個積體電路佈局元素(51)的平行處理IC佈局，上述積體電路佈局元素(51)至少包括表示記憶體單元(22)的元素和表示處理單元(21)和/或處理管線的元素， <br/>其特徵在於，上述編譯器系統(1)包括解析器模組(11)，上述解析器模組(11)用於將上述循序原始碼(31)轉換為具有能夠由處理單元(21)執行的基本指令流的程式碼(32)，基本指令能夠從有限的且特定於處理單元的基本指令集中選擇，並且上述基本指令僅包括用於複數個處理單元(21)的基本算術和邏輯運算(321/322)和/或基本控制和儲存操作(325)， <br/>其特徵在於，上述解析器模組(11)包括用於將上述基本指令的程式碼(32)劃分為複數個計算塊節點(333)的裝置，每個計算塊節點(333)由能夠由單個處理單元(21)處理的程式碼(32)的不可進一步分解的基本指令序列的最小可能分段組成，上述基本指令的最小可能分段的特徵在於由連續的讀寫指令構成的基本指令序列，上述序列無法由上述連續的讀寫指令之間的更小基本指令序列進一步分解，並且上述讀寫指令是接收上述處理單元(21)處理上述基本指令序列所需的資料並在序列進行處理之後傳回資料需要的， <br/>其特徵在於，上述編譯器系統(1)包括矩陣建置器(15)，上述矩陣建置器(15)用於從由上述程式碼(32)分割的計算鏈(34)產生矩陣(151，…，153)，上述矩陣(151，…，153)包括計算矩陣和傳輸矩陣(151/152)以及任務矩陣(153)，其中，計算矩陣(151)中的每一列包括計算塊節點(333)，上述計算塊節點(333)能夠基於傳輸上述計算塊節點(333)處理所需的資料的讀寫指令的可執行性而同時處理，其中，傳輸矩陣包含到每個計算塊節點(333)的傳輸和處理屬性，上述傳輸和處理屬性至少表示從一個計算塊節點到連續的計算塊節點(333)的資料傳輸屬性，上述資料傳輸屬性至少包括被傳輸資料的資料大小以及資料傳輸的來源計算塊節點(333)和目標計算塊節點(333)的標識和/或上述處理單元(21)中的一個處理單元的處理特性， <br/>其特徵在於，上述任務矩陣(153)的任務(56)由矩陣建置器(15)形成，其中，在計算塊節點(333)各自具有不同的關聯讀取的情況下，上述任務(56)通過以下方式形成：將上述計算矩陣(151)的列的計算塊節點(333)均勻地分為複數個對稱處理單元(21)的數量，對於上述計算矩陣(151)的每列的上述處理單元(21)中的每一個，形成一個任務(56)，並且基於預定義方案將剩餘的計算塊節點(333)分為上述任務(56)的至少一部分，其中，在計算塊節點(333)至少部分地傳輸了相同資料的讀取的情況下，上述任務(56)是通過在複數個上述處理單元(21)上均勻地或基本均勻地最小化讀取次數來形成，並且/或者，在上述計算塊節點(333)至少部分地傳輸了相同資料的讀取的情況下，如果超過預定義的偏移值，則通過在每個處理單元(21)上均勻地最小化整合處理時間來形成上述任務(56)， <br/>其特徵在於，編譯器系統(1)包括最佳化器模組(16)，上述最佳化器模組(16)使用最小化整合所有發生的延遲時間(261)的合計發生延遲時間(26) 的矩陣最佳化技術，其中，為了提供上述任務矩陣(153)內任務(56)的最佳化結構，上述最佳化器模組(16)建置來自計算和傳輸矩陣的行的不同組合，來自上述計算和傳輸矩陣的行的每種不同組合表示可能的機器碼(32)作為平行處理程式碼，平行處理程式碼提供其關於平行處理系統(2)的硬體的屬性，其中，上述任務矩陣(153)的每一列由一個或複數個任務(333)形成計算鏈(34)來創建計算塊節點(333)的有序流以由上述處理單元(21)中的一個執行，並且其中，上述最佳化器模組(16)最小化整合了所有發生的延遲時間的合計發生延遲時間(26)， <br/>其特徵在於，上述編譯器系統(1)包括程式碼產生器(17)，上述程式碼產生器(17)用於基於經最佳化的任務矩陣(153)給出的計算鏈(34)，為具有最佳化的合計延遲時間(26)的上述處理單元(21)產生上述平行處理機器碼(32)， <br/>其特徵在於，上述IC佈局系統(5)包括網表產生器(52)，上述網表產生器(52)用於產生由積體電路(2)的複數個積體電路佈局元素(51)組成的佈局網表(521)，上述積體電路佈局元素(51)包括上述積體電路(2)的電子元件，上述電子元件至少包括電晶體(511)、電阻器(512)、電容器(513)以及上述元件在一片半導體(515)上的互連(514)， <br/>其特徵在於，上述佈局網表(521)包括複數個平行管線(53)，每個管線(53)包括輸入鎖存器(531)和處理電路(532)，其中，每個輸入鎖存器(531)包括用於緩衝區或暫存器的上述積體電路佈局元素(51)，上述處理電路(532)包括用於通過基本指令(322)的基本集合的集合處理關聯的輸入鎖存器(531)的資料的積體電路佈局元素(521)， <br/>其特徵在於，處理階段(534)由上述平行管線(53)中的一個進行的特定資料處理給出，上述處理階段(534)產生中間結果(5341)，其中，指定階段(534)的上述輸入鎖存器(531)和上述處理電路(532)連接到後面階段(534)的輸入鎖存器(531)， <br/>其特徵在於，時脈訊號(533)連接到每個輸入鎖存器(531)，其中，時脈訊號(533)包括用於產生時脈脈衝(5331)的積體電路佈局元素(521)，其中，在每個時脈脈衝(5331)處，複數個平行階段(534)中的每一個將中間結果(5341)傳輸到後面階段(534)的輸入鎖存器(531)，並且其中，輸入資料通過上述平行管線(53)，每個時脈脈衝(5331)完成一個階段(534)，直到通過完成所有階段(534)達到最終結果(5342)為止，以及 <br/>其特徵在於，產生的佈局網表(521)的上述平行管線(53)的數量(535)與經最佳化的任務矩陣(153)給出的計算鏈(34)的數量相對應，其中，上述佈局網表(521)包括由上述網表產生器(52)產生並分配給複數個佈局元素(51)的複數個位置變數(5211)，其中，位置變數(5211)表示上述佈局元素(5212)的邊或點的位置，並且其中，IC佈局(54)由上述網表產生器(52)根據上述產生的佈局網表(521)的位置變數值(5211)產生。
如請求項1所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述平行管線(53)全部完全相同或基本完全相同，從而給出對稱的多核心和/或多處理器IC佈局(54)。
如請求項1或2所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述位置變數由上述網表產生器(51)基於限制系統產生並分配給上述佈局元素，上述限制系統包括表示上述佈局元素的邊或點與製程要求之間的關係的限制，其中，上述IC佈局是根據適配的位置變數值產生的。
如請求項2所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述平行管線(53)中的每一個具有相同的儲存架構和技術處理器特性。
如請求項4所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述技術處理器特性至少包括具有相同的處理器(2102)或核(2103)效能，其中，每秒處理相等或基本相等的指令數量。
如請求項1至2所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述輸入鎖存器(531)的緩衝區或暫存器的大小根據提供同步IC佈局設計的塊中的指令中使用的資料節點來設置，其中，資料節點的大小由所用變數的資料類型定義。
如請求項6所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述所用變數的資料類型由指令集架構(ISA)定義，上述指令集架構(ISA)通過𝑆<sub>𝑟𝑒𝑔</sub> = 𝑓(𝑆<sub>𝑑𝑎𝑡𝑎</sub><sub/><sub>𝑛𝑜𝑑𝑒𝑠</sub>, 𝑛<sub>𝑑𝑎𝑡𝑎</sub><sub/><sub>𝑛𝑜𝑑𝑒𝑠</sub> 𝑖𝑛 𝐶𝐵, 𝐼𝑆𝐴) 將資料節點的數量𝑛<sub>𝑑𝑎𝑡𝑎</sub><sub/><sub>𝑛𝑜𝑑𝑒𝑠</sub>、資料類型定義和指令數量𝐼𝑆𝐴與所需的暫存器大小<i>S<sub>reg</sub></i>聯繫起來，並且根據𝑆<sub>𝑑𝑎𝑡𝑎</sub><sub/><sub>𝑛𝑜𝑑𝑒𝑠</sub><sub/>∝ 𝑆<sub>𝑑𝑎𝑡𝑎</sub><sub/><sub>𝑡𝑦𝑝𝑒𝑠</sub><sub/>= 𝑓(𝐼𝑆𝐴)，資料節點的大小是資料類型的函數。
如請求項6所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，線寬被設置為資料類型和傳輸資料節點的數量的函數，上述傳輸資料節點的數量提供每次傳輸的位元寬度，上述線寬定義用於IC佈局的線路的大小。
如請求項1至2所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，指令鏈是使用RTL級上的Verilog獲得的。
如請求項9所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述IC佈局被提供為非同步設計，其中，上述計算塊(CB)包含用於形成上述非同步設計的RTL程式碼以計算CB中包含的指令的所有資訊。
如請求項9所述之電腦輔助IC設計和製造系統(0)，其特徵在於，上述IC佈局被提供為同步設計，其中，給出傳輸的圖中的邊包含每次組合計算之間的暫存器的大小。
一種電腦輔助IC設計和製造系統(0)，用於最佳化產生多核心和/或多處理器積體電路(2)的架構或佈局、積體電路(2)效能和積體電路(2)製造良率，上述多核心和/或多處理器積體電路(2)具有通過執行平行化處理機器碼(32)同時處理針對資料的指令的複數個處理單元(21)和/或處理管線(53)， <br/>其中，上述平行化處理程式碼(32)由平行處理多核心和/或多處理器積體電路(2)執行，包括延遲時間(26)的發生，上述延遲時間由在處理單元(21)針對資料處理完處理程式碼(32)的特定指令塊之後發回資料與接收上述處理單元(21)執行上述處理程式碼(32)的連續指令塊所需的資料之間的上述處理單元(21) 的閒置時間給出， <br/>其特徵在於，自動平行化和IC佈局系統(0)包括自動平行化編譯器系統(1)和IC佈局系統(5)，上述自動平行化編譯器系統(1)用於將以程式語言編寫的程式碼(3)的循序原始碼(31)轉換為平行處理機器碼(32)，上述平行處理機器碼(32)包括能夠由上述多核心和/或多處理器積體電路(2)的上述處理單元(21)執行或控制上述處理單元(21)的操作的複數個指令，上述IC佈局系統(5)用於產生具有複數個積體電路佈局元素(51)的平行處理IC佈局，上述積體電路佈局元素(51)至少包括表示記憶體單元(22)的元素和表示處理單元和/或處理管線(21)的元素， <br/>其特徵在於，上述編譯器系統(1)包括解析器模組(11)，上述解析器模組(11)用於將上述循序原始碼(31)轉換為具有能夠由處理單元(21)執行的基本指令流的程式碼(32)，基本指令能夠從有限的且特定於處理單元的基本指令集中選擇，並且上述基本指令僅包括用於複數個處理單元(21)的基本算術和邏輯運算(321/322)和/或基本控制和儲存操作(325)， <br/>其特徵在於，上述基本指令的程式碼(32)由上述解析器模組(11)劃分為複數個計算塊節點(333)，每個計算塊節點(333)由能夠由單個處理單元(21)處理的程式碼(32)的不可進一步分解的基本指令序列的最小可能分段組成，上述基本指令的最小可能分段的特徵在於由連續的讀寫指令構成的基本指令序列，上述序列無法由上述連續的讀寫指令之間的更小基本指令序列進一步分解，並且上述讀寫指令是接收上述處理單元(21)處理上述基本指令序列所需的資料並在序列進行處理之後傳回資料需要的， <br/>其特徵在於，矩陣(151，…，153)由矩陣建置器(15)從由上述程式碼(32)分割的計算鏈(34)產生，上述矩陣(151，…，153)包括計算矩陣和傳輸矩陣(151/152)以及任務矩陣(153)，其中，計算矩陣(151)中的每一列包括計算塊節點(333)，上述計算塊節點(333)能夠基於傳輸上述計算塊節點(333)處理所需的資料的讀寫指令的可執行性而同時處理，其中，傳輸矩陣包含到每個計算塊節點(333)的傳輸和處理屬性，上述傳輸和處理屬性至少表示從一個計算塊節點到連續的計算塊節點(333)的資料傳輸屬性，上述資料傳輸屬性至少包括被傳輸資料的資料大小以及資料傳輸的來源計算塊節點(333)和目標計算塊節點(333)的標識和/或上述處理單元(21)中的一個處理單元的處理特性， <br/>其特徵在於，上述任務矩陣(153)的任務(56)由矩陣建置器(15)形成，其中，在計算塊節點(333)各自具有不同的關聯讀取的情況下，上述任務(56)通過以下方式形成：將上述計算矩陣(151)的列的計算塊節點(333)均勻地分為複數個對稱處理單元(21)的數量，對於上述計算矩陣(151)的每列的上述處理單元(21)中的每一個，形成一個任務(56)，並且基於預定義方案將剩餘的計算塊節點(333)分為上述任務(56)的至少一部分，其中，在計算塊節點(333)至少部分地傳輸了相同資料的讀取的情況下，上述任務(56)是通過在複數個上述處理單元(21)上均勻地或基本均勻地最小化讀取次數來形成，並且/或者，在上述計算塊節點(333)至少部分地傳輸了相同資料的讀取的情況下，如果超過預定義的偏移值，則通過在每個處理單元(21)上均勻地最小化整合處理時間來形成上述任務(56)， <br/>其特徵在於，合計發生延遲時間(26)由最佳化器模組(16)使用通過整合了所有發生的延遲時間(261)進行最小化的矩陣最佳化技術進行最小化，其中，為了提供上述任務矩陣(153)內任務(56)的最佳化結構，上述最佳化器模組(16)建置來自計算和傳輸矩陣的行的不同組合，來自上述計算和傳輸矩陣的行的每種不同組合表示可能的機器碼(32)作為平行處理程式碼，平行處理程式碼提供其關於平行處理系統(2)的硬體的屬性，其中，上述任務矩陣(153)的每一列由一個或複數個任務(333)形成計算鏈(34)來創建計算塊節點(333)的有序流以由上述處理單元(21)中的一個執行，並且其中，上述最佳化器模組(16)最小化整合了所有發生的延遲時間的合計發生延遲時間(26)， <br/>其特徵在於，上述平行處理機器碼(32)由程式碼產生器(17)基於經最佳化的任務矩陣(153)給出的計算鏈(34)，為具有最佳化的合計延遲時間(26)的上述處理單元(21)產生， <br/>其特徵在於，由積體電路(2)的複數個積體電路佈局元素(51)組成的佈局網表(521)由網表產生器(52)產生，上述積體電路佈局元素(51)包括上述積體電路(2)的電子元件，上述電子元件至少包括電晶體(521)、電阻器(522)、電容器(523)以及上述元件在一片半導體(555)上的互連(554)， <br/>其特徵在於，上述佈局網表(521)包括複數個平行管線(53)，每個管線(53)包括輸入鎖存器(531)和處理電路(532)，其中，每個輸入鎖存器(531)包括用於緩衝區或暫存器的上述積體電路佈局元素(51)，上述處理電路(532)包括用於通過基本指令(322)的基本集合處理關聯的輸入鎖存器(531)的資料的積體電路佈局元素(51)， <br/>其特徵在於，處理階段(534)由上述平行管線(53)中的一個進行的特定資料處理給出，上述處理階段(534)產生中間結果，其中，指定階段(534)的上述輸入鎖存器(531)和上述處理電路(532)連接到後面階段(534)的輸入鎖存器(531)， <br/>其特徵在於，時脈訊號(533)連接到每個輸入鎖存器，其中，時脈訊號(533)包括用於產生時脈脈衝(5331)的積體電路佈局元素(51)，其中，在每個時脈脈衝(5331)處，複數個平行階段(534)中的每一個將中間結果(5341)傳輸到後面階段(534)的輸入鎖存器(531)，並且其中，輸入資料通過上述平行管線(53)，每個時脈脈衝完成一個階段，直到產生最終結果(5341)為止，以及 <br/>其特徵在於，產生的佈局網表(521)的上述平行管線(53)的數量(535)與上述經最佳化的任務矩陣(153)給出的計算鏈(34)的數量相對應地產生，其中，上述佈局網表(521)包括由上述網表產生器(52)產生並分配給複數個佈局元素(51)的複數個位置變數(5211)，其中，位置變數(5211)表示上述佈局元素(5212)的邊或點的位置，並且其中，IC佈局(54)由上述網表產生器(52)根據上述產生的佈局網表(521)的位置變數值(5211)產生。
一種焊料合金，其特徵為以質量%計，由Ag：0.10~3.00%、Cu：0.80~6.00%、Ni：0.08~ 0.60%、Ge：0.0010~0.0150%及剩餘部分為Sn組成。
一種焊料合金，其特徵為以質量%計，Ag：0.10~3.00%、Cu：0.80~6.00%、Ni：0.08~ 0.60%、Ge：0.0010~0.0150%，合計含有0.001%以上0.1%以下的Bi、Sb、In、Zn、Ga、Mn、Cr、Si、Ti及稀土類之至少1種及剩餘部分為Sn組成。
如請求項1或2之焊料合金，其中前述合金組成滿足下述(1)式及(2)式： <br/> <img align="absmiddle" height="174px" width="957px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 上述(1)式及(2)式中，Ag、Cu、Ni及Ge表示前述合金組成之含量(質量%)。
一種焊錫球，其包含如請求項1或2之焊料合金。
一種預成型錫片，其包含如請求項1或2之焊料合金。
一種焊接點，其具有如請求項1或2之焊料合金。
一種電路，其具有如請求項6之焊接點。
一種用於自行車座杆對中和調整自行車座杆的高度的裝置（100），其所述裝置至少包括以下元件： <br/>（a）座杆（1），其包括： <br/>（i）縱向狹槽（1.1）；和 <br/>（ii）沿著所述縱向狹槽（1.1）橫向配置的穿孔（1.2）； <br/>（b）止擋件（2），其包括： <br/>（i）截面區域（2.3）；和 <br/>（ii）至少一個接合元件（2.1） <br/>（c）管狀止擋件適配器（3），其包括： <br/>（i）縱向切口（3.2）； <br/>（ii）外引導部（3.3）；和 <br/>（iii）內止擋件引導部（3.4）。
根據請求項1所述的裝置（100），其中所述縱向狹槽（1.1）中的所述穿孔（1.2）以彼此等距的距離（α）間隔開。
根據請求項2所述的裝置（100），其中所述止擋件（2）包括兩個接合元件（2.1）。
根據請求項1所述的裝置（100），其中所述接合元件（2.1）包括橫向切口（2.6）。
根據請求項1所述的裝置（100），其中所述止擋件（2）具有第一端（2.4）和第二端（2.5），其中所述第一端（2.4）的長度（β）大於所述第二端（2.5）的長度（γ），所述長度（γ）等於或大於0。
根據請求項1所述的裝置（100），其中所述止擋件（2）包括凹口（2.2）。
根據請求項1所述的裝置（100），其中所述止擋件適配器（3）包括上邊緣（3.1）。
一種共軛二烯系聚合物，其係至少具有第1聚合物鏈段及第2聚合物鏈段者， <br/>上述第1聚合物鏈段包含共軛二烯單體單元且不含芳香族乙烯系單體單元，且上述第1聚合物鏈段中之鍵結共軛二烯中之乙烯基鍵量Y <sub>1</sub>(mol%)滿足下述式(2)， <br/>10≤Y <sub>1</sub>≤45 (2) <br/>上述第2聚合物鏈段含有共軛二烯單體單元及芳香族乙烯系單體單元， <br/>源自上述共軛二烯系聚合物中之微結構之推定玻璃轉移溫度(推定Tg)為-72℃以上且-50℃以下，且 <br/>僅具有一個利用示差掃描熱量測定法(DSC)的測定所得之玻璃轉移溫度(Tg)， <br/>上述玻璃轉移溫度(Tg)之外推玻璃轉移起始溫度與外推玻璃轉移結束溫度之差為15℃以上且35℃以下。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其中源自上述第2聚合物鏈段之微結構之推定玻璃轉移溫度(推定Tg)高於-45℃且為-5℃以下。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其重量平均分子量Mw與數量平均分子量Mn之比Mw/Mn即分子量分佈為1.7以上且2.5以下。
如請求項2之共軛二烯系聚合物，其中上述第1聚合物鏈段之鏈段比率為20質量%以上且80質量%以下。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其重量平均分子量為30萬以上且135萬以下。
如請求項1之共軛二烯系聚合物，其含有氮原子。
如請求項6之共軛二烯系聚合物，其中上述共軛二烯共聚物之改性率為70%以上。
一種共軛二烯系聚合物之製造方法，其係如請求項2之共軛二烯系聚合物之製造方法，其 <br/>使用2台以上之連續反應器，且具有： <br/>第1聚合步驟(P1)，其將共軛二烯化合物、聚合起始劑、及極性物質添加至上述連續反應器中，連續地形成共軛二烯系聚合物之第1聚合物鏈段；及 <br/>第2聚合步驟(P2)，其將芳香族乙烯系化合物及極性物質添加至上述連續反應器中，於上述第1聚合物鏈段之端部形成第2聚合物鏈段。
如請求項8之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中於上述第2聚合物步驟(P2)後，進而具有使偶合劑與上述共軛二烯系聚合物反應之偶合步驟(P3)。
如請求項8之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中相對於共軛二烯化合物及芳香族乙烯系化合物之添加總量，於上述第1聚合步驟(P1)中添加之共軛二烯化合物之質量比率為20質量%以上且80質量%以下。
如請求項8之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中上述第1聚合步驟(P1)之聚合反應率為75%以上且95%以下。
如請求項8之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中上述第2聚合步驟(P2)中之芳香族乙烯系化合物之添加量的質量比率相對於共軛二烯化合物之添加量為0.15以上且0.70以下。
如請求項8之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中於上述第2聚合步驟(P2)中，添加多於上述第1聚合步驟(P1)中之極性物質之添加量之量的極性物質。
如請求項9之共軛二烯系聚合物之製造方法，其中上述偶合劑為胺基烷氧基矽烷化合物。
一種形成一半導體元件的方法，該方法包含以下步驟： <br/>使一犧牲層相對於一基板的一矽層凹陷以形成一凹陷區域，該基板形成在包括一超晶格結構的一通道上，該超晶格結構在該基板上的一淺溝槽隔離上，且該通道在一閘極上； <br/>各向同性地蝕刻該矽層以形成一第一開口； <br/>在該第一開口中沉積一帽層； <br/>移除該矽層以形成一第二開口； <br/>在該第二開口中沉積一可流動層； <br/>移除該帽層及該犧牲層以形成一第三開口；及 <br/>在該第三開口中形成一背面接觸金屬化物。
如請求項1所述之方法，其中將該矽層完全移除。
如請求項1所述之方法，其還包含以下步驟：在沉積該可流動層之前沉積一共形襯墊。
如請求項3所述之方法，其中該共形襯墊包含氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳氧化矽中的一或多者。
如請求項3所述之方法，其中該共形襯墊具有1 nm至20 nm的一範圍內的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中僅將該矽層部分移除，且剩餘一部分矽層。
如請求項6所述之方法，其還包含以下步驟：氧化該剩餘矽層。
如請求項1所述之方法，其中該超晶格結構包含交替排列在複數個堆疊對中的複數個水平通道層及對應複數個半導體材料層。
如請求項1所述之方法，其中該犧牲層包含矽鍺(SiGe)、一金屬、非晶碳，及其類似者中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該帽層包含氮化矽(SiN)、非晶碳、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlOx)，及其類似者中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該凹陷區域具有2 nm至30 nm的一範圍內的一深度。
如請求項1所述之方法，其中該第一開口具有2 nm至60 nm的一範圍內的一臨界尺寸。
如請求項1所述之方法，其中該閘極包含鎢(W)、鈷(Co)、鉬(Mo)、釕(Ru)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、鈦鋁(TiAl)，及n型摻雜多晶矽中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該可流動層包含氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)、碳氧化矽(SiOC)、氮化矽(SiN)、氮碳氧化矽(SiOCN)，及其類似者中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該方法在不破壞真空的情況下在一處理腔室中進行。
如請求項1所述之方法，其中該背面接觸金屬化物包含鎢(W)、鉬(Mo)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、鈷(Co)、釕(Ru)及銅(Cu)中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該半導體元件包含一全環繞閘極、一FinFET及一CFET中的一或多者。
一種形成一半導體元件的方法，該方法包含以下步驟： <br/>使一犧牲層相對於一基板的一矽層凹陷以形成一凹陷區域，該基板形成在包括一超晶格結構的一通道上，該超晶格結構在該基板上的一淺溝槽隔離上，且該通道在一閘極上； <br/>各向同性地蝕刻該矽層以形成一第一開口； <br/>在該第一開口中沉積一帽層； <br/>部分移除將該矽層以形成一第二開口； <br/>氧化剩餘矽層以形成一氧化矽層； <br/>視情況在該第二開口中沉積一共形襯墊； <br/>在該氧化矽層上的該第二開口上沉積一可流動層； <br/>移除該帽層及該犧牲層以形成一第三開口；及 <br/>在該第三開口中形成一背面接觸金屬化物。
如請求項18所述之方法，其中該凹陷區域具有2 nm至30 nm的一範圍內的一深度。
如請求項19所述之方法，其中該第一開口具有2 nm至60 nm的一範圍內的一臨界尺寸。
如請求項18所述之方法，其中該犧牲層包含矽鍺(SiGe)、一金屬、非晶碳，及其類似者中的一或多者。
如請求項18所述之方法，其中該帽層包含氮化矽(SiN)、非晶碳、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlOx)，及其類似者中的一或多者。
如請求項20所述之方法，其中該可流動層包含氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)、碳氧化矽(SiOC)、氮化矽(SiN)、氮碳氧化矽(SiOCN)，及其類似者中的一或多者。
如請求項1所述之方法，其中該背面接觸金屬化物包含鎢(W)、鉬(Mo)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、鈷(Co)、釕(Ru)及銅(Cu)中的一或多者。
一種半導體元件，其包含： <br/>一基板的一凹陷犧牲層，該基板形成在包括一超晶格結構的一通道上，該超晶格結構在該基板上的一淺溝槽隔離上，且該通道在一閘極上； <br/>一帽層，其位於該凹陷犧牲層上；及 <br/>一可流動層，其與該凹陷犧牲層相鄰。
如請求項25所述之元件，其中該犧牲層包含矽鍺(SiGe)、一金屬、非晶碳，及其類似者中的一或多者。
如請求項25所述之元件，其中該帽層包含氮化矽(SiN)、非晶碳、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlOx)，及其類似者中的一或多者。
如請求項25所述之元件，其中該可流動層包含氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiON)、碳氧化矽(SiOC)、氮化矽(SiN)、氮碳氧化矽(SiOCN)，及其類似者中的一或多者。
如請求項25所述之元件，其還包含與該可流動層相鄰的一共形襯墊。
如請求項29所述之元件，其中該共形襯墊包含氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、氮碳氧化矽(SiOCN)中的一或多者。
如請求項30所述之元件，其中該共形襯墊具有1 nm至20 nm的一範圍內的一厚度。
如請求項25所述之元件，其中該半導體元件包含一全環繞閘極、一FinFET及一CFET中的一或多者。
一種可變汽門推動裝置的構造，可變汽門推動裝置係安裝於車輛的動力單元上；該動力單元係被連結於該車輛的車架單元上，該動力單元至少具有汽缸部與傳動部，該汽缸部連接有進氣管，該可變汽門推動裝置係被安裝於該汽缸部上；該可變汽門推動裝置具有油壓源建立器與可被該油壓源建立器帶動的推動機構；該油壓源建立器係被安裝於該汽缸部，且該油源壓建立器與該推動機構之間設有呈封閉性油路的油管道；該油壓源建立器能建立封閉性的該油管道內的油液之油壓，而可推動安裝於該汽缸部上可使該汽缸部的汽門作不同揚程的活塞作動機構作動。
如請求項1所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該油壓源建立器係被安裝於該汽缸部，汽缸部包括有汽缸頭與汽缸頭蓋；該油壓源建立器具有本體部與可自由伸出或縮入該本體部內的閥桿，該閥桿的外周套設有彈性元件；該推動機構具有呈封閉性油路的油管道，該油管道上設有單向性的補油閥、可單向釋放該油管道內油或油氣的洩油閥、可偵測該油管道內油壓力與油量的油壓感知器，可被該油管道內的油壓推動而自由伸出與縮收於該油管道的推動桿，該推動桿與該油壓源建立器的該閥桿分別被配設於該油管道的二端上，該推動桿被推伸出該油管道後可頂推該活塞作動機構；該油管道與該推動桿之間設有至少一油封。
如請求項2所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該汽缸頭上蓋設有該汽缸頭蓋；該油壓源建立器係設於該汽缸頭或該汽缸頭蓋其中之一上。
如請求項2所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該洩油閥係被設置於該油管道高處或較熱處。
如請求項2所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該汽缸頭設有供潤滑油流通的主供油道，該主供油道上分設有第一分流道與第二分流道；該油管道由該汽缸頭的缸孔中線的方向觀視，至少一部分與該第一分流道或該第二分流道其中之一或兩者投影重疊。
如請求項5所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該第一分流道可供設於該汽缸頭上的凸輪軸潤滑；該第二分流道可供該汽缸頭上的活塞作動機構潤滑。
如請求項5所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該主供油道更分設有第三分流道，該第三分流道延伸入該汽缸頭蓋內，該油管道亦設於該汽缸頭蓋內，該油管道係位於該第三分流道的上方。
如請求項5所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該主供油道更分設有第三分流道，該第三分流道延伸入該汽缸頭蓋內，該油管道至少有一部分與該第三分流道呈交疊設置。
如請求項2所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該汽缸頭設有供液體流通的液冷通道；該汽缸頭內的該液冷通道具有缸頭液冷套與冷卻液流道；該油管道由該汽缸頭的缸孔中線的方向觀視，該油管道至少一部分與該液冷通道投影重疊。
如請求項9所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該油管道至少有一部分係與該缸頭液冷套或該冷卻液流道其中之一或兩者投影重疊。
如請求項1或2或3所述之可變汽門推動裝置的構造，其中，該油壓源建立器具備有油路正常運行模式、油路過壓運行模式及油路失壓運行模式三種運作模式。
一種空腔濾波器，其包括：<br/> 一殼體，具有一容置腔，該殼體設有與該容置腔連通的一輸入通孔和一輸出通孔；<br/> 一輸入諧振器，位於該容置腔中且固設於該殼體，並包括一第一片狀諧振主體、由該第一片狀諧振主體的一側向外延伸的一輸入端和一第一支節，其中，該輸入端與該第一支節彼此連接或彼此間隔開，該輸入端透過該輸入通孔伸出該殼體；以及<br/> 一輸出諧振器，位於該容置腔中且固設於該殼體，並包括一第二片狀諧振主體和由該第二片狀諧振主體的一側向外延伸的一輸出端，其中，該輸出端透過該輸出通孔伸出該殼體；<br/> 其中，該第一支節用於產生一諧振峰，以抑制遠端諧波。
如請求項1所述的空腔濾波器，其中，該輸出諧振器還包括由該第二片狀諧振主體的一側向外延伸的一第二支節，該輸出端與該第二支節彼此連接或彼此間隔開，其中，該第一支節與該第二支節各自用於產生一諧振峰。
如請求項2所述的空腔濾波器，其中，該第一支節的數量為複數個，該第二支節的數量為複數個。
如請求項2所述的空腔濾波器，其中，該第一支節包括自該第一片狀諧振主體的一側向外延伸出的一第一延伸段或包括自該輸入端向外延伸出的一第二延伸段和自該第二延伸段遠離該輸入端的一端延伸的一第三延伸段；該第二支節包括自該第二片狀諧振主體的一側向外延伸出的一第四延伸段或包括自該輸出端向外延伸的一第五延伸段和自該第五延伸段遠離該輸出端的一端延伸的一第六延伸段。
如請求項4所述的空腔濾波器，其中，該第一片狀諧振主體與該第二片狀諧振主體分別包括複數個諧振桿，該諧振桿包括一直立段與一延展段，該延展段自該直立段的一側向外延伸，該輸入端和該輸出端分別自該第一片狀諧振主體與該第二片狀諧振主體的該直立段相對於該延展段的另一側向外延伸；該第一延伸段自該第一片狀諧振主體的該直立段的一側向外延伸出和/或該第二延伸段自該輸入端向外延伸，該第四延伸段自該第二片狀諧振主體的該直立段的一側向外延伸和/或該第五延伸段自該輸出端向外延伸。
如請求項2所述的空腔濾波器，其中，該第一片狀諧振主體與該第二片狀諧振主體分別包括複數個諧振桿，該複數個諧振桿中的每一個諧振桿包括連接於該殼體的一直立段；在該輸入諧振器中，自該複數個諧振桿中最外側的一諧振桿的該直立段的一側向外延伸該輸入端與該第一支節；在該輸出諧振器中，自該複數個諧振桿中最外側的一諧振桿的該直立段的一側向外延伸該輸出端與該第二支節。
如請求項1所述的空腔濾波器，其中，該輸入諧振器和該輸出諧振器為具有一金屬表面的一片材或為一金屬片。
如請求項1所述的空腔濾波器，還包括一隔離板，該隔離板位於該容置腔中，且將該輸入諧振器和該輸出諧振器分開，該隔離板具有至少一缺口。
如請求項1所述的空腔濾波器，還包括一輸入裝置和一輸出裝置，該輸入裝置和該輸出裝置分別接合該殼體的該輸入通孔和該輸出通孔，該輸入端穿過該輸入裝置後伸出該殼體，該輸出端穿過該輸出裝置後伸出該殼體。
如請求項1所述的空腔濾波器，還包括一中間諧振器，位於該容置腔中且固設於該殼體；該輸入諧振器、該輸出諧振器和該中間諧振器中的任兩者之間產生耦合。
如請求項10所述的空腔濾波器，還包括一隔離板，位於該容置腔中，且將該容置腔分隔為一第一空腔、一第二空腔和一第三空腔，該輸入諧振器位於該第一空腔，該輸出諧振器位於該第二空腔，該中間諧振器位於該第三空腔。
如請求項10所述的空腔濾波器，其中，該輸入諧振器和該輸出諧振器沿一第一方向間隔排列；該中間諧振器沿垂直該第一方向的一第二方向間隔於該輸入諧振器和該輸出諧振器，且在該第一方向上位於該輸入諧振器和該輸出諧振器之間。
如請求項1所述的空腔濾波器，其中，該殼體還包括一底板部、一側壁部和一蓋板部，該側壁部環繞連接至該底板部，該側壁部和該底板部形成該容置腔和一開口，該蓋板部的一側面覆蓋固定至該開口，該輸入諧振器與該輸出諧振器固設於該底板部，該輸入通孔和該輸出通孔設置於該底板部或該側壁部。
如請求項1所述的空腔濾波器，其中，該第一片狀諧振主體與該第二片狀諧振主體分別包括複數個諧振桿與一個或複數個接合桿，該一個或複數個接合桿連接該複數個諧振桿中的相鄰兩個諧振桿。
如請求項1所述的空腔濾波器，其中，該第一片狀諧振主體包括一諧振桿，該諧振桿包括連接於該殼體的一直立段，自該諧振桿的該直立段的一側向外延伸該輸入端與該第一支節。
一種鎓鹽，係以下式(1)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="173px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1，n2為1~3之整數，n3為0~4之整數，惟n1＝0時，1≦n2＋n3≦4，n1＝1時，1≦n2＋n3≦6，n4為0~3之整數，n5為0~4之整數， <br/>R<sup>1</sup>為碘原子以外之鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基， <br/>R<sup>2</sup>為也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基， <br/>X<sup>A</sup>為酯鍵、-CH<sub>2</sub>-O-、-CH<sub>2</sub>-S-、-C(=O)-、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵之2價連結基， <br/>X<sup>B</sup>為酯鍵、醚鍵、-C(=O)-或磺酸酯鍵之2價連結基， <br/>R為也可以含有雜原子之碳數3~20之(n4＋3)價環族烴基， <br/>L<sup>A</sup>及L<sup>B</sup>各自獨立地為單鍵、醚鍵或酯鍵， <br/>X<sup>L</sup>為單鍵、或也可以含有雜原子之碳數1~40之伸烴基， <br/>Q<sup>1</sup>及Q<sup>2</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Q<sup>3</sup>及Q<sup>4</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子。
如請求項1之鎓鹽，其以下式(1A)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="177px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n5、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、X<sup>A</sup>、X<sup>B</sup>、R、L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>、X<sup>L</sup>、Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項2之鎓鹽，其以下式(1B)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="176px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n5、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、X<sup>A</sup>、X<sup>B</sup>、R、L<sup>A</sup>、X<sup>L</sup>、Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項3之鎓鹽，其以下式(1C)表示， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="176px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1~n5、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、X<sup>B</sup>、R、L<sup>A</sup>、X<sup>L</sup>、Q<sup>1</sup>、Q<sup>2</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項1之鎓鹽，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="101px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>各自獨立地為鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~30之烴基，又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環。
一種光酸產生劑，係由如請求項1至5中任一項之鎓鹽構成。
一種化學增幅阻劑組成物，包含如請求項6之光酸產生劑。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，包含含有下式(a1)表示之重複單元之基礎聚合物， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="73px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(＝O)-O-X<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基也可被亦可含有氟原子之碳數1~10之烷氧基或鹵素原子取代，X<sup>11</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>AL<sup>1</sup>為酸不安定基。
如請求項8之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物更含有下式(a2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="73px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>X<sup>2</sup>為單鍵或*-C(＝O)-O-，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、氰基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基， <br/>AL<sup>2</sup>為酸不安定基， <br/>a為0~4之整數。
如請求項8之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物含有下式(b1)或(b2)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="95px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵或*-C(＝O)-O-，*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵， <br/>R<sup>21</sup>為氫原子、或含有選自苯酚性羥基以外之羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內酯環、磺內酯環及羧酸酐(-C(＝O)-O-C(＝O)-)中之至少1個以上之結構之碳數1~20之基， <br/>R<sup>22</sup>為鹵素原子、羥基、硝基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基、也可以含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、也可以含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或也可以含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基， <br/>b為1~4之整數，c為0~4之整數，惟1≦b＋c≦5。
如請求項8之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物更含有選自下式(c1)表示之重複單元、下式(c2)表示之重複單元、下式(c3)表示之重複單元及下式(c4)表示之重複單元中之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="208px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基， <br/>Z<sup>1</sup>為單鍵或伸苯基， <br/>Z<sup>2</sup>為*-C(＝O)-O-Z<sup>21</sup>-、*-C(＝O)-NH-Z<sup>21</sup>-或*-O-Z<sup>21</sup>-，Z<sup>21</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基或它們組合而獲得之2價基，也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基， <br/>Z<sup>3</sup>各自獨立地為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(＝O)-O-Z<sup>31</sup>-，Z<sup>31</sup>為碳數1~10之脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，該脂肪族伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環， <br/>Z<sup>4</sup>各自獨立地為單鍵、**-Z<sup>41</sup>-C(＝O)-O-、**-C(＝O)-NH-Z<sup>41</sup>-或**-O-Z<sup>41</sup>-，Z<sup>41</sup>為也可以含有雜原子之碳數1~20之伸烴基， <br/>Z<sup>5</sup>各自獨立地為單鍵、*-Z<sup>51</sup>-C(＝O)-O-、*-C(＝O)-NH-Z<sup>51</sup>-或*-O-Z<sup>51</sup>-，Z<sup>51</sup>為也可以含有雜原子之碳數1~20之伸烴基， <br/>Z<sup>6</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、*-C(＝O)-O-Z<sup>61</sup>-、*-C(＝O)-N(H)-Z<sup>61</sup>-或*-O-Z<sup>61</sup>-，Z<sup>61</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或經三氟甲基取代之伸苯基，也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基， <br/>*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵，**表示和Z<sup>3</sup>之原子鍵， <br/>R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>各自獨立地為也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基，又，R<sup>31</sup>與R<sup>32</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環， <br/>L<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵， <br/>Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基， <br/>Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基，惟不會全部Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>同時為氫原子， <br/>M<sup>-</sup>為非親核性相對離子， <br/>A<sup>+</sup>為鎓陽離子， <br/>d為0~3之整數。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，更包含有機溶劑。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，更包含淬滅劑。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，更包含如請求項6之光酸產生劑以外之光酸產生劑。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，更包含界面活性劑。
一種圖案形成方法，包括下列步驟： <br/>使用如請求項7之化學增幅阻劑組成物在基板上形成阻劑膜， <br/>對於該阻劑膜以高能射線進行曝光， <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項16之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種光學測距模組，包括：一基座；一光發射單元，包括一第一光學鏡片及一紅外光源，其中該紅外光源設置於該基座上；一光接收單元，包括一第二光學鏡片及一感光元件，其中該感光元件設置於該基座上；以及一遮光蓋，設置於該基座上，並與該基座之間定義有第一及第二容置空間，用以分別容置該光發射單元及該光接收單元，其中該遮光蓋包括第一及第二開口區，用以分別設置該第一及第二光學鏡片；其中該第一及第二光學鏡片為一體成型結構；其中先將該遮光蓋設置於該基座上，再將具有一體成型結構的該第一及第二光學鏡片設置於該第一及第二開口區內，使具有一體成型結構的該第一及第二光學鏡片由外而內組裝於該遮光蓋之該第一及第二開口區內。
如請求項1所述之光學測距模組，其中該第一及第二光學鏡片為不相同材質。
如請求項1或2所述之光學測距模組，其中該遮光蓋更包括一定位柱，其設置於該第一及第二光學鏡片之間，用以定位該第一及第二光學鏡片。
如請求項3所述之光學測距模組，更包括：一遮光材料，其位於該第一及第二光學鏡片之間，其中該遮光材料、該第一及第二光學鏡片為一體成型結構。
一種光學測距模組之組裝方法，包括：提供一基座；將一光發射單元之一紅外光源及一光接收單元之一感光元件設置於該基座上；將一遮光蓋設置於該基座上，其中該遮光蓋包括第一及第二開口區；以及將該光發射單元之一第一光學鏡片及該光接收單元之一第二光學鏡片分別設置於該第一及第二開口區，其中該第一及第二光學鏡片為一體成型結構，且該遮光蓋與該基座之間定義有第一及第二容置空間，用以分別容置該光發射單元及該光接收單元；其中先將該遮光蓋設置於該基座上，再將具有一體成型結構的該第一及第二光學鏡片設置於該第一及第二開口區內，使具有一體成型結構的該第一及第二光學鏡片由外而內組裝於該遮光蓋之該第一及第二開口區內。
如請求項5所述之光學測距模組之組裝方法，其中該第一及第二光學鏡片為不相同材質。
如請求項5或6所述之光學測距模組之組裝方法，其中該遮光蓋更包括一定位柱，設置於該第一及第二光學鏡片之間，用以定位該第一及第二光學鏡片。
如請求項5或6所述之光學測距模組之組裝方法，其中一遮光材料位於該第一及第二光學鏡片之間，且該遮光材料、該第一及第二光學鏡片為一體成型結構。
一種具有下式結構之化合物或其水合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="113px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>X係NR<sub>13</sub>；<br/>R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>7</sub>、R<sub>8</sub>、R<sub>9</sub>、R<sub>10</sub>及R<sub>11</sub>獨立地選自由以下組成之群：氫、鹵素、CN、羥基、R<sub>14</sub>及OR<sub>14</sub>；<br/>R<sub>13</sub>係氫或R<sub>14</sub>；<br/>R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>獨立地選自由以下組成之群：氫、羥基、OR<sub>14</sub>、R<sub>14</sub>及C<sub>3-6</sub>環烷基，或R<sub>5</sub>及R<sub>6</sub>組合形成側氧基(=O)或C<sub>3-6</sub>環烷基；<br/>R<sub>12</sub>係-COR<sup>a</sup>；<br/>各R<sub>14</sub>獨立地係甲醯基、C<sub>1-9</sub>烷基、C<sub>2-9</sub>烯基或C<sub>2-9</sub>炔基；且<br/>R<sup>a</sup>係選自由以下組成之群：氫、羥基及OR<sub>14</sub>；<br/>其中： <br/>該化合物係選自以下之一者： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其水合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其水合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其水合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種組合物，其包括如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽。
如請求項5之組合物，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項5之組合物，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項5之組合物，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備使個體之皮膚亮白(brightening)之組合物。
如請求項9之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備誘發個體中黑色素細胞凋亡之組合物。
如請求項13之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備調節個體中芳基烴受體(AhR)活性之組合物。
如請求項17之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備調節個體中黑色素生成之組合物。
如請求項21之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項21之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項21之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1之化合物或化妝品或醫藥上可接受之鹽之用途，其係用於製備調節個體中黑色素濃度之組合物。
如請求項25之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項25之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="104px" file="ed10369.jpg" alt="ed10369.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項25之用途，其中該化合物為： <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="104px" file="ed10370.jpg" alt="ed10370.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種車輛充電裝置，包括： <br/>一變壓器，具有一第一側及一第二側，該第二側設有二通訊線以耦接一電動車；及 <br/>二阻抗調諧器，該二阻抗調諧器中的每一者並聯連接該二通訊線中的一者，該二阻抗調諧器被配置以調控該二通訊線的電抗特徵。
如請求項1所述的車輛充電裝置，其中該二通訊線中的每一者具有一第一電容器，該二阻抗調諧器中的每一者包括至少一分支路徑，該至少一分支路徑中的每一者與該第一電容器並聯連接。
如請求項2所述的車輛充電裝置，其中該至少一分支路徑的每一者包括一開關及一第二電容器，該開關與該第二電容器串聯連接。
如請求項3所述的車輛充電裝置，其中該開關配置成依據來自一控制器的控制訊號致使該第一電容器與該第二電容器形成一並聯迴路或開路。
如請求項3所述的車輛充電裝置，其中該開關為一高頻開關元件。
如請求項5所述的車輛充電裝置，其中該高頻開關元件的工作頻率範圍包括150千赫至30兆赫。
如請求項5所述的車輛充電裝置，其中該高頻開關元件為一晶片型開關且具有一控制端及二連接端，該第二電容器連接於該二連接端中的一者與該第一電容器的一端之間，該二連接端中的另一者連接該第一電容器的另一端。
如請求項1所述的車輛充電裝置，其中該二通訊線包括一控制導引線及一保護接地線。
如請求項1所述的車輛充電裝置，其中該車輛充電裝置經由網路耦接一雲端運算平台。
一種車輛充電方法，應用於一車輛充電裝置，該車輛充電裝置包括一變壓器及二阻抗調諧器，該變壓器具有一第一側及一第二側，該第二側具有二通訊線以耦接一電動車，該二阻抗調諧器中的每一者並聯連接該二通訊線中的一者，該二阻抗調諧器被配置以調控該二通訊線的電抗特徵，該方法包括： <br/>偵測該車輛充電裝置連接的二通訊線與該電動車耦接； <br/>該車輛充電裝置與該電動車進行電力線通訊，供該車輛充電裝置收集該電動車的數個訊號通道的訊號強度； <br/>該車輛充電裝置依據該數個訊號通道的訊號強度監控該二通訊線的通訊特性，使該二通訊線的訊號強度符合一強度要求；及 <br/>響應於該二通訊線的訊號強度符合該強度要求，該車輛充電裝置對該電動車進行充電模式。
如請求項10所述的車輛充電方法，其中該車輛充電裝置依據該數個訊號通道的訊號強度監控該二通訊線的通訊特性，使該二通訊線的訊號強度符合該強度要求，包括： <br/>該車輛充電裝置依據該數個訊號通道的訊號強度計算一訊號強度均值；及 <br/>該車輛充電裝置依據該訊號強度均值與一訊號強度閾值確認該二通訊線的訊號強度符合該強度要求。
如請求項11所述的車輛充電方法，其中該車輛充電裝置依據該訊號強度均值與該訊號強度閾值確認該二通訊線的訊號強度符合該強度要求，包括： <br/>該車輛充電裝置判斷該訊號強度均值是否低於該訊號強度閾值，若判斷為是，該車輛充電裝置致使該二通訊線的等效電容值增加一預定量，重新進行該計算及該判斷，若判斷為否，該車輛充電裝置確認該二通訊線的訊號強度符合該強度要求。
如請求項11所述的車輛充電方法，其中該訊號強度閾值為-31 dB。
如請求項10所述的車輛充電方法，其中該車輛充電裝置經由網路耦接一雲端運算平台，該方法還包括： <br/>該車輛充電裝置收集該電動車的特徵資訊及傳送該特徵資訊到該雲端運算平台； <br/>該雲端運算平台依據該特徵資訊產生一充電方案給該車輛充電裝置；及 <br/>該車輛充電裝置依據該充電方案對該電動車進行充電。
如請求項10所述的車輛充電方法，其中該二通訊線中的每一者具有一第一電容器，該二阻抗調諧器中的每一者包括至少一分支路徑，該至少一分支路徑中的每一者與該第一電容器並聯連接。
如請求項15所述的車輛充電方法，其中該至少一分支路徑的每一者包括一開關及一第二電容器，該開關與該第二電容器串聯連接。
如請求項16所述的車輛充電方法，其中該開關配置成依據來自一控制器的控制訊號致使該第一電容器與該第二電容器形成一並聯迴路或開路。
如請求項16所述的車輛充電方法，其中該開關為一高頻開關元件。
如請求項18所述的車輛充電方法，其中該高頻開關元件的工作頻率範圍包括150千赫至30兆赫。
如請求項18所述的車輛充電方法，其中該高頻開關元件為一晶片型開關且具有一控制端及二連接端，該第二電容器連接於該二連接端中的一者與該第一電容器的一端之間，該二連接端中的另一者連接該第一電容器的另一端。
一種半導體記憶裝置，其具備： 半導體基板；及 複數個電晶體，其等設置於上述半導體基板； 上述複數個電晶體中之第1電晶體具備： 第1閘極絕緣膜，其設置於上述半導體基板； 第1閘極電極，其設置於上述第1閘極絕緣膜； 側壁絕緣膜，其設置於上述第1閘極電極之兩側面； 第1區域，其包含於上述半導體基板中，且設置於從與上述半導體基板之表面交叉之第1方向觀察時和上述第1閘極電極重疊之位置； 第1擴散層，其包含於上述半導體基板中，連接於在上述第1方向上延伸之第1接觸電極，且含有第1導電型之雜質； 第2擴散層，其包含於上述半導體基板中，設置於上述第1區域與上述第1擴散層之間，且含有上述第1導電型之雜質；及 第3擴散層，其包含於上述半導體基板中，設置於上述第2擴散層與上述第1擴散層之間，與上述第2擴散層連接，且含有上述第1導電型之雜質；且 上述第2擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度高於上述第3擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1電晶體係N通道電晶體。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1導電型之雜質係N型雜質。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第2擴散層之至少一部分設置於從上述第1方向觀察時與上述側壁絕緣膜重疊之位置。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第2擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度未達上述第3擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度之10倍。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述第1擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度為上述第2擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度之10倍以上。
如請求項1之半導體記憶裝置，其具備： 第1絕緣層，其隔著上述側壁絕緣膜設置於上述第1閘極電極之兩側面，且含有矽(Si)及氧(O)；以及 第2絕緣層，其隔著上述第1絕緣層設置於上述第1閘極電極之兩側面，且含有矽(Si)及氮(N)。
如請求項1之半導體記憶裝置，其具備第4擴散層， 上述第4擴散層包含於上述半導體基板中，設置於從上述第1方向觀察時與上述第3擴散層重疊之位置，相對於上述第3擴散層位於上述第1方向上之上述第1閘極電極之相反側，且含有與上述第1導電型不同之第2導電型之雜質。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述半導體基板包含與上述第1導電型不同之第2導電型之雜質，且具備： 第1井，其含有上述第2導電型之雜質；及 第2井，其以從上述第1方向觀察時包圍上述第1井之方式設置，且含有上述第1導電型之雜質；且 上述第1區域、上述第1擴散層、上述第2擴散層及上述第3擴散層設置於上述第1井。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 對上述第1電晶體供給大於10 V之電壓。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述複數個電晶體中之第2電晶體具備： 第2閘極絕緣膜，其設置於上述半導體基板；及 第2閘極電極，其設置於上述第2閘極絕緣膜；且 上述第1閘極絕緣膜之上述第1方向之長度大於上述第2閘極絕緣膜之上述第1方向之長度。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 上述複數個電晶體中之第2電晶體具備： 第2閘極絕緣膜，其設置於上述半導體基板； 第2閘極電極，其設置於上述第2閘極絕緣膜； 第2區域，其包含於上述半導體基板中，且從上述第1方向觀察時與上述第2閘極電極重疊；及 第5擴散層，其包含於上述半導體基板中，連接於在上述第1方向上延伸之第2接觸電極，且含有上述第1導電型之雜質；且 自上述第1區域至上述第1接觸電極之距離大於自上述第2區域至上述第2接觸電極之距離。
如請求項1之半導體記憶裝置，其具備： 複數個導電層，其等沿上述第1方向排列； 半導體層，其於上述第1方向上延伸，且與上述複數個導電層對向； 電荷蓄積膜，其設置於上述複數個導電層與上述半導體層之間；及 電流產生電路，其電性連接於上述複數個導電層；且 上述第1電晶體設置於上述複數個導電層與上述電流產生電路之間之電流路徑。
一種半導體記憶裝置，其具備： 半導體基板；及 複數個電晶體，其等設置於上述半導體基板； 上述複數個電晶體中之第1電晶體具備： 第1閘極絕緣膜，其設置於上述半導體基板； 第1閘極電極，其設置於上述第1閘極絕緣膜； 側壁絕緣膜，其設置於上述第1閘極電極之兩側面； 第1區域，其包含於上述半導體基板中，且設置於從與上述半導體基板之表面交叉之第1方向觀察時和上述第1閘極電極重疊之位置； 一擴散層，其包含於上述半導體基板中，設置於從上述第1方向觀察時與上述側壁絕緣膜重疊之位置，且含有第1導電型之雜質；及 另一擴散層，其相對於上述一擴散層設置於與上述第1方向交叉之第2方向上之上述第1區域之相反側，連接於上述一擴散層，且含有上述第1導電型之雜質；且 上述一擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度高於上述另一擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度。
如請求項14之半導體記憶裝置，其中 上述第1電晶體係N通道電晶體。
如請求項14之半導體記憶裝置，其中 上述第1導電型之雜質係N型雜質。
如請求項14之半導體記憶裝置，其中 上述一擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度未達上述另一擴散層中之上述第1導電型之雜質之濃度之10倍。
如請求項14之半導體記憶裝置，其具備： 第1絕緣層，其隔著上述側壁絕緣膜設置於上述第1閘極電極之兩側面，且含有矽(Si)及氧(O)；以及 第2絕緣層，其隔著上述第1絕緣層設置於上述第1閘極電極之兩側面，且含有矽(Si)及氮(N)。
一種化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、互變異構物或立體異構物之用途，其係用於製備在受試者中治療神經退行性疾病之藥物，其中該化合物係： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="108px" file="ed11100.jpg" alt="ed11100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之用途，其中該神經退行性疾病包含消失的白質疾病（vanishing white matter disease）。
如請求項1之用途，其中該神經退行性疾病包含肌肉萎縮性脊髓側索硬化症。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、互變異構物或立體異構物係： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="108px" file="ed11100.jpg" alt="ed11100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之用途，其中該化合物或其藥學上可接受的鹽、水合物、互變異構物或立體異構物係： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="108px" file="ed11100.jpg" alt="ed11100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之藥學上可接受的鹽。
一種用於製備冷凍麵糰的方法，其包括：將釀酒酵母菌(<i>Saccharomyces cerevisiae</i>) FLA01 (NITE BP-03684)與麵粉進行混合並將所形成的混合物進行發酵培養，以及對所得到的發酵麵糰進行冷凍處理，其中該冷凍麵糰具有經提升之抗氧化能力。
如請求項1所述的方法，其中該冷凍麵糰具有經提升之甘油、海藻糖與脯胺酸的含量。
一種冷凍麵糰，它是藉由一如請求項1至2中任一項所述的方法而被製得。
一種食品產品，其包含一如請求項3所述的冷凍麵糰。
一種馬達控制系統，用以驅動一馬達，包含：<br/> 一變頻器，與該馬達電連接，且包含一第一驅動單元及一第二驅動單元，該第一驅動單元或該第二驅動單元運作使該變頻器提供一交流電能給該馬達；<br/> 一第一Safe Torque Off (STO)電路，包含一第一濾波電路、一第一STO開關、一第一光耦合開關電路及一第二光耦合開關電路，其中該第一濾波電路電連接於該第一光耦合開關電路，該第一STO開關電連接於該第一驅動單元及該第一光耦合開關電路的一光電晶體之間，且該第一光耦合開關電路的一光二極體與該第二光耦合開關電路的一光電晶體串聯連接；<br/> 一第二STO電路，包含一第二濾波電路、一第二STO開關、一第三光耦合開關電路及一第四光耦合開關電路，其中該第二濾波電路電連接於該第三光耦合開關電路，該第二STO開關電連接於該第二驅動單元及該第三光耦合開關電路的一光電晶體之間，且該第三光耦合開關電路的一光二極體與該第四光耦合開關電路的一光電晶體串聯連接；以及<br/> 一脈衝控制模組，與該第二光耦合開關電路的一光二極體及該第四光耦合開關電路的一光二極體電連接，用以發出一脈衝訊號至該第二光耦合開關電路的該光二極體及該第四光耦合開關電路的該光二極體，且檢測該第一STO電路及該第二STO電路是否異常，其中該脈衝訊號在一高準位電壓與一低準位電壓之間進行切換；<br/> 其中，該脈衝控制模組發出在該高準位電壓的該脈衝訊號時，該第二光耦合開關電路及該第四光耦合開關電路被導通，進入一STO觸發模式，及<br/> 其中，該脈衝控制模組發出在該低準位電壓的該脈衝訊號時，該第二光耦合開關電路及該第四光耦合開關電路被關斷，進入一STO自測試模式。
如請求項1所述之馬達控制系統，更包含一第一檢測電路，與該第一光耦合開關電路之該光電晶體電連接，用以當進入該STO自測試模式時，檢測該第一光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號是否對應於該脈衝訊號的變化而同步變化，並對應該檢測該第一光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號的結果輸出一第一檢測訊號給該脈衝控制模組。
如請求項2所述之馬達控制系統，更包含一第二檢測電路，與該第三光耦合開關電路之該光電晶體電連接，用以當進入該STO自測試模式時，檢測該第三光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號是否對應於該脈衝訊號的變化而同步變化，並對應該檢測該第三光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號的結果輸出一第二檢測訊號給該脈衝控制模組。
如請求項1所述之馬達控制系統，其中該第二光耦合開關電路包含一NPN電晶體開關、一第一電阻、一第二電阻及一第二光耦合開關，該NPN電晶體開關的一基極電連接於該脈衝控制模組而接收該脈衝訊號，該NPN電晶體開關的一射極電連接於一參考端，該NPN電晶體開關的一集極電連接於該第一電阻的一第一端，該第一電阻的一第二端與一第一電壓源電連接，該第二光耦合開關的一陽極端電連接於該第一電阻的該第一端，該第二光耦合開關的一陰極端電連接於該參考端，其中該第二光耦合開關包含該第二光耦合開關電路的該光二極體及該光電晶體，該第二光耦合開關的該光電晶體電連接於該第二電阻之一第一端及該第一光耦合開關電路之間，該第二電阻的該第二端電連接於該參考端。
如請求項4所述之馬達控制系統，更包含一第一檢測電路，與該第一光耦合開關電路之該光電晶體電連接，其中該第一光耦合開關電路包含一第一電容、一第一光耦合開關、一第三電阻及一第四電阻，該第三電阻之一第一端電接收該第一STO控制訊號，該第三電阻之一第二端電連接於該第四電阻的一第一端，該第一光耦合開關與該第二光耦合開關電連接，且包含該第一光耦合開關電路的該光二極體及該光電晶體，該第一光耦合開關的該光二極體的一陰極端電連接於該第四電阻的該第一端及該第三電阻之該第二端，該第一光耦合開關的該光二極體的一陽極端電連接於該第四電阻的一第二端及該第二光耦合開關的該光電晶體，該第二光耦合開關的該光二極體的一陽極端電連接於該第一光耦合開關的該光二極體的該陰極端，該第二光耦合開關的該光二極體的一陰極端電連接於該第一光耦合開關的該光二極體的該陽極端，該第一光耦合開關的該光電晶體的一射極電連接於該第一檢測電路，該第一光耦合開關的該光電晶體的一集極電連接於該第一電壓源，該第一電容的一第一端電連接於該第一電壓源及該第一光耦合開關的該光電晶體的該集極，該第一電容的一第二端電連接於該參考端。
如請求項5所述之馬達控制系統，其中該第一濾波電路電連接於該第一光耦合開關的該光電晶體的該射極，且包含一第五電阻、一第六電阻及一第二電容，該第五電阻的一第一端電連接於該第一光耦合開關的該光電晶體的該射極，該第五電阻的一第二端電連接於該參考端，該第六電阻的一第一端電連接於該第五電阻的該第一端，該第六電阻的一第二端電連接於一控制驅動單元，該第二電容電連接於該第五電阻的該第二端及該參考端之間。
如請求項6所述之馬達控制系統，其中該第一檢測電路包含一控制晶片、一第三電容、一第七電阻及一第八電阻，該第七電阻的一第一端電連接於該第一光耦合開關的該光電晶體的該射極，該控制晶片電連接於該第七電阻的一第二端、該參考端及該第一電壓源，且該控制晶片檢測該第一光耦合開關之該光電晶體上之訊號是否對應於該脈衝訊號的變化而同步變化，並對應該檢測該第一光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號的結果而於該控制晶片之一輸出端輸出一第一檢測訊號，該第三電容之一第一端電連接於該第一電壓源及該控制晶片，該第三電容之一第二端電連接於該參考端，該第八電阻的一第一端電連接於一第二電壓源，該第八電阻的一第二端電連接於該控制晶片之該輸出端。
如請求項3所述之馬達控制系統，其中該變頻器包含一控制驅動單元與該第一濾波電路及該第二濾波電路電連接，用以檢測該變頻器的運作狀態，並依據檢測結果對應控制該變頻器。
如請求項8所述之馬達控制系統，其中該控制驅動單元包含該第一驅動單元及該第二驅動單元。
如請求項1所述之馬達控制系統，其中該第一驅動單元及該第二驅動單元係選擇自以下組合中之二者：一高壓側驅動單元、一低壓側驅動單元、一電源控制驅動單元、及一控制訊號驅動單元。
如請求項3所述之馬達控制系統，其中當該脈衝控制模組依據該第一檢測訊號得知該第一光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號未對應於該脈衝訊號的變化而同步變化，或依據該第二檢測訊號得知該第三光耦合開關電路之該光電晶體上之訊號並未對應於該脈衝訊號的變化而同步變化時，該脈衝控制模組驅動該馬達控制系統關閉。
如請求項1所述之馬達控制系統，其中當進入該STO觸發模式時，該第一STO電路及該第二STO電路分別根據一第一STO控制訊號及一第二STO訊號控制關斷該第一驅動單元及控制關斷該第二驅動單元。
如請求項1所述之馬達控制系統，其中當進入該STO自測試模式時，該第一濾波電路及該第二濾波電路分別濾除在該第一光耦合開關電路及在該第三光耦合開關電路上之該脈衝訊號，且該脈衝控制模組檢測該第一STO電路及該第二STO電路是否異常。
一種化學增幅負型阻劑組成物，含有： <br/>(A)包含下式(A)表示之鎓鹽之淬滅劑，及 <br/>(B)包含含有下式(B1)表示之重複單元之聚合物之基礎聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="172px" file="ed10323.jpg" alt="ed10323.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1之整數；n2為0～6之整數；n3為0～3之整數；n4為0～4之整數； <br/>W為也可含有雜原子之碳數2～20之含氮原子之脂肪族雜環； <br/>L <sup>A</sup>及L <sup>B</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>X <sup>L</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1～40之伸烴基； <br/>R <sup>1</sup>為也可含有雜原子之碳數1～20之烴基；n2≧2時，多個R <sup>1</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的W上之碳原子一起形成環； <br/>R <sup>2</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1～20之烴基；n4≧2時，多個R <sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的芳香環上之碳原子一起形成環； <br/>R <sup>AL</sup>為酸不穩定基； <br/>Z <sup>+</sup>為鎓陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10324.jpg" alt="ed10324.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a1為0或1；a2為0～2之整數；a3為符合0≦a3≦5+2(a2)-a4之整數；a4為1～3之整數； <br/>R <sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R <sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2～8之飽和烴基羰基氧基； <br/>A <sup>1</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-也可被-O-取代。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，R <sup>AL</sup>為下式(AL-1)或(AL-2)表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="141px" file="ed10325.jpg" alt="ed10325.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，L <sup>C</sup>為-O-或-S-； <br/>R <sup>3</sup>、R <sup>4</sup>及R <sup>5</sup>分別獨立地為碳數1～10之烴基；又，R <sup>3</sup>、R <sup>4</sup>及R <sup>5</sup>中之任2個也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>R <sup>6</sup>及R <sup>7</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1～10之烴基；R <sup>8</sup>為碳數1～20之烴基，且該烴基之-CH <sub>2</sub>-也可被取代為-O-或-S-；又，R <sup>7</sup>與R <sup>8</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子及L <sup>C</sup>一起形成碳數3～20之雜環基，且該雜環基之-CH <sub>2</sub>-也可被取代為-O-或-S-； <br/>m1及m2分別獨立地為0或1； <br/>*表示和相鄰之-O-的原子鍵。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，Z <sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子、下式(cation-2)表示之錪陽離子或下式(cation-3)表示之銨陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="154px" file="ed10326.jpg" alt="ed10326.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>c1</sup>～R <sup>c9</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1～30之烴基；又，R <sup>c1</sup>及R <sup>c2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該鎓鹽為下式(A1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="153px" file="ed10327.jpg" alt="ed10327.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1～n4、W、L <sup>B</sup>、R <sup>1</sup>、R <sup>2</sup>、R <sup>AL</sup>及Z <sup>+</sup>和前述相同。
如請求項4之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該鎓鹽為下式(A2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="153px" file="ed10328.jpg" alt="ed10328.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1、n2、n4、W、L <sup>B</sup>、R <sup>1</sup>、R <sup>2</sup>、R <sup>AL</sup>及Z <sup>+</sup>和前述相同。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(B2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="140px" file="ed10329.jpg" alt="ed10329.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1；b2為0～2之整數；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1～3之整數； <br/>R <sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R <sup>12</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1～6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2～8之飽和烴基羰基氧基； <br/>R <sup>13</sup>及R <sup>14</sup>分別獨立地為氫原子、也可被羥基或飽和烴基氧基取代之碳數1～15之飽和烴基、或也可具有取代基之芳基；惟，R <sup>13</sup>及R <sup>14</sup>不會同時為氫原子；又，R <sup>13</sup>及R <sup>14</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環； <br/>A <sup>2</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-也可被-O-取代； <br/>W <sup>1</sup>為氫原子、碳數1～10之脂肪族烴基、或也可具有取代基之芳基。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B3)表示之重複單元、下式(B4)表示之重複單元及下式(B5)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="152px" file="ed10330.jpg" alt="ed10330.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，c及d分別獨立地為0～4之整數；e1為0或1；e2為0～2之整數；e3為0～5之整數； <br/>R <sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R <sup>21</sup>及R <sup>22</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1～8之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1～8之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2～8之飽和烴基羰基氧基； <br/>R <sup>23</sup>為碳數1～20之飽和烴基、碳數1～20之飽和烴基氧基、碳數2～20之飽和烴基羰基氧基、碳數2～20之飽和烴基氧基烴基、碳數2～20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、氰基、碳數1～20之飽和烴基亞磺醯基或碳數1～20之飽和烴基磺醯基； <br/>A <sup>3</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH <sub>2</sub>-也可被-O-取代。
如請求項6之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B6)表示之重複單元、下式(B7)表示之重複單元、下式(B8)表示之重複單元、下式(B9)表示之重複單元、下式(B10)表示之重複單元、下式(B11)表示之重複單元、下式(B12)表示之重複單元及下式(B13)表示之重複單元中之至少1種； <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10331.jpg" alt="ed10331.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R <sup>B</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y <sup>1</sup>為單鍵、碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7～18之基、或*-O-Y <sup>11</sup>-、*-C(=O)-O-Y <sup>11</sup>-或*-C(=O)-NH-Y <sup>11</sup>-，且Y <sup>11</sup>為碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7～18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Y <sup>2</sup>為單鍵或**-Y <sup>21</sup>-C(=O)-O-，且Y <sup>21</sup>為也可含有雜原子之碳數1～20之伸烴基； <br/>Y <sup>3</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、*-O-Y <sup>31</sup>-、*-C(=O)-O-Y <sup>31</sup>-或*-C(=O)-NH-Y <sup>31</sup>-；Y <sup>31</sup>為碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基或將它們組合而得之碳數7～20之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>*為和主鏈之碳原子的原子鍵，**為和式中之氧原子的原子鍵； <br/>Y <sup>4</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1～30之伸烴基； <br/>f1及f2分別獨立地為0或1，惟在Y <sup>4</sup>為單鍵時，f1及f2為0； <br/>R <sup>31</sup>～R <sup>48</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1～20之烴基；又，R <sup>31</sup>及R <sup>32</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環，且R <sup>33</sup>及R <sup>34</sup>、R <sup>36</sup>及R <sup>37</sup>、或R <sup>39</sup>及R <sup>40</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環； <br/>R <sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基； <br/>Xa <sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項8之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B1-1)表示之重複單元、下式(B2-1)表示之重複單元或下式(B2-2)表示之重複單元、及下式(B7)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="210px" file="ed10332.jpg" alt="ed10332.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a4、b4、R <sup>A</sup>、R <sup>B</sup>、Y <sup>2</sup>、R <sup>13</sup>、R <sup>14</sup>、R <sup>33</sup>、R <sup>34</sup>、R <sup>35</sup>及R <sup>HF</sup>和前述相同。
如請求項8之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(B)基礎聚合物更包含含有式(B1)表示之重複單元及式(B2)表示之重複單元且不含式(B6)～(B13)表示之重複單元之聚合物。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該基礎聚合物所含的聚合物之全部重複單元中，具有芳香環骨架之重複單元的含有率為60莫耳%以上。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(C)交聯劑。
如請求項6之化學增幅負型阻劑組成物，其不含交聯劑。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(D)含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種，且也可更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種的含氟原子之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10333.jpg" alt="ed10333.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，x為1～3之整數；y為符合0≦y≦5+2z-x之整數；z為0或1；g為1～3之整數； <br/>R <sup>C</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R <sup>D</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>R <sup>101</sup>、R <sup>102</sup>、R <sup>104</sup>及R <sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1～10之飽和烴基； <br/>R <sup>103</sup>、R <sup>106</sup>、R <sup>107</sup>及R <sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1～15之烴基、碳數1～15之氟化烴基或酸不穩定基，且R <sup>103</sup>、R <sup>106</sup>、R <sup>107</sup>及R <sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入有醚鍵或羰基； <br/>R <sup>109</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1～5之烴基； <br/>R <sup>110</sup>為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1～5之烴基； <br/>R <sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1～20之飽和烴基，且該飽和烴基之-CH <sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代； <br/>Z <sup>1</sup>為碳數1～20之(g+1)價之烴基或碳數1～20之(g+1)價之氟化烴基； <br/>Z <sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-；*為和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>Z <sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z <sup>31</sup>-Z <sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z <sup>31</sup>-Z <sup>32</sup>-；Z <sup>31</sup>為單鍵或碳數1～10之飽和伸烴基；Z <sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(E)酸產生劑。
如請求項15之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該酸產生劑之陰離子的酸強度(pKa)為-3.0以上。
如請求項15之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(E)酸產生劑相對於(A)淬滅劑之含有比率以質量比計為未達6。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(F)有機溶劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟：使用如請求項1～18中任一項之化學增幅負型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜、使用高能射線對該阻劑膜照射圖案、及使用鹼顯影液將已照射該圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項19之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項19之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種的材料構成。
如請求項19之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為透射型或反射型空白遮罩。
一種透射型或反射型空白遮罩，其係塗佈有如請求項1～18中任一項之化學增幅負型阻劑組成物。
一種積體電路封裝，包含：<br/> 一第一電氣積體電路(EIC)；<br/> 一光子積體電路(PIC)，該PIC包含一主動元件、位於該PIC的一表面處的一光學耦合元件及一或多個波導，該第一EIC附接至該PIC的該表面，與該PIC的一部分重疊，該主動元件位於該PIC的與該第一EIC重疊的該部分中，該主動元件電連接至該第一EIC，且該光學耦合元件位於該PIC的不與該第一EIC重疊的另一部分中；<br/> 一透明間隔物，該透明間隔物在該PIC的不與該第一EIC重疊的該另一部分中自該PIC的該表面突出，該透明間隔物對於在該PIC的一操作波長帶中的光是透明的，<br/> 其中該透明間隔物定位在該光學耦合元件之上，且該透明間隔物、該光學耦合元件及該一或多個波導為在該操作波長帶中的光提供穿過該封裝到達該主動元件的一第一光路。
如請求項1所述之封裝，其進一步包含一第二EIC，該第二EIC附接至該PIC的該表面且與該PIC的不與該第一EIC或該透明間隔物重疊的另一部分重疊。
如請求項2所述之封裝，其中該透明間隔物位於該第一EIC與該第二EIC之間。
如請求項3所述之封裝，其中該第一EIC懸垂於該PIC的一第一邊緣上，且該第二EIC懸垂於該PIC的與該第一邊緣相對的一第二邊緣上。
如請求項1所述之封裝，其中該第一EIC的與該PIC相對的一表面及該透明間隔物的與該PIC相對的一表面在垂直於該PIC的該表面的一方向上偏移10 μm或更小。
如請求項5所述之封裝，其中該第一EIC的該表面及該透明間隔物的該表面大體上共面。
如請求項6所述之封裝，其進一步包含一光學介面，該光學介面用於貼附至該透明間隔物的該表面的一光纖。
如請求項7所述之封裝，其中該光學介面與該第一EIC的該表面重疊。
如請求項7所述之封裝，其中該光學介面包含一光纖陣列單元(FAU)。
如請求項1所述之封裝，其進一步包含一光學介面，該光學介面在該透明間隔物的與該PIC相對的一表面上貼附至該透明間隔物，該光學介面包含用於接收至少一根光纖的一連接器及經配置以將來自該光纖的在該操作波長帶中的光引導至該光學耦合元件的一或多個光學元件。
如請求項10所述之封裝，其中該光學介面包含一偏振分束器，該偏振分束器用於在一對光訊號進入該PIC之前將一光訊號分成具有正交偏振狀態的一對訊號，或用於組合離開該PIC的一對正交偏振光訊號。
如請求項10所述之封裝，其中該一或多個光學元件包含至少一個聚焦元件，該至少一個聚焦元件用於將光穿過該透明間隔物聚焦至該光學耦合元件。
如請求項10所述之封裝，其中該光學介面包含一透鏡陣列，該陣列中的該等透鏡中之至少一者對應於經配置以將來自該光纖的在該操作波長帶中的該光引導至該光學耦合元件的該一或多個光學元件。
如請求項1所述之封裝，其中該透明間隔物與該第一EIC間隔開50 μm或更大。
如請求項1所述之封裝，其中該透明間隔物由選自由Ge、Si、ZnS、ZnSe、AlO及MgF組成的組的一材料構成。
如請求項1所述之封裝，其中該透明間隔物由一非晶無機材料構成。
如請求項1所述之封裝，其中該透明間隔物包含接合至該PIC的該表面的一透明材料的一或多個部分。
如請求項17所述之封裝，其中該一或多個部分藉由一透明黏合劑接合至該PIC的該表面。
如請求項1所述之封裝，其進一步包含電連接至該第一EIC的一重新分佈層(RDL)，該RDL包含與該透明間隔物對準的一開口。
如請求項1所述之封裝，其中該PIC進一步包含位於該光學耦合元件與該主動元件之間的光路中的一解多工器。
如請求項20所述之封裝，其中該主動元件是一光電二極體。
如請求項1所述之封裝，其中該PIC進一步包含位於該光學耦合元件與該主動元件之間的該光路中的一多工器。
如請求項1所述之封裝，其中該主動元件是一調變器。
如請求項1所述之封裝，其中該光路是在該第一EIC與在該封裝外部的一組件之間的一雙向光子通道的一部分，該雙向光子通道包含該第一光路以及在另一光學耦合元件與另一主動元件之間的一第二光路。
如請求項1所述之封裝，其中該第一EIC包含一特殊應用積體電路(ASIC)。
如請求項1所述之封裝，其中該第一EIC包含一記憶體介面。
如請求項1所述之封裝，其中該操作波長帶包含一C帶。
如請求項1所述之封裝，其進一步包含至少部分地包封該PIC、該EIC及該透明間隔物的一成型化合物。
如請求項28所述之封裝，其中該成型化合物中的至少一些位於該EIC與該透明間隔物之間。
如請求項28所述之封裝，其中該成型化合物的一表面與該透明間隔物的與該PIC相對的一表面共面。
一種積體電路封裝，包含：<br/> 一第一電氣積體電路(EIC)；<br/> 一光子積體電路(PIC)，該PIC包含一主動元件、位於該PIC的一表面處的一光學耦合元件及一或多個波導，該第一EIC附接至該PIC的該表面，與該PIC的一部分重疊，該主動元件位於該PIC的與該第一EIC重疊的該部分中，該主動元件電連接至該第一EIC，且該光學耦合元件位於該PIC的不與該第一EIC重疊的另一部分中；<br/> 一透明間隔物，該透明間隔物在該PIC的不與該第一EIC重疊的該另一部分中自該PIC的該表面突出，該透明間隔物對於在該PIC的一操作波長帶中的光是透明的；<br/> 一成型化合物，該成型化合物至少部分地包封該PIC及該透明間隔物，該成型化合物的一表面與該透明間隔物的與該PIC相對的一表面共面且連續；及<br/> 其中該透明間隔物定位在該光學耦合元件之上，且該透明間隔物、該光學耦合元件及該一或多個波導為在該操作波長帶中的光提供穿過該封裝到達該主動元件的一第一光路。
一種用於製造一積體電路(IC)封裝的方法，包含以下步驟：<br/> 提供一基座總成，該基座總成包含一光子積體電路(PIC)，該PIC包含一主動元件、位於該PIC的一表面處的一耦合元件及一或多個波導，從而為在該PIC的一操作波長帶中的光提供在該光學耦合元件與該主動元件之間的穿過該PIC的一光路；<br/> 在該PIC的包括該光學耦合元件的一第一部分之上將一第一間隔物附接至該基座總成的一表面，該第一間隔物對於在該操作波長帶中的光是透明的；<br/> 將一第一電氣IC (EIC)附接至該基座總成的該表面，使其與該PIC的遠離該光學耦合元件的一第二部分重疊；<br/> 將一第一成型化合物沉積於該第一間隔物及該第一EIC之上，以形成包封該第一EIC及該第一間隔物的一第一成型化合物層；及<br/> 自該第一成型化合物層去除該第一成型化合物的一第一部分，以曝露該第一間隔物的與該PIC相對的一表面。
如請求項32所述之方法，其進一步包含以下步驟：在去除該第一部分之後，在該第一間隔物的該曝露表面處將用於一光纖的一光學介面附接至該第一成型化合物層。
如請求項33所述之方法，其中該光學介面包含一光纖陣列單元(FAU)。
如請求項32所述之方法，其中提供該基座總成之步驟包含以下步驟：在該PIC的該第一部分處將一第二間隔物附接至該PIC的一表面，該第二間隔物對於在該操作波長帶中的光是透明的；<br/> 將一第二成型化合物沉積於該第二間隔物及該PIC的該表面之上，以形成包封該PIC及該第二間隔物的一第二成型化合物層；及<br/> 自該第二成型化合物層去除該第二成型化合物的一第二部分，以曝露該第二間隔物的背對該PIC的一表面，<br/> 其中該第一間隔物隨後貼附至該第二間隔物的該曝露表面。
如請求項35所述之方法，其中該第一成型化合物與該第二成型化合物相同。
如請求項35所述之方法，其中基座載體包含自該PIC的該表面突出的電互連件，去除該第二成型化合物的該部分會曝露該等電互連件，且將該第一EIC附接至該基座總成的該表面會經由該等電互連件中的一第一電互連件將該第一EIC電連接至該PIC中的該主動元件。
如請求項37所述之方法，其中該等電互連件中之每一者包含一銅柱。
如請求項32所述之方法，其中該EIC是一第一EIC，且該方法進一步包含以下步驟：在沉積該第一成型化合物之前，在與該第一EIC不同的一位置處將一第二EIC附接至該基座總成的該表面。
如請求項39所述之方法，其中該第二EIC被附接成與該EIC的遠離該光學耦合元件且遠離該第二部分的一第三部分重疊。
如請求項40所述之方法，其中該EIC的該第三部分位於該PIC的與該第二部分相對的一側上。
如請求項39所述之方法，其中該第一成型化合物沉積於該第二EIC之上。
如請求項42所述之方法，其中去除該第一成型化合物的該部分在該第一EIC及該第二EIC以及該第一間隔物之上提供一共面表面，該共面表面與該第一間隔物的該曝露表面齊平。
如請求項32所述之方法，其中該第一間隔物是使用一透明黏合劑附接至該基座總成的該表面。
如請求項32所述之方法，其中沉積該第一成型化合物之步驟包含以下步驟：將一可流動前驅物應用於該第一間隔物及該EIC之上以及固化該前驅物。
如請求項32所述之方法，其中該第一成型化合物是一環氧成型化合物。
如請求項32所述之方法，其中去除該第一成型化合物的該部分之步驟包含以下步驟：研磨該第一成型化合物的該第一層。
如請求項32所述之方法，其中該主動元件是一電吸收調變器(EAM)。
如請求項32所述之方法，其中該主動元件是一光電二極體。
如請求項32所述之方法，其中該基座總成包含與該PIC的該表面重疊的一第一重新分佈層，該第一重新分佈層界定與該光學耦合元件重疊的一開口。
如請求項50所述之方法，其中該基座總成進一步包含定位在該PIC的與該第一重新分佈層相對的一側上的一第二重新分佈層，該基座總成包含將該第一重新分佈層與該第二重新分佈層電連接的一或多個通孔。
如請求項32所述之方法，其中該光學介面包含一或多個聚焦元件，該一或多個聚焦元件經配置以將來自該光纖的光穿過該第一間隔物聚焦至該光學耦合元件。
一種諧振電源轉換器，包括：<br/> 一上橋開關和一下橋開關，彼此耦接形成一半橋切換電路，用以切換一變壓器產生一輸出電壓；<br/> 一上橋驅動電路，用以根據一上橋控制訊號產生一上橋驅動訊號以驅動該上橋開關；<br/> 一偏壓，與一自舉二極體和一自舉電容相連，為該上橋驅動電路提供來自該自舉電容的一電源；<br/> 其中該上橋驅動電路在該上橋開關需要進行軟切換時以一快速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關；在不進行軟切換時以一慢速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關。
如請求項1所述之諧振電源轉換器，其中該上橋驅動電路在該偏壓低於一閾值電壓時以該慢速斜率產生該上橋驅動訊號；當該偏壓高於該閾值電壓時，以該快速斜率產生該上橋驅動訊號。
如請求項1所述之諧振電源轉換器，其中一下橋開關的導通產生一循環電流，當該下橋開關關斷時實現該上橋開關的軟切換。
如請求項2所述之諧振電源轉換器，更包含一切換控制電路，用以產生該偏壓，該切換控制電路用以產生一上橋控制訊號以控制該上橋開關以及一下橋控制訊號以控制該下橋開關。
如請求項2所述之諧振電源轉換器，其中該偏壓在該輸出電壓低於一欠電壓閾值時被控制為低於該閾值電壓，使該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項2所述之諧振電源轉換器，其中在該輸出電壓的開機期間該偏壓低於該閾值電壓，使該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項1所述之諧振電源轉換器，其中該上橋驅動電路控制從該電源到該上橋開關控制端的一路徑電阻在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時具有一第一電阻值，並在需要以該快速斜率導通該上橋開關時具有一第二電阻值，其中該第一電阻值大於該第二電阻值。
如請求項7所述之諧振電源轉換器，其中該上橋驅動電路包括：<br/> 複數電晶體，耦接於該偏壓和該上橋開關的控制端之間，其中在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，該複數電晶體的第一部分被控制為導通並具有該第一電阻值，其中在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，該複數電晶體的第二部分被控制為導通並具有該第二電阻值。
如請求項8所述之諧振電源轉換器，其中複數電晶體包括一第一電晶體和一第二電晶體，其中在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，該第一電晶體被控制為導通，其中在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，該第二電晶體被控制為導通，其中該第一電晶體的導通電阻大於該第二電晶體的導通電阻。
如請求項9所述之諧振電源轉換器，其中該上橋驅動電路更包括一電阻，耦接於該複數電晶體的該第一部分，該電阻用以在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時增加該路徑電阻。
一種用於控制諧振電源轉換器的轉換控制電路，其中該諧振電源轉換器包括：一上橋開關和一下橋開關，彼此耦接形成一半橋切換電路，用以切換一變壓器以產生一輸出電壓，該轉換控制電路包括：<br/> 一上橋驅動電路，用以根據一上橋控制訊號產生一上橋驅動訊號以驅動該上橋開關；<br/> 一切換控制電路，用以根據該輸出電壓產生一偏壓、一上橋控制訊號和一下橋控制訊號，其中該偏壓耦接於一自舉二極體和一自舉電容，為該上橋驅動電路的自舉電容提供一電源，該下橋控制訊號用以控制該下橋開關；<br/> 其中該上橋驅動電路在該上橋開關需要進行軟切換時以一快速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關，當該上橋開關不進行軟切換時，則以一慢速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關。
如請求項11所述之轉換控制電路，其中該上橋驅動電路在該偏壓低於一閾值電壓時以該慢速斜率產生該上橋驅動訊號；當該偏壓高於該閾值電壓時，以該快速斜率產生該上橋驅動訊號。
如請求項12所述之轉換控制電路，其中該偏壓在電源轉換器的該輸出電壓低於一欠電壓閾值時被控制為低於該閾值電壓，使該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項12所述之轉換控制電路，其中在該輸出電壓的開機期間該偏壓被控制為低於該閾值電壓，使該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項11所述之轉換控制電路，其中在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，該上橋驅動電路控制從該電源到該上橋開關控制端的一路徑電阻具有一第一電阻值，並在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，該路徑電阻具有一第二電阻值，其中該第一電阻值大於該第二電阻值。
如請求項15所述之轉換控制電路，其中該上橋驅動電路包括：<br/> 複數電晶體，耦接於該偏壓和該上橋開關的控制端之間，其中在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，該複數電晶體的第一部分被控制為導通並具有該第一電阻值，其中在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，該複數電晶體的第二部分被控制為導通並具有該第二電阻值。
如請求項16所述之轉換控制電路，其中複數電晶體包括一第一電晶體和一第二電晶體，其中在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，該第一電晶體被控制為導通，其中在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，該第二電晶體被控制為導通，其中該第一電晶體的導通電阻大於該第二電晶體的導通電阻。
如請求項17所述之轉換控制電路，其中該上橋驅動電路更包括一電阻，耦接於該複數電晶體的該第一部分，該電阻用以在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時增加該路徑電阻。
一種控制諧振電源轉換器的控制方法，其中諧振電源轉換器包括：一上橋開關和一下橋開關，彼此耦接形成一半橋切換電路，用以切換一變壓器以產生一輸出電壓，以及一上橋驅動電路，用以根據一上橋控制訊號產生一上橋驅動訊號以驅動該上橋開關；該控制方法包含：<br/> 產生一偏壓，其中該偏壓連接於一自舉二極體和一自舉電容，為該上橋驅動電路提供來自該自舉電容的電源；<br/> 根據該輸出電壓產生該上橋控制訊號和一下橋控制訊號，其中該下橋控制訊號用以控制該下橋開關；<br/> 當該上橋開關需要進行軟切換時，控制該上橋驅動電路以一快速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關；以及<br/> 當該上橋開關不進行軟切換時控制該上橋驅動電路以一慢速斜率產生該上橋驅動訊號以導通該上橋開關。
如請求項19所述之控制方法，其中產生該上橋驅動訊號的步驟包括：<br/> 當該偏壓低於一閾值電壓時，控制該上橋驅動電路以該慢速斜率產生該上橋驅動訊號；<br/> 當該偏壓高於該閾值電壓時，控制該上橋驅動電路以該快速斜率產生該上橋驅動訊號。
如請求項20所述之控制方法，其中產生該偏壓的步驟包括：<br/> 當該電源轉換器的該輸出電壓低於一欠電壓閾值時，控制該偏壓低於該閾值電壓，使得該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項20所述之控制方法，其中產生該偏壓的步驟包括：<br/> 在該輸出電壓的開機期間控制該偏壓低於一閾值電壓，使得該上橋驅動訊號具有該慢速斜率。
如請求項19所述之控制方法，其中產生該上橋驅動訊號的步驟包括：<br/> 在需要以該慢速斜率導通該上橋開關時，控制從電源到該上橋開關控制端的一路徑電阻具有一第一電阻值；<br/> 在需要以該快速斜率導通該上橋開關時，控制該路徑電阻具有一第二電阻值，其中該第一電阻值大於該第二電阻值。
一種可調節轉動支撐結構，其包括：<br/>左支撐臂和右支撐臂，所述左支撐臂和所述右支撐臂相對設置而具有一間距；及<br/>頂部安裝板和底部安裝板；<br/>所述左支撐臂和所述右支撐臂的底部分別連接二個相對的底部鉸鏈，所述左支撐臂和所述右支撐臂的頂部分別連接二個相對的頂部鉸鏈，每一所述底部鉸鏈和每一所述頂部鉸鏈均位於所述左支撐臂和所述右支撐臂之間的內部空間；<br/>所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述底部鉸鏈分處左右且共軸線設置，所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述頂部鉸鏈分處左右且共軸線設置，所述底部鉸鏈和所述頂部鉸鏈的軸線平行；<br/>每一所述底部鉸鏈與所述底部安裝板連接，每一所述頂部鉸鏈與所述頂部安裝板連接，所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述底部鉸鏈共同提供的阻力扭矩滿足對其負載提供隨時停止轉動隨時定位當前角度的功能，所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述頂部鉸鏈共同提供的阻力扭矩滿足對其負載提供隨時停止轉動隨時定位當前角度的功能；<br/>所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述底部鉸鏈中的至少其中之一可調節數量或厚度地設置套在軸上的第一碟簧片以及第一摩擦結構，所述第一碟簧片壓緊所述第一摩擦結構；<br/>所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述頂部鉸鏈中的至少其中之一可調節數量或厚度地設置套在軸上的第二碟簧片以及第二摩擦結構，所述第二碟簧片壓緊所述第二摩擦結構。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述底部鉸鏈都可調節數量地設置套在軸上的第一碟簧片以及第一摩擦結構，所述第一碟簧片壓緊所述第一摩擦結構；<br/>所述左支撐臂和所述右支撐臂的所述頂部鉸鏈都可調節數量地設置套在軸上的第二碟簧片以及第二摩擦結構，所述第二碟簧片壓緊所述第二摩擦結構。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述底部鉸鏈包括底部連接架，所述底部連接架和所述底部安裝板固定連接，和所述底部鉸鏈中的軸轉動連接，所述底部鉸鏈中的軸和對應的所述左支撐臂或所述右支撐臂連接在一起同步轉動，其中的摩擦結構中的第一部分和所述底部連接架連接，摩擦結構中的與所述第一部分相對運動的第二部分和軸結合在一起同步轉動；<br/>所述頂部鉸鏈包括頂部連接架，所述頂部連接架和所述頂部安裝板固定連接，和所述頂部鉸鏈中的軸轉動連接，所述頂部鉸鏈中的軸和對應的所述左支撐臂或所述右支撐臂連接在一起同步轉動，所述摩擦結構中的第一部分和所述頂部連接架連接，其中的摩擦結構中的與所述第一部分相對運動的第二部分和軸結合在一起同步轉動。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述軸的一段為裝入端，供各套在所述軸上的部件依序套入安裝，所述裝入端設置外螺紋而與螺母連接，而具有根據部件的數量、厚度和對碟簧的力值要求而調節。
如請求項3所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述摩擦結構採用摩擦片組；在所述頂部鉸鏈中，其摩擦結構中的第一部分摩擦片和所述頂部連接架連接，所述頂部連接架設置孔，其摩擦結構中的第一部分摩擦片設置彎折部位，藉由所述彎折部位插入所述頂部連接架而固定在一起，摩擦結構中的與第一部分摩擦片相對運動的第二部分摩擦片和軸藉由扁位配合結合在一起同步轉動；<br/>在所述底部鉸鏈中，其摩擦結構中的第一部分摩擦片和所述底部連接架連接，所述底部連接架設置孔，其摩擦結構中的第一部分摩擦片設置彎折部位，藉由所述彎折部位插入所述底部連接架而固定在一起，摩擦結構中的與第一部分摩擦片相對運動的第二部分摩擦片和軸藉由扁位配合結合在一起同步轉動。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述底部鉸鏈和所述頂部鉸鏈均位於所述左支撐臂和所述右支撐臂之間的內部空間，所述可調節轉動支撐結構還設置有將所述左支撐臂和所述右支撐臂合圍在內部的外殼。
如請求項6所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述外殼由前殼體和後殼體組裝成整體，卡在所述左支撐臂和所述右支撐臂外側，而能夠與所述左支撐臂和所述右支撐臂一起轉動；所述可調節轉動支撐結構還設置底部安裝板罩板以及頂部鉸鏈罩殼和底部鉸鏈罩殼，所述頂部鉸鏈罩殼和所述底部鉸鏈罩殼分別與所述頂部安裝板和所述底部安裝板卡接，所述底部安裝板罩板罩在所述底部安裝板之上並連接在一起，所述底部安裝板罩板留有與所述底部鉸鏈罩殼適配的孔。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述頂部安裝板和所述底部安裝板為衝壓板，並藉由衝壓形成所述頂部安裝板和所述底部安裝板的外形和孔，所述孔包括沉孔和位於所述沉孔之外的連接孔，所述沉孔的底部也設置連接孔，所述沉孔供鉸鏈的連接架進入並與位於所述沉孔底部的所述連接孔藉由螺絲連接；所述底部鉸鏈的底部連接架和所述頂部鉸鏈的頂部連接架均呈L形結構，L形的底邊與所述沉孔底部連接，L形的側邊與軸連接。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述軸藉由機床切削加工構成，所述摩擦結構採用摩擦片組，所述摩擦片採用衝壓製程製成。
如請求項1所述之可調節轉動支撐結構，其中，所述頂部安裝板為點餐台的觸控點餐螢幕的安裝基板。
一種半導體裝置製造的方法，包括：<br/>在半導體基板之上形成電晶體；<br/>在所述電晶體上方形成第一金屬層以及上覆的第二金屬層；<br/>在所述上覆的第二金屬層上方沉積散熱層，其中所述沉積所述散熱層是在閾值溫度以下執行，所述閾值溫度約為攝氏400度；以及<br/>退火所述散熱層至高於所述閾值溫度的溫度，其中在所述退火中，所述第一金屬層與所述上覆的第二金屬層維持在低於所述閾值溫度。
如請求項1所述的方法，其中所述退火包括暫態熱處理。
如請求項1所述的方法，其中所述散熱層包括氮化硼、氮化鋁、石墨烯、碳、鑽石、類鑽碳、苯甲酸或過渡金屬二硫族化合物中的至少一種。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/>形成穿過所述散熱層的通孔。
一種製造半導體結構的方法，包括：<br/>在基板之上形成電晶體裝置；<br/>在所述電晶體裝置上方形成多層互連；<br/>在所述多層互連之上沉積熱傳導材料；<br/>在所述沉積所述熱傳導材料之後，對所述熱傳導材料進行熱處理以增加所述熱傳導材料的熱傳導率，所述熱處理增大所述熱傳導材料的晶粒尺寸；以及<br/>平坦化所述熱傳導材料。
如請求項5所述的方法，其中在所述熱處理中，所述多層互連內的溫度維持在約攝氏400度以下。
如請求項5所述的方法，更包括：<br/>在所述熱處理之前，在所述熱傳導材料上沉積封蓋層；以及<br/>在所述熱處理之後，移除所述封蓋層。
一種積體電路結構，包括：<br/>電晶體裝置，形成於基板之上，所述電晶體裝置具有多個源極/汲極區域以及閘極結構；<br/>多層互連結構，位於所述電晶體裝置之上，其中所述多層互連結構包括嵌入在層間絕緣層中的多個金屬線以及多個金屬通孔；以及<br/>散熱層，佈置在至少部分的所述多層互連結構上方，其中所述散熱層的頂部具有的晶粒尺寸大於所述散熱層的底部的晶粒尺寸。
如請求項8所述的積體電路結構，其中所述散熱層包括電性耦合到所述多層互連結構的多個穿孔。
如請求項9所述的積體電路結構，更包括：<br/>晶粒，接合到所述散熱層，其中所述穿孔提供在所述多層互連結構與所述晶粒之間的電性連接。
一種提供包括頻繁購買商品之頁面之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得用戶於電子商務平台中購買之一個以上之商品之購買歷史； <br/>基於上述購買歷史而確定一個以上之頻繁購買商品； <br/>產生FBI頁面，該FBI頁面包括與上述一個以上之頻繁購買商品各者對應之一個以上之商品區域； <br/>將上述FBI頁面提供至用戶終端； <br/>基於對上述一個以上之商品區域中之第1商品區域進行之觸控輸入，提供第1商品卡片，該第1商品卡片包括與上述第1商品區域對應之商品之資訊；及 <br/>基於對上述第1商品卡片進行之滑移輸入，提供上述FBI頁面中包括之第2商品之第2商品卡片。
如請求項1之方法，其中上述FBI頁面包括： <br/>第1FBI頁面，其包括上述一個以上之頻繁購買商品；及第2FBI頁面，其包括上述一個以上之頻繁購買商品中之包括於設定之類別中之商品。
如請求項2之方法，其包括如下步驟： <br/>確認上述一個以上之頻繁購買商品中之目標商品之庫存；及 <br/>對應於確定上述目標商品無庫存，提供包括預先裝入購物車按鈕及申請補貨通知按鈕之商品卡片。
如請求項2之方法，其包括如下步驟： <br/>確認上述一個以上之頻繁購買商品中之目標商品之庫存；及 <br/>對應於確定上述目標商品有庫存，上述FBI頁面提供包括購物車按鈕及購買按鈕之商品卡片。
如請求項2之方法，其中上述第2FBI頁面進而包括基於用戶輸入而確定開啟/關閉狀態之雙態觸變開關， <br/>產生上述FBI頁面之步驟包括如下步驟： <br/>基於確定上述雙態觸變開關為開啟狀態，產生僅包括上述一個以上之頻繁購買商品中之包括於設定之類別中之商品的FBI頁面；及 <br/>基於確定上述雙態觸變開關為關閉狀態，產生包括上述一個以上之頻繁購買商品全部之FBI頁面。
如請求項2之方法，其中上述第2FBI頁面進而包括可移動至上述第1FBI頁面之鏈路， <br/>上述方法進而包括如下步驟：基於用戶對上述鏈路進行之輸入而提供上述第1FBI頁面。
如請求項2之方法，其中產生上述FBI頁面之步驟包括如下步驟： <br/>將上述一個以上之頻繁購買商品區分為一個以上之類別；及 <br/>產生將上述一個以上之商品按照各類別進行分組而顯示之FBI頁面。
如請求項7之方法，其中產生上述FBI頁面之步驟包括如下步驟： <br/>產生包括按照上述類別進行分組之一個以上之商品之手風琴式折頁； <br/>上述手風琴式折頁包括與上述一個以上之類別對應之標頭、及上述一個以上之頻繁購買商品中之包括於各類別中之商品。
如請求項8之方法，其中產生上述FBI頁面之步驟實行如下動作： <br/>基於對上述手風琴式折頁之標頭進行之觸控輸入，摺疊或展開上述手風琴式折頁。
如請求項7之方法，其中產生上述FBI頁面之步驟進而包括如下步驟： <br/>產生包括上述類別中包括之商品之輪播。
如請求項2之方法，其中產生上述FBI頁面之步驟包括如下步驟： <br/>於上述電子商務平台中進行交易之商品中，將回購率及折扣率較高之一個以上之商品確定為推薦商品；及 <br/>產生包括上述推薦商品之FBI頁面。
如請求項2之方法，其中上述第2FBI頁面為如下頁面：包括上述一個以上之頻繁購買商品中之屬於生鮮食品之商品。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令者， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至12中任一項之方法。
一種印刷電路板（PCB），其包含： <br/>一玄武岩纖維芯，其包含： <br/>包含玄武岩纖維及環氧樹脂之一第一預浸體； <br/>耦接至該第一預浸體之一第一表面之一第一銅層；及 <br/>耦接至該第一預浸體之一第二表面之一第二銅層； <br/>一第三銅層，其耦接至該第一銅層； <br/>一第四銅層，其耦接至該第二銅層； <br/>一第二預浸體，其耦接至該第三銅層，該第二預浸體包含該玄武岩纖維及該環氧樹脂；及 <br/>一第三預浸體，其耦接至該第四銅層，該第三預浸體包含該玄武岩纖維及該環氧樹脂。
如請求項1之PCB，其進一步包含耦接至該第二預浸體之一第五銅層及耦接至該第三預浸體之一第六銅層。
如請求項1之PCB，其中該第一銅層及該第二銅層在一壓縮固化過程期間耦接至該第一預浸體之該第一表面及該第一預浸體之該第二表面。
如請求項1之PCB，其中該PCB之彈性模量在6.0吉帕（GPa）至9.0 GPa之間。
如請求項1之PCB，其中該PCB在一第一軸上具有每攝氏度百萬分之12（12 ppm/℃）與18 ppm/℃之間的一熱膨脹係數（CTE），並且在一第二軸上具有在15 ppm/℃與19 ppm/℃之間的一CTE。
如請求項1之PCB，其中該PCB具有在1.9克/立方厘米（g/cm³）與2.3 g/cm³之間的一密度，並且其中該PCB具有在2.5瓦每米每開爾文（W/m·K）與3.2 W/m·K之間的一熱導率。
如請求項1之PCB，其中該PCB具有在1 GHz下在4.7與5.8之間之一介電常數。
一種製造用於一印刷電路板（PCB）之一玄武岩纖維預浸體之方法，其包含： <br/>乾燥一玄武岩纖維織品； <br/>用一環氧樹脂浸漬該玄武岩纖維織品； <br/>將該玄武岩纖維織品及該環氧樹脂壓縮固化；及 <br/>冷卻該玄武岩纖維織品及該環氧樹脂。
如請求項8之方法，其中乾燥該玄武岩纖維織品包含在70℃與100℃之間的一溫度下乾燥該玄武岩纖維織品三十分鐘至六十分鐘。
如請求項8之方法，其中用該環氧樹脂浸漬該玄武岩織品包含選自以下過程群組中之一或多個過程，包含：浸塗、噴塗、槽模塗佈、浸沒、超聲塗佈、三維打印、輥塗、漆刷、靜電噴塗及一高體積低壓力（HVLP）噴塗。
如請求項8之方法，其中壓縮固化該玄武岩纖維織品包含在170℃與175℃之間的一溫度下在1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力下壓縮固化該玄武岩纖維織品三分鐘至五分鐘。
如請求項8之方法，其中冷卻該玄武岩纖維織品包含水冷卻該玄武岩纖維織品，同時施加1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力三分鐘至五分鐘。
一種製造一印刷電路板（PCB）之方法，其包含： <br/>用環氧樹脂浸漬一第一玄武岩纖維預浸體； <br/>將該第一玄武岩纖維預浸體置放在一第一銅層上； <br/>將一第二銅層置放在該第一玄武岩纖維預浸體之一頂部表面上； <br/>將玄武岩纖維芯置放在該第二銅層上； <br/>將一第三銅層置放在該玄武岩纖維芯之一頂部表面上； <br/>用該環氧樹脂浸漬一第二玄武岩纖維預浸體； <br/>將該第二玄武岩纖維預浸體置放在該第三銅層之一頂部表面上； <br/>將一第四銅層置放在該第二玄武岩纖維預浸體之一頂部表面上；及 <br/>壓縮該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層。
如請求項13之方法，其中壓縮該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層包含在170℃與175℃之間的一溫度下在1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力下壓縮固化該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層三分鐘至十分鐘。
如請求項13之方法，其進一步包含冷卻經壓縮之該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層。
如請求項15之方法，其中冷卻經壓縮之該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層包含水冷卻經壓縮之該玄武岩纖維芯、該第一玄武岩纖維預浸體、該第二玄武岩纖維預浸體、該第一銅層、該第二銅層、該第三銅層及該第四銅層，同時施加1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力三分鐘至五分鐘。
如請求項13之方法，其中製造該第一玄武岩纖維預浸體及該第二玄武岩纖維預浸體包含： <br/>乾燥一玄武岩纖維織品； <br/>用該環氧樹脂浸漬該玄武岩纖維織品； <br/>壓縮固化該玄武岩纖維織品；及 <br/>冷卻該玄武岩纖維織品。
如請求項17之方法，其中乾燥該玄武岩纖維織品包含在70℃與100℃之間的一溫度下乾燥該玄武岩纖維織品三十分鐘至六十分鐘。
如請求項17之方法，其中壓縮固化該玄武岩纖維織品包含在170℃與175℃之間的一溫度下在1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力下壓縮固化該玄武岩纖維織品三分鐘至五分鐘。
如請求項17之方法，其中冷卻該玄武岩纖維織品包含水冷卻該玄武岩纖維織品，同時施加1兆帕（MPa）與10 MPa之間的一壓力三分鐘至五分鐘。
一種可攜式多功能載具充放電系統，包含：一載具接口，可拆地與一載具連接；一控制模組，與該載具接口連接；一電力轉換器模組，與該控制模組連接；一載具充放電監控模組，分別與該載具接口、該控制模組以及該電力轉換器模組連接；一交流接口充放電監控模組，分別與該控制模組以及該電力轉換器模組連接；一內部供電模組，分別與該控制模組、該載具充放電監控模組以及該交流接口充放電監控模組連接；一交流接口，分別與該控制模組、該交流接口充放電監控模組以及該內部供電模組連接；一直流接口，分別與該控制模組以及該電力轉換器模組連接；其中，該電力轉換器模組包含：一第一繼電器，分別與該控制模組以及該載具充放電監控模組連接；一逆變器，與該第一繼電器連接；一第二繼電器，分別與該控制模組、該逆變器以及該交流接口充放電監控模組連接；一第三繼電器，分別與該控制模組以及該載具充放電監控模組連接；一第一整流器，與該第三繼電器連接；一第四繼電器，分別與該控制模組、該第一整流器以及該交流接口充放電監控模組連接；一第五繼電器，分別與該控制模組以及該載具充放電監控模組連接；以及一直流電力轉換器，分別與該第五繼電器以及該直流接口連接。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該控制模組更與一模式切換控制器連接。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該控制模組包含中央處理器(CPU)、微控制器(MCU)、微處理器(MPU)及其組合。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該載具為陸上載具。
如請求項4所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該陸上載具為車輛。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該載具為水上載具。
如請求項6所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該水上載具為船舶。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該逆變器為併網逆變器(Grid-Tie Inverter,GTI)。
如請求項1所述的可攜式多功能載具充放電系統，其中該內部供電模組包含：一第一繼電模組，分別與該控制模組、該載具充放電監控模組以及該交流接口充放電監控模組連接，該第一繼電模組包含：一第一線圈，與該控制模組連接；一常開接點，與該載具充放電監控模組以及該交流接口充放電監控模組連接；一第一常閉接點，與該載具充放電監控模組以及該交流接口充放電監控模組連接；一第二整流器，與該常開接點連接；一儲能模組，與該第一常閉接點連接；一第二繼電模組，分別與該控制模組、該第一繼電模組、該第二整流器以及該交流接口連接，該第二繼電模組包含：一第二線圈，與該控制模組連接；以及一第二常閉接點，分別與該第一線圈、該第二整流器以及該交流接口連接。
一種天線元件，固定在具有接地導體的基板上並構成天線裝置， <br/>該天線元件係，包括上側導體、至少一對腳部及兩個供電部； <br/>其中該上側導體係，在沿著上下方向觀察的情況下，具有相對於通過該上側導體之中心的直線呈線對稱形狀的外周； <br/>其中該一對腳部係，在沿著該上下方向觀察該上側導體的情況下，從該上側導體的該中心觀察，各自朝向互為相反方位的第一方位及第二方位突出，且在該上下方向中各自延伸至下側； <br/>其中在該上側導體處，設置至少一對凹部； <br/>其中該一對凹部係，與該一對腳部一對一地對應； <br/>其中該一對凹部係，在沿著該上下方向觀察該上側導體的情況下，各自在該第二方位及該第一方位凹陷； <br/>其中該等凹部各自係，在與透過該第一方位及該第二方位限定的方向相交的方向中，與對應的該腳部並置； <br/>其中該等供電部各自由彎折該上側導體的一部分而形成。
如請求項1記載之天線元件，其中 <br/>該等凹部各自係，具有寬幅形狀。
如請求項1記載之天線元件，其中 <br/>該等凹部各自係，在與透過該第一方位及該第二方位限定的該方向正交的方向中，與對應的該腳部鄰接配置。
如請求項1記載之天線元件，其中 <br/>該上側導體係，在與該上下方向正交的預定平面內延伸； <br/>在將存在於該預定平面上且具有假想線的四邊之四角形且內部包含該上側導體的最小面積之四角形假設為特定四角形的情況下，互相對應的該腳部與該凹部位於同一邊上。
如請求項4記載之天線元件，其中 <br/>該至少一對腳部係，具有兩對腳部； <br/>該至少一對凹部係，具有兩對凹部； <br/>該等腳部各自係，在該特定四角形中，位於從該上側導體的該中心觀察位於該第一方位及該第二方位的兩個邊之任一者。
如請求項1記載之天線元件，其中 <br/>該天線元件更包括至少一對短截線； <br/>從該上側導體的該中心觀察，透過互為相反方位的第三方位及第四方位限定的方向係，與透過該第一方位及該第二方位限定的該方向正交； <br/>該一對短截線係，各自朝向該第三方位及該第四方位，從該上側導體的該外周延伸； <br/>該等短截線各自係，在沿著該上下方向觀察該上側導體的情況下，不與該上側導體重疊。
如請求項6記載之天線元件，其中 <br/>該等短截線各自係，具有寬幅形狀。
如請求項1記載之天線元件，更包括： <br/>下側導體，從該等腳部各自至少部分地在與該基板的上表面平行的方向上延伸，且在該上下方向中與該上側導體分離。
如請求項1記載之天線元件，更包括： <br/>至少一對附加的腳部，從比該等腳部各自更靠近該上側導體的該中心之位置，在該上下方向中各自延伸至下側；以及 <br/>附加的下側導體，從該等附加的腳部各自至少部分地在與該基板的上表面平行的方向上延伸，且在該上下方向中與該上側導體分離。
如請求項1至請求項9中任一者記載之天線元件，其中 <br/>該天線元件係，由一片鈑金形成。
如請求項10記載之天線元件，其中 <br/>該天線元件係，具有外周形狀為線對稱的展開形狀。
一種天線裝置，包括如請求項1記載之天線元件及該基板，其中 <br/>該基板係，具有該接地導體； <br/>該天線元件係，固定於該基板上。
一種天線裝置，包括由導電體構成的殼體以及天線元件，其中： <br/>前述天線元件配置在前述殼體的內部，並且發射具有與所定平面平行的偏振面的所定頻率的無線電波， <br/>在前述殼體形成有所定開口， <br/>前述所定開口具有兩個主開口以及一個連結開口， <br/>前述兩個主開口在與前述所定平面正交的第一方向上彼此分開， <br/>前述連結開口將前述兩個主開口在前述第一方向上彼此連結， <br/>前述連結開口在與前述第一方向正交的第二方向上具有比前述兩個主開口各自的尺寸小的尺寸， <br/>前述所定開口形成以前述所定頻率諧振的裂環諧振器，並且將與從前述天線元件發射的前述無線電波對應的無線電波發射到前述殼體的外部， <br/>前述天線裝置包括一印刷基板，沿著前述所定平面延伸， <br/>前述天線元件設置在前述印刷基板的一表面。
如請求項1所述的天線裝置，其中： <br/>前述兩個主開口各自具有矩形形狀， <br/>前述連結開口沿著前述第一方向而直線狀地延伸， <br/>前述連結開口在前述第一方向的尺寸大於前述連結開口在前述第二方向的尺寸。
如請求項1或2所述的天線裝置，其中前述兩個主開口彼此具有相同的形狀。
如請求項1或2所述的天線裝置，其中： <br/>前述殼體由金屬板形成， <br/>前述連結開口在前述第二方向的尺寸為前述金屬板的板厚的四倍以下。
如請求項1或2所述的天線裝置，其中前述連結開口在前述第二方向的尺寸為前述兩個主開口各自的內緣的長度的1/50以下。
一種成像光學鏡組，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該成像光學鏡組中的透鏡總數為六片，該第一透鏡具有正屈折力，該第二透鏡具有正屈折力，該第三透鏡具有負屈折力，該第四透鏡像側表面於近光軸處為凹面，該第四透鏡像側表面具有至少一反曲點，該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面，且該成像光學鏡組中所有相鄰透鏡彼此之間無相對移動；<br/> 其中，該第五透鏡於光軸上的厚度為CT5，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該第六透鏡像側表面至一成像面於光軸上的距離為BL，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該成像光學鏡組的焦距為f，該第四透鏡的焦距為f4，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ＜ f/f5+f/f6 ＜ 4.00；<br/> 0.10 ＜ CT5/CT6 ＜ 2.00；<br/> 0.05 ＜ BL/T34 ＜ 1.25；以及<br/> 0.05 ＜ |f4/f5| ＜ 1.45。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第三透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第四透鏡具有負屈折力；<br/> 其中，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> -10.00 ＜ (R1+R2)/(R1-R2) ＜ 1.00。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡物側表面於近光軸處為凸面；<br/> 其中，該成像光學鏡組中最大視角為FOV，其滿足下列條件：<br/> 30.0度 ＜ FOV ＜ 47.0度。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第二透鏡像側表面於近光軸處為凸面，且該第五透鏡像側表面於近光軸處為凹面。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第四透鏡像側表面於離軸處具有至少一臨界點；<br/> 其中，該第六透鏡的阿貝數為V6，其滿足下列條件：<br/> 10.0 ＜ V6 ＜ 26.0。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡於光軸上的厚度為CT1，該第二透鏡物側表面至該成像面於光軸上的距離為Dr3I，該成像光學鏡組的最大成像高度為ImgH，該成像光學鏡組的焦距為f，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，其滿足下列條件：<br/> 2.00 ＜ (CT1+Dr3I)/ImgH ＜ 4.00；以及<br/> 0.00 ＜ f/f5+f/f6 ＜ 4.00。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第二透鏡物側表面的曲率半徑為R3，該第二透鏡像側表面的曲率半徑為R4，該成像光學鏡組的焦距為f，該成像光學鏡組的入瞳孔徑為EPD，其滿足下列條件：<br/> -10.00 ＜ (R3+R4)/(R3-R4) ＜ 0.40；以及<br/> f/EPD ＜ 2.00。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第六透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BL，該第四透鏡物側表面至該第六透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr7r12，該第一透鏡於光軸上的厚度為CT1，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，其滿足下列條件：<br/> 0.25 ＜ BL/Dr7r12；<br/> 0.30 ＜ CT1/CT6 ＜ 2.50；以及<br/> 0.10 ≤ T56/T34 ＜ 1.00。
如請求項1所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，該第三透鏡的焦距為f3，該第四透鏡的焦距為f4，其滿足下列條件：<br/> 1.00 ＜ (T12+T34)/(T23+T45+T56) ＜ 5.00；以及<br/> 0.30 ＜|f3/f4| ＜ 1.30。
一種取像裝置，包含：<br/> 如請求項1所述之成像光學鏡組；以及<br/> 一電子感光元件，設置於該成像光學鏡組的該成像面上。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項10所述之取像裝置。
一種成像光學鏡組，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該成像光學鏡組中的透鏡總數為六片，該第二透鏡具有正屈折力，該第二透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第三透鏡具有負屈折力，該第四透鏡像側表面於近光軸處為凹面，該第四透像側表面具有至少一反曲點，且該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面；<br/> 其中，該成像光學鏡組的焦距為f，該第一透鏡的焦距為f1，該第二透鏡的焦距為f2，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ＜ f/f5+f/f6 ＜ 4.00；<br/> 0.05 ＜ (T45+T56)/T34 ＜ 1.00；<br/> -10.00 ＜ (R1+R2)/(R1-R2) ＜ 0.00；以及<br/> 0.30 ＜ |f1/f2| ＜ 1.70。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第五透鏡具有正屈折力，且該第六透鏡具有正屈折力。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡具有正屈折力，該第三透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第五透鏡物側表面與該第五透鏡像側表面中至少一表面具有至少一反曲點。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡於光軸上的厚度為CT1，該第二透鏡於光軸上的厚度為CT2，其滿足下列條件：<br/> 0.40 ＜ CT1/CT2 ＜ 3.00。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第四透鏡的焦距為f4，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡像側表面至一成像面於光軸上的距離為BL，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ＜ |f4/f5| ＜ 1.45；以及<br/> 0.05 ＜ BL/T34 ＜ 1.25。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第六透鏡像側表面至一成像面於光軸上的距離為BL，該成像光學鏡組的焦距為f，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ＜ BL/f ＜ 0.30。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡物側表面至該第六透鏡像側表面於光軸上的距離為TD，該成像光學鏡組的最大成像高度為ImgH，其滿足下列條件：<br/> 1.90 ＜ TD/ImgH ＜ 3.80。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該成像光學鏡組中所有透鏡於光軸上的厚度總和為ΣCT，該第一透鏡物側表面至該第六透鏡像側表面於光軸上的距離為TD，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ＜ ΣCT/TD ＜ 0.75。
如請求項12所述之成像光學鏡組，其中該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為該成像光學鏡組中所有相鄰透鏡於光軸上間隔距離中的最大者。
一種成像光學鏡組，包含六片透鏡，該六片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡以及第六透鏡，且該六片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該成像光學鏡組中的透鏡總數為六片，該第一透鏡具有正屈折力，該第二透鏡具有正屈折力，該第四透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第四透鏡像側表面具有至少一反曲點；<br/> 其中，該成像光學鏡組的焦距為f，該第二透鏡的焦距為f2，該第四透鏡的焦距為f4，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第六透鏡像側表面至一成像面於光軸上的距離為BL，該第四透鏡物側表面至該第六透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr7r12，該第三透鏡的阿貝數為V3，該第五透鏡的阿貝數為V5，其滿足下列條件：<br/> 0.65 ＜ f/f5+f/f6 ＜ 4.00；<br/> 0.02 ＜ T23/T34 ＜ 1.10；<br/> 0.15 ＜ BL/Dr7r12 ＜ 0.75；<br/> 20.0 ＜ V3+V5 ＜ 60.0；以及<br/> 0.05 ＜ |f4/f2| ＜ 1.25。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡像側表面於近光軸處為凹面，該第五透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第五透鏡物側表面與該第五透鏡像側表面中至少一表面具有至少一反曲點，且該第六透鏡具有正屈折力。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡物側表面至該成像面於光軸上的距離為TL，該成像光學鏡組的焦距為f，該第六透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BL，該第二透鏡於光軸上的厚度為CT2，其滿足下列條件：<br/> 0.80 ＜ TL/f ＜ 1.30；以及<br/> 0.70 ＜ BL/CT2 ＜ 2.00。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第三透鏡的焦距為f3，該第四透鏡的焦距為f4，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ＜|f3/f4| ＜ 1.30。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第六透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BL，該第二透鏡於光軸上的厚度為CT2，該第一透鏡的焦距為f1，該第二透鏡的焦距為f2，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ＜ BL/CT2 ＜ 2.00；以及<br/> |f1/f2| ＜ 1.70。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，其滿足下列條件：<br/> 0.40 ＜ T56/(T12+T45) ＜ 5.00。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該成像光學鏡組中至少三片透鏡各自的阿貝數皆大於5.0且小於27.0。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第一透鏡物側表面的最大有效半徑為Y1R1，該第四透鏡物側表面的最大有效半徑為Y4R1，其滿足下列條件：<br/> 1.00 ＜ Y1R1/Y4R1 ＜ 5.00。
如請求項21所述之成像光學鏡組，其中該第五透鏡於光軸上的厚度為CT5，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該第六透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BL，該第二透鏡與該第三透鏡於光軸上的間隔距離為T23，該第三透鏡與該第四透鏡於光軸上的間隔距離為T34，該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離為T45，該第五透鏡與該第六透鏡於光軸上的間隔距離為T56，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，該成像光學鏡組的焦距為f，該第一透鏡的焦距為f1，該第二透鏡的焦距為f2，該第四透鏡的焦距為f4，該第五透鏡的焦距為f5，該第六透鏡的焦距為f6，該第四透鏡物側表面至該第六透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr7r12，該第三透鏡的阿貝數為V3，該第五透鏡的阿貝數為V5，其滿足下列條件：<br/> 0.28 ≤ CT5/CT6 ≤ 0.67；<br/> 0.58 ≤ BL/T34 ≤ 1.13；<br/> -1.77 ≤ (R1+R2)/(R1-R2) ≤ -0.92；<br/> 0.11 ≤ |f4/f5| ≤ 0.88；<br/> 0.74 ≤ f/f5+f/f6 ≤ 1.37；<br/> 0.21 ≤ (T45+T56)/T34 ≤ 0.70；<br/> 0.51 ≤ |f1/f2| ≤ 0.97；<br/> 0.03 ≤ T23/T34 ≤ 0.25；<br/> 0.33 ≤ BL/Dr7r12 ≤ 0.62；<br/> 36.4 ≤ V3+V5 ≤ 50.8；以及<br/> 0.49 ≤ |f4/f2| ≤ 0.92。
一種由一電子設備執行之用於為一工作人員分配要執行之一工作之方法，該方法包括： <br/>自一管理員之一終端機獲得工作分配資訊，該工作分配資訊包含分配給一或多個工作類別之一或多個工作人員之一數目或一比例； <br/>識別每一工作人員對該一或多個工作類別之工作績效資訊及識別在該一或多個工作類別中之一優先級； <br/>基於該所獲得工作分配資訊、每一工作人員之該工作績效資訊、及在該一或多個工作類別中之該優先級選擇每一工作人員之一工作類別；及 <br/>提供含有與針對每一工作人員之該選擇之一結果相關聯之資訊之一第一頁面， <br/>其中該第一頁面進一步包含分配狀態資訊，該分配狀態資訊指示基於該選擇之該結果之關於每一工作人員之資訊及指示分派給每一工作人員之該工作類別之資訊， <br/>其中該分配狀態資訊包含指示每一工作人員之一建議工作類別之第一資訊及指示每一工作人員是否需要一工作移動之第二資訊， <br/>其中該建議工作類別係基於每一工作人員對每一工作類別之熟練度資訊及關於與每一工作人員相關聯之一履行中心之一程序之資訊而判定，及 <br/>其中是否需要該工作移動係基於針對每一工作人員之該建議工作類別是否與每一工作人員當前執行之一工作類別不同而判定。
如請求項1之方法，其中該優先級係基於對應於該一或多個工作類別之各者之一或多個程序之一緊急性來識別。
如請求項2之方法，其中該一或多個程序之該緊急性係基於剩餘時間、剩餘單位工作數量、及與該一個或多個程序相關聯之當前工作人員數目來判定。
如請求項1之方法，其中該工作績效資訊包含指示基於該工作人員在一特定週期內處理之一單位工作數量及該工作人員執行該數量的該等單位工作之一時間判定之一級別之資訊。
如請求項4之方法，其中該提供該第一頁面進一步包括在該第一頁面上對工作類別之各者顯示指示基於該選擇之該結果分配給工作類別之工作人員之該級別之百分比的資訊。
如請求項1之方法，其中該選擇該工作類別包括針對每一時間間隔基於該工作分配資訊及每一工作人員之該工作績效資訊選擇該工作類別。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>回應於關於重新分派該工作人員來執行該第一工作之一信號，自分派給第二工作之工作人員選擇一或多個工作人員；及 <br/>提供含有關於該所選擇一或多個工作人員之資訊之一第二頁面。
如請求項7之方法，其中該選擇該一或多個工作人員包括基於分派給該第二工作之該等工作人員之對應於該第一工作之一級別及其中每一工作人員執行該第一工作之一時間中之至少一者選擇該一或多個工作人員。
如請求項7之方法，其中該第二頁面進一步含有用於調用由該管理員自該一或多個工作人員選擇之至少一個工作人員之一第一介面，且 <br/>該方法進一步包括回應於對由該管理員選擇之該至少一個工作人員之該調用而將包含用於執行該第一工作之一請求之一調用信號傳輸至該所選擇至少一個工作人員之一終端機。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>回應於來自該管理員之與經排程程序相關聯之一信號，提供含有關於該經排程程序之資訊之一第三頁面， <br/>其中該第三頁面進一步含有每一經排程程序所需之一工作人員數目、當前分派給該程序之一工作人員數目、每一程序之一經排程完成時間、與該程序相關聯之一工作類別，及每一程序之一剩餘單位工作數量。
如請求項1之方法，其中 <br/>該建議工作類別係進一步基於每一經排程程序所需之一工作人員數目、當前分派給該程序之一工作人員數目及每一經排程程序之一經排程完成時間而判定。
如請求項1之方法，其中 <br/>若該工作人員之該建議工作類別與該工作人員當前執行之該工作類別不同，則醒目提示且顯示該第二資訊。
一種用於為一工作人員分配一工作之電子設備，該電子設備包括： <br/>一記憶體，其中儲存有至少一個程式；及 <br/>一處理器，其經組態以自一管理員之一終端機獲得工作分配資訊，識別每一工作人員對該一或多個工作類別之工作績效資訊及識別在該一或多個工作類別中之一優先級，基於該工作分配資訊、每一工作人員之該工作績效資訊、及在該一或多個工作類別中之該優先級選擇每一工作人員之一工作類別，且提供含有與針對每一工作人員之該選擇之一結果相關聯之資訊之一第一頁面， <br/>其中該工作分配資訊包含分配給一或多個工作類別之一或多個工作人員之一數目或一比例， <br/>其中該第一頁面進一步包含分配狀態資訊，該分配狀態資訊指示基於該選擇之該結果之關於每一工作人員之資訊及指示分派給每一工作人員之該工作類別之資訊， <br/>其中該分配狀態資訊包含指示每一工作人員之一建議工作類別之第一資訊及指示每一工作人員是否需要一工作移動之第二資訊， <br/>其中該建議工作類別係基於每一工作人員對每一工作類別之熟練度資訊及關於與每一工作人員相關聯之一履行中心之一程序之資訊而判定，及 <br/>其中是否需要該工作移動係基於針對每一工作人員之該建議工作類別是否與每一工作人員當前執行之一工作類別不同而判定。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括： <br/>一媒體，其經組態以儲存電腦可讀指令， <br/>其中在由一處理器執行時，該等電腦可讀指令允許該處理器執行： <br/>自一管理員之一終端機獲得工作分配資訊，該工作分配資訊包含分配給一或多個工作類別之一或多個工作人員之一數目或一比例； <br/>識別每一工作人員對該一或多個工作類別之工作績效資訊及識別在該一或多個工作類別中之一優先級； <br/>基於該工作分配資訊、每一工作人員之該工作績效資訊、及在該一或多個工作類別中之該優先級選擇每一工作人員之一工作類別；及 <br/>提供含有與針對每一工作人員之該選擇之一結果相關聯之資訊之一第一頁面， <br/>其中該第一頁面進一步包含分配狀態資訊，該分配狀態資訊指示基於該選擇之該結果之關於每一工作人員之資訊及指示分派給每一工作人員之該工作類別之資訊， <br/>其中該分配狀態資訊包含指示每一工作人員之一建議工作類別之第一資訊及指示每一工作人員是否需要一工作移動之第二資訊， <br/>其中該建議工作類別係基於每一工作人員對每一工作類別之熟練度資訊及關於與每一工作人員相關聯之一履行中心之一程序之資訊而判定，及 <br/>其中是否需要該工作移動係基於針對每一工作人員之該建議工作類別是否與每一工作人員當前執行之一工作類別不同而判定。
一種化學氣相沉積設備，包括：<br/>一直立式主爐，具有一爐頂、一爐底和一爐壁，該直立式主爐包括：<br/>一第一加熱爐；<br/>一第二加熱爐，設置於該第一加熱爐下；<br/>一反應爐管，直立穿設該第一加熱爐和該第二加熱爐；以及<br/>多個擋板，間隔設置於該反應爐管的一管壁上，其中該些擋板設置於位於該第二加熱爐中的該反應爐管內；<br/>一可卸載收集裝置，設置在該爐底下方，該可卸載收集裝置包括：<br/>一收集容器，設置於該反應爐管下方；以及<br/>一進料口，設置於該爐頂，且與該反應爐管連通。
如請求項1所述之化學氣相沉積設備，更包括：<br/>一第一加熱器，設置於該第一加熱爐中，並沿著該反應爐管的該管壁延伸；以及<br/>一第二加熱器，設置於該第二加熱爐中，並沿著該反應爐管的該管壁延伸。
如請求項1所述之化學氣相沉積設備，更包括：<br/>一第一封合蓋板，設置於該反應爐管的一頂部，並位於該進料口下方；以及<br/>一第二封合蓋板，設置於該反應爐管的一底部與該可卸載收集裝置之間。
如請求項1所述之化學氣相沉積設備，其中該進料口包括一噴頭位於該反應爐管的一頂部。
如請求項1所述之化學氣相沉積設備，其中該可卸載收集裝置更包括：<br/>一升降載台，用以支撐該收集容器並使該收集容器垂直移動；以及<br/>一卸載滑軌，用以使該收集容器平行移動。
如請求項1所述之化學氣相沉積設備，其中該反應爐管具有2吋至6吋的一口徑。
一種化學氣相沉積設備，包括：<br/>一直立式主爐，具有一爐頂、一爐底和一爐壁，該直立式主爐包括：<br/>一第一加熱爐；<br/>一第二加熱爐，設置於該第一加熱爐下；<br/>一反應爐管，直立穿設該第一加熱爐和該第二加熱爐；以及<br/>多個擋板，間隔設置於該反應爐管的一管壁上，其中該些擋板中的任相鄰兩個之間的一垂直距離為5公分至10公分<br/>一可卸載收集裝置，設置在該爐底下方，該可卸載收集裝置包括：<br/>一收集容器，設置於該反應爐管下方；以及<br/>一進料口，設置於該爐頂，且與該反應爐管連通。
一種化學氣相沉積設備，包括：<br/>一直立式主爐，具有一爐頂、一爐底和一爐壁，該直立式主爐包括：<br/>一第一加熱爐；<br/>一第二加熱爐，設置於該第一加熱爐下；<br/>一反應爐管，直立穿設該第一加熱爐和該第二加熱爐；以及<br/>多個擋板，間隔設置於該反應爐管的一管壁上，其中該些擋板的材料包括石墨、二硫化鉬或其組合；<br/>一可卸載收集裝置，設置在該爐底下方，該可卸載收集裝置包括：<br/>一收集容器，設置於該反應爐管下方；以及<br/>一進料口，設置於該爐頂，且與該反應爐管連通。
一種分支耦合器，適用於微波電路，其中，所述分支耦合器設置於基板上，所述基板包括頂層、底層及中間層，所述分支耦合器包括： <br/>輸入端，設置於所述基板的底層； <br/>隔離端，設置於所述基板的底層； <br/>第一輸出端，設置於所述基板的頂層； <br/>第二輸出端，設置於所述基板的頂層； <br/>接地層，設置於所述基板的中間層； <br/>第一傳輸線，電連接於所述輸入端及所述隔離端之間； <br/>第二傳輸線，電連接於所述第一輸出端與所述第二輸出端之間； <br/>第一分支線，電連接於所述輸入端； <br/>第二分支線，電連接於所述隔離端； <br/>第三分支線，垂直電連接於所述第一輸出端；及 <br/>第四分支線，垂直電連接於所述第二輸出端，其中，所述第一分支線和所述第三分支線通過第一通孔電連接，所述第二分支線和所述第四分支線通過第二通孔電連接。
如請求項1所述的分支耦合器，其中，還包括： <br/>第一連接部，設置於所述基板的底層； <br/>第一電容，設置於所述基板的底層，一端電連接於所述第一傳輸線，另一端電連接於所述第一連接部； <br/>第二連接部，設置於所述基板的頂層，通過第三通孔電連接於所述接地層及所述第一連接部； <br/>第二電容，設置於所述基板的頂層，一端電連接於所述第二傳輸線，另一端電連接於所述第二連接部。
如請求項2所述的分支耦合器，其中： <br/>所述第一分支線與所述第二分支線圍繞形成第一收納空間，所述第一電容及所述第一連接部設置於所述第一收納空間； <br/>所述第三分支線與所述第四分支線圍繞形成第二收納空間，所述第二電容及所述第二連接部設置於所述第二收納空間。
如請求項1所述的分支耦合器，其中，所述第三分支線包括： <br/>第一部，一端垂直電連接於所述第二傳輸線； <br/>第二部，一端垂直電連接於所述第一部的另一端； <br/>第三連接部，一端垂直電連接於所述第一部的中部，另一端通過所述第一通孔電連接於所述第一分支線及所述接地層； <br/>第三部，呈長條形，一端垂直電連接於所述第二部的另一端的外側，另一端懸空； <br/>第四部，呈長條形，一端垂直電連接於所述第二部的另一端的內側，另一端懸空，所述第四部的長度短於所述第三部的長度。
如請求項1所述的分支耦合器，其中，所述第一分支線與所述第三分支線的結構相同，所述第一分支線與所述第三分支線在所述基板上的投影重合。
如請求項1所述的分支耦合器，其中，所述第四分支線包括： <br/>第五部，一端垂直電連接於所述第二傳輸線； <br/>第六部，一端垂直電連接於所述第五部的另一端； <br/>第四連接部，一端垂直電連接於所述第五部的中部，另一端通過所述第二通孔電連接於所述第二分支線及所述接地層； <br/>第七部，呈長條形，一端垂直電連接於所述第六部的另一端的外側，另一端懸空； <br/>第八部，呈長條形，一端垂直電連接於所述第六部的另一端的內側，另一端懸空，所述第八部的長度長於所述第七部的長度。
如請求項1所述的分支耦合器，其中，所述第二分支線與所述第四分支線的結構相同，所述第二分支線與所述第四分支線在所述基板上的投影重合。
如請求項1所述的分支耦合器，其中： <br/>所述第一傳輸線與所述第二傳輸線在所述基板上的投影重合； <br/>所述第一傳輸線與所述第二傳輸線在所述接地層的投影區域被挖空。
如請求項1所述的分支耦合器，其中： <br/>所述輸入端及所述隔離端分別垂直電連接於所述第一傳輸線。
如請求項1所述的分支耦合器，其中： <br/>所述輸入端與所述第一輸出端在所述基板上的投影相互垂直； <br/>所述隔離端與所述第二輸出端在所述基板上的投影相互垂直。
一種NOR型快閃記憶體陣列，形成於一基板上，包含：<br/> 多個記憶體單元，被配置為具有行與列的電路組態，各記憶體單元包含一通道區、一源極區、一汲極區、一電荷儲存物質和一控制閘，其中沿著一預設方向配置的該些記憶體單元被分為複數個單元配對，使得各該單元配對分享一共源極區，且該共源極區被一源極口袋佈植區所環繞；<br/> 其中，該源極口袋佈植區和該基板具有相同的導電型態，且該源極口袋佈植區比該通道區的汲極側具有更高的雜質濃度；以及<br/> 其中，於一選定單元配對的一選定記憶體單元中，當該基板被接地、該源極區被浮接、該汲極區被施加一汲極電壓Vd以及該控制閘被施加一正電壓時，由該源極口袋佈植區至該電荷儲存物質的電子注入率會高於從該通道區的汲極側至該電荷儲存物質的電子注入率，其中2V＜=Vd＜=6V。
如請求項1之記憶體陣列，其中該電子注入率係有關多個三次電子的注入率，其中，在該源極口袋佈植區提供的電場中被加速而朝向該基板的多個重電洞的第一能量轉移而產生該些三次電子，以及其中在一通道電場中被加速而朝向該汲極區的多個表面反向電子的第二能量轉移而產生該些重電洞。
如請求項1之記憶體陣列，其中由該源極口袋佈植區至該電荷儲存物質的電子注入率會比從該通道區的汲極側至該電荷儲存物質的電子注入率高出數百倍至數千倍。
如請求項1之記憶體陣列，其中該源極口袋佈植區中的雜質濃度越高，該源極口袋佈植區產生的電場越強。
如請求項1之記憶體陣列，其中該源極口袋佈植區中的雜質濃度越高，於該選定記憶體單元的元件穿透崩潰電壓也越高。
如請求項1之記憶體陣列，其中該源極口袋佈植區被傾斜佈植劑量範圍介於10<sup>1</sup><sup>2</sup> cm<sup>-2</sup>至 10<sup>1</sup><sup>4</sup> cm<sup>-2</sup>之間的雜質。
如請求項1之記憶體陣列，其中該些記憶體單元的閘極長度小於100奈米。
如請求項1之記憶體陣列，其中該電荷儲存物質係導電浮閘、電荷陷入介電層、以及奈米晶粒之其一。
如請求項1之記憶體陣列，其中該預設方向為一行方向及一列方向之其一。
如請求項1之記憶體陣列，其中沿著該通道區不同的雜質濃度分布形成一梯度通道。
一種形成一NOR型快閃記憶體陣列的方法，該NOR型快閃記憶體陣列包含多個記憶體單元，被配置為具有行與列的電路組態，沿著一預設方向的該些記憶體單元被分為複數個單元配對，使得各該單元配對分享一共同主動區，該方法包含以下步驟：<br/> 沿著該預設方向，提供多個隔離結構，且各隔離結構包含一電荷儲存物質形成於一基板上；<br/> 於該基板的表面上，形成一個具有多個開口的光阻層，其中該些開口對應該些單元配對的共同主動區；<br/> 於平行一閘極長度方向的第一方向上，以劑量介於10<sup>1</sup><sup>2</sup> cm<sup>-2</sup>至 10<sup>1</sup><sup>4</sup> cm<sup>-2</sup>之間的雜質，對該些單元配對的共同主動區進行一第一傾斜口袋佈植，以形成多個第一雜質分布區；<br/> 於相反於該第一方向的第二方向上，以劑量介於10<sup>1</sup><sup>2</sup> cm<sup>-2</sup>至 10<sup>1</sup><sup>4</sup> cm<sup>-2</sup>之間的雜質，對該些單元配對的共同主動區進行一第二傾斜口袋佈植，以形成多個第二雜質分布區，以致於該些第一雜質分布區與該些第二雜質分布區部分重疊而形成多個源極口袋佈植區；<br/> 於各單元配對的源極口袋佈植區內，形成一共源極區，以致於該共源極區被一對應源極口袋佈植區所環繞；以及<br/> 形成各記憶體單元的汲極區及控制閘；<br/> 其中，該源極口袋佈植區和該基板具有相同的導電型態，且該源極口袋佈植區比各記憶體單元的通道區的汲極側具有更高的雜質濃度；以及<br/> 其中，於一選定單元配對的一選定記憶體單元中，當該基板被接地、該源極區被浮接、該汲極區被施加一汲極電壓Vd以及該控制閘被施加一正電壓時，由該源極口袋佈植區至該電荷儲存物質的電子注入率會高於從該通道區的汲極側至該電荷儲存物質的電子注入率，其中2V＜=Vd＜=6V。
如請求項11之方法，其中該電子注入率係有關多個三次電子的注入率，其中，在該源極口袋佈植區提供的電場中被加速而朝向該基板的多個重電洞的第一能量轉移而產生該些三次電子，以及其中在一通道電場中被加速而朝向該汲極區的多個表面反向電子的第二能量轉移而產生該些重電洞。
如請求項11之方法，其中由該源極口袋佈植區至該電荷儲存物質的電子注入率會比從該通道區的汲極側至該電荷儲存物質的電子注入率高出數百倍至數千倍。
如請求項11之方法，其中該源極口袋佈植區中的雜質濃度越高，該源極口袋佈植區產生的電場越強。
如請求項11之方法，其中該源極口袋佈植區中的雜質濃度越高，於該選定記憶體單元的元件穿透崩潰電壓也越高。
如請求項11之方法，其中該些記憶體單元的閘極長度小於100奈米。
如請求項11之方法，其中該電荷儲存物質係導電浮閘、電荷陷入介電層、以及奈米晶粒之其一。
如請求項11之方法，其中該預設方向為一行方向及一列方向之其一。
如請求項11之方法，其中沿著該通道區不同的雜質濃度分布形成一梯度通道。
一種多軸鉸鏈裝置，其具有安裝在一電子機器之一殼體的一鉸鏈軸，以及安裝在該電子機器之另一殼體的一鉸鏈軸，該對鉸鏈軸彼此連結得以相對地轉動，讓該對殼體彼此連結得以相對地在360度之間開闔，該多軸鉸鏈裝置包含：<br/>一基礎框架，其設置該多軸鉸鏈裝置；<br/>一安裝板，該安裝板的一端安裝在該基礎框架得以搖動，另一端安裝在該對殼體；<br/>一蓋體，其安裝在該安裝板的下面；及<br/>一蓋體滑軌機構，其安裝在該安裝板長邊方向的端部，對該蓋體施力；<br/>其中該蓋體滑軌機構包含：<br/>一彈性構件；<br/>一蓋體施力部，其藉由該彈性構件施力；及<br/>一滑動托架，其安裝在該安裝板；<br/>該蓋體具有直立設在該安裝板側的一耳部；<br/>該彈性構件、該蓋體施力部及該耳部收納在該滑動托架內，該耳部螺鎖於該蓋體施力部，藉由該彈性構件施力。
如請求項1所述的多軸鉸鏈裝置，在內折狀態時，該彈性構件被壓縮往該基礎框架側，透過該彈性構件的復原力施力讓該蓋體往該對殼體側靠近；在外折狀態時，該彈性構件被拉往該對殼體側，透過該彈性構件的復原力施力讓該蓋體施力部往該基礎框架側靠近。
如請求項2所述的多軸鉸鏈裝置，該滑動托架具有往該彈性構件施力方向延伸的一被滑動部，該蓋體施力部沿著該被滑動部滑動。
如請求項3所述的多軸鉸鏈裝置，該蓋體施力部具有供該彈性構件插入的一插入孔，該彈性構件將其靠近該對殼體側的一端插入該插入孔，該彈性構件靠近該基礎框架側的另一端藉由一結合構件支撐而保持在該滑動托架內，該結合構件螺鎖在該滑動托架。
一種電子機器，其包含：<br/>一對殼體；<br/>一軟性顯示板，其橫跨安裝在該對殼體的兩內面；及<br/>如請求項1～4任一項所述的多軸鉸鏈裝置，其配置在該軟性顯示板的背面側，並透過相對的轉動動作連結該對殼體在開啟位置及閉合位置之間得以轉動。
一種顯示裝置，包括： <br/>驅動基板； <br/>多個發光元件，設置在該驅動基板上，該些發光元件中的每一個發光元件具有背離該驅動基板的出光面，以及環繞該出光面的側壁；以及 <br/>介質層，設置在該些發光元件上，其中該介質層具有凸起部以及凹槽，該凹槽位於該出光面上，該凸起部環繞該側壁以定義該凹槽，該凸起部相對於該凹槽的底部具有高度，以及該凸起部具有朝向該發光元件的第一斜面，且該第一斜面和該出光面之間具有第一夾角，並滿足以下條件式： <br/>n1＞n2＞1；以及 <br/>45≥α1＞0， <br/>其中n1為該些發光元件的最大折射率，n2為該介質層的折射率，以及α1為該第一夾角的角度值。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該介質層進一步接觸該驅動基板，並且還具有背離該發光元件的第二斜面，該第二斜面相對於該驅動基板具有第二夾角，並滿足以下條件式：45≥α2＞0，其中α2為該第二夾角的角度值。
如請求項2所述的顯示裝置，還進一步滿足以下條件式：α1 = α2。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件還包括第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件，並進一步滿足以下條件式： <br/>4≥nr＞1；3.5≥ng＞1；3.5≥nb＞1；以及3.5＞n2＞1， <br/>其中nr為該第一發光元件的折射率，ng為該第二發光元件的折射率，nb為該第三發光元件的折射率。
如請求項4所述的顯示裝置，其中該第一發光元件所發出的光的波長，大於該第二發光元件和該第三發光元件所發出的光的波長。
如請求項1所述的顯示裝置，其中覆蓋該些發光元件的該介質層彼此分離。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該介質層完全覆蓋該出光面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該些發光元件為微型發光二極體、發光二極體或是次毫米發光二極體。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括： <br/>空氣層，其中該介質層設置在該發光元件和該空氣層之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在該顯示裝置的俯視方向上，該凹槽的形狀和該出光面的形狀實質上相同。
一種封裝結構，包括：<br/> 一封裝基板；<br/> 一封裝部件，設置在該封裝基板的上方；<br/> 一蓋體，設置在該封裝基板以及該封裝部件的上方；以及<br/> 一主動冷卻裝置，埋入該蓋體中，<br/> 其中，該主動冷卻裝置包括：<br/> 一基板，包括複數個側壁；以及<br/> 複數個熱電冷卻單元，分別沿著該等側壁設置，<br/> 其中，該等熱電冷卻單元中的每一者以與該等側壁中對應的一者垂直的一方向引導熱量遠離該基板之一幾何中心。
如請求項1所述之封裝結構，<br/> 其中，該蓋體包括一下緣以及一底面，<br/> 其中，該下緣由一黏合劑附接至該封裝基板之一頂面，<br/> 其中，該底面由一熱界面材料層附接至該封裝部件之一頂面。
如請求項2所述之封裝結構，<br/> 其中，該主動冷卻裝置包括一底面，<br/> 其中，該主動冷卻裝置之該底面與該蓋體之該底面共面。
如請求項1所述之封裝結構，<br/> 其中，該封裝部件包括一局部熱點，<br/> 其中，該主動冷卻裝置直接地設置在該局部熱點的上方。
如請求項1所述之封裝結構，其中，該主動冷卻裝置由一直流電源供電。
如請求項1所述之封裝結構，<br/> 其中，該等熱電冷卻單元中的每一者包括：<br/> 一第一導熱板，熱耦接至該基板；<br/> 一共同導體，接觸該第一導熱板；<br/> 一n型半導體特徵以及一p型半導體特徵，設置在該共同導體上；<br/> 一第一導體，接觸該n型半導體特徵；<br/> 一第二導體，接觸該p型半導體特徵；以及<br/> 一第二導熱板，接觸該第一導體以及該第二導體。
如請求項6所述之封裝結構，其中，該等熱電冷卻單元並聯連接。
如請求項6所述之封裝結構，其中，該等熱電冷卻單元串聯連接。
一種冷卻特徵，包括：<br/> 一遮蓋部；<br/> 一環形部，自該遮蓋部之一底面連續地延伸，以界定被配置為容納一封裝部件的一空腔；以及<br/> 一主動冷卻裝置，埋入該遮蓋部，<br/> 其中，該主動冷卻裝置之一底面與該遮蓋部之該底面共平面，<br/> 其中，該主動冷卻裝置包括：<br/> 一基板，包括複數個側壁；以及<br/> 複數個熱電冷卻單元，分別沿著該等側壁設置，<br/> 其中，該等熱電冷卻單元中的每一者自該等側壁中對應的一者吸收熱量後徑向地輻射或傳導熱量遠離該基板之一幾何中心。
如請求項9所述之冷卻特徵，<br/> 其中，該遮蓋部之該底面包括一表面區域，<br/> 其中，該主動冷卻裝置之一垂直投影區域小於該表面區域之50%。
如請求項9所述之冷卻特徵，<br/> 其中，該等熱電冷卻單元中的每一者包括：<br/> 一第一導熱板，熱耦接至該基板；<br/> 一共同導體，接觸該第一導熱板；<br/> 一n型半導體特徵以及一p型半導體特徵，設置在該共同導體上；<br/> 一第一導體，接觸該n型半導體特徵；<br/> 一第二導體，接觸該p型半導體特徵；以及<br/> 一第二導熱板，接觸該第一導體以及該第二導體。
一種用於冷卻封裝結構之方法，包括：<br/> 接收一封裝部件之一設計；<br/> 獲取該封裝部件之一熱圖以識別一局部熱點；以及<br/> 製造一蓋體，該蓋體包括一埋入式主動冷卻裝置，當該蓋體附接至該封裝部件時，該埋入式主動冷卻裝置與該局部熱點垂直對齊，<br/> 其中，該埋入式主動冷卻裝置包括：<br/> 一基板，包括複數個側壁；以及<br/> 複數個熱電冷卻單元，分別沿著該等側壁設置，<br/> 其中，該等熱電冷卻單元中的每一者以與該等側壁中對應的一者垂直的一方向引導熱量遠離該基板之一幾何中心。
如請求項12所述之用於冷卻封裝結構之方法，其中，該封裝部件之該熱圖之該獲取包括基於該封裝部件之該設計執行一模擬。
如請求項12所述之用於冷卻封裝結構之方法，其中，該封裝部件之該熱圖之該獲取包括：<br/> 基於該封裝部件之該設計製造該封裝部件；以及<br/> 在該封裝部件之操作期間測量該封裝部件之一頂面的不同位置處的溫度。
如請求項12所述之用於冷卻封裝結構之方法，更包括：<br/> 基於該封裝部件之該設計製造該封裝部件；<br/> 將該封裝部件接合至一封裝基板；以及<br/> 將該蓋體附接至該封裝部件以及該封裝基板。
一種半導體裝置，包括：<br/> 多個閘極堆疊形成於一基底上，且該些閘極堆疊沿著一第一方向延伸且在一第二方向上彼此相隔一間距，其中相鄰的該些閘極堆疊之間具有一氣隙；<br/> 一第一絕緣層，位於該些閘極堆疊和該些氣隙上方，其中該第一絕緣層暴露出各該閘極堆疊的一端部；以及<br/> 一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上方，且該第二絕緣層覆蓋位於該第一絕緣層以外的該些閘極堆疊的該些端部，其中該第二絕緣層填充於該些閘極堆疊的該些端部之間，以密封各該氣隙的兩端。
如請求項1之半導體裝置，其中該些氣隙在該第一絕緣層的下方沿著該第一方向延伸至與該第二絕緣層接觸，且該些氣隙具有平坦的頂表面。
如請求項1之半導體裝置，其中該些氣隙在該第一方向上具有一第一長度，該些閘極堆疊在該第一方向上具有一第二長度，該第一長度小於該第二長度。
如請求項1之半導體裝置，其中該第二絕緣層包括：<br/> 一第一部分，位於該第一絕緣層上，且該第一部分具有一第一厚度；以及<br/> 一第二部分，位於該第一絕緣層以外並且填充於該些閘極堆疊的該些端部之間，且該第二部分具有一第二厚度，其中該第二厚度大於該第一厚度；以及<br/> 一第三部分，覆蓋該第一絕緣層以外的該些閘極堆疊的該些端部露出的背面。
如請求項2之半導體裝置，其中該些氣隙在該第二方向上分別具有上寬下窄的一剖面形狀。
如請求項1之半導體裝置，更包括一原子層沉積氧化層共形地覆蓋該些閘極堆疊，其中該原子層沉積氧化層暴露於該些氣隙中。
如請求項1之半導體裝置，其中該第一絕緣層位於該些氣隙上的一頂表面齊平或高於相鄰的該些閘極堆疊的頂表面。
如請求項1之半導體裝置，更包括：<br/> 多個拾取電極，形成於該基底上，各該拾取電極電性連接至該些閘極堆疊的一者，其中兩相鄰的該些拾取電極之間具有該氣隙，該第一絕緣層更位於該些拾取電極和該些氣隙上方，其中該第一絕緣層暴露出各該拾取電極的一端部，該第二絕緣層覆蓋位於該第一絕緣層以外的該些拾取電極的該些端部。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 形成多個閘極堆疊於一基底上，其中該些閘極堆疊沿著一第一方向延伸且在一第二方向上彼此相隔一間距，且相鄰的兩該些閘極堆疊之間具有一空間；<br/> 形成一第一絕緣層於該些閘極堆疊和該些空間上方，其中該第一絕緣層露出各該閘極堆疊的一端部；以及 <br/> 形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上方，且該第二絕緣層覆蓋位於該第一絕緣層以外的該些閘極堆疊的該些端部，其中該第二絕緣層填充於該些閘極堆疊的該些端部之間，以密封各該空間的兩端，而在兩該些閘極堆疊之間形成一氣隙。
如請求項9之半導體裝置的製造方法，其中形成該些閘極堆疊之後，更包括：<br/> 形成一犧牲材料於該基底的上方，且該犧牲材料覆蓋該些閘極堆疊並填入該些閘極堆疊之間的該些空間；<br/> 去除該犧牲材料的一部份，該犧牲材料的留下部分為一犧牲層，該犧牲層露出該些閘極堆疊的頂表面；以及 <br/> 形成一絕緣材料層於該犧牲層的上方。
如請求項10之半導體裝置的製造方法，其中該犧牲材料下凹至露出該些閘極堆疊的頂部的側表面。
如請求項10之半導體裝置的製造方法，其中形成的該絕緣材料層的一底表面與該些閘極堆疊的該些頂表面共平面。
如請求項10之半導體裝置的製造方法，其中該犧牲層在第一溫度下硬化，該絕緣材料層在第二溫度下沉積於該犧牲層上，且該第二溫度低於該第一溫度。
如請求項10之半導體裝置的製造方法，其中形成該絕緣材料層於該犧牲層的上方之後，更包括：<br/> 提供一遮罩於該絕緣材料層的上方，其中該遮罩具有一第一開口對應於該些閘極堆疊的該些端部和該犧牲層的端部和一第二開口對應於在該第一方向上延伸的該些閘極堆疊和該犧牲層的中間部分；以及 <br/> 根據該遮罩去除該絕緣材料層的一部份，該絕緣材料層的留下部份形成該第一絕緣層，其中該第一絕緣層在對應該第一開口處暴露出該些閘極堆疊的該些端部和該犧牲層的該些端部，該第一絕緣層在對應該第二開口處暴露出該些閘極堆疊的該些中間部分和該犧牲層的該些中間部分。
如請求項14之半導體裝置的製造方法，其中形成該第一絕緣層之後，更包括：<br/> 去除該犧牲層，以在相鄰的兩該些閘極堆疊之間露出該空間，其中該犧牲層包含一負型光阻，以一顯影液溶解去除該負型光阻。
如請求項15之半導體裝置的製造方法，其中去除該犧牲層之後，形成該第二絕緣層於該第一絕緣層上方，且該第二絕緣層覆蓋該些閘極堆疊的該些端部並填入該些空間的端部，該些空間的留下部分形成該些氣隙。
如請求項16之半導體裝置的製造方法，其中該第二絕緣層更延伸至覆蓋該第一絕緣層以外的該些閘極堆疊的該些端部的背面。
如請求項9之半導體裝置的製造方法，其中該些氣隙在該第一絕緣層的下方沿著該第一方向延伸至與該第二絕緣層接觸，且該些氣隙具有平坦的頂表面。
如請求項9之半導體裝置的製造方法，更包括：<br/> 形成多個拾取電極於該基底上，各該拾取電極電性連接至該些閘極堆疊的一者，其中形成該氣隙於兩相鄰的該些拾取電極之間，形成該第一絕緣層於該些拾取電極和位於該些拾取電極之間的該氣隙的上方，其中該第一絕緣層暴露出各該拾取電極的一端部，該第二絕緣層覆蓋位於該第一絕緣層以外的該些拾取電極的該些端部。
一種半導體封裝體，包括：<br/> 一基板，具有一上表面和一下表面；<br/> 複數個第一積體電路裝置，安裝在該上表面上；<br/> 複數個第二積體電路裝置，安裝在該下表面上；<br/> 一第一均溫板散熱器，位於該些第一積體電路裝置之上；<br/> 一第二均溫板散熱器，位於該些第二積體電路裝置之上； <br/> 一傳熱構件，熱耦合該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器；<br/> 一散熱片，附接到該第一均溫板散熱器；以及<br/> 一第三均溫板散熱器，位於該些第一積體電路裝置之上，並經由一熱界面材料與該些第一積體電路裝置熱接觸，<br/> 其中該第一均溫板散熱器設置在該第三均溫板散熱器的與該些第一積體電路裝置相對的一側上，且該散熱片位於該第一均溫板散熱器與該第三均溫板散熱器之間，並連接到該第一均溫板散熱器和該第三均溫板散熱器，且<br/> 其中該第三均溫板散熱器不與該第二均溫板散熱器熱耦合。
如請求項1之半導體封裝體，其中該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器中的每一者具有一基本上平板結構且包括一蒸氣腔室，該蒸氣腔室包含密封在其中的一兩相可蒸發液體，且<br/> 其中該傳熱構件係一均溫板傳熱通道，並具有與該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器相同的結構。
如請求項2之半導體封裝體，其中該傳熱構件從該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器中的其一者均溫板散熱器連續延伸，且該傳熱構件和該均溫板散熱器共享單一蒸氣腔室，且<br/> 其中該傳熱構件的一遠端經由一熱界面材料與該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器中的另一者熱接觸。
如請求項2之半導體封裝體，其中該第一均溫板散熱器、該第二均溫板散熱器以及該傳熱構件一體成型，並共享單一連續的蒸氣腔室。
如請求項1之半導體封裝體，其中該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器中的每一者具有一基本上平板結構且包括一蒸氣腔室，該蒸氣腔室包含密封在其中的一兩相可蒸發液體，且<br/> 其中該傳熱構件係一熱管，並經由一熱界面材料或通過焊接連接到該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器中的每一者。
一種半導體封裝體，包括：<br/> 一基板，具有一上表面和一下表面；<br/> 複數個第一積體電路裝置，安裝在該上表面上；<br/> 複數個第二積體電路裝置，安裝在該下表面上；<br/> 一第一均溫板散熱器，位於該些第一積體電路裝置之上；<br/> 一第二均溫板散熱器，位於該些第二積體電路裝置之上；<br/> 一傳熱構件，熱耦合該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器；以及<br/> 一散熱片，經由一熱界面材料附接到該些第一積體電路裝置，<br/> 其中該第一均溫板散熱器位於該散熱片之上並與該散熱片熱接觸，且該散熱片位於該第一均溫板散熱器與該些第一積體電路裝置之間。
一種半導體封裝體，包括：<br/> 一基板，具有一第一表面和一第二表面，該第一表面為該基板的一上表面且該第二表面為該基板的一下表面；<br/> 複數個第一封裝部件，安裝在該第一表面上；<br/> 複數個第二封裝部件，安裝在該第二表面上；<br/> 一第一均溫板散熱器，位於該些第一封裝部件之上； <br/> 一第二均溫板散熱器，位於該些第二封裝部件之上，且該第二均溫板散熱器包括：<br/> 一主體；以及<br/> 一傳熱通道，從該主體連續延伸以熱接觸該第一均溫板散熱器；<br/> 一散熱片，包括附接到該第一均溫板散熱器的複數個鰭片結構；以及 <br/> 一第三均溫板散熱器，與該些第一封裝部件熱接觸，其中該散熱片位於該第一均溫板散熱器與該第三均溫板散熱器之間，並與該第一均溫板散熱器和該第三均溫板散熱器均熱接觸。
如請求項7之半導體封裝體，其中該第二均溫板散熱器的該主體與該傳熱通道之間不形成接合界面。
如請求項7之半導體封裝體，更包括：<br/> 一系統板；以及<br/> 複數個螺絲，穿過該第一均溫板散熱器、該第三均溫板散熱器以及該系統板。
一種半導體封裝體的散熱方法，包括：<br/> 提供一封裝結構，該封裝結構包括一基板、安裝在該基板的一上表面上的複數個第一積體電路裝置、以及安裝在該基板的一下表面上的複數個第二積體電路裝置；<br/> 設置一第一均溫板散熱器與該些第一積體電路裝置熱耦合；<br/> 設置一第二均溫板散熱器與該些第二積體電路裝置熱耦合； <br/> 使用一或多個傳熱通道熱耦合該第一均溫板散熱器和該第二均溫板散熱器，使得熱能可以從該第二均溫板散熱器傳遞到該第一均溫板散熱器；<br/> 附接一散熱片至該第一均溫板散熱器；以及<br/> 設置一第三均溫板散熱器與該些第一積體電路裝置熱耦合，其中該第一均溫板散熱器設置在該第三均溫板散熱器的與該些第一積體電路裝置相對的一側上，且該散熱片位於該第一均溫板散熱器與該第三均溫板散熱器之間，並連接到該第一均溫板散熱器和該第三均溫板散熱器，且<br/> 其中該第三均溫板散熱器不與該第二均溫板散熱器熱耦合。
一種用於降低多個介電結構在一基板上的一深度負載的方法，該方法包含以下步驟：接收一基板，該基板包含在一側向方向上延伸的複數個長虛設閘極區，每一虛設閘極區具有一第一介電間隔物及一第二介電間隔物，在該側向方向上延伸並直接接觸該虛設閘極區之多個相對側面；一第一連續蝕刻終止層，在該側向方向上延伸並直接接觸該第一介電間隔物的與該虛設閘極區之側面相對的一側面；及一第二連續蝕刻終止層，在該側向方向上延伸並直接接觸該第二介電間隔物的與該虛設閘極區之側面相對的一側面；在該基板上方形成施加一壓力的一硬遮罩層；圖案化該硬遮罩層以在該些長虛設閘極區上方界定孤立長溝槽之一集合及密集短溝槽之一集合；蝕刻穿過該硬遮罩層以形成孤立長溝槽之該集合；蝕刻穿過該硬遮罩層以形成密集短溝槽之該集合，其中複數個短溝槽形成自一長虛設閘極區，其中虛設閘極材料之一壁分離多個相鄰短溝槽；及用至少一個介電材料填充每一溝槽，以在該基板上形成孤立長介電結構之一集合及密集短介電結構之一集合。
如請求項1所述之方法，其中孤立長介電結構之該集合的一平均臨界尺寸及密集短介電結構之該集合的一平均臨界尺寸各個為20奈米或更小。
如請求項1所述之方法，其中孤立長介電結構之該集合的一平均深度及密集短介電結構之該集合的一平均深度各個為至少180奈米。
如請求項1所述之方法，其中該深度負載為±60奈米。
如請求項1所述之方法，其中該第一介電間隔物及該第二介電間隔物由碳氧氮化矽製成。
如請求項1所述之方法，其中該第一介電間隔物及該第二介電間隔物的一(碳+氮)含量各個小於5莫耳%。
如請求項1所述之方法，其中該第一連續蝕刻終止層及該第二連續蝕刻終止層由氮化矽製成。
如請求項1所述之方法，其中該第一介電間隔物的一厚度與該第一連續蝕刻終止層的一厚度之一比率為約8/3或更高。
一種用於降低多個介電結構在一基板上的一深度負載的方法，該方法包含以下步驟：接收一基板，該基板包含在一側向方向上延伸的複數個長虛設閘極區，每一虛設閘極區具有一第一介電間隔物及一第二介電間隔物，在該側向方向上延伸並直接接觸該虛設閘極區之多個相對側面；一第一連續蝕刻終止層，在該側向方向上延伸並直接接觸該第一介電間隔物的與該虛設閘極區之側面相對的一側面；及一第二連續蝕刻終止層，在該側向方向上延伸並直接接觸該第二介電間隔物的與該虛設閘極區之側面相對的一側面；在該基板上方形成施加一張力的一硬遮罩層；圖案化該硬遮罩層以在該些長虛設閘極區上方界定孤立長溝槽之一集合及密集短溝槽之一集合；蝕刻穿過該硬遮罩層以形成孤立長溝槽之該集合；蝕刻穿過該硬遮罩層以形成密集短溝槽之該集合，其中複數個短溝槽形成自一長虛設閘極區，其中虛設閘極材料之一壁分離開多個相鄰短溝槽；及用至少一個介電材料填充每一溝槽，以在該基板上形成孤立長介電結構之一集合及密集短介電結構之一集合。
一種半導體裝置，包含其上的孤立長介電結構之一集合及密集短介電結構之一集合；其中每一介電結構包含：一介電體積，填充有至少一個介電材料；一第一介電間隔物及一第二介電間隔物，直接接觸該介電體積之多個相對側向側面；一第一連續蝕刻終止層，直接接觸該第一介電間隔物的與該介電體積之側面相對的一側面；及一第二連續蝕刻終止層，直接接觸該第二介電間隔物的與該介電體積之側面相對的一側面；其中該些介電結構之一深度負載為±60奈米。
一種具有降血脂功效之組合物，包含一鳳梨酵素和一蚯蚓酵素，其中該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.0：1.5-3.0。
如請求項1所述之組合物，其中該該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.0：1.5-2.5。
如請求項1所述之組合物，其中該該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.0：2.0-2.5。
一種組合物用於製備降血脂之醫藥組合物的用途，其中該組合物為一鳳梨酵素和一蚯蚓酵素，且該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.5-3.0。
如請求項4所述之用途，其中該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.0：1.5-2.5。
如請求項5所述之用途，其中該鳳梨酵素和該蚯蚓酵素的重量比為1.0：2.0-2.5。
如請求項4所述之用途，其中該組合物中的該鳳梨酵素具有一有效量為100mg/60kg‧體重/天至150mg/60kg‧體重/天，及該蚯蚓酵素具有一有效量為250mg/60kg‧體重/天至350mg/60kg‧體重/天。
如請求項7所述之用途，其中該組合物中的該鳳梨酵素具有一有效量為133mg/60kg‧體重/天，及該蚯蚓酵素具有一有效量為300mg/60kg‧體重/天。
一種顯示裝置，包括： 一面板組件，包含一顯示面板及一板，該顯示面板包含一第一展開區域、一第二展開區域、以及位於該第一展開區域與該第二展開區域之間的一折疊區域，該板設置在該顯示面板的下方，並包含在該折疊區域上的一狹縫圖案；以及 <br/>一中間板，設置在該板的下方， <br/>其中，該中間板包含：一第一中間板部，位於該第一展開區域上；一第二中間板部，位於該第二展開區域上；以及一垂直中間板部，位於該折疊區域上， <br/>其中，該垂直中間板部朝該板突出，以及<br/>其中，該垂直中間板部在一展開狀態下接觸並支撐該狹縫圖案，以防止該顯示面板的該折疊區域進一步下垂。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該顯示面板的該折疊區域在該展開狀態下向下下垂。
如請求項2所述之顯示裝置，其中，該垂直中間板部包含：一第三中間板部，連接到該第一中間板部；以及第四中間板部，連接到該第二中間板部。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，該第三中間板部與該第四中間板部彼此間隔開。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，該第三中間板部與該板之間的距離短於該第一中間板部與該板之間的距離。
如請求項3所述之顯示裝置，其中，該第四中間板部與該板之間的距離短於該第二中間板部與該板之間的距離。
如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一展開區域和該第二展開區域相對於該折疊區域折疊，並且在折疊狀態下彼此重疊。
如請求項7所述之顯示裝置，其中，在該展開狀態下，在該折疊區域上的該狹縫圖案與該垂直中間板部間隔開。
如請求項8所述之顯示裝置，其中，在該折疊區域上的該狹縫圖案與該垂直中間板部直接接觸。
如請求項1所述之顯示裝置，進一步包括：一鉸鏈組件，設置在該面板組件下方的該折疊區域中，並包含一鉸鏈蓋。
如請求項10所述之顯示裝置，進一步包括：耦接至該鉸鏈組件的一第一蓋框架及一第二蓋框架。
如請求項10所述之顯示裝置，其中，該鉸鏈組件包含： <br/>一第一鉸鏈臂和一第二鉸鏈臂，其等可旋轉地連接； <br/>一第一錐齒輪和一第二錐齒輪，其等分別在一垂直方向上耦接到該第一鉸鏈臂和該第二鉸鏈臂；以及 <br/>一第一齒輪臂和一第二齒輪臂，其等緊固成以與該第一鉸鏈臂和該第二鉸鏈臂互相作用，以及 <br/>該顯示面板繞著與該第一錐齒輪和該第二錐齒輪的中心軸不同的一旋轉軸進行折疊和展開的操作。
如請求項12所述之顯示裝置，其中，該第一錐齒輪和該第二錐齒輪設置為嚙合，且該第一錐齒輪和該第二錐齒輪各自包含一第二惰齒輪，其與該第一鉸鏈臂和該第二鉸鏈臂中的每一個的一第一惰齒輪嚙合。
如請求項13所述之顯示裝置，其中，該第一惰齒輪和該第二惰齒輪設置在彼此垂直的方向上。
一種顯示裝置，包括： <br/>一面板組件，包含一顯示面板及一板，該顯示面板包含一第一展開區域、一第二展開區域、以及位於該第一展開區域與該第二展開區域之間的一折疊區域，該板設置在該顯示面板的下方；以及 <br/>一中間板，設置在該板的下方， <br/>其中，該折疊區域中的該中間板與該板之間的距離小於該第一展開區域中的該中間板與該板之間的距離， <br/>其中，當該顯示面板的該折疊區域在一展開狀態下向下下垂，該中間板支撐該板，以防止該顯示面板的該折疊區域進一步下垂，以及 <br/>其中，在該展開狀態下，該折疊區域上的一狹縫圖案與該中間板直接接觸。
如請求項15所述之顯示裝置，其中，該中間板包含： <br/>一第一中間板部，位於該第一展開區域上； <br/>一第二中間板部，位於該第二展開區域上；以及 <br/>一垂直中間板部，位於該折疊區域上，並且該垂直中間板部朝該板突出。
如請求項16所述之顯示裝置，其中，該垂直中間板部包含： <br/>一第三中間板部，連接到該第一中間板部；以及 <br/>一第四中間板部，連接到該第二中間板部，以及 <br/>該第三中間板部與該第四中間板部彼此間隔開。
如請求項17所述之顯示裝置，其中，該第一展開區域和該第二展開區域相對於該折疊區域折疊，該第一展開區域和該第二展開區域在一折疊狀態下彼此重疊。
一種功率半導體結構的製造方法，其包括： <br/>在襯底上方形成外延層； <br/>形成延伸至所述外延層中的開口； <br/>注入摻雜劑至從所述開口暴露的所述外延層，以形成所述外延層的摻雜區； <br/>利用犧牲構件填充所述開口以覆蓋所述摻雜區； <br/>在所述外延層之上方設置第一介電層； <br/>從所述開口移除所述犧牲構件； <br/>在所述第一介電層與所述摻雜區之上方設置第二介電層，且所述第二介電層與所述開口的側壁共形； <br/>移除所述第二介電層的第一部分以暴露所述摻雜區的部分； <br/>將接觸材料設置在所述摻雜區的所述部分之上方； <br/>由所述接觸材料和所述摻雜區的所述部分形成接觸構件；及 <br/>去除所述第一介電層和所述第二介電層的剩餘部分。
如請求項1所述的製造方法，其中與所述開口的所述側壁共形的所述第二介電層沿著所述開口的所述側壁具有均勻的厚度。
如請求項1所述的製造方法，其中所述第一介電層和所述第二介電層的所述剩餘部分沿著所述開口的所述側壁具有均勻的厚度。
如請求項1所述的製造方法，其中在設置所述第一介電層之後去除所述犧牲構件。
如請求項1所述的製造方法，其中在將所述接觸材料設置在所述摻雜區的所述部分之上方期間，將所述接觸材料設置在所述第一介電層和所述第二介電層的所述剩餘部分之上方。
如請求項5所述的製造方法，其中在去除所述第一介電層和所述第二介電層的所述剩餘部分期間，去除所述第一介電層和所述第二介電層的所述剩餘部分上方的所述接觸材料。
如請求項1所述的製造方法，其中在去除所述第二介電層的所述第一部分期間，接觸所述第一介電層的所述第二介電層的第二部分被去除。
如請求項7所述的製造方法，其中所述第二介電層的第二部分和所述第一介電層的部分同時被去除。
如請求項1所述的製造方法，其中所述接觸材料設置於所述摻雜區的所述部分之上方以及所述第一介電層和所述第二介電層的所述剩餘部分之上方。
如請求項1所述的製造方法，其中通過熱氧化設置所述第一介電層和所述第二介電層，並且通過乾蝕刻去除所述第二介電層的所述第一部分。
如請求項1所述的製造方法，其中所述接觸構件包括矽化物，並且在對所述接觸材料和所述摻雜區的所述部分進行快速熱處理(RTP)之後形成。
如請求項1所述的製造方法，進一步包括： <br/>在所述外延層、所述摻雜區和所述接觸構件之上方形成勢壘層； <br/>在所述勢壘層之上方形成電極。
一種製造功率半導體結構的製造方法，其包括： <br/>在襯底上方形成外延層； <br/>在所述外延層上方設置圖案化掩模； <br/>對從所述圖案化掩模暴露的所述外延層注入摻雜劑，以形成所述外延層的摻雜區； <br/>設置犧牲構件以覆蓋所述摻雜區； <br/>在所述外延層上方設置第一介電層； <br/>去除所述犧牲構件以形成被所述第一介電層包圍並暴露所述摻雜區的開口； <br/>在所述第一介電層與所述摻雜區之上方設置第二介電層，所述第二介電層與所述開口的側壁共形； <br/>去除所述第二介電層的第一部分以暴露所述摻雜區的部分； <br/>將接觸材料設置在所述摻雜區的所述部分上方； <br/>由所述接觸材料和所述摻雜區的所述部分形成接觸構件；及 <br/>去除所述第一介電層和所述第二介電層的剩餘部分。
如請求項13所述的製造方法，其中與所述開口的所述側壁共形設置的所述第二介電層沿著所述開口的所述側壁具有均勻的厚度。
如請求項13所述的製造方法，其中所述犧牲構件從所述外延層突出。
如請求項13所述的製造方法，其中所述第二介電層的第二部分接觸所述第一介電層，並且在去除所述第二介電層的所述第一部分期間被去除。
如請求項13所述的製造方法，進一步包括： <br/>在所述外延層和所述摻雜區之上方形成勢壘層，且包圍所述接觸構件； <br/>在所述勢壘層上方形成電極。
一種電鍍半導體基板的方法，該方法包含以下步驟： <br/>接收一電鍍腔室的一或多個特性，該電鍍腔室包含一電鍍液體並且經配置為在半導體基板上執行電鍍操作； <br/>接收待放置在該電鍍腔室中的一基板的一或多個特性； <br/>將輸入提供到一經訓練模型，其中該等輸入包含該電鍍腔室的該一或多個特性及該基板的該一或多個特性； <br/>使用該經訓練模型執行一推理操作以產生包含用於該電鍍腔室的一配方的至少一部分的一輸出，其中該配方的該部分包含一正向電鍍電流的特性及一反向去電鍍電流的特性； <br/>導致使用從該經訓練模型輸出的該配方的至少該部分在該基板上執行一電鍍操作，其中該配方導致將一電流施加到該電鍍腔室中的該電鍍液體以在該基板的暴露部分上沉積一金屬，其中該電流包含下列的交替循環： <br/>該正向電鍍電流；以及 <br/>該反向去電鍍電流。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>導致該基板從該電鍍腔室傳遞到一計量站；以及 <br/>導致計量站分析該基板並且獲得該基板的計量資料。
如請求項2所述的方法，其中該計量資料包含在該電鍍操作期間填充該基板的該等暴露部分的金屬柱的一晶圓內或晶粒內共面性的一量度。
如請求項2所述的方法，其中該計量資料包含在該電鍍操作期間填充該基板的該等暴露部分的金屬柱的一品質的一表徵。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>接收該基板的量測的計量資料； <br/>決定該量測的計量資料與該基板的一目標計量資料匹配；以及 <br/>回應於決定該量測的計量資料與該目標計量資料匹配，導致使用從該經訓練模型輸出的該配方在與該基板相同類型的複數個額外基板上執行該電鍍操作。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>接收該基板的量測的計量資料； <br/>決定該量測的計量資料與該基板的一目標計量資料不匹配；以及 <br/>回應於決定該量測的計量資料與該目標計量資料匹配，使用該配方、該量測的計量資料、該電鍍腔室的該一或多個特性、及該基板的該一或多個特性在該經訓練模型上執行一再訓練操作。
如請求項6所述的方法，其中該再訓練操作包含以下步驟： <br/>使用該電鍍腔室的該一或多個特性、該基板的該一或多個特性、及該量測的計量資料作為輸入，並且使用該配方作為一標記的輸出來調整該經訓練模型的內部權重或參數。
如請求項6所述的方法，進一步包含以下步驟：重複地執行迭代操作，直到該量測的計量資料與該目標計量資料匹配，其中該等迭代操作包含以下步驟： <br/>在已經執行該再訓練操作之後將該等輸入提供到該經訓練模型； <br/>使用該經訓練模型產生一下一配方； <br/>導致使用該下一配方在一下一基板上執行該電鍍操作； <br/>在執行該電鍍操作之後，接收該下一基板的下一量測的計量資料；以及 <br/>決定該下一量測的計量資料是否與該目標計量資料匹配。
如請求項1所述的方法，其中該經訓練模型的該等輸入進一步包含目標計量資料。
一或多種非暫時性電腦可讀取媒體，包含指令，當藉由一或多個處理器執行時，該等指令導致該一或多個處理器執行包含以下步驟的操作： <br/>接收一電鍍腔室的一或多個特性，該電鍍腔室包含一電鍍液體並且經配置為在半導體基板上執行電鍍操作； <br/>接收待放置在該電鍍腔室中的一基板的一或多個特性； <br/>將輸入提供到一經訓練模型，其中該等輸入包含該電鍍腔室的該一或多個特性及該基板的該一或多個特性； <br/>使用該經訓練模型執行一推理操作以產生包含用於該電鍍腔室的一配方的至少一部分的一輸出，其中該配方的該部分包含一正向電鍍電流的特性及一反向去電鍍電流的特性； <br/>導致使用從該經訓練模型輸出的該配方的至少該部分在該基板上執行一電鍍操作，其中該配方導致將一電流施加到該電鍍腔室中的該電鍍液體以在該基板的暴露部分上沉積一金屬，其中該電流包含下列的交替循環： <br/>該正向電鍍電流；以及 <br/>該反向去電鍍電流。
如請求項10所述的一或多種非暫時性電腦可讀取媒體，其中該基板的該一或多個特性作為該基板的一GDS檔案接收。
如請求項10所述的一或多種非暫時性電腦可讀取媒體，其中該基板的該一或多個特性包含該基板的遮蔽區域相對於該基板的該等暴露部分的一量的一表徵。
如請求項10所述的一或多種非暫時性電腦可讀取媒體，其中該基板的該一或多個特性包含形成該基板的該等暴露部分的通孔的一直徑或節距。
如請求項10所述的一或多種非暫時性電腦可讀取媒體，其中該電鍍腔室的該一或多個特性包含該電鍍腔室的一溫度或壓力。
一種用於一電鍍腔室的控制器，該控制器包含： <br/>一或多個處理器；以及 <br/>一或多個記憶體裝置，儲存指令，當藉由該一或多個處理器執行時，該等指令導致該一或多個處理器執行包含以下步驟的操作： <br/>接收一電鍍腔室的一或多個特性，該電鍍腔室包含一電鍍液體並且經配置為在半導體基板上執行電鍍操作； <br/>接收待放置在該電鍍腔室中的一基板的一或多個特性； <br/>將輸入提供到一經訓練模型，其中該等輸入包含該電鍍腔室的該一或多個特性及該基板的該一或多個特性； <br/>使用該經訓練模型執行一推理操作以產生包含用於該電鍍腔室的一配方的至少一部分的一輸出，其中該配方的該部分包含一正向電鍍電流的特性及一反向去電鍍電流的特性； <br/>導致使用從該經訓練模型輸出的該配方的至少該部分在該基板上執行一電鍍操作，其中該配方導致將一電流施加到該電鍍腔室中的該電鍍液體以在該基板的暴露部分上沉積一金屬，其中該電流包含下列的交替循環： <br/>該正向電鍍電流；以及 <br/>該反向去電鍍電流。
如請求項15所述的控制器，其中該基板包含界定該基板上的一圖案的一光阻或遮罩層，並且該圖案包含該基板中鄰近一開放區域的暴露部分，其中與該基板中不鄰近該開放區域的暴露部分相比，在一電鍍製程期間的一電流密度更集中在該基板中鄰近該開放區域的該等暴露部分處。
如請求項15所述的控制器，其中在該正向電鍍電流期間，該金屬不均勻地沉積在該基板的該等暴露部分上。
如請求項17所述的控制器，其中在該反向去電鍍電流期間，移除該金屬，使得該金屬變得均勻地分佈在該基板的該等暴露部分上。
如請求項15所述的控制器，其中當該基板在該電鍍液體中時，該正向電鍍電流及該反向去電鍍電流皆在該電鍍腔室中以交替循環施加，而不使用分離的腔室或電鍍液體來施加該正向電鍍電流及該反向去電鍍電流。
如請求項15所述的控制器，其中該基板的該等暴露部分包含複數個穿矽通孔(TSV)，其中在該等穿矽通孔的一最大高度與該等穿矽通孔的一最小高度之間的一差大於一閾值距離。
一種相位偵測器，包括：第一電晶體支路包括第一對電晶體；第二電晶體支路包括第二對電晶體，其中，該第一對電晶體於複數共同節點處耦接在一起且該第二對電晶體於複數共同節點處耦接在一起；輸入，位於該第一電晶體支路，該輸入係配置成接收第一輸入信號及第二輸入信號；輸出，與該第二電晶體支路耦接，該輸出係配置成提供輸出信號；其中，該輸出信號包括標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間之相位差的分量。
如請求項1所述之相位偵測器，其中，該第一對電晶體包括第一電晶體及第二電晶體，該第一電晶體與該第二電晶體在第一共同源極節點及第一共同汲極節點耦接在一起。
如請求項2所述之相位偵測器，其中，該第一輸入信號與該第一電晶體之閘極耦接，且該第二輸入信號與該第二電晶體之閘極耦接。
如請求項2所述之相位偵測器，其中，該第二對電晶體包括第三電晶體及第四電晶體，該第三電晶體與該第四電晶體在該第一共同源極節點及第二共同汲極節點耦接在一起。
如請求項4所述之相位偵測器，復包括與該第一共同源極節點耦接的偏置電流源。
如請求項4所述之相位偵測器，其中，直流偏置電壓與該第三電晶體之閘極及該第四電晶體之閘極耦接。
如請求項6所述之相位偵測器，其中，該直流偏置電壓與該第一電晶體之閘極及該第二電晶體之閘極耦接。
如請求項1所述之相位偵測器，復包括差動電路，該差動電路可操作以提供差動信號作為該輸出信號，該差動信號標示關聯該第一電晶體支路之第一輸出信號與關聯該第二電晶體支路之第二輸出信號之間的差。
如請求項8所述之相位偵測器，其中，該差動電路包括電流鏡電路。
如請求項1所述之相位偵測器，復包括濾波器電路，該濾波器電路經配置以為差動信號之低頻分量提供帶通響應，該低頻分量標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間的該相位差。
一種相位偵測器，包括：電晶體核心，其具有輸入，該輸入可操作以接收第一輸入信號及第二輸入信號；輸出，與該電晶體核心關聯之，該輸出係配置成提供輸出信號，該輸出信號包括標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間之相位差的分量；其中，該電晶體核心包括耦接於第一共同節點及第二共同節點處之第一對電晶體，且該電晶體核心包括與該第一共同節點及第三共同節點耦接的第二對電晶體；以及其中，在該第三共同節點提供該輸出。
如請求項11所述之相位偵測器，其中，該第一對電晶體及該第二對電晶體包括場效應電晶體(FET)。
如請求項11所述之相位偵測器，其中，該第一對電晶體及該第二對電晶體包括雙極接面電晶體(BJT)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，或高電子遷移率電晶體(HEMT)。
如請求項11所述之相位偵測器，復包括在該第三共同節點之該輸出提供差動信號之差動電路，該差動信號包括標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間之相位差的分量。
如請求項14所述之相位偵測器，其中，該差動電路包括電流鏡。
如請求項14所述之相位偵測器，其中，該差動電路包括濾波器電路。
如請求項16所述之相位偵測器，其中，該濾波器電路可操作以為包含標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間的相位差之分量的輸出信號提供帶通響應，並拒絕在該第一輸入信號與該第二輸入信號之頻率的分量。
一種相位偵測器，包括：第一電晶體，包括第一端子、第二端子、以及第三端子；第二電晶體，包括第四端子、第五端子、以及第六端子；第三電晶體，包括第七端子、第八端子、以及第九端子；第四電晶體，包括第十端子、第十一端子、以及第十二端子；其中，該第一端子可操作以接收第一輸入信號；其中，該第四端子可操作以接收第二輸入信號；其中，該第二端子、該第五端子、該第八端子、以及該第十一端子耦接於第一共同節點；其中，該第三端子與該第六端子耦接於第二共同節點；其中，該第九端子與該第十二端子耦接於第三共同節點；以及其中，在該第三共同節點提供輸出，該輸出經配置以提供輸出信號，該輸出信號包括標示該第一輸入信號與該第二輸入信號之間之差的分量。
如請求項18所述之相位偵測器，其中，向該第一端子、該第四端子、該第七端子、以及該第十端子提供偏置電壓。
如請求項18所述之相位偵測器，其中，差動電路經配置以在該輸出提供該輸出信號。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/>接收工件，所述工件包括：<br/>多個奈米結構位於基底之上，<br/>閘極堆疊包繞並位於所述多個奈米結構之上，以及<br/>源極/汲極特徵耦合到所述多個奈米結構；<br/>在所述工件之上形成介電結構；<br/>在所述介電結構中形成第一開口以暴露出所述源極/汲極特徵；<br/>在所述第一開口中形成源極/汲極接觸窗；以及<br/>在所述源極/汲極特徵的下方形成背側通孔，其中所述背側通孔電性耦合至所述源極/汲極特徵且鄰接所述源極/汲極接觸窗，且所述背側通孔與所述源極/汲極接觸窗分別位於所述源極/汲極特徵的相對兩側上。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中所述第一開口暴露出所述源極/汲極特徵的頂表面及側壁表面的一部分。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中所述形成所述背側通孔包括：<br/>從所述基底的背側減薄所述基底的厚度；<br/>在所述基底的下方形成另一介電結構；<br/>圖案化所述另一介電結構以形成第二開口，所述第二開口暴露出所述源極/汲極特徵的底表面以及所述源極/汲極接觸窗的一部分；以及<br/>在所述第二開口中形成所述背側通孔。
如請求項3所述的半導體結構的形成方法，其中所述另一介電結構包括：<br/>第一介電層位於所述基底的背側的下方；以及<br/>第二介電層位於所述第一介電層的下方，其中所述第一介電層具有與所述第二介電層不同的材料組成。
如請求項4所述的半導體結構的形成方法，其中所述形成所述背側通孔還包括：<br/>在所述形成所述第二開口之後，形成沿著所述第二開口的側壁延伸的介電襯層；<br/>在所述第二開口中形成化合物層，其中所述化合物層包括第一部分直接接觸所述源極/汲極特徵以及第二部分直接接觸所述源極/汲極接觸窗；<br/>在所述第二開口中形成導電層；以及<br/>執行平坦化製程以移除所述第二介電層。
如請求項1所述的半導體結構的形成方法，其中所述背側通孔的一部分延伸至所述源極/汲極特徵中。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/>在基底之上形成源極/汲極特徵；<br/>在所述源極/汲極特徵之上形成第一導電特徵，其中所述第一導電特徵包括第一部分配置在所述源極/汲極特徵的正上方以及第二部分經配置以鄰接所述源極/汲極特徵；以及<br/>形成第二導電特徵，其配置在所述源極/汲極特徵的下方且電性耦合至所述源極/汲極特徵，其中所述第二導電特徵直接接觸所述第一導電特徵的所述第二部分，且所述第二導電特徵與所述第一導電特徵分別位於所述源極/汲極特徵的相對兩側上。
如請求項7所述的半導體結構的形成方法，還包括：<br/>在所述源極/汲極特徵之上形成介電結構，所述介電結構包括第一部分位於所述源極/汲極特徵的正上方以及第二部分鄰接所述源極/汲極特徵，<br/>其中，所述形成所述第一導電特徵包括：<br/>移除所述第一部分的一部分以及所述第二部分的一部分，以形成暴露出所述源極/汲極特徵的接觸窗開口；<br/>在所述接觸窗開口中形成第一矽化物層；以及<br/>在所述接觸窗開口中形成導電層。
如請求項8所述的半導體結構的形成方法，其中所述介電結構為第一介電結構，且其中所述形成所述第二導電特徵包括：<br/>在所述基底的下方形成第二介電結構；<br/>圖案化所述第二介電結構以形成開口，所述開口暴露出配置在所述源極/汲極特徵的下方的所述基底的一部分以及鄰接所述基底的所述部分的隔離特徵的一部分；<br/>移除所述基底的所述部分、所述隔離特徵的所述部分以及位於所述隔離特徵與所述第一導電特徵之間的所述第一介電結構的一部分，從而形成通孔開口；<br/>在所述通孔開口中形成介電襯層；<br/>沉積導電材料層以填充所述通孔開口；以及<br/>執行平坦化製程。
一種半導體結構，包括：<br/>閘極堆疊包繞位於基底之上的多個奈米結構；<br/>源極/汲極特徵耦合到所述多個奈米結構且鄰接所述閘極堆疊；<br/>源極/汲極接觸窗配置在所述源極/汲極特徵之上且電性耦合至所述源極/汲極特徵；以及<br/>通孔配置在所述源極/汲極特徵的下方且電性耦合至所述源極/汲極特徵，其中所述通孔直接接觸所述源極/汲極接觸窗，且所述通孔與所述源極/汲極接觸窗分別位於所述源極/汲極特徵的相對兩側上。
一種車燈系統，適用於安裝在一車輛，並包含：<br/> 一個頭燈裝置，用以安裝在該車輛，包括可產生不同色光的一個第一發光單元與一個第二發光單元；<br/> 一個感測裝置，包括一個可擷取該車輛周圍之環境影像而產生一影像數據的影像擷取器，及一個用以接收該影像數據以產生一個感測資料的數據彙整模組； <br/> 一個障礙物偵測裝置，能於偵測到該車輛前方預定距離範圍內存在障礙物時產生一偵測訊號；及<br/> 一個控制裝置，訊號連接該頭燈裝置、該感測裝置與該障礙物偵測裝置，且內建有多個參數條件，及多個分別對應該等參數條件的調光設定，該控制裝置包括一個參數分析模組，及一個調光控制模組，該控制裝置會被該偵測訊號觸發啟動，該參數分析模組會開始對所述感測資料之所述影像數據進行影像分析，以得到分別對應環境能見度、環境色度與環境色溫的該等環境參數，且該參數分析模組會分析比對出符合該等環境參數之組合的其中一個該參數條件，以及該參數條件對應的該調光設定，該調光控制模組會根據比對出之該調光設定，調控該第一發光單元與該第二發光單元的亮度，使該第一發光單元及/或該第二發光單元產生的所述色光構成一預定照明光型。
如請求項1所述的車燈系統，其中，該感測裝置還包括一個可用以感測是否下雨而產生一個雨滴感測數據的雨滴感測器，該數據彙整模組還會彙整所述雨滴感測數據以產生所述感測資料，該參數分析模組包括一個用以對所述感測資料之所述影像數據進行所述影像分析的影像分析單元、一個用以分析所述感測資料之所述雨滴感測數據以得到對應雨量之環境參數的數據解讀單元，及一個參數條件分析單元，該參數條件分析單元可根據該影像分析單元與該數據解讀單元分析得到之所有環境參數，比對出對應之該參數條件與該調光設定。
如請求項2所述的車燈系統，其中，該感測裝置還包括一個用以感測環境亮度而產生一亮度感測數據的環境光感測器，該數據彙整模組還會彙整所述亮度感測數據以產生所述感測資料，該數據解讀單元還可分析所述感測資料之所述亮度感測數據，以得到對應亮度之環境參數。
如請求項2所述的車燈系統，其中，該感測裝置還包括一個用以感測環境溫度而產生一溫度感測數據的溫度感測器，該數據彙整模組還會彙整所述溫度感測數據以產生所述感測資料，該數據解讀單元還可分析所述感測資料之所述溫度感測數據，以得到對應溫度之環境參數。
如請求項2所述的車燈系統，其中，該感測裝置還包括一個用以感測環境濕度以產生一濕度感測數據的濕度感測器，該數據彙整模組還會彙整所述濕度感測數據以產生所述感測資料，該數據解讀單元還可分析所述感測資料之所述濕度感測數據，以得到對應濕度之環境參數。
如請求項1所述的車燈系統，其中，該障礙物偵測裝置為光達感測器。
如請求項1所述的車燈系統，其中，該第一發光單元與該第二發光單元會分別產生白光與黃光。
一種顯示裝置，包含：一基板；一發光元件，放置於該基板上；一堤部，劃分對應於該發光元件的一發光區及相鄰於該發光區的一非發光區，且包含對應於該發光元件的一第一開口；一封裝層，放置於該發光元件上；一觸控電極，放置於該封裝層上；一第一矩陣及一第二矩陣，該第一矩陣放置於該觸控電極上且該第二矩陣放置於該第一矩陣上；以及一彩色濾光片，放置於該觸控電極上，其中該第二矩陣具有低於該第一矩陣的折射率，以及其中該彩色濾光片具有低於該第一矩陣的折射率。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二矩陣的寬度小於該第一矩陣的寬度。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一矩陣、該第二矩陣、該觸控電極及該堤部被放置為彼此重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該觸控電極包含一第二開口，並且其中該堤部的該第一開口與該觸控電極的該第二開口重疊。
如請求項4所述之顯示裝置，其中該第一矩陣包含一第三開口，其中該第二矩陣包含一第四開口，並且其中該第一矩陣的該第三開口及該第二矩陣的該第四開口與該觸控電極的該第二開口重疊。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一矩陣的該第三開口與該第二矩陣的該第四開口重疊。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該堤部的該第一開口重疊第二矩陣該的該第四開口，並且其中該堤部的該第一開口與該第一矩陣的該第三開口重疊。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該彩色濾光片的一部分放置於該第一矩陣上，並且其中該彩色濾光片的該部分放置於該第二矩陣之下。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二矩陣包含一黑色粒子，並且其中包含於該第二矩陣中的該黑色粒子的重量比大於包含於該第一矩陣中的一黑色粒子的重量比。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一矩陣的折射率約為2.1至2.7，並且其中該第二矩陣的折射率約為1.4至1.8。
一種顯示裝置，包含：一第一基板；多個發光元件，放置於該第一基板上且包含一第一發光元件及一第二發光元件；一堤部，劃分該第一發光元件的一第一發光區及該第二發光元件的一第二發光區；一封裝層，放置於該第一發光元件及該第二發光元件上；一第一矩陣及一第二矩陣，該第一矩陣放置於該封裝層上且該第二矩陣放置於該第一矩陣上；以及一第一彩色濾光片及一第二彩色濾光片，位於該封裝層上，該第一彩色濾光片對應於該第一發光區且該第二彩色濾光片對應於該第二發光區，其中該第一彩色濾光片的一部分及該第二彩色濾光片的一部分放置於該第一矩陣上，其中該第二矩陣具有低於該第一矩陣的折射率，其中該第一彩色濾光片具有低於該第一矩陣的折射率，以及其中該第二彩色濾光片具有低於該第一矩陣的折射率。
如請求項11所述之顯示裝置，其中放置於該第一矩陣上的該第一彩色濾光片的該部分及放置於該第一矩陣上的該第二彩色濾光片的該部分放置於該第二矩陣之下。
如請求項11所述之顯示裝置，其中在該第一矩陣上，該第一彩色濾光片的側表面接觸該第二彩色濾光片的側表面。
如請求項12所述之顯示裝置，其中在第一矩陣上，該第一彩色濾光片的側表面於一間隔部與該第二彩色濾光片的側表面分離，並且其中在該間隔部中，該第二矩陣接觸該第一矩陣。
如請求項12所述之顯示裝置，其中放置於該第一矩陣上的該第二彩色濾光片的該部分放置於該第一彩色濾光片上，並且其中供該第二彩色濾光片及該第一彩色濾光片彼此重疊的區域放置於該第一矩陣上且放置於該第二矩陣之下。
如請求項11所述之顯示裝置，更包含覆蓋該第二矩陣、該第一彩色濾光片及該第二彩色濾光片的一有機絕緣層。
如請求項11所述之顯示裝置，更包含：一第二基板，位於該第一基板上；以及一有機層，位於該第一基板及該第二基板之間，其中該有機層包含染料或顏料。
如請求項17所述之顯示裝置，其中該有機層具有黏性。
如請求項11所述之顯示裝置，其中該顯示裝置沒有偏振板。
一種顯示裝置，包含：一基板；一發光元件，位於該基板上；一堤部，界定對應於該發光元件的一發光區；一封裝層，位於該發光元件上；一觸控電極，位於該封裝層上；一第一矩陣及一第二矩陣，該第一矩陣位於該觸控電極上且該第二矩陣位於該第一矩陣上；以及一彩色濾光片，在該觸控電極之上插設於該第一矩陣及該第二矩陣之間，其中該第二矩陣具有低於該第一矩陣的折射率，以及其中該彩色濾光片具有低於該第一矩陣的折射率。
一種用於製造一經重建基板封裝之方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在一玻璃基板中形成一空腔，該玻璃基板包含熔合至一玻璃基礎層之一玻璃包覆層，該空腔從該玻璃包覆層的一表面延伸進入該玻璃包覆層且具有一深度，該玻璃基礎層界定該空腔的一底面及該玻璃包覆層界定該空腔的一或多個側壁；及將一積體電路晶片定位在該玻璃基板中之該空腔內，該積體電路晶片具有面向該空腔的該一或多個側壁的一周圍表面；其中在該周圍表面與該一或多個側壁之間的一間隙在正交於該深度的一方向上不超過20 μm，及其中形成該空腔的步驟包含以一蝕刻劑於一延長的蝕刻時間來蝕刻該玻璃基板，以移除在該空腔的該一或多個側壁與該底面之間的一相交點附近之拐角區域處的材料，而實質上不影響該空腔的該深度。
一種經封裝積體電路，包含：<br/> 一結構化玻璃物件，包含熔合至一玻璃基礎層之一玻璃包覆層及形成在該玻璃包覆層中的一空腔，該空腔從該玻璃包覆層的一表面延伸且具有一深度，其中該玻璃基礎層界定該空腔的一底面及該玻璃包覆層界定該空腔的一或多個側壁；及一積體電路晶片，安置在該空腔內，該積體電路晶片具有面向該空腔的該一或多個側壁的一周圍表面，其中在該周圍表面與該一或多個側壁之間的一間隙在正交於該深度的一方向上不超過20 μm。
如請求項2所述之經封裝積體電路，其中該空腔的該深度比該積體電路晶片的一厚度大不超過20 μm。
如請求項2所述之經封裝積體電路，其中該空腔的該深度是該積體電路晶片的一厚度的約5%至約90%。
如請求項4所述之經封裝積體電路，包含安置在該結構化玻璃物件上相鄰該積體電路晶片的一平坦化層。
如請求項2所述之經封裝積體電路，其中該經封裝積體電路沒有安置在該空腔內的樹脂模製化合物。
如請求項2所述之經封裝積體電路，其中該空腔在沿著該空腔之周邊的一第一位置處之一第一深度與該空腔在沿著與該第一位置相對的該空腔之周邊的一第二位置處之一第二深度之間的一差異至多約為5 μm。
如請求項2所述之經封裝積體電路，包含安置在該積體電路晶片上的一重佈層。
如請求項8所述之經封裝積體電路，包含安置在該重佈層上的一球柵陣列。
如請求項2所述之經封裝積體電路，其中：<br/> 該玻璃包覆層包含熔合至該玻璃基礎層之一第一側的一第一玻璃包覆層及熔合至該玻璃基礎層之一第二側的一第二玻璃包覆層，該第二玻璃包覆層相對於該第一玻璃包覆層；該空腔包含形成在該第一玻璃包覆層中的一第一空腔及形成在該第二玻璃包覆層中的一第二空腔；及該積體電路晶片包含安置在該第一空腔內的一第一積體電路晶片及安置在該第二空腔內的一第二積體電路晶片。
如請求項10所述之經封裝積體電路，其中該玻璃基礎層不透射輻射，該輻射有助於暴露該第一玻璃包覆層或該第二玻璃包覆層的至少一者以在該第一玻璃包覆層或該第二玻璃包覆層中形成該空腔。
一種基板封裝，包含如請求項2所述之經封裝積體電路，其中：<br/> 該空腔包含複數個空腔；及該積體電路晶片包含複數個積體電路晶片，該複數個積體電路晶片的每一者被安置在該複數個空腔的一者內。
一種木工機械裝置，包含：<br/> 一底座單元，包括一底部座體、一設置於該底部座體之操作模組，及一設置於該底部座體上方之工作平台；<br/> 一防塵單元，包括一設置於該底部座體上方之防塵罩、一設置於該防塵罩之入料部、一設置於該防塵罩之出料部、一設置於該防塵罩之防塵蓋，及複數設置於該防塵罩之偵測模組，該工作平台顯露於該防塵罩內部；及<br/> 一機械單元，包括一設置於該底部座體內之致動模組、一可分離地與該致動模組連接之第一木工刀具、一設置於該工作平台上之定位模組、一與該定位模組電連接之設定模組，及一與該設定模組電連接之通訊模組，該第一木工刀具顯露於該防塵罩內部，該設定模組中儲存複數個該木工機械裝置的使用範例，可透過該通訊模組對該木工機械裝置進行遠端操控及引導式教學。
如請求項1所述木工機械裝置，其中，該底座單元更包括一設置於該底部座體之吸塵模組，及一與該吸塵模組連接並設置於該工作平台之空氣吸收部，該吸塵模組用以吸取該防塵罩內部的空氣。
如請求項2所述木工機械裝置，其中，該空氣吸收部的位置相對該第一木工刀具的位置更靠近該出料部。
如請求項2所述木工機械裝置，其中，該底座單元更包括一可分離地設置於該底部座體中之集塵盒，及一設置於該底部座體排氣口，該集塵盒圍繞界定出一集塵空間。
如請求項4所述木工機械裝置，其中，該致動模組的位置於該集塵空間的上方。
如請求項1所述木工機械裝置，其中，該防塵單元更包括一設置於該防塵蓋之度量尺，該度量尺為透明，用以提供該機械單元之位置的量測。
如請求項1所述木工機械裝置，其中，該機械單元更包括一可分離地與該致動模組連接之第二木工刀具，該第二木工刀具顯露於該防塵罩內部。
一種具備肖特基電子源的電子束裝置，更具備： <br/>加熱前述肖特基電子源的加熱源； <br/>對前述肖特基電子源施加電場的電源； <br/>控制前述加熱源與前述電源的控制部； <br/>前述控制部，執行將前述肖特基電子源以第一溫度加熱同時對前述肖特基電子源施加第一電場的第一階段、及將前述肖特基電子源以第二溫度加熱同時對前述肖特基電子源施加第二電場的第二階段； <br/>前述第一溫度比前述肖特基電子源的運用溫度及前述第二溫度還高； <br/>前述第一電場為前述肖特基電子源的運用電場以上且比前述第二電場還低； <br/>前述第二溫度為前述運用溫度以上且比前述第一溫度還低； <br/>前述第二電場比前述運用電場及前述第一電場還高。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述肖特基電子源為具有鎢單結晶的尖端與氧化鋯的儲存器的Zr/O/W電子源時， <br/>前述運用溫度若是1550K以上1700K未滿，則前述第一溫度為1700K以上2000K未滿，前述運用溫度若是1700K以上1850K未滿，則前述第一溫度為1700K以上2000K未滿； <br/>前述第一溫度若是1700K以上1850K未滿，則前述第二溫度為1550K以上1700K未滿，前述第一溫度若是1850K以上2000K未滿，則前述第二溫度為1550K以上1850K未滿。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述肖特基電子源為具有鎢單結晶的尖端與氧化鋯的儲存器的Zr/O/W電子源時， <br/>前述第一電場為0.5GV/m以上1.5GV/m未滿； <br/>前述運用電場若是0.5GV/m以上1.0GV/m未滿，則前述第二電場為1.0GV/m以上2.0GV/m未滿，前述運用電場若是1.0GV/m以上1.5GV/m未滿，則前述第二電場為1.5GV/m以上2.0GV/m未滿。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述肖特基電子源為具有鎢單結晶的尖端與氧化鋯的儲存器的Zr/O/W電子源，且前述加熱源對前述Zr/O/W電子源供應燈絲電流時， <br/>前述控制部，將前述運用溫度時的燈絲電流設為100%的情形，將前述第一溫度時的燈絲電流設為101%～121%，將前述第一溫度時的燈絲電流設為100%的情形，將前述第二溫度時的燈絲電流設為89%～99%。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述肖特基電子源為具有鎢單結晶的尖端與氧化鋯的儲存器的Zr/O/W電子源，且前述電源對前述Zr/O/W電子源施加實效電壓時， <br/>前述控制部，將前述第二電場時的實效電壓設為100%的情形，將前述第一電場時的實效電壓設為30%～99%，將前述運用電場時的實效電壓設為100%的情形，將前述第二電場時的實效電壓設為101%～324%。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述控制部，將前述第一溫度、前述第一電場、前述第二溫度、前述第二電場固定成預定值。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述控制部，使前述第一溫度、前述第一電場、前述第二溫度、前述第二電場階段地變化。
如請求項1記載的電子束裝置，其中， <br/>前述控制部，使前述第一溫度、前述第一電場、前述第二溫度、前述第二電場連續地變化。
一種肖特基電子源的運用方法，其中， <br/>執行將前述肖特基電子源以第一溫度加熱同時對前述肖特基電子源施加第一電場的第一階段、及將前述肖特基電子源以第二溫度加熱同時對前述肖特基電子源施加第二電場的第二階段； <br/>前述第一溫度比前述肖特基電子源的運用溫度及前述第二溫度還高； <br/>前述第一電場為前述肖特基電子源的運用電場以上且比前述第二電場還低； <br/>前述第二溫度為前述運用溫度以上且比前述第一溫度還低； <br/>前述第二電場比前述運用電場及前述第一電場還高。
一種分層檢測方法，包含有：<br/> 產生一太赫茲發射電磁波，並以任一角度入射至一固體材料；<br/> 偵測該太赫茲發射電磁波入射至該固體材料，經過該固體材料之一第一方向的一整體厚度後反射或透射的複數個太赫茲接收電磁波；<br/> 根據該太赫茲發射電磁波及該複數個太赫茲接收電磁波，測量及分析複數個特徵訊號，定義該固體材料中一特定深度為一交界面，並獲得該交界面對應的入射電磁波及反射或透射電磁波的電場強度及與該交界面的法線形成的夾角，並利用菲涅耳方程式（Fresnel equations）計算該交界面兩側的複數折射率，以將該固體材料沿該第一方向區分為複數個平行的層，並判斷該複數個層的複數個特性；以及<br/> 根據該複數個層的該複數個特性，判斷該複數個層之每一層的至少一缺陷資訊。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該太赫茲發射電磁波的一頻率為10<sup>11</sup>Hz～10<sup>13</sup>Hz。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該複數個特徵信號包含有該複數個太赫茲接收電磁波之每一太赫茲接收電磁波的一電場強度、一電場頻率與一電場相位。
如請求項3所述之分層檢測方法，其中該複數個特徵信號另包含有該複數個太赫茲接收電磁波之間的至少一頻譜電場，且每一頻譜電場包含一電場振幅、一電場相位與一電場偏振。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該複數個特性包含有該複數個層的每一層的一電性係數以及一光學係數的至少其一。
如請求項5所述之分層檢測方法，其中該電性係數為一導電率、一電阻率、一參雜濃度、一介電係數及一電荷載子移動率的至少其一，以及該光學係數為一吸收率、一折射率、一反射率及一穿透率的至少其一。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該固體材料係選自一半導體晶圓、一陶瓷材料及一聚合物材料之其中之一或多者。
如請求項7所述之分層檢測方法，其中該半導體晶圓係一矽晶圓（Si）、一鍺晶圓（Ge）、一碳化矽（SiC）、一砷化鎵（GaAs）、一氮化鎵（GaN）、一磷化鎵（GaP）、一硫化鎘（CdS）、一磷化銦（InP）、一氧化鋅（ZnO）、一氧化鎵（Ga2O3）、一氮化鋁（AlN）的至少其一。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該至少一缺陷資訊係材料純度不均勻度（Inhomogeneity）資訊、氣泡或孔隙（Porosity）資訊、多種材料混和不均資訊、殘留應力（Residual stress）資訊、晶格位錯（Dislocation）資訊、參雜濃度不均勻資訊之至少其一。
如請求項1所述之分層檢測方法，其中該第一方向為該複數個層之間之至少一交界面的法線方向。
一種分層式檢測系統，包含有：<br/> 一太赫茲電磁波產生器，用來產生一太赫茲發射電磁波，並以任一角度入射至一固體材料；<br/> 一太赫茲電磁波接收器，用來偵測該太赫茲發射電磁波入射至該固體材料，經過該固體材料之一第一方向的一整體厚度後反射或透射的複數個太赫茲接收電磁波；以及<br/> 一檢測裝置，耦接於該太赫茲電磁波產生器及該太赫茲電磁波接收器，用來根據該太赫茲發射電磁波及該複數個太赫茲接收電磁波，測量及分析複數個特徵訊號，定義該固體材料中一特定深度為一交界面，並獲得該交界面對應的入射電磁波及反射或透射電磁波的電場強度及與該交界面的法線形成的夾角，並利用菲涅耳方程式（Fresnel equations）計算該交界面兩側的複數折射率，以將該固體材料沿該第一方向區分為複數個平行的層，並判斷該複數個層的複數個特性，以及根據該複數個層的該複數個特性，判斷該複數個層之每一層的至少一缺陷資訊。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該太赫茲發射電磁波的一頻率為10<sup>11</sup>Hz～10<sup>13</sup>Hz。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該複數個特徵信號包含有該複數個太赫茲接收電磁波之每一太赫茲接收電磁波包含一電場強度、一電場頻率與一電場相位。
如請求項13所述之分層式檢測系統，其中該複數個特徵信號另包含有該複數個太赫茲接收電磁波之間的至少一頻譜電場，且每一頻譜電場包含一電場振幅、一電場相位與一電場偏振。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該複數個特性包含有該複數個層的每一層的一電性係數以及一光學係數的至少其一。
如請求項15所述之分層式檢測系統，其中該電性係數為一導電率、一電阻率、一參雜濃度、一介電係數及一電荷載子移動率的至少其一，以及該光學係數為一吸收率、一折射率、一反射率及一穿透率的至少其一。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該固體材料係選自一半導體晶圓、一陶瓷材料及一聚合物材料之其中之一或多者。
如請求項17所述之分層式檢測系統，其中該半導體晶圓係一矽晶圓（Si）、一鍺晶圓（Ge）、一碳化矽（SiC）、一砷化鎵（GaAs）、一氮化鎵（GaN）、一磷化鎵（GaP）、一硫化鎘（CdS）、一磷化銦（InP）、一氧化鋅（ZnO）、一氧化鎵（Ga2O3）、一氮化鋁（AlN）的至少其一。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該至少一缺陷資訊係材料純度不均勻度（Inhomogeneity）資訊、氣泡或孔隙（Porosity）資訊、多種材料混和不均資訊、殘留應力（Residual stress）資訊、晶格位錯（Dislocation）資訊、參雜濃度不均勻資訊之至少其一。
如請求項11所述之分層式檢測系統，其中該第一方向為該複數個層之間之至少一交界面的法線方向。
一種餃子的圓形托盤裝填裝置，其特徵在於，其具備有： <br/>餃子用的間歇進給輸送機； <br/>圓形托盤用的間歇進給輸送機，其被配置成與該餃子用的間歇進給輸送機正交； <br/>回轉保持架裝置，其被設置於兩個間歇進給輸送機之間；以及 <br/>夾頭保持架，其與該回轉保持架裝置相連結，並在上述兩個間歇進給輸送機之間的上方往復回轉； <br/>在上述夾頭保持架的下方被配設有經由驅動機構可進行偏心旋轉的複數個夾頭單元，並且在上述夾頭單元的下方被配設有藉由開閉驅動部進行開閉的夾頭， <br/>利用上述夾頭抓取在上述餃子用的間歇進給輸送機上搬送的複數個餃子，使配設該等夾頭之上述夾頭單元偏心旋轉適當角度，並使將部分的夾頭單元的方向保持為與上述餃子用的間歇進給輸送機的搬送方向平行之方向、將其餘的夾頭單元的方向保持為與該搬送方向正交之方向的夾頭保持架，到達上述圓形托盤用的間歇進給輸送機上的圓形托盤上方，並藉由將上述夾頭打開而將複數個餃子呈放射狀地移載至圓形托盤上表面。
如請求項1之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>上述夾頭保持架具有頂板及底板，並在該頂板與該底板之間具備有使上述夾頭單元偏心旋轉的驅動機構，其中上述頂板係與上述回轉保持架裝置相連結，而上述底板係隔開所需間隔而被保持於該頂板下方。
如請求項1或2之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>上述夾頭單元經由偏心桿可偏心旋轉地被保持於上述夾頭保持架的底板下方。
如請求項1之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>上述夾頭單元在上述夾頭保持架的底板下方呈矩形配置而被設置四個，並具備有複數個夾頭，上述複數個夾頭被配置成，在位於上述餃子用的間歇進給輸送機的上方時，與該餃子用的間歇進給輸送機的搬送方向正交之方向，使其可抓取上述餃子用的間歇進給輸送機上的複數個餃子。
如請求項4之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>四個上述夾頭單元中的一個夾頭單元被固定於上述夾頭保持架的底板下方，以使被配置於該夾頭單元下方的夾頭始終保持為與上述餃子用的間歇進給輸送機的搬送方向正交之方向，且剩餘三個夾頭單元被設定為經由偏心桿可進行偏心旋轉，以使由固定於上述夾頭保持架的底板下方的一個夾頭及上述剩餘三個夾頭單元所具備的三個夾頭抓取之合計四個餃子在底板下表面為等間隔且具有十字狀的平面形態。
如請求項1之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>被配置於上述夾頭單元下方的夾頭係由可動爪與固定爪的組合所形成，並形成為上述可動爪藉由上述開閉驅動部而可相對於固定爪進行開閉。
如請求項1或2之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>上述驅動機構係由氣缸、活塞、凸輪、凸輪從動件、桿、以及正齒輪所形成， <br/>上述氣缸係呈水平狀態地被配設於上述夾頭保持架的頂板與底板的內側， <br/>上述活塞係與該氣缸的活塞軸前端相連結， <br/>上述凸輪被固定於上述活塞， <br/>上述凸輪從動件以可滑動的方式與形成於該凸輪的長孔相卡合， <br/>上述桿係後端部經由該凸輪從動件而固定於旋轉軸， <br/>上述正齒輪係在該桿的下側固定於上述旋轉軸。
如請求項1或2之餃子的圓形托盤裝填裝置，其中， <br/>上述回轉保持架裝置具備有臂構件，並且在該臂構件的前端具備有旋轉升降手段， <br/>上述臂構件在上述餃子用的間歇進給輸送機上與放置於圓形托盤用的間歇進給輸送機的圓形托盤上之間可水平回轉90度， <br/>上述旋轉升降手段使與上述旋轉升降手段的下端連結的上述夾頭保持架可回轉90度且保持為可自轉45度。
一種餃子的圓形托盤裝填方法，其特徵在於， <br/>利用被配置於夾頭保持架的底板下方的複數個夾頭單元的夾頭抓取餃子用的間歇進給輸送機上的複數個餃子，為了將由各夾頭所抓取的餃子呈花瓣狀地放置於圓形托盤正面，在經由偏心桿使上述夾頭單元偏心旋轉適當角度後，使上述夾頭保持架到達圓形托盤用的間歇進給輸送機上的圓形托盤上表面，並藉由打開配置於上述夾頭單元的下方的各夾頭，而將上述餃子呈放射狀地移載至托盤上表面。
如請求項9之餃子的圓形托盤裝填方法，其具備有： <br/>第一步驟，經由偏心桿使由上述複數個夾頭單元的下方的夾頭抓取的複數個餃子偏心旋轉以使該複數個餃子在上述夾頭保持架的底板下方為等間隔且具有十字狀的平面形態，使上述夾頭保持架到達上述圓形托盤用的間歇進給輸送機上的托盤上表面，並藉由打開配置於上述夾頭單元的下方的各夾頭，而將上述餃子在保持既定的等間隔的同時呈十字狀地移載至上述托盤上表面；以及 <br/>第二步驟，在使上述夾頭保持架自轉45度後，經由配設於該夾頭保持架的底板下方的夾頭單元使抓取上述複數個餃子的夾頭以等間隔且具有X字狀的平面形態的狀態到達上述圓形托盤用的間歇進給輸送機上的托盤上表面，並藉由打開配置於各上述夾頭單元的下方的夾頭，而使上述餃子呈X字狀地追加移載至在上述第一步驟中呈十字狀地移載至上述托盤上表面的各餃子之間，由此，在上述托盤上表面呈放射狀地被排列配置複數個餃子。
一種地錨座與卯座產生間隙的處理方法，尤指沉箱工法的地錨座近外周緣以複數鋼索配合複數卯座固定後，於該地錨座與各該卯座間產生間隙時的處理方法，包括有<br/>步驟A：依該間隙取至少一適合該間隙厚度的墊片，該墊片形成一供各該鋼索置入的缺口；以及<br/>步驟B：以該墊片塞入該間隙，並使該墊片的該缺口套入各該鋼索形成填補該間隙，藉此更加穩固該地錨座與該卯座與各該鋼索間的結合，使沉箱工法施工時獲致穩定的施工效果，減少停工時間。
如請求項1所述的地錨座與卯座產生間隙的處理方法，其中，於步驟A中的<br/>該墊片的厚度為1mm〜3mm，該墊片的直徑至少同該卯座的直徑一樣。
如請求項1所述的地錨座與卯座產生間隙的處理方法，其中，於步驟A中的<br/>該墊片的該缺口的寬度略大於各該鋼索的直徑，該墊片朝該缺口兩側外端各設呈一圓弧端，並在該缺口的內底部為一內凹弧圓，該內凹弧圓的中心點係依該墊片的中心點形成，使各該鋼索外周緣抵靠在該內凹弧圓的位置，讓各該鋼索的中心點正好與該內凹弧圓的中心點在同一位置。
如請求項1所述的地錨座與卯座產生間隙的處理方法，其中，於步驟B中更包括一固定套環；其中，該地錨座包含一位在該地錨座中央的套孔、複數個環設於該地錨座外側的直向槽溝，以及一位在該地錨座上方外側的抵靠凹部，該地錨座的該套孔供一連接栓穿入，該連接栓包含一底部穿入該地錨座的該套孔的連接部，以及一位於該連接部下方的抵接部，該些直向槽溝供各該鋼索置放，該抵靠凹部供該固定套環套入並壓緊各該卯座；當拆卸該固定套環，以該墊片的該缺口沿各該鋼索外側或內側的方向塞入該間隙，使該墊片的該缺口套入各該鋼索形成填補該間隙，讓該地錨座與各該卯座之間全部無間隙，再將該固定套環套入該地錨座外周緣並壓緊固定各該卯座，或是不拆卸該固定套環，以該墊片的該缺口沿各該鋼索內側的方向塞入該間隙，使該墊片的該缺口套入各該鋼索形成填補該間隙，讓該地錨座與各該卯座之間全部無間隙。
如請求項4所述的地錨座與卯座產生間隙的處理方法，其中，於步驟B中的各該墊片的各該缺口由各該鋼索外側或內側的不同方向套入形成填補該間隙。
一種地錨座與卯座產生間隙的處理裝置，尤指沉箱工法的地錨座近外周緣以複數鋼索配合複數卯座固定後，於該地錨座與各該卯座間產生間隙時的處理裝置，該裝置為至少一墊片，該墊片形成一供各該鋼索置入的缺口。
如請求項6所述的地錨座與卯座產生間隙的處理裝置，其中，該墊片的厚度為1mm〜3mm，該墊片的直徑至少同該卯座的直徑一樣。
如請求項7所述的地錨座與卯座產生間隙的處理裝置，其中，該墊片的厚度為1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、或3mm。
如請求項6所述的地錨座與卯座產生間隙的處理裝置，其中，該墊片的該缺口的寬度略大於各該鋼索的直徑，該墊片朝該缺口兩側外端各設呈一圓弧端，並在該缺口的內底部為一內凹弧圓，該內凹弧圓的中心點係依該墊片的中心點形成，使各該鋼索外周緣抵靠在該內凹弧圓的位置，讓各該鋼索的中心點正好與該內凹弧圓的中心點在同一位置。
一種煞車碟盤，包括：<br/>一主體，定義有一軸向及一徑向；<br/>至少一第一散熱孔，斜向該軸向地貫穿該主體；及<br/>至少一第二散熱孔，沿該徑向之方向延伸地貫設於該主體，包含有一第一通口及一第二通口，該第一通口連通該至少一第一散熱孔，該第二通口供連通外界，圍構該第一通口之口緣輪廓異於圍構該第二通口之口緣輪廓；<br/>其中，複數該第一散熱孔可進一步區分成複數單元，各該單元包含有相同數量且沿一圓弧線呈間隔排列的複數該第一散熱孔，該主體另包含有一中心點及一虛擬圓輪廓，該虛擬圓輪廓之圓心即為該中心點，複數該單元之圓弧線之圓心係呈等間隔角度地坐落於該虛擬圓輪廓上。
如請求項1所述的煞車碟盤，其中該至少一第一散熱孔於該主體之相對二側分別形成有一第一導流口及一第二導流口，該第一導流口之口徑係大於該第二導流口之口徑。
如請求項2所述的煞車碟盤，另包含有複數第一散熱組與複數第二散熱組，該至少一第一散熱孔之數量為複數個，該主體包含有於該軸向上相互背對之一第一側面與一第二側面，各該第一散熱組包含有複數該第一導流口係開設於該第一側面的複數該第一散熱孔，各該第二散熱組包含有複數該第一導流口係開設於該第二側面的複數該第一散熱孔。
如請求項3所述的煞車碟盤，其中該主體另定義有一周向，複數該第一散熱組與複數該第二散熱組沿該周向呈交替配置。
如請求項4所述的煞車碟盤，其中複數該第一散熱組之數量等同於複數該第二散熱組之數量，各該第一散熱組之第一散熱孔的數量等同於各該第二散熱組之第一散熱孔的數量。
如請求項1所述的煞車碟盤，其中該主體另定義有一周向，該至少一第一散熱孔之數量為複數個，該至少一第二散熱孔之數量為複數個，複數該第二散熱孔係沿該周向呈等間隔角度配置，各該第二散熱孔連通一該第一散熱孔。
如請求項6所述的煞車碟盤，其中複數該第二散熱孔於該徑向上的長度不盡相同。
如請求項5所述的煞車碟盤，其中該至少一第二散熱孔之數量為複數個，複數該第二散熱孔係沿該周向呈等間隔角度配置，各該第二散熱孔連通一該第一散熱孔；複數該第二散熱孔於該徑向上的長度不盡相同；該圓弧線至該中心點的距離係沿順時針方向縮短；面向該第一導流口觀之，各該第一散熱孔之右側之一第一傾斜角係大於各該第一散熱孔之左側之一第二傾斜角；該第一導流口之輪廓與該第二導流口之輪廓分別呈橢圓形；該第一通口係傾斜延伸；該第一通口之開口面積係大於該第二通口之開口面積。
一種射頻干擾器，包含： <br/>一處理電路，具有一多通道介面，用以經由該多通道介面傳送N組輸出訊號，其中N是大於1的整數； <br/>一射頻前端模組，耦接於該多通道介面，用以接收該N組輸出訊號以產生N組射頻訊號，其中每一組射頻訊號所包含的射頻訊號彼此之間的相位偏移量是根據一目標裝置的位置資訊及該射頻前端模組的溫度偵測結果來決定；以及 <br/>一天線陣列，耦接於該射頻前端模組，用以接收該N組射頻訊號以發送指向該目標裝置的N個波束成形訊號， <br/>其中該射頻前端模組用於耦合該N組射頻訊號以產生N組輸入訊號，以及該處理電路用於根據該N組輸入訊號對該N組輸出訊號進行校準。
如請求項1所述之射頻干擾器，其中每一射頻訊號是經由該射頻前端模組的一功率放大器來輸出，且該功率放大器操作在線性區與飽和區之間的壓縮區。
如請求項1所述之射頻干擾器，其中每一組輸出訊號是具有單一輸出訊號的單元素集；該處理電路用以分別經由該多通道介面的N個通道傳送N個輸出訊號。
如請求項3所述之射頻干擾器，其中該處理電路用以根據該目標裝置的位置資訊產生一控制訊號；該射頻前端模組包含： <br/>N個射頻前端電路，耦接於該N個通道以分別接收該N個輸出訊號，每一射頻前端電路用以根據相對應之一輸出訊號與該控制訊號產生一組射頻訊號。
如請求項4所述之射頻干擾器，其中該組射頻訊號包含M個射頻訊號，M是大於1的整數；該射頻前端電路包含： <br/>一分配級，用以將該輸出訊號分為M個電訊號； <br/>一相移級，耦接於該分配級，用以根據該控制訊號對該M個電訊號進行相移操作，並據以產生M個相移訊號；以及 <br/>一放大級，耦接於該相移級，用以放大該M個相移訊號以產生該M個射頻訊號。
如請求項4所述之射頻干擾器，其中該天線陣列包含： <br/>N個天線子陣列，分別耦接於該N個射頻前端電路，用以接收該N組射頻訊號以分別發送該N個波束成形訊號。
如請求項1所述之射頻干擾器，其中每一組輸出訊號包含頻率相同的M個輸出訊號，該M個輸出訊號的頻率不同於其他組輸出訊號所包含的輸出訊號的頻率，M為大於1的整數；該處理電路另用以根據該目標裝置的位置資訊及該射頻前端模組的溫度偵測結果，控制每一組輸出訊號所包含的輸出訊號彼此之間的相位關係。
如請求項7所述之射頻干擾器，其中該處理電路用以分別經由該多通道介面的M個通道傳送每一組輸出訊號的該M個輸出訊號，且該N組輸出訊號共用該M個通道；該射頻前端模組包含： <br/>M個射頻前端電路，分別耦接於該M個通道，該M個射頻電路用以分別接收該M個輸出訊號以產生同一組射頻訊號所包含的M個射頻訊號。
如請求項8所述之射頻干擾器，其中該天線陣列包含分別耦接於該M個射頻前端電路的M個天線；每一射頻前端電路包含： <br/>多個放大電路，具有不同的工作頻率範圍，其中每一放大電路選擇性地耦接於相對應的通道與相對應的天線兩者之間。
如請求項7所述之射頻干擾器，其中該射頻前端模組包含： <br/>N組射頻前端電路，用以接收該N組輸出訊號以分別產生該N組射頻訊號。
如請求項10所述之射頻干擾器，其中該天線陣列包含： <br/>N個天線子陣列，分別耦接於該N個射頻前端電路，用以接收該N組射頻訊號以分別發送該N個波束成形訊號。
如請求項1所述之射頻干擾器，其中該N個波束成形訊號的N個頻率分別位於該目標裝置的N個操作頻段；該處理電路用以根據一第一輸入訊號來判斷該目標裝置的該N個操作頻段，並根據該N個操作頻段設定該N組輸出訊號各自的頻率；該射頻干擾器另包含： <br/>一天線，用以接收該目標裝置所發送的一電磁波訊號以產生一射頻訊號；以及 <br/>一射頻前端電路，耦接於該天線與該處理電路，用以處理該天線所輸出的該射頻訊號以產生該第一輸入訊號。
如請求項1所述之射頻干擾器，其中該處理電路用以對多個第二輸入訊號進行波束成形處理，以判斷該目標裝置的位置資訊；該射頻干擾器另包含： <br/>排列成陣列的多個天線，用以接收該目標裝置所發送的多個電磁波訊號以產生多個射頻訊號；以及 <br/>一射頻前端電路，耦接於該多個天線與該處理電路，用以處理該多個天線所輸出的該多個射頻訊號以產生該多個第二輸入訊號。
一種射頻干擾器，包含： <br/>一處理電路，具有一多通道介面，用以產生頻率位於一目標裝置之一操作頻段的一輸出訊號； <br/>一第一射頻前端電路，耦接於該多通道介面，用以接收該輸出訊號以產生M個射頻訊號，M是大於1的整數，其中該第一射頻前端電路包含： <br/>一分配級，用以將該輸出訊號分為M個電訊號； <br/>一相移級，耦接於該分配級，用以根據該M個電訊號產生M個相移訊號；以及 <br/>一放大級，耦接於該相移級，用以放大該M個相移訊號以產生該M個射頻訊號；以及 <br/>一天線陣列，耦接於該放大級，用以接收該M個射頻訊號以發送指向該目標裝置的一波束成形訊號， <br/>其中該第一射頻前端電路用於耦合該M個射頻訊號以產生M個輸入訊號，以及該處理電路用於根據該M組輸入訊號對該輸出訊號進行校準， <br/>其中該相移級根據該目標裝置的位置資訊以及該放大級的溫度偵測結果對該M個電訊號進行相移操作，並據以產生該M個相移訊號。
如請求項14所述之射頻干擾器，其中該M個射頻訊號分別經由該放大級的M個功率放大器來輸出，且每一功率放大器操作在線性區與飽和區之間的壓縮區。
如請求項14所述之射頻干擾器，其中該處理電路用以根據攜帶該操作頻段之資訊的一第一輸入訊號來產生該輸出訊號；該射頻干擾器另包含： <br/>一天線，用以接收該目標裝置所發送的一電磁波訊號以產生一射頻訊號；以及 <br/>一第二射頻前端電路，耦接於該天線與該處理電路，用以處理該天線所輸出的該射頻訊號以產生該第一輸入訊號。
一種射頻干擾器，包含： <br/>一處理電路，具有一多通道介面，用以根據一目標裝置之一操作頻段與一位置資訊來產生M個輸出訊號，M是大於1的整數，其中該M個輸出訊號具有相同且位於該操作頻段內的頻率，而該M個輸出訊號彼此之間的相位偏移量是根據該位置資訊來決定； <br/>M個第一射頻前端電路，分別耦接於該多通道介面的M個通道，用以分別經由該M個通道接收該M個輸出訊號以產生M個射頻訊號；以及 <br/>一天線陣列，耦接於該M個第一射頻前端電路，用以接收該M個射頻訊號以發送指向該目標裝置的一波束成形訊號， <br/>其中該M個第一射頻前端電路用於耦合該M個射頻訊號以產生M個輸入訊號，以及該處理電路用於根據該M個輸入訊號對該M個輸出訊號進行校準， <br/>其中該M個輸出訊號彼此之間的相位偏移量是根據該位置資訊以及該M個第一射頻前端電路的溫度偵測結果來決定。
如請求項17所述之射頻干擾器，其中該M個射頻訊號分別經由該M個第一射頻前端電路的M個功率放大器來輸出，且每一功率放大器操作在線性區與飽和區之間的壓縮區。
如請求項17所述之射頻干擾器，其中該天線陣列包含分別耦接於該M個第一射頻前端電路的M個天線；每一個第一射頻前端電路包含： <br/>多個放大電路，具有不同的工作頻率範圍，其中每一放大電路選擇性地耦接於相對應的通道與相對應的天線兩者之間。
如請求項17所述之射頻干擾器，該處理電路用以根據攜帶該操作頻段之資訊的一第一輸入訊號來產生該M個輸出訊號；該射頻干擾器另包含。 <br/>一天線，用以接收該目標裝置所發送的一電磁波訊號以產生一射頻訊號；以及 <br/>一第二射頻前端電路，耦接於該天線與該處理電路，用以處理該天線所輸出的該射頻訊號以產生該第一輸入訊號。
一種開關裝置，用於一動力工具，該開關裝置包含：一外殼；一滑塊，可動地設置在該外殼；一磁性元件，設置在該滑塊且能夠產生一磁場，該磁性元件被該滑塊帶動而沿相接續的一斷電行程及一過電行程移動；一觸動開關，設置在該外殼內，且能夠被該滑塊觸動；及一控制模組，設置在該外殼內，該控制模組電性連接該觸動開關，該控制模組具有一磁感測元件，該磁感測元件對應該磁性元件設置且能夠對應該磁感測元件在該磁場中之位置產生一位置訊號；其中，當該磁性元件位於該斷電行程時，該控制模組關閉；其中，當該磁性元件由於該斷電行程進入該過電行程時，該滑塊觸動該觸動開關而啓動該控制模組；其中，當該磁性元件位於該過電行程時，該控制模組依據該位置訊號而輸出對應的一控制訊號。
如請求項1所述的開關裝置，其中該觸動開關包含分別電性連接該控制模組的一擺臂及一導電接點，該擺臂能夠被該滑塊觸動而接觸該導電接點。
如請求項2所述的開關裝置，其中該擺臂樞設在該外殼且該擺臂包含連動樞轉的一第一支臂及第二支臂，該第一支臂能夠被該滑塊推動至接觸該導電接點，該第二支臂能夠被該滑塊推動而帶動該第一支臂脫離該導電接點。
如請求項3所述的開關裝置，其中當該磁性元件位於該斷電行程時，該滑塊接觸該第二支臂。
如請求項3所述的開關裝置，其中在該磁性元件自該斷電行程向該過電行程移動的過程中，該磁性元件脫離該斷電行程時同時推動該第一支臂，而後該磁性元件進入該過電行程。
如請求項5所述的開關裝置，其中當該磁性元件位於該過電行程時，該滑塊接觸該第一支臂。
如請求項1所述的開關裝置，更包含一彈性元件，連接在該滑塊與該外殼之間而能夠將該滑塊復位至一初始位置。
如請求項7所述的開關裝置，其中當該滑塊位於該初始位置時，該磁性元件位於該斷電行程中與該過電行程相對的一端。
一種動力工具，包含：一外殼；一馬達，設置在該外殼內；一滑塊，可動地設置在該外殼；一磁性元件，設置在該滑塊且能夠產生一磁場，該磁性元件被該滑塊帶動而沿相接續的一斷電行程及一過電行程移動；一觸動開關，設置在該外殼內，且能夠被該滑塊觸動；及一控制模組，設置在該外殼內，該控制模組電性連接該觸動開關及馬達，該控制模組具有一磁感測元件，該磁感測元件對應該磁性元件設置且能夠對應該磁感測元件在該磁場中之位置產生一位置訊號；其中，當該磁性元件位於該斷電行程時，該控制模組及該馬達關閉；其中，當該磁性元件由於該斷電行程進入該過電行程時，該滑塊觸動該觸動開關而啓動該控制模組及該馬達；其中，當該磁性元件位於該過電行程時，該控制模組依據該位置訊號而輸出對應的一控制訊號至該馬達以控制該馬達至相應的一運轉狀態。
如請求項9所述的動力工具，其中該觸動開關包含分別電性連接該控制模組的一擺臂及一導電接點，該擺臂能夠被該滑塊觸動而接觸該導電接點。
如請求項10所述的動力工具，其中該擺臂樞設在該外殼且該擺臂包含連動樞轉的一第一支臂及第二支臂，該第一支臂能夠被該滑塊推動至接觸該導電接點，該第二支臂能夠被該滑塊推動而帶動該第一支臂脫離該導電接點。
如請求項11所述的動力工具，其中當該磁性元件位於該斷電行程時，該滑塊接觸該第二支臂。
如請求項11所述的動力工具，其中在該磁性元件自該斷電行程向該過電行程移動的過程中，該磁性元件脫離該斷電行程時同時推動該第一支臂，而後該磁性元件進入該過電行程。
如請求項13所述的動力工具，其中當該磁性元件位於該過電行程時，該滑塊接觸該第一支臂。
如請求項9所述的動力工具，更包含一彈性元件，連接在該滑塊與該外殼之間而能夠將該滑塊復位至一初始位置。
如請求項15所述的動力工具，其中當該滑塊位於該初始位置時，該磁性元件位於該斷電行程中與該過電行程相對的一端。
一種基板結構，包括：核心板體，具有相對之第一側及第二側，並定義有圖案區及環繞該圖案區之邊緣區；介電層，設於該核心板體之該第一側及該第二側上；以及至少一凹部結構，貫通該介電層並凹陷至該核心板體，且未貫穿該核心板體，該至少一凹部結構位於該邊緣區，以供介電材流入該至少一凹部結構。
如請求項1所述之基板結構，其中，該凹部結構包含相互連通的凹槽及複數凹孔，該凹槽貫通形成於該介電層，該複數凹孔凹陷形成於該核心板體。
如請求項2所述之基板結構，其中，該凹槽之寬度大於該凹孔之寬度，藉此使該凹槽及該凹孔具有T形截面。
如請求項2所述之基板結構，其中，該凹槽為環形。
如請求項2所述之基板結構，其中，該凹孔之深度為該核心板體之厚度的30%。
如請求項2所述之基板結構，其中，該凹槽之寬度為30至50μm，該凹孔之寬度為25至45μm。
如請求項1所述之基板結構，其中，該凹部結構為複數個，且各該凹部結構彼此相間隔。
如請求項7所述之基板結構，其中，各該凹部結構之尺寸是以鄰近於該圖案區者至遠離該圖案區者的方向逐漸增大。
一種基板結構之製法，包括：提供核心板體及介電層，其中，該核心板體具有相對之第一側及第二側，並定義有圖案區及環繞該圖案區之邊緣區，該介電層設於該核心板體之該第一側及該第二側上；以及於該邊緣區形成貫通該介電層並凹陷至該核心板體且未貫穿該核心板體之至少一凹部結構，以供介電材流入該至少一凹部結構。
如請求項9所述之基板結構之製法，其中，先於該介電層貫通形成凹槽，再自該凹槽中所外露之該核心板體凹陷形成複數凹孔，以令該凹槽及該複數凹孔相互連通並構成該凹部結構。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該凹槽是以顯影蝕刻剝膜製程所形成。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該複數凹孔是以雷射燒蝕製程所形成。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該凹槽之寬度大於該凹孔之寬度，藉此使該凹槽及該凹孔具有T形截面。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該凹槽為環形。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該凹孔之深度為該核心板體之厚度的30%。
如請求項10所述之基板結構之製法，其中，該凹槽之寬度為30至50μm，該凹孔之寬度為25至45μm。
如請求項9所述之基板結構之製法，其中，該凹部結構為複數個，且各該凹部結構彼此相間隔。
如請求項17所述之基板結構之製法，其中，各該凹部結構之尺寸是以鄰近於該圖案區者至遠離該圖案區者的方向逐漸增大。
一種連接器，包含：<br/>一基座，包含一底部、一第一延伸部、一第二延伸部以及一翼部，該第一延伸部以及該第二延伸部自該底部突伸，該第一延伸部以及該第二延伸部於一方向上排列，且該翼部側向環繞該底部並位於該第一延伸部以及該第二延伸部中之一者與該底部之間；以及<br/>一滑動彈片，可滑動地設置於該基座上，該滑動彈片包含至少一卡合部，且該滑動彈片藉由該至少一卡合部與該基座卡合，其中該滑動彈片在一第一狀態與不同於該第一狀態之一第二狀態之間相對於該基座移動，<br/>其中該基座包含沿著一第一方向延伸之一延伸凸塊、沿著一第二方向延伸之一導引凸塊以及沿著一第三方向延伸之一貫穿凸塊，該至少一卡合部包含與該延伸凸塊卡合之一第一卡合部、與該導引凸塊卡合之一第二卡合部以及與該貫穿凸塊卡合之一第三卡合部。
如請求項1所述之連接器，其中該延伸凸塊以及該導引凸塊設置於該第一延伸部以及該第二延伸部上，且該貫穿凸塊設置於該翼部上。
如請求項1所述之連接器，其中該基座具有一滑槽位於該第一延伸部以及該第二延伸部上，該滑槽進一步包含一第一滑槽段以及一第二滑槽段，且該延伸凸塊自該滑槽向外突伸並位於該第二滑槽段中。
如請求項3所述之連接器，其中該第一滑槽段之沿著該第一方向延伸之一寬度大於該第二滑槽段之沿著該第一方向延伸之一寬度。
如請求項3所述之連接器，其中：<br/>在該滑動彈片處於該第一狀態時，該第一卡合部位於該第一滑槽段中，以及<br/>在該滑動彈片處於該第二狀態時，該第一卡合部位於該第二滑槽段中並與該延伸凸塊卡合，該第二卡合部與該導引凸塊之一端部卡合，且該第三卡合部與該貫穿凸塊卡合。
如請求項1所述之連接器，其中該滑動彈片進一步包含：<br/>一本體，與該至少一卡合部連接並覆蓋該第一延伸部之一外側面以及該第二延伸部之一外側面；<br/>至少一捲曲部，向上延伸自該本體，該至少一捲曲部之一端與該本體連接，且該至少一捲曲部之另一端為一自由端；以及<br/>一彎折部，延伸自該本體並配置以抵持於該翼部上。
如請求項6所述之連接器，其中該本體與該第二卡合部共同定義一導引槽，且該導引槽與該導引凸塊匹配並相對於該導引凸塊滑動。
如請求項6所述之連接器，其中該滑動彈片進一步包含一懸浮部位於該彎折部之一端，且該懸浮部與該彎折部位於不同之一水平面。
一種高壓處理系統，該高壓處理系統包含： <br/>一第一腔室； <br/>一第二腔室； <br/>一隔離閥，該隔離閥在該第一腔室與該第二腔室之間； <br/>一氣體分配系統，該氣體分配系統經配置以： <br/>將該第一腔室與該第二腔室的一壓力設定為一第一壓力，該第一壓力小於1大氣壓； <br/>將該第一腔室的一壓力設定為一第四壓力，該第四壓力高於大氣壓力並小於50大氣壓；以及 <br/>將該第一腔室的一壓力設定為一第五壓力，該第五壓力高於50大氣壓，其中在該第一腔室位於該第五壓力的同時在該第一腔室內處理一基板；以及 <br/>一前級，該前級經配置以在該隔離閥為關閉的同時將該第一腔室從該第一壓力降低到一第二壓力，並將該第二腔室從該第一壓力降低到一第三壓力。
如請求項1所述之高壓處理系統，其中在該隔離閥為開啟的同時，該基板被從該第二腔室運送到該第一腔室中，其中該第一腔室回應於該基板的該處理完成而被抽氣，以及回應於該第一腔室的抽氣，該隔離閥被開啟且該基板被從該第一腔室移出。
如請求項2所述之高壓處理系統，其中將該第一腔室抽氣包含將該第一腔室中的一壓力減低到小於該第一壓力的一第六壓力。
如請求項3所述之高壓處理系統，其中該第六壓力大於該第三壓力。
如請求項1所述之高壓處理系統，其中該氣體分配系統經配置以： <br/>供應一第一氣體至該第一腔室以將該第一腔室加壓至該第四壓力；以及 <br/>供應一第二氣體至該第一腔室以將該第一腔室加壓至該第五壓力，該第二氣體的成分與該第一氣體不同。
如請求項5所述之高壓處理系統，其中該第一氣體包含下列之至少一者：氘、H <sub>2</sub>與NH <sub>3</sub>。
如請求項1所述之高壓處理系統，其中將該第一腔室加壓至該第四壓力包含： <br/>將該氣體分配系統的一第一氣體分配模組隔離自該第一腔室：及 <br/>將該氣體分配系統的一第二氣體分配模組流體耦接至該第一腔室。
如請求項7所述之高壓處理系統，其中將該第一腔室加壓至該第五壓力包含： <br/>將該第二氣體分配模組隔離自該第一腔室：及 <br/>將該第一氣體分配模組流體耦接至該第一腔室。
如請求項1所述之高壓處理系統，其中該第三壓力小於該第二壓力。
如請求項1所述之高壓處理系統，該高壓處理系統進一步包含： <br/>該第一腔室中的一第一壓力感測器； <br/>該第二腔室中的一第二壓力感測器；和 <br/>一控制器，該控制器經配置以： <br/>比較來自該第一壓力感測器與該第二壓力感測器的測量結果；以及 <br/>基於該等測量結果的比較，控制該第一腔室中的一壓力與該第二腔室中的一壓力。
如請求項1所述之高壓處理系統，該高壓處理系統進一步包含： <br/>第一與第二遞送線，該第一與第二遞送線將該氣體分配系統耦接至該第一腔室，其中該第一遞送線與該第二遞送線進入該第二腔室的一第一側並流體連接至該第一腔室。
如請求項1所述之高壓處理系統，該高壓處理系統進一步包含： <br/>一第一排氣系統，該第一排氣系統包含一排氣線並經配置以從該第一腔室移除氣體，其中該排氣線經由該第二腔室的一第一側連接至該第一腔室； <br/>一共同外殼，該共同外殼圍繞該氣體分配系統的一第一氣體分配模組與該氣體分配系統的一第二氣體分配模組；以及 <br/>一第二排氣系統，該第二排氣系統經配置以從該共同外殼引導氣體至該前級。
一種處理一基板上的一層的方法，該方法包含以下步驟： <br/>在一第一腔室被由一閥組件與一第二腔室隔離的同時，藉由一氣體分配系統將一第一腔室加壓至一第四壓力，該第四壓力位於大於約1大氣壓的一範圍內，其中該第二腔室鄰接該第一腔室，其中該閥組件設置在該第一腔室與該第二腔室之間並經配置以使該第一腔室與該第二腔室隔離，其中該氣體分配系統經由一第一遞送線與一第二遞送線耦接至該第一腔室，且其中該第一遞送線與該第二遞送線進入該第二腔室的一第一側並流體連接至該第一腔室； <br/>在該第一腔室藉由該閥組件與該第二腔室隔離的同時，藉由該氣體分配系統將該第一腔室加壓至一第五壓力，該第五壓力至少為約50大氣壓並大於該第四壓力； <br/>經由一前級將氣體從該第二腔室移出，該前級連接至該第二腔室與該第一側相對的一第二側；以及 <br/>經由一第二排氣系統將氣體從一共同外殼引導至該前級，該共同外殼圍繞該氣體分配系統的一第一氣體分配模組與一第二分配模組。
如請求項13所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：經由一第一排氣系統將氣體從該第一腔室移出，該第一排氣系統包含一排氣線，該排氣線經由該第二腔室的該第一側連接至該第一腔室。
如請求項13所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：經由一包封殼體將從該第一與第二遞送線洩漏的氣體轉向至該前級。
如請求項13所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： <br/>經由一排氣系統在該第一腔室中產生一第二壓力，該第二壓力小於該第五壓力； <br/>經由一真空處理系統在該第二腔室中產生一第三壓力，該第三壓力小於該第二壓力； <br/>比較來自該第一腔室中的一第一壓力感測器與該第二腔室中的一第二壓力感測器的測量結果；以及 <br/>基於該等測量結果的該比較維持大於該第三壓力的該第二壓力。
如請求項13所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： <br/>經由該氣體分配系統遞送一第一氣體進入該第一腔室；和 <br/>經由該氣體分配系統遞送一第二氣體進入該第一腔室。
如請求項17所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該第一氣體被遞送到該第一腔室之前，經由該氣體分配系統的一幫浦提升該第一氣體的一壓力。
一種多聲源麥克風指向性測量方法，其包括：<br/> 提供一第一聲源；<br/> 提供一第二聲源；<br/> 將一待測麥克風放置在一測量位置；<br/> 開啟該第一聲源和該第二聲源，使該第一聲源產生的第一聲波與該第二聲源產生的第二聲波重疊干涉，且重疊干涉後的該第一聲波和該第二聲波的傳遞範圍涵蓋該測量位置；<br/> 測量在該測量位置的該待測麥克風的一電子訊號，以得到該待測麥克風的指向性；<br/> 其中，該測量位置位於穿過該第一聲源與該第二聲源的連線的中點的垂直線上，且該第一聲波與該第二聲波具有相同的振幅和頻率。
如請求項1所述的多聲源麥克風指向性測量方法，其中，還包括：<br/> 轉動該待測麥克風，使該待測麥克風的收音口在該測量位置相對於該垂直線具有一第一角度。
如請求項2所述的多聲源麥克風指向性測量方法，其中，還包括：轉動該待測麥克風，使該待測麥克風的收音口在該測量位置相對於該垂直線從該第一角度旋轉至一第二角度。
如請求項1所述的多聲源麥克風指向性測量方法，其中，該測量位置與該第一聲源的距離是大於5公分，該測量位置與該第二聲源的距離是大於5公分。
如請求項1所述的多聲源麥克風指向性測量方法，其中，該測量位置與該第一聲源的距離為10公分，該測量位置與該第二聲源的距離為10公分。
如請求項1所述的多聲源麥克風指向性測量方法，其中，還包括：<br/> 提供一第三聲源；其中該測量位置與該第一聲源、該第二聲源和該第三聲源形成對稱。
一種多聲源麥克風指向性測量裝置，其包括：<br/> 一第一聲源，其產生一第一聲波；<br/> 一第二聲源，其產生一第二聲波；<br/> 一載台，設置在一測量位置，支撐一待測麥克風；<br/> 一訊號測量模組，與該待測麥克風電連接，測量在該測量位置的該待測麥克風的電子訊號以得到該待測麥克風的指向性；<br/> 其中該第一聲波與該第二聲波重疊干涉，且重疊干涉後的該第一聲波和該第二聲波的傳遞範圍涵蓋該測量位置；<br/> 其中，該測量位置位於穿過該第一聲源與該第二聲源的連線的中點的垂直線上，且該第一聲波與該第二聲波具有相同的振幅和頻率。
一種環形的彈性元件(1a, 1b)，適用於夾持和/或制動裝置，包含： <br/>一彈簧板(16)，該彈簧板具有一第一側表面(16a)及與該第一側表面(16a)相對的一第二側表面(16b)；及 <br/>一由彈性材料製成的密封層(17)，該密封層(17)應用於該彈簧板(16)的該第二側表面(16b)上，該密封層(17)包含： <br/>一沿著該彈簧板(16)的一圓周延伸的外緣(18)；及 <br/>一相鄰該密封層(17)的該外緣(18)的一第一區域(19)，該第一區域(19)沿著該彈簧板(16)的至少部分的該圓周延伸，且具有相較於該外緣(18)較小的厚度； <br/>其特徵在於， <br/>該第一區域(19)具有沿該彈簧板(16)的該圓周(U)延伸的一第一部分(19a)及相鄰該第一部分的一第二部分(19b)，其中該第一部分(19a)的厚度大於該第二部分(19b)的厚度。
如請求項1所述的彈性元件，其特徵在於，該密封層(17)更包含一第二區域(20)，該第二區域(20)相鄰該密封層(17)的該第一區域(19)，並沿著該彈簧板(16)的至少部分的該圓周(U)延伸，其中該密封層(17)的該第二區域(20)的厚度至少與該第一區域(19)的該第一部分(19a)的厚度相同。
如請求項1或2所述的彈性元件，其特徵在於，該第一區域(19)的該第一部分(19a)的一延伸量(x)沿著該彈簧板(16)的該圓周(U)朝向該外緣(18) 遞減，為連續遞減。
如請求項1所述的彈性元件，其特徵在於，該彈簧板(16)與該密封層(17)為環形，且該密封層(17)更包含： <br/>一沿著一環的一內圓或一外圓的一圓周(u)延伸的另一邊緣(21)； <br/>一第三區域(22)，相鄰於該密封層(17)的該另一邊緣(21)並沿著該環的至少部分的該圓周(u)延伸，且相較於該另一邊緣(21)具有較小的厚度； <br/>其中，該第三區域(22)具有一沿著該內圓或該外圓的該圓周的一第三部分(19c)及相鄰於該第三部分的一第四部分(19d)，且該第三部分(19c)的厚度大於該第四部分(19d)的厚度。
如請求項4所述的彈性元件，其特徵在於，該第一區域(19)沿著該彈簧板(16)的該圓周(U)具有多個相鄰的該第一部分(19a)及該第二部分(19b)，和/或該第三區域(22)沿著該內圓或該外圓的該圓周(u)具有多個相鄰的該第三部分(19c)及該第四部分(19d)。
一種用於夾持和/或制動一待夾持和/或制動物體的夾持和/或制動裝置(10)，包含： <br/>如請求項1所述的一環形彈性元件(1a)，其中該環形彈性元件(1a)係定義為一第一彈性元件； <br/>如請求項1所述的一環形彈性元件(1b)，其中該環形彈性元件(1b)係定義為一第二彈性元件； <br/>一殼體(3)，包括一第一殼體部分(3a)，該第一殼體部分具有一內表面(105)；以及一第二殼體部分(3b)，該第二殼體部分具有一內表面(105)，該第一殼體部分(3a)及該第二殼體部分(3b)相對於彼此排列並且彼此固定，使得該些殼體部分(3a, 3b)的該些內表面(105)共同限定了該殼體(3)內部的一內部空間； <br/>一個或多個夾持元件(8)，每個夾持元件具有一夾持表面(7)；及 <br/>一彈簧(1)，設置於該內部空間中，包含該第一彈性元件(1a)和該第二彈性元件(1b)，其中該第一彈性元件(1a)的該彈簧板(16)以其該第一側表面(16a)面向該第一殼體部分(3a)的該內表面(105)被夾持在該內部空間中，且該第二彈性元件(1b)的該彈簧板(16)以其該第一側表面(16a)面向該第二殼體部分(3b)的該內表面(105)被夾持在該內部空間中，從而在該些彈性元件(1a、1b)的該些密封層(17)之間的該內部空間中形成一壓力空間(2)，其中該壓力空間(2)可排氣及通氣或可承受可供應至該殼體的一壓力介質的超壓； <br/>其中該彈簧(1)的設計使得，當該壓力空間(2)排氣或通氣或該壓力空間(2)承受超壓時，該些彈性元件(1a、1b)的至少一個該彈簧板(16)的彎曲是可變的，從而使該裝置(10)在一開啟狀態與一閉合狀態之間變化，在該開啟狀態中，該待夾持的物體(5)與一個或多個夾持表面(7)分開，在該閉合狀態中，至少一個該夾持表面(7)向該物體(5)傳遞夾持和/或制動力； <br/>其中至少一個該彈性元件(1a、1b)的該密封層(17)的該第一區域(19)的該第一部分(19a)的厚度被選擇為，當該壓力空間(2)通氣或該壓力空間(2)承受超壓時，至少一個該彈性元件(1a、1b)的該密封層(17)的該外緣(18)的一位移至少被抑制。
如請求項6所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該些彈性元件(1a, 1b)的該彈簧板(16)被夾持在該內部空間中，以使該些彈性元件(1a, 1b)的該些密封層(17)的該些外緣(18)相互接觸。
如請求項6所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該壓力空間(2)設置於該彈簧(1)內，位於該些彈性元件(1a, 1b)的該些彈簧板(16)的該些第二側表面(16b)之間。
如請求項6所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中至少一個該彈性元件(1a, 1b)的該密封層(17)的該第一部分(19a)與一連接密封件(15)位於同一直線上，該至少一個彈性元件(1a, 1b)的該密封層(17)用於該夾持和/或制動裝置(10)的一殼體連接部(II)，以使該夾持和/或制動裝置(10)的該壓力空間(2)承受該壓力介質。
如請求項6所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中在該些彈性元件(1a, 1b)的該些彈簧板(16)的該些第一側表面(16a)與該些殼體部分(3a, 3b)的該些內表面(105)之間形成一另一壓力空間(4)。
如請求項10所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該第一彈性元件(1a)的該彈簧板(16)的設計使得通過向該另一壓力空間(4)充入超壓，可以減少其彎曲，以便在該彈簧板(16)的一內緣或一外緣支撐在該第一殼體部分的該內表面(105)上時，用該彈簧板(16)的該內緣或該外緣壓在其中一個該夾持元件上，從而實現從該夾持元件的該夾持表面到該待夾持和/或制動的物體(5)的夾持和/或制動力的傳遞，使該裝置(10)從該開啟狀態變為該閉合狀態。
如請求項10或11所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該裝置(10)設計成通過對該另一壓力空間(4)進行通氣或對該另一壓力空間(4)充入超壓，使得該些夾持元件的其中之一遠離該些內表面(105)的其中之一的一部分和/或使得至少一個該彈性元件的該彈簧板(16)的彎曲減少，從而使該裝置(10)從該開啟狀態變為該閉合狀態。
如請求項10所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中至少一個該彈性元件(1a，1b)的該密封層(17)的該第一部分(19a)設置在該夾持和/或制動裝置(10)的一殼體連接部(I)的一區域(25)，以對該另一壓力空間(4)施加超壓。
如請求項11所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該夾持和/或制動力是通過該些彈性元件(1a, 1b)的該至少一個彈簧板(16)的該內緣或該外緣支撐在該些內表面(105)其中之一上，並且該至少一個彈簧板(16)的該內緣或該外緣壓在該夾持元件上而產生。
如請求項6所述的夾持和/或制動裝置(10)，其中該裝置(10)設計成通過對一第二壓力空間(2)進行通氣或將該第二壓力空間(2)充入超壓，使得該些夾持元件(8)的其中之一朝向該些內表面(105)的其中之一的一部分移動和/或使得至少一個該彈性元件的該彈簧板(16)的彎曲增加，從而使得裝置(10)從該閉合狀態變為該開啟狀態。
一種閥門執行器，其特徵在於，包括： 一個支撐主體(10)；<br/>一個操作件(20)，其繞一個第一軸線(L1)可轉動地連接所述支撐主體(10)；<br/>一個輸出軸(30)，其繞所述第一軸線(L1)可轉動地連接所述支撐主體(10)；<br/>一個第一傳動單元(40)，其可傳動地連接所述操作件(20)和所述輸出軸(30)，所述第一傳動單元(40)包括：<br/>一個第一傳動齒輪(41)，其被設置以能夠繞所述第一軸線(L1)相對於所述支撐主體(10)轉動，所述操作件(20)與所述第一傳動齒輪(41)鍵連接；<br/>一個雙聯齒輪(42)，其被設置以能夠繞一個平行於所述第一軸線(L1)的第二軸線(L2)相對於所述支撐主體(10)轉動，所述雙聯齒輪(42)具有一個第一齒圈(421)和一個第二齒圈(422)，所述第一齒圈(421)與所述第一傳動齒輪(41)嚙合；以及<br/>一個第二傳動齒輪(43)，其被設置以能夠繞所述第一軸線(L1)相對於所述支撐主體(10)轉動並與所述第二齒圈(422)嚙合，所述第二傳動齒輪(43)與所述輸出軸(30)鍵連接；<br/>以及<br/>一個指示件(50)，其沿一個平行於所述第一軸線(L1)的第一方向(D1)穿設於所述操作件(20)並被設置以能夠相對於所述操作件(20)繞所述第一軸線(L1)轉動，所述指示件(50)的沿所述第一方向(D1)穿出所述操作件(20)的一端連接所述輸出軸(30)以能夠與所述輸出軸(30)同軸同角度轉動，所述指示件(50)的沿所述第一方向(D1)的反方向穿出所述操作件(20)的一端具有一個指示部(51)，所述指示部(51)用於被觀察以確定所述指示件(50)相對於所述支撐主體(10)的轉動位置。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述操作件(20)包括一個軸向平行於所述第一方向(D1)的操作軸(21)，所述操作軸(21)具有一個卡接部(211)，所述卡接部(211)呈以所述第一軸線(L1)為軸的旋轉體狀，所述支撐主體(10)包括數個卡接件(13)，數個所述卡接件(13)沿垂直於所述第一軸線(L1)的周向環繞所述操作軸(21)分佈，各所述卡接件(13)與所述卡接部(211)形成卡扣連接以限制所述操作件(20)相對於所述支撐主體(10)沿所述第一方向(D1)及所述第一方向(D1)的反方向的移動，數個所述卡接件(13)能夠限定所述操作件(20)相對於所述支撐主體(10)繞所述第一軸線(L1)轉動。
如請求項2所述的閥門執行器，其特徵在於，所述卡接部(211)具有一個環形的卡槽(212)，所述支撐主體(10)具有一個主體部(11)，各所述卡接件(13)沿所述第一方向(D1)的一端固定連接所述主體部(11)，另一端游離設置並具有一個卡塊(131)，所述卡塊(131)插設於所述卡槽(212)以形成卡扣連接。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述操作件(20)包括一個軸向平行於所述第一方向(D1)的操作軸(21)和一個旋鈕(22)，所述操作軸(21)繞所述第一軸線(L1)可轉動地連接所述支撐主體(10)，所述旋鈕(22)位於所述操作軸(21)的沿所述第一方向(D1)的一側且固定連接所述操作軸(21)，所述指示件(50)具有一個軸向平行於所述第一方向(D1)的轉軸部(52)，所述轉軸部(52)繞所述第一軸線(L1)可轉動地連接並穿設於所述旋鈕(22)和所述操作軸(21)，所述指示部(51)固定連接所述轉軸部(52)的自所述旋鈕(22)穿出的一端。
如請求項4所述的閥門執行器，其特徵在於，所述操作軸(21)具有一個環繞所述轉軸部(52)設置的限位部(213)，所述限位部(213)能夠沿所述第一方向(D1)的反方向抵靠所述轉軸部(52)，所述閥門執行器還包括一個蓋體(84)，所述蓋體(84)連接所述旋鈕(22)並與所述旋鈕(22)圍成一個容納所述指示部(51)的容納腔(24)，所述蓋體(84)沿所述第一方向(D1)凸出設置有一個尖狀部(841)，所述尖狀部(841)的尖端能夠沿所述第一方向(D1)抵靠所述指示部(51)的與所述第一軸線(L1)重合的部分。
如請求項5所述的閥門執行器，其特徵在於，所述蓋體(84)的透明度被設置以能夠透過所述蓋體(84)觀察所述指示部(51)。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述第一傳動齒輪(41)具有一個沿所述第一方向(D1)貫通的裝配孔(411)，所述操作件(20)插設於所述裝配孔(411)的沿所述第一方向(D1)的一端以與所述第一傳動齒輪(41)鍵連接，所述輸出軸(30)繞所述第一軸線(L1)可轉動地插設於所述裝配孔(411)的沿所述第一方向(D1)的另一端，所述指示件(50)的沿所述第一方向(D1)穿出所述操作件(20)的一端伸入所述裝配孔(411)並插入所述輸出軸(30)以與所述輸出軸(30)鍵連接。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述第一傳動齒輪(41)和所述第一齒圈(421)的傳動比大於1，所述第二齒圈(422)和所述第二傳動齒輪(43)的傳動比大於1。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述指示部(51)被設置為指向垂直於所述第一軸線(L1)的指標，所述支撐主體(10)設置有刻度盤(14)，以配合所述指標確定所述指示件(50)相對於所述支撐主體(10)的轉動位置。
如請求項1所述的閥門執行器，其特徵在於，所述閥門執行器還包括一個電機(60)和一個第二傳動單元(70)，所述第二傳動單元(70)可傳動地連接所述電機(60)和所述第一傳動單元(40)，以使所述電機(60)能夠通過所述第二傳動單元(70)和所述第一傳動單元(40)驅動所述輸出軸(30)轉動。
如請求項10所述的閥門執行器，其特徵在於，所述第二傳動單元(70)為定軸齒輪系，所述定軸齒輪系包括一個第五傳動齒輪(73)，所述第五傳動齒輪(73)繞平行於所述第一方向(D1)的軸線可轉動地連接所述支撐主體(10)，所述第五傳動齒輪(73)能夠沿所述第一方向(D1)及所述第一方向(D1)的反方向相對於所述支撐主體(10)運動，以斷開和連通所述定軸齒輪系的傳動路線，所述閥門執行器還包括：<br/>一個第一彈性件(81)，其能夠向所述第五傳動齒輪(73)施加彈性力，以使所述第五傳動齒輪(73)維持在連通所述定軸齒輪系的傳動路線的位置；<br/>一個分離件(82)，其沿所述第一方向(D1)及所述第一方向(D1)的反方向可運動地連接所述支撐主體(10)，所述分離件(82)能夠沿所述第一方向(D1)運動以抵靠所述第五傳動齒輪(73)使所述第五傳動齒輪(73)運動至斷開所述定軸齒輪系的傳動路線的位置；以及<br/>一個第二彈性件(83)，其能夠向所述分離件(82)施加彈性力，以使所述分離件(82)沿所述第一方向(D1)的反方向運動。
一種水面載具航行安全驗證系統，包含：一計算單元；一儲存單元，該儲存單元連接該計算單元，該儲存單元包含一會遇情境計算模組、一感知雜訊計算模組、一船舶運動計算模組、一船舶運動數值模型及一風浪流數值模型；其中，該會遇情境計算模組包含：一第一輸入單元，一使用者輸入一測試情境及一測試參數；一第二輸入單元，該使用者載入一真實水面載具位在一真實海域上之該真實水面載具的資訊；其中，該計算單元將該測試情境和該測試參數輸入該船舶運動計算模組，該船舶運動計算模組輸出一每時刻運動資訊給該計算單元；其中，該計算單元將該每時刻運動資訊同時輸入該船舶運動數值模型、該風浪流數值模型和該感知雜訊計算模組，該船舶運動數值模型、該風浪流數值模型和該感知雜訊計算模組輸出一障礙物資訊給該計算單元；以及一輸出單元，該輸出單元連接該計算單元；其中，該測試情境為該真實水面載具與至少一障礙水面載具的迎艏正遇、交叉相遇、追越或其組合；其中，該測試參數為該真實水面載具與該至少一障礙水面載具之間碰撞的時間、相對航行速度和相對航向角；其中，該真實水面載具的資訊包含該真實水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該每時刻運動資訊為每時刻該真實水面載具和該至少一障礙水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該輸出單元輸出該障礙物資訊。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該計算單元為中央處理器、圖形處理器或其組合。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該儲存單元為固態硬碟、硬碟機或隨機存取記憶體。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該第一輸入單元為鍵盤、滑鼠、觸控面板及其組合。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該第二輸入單元為網路接口、序列埠、無線網路或其組合。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該真實水面載具為船舶。
如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統，該輸出單元為無線網路或有線網路。
一種水面載具航行安全驗證系統的運作方法，包含：(A)提供如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統；(B)該使用者在該第一輸入單元輸入該測試情境和該測試參數；(C)該使用者在該第二輸入單元載入該真實水面載具位在該真實海域上之該真實水面載具的資訊；(D)該計算單元使用該儲存單元生成該障礙物資訊；(D1)該計算單元使用該船舶運動計算模組依據該使用者所輸入的該測試情境和該測試參數計算出該每時刻運動資訊；以及(D2)該計算單元同時使用該船舶運動數值模型、該風浪流數值模型和該感知雜訊計算模組依據該每時刻運動資訊生成該障礙物資訊；(E)該輸出單元將該障礙物資訊傳送給該真實水面載具上的一航行控制模組；以及(F)該航行控制模組以該障礙物資訊來控制該真實水面載具的航行方向和航行速度進行避碰測試；其中，該測試情境為該真實水面載具與該至少一障礙水面載具的迎艏正遇、交叉相遇、追越或其組合；其中，該測試參數為該真實水面載具與該至少一障礙水面載具之間碰撞的時間、相對航行速度和相對航向角；其中，該真實水面載具的資訊包含該真實水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該計算單元將該測試情境和該測試參數輸入該船舶運動計算模組，該船舶運動計算模組輸出該每時刻運動資訊給該計算單元；其中，該每時刻運動資訊為每時刻該真實水面載具和該至少一障礙水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該輸出單元輸出該障礙物資訊。
如請求項8所述之水面載具航行安全驗證系統的運作方法，其中步驟(F)更包含：(F1)該真實水面載具在一航行路線上持續航向一第一障礙水面載具，該真實水面載具愈來愈靠近該第一障礙水面載具，當碰撞風險小於一閾值便啟動避碰模式；(F2)該航行控制模組控制該真實水面載具向第一方向航行，使該真實水面載具閃避該第一障礙水面載具；以及(F3)當該碰撞風險大於該閾值，該航行控制模組控制該真實水面載具向第二方向航行，使該真實水面載具回到原本的該航行路線。
一種水面載具航行安全驗證系統的運作方法，包含：(S1)提供如請求項1所述之水面載具航行安全驗證系統；(S2)該使用者在該第一輸入單元輸入該測試情境和該測試參數；(S3)該使用者在該第二輸入單元載入該真實水面載具位在該真實海域上之該真實水面載具的資訊；(S4)該計算單元使用該儲存單元生成該障礙物資訊；(S5)該輸出單元將該障礙物資訊傳送給該真實水面載具上的一感知單元，該感知單元過濾障礙物資訊之雜訊生成一過濾障礙物資訊；(S6)該感知單元將該過濾障礙物資訊傳送給該真實水面載具上的一航行控制模組；以及(S7)該航行控制模組依據該模擬障礙物資訊，控制該真實水面載具物件的航行方向和航行速度以進行避碰測試；其中，該測試情境為該真實水面載具與該至少一障礙水面載具的迎艏正遇、交叉相遇、追越或其組合；其中，該測試參數為該真實水面載具與該至少一障礙水面載具之間碰撞的時間、相對航行速度和相對航向角；其中，該真實水面載具的資訊包含該真實水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該計算單元將該測試情境和該測試參數輸入該船舶運動計算模組，該船舶運動計算模組輸出該每時刻運動資訊給該計算單元；其中，該計算單元將該每時刻運動資訊同時輸入該船舶運動數值模型、該風浪流數值模型和該感知雜訊計算模組，該船舶運動數值模型、該風浪流數值模型和該感知雜訊計算模組輸出該障礙物資訊給該計算單元；其中，該每時刻運動資訊為每時刻該真實水面載具和該至少一障礙水面載具的所在位置、航行速度和航行方向；其中，該輸出單元輸出該障礙物資訊。
如請求項10所述之水面載具航行安全驗證系統的運作方法，其中步驟(S5)更包含：(S51)該輸出單元將該障礙物資訊傳送給該真實水面載具的該感知單元；(S52)該計算單元使用該感知雜訊計算模組計算進而生成一感知訊號，該計算單元將該感知訊號傳送給該輸出單元，該輸出單元將該感知訊號傳送給該感知單元；以及(S53)該感知單元過濾該障礙物資訊之雜訊生成一過濾障礙物資訊。
一種電路板，包括：<br/> 一第一線路基板，具有相對的一第一側及一第二側，且包括一第一線路層、一第二線路層及位於所述第一線路層及所述第二線路層之間的一第一絕緣層；<br/> 一第二線路基板，設置於所述第一側及所述第二側其中之一，且包括一第二絕緣層及一第三線路層，其中所述第三線路層位於所述第二絕緣層背對所述第一線路基板的一第一表面上；<br/> 一通道，延伸穿過所述第一線路基板及所述第二線路基板；<br/> 一第一電子部件，設置於所述通道中並電連接所述第一線路層；<br/> 一第二電子部件，設置於所述通道中並電連接所述第一線路層及所述第二線路層其中之一；以及<br/> 一模封材料層，由一模封材料填充於所述通道並包覆所述第一電子部件及所述第二電子部件而形成。
如請求項1所述之電路板，更包括一第一絕緣連接層，設置於所述第一線路基板與所述第二線路基板之間並連接所述第一線路基板及所述第二線路基板。
如請求項2所述之電路板，其中所述通道包括：<br/> 一第一開槽，延伸穿過所述第二線路層及所述第一絕緣層，且暴露所述第一線路層，其中所述第一線路層內嵌於所述第一絕緣連接層中；以及<br/> 一第二開槽，延伸穿過所述第三線路層、所述第二絕緣層及所述第一絕緣連接層，且暴露所述第一線路層。
如請求項1所述之電路板，其中所述第一電子部件位於所述第一線路層面對所述第一絕緣層的一第二表面上，所述第二電子部件位於所述第一線路層及所述第二線路層其中之一背對所述第一絕緣層的一第三表面上。
如請求項1所述之電路板，更包括：<br/> 一第三線路基板，其中所述第一線路基板位於所述第二線路基板與所述第三線路基板之間，所述第三線路基板包括一第三絕緣層及一第四線路層，其中所述第四線路層位於所述第三絕緣層背對所述第一線路基板的一第四表面上，其中所述通道更延伸穿過所述第三線路基板。
如請求項5所述之電路板，更包括：<br/> 一第三電子部件，其中所述第二電子部件及所述第三電子部件電連接所述第一線路層及所述第二線路層，所述模封材料層更包覆所述第三電子部件，且所述第一絕緣層位於所述第二電子部件與所述第三電子部件之間。
如請求項5所述之電路板，更包括一第二絕緣連接層，設置於所述第一線路基板與所述第三線路基板之間並連接所述第一線路基板及所述第三線路基板。
如請求項1所述之電路板，其中所述模封材料層的材料包括環氧樹脂及二氧化矽，且所述二氧化矽的顆粒具有一粒徑，所述通道的最小寬度大於所述粒徑的兩倍。
一種電路板的製造方法，包括：<br/> 提供一第一初始線路基板，包括一第一初始線路層、一第二初始線路層及位於所述第一初始線路層及所述第二初始線路層之間的一第一初始絕緣層；<br/> 圖案化所述第一初始線路層及所述第二初始線路層，以形成一第一線路層及一流道；<br/> 在形成所述第一線路層及所述流道之後，提供一第二初始線路基板及一第一初始絕緣連接層，將所述第一初始絕緣連接層設置於所述第一初始線路基板與所述第二初始線路基板之間，並壓合所述第一初始線路基板、所述第一初始絕緣連接層及所述第二初始線路基板；<br/> 在壓合所述第一初始線路基板、所述第一初始絕緣連接層及所述第二初始線路基板之後，圖案化所述第二初始線路層及所述第一初始絕緣層，以形成一第一線路基板及一第一開槽，其中所述第一線路基板包括所述第一線路層、一第二線路層及一第一絕緣層;<br/> 固設一第一電子部件於所述第一開槽中並電連接所述第一線路層;<br/> 在固設所述第一電子部件於所述第一開槽中之後，提供一第三初始線路基板及一第二初始絕緣連接層，將所述第二初始絕緣連接層設置於所述第一線路基板與所述第三初始線路基板之間，且壓合所述第一線路基板、所述第一初始絕緣連接層、所述第二初始線路基板、所述第二初始絕緣連接層及所述第三初始線路基板；<br/> 在壓合所述第一線路基板、所述第一初始絕緣連接層、所述第二初始線路基板、所述第二初始絕緣連接層及所述第三初始線路基板之後，圖案化所述第二初始線路基板、所述第三初始線路基板、所述第一初始絕緣連接層及所述第二初始絕緣連接層，以形成一第二線路基板、一第三線路基板、一第一絕緣連接層、一第二絕緣連接層、一第二開槽及一第三開槽；<br/> 固設一第二電子部件於所述第二開槽中並電連接所述第一線路層;<br/> 固設一第三電子部件於所述第三開槽中並電連接所述第二線路層;<br/> 在固設所述第二電子部件於所述第二開槽中之後，於所述第二線路基板上貼附一第一承接板；<br/> 在固設所述第三電子部件於所述第三開槽中之後，於所述第三線路基板上貼附一第二承接板，其中所述第二承接板具有一開孔，其中所述開孔、所述流道、所述第一開槽、所述第二開槽及所述第三開槽彼此連通；<br/> 於所述開孔注入一模封材料；以及<br/> 在所述開孔注入所述模封材料之後，移除所述第一承接板及所述第二承接板。
如請求項9所述之電路板的製造方法，其中所述模封材料包括環氧樹脂及二氧化矽，且所述二氧化矽的顆粒具有一粒徑，所述開孔的孔徑大於所述粒徑的兩倍。
一種半導體光子裝置，包括：第一光波導結構；以及第二光波導結構，與所述第一光波導結構相鄰，所述第二光波導結構包括具有多個節段的多邊形俯視形狀。
如請求項1所述的半導體光子裝置，其中所述第二光波導結構的所述多邊形俯視形狀包括大致六邊形俯視形狀、大致八邊形俯視形狀或大致十二邊形俯視形狀。
如請求項1所述的半導體光子裝置，其中所述多個節段全部具有大致相同的俯視寬度。
如請求項1所述的半導體光子裝置，其中所述多個節段的第一子集具有第一俯視寬度；其中所述多個節段的第二子集具有第二俯視寬度；以及其中所述第一俯視寬度大於所述第二俯視寬度。
如請求項1所述的半導體光子裝置，其中所述多個節段全部具有大致相同的俯視長度。
如請求項1所述的半導體光子裝置，其中所述多個節段的第一子集具有第一俯視長度；其中所述多個節段的第二子集具有第二俯視長度；以及其中所述第一俯視長度大於所述第二俯視長度。
一種半導體光子裝置，包括：第一光波導結構，包括具有多個第一節段的第一俯視形狀；以及第二光波導結構，與所述第一光波導結構相鄰，所述第二光波導結構包含具有多個第二節段的第二俯視形狀。
如請求項7所述的半導體光子裝置，其中所述第二光波導結構的所述多個第二節段中的兩個節段之間的交叉點，鄰近於所述第一光波導結構的所述多個第一節段中的兩個節段之間的交叉點。
如請求項7所述的半導體光子裝置，其中所述第一光波導結構的所述多個第一節段的兩個節段之間的交叉點，鄰近於所述第二光波導結構的所述多個第二節段的一個節段。
一種形成半導體光子裝置的方法，包括：在介電層上方的半導體層中，形成第一光波導結構，所述第一光波導結構包含第一俯視形狀；以及形成與所述第一光波導結構相鄰的第二光波導結構，所述第二光波導結構包括具有多個節段的第二俯視形狀。
一種冷卻系統，用於冷卻機架內的熱源且具備CDU，<br/>所述機架至少具有框體和後門，<br/>所述冷卻系統包含：<br/>冷板，該冷板與所述熱源熱接觸，且供第一製冷劑在內部流動；<br/>散熱器，該散熱器與所述機架內的空氣接觸，供與所述第一製冷劑不同的第二製冷劑在內部流動，且設置於所述框體或所述後門；以及<br/>所述CDU具有的熱交換器，該熱交換器在從所述冷板流出的所述第一製冷劑與所述第二製冷劑之間進行熱交換。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，<br/>所述熱交換器在從所述冷板流出的所述第一製冷劑與從所述散熱器流出的所述第二製冷劑之間進行熱交換。
如請求項1所述之冷卻系統，其中，<br/>所述熱交換器在從所述冷板流出的所述第一製冷劑與所述第二製冷劑之間進行熱交換，<br/>所述散熱器供從所述熱交換器流出的所述第二製冷劑在內部流動。
如請求項1至3中任一項所述之冷卻系統，其中，<br/>所述框體具有開口，<br/>所述後門設置有所述散熱器，且通過繞旋轉軸旋轉而開閉所述開口，<br/>所述冷卻系統還具備第一流路，該第一流路與所述散熱器連接，且供所述第二製冷劑流動，<br/>所述第一流路具有供所述散熱器以能夠繞所述旋轉軸旋轉的方式連接的部分。
如請求項1至3中任一項所述之冷卻系統，其中，<br/>所述框體具有開口，<br/>所述後門設置有所述散熱器，且通過繞旋轉軸旋轉而開閉所述開口，<br/>所述冷卻系統還具備第一流路，該第一流路與所述散熱器連接，且供所述第二製冷劑流動，<br/>所述第一流路包括根據所述後門的開閉而彎曲的部分。
一種冷卻系統，用於冷卻機架內的熱源且具備CDU，<br/>所述機架至少具有框體和後門，<br/>所述冷卻系統包含：<br/>冷板，該冷板與所述熱源熱接觸，且供第一製冷劑在內部流動；以及<br/>散熱器，該散熱器與所述機架內的空氣接觸，供從所述冷板流出的所述第一製冷劑在內部流動，且設置於所述框體或所述後門，<br/>所述冷卻系統還具備所述CDU具有的熱交換器，該熱交換器在所述第一製冷劑的流路中位於比所述散熱器靠下游且比所述冷板靠上游的位置，在從所述散熱器流出的所述第一製冷劑與不同於所述第一製冷劑的第二製冷劑之間進行熱交換。
如請求項6所述之冷卻系統，還包含泵，該泵將從所述熱交換器流出的所述第一製冷劑向所述冷板壓送。
如請求項1至3和6中任一項所述之冷卻系統，還包含：<br/>泵，該泵壓送所述第一製冷劑；以及<br/>第二框體，該第二框體收納所述泵和所述熱交換器。
如請求項1至3和6中任一項所述之冷卻系統，還包含風扇，所述風扇產生通過所述散熱器的氣流。
如請求項1至3和6中任一項所述之冷卻系統，還包含：<br/>泵，該泵壓送所述第一製冷劑；<br/>風扇，該風扇產生通過所述散熱器的氣流；以及<br/>控制部，該控制部控制所述泵和所述風扇的動作。
一種冷凍機油組成物，係烴冷媒用之冷凍機油組成物，其特徵為，作為基油係包含：由下述通式(I)所表示之至少一種所構成之基油成分A、及由下述通式(II)所表示之至少一種所構成之基油成分B，且含有基油總量之10質量%以上的前述基油成分A， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="29px" width="338px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>為甘油基、三羥甲基丙烷基、二-三羥甲基丙烷基、新戊四醇基或二新戊四醇基，R<sup>2</sup>為甲基，m係根據R<sup>1</sup>所設定之值且為3~6，n為2~11)； <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="236px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R為甲基，R<sup>3</sup>為羥基(HO-)、CH<sub>3</sub>O-、C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>O-、C<sub>3</sub>H<sub>7</sub>O-、或C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>O-，n為6~33)。
一種冷凍機用工作流體，其特徵為，包含請求項1之冷凍機油組成物、及烴冷媒。
一種核反應器，其包括： <br/>一罐； <br/>一核反應器核心，其容置於該罐內部，該核反應器核心包括： <br/>一控制鼓；及 <br/>一軸，其自該控制鼓延伸且延伸出該核反應器核心；及 <br/>一受控溫度外殼，其附接至該罐，其中由該核反應器核心產生之熱進入該受控溫度外殼，且其中該受控溫度外殼包括： <br/>一近端，其附接至該罐； <br/>一第一內板，其與該近端間隔且定位於該近端遠端； <br/>一第二內板，其與該第一內板間隔且定位於該第一內板遠端；及 <br/>一馬達，其安裝至該第二內板，其中該軸透過該近端進入該受控溫度外殼且延伸至該馬達，其中該馬達可操作地耦合至該軸，且其中該受控溫度外殼用於被動地將該馬達維持在等於或低於一預定溫度臨限值之一溫度下。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼界定一內部空間，其中該第一內板橫跨該內部空間，且其中該第二內板橫跨該內部空間。
如請求項1之核反應器，其中一耦合介面添加至該第一內板與該受控溫度外殼之一外壁相遇處且至該第二內板與該受控溫度外殼之該外壁相遇處。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼包括抵靠該受控溫度外殼之內表面定位以降低發射率之一多層絕緣物。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼包括應用於該受控溫度外殼之內表面以降低發射率之一塗層。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼進一步包括： <br/>一基板，其位於該近端，其中該基板附接至該罐；及 <br/>一支撐構件，其自該基板延伸至該第二內板，其中該支撐構件用於支撐該第一內板及該第二內板且將該第一內板及該第二內板附接至該基板。
如請求項6之核反應器，其中該受控溫外度殼進一步包括圍繞該第一內板及該第二內板之一外部外殼，其中一第一間隙界定於該第一內板與該外部外殼之間，且其中一第二間隙界定於該第二內板與該外部外殼之間。
如請求項7之核反應器，其中該外部外殼係可移除。
如請求項1之核反應器，其中該近端界定一第一孔，其中該第一內板界定與該第一孔對準之一第二孔，且其中該軸延伸穿過該第一孔及該第二孔。
如請求項9之核反應器，其中該軸在離開該核反應器核心之前延伸穿過一密封件。
如請求項10之核反應器，其中該核反應器核心將一工作流體維持在一第一壓力下，其中該受控溫度外殼將該工作流體維持在一第二壓力下，且其中在該核反應器之一平衡狀態下，該第一壓力等於該第二壓力。
如請求項11之核反應器，其中在由大於該第二壓力之該第一壓力界定之該核反應器之一非平衡狀態下，該核反應器核心中之工作流體進入該受控溫度外殼直至達到該平衡狀態。
如請求項11之核反應器，其中在由小於該第二壓力之該第一壓力界定之該核反應器之一非平衡狀態下，該受控溫度外殼中之該工作流體進入該核反應器核心直至達到該平衡狀態。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼係一環形外殼。
如請求項1之核反應器，其中該預定溫度臨限值係華氏250度。
如請求項1之核反應器，其中該軸包括： <br/>一軸熱斷裂； <br/>一近端軸，其包括耦合至該軸熱斷裂之一遠端；及 <br/>一遠端軸，其包括耦合至該軸熱斷裂之一近端。
如請求項1之核反應器，其中該受控溫度外殼係附接至該罐之複數個控制溫度外殼之一者。
一種用於溫度敏感設備之受控溫度外殼，其中該受控溫度外殼附接至容置一發熱源之一容器，其中由該發熱源產生之熱自該容器進入該受控溫度外殼，且其中該受控溫度外殼包括： <br/>一近端，其附接至該容器； <br/>一熱屏蔽板，其與該近端間隔且定位於該近端遠端；及 <br/>一溫度敏感設備安裝板，其與該熱屏蔽板間隔且定位於該熱屏蔽板遠端，其中一溫度敏感設備安裝於該溫度敏感設備安裝板之一遠端側上，且其中該受控溫度外殼用於被動地冷卻來自該容器之熱以將該溫度敏感設備處之一溫度維持在等於或低於一預定溫度臨限值。
如請求項18之受控溫度外殼，其中一軸自該溫度敏感設備延伸且延伸至該容器中。
一種加壓高溫裝置，其包括： <br/>一容器，其容置一發熱源； <br/>一受控溫度外殼，其附接至該容器，其中由該發熱源產生之熱進入該受控溫度外殼，且其中該受控溫度外殼包括： <br/>一近端，其附接至該容器； <br/>一熱屏蔽板，其與該近端間隔且定位於該近端遠端； <br/>一溫度敏感設備安裝板，其與該熱屏蔽板間隔且定位於該熱屏蔽板遠端；及 <br/>一溫度敏感設備，其安裝至該溫度敏感設備安裝板，其中該溫度敏感設備透過延伸穿過該受控溫度外殼之該近端且進入該容器中之一孔耦合至該容器中之另一裝置，且其中該受控溫度外殼用於被動地冷卻該熱以將該溫度敏感設備處之一溫度維持在等於或低於一預定溫度臨限值；及 <br/>一加壓工作流體，其中該容器將該加壓工作流體維持在一第一壓力下，其中該受控溫度外殼將該加壓工作流體維持在一第二壓力下，且其中在一平衡狀態下，該第一壓力等於該第二壓力。
一種天線陣列，其改良在於，所述天線陣列包括：<br/>至少一輻射模組，所述輻射模組包括層疊設置的輻射層及介質層，其中，所述輻射層包括複數輻射體，每一所述輻射體用於輻射訊號，所述介質層由非導電材料製成；<br/>饋入模組，設置於所述輻射模組靠近所述介質層的一側，所述饋入模組包括層疊設置的第一饋入層及第二饋入層，所述第一饋入層設置有複數第一饋入線，所述第二饋入層設置有複數第二饋入線，所述第一饋入線與所述第二饋入線的投影面積至少部分重疊，形成複數饋入線單元，所述饋入線單元與所述輻射層的輻射體的投影面積至少部分重疊，所述饋入線單元用於為對應的所述輻射體饋電。
如請求項1所述的天線陣列，其中，所述饋入模組還包括靠近所述輻射模組設置的耦合層，所述耦合層用於將流經所述饋入線單元的電流訊號耦合至所述輻射模組。
如請求項2所述的天線陣列，其中，所述耦合層開設有複數耦合槽孔，且所述耦合槽孔與所述饋入線單元一一對應設置。
如請求項1所述的天線陣列，其中，所述至少一輻射模組包括兩所述輻射模組，且其中一所述輻射模組的輻射層靠近另一所述輻射模組的介質層設置，兩所述輻射層的輻射體一一對應設置，且對應設置的兩所述輻射體接收同一所述饋入線單元提供的饋電訊號。
如請求項4所述的天線陣列，其中，兩所述輻射層之間的所述介質層還設置有複數空腔，每一所述空腔貫穿所述介質層，且每一所述空腔分別與兩側的兩所述輻射體一一對應設置。
如請求項1所述的天線陣列，其中，所述第一饋入層開設有第一容納槽，所述第一容納槽貫穿所述第一饋入層，所述第二饋入層開設有第二容納槽，所述第二容納槽貫穿所述第二饋入層，所述第一饋入線設置於所述第一容納槽，所述第二饋入線設置於所述第二容納槽。
如請求項6所述的天線陣列，其中，所述第一饋入線於所述第一饋入層的延伸方向與對應的所述第二饋入線於所述第二饋入層的延伸方向不完全重合。
如請求項1所述的天線陣列，其中，所述饋入模組還包括腔體層及接地層，所述腔體層設置於所述第二饋入層與所述接地層之間，所述腔體層設置有複數貫通腔，且所述貫通腔與所述饋入線單元一一對應設置。
如請求項1所述的天線陣列，其中，所述饋電訊號包括第一饋電訊號及第二饋電訊號，所述饋入模組還包括複數相位耦合器，所述相位耦合器設置於所述第一饋入層或所述第二饋入層，每一所述相位耦合器與對應的所述第一饋入線及所述第二饋入線連接，所述相位耦合器用於輸出第一饋電訊號至所述第一饋入線，所述相位耦合器還用於輸出第二饋電訊號至所述第二饋入線。
如請求項9所述的天線陣列，其中，所述相位耦合器還用於連接發射機及接收機。
一種金屬板材以熱能切割開槽方法，包括有以下步驟：<br/> 準備步驟，將金屬板材置於工作檯面；<br/> 熱能切割步驟，熱能切割刀以所設置定之傾斜角度對該準金屬板材以設定之目標形狀進行切割，此時該熱能切割刀之距離保持裝置於啟動狀態，熱能切割設定中於該目標形狀之轉角處的前後段設定留滯量區，當該熱能切割刀進入所設定之該留滯量區時，該熱能切割刀之移動速度減緩且該距離保持裝置進入關閉狀態，當該熱能切割刀轉彎後且離開所設定之該留滯量區時，該熱能切割刀之移動速度恢復至減緩前之速度且該距離保持裝置再度進入開啟狀態；<br/> 完工步驟，該熱能切割刀之移動速度變化、該距離保持裝置是否啟動是依據前述熱能切割步驟所述之條件進行切換，直至該熱能切割刀於該金屬板材完整切割出該目標形狀後，該熱能切割刀與該熱能切割刀之該距離保持裝置皆停止運作。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，其中該熱能切割刀之傾斜角度是經由控制面板進行設定。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，其中該熱能切割步驟當中之目標形狀是經由控制面板進行設定。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，所述該目標形狀可以為四次轉角切割之四邊形、五次轉角之切割五邊形、六次轉角切割之六邊形。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，其中該熱能切割步驟中，當該熱能切割刀進入所設定之該留滯量區時，該熱能切割刀之移動速度減緩，所述移動速度減緩能夠經由控制面板進行設定其減緩程度。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，該熱能切割設定中於該目標形狀之轉角處的前後段所設定該留滯量區能夠經由控制面板進行調整。
如請求項1所述之金屬板材以熱能切割開槽方法，其中所述該熱能切割可以為雷射切割、電離子切割其中一者。
一種積體被動裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一深溝槽電容器，形成於該基板中；<br/> 多個電性內連線結構，形成於該基板的一第一側上並電性連接至該深溝槽電容器；以及<br/> 導電的一穿基板通孔，形成於該基板中並自該基板的該第一側延伸至該基板的一第二側，且電性連接至該基板的該第一側上的該些電性內連線結構的一或多者，其中該穿基板通孔作為該深溝槽電容器周圍或順應性圍繞一介電層的一導電殼結構，且該導電殼結構自該基板的該第一側延伸至該基板的該第二側。
如請求項1所述之積體被動裝置，其中：<br/> 該些電性內連線結構更包括多個第一內連線連接至該深溝槽電容器的一或多個電源端，以及多個第二內連線連接至該深溝槽電容器的一或多個接地端；以及<br/> 該穿基板通孔電性連接至該基板的該第一側上的該些第二內連線。
如請求項2所述之積體被動裝置，更包括：<br/> 一電性接點結構，形成於該基板的該第二側上以電性連接至該穿基板通孔。
一種半導體封裝結構，包括：<br/> 一中介層；<br/> 一封裝基板；以及<br/> 一積體被動裝置夾設於該中介層與該封裝基板之間，並電性連接至該中介層與該封裝基板，<br/> 其中該積體被動裝置包括：<br/> 一積體被動裝置基板；<br/> 一深溝槽電容器，形成於該積體被動裝置基板中；以及<br/> 導電的一穿基板通孔，形成於該積體被動裝置基板中並自該積體被動裝置基板的一第一側延伸至該積體被動裝置基板的一第二側，使該穿基板通孔電性連接至該積體被動裝置基板的該第一側上的該深溝槽電容器，並電性連接至該積體被動裝置基板的該第二側上的該封裝基板，其中該穿基板通孔作為該深溝槽電容器周圍或順應性圍繞一介電層的一導電殼結構，且該導電殼結構自該積體被動裝置基板的該第一側延伸至該積體被動裝置基板的該第二側。
如請求項4所述之半導體封裝結構，其中該積體被動裝置更包括：<br/> 多個電性內連線結構，形成於該積體被動裝置基板的該第一側上以電性連接至該深溝槽電容器；以及<br/> 多個微凸塊電性接點，連接至該些電性內連線結構，其中該微凸塊電性接點電性連接至該中介層。
如請求項5所述之半導體封裝結構，其中該積體被動裝置更包括：<br/> 一導電材料層，形成於該積體被動裝置基板的該第二側上，以直接接觸該積體被動裝置基板並電性連接至該穿基板通孔；<br/> 一電性接點結構，形成於該積體被動裝置基板的該第二側上，以電性連接至該穿基板通孔；以及<br/> 一焊料材料部分，形成於該積體被動裝置的該電性接點結構與對應的一封裝基板電性接點之間，使該積體被動裝置電性連接至該封裝基板。
一種積體被動裝置的形成方法，包括：<br/> 形成一深溝槽電容器於一基板中；<br/> 形成多個電性內連線結構於該基板的一第一側上；<br/> 耦接該些電性內連線結構至該深溝槽電容器；<br/> 形成導電的一穿基板通孔於該基板中，使該穿基板通孔自該基板的該第一側延伸至該基板的一第二側，其中該穿基板通孔作為該深溝槽電容器周圍或順應性圍繞一介電層的一導電殼結構，且該導電殼結構自該基板的該第一側延伸至該基板的該第二側；以及<br/> 耦接該穿基板通孔至該基板的該第一側上的該些電性內連線結構的一或多者。
如請求項7所述之積體被動裝置的形成方法，更包括：<br/> 形成一導電材料層於該基板的該第二側上，以直接接觸該基板並電性連接至該穿基板通孔；<br/> 形成一聚合物層於該導電材料層上；以及<br/> 形成一開口於該聚合物層中，以露出該導電材料層的一部分，使露出的該導電材料層的該部分作為該基板的該第二側上的一電性接點結構。
一種聊天室產生方法，其係藉由電子裝置而實行，該方法包括如下步驟： <br/>產生用以向複數個終端傳輸針對與訂單相關之第1聊天室之命令之第1通道，上述複數個終端包括第1終端、第2終端及第3終端，該第1終端係訂購者之終端，該第2終端係處理上述訂單之服務提供者之終端，該第3終端係將與上述訂單對應之物件配送至上述第1終端之物件接收地址之配送員之終端； <br/>隨著自上述第1終端接收到訂單請求信號，以藉由上述第1通道而接收上述命令之方式註冊上述第1終端； <br/>隨著自上述第2終端接收到訂單接受信號，以藉由上述第1通道而接收上述命令之方式註冊上述第2終端； <br/>隨著自上述第3終端接收到配送接受信號，以藉由上述第1通道而接收上述命令之方式註冊上述第3終端； <br/>根據確定已產生上述訂單之評論，基於上述評論而向上述第1終端傳輸是否產生可與上述第2終端進行聊天之第2聊天室之問詢， <br/>藉由分析自上述第1聊天室及上述第2聊天室取得之訊息，而取得上述訂購者之過敏資訊；及 <br/>基於上述過敏資訊，移除引發過敏之選單或訂購選項而產生包括推薦選單及推薦訂購選項之推薦訂購資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著接收到表示已於上述第1終端中執行訂購應用程式之信號，產生上述第1通道。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>藉由上述第1通道而將針對上述第1聊天室之命令中之參與上述第1聊天室之命令傳輸至上述第1終端、上述第2終端或上述第3終端中之至少一者。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>產生用以將訊息傳輸至上述第1終端、上述第2終端或上述第3終端中之至少一者之第2通道。
如請求項4之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著自上述第1終端、上述第2終端或上述第3終端中之一者接收到所傳輸之訊息，藉由上述第2通道而將上述訊息傳輸至參與上述聊天室之其他終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著自上述第3終端接收到配送完成信號，於自接收到上述配送完成信號之時點起經過固定時間後，藉由上述第1通道而將針對上述第1聊天室之上述命令中之上述第1聊天室之結束命令傳輸至上述第1終端、上述第2終端或上述第3終端中之至少一者。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著接收到與是否產生上述第2聊天室之問詢對應之上述第2聊天室產生請求，藉由上述第1通道而將參與上述第2聊天室之命令傳輸至上述第1終端及上述第2終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著自上述第1終端接收到可與上述第3終端進行聊天之第3聊天室產生請求，藉由上述第1通道而將參與上述第3聊天室之命令傳輸至上述第1終端及上述第3終端。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著自上述第1終端接收到將提供顧客服務之第4終端邀請至上述第1聊天室之請求，藉由上述第1通道而將參與上述第1聊天室之命令傳輸至上述第4終端。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>儲存藉由上述第2通道而傳輸之訊息。
如請求項10之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將所儲存之上述訊息作為學習資料而向以預測訂單相關問詢之方式學習之第1模型添加自上述第1終端接收到的文本，從而產生包括上述文本之訂單相關問詢。
如請求項10之方法，其進而包括如下步驟： <br/>向第2模型添加與上述第1終端對應之第1賬戶、與上述第2終端對應之第2賬戶及與上述第3終端對應之第3賬戶，從而獲得與上述第3終端對應之配送員之預計到達時間。
如請求項12之方法，其中上述第2模型係基於如下學習資料而學習，該學習資料係將上述複數個訊息、上述第1終端、上述第2終端及上述第3終端作為輸入且將與上述第3終端對應之配送員之預計到達時間作為輸出。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有以藉由上述處理器而執行之方式構成之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述處理器而執行上述命令時，上述處理器實行如請求項1至13中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成： <br/>使上述處理器執行如請求項1至13中任一項之方法。
一種聚矽氧水凝膠隱形眼鏡調配物，其包含： <br/>(i)聚矽氧組分；及 <br/>(ii)無聚矽氧組分，其中 <br/>該聚矽氧組分包含： <br/>(a)式1化合物 <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="244px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>1</sub>選自氫或甲基；R<sub>2</sub>選自氫或C<sub>1-4</sub>烴基；m表示0至10之整數；n表示4至100之整數；a及b表示1或更多之整數；a+b為20至500；b/(a+b)為0.01至0.22，及矽氧烷單元之構型包含無規構型；及 <br/>(b)式2化合物 <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="272px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為10至25之整數，及該式1化合物及該式2化合物以50:50至80:20之重量比率存在於該調配物中；及 <br/>該無聚矽氧組分包含： <br/>(c) N-乙烯基醯胺組分；及 <br/>(d)甲基丙烯酸酯組分，其中 <br/>該N-乙烯基醯胺組分(c)包含N-乙烯基N-甲基乙醯胺(VMA)；及 <br/>該甲基丙烯酸酯組分(d)包含甲基丙烯酸羥丁酯(HOB)及甲基丙烯酸異冰片酯(IBM)，其中該甲基丙烯酸羥丁酯及甲基丙烯酸異冰片酯以60:40至90:10之重量比率存在於該調配物中， <br/>其中若該甲基丙烯酸羥丁酯與甲基丙烯酸異冰片酯重量比率為60:40至65:35，則下列中之一或多者： <br/>(i)該式1化合物與該式2化合物之重量比率為50:50至75:25； <br/>(ii)該式2化合物以總調配物之至少12重量%之量存在； <br/>(iii)該式1化合物以總調配物之小於38重量%之量存在； <br/>(iv)該式2化合物與該總甲基丙烯酸酯組分之重量比率大於0.9:1； <br/>(v)該式1化合物與該式2化合物之重量比率小於3:1；及 <br/>(vi)含單官能基甲基丙烯酸酯之非聚矽氧及矽氧烷單體之總量總體地大於26重量%。
一種聚矽氧水凝膠隱形眼鏡調配物，其包含： <br/>(i)聚矽氧組分；及 <br/>(ii)無聚矽氧組分，其中 <br/>該聚矽氧組分包含： <br/>(a)式1化合物 <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="244px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>1</sub>選自氫或甲基；R<sub>2</sub>選自氫或C<sub>1-4</sub>烴基；m表示0至10之整數；n表示4至100之整數；a及b表示1或更多之整數；a+b為20至500；b/(a+b)為0.01至0.22，及矽氧烷單元之構型包含無規構型；及 <br/>(b)式2化合物 <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="272px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為10至25，及該式1化合物及該式2化合物以50:50至80:20之重量比率存在於該調配物中；及 <br/>該無聚矽氧組分包含N-乙烯基醯胺組分(c)；及甲基丙烯酸酯組分(d)，其中 <br/>該N-乙烯基醯胺組分(c)包含N-乙烯基N-甲基乙醯胺(VMA)；及 <br/>該甲基丙烯酸酯組分(d)包含甲基丙烯酸羥丁酯(HOB)及甲基丙烯酸異冰片酯(IBM)，其中該甲基丙烯酸羥丁酯及甲基丙烯酸異冰片酯以60:40至90:10之重量比率存在於該調配物中， <br/>其中若IBM於該隱形眼鏡調配物中之總量大於5重量%，則下列中之一或多者： <br/>(i)該式1化合物與該式2化合物之重量比率為50:50至75:25； <br/>(ii)該式2化合物以總調配物之至少12重量%之量存在； <br/>(iii)該式1化合物以總調配物之小於38重量%之量存在； <br/>(iv)該式2化合物與該總甲基丙烯酸酯組分之重量比率大於0.9:1； <br/>(v)該式1化合物與該式2化合物之重量比率小於3:1；及 <br/>(vi)含單官能基甲基丙烯酸酯之非聚矽氧及矽氧烷單體之總量總體地大於26重量%。
如請求項1或2之調配物，其進一步包含光引發劑、熱引發劑、交聯單體、UV阻斷劑及著色劑。
如請求項1或2之調配物，其中該N-乙烯基醯胺組分(c)包含VMA及N-乙烯基吡咯啶酮(NVP)。
如請求項4之調配物，其中NVP與VMA之重量比率為約70:30或約30:70。
如請求項1或2之調配物，其中該式1化合物與該式2化合物之重量比率為50:50至77:23。
如請求項1或2之調配物，其中該式1化合物與該式2化合物之重量比率為65:35至70:30。
如請求項1或2之調配物，其中HOB與IBM之重量比率為85:15至90:10。
如請求項8之調配物，其中HOB與IBM之重量比率為約88:12。
如請求項1之調配物，其中： <br/>式1與式2之該比率為53:47至57:43； <br/>該N-乙烯基醯胺組分基本上由NVP及VMA組成，其中NVP:VMA之比率為68:32至72:28；及 <br/>該甲基丙烯酸酯組分基本上由HOB及IBM組成，其中HOB與IBM之比率為85:15至90:10。
如請求項1之調配物，其中： <br/>該聚矽氧組分基本上由式1、式2及式3組成： <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="229px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中式3之m表示3至12之整數，n表示1至10之整數，R<sup>1</sup>選自具有1至4個碳原子之烷基，及R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各獨立地選自氫原子或甲基，其中式3以小於該調配物之0.6重量%之量存在； <br/>其中式1與式2之該比率為60:40至65:35； <br/>該N-乙烯基醯胺組分基本上由VMA組成；及 <br/>該甲基丙烯酸酯組分基本上由HOB及IBM組成，其中HOB與IBM之比率為75:25至80:20。
一種聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其包含如請求項1至11中任一項之調配物之聚合反應產物。
如請求項12之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有0.4 MPa至1 MPa之拉伸強度。
如請求項12或13之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有小於30°之座滴接觸角。
如請求項12或13之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有45重量%至55重量%之平衡水含量。
如請求項12或13之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有110至140巴里埃(barrer)之透氧率。
如請求項12或13之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有0.3 MPa至1.1 MPa之楊氏(Young’s)模量。
如請求項12或13之聚矽氧水凝膠隱形眼鏡，其具有13.5至15.5 mm之弦直徑及7.5至9.5 mm之基弧。
一種積體電路封裝體，包括：<br/> 一第一晶粒，包括：<br/> 一第一半導體基底；<br/> 一第一內連線結構，位於該第一半導體基底上，該第一內連線結構包括：<br/> 第一複數個介電層；<br/> 第一複數個金屬化圖案，位於該等第一複數個介電層中；以及<br/> 一第一密封環，位於該等第一複數個介電層中，其中在一俯視圖中，該第一密封環圍繞該等第一複數個金屬化圖案；<br/> 一第一接合層，位於該第一內連線結構上；<br/> 一第一晶粒連接器，位於該第一接合層中，其中在該俯視圖中，該第一密封環圍繞該第一晶粒連接器；以及<br/> 一第二晶粒連接器，位於該第一接合層中，其中在該俯視圖中，該第二晶粒連接器位於該第一密封環外部；以及<br/> 一第二晶粒，其中該第二晶粒包括具有一第二密封環的一第二內連線結構、位於該第二內連線結構上且接合至該第一接合層的一第二接合層、位於該第二接合層中且接合至該第一晶粒連接器的一第三晶粒連接器以及位於該第二接合層中且接合至該第二晶粒連接器的一第四晶粒連接器。
如請求項1之積體電路封裝體，其中在該俯視圖中，該第二晶粒連接器的尺寸大於該第一晶粒連接器的尺寸。
如請求項1之積體電路封裝體，其中該第一晶粒連接器和該第二晶粒連接器包括相同的一第一材料，且該第一材料是銅。
一種積體電路封裝體，包括：<br/> 一第一晶粒，包括；<br/> 一第一半導體基底；<br/> 一第一內連線結構，位於該第一半導體基底上，該第一內連線結構包括一第一密封環；<br/> 一第一接合層，位於該第一內連線結構上；<br/> 一第一晶粒連接器，位於該第一接合層中，其中該第一晶粒連接器電性耦合至該第一晶粒的一積體電路；以及<br/> 一第二晶粒連接器，位於該第一接合層中，其中該第二晶粒連接器與該第一晶粒的該積體電路電性隔離，以及<br/> 其中在一俯視圖中，該第一密封環設置於該第一晶粒連接器和該第二晶粒連接器之間；以及<br/> 一第二晶粒，其中該第二晶粒包括具有一第二密封環的一第二內連線結構、位於該第二內連線結構上且接合至該第一接合層的一第二接合層、位於該第二接合層中且接合至該第一晶粒連接器的一第三晶粒連接器以及位於該第二接合層中且接合至該第二晶粒連接器的一第四晶粒連接器。
如請求項4之積體電路封裝體，其中該第二晶粒連接器位於該第一內連線結構的一排除區正上方。
如請求項4之積體電路封裝體，其中該第一晶粒連接器包括一第一材料，且該第二晶粒連接器包括與該第一材料不同的一第二材料，該第一材料是銅且該第二材料是鋁或焊料。
一種積體電路封裝體的製造方法，包括：<br/> 將一第一晶粒附接到一載體，該第一晶粒包括：<br/> 一第一半導體基底；<br/> 一第一內連線結構，位於該第一半導體基底上，該第一內連線結構包括一第一密封環；<br/> 一第一接合層，位於該第一內連線結構上；<br/> 一第一晶粒連接器和一第二晶粒連接器，位於該第一接合層中，其中在一俯視圖中，該第一密封環圍繞該第一晶粒連接器，在該俯視圖中，該第二晶粒連接器位於該第一密封環外部；以及<br/> 將一第二晶粒接合至該第一接合層、該第一晶粒連接器和該第二晶粒連接器，其中該第二晶粒包括具有一第二密封環的一第二內連線結構、位於該第二內連線結構上且接合至該第一接合層的一第二接合層、位於該第二接合層中且接合至該第一晶粒連接器的一第三晶粒連接器以及位於該第二接合層中且接合至該第二晶粒連接器的一第四晶粒連接器。
如請求項7之積體電路封裝體的製造方法，其中該第二接合層透過介電對介電接合來接合至該第一接合層，且該第三晶粒連接器和該第四晶粒連接器分別透過金屬對金屬接合來接合至該第一晶粒連接器和該第二晶粒連接器。
如請求項8之積體電路封裝體的製造方法，其中在一仰視圖中，該第二密封環圍繞該第三晶粒連接器，且在該仰視圖中，該第四晶粒連接器位於該第二密封環外部。
一種Nectin-4標靶藥物結合物在製備用於治療一患者的癌症的藥物之用途，其中患者診斷為腫瘤組織中具有Nectin-4複製數大於兩個。
如請求項1所述之用途，其中該藥物用於透過(i)判斷來自該患者的一樣本中的Nectin-4複製數；以及(ii)患者判斷具有Nectin-4複製數大於兩個時，向該患者施用該藥物結合物來治療癌症。
如請求項2所述之用途，其中該樣本是來自一腫瘤組織的樣本。
一種Nectin-4標靶藥物結合物在製備用於治療患者的腫瘤的藥物之用途，透過(i)判斷來自一患者的一腫瘤的一樣本中的Nectin-4複製數；(ii)若判斷該患者的Nectin-4複製數大於2，判斷或選擇Nectin-4標靶之藥物結合物治療該患者；以及(iii)向該患者施用該藥物結合物。
如請求項4所述之用途，其中來自該腫瘤的該樣本是一組織樣本。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物包括一胜肽配體。
如請求項6所述之用途，其中該胜肽配體包括(a)一多肽，包括至少三半胱胺酸殘基，該至少三半胱胺酸殘基被至少二環狀序列分隔；以及(b)一分子支架，該分子支架與該多肽之該至少三半胱胺酸殘基形成共價鍵，使得至少二多肽環形成於該分子支架上。
如請求項7所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物更包括一胞殺劑。
如請求項8所述之用途，其中該胞殺劑為單甲基奧里斯他汀E(monomethyl auristatin E)。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物為BCY8245：<figure><img align="absmiddle" height="195px" width="645px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物為一抗體藥物結合物。
如請求項11所述之用途，其中該抗體藥物結合物包括一Nectin-4抗體。
如請求項11所述之用途，其中該抗體藥物結合物包括一胞殺劑。
如請求項13所述之用途，其中該胞殺劑為單甲基奧里斯他汀E。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該腫瘤組織來自選自乳癌、子宮癌、膀胱癌、肺腺癌、肺鱗狀癌、子宮頸癌、頭頸癌、胰臟癌、甲狀腺癌、結腸直腸癌、胸腺瘤、肉瘤、腎透明細胞癌(RCC)、前列腺癌和胃癌的癌症。
如請求項15所述之用途，其中該腫瘤組織來自膀胱癌。
一種Nectin-4標靶藥物結合物在製備用於治療已被選定為在一腫瘤組織中具有Nectin-4複製數大於兩個的患者的癌症的藥物之用途。
一種Nectin-4標靶之藥物結合物在製備用於治療患者的腫瘤的藥物之用途，透過(i)檢測來自患有一腫瘤的一患者的一樣本中多於兩個的Nectin-4複製數；以及(ii)向該患者施用該藥物結合物。
如請求項17或18所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物包括一胜肽配體。
如請求項19所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物包括一胜肽配體，該胜肽配體包括(a)一多肽，包括至少三半胱胺酸殘基，該至少三半胱胺酸殘基被至少二環狀序列分隔；以及(b)一分子支架，該分子支架與該多肽之該至少三半胱胺酸殘基形成共價鍵，使得至少二多肽環形成於該分子支架上。
如請求項19所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物更包括一胞殺劑。
如請求項17或18所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物為BCY8245：<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="644px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure>
如請求項17或18所述之用途，其中該Nectin-4標靶藥物結合物為一抗體藥物結合物。
如請求項23所述之用途，其中該抗體藥物結合物包括一Nectin-4抗體。
如請求項23所述之用途，其中該抗體藥物結合物包括單甲基奧里斯他汀E。
如請求項17或18所述之用途，其中該腫瘤組織來自選自乳癌、子宮癌、膀胱癌、肺腺癌、肺鱗狀癌、子宮頸癌、頭頸癌、胰臟癌、甲狀腺癌、結腸直腸癌、胸腺瘤、肉瘤、腎透明細胞癌(RCC)、前列腺癌和胃癌的癌症。
一種基於零知識證明的驗證系統，包括：<br/> 供應端驗證裝置，連接網路，用以執行使用者驗證；<br/> 存儲裝置，耦接該供應端驗證裝置，用以儲存資料；<br/> 使用端裝置，透過網路連接該供應端驗證裝置；及<br/> 客戶端裝置，透過網路連接該供應端驗證裝置及該使用端裝置，用以提供服務；<br/> 其中，於該驗證系統的註冊階段期間：<br/> 該使用端裝置用以：<br/> 確認使用者之註冊需求；及<br/> 傳遞該註冊需求和第一生物識別資料至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置用以：<br/> 接收該註冊需求；<br/> 根據該註冊需求生成註冊資料集，該註冊資料集包括該使用者之使用者註冊識別碼和該第一生物識別資料；及<br/> 傳遞該註冊資料集至該供應端驗證裝置；<br/> 該供應端驗證裝置用以：<br/> 接收該註冊資料集；<br/> 對該第一生物識別資料執行敏感資料交換處理以生成第一獨特識別符號資料；<br/> 結合該使用者註冊識別碼及該第一獨特識別符號資料以生成驗證基準資料；及<br/> 將該驗證基準資料儲存至該存儲裝置，並消除該第一生物識別資料；<br/> 其中，於該驗證系統的驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置用以：<br/> 接收該使用者之服務存取需求及第二生物識別資料；<br/> 傳遞該服務存取需求至該客戶端裝置；及<br/> 傳遞該第二生物識別資料至該供應端驗證裝置；<br/> 該客戶端裝置用以：<br/> 接收該服務存取需求；<br/> 根據該服務存取需求傳遞該使用者的身分識別碼至該供應端驗證裝置；及<br/> 當自該供應端驗證裝置收到驗證成功訊息時，核可該客戶端裝置的服務存取；<br/> 該供應端驗證裝置用以：<br/> 接收該身分識別碼並向該存儲裝置調閱該驗證基準資料，該驗證基準資料中的該使用者註冊識別碼對應該身分識別碼；<br/> 接收該第二生物識別資料；<br/> 對該第二生物識別資料執行該敏感資料交換處理以生成第二獨特識別符號資料；<br/> 結合該第二獨特識別符號資料及該身分識別碼以生成驗證資料；及<br/> 當該驗證資料和該驗證基準資料的驗證結果為成功時，傳達該驗證成功訊息至該客戶端裝置，並消除該第二生物識別資料。
如請求項1所述之驗證系統，其中，該使用端裝置包括自動金融機及/或搭載金融服務應用程式之行動設備，該註冊需求係銀行帳戶註冊需求，且該服務存取需求係金融服務存取需求。
如請求項1所述之驗證系統，其中，於該註冊階段期間：<br/> 該使用端裝置另用以：<br/> 確認該使用者透過該使用端裝置設定之註冊資料和該第一生物識別資料；及<br/> 將該註冊資料和該第一生物識別資料傳遞至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置另用以：<br/> 接收該註冊資料和該第一生物識別資料；<br/> 將該註冊資料生成為該使用者註冊識別碼；及<br/> 將該使用者註冊識別碼和該第一生物識別資料生成為該註冊資料集；<br/> 該供應端驗證裝置另用以：<br/> 在該驗證基準資料被儲存至該存儲裝置後，傳遞該註冊資料集中的該使用者註冊識別碼至該客戶端裝置。
如請求項3所述之驗證系統，其中：<br/> 該註冊資料包括該使用者之使用者名稱、該使用者之使用者密碼、該使用者之身分證明資訊、及/或該使用者之簽章資訊；且<br/> 該第一生物識別資料包括該使用者之臉部辨識資訊、該使用者之指紋辨識資訊、該使用者之靜脈辨識資訊、該使用者之聲紋辨識資訊、該使用者之虹膜辨識資訊及/或該使用者之簽字辨識資訊。
如請求項1所述之驗證系統，其中，於該驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置另用以：<br/> 確認該使用者透過該使用端裝置匯入之服務存取資料；及<br/> 將該服務存取資料傳遞至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置另用以：<br/> 根據該服務存取資料生成該使用者之該身分識別碼；及<br/> 該供應端驗證裝置另用以：<br/> 當該驗證資料和該驗證基準資料的該驗證結果為成功時，允許該客戶端裝置基於該服務存取資料透過該使用端裝置向該使用者提供服務。
如請求項5所述之驗證系統，其中：<br/> 該服務存取資料包括該使用者之使用者名稱、該使用者之使用者密碼、該使用者之身分證明資訊、該使用者之簽章資訊、該使用者之金融卡識別碼、該使用者之金融卡憑證碼、該使用者之支付需求資訊、該使用者之收款需求資訊、該使用者之存匯需求資訊、該使用者之借貸需求資訊、該使用者之帳戶管理需求資訊、該使用者之交易需求資訊及/或該使用者之理財需求資訊；且<br/> 該第二生物識別資料包括該使用端之臉部辨識資訊、該使用端之指紋辨識資訊、該使用端之靜脈辨識資訊、該使用端之聲紋辨識資訊、該使用端之虹膜辨識資訊及/或該使用端之簽字辨識資訊。
如請求項1所述之驗證系統，其中，於該驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置另用以：<br/> 提取該使用端裝置之裝置識別碼；及<br/> 將該裝置識別碼傳遞至該供應端驗證裝置；及<br/> 該供應端驗證裝置另用以：<br/> 接收該裝置識別碼；及<br/> 當驗證該裝置識別碼為無效時，核退該使用端裝置的該服務存取需求，並消除該第二生物識別資料。
一種基於零知識證明的驗證方法，應用於包括使用端裝置、客戶端裝置、供應端驗證裝置和存儲裝置的驗證系統，包括：<br/> 於註冊階段期間：<br/> 該使用端裝置確認使用者之註冊需求，並傳遞該註冊需求和第一生物識別資料至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置接收該註冊需求，根據該註冊需求生成註冊資料集，並傳遞該註冊資料集至該供應端驗證裝置，其中，該註冊資料集包括該使用者之使用者註冊識別碼和該第一生物識別資料；<br/> 該供應端驗證裝置接收該註冊資料集，對該第一生物識別資料執行敏感資料交換處理以生成第一獨特識別符號資料，結合該使用者註冊識別碼及該第一獨特識別符號資料以生成驗證基準資料，將該驗證基準資料儲存至該存儲裝置，並消除該第一生物識別資料；及<br/> 該存儲裝置保存該驗證基準資料；及<br/> 於驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置接收該使用者之服務存取需求及第二生物識別資料，傳遞該服務存取需求至該客戶端裝置，並傳遞該第二生物識別資料至該供應端驗證裝置；<br/> 該客戶端裝置接收該服務存取需求，根據該服務存取需求傳遞該使用者的身分識別碼至該供應端驗證裝置；及<br/> 該供應端驗證裝置接收該身分識別碼，根據該身分識別碼向該存儲裝置調閱該驗證基準資料，接收該第二生物識別資料，對該第二生物識別資料執行該敏感資料交換處理以生成第二獨特識別符號資料，結合該第二獨特識別符號資料及該身分識別碼以生成驗證資料，並確認該驗證資料和該驗證基準資料的驗證結果為成功時傳達該驗證成功訊息至該客戶端裝置並消除該第二生物識別資料，其中，該驗證基準資料中的該使用者註冊識別碼對應該身分識別碼；及<br/> 該客戶端裝置於收到驗證成功訊息時，核可該客戶端裝置的服務存取。
如請求項8所述之驗證方法，其中，該使用端裝置包括自動金融機及/或搭載金融服務應用程式之行動設備，該註冊需求係銀行帳戶註冊需求，且該服務存取需求係金融服務存取需求。
如請求項8所述之驗證方法，另包括：<br/> 於該註冊期間：<br/> 該使用端裝置確認該使用者透過該使用端裝置設定之註冊資料和該第一生物識別資料，並將該註冊資料和該第一生物識別資料傳遞至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置接收該註冊資料和該第一生物識別資料，將該註冊資料生成為該使用者註冊識別碼，並將該使用者註冊識別碼和該第一生物識別資料生成為該註冊資料集；及<br/> 該供應端驗證裝置在該驗證基準資料被儲存至該存儲裝置後，傳遞該註冊資料集中的該使用者註冊識別碼至該客戶端裝置。
如請求項10所述之驗證方法，其中：<br/> 該註冊資料包括該使用者之使用者名稱、使用者之使用者密碼、使用者之身分證明資訊、及/或使用者之簽章資訊；且<br/> 該第一生物識別資料包括該使用端之臉部辨識資訊、該使用端之指紋辨識資訊、該使用端之靜脈辨識資訊、該使用端之聲紋辨識資訊、該使用端之虹膜辨識資訊及/或該使用端之簽字辨識資訊。
如請求項8所述之驗證方法，另包括：<br/> 於該驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置確認該使用者透過該使用端裝置匯入之服務存取資料，並將該服務存取資料傳遞至該客戶端裝置；<br/> 該客戶端裝置根據該服務存取資料生成該使用者之該身分識別碼；及<br/> 該供應端驗證裝置在該驗證結果為成功時，允許該客戶端裝置基於該服務存取資料透過該使用端裝置向該使用者提供服務。
如請求項12所述之驗證方法，其中：<br/> 該服務存取資料包括該使用者之使用者名稱、該使用者之使用者密碼、該使用者之身分證明資訊、該使用者之簽章資訊、該使用者之金融卡識別碼、該使用者之金融卡憑證碼、該使用者之支付需求資訊、該使用者之收款需求資訊、該使用者之存匯需求資訊、該使用者之借貸需求資訊、該使用者之帳戶管理需求資訊、該使用者之交易需求資訊及/或該使用者之理財需求資訊；且<br/> 該第二生物識別資料包括該使用端之臉部辨識資訊、該使用端之指紋辨識資訊、該使用端之靜脈辨識資訊、該使用端之聲紋辨識資訊、該使用端之虹膜辨識資訊及/或該使用端之簽字辨識資訊。
如請求項8所述之驗證方法，另包括：<br/> 於該驗證階段期間：<br/> 該使用端裝置提取該使用端裝置之裝置識別碼，並將該裝置識別碼傳遞至該供應端驗證裝置；<br/> 該供應端驗證裝置接收該裝置識別碼，驗證該裝置識別碼之有效性，並在該有效性為無效時核退該使用端裝置的該服務存取需求並消除該第二生物識別資料。
一種電腦可讀媒介，其具有儲存於其上之電腦可執行指令，當該電腦可執行指令經執行後，能實現如請求項8所述之方法。
一種軸承線上健康診斷系統，包括： <br/>一馬達位置編碼器，經配置以產生一馬達的一位置訊號； <br/>一馬達驅動器，連接該馬達位置編碼器並包括一數位訊號處理單元，其中該數位訊號處理單元包括： <br/>一第一數位差分器，經配置以使用該位置訊號執行一第一數位差分處理以產生一速度訊號； <br/>一第二數位差分器，連接該第一數位差分器並經配置以對該速度訊號執行一第二數位差分處理以產生一加速度訊號；以及 <br/>一軸承線上診斷功能模組，經配置以接收該速度訊號與該加速度訊號並將該加速度訊號作為一軸承訊號來計算出一軸承健康狀態，其中 <br/>該軸承線上診斷功能模組根據一最佳濾波參數以及透過一訊號包絡線處理模組將一濾波訊號處理模組持續偵測取得的一持續待測軸承訊號，通過該最佳濾波參數計算得到的一持續待測濾波訊號進行一包絡線運算以獲得一包絡線頻譜訊號； <br/>透過一轉頻階次分析功能模組將該包絡線頻譜訊號轉為以一軸承轉速為基底的一階次頻譜分析訊號；以及 <br/>透過一軸承故障分析模組比對該階次頻譜分析訊號與一預設軸承故障訊號來產生一軸承健康診斷。
如請求項1所述的軸承線上健康診斷系統，更包括： <br/>一振動感測器，設置於一軸承上並經配置以偵測該軸承的振動以產生一軸承振動訊號；以及 <br/>一多工器，連接於該第二數位差分器、該振動感測器及該軸承線上診斷功能模組並經配置以從接收該加速度訊號切換為接收該軸承振動訊號，以輸出該軸承振動訊號至該軸承線上診斷功能模組； <br/>其中該軸承線上診斷功能模組經配置以接收該速度訊號與該軸承振動訊號並將該軸承振動訊號作為該軸承訊號來計算出該軸承健康狀態。
如請求項1所述的軸承線上健康診斷系統，其中該軸承線上診斷功能模組經配置以執行以下操作： <br/>透過一帶通訊號濾波模組接收一軸承訊號並對該軸承訊號進行K個濾波頻帶參數的濾波處理，以獲得K個濾波訊號； <br/>透過一特徵轉換模組將該K個濾波訊號的每一者經過N個特徵轉換計算以獲得K個轉換訊號，其中該K個轉換訊號的每一者具有N個特徵並構成為N維空間的一資料點群，以及該資料點群包括K個資料點； <br/>透過一健康軸承模型將對應M組健康軸承訊號的該N維空間的M個健康資料點群透過一機器學習建立健康軸承的K個模型邊界，其中該K個模型邊界一一對應於該K個濾波頻帶參數； <br/>透過一離群計算模組將對應L組待測軸承訊號的該N維空間的L個待測資料點群分別比對該K個模型邊界的該M個資料點群，以獲得該L個待測資料點群的每一者對應於該K個模型邊界每一者的K個離群值，從該K個離群值中決定出最大值，並選取該最大值對應的該濾波頻帶參數作為該最佳濾波參數，<br/>其中K、N、M及L分別為正整數。
如請求項3所述的軸承線上健康診斷系統，其中該K個濾波頻帶參數的每一者包括一中心頻率及一頻帶寬度形成的K個組合，該帶通訊號濾波模組基於該K個組合的該中心頻率及該頻帶寬度分別對該軸承訊號進行濾波處理。
如請求項3所述的軸承線上健康診斷系統，其中該離群計算模組計算該L個待測資料點群的資料點在每一個該K個模型邊界的超球面之外的數目佔所有資料點的比例，來作為該K個離群值。
如請求項3所述的軸承線上健康診斷系統，其中該預設軸承故障訊號的態樣包括預先已知軸承的一內環故障訊號、一外環故障訊號、一滾珠故障訊號及一保持器故障訊號的態樣，該軸承故障分析模組比對該預設軸承故障訊號的態樣中與該階次頻譜分析訊號相符的態樣，以決定該持續待測濾波訊號關聯的軸承故障部位。
一種式A1化合物： <br/><img align="absmiddle" height="148px" width="296px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>L為O、S或不存在； <br/>X <sup>1</sup>為N或CR <sup>X1</sup>； <br/>X <sup>2</sup>為N或CR <sup>X2</sup>； <br/>Y <sup>1</sup>為N或CR <sup>Y1</sup>； <br/>Y <sup>2</sup>為N或CR <sup>Y2</sup>； <br/>其中X <sup>1</sup>、X <sup>2</sup>、Y <sup>1</sup>及Y <sup>2</sup>中不超過3者同時為N； <br/>R <sup>1</sup>為C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-14</sub>環烷基、5員至14員雜芳基或4員至14員雜環烷基，其各自視情況經1、2、3、4或5個獨立地選自以下之取代基取代：Cy <sup>1</sup>、鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a1</sup>、SR <sup>a1</sup>、C(O)R <sup>b1</sup>、C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(O)OR <sup>a1</sup>、OC(O)R <sup>b1</sup>、OC(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)OR <sup>a1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O)R <sup>b1</sup>、S(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>，其中C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基及C <sub>2-6</sub>炔基視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：Cy <sup>1</sup>、鹵基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a1</sup>、SR <sup>a1</sup>、C(O)R <sup>b1</sup>、C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(O)OR <sup>a1</sup>、OC(O)R <sup>b1</sup>、OC(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)OR <sup>a1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O)R <sup>b1</sup>、S(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>； <br/>R <sup>2a</sup>、R <sup>2b</sup>、R <sup>4a</sup>、R <sup>4b</sup>、R <sup>5a</sup>、R <sup>5b</sup>、R <sup>7a</sup>及R <sup>7b</sup>各自獨立地選自H、C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>1-4</sub>烷氧基、胺基、羥基、C <sub>3-8</sub>環烷基及C <sub>1-4</sub>烷基胺基； <br/>R <sup>3</sup>及R <sup>6</sup>各自獨立地選自H、F或C <sub>1-4</sub>烷基； <br/>R <sup>8</sup>及R <sup>9</sup>各自獨立地選自H、鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>1-4</sub>鹵烷基、OR <sup>a2</sup>、SR <sup>a2</sup>、C(O)R <sup>b2</sup>、C(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、C(O)OR <sup>a2</sup>、OC(O)R <sup>b2</sup>、OC(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)OR <sup>a2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O)R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、S(O)R <sup>b2</sup>、S(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b2</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>，其中該烷基、C <sub>2-6</sub>烯基及C <sub>2-6</sub>炔基視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a2</sup>、SR <sup>a2</sup>、C(O)R <sup>b2</sup>、C(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、C(O)OR <sup>a2</sup>、OC(O)R <sup>b2</sup>、OC(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、C(=NR <sup>e2</sup>)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(=NR <sup>e2</sup>)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)OR <sup>a2</sup>、NR <sup>c2</sup>C(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O)R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b2</sup>、NR <sup>c2</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、S(O)R <sup>b2</sup>、S(O)NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b2</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c2</sup>R <sup>d2</sup>； <br/>其中R <sup>8</sup>及R <sup>9</sup>中之至少一者不為H； <br/>R <sup>X1</sup>、R <sup>X2</sup>、R <sup>Y1</sup>及R <sup>Y2</sup>各自獨立地選自H、Cy <sup>2</sup>、鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a3</sup>、SR <sup>a3</sup>、C(O)R <sup>b3</sup>、C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(O)OR <sup>a3</sup>、OC(O)R <sup>b3</sup>、OC(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)OR <sup>a3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O)R <sup>b3</sup>、S(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>，其中該C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基及C <sub>2-6</sub>炔基視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：Cy <sup>2</sup>、鹵基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a3</sup>、SR <sup>a3</sup>、C(O)R <sup>b3</sup>、C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(O)OR <sup>a3</sup>、OC(O)R <sup>b3</sup>、OC(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)OR <sup>a3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O)R <sup>b3</sup>、S(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>； <br/>各Cy <sup>1</sup>獨立地選自C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基及4員至10員雜環烷基，其各自視情況經1、2、3或4個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a1</sup>、SR <sup>a1</sup>、C(O)R <sup>b1</sup>、C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(O)OR <sup>a1</sup>、OC(O)R <sup>b1</sup>、OC(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(=NR <sup>e1</sup>)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)OR <sup>a1</sup>、NR <sup>c1</sup>C(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O)R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>、NR <sup>c1</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O)R <sup>b1</sup>、S(O)NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b1</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c1</sup>R <sup>d1</sup>； <br/>各Cy <sup>2</sup>獨立地選自C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基及4員至10員雜環烷基，其各自視情況經1、2、3或4個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、CN、NO <sub>2</sub>、OR <sup>a3</sup>、SR <sup>a3</sup>、C(O)R <sup>b3</sup>、C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(O)OR <sup>a3</sup>、OC(O)R <sup>b3</sup>、OC(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(=NR <sup>e3</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)OR <sup>a3</sup>、NR <sup>c3</sup>C(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O)R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>、NR <sup>c3</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O)R <sup>b3</sup>、S(O)NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b3</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c3</sup>R <sup>d3</sup>； <br/>各R <sup>a1</sup>、R <sup>b1</sup>、R <sup>c1</sup>、R <sup>d1</sup>、R <sup>a3</sup>、R <sup>b3</sup>、R <sup>c3</sup>及R <sup>d3</sup>獨立地選自H、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基、4員至10員雜環烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基及4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基，其中該R <sup>a1</sup>、R <sup>b1</sup>、R <sup>c1</sup>、R <sup>d1</sup>、R <sup>a3</sup>、R <sup>b3</sup>、R <sup>c3</sup>及R <sup>d3</sup>之該C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基、4員至10員雜環烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基及4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基各自視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：鹵基、C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>1-4</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、CN、OR <sup>a4</sup>、SR <sup>a4</sup>、C(O)R <sup>b4</sup>、C(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、C(O)OR <sup>a4</sup>、OC(O)R <sup>b4</sup>、OC(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)NR <sup>c7</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)OR <sup>a4</sup>、C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d4</sup>、S(O)R <sup>b4</sup>、S(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>； <br/>或R <sup>c1</sup>及R <sup>d2</sup>與其所連接之N原子一起形成4員至7員雜環烷基，其視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：CN、鹵基、C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>1-4</sub>鹵烷基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、CN、OR <sup>a4</sup>、SR <sup>a4</sup>、C(O)R <sup>b4</sup>、C(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、C(O)OR <sup>a4</sup>、OC(O)R <sup>b4</sup>、OC(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)NR <sup>c7</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)OR <sup>a4</sup>、C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d4</sup>、S(O)R <sup>b4</sup>、S(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>； <br/>或R <sup>c3</sup>及R <sup>d3</sup>與其所連接之N原子一起形成4員至7員雜環烷基，其視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：CN、鹵基、C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>1-4</sub>鹵烷基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、CN、OR <sup>a4</sup>、SR <sup>a4</sup>、C(O)R <sup>b4</sup>、C(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、C(O)OR <sup>a4</sup>、OC(O)R <sup>b4</sup>、OC(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)NR <sup>c7</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(O)OR <sup>a4</sup>、C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、NR <sup>c4</sup>C(=NR <sup>e4</sup>)NR <sup>c3</sup>R <sup>d4</sup>、S(O)R <sup>b4</sup>、S(O)NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>、S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>R <sup>b4</sup>、NR <sup>c4</sup>S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>及S(O) <sub>2</sub>NR <sup>c4</sup>R <sup>d4</sup>； <br/>各R <sup>a2</sup>、R <sup>b2</sup>、R <sup>c2</sup>及R <sup>d2</sup>獨立地選自H及C <sub>1-4</sub>烷基； <br/>各R <sup>a4</sup>、R <sup>b4</sup>、R <sup>c4</sup>及R <sup>d4</sup>獨立地選自H、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基、4員至10員雜環烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基及4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基，其中該C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基、C <sub>2-6</sub>烯基、C <sub>2-6</sub>炔基、C <sub>6-10</sub>芳基、C <sub>3-7</sub>環烷基、5員至10員雜芳基、4員至10員雜環烷基、C <sub>6-10</sub>芳基-C <sub>1-4</sub>烷基、C <sub>3-7</sub>環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基、5員至10員雜芳基-C <sub>1-4</sub>烷基及4員至10員雜環烷基-C <sub>1-4</sub>烷基各自視情況經1、2或3個獨立地選自以下之取代基取代：OH、CN、胺基、鹵基、C <sub>1-6</sub>烷基、C <sub>1-6</sub>烷氧基、C <sub>1-6</sub>鹵烷基及C <sub>1-6</sub>鹵烷氧基；且 <br/>各R <sup>e1</sup>、R <sup>e2</sup>、R <sup>e3</sup>及R <sup>e4</sup>獨立地選自H、C <sub>1-4</sub>烷基及CN， <br/>其中任何前述雜芳基或雜環烷基包含1、2、3或4個獨立地選自O、N及S之成環雜原子；且 <br/>其中任何前述雜環烷基之一或多個成環C或N原子視情況經側氧基(=O)取代。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽用於製備藥物之用途，該藥物係用於治療或預防由SHP2活性介導之疾病。
如請求項3之用途，其中該疾病係選自：努南(Noonan)症候群、豹皮症候群(Leopard Syndrome)、克魯宗(Crouzon)症候群、傑克遜-魏斯(Jackson-Weiss)症候群、比亞-史蒂文森回狀皮膚(Beare-Stevenson cutis gyrate)、阿佩爾(Apert)症候群、菲弗爾(Pfeiffer)症候群、明克(Muenke)症候群、類Saethre-Chotzen症候群、軟骨發育不全、SADDAN (伴隨發育遲緩及黑棘皮病之重度軟骨發育不全)、I型致死性發育不良、II型致死性發育不良、軟骨生成減退、卡爾曼(Kallmann)症候群、骨髓增生症候群、青少年骨髓單核細胞性白血病、多發性骨髓瘤、8P11骨髓增生症候群(EMS)、胰腺癌、前列腺癌、星形細胞瘤、膀胱轉移細胞癌、甲狀腺癌、子宮頸癌、結腸直腸癌、外周T細胞淋巴瘤、精原細胞瘤、神經母細胞瘤、黑素瘤、急性骨髓白血病、慢性髓細胞性白血病、乳癌、食道癌、肺癌、結腸癌、頭癌、頭頸部鱗狀細胞癌、胃癌、未分化大細胞淋巴瘤及神經膠母細胞瘤。
一種如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽用於製備藥物之用途，該藥物係用於治療或預防由SHP2活性介導之疾病，其中該藥物進一步包含額外治療劑或與額外治療劑併用投與，且其中該如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及該額外治療劑係用於以單一劑型投與，或分開(separate)劑型同時或依序投與。
一種基板處理裝置，其中，具備： <br/>腔室，提供利用超臨界狀態的流體對塗佈有有機溶劑的基板執行處理工藝的處理空間； <br/>托盤，支承所述基板，並設置成能夠通過所述腔室的開口部向所述腔室的內部搬入以及向所述腔室的外部取出；以及 <br/>感測感測器，感測所述托盤的傾斜或者偏倚， <br/>所述感測感測器具備以與水平面平行的第一軸為基準感測所述托盤的傾斜的第一感測感測器、以與水平面平行的第二軸為基準感測所述托盤的傾斜的第二感測感測器以及感測所述托盤在所述第一軸方向上的移動的第三感測感測器中的至少一個， <br/>所述第一感測感測器具備： <br/>第1-1感測感測器，感測距所述托盤的下表面為止的距離；以及 <br/>第1-2感測感測器，感測距所述腔室的外部的下表面為止的距離， <br/>所述托盤的下表面和所述處理空間的底座之間的第一距離用下面[式1]計算， <br/>[式1] <br/>第一距離 = 第四距離 – （第五距離 + 第六距離） <br/>其中，所述第四距離是通過所述第1-1感測感測器測定的距所述托盤的下表面為止的距離，所述第五距離是通過所述第1-2感測感測器測定的距所述腔室的外部的下表面為止的距離，所述第六距離是所述腔室的底座的厚度， <br/>所述基板處理裝置還具備控制部， <br/>所述控制部將計算的所述第一距離與預先確定的臨界範圍進行比較而以所述第一軸為基準判斷所述托盤的傾斜與否。<u> </u>
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/>所述基板處理裝置還具備控制部， <br/>在所述托盤移動的過程中，通過所述第1-1感測感測器測定距所述托盤的下表面為止的第四距離， <br/>所述控制部將通過所述第1-1感測感測器測定的第四距離與預先確定的基準值進行比較來判斷所述托盤的下垂程度。
如請求項2所述的基板處理裝置，其中， <br/>在所述托盤朝向所述腔室移動的過程中或者在所述托盤從所述腔室分離並移動的過程中，所述第1-1感測感測器持續或者以預先確定的時間間隔為週期重複測定距所述托盤的下表面為止的第四距離。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中， <br/>所述第二感測感測器具備： <br/>第2-1感測感測器，感測距所述托盤的一側端部為止的距離；以及 <br/>第2-2感測感測器，感測距所述托盤的另一側端部為止的距離。
如請求項4所述的基板處理裝置，其中， <br/>所述托盤的一側端部和另一側端部是沿著所述第一軸彼此隔開的端部。
如請求項4所述的基板處理裝置，其中， <br/>所述基板處理裝置還具備控制部， <br/>所述控制部將通過所述第2-1感測感測器測定的第七距離和通過所述第2-2感測感測器測定的第八距離相互比較而以所述第二軸為基準判斷所述托盤的傾斜與否。
一種基板處理裝置，其中，具備： <br/>腔室，提供利用超臨界狀態的流體對塗佈有有機溶劑的基板執行處理工藝的處理空間； <br/>托盤，支承所述基板，並設置成能夠通過所述腔室的開口部向所述腔室的內部搬入以及向所述腔室的外部取出；以及 <br/>感測感測器，感測所述托盤的傾斜或者偏倚， <br/>所述感測感測器具備以與水平面平行的第一軸為基準感測所述托盤的傾斜的第一感測感測器、以與水平面平行的第二軸為基準感測所述托盤的傾斜的第二感測感測器以及感測所述托盤在所述第一軸方向上的移動的第三感測感測器中的至少一個， <br/>所述第三感測感測器具備： <br/>第3-1感測感測器，感測距所述托盤的一側面為止的距離；以及 <br/>第3-2感測感測器，感測距所述腔室的外部的一側面為止的距離， <br/>所述托盤的一側面和所述處理空間的內側壁之間的第三距離用下面[式2]計算， <br/>[式2] <br/>第三距離 = 第九距離 – （第十距離 + 第十一距離） <br/>其中，所述第九距離是通過所述第3-1感測感測器測定的距所述托盤的一側面為止的距離，所述第十距離是通過所述第3-2感測感測器測定的距所述腔室的外部的一側面為止的距離，所述第十一距離是所述腔室的側壁的厚度， <br/>所述基板處理裝置還具備控制部， <br/>所述控制部將計算的第三距離與預先確定的臨界範圍進行比較而以所述第一軸為基準判斷所述托盤的偏倚與否。
一種免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，與習見永磁馬達，馬達動力輸出軸要再裝機械變速箱才能對交通工具進行多檔換速及變換扭力之結構不同，其特徵在於：其由永磁馬達及調控裝置組成，此永磁馬達之轉子永磁條數與定子齒數之約分比差一，例如定子齒數比轉子磁條數為3比2或2比3或4比3或3比4甚或為9比8或9比10，且轉子永磁條數與定子齒數皆偶數，定子齒數為三之倍數，而調控裝置由逆變器、一換速單元、一永磁馬達轉速傳訊電路，及數組三相繞線線路所構成，該些組三相繞線線路分別置入永磁馬達往對應均分區之數定子齒盤繞連，由換速單元控制逆變器向永磁馬達內對應轉速所需極對數繞線組之三相繞線組供電，且換速單元又受永磁馬達轉速傳訊電路之感應端輸出電力調控，由此使永磁馬達能產生多段調速，能直接驅動交通工具，革除習見永磁馬達輸出軸須再連接機械變速箱進行多檔變速驅動電動交通工具之傳動結構，節省電動交通工具使用機械變速箱的負載耗能，使電動交通工具更具省電力提升效能者。
如請求項1所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該永磁馬達為內轉子式永磁馬達者。
如請求項1所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該永磁馬達為外轉子式永磁馬達者。
如請求項1所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該調控裝置之換速單元包括一多段手控開關、一握把調速器，及一定子極對數切換微處理器，而逆變器分成低速、中速，及高速三者，且數組三相繞線線路，亦分成低速組線路、中速組線路，及高速組線路，至於調控裝置之永磁馬達轉速傳訊電路主要為轉子轉速感測器，由一定子極對數切換微處理器對應連接導入直流電源，各逆變器各自往永磁馬達電路輸出一套對應電路之三相繞線組，三相繞線組環走捲繞數定子齒，依其速度所需扭力使每相將數定子齒以等弧距選取最多四只相臨齒柱捲繞，使同相跟相間之環繞起序相錯開地將所有定子齒都繞過，且每相必有一線端與他相一線端共接，而三相低速逆變器與三相中速逆變器與三相高速逆變器各自之輸入端分別接往對應多段手控開關之一段接點，並分別叉接到定子極對數切換微處理器對應輸出端，於多段手控開關全段共接點再接經握把調速器到定子極對數切換微處理器對應之一訊息輸入端，而定子極對數切換微處理器之另一訊息入端接往轉子轉速感測器之感應端者。
如請求項1所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該調控裝置中的換速單元為一只三路單刀雙擲接點之繼電器，而數組三相繞線線路，分為兩組，一組為低速組線路，另組為高速組線路，而逆變器為單只，繼電器切換成三路觸接點之三常閉點，供電至永磁馬達內之低速組之三相繞線線路各相段，當永磁馬達速度提升時，逆變器受三路單刀雙擲接點式繼電器切換導通三路觸接點之三常開點，供電至永磁馬達內之高速組之三相繞線線路各相段，至於調控裝置之永磁馬達轉速傳訊電路由轉子轉速感測器連接降壓兼整流電路所組成，轉子轉速感測器之感應端輸出永磁馬達轉速電訊電力通往降壓兼整流電路後，流往繼電器內之繼電器電磁鐵，使得永磁馬達轉速一感應提升到預定應切換高速組線路之轉速時，產生高電壓使繼電器作用，讓逆變器原先供電至永磁馬達內低速組之三相繞線線路，改供電至永磁馬達內高速組之三相繞線組，自動產生提升永磁馬達高速所需之電力，反之，永磁馬達轉速一感應降低時，產生低電壓促使繼電器回復，讓逆變器供電至永磁馬達內高速組之三相繞線線路，改回供電至永磁馬達內低速組之三相繞線線路，調回永磁馬達低速運轉者。
如請求項4所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該轉子轉速感測器之感應端為近接感測轉子永磁條旋速之霍耳積體電路感測電路者。
如請求項4所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該轉子轉速感測器之感應端為近接感測永磁馬達所屬轉子永磁條旋速之感應線圈電路者。
如請求項5所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該轉子轉速感測器之感應端為近接感測轉子永磁條旋速之感應線圈電路者。
如請求項4或5所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中該轉速感測器之感應端嵌埋到鄰近對應永磁馬達所屬轉子輪端面之端殼凸設之轉子軸座內者。
如請求項4所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中握把調速器之感應端為近接感測握把磁點轉速跟轉子之霍耳積體電路感測電路者。
如請求項4所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中握把調速器之感應端為近接感測握把旋動導接點轉速跟轉子之可變赫爾積體電路調速器者。
如請求項8所述之免用齒輪變速箱及無段變速箱之永磁馬達多套定子極對數打檔調控系統，其中降壓兼整流電路由一橋式整流電路、一降壓電阻，及一電解電容器組成，橋式整流電路導入交流電之兩端接往轉子轉速感測器之感應線圈電路，於橋式整流電路傳出直流電之兩端並接電解電容器後，再串接降壓電阻流往繼電器電磁鐵供電，當感應轉速提升輸出電力到繼電器電磁鐵充足時，繼電器電磁鐵就有充足的磁力引動繼電器切換三路觸接點，改變逆變器向高速組之三相繞線線路提供電頻者。
一種嘧啶胺類化合物，所述嘧啶胺類化合物為由式I-1或I-2表示的化合物，或其立體異構體、互變異構體、同位素衍生物以及藥學上可接受的鹽；<br/><img align="absmiddle" height="104px" width="92px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="102px" width="93px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，<br/> 其中，X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>中的0個或1個為N，其他為CH，當X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>為CH時，H可被R<sub>5</sub>取代；<br/> A為任選取代的6-10元芳基或任選取代的5-10元雜芳基，A上的取代基選自鹵素，胺基、羥基、硝基、氰基、巰基、任選取代的C1-8烷基、任選取代的C1-8烷基氧基、任選取代的C1-8烷基硫基、任選取代的C1-8烷基胺基的一個或多個；<br/> R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>各自獨立地為H、任選取代的C1-8烷基；<br/> R<sub>3</sub>各自獨立地為鹵素、胺基、羥基、硝基、氰基、巰基、任選取代的C1-8烷基、任選取代的C1-8烷基氧基、任選取代的C1-8烷基硫基、任選取代的C1-8烷基胺基；<br/> R<sub>5</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>-N(R<sub>2</sub>)-CO-R<sub>6</sub>；<br/> R<sub>6</sub>為任選取代的3-10元環烷基，其中環烷基上的取代基選自鹵素、胺基、羥基、硝基、氰基、巰基、任選取代的C1-8烷基、任選取代的C1-8烷基氧基、任選取代的 C1-8烷基硫基、任選取代的C1-8烷基胺基中的一個或多個；<br/> R<sub>7</sub>選自鹵素、氨基、羥基、硝基、氰基、巰基、任選取代的C1-8烷基、任選取代的C1-8烷基氧基、任選取代的C1-8烷基硫基、任選取代的C1-8烷基氨基，R<sub>8</sub>為H或甲基；q為0、1、2、3或4；<br/> C1-8烷基上的取代基選自鹵素、胺基、羥基、硝基、氰基、巰基中的一個或多個；<br/> n為0、1或2，p為0、1、2、3、4、5或6。
如請求項1所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>6</sub>為任選取代的3-6元環烷基。
如請求項2所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>6</sub>為鹵素取代的3-6元環烷基。
如請求項3所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>6</sub>為氟取代的3-6元環烷基。
如請求項2所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>6</sub>為<img align="absmiddle" height="17px" width="14px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="20px" width="23px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項5所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>5</sub>為<img align="absmiddle" height="28px" width="33px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="39px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="41px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="29px" width="48px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>5</sub>為<img align="absmiddle" height="30px" width="45px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="54px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1-7中任一所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>5</sub>取代在嘧啶基的對位或間位。
如請求項1-7中任一項所述的嘧啶胺類化合物，其中，A為任選取代的苯基或任選取代的5元雜芳基。
如請求項9所述的嘧啶胺類化合物，其中，A為任選取代的以下基團之一：<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="24px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="31px" width="19px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="30px" width="20px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="119px" width="228px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1-7中任一所述的嘧啶胺類化合物，其中，X<sub>1</sub>-X<sub>3</sub>均為CH。
如請求項10所述的嘧啶胺類化合物，其中，A環上的取代基為甲氧基，取代在胺基的鄰位。
如請求項1-7中任一所述的嘧啶胺類化合物，其中，R<sub>3</sub>為氯，取代在胺基的對位。
如請求項1所述的嘧啶胺類化合物，其中，所述式I-1或I-2表示的化合物為以下化合物之一：<br/><img align="absmiddle" height="87px" width="262px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="87px" width="284px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="108px" width="286px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="292px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的嘧啶胺類化合物，所述藥學上可接受的鹽為甲酸鹽。
如請求項1所述的嘧啶胺類化合物，所述同位素衍生物為氘代物。
一種請求項1-16中任一所述的嘧啶胺類化合物的製備方法，其包含以下步驟：<br/> 由式II-1或II-2化合物和式III化合物製備式I化合物；<br/> 或<br/> 由式IV與式II-1或II-2化合物製備式V-1或V-2化合物，再由式V-1或V-2化合物與式VI化合物製備式I-1或I-2化合物； <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="125px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="59px" width="68px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> <img align="absmiddle" height="74px" width="113px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="240px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="20px" width="32px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，Y為離去基團，其他各基團的定義同請求項1-16中所定義。
如請求項17所述的化合物的製備方法，其中，所述Y為鹵素。
如請求項18所述的化合物的製備方法，其中，所述Y為Cl。
一種藥物組合物，以請求項1-16中任一所述的嘧啶胺類化合物作為有效成分。
如請求項20所述的藥物組合物，其包含藥學上可接受的載體或賦形劑。
一種請求項1-16中任一項所述的嘧啶胺類化合物用於製備NUAK1或NUAK2抑制劑的用途。
一種請求項1-16中任一項所述的嘧啶胺類化合物用於製備藥物的用途，所述嘧啶胺類化合物通過抑制NUAK1或NUAK2用於預防或治療以下疾病：神經精神類疾病、代謝性疾病、腫瘤、內臟纖維化疾病、皮膚纖維化疾病。
如請求項23所述的嘧啶胺類化合物用於製備藥物的用途，其中，所述疾病為帕金森氏病、阿茲海默症、糖尿病、高脂血症、肥胖、肝癌、白血病、淋巴瘤、腫瘤轉移、肝硬化、腎纖維化、肺纖維化、心肌炎後遺症、硬皮病、瘢痕疙瘩、肥厚性瘢痕、或單獨用於減輕外傷和手術後疤痕。
一種基板運送設備，其包含： <br/> 框架； <br/> 驅動部，其連接至該框架；以及 <br/> 關節式臂，其具有至少一個的關節式臂連桿，該至少一個關節式臂連桿可操作地連接至該驅動部，從而使該關節式臂繞著樞轉軸線相對於該框架旋轉，並且相對於該樞轉軸線延伸和縮回； <br/> 其中，該關節式臂具有端部執行器，該端部執行器樞轉地安裝到該至少一個關節式臂連桿上，以在該端部執行器和該至少一個關節式臂連桿之間形成關節，其中將臂關節樞轉軸線設置成使得該端部執行器相對於該至少一個關節式臂連桿繞著該臂關節樞轉軸線旋轉，以及其中，該關節式臂具有帶有驅動和從動滑輪的驅動帶傳動裝置，其中該從動滑輪連接至關節式腕，其中，至少一帶纏繞在至少一個該連接的滑輪上，以致該至少一帶相對於自身重複纏繞，使得該傳動裝置能夠在任何一個方向上使該端部執行器產生超過180度的旋轉。
如請求項1之基板運送設備，其中，該端部執行器在最大延伸衝程和最大縮回衝程之間的旋轉至少為約300°。
如請求項1之基板運送設備，其中，該至少一帶被重複纏繞在其自身上。
如請求項3之基板運送設備，其中，該至少一帶被重複纏繞，以在該滑輪上使該帶螺旋纏繞在其自身上。
如請求項3之基板運送設備，其中，該至少一帶被重複纏繞，使該帶纏繞在其自身上重疊。
如請求項3之基板運送設備，其中，該至少一帶被重複纏繞，使得該帶纏繞在其自身上呈螺旋地纏繞，該帶被纏繞具有沿著滑輪軸線並置的線圈邊緣。
如請求項1之基板運送設備，其中，該連接的滑輪中至少一滑輪是耦合至該端部執行器之惰滑輪，使該惰滑輪旋轉將該端部執行器繞該關節樞轉軸線旋轉。
如請求項7之基板運送設備，其中，該至少一帶繞該惰滑輪被重複纏繞在其自身上。
如請求項7之基板運送設備，其中，該惰滑輪是非圓形滑輪。
如請求項7之基板運送設備，其中，該惰滑輪具備具有非圓形徑向周邊之帶貼合表面，在從該惰滑輪配送該帶並將該帶纏繞時，該至少一帶座落在該非圓形徑向周邊上。
如請求項7之基板運送設備，其中，該連接的滑輪中至少一滑輪之另一個是驅動滑輪，其中該驅動滑輪是非圓形滑輪。
如請求項11之基板運送設備，其中，該惰滑輪和該驅動滑輪具有接合各別對立的帶纏繞與解纏繞的滑輪輪廓，以在該端部執行器的伸出和縮回衝程的整個過程中，使該惰滑輪與該驅動滑輪之間在各旋轉方向上維持實質上恆定的縮減比。
如請求項1之基板運送設備，其中，該端部執行器其上具有基板固持台。
如請求項1之基板運送設備，其中，該端部執行器具有多於一個基板固持台，多於一個的該基板固持台中至少兩者被設置在該端部執行器之對立端部上。
一種基板運送設備，其包含： <br/> 框架； <br/> 驅動部，其連接至該框架；以及 <br/> 關節式臂，其具有至少一個的關節式臂連桿，該至少一個關節式臂連桿可操作地連接至該驅動部，從而使該關節式臂繞著樞轉軸線相對於該框架旋轉，並且相對於該樞轉軸線延伸和縮回； <br/> 其中，該關節式臂具有端部執行器，該端部執行器樞轉地安裝到該至少一個關節式臂連桿上，以在該端部執行器和該至少一個關節式臂連桿之間形成關節，其中將臂關節樞轉軸線設置成使得該端部執行器相對於該至少一個關節式臂連桿繞著該臂關節樞轉軸線旋轉，以及其中該關節式臂具有驅動帶傳動裝置，其具有滑輪與連接該滑輪之兩個對立的帶，該驅動帶傳動裝置延伸與縮回該關節式臂通過臂運動衝程延伸或縮回該關節式臂，並移動該端部執行器通過對應的端部執行器衝程；以及 <br/> 其中，該兩個對立的帶在該滑輪中至少一個上具有纏繞幾何形狀，該纏繞幾何形狀確定該端部執行器繞該關節樞轉軸線旋轉，該端部執行器從該端部執行器衝程的一端到另一端至少提供實質上300°的旋轉。
如請求項15之基板運送設備，其中，該纏繞幾何形狀提供從該端部執行器衝程的衝程中點到任一端之至少實質上145°之端部執行器旋轉。
如請求項15之基板運送設備，其中，該纏繞幾何形狀影響各別對立的帶的不對稱纏繞和解纏繞速率，以使該滑輪中的至少一個共同旋轉。
如請求項17之基板運送設備，其中，透過該對立的帶而彼此該連接的滑輪中的至少一個的另一個滑輪係配置有補償器，該補償器佈置成補償該各別對立的帶之不對稱纏繞和解纏繞，以便在整個該端部執行器衝程中在該對立的帶的每個帶上保持基本恆定的張力。
如請求項18之基板運送設備，其中，該補償器具有一種幾何形狀，該幾何形狀針對該另一個滑輪的共同旋轉，對該另一滑輪產生該各別對立的帶之不對稱的解纏繞速率與纏繞速率，該解纏繞速率與纏繞速率匹配在該滑輪中的至少一個上該各別對立的帶之不對稱的解纏繞速率與纏繞速率。
如請求項18之基板運送設備，其中，該另一個滑輪具有各別非圓形滑輪輪廓，並具有針對該各別對立的帶中的各個的凸輪凸部，該各別非圓形輪廓的該各別凸輪凸部形成該補償器。
如請求項20之基板運送設備，其中，該各別非圓形滑輪輪廓的該各別凸輪凸部被異相地設置在該滑輪周邊上差距一角度，其界定該補償器之幾何形狀。
如請求項18之基板運送設備，其中，該滑輪中的至少一個是惰滑輪，以及該另一個滑輪是驅動滑輪。
如請求項22之基板運送設備，其中，該惰滑輪和該驅動滑輪具有接合各別對立的帶纏繞與解纏繞的滑輪輪廓，以在該端部執行器衝程的整個過程中，使該惰滑輪與該驅動滑輪之間在各旋轉方向上維持實質上恆定的縮減比。
如請求項22之基板運送設備，其中，該惰滑輪具備具有非圓形徑向周邊之帶貼合表面，在從該惰滑輪配送該帶並將該帶纏繞時，該至少一帶座落在該非圓形徑向周邊上。
如請求項24之基板運送設備，其中，該連接的滑輪中至少一滑輪之另一個是驅動滑輪，其中該驅動滑輪是非圓形滑輪。
如請求項15之基板運送設備，其中，該對立的帶中的各個被重複纏繞在其自身上。
如請求項26之基板運送設備，其中，該對立的帶中的各個被重複纏繞，以在該滑輪上使該帶螺旋纏繞在其自身上。
如請求項26之基板運送設備，其中，該對立的帶中的各個被重複纏繞，使該帶纏繞在其自身上重疊。
如請求項26之基板運送設備，其中，該對立的帶中的各個被重複纏繞，使得該帶纏繞在其自身上呈螺旋地纏繞，該帶被纏繞具有沿著滑輪軸線並置的線圈邊緣。
如請求項15之基板運送設備，其中，該滑輪中的至少一個是耦合至該端部執行器之惰滑輪，使該惰滑輪旋轉將該端部執行器繞該關節樞轉軸線旋轉。
如請求項30之基板運送設備，其中，該對立的帶中的各個繞該惰滑輪被重複纏繞在其自身上。
一種運送基板的方法，包含： <br/> 提供基板運送設備，其中該基板運送設備包括： <br/> 框架， <br/> 驅動部，其連接至該框架， <br/> 關節式臂，其具有至少一個的關節式臂連桿，該至少一個關節式臂連桿可操作地連接至該驅動部，從而使該關節式臂繞著樞轉軸線相對於該框架旋轉，並且相對於該樞轉軸線延伸和縮回，以及 <br/> 端部執行器，該端部執行器樞轉地安裝到該至少一個關節式臂連桿上，以在該端部執行器和該至少一個關節式臂連桿之間形成關節，其中將臂關節樞轉軸線設置成使得該端部執行器相對於該至少一個關節式臂連桿繞著該臂關節樞轉軸線旋轉； <br/> 使用具備滑輪與連接該滑輪的至少一帶之驅動帶傳動裝置，移動該端部執行器分別通過延伸衝程與縮回衝程，該驅動帶傳動裝置延伸與縮回該關節式臂；以及 <br/> 其中，該至少一個帶被纏繞在該連接的滑輪中的至少一個上，以使該至少一個帶被重複纏繞在其自身上，並使得該傳動裝置產生該端部執行器之旋轉，其將端部執行器相對於該至少一關節式臂連桿並繞著該關節樞轉軸線，從該端部執行器之端部執行器衝程中點旋轉位置到該端部執行器之最大衝程旋轉位置旋轉至少約145°。
如請求項32之方法，其中，該端部執行器在最大延伸衝程和最大縮回衝程之間的旋轉至少為約300°。
一種可轉動之靜電除塵裝置，用以分離及收集流體中之煙物及/或微粒，包括：一本體，其為一中空之圓柱體狀的靜電除塵裝置，具有：一外殼，以及放電高壓電場之電極板或線及高壓電場之收集電極板，用以由該放電高壓電場之電極板或線將待分離煙物及/或微粒之流體中的煙物及/或微粒荷以靜電，並將其吸附至該高壓電場之收集電極板；多個流體導入通道，位於該本體之外殼，具有複數個分佈在該本體之外殼之開縫及導流板，用以導入自周圍進入之該待分離及收集流體中之煙物及/或微粒的流體；一轉軸與其軸承及電路連通之構件，用以旋轉該中空之圓柱體狀的靜電除塵裝置，並將至該高壓電場之收集電極板所吸附之流體中之煙物及/或微粒以反流體之方向向外流出；一中心通道，設置於該本體之一中央部位，用以導通經該靜電除塵裝置處理之乾淨流體流進該中心通道；一流體出口通道，設置於該本體之頂端，用以排出該乾淨流體；一馬達，設置於該本體之上部，用以軸接該轉軸與其軸承構件，以帶動該靜電除塵裝置之轉動，以形成一可轉動之靜電除塵機制；以及一煙物及/或微粒併合區(Agglomeration Area)，設於該本體之外周，用以累積及併合：來自該本體的旋轉離心力而向外周之該煙物及/或微粒併合區流出的煙物及或微粒，及來自外部周圍向該煙物及/或微粒併合區流入之該待分離及收集流體中的煙物及/或微粒，並利用極度的混合、密集、碰觸、離心力、湍流、布朗運動(Brownian Motion)、靜電力、分子力、或其等之任意組合的作用，將該煙物及/或微粒併合。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，進而包含一抽氣扇，設置於該本體之中心通道及該馬達的後方，且於該流體出口通道之下方，用以將該乾淨流體自該本體之中心通道向上，且經由該流體出口通道予以抽出。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，其中該煙物及/或微粒併合區進而包含複數個煙物及/或微粒收集槽，位於該併合區下方，用以收集該併合之煙物及/或微粒。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，進而包含一調控單元，設於該本體上側之一適當位置，用以調控電壓電流，及該馬達與抽氣扇之運作。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，其中該本體為一單級(one-stage)靜電除塵裝置方式。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，其中該本體為一兩級(two-stage)靜電除塵裝置方式。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，其中該本體之外殼的各該等複數個開縫進而具有一導流板，進而提供使導入之該待分離及收集流體中之煙物及/或微粒只進不外逸之導入作用，且具可兼供吸氣之作用。
如請求項1之可轉動之靜電除塵裝置，其中該本體之複數個放電極為負極，或正極。
如請求項7之可轉動之靜電除塵裝置，其中該等複數個開縫及各該導流板之數量可予調整，且其形狀可作變更，以利進氣。
一種顯示器，其包含： <br/>一覆蓋層，該覆蓋層界定一第一平面且定位為一最頂層； <br/>一像素陣列，該像素陣列界定平行於該第一平面之一第二平面且安置於該覆蓋層下面，該像素陣列具有沿著該第二平面之一第一區域； <br/>複數個電晶體，該複數個電晶體界定實質上平行於該第二平面之一第三平面且定位於該像素陣列下面，該複數個電晶體經組態以控制該像素陣列內之一或多個像素之一電啟動，該複數個電晶體具有沿著該第三平面之一第二區域，該第一區域具有比該第二區域大之一區域，該等區域中之一差異之至少一部分為一延伸之發射區域； <br/>一觸控感測器，該觸控感測器經組態以偵測使用者輸入； <br/>一或多個觸控跡線佈線，該一或多個觸控跡線佈線操作性地耦合至該觸控感測器，該一或多個觸控跡線佈線安置於該覆蓋層與在該延伸之發射區域中的該像素陣列中之一或多個像素之間； <br/>一驅動電路，該驅動電路至少部分地定位於該第三平面內且至少部分地定位於該延伸之發射區域下面(underneath)，該驅動電路經組態以控制該複數個電晶體中之一或多個電晶體；及 <br/>複數個佈線金屬，該複數個佈線金屬將該像素陣列中之一或多個像素操作性地耦合至該複數個電晶體，該複數個佈線金屬中之至少一個佈線金屬自該第三平面延伸至該第二平面進入該延伸之發射區域中，使得該一或多個像素中之至少一個像素安置於該驅動電路之至少部分上方。
如請求項1之顯示器，其中該觸控感測器包含一自型感測技術或一互型感測技術中之至少一者。
如請求項1之顯示器，其中該一或多個觸控跡線佈線進一步安置於該覆蓋層與在該延伸之發射區域之外的該像素陣列中之一或多個像素之間。
如請求項1之顯示器，其中： <br/>該像素陣列中之一或多個像素包含至少一個二極體；且 <br/>該像素陣列包含一內區及一外區，該外區圍繞該內區之一周邊之至少一部分且包含該延伸之發射區域。
如請求項4之顯示器，其中： <br/>該內區及該外區各自包含一均一像素分佈；且 <br/>該第三平面內之該複數個電晶體係均一分佈的。
如請求項4之顯示器，其中： <br/>該內區包含一第一像素密度且該外區包含一第二像素密度，該第一像素密度大於該第二像素密度；且 <br/>該第三平面內之該複數個電晶體係均一分佈的。
如請求項4之顯示器，其中該複數個電晶體包含一內部區及一外部區，該外部區圍繞該內部區之一周邊之至少一部分。
如請求項7之顯示器，其中該內部區包含一第一電晶體密度，且該外部區包含一第二電晶體密度。
如請求項8之顯示器，其中： <br/>該第一電晶體密度小於該第二電晶體密度；且 <br/>該內區及該外區包含相等且均一之像素密度。
如請求項9之顯示器，其中該內區中之一二極體密度等於該第一電晶體密度。
如請求項8之顯示器，其中： <br/>該第一電晶體密度小於該第二電晶體密度；且 <br/>該內區包含一第一像素密度且該外區包含一第二像素密度，該第一像素密度大於該第二像素密度。
如請求項11之顯示器，其中該內區中之一二極體密度等於該第一電晶體密度。
如請求項1之顯示器，其中該像素陣列中之每一像素包含一或多個二極體，且其中該複數個電晶體中之每一電晶體操作性地耦合至該一或多個二極體中之一各別二極體。
如請求項1之顯示器，其中該顯示器包含一橢圓形外觀因素。
如請求項1之顯示器，其中該顯示器整合於一可穿戴裝置中。
如請求項1之顯示器，其中： <br/>該驅動電路包含一補償電容器、一高位準電源電壓源、一解多工器電路、一陣列上閘極驅動器、源極線或一低位準電源電壓源中之至少一者；且 <br/>該至少一個佈線金屬及該至少一個像素安置於該解多工器電路或該陣列上閘極驅動器中之至少一者上方。<b> </b>
如請求項1之顯示器，其進一步包含： <br/>一屏蔽導體層，該屏蔽導體層經組態以屏蔽一陽極以免受源自該驅動電路之寄生耦合電容的影響，該屏蔽導體層操作性地耦合至一直流參考電壓，且其中該屏蔽導體層至少部分地安置於該佈線金屬與該驅動電路之間。
如請求項1之顯示器，其中該一或多個觸控跡線佈線界定平行於該第一平面之一第四平面且安置於該覆蓋層與該像素陣列之間，且其中該一或多個觸控跡線佈線在該第四平面中在該第二平面上方在該延伸之發射區域之非發射區域中佈線。
如請求項1之顯示器，其中該觸控感測器安置於： <br/>該覆蓋層與在該延伸之發射區域中的該像素陣列中之一或多個像素之間； <br/>該覆蓋層與在該延伸之發射區域之外的該像素陣列中之一或多個像素之間；或 <br/>該覆蓋層與在該延伸之發射區域中及在該延伸之發射區域之外的該像素陣列中之一或多個像素之間。
一種針織足跟元件，包括：<br/>第一針織複合區，所述第一針織複合區包括低熔點熱塑性材料和第一針織結構；<br/>第二針織複合區，所述第二針織複合區自所述第一針織複合區整體延伸，所述第二針織複合區包括所述低熔點熱塑性材料和第二針織結構，其中與所述第一針織複合區相比，所述低熔點熱塑性材料在所述第二針織複合區中的重量濃度較小；以及<br/>針織鞋領，所述針織鞋領自所述第二針織複合區整體延伸，所述針織鞋領包括一根或多根彈性紗線；<br/>其中所述第一針織複合區中的所述低熔點熱塑性材料包括熱成形層；<br/>其中所述熱成形層限定了：具有比所述針織足跟元件的其餘部分更高的硬挺度的足跟穩定器；<br/>其中所述足跟穩定器的更高的硬挺度，是在沒有單獨形成的部件結合到所述針織足跟元件中或結合到所述針織足跟元件上而增加硬挺度的情況下提供的。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述低熔點熱塑性材料被熱成形，限定具有比所述針織足跟元件的其餘部分更高的硬挺度的足跟穩定器。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述第一針織結構包括第一針織層和第二針織層。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述熱成形層至少部分地定位在所述第一針織結構的第一針織層和第二針織層之間。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述熱成形層包括至少一根緩衝紗線。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述熱成形層包括至少一根高熔點熱塑性紗線。
根據請求項1所述的針織足跟元件，其中所述第二針織結構至少包括第一針織層和第二針織層。
根據請求項7所述的針織足跟元件，其中所述第二針織結構包括定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間的第一數量的紗線端部，每個所述紗線端部完全由低熔點熱塑性材料形成。
根據請求項8所述的針織足跟元件，其中所述第二針織結構包括第二數量的紗線端部，每個所述紗線端部包括定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間的緩衝紗線，其中各自完全由所述低熔點熱塑性材料形成的所述第一數量的紗線端部在所述第一針織層和所述第二針織層之間的區域中被熱成形。
根據請求項9所述的針織足跟元件，其中在所述第一針織層和所述第二針織層之間熱成形的所述低熔點熱塑性材料分散在所述第二數量的紗線端部之間，每個所述紗線端部包括緩衝紗線。
一種針織足跟元件，包括：<br/>第一針織區，所述第一針織區包括第一硬度；<br/>第二針織區，所述第二針織區自所述第一針織區整體延伸，所述第二針織區包括小於所述第一硬度的第二硬度；以及<br/>針織鞋領，所述針織鞋領自所述第二針織區整體延伸，所述針織鞋領包括一根或多根彈性紗線；<br/>其中所述第一針織區和所述第二針織區包括熱成形層；<br/>其中所述熱成形層限定了：具有比所述針織足跟元件的其餘部分更高的硬挺度的足跟穩定器；<br/>其中所述足跟穩定器的更高的硬挺度，是在沒有單獨形成的部件結合到所述針織足跟元件中或結合到所述針織足跟元件上而增加硬挺度的情況下提供的。
根據請求項11所述的針織足跟元件，其中所述第一針織區定位在所述針織足跟元件的下端部，並且所述第二針織區自所述第一針織區向上延伸到所述針織鞋領。
根據請求項12所述的針織足跟元件，其中所述第一針織區包括每單位表面積的第一濃度的熱塑性聚合物材料，並且其中所述第二針織區包括每單位表面積的第二濃度的熱塑性聚合物材料，並且其中所述第一濃度高於所述第二濃度。
一種鞋類製品，包括：<br/>鞋底結構；以及<br/>固定到所述鞋底結構的鞋面，所述鞋面包括針織元件，所述針織元件包括第一針織區和第二針織區，<br/>所述第一針織區包括：<br/>第一針織層，<br/>第二針織層，和<br/>至少部分地位於所述第一針織層和所述第二針織層之間的熱成形層，所述熱成形層包括低熔點熱塑性材料，並且<br/>所述第二針織區包括：<br/>所述第一針織層，<br/>所述第二針織層，<br/>第一數量的紗線端部，所述第一數量的紗線端部包括所述低熔點熱塑性材料；<br/>其中所述熱成形層位於足跟區域中；<br/>其中所述熱成形層限定了足跟穩定器，所述足跟穩定器增加了足跟區域的更高的硬挺度；<br/>其中所增加的更高的硬挺度，是在沒有單獨形成的部件結合到所述足跟區域中或結合到所述足跟區域上而增加硬挺度的情況下提供的。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中所述足跟穩定器是由熱成形的所述低熔點熱塑性材料形成的整體針織的足跟穩定器。
根據請求項15所述的鞋類製品，其中所述整體針織的足跟穩定器具有比所述針織元件的其餘部分更高的硬挺度，而沒有單獨的部件結合到所述針織元件中或結合到所述針織元件上以增加硬挺度。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中所述熱成形層包括緩衝紗線的至少一個端部，並且其中所述第二針織區包括緩衝紗線的第二數量的紗線端部。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中所述第一針織層和所述第二針織層各自包括高熔點熱塑性紗線。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中所述熱成形層還包括高熔點熱塑性紗線的至少一個端部。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中在所述第二針織區中，包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部各自完全由所述低熔點熱塑性材料形成。
根據請求項19所述的鞋類製品，其中包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部包括低熔點聚對苯二甲酸乙二醇酯紗線和低熔點聚醯胺紗線中的一種或多種。
根據請求項21所述的鞋類製品，其中包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部是所述低熔點聚對苯二甲酸乙二醇酯，並且其中所述低熔點聚對苯二甲酸乙二醇酯紗線的熔點小於或等於約135攝氏度。
根據請求項21所述的鞋類製品，其中包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部是所述低熔點聚醯胺紗線，並且其中所述低熔點聚醯胺紗線的熔點小於或等於約135攝氏度。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中在所述第二針織區中包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部是五個紗線端部。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中緩衝紗線在所述第一針織區中嵌入在所述第一針織層和所述第二針織層之間。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中在所述第二針織區中包括所述低熔點熱塑性材料的所述第一數量的紗線端部間歇地與形成所述第一針織區的所述第一針織層和所述第二針織層中的一個或多個的紗線交織。
根據請求項14所述的鞋類製品，其中所述第一針織區包括比所述第二針織區更高的所述低熔點熱塑性材料的每單位表面積的濃度。
一種鞋類製品的陣列，每個所述鞋類製品包括鞋底結構、固定到所述鞋底結構的鞋面，以及針織足跟元件，每個針織足跟元件包括第一針織層和第二針織層，所述第一針織層包括所述針織足跟元件的面向外的表面，所述第二針織層包括所述針織足跟元件的面向內的表面，所述鞋類製品的陣列至少包括：<br/>第一鞋類製品，所述第一鞋類製品被配置成用於第一類體育活動，所述第一鞋類製品的第一針織足跟元件包括：<br/>位於所述第一針織足跟元件的下部分的第一針織區，所述第一針織區包括熱成形層，所述熱成形層包括低熔點熱塑性材料並且至少定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間，以及<br/>位於所述第一針織區上方的第二針織區，所述第二針織區包括第一數量的紗線端部和第二數量的紗線端部，所述第一數量的紗線端部包括所述低熔點熱塑性材料，所述第二數量的紗線端部包括緩衝紗線；以及<br/>第二鞋類製品，所述第二鞋類製品被配置成用於不同於所述第一類體育活動的第二類體育活動，所述第二鞋類製品的第二針織足跟元件包括：<br/>位於所述第二針織足跟元件的下部分的第三針織區，所述第三針織區包括熱成形層，所述熱成形層包括所述低熔點熱塑性材料並且至少部分地定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間，以及<br/>位於所述第三針織區上方的第四針織區，所述第四針織區包括第三數量的紗線端部和第四數量的紗線端部，所述第三數量的紗線端部包括所述低熔點熱塑性材料，所述第四數量的紗線端部包括緩衝紗線，其中所述第一鞋類製品的所述第一針織區和所述第二鞋類製品的所述第三針織區包括不同的表面積，和/或所述第一鞋類製品的所述第二針織區和所述第二鞋類製品的所述第四針織區包括不同的表面積。
根據請求項28所述的鞋類製品的陣列，其中所述第一針織足跟元件的所述熱成形層限定第一足跟穩定器，所述第一足跟穩定器包括比所述第一針織區和所述第二針織區的其餘部分的硬挺度高的第一硬挺度，並且其中所述第二針織足跟元件的所述熱成形層限定第二足跟穩定器，所述第二足跟穩定器包括比所述第三針織區和所述第四針織區的其餘部分的硬挺度高的第二硬挺度。
根據請求項29所述的鞋類製品的陣列，其中所述第一硬挺度和所述第二硬挺度是不同的。
根據請求項29所述的鞋類製品的陣列，其中所述第一足跟穩定器和所述第二足跟穩定器分別與所述第一針織足跟元件和所述第二針織足跟元件整體形成，而沒有單獨的部件集成在所述第一針織足跟元件和所述第二針織足跟元件之中或之上以增加硬挺度。
根據請求項28所述的鞋類製品的陣列，其中所述第一鞋類製品的所述第一針織區和所述第二鞋類製品的所述第三針織區中的每一個中的所述熱成形層包括高熔點熱塑性紗線的至少一個端部。
根據請求項28所述的鞋類製品的陣列，其中在所述第一鞋類製品的所述第二針織區中的包括所述低熔點熱塑性材料的所述第二數量的紗線端部和在所述第二鞋類製品的所述第四針織區中的包括所述低熔點熱塑性材料的所述第三數量的紗線端部中的每一者包括低熔點聚對苯二甲酸乙二醇酯紗線和低熔點聚醯胺紗線中的一種或多種。
一種製造用於鞋類製品的鞋面的針織元件的方法，所述方法包括：<br/>針織第一針織層和第二針織層；<br/>將包括低熔點熱塑性材料的紗線端部定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間；<br/>將包括緩衝紗線的紗線端部定位在所述第一針織層和所述第二針織層之間；以及<br/>使所述針織元件的至少第一針織區熱成形，使得熱成形層至少部分地形成在所述第一針織層和所述第二針織層之間，所述熱成形層位於足跟區域中。
根據請求項34所述的方法，還包括：<br/>將所述針織元件形成到鞋面中，以及<br/>將所述鞋面結合到鞋類製品中，使得所述熱成形層在所述鞋類製品的所述足跟區域中形成整體的足跟穩定器。
根據請求項35所述的方法，其中所述整體的足跟穩定器在沒有單獨的部件集成到所述足跟區域中或集成到所述足跟區域上以增加所述足跟區域的硬挺度的情況下形成。
根據請求項34所述的方法，其中在熱成形期間，所述針織元件的所述足跟區域被熱成形為三維形狀。
一種具有影像產生器(2)之螢幕，該影像產生器(2)含有用於顯示影像內容之具有像素P<sub>image</sub>之第一網格(Ra)，且該螢幕進一步包括第一可切換光過濾器(5)，該第一可切換光過濾器(5)進而包括 <br/>第一光學元件(1)， <br/>構件(4)，其用於選擇性地產生至少第一電場(EF1)或第二電場(EF2)，該等構件(4)被分區至具有像素P<sub>LC</sub>之第二網格中， <br/>液晶層(3)，其配置在該第一光學元件(1)前面或後面，且在該等各別像素P<sub>LC</sub>處產生之該電場作用於該液晶層(3)上，並且取決於此，該液晶層(3)影響穿過其之光之偏振狀態，使得 <br/>該第一可切換光過濾器(5)之透射性質在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第一操作模式B1與存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第二操作模式B2之間不同， <br/>其中，該第一網格(Ra)與該第二網格(Rb)在以下參數中之至少一者上不同：解析度、像素形狀、像素大小、網格形狀、該兩個網格(Ra、Rb)之座標軸(R1、R2)之底角、該等座標軸(R1、R2)之定向及/或該等各別像素P<sub>LC</sub>及P<sub>image</sub>之數量，且 <br/>其中，在將該第二網格(Rb)沿著該第一網格(Ra)之垂直平分線平行投射至該第一網格(Ra)上之情形下，該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之邊緣之小於50%被投射至該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之任何邊緣上，藉此減少該螢幕之該影像產生器(2)與其他組件之視覺上可見的重疊， <br/>在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第一操作模式B1中，一方面，與第一較佳方向平行地入射在該第一可切換光過濾器(5)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第一可切換光過濾器(5)中且至少在與位於第一平面中之該第一較佳方向成大於35°之第一角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%， <br/>在存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第二操作模式B2中，一方面，與該第一較佳方向平行地入射在該第一可切換光過濾器(5)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第一可切換光過濾器(5)中且至少與位於第二平面中之該第一較佳方向成大於35°之第二角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%，其中該第一平面與該第二平面以80°至100°之角度相交，使得在每種情形下，針對該第一操作模式B1及該第二操作模式B2之吸收方向相差80°至100°。
一種具有影像產生器(2)之螢幕，該影像產生器(2)含有用於顯示影像內容之具有像素P<sub>image</sub>之第一網格(Ra)，且該螢幕亦包括第一可切換光過濾器(5)，該第一可切換光過濾器(5)進而包括 <br/>第一光學元件(1)，其進而包括 <br/>多種多樣之光吸收躍遷偶極矩(DP1、DP2)， <br/>其中，該等躍遷偶極矩之大多數(DP1)係永久對準的或至少在第一條件下以至多20°之公差與針對該第一光學元件(1)之可選擇第一較佳方向平行地對準或在此周圍變化， <br/>使得入射至該第一光學元件(1)中之光取決於其偏振狀態及其相對於該第一光學元件(1)之入射方向被透射或至少部分地被吸收， <br/>構件(4)，其用於選擇性地產生至少第一電場(EF1)或第二電場(EF2)，該等構件(4)被分區至具有像素P<sub>LC</sub>之第一網格中， <br/>液晶層(3)，其配置在該第一光學元件(1)前面或後面，在該等像素P<sub>LC</sub>處產生之該各別電場作用在該液晶層(3)上，且取決於此，該液晶層(3)影響穿過其之光之偏振狀態，使得 <br/>其中，該第一可切換光過濾器(5)之透射性質在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第一操作模式B1與存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第二操作模式B2之間不同， <br/>其中，該第一網格(Ra)與該第二網格(Rb)在以下參數中之至少一者上不同：解析度、像素形狀、像素大小、網格形狀、該兩個網格(Ra、Rb)之座標軸(R1、R2)之底角、該等座標軸(R1、R2)之定向及/或該等各別像素P<sub>LC</sub>及P<sub>image</sub>之數量，且 <br/>其中，在將該第二網格(Rb)沿著該第一網格(Ra)之垂直平分線平行投射至該第一網格(Ra)上之情形下，該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之邊緣之小於50%被投射至該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之任何邊緣上，藉此減少該螢幕之該影像產生器(2)與其他組件之視覺上可見的重疊， <br/>在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第一操作模式B1中，一方面，與第一較佳方向平行地入射在該第一可切換光過濾器(5)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第一可切換光過濾器(5)中且至少在與位於第一平面中之該第一較佳方向成大於35°之第一角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%， <br/>在存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第二操作模式B2中，一方面，與該第一較佳方向平行地入射在該第一可切換光過濾器(5)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第一可切換光過濾器(5)中且至少與位於第二平面中之該第一較佳方向成大於35°之第二角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%，其中該第一平面與該第二平面以80°至100°之角度相交，使得在每種情形下，針對該第一操作模式B1及該第二操作模式B2之吸收方向相差80°至100°。
一種具有影像產生器(2)之螢幕，該影像產生器(2)出於顯示影像內容之目的而被分區至具有像素P<sub>image</sub>之第一網格(Ra)中，該螢幕亦包括第二可切換光過濾器(5a)，該第二可切換光過濾器(5a)進而包括 <br/>第二光學元件(1a)，其 <br/>包括複數個光吸收躍遷偶極矩(DP1、DP2)，其呈一或多種二色染料之分子形式及/或呈一或多種二色染料形式， <br/>其中，該等躍遷偶極矩之大多數(DP1)至少在第一條件下與針對該第二光學元件(1a)之可選擇第一較佳方向平行地對準或在此周圍變化， <br/>使得入射在該第二光學元件(1a)上之光取決於其偏振狀態及其相對於該第二光學元件(1a)之入射方向被透射或至少部分地被吸收， <br/>其中，該等躍遷偶極矩嵌入在液晶層(3a)中，使得該等躍遷偶極矩之定向及/或量值可在該第一條件與至少一個第二條件之間變化，以便能夠將該第二光學元件(1a)替代地設定成至少兩個不同條件， <br/>構件(4)，其用於選擇性地產生至少第一電場(EF1)或第二電場(EF2)，該等構件(4)被分區至具有像素P<sub>LC</sub>之第二網格(Rb)中， <br/>其中，該第二可切換光過濾器(5a)之透射性質在於該液晶層(3a)處存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第一操作模式B1與於該液晶層(3a)處存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第二操作模式B2之間不同， <br/>其中，該第一網格(Ra)與該第二網格(Rb)在以下參數中之至少一者上不同：解析度、像素形狀、像素大小、網格形狀、該兩個網格之座標軸(R1、R2)之底角、該等座標軸(R1、R2)之對準及/或該等各別像素P<sub>LC</sub>及P<sub>image</sub>之數量，且 <br/>其中，在將該第二網格(Rb)沿著該第一網格(Ra)之垂直平分線平行投射至該第一網格(Ra)上之情形下，該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之邊緣之小於50%被投射至該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之任何邊緣上，藉此減少該螢幕之該影像產生器(2)與其他組件之視覺上可見的重疊， <br/>在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第一操作模式B1中，一方面，與第一較佳方向平行地入射在該第二可切換光過濾器(5a)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第二可切換光過濾器(5a)中且至少在與位於第一平面中之該第一較佳方向成大於35°之第一角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%， <br/>在存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處，在第二操作模式B2中，一方面，與該第一較佳方向平行地入射在該第二可切換光過濾器(5a)中之線性或橢圓偏振光被透射至少24%，且 <br/>另一方面，入射在該第二可切換光過濾器(5a)中且至少與位於第二平面中之該第一較佳方向成大於35°之第二角度處之線性或橢圓偏振光被吸收至少85%，其中該第一平面與該第二平面以80°至100°之角度相交，使得在每種情形下，針對該第一操作模式B1及該第二操作模式B2之吸收方向相差80°至100°。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之數量小於該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之數量。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中該第一網格(Ra)與該第二網格(Rb)至少在該等網格之該等座標軸(R1、R2)之其底角上不同，其中在該第二網格(Rb)中該等座標軸彼此成介於45°與小於88°之間的角度，同時該第一網格(Ra)之該等座標軸彼此成介於88°與92°之間的角度。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中該第一網格(Ra)之該等像素P<sub>image</sub>係矩形的且該第二網格(Rb)之該等像素P<sub>LC</sub>係非正方形的。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中該第二網格(Rb)之至少兩個像素P<sub>LC</sub>具有彼此不同之大小及/或形狀。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中該第一網格(Ra)之該等像素P<sub>image</sub>經形成為彩色子像素。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中，在將該第二網格(Rb)沿著該第一網格(Ra)之該垂直平分線平行投射至該第一網格(Ra)上之情形下，該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之該等邊緣之小於20%被投射至該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之任何邊緣上。
如請求項1至3中任一項之螢幕，其中用於選擇性地產生至少第一電場(EF1)或第二電場(EF2)之該等構件(4)亦可在該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>處選擇性地產生與之不同的第三、第四或其他電場。
如請求項1之螢幕，其中該第一光學元件(1)包含線性偏振過濾器，該線性偏振過濾器取決於光之偏振狀態及/或其入射方向而透射或至少部分地吸收該光，其中具有最大透射之偏振方向係可針對該線性偏振過濾器而選擇。
一種作為如請求項1之螢幕之中間產品的具有影像產生器(2)之螢幕，該影像產生器(2)為了顯示影像內容而含有具有像素P<sub>image</sub>之第一網格(Ra)，且該螢幕亦包括 <br/>構件(4)，其用於選擇性地產生至少一個第一電場(EF1)或第二電場(EF2)，該等構件(4)被分區至具有像素P<sub>LC</sub>之第二網格(Rb)中， <br/>液晶層(3)，其配置在用於視情況產生至少第一電場(EF1)或第二電場(EF2)之該等構件(4)之上或在其之間，在該等像素P<sub>LC</sub>處產生之該各別電場作用在該液晶層(3)上，且取決於此，該液晶層(3)影響穿透過其之光之偏振狀態， <br/>其中，該第一網格(Ra)與該第二網格(Rb)在以下參數中之至少一者上不同：解析度、像素形狀、像素大小、網格形狀、該兩個網格之座標軸(R1、R2)之底角、該等座標軸(R1、R2)之對準及/或該等各別像素P<sub>LC</sub>及P<sub>image</sub>之數量，且 <br/>其中，在將該第二網格(Rb)沿著該第一網格(Ra)之垂直平分線平行投射至該第一網格(Ra)上之情形下，該第二網格(Rb)之像素P<sub>LC</sub>之邊緣之小於50%被沿著垂直至該第一網格(Ra)上之中心投射至該第一網格(Ra)之像素P<sub>image</sub>之任何邊緣上，藉此減少該螢幕之該影像產生器(2)與其他組件之視覺上可見的重疊。
一種如請求項12之螢幕之用途，該螢幕具有第一光學元件(1)，該第一光學元件進而包括 <br/>i.複數個光吸收躍遷偶極矩(DP1、DP2)， <br/>ii.其中該等躍遷偶極矩之大多數(DP1)係永久對準的或至少在第一條件下以最大20°之公差與針對該第一光學元件(1)之可選擇第一較佳方向平行地對準或在此周圍變化， <br/>iii.使得入射至該第一光學元件(1)中之光取決於其偏振狀態及其相對於該第一光學元件(1)之入射方向被透射或至少部分地被吸收， <br/>使得自該影像產生器入射在該第一光學元件(1)上之該光之偏振性質在存在該第一電場(EF1)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第一操作模式B1與存在該第二電場(EF2)之對應像素P<sub>LC</sub>處之第二操作模式B2之間不同。
一種電流感測校準方法，包含：<br/> 根據一顯示面板的一電流範圍設定一第一校準電流；<br/> 輸入該第一校準電流至一電流感測電路，並偵測該電流感測電路所輸出的一第一真實數位碼；<br/> 根據該第一真實數位碼以及該第一校準電流對應的一第一理想數位碼，取得偏移校準資料；<br/> 根據該顯示面板的該電流範圍設定一第二校準電流及一第三校準電流；<br/> 輸入該第二校準電流至該電流感測電路，並偵測該電流感測電路所輸出的一第二真實數位碼；<br/> 輸入該第三校準電流至該電流感測電路，並偵測該電流感測電路所輸出的一第三真實數位碼；<br/> 根據該第二真實數位碼、該第三真實數位碼、該第二校準電流對應的一第二理想數位碼以及該第三校準電流對應的一第三理想數位碼，取得增益校準資料；<br/> 將該顯示面板的至少一個像素，在一固定溫度下的一真實像素電流輸入至該電流感測電路；<br/> 根據該偏移校準資料及該增益校準資料，校準該電流感測電路後，偵測該電流感測電路所輸出的一真實像素數位碼；及<br/> 取得該固定溫度對應的一理想像素數位碼，以用於產生該顯示面板的該至少一個像素的通道溫度校準資料；<br/> 其中該通道溫度校準資料是根據該真實像素數位碼與該理想像素數位碼之間的一差值而產生。
如請求項1所述之方法，其中該偏移校準資料是根據該第一真實數位碼與該第一理想數位碼之間的一差值而產生。
如請求項1所述之方法，另包含：<br/> 根據該第二真實數位碼與該第三真實數位碼產生一真實斜率；及<br/> 根據該第二理想數位碼與該第三理想數位碼產生一理想斜率；<br/> 其中該增益校準資料是由該真實斜率與該理想斜率之間的一差值而產生。
如請求項1所述之方法，其中該電流感測電路包含一電流電壓轉換器及一類比數位轉換器。
如請求項4所述之方法，其中該偏移校準資料用於補償該電流感測電路的一偏移資料碼。
如請求項4所述之方法，其中該增益校準資料用於補償該電流感測電路的一轉換函數直線的一斜率。
如請求項1所述之方法，其中該第一校準電流、該第一理想數位碼、該第二校準電流、該第二理想數位碼、該第三校準電流及該第三理想數位碼是預先決定的，並保存於一記憶體中。
一種電流感測校準系統，包含：<br/> 至少一個像素，置於一顯示面板上；<br/> 一多工器，耦接於該至少一個像素及一電流校準端；<br/> 一電流感測電路，耦接於該多工器，並用於產生與該至少一個像素的一溫度相關的數位資料；及；<br/> 一處理器，耦接於該電流感測電路，並用於校準該電流感測電路的該數位資料；<br/> 其中該處理器根據該顯示面板的一電流範圍設定一第一校準電流，該第一校準電流輸入至該電流校準端，並透過該多工器被該電流感測電路接收，該處理器偵測該電流感測電路所輸出的一第一真實數位碼，該處理器根據該第一真實數位碼以及該第一校準電流對應的一第一理想數位碼，取得偏移校準資料，該處理器根據該顯示面板的該電流範圍設定一第二校準電流及一第三校準電流，該第二校準電流輸入至該電流校準端，並透過該多工器被該電流感測電路接收，該處理器偵測該電流感測電路所輸出的一第二真實數位碼，該第三校準電流輸入至該電流校準端，並透過該多工器被該電流感測電路接收，該處理器偵測該電流感測電路所輸出的一第三真實數位碼，該處理器根據該第二真實數位碼、該第三真實數位碼、該第二校準電流對應的一第二理想數位碼以及該第三校準電流對應的一第三理想數位碼，取得增益校準資料，在一固定溫度下，該顯示面板的該至少一個像素的一真實像素電流輸入至該電流感測電路，該處理器根據該偏移校準資料及該增益校準資料，校準該電流感測電路後，偵測該電流感測電路所輸出的一真實像素數位碼，以及該處理器取得該固定溫度對應的一理想像素數位碼，以用於產生該顯示面板的該至少一個像素的通道溫度校準資料，且該通道溫度校準資料是根據該真實像素數位碼與該理想像素數位碼之間的一差值而產生。
如請求項8所述之系統，其中該偏移校準資料是根據該第一真實數位碼與該第一理想數位碼之間的一差值而產生。
如請求項9所述之系統，其中該處理器根據該第二真實數位碼與該第三真實數位碼產生一真實斜率，該處理器根據該第二理想數位碼與該第三理想數位碼產生一理想斜率，且該增益校準資料是由該真實斜率與該理想斜率之間的一差值而產生。
如請求項8所述之系統，其中該電流感測電路包含：<br/> 一電流電壓轉換器，用以將一電流訊號轉換為一電壓訊號；及<br/> 一類比數位轉換器，耦接於該電流電壓轉換器，用以將該電壓訊號轉換為一數位碼。
如請求項11所述之系統，其中該偏移校準資料用於補償該電流感測電路的一偏移資料碼。
如請求項11所述之系統，其中該增益校準資料用於補償該電流感測電路的一轉換函數直線的一斜率。
如請求項8所述之系統，其中該第一校準電流、該第一理想數位碼、該第二校準電流、該第二理想數位碼、該第三校準電流及該第三理想數位碼是預先決定的，並保存於該處理器的一記憶體中。
一種旋轉機構，適於連接一螢幕，該旋轉機構包括： <br/>一固定座，包括一本體及一滑槽，該滑槽設置於該本體； <br/>一第一連桿，包括一導引槽、一第一端及一第二端，該第一端樞接於該本體，該第二端對應於該滑槽，該導引槽位於該第二端； <br/>一第二連桿，適於連接該螢幕，並包括一第三端及一第四端，該第三端具有一樞接部，該樞接部穿過該第一連桿的該導引槽且設置於該滑槽，並能夠於該滑槽中滑動； <br/>一第三連桿，包括一第五端及一第六端，該第五端樞接該第二連桿的該第四端，該第六端樞接該固定座的該本體；以及 <br/>一驅動件，連接該第一連桿的該第一端，該驅動件適於帶動該第一連桿轉動，使該第一連桿帶動該第二連桿的該樞接部於該導引槽及該滑槽中移動且使該第三連桿的該第六端樞轉，從而使該螢幕相對該固定座旋轉及移動呈一橫向狀態或一直立狀態。
如請求項1所述的旋轉機構，其中該第二連桿的該樞接部適於在該滑槽的一第一位置與一第二位置移動，當該驅動件帶動該第一連桿轉動並連動該第二連桿由該第一位置轉動至該第二位置時，該螢幕由該橫向狀態移動至該直立狀態。
如請求項2所述的旋轉機構，其中當該第二連桿的該樞接部在該滑槽的該第一位置時，該第一連桿的延伸方向與一水平軸線之間具有一夾角，且該第二連桿的延伸方向與該水平軸線平行，並與該滑槽的延伸方向垂直。
如請求項2所述的旋轉機構，其中當該第二連桿的該樞接部在該滑槽的該第二位置時，該第一連桿的延伸方向與一水平軸線之間具有一夾角，且該第二連桿的延伸方向與該滑槽的延伸方向平行，並與該水平軸線垂直。
一種車輛，包括： <br/>一儀表台； <br/>一螢幕；以及 <br/>一旋轉機構，設置於該儀表台，該旋轉機構包括： <br/>一固定座，包括一本體及一滑槽，該滑槽設置於該本體； <br/>一第一連桿，包括一導引槽、一第一端及一第二端，該第一端樞接於該本體，該第二端對應於該滑槽，該導引槽位於該第二端； <br/>一第二連桿，連接該螢幕並包括一第三端及一第四端，該第三端具有一樞接部，該樞接部穿過該第一連桿的該導引槽且設置於該滑槽，並能夠於該滑槽中滑動； <br/>一第三連桿，包括一第五端及一第六端，該第五端樞接該第二連桿的該第四端，該第六端樞接該固定座的該本體；及 <br/>一驅動件，連接該第一連桿的該第一端，該驅動件適於帶動該第一連桿轉動，使該第一連桿帶動該第二連桿的該樞接部於該導引槽及該滑槽中移動且使該第三連桿的該第六端樞轉，從而使該螢幕相對該固定座旋轉及移動呈一橫向狀態或一直立狀態。
如請求項5所述的車輛，其中該滑槽沿一軸線延伸，該螢幕具有一長邊，當該螢幕呈橫向狀態時，該軸線與該長邊的延伸方向垂直。
如請求項5所述的車輛，其中該第二連桿的該樞接部適於在該滑槽的一第一位置與一第二位置移動，當該驅動件帶動該第一連桿轉動並連動該第二連桿由該第一位置轉動至該第二位置時，該螢幕由該橫向狀態移動至該直立狀態。
如請求項7所述的車輛，其中當該樞接部在該滑槽的該第一位置時，該第一連桿的延伸方向與一水平軸線之間具有一夾角，且該第二連桿的延伸方向與該水平軸線平行，並與該滑槽的延伸方向垂直。
如請求項7所述的車輛，其中當該樞接部在該滑槽的該第二位置時，該第一連桿的延伸方向與一水平軸線之間具有一夾角，且該第二連桿的延伸方向與該滑槽的延伸方向平行，並與該水平軸線垂直。
如請求項5所述的車輛，其中該儀表台的表面具有一槽孔，該槽孔對應該第二連桿的移動路徑而設置。
一種基板處理方法，其處理形成有圖案之基板，且具備： <br/>處理液供給工序，其將包含昇華性物質及溶劑之處理液供給至上述基板； <br/>固化膜形成工序，其使上述溶劑從上述基板上之上述處理液中蒸發，而於上述基板上形成包含上述昇華性物質之固化膜；以及 <br/>昇華工序，其使上述固化膜昇華；且 <br/>上述昇華性物質包含N-甲基-對甲苯磺醯胺、2-甲基-8-羥喹啉及N-第三丁基丙烯醯胺中之至少一者。
如請求項1之基板處理方法，其中 <br/>上述溶劑為異丙醇。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>基板保持部，其保持基板；及 <br/>處理液供給部，其向由上述基板保持部所保持之上述基板供給包含昇華性物質及溶劑之處理液；且 <br/>上述昇華性物質包含N-甲基-對甲苯磺醯胺、2-甲基-8-羥喹啉及N-第三丁基丙烯醯胺中之至少一者。
如請求項3之基板處理裝置，其中 <br/>上述溶劑為異丙醇。
一種處理液，其用於形成有圖案之基板之乾燥，且 <br/>上述處理液包含： <br/>昇華性物質；及 <br/>溶劑；且 <br/>上述昇華性物質包含N-甲基-對甲苯磺醯胺、2-甲基-8-羥喹啉及N-第三丁基丙烯醯胺中之至少一者。
如請求項5之處理液，其中 <br/>上述溶劑為異丙醇。
如請求項5之處理液，其中 <br/>上述處理液被供給至上述基板，上述溶劑從上述基板上之處理液中蒸發，包含上述昇華性物質之固化膜形成於上述基板上，其後，上述固化膜昇華。
一種堆疊組件，包含：<br/>一玻璃元件，具有從25 μm至125 μm之一厚度，一第一主表面及一第二主表面，該玻璃元件進一步包含：(a) 一第一玻璃層，具有一第一主表面；及(b) 一壓縮應力區域，從該玻璃層的該第一主表面延伸至在該玻璃層中的一第一深度，該區域藉由在該層的該第一主表面處的至少100 MPa之一壓縮應力而界定；<br/>一玻璃結構，具有大於該玻璃元件的該厚度的一厚度，及兩個實質上平行的邊緣表面，其中該玻璃元件安排在該結構的一中心區域中介於該等實質上平行的邊緣表面，其中該玻璃結構為接合至該玻璃元件的一獨立部件。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃層包含一無鹼金屬或含鹼金屬矽酸鹽玻璃組成物。
如請求項1至2任一項所述之堆疊組件，其中該玻璃層包含一無鹼金屬或含鹼金屬鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽或硼鋁矽酸鹽。
如請求項1所述之堆疊組件，其中在該玻璃層的該第一主表面處的該壓縮應力為從600 MPa至1000 MPa。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該第一深度從該玻璃層的該第一主表面設定於該玻璃層的該厚度的三分之一處或更少。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該第一深度從該玻璃層的該第一主表面設定於該玻璃層的該厚度的20%處或更少。
如請求項1所述之堆疊組件，進一步包含：一第二層，具有一低摩擦係數佈置於該玻璃元件的該第一主表面上。
如請求項7所述之堆疊組件，其中該第二層為一塗層，包含從以下構成之群組所選擇之氟碳材料：熱塑性塑膠及非晶形氟碳化合物。
如請求項7所述之堆疊組件，其中該第二層為一塗層，包含從以下構成之群組之一或更多者：一聚矽氧樹脂、一蠟、一聚乙烯、一熱端、一聚對二甲苯及一類金剛石塗層製劑。
如請求項7所述之堆疊組件，其中該第二層為一塗層，包含從以下構成之群組所選擇之一材料：氧化鋅、二硫化鉬、二硫化鎢、六方晶系氮化硼及鋁鎂硼化物。
如請求項7所述之堆疊組件，其中該第二層為一塗層，包含從以下構成之群組所選擇之一添加物：氧化鋅、二硫化鉬、二硫化鎢、六方晶系氮化硼及鋁鎂硼化物。
如請求項7所述之堆疊組件，其中該玻璃元件及具有一低摩擦係數的該第二層係佈置於一顯示裝置中。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該壓縮應力區域包含在該玻璃層之該第一主表面處的5 μm或更小的一最大瑕疵大小。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該壓縮應力區域包含複數個可離子交換金屬離子及複數個經離子交換金屬離子，該等經離子交換金屬離子具有大於該等可離子交換金屬離子之原子半徑的一原子半徑。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃層進一步包含一邊緣，且該玻璃元件進一步包含從該邊緣延伸至在該玻璃層中的一邊緣深度的一邊緣壓縮應力區域，該邊緣壓縮應力區域藉由在該邊緣處的至少約100 MPa之一壓縮應力而界定。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃元件進一步包含佈置於該第一玻璃層下方的一或更多額外玻璃層。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃元件之特徵在於：(a) 當該元件在約25℃及約50%相對濕度下以約3 mm至約20 mm之一彎曲半徑固持至少60分鐘時，不存在斷裂；(b) 當藉由以下者支撐該元件之該第二主表面時，大於約1.5 kgf之一耐擊穿性：(i) 具有小於約1 GPa之一彈性模數的一25 μm厚壓敏黏著劑及(ii) 具有小於約10 GPa之一彈性模數的一50 μm厚聚對苯二甲酸乙二酯層，且該元件之該第一主表面由具有1.5 mm的一直徑之一碳化鎢磨球加載。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃元件之特徵在於：(a) 當該元件在約25℃及約50%相對濕度下以約1 mm至約10 mm之一彎曲半徑固持至少60分鐘時，不存在斷裂；(b) 當藉由以下者支撐該元件之該第二主表面時，大於約1.5 kgf之一耐擊穿性：(i) 具有小於約1 GPa之一彈性模數的一25 μm厚壓敏黏著劑及(ii) 具有小於約10 GPa之一彈性模數的一50 μm厚聚對苯二甲酸乙二酯層，且該元件之該第一主表面由具有1.5 mm的一直徑之一碳化鎢磨球加載。
如請求項1所述之堆疊組件，該玻璃元件包含大於8H之一鉛筆硬度。
如請求項1所述之堆疊組件，其中當該玻璃元件之該第一主表面經受來自一維氏壓頭之一1 kgf負載時，於該第一主表面中引入≤100微米之一瑕疵。
如請求項1所述之堆疊組件，其中當該玻璃元件之該第一主表面經受來自一維氏壓頭之一2 kgf負載時，於該第一主表面中引入≤100微米之一瑕疵。
如請求項1所述之堆疊組件，該玻璃元件具有550 kgf/mm2至650 kgf/mm2之一維氏硬度。
如請求項1所述之堆疊組件，其中該玻璃元件在與以10gf加載的一立體角金剛石壓頭接觸之後具有大於800 MPa之一保持B10彎曲強度。
如請求項1所述之堆疊組件，其包含F/w ≤ 0.76 N/mm，其中F為將該玻璃元件置於一目標彎曲半徑之閉合力，且w為該玻璃元件在平行於該玻璃元件圍繞其彎曲之軸線之一方向上的尺寸。
一種喜樹鹼結合物之用途，其係用於製備治療個體之癌症之藥物，其中該喜樹鹼結合物具有下式 <br/>L-(Q-D)<sub>p </sub><br/>或其鹽，其中 <br/>L為配位子單元； <br/>下標p為在1至16範圍內之整數； <br/>Q為連接子單元，其具有選自由以下組成之群之式： <br/>-Z-A-RL-、-Z-A-RL-Y-、-Z-A-S<sup>*</sup>-RL-、-Z-A-S<sup>*</sup>-RL-Y-、 <br/>-Z-A-B(S<sup>*</sup>)-RL- <br/>及-Z-A-B(S<sup>*</sup>)-RL-Y-， <br/>其中Z為延伸子單元； <br/>A為鍵或連結子單元； <br/>B為並聯連結子單元； <br/>S<sup>*</sup>為分隔劑； <br/>RL為可釋放連接子，其中該可釋放連接子為葡萄糖醛酸苷單元； <br/>Y為間隔子單元；及 <br/>D為選自由如下CPT4、CPT6及CPT7組成之群的藥物單元： <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="140px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="131px" width="152px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="136px" width="141px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中 <br/>R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之其中一者係選自由以下組成之群：-H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷胺基)-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i><i>,</i><i>N</i>-(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥烷基)(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-胺基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i><i>,</i><i>N</i>-二(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)胺基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i>-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥烷基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基C(O)-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>羥烷基-C(O)-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基C(O)-、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>雜環烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub><sub/>雜環烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、苯基、苯基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、二苯基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、雜芳基及雜芳基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-，其中R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之環烷基、雜環烷基、苯基及雜芳基部分經0至3個選自由鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-OH、-OC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基及-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>組成之群的取代基取代，且 <br/>R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之另一者係與CPT6之共價連接點；及 <br/>其中與CPT4之共價連接點係經由其胺基官能基之氮原子；及 <br/>其中與CPT7之共價連接點係經由其第一羥基官能基之氧原子。
如請求項<b>1</b>之用途，其中該葡萄糖醛酸苷單元具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="93px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>Su為己醣型單醣； <br/>O'表示能夠藉由醣苷酶裂解之醣苷鍵的氧原子； <br/>用單一星號(<sup>*</sup>)標示之波浪線指示當Y存在時與Y之共價連接位點或當Y不存在時與D之共價連接位點；及 <br/>用雙重星號(<sup>**</sup>)標示之波浪線指示與Q之其餘部分的共價連接位點。
如請求項<b>1</b><b>或</b><b>2</b>之用途，其中該葡萄糖醛酸苷單元係： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="56px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與D之共價連接點； <br/>及用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>1</b><b>或</b><b>2</b>之用途，其中-Z-具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="68px" file="ed10305.jpg" alt="ed10305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="87px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="80px" width="105px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與A之共價連接點； <br/>用三重星號(***)標示之波浪線指示與L之硫原子之共價連接點；及 <br/>R<sup>17</sup>為-C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基-C(=O)-，其視情況經-(CH<sub>2</sub>)<sub>x</sub>NH<sub>2</sub>取代，其中X為1至4之整數。
如請求項<b>1</b><b>或</b><b>2</b>之用途，其中-A-為具有下式之連結子單元： <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="32px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與Z之共價連接點； <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點； <br/>R<sup>100</sup>為及R<sup>111</sup>各自獨立為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；及 <br/>c為1至5之整數。
如請求項<b>5</b>之用途，其中-A-具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="40px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與Z之共價連接點；及 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>1</b><b>或</b><b>2</b>之用途，其中-Z-A-具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="75px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與L之共價連接點；及 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>1</b><b>或</b><b>2</b>之用途，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="96px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中波浪線指示與L的共價連接點。
如請求項<b>1</b>之用途，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="122px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與L的共價連接點。
如請求項<b>1</b>之用途，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="122px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="105px" width="122px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與L的共價連接點。
一種醫藥學上可接受之組合物，其包含喜樹鹼結合物或其鹽，及至少一種醫藥學上可接受之賦形劑，其中該喜樹鹼結合物具有下式 <br/>L-(Q-D)<sub>p </sub><br/>或其鹽，其中 <br/>L為配位子單元； <br/>下標p為在1至16範圍內之整數； <br/>Q為連接子單元，其具有選自由以下組成之群之式： <br/>-Z-A-RL-、-Z-A-RL-Y-、-Z-A-S<sup>*</sup>-RL-、-Z-A-S<sup>*</sup>-RL-Y-、-Z-A-B(S<sup>*</sup>)-RL-及-Z-A-B(S<sup>*</sup>)-RL-Y-， <br/>其中Z為延伸子單元； <br/>A為鍵或連結子單元； <br/>B為並聯連結子單元； <br/>S<sup>*</sup>為分隔劑； <br/>RL為可釋放連接子，其中該可釋放連接子為葡萄糖醛酸苷單元； <br/>Y為間隔子單元；及 <br/>D為選自由如下CPT4、CPT6及CPT7組成之群的藥物單元： <br/><img align="absmiddle" height="103px" width="140px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="131px" width="152px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="136px" width="141px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中 <br/>R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之其中一者係選自由以下組成之群：-H、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基、(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷胺基)-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i><i>,</i><i>N</i>-(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥烷基)(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)-胺基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i><i>,</i><i>N</i>-二(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)胺基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基-、<i>N</i>-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥烷基-C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基C(O)-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>羥烷基-C(O)-、C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>胺基烷基C(O)-、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>雜環烷基、(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub><sub/>雜環烷基)-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、苯基、苯基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、二苯基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-、雜芳基及雜芳基-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基-，其中R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之環烷基、雜環烷基、苯基及雜芳基部分經0至3個選自由鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-OH、-OC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、-NH<sub>2</sub>、-NHC<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基及-N(C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基)<sub>2</sub>組成之群的取代基取代，且 <br/>R<sup>F</sup>及R<sup>F</sup><sup>'</sup>之另一者係與CPT6之共價連接點；及 <br/>其中與CPT4之共價連接點係經由其胺基官能基之氮原子；及 <br/>其中與CPT7之共價連接點係經由其第一羥基官能基之氧原子。
如請求項<b>11</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中該葡萄糖醛酸苷單元具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="93px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>Su為己醣型單醣； <br/>O'表示能夠藉由醣苷酶裂解之醣苷鍵的氧原子； <br/>用單一星號(<sup>*</sup>)標示之波浪線指示當Y存在時與Y之共價連接位點或當Y不存在時與D之共價連接位點；及 <br/>用雙重星號(<sup>**</sup>)標示之波浪線指示與Q之其餘部分的共價連接位點。
如請求項<b>11</b><b>或</b><b>1</b><b>2</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中該葡萄糖醛酸苷單元係： <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="56px" file="ed10304.jpg" alt="ed10304.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與D之共價連接點； <br/>及用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>11</b><b>或</b><b>1</b><b>2</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-Z-具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="68px" file="ed10305.jpg" alt="ed10305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="87px" file="ed10306.jpg" alt="ed10306.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="80px" width="105px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與A之共價連接點； <br/>用三重星號(***)標示之波浪線指示與L之硫原子之共價連接點；及 <br/>R<sup>17</sup>為-C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>伸烷基-C(=O)-，其視情況經-(CH<sub>2</sub>)<sub>x</sub>NH<sub>2</sub>取代，其中X為1至4之整數。
如請求項<b>11</b><b>或</b><b>1</b><b>2</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-A-為具有下式之連結子單元： <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="32px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與Z之共價連接點； <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點； <br/>R<sup>100</sup>為及R<sup>111</sup>各自獨立為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；及 <br/>c為1至5之整數。
如請求項<b>1</b><b>5</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-A-具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="40px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與Z之共價連接點；及 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>11</b><b>或</b><b>1</b><b>2</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-Z-A-具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="75px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中 <br/>用單一星號(*)標示之波浪線指示與L之共價連接點；及 <br/>用雙重星號(**)標示之波浪線指示與Q之其餘部分之共價連接點。
如請求項<b>11</b><b>或</b><b>1</b><b>2</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="60px" width="96px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中波浪線指示與L的共價連接點。
如請求項<b>11</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="104px" width="122px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與L的共價連接點。
如請求項<b>11</b>之醫藥學上可接受之組合物，其中-Q-D具有以下結構： <br/><img align="absmiddle" height="111px" width="122px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="105px" width="122px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中用單一星號(*)標示之波浪線指示與L的共價連接點。
如請求項<b>1</b><b>、</b><b>2</b><b>、</b><b>9</b><b>及</b><b>10</b><b>中任一項</b>之用途，其中L為抗體其特異性結合選自由CD19、CD30、CD33、CD70及LIV-1組成之群的抗原。
如請求項<b>1</b><b>、</b><b>2</b><b>、</b><b>9</b><b>及</b><b>10</b><b>中任一項</b>之用途，其中L為特異性結合CD30抗原之抗體。
如請求項<b>22</b>之用途，其中該抗體為cAC10。
如請求項<b>1</b><b>、</b><b>2</b><b>、</b><b>9</b><b>及</b><b>10</b><b>中任一項</b>之用途，其中該癌症選自由淋巴瘤、白血病及實體腫瘤組成之群。
如請求項<b>24</b>之用途，其中該癌症為淋巴瘤或白血病。
一種積體裝置，包括：<br/> 基板，具有第一側和第二側；<br/> 畫素陣列，在所述基板的所述第一側上；<br/> 深溝渠隔離（DTI）結構，包圍所述畫素陣列的光電二極體，所述DTI結構包括包圍導電芯子的絕緣阻障層；<br/> 內連線結構，在所述基板的所述第二側上；<br/> 導電接墊，位於所述基板的所述第二側中，並耦合至所述內連線結構；以及<br/> 第一連接件，將所述導電接墊耦合至所述DTI結構的所述導電芯子並沿所述基板的所述第一側延伸。
如請求項1所述的積體裝置，更包括格柵層，上覆所述DTI結構，其中所述格柵層包括格柵，所述格柵具有直接在所述DTI結構上方延伸跨過所述基板的所述第一側的格柵圖案。
如請求項2所述的積體裝置，其中所述第一連接件透過所述格柵耦合至所述DTI結構的所述導電芯子，或直接耦合到所述DTI結構中的所述導電芯子並且延伸穿過所述格柵層。
如請求項2所述的積體裝置，其中所述格柵層更包括基板接地結構，圍繞所述格柵的外圍延伸，其中所述基板接地結構包括延伸到所述基板中的一個或多個插腳。
如請求項2所述的積體裝置，其中所述格柵層包括導電遮罩，所述導電遮罩在所述DTI結構和所述導電接墊之間延伸，其中所述導電遮罩和所述格柵齊平，並且與所述基板間隔所述絕緣阻障層。
如請求項2所述的積體裝置，其中所述格柵具有直接接觸並覆蓋所述DTI結構的上表面的下表面。
一種積體裝置，包括：<br/> 第一基板，包括第一側和第二側；內連線結構，在所述第一基板的所述第二側上；<br/> 準位移位電路，在第二基板上，耦合至所述內連線結構；<br/> 深溝渠隔離（DTI）結構，在所述第一基板的所述第一側上；<br/> 導電接墊，位於所述第一基板中並靠近所述第一基板的所述第二側，並耦合至所述內連線結構；以及<br/> 第一連接件，透過所述內連線結構及所述導電接墊將所述DTI結構耦合到所述準位移位電路。
如請求項7所述的積體裝置，其中所述DTI結構包括導電芯子和絕緣阻障層，所述絕緣阻障層將所述導電芯子與所述DTI結構分開。
如請求項8所述的積體裝置，其中所述絕緣阻障層包括第一絕緣阻障層，所述第一絕緣阻障層接觸所述第一基板和所述導電芯子兩者。
一種形成積體裝置的方法，包括：<br/> 在第一基板上形成內連線結構；<br/> 蝕刻第一多個開口於所述第一基板的第一側中，其中所述第一基板的內側壁包圍所述第一多個開口；<br/> 將絕緣阻障層沉積在所述第一基板的第一表面上，所述絕緣阻障層與所述第一基板所述內側壁共形；<br/> 在所述第一多個開口內形成導電芯子，從而在所述第一多個開口內形成深溝渠隔離（DTI）結構；<br/> 蝕刻接墊開口，所述接墊開口穿過所述第一基板；<br/> 在所述接墊開口中蝕刻接墊接觸開口，所述接墊接觸開口露出所述內連線結構；<br/> 將導電導線層沉積於所述第一基板上方並沉積於所述接墊接觸開口中；以及<br/> 圖案化所述導電導線層，以形成導電接墊和導電導線，所述導電導線耦合所述內連線結構至所述DTI結構。
一種收合保持機構（20），用於將嬰兒車的車架（1）保持在收合狀態，所述收合保持機構（20）位於所述嬰兒車的所述車架（1）上，其中，所述收合保持機構（20）包括：<br/> 一收合鈎（22），其能夠在鎖定位置和釋鎖位置之間切換；和<br/> 一卡合部（21），其用於卡合所述收合鈎（22）；<br/> 其中，當所述收合鈎（22）位於所述鎖定位置時，所述收合鈎（22）與所述卡合部（21）卡合；當所述收合鈎（22）位於所述釋鎖位置時，所述收合鈎（22）與所述卡合部（21）解除卡合，<br/> 其中，所述收合鈎（22）設置有當所述收合鈎（22）處於所述釋鎖位置時用於將所述收合鈎（22）保持在所述釋鎖位置的保持裝置（23）。
根據請求項1所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述收合鈎（22）包括：<br/> 一固定部（222），其固定設置在所述車架（1）上，和<br/> 一活動部（221），其可移動地連接至所述固定部（222），<br/> 其中，所述活動部（221）相對於所述固定部（222）移動，以使得所述收合鈎（22）在所述鎖定位置和所述釋鎖位置之間切換。
根據請求項2所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述活動部（221）可樞轉地連接至所述固定部（222），以在所述鎖定位置和所述釋鎖位置之間樞轉。
根據請求項3所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述保持裝置（23）包括：<br/> 一凸台（2215），其設置在所述固定部（222）和所述活動部（221）的其中一者上；和<br/> 一第一凹槽（2225），其設置在所述固定部（222）和所述活動部（221）的另一者上，<br/> 其中，當所述活動部（221）相對於所述固定部（222）樞轉至使得所述凸台（2215）卡合所述第一凹槽（2225）時，所述固定部（222）將所述活動部（221）保持在所述釋鎖位置。
根據請求項3所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述活動部（221）設置有第一頂推部（2211），所述第一頂推部（2211）配置為：<br/> 在所述活動部（221）位於所述鎖定位置的情況下，在所述車架（1）從展開狀態切換至所述收合狀態的過程中，所述卡合部（21）頂推所述第一頂推部（2211），使得所述活動部（221）樞轉至脫離所述鎖定位置，和/或，<br/> 所述活動部（221）設置有第二頂推部（2213），所述第二頂推部（2213）配置為：<br/> 在所述活動部（221）位於所述釋鎖位置的情況下，當所述車架（1）從展開狀態切換至所述收合狀態時，所述卡合部（21）頂推所述第二頂推部（2213），使得所述活動部（221）樞轉至所述鎖定位置。
根據請求項3所述的收合保持機構（20），其中，所述活動部（221）設置有第二頂推部（2213），所述第二頂推部（2213）配置為：在所述活動部（221）位於所述釋鎖位置的情況下，當所述車架（1）從展開狀態切換至所述收合狀態時，所述卡合部（21）頂推所述第二頂推部（2213），使得所述活動部（221）樞轉至所述鎖定位置，<br/> 所述固定部（222）設置有限位部（2222）， <br/> 當所述活動部（221）樞轉至所述鎖定位置時，所述限位部（2222）與所述第二頂推部（2213）抵接。
根據請求項4所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述保持裝置（23）還包括：與所述第一凹槽（2225）間隔設置的第二凹槽（2226），<br/> 其中，當所述活動部（221）相對於所述固定部（222）樞轉至使得所述凸台（2215）卡合所述第二凹槽（2226）時，所述活動部（221）被保持在所述鎖定位置，或者，<br/> 所述凸台（2215）內側的彎曲半徑大於所述凸台（2215）的外側的彎曲半徑，或者，<br/> 所述第一凹槽（2225）設置在所述活動部（221）上，所述活動部（221）在所述第一凹槽（2225）旁設置有若干形變槽（2216）。
根據請求項2所述的收合保持機構（20），其中，所述收合保持機構（20）還包括：一第一彈性件（223），其設置所述固定部（222）和所述活動部（221）之間，所述第一彈性件（223）向所述活動部（221）提供朝向所述鎖定位置的偏壓力，所述偏壓力小於所述保持裝置（23）將所述收合鈎（22）保持在所述釋鎖位置所提供的保持力。
根據請求項2所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述活動部（221）可滑動地連接至所述固定部（222），以在所述鎖定位置和所述釋鎖位置之間滑動。
根據請求項9所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述固定部（222）設置有滑軌（400），所述活動部（221）設置有與所述滑軌（400）配合的滑槽（300），所述滑槽（300）套設在所述滑軌（400）上，以將所述活動部（221）可滑動地連接至所述固定部（222）。
根據請求項10所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述滑軌（400）的第一端設置有限位凸（410），所述限位凸（410）適於抵接所述活動部（221），以防止所述活動部（221）從所述滑軌（400）的所述第一端脫離所述滑軌（400）。
根據請求項10所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述滑軌（400）設置有第一定位凹（420）和第二定位凹（430），所述滑槽（300）設置有定位凸（320），當所述活動部（221）滑動至使得所述定位凸（320）接合所述第一定位凹（420）時，所述活動部（221）位於所述鎖定位置，當所述活動部（221）滑動至使得所述定位凸（320）接合所述第二定位凹（430）時，所述活動部（221）位於所述釋鎖位置；或者，<br/> 所述滑軌（400）設置第二定位凹（430），所述滑槽（300）設置有定位凸（320），當所述活動部（221）滑動至使得所述定位凸（320）接合所述第二定位凹（430）時，所述活動部（221）位於所述釋鎖位置，所述收合保持機構（20）還包括有第二彈性件（500），所述第二彈性件（500）將所述活動部（221）朝向遠離所述釋鎖位置的方向偏壓。
根據請求項11所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述固定部（222）設置有限位槽（2227），所述限位槽（2227）沿著所述活動部（221）的滑動方向延伸，<br/> 所述活動部（221）朝向所述限位槽（2227）的一側設置有限位舌（2217），所述限位舌（2217）突入所述限位槽（2227）中，<br/> 所述限位舌（2217）的朝向與所述滑軌（400）的所述第一端相對的所述滑軌（400）的第二端的一端設置有抵接面（22171），所述抵接面（22171）適於抵接所述限位槽（2227）的靠近所述滑軌（400）的第二端的一側，以防止所述活動部（221）從所述滑軌（400）的所述第二端脫離所述滑軌（400）。
根據請求項13所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述限位舌（2217）朝向所述滑軌（400）的所述第一端的一端設置有傾斜面（22172），<br/> 在將所述滑槽（300）套設在所述滑軌（400）上時，所述滑槽（300）从所述滑軌（400）的第二端朝向所述滑軌（400）的第一端滑動，所述滑軌（400）的所述第二端壓靠所述傾斜面（22172），所述限位舌（2217）朝向遠離所述滑軌（400）的方向偏置，當所述限位舌（2217）到達所述限位槽（2227）時，所述限位舌（2217）突入所述限位槽（2227）。
根據請求項13所述的收合保持機構（20），其中，<br/> 所述限位槽（2227）中設置有第二彈性件（500），所述第二彈性件（500）設置在所述抵接面（22171）與所述限位槽（2227）的靠近所述滑軌（400）的第二端的一側之間，所述第二彈性件（500）將所述抵接面（22171）朝向所述鎖定位置偏壓。
一種半導體模組，包括：<br/> 中介層，包括主動局部矽互連（LSI）晶粒以及上部重佈線層（RDL）結構，其中所述上部RDL結構位於所述LSI晶粒上，且所述主動LSI晶粒包括輸入/輸出（I/O）介面；<br/> 第一半導體晶粒，位於所述中介層上，其中所述第一半導體晶粒包括透過所述上部RDL結構耦合到所述主動LSI晶粒的所述I/O介面的I/O介面，且所述第一半導體晶粒的所述I/O介面位於所述主動LSI晶粒的所述I/O介面之上；以及<br/> 多個第二半導體晶粒，與所述中介層上的所述第一半導體晶粒相鄰並且透過所述主動LSI晶粒耦合至所述第一半導體晶粒。
如請求項1所述的半導體模組，其中所述第一半導體晶粒和所述多個第二半導體晶粒位於所述主動LSI晶粒之上。
如請求項1所述的半導體模組，其中所述第一半導體晶粒包括系統晶片（SoC）晶粒、中央處理單元（CPU）晶粒或圖形處理單元（GPU）晶粒中的一者，且所述多個第二半導體晶粒包括高頻寬記憶體（HBM）晶粒。
如請求項1所述的半導體模組，其中所述主動LSI晶粒包括HBM實體層，且所述多個第二半導體晶粒包括耦合到所述主動LSI晶粒的所述HBM實體層的HBM實體層。
如請求項1所述的半導體模組，其中所述多個第二半導體晶粒包括所述多個第二半導體晶粒的陣列，所述陣列包括：<br/> 所述多個第二半導體晶粒的第一右行和所述多個第二半導體晶粒的第一左行，位於所述主動LSI晶粒之上並透過所述主動LSI晶粒耦合至所述第一半導體晶粒；以及<br/> 所述多個第二半導體晶粒的第二右行和所述多個第二半導體晶粒的第二左行，分別相鄰於所述多個第二半導體晶粒的所述第一右行和所述多個第二半導體晶粒的所述第一左行，其中所述多個第二半導體晶粒的所述第二右行和所述多個第二半導體晶粒的所述第二左行位於所述主動LSI晶粒之上並且透過所述主動LSI晶粒耦合到所述第一半導體晶粒。
一種形成半導體模組的方法，包括：<br/> 將主動局部矽互連（LSI）晶粒附接到承載基底；<br/> 在所述主動LSI晶粒周圍形成模塑材料層；<br/> 在所述主動LSI晶粒和所述模塑材料層上形成上部重佈線層（RDL）結構；<br/> 將第一半導體晶粒附接至所述上部RDL結構，其中將所述第一半導體晶粒附接到所述上部RDL結構包括將所述第一半導體晶粒的I/O介面設置在所述主動LSI晶粒的I/O介面之上，以及將所述第一半導體晶粒的所述I/O介面透過所述上部RDL結構耦合到所述主動LSI晶粒的所述I/O介面；以及<br/> 將多個第二半導體晶粒附接至所述上部RDL結構，使得所述多個第二半導體晶粒透過所述主動LSI晶粒耦合至所述第一半導體晶粒。
如請求項6所述的形成半導體模組的方法，其中將所述第一半導體晶粒附接到所述上部RDL結構包括將所述第一半導體晶粒設置在所述主動LSI晶粒之上，並且將所述多個第二半導體晶粒附接到所述上部RDL結構包括將所述多個第二半導體晶粒設置在所述主動LSI晶粒之上。
如請求項6所述的形成半導體模組的方法，其中，將所述多個第二半導體晶粒附接到所述上部RDL結構包括將所述多個第二半導體晶粒的HBM實體層設置在所述主動LSI晶粒的HBM實體層之上，並且透過所述上部RDL結構將所述多個第二半導體晶粒的所述HBM實體層耦合到所述主動LSI晶粒的所述HBM實體層。
一種半導體模組，包括：<br/> 中介層包括：<br/> 下部重佈線層（RDL）結構；<br/> 中介層模塑部分，位於所述下部RDL結構上，包括：<br/> 中介層通孔（TIV）；以及<br/> 主動局部矽互連（LSI）晶粒，包括主動裝置並包括記憶體控制器及輸入/輸出（I/O）介面；以及<br/> 上部RDL結構，位於所述中介層模塑部分上；<br/> 第一半導體晶粒，位於所述中介層上並透過所述上部RDL結構和所述TIV耦合至所述下部RDL結構，其中所述第一半導體晶粒包括透過所述上部RDL結構耦合到所述主動LSI晶粒的所述I/O介面的I/O介面，且所述第一半導體晶粒的所述I/O介面位於所述主動LSI晶粒的所述I/O介面之上；以及<br/> 多個第二半導體晶粒，與在所述中介層上的所述第一半導體晶粒相鄰並且耦合到所述主動LSI晶粒中的所述記憶體控制器。
如請求項9所述的半導體模組，其中所述中介層更包括被動LSI晶粒，並且所述第一半導體晶粒和所述多個第二半導體晶粒耦合到所述被動LSI晶粒。
一種軟性線路基板，包含：<br/>一基膜，具有一對彼此相對的側邊；<br/>多條導線，間隔地並列且設置在所述基膜上；<br/>一傳輸信號接墊，設置在所述基膜上，且位於所述一對側邊其中一個與所述多條導線之間；<br/>一導電結構，設置在所述基膜、所述多條導線和所述傳輸信號接墊上，且電性連接所述多條導線其中至少一條及所述傳輸信號接墊；<br/>一覆蓋膜，設置在所述基膜上，且覆蓋所述多條導線、所述導電結構和所述傳輸信號接墊；以及<br/>一採集信號接墊，設置在所述基膜及所述覆蓋膜之間，且位於所述一對側邊其中一個與所述多條導線之間，其中所述採集信號接墊電性連接所述傳輸信號接墊；<br/>其中所述多條導線分別具有多個截斷孔，所述導電結構未覆蓋所述多個截斷孔；<br/>其中所述覆蓋膜延伸至所述多個截斷孔內，並與所述基膜接觸。
如請求項1所述的軟性線路基板，還包含：<br/>一熔斷線，設置在所述基膜及所述覆蓋膜之間，且連接所述傳輸信號接墊和所述採集信號接墊。
如請求項2所述的軟性線路基板，還包含：<br/>一修補線，設置在所述基膜及所述覆蓋膜之間，其中所述修補線鄰近所述熔斷線且不接觸所述熔斷線，所述修補線連接所述傳輸信號接墊和所述採集信號接墊中其中一個。
如請求項1所述的軟性線路基板，其中所述導電結構為一異方性導電膜或一錫膏。
一種軟性扁平排線，包含：<br/>一第一軟性線路基板，包含：<br/>一第一基膜，具有一對彼此相對的第一側邊；<br/>多條第一導線，間隔地並列且設置在所述第一基膜上；<br/>一第一傳輸信號接墊，設置在所述第一基膜上，且位於所述一對第一側邊其中一個與所述多條第一導線之間；<br/>一第一導電結構，設置在所述第一基膜、所述多條第一導線和所述第一傳輸信號接墊上，且電性連接所述多條第一導線其中至少一條及所述第一傳輸信號接墊；<br/>一第一採集信號接墊，設置在所述第一基膜上，且位於所述一對第一側邊其中一個與所述多條第一導線之間，其中所述第一採集信號接墊電性連接所述第一傳輸信號接墊；以及<br/>一第一覆蓋膜，設置在所述第一基膜上，且覆蓋所述多條第一導線、所述第一導電結構、所述第一傳輸信號接墊和所述第一採集信號接墊；以及<br/>一第一傳輸元件，電性連接所述第一採集信號接墊，並透過所述第一採集信號接墊而與所述第一導電結構電性導通，其中所述第一傳輸元件未覆蓋所述多條第一導線且凸出所述一對第一側邊；<br/>其中所述多條第一導線分別具有多個截斷孔，所述第一導電結構未覆蓋所述多個截斷孔；<br/>其中所述第一覆蓋膜延伸至所述多個截斷孔內，並與所述第一基膜接觸。
如請求項5所述的軟性扁平排線，還包含：<br/>一第二軟性線路基板，與所述第一軟性線路基板堆疊，所述第二軟性線路基板包含：<br/>一第二基膜，具有一對彼此相對的第二側邊；<br/>多條第二導線，間隔地並列且設置在所述第二基膜上；<br/>一第二傳輸信號接墊，設置在所述第二基膜上，且位於所述一對第二側邊其中一個與所述多條第二導線之間；<br/>一第二導電結構，設置在所述第二基膜、所述多條第二導線和所述第二傳輸信號接墊上，且電性連接所述多條第二導線其中至少一條及所述第二傳輸信號接墊；以及<br/>一第二覆蓋膜，設置在所述第二基膜上，且覆蓋所述多條第二導線、所述第二導電結構和所述第二傳輸信號接墊；<br/>其中所述一對第二側邊凸出所述一對第一側邊。
如請求項6所述的軟性扁平排線，還包含一第二傳輸元件；<br/>其中所述第二軟性線路基板還包含：<br/>一第二採集信號接墊，設置在所述第二基膜及所述第二覆蓋膜之間，且位於所述一對第二側邊其中一個與所述多條第二導線之間，其中所述第二採集信號接墊電性連接所述第二傳輸信號接墊，所述第二採集信號接墊與所述第一採集信號接墊不重疊；<br/>其中所述第二傳輸元件電性連接所述第二採集信號接墊，所述第二傳輸元件未覆蓋所述多條第二導線且凸出所述一對第二側邊，所述第二傳輸元件與所述第一傳輸元件不重疊。
如請求項6所述的軟性扁平排線，還包含：<br/>多個連接端子，分別設置在所述多條第一導線的端部和所述多條第二導線的端部；<br/>其中設置在所述多條第一導線的所述多個連接端子，分別與設置在所述多條第二導線的所述多個連接端子重疊。
一種藉由電腦執行的方法，具備： <br/> 藉由對預先訓練的語言模型，輸入對藉由自然語言文字列記述的評價半導體裝置的評價裝置的指示，從前述語言模型接收記述前述評價裝置的動作規格的規格資料的步驟； <br/> 前述語言模型，根據前述半導體裝置的領域知識或關於前述評價裝置的領域知識的至少一者，預先進行微調。
如請求項1記載的方法，其中，接收前述規格資料的步驟，具有： <br/> 將記述對前述評價裝置的指示的輸入文字列對前述語言模型輸入的步驟； <br/> 從前述語言模型接收對前述輸入文字列的應答的步驟； <br/> 其中， <br/> 前述語言模型，藉由分別學習記述關於前述半導體裝置的技術知識的資料與記述關於前述評價裝置的技術知識的資料，以將關於前述半導體裝置或前述評價裝置的要求作為前述輸入文字列接收後將對該要求的回答作為前述應答輸出的方式，預先實施前述微調； <br/> 輸入前述輸入文字列的步驟中，將以輸出記述對前述評價裝置的指示的資料的方式對前述語言模型要求的文字列作為前述輸入文字列輸入； <br/> 接收前述應答的步驟中，藉由前述語言模型接收基於前述微調後的結果的前述應答，從前述語言模型接收將分別關於前述半導體裝置與前述評價裝置的技術知識作為前述指示反映的前述應答。
如請求項1記載的方法，更具有：對前述語言模型實施前述微調的步驟； <br/> 實施前述微調的步驟中，作為關於前述評價裝置的技術知識，將： <br/> 前述評價裝置的操作說明書、 <br/> 前述評價裝置的機能規格書 <br/> 之中至少一者，以無教師學習使前述語言模型學習。
如請求項1記載的方法，更具有：對前述語言模型實施前述微調的步驟； <br/> 實施前述微調的步驟中，作為關於前述評價裝置的技術知識，將： <br/> 記述前述評價裝置實施的影像處理的規格的資料以無教師學習使前述語言模型學習、或將記述前述評價裝置實施的影像處理的結果的資料以有教師學習使前述語言模型學習。
如請求項1記載的方法，更具有：對前述語言模型實施前述微調的步驟； <br/> 實施前述微調的步驟中，作為關於前述半導體裝置的技術知識，將： <br/> 記述規定前述評價裝置的動作的配方中課予限制的參數項目與其限制內容的資料、 <br/> 記述前述評價裝置實施影像處理的規格的資料、 <br/> 記述作成定義前述評價裝置評價前述半導體裝置時實施的處理的評價配方的順序的測定指示書 <br/> 之中至少一者，以無教師學習使前述語言模型學習。
如請求項1記載的方法，更具有：對前述語言模型實施前述微調的步驟； <br/> 實施前述微調的步驟中，作為關於前述半導體裝置的技術知識，將： <br/> 記述作成定義前述評價裝置評價前述半導體裝置時實施的處理的評價配方的順序的測定指示書、 <br/> 記述前述半導體裝置的形狀或材料或製造條件之中至少一者的資料、 <br/> 記述在前述半導體裝置上形成的圖案形狀的佈局的資料、 <br/> 記述前述半導體裝置的材料與前述評價裝置評價前述半導體裝置時對前述半導體裝置照射的帶電粒子束之間的相互作用的資料 <br/> 之中至少一者，以有教師學習使前述語言模型學習。
如請求項6記載的方法，其中，前述有教師學習中，藉由： <br/> 將前述半導體裝置的設計資料作為對前述語言模型的輸入，將前述測定指示書作為從前述語言模型的輸出； <br/> 將前述測定指示書作為對前述語言模型的輸入，將前述評價配方作為從前述語言模型的輸出； <br/> 將前述評價裝置攝像前述半導體裝置的觀察影像時的攝像條件與前述半導體裝置的3維設計資料、或關於前述攝像條件與前述半導體裝置的材料的資訊，作為對前述語言模型的輸入，將前述評價裝置攝像到的前述半導體裝置的觀察影像作為從前述語言模型的輸出； <br/> 將前述評價裝置取得到的對前述半導體裝置的觀察影像的影像處理的過濾條件作為對前述語言模型的輸入，將前述觀察影像作為從前述語言模型的輸出 <br/> 之中至少一者，實施前述有教師學習。
如請求項1記載的方法，其中，前述語言模型，以將對前述評價裝置的指示作為文字列接收，並輸出記述前述評價裝置的動作規格的規格資料的方式，實施預先學習； <br/> 前述方法，更具有： <br/> 將前述評價裝置輸出的輸出資料或基於前述輸出資料生成的文字資料之中至少一者作為學習資料使用，實施前述語言模型的再學習的步驟； <br/> 將以對前述評價裝置評價前述半導體裝置的方式指示的自然語言的文字列，對實施前述再學習的前述語言模型輸入的步驟； <br/> 作為從前述語言模型的輸出，接收前述規格資料的步驟； <br/> 使用從前述語言模型接收到的前述規格資料使前述評價裝置動作評價前述半導體裝置的步驟； <br/> 將藉由使前述評價裝置動作的步驟得到的前述輸出資料或前述文字資料對前述再學習再供應的步驟。
如請求項8記載的方法，其中，實施前述再學習的步驟中，對前述語言模型，作為前述學習資料，藉由輸入： <br/> 以前述評價裝置評價前述半導體裝置得到的評價結果的目標值、前述規格資料、前述評價結果， <br/> ，以前述語言模型輸出使前述評價結果向前述目標值接近的前述規格資料的方式，實施前述再學習。
如請求項9記載的方法，其中，實施前述再學習的步驟中，作為前述目標值或前述評價結果，輸入： <br/> 前述評價裝置的產率的目標值或其評價結果、 <br/> 以前述評價裝置量測前述半導體裝置得到的量測值的目標值或其評價結果、 <br/> 前述評價裝置取得的前述半導體裝置的觀察影像的特徵量的目標值或其評價結果、 <br/> 前述半導體裝置中的缺陷發生機率的目標值或其評價結果 <br/> 之中至少一者。
如請求項9記載的方法，其中，實施前述再學習的步驟中，作為前述規格資料，輸入： <br/> 定義前述評價裝置評價前述半導體裝置時實施的處理的評價配方、 <br/> 前述半導體裝置中的缺陷位置的預測結果、 <br/> 前述評價裝置取得的前述半導體裝置的觀察影像為異常的情形中的異常原因與其改善策、 <br/> 將前述評價裝置輸出的前述半導體裝置的觀察影像變換成更高畫質的觀察影像的畫質改善模型、 <br/> 強調前述評價裝置輸出的前述半導體裝置的觀察影像內中包含的特定的形狀圖案的圖案強調模型 <br/> 之中至少一者。
如請求項9記載的方法，其中，前述語言模型，作為前述規格資料，輸出定義前述評價裝置評價前述半導體裝置時實施的處理的評價配方； <br/> 實施前述再學習的步驟中，藉由作為前述規格資料輸入前述語言模型輸出的前述評價配方，並輸入前述語言模型輸出前述評價配方時作為輸入使用的前述目標值與前述評價結果，使前述語言模型學習變更前述評價配方時前述評價結果會如何改變。
如請求項9記載的方法，其中，前述語言模型，將記述作成定義前述評價裝置評價前述半導體裝置時實施的處理的評價配方的順序的測定指示書，作為中間輸出而輸出； <br/> 實施前述再學習的步驟中，藉由將前述語言模型作為前述中間輸出而輸出的前述測定指示書，對前述語言模型再度輸入，以前述語言模型輸出前述規格資料的方式，實施前述再學習。
如請求項2記載的方法，其中，前述語言模型，藉由學習記述關於前述半導體裝置的技術知識的資料與記述關於前述評價裝置的技術知識的資料各者中的文字列的出現頻率，輸入與關於前述半導體裝置的技術知識或關於前述評價裝置的技術知識任一者關聯的前述輸入文字列時，在前述應答之中，反映關於前述半導體裝置的技術知識或關於前述評價裝置的技術知識之中至少一者。
如請求項1記載的方法，其中，前述語言模型，實施： <br/> 將自然語言文字列與程式作為輸入接收，輸出依照前述自然語言文字列對前述語言模型的要求改善前述程式的結果； <br/> 將自然語言文字列作為輸入接收，輸出實施前述自然語言文字列指定的處理的程式； <br/> 將自然語言文字列與前述半導體裝置的影像作為輸入接收，輸出將滿足前述自然語言文字列對前述語言模型的要求且前述影像表示的前述半導體裝置的形狀圖案適於前述評價裝置評價的前述評價裝置的參數； <br/> 將自然語言文字列與前述半導體裝置的設計資料作為輸入接收，輸出記述將滿足前述自然語言文字列對前述語言模型的要求且前述設計資料表示的前述半導體裝置適於前述評價裝置評價的前述評價裝置的參數或作成其參數的順序的測定指示書； <br/> 將自然語言文字列與前述半導體裝置的異常形狀圖案的影像作為輸入接收，輸出將滿足前述自然語言文字列對前述語言模型的要求且前述影像表示的前述異常形狀圖案適於前述評價裝置修正的前述評價裝置的參數 <br/> 之中至少一者。
一種規定藉由電腦執行的方法的程式，其中， <br/> 前述程式，使前述電腦執行： <br/> 藉由對預先訓練的語言模型，輸入對藉由自然語言文字列記述的評價半導體裝置的評價裝置的指示，從前述語言模型接收記述前述評價裝置的動作規格的規格資料的步驟； <br/> 前述語言模型，根據前述半導體裝置的領域知識及關於前述評價裝置的領域知識的至少一者，預先進行微調。
一種藉由電腦執行的方法，具備： <br/> 藉由對預先訓練的語言模型，藉由輸入記述對評價半導體裝置的第1評價裝置的動作規格、及對第2評價裝置的指示，從前述語言模型接收記述前述第2評價裝置的動作規格的規格資料的步驟； <br/> 前述語言模型，根據前述第1評價裝置的輸出資訊、與前述第2評價裝置的輸出資訊的比較資訊，進行微調。
一種藉由電腦執行的方法，具備： <br/> 對預先訓練的語言模型，輸入關於半導體裝置的設計資料的資訊、及指示在前述半導體裝置上發生的缺陷的位置資訊的預測的資訊，從前述語言模型接收關於缺陷位置的資料的步驟； <br/> 前述設計資料，包含GDS II或者OASIS檔案形式的佈局資訊； <br/> 前述語言模型，根據從前述語言模型輸出的關於缺陷位置的資料、與關於缺陷的正確位置的資料的比較資訊，進行微調。
一種藉由電腦執行的方法，具備： <br/> 藉由對預先訓練的1以上的語言模型，輸入調查半導體裝置的製造工程的異常的指示，接收關於前述異常的發生原因的資料的步驟； <br/> 前述語言模型，根據關於發生原因的文章資料、與成為該發生原因的證據的關聯資料，進行微調。
一種熱傳遞流體用組成物，係含有C<sub>9</sub>F<sub>18</sub>所示之六氟丙烯三聚物及全氟三丙胺， <br/>在熱傳遞流體用組成物中，前述C<sub>9</sub>F<sub>18</sub>所示之六氟丙烯三聚物與全氟三丙胺的合計量為80質量%以上。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其中，前述六氟丙烯三聚物含有下式(I)至(III)所示之六氟丙烯三聚物之至少1種， <br/><img align="absmiddle" height="289px" width="192px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其中，C<sub>9</sub>F<sub>18</sub>所示之六氟丙烯三聚物與全氟三丙胺的質量比為0.1：99.9至99.9至0.1。
如請求項2所述之熱傳遞流體用組成物，其中，相對於前述式(I)至(III)所示之化合物之合計量，含有未達85質量%之前述式(I)所示之化合物。
如請求項2所述之熱傳遞流體用組成物，其中，相對於前述式(I)至(III)所示之化合物之合計量，含有50質量%以上且未達85質量%之前述式(I)所示之化合物。
如請求項2所述之熱傳遞流體用組成物，其中，相對於六氟丙烯三聚物總量，式(I)所示之化合物為85質量%以上。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其為擬共沸液體。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其使用於半導體製造步驟中。
一種熱傳遞流體，係含有請求項1所述之熱傳遞流體用組成物。
如請求項9所述之熱傳遞流體，其更含有穩定劑。
如請求項9所述之熱傳遞流體，其使用於半導體製造步驟中。
一種請求項1所述之熱傳遞流體用組成物之用途，其係用於熱傳遞。
一種請求項9所述之熱傳遞流體之用途，其係用於熱傳遞。
一種熱傳遞用裝置，係具備： <br/>裝置、及 <br/>機構，其係含有請求項1所述之熱傳遞流體用組成物、或請求項9所述之熱傳遞流體，且用以將熱傳遞至前述裝置或從前述裝置傳遞熱。
如請求項14所述之熱傳遞用裝置，其中，前述裝置係為了製造半導體所使用之晶圓。
一種半導體製造裝置，係具備請求項14所述之熱傳遞用裝置。
一種熱傳遞方法，係包括下列步驟： <br/>準備裝置之步驟；及 <br/>使用請求項1所述之熱傳遞流體用組成物、或請求項9所述之熱傳遞流體，而將熱傳遞至前述裝置或從前述裝置傳遞熱之步驟。
如請求項17所述之熱傳遞方法，其中，前述裝置係為了製造半導體所使用之晶圓。
一種電子裝置(400)，包括：外殼(440)，包括：外殼部分(442)，其定義該外殼(440)之內部空間；及功能部分(446)，其與該外殼部分一體形成並配置為充當鏡子以引起該外殼(440)之該內部空間的光反射；以及自混合干涉感測器(410)，其設置在該外殼(440)之該內部空間內且包括具有配置為發射雷射光之雷射共振腔的光發射器(412)，其中，該外殼之該功能部分(446)係配置以接收由該雷射共振腔發射的雷射光並引起接收到的雷射光朝該雷射共振腔傳播返回；其中，該功能部分(446)係呈凹形；以及其中，該功能部分(446)之凹入區域(448a)係面向該光發射器(412)。
如請求項1所述之電子裝置(400)，其中，該外殼(440)係射出成型外殼；以及其中，該功能部分(446)係與該外殼部分(442)一體成形。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該功能部分(446)之該凹入區域(448a)的曲率半徑的絕對值在0.5mm至2mm範圍內。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該功能部分(446)面向該光發射器(412)的表面具有配置為增加該功能部分相對於該外殼(440)的未處理部分的反射率的表面處理。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該功能部分(446)面向該光發射器(412)的表面的表面粗糙度小於該外殼部分(442)面向該外殼(440)之該內部空間的至少一部分的表面粗糙度。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該功能部分(446)包括反射塗層(450b)，其配置為反射波長在該光發射器(412)的發射波長範圍內的光。
如請求項6所述之電子裝置(400)，其中，該反射塗層(450b)包括或由金屬材料製成。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該自混合干涉感測器(410)在該光發射器(412)和該功能部分(446)之間的光路徑中沒有透鏡。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，考慮到從該功能部分(446)指向該光發射器(412)的方向，該功能部分(446)係配置為具有位在該光發射器(412)之外的焦點。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，進一步包括：處理電路(402)，其配置為：識別由該雷射共振腔中產生的雷射光與傳播返回該雷射腔的雷射光的干涉引起的該雷射共振腔的一個或多個操作參數的變化；以及基於該識別該雷射共振腔的一個或多個操作參數的變化識別該外殼(440)上的觸碰事件(462)。
如請求項10所述之電子裝置(400)，其中，該自混合干涉感測器(410)進一步包括光感測器(414)，其配置為：產生表示該雷射共振腔中產生的雷射光的檢測訊號；以及將該檢測訊號提供至該處理電路(402)。
如請求項11所述之電子裝置(400)，其中，該處理電路(402)係配置為基於該識別該雷射共振腔的一個或多個操作參數的變化識別該外殼上的該觸碰事件(462)的一種或多種特性，其中，該觸碰事件的一種或多種特性包括：該觸碰事件的力；該觸碰事件的速度；和/或該觸碰事件的方向。
如請求項1或2所述之電子裝置(400)，其中，該外殼具有使得該外殼(440)的至少一部分可以適合該電子裝置(400)的使用者的耳朵的形狀。
一種用於電子裝置之射出成型外殼(300)，該射出成型外殼(300)包括：外殼部分(302)，其定義該射出成型外殼(300)之內部空間(304)；以及功能部分(306)，其與該外殼部分(302)一體形成，其中，該功能部分(306)係呈凹形且配置為充當鏡子以引起該射出成型外殼(300)之該內部空間(304)的光反射；其中，該功能部分(446)係呈凹形；以及其中，該功能部分(446)之凹入區域(448a)係面向光發射器(412)。
一種用於電子裝置之射出成型外殼(300)之製造方法，該方法包括：提供用於該電子裝置之外殼，其中，該外殼包括定義該外殼之內部空間的外殼部分，及與該外殼部分一體形成並配置為充當鏡子以引起該外殼之該內部空間的光反射的功能部分；以及設置在該外殼之該內部空間內的自混合干涉感測器。
一種週邊電路，包括：<br/> DQ電路，所述DQ電路包括多個判決反饋均衡（DFE）部件；以及<br/> 電阻器偏移校準（RXOC）電路，所述電阻器偏移校準（RXOC）電路包括：<br/> 振盪器，所述振盪器被配置為：<br/> 生成內部時鐘源；<br/> DQ選擇部件，所述DQ選擇部件被配置為：<br/> 選擇所述多個DFE部件中的DFE部件以用於校準；以及<br/> 輸出從所述DFE部件接收的指示偏移值的限幅器結果訊號；以及<br/> 控制邏輯，所述控制邏輯被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號將與所述DFE部件相關聯的校準訊號發送到所述DQ電路；<br/> 其中：<br/> 所述DQ選擇部件包括第一多工器（MUX）和第二MUX，<br/> 所述第一MUX被配置為選擇所述DQ電路，並且<br/> 所述第二MUX被配置為選擇所述DQ電路的所述DFE部件。
根據請求項1所述的週邊電路，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的時鐘週期的第一邊沿處接收所述限幅器結果訊號。
根據請求項2所述的週邊電路，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號來執行二分搜索，以識別用於所述DFE部件的上拉碼或下拉碼。
根據請求項3所述的週邊電路，其中，所述控制邏輯被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的所述時鐘週期的第二邊沿處將所述校準訊號發送到所述DQ電路，<br/> 其中，所述第一邊沿是上升沿或下降沿中的一個，<br/> 其中，所述第二邊沿是所述上升沿或所述下降沿中的另一個，並且<br/> 其中，所述校準訊號包括所述上拉碼或所述下拉碼。
根據請求項4所述的週邊電路，其中，所述DQ電路還被配置為：<br/> 基於在所述時鐘週期的所述第二邊沿處從所述控制邏輯接收的所述校準訊號中包括的上拉碼或下拉碼來校準所述DFE部件。
根據請求項1所述的週邊電路，其中，所述振盪器還被配置為：<br/> 接收RXOC參與訊號，<br/> 其中，回應於接收到RXOC參與命令而生成所述內部時鐘源。
根據請求項6所述的週邊電路，其中，所述振盪器被配置為：在沒有列位址選通（CAS）命令的情況下生成所述內部時鐘源。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 記憶體單元陣列；以及<br/> 週邊電路，所述週邊電路耦合到所述記憶體單元陣列，所述週邊電路包括：<br/> DQ電路，所述DQ電路包括多個判決反饋均衡（DFE）部件；以及<br/> 電阻器偏移校準（RXOC）電路，所述電阻器偏移校準（RXOC）電路包括：<br/> 振盪器，所述振盪器被配置為：<br/> 生成內部時鐘源；<br/> DQ選擇部件，所述DQ選擇部件被配置為：<br/> 選擇所述多個DFE部件中的DFE部件以用於校準；<br/> 輸出從所述DFE部件接收的指示偏移值的限幅器結果訊號；以及<br/> 控制邏輯，所述控制邏輯被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號將與所述DFE部件相關聯的校準訊號發送到所述DQ電路；<br/> 其中：<br/> 所述DQ選擇部件包括第一多工器（MUX）和第二MUX，<br/> 所述第一MUX被配置為選擇所述DQ電路，並且<br/> 所述第二MUX被配置為選擇所述DQ電路的所述DFE部件。
根據請求項8所述的記憶體裝置，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的時鐘週期的第一邊沿處接收所述限幅器結果訊號。
根據請求項9所述的記憶體裝置，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號來執行二分搜索，以識別用於所述DFE部件的上拉碼或下拉碼。
根據請求項10所述的記憶體裝置，其中，所述控制邏輯被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的所述時鐘週期的第二邊沿處將所述校準訊號發送到所述DQ電路，<br/> 其中，所述第一邊沿是上升沿或下降沿中的一個，<br/> 其中，所述第二邊沿是所述上升沿或所述下降沿中的另一個，並且<br/> 其中，所述校準訊號包括所述上拉碼或所述下拉碼。
根據請求項11所述的記憶體裝置，其中，所述DQ電路還被配置為：<br/> 基於在所述時鐘週期的所述第二邊沿處從所述控制邏輯接收的所述校準訊號中包括的上拉碼或下拉碼來校準所述DFE部件。
根據請求項8所述的記憶體裝置，其中，所述振盪器還被配置為：<br/> 接收RXOC參與訊號，<br/> 其中，回應於接收到RXOC參與命令而生成所述內部時鐘源。
根據請求項13所述的記憶體裝置，其中，所述振盪器被配置為：在沒有列位址選通（CAS）命令的情況下生成所述內部時鐘源。
一種用於由週邊電路進行電阻器偏移校準（RXOC）的方法，包括：<br/> 由RXOC電路的振盪器生成內部時鐘源；<br/> 由RXOC電路的DQ選擇部件從DQ電路的多個判決反饋均衡（DFE）部件中選擇DFE部件以用於校準；<br/> 由所述RXOC電路的所述DQ選擇部件識別與所述DFE部件相關聯的偏移值；<br/> 由所述RXOC電路的所述DQ選擇部件輸出從所述DFE部件接收的基於所述偏移值的限幅器結果訊號；以及<br/> 由所述RXOC電路的控制邏輯基於所述限幅器結果訊號將與所述DFE部件相關聯的校準訊號發送到所述DQ電路；<br/> 其中：<br/> 所述DQ選擇部件包括第一多工器（MUX）和第二MUX，<br/> 所述第一MUX被配置為選擇所述DQ電路，並且<br/> 所述第二MUX被配置為選擇所述DQ電路的所述DFE部件。
根據請求項15所述的方法，還包括：<br/> 由所述RXOC電路的所述控制邏輯在與所述內部時鐘源相關聯的時鐘週期的第一邊沿處接收所述限幅器結果訊號。
根據請求項16所述的方法，還包括：<br/> 由所述RXOC電路的所述控制邏輯基於所述限幅器結果訊號執行二分搜索，以識別用於所述DFE部件的上拉碼或下拉碼。
根據請求項17所述的方法，包括：<br/> 由所述RXOC電路的所述控制邏輯在與所述內部時鐘源相關聯的所述時鐘週期的第二邊沿處將所述校準訊號發送到所述DQ電路，<br/> 其中，所述第一邊沿是上升沿或下降沿中的一個，<br/> 其中，所述第二邊沿是所述上升沿或所述下降沿中的另一個，並且<br/> 其中，所述校準訊號包括所述上拉碼或所述下拉碼。
根據請求項18所述的方法，還包括：<br/> 由所述RXOC電路的所述DQ電路基於在所述時鐘週期的所述第二邊沿處從所述控制邏輯接收的所述校準訊號中包括的上拉碼或下拉碼來校準所述DFE部件。
根據請求項15所述的方法，還包括：<br/> 由所述RXOC電路的所述振盪器接收RXOC參與訊號，<br/> 其中，回應於接收到RXOC參與命令而生成所述內部時鐘源。
根據請求項20所述的方法，其中，所述振盪器在沒有列位址選通（CAS）命令的情況下生成所述內部時鐘源。
一種記憶體系統，包括：<br/> 記憶體裝置，所述記憶體裝置包括：<br/> 記憶體單元陣列；以及<br/> 週邊電路，所述週邊電路包括：<br/> DQ電路，所述DQ電路包括多個判決反饋均衡（DFE）部件；以及<br/> 電阻器偏移校準（RXOC）電路，所述電阻器偏移校準（RXOC）電路包括：<br/> 振盪器，所述振盪器被配置為：<br/> 生成內部時鐘源；<br/> DQ選擇部件，所述DQ選擇部件被配置為：<br/> 選擇所述多個DFE部件中的DFE部件以用於校準；<br/> 輸出從所述DFE部件接收的指示偏移值的限幅器結果訊號；以及<br/> 控制邏輯，所述控制邏輯被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號將與所述DFE部件相關聯的校準訊號發送到所述DQ電路；以及<br/> 記憶體控制器，所述記憶體控制器耦合到所述記憶體裝置，並且被配置為控制所述記憶體裝置的操作；<br/> 其中：<br/> 所述DQ選擇部件包括第一多工器（MUX）和第二MUX，<br/> 所述第一MUX被配置為選擇所述DQ電路，並且<br/> 所述第二MUX被配置為選擇所述DQ電路的所述DFE部件。
根據請求項22所述的記憶體系統，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的時鐘週期的第一邊沿處接收所述限幅器結果訊號。
根據請求項23所述的記憶體系統，其中，所述控制邏輯還被配置為：<br/> 基於所述限幅器結果訊號來執行二分搜索，以識別用於所述DFE部件的上拉碼或下拉碼。
根據請求項24所述的記憶體系統，其中，所述控制邏輯被配置為：<br/> 在與所述內部時鐘源相關聯的所述時鐘週期的第二邊沿處將所述校準訊號發送到所述DQ電路，<br/> 其中，所述第一邊沿是上升沿或下降沿中的一個，<br/> 其中，所述第二邊沿是所述上升沿或所述下降沿中的另一個，並且<br/> 其中，所述校準訊號包括所述上拉碼或所述下拉碼。
根據請求項25所述的記憶體系統，其中，所述DQ電路還被配置為：<br/> 基於在所述時鐘週期的所述第二邊沿處從所述控制邏輯接收的所述校準訊號中包括的上拉碼或下拉碼來校準所述DFE部件。
根據請求項22所述的記憶體系統，其中，所述振盪器還被配置為：<br/> 接收RXOC參與訊號，<br/> 其中，回應於接收到RXOC參與命令而生成所述內部時鐘源。
根據請求項27所述的記憶體系統，其中，所述振盪器被配置為：在沒有列位址選通（CAS）命令的情況下生成所述內部時鐘源。
一種水電解裝置，其包括：<br/> 一膜電極組；<br/> 兩個電極板，分別設置在所述膜電極組的相反兩側，兩個所述電極板相互貼合並將所述膜電極組夾置於其中；以及<br/> 兩個複合流場結構，分別對應兩個所述電極板，且分別位於兩個所述電極板與所述膜電極組之間；<br/> 其中，每一所述複合流場結構包括相互貼合的一第一擴散層與一平織網層，所述平織網層包括第一網孔區域與一第二網孔區域，所述第一網孔區域位於所述第二網孔區域上方，且所述第一網孔區域中的所述網孔尺寸大於所述第二網孔區域中的所述網孔尺寸。
如請求項1所述的水電解裝置，其中，所述第一擴散層具有多個第一擴散孔，所述平織網層具有多個網孔，且所述第一擴散層與所述平織網層彼此間為多點接觸。
如請求項2所述的水電解裝置，其中，所述第一擴散層與所述平織網層是以金屬積層的方式製成的一體成型結構。
如請求項2所述的水電解裝置，其中，所述第一擴散層與所述平織網層各自加工形成後再以真空高溫燒結的方式結合。
如請求項2所述的水電解裝置，其中，當每一所述複合流場結構組裝於相對應的所述電極板時，所述第一擴散層位於所述平織網層與所述膜電極組之間。
如請求項2所述的水電解裝置，其中，每一所述複合流場結構還包括一第二擴散層，具有多個第二擴散孔，所述第二擴散層與所述第一擴散層將所述平織網層夾置於其中，且所述第二擴散層與所述平織網層彼此間為多點接觸。
如請求項6所述的水電解裝置，其中，當每一所述複合流場結構組裝於相對應的所述電極板時，所述第一擴散層位於所述平織網層與所述膜電極組之間，所述第二擴散層位於所述平織網層與所述電極板之間。
如請求項1所述的水電解裝置，其中，每一所述複合流場結構的組成材料包括一基底材料與一附加材料，所述基底材料包括鈦，所述附加材料包括氧化鈦、碳化鈦、氮化鈦、碳氮化鈦、氫化鈦、金、鉑金、鉛、鎳、銥或氧化銥。
如請求項1所述的水電解裝置，其中，每一所述電極板面向所述膜電極組的一表面設有一容置槽，每一所述複合流場結構設置於相對應的所述電極板的所述容置槽中。
如請求項9所述的水電解裝置，還包括兩個壓板，分別設置在兩個所述電極板的兩側，所述膜電極組、兩個所述複合流場結構及兩個所述電極板設置在兩個所述壓板之間。
如請求項10所述的水電解裝置，還包括兩個絕緣片，分別設置在兩個所述電極板的兩側，每一所述絕緣片位於相對應的所述壓板與所述電極板之間。
如請求項11所述的水電解裝置，還包括兩個墊片，分別設置在所述膜電極組的兩側，每一所述墊片位於所述膜電極組與相對應的所述電極板之間，並圍繞所述複合流場結構。
如請求項12所述的水電解裝置，其中，每一所述壓板具有一輸入口與一輸出口，且所述絕緣片、所述電極板及所述墊片各具有多個通孔，所述電極板還具有一第一溝槽與一第二溝槽，所述第一溝槽與所述第二溝槽連通所述容置槽；其中，所述輸入口、所述第一溝槽及其中一些所述通孔相連通而組成一輸入通道，所述輸出口、所述第二溝槽及另一些所述通孔相連通而組成一輸出通道。
如請求項13所述的水電解裝置，還包括多個快速接頭，其中一所述快速接頭插設於其中一所述輸入口以連通所述輸入通道，另一所述快速接頭插設於其中一所述輸出口以連通所述輸出通道。
一種用於基於洩漏的物理不可複製功能（L-PUF）裝置的自定時讀出驅動器，所述自定時讀出驅動器包括：<br/> 一預充電電晶體，具有一控制端、一第一端及一第二端；<br/> 一反相器，電連接到該預充電電晶體的該第二端；以及<br/> 一洩漏裝置，具有電連接到地的一控制端、電連接到該預充電電晶體的該第二端的一第一端及電連接到地的一第二端；<br/> 其中該預充電電晶體的該控制端被配置成接收一輸入訊號，且該反相器被配置成產生一感測使能（SE）訊號；<br/> 其中，該洩漏裝置被配置成比該基於洩漏的物理不可複製功能裝置的一第一洩漏裝置及一第二洩漏裝置洩漏得更快。
如請求項1所述的自定時讀出驅動器，其中該輸入訊號及該感測使能訊號被配置成該基於洩漏的物理不可複製功能裝置的兩個輸入訊號。
如請求項1所述的自定時讀出驅動器，其中該基於洩漏的物理不可複製功能裝置包括：<br/> 一預充電電路，被配置成接收該輸入訊號；以及<br/> 一感測放大器，電連接到該第一洩漏裝置的一第一端及該第二洩漏裝置的一第一端，其中該感測放大器被配置成接收該感測使能訊號且產生一第一輸出訊號及一第二輸出訊號；<br/> 其中，該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置分別電連接到該預充電電路，其中該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置中的每一者包括一電晶體，該電晶體具有電連接到地的一控制端、電連接到該預充電電路的該第一端及電連接到地的該第二端；<br/> 其中該感測放大器被配置成基於該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的電壓差而在第一狀態與第二狀態之間切換，且該第一洩漏裝置與該第二洩漏裝置之間的該電壓差是由該第一洩漏裝置的洩漏電流及該第二洩漏裝置的洩漏電流確定。
如請求項3所述的自定時讀出驅動器，其中該洩漏裝置是N次重複的洩漏裝置。
如請求項3所述的自定時讀出驅動器，其中該感測放大器包括：<br/> 一第一電晶體，具有被配置成接收該感測使能輸入訊號的一控制端、一第一端、及電連接到地的一第二端；<br/> 一第二電晶體，具有電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、一第一端、及被配置成產生該第一輸出訊號的一第二端；<br/> 一第三電晶體，具有電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、電連接到該第二電晶體的該第二端的一第一端、及電連接到該第一電晶體的該第一端的一第二端；<br/> 一第四電晶體，具有電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、一第一端、及被配置成產生該第二輸出訊號的一第二端；以及<br/> 一第五電晶體，具有電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端的一控制端、電連接到該第四電晶體的該第二端的一第一端、及電連接到該第一電晶體的該第一端的一第二端；<br/> 其中該第二電晶體的該第二端及該第三電晶體的該第一端電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端，且該第四電晶體的該第二端及該第五電晶體的該第一端電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端。
如請求項5所述的自定時讀出驅動器，其中該基於洩漏的物理不可複製功能裝置還包括：<br/> 一第一開關，電連接到該第二電晶體的該第二端；以及<br/> 一第二開關，電連接到該第四電晶體的該第二端。
如請求項6所述的自定時讀出驅動器，其中該第一開關及該第二開關分別由該輸入訊號控制。
一種基於洩漏的物理不可複製功能陣列，包括：<br/> 陣列形式的多個基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該些基於洩漏的物理不可複製功能單元中的每一者包括相應的基於洩漏的物理不可複製功能裝置；<br/> 多條輸入訊號線，分別沿一第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該輸入訊號線中的每一者被配置成將兩個輸入訊號中的一者傳送到該基於洩漏的物理不可複製功能單元的一第一對應組；<br/> 多條輸出訊號線，分別沿第二方向延伸且對應地電連接到該些基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該輸出訊號線中的每一者被配置成從該些基於洩漏的物理不可複製功能單元的第二對應組接收一輸出訊號；以及<br/> 多個控制電路，電連接到該輸入訊號線以通過該輸入訊號線將該兩個輸入訊號提供給該些基於洩漏的物理不可複製功能單元；<br/> 其中該控制電路中的每一者包括如請求項3所述的該自定時讀出驅動器，且該輸入訊號及由該自定時讀出驅動器產生的該感測使能訊號被配置成該些基於洩漏的物理不可複製功能單元的該兩個輸入訊號；<br/> 其中，該洩漏裝置被配置成比該基於洩漏的物理不可複製功能裝置的該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置洩漏得更快。
如請求項8所述的該基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該第一方向及該第二方向中的一者是列方向，而該第一方向及該第二方向中的另一者是行方向。
一種安全認證裝置，包括如請求項8所述的該基於洩漏的物理不可複製功能陣列。
如請求項10所述的安全認證裝置，該安全認證裝置是一安全加密密鑰產生裝置。
如請求項1所述的該自定時讀出驅動器，其中該基於洩漏的物理不可複製功能裝置包括：<br/> 一預充電電路；以及<br/> 一第一洩漏裝置及一第二洩漏裝置，分別電連接到該預充電電路，其中該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置中的每一者包括電晶體，該電晶體具有電連接到地的一控制端、電連接到該預充電電路的一第一端及電連接到地的一第二端；<br/> 其中一第一中間輸出訊號基於該第一洩漏裝置的一下降電壓而確定，且一第二中間輸出訊號基於該第二洩漏裝置的一下降電壓而確定。
如請求項12所述的該自定時讀出驅動器，其中該洩漏裝置是N次重複的洩漏裝置，且該N次重複的洩漏裝置被配置成比該基於洩漏的物理不可複製功能裝置的該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置洩漏得更快。
如請求項12所述的自定時讀出驅動器，其中所述基於洩漏的物理不可複製功能裝置還包括：<br/> 一第一開關，電連接到該第一洩漏裝置的該電晶體的該第一端；以及<br/> 一第二開關，電連接到該第二洩漏裝置的該電晶體的該第一端；<br/> 其中該第一開關在被控制成切換到一接通狀態時被配置成傳送該第一中間輸出訊號，且該第二開關在被控制成切換到一接通狀態時被配置成傳送該第二中間輸出訊號。
一種基於洩漏的物理不可複製功能陣列，包括：<br/> 陣列形式的多個基於洩漏的物理不可複製功能單元，其中該些基於洩漏的物理不可複製功能單元中的每一者包括相應的該基於洩漏的物理不可複製功能裝置；<br/> 多條輸入訊號線，分別沿一第一方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元；<br/> 多條輸出訊號線，分別沿一第二方向延伸且對應地電連接到該基於洩漏的物理不可複製功能單元；<br/> 多個感測放大器，分別電連接到該些輸入訊號線及該些輸出訊號線中的一者，其中該些輸入訊號線被配置成將兩個輸入訊號傳送到該感測放大器及該些基於洩漏的物理不可複製功能單元；以及<br/> 控制電路，電連接到該些輸入訊號線中的該一者以通過該些輸入訊號線中的該一者將該兩個輸入訊號中的一者提供給該感測放大器，其中該控制電路包括如請求項12所述的該自定時讀出驅動器，且由該自定時讀出驅動器產生的該感測使能訊號被配置成該兩個輸入訊號中的傳送到該感測放大器的該一者；<br/> 其中，該洩漏裝置被配置成比該基於洩漏的物理不可複製功能裝置的該第一洩漏裝置及該第二洩漏裝置洩漏得更快。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該感測放大器中的每一者被配置成通過該輸出訊號線接收由該些基於洩漏的物理不可複製功能單元的該第二對應組傳送的該第一中間輸出訊號及該第二中間輸出訊號，且基於該第一中間輸出訊號及該第二中間輸出訊號產生一輸出訊號。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該第一方向及該第二方向中的一者是列方向，而該第一方向及該第二方向中的另一者是行方向。
如請求項15所述的基於洩漏的物理不可複製功能陣列，其中該感測放大器中的每一者包括：<br/> 一第一級前置放大器；以及<br/> 一第二級鎖存器。
一種安全認證裝置，包括如請求項15所述的該基於洩漏的物理不可複製功能陣列。
如請求項19所述的該安全認證裝置，該安全認證裝置是一安全加密密鑰產生裝置。
一種半導體元件，包括： <br/>矽基板； <br/>氮化物半導體層，設置在所述矽基板的正面； <br/>盲孔，其為從所述矽基板的背面到所述氮化物半導體層的電連接，所述盲孔包括金屬接觸件的第一部分，所述第一部分設置在穿過所述矽基板的孔中；和 <br/>第一電絕緣體，將所述金屬接觸件的第一部分與所述矽基板隔開，其中所述第一電絕緣體包含在所述矽基板中，是所述孔的氧化側壁，且所述氧化側壁面向所述金屬接觸件的第一部分，其中，所述氧化側壁的材料與所述矽基板的結晶材料磊晶對準。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述金屬接觸件還包括第二部分，所述第二部分沿所述矽基板的背面延伸，其中所述半導體元件還包括設置在所述矽基板的背面上，在所述矽基板的背面和所述金屬接觸件的所述第二部分之間的第二電絕緣體。
如請求項2所述的半導體元件，其中所述金屬接觸件設置為薄膜塗層，所述薄膜塗層鄰接所述第二電絕緣體和所述氮化物半導體層，所述薄膜塗層具有小於5 μm的均勻厚度。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述氮化物半導體層包括第一層和第二層，所述第一層設置在所述第二層與所述矽基板之間，其中所述第一層具有比所述第二層更高的鋁含量。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述第一電絕緣體的厚度為100-500 nm，所述第一電絕緣體的厚度是將所述金屬接觸件的第一部分與所述矽基板隔開的厚度。
一種半導體元件的製造方法，所述方法包括： <br/>在矽基板的正面形成氮化物半導體層； <br/>穿過所述矽基板的背面到所述氮化物半導體層上形成一個孔； <br/>透過氧化所述孔的側壁以形成第一電絕緣體，從而形成與所述矽基板的結晶材料磊晶對準的氧化側壁；和 <br/>在所述矽基板的背面沉積金屬以形成金屬接觸件，所述金屬接觸件具有位於穿過所述矽基板的所述孔中的第一部分，使得所述金屬接觸件的第一部分形成盲孔的一部分，所述盲孔為從所述矽基板的背面到所述氮化物半導體層的電連接，其中所述第一電絕緣體將所述金屬接觸件的第一部分與所述矽基板隔開。
如請求項6所述的方法，其中所述孔透過電漿蝕刻（plasma etching）形成。
如請求項6所述的方法，其中透過原位氧化所述孔的側壁以形成所述第一電絕緣體。
如請求項6所述的方法，其中原位氧化所述孔的側壁是透過使用氧等離子體（oxygen plasma）的乾式氧化（dry oxidation）來完成。
如請求項6所述的方法，其中所述方法還包括：在形成所述孔之前，在所述矽基板的背面上沉積第二電絕緣體。
如請求項6所述的方法，其中所述氮化物半導體層包括第一層和第二層，所述第一層設置在所述第二層與所述矽基板之間，其中所述第一層的鋁含量高於所述第二層，其中所述氮化物半導體層的所述第一層是透過濺鍍（sputtering）形成。
如請求項6所述的方法，其中所述方法還包括，在形成所述第一電絕緣體之後且在沉積金屬之前，將所述孔擴展到所述氮化物半導體層中。
如請求項12所述的方法，其中所述氮化物半導體層包括蝕刻停止層，其中所述方法還包括：在所述蝕刻停止層處停止所述孔的擴展。
如請求項13所述的方法，其中所述蝕刻停止層是In（z）Ga（1-z）N磊晶層（epilayer）。
一種熱處理裝置，其係藉由對基板照射閃光而將該基板加熱者，且具備： <br/>腔室，其收容基板； <br/>保持部，其於上述腔室內保持上述基板； <br/>複數個閃光燈，其對保持於上述保持部之上述基板照射閃光； <br/>放電電路，其使電流流經上述複數個閃光燈而使上述複數個閃光燈發光；及 <br/>控制部，其控制上述放電電路；且 <br/>上述放電電路相對於並聯連接之N個(N為2以上之整數)閃光燈具備M個(M為小於N之整數)元件組， <br/>上述M個元件組分別包含二極體。
如請求項1之熱處理裝置，其中 <br/>相對於並聯連接之上述N個閃光燈具備1個元件組。
如請求項2之熱處理裝置，其中 <br/>上述元件組包含控制流經上述N個閃光燈之電流之1個開關元件。
如請求項3之熱處理裝置，其中 <br/>上述元件組進而包含線圈及電容器各1個。
如請求項3之熱處理裝置，其中 <br/>上述開關元件為閘流體。
如請求項5之熱處理裝置，其中 <br/>上述閘流體為GTO(Gate Turn Off：閘關斷)閘流體或GCT(Gate Commutated Turn off：閘換向關斷)閘流體。
如請求項3之熱處理裝置，其中 <br/>上述開關元件為IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣閘雙極電晶體)。
一種拼接墊體，包括二主體層，各該主體層包括一頂面、一底面、一第一側面及一第二側面，該第二側面與該第一側面相互平行且形狀互補，該第一側面平直延伸於該主體層的相對二端邊之間的全長，該第一側面包括一第一表面及一第二表面，該第一表面自該頂面朝該底面方向延伸，該第二表面傾斜地連接於該底面與該第一表面之間，一該主體層之第一側面與另一該主體層之第二側面相互平行且形狀互補地拼接，而該二主體層的頂面位於該拼接墊體的同一側；<br/> 其中一該主體層之該第一表面及該第二表面形成一凸嵌卡角，另一該主體層之第二側面形成有一凹嵌卡角，該凸嵌卡角與該凹嵌卡角相互貼合嵌卡。
如請求項1所述的拼接墊體，其中各該主體層包括至少一撓性層，該至少一撓性層為發泡結構，該發泡結構為橡膠材質、塑膠材質或矽膠材質。
如請求項2所述的拼接墊體，其中該至少一撓性層包括一第一撓性層及一第二撓性層，該第一撓性層包括該頂面，該第二撓性層鄰接於該第一撓性層且包括該底面。
如請求項3所述的拼接墊體，其中該第一撓性層為單層結構，該第一撓性層的硬度大於該第二撓性層的硬度。
如請求項4所述的拼接墊體，其中該第二表面自該底面延伸至該第一撓性層範圍內。
如請求項1所述的拼接墊體，其中各該主體層包括多個撓性層，該多個撓性層中的至少二者具有相異的硬度。
如請求項1至6任一項所述的拼接墊體，其中該第一表面與該頂面之夾角為90度，該第二表面與該底面之夾角為105度至165度。
如請求項1至6任一項所述的拼接墊體，其中該凸嵌卡角及該凹嵌卡角鄰近該頂面，該凸嵌卡角位於僅為單層的該第一撓性層中。
如請求項1至6任一項所述的拼接墊體，另包括一覆層，該覆層設於該主體層上，該覆層為一纖維層或一薄膜層。
如請求項1至6任一項所述的拼接墊體，其中一該主體層之第一側面與另一該主體層之第二側面係由單一刀具沿平行該第一側面之方向經一次裁切同時形成。
一種應用於換氣設備之安裝資訊決定系統，包含:<br/>一換氣設備，設置於一室內之一定位點；<br/>一監測設備，取得對應之一空氣品質數據及一氣象資訊；<br/>一運算處理模組，分別與該監測設備及該換氣設備訊號連接，根據該定位點與對應之該空氣品質數據及該氣象資訊進行運算處理，產生一模擬空間流場資訊；及<br/>一判斷模組，與該運算處理模組訊號連接，根據該模擬空間流場資訊進行判讀，取得對應之一污染物滯留資訊，並根據該污染物滯留資訊決定該換氣設備之一安裝資訊，其中，該模擬空間流場資訊包含對應該空氣品質數據之濃度變化及對應之一等濃度分布圖。
依據請求項1所述之應用於換氣設備之安裝資訊決定系統，其中，該空氣品質數據選自一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO<sub>2</sub>)、二氧化硫(SO<sub>2</sub>)、二氧化氮(NO<sub>2</sub>)、甲醛、揮發性有機化合物、臭氧(O<sub>3</sub>)、細菌、細懸浮微粒(PM<sub>2.5</sub>)、懸浮微粒(PM<sub>10</sub>)或上述任一項以上之組合。
依據請求項1所述之應用於換氣設備之安裝資訊決定系統，其中，該監測設備選自一空氣品質監測裝置、一氣象監測裝置或上述任一項以上之組合。
依據請求項1所述之應用於換氣設備之安裝資訊決定系統，其中，該運算處理模組包含一無線路由器，該無線路由器係用以傳輸資料。
一種應用於換氣設備之安裝資訊決定方法，步驟包含:<br/>取得一換氣設備之一第一定位點；<br/>於一第一時間連續監測對應該第一定位點之一第一空氣品質數據；<br/>取得對應該第一時間之一第一氣象資訊；<br/>運算該第一空氣品質數據、該第一氣象資訊及該第一定位點，產生對應之一第一模擬空間流場資訊；<br/>取得該換氣設備之一第二定位點；<br/>於一第二時間連續監測對應該第二定位點之一第二空氣品質數據；<br/>取得對應該第二時間之一第二氣象資訊；<br/>運算該第二空氣品質數據、該第二氣象資訊及該第二定位點，產生對應之一第二模擬空間流場資訊；<br/>比對並判讀該第一模擬空間流場資訊與該第二模擬空間流場資訊，取得對應之一污染物滯留資訊；及<br/>以該污染物滯留資訊決定該換氣設備之一安裝資訊。
依據請求項5所述之應用於換氣設備之安裝資訊決定方法，其中，該第一空氣品質數據及該第二空氣品質數據選自一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO<sub>2</sub>)、二氧化硫(SO<sub>2</sub>)、二氧化氮(NO<sub>2</sub>)、甲醛、揮發性有機化合物、臭氧(O<sub>3</sub>)、細菌、細懸浮微粒(PM<sub>2.5</sub>)、懸浮微粒(PM<sub>10</sub>)或上述任一項以上之組合。
依據請求項5所述之應用於換氣設備之安裝資訊決定方法，其中，該第一模擬空間流場資訊包含該第一空氣品質數據之濃度變化以及對應之一第一等濃度分布圖，及該第二模擬空間流場資訊包含該第二空氣品質數據之濃度變化以及對應之一第二等濃度分布圖。
一種適於存取一記憶體的處理器，該處理器包括： <br/>一向量暫存器堆；以及 <br/>一載存裝置，耦接至該向量暫存器堆，其中該載存裝置對該記憶體進行多區段存取， <br/>當該多區段存取為多區段加載時，該載存裝置從該記憶體的一第一來源區段讀取多個第一資料元素，以及該載存裝置將該些第一資料元素在同一個寫週期中寫入該向量暫存器堆，以使該些第一資料元素被寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置；以及 <br/>當該多區段存取為多區段儲存時，該載存裝置在同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取多個第二資料元素，該些第二資料元素為在該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置的資料元素，以及該載存裝置將該些第二資料元素寫入該記憶體的一第二目標區段。
如請求項1所述的處理器，其中該載存裝置包括： <br/>一左旋轉電路，耦接至該向量暫存器堆，其中該左旋轉電路以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向一左方向進行資料元素旋轉； <br/>一右旋轉電路，耦接至該向量暫存器堆，其中該右旋轉電路以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向一右方向進行資料元素旋轉；以及 <br/>一多工器，其中該多工器的一第一選擇端耦接至該左旋轉電路的一輸出端，該多工器的一第二選擇端耦接至該右旋轉電路的一輸出端，以及該多工器的一輸出端耦接至該向量暫存器堆。
如請求項1所述的處理器，其中當該多區段存取為該多區段加載時： <br/>該載存裝置以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器的多個資料元素向一第一方向進行一第一旋轉； <br/>在該第一旋轉後，該載存裝置進行一寫入操作以將該些第一資料元素在同一個寫週期中寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置；以及 <br/>在該寫入操作後，該載存裝置以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向一第二方向進行資料元素旋轉，以使該些第一資料元素被放在該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置。
如請求項3所述的處理器，其中該第一旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*N」向一左方向旋轉一向量暫存器VD[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該第一來源區段的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VD[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
如請求項3所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個加載迭代以將該記憶體的VL個來源區段的內容加載至該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個加載迭代中的第J個迭代將該些第一資料元素在所述同一個寫週期中寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>從該記憶體的所述VL個來源區段中的一第J個來源區段讀取多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中所述VL個來源區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個來源區段中的第0字段的資料元素，以及該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個來源區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素；以及 <br/>在所述同一個寫週期中將該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置，其中該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]被寫入該向量暫存器堆的一第N向量暫存器VD[N]中的第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數。
如請求項3所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個加載迭代以將該記憶體的VL個來源區段的內容加載至該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個加載迭代中的第J個迭代將該些第一資料元素在所述同一個寫週期中寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>從該記憶體的所述VL個來源區段中的一第J個來源區段讀取多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中所述VL個來源區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個來源區段中的第0字段的資料元素，以及該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個來源區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素； <br/>檢查一向量遮罩； <br/>響應於該向量遮罩中的第J個位元為一第一值，在所述同一個寫週期中將該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置，其中該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]被寫入該向量暫存器堆的一第N向量暫存器VD[N]中的第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數；以及 <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為一第二值，維持該第N向量暫存器VD[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的內容，或是將一常數值寫入該第N向量暫存器VD[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置； <br/>檢查一向量字段遮罩； <br/>響應於該向量字段遮罩中的第N個位元為一第三值，在所述同一個寫週期中將該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]寫入該向量暫存器堆的該第N向量暫存器VD[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置；以及 <br/>響應於該向量字段遮罩中的該第N個位元為一第四值，維持該第N向量暫存器VD[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的內容，或是將該常數值寫入該第N向量暫存器VD[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置。
如請求項3所述的處理器，其中對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向該第二方向進行該資料元素旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*N」向一右方向旋轉一向量暫存器VD[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該第一來源區段的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VD[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
如請求項1所述的處理器，其中當該多區段存取為該多區段儲存時： <br/>該載存裝置以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器的多個資料元素向一第一方向進行一第一旋轉；以及 <br/>在該第一旋轉後，該載存裝置進行一讀取操作以在同一個讀週期中從該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置讀取該些第二資料元素。
如請求項8所述的處理器，其中該第一旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*N」向一左方向旋轉一向量暫存器VS[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該第二目標區段的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VS[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
如請求項8所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個儲存迭代以將該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器的內容儲存至該記憶體的VL個目標區段，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個儲存迭代中的第J個迭代在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取該些第二資料元素以寫入該記憶體的該第二目標區段，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置讀取資料元素，其中該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器包括一第N向量暫存器VS[N]，該第N向量暫存器VS[N]中的第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素為VS[N][(J+N) MOD (VLEN/EEW)]，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，所述VL個目標區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數；以及 <br/>將該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的一第J個目標區段，作為該第J個目標區段的多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個目標區段中的第0字段的資料元素，該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個目標區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素，以及該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N][(J+N) MOD (VLEN/EEW)]被寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]。
如請求項8所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個儲存迭代以將該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器的內容儲存至該記憶體的VL個目標區段，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個儲存迭代中的第J個迭代在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取該些第二資料元素以寫入該記憶體的該第二目標區段，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>檢查一向量遮罩； <br/>響應於該向量遮罩中的第J個位元為一第一值，在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置讀取資料元素，其中該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器包括一第N向量暫存器VS[N]，該第N向量暫存器VS[N]中的第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素為VS[N][(J+N) MOD (VLEN/EEW)]，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，所述VL個目標區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數； <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為該第一值，將該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的一第J個目標區段，作為該第J個目標區段的多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個目標區段中的第0字段的資料元素，該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個目標區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素，以及該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N][(J+N) MOD (VLEN/EEW)]被寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]； <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為一第二值，略過對該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的讀取； <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為該第二值，略過該第J個迭代的記憶體寫入； <br/>檢查一向量字段遮罩； <br/>響應於該向量字段遮罩中的第N個位元為一第三值，將該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N][(J+N) MOD (VLEN/EEW)]寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的該第N資料元素M_D[J][N]；以及 <br/>響應於該向量字段遮罩中的該第N個位元為一第四值，略過該第N資料元素M_D[J][N]的記憶體寫入。
如請求項8所述的處理器，其中該第一旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*(NFIELDS-1-N)」向一右方向旋轉一向量暫存器VS[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該NFIELDS為該第二目標區段的一字段數量，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VS[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
如請求項8所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個儲存迭代以將該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器的內容儲存至該記憶體的VL個目標區段，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個儲存迭代中的第J個迭代在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取該些第二資料元素以寫入該記憶體的該第二目標區段，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置讀取資料元素，其中該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器包括一第N向量暫存器VS[N]，該第N向量暫存器VS[N]中的第((J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素為VS[N][(J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW)]，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，所述VL個目標區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數；以及 <br/>將該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的一第J個目標區段，作為該第J個目標區段的多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個目標區段中的第0字段的資料元素，該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個目標區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素，以及該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N][(J+N-(NFIELDS-1) + (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW)]被寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]。
如請求項8所述的處理器，其中該載存裝置進行VL個儲存迭代以將該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器的內容儲存至該記憶體的VL個目標區段，該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個儲存迭代中的第J個迭代在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取該些第二資料元素以寫入該記憶體的該第二目標區段，該J為0至VL-1的一整數，以及所述第J個迭代包括： <br/>檢查一向量遮罩； <br/>響應於該向量遮罩中的第J個位元為一第一值，在所述同一個讀週期中從該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置讀取資料元素，其中該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器包括一第N向量暫存器VS[N]，該第N向量暫存器VS[N]中的第((J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素為VS[N][(J+N-(NFIELDS-1) + (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW)]，該VLEN為一向量暫存器長度，該EEW為一有效元素寬度，所述VL個目標區段中的每一個的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，以及該N為0至NFIELDS-1的一整數； <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為該第一值，將該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的一第J個目標區段，作為該第J個目標區段的多個資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]，其中該M_D[J][0]為該記憶體的該第J個目標區段中的第0字段的資料元素，該M_D[J][NFIELDS-1]為該記憶體的該第J個目標區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素，以及該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N-(NFIELDS-1) + (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N][(J+N-(NFIELDS-1) + (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW)]被寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的第N資料元素M_D[J][N]；以及 <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為一第二值，略過對該第N向量暫存器VS[N]中的該第J+N元素位置的讀取； <br/>響應於該向量遮罩中的該第J個位元為該第二值，略過該第J個迭代的記憶體寫入； <br/>檢查一向量字段遮罩； <br/>響應於該向量字段遮罩中的第N個位元為一第三值，將該第N向量暫存器VS[N]中的該第((J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW))元素位置的資料元素VS[N] [(J+N-(NFIELDS-1)+ (VLEN/EEW)) MOD (VLEN/EEW)]寫入該記憶體的該第J個目標區段作為該些資料元素M_D[J][0]至M_D[J][NFIELDS-1]中的該第N資料元素M_D[J][N]；以及 <br/>響應於該向量字段遮罩中的該第N個位元為一第四值，略過該第N資料元素M_D[J][N]的記憶體寫入。
如請求項8所述的處理器，其中當該多區段存取為該多區段儲存時： <br/>在該讀取操作後，該載存裝置以不同旋轉量對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向一第二方向進行資料元素旋轉，以使該些第二資料元素被放在該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置。
如請求項15所述的處理器，其中對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向該第二方向進行該資料元素旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*N」向一右方向旋轉一向量暫存器VS[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該第二目標區段的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VS[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
如請求項15所述的處理器，其中對該向量暫存器堆的不同向量暫存器向該第二方向進行該資料元素旋轉的操作包括： <br/>以旋轉量「EEW*(NFIELDS-1-N)」向一左方向旋轉一向量暫存器VS[N]的內容，其中該EEW為一有效元素寬度，該有效元素寬度的單位為位元，該第二目標區段的一字段數量為NFIELDS個字段，該NFIELDS為大於1的一整數，該N為0至NFIELDS-1的一整數，以及該向量暫存器VS[N]為該向量暫存器堆的所述不同向量暫存器中的一個。
一種適於存取一記憶體的處理器的操作方法，該處理器包括一向量暫存器堆以及一載存裝置，該載存裝置耦接至該向量暫存器堆，該操作方法包括： <br/>由該載存裝置對該記憶體進行多區段存取； <br/>響應於該多區段存取為多區段加載，從該記憶體的一第一來源區段讀取多個第一資料元素，以及將該些第一資料元素在同一個寫週期中寫入該向量暫存器堆，以使該些第一資料元素被寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置；以及 <br/>響應於該多區段存取為多區段儲存，在同一個讀週期中從該向量暫存器堆讀取多個第二資料元素，以及將該些第二資料元素寫入該記憶體的一第二目標區段，其中該些第二資料元素為在該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置的資料元素。
一種適於存取一記憶體的處理器，該處理器包括： <br/>一向量暫存器堆；以及 <br/>一載存裝置，耦接至該向量暫存器堆，其中該載存裝置包括多個暫存器管線， <br/>當該載存裝置對該記憶體進行多區段加載時，該些暫存器管線的輸入端用以在一相同加載週期中接收來自該記憶體的一相同來源區段的多個資料元素，以及該些暫存器管線的階段數量互異，以使該些暫存器管線的輸出端在一相同寫週期將來自該記憶體的不同來源區段的多個資料元素輸出給該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置；以及 <br/>當該載存裝置對該記憶體進行多區段儲存時，該些暫存器管線的輸入端用以在一相同讀週期接收來自該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的多個資料元素，以及該些暫存器管線的階段數量互異，以使該些暫存器管線的輸出端在一相同儲存週期中將來自該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的一相同位置的多個資料元素輸出給該記憶體的一相同目標區段。
如請求項19所述的處理器，其中當該載存裝置對該記憶體進行該多區段加載時： <br/>該載存裝置進行VL個加載迭代以將該記憶體的VL個來源區段的內容加載至該些暫存器管線，以及將該些暫存器管線的溢出內容寫入該向量暫存器堆，其中該VL為一向量長度，該VL的單位為元素數量，所述VL個加載迭代中的第x個迭代將該記憶體的所述VL個來源區段中的一第x個來源區段的多個資料元素加載至該些暫存器管線的輸入端，以及該x為0至VL-1的一整數；以及 <br/>在所述VL個加載迭代後，該載存裝置進行NFIELDS-1個寫迭代以將該些暫存器管線的剩餘內容寫入該向量暫存器堆，其中該NFIELDS為所述VL個來源區段的每一來源區段的一字段數量，以及該NFIELDS為大於1的一整數。
如請求項20所述的處理器，其中所述VL個加載迭代中的第x個迭代包括： <br/>從該記憶體的所述VL個來源區段中的一第x個來源區段讀取多個資料元素M_D[x][0]至M_D[x][NFIELDS-1]，其中該M_D[x][0]為該記憶體的該第x個來源區段中的第0字段的資料元素，以及該M_D[x][NFIELDS-1]為該記憶體的該第x個來源區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素； <br/>將該些資料元素M_D[x][0]至M_D[x][NFIELDS-1]載入並且存至該些暫存器管線的第一階段；以及 <br/>在同一個寫週期中將該些暫存器管線的最末階段的所有有效資料元素寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置。
如請求項20所述的處理器，其中所述VL個加載迭代中的第x個迭代包括： <br/>檢查一向量遮罩； <br/>響應於該向量遮罩中的第x個位元為一第一值，從該記憶體的所述VL個來源區段中的一第x個來源區段讀取多個資料元素M_D[x][0]至M_D[x][NFIELDS-1]，以及將該些資料元素M_D[x][0]至M_D[x][NFIELDS-1]存至該些暫存器管線的第一階段，其中該M_D[x][0]為該記憶體的該第x個來源區段中的第0字段的資料元素，以及該M_D[x][NFIELDS-1]為該記憶體的該第x個來源區段中的第NFIELDS-1字段的資料元素； <br/>響應於該向量遮罩中的該第x個位元為一第二值，略過該第x個迭代對該記憶體的該第x個來源區段的讀取；以及 <br/>響應於該向量遮罩中的該第x個位元為該第二值，將該暫存器管線的該第一階段設為無效。
如請求項20所述的處理器，其中所述NFIELDS-1個寫迭代中的第y個迭代包括： <br/>在同一個寫週期中將該些暫存器管線的最末階段的所有有效資料元素寫入該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置。
如請求項19所述的處理器，其中當該載存裝置對該記憶體進行該多區段儲存時： <br/>該載存裝置進行NFIELDS-1個讀迭代以將該向量暫存器堆的第一部分資料元素讀出至該些暫存器管線，其中該NFIELDS為該記憶體的VL個目標區段的每一目標區段的一字段數量，該NFIELDS為大於1的一整數，該VL為一向量長度，以及該VL的單位為元素數量；以及 <br/>在所述NFIELDS-1個讀迭代後，該載存裝置進行VL個儲存迭代以將該向量暫存器堆的剩餘內容寫入該些暫存器管線以及將該些暫存器管線的輸出儲存至該記憶體的所述VL個目標區段，其中所述VL個儲存迭代中的第x個迭代將該些暫存器管線的輸出儲存至該記憶體的所述VL個目標區段中的一第x個目標區段，以及該x為0至VL-1的一整數。
如請求項24所述的處理器，其中所述NFIELDS-1個讀迭代中的第0個迭代包括： <br/>將該向量暫存器堆的第NFIELDS-1個向量暫存器中的第0位置的資料元素存至該些暫存器管線的第NFIELDS-1個暫存器管線的第一階段。
如請求項25所述的處理器，其中所述NFIELDS-1個讀迭代中的第1個迭代包括： <br/>在同一個讀週期中，將該向量暫存器堆的該第NFIELDS-1個向量暫存器中的第1位置的資料元素載入並且存至該些暫存器管線的第NFIELDS-1個暫存器管線的第一階段，以及將該向量暫存器堆的第NFIELDS-2個向量暫存器中的第0位置的資料元素存至該些暫存器管線的第NFIELDS-2個暫存器管線的第一階段。
如請求項24所述的處理器，其中所述VL個儲存迭代中的第x個迭代包括： <br/>在同一個讀週期中將該向量暫存器堆的不同向量暫存器中的不同位置的多個資料元素存至該些暫存器管線的第一階段；以及 <br/>將該些暫存器管線的最末階段的所有有效資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的該第x個目標區段。
如請求項24所述的處理器，其中所述VL個儲存迭代中的第x個迭代包括： <br/>檢查一向量遮罩； <br/>響應於該向量遮罩中的第x個位元為一第一值，在同一個讀週期中將該些暫存器管線的最末階段的所有有效資料元素寫入該記憶體的所述VL個目標區段中的該第x個目標區段；以及 <br/>響應於該向量遮罩中的該第x個位元為一第二值，略過該第x個迭代對該記憶體的該第x個目標區段的記憶體寫入。
一種磊晶成長基板，其具備： <br/>由包含Ga或In作為III族元素的III－V族化合物半導體形成的基板、 <br/>在上述基板上磊晶成長的犧牲層、以及 <br/>在上述犧牲層上磊晶成長的半導體層； <br/>上述犧牲層包含由含有Al或In作為III族元素的混晶半導體形成的層，且Al或In的組成比在厚度方向變化，Al或In的組成比呈極大值的位置位於上述犧牲層的下表面及上表面以外的內部； <br/>上述犧牲層中，與上述基板相接部分的Al或In的組成比小於與上述半導體層相接部分的Al或In的組成比。
如請求項1的磊晶成長基板，其中，上述犧牲層所包含的由上述混晶半導體形成的層除了包含Al或In亦包含Ga作為III族元素，且包含As及P的至少一者作為V族元素，Al或In的組成比的最大值為0.5以上。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，於上述犧牲層的厚度方向的複數個位置中，Al或In的組成比具有極大值。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，上述半導體層的厚度較上述基板的厚度薄，且較上述犧牲層的厚度厚。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，上述基板由GaAs或InP形成，上述半導體層包含由與上述基板晶格匹配的半導體構成的層。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，上述半導體層包含與上述犧牲層相接的阻擋層，於使用酸性蝕刻劑或鹼性蝕刻劑的濕式蝕刻中，上述阻擋層的蝕刻速率較上述犧牲層的蝕刻速率慢。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，上述半導體層包含由N型的半導體構成的層。
如請求項1或2的磊晶成長基板，其中，於使用酸性蝕刻劑或鹼性蝕刻劑的濕式蝕刻中，上述犧牲層的蝕刻速率呈最大的部分位於上述犧牲層的下表面及上表面以外的內部。
一種半導體裝置之製造方法，其為： <br/>在請求項1或2的磊晶成長基板的上述半導體層形成電晶體和二極管中的至少一者的半導體元件， <br/>並且蝕刻去除上述犧牲層，自上述半導體層將上述基板分離。
一種用於驅動顯示面板的驅動方法，所述驅動方法包括：<br/> 獲取幀刷新資訊，所述幀刷新資訊指示是否對當前幀中的至少部分區域執行刷新操作；<br/> 根據所述幀刷新資訊，確定是否對所述顯示面板要顯示的所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作；以及<br/> 其中，回應於確定對所述當前幀中的所有區域都不執行刷新操作，不向所述顯示面板發送幀掃描起始信號，並且降低向所述顯示面板發送的、用於執行刷新操作的閘極時脈信號的頻率。
如請求項1所述的驅動方法，還包括：<br/> 回應於確定對所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作，向所述顯示面板發送所述幀掃描起始信號，以啟動對所述至少部分區域的刷新操作。
如請求項2所述的驅動方法，還包括：<br/> 回應於確定對所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作，向所述顯示面板的陣列上積體閘極驅動電路發送所述幀掃描起始信號，以及發送刷新控制信號和所述閘極時脈信號；<br/> 其中，所述陣列上積體閘極驅動電路由多個級聯的閘極驅動單元構成，回應於所述陣列上積體閘極驅動電路中的第一級閘極驅動單元接收到所述幀掃描起始信號，所述陣列上積體閘極驅動電路基於所述刷新控制信號和所述閘極時脈信號，對所述至少部分區域執行刷新操作。
一種用於驅動顯示面板的驅動積體電路，包括：<br/> 用於獲取幀刷新資訊的模組，其中，所述幀刷新資訊指示是否對所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作；<br/> 用於根據所述幀刷新資訊，確定是否對所述顯示面板要顯示的所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作的模組；以及<br/> 用於向所述顯示面板發送用於啟動所述刷新操作的幀掃描起始信號以及用於執行所述刷新操作的閘極時脈信號的模組；<br/> 其中，回應於確定對所述當前幀中的所有區域都不執行刷新操作，所述驅動積體電路不向所述顯示面板發送所述幀掃描起始信號，並且降低向所述顯示面板發送的、用於執行刷新操作的閘極時脈信號的頻率。
一種顯示裝置，包括：<br/> 顯示面板，包括陣列上積體閘極驅動電路，所述陣列上積體閘極驅動電路由多個級聯的閘極驅動單元構成；以及<br/> 驅動積體電路，配置為接收指示是否對所述顯示面板要顯示的當前幀中的至少部分區域執行刷新操作的幀刷新資訊，以及根據所述幀刷新資訊確定是否對所述顯示面板要顯示的所述當前幀中的至少部分區域執行刷新操作；<br/> 其中，回應於確定對所述當前幀中的所有區域都不執行刷新操作，所述驅動積體電路不向所述陣列上積體閘極驅動電路發送所述幀掃描起始信號，及所述驅動積體電路降低向所述顯示面板發送的、用於執行刷新操作的閘極時脈信號的頻率。
一種電解電池之陰離子交換導電中空纖維管矩陣，包括：<b><u><br/></u></b>複數導電中空纖維管相鄰呈矩陣排列，所述導電中空纖維管有一擴散表面，且所述導電中空纖維管相對二端分別有一入口及一出口；<br/>將一電解電池之一陽極及一陰極設置於相鄰該擴散表面，並將該電解電池之一電解槽連通該入口及該出口，以及將一電源連接該陽極及該陰極；開啟該電源，並使該電解槽中的水自該入口進入所述導電中空纖維管，水分子由該擴散表面進入該陰極而分解產生氫氣及氫氧根離子，氫氣自該陰極排出，氫氧根離子自該擴散表面回到所述導電中空纖維管，再由該擴散表面進入該陽極而產生氧氣，氧氣自該陽極表面排出，水則自該出口回到該電解槽。
如請求項1所述之電解電池之陰離子交換導電中空纖維管矩陣，進一步，將所述導電中空纖維管銨化處理。
如請求項1所述之電解電池之陰離子交換導電中空纖維管矩陣，其中，有一觸媒塗覆在所述導電中空纖維管的擴散表面。
如請求項3所述之電解電池之陰離子交換導電中空纖維管矩陣，其中，該觸媒為鎳/鐵合金氧化物。
一種電解電池，包括：<br/>一陰離子交換導電中空纖維管矩陣，包括複數導電中空纖維管相鄰呈矩陣排列，所述導電中空纖維管有一擴散表面，且所述導電中空纖維管相對二端分別有一入口及一出口；<br/>一陽極及一陰極，設置於相鄰該擴散表面；<br/>一電解槽，連通該入口及該出口；<br/>一電源，連接該陽極及該陰極；<br/>開啟該電源，並使該電解槽中的水自該入口進入所述導電中空纖維管，水分子由該擴散表面進入該陰極而分解產生氫氣及氫氧根離子，氫氣自該陰極排出，氫氧根離子自該擴散表面回到所述導電中空纖維管，再由該擴散表面進入該陽極而產生氧氣，氧氣自該陽極表面排出，水則自該出口回到該電解槽。
如請求項5所述之電解電池，進一步，將所述導電中空纖維管銨化處理。
如請求項5所述之電解電池，進一步，有一觸媒設置在所述陰離子交換導電中空纖維管矩陣與該陽極之間，以及設置在所述陰離子交換導電中空纖維管矩陣與該陰極之間。
如請求項7所述之電解電池，其中，該觸媒塗覆在所述導電中空纖維管的擴散表面。
如請求項7所述之電解電池，其中，該觸媒為鎳/鐵合金氧化物。
如請求項5所述之電解電池，進一步，有一導電碳纖維擴散層設置在所述陰離子交換導電中空纖維管矩陣與該陽極之間，以及設置在所述陰離子交換導電中空纖維管矩陣與該陰極之間。
如請求項5所述之電解電池，進一步，有一非電力光觸媒產氫機構，該非電力光觸媒產氫機構包括一供水槽，有一第一光觸媒設置在該供水槽中並連接該陽極，以及有一第二光觸媒設置在該供水槽中並連接該陰極，該第一光觸媒及該第二光觸媒藉由光反應在相鄰該陰極產生氫氣，並在相鄰該陽極產生氧氣。
如請求項5所述之電解電池，進一步，有一非電力化學能產氫機構，該非電力化學能產氫機構包括一反應槽，透過在該反應槽輸入化學藥劑反應，在相鄰該陰極產生氫氣，並在相鄰該陽極產生氧氣。
一種半導體模組之製造方法，其特徵在於：其係於配線層之上燒結接合半導體晶片者，且具有： <br/>粗糙面形成步驟，其係於上述配線層之表面之至少一部分區域形成連續性粗糙面； <br/>膏配置步驟，其係以與上述連續性粗糙面之一部分重疊的方式配置包含金屬粒子與溶劑之燒結金屬膏； <br/>半導體晶片配置步驟，其係於殘留有上述溶劑之狀態之上述燒結金屬膏之上配置上述半導體晶片；及 <br/>燒結步驟，其係一面藉由加熱將上述溶劑之成分排出一面將上述半導體晶片燒結接合； <br/>上述配線層相對於上述溶劑為親水性表面， <br/>配置有上述燒結金屬膏之區域之內部之上述連續性粗糙面與配置有上述燒結金屬膏之區域之外部之上述連續性粗糙面相連。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面呈帶狀地形成有複數個。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面沿著上述半導體晶片之短邊方向延伸。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面自與上述半導體晶片重疊之位置朝向外側呈放射狀延伸。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述半導體晶片具有形成有半導體元件之主動區域、及包圍上述主動區域之終端區域， <br/>上述連續性粗糙面形成為與上述半導體晶片之上述終端區域重疊之框狀。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面係避開上述半導體晶片之外周部之一部分而形成。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面係避開上述半導體晶片之角部而形成。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面形成至較上述半導體晶片之外周靠外側0.15 mm以上。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面形成至較上述半導體晶片之外周靠內側0.15 mm以上。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面之算術平均高度Ra為0.01～0.6 μm。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面之平均長度RSm為4.0 μm以下。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述連續性粗糙面為多孔質狀。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述半導體晶片配置步驟係於上述溶劑殘留有30～60 Vol%之狀態之上述燒結金屬膏之上配置上述半導體晶片的步驟。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>於上述膏配置步驟之後，不進行上述燒結金屬膏之預乾燥而實施上述半導體晶片配置步驟。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述燒結步驟係於無加壓下實施。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述燒結步驟係一面對上述半導體晶片施加0.01～1.00 MPa之微壓一面實施。
如請求項1之半導體模組之製造方法，其中 <br/>上述金屬粒子為銅。
一種半導體模組，其特徵在於具有： <br/>配線層； <br/>半導體晶片； <br/>燒結金屬層，其將上述配線層與上述半導體晶片接合；及 <br/>連續性粗糙面，其形成於上述配線層之表面之至少一部分區域； <br/>配置有上述燒結金屬層之區域之內部之上述連續性粗糙面與配置有上述燒結金屬層之區域之外部之上述連續性粗糙面相連。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面呈帶狀地形成有複數個。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面沿著上述半導體晶片之短邊方向延伸。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面自與上述半導體晶片重疊之位置朝向外側呈放射狀延伸。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述半導體晶片具有形成有半導體元件之主動區域、及包圍上述主動區域之終端區域， <br/>上述連續性粗糙面形成為與上述半導體晶片之上述終端區域重疊之框狀。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面係避開上述半導體晶片之外周部之一部分而形成。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面係避開上述半導體晶片之角部而形成。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面形成至較上述半導體晶片之外周靠外側0.15 mm以上。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面形成至較上述半導體晶片之外周靠內側0.15 mm以上。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面之算術平均高度Ra為0.01～0.6 μm。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面之平均長度RSm為4.0 μm以下。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述連續性粗糙面為多孔質狀。
如請求項18之半導體模組，其中 <br/>上述燒結金屬層為燒結銅層。
一種用於對裝置針腳校準射頻功率訊號之方法，其包含：<br/> 將一校準探針總成插入至一測試插座中；<br/> 編程通訊式耦接至該測試插座的一測試裝備以：<br/> 控制一第一開關的運作以將該測試插座的一第一針腳選擇性地耦接至該測試裝備的一第一裝備埠；及<br/> 控制一第二開關的運作以將該測試插座的一第二針腳選擇性地耦接至該測試裝備的一第二裝備埠；<br/> 經由該第一裝備埠，以一射頻訊號來電氣式激發該第一針腳；<br/> 測量自該第一針腳所傳播且經由該第二裝備埠在該第二針腳處所接收的該射頻訊號；以及<br/> 判定與該射頻訊號相關聯之一功率值。
如請求項1之方法，其中判定該功率值包含：將去嵌入因子應用於由該測量所測得的該射頻訊號。
如請求項2之方法，其進一步包含：藉由下列方式測量該等去嵌入因子：<br/> 將一校準探針總成短路結構安裝至該校準探針總成的一底部；以及<br/> 使用連接至該校準探針總成的一向量網路分析器來測量該等去嵌入因子。
如請求項1之方法，其中該校準探針總成包含一或多個同軸纜線，其中該射頻訊號係使用該一或多個同軸纜線中之至少一纜線來通過該校準探針總成所傳播，且其中測量該射頻訊號包含：使用外部裝備來測量通過該校準探針總成所傳播的該射頻訊號。
如請求項1之方法，其中該第一裝備埠包含耦接至一功率計的一同軸連接器。
如請求項1之方法，其進一步包含：依據與該射頻訊號相關聯之該功率值來測試設置於該測試插座中的一受測裝置(DUT)。
一種用於對裝置針腳校準射頻功率訊號之方法，其包含：<br/> 分別將複數個校準探針總成插入致一多站點校準探針總成的複數個個別測試插座中；<br/> 針對該等複數個測試插座的一第一測試插座：<br/> 編程通訊式耦接至該第一測試插座的一測試裝備以經由複數個開關將該第一測試插座的一第一針腳選擇性地耦接至該第一測試插座的一第二針腳；<br/> 以一射頻訊號來電氣式激發該第一針腳；<br/> 測量自該第一針腳所傳播至該第二針腳的該射頻訊號；以及<br/> 判定與該測量所測得之該射頻訊號相關聯之一功率值。
如請求項7之方法，其中判定該功率值包含：將去嵌入因子應用於由該測量所測得的該射頻訊號。
如請求項7之方法，其進一步包含：編程該測試裝備以：<br/> 將該第一測試插座之該第一針腳選擇性地耦接至該測試裝備的一第一裝備埠；以及<br/> 將該第一測試插座之該第二針腳選擇性地耦接至該測試裝備的一第二裝備埠。
如請求項9之方法，其中以該射頻訊號來電氣式激發該第一針腳係經由該第一裝備埠所執行，且其中測量自該第一針腳所傳播至該第二針腳之該射頻訊號係經由該第二裝備埠所執行。
如請求項10之方法，其中該第一裝備埠係耦接至一射頻訊號產生器，且其中該第二裝備埠係耦接至一功率計。
如請求項7之方法，其中該等複數個測試插座係設置於一載板總成上，其中該等複數個測試插座係可操作以接收受測裝置(DUT)，且其中該載板總成包含複數個開關，該等複數個開關將該等複數個測試插座中之任一者選擇性地耦接至下列中之一者：設置於該等複數個插座中之DUT的組件；或者是該等DUT的回送組件，且其中該等DUT係可操作以產生該射頻訊號以及經由該等回送組件接收該射頻訊號。
如請求項7之方法，其進一步包含：依據該功率值來測試設置於該測試插座中的一DUT。
如請求項13之方法，其中該DUT包含：<br/> 可操作以傳送在該第一針腳處之該射頻訊號的一第一組件；以及<br/> 可操作以經由由該等複數個開關所提供之一回送路徑來接收在該第二針腳處之該射頻訊號的一第二組件。
一種用於對裝置針腳校準射頻功率訊號之裝置，其包含：<br/> 一測試插座，其包含可操作以被耦接至一受測裝置(DUT)之針腳的複數個針腳；<br/> 一探針總成，其包含：<br/> 一第一裝備埠；及<br/> 一第二裝備埠；<br/> 複數個開關，其可操作以將該測試插座之該等複數個針腳選擇性地耦接至該第一裝備埠與該第二裝備埠中之一者；<br/> 一第一工作台裝備，其耦接至該第一裝備埠且可操作以用一射頻訊號來電氣式激發該測試插座之該等複數個針腳的一第一針腳；<br/> 一第二工作台裝備，其耦接至該第二裝備埠且可操作以測量自該第一針腳所傳播且經由該第二裝備埠在該測試插座之該等複數個針腳之一第二針腳處所接收的該射頻訊號；以及<br/> 測試裝備，其可操作以判定與該射頻訊號相關聯之一功率值。
如請求項15之裝置，其中該測試裝備係進一步可操作以在該DUT係設置於該測試插座中時依據該功率值來測試該DUT。
如請求項15之裝置，其中該第一裝備埠係耦接至一射頻訊號產生器且該第二裝備埠係耦接至一功率計。
如請求項15之裝置，其中該等複數個開關係進一步可操作以在該測試插座之該等複數個針腳的一第一針腳與該測試插座之該等複數個針腳的一第二針腳之間提供一回送路徑。
如請求項18之裝置，其中該DUT係設置於該測試插座中，且其中該DUT係可操作以在該回送路徑上產生一射頻訊號。
如請求項19之裝置，其中該DUT係進一步可操作以自該回送路徑接收該射頻訊號，其中該回送路徑係可操作以將該射頻訊號自該DUT經由該等複數個開關路由回到該DUT。
一種基板處理裝置，包括： <br/>製程腔室，內部形成一反應空間； <br/>腔室蓋，覆蓋所述製程腔室上部； <br/>基板支撐部，設置在所述製程腔室內，以支撐至少一個基板； <br/>電漿源組件，包括為了向所述反應空間供給活化的製程氣體而結合到所述腔室蓋且形成從所述腔室蓋的中心具有第一半徑的第一環形通道的第一電漿源、相比所述第一電漿源形成具有較小的第二半徑的第二環形通道的第二電漿源、設置在所述第一電漿源及所述第二電漿源與所述腔室蓋之間的絕緣部件；以及 <br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相對，形成在所述電漿源組件的下部，形成將由所述電漿源組件活化的製程氣體噴射到所述基板支撐部上的氣體噴射板， <br/>其中，所述第一電漿源具有排出所述第一電漿源活化的所述製程氣體的第一開口部，所述第二電漿源具有排出所述第二電漿源活化的所述製程氣體的第二開口部，所述第一開口部及所述第二開口部的高度不相同。
一種基板處理裝置，包括： <br/>製程腔室，內部形成反應空間； <br/>腔室蓋，覆蓋所述製程腔室上部； <br/>基板支撐部，設置在所述製程腔室內，以支撐至少一個基板； <br/>電漿源組件，包括為了向所述反應空間供給活化的製程氣體，形成從所述腔室蓋的中心具有第一半徑的第一環形通道的第一電漿源、相比所述第一電漿源形成具有較小的第二半徑的第二環形通道的第二電漿源、結合到所述腔室蓋上且排出所述第一電漿源及所述第二電漿源活化的製程氣體的氣體排放板、設置在所述第一電漿源及所述第二電漿源與所述氣體排放板之間的絕緣部件；以及 <br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相對，形成在所述電漿源組件的下部，形成將由所述電漿源組件活化的所述製程氣體噴射到所述基板支撐部上的氣體噴射板， <br/>其中，所述第一電漿源具有排出所述第一電漿源活化的所述製程氣體的第一開口部，所述第二電漿源具有排出所述第二電漿源活化的製程氣體的第二開口部，所述第一開口部及所述第二開口部的高度不相同。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第一電漿源包括： <br/>第一反應主體，包括內部分別形成複數個第一氣體擴散空間的複數個第一主體部及結合到所述複數個第一主體部之間的複數個第一絕緣部，以所述複數個第一氣體擴散空間整體上形成所述第一環形通道地設置所述複數個第一主體部； <br/>複數個第一磁芯，分別圍繞所述第一反應主體，沿著所述第一環形通道彼此隔開；以及 <br/>複數個第一線圈，纏繞所述複數個第一磁芯，從電源部接收電力而在所述複數個第一磁芯內感應磁力， <br/>其中，所述絕緣部件包括結合到所述第一反應主體的至少一面的複數個第一絕緣部件。
根據請求項3所述的基板處理裝置，其中，所述第一反應主體包括： <br/>複數個第1-1主體部，形成所述第一環形通道的至少一部分； <br/>複數個第1-2主體部，作為所述第一環形通道的另一部分，形成在所述複數個第1-1主體部的側部，外部與所述複數個第一絕緣部結合； <br/>複數個第一氣體流入口，為了使外部供給的所述製程氣體流入所述複數個第一氣體擴散空間，所述複數個第1-1主體部的至少一部分被貫通而形成；以及 <br/>複數個第一開口部，形成在所述複數個第1-1主體部的至少一部分，將活化的所述製程氣體從所述第一反應主體排出。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第二電漿源包括： <br/>第二反應主體，相比所述第一反應主體形成在內側，包括內部形成第二氣體擴散空間的第二主體部及結合到所述第二主體部的第二絕緣部，以所述第二氣體擴散空間整體上形成所述第二環形通道地設置所述第二主體部； <br/>第二磁芯，圍繞所述第二反應主體，設置在所述第二環形通道的一部分；以及 <br/>第二線圈，纏繞所述第二磁芯，從電源部接收電力而在所述第二磁芯內感應磁力， <br/>其中，所述絕緣部件包括結合到所述第二反應主體的至少一面的第二絕緣部件。
根據請求項5所述的基板處理裝置，其中，所述第二反應主體包括： <br/>第2-1主體部，形成所述第二環形通道的一部分； <br/>第2-2主體部，作為所述第二環形通道的另一部分，連接到所述第2-1主體部，外部與所述第二絕緣部結合； <br/>至少一個第二氣體流入口，為了使所述製程氣體流入所述第二氣體擴散空間，所述第2-1主體部的至少一部分被貫通而形成；以及 <br/>至少一個第二開口部，形成在所述第2-1主體部的至少一部分，將活化的所述製程氣體從所述第二反應主體排出。
根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述氣體排放板在與將由所述第一電漿源活化的所述製程氣體從所述第一電漿源排出的複數個第一開口部及將由所述第二電漿源活化的所述製程氣體從所述第二電漿源排出的第二開口部對應的位置，形成複數個排出口。
根據請求項7所述的基板處理裝置，其中，所述氣體排放板包括： <br/>複數個第一氣體排出口，為了將所述第一電漿源活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部而形成在第一高度；以及 <br/>至少一個第二氣體排出口，為了將所述第二電漿源活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部而形成在高於所述第一高度的第二高度， <br/>其中，所述複數個第一氣體排出口及所述至少一個第二氣體排出口具有段差地形成。
根據請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述第一氣體排出口及所述第二氣體排出口分別以複數個孔部形態形成。
根據請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述複數個第一氣體排出口形成在所述第一高度的所述氣體排放板下端，以將活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部的上側， <br/>其中，所述至少一個第二氣體排出口形成在所述第二高度的所述氣體排放板上端，以將活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部的上側。
根據請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述複數個第一氣體排出口形成在所述第一高度的所述氣體排放板側部，以將活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部的上側部， <br/>其中，所述至少一個第二氣體排出口形成在所述第二高度的所述氣體排放板上端，以將活化的所述製程氣體供給到所述氣體噴射部的上側。
一種基板處理裝置，包括：<br/>製程腔室，內部形成反應空間；<br/>腔室蓋，覆蓋所述製程腔室上部；<br/>基板支撐部，設置在所述製程腔室內，以支撐至少一個基板；<br/>電漿源組件，包括為了向所述反應空間供給活化的製程氣體而結合到所述腔室蓋且形成具有第一半徑的第一環形通道的第一電漿源、相比所述第一電漿源形成具有較小的第二半徑的第二環形通道的第二電漿源、設置在所述第一電漿源及所述第二電漿源與所述腔室蓋之間的絕緣部件；<br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相對，形成在所述電漿源組件的下部，形成將由所述電漿源組件活化的所述製程氣體噴射到所述基板支撐部上的氣體噴射板；以及<br/>控制部，用於控制向所述第一電漿源及所述第二電漿源供給電漿功率的電漿電源部及調節從所述製程腔室外部供給的所述製程氣體的供給量的流量調節器的操作，<br/>其中，所述第一電漿源具有排出所述第一電漿源活化的所述製程氣體的複數個第一開口部，所述第二電漿源具有排出所述第二電漿源活化的所述製程氣體的至少一個第二開口部，所述複數個第一開口部和所述至少一個第二開口部形成在相同高度上。
一種基板處理裝置，包括：<br/>製程腔室，內部形成反應空間；<br/>腔室蓋，覆蓋所述製程腔室上部；<br/>基板支撐部，設置在所述製程腔室內，以支撐至少一個基板；<br/>電漿源組件，包括結合到所述腔室蓋的氣體排放板、為了向所述反應空間供給活化的製程氣體而結合到所述氣體排放板且形成具有第一半徑的第一環形通道的第一電漿源、相比所述第一電漿源形成具有較小的第二半徑的第二環形通道的第二電漿源、設置在所述第一電漿源及所述第二電漿源與所述氣體排放板之間的絕緣部件；<br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相對，形成在所述電漿源組件的下部，形成將由所述電漿源組件活化的所述製程氣體噴射到所述基板支撐部上的氣體噴射板；以及<br/>控制部，用於控制向所述第一電漿源及所述第二電漿源供給電漿功率的電漿電源部及調節從所述製程腔室外部供給的所述製程氣體的供給量的流量調節器的操作，<br/>其中，所述第一電漿源具有排出所述第一電漿源活化的製程氣體的複數個第一開口部，所述第二電漿源具有排出所述第二電漿源活化的所述製程氣體的至少一個第二開口部，所述複數個第一開口部和所述至少一個第二開口部形成在相同高度上。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第一電漿源包括：<br/>第一反應主體，包括內部分別形成複數個第一氣體擴散空間的複數個第一主體部及結合到所述複數個第一主體部之間的複數個第一絕緣部，以所述複數個第一氣體擴散空間整體上形成所述第一環形通道地設置所述複數個第一主體部；<br/>複數個第一磁芯，分別圍繞所述第一反應主體，沿著所述第一環形通道彼此隔開；以及<br/>複數個第一線圈，纏繞所述複數個第一磁芯，從所述電漿電源部接收電力而在所述複數個第一磁芯內感應磁力，<br/>其中，所述絕緣部件包括結合到所述第一反應主體的至少一面的複數個第一絕緣部件。
根據請求項3所述的基板處理裝置，其中，所述第一反應主體包括：<br/>複數個第1-1主體部，形成所述第一環形通道的至少一部分；<br/>複數個第1-2主體部，作為所述第一環形通道的另一部分，形成在所述複數個第1-1主體部的側部，外部與所述複數個第一絕緣部結合；<br/>複數個第一氣體流入口，為了使外部供給的所述製程氣體流入所述複數個第一氣體擴散空間，所述複數個第1-1主體部的至少一部分被貫通而形成；以及<br/>所述複數個第一開口部形成在所述複數個第1-1主體部的至少一部分，將活化的所述製程氣體從所述第一反應主體排出。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第二電漿源包括：<br/>第二反應主體，相比所述第一反應主體形成在內側，包括內部形成第二氣體擴散空間的第二主體部及結合到所述第二主體部的第二絕緣部，以所述第二氣體擴散空間整體上形成所述第二環形通道地設置所述第二主體部；<br/>第二磁芯，圍繞所述第二反應主體，設置在所述第二環形通道的一部分；<br/>第二線圈，纏繞所述第二磁芯，從所述電漿電源部接收電力而在所述第二磁芯內感應磁力；以及<br/>第二絕緣部件，結合到所述第二反應主體的至少一面。
根據請求項5所述的基板處理裝置，其中，所述第二反應主體包括：<br/>第2-1主體部，形成所述第二環形通道的一部分；<br/>第2-2主體部，作為所述第二環形通道的另一部分，連接到所述第2-1主體部，外部與所述第二絕緣部結合；<br/>至少一個第二氣體流入口，為了使所述製程氣體流入所述第二氣體擴散空間，所述第2-1主體部的至少一部分被貫通而形成；以及<br/>所述至少一個第二開口部形成在所述第2-1主體部的至少一部分，將活化的所述製程氣體從所述第二反應主體排出。
根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述氣體排放板包括：<br/>複數個第一氣體排出口，為了使所述第一電漿源將活化的製程氣體供給到所述氣體噴射部，形成在與所述複數個第一開口部對應的位置；以及<br/>至少一個第二氣體排出口，為了使所述第二電漿源將活化的製程氣體供給到所述氣體噴射部，形成在與所述至少一個第二開口部對應的位置。
根據請求項7所述的基板處理裝置，其中，所述第一氣體排出口及所述第二氣體排出口分別由複數個孔部形態形成。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述控制部控制用於調節向所述第一電漿源流入的所述製程氣體的供給量的第一流量調節器和用於調節向所述第二電漿源流入的所述製程氣體的供給量的第二流量調節器的操作。
根據請求項9所述的基板處理裝置，其中，所述控制部以所述第一電漿源中活化相比所述第二電漿源更多量的所述製程氣體地控制所述第一流量調節器及所述第二流量調節器的操作。
根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述電漿電源部包括：<br/>第一電源部，向所述第一電漿源施加RF功率；以及<br/>第二電源部，向所述第二電漿源施加RF功率。
根據請求項11所述的基板處理裝置，其中，為了在所述第一電漿源中相比所述第二電漿源活化更多量的所述製程氣體，所述控制部控制為向所述第一電源部施加的功率大於向所述第二電源部施加的功率。
一種功率模組，設置於一主板，且該主板包含一金屬面，其中該功率模組包含：<br/> 一功率器件，包含一第一面、一第二面、一源極、一閘極及一汲極，該第一面及該第二面相對設置，該源極及該閘極設置於該第一面，該汲極設置於該第二面；<br/> 一第一焊錫層，貼合於該功率器件的該第一面，且連接於該源極及該閘極，其中該第一焊錫層設置於該主板的該金屬面上； <br/> 一第二焊錫層，貼合於該功率器件的該第二面，且連接於該汲極，其中該汲極相較於該源極及該閘極而遠離該主板；以及<br/> 一導接部件，連接於該第一焊錫層及該第二焊錫層，且包含一第一基板，設置於該第一焊錫層遠離該功率器件的一面，且位於該第一焊錫層及該主板的該金屬面之間，其中該第一基板具有複數個導接端，其中該第一焊錫層包含一第一焊錫單元、一第二焊錫單元及一第三焊錫單元，該第一焊錫單元、該第二焊錫單元及該第三焊錫單元相間隔設置於該第一基板上，該第一焊錫單元設置於該功率器件及該第一基板上對應的該導接端之間。
如請求項1所述的功率模組，其中該導接部件包含一第一導線架，設置於該第一焊錫層的該第二焊錫單元上，其中該第二焊錫單元位於該第一導線架及該第一基板上對應的該導接端之間，其中該第一導線架包含一第一載體、一第一彎曲部及一第一連接腳位，其中該第一導線架的該第一載體貼合於該第一焊錫層的該第二焊錫單元，該第一彎曲部由該第一載體彎曲延伸所構成，該第一連接腳位由該第一彎曲部朝向遠離該第一載體的方向延伸所構成，其中該第一連接腳位的延伸方向與該第一載體的延伸方向之間具有一距離。
如請求項2所述的功率模組，其中該導接部件包含一第二基板，連接於該第二焊錫層遠離該功率器件的一面，而與該第一基板分別位於該功率器件的相對兩側。
如請求項3所述的功率模組，其中該導接部件包含一導電柱體，設置於該第二基板及該第一導線架的該第一載體之間。
如請求項1所述的功率模組，其中該導接部件包含一第二導線架，設置於該第二焊錫層遠離該功率器件的一面，且該第二導線架包含一第二載體、一第二彎曲部及一第二連接腳位，其中該第二導線架的該第二載體貼合於該第二焊錫層，該第二彎曲部由該第二載體彎曲延伸所構成，該第二連接腳位由該第二彎曲部朝向遠離該第二載體的方向延伸所構成，其中該第二連接腳位的延伸方向與該第二載體的延伸方向之間具有一距離。
如請求項1所述的功率模組，其中該導接部件包含一第三導線架，設置於該功率器件的該第一面，且該第三導線架包含一第三載體、一第三彎曲部及一第三連接腳位，其中該第三導線架的該第三載體貼合於該第一焊錫層的該第三焊錫單元，該第三彎曲部由該第三載體彎曲延伸所構成，該第三連接腳位由該第三彎曲部朝向遠離該第三載體的方向延伸所構成，其中該第三連接腳位的延伸方向與該第三載體的延伸方向之間具有一距離。
一種背靠連接結構，用於兒童椅具，該兒童椅具包含座椅本體和背靠組件，其特徵在於，該背靠組件通過該背靠連接結構與該座椅本體可拆卸連接，該背靠連接結構包含背靠拆卸機構，該背靠拆卸機構包括：<br/> 卡合件，可移動地設置在該背靠組件上，該卡合件具有卡合端；以及<br/> 拆卸操作件，可轉動地連接於該背靠組件，該拆卸操作件與該卡合件驅動連接，該拆卸操作件能夠被轉動地操作以使該卡合件在第一背靠鎖定位置和第一背靠解鎖位置之間移動；<br/> 該座椅本體設置有卡合部，當該卡合件位於第一背靠鎖定位置時，該卡合端能夠與該卡合部卡合，以將該背靠組件與該座椅本體連接，當該卡合件位於第一背靠解鎖位置時，該卡合端與該卡合部解除卡合，以允許該背靠組件與該座椅本體分離。
如請求項1所述之背靠連接結構，其中，該卡合件和該拆卸操作件中的一者設置連接凸台，該卡合件和該拆卸操作件中的另一者設置有連接凹槽，該連接凹槽的延伸方向與該拆卸操作件的樞轉軸線垂直，該連接凸台與該連接凹槽卡接，並且能夠沿該連接凹槽滑動。
如請求項2所述之背靠連接結構，其中，該連接凹槽的槽口處設置有抵接部；該連接凸台包括第一柱體部和連接於該第一柱體部的端面的第二柱體部，該第二柱體部的直徑大於該第一柱體部的直徑，該第二柱體部容納於該連接凹槽並且與該抵接部抵接。
如請求項2所述之背靠連接結構，其中，該卡合件包括第一平直段、第二平直段、以及連接於該第一平直段和該第二平直段之間的連接段，該第一平直段與該第二平直段平行但不共線，該第一平直段形成該卡合端。
如請求項2所述之背靠連接結構，其中，該背靠拆卸機構配置有兩個卡合件，該拆卸操作件設置有兩個該連接凹槽，兩個該連接凹槽相對於該拆卸操作件的樞轉軸線呈旋轉對稱分佈。
如請求項1所述之背靠連接結構，其中，該背靠拆卸機構還包括拆卸復位件，該拆卸復位件適於偏壓該卡合件，以使該卡合件移向該第一背靠鎖定位置。
如請求項6所述之背靠連接結構，其中，該背靠組件設置有適於容納該拆卸復位件的第一限位槽，該卡合件設置有限位平台；該卡合件至少部分地容納於該第一限位槽，該拆卸復位件的一端與該限位平台抵接，該拆卸復位件的另一端與該第一限位槽的側壁抵接。
如請求項1所述之背靠連接結構，其中，該拆卸操作件包括外輪廓呈圓柱形的樞接部和設置於該樞接部的端面的拆卸操作部，該樞接部可樞轉地連接至該背靠組件，並且與該卡合件驅動連接。
如請求項1所述之背靠連接結構，還包含背靠調整機構，該背靠調整機構包括：調整件，可移動地設置於該背靠組件，該調整件具有卡接端；該座椅本體上設置有至少一個調整部，該調整件能夠在第二背靠鎖定位置和第二背靠解鎖位置之間移動，當該調整件位於該第二背靠鎖定位置時，該卡接端能夠與其中一個調整部卡合，當該調整件位於該第二背靠解鎖位置時，該卡接端與該調整部解除卡合；當該調整件位於該第二背靠鎖定位置並且該卡合件位於該第一背靠鎖定位置時，該背靠組件能夠與該座椅本體固定連接；當該調整件位於該第二背靠解鎖位置並且該卡合件位於該第一背靠解鎖位置時，該背靠組件能夠與該座椅本體分離。
一種兒童椅具，其特徵在於，包括座椅本體、背靠組件和請求項1至9中任一項所述的背靠連接結構，該背靠組件通過該背靠連接結構與該座椅本體可拆卸連接。
一種氣動控制噴嘴組件，包括：<br/> 一噴嘴本體，包括一入口端、一出口端和一內部通道，其中該內部通道連通該入口端和該出口端；<br/> 一閉合活動件，可移動地設置在該噴嘴本體的該內部通道中；以及<br/> 一氣控驅動部，與該噴嘴本體和該閉合活動件連接，用於驅動該閉合活動件在該內部通道中進行一線性運動，以使得該噴嘴本體在一開啟狀態和一關閉狀態之間變化，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件塞住位於該噴嘴本體最末端的該出口端，並且在該關閉狀態時，該閉合活動件的末端在面對外部的一側不會留有任何可容納殘留液體的空間或通道。
如請求項1的氣動控制噴嘴組件，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件的該末端突伸出該噴嘴本體的該出口端。
如請求項1的氣動控制噴嘴組件，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件的該末端與該噴嘴本體的該出口端齊平。
如請求項1的氣動控制噴嘴組件，其中在該噴嘴本體處於該開啟狀態時，該閉合活動件的該末端與該噴嘴本體的該出口端和該內部通道的管壁分別相隔一距離。
如請求項1的氣動控制噴嘴組件，其中該閉合活動件的該線性運動包含朝向該噴嘴本體的該出口端的方向前進或遠離。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 一基板保持部，用於保持一基板；<br/> 一供液系統，用於提供一液體；以及<br/> 一氣動控制噴嘴組件，與該供液系統連接，用於將該液體施加在該基板上，其中該氣動控制噴嘴組件包括： <br/> 一噴嘴本體，包括一入口端、一出口端和一內部通道，其中該內部通道連通該入口端和該出口端，以及該噴嘴本體允許該液體經由該入口端進入並且流經該內部通道之後從該出口端排出；<br/> 一閉合活動件，可移動地設置在該噴嘴本體的該內部通道中；以及<br/> 一氣控驅動部，與該噴嘴本體和該閉合活動件連接，用於驅動該閉合活動件在該內部通道中進行一線性運動，以使得該噴嘴本體在一開啟狀態和一關閉狀態之間變化，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件塞住位於該噴嘴本體最末端的該出口端，並且在該關閉狀態時，該閉合活動件的末端在面對外部的一側不會留有任何可容納殘留液體的空間或通道。
如請求項6的基板處理裝置，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件的該末端突伸出該噴嘴本體的該出口端。
如請求項6的基板處理裝置，其中在該噴嘴本體處於該關閉狀態時，該閉合活動件的該末端與該噴嘴本體的該出口端齊平。
一種基板處理裝置之控制方法，包括：<br/> 提供如請求項6至8任一項所述的基板處理裝置；<br/> 在該基板保持部上放置該基板；<br/> 藉由該氣控驅動部驅動該閉合活動件遠離該噴嘴本體的該出口端以使得該噴嘴本體處於該開啟狀態；<br/> 啟動該供液系統以通過該氣動控制噴嘴組件將該液體施加在該基板上；以及<br/> 藉由該氣控驅動部驅動該閉合活動件朝向該噴嘴本體的該出口端的方向前進直到塞住位於該噴嘴本體最末端的該出口端，以使得該噴嘴本體處於該關閉狀態。
如請求項9的基板處理裝置之控制方法，其中在藉由該氣控驅動部驅動該閉合活動件朝向該噴嘴本體的該出口端的方向前進之前，該控制方法還包括：<br/> 關閉該供液系統；以及<br/> 藉由一回吸裝置將該內部通道中殘留的該液體抽出。
一種藥錠切半機，包括：<br/> 一基座；<br/> 一傳動裝置，設於該基座上，具一馬達連動至少一軸桿旋轉；<br/> 一控制裝置，電性連接該馬達，並控制該馬達動作；<br/> 一外筒，設於該基座上，中央具一容置槽，下方具外底壁、側方具一外環壁，該容置槽下方具至少一落錠孔；<br/> 一內筒，為圓柱形體設於該容置槽內，並與該外筒同軸設置，具一內底壁，側方具一內環壁，該內環壁設置至少一延伸至該內底壁周緣內側之凹口；<br/> 至少一隔片裝置，具對應該外環壁圓周方向之一長條狀隔片，一端與該外筒之外環壁固接；<br/> 至少一切割裝置，具一對應該外環壁圓周方向並與該外環壁固接之組接片，該組接片設置至少一切割件；<br/> 一旋轉座，設於該容置槽內並與該外筒同軸設置，並與該軸桿連動接合，上方具一導移部，該導移部下方具一引導部，該引導部具一環狀活動壁，該活動壁設於該外環壁及該內環壁間，又於該活動壁環周設置至少一上、下方向可承接藥錠呈直立排列之承置槽；<br/> 而且該旋轉座旋轉時可帶動該承置槽內之該藥錠位移並由該隔片裝置區隔上、下堆疊該藥錠，且由該切割件切半再由該凹口、該落錠孔導出。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該隔片樞設一導輪，又該活動壁對應該隔片裝置位置內凹設置可與該導輪抵靠並容置該隔片之第一環溝。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該切割裝置設於該隔片裝置下方，具一第一切輪、一第二切輪、一推輪，該第一切輪、該第二切輪、該推輪依序呈間隔樞設於該組接片上，並該第一切輪、該第二切輪為該切割件，其環周具對應該外環壁徑向之刃部，又該第一切輪直徑小於該第二切輪直徑，該推輪直徑大於該第二切輪直徑，該推輪環周具非銳角之推移壁。
如請求項3所述之藥錠切半機，其中該活動壁對應該切割裝置位置內凹設置可與該推輪抵靠之第二環溝。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該凹口朝向該內筒中央一側具凸出於該內底壁上方之擋壁。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該導移部具中央較高並向下方直徑擴張之圓錐形導移壁。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該內筒之內環壁對應該切割件之切割方向設置一內環溝。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該基座具一底板、一頂板、一側板，中央具一容室，又該頂板設置一第一軸孔、一第二軸孔、一第一落錠孔；又該傳動裝置設於該容室內，具一馬達、一減速齒輪組、一第一軸桿、一第二軸桿、一傳動帶，該第一軸桿、該第二軸桿分別穿插該第一軸孔、該第二軸孔樞設於該基座之頂板上，又該馬達連動該減速齒輪組、該第一軸桿；又該傳動帶與該第一軸桿、該第二軸桿接合；又該第二軸桿向上設置一連接部；又該外筒之該外底壁中央設置可穿插該第二軸桿之第三軸孔，對應該基座之第一落錠孔位置設置第二落錠孔；又該內底壁與該外筒之該外底壁固接，中央具可穿插該第二軸桿之第四軸孔；又該內環壁之凹口設於對應該第二落錠孔位置；又該旋轉座內部中央設置一可與該連接部接合之接合之接合部。
如請求項1所述之藥錠切半機，其中該隔片及組接片為具彈性片體。
如請求項9所述之藥錠切半機，其中該外環壁設置至少一可提供該隔片裝置、該切割裝置偏移動作之缺口。
一種記憶體模組連接器，用於對接一記憶體模組，該記憶體模組連接器包括： <br/>一電路板，具有一對接面，在該對接面上佈設有一電路； <br/>一絕緣板，具有相對配置的一第一表面以及一第二表面，該絕緣板附設在該對接面上，且該第一表面依附於該對接面，該絕緣板具有複數穿槽，各該穿槽分別連接在該第一表面以及該第二表面之間；及 <br/>複數端子，分別穿設在該些穿槽內，每一該端子為平板體而定義有一厚度方向，每一該端子具有一弧形彈臂，且該弧形彈臂沿著垂直於該端子的該厚度方向的一平面延伸，該些端子的該些厚度方向相互平行配置且該些端子呈矩陣排列，該些端子分別露出在各該穿槽的二端，每一該端子具有一第一端部以及一第二端部，每一該端子中的該第一端部抵接於該電路且該第二端部凸露在該第二表面，當所述記憶體模組對接時，所述記憶體模組抵接每一該端子的中的該第二端部，各該弧形彈臂被壓縮夾持在該電路板及所述記憶體模組之間而使每一該端子中的該第一端部及該第二端部相互接觸； <br/>其中在每一該端子中，該端子具有一對觸動柄，該對觸動柄分別設置在該弧形彈臂的二端，各該觸動柄分別具有一外端以及內端，二該觸動柄的二該內端相向配置，其中一該觸動柄的該外端抵接該電路，另一該觸動柄的該外端凸露在該第二表面。
如請求項1所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，當該弧形彈臂被壓縮夾持在該電路板及所述記憶體模組之間時，二該觸動柄的二該內端互接觸。
如請求項1所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該端子具有一第一卡勾，該第一卡勾沿該端子的該厚度方向凸出於該端子的其中一面，且該第一卡勾卡接於對應的該穿槽之內壁。
如請求項3所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該卡勾以沖壓方式形成於該端子，在該端子上對應該第一卡勾形成一第一通口，且該第一卡勾之根部連接於該第一通口之內緣。
如請求項1所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該端子具有一止擋部，該止擋部沿該端子的該厚度方向凸出於該端子的其中一面，在該絕緣板的該第一表面上對應該些穿槽設置有複數止擋凹槽，各該止止擋凹槽連通對應的該穿槽的一側，且各該止擋部分別穿設於對應的該止擋凹槽之內。
如請求項5所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該止擋部延伸自該端子的邊緣之一處，且該止擋部被彎折而平行於該端子的該厚度方向。
如請求項5所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該端子具有一第二卡勾，該第二卡勾凸出於該止擋部的一側面，且該第二卡勾卡接於對應的該止擋凹槽之內壁。
如請求項7所述的記憶體模組連接器，其中在每一該端子中，該第二卡勾以沖壓方式形成於該端子，在該端子上對應該第二卡勾形成一第二通口，該第二卡勾之根部連接於該第二通口之內緣。
如請求項1所述的記憶體模組連接器，其中相鄰的二該端子之間距大於該端子之厚度的10倍。
一種通訊電路裝置，包括：傳輸時脈電路，包括：相位內插電路，對第一時脈訊號和第二時脈訊號中的每一個進行相位內插，並提供相位內插的第一時脈訊號和相位內插的第二時脈訊號；以及傳輸差分至正交相位產生器，被配置為：對所述相位內插的第一時脈訊號和所述相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行占空比校正，以提供占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和占空比校正的相位內插的第二時脈訊號；對所述占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述占空比校正的相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行正交誤差校正，以提供正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第二時脈訊號；基於所述正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第一時脈訊號輸出傳輸時脈訊號；以及基於所述正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第二時脈訊號輸出多個時脈相位和追蹤訊號。
如請求項1所述的通訊電路裝置，包括接收器時脈電路，從所述傳輸時脈電路接收所述多個時脈相位和所述追蹤訊號，所述接收器時脈電路包括：追蹤電路，從所述追蹤訊號產生追蹤訊號；以及接收器差分至正交相位產生器，被配置為：接收所述追蹤訊號；對基於所述多個時脈相位的時脈相位訊號進行占空比校正，以提供占空比校正的時脈相位訊號；對所述占空比校正的時脈相位訊號進行正交誤差校正，以提供正交誤差校正的占空比校正的時脈相位訊號；以及基於所述正交誤差校正的占空比校正的時脈相位訊號提供接收器時脈訊號。
如請求項2所述的通訊電路裝置，包括資料傳輸電路，接收資料並傳輸所述資料，其中所述傳輸時脈電路包括：至少一第一緩衝器，向所述資料傳輸電路提供所述傳輸時脈訊號；以及至少一第二緩衝器，向所述接收器時脈電路提供所述多個時脈相位和所述追蹤訊號。
如請求項3所述的通訊電路裝置，包括資料接收電路，接收由所述資料傳輸電路傳輸的所述資料，其中所述接收器時脈電路包括：第一接收緩衝器電路，從所述傳輸時脈電路接收所述多個時脈相位和所述追蹤訊號，並向所述接收器差分至正交相位產生器提供所述多個時脈相位；以及第二接收緩衝器電路，向所述資料接收電路提供所述接收器時脈訊號。
如請求項1所述的通訊電路裝置，其中所述傳輸差分至正交相位產生器包括：至少一占空比校正器，校正所述相位內插的第一時脈訊號和所述相位內插的第二時脈訊號中每一個的占空比，以提供所述占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述占空比校正的相位內插的第二時脈訊號；以及至少一正交誤差校正器，對所述占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述占空比校正的相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行正交誤差校正，以提供所述正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述正交誤差校正的占空比校正的相位內插的第二時脈訊號。
一種通訊電路裝置，包括：傳輸時脈電路，產生傳輸時脈訊號以傳輸資料，所述傳輸時脈電路包括：相位內插電路，接收第一時脈訊號和第二時脈訊號，並對所述第一時脈訊號和所述第二時脈訊號中的每一個進行相位內插，以提供相位內插的第一時脈訊號和相位內插的第二時脈訊號；以及傳輸差分至正交相位產生器，其被配置為：對所述相位內插的第一時脈訊號和所述相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行占空比校正，以提供占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和占空比校正的相位內插的第二時脈訊號；以及對所述占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述占空比校正的相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行正交誤差校正，以產生所述傳輸時脈訊號、多個時脈相位和追蹤訊號；以及接收器時脈電路，基於所述多個時脈相位和所述追蹤訊號產生接收器時脈訊號，以接收所傳輸的所述資料並產生輸出資料，所述接收器時脈電路包括：接收器差分至正交相位產生器，被配置為：基於所述追蹤訊號接收追蹤訊號；基於所述多個時脈相位對時脈相位訊號進行占空比校正，以提供占空比校正的時脈相位訊號；對所述占空比校正的時脈相位訊號進行正交誤差校正，以提供正交誤差校正的占空比校正的時脈相位訊號；以及基於所述正交誤差校正的占空比校正的時脈相位訊號提供所述接收器時脈訊號。
如請求項6所述的通訊電路裝置，其中所述接收器差分至正交相位產生器包括：至少一接收器占空比校正器，對所述時脈相位訊號進行占空比校正，以提供所述占空比校正的時脈相位訊號；以及至少一接收器正交誤差校正器，對所述占空比校正的時脈相位訊號進行正交誤差校正，以提供所述正交誤差校正的占空比校正的時脈相位訊號。
一種操作包括至少一差分至正交相位產生器的通訊電路的方法，所述方法包括：由傳輸時脈電路基於至少一時脈訊號產生第一時脈訊號和第二時脈訊號；由相位內插電路對所述第一時脈訊號和所述第二時脈訊號中的每一個進行相位內插，以提供相位內插的第一時脈訊號和相位內插的第二時脈訊號；由傳輸差分至正交相位產生器對所述相位內插的第一時脈訊號和所述相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行占空比校正，以提供占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和占空比校正的相位內插的第二時脈訊號；由所述傳輸差分至正交相位產生器對所述占空比校正的相位內插的第一時脈訊號和所述占空比校正的相位內插的第二時脈訊號中的每一個進行正交誤差校正，以產生傳輸時脈訊號、多個時脈相位和追蹤訊號；以及基於所述傳輸時脈訊號從資料傳輸電路傳輸資料。
如請求項8所述的方法，包括：由接收器時脈電路接收所述多個時脈相位和所述追蹤訊號；基於所述多個時脈相位提供時脈相位訊號；由追蹤電路基於所述追蹤訊號產生追蹤訊號；由接收器差分至正交相位產生器對所述時脈相位訊號進行占空比校正，以提供占空比校正的時脈相位訊號；由所述接收器差分至正交相位產生器對所述占空比校正的時脈相位訊號進行正交誤差校正，以產生接收器時脈訊號；以及接收從所述資料傳輸電路傳輸的所述資料，並基於所述接收器時脈訊號輸出所述資料。
如請求項9所述的方法，其中由所述接收器差分至正交相位產生器進行占空比校正包括由占空比校正器進行占空比校正，並且由所述接收器差分至正交相位產生器進行正交誤差校正包括由正交誤差校正器進行正交誤差校正。
一種天線模組，包含：<br/> 一金屬殼，包括一本體，及一形成於該本體上的開孔；及<br/> 一天線裝置，設置於該開孔，並包括一環形金屬部、一第一輻射部、一第二輻射部，及一連接部，該環形金屬部圍繞於該第一輻射部及該第二輻射部，且該環形金屬部與該第一輻射部呈電性連接，該第一輻射部具有一第一輻射端及一接地端，且該第一輻射部的該接地端連接該環形金屬部，該第二輻射部與該環形金屬部及該第一輻射部相間隔沒有連接，該連接部自該環形金屬部的外緣向外延伸，並電連接於該金屬殼；<br/> 其中，該天線裝置的該環形金屬部之周長為一第一操作頻帶的二分之一波長，該第一操作頻帶相關於2.4十億赫茲(GHz)Wi-Fi或藍芽資料傳輸之頻帶。
如請求項1所述的天線模組，其中，該第一輻射部還具有一第一臂及一第二臂，並呈一L字型，該第一輻射端設置於該第一臂，該接地端設置於該第二臂。
如請求項2所述的天線模組，其中，該第二輻射部具有一第二輻射端、一饋入端、一第三臂及一第四臂，並呈一L字型，該第二輻射端設置於該第三臂，該饋入端設置於該第四臂，該第一輻射部的該第二臂與該第二輻射部的該第四臂相間隔且平行。
如請求項1所述的天線模組，其中，該開孔呈一具有二長邊及二短邊之矩形，該天線裝置的該連接部連接於該等長邊其中之一。
如請求項1所述的天線模組，還包含一埋射塑膠，該埋射塑膠用以填入該開孔，該天線裝置設置於該埋射塑膠。
如請求項1所述的天線模組，其中，該天線裝置為一鐵件天線，該鐵件天線利用金屬沖壓或車床切削的技術形成該天線裝置。
一種天線裝置，設置於一形成於一金屬殼上的開孔，並包含：<br/> 一第一輻射部，具有一第一輻射端及一接地端；<br/> 一第二輻射部，具有一第二輻射端及一饋入端，且與該第一輻射部相間隔沒有連接；<br/> 一環形金屬部，圍繞於該於該第一輻射部，及該第二輻射部，並連接該第一輻射部的該接地端且與該第二輻射部相間隔沒有連接；<br/> 一連接部，自該環形金屬部的外緣向外延伸，並電連接於該金屬殼；及<br/> 一載體，用以承載該第一輻射部、該第二輻射部、該環形金屬部及該連接部；<br/> 其中，該天線裝置的該環形金屬部之周長為一第一操作頻帶的二分之一波長，該第一操作頻帶相關於2.4十億赫茲(GHz)Wi-Fi或藍芽資料傳輸之頻帶。
如請求項7所述的天線裝置，其中，該載體為一印刷電路板或一軟性印刷電路板。
如請求項7所述的天線裝置，其中，該載體為用以供雷射直接成型該第一輻射部、該第二輻射部、該環形金屬部的塑膠件。
一種全方位的節能負碳系統，包含：<br/> 一負碳設備，用以依據一負碳設備參數固碳；以及<br/> 一處理裝置，訊號連接該負碳設備，且包含：<br/> 一記憶體，儲存複數個來源資料，該些來源資料包含一能耗資訊，該能耗資訊來自於該負碳設備；及<br/> 一處理器，訊號連接該記憶體，並經配置以實施包含以下的操作：<br/> 進行一智慧化捕捉封存再利用規劃的操作，該智慧化捕捉封存再利用規劃的操作包含根據一綠色智慧製造(Green Intelligent Manufacturing；GiM)系統的一碳排放減量需求定義出一碳排放減量需求目標值，並計算出一期望產量與一預計可完成時間，並實施一捕捉封存再利用程序，其中該捕捉封存再利用程序包含進行二氧化碳的捕捉、封存及再利用；<br/> 進行一捕捉封存再利用程序結束確認的操作，該捕捉封存再利用程序結束確認的操作包含依據該碳排放減量需求目標值確認該捕捉封存再利用程序是否結束；及<br/> 進行一智慧化碳交易規劃的操作，該智慧化碳交易規劃的操作包含根據在該捕捉封存再利用程序所吸收的一二氧化碳量計算一碳排放實際減碳量，以實施該綠色智慧製造系統的自願碳排放減量，並確認是否滿足該綠色智慧製造系統的該碳排放減量需求；<br/> 其中，該智慧化捕捉封存再利用規劃的操作更包含進行一負碳設備參數調控的操作，該負碳設備參數調控的操作包含使用一最佳化演算法調整該負碳設備參數，其中該負碳設備參數符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="150px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="20px" width="29px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一最小生長調控成本；<img align="absmiddle" height="20px" width="15px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一生長調控權重；<img align="absmiddle" height="20px" width="22px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一設備電力成本；<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一設備碳排成本；<br/> 其中，該智慧化碳交易規劃的操作更包含確認該綠色智慧製造系統的一碳排放抵換需求是否獲得滿足而產生一確認結果；<br/> 其中，當該確認結果為是時，進行一交易損益分析；當該確認結果為否時，進行該綠色智慧製造系統的自願碳排放減量。
如請求項1所述之全方位的節能負碳系統，其中該處理器經配置以實施更包含以下的操作：<br/> 當該捕捉封存再利用程序未結束時，重覆進行該智慧化捕捉封存再利用規劃的操作；及<br/> 當該捕捉封存再利用程序結束時，進行該智慧化碳交易規劃的操作。
如請求項1所述之全方位的節能負碳系統，更包含：<br/> 複數個虛實代理裝置(Cyber Physical Agents；CPAs)，連接於該處理裝置與該負碳設備之間，並經配置以收集該些來源資料；<br/> 其中，該些來源資料更包含一綠色智慧製造(GiM)資訊，該GiM資訊來自一工廠。
如請求項1所述之全方位的節能負碳系統，其中該最佳化演算法為一基因演算法(Genetic Algorithm)。
一種全方位的節能負碳方法，包含：<br/> 配置一處理裝置的一處理器進行一接收步驟，該接收步驟包含配置該處理器接收一記憶體的複數個來源資料，其中該些來源資料包含一能耗資訊，該能耗資訊來自於一負碳設備，該負碳設備用以依據一負碳設備參數固碳；<br/> 配置該處理器進行一智慧化捕捉封存再利用規劃步驟，該智慧化捕捉封存再利用規劃步驟包含配置該處理器根據一綠色智慧製造(Green Intelligent Manufacturing；GiM)系統的一碳排放減量需求定義出一碳排放減量需求目標值，並計算出一期望產量與一預計可完成時間，並實施一捕捉封存再利用程序，其中該捕捉封存再利用程序包含進行二氧化碳的捕捉、封存及再利用；<br/> 配置該處理器進行一捕捉封存再利用程序結束確認步驟，該捕捉封存再利用程序結束確認步驟包含配置該處理器依據該碳排放減量需求目標值確認該捕捉封存再利用程序是否結束；以及<br/> 配置該處理器進行一智慧化碳交易規劃步驟，該智慧化碳交易規劃步驟包含配置該處理器根據在該捕捉封存再利用程序所吸收的一二氧化碳量計算一碳排放實際減碳量，以實施該綠色智慧製造系統的自願碳排放減量，並確認是否滿足該綠色智慧製造系統的該碳排放減量需求；<br/> 其中，該智慧化捕捉封存再利用規劃步驟更包含配置該處理器進行一負碳設備參數調控步驟，該負碳設備參數調控步驟包含使用一最佳化演算法調整該負碳設備參數，其中該負碳設備參數符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="20px" width="150px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="20px" width="29px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一最小生長調控成本；<img align="absmiddle" height="20px" width="15px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一生長調控權重；<img align="absmiddle" height="20px" width="22px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一設備電力成本；<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表一設備碳排成本；<br/> 其中，該智慧化碳交易規劃步驟更包含配置該處理器確認該綠色智慧製造系統的一碳排放抵換需求是否獲得滿足而產生一確認結果；<br/> 其中，當該確認結果為是時，進行一交易損益分析；當該確認結果為否時，進行該綠色智慧製造系統的自願碳排放減量。
如請求項5所述之全方位的節能負碳方法，更包含：<br/> 當該捕捉封存再利用程序未結束時，配置該處理器重覆進行該智慧化捕捉封存再利用規劃步驟；及<br/> 當該捕捉封存再利用程序結束時，配置該處理器進行該智慧化碳交易規劃步驟。
如請求項5所述之全方位的節能負碳方法，更包含：<br/> 配置複數個虛實代理裝置(Cyber Physical Agents；CPAs)收集該些來源資料，其中該些虛實代理裝置連接於該處理裝置與該負碳設備之間；<br/> 其中，該些來源資料更包含一綠色智慧製造(GiM)資訊，該GiM資訊來自一工廠。
如請求項5所述之全方位的節能負碳方法，其中該最佳化演算法為一基因演算法(Genetic Algorithm)。
一種用於相對於一固定傢俱部件（102）導引一可移動傢俱部件（101）的導引配置（1），包括：<br/> - 至少一個導引系統（2），該至少一個導引系統（2）帶有待佈置於該固定傢俱部件（102）之上的一導軌（3）以及在該導軌（3）上可移動安裝的一導引裝置（4），<br/> - 一支架（5），該可移動傢俱部件（101）待固定在該支架（5）上，並且該支架（5）與該導引裝置（4）運動耦合連接，<br/> - 至少兩個合頁（6），該等至少兩個合頁（6）用於將該可移動傢俱部件（101）可樞轉地安裝在該支架（5）上，以及<br/> - 一高度調節裝置（7），該高度調節裝置（7）用於在平行於該支架（5）的一縱向延伸（L）的一方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該等至少兩個合頁（6），以及<br/> 其特徵在於：該高度調節裝置（7）包含至少一個傾斜面（9），用於在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該等至少兩個合頁（6），以及設置一側向調節裝置（8），該側向調節裝置（8）用於在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的一方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該等至少兩個合頁（6），其中該高度調節裝置（7）和該側向調節裝置（8）構成一共同的結構單元。
如請求項1所述的導引配置（1），其中該可移動傢俱部件（101）是一推拉門或一折疊推拉門。
如請求項1所述的導引配置（1），其中該固定傢俱部件（102）是一傢俱壁。
如請求項1所述的導引配置（1），其中該至少一個傾斜面（9）是至少一個楔形面。
如請求項1所述的導引配置（1），其中該等至少兩個合頁（6）可在平行於該支架（5）的一縱向延伸（L）的該方向上得到調整，而不管在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上如何調整，以及/或者該等至少兩個合頁（6）可在正交於該支架（5）的一縱向延伸（L）的該方向上得到調整，而不管在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）上的該方向上如何調整。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該支架（5）至少部分地被該導引裝置（4）圍住。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該支架（5）包含兩個端部區域（5a、5b），其中在該等兩個端部區域（5a、5b）的每個之中分別佈置一側向調節裝置（8），其中在該等至少兩個端部區域（5a、5b）中的至少一個之中佈置該至少一個高度調節裝置（7）。
如請求項7所述的導引配置（1），其中在該等至少兩個端部區域（5a、5b）中的恰好一個之中佈置該至少一個高度調節裝置（7）。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中設置至少兩個導引系統（2）。
如請求項9所述的導引配置（1），其中該等至少兩個導引系統（2）彼此平行地以及/或者在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上相互間隔開來地佈置在該固定傢俱部件（102）之上。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該導引配置（1）包含一第一致動元件（10），該第一致動元件（10）用於啟動該高度調節裝置（7）。
如請求項11所述的導引配置（1），其中該第一致動元件（10）即使在該可移動傢俱部件（101）已固定在該支架（5）上的情況下，仍可被觸及。
如請求項12所述的導引配置（1），其中該第一致動元件（10）<br/> - 平行於與該支架（5）的該縱向延伸（L）正交的該方向，或者<br/> - 與正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向傾斜定向或者<br/> - 與正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向正交定向。
如請求項13所述的導引配置（1），其中該第一致動元件（10）與正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向成一45°角。
如請求項11所述的導引配置（1），其中該第一致動元件（10）包含一螺紋（10a），而該至少一個傾斜面（9）可藉由起動該第一致動元件（10）而進行移動。
如請求項15所述的導引配置（1），其中該至少一個傾斜面（9）可藉由旋轉該第一致動元件（10）而進行移動。
如請求項15所述的導引配置（1），其中該螺紋（10a）與一配合螺紋（11a）嚙合，該配合螺紋（11a）位於一高度調節元件（11）之上或之中，該高度調節元件（11）包含該至少一個傾斜面（9）。
如請求項16所述的導引配置（1），其中該螺紋（10a）與一配合螺紋（11a）嚙合，該配合螺紋（11a）位於一高度調節元件（11）之上或之中，該高度調節元件（11）包含該至少一個傾斜面（9）。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該等至少兩個合頁（6）直接佈置在該支架（5）上，或者其中設置至少一個固定元件（12），其中該等至少兩個合頁（6）佈置在該至少一個固定元件（12）上並且該至少一個固定元件（12）可移動地佈置在該支架（5）上。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該至少一個傾斜面（9）在與正交於該縱向延伸（L）的該方向不同的、正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的另一個方向上可移動地設置在該導引裝置（4）之上或之中。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中配備另一傾斜面（13），該另一傾斜面（13）抵靠在該至少一個傾斜面（9）上。
如請求項21所述的導引配置（1），其中該另一傾斜面（13）由一減摩材料製成或者使用一減摩材料做塗層。
如請求項21所述的導引配置（1），其中該另一傾斜面（13）與該支架（5）運動耦合連接。
如請求項23所述的導引配置（1），其中該支架（5）可在正交於該支架（5）之縱向延伸（L）的該方向上相對於該另一傾斜面（13）及/或該導引裝置（4）移動。
如請求項21所述的導引配置（1），其中該另一傾斜面（13）在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上以可移動的方式佈置在該導引裝置（4）之上或之中。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該至少一個傾斜面（9）設置在該支架（5）之上或之中，以及/或者與該支架（5）運動耦合連接。
如請求項26所述的導引配置（1），其中設置一支承元件（14），該至少一個傾斜面（9）抵靠在該支承元件（14）上，其中該支承元件（14）與該導引裝置（4）連接。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中為了在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該等至少兩個合頁（6），可藉由該至少一個高度調節裝置（7）在平行於該支架（5）的一縱向延伸（L）的該方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該支架（5），以及/或者為了在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上調節該等至少兩個合頁（6），可藉由該至少一個側向調節裝置（8）在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上相對於該至少一個導引系統（2）調節該支架（5）。
如請求項19所述的導引配置（1），其中該高度調節裝置（7）包含一基體（15）以及一中間部件（16），該中間部件（16）以可在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上移動的方式佈置在該基體（15）之上或之中，其中該基體（15）與該至少一個固定元件（12）連接，並且該中間部件（16）與該支架（5）連接。
如請求項29所述的導引配置（1），其中該至少一個傾斜面（9）以可在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上移動的方式佈置在該基體（15）之上或之中。
如請求項29所述的導引配置（1），其中該中間部件（16）包含另一傾斜面（13），該另一傾斜面（13）抵靠在該至少一個傾斜面（9）上。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該導引配置（1）包括：<br/> - 一補償裝置（17），該補償裝置（17）用於藉由一恢復力矩補償該支架（5）或佈置於該支架（5）上的該至少一個可移動傢俱部件（101）圍繞一翻轉軸的一傾倒力矩，其中該補償裝置（17）包括帶有至少一個拉索（18）的至少一個拉索張緊裝置，<br/> - 與該導引裝置（4）運動耦合連接的至少一個導向輪（19），該至少一個導向輪（19）用於使該至少一個拉索（18）偏轉，以及<br/> - 用於調節該可移動傢俱部件（101）的一傾斜度的一傾斜度調節裝置（20），<br/> 其中藉由該傾斜度調節裝置（20），該支架（5）相對於該至少一個導向輪（19）可移動，以及/或者該傾斜度調節裝置（20）包括用於固定該至少一個拉索（18）的至少一個固定裝置（21），其中該至少一個固定裝置（21）相對於該支架（5）可移動。
如請求項32所述的導引配置（1），其中該支架（5）相對於該至少一個導向輪（19）在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該方向上可移動。
如請求項32所述的導引配置（1），其中該至少一個固定裝置（21）相對於該支架（5）在平行於該支架（5）的該縱向延伸（L）的一方向上可移動。
如請求項1至5中之一者所述的導引配置（1），其中該至少一個側向調節裝置（8）包括一側向調節元件（22），其中<br/> - 該側向調節元件（22）以可在正交於該支架（5）的該縱向延伸（L）的該另一方向上移動的方式安裝在該支架（5）之上或之中，其中該側向調節元件（22）包含至少一個導軌滑槽（22a），以及其中該側向調節裝置（8）包含至少一個導向銷（24），其中該導向銷（24）與該導引裝置（4）運動耦合連接，或者<br/> - 該側向調節元件（22）以可旋轉的方式佈置在該導引裝置（4）之上或之中，其中該側向調節元件（22）包含一螺旋狀凸起（23a），以及其中在該支架（5）上設置一齒（25），其中該齒（25）與該側向調節元件（22）的該螺旋狀凸起（23a）嚙合。
如請求項35所述的導引配置（1），其中該側向調節元件（22）可藉由起動一第二致動元件（23）而移動。
如請求項36所述的導引配置（1），其中該側向調節元件（22）可藉由旋轉一第二致動元件（23）而移動。
如請求項35所述的導引配置（1），其中該至少一個導軌滑槽（22a）被設計成凹槽。
如請求項35所述的導引配置（1），其中該螺旋狀凸起（23a）的一中心基本上位於該側向調節元件（22）的一旋轉軸上。
一種傢俱（100），帶有至少一個固定傢俱部件（102）以及至少一個可移動傢俱部件（101）以及如請求項1至39中的一項所述的導引配置（1），該導引配置用於在該固定傢俱部件（102）之上導引該可移動傢俱部件（101）。
如請求項40所述的傢俱（100），其中該至少一個固定傢俱部件（102）是一傢俱壁。
如請求項40所述的傢俱（100），其中該至少一個可移動傢俱部件（101）是一推拉門或一折疊推拉門。
如請求項40至42中之一者所述的傢俱（100），其中該至少一個固定傢俱部件（102）至少部分地限定該傢俱（100）的一槽式中空腔室（103），該至少一個可移動傢俱部件（101）可佈置於該槽式中空腔室（103）中。
一種光學系統，其改良在於，包括：<br/> 第一透鏡，具有相互連接的入光面和第一導光面，所述第一導光面包括相互連接的第一區域和第二區域，所述第一區域用於全反射來自所述入光面的圖像光，所述第二區域用於透射所述圖像光；<br/> 第二透鏡，位於所述第一透鏡的所述第一導光面一側；<br/> 反射偏振片，位於所述第一透鏡背離所述第二透鏡一側；<br/> 第一四分之一波片，位於所述第一透鏡與所述第二透鏡之間，所述第二透鏡和所述第一四分之一波片在所述第一導光面上的正投影位於所述第二區域內，所述第二透鏡和所述第一四分之一波片在所述第一導光面上的正投影位於所述第二區域內；以及<br/> 選擇反射件，位於所述第二透鏡背離所述第一透鏡一側，用於朝向所述反射偏振片反射接收到的至少部分所述圖像光。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述四分之一波片與所述第一導光面之間具有空氣間隙。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述第一透鏡還包括第二導光面和底面，所述第一導光面與所述第二導光面分別垂直於所述第一透鏡的光軸，所述入光面、所述第一導光面、所述底面及所述第二導光面依次連接；<br/> 所述底面平行於所述第一透鏡的光軸，所述入光面與所述第一透鏡的光軸具有非0夾角。
如請求項3所述的光學系統，其中，所述第一導光面和所述入光面分別為平面，所述第一導光面與所述入光面之間的夾角為銳角。
如請求項4所述的光學系統，其中，所述第一導光面與所述入光面之間的夾角大於等於10°且小於等於70°。
如請求項1所述的光學系統，其中，還包括：<br/> 第一線偏振片，位於所述選擇反射件遠離所述第二透鏡的一側；以及<br/> 第二四分之一波片，位於所述選擇反射件與所述第一線偏振片之間。
如請求項1所述的光學系統，其中，還包括位於所述反射偏振片遠離所述第一透鏡一側的第二線偏振片。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述選擇反射件為分束器。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述第一透鏡與所述第二透鏡固定連接。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述第一透鏡與所述第二透鏡間隔設置，且所述第一透鏡和/或所述第二透鏡可沿所述第一透鏡的光軸位移以調焦。
如請求項1至10中任一項所述的光學系統，其中，所述第一透鏡為平凹透鏡，所述第二透鏡為平凸透鏡。
一種顯示裝置，其改良在於，包括：<br/> 微顯示器，用於發射圖像光；以及<br/> 如請求項1至11中任一項所述的光學系統，位於所述圖像光光路上，用於調製所述圖像光和外部的環境光以共同展示AR圖像。
如請求項12所述的顯示裝置，其中，所述微顯示器具有發射所述圖像光的顯示面，所述顯示面貼附於所述第一透鏡的所述入光面。
如請求項12所述的顯示裝置，其中，所述微顯示器發射的所述圖像光具有S偏振態。
一種頁面提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>於上述電子裝置所提供之服務上獲得用戶之檢索關鍵詞； <br/>於基於上述檢索關鍵詞而確認之物品中確認與上述用戶之活動歷史對應之第1物品； <br/>設定第1推薦物品集，該第1推薦物品集係包括對應於上述第1物品而判斷之一個以上之推薦物品者；及 <br/>提供物品檢索頁面，該物品檢索頁面係包括上述第1物品之資訊、上述第1推薦物品集之資訊、及上述物品中包括之至少一個物品之資訊者， <br/>其中當上述一個以上之推薦物品藉由確認為正在進行價格折扣促銷而包含於上述第1推薦物品集時，基於與對各物品進行價格折扣促銷的主體相關之優先級來顯示包含於上述一個以上之推薦物品中之上述各物品，及 <br/>其中當經判斷具有固定水準以上之知名度且經確認在上述服務上入駐兩個以上子公司之品牌之企業家對應於該主體時，將上述企業家進行價格折扣促銷之至少一個物品之上述優先級設定為上述一個以上之推薦物品中之最高優先級。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述活動歷史包括上述用戶對物品之詳細頁面連接歷史。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述活動歷史包括上述用戶對物品之購買歷史。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述一個以上之推薦物品包括類似物品，該類似物品係對應於上述檢索關鍵詞而判斷為與上述第1物品類似者。
如請求項4之頁面提供方法，其中上述類似物品對應於如下物品中之至少一者： <br/>與上述第1物品之品牌類似之品牌對應之物品、及與上述第1物品之銷售者類似之銷售者所銷售之物品。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述一個以上之推薦物品包括如下物品： <br/>對應於上述檢索關鍵詞而判斷為滿足根據上述第1物品之價格設定之價格條件之物品。
如請求項6之頁面提供方法，其中上述價格條件包括如下條件： <br/>物品之價格比上述第1物品之價格更便宜。
如請求項6之頁面提供方法，其中上述價格條件包括如下條件： <br/>物品之價格與上述第1物品之價格間之差為上述第1物品之價格之預設比率以內。
如請求項6之頁面提供方法，其中上述一個以上之推薦物品以如下方式設定： <br/>基於價格升序而包括於上述第1推薦物品集中並顯示於上述物品檢索頁面上。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述一個以上之推薦物品以如下方式設定： <br/>基於折扣率降序而包括於上述第1推薦物品集中並顯示於上述物品檢索頁面上。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述第1推薦物品集之資訊中包括之各物品之資訊包括上述各物品之名稱、影像、價格及評分之資訊。
如請求項1之頁面提供方法，其中上述第1推薦物品集之資訊藉由介面工具集而顯示於上述物品檢索頁面中。
如請求項1之頁面提供方法，其中於上述第1物品之資訊基於在上述物品檢索頁面中對物品進行篩選之篩選選項而未顯示於上述物品檢索頁面中之情形時，將上述第1推薦物品集之資訊亦設定為不顯示。
一種電子裝置，其係提供頁面者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存一個以上之指令；且 <br/>上述一個以上之指令以如下方式構成：於執行時，控制上述處理器以使上述處理器實行如下步驟： <br/>於上述電子裝置所提供之服務上獲得用戶之檢索關鍵詞； <br/>於基於上述檢索關鍵詞而確認之物品中確認與上述用戶之活動歷史對應之第1物品； <br/>設定第1推薦物品集，該第1推薦物品集係包括對應於上述第1物品而判斷之一個以上之推薦物品者；及 <br/>提供物品檢索頁面，該物品檢索頁面係包括上述第1物品之資訊、上述第1推薦物品集之資訊、及上述物品中包括之至少一個物品之資訊者， <br/>其中當上述一個以上之推薦物品藉由確認為正在進行價格折扣促銷而包含於上述第1推薦物品集時，基於與對各物品進行價格折扣促銷的主體相關之優先級來顯示包含於上述一個以上之推薦物品中之上述各物品，及 <br/>其中當經判斷具有固定水準以上之知名度且經確認在上述服務上入駐兩個以上子公司之品牌之企業家對應於該主體時，將上述企業家進行價格折扣促銷之至少一個物品之上述優先級設定為上述一個以上之推薦物品中之最高優先級。
一種虛擬會議之執行方法，該虛擬會議之執行方法係由電腦載入一程式碼後執行以下步驟：<br/> 接收一討論事項；<br/> 一虛擬專家（virtual expert）編譯該討論事項為複數個任務；<br/> 一虛擬調製機（virtual modulator）分派該些任務至複數個虛擬代理機（virtual agents）；<br/> 該些虛擬代理機之至少其中之一利用一工業資料庫，獲得至少一分析資訊，該工業資料庫係由一分析式人工智慧模型（analytic AI model）所建立；<br/> 該些虛擬代理機之至少其中之一利用一工業知識庫，獲得至少一指引資訊，該工業知識庫係由一生成式人工智慧模型（generative AI model）所建立；<br/> 該虛擬調製機判斷該至少一分析資訊及該至少一指引資訊是否滿足一預定條件；以及<br/> 若該至少一分析資訊及該至少一指引資訊滿足該預定條件，則該虛擬專家編譯該至少一分析資訊及該至少一指引資訊為一建議報告。
如請求項1所述之虛擬會議之執行方法，其中由該分析式人工智慧模型所建立之該工業資料庫包括一資料特徵確認資訊與一分析比較資訊。
如請求項1所述之虛擬會議之執行方法，其中由該生成式人工智慧模型所建立之該工業知識庫包括一懷疑方向資訊及一可能原因資訊。
如請求項1所述之虛擬會議之執行方法，其中該些虛擬代理機之至少其中之一同時獲得該至少一分析資訊及該至少一指引資訊。
如請求項1所述之虛擬會議之執行方法，更包括：<br/> 接收一新案例；<br/> 輸入該新案例至該分析式人工智慧模型，以獲得一資料特徵確認資訊與一分析比較資訊。
如請求項5所述之虛擬會議之執行方法，更包括：<br/> 輸入該新案例至該生成式人工智慧模型，以獲得一懷疑方向資訊及一可能原因資訊。
如請求項1所述之虛擬會議之執行方法，更包括：<br/> 判斷一虛擬會議圖標是否被點選；<br/> 若該虛擬會議圖標被點選，則顯示一文字輸入視窗，該文字輸入視窗用以接收該討論事項；以及<br/> 自動建立一討論視窗，該討論視窗用以回覆該建議報告。
一種虛擬會議之執行系統，包括：<br/> 一顯示單元，用以顯示一討論事項；<br/> 一虛擬專家（virtual expert），連接於該顯示單元，該虛擬專家用以編譯該討論事項為複數個任務；<br/> 一虛擬調製機（virtual modulator），連接於該虛擬專家；<br/> 複數個虛擬代理機（virtual agents），連接於該虛擬調製機，該虛擬調製機用以分派該些任務至該些虛擬代理機；<br/> 一工業資料庫，連接於該些虛擬代理機；<br/> 一分析式人工智慧模型（analytic AI model），用以建立該工業資料庫；<br/> 一工業知識庫，連接該些虛擬代理機；以及<br/> 一生成式人工智慧模型（generative AI model），用以建立該工業知識庫；<br/> 其中該些虛擬代理機之至少其中之一利用該工業資料庫，獲得至少一分析資訊；<br/> 該些虛擬代理機之至少其中之一利用該工業知識庫，獲得至少一指引資訊；<br/> 該虛擬調製機判斷該至少一分析資訊及該至少一指引資訊是否滿足一預定條件；以及<br/> 若該至少一分析資訊及該至少一指引資訊滿足該預定條件，則該虛擬專家編譯該至少一分析資訊及該至少一指引資訊為一建議報告。
如請求項8所述之虛擬會議之執行系統，其中由該分析式人工智慧模型所建立之該工業資料庫包括一資料特徵確認資訊與一分析比較資訊。
如請求項8所述之虛擬會議之執行系統，其中由該生成式人工智慧模型所建立之該工業知識庫包括一懷疑方向資訊及一可能原因資訊。
如請求項8所述之虛擬會議之執行系統，其中該些虛擬代理機之至少其中之一同時獲得該至少一分析資訊及該至少一指引資訊。
如請求項8所述之虛擬會議之執行系統，其中該分析式人工智慧模型更用以接收一新案例，以獲得一資料特徵確認資訊與一分析比較資訊。
如請求項12所述之虛擬會議之執行系統，其中該生成式人工智慧模型更用以接收該新案例，以獲得一懷疑方向資訊及一可能原因資訊。
如請求項8所述之虛擬會議之執行系統，其中該虛擬專家更用以判斷該顯示單元所顯示之一虛擬會議圖標是否被點選；若該虛擬會議圖標被點選，則該虛擬專家於該顯示單元顯示一文字輸入視窗，該文字輸入視窗用以接收該討論事項；該虛擬專家更於該顯示單元自動建立一討論視窗，該討論視窗用以回覆該建議報告。
一種生產對象的負載均衡方法，包括： <br/>獲取多個生產對象已發生的生產資料； <br/>計算所述多個生產對象已發生的生產負載資料； <br/>依據所述生產負載資料計算所述多個生產對象已發生的負載均衡資料； <br/>獲取所述多個生產對象未來的生產規畫資料；以及 <br/>依據所述生產負載資料、所述負載均衡資料及所述未來的生產規畫資料判斷所述生產對象的負載是否均衡。
根據請求項1所述的生產對象的負載均衡方法，還包括： <br/>所述生產對象接到生產任務後進行生產作業並記錄所述生產資料；以及 <br/>所述生產對象完成所述生產任務後將生產結果交付下一生產對象。
根據請求項2所述的生產對象的負載均衡方法，其中，所述下一生產對象在接到所述生產結果後，進行品質檢查以判斷被交付的所述生產結果是否合格； <br/>若判斷所述生產結果未合格，則將所述生產結果退回上一生產對象； <br/>若判斷所述生產結果已合格，則所述下一生產對象進行生產作業並記錄所述生產資料。
根據請求項3所述的生產對象的負載均衡方法，其中，當判斷所述生產對象的負載不均衡時，檢查所述上一生產對象與所述下一生產對象的生產結果的合格狀況。
根據請求項3所述的生產對象的負載均衡方法，其中，當判斷所述生產對象的負載不均衡時，依據所述生產負載資料及所述負載均衡資料對所述未來的生產規畫資料產生修正建議。
根據請求項3所述的生產對象的負載均衡方法，還包括： <br/>獲取標準生產任務； <br/>獲取生產對象清單；以及 <br/>選取所述標準生產任務建立多個所述生產任務並與所述生產對象配對以產生生產專案。
一種電腦裝置，所述裝置包括處理器及記憶體，所述記憶體上儲存有電腦程式，其中，所述處理器用於執行記憶體中儲存的電腦程式時實現如請求項1-6任一項所述的生產對象的負載均衡方法的步驟。
一種可讀儲存媒體，其中，所述可讀儲存媒體儲存有多條指令，多條所述指令可被一個或者多個處理器執行，以實現如請求項1-6任一項所述的生產對象的負載均衡方法的步驟。
一種程式產品，其有形地實現在非暫時性機器可讀儲存媒體中，所述程式產品包括可操作以使電腦設備的處理器執行如請求項1-6任一項所述的生產對象的負載均衡方法的步驟的指令。
一種生產對象的管控系統，用於管理多個生產專案，其中，每一所述生產專案定義有多個生產對象及生產任務，多個所述生產對象包括第一生產對象及第二生產對象，所述第二生產對象為所述第一生產對象的下一生產節點，所述系統包括： <br/>分派模組，用於分配所述生產任務給所述第一生產對象及第二生產對象，並在所述第一生產對象完成生產任務後，通知第二生產對象執行生產任務； <br/>記錄模組，用於在所述第一生產對象及第二生產對象執行生產任務時，記錄所述第一生產對象及第二生產對象的生產資料； <br/>計算模組，用於基於所述生產對象已發生的生產資料計算所述多個生產對象已發生的生產負載資料並用於依據所述生產負載資料計算所述多個生產對象已發生的負載均衡資料； <br/>判斷模組，用於依據所述生產負載資料、所述負載均衡資料及未來的生產規畫資料判斷所述生產對象的負載是否均衡；及 <br/>獲取模組，用於獲取所述多個生產對象未來的生產規畫資料。
一種半導體封裝結構，包括：<br/> 一第一封裝件，包括一第一重佈線路層、一第二重佈線路層、一第三重佈線路層、至少一第一晶片、至少一第二晶片、多個第一導電件、多個第二導電件、一第一密封體、一第二密封體以及多個銲料，該第二重佈線路層位於該第一重佈線路層與該第三重佈線路層之間，該第二重佈線路層具有彼此相對的一第一側與一第二側且包括位於該第二側的多個晶片連接件，各該晶片連接件包括一連接墊、一鎳層及一金層，該連接墊具有一頂面以及連接該頂面的一周圍表面，該鎳層覆蓋該連接墊的該頂面以及該周圍表面，而該金層僅覆蓋位於該連接墊的該頂面上的該鎳層，該至少一第一晶片配置於該第一重佈線路層上且與該第二重佈線路層的該第一側電性連接，該至少一第二晶片透過該些銲料配置於該些晶片連接件上且與該第二重佈線路層的該第二側電性連接，該些第一導電件電性連接該第一重佈線路層與該第二重佈線路層，而該些第二導電件電性連接該第二重佈線路層與該第三重佈線路層，該第一密封體包覆該至少一第一晶片與該些第一導電件，而該第二密封體包覆該至少一第二晶片與該些第二導電件；以及<br/> 一第二封裝件，配置於該第一封裝件的該第三重佈線路層上，且與該第一封裝件電性連接。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 多個第三導電件，配置於該至少一第一晶片的至少一第一主動面上，其中該至少一第一晶片透過該些第三導電件與該第二重佈線路層電性連接；以及<br/> 多個第四導電件，配置於該至少一第二晶片的至少一第二主動面上，其中該些銲料分別位於該些第四導電件與該些晶片連接件之間。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該些第一導電件配置於該第一重佈線路層上且連接至該第二重佈線路層的該第一側，該至少一第一晶片位於該些第一導電件之間，該第一密封體具有彼此相對的一上表面與一下表面，該上表面覆蓋該第二重佈線路層的該第一側，而該下表面覆蓋該第一重佈線路層。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該些第二導電件配置於該第二重佈線路層的該第二側上且連接至該第三重佈線路層，該至少一第二晶片位於該些第二導電件之間，該第二密封體具有彼此相對的一上表面與一下表面，該上表面覆蓋該第三重佈線路層，而該下表面覆蓋該第二重佈線路層的該第二側。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中各該第一導電件於該第二重佈線路層上的正投影與各該第二導電件於該第二重佈線路層上的正投影呈對位設置或錯位設置。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 多個銲球，配置於該第一封裝件上，且位於該第一重佈線路層相對遠離該至少一第一晶片的一表面，其中該些銲球與該第一封裝件的該第一重佈線路層電性連接。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該第二封裝件包括一基板、至少一第三晶片以及一第三密封體，該至少一第三晶片配置於該基板上且與該基板電性連接，該第三密封體密封該至少一第三晶片，該基板位於該至少一第三晶片與該第一封裝件之間。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 多個連接件，配置於該第一封裝件與該第二封裝件之間，其中該第二封裝件透過該些連接件電性連接至該第一封裝件。
如請求項8所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 一底膠，填充於該第一封裝件與該第二封裝件之間，且包覆該些連接件。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 一底膠，填充於該至少一第二晶片與該第二重佈線路層的該第二側之間，且包覆該些銲料與該些晶片連接件。
如請求項1所述的半導體封裝結構，更包括：<br/> 一黏著層，配置於該第一重佈線路層上，其中該至少一第一晶片透過該黏著層固定於該第一重佈線路層上。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該至少一第二晶片於該第二重佈線路層上的正投影重疊於該至少一第一晶片於該第二重佈線路層上的正投影。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該第一封裝件的一第一周緣相對於該第二封裝件的一第二周緣突出一間距。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該第一重佈線路層、該第二重佈線路層及該第三重佈線路層分別包括一扇出重佈線路層。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中各該晶片連接件的該金層的一第一周緣切齊於該鎳層的一第二周緣，而該連接墊的該周圍表面相對於該第一周緣內縮。
一種半導體封裝結構的製作方法，包括：<br/> 提供一承載板以及形成於該承載板上的一第一重佈線路層；<br/> 形成多個第一導電件於該第一重佈線路層上，且與該第一重佈線路層電性連接；<br/> 配置至少一第一晶片於該第一重佈線路層上；<br/> 形成一第一密封體於該第一重佈線路層上，該第一密封體包覆該至少一第一晶片與該些第一導電件，且暴露出各該第一導電件的一第一表面；<br/> 形成一第二重佈線路層於各該第一導電件的該第一表面及該第一密封體上，該第二重佈線路層具有彼此相對的一第一側與一第二側，該至少一第一晶片及該些第一導電件與該第二重佈線路層的該第一側電性連接；<br/> 形成多個晶片連接件於該第二重佈線路層的該第二側上，其中各該晶片連接件包括一連接墊、一鎳層及一金層，該連接墊具有一頂面以及連接該頂面的一周圍表面，該鎳層覆蓋該連接墊的該頂面以及該周圍表面，而該金層僅覆蓋位於該連接墊的該頂面上的該鎳層；<br/> 形成多個第二導電件於該第二重佈線路層的該第二側上，且與該第二重佈線路層電性連接；<br/> 形成多個銲料於至少一第二晶片上，其中該至少一第二晶片透過該些銲料配置於該些晶片連接件上且與該第二重佈線路層的該第二側電性連接；<br/> 形成一第二密封體於該第二重佈線路層上，該第二密封體包覆該至少一第二晶片與該些第二導電件，且暴露出各該第二導電件的一第二表面；<br/> 形成一第三重佈線路層於各該第二導電件的該第二表面及該第二密封體上，該第三重佈線路層與該些第二導電件電性連接；<br/> 移除該承載板而暴露出於該第一重佈線路層，其中該第一重佈線路層、該第二重佈線路層、該第三重佈線路層、該至少一第一晶片、該至少一第二晶片、該些第一導電件、該些第二導電件、該第一密封體、該第二密封體及該些銲料定義出一第一封裝件；以及<br/> 配置至少一第二封裝件於該第一封裝件的該第三重佈線路層上，且與該第一封裝件電性連接。
如請求項16所述的半導體封裝結構的製作方法，其中形成該些晶片連接件於該第二重佈線路層的該第二側上的步驟，包括：<br/> 形成一種子層於該第二重佈線路層的該第二側上；<br/> 形成一圖案化光阻層於該種子層上，該圖案化光阻層具有多個第一開口，而該些第一開口分別暴露出該種子層的一第一部分；<br/> 以該圖案化光阻層為電鍍罩幕，電鍍形成各該連接墊於各該第一開口所暴露出的該種子層的該第一部分上，其中各該第一開口暴露出各該連接墊的該頂面；<br/> 移除位於各該連接墊周圍的部分該圖案化光阻層，而形成具有多個第二開口的一光阻層，其中各該第二開口暴露出各該連接墊的該頂面、該周圍表面以及該種子層的一第二部分；<br/> 以該光阻層為電鍍罩幕，電鍍形成該鎳層於各該第二開口所暴露出的各該連接墊的該頂面、該周圍表面以及該種子層的該第二部分上；<br/> 以該光阻層為電鍍罩幕，電鍍形成該金層於該鎳層上；以及<br/> 移除該光阻層及其下方的該種子層。
如請求項17所述的半導體封裝結構的製作方法，其中形成該些第二導電件於該第二重佈線路層的該第二側上的步驟，包括：<br/> 於移除該光阻層而暴露出其下方的該種子層時，電鍍形成該些第二導電件於該種子層的一第三部分上。
如請求項17所述的半導體封裝結構的製作方法，其中移除位於各該連接墊周圍的部分該圖案化光阻層的方法包括一曝光程序與一顯影程序、一過度顯影程序或一電漿乾蝕程序。
如請求項16所述的半導體封裝結構的製作方法，其中於配置該至少一第二封裝件於該第一封裝件的該第三重佈線路層上之後執行切單程序。
一種光纖模組介面散熱器密合銦導熱片的方法，其步驟包含:<br/> a). 提供一光纖模組的介面散熱器，其表面具有一鍍鎳層；<br/> b). 在該介面散熱器的鍍鎳層表面打磨，形成一粗糙面；<br/> c). 提供一銦導熱片；<br/> d). 初步使該銦導熱片形成於該粗糙面上；<br/> e). 將該介面散熱器放置在一治具平台上，該治具平台上設有一鏡面輥輪；<br/> f). 提供一PET片，使其位於該銦導熱片表面及該鏡面輥輪之間；<br/> g). 以該鏡面輥輪往復壓合，該鏡面輥輪表面經鏡面拋光處理，且與該銦導熱片之間以該PET片為接觸介質，進而以輥輪壓力為40～110kgf將該銦導熱片壓輥，提高其表面平整度；<br/> h). 使該銦導熱片延展並密合在該介面散熱器的粗糙面上，利用該鏡面輥輪在該銦導熱片往復壓合，使該銦導熱片的底部鉚入(咬入)該粗糙面上，緊密結合在該介面散熱器的上表面，使其結合面沒有間隙及空氣，具有更低的熱阻，且該銦導熱片的頂面呈平整光面附貼在該介面散熱器的上表面，密合成型為一銦導熱薄層，且該銦導熱薄層凸出於該介面散熱器表面的厚度(t2)為0.02mm～0.1mm；<br/> i). 撕離該PET片，使該銦導熱薄層的表面裸露；<br/> j).在該銦導熱薄層表面塗佈一1～5μm的抗氧化塗層，以防止該銦導熱薄層氧化；<br/> k).貼上保護膜；<br/> l).完 成。
如請求項1所述的光纖模組介面散熱器密合銦導熱片的方法，其中，在該步驟c).該銦導熱片包括以模切成型一預定形狀並經脫脂處理的片狀體。
一種以請求項1所述的光纖模組介面散熱器密合銦導熱片的方法製成的介面散熱器結構，包含有:<br/> 一介面散熱器，其表面具有一鍍鎳層，在該鍍鎳層上形成一粗糙面；<br/> 一銦導熱片，配合該粗糙面，形成一薄片體於該粗糙面上，使該銦導熱片壓輥，並使底部鉚入(咬入)該粗糙面上，緊密結合在該介面散熱器的上表面，使其結合面沒有間隙及空氣，具有更低的熱阻，且該銦導熱片的頂面呈平整光面貼附在該介面散熱器的上表面，密合成型為一銦導熱薄層，且該銦導熱薄層凸出於該介面散熱器表面的厚度(t2)為0.02mm～0.1mm；以及<br/> 一1～5μm的抗氧化塗層，塗佈在該銦導熱薄層表面。
如申請專利範圍第3項所述之介面散熱器結構，其中，該介面散熱器包括內側為散熱鰭片，上表面為平面以便於插拔於連接埠。
一種含烯丙基雙酚樹脂，其係包含衍生自多官能馬來醯亞胺化合物與含有多個烯丙基之雙酚化合物之第一結構單元，其中該第一結構單元含有烯丙基，且該含烯丙基雙酚樹脂經傅立葉轉換紅外光譜術（Fourier transform infrared spectroscopy，FTIR）測定後於振動頻率1615 cm <sup>-1</sup>至1765 cm <sup>-1</sup>具有特徵峰A及特徵峰B，且於振動頻率1155 cm <sup>-1</sup>至1265 cm <sup>-1</sup>具有特徵峰C，其中特徵峰A之振動頻率係小於特徵峰B之振動頻率，且該等特徵峰A、B、及C分別具有面積A <sub>A</sub>、A <sub>B</sub>、及A <sub>C</sub>，該等面積A <sub>A</sub>、A <sub>B</sub>、及A <sub>C</sub>具有如下關係：（A <sub>A</sub>/A <sub>C</sub>）+（A <sub>C</sub>/A <sub>B</sub>）= 1.20至1.60。
如請求項1所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中該含烯丙基雙酚樹脂經傅立葉轉換紅外光譜術測定後於振動頻率1615 cm <sup>-1</sup>至1690 cm <sup>-1</sup>具有該特徵峰A，且於振動頻率大於1690 cm <sup>-1</sup>至1765 cm <sup>-1</sup>具有該特徵峰B。
如請求項1所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中該等面積A <sub>A</sub>、A <sub>B</sub>、及A <sub>C</sub>具有如下關係：（A <sub>A</sub>/A <sub>C</sub>）+（A <sub>C</sub>/A <sub>B</sub>）= 1.25至1.52。
如請求項1所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中A <sub>A</sub>/A <sub>C</sub>= 0.25至0.60。
如請求項1所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中A <sub>C</sub>/A <sub>B</sub>= 0.70至1.40。
如請求項1所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中該傅立葉轉換紅外光譜術測定係以如下方式利用傅立葉轉換紅外光譜儀測量而得到：將該含烯丙基雙酚樹脂以薄膜法塗抹於KBr錠上，利用穿透式法（transmission type method）測量經塗抹之KBr錠於400 cm <sup>-1</sup>至4000 cm <sup>-1</sup>範圍之吸收光譜，其中傅立葉轉換紅外光譜儀之分辨率為1 cm <sup>-1</sup>，光譜的累積次數為16次。
如請求項1至6中任一項所述之含烯丙基雙酚樹脂，其中該含有多個烯丙基之雙酚化合物係選自以下群組：含有多個烯丙基之雙酚A、含有多個烯丙基之雙酚B、含有多個烯丙基之雙酚F、含有多個烯丙基之雙酚S、含有多個烯丙基之雙酚Z、含有多個烯丙基之4,4'-二羥基二苯醚類化合物、及其組合。
一種含烯丙基雙酚樹脂組合物，包含如請求項1至7中任一項所述之含烯丙基雙酚樹脂以及多官能馬來醯亞胺化合物。
一種半導體封裝結構，包括：<br/> 一支撐結構，包括相對的一第一表面和一第二表面；<br/> 一第一積體電路晶片，位於該支撐結構的該第一表面上；<br/> 一覆蓋結構，位於該支撐結構的該第二表面上；以及<br/> 一均溫板，設置在該支撐結構中並且位於該第一積體電路晶片的至少一部分上方，<br/> 其中該支撐結構包括一或多個基底以及一或多個介電層，且該覆蓋結構的熱導率大於該一或多個基底和該一或多個介電層的熱導率。
如請求項1之半導體封裝結構，其中該均溫板包括一第一腔室部分和覆蓋該第一腔室部分的一第二腔室部分，其中該第一腔室部分的一寬度小於該第二腔室部分的一寬度。
如請求項2之半導體封裝結構，其中該第一腔室部分的該寬度是恆定的，其中該第二腔室部分的該寬度從該第二腔室部分的一底部沿朝向該覆蓋結構的一方向持續縮小。
如請求項2之半導體封裝結構，其中該支撐結構包括一第一基底和位於該第一基底上方的一第二基底，其中該第一腔室部分由該第一基底的一或多個表面限定，且該第二腔室部分由該第二基底的一或多個表面限定。
如請求項1之半導體封裝結構，更包括：<br/> 一熱界面結構，設置在該覆蓋結構和該支撐結構之間，其中該熱界面結構包括一第一散熱層、一第二散熱層以及位於該第一散熱層和該第二散熱層之間的一熱界面層，其中該第一散熱層和該第二散熱層包括一第一材料，該第一材料與該熱界面層的一第二材料不同。
一種半導體封裝結構，包括：<br/> 一中介層結構，包括複數個導電內連線結構；<br/> 複數個積體電路晶片，位於該等導電內連線結構上且電性耦合至該等導電內連線結構；以及<br/> 一散熱結構，位於該等積體電路晶片上，其中該散熱結構包括：<br/> 一支撐結構，位於該等積體電路晶片上，其中該支撐結構包括一或多個基底以及一或多個介電層；<br/> 一熱界面結構，位於該支撐結構上，該熱界面結構包括至少一散熱層，且該至少一散熱層的熱導率大於該一或多個基底和該一或多個介電層的熱導率；<br/> 一散熱器結構，位於該熱界面結構上；以及<br/> 一或多個均溫板，埋設於該支撐結構中，其中該一或多個均溫板各自包括面向該等積體電路晶片且具有一第一寬度的一底面以及面向該散熱器結構且具有一第二寬度的一頂面，其中該第一寬度小於該第二寬度。
如請求項6之半導體封裝結構，更包括：<br/> 一散熱增強結構，設置在該一或多個均溫板中，其中該散熱增強結構包括一散熱增強層，該散熱增強層的熱導率大於該支撐結構的熱導率。
如請求項7之半導體封裝結構，其中在一俯視圖觀察時，該散熱增強層具有網狀佈局，該一或多個均溫板包括密封在該一或多個均溫板中的可汽化工作流體，並且該散熱增強層配置以輔助蒸發該可汽化工作流體。
如請求項6之半導體封裝結構，其中該散熱器結構的高度與該支撐結構的高度的比例介於0.34至1的範圍內。
一種半導體封裝結構的製造方法，包括：<br/> 將複數個積體電路晶片設置在一中介層結構上；<br/> 在一支撐結構內形成一均溫板，其中該支撐結構包括一或多個基底以及一或多個介電層；<br/> 將該支撐結構接合至該等積體電路晶片，其中該均溫板覆蓋該等積體電路晶片中的單一積體電路晶片的至少一部分；以及<br/> 將一覆蓋結構接合至該支撐結構，其中該覆蓋結構的熱導率大於該支撐結構的該一或多個基底和該一或多個介電層的熱導率。
如請求項10之半導體封裝結構的製造方法，其中形成該均溫板包括：<br/> 蝕刻一第一基底以在該第一基底限定一第一腔室部分；<br/> 蝕刻一第二基底以在該第二基底中限定一第二腔室部分，其中該第二腔室部分的一寬度大於該第一腔室部分的一寬度；以及<br/> 進行接合製程以將該第一基底接合至該第二基底，進而密封該均溫板，其中該第一腔室部分與該第二腔室部分橫向對準。
如請求項11之半導體封裝結構的製造方法，其中形成該均溫板更包括：<br/> 在進行該接合製程之前，將至少一可汽化工作流體設置在該第一腔室部分及/或該第二腔室部分中，其中該接合製程將該至少一可汽化工作流體密封在該均溫板中。
一種杯蓋切割模具，供用以切割一杯蓋，該杯蓋包含有一蓋部與一外環部，該外環部橫向地凸伸於該蓋部，該杯蓋切割模具包括：<br/> 一對位單元，包含有至少一貫口，該至少一貫口供朝向該外環部之一側；及<br/> 一斷開單元，包含有至少一刀刃，該至少一刀刃供位於該外環部之另一側，該至少一刀刃可移動地穿入該至少一貫口；<br/> 其中，該至少一刀刃係用以斷開該外環部之連續結構，進而於該外環部上形成至少一切割痕。
如請求項1所述的杯蓋切割模具，其中該對位單元另包含有一容置座及一定位件，該容置座圍構有一供容納該杯蓋之容置空間，該定位件伸入該容置空間地與該容置座相組接，進而該定位件與該容置座共同夾掣定位住該杯蓋；其中，該至少一貫口包含有一第一穿口與一第二穿口，該第一穿口設於該容置座，該第二穿口設於該定位件。
如請求項1所述的杯蓋切割模具，其中該斷開單元另包含有一驅動件、一基座、至少一滑軌及至少一滑座，該至少一滑軌定位於該基座，該至少一滑座可滑移於一工作位置與一收納位置地設於該至少一滑軌，該至少一刀刃定位於該至少一滑座，該驅動件可活動地設於該基座以抵迫該至少一滑座朝向該工作位置移動，進而令該至少一刀刃穿入該至少一貫口。
如請求項3所述的杯蓋切割模具，其中該斷開單元另包含至少一回彈單元，該至少一回彈單元彈抵於該基座與該至少一滑座之間，以令該至少一滑座常態地具有朝向該收納位置移動之趨勢。
如請求項4所述的杯蓋切割模具，其中該對位單元另包含有一容置座及一定位件，該容置座圍構有一供容納該杯蓋之容置空間，該定位件伸入該容置空間地與該容置座相組接，進而該定位件與該容置座共同夾掣定位住該杯蓋；其中，該至少一貫口包含有一第一穿口與一第二穿口，該第一穿口設於該容置座，該第二穿口設於該定位件；該容置座包含有一第一構件及一第二構件，該第一構件圍構有該容置空間，該第二構件沿一第一方向可分離地容設於該容置空間，該第二構件與該定位件二者於該第一方向上位於該杯蓋之相對二側，該第二構件之硬度大於該第一構件之硬度；該至少一貫口之數量、該至少一刀刃之數量、該至少一滑軌及該至少一滑座之數量相等且為複數個；複數導引桿沿該第一方向延伸地定位於該基座，該驅動件可移動地滑設於複數該導引桿；該驅動件包含有複數壓抵部，複數該壓抵部與複數該滑座於該第一方向相互對應配置，各該壓抵部包含有橫向配置之一導引面及一擋止面，該導引面斜向於該第一方向，當該驅動件沿該第一方向靠近該基座時，該導引面滑抵於該滑座以令其沿垂直該第一方向移動至該工作位置，進而該刀刃沿垂直該第一方向移動；其中，該擋止面用以於該第一方向上預定位置擋止該滑座；該斷開單元沿該第一方向伸入該容置空間，以令複數該刀刃位於該容置空間，當複數該滑座位於該工作位置時，複數該刀刃係自該容置空間經由複數該貫口凸出於該容置座；各該刀刃之橫切面呈「U」字型。
一種杯蓋製程，包含下列步驟：<br/> 令一吸塑成型之杯蓋定位於一對位單元，該杯蓋包含有一蓋部與一外環部，該外環部橫向地凸伸於該蓋部，該對位單元包含有至少一貫口，該至少一貫口供朝向該外環部之一側；及<br/> 令一斷開單元之至少一刀刃供位於該外環部之另一側，並驅使該至少一刀刃朝向該至少一貫口靠近，該至少一刀刃供斷開該外環部之連續結構地穿入該至少一貫口，進而於該外環部上形成至少一切割痕。
一種用於收納加工工具的刀套，包含：<br/> 一刀套本體，具有一容置空間及至少一徑向孔，且該刀套本體之外周面具有一安裝面，其中該容置空間能夠收納該加工工具，該至少一徑向孔係自該安裝面沿著徑向設置且連通該容置空間；<br/> 一鎖刀單元，包括有至少一彈簧及至少一鋼珠，該至少一彈簧及該至少一鋼珠設置於該刀套本體之該至少一徑向孔中，其中該至少一彈簧的一端抵接該至少一鋼珠，以使該至少一鋼珠的部分表面凸露於該容置空間中；<br/> 一壓制件，係固定連接該刀套本體，該壓制件具有一壓貼面，該壓貼面接觸該刀套本體之該安裝面，該至少一彈簧的另一端抵接該壓貼面；<br/> 其中該壓制件包括一長條形的鋼帶，該鋼帶具有相背對之一外表面與一內表面，該內表面構成該壓貼面；該刀套包括有一固定手段用以將該鋼帶固定連接該刀套本體，且該鋼帶包圍該刀套本體；<br/> 其中該固定手段包括至少一固定件及至少一固定孔自該刀套本體之該安裝面凹設構成，該至少一固定件具有一身部及一頭部，該身部穿設該鋼帶且伸入該至少一固定孔中，該頭部位於該身部一端並抵壓該鋼帶之該外表面。
如請求項1所述之用於收納加工工具的刀套，其中該至少一固定件之該身部與該至少一固定孔為緊配合。
如請求項2所述之用於收納加工工具的刀套，其中該至少一固定件之該身部具有一環狀變形部，該環狀變形部的外徑大於該至少一固定孔的孔徑。
如請求項1所述之用於收納加工工具的刀套，其中該刀套本體之外周面具有一環形槽，該環形槽之槽底構成該安裝面；該鋼帶位於該環形槽中且環繞該刀套本體。
如請求項1所述之用於收納加工工具的刀套，其中該刀套本體之該安裝面具有一平切段，該至少一固定孔係以垂直該平切段的方式向下鑽設而成；該鋼帶具有至少一壓貼段平貼該平切段，該至少一固定件之該身部穿過該至少一壓貼段，該頭部抵壓該鋼帶之該至少一壓貼段的外表面。
一種用於收納加工工具的刀套，包含：<br/> 一刀套本體，具有一容置空間及至少一徑向孔，且該刀套本體之外周面具有一安裝面，其中該容置空間能夠收納該加工工具，該至少一徑向孔係自該安裝面沿著徑向設置且連通該容置空間；<br/> 一鎖刀單元，包括有至少一彈簧及至少一鋼珠，該至少一彈簧及該至少一鋼珠設置於該刀套本體之該至少一徑向孔中，其中該至少一彈簧的一端抵接該至少一鋼珠，以使該至少一鋼珠的部分表面凸露於該容置空間中；<br/> 一壓制件，係固定連接該刀套本體，該壓制件具有一壓貼面，該壓貼面接觸該刀套本體之該安裝面，該至少一彈簧的另一端抵接該壓貼面；<br/> 其中該壓制件包括一長條形的鋼帶，該鋼帶具有相背對之一外表面與一內表面，該內表面構成該壓貼面；該刀套包括有一固定手段用以將該鋼帶固定連接該刀套本體，且該鋼帶包圍該刀套本體；<br/> 其中該刀套本體具有一剖溝，該剖溝自該安裝面沿著徑向切設而成；該鋼帶具有相異的兩端且分別構成一嵌片，各該嵌片嵌入該剖溝中。
如請求項1所述之用於收納加工工具的刀套，其中該加工工具具有一端部，該端部具有一抵靠面；該刀套本體之該容置空間包括有一軸孔，該至少一徑向孔連通該軸孔；該鎖刀單元包括有能夠在該軸孔中移動的一解鎖件，該解鎖件呈圓管體且具有至少一側開孔；其中，該至少一鋼珠的部分能夠通過該至少一側開孔，該至少一鋼珠接觸該加工工具之該端部的抵靠面時，限制該加工工具退出該容置空間；該至少一鋼珠未接觸該加工工具之該端部的抵靠面時，該加工工具能夠自該容置空間中抽離。
如請求項7所述之用於收納加工工具的刀套，其中該軸孔包括一內孔段及一外孔段，該內孔段的孔徑小於該外孔段的孔徑，該刀套本體於該內孔段與該外孔段的連接部位具有一抵面；該鎖刀單元包括一擋件，該擋件固定連接在該外孔段中，該解鎖件具有一環形垣，該環形垣能夠與該抵面或是該擋件接觸。
一種基板，其中，包括具有上表面的玻璃芯， <br/>所述玻璃芯所述上表面的以下公式1的粗糙度對比非對稱度比率值即R<sub>s/z</sub>值為-5nm<sup>-2</sup>至50nm<sup>-2</sup>： <br/>公式1 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="50px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在所述公式1中，Rsk值為所述玻璃芯的所述上表面的非對稱度值，Rz值為所述玻璃芯的所述上表面的最大高度粗糙度，所述Rz值的單位為nm， <br/>其中，所述玻璃芯的所述上表面具有任意選擇的3個測量區域，且所述3個測量區域中的每一個為橫向為5μm、縱向為5μm的區域， <br/>其中根據在ISO 4287規定的方法，利用原子力顯微鏡，在非接觸模式下測量在所述3個測量區域中的每一個中的非對稱度值和最大高度粗糙度值，將所述3個測量區域中的每一個的非對稱度值的平均值作為所述玻璃芯的所述上表面的Rsk值，以及將所述3個測量區域中的每一個的最大高度粗糙度值的平均值作為所述玻璃芯的所述上表面的Rz值。
如請求項1所述的基板，其中，所述Rsk值為-0.5至1.8。
如請求項1所述的基板，其中，所述Rz值為3nm至30nm。
如請求項1所述的基板，其中， <br/>各個所述測量區域的Rsk值的標準差為0.5以下。
如請求項1所述的基板，其中， <br/>各個所述測量區域的Rz值的標準差為1.5nm以下。
如請求項1所述的基板，更包括： <br/>導電層，配置在所述玻璃芯上。
如請求項6所述的基板，其中，所述導電層包括種子層以及配置在所述種子層上的傳導層， <br/>所述種子層的厚度為50nm至1500nm。
如請求項6所述的基板，其中，所述導電層具有圖案形狀， <br/>所述導電層的寬度為1μm至5μm； <br/>所述導電層的厚度為1μm至5μm。
如請求項6所述的基板，其中，所述導電層包括第一導電層，所述第一導電層形成為與所述玻璃芯的表面接觸， <br/>當從所述第一導電層的截面觀察時，在所述第一導電層和所述玻璃芯之間形成的介面的最大高度粗糙度即Rz值為5nm至200nm。
如請求項6所述的基板，其中，所述導電層包括第一導電層，所述第一導電層形成為與所述玻璃芯的表面接觸， <br/>利用180°剝離測試所測量的所述第一導電層和所述玻璃芯之間的接合力為0.2kgf至3kgf。
如請求項1所述的基板，其中，所述基板具有半導體封裝用途。
一種基板的製造方法，其中，包括： <br/>準備步驟，製備基本玻璃板；以及 <br/>粗糙化步驟，製備基板，所述基板包括玻璃芯，所述玻璃芯通過對所述基本玻璃板的上表面進行粗糙化而形成，其中所述粗糙化步驟包括對所述基本玻璃板的所述上表面進行電漿處理來形成所述玻璃芯的過程， <br/>所述玻璃芯具有上表面， <br/>所述玻璃芯的所述上表面的以下公式1的粗糙度對比非對稱度比率值即R<sub>s/z</sub>值為-5nm<sup>-2</sup>至50nm<sup>-2</sup>： <br/>公式1 <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="50px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在所述公式1中，Rsk值為所述玻璃芯的所述上表面的非對稱度值，Rz值為所述玻璃芯的所述上表面的最大高度粗糙度，所述Rz值的單位為nm， <br/>其中，所述玻璃芯的所述上表面具有任意選擇的3個測量區域，且所述3個測量區域中的每一個為橫向為5μm、縱向為5μm的區域， <br/>其中根據在ISO 4287規定的方法，利用原子力顯微鏡，在非接觸模式下測量在所述3個測量區域中的每一個中的非對稱度值和最大高度粗糙度值，將所述3個測量區域中的每一個的非對稱度值的平均值作為所述玻璃芯的所述上表面的Rsk值，以及將所述3個測量區域中的每一個的最大高度粗糙度值的平均值作為所述玻璃芯的所述上表面的Rz值。
一種影像調整方法，應用於一投影裝置，該影像調整方法包括以下步驟：<br/> （a）藉由一投影模組投射一模式設定選單至一投影面上；<br/> （b）響應於基於該模式設定選單的一選擇操作，控制該投影裝置進入一色盲選擇模式；<br/> （c）於該投影裝置進入該色盲選擇模式時，藉由該投影模組投射一參考圖片與至少一色盲類型所對應的多個色盲測試圖片至該投影面上，以進行一色盲測試；<br/> （d）響應於該些色盲測試圖片的其中之一被選擇，取得對應的一光學顏色設定資料；以及<br/> （e）基於該光學顏色設定資料調整一紅光信號、一藍光信號與一綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以對該投影裝置投影的一投影影像進行顏色補償；<br/> 其中，該步驟（e）進一步包括以下步驟：<br/> 基於該光學顏色設定資料調整該紅光信號、該藍光信號與該綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以進行一顏色補償設定；<br/> 基於該顏色補償設定投射一顏色補償影像至該投影面上；以及<br/> 響應於接收對應該顏色補償影像符合一識別需求的一確認信號，基於該顏色補償設定對該投影影像進行顏色補償。
如請求項1所述的影像調整方法，還包括以下步驟：<br/> 於該投影裝置開機後自動產生一啟動信號，以藉由該投影模組投射該模式設定選單；或<br/> 於該投影裝置開機後，響應於一模式設定請求，接收該啟動信號，以藉由該投影模組投射該模式設定選單。
如請求項1所述的影像調整方法，還包括以下步驟：<br/> 藉由該投影模組投射該參考圖片與該至少一色盲類型所對應的該些色盲測試圖片至該投影面上的同時，還藉由該投影模組投射一自定義選項至該投影面上，以進行該色盲測試；<br/> 響應於該自定義選項被選擇，投射一光學顏色設定選單；以及<br/> 響應於基於該光學顏色設定選單的一設定操作，接收該光學顏色設定資料，並接續執行該步驟（e）。
如請求項1所述的影像調整方法，其中，該步驟（e）還包括：<br/> 響應於接收對應該顏色補償影項不符合該識別需求的一否定信號，基於該否定信號，重新執行該步驟（c）。
如請求項1所述的影像調整方法，其中，該步驟（e）還包括：<br/> 響應於接收對應該顏色補償影項不符合該識別需求的一否定信號，基於該否定信號投射對應被選擇的該色盲測試圖片的一光學顏色設定選單；<br/> 響應於基於該光學顏色設定選單的一修正操作，接收修正後的該光學顏色設定資料；以及<br/> 基於修正後的該光學顏色設定資料調整該紅光信號、該藍光信號與該綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以對該投影影像進行顏色補償。
如請求項5所述的影像調整方法，其中，基於該否定信號投射對應被選擇的該色盲測試圖片的該光學顏色設定選單的步驟包括：<br/> 判斷被選擇的該色盲測試圖片所對應的該至少一色盲類型中的一者與一顏色幅度調整設定；以及<br/> 基於該否定信號投射對應該顏色幅度調整設定的該光學顏色設定選單。
如請求項1所述的影像調整方法，還包括以下步驟：<br/> 響應於一色彩校正請求，接收一校正信號，並根據該校正信號投射一色彩特徵設定選單至該投影面上；<br/> 響應於基於該至少一色盲類型中的一者對該色彩特徵設定選單中紅光、綠光與藍光的至少其中之一的飽和度與/或增益值進行調整，接收一色彩特徵設定資料；以及<br/> 基於該色彩特徵設定資料對一顏色補償影像進行色彩校正。
如請求項1所述的影像調整方法，其中，該步驟（e）包括：<br/> 在一紅光時序時，調升或調降一紅光光源、一藍光光源或一白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降一綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調升該紅光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調降該紅光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小。
如請求項1所述的影像調整方法，其中，該步驟（e）包括：<br/> 在一藍光時序時，調升或調降一藍光光源或一白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降一綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調升該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調降該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該綠光光源、該藍光光源或該白光光源的驅動電流大小。
一種投影裝置，包括一投影模組、一處理模組、一輸入介面與一記憶體，該處理模組連接該投影模組、該輸入介面與該記憶體，該處理模組經配置以執行：<br/> 控制該投影模組投射一模式設定選單至一投影面上；<br/> 響應於基於該模式設定選單的一選擇操作，控制該投影裝置進入一色盲選擇模式；<br/> 於該投影裝置進入該色盲選擇模式時，控制該投影模組投射儲存於該記憶體中的一參考圖片與至少一色盲類型所對應的多個色盲測試圖片至該投影面上，以進行一色盲測試；<br/> 響應於該些色盲測試圖片的其中之一被選擇，取得儲存於該記憶體中對應的一光學顏色設定資料；<br/> 基於該光學顏色設定資料調整一紅光信號、一藍光信號與一綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以進行一顏色補償設定；<br/> 基於該顏色補償設定控制該投影模組投射一顏色補償影像至該投影面上；以及<br/> 響應於接收來自該輸入介面對應該顏色補償影像符合一識別需求的一確認信號，基於該顏色補償設定對該投影模組投影的一投影影像進行顏色補償。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於在該投影裝置開機後自動產生一啟動信號，以控制該投影模組投射該模式設定選單，或者在該投影裝置開機後，響應於一模式設定請求，接收來自該輸入介面的該啟動信號，以控制該投影模組投射該模式設定選單。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於於該投影裝置進入該色盲選擇模式控制該投影模組投射一自定義選項至該投影面上，以進行該色盲測試；響應於該自定義選項被選擇，控制該投影模組投射一光學顏色設定選單；以及響應於基於該光學顏色設定選單的一設定操作，接收該光學顏色設定資料，並對該投影影像進行顏色補償。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於響應於接收來自該輸入介面對應該顏色補償影像不符合該識別需求的一否定信號，基於該否定信號，重新執行該色盲測試。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於響應於接收來自該輸入介面對應該顏色補償影像不符合該識別需求的一否定信號，基於該否定信號控制該投影模組投射對應被選擇的該色盲測試圖片的一光學顏色設定選單；響應於基於該光學顏色設定選單的一修正操作，接收來自該輸入介面的修正後的該光學顏色設定資料；以及基於修正後的該光學顏色設定資料調整該紅光信號、該藍光信號與該綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以對該投影影像進行顏色補償。
如請求項14所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於判斷被選擇的該色盲測試圖片所對應的該至少一色盲類型中的一者與一顏色幅度調整設定；以及基於該否定信號控制該投影模組投射對應該顏色幅度調整設定的該光學顏色設定選單。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該處理模組還用於響應於一色彩校正請求，接收來自該輸入介面的一校正信號，並根據該校正信號控制該投影模組投射一色彩特徵設定選單至該投影面上；響應於基於該至少一色盲類型中的一者對該色彩特徵設定選單中紅光、綠光與藍光的至少其中之一的飽和度與/或增益值進行調整，接收來自該輸入介面的一色彩特徵設定資料；以及基於該色彩特徵設定資料對一顏色補償影像進行色彩校正。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一紅光光源、一綠光光源與一藍光光源，該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一紅光時序時，調升或調降該紅光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該綠光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調升該紅光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該綠光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調降該紅光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該綠光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一藍光光源、一波長轉換元件與一濾光元件，該波長轉換元件配置於該藍光光源所發出的一藍色光束的傳遞路徑上，用於將該藍色光束轉換為一轉換光束；該濾光元件配置於該轉換光束的傳遞路徑上，用於將該轉換光束過濾為一紅光光束及/或一綠光光束；該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一紅光時序時，調升或調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調升該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調降該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該藍光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一白光光源與一色輪，該色輪配置於該白光光源所發出的一白色光束的傳遞路徑上，該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一紅光時序時，調升或調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調升該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該紅光時序時，調降該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該白光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一紅光光源、一綠光光源與一藍光光源，該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一藍光時序時，調升或調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該綠光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調升該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該綠光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調降該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該綠光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一藍光光源、一波長轉換元件與一濾光元件，該波長轉換元件配置於該藍光光源所發出的一藍色光束的傳遞路徑上，用於將該藍色光束轉換為一轉換光束；該濾光元件配置於該轉換光束的傳遞路徑上，用於將該轉換光束過濾為一綠光光束；該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一藍光時序時，調升或調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調升該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該藍光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調降該藍光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該藍光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該投影模組包括一照明系統，該照明系統包括一白光光源與一色輪，該色輪配置於該白光光源所發出的一白色光束的傳遞路徑上，該處理模組還用於基於以下一者來對該投影影像進行顏色補償：<br/> 在一藍光時序時，調升或調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在一綠光時序時，調升或調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調升該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調降該白光光源的驅動電流大小；或<br/> 在該藍光時序時，調降該白光光源的驅動電流大小，且在該綠光時序時，調升該白光光源的驅動電流大小。
如請求項10所述的投影裝置，其中，該至少一色盲類型包括一紅色色盲類型、一綠色色盲類型及一黃藍色色盲類型，且每一該至少一色盲類型包括至少二子模式，該些色盲測試圖片對應該至少一色盲類型的該至少二子模式中至少一者。
一種影像調整方法，應用於一投影裝置，該影像調整方法包括以下步驟：<br/> 藉由一投影模組投射一模式設定選單至一投影面上；<br/> 響應於基於該模式設定選單的一選擇操作，控制該投影裝置進入一色盲選擇模式；<br/> 於該投影裝置進入該色盲選擇模式時，藉由該投影模組投射一參考圖片與至少一色盲類型所對應的多個色盲測試圖片至該投影面上，以進行一色盲測試；<br/> 響應於該些色盲測試圖片的其中之一被選擇，取得對應的一光學顏色設定資料；以及<br/> 基於該光學顏色設定資料調整一紅光信號、一藍光信號與一綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以對該投影裝置投影的一投影影像進行顏色補償；<br/> 其中，所述的影像調整方法還包括以下步驟：<br/> 響應於一色彩校正請求，接收一校正信號，並根據該校正信號投射一色彩特徵設定選單至該投影面上；<br/> 響應於基於該至少一色盲類型中的一者對該色彩特徵設定選單中紅光、綠光與藍光的至少其中之一的飽和度與/或增益值進行調整，接收一色彩特徵設定資料；以及<br/> 基於該色彩特徵設定資料對一顏色補償影像進行色彩校正 。
一種投影裝置，包括一投影模組、一處理模組、一輸入介面與一記憶體，該處理模組連接該投影模組、該輸入介面與該記憶體，該處理模組經配置以執行：<br/> 控制該投影模組投射一模式設定選單至一投影面上；<br/> 響應於基於該模式設定選單的一選擇操作，控制該投影裝置進入一色盲選擇模式；<br/> 於該投影裝置進入該色盲選擇模式時，控制該投影模組投射儲存於該記憶體中的一參考圖片與至少一色盲類型所對應的多個色盲測試圖片至該投影面上，以進行一色盲測試；<br/> 響應於該些色盲測試圖片的其中之一被選擇，取得儲存於該記憶體中對應的一光學顏色設定資料；<br/> 基於該光學顏色設定資料調整一紅光信號、一藍光信號與一綠光信號的至少其中之一所對應的驅動電流大小，以對該投影模組投影的一投影影像進行顏色補償；<br/> 其中，該處理模組還用於響應於一色彩校正請求，接收來自該輸入介面的一校正信號，並根據該校正信號控制該投影模組投射一色彩特徵設定選單至該投影面上；響應於基於該至少一色盲類型中的一者對該色彩特徵設定選單中紅光、綠光與藍光的至少其中之一的飽和度與/或增益值進行調整 ，接收來自該輸入介面的一色彩特徵設定資料；以及基於該色彩特徵設定資料對一顏色補償影像進行色彩校正。
一種太陽能電池單元的製造方法，其中，包括：<br/> 在第一電極上形成電子傳輸層的工序;<br/> 在該電子傳輸層上形成包含鈣鈦礦層的光吸收層的工序;<br/> 在該光吸收層上形成混合電洞傳輸層的工序;以及<br/> 在該混合電洞傳輸層上形成第二電極的工序，<br/> 在形成該混合電洞傳輸層的工序中，在包含有機物的溶液中添加包含無機物的溶液，<br/> 在該混合電洞傳輸層的下端附近形成該無機物的層。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，所添加的該無機物的密度比含有該有機物的溶液的密度高。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該鈣鈦礦層在含有價帶上端的能級在從-5.1eV到-5.7eV的範圍且導帶下端能級在從-3.5eV到-4.0eV的範圍內的鈣鈦礦材料。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該鈣鈦礦層由通式ABX<sub>3</sub>的晶體構成，<br/> 該A是有機分子或有機無機混合分子，該B是金屬原子，該X是鹵素原子。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該混合電洞傳輸層的膜厚為250~300nm，<br/> 該有機物包含有機P型材料，<br/> 該無機物含有無機氧化物P型粒子。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該混合電洞傳輸層的上端附近的該無機物的量比下端附近少。
如請求項6所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，在該混合電洞傳輸層的上端附近未設置該無機物。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該無機物的膜厚為50~100nm，<br/> 該無機物包含細密填充結構的無機氧化物P型粒子。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該有機物包含有機P型材料，<br/> 該有機P型材料含有選自P<sub>3</sub>HT、Spiro、PTAA、並五苯中的一種以上。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，<br/> 該無機物包含無機氧化物P型粒子，<br/> 該無機氧化物P型粒子含有選自NiO<sub>X</sub>、Cu<sub>2</sub>O、MoO<sub>X</sub>中的一種以上，<br/> 該無機氧化物P型粒子具有與該光吸收層相同或比該光吸收層更淺的導帶能級，並且具有與該光吸收層相同或比該光吸收層更淺的價帶能級。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，<br/> 該有機物包含有機P型材料，<br/> 該無機物包含無機氧化物P型粒子，<br/> 該有機P型材料具有與該無機氧化物P型粒子相同或者或比該無機氧化物P型粒子更淺的價帶能級。
如請求項1所述的太陽能電池單元的製造方法，其中，該無機物的粒徑為10~50nm。
一種太陽能電池模組的製造方法，其中，將通過請求項1至12中任一項所述的太陽能電池單元的製造方法製造的太陽能電池單元集成、並模組化。
一種太陽能電池單元，其中，依次包括：<br/> 電子傳輸層;<br/> 光吸收層，包含鈣鈦礦化合物;以及<br/> 混合電洞傳輸層，<br/> 該混合電洞傳輸層包含有機物及無機物，<br/> 在該混合電洞傳輸層的下端附近形成該無機物的層。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，該鈣鈦礦化合物含有價帶上端的能級在從-5.1eV到-5.7eV的範圍且導帶下端能級在從-3.5eV到-4.0eV的範圍的鈣鈦礦材料。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，該鈣鈦礦化合物由通式ABX<sub>3</sub>的晶體構成，<br/> 該A是有機分子或有機無機混合分子，該B是金屬原子，該X是鹵素原子。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，該混合電洞傳輸層的膜厚為250~300nm，<br/> 該有機物包含有機P型材料，<br/> 該無機物含有無機氧化物P型粒子。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，該混合電洞傳輸層的上端附近的該無機物的量比下端附近少。
如請求項18所述的太陽能電池單元，其中，在該混合電洞傳輸層的上端附近未設置該無機物。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，<br/> 該無機物的膜厚為50~100nm，<br/> 該無機物包含細密填充結構的無機氧化物P型粒子。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，該有機物包含有機P型材料，<br/> 該有機P型材料含有選自P<sub>3</sub>HT、Spiro、PTAA、並五苯中的一種以上。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，<br/> 該無機物包含無機氧化物P型粒子，<br/> 該無機氧化物P型粒子含有選自NiO<sub>X</sub>、Cu<sub>2</sub>O、MoO<sub>X</sub>中的一種以上，<br/> 該無機氧化物P型粒子具有與該光吸收層相同或比該光吸收層更淺的導帶能級，並且具有與該光吸收層相同或比該光吸收層更淺的價帶能級。
如請求項14所述的太陽能電池單元，其中，<br/> 該有機物包含有機P型材料，<br/> 該無機物包含無機氧化物P型粒子，<br/> 該有機P型材料具有與該無機氧化物P型粒子相同或者或比該無機氧化物P型粒子更淺的價帶能級。
一種太陽能電池模組，是將如請求項14至23中任一項所述的太陽能電池單元進行集成、並模組化的太陽能電池模組，其中，第一電極是透明導電性基板。
一種具有異形水路的模具，其包含：<br/> 一模仁，其中一表面凹設有一凹槽，該凹槽所界定之一凹槽底面為不規則曲面；<br/> 一模穴，形成於該凹槽處的一空間；<br/> 至少一支撐材，設置於該模仁內，該支撐材之一固定端對應至該模仁的其中一表面，一支撐端位置於該模仁內，其中，至少一個該固定端對應至該凹槽底面；<br/> 至少一流道，貫穿該模仁並構成一水路空間，且該流道兩端之二個開口開設於該模仁之至少一表面，其中，該流道與該凹槽間隔的設置，該流道對應該凹槽底面的不規則曲面凹曲的分布。
如請求項1所述之具有異形水路的模具，該水路空間任一部位之一中心與該凹槽底面的距離大於2mm，並且為該水路空間的一管徑直徑的1.5至2倍之間。
如請求項2所述之具有異形水路的模具，該水路空間的一管徑直徑小於等於14mm。
如請求項2所述之具有異形水路的模具，且該支撐端包含一U型結構或是一V型結構，且至少一部份該支撐材的該固定端與該凹槽底面共平面。
如請求項4所述之具有異形水路的模具，該流道係一管材，該管材穿設於該模仁，該支撐端的至少一部份抵靠於該管材一外壁的至少一部份。
如請求項5所述之具有異形水路的模具，該流道之該管材為金屬材料，該管材突出該模仁的該至少一表面。
如請求項4所述之具有異形水路的模具，該流道係一中空孔道，該流道貫穿該模仁，其中，各該支撐材的該支撐端位置對應該流道的至少一部份，其中，該支撐端的至少一部份與該流道之一內壁的至少一部份共平面。
如請求項1至7任一項所述之具有異形水路的模具，該模具包含一外框，該外框設置於該模仁之外周圍至少一部份，該外框包含：<br/> 一支撐面，對應該凹槽底面的不規則曲面，並形成一外框凹槽，其中，該外框凹槽凹凸對應的覆蓋於該模仁之該凹槽， 該外框凹槽與該凹槽共同形成該模穴；<br/> 一支撐壁，環繞該支撐面設置；以及<br/> 一穿孔，對齊於該流道之二個該開口的位置開設於該支撐壁。
一種具有異形水路的模具的製作方法，其步驟包含： <br/> 備置一外框，包含一支撐面以及一支撐壁，該支撐壁連續環繞該支撐面的外周圍，並朝向該支撐面的其中一側面突出設置，一製模空間形成於該支撐面以及該支撐壁之間，一外框凹槽，設於該外框之該支撐面，並朝向該製模空間凹設成型；<br/> 複數個支撐材置入該製模空間，該支撐材包含一固定端以及一支撐端，該固定端，該固定端對應至該支撐面的至少一部位，該支撐端位置於該製模空間內；<br/> 設置一流道構件於該支撐材的該支撐端，其中該流道構件由一金屬材或是一消失材所製成，以及該金屬材為一管材，其中，該流道與該凹槽間隔的設置，該流道對應該凹槽底面的不規則曲面凹曲的分布；以及<br/> 倒入一成型材於該製模空間，形成一模仁。
如請求項9所述之製作方法，該外框於至少一個該支撐壁上開設至少二個穿孔，該流道構件為該消失材，且其二個末端對齊二個該穿孔，形成該模仁後，去除該流道構件，形成一水路空間以及二個開口。
如請求項9所述之製作方法，該外框於至少一個該支撐壁上開設至少二個穿孔，該流道構件為該金屬材，且該流道構件之兩末端分別穿設於該穿孔內，形成一水路空間以及二個開口。
如請求項9至11任一項所述之製作方法，該外框為該消失材，該消失材為一聚乙烯醇，該聚乙烯醇透過一水解將該消失材溶解；或是該消失材為一蠟材，該蠟材透過一熱解將該消失材溶解。
一種製造交聯透明質酸凝膠之方法，包含： <br/>(a) 混合透明質酸或其金屬鹽及特安皮質醇(triamcinolone)或其醫藥上可接受之鹽或酯以形成一混合物； <br/>(b) 於步驟(a)之該混合物中加入水，以形成一膠體； <br/>(c) 將步驟(b)之該膠體與1,4-丁二醇二縮水甘油醚(1,4-butanediol diglycidyl ether, BDDE)進行交聯反應。
如請求項1之方法，其中步驟(a)中特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯係特安皮質醇-21-辛酸甲酯（Triamcinolone Acetonide 21-oic acid methyl ester）、特安皮質醇-貝内酯（Triamcinolone Benetonide）、特安皮質醇-六醋酸酯（Triamcinolone Hexacetonide）或特安皮質醇-二醋酸酯（Triamcinolone Diacetate）。
如請求項1之方法，其中步驟(a)中透明質酸或其金屬鹽及特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯之重量比為10：1至10：15。
如請求項1之方法，其中步驟(a)中透明質酸或其金屬鹽及／或特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯係為固體。
如請求項1之方法，其中步驟(a)中透明質酸或其金屬鹽之含水率小於20%，及／或透明質酸或其金屬鹽之粒徑為200 μm以下。
如請求項1之方法，其中步驟(a)中特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯之含水率小於2%，及／或特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯之粒徑為5 μm以下。
如請求項1之方法，其中步驟(b)中透明質酸或其金屬鹽及水之重量比為1：1至1：6。
如請求項1之方法，其中步驟(c)中透明質酸或其金屬鹽之反應濃度為10 wt%至30 wt%。
如請求項1之方法，另包含： <br/>(d) 蒸汽滅菌(c)之交聯反應產物。
一種交聯透明質酸凝膠，其係由以下所組成： <br/>交聯之透明質酸或其金屬鹽； <br/>特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯，其係大致均勻地分布於該交聯透明質酸凝膠中； <br/>選擇性之多元醇； <br/>選擇性之直鏈透明質酸；及 <br/>選擇性之自體交聯透明質酸。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯係特安皮質醇-21-辛酸甲酯、特安皮質醇-貝内酯、特安皮質醇-六醋酸酯或特安皮質醇-二醋酸酯。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中該交聯之透明質酸或其金屬鹽係以1,4-丁二醇二縮水甘油醚交聯。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中該交聯之透明質酸或其金屬鹽之含量為1.0 wt%至5.0 wt%。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯之含量為0.1 wt%至5.0 wt%。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中交聯透明質酸或其金屬鹽及特安皮質醇或其醫藥上可接受之鹽或酯之重量比為10：1至10：15。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其平均粒徑為150 μm至1000 μm。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其在25<sup>o</sup>C及1 Hz之測量條件下，彈性模數G’為50 Pa至1500 Pa，且黏性模數G”為10 Pa至150 Pa之間。
如請求項10之交聯透明質酸凝膠，其中所述多元醇係選自由甘露醇及山梨醇所組成之群。
一種如請求項10至18任何一項之交聯透明質酸凝膠之用途，其係用以製備治療骨關節炎之藥物。
一種歌唱檢測方法，用以判斷一聲音訊號是否為歌唱，該歌唱檢測方法包括：將該聲音訊號，進行一封包觸發判斷，以判定是否啟動一歌唱檢測功能；針對該聲音訊號，進行一節奏（tempo）檢測，獲得一節奏檢測資料；針對該聲音訊號，進行一基音（pitch）檢測，獲得一基音檢測資料；將該基音檢測資料，進行一量化運算，獲得一量化資料；將該量化資料以及該節奏檢測資料轉換成一音樂數位介面（Musical Instrument Digital Interface，MIDI）音符（note）資料；以及藉由該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷以及音高變化判斷，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與一門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，針對該聲音訊號，進行該節奏檢測，獲得該節奏檢測資料，包括：進行一起音點偵測，包括：在該聲音訊號上，在時間軸尋找局部最高峰值（peak）； 對上述局部最高峰值，根據其時間、強度，決策挑選出起音點事件，以獲得該節奏檢測資料。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，針對該聲音訊號，進行該基音檢測，獲得該基音檢測資料，包括：針對該聲音訊號，切割為多數個音訊框架（frame）；依照不同延遲時間，對上述多數個音訊框架，進行一自相關函數（autocorrelation）計算，獲得多數個自相關函數，並獲得多數個峰值，以及對應的多數個峰值延遲時間；將上述多數個峰值延遲時間作為基本週期T；以及獲得該音訊框架的基頻f = 1/T。
如請求項第3項所記載之歌唱檢測方法，其中，上述多數個音訊框架分別被表示為s(t)，其中，該自相關函數計算包括：r(τ) = Σ s(t)s(t+τ)；其中，r(τ)表示一自相關函數；其中，τ表示延遲時間；其中，藉由改變延遲時間τ，找出該自相關函數r(τ)的峰值；以及其中，將相鄰的峰值作為基本週期T以獲得所計算之音訊框架s(t)的基頻f = 1/T。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，將該聲音訊號，進行該封包觸發判斷，以判定是否啟動該歌唱檢測功能，包括：針對該聲音訊號，進行一低通濾波，獲得一低通濾波聲音訊號；針對該低通濾波聲音訊號，進行一幀能量（Framewise energy）轉換；以及根據該幀能量轉換結果，進行一語音活動檢測（Voice Activity Detection）二元輸出，以判斷是否啟動該歌唱檢測功能。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，藉由該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷，包括：進行一節奏合理性判斷，獲得一節奏合理性分數；以及進行一節奏持續性判斷，將該音樂數位介面音符資料的節奏持續性進行評分，獲得一節奏持續性分數。
如請求項第6項所記載之歌唱檢測方法，其中，進行該節奏合理性判斷，獲得該節奏合理性分數，包括：將該音樂數位介面音符資料，計算一每分鐘節拍（beats per minute，BPM）；當該每分鐘節拍低於一低節拍門檻，或該每分鐘節拍高於一高節拍門檻，設定該節奏合理性分數為一第一分數；以及當該每分鐘節拍高於該低節拍門檻，且該每分鐘節拍低於該高節拍門檻，設定該節奏合理性分數為一第二分數。
如請求項第6項所記載之歌唱檢測方法，其中，進行該節奏持續性判斷，將該音樂數位介面音符資料的節奏持續性進行評分，獲得該節奏持續性分數，包括：對該音樂數位介面音符資料，進行一自相關運算；以及將該自相關運算的結果，作為該節奏持續性分數。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，藉由該音樂數位介面音符資料，進行音高變化判斷，包括：進行一音高變化判斷，將該音樂數位介面音符資料進行一音階變化比對，獲得一音高變化分數；以及進行一延音判斷，將該音樂數位介面音符資料的延音長度進行評分，獲得一延音分數。
如請求項第9項所記載之歌唱檢測方法，其中，進行該音高變化判斷，將該音樂數位介面音符資料進行該音階變化比對，獲得該音高變化分數，包括：找出該音樂數位介面音符資料中之最高音和最低音；根據該音樂數位介面音符資料中之最高音和最低音之差值，獲得該音高變化分數。
如請求項第9項所記載之歌唱檢測方法，其中，進行該延音判斷，將該音樂數位介面音符資料的延音長度進行評分，獲得該延音分數，包括：找出該音樂數位介面音符資料中之最長的和最短的音符持續期間（duration）；根據該音樂數位介面音符資料中之最長的和最短的音符持續期間，獲得該延音分數。
如請求項第1項所記載之歌唱檢測方法，其中，藉由該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷以及音高變化判斷，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與該門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱，更包括：進行一和弦分析，將該音樂數位介面音符資料對比一資料庫內的和弦資料，獲得一和弦分析分數；以及根據節奏判斷獲得的分數、音高變化判斷獲得的分數、和弦分析分數，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與該門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱。
一種歌唱檢測系統，包括：一類比前置處理電路，包括一輸入端以及一輸出端，其中，該類比前置處理電路的輸入端接收一聲音訊號，進行一封包觸發判斷，以判定是否啟動一歌唱檢測功能；一節奏（tempo）檢測電路區塊，耦接該類比前置處理電路，當該歌唱檢測功能被啟動，接收一取樣聲音訊號，進行一節奏檢測，輸出一節奏檢測資料；一基音（pitch）檢測電路區塊，耦接該類比前置處理電路，當該歌唱檢測功能被啟動，接收一取樣聲音訊號，進行一基音檢測，獲得一基音檢測資料；一量化運算電路區塊，接收該基音檢測資料，進行一量化運算，獲得一量化資料；一資料轉換電路區塊，接收該量化資料以及該節奏檢測資料，將該量化資料以及該節奏檢測資料轉換成一音樂數位介面（Musical Instrument Digital Interface，MIDI）音符（note）資料；以及一判斷電路，接收該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷以及音高變化判斷，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與一門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該節奏檢測電路區塊更用以進行一起音點偵測，此起音點偵測包括：在所接收的該取樣聲音訊號上，在其時間軸尋找局部最高峰值（peak）；並且對上述局部最高峰值，根據其時間、強度，決策挑選出起音點事件，以獲得該節奏檢測資料。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該基音檢測電路區塊的運作更包括：針對所接收的該取樣聲音訊號，切割為多數個音訊框架（frame）；依照不同延遲時間，對上述多數個音訊框架，進行一自相關函數（autocorrelation）計算，獲得多數個自相關函數，並獲得多數個峰值，以及對應的多數個峰值延遲時間；將上述多數個峰值延遲時間作為基本週期；以及根據上述基本週期，獲得該音訊框架的基頻。
如請求項第15項所記載之歌唱檢測系統，其中，上述多數個音訊框架分別被表示為s(t)，其中，該自相關函數計算包括：r(τ) = Σ s(t)s(t+τ)；其中，r(τ)表示一自相關函數；其中，τ表示延遲時間；其中，藉由改變延遲時間τ，找出該自相關函數r(τ)的峰值；其中，將相鄰的峰值作為基本週期T以獲得所計算之音訊框架s(t)的基頻f = 1/T。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該類比前置處理電路更包括：一取樣電路，對該聲音訊號進行取樣，以獲得該取樣聲音訊號；一低通濾波器，對該取樣聲音訊號，進行一低通濾波，獲得一低通濾波聲音訊號；一幀能量（Framewise energy）轉換電路，接收該低通濾波聲音訊號，進行一幀能量轉換；以及一語音活動檢測（Voice Activity Detection）電路，耦接該幀能量轉換電路，根據該幀能量轉換結果，進行二元輸出，以判斷是否啟動該歌唱檢測功能。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該判斷電路藉由該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷，包括：進行一節奏合理性判斷，獲得一節奏合理性分數；以及進行一節奏持續性判斷，將該音樂數位介面音符資料的節奏持續性進行評分，獲得一節奏持續性分數。
如請求項第18項所記載之歌唱檢測系統，其中，進行該節奏合理性判斷，獲得該節奏合理性分數，包括：將該音樂數位介面音符資料，計算一每分鐘節拍（beats per minute，BPM）；當該每分鐘節拍低於一低節拍門檻，或該每分鐘節拍高於一高節拍門檻，設定該節奏合理性分數為一第一分數；以及當該每分鐘節拍高於該低節拍門檻，且該每分鐘節拍低於該高節拍門檻，設定該節奏合理性分數為一第二分數。
如請求項第18項所記載之歌唱檢測系統，其中，進行該節奏持續性判斷，將該音樂數位介面音符資料的節奏持續性進行評分，獲得該節奏持續性分數，包括：對該音樂數位介面音符資料，進行一自相關運算；以及將該自相關運算的結果，作為該節奏持續性分數。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該判斷電路藉由該音樂數位介面音符資料，進行音高變化判斷，包括：進行一音高變化判斷，將該音樂數位介面音符資料進行一音階變化比對，獲得一音高變化分數；以及進行一延音判斷，將該音樂數位介面音符資料的延音長度進行評分，獲得一延音分數。
如請求項第21項所記載之歌唱檢測系統，其中，進行該音高變化判斷，將該音樂數位介面音符資料進行該音階變化比對，獲得該音高變化分數，包括：找出該音樂數位介面音符資料中之最高音和最低音；根據該音樂數位介面音符資料中之最高音和最低音之差值，獲得該音高變化分數。
如請求項第21項所記載之歌唱檢測系統，其中，進行該延音判斷，將該音樂數位介面音符資料的延音長度進行評分，獲得該延音分數，包括：找出該音樂數位介面音符資料中之最長的和最短的音符持續期間（duration）；根據該音樂數位介面音符資料中之最長的和最短的音符持續期間，獲得該延音分數。
如請求項第13項所記載之歌唱檢測系統，其中，該判斷電路藉由該音樂數位介面音符資料，進行節奏判斷以及音高變化判斷，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與該門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱，更包括：進行一和弦分析，將該音樂數位介面音符資料對比一資料庫內的和弦資料，獲得一和弦分析分數；以及根據節奏判斷獲得的分數、音高變化判斷獲得的分數、和弦分析分數，分別給予權重計分，將獲得的最終總和分數與該門檻分數比較，以判斷該聲音訊號是否為歌唱。
一種製造聚合物的方法，包含：<br/> (S1) 將含有選自由一醚類溶劑和一非極性溶劑組成的群組中的一或多種溶劑和一單體的一第一溶液和含有該溶劑和一陰離子聚合引發劑的一第二溶液注入至一微流反應器中的操作；以及<br/> (S2) 在該微流反應器中對該單體進行一陰離子聚合的操作，<br/> 其中該微流反應器包含：<br/> 一主體，其內具有至少一個入口孔和一出口孔；<br/> 一微通道，形成在該主體中連接該入口孔和該出口孔的一流動路徑；<br/> 多個微腔室，沿著該微通道的一延伸方向排列，並形成與該流動路徑連通的一內部空間；以及<br/> 一碰撞介質，設置在該內部空間中以與在該內部空間中傳輸的一流體碰撞並轉換在該內部空間中的該流體的流動，<br/> 其中，該流體從該入口孔傳輸至該出口孔的該流動路徑包含至少一區域，在該區域中由以下關係式1定義的達姆科勒數(Da)增加，<br/> [關係式1]<br/><img align="absmiddle" height="10px" width="25px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，k表示傳播常數(L/mol·sec)，L表示流動路徑的內徑(m)，[C]表示單體的濃度(mol/L)，V表示流體的線速度(m/s)。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該微通道包含：<br/> 一入口通道，連接設置在該流動路徑中該流體的一流動方向上最前端的該微腔室和該入口孔；<br/> 一連接通道，連接彼此相鄰的該微腔室；以及<br/> 一出口通道，連接設置在該流動路徑中該流體的該流動方向上最後端的該微腔室和該出口孔，<br/> 其中，該入口通道和設置在最前端的微腔室連接的位置處的達姆科勒數(Da<sub>1</sub>)與設置在最前端的該微腔室中的達姆科勒數(Da<sub>2</sub>)的比(Da<sub>2</sub>/Da<sub>1</sub>)為10到100。
如請求項2所述之製造聚合物的方法，其中，在該入口通道和設置在最前端的該微腔室連接的該位置處的達姆科勒數(Da<sub>1</sub>)為0.1以下。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，在該微流反應器的一入口流量(Q<sub>in</sub>, ml/min)和一流動路徑的一總長度(L<sub>total</sub>, cm)與該微流反應器中的該流動路徑的一最小截面積(A<sub>min</sub>, cm<sup>2</sup>)的比滿足以下關係式2，<br/> [關係式2]<br/> 7.6 cm<sup>2</sup>/min ≤ Log(Q<sub>in</sub>×(L<sub>total</sub>/A<sub>min</sub>)) ≤ 8.5 cm<sup>2</sup>/min<br/> 其中，該入口流量(Q<sub>in</sub>)是指該第一溶液的流量(Q<sub>1</sub>)和該第二溶液的流量(Q<sub>2</sub>)的總和(Q<sub>1</sub>+Q<sub>2</sub>)，該流動路徑的該最小截面積(A<sub>min</sub>)是指該微通道的一直徑方向的一截面積，該流動路徑的該總長度為該微流反應器的一內部容量除以該流動路徑的該最小截面積所得的值。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該第一溶液的該單體的濃度為1至5M。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該陰離子聚合在該醚類溶劑和該非極性溶劑的一共溶劑中進行。
如請求項6所述之製造聚合物的方法，其中，該共溶劑具有16至20MPa<sup>½</sup>的漢森溶解度參數。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該流動路徑的溫度為-80至60℃。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，在該主體的沿該流動路徑延伸方向的一個平面上，<br/> 該微腔室的該內部空間形成為使得其寬度基於該流體的該流動方向從後到前逐漸增大，但與一前側微通道連接的一前側連接部向內引出，且<br/> 該內部空間的一內表面為曲面。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該碰撞介質具有在該主體形成的一個平面上沿著與該流體的一流動方向垂直的方向延伸但是向後彎曲的長度，且<br/> 該內部空間包含：<br/> 一分支部，在該分支部中，被該碰撞介質碰撞的該流體沿著該碰撞介質的長度方向的兩端部雙向流動；以及<br/> 一匯流部，在該匯流部中，沿著該碰撞介質的兩個方向流動的該流體再次朝一個方向流動。
如請求項10所述之製造聚合物的方法，其中，由該分支部分形成的該流動路徑的直徑L<sub>1</sub>和由該匯流部形成的該流動路徑的直徑L<sub>2</sub>滿足以下方程式1，<br/> [方程式1]<br/> 1 ＜ (L<sub>2</sub>/L<sub>1</sub>) ＜ 3<br/> 其中，L<sub>1</sub>和L<sub>2</sub>是在與該微腔室相鄰的該微通道之間，沿著連接到一前側微通道的一前側連接部和連接到一後側微通道的一後側連接部的一虛擬中心線測量的。
如請求項10所述之製造聚合物的方法，其中，該微通道形成的該流動路徑的內徑R<sub>1</sub>和該碰撞介質的一縱向上的兩端部之間的最短距離D<sub>1</sub>滿足以下方程式2，<br/> [方程式2]<br/> 3 ＜ D<sub>1</sub>/R<sub>1</sub> ＜ 15。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該入口通道和該連接通道中的至少一個通道的後端處的流動路徑的內徑逐漸減少。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該流體的線速度為0.1m/s至8m/s。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該單體包含芳香族乙烯基單體。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該非極性溶劑包含C5-C8烷烴基的溶劑。
一種工字電感，包括工字鐵芯和兩個線圈，所述工字鐵芯包括一個繞線部和兩個連接部，兩個所述連接部分別位於所述繞線部的兩端，所述連接部的一側為連接側，所述連接側的兩端各設有一電鍍腳，所述繞線部上用於纏繞所述線圈，一個所述連接部對應連接一個所述線圈的兩端，不同所述線圈的端部分別用於連接不同的所述連接部上的所述電鍍腳；其中，所述工字鐵芯為鎳鋅材料製成。
如請求項1所述的工字電感，其中：所述線圈的端部透過焊接固定在所述連接部上。
如請求項1所述的工字電感，其中：所述電鍍腳分別為第一腳、第二腳、第三腳和第四腳，所述第一腳和所述第二腳位於同一個所述連接部上，所述第三腳和所述第四腳位於同一個所述連接部上，且一個所述線圈的兩端分別連接所述第一腳和所述第二腳，另一個所述線圈的兩端分別連接所述第三腳和所述第四腳。
一種變壓器，包括蓋板和至少兩個請求項1至3中任一項所述的工字電感，各所述電鍍腳的朝向一致，且所述蓋板安裝於所述工字電感上與所述連接側相對的一側。
如請求項4所述的變壓器，其中：各所述工字電感沿所述繞線部的長度方向依次排列。
如請求項4所述的變壓器，其中：各所述工字電感沿所述繞線部的寬度方向排列。
如請求項4所述的變壓器，其中：所述蓋板與所述工字電感之間透過導磁膠黏合固定。
如請求項4所述的變壓器，其中：多個所述工字電感形成電感組合，所述電感組合上遠離所述電鍍腳的一側與所述蓋板重合。
一種記憶體電路，其包含： <br/>一陣列，包含配置於複數個行及複數個列上方的複數個處理元件，其中該些處理元件中之各者用以對複數個第一資料元素中之一對應者與複數個第二資料元素中之一對應者執行一乘法累加運算； <br/>一第一緩衝器，用以儲存該些第一資料元素並將該些第一資料元素輸出至該陣列； <br/>一第二緩衝器，用以儲存該些第二資料元素並將該些第二資料元素輸出至該陣列； <br/>一提取電路，耦接於該第一緩衝器與該陣列之間，其中該提取電路用以在一第一循環期間自該第一緩衝器提取該些第一資料元素之一第一子集並臨時儲存該些第一資料元素之該第一子集，該第一循環用於將該些第一資料元素之該第一子集寫入沿著該些列中之一第一者配置的該些處理元件之一第一子集；及 <br/>一控制器，耦接至該提取電路，並用以控制該提取電路以在一第二後續循環期間選擇性地限制自該第一緩衝器提取該些第一資料元素之一第二子集，該第二後續循環用於將該些第一資料元素之該第二子集寫入沿著該些列中之一第二者配置的該些處理元件之一第二子集， <br/>其中該提取電路包括複數個多工器及複數個暫存器。
如請求項1所述之記憶體電路，進一步包括:一第三緩衝器，用以儲存該陣列的該乘法累加運算的一輸出，其中該第三緩衝器包括複數個暫存器。
如請求項2所述之記憶體電路，其中由該控制器控制的該些多工器中之各者包括一第一輸入、一第二輸入、及耦接至該些暫存器中之一對應者的一輸出，該暫存器進一步耦接至該些行中之一對應者， <br/>其中該些多工器與該些對應暫存器以一基於移位之方式彼此連接，使得該些多工器中之一第一者的該第一輸入耦接至該第一緩衝器，其中該第一多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第二者的一輸出；該些多工器中之一第二者的該第一輸入耦接至該第一緩衝器，其中該第二多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第三者的一輸出；且該些多工器中之一第三者的該第一輸入耦接至該第一緩衝器，其中該第三多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第四者的一輸出。
如請求項2所述之記憶體電路，其中該些第一資料元素之該第一子集在該第一循環期間臨時儲存於該些暫存器中之一些中， <br/>其中在該第二循環期間，該些第一資料元素之該第二子集中之一或多者保持儲存於該些暫存器中之一些中。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該些第二資料元素中之至少一者用以與該些第一資料元素之一第三子集及與該些第一資料元素之一第四子集相乘， <br/>其中該些第一資料元素之該第三子集及該些第一資料元素之該第四子集分別寫入該些列中之一第三者及該些列中之一第四者中，且其中該第三列與該第四列彼此緊靠地設置。
一種記憶體電路，其包含： <br/>一陣列，包含配置於複數個行及複數個列上方的複數個處理元件，其中該些處理元件中之各者用以對複數個第一資料元素中之一對應者與複數個第二資料元素中之一對應者執行一乘法累加運算； <br/>一提取電路，耦接至該陣列並用以在一第一循環期間自一對應緩衝器提取該些第一資料元素之一第一子集，該第一循環用於將該些第一資料元素之該第一子集寫入沿著該些列中之一第一者配置的該些處理元件之一第一子集；及 <br/>一控制器，耦接至該提取電路並用以使得該提取電路在一第二後續循環期間限制自該緩衝器提取該些第一資料元素之一第二子集，該第二後續循環用於將該些第一資料元素之該第二子集寫入沿著該些列中之一第二者配置的該些處理元件之一第二子集， <br/>其中該提取電路包括複數個多工器及複數個暫存器。
如請求項6所述之記憶體電路，其中該緩衝器係用以儲存該些第一資料元素並將該些第一資料元素輸出至該陣列的一啟動緩衝器，或者用以儲存該些第二資料元素並輸出該些第二資料元素至該陣列的一權重緩衝器。
如請求項6所述之記憶體電路，進一步包括:一第二緩衝器，用以儲存該陣列的該乘法累加運算的一輸出，其中該第二緩衝器包括複數個暫存器。
如請求項8所述之記憶體電路，其中由該控制器控制的該些多工器中之各者包括一第一輸入、一第二輸入、及耦接至該些暫存器中之一對應者的一輸出，該暫存器進一步耦接至該些行中之一對應者， <br/>其中該些多工器與該些對應暫存器以一基於移位之方式彼此連接，使得該些多工器中之一第一者的該第一輸入耦接至該緩衝器，其中該第一多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第二者的一輸出；該些多工器中之一第二者的該第一輸入耦接至該緩衝器，其中該第二多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第三者的一輸出；且該些多工器中之一第三者的該第一輸入耦接至該緩衝器，其中該第三多工器的該第二輸入耦接至該些暫存器中之一第四者的一輸出。
一種操作記憶體電路的方法，該方法包含以下步驟： <br/>經由一緩衝器接收複數個第一資料元素； <br/>在一第一循環期間經由一提取電路自該緩衝器提取該些第一資料元素之一第一子集並臨時儲存該些第一資料元素之該第一子集，該第一循環用於將該些第一資料元素之該第一子集寫入複數個處理元件之一第一子集； <br/>基於與該些第一資料元素相關聯的一人工智慧類神經網路之一組態，經由該緩衝器判定是否再用該些第一資料元素之該第一子集中之至少一者；及 <br/>基於是否再用該第一子集中之該至少一者的判定，在一第二後續循環期間選擇性地限制經由該提取電路自該緩衝器提取該些第一資料元素之一第二子集，該第二後續循環用於將該些第一資料元素之該第二子集寫入該些處理元件之一第二子集， <br/>其中該提取電路包括複數個多工器及複數個暫存器。
一種積體電路佈局，包括：<br/> 為所述積體電路佈局而安排的間隙，包括沿第一方向延伸的多個列，所述多個列中的每一列沿垂直於所述第一方向的第二方向具有統一的列高度；<br/> 一個或多個第一胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第一胞元區域中的一個第一胞元區域被放置在所述多個列中的一個對應的列內；<br/> 一個或多個第二胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第二胞元區域中的一個第二胞元區域被放置在所述多個列中的兩個對應的相鄰的列內；以及<br/> 一個或多個第三胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第三胞元區域中的一個第三胞元區域被放置成部分地橫跨所述多個列中的三個對應的相鄰的列，<br/> 其中所述積體電路佈局被安排用於奈米片電晶體，且所述奈米片電晶體包括：<br/> 多個奈米片，堆疊在彼此上；<br/> 閘極結構，包繞所述多個奈米片中的每一個；<br/> 第一源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第一側；以及<br/> 第二源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第二側。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述多個列中的每一列由Vdd的第一電源線以及Vss的第二電源線定義，所述第一電源線以及所述第二電源線沿所述第一方向延伸並沿所述第二方向彼此相鄰。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述一個第一胞元區域包括：<br/> 第一子區域，包括第一摻雜類型的第一通道，所述第一通道沿所述第一方向橫跨所述一個第一胞元區域而延伸，所述第一通道沿所述第二方向具有第一通道寬度；以及<br/> 第二子區域，沿所述第二方向直接地與所述第一子區域相鄰，並包括與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的第二通道，所述第二通道沿所述第一方向橫跨所述一個第一胞元區域而延伸，所述第二通道沿所述第二方向具有等於所述第一通道寬度的第二通道寬度。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述一個第二胞元區域包括：<br/> 第三子區域，包括第一摻雜類型的第三通道，所述第三通道沿所述第一方向橫跨所述一個第二胞元區域而延伸，且所述第三通道沿所述第二方向具有第三通道寬度；<br/> 第四子區域，包括所述第一摻雜類型的第四通道，所述第四通道沿所述第一方向橫跨所述一個第二胞元區域而延伸，且所述第四通道沿所述第二方向具有等於所述第三通道寬度的第四通道寬度；以及<br/> 第五子區域，沿所述第二方向置於所述第三子區域與所述第四子區域之間，並包括第二摻雜類型的第五通道，所述第五通道沿所述第一方向橫跨所述一個第二胞元區域而延伸，且所述第五通道沿所述第二方向具有大於所述第三通道寬度以及所述第四通道寬度中的任一者的第五通道寬度，<br/> 其中所述一個第二胞元區域的所述第五通道寬度大於沿所述第二方向的所述一個第一胞元區域的第一通道寬度。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述一個第三胞元區域包括：<br/> 第六子區域，包括第一摻雜類型的第六通道，所述第六通道沿所述第一方向橫跨所述一個第三胞元區域而延伸，且所述第六通道沿所述第二方向具有第六通道寬度；以及<br/> 第七子區域，包括第二摻雜類型的第七通道，所述第七通道同樣沿所述第一方向橫跨所述一個第三胞元區域而延伸，且所述第七通道沿所述第二方向具有等於所述第六通道寬度的第七通道寬度，<br/> 其中所述一個第三胞元區域的所述第六通道寬度大於沿所述第二方向的所述一個第一胞元區域的第一通道寬度。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述一個或多個第一胞元區域中的所述一個第一胞元區域沿所述第一方向，直接地相鄰於且對齊於所述一個或多個第一胞元區域中的另一第一胞元區域。
如請求項1所述的積體電路佈局，其中所述一個第二胞元區域沿所述第一方向，與所述一個第一胞元區域以及所述一個第三胞元區域中的任一者間隔開。
一種積體電路佈局，包括：<br/> 為所述積體電路佈局而安排的間隙，包括沿第一方向延伸的多個列，所述多個列中的每一列沿垂直於所述第一方向的第二方向具有統一的列高度；<br/> 一個或多個第一胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第一胞元區域中的一個第一胞元區域部分地跨越所述多個列中的三個相應的相鄰的列而放置，其中所述一個第一胞元區域包括：<br/> 第一子區域，包括第一摻雜類型的第一通道，所述第一通道沿所述第一方向橫跨所述第一胞元區域而延伸，且所述第一通道沿所述第二方向具有第一通道寬度；以及<br/> 第二子區域，包括與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的第二通道，所述第二通道同樣沿所述第一方向橫跨所述第一胞元區域而延伸，且所述第二通道沿所述第二方向具有等於所述第一通道寬度的第二通道寬度；<br/> 一個或多個第二胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第二胞元區域中的一個第二胞元區域被放置在所述多個列中的一個對應的相鄰的列內；以及<br/> 一個或多個第三胞元區域，被安排在所述間隙中，所述一個或多個第三胞元區域中的一個第三胞元區域被放置成所述多個列中的兩個對應的相鄰的列內，<br/> 其中所述積體電路佈局被安排用於奈米片電晶體，且所述奈米片電晶體包括：<br/> 多個奈米片，堆疊在彼此上；<br/> 閘極結構，包繞所述多個奈米片中的每一個；<br/> 第一源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第一側；以及<br/> 第二源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第二側。
一種產生積體電路佈局的方法，包括：<br/> 接收積體電路的設計；<br/> 根據使用者規格或第一共同特徵，從所述積體電路的所述設計中，識別所述積體電路的第一電路模組；以及<br/> 基於所識別的所述第一電路模組，安排至少一個第一胞元區域，所述至少一個第一胞元區域相關於為所述積體電路的設計而安排的間隙，所述間隙包括沿第一方向延伸的多個列，所述多個列中的每一列沿垂直於所述第一方向的第二方向具有統一的列高度，所述至少一個第一胞元區域部分地跨越所述多個列中的三個相應的相鄰的列而放置，其中所述至少一個第一胞元區域由以下組成：<br/> 第一子區域，包括第一摻雜類型的第一通道，所述第一通道沿所述第一方向橫跨所述第一胞元區域而延伸，且所述第一通道沿所述第二方向具有第一通道寬度；<br/> 第二子區域，包括與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的第二通道，所述第二通道同樣沿所述第一方向橫跨所述第一胞元區域而延伸，且所述第二通道沿所述第二方向具有第一通道寬度；<br/> 安排一個或多個第二胞元區域在所述間隙中，所述一個或多個第二胞元區域中的一個第二胞元區域被放置在所述多個列中的一個對應的相鄰的列內；以及<br/> 安排一個或多個第三胞元區域在所述間隙中，所述一個或多個第三胞元區域中的一個第三胞元區域被放置成所述多個列中的兩個對應的相鄰的列內，<br/> 其中所述積體電路佈局被安排用於奈米片電晶體，且所述奈米片電晶體包括：<br/> 多個奈米片，堆疊在彼此上；<br/> 閘極結構，包繞所述多個奈米片中的每一個；<br/> 第一源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第一側；以及<br/> 第二源極/汲極特徵，位於所述閘極結構的第二側。
一種風力渦輪機(10)塔架(20)，包括複數個塔段(21、22、23、24)；一間隔件(40)，用於允許進入該塔架(20)；一機座(50)，用於使該塔架(20)耦接至一基樁，<br/> 其中該間隔件(40)配置在該機座(50)與該複數個塔段(21、22、23、24)中的一下塔段(21)之間，<br/> 其中該間隔件(40)包括：<br/> 一第一板(60)，耦接至該下塔段(21)的一凸緣(30)；<br/> 一第二板(70)，耦接至該機座(50)；以及<br/> 至少一個支撐元件(80)，配置在該第一板(60)與該第二板(70)之間且耦接至該第一板(60)及該第二板(70)兩者，<br/> 其特徵在於：<br/> 該第一板(60)與該第二板(70)係間隔開以形成至少一個開口(90)，<br/> 其中該開口(90)構造成允許工人進入該塔架(20)的內部，<br/> 其中該第一板(60)與該第二板(70)具有相同或相似的尺寸，並且具有方形、矩形或梯形形狀。
如請求項1之塔架(20)，其中該間隔件(40)包括複數個支撐元件(80)，配置在該第一板(60)與該第二板(70)之間且耦接至該第一板(60)及該第二板(70)兩者。
如請求項2之塔架(20)，其中該間隔件(40)包括形成在該複數個支撐元件(80)之間的複數個開口(90)。
如請求項3之塔架(20)，其中該複數個開口(90)中的至少一者構造成用於高壓電纜的通過。
如前述請求項1至4中任一項之塔架(20)，其中該塔架(20)包括複數個間隔件(40)，配置在該機座(50)與該下塔段(21)之間。
如前述請求項1至4中任一項之塔架(20)，其中該間隔件(40)進一步包括配置在該第一板(60)處的一塔架導引元件(100)，用於在安裝期間使該間隔件(40)與該下塔段(21)對準。
如前述請求項1至4中任一項之塔架(20)，其中該間隔件(40)進一步包括至少一個叉舉袋(110)，用於在安裝期間運輸該間隔件(40)。
如前述請求項1至4中任一項之塔架(20)，其中該第一板(60)包括孔(120)及插入該等孔(120)中的緊固手段，用於使該第一板(60)與該下塔段(21)耦接。
如前述請求項1至4中任一項之塔架(20)，其中該第二板(70)包括孔(130)及插入該等孔(130)中的緊固手段，用於使該第二板(70)與該機座(50)耦接。
如請求項8之塔架(20)，其中該等緊固手段係半永久性結合手段，例如，螺栓、螺絲、銷釘、鉚釘、螺釘、螺柱或可用作緊固件的其它縱向件。
一種風力渦輪機(10)，包括一發電機、一基樁、一機艙及如請求項1至10中任一項之塔架(20)，其中該塔架(20)的該機座(50)耦接至該基樁，而該複數個塔段(21、22、23、24)中的一上塔段(24)耦接至該機艙。
一種記憶體裝置，其包含： 記憶胞陣列，其包含複數條位元線、複數條字元線、及分別連接於前述複數條位元線中之1條與前述複數條字元線中之1條之複數個記憶胞，且設定有第1至第9區； 第1行開關電路，其連接於前述複數條位元線，設置於前述記憶胞陣列之第1方向之一端側； 第2行開關電路，其連接於前述複數條位元線，設置於前述記憶胞陣列之前述第1方向之另一端側； 第1列開關電路，其連接於前述複數條字元線，設置於前述記憶胞陣列之第2方向之一端側；及 第2列開關電路，其連接於前述複數條字元線，設置於前述記憶胞陣列之前述第2方向之另一端側； 其中 當選擇前述第1區內之記憶胞時，前述第1及第2行開關電路、以及前述第1及第2列開關電路啟動； 當選擇前述第2區內之記憶胞時，前述第1行開關電路及前述第1列開關電路啟動； 當選擇前述第3區內之記憶胞時，前述第2行開關電路及前述第1列開關電路啟動； 當選擇前述第4區內之記憶胞時，前述第2行開關電路及前述第2列開關電路啟動； 當選擇前述第5區內之記憶胞時，前述第1行開關電路及前述第2列開關電路啟動； 當選擇前述第6區內之記憶胞時，前述第1及第2行開關電路、以及前述第1列開關電路啟動； 當選擇前述第7區內之記憶胞時，前述第2行開關電路、以及前述第1及第2列開關電路啟動； 當選擇前述第8區內之記憶胞時，前述第1及第2行開關電路、以及前述第2列開關電路啟動； 當選擇前述第9區內之記憶胞時，前述第1行開關電路、以及前述第1及第2列開關電路啟動； 前述記憶胞陣列具有四角形狀之佈局；且 前述第1區配置於前述記憶胞陣列之中央區域內； 前述第2區配置於前述記憶胞陣列之第1角區域內； 前述第3區配置於前述記憶胞陣列之第2角區域內； 前述第4區配置於前述記憶胞陣列之第3角區域內； 前述第5區配置於前述記憶胞陣列之第4角區域內； 前述第6區配置於前述第1、第2及第3區之間； 前述第7區配置於前述第1、第3及第4區之間； 前述第8區配置於前述第1、第4及第5區之間； 前述第9區配置於前述第1、第2及第5區之間。
如請求項1之記憶體裝置，其中 前述第6區包含第1區域、第2區域、及第3區域； 前述第7區包含第4區域、第5區域、及第6區域； 前述第8區包含第7區域、第8區域、及第9區域； 前述第9區包含第10區域、第11區域、及第12區域； 前述第1區域設置於前述第1區與前述第2區及前述第3區之間； 前述第2區域設置於前述第2區與前述第10區域之間； 前述第3區域設置於前述第3區與前述第4區域之間； 前述第4區域設置於前述第1區與前述第3區及前述第4區之間； 前述第5區域設置於前述第3區與前述第1區域之間； 前述第6區域設置於前述第4區與前述第7區域之間； 前述第7區域設置於前述第1區與前述第4區及前述第5區之間； 前述第8區域設置於前述第4區與前述第4區域之間； 前述第9區域設置於前述第5區與前述第10區域之間； 前述第10區域設置於前述第1區與前述第2區及前述第5區之間； 前述第11區域設置於前述第5區與前述第7區域之間； 前述第12區域設置於前述第2區與前述第1區域之間。
如請求項1之記憶體裝置，其進一步包含： 全域位元線，其連接於前述第1及第2行開關電路；及 全域字元線，其連接於前述第1及第2列開關電路。
如請求項3之記憶體裝置，其中 當選擇前述第6區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線；且 當選擇前述第7區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第8區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第9區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線。
如請求項4之記憶體裝置，其中 當選擇前述第1區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線；且 當選擇前述第2區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第3區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第4區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第5區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線。
如請求項1之記憶體裝置，其中 施加於前述第6、第7、第8及第9區各者之記憶胞之配線電阻較施加於前述第2、第3、第4及第5區各者之記憶胞之配線電阻高，且較施加於前述第1區內之記憶胞之配線電阻低。
如請求項1之記憶體裝置，其中 根據前述複數個記憶胞中之動作對象之記憶胞之位址，啟動前述第1及第2行開關電路中之一者或兩者，及啟動前述第1及第2列開關電路中之一者或兩者。
如請求項1之記憶體裝置，其中 前述複數個記憶胞各者包含： 記憶體元件；及<br/>串聯連接於前述記憶體元件之開關元件。
如請求項8之記憶體裝置，其中 前述記憶體元件係磁阻效應元件。
一種記憶體裝置，其包含： 記憶胞陣列，其包含複數條位元線、複數條字元線、及分別連接於前述複數條位元線中之1條與前述複數條字元線中之1條之複數個記憶胞，且設定有第1至第9區； 第1行開關電路，其連接於前述複數條位元線，設置於前述記憶胞陣列之第1方向之一端側； 第2行開關電路，其連接於前述複數條位元線，設置於前述記憶胞陣列之前述第1方向之另一端側； 第1列開關電路，其連接於前述複數條字元線，設置於前述記憶胞陣列之第2方向之一端側；及 第2列開關電路，其連接於前述複數條字元線，設置於前述記憶胞陣列之前述第2方向之另一端側； 其中 根據前述複數個記憶胞中之動作對象之記憶胞之位址，啟動前述第1及第2行開關電路中之一者或兩者，及啟動前述第1及第2列開關電路中之一者或兩者； 前述記憶胞陣列具有四角形狀之佈局；且 前述第1區配置於前述記憶胞陣列之中央區域內； 前述第2區配置於前述記憶胞陣列之第1角區域內； 前述第3區配置於前述記憶胞陣列之第2角區域內； 前述第4區配置於前述記憶胞陣列之第3角區域內； 前述第5區配置於前述記憶胞陣列之第4角區域內； 前述第6區配置於前述第1、第2及第3區之間； 前述第7區配置於前述第1、第3及第4區之間； 前述第8區配置於前述第1、第4及第5區之間； 前述第9區配置於前述第1、第2及第5區之間。
如請求項10之記憶體裝置，其中 前述第6區包含第1區域、第2區域、及第3區域； 前述第7區包含第4區域、第5區域、及第6區域； 前述第8區包含第7區域、第8區域、及第9區域； 前述第9區包含第10區域、第11區域、及第12區域； 前述第1區域設置於前述第1區與前述第2區及前述第3區之間； 前述第2區域設置於前述第2區與前述第10區域之間； 前述第3區域設置於前述第3區與前述第4區域之間； 前述第4區域設置於前述第1區與前述第3區及前述第4區之間； 前述第5區域設置於前述第3區與前述第1區域之間； 前述第6區域設置於前述第4區與前述第7區域之間； 前述第7區域設置於前述第1區與前述第4區及前述第5區之間； 前述第8區域設置於前述第4區與前述第4區域之間； 前述第9區域設置於前述第5區與前述第10區域之間； 前述第10區域設置於前述第1區與前述第2區及前述第5區之間； 前述第11區域設置於前述第5區與前述第7區域之間； 前述第12區域設置於前述第2區與前述第1區域之間。
如請求項10之記憶體裝置，其進一步包含： 全域位元線，其連接於前述第1及第2行開關電路；及 全域字元線，其連接於前述第1及第2列開關電路。
如請求項12之記憶體裝置，其中 當選擇前述第6區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第7區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第8區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第9區之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線。
如請求項13之記憶體裝置，其中 當選擇前述第1區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1及第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1及第2列開關電路連接於前述全域字元線；且 當選擇前述第2區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第3區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第1列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第4區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第2行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線； 當選擇前述第5區內之記憶胞時，所選擇之記憶胞經由前述第1行開關電路連接於前述全域位元線，且經由前述第2列開關電路連接於前述全域字元線。
如請求項10之記憶體裝置，其中 施加於前述第6、第7、第8及第9區各者之記憶胞之配線電阻較施加於前述第2、第3、第4及第5區各者之記憶胞之配線電阻高，且較施加於前述第1區內之記憶胞之配線電阻低。
如請求項10之記憶體裝置，其中 前述複數個記憶胞各者包含： 記憶體元件；及<br/>串聯連接於前述記憶體元件之開關元件。
如請求項16之記憶體裝置，其中 前述記憶體元件係磁阻效應元件。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 一記憶體單元具有：<br/> 一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電容和一第二電容彼此耦接成一資料儲存電路，該資料儲存電路配置為儲存一數據，其中該資料儲存電路包括：<br/> 一第一節點，該第一節點配置為儲存對應於該數據的一第一邏輯狀態；以及<br/> 一第二節點，該第二節點配置為儲存對應於該數據的一第二邏輯狀態，該第二邏輯狀態不同於該第一邏輯狀態；<br/> 一第三電晶體和一第四電晶體彼此耦接成一比較電路，該比較電路配置為執行儲存在該資料儲存電路中的該數據和一搜尋輸入數據的一比較；<br/> 一第一位元線，其中該第三電晶體包括一第一源極/汲極耦接該第一位元線；<br/> 一第二位元線，其中該第四電晶體包括一第一源極/汲極耦接該第二位元線；以及<br/> 一字元線，其中<br/> 該第一電晶體包括：<br/> 一閘極耦接該字元線；<br/> 一第一源極/汲極耦接該第一節點；以及<br/> 一第二源極/汲極耦接該第一位元線，以及<br/> 該第二電晶體包括：<br/> 一閘極耦接該字元線；<br/> 一第一源極/汲極耦接該第二節點；以及<br/> 一第二源極/汲極耦接該第二位元線；以及<br/> 一後段製程結構，其中該後段製程結構包括該記憶體單元的至少一部分。
如請求項1所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一接合線；其中<br/> 該第三電晶體包括：<br/> 一第二源極/汲極耦接該接合線；以及<br/> 該第四電晶體包括：<br/> 一第二源極/汲極耦接該接合線。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中<br/> 該第三電晶體進一步包括一閘極，該閘極耦接該第一節點，以及<br/> 該第四電晶體進一步包括一閘極，該閘極耦接該第二節點。
如請求項3所述之記憶體裝置，進一步包括：<br/> 一控制電路耦接該接合線、該第一位元線和該第二位元線，其中<br/> 在一搜尋操作中，該控制電路配置為<br/> 供應對應於該搜尋輸入數據的一搜尋輸入訊號至該第一位元線，以及<br/> 偵測在該接合線上的該比較的一比較結果。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中<br/> 該第一電容包括：<br/> 一第一電極耦接該第一節點；以及<br/> 一第二電極耦接一參考節點，該參考節點配置為承載一參考電壓，以及<br/> 該第二電容包括：<br/> 一第一電極耦接該第二節點；以及<br/> 一第二電極耦接該參考節點。
一種製造記憶體裝置的方法，包括：<br/> 執行一前段製程的製程以獲得在一基板上的一前段製程電路；以及<br/> 執行一後段製程的製程以獲得在該前段製程電路和該基板上的一後段製程結構，其中<br/> 該後段製程結構包括一內容可定址記憶體陣列，其中<br/> 該執行該後段製程的製程包括形成該內容可定址記憶體陣列的複數個記憶體單元，該形成該些記憶體單元包括，針對各該記憶體單元，<br/> 形成一第一主動結構和一第二主動結構沿著一第一方向延伸，該第一主動結構和該第二主動結構沿著一第二方向彼此隔開，該第二方向垂直該第一方向；<br/> 形成一第一閘極電極、一第二閘極電極、一第三閘極電極和一第四閘極電極沿著該第二方向延伸，該第一閘極電極和該第四閘極電極在該第一主動結構上，且該第二閘極電極和該第三閘極電極位於該第二主動結構上；<br/> 形成一第一源極/汲極接觸件在該第一主動結構上且相鄰於該第一閘極電極；以及<br/> 形成一第一橫向互連在該第三閘極電極上，該第一橫向互連耦接該第三閘極電極至該第一源極/汲極接觸件。
如請求項6所述之方法，其中<br/> 該形成該些記憶體單元進一步包括<br/> 沿著該基板的厚度方向的一第一水平面形成複數個電晶體；<br/> 沿著該厚度方向的一第二水平面形成複數個電容，該第二水平面不同於該第一水平面；以及<br/> 形成複數個互連結構，將該些電晶體耦接該些電容。
如請求項6所述之方法，其中<br/> 該形成該些記憶體單元進一步包括，針對各該記憶體單元，<br/> 沿著該基板的厚度方向的一第一水平面形成包括該第一閘極電極的一第一電晶體、包括該第二閘極電極的一第二電晶體、包括該第三閘極電極的一第三電晶體和包括該第四閘極電極的一第四電晶體；<br/> 沿著該厚度方向的一第二水平面形成一第一電容和一第二電容，該第二水平面不同於該第一水平面；以及<br/> 形成一第二互連結構，該第二互連結構耦接該第二電容的一電極至該第二電晶體的一源極/汲極和該第四電晶體的該第四閘極電極。
如請求項6所述之方法，其中<br/> 該形成該些記憶體單元進一步包括，針對各該記憶體單元，<br/> 形成一第一穿孔在一第一互連結構上，該第一互連結構由該第一源極/汲極接觸件和該第一橫向互連所構成；以及<br/> 形成一第一電容在該第一穿孔上，該第一電容包括一第一電極在該第一穿孔上、一第一介電層在該第一電極上、以及一第二電極在該第一介電層上。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一前段製程電路在該基板上；以及<br/> 一後段製程結構在該前段製程電路上，其中該後段製程結構包括：<br/> 一第一電容和一第二電容；<br/> 一第一主動結構和一第二主動結構沿著一第一方向延伸，該第一主動結構和該第二主動結構沿著一第二方向彼此隔開，該第二方向垂直於該第一方向；<br/> 一第一閘極電極、一第二閘極電極、一第三閘極電極和一第四閘極電極沿著該第二方向延伸，該第一閘極電極和該第四閘極電極在該第一主動結構上，且該第二閘極電極和該第三閘極電極在該第二主動結構上；<br/> 一第一互連結構耦接該第三閘極電極至該第一主動結構和該第一電容；以及<br/> 一第二互連結構耦接該第四閘極電極至該第二主動結構和該第二電容。
一種抗酸膠囊殼，包含： <br/>一第一膠囊殼，具有一開口端；以及 <br/>一第二膠囊殼，對應連接該第一膠囊殼，且該第二膠囊殼具有一開口端； <br/>其中，該抗酸膠囊殼的組成材料包含一第一耐酸材料及一第二耐酸材料，該第一膠囊殼的該開口端的厚度為T1，該第一膠囊殼的外直徑為D1，該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>0.015 ≤ T1/D1 ≤ 0.022；以及 <br/>0% ＜ Wa1+Wa2 ≤ 8.25%。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該第二膠囊殼的該開口端的厚度為T2，該第二膠囊殼的外直徑為D2，其滿足下列條件： <br/>0.015 ≤ T2/D2 ≤ 0.022。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該第一膠囊殼的最大長度為L1，其滿足下列條件： <br/>9 mm ≤ L1 ≤ 13 mm。
如請求項3所述的抗酸膠囊殼，其中該第一膠囊殼與該第二膠囊殼之間具有一重合區域，該重合區域的長度為Lo，其滿足下列條件： <br/>6 mm ≤ Lo ≤ 9 mm。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>1.05% ≤ Wa1+Wa2 ≤ 7.75%。
如請求項5所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>3.0% ≤ Wa1+Wa2 ＜ 5.5%。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料為一果膠，該第二耐酸材料為一結蘭膠。
如請求項7所述的抗酸膠囊殼，其中該果膠為高甲氧基果膠。
如請求項8所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料的酯化度為DE，其滿足下列條件： <br/>60% ≤ DE ≤ 75%。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>1 ＜ Wa1/Wa2 ≤ 5。
如請求項1所述的抗酸膠囊殼，其中該抗酸膠囊殼的組成材料更包含： <br/>一基底材料，該基底材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wf，其滿足下列條件： <br/>70% ≤ Wf ≤ 95%。
一種抗酸膠囊殼，包含： <br/>一第一膠囊殼，具有一開口端；以及 <br/>一第二膠囊殼，對應連接該第一膠囊殼，且該第二膠囊殼具有一開口端； <br/>其中，該抗酸膠囊殼的組成材料包含一第一耐酸材料及一第二耐酸材料，該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>0% ＜ Wa1+Wa2 ＜ 5.5%。
如請求項12所述的抗酸膠囊殼，其中該第一膠囊殼的該開口端的厚度為T1，該第一膠囊殼的外直徑為D1，其滿足下列條件： <br/>0.016 ≤ T1/D1 ≤ 0.022。
如請求項13所述的抗酸膠囊殼，其中該第二膠囊殼的該開口端的厚度為T2，該第二膠囊殼的外直徑為D2，其滿足下列條件： <br/>0.016 ≤ T2/D2 ≤ 0.022。
如請求項14所述的抗酸膠囊殼，其中該抗酸膠囊殼更包含一扣合環結構。
如請求項12所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料為一果膠，該第二耐酸材料為一結蘭膠。
如請求項16所述的抗酸膠囊殼，其中該果膠為一高甲氧基果膠。
如請求項17所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料的酯化度為DE，其滿足下列條件： <br/>60% ≤ DE ≤ 75%。
如請求項12所述的抗酸膠囊殼，其中該第一耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa1，該第二耐酸材料於該抗酸膠囊殼的組成材料中的重量百分濃度為Wa2，其滿足下列條件： <br/>1 ＜ Wa1/Wa2 ≤ 5。
一種抗酸膠囊，包含： <br/>如請求項12所述的抗酸膠囊殼；以及 <br/>至少一添加物，設置於該抗酸膠囊殼的一內部空間，且該至少一添加物包含一益生菌、一酵素、一腸道藥物或一非類固醇類消炎止痛藥。
一種清掃機器人站，包括： <br/>一殼體； <br/>一清洗板，位於該殼體上，該清洗板配置以容納一清掃機器人的一除塵器的至少一部分；以及 <br/>一除塵器乾燥器，配置以乾燥該清掃機器人的該除塵器，該除塵器乾燥器包含： <br/>一供熱器，配置以將熱量排放至該清洗板；以及 <br/>一排熱口，被來自該供熱器的熱量加熱的空氣通過該排熱口排出，該排熱口配置成連接至一櫃體的管路。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該除塵器乾燥器進一步包含： <br/>一熱排放流路，配置以將該排熱口連接至該櫃體的該管路；及 <br/>一排氣扇，配置以產生從該排熱口流至該櫃體的該管路的一空氣流。
如請求項2所述之清掃機器人站，其中，該櫃體的該管路包含一U形存水彎管，以及 <br/>其中，該熱排放流路配置成連接至該櫃體的該管路的該U形存水彎管的一下游側。
如請求項2所述之清掃機器人站，其中，該除塵器乾燥器進一步包含一止回閥，該止回閥配置以防止該櫃體的該管路內部的流體流至該熱排放流路。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該供熱器包含： <br/>一進氣口，配置以從該殼體外部吸入空氣； <br/>一出氣口，配置以將空氣排放至該清洗板； <br/>一連接流路，將該進氣口連接至該出氣口； <br/>一送風風扇，位於該連接流路上，該送風風扇配置以將空氣吹送至該清洗板；以及 <br/>一加熱器，配置以加熱流過該連接流路的空氣。
如請求項5所述之清掃機器人站，其中，該出氣口在面向該除塵器的方向上打開。
一種清掃機器人站，包括： <br/>一殼體，位於包含管路的一櫃體的一下部空間中； <br/>一機座總成，位於該殼體中，該機座總成包含一容納空間，該容納空間配置以容納一清掃機器人的至少一部分，該容納空間連接至該櫃體的該管路； <br/>一除塵器清洗器，配置以清洗該清掃機器人的一除塵器；以及 <br/>一除塵器乾燥器，配置以藉由加熱的空氣乾燥該清掃機器人的該除塵器， <br/>其中，被該除塵器乾燥器加熱的空氣通過該櫃體的該管路排出。
如請求項7所述之清掃機器人站，其中，該除塵器乾燥器包含： <br/>一供熱器，配置以向該容納空間供熱； <br/>一熱排放流路，將該容納空間連接至該櫃體的該管路；以及 <br/>一排氣扇，配置以通過該熱排放流路將該容納空間中的空氣排放至該櫃體的該管路。
如請求項8所述之清掃機器人站，其中，該櫃體的該管路包含一U形存水彎管，以及 <br/>其中，該熱排放流路連接至該櫃體的管路的該U形存水彎管的一下游側。
如請求項8所述之清掃機器人站，其中，該除塵器乾燥器進一步包含一止回閥，該止回閥配置以防止該櫃體的該管路內部的流體流至該熱排放流路。
如請求項8所述之清掃機器人站，其中，該供熱器包含： <br/>一連接流路，將該殼體的一外部空間連接至該容納空間； <br/>一送風風扇，位於該連接流路上，該送風風扇配置以朝向該容納空間吹送空氣；以及 <br/>一加熱器，配置以加熱流過該連接流路的空氣。
如請求項11所述之清掃機器人站，其中，該連接流路包括一出氣口，該出氣口在面向該清掃機器人的該除塵器的方向上打開。
如請求項8所述之清掃機器人站，其中，該管路包含一排水管，以及 <br/>其中，該排氣扇配置以通過該熱排放流路將空氣吹入該排水管內。
如請求項13所述之清掃機器人站，其中，該管路進一步包含具有一排水件的一水槽，以及 <br/>其中，該排水管包含連接至該水槽的該排水件的一U形存水彎管，以及 <br/>其中，該排氣扇配置以通過該熱排放流路將空氣吹入該排水管相對於該U形存水彎管的一下游部分內。
如請求項7所述之清掃機器人站，進一步包括： <br/>一集塵器，配置以收集該清掃機器人的一塵箱內部的灰塵； <br/>一抽吸流路，配置以將該清掃機器人的該塵箱連接至該集塵器；以及 <br/>一集塵馬達，配置以產生一抽吸力，使得該塵箱內部的灰塵通過該抽吸流路流入該集塵器內。
如請求項7所述之清掃機器人站，其中，該管路包含一排水管，以及 <br/>其中，該容納空間配置以連接至該排水管。
如請求項7所述之清掃機器人站，其中，該機座總成設置以透過該清掃機器人站的一後部連接至該櫃體的該管路。
如請求項7所述之清掃機器人站，其中，包含管路的該櫃體包括包含一水槽的廚房傢俱。
如請求項7所述之清掃機器人站，其中，該除塵器清洗器配置以連接至該櫃體的該管路。
如請求項19所述之清掃機器人站，其中，該管路包含一排水管，以及 <br/>其中，該除塵器清洗器配置成連接至該排水管，以在該除塵器清洗器清洗該清掃機器人的該除塵器之後排水。
一種清掃機器人站，包括： <br/>一殼體； <br/>一機座總成，位於該殼體中，該機座總成配置以容納一清掃機器人的至少一部分，該機座總成包含一基部； <br/>一集塵器，配置以收集該清掃機器人的一塵箱內部的灰塵； <br/>一抽吸流路，配置以將該清掃機器人的該塵箱連接至該集塵器； <br/>一集塵馬達，配置以產生一抽吸力，使得該清掃機器人的該塵箱內部的灰塵通過該抽吸流路流入該集塵器內；以及 <br/>一排氣流路，配置以將從該集塵馬達排放的空氣引導至該清掃機器人的一抽吸單元，該排氣流路位於該機座總成的該基部中， <br/>其中，該抽吸流路的至少一部分堆疊設置於該排氣流路的上方。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該清掃機器人配置成安置在該基部的一上側上。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該機座總成包含： <br/>一攪拌器容納部，位於該基部中，該攪拌器容納部配置以容納該清掃機器人的一攪拌器的至少一部分；以及 <br/>一排氣口，位於該排氣流路的一端處，該排氣口位於該攪拌器容納部處。
如請求項3所述之清掃機器人站，其中，該該機座總成進一步包含一傾斜部， <br/>其中，該清掃機器人配置以當該清掃機器人進入該清掃機器人站時爬上該傾斜部，以及 <br/>其中，該排氣口位於該傾斜部的下方。
如請求項3所述之清掃機器人站，其中，該攪拌器容納部包含： <br/>一凹部，凹陷在該基部中，該凹部具有位於其一側的該排氣口；以及 <br/>一突部，從該基部突出，該突部配置以將通過該排氣口排放的空氣引導至該清掃機器人的該抽吸單元。
如請求項5所述之清掃機器人站，其中，當該清掃機器人安置在該基部上時，該突部位於該清掃機器人的一對輪之間。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該排氣流路彎曲至少一次。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該排氣流路包含一排氣口，以及 <br/>其中，該清掃機器人站進一步包括一集塵馬達殼體，該集塵馬達殼體配置以容納該集塵馬達，該集塵馬達殼體具有一排放孔，該排放孔與該排氣流路的該排氣口位於相同高度處，該集塵馬達殼體配置以將從該集塵馬達排放的空氣引導至該排氣流路的該排氣口。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該清掃機器人進一步包括一抽吸馬達，該抽吸馬達配置以向該清掃機器人的抽吸單元提供一抽吸力；以及 <br/>其中，該抽吸馬達當該集塵馬達驅動時驅動。
如請求項1所述之清掃機器人站，其中，該基部進一步包含一傾斜部，以及 <br/>其中，該清掃機器人配置以當該機器人進入該清掃機器人站時爬上該傾斜部。
如請求項10所述之清掃機器人站，其中，該傾斜部的一前部與該清掃機器人站外部的地板處於相同高度。
一種清掃機器人系統，包括： <br/>一清掃機器人，該清掃機器人包含： <br/>一抽吸單元，配置以抽吸空氣及灰塵；以及 <br/>一塵箱，配置以儲存透過該抽吸單元抽吸的灰塵，以及 <br/>一清掃機器人站，位於包含管路的一結構的一下部空間中，該清掃機器人站包含： <br/>一殼體； <br/>一機座總成，配置以容納該清掃機器人的至少一部分，該機座總成位於該殼體中； <br/>一集塵器，配置以收集該清掃機器人的該塵箱內部的灰塵； <br/>一抽吸流路，配置以將該清掃機器人的該塵箱連接至該集塵器； <br/>一集塵馬達，配置以產生一抽吸力，使得該塵箱內部的灰塵通過該抽吸流路流入該集塵器內；以及 <br/>一排氣流路，配置以將從該集塵馬達排放的空氣引導至該清掃機器人的該抽吸單元， <br/>其中，該抽吸流路的至少一部分堆疊設置於該排氣流路的上方。
如請求項12所述之清掃機器人系統，其中，包含管路的該結構包含一供水管及一排水管中之至少一者， <br/>其中，該清掃機器人站位於包含管路的該結構的一下部部分處。
如請求項12所述之清掃機器人系統，其中，包含管路的該結構包括一櫃體，該櫃體包含一供水管及一排水管中之至少一者，以及 <br/>其中，該清掃機器人站位於該櫃體的一下部部分處。
如請求項12所述之清掃機器人系統，其中，包含管路的該結構包括一供水管及一排水管中之至少一者， <br/>其中，該清掃機器人站位於該結構的一下部部分處，並與地板隔開一預定距離。
如請求項15所述之清掃機器人系統，其中，該清掃機器人系統位於該結構與該地板之間的一下端空間處。
如請求項12所述之清掃機器人系統，其中，該清掃機器人站進一步包含： <br/>一容納空間，配置以容納該清掃機器人，該容納空間位於該機座總成上，以及 <br/>一排氣口，配置以將從該集塵馬達排放的空氣引導至該容納空間。
如請求項17所述之清掃機器人系統，其中，該清掃機器人進一步包含一攪拌器， <br/>其中，該清掃機器人站進一步包含一攪拌器容納部，該攪拌器容納部配置以容納該清掃機器人的該攪拌器；以及 <br/>其中，該排氣口位於該攪拌器容納部處。
如請求項17所述之清掃機器人系統，其中，該排氣流路包含一連接管，該連接管具有與該抽吸單元連通的一第一端及與該排氣口連通的一第二端。
如請求項19所述之清掃機器人系統，其中，該連接管配置以從該排氣口排放空氣。
一種積體電路封裝，包括：具有一第一均溫板的一基板；具有一頂面的一半導體晶片，該半導體晶片堆疊在該基板上；其中該第一均溫板設置在該半導體晶片下方，該第一均溫板包括一近端部分和一遠端部分，該第一均溫板的該近端部分與該半導體晶片的一底面熱耦合；和一封裝殼體用以包覆該半導體晶片和該第一均溫板，其中該第一均溫板的該近端部分位於該封裝殼體內，該第一均溫板的該遠端部分位於該封裝殼體外，其中該第一均溫板的該近端部分被密封于該封裝殼體內，該第一均溫板的該遠端部分不被密封在該封裝殼體內。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，其中該第一均溫板的該近端部分之厚度為0.2~0.8mm。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，其中該第一均溫板是厚度小於1mm的超薄均溫板。
如申請專利範圍第3項所述的積體電路封裝，其中該封裝殼體包含一模封材料，該第一均溫板的該近端部分被該模封材料密封，且該第一均溫板和該半導體晶片之間沒有該模封材料。
如申請專利範圍第3項所述的積體電路封裝，其中該封裝殼體是一金屬或機械殼體，其中該第一均溫板的該遠端部分自該金屬或機械殼體的一外壁向外延伸，該遠端部分與該外壁融為一體，或該遠端部分與該外壁間有一防水材料密封。
如申請專利範圍第3項所述的積體電路封裝，其中該近端部分從半導體晶片之該底面的一端向該半導體晶片之該底面的另一端延伸，該半導體晶片過通一TIM或熱黏合層堆疊在該第一均溫板上。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，該基板包括容納該第一均溫板之該近端部分的一第一溝槽。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，其中該第一均溫板包括：形成在第一均溫板中的一組隔離結構；和形成在第一均溫板內並在該組隔離結構之間的一組毛細結構；其中該組隔離結構自該遠端部分向該近端部分延伸，並且該組隔離結構穿過該封裝殼體的一外壁；該第一均溫板進一步包含與該組隔離結構連接的一組支撐結構，其中，該組支撐結構從該第一均溫板的該頂面向下延伸，該組隔離結構從該第一均溫板的該底面向上延伸，並且該組支撐結構之間更包含另一組毛細結構。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，其中該第一均溫板的該遠端部分與一散熱器耦接，或直接與液體接觸。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，進一步包括設置在該半導體晶片上方的一第二均溫板，其中該第二均溫板包括一近端部分和一遠端部分，該第二均溫板的該近端部分與該半導體晶片的該頂面熱耦合，該第二均溫板的該近端部分位於該封裝殼體內，該第二均溫板的該遠端部分位於該封裝殼體外。
如申請專利範圍第10項所述的積體電路封裝，其中該第一均溫板沿一第一方向延伸，該第二均溫板沿一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向相同或不同。
如申請專利範圍第10項所述的積體電路封裝，還包括設置在該第二均溫板和該半導體晶片之間的另一個半導體晶片。
如申請專利範圍第1項所述的積體電路封裝，進一步包括設置在該半導體晶片下方的一第三均溫板，該第三均溫板包括一近端部分和一遠端部分，該基板進一步包括容納該第三均溫板之該近端部分的一第二溝槽；其中該第三均溫板的該近端部分與該半導體晶片的該底面熱耦合，該第三均溫板的該近端部分位於該封裝殼體內，該第三均溫板的該遠端部分位於該封裝殼體外。
一種用於積體電路封裝的基板，包括：具有數個疊層堆疊的一基板主體；嵌入該基板主體的一第一均溫板，其中該第一均溫板包括一近端部分與一遠端部分，其中該近端部分用以配置為與一外部半導體晶片熱耦合，其中該遠端部分位於該基板主體之外而未被該基板主體包覆，使該遠端部分用以配置為與一外部散熱器熱耦合或直接與一液體耦合；其中，該基板主體包括容納該第一均溫板之該近端部分的第一溝槽，且該第一均溫板之該近端部分的厚度小於1mm。
如申請專利範圍第14項所述用於積體電路封裝的基板，進一步包括與第一均溫板間隔的一第二均溫板；其中該第二均溫板嵌入於該基板主體內，該第二均溫板包括一近端部分與一遠端部分，其中該基板主體包括容納該第二均溫板的一第二溝槽，且該第二均溫板的該近端部分之厚度小於1mm。
如申請專利範圍第14項所述用於積體電路封裝的基板，其中該基板主體進一步包括圍繞該第一均溫板的第一接合區域，且該第一接合區域被配置為與該外部半導體晶片的底表面電耦合，或與該外部半導體晶片的頂表面電耦合。
如申請專利範圍第14項所述用於積體電路封裝的基板，其中該第一均溫板進一步包括配置成與該外部半導體晶片的底面電耦合的複數貫穿孔。
一種內視鏡之副送水接頭用連接器，其特徵在於，其係將設置於送水裝置之管單元連接於內視鏡之副送水接頭時使用者，且 <br/>具有包含合成樹脂之筒形狀之連接器本體， <br/>上述連接器本體具有： <br/>插入部，其插入至設置於上述副送水接頭之收納空間； <br/>外螺紋部，其設置於上述連接器本體之外周面，且與設置於上述副送水接頭之上述收納空間之內螺紋部螺合；及 <br/>階差部，其於上述連接器本體之中心軸線方向之上述插入部與上述外螺紋部之間，遍及上述連接器本體之外周面之全周設置；且 <br/>上述副送水接頭係 <br/>於上述副送水接頭之中心軸線方向之上述收納空間與內螺紋部之間，具有自上述內螺紋部向收納空間縮徑之錐形面， <br/>上述階差部於將上述連接器本體緊固固定於上述副送水接頭時，以遍及上述連接器本體之外周面之全周設置之上述階差部之脊線與上述錐形面壓接之狀態保持。
如請求項1之內視鏡之副送水接頭用連接器，其中 <br/>上述連接器本體具有： <br/>第1流路，其設置於上述連接器本體之中心軸線方向之一端側，供來自上述管單元之液體流入；及 <br/>第2流路，其設置於上述連接器本體之中心軸線方向之另一端側，將流入至上述第1流路之液體送出至上述收納空間；且 <br/>上述第2流路之內徑未達上述第1流路之內徑， <br/>上述第1流路之內徑未達上述收納空間之內徑。
如請求項2之內視鏡之副送水接頭用連接器，其中 <br/>上述收納空間於該收納空間之底部，具備與上述內視鏡之副送水通道連續之送水口， <br/>上述送水口之內徑小於上述第2流路之內徑， <br/>上述插入部之外徑與上述收納空間之內徑相同。
如請求項3之內視鏡之副送水接頭用連接器，其中 <br/>上述連接器本體將固定於上述管單元之一端之止回閥連接於該連接器本體之中心軸線方向之兩端部中、與連接於上述副送水接頭之一端部相反側之另一端部。
一種多色容器成型法，包含有：一送料裝置，具有兩條呈平行之第一送料道及第二送料道，及用於傳送射出原料之螺桿，且該螺桿係穿設於該第一送料道及第二送料道內，並以一動力單元驅動旋轉；一推料裝置，具有兩條呈平行之第一推料道及第二推料道，且該第一推料道及第二推料道與該送料裝置之第一送料道及第二送料道相互對應連通，以及具有用於推送射出原料之活塞，該活塞係以連動桿連接，並由一動力單元驅動連動桿頂推；其特徵在於：該各對應驅動連接桿之該動力單元，同步由一動力裝置驅動，令各該連接桿同步推移；藉此，透過該第一推料道及第二推料道之同步推送，使進入模具之兩道射出原料，呈同速及同溫之送料型態，令不同顏色銜接之端接邊，獲得不同顏色相接之分色效果，且使端接邊提昇筆直外觀及強度。
如請求項1之多色容器成型法，其中該送料裝置及該推料裝置設為一台射出機台，且至少一台射出機台。
如請求項1之多色容器成型法，其中連動第一推料道及第二推料道連通之兩澆注道內縮至模具成單一澆注道。
一種智慧偵測與定位流氓光纖網路單元（Optical Network Unit，ONU）設備的系統，包括：<br/> 複數個ONU設備；<br/> 經由光分歧器將光訊號分配至該些ONU設備的光纖線路終端（Optical Line Terminal，OLT）設備；<br/> 資料庫；以及<br/> 流氓設備智慧監控裝置，分別與該OLT設備及該資料庫電性連接，其中，該流氓設備智慧監控裝置依據設定的偵測時間週期，週期性地收集該OLT設備的告警訊息並儲存該告警訊息至該資料庫中，依據該告警訊息判定該OLT設備是否出現異常，並且依據該告警訊息及告警規則識別該些ONU設備中的流氓ONU設備，其中該流氓設備智慧監控裝置包括：<br/> 設備監測模組，分別與該OLT設備及該資料庫電性連接，用以依據該偵測時間週期週期性地收集該OLT設備的該告警訊息並儲存該告警訊息至該資料庫中；以及<br/> 流氓現象偵測模組，與該設備監測模組電性連接，依據該告警訊息判定該OLT設備是否無法進行訊務處理，倘若該OLT設備無法進行訊務處理，將該OLT設備判定為出現異常；倘若該OLT設備非無法進行訊務處理，依據發出特定告警訊息的該ONU設備的數量是否超過數量告警閾值來判定該OLT設備是否出現異常。
如請求項1所述的系統，其中該流氓設備智慧監控裝置更包括：<br/> 流氓設備定位模組，與該流氓現象偵測模組電性連接，用以依據該告警訊息中的告警發生時間與告警次數識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備，並且將該流氓ONU設備記錄至流氓ONU設備清單，<br/> 該設備監測模組更用以依據該偵測時間週期週期性地收集該些ONU設備的該告警訊息，並且儲存至該資料庫，<br/> 該流氓設備定位模組更用以依據該告警訊息及該告警規則，識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備。
如請求項2所述的系統，其中該流氓設備定位模組更用以依據該告警規則的權重以及該告警訊息獲取對應於該流氓ONU設備的優先處理值，並且將該優先處理值儲存至該資料庫。
如請求項3所述的系統，其中該流氓設備智慧監控裝置更包括：<br/> 告警模組，分別與該流氓設備定位模組及該資料庫電性連接，用以依據該優先處理值及告警門檻，判斷是否發出通知使用者處理該流氓ONU設備的告警資訊。
一種智慧偵測與定位流氓光纖網路單元（Optical Network Unit，ONU）設備的方法，應用於包括複數個ONU設備、經由光分歧器將光訊號分配至該些ONU設備的光纖線路終端（Optical Line Terminal，OLT）設備、資料庫以及分別與該OLT設備及該資料庫電性連接的流氓設備智慧監控裝置的系統，該方法包括：<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據設定的偵測時間週期，週期性地收集該OLT設備的告警訊息並儲存該告警訊息至該資料庫中；<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息判定該OLT設備是否出現異常，其中該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息判定該OLT設備是否出現異常的步驟中，更包括：<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息判定該OLT設備是否無法進行訊務處理；<br/> 倘若該OLT設備無法進行訊務處理，將該OLT設備判定為出現異常；以及<br/> 倘若該OLT設備非無法進行訊務處理，依據發出特定告警訊息的該ONU設備的數量是否超過數量告警閾值來判定該OLT設備是否出現異常；以及<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息及告警規則識別該些ONU設備中的流氓ONU設備。
如請求項5所述的方法，其中該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息及該告警規則識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備的步驟中，更包括：<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息中的告警發生時間與告警次數識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備，並且將該流氓ONU設備記錄至流氓ONU設備清單；<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該偵測時間週期週期性地收集該些ONU設備的該告警訊息，並且儲存至該資料庫；以及<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息及該告警規則，識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備。
如請求項6所述的方法，其中該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息及該告警規則識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備的步驟中，更包括：<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該告警規則的權重以及該告警訊息獲取對應於該流氓ONU設備的優先處理值，並且將該優先處理值儲存至該資料庫。
如請求項7所述的方法，其中該流氓設備智慧監控裝置依據該告警訊息及該告警規則識別該些ONU設備中的該流氓ONU設備的步驟中，更包括：<br/> 該流氓設備智慧監控裝置依據該優先處理值及告警門檻，判斷是否發出通知使用者處理該流氓ONU設備的告警資訊。
一種頁表的更新方法，其特徵在於，應用於伺服器，所述伺服器運行第一驅動和第二驅動，所述頁表的更新方法包括以下步驟：<br/> 在藉由所述第一驅動觸發跳轉機制的情況下，所述第一驅動的任務進程處於掛起狀態，藉由所述第二驅動對所述第一驅動寫入在第一儲存空間中的待更新頁表內容進行校驗，得到校驗結果；所述校驗結果用於指示所述待更新頁表是否可信；所述任務進程與更新頁表內容相關；及<br/> 根據所述校驗結果，藉由所述第二驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表；所述可信的訊息表用於儲存可信頁表的相關訊息。
如請求項1所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第二驅動對所述第一驅動寫入在第一儲存空間中的待更新頁表內容進行校驗，得到校驗結果之前，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動將所述待更新頁表內容寫入至所述第一儲存空間；所述第一儲存空間用於所述第一驅動和所述第二驅動實現通訊；<br/> 在藉由所述第一驅動確定滿足頁表內容更新條件的情況下，則藉由所述第一驅動觸發所述跳轉機制。
如請求項2所述之頁表的更新方法，其中，所述待更新頁表內容包括：待更新頁表和/或待更新頁表根，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 在所述第一儲存空間中的所述待更新頁表的數量滿足預設數量閾值，和/或，所述第一儲存空間存在所述待更新頁表根的情況下，藉由所述第一驅動確定滿足所述頁表內容更新條件。
如請求項2所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第一驅動觸發所述跳轉機制，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動訪問第二儲存空間，實現觸發所述跳轉機制；所述第一驅動對於所述第二儲存空間的權限為可讀可寫。
如請求項4所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第一驅動訪問第二儲存空間，實現觸發所述跳轉機制，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動讀取所述第二儲存空間中的特定字節的資料，和/或，藉由所述第一驅動將資料寫入所述第二儲存空間中的特定字節，實現觸發所述跳轉機制。
如請求項1所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第二驅動對所述第一驅動寫入在第一儲存空間中的待更新頁表內容進行校驗，得到校驗結果，包括以下步驟：<br/> 在所述待更新頁表內容包括待更新頁表的情況下，藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行地址校驗；其中，所述地址校驗用於確定所述待更新頁表的頁表地址和指向地址是否可信；<br/> 在所述待更新頁表藉由所述地址校驗的情況下，藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表的校驗結果為可信。
如請求項6所述之頁表的更新方法，其中，所述待更新頁表屬第一級頁表、第二級頁表和第三級頁表中的任意一種；其中，所述第一級頁表中的頁表項的指向為所述第二級頁表，所述第二級頁表中的頁表項的指向為所述第三級頁表，所述第三級頁表中的頁表項的指向為用於存放真實資料的實體記憶體空間；<br/> 所述地址校驗包括：基本校驗；所述藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行地址校驗，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行基本校驗；其中，所述基本校驗用於確定所述待更新頁表的頁面地址和指向地址是否在允許的範圍之內；<br/> 其中，所述藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行基本校驗，包括以下步驟：<br/> 若所述待更新頁表屬第一級頁表或第二級頁表，則在所述待更新頁表的頁面地址和指向地址位於第三儲存空間的地址範圍內的情況下，藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表藉由所述基本校驗；其中，所述第三儲存空間為藉由所述第二驅動申請的用於儲存頁表的儲存空間；或者，<br/> 若所述待更新頁表屬第三級頁表，則在所述待更新頁表的頁面地址位於所述第三儲存空間的地址範圍內，以及所述待更新頁表的指向地址位於第四儲存空間的地址範圍內的情況下，藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表藉由所述基本校驗；其中，所述第四儲存空間為用於存放真實資料的實體記憶體空間。
如請求項7所述之頁表的更新方法，其中，所述第四儲存空間包括幀緩衝空間和/或系統記憶體空間。
如請求項1所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第二驅動對所述第一驅動寫入在第一儲存空間中的待更新頁表內容進行校驗，得到校驗結果，包括以下步驟：<br/> 在所述待更新頁表內容包括待更新頁表根的情況下，藉由所述第二驅動對所述待更新頁表根進行全鏈路校驗；其中，所述全鏈路校驗用於確定所述待更新頁表根所關聯的所有的頁表的指向關係是否正確；<br/> 在所述待更新頁表根藉由所述全鏈路校驗的情況下，藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表根的校驗結果為可信。
如請求項9所述之頁表的更新方法，其中，所述待更新頁表根所關聯的頁表包括：第一頁表、第二頁表和第三頁表；<br/> 所述藉由所述第二驅動對所述待更新頁表根進行全鏈路校驗，包括以下步驟：<br/> 在所述待更新頁表根所指向的所述第一頁表屬第一級頁表、所述第一頁表中的頁表項的所指向的所述第二頁表屬第二級頁表、所述第二頁表中的頁表項的所指向的所述第三頁表屬第三級頁表、以及所述第三頁表中的頁表項的所指向的地址屬第四儲存空間的情況下，藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表根藉由所述全鏈路校驗。
如請求項6至10中任一項所述之頁表的更新方法，其中，地址校驗還包括：增補校驗；在所述待更新頁表內容藉由基本校驗或全鏈路校驗的情況下，所述頁表的更新方法還包括：<br/> 在所述待更新頁表內容包括所述待更新頁表的情況下，藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行所述增補校驗；其中，所述增補校驗用於確定所述待更新頁表的指向關係是否正確。
如請求項11所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第二驅動對所述待更新頁表進行所述增補校驗，包括以下步驟：<br/> 根據所述第二驅動當前維護的訊息表，藉由所述第二驅動對所述待更新頁表的頁面地址進行校驗。
如請求項12所述之頁表的更新方法，其中，所述待更新頁表屬第一級頁表、第二級頁表和第三級頁表中的任意一種；<br/> 所述根據所述第二驅動當前維護的訊息表，藉由所述第二驅動對所述待更新頁表的頁面地址進行校驗，包括以下步驟：<br/> 若所述待更新頁表屬第一級頁表，則在所述待更新頁表的頁表地址位於所述訊息表中的任意一個第二級頁表和/或第三級頁表的頁表地址的情況下，則藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表未藉由所述增補校驗；或者，<br/> 若所述待更新頁表屬第二級頁表，則在所述待更新頁表的頁表地址位於所述訊息表中的任意一個第一級頁表和/或第三級頁表的頁表地址的情況下，則藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表未藉由所述增補校驗；或者，<br/> 若所述待更新頁表屬第三級頁表，則在所述待更新頁表的頁表地址位於所述訊息表中的任意一個第一級頁表和/或第二級頁表的頁表地址的情況下，則藉由所述第二驅動確定所述待更新頁表未藉由所述增補校驗。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第二驅動申請第二儲存空間，並藉由所述第二驅動將所述第二儲存空間對於所述第一驅動的權限設置為可讀可寫；<br/> 藉由所述第二驅動申請第三儲存空間，並藉由所述第二驅動將所述第三儲存空間對於所述第一驅動的權限設置為不可讀不可寫，以使所述第一驅動將所述待更新頁表內容寫入至第一儲存空間；其中，所述待更新頁表內容為操作系統要求所述第一驅動分配至所述第三儲存空間中的需要更新的頁表內容。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動申請所述第一儲存空間；所述第一儲存空間用於所述第一驅動和所述第二驅動實現通訊。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述可信的訊息表至少包括：可信頁表的頁表根訊息；<br/> 所述根據所述校驗結果，藉由所述第二驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表，包括以下步驟：<br/> 在所述校驗結果指示所述待更新頁表內容是可信的情況下，藉由所述第二驅動將所述待更新頁表內容對應的頁表根訊息添加至所述第二驅動當前維護的訊息表中，從而得到所述可信的訊息表；或者<br/> 在所述校驗結果指示所述待更新頁表內容是不可信的情況下，藉由所述第二驅動將其當前維護的訊息表中的所述待更新頁表內容對應的頁表根訊息進行刪除，從而得到所述可信的訊息表。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述根據所述校驗結果，藉由所述第二驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表之後，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 以下發任務的方式，藉由所述第二驅動將所述校驗結果告知運行在圖形處理器上的第三驅動，以使所述第三驅動根據所述校驗結果對其當前維護的訊息表進行同步更新，使得所述第三驅動得到所述可信的訊息表。
如請求項17所述之頁表的更新方法，其中，所述以下發任務的方式，藉由所述第二驅動將所述校驗結果告知運行在圖形處理器上的第三驅動，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第二驅動將所述校驗結果寫入在第五儲存空間中，以使所述第三驅動藉由所述第五儲存空間獲取所述校驗結果；其中，所述第五儲存空間用於實現所述第二驅動與所述第三驅動進行通訊。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動將任務指令寫入在第六儲存空間中，以使第三驅動根據在所述第六儲存空間獲取的所述任務指令執行對應的任務處理；其中，<br/> 所述任務指令攜帶有目標頁表的頁表根訊息；所述第六儲存空間用於實現所述第一驅動與所述第三驅動進行通訊。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第一驅動將第三儲存空間以記憶體段的形式上報至操作系統，以使所述操作系統要求所述第一驅動將所述待更新頁表內容分配至所述第三儲存空間。
如請求項1至5中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述根據所述校驗結果，藉由所述第二驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表之後，所述第一驅動的任務進程處於運行狀態。
一種頁表的更新方法，其特徵在於，應用於圖形處理器，所述圖形處理器運行第三驅動，所述頁表的更新方法包括以下步驟：<br/> 藉由所述第三驅動獲取校驗結果；其中，所述校驗結果用於指示待更新頁表內容是否可信；所述校驗結果是第二驅動以下發任務的方式告知所述第三驅動的；<br/> 根據所述校驗結果，藉由所述第三驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表；所述可信的訊息表用於儲存可信頁表的相關訊息。
如請求項22所述之頁表的更新方法，其中，所述藉由所述第三驅動獲取校驗結果，包括以下步驟：<br/> 藉由所述第三驅動獲取所述第二驅動寫入在第五儲存空間中的所述校驗結果；所述第五儲存空間用於實現所述第二驅動與所述第三驅動進行通訊。
如請求項22所述之頁表的更新方法，其中，所述可信的訊息表至少包括：可信頁表的頁表根訊息；<br/> 所述根據所述校驗結果，藉由所述第三驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表，包括以下步驟：<br/> 在所述校驗結果指示所述待更新頁表內容是可信的情況下，藉由所述第三驅動將所述待更新頁表內容對應的頁表根訊息添加至所述第三驅動當前維護的訊息表中，從而得到所述可信的訊息表；或者<br/> 在所述校驗結果指示所述待更新頁表內容是不可信的情況下，藉由所述第三驅動將其當前維護的訊息表中的所述待更新頁表內容對應的頁表根訊息進行刪除，從而得到所述可信的訊息表。
如請求項22至24中任一項所述之頁表的更新方法，其中，所述頁表的更新方法還包括以下步驟：<br/> 藉由所述第三驅動獲取第一驅動寫入在第六儲存空間中的任務指令；所述第六儲存空間用於實現所述第一驅動與所述第三驅動進行通訊；所述任務指令攜帶有目標頁表的頁表根訊息；<br/> 在所述目標頁表的頁表根訊息為所述可信的訊息表中的任意一個可信頁表的頁表根訊息的情況下，藉由所述第三驅動執行所述任務指令對應的任務處理。
一種伺服器，其特徵在於，所述伺服器包括第一驅動單元和第二驅動單元；其中，<br/> 所述第一驅動單元，用於在藉由第一驅動觸發跳轉機制的情況下，所述第一驅動的任務進程處於掛起狀態，藉由第二驅動對所述第一驅動寫入在第一儲存空間中的待更新頁表內容進行校驗，得到校驗結果；所述校驗結果用於指示所述待更新頁表是否可信；所述任務進程與更新頁表內容相關；<br/> 所述第二驅動單元，用於根據所述校驗結果，藉由所述第二驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表；所述可信的訊息表用於儲存可信頁表的相關訊息。
一種圖形處理器，其特徵在於，所述圖形處理器包括第三驅動單元；其中，<br/> 所述第三驅動單元，用於藉由第三驅動獲取校驗結果；其中，所述校驗結果用於指示待更新頁表內容是否可信；所述校驗結果是第二驅動以下發任務的方式告知所述第三驅動的；根據所述校驗結果，藉由所述第三驅動對其當前維護的訊息表進行更新，得到可信的訊息表；所述可信的訊息表用於儲存可信頁表的相關訊息。
一種伺服器，其特徵在於，包括：第一處理器和第一記憶體，所述第一記憶體用於儲存電腦程式，所述第一處理器用於調用並運行所述第一記憶體中儲存的電腦程式，執行如請求項1至21中任一項所述之頁表的更新方法。
一種圖形處理器，其特徵在於，包括：第二處理器和第二記憶體，所述第二記憶體用於儲存電腦程式，所述第二處理器用於調用並運行所述第二記憶體中儲存的電腦程式，執行如請求項22至25中任一項所述之頁表的更新方法。
一種晶片，其特徵在於，包括：處理器，用於從記憶體中調用並運行電腦程式，使得安裝有所述晶片的設備執行如請求項1至21中任一項所述之頁表的更新方法；或者，執行如請求項22至25中任一項所述之頁表的更新方法。
一種電腦可讀儲存媒體，其特徵在於，所述電腦可讀儲存媒體儲存有電腦程式，所述電腦程式被至少一個處理器執行時實現如請求項1至21中任一項所述之頁表的更新方法；或者，實現如請求項22至25中任一項所述之頁表的更新方法。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 一第一半導體裸晶片，包括：<br/> 一第一發送電路，配置為發送對應於一第一時脈信號的一輸出時脈信號；<br/> 一第一接收電路，配置為<br/> 接收一輸入時脈信號和一輸入信號，以及<br/> 根據該輸入時脈信號輸出對應於該輸入信號的一第一信號；以及<br/> 一第一電路，配置為根據該第一時脈信號輸出對應於該第一信號的一第二信號；以及<br/> 一第二半導體裸晶片，包括：<br/> 一第二接收電路，耦接至該第一發送電路，以接收該輸出時脈信號；<br/> 一第二發送電路，耦接至該第一接收電路，且配置為<br/> 根據該輸出時脈信號向該第一接收電路發送該輸入信號；以及<br/> 向該第一接收電路發送對應於該輸出時脈信號的該輸入時脈信號；以及<br/> 一鎖相迴路，包括：<br/> 一參考輸入端，耦接到該第二接收電路以接收該輸出時脈信號；<br/> 一回授輸入端；<br/> 一輸出端，該鎖相迴路在該輸出端配置為輸出對應於該輸出時脈信號的該輸入時脈信號；以及<br/> 一回授路徑，耦接在該輸出端與該回授輸入端之間，該回授路徑包括一延遲電路。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第一發送電路更配置為根據該第一時脈信號發送一輸出信號；<br/> 該第二接收電路更配置為從該第一發送電路接收該輸出信號；以及<br/> 該第二發送電路配置為發送該輸入信號以回應該輸出信號。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第一電路配置為：<br/> 為回應一第一選擇信號的一第一值，根據該第一時脈信號的一第一邊緣輸出該第二信號；以及<br/> 為回應該第一選擇信號的一第二值，根據該第一時脈信號的一第二邊緣輸出該第二信號；<br/> 該第二值與該第一值相異；<br/> 該第一邊緣是該第一時脈信號的一上升邊緣及一下降邊緣之一者；以及<br/> 該第二邊緣是該第一時脈信號的該上升邊緣及該下降邊緣之另一者。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第一電路被配置為：<br/> 為回應一選擇信號的一第一值，根據該第一時脈信號的一第一邊緣輸出該第二信號；以及<br/> 為回應一選擇信號的一第二值，根據該第一時脈信號的一第二邊緣輸出該第二信號；<br/> 該第二值與該第一值相異；以及<br/> 該第一邊緣與該第二邊緣之間相隔半個時脈週期。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中該第一電路包括：<br/> 一正反器，包括：<br/> 一輸入端，耦接到該第一接收電路以接收該第一信號；<br/> 一輸出端，該正反器在該輸出端配置為輸出該第二信號；以及<br/> 一時脈輸入端；以及<br/> 一資料多工器，包括：<br/> 一非反相輸入端，用於接收該第一時脈信號；<br/> 一反相輸入端，用於接收該第一時脈信號；<br/> 一選擇輸入端，用於接收一選擇信號；以及<br/> 一輸出端，耦接到該正反器的該時脈輸入端；以及<br/> 一儲存電路，該儲存電路的一輸出端耦接到該資料多工器的該選擇輸入端；以及<br/> 該儲存電路儲存該選擇信號的一預定值，該預定值對應於以下其中之一：<br/> 該資料多工器配置為將在該非反相輸入端接收到的該第一時脈信號輸出到該正反器的該時脈輸入端；或者<br/> 該資料多工器配置為將在該反相輸入端接收到的該第一時脈信號輸出到該正反器的該時脈輸入端。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第一發送電路更配置為根據該第一時脈信號發送對應於一測試信號的一輸出信號；<br/> 該第二接收電路更配置為接收來自該第一發送電路的該輸出信號，並將該輸出信號提供給該第二發送電路；<br/> 該第二發送電路配置為發送對應於該輸出信號的該輸入信號，以及<br/> 該第一半導體裸晶片更包括一控制電路，該控制電路配置為：<br/> 根據該測試信號中的一第一資料與該第二信號中的一第二資料的一比較結果，選擇該第一時脈信號的一上升邊緣及一下降邊緣其中之一者；以及<br/> 根據該第一時脈信號中所選擇的一邊緣，控制該第一電路輸出該第二信號；以及<br/> 該第一電路包括：<br/> 一正反器，包括：<br/> 一輸入端，耦接到該第一接收電路以接收該第一信號；<br/> 一輸出端，該正反器在該輸出端配置為輸出該第二信號；以及<br/> 一時脈輸入端；以及<br/> 一資料多工器，包括：<br/> 一非反相輸入端，配置為接收該第一時脈信號；<br/> 一反相輸入端，配置為接收該第一時脈信號；<br/> 一選擇輸入端，耦接至該控制電路的一輸出端，以接收對應於所選擇之該邊緣的一選擇信號；以及<br/> 一輸出端，耦接至該正反器的該時脈輸入端。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第二半導體裸晶片更包括一資料多工器，該資料多工器包括：<br/> 一第一輸入端，配置為接收該輸出時脈信號；<br/> 一第二輸入端，配置為接收該第二半導體裸晶片的一第二時脈信號，該第二時脈信號獨立於該第一半導體裸晶片的該第一時脈信號；<br/> 一選擇輸入端，配置為接收一選擇信號；以及<br/> 一輸出端，耦接至該第二發送電路。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第二半導體裸晶片更包括一第二電路，該第二電路與該第二接收電路耦接，以接收該輸出時脈信號，以及<br/> 該第二電路配置為輸出對應於該輸出時脈信號的該輸入時脈信號，其中該輸入時脈信號相對於該輸出時脈信號具有一相位超前。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該延遲電路的一時間延遲對應於一第一時間延遲與一第二時間延遲的一總合；<br/> 該第一時間延遲是在以下兩者之間：<br/> 在該第一半導體裸晶片的一主時脈信號，該主時脈信號對應至該第一時脈信號；以及<br/> 在該第二接收電路之一輸出端的該輸出時脈信號；以及<br/> 該第二時間延遲是在以下兩者之間：<br/> 在該第二接收電路之該輸出端的該輸出時脈信號；以及<br/> 在該第一接收電路之一輸出端的該輸入時脈信號。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第二半導體裸晶片更包括一時脈樹，該時脈樹耦接在該鎖相迴路的該輸出端與該延遲電路之間；<br/> 該第一半導體裸晶片包括複數第一時脈I/O電路，每個第一時脈I/O電路包括：<br/> 一第一時脈輸入緩衝器；以及<br/> 一第一時脈輸出緩衝器；<br/> 該第二半導體裸晶片包括複數第二時脈I/O電路，每個第二時脈I/O電路包括：<br/> 一第二時脈輸入緩衝器，耦接至該等第一時脈I/O電路中所對應之第一時脈I/O電路的該第一時脈輸出緩衝器；以及<br/> 一第二時脈輸出緩衝器，耦接至所對應之該第一時脈I/O電路中的該第一時脈輸出緩衝器；<br/> 該第二接收電路包括該等第二時脈I/O電路中之一者的該第二時脈輸入緩衝器；以及<br/> 該第二發送電路包括該等第二時脈I/O電路之該一者的該第二時脈輸出緩衝器。
如請求項1所述之積體電路裝置，其中<br/> 該第二半導體裸晶片更包括一資料多工器，該資料多工器包括：<br/> 一第一輸入端，耦接至該鎖相迴路的該參考輸入端以接收該輸出時脈信號；<br/> 一第二輸入端，配置為該鎖相迴路的該輸出端；<br/> 一選擇輸入端，配置為接收一選擇信號；以及<br/> 一輸出端，耦接至該第二發送電路。
一種積體電路裝置，包括：<br/> 一時脈輸入緩衝器，包括：<br/> 一輸入端，配置為與一裸晶片間(die-to-die；D2D)介面結構耦接；以及<br/> 一輸出端；<br/> 一鎖相迴路，包括：<br/> 一參考輸入端，耦接至該時脈輸入緩衝器的該輸出端以接收一輸出時脈信號；<br/> 一回授輸入端；<br/> 一輸出端，該鎖相迴路在該輸出端配置為輸出對應於該輸出時脈信號的一輸入時脈信號；以及<br/> 一回授路徑，耦接在該回授輸入端與該鎖相迴路的該輸出端之間，該回授路徑包括一延遲電路；以及<br/> 一時脈輸出緩衝器，包括：<br/> 一輸入端，耦接至該鎖相迴路的該輸出端；以及<br/> 一輸出端，配置為耦接至另一D2D介面結構。
一種在積體電路裝置發送信號的方法，包括：<br/> 將一輸出信號及該輸出信號所相關聯的一輸出時脈信號發送至一半導體裸晶片；<br/> 從該半導體裸晶片接收一輸入信號及該輸入信號所相關聯的一輸入時脈信號，該輸入信號對應於該輸出信號，該輸入時脈信號對應於該輸出時脈信號；<br/> 根據該輸出信號中的資料與從該輸入信號獲得的資料進行比較，選擇一時脈信號；以及<br/> 根據所選的該時脈信號，從在該半導體裸晶片接收到之額外的複數輸入信號中獲得額外的資料。
如請求項13所述之方法，更包括：<br/> 根據對應至該輸出時脈信號的一第一時脈信號，從該輸入信號取得一第一資料；以及<br/> 根據該第一時脈信號的一反相時脈信號，從該輸入信號取得一第二資料，其中<br/> 發送該輸出信號的操作包括根據該第一時脈信號發送該輸出信號；<br/> 比較該輸出信號中的該資料與從該輸入信號獲得的該資料的操作包括：<br/> 將該輸出信號中的該資料與該第一資料進行一第一比較；以及<br/> 將該輸出信號中的該資料與該第二資料進行一第二比較；以及<br/> 選擇該時脈信號的操作包括根據該第一比較與該第二比較，選擇該第一時脈信號或是該反相時脈信號以作為所選的該時脈信號。
一種配線或配管的固定構造，是將從氣密箱的內部延伸至外部的配線或配管加以固定的固定構造，其具備： <br/> 面對前述氣密箱且固定於前述氣密箱，並具有前述配線或配管的通過部之板狀構件； <br/> 載置於前述板狀構件的和前述氣密箱相反側的面上且為板狀，並具有前述配線或配管的通過部之抵推構件；及 <br/> 固定於前述配線或配管的外周之環狀密封構件， <br/> 在前述板狀構件的和前述氣密箱相反側的對向於前述抵推構件之面，在前述配線或配管的通過部的周圍形成有階差部， <br/> 前述環狀密封構件容納於前述板狀構件的前述階差部，且被前述抵推構件所推壓， <br/> 前述板狀構件的上表面及前述抵推構件的底面皆為平面，除了前述階差部，前述抵推構件的底面和前述板狀構件的上表面全面地接觸，前述抵推構件堅固地固定於前述板狀構件， <br/> 前述板狀構件的上表面之面積小於前述抵推構件的底面之面積。
如請求項1所述的配線或配管的固定構造，其中，前述板狀構件包含沿著面內方向相鄰的第1板狀部分和第2板狀部分，在前述第1板狀部分和前述第2板狀部分的界線部，形成有前述配線或配管的通過部及階差部。
如請求項2所述的配線或配管的固定構造，其中，前述抵推構件包含沿著面內方向相鄰的第1抵推部分和第2抵推部分，在前述第1抵推部分和前述第2抵推部分的界線部，形成有前述配線或配管的通過部， <br/> 前述第1板狀部分和前述第2板狀部分的界線部延伸的方向與前述第1抵推部分和前述第2抵推部分的界線部延伸的方向交叉。
如請求項1~3中任一項所述的配線或配管的固定構造，其中，前述環狀密封構件包含沿著前述配線或配管延伸的方向相鄰配置的第1環狀密封材及第2環狀密封材，前述第1環狀密封材及前述第2環狀密封材的各者設有切斷部，前述第1環狀密封材的切斷部和前述第2環狀密封材的切斷部配置於不同的位置。
如請求項1~3中任一項所述的配線或配管的固定構造，其中，還具備配置於前述氣密箱和前述板狀構件之間的膜狀密封材。
如請求項1~3中任一項所述的配線或配管的固定構造，其中，前述抵推構件以螺絲固定於前述板狀構件，前述板狀構件以螺絲固定於前述氣密箱。
如請求項1~3中任一項所述的配線或配管的固定構造，其中，前述板狀構件，在前述氣密箱之側具有設有前述配線或配管的通過部之突出部，前述板狀構件的突出部壓入設於前述氣密箱的具有對應於前述突出部的形狀之開口部。
一種帽狀腱膜刺激裝置，包括：<br/> 一帽體；及<br/> 多個第一光療模組，設置於所述帽體內，配置為對應於使用者頭部頂骨區的第一局部位置，該第一局部位置包含使用者頭骨的部分的矢裂縫，且該第一局部位置所涵蓋的帽狀腱膜是對應於該使用者的薦椎及尾椎；<br/> 多個第二光療模組，設置於所述帽體內且對應於使用者頭部頂骨區的第二局部位置，且該第二局部位置包含使用者頭骨的另一部分的矢裂縫，且該第二局部位置所涵蓋的帽狀腱膜是對應於該使用者的胸椎；<br/> 多個第三光療模組，設置於所述帽體內且對應於使用者頭部頂骨區的第三局部位置，且該第三局部位置包含使用者頭骨的人字縫及鱗狀縫，且人字縫的帽狀腱膜對應於使用者背側的脊椎，而對鱗狀縫處的帽狀腱膜則對應於使用者側面的軟組織；以及<br/> 多個第四光療模組，設置於所述帽體內且對應於使用者頭部頂骨區的第四局部位置，且該第四局部位置對應於使用者頭骨的冠狀縫，且冠狀縫的帽狀腱膜對應於使用者前側的軟組織；<br/> 其中，所述第一光療模組、所述第二光療模組、所述第三光療模組、及所述第四光療模組分別發出光線，以分別刺激該第一局部位置、該第二局部位置、該第三局部位置、及該第四局部位置所涵蓋的帽狀腱膜。
如請求項1所述的帽狀腱膜刺激裝置，其中，所述光線為紅光，且所述紅光的波長為630nm。
如請求項1所述的帽狀腱膜刺激裝置，其中，所述光線為藍光，所述藍光的波長為400nm。
如請求項1所述的帽狀腱膜刺激裝置，其中，所述光線為紅外線，且所述紅外線的波長為940nm。
如請求項1所述的帽狀腱膜刺激裝置，其中，所述第一光療模組、所述第二光療模組、所述第三光療模組及所述第四光療模組為發光二極體。
一種功率級電路，包含：<br/> 一開關電路，包含一低側開關及一高側開關，其中該低側開關與該高側開關耦接於該功率級電路的一切換節點；<br/> 一驅動電路，耦接於該低側開關及該高側開關，並用以依據一控制訊號驅動該低側開關及該高側開關交替地導通；以及<br/> 一自舉電路，耦接於該開關電路及該驅動電路，並包含一自舉電容以及一第一預充電電路，其中該自舉電容耦接於該切換節點及該功率級電路的一自舉節點，該第一預充電電路耦接於該切換節點及該自舉節點，並包含一電壓源、一充電開關電路以及一比較電路，該電壓源耦接於該切換節點與該比較電路之間，該比較電路及該充電開關電路彼此耦接，並耦接於該自舉節點，以及<br/> 其中在該低側開關與該高側開關皆關斷的一第一期間，該自舉電容在該自舉電容兩端的一電壓差低於一第一預設限制電壓值時被該第一預充電電路充電，並在該電壓差高於一第二預設限制電壓值時放電，以使該電壓差維持在一預設電壓範圍內，其中該預設電壓範圍由該比較電路的兩個不同臨界電壓所決定，<br/> 其中該比較電路為一遲滯比較器，該預設電壓範圍介於該第一預設限制電壓值及該第二預設限制電壓值之間，而該遲滯比較器的一遲滯電壓為該比較電路的該兩個不同臨界電壓之間的差，其中該第一預設限制電壓值為該電壓源的一定電壓，而該第二預設限制電壓值為該定電壓加上該遲滯電壓。
如請求項1所述之功率級電路，其中該充電開關電路包含一充電開關及一單向導通開關，且該充電開關與該單向導通開關耦接於該比較電路、一電源訊號及該自舉節點之間，以及<br/> 其中在該第一期間，該自舉電容向該自舉節點放電，直到該電壓差從一預設電壓值降低至低於該第一預設限制電壓值，以及<br/> 其中在該第一期間，該充電開關與該單向導通開關在該電壓差低於該第一預設限制電壓值時從一關斷狀態切換為一導通狀態，以使該自舉電容被充電，且該充電開關與該單向導通開關在該電壓差增加至高於該第二預設限制電壓值時從該導通狀態切換為該關斷狀態，以使該自舉電容向該自舉節點放電。
如請求項1所述之功率級電路，其中該自舉電路還包含一第二預充電電路，且該第二預充電電路耦接於該自舉節點，並用以在該低側開關導通的一第二期間，對該自舉電容進行充電，以將該電壓差增加至大於該第二預設限制電壓值的一預設電壓值，以及<br/> 其中該第一預充電電路及該第二預充電電路用以在該高側開關導通的一第三期間，停止對該自舉電容進行充電。
如請求項1所述之功率級電路，其中該自舉電路還包含一第一單向導通開關，且該第一單向導通開關耦接於一第一電源訊號及該自舉節點， <br/> 其中在該低側開關導通的一第二期間，該切換節點切換至一接地電壓位準，該第一單向導通開關從一關斷狀態切換為一導通狀態，以將該自舉節點切換至一第一電壓位準，且該自舉電容依據該第一電壓位準及該接地電壓位準被充電，以使該電壓差增加至大於該第二預設限制電壓值的一預設電壓值，以及<br/> 其中該預設電壓值由該第一電源訊號的電壓位準及該第一單向導通開關的導通電壓所決定。
如請求項4所述之功率級電路，其中該充電開關電路包含一充電開關及一第二單向導通開關，該電壓源耦接於該切換節點及該比較電路的一第一輸入端，該比較電路的一第二輸入端耦接於該自舉節點，該比較電路的一訊號輸出端耦接於該充電開關的一控制端，該充電開關耦接於一第二電源訊號，且該第二單向導通開關耦接於該充電開關及該自舉節點，<br/> 其中在該第一期間，該切換節點切換至一輸出電壓位準，該自舉節點切換至依據該輸出電壓位準及該預設電壓值所產生的一第二電壓位準，該自舉電容向該自舉節點放電，以使該自舉節點從該第二電壓位準降低至低於一第三電壓位準，該比較電路在該自舉節點低於該第三電壓位準時控制該充電開關及該第二單向導通開關從該關斷狀態切換為該導通狀態，以將該自舉節點增加至高於一第四電壓位準，且該比較電路在該自舉節點高於該第四電壓位準時控制該充電開關及該第二單向導通開關從該導通狀態切換為該關斷狀態，以將該自舉節點降低至低於該第三電壓位準，以及<br/> 其中該第三電壓位準與該第四電壓位準之間的差為該比較電路的該兩個不同臨界電壓之間的差，且該兩個不同臨界電壓與該電壓源提供的該定電壓相關聯。
一種電子零件，其包含： <br/>基材，其具有主面； <br/>絕緣層，其配置於上述基材之上述主面，且具有開口部； <br/>導電層，其形成於上述絕緣層之上述開口部；及 <br/>障壁層，其覆蓋上述導電層； <br/>至少上述障壁層之外表面之形狀具有一個向上突出之山部。
如請求項1之電子零件，其中上述障壁層延伸至上述絕緣層上。
如請求項1之電子零件，其進一步具有形成於上述障壁層上之薄膜。
如請求項1之電子零件，其中上述障壁層包含Ni、Ta、Ti、W、Mo、Cr、Zn、In、Nb、Sn、及C中之至少任一種。
如請求項1之電子零件，其中上述障壁層之厚度為100 nm以上。
如請求項1之電子零件，其中上述絕緣層包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、環氧樹脂、及聚醯亞胺中之至少一者。
如請求項1之電子零件，其中上述基材包含GaN。
一種複合物，其係含有環氧樹脂(A)、含金屬元素之粒子(C)、及具有咪唑結構之硬化劑(D)者， <br/>上述具有咪唑結構之硬化劑(D)含有下述式(1)所表示之化合物及/或下述式(2)所表示之化合物， <br/>上述含金屬元素之粒子(C)為磁性粒子，並且 <br/>上述磁性粒子為選自由鐵-鈷(Fe-Co)系合金粒子、Al-Ni-Co系合金粒子、鐵氧體系磁鐵粒子、及稀土類磁性粒子所組成之群中之任一種； <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="203px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="231px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)及(2)中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>分別獨立為選自由氫原子、羥基、羧基、氰基、硝基、鹵素原子、可具有取代基之碳數1～20之烷基、及可具有取代基之碳數6～20之環烷基所組成之群中之任一種；R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>分別可相同，亦可不同，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>可鍵結而形成不具有芳香族性之縮合環； <br/>X為選自由氫原子、可具有取代基之碳數1～20之烷基、可具有取代基之碳數2～20之烯基、可具有取代基之碳數7～20之芳烷基、及可具有取代基之碳數4～20之雜芳烷基所組成之群中之任一種； <br/>Y及Z分別獨立為選自由氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、氰基、硝基、可具有取代基之碳數1～20之烷基、可具有取代基之碳數1～20之烷氧基、可具有取代基之碳數2～20之烯基、可具有取代基之碳數6～20之芳基、可具有取代基之碳數6～20之芳氧基、及可具有取代基之碳數1～20之醯基所組成之群中之任一種；Y及Z分別可相同，亦可不同，2個以上之Y或2個以上之Z可分別鍵結而形成單環或縮合環；m及n分別獨立為1～4之整數)。
如請求項1之複合物，其中於上述具有咪唑結構之硬化劑(D)中， <br/>Y及Z分別獨立為選自由氫原子、羥基、羧基、不具有取代基之碳數1～20之烷氧基、具有羥基及/或羧基作為取代基之碳數1～20之烷基、具有羥基及/或羧基作為取代基之碳數1～20之烷氧基、具有羥基及/或羧基作為取代基之碳數6～20之芳基、具有羥基及/或羧基作為取代基之碳數6～20之芳氧基、以及具有羥基及/或羧基作為取代基之碳數1～20之醯基所組成之群中之一種。
如請求項1或2之複合物，其中於上述具有咪唑結構之硬化劑(D)中， <br/>上述式(1)所表示之化合物為 <br/>選自由2-(2-羥基苯基)咪唑、2-(2-羥基苯基)-4(5)-甲基咪唑、4-乙基-(2-羥基苯基)-5-甲基咪唑、(2-羥基苯基)-4-異丙基-5-甲基咪唑、4-丁基-(2-羥基苯基)-5-甲基咪唑、及2-(2-羥基-3(5)-甲氧基苯基)咪唑所組成之群中之任一者， <br/>及/或 <br/>上述式(2)所表示之化合物為 <br/>選自由2-(2-羥基苯基)苯并咪唑、2-(2-羥基-3(5)-甲氧基苯基)苯并咪唑、2-(1-羥基萘-2-基)苯并咪唑、2-(2-羥基萘-1-基)苯并咪唑、及2-(2-羥基苯基)苯并咪唑-6-羧酸所組成之群中之任一者。
如請求項1或2之複合物，其進而含有與具有咪唑結構之硬化劑不同之硬化劑(B)。
如請求項4之複合物，其中上述與具有咪唑結構之硬化劑不同之硬化劑(B)包含25℃下為固體之硬化劑， <br/>上述25℃下為固體之硬化劑之含量相對於硬化劑之總量為50質量%以上。
如請求項1之複合物，其中上述磁性粒子為稀土類磁性粒子。
如請求項1之複合物，其中上述磁性粒子之含量相對於複合物之整體質量為70質量%以上99.5質量%以下。
如請求項1之複合物，其中上述磁性粒子之比表面積為0.005 m<sup>2</sup>/g以上5.0 m<sup>2</sup>/g以下。
如請求項1之複合物，其中將上述磁性粒子相對於複合物之整體質量之含量(質量%)設為(X)， <br/>將上述磁性粒子之比表面積設為(Y)， <br/>將上述具有咪唑結構之硬化劑(D)相對於複合物之整體質量之含量(質量%)設為(Z)時， <br/>(X)、(Y)及(Z)滿足下述式(γ)； <br/>0.000010≤(Z)/(X)×(Y)≤0.30・・・(γ)。
如請求項1之複合物，其中上述環氧樹脂(A)含有下述式(A1)所表示之部分結構； <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="210px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(A1)中，R<sub>1</sub>～R<sub>3</sub>各自獨立為氫原子、烷基、芳香族基、含有雜原子之取代基、或含有鹵素原子之取代基，R<sub>1</sub>～R<sub>3</sub>之至少一個含有與上述具有咪唑結構之硬化劑(D)之反應基，R<sub>1</sub>～R<sub>3</sub>彼此可相同，亦可不同)。
如請求項1之複合物，其中上述環氧樹脂(A)含有下述式(A2)所表示之部分結構； <br/>[化4] <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="426px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(A2)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>為碳數1～12之伸烷基，m、n分別獨立為1以上之整數；G<sup>1</sup>及G<sup>2</sup>為選自由氫原子、烷基、芳香族基、含有雜原子之取代基、及含有鹵素原子之取代基所組成之群中之一種；G<sup>1</sup>及G<sup>2</sup>彼此可相同，亦可不同)。
如請求項1或2之複合物，其中上述環氧樹脂(A)包含25℃下為固體之環氧樹脂， <br/>上述25℃下為固體之環氧樹脂之含量相對於環氧樹脂之總量為50質量%以上。
如請求項1或2之複合物，其進而含有下述式(3)所表示之化合物(E)； <br/>[化5] <br/><img align="absmiddle" height="121px" width="362px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(3)中，R<sub>1</sub>～R<sub>8</sub>分別獨立為選自由氫、烷基、芳香族基、含有雜原子之取代基、及含有鹵素原子之取代基所組成之群中之一種；R<sub>1</sub>～R<sub>8</sub>分別可相同，亦可不同；又，選自R<sub>4</sub>～R<sub>8</sub>之至少兩個可形成環並與鄰接之苯環形成縮合環。
一種製造如請求項1之複合物之方法，其使用清漆及含金屬元素之粒子(C)，該清漆係含有環氧樹脂(A)、具有咪唑結構之硬化劑(D)、與具有咪唑結構之硬化劑不同之硬化劑(B)及有機溶劑(G)者，並且上述具有咪唑結構之硬化劑(D)含有下述式(1)所表示之化合物及/或下述式(2)所表示之化合物； <br/>[化6] <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="202px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化7] <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="228px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)及(2)中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>分別獨立為選自由氫原子、羥基、羧基、氰基、硝基、鹵素原子、可具有取代基之碳數1～20之烷基、及可具有取代基之碳數6～20之環烷基所組成之群中之任一種；R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>分別可相同，亦可不同，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>可鍵結而形成不具有芳香族性之縮合環； <br/>X為選自由氫原子、可具有取代基之碳數1～20之烷基、可具有取代基之碳數2～20之烯基、可具有取代基之碳數7～20之芳烷基、及可具有取代基之碳數4～20之雜芳烷基所組成之群中之任一種； <br/>Y及Z分別獨立為選自由氫原子、鹵素原子、羥基、羧基、氰基、硝基、可具有取代基之碳數1～20之烷基、可具有取代基之碳數1～20之烷氧基、可具有取代基之碳數2～20之烯基、可具有取代基之碳數6～20之芳基、可具有取代基之碳數6～20之芳氧基、及可具有取代基之碳數1～20之醯基所組成之群中之任一種；Y及Z分別可相同，亦可不同，2個以上之Y或2個以上之Z可分別鍵結而形成單環或縮合環；m及n分別獨立為1～4之整數)。
一種黏結磁鐵，其係使如請求項1至14中任一項之複合物成型及硬化而成者。
一種馬達，其包含如請求項15之黏結磁鐵。
一種半導體裝置，其包括：<br/> 一匹配調整電路，包括一金氧半電容元件，該金氧半電容元件包括：<br/> 一閘極端，接收一閘極電壓；<br/> 一源極端，接收一接地電壓；<br/> 一汲極端，與該源極端電性連接，接收該接地電壓；以及<br/> 一基底端，接收一控制電壓，該控制電壓與該接地電壓不相同；<br/> 其中，該金氧半電容元件的一電容值相應於該控制電壓而改變；<br/> 一頻率可變元件；以及<br/> 一匹配控制單元，與該頻率可變元件及該匹配調整電路連接，用以檢測該頻率可變元件的一雜訊電壓；<br/> 其中，該匹配控制單元基於該頻率可變元件的該雜訊電壓動態地調整該金氧半電容元件的該電容值，以改變該半導體裝置的電容值。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該匹配控制單元基於該頻率可變元件的該雜訊電壓產生該金氧半電容元件的該控制電壓，該金氧半電容元件基於接收的該控制電壓調整該電容值。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置包括一電子元件層及一承載層，該匹配調整電路配置於該電子元件層或該承載層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該半導體裝置以一晶片晶圓基板堆疊封裝技術進行封裝。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該金氧半電容元件為一N型電晶體。
如請求項1所述的半導體裝置，其中，該金氧半電容元件的一閥值電壓相應於該控制電壓而改變。
一種磁性多匝感測器，包括：<br/> 至少一磁阻軌道，該至少一磁阻軌道以一閉環配置延伸並且包括一或多個環形區段，<br/> 其中該一或多個環形區段中之各者圍封一對應區域，該等對應區域之各者彼此不同；且<br/> 其中該一或多個環形區段中之各者包括該至少一磁阻軌道之一第一區段及該至少一磁阻軌道之一第二區段，其中該至少一磁阻軌道之該第一區段及該至少一磁阻軌道之該第二區段配置以在一交叉處重疊，該至少一磁阻軌道之一彎曲區段在該至少一磁阻軌道之該第一區段與該至少一磁阻軌道之該第二區段之間延伸。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，其中該至少一磁阻軌道在該一或多個環形區段中之各者中轉動約360度，使得該至少一磁阻軌道之該第一區段實質上垂直於該至少一磁阻軌道之該第二區段。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，其中該一或多個環形區段中之各者更包括一或多個虹吸區段，該一或多個虹吸區段配置以限制磁疇壁通過該交叉的移動。
如請求項3所述之磁性多匝感測器，其中該一或多個虹吸區段係靠近該至少一磁阻軌道之該第一區段及/或該第二區段配置。
如請求項3所述之磁性多匝感測器，其中該一或多個虹吸區段包括該至少一磁阻軌道中之一S形彎曲部。
如請求項3所述之磁性多匝感測器，其中該至少一磁阻軌道係設置於一第一平面中。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，其中該至少一磁阻軌道之該第一區段係配置於一第一平面中，並且該至少一磁阻軌道之該第二區段係配置於不同於該第一平面之一第二平面中。
如請求項7所述之磁性多匝感測器，更包括一間隔件層，該間隔件層設置於該至少一磁阻軌道之該第一區段與該第二區段之間，其中該間隔件層係至少設置於該交叉之區中。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，包括複數個環形區段，該等環形區段沿該至少一磁阻軌道直列或交錯配置。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，更包括複數個磁阻軌道，各磁阻軌道包括一不同數量之環形部分。
如請求項10所述之磁性多匝感測器，其中該等磁阻軌道至少包括一第一磁阻軌道及一第二磁阻軌道，其中該第二磁阻軌道係配置於該第一磁阻軌道之該閉環內。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，其中該至少一磁阻軌道包括互質的數量的環形區段。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，更包括複數個電性觸點，該等電性觸點被配置於該至少一磁阻軌道上以藉此界定複數個感測元件。
如請求項13所述之磁性多匝感測器，其中該至少一磁阻軌道包括複數個筆直區段，該等筆直區段由該至少一磁阻軌道上之複數個彎曲部分開；且<br/> 其中該等電性觸點係設置於該至少一磁阻軌道之該等筆直區段中之至少一者上。
如請求項13所述之磁性多匝感測器，其中該等感測元件係相對於該至少一磁阻軌道之一參考方向以約0度與約90度之間之一角配置。
如請求項14所述之磁性多匝感測器，其中該等感測元件，該等感測元件以約90度之一週期配置於該至少一磁阻軌道之對應複數個筆直區段的至少一部分上。
如請求項13所述之磁性多匝感測器，其中該等感測元件中之一或多者係平行於該至少一磁阻軌道之一參考方向配置；且<br/> 其中該至少一磁阻軌道在平行於該參考方向之一方向上比在垂直於該參考方向之一方向上更長。
如請求項13所述之磁性多匝感測器，其中該等感測元件包括至少一對感測元件，該對感測元件由該至少一磁阻軌道之一S形區段分開，並且配置以判定外部磁場之旋轉的一方向。
如請求項1所述之磁性多匝感測器，更包括一初始化線圈，該初始化線圈配置以向該至少一磁阻軌道施加一重設磁場，藉此將該至少一磁阻軌道初始化為一已知磁化狀態。
一種磁性多匝感測器，包括：<br/> 至少兩個磁阻軌道，該等磁阻軌道中之各者以一閉環配置延伸並且包括一或多個環形區段，<br/> 其中該等環形區段中之各者圍封一對應區域，該等對應區域之各者彼此不同，<br/> 其中該等環形區段中之各者包括該磁阻軌道之一第一區段及該磁阻軌道之一第二區段，其中該磁阻軌道之該第一區段及該磁阻軌道之該第二區段配置以在一交叉處重疊，該磁阻軌道之一彎曲區段在該磁阻軌道之該第一區段與該磁阻軌道之該第二區段之間延伸；且<br/> 其中該等磁阻軌道中之各者包括一不同數量之環形區段。
一種半導體裝置，包括： <br/>多個後段介電層；以及 <br/>電晶體結構，在所述多個後段介電層中且包括： <br/>第一源極/汲極； <br/>第二源極/汲極，沿著第一方向在所述第一源極/汲極之上； <br/>通道層，沿著所述第一方向在所述第一源極/汲極和所述第二源極/汲極之間垂直地延伸； <br/>閘極，沿著與所述第一方向不同的第二方向環繞所述通道層；及 <br/>一或多個氫阻擋行，沿著所述閘極的一或多側延伸，其中所述通道層、所述閘極和所述一或多個氫阻擋行依序沿著所述第二方向排列。
如請求項1的所述半導體裝置，其中所述一或多個氫阻擋行的底面與所述閘極的底面大致共面；及 <br/>其中所述一或多個氫阻擋行的頂面與所述閘極的頂面大致共面。
如請求項1的所述半導體裝置，其中所述通道層包括： <br/>核心區段，包括具有第一摻雜濃度的第一半導體材料；及 <br/>外部區段，環繞所述核心區段，其中所述外部區段包括具有不同於所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度的第二半導體材料。
如請求項3的所述半導體裝置，其中所述第二摻雜濃度大於所述第一摻雜濃度。
如請求項1的所述半導體裝置，其中所述一或多個氫阻擋行沿著所述半導體裝置中的多個電晶體結構的多個閘極連續地延伸。
一種半導體裝置的形成方法，包括： <br/>形成半導體裝置的後段電晶體結構的第一源極/汲極； <br/>在所述第一源極/汲極之上形成第一氫阻擋行和第二氫阻擋行； <br/>在所述第一氫阻擋行和所述第二氫阻擋行之間形成所述後段電晶體結構的閘極； <br/>在穿過所述第一源極/汲極之上的所述閘極的開口中形成： <br/>所述後段電晶體結構的閘極介電層，在所述開口的側壁上，及 <br/>所述後段電晶體結構的通道層，在所述第一源極/汲極上；以及 <br/>在所述通道層上形成所述後段電晶體結構的第二源極/汲極，其中所述通道層、所述閘極和所述第一氫阻擋行依序沿著一方向排列。
如請求項6的所述半導體裝置的形成方法，其中形成所述第一氫阻擋行和所述第二氫阻擋行包括： <br/>在所述第一源極/汲極之上形成閘極間隙壁； <br/>沿著所述閘極間隙壁的側壁和頂面上形成氫阻擋層；及 <br/>平坦化所述氫阻擋層，以由所述氫阻擋層形成所述第一氫阻擋行和所述第二氫阻擋行。
一種半導體裝置，包括： <br/>多個後段介電層；以及 <br/>記憶體單元結構，在所述多個後段介電層中且包括： <br/>儲存結構；及 <br/>電晶體結構，在所述儲存結構之上且包括： <br/>第一源極/汲極； <br/>第二源極/汲極，沿著第一方向在所述第一源極/汲極之上； <br/>通道層，沿著所述第一方向在所述第一源極/汲極和所述第二源極/汲極之間垂直地延伸； <br/>閘極，沿著與所述第一方向不同的第二方向環繞所述通道層； <br/>第一氫阻擋行，沿著所述閘極的第一側延伸；及 <br/>第二氫阻擋行，沿著所述閘極的與所述第一側相對的第二側延伸，其中所述通道層、所述閘極和所述第一氫阻擋行依序沿著所述第二方向排列。
如請求項8的所述半導體裝置，其中所述第二源極/汲極耦合到在所述第二源極/汲極之上的位元線導電結構； <br/>其中所述位元線導電結構在所述半導體裝置中沿著所述第二方向延伸；及 <br/>其中所述第一氫阻擋行和所述第二氫阻擋行各自在所述半導體裝置中沿著第三方向延伸。
如請求項8的所述半導體裝置，其中所述閘極耦合到在所述閘極之下的字元線內連線結構； <br/>其中所述字元線內連線結構耦合到在字元線通孔結構之下的字元線導電結構；及 <br/>其中所述字元線導電結構、所述第一氫阻擋行和所述第二氫阻擋行各自在所述半導體裝置中的第三方向上延伸。
一種散熱裝置，用以熱耦合於一熱源，包含：<br/> 一組裝支架，包含：一固定架，具有一鏤空部，該鏤空部用以供該熱源設置；一活動架，可轉動地連接於該固定架，而位於一打開位置或一關閉位置；至少一滑動件，可滑動地設置於該固定架；至少一連桿，位於該固定架與該活動架之一側，且該至少一連桿之相對兩端分別可轉動地連接於該至少一滑動件與該活動架；以及至少一受壓件，可滑動地穿過該固定架並設置於該至少一滑動件，且該至少一滑動件可相對該至少一受壓件滑動；以及一散熱器，裝設於該固定架，該至少一受壓件穿過該散熱器，且該散熱器用以透過該鏤空部熱耦合於該熱源；其中，當該活動架自該打開位置轉動至該關閉位置時，該至少一滑動件透過該至少一連桿的帶動而下壓該至少一受壓件，使得該至少一受壓件下壓該散熱器，以令該散熱器用以緊密貼合於該熱源。
如請求項1所述之散熱裝置，其中該固定架包含一底板以及二側板，該底板具有該鏤空部，該二側板連接於該底板之相對兩側，且該活動架可轉動地連接於該二側板。
如請求項2所述之散熱裝置，其中該至少一受壓件包含一頭部以及一身部，該身部的相對兩端分別連接於該頭部與該散熱器，該頭部的直徑大於該身部的直徑，該頭部抵壓於該至少一滑動件，該至少一滑動件包含一第一板部、一第二板部以及一彈片部，該第一板部與該第二板部相連，該第一板部可滑動地設置於該二側板之一者，且該至少一連桿可轉動地連接於該第一板部，該第二板部可滑動地設置於該底板，該第二板部包含一第一滑槽，該彈片部朝遠離該底板的方向凸出於該第二板部，該彈片部包含一第二滑槽，該第一滑槽與該第二滑槽相連通，該頭部位於該第一滑槽或該第二滑槽，當該活動架位於該關閉位置時，該頭部位於該第一滑槽，當該活動架自該打開位置轉動至該關閉位置時，該至少一滑動件相對該至少一受壓件滑動，以令該頭部位於該第二滑槽且該彈片部下壓該頭部，並用以透過該身部帶動該散熱器朝該熱源移動。
如請求項3所述之散熱裝置，其中該散熱器具有至少一缺槽，該至少一受壓件位於該至少一缺槽。
如請求項2所述之散熱裝置，其中該活動架包含一本體部以及一扣合部，該本體部之一側可轉動地連接於該二側板，該扣合部可轉動地連接於該本體部之另一側，該扣合部包含至少一第一扣合結構，該二側板之至少一者包含一第二扣合結構，該至少一第一扣合結構用以扣合於該第二扣合結構。
如請求項5所述之散熱裝置，其中該至少一第一扣合結構為扣合凹槽，該第二扣合結構為扣合凸柱，且該至少一第一扣合結構與該第二扣合結構凹凸匹配。
一種組裝支架，用以供熱耦合於一熱源之一散熱器裝設，該組裝支架包含：<br/> 一固定架，具有一鏤空部，該鏤空部用以供該熱源設置；一活動架，可轉動地連接於該固定架，而位於一打開位置或一關閉位置；至少一滑動件，可滑動地設置於該固定架；至少一連桿，位於該固定架與該活動架之一側，且該至少一連桿之相對兩端分別可轉動地連接於該至少一滑動件與該活動架；以及至少一受壓件，可滑動地穿過該固定架並設置於該至少一滑動件，且該至少一滑動件可相對該至少一受壓件滑動；其中，當該活動架自該打開位置轉動至該關閉位置時，該至少一滑動件透過該至少一連桿的帶動而下壓該至少一受壓件，使得該至少一受壓件用以下壓該散熱器，以令該散熱器緊密貼合於該熱源。
如請求項7所述之組裝支架，其中該固定架包含一底板以及二側板，該底板具有該鏤空部，該二側板連接於該底板之相對兩側，且該活動架可轉動地連接於該二側板。
如請求項8所述之組裝支架，其中該至少一受壓件包含一頭部以及一身部，該身部之一端連接於該頭部，該身部之相對另一端用以連接於該散熱器，該頭部的直徑大於該身部的直徑，該頭部抵壓於該至少一滑動件，該至少一滑動件包含一第一板部、一第二板部以及一彈片部，該第一板部與該第二板部相連，該第一板部可滑動地設置於該二側板之一者，且該至少一連桿可轉動地連接於該第一板部，該第二板部可滑動地設置於該底板，該第二板部包含一第一滑槽，該彈片部朝遠離該底板的方向凸出於該第二板部，該彈片部包含一第二滑槽，該第一滑槽與該第二滑槽相連通，該頭部位於該第一滑槽或該第二滑槽，當該活動架位於該關閉位置時，該頭部位於該第一滑槽，當該活動架自該打開位置轉動至該關閉位置時，該至少一滑動件相對該至少一受壓件滑動，以令該頭部位於該第二滑槽且該彈片部下壓該頭部，並用以透過該身部帶動該散熱器朝該熱源移動。
如請求項8所述之組裝支架，其中該活動架包含一本體部以及一扣合部，該本體部之一側可轉動地連接於該二側板，該扣合部可轉動地連接於該本體部之另一側，該扣合部包含至少一第一扣合結構，該二側板之至少一者包含一第二扣合結構，該至少一第一扣合結構用以扣合於該第二扣合結構。
一種顯示裝置，包括： <br/>一陣列基板，包括多條掃描線、多條資料線及多個畫素電極，其中該些掃描線與該些資料線互相交錯，該些畫素電極分別電性連接該些資料線； <br/>一對向基板，設置於該陣列基板上並包括一共同電極；以及 <br/>一液晶層，設置於該陣列基板與該對向基板之間，其中於一顯示期間，該顯示裝置具有一更新畫面區域及一維持畫面區域，其中位於該更新畫面區域的各該掃描線接收一掃描訊號，且該掃描訊號為一遞減電壓，其中位於該維持畫面區域的各該畫素電極與該共同電極的電壓差小於一液晶驅動電壓。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該液晶層包括膽固醇液晶。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該液晶驅動電壓不超過5伏特。
如請求項1所述之顯示裝置，其中位於該更新畫面區域的該些掃描線同時開啟且同時關閉。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該遞減電壓為一階梯式遞減電壓，該階梯式遞減電壓包括依序提供的一起始電壓、一中間電壓及一最終電壓，其中該起始電壓為各該掃描線的開啟電壓，該最終電壓為各該掃描線的關閉電壓，該中間電壓小於各該掃描線的開啟電壓且大於各該掃描線的關閉電壓。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該起始電壓與該中間電壓的差值小於或等於該中間電壓與該最終電壓的差值。
如請求項6所述之顯示裝置，其中該中間電壓包括依序提供的一第一中間電壓及一第二中間電壓，該起始電壓與該第一中間電壓的差值小於或等於該第二中間電壓與該最終電壓的差值。
一種驅動方法，適用於一顯示裝置，該顯示裝置包括一陣列基板、一對向基板及一液晶層，其中該陣列基板包括多條掃描線、多條資料線及多個畫素電極，該些掃描線與該些資料線互相交錯，該些畫素電極分別電性連接該些資料線，其中該對向基板設置於該陣列基板上並包括一共同電極，其中該液晶層設置於該陣列基板與對向基板之間，且該驅動方法包括： <br/>於一顯示期間，該顯示裝置具有一更新畫面區域及一維持畫面區域，其中位於該更新畫面區域的各該掃描線接收一掃描訊號，且該掃描訊號為一遞減電壓，其中位於該維持畫面區域的各該畫素電極與該共同電極的電壓差小於一液晶驅動電壓。
如請求項8所述之驅動方法，其中位於該更新畫面區域的該些掃描線同時開啟且同時關閉。
如請求項8所述之驅動方法，其中該遞減電壓為一階梯式遞減電壓，該階梯式遞減電壓包括依序提供的一起始電壓、一中間電壓及最終電壓，其中該起始電壓為各該掃描線的開啟電壓，該最終電壓為各該掃描線的關閉電壓，該中間電壓小於各該掃描線的開啟電壓且大於各該掃描線的關閉電壓。
一種具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜，其特徵係其壓電係數大於3 pm/V，電阻值小於10 Ω；其中，該導電氧化銦錫薄膜摻雜有元素，該元素係選自釩（V）、鈷（Co）、鎳（Ni）、及其等不同價數的形態所成群中之至少一種。
如請求項1所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜，進一步地，該導電氧化銦錫薄膜之壓電係數大於5 pm/V。
如請求項1所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜，進一步地，該導電氧化銦錫薄膜之電阻值小於8 Ω。
一種如請求項1至3中任一項所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜之製備方法，其特徵係使用低於100<sup>o</sup>C之低溫水熱法進行元素摻雜。
如請求項4所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜之製備方法，包含以下步驟： <br/>(1) 將金屬離子前驅物溶解於六亞甲基四胺水溶液中，調配出水熱溶液； <br/>(2) 將氧化銦錫薄膜與該水熱溶液放入一鐵氟龍瓶中； <br/>(3) 將該鐵氟龍瓶放入水熱釜並置於烘箱中，以小於100°C之溫度持溫15至60分鐘，取出冷卻。
如請求項5所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜之製備方法，其中，該金屬離子前驅物係選自NH<sub>4</sub>VO<sub>3</sub>、Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、Ni(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>及其等之水合物所成群中之至少一種。
如請求項5所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜之製備方法，其中，該低溫水熱法係以60°C之溫度持溫30分鐘。
如請求項5所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜之製備方法，其中，該金屬離子前驅物於該六亞甲基四胺水溶液之重量百分濃度為0.02 wt%至0.06 wt%。
一種電容，其特徵係使用如請求項1至3中任一項所述之具有壓電特性之導電氧化銦錫薄膜作為電極。
一種積體式量子隨機數發生器（200），其包括 <br/>光子源（120）及 <br/>單光子偵測器（130）， <br/><b>其特徵在於：</b><b> </b><br/>該光子源（120）及該單光子偵測器（130）沿垂直方向相疊佈置在由半導體材料構成之共用基板（110）中，其中共積體在該共用基板（110）的同一垂直佈局橫截面上進行。
如請求項1之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該光子源（120）為單光子源SPS，其適於僅同時提供單個或若干個光子（128）。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該光子源（120）為在低於或接近擊穿電壓之工作點上工作的發光突崩齊納二極體，其中，該發光突崩齊納二極體較佳具有＜10 V之擊穿電壓。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該單光子偵測器（130）為單光子突崩二極體SPAD。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該積體式量子隨機數發生器（200）採用BCD技術建構在BCD基板（110）中。
如請求項5之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該BCD基板（110）包括載體基板（10）以及生長在該載體基板（10）上的磊晶層（40），其中，在該載體基板（10）與該磊晶層（40）之間透過引入該磊晶層（40）下方的載體基板（10）之表面（S）中的摻雜劑的擴散，產生位於該磊晶層中的深p-n接面（50）。
如請求項6之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該單光子偵測器（130）在該深p-n接面（50）周圍之區域中形成突崩區並且包括用於將光子轉換為電子電洞對的吸收區（PW、NEPI），其中，該吸收區（PW、NEPI）緊鄰形成該深p-n接面（50）之區（NBL、PBL）。
如請求項7之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該深p-n接面（50）至少部分建構在作為陰極（132）的n型埋層（NBL）與緊鄰該n型埋層（NBL）的p型埋層（PBL）之間，該吸收區（PW、NEPI）緊鄰該p型埋層（PBL）並且實質上建構為p區，建構為p<sup>+</sup>區之陽極（134）緊鄰該吸收區（PW、NEPI）。
如請求項6之積體式量子隨機數發生器（200），其中，將建構在該單光子偵測器（130）之位於該磊晶層中的深p-n接面（50）下方的第二深p-n接面（52）用作用於監測外部攻擊之附加的光偵測器。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其中，在該積體式量子隨機數發生器（200）之區域中，該基板（110）的頂側及/或底側在表面（O）處進行鏡面塗裝或者包括阻光層（150）。
如請求項10之積體式量子隨機數發生器（200），其中，該基板（110）之表面（O）在該積體式量子隨機數發生器（200）之區域中覆蓋有矽化物層並且在上方覆蓋有金屬化層。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其中，透過金屬覆蓋物、側壁觸點及通孔中的至少一個元件之組合來防止透過該光子源（120）提供之光子（128）在該基板（110）的表面（O）及/或該基板（110）的背面上逸出。
如請求項1或2之積體式量子隨機數發生器（200），其亦包括用於對該單光子偵測器（130）之訊號的時序進行統計評估之電子電路。
如請求項13之積體式量子隨機數發生器（200），其亦包括用於基於對該單光子偵測器（130）之訊號的時序的統計評估生成並輸出數位隨機數序列的電子電路。
一種積體電子電路（500），其包括至少一個如請求項1至14中任一項之積體式量子隨機數發生器（200）。
一種自動注射器，包含： <br/>一本體，其容納包括一高壓流動區域和一低壓流動區域的一導管； <br/>一流體源，其建構為將加壓流體提供進入該導管； <br/>一容器，其流體地連接至該導管，該容器容納一藥物和一推液塞，其中該容器建構為當從該加壓流體向該推液塞施加壓力時將該藥物排出； <br/>一閥門，包括一高壓腔室、一低壓腔室、一閥門入口和一閥門出口，其中該閥門入口係流體地耦接至該導管和該高壓腔室，且其中該閥門建構為調節該加壓流體從該導管至該閥門出口之流動，其中在該加壓流體釋放至該導管中之後，該高壓腔室和該低壓腔室之間存在一壓力差；及 <br/>一流動路徑，其可從該本體延伸，並建構為將該藥物從該容器輸送至一病人。
如請求項1之自動注射器，其中該加壓流體係一氣體。
如請求項1之自動注射器，其中該藥物包括一單株抗體。
如請求項1之自動注射器，更包括包含多微孔材料或蜿蜒通道(serpentine channel)的一玻璃料。
如請求項4之自動注射器，更包括分開該高壓腔室和該低壓腔室的一隔板。
如請求項1之自動注射器，其中該容器排出該藥物的一方向係大約垂直於該流動路徑從該本體延伸之一方向。
如請求項1之自動注射器，其中該容器流體地連接至該導管的低壓流動區域，且該導管之高壓流動區域係流體地連接至該閥門入口。
如請求項1之自動注射器，其中該容器係可從一第一容器位置移動至一第二容器位置，且更包含一彈簧機構，該彈簧機構建構為當該容器處於該第二容器位置時從該本體延伸該流動路徑。
如請求項1之自動注射器，其中該閥門建構為在該容器排出該藥物的至少一部分之後允許該加壓流體從該導管流動至該閥門出口，且其中從加壓流體流至該閥門出口的壓力施加建構為致動該自動注射器之附加機構。
如請求項9之自動注射器，其中該附加機構係一流動路徑縮回機構。
如請求項10之自動注射器，其中該流動路徑縮回機構包括可藉由流經該閥門出口的加壓流體移動之一桿件，其中該桿件建構為造成該流動路徑於移動達一第一段距離之後縮回。
如請求項1之自動注射器，更包括： <br/>一柱塞，其設置在該閥門出口中，並可從一第一位置移動至一第二位置；及 <br/>一第二通道，其耦接至該流體源和該閥門出口，其中 <br/>當該柱塞處於該第一位置中時，該第二通道係藉由該柱塞而與該閥門出口密封；且 <br/>當該柱塞處於該第二位置中時，該第二通道係流體地連接至該閥門出口，使得加壓流體從該流體源流經該第二通道、和流經該閥門出口。
如請求項1之自動注射器，其中該閥門建構為在該容器排出藥物時防止該加壓流體從該導管流至該閥門出口。
一種自動注射器，包含： <br/>一導管； <br/>一流體源，其建構為將加壓流體提供進入該導管； <br/>一容器，其流體地連接至該導管，該容器容納一推液塞，其中當施加來自該加壓流體的壓力時，該推液塞可從一第一位置移動至一第二位置；及 <br/>一閥門，包括 <br/>一第一閥門入口，其將該導管之高壓流動區域流體地耦接至一第一閥門腔室； <br/>一第二閥門入口，其將該導管的低壓流動區域流體地耦接至一第二閥門腔室；及 <br/>一閥門出口， <br/>其中該閥門建構為調節該加壓流體從該導管之低壓流動區域至該閥門出口的流動。
如請求項14之自動注射器，其中該第一閥門腔室和該第二閥門腔室係藉由一隔板或一柱塞之一所分開。
如請求項15之自動注射器，其中該第一閥門腔室和該第二閥門腔室係藉由固持於一拉伸組構的一隔板所分開，且其中該隔板係藉由一夾具或一溝槽之至少一者固持在適當位置中。
如請求項14之自動注射器，其中該閥門建構為當該導管的低壓流動區域中之一流體壓力係於該導管的高壓流動區域中之一流體壓力的一閾值範圍內時，允許該加壓流體從該導管之低壓流動區域流動至該閥門出口。
如請求項14之自動注射器，其中該閥門出口係流體地連接至一流動路徑縮回機構，其建構為藉由流經該閥門出口的加壓流體所致動。
如請求項14之自動注射器，其中該閥門出口係流體地連接至一通風孔口。
一種用於風力渦輪機(2)之風力渦輪機葉片(1)，包含用於將該風力渦輪機葉片(1)附接至該風力渦輪機(2)的一風力渦輪機輪轂(4)之一葉片軸承的一根部區段(3)、一尖端區段(5)、介於該根部區段(3)與該尖端區段(5)之間的一中間區段(6)、及附接至該根部區段(3)之一軸承蓋(7)，該軸承蓋(7)用於在該風力渦輪機葉片(1)與該風力渦輪機輪轂(4)的一組裝狀態下屏蔽該風力渦輪機輪轂(4)與該風力渦輪機葉片(1)之間的一間隙，其特徵在於<br/> 該軸承蓋(7)係藉由一第一黏著劑之一黏著層固定至該風力渦輪機葉片(1)。
如請求項1之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該風力渦輪機葉片(1)包含藉由一第二黏著劑固定至該風力渦輪機葉片(1)的複數個螺栓(8)，其中該等螺栓(8)突出進入該軸承蓋(7)之數個穿通孔(9)。
如請求項2之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該軸承蓋(7)的該等穿通孔(9)被構造為數個槽孔。
如請求項2之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該風力渦輪機葉片(1)包含複數個三維形狀，其中該三維形狀可被構造成凹部或突起部，該等螺栓(8)的數個螺栓頭係佈置在該等三維形狀上或該等三維形狀中。
如請求項4之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該等螺栓頭及凹部具有一扁平表面。
如請求項2之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該第二黏著劑是一種快速固化的黏著劑。
如請求項2之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 用第三黏著劑填充該等穿通孔(9)。
如請求項1至7中任一項之風力渦輪機葉片(1)，其中<br/> 該第一黏著劑的該黏著層具有一定厚度及可撓性，以於該風力渦輪機葉片(1)之搬運、儲存及操作期間補償該風力渦輪機葉片(1)的橢圓化。
一種製造風力渦輪機葉片(1)之方法，包含：<br/> 提供具有一根部區段(3)、一中間區段(6)及一尖端區段(5)的一風力渦輪機葉片(1)；<br/> 用一第二黏著劑將複數個螺栓(8)藉由它們之螺栓頭固定至該根部區段(3)；<br/> 將具有數個穿通孔(9)的一軸承蓋(7)佈置在該風力渦輪機葉片(1)，使得該等螺栓(8)經過該等穿通孔(9)突出；<br/> 藉由在該等螺栓(8)擰緊一螺帽(10)，將該軸承蓋(7)初步固定至該風力渦輪機葉片(1)；<br/> 於該軸承蓋(7)與該風力渦輪機葉片(1)之間施加第一黏著劑的黏著層；及<br/> 將該第一黏著劑固化。
如請求項9之方法，其中<br/> 該等螺帽(10)係在施加該黏著層之後移除。
如請求項9之方法，其中<br/> 該等螺栓(8)由該等穿通孔(9)突出的一部分係於施加該黏著層之後移除。
如請求項11之方法，其中<br/> 用第三黏著劑填充該等穿通孔(9)。
如請求項9至12中任一項之方法，其中<br/> 複數個凹部被製造進入該風力渦輪機葉片(1)，其中該等螺栓頭係佈置在該等凹部中，並藉由該第二黏著劑固定至該等凹部。
如請求項9至12中任一項之方法，其中<br/> 將該第一黏著劑注入該根部區段(3)與該軸承蓋(7)之間的間隙(11)。
一種風力渦輪機(2)，包含一塔架(12)、一機艙(13)及一風力渦輪機輪轂(4)，其中<br/> 如請求項1至8中任一項之風力渦輪機葉片(1)係附接至該風力渦輪機輪轂(4)。
一種X射線攝影系統，具有： <br/>X射線源，設置成至少能夠在水平方向上移動； <br/>X射線照相機，設置成至少能夠在水平方向上移動； <br/>工件保持部，保持攝影對象物且設置成能夠在水平方向以及鉛垂方向上移動；以及 <br/>控制單元，至少對所述X射線源、所述X射線照相機、以及所述工件保持部的移動進行控制， <br/>所述控制單元 <br/>對所述X射線源以及所述X射線照相機進行控制，以使其分別在與基於所述X射線照相機的攝影圖像的解析度對應的一定的軌道上回旋，且使其至少在所述攝影對象物中相同攝像解析度的攝影對象部位的全部攝影結束之前的期間，始終在所述軌道上持續回旋， <br/>對所述工件保持部進行控制，以使所述攝影對象部位配置於由所述X射線源以及所述X射線照相機進行攝影的位置，且對所述X射線照相機進行控制，以使其在所述攝影對象部位配置於由所述X射線源以及所述X射線照相機進行攝影的位置時，一邊持續回旋動作一邊取入規定張數透過圖像。
如請求項1所述的X射線攝影系統，其中， <br/>所述X射線源在鉛垂方向上隔著所述工件保持部配置於較所述X射線照相機更靠上方處。
如請求項1所述的X射線攝影系統，其具有：搬入口，用於將所述攝影對象物搬入至裝置內；以及搬出口，用於將所述攝影對象物搬出至裝置外， <br/>所述控制單元 <br/>使所述工件保持部向所述搬入口以及所述搬出口移動。
如請求項1所述的X射線攝影系統，其中， <br/>所述X射線源以及所述X射線照相機構成為亦能夠在鉛垂方向上移動， <br/>所述控制單元 <br/>對所述X射線源、所述X射線照相機、以及所述工件保持部的位置關係進行控制，以使在所述X射線照相機的攝影時，所述攝影對象物與所述X射線源的距離與所述攝影對象物的形狀無關而為一定。
如請求項1所述的X射線攝影系統，其中， <br/>所述X射線源的所述軌道的直徑為所述X射線照相機的所述軌道的直徑的十分之一以下。
如請求項1至5中任一項所述的X射線攝影系統，其中， <br/>所述攝影圖像的解析度為每1畫素小於10 μm。
一種X射線檢查裝置，具有： <br/>X射線源，設置成至少能夠在水平方向上移動； <br/>X射線照相機，設置成至少能夠在水平方向上移動； <br/>工件保持部，保持檢查對象物且設置成能夠在水平方向以及鉛垂方向上移動； <br/>控制單元，至少對所述X射線源、所述X射線照相機、以及所述工件保持部的移動進行控制；以及 <br/>檢查單元，使用所述X射線照相機攝影的X射線圖像資料，對所述檢查對象物是否良好進行判定， <br/>所述控制單元 <br/>對所述X射線源以及所述X射線照相機進行控制，以使其分別在與基於所述X射線照相機的攝影圖像的解析度對應的一定的軌道上回旋，且使其至少在所述檢查對象物中相同攝像解析度的攝影對象部位的全部攝影結束之前的期間，始終在所述軌道上持續回旋， <br/>對所述工件保持部進行控制，以使所述攝影對象部位配置於由所述X射線源以及所述X射線照相機進行攝影的位置，且對所述X射線照相機進行控制，以使其在所述攝影對象部位配置於由所述X射線源以及所述X射線照相機進行攝影的位置時，一邊持續回旋動作一邊取入規定張數透過圖像。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> 將一含硼及鹵素前驅物、一含氧前驅物及一含鹵素前驅物提供至一半導體製程腔室的一處理區域，其中一基板容置於該處理區域中，其中一含金屬硬遮罩材料層設置於該基板上，其中一含矽材料層設置於該含金屬硬遮罩材料層上，且其中該含鹵素前驅物相對於該含硼及鹵素前驅物之一流速比為大於或約50:1；<br/> 形成該含硼及鹵素前驅物、該含氧前驅物及該含鹵素前驅物的電漿流出物；以及<br/> 使該基板接觸該含硼及鹵素前驅物、該含氧前驅物及該含鹵素前驅物的該等電漿流出物，其中該接觸蝕刻該含金屬硬遮罩材料層中之一特徵，且其中該接觸於該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的側壁上形成一鈍化材料層。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含硼及鹵素前驅物包含三氯化硼(BCl<sub>3</sub>)。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含氧前驅物包含二原子氧(O<sub>2</sub>)。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含金屬硬遮罩材料層包含鎢。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含鹵素前驅物包含：二原子氯(Cl<sub>2</sub>)、溴化氫(HBr)或二者。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含金屬硬遮罩材料層的特徵在於：大於或約40原子%的金屬含量。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含矽材料層包含氧化矽。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該鈍化材料層包含一含硼及氧材料。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的特徵在於：小於或約20 nm的臨界尺寸。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該半導體製程腔室操作溫度為大於或約20 °C。
如請求項1所述之半導體處理方法，其中該含硼及鹵素前驅物及該含氧前驅物不含矽。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> i) 將一含硼及鹵素前驅物及一或多種含鹵素前驅物提供至一半導體製程腔室的一處理區域，其中一基板容置於該處理區域中，其中一含金屬硬遮罩材料層設置於該基板上，其中一含矽材料層設置於該含金屬硬遮罩材料層上，且其中該一或多種含鹵素前驅物相對於該含硼及鹵素前驅物之一流速比為大於或約50:1；<br/> ii) 形成該含硼及鹵素前驅物及該一或多種含鹵素前驅物的電漿流出物；<br/> iii) 使該基板與該含硼及鹵素前驅物及該一或多種含鹵素前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸蝕刻該含金屬硬遮罩材料層中之一特徵；<br/> iv) 將一含氧前驅物提供至該半導體製程腔室的該處理區域；以及<br/> v) 使該基板與該含氧前驅物接觸，其中該接觸氧化該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的側壁的一部分。
如請求項12所述之半導體處理方法，其中就一第二循環重複操作i)至v)。
如請求項13所述之半導體處理方法，其中在該第二循環中重複操作iii)，在該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的該等側壁上形成一鈍化材料層。
一種半導體處理方法，包含以下步驟：<br/> 將一含硼及鹵素前驅物及一含鹵素前驅物提供至一半導體製程腔室的一處理區域，其中一基板容置於該處理區域中，其中一含金屬硬遮罩材料層設置於該基板上，其中一經圖案化含矽材料層設置於該含金屬硬遮罩材料層上，且其中該含鹵素前驅物相對於該含硼及鹵素前驅物之一流速比為大於或約50:1；<br/> 形成該含硼及鹵素前驅物及該含鹵素前驅物的電漿流出物；<br/> 使該基板與該含硼及鹵素前驅物及該含鹵素前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸蝕刻該含金屬硬遮罩材料層中之一特徵的一第一部分；<br/> 將一含氧前驅物提供至該半導體製程腔室的該處理區域；<br/> 使該基板與該含氧前驅物接觸，其中該接觸氧化該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的側壁；<br/> 將該含硼及鹵素前驅物及該含鹵素前驅物提供至該半導體製程腔室的該處理區域；<br/> 形成該含硼及鹵素前驅物及該含鹵素前驅物的電漿流出物；以及<br/> 使該基板與該含硼及鹵素前驅物及該含鹵素前驅物的該等電漿流出物接觸，其中該接觸蝕刻該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的一第二部分，且其中該接觸於該含金屬硬遮罩材料層中之該特徵的側壁上形成一鈍化材料層。
如請求項15所述之半導體處理方法，其中該含硼及鹵素前驅物包含三氯化硼(BCl<sub>3</sub>)。
如請求項15所述之半導體處理方法，進一步包含以下步驟：<br/> 形成該含氧前驅物的電漿流出物。
一種兒童安全座椅，其包含有： <br/>一底座； <br/>一座體，其係安裝於該底座，該座體係用來於一前向使用位置以及一後向使用位置之間進行切換； <br/>一鎖定裝置，其係設置於該座體； <br/>至少一配鎖部，其係設置該底座，當該座體位於該前向使用位置或該後向使用位置時，該鎖定裝置卡合於該至少一配鎖部；以及 <br/>一操作件，其係設置於該座體或該底座，該操作件係與該鎖定裝置連動設置，該操作件係用來被操作以帶動該鎖定裝置與該至少一配鎖部脫離卡合，以使該座體可於該前向使用位置以及該後向使用位置之間進行切換； <br/>其中，該兒童安全座椅另包含有一轉盤結構和一凹槽結構，該轉盤結構係安裝於該座體之底部，該凹槽結構係安裝於該底座之頂部，該座體藉由該轉盤結構與該凹槽結構之配合可樞轉地安裝於該底座； <br/>其中，該轉盤結構設置於該凹槽結構內，該鎖定裝置係設置於該轉盤結構。
如請求項1所述之兒童安全座椅，其中，該鎖定裝置包含有一鎖定件，該鎖定件的延伸方向與該轉盤結構的長軸方向平行。
如請求項1所述之兒童安全座椅，其中，該鎖定裝置包含有一鎖定件以及一固定座，該固定座形成有一滑移腔，該鎖定件滑動地設置於該滑移腔內且係呈可伸縮的設置，該操作件與該鎖定件連動設置。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其中該鎖定件的伸縮方向與該轉盤結構的長軸方向平行。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其中該固定座在該滑移腔內形成有一第一阻擋結構以及一第二阻擋結構，該鎖定件之位於該第一阻擋結構與該第二阻擋結構之間之一部分的一外緣向外凸出形成有一配擋結構，該第二阻擋結構為自該固定座向該鎖定件凸出於該滑移腔之一腔壁之一凸起結構。
如請求項1所述之兒童安全座椅，其中該座體係以可繞一樞轉軸樞轉的方式連接於該底座，該至少一配鎖部包含有兩配鎖部，該兩配鎖部相對於該樞轉軸沿一徑向呈相對設置。
如請求項6所述之兒童安全座椅，其中該兩配鎖部的其中一者設置於該底座的一正前部，該兩配鎖部的其中另一者設置於該座體的一正後部，且該鎖定裝置設置於該座體的一正前部或一正後部。
如請求項2所述之兒童安全座椅，其中當該鎖定件向外伸出而與該至少一配鎖部卡合時，該座體被鎖定，且當該操作件帶動該鎖定件向內縮回而與該至少一配鎖部脫離卡合時，該座體被釋鎖。
如請求項8所述之兒童安全座椅，其中該至少一配鎖部為一槽孔結構，該鎖定件係以插設方式與該至少一配鎖部卡合。
如請求項2所述之兒童安全座椅，其另包含有一牽引件，該牽引件設置於該操作件與該鎖定件之間，該牽引件之一第一端安裝於該操作件，且該牽引件之一第二端安裝於該鎖定件。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其另包含有一彈性結構，該彈性結構設置於滑移腔內並套設於該鎖定件，且該彈性結構設置於該鎖定件與該固定座之間，以用來允許該鎖定件進行伸縮運動。
如請求項11所述之兒童安全座椅，其中，該固定座另形成有與該滑移腔連通之一第一洞口，該座體與該底座的該其中一者形成有與該第一洞口對接連通之一第二洞口，且該彈性結構設置於該鎖定件與該固定座之間且用以帶動該鎖定件向外伸出該第二洞口。
如請求項12所述之兒童安全座椅，其中該操作件帶動該鎖定件向內縮回於該第二洞口內，以與該至少一配鎖部脫離卡合。
如請求項3所述之兒童安全座椅，其中該固定座在該滑移腔內形成有一第一阻擋結構以及一第二阻擋結構，該第一阻擋結構和/或該第二阻擋結構向該鎖定件凸出，以限制該鎖定件的滑動行程。
如請求項14所述之兒童安全座椅，其中該鎖定件之位於該第一阻擋結構與該第二阻擋結構之間之一部分的一外緣向外凸出形成有一配擋結構；其中，該兒童安全座椅進一步包含一彈性結構，該彈性結構的兩端分別抵接該配擋結構與該第二阻擋結構，及/或該第一阻擋結構為一階梯狀結構，且該配擋結構為一環狀結構。
一種太陽光雙面發電模組設置台，其係太陽光發電模組設置台；其特徵在於，具備有： <br/>基軌，其被配置於大樓樓頂面； <br/>複數個太陽光雙面發電模組，其被傾斜配置於上述基軌上；及 <br/>前罩板構件、後罩板構件、左側罩板構件、右側罩板構件，其等由透明材料所構成且被配置於上述太陽光發電模組設置台的側面。
如請求項1之太陽光雙面發電模組設置台，其中， <br/>上述前罩板構件、上述後罩板構件、上述左側罩板構件、上述右側罩板構件由透明材料所構成，且其等係透明壓克力板、或者由金屬或樹脂的框材所包圍之透明壓克力板，上述透明材料包含透射太陽光之不透明材料。
如請求項1之太陽光雙面發電模組設置台，其中， <br/>上述前罩板構件、上述後罩板構件、上述左側罩板構件、上述右側罩板構件由透明材料所構成，且其等的全側面係透明或一部分係局部透明。
如請求項1之太陽光雙面發電模組設置台，其中， <br/>在上述太陽光雙面發電模組設置台的內側部正下方之上述大樓樓頂面，被配置有太陽光反射材料，該太陽光反射材料的面積係與來自全側面係透明或一部分係局部透明之上述前罩板構件、上述後罩板構件、上述左側罩板構件、上述右側罩板構件之太陽光的入射面積相對應之面積、或者係上述太陽光雙面發電模組設置台下方的全部面積。
如請求項4之太陽光雙面發電模組設置台，其中， <br/>被配置於上述太陽光雙面發電模組設置台的內側部正下方之上述太陽光反射材料，係全反射材料或不規則反射材料。
如請求項1之太陽光雙面發電模組設置台，其中具備有： <br/>複數個太陽光發電板貼附區域，其被傾斜配置於上述基軌上； <br/>薄膜太陽光發電板，其被黏著配置於上述太陽光發電板貼附區域；及 <br/>遍及全周之罩板構件，其頂面覆蓋被黏著配置之上述薄膜太陽光發電板的邊緣部，具有側剖面以Z字形剖面形狀朝下方伸展之傾斜，且底面隔著緩衝材密貼於上述大樓樓頂面以防止風吹入內部。
一種太陽光雙面發電模組設置台，其特徵在於，具備有： <br/>底部基座板，其被配置於ISO規格貨櫃的頂板上且具有相同尺寸；及 <br/>一個或2個以上的太陽光雙面發電模組，其被配置於上述底部基座板上； <br/>覆蓋上述太陽光雙面發電模組的端部之側部罩板係透明材料。
如請求項7之太陽光雙面發電模組設置台，其中具備有： <br/>橫向支撐管及縱向管，其等於上述底部基座板上被配置有複數個； <br/>複數個太陽光發電板，其被黏著配置於上述橫向支撐管及上述縱向管；及 <br/>罩板，其覆蓋上述太陽光發電板的端部，且覆蓋至上述底部基座板的下端。
一種形成用於一線繞式熱交換器之一管束之方法，其中該管束包含多個管層，各層包含至少一個管，並且該方法包含： <br/>步驟(a) 提供沿著一心軸縱向軸線延伸之一心軸； <br/>步驟(b) 藉由圍繞該心軸纏繞該至少一個管中之至少一者來形成一第一管層，該至少一個管具有一管高度； <br/>步驟(c) 將複數個第一層支撐件及複數個第一層間隔件放置在該第一管層之一外管表面上，該等第一層支撐件中之各者具有一支撐件縱向軸線、與該外管表面接觸之一內支撐表面、及位於該內支撐表面遠側之一外表面，該複數個第一層間隔件中之各者具有一間隔件高度； <br/>步驟(d) 藉由圍繞該心軸、該第一管層、及該複數個第一層支撐件纏繞該至少一個管中之至少一者來形成一第二管層；及 <br/>步驟(e) 在法向於該複數個第一層支撐件中之各者之外支撐表面之一方向上向該第二管層施加至少一個變形力，該至少一個變形力足以引起形成該第二管層之該至少一個管使該複數個第一層支撐件中之各者之該外支撐表面及該內支撐表面中之至少一者變形，而不會使形成該第二管層之該至少一個管變形。
如請求項1之方法，其中該第一管層與該第二管層之間之一徑向層間距在執行該步驟(e)之前大於該間隔件高度S，並且在執行該步驟(e)之後等於該間隔件高度。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>步驟(f) 在執行該步驟(b)之前，將複數個心軸層支撐件放置在該心軸上，使得該等心軸層支撐件定位於該心軸與該第一管層之間。
如請求項1之方法，其中該變形力之施加將該複數個第一層支撐件中之至少一者之該外支撐表面或該內支撐表面中之至少一者從一初始接觸位置移動到一凹陷位置，並且其中該初始接觸位置與該凹陷位置之間之距離係該管高度之至少5%。
如請求項4之方法，其中該距離係小於該管高度之50%。
如請求項1之方法，其中該步驟(e)之該變形力係在該步驟(d)期間向該第二管層施加張力之結果。
如請求項1之方法，其中該步驟(e)之該變形力之至少一部分由一外部裝置施加，該外部裝置在該步驟(d)之執行期間或之後經過該第二管層。
如請求項1之方法，其中該步驟(b)進一步包含圍繞該心軸以相對於該心軸縱向軸線之一第一纏繞角度纏繞該至少一個第一層管，並且該步驟(d)進一步包含以相對於該心軸縱向軸線之一第二纏繞角度纏繞該至少一個第二層管。
如請求項1之方法，其中該至少一個管中之各者具有一管徑向壓碎強度，並且該複數個第一層支撐件中之各者具有一支撐件外層，該支撐件外層具有小於該管徑向壓碎強度之一支撐件外層徑向壓碎強度。
如請求項8之方法，其中在該步驟(b)之執行期間，該複數個第一層支撐件中之各支撐件之該外支撐表面經調適以經由該變形力而變形，以形成以對應於該第一纏繞角度或該第二纏繞角度之角度定向之一管座。
如請求項1之方法，其中該複數個第一層支撐件中之各者包含一不可變形間隔件部分，該不可變形間隔件部分在該步驟(e)之執行期間實質上不變形。
如請求項1之方法，其中該步驟(b)進一步包含在該第一管層之該外管表面上以周向交替佈置之方式來佈置該複數個第一層支撐件及該複數個第一層間隔件。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>步驟(g) 在執行該步驟(d)之前，向該複數個第一層支撐件中之各者施加一預纏繞力，該預纏繞力導致該複數個第一層支撐件中之各者僅在該內支撐表面上變形。
如請求項1之方法，其進一步包含藉由對該管束中之各附加管層重複該步驟(c)至該步驟(e)，在該管束中形成一或多個附加管層。
如請求項1之方法，其中在該步驟(c)中放置之該複數個第一層支撐件中之各者亦係該複數個第一層間隔件中之一者。
如請求項15之方法，其中該複數個第一層支撐件中之各者包含一內層及至少一個外層，該內層具有大於該至少一個外層中之各者之外層最大徑向壓碎強度之一最大內層徑向壓碎強度。
一種形成用於一線繞式熱交換器之一管束之方法，其中該管束包含多個管層，各層包含至少一個管，並且該方法包含： <br/>步驟(a) 提供沿著一心軸縱向軸線延伸之一心軸； <br/>步驟(b) 藉由圍繞該心軸纏繞該至少一個管中之至少一者來形成一第一管層，該至少一個管具有一管高度； <br/>步驟(c) 將複數個第一層支撐件及複數個第一層間隔件以周向交替佈置之方式放置在該第一管層之一外管表面上，該複數個第一層支撐件中之各者具有一未變形的支撐件高度 ，並且該複數個第一層間隔件中之各者具有一間隔件高度 ； <br/>步驟(d) 藉由圍繞該心軸、該第一管層、及該複數個第一層支撐件纏繞該至少一個管中之至少一者來形成一第二管層；及 <br/>步驟(e) 向該第二管層施加至少一個變形力，該至少一個變形力足以使該複數個第一層支撐件中之各者變形而不使形成該第二管層之該至少一個管變形； <br/>其中該第一管層及該第二管層在執行該步驟(e)之前在該複數個第一層支撐件中之各者處具有一初始層間距，並且在執行該步驟(e)之後在該複數個第一層支撐件中之各者處具有一最終層間距，該最終層間距小於該初始層間距。
如請求項17之方法，其中該複數個第一層支撐件中之各支撐件包含複數個單獨的支撐結構，使得該複數個第一層支撐件中之各支撐件沿著該管束之軸向方向係不連續的。
如請求項17之方法，其中該最終層間距實質上等於該間隔件高度。
如請求項17之方法，其中該初始層間距實質上等於該未變形的支撐件高度。
一種高流量氣嘴，包括：<br/> 一管件，包括一通道、一擋肩及一頸縮部，該通道包括位於該擋肩相對二側的第一通道及一第二通道，該頸縮部位於該第二通道中且徑向朝內延伸；<br/> 一閥芯，容設於該通道中，包括一管身及一連接該管身的端部，該管身圍構一軸孔且設有至少一連通該軸孔之側孔，該軸孔一端開放，該管身插入該第一通道，該軸孔的徑向尺寸大於該管身的壁厚，各該側孔的孔徑大於該管身的壁厚；<br/> 一密封件，設於該閥芯外側且位於該第二通道中，該密封件的外徑大於該第一通道的徑向尺寸；<br/> 一擋件，自該第二通道中可回復地擠壓通過該頸縮部且軸向抵擋於該頸縮部；及<br/> 一彈性件，抵接於該閥芯的端部與該擋件之間，頂推該閥芯使得該密封件可釋放地密封於該擋肩。
如請求項1所述的高流量氣嘴，其中該閥芯的端部包括一第一軸凸，該彈性件套設於該第一軸凸，該第一軸凸包括一第一周向凹溝，該彈性件的一部分嵌設於該第一周向凹溝中，該擋件包括一第二軸凸，該彈性件套設於該第二軸凸，該第二軸凸包括一第二周向凹溝，該彈性件的一部分嵌設於該第二周向凹溝中。
如請求項1所述的高流量氣嘴，其中該擋件包括一基部及至少一臂部，該至少一臂部連接於該基部，該至少一臂部軸向抵擋於該頸縮部。
如請求項3所述的高流量氣嘴，其中各該臂部包括一徑向延伸段及一周向延伸段，該徑向延伸段連接於該基部與該周向延伸段之間。
如請求項4所述的高流量氣嘴，其中該基部及該周向延伸段軸向凸出於該徑向延伸段的相同側。
如請求項5所述的高流量氣嘴，其中該擋肩及該頸縮部一體成型於該管件；該閥芯的外表面完全未設有螺紋；該閥芯的端部包括一第一軸凸，該彈性件套設於該第一軸凸，該第一軸凸包括一第一周向凹溝，該彈性件的一部分嵌設於該第一周向凹溝中，該擋件包括一第二軸凸，該彈性件套設於該第二軸凸，該第二軸凸包括一第二周向凹溝，該彈性件的一部分嵌設於該第二周向凹溝中；該擋件包括二臂部，該二臂部連接於該基部的徑向相對二側；該二臂部的周向延伸段反向延伸；該徑向延伸段包括一凹槽，該凹槽沿著該基部周向延伸，該彈性件的一部分容設於該凹槽中；該基部包括該第二軸凸，該第二周向凹溝與該凹槽連通；該頸縮部包括一斜擋面，各該臂部另包括一斜抵面，該斜抵面延伸於該徑向延伸段及該周向延伸段，該斜抵面貼抵於該斜擋面。
如請求項3至6任一項所述的高流量氣嘴，其中該至少一臂部為可彈性回復的結構，該至少一臂部可徑向變形以越過該頸縮部後徑向彈張而被卡擋於該頸縮部的一側。
如請求項1至6任一項所述的高流量氣嘴，另包括一蓋件，該蓋件可拆卸地蓋設於該管件的一端，該蓋件包括一蓋體及一插件，該蓋體設有一與該通道氣體連通的穿孔，該插件可軸向移動地穿設於該穿孔且與該穿孔的孔壁之間存在至少一間隙，該插件與該閥芯未密封地抵接，移動該插件可驅使該閥芯移動而使該密封件遠離該擋肩。
如請求項8所述的高流量氣嘴，其中該穿孔為朝外漸擴，該插件包括一操作端部、一抵動端部及一連接於該操作端部與該抵動端部之間的身部，該操作端部及該抵動端部位於該穿孔的相對二側，該身部穿設於該穿孔，該抵動端部包括至少一第一氣槽，該身部包括至少一第二氣槽，該至少一第二氣槽延伸通過該穿孔，該抵動端部與該閥芯抵接且該至少一第一氣槽與該通道氣體連通。
如請求項9所述的高流量氣嘴，其中該至少一第一氣槽與該至少一第二氣槽之間連續地氣體連通。
一種展頻控制電路，用以產生基於一切換頻率切換的一脈寬調變訊號，以控制一切換式電源轉換電路，其中該切換式電源轉換電路包括一功率級電路，該功率級電路包括彼此耦接的一電感器及至少一功率開關，且用以根據該脈寬調變訊號切換該至少一功率開關，以轉換一輸入電壓而產生一輸出電壓；該展頻控制電路包含：<br/> 一展頻調整電路，用以根據該切換式電源轉換電路之一操作參數與至少一閾值之比較而產生一展頻調整訊號，藉此控制該切換頻率具有一展頻操作；以及<br/> 一脈寬調變電路，用以根據該展頻調整訊號而適應性調整該切換頻率之一展頻變動範圍，使得該展頻變動範圍隨著該操作參數之變動而適應性調整，藉此產生具有該展頻操作之該脈寬調變訊號；<br/> 其中該操作參數包括：一電感電流相關訊號、該切換頻率及/或該輸入電壓與該輸出電壓之關係，其中該電感電流相關訊號相關於流經該電感器之一電感電流；<br/> 其中該展頻調整電路之操作更包括以下至少之一：<br/> 根據該切換頻率與一第一操作參數閾值之比較，以決定該展頻變動範圍之一初始值；<br/> 根據該輸入電壓與該輸出電壓之關係與一第二操作參數閾值之比較，以調整該展頻變動範圍；及/或<br/> 根據該電感電流相關訊號與一第三操作參數閾值之比較，以調整該展頻變動範圍。
如請求項1所述之展頻控制電路，更包含：<br/> 一振盪器，用以產生一基礎時脈訊號；以及<br/> 一展頻調變電路，用以根據該基礎時脈訊號以及該展頻調整訊號，產生具有該展頻操作之一展頻時脈訊號；<br/> 其中該脈寬調變電路更用以根據該展頻時脈訊號產生具有該展頻操作之該脈寬調變訊號。
如請求項1所述之展頻控制電路，其中該至少一功率開關包括一第一開關及一第二開關，其中該電感電流相關訊號包括流經該第一開關之一第一開關電流及/或流經該第二開關之一第二開關電流。
如請求項1所述之展頻控制電路，其中該輸入電壓與該輸出電壓之關係包括以下至少之一：<br/> 該輸入電壓對該輸出電壓之比值；或者<br/> 該輸出電壓對該輸入電壓之比值。
如請求項1所述之展頻控制電路，其中該展頻變動範圍正相關於該電感電流相關訊號、該切換頻率，及/或相關於該輸入電壓與該輸出電壓之關係。
如請求項5所述之展頻控制電路，其中該功率級電路配置為一降壓型(Buck)功率級電路，其中該展頻變動範圍正相關於該輸入電壓對該輸出電壓之比值。
如請求項1所述之展頻控制電路，其中該展頻調整電路之操作更包括以下至少之一：<br/> 當該切換頻率大於一頻率閾值時，設置該展頻變動範圍為一第一初始值，反之則設置該展頻變動範圍為一第二初始值；<br/> 當該輸入電壓與該輸出電壓之比值超過一比值閾值時，將該展頻變動範圍疊加一第一調整值，反之則將該展頻變動範圍疊加一第二調整值；及/或<br/> 當該電感電流相關訊號之位準超過一電流位準閾值時，將該展頻變動範圍疊加一第三調整值，反之則將該展頻變動範圍疊加一第四調整值；<br/> 其中該第一初始值大於該第二初始值，該第一調整值大於該第二調整值，及/或，該第三調整值大於該第四調整值。
如請求項7所述之展頻控制電路，其中該第一調整值等於該第三調整值，該第二調整值為0以維持該展頻變動範圍，及/或，該第四調整值為0以維持該展頻變動範圍。
一種展頻控制方法，用以產生基於一切換頻率切換的一脈寬調變訊號，以控制一切換式電源轉換電路，其中該切換式電源轉換電路包括一功率級電路，該功率級電路包括彼此耦接的一電感器及至少一功率開關，且用以根據該脈寬調變訊號切換該至少一功率開關，以轉換一輸入電壓而產生一輸出電壓；該展頻控制方法包含：<br/> 獲取該切換式電源轉換電路之一操作參數；<br/> 根據該操作參數與至少一閾值之比較而產生一展頻調整訊號；<br/> 根據該展頻調整訊號控制該切換頻率具有一展頻操作；以及<br/> 根據該展頻調整訊號而適應性調整該切換頻率之一展頻變動範圍，使得該展頻變動範圍隨著該操作參數之變動而適應性調整，藉此產生具有該展頻操作之該脈寬調變訊號；<br/> 其中該操作參數包括：一電感電流相關訊號、該切換頻率及/或該輸入電壓與該輸出電壓之關係，其中該電感電流相關訊號相關於流經該電感器之一電感電流；<br/> 其中調整該展頻變動範圍之步驟包括以下至少之一：<br/> 根據該切換頻率與一第一操作參數閾值之比較，以決定該展頻變動範圍之一初始值；<br/> 根據該輸入電壓與該輸出電壓之關係與一第二操作參數閾值之比較，以調整該展頻變動範圍；及/或<br/> 根據該電感電流相關訊號與一第三操作參數閾值之比較，以調整該展頻變動範圍。
如請求項9所述之展頻控制方法，更包含：<br/> 產生一基礎時脈訊號；以及<br/> 根據該基礎時脈訊號以及該展頻調整訊號，產生具有該展頻操作之一展頻時脈訊號；<br/> 其中產生具有該展頻操作之該脈寬調變訊號之步驟包括：<br/> 根據該展頻時脈訊號產生具有該展頻操作之該脈寬調變訊號。
如請求項9所述之展頻控制方法，其中該至少一功率開關包括一第一開關及一第二開關，其中該電感電流相關訊號包括流經該第一開關之一第一開關電流及/或流經該第二開關之一第二開關電流。
如請求項9所述之展頻控制方法，其中該輸入電壓與該輸出電壓之關係包括以下至少之一：<br/> 該輸入電壓對該輸出電壓之比值；<br/> 該輸出電壓對該輸入電壓之比值。
如請求項9所述之展頻控制方法，其中該展頻變動範圍正相關於該電感電流相關訊號、該切換頻率，及/或相關於該輸入電壓與該輸出電壓之關係。
如請求項13所述之展頻控制方法，其中該功率級電路配置為一降壓型(Buck)功率級電路，其中該展頻變動範圍相關於該輸出電壓與該輸入電壓之比值。
如請求項9所述之展頻控制方法，其中調整該展頻變動範圍之步驟包括以下至少之一：<br/> 當該切換頻率大於一頻率閾值時，設置該展頻變動範圍為一第一初始值，反之則設置該展頻變動範圍為一第二初始值；<br/> 當該輸入電壓與該輸出電壓之比值超過一比值閾值時，將該展頻變動範圍疊加一第一調整值，反之則將該展頻變動範圍疊加一第二調整值；及/或<br/> 當該電感電流相關訊號之位準超過一電流位準閾值時，將該展頻變動範圍疊加一第三調整值，反之則將該展頻變動範圍疊加一第四調整值；<br/> 其中該第一初始值大於該第二初始值，該第一調整值大於該第二調整值，及/或，該第三調整值大於該第四調整值。
如請求項15所述之展頻控制方法，其中該第一調整值等於該第三調整值，該第二調整值為0以維持該展頻變動範圍，及/或，該第四調整值為0以維持該展頻變動範圍。
一種氣瓶儲存裝置，包括： <br/>一儲存器，安裝在一存放室中，用以儲存充滿氣體的一氣瓶以及使用後的一空的氣瓶； <br/>一氣瓶載台，安裝在該儲存器的一下表面上，並且該些氣瓶放置在該氣瓶載台上； <br/>夾緊單元，用於夾緊和旋轉儲存在該儲存器中的該些氣瓶；以及 <br/>一安全蓋緊固裝置，安裝在該儲存器的一上部，並可在水平方向上移動，以自動分離並儲存該氣瓶的一安全蓋，或自動將儲存的該安全蓋緊固到該空的氣瓶上， <br/>其中，該安全蓋緊固裝置包含： <br/>一X軸導軌，沿水平方向安裝在該儲存器的該上部； <br/>一Z軸導軌，安裝在該X軸導軌上； <br/>一滑塊，安裝在該Z軸導軌上，以便上升及下降； <br/>一保持器，安裝在該滑塊上，用以包覆該氣瓶的該安全蓋； <br/>一對夾具，安裝在該保持器的正下方，用以在根據一夾緊氣缸的操作移動的同時夾緊該安全蓋的一下端； <br/>一馬達，其安裝在該滑塊的一上部，並使該保持器旋轉以將該安全蓋從該氣瓶分離，或將該安全蓋緊固到該氣瓶上；以及 <br/>一傾斜裝置，設置在該保持器的一上部，用以微調該保持器在X-Y方向上的位置。
如請求項1所述之氣瓶儲存裝置，其中，該儲存器安裝有一外門和一內門，該外門允許工人從該存放室的外部供應或移除該些氣瓶，而該內門允許一自主移動機器人從該存放室的內部供應或移除該些氣瓶。
如請求項2所述之氣瓶儲存裝置，其中，該外門和該內門為平開式、滑動式或雙開門式。
如請求項1所述之氣瓶儲存裝置，其中，該對夾具上安裝有感測器，用以偵測該氣瓶的該安全蓋。
如請求項1所述之氣瓶儲存裝置，其中，該些氣瓶中的每一個貼有含有關於所儲存氣體的資訊的一條碼，並且該安全蓋緊固裝置設置有一讀取裝置，用於檢查貼在該些氣瓶上的該些條碼的該資訊。
如請求項1所述之氣瓶儲存裝置，進一步包括：一視覺攝影機，其辨識該氣瓶的一閥門並判斷該閥門是否損壞。
如請求項1所述之氣瓶儲存裝置，其中，其上安裝有該氣瓶的該氣瓶載台具有水平傾斜功能、角度傾斜功能、載台自由旋轉功能、及載台旋轉和角度傾斜固定夾緊功能。
一種數據分類方法，其中，包括： 獲取時序數據，所述時序數據包括多個依時間排序的原數據；<br/> 對所述時序數據進行壓縮運算，得到多個依時間排序的壓縮數據；<br/> 對所述壓縮數據進行特徵提取運算，得到目標數據特徵；<br/> 對所述目標數據特徵進行分類運算，得到數據類別。
如請求項1所述的數據分類方法，其中，所述壓縮運算為卷積運算。
如請求項2所述的數據分類方法，其中，所述卷積運算包括殘差運算。
如請求項1所述的數據分類方法，其中，所述特徵提取運算為卷積運算。
如請求項4所述的數據分類方法，其中，所述特徵提取運算為循環卷積運算。
一種數據壓縮方法，其中，包括：<br/> 獲取時序數據，所述時序數據包括多個依時間排序的原數據；<br/> 設定一窗口值及一相隔值；<br/> 對時序數據進行壓縮運算，得到多個依時間排序的壓縮數據，且每個所述壓縮數據對應一數據集合；<br/> 其中，所述壓縮數據與所述數據集合的對應關係為：<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="445px" file="d10013.TIF" alt="ed10013.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10013.png"/>，t=1,2…T<br/> 其中，Y表示壓縮數據，t表示第t個數據，<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="d10004.TIF" alt="ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/>表示對應關係，{}表示對應的數據集合，X表示原數據， w表示窗口值，d表示相隔值，T表示壓縮數據的序列長度。
如請求項6所述的數據壓縮方法，其中，所述方法還包括：<br/> 計算所述窗口值與所述相隔值的差值，得到交集差值；<br/> 計算所述交集差值與所述窗口值的商值，得到所述壓縮數據對應的時序度。
如請求項7所述的數據壓縮方法，其中，所述時序度大於0.7。
一種電子設備，其中，包括：<br/> 記憶體，儲存至少一個指令；及<br/> 處理器，執行所述至少一個指令以實現如請求項1至5中任意一項所述的數據分類方法或如請求項6至8中任一項所述的數據壓縮方法。
一種電腦可讀儲存介質，其中，所述電腦可讀儲存介質中儲存有至少一個指令，所述至少一個指令被電子設備中的處理器執行以實現如請求項1至5中任意一項所述的數據分類方法或如請求項6至8中任一項所述的數據壓縮方法。
一種連接結構，用於將嬰兒載具連接在汽車座椅上，所述嬰兒載具設置有多個卡合件，其中，所述連接結構包括： <br/>一基座總成； <br/>一第一連接機構，用於可拆卸地連接於汽車座椅；以及 <br/>一第二連接機構，用於可拆卸地連接於所述多個卡合件的一者； <br/>其中，所述第一連接機構和所述第二連接機構分別連接於所述基座總成，所述第二連接機構的形狀被配置為適用於連接所述多個卡合件的一部分，所述第一連接機構可活動地連接於所述基座總成並具有展開狀態和收折狀態； <br/>其中，所述第一連接機構包括： <br/>至少一連接插頭，用於與汽車座椅可拆卸連接；以及 <br/>一插頭連接組件，所述至少一連接插頭通過所述插頭連接組件可轉動地連接於所述基座總成， <br/>所述第一連接機構具有相對於所述基座總成的第一樞轉位置和第二樞轉位置， <br/>所述第一連接機構可鎖定在所述第一樞轉位置，當所述第一連接機構位於第一樞轉位置時，所述第一連接機構處於收折狀態； <br/>所述第一連接機構可鎖定在所述第二樞轉位置，當所述第一連接機構位於第二樞轉位置時，所述第一連接機構處於展開狀態； <br/>其中，所述基座總成具有第二鎖定件，所述插頭連接組件包括連接內管，所述連接內管的端部連接所述連接插頭，所述連接內管設有限位裝置，所述限位裝置用於與所述第二鎖定件配合以將所述第一連接機構限定在所述展開狀態或所述收折狀態， <br/>其中，所述限位裝置和所述第二鎖定件中的一者為限位槽，所述限位裝置和所述第二鎖定件中的另一者為限位凸， <br/>所述限位凸具有伸入所述限位槽的第三位置以及從所述限位槽回縮的第四位置，所述限位裝置或者所述第二鎖定件的至少一者的邊緣處設有適用於解除限位的引導斜面。
根據請求項1所述的連接結構，其中，所述基座總成包括第一基座以及可相對於所述第一基座前後伸縮滑動的第二基座，所述第一連接機構連接於所述第一基座，所述第二連接機構連接於所述第二基座。
根據請求項2所述的連接結構，其中，所述基座總成還包括： <br/>一固定架，連接於所述第一基座；以及 <br/>一滑動架，連接於所述第二基座且與所述固定架滑動連接，所述滑動架能夠相對於所述固定架前後滑動， <br/>所述滑動架和所述固定架兩者中其中一者設有多個配鎖部，所述多個配鎖部沿所述滑動架的滑動方向間隔排列； <br/>所述基座總成還包括第一鎖定件，所述第一鎖定件被可移動地設置在所述滑動架和所述固定架兩者中另一者上，以允許所述第一鎖定件的第一鎖定部卡合和脫離所述配鎖部，其中， <br/>所述配鎖部為鎖定孔，所述第一鎖定件具有導向斜面； <br/>當所述第一鎖定件卡合於所述配鎖部時，所述第一鎖定件能夠限制所述滑動架相對於所述固定架的向前伸出移動，並且所述導向斜面能夠被所述鎖定孔的邊緣抵推而脫離所述配鎖部，以允許所述滑動架相對於所述固定架做向後縮回移動； <br/>所述基座總成還包括彈性件，所述第一基座內設有第一抵擋部，所述第二基座內設有第二抵擋部，所述彈性件抵接在所述第一抵擋部和所述第二抵擋部之間，以使所述第一基座與所述第二基座具有相互遠離的趨勢。
根據請求項3所述的連接結構，其中，所述第一鎖定件樞接於所述固定架上並具有鎖止位置和解鎖位置， <br/>所述基座總成還包括第一釋鎖機構，所述第一釋鎖機構與所述第一鎖定件可操作地連接， <br/>所述第一釋鎖機構包括驅動件，所述驅動件滑動設置於所述固定架內並具有第一位置和第二位置，所述第一鎖定件具有驅動部，所述驅動件適於抵接所述驅動部並相對於所述驅動部滑動， <br/>當所述驅動件位於所述第一位置時，所述第一鎖定件位於所述鎖止位置；當所述驅動件滑動至所述第二位置時，所述驅動件抵推所述驅動部，使得所述第一鎖定件由所述鎖止位置轉動至所述解鎖位置，以允許所述滑動架相對於所述固定架的向前伸出移動， <br/>其中，所述驅動件設有驅動斜面，所述驅動部適於與所述驅動斜面抵接並沿所述驅動斜面滑動，以使所述第一鎖定件能夠在所述鎖止位置和所述解鎖位置之間切換。
根據請求項4所述的連接結構，其中，所述第一鎖定件和所述驅動件均為多個，且兩者分別一一對應； <br/>所述第一釋鎖機構還包括： <br/>一第一操作件，可操作地設置於所述第二基座，且露出於所述第二基座； <br/>一連動組件，位於所述第一基座內且與所述驅動件的每一個連接，以同步驅動各所述驅動件；以及 <br/>一第一牽引組件，與所述第一操作件和所述連動組件分別連接； <br/>當所述第一操作件被操作時，所述第一操作件通過所述第一牽引組件驅動所述連動組件移動，使得驅動各所述驅動件由所述第一位置向所述第二位置移動， <br/>其中，所述第一牽引組件包括：第一牽引繩及活動套設於所述第一牽引繩外的第一牽引套，所述第一牽引套具有第一套端和第二套端，所述第一牽引繩具有鄰近所述第一套端的第一繩端和鄰近所述第二套端的第二繩端， <br/>所述第一牽引繩的第一繩端連接於所述第二基座，所述第一牽引繩的第二繩端連接於所述連動組件；所述第一牽引套的第一套端連接於所述第一操作件，所述第一牽引套的第二套端連接於所述第一基座， <br/>當所述第一操作件被操作時，所述第一牽引套彎曲變形以使所述第一牽引繩通過拉動所述連動組件帶動所述驅動件由所述第一位置向所述第二位置移動，所述第一牽引套為可彎曲線套。
根據請求項1所述的連接結構，其中，所述插頭連接組件包括： <br/>一連接內管，所述連接內管的端部連接所述連接插頭； <br/>一連接外管，可轉動地套設在所述連接內管外並與所述基座總成固定連接；以及 <br/>一轉動鎖定機構，連接於所述連接內管和所述連接外管之間，所述轉動鎖定機構具有鎖定狀態和釋鎖狀態，當所述轉動鎖定機構處於鎖定狀態時，所述連接內管被限制相對於所述連接外管轉動，當所述轉動鎖定機構處於釋鎖狀態時，所述連接內管被允許相對於所述連接外管轉動。
一種連接結構，用於將嬰兒載具連接在汽車座椅上，所述嬰兒載具設置有多個卡合件，其中，所述連接結構包括： <br/>一基座總成； <br/>一第一連接機構，用於可拆卸地連接於汽車座椅；以及 <br/>一第二連接機構，用於可拆卸地連接於所述多個卡合件的一者； <br/>其中，所述第一連接機構和所述第二連接機構分別連接於所述基座總成，所述第二連接機構的形狀被配置為適用於連接所述多個卡合件的一部分，所述第一連接機構可活動地連接於所述基座總成並具有展開狀態和收折狀態； <br/>其中，所述第一連接機構包括： <br/>至少一連接插頭，用於與汽車座椅可拆卸連接；以及 <br/>一插頭連接組件，所述至少一連接插頭通過所述插頭連接組件可轉動地連接於所述基座總成， <br/>所述第一連接機構具有相對於所述基座總成的第一樞轉位置和第二樞轉位置， <br/>所述第一連接機構可鎖定在所述第一樞轉位置，當所述第一連接機構位於第一樞轉位置時，所述第一連接機構處於收折狀態； <br/>所述第一連接機構可鎖定在所述第二樞轉位置，當所述第一連接機構位於第二樞轉位置時，所述第一連接機構處於展開狀態； <br/>其中，所述第一連接機構還具有相對於所述基座總成的第四樞轉位置，當所述第一連接機構處於所述第四樞轉位置時，所述基座總成的頂面適用於抵靠汽車座椅的靠背部，且所述基座總成的與所述頂面相反的底面不接觸汽車座椅的座部。
根據請求項6所述的連接結構，其中，所述轉動鎖定機構包括： <br/>一第二鎖定件，可滑動地套設在所述連接內管外且不能相對於所述連接內管轉動，所述第二鎖定件設有限位部和第二鎖定部；以及 <br/>一第二配合部，設置於所述連接外管上； <br/>其中，所述第二鎖定件具有第三位置和第四位置，當所述第二鎖定件處於所述第三位置時，所述第二鎖定部與所述第二配合部鎖定配合，以限制所述連接內管相對所述連接外管轉動；當所述第二鎖定件處於所述第四位置時，所述第二鎖定部與所述第二配合部相分離，以允許所述連接內管相對所述連接外管轉動，所述第二鎖定部和所述第二配合部兩者中其中一者為鎖定凸，另一者為鎖定凹，所述鎖定凹與所述鎖定凸凹凸配合， <br/>其中，所述基座總成還包括第三釋鎖機構，所述第三釋鎖機構與所述第二鎖定件可操作地連接，用於驅動所述第二鎖定件由所述第三位置向所述第四位置移動。
一種連接結構，用於將嬰兒載具連接在汽車座椅上，所述嬰兒載具設置有多個卡合件，其中，所述連接結構包括： <br/>一基座總成； <br/>一第一連接機構，用於可拆卸地連接於汽車座椅；以及 <br/>一第二連接機構，用於可拆卸地連接於所述多個卡合件的一者； <br/>其中，所述第一連接機構和所述第二連接機構分別連接於所述基座總成，所述第二連接機構的形狀被配置為適用於連接所述多個卡合件的一部分，所述第一連接機構可活動地連接於所述基座總成並具有展開狀態和收折狀態； <br/>其中，所述基座總成包括相連接的第一基座和第二基座，所述第一連接機構連接於所述第一基座，所述第二連接機構連接於所述第二基座； <br/>所述第二基座的底面相對於所述第一基座的底面傾斜設置，且兩者之間形成的夾角的開口朝向汽車座椅，以使得所述嬰兒載具卡合於所述第二連接機構時所述第一基座的底面不與汽車座椅接觸。
一種嬰兒載具，其中，包括： <br/>嬰兒載具本體，所述嬰兒載具本體具有多個卡合件；以及 <br/>一連接結構，用於將嬰兒載具本體連接在汽車座椅上， <br/>其中，所述連接結構包括： <br/>一基座總成； <br/>一第一連接機構，用於可拆卸地連接於汽車座椅；以及 <br/>一第二連接機構，用於可拆卸地連接於所述多個卡合件的一者； <br/>其中，所述第一連接機構和所述第二連接機構分別連接於所述基座總成，所述第二連接機構的形狀被配置為適用於連接所述多個卡合件的一部分，所述第一連接機構可活動地連接於所述基座總成並具有展開狀態和收折狀態； <br/>其中，所述多個卡合件包括設置在所述嬰兒載具本體的前端的前卡合件和設置在所述嬰兒載具本體的後端的後卡合件，所述前卡合件的沿左右方向的寬度大於所述後卡合件沿所述左右方向的寬度，所述第二連接機構沿左右方向的寬度大於所述後卡合件沿所述左右方向的寬度，當所述嬰兒載具本體安裝在所述連接結構時，所述第二連接機構卡合於所述前卡合件，其中，所述第一連接機構為ISOFIX連接器插頭，所述第二連接機構為卡合鉤，所述前卡合件為卡杆。
一種壓電振動裝置的頻率調節方法，該壓電振動裝置中，具有形成有激勵電極的振動部的壓電振動片的至少所述振動部被密封構件氣密密封，其中： <br/>在所述密封構件的與所述激勵電極相向的主面上，形成有由基底金屬層和層疊於其上的金屬層構成的頻率調節用金屬膜，且在所述頻率調節用金屬膜上形成有多個凹部； <br/>形成有所述頻率調節用金屬膜的所述密封構件的至少一部分由透光性材料構成； <br/>在所述密封構件的形成有所述頻率調節用金屬膜的所述主面上形成有所述多個凹部，所述頻率調節用金屬膜延伸到這些凹部中， <br/>從所述密封構件的外部對所述頻率調節用金屬膜照射光束，通過使所述光束透射到所述密封構件的內部將所述基底金屬層加熱而使所述金屬層的至少一部分熔化而蒸發、並附著於所述激勵電極，來進行頻率調節。
如請求項1所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述凹部的開口直徑小於所述光束的照射直徑，以俯視時將所述凹部包含在內的方式照射所述光束。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述頻率調節用金屬膜沿著所述凹部的內表面形成。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述凹部的內壁面為傾斜面。
如請求項4所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述凹部具有平坦的底面。
如請求項4所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>在所述凹部的內壁面上，形成有多個交界線。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>設置有許多所述凹部，俯視時這些凹部排成佇列。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>設置有許多所述凹部，並設有每單位面積的所述凹部的形成個數不同的多個區域。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述密封構件的每單位面積的所述凹部的形成個數為1500～15000個/mm<sup>2</sup>。
如請求項1或2所述的壓電振動裝置的頻率調節方法，其中： <br/>所述凹部的開口直徑大於所述凹部的深度。
一種壓電振動裝置，該壓電振動裝置中，具有形成有激勵電極的振動部的壓電振動片的至少所述振動部被密封構件氣密密封，其中： <br/>在所述密封構件的與所述激勵電極相向的主面上，形成有由基底金屬層和層疊於其上的金屬層構成的頻率調節用金屬膜； <br/>在所述密封構件的形成有所述頻率調節用金屬膜的所述主面上，形成有多個凹部，所述頻率調節用金屬膜延伸到這些凹部中； <br/>在所述頻率調節用金屬膜上形成有多個凹部，這些頻率調節用金屬膜的凹部的底面為所述基底金屬層露出的狀態。
如請求項11所述的壓電振動裝置，其中： <br/>具備將所述壓電振動片的所述振動部的第一主面側覆蓋的第一密封構件、及將所述壓電振動片的所述振動部的第二主面側覆蓋的第二密封構件； <br/>所述第一密封構件與所述壓電振動片相接合、且所述第二密封構件與所述壓電振動片相接合，從而所述壓電振動片的所述振動部被氣密密封； <br/>所述第一密封構件和所述第二密封構件中，形成有所述頻率調節用金屬膜的所述密封構件由水晶構成。
一種晶圓收納容器清洗裝置，其特徵在於，包括： <br/> 清洗槽，對晶圓收納容器進行清洗，所述晶圓收納容器包括：容器主體與門部，其中，所述容器主體形成六面體的外形，在一個面具有開口部，且在與具有所述開口部的面交叉的另一個面具有被把持部，所述門部相對於所述開口部能夠裝卸；以及 <br/> 搬送機器人，包括：個別地把持所述容器主體與所述門部的把持機構，將所述容器主體及所述門部個別地搬入至所述清洗槽，並且從所述清洗槽個別地搬出所述容器主體及所述門部， <br/> 其中，所述把持機構包括： <br/> 主體把持部，具有：能夠沿著第一直線進行接近/分開運動的一對第一把持爪，使用所述一對第一把持爪來把持所述被把持部；以及 <br/> 門把持部，具有：能夠沿著俯視時與所述第一直線交叉的第二直線進行接近/分開運動的一對第二把持爪，使用所述一對第二把持爪來把持所述門部， <br/> 所述清洗槽在所述開口部朝下的狀態下，對所述容器主體進行清洗， <br/>所述一對第一把持爪以在所述開口部朝下的狀態下把持所述被把持部的方向為上下方向的方式，來把持所述被把持部。
如請求項1所述的晶圓收納容器清洗裝置，還包括： <br/> 轉動構件，以與所述第一直線及所述第二直線此兩條直線正交的軸為中心，能夠轉動地設置於俯視時所述第一直線與所述第二直線交叉的位置； <br/> 第一引導構件，將所述一對所述第一把持爪，以能夠在沿著所述第一直線的方向上移動的方式予以支撐； <br/> 第二引導構件，將所述一對所述第二把持爪，以能夠在沿著所述第二直線的方向上移動的方式予以支撐； <br/> 多個連結構件，將所述一對所述第一把持爪的各個、及所述一對所述第二把持爪的各個，分別連結於所述轉動構件；以及 <br/> 移動構件，通過使所述一對所述第一把持爪及所述一對所述第二把持爪中的任一個把持爪移動，使所述一對所述第一把持爪及所述一對所述第二把持爪的所有把持爪移動。
如請求項2所述的晶圓收納容器清洗裝置，其中， <br/> 與所述一對所述第一把持爪連結的一對所述連結構件的所述轉動構件側的一對端部，在相對於所述轉動構件的旋轉中心對稱的位置處能夠轉動地連結於所述轉動構件； <br/> 與所述一對所述第二把持爪連結的一對所述連結構件的所述轉動構件側的一對端部，在相對於所述轉動構件的旋轉中心對稱的位置處能夠轉動地連結於所述轉動構件。
如請求項3所述的晶圓收納容器清洗裝置，其中， <br/> 與所述一對所述第一把持爪連結的一對所述連結構件的所述轉動構件側的一對端部連結於所述轉動構件的位置和所述旋轉中心之間的第一距離、跟與所述一對所述第二把持爪連結的一對所述連結構件的所述轉動構件側的一對端部連結於所述轉動構件的位置和所述旋轉中心之間的第二距離不同。
如請求項4所述的晶圓收納容器清洗裝置，其中， <br/> 所述第二距離比所述第一距離長。
如請求項1所述的晶圓收納容器清洗裝置，還包括： <br/> 控制部，在所述容器主體以所述開口部朝下的狀態載置於所述清洗槽的情況下，對所述搬送機器人進行控制，以在所述一對所述第一把持爪從上下把持所述被把持部的狀態下，在所述開口部朝下的狀態下從所述清洗槽搬出所述容器主體。
如請求項1所述的晶圓收納容器清洗裝置，還包括： <br/> 控制部，對所述搬送機器人進行控制，以在所述一對所述第一把持爪從上下把持所述被把持部的狀態下，在所述開口部朝下的狀態下將所述容器主體搬入至所述清洗槽。
如請求項1所述的晶圓收納容器清洗裝置，其中， <br/> 所述第二把持爪包括： <br/> 矩形形狀的第一構件； <br/> 第二構件，以從所述第一構件的一個邊及與所述一個邊相向的邊的各個邊立起的方式延伸，且在與所述第一構件側為相反側的端部形成有凹陷；以及 <br/> 彈性體，設置在形成於所述第二構件的所述凹陷中，且所述彈性體形成有槽。
一種檢查系統，進行零件實裝基板的檢查，所述零件實裝基板實裝形成有焊料凸塊的電子零件，所述檢查系統之特徵在於，包括： <br/>三維數據生成單元，使用多個拍攝所述零件實裝基板的X射線影像，生成至少包含所述焊料凸塊形成的焊料接合部的區域的三維數據； <br/>縱斷面影像擷取單元，從所述三維數據中擷取縱斷面影像，所述縱斷面影像示出穿過所述焊料接合部的中心部的縱斷面； <br/>檢查模型生成單元，使用多個所述縱斷面影像，生成用於所述檢查的檢查模型；以及 <br/>檢查單元，使用擷取自作為檢查對象的各個所述零件實裝基板的所述三維數據中的觀察方向相異的多個所述縱斷面影像，依據所述檢查模型進行檢查， <br/>所述檢查單元在所述觀察方向相異的多個所述縱斷面影像之中，有任何一個依據所述檢查模型進行的檢查結果不滿足特定的標準的情況下，將所述焊料接合部判定為不良。
如請求項1所述的檢查系統，其中 <br/>用於所述檢查模型生成單元的學習的所述縱斷面影像包括：每個所述三維數據中具有觀察方向相異的多個所述縱斷面影像。
如請求項1所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元將取自所述三維數據的水平斷層影像的亮度變異數值在垂直方向上繪製，並將所述亮度變異數值為最大的斷層的位置作為特定出所述中心部的垂直方向的位置。
如請求項1所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元將取自所述三維數據的水平斷層影像的亮度變異數值在垂直方向上繪製，並將所述亮度變異數值為超過特定的閾值的多個斷層的中央的位置作為特定出所述中心部的垂直方向的位置。
如請求項1所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元將取自所述三維數據的水平斷層影像的邊緣強度在垂直方向上繪製，並將所述邊緣強度為最大的斷層的位置作為特定出所述中心部的垂直方向的位置。
如請求項1所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元將取自所述三維數據的水平斷層影像的邊緣強度在垂直方向上繪製，並將所述邊緣強度為超過特定的閾值的多個斷層的中央的位置作為特定出所述中心部的垂直方向的位置。
如請求項3所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述亮度變異數值成為最大的水平斷層影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述亮度變異數值成為最大的水平斷層影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
如請求項4所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述亮度變異數值成為超過特定的閾值的多個斷層的中央的水平斷層影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述亮度變異數值成為超過特定的閾值的多個斷層的中央的水平斷層影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
如請求項5所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述邊緣強度成為最大的水平斷層影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述邊緣強度成為最大的水平斷層影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
如請求項6所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述邊緣強度成為超過特定的閾值的多個斷層的中央的水平斷層影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述邊緣強度成為超過特定的閾值的多個斷層的中央的水平斷層影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
如請求項1至6中任一項所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述三維數據中包含所述焊料接合部的水平方向的特定範圍的區域的各水平斷層影像在垂直方向上進行最大值投影而得到的影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述進行最大值投影而得到的影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
如請求項1至6中任一項所述的檢查系統，其中 <br/>所述縱斷面影像擷取單元 <br/>將所述三維數據中包含所述焊料接合部的水平方向的特定範圍的區域的各水平斷層影像在垂直方向上進行平均值投影而得到的影像進行二值化後的影像的標籤的中心的位置，或者 <br/>將所述進行平均值投影而得到的影像依據亮度進行加權而算出的重心的位置 <br/>作為特定出所述中心部的水平方向的位置。
一種檢查裝置，進行零件實裝基板的檢查，所述零件實裝基板實裝形成有焊料凸塊的電子零件，其特徵在於，所述檢查裝置之特徵在於： <br/>基於檢查模型以及多個縱斷面影像，以在觀察方向相異的多個所述縱斷面影像之中，有任何一個依據所述檢查模型進行的檢查結果不滿足特定的標準的情況下，將焊料接合部判定為不良的方式進行所述檢查， <br/>所述檢查模型用於所述檢查且使用所述縱斷面影像而生成，所述縱斷面影像示出擷取自三維數據的穿過所述焊料接合部的中心部的縱斷面，所述三維數據使用多個拍攝所述零件實裝基板的X射線影像，至少包含所述焊料凸塊形成的所述焊料接合部的區域， <br/>多個所述縱斷面影像從作為檢查對象的所述零件實裝基板的所述三維數據中擷取，且所述觀察方向相異。
一種檢查方法，進行零件實裝基板的檢查，所述零件實裝基板實裝形成有焊料凸塊的電子零件，所述檢查方法之特徵在於，包括： <br/>三維數據生成步驟，使用多個拍攝所述零件實裝基板的X射線影像，生成至少包含所述焊料凸塊形成的焊料接合部的區域的三維數據； <br/>縱斷面影像擷取步驟，從所述三維數據中擷取縱斷面影像，所述縱斷面影像示出穿過所述焊料接合部的中心部的縱斷面； <br/>檢查模型生成步驟，使用多個所述縱斷面影像，生成用於所述檢查的檢查模型；以及 <br/>檢查步驟，使用擷取自作為檢查對象的各個所述零件實裝基板的所述三維數據中的觀察方向相異的多個所述縱斷面影像，依據所述檢查模型進行檢查， <br/>在所述檢查步驟中，在所述觀察方向相異的多個所述縱斷面影像之中有任何一個依據所述檢查模型進行的檢查結果不滿足特定的標準的情況下，將所述焊料接合部判定為不良。
一種程式，用於使電腦執行如請求項14所述的檢查方法的各個步驟。
一種顯示裝置，包括：<br/> 顯示面板；<br/> 光學感測單元，嵌入所述顯示面板且位於所述顯示裝置的周邊區中；<br/> 光學件，鄰近所述光學感測單元的入光側設置，其中所述光學件對於波長大於或等於380 nm且小於或等於780 nm的光的穿透率低於10%，且所述光學件對於波長大於或等於900 nm且小於或等於1100 nm的光的穿透率高於70%；以及<br/> 保護件，設置在所述顯示面板上，且所述保護件包括蓋板、裝飾膜或上述的組合，其中：<br/> 所述光學件設置在所述保護件與所述光學感測單元之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學件對於波長大於或等於610 nm且小於或等於780 nm的光的穿透率低於10%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學件對於波長大於或等於380 nm且小於或等於430 nm的光的穿透率低於10%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述顯示面板是透明顯示面板。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學件設置在所述保護件與所述顯示面板之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述光學件包括具有第一穿透軸的第一偏光片以及具有第二穿透軸的第二偏光片，且所述第一穿透軸平行於或垂直於所述第二穿透軸。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述光學件還包括設置在所述第一偏光片與所述第二偏光片之間的至少一個二分之一波片、至少一個四分之一波片或上述的組合。
一種顯示裝置，包括：<br/> 顯示面板；<br/> 光學感測單元，嵌入所述顯示面板且位於所述顯示裝置的周邊區中；<br/> 光學件，鄰近所述光學感測單元的入光側設置，其中所述光學件對於波長大於或等於380 nm且小於或等於780 nm的光的穿透率低於10%，且所述光學件對於波長大於或等於900 nm且小於或等於1100 nm的光的穿透率高於70%；以及<br/> 保護件，設置在所述顯示面板上，且所述保護件包括蓋板、裝飾膜或上述的組合，其中：<br/> 所述保護件設置在所述光學件與所述顯示面板之間，且所述光學感測單元還嵌入所述保護件。
一種用於高頻通訊的柔性電路板，適於經由一膠層電性接合至一目標基板上，該用於高頻通訊的柔性電路板包括： <br/>一基材，具有一基材邊緣； <br/>多個接合引腳，沿著一排列方向排列在該基材上，且鄰近該基材的該基材邊緣，其中該基材在該些接合引腳的任兩相鄰者之間設有至少一孔洞，且該至少一孔洞沿著該排列方向重疊於該些接合引腳；以及 <br/>多個導電圖案，電性獨立於該些接合引腳，且具有一接地電位，其中各該些接合引腳沿著該排列方向排列的每一側鄰設有一該導電圖案。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該些接合引腳的任兩相鄰者之間設有兩該導電圖案，且該兩導電圖案沿著該排列方向彼此間隔開來。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該些接合引腳的任兩相鄰者之間設有兩該導電圖案，該兩導電圖案之間設有該至少一孔洞。
如請求項3所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該兩導電圖案各自具有朝向該至少一孔洞的一圖案邊緣，該至少一孔洞的任一者的一孔洞邊緣對齊該兩導電圖案的其中一者的該圖案邊緣。
如請求項3所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該兩導電圖案各自具有朝向該至少一孔洞的一圖案邊緣，該至少一孔洞為一孔洞，且該孔洞的一孔洞邊緣對齊該兩導電圖案各自的該圖案邊緣。
如請求項4所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該至少一孔洞包括彼此間隔開來的一第一孔洞與一第二孔洞，該第一孔洞的該孔洞邊緣對齊該兩導電圖案的其中一者的該圖案邊緣，且該第二孔洞的該孔洞邊緣對齊該兩導電圖案的其中另一者的該圖案邊緣。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該至少一孔洞與該基材邊緣間隔開來。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該至少一孔洞延伸至該基材邊緣。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該膠層為一異方性導電膜，且該異方性導電膜的材料包括環氧樹脂系膠。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，還包括： <br/>一對位記號，設置在該基材上，其中該基材包括一第一部分與一第二部分，該些接合引腳設置在該第一部分上，該對位記號設置在該第二部分上，且該基材的該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度。
如請求項1所述的用於高頻通訊的柔性電路板，其中該基材的材料包括液晶聚合物。
一種附接著被膜之電磁鋼板，具有：<br/>電磁鋼板；及<br/>接著被膜，其設於前述電磁鋼板之單面或兩面之至少一部分上；<br/>前述接著被膜包含交聯性熱塑性樹脂A與前述交聯性熱塑性樹脂A以外之熱塑性樹脂B，且<br/>前述接著被膜之玻璃轉移溫度為45~80℃，在100℃下之熔流速率為1.0~25g/10分鐘。
如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板，其中前述交聯性熱塑性樹脂A係(甲基)丙烯酸系樹脂及聚酯樹脂中之1種以上。
如請求項1之附接著被膜之電磁鋼板，其中前述交聯性熱塑性樹脂A相對於前述熱塑性樹脂B的質量比為97/3~70/30。
一種積層鐵芯，係積層有複數個如請求項1至請求項3中任一項之附接著被膜之電磁鋼板，且前述電磁鋼板透過前述接著被膜之硬化膜而彼此接著。
一種附接著被膜之電磁鋼板之製造方法，係如請求項1至請求項3中任一項之附接著被膜之電磁鋼板之製造方法；<br/>該附接著被膜之電磁鋼板之製造方法係於電磁鋼板之單面或兩面之至少一部分塗敷塗敷液而形成塗敷膜，並使前述塗敷膜乾燥，藉此形成前述接著被膜，該塗敷液包含前述交聯性熱塑性樹脂A之粒子與前述交聯性熱塑性樹脂A以外之前述熱塑性樹脂B，且前述交聯性熱塑性樹脂A相對於前述熱塑性樹脂B的質量比為60/40~97/3。
一種積層鐵芯之製造方法，係如請求項4之積層鐵芯之製造方法；<br/>該積層鐵芯之製造方法係將前述附接著被膜之電磁鋼板以使前述接著被膜中介於前述電磁鋼板彼此之間之方式進行積層，藉此製成積層體；且<br/>將前述積層體加熱及加壓，藉此使前述接著被膜硬化而形成前述硬化膜。
一種晶片，耦接一記憶體，該記憶體包含一記憶體區段，該記憶體區段包含複數個記憶體塊，該晶片包含： 一記憶體管理電路；以及 <br/>一計算電路，耦接該記憶體及該記憶體管理電路，用來運行一記憶體管理驅動程式以執行以下步驟： <br/>接收一記憶體請求； <br/>根據一記憶體區域鏈表在一記憶體區域中搜尋至少一閒置的記憶體塊，其中，該記憶體區域鏈表包含一節點，該節點對應於該記憶體區域，且該記憶體區域係該記憶體區段的一部分；以及 <br/>使用該記憶體管理電路對搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊進行記憶體映射。
如請求項1之晶片，其中，該節點係一第一節點，該記憶體區域係一第一記憶體區域，該計算電路更執行以下步驟： 當搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊的一總大小小於該記憶體請求之一所請求的記憶體大小時，在該記憶體區域鏈表建立一第二節點，其中，該第二節點對應於一第二記憶體區域，且該第二記憶體區域係該記憶體區段的一部分並且包括複數個記憶體塊及一已分配的記憶體塊；以及 <br/>使用該記憶體管理電路對該已分配的記憶體塊進行映射。
如請求項2之晶片，其中，該總大小係一第一總大小，且該第一總大小與該已分配的記憶體塊的一第二總大小之和係等於該所請求的記憶體大小。
如請求項2之晶片，其中，該第一記憶體區域及該第二記憶體區域係由一連續記憶體分配器分配。
如請求項1之晶片，其中，該節點包含一閒置記憶體塊的列表，且該閒置記憶體塊的列表指向搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊。
如請求項5之晶片，其中，該根據該記憶體區域鏈表在該記憶體區域中搜尋該至少一閒置的記憶體塊之步驟係訪問該閒置記憶體塊的列表。
如請求項5之晶片，其中，該記憶體區域包含複數個已分配的記憶體塊，該計算電路更執行以下步驟： 將該些已分配的記憶體塊所對應的複數個記憶體塊結構插入該閒置記憶體塊的列表以釋放該些已分配的記憶體塊。
如請求項7之晶片，該計算電路更執行以下步驟： 當該節點的該些已分配的記憶體塊皆已被釋放時，將該節點從該記憶體區域鏈表中刪除。
如請求項8之晶片，其中，該節點包含一引用計數，該計算電路更執行以下步驟： 根據該引用計數判斷該節點的該些已分配的記憶體塊是否皆已被釋放。
如請求項1之晶片，其中，該記憶體區域係一最小分配大小的整數倍，且當搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊的一總大小大於等於該記憶體請求之一所請求的記憶體大小時，不將該所請求的記憶體大小調整為該最小分配大小的整數倍。
一種記憶體管理方法，應用於一記憶體，該記憶體包含一記憶體區段，該記憶體區段包含複數個記憶體塊，該方法包含： 接收一記憶體請求； <br/>根據一記憶體區域鏈表在一記憶體區域中搜尋至少一閒置的記憶體塊，其中，該記憶體區域鏈表包含一節點，該節點對應於該記憶體區域，且該記憶體區域係該記憶體區段的一部分；以及 <br/>使用一記憶體管理電路對搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊進行記憶體映射。
如請求項11之方法，其中，該節點係一第一節點，該記憶體區域係一第一記憶體區域，該方法更包含： 當搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊的一總大小小於該記憶體請求之一所請求的記憶體大小時，在該記憶體區域鏈表建立一第二節點，其中，該第二節點對應於一第二記憶體區域，且該第二記憶體區域係該記憶體區段的一部分並且包括複數個記憶體塊及一已分配的記憶體塊；以及 <br/>使用該記憶體管理電路對該已分配的記憶體塊進行映射。
如請求項12之方法，其中，該總大小係一第一總大小，且該第一總大小與該已分配的記憶體塊的一第二總大小之和係等於該所請求的記憶體大小。
如請求項11之方法，其中，該節點包含一閒置記憶體塊的列表，該閒置記憶體塊的列表指向搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊，且該根據該記憶體區域鏈表在該記憶體區域中搜尋該至少一閒置的記憶體塊之步驟係訪問該閒置記憶體塊的列表。
如請求項14之方法，其中，該記憶體區域包含複數個已分配的記憶體塊，該方法更包含： 將該些已分配的記憶體塊所對應的複數個記憶體塊結構插入該閒置記憶體塊的列表以釋放該些已分配的記憶體塊。
如請求項15之方法，更包含： 當該節點的該些已分配的記憶體塊皆已被釋放時，將該節點從該記憶體區域鏈表中刪除。
如請求項16之方法，其中，該節點包含一引用計數，該方法更包含： 根據該引用計數判斷該節點的該些已分配的記憶體塊是否皆已被釋放。
如請求項11之方法，其中，該記憶體區域係一最小分配大小的整數倍，且當搜尋到的該至少一閒置的記憶體塊的一總大小大於等於該記憶體請求之一所請求的記憶體大小時，不將該所請求的記憶體大小調整為該最小分配大小的整數倍。
一種充電樁，包括：<br/> 一個主軌（10），其沿長度方向設有一個開口；<br/> 一個齒條（11），其固定於該主軌（10）內側的底部；<br/> 一個支架（28），包括：一個橫向部位；一個縱向部位，其與該橫向部位相連，該縱向部位安裝於該主軌（10），可沿其開口往復運動；<br/> 一個充電樁（20），設置於該支架（28），並可隨其移動；<br/> 一條電力線（14），電性連接該充電樁（20）與一個電力供應單元；<br/> 一條充電線（21），其電性連接該充電樁（20），該充電線（21）具有一個適用快充或慢充規格的接頭（22）；<br/> 一台電機（23），其設置於該支架（28）上，該電機（23）具有一根穿過該縱向部位的電機軸（26）；<br/> 一個齒輪（27），結合於該電機軸（26），並嚙接該主軌（10）內側的齒條（11），以驅動該支架（28）沿該主軌（10）進行位移；<br/> 一個收發器（25），其設置於該支架（28）上；以及<br/> 一個控制器（30），可透過傳輸（31）向該收發器（25）發送一個訊號，以控制該電機（23）之電機軸（26）的啟動與停止。
如請求項1所述的充電樁，進一步包括：一個環軌（15），係由多數帶有該齒條（11）的該主軌（10）頭尾相連所組成。
一種動力手持打包機結構，其包括有：<br/>一主體，於中間位置設有一供握持的握把，並在後端設置一電池插槽，以供安裝電池提供驅動電源；<br/>一束帶機構，設於該主體之前端，用以束緊一捆紮帶環；<br/>一摩擦熔接裝置，位在該束帶機構之後方，具有一偏心傳動裝置及一懸臂，該偏心傳動裝置樞接一摩擦滑塊，該摩擦滑塊滑設於該懸臂內，並由該偏心傳動裝置驅動沿該懸臂之軸向作快速往返平移振動運動，該摩擦滑塊之底面設有一上摩擦部，一底座設置在該摩擦滑塊之下方，並在與該摩擦部相對之位置設置一下摩擦部，該懸臂之內側端樞接於一軸座並受一彈性件牽引位在一休止位置，該束帶機構及該偏心傳動裝置共用一驅動馬達，該驅動馬達在兩個旋轉方向上驅動，以順時針旋轉驅動該束帶機構，逆時針旋轉驅動該偏心傳動裝置；<br/>一電動推桿裝置，位在該懸臂上方，具有一可被驅動伸縮之推桿，用以推抵下壓該懸臂，令該懸臂位在一摩擦熔接位置，使該上摩擦部及該下摩擦部夾持該捆紮帶環上下重疊位置，藉由上摩擦部快速往復平移令該捆紮帶環上下重疊位置形成摩擦熔接連接。
如請求項1所述之動力手持打包機結構，其中，該束帶機構具有一束緊輪及一束緊底板，該束緊底板位在該束緊輪下方，並受一設在該握把下方之操作桿連動控制其與該束緊輪分離或貼合，該束緊輪受一驅動轉軸帶動轉動，該驅動轉軸之傳動端以傘形齒輪與該驅動馬達順時針轉動之驅動端傳動連接，驅動馬達順時針轉動時驅動該驅動轉軸帶動該束緊輪轉動束緊該捆紮帶環。
如請求項2所述之動力手持打包機結構，其中，該操作桿於常態可觸動一微動開關。
如請求項1所述之動力手持打包機結構，其中，該偏心傳動裝置具有一樞設於該軸座內之偏心轉軸及一受該偏心轉軸驅動偏心轉動之偏心輪，該偏心輪外套設一套筒，該套筒以一曲柄樞接該摩擦滑塊，藉由該偏心輪圍繞該偏心軸作偏心旋轉運動而導致摩擦滑塊的往復平移振動運動。
如請求項4所述之動力手持打包機結構，其中，該驅動馬達逆時針轉動時以一皮帶輪驅動該偏心軸轉動。
如請求項3所述之動力手持打包機結構，其中，該主體之前端一側設有一控制單元，該控制單元電性連接該電動推桿裝置、一操作介面及用以控制該驅動馬達轉向之操作按鈕，該操作按鈕包括一控制該驅動馬達順時針旋轉之第一開關按鈕及一控制該驅動馬達逆時針旋轉之一第二開關按鈕。
如請求項1所述之動力手持打包機結構，其中，該懸臂朝向該主體後端之側面設有一切刀，用以切斷位在摩擦熔接連接位置外之上層捆紮帶。
一種半導體封裝體，包括：<br/> 一內連接結構；<br/> 一半導體晶片，形成於該內連接結構上方；<br/> 一封膠層，形成於該內連接結構上方以覆蓋並圍繞該半導體晶片；以及<br/> 一中介層結構，形成於該封膠層上，包括：<br/> 一絕緣基體，具有面向該封膠層的一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面； <br/> 複數個島型層，排置於該絕緣基體的該第一表面上並與之直接接觸，且在上視角度中局部重疊於該半導體晶片，其中一部分的該封膠層夾設於該等島型層中至少兩個島型層之間；以及<br/> 複數個蓋層，對應圍繞該等島型層。
如請求項1之半導體封裝體，其中該中介層結構更包括：<br/> 複數個通孔電極，形成於位於該等島型層外側的該絕緣基體部分內。
如請求項2之半導體封裝體，更包括：<br/> 複數個連接器，形成於該封膠層內，且電性耦接於該等通孔電極。
如請求項1或2之半導體封裝體，其中該等島型層包括金屬，且其中該中介層結構更包括：<br/> 一第一鈍化層，覆蓋該絕緣基體的該第一表面；以及<br/> 一第二鈍化層，覆蓋該絕緣基體的該第二表面，其中該等蓋層與該第一鈍化層由同一層製成。
如請求項1或2之半導體封裝體，其中該中介層結構更包括：<br/> 一第一鈍化層，覆蓋該絕緣基體的第一表面；以及<br/> 一第二鈍化層，覆蓋該絕緣基體的該第二表面，其中該等島型層與該第一鈍化層由同一層製成。
一種半導體封裝體，包括：<br/> 一封裝層；<br/> 一半導體晶片，形成於該封裝層內；以及<br/> 一中介層結構，覆蓋該封裝層，包括：<br/> 一絕緣基體，具有面向該封裝層的一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；<br/> 複數個絕緣特徵部件，形成於該絕緣基體的該第一表面上，並延伸至該封裝層內，其中該等絕緣特徵部件排列成一矩陣且面向該半導體晶片的一上表面；以及<br/> 複數個第一導電特徵部件，形成於該絕緣基體的該第一表面上，並延伸至該封裝層內，其中該等第一導電特徵部件圍繞該等絕緣特徵部件的該矩陣。
如請求項6之半導體封裝體，其中該中介層結構更包括：<br/> 一第一鈍化層，局部覆蓋該絕緣基體的第一表面與該等第一導電特徵部件中的每一個，其中該等絕緣特徵部件及該第一鈍化層由相同絕緣層製成；以及<br/> 一第二鈍化層，覆蓋該絕緣基體的該第二表面。
如請求項7之半導體封裝體，其中該第一鈍化層與該等絕緣特徵部件隔開，且圍繞該等絕緣特徵部件。
如請求項6或7之半導體封裝體，其中該中介層結構更包括：<br/> 複數個第二導電特徵部件，形成於該絕緣基體的該第二表面上，且對應於該等第一導電特徵部件及該等絕緣特徵部件。
如請求項6或7之半導體封裝體，更包括：<br/> 複數個連接器，形成於該封裝層內，且電性耦接於該等第一導電特徵部件，其中該中介層結構更包括複數個通孔電極，形成於該絕緣基體內，且電性耦接於該等第一導電特徵部件。
一種研磨用組成物，其係包含二氧化矽粒子水分散液之研磨用組成物，其特徵為由以該二氧化矽粒子水分散液及純水的脈衝NMR測定所得之弛緩時間導出之下述Rsp值為0.01以上且未滿0.15，前述二氧化矽粒子係藉由動態光散射法測定之平均二次粒子徑為40～200nm，藉由氮氣吸附法測定之平均一次粒子徑為20～100nm， <br/> <img align="absmiddle" height="75px" width="548px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 惟，Rav係二氧化矽濃度為5質量%之二氧化矽粒子水分散液之弛緩時間的倒數，Rb為純水之弛緩時間的倒數。
如請求項1之研磨用組成物，其中，對於藉由依陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂、陽離子交換樹脂的順序，接觸前述二氧化矽粒子水分散液，並將經離子交換之處理液在-70℃～-80℃凍結，進而，在5Pa以下之壓力下，於室溫進行凍結乾燥，去除分散介質所得之二氧化矽粒子粉末，在熱重量分析，從室溫加熱至700℃為止時的質量減少量與水分子的分子量，在下述式算出之矽烷醇基量為0.1～1.5mmol/g， <br/> 矽烷醇基量(mmol/g)=2×(M2-M1)÷M<sub>H2O</sub>÷(M0-M1)×1000 <br/> 惟，分別M0表示供於加熱前之熱重量分析的二氧化矽粒子粉末的質量，M1表示到達200℃之時間點的質量減少量，M2表示到達700℃之時間點的質量減少量，M<sub>H2O</sub>表示水分子的分子量。
如請求項1之研磨用組成物，其中，藉由依陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂、陽離子交換樹脂的順序，接觸前述二氧化矽粒子水分散液，並將經離子交換之處理液在-70℃～-80℃凍結，進而，在5Pa以下之壓力下，於室溫進行凍結乾燥，去除分散介質所得之二氧化矽粒子粉末，藉由乾式密度測定測定的密度為2.20～2.35 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1之研磨用組成物，其中，對於藉由依陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂、陽離子交換樹脂的順序，接觸前述二氧化矽粒子水分散液，將經離子交換之處理液在140℃加熱2小時，進而，於290℃加熱1小時，去除分散介質所得之二氧化矽粒子粉末，根據水蒸氣吸附法的比表面積相對於根據氮氣吸附法的比表面積(S<sub>N2</sub>) (S<sub>H2O</sub>)之比(S<sub>H2O</sub>/S<sub>N2</sub>)為0.10～0.65。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，前述二氧化矽粒子水分散液係經過溫度140℃以上且未滿260℃之熱履歷者。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，前述二氧化矽粒子的濃度為1～40質量%。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，研磨用組成物係進一步包含選自由酸性化合物、鹼性化合物、水溶性化合物、螯合劑、氧化劑及金屬防蝕劑所構成之群組中之至少1種的添加劑。
如請求項7之研磨用組成物，其中，前述鹼性化合物為選自由鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之碳酸鹽、鹼金屬之碳酸氫鹽及含氮鹼性化合物所構成之群組中之至少1種的鹼性化合物。
如請求項7之研磨用組成物，其中，前述螯合劑為胺基羧酸系螯合劑或膦酸系螯合劑。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，研磨用組成物之pH為8.5～11。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，在將研磨用組成物於50℃加熱保管28天之試驗， <br/> 對於在50℃加熱保管28天前之研磨用組成物的藉由動態光散射法測定之平均二次粒子徑， <br/> 於50℃加熱保管28天後之研磨用組成物的藉由動態光散射法測定之平均二次粒子徑的增加率未滿5%。
如請求項1至請求項4中任一項之研磨用組成物，其中，研磨用組成物係使用在矽晶圓或裝置晶圓的研磨。
一種如請求項1至請求項12中任一項之研磨用組成物之製造方法，其係包含準備作為前驅體之膠體狀二氧化矽分散液之步驟，及 <br/> 藉由將前述前驅體加熱至溫度140℃以上且未滿260℃，得到前述二氧化矽粒子水分散液之步驟。
一種製造半導體裝置之方法，包括： <br/>將一第一晶粒及一第二晶粒接合至一基板的一第一側； <br/>在該第一晶粒及該第二晶粒上方形成一應力緩衝結構，其中該應力緩衝結構包括： <br/>延伸通過一第一絕緣層的一第一通孔的一第一部分； <br/>延伸通過一第二絕緣層的該第一通孔的一第二部分；以及 <br/>延伸通過一第三絕緣層的該第一通孔的一第三部分，其中該第一通孔之該第二部分安置於該第一通孔的該第一部分與該第一通孔之該第三部分之間，且其中該第一通孔之該第二部分的一直徑小於該第一通孔之該第一部分及該第一通孔之該第三部分的多個直徑；以及 <br/>在該應力緩衝結構上方沈積一金屬層。
如請求項1所述之方法，其中該第一絕緣層、該第二絕緣層及該第三絕緣層包括一低溫聚醯亞胺材料。
如請求項2所述之方法，其中該第一通孔之該第二部分的該直徑在一垂直方向上自該應力緩衝結構之一頂表面朝向該應力緩衝結構之一底表面減少。
如請求項1所述之方法，更包括將一散熱片耦接至該金屬層的一頂表面，其中該第一晶粒經由該第一通孔及該金屬層熱耦接至該散熱片，且該第一通孔與該第一晶粒之一頂表面實體接觸。
如請求項1所述之方法，其中該應力緩衝結構具有高達100 µm的一厚度。
一種半導體裝置，包括： <br/>一第一晶粒，該第一晶粒係在一第二晶粒之一第一側上方且接合至該第一側； <br/>圍繞該第一晶粒的一囊封劑；以及 <br/>該第一晶粒及該囊封劑上方的一應力緩衝結構，其中該應力緩衝結構包括： <br/>複數個絕緣層；以及 <br/>複數個第一通孔，其中該些第一通孔中的每一者延伸通過該些絕緣層，其中該些第一通孔包括銅，且該些第一通孔之銅的一總體積與該應力緩衝結構之一總體積的一百分比係在自10%至30%的一範圍內。
如請求項6所述之半導體裝置，更包括： <br/>該應力緩衝結構上方的一金屬層；以及 <br/>一熱耗散結構在該金屬層上方且耦接至該金屬層。
如請求項6所述之半導體裝置，其中該些第一通孔中的每一者包括： <br/>具有一第一直徑的一頂部部分； <br/>具有一第二直徑的一中間部分；以及 <br/>具有一第三直徑的一底部部分，其中該第二直徑小於該第一直徑及該第三直徑。
一種半導體裝置，包括： <br/>一頂部晶粒，該頂部晶粒接合至一底部晶粒； <br/>包圍該頂部晶粒的一模製化合物； <br/>該頂部晶粒上方的一第一應力緩衝層，該第一應力緩衝層包括延伸通過一第一介電材料的複數個第一通孔，其中該些第一通孔中的一第一者與該頂部晶粒的一基板實體接觸，且其中該基板包括矽； <br/>該第一應力緩衝層上方的一第二應力緩衝層，該第二應力緩衝層包括延伸通過一第二介電材料的複數個第二通孔，其中該些第二通孔中的每一者與該些第一通孔中之一對應者重疊且實體接觸；以及 <br/>一散熱片，該散熱片係在該些第一通孔及該些第二通孔上方且熱耦接至該些第一通孔及該些第二通孔。
如請求項9所述之半導體裝置，更包括： <br/>該第二應力緩衝層上方的一第三應力緩衝層，該第三應力緩衝層包括延伸通過一第三介電材料的複數個第三通孔，其中該些第三通孔中的每一者的一部分與該些第二通孔中之一對應者重疊且實體接觸。
一種物料貼合結果預測方法，其中，所述方法包括：<br/> 獲取目標物料的熱熔資料，包括：獲取所述目標物料熱熔加工時形成的時序；其中所述時序具有多個時間戳記，每個所述時間戳記攜帶多個壓力值和/或多個溫度值；將所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值和/或多個所述溫度值形成所述熱熔資料；<br/> 確定所述熱熔資料是否滿足預設資料處理條件；<br/> 若所述熱熔資料滿足所述預設資料處理條件，則對滿足所述預設資料處理條件的所述熱熔資料進行特徵提取處理，得到所述目標物料的加工關鍵特徵值；<br/> 將所述加工關鍵特徵值輸入物料貼合結果預測模型，得到所述目標物料的預測貼合結果。
根據請求項1所述的方法，其中，所述將所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值和/或多個所述溫度值形成所述熱熔資料的步驟還包括：<br/> 基於所述時序中每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，計算所述時序的壓力和值序列；<br/> 將所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值、所述時序的所述壓力和值序列形成所述熱熔資料，或將所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值、所述時序的所述壓力和值序列、所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述溫度值形成所述熱熔資料。
根據請求項2所述的方法，其中，所述基於所述時序中每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，計算所述時序的壓力和值序列，包括：<br/> 基於所述時序中每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，對每個所述時間戳記所有的所述壓力值進行求和處理，得到每個所述時間戳記對應的壓力和值；<br/> 基於所述時序對所有的所述時間戳記對應的所述壓力和值進行排序，得到所述時序的所述壓力和值序列。
根據請求項1所述的方法，其中，所述預設資料處理條件包括以下中至少兩種：<br/> 獲取到的所述目標物料的熱熔時長大於第一時間閾值且小於第二時間閾值；<br/> 每個所述時間戳記攜帶的全部所述壓力值均大於第一預設壓力閾值或小於第二預設壓力閾值；<br/> 每個所述時間戳記攜帶的全部所述溫度值均位於溫度閾值範圍內；<br/> 每一個所述時間戳記攜帶的所述壓力值的數量等於預設壓力數量；<br/> 每一個所述時間戳記攜帶的所述溫度值的數量等於預設溫度數量；<br/> 每一個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值不存在壓力異常值，每一個所述時間戳記攜帶的多個所述溫度值不存在溫度異常值。
根據請求項1所述的方法，其中，所述對所述熱熔資料進行特徵提取處理，得到所述目標物料的加工關鍵特徵值包括：<br/> 基於所述熱熔資料，按預設類型選取時序目標熱熔加工資料，所述預設類型包括：溫度類型、壓力類型、壓力和值序列類型、每個物料加熱時長；<br/> 基於所述時序目標熱熔加工資料，確定所述加工關鍵特徵值。
根據請求項5所述的方法，其中，所述加工關鍵特徵值，包括以下中至少一種：<br/> 所述時序目標熱熔加工資料對應的所述目標物料的保壓加熱時長；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料中的最小值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的平均值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料中的最大值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的標準差；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力斜率；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力最大值對應的時間戳記；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力最小值對應的時間戳記。
根據請求項6所述的方法，其中，確定所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率，包括：<br/> 按照所述時序對所述目標熱熔加工資料進行平均分段，以形成至少兩段以上的序列資料段；<br/> 分析每段所述序列資料段的斜率，以形成所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率。
一種物料貼合結果預測模型訓練方法，其中，所述方法包括：<br/> 獲取多個目標物料對應的熱熔資料以及對應的力值資料，其中，所述獲取多個目標物料對應的熱熔資料的步驟包括：獲取每個所述目標物料熱熔加工時形成的時序；其中所述時序具有多個時間戳記，每個所述時間戳記攜帶多個壓力值和/或多個溫度值；將每個所述時序的所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值和/或多個所述溫度值形成所述熱熔資料；<br/> 基於所述熱熔資料構建熱熔加工特徵集，並基於所述力值資料構建目標結果集；<br/> 基於所述熱熔加工特徵集和所述目標結果集，得到貼合結果訓練樣本集；<br/> 採用所述貼合結果訓練樣本集對初始貼合結果預測模型進行訓練，得到物料貼合結果預測模型。
根據請求項8所述的方法，其中，所述獲取多個目標物料對應的熱熔資料的步驟還包括：<br/> 基於每一個所述目標物料的所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，計算每個所述目標物料的所述時序的壓力和值序列；<br/> 將每個所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值、每個所述時序的所述壓力和值序列形成所述熱熔資料，或將每個所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值、每個所述時序的所述壓力和值序列、每個所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述溫度值形成所述熱熔資料。
根據請求項9所述的方法，其中，所述基於每一個所述目標物料的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，計算每一個所述目標物料的所述時序的壓力和值序列，包括：<br/> 基於每個所述目標物料的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值，對每個所述目標物料的每個所述時間戳記所有的所述壓力值進行求和處理，得到每個所述時間戳記對應的壓力和值；<br/> 基於所述時序對所有的所述時間戳記對應的所述壓力和值進行排序，得到每個所述目標物料的所述時序的所述壓力和值序列。
根據請求項8所述的方法，其中，所述基於所述熱熔資料構建熱熔加工特徵集之前，所述方法還包括：<br/> 針對每個熱熔資料，確定所述熱熔資料是否同時滿足預設資料處理條件；<br/> 若滿足，則確定所述熱熔資料為正常資料；<br/> 若不滿足，則確定所述熱熔資料為異常資料；<br/> 其中，所述預設資料處理條件包括如下任意一項以上處理條件：<br/> 獲取到的所述目標物料的熱熔時長大於第一時間閾值且小於第二時間閾值；<br/> 獲取到的所述目標物料的壓力值大於第一預設壓力閾值或小於第二預設壓力閾值，獲取到的所述目標物料的溫度值位於溫度閾值範圍內；<br/> 每一個所述時間戳記攜帶的所述壓力值的數量等於預設壓力數量，每一個所述時間戳記攜帶的所述溫度值的數量等於預設溫度數量；<br/> 每一個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值不存在壓力異常值，每一個所述時間戳記攜帶的多個所述溫度值不存在溫度異常值。
根據請求項8所述的方法，其中，所述基於所述熱熔資料構建熱熔加工特徵集，包括：<br/> 基於每個所述目標物料的所述熱熔資料，按預設類型選取每個所述目標物料的時序目標熱熔加工資料，所述預設類型包括：溫度類型、壓力類型、壓力和值序列類型、每個物料加熱時長；<br/> 基於所述目標物料的所述時序目標熱熔加工資料，確定加工關鍵特徵值；<br/> 基於每個所述目標物料的所述加工關鍵特徵值建所述熱熔加工特徵集。
根據請求項12所述的方法，其中，所述加工關鍵特徵值包括以下中至少一種：<br/> 所述時序目標熱熔加工資料對應的所述目標物料的保壓加熱時長；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料中的最小值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的平均值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料中的最大值；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的標準差；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力斜率；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力最大值對應的時間戳記；<br/> 所述時序目標熱熔加工資料的壓力最小值對應的時間戳記。
根據請求項13所述的方法，其中，確定所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率，包括：<br/> 按照所述時序對所述目標熱熔加工資料進行平均分段，以形成至少兩段以上的序列資料段；<br/> 分析每段所述序列資料段的斜率，以形成所述時序目標熱熔加工資料的分段斜率。
根據請求項8所述的方法，其中，所述基於所述熱熔加工特徵集和所述目標結果集得到貼合結果訓練樣本集，包括：<br/> 對所述熱熔加工特徵集和所述目標結果集進行合併處理，得到熱熔加工品質資料集；<br/> 對所述熱熔加工品質資料集進行交叉驗證處理，得到熱熔加工品質測試集和熱熔加工品質訓練集；<br/> 對所述熱熔加工品質訓練集進行標準化處理，得到標準值以及標準化後的熱熔加工品質訓練集；<br/> 基於所述標準值對所述熱熔加工品質測試集進行標準化處理，得到標準化後的熱熔加工品質測試集；<br/> 將所述標準化後的熱熔加工品質測試集和所述標準化後的熱熔加工品質訓練集作為所述貼合結果訓練樣本集。
根據請求項15所述的方法，其中，所述對所述熱熔加工品質資料集進行交叉驗證處理，得到熱熔加工品質測試集和熱熔加工品質訓練集，包括：<br/> 將所述熱熔加工品質資料集等分為預設數量個熱熔加工品質訓練子集；<br/> 迴圈執行第一流程預設數量次，得到中間熱熔加工品質測試集和中間熱熔加工品質訓練集；<br/> 基於所述預設數量的所述中間熱熔加工品質測試集得到所述熱熔加工品質測試集；<br/> 基於所述預設數量的所述中間熱熔加工品質訓練集得到所述熱熔加工品質訓練集；<br/> 其中，所述第一流程包括：<br/> 從所述預設數量個熱熔加工品質訓練子集中隨機抽取一個熱熔加工品質訓練子集作為所述中間熱熔加工品質測試集，將剩餘熱熔加工品質訓練子集作為所述中間熱熔加工品質訓練集；<br/> 其中隨機抽取的所述熱熔加工品質訓練子集是所述預設數量的熱熔加工品質訓練子集中未被作為所述中間熱熔加工品質測試集的所述熱熔加工品質訓練子集。
根據請求項8所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/> 迴圈執行第二流程，直至所述初始貼合結果預測模型的精度到達預設精度；<br/> 將到達所述預設精度的所述初始貼合結果預測模型固定為所述物料貼合結果預測模型；<br/> 其中，所述第二流程包括：<br/> 針對所述貼合結果訓練樣本集中的每個熱熔加工特徵集，對所述熱熔加工特徵集中的加工關鍵特徵值進行重要度排序，得到特徵序列，從所述熱熔加工特徵集中剔除在所述特徵序列中位於最後一個的所述加工關鍵特徵值，得到剔除後的熱熔加工特徵集；<br/> 基於每個所述剔除後的熱熔加工特徵集構建新的貼合結果訓練樣本集；<br/> 採用新的所述貼合結果訓練樣本訓練所述初始貼合結果預測模型，以得到訓練後的所述初始貼合結果預測模型的精度；<br/> 判斷所述初始貼合結果預測模型的精度是否到達所述預設精度。
一種物料貼合結果預測裝置，其中，所述裝置包括：<br/> 資料獲取模組，用於獲取目標物料的熱熔資料，包括：獲取所述目標物料熱熔加工時形成的時序；其中所述時序具有多個時間戳記，每個所述時間戳記攜帶多個壓力值和/或多個溫度值；將所述時序的每個所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值和/或多個所述溫度值形成所述熱熔資料；<br/> 處理模組，用於確定所述熱熔資料是否滿足預設資料處理條件；<br/> 特徵提取模組，用於若滿足所述預設資料處理條件，則對滿足所述預設資料處理條件的所述熱熔資料進行特徵提取處理，得到所述目標物料的加工關鍵特徵值；<br/> 貼合結果預測模組，用於將所述加工關鍵特徵值輸入物料貼合結果預測模型，得到所述目標物料的預測貼合結果。
一種物料貼合結果預測模型訓練裝置，其中，所述裝置包括：<br/> 獲取模組，用於獲取多個目標物料對應的熱熔資料以及對應的力值資料，其中，所述獲取多個目標物料對應的熱熔資料的步驟包括：獲取每個所述目標物料熱熔加工時形成的時序；其中所述時序具有多個時間戳記，每個所述時間戳記攜帶多個壓力值和/或多個溫度值；將每個所述時序的所述時間戳記攜帶的多個所述壓力值和/或多個所述溫度值形成所述熱熔資料；<br/> 資料集構建模組，用於基於所述熱熔資料構建熱熔加工特徵集，並基於所述力值資料構建目標結果集；<br/> 貼合結果訓練樣本集構建模組，用於基於所述熱熔加工特徵集和所述目標結果集，得到貼合結果訓練樣本集；<br/> 訓練模組，用於採用所述貼合結果訓練樣本集對初始貼合結果預測模型進行訓練，得到物料貼合結果預測模型。
一種電腦設備，其中，包括用於儲存電腦程式的記憶體和用於執行程式的處理器，其中，當該電腦程式被所述處理器執行時，觸發所述電腦設備執行請求項1至7或8至17中任一項所述的方法。
一種電腦儲存介質，其中，所述電腦儲存介質包括儲存的程式，其中，在所述程式運行時控制所述電腦儲存介質所在設備執行請求項1至7或8至17中任意一項所述的方法。
一種驅動電路，其改良在於，包括：<br/> 控制模組，用於輸出控制訊號，其中，所述控制模組包括微控制器和數模轉換器，所述微控制器與所述數模轉換器電性連接，所述控制訊號為脈衝訊號，所述微控制器用於調節所述控制訊號的振幅，所述數模轉換器用於調節所述控制訊號的週期；以及<br/> 放大模組，包括第一放大單元和第二放大單元，所述第一放大單元分別與所述控制模組和所述第二放大單元電性連接，所述第一放大單元用於正向放大所述控制訊號後輸出第一驅動訊號，所述第二放大單元用於將所述第一驅動訊號反向後輸出第二驅動訊號，藉由調變所述控制訊號的幅值，調節所述第一驅動訊號與所述第二驅動訊號之間的差值。
如請求項1所述的驅動電路，其中，所述第一放大單元包括第一運算放大器、第一電阻和第二電阻，<br/> 所述第一運算放大器包括第一正向輸入端、第一反向輸入端和第一輸出端，所述第一正向輸入端與所述數模轉換器電性連接；<br/> 所述第一電阻一端與所述第一反向輸入端電性連接，另一端接地；<br/> 所述第二電阻一端與所述第一反向輸入端電性連接，另一端與所述第一輸出端電性連接。
如請求項2所述的驅動電路，其中，所述第二電阻的電阻值與所述第一電阻的電阻值的比值大於等於1。
如請求項2所述的驅動電路，其中，所述第二放大單元包括第二運算放大器、第三電阻和第四電阻，<br/> 所述第二運算放大器包括第二正向輸入端、第二反向輸入端和第二輸出端，所述第二正向輸入端接地；<br/> 所述第三電阻一端與所述第一輸出端電性連接，另一端與所述第二反向輸入端電性連接；<br/> 所述第四電阻一端與所述第二反向輸入端電性連接，另一端與所述第二輸出端電性連接。
如請求項4所述的驅動電路，其中，所述第四電阻的電阻值與所述第三電阻的電阻值的比值大於等於1。
如請求項5所述的驅動電路，其中，所述第一輸出端與所述第二輸出端之間電性連接有第五電阻。
一種電致變色鏡，其改良在於，包括：<br/> 如請求項1至6中任一項所述的驅動電路；<br/> 電致變色鏡片，分別電性連接所述第一放大單元和所述第二放大單元，所述電致變色鏡片的透光率隨所述第一驅動訊號與所述第二驅動訊號之間的差值變化而變化。
如請求項7所述的電致變色鏡，其中，所述電致變色鏡片包括相對設置的二導電層、以及位於所述二導電層之間的液晶層，所述二導電層分別電性連接所述第一放大單元和所述第二放大單元，所述液晶層內包括複數液晶分子，所述複數液晶分子的旋轉角度隨所述第一驅動訊號與所述第二驅動訊號之間的差值發生改變，以調節所述電致變色鏡片的透光率。
如請求項8所述的電致變色鏡，其中，所述二導電層不接收所述第一驅動訊號和所述第二驅動訊號時，所述電致變色鏡片透光且所述透光率保持不變；<br/> 所述二導電層分別接收所述第一驅動訊號和所述第二驅動訊號時，所述電致變色鏡片的所述透光率隨所述第一驅動訊號和所述第二驅動訊號之間的差值的增大而減小。
一種拖吊車之承板位移機構，其包含有：<br/> 一車載座，具有二相對設置之軌道框及二限位座，該二軌道框沿一縱向方向組設於一車體之前端，該二限位座相對設置於該車體之後端並位在該二軌道框之後方，位在同一側之該軌道框及該限位座呈間隔設置而構成一限位槽，該軌道框及該限位座互爲相對之側面均爲一導斜面；<br/> 一承載座，以二對稱設於該承載座底部之樞接座樞接於該車體之後端，該承載座受一設於該車體內之第一驅動裝置驅動作上下擺動，該承載座之左、右兩側分別設有複數個導輪和至少一緩衝元件，至少二導輪隨該承載座之前端向下擺動，藉由該導斜面導引位在同一側之導輪嵌入對應之限位槽內，以限位固定該承載座，且該緩衝元件與對應側之限位槽的底部相接觸，以緩衝該承載座對該車體的衝擊力；<br/> 一移動板，可移動伸縮地組設於該承載座內，該承載座內設有一第二驅動裝置，該移動板受該第二驅動裝置驅動可移動納入該承載座內或移動伸出至該承載座外；該移動板與該承載座相對之左、右側面設有一開口朝向該承載座之第一滑槽，該承載座於與該些導輪相異之一側設有至少一滾輪，可在對應側的第一滑槽內滾動，以導引該移動板在該承載座內伸縮移動；<br/> 一連動板，跨設於該移動板上，至少一第一鏈條及至少一第二鏈條連接於該連動板及該承載座之間，該第一鏈條以其一端繞設於該移動板之前端部並連接於一位在該承載座底部之跨板上，以其另一端與該連動板之底面連結；該第二鏈條以其一端連結於該跨板上，以其另一端繞設於該移動板之後端部並與該連動板之底面連結，當該第二驅動裝置進行收縮時，利用該移動板之後端部牽動該第二鏈條，使該連動板具有朝向該承載座之後端移動的動力；當該第二驅動裝置進行推伸時，利用該移動板之前端部牽動該第一鏈條，使該連動板具有朝向該承載座之前端移動的動力，從而帶動樞接在該連動板上的承板移動。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該承載座之後端與該二樞接座之間的底面兩側對稱設有二補強板。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該移動板具有二相異於該二第一滑槽之第二滑槽，該二第二滑槽之開口呈相對設置，該連動板之底面具有可沿該二第二滑槽移動之滑輪，令該連動板沿該移動板順暢移動。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該移動板之前端部設有至少一第一導滑輪，用以供該第一鏈條繞設；及該移動板之後端部設有至少一第二導滑輪，用以供該第二鏈條繞設。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該跨板設置於該承載座之前端的底面。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該承板底面設有一連接於該車體之拉提帶，以防止該承板從該連動板上鬆脫，該承板之尾端設有至少一導向輪，用以輔助該承板之尾端觸及一平面時可隨該連動板順暢地滑移。
如請求項1所述之拖吊車之承板位移機構，其中，該第一驅動裝置及該第二驅動裝置均爲油壓缸。
一種貼合裝置，其改良在於，包括：<br/> 機臺；<br/> 翻轉機構，設於所述機臺並用於翻轉治具，所述治具用於承載工件；<br/> 成型模具，設於所述機臺，並包括真空腔體、公模及頂升組件，所述公模活動設於所述真空腔體內並設有吸附孔，所述公模用於承載並加熱帶有離型膜的膜片，所述吸附孔用於吸附所述膜片的四周，所述頂升組件設於所述真空腔體的下方，用於推拉所述公模運動；<br/> 取放料機構，包括搬運組件、第一取放組件及第二取放組件，所述搬運組件設於所述機臺，並連接所述第一取放組件與所述第二取放組件，所述搬運組件用於帶動所述第一取放組件與所述第二取放組件運動，以使所述第一取放組件帶動所述翻轉機構上的治具蓋設於所述真空腔體且所述治具上的工件收納於所述真空腔體內，並使所述第二取放組件將帶有離型膜的膜片放置於所述公模上；<br/> 移膜機構，包括設於所述機臺的安裝支架、設於所述安裝支架的移載組件、連接所述移載組件的撕膜組件與母模組件，所述移載組件用於驅動所述撕膜組件及所述母模組件運動，以使所述母模組件蓋設於所述真空腔體，所述移載組件包括橫向移載驅動件、橫向移載座、縱向移載驅動件、縱向移載座、第三升降驅動件及第三移載座，所述橫向移載驅動件設於所述安裝支架並連接所述橫向移載座，用於驅動所述橫向移載座沿第一方向運動，所述縱向移載驅動件設於所述橫向移載座並連接所述縱向移載座，用於驅動所述縱向移載座沿第二方向運動，所述第三升降驅動件設於所述縱向移載座並連接所述第三移載座，用於驅動所述第三移載座沿第三方向運動，所述撕膜組件包括撕膜驅動件與撕膜夾爪，所述撕膜驅動件設於所述第三移載座並連接所述撕膜夾爪，用於驅動所述撕膜夾爪夾持成型後所述膜片上的離型膜，所述母模組件包括母模驅動件與母模，所述母模驅動件設於所述第三移載座，用於夾持所述母模；<br/> 其中，所述頂升組件用於推動所述公模帶動加熱後的膜片及離型膜抵壓至所述母模，以使所述膜片的四周成型為曲面，所述撕膜組件用於撕取成型後的所述膜片上的離型膜，所述頂升組件還用於推動所述公模帶動成型後的膜片抵壓至所述治具上的工件，以貼合所述膜片至所述工件上。
如請求項1所述的貼合裝置，其中，所述公模包括：<br/> 底板，設於所述真空腔體內並連接所述頂升組件；<br/> 加熱件，設於所述底板；<br/> 凸模件，設於所述加熱件，用於承載所述膜片，所述凸模件開設有所述吸附孔。
如請求項2所述的貼合裝置，其中，所述加熱件設有環狀的加熱區，所述凸模件包括：<br/> 導熱體，設於所述加熱件上，所述導熱體設有凸模部與位於所述導熱體中部的開槽，所述凸模部的周緣為弧形，且對應設置於所述加熱區上，以加熱成型所述膜片的曲面部分；<br/> 隔熱體，嵌設於所述開槽內，且所述隔熱體穿過所述加熱件並抵接於所述底板，所述隔熱體的頂部為平面，並與所述凸模部對接以形成成型面；<br/> 其中，所述凸模部及所述隔熱體均設有所述吸附孔，所述吸附孔用於當所述膜片設於所述成型面上時，吸附所述膜片的四周以定位所述膜片。
如請求項1所述的貼合裝置，其中，所述成型模具還包括：<br/> 安裝架，設於所述機臺，所述頂升組件設於所述安裝架；<br/> 貼合座，設於所述安裝架並位於所述頂升組件上方，所述真空腔體設於所述貼合座；<br/> 抽真空件，設於所述安裝架並連通所述真空腔體，以使所述真空腔體內形成真空狀態。
如請求項4所述的貼合裝置，其中，<br/> 所述成型模具還包括密封圈，所述密封圈的一部分嵌設於所述貼合座，所述密封圈的另一份延伸至所述真空腔體內；<br/> 所述頂升組件包括頂升板、頂升驅動件、導向件、頂升軸、壓力檢測件及壓力軸，所述頂升軸的一端連接所述壓力軸，所述頂升軸的另一端活動穿設於所述貼合座並與所述公模連接，所述密封圈套設於所述頂升軸並與所述頂升軸過盈配合，所述導向件嵌設於所述貼合座並設於所述密封圈背離所述公模的一側，所述導向件套設於所述頂升軸並與所述頂升軸間隙配合，所述壓力檢測件設於所述壓力軸與所述頂升板之間，用於檢測所述頂升軸傳遞給所述公模的作用力，所述頂升驅動件設於所述安裝架，用於驅動所述頂升板帶動所述頂升軸、所述壓力檢測件及所述壓力軸整體上移。
如請求項4所述的貼合裝置，其中，所述成型模具還包括：<br/> 壓持組件，包括壓持驅動件及抵持件，所述壓持驅動件設於所述安裝架並連接所述抵持件，用於驅動所述抵持件轉動，以使所述抵持件壓持所述母模或所述治具至所述貼合座。
如請求項1所述的貼合裝置，其中，所述翻轉機構包括：<br/> 翻轉支架，設於所述機臺，所述治具與所述翻轉支架轉動連接；<br/> 翻轉驅動件，設於所述翻轉支架並連接所述治具，用於驅動所述治具翻轉；<br/> 夾持驅動件及卡持件，所述夾持驅動件設於所述翻轉支架並連接所述卡持件，用於驅動所述卡持件卡持至所述治具。
如請求項1所述的貼合裝置，其中，<br/> 所述搬運組件包括取放料支架、第一平移驅動件、第一平移座、第二平移驅動件及第二平移座，所述取放料支架設於所述機臺，所述第一平移驅動件設於所述取放料支架並連接所述第一平移座，用於驅動所述第一平移座沿第一方向運動，所述第二平移驅動件設於所述第一平移座並連接所述第二平移座，用於驅動所述第二平移座沿第二方向運動；<br/> 所述第一取放組件包括第一升降驅動件、第一移載座及取放夾爪，所述第一升降驅動件設於所述第二平移座並連接所述第一移載座，用於驅動所述第一移載座沿第三方向運動，所述取放夾爪連接所述第一移載座，用於夾持所述治具；<br/> 所述第二取放組件包括第二升降驅動件、第二移載座及取放吸附件，所述第二升降驅動件設於所述第二平移座並連接所述第二移載座，用於驅動所述第二移載座沿所述第三方向運動，所述取放吸附件連接所述第二移載座，用於吸附帶有離型膜的膜片。
如請求項1所述的貼合裝置，其中，<br/> 在所述膜片的曲面成型後，所述母模驅動件用於夾持所述母模，所述撕膜驅動件用於一併夾持成型後所述膜片上的離型膜，以一併完成開模及撕膜動作。
一種具有擴展環繞的改良式車輪罩蓋總成，包括： <br/>一內側表面區域、一外側表面區域、一周邊邊界、一周邊擴展環繞、複數個突耳螺帽塔，其中該複數個突耳螺帽塔包括通孔、具有從該內側表面區域突出之壁之複數個主要凸緣，其中該複數個主要凸緣包括直接雕刻至該內側表面區域之表面中之複數個通孔。
如請求項1之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個主要凸緣包括複數個鈎形構件。
如請求項2之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個鈎形構件包括一左側鈎形構件。
如請求項3之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個鈎形構件包括一右側鈎形構件。
如請求項4之改良式車輪罩蓋總成，其中該左側鈎形構件包括一剛性聚合物左側唇緣，該剛性聚合物左側唇緣連續突出且連接至一外剛性聚合物左側縱向邊緣，該外剛性聚合物左側縱向邊緣連續連接至一外剛性聚合物彎曲臂邊緣及一內剛性聚合物彎曲臂邊緣。
如請求項5之改良式車輪罩蓋總成，其中該右側鈎形構件包括一剛性聚合物右側唇緣，該剛性聚合物右側唇緣連續突出且連接至一外剛性聚合物右側縱向邊緣，該外剛性聚合物右側縱向邊緣連續連接至一外剛性聚合物彎曲臂邊緣及一內剛性聚合物彎曲臂邊緣。
如請求項6之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括一張力突片導板、一張力突片導板狹縫、一車輛標誌支撐裝置、該車輛標誌支撐裝置之至少一個張力突片、一張力旋轉裝置叉尖、一張力旋轉裝置開口及一張力裝置緊固件。
如請求項7之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括一張力突片總成。
如請求項8之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括至少一個次要張力突片及含有一鈎形構件之至少一個主要張力突片。
如請求項9之改良式車輪罩蓋總成，其中該主要張力突片鈎形構件包括沿著一剛性聚合物縱向邊緣之整體連續突出之一剛性彎曲聚合物唇緣，該剛性聚合物縱向邊緣連續連接至一剛性聚合物右側彎曲臂邊緣及一剛性聚合物左側彎曲臂邊緣。
如請求項10之改良式車輪罩蓋總成，其中該主要張力突片以從該次要張力突片之位置量測之至多十五(15)度之一角度製造。
如請求項11之改良式車輪罩蓋總成，其中該周邊擴展環繞擴展以覆蓋一整個車輛的輪緣。
如請求項12之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個鈎形構件附裝至該複數個突耳螺帽塔。
一種具有擴展環繞的改良式車輪罩蓋總成，其包括： <br/>一內側表面區域；一外側表面區域；一周邊邊界；一周邊擴展環繞；複數個突耳螺帽塔，其中該複數個突耳螺帽塔包括通孔、具有從該內側表面區域突出之壁之複數個主要凸緣，其中該複數個主要凸緣包括直接雕刻至該內側表面區域之表面中之複數個通孔、，該等主要凸緣上之複數個鈎形構件包括一鈎形構件部分，該鈎形構件部分包括連續及軸向突出且連接至一剛性聚合物縱向邊緣之一剛性聚合物唇緣，該剛性聚合物縱向邊緣在一個端上連續及徑向連接至該鈎形構件部分之一剛性聚合物彎曲臂邊緣，且進一步包括另一鈎形構件部分，該另一鈎形構件部分包括連續及軸向突出且連接至一剛性聚合物縱向邊緣之一剛性聚合物唇緣，該剛性聚合物縱向邊緣在相對端上連續及徑向連接至一剛性聚合物彎曲臂邊緣；一張力突片導板；一張力突片導板狹縫；一車輛標誌支撐裝置；該車輛標誌支撐裝置之至少一個張力突片；一張力旋轉裝置叉尖；一張力旋轉裝置開口；一張力裝置緊固件；一張力突片總成，其包括至少一個次要張力突片及至少一個主要張力突片，該主要張力突片包括沿著一剛性聚合物縱向邊緣之整體連續突出之一剛性彎曲聚合物唇緣，該剛性聚合物縱向邊緣在一個端上連續連接至一剛性聚合物彎曲臂邊緣且在相對端上連續連接至一剛性聚合物彎曲臂邊緣，且該具有擴展環繞的改良式車輪罩蓋總成藉由包括以下步驟之程序製造： <br/>i.選擇適合聚合物材料； <br/>ii.對該等適合聚合物材料執行熱循環測試； <br/>iii.對該等適合聚合物材料執行耐化學性測試； <br/>iv.對該等適合聚合物材料執行落球衝擊測試； <br/>v.對該等適合聚合物材料執行鉛筆劃痕測試； <br/>vi.對該等適合聚合物材料執行耐磨性測試； <br/>vii.對該等適合聚合物材料執行抗劃痕測試； <br/>viii.提供個別組件部件之一三維掃描成像； <br/>ix.將該等個別組件部件之該三維掃描成像傳送至一射出模製電腦以產生該等組件部件之精確對應設計； <br/>x.將剛性聚合物材料放置於一射出模具中以形成該等個別組件部件； <br/>xi.藉由平滑化該等部件且移除全部尖銳而粗糙邊緣來精加工該等組件部件。
如請求項14之改良式車輪罩蓋總成，其中該主要張力突片以從該次要張力突片之位置量測之至多十五(15)度之一角度製造。
如請求項15之改良式車輪罩蓋總成，其中該周邊擴展環繞擴展以覆蓋一整個車輛的輪緣。
如請求項16之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個鈎形構件附裝至該複數個突耳螺帽塔。
一種具有擴展環繞的改良式車輪罩蓋總成，包括一內側表面區域、一外側表面區域、一周邊邊界、一周邊擴展環繞、複數個突耳螺帽塔，其中該複數個突耳螺帽塔包括通孔、具有從該內側表面區域突出之壁之複數個主要凸緣，其中該複數個主要凸緣包括直接雕刻至該內側表面區域之表面中之複數個通孔，且其中該複數個主要凸緣包括包含一左側鈎形構件及一右側鈎形構件之複數個鈎形構件。
如請求項18之改良式車輪罩蓋總成，其中該左側鈎形構件包括一剛性聚合物左側唇緣，該剛性聚合物左側唇緣連續突出且連接至一外剛性聚合物左側縱向邊緣，該外剛性聚合物左側縱向邊緣連續連接至一外剛性聚合物彎曲臂邊緣及一內剛性聚合物彎曲臂邊緣。
如請求項19之改良式車輪罩蓋總成，其中該右側鈎形構件包括一剛性聚合物右側唇緣，該剛性聚合物右側唇緣連續突出且連接至一外剛性聚合物右側縱向邊緣，該外剛性聚合物右側縱向邊緣連續連接至一外剛性聚合物彎曲臂邊緣及一內剛性聚合物彎曲臂邊緣。
如請求項20之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括一張力突片導板、一張力突片導板狹縫、一車輛標誌支撐裝置、該車輛標誌支撐裝置之至少一個張力突片、一張力旋轉裝置叉尖、一張力旋轉裝置開口及一張力裝置緊固件。
如請求項21之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括一張力突片總成。
如請求項22之改良式車輪罩蓋總成，其進一步包括含有一鈎形構件之至少一個主要張力突片及至少一個次要張力突片。
如請求項23之改良式車輪罩蓋總成，其中該主要張力突片包括沿著一剛性聚合物縱向邊緣之整體連續突出之一剛性彎曲聚合物唇緣，該剛性聚合物縱向邊緣連續連接至一剛性聚合物右側彎曲臂邊緣及一剛性聚合物左側彎曲臂邊緣。
如請求項24之改良式車輪罩蓋總成，其中該主要張力突片以從該次要張力突片之位置量測之至多十五(15)度之一角度製造。
如請求項25之改良式車輪罩蓋總成，其中該周邊擴展環繞覆蓋一整個車輛的輪緣。
如請求項26之改良式車輪罩蓋總成，其中該複數個鈎形構件附裝至該複數個突耳螺帽塔。
如請求項13之改良式車輪罩蓋總成，其中該車輪罩係具有該擴展環繞及該等鈎形構件之一輪轂帽。
如請求項17之改良式車輪罩蓋總成，其中該車輪罩係具有該擴展環繞及該等鈎形構件之一輪轂帽。
一種半導體裝置，是晶片尺寸封裝型的半導體裝置，具備：<br/> 半導體層；<br/> 1個以上的縱型MOS電晶體，形成於前述半導體層；<br/> 保護膜，位於比前述半導體層的上表面更上方，且具有複數個開口部；<br/> 複數個墊件，在前述複數個開口部的各者中露出於前述保護膜的外部，且各自作為前述1個以上的縱型MOS電晶體的任一者的端子而發揮功能；及<br/> 複數個金屬再配線，位於比前述半導體層的上表面更上方，且各自連接於前述複數個墊件當中的彼此不重複之任何1個以上的墊件，<br/> 在前述半導體裝置的平面視角下，<br/> 前述保護膜包含在前述半導體層內，<br/> 前述複數個金屬再配線的各者包含在前述半導體層內，且將連接於該金屬再配線之前述1個以上的墊件包含在內，<br/> 於前述複數個金屬再配線中包含複數個第1金屬再配線，前述複數個第1金屬再配線是由第1部分、與位於比前述第1部分更上方之第2部分所構成，在前述平面視角下，前述第2部分包含於前述第1部分內，且前述第2部分的面積比前述第1部分的面積更小，<br/> 前述複數個第1金屬再配線的各者在交界部分具有1個以上的線狀折彎部，前述交界部分是該第1金屬再配線的正面中的前述第1部分與前述第2部分之交界部分，前述1個以上的線狀折彎部是該第1金屬再配線的剖面中的內角的角度比180度更大之折彎部，<br/> 在前述平面視角下，於前述1個以上的線狀折彎部存在面朝前述半導體裝置的外周側之部分，<br/> 前述第2部分的自前述半導體層的上表面起法線所延伸之方向上的長度，比前述第1部分的前述法線所延伸之方向上的長度更長。
如請求項1之半導體裝置，其中在前述第2部分的側面當中的前述平面視角下的面朝前述半導體裝置的外周側之區域內，存在相對於前述半導體層的上表面之仰角呈小於90度之區域。
如請求項1之半導體裝置，其中在前述平面視角下，前述保護膜的外周位於比前述半導體層的外周更內側，<br/> 前述第1部分的最下表面在前述法線所延伸之方向上比前述墊件更接近前述半導體層的上表面，且在前述平面視角下包含於前述半導體層內，並且未包含於前述保護膜的外周內。
如請求項3之半導體裝置，其中在前述平面視角下，<br/> 於前述第1部分的外周存在未包含於前述保護膜的外周內之部分，<br/> 前述第2部分是包含於前述保護膜的外周內。
如請求項1之半導體裝置，其中前述複數個金屬再配線的各者是包含第1金屬層與第2金屬層之多層構造，前述第1金屬層是由不包含金之第1金屬所形成，前述第2金屬層是由包含金之第2金屬所構成，<br/> 在前述第1部分的側面，存在在前述平面視角下與前述半導體層的側面一致之第1區域，<br/> 且前述第1金屬在前述第1區域的至少一部分露出。
如請求項1之半導體裝置，其中前述複數個金屬再配線的各者是包含第1金屬層與第2金屬層之多層構造，前述第1金屬層是由不包含金之第1金屬所構成，前述第2金屬層是由包含金之第2金屬所構成，<br/> 在前述平面視角下，前述第1部分的側面是位於比前述半導體層的側面更內側，<br/> 在前述第1部分的側面的整體中，沒有露出前述第1金屬，而是露出前述第2金屬。
如請求項1之半導體裝置，其中在前述平面視角下，於前述1條以上的線狀折彎部還進一步存在面朝前述半導體裝置的中央側之部分，<br/> 前述1個以上的線狀折彎部當中的面朝前述半導體裝置的外周側之部分中的該部分與前述第1部分的外周部分之最短距離，比前述1個以上的線狀折彎部當中的面朝前述半導體裝置的中央側之部分中的該部分與前述第1部分的外周部分之最短距離更長。
如請求項1之半導體裝置，其中前述複數個金屬再配線的數量與前述複數個墊件的數量為相等。
如請求項8之半導體裝置，其中前述複數個金屬再配線的全部為前述複數個第1金屬再配線。
如請求項1之半導體裝置，其中在前述平面視角下，<br/> 前述半導體層是矩形，<br/> 在前述複數個墊件包含：在前述半導體層的第1邊以及與前述第1邊正交之前述半導體層的第2邊之間不包含其他的墊件之第1墊件、在前述第2邊以及與前述第2邊正交之前述半導體層的第3邊之間不包含其他的墊件之第2墊件、在前述第3邊以及與前述第3邊正交之前述半導體層的第4邊之間不包含其他的墊件之第3墊件、及在前述第4邊以及前述第1邊之間不包含其他的墊件之第4墊件，<br/> 前述複數個金屬再配線當中，連接於前述第1墊件之第1特定金屬再配線、連接於前述第2墊件之第2特定金屬再配線、連接於前述第3墊件之第3特定金屬再配線、與連接於前述第4墊件之第4特定金屬再配線的各者，是前述複數個第1金屬再配線當中的任一者。
如請求項10之半導體裝置，其中前述第1特定金屬再配線、前述第2特定金屬再配線、前述第3特定金屬再配線與前述第4特定金屬再配線的各者是連接於前述複數個墊件當中的2個以上的墊件。
如請求項10之半導體裝置，其中前述複數個墊件當中，除了前述第1墊件、前述第2墊件、前述第3墊件與前述第4墊件以外之1個以上的特定墊件的至少1者未連接於前述複數個金屬再配線的任一者。
如請求項10之半導體裝置，其中在前述複數個墊件當中，除了前述第1墊件、前述第2墊件、前述第3墊件與前述第4墊件以外之1個以上的特定墊件的至少1者，是連接於前述複數個金屬再配線當中的並非前述複數個第1金屬再配線之不具有前述1個以上的線狀折彎部之第2金屬再配線。
一種半導體模組，具備：<br/> 如請求項1至13中任一項之半導體裝置；及<br/> 組裝基板，供前述半導體裝置面朝下組裝，<br/> 前述組裝基板具有與前述半導體裝置所具備之複數個金屬再配線的各者以1對1方式對應之複數個焊盤型樣，<br/> 前述複數個焊盤型樣的各者透過由焊料接合材所構成之焊料填角而接合於和該焊盤型樣對應之前述複數個金屬再配線當中的1個金屬再配線，<br/> 在前述平面視角下，前述複數個焊盤型樣的各者中的該焊盤型樣的面積比和該焊盤型樣對應之前述複數個金屬再配線當中的1個金屬再配線的面積更大，<br/> 前述複數個焊盤型樣的各者具有未包含於前述半導體裝置內之部分，<br/> 前述複數個第1金屬再配線的各者中的前述1個以上的線狀折彎部是被和該第1金屬再配線對應之前述焊料填角所掩埋。
一種半導體模組，具備：<br/> 如請求項10至13中任一項之半導體裝置；及<br/> 組裝基板，供前述半導體裝置面朝下組裝，<br/> 前述組裝基板具有與前述半導體裝置所具備之複數個金屬再配線的各者以1對1方式對應之複數個焊盤型樣，<br/> 前述複數個焊盤型樣的各者透過和該焊盤型樣對應且由焊料接合材所構成之焊料填角而接合於和該焊盤型樣對應之前述複數個金屬再配線當中的1個金屬再配線，<br/> 在前述平面視角下，前述複數個焊盤型樣的各者中的該焊盤型樣的面積比和該焊盤型樣對應之前述複數個金屬再配線當中的1個金屬再配線的面積更大，<br/> 前述複數個焊盤型樣的各者具有未包含於前述半導體裝置內之部分，<br/> 前述複數個第1金屬再配線的各者中的前述1個以上的線狀折彎部是被前述焊料填角所掩埋，<br/> 在前述平面視角下，<br/> 前述複數個焊盤型樣當中的和前述第1特定金屬再配線對應之第1焊盤型樣具有超過前述第1邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域、與超過前述第2邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域，<br/> 前述複數個焊盤型樣當中的和前述第2特定金屬再配線對應之第2焊盤型樣具有超過前述第2邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域、與超過前述第3邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域，<br/> 前述複數個焊盤型樣當中的和前述第3特定金屬再配線對應之第3焊盤型樣具有超過前述第3邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域、與超過前述第4邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域，<br/> 前述複數個焊盤型樣當中的和前述第4特定金屬再配線對應之第4焊盤型樣具有超過前述第4邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域、與超過前述第1邊而朝前述半導體裝置的外側擴展之區域。
一種由一計算裝置執行之方法，該方法包括： <br/>使用該計算裝置之至少一個電極來被動感測存在於一外部環境內之一電場； <br/>基於該被動感測來偵測該電場之一變化；及 <br/>自該電場之該變化偵測人體存在於距該計算裝置之一接近範圍內；及 <br/>使用該至少一個電極，自放置在包括該至少一個電極之該計算裝置之一部分上方(over)之一人員附屬物(appendage)而量測一心率。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>在偵測到該人體存在之前，以一低功率狀態操作該計算裝置；及 <br/>回應於偵測到該人體存在，以一高功率狀態操作該計算裝置。
如請求項2之方法，其進一步包括： <br/>基於該被動感測且在第二時間期間偵測該電場之一第二變化； <br/>基於在該第二時間期間偵測到該第二變化而判定該人體在該接近範圍之外；及 <br/>回應於判定該人體在該接近範圍之外，以該低功率狀態操作該計算裝置。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>使用該計算裝置之至少一個運動感測器來判定該計算裝置實質上靜止， <br/>其中判定該人體在該接近範圍內係基於偵測到該電場之該變化且係基於判定該計算裝置實質上靜止。
如請求項1之方法，其中： <br/>該被動感測包括： <br/>由該至少一個電極以一第一時間間隔產生表示該電場之一強度之一第一電荷值；及 <br/>由該至少一個電極以一第二時間間隔產生表示該電場之該強度之一第二電荷值；且 <br/>偵測到該電場之該變化包括基於該第一電荷值與該第二電荷值之一比較來偵測該電場之該變化。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>基於該第二電荷值來判定該人體與該計算裝置之間的一距離。
如請求項1之方法，其中： <br/>該被動感測包括： <br/>由該至少一個電極之一第一電極在一第三時間處產生表示該電場之一強度的一第三電荷值；及 <br/>由該至少一個電極之一第二電極在一第四時間處產生表示該電場之該強度的一第四電荷值；且 <br/>偵測到該電場之該變化包括基於該第三電荷值與該第四電荷值之一比較來偵測該電場之該變化。
如請求項1之方法，其中： <br/>該至少一個電極定位於該計算裝置之一第一側上；且 <br/>該計算裝置之與該第一側相對之一第二側朝向該人體定向。
如請求項1之方法，其中： <br/>該人體與一睡覺的人員相關聯；且 <br/>該方法進一步包括： <br/>基於該電場之該變化來偵測該人員之一運動；及 <br/>基於對該運動之該偵測來估計該人員的睡眠之一品質。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>基於該被動感測來偵測一電線之一存在。
如請求項1之方法，其中該被動感測包括在該外部環境內不發射能量之情況下被動地感測該電場。
一種用於使用電極實施被動接近偵測之裝置，該裝置包括： <br/>至少一個電極， <br/>該裝置經組態以使用該至少一個電極來執行如請求項1至11之方法中之任一者。
如請求項12之裝置，其中： <br/>該裝置包括定位於該裝置之一側上之一按鈕；且 <br/>該至少一個電極整合在該按鈕內。
如請求項12或13之裝置，其進一步包括一心電圖感測器，該心電圖感測器包括該至少一個電極。
如請求項12或13之設備，其中該至少一個電極包括至少兩個電極。
如請求項12或13之裝置，其中該至少一個電極經組態以在該設備通電時以連續方式操作。
一種電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀儲存媒體包括指令，該等指令回應於由一處理器執行而使一計算裝置執行如請求項1至11之方法中之任一者。
一種基板處理方法，係用以處理基板的圖案形成面，並包含： <br/>供給步驟，係對前述圖案形成面供給包含昇華性物質以及溶媒的基板處理液； <br/>固化步驟，係使在前述供給步驟中被供給至前述圖案形成面之前述基板處理液的液膜中的溶媒蒸發並使前述昇華性物質析出，從而形成包含前述昇華性物質的固化膜；以及 <br/>昇華步驟，係使前述固化膜昇華從而去除前述固化膜； <br/>前述昇華性物質係包含2,2-二氯乙醯胺、2-氯-3-羥基吡啶以及2,6-二氯苯酚的至少任一者。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中進一步地包含：薄膜化步驟，係使前述基板以第一旋轉速度繞著與前述圖案形成面的垂直方向平行的旋轉軸線旋轉，藉此將在前述供給步驟中被供給至前述圖案形成面上的前述基板處理液的液膜薄膜化； <br/>前述固化步驟為下述步驟：使前述基板以比前述第一旋轉速度還快的第二旋轉速度繞著前述旋轉軸線旋轉，從而使前述液膜中的溶媒蒸發。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述固化步驟係在析出前述昇華性物質後對前述圖案形成面供給惰性氣體，藉此促進前述固化膜的形成。
如請求項2所記載之基板處理方法，其中使用常溫中的蒸氣壓比前述昇華性物質還大的溶媒作為前述溶媒。
如請求項4所記載之基板處理方法，其中前述溶媒為甲醇、丁醇、異丙醇以及丙酮的至少任一種。
一種基板處理裝置，係用以處理基板的圖案形成面，並具備： <br/>基板保持部，係以前述基板能夠繞著與前述圖案形成面的垂直方向平行的旋轉軸線旋轉之方式保持前述基板； <br/>供給部，係對被前述基板保持部保持的前述基板的前述圖案形成面供給包含昇華性物質以及溶媒的基板處理液；以及 <br/>昇華部，係使包含前述昇華性物質的固化膜昇華，從而去除前述固化膜； <br/>前述基板保持部係使前述供給部供給至前述圖案形成面之前述基板處理液的液膜中的溶媒蒸發並使前述昇華性物質析出，從而形成包含前述昇華性物質的固化膜； <br/>前述供給部所供給之前述基板處理液中的前述昇華性物質係包含2,2-二氯乙醯胺、2-氯-3-羥基吡啶以及2,6-二氯苯酚的至少任一者。
如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述基板保持部係使前述基板繞著前述旋轉軸線旋轉，藉此將前述供給部供給至前述圖案形成面的前述基板處理液的液膜薄膜化，並使前述基板以比使前述基板處理液的液膜薄膜化時的第一旋轉速度還快的第二旋轉速度繞著前述旋轉軸線旋轉，從而使前述液膜中的溶媒蒸發。
如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述昇華部為氣體供給部，用以朝向前述圖案形成面供給惰性氣體； <br/>前述氣體供給部係在前述固化膜的形成中，亦在析出前述昇華性物質後對前述圖案形成面供給前述惰性氣體，藉此促進前述固化膜的形成。
如請求項7所記載之基板處理裝置，其中使用常溫中的蒸氣壓比前述昇華性物質還大的溶媒作為前述溶媒。
如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述溶媒為甲醇、丁醇、異丙醇以及丙酮的至少任一種。
一種基板處理液，係使用於去除具有圖案形成面之基板上的液體，並包含昇華性物質以及溶媒； <br/>前述昇華性物質係包含2,2-二氯乙醯胺、2-氯-3-羥基吡啶以及2,6-二氯苯酚的至少任一者。
如請求項11所記載之基板處理液，其中前述溶媒係在常溫中的蒸氣壓比前述昇華性物質還大。
如請求項12所記載之基板處理液，其中前述溶媒為甲醇、丁醇、異丙醇以及丙酮的至少任一種。
一種基板處理系統面板，包括： <br/>一板，該板以一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面為特徵，其中： <br/>該第二表面界定複數個凹部，該複數個凹部延伸穿過該板的一厚度的一部分； <br/>該板界定穿過該板的該厚度的複數個孔；和 <br/>每個孔延伸穿過該複數個凹部中的一個凹部的一底表面；和 <br/>複數個形狀記憶致動器，其中： <br/>每個形狀記憶致動器位於該複數個凹部中一對應的一個凹部內； <br/>每個形狀記憶致動器界定一致動器孔；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的一直徑是可變的。
如請求項1所述的基板處理系統面板，進一步包括： <br/>與該板耦合的複數個電線，其中： <br/>每個電線與該等形狀記憶致動器中的至少一個形狀記憶致動器電耦合；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的該直徑在施加一電流時是可變的。
如請求項2所述的基板處理系統面板，其中： <br/>該複數個電線佈置成提供複數個獨立可控制區域。
如請求項3所述的基板處理系統面板，其中： <br/>該複數個獨立可控制區域包括環形區域。
如請求項3所述的基板處理系統面板，其中： <br/>該複數個獨立可控制區域包括徑向區域。
如請求項1所述的基板處理系統面板，進一步包括： <br/>與該板耦合的複數個電阻加熱線，其中： <br/>每個電阻加熱線與該等形狀記憶致動器中的至少一個形狀記憶致動器電耦合；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的該直徑在施加熱時是可變的。
如請求項1所述的基板處理系統面板，其中： <br/>每個形狀記憶致動器包括鎳鈦諾（Nitinol）。
如請求項1所述的基板處理系統面板，其中： <br/>每個形狀記憶致動器大致是錐形的。
如請求項1所述的基板處理系統面板，其中： <br/>每個形狀記憶致動器包括一形狀記憶內部材料和一腔室相容外部材料。
如請求項9所述的基板處理系統面板，其中： <br/>該腔室相容外部材料包括聚四氟乙烯。
如請求項9所述的基板處理系統面板，其中： <br/>該形狀記憶內部材料具有一錐形彈簧形狀。
一種基板處理腔室，包括： <br/>一腔室主體； <br/>設置在該腔室主體內的一基板支撐件；和 <br/>支撐在該腔室主體頂部的一面板，該面板包括：一板，該板以一第一表面和與該第一表面相對的一第二表面為特徵，其中： <br/>該第二表面界定複數個凹部，該複數個凹部延伸穿過該板的一厚度的一部分； <br/>該板界定穿過該板的該厚度的複數個孔；和 <br/>每個孔延伸穿過該複數個凹部中的一個凹部的一底表面；和 <br/>複數個形狀記憶致動器，其中： <br/>每個形狀記憶致動器位於該複數個凹部中一相應的一個凹部內； <br/>每個形狀記憶致動器界定一致動器孔；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的一直徑是可變的。
如請求項12所述之基板處理腔室，其中： <br/>該第二表面面向該基板支撐件。
如請求項12所述之基板處理腔室，進一步包括： <br/>至少一個電源，其中： <br/>該面板包括與該板耦合的複數個電線； <br/>每個電線與該至少一個電源電耦合； <br/>每個電線與該等形狀記憶致動器中的至少一個形狀記憶致動器電耦合；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的該直徑在施加一電流時是可變的。
如請求項12所述之基板處理腔室，進一步包括： <br/>至少一個電源，其中： <br/>該面板包括與該板耦合的複數個電阻加熱線； <br/>每個電阻加熱線與該至少一個電源電耦合； <br/>每個電阻加熱線與該等形狀記憶致動器中的至少一個形狀記憶致動器電耦合；和 <br/>每個形狀記憶致動器的該致動器孔的該直徑在施加熱時是可變的。
一種處理一基板的方法，包括以下步驟： <br/>將電流傳送至一面板，其中： <br/>該面板包括複數個形狀記憶致動器，每個形狀記憶致動器界定一致動器孔；和 <br/>該電流設定每個致動器孔的一直徑； <br/>使一前驅物經由該複數個形狀記憶致動器的該等致動器孔流入一處理腔室；和 <br/>在該處理腔室的一處理區域內產生該前驅物的一電漿。
如請求項16所述之處理一基板的方法，進一步包括以下步驟： <br/>決定通過該面板的一所需流導輪廓；和 <br/>調整輸送到該複數個形狀記憶致動器中的至少一些形狀記憶致動器的該電流來調整該複數個形狀記憶致動器中的該至少一些形狀記憶致動器的該等致動器孔的該直徑。
如請求項16所述之處理一基板的方法，其中： <br/>該複數個形狀記憶致動器中的至少一些形狀記憶致動器具有不同直徑的致動器孔。
如請求項16所述之處理一基板的方法，其中： <br/>將電流傳送到一面板包括經由一或多個電線將該電流傳送到該複數個形狀記憶致動器中的至少一些形狀記憶致動器。
如請求項16所述之處理一基板的方法，其中： <br/>將電流傳送到一面板包括將該電流傳送到該面板的一或多個電阻加熱元件，其中該一或多個電阻加熱元件與該複數個形狀記憶致動器中的至少一些形狀記憶致動器耦合。
一種用於在工具中處理半導體基板之系統，該工具包括複數處理腔室，該系統包括： <br/>記憶體，其儲存一組指令；以及 <br/>一個以上處理器，配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>接收來自該工具之第一數據，其係關於該等半導體基板在該複數處理腔室中根據一配方之處理； <br/>接收第二數據，其係關於該工具之配置與該配方； <br/>使用該第二數據，來模擬用以在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之複數處理方案及用於該複數處理方案之排程參數； <br/>使用該複數處理方案及用於該複數處理方案之該等排程參數，來模擬該等半導體基板在該複數處理腔室中根據該配方之該處理；及 <br/>使用該第一數據及該模擬所產生的數據，來訓練一模型，以預測用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之最佳排程參數。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>接收來自該工具之輸入，其係關於該等半導體基板之一者在該複數處理腔室中根據該配方之處理； <br/>使用該模型，基於該等輸入來預測用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之該一者的最佳排程參數；以及 <br/>基於用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之該一者的該等最佳排程參數，對該工具之操作進行排程。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統：基於用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之該一者的該等最佳排程參數來執行該工具之操作。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中在該複數處理腔室中根據該配方進行處理期間，該等最佳排程參數將該等半導體基板之該一者之閒置時間最小化，且其中該等最佳排程參數將該工具之產量最大化。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：使用包括一人工神經網路及支援向量回歸之一機器學習方法來訓練該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>分析接收自該工具之該第一數據及該模擬所產生之該等數據； <br/>基於該分析，檢測關於該工具之預防性維護操作、無晶圓自動清潔時間、等待時間、配方時間及產量之模式；以及 <br/>基於該等檢測到的模式，訓練該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：訓練該模型，以預測用於該複數處理方案之一者的該等最佳排程參數。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：訓練該模型，以預測用於該複數處理方案之全部者的該等最佳排程參數。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：訓練該模型，用於在該等半導體基板之該一者上僅執行蝕刻操作。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：訓練該模型，用於在該等半導體基板之該一者上執行蝕刻及剝離兩者操作。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該模型係從該工具遠端地實施，且其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：基於接收自多個工具之數據來訓練該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：針對在配置及操作上之工具間變化來調整該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該模型係於雲端實施而作為軟體即服務(SaaS)，且其中該工具配置成透過網路接入該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中： <br/>該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：基於一第二工具之數據來訓練一第二模型； <br/>該模型及該第二模型係從該工具及該第二工具遠端地實施；以及 <br/>其中該工具及該第二工具分別配置成透過一或更多網路接入該模型及該第二模型。
如請求項14所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：允許該工具及該第二工具分別基於該工具及該第二工具之配置來選擇該模型及該第二模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該模型實施於該工具上，且其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：使用該模型以利用該工具所產生之數據來預測用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之該一者的該等最佳排程參數。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該模型實施於該工具上，且其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：針對該工具之性能的任何漂移來調整該模型。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中接收自該工具之該第一數據包括來自執行於該工具上之預防性維護操作的數據以及關於該工具之配方時間及無晶圓自動清潔時間的數據。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該模擬所產生之該等數據包括基於從該工具獲得之該工具的配置、晶圓流類型、運作方案、配方時間及無晶圓自動清潔時間所產生的數據。
如請求項2所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中接收自該工具之該等輸入包括關於該工具之若干預防性維護操作、配方時間及無晶圓自動清潔時間的數據。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：透過考慮一或更多跳過的預防性維護操作來預測該等最佳排程參數。
如請求項1所述之用於在工具中處理半導體基板之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>使用該模型，對用於在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板之該一者的複數操作進行排程，其中該工具分別響應於執行該複數操作而經歷複數狀態，且其中該工具的狀態包括該工具之資源的指示及該等半導體基板之該一者之處理狀態的指示； <br/>針對該複數狀態之每一者，對該模型發送該複數狀態中之當前狀態及用以前進到該複數狀態中之下一狀態的多個可排程操作，從該模型接收該模型基於該當前狀態所選擇之該多個可排程操作中的最佳操作，以前進到該下一狀態，並模擬該最佳操作之執行，以模擬前進到該下一狀態；以及 <br/>當在該複數處理腔室中根據該配方處理該等半導體基板時，訓練該模型以推薦該等最佳操作作為響應於該工具經歷該複數狀態之該複數操作。
一種用於控制一工具的執行來處理半導體基板的設備，該工具包括： <br/>一第一機器人，其配置成將半導體基板輸入至該工具，用於在該工具中處理該等半導體基板； <br/>複數處理腔室，其配置成在該工具中根據一配方處理該等半導體基板；及 <br/>一第二機器人，其配置成根據該配方在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板； <br/>其中該設備包含一控制器，其包含電路系統配置成使用透過模擬該工具及該配方所訓練之一模型來預測以下一者以上： <br/>在該複數處理腔室中處理該等半導體基板之處理時間； <br/>該第二機器人在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板的轉移時間； <br/>基於該等處理時間及該等轉移時間，在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板的路線；以及 <br/>當該第一機器人基於該等處理時間及該等轉移時間欲排程額外半導體基板以在該工具中進行處理的時間。
如請求項23所述之設備，其中，根據該預測路線處理該等半導體基板，並根據該預測時間處理該等額外半導體基板，使得沿該預測路徑之該等半導體基板的等待時間最佳化，並使該工具的產量最佳化。
如請求項23所述之設備，其中該控制器包含電路系統配置成，基於該等半導體基板及該等額外半導體基板在該工具中進行該處理期間所產生之數據，進一步漸進地訓練該模型。
如請求項25所述之設備，其中該控制器包含電路系統配置成使用該進一步訓練的模型預測如下者： <br/>在該工具中處理該等額外半導體基板之第二處理時間、第二轉移時間、以及一第二路線；以及 <br/>排程下一組半導體基板以在該工具中進行處理之一第二時間， <br/>其中，根據該第二路線處理該等額外半導體基板，並根據該第二時間處理該下一組半導體基板，使得該等額外半導體基板的等待時間及該工具的產量進一步最佳化。
如請求項23所述之設備，其中該控制器包含電路系統配置成響應於該配方、該工具或兩者之任何改變來調整該模型。
如請求項23所述之設備，其中該模型包括： <br/>第一複數神經網路，其配置成分別預測該複數處理腔室的該等處理時間； <br/>第二複數神經網路，其配置成分別預測該第一及第二機器人之該等轉移時間；以及 <br/>一第三神經網路，其耦接至該第一及第二複數神經網路，並配置成預測在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板的該路線，並預測當該第一機器人欲排程該等額外半導體基板以在該工具中進行處理的該時間。
如請求項23所述之設備，其中該模組係透過模擬複數工具之配置及複數配方來進一步訓練。
如請求項29所述之設備，其中該進一步訓練的模型配置成響應於接收配方資訊作為輸入以針對工具配置輸出一推薦。
如請求項23所述之設備，其中該配方係用於在該等半導體基板上沉積複數層，且其中： <br/>該複數處理腔室包括用於沉積該複數層之一或更多處理腔室、以及用於分別在沉積該複數層之前及之後處理該等半導體基板之一預處理腔室及一後處理腔室； <br/>該第二機器人配置成根據該預測路線，在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板，以使該等半導體基板之等待時間最佳化；以及 <br/>該第一機器人配置成根據該預測時間，排程該等額外半導體基板以在該工具中進行處理，以使該工具之產量最佳化。
一種用於在半導體處理工具中處理半導體基板期間使產量及等待時間最佳化之系統，該系統包括： <br/>記憶體，其儲存一組指令；以及 <br/>一個以上處理器，配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>基於該半導體處理工具之配置及將在該半導體處理工具中執行於該等半導體基板上之一配方，模擬複數路線以在該半導體處理工具之複數處理腔室之間安排該等半導體基板的路徑； <br/>沿著該複數路線，模擬該等半導體基板在該半導體處理工具中根據該配方之處理； <br/>基於該等半導體基板之該處理，模擬複數定時排程，以隨後在該半導體處理工具中處理額外半導體基板； <br/>根據該複數定時排程，模擬該等額外半導體基板之處理；及 <br/>基於該等模擬所產生之數據，訓練一模型。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行： <br/>當在該半導體處理工具中根據該配方處理該等半導體基板時，使用該半導體處理工具上之該模型，預測在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板的最佳路線； <br/>使用該半導體處理工具上之該模型來預測最佳時間，以排程該等額外半導體基板，以在該半導體處理工具中進行處理； <br/>在該半導體處理工具中，根據該最佳路線來處理該等半導體基板，以使沿著該最佳路線之該等半導體基板的等待時間最佳化；以及 <br/>在該半導體處理工具中，以該最佳時間處理該等額外半導體基板，以使該半導體處理工具之產量最佳化。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：基於該等模擬所產生之該數據來訓練該模型，以預測如下： <br/>在該複數處理腔室中處理該等半導體基板之處理時間； <br/>用於在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板之該半導體處理工具之一機器人的轉移時間； <br/>基於該等處理時間及該等轉移時間，在該複數處理腔室之間安排該等半導體基板的最佳路線；以及 <br/>基於該等處理時間及該等轉移時間，排程該等額外半導體基板以在該半導體處理工具中進行處理之最佳時間。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：基於該等半導體基板及該等額外半導體基板在該半導體處理工具中進行該處理期間所產生之數據來進一步漸進地訓練該模型。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：針對該配方、該半導體處理工具或兩者之任何改變來調整該模型。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：基於該等模擬所產生之該數據來產生該模型，該模型包括： <br/>第一複數神經網路，其配置成分別預測在該複數處理腔室中處理該等半導體基板之處理時間； <br/>第二複數神經網路，其配置成分別預測第一及第二機器人之轉移時間，其中該第一及第二機器人分別配置成將該等半導體基板轉移至該半導體處理工具中以及在該複數處理腔室之間轉移該等半導體基板；以及 <br/>一第三神經網路，其耦接至該第一及第二複數神經網路，並配置成預測在該複數處理腔室之間安排該等半導體基板路徑之最佳路線，並預測排程該等額外半導體基板以在該半導體處理工具中進行處理之最佳時間。
如請求項32所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：透過模擬複數半導體處理工具之配置及複數配方來訓練該模型。
如請求項38所述之系統，其中該一個以上處理器配置以執行該組指令以使該系統執行：響應於接收配方資訊作為輸入來訓練該模型，以針對工具配置輸出一推薦。
一種記憶體單元，包含：<br/> 一寫入存取電晶體，耦接於一儲存節點與一寫入位元線之間，其中該寫入存取電晶體的一閘極耦接至一寫入字線；<br/> 一儲存電晶體，耦接於一共同節點與一接地接線之間，其中該儲存電晶體的一閘極耦接至該儲存節點；<br/> 一讀取存取電晶體，耦接於該共同節點與一讀取位元線之間，其中該讀取存取電晶體的一閘極耦接至一讀取字線；及<br/> 一虛設電晶體，其中該虛設電晶體之一閘極耦接至該儲存節點，且該虛設電晶體之一源極/汲極區耦接至該儲存節點，其中該儲存電晶體之該閘極及該虛設電晶體的該閘極共用一閘極結構，該閘極結構耦接至該儲存節點。
如請求項1所述之記憶體單元，其中該虛設電晶體包含：<br/> 一主動區，其中該虛設電晶體之該閘極的該閘極結構與該主動區之一側重疊。
如請求項1所述之記憶體單元，其中該虛設電晶體之該閘極的該閘極結構為金屬閘極結構。
如請求項1所述之記憶體單元，其中該虛設電晶體之該源極/汲極區與該寫入存取電晶體共用。
如請求項1所述之記憶體單元，其中該讀取存取電晶體之該閘極包含一第一閘極結構，該儲存電晶體的該閘極包含一第二閘極結構，該第二閘極結構在一俯視圖中實質上沿著該第一閘極結構的一縱向方向與該第一閘極結構對準。
如請求項1所述之記憶體單元，其中該讀取存取電晶體及該儲存電晶體共用一源極/汲極區。
一種記憶體單元，包含：<br/> 一半導體基板，包含一第一主動區及一第二主動區，其中該第一主動區的一縱向方向實質上平行於該第二主動區的一縱向方向；<br/> 一儲存電晶體及一虛設電晶體，其中該儲存電晶體的一閘極及該虛設電晶體的一閘極共用一儲存閘極結構，其中該儲存閘極結構在一俯視圖中延伸越過該第一主動區及該第二主動區，其中在該俯視圖中，該第一主動區並不延伸超出該儲存閘極結構的一側壁，且該第二主動區延伸超出該儲存閘極結構的該側壁；<br/> 一寫入存取電晶體，包含一寫入存取閘極結構，該寫入存取閘極結構在該俯視圖中延伸越過該第一主動區；<br/> 一讀取存取電晶體，包含一讀取存取閘極結構，該讀取存取閘極結構在該俯視圖中延伸越過該第二主動區；及<br/> 一互連結構，位在該儲存閘極結構、該寫入存取閘極結構及該讀取存取閘極結構上方，其中該互連結構包含與該寫入存取閘極結構電耦接的一寫入字線及與該讀取存取閘極結構電耦接的一讀取字線。
如請求項7所述之記憶體單元，其中該第一主動區具有實質上沿著該第一主動區之該縱向方向延伸的一第一側及相鄰於該第一主動區之該第一側的一第二側，且該第一主動區之該第二側係直接在該儲存閘極結構下方。
一種製作記憶體單元之方法，包含：<br/> 在一半導體基板上方，形成一第一主動區及一第二主動區，其中該第一主動區的一縱向方向與該第二主動區的一縱向方向實質上平行，且該第二主動區在一俯視圖中延伸超出該第一主動區的一側；<br/> 形成一儲存電晶體、一虛設電晶體、一寫入存取電晶體及一讀取存取電晶體，其中該儲存電晶體的一閘極及該虛設電晶體的一閘極共用一儲存閘極結構，該寫入存取電晶體包含一寫入存取閘極結構，該讀取存取電晶體包含一讀取存取閘極結構，其中該儲存閘極結構位在該第一主動區及該第二主動區上方，該寫入存取閘極結構位在該第一主動區上方，該讀取存取閘極結構位在該第二主動區上方，該儲存閘極結構與該第一主動區的該側重疊；及<br/> 在該儲存閘極結構、該寫入存取閘極結構及該讀取存取閘極結構上方形成一互連結構，其中該互連結構包含與該寫入存取閘極結構電耦接的一寫入字線及與該讀取存取閘極結構電耦接的一讀取字線。
如請求項9所述之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 在該半導體基板上方形成一隔離結構以包圍該第一主動區及該第二主動區，其中該隔離結構與該第一主動區的該側接觸。
一種用於一電子式保險絲的控制方法，包含有： <br/>以一時間間隔偵測通過該電子式保險絲之電流； <br/>儲存複數個時點所偵測的複數個電流值； <br/>根據該複數個電流值，判斷對應於複數個行程時間的複數個行程電流，該複數個行程時間相對於該時間間隔呈一指數關係，包含有： <br/>(a) 對於該複數個行程時間中小於或等於一第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該時間間隔的該指數關係，對該複數個電流值進行複數個算數平均運算程序，以取得對應於一當前時點之該複數個行程電流中的一第一部分行程電流； <br/>(b) 對於該複數個行程時間中大於該第一值之行程時間，基於一第二值，由對應於該當前時點之該第一部分行程電流及對應於複數個先前時點之複數個第一部分行程電流中，選取對應於各行程時間之複數個已取得之行程電流來進行複數個算數平均運算程序，以取得對應於該當前時點之該複數個行程電流中的一第二部分行程電流；以及 <br/>(c) 輸出該第一部分行程電流及該第二部分行程電流為該複數個行程電流； <br/>比較該複數個行程電流與一預設行程電流對行程時間曲線中對應於該複數個行程時間的預設電流值，以產生複數個比較結果；以及 <br/>根據該複數個比較結果，控制該電子式保險絲的狀態。
如請求項1所述之控制方法，其中步驟(a)包含有： <br/>對於該複數個行程時間中小於或等於該第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該時間間隔的指數關係，決定用來計算各行程時間所對應之行程電流的一電流值數量；以及 <br/>由該複數個電流值選取對應各行程時間之該電流值數量的電流值，並分別對對應各行程時間之該電流值數量的電流值進行一算數平均運算程序，以取得對應於該當前時點的該第一部分行程電流。
如請求項1所述之控制方法，其中步驟(b)包含有： <br/>對於該複數個行程時間中大於該第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該第一值之差值，由對應於該當前時點之該第一部分行程電流及對應於該複數個先前時點的該複數個第一部分行程電流中，分別取得對應於各行程時間且相關於該第二值的該複數個已取得之行程電流；以及 <br/>以該第二值分別對對應於各行程時間且相關於該第二值的該複數個已取得之行程電流進行一算數平均運算程序，以取得該第二部分行程電流。
如請求項1所述之控制方法，其中該電子式保險絲電性連接一線束，該預設行程電流對行程時間曲線相關於該線束的起燃特性。
如請求項1所述之控制方法，其另包含更新該行程電流對行程時間曲線，其中該電子式保險絲電性連接一線束，更新該行程電流對行程時間曲線係根據該線束的使用情形，更新該行程電流對行程時間曲線。
一種用於一電子式保險絲的控制裝置，包含有： <br/>一偵測模組，用來以一時間間隔偵測通過該電子式保險絲之電流； <br/>一儲存模組，耦接於該偵測模組，用來儲存該偵測模組於複數個時點所偵測的複數個電流值； <br/>一行程電流判斷模組，耦接於該儲存模組，用來根據該複數個電流值，判斷對應於複數個行程時間的複數個行程電流，其中，該複數個行程時間相對於該時間間隔呈一指數關係，其中，該行程電流判斷模組執行以下步驟以判斷該複數個行程電流： <br/>(a) 對於該複數個行程時間中小於或等於一第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該時間間隔的該指數關係，對該複數個電流值進行複數個算數平均運算程序，以取得對應於一當前時點之該複數個行程電流中的一第一部分行程電流； <br/>(b) 對於該複數個行程時間中大於該第一值之行程時間，基於一第二值，由對應於該當前時點之該第一部分行程電流及對應於複數個先前時點之複數個第一部分行程電流中，選取對應於各行程時間之複數個已取得之行程電流來進行複數個算數平均運算程序，以取得對應於該當前時點之該複數個行程電流中的一第二部分行程電流；以及 <br/>(c) 輸出該第一部分行程電流及該第二部分行程電流為該複數個行程電流； <br/>複數個比較器，耦接於該行程電流判斷模組，分別用來比較該複數個行程電流與一預設行程電流對行程時間曲線中對應於該複數個行程時間的預設電流值；以及 <br/>一開關模組，耦接於該複數個比較器，用來根據該複數個比較器的比較結果，控制該電子式保險絲的狀態。
如請求項6所述之控制裝置，其中步驟(a)包含有： <br/>對於該複數個行程時間中小於或等於該第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該時間間隔的指數關係，決定用來計算各行程時間所對應之行程電流的一電流值數量；以及 <br/>由該複數個電流值選取對應各行程時間之該電流值數量的電流值，並分別對對應各行程時間之該電流值數量的電流值進行一算數平均運算程序，以取得對應於該當前時點的該第一部分行程電流。
如請求項6所述之控制裝置，其中步驟(b)包含有： <br/>對於該複數個行程時間中大於該第一值之行程時間，根據各行程時間相對於該第一值之差值，由對應於該當前時點之該第一部分行程電流及對應於該複數個先前時點的該複數個第一部分行程電流中，分別取得對應於各行程時間且相關於該第二值的該複數個已取得之行程電流；以及 <br/>以該第二值分別對對應於各行程時間且相關於該第二值的該複數個已取得之行程電流進行一算數平均運算程序，以取得該第二部分行程電流。
如請求項6所述之控制裝置，其中該電子式保險絲電性連接一線束，該預設行程電流對行程時間曲線相關於該線束的起燃特性。
如請求項6所述之控制裝置，其另包含一更新模組，用來更新該行程電流對行程時間曲線，其中該電子式保險絲電性連接一線束，該更新模組係根據該線束的使用情形，更新該行程電流對行程時間曲線。
一種金屬原料的高度輪廓製作裝置，包括： <br/>二維以上的測距雷達，包括用於熔化該金屬原料的熔化室，和從上方插入到該熔化室的電極，在透過從該電極產生的電弧來熔化裝填到該熔化室內的該金屬原料的電爐設備中，設置在該電爐設備內能夠測量待測物的位置；及 <br/>計算部，基於該測距雷達測量到的該待測物的資料來計算該金屬原料的高度輪廓， <br/>其中，該測距雷達為使用毫米波之頻率連續調變雷達， <br/>該計算部之構造是基於使用該待測物的速度資訊從該待測物的資料中扣除粉塵和飛濺物中的至少一種的測量資料而獲得的資料，來計算該金屬原料的高度輪廓。
如請求項1所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置，其中， <br/>該測距雷達設置在該熔化室的內側頂部，並構成為能夠測量該熔化室內的該待測物。
如請求項1所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置，其中， <br/>該電爐設備還包括與該熔化室直接連接設置的用於預熱該金屬原料之預熱室， <br/>該測距雷達設置在該預熱室的內側頂部，並構成為能夠對該預熱室內的該待測物進行測量。
如請求項1所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置，其中， <br/>該電爐設備還包括與該熔化室直接連接設置的用於預熱該金屬原料之預熱室， <br/>該測距雷達設置在該熔化室的內側頂部及該預熱室的內側頂部，並構成為能夠對該熔化室內和該預熱室內的該待測物進行測量。
一種電爐設備的控制裝置，包括： <br/>請求項2所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置；及 <br/>控制部，根據由該金屬原料的高度輪廓製作裝置製作的該熔化室內的該金屬原料的高度輪廓，構成為控制將該金屬原料供應至該熔化室的供給時間和供給量和投入至該熔化室的能量的量之中的至少其中之一。
一種電爐設備的控制裝置，包括： <br/>請求項3所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置；及 <br/>控制部，根據由該金屬原料的高度輪廓製作裝置製作的該預熱室內的該金屬原料的高度輪廓，構成為控制將該金屬原料從該預熱室供給到該熔化室的供給時間和供給量。
一種電爐設備的控制裝置，包括： <br/>請求項4所述之金屬原料的高度輪廓製作裝置；及 <br/>控制部，根據第一輪廓，由該金屬原料的高度輪廓製作裝置製作的該熔化室內的該金屬原料的高度輪廓，和第二輪廓，為該預熱室內的該金屬原料的高度輪廓，構成為控制將投入到該熔化室的能量的量和將該金屬原料從該預熱室往該熔化室供給的供給時間和供給量之中的至少其中之一。
一種電爐設備，包括用於熔化金屬原料的熔化室和從上方插入到該熔化室的電極，在透過從該電極產生的電弧來熔化裝填到該熔化室內的該金屬原料， <br/>其中，包含有請求項5至7任一項所述之控制裝置。
一種機車的配置構造，機車包括有內燃引擎的動力單元，該動力單元係被連接於車架單元；該動力單元至少包含有汽缸部及該汽缸部一端上的曲軸箱，該汽缸部包含有汽缸本體與連接於該汽缸本體上的汽缸頭；該汽缸頭連接有進氣元件，該進氣元件藉由鎖固元件鎖固於該汽缸頭上，該鎖固元件同軸的鎖設有爆震感知器。
如請求項1所述之機車的配置構造，其中，該汽缸部外周罩設有導風罩；該爆震感知器係露出於該導風罩外。
如請求項2所述之機車的配置構造，其中，該導風罩包含有上罩、下罩及側罩；該爆震感知器係露出於該上罩外。
如請求項1所述之機車的配置構造，其中，該汽缸頭具有進氣口連接埠；該進氣元件具有出氣口連接埠；該進氣口連接埠具有第一鎖固孔與第二鎖固孔；該出氣口連接埠具有第一鎖設孔與第二鎖設孔，該第一鎖固孔與該第一鎖設孔相對應，該第二鎖固孔與該第二鎖設孔相對應；該第一鎖設孔或該第二鎖設孔中的一個設有爆震感知器安裝座；該爆震感知器安裝座可供該爆震感知器安裝。
如請求項4所述之機車的配置構造，其中，該進氣元件連接有節流閥體；該出氣口連接埠上設有燃油噴嘴安裝座，該燃油噴嘴安裝座可供燃油噴嘴安裝，該燃油噴嘴係設於該第一鎖設孔與該第二鎖設孔之間，該爆震感知器與該燃油噴嘴並列於該進氣元件上。
如請求項1所述之機車的配置構造，其中，該車架單元至少具有連接左右一對側車架部的橫管部；該側車架部上設有置物箱；該爆震感知器係位於該橫管部的後方及該置物箱的下方。
如請求項1所述之機車的配置構造，其中，該進氣元件連接有節流閥體及設於該節流閥體上的電子控制單元；該爆震感知器與該電子控制單元係位於該進氣元件的不同側。
如請求項1所述之機車的配置構造，其中，該進氣元件連接有節流閥體及設於該節流閥體上的電子控制單元；該爆震感知器與該電子控制單元係位於該進氣元件的同側。
一種機車的配置構造，機車包括有水冷內燃引擎的動力單元，該動力單元係被連接於車架單元；該動力單元至少包含有汽缸部及該汽缸部一端上的曲軸箱，該汽缸部包含有汽缸本體與連接於該汽缸本體上的汽缸頭；該汽缸頭連接有進氣元件，該進氣元件藉由鎖固元件鎖固於該汽缸頭上，該鎖固元件同軸的鎖設有爆震感知器。
一種有機發光顯示裝置，包含： <br/>複數子畫素，沿著一第一方向具有不同的顏色並沿著與該第一方向交會的一第二方向具有相同的顏色； <br/>複數陽極，位於該複數子畫素上； <br/>複數有機發光層，位於該複數陽極上； <br/>複數陰極，位於該複數有機發光層上； <br/>複數無機絕緣層，位於該複數陰極上； <br/>複數第一凸出部，設置於沿著該第一方向的該複數子畫素之間並具有在該複數第一凸出部之側部的複數第一底切結構； <br/>複數第一防水結構，位於該複數第一凸出部上；以及 <br/>複數第二防水結構，位於該複數第一凸出部的該複數第一底切結構中， <br/>其中，該第一防水結構經配置使得該複數無機絕緣層中的至少二或更多無機絕緣層於該些第一凸出部上重疊。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中，該第一凸出部包含一柱層以及位於該柱層上的一頂層， <br/>其中，該第一底切結構經配置由小於該頂層之一寬度的該柱層之一寬度形成；以及 <br/>其中，各該複數有機發光層被設置於該柱層的側部上。
如請求項2所述的有機發光顯示裝置，其中，該第一方向上的該複數子畫素的發光區域之間之一寬度為該柱層之該寬度。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中，該第二防水結構經配置使得該複數無機絕緣層之其中一層透過該第一底切結構被形成為一無機膜/一無機膜的一接合結構。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數第二凸出部，位於該第二方向上的該複數子畫素之間。
如請求項5所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數第三防水結構，位於該複數第二凸出部的側部上； <br/>其中，該些第二凸出部包含一柱層以及位於該柱層上的一頂層，以及 <br/>其中，該柱層之一寬度小於該頂層之一寬度，使得複數第二底切結構被形成在該第二凸出部的該些側部上。
如請求項5所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數連接結構，位於該些第二凸出部的該些第二底切結構上。
如請求項5所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>一開放結構，位於該第一凸出部及該第二凸出部中之至少一或複數的一邊緣區域上。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數顯示區域，包含該複數子畫素； <br/>複數非顯示區域，包含複數假子畫素； <br/>複數第三凸出部，自沿著該第二方向的該複數第一凸出部延伸至該些非顯示區域；以及 <br/>複數第三防水結構，位於該複數第三凸出部上。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數第一堤，位於該複數第一凸出部下， <br/>其中，該複數有機發光層被設置於該複數第一堤的一上側上。
如請求項10所述的有機發光顯示裝置，更包含： <br/>複數第二堤，位於該第二方向上的該複數子畫素之間， <br/>其中，該陰極被連續地設置於位於該第二堤上並鄰近該第二堤的該些子畫素上。
一種材料品質估測模型的製作方法，係包含： <br/> 材料品質估測基礎模型製作步驟，係電腦所具備之模型製作部以既有製造條件數據作為輸入，以與前述既有製造條件數據具有關聯性之既有品質數據作為輸出，來進行機器學習而製作材料品質估測基礎模型，以及 <br/> 材料品質估測模型再學習步驟，係前述模型製作部以追加製造條件數據作為輸入，以與前述追加製造條件數據具有關聯性之追加品質數據作為輸出，來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習而製作材料品質估測模型， <br/> 於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部在前述追加製造條件數據的種類相對於成為前述材料品質估測基礎模型的輸入之前述既有製造條件數據的種類不足之情形，以與前述既有製造條件數據的種類一致之方式，追加前述追加製造條件數據的種類來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中前述既有製造條件數據為關於既有製造材料之數據， <br/> 前述追加製造條件數據為關於新穎製造材料之數據。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部關於相對於前述既有製造條件數據不足之前述追加製造條件數據的種類，按不足之每個種類，使用前述既有製造條件數據之相應種類的統計量來進行補足而追加。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部關於相對於前述既有製造條件數據不足之前述追加製造條件數據的種類，按不足之每個種類，使用從前述既有製造條件數據的相應種類中隨機地抽選之樣本值來進行補足藉此追加。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部在於前述既有製造條件數據與前述追加製造條件數據已一致之種類的製造條件數據中，從前述既有製造條件數據的集合僅局部地抽選與前述追加製造條件數據類似之製造條件數據，並且 <br/> 關於相對於前述既有製造條件數據不足之前述追加製造條件數據的種類，按不足之每個種類，使用前述既有製造條件數據之相應種類的統計量來進行補足藉此追加。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部在於前述既有製造條件數據與前述追加製造條件數據已一致之種類的製造條件數據中，從前述既有製造條件數據的集合僅局部地抽選與前述追加製造條件數據類似之製造條件數據，並且 <br/> 關於相對於前述既有製造條件數據不足之前述追加製造條件數據的種類，按不足之每個種類，使用從前述既有製造條件數據的相應種類中所隨機地抽選之樣本值來進行補足藉此追加。
如請求項1所述之材料品質估測模型的製作方法，其中於前述材料品質估測模型再學習步驟中，前述模型製作部在前述追加製造條件數據的種類相對於成為前述材料品質估測基礎模型的輸入之前述既有製造條件數據的種類不足之情形，以與前述既有製造條件數據的種類一致之方式，削減前述既有製造條件數據的種類來進行前述材料品質估測基礎模型的製作。
如請求項1至請求項7中任一項所述之材料品質估測模型的製作方法，其中前述材料品質估測基礎模型之再學習的方法為轉移學習。
如請求項1至請求項7中任一項所述之材料品質估測模型的製作方法，其中前述材料品質估測基礎模型之再學習的方法為微調。
一種材料品質估測方法，係包含品質估測步驟，係電腦所具備之品質估測部根據藉由如請求項1至請求項7中任一項所述之材料品質估測模型的製作方法所製作之材料品質估測模型，來估測所製造之製品的品質。
一種材料品質估測模型的製作裝置，係具備模型製作部，係以既有製造條件數據作為輸入，以與前述既有製造條件數據具有關聯性之既有品質數據作為輸出，來進行機器學習而製作材料品質估測基礎模型， <br/> 前述模型製作部係以追加製造條件數據作為輸入，以與前述追加製造條件數據具有關聯性之追加品質數據作為輸出，來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習而製作材料品質估測模型， <br/> 前述模型製作部在前述追加製造條件數據的種類相對於成為前述材料品質估測基礎模型的輸入之前述既有製造條件數據的種類不足之情形，以與前述既有製造條件數據的種類一致之方式，追加前述追加製造條件數據的種類來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習。
一種材料品質估測裝置，係具備品質估測部，係根據藉由如請求項11所述之材料品質估測模型的製作裝置所製作之材料品質估測模型，來估測所製造之製品的品質。
一種材料品質估測模型的製作系統，係具備模型製作裝置，係以既有製造條件數據作為輸入，以與前述既有製造條件數據具有關聯性之既有品質數據作為輸出，來進行機器學習而製作材料品質估測基礎模型， <br/> 前述模型製作裝置係以追加製造條件數據作為輸入，以與前述追加製造條件數據具有關聯性之追加品質數據作為輸出，來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習而製作材料品質估測模型， <br/> 前述模型製作裝置在前述追加製造條件數據的種類相對於成為前述材料品質估測基礎模型的輸入之前述既有製造條件數據的種類不足之情形，以與前述既有製造條件數據的種類一致之方式，追加前述追加製造條件數據的種類來進行前述材料品質估測基礎模型的再學習。
一種顯示裝置，其具備：<br/>基板；<br/>有機絕緣層，其於上述基板之上方，跨及顯示圖像之顯示區域及較上述顯示區域靠外側之周邊區域而配置；<br/>下電極，其於上述顯示區域中配置在上述有機絕緣層之上；<br/>無機絕緣層，其配置於上述有機絕緣層之上，覆蓋上述下電極之周緣部；<br/>有機層，其配置於上述下電極之上，包含發光層；<br/>上電極，其配置於上述有機層之上；及<br/>複數個周邊分隔壁，其配置於上述周邊區域；且<br/>上述複數個周邊分隔壁各自具有位於上述無機絕緣層之上之第1下部、及位於上述第1下部之上且自上述第1下部之側面突出之第1上部；<br/>上述有機絕緣層於上述周邊區域中具有平坦之上表面、及相對於上述上表面凹陷之凹部；<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述凹部重疊之第1分隔壁；<br/>上述第1分隔壁之自上述第1上部至上述凹部之邊緣部之距離為50 μm以上。
如請求項1之顯示裝置，其中<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述上表面重疊之第2分隔壁；且<br/>上述第2分隔壁之自上述第1上部至上述上表面之邊緣部之距離為20 μm以上。
一種顯示裝置，其具備：<br/>基板；<br/>有機絕緣層，其於上述基板之上方，跨及顯示圖像之顯示區域及較上述顯示區域靠外側之周邊區域而配置；<br/>下電極，其於上述顯示區域中配置在上述有機絕緣層之上；<br/>無機絕緣層，其配置於上述有機絕緣層之上，覆蓋上述下電極之周緣部；<br/>有機層，其配置於上述下電極之上，包含發光層；<br/>上電極，其配置於上述有機層之上；及<br/>複數個周邊分隔壁，其配置於上述周邊區域；且<br/>上述複數個周邊分隔壁各自具有位於上述無機絕緣層之上之第1下部、及位於上述第1下部之上且自上述第1下部之側面突出之第1上部；<br/>上述有機絕緣層於上述周邊區域中具有平坦之上表面、相對於上述上表面凹陷之凹部、及包圍上述凹部之斜面；<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述凹部重疊之第1分隔壁、及與上述上表面重疊之第2分隔壁；<br/>上述無機絕緣層具有與上述斜面重疊之空缺部。
如請求項3之顯示裝置，其中<br/>上述第1分隔壁之自上述第1上部至上述凹部之邊緣部之距離為50 μm以上；<br/>上述第2分隔壁之自上述第1上部至上述上表面之邊緣部之距離為20 μm以上。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述凹部係上述有機絕緣層之貫通部。
如請求項5之顯示裝置，其進而具備：<br/>位於上述凹部之金屬層；且<br/>上述無機絕緣層具有露出上述金屬層之開口。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述凹部係上述有機絕緣層之薄形部。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述第1分隔壁於俯視下形成為格柵狀；且<br/>複數個上述第1分隔壁相互分開。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>於上述顯示區域中進而具備分隔壁，該分隔壁具有配置於上述無機絕緣層之上且以導電材料形成之第2下部、及配置於上述第2下部之上且自上述第2下部之側面突出之第2上部；且<br/>上述下電極、上述有機層及上述上電極由上述分隔壁包圍；<br/>上述上電極與上述分隔壁之上述第2下部接觸。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述有機絕緣層具有厚度朝向上述凹部而減少之階梯狀之剖面。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述有機絕緣層具有第1層、及覆蓋上述第1層之第2層。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述有機絕緣層具有第1層、及配置於上述第1層之上且將接近於上述凹部之上述第1層露出之第2層。
如請求項1或3之顯示裝置，其中<br/>上述有機絕緣層係單層體。
一種母基板，其具備：<br/>面板部，其具有顯示圖像之顯示區域、及較上述顯示區域靠外側之周邊區域；<br/>空白部，其較上述面板部靠外側；<br/>有機絕緣層，其跨及上述面板部及上述空白部而配置；<br/>下電極，其於上述顯示區域中配置在上述有機絕緣層之上；<br/>無機絕緣層，其配置於上述有機絕緣層之上，覆蓋上述下電極之周緣部；<br/>有機層，其配置於上述下電極之上，包含發光層；<br/>上電極，其配置於上述有機層之上；及<br/>複數個周邊分隔壁，其配置於上述周邊區域及上述空白部；且<br/>上述複數個周邊分隔壁各自具有位於上述無機絕緣層之上之第1下部、及位於上述第1下部之上且自上述第1下部之側面突出之第1上部；<br/>上述有機絕緣層於上述周邊區域或上述空白部中具有平坦之上表面、及相對於上述上表面凹陷之凹部；<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述凹部重疊之第1分隔壁；<br/>上述第1分隔壁之自上述第1上部至上述凹部之邊緣部之距離為50 μm以上。
如請求項14之母基板，其中<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述上表面重疊之第2分隔壁；且<br/>上述第2分隔壁之自上述第1上部至上述上表面之邊緣部之距離為20 μm以上。
一種母基板，其具備：<br/>面板部，其具有顯示圖像之顯示區域、及較上述顯示區域靠外側之周邊區域；<br/>空白部，其較上述面板部靠外側；<br/>有機絕緣層，其跨及上述面板部及上述空白部而配置；<br/>下電極，其於上述顯示區域中配置在上述有機絕緣層之上；<br/>無機絕緣層，其配置於上述有機絕緣層之上，覆蓋上述下電極之周緣部；<br/>有機層，其配置於上述下電極之上，包含發光層；<br/>上電極，其配置於上述有機層之上；及<br/>複數個周邊分隔壁，其配置於上述周邊區域及上述空白部；且<br/>上述複數個周邊分隔壁各自具有位於上述無機絕緣層之上之第1下部、及位於上述第1下部之上且自上述第1下部之側面突出之第1上部；<br/>上述有機絕緣層於上述周邊區域或上述空白部中具有平坦之上表面、相對於上述上表面凹陷之凹部、及包圍上述凹部之斜面；<br/>上述複數個周邊分隔壁包含與上述凹部重疊之第1分隔壁、及與上述上表面重疊之第2分隔壁；<br/>上述無機絕緣層具有與上述斜面重疊之空缺部。
如請求項16之母基板，其中<br/>上述第1分隔壁之自上述第1上部至上述凹部之邊緣部之距離為50 μm以上；<br/>上述第2分隔壁之自上述第1上部至上述上表面之邊緣部之距離為20 μm以上。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述凹部係上述有機絕緣層之貫通部。
如請求項18之母基板，其進而具備：<br/>位於上述凹部之金屬層；且<br/>上述無機絕緣層具有露出上述金屬層之開口。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述凹部係上述有機絕緣層之薄形部。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述第1分隔壁於俯視下形成為格柵狀；且<br/>複數個上述第1分隔壁相互隔開。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>於上述顯示區域中進而具備分隔壁，該分隔壁具有配置於上述無機絕緣層之上且以導電材料形成之第2下部、及配置於上述第2下部之上且自上述第2下部之側面突出之第2上部；且<br/>上述下電極、上述有機層及上述上電極由上述分隔壁包圍；<br/>上述上電極與上述分隔壁之上述第2下部接觸。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述有機絕緣層具有厚度朝向上述凹部而減少之階梯狀之剖面。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述有機絕緣層具有第1層、及覆蓋上述第1層之第2層。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述有機絕緣層具有第1層、及配置於上述第1層之上且將接近於上述凹部之上述第1層露出之第2層。
如請求項14或16之母基板，其中<br/>上述有機絕緣層係單層體。
一種數位汽車鈑金壓合成型系統，以供將一鈑金胚材壓合成型為一汽車鈑金構件，係包含有：<br/> 一機台，設有一上基座及一下基座，以供夾持固定該鈑金胚材；<br/> 一移動單元，係設於該機台上，沿著一橫向及一縱向進行移動，該移動單元包含有四第一滑軌、二第一滑座、至少二第二滑軌及二第二滑座，其中該二第一滑軌相對的沿著該橫向設於該上基座，另該二第一滑軌相對的沿著該橫向設於該下基座，該二第一滑座分別設置於該二第一滑軌上，以供沿著該橫向移動，該二第二滑軌沿著該縱向分別設於該上基座及該下基座，該二第二滑座分別設置於該二第二滑軌上，以供沿著該縱向移動，該橫向係垂直於該縱向；<br/> 二壓合單元，係設於該移動單元上，於該機台上沿著一垂向進行移動，該垂向係分別垂直於該橫向及該縱向，該二壓合單元分別設置於該二第二滑座上，該二壓合單元分別沿著該垂向設有一致動桿，該二致動桿可以相向的同步伸出或縮回移動，又該二致動桿分別設有一模頭；<br/> 一控制單元，係設於該機台上，該控制單元分別訊號連接至該移動單元及該二壓合單元，該控制單元係可供輸入該汽車鈑金構件之外型的一數位化移動路徑，該控制單元根據該數位化移動路徑，同步控制該二第一滑座沿著該橫向於該二第一滑軌上移動，控制該二第二滑座沿著該縱向於該二第二滑軌上移動，以及控制該二壓合單元的該二致動桿沿著該垂向相向的同步伸出移動，藉以使得該二模頭得以相對壓合該鈑金胚材，其中一該壓合單元可透過該致動桿，對應於其中的一該模頭施加一壓力，並使得該二模頭沿著該垂向同向的移動一沖程，藉由受力的該模頭，使得該鈑金胚材對應的固定位置產生一局部形變，並於該二模頭依照該數位化移動路徑逐一的移動完成後，連結該鈑金胚材的每一個該局部形變，即可使得該鈑金胚材被壓合成型為該汽車鈑金構件。
如請求項1之數位汽車鈑金壓合成型系統，其中，該下基座的周邊係設有複數夾具，該等夾具係共同的夾持固定該鈑金胚材。
如請求項1之數位汽車鈑金壓合成型系統，其中，該二壓合單元分別為一伺服馬達，該二模頭分別設於該二致動桿的端部。
如請求項1之數位汽車鈑金壓合成型系統，其中，該壓力需大於該鈑金胚材的降伏強度。
如請求項1之數位汽車鈑金壓合成型系統，其中，一該模頭係可為凸形模，另一該模頭則為相配合的凹形模，或者該二模頭均為平形模或圓形模。
如請求項1之數位汽車鈑金壓合成型系統，其中，該數位化移動路徑係根據需要製造的該汽車鈑金構件之外型，經過數位化掃描後，藉以取得該汽車鈑金構件經由壓合加工時，所需的3D製造移動路徑。
一種數位汽車鈑金壓合成型方法，包含有下列步驟：<br/> (A)根據待製造的一汽車鈑金構件之外型，取得一數位化移動路徑；<br/> (B)於一數位汽車鈑金壓合成型系統輸入該數位化移動路徑；<br/> (C)一控制單元依據該數位化移動路徑，控制二模頭相向的沿著一橫向及一縱向移動至一預定位置；<br/> (D)該控制單元控制該二模頭沿著一垂向而相向的移動，以壓合固定一鈑金胚材；<br/> (E)一壓合單元對於其中一模頭施加一壓力，控制該二模頭沿著該垂向同向的移動一沖程，使得該鈑金胚材產生一局部形變；<br/> (F)該壓合單元釋放該壓力，控制該二模頭移動縮回，不再壓合該鈑金胚材；<br/> (G)該控制單元依據該數位化移動路徑，控制該二模頭依序的重覆上述步驟(C)、(D)、(E)及(F) ，以連結該鈑金胚材的每一個該局部形變，藉以將該鈑金胚材壓合成型為該汽車鈑金構件。
如請求項7之數位汽車鈑金壓合成型方法，其中，該數位化移動路徑係根據需要製造的該汽車鈑金構件之外型，經過數位化掃描後，藉以取得該汽車鈑金構件經由壓合加工時，所需的3D製造移動路徑。
一種CMP漿料組合物，包含奈米二氧化鈰粒子及多元醇-胺聚合高分子，在該奈米二氧化鈰粒子的拉曼光譜中，在550至650cm<sup>-1</sup>區域具有第一峰，在400至500cm<sup>-1</sup>區域具有第二峰，該第一峰的強度大於該第二峰的強度，該多元醇-胺聚合高分子的分子量為500 g/mol至1500g/mol。
一種CMP漿料組合物，包含奈米二氧化鈰粒子及多元醇-胺聚合高分子，在UV-Vis光譜中，表示Ce<sup>3+</sup>的峰的位置與表示Ce<sup>4+</sup>的峰的位置之間的峰差為15nm以下，該多元醇-胺聚合高分子的分子量為500 g/mol至1500g/mol。
如請求項1之CMP漿料組合物，該第一峰的強度/該第二峰的強度＞1。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該奈米二氧化鈰粒子具有大小小於10nm的一次粒子，以及大小為10至50nm的二次粒子。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該多元醇包括聚乙二醇以及聚丙二醇中的至少一種。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該胺包括不含OH基的伯胺和仲胺中的至少一種。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該多元醇-胺聚合高分子是多元醇和胺以1:0.4至0.6的當量比聚合的高分子。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該多元醇-胺聚合高分子包括下列化學式1或化學式2表示的高分子： <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="55px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>化學式1，<img align="absmiddle" height="33px" width="60px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>化學式2 <br/>化學式1和2中，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>以及R<sub>4</sub>各自獨立表示-H、-OH、-NH<sub>2</sub>、-NHR<sub>x</sub>或-NR<sub>x</sub>R<sub>y</sub>，所述R<sub>x</sub>以及R<sub>y</sub>各自獨立表示1至10個碳原子的烷基，n為5至30。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該CMP漿料組合物的pH為4至7。
如請求項1或2之CMP漿料組合物，該CMP漿料組合物對正矽酸四乙酯（Tetraethyl Orthosilicate, TEOS）膜的拋光率為2000 Å/min以上。
一種晶圓輸送量測系統，適用於輸送並對位一晶圓，該晶圓界定出一缺口，該晶圓輸送量測系統包含：<br/> 一晶圓盒，包括一呈中空狀的載盤，該載盤具有一界定出一開口的盤體、一連接於該盤體且位於該開口的托抵部，及一固接於該托抵部的定位銷，該托抵部用於托抵該晶圓，該定位銷形狀對應於該缺口；<br/> 一機台，包括一用於供該載盤置放的載盤托架；<br/> 一輸送單元，包括一相鄰於該載盤托架的機械手臂模組，該機械手臂模組用於搬運該晶圓；<br/> 一第一量測單元，包括一用於承載並轉動該晶圓的旋轉平台、一設置於該旋轉平台的第一影像擷取模組，及一電連接該第一影像擷取模組的第一處理模組，該第一影像擷取模組用於針對位於該旋轉平台的該晶圓生成一第一擷取圖像集合，該第一擷取圖像集合指示出該缺口的位置，該第一處理模組訊號連接該旋轉平台，並用於根據該第一擷取圖像集合控制該旋轉平台帶動該晶圓轉動至一預定位置；及<br/> 一第二量測單元，包括一用於面向該載盤的第二影像擷取模組、一電連接該第二影像擷取模組的第二處理模組，及一電連接該第二處理模組的顯示模組，該第二影像擷取模組用於針對設置於該載盤托架的該晶圓與該載盤生成一第二擷取圖像，該第二擷取圖像指示出該定位銷與該缺口之間的相對位置，該第二處理模組用於將該第二擷取圖像投放至該顯示模組。
如請求項1所述的晶圓輸送量測系統，其中，該第二處理模組訊號連接該輸送單元，並用於生成一對位判斷訊號至該輸送單元，該對位判斷訊號指示出該定位銷與界定出該缺口的表面之間的最短距離介於一容許區間。
如請求項2所述的晶圓輸送量測系統，其中，該容許區間不小於5微米且不大於20微米。
如請求項1所述的晶圓輸送量測系統，其中，該晶圓盒還包括一用於罩設該晶圓與該載盤的頂蓋，該機台還包括一用於供該頂蓋置放的頂蓋托架。
如請求項4所述的晶圓輸送量測系統，其中，該頂蓋具有一界定出一穿口的蓋體，及一凹設於該蓋體且連通該穿口的觀測口，該觀測口形狀對應於該定位銷與該缺口，該頂蓋托架具有一頂蓋托架本體，及複數設置於該頂蓋托架本體的頂蓋定位凸件。
如請求項4所述的晶圓輸送量測系統，其中，該晶圓盒還包括一用於供該載盤罩設的底座，該機台還包括一用於供該底座置放的底座托架。
如請求項6所述的晶圓輸送量測系統，其中，該底座具有一座體，及一固接於該座體頂面的十字墊片，該座體界定出複數呈貫通狀的通孔，該十字墊片用於使該座體與該盤體呈相互間隔。
如請求項6所述的晶圓輸送量測系統，其中，該機台還包括一接收托架，該接收托架、該底座托架、該載盤托架與該頂蓋托架共同沿一前後方向依序設置，該接收托架用於容納內含該晶圓的該晶圓盒。
如請求項8所述的晶圓輸送量測系統，其中，該機台還包括一載盤集中區、一底座集中區及一頂蓋集中區，該底座集中區、該載盤集中區及該頂蓋集中區共同沿該前後方向依序間隔設置，定義該接收托架、該底座托架、該載盤托架與該頂蓋托架為一托架區組，定義該底座集中區、該載盤集中區及該頂蓋集中區為一集中區組，該托架區組與該集中區組沿一垂直於該前後方向的左右方向間隔設置。
如請求項9所述的晶圓輸送量測系統，其中，該輸送單元還包括一位於該頂蓋托架、該載盤托架與該底座托架下方的夾持模組，該夾持模組具有一夾持滑軌、一可滑動地設置於該夾持滑軌的夾持滑台，及一設置於該夾持滑台的取料夾具。
如請求項10所述的晶圓輸送量測系統，其中，該輸送單元還包括一位於該頂蓋托架、該載盤托架、該底座托架上方的天車模組，該天車模組具有一送料夾具，該送料夾具沿該前後方向、該左右方向及一垂直於該前後方向與該左右方向的上下方向可滑動地設置，該第二影像擷取模組固接於該送料夾具。
如請求項11所述的晶圓輸送量測系統，其中，該天車模組還具有一固接於該機台且沿該左右方向延伸的第一天車滑軌組、一沿該左右方向可滑動地設置於該第一天車滑軌組的第一天車滑台、一固接於該第一天車滑台且沿該前後方向延伸的第二天車滑軌、一沿該前後方向可滑動地設置於該第二天車滑軌的第二天車滑台、一固接於該第二天車滑台且沿該上下方向延伸的第三天車滑軌，及一沿該上下方向可滑動地設置於該第三天車滑軌的第三天車滑台，該送料夾具設置於該第三天車滑台，且用於沿該前後方向、該左右方向與該上下方向輸送該載盤、該底座及該頂蓋的至少其中一者。
一種撬頂破壞器，包括：<br/> 一動力單元，其頂側具有一轉軸且底側耦接有一供電單元；<br/> 一傳動模組，其底側接合於該轉軸，並將旋轉力傳導至頂側之一斜面轉輪；<br/> 一泵浦模組，裝設於該傳動模組頂側，該泵浦模組包括抵接於該斜面轉輪表面之複數柱塞組，該些柱塞組形成非同步往復運動並將液壓油傳送至一液壓輸出口；<br/> 一推移模組，裝設於該泵浦模組頂側，該推移模組包括抵接於該液壓輸出口並受液壓力推移之推桿及活塞；<br/> 一抵頂件，包括裝設於該活塞頂側之連接部，且該連接部頂側之接觸部上表面形成有一撐開面； <br/> 一撐開座，裝設於該泵浦模組頂側，該撐開座包括一本體且於該本體內部具有供該推桿及該活塞收納之容置腔，而該本體頂側具有一外凸體且該外凸體內部形成有供該抵頂件之該接觸部做一容置的收納槽，於該本體與該外凸體共同形成有複數抵持部，該些抵持部與該撐開面形成有可撐開預設物件之間隙的不同間距，而該撐開面及該些抵持部表面皆形成有增加摩擦力之縱橫交錯凹溝或是平行凹槽；以及<br/> 一外殼，裝設於該動力單元、該傳動模組、該泵浦模組、該推移模組及該撐開座之外部，且該外殼內部之容置室與泵浦模組之間提供該液壓油的儲存及輸送管路。
如請求項1所述之撬頂破壞器，其中該撐開座之該外凸體概呈U字型體，於U字型二端形成上升楔形構造並於其底部形成有第一抵持部；於U字型中央位置形成有一敲擊部並於該敲擊部底部形成有第二抵持部，該敲擊部表面形成有增加摩擦力之縱橫交錯凹溝；於U字型二側底部皆形成有第三抵持部，而該抵頂件之該接觸部對應該外凸體之該上升楔形構造的同側亦呈上升楔形構造。
如請求項2所述之撬頂破壞器，其中該第一抵持部與該撐開面之間距小於該第二抵持部與該撐開面之間距；且該第二抵持部與該撐開面之間距小於該第三抵持部與該撐開面之間距。
如請求項2所述之撬頂破壞器，其中該撐開座之本體對應該二第三抵持部底側各外凸形成有間距不同之第四抵持部及第五抵持部，而該第四抵持部與該撐開面之間距小於該第五抵持部與該撐開面之間距。
如請求項1所述之撬頂破壞器，其中該傳動模組包括套設於該動力單元外部之套筒，該套筒內部由下而上依序裝設有供該轉軸穿出之底盤、第一齒輪組、第二齒輪組、第三齒輪組、第四齒輪組及該斜面轉輪。
如請求項1所述之撬頂破壞器，其中該泵浦模組包括鎖合於該傳動模組之套筒頂側的封蓋，且該封蓋頂側具有該液壓輸出口，於該套筒與該封蓋於充滿液壓油的空間中設有構件相同之二柱塞組，該柱塞組包括一抵接座、一柱塞、二彈簧、一圓珠及一蓋體。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="326px" width="764px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)， <br/>其中： <br/>A是–OD； <br/>D是Ar； <br/>Ar是<img align="absmiddle" height="129px" width="220px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中虛線表示連接位置； <br/>X是N、CH或CR<sub>d</sub>；n是範圍為0至3的整數； <br/>當存在時，每個R<sub>d</sub>獨立地選自由以下組成的群組：NH<sub>2</sub>、OH、SH、二甲基氨基、三氟甲氧基、氰化物、硝基、亞硝基、磺酸鹽、磺醯胺、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、甲醯胺、F、Cl和Br； <br/>R<sub>p</sub>選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>、OH、SH、二甲基氨基、三氟甲氧基、氰化物、硝基、亞硝基、磺酸鹽、磺醯胺、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、甲醯胺、F、Cl和Br； <br/>L<sub>1</sub>-L<sub>2</sub>是(i) –NH-C(=O)-或(ii) –(C=O)-NH-；且 <br/>L<sub>3</sub>-L<sub>4</sub>是(i) –NH-C(=O)-或(ii) –(C=O)-NH-。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，該化合物具有式(III)： <br/><img align="absmiddle" height="164px" width="403px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (III)， <br/>其中D和L<sub>3</sub>-L<sub>4</sub>具有與如式(I)中所述相同的含義。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，該化合物具有式(IV)： <br/><img align="absmiddle" height="294px" width="723px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (IV)， <br/>其中D具有與如式(I)中所述相同的含義。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，其中Ar是<img align="absmiddle" height="97px" width="86px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>X是N、CH或CR<sub>o</sub>； <br/>R<sub>p</sub>選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>和硝基； <br/>每個R<sub>m</sub>獨立地選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>、硝基、亞硝基、磺酸鹽、磺醯胺、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、甲醯胺、F、Br和Cl； <br/>每個R<sub>o</sub>獨立地選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>、硝基、亞硝基、磺酸鹽、磺醯胺、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、甲醯胺、F、Br和Cl。
如請求項4之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，其中Ar是<img align="absmiddle" height="186px" width="203px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>X是N、CH或CR<sub>o</sub>； <br/>R<sub>p</sub>選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>和硝基； <br/>每個R<sub>o</sub>獨立地選自由以下組成的群組：H、NH<sub>2</sub>、硝基、亞硝基、磺酸鹽、磺醯胺、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、甲醯胺、F、Br和Cl。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，其中Ar選自由以下組成的群組： <br/><img align="absmiddle" height="34px" width="79px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="80px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="67px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="82px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="79px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="80px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="93px" width="227px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="99px" width="217px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="146px" width="193px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="144px" width="238px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="155px" width="253px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="172px" width="200px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="144px" width="225px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至3中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，其選自由以下組成的群組： <br/>或其醫藥學上可接受的鹽、水合物、立體異構體、溶劑化物或前藥。
一種具有下式之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體， <br/><img align="absmiddle" height="89px" width="184px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物或醫藥組合，其包含如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體，以及醫藥學上可接受的載劑。
如請求項9之醫藥組合物或醫藥組合，其進一步包含一或多種第二藥劑。
如請求項10之醫藥組合物或醫藥組合，其中該第二藥劑是免疫檢查點抑制劑、抗癌劑或其組合。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於遏制有需要的受試者中的血管生成的醫藥品。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於遏制有需要的受試者中的轉移(metastasis)的醫藥品。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於遏制有需要的受試者中的腫瘤形成(oncogenesis)的醫藥品。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於調節有需要的受試者中的免疫調節活性的醫藥品。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於治療或預防有需要的受試者中的與酪氨酸激酶(TKs)相關的疾病的醫藥品。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於治療有需要的受試者中的腫瘤或癌症的醫藥品。
如請求項17之用途，其中該藥物用於涉及癌症免疫療法的方法中，該癌症免疫療法藉由以下來實現：調節腫瘤微環境、減少腫瘤缺氧、減少乳酸積累、激活CTL、抑制免疫抑制細胞的數量和活性、獲得優異的抗癌益處和/或誘導持久的免疫記憶。
一種如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受的鹽、水合物或立體異構體或如請求項9至11中任一項之醫藥組合物或醫藥組合的用途，其用於製備用於治療腫瘤或癌症的醫藥品，與基於包含常規酪氨酸激酶(TKs)抑制劑的醫藥組合物或醫藥組合的腫瘤或癌症治療相比，該醫藥品具有增強的客觀應答率(ORR)。
一種庫存管理方法，其由計算裝置執行，其特徵在於， <br/>包括： <br/>接收對於第一庫存管理單位的商品的第一物流中心的第一請求訂單數量及對於該第一庫存管理單位的商品的第二物流中心的第二請求訂單數量的步驟； <br/>接收該第一物流中心和該第二物流中心各自的儲存容量現狀，識別超過儲存容量的該第一物流中心的步驟； <br/>從該第一請求訂單數量中減去該第一庫存管理單位的商品的最小移送單位數量的倍數值，獲取第一數量的步驟； <br/>合計該第一數量和該第二請求訂單數量，獲取可分攤到該第二物流中心的第二數量的步驟；以及 <br/>以該最小移送單位數量的倍數值對該第二數量執行四捨五入，獲取要向該第二物流中心移送的最終移送數量的步驟， <br/>該第二物流中心為不超過儲存容量的物流中心。
根據申請專利範圍第1項所述的庫存管理方法，其特徵在於， <br/>識別該第一物流中心的步驟包括： <br/>獲取該第一物流中心及該第二物流中心各自的庫存容量的步驟； <br/>獲取該第一物流中心及該第二物流中心各自的可調整儲存容量的步驟；以及 <br/>將該庫存容量的值大於該可調整儲存容量的物流中心識別為該第一物流中心的步驟， <br/>該庫存容量為該第一物流中心及該第二物流中心各自的當前儲存容量， <br/>該可調整儲存容量為該第一物流中心及該第二物流中心各自的可儲存容量乘以第一加權值的值和該第一物流中心及該第二物流中心各自的可儲存容量加上第二加權值的值中小的值。
根據申請專利範圍第1項所述的庫存管理方法，其特徵在於， <br/>該第一庫存管理單位根據已定義的庫存管理單位的重要度來確定。
根據申請專利範圍第1項所述的庫存管理方法，其特徵在於， <br/>該第一庫存管理單位根據該第一物流中心處理的庫存管理單位的數來確定。
根據申請專利範圍第1項所述的庫存管理方法，其特徵在於， <br/>該第二物流中心包括第三物流中心及第四物流中心， <br/>獲取該最終移送數量的步驟包括： <br/>利用已定義的目標庫存持有天數（Days Of Cover），確定向該第三物流中心移送的第一移送數量及向該第四物流中心移送的第二移送數量的步驟。
根據申請專利範圍第5項所述的庫存管理方法，其特徵在於， <br/>該目標庫存持有天數為第一值除以第二值的值，其中，該第一值為該第三物流中心的庫存容量加上該第四物流中心的庫存容量的值，該第二值為該第三物流中心的日均出庫量加上該第四物流中心的日均出庫量的值。
一種庫存管理系統，其特徵在於， <br/>包括： <br/>通信介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個以上的處理器，運行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括執行如下工作的指令（instructions）： <br/>接收對於第一庫存管理單位的商品的第一物流中心的第一請求訂單數量及對於該第一庫存管理單位的商品的第二物流中心的第二請求訂單數量的工作； <br/>接收該第一物流中心和該第二物流中心各自的儲存容量現狀，識別超過儲存容量的該第一物流中心的工作； <br/>從該第一請求訂單數量中減去該第一庫存管理單位的商品的最小移送單位數量的倍數值，獲取第一數量的工作； <br/>合計該第一數量和該第二請求訂單數量，獲取可分攤到該第二物流中心的第二數量的工作；以及 <br/>以該最小移送單位數量的倍數值對該第二數量執行四捨五入，獲取要向該第二物流中心移送的最終移送數量的工作， <br/>該第二物流中心為不超過儲存容量的物流中心。
一種存儲於電腦可讀記錄介質的電腦程式，其特徵在於，該電腦程式與計算裝置結合而包括如下步驟： <br/>接收對於第一庫存管理單位的商品的第一物流中心的第一請求訂單數量及對於該第一庫存管理單位的商品的第二物流中心的第二請求訂單數量的步驟； <br/>接收該第一物流中心和該第二物流中心各自的儲存容量現狀，識別超過儲存容量的該第一物流中心的步驟； <br/>從該第一請求訂單數量中減去該第一庫存管理單位的商品的最小移送單位數量的倍數值，獲取第一數量的步驟； <br/>合計該第一數量和該第二請求訂單數量，獲取可分攤到該第二物流中心的第二數量的步驟；以及 <br/>以該最小移送單位數量的倍數值對該第二數量執行四捨五入，獲取要向該第二物流中心移送的最終移送數量的步驟， <br/>該第二物流中心為不超過儲存容量的物流中心。
一種均流式電源供應裝置，電性連接一負載，該均流式電源供應裝置包括： <br/>一主電源供應器，電性連接該負載，其中該主電源供應器用以提供一主輸出電流給該負載，並擷取該主輸出電流，以據此產生一主回授電流；以及 <br/>一從電源供應器，電性連接該主電源供應器與該負載，其中該從電源供應器用以接收該主回授電流，並據此提供等於該主輸出電流之一從輸出電流給該負載，該從電源供應器用以擷取該從輸出電流，以據此產生一從回授電流與一從類比電流，並相加該主回授電流與該從回授電流，以產生一控制電流，該從電源供應器用以根據該控制電流與該從類比電流穩定該從輸出電流。
如請求項1所述之均流式電源供應裝置，其中該主電源供應器用以提供對應該主輸出電流之一主輸出電壓給該負載，該從電源供應器用以根據該主回授電流提供等於該主輸出電壓之一從輸出電壓給該負載。
如請求項2所述之均流式電源供應裝置，其中該主電源供應器包含： <br/>一主電源供應電路，電性連接該負載，其中該主電源供應電路用以接收一主驅動電壓，並據此產生該主輸出電流與該主輸出電壓； <br/>一主電流回授電路，電性連接該負載與該主電源供應電路，其中該主電流回授電路用以擷取該主輸出電流，並據此產生該主回授電流與一主類比電流； <br/>一主電壓回授電路，電性連接該主電源供應電路與該負載，其中該主電壓回授電路用以擷取該主輸出電壓，以據此產生一主回授電壓； <br/>一主均流控制器，電性連接該主電流回授電路與該從電源供應器，其中該主均流控制器用以接收該主回授電流，並據此產生一主數位設定電壓，且輸出該主回授電流； <br/>一主壓差放大電路，電性連接該主電流回授電路與該主均流控制器，其中該主壓差放大電路用以接收該主類比電流與該主數位設定電壓，並據此產生一主類比參考電壓；以及 <br/>一主比較器，電性連接該主壓差放大電路、該主電壓回授電路與該主電源供應電路，其中該主比較器用以接收該主類比參考電壓與該主回授電壓，並據此產生該主驅動電壓。
如請求項3所述之均流式電源供應裝置，其中該主電源供應電路為相移全橋(PSFB)電路或電感-電感-電容(LLC)轉換器。
如請求項3所述之均流式電源供應裝置，其中該主均流控制器包含： <br/>一主控制電路，電性連接該主電流回授電路與該從電源供應器，其中該主控制電路用以傳遞該主回授電流給該從電源供應器；以及 <br/>一主比例積分控制器(proportional–integral controller)，電性連接該主控制電路與該主壓差放大電路，其中該主比例積分控制器用以透過該主控制電路接收該主回授電流，並據此產生該主數位設定電壓。
如請求項5所述之均流式電源供應裝置，其中該主壓差放大電路包含： <br/>一主分壓電路，電性連接該主電流回授電路與該主比例積分控制器； <br/>一主運算放大器，其正輸入端與負輸入端電性連接該主分壓電路； <br/>一主回授電阻，電性連接於該主運算放大器之該負輸入端與輸出端之間；以及 <br/>一主輸出電阻，電性連接於該主運算放大器之該輸出端與該主比較器之間，其中該主運算放大器用以透過該主分壓電路接收該主類比電流與該主數位設定電壓，並據此透過該主輸出電阻產生該主類比參考電壓。
如請求項2所述之均流式電源供應裝置，其中該從電源供應器包含： <br/>一從電源供應電路，電性連接該負載，其中該從電源供應電路用以接收一從驅動電壓，並據此產生該從輸出電流與該從輸出電壓； <br/>一從電流回授電路，電性連接該負載與該從電源供應電路，其中該從電流回授電路用以擷取該從輸出電流，並據此產生該從回授電流與該從類比電流； <br/>一從電壓回授電路，電性連接該從電源供應電路與該負載，其中該從電壓回授電路用以擷取該從輸出電壓，以據此產生一從回授電壓； <br/>一從均流控制器，電性連接該從電流回授電路與該主電源供應器，其中該從均流控制器用以接收該主回授電流與該從回授電流，並將其相加，以產生該控制電流，該從均流控制器用以根據該控制電流產生一從數位設定電壓； <br/>一從壓差放大電路，電性連接該從電流回授電路與該從均流控制器，其中該從壓差放大電路用以接收該從類比電流與該從數位設定電壓，並據此產生一從類比參考電壓；以及 <br/>一從比較器，電性連接該從壓差放大電路、該從電壓回授電路與該從電源供應電路，其中該從比較器用以接收該從類比參考電壓與該從回授電壓，並據此產生該從驅動電壓。
如請求項7所述之均流式電源供應裝置，其中該從電源供應電路為相移全橋(PSFB)電路或電感-電感-電容(LLC)轉換器。
如請求項7所述之均流式電源供應裝置，其中該從均流控制器包含： <br/>一從控制電路，電性連接該從電流回授電路與該主電源供應器，其中該從控制電路用以接收該主回授電流與該從回授電流，並將其相加，以產生該控制電流；以及 <br/>一從比例積分控制器(proportional–integral controller)，電性連接該從控制電路與該從壓差放大電路，其中該從比例積分控制器用以接收該控制電流，並據此產生該從數位設定電壓。
如請求項9所述之均流式電源供應裝置，其中該從壓差放大電路包含： <br/>一從分壓電路，電性連接該從電流回授電路與該從比例積分控制器； <br/>一從運算放大器，其正輸入端與負輸入端電性連接該從分壓電路； <br/>一從回授電阻，電性連接於該從運算放大器之該負輸入端與輸出端之間；以及 <br/>一從輸出電阻，電性連接於該從運算放大器之該輸出端與該從比較器之間，其中該從運算放大器用以透過該從分壓電路接收該從類比電流與該從數位設定電壓，並據此透過該從輸出電阻產生該從類比參考電壓。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 形成多個第一半導體層及多個第二半導體層的一堆疊，其中所述各第一半導體層具有一第一材料組成，其中所述各第二半導體層具有不同於該第一材料組成的一第二材料組成，且其中該些第一半導體層在該堆疊中與該些第二半導體層交錯(interleave)；<br/> 以多個介電層替換該些第二半導體層；以及<br/> 對該些介電層進行一蝕刻製程，其中該蝕刻製程係在約600毫托(milli-Torrs)至約800毫托之間的一製程壓力下或在約攝氏16度至約攝氏20度之間的一製程溫度下執行的，並且其中執行該蝕刻製程使得在一剖面側視圖中該些介電層的一最短橫向尺寸與該些介電層的一最長橫向尺寸之間的比例在約0.91:1至約1:1之間。
如請求項1所述之半導體裝置的形成方法，其中：<br/> 該蝕刻製程通過多次循環執行；並且<br/> 所述各循環包括在一蝕刻腔室中執行的一蝕刻步驟及在一烘烤腔室中執行的一烘烤步驟。
如請求項2所述之半導體裝置的形成方法，其中該烘烤步驟係在約攝氏120度至約攝氏130度之間的一烘烤溫度下執行。
如請求項2述之半導體裝置的形成方法，其中：<br/> 該蝕刻步驟從該些介電層產生一副產物(byproduct)；並且<br/> 該烘烤步驟將該副產物轉化為可從該烘烤腔室中去除的一氣態化學物質。
如請求項4所述之半導體裝置的形成方法，其中：<br/> 該蝕刻步驟至少部分使用包含HF或NH<sub>3</sub>的一蝕刻劑來執行；並且<br/> 該副產物含有(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>。
一種半導體裝置的形成方法，包括：<br/> 形成多個第一半導體層及多個第二半導體層的一堆疊，其中所述各第一半導體層具有一第一材料組成，其中所述各第二半導體層具有不同於該第一材料組成的一第二材料組成，且其中該些第一半導體層在該堆疊中與該些第二半導體層交錯(interleave)；<br/> 以多個介電層替換該些第二半導體層；以及<br/> 橫向蝕刻該些介電層，使得在一剖面側視圖中所述各介電層具有小於該些第一半導體層的多個橫向尺寸，並且其中執行該蝕刻步驟使得在該剖面側視圖中該些介電層的一最短橫向尺寸與該些介電層的一最長橫向尺寸之間的比例在約0.91:1至約1:1之間。
如請求項6所述之半導體裝置的形成方法，其中該蝕刻步驟產生包含(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>的一副產物。
如請求項6或7所述之半導體裝置的形成方法，其中替換該些第二半導體層的步驟包括：<br/> 利用一蝕刻製程蝕刻掉該些第二半導體層，所述蝕刻製程具有該第一材料組成與第二材料組成之間的蝕刻選擇性；以及<br/> 形成該些介電層來替換所蝕刻掉的該些第二半導體層。
一種半導體裝置，包括：<br/> 多個半導體層的一堆疊，設置在一基板上方；以及<br/> 一閘極結構，包繞(wraps around)該些半導體層的該堆疊；<br/> 其中在一剖面側視圖中：<br/> 該閘極結構至少包括一第一部分、設置在該第一部分上方的一第二部分以及設置在該第二部分上方的一第三部分；<br/> 該第一部分、該第二部分及該第三部分分別具有一第一橫向尺寸、一第二橫向尺寸及一第三橫向尺寸；並且<br/> 該第一橫向尺寸、該第二橫向尺寸及該第三橫向尺寸之間的一變化量(variation)小於1.4奈米。
如請求項9所述之半導體裝置，其中在該剖面側視圖中，該第一橫向尺寸、該第二橫向尺寸及該第三橫向尺寸中的一最短橫向尺寸與一最長橫向尺寸之間的比例在約0.91:1至約1:1之間。
一種應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其包含：<br/>一銜接件，該銜接件之一端設有一螺旋彈簧套環，另一端設有一彈簧針搭接端子，該螺旋彈簧套環與該彈簧針搭接端子皆具有導電能力，且該螺旋彈簧套環與該彈簧針搭接端子之間形成電連接。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該螺旋彈簧套環與該彈簧針搭接端子兩者之間係為直接或間接進行電性連接。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該銜接件採用金屬材質或絕緣材質或具有導電能力的複合材質。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該螺旋彈簧套環係可採用一段螺旋彈簧進行加工彎折而使其中至少部分形成環狀或弧形，再與該銜接件結合而固定形成彈簧套環結構。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該彈簧針搭接端子可為勾狀、環狀、套環、套管或套蓋結構。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該彈簧針搭接端子與該銜接件的結合方式可採用一體成型設計。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該彈簧針搭接端子的設計態樣亦可採用該螺旋彈簧套環的彈簧套環結構。
如請求項7所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，設置於該銜接件兩端的該螺旋彈簧套環與該彈簧針搭接端子係為一體成型，可以由一段螺旋彈簧進行加工彎折而成。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該銜接件包括一銜接導線及二固定件，該銜接導線之兩端連接各該固定件，各該固定件係分別固定該螺旋彈簧套環與該彈簧針搭接端子。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該銜接件的設計態樣為金屬管狀結構。
如請求項1所述之應用於自動測試系統的彈簧針跨接裝置，其中，該銜接件可採用金屬薄片材料進行加工成型。
一種奈米結構薄膜，其包含： <br/> 複數個碳奈米纖維，該複數個碳奈米纖維隨機交叉以形成平面取向的互連網絡結構，該互連網絡結構具有範圍為下限3 nm至上限100 nm的厚度，及該複數個碳奈米纖維的平均束直徑係介於下限4.6 nm至上限29.2 nm之間， <br/> 其中該複數個碳奈米纖維包括單壁碳奈米管、至少50%的雙壁碳奈米纖維、和多壁碳奈米管， <br/> 其中該雙壁碳奈米纖維包括雙壁碳奈米管， <br/> 其中該單壁碳奈米管之壁數為一，該雙壁碳奈米管之壁數為二，且該多壁碳奈米管之壁數為三或更多，及 <br/> 其中該奈米結構薄膜是自支式(freestanding)。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該厚度之範圍為下限3 nm至上限40 nm。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該厚度之範圍為下限3 nm至上限20 nm。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該互連網絡結構之平均厚度為11 nm。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該奈米結構薄膜具有92%的最小極紫外(EUV)透射率。
如請求項5之奈米結構薄膜，其中EUV透射率升高至高於95%。
如請求項5之奈米結構薄膜，其中EUV透射率升高至高於98%。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中EUV透射率的範圍是在最小EUV透射率92%至最高EUV透射率99%之間。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該單壁碳奈米管佔所有碳奈米管之20%-40%之間的百分比，該雙壁碳奈米管佔該所有碳奈米管之50%或更高的百分比，其餘碳奈米管係該多壁碳奈米管。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該單壁碳奈米管佔所有碳奈米管之多於20%，該雙壁碳奈米管佔該所有碳奈米管之多於75%，其餘碳奈米管係佔該所有碳奈米管之其餘百分比的該多壁碳奈米管。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中來自同一奈米結構薄膜在任何兩個EUV透射率量測聚焦區域之該任何兩個EUV透射率量測值之差異小於5%。
如請求項11之奈米結構薄膜，其中來自同一奈米結構薄膜在任何兩個EUV透射率量測聚焦區域之該任何兩個EUV透射率量測值之差異小於2%。
如請求項11之奈米結構薄膜，其中來自同一奈米結構薄膜在任何兩個EUV透射率量測聚焦區域之該任何兩個EUV透射率量測值之差異小於0.4%。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該互連網絡結構在10 sccm流速下具有小於3.5 mm的撓曲。
如請求項14之奈米結構薄膜，其中在10 sccm流速下該撓曲是小於0.6 mm。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該互連網絡結構在3.5 mbar/s流速下具有小於0.1 mm的撓曲。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該互連網絡結構在EUV輻照下產生小於0.3%的散射。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該複數個碳奈米纖維經共形塗佈(conformally coated)以金屬、金屬氧化物或氮化物，該金屬係選自硼、釕、鋯、鈮、鉬、銣、釔、鍶或銠。
如請求項5之奈米結構薄膜，其中該奈米結構薄膜具有0.2 µg/cm<sup>2</sup>至6.0 µg/cm<sup>2</sup>的面密度(areal density)。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中尺寸140 mm x 110 mm之該互連網絡結構在3.5 mbar/s流速下具有小於2.5 mm的撓曲。
如請求項20之奈米結構薄膜，其中該撓曲是小於0.5 mm。
如請求項1之奈米結構薄膜，其中該平均束直徑的上限與該平均束直徑的下限之差異與該平均束直徑的上限之比是小於0.8425。
一種光罩護膜，其包含： <br/> 光罩護膜邊界，該光罩護膜邊界界定孔口；及 <br/> 至少一種奈米結構薄膜，該奈米結構薄膜安裝至該光罩護膜邊界並覆蓋該孔口， <br/> 其中該至少一種奈米結構薄膜包含： <br/> 複數個碳奈米纖維，該複數個碳奈米纖維隨機交叉以形成平面取向的互連網絡結構，該互連網絡結構具有範圍為下限3 nm至上限100 nm的厚度，及該複數個碳奈米纖維的平均束直徑係介於4.6 nm至29.2 nm之間， <br/> 其中該複數個碳奈米纖維包括單壁碳奈米管、至少50%的雙壁碳奈米纖維、和多壁碳奈米管， <br/> 其中該雙壁碳奈米纖維包括雙壁碳奈米管， <br/> 其中該單壁碳奈米管之壁數為一，該雙壁碳奈米管之壁數為二，且該多壁碳奈米管之壁數為三或更多，及 <br/> 其中該奈米結構薄膜是自支式(freestanding)。
如請求項23之光罩護膜，其中界定該孔口的該光罩護膜邊界是140 mm x 110 mm，及該至少一種奈米結構薄膜在3.5 mbar/s流速下具有小於2.5 mm的撓曲。
如請求項24之光罩護膜，其中該撓曲是小於0.5 mm。
一種用於執行極紫外(EUV)微影蝕刻之方法，其包含將EUV輻射透射穿過光罩護膜， <br/> 其中該光罩護膜包含： <br/> 光罩護膜邊界，該光罩護膜邊界界定孔口；及 <br/> 至少一種奈米結構薄膜，該奈米結構薄膜安裝至該光罩護膜邊界並覆蓋該孔口， <br/> 其中該至少一種奈米結構薄膜包含： <br/> 複數個碳奈米纖維，該複數個碳奈米纖維隨機交叉以形成平面取向的互連網絡結構，該互連網絡結構具有範圍為下限3 nm至上限100 nm的厚度，及該複數個碳奈米纖維的平均束直徑係介於4.6 nm至29.2 nm之間， <br/> 其中該複數個碳奈米纖維包括單壁碳奈米管、至少50%的雙壁碳奈米纖維、和多壁碳奈米管， <br/> 其中該雙壁碳奈米纖維包括雙壁碳奈米管， <br/> 其中該單壁碳奈米管之壁數為一，該雙壁碳奈米管之壁數為二，且該多壁碳奈米管之壁數為三或更多，及 <br/> 其中該奈米結構薄膜是自支式(freestanding)。
一種化學機械拋光系統，包含： <br/>一平台，以支撐具有一拋光表面的一拋光墊； <br/>一蒸氣源，該蒸氣源包含一蒸氣產生器； <br/>一儲藏室，以保持一拋光液體；及 <br/>一清潔化學物的一源； <br/>其中該蒸氣源耦合至該清潔化學物，且配置成在化學機械拋光中使用該清潔化學物之前，將該蒸氣傳輸至該清潔化學物中以加熱該清潔化學物。
如請求項1所述之系統，其中該蒸氣產生器造成該蒸氣加熱至90至200ºC。
如請求項1所述之系統，其中該蒸氣源耦合至在該平台上方延伸的一配給器手臂，以便傳輸蒸氣至該配給器手臂中的該清潔化學物。
如請求項3所述之系統，其中該蒸氣源耦合至位於該配給器手臂中的一混合腔室，以便傳輸蒸氣至該混合腔室中的該清潔化學物。
如請求項1所述之系統，包括一或更多閥門，控制至清潔化學物的蒸氣之一相關流率。
如請求項5所述之系統，包括一控制器，配置成控制該一或更多閥門，使得該蒸氣與該清潔化學物以10：1至1：10的一流率比例混合。
一種化學機械拋光系統，包含： <br/>一平台，以支撐具有一拋光表面的一拋光墊； <br/>一蒸氣源，該蒸氣源包含一蒸氣產生器； <br/>一儲藏室，以保持一拋光液體；及 <br/>一去離子水源； <br/>其中該蒸氣源耦合至該去離子水，且配置成在化學機械拋光中使用該去離子水之前，將該蒸氣傳輸至該去離子水中以加熱該去離子水。
如請求項7所述之系統，其中該蒸氣產生器造成該蒸氣加熱至90至200ºC。
如請求項7所述之系統，其中該蒸氣源耦合至在該平台上方延伸的一配給器手臂，以便傳輸蒸氣至該配給器手臂中的該去離子水。
如請求項9所述之系統，其中該蒸氣源耦合至位於該配給器手臂中的一混合腔室，以便傳輸蒸氣至該混合腔室中的該去離子水。
如請求項7所述之系統，包括一或更多閥門，控制至去離子水的蒸氣之一相關流率。
如請求項5所述之系統，包括一控制器，配置成控制該一或更多閥門，使得該蒸氣與該去離子水以10：1至1：10的一流率比例混合。
一種解碼裝置，具備： <br/>記憶體；及 <br/>處理器，連接於前述記憶體，基於在雙向光流(BDOF)處理中所導出的第1參數、第2參數、第3參數、第4參數、及第5參數，來產生用於解碼當前區塊的預測圖像， <br/>前述第1參數是基於 <br/>[數1] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第2參數是基於 <br/>[數2] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第3參數是基於 <br/>[數3] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第4參數是基於 <br/>[數4] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第5參數是基於 <br/>[數5] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10127.jpg" alt="ed10127.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>Ω表示複數個相對像素位置的集合， <br/>[i,j]表示由水平位置i及垂直位置j所定義之集合Ω中的相對像素位置， <br/>I <sub>x</sub><sup>0</sup>表示在第1梯度圖像中的第1像素位置的水平梯度值，I <sub>x</sub><sup>1</sup>表示在第2梯度圖像中的前述第1像素位置的水平梯度值，前述第1像素位置是基於相對像素位置[i,j]來決定，前述第1梯度圖像及前述第2梯度圖像對應於前述當前區塊， <br/>I <sub>y</sub><sup>0</sup>表示在前述第1梯度圖像中的前述第1像素位置的垂直梯度值，I <sub>y</sub><sup>1</sup>表示在前述第2梯度圖像中的前述第1像素位置的垂直梯度值， <br/>I <sup>0</sup>表示在對應於前述當前區塊的第1內插圖像中的前述第1像素位置的像素值， <br/>I <sup>1</sup>表示在對應於前述當前區塊的第2內插圖像中的前述第1像素位置的像素值， <br/>abs函數輸出引數的絕對值， <br/>sign函數為-1、0、或1，輸出引數的符號。
一種非暫時性電腦可讀取之媒體，其保存一位元流，前述位元流包含預測參數，前述預測參數表示複數個預測處理候選之中的一預測處理並且由解碼裝置讀取以對前述位元流中提供的當前區塊進行解碼，前述預測處理候選包含雙向光流(BDOF)處理，前述雙向光流處理使用第1參數、第2參數、第3參數、第4參數、及第5參數，來產生前述當前區塊的預測圖像， <br/>前述第1參數是基於 <br/>[數1] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第2參數是基於 <br/>[數2] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10124.jpg" alt="ed10124.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第3參數是基於 <br/>[數3] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第4參數是基於 <br/>[數4] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>前述第5參數是基於 <br/>[數5] <br/><img align="absmiddle" height="167px" width="1337px" file="ed10127.jpg" alt="ed10127.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>來導出， <br/>Ω表示複數個相對像素位置的集合， <br/>[i,j]表示由水平位置i及垂直位置j所定義之集合Ω中的相對像素位置， <br/>I <sub>x</sub><sup>0</sup>表示在第1梯度圖像中的第1像素位置的水平梯度值，I <sub>x</sub><sup>1</sup>表示在第2梯度圖像中的前述第1像素位置的水平梯度值，前述第1像素位置是基於相對像素位置[i,j]來決定，前述第1梯度圖像及前述第2梯度圖像對應於前述當前區塊， <br/>I <sub>y</sub><sup>0</sup>表示在前述第1梯度圖像中的前述第1像素位置的垂直梯度值，I <sub>y</sub><sup>1</sup>表示在前述第2梯度圖像中的前述第1像素位置的垂直梯度值， <br/>I <sup>0</sup>表示在對應於前述當前區塊的第1內插圖像中的前述第1像素位置的像素值， <br/>I <sup>1</sup>表示在對應於前述當前區塊的第2內插圖像中的前述第1像素位置的像素值， <br/>abs函數輸出引數的絕對值， <br/>sign函數為-1、0、或1，輸出引數的符號。
一種閘極驅動器，包括：<br/> 複數個訊號傳輸部件，配置成經由從前一個訊號傳輸部件被施加一進位訊號的一進位線來相互依存地連接，其中一第（n）個訊號傳輸部件（其中n是正整數）包含：<br/> 一第一輸出電路部件，包括一第一-1控制節點及一第一-2控制節點，以及配置以從該前一個訊號傳輸部件接收該進位訊號並根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓輸出該進位訊號和一第一閘極訊號；<br/> 一第二輸出電路部件，包括連接至該第一-2控制節點的一第二-1控制節點及連接至該第一-1控制節點的一第二-2控制節點，以及配置以根據該第二-1控制節點和該第二-2控制節點的電壓輸出一第二閘極訊號；以及<br/> 一第三輸出電路部件，包括連接至該第一-2控制節點的一第三-1控制節點及連接至該第一-1控制節點的一第三-2控制節點，以及配置以根據該第三-1控制節點和該第三-2控制節點的電壓輸出一第三閘極訊號。
如請求項1所述之閘極驅動器，其中，該第一輸出電路部件包含：<br/> 一第一-1輸出節點；<br/> 一第一-2輸出節點；<br/> 一第一-1上拉電晶體和一第一-1下拉電晶體，配置以根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓將該第一閘極訊號輸出至該第一-1輸出節點；以及<br/> 一第一-2上拉電晶體和一第一-2下拉電晶體，配置以根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓將該進位訊號至輸出至該第一-2輸出節點。
如請求項2所述之閘極驅動器，其中，該第二輸出電路部件包含：<br/> 一第二輸出節點；以及<br/> 一第二-1上拉電晶體和一第二-1下拉電晶體，配置以根據該第二-1控制節點和該第二-2控制節點的電壓將該第二閘極訊號輸出至該第二輸出節點。
如請求項3所述之閘極驅動器，其中：<br/> 該第二輸出電路部件進一步包含一第二-1電晶體至一第二-4電晶體，以及一第二-1節點，<br/> 該第二-1電晶體包含：連接至該第一-2輸出節點的一閘極電極、連接至一低電位電壓線的一第一電極、及連接至該第二-1節點的一第二電極；<br/> 該第二-2電晶體包含：連接至該第二-1節點的一閘極電極、連接至該第一-2控制節點的一第一電極、及連接至該第二-1控制節點的一第二電極；<br/> 該第二-3電晶體包含：連接至該第一-2控制節點的一閘極電極、連接至一第一EM驅動器的一進位訊號線的一第一電極、及連接至該第二-1節點的一第二電極；以及<br/> 該第二-4電晶體包含：連接至該第二-1節點的一閘極電極、連接至該第一-1控制節點的一第一電極、及連接至該第二-2控制節點的一第二電極。
如請求項4所述之閘極驅動器，其中：<br/> 該第二輸出電路部件進一步包含一第二-5電晶體至一第二-7電晶體，以及一第二-2節點，<br/> 該第二-5電晶體包含：連接至該第一EM驅動器的該第一-2控制節點的一閘極電極和一第一電極、及連接至該第二-2節點的一第二電極；<br/> 該第二-6電晶體包含：連接至該第二-2節點的一閘極電極、連接至該第二-1控制節點的一第一電極、及連接至一低電位電壓線的一第二電極；以及<br/> 該第二-7電晶體包含：連接至該第二-2節點的一閘極電極、連接至該第二-2控制節點的一第一電極、及連接至一高電位電壓線的一第二電極。
如請求項3所述之閘極驅動器，其中，該第三輸出電路部件包含：<br/> 一第三輸出節點；以及<br/> 一第三-1上拉電晶體和一第三-1下拉電晶體，配置以根據該第三-1控制節點和該第三-2控制節點的電壓將該第三閘極訊號輸出至該第三輸出節點。
如請求項6所述之閘極驅動器，其中：<br/> 該第三輸出電路部件進一步包含一第三-1電晶體至一第三-2電晶體，<br/> 該第三-1電晶體包含：連接至一第（n-1）訊號傳輸部件的一第一-2控制節點的一閘極電極、連接至該第一-2控制節點的一第一電極、及連接至該第三-1控制節點的一第二電極；以及<br/> 該第三-2電晶體包含：連接至該第（n-1）訊號傳輸部件的該第一-2控制節點的一閘極電極、連接至該第一-1控制節點的一第一電極、及連接至該第三-2控制節點的一第二電極。
如請求項7所述之閘極驅動器，其中：<br/> 該第三輸出電路部件進一步包含：一第三-3電晶體至一第三-6電晶體，<br/> 該第三-3電晶體包含：連接至一第一EM驅動器的該進位訊號線的一閘極電極、連接至一第二-2節點的一第一電極、及連接至一第二-3節點的一第二電極；<br/> 該第三-4電晶體包含：連接至該第一EM驅動器的該進位訊號線的一閘極電極、連接至該第一-2輸出節點的一第一電極、及連接至該第二-3節點的一第二電極；<br/> 該第三-5電晶體包含：連接至該第二-3節點的一閘極電極、連接至該第三-1控制節點的一第一電極、及連接至一低電位電壓線的一第二電極；以及<br/> 該第三-6電晶體包含：連接至該第二-3節點的一閘極電極、連接至該第三-2控制節點的一第一電極、及連接至一高電位電壓線的一第二電極。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示面板，其中排列複數條資料線、與該些資料線相交的複數條閘極線、及複數個像素；<br/> 一資料驅動器，配置以將像素資料的資料電壓供應給該些資料線；以及 <br/> 一閘極驅動器，配置以將一閘極訊號供應給該些閘極線，<br/> 其中，該閘極驅動器包含複數個訊號傳輸部件，配置成經由從一前一個訊號傳輸部件被施加一進位訊號的一進位線來相互依存地連接，以及<br/> 其中，一第（n）訊號傳輸部件（其中n為正整數）包含：<br/> 一第一輸出電路部件，包括一第一-1控制節點及一第一-2控制節點，以及配置以從該前一個訊號傳輸部件接收該進位訊號並根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓輸出該進位訊號和一第一閘極訊號；<br/> 一第二輸出電路部件，包括連接至該第一-2控制節點的一第二-1控制節點及連接至該第一-1控制節點的一第二-2控制節點，以及配置以根據該第二-1控制節點和該第二-2控制節點的電壓輸出一第二閘極訊號；以及<br/> 一第三輸出電路部件，包括連接至該第一-2控制節點的一第三-1控制節點及連接至該第一-1控制節點的一第三-2控制節點，以及配置以根據該第三-1控制節點和該第三-2控制節點的電壓輸出一第三閘極訊號。
如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第一輸出電路部件包含：<br/> 一第一-1輸出節點；<br/> 一第一-2輸出節點；<br/> 一第一-1上拉電晶體和一第一-1下拉電晶體，配置以根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓將該第一閘極訊號輸出至該第一-1輸出節點；以及<br/> 一第一-2上拉電晶體和一第一-2下拉電晶體，配置以根據該第一-1控制節點和該第一-2控制節點的電壓將該進位訊號輸出至該第一-2輸出節點。
如請求項10所述之顯示裝置，其中，該第二輸出電路部件包含：<br/> 一第二輸出節點；以及<br/> 一第二-1上拉電晶體和一第二-1下拉電晶體，配置以根據該第二-1控制節點和該第二-2控制節點的電壓將該第二閘極訊號輸出至該第二輸出節點。
如請求項11所述之顯示裝置，其中：<br/> 該第二輸出電路部件進一步包含：一第二-1電晶體至一第二-4電晶體，以及一第二-1節點，<br/> 該第二-1電晶體包含：連接至該第一-2輸出節點的一閘極電極、連接至一低電位電壓線的一第一電極、及連接至該第二-1節點的一第二電極；<br/> 該第二-2電晶體包含：連接至該第二-1節點的一閘極電極、連接至該第一-2控制節點的一第一電極、和連接至該第二-1控制節點的一第二電極；<br/> 該第二-3電晶體包含：連接至該第一-2控制節點的一閘極電極、連接至一第一EM驅動器的一進位訊號線一的第一電極、及連接至該第二-1節點的一第二電極；以及<br/> 該第二-4電晶體包含：連接至該第二-1節點的一閘極電極、連接至該第一-1控制節點的一第一電極、及連接至該第二-2控制節點的一第二電極。
如請求項12所述之顯示裝置，其中：<br/> 該第二輸出電路部件進一步包含一第二-5電晶體至一第二-7電晶體，以及一第二-2節點；<br/> 該第二-5電晶體包含：連接至該第一EM驅動器的該第一-2控制節點的一閘極電極和一第一電極、及連接至該第二-2節點的一第二電極；<br/> 該第二-6電晶體包含：連接至該第二-2節點的一閘極電極、連接至該第二-1控制節點的一第一電極、及連接至該低電位電壓線的一第二電極；以及<br/> 該第二-7電晶體包含：連接至該第二-2節點的一閘極電極、連接至該第二-2控制節點的一第一電極、及連接至一高電位電壓線的一第二電極。
如請求項11所述之顯示裝置，其中，該第三輸出電路部件包含：<br/> 一第三輸出節點；以及<br/> 一第三-1上拉電晶體和一第三-1下拉電晶體，配置以根據該第三-1控制節點和該第三-2控制節點的電壓將該第三閘極訊號輸出至該第三輸出節點。
如請求項14所述之顯示裝置，其中：<br/> 該第三輸出電路部件進一步包含：一第三-1電晶體至一第三-2電晶體，<br/> 該第三-1電晶體包含：連接至一第（n-1）訊號傳輸部件的該第一-2控制節點的一閘極電極、連接至該第一-2控制節點的一第一電極、及連接至該第三-1控制節點的一第二電極；以及<br/> 該第三-2電晶體包含：連接至該第（n-1）訊號傳輸部件的該第一-2控制節點的一閘極電極、連接至該第一-1控制節點的一第一電極、及連接至該第三-2控制節點的一第二電極。
如請求項15所述之顯示裝置，其中：<br/> 該第三輸出電路部件進一步包含：一第三-3電晶體至一第三-6電晶體，<br/> 該第三-3電晶體包含：連接至一第一EM驅動器的該進位訊號線的一閘極電極、連接至一第二-2節點的一第一電極、及連接至一第二-3節點的一第二電極；<br/> 該第三-4電晶體包含：連接至該第一EM驅動器的該進位訊號線的一閘極電極、連接至該第一-2輸出節點的一第一電極、及連接至該第二-3節點的一第二電極；<br/> 該第三-5電晶體包含：連接至該第二-3節點的一閘極電極、連接至該第三-1控制節點的一第一電極、及連接至一低電位電壓線的一第二電極；以及<br/> 該第三-6電晶體包含：連接至該第二-3節點的一閘極電極、連接至該第三-2控制節點的一第一電極、及連接至一高電位電壓線的一第二電極。
一種液態水源收集裝置，其中，包括：<br/> 液體富集組件，所述液體富集組件包括富集部和再生部；<br/> 凝結組件和管道組件，所述管道組件導通所述液體富集組件和所述凝結組件；<br/> 液體收集組件，所述液體收集組件連通於所述凝結組件和/或所述液體富集組件；<br/> 其中，所述管道組件包括：<br/> 輸入管道，連通於所述液體富集組件，設置於所述富集部的氣流上游；<br/> 放濕管道，所述放濕管道的一端連通於所述液體富集組件，設置於所述再生部的氣流下游，另一端連通至所述凝結組件；<br/> 第一控制閥，所述第一控制閥用於連通所述輸入管道和所述放濕管道。
如請求項1所述的液態水源收集裝置，其中，所述管道組件包括：<br/> 輸出管道，連通於所述液體富集組件，設置於所述富集部的氣流下游；<br/> 採濕管道，連通於所述凝結組件，設置於所述再生部的氣流上游；<br/> 第二控制閥，所述第二控制閥用於連通所述輸出管道和所述採濕管道。
如請求項2所述的液態水源收集裝置，其中，所述液體富集組件還包括：<br/> 第一送風件，設置在所述輸入管道和/或所述輸出管道內，用於使空氣流經所述液體富集組件的所述富集部；<br/> 第二送風件，設置在所述採濕管道和/或所述放濕管道內，用於使空氣流經所述液體富集組件的所述再生部。
如請求項2所述的液態水源收集裝置，其中，<br/> 所述第一控制閥還用於調節所述輸入管道和所述放濕管道之間的開度；<br/> 所述第二控制閥還用於調節所述輸出管道和所述採濕管道之間的開度。
如請求項1所述的液態水源收集裝置，其中，所述液體富集組件包括：<br/> 第一殼體，所述第一殼體上形成有所述富集部和所述再生部；<br/> 吸濕件，設置在所述第一殼體內；<br/> 再生件，用於向所述再生部供能，以使水分子脫離。
如請求項5所述的液態水源收集裝置，其中，所述液體富集組件包括：富集件，用於向所述富集部供能；<br/> 所述富集件包括相變換熱器、帕爾帖效應換熱器、風機、液冷換熱器和渦流管中的至少一種；和/或<br/> 所述再生件包括：熱輻射、熱泵熱端、熱管熱端和太陽能熱源中的至少一種；和/或所述液體富集組件還包括：<br/> 驅動件，連接於所述吸濕件，用於帶動所述吸濕件轉動。
如請求項1所述的液態水源收集裝置，其中，<br/> 所述液體收集組件用於連接於用水裝置，所述用水裝置包括加濕部件和/或清潔部件。
如請求項1至7中任一項所述的液態水源收集裝置，其中，所述凝結組件包括：<br/> 集液換熱器，所述集液換熱器用於形成冷凝水和/或結霜，所述液體收集組件通過輸入端收集所述冷凝水和/或所述結霜融化形成的液體。
如請求項8所述的液態水源收集裝置，其中，所述凝結組件還包括：<br/> 第二殼體，所述集液換熱器設置在所述第二殼體內，所述第二殼體用於匯集所述冷凝水和/或所述結霜融化形成的液體，所述液體收集組件的所述輸入端連通至所述第二殼體，所述管道組件連通於所述第二殼體。
一種空調器，其中，包括：<br/> 如請求項1至9中任一項所述的液態水源收集裝置。
如請求項10所述的空調器，其中，還包括：<br/> 室內換熱器；<br/> 壓縮機，所述壓縮機與所述室內換熱器相連；<br/> 室外換熱器，所述室外換熱器與所述壓縮機相連；<br/> 第一節流組件，所述第一節流組件分別與所述室外換熱器和所述室內換熱器相連；<br/> 第一製冷劑管路，所述製冷劑管路連通所述室內換熱器、所述壓縮機、所述室外換熱器和所述第一節流組件以形成製冷劑循環。
如請求項11所述的空調器，其中，<br/> 所述管道組件連通至所述室內換熱器和所述室外換熱器中的至少一個，所述室內換熱器和所述室外換熱器中的至少一個作為所述凝結組件的集液換熱器；<br/> 在所述管道組件連通至所述室外換熱器和所述室內換熱器的情況下，所述液體收集組件包括第一水箱和第二水箱，所述第一水箱連通至所述室外換熱器，所述第二水箱連通至所述室內換熱器。
如請求項11所述的空調器，其中，還包括：<br/> 第二製冷劑管路，所述第二製冷劑管路連通所述凝結組件，所述第二製冷劑管路一端連通至所述室內換熱器，另一端連通至所述壓縮機，以使所述凝結組件的集液換熱器與所述室外換熱器並聯；<br/> 第二節流組件，所述第二節流組件分別與所述室內換熱器和所述集液換熱器相連；和/或，<br/> 第三送風件，所述第三送風件用於向所述凝結組件送風。
如請求項11所述的空調器，其中，還包括：<br/> 第三製冷劑管路，所述第三製冷劑管路連通所述凝結組件，所述第三製冷劑管路的一端連通至所述第一節流組件，另一端連通至所述室內換熱器；<br/> 第三控制閥，所述第三控制閥設置在所述第三製冷劑管路上；和/或，<br/> 第四送風件，所述第四送風件用於向所述凝結組件的所述集液換熱器送風。
如請求項11所述的空調器，其中，還包括：<br/> 第三殼體，所述室外換熱器、所述壓縮機和所述液體收集組件設置在所述第三殼體內。
如請求項10至15中任一項所述的空調器，其中，還包括：<br/> 加濕器，所述液體收集組件連通至所述加濕器；<br/> 其中，所述加濕器包括簾體，所述液體收集組件用於向所述簾體輸出液體。
如請求項10至15中任一項所述的空調器，其中，還包括：<br/> 室外機殼體，所述液體富集組件，室外換熱器設置在所述室外機殼體內；<br/> 室內機殼體，所述室內換熱器設置在所述室內機殼體內；<br/> 新風模組，所述新風模組的入風口連通於所述室外機殼體的第一進風口，所述新風模組的輸出端導通至所述室內機殼體的第二進風口。
如請求項17述的空調器，其中，所述新風模組還包括：<br/> 製氧模組和吸收模組，所述製氧模組和所述吸收模組設置在所述新風模組的殼體內。
如請求項17所述的空調器，其中，還包括：<br/> 過濾模組，所述過濾模組用於過濾進入液態水源收集裝置、所述室外機殼體和所述室內機殼體中至少一者的空氣；<br/> 清潔模組，所述液體收集組件的輸出端連通至所述清潔模組，所述清潔模組用於清潔所述過濾模組。
如請求項19所述的空調器，其中，所述過濾模組包括：<br/> 第一過濾件，用於設置在所述室外機殼體的進風口處；<br/> 第二過濾件，用於設置在所述新風模組的入風口處；或<br/> 第三過濾件，用於同時覆蓋所述新風模組和所述室外機殼體的第一進風口。
如請求項20所述的空調器，其中，所述過濾模組還包括：<br/> 第四過濾件，用於設置在所述室內機殼體的第二進風口處；<br/> 第五過濾件，用於設置在所述管道組件的採濕管道和放濕管道的入口處；<br/> 所述清潔模組用於清潔所述第一過濾件、所述第二過濾件、所述第三過濾件、所述第四過濾件和所述第五過濾件中的至少一者。
一種控制方法，其中，用於控制如請求項10至21中任一項所述的空調器，所述控制方法包括：<br/> 回應於第一集水指令，調節所述管道組件的導通方式，僅通過所述液體富集組件富集液態水；<br/> 回應於第二集水指令，調節所述管道組件的導通方式，僅通過所述凝結組件富集液態水；<br/> 回應於第三集水指令，調節所述管道組件的導通方式，通過所述液體富集組件和所述凝結組件富集液態水。
如請求項22所述的控制方法，其中，所述回應於第一集水指令，調節所述管道組件的導通方式，僅通過所述液體富集組件富集液態水的步驟包括：<br/> 控制所述管道組件的第一控制閥斷開輸入管道和放濕管道之間的通路，控制所述管道組件的第二控制閥斷開輸出管道和採濕管道之間的通路，控制所述輸入管道和所述輸出管道導通，以使所述液體富集組件富集水分子；<br/> 控制所述管道組件的所述採濕管道和所述放濕管道開啟，以使液態水匯集到所述液體收集組件內。
如請求項22所述的控制方法，其中，所述回應於第二集水指令，調節所述管道組件的導通方式，僅通過所述凝結組件富集液態水的步驟包括：<br/> 回應於第二集水指令，控制所述管道組件的第一控制閥導通輸入管道和放濕管道之間的通路，控制所述管道組件的第二控制閥導通輸出管道和採濕管道之間的通路，控制與所述液體收集組件連通的換熱器作為蒸發器，以形成冷凝水和/或凝霜；<br/> 通過所述液體收集組件收集冷凝水和/或凝霜融化後的水。
如請求項22所述的控制方法，其中，回應於第三集水指令，調節所述管道組件的導通方式，通過所述液體富集組件和凝結組件富集液態水的步驟包括：<br/> 回應於第三集水指令，通過所述管道組件的第一控制閥控制輸入管道同時導通於輸出管道和放濕管道，通過所述管道組件的第二控制閥控制輸出管道同時道通於輸入管道和採濕管道；<br/> 控制與所述液體收集組件連通的換熱器作為蒸發器，以形成冷凝水和/或凝霜，並通過所述液體富集組件富集水分子；<br/> 通過所述液體收集組件收集冷凝水、凝霜融化後的水以及液體富集組件的再生水。
如請求項25所述的控制方法，其中，所述通過所述液體收集組件收集冷凝水、凝霜融化後的水以及液體富集組件的再生水的步驟包括：<br/> 在所述蒸發器形成凝霜之後，控制控制所述第一控制閥斷開所述輸入管道和所述放濕管道之間的通路，控制所述第二控制閥斷開輸出管道和所述採濕管道之間的通路，利用流經所述再生部的氣體對所述蒸發器進行化霜。
如請求項22至26中任一項所述的控制方法，其中，還包括：<br/> 基於用水需求，生成第一集水指令、第二集水指令或第三集水指令；和/或<br/> 基於外部空氣中的含水量，生成第一集水指令、第二集水指令或第三集水指令。
如請求項27所述的控制方法，其中，<br/> 所述基於用水需求，生成第一集水指令、第二集水指令或第三集水指令的步驟包括：<br/> 在用水需求小於第一閾值的情況下，生成所述第二集水指令；<br/> 在用水需求大於或等於所述第一閾值，且小於第二閾值的情況下，生成所述第一集水指令；<br/> 在用水需求大於或等於所述第二閾值的情況下，生成所述第三集水指令；<br/> 其中，所述第一閾值的取值小於所述第二閾值；<br/> 所述基於外部空氣中的含水量，生成第一集水指令、第二集水指令或第三集水指令的步驟包括：<br/> 在含水量小於第三閾值的情況下，生成所述第三集水指令；<br/> 在含水量大於或等於所述第三閾值，且小於第四閾值的情況下，生成所述第一集水指令；<br/> 在含水量大於第五閾值的情況下，生成所述第二集水指令；<br/> 其中，所述第三閾值的取值小於所述第四閾值。
一種電腦可讀存儲介質，其中，<br/> 所述電腦可讀存儲介質存儲有電腦程式，實現如請求項22至28中任一項所述的控制方法。
一種控制裝置，其中，包括：<br/> 記憶體，存儲有電腦程式；<br/> 處理器，執行所述電腦程式；<br/> 其中，所述處理器在執行所述電腦程式時，實現如請求項22至28中任一項所述的控制方法。
一種銲線接合系統，包括：<br/>一接合頭組件，配置為承載一銲線接合工具；以及<br/>一線性馬達系統，用於沿著一第一水平軸驅動該接合頭組件，該線性馬達系統包括：<br/>一動磁式組件，該動磁式組件包括（i）一磁軌，以及（ii）複數個永磁體，耦合至該磁軌；<br/>一第一線圈組件，佈置為與該動磁式組件相鄰，該第一線圈組件包括第一複數個齒，該第一複數個齒在其間具有第一狹槽，該第一線圈組件還包括第一複數個線圈，該第一複數個線圈至少部分地設置在該等第一狹槽的至少一部分中；<br/>一位置編碼器系統，該位置編碼器系統用於提供關於該第一線圈組件的位置資訊；<br/>一阻尼器元件，位於該第一線圈組件與該線性馬達系統的一基座結構之間；以及<br/>一彈簧元件，位於該第一線圈組件與該線性馬達系統的該基座結構之間。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該第一線圈組件包括定義該第一複數個齒中的每一個的複數個疊層。
如請求項1所述之銲線接合系統，進一步包括：一第二線圈組件，該第二線圈組件相較於該第一線圈組件佈置在該動磁式組件的相對側，該第二線圈組件包括第二複數個齒，該第二複數個齒在其間具有第二狹槽，該第二線圈組件還包括第二複數個線圈，該第二複數個線圈至少部分地設置在該等第二狹槽的至少一部分中。
如請求項3所述之銲線接合系統，其中，該複數個永磁體包括：<br/>第一複數個永磁體，耦合至面對該第一線圈組件的該磁軌；以及<br/>第二複數個永磁體，耦合至面對該第二線圈組件的該磁軌，以及<br/>其中，該第一複數個永磁體中的每一個直接定位在該第二複數個永磁體中的相對應的一個的上方，以形成一磁體對。
如請求項4所述之銲線接合系統，其中，該第一複數個永磁體中的每一個和該第二複數個永磁體中的每一個使用黏著劑和緊固件中的至少一種連接到該磁軌。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該磁軌由非磁性材料形成。
如請求項6所述之銲線接合系統，其中，該非磁性材料包括鋁。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該複數個永磁體中的每一個的暴露表面以一第一距離與該第一線圈組件相鄰。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該磁軌定義了複數個突出部分，而且該複數個永磁體中的每一個皆包括一階梯部分，該階梯部分配置為與該複數個突出部分中的相對應的突出部分配合。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該動磁式組件沿著該第一水平軸的運動導致該第一線圈組件沿著該第一水平軸的運動。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該位置編碼器系統選自於由一光學編碼器系統和一磁性編碼器系統所組成的群組。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該位置編碼器系統包括：（i）一標尺部分，耦合至該第一線圈組件；以及（ii）一光學部分，用於將該標尺部分成像，該光學部分耦合至該銲線接合系統的另一部分， 該另一部分不會隨著該第一線圈組件移動。
如請求項1所述之銲線接合系統，其中，該線性馬達系統包括一三相馬達，以及其中，該位置編碼器系統所提供的該位置資訊用於控制該線性馬達系統的換向角。
如請求項1所述之銲線接合系統，進一步包括：另一線性馬達系統，用於沿著一第二水平軸驅動該接合頭組件，該第二水平軸基本上垂直於該第一水平軸。
如請求項14所述之銲線接合系統，進一步包括：一解耦元件，用於將該線性馬達系統與該另一線性馬達系統分離。
如請求項1所述之銲線接合系統，進一步包括：一y軸滑動件，配置為連接該磁軌的一耦合部分。
如請求項1所述之銲線接合系統，該彈簧元件位於該線性馬達系統的一第一端部與該基座結構之間，以及該線性馬達系統包括另一彈簧元件，位於該線性馬達系統的一第二端部與該基座結構之間。
如請求項1所述之銲線接合系統，該阻尼器元件位於該線性馬達系統的一第一端部與該基座結構之間，以及該線性馬達系統包括另一阻尼器元件，位於該線性馬達系統的一第二端部與該基座結構之間。
一種半導體結構之形成方法，包括： <br/>提供一工作部件，包括： <br/>一鰭形結構，具有一鰭部基體及位於該鰭部基體上的一半導體層堆疊，其中該半導體層堆疊包括與複數個犧牲層交錯的複數個通道層； <br/>一虛置閘極結構，設置於該半導體層堆疊上；以及 <br/>一源極/汲極特徵部件，連接至該半導體層堆疊的該等通道層； <br/>形成一溝槽於該虛置閘極結構及該鰭形結構內； <br/>沉積一介電層於該溝槽內； <br/>沉積一多晶半導體材料於該介電層上； <br/>對該工作部件進行一平坦化製程；以及 <br/>以一金屬閘極結構取代該介電層、該多晶半導體材料、該虛置閘極結構及該等犧牲層。
如請求項1之半導體結構之形成方法，形成該溝槽包括： <br/>形成一硬式罩幕於該虛置閘極結構上； <br/>圖案化該硬式罩幕，以形成一開口於該硬式罩幕內；以及 <br/>使用該圖案化的硬式罩幕作為蝕刻罩幕來蝕刻該虛置閘極結構及該鰭形結構，以形成該溝槽。
如請求項1或2之半導體結構之形成方法，其中該溝槽延伸穿過該半導體層堆疊並延伸至該鰭部基體。
如請求項1或2之半導體結構之形成方法，其中該源極/汲極特徵部件包括： <br/>一第一磊晶層，設置於該鰭部基體上；以及 <br/>一第二磊晶層，設置於該第一磊晶層上， <br/>其中該第二磊晶層具有設置於該第一磊晶層的一上表面上的一第一部以及沿該第一磊晶層的一側壁設置的一第二部；以及 <br/>其中該第一部具有一第一厚度，而該第二部具有小於該第一厚度的一第二厚度。
一種半導體結構之形成方法，包括： <br/>提供一工作部件，其包括一基底及從該基底突出的一鰭形結構，其中該鰭形結構沿一第一方向縱向延伸； <br/>形成一虛置閘極結構於該鰭形結構上，並沿垂直於該第一方向的一第二方向縱向延伸； <br/>沿虛置閘極結構的一側壁形成一閘極間隙壁； <br/>形成一源極/汲極溝槽於該鰭形結構內，並與該閘極間隙壁相鄰； <br/>形成一源極/汲極特徵部件於該源極/汲極溝槽內； <br/>形成一溝槽於該虛置閘極結構及該鰭形結構內； <br/>以一介電層及一多晶半導體材料填入該溝槽； <br/>對該工作部件進行一平坦化製程；以及 <br/>以一金屬閘極結構取代該介電層、該多晶半導體材料及該虛置閘極結構。
如請求項5之半導體結構之形成方法，其中形成該源極/汲極特徵部件於該源極/汲極溝槽內包括： <br/>形成一第一磊晶層於該源極/汲極溝槽內；以及 <br/>形成一第二磊晶層於該第一磊晶層上， <br/>其中該第二磊晶層具有位於該第一磊晶層的一上表面上的一第一部及沿該第一磊晶層的一側壁的一第二部；以及 <br/>其中該第一部具有一第一厚度，而該第二部具有小於該第一厚度的一第二厚度。
如請求項5或6之半導體結構之形成方法，其中工作部件更包括： <br/>一隔離特徵部件，設置於該基底上，且與鰭形結構相鄰， <br/>其中該溝槽的一下表面位於該隔離特徵部件的一上表面下方。
一種半導體結構，包括： <br/>一基底； <br/>一主動區，設置於該基底上，且包括一通道區及一源極/汲極區；一閘極結構，設置於該主動區的通道區上，且沿一第一方向縱向延伸； <br/>一閘極間隙壁，沿該閘極結構的一側壁設置；以及 <br/>一源極/汲極特徵部件，設置於該主動區的該源極/汲極區上， <br/>其中該通道區包括二個子區域，透過該閘極結構而沿該第一方向水平隔開。
如請求項8之半導體結構，其中該等子區域各個沿著該第一方向具有一第一寬度，且彼此隔開一第一距離，且該第一寬度與該第一距離的一第一比率為1至10。
如請求項9之半導體結構，其中該主動區為第一主動區，該閘極結構為第一閘極結構，而該通道區為第一通道區， <br/>其中該半導體結構更包括： <br/>一第二主動區及一第三主動區，設置於該基底上方； <br/>一第二閘極結構，沿該第一方向縱向延伸，並設置於該第二主動區的一第二通道區及該第三主動區的一第三通道區上方； <br/>一第四主動區及一第五主動區，設置於該基底上；以及 <br/>一第三閘極結構，沿該第一方向縱向延伸，並設置於該第四主動區的一第四通道區上及該第五主動區的一第五通道區上， <br/>其中該第二通道區及該第三通道區各個具有沿該第一方向的一第二寬度，且彼此隔開一第二距離； <br/>其中該第四通道區及該第五通道區各個具有沿該第一方向的一第三寬度，且彼此隔開一第三距離；以及 <br/>其中該第二寬度與該第二距離的一第二比率以及該第三寬度與該第三距離的一第三比率與該第一比率不同。
一種雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其包含：<br/> 一高壓側橋式整流組，其包含一第一功率開關、一第二功率開關、一第三功率開關及一第四功率開關，該第一功率開關的第一端及該第二功率開關的第一端耦接於一第一節點，該第一功率開關的第二端及該第三功率開關的第一端耦接於一第二節點，該第二功率開關的第二端及該第四功率開關的第一端耦接於一第三節點，該第三功率開關的第二端及該第四功率開關的第二端耦接於一第四節點；<br/> 一直流電網埠端，該直流電網埠端的第一端耦接於該第一節點，該直流電網埠端的第二端耦接於該第四節點；<br/> 一低壓側橋式整流組，其包含一第五功率開關、一第六功率開關、一第七功率開關及一第八功率開關，該第五功率開關的第一端及該第六功率開關的第一端耦接於一第五節點，該第五功率開關的第二端與該第七功率開關的第一端耦接於一第六節點，該第六功率開關的第二端與該第八功率開關的第一端耦接於一第七節點，該第七功率開關的第二端及該第八功率開關的第二端耦接於一第八節點；<br/> 一儲釋能埠端，該儲釋能埠端的第一端耦接於該第五節點，該儲釋能埠端的第二端耦接於該第八節點；<br/> 一變壓器，係設置於該高壓側橋式整流組與該低壓側橋式整流組之間，該變壓器包含一第一線圈及一第二線圈；<br/> 一雙向開關模組，其包含一第一雙向開關及一第二雙向開關，該第一雙向開關的第一端耦接於該直流電網埠端的一第九節點，該第一雙向開關的第二端耦接於該第一線圈，該第二雙向開關的第一端耦接於該儲釋能埠端的一第十節點，該第二雙向開關的第二端耦接於該第二線圈；<br/> 一電感模組，其包含一第一電感、一第二電感及一激磁電感，該第一電感設置於該高壓側橋式整流組與該變壓器之間，該第一電感的一端耦接於該第二節點，該第一電感的另一端耦接於該第一線圈，該第二電感設置於該低壓側橋式整流組與該變壓器之間，該第二電感的一端耦接於該第六節點，該第二電感的另一端耦接於該第二線圈，該激磁電感與該變壓器並聯設置，該激磁電感的一端耦接於該第一電感及該第一線圈，該激磁電感的另一端耦接於該第三節點及該第一線圈；以及<br/> 一電容模組，其包含一高壓側輸出電容及一低壓側輸出電容，該高壓側輸出電容的一端耦接於該直流電網埠端的第一端及該第一節點，該高壓側輸出電容的另一端耦接於該直流電網埠端的第二端及該第四節點，該低壓側輸出電容的一端耦接於該儲釋能埠端的第一端及該第五節點，該低壓側輸出電容的另一端耦接於該儲釋能埠端的第二端及該第八節點；<br/> 其中，當雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器的負載為輕載至中載時，該雙向開關模組開啟且該第二功率開關、該第四功率開關、該第六功率開關及該第八功率開關關閉以形成一半橋式配置，當負載為中載至重載時，該雙向開關模組關閉以形成一全橋式配置。
如請求項1所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，進一步包含一數位控制器，該數位控制器分別耦接於該高壓側橋式整流組、該低壓側橋式整流組及該雙向開關模組，該數位控制器控制該第一功率開關至該第八功率開關的導通或截止以及該第一雙向開關及該第二雙向開關的導通或截止。
如請求項2所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該數位控制器設置一高壓側電流偵測器及一低壓側電流偵測器，該高壓側電流偵測器耦接於該直流電網埠端以偵測一高壓側電流，該低壓側電流偵測器耦接於該儲釋能埠端以偵測一低壓側電流，該數位控制器依據該高壓側電流及該低壓側電流判斷負載為該輕載至中載或中載至重載。
如請求項1所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該高壓側橋式整流組包含與該第一功率開關並聯設置的一第一本質二極體及一第一寄生電容、與該第二功率開關並聯設置的一第二本質二極體及一第二寄生電容、與該第三功率開關並聯設置的一第三本質二極體及一第三寄生電容及與該第四功率開關並聯設置的一第四本質二極體及一第四寄生電容，該低壓側橋式整流組包含與該第五功率開關並聯設置的一第五本質二極體及一第五寄生電容、與該第六功率開關並聯設置的一第六本質二極體及一第六寄生電容、與該第七功率開關並聯設置的一第七本質二極體及一第七寄生電容及與該第八功率開關並聯設置的一第八本質二極體及一第八寄生電容。
如請求項4所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該第一雙向開關包含串聯設置的一第九開關及一第十開關，且該第一雙向開關設置與該第九開關並聯設置的一第九本質二極體及一第九寄生電容，以及與該第十開關並聯設置的一第十本質二極體及一第十寄生電容，該第二雙向開關包含串聯設置的一第十一開關及一第十二開關，且該第二雙向開關設置與該第十一開關並聯設置的一第十一本質二極體及一第十一寄生電容，以及與該第十二開關並聯設置的一第十二本質二極體及一第十二寄生電容。
如請求項1所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該電容模組包含一第一電容、一第二電容、一第三電容、一第四電容、一第五電容及一第六電容，該第一電容耦接於該第一線圈與該第三節點之間，該第二電容耦接於該第二線圈與該第七節點之間，該第三電容耦接於該直流電網埠端的第一端與該第九節點之間，該第四電容耦接於該直流電網埠端的第二端與該第九節點之間，該第五電容耦接於該儲釋能埠端的第一端與該第十節點之間，該第四電容耦接於該儲釋能埠端的第二端與該第十節點之間。
如請求項6所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該半橋式配置中，該第一電感及該第二電感作為諧振電感，該第三電容、該第四電容、該第五電容及該第六電容作為諧振電容。
如請求項6所述之雙向全橋-半橋混合式CLLC諧振轉換器，其中該全橋式配置中，該第一電感及該第二電感作為諧振電感，該第一電容及該第二電容作為諧振電容，該第三電容、該第四電容、該第五電容及該第六電容作為平滑電容。
一種半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 包括：<br/> 第一程序腔室，用於執行第一半導體程序；<br/> 第一排出配管，與上述第一程序腔室相連接，用於排出在上述第一半導體程序中所使用的氣體；<br/> 第一引入配管，與上述第一排出配管相連接；<br/> 能量損失部件，與上述第一引入配管相連接，使得通過上述第一引入配管提供的上述氣體損失能量；<br/> 子配管，用於排出經過上述能量損失部件的上述氣體；<br/> 主配管，與上述子配管相連接；<br/> 第一能量調節部件，設置在上述第一引入配管內，用於控制經過上述第一引入配管的上述氣體的第一能量；以及<br/> 第二能量調節部件，設置在上述子配管內，用於控制經過上述子配管的上述氣體的第二能量，<br/> 通過上述第一排出配管及上述第一引入配管向上述能量損失部件提供上述氣體，<br/> 之後，通過上述子配管及上述主配管向外部排出上述氣體，<br/> 通過上述第一能量調節部件，將上述第一引入配管內的上述氣體的上述第一能量控制在恆定值，<br/> 通過上述第二能量調節部件，將上述子配管內的上述氣體的上述第二能量控制在恆定值。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中， <br/> 上述第一能量包括第一壓力能量及第一運動能量，<br/> 上述第一能量調節部件將上述氣體的上述第一壓力能量控制在恆定值。
如請求項2所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中， <br/> 上述第二能量包括第二壓力能量及第二運動能量，<br/> 上述第一引入配管內的上述氣體的上述第一運動能量小於上述子配管內的上述氣體的上述第二運動能量。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，上述第一引入配管的寬度大於上述子配管的寬度。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，上述子配管包括寬度從上述能量損失部件朝向上述主配管逐漸减小的部分。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 上述能量損失部件包括洗滌器，<br/> 上述洗滌器包括：<br/> 洗滌腔室，形成有洗滌空間，用於對上述氣體所包含的雜質進行洗滌；<br/> 洗滌板，設置在上述洗滌腔室內；以及<br/> 多個洗滌孔，貫通形成在上述洗滌板，<br/> 上述氣體貫通上述多個洗滌孔並損失能量。
如請求項6所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中， <br/> 還包括溶液供給噴嘴，向上述洗滌板的上表面供給洗滌溶液，<br/> 在上述氣體上升穿過上述多個洗滌孔之後，上述氣體中所包含的上述雜質的至少一部分溶解在上述洗滌板的上表面上的上述洗滌溶液。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中， <br/> 還包括：<br/> 第二程序腔室，用於執行第二半導體程序，與上述第一程序腔室不同；<br/> 第二排出配管，與上述第二程序腔室相連接，用於排出在上述第二半導體程序中所使用的氣體；<br/> 第二引入配管，一側與上述第二排出配管相連接，另一側與上述能量損失部件相連接；以及<br/> 第三能量調節部件，設置在上述第二引入配管內，用於控制經過上述第二引入配管的上述氣體的第三能量，<br/> 上述第一能量包括第一壓力能量及第一運動能量，<br/> 上述第三能量包括第三壓力能量及第三運動能量，<br/> 上述第一壓力能量與上述第三壓力能量相同。
如請求項8所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中， <br/> 上述第二能量包括第二壓力能量及第二運動能量，<br/> 上述第二引入配管內的上述氣體的上述第三運動能量小於上述子配管內的上述氣體的上述第二運動能量。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，還包括： <br/> 第二程序腔室，用於執行第二半導體程序，與上述第一程序腔室不同；以及<br/> 第二排出配管，一側與上述第二程序腔室相連接，另一側與上述第一引入配管相連接，用於排出在上述第二半導體程序所使用的氣體。
如請求項1所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 還包括第一壓力測定器，用於測定經過上述第一引入配管的氣體的第一壓力，<br/> 上述第一能量調節部件包括能够旋轉的第一旋轉模組，<br/> 若上述第一壓力測定器測定上述第一壓力的絕對值大於第一壓力設定值，則降低上述第一旋轉模組的旋轉速度，<br/> 若上述第一壓力測定器測定上述第一壓力的絕對值小於上述第一壓力設定值，則提升上述第一旋轉模組的旋轉速度。
如請求項11所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 還包括第二壓力測定器，用於測定經過上述子配管的氣體的第二壓力，<br/> 上述第二能量調節部件包括能够旋轉的第二旋轉模組，<br/> 若上述第二壓力測定器測定上述第二壓力的絕對值大於第二壓力設定值，則降低上述第二旋轉模組的旋轉速度，<br/> 若上述第二壓力測定器測定上述第二壓力的絕對值小於上述第二壓力設定值，則提升上述第二旋轉模組的旋轉速度。
如請求項12所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，即使上述第二旋轉模組的旋轉速度產生變化，上述第一壓力也恆定維持。
一種半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 包括：<br/> 多個程序腔室，用於執行半導體程序；<br/> 多個排出配管，分別與上述多個程序腔室相連接，使得在上述多個程序腔室內執行的上述半導體程序中所使用的氣體從上述多個程序腔室排出；<br/> 引入配管，均與上述多個排出配管相連接；<br/> 能量損失部件，與上述引入配管相連接，使得通過上述引入配管提供的上述氣體損失能量；<br/> 子配管，用於排出經過上述能量損失部件的上述氣體；<br/> 主配管，與上述子配管相連接；以及<br/> 能量調節部件，設置在上述子配管內，用於控制經過上述子配管的上述氣體的能量，<br/> 通過上述多個排出配管及上述引入配管向上述能量損失部件提供上述氣體，<br/> 之後，通過上述子配管及上述主配管向外部排出上述氣體，<br/> 在上述主配管與上述子配管相連接的部分中，上述多個排出配管的截面積之和與上述子配管的截面積的比值（ratio）爲2以上且10以下。
如請求項14所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，上述子配管的截面積從上述能量損失部件朝向上述主配管恆定。
如請求項14所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 上述能量損失部件包括洗滌器，<br/> 上述洗滌器包括：<br/> 洗滌腔室，形成有洗滌空間，用於對上述氣體中所包含的雜質進行洗滌；<br/> 洗滌板，設置在上述洗滌腔室內；以及<br/> 多個洗滌孔，貫通形成在上述洗滌板，<br/> 上述氣體貫通上述多個洗滌孔並損失能量。
如請求項16所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 還包括溶液供給噴嘴，向上述洗滌板的上表面供給洗滌溶液，<br/> 在上述氣體上升穿過上述多個洗滌孔之後，上述氣體中所包含的上述雜質的至少一部分溶解在上述洗滌板的上表面上的上述洗滌溶液。
一種半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 包括：<br/> 程序腔室，用於執行半導體程序；<br/> 排出配管，與上述程序腔室相連接，用於排出在上述半導體程序所使用的氣體；<br/> 引入配管，與上述排出配管相連接；<br/> 能量損失部件，與上述引入配管相連接，使得通過上述引入配管提供的上述氣體損失能量；<br/> 子配管，用於排出經過上述能量損失部件的上述氣體；<br/> 主配管，與上述子配管相連接；<br/> 速度測定器，用於測定經過上述子配管的上述氣體的流速；<br/> 壓力測定器，用於測定經過上述子配管的上述氣體的壓力；以及<br/> 能量調節部件，設置在上述子配管內，用於控制經過上述子配管的上述氣體的能量，包括能够旋轉的旋轉模組，<br/> 通過上述排出配管及上述引入配管向上述能量損失部件提供上述氣體，<br/> 之後，通過上述子配管及上述主配管向外部排出上述氣體，<br/> 上述氣體的能量包括壓力能量及運動能量，<br/> 上述氣體的運動能量與上述氣體的流速成正比，<br/> 上述氣體的壓力能量與上述氣體的壓力成正比，<br/> 利用上述速度測定器測定上述氣體的流速來計算上述氣體的上述運動能量，<br/> 利用上述壓力測定器測定上述氣體的壓力來計算上述氣體的上述壓力能量，<br/> 若上述氣體的上述運動能量與上述氣體的上述壓力能量之和大於設定值，則降低上述能量調節部件的上述旋轉模組的旋轉速度，<br/> 若上述氣體的上述運動能量與上述氣體的上述壓力能量之和小於上述設定值，則提升上述旋轉模組的旋轉速度。
如請求項18所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 上述能量損失部件包括洗滌器，<br/> 上述洗滌器包括：<br/> 洗滌腔室，形成有洗滌空間，用於對上述氣體中所包含的雜質進行洗滌；<br/> 洗滌板，設置在上述洗滌腔室內；以及<br/> 多個洗滌孔，貫通形成在上述洗滌板，<br/> 上述氣體貫通上述多個洗滌孔並損失能量。
如請求項19所述之半導體裝置用氣體控制系統，其中，<br/> 還包括溶液供給噴嘴，向上述洗滌板的上表面供給洗滌溶液，<br/> 在上述氣體上升穿過上述多個洗滌孔之後，上述氣體中所包含的上述雜質的至少一部分溶解在上述洗滌板的上表面上的上述洗滌溶液。
一種混拌裝置，包括： <br/>一混拌槽； <br/>一蓋體，覆蓋於該混拌槽，包括至少一穿槽，其中該至少一穿槽連通於該混拌槽； <br/>多個噴嘴，可活動地設置於該蓋體，該些噴嘴穿過該至少一穿槽而伸入該混拌槽內； <br/>一驅動組件，設置於該蓋體外，且連接該些噴嘴，以驅動該些噴嘴沿著該至少一穿槽活動； <br/>一流體儲存槽；以及 <br/>一氣固態混合物產生器，連通至該流體儲存槽與該些噴嘴之間，用以使該流體儲存槽內的流體相變化為氣態與固態的混合物流至該些噴嘴，其中該流體儲存槽儲存的該流體為二氧化碳，該氣固態混合物產生器的混合物為氣態與固態的二氧化碳，該混拌槽為混凝土混拌槽。
如請求項1所述的混拌裝置，更包括： <br/>一流量閥，設置於該流體儲存槽與該氣固態混合物產生器之間；以及 <br/>一電控組件，電性連接於該流量閥與該驅動組件。
如請求項1所述的混拌裝置，其中該至少一穿槽包括多個穿槽，該些穿槽的數量對應於該些噴嘴的數量，該些噴嘴的每一者分別伸入對應的該穿槽。
如請求項3所述的混拌裝置，其中該些穿槽的每一者沿直線或弧線延伸，且該些穿槽靠近該蓋體的邊緣。
如請求項1所述的混拌裝置，更包括：至少一導引架，靠近於該蓋體且平行於該至少一穿槽配置，用以導引該些噴嘴的活動軌跡，該些噴嘴可活動地設置於該至少一導引架。
如請求項5所述的混拌裝置，其中該至少一導引架的數量對應於該至少一穿槽的數量。
如請求項1所述的混拌裝置，其中該些噴嘴的每一者的噴灑角度大於90度。
如請求項1所述的混拌裝置，其中該些噴嘴中至少兩者的噴灑範圍局部交疊。
一種製備下式之化合物或其鹽之方法， <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="78px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>R<sub>1</sub>選自H、F及CH<sub>3</sub>； <br/>R<sub>2</sub>選自H、F及CH<sub>3</sub>； <br/>R<sub>3</sub>選自H、F及CH<sub>3</sub>； <br/>且 <br/>R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>3</sub>不相同； <br/>其包括以下步驟： <br/>(i) 將非鹵化溶劑與下式之苯甲酸組合：<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="61px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>(ii) 添加還原劑以形成下式之苄基醇：<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="69px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>(iii) 將該苄基醇與試劑在第二非鹵化溶劑中組合以形成下式之第一中間體：<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="52px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<br/>X選自Cl、Br、I、磺酸根及甲苯磺酸根；<br/>(iv) 將該第一中間體與氰化物組合以形成下式之苄基腈<br/><img align="absmiddle" height="46px" width="69px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<br/>(v) 將該苄基腈與氫氧化物組合；<br/>其中在步驟(iii)之前不分離步驟(ii)之該苄基醇、及在步驟(iv)之前不分離步驟(iii)之該第一中間體、及在步驟(v)之前不分離步驟(iv)之該苄基腈。
如請求項1之方法，其進一步包括以下步驟： <br/>(vi) 將自步驟(v)所得之該化合物與硼烷試劑及觸媒組合以形成下式之<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯：<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="96px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sub>s</sub>係形成環狀<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基；<br/>(vii) 將該<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯與下式之化合物組合<br/><img align="absmiddle" height="49px" width="96px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>以得到下式之化合物<br/><img align="absmiddle" height="56px" width="144px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>及R<sub>3</sub>係如請求項1中所定義，且<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="30px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係苯基；5或6-員雜芳基；或吡啶酮；其中苯基、5或6-員雜芳基或吡啶酮視情況經一或兩個R<sup>1a</sup>取代；<br/>R<sup>1a</sup>在每次出現時獨立地選自：CN；鹵基；可視情況經OH取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基；C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基；C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基；-SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；-C(O)NH<sub>2</sub>；<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="122px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="48px" width="57px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中X<sup>9</sup>各自獨立地係CH或N，且環中不超過一個X<sup>9</sup>係N，R<sup>e</sup>各自獨立地選自：H、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基、鹵基、C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基及視情況經OH取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基，R<sup>h</sup>係H、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基、鹵基、C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基、OH、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>或視情況經OH取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；<br/>5-或6-員雜芳基或苯基，其中該雜芳基或苯基視情況經一或兩個獨立地選自以下各項之取代基取代：C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷氧基、C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基、-CH<sub>2</sub>-C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>環烷基、-SO<sub>2</sub>C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基、C<sub>4</sub>-C<sub>5</sub>雜環基、-CH<sub>2</sub>-C<sub>4</sub>-C<sub>5</sub>雜環基、鹵基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵代烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>鹵基烷氧基、CN、-CONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>及視情況經OH取代之C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；<br/>-A-係-CH<sub>2</sub>O-；-OCH<sub>2</sub>-或-CH<sub>2</sub>NH-；<br/>Y<sup>3</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>及Y<sup>6</sup>獨立地係N；CH或CR<sup>2a</sup>；其中Y<sup>3</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>及Y<sup>6</sup>中之不超過兩者係N且Y<sup>3</sup>、Y<sup>4</sup>、Y<sup>5</sup>及Y<sup>6</sup>中之不超過兩者係CR<sup>2a</sup>；<br/>R<sup>2a</sup>在每次出現時獨立地係鹵基或甲基；且<br/>R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>各自獨立地係H或C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基。
如請求項1或2之方法，其中該非鹵化溶劑及該第二非鹵化溶劑可獨立地選自丙酮、乙腈、苯甲醚、醋酸丁酯、第三丁基甲基醚、異丙苯、環己烷、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙醇、醋酸乙酯、乙基醚、庚烷、己烷、異丙醇、甲醇、甲基丁基酮、甲基乙基酮、戊烷、吡啶、四氫呋喃、甲苯及二甲苯或其組合。
如請求項1或2之方法，其中該還原劑選自二硼烷、硼氫化鋰、三乙醯氧基硼氫化鈉、氰基硼氫化鈉、硼氫化鈉、氫化鋰鋁及氫或其組合。
如請求項1或2之方法，其中步驟iii中之該試劑選自HBr、HBr水溶液、HBr醇溶液、PBr<sub>3</sub>、二溴二甲基乙內醯脲、N-溴琥珀醯亞胺、HI、HI水溶液、PCl<sub>3</sub>及甲苯磺醯氯或其組合。
如請求項1或2之方法，其中該氰化物選自LiCN、NH<sub>4</sub>CN、N(CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub>CN、N(Et)<sub>4</sub>CN、N(n-Pr)<sub>4</sub>CN、N(i-Pr)<sub>4</sub>CN、N(n-Bu)<sub>4</sub>CN、N(t-Bu)<sub>4</sub>CN、HCN、NaCN、KCN、Zn(CN)<sub>2</sub>及(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiCN或其組合。
如請求項1或2之方法，其中該氫氧化物選自LiOH、NaOH、KOH、Mg(OH)<sub>2</sub>、Ca(OH)<sub>2</sub>或Sr(OH)<sub>2</sub>或其組合。
如請求項1之方法，其中以自步驟(i)之該苯甲酸計算，自步驟(v)所得之該化合物之產率為至少70 wt%。
如請求項2之方法，其中以自步驟(v)所得之該化合物計算，自步驟(vii)所得之該化合物之產率為至少60 wt%。
一種製備下式之化合物或其鹽之方法， <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="74px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其包括以下步驟： <br/>(i) 將1-溴-4-(溴甲基)-5-氟-2-甲基苯與氰化物在非鹵化溶劑中組合以形成下式之苄基腈<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="66px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>(ii) 將該苄基腈與氫氧化物組合以產生該化合物，<br/>其中在步驟(ii)之前不分離該苄基腈。
如請求項10之方法，其進一步包括： <br/>(iii) 將自步驟(ii)所得之該化合物與硼烷試劑及觸媒組合以形成下式之<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯：<br/><img align="absmiddle" height="34px" width="95px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sub>s</sub>係形成環狀<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯之C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>伸烷基；<br/>(iv) 將步驟(iii)之該<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯與下式之吡啶組合： <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="104px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>以得到下式之化合物<br/><img align="absmiddle" height="56px" width="154px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項11之方法，其中在與吡啶組合之前不分離該<img align="absmiddle" height="16px" width="16px" file="ed10054.JPG" alt="ed10054.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>酸酯。
如請求項10至12中任一項之方法，其中該非鹵化溶劑選自丙酮、乙腈、苯甲醚、醋酸丁酯、第三丁基甲基醚、異丙苯、環己烷、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙醇、醋酸乙酯、乙基醚、異丙醇、甲醇、庚烷、己烷、甲基丁基酮、甲基乙基酮、戊烷、吡啶、四氫呋喃、甲苯及二甲苯或其組合。
如請求項10至12中任一項之方法，其中藉由將下式之苄基醇與溴化劑組合來獲得該1-溴-4-(溴甲基)-5-氟-2-甲基苯 <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="65px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項14之方法，其中在與氰化物組合之前不分離該1-溴-4-(溴甲基)-5-氟-2-甲基苯。
如請求項14之方法，其中該溴化劑選自HBr、HBr水溶液、HBr醇溶液、PBr<sub>3</sub>、二溴二甲基乙內醯脲及N-溴琥珀醯亞胺或其組合。
如請求項14之方法，其中藉由將下式之苯甲酸與還原劑在非鹵化溶劑中組合來獲得該苄基醇 <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="65px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17之方法，其中在與溴化劑組合之前不分離該苄基醇。
如請求項17之方法，其中該還原劑選自二硼烷、硼氫化鋰、三乙醯氧基硼氫化鈉、氰基硼氫化鈉、硼氫化鈉、氫化鋰鋁及氫或其組合。
如請求項10至12中任一項之方法，其中該氰化物選自LiCN、NH<sub>4</sub>CN、N(CH<sub>3</sub>)<sub>4</sub>CN、N(Et)<sub>4</sub>CN、N(n-Pr)<sub>4</sub>CN、N(i-Pr)<sub>4</sub>CN、N(n-Bu)<sub>4</sub>CN、N(t-Bu)<sub>4</sub>CN、HCN、NaCN、KCN、Zn(CN)<sub>2</sub>及(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiCN或其組合。
如請求項10至12中任一項之方法，其中該氫氧化物選自LiOH、NaOH、KOH、Mg(OH)<sub>2</sub>、Ca(OH)<sub>2</sub>及Sr(OH)<sub>2</sub>或其組合。
一種搬送系統，係具備： <br/>機器人，係包含對於搬送物進行作業的機器人臂、以載置面載置前述搬送物的台車部、及使前述台車部移動的移動部； <br/>供給部，係根據由前述機器人的前述機器人臂所進行的操作和前述台車部的移動的至少一方，而對於前述機器人供給前述搬送物；及 <br/>接收部，係與前述供給部隔著間隔配置在前述供給部起的前述搬送物的供給方向的延長線上，接收前述搬送物； <br/>前述機器人係在移動至位於前述間隔的交付位置的狀態下，成為與前述供給部相鄰且與前述接收部相鄰，而進行將供給自前述供給部的前述搬送物對於前述接收部的交付。
如請求項1所述之搬送系統，其中，前述供給部係包含藉由前述機器人臂的操作而驅動的驅動部，且藉由前述驅動部的驅動而進行對於前述機器人的前述台車部載置前述搬送物的動作。
如請求項1所述之搬送系統，其中，前述台車部係供載置包含供配置對象物之配置容器的前述搬送物， <br/>前述機器人臂係具有把持前述對象物的把持部， <br/>前述機器人係在將由前述供給部所供給的前述配置容器載置於前述台車部的狀態下，藉由前述移動部移動至用以將前述對象物配置於前述配置容器的配置位置。
如請求項3所述之搬送系統，其中， <br/>前述機器人係在前述配置位置中藉由前述機器人臂將前述對象物配置於前述配置容器之後，藉由前述移動部將前述配置容器移動至前述交付位置。
如請求項4所述之搬送系統，其中，前述機器人係在移動至前述交付位置的狀態下，將載置於前述台車部的前述配置容器對於前述接收部進行交付，並且從前述供給部接收新的前述配置容器。
如請求項5所述之搬送系統，其中，前述機器人係在移動至前述交付位置的狀態下，對於配置在前述延長線的下游的前述接收部交付前述配置容器，並且從配置在前述延長線的上游的前述供給部接收新的前述配置容器。
如請求項1所述之搬送系統，其中，前述供給部係具有供載置前述搬送物的供給斜面，藉由使前述搬送物從前述供給斜面滑動移動而對於前述機器人供給前述搬送物。
如請求項7所述之搬送系統，其中，前述供給部係包含供給保持部，該供給保持部係保持載置於前述供給斜面的前述搬送物。
如請求項8所述之搬送系統，其中，前述供給部係包含：驅動部，係藉由前述機器人臂的操作而驅動，藉此使前述供給保持部動作；及驅動開關，係切換前述驅動部的動作； <br/>前述機器人係藉由使前述機器人臂動作而操作前述驅動開關。
如請求項7所述之搬送系統，其中，前述機器人係具有載置斜面作為前述載置面， <br/>前述載置斜面係在前述機器人移動至前述交付位置的狀態下，配置成為沿著前述供給斜面。
如請求項10所述之搬送系統，其中，前述機器人係包含機器人擋止部，該機器人擋止部係保持載置於前述載置斜面的前述搬送物。
如請求項1所述之搬送系統，其中， <br/>前述機器人係具有載置斜面作為前述載置面，藉由使前述搬送物從前述載置斜面滑動移動而對於前述接收部交付前述搬送物。
如請求項12所述之搬送系統，其中，前述接收部係具有供載置從前述機器人所交付之前述搬送物的接收斜面， <br/>前述接收斜面係在前述機器人移動至前述交付位置的狀態下，配置成為沿著前述載置斜面。
如請求項1所述之搬送系統，其中，前述機器人係沿著與前述延長線交叉的方向移動； <br/>在前述機器人移動至前述交付位置的狀態下，前述供給部、前述載置面及前述接收部係位於前述延長線上，而前述機器人臂的基部不位於前述延長線上。
一種搬送物的搬送方法，係使用於要將搬送物從供給部搬送到接收部的搬送系統中，該接收部係與前述供給部隔著間隔配置在前述供給部起的前述搬送物的供給方向的延長線上； <br/>該搬送物的搬送方法係對於包含：對前述搬送物進行作業的機器人臂、供載置前述搬送物的台車部、及使前述台車部移動的移動部的機器人進行：使該機器人移動至位於前述間隔的交付位置而成為與前述供給部相鄰且與前述接收部相鄰的控制；對前述供給部進行由前述機器人臂所進行的操作和前述台車部的移動的至少一方， <br/>且根據由前述機器人臂所進行的操作和前述台車部的移動的至少一方而接受來自前述供給部的前述搬送物的控制；以及將供給自前述供給部的前述搬送物交付給前述接收部的控制。
一種機器人，係於要將搬送物從供給部搬送到接收部的搬送系統中進行前述搬送物的搬送，該接收部係與前述供給部隔著間隔配置在前述供給部起的前述搬送物的供給方向的延長線上； <br/>該機器人係具備： <br/>機器人臂，係對於搬送物進行作業； <br/>台車部，係供載置前述搬送物； <br/>移動部，係使前述台車部移動；及 <br/>控制部，係進行：使該機器人移動至位於前述間隔的交付位置而成為與前述供給部相鄰且與前述接收部相鄰的控制；對前述供給部進行由前述機器人臂所進行的操作和前述台車部之移動的至少一方，且依據由前述機器人臂所進行的操作和前述台車部之移動的至少一方而接受來自前述供給部的前述搬送物的控制；以及將供給自前述供給部的前述搬送物交付給前述接收部的控制。
一種洗滌裝置，其中，<br/> 包括：<br/> 洗滌腔室，形成有洗滌空間，用於對氣體中所包含的雜質進行洗滌；<br/> 隔板，將上述洗滌空間分為第一子空間和第二子空間；<br/> 噴灑噴嘴，設置在上述第一子空間，向上述第一子空間噴射第一清洗液；<br/> 第一洗滌板，設置在上述第二子空間，固定在上述隔板；<br/> 清洗液供給噴嘴，設置在上述第二子空間的上部，向上述第一洗滌板的上表面供給第二清洗液；<br/> 清洗液儲存罐，設置在上述洗滌腔室的下部，用於儲存溶解有上述雜質的上述第一清洗液及溶解有上述雜質的上述第二清洗液；<br/> 多個第一洗滌孔，貫通形成在上述第一洗滌板；以及<br/> 第一洗滌壁，連接到上述第一洗滌板的一端，且從上述第一洗滌板的上述上表面與上述第一洗滌板的下表面突出；<br/> 上述氣體中所包含的上述雜質中的一部分溶解在上述第一子空間中的上述第一清洗液，<br/> 在上述氣體上升穿過上述第二子空間中的上述多個第一洗滌孔後，上述氣體中所包含的上述雜質中的另一部分在上述第一洗滌板的上述上表面上溶解在上述第二清洗液。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，上述氣體中所包含的上述雜質中的另一部分溶解在上述第二清洗液包括：<br/> 上述氣體上升穿過上述多個第一洗滌孔來在上述第一洗滌板的上述上表面的上述第二清洗液內部形成氣泡；以及<br/> 上述雜質在上述氣泡與上述第二清洗液的接觸表面溶解。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 溶解在上述第一子空間中的上述第一清洗液的第一雜質與溶解在上述第二子空間中的上述第二清洗液的第二雜質互不相同，<br/> 上述第一清洗液與上述第二清洗液互不相同。
如請求項3所述之洗滌裝置，其中，上述第一清洗液具有黏性，上述第二清洗液不具有黏性。
如請求項3所述之洗滌裝置，其中，溶解在上述第一清洗液的上述第一雜質的顆粒的尺寸與溶解在上述第二清洗液的上述第二雜質的顆粒的尺寸互不相同。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第二洗滌板，設置在上述第二子空間，設置在與上述第一洗滌板的上述上表面相向的上述下表面上；以及<br/> 多個第二洗滌孔，貫通形成在上述第二洗滌板，<br/> 上述第一洗滌板與上述第二洗滌板排列成之字形。
如請求項6所述之洗滌裝置，其中， <br/> 上述第二清洗液在上述第一洗滌板的上述上表面沿著第一方向流動並排出到上述第二洗滌板的上表面，<br/> 上述第二清洗液在上述第二洗滌板的上述上表面沿著負的第一方向流動，<br/> 上述第一洗滌板的上述下表面與上述第二洗滌板的上述上表面彼此相向。
如請求項6所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第三洗滌板，設置在上述第二子空間，固定在上述隔板，設置在與上述第二洗滌板的上表面相向的下表面上；以及<br/> 多個第三洗滌孔，貫通形成在上述第三洗滌板，<br/> 上述第二洗滌板與上述第三洗滌板排列成之字形，<br/> 上述第一洗滌板與上述第三洗滌板沿著垂直方向相互重疊。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第二洗滌板，設置在上述第二子空間，設置在與上述第一洗滌板的上述上表面相向的上述下表面上；以及<br/> 多個第二洗滌孔，貫通形成在上述第二洗滌板，<br/> 上述第一洗滌板的形狀與上述第二洗滌板的形狀互不相同，<br/> 上述第一洗滌板具有暴露上述第二洗滌板的上表面的至少一部分的開口部，<br/> 上述第二洗滌板與上述隔板隔開。
如請求項9所述之洗滌裝置，其中， <br/> 上述第二清洗液在上述第一洗滌板的上述上表面流向上述開口部並排出到上述第二洗滌板的上述上表面，<br/> 上述第二清洗液在上述第二洗滌板的上述上表面沿著與上述開口部相向的方向流動，<br/> 上述第一洗滌板的上述下表面與上述第二洗滌板的上述上表面彼此相向。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，上述隔板的平面形狀為棍（bar）形、“┓”形或“匚”形中的至少一個。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述清洗液儲存罐包括相互分離的第一罐及第二罐，<br/> 上述第一罐用於儲存溶解有上述雜質的上述第一清洗液，<br/> 上述第二罐用於儲存溶解有上述雜質的上述第二清洗液。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述噴灑噴嘴沿著第一方向噴射上述第一清洗液，<br/> 上述第一方向與上述第一洗滌板的延伸方向互相平行。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述噴灑噴嘴沿著第一方向噴射上述第一清洗液，<br/> 上述第一方向分別與上述第一洗滌板的延伸方向及上述隔板的延伸方向交叉。
一種半導體結構，包含： <br/>一第一晶片，其中具有一第一3D(3-dimensional，3D)電容器結構； <br/>一第二晶片，其中具有一第二3D電容器結構； <br/>一第一接合層，將該第一晶片與該第二晶片接合；以及 <br/>一電源管理晶粒，與該第二晶片接合， <br/>其中該電源管理晶粒透過沿著該半導體結構的一厚度延伸並跨過該第一接合層的互連件而電性連接至該第一3D電容器結構與該第二3D電容器結構。
如請求項1所述之半導體結構，其中該電源管理晶粒由一第二接合層和該第二晶片接合，且從俯視方向，該電源管理晶粒的邊緣和該第一晶片的的邊緣以及該第二晶片的邊緣對齊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一晶片包含一第一介電層、該第一介電層上方的一第一半導體層、延伸通過該第一半導體層的一第一通孔、該第一半導體層與該第一通孔上方的一第一RDL，且該第一3D電容器結構位於該第一介電層中。
如請求項3所述之半導體結構，其中該第一晶片的該第一介電層鄰近該第二晶片的一第二介電層、該第一晶片的該第一半導體層鄰近該第二晶片的該第二介電層或該第一晶片的該第一半導體層鄰近該第二晶片的一第二半導體層；以及 <br/>其中該第一接合層與該第一RDL接觸或與該第一介電層接觸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該電源管理晶粒以多個第一導電凸塊與該第二晶片接合，且該半導體結構更包含： <br/>一底部填充膠，設於該第二晶片上方並圍繞該些第一導電凸塊；以及 <br/>一模塑層，設於該第二晶片上並圍繞該電源管理晶粒、該底部填充膠及該些第一導電凸塊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一晶片具有一第一表面以及和該第一表面相對的一第二表面，該第一晶片更包含在該第一晶片的該第一表面上的多個第二導電凸塊，且該第一晶片的該第二表面接觸該第一接合層。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一晶片的一電容密度以及該第二晶片的一電容密度分別大於1 <img align="absmiddle" height="9px" width="29px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一3D電容器結構包含： <br/>一金屬頂板； <br/>一金屬底板，位於該金屬頂板上方；以及 <br/>多個3D電容器單元，形成於該金屬頂板與該金屬底板間。
如請求項8所述之半導體結構，其中每一各該3D電容器單元包含： <br/>一第一導體膜，包含： <br/>一第一部分，其連接至該金屬底板；以及 <br/>一第二部分，其連接至該第一部分並從該金屬底板向該金屬頂板延伸；以及 <br/>一第二導體膜，鄰近該第一導體膜且連接至該金屬頂板並從該金屬頂板向該金屬底板延伸， <br/>其中該第二導體膜和該第一導體膜的該第二部分垂直交錯。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一3D電容器結構是一圓柱型電容器。
如請求項1所述之半導體結構，更包含： <br/>一印刷電路板(printed circuit board，PCB)； <br/>一基板，設於該PCB上；以及 <br/>一系統單晶片(system on chip，SoC)，設於該基板的一第一表面上並耦接至該第一晶片、該第二晶片及該電源管理晶粒。
如請求項11所述之半導體結構，其中： <br/>該第一晶片、該第二晶片以及該電源管理晶粒係嵌入該基板中，且有多個導電凸塊自該基板的該第一表面露出；或 <br/>該第一晶片、該第二晶片以及該電源管理晶粒係設於該基板的一第二表面上。
一種製造半導體結構的方法，包含： <br/>在其中具有多個第一3D(3-dimensional，3D)電容器結構的一第一晶圓和其中具有多個第二3D電容器結構的一第二晶圓間形成一接合，以接合該第一晶圓與該第二晶圓； <br/>接合多個電源管理晶粒在該第二晶圓上方；以及 <br/>進行一切割製程以形成該半導體結構，其包括一第一晶片、一第二晶片、一第一接合層、該些電源管理晶粒中的一電源管理晶粒、該第一晶片中該些第一3D電容器結構中的一第一3D電容器結構以及該第二晶片中該些第二3D電容器結構中的一第二3D電容器結構， <br/>其中該電源管理晶粒透過沿著該半導體結構的一厚度延伸並跨過該第一接合層的互連件而電性連接至該第一3D電容器結構以及該第二3D電容器結構。
如請求項13所述之方法，其中在該第一晶圓與該第二晶圓間形成該結合的步驟包含形成一第一子接合層於該第一晶圓上方、形成一第二子接合層於該第二晶圓上方，以及將該第一子接合層和該第二子接合層接合。
如請求項14所述之方法，更包含： <br/>接收該第一晶圓，其包含一第一介電層、位於該第一介電層上方的一第一半導體層、延伸通過該第一半導體層的一第一通孔，及位於該第一介電層中的該些第一3D電容器結構； <br/>將一載體附接在該第一晶圓的該第一介電層上； <br/>研磨該第一晶圓的該第一半導體層以露出該第一通孔；以及 <br/>形成一第一RDL於該第一晶圓的該第一半導體層及該第一通孔上； <br/>其中該第一子接合層形成於該第一RDL上。
如請求項14所述之方法，更包含： <br/>接收該第一晶圓，其包含一第一介電層、位於該第一介電層上方的一第一半導體層，及位於該第一介電層中的該些第一3D電容器結構； <br/>將一載體附接在該第一晶圓的該第一介電層上； <br/>在該第一半導體層中形成一第一通孔；以及 <br/>在該第一晶圓的該第一半導體層及該第一通孔上形成一第一RDL； <br/>其中該第一子接合層形成於該第一RDL上。
如請求項14所述之方法，更包含： <br/>接收該第一晶圓，其包含一第一介電層，位於該第一介電層上方的一第一半導體層，及位於該第一介電層中的該些第一3D電容器結構， <br/>其中該第一子接合層形成於該第一介電層上。
如請求項13所述之方法，更包含： <br/>接收一電源管理晶圓，其包含該些電源管理晶粒； <br/>其中接合該些電源管理晶粒於該第二晶圓上方的步驟包含： <br/>形成一第三子接合層於該第二晶圓上方； <br/>形成一第四子接合層於該電源管理晶圓上方；以及 <br/>接合該第三子接合層與該第四子接合層。
如請求項13所述之方法，其中每一該些第一3D電容器結構包含一金屬頂板、一金屬底板以及形成於該金屬頂板與該金屬底板間的多個3D電容器單元。
如請求項19所述之方法，更包含排置該些3D電容器單元成一矩形陣列或一六角形陣列。
一種積體電路晶片，包括：<br/>一第一記憶體單元陣列，具有在一第一方向的一第一寬度以及在一第二方向的一第一高度，其中該第二方向不同於該第一方向，該第一寬度大於該第一高度；<br/>一第一組字元線，沿該第二方向延伸，其中該第一組字元線中的一第一字元線耦接該第一記憶體單元陣列中的複數個第一記憶體單元，<br/>其中在該第二方向上，該些第一記憶體單元中的每二者由該第一記憶體單元陣列中的一第二記憶體單元間隔開，該第二記憶體單元與該第一字元線電性分離；<br/>一第二記憶體單元陣列，具有在該第一方向的一第二寬度以及在該第二方向的一第二高度；<br/>其中至少該第一寬度不同於該第二寬度，或者該第一高度不同於該第二高度，該第二寬度小於該第二高度；以及<br/>一第二組字元線，沿該第二方向延伸，其中該第二組字元線中的一第二字元線耦接該第二記憶體單元陣列中，在該第二方向上相鄰排列的複數個第三記憶體單元中的每一者。
如請求項1所述之積體電路晶片，進一步包括：<br/>一第一組位元線，在該第一方向延伸，耦接該第一記憶體單元陣列，重疊該第一記憶體單元陣列，以及位於一第一金屬層；以及<br/>一第二組位元線，在該第一方向延伸，耦接該第二記憶體單元陣列，重疊該第二記憶體單元陣列，以及位於該第一金屬層。
如請求項2所述之積體電路晶片，其中<br/>該第一組位元線在該第一方向具有一第一長度；<br/>該第一組字元線在該第二方向具有一第二長度；<br/>該第二組位元線在該第一方向具有一第三長度；以及<br/>該第二組字元線在該第二方向具有一第四長度。
如請求項1所述之積體電路晶片，其中<br/>在該第一記憶體單元陣列的每一個記憶體單元為六電晶體記憶體單元；以及<br/>在該第二記憶體單元陣列的每一個記憶體單元為六電晶體記憶體單元。
如請求項1所述之積體電路晶片，其中<br/>在該第一記憶體單元陣列的每一個記憶體單元為六電晶體記憶體單元；以及<br/>在該第二記憶體單元陣列的每一個記憶體單元為八電晶體記憶體單元。
如請求項1所述之積體電路晶片，其中該第一記憶體單元陣列包括一第一數量的記憶體單元，以及該第二記憶體單元陣列包括該第一數量的記憶體單元。
一種積體電路晶片，包括：<br/>一第一記憶體單元陣列，具有在一第一方向的一第一寬度以及在一第二方向的一第一高度，其中該第二方向不同於該第一方向，該第一寬度大於該第一高度，在該第一記憶體單元陣列的每一個記憶體單元包括一第一數量的電晶體；<br/>一第二記憶體單元陣列，具有在該第一方向的一第二寬度以及在該第二方向的一第二高度，其中該第二方向不同於該第一方向，在該第二記憶體單元陣列的每一記憶體單元包括大於該第一數量的電晶體的一第二數量的電晶體；<br/>一第一組字元線，在該第二方向延伸，耦接該第一記憶體單元陣列，重疊該第一記憶體單元陣列，以及位於一第一金屬層，該第一金屬層位於一基板的一正面上方，<br/>其中該第一組字元線中的一第一字元線耦接該第一記憶體單元陣列中的複數個第一記憶體單元，<br/>其中在該第二方向上，該些第一記憶體單元中的每二者由該第一記憶體單元陣列中的一第二記憶體單元間隔開，該第二記憶體單元與該第一字元線電性分離；以及<br/>一第二組字元線，在該第二方向延伸，耦接該第二記憶體單元陣列，重疊該第二記憶體單元陣列，以及位於該第一金屬層，<br/>其中至少該第一寬度不同於該第二寬度，或者該第一高度不同於該第二高度，該第二寬度小於該第二高度，<br/>其中該第二組字元線中的一第二字元線耦接該第二記憶體單元陣列中，在該第二方向上相鄰排列的複數個第三記憶體單元中的每一者。
如請求項7所述之積體電路晶片，進一步包括：<br/>一第一組位元線，在該第一方向延伸，耦接該第一記憶體單元陣列，重疊該第一記憶體單元陣列，以及位於一第二金屬層，其中該第二金屬層不同於該第一金屬層；<br/>一第二組位元線，在該第一方向延伸，耦接該第二記憶體單元陣列，重疊該第二記憶體單元陣列，以及位於該第二金屬層；以及<br/>一第三組位元線，在該第一方向延伸，耦接該第二記憶體單元陣列，重疊該第二記憶體單元陣列，位於該第二金屬層，以及在該第二方向與該第二組位元線分離。
如請求項7所述之積體電路晶片，其中<br/>該第一數量的電晶體為6個電晶體，以及在該第一記憶體單元陣列中的每一個記憶體單元為六電晶體記憶體單元；以及<br/>該第二數量的電晶體為8個電晶體，以及在該第二記憶體單元陣列的每一個記憶體單元為八電晶體記憶體單元。
一種製造一積體電路晶片的方法，該方法包括：<br/>製造在一第一記憶體單元陣列中的一第一組記憶體單元，該第一記憶體單元陣列具有在一第一方向的一第一寬度以及在一第二方向的一第一高度，該第一寬度大於該第一高度，其中該第二方向不同於該第一方向，在該第一記憶體單元陣列的每一個記憶體單元包括在一基板的一正面的一第一組電晶體，該第一組電晶體包括一第一數量的電晶體；<br/>製造一在一第二記憶體單元陣列中的第二組記憶體單元，該第二記憶體單元陣列具有在該第一方向的一第二寬度以及在該第二方向的一第二高度，該第二寬度小於該第二高度，在該第二記憶體單元陣列的每一個記憶體單元包括在該基板的該正面的一第二組電晶體，該第二組電晶體包括一第二數量的電晶體；<br/>在該基板的該正面製造一第一組通孔以及一第二組通孔，該第一組通孔以及該第二組通孔電性耦接至少該第一組電晶體或者該第二組電晶體；<br/>在位於一第一金屬層之位於該基板的該正面沉積一第一導電材料因而形成一第一組字元線以及一第二組字元線，該第一組字元線藉由該第二組通孔電性耦接該第一組電晶體，重疊該第一記憶體單元陣列，以及在該第二方向延伸，該第二組字元線藉由該第二組通孔電性耦接該第二組電晶體，重疊該第二記憶體單元陣列，以及在該第二方向延伸，<br/>其中該第一組字元線中的一第一字元線耦接該第一記憶體單元陣列中的複數個第一記憶體單元，<br/>其中在該第二方向上，該些第一記憶體單元中的每二者由該第一記憶體單元陣列中的一第二記憶體單元間隔開，該第二記憶體單元與該第一字元線電性分離，<br/>其中該第二組字元線中的一第二字元線耦接該第二記憶體單元陣列中，在該第二方向上相鄰排列的複數個第三記憶體單元中的每一者；<br/>在該基板的該正面製造一第三組通孔，該第三組通孔電性耦接至少該第一組電晶體或者該第二組電晶體；以及<br/>在位於一第二金屬層之位於該基板的該正面沉積一第二導電材料因而形成一第一組位元線以及一第二組位元線，該第一組位元線藉由該第一組通孔以及該第三組通孔電性耦接該第一組電晶體，重疊該第一記憶體單元陣列，以及在該第一方向延伸，該第二組位元線藉由該第一組通孔以及該第三組通孔電性耦接該第二組電晶體，重疊該第二記憶體單元陣列，以及在該第一方向延伸，該第二金屬層不同於該第一金屬層，<br/>其中至少該第一寬度不同於該第二寬度，或者該第一高度不同於該第二高度。
一種用於對一車用(automotive)積體電路執行一工廠測試的測試方法，包含：<br/> 透過向該車用積體電路發送一個或多個邏輯測試輸入訊號來產生一個或多個邏輯測試輸出訊號，以對該車用積體電路執行一邏輯測試；其中，該一個或多個邏輯測試輸入訊號分別包含有測試型樣；<br/> 當該車用積體電路正在產生該一個或多個邏輯測試輸出訊號時，利用該車用積體電路內的一安全性檢測電路執行一自測試，以決定該車用積體電路的一類比電路區塊的至少一類比電壓，是否落在一預定範圍內，從而產生一類比測試結果；其中，在執行該邏輯測試時，該自測試會被同時啟動；以及<br/> 至少根據該一個或多個邏輯測試輸出訊號和該類比測試結果，決定該車用積體電路是否通過該工廠測試。
如請求項1所述的測試方法，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一類比至數位轉換器，該類比至數位轉換器用於將該至少一類比電壓轉換為一數位碼；並且決定該至少一類比電壓是否落在該預定範圍內的步驟包含：<br/> 利用該車用積體電路內的一控制器，決定該數位碼是否落在該預定範圍內，以產生該類比測試結果。
如請求項1所述的測試方法，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一比較器，該比較器用於將該至少一類比電壓與一個或多個預定電壓進行比較；並且決定該至少一類比電壓是否落在該預定範圍內的步驟包含：<br/> 利用該比較器決定該至少一類比電壓是否落在該預定範圍內，以產生一比較結果；以及<br/> 利用該車用積體電路內的一控制器，根據該比較結果來產生該類比測試結果。
如請求項1所述的測試方法，其中該車用積體電路包含一個或多個類比電路區塊，並且該一個或多個類比電路區塊包含至少以下之一：一穩壓器(voltage regulator)、一振盪器、一驅動電路、一放大器、一濾波器、一混頻器、一比較器、一訊號調變器(signal modulator)、一鎖相回路(phase-locked loop)、一電流鏡、一電荷泵(charge pump)、一參考電壓/電流產生電路，以及/或一類比至數位轉換器或一數位至類比轉換器。
如請求項1所述的測試方法，另包含：<br/> 將該安全性檢測電路操作於該車用積體電路的一啟動流程(boot-up process)期間或一正常運行期間，以產生該類比測試結果。
一種用於對一車用積體電路執行一工廠測試的測試機，包含：<br/> 一邏輯測試模組，用於透過向該車用積體電路發送一個或多個邏輯測試輸入訊號來產生一個或多個邏輯測試輸出訊號，以對該車用積體電路執行一邏輯測試；其中，該一個或多個邏輯測試輸入訊號分別包含有測試型樣；以及<br/> 一類比測試模組，用於接收由該車用積體電路內的一安全性檢測電路執行一自測試後所產生的一類比測試結果，其中當該車用積體電路正在產生該一個或多個邏輯測試輸出訊號時，該安全性檢測電路產生該類比測試結果，並且該類比測試結果指出該車用積體電路的一類比電路區塊的至少一類比電壓，是否落在一預定範圍內；其中，在執行該邏輯測試時，該自測試會被同時啟動；<br/> 其中，該測試機用於至少根據該一個或多個邏輯測試輸出訊號和該類比測試結果，決定該車用積體電路是否通過該工廠測試。
如請求項6所述的測試機，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一類比至數位轉換器，該類比至數位轉換器用於將該至少一類比電壓轉換為一數位碼；並且，該車用積體電路內的一控制器用於決定該數位碼是否落在該預定範圍內，以產生該類比測試結果。
如請求項6所述的測試機，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一比較器，該比較器用於將該至少一類比電壓與一個或多個預定電壓進行比較，以決定該至少一類比電壓是否落在該預定範圍內，並據此產生一比較結果；並且，該車用積體電路內的一控制器用於根據該比較結果來產生該類比測試結果。
如請求項6所述的測試機，其中該車用積體電路包含一個或多個類比電路區塊，並且該一個或多個類比電路區塊包含至少以下之一：一穩壓器、一振盪器、一驅動電路、一放大器、一濾波器、一混頻器、一比較器、一訊號調變器、一鎖相回路、一電流鏡、一電荷泵、一參考電壓/電流產生電路，以及/或一類比至數位轉換器或一數位至類比轉換器。
如請求項6所述的測試機，其中該安全性檢測電路另操作於該車用積體電路的一啟動流程期間或一正常運行期間，以產生該類比測試結果。
一種測試系統，包含：<br/> 一車用積體電路，包含：<br/> 至少一類比電路區塊；以及<br/> 至少一安全性檢測電路，用於執行一自測試以產生一類比測試結果，用以指出該至少一類比電路區塊的至少一類比電壓是否落在一預定範圍內；<br/> 一測試機，用於對該車用積體電路執行一工廠測試，包含：<br/> 一邏輯測試模組，用於透過向該車用積體電路發送一個或多個邏輯測試輸入訊號，並相應地接收由該車用積體電路產生的一個或多個邏輯測試輸出訊號，以對該車用積體電路執行一邏輯測試；其中，該一個或多個邏輯測試輸入訊號分別包含有測試型；以及<br/> 一類比測試模組，用於接收在該車用積體電路產生該一個或多個邏輯測試輸出訊號時所產生的該類比測試結果；其中，在執行該邏輯測試時，該自測試會被同時啟動；<br/> 其中，該測試機用於至少根據該一個或多個邏輯測試輸出訊號和該類比測試結果，決定該車用積體電路是否通過該工廠測試。
如請求項11所述的測試系統，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一類比至數位轉換器，該類比至數位轉換器用於將該至少一類比電壓轉換為一數位碼；並且，該車用積體電路內的一控制器用於決定該數位碼是否落在該預定範圍內，以產生該類比測試結果。
如請求項11所述的測試系統，其中該車用積體電路的該安全性檢測電路包含一比較器，該比較器用於將該至少一類比電壓與一個或多個預定電壓進行比較，以決定該至少一類比電壓是否落在該預定範圍內，並據此產生一比較結果；並且，該車用積體電路內的一控制器用於根據該比較結果來產生該類比測試結果。
如請求項11所述的測試系統，其中該車用積體電路包含一個或多個類比電路區塊，並且該一個或多個類比電路區塊包含至少以下之一：一穩壓器、一振盪器、一驅動電路、一放大器、一濾波器、一混頻器、一比較器、一訊號調變器、一鎖相回路、一電流鏡、一電荷泵、一參考電壓/電流產生電路，以及/或一類比至數位轉換器或一數位至類比轉換器。
如請求項11所述的測試系統，其中該安全性檢測電路另操作於該車用積體電路的一啟動流程期間或一正常運行期間，以產生該類比測試結果。
一種用於高通量檢測多個樣品中一種或多種靶標核苷酸序列的方法，其特徵在於，所述方法包括以下步驟：(i)為每個樣品中的每種靶標核苷酸序列提供：第一探針、第二探針、和橋寡核苷酸或能夠彼此貼合以形成橋寡核苷酸複合體的多個寡核苷酸；其中，所述第一探針自分子的5'端起包括第一橋寡核苷酸特異性序列、第一通用序列、第一序列條形碼，和位於第一探針的3'端的第一靶標特異性部分；並且其中，所述第二探針自分子的5'端起包括第二靶標特異性部分、第二序列條形碼、第二通用序列，和位於第二探針的3'端的第二橋寡核苷酸特異性序列；並且其中，所述橋寡核苷酸或能夠彼此貼合以形成橋寡核苷酸複合體的多個寡核苷酸包括與所述第一探針中的第一橋寡核苷酸特異性序列和所述第二探針中的第二橋寡核苷酸特異性序列分別互補的序列，以及第三條形碼；並且其中，所述第一序列條形碼或者所述第二序列條形碼或者所述第三條形碼中的至少一者分別存在於所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體中；並且其中，所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體中的至少一者包括核酸內切酶的識別序列；並且其中，所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或能夠彼此貼合以形成橋寡核苷酸複合體的多個寡核苷酸中的至少一者包括第一捕獲部；(ii)通過以下形成雜交複合體：(ii-a)對於所述一種或多種靶標核苷酸序列中的每一種，使所述第一探針、所述第二探針與所述橋寡核苷酸或能夠彼此貼合以形成橋寡核苷酸複合體的多個寡核苷酸接觸並允許自貼合為多個連接複合體；使存在於待測所述一種或多種靶標核苷酸序列的多個樣品的每一個中的核酸與所述連接複合體接觸；和允許來自所述連接複合體的所述第一探針的第一靶標特異性部分和所述第二探針的第二靶標特異性部分與所述多個樣品的每一個中的所述一種或多種靶標核苷酸序列上相鄰的區段雜交，從而形成一個或多個第一雜交複合體；或者(ii-b)使存在於待測所述一種或多種靶標核苷酸序列的多個樣品的每一個中的核酸與所述第一探針的第一靶標特異性部分和所述第二探針的第二靶標特異性部分接觸，以與所述一種或多種靶標核苷酸序列上相鄰的區段雜交，並且使經雜交的一種或多種靶標核苷酸序列以及所述第一探針和第二探針與所述橋寡核苷酸或能夠彼此貼合以形成橋寡核苷酸複合體的多個寡核苷酸接觸，從而形成一個或多個第二雜交複合體；(iii)使用連接酶或多種連接酶或者連接酶與DNA聚合酶的組合，將所述一個或多個第一雜交複合體或者所述一個或多個第二雜交複合體中的探針連接起來，以提供一個或多個經連接的連接複合體；使經連接的連接複合體經受選自加熱或鹼處理的DNA變性條件，以使所述橋寡核苷酸從所述一個或多個第一雜交複合體或者所述一個或多個第二雜交複合體解離；和/或使所述經連接的連接複合體與固體支持物接觸，其中所述固體支持物包括第二捕獲部，允許所述第一捕獲部和所述第二捕獲部相互作用，使得所述一個或多個第一雜交複合體或所述一個或多個第二雜交複合體與所述固體支持物相連，並且使與所述固體支持物相連的一個或多個第一雜交複合體或者一個或多個第二雜交複合體和樣品未與所述固體支持物相連的組分分離；或使用能夠以高親和力與經修飾或未經修飾的DNA結合的固體支持物，或使用固定在固體表面的互補寡核苷酸；(iv)用鏈置換聚合酶通過滾環擴增從所述一個或多個經連接的連接複合體擴增核酸，以形成經擴增的一個或多個單鏈的多聯體序列；以及進行以下步驟之一：(v-a)使步驟(iv)中獲得的所述經擴增的一個或多個單鏈的多聯體序列與含核酸內切酶的識別序列的特異性寡核苷酸貼合，其中所述特異性寡核苷酸與所述識別序列貼合以形成含核酸內切酶的識別位點的經貼合複合體；和用所述核酸內切酶切割在步驟(iv)中獲得的所述單鏈的多聯體序列或者切割所述經貼合複合體以形成核酸片段；或者(v-b)使所述一個或多個單鏈的多聯體序列與所述固體支持物接觸，其中所述固體支持物包括所述第二捕獲部，允許所述第一捕獲部和所述第二捕獲部相互作用，從而使得所述一個或多個單鏈的多聯體序列與所述固體支持物相連，以及使與固體支持物相連的多聯體序列和樣品未與所述固體支持物相連的組分分離；或使用能夠以高親和力與經修飾或未經修飾DNA結合的固體支持物，或使用固定在固體表面上的互補寡核苷酸；(vi)使步驟(v-a)中獲得的核酸片段或者步驟(v-b)中獲得的所述一個或多個單鏈的多聯體序列經受高通量測序技術以確定所述條形碼序列；以及(vii)通過確定所述第一靶標特異性部分和/或所述第二靶標特異性部分的至少一部分，和/或所述第一條形碼和/或所述第二條形碼的至少一部分，和/或所述第三條形碼的至少一部分，來鑒別所述多個樣品的每一個中靶標核酸序列的存在和/或數量；其中所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體包括：(i)一至五個3'突出的鹼基，和/或(ii)3’磷酸，和/或(iii)在自3′端起的三個位置內的一個或多個硫代磷酸酯修飾。
如請求項1所述的方法，其中，所述多個樣品包括血液樣品、組織樣品、FFPE樣品、唾液樣品、尿液樣品或糞便樣品或從這些中的任一種提取的DNA。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體中的至少一者包括第一捕獲部。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體中的至少一者包括第一捕獲部，並且其中，所述第一捕獲部是生物素部，且所述第二捕獲部是鏈黴親和素部或親和素部。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一探針或者所述第二探針或者所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體中的至少一者包括第一捕獲部，並且其中，在步驟(ii)和步驟(iii)之間進行洗滌步驟。
如請求項1所述的方法，其中，對所述第一探針的3'端或所述第二探針的5'端，或者這兩者進行修飾，以允許所述第一探針與所述第二探針的化學連接。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一探針或所述第二探針的橋接部分，或者這兩者包括經化學修飾的鹼基，以改進與所述橋寡核苷酸或橋寡核苷酸複合體的結合。
如請求項1所述的方法，其中，所述第一靶標特異性部分、所述第二靶標特異性部分、所述第一橋寡核苷酸特異性序列和/或所述第二橋寡核苷酸特異性序列彼此獨立地包含一個或多個經化學修飾的核苷酸。
如請求項1所述的方法，其中，使用phi29聚合酶或Bst聚合酶進行步驟(v-a)。
如前請求項1所述的方法，其中，在步驟(v-a)之後，使用與所述第一探針的第一通用序列和所述第二探針的第二通用序列結合的引物進行PCR擴增，其中所述引物包括用於步驟(vi)中的後續測序的接頭。
如請求項1所述的方法，其中，通過對每種靶標和每個樣品的條形碼數量進行計數來允許對基因靶標進行列舉。
如請求項1所述的方法，其中，對於兩個或更多個樣品或者對於兩個或更多個基因座/等位基因組合，使用條形碼序列對樣品的一種或多種序列和/或多態性，包括SNP和/或插入缺失，進行基因分型。
如請求項1所述的方法，進一步包括：使來自步驟(ii-a)的所述連接複合體與含第二捕獲部的固體支持物接觸，允許所述第一捕獲部和所述第二捕獲部相互作用，使得所述連接複合體與所述固體支持物相連，以及使與所述固體支持物相連的連接複合體和未與所述固體支持物相連的連接複合體分離。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法進一步包括：在步驟(ii-a)或步驟(ii-b)之後，通過使所述一個或多個第一雜交複合體或者所述一個或多個第二雜交複合體與含第二捕獲部的固體支持物接觸，允許所述第一捕獲部和所述第二捕獲部相互作用，從而使得所述一個或多個第一雜交複合體或者所述一個或多個第二雜交複合體與所述固體支持物相連，以及使與所述固體支持物相連的一個或多個第一雜交複合體或者一個或多個第二雜交複合體和所述樣品中未與所述固體支持物相連的組分分離；或使用固定在所述固體支持物表面上的寡核苷酸，其通過與所述雜交複合體的部分反向互補而對所述一個或多個第一雜交複合體或者所述一個或多個第二雜交複合體具有親和力。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(iii)之後，從所有多個樣品中匯集所述一個或多個經連接的連接複合體。
如請求項1所述的方法，其中，在步驟(v-a)中，用所述核酸內切酶切割所述經貼合複合體，而不是切割所述單鏈的多聯體序列。
一種多肽，其具有麩醯胺水解GMP合成酶活性，且包含如下之胺基酸序列：在與SEQ ID NO：1或SEQ ID NO：96之胺基酸序列具有95%或更高序列一致性的胺基酸序列中，對應於第441個殘基的胺基酸經纈胺酸、丙胺酸、半胱胺酸、麩胺酸、苯丙胺酸、組胺酸、異白胺酸、離胺酸、白胺酸、天冬醯胺酸、麩醯胺酸、蘇胺酸或色胺酸取代。
如請求項1之多肽，其中對應於與SEQ ID NO：1或SEQ ID NO：96之胺基酸序列具有95%或更高序列一致性之胺基酸序列之第123個殘基的胺基酸進一步經離胺酸、麩胺酸、組胺酸、甲硫胺酸、麩醯胺酸、精胺酸、絲胺酸或酪胺酸取代。
如請求項1之多肽，其中該與SEQ ID NO：1或SEQ ID NO：96之序列一致性為98%或更高。
如請求項1之多肽，其中該與SEQ ID NO：1或SEQ ID NO：96之序列一致性為99%或更高。
如請求項1之多肽，其中該多肽包含選自SEQ ID NO：60至SEQ ID NO：73、SEQ ID NO：107及SEQ ID NO：108之任一SEQ ID NO的胺基酸序列。
一種聚核苷酸，其編碼如請求項1至5中任一項之多肽。
如請求項6之聚核苷酸，其中該聚核苷酸包含選自SEQ ID NO：82至SEQ ID NO：95、SEQ ID NO：110及SEQ ID NO：111之任一SEQ ID NO的核酸序列。
一種重組載體，其包含如請求項6之聚核苷酸。
一種微生物，其包含選自由以下者組成之群的至少一者：如請求項1至5中任一項之多肽、編碼該多肽之聚核苷酸及包含該聚核苷酸之載體。
如請求項9之微生物，其中該微生物具有增加之5'-單磷酸鳥苷(GMP)的生產能力。
如請求項9之微生物，其中該微生物為棒狀桿菌(<i>Corynebacterium</i>)屬之微生物。
如請求項11之微生物，其中該微生物為停滯棒狀桿菌(<i>Corynebacterium stationis</i>)或乾酪棒狀桿菌(<i>Corynebacterium casei</i>)。
一種用於生產5'-單磷酸鳥苷之方法，其包含在培養基中培養微生物，該微生物包含選自由以下者組成之群的至少一者：如請求項1至5中任一項之多肽、編碼該多肽之聚核苷酸及包含該聚核苷酸之載體。
如請求項13之用於生產5'-單磷酸鳥苷之方法，其進一步包含自所培養之微生物、培養基或其兩者中回收5'-單磷酸鳥苷。
如請求項13之用於生產5'-單磷酸鳥苷之方法，其進一步包含在培養基中培養該微生物的步驟之前，培養生產5'-黃原酸(XMP)之微生物的步驟，或將XMP添加至該培養基的步驟。
一種用於生產5'-單磷酸鳥苷之組成物，其包含微生物，該微生物包含選自由以下者組成之群的至少一者：如請求項1至5中任一項之多肽、編碼該多肽之聚核苷酸及包含該聚核苷酸之載體。
一種可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，係用以接受一外部電力通過具有多個繼電器的一繼電器模組進行充電，其包含：<br/> N個電芯，係形成電性串聯成一組合，其中N為大於等於2的正整數；<br/> N+1條充電線，其中一條該充電線接設在由該N個電芯構成的組合一側的正電極，另一條該充電線該充電線接設在由該N個電芯構成的組合另一側的負電極，其餘N-1條充電線分別連接在該N個電芯構成的組合中相鄰二個該電芯的正電極與負電極之間；<br/> 一充電插座，具有N+1個電接點用以各自對應電性連接N+1條的該充電線，且各該電接點電性連接該繼電器模組；<br/> 一箱體，用以供N個該電芯的組合容置，以及該充電插座露出在該箱體的表面；<br/> 藉由該繼電器模組中的該繼電器呈現通路及斷路的形態，可使得該外部電力通過該繼電器模組及一該電芯二側的二該充電線，據以對該電芯中進行充電，並在該電芯完成充電後，再藉由改變部分該繼電器的通路及斷路，使該外部電力對不同的該電芯逐一地進行充電。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中相鄰二該電芯的一該電芯的負電極與另一該電芯的正電極間以一電極連接片相接，使得N個該電芯形成電性串聯。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，更包含一電池管理單元電性連接一訊號連接埠，以及N-1條電壓偵測線分別連接在該N個電芯構成的組合中兩兩串聯的二個電芯間，各該電壓偵測線電性連接該電池管理單元且通過該訊號連接埠輸出各該電芯的電壓。
如請求項3所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中該訊號連接埠露出在該箱體的表面。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，更包含一電池管理單元電性連接一訊號連接埠，以及N-1條溫度偵測線分別連接在該N個電芯構成的組合中兩兩串聯的二個電芯間，各該溫度偵測線電性連接該電池管理單元且通過該訊號連接埠輸出各該電芯的溫度。
如請求項5所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中該訊號連接埠露出在該箱體的表面。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中N+1條該充電線中的每一條該充電線與至少一該繼電器電性連接，通過該繼電器通路與開路狀態的改變，該外部電力依序進入不同的該電芯以進行輪流充電。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中連接於該N個該電芯所構成的組合一側的正電極的該充電線，以及連接於該N個該電芯所構成的組合另一側的負電極的該充電線，各自連接一該繼電器。
如請求項1所述的可用大電流對電芯輪流充電的電池模組，其中連接在相鄰二該電芯的該正電極及該負電極間的N-1條該充電線皆用以連接二該繼電器。
一種採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，其包含：一電池模組，係包含一電池管理模組、N個電芯電性串聯成一組合，其中N為大於等於2的正整數；N+1條充電線，其中一條該充電線接設在由該N個電芯構成的組合一側的正電極，另一條該充電線該充電線接設在由該N個電芯構成的組合另一側的負電極，其餘N-1條充電線分別連接在該N個電芯構成的組合中相鄰二個該電芯的正電極與負電極之間；N-1條電壓偵測線，分別連接在該N個電芯構成的組合中相鄰二個該電芯的正電極與負電極之間，N-1條該電壓偵測線與該電池管理模組電性連接用以接收各該電芯的電壓；一充電插座，具有N+1個電接點用以各自對應電性連接N+1條的該充電線；一充電設備，包含複數個繼電器的一繼電器控制模組，一充電機及一電池管理系統電性連接該繼電器控制模組，且該繼電器控制模組電性連接該充電插座；其中N+1條該充電線中的每一條該充電線與至少一該繼電器電性連接，通過該繼電器控制模組中的該繼電器呈現通路及斷路的形態，可使得該充電機所輸出的電力通過該繼電器控制模組及一該電芯二側的二該充電線，據以對該電芯中進行充電，並在該電芯完成充電後，再通過改變部分該繼電器的通路及斷路，使該充電機所提供的電力對不同的該電芯逐一地進行充電。
如請求項1所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，更包含具有N+1個插梢的一充電插頭連接繼電器控制模組，且該N+1個插梢用以連接於該充電插座的N+1個該電接點。
如請求項1所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，其中該充電線的線徑為2.0mm以上。
如請求項3所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，其中連接於該N個該電芯所構成的組合一側的正電極的該充電線，以及連接於該N個該電芯所構成的組合另一側的負電極的該充電線，各自連接一該繼電器。
如請求項3所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，其中連接在相鄰二該電芯的該正電極及該負電極間的N-1條該充電線皆用以連接二該繼電器。
如請求項1所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，更包含一訊號連接埠連接各該電壓偵測線，且該訊號連接埠與該充電設備的一電池管理系統間以一訊號線互相連接。
如請求項1所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，更包含N-1條溫度偵測線，分別連接在該N個電芯構成的組合中相鄰二個該電芯的正電極與負電極之間，且該電池管理模組與N-1條該溫度偵測線電性連接用以接收各該電芯的溫度。
如請求項7所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，更包含更含一訊號連接埠連接各該溫度偵測線，且該訊號連接埠與該充電設備的一電池管理系統間以一訊號線互相連接。
如請求項1所述的採用大電流對電芯輪充的補電保養系統，更包含一箱體用以供N個該電芯的組合及該電池管理模組容置，該電池管理模組包含一基板配置一電池管理單元，該電池管理單元電性連接一電壓訊號連接埠、一溫度訊號連接埠及該充電插座，且該電壓訊號連接埠、該溫度訊號連接埠以及該充電插座露出在該箱體的表面。
一種如請求項1至9任一項採用大電流對電芯輪充的補電保養系統的充電方法，係對使用後的一電池模組的N個電芯進行充電，其包含：連接一電池模組及一充電設備，並獲取該電池模組複數電芯的各個電壓；檢視第1個電芯的電芯的電壓，並通過一繼電器控制模組僅對第1個電芯進行充電；當第1個該電芯充電達到預定電壓後，藉由該繼電器控制模組中的預定數量的繼電器的切換以停止對該第1個該電芯充電，並改對該第2個電芯進行充電；當該第2個電芯充電達到預定電壓後，藉由該繼電器控制模組中的預定數量的繼電器的切換以停止對該第2個該電芯充電，並改對該第3個電芯進行充電；並依此方式重覆對下一個電芯充電，直至N個該電芯依序全部完成充電。
一種電漿源組件，包括：<br/> 排氣板，形成有複數個排氣孔；以及<br/> 至少一個電漿源，結合在所述排氣板上，以向所述排氣板供應已啟動的製程氣體；<br/> 其中，所述至少一個電漿源包括：<br/> 反應主體，包含複數個主體部及複數個絕緣部，所述複數個主體部內部分別形成氣體擴散空間，所述複數個絕緣部結合於所述複數個主體部之間，以使所述氣體擴散空間相互連通，在所述複數個主體部各個的至少一部分形成開口部，所述複數個主體部內的所述氣體擴散空間整體形成環形通道；<br/> 複數個磁芯，分別包圍所述複數個主體部的同時沿著所述環形通道相互間隔配置；以及<br/> 複數個繞組，配置成纏繞所述複數個磁芯，並從電源部接收供電，以在所述複數個磁芯內感應磁力；<br/> 其中，在所述複數個主體部各個的至少一部分內形成用於流動冷卻介質的冷卻部， <br/> 所述冷卻部包括：<br/> 流路槽部，圖案化成預定形狀；<br/> 蓋部件，覆蓋所述流路槽部，以形成流動所述冷卻介質的製冷劑流路；<br/> 其中，在所述蓋部件的一側形成製冷劑入口，以向所述製冷劑流路供應所述冷卻介質，在所述蓋部件的另一側形成排出經過所述製冷劑流路的所述冷卻介質。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述複數個主體部分別包括第一主體部及第二主體部，所述第一主體部具有第一長度，所述第二主體部具有第二長度，所述第一長度大於所述第二長度；<br/> 其中，所述複數個磁芯配置成包圍所述第二主體部。
根據請求項2所述的電漿源組件，其中，所述冷卻部分別形成在所述第一主體部的至少一面；<br/> 其中，在所述第一主體部的所述至少一面分別形成製冷劑入口及製冷劑出口，所述製冷劑入口連接於所述冷卻部的一端，所述製冷劑出口連接於所述冷卻部的另一端。
根據請求項2所述的電漿源組件，其中，在所述第二主體部的兩側端部形成凸緣；<br/> 其中，在所述第二主體部一側的所述凸緣分別結合所述第一主體部的一側；以及<br/> 其中，在所述第二主體部另一側的所述凸緣與所述第一主體部的另一側之間分別結合所述複數個絕緣部。
根據請求項2所述的電漿源組件，其中，在所述第二主體部的一側分別結合所述第一主體部的另一側；以及<br/> 其中，所述複數個絕緣部包括：<br/> 環形通道形成部，密封結合於所述第二主體部的另一側及相鄰的所述第一主體部的一側，而且在內側形成所述環形通道。
根據請求項2所述的電漿源組件，其中，所述第一主體部包括：<br/> 上部壁，形成在所述氣體擴散空間的上面；<br/> 側壁，以所述氣體擴散空間的寬度方向形成在兩側；以及<br/> 下部壁，形成在所述氣體擴散空間的下面；<br/> 其中，在所述上部壁及所述側壁中的至少一面形成所述冷卻部；以及<br/> 其中，在所述下部壁形成所述開口部。
根據請求項6所述的電漿源組件，其中，在所述複數個主體部的所述上部壁及所述側壁中的至少任意一面結合所述蓋部件，以覆蓋所述冷卻部的凹槽形狀。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述至少一個電漿源在所述排氣板與所述至少一個電漿源之間結合絕緣部件。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述排氣板用絕緣材料形成。
一種電漿源組件，包括： <br/>排氣板，形成有複數個排氣孔；及 <br/>至少一個電漿源，結合在所述排氣板上，以向所述排氣板供應已啟動等的製程氣體； <br/>其中，所述至少一個電漿源包括： <br/>反應主體，包括複數個主體部及複數個絕緣部，所述複數個主體部內部分別形成氣體擴散空間，所述複數個絕緣部結合於所述複數個主體部之間，以使所述氣體擴散空間相互連通，在所述複數個主體部各個的至少一部分形成開口部，所述複數個主體部內所述氣體擴散空間整體形成環形通道； <br/>複數個磁芯，分別包圍所述複數個主體部的同時沿著所述環形通道相互間隔配置；及 <br/>複數個繞組，配置成纏繞所述複數個磁芯，並且從電源部接收供電，以在所述複數個磁芯內感應磁力； <br/>其中，在所述複數個主體部各個的至少一部分內形成用於流動冷卻介質的冷卻部， <br/>其中，所述至少一個電漿源包括：<br/> 第一電漿源，結合在所述排氣板上；以及<br/> 第二電漿源，向所述第一電漿源的外側間隔配置，並結合在所述排氣板上；<br/> 其中，所述排氣板包括：<br/> 第一排氣部，結合所述第一電漿源；以及<br/> 第二排氣部，結合所述第二電漿源；<br/> 其中，在所述第一電漿源啟動的所述製程氣體通過所述第一電漿源的所述開口部的第一開口部供應於所述第一排氣部；以及<br/> 其中，在所述第二電漿源啟動的所述製程氣體通過所述第二電漿源的所述開口部的第二開口部供應於所述第二排氣部。
根據請求項10所述的電漿源組件，其中，所述排氣板為所述第一排氣部及所述第二排氣部，在同一平面上形成一體。
根據請求項10所述的電漿源組件，其中，所述排氣板為所述第一排氣部與所述第二排氣部具有相互不同高度的板部件，以使所述第一開口部及所述第二開口部的高度配置在相互不同的高度。
根據請求項12所述的電漿源組件，其中，所述第一排氣部配置在高於所述第二排氣部的位置，以使所述第一開口部配置在高於所述第二開口部的位置。
根據請求項12所述的電漿源組件，其中，所述第一排氣部及所述第二排氣部配置成直角結構；<br/> 其中，所述第一排氣部配置在平面上，以使所述第一開口部朝向下方；以及<br/> 其中，所述第二排氣部配置在垂直面上，以使所述第二開口部朝向側方。
根據請求項10所述的電漿源組件，其中，所述排氣板為階梯狀的板部件，包括水平壁及垂直壁，所述水平壁具有相互不同的高度，所述垂直壁從所述水平壁的邊緣外周向垂直下方延伸；<br/> 其中，所述第一排氣部形成在所述水平壁；以及<br/> 其中，所述第二排氣部形成在所述垂直壁。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 製程腔室，在內部形成反應空間；<br/> 腔室蓋，結合在所述製程腔室的上部；<br/> 基板支撐部，結合於所述製程腔室的下部，以在所述反應空間內支撐基板; <br/>如請求項1至15中任一項所述的至少一個電漿源組件，結合於所述腔室蓋；以及 <br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相向，形成有氣體噴射板，所述氣體噴射板配置在所述至少一個電漿源組件的下部，以用於向所述基板支撐部上噴射被所述電漿源組件啟動的製程氣體。
一種半導體結構，包括：<br/> 一半導體基底，包括一第一介電層；<br/> 複數個墊結構，設置在該第一介電層上；<br/> 複數個介電結構，設置在該第一介電層上，其中各該介電結構設置在該等墊結構中的一個的側壁上，各該介電結構的上表面在一垂直方向上低於各該墊結構的上表面，且該第一介電層包括一凹陷在一水平方向上位於該等介電結構中相鄰的兩個之間；<br/> 一第二介電層，覆蓋該等墊結構、該等介電結構以及該第一介電層；以及<br/> 一空隙，位於該第二介電層中，其中該空隙的至少一部分在該水平方向上被夾設在該等墊結構中相鄰的兩個之間，該空隙在該垂直方向上位於該凹陷的正上方，且該凹陷包括一下凹表面在該垂直方向上低於位於該等介電結構下方的該第一介電層的一上表面。
如請求項1所述之半導體結構，其中各該介電結構的一上部在該水平方向上的厚度大於各該介電結構的一下部在該水平方向上的厚度。
如請求項1所述之半導體結構，其中各該墊結構以及各該介電結構直接與該第一介電層連接，且該第二介電層直接與該第一介電層、各該墊結構以及各該介電結構連接。
如請求項1所述之半導體結構，其中各該介電結構在該垂直方向上的厚度小於各該墊結構在該垂直方向上的厚度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該空隙的至少一部分在該水平方向上被夾設在該等介電結構中相鄰的兩個之間。
如請求項1所述之半導體結構，其中該介電結構的材料組成不同於該第一介電層的材料組成以及該第二介電層的材料組成。
如請求項1所述之半導體結構，其中該等介電結構的材料包括碳氮化矽或氮化矽。
如請求項1所述之半導體結構，還包括：<br/> 複數個連接結構設置在該等墊結構上，其中各該連接結構在該垂直方向上貫穿位於該等墊結構中的一個之上的該第二介電層且與該墊結構直接連接，且該空隙在該垂直方向上低於各該連接結構的上表面。
如請求項8所述之半導體結構，其中各該墊結構包括一導電層以及一蝕刻停止層位於該導電層上，且各該連接結構還在該垂直方向上貫穿該等墊結構中的一個的該蝕刻停止層。
一種半導體結構的製作方法，包括：<br/> 提供一半導體基底，該半導體基底包括一第一介電層；<br/> 在該第一介電層上形成複數個墊結構；<br/> 在該第一介電層上形成複數個介電結構，其中各該介電結構設置在該等墊結構中的一個的側壁上，各該介電結構的上表面在一垂直方向上低於各該墊結構的上表面，且一凹陷形成在該第一介電層中並在一水平方向上位於該等介電結構中相鄰的兩個之間；以及<br/> 形成一第二介電層覆蓋該等墊結構、該等介電結構以及該第一介電層，其中一空隙位於該第二介電層中，該空隙的至少一部分在該水平方向上被夾設在該等墊結構中相鄰的兩個之間，該空隙在該垂直方向上位於該凹陷的正上方，且該凹陷包括一下凹表面在該垂直方向上低於位於該等介電結構下方的該第一介電層的一上表面。
如請求項10所述之半導體結構的製作方法，其中形成該等介電結構的方法包括：<br/> 形成一介電蓋層覆蓋該等墊結構以及該第一介電層，其中一第一間隔在該水平方向上位於該等墊結構中相鄰的兩個之間且在該水平方向上被該介電蓋層圍繞；以及<br/> 對該介電蓋層進行一回蝕刻製程，其中該介電蓋層被該回蝕刻製程蝕刻而成為該等介電結構。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該介電蓋層的材料組成不同於該第一介電層的材料組成以及該第二介電層的材料組成。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該介電蓋層的材料包括碳氮化矽或氮化矽。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該第一介電層的一部分被該回蝕刻製程移除，且該凹陷是通過該回蝕刻製程形成。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該第一間隔的上部寬度小於該第一間隔的底部寬度。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中在該回蝕刻製程之後，一第二間隔在該水平方向上位於該等介電結構中相鄰的兩個之間，該第二間隔的上部寬度大於該第一間隔的上部寬度，且該第二間隔的底部寬度大於該第一間隔的底部寬度。
如請求項16所述之半導體結構的製作方法，其中該空隙的至少一部分形成在該第二間隔中。
如請求項10所述之半導體結構的製作方法，其中形成該第二介電層的方法包括：<br/> 形成一介電材料覆蓋該等墊結構、該等介電結構以及該第一介電層；以及<br/> 對該介電材料進行一平坦化製程，其中該空隙是在該平坦化製程之前形成在該介電材料中，且該空隙在該垂直方向上低於該介電材料在該平坦化製程之後的上表面。
如請求項18所述之半導體結構的製作方法，還包括：<br/> 在該平坦化製程之後形成複數個連接結構，其中該介電材料在該等連接結構形成之後成為該第二介電層，各該連接結構在該垂直方向上貫穿位於該等墊結構中的一個之上的該第二介電層且與該墊結構直接連接，且該空隙在該垂直方向上低於各該連接結構的上表面。
一種顯示設備，包含：一顯示面板，包含複數個子像素、由該等子像素共用的一第一電源線及由該等子像素共用的一第二電源線；一電源管理電路，配置為向該第一電源線提供一高電位電源電壓並向該第二電源線提供一低電位電源電壓；以及一感測電路，配置為透過該第二電源線感測該等子像素中之至少一個子像素之一電力特性，藉以於一感測模式中輸出感測資料；其中該電源管理電路於一顯示模式中將一第一低電位電源電壓提供至該第二電源線，並於該感測模式中將高於該第一低電位電源電壓之一第二低電位電源電壓提供至該第二電源線。
如請求項1所述之顯示設備，該等子像素的每一者包含：一第一發光元件， 一第二發光元件；以及一像素電路，配置為以一分時方式驅動該第一發光元件與該第二發光元件。
如請求項2所述之顯示設備，其中該像素電路被配置為以一第一視角模式驅動該第一發光元件並以一第二視角模式驅動該第二發光元件。
如請求項3所述之顯示設備，其中該等子像素中之每一者進一步包含:一第一光控元件，重疊於該第一發光元件上以提供具有一第一視角的光；及一第二光控元件，重疊於該第二發光元件上以提供具有不同於該第一視角之一第二視角的光。
如請求項3所述之顯示設備，其中該感測模式包含一第一視角模式感測週期及一第二視角模式感測週期，其中，在該第一視角模式感測週期中，該感測電路透過經過在該第一視角模式中驅動之該顯示面板的感測區域中的該第一電源線、該第一發光元件及該第二電源線之一第一感測路徑感測該顯示面板之該感測區域的一第一電力特性，並且其中，在該第二視角模式感測週期中，該感測電路透過經過在該第二視角模式中驅動之該顯示面板的該感測區域中的該第一電源線、該第二發光元件及該第二電源線之一第二感測路徑感測該顯示面板之該感測區域的一第二電力特性。
如請求項5所述之顯示設備，其中在該第一視角模式感測週期與該第二視角模式感測週期中，該電源管理電路對該第一視角模式與該第二視角模式以不同方式產生並施加該第二低電位電源電壓。
如請求項5所述之顯示設備， 其中該第一視角模式感測週期與該第二視角模式感測週期中之每一者包含：一第一顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第一顏色子像素；一第二顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第二顏色子像素；及一第三顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第三顏色子像素。
如請求項7所述之顯示設備，其中該電源管理電路在該第一顏色感測週期、該第二顏色感測週期和該第三顏色感測週期中以不同方式產生並施加該第二低電位電源電壓。
如請求項2所述之顯示設備，其中在該等子像素中之每一者中，該第一發光元件的尺寸與該第二發光元件的尺寸不同。
如請求項2所述之顯示設備，其中該等子像素包含一第一顏色子像素、一第二顏色子像素及一第三顏色子像素，該第一顏色子像素、該第二顏色子像素與該第三顏色子像素中之每一者包含該第一發光元件與該第二發光元件，以及其中該第一顏色子像素、該第二顏色子像素與該第三顏色子像素中之至少二者的該等第一發光元件之尺寸彼此不同，並且其中該第一顏色子像素、該第二顏色子像素與該第三顏色子像素中之至少二者的該等第二發光元件之尺寸彼此不同，或者該第一顏色子像素、該第二顏色子像素與該第三顏色子像素中之至少二者的該等第二發光元件之複數個發光區域的數量彼此不同。
如請求項1所述之顯示設備，其中該第二電源線透過一電路薄膜經由一第二電源線路連接至該感測電路，並且其中該感測電路配置為透過使用流經該至少一個子像素之一設置電流檢測該第二電源線路之一末端的電壓來感測該等子像素之該至少一個子像素的該電力特性。
如請求項1所述之顯示設備，進一步包含配置為驅動該顯示面板之一驅動器，其中，在該感測模式中，該驅動器於該顯示面板之一感測區域中顯示最大灰階資料並於該顯示面板之一非感測區域中顯示最小灰階資料。
如請求項1所述之顯示設備，進一步包含配置為驅動該顯示面板的一驅動器，其中，在該感測模式中，該驅動器於該顯示面板之一感測區域中所感測的該等子像素上顯示最大灰階資料，並於該顯示面板的該感測區域中及該顯示面板的一非感測區域中未被感測的該等子像素上顯示最小灰階資料。
如請求項12或13所述之顯示設備，其中該感測區域為使用一圖像資料之複數個累積結果預測為該顯示面板中之一最大劣化區域並包含有複數個子像素之一區域。
如請求項1所述之顯示設備，進一步包含配置為驅動該顯示面板之一驅動器，其中該驅動器基於一圖像資料的複數個累積結果確定該顯示面板中的一第一感測區域及一第二感測區域，其中該第一感測區域為預測為一最大劣化區域之區域，該第二感測區域預測為一最小劣化區域之區域， 其中該驅動器透過該感測電路被提供一第一感測資料與一第二感測資料，以及其中該第一感測資料是透過該感測電路感測該第一感測區域之電力特性而取得，該第二感測資料是透過該感測電路感測該第二感測區域之電力特性而取得。
如請求項15所述之顯示設備，進一步包含配置為驅動該顯示面板之一驅動器，其中該驅動器以子像素為單位對該第一感測資料進行縮放，藉以計算一第三感測資料，其中該驅動器以子像素為單位對該第二感測資料進行縮放，藉以計算一第四感測資料，其中該驅動器基於該第三感測資料與該第四感測資料之間的差異計算該等子像素的每一者之多個發光元件的每一者之一閾值電壓變化，以及其中該驅動器基於該等子像素的每一者之該等發光元件的每一者之該閾值電壓變化計算該等子像素的每一者之一補償增益並將該補償增益儲存於一記憶體中。
如請求項1所述之顯示設備，其中用於該感測模式之該第二低電位電源電壓設置為大於或等於2伏特且小於或等於4伏特之一電壓。
一種顯示設備，包含：一顯示面板，包含複數個子像素、由該等子像素共用的一第一電源線和由該等子像素共用的一第二電源線，該等子像素中之每一者具有一第一發光元件和一第二發光元件；一感測電路，配置為透過該第二電源線感測該顯示面板之一感測區域的電力特性，藉以輸出感測資料；以及一電源管理電路，配置為在一感測模式中將一高電位電源電壓與一設置電流施加至該第一電源線並在該感測模式中將用於該感測模式之一低電位電源電壓提供至該第二電源線；其中該等子像素中之每一者進一步包含配置為以一第一視角模式驅動該第一發光元件並以一第二視角模式驅動該第二發光元件的一像素電路，以及其中該電源管理電路將用於一顯示模式之高於一低電位電源電壓之一正電壓作為用於該感測模式之該低電位電源電壓。
如請求項18所述之顯示設備，該等子像素之每一包含：一第一光控元件，重疊於該第一發光元件上以提供具有一第一視角的光；以及 一第二光控元件，重疊於該第二發光元件上以提供具有較該第一視角窄之一第二視角的光。
如請求項19所述之顯示設備，其中該感測模式包含一第一視角模式感測週期與一第二視角模式感測週期，其中在該第一視角模式感測週期中，該感測電路透過經過在該第一視角模式中驅動之該顯示面板的該感測區域中的該第一電源線、該第一發光元件及該第二電源線之一第一感測路徑感測該顯示面板之一顯示區域的一第一電力特性，並且其中在該第二視角模式感測週期中，該感測電路透過經過在該第二視角模式中驅動之該顯示面板的該感測區域中的該第一電源線、該第二發光元件及該第二電源線之一第二感測路徑感測該顯示面板之該感測區域的一第二電力特性。
如請求項20所述之顯示設備， 其中在該第一視角模式感測週期與該第二視角模式感測週期中，該電源管理電路對該第一視角模式與該第二視角模式以不同方式產生並施加該低電位電源電壓。
如請求項20所述之顯示設備， 其中該第一視角模式感測週期與該第二視角模式感測週期中之每一者包含：一第一顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第一顏色子像素；一第二顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第二顏色子像素；以及一第三顏色感測週期，感測該感測區域中的複數個第三顏色子像素。
如請求項22所述之顯示設備，其中該電源管理電路在該第一顏色感測週期、該第二顏色感測週期和該第三顏色感測週期中以不同方式產生並施加該低電位電源電壓。
如請求項18所述之顯示設備，其中在感測模式中，該顯示面板之該感測區域中的所感測的該等子像素顯示最大灰階資料，該感測區域中的未被感測的該等子像素及一非感測區域中的該等子像素上顯示最小灰階資料。
如請求項18所述之顯示設備，其中透過用於該感測模式的該低電位電源電壓流向顯示一最小灰階資料的該等子像素的最小灰階電流小於由用於該顯示模式之該低電位電源電壓引起的最小灰階電流。
如請求項25所述之顯示設備，其中用於該感測模式之該低電位電源電壓設置為大於或等於2伏特且小於或等於4伏特之一電壓。
一種車輛，包含如請求項1至26中的任何一項所述之顯示設備。
如請求項27所述之車輛，其中該顯示設備用於該車輛之一副駕駛員顯示器。
如請求項28所述之車輛，其中該顯示設備在一駕駛員不駕駛時以一第一視角模式運作，在該駕駛員駕駛時以一第二視角模式運作。
一種用於確定噴油壓縮機的油回路的健康狀況的電腦實現的方法，油回路包括油冷卻器、油分離器和恆溫器，恆溫器被配置為基於預定義的混合比將來自油分離器的油與來自油冷卻器的油混合，油回路被配置為將油作為潤滑劑和冷卻劑迴圈通過壓縮機的壓縮機元件，所述方法包括反覆運算地執行以下步驟：<br/> - 測量第一組中的量的值，所述第一組包括環境溫度、環境壓力、環境濕度水準、壓縮機元件的轉速、油回路的風扇的轉速(如果存在)和/或恆溫器的設置位置；<br/> - 測量第二組中的量的值，所述第二組包括：<br/> ○ 第一溫度，在油流過壓縮機元件之前的位置處的噴入溫度；以及<br/> ○ 第二溫度，在油流過壓縮機元件之後的位置處的排出溫度；<br/> - 使用描述油回路的模型並基於第一組中的值來估計第二組中的量的值；<br/> - 計算測得的與估計的噴入溫度之間的第一偏差，以及測得的與估計的排出溫度之間的第二偏差；以及<br/> 其中健康狀況是根據第一偏差和第二偏差確定的。
根據請求項1所述的電腦實現的方法，其中估計還包括估計第三組中的指示油回路的熱慣性和/或油通過油回路的傳輸時間的一個或多個量，其中所述模型還包括微分等式和/或卷積，所述微分等式和/或卷積包括時間相關狀況變數，所述時間相關狀況變數包括第三組中的一個或多個量，並且其中基於第三組中的估計的值進一步估計第二組中的量的值。
根據請求項2所述的電腦實現的方法，其中第三組中的量包括由以下構成的組中的一個：<br/> - 油分離器的出口處的油溫；<br/> - 油的品質流量；<br/> - 油冷卻器的入口處的油的入口壓力；<br/> - 油冷卻器的入口溫度。
根據請求項1所述的電腦實現的方法，其中所述健康狀況進一步使用回歸分析來確定，其中第一偏差和第二偏差是解釋量，並且健康狀況是因變數。
根據請求項4所述的電腦實現的方法，其中回歸分析模型包括由以下構成的組中的一個：支援向量機、神經網路、包括解析等式的非線性回歸、決策樹、隨機森林和/或梯度提升方法。
根據請求項1所述的電腦實現的方法，測量第二組中的量的值，所述第二組還包括： - 第三溫度，油冷卻器出口溫度，<br/> 並且其中所述估計還包括估計第三溫度，並且所述計算還包括計算測得的與估計的第三溫度之間的第三偏差，並且其中健康狀況進一步基於第三偏差來確定。
根據請求項6所述的電腦實現的方法，其中所述恆溫器是主動恆溫器，所述方法還包括以下步驟：<br/> - 測量主動恆溫器的設置位置；<br/> 並且其中測量第三溫度是基於測量設置位置進行的。
根據請求項中1所述的電腦實現的方法，其中所述健康狀況包括：油冷卻器的堵塞程度，和/或低於預定義的值的油流量，和/或包括發生故障的恆溫器。
根據請求項1至8中任一項所述的電腦實現的方法，其中進一步基於壓縮機的一個或多個設置參數執行估計。
根據請求項9所述的電腦實現的方法，調整參數包括由以下構成的組中的一個或多個：壓力、流量、濕度水準、功率、轉速。
一種資料處理系統，包括被配置為執行根據請求項1至10中任一項所述的方法的處理單元。
一種包含電腦可執行指令的電腦程式產品，當所述程式在電腦上運行時，所述電腦可執行指令用於執行根據請求項1至10中任一項所述的方法。
一種電腦可讀存儲介質，包含根據請求項12所述的電腦程式產品。
一種壓縮機，包括根據請求項11所述的資料處理系統。
一種適用於複合加工機用刀把之刀套，其中該刀把具有一錐柄，該錐柄具有一端面及一外周面，該刀把具有一定位槽位於該端面與該外周面的連接部位；該刀套包含：<br/> 一刀套本體，具有一套接孔且定義有一虛擬的軸線通過該套接孔的中心，該套接孔供該刀把之該錐柄插入；<br/> 一鎖刀裝置，用以對插入該套接孔之該錐柄提供一徑向力；<br/> 一定位塊，固接該刀套本體，且具有一定位部凸露於該套接孔中；其中，當該錐柄插入該套接孔時，該定位塊之該定位部嵌入該刀把之該定位槽中，該刀把無法以該軸線為中心相對該刀套本體轉動；<br/> 其中該刀套本體內部具有一隔牆，該刀套本體內部於該隔牆的一側形成該套接孔，該隔牆具有一安裝孔，該安裝孔連通該套接孔與該刀套本體的外部；該定位塊插入該安裝孔中；<br/> 其中該套接孔的孔壁與該安裝孔的孔壁連接部位形成一止擋面，該鎖刀裝置包括一擋片，該定位塊之一端抵接該止擋面，該擋片固接該隔牆且抵接該定位塊的另一端。
如請求項1所述適用於複合加工機用刀把之刀套，其中該錐柄具有一軸孔自該端面凹入形成，該軸孔之孔壁設有一凹陷的環形槽；該鎖刀裝置包括有一軸管、多數個鋼珠、一解鎖件及一彈簧，其中該軸管位於該套接孔中且固接該隔牆，該軸管具有多數個側開孔，該些鋼珠分別位於一對應之側開孔中，該解鎖件能夠沿著該軸線移動地穿設該軸管，該解鎖件具有一頂推部，該彈簧對該解鎖件提供一推力，促使該頂推部將該些鋼珠推向該錐柄之該環形槽中。
如請求項2所述適用於複合加工機用刀把之刀套，其中該鎖刀裝置包括多數螺栓，該擋片具有多數個穿孔，該刀套本體之該隔牆具有多數個通孔，該些螺栓分別穿過一該穿孔及一該通孔後，與該軸管鎖接。
一種適用於複合加工機用刀把之刀套，其中該刀把具有一錐柄，該錐柄具有一端面及一外周面，該刀把具有一定位槽位於該端面與該外周面的連接部位；該刀套包含：<br/> 一刀套本體，具有一套接孔且定義有一虛擬的軸線通過該套接孔的中心，該套接孔供該刀把之該錐柄插入；<br/> 一鎖刀裝置，用以對插入該套接孔之該錐柄提供一徑向力；<br/> 一定位塊，固接該刀套本體，且具有一定位部凸露於該套接孔中；其中，當該錐柄插入該套接孔時，該定位塊之該定位部嵌入該刀把之該定位槽中，該刀把無法以該軸線為中心相對該刀套本體轉動；<br/> 其中該刀套本體之該套接孔為一非圓形孔，該刀把之該錐柄的外周面為一非圓形周面，當該錐柄插入該非圓形孔時，該錐柄之該非圓形周面與該非圓形孔的孔壁之間具有至少兩個接觸點。
如請求項4所述適用於複合加工機用刀把之刀套，其中該刀套本體之該非圓形孔的孔壁具有三個內凸部，且相鄰內凸部之間形成一凹部；該刀把之該錐柄的非圓形周面係由三個弧面連接構成，且該錐柄於相鄰弧面的連接部位形成一外凸部；其中當該錐柄插入該非圓形孔時，每一內凸部抵接一對應的弧面且構成一個接觸點，每一外凸部位於一對應的凹部中；其中，該刀把之該定位槽位於一該弧面上，該定位塊位於一該內凸部上。
一種注塑模具，用於製作一刀套本體，該刀套本體內部具有一隔牆且於該隔牆一側形成有一套接孔，該隔牆具有一安裝孔，該安裝孔連通該套接孔與該刀套本體的外部；其中該注塑模具包括：<br/> 一成型模座，包括一第一半模與一第二半模，每一半模具有一分模面以及自該分模面凹陷形成的一內表面；其中當該第一半模之分模面與該第二半模之分模面接合時，該第一半模的內表面與該第二半模的內表面共同構成一空腔；<br/> 一第一滑塊與一第二滑塊，係能夠沿著一虛擬的基線自該成型模座的兩側相對該成型模座於一插入位置與一未插入位置之間移動，該第一滑塊具有一第一端面及自該第一端面突出且偏離該基線的一分型柱，該第二滑塊具有一錐柱，該錐柱具有一第二端面；其中，當該第一半模與該第二半模合模，且該第一滑塊與該第二滑塊位於該插入位置時，該分型柱與該錐柱位於該空腔中，該第一端面與該第二端面之間相隔一間距；<br/> 藉此，當注入塑料於該成型模座之該空腔內且經冷卻定型後，該分型柱係用於形成該刀套本體之該安裝孔，該錐柱係用於形成該刀套本體之該套接孔，該第一端面與該第二端面之間的該間距係用於形成該刀套本體之該隔牆，當該第一滑塊與該第二滑塊移動至該未插入位置，且打開該第一半模與該第二半模時，取出的模製品即構成該刀套本體。
如請求項6所述之注塑模具，其中位於該未插入位置的該第一滑塊係能夠以該基線為中心，被控制於數個定點位置之間轉動。
如請求項7所述之注塑模具，其中該第二滑塊之該錐柱的外周面為一非圓形周面，位於該未插入位置的該第二滑塊能夠以該基線為中心，被控制與該第一滑塊同步轉動至定點位置。
一種電漿源，包括：<br/> 反應主體，包含至少一個主體部，在所述主體部內部形成環形通道，所述環形通道形成為氣體擴散空間，為使從外部供應的製程氣體向所述環形通道噴射，在所述主體部的上面中至少區分為第一區域及第二區域的導入區域內形成至少一個進氣部；<br/> 磁芯部，配置成一個以上，以包圍所述主體部的一部分；<br/> 絕緣部，至少一個結合於所述主體部的一部分；<br/> 繞組部，配置成纏繞所述磁芯部，並從電源部接收供電，以在所述磁芯部內感應磁力； <br/> 將所述環形通道的中心設置為X軸、Y軸平面坐標的中心，以所述磁芯部位於X軸為準，定義形成在上部的第一區域及形成在下部的第二區域； <br/> 其中，所述進氣部的中心形成在所述第一區域或者所述第二區域內；以及<br/> 其中，從上部俯視所述環形通道時，以所述磁芯部位於X軸為準，所述第一區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="64px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="157px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述第二區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="82px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="145px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，x：所述導入區域的x座標；y：所述導入區域的y座標；r<sub>g</sub>：所述進氣部的半徑；t<sub>m</sub>：磁芯厚度的1/2；s<sub>1</sub>：所述環形通道的內側半徑；r<sub>1</sub>：所述環形通道的外側半徑。
根據請求項1所述的電漿源，其中，所述反應主體至少用三個所述主體部形成，包括：形成所述進氣部中任一個的第一進氣口的第一主體、形成第二進氣口的第二主體及形成第三進氣口的第三主體；<br/> 其中，所述磁芯部至少形成為三個，包括第一磁芯、第二磁芯及第三磁芯，以分別結合於所述主體部；以及<br/> 其中，所述絕緣部至少形成為三個，包括第一絕緣部、第二絕緣部及第三絕緣部，以分別結合於所述主體部之間。
根據請求項2所述的電漿源，其中，所述第一區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="64px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="210px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述第二區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="82px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="198px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><br/>其中，x：所述導入區域的x座標；y：所述導入區域的y座標；r<sub>g</sub>：所述進氣部的半徑；t<sub>m</sub>：磁芯厚度的1/2；s<sub>1</sub>：所述環形通道的內側半徑；r<sub>1</sub>：所述環形通道的外側半徑；θ：所述第二磁芯的角度。
根據請求項1所述的電漿源，其中，所述反應主體至少用四個所述主體部形成，包括：形成所述進氣部中任一個的第一進氣口的第一主體、形成第二進氣口的第二主體、形成第三進氣口的第三主體及形成第四進氣口的第四主體；<br/> 其中，所述磁芯部至少形成為四個，包括第一磁芯、第二磁芯、第三磁芯及第四磁芯，以分別結合於所述主體部；以及<br/> 其中，所述絕緣部至少形成為四個，包括第一絕緣部、第二絕緣部、第三絕緣部及第四絕緣部，以分別結合於所述主體部之間。
根據請求項4所述的電漿源，其中，所述第一區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="20px" width="64px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="62px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述第二區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="82px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="62px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="119px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="117px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，x：所述導入區域的x座標；y：所述導入區域的y座標；r<sub>g</sub>：所述進氣部的半徑；t<sub>m</sub>：磁芯厚度的1/2；s<sub>1</sub>：所述環形通道的內側半徑；r<sub>1</sub>：所述環形通道的外側半徑；θ：所述第二磁芯的角度。
根據請求項1所述的電漿源，其中，在觀看結合所述磁芯部的所述環形通道的剖面時，以所述反應主體的中心為準，所述導入區域形成為滿足以下公式的區域： <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="192px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/><img align="absmiddle" height="18px" width="189px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中，x：所述導入區域的x座標；r<sub>g</sub>：所述進氣部的半徑；s<sub>1</sub>：所述環形通道的內側半徑；r<sub>1</sub>：所述環形通道的外側半徑；o：所述磁芯的內側點；o'：所述環形通道的內側點；p：所述磁芯的外側點；p'：所述環形通道的外側點。
根據請求項1所述的電漿源，其中，所述進氣部為從所述主體部的上面傾斜形成，以使所述進氣部的延長線通過所述磁芯部內部。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 製程腔室，在內部形成有反應空間；<br/> 基板支撐部，結合於所述製程腔室，以在所述反應空間內支撐基板；<br/> 氣體噴射部，形成氣體噴射板，所述氣體噴射板用於向所述反應空間噴射從所述製程腔室外部供應的製程氣體，與所述基板支撐部相向地結合於所述製程腔室；以及<br/> 電漿源組件，包含請求項1至7中任一項所述的電漿源及氣體排放板，所述氣體排放板結合在所述電漿源下部，結合於所述製程腔室上部，以向所述基板支撐部供應已啟動的所述製程氣體。
一種護欄強度測試裝置，用於測試工地現場的一待測護欄之強度，其包含:<br/> 一基座，具有一基板，該基板一側為一接地面，該接地面之對側表面垂直成型有一對擋板，該對擋板一側成型有一對第三透孔；<br/> 一第一桿體，組設於該基座上方，於一端頂面成型有一第一環圈，供一固定裝置之一端組設，該固定裝置之另一端組設於該待測護欄之一上欄杆，該第一環圈之相對端側面成型有一第一透孔，該第一透孔對應並重疊於該對第三透孔，使一第一樞設件可同時穿設過該第一透孔與該對第三透孔，將該第一桿體與該基座形成樞設連接，該第一透孔上方並成型有一對延伸片，該對延伸片具有一對第二透孔；<br/> 一第二桿體，於一端側面成型有一第四透孔，藉由一第二樞設件同時穿設過該第四透孔、及該第一桿體的該延伸片之該對第二透孔，使該第一桿體與該第二桿體形成樞設連接，該第四透孔之相對端與該第二桿體長邊中央處並成型有一第三環圈，該第三環圈用以連接一連接裝置之一端；<br/> 一測力計，一端連接於該第一桿體之一第二環圈，另一端則連接組設於該連接裝置之另一相對端；以及<br/> 當一測試人員站立於該第二桿體之該第四透孔之相對端時，該測力計可測出測試人員對該第二桿體所施加的作用力。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該第一桿體和該第二桿體之材質可例如為鋁、鐵、鋼、鈦、銅或其組合之合金。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該第二環圈成型於該第一桿體之長邊中央處與該第一環圈之間，可提供測試護欄強度之作業結束後，該連接裝置於收摺狀態的接合處。
如請求項3所述之護欄強度測試裝置，其中，該第一桿體於該第二環圈對側成型有一組設部，該組設部可與一相對組設部相互組設，於該組設部和該相對組設部之間套設有一限位塊，該限位塊係為一片狀物，於一側端緣垂直成型有一提取片，於該提取片之相對側具有一第五透孔，該第一桿體於鄰近該組設部上方具有一第六透孔，該第五透孔與該第六透孔透過一拉伸件進行連接，藉由將該限位塊之該提取片朝左側或右側方向移動，以供該基座之該擋板側表面樞轉並貼合於該第一桿體，再將該限位塊之該提取片回歸原狀態，使該基座之該擋板側表面被限制於該第一桿體與該限位塊之間。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該固定裝置可例如為一鎖鏈、一鍊條、一金屬繩索。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該連接裝置可例如為一鎖鏈、一鍊條、一金屬繩索。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該第二桿體於垂直該第四透孔相對端之表面成型有一施力部，該施力部為一寬度大於該第二桿體外徑之平坦表面，可提供測試人員有較穩固的踩踏施力點。
如請求項7所述之護欄強度測試裝置，其中，該施力部表面上方顯示有一重量顯示標示，以提醒測試人員於測試時應達到的測試標準值。
如請求項1所述之護欄強度測試裝置，其中，該基座之該接地面可進一步組設有一止滑墊，該止滑墊之一側表面覆蓋於該基座之該接地面，並透過螺絲鎖固或黏膠貼合等方式與該基座之該接地面形成相互組設，並於另一側表面成型有一止滑紋路，以提高本裝置的防滑性能。
一種護欄強度測試裝置，用於測試工地現場的一待測護欄之強度，其包含:<br/> 一基座，具有一基板，該基板一側為一接地面，該接地面之對側表面垂直成型有一對擋板，該對擋板一側成型有一對第三透孔；<br/> 一第一桿體，組設於該基座上方，於一端頂面成型有一第一環圈，該第一環圈之相對端側面成型有一第一透孔，該第一透孔對應並重疊於該對第三透孔，使一第一樞設件可同時穿設過該第一透孔與該對第三透孔，使該第一桿體與該基座形成樞設連接，該第一透孔上方並成型有一對延伸片，該對延伸片具有一對第二透孔，且於該第一環圈與該對延伸片間成型有一第二環圈，該第二環圈用以連接一連接裝置之一端；<br/> 一第二桿體，於一端側面成型有一第四透孔，藉由一第二樞設件同時穿設過該第四透孔、及該第一桿體的該延伸片之該對第二透孔，使該第一桿體與該第二桿體形成樞設連接，該第四透孔之相對端與該第二桿體長邊中央處並成型有一第三環圈，該第三環圈用以連接該連接裝置之另一端；<br/> 一測力計，一端連接於該第一桿體之該第一環圈，另一端則藉由一固定裝置與該待測護欄之一上欄杆形成組設；以及<br/> 當一測試人員站立於該第二桿體之該第四透孔之相對端時，該測力計可測出測試人員對該第二桿體所施加的作用力。
一種多工器，包含：<br/> 一第一選擇電路，根據一第一選擇訊號選擇性導通，以傳輸一第一輸入訊號到一輸出節點以產生一輸出電壓；<br/> 一第二選擇電路，包含一第一開關與一第二開關，該第一開關根據一第二選擇訊號選擇性導通，且該第二開關在該第一開關導通時自該第一開關接收一第二輸入訊號，並根據一第一控制訊號與一第二控制訊號導通，以在該第一開關導通時傳輸該第二輸入訊號至該輸出節點；以及<br/> 一漏電流控制電路，在該第一選擇電路導通時比較該輸出電壓與複數個參考電壓以產生複數個偵測訊號，並根據該複數個偵測訊號與該第二選擇訊號選擇性地調整該第一控制訊號或該第二控制訊號的位準。
如請求項1之多工器，其中該第二開關包含：<br/> 一P型電晶體，根據該第一控制訊號導通，以在該第一開關導通時接收該第二輸入訊號；以及<br/> 一N型電晶體，根據該第二控制訊號導通，以在該第一開關導通時接收該第二輸入訊號。
如請求項2之多工器，其中當該輸出電壓高於該複數個參考電壓中的一最高參考電壓時，該漏電流控制電路根據該複數個偵測訊號以及該第二選擇訊號提高該第二控制訊號的位準。
如請求項2之多工器，其中當該輸出電壓低於該複數個參考電壓中的一最低參考電壓時，該漏電流控制電路根據該複數個偵測訊號以及該第二選擇訊號降低該第一控制訊號的位準。
如請求項2之多工器，其中當該輸出電壓位於該複數個參考電壓之間時，該漏電流控制電路根據該複數個偵測訊號以及該第二選擇訊號輸出具有一第一預設位準的該第一控制訊號以及具有一第二預設位準的該第二控制訊號，該第一預設位準為一最高電源電壓的位準，且該第二預設位準為一最低電源電壓的位準。
如請求項1之多工器，其中該漏電流控制電路包含：<br/> 一第一比較器，比較該輸出電壓與該複數個參考電壓中的一第一參考電壓，以產生該複數個偵測訊號中的一第一偵測訊號；以及<br/> 一第二比較器，比較該輸出電壓與該複數個參考電壓中的一第二參考電壓，以產生該複數個偵測訊號中的一第二偵測訊號。
如請求項1之多工器，其中該漏電流控制電路包含：<br/> 一邏輯閘，根據一第一切換訊號以及該複數個偵測訊號中的一第一偵測訊號產生一第一訊號，其中該第一切換訊號為該第二選擇訊號的邏輯反相；<br/> 一第一切換電路，根據一第二切換訊號將一第一電源電壓或一第二電源電壓輸出為一第一供應電壓，其中該第二切換訊號為該第一訊號的邏輯反相，且該第一電源電壓高於該第二電源電壓；<br/> 一第二切換電路，根據一第三切換訊號以及該第二切換訊號將一第一電壓或該第一電源電壓輸出為一第二供應電壓，其中該第三切換訊號為該第二切換訊號的邏輯反相，且該第一電壓高於該第二電源電壓；<br/> 一第三切換電路，根據一第四切換訊號以及一第五切換訊號將一第二電壓或該第一電源電壓輸出為一第三供應電壓，其中該第四切換訊號為該複數個偵測訊號中的一第二偵測訊號的邏輯反相，該第五切換訊號為該第四切換訊號的邏輯反相，且該第二電壓低於該第一電源電壓；<br/> 複數個第一反相器，該複數個第一反相器串聯耦接並根據一第六切換訊號產生該第一控制訊號，其中該第六切換訊號為該第一切換訊號的邏輯反相，該複數個第一反相器中的一第一者是由該第一供應電壓與該第二電源電壓供電，且該複數個第一反相器中的一第二者是由該第二供應電壓與該第二電源電壓供電；以及<br/> 一第二反相器，根據該第六切換訊號產生該第二控制訊號，其中該第二反相器是由該第三供應電壓與該第二電源電壓供電。
如請求項1之多工器，其中該第二選擇電路更包含：<br/> 一第三開關，根據該第二選擇訊號的邏輯反相導通，以傳輸一預設電壓至一第一節點，其中該第二開關耦接於該第一節點與該輸出節點之間。
如請求項8之多工器，其中該預設電壓的位準為該第一輸入訊號的最高位準的一半。
一種漏電流控制方法，應用於一多工器，該多工器包含一第一選擇電路、一第二選擇電路及一漏電流控制電路，該方法包含：<br/> 根據一第一選擇訊號選擇性導通該第一選擇電路，以傳輸一第一輸入訊號到一輸出節點，以產生一輸出電壓；<br/> 根據一第二選擇訊號選擇性導通該第二選擇電路中的一第一開關，以傳輸一第二輸入訊號至該第二選擇電路中的一第二開關，並根據一第一控制訊號與一第二控制訊號導通該第二選擇電路中的該第二開關，以在該第一開關導通時傳輸該第二輸入訊號至該輸出節點；以及<br/> 藉由該漏電流控制電路在該第一選擇電路導通時比較該輸出電壓與複數個參考電壓以產生複數個偵測訊號，並根據該複數個偵測訊號與該第二選擇訊號選擇性地調整該第一控制訊號或該第二控制訊號的位準。
一種半導體裝置，包括： <br/>一第一電路區塊，依據一第一時脈訊號而運作，且至少具有一第一電源域和一第一儲存單元；以及 <br/>一第二電路區塊，至少具有一第二電源域和一第二儲存單元，且上述第二儲存單元的輸入端耦接上述第一儲存單元的輸出端； <br/>其中，當上述半導體裝置進入省電模式時，執行如下進入程序： <br/>上述第一電路區塊停止輸出上述第一時脈訊號； <br/>接著，上述第二電路區塊輸出一第二時脈訊號和一儲存致能訊號，且耦接至上述第二儲存單元； <br/>上述第二儲存單元，依據上述儲存致能訊號，儲存上述第一儲存單元中的內容；以及 <br/>上述半導體裝置將上述第一電源域斷電。
如請求項1所述之半導體裝置，其中，上述第二電路區塊，更包括一邏輯或閘(OR閘)； <br/>上述OR閘的一輸入端耦接上述第二儲存單元的輸出端；以及，上述OR閘的另一輸入端耦接上述第一儲存單元的輸出端。
如請求項2所述之半導體裝置，其中，上述第二電路區塊更包括一時脈閘控單元(Clock Gate Cell)；上述時脈閘控單元的輸入端接收上述第二時脈訊號和上述儲存致能訊號，上述時脈閘控單元的輸出端耦接上述第二儲存單元的時脈輸入端； <br/>其中，當上述儲存致能訊號為第一邏輯準位時，上述時脈閘控單元輸出上述第二時脈訊號，使上述第二儲存單元存入上述第一儲存單元的內容。
如請求項2所述之半導體裝置，更包括一隔離單元，受控於一隔離訊號，且上述隔離單元耦接上述第一儲存單元的輸出端與上述第二儲存單元的輸入端； <br/>其中，當上述第二儲存單元儲存上述第一儲存單元中的內容之後，上述第二電路區塊使上述隔離訊號由第一邏輯準位變化至第二邏輯準位，使上述隔離單元將上述第一儲存單元的輸出限制於第二邏輯準位，用以等效地阻隔上述第一儲存單元的輸出。
如請求項4所述之半導體裝置，其中，上述隔離單元為一邏輯及閘(AND閘)，上述AND閘的一端耦接上述隔離訊號，上述AND閘的另一端耦接上述第一儲存單元的輸出端； <br/>而且，上述第一邏輯準位為邏輯高準位，上述第二邏輯準位為邏輯低準位。
如請求項3所述之半導體裝置，其中，上述時脈閘控單元為及閘(AND閘)，上述第一邏輯準位為邏輯高準位。
如請求項3所述之半導體裝置，其中，上述第一儲存單元和上述第二儲存單元為正反器、或鎖存電路。
如請求項2所述之半導體裝置，其中，上述第一電路區塊更包括：一第一多工器和一第二多工器； <br/>上述第一多工器的第一輸入端耦接上述OR閘的輸出端，上述第一多工器的第二輸入端接收資料，上述第一多工器的輸出端耦接上述第一儲存單元的輸入端； <br/>上述第二多工器的第一輸入端耦接一回復訊號，上述第二多工器的第二輸入端接收上述第一時脈訊號，上述第二多工器的輸出端耦接上述第一儲存單元的時脈輸入端；以及 <br/>上述第一和第二多工器的控制端，耦接一選擇訊號。
如請求項8所述之半導體裝置，其中，當上述半導體裝置要從省電模式離開時，執行如下離開程序： <br/>上述半導體裝置恢復對上述第一電源域供電； <br/>上述第二電路區塊使上述選擇訊號處於第一邏輯準位，而使上述第一多工器和上述第二多工器，分別選擇其第一輸入端(1)作為輸出； <br/>上述第二電路區塊輸出上述回復訊號，透過上述第二多工器輸入至上述第一儲存單元的時脈輸入端，使上述第一儲存單元儲存上述第二儲存單元的內容； <br/>上述第二電路區塊，使上述選擇訊號由第一邏輯準位變化至第二邏輯準位，使上述第一多工器和上述第二多工器，分別選擇其第二輸入端作為輸出。
如請求項9所述之半導體裝置，其中，上述離開程序，在上述第一儲存單元儲存上述第二儲存單元的內容之後，更包括： <br/>上述第二電路區塊將上述第二儲存單元重置； <br/>上述第二電路區塊停止輸出上述第二時脈訊號；以及 <br/>上述第一電路區塊重新輸出上述第一時脈訊號。
如請求項4所述之半導體裝置，其中，當上述半導體裝置從省電模式離開時，執行如下離開程序： <br/>上述半導體裝置恢復對上述第一電源域供電； <br/>上述第二電路區塊使上述隔離訊號由第二邏輯準位變化至第一邏輯準位，以解除上述隔離單元對上述第一儲存單元的輸出的阻隔；以及 <br/>上述第二電路區塊將上述第二儲存單元重置。
如請求項1所述之半導體裝置，其中，上述第二時脈訊號的頻率小於上述第一時脈訊號的頻率。
一種自行車立管結構，其係組裝於自行車之車架的前叉立管與車把手之間，其包含有：<br/> 一立管組件，該立管組件內部設一軸組件，且該立管組件之底部設一組合端，該組合端係對應組裝該自行車之車架的前叉立管，該軸組件之軸心位置設一樞軸，該樞軸係藉由一樞組件軸組固定於該立管組件之頂端，其中該軸組件內部設一第三引孔，且該軸組件與該立管組件之相對內壁位置設有一第一引孔及至少一第二引孔；<br/> 一龍頭豎桿，係一體成型於該立管組件之一側，該龍頭豎桿並與該立管組件之軸向線互成一傾斜角度，該龍頭豎桿內部形成一藏線槽，該藏線槽係與該立管組件之該第一引孔、第二引孔及該第三引孔相互連通；及<br/> 一車頭組件，係一體成型於該龍頭豎桿一側，該車頭組件設具一內環空間，該內環空間係與該龍頭豎桿內部的藏線槽相互連通，且該內環空間提供固定於自行車之車把手位置；<br/> 其中該立管組件、該龍頭豎桿及該車頭組件可為鋁合金材質或複合式碳纖維材質製成。
如請求項1所述之自行車立管結構，其中該車頭組件上端設有一固定端，該固定端設一樞轉軸，該樞轉軸係樞設一活動扣具之一端，該車頭組件下端設有一固定組部，該活動扣具另端對應該固定組部設一活動組部，令該活動組部及該固定組部藉由一組合件相對穿螺組固結合者。
一種具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，包含：<br/> 一磁場變化感測電路，設於一馬達上，配置以感測所述馬達的一轉子旋轉時的磁性強弱變化所產生的多個電壓，以輸出一換相訊號；<br/> 一控制電路，連接所述磁場變化感測電路，配置以依據所述換相訊號以設定多個控制占空比，依據各所述控制占空比以輸出一控制占空比訊號；<br/> 一驅動電路，連接所述控制電路，配置以依據所述控制占空比訊號以輸出一驅動訊號；以及<br/> 一輸出級電路，連接所述驅動電路以及所述馬達，配置以依據所述驅動訊號運作以輸出多個輸出級訊號至所述馬達；<br/> 其中所述控制電路包含：<br/> 一指示占空比產生電路，配置以輸出多個指示占空比；<br/> 一調變占空比設定電路，連接所述磁場變化感測電路，配置以分別依據所述換相訊號以設定多個調變占空比；以及<br/> 一控制占空比輸出電路，連接所述指示占空比產生電路以及所述調變占空比設定電路，配置以依據多個所述指示占空比以及多個所述調變占空比以設定多個所述控制占空比。
如請求項1所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述控制電路配置以將所述換相訊號的多個所述電壓分別與一換相參考電壓進行比較以決定多個調變占空比，依據多個所述調變占空比與一脈波寬度調變訊號的多個脈波的多個占空比以決定多個所述控制占空比。
如請求項2所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述控制電路配置以將多個所述調變占空比分別乘以所述脈波寬度調變訊號的多個所述脈波的多個所述占空比，以計算出多個所述控制占空比。
如請求項1所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述指示占空比產生電路配置以偵測一外部脈寬調變訊號產生器輸出的一脈波寬度調變訊號的多個脈波的多個占空比，作為多個所述指示占空比。
如請求項1所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述控制占空比輸出電路將多個所述調變占空比分別乘以多個所述指示占空比，以分別取得多個所述控制占空比。
如請求項1所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述調變占空比設定電路配置以將所述換相訊號在多個時間點的多個所述電壓分別與一換相參考電壓進行比較，以決定一調變占空比訊號在多個所述時間點分別的多個準位，並依據所述調變占空比訊號的多個波形的多個相位時間以設定多個所述調變占空比，其中多個所述相位時間包含多個所述波形的多個工作週期以及多個非工作週期。
如請求項6所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述調變占空比設定電路配置以儲存多個參考相位時間及其分別對應的多個參考調變占空比，將與所述調變占空比訊號的所述相位時間相同的所述參考相位時間對應的所述參考調變占空比作為所述調變占空比。
如請求項1所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述輸出級電路包含：<br/> 多個運算放大器，各所述運算放大器具有一第一輸入端、一第二輸入端以及一輸出端，各所述運算放大器的所述第一輸入端連接所述驅動電路以接收所述驅動訊號，各所述運算放大器的所述第二輸入端耦接一參考電壓，多個所述運算放大器的多個所述輸出端分別連接所述馬達的多個端。
如請求項8所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中各所述運算放大器更具有一第三輸入端，各所述運算放大器的所述第三輸入端連接所述磁場變化感測電路並配置以從所述磁場變化感測電路接收所述換相訊號。
如請求項8所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述輸出級電路更包含：<br/> 多個第一迴授電阻，各所述第一迴授電阻具有一第一端和一第二端，各所述第一迴授電阻的所述第一端接地，多個所述第一迴授電阻的多個所述第二端分別連接多個所述運算放大器的多個所述第二輸入端，各所述第一迴授電阻的所述第二端的電壓作為所述參考電壓；以及<br/> 多個第二迴授電阻，多個所述第二迴授電阻的多個第一端分別連接多個所述第一迴授電阻的多個所述第二端，所述第二迴授電阻的第二端分別連接多個所述運算放大器的多個所述輸出端。
如請求項8所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述驅動電路包含：<br/> 一數位類比轉換器，所述數位類比轉換器的輸入端連接所述控制電路的輸出端，所述數位類比轉換器的輸出端連接各所述運算放大器的所述第一輸入端。
如請求項8所述的具有占空比動態調變機制的馬達驅動電路，其中所述驅動電路包含：<br/> 多個數位類比轉換器，各所述數位類比轉換器的輸入端連接所述控制電路的輸出端，多個所述數位類比轉換器分別的多個輸出端分別連接多個所述運算放大器的多個所述第一輸入端。
一種半導體結構的製造方法，包含：<br/> 在一基板上形成一外延堆疊其包含至少一犧牲外延層和至少一通道外延層；<br/> 在該外延堆疊中形成複數個鰭片；<br/> 在所述複數個鰭片和該基板上方形成一停止蓋層，該停止蓋層具有一氮(N)的基本濃度；<br/> 在所述複數個鰭片的多個通道區域上形成一犧牲閘極堆疊；<br/> 移除該犧牲閘極堆疊和該犧牲外延層；以及<br/> 形成一金屬閘極，其中經由一閘極側壁間隔物、一內部間隔物、和由該停止蓋層所形成的一第一襯墊，該金屬閘極與多個源極/汲極特徵隔離。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中，該第一襯墊具有介於2%和10%之間的一N的濃度。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中形成該犧牲閘極堆疊包含在介於該外延堆疊的一側和該犧牲閘極堆疊的一側之間形成一拐角餘留變形，該拐角餘留變形在該外延堆疊中的一最低的犧牲外延層的一側和該停止蓋層的一邊緣之間具有90°和100°之間的一角度。
如請求項1所述之半導體結構的製造方法，其中形成該犧牲閘極堆疊包含在該外延堆疊的一側和該犧牲閘極堆疊的一側之間形成一拐角餘留變形，該拐角餘留變形在該外延堆疊中的一第二最低的犧牲外延層的一側和該停止蓋層的一邊緣之間具有90°和96°之間的一角度。
一種半導體結構，包含：<br/> 一鰭片，包含設置在一基板上方的複數個奈米片；<br/> 一閘極結構，設置在所述複數個奈米片的一通道區域上方，其中該閘極結構包含一界面層，位於該閘極結構的一側，該界面層包含介電材料；以及<br/> 一第一襯墊，形成在介於一閘極側壁間隔物和一內部間隔物之間的一間隙中，其中該閘極側壁間隔物、該內部間隔物、和該第一襯墊將該閘極結構與多個源極/汲極(S/D)特徵隔離，其中在該間隙處或鄰近該間隙處，該閘極結構的該界面層經由該第一襯墊而與該些源極/汲極特徵中的一對應的源極/汲極區域隔離，並且該第一襯墊具有介於2%和10%之間的氮的濃度。
如請求項5所述之半導體結構，其中，該第一襯墊的該氮的濃度為小於8%。
如請求項5所述之半導體結構，其中，介於該閘極側壁間隔物和該內部間隔物之間的該間隙為0.3奈米至1奈米。
如請求項5所述之半導體結構，其中，介於該對應的源極/汲極區域和該閘極結構的該界面層之間的一第一關鍵尺寸停止層間隙在5奈米至10奈米之間。
一種半導體結構的製造方法，包含：<br/> 在一基板上形成一外延堆疊其包含至少一犧牲外延層和至少一通道外延層；<br/> 在該外延堆疊中形成一鰭片；<br/> 在具有該外延堆疊的該鰭片和該基板上方沉積一停止蓋層，該停止蓋層包含至少2%的一氮(N)的濃度；<br/> 在該鰭片的多個通道區域上形成一犧牲閘極堆疊；<br/> 移除該犧牲閘極堆疊和該犧牲外延層；以及<br/> 用一金屬閘極替換該犧牲閘極堆疊和該鰭片的一犧牲外延層，其中經由一閘極側壁間隔物、一內部間隔物、和由該停止蓋層所形成的一第一襯墊將該金屬閘極與多個源極/汲極特徵隔離。
如請求項9所述之半導體結構的製造方法，其中該第一襯墊包含SiCN、SiOCN、或SiON。
一種無線胎壓偵測器之車輪定位系統，包括：<br/> 感測單元，具有與複數車輪相關聯配置之複數ABS防鎖死煞車裝置及複數車輪身分感測器，各ABS防鎖死煞車裝置用以感測各車輪之齒輪數，各車輪身分感測器用以感測各車輪之車輪資訊並提供獨一識別之車輪身分資料；<br/> 控制單元，電性連接該複數ABS防鎖死煞車裝置以及無線連接該複數車輪身分感測器；<br/> 第一儲存單元、第二儲存單元及關聯儲存單元，分別電性連接該控制單元； <br/> 其中，該控制單元抓取該複數ABS防鎖死煞車裝置所感測之齒輪數並儲存至該第一儲存單元，且該控制單元會隨時查看總經過時間是否到達或超過預設時間，與此同時，該控制單元會將該感測單元提供之車輪身分資料，及接收到該車輪身分資料當下的時間儲存至該第二儲存單元，當該控制單元發現總經過時間已到達或超過該預設時間時，便會將該第二儲存單元所儲存之數值與該第一儲存單元所儲存之數值相互查照，並將查照的結果依序儲存至該關聯儲存單元進行比對，以獲得各車輪所對應之車輪身分。
如請求項1所述之無線胎壓偵測器之車輪定位系統，其中該第一儲存單元與該第二儲存單元所儲存之數值，可於該控制單元運算完並儲存至該關聯儲存單元後清除。
如請求項1所述之無線胎壓偵測器之車輪定位系統，其中該第二儲存單元進一步具有時間接收推移區，當該控制單元發現總經過時間已到達或超過該預設時間時，便會將該第二儲存單元儲存之數值以該時間接收推移區的記錄反推並與該第一儲存單元儲存之數值相互查照，並將查照的結果依序儲存至該關聯儲存單元進行比對，以獲得各車輪所對應之車輪身份。
一種無線胎壓偵測器之車輪定位系統，包括：<br/> 感測單元，具有與複數車輪相關聯配置之複數ABS防鎖死煞車裝置及複數車輪身分感測器，各ABS防鎖死煞車裝置用以感測各車輪之齒輪數，各車輪身分感測器用以感測各車輪之車輪資訊並提供獨一識別之車輪身分資料；<br/> 控制單元，電性連接該複數ABS防鎖死煞車裝置以及無線連接該複數車輪身分感測器；<br/> 第一儲存單元、第二儲存單元及關聯儲存單元，分別電性連接該控制單元；<br/> 其中，該控制單元抓取該複數ABS防鎖死煞車裝置所感測之齒輪數並儲存至該第一儲存單元，該控制單元會將該感測單元提供之車輪身分資料，及接收到該車輪身分資料當下的時間儲存至該第二儲存單元，當該控制單元發現該第二儲存單元總儲存數量大於預設數量時，便會將該第二儲存單元所儲存之數值與該第一儲存單元所儲存之數值相互查照，並將查照的結果依序儲存至該關聯儲存單元進行比對，以獲得各車輪所對應之車輪身份。
如請求項4所述之無線胎壓偵測器之車輪定位系統，其中該第一儲存單元與該第二儲存單元所儲存之數值，可於該控制單元運算完並儲存至該關聯儲存單元後清除。
如請求項4所述之無線胎壓偵測器之車輪定位系統，其中該第二儲存單元進一步具有時間接收推移區，當該控制單元發現該第二儲存單元總儲存數量大於預設數量時，便會將該第二儲存單元儲存之數值以該時間接收推移區的記錄反推並與該第一儲存單元儲存之數值相互查照，並將查照的結果依序儲存至該關聯儲存單元進行比對，以獲得各車輪所對應之車輪身份。
一種適配自行車的系統，包括： <br/>影像擷取裝置，擷取用戶騎乘第一自行車的影像； <br/>第一力學感測器，設置在所述第一自行車上以偵測第一施力； <br/>第二力學感測器；以及 <br/>處理器，通訊連接所述影像擷取裝置、所述第一力學感測器以及所述第二力學感測器，其中所述處理器經配置以執行： <br/>根據所述影像判斷所述用戶的第一騎乘姿勢； <br/>根據所述第一騎乘姿勢以及所述第一施力產生第一自行車規格；以及 <br/>輸出所述第一自行車規格，其中 <br/>所述第二力學感測器設置在對應於所述第一自行車規格的第二自行車上以偵測第二施力，其中 <br/>所述處理器根據所述第一騎乘姿勢、所述第一施力以及所述第二施力更新所述第一自行車規格。
如請求項1所述的系統，其中所述第一力學感測器包括應變規，並且設置在所述第一自行車的座墊、把手、踩踏板以及曲柄組的至少其中之一上。
如請求項1所述的系統，其中所述第一力學感測器包括慣性測量單元，並且設置在所述第一自行車的曲柄組或踩踏板上。
如請求項1所述的系統，其中所述第一力學感測器包括壓電薄膜、電阻式感測器或電容式感測器，並且設置在所述第一自行車的把手以及座墊的至少其中之一上。
一種適配自行車的系統，包括： <br/>影像擷取裝置，擷取用戶騎乘第一自行車的影像； <br/>第一力學感測器，設置在所述第一自行車上以偵測第一施力； <br/>第二力學感測器；以及 <br/>處理器，通訊連接所述影像擷取裝置、所述第一力學感測器以及所述第二力學感測器，其中所述處理器經配置以執行： <br/>根據所述影像以及所述第一施力產生包括第一自行車規格的多個自行車規格，包括： <br/>根據所述影像判斷所述用戶的第一騎乘姿勢； <br/>根據所述第一騎乘姿勢以及所述第一施力產生第一自行車規格；以及 <br/>輸出所述第一自行車規格， <br/>其中所述第二力學感測器設置在對應於所述第一自行車規格的第二自行車上以偵測第二施力，所述處理器根據所述第二施力從所述多個自行車規格中選出所述第一自行車規格，並且輸出受選的所述第一自行車規格。
如請求項5所述的系統，更包括： <br/>第三力學感測器，通訊連接所述處理器，並且設置在所述第二自行車上以偵測第三施力，其中 <br/>所述處理器根據所述第二施力以及所述第三施力從所述多個自行車規格中選出所述第一自行車規格。
如請求項6所述的系統，其中所述處理器經配置以進一步執行： <br/>計算所述第二施力與所述第三施力之間的第一差值；以及 <br/>根據所述第一差值從所述多個自行車規格中選出所述第一自行車規格。
如請求項7所述的系統，更包括： <br/>第四力學感測器，通訊連接所述處理器，並且設置在對應於第二自行車規格的第三自行車上以偵測第四施力；以及 <br/>第五力學感測器，通訊連接所述處理器，並且設置在所述第三自行車上以偵測第五施力，其中 <br/>所述處理器計算所述第四施力與所述第五施力之間的第二差值，其中 <br/>響應於所述第一差值小於所述第二差值，所述處理器從所述第一自行車規格以及所述第二自行車規格中選出所述第一自行車規格。
如請求項5所述的系統，其中所述第二施力包括第一壓力分布，其中所述系統更包括： <br/>第三力學感測器，通訊連接所述處理器，並且設置在對應於第二自行車規格的第三自行車上以偵測第二壓力分布，其中 <br/>所述處理器根據所述第一壓力分布計算第一壓力差值，並且根據所述第二壓力分布計算第二壓力差值，其中 <br/>響應於所述第一壓力差值小於所述第二壓力差值，所述處理器從所述第一自行車規格以及所述第二自行車規格中選出所述第一自行車規格。
如請求項5所述的系統，其中所述第一力學感測器包括應變規，並且設置在所述第一自行車的座墊、把手、踩踏板以及曲柄組的至少其中之一上。
如請求項5所述的系統，其中所述第一力學感測器包括慣性測量單元，並且設置在所述第一自行車的曲柄組或踩踏板上。
如請求項5所述的系統，其中所述第一力學感測器包括壓電薄膜、電阻式感測器或電容式感測器，並且設置在所述第一自行車的把手以及座墊的至少其中之一上。
一種適配自行車的系統，包括： <br/>影像擷取裝置，擷取用戶騎乘第一自行車的影像； <br/>第一力學感測器，設置在所述第一自行車上以偵測第一施力； <br/>第二力學感測器，設置在所述第一自行車上以偵測第二施力； <br/>第三力學感測器，設置在對應於第二自行車規格的第二自行車上以偵測第三施力； <br/>第四力學感測器，設置在所述第二自行車上以偵測第四施力；以及 <br/>處理器，通訊連接至所述影像擷取裝置、所述第一力學感測器、所述第二力學感測器、所述第三力學感測器以及所述第四力學感測器，其中所述處理器經配置以執行： <br/>根據所述影像判斷所述用戶的第一騎乘姿勢， <br/>根據所述第一騎乘姿勢以及所述第一施力產生第一自行車規格， <br/>輸出所述第一自行車規格， <br/>進一步地，其中所述處理器經配置以執行： <br/>計算所述第一施力與所述第二施力之間的第一差值，並且計算所述第三施力與所述第四施力之間的第二差值， <br/>根據所述第一差值與所述第二差值更新所述第一自行車規格。
如請求項13所述的系統，其中 <br/>所述處理器根據所述第二差值從多個自行車規格中選出所述第二自行車規格以更新所述第一自行車規格。
如請求項13所述的系統，其中所述第一力學感測器包括應變規，並且設置在所述第一自行車的座墊、把手、踩踏板以及曲柄組的至少其中之一上。
如請求項13所述的系統，其中所述第一力學感測器包括慣性測量單元，並且設置在所述第一自行車的曲柄組或踩踏板上。
如請求項13所述的系統，其中所述第一力學感測器包括壓電薄膜、電阻式感測器或電容式感測器，並且設置在所述第一自行車的把手以及座墊的至少其中之一上。
一種適配自行車的方法，包括： <br/>擷取用戶騎乘第一自行車的影像； <br/>將第一力學感測器設置在所述第一自行車上以偵測第一施力； <br/>根據所述影像判斷所述用戶的第一騎乘姿勢； <br/>根據所述第一騎乘姿勢以及所述第一施力產生第一自行車規格； <br/>輸出所述第一自行車規格； <br/>將所述第二力學感測器設置在對應於所述第一自行車規格的第二自行車上以偵測第二施力；以及 <br/>根據所述第一騎乘姿勢、所述第一施力以及所述第二施力更新所述第一自行車規格。
一種應用於自行車適配的非揮發性電腦可讀取儲存媒體，其中所述非揮發性電腦可讀取儲存媒體可經由處理器讀取指令以執行以下步驟： <br/>擷取用戶騎乘第一自行車的影像； <br/>通過設置在所述第一自行車上的第一力學感測器偵測第一施力； <br/>根據所述影像判斷所述用戶的第一騎乘姿勢； <br/>根據所述第一騎乘姿勢以及所述第一施力產生第一自行車規格； <br/>輸出所述第一自行車規格； <br/>通過設置在對應於所述第一自行車規格的第二自行車上的第二力學感測器偵測第二施力；以及 <br/>根據所述第一騎乘姿勢、所述第一施力以及所述第二施力更新所述第一自行車規格。
一種顯示設備，包含：一基板，包含複數個像素，該些像素具有複數個子像素；一圖案部分，設置於該基板上，作為該些子像素之間的一非發光區域中之凹陷；以及一反射部分，設置於該圖案部分上，其中，該圖案部分包含：一第一傾斜圖案部分，設置為相對於該基板之一上表面具有一第一角度；以及一第二傾斜圖案部分，設置於該第一傾斜圖案部分與該基板之間以相對於該基板的該上表面具有一第二角度，其中該第一角度不同於該第二角度。
如請求項1所述之顯示設備，其中該圖案部分還包含：一第一平坦圖案部分，與該第一傾斜圖案部分及該第二傾斜圖案部分連接並設置為平坦；以及一第二平坦圖案部分，與該第一平坦圖案部分間隔開並與該第二傾斜圖案部分連接。
如請求項1所述之顯示設備，其中該圖案部分之一寬度在從該反射部分向該基板之一方向中逐漸減小。
如請求項1所述之顯示設備，其中該些子像素中的各子像素包含與該非發光區域相鄰之一發光區域，該非發光區域包含設置於該發光區域一側的一電路區域，並且該圖案部分包圍了除其上設置有該電路區域之該發光區域的一側以外的該發光區域之其餘部分。
如請求項1所述之顯示設備，其中該圖案部分設置於該基板上所設置之一包覆層上，該些子像素包含設置於該包覆層上的一像素電極，以及該第一傾斜圖案部分設置為與該像素電極相鄰。
如請求項5所述之顯示設備，其中該第二傾斜圖案部分與該像素電極間隔開。
如請求項5所述之顯示設備，其中，該些子像素中之每一者更包含：一有機發光層，位於該像素電極上；以及一反射電極，位於該有機發光層上，並且該反射部分為該反射電極之一部分。
如請求項2所述之顯示設備，其中該反射部分包含：一第一傾斜反射部分，設置於該第一傾斜圖案部分上；一第一平坦反射部分，與該第一傾斜反射部分連接並設置於該第一平坦圖案部分上；一第二傾斜反射部分，與該第一平坦反射部分連接並設置於該第二傾斜圖案部分上；以及一第二平坦反射部分，與該第二傾斜反射部分連接並設置於該第二平坦圖案部分上。
如請求項5所述之顯示設備，更包含：一有機發光層，設置於該像素電極上，其中，該第一角度θ<sub>1</sub>滿足以下數學運算式，<img align="absmiddle" height="33px" width="84px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 其中，θ<sub>c1</sub>表示透過該有機發光層發出之一部分光在該像素電極與該包覆層之間完全反射的角度。
如請求項9所述之顯示設備，其中θ<sub>c1</sub>滿足以下數學運算式，<img align="absmiddle" height="33px" width="118px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中，n<sub>oc</sub>表示該包覆層之折射率，n<sub>Anode</sub>表示該像素電極之折射率。
如請求項7所述之顯示設備，其中當該有機發光層發出的一部分光沒有發出到該基板外部而是被留在該基板內部時，入射到該像素電極與該包覆層之間的一界面上的部分光的角度θ<sub>s</sub>滿足以下數學運算式，<img align="absmiddle" height="28px" width="110px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中，θ<sub>1</sub>表示該第一角度，θ<sub>c1</sub>表示該有機發光層發出的一部分光從該像素電極與該包覆層之間的該界面完全反射的角度。
如請求項9所述之顯示設備，其中該第一角度θ<sub>1</sub>滿足以下數學運算式，<img align="absmiddle" height="39px" width="332px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中，n<sub>oc</sub>表示該包覆層之折射率，n<sub>Anode</sub>表示該像素電極之折射率。
如請求項9所述之顯示設備，其中該第二角度θ<sub>2</sub>滿足以下數學運算式，<img align="absmiddle" height="30px" width="110px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中，n<sub>oc</sub>表示該包覆層之折射率，n<sub>air</sub>表示相鄰於該基板的外部空氣的折射率。
如請求項2所述之顯示設備，其中該圖案部分更包含：一第三傾斜圖案部分，設置於該第二傾斜圖案部分與該基板之間，並相對於該基板之該上表面設置為具有一第三角度；以及一第三平坦圖案部分，與該第二平坦圖案部分間隔開並與該第三傾斜圖案部分連接。
如請求項14所述之顯示設備，其中該第三角度等於或不同於該第二角度。
如請求項14所述之顯示設備，其中該反射部分包含：一第一傾斜反射部分，設置於該第一傾斜圖案部分上；一第一平坦反射部分，與該第一傾斜反射部分連接並設置於該第一平坦圖案部分上；一第二傾斜反射部分，與該第一平坦反射部分連接並設置於該第二傾斜圖案部分上；一第二平坦反射部分，與該第二傾斜反射部分連接並設置於該第二平坦圖案部分上；一第三傾斜反射部分，與該第二平坦反射部分連接並設置於該第三傾斜圖案部分上；以及一第三平坦反射部分，與該第三傾斜反射部分連接並設置於該第三平坦圖案部分上。
如請求項1所述之顯示設備，其中其中，該第一傾斜圖案部分直接連接於該第二傾斜圖案部分。
如請求項17所述之顯示設備，更包含：一連接點，連接該第一傾斜圖案部分與該第二傾斜圖案部分，其中，該連接點設置於該非發光區域中。
如請求項17所述之顯示設備，其中該反射部分包含：一第一傾斜反射部分，設置於該第一傾斜圖案部分上；以及一第二傾斜反射部分，直接連接於該第一傾斜反射部分並設置於該第二傾斜圖案部分上。
一種電漿源組件，包括：<br/> 反應主體，包含複數個主體部及複數個絕緣部，所述複數個主體部的內部分別形成氣體擴散空間，所述複數個絕緣部結合於所述複數個主體部之間，以使所述氣體擴散空間相互連通，所述複數個主體部內的所述氣體擴散空間整體形成環形通道；<br/> 複數個磁芯，分別在包圍所述反應主體的同時沿著所述環形通道相互間隔配置；<br/> 複數個繞組，配置成纏繞所述複數個磁芯，從電源部接收供電，以在所述複數個磁芯內感應磁力；<br/> 複數個開關，分別連接於所述複數個主體部的相鄰兩個主體部的端部之間，以繞過所述複數個絕緣部電連接或者電絕緣所述複數個主體部；以及<br/> 控制部，控制所述電源部及所述複數個開關，以控制在所述環形通道內形成電漿，在所述環形通道內進行所述電漿點火時，控制所述複數個開關中的至少一個開關處於接通狀態，以使所述複數個主體部中與所述至少一個開關連接的兩個主體部電連接，且控制所述複數個開關中的至少另一個開關處於關斷狀態，以使在與處於關斷狀態的開關相對應的絕緣部內開始進行電漿點火。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述控制部在所述環形通道內進行所述電漿點火之後保持時，關斷所述至少一個開關，以控制所述複數個開關處於全部關斷的狀態。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述控制部每次在所述環形通道內執行所述電漿點火時，在所述複數個開關中選擇所述至少一個開關執行接通動作。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述控制部在所述電漿點火時，在所述複數個開關中只有一個開關保持在關斷狀態，並接通剩餘的開關；以及<br/> 其中，在保持所述電漿時，將在所述電漿點火時接通的所述剩餘開關重新關斷，以使所述複數個開關全部處於關斷狀態。
根據請求項1所述的電漿源組件，其中，所述複數個主體部分別包括第一主體部及第二主體部，所述第一主體部具有第一長度及第一寬度，所述第二主體部具有第二長度及第二寬度；<br/> 其中，所述第一長度大於所述第二長度；<br/> 其中，所述第一寬度大於所述第二寬度；以及<br/> 其中，所述複數個磁芯配置成包圍所述第二主體部。
根據請求項5所述的電漿源組件，其中，在所述第二主體部的兩側端部結合凸緣；<br/> 其中，在所述第二主體部的一側的所述凸緣分別結合所述第一主體部的一側；以及<br/> 其中，在所述第二主體部的另一側的所述凸緣與所述第一主體部的另一側之間分別結合所述複數個絕緣部。
根據請求項5所述的電漿源組件，其中，在所述第一主體部的上面或者側面形成至少一個進氣口；以及<br/> 其中，在所述第一主體部的下面形成至少一個排氣口。
一種基板處理裝置，包括：<br/> 製程腔室，在內部形成反應空間；<br/> 基板支撐部，結合於所述製程腔室，以在所述反應空間內支撐基板；<br/> 如請求項1至7中任一項所述的至少一個電漿源組件，與所述基板支撐部相向地結合於所述製程腔室；以及<br/> 氣體噴射部，與所述電漿源組件結合，以向所述反應空間噴射通過所述電漿源組件啟動的製程氣體。
根據請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述至少一個電漿源組件包括第一電漿源組件及第二電漿源組件，所述第二電漿源組件配置成包圍所述第一電漿源組件。
根據請求項8所述的基板處理裝置，其中，所述至少一個電漿源組件在用於在所述反應空間內處理基板的每一製程週期單位改變在所述複數個開關中控制為接通狀態的所述至少一個開關，以改變所述反應主體內的電漿點火位置。
一種電漿形成方法，為利用請求項1所述的電漿源組件的電漿形成方法，包括：<br/> 點火步驟，從所述電源部向所述複數個繞組供應電力，將所述複數個開關中的至少一個開關接通，以使所述複數個主體部中與所述至少一個開關連接的兩個主體部電連接，且控制所述複數個開關中的至少另一個開關處於關斷狀態，以使在與處於關斷狀態的開關相對應的絕緣部內開始進行電漿點火，從而在所述環形通道內進行電漿點火；以及<br/> 保持步驟，在所述環形通道內保持所述電漿。
根據請求項11所述的電漿形成方法，其中，在所述保持步驟中，所述控制部將在所述電漿點火時接通的所述至少一個開關關斷，以控制所述複數個開關全部處於關斷狀態。
根據請求項11所述的電漿形成方法，其中，在所述點火步驟中，在所述複數個開關中只將一個開關保持在關斷狀態，並接通剩餘開關；以及<br/> 其中，在所述保持步驟中，將在所述電漿點火時接通的所述剩餘開關重新關斷，以使所述複數個開關全部處於關斷狀態。
一種曝光裝置，具有光源、以來自前述光源的光來照明光罩之照明光學系統、以及將形成於前述光罩之圖案投影至基板之投影光學系統，前述曝光裝置一邊使前述光罩與前述基板在掃描方向移動，一邊對前述基板進行曝光； <br/>前述光源包含在包括第一方向之二維平面上以二維方式排列之複數個光源元件； <br/>前述複數個光源元件包含： <br/>複數個第一光源元件，沿第二方向並排排列；以及 <br/>複數個第二光源元件，在與前述第二方向正交之第三方向上與前述複數個第一光源元件隔開，並沿前述第二方向並排排列； <br/>於經由前述照明光學系統而形成於前述光罩的面之前述光源的像中，與前述第一方向對應之方向和前述掃描方向一致之情形，前述第二方向與前述第三方向和前述第一方向交叉。
如請求項1所述之曝光裝置，其中， <br/>在經由前述照明光學系統、前述光罩及前述投影光學系統而形成於前述基板的面之前述光源的像中，將與前述第三方向對應之方向和前述掃描方向形成之角度設為θ，將前述複數個光源元件的像的排列間距設為a，將形成於前述基板的面之照射區域的前述掃描方向的寬度設為b之情形， <br/><img align="absmiddle" height="9px" width="65px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之曝光裝置，其中， <br/>前述複數個第一光源元件的前述第二方向上之配置位置，與前述複數個第二光源元件的前述第二方向上之配置位置不同。
如請求項1至3中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>前述光源配置於從與前述光罩的面光學共軛的面散焦之位置。
一種曝光裝置，具有光源、以來自前述光源的光來照明光罩之照明光學系統、以及將形成於前述光罩之圖案投影至基板之投影光學系統，前述曝光裝置一邊使前述光罩與前述基板在掃描方向移動，一邊對前述基板進行曝光； <br/>前述光源包含在二維平面上以二維方式排列之複數個光源元件； <br/>於在與前述光罩的面正交之方向上，在與形成於前述光罩的面之前述光源的像光學共軛的位置上形成前述光源的二次光源之情形，前述二次光源中的複數個光源元件包含： <br/>複數個第一光源元件，沿第一方向並排排列；以及 <br/>複數個第二光源元件，在與前述第一方向正交之第二方向上與前述複數個第一光源元件隔開，並沿前述第一方向並排排列； <br/>前述第一方向與前述第二方向和前述掃描方向交叉。
如請求項1至3、5中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>前述光源係LED光源。
如請求項6所述之曝光裝置，其中， <br/>前述複數個光源元件係複數個LED元件。
如請求項1至3、5中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>從前述光源射出之光的峰值波長在360~370nm之範圍內。
如請求項1至3、5中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>從前述光源射出之光的峰值波長在380~390nm之範圍內。
如請求項1至3、5中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>從前述光源射出之光的峰值波長在400~410nm之範圍內。
一種曝光裝置，係以來自光源單元的光來照明光罩，將形成於前述光罩之圖案投影至基板，前述曝光裝置一邊使前述光罩與前述基板在掃描方向移動，一邊對前述基板進行曝光； <br/>前述光源單元包含： <br/>第一光源，具備在包括第一方向之二維平面上排列之複數個第一光源元件； <br/>第二光源，具備在包括第二方向之二維平面上排列之複數個第二光源元件； <br/>合成光學元件，合成從前述第一光源與第二光源射出之光；以及 <br/>照明光學系統，藉由從前述合成光學元件射出之合成光，將前述第一光源的像和前述第二光源的像形成於前述光罩的面上； <br/>於前述第一光源的像中，與前述第一方向對應之方向和前述掃描方向一致之情形，前述複數個第一光源元件之中相鄰之第一光源元件彼此的邊界在前述第一方向上不連續； <br/>於前述第二光源的像中，與前述第二方向對應之方向和前述掃描方向一致之情形，前述複數個第二光源元件之中相鄰之第二光源元件彼此的邊界在前述第二方向上不連續。
如請求項1至3、5、11中之任一項所述之曝光裝置，其中， <br/>前述基板的至少一邊的長度或對角長度為500mm以上。
一種曝光裝置，係一邊使光罩與基板在掃描方向移動，一邊對前述基板進行曝光，具備： <br/>光源單元，包含光源與放大光學系統，照明前述光罩；以及 <br/>投影光學系統，將形成於前述光罩之圖案投影至前述基板； <br/>前述光源包含在二維平面上以二維方式排列之複數個光源元件； <br/>於前述光源單元與前述光罩之間的光路中不具備光學元件； <br/>前述複數個光源元件包含： <br/>複數個第一光源元件，沿第一方向並排排列；以及 <br/>複數個第二光源元件，在與前述第一方向正交之第二方向上與前述複數個第一光源元件隔開，並沿前述第一方向並排排列； <br/>前述第一方向與前述第二方向和前述掃描方向交叉。
如請求項13所述之曝光裝置，其中， <br/>前述光源單元與前述光罩的形成有前述圖案之面的距離為100~500mm。
如請求項13或14所述之曝光裝置，其中， <br/>前述複數個光源元件係複數個LED元件。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>腔室； <br/>靜電吸盤，其配置於上述腔室中； <br/>載置台，其配置於上述腔室中； <br/>消耗環(consumable ring)，其配置於上述載置台上，俾以包圍上述載置台上之基板； <br/>環加熱器(ring heater)，其配置於上述載置台中； <br/>加熱器電源，其構成為將加熱器電力(heater electrical power)供給至上述環加熱器，以將上述環加熱器維持在固定溫度，上述加熱器電源包含：電力檢測器，其構成為檢測自上述加熱器電源供給至上述環加熱器之上述加熱器電力； <br/>可由電腦讀取之記錄媒體，其構成為記憶參數，上述參數包含：上述消耗環之初始厚度、自上述電漿朝上述消耗環之熱輸入量、上述消耗環與上述靜電吸盤之間之熱阻；及 <br/>控制部，其構成為：基於藉由所記憶之上述參數及在第1穩定狀態與第2穩定狀態之間的過渡狀態(transient state)之期間中所檢測之上述電力之變化而表示之模型，決定上述消耗環之目前厚度，其中 <br/>上述第1穩定狀態係電漿未被點火之未點火狀態， <br/>上述過渡狀態係電漿經點火之點火狀態，其中上述消耗環之溫度因自上述電漿輸入的上述熱而增加，且 <br/>上述第2穩定狀態係點火狀態，其中上述消耗環或上述靜電吸盤之上述熱輸入量等於上述消耗環或上述靜電吸盤之熱損失量，且藉此使上述消耗環或上述靜電吸盤之上述溫度維持大致固定。
如請求項1之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部係構成為：當上述消耗環之上述目前厚度小於規定値時，發布警告。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>複數個電磁鐵，其配置於上述腔室之上方；及 <br/>電磁鐵電源，其構成為將電磁鐵電力供給至上述複數個電磁鐵之各者，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制供給至上述複數個電磁鐵之至少一者之上述電磁鐵電力。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>電極，其配置於上述載置台；及 <br/>直流電源，其構成為將直流電壓施加至上述電極，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制施加至上述電極之上述直流電壓。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>上部電極組件，其配置於上述載置台之上方，上述上部電極組件包含：中央部分、周邊部分、及環狀絕緣部件，上述環狀絕緣部件配置於上述中央部分與上述周邊部分之間； <br/>第1直流電源，其構成為將第1直流電壓施加至上述中央部分；及 <br/>第2直流電源，其構成為將第2直流電壓施加至上述周邊部分，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制施加至上述中央部分之上述第1直流電壓及施加至上述周邊部分之上述第2直流電壓之至少一者。
如請求項1之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>至少一個致動器，其構成為將上述消耗環垂直地移動；其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制上述至少一個致動器。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>腔室； <br/>靜電吸盤，其配置於上述腔室中； <br/>環狀部件(annular member)，其配置為包圍上述靜電吸盤； <br/>消耗環，其配置於上述環狀部件上，俾以包圍在上述靜電吸盤上之基板； <br/>環加熱器(ring heater)，其配置於上述環狀部件中； <br/>加熱器電源，其構成為將加熱器電力供給至上述環加熱器，以將上述環加熱器維持在固定溫度，上述加熱器電源包含：電力檢測部，其構成為檢測自上述加熱器電源供給至上述環加熱器之上述加熱器電力； <br/>可由電腦讀取之記錄媒體，其構成為記憶參數，上述參數包含：上述消耗環之初始厚度、自上述電漿朝上述消耗環之熱輸入量、上述消耗環與上述靜電吸盤之間之熱阻；及 <br/>控制部，其構成為：基於藉由所記憶之上述參數及於第1穩定狀態與第2穩定狀態之間的過渡狀態之期間中所檢測之上述電力之變化而表示之模型，決定上述消耗環之目前厚度，其中 <br/>上述第1穩定狀態係電漿未被點火之未點火狀態， <br/>上述過渡狀態係電漿經點火之點火狀態，其中上述消耗環之溫度因自上述電漿輸入的上述熱而增加，且 <br/>上述第2穩定狀態係點火狀態，其中上述消耗環或上述靜電吸盤之上述熱輸入量等於上述消耗環或上述靜電吸盤之熱損失量，且藉此使上述消耗環或上述靜電吸盤之上述溫度維持大致固定。
如請求項7之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>複數個電磁鐵，其配置於上述腔室之上方；及 <br/>電磁鐵電源，其構成為將電磁鐵電力供給至上述複數個電磁鐵之各者，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，而控制供給至上述複數個電磁鐵之至少一者之上述電磁鐵電力。
如請求項7之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>電極，其配置於上述環狀部件；及 <br/>直流電源，其構成為將直流電壓施加至上述電極，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制施加至上述電極之上述直流電壓。
如請求項7之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>上部電極組件，其配置於上述靜電吸盤之上方，上述上部電極組件包含：中央上部電極、上部電極、及絕緣遮罩，上述絕緣遮罩配置於上述中央上部電極與上述上部電極之間； <br/>第1直流電源，其構成為將第1直流電壓施加至上述中央上部電極；及 <br/>第2直流電源，其構成為將第2直流電壓施加至上述上部電極，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制施加至上述中央上部電極之上述第1直流電壓及施加至上述上部電極之上述第2直流電壓之至少一者。
如請求項7之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>至少一個致動器，其構成為將上述消耗環垂直地移動；其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述目前厚度，控制上述至少一個致動器。
一種電漿處理裝置，其具有： <br/>電漿處理腔室； <br/>載置台，其配置於上述電漿處理腔室中； <br/>消耗環，其配置於上述載置台上，俾以包圍在上述載置台上之基板； <br/>環加熱器，其配置於上述載置台中； <br/>加熱器電源，其構成為將加熱器電力供給至上述環加熱器，以將上述環加熱器維持在固定溫度，上述加熱器電源包含：電力檢測部，其構成為檢測自上述加熱器電源供給至上述環加熱器之上述加熱器電力；及 <br/>控制部，其構成為：基於在第1穩定狀態與第2穩定狀態之間的過渡狀態之期間中所檢測之上述電力之變化，決定上述消耗環之厚度，其中 <br/>上述第1穩定狀態係電漿未被點火之未點火狀態， <br/>上述過渡狀態係電漿經點火之點火狀態，其中上述消耗環之溫度因自上述電漿輸入的上述熱而增加，且 <br/>上述第2穩定狀態係點火狀態，其中上述消耗環或上述靜電吸盤之上述熱輸入量等於上述消耗環或上述靜電吸盤之熱損失量，且藉此使上述消耗環或上述靜電吸盤之上述溫度維持大致固定。
如請求項12之電漿處理裝置，其中 <br/>上述控制部係構成為：當上述消耗環之上述厚度小於規定值時，發布警告。
如請求項12之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>複數個電磁鐵，其配置於上述電漿處理腔室之上方；及 <br/>電磁鐵電源，其構成為將電磁鐵電力供給至上述複數個電磁鐵之各者，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述厚度，控制供給至上述複數個電磁鐵之至少一者之上述電磁鐵電力。
如請求項12之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>電極，其配置於上述載置台；及 <br/>直流電源，其構成為將直流電壓施加至上述電極，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述厚度，控制施加至上述電極之上述直流電壓。
如請求項12之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>上部電極組件，其配置於上述載置台之上方，上述上部電極組件包含：中央上部電極、上部電極、及絕緣遮罩，上述絕緣遮罩配置於上述中央上部電極與上述上部電極之間； <br/>第1直流電源，其構成為將第1直流電壓施加至上述中央上部電極；及 <br/>第2直流電源，其構成為將第2直流電壓施加至上述上部電極，其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述厚度，控制施加至上述中央上部電極之上述第1直流電壓及施加至上述上部電極之上述第2直流電壓之至少一者。
如請求項12之電漿處理裝置，其進而具有： <br/>至少一個致動器，其構成為將上述消耗環垂直地移動；其中 <br/>上述控制部係構成為：基於所決定之上述消耗環之上述厚度，控制上述至少一個致動器。
一種浮油回收裝置，用於回收油水分離槽內積存的浮油，包括：<br/> 渦流回收杯，設置在該油水分離槽的水面側，具有直徑向下逐漸變細的形狀；<br/> 第一配管，連接於該渦流回收杯的下部出口，用於將回收的浮油向下引導；<br/> 第二配管，設置在該第一配管的下游，用於將該第一配管內的浮油沿水平方向引導；<br/> 第三配管，設置在該第二配管的下游，用於將該第二配管內的浮油向上引導；<br/> 滑動機構，沿著該油水分離槽的內壁設置，並容納該第三配管，使得該第三配管可沿上下方向滑動；以及<br/> 浮力構件，其使沉入該油水分離槽內的該渦流回收杯與水面之間保持一定距離，<br/> 其中，該滑動機構包括配管固定管與複數旋轉滾筒，該配管固定管具有ｺ形水平橫截面以及在該上下方向延伸的開口空間，該複數旋轉滾筒設置在該配管固定管的開口側並橫向地架設在該配管固定管的相對面，其中，該配管固定管固定於該油水分離槽的內壁並沿該上下方向延伸，該第三配管容納在該旋轉滾筒內側的該開口空間內。
如請求項1所述之浮油回收裝置，更包括一個抽吸泵，以有效地從該渦流回收杯中抽吸浮油。
如請求項2所述之浮油回收裝置，其中該抽吸泵為沈水泵或氣動泵，該沈水泵或氣動泵設置於該第一配管與該第二配管之間。
如請求項2所述之浮油回收裝置，其中該抽吸泵為自吸泵或氣動泵，該自吸泵或氣動泵設置在該第三配管下游的地面上。
如請求項1所述之浮油回收裝置，更包括：<br/> 與該第三配管的上端連接的U形管；以及<br/> 由可撓性材料製成的管道耐油軟管，其一端與該U形管連接，另一端與將該第三配管中的浮油向下游引導的導管連接。
如請求項1所述之浮油回收裝置，更包括：<br/> 用於緊固該第三配管的緊固件；以及<br/> 利用該緊固件固定在該第三配管上的板狀或桿狀的防轉構件，該防轉構件沿著該油水分離槽的側壁平行設置。
如請求項1所述之浮油回收裝置，其中該渦流回收杯具有擋板與重量板，該擋板豎立在該渦流回收杯的上緣的預定範圍上預定高度，該渦流回收杯的上緣在俯視呈圓形，該重量板設在面向該擋板的該上緣的預定範圍上。
一種浮油回收裝置，用於回收油水分離槽內積存的浮油，包括：<br/> 渦流回收杯，設置在該油水分離槽的水面側，具有直徑向下逐漸變細的形狀；<br/> 第一配管，連接於該渦流回收杯的下部出口，用於將回收的浮油向下引導；<br/> 第二配管，設置在該第一配管的下游，用於將該第一配管內的浮油沿水平方向引導；<br/> 第三配管，設置在該第二配管的下游，用於將該第二配管內的浮油向上引導；<br/> 盤繞管，設置在該第三配管的中間且能夠沿上下方向伸縮；<br/> 連接盒，該連接盒將具有不同直徑的該第三配管和該盤繞管連接；以及<br/> 浮力構件，其使沉入該油水分離槽內的該渦流回收杯與水面之間保持一定距離。
一種模糊測試方法，包含：<br/> 於一使用者裝置中搭載一模糊測試執行模組；<br/> 在該使用者裝置之該模糊測試執行模組中設置一代理伺服器；<br/> 透過該代理伺服器，攔截執行一應用程式的該使用者裝置以及一物聯網設備之間傳輸的多個請求；<br/> 透過該模糊測試執行模組，將攔截到的該些請求做為多個種子；<br/> 透過該模糊測試執行模組，建立一種子池，將該些種子儲存在該種子池中，其中各該種子均具有一資料格式且均具有多個詞元；<br/> 使該模糊測試執行模組透過一動態掛勾操作取得該使用者裝置以及該物聯網設備傳輸資料使用的一密碼模組；<br/> 透過該模糊測試執行模組，建立一關鍵字詞典，其中該關鍵字詞典具有多個關鍵字，且該些關鍵字用於建立對該物聯網設備的有效請求；<br/> 透過該模糊測試執行模組，對該種子池中的該些種子進行一叢集化操作；<br/> 透過該模糊測試執行模組，從該種子池中提取一第一種子，依據該些關鍵字以及該密碼模組對該第一種子的多個詞元的對應一者進行一突變操作，取得一第二種子，其中該第二種子保留該資料格式；<br/> 透過該模糊測試執行模組，將該第二種子傳輸至該物聯網設備，偵測該物聯網設備的一回應；以及<br/> 透過該模糊測試執行模組，分析該回應，判斷該物聯網設備是否觸發一崩潰警報。
如請求項1所述之模糊測試方法，進一步包含：<br/> 設置一雲端伺服器，透過無線傳輸連接該使用者裝置以及該物聯網設備。
如請求項2所述之模糊測試方法，其中偵測該物聯網設備是否觸發該崩潰警報的方法進一步包含：<br/> 透過該雲端伺服器的一網路日誌，判斷該物聯網設備是否正常連線。
如請求項1所述之模糊測試方法，進一步包含：<br/> 設置一實體線路，電性連接該使用者裝置以及該物聯網設備。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該動態掛勾操作進一步包含：<br/> 在該應用程式中掛勾一憑證模組；<br/> 從該使用者裝置發送一自訂函數；<br/> 記錄該使用者裝置以及該物聯網設備之間傳輸的多個加密函數；以及<br/> 分析該些加密函數，以取得該密碼模組。
如請求1所述之模糊測試方法，其中該叢集化操作進一步包含：<br/> 計算該種子池中各該種子之間的相似度，將該些種子分配到多個叢集中；以及<br/> 當該種子池中的其中一種子和其餘種子的相似度差距達到一差異閾值時，設置一新叢集，將該其中一種子分配到該新叢集中。
如請求1所述之模糊測試方法，其中對該第一種子的該對應詞元進行該突變操作的方法進一步包含：<br/> 將該第一種子以及該些關鍵字進行比對；<br/> 在該第一種子的內容以及該些關鍵字的任一者匹配後，判斷該第一種子中是否具有備加密的內容；<br/> 當該第一種子具有被加密的內容時，透過該密碼模組對該第一種子進行解密，對解密後的該第一種子進行該突變操作以產生一待加密種子，接著對該待加密種子進行加密，以取得該第二種子；以及<br/> 當該第一種子不具有被加密的內容時，直接對該第一種子進行該突變操作以取得該第二種子。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該突變操作為將該第一種子的該對應詞元替換為一預設數值，該預設數值為整數、長整數或浮點數的邊界值，用於使該物聯網設備觸發邊界條件狀況。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該突變操作為將該第一種子的該對應詞元替換為該關鍵字詞典的一預設單詞。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該突變操作為將該第一種子的該對應詞元替換為空值，用於使該物聯網設備觸發空指標解引用錯誤。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該突變操作為將該第一種子的該對應詞元替換為字串大小不固定的隨機值，用於使該物聯網設備觸發緩衝區溢位錯誤。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中該第二種子被視為獨立的種子並儲存在該種子池中。
如請求項1所述之模糊測試方法，進一步包含將該回應做為一另一種子，儲存在該種子池中。
如請求項1所述之模糊測試方法，其中偵測該物聯網設備是否觸發該崩潰警報的方法進一步包含：<br/> 判斷該物聯網設備是否發生一連結斷線狀況、一內部伺服器錯誤狀況以及一回應時間不規律狀況的至少一者。
一種清潔機器人的控制方法，包括： <br/>回應於所述清潔機器人移動至懸崖邊緣，控制所述清潔機器人執行用於迴避所述懸崖邊緣的第一曲線迴避動作，其中，所述第一曲線迴避動作是先遠離所述懸崖邊緣後靠近所述懸崖邊緣的動作，所述第一曲線迴避動作包括原地旋轉和轉彎；以及 <br/>回應於所述清潔機器人前方的待迴避邊緣不是懸崖邊緣，控制所述清潔機器人執行第二曲線迴避動作，其中，所述第二曲線迴避動作是先遠離待迴避邊緣後靠近所述待迴避邊緣的動作。
如請求項1所述的清潔機器人的控制方法，其中在所述清潔機器人執行所述第一曲線迴避動作的過程中，每迴避所述懸崖邊緣的基準長度，所述清潔機器人執行所述第一曲線迴避動作4至8次。
如請求項2所述的清潔機器人的控制方法，其中每迴避所述懸崖邊緣的基準長度，所述清潔機器人執行所述第一曲線迴避動作為5至7次。
如請求項2所述的清潔機器人的控制方法，其中所述懸崖邊緣的基準長度為1.2米。
如請求項1至4中任一項所述的清潔機器人的控制方法，其中所述控制所述清潔機器人執行用於迴避所述懸崖邊緣的第一曲線迴避動作，包括： <br/>控制所述清潔機器人原地旋轉； <br/>回應於所述清潔機器人原地旋轉至第一目標狀態，控制所述清潔機器人按照第一轉彎半徑進行轉彎，所述第一目標狀態為所述清潔機器人的機頭部位背離所述懸崖邊緣且所述清潔機器人的懸崖感測器的觸發狀態被解除； <br/>回應於所述清潔機器人按照所述第一轉彎半徑轉彎至所述懸崖邊緣，控制所述清潔機器人停止轉彎。
如請求項5所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第一轉彎半徑為30至40cm。
如請求項5所述的清潔機器人的控制方法，其中所述控制所述清潔機器人原地旋轉，包括： <br/>控制所述清潔機器人原地旋轉至所述清潔機器人的機頭部位背離所述懸崖邊緣第一預設距離之後繼續原地旋轉第一預設角度，以達到所述第一目標狀態。
如請求項7所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第一預設距離設置為50cm以內。
如請求項7所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第一預設角度為10°至30°。
如請求項5所述的清潔機器人的控制方法，其中在所述控制所述清潔機器人執行用於迴避所述懸崖邊緣的第一曲線迴避動作之前，還包括： <br/>響應於所述清潔機器人移動至前方存在所述待迴避邊緣，從清掃地圖上獲取目標場景資訊，所述目標場景資訊是在所述清潔機器人的預設距離範圍的地圖區域內標記的場景資訊； <br/>基於所述目標場景資訊識別所述待迴避邊緣是否為懸崖邊緣。
請求項10所述的清潔機器人的控制方法，其中在所述基於所述目標場景資訊識別所述清潔機器人的前方是否為懸崖邊緣之後，還包括： <br/>若識別結果表徵所述清潔機器人前方的所述待迴避邊緣不是懸崖邊緣，控制所述清潔機器人執行所述第二曲線迴避動作； <br/>在所述清潔機器人執行所述第二曲線迴避動作的過程中，每迴避所述待迴避邊緣的基準長度，所述清潔機器人執行所述第二曲線迴避動作9至15次。
如請求項11所述的清潔機器人的控制方法，其中所述控制所述清潔機器人執行第二曲線迴避動作，包括： <br/>控制所述清潔機器人原地旋轉； <br/>回應於所述清潔機器人原地旋轉至第二目標狀態，控制所述清潔機器人按照第二轉彎半徑進行轉彎，所述第二目標狀態為所述清潔機器人的機頭部位背離所述待迴避邊緣且所述清潔機器人的懸崖感測器的觸發狀態被解除，所述第二轉彎半徑小於所述第一轉彎半徑； <br/>回應於所述清潔機器人按照所述第二轉彎半徑轉彎至所述待迴避邊緣，控制所述清潔機器人停止轉彎。
如請求項12所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第二目標狀態相對於初始狀態的旋轉角度小於所述第一目標狀態相對於所述初始狀態的旋轉角度； <br/>其中，所述初始狀態是所述清潔機器人進行當前次原地旋轉之前的狀態。
如請求項13所述的清潔機器人的控制方法，其中所述控制所述清潔機器人原地旋轉，包括： <br/>控制所述清潔機器人原地旋轉至所述清潔機器人的機頭部位背離所述待迴避邊緣第二預設距離處，以達到所述第二目標狀態。
如請求項13所述的清潔機器人的控制方法，其中在所述清潔機器人的底部設置有邊刷以及間隔設置有多個懸崖感測器，所述方法還包括： <br/>根據所述初始狀態下距離所述待迴避邊緣最近的懸崖感測器的佈設位置，確定所述第二曲線迴避動作中原地旋轉所需的旋轉角度； <br/>其中，所述初始狀態下距離所述待迴避邊緣最近的懸崖感測器離所述邊刷越遠，所述第二目標狀態相對於所述初始狀態的旋轉角度越大。
如請求項15所述的清潔機器人的控制方法，其中所述根據所述初始狀態下距離所述待迴避邊緣最近的懸崖感測器的佈設位置，確定出所述第二曲線迴避動作中原地旋轉所需的旋轉角度，包括： <br/>若所述初始狀態下距離所述待迴避邊緣最近的懸崖感測器在遠離所述邊刷一側，控制所述清潔機器人原地旋轉第二預設角度，以達到所述第二目標狀態； <br/>若所述初始狀態下距離所述待迴避邊緣最近的懸崖感測器在靠近所述邊刷一側，控制所述清潔機器人原地旋轉第三預設角度，以達到所述第二目標狀態，其中，所述第二預設角度大於所述第三預設角度。
如請求項16所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第二預設角度為80°至90°，所述第三預設角度為10°至20°。
如請求項12所述的清潔機器人的控制方法，其中所述第二轉彎半徑為10至15cm。
如請求項1所述的清潔機器人的控制方法，其中還包括： <br/>回應於所述清潔機器人執行所述第一曲線迴避動作所產生的行走軌跡的軌跡長度達到預設長度閾值，控制所述清潔機器人切換至執行第三曲線迴避動作，其中，所述第三曲線迴避動作是先遠離前方場景後靠近所述前方場景的動作； <br/>在所述清潔機器人執行所述第三曲線迴避動作的過程中，每迴避所述前方場景的基準長度，所述清潔機器人執行所述第三曲線迴避動作9至15次。
如請求項5所述的清潔機器人的控制方法，其中還包括： <br/>在所述清潔機器人執行所述第一曲線迴避動作的過程中，若所述清潔機器人按照所述第一轉彎半徑進行轉彎的轉彎角度達到預設角度閾值，表徵迴避所述懸崖邊緣結束，控制所述清潔機器人切換至執行第三曲線迴避動作，其中，所述第三曲線迴避動作是先遠離前方場景後靠近所述前方場景的動作； <br/>在所述清潔機器人執行所述第三曲線迴避動作的過程中，每迴避所述前方場景的基準長度，所述清潔機器人執行所述第三曲線迴避動作9至15次。
如請求項10所述的清潔機器人的控制方法，其中所述基於所述目標場景資訊識別所述待迴避邊緣是否為懸崖邊緣，包括： <br/>從所述清掃地圖上，獲取距離所述待迴避邊緣最近的至少一個懸崖感測器的預設距離範圍內的各個位置點； <br/>在所述預設距離範圍內的各個位置點中，若存在預設數量的位置點均未標記場景資訊，確定所述待迴避邊緣是懸崖邊緣，否則，確定所述待迴避邊緣不是懸崖邊緣。
如請求項21所述的清潔機器人的控制方法，其中還包括： <br/>獲取所述清潔機器人上搭載的目標感測器的傳感資料； <br/>根據所述傳感資料預先在清掃地圖上進行場景資訊的標記。
如請求項22所述的清潔機器人的控制方法，其中所述目標感測器為線雷射感測器，所述根據所述傳感資料預先在清掃地圖上進行場景資訊的標記，包括: <br/>針對所述清掃地圖上任意一個位置點，若所述線雷射感測器接收到該位置點代表的真實位置的反射雷射，在該位置點標記場景資訊，若所述線雷射感測器未接收到該位置點代表的真實位置的反射雷射，不在該位置點標記場景資訊。
一種清潔機器人，其中包括：處理器；用於儲存所述處理器可執行指令的記憶體，其中，所述處理器被配置為執行所述指令，以實現如請求項1至23中任一項所述的清潔機器人的控制方法。
一種電腦可讀儲存媒介，其上儲存有電腦程式，其中該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至23中任一項所述的清潔機器人的控制方法。
一種記憶體，其包含：<br/>基板；<br/>第1區域，其中複數個第1導線(conductive line) 堆疊於上述基板之上方，且複數個第1半導體構件延伸穿過上述第1導線；<br/>第2區域，其中複數個第2導線堆疊於上述基板之上方，且複數個第2半導體構件延伸穿過上述第2導線；<br/>第3區域，其配置於上述第1區域與上述第2區域之間，且其中複數個第1層(first layer)堆疊於上述基板之上方，且複數個第3半導體構件延伸穿過上述第1層；<br/>第1配線(wiring)；及<br/>複數個第3導線，其配置於上述第1區域、上述第2區域及上述第3區域之上方，於第1方向延伸，且電性連接於上述第1半導體構件及上述第2半導體構件；其中<br/>上述第1配線電性連接於上述第1半導體構件或上述第2半導體構件，且未電性連接於上述第3半導體構件。
如請求項1之記憶體，其進而包含：<br/>第4區域，其配置於上述第2區域之與上述第2區域之配置有上述第3區域之側相反之側，且其中複數個第2層堆疊於上述基板之上方且複數個第4半導體構件延伸穿過上述第2層；其中<br/>上述第3導線配置於上述第4區域之上方。
如請求項2之記憶體，其中上述第3區域包含：於上述基板之上方積層的第1虛設胞，且上述第4區域包含：於上述基板之上方積層的第2虛設胞。
如請求項3之記憶體，其中上述第1虛設胞中之一者之閘極電性連接於上述第2虛設胞中之一者之閘極。
如請求項4之記憶體，其中上述複數個第3導線電性連接於上述第1及第2虛設胞。
如請求項2之記憶體，其進而包含：<br/>電壓控制電路，其構成為對上述第3區域及上述第4區域施加第1電壓。
如請求項2之記憶體，其中上述第1導線、上述第2導線、上述第1層及上述第2層分別位於上述基板之上方之相同高度。
如請求項1之記憶體，其中<br/>上述第1導線具有第1階梯狀部分及第2階梯狀部分，第1接點連接於上述第1階梯狀部分，第2接點連接於上述第2階梯狀部分。
如請求項8之記憶體，其中<br/>上述第1接點位於上述第1區域中之第1記憶胞的第1側，且上述第2接點位於上述第1記憶胞之於第2方向上與上述第1側相反之第2側，上述第2方向與上述第1方向交叉。
如請求項9之記憶體，其進而包含：<br/>電壓控制電路，其構成為控制經由上述第1接點及上述第2接點對上述第1導線施加的電壓。
如請求項9之記憶體，其中<br/>上述第1接點連接於上述第1導線之在上述第1階梯狀部分露出的上表面，且<br/>上述第2接點連接於上述第2導線之在上述第2階梯狀部分露出的上表面。
如請求項1之記憶體，其中<br/>上述第1及第2導線之位於上述基板上方之第1階層(first level)的部分係被個別地控制，且<br/>上述第1及第2導線之位於上述基板上方之第2階層的部分係被個別地控制。
如請求項12之記憶體，其中<br/>上述第1及第2導線之各部分具有平面形狀(planar shape)，且<br/>上述第1導線之第1部分各自具有於上述第2方向突出之第1突出部，且<br/>上述第1導線之第2部分各自具有於與上述第2方向相反之方向突出之第2突出部。
如請求項13之記憶體，其中<br/>位於上述基板上方之相同階層(same level)的上述第1突出部及上述第2突出部係沿著上述第1方向彼此相鄰。
如請求項1之記憶體，其進而包含：<br/>複數個記憶體串，上述記憶體串之各個包含串聯電性連接之記憶胞，且上述記憶胞具有分別電性連接於上述第1導線或上述第2導線之閘極。
如請求項15之記憶體，其中上述記憶體串各自具有U形狀。
一種記憶體，其包含：<br/>基板；<br/>第1區域，其中複數個第1導線堆疊於上述基板之上方，且複數個第1半導體構件延伸穿過上述第1導線；<br/>第2區域，其中複數個第2導線堆疊於上述基板之上方，且複數個第2半導體構件延伸穿過上述第2導線；<br/>第3區域，其在上述第1區域與上述第2區域之間，且其中複數個第1層堆疊於上述基板之上方，且複數個第3半導體構件延伸穿過上述第1層；及<br/>複數個第3導線，其配置於上述第1區域、上述第2區域及上述第3區域之上方，於第1方向延伸，且電性連接於上述第1半導體構件及上述第2半導體構件；其中<br/>上述複數個第1半導體構件各自具有第1長度，且上述複數個第3半導體構件各自具有短於上述第1長度之第2長度。
如請求項17之記憶體，其中上述第3區域包含：積層於上述基板之上方的虛設胞，且上述複數個第3導線電性連接於上述虛設胞。
如請求項17之記憶體，其進而包含：<br/>複數個記憶體串，上述記憶體串之各個包含串聯電性連接之記憶胞，上述記憶胞具有分別電性連接於上述第1導線或上述第2導線之閘極。
如請求項19之記憶體，其中上述記憶體串各自具有U形狀。
一種半導體開關結構，包括： <br/>一半導電層，包含一開關區，該開關區具有一第一部分及一第二部分，該第二部分係相鄰於該第一部分；及 <br/>一開關，包含多個串聯連接的電晶體，其中該等串聯連接的電晶體包括： <br/>在該第一部分內，多個源極/汲極區域及多個橫向定位在該等源極/汲極區域之間的通道區域；及 <br/>多個閘極，其分別相鄰於該等通道區域，其中該等閘極橫過該第一部分並且其中該第二部分延伸超過該等閘極； <br/>其中該等串聯連接的電晶體更包括多個位於該源極/汲極區域上的凸起源極/汲極區域， <br/>其中該開關區包括一第一端及一第二端，該第二端係相對於該第一端， <br/>其中該等源極/汲極區域包括多個位於該第一端及該第二端的外部源極/汲極區域及至少一內部源極/汲極區域， <br/>其中該等凸起源極/汲極區域包括多個位於該外部源極/汲極區域上的外凸起源極/汲極區域及一位於每個內部源極/汲極區域上的內凸起源極/汲極區域，及 <br/>其中該開關更包括多個矽化物層，其僅位於該凸起源極/汲極區域中的該外凸起源極/汲極區域上方並緊鄰所述外凸起源極/汲極區域。
如請求項1所述之結構，其中該關關更包括多個在該第二部分中的電阻元件，其係並聯連接該等串聯連接的電晶體。
如請求項1所述之結構， <br/>其中該等閘極具有多個主區段，其橫向定位在該等凸起源極/汲極區域之間；及多個端區段，其分別從該等主區段延伸超過該等凸起源極/汲極區域朝向該第二部分， <br/>其中該等端區段包括一第一多晶矽閘極導電層，且該主區段包括該第一多晶矽閘極導電層及一位在該第一多晶矽閘極導電層上的第二多晶矽閘極導電層，及 <br/>其中該等端區段具有一第一高度並且該主區段具有一第二高度，該第二高度係大於該第一高度。
如請求項3所述之結構，更包括： <br/>一第一介電層，其位於該第二部分上並緊鄰該第二部分，其延伸至緊鄰該第二部分的該第一部分的過渡區上，並且進一步延伸至該等閘極的多個端區段的該第一多晶矽閘極導電層上方；及 <br/>一第二介電層，其中該第二介電層位於每個內部源極/汲極區域上方的每個內凸起源極/汲極區域上，並且進一步位於該等閘極的多個主區段的該第二多晶矽閘極導電層上方並緊鄰所述第二多晶矽閘極導電層。
如請求項4所述之結構，其中該第二介電層在該等閘極的多個外閘極上方橫向延伸並且延伸至該等外凸起源極/汲極區域上。
如請求項4所述之結構，其中該第二介電層在該等閘極的外閘極上方橫向延伸，而未進一步延伸至該等外凸起源極/汲極區域上。
如請求項4所述之結構，其中該第二介電層部分在該等閘極的多個外閘極上方橫向延伸。
如請求項1所述之結構， <br/>其中該等串聯連接的電晶體為N通道場效電晶體， <br/>其中該等源極/汲極區域具有N型導電率，及 <br/>其中該第二部分的N型導電率低於該等源極/汲極區域的導電率位準。
如請求項1所述之結構，更包括： <br/>一半導體基板； <br/>一井區域，位在該半導體基板中； <br/>一絕緣體層，位在該半導體基板上，其中該半導電層位在該絕緣體層上；及 <br/>多個溝槽絕緣體區域，延伸通過該半導電層以在該井區域上界定出該開關區的多個邊界。
一種半導體開關結構，包括： <br/>一半導電層，包括多個開關區，其中每個開關區具有一第一部分及一第二部分，該第二部分係相鄰於該第一部分；及 <br/>多個開關， <br/>其中每個開關包括： <br/>一開關區； <br/>多個串聯連接的電晶體，包括： <br/>在該開關區的該第一部分內，多個源極/汲極區域及多個橫向位在該等源極/汲極通道區域之間的通道區域；及 <br/>多個閘極，其分別相鄰於該等通道區域，其中該等閘極橫過該開關區的該第一部分，其中該開關區的該第二部分延伸超過該等閘極；及 <br/>多個電阻元件，在該開關區的該第二部分中，該開關區係並聯連接該等串聯連接的電晶體，以及 <br/>其中該等開關係串聯連接； <br/>其中該等串聯連接的電晶體更包括多個在該等源極/汲極區域上的凸起源極/汲極區域， <br/>其中該等源極/汲極區域包括多個位於該第一部分的相對端的外部源極/汲極區域及至少一內部源極/汲極區域， <br/>其中該等凸起源極/汲極區域包括多個位在該外部源極/汲極區域上的外凸起源極/汲極區域及一位在每個內部源極/汲極區域上的內凸起源極/汲極區域，及 <br/>其中每個開關更包括多個矽化物層，其僅位於該凸起源極/汲極區域中的該外凸起源極/汲極區域上方並緊鄰所述外凸起源極/汲極區域。
如請求項10所述之結構， <br/>其中該等閘極具有多個主區段，其橫向位在該等凸起源極/汲極區域之間；及多個端區段，其分別從該等主區段延伸超過該等凸起源極/汲極區域朝向該第二部分， <br/>其中該等端區段包括一第一多晶矽閘極導電層，且該主區段包括第一多晶矽閘極導電層及一位在該第一多晶矽閘極導電層上的第二多晶矽閘極導電層， <br/>其中該等端區段具有一第一高度且該等主區段具有一第二高度，該第二高度係大於該第一高度，及 <br/>其中每個開關更包括： <br/>一第一介電層，其位在該第二部分上並緊鄰所述第二部分，該第一介電層延伸至緊鄰該第二部分的該第一部分的該過渡區上，並且進一步延伸於該等閘極的多個端區段的該第一多晶矽閘極導電層上方；及 <br/>一第二介電層，其位於每個內凸起源極/汲極區域上，並且位在該等閘極的多個主區段的該第二多晶矽閘極導電層上方並緊鄰所述第二多晶矽閘極導電層。
如請求項10所述之結構，更包括： <br/>一半導體基板； <br/>多個井區域，在該半導體基板中； <br/>一絕緣體層，位在該半導體基板上，其中該半導電層位在該絕緣體層上；及 <br/>多個溝槽絕緣體區域，延伸通過該半導電層以在該等井區域上界定出該等開關區的多個邊界。
一種半導體開關結構，包括： <br/>一半導電層，包括一開關區，其中該開關區包括一第一端；一第二端，其係相對於該第一端；一第一部分，從該第一端延伸至該第二端；及一第二部分，相鄰於該第一部分並且從該第一端延伸至該第二端；及 <br/>多個開關，其中每個開關包括： <br/>多個串聯連接的電晶體，包括： <br/>在該開關區的該第一部分內，多個源極/汲極區域及多個橫向位於該等源極/汲極區域之間的通道區域；及 <br/>多個閘極，分別相鄰於該等通道區域，其中該等閘極橫過該開關區的的該第一部分，並且其中該開關區的該第二部分延伸超過該等閘極；及 <br/>多個電阻元件，在該開關區的該第二部分中，該開關區係並聯連接該串聯連接的電晶體， <br/>其中該等多個開關包括並聯連接的一第一開關及一第二開關，且 <br/>其中該第一開關的多個串聯連接的電晶體的該等源極/汲極區域及該第二開關的多個串聯連接的電晶體的該等源極/汲極區域包括一位在該開關區的該第一部分中心的共用內部源極/汲極區域， <br/>其中該等串聯連接的電晶體更包括多個位在該等源極/汲極區域上的凸起源極/汲極區， <br/>其中該第一開關的多個串聯連接的電晶體及該第二開關的多個串聯連接的電晶體的該等源極/汲極區域分別包括在該第一端及該第二端的個別外部源極/汲極區域，及 <br/>其中該結構更包括多個矽化物層，其位於該共用內部源極/汲極區域、第一外部源極/汲極區域及第二外部源極/汲極區域上方，及 <br/>其中該結構中的所有其他的源極/汲極區域係未矽化。
如請求項13所述之結構， <br/>其中該等閘極具有多個主區段，其橫向位於該等凸起源極/汲極區域之間；及多個端區段，其分別從該等主區段延伸超過該等凸起源極/汲極區域朝向該第二部分， <br/>其中該等端區段包括一第一多晶矽閘極導電層，且該等主區段包括該第一多晶矽閘極導電層及一位在該第一多晶矽閘極導電層上的第二多晶矽閘極導電層， <br/>其中該等端區段具有一第一高度並且該等主區段具有一第二高度，該第二高度係大於該第一高度，及 <br/>其中該等開關更包括： <br/>一第一介電層，位於該第二部分上並緊鄰所述第二部分，該第一介電層延伸到緊鄰該第二部分的該第一部分的一過渡區，並且進一步延伸超過該等閘極的多個端區段的該第一多晶矽閘極導電層；及 <br/>一第二介電層，位於該共用內部源極/汲極區域與該第一外部源極/汲極區域之間或該共用汲極區域與該第二外部源極/汲極區域之間的任何源極/汲極區域上，並進一步位於該等閘極的多個主區段的該第二多晶矽閘極導電層上並緊鄰所述第二多晶矽閘極導電層。
一種風扇，其改良在於，包括： <br/>定子組件； <br/>轉子組件，與所述定子組件配合，並能夠相對所述定子組件轉動；以及， <br/>燈效組件，包括發射器、接收器及第一發光件； <br/>其中，所述發射器設置於所述定子組件，所述接收器設置於所述轉子組件，且所述發射器與所述接收器對應設置，以使所述發射器能夠向所述接收器供電； <br/>所述接收器電連接於所述第一發光件，用以對所述第一發光件供電。
如請求項1所述之風扇，其中，所述定子組件包括扇框及定子，所述扇框包括底板及軸套，所述定子連接於所述軸套之外周； <br/>所述轉子組件包括扇葉、輪轂、轉子磁體及軸芯，所述扇葉連接於所述輪轂之外周，所述軸芯連接於所述輪轂內側，並藉由軸承可轉動地連接於軸套內；所述輪轂間隔之套於所述軸套外，並及所述軸套圍成容納空間；所述轉子磁體連接於所述輪轂之內周，並與所述定子相對。
如請求項2所述之風扇，其中，輪轂包括頂壁及圍壁； <br/>所述發射器及所述接收器設置於所述容納空間； <br/>所述發射器連接於所述輪轂，所述接收器連接於所述定子朝向所述輪轂之一側，所述發射器沿軸向與所述接收器對應。
如請求項3所述之風扇，其中，所述發射器包括發射板及發射線圈，所述發射板呈環形，所述發射線圈呈環形，所述發射線圈設置於所述發射板朝向所述接收器之一側； <br/>所述接收器包括接收板及接收線圈，所述接收板呈環形，所述接收線圈呈環形，所述接收線圈設置於所述接收板朝向所述發射器之一側； <br/>所述發射線圈朝向所述接收線圈，以使所述發射器能夠向所述接收器供電。
如請求項4所述之風扇，其中，所述燈效組件還包括第二發光件，所述第二發光件設置於所述接收板遠離所述接收線圈之一側，所述第二發光件電連接於所述接收器； <br/>所述輪轂為透光結構，用於透出所述第二發光件發出之光。
如請求項2至5中任意一項所述之風扇，其中，所述輪轂之板面還凸設有沿周向分佈之複數第一凸出部，所述第一凸出部向所述接收器一側凸出； <br/>所述接收器還開設有複數第一通孔，複數所述第一通孔分別套接於複數所述第一凸出部。
如請求項2所述之風扇，其中，所述輪轂之板面還開設有第二通孔； <br/>所述接收器藉由所述第二通孔電連接至所述第一發光件； <br/>所述扇葉還開設有第一凹槽，所述第一凹槽之一端連接所述第二通孔； <br/>所述第一發光件設置於所述第一凹槽。
如請求項2所述之風扇，其中，所述定子包括定子鐵芯及定子線圈，所述定子線圈繞設於所述定子鐵芯； <br/>所述定子電連接於所述發射器，用以對所述發射器供電。
如請求項8所述之風扇，其中，所述定子鐵芯還包括定位凸起，所述定位凸起凸設於所述定子鐵芯； <br/>所述接收器還開設有定位孔，所述定位孔沿軸向與所述定位凸起對應，所述定位凸起沿軸向穿過所述定位孔。
如請求項1所述之風扇，其中，所述第一發光件包括複數燈珠，複數所述燈珠間隔設置於所述轉子組件。
一種閥，具備： <br/> 主體，形成有第1流入路及第1流出路，具有在上側面形成開口且前述第1流入路和前述第1流出路在底面形成開口的收容凹部； <br/> 孔口板，配置於前述收容凹部的前述底面上，並形成有孔口； <br/> 內部構件，配置於前述收容凹部內，形成有連通於前述第1流入路的第2流入路及連通於前述第1流出路的第2流出路；以及 <br/> 固定環，位於前述內部構件的上側，與形成於前述收容凹部的內周面的螺紋部螺合，將前述內部構件朝向前述底面推壓， <br/> 在前述收容凹部的前述底面的中心，開設前述第1流出路，在其周圍分別依照順序形成環狀的板支撐面及被抵接面， <br/> 在前述內部構件的下側面的中心，開設第2流出路，在其周圍分別依照順序形成環狀的推壓面及抵接面，在前述推壓面設置環狀的推壓突起部， <br/> 在將前述固定環旋入於前述收容凹部且前述抵接面緊貼於前述被抵接面的過程中，前述推壓突起部將前述孔口板予以推壓，前述孔口板和前述主體及前述內部構件之間的密封部被密封， <br/> 在前述板支撐面的外周緣，形成環狀的間隙槽， <br/> 前述孔口板的外周緣部，受到前述推壓突起部推壓而往前述間隙槽側彎曲。
如請求項1記載的閥，其中， <br/> 將前述孔口板推壓而變形前的前述推壓突起部，其外緣在剖面視角呈圓弧狀，在前述推壓面的徑向設置於第1位置和第2位置之間， <br/> 前述第1位置，是前述變形前的前述推壓突起部的頂部，在前述徑向位於比前述間隙槽的內端更稍微外側的狀態的位置，前述第2位置，是前述變形前的前述推壓突起部的內端，在前述徑向位於比前述間隙槽的內端更稍微內側的狀態的位置。
如請求項1記載的閥，其中， <br/> 進一步具備配置於前述收容凹部的前述底面的上，且具有連通於前述第1流入路及前述第2流入路的貫穿孔的襯墊， <br/> 在前述收容凹部的前述底面，以包圍前述第1流入路的開口部及前述第1流出路的開口部的方式設置環狀的第1突起部， <br/> 在前述內部構件的下側面，以包圍前述第2流入路的開口部及前述第2流出路的開口部的方式設置環狀的第2突起部， <br/> 將前述固定環旋入於前述收容凹部時，前述第1突起部咬入前述襯墊的下側面，前述第2突起部咬入前述襯墊的上側面，且分別形成密封。
一種靜電放電保護裝置，包括： <br/>P型區域；以及 <br/>N型區域，與所述P型區域接觸以在所述P型區域與所述N型區域之間的介面形成PN接面； <br/>N型井，位在所述P型區域中，其中所述N型井與所述N型區域重疊或相鄰，並使所述PN接面成為非平面。
如請求項1所述的靜電放電保護裝置，其中所述PN接面以反向偏置的方式連接於相關積體電路的電導體。
如請求項2所述的靜電放電保護裝置，還包括： <br/>N型區域接觸件，與所述N型區域接觸； <br/>P型區域接觸件，與所述P型區域接觸； <br/>陽極，與所述N型區域接觸件接觸；以及 <br/>陰極，與所述P型區域接觸件接觸； <br/>其中所述P型區域和所述N型區域配置在所述N型區域接觸件和所述P型區域接觸件之間，且所述P型區域和所述N型區域配置在所述陽極和所述陰極之間。
如請求項3所述的靜電放電保護裝置，其中： <br/>所述N型區域接觸件是單一區域，且 <br/>所述P型區域接觸件是單一區域。
如請求項3所述的靜電放電保護裝置， <br/>其中所述相關積體電路的所述電導體包括配置在所述相關積體電路前側的前側電源分配網路和配置在所述相關積體電路背側的背側電源分配網路， <br/>其中所述陽極是所述前側電源分配網路與所述背側電源分配網路之一的一部分，且 <br/>其中所述陰極是所述前側電源分配網路與所述背側電源分配網路之另一者的一部分。
如請求項1所述的靜電放電保護裝置，其中所述P型區域具有P型摻雜梯度，所述P型摻雜梯度中P型摻雜濃度隨著遠離所述PN接面的距離增加而增加。
如請求項6所述的靜電放電保護裝置，其中所述N型區域具有N型摻雜梯度，所述N型摻雜梯度中N型摻雜濃度隨著遠離所述PN接面的距離增加而增加。
一種形成靜電放電保護二極體的方法，包括： <br/>形成P型層和N型層，其中在所述P型層和所述N型層之間的介面處形成有PN接面；以及 <br/>執行摻質植入以在所述P型層中形成N型井，其中所述N型井與所述N型層重疊或相鄰，並增加所述PN接面的表面積。
如請求項8所述的形成靜電放電保護二極體的方法，其中由所述摻質植入形成的所述N型井是一維或二維N型井陣列。
一種靜電放電保護電路，包括： <br/>積體電路； <br/>靜電放電保護二極體，具有陽極和陰極； <br/>第一電源分配網路，配置在所述積體電路的第一側；以及 <br/>第二電源分配網路，配置在所述積體電路的第二側，所述第二側與所述積體電路的所述第一側相對； <br/>其中所述第一電源分配網路和所述第二電源分配網路與所述積體電路連接，以對所述積體電路進行供電，且 <br/>其中所述靜電放電保護二極體配置在所述第一電源分配網路和所述第二電源分配網路之間，所述陰極為所述第一電源分配網路的一部分，所述陽極為所述第二電源分配網路的一部分， <br/>其中所述靜電放電保護二極體包括： <br/>P型層；以及 <br/>N型層，PN接面位於所述P型層和所述N型層之間的介面；以及 <br/>N型井，位在所述P型層中，其中所述N型井與所述N型層重疊或相鄰，並使所述PN接面成為非平面。
一種藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其包括： <br/>自加入會員資格之用戶之用戶終端接收開始解除會員資格之流程之請求的動作； <br/>響應於上述開始解除會員資格之流程之請求，在與上述會員資格相關之複數個優惠中確定將顯示於與上述解除會員資格相關之第1頁面上之一個以上第1優惠的動作； <br/>確定與上述一個以上第1優惠分別對應之一個以上物品的動作； <br/>基於上述用戶之一日誌，於上述複數個優惠中確認存在上述用戶使用之歷史之一個以上第2優惠的動作； <br/>確定上述一個以上第2優惠各者之使用資訊之動作； <br/>向上述用戶終端傳輸包括上述一個以上第1優惠之資訊、上述一個以上物品之資訊、及上述一個以上第2優惠之各者之上述使用資訊的上述第1頁面之資訊的動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述一個以上第1優惠之動作包括： <br/>基於加入上述會員資格之複數個用戶之日誌，確定上述複數個優惠之優先順序之動作；及 <br/>基於上述複數個優惠之優先順序，於上述複數個優惠中確定上述一個以上第1優惠之動作。
如請求項2之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述複數個優惠之優先順序之動作包括： <br/>基於上述複數個用戶之日誌，於上述複數個用戶中確認存在曾請求解除上述會員資格之歷史之用戶的動作； <br/>於上述複數個優惠中確認所確認之上述用戶曾在與解除上述會員資格相關之第1頁面上選擇之優惠的動作；及 <br/>基於所確認之上述優惠，確定上述複數個優惠之優先順序之動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述一個以上第1優惠之動作包括： <br/>基於上述用戶之上述日誌，確定上述複數個優惠之優先順序之動作；及 <br/>基於上述複數個優惠之優先順序，於上述複數個優惠中確定上述一個以上第1優惠之動作。
如請求項4之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述複數個優惠之優先順序之動作包括： <br/>基於上述用戶之日誌，確認是否存在上述用戶曾請求解除上述會員資格之歷史之動作； <br/>響應於存在上述用戶曾請求解除上述會員資格之歷史之確認結果，於上述複數個優惠中確認上述用戶曾在與解除上述會員資格相關之第1頁面上選擇之優惠之動作；及 <br/>基於所確認之上述優惠，確定上述複數個優惠之優先順序之動作。
如請求項4之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述複數個優惠之優先順序之動作包括： <br/>基於上述用戶之日誌，確認是否存在上述用戶曾解除上述會員資格之歷史之動作； <br/>響應於存在上述用戶曾解除上述會員資格之歷史之確認結果，確認上述用戶之問卷調查結果資訊之動作，上述問卷調查結果資訊包括關於解除上述會員資格之原因之資訊； <br/>基於上述問卷調查結果資訊，於上述複數個優惠中確定與解除上述會員資格之原因對應之優惠之動作；及 <br/>基於所確定之上述優惠，確定上述複數個優惠之優先順序之動作。
如請求項4之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述複數個優惠之優先順序之動作包括： <br/>基於上述用戶之日誌，確認上述用戶之優惠使用歷史、物品購買歷史、物品檢索歷史或放入購物車歷史中之至少一者之動作；及 <br/>基於所確認之上述用戶之優惠使用歷史、物品購買歷史、物品檢索歷史或放入購物車歷史中之至少一者，確定上述複數個優惠之優先順序之動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定與上述一個以上第1優惠分別對應之上述一個以上物品的動作包括： <br/>確定與上述一個以上第1優惠分別對應之複數個物品之動作； <br/>確定上述複數個物品之優先順序之動作；及 <br/>基於上述複數個物品之優先順序，確定將顯示於上述第1頁面上之上述一個以上物品之動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中傳輸上述第1頁面之資訊之動作包括： <br/>生成上述第1頁面，使得用於上述一個以上第1優惠之一個以上第一微件及用於上述一個以上第2優惠之一個以上第二微件配置於上述第1頁面； <br/>其中上述一個以上第1優惠與上述一個以上第一微件對應，且上述一個以上第一微件之各者包括一對應之第1優惠之資訊、及與上述對應之第1優惠相關之一個以上物品的資訊；及 <br/>其中上述第二微件包括上述一個以上第2優惠各者之使用資訊。
如請求項9之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中生成上述第1頁面使得用於上述一個以上第1優惠之一個以上第一微件及用於上述一個以上第2優惠之一個以上第二微件配置於上述第1頁面之動作包括： <br/>基於上述一個以上第1微件之優先順序配置上述一個以上第1微件，使得在上述一個以上第一微件中，與具有高優先順序之第1優惠對應之微件，自上述第1頁面之一上端起依序配置。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述一個以上第2優惠各者之使用資訊之動作包括： <br/>確定上述一個以上第2優惠各者之使用次數之動作；及 <br/>將上述一個以上第2優惠各者之使用次數確定為上述一個以上第2優惠各者之使用資訊的動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述一個以上第2優惠各者之使用資訊之動作包括： <br/>於上述一個以上第2優惠包括與金錢收益對應之第3優惠之情形時，算出因使用上述第3優惠產生之金錢收益之動作；及 <br/>將因使用上述第3優惠產生之金錢收益之資訊確定為上述第3優惠之使用資訊的動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中確定上述一個以上第2優惠各者之使用資訊之動作包括： <br/>於上述一個以上第2優惠包括能夠觀看內容之優惠之情形時，將是否觀看上述內容確定為能夠觀看上述內容之優惠之使用資訊。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其進而包括： <br/>將與上述會員資格相關之頁面之資訊傳輸至上述用戶終端之動作； <br/>自上述用戶終端接收會員資格管理請求之動作；及 <br/>響應於上述會員資格管理請求，將與上述會員資格管理相關之頁面之資訊傳輸至上述用戶終端之動作； <br/>與上述會員資格管理相關之頁面包括請求開始解除上述會員資格之流程之選項的資訊、請求與上述會員資格之會費相關之結算資訊之選項之資訊、及請求上述會員資格之使用條款之選項之資訊。
如請求項14之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中接收開始解除上述會員資格之流程之請求之動作包括： <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對與上述會員資格管理相關之頁面上之請求，開始解除上述會員資格之流程之選項之輸入資訊的動作。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中上述第1頁面包括選擇解除上述會員資格之選項， <br/>其中上述方法包括： <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對上述第1頁面上之選擇解除上述會員資格之選項之第1輸入資訊的動作； <br/>響應於上述用戶之第1輸入資訊，向上述用戶終端傳輸包括維持上述會員資格之選項之資訊、及申請解除上述會員資格之選項之資訊的第2頁面之資訊的動作； <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對上述第2頁面上之申請解除上述會員資格之選項之第2輸入資訊的動作； <br/>響應於上述用戶之第2輸入資訊，基於上述用戶之日誌而確定上述用戶是否滿足預設之基準之動作；及 <br/>響應於上述用戶滿足上述預設之基準之確定結果，向上述用戶終端傳輸包括維持上述會員資格之選項之資訊、預約解除上述會員資格之選項之資訊、及立即解除上述會員資格之選項之資訊的第3頁面之資訊的動作。
如請求項16之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中於上述第3頁面中，立即解除上述會員資格之選項係基於交界線而與維持上述會員資格之選項、及預約解除上述會員資格之選項區分定位。
如請求項1之藉由電子裝置實行之處理會員資格解除請求之方法，其中上述第1頁面包括選擇解除上述會員資格之選項， <br/>其中上述方法包括： <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對上述第1頁面上之選擇解除上述會員資格之選項之第1輸入資訊的動作； <br/>響應於上述用戶之第1輸入資訊，向上述用戶終端傳輸包括維持上述會員資格之選項之資訊、及申請解除上述會員資格之選項之資訊的第2頁面之資訊的動作； <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對上述第2頁面上之申請解除上述會員資格之選項之第2輸入資訊的動作； <br/>響應於上述用戶之第2輸入資訊，基於上述用戶之日誌而確定上述用戶是否滿足預設之基準之動作； <br/>響應於上述用戶滿足上述預設之基準之確定結果，向上述用戶終端傳輸包括維持上述會員資格之選項之資訊、及再次確認解除上述會員資格之選項之資訊的第3頁面之資訊的動作； <br/>自上述用戶終端接收上述用戶對上述第3頁面上之再次確認解除上述會員資格之選項之第3輸入資訊的動作；及 <br/>響應於上述用戶之第3輸入資訊，向上述用戶終端傳輸包括預約解除上述會員資格之選項之資訊、及立即解除上述會員資格之選項之資訊的第4頁面之資訊的動作。
一種電子裝置，其包括： <br/>通信介面，其以可與網路進行通信之方式構成； <br/>處理器，其以執行包括一個以上指令之電腦程式之方式構成；及 <br/>記憶體，其儲存有上述電腦程式； <br/>上述處理器以如下方式構成：於藉由上述處理器執行上述電腦程式時，執行如請求項1至18中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成：使上述處理器執行如請求項1至18中任一項之方法。
一種閘極結構，包括：<br/> 閘極元件，設置於基底上；<br/> 第一間隙壁，設置於所述閘極元件的側壁上；<br/> 頂蓋層，設置於所述閘極元件的頂面上；<br/> 硬罩幕層，設置於所述頂蓋層上，其中所述硬罩幕層包括第一子硬罩幕層與第二子硬罩幕層，且所述第二子硬罩幕層設置於所述第一子硬罩幕層中；以及<br/> 第二間隙壁，設置於所述硬罩幕層的側壁上、所述頂蓋層的側壁上以及所述第一間隙壁上。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二間隙壁的頂面以及所述硬罩幕層的頂面是共平面的。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第一間隙壁的材料與所述第二間隙壁的材料不同。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述頂蓋層的材料與所述第二間隙壁的材料不同。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二間隙壁為選自氧化物層、氮化物層及空氣間隙的至少兩者所構成的多層結構。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二間隙壁與所述第一間隙壁及所述頂蓋層的側壁接觸的部分的材料與所述第一子硬罩幕層的材料相同。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二間隙壁的頂面、所述第一子硬罩幕層的頂面以及所述第二子硬罩幕層的頂面是共平面的。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第一子硬罩幕層的材料與所述第二子硬罩幕層的材料不同，且所述第一子硬罩幕層與所述第二間隙壁包括相同的材料。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二子硬罩幕層的側壁與所述第一子硬罩幕層之間的界面為平面狀。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述第二子硬罩幕層的側壁與所述第一子硬罩幕層之間的界面為曲面狀。
如請求項1所述的閘極結構，其中所述閘極元件包括依序設置於所述基底上的穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。
一種閘極結構的製造方法，包括：<br/> 於基底上依序形成閘極元件、頂蓋層以及硬罩幕層，其中所述硬罩幕層包括第一子硬罩幕層與第二子硬罩幕層，且所述第二子硬罩幕層設置於所述第一子硬罩幕層中；<br/> 於所述閘極元件的側壁上形成第一間隙壁；以及<br/> 於所述硬罩幕層的側壁上、所述頂蓋層的側壁上以及所述第一間隙壁上形成第二間隙壁。
如請求項12所述的閘極結構的製造方法，其中所述第二間隙壁的頂面及所述硬罩幕層的頂面是共平面的。
如請求項12所述的閘極結構的製造方法，其中在形成所述第二間隙壁之後，還包括：<br/> 於所述基底上形成犧牲層，其中所述犧牲層覆蓋所述第二間隙壁以及所述硬罩幕層；<br/> 移除部分所述犧牲層，直到暴露出所述硬罩幕層的頂面；<br/> 移除所述硬罩幕層，以形成凹槽；<br/> 於所述犧牲層上以及所述凹槽中共形地形成第一罩幕材料層；<br/> 於所述第一罩幕材料層上形成第二罩幕材料層，其中所述第二罩幕材料層填滿所述凹槽；以及<br/> 移除所述凹槽外的所述第一罩幕材料層與所述第二罩幕材料層，以於所述凹槽中形成所述第一子硬罩幕層與所述第二子硬罩幕層，其中所述第一子硬罩幕層位於所述第二子硬罩幕層與所述凹槽的側壁以及底面之間。
如請求項14所述的閘極結構的製造方法，其中所述第二間隙壁的頂面、所述第一子硬罩幕層的頂面以及所述第二子硬罩幕層的頂面是共平面的。
如請求項14所述的閘極結構的製造方法，其中所述第二子硬罩幕層的側壁與所述第一子硬罩幕層之間的界面為平面狀。
如請求項12所述的閘極結構的製造方法，其中在形成所述第二間隙壁之後，還包括：<br/> 於所述基底上形成犧牲層，其中所述犧牲層覆蓋所述第二間隙壁以及所述硬罩幕層；<br/> 移除部分所述犧牲層，直到暴露出所述硬罩幕層的頂面；<br/> 移除部分所述硬罩幕層，以形成具有凹槽的所述第一子硬罩幕層；以及<br/> 於所述凹槽中形成所述第二子硬罩幕層。
如請求項17所述的閘極結構的製造方法，其中移除部分所述硬罩幕層的方法包括進行非等向性蝕刻製程。
如請求項17所述的閘極結構的製造方法，其中所述第二子硬罩幕層的側壁與所述第一子硬罩幕層之間的界面為曲面狀。
如請求項12所述的閘極結構的製造方法，其中所述閘極元件包括依序形成於所述基底上的穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。
一種切換式電子負載，用於測試一直流電源供應器，所述切換式電子負載包含：<br/> 一連接端，用以電性連接該直流電源供應器的一輸出端；<br/> 一切換式電路，依據一測試命令，選擇性地提供一第一電壓範圍的一第一直流電壓或一第二電壓範圍的一第二直流電壓；以及<br/> 一電感性元件，電性連接於該連接端與該切換式電路之間；<br/> 其中該第一電壓範圍不小於零電壓，該第二電壓範圍小於零電壓；<br/> 其中該測試命令關聯於該直流電源供應器提供的一輸出電壓與一輸出電流，該輸出電壓為正電壓。
如請求項1所述之切換式電子負載，其中當該切換式電路判斷該測試命令指示該輸出電流於一指定時間區間的一電流變化率大於一第一門檻值，則該切換式電路於該指定時間區間提供該第二直流電壓。
如請求項2所述之切換式電子負載，其中當該切換式電路判斷該測試命令指示該輸出電流於該指定時間區間的該電流變化率不大於該第一門檻值，則該切換式電路於該指定時間區間提供該第一直流電壓。
如請求項3所述之切換式電子負載，其中該切換式電路包含一第一直流電壓源以及一全橋開關組，當該切換式電路於該指定時間區間提供該第一直流電壓時，該全橋開關組導通一第一開關組，使該切換式電路輸出該第一直流電壓；當該切換式電路於該指定時間區間提供該第二直流電壓時，該全橋開關組導通一第二開關組，使該切換式電路輸出該第二直流電壓。
如請求項1所述之切換式電子負載，其中該切換式電路包含一第一直流電壓源以及一第二直流電壓源，當該切換式電路於一指定時間區間提供該第一直流電壓時，由該第一直流電壓源提供該第一直流電壓；當該切換式電路於該指定時間區間提供該第二直流電壓時，由該第二直流電壓源提供該第二直流電壓。
一種半導體製程用拋光組合物，包括： <br/>1重量%至10重量%的拋光顆粒，以及 <br/>0.07重量%至3重量%的腐蝕抑制劑； <br/>所述腐蝕抑制劑包含： <br/>作為胺基唑類化合物的第一腐蝕抑制劑，以及 <br/>作為二唑類化合物的第二腐蝕抑制劑； <br/>所述半導體製程用拋光組合物的pH為2至5， <br/>所述半導體製程用拋光組合物對鎢膜的靜態蝕刻速度為6Å/分鐘以下， <br/>其中所述拋光顆粒包含二氧化矽， <br/>其中所述第一腐蝕抑制劑以重量為基準的含量與所述第二腐蝕抑制劑以重量為基準的含量的比率為0.8至1.6。
如請求項1所述的半導體製程用拋光組合物，其中所述半導體製程用拋光組合物對所述鎢膜的腐蝕電流密度I<sub>corr</sub>為60μA/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所述的半導體製程用拋光組合物，其中所述半導體製程用拋光組合物對所述鎢膜的腐蝕電位E<sub>corr</sub>為-30mV以上。
如請求項1所述的半導體製程用拋光組合物，其中所述腐蝕抑制劑抑制所述鎢膜的腐蝕。
如請求項1所述的半導體製程用拋光組合物，其中所述半導體製程用拋光組合物還包含以重量為基準10ppm至500ppm的氟表面活性劑。
如請求項1所述的半導體製程用拋光組合物，其中所述半導體製程用拋光組合物對所述鎢膜的氧化矽膜的拋光選擇比為5以上。
一種基板的製造方法，包括將請求項1所述的半導體製程用拋光組合物用作漿料以對所述基板進行拋光的工序。
一種支援寬頻操作之行動裝置，包括：<br/> 一饋入輻射部，具有一饋入點；<br/> 一第一輻射部，其中該第一輻射部係鄰近於該饋入輻射部；<br/> 一短路輻射部，其中該第一輻射部係經由該短路輻射部耦接至一接地電位；<br/> 一第二輻射部，耦接至該短路輻射部；<br/> 一第三輻射部，耦接至該第一輻射部，其中該第三輻射部係鄰近於該饋入輻射部；以及<br/> 一第四輻射部，耦接至該接地電位，其中該第四輻射部係鄰近於該饋入輻射部；<br/> 其中該饋入輻射部、該第一輻射部、該短路輻射部、該第二輻射部、該第三輻射部，以及該第四輻射部係共同形成一天線結構；<br/> 其中該第一輻射部更包括一梯形增寬部份。
如請求項1所述之行動裝置，其中該饋入輻射部包括一第一部份和一第二部份，而該第一部份和該第二部份之間形成一鈍夾角。
如請求項2所述之行動裝置，其中該饋入輻射部之該第二部份與該第一輻射部之該梯形增寬部份之間形成一第一耦合間隙，該饋入輻射部之該第一部份與該第三輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第一耦合間隙和該第二耦合間隙之每一者之寬度皆介於0.5mm至1.5mm之間。
如請求項2所述之行動裝置，其中該饋入輻射部之該第二部份與該第四輻射部之間形成一第三耦合間隙，而該第三耦合間隙之寬度係介於0.5mm至1mm之間。
如請求項1所述之行動裝置，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶，該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間，而該第三頻帶係介於5925MHz至7125MHz之間。
如請求項5所述之行動裝置，其中該第一輻射部和該短路輻射部之總長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
如請求項5所述之行動裝置，其中該第一輻射部、該短路輻射部，以及該第二輻射部之總長度係大致等於該第二頻帶之0.5倍波長。
如請求項5所述之行動裝置，其中該饋入輻射部之長度係大致等於該第三頻帶之0.5倍波長。
如請求項5所述之行動裝置，其中該第四輻射部之長度係大致等於該第三頻帶之0.25倍波長。
一種電子裝置，包括： <br/>一第一基板； <br/>一第二基板，相對於該第一基板設置，且包括面對該第一基板的一第一表面以及背對該第一基板的一第二表面； <br/>一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間； <br/>一彩色濾光層，設置於該顯示介質層與該第二基板之間；以及 <br/>一視角屏障層，接觸該第一表面以及該第二表面的其中一者， <br/>其中，於該第一表面的法線方向上，該第二基板的厚度小於該第一基板的厚度。
如請求項1所述之電子裝置，其中於該第一表面的該法線方向上，該視角屏障層與該彩色濾光層之間的距離介於37微米至518微米之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中該視角屏障層與該第一表面接觸。
如請求項3所述之電子裝置，更包括： <br/>一平坦層，設置於該視角屏障層與該彩色濾光層之間。
如請求項4所述之電子裝置，其中該平坦層的折射率介於1.2至1.7之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中該視角屏障層與該第二表面接觸。
如請求項6所述之電子裝置，其中該第二基板的折射率介於1.2至1.7之間。
如請求項1所述之電子裝置，其中該顯示介質層包括液晶(liquid crystal)、有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)或微發光二極體(micro LED)。
如請求項1所述之電子裝置，其中該視角屏障層包括複數層子屏障層。
如請求項1所述之電子裝置，其中該視角屏障層包括複數個透光區，且該些透光區交錯排列。
一種輪胎氣嘴，包括：<br/> 一管件，包括一內面、一內部通道及一大徑管段，該內部通道由該內面所界定且延伸穿過該大徑管段；及<br/> 一閥組，包括一密封部，可活動地插設於該內部通道，可作動使得該密封部抵接於該內面而阻斷該內部通道、或使得該密封部不抵接於該內面而不阻斷該內部通道；<br/> 其中，該閥組另包括一閥芯及一套設於該閥芯的閥芯密封件，該閥芯密封件可抵接於該內面而阻斷該內部通道；<br/> 其中，當該管件穿設於一輪框時，該大徑管段穿入至該輪框的一內部空間，該閥芯密封件抵接於該內面的位置是位於該輪框的內部空間中。
如請求項1所述的輪胎氣嘴，其中該閥芯包括一軸孔及至少一連通該軸孔的側孔，該至少一側孔與該內部通道連通。
如請求項2所述的輪胎氣嘴，其中該管件另包括一凸設於該內面的第一肩部，該閥芯另包括一第二擋肩，該閥芯可移動而使該第二擋肩被該第一肩部止擋。
如請求項3所述的輪胎氣嘴，其中當該第二擋肩被該第一肩部止擋時，該密封部抵接於該內面而阻斷該內部通道。
如請求項1所述的輪胎氣嘴，其中該管件另包括一上段及一下段，當該管件穿設於該輪框時，該上段延伸穿出該輪框而供連接一打氣裝置，該下段包括該大徑管段及一氣體出口。
如請求項4所述的輪胎氣嘴，另包括一閥桿密封件，該閥桿密封件套設於該管件的一末端部；該閥芯延伸凸出於該管件之外；一固緊件螺鎖於該管件，一輪框密封件套設於該管件且位於該大徑管段與該固緊件之間，該固緊件供拉緊該管件且迫使該輪框密封件緊抵於該輪框的外側。
如請求項1至6任一項所述的輪胎氣嘴，其中該管件的一端設有一可拆卸的端蓋，該端蓋設有至少一與該內部通道連通的通孔。
如請求項7所述的輪胎氣嘴，另包括一彈性件，該彈性件彈抵於該閥組與該端蓋之間。
如請求項8所述的輪胎氣嘴，其中該彈性件為圈狀彈簧，該閥組另包括一套軸，該端蓋包括一凸部，該彈性件套設於該套軸及該凸部。
如請求項9所述的輪胎氣嘴，其中在該管件的一軸向方向上，該套軸的長度不小於該大徑管段的長度。
一種製造光學裝置的方法，所述方法包括： <br/>形成光學中介物；以及 <br/>將超表面與所述光學中介物內的邊緣耦合器對準， <br/>其中將所述超表面對準是使用光學膠附接所述超表面，且所述超表面具有不大於所述光學膠的厚度的工作距離。
如請求項1所述的方法，其中所述超表面包括分散在保持介質內的超原子。
一種製造光學裝置的方法，所述方法包括： <br/>在基底上形成第一光學組件，所述第一光學組件包括邊緣耦合器； <br/>在所述第一光學組件周圍沉積介電材料； <br/>在所述第一光學組件之上形成接合層； <br/>將半導體晶粒附接至所述接合層；以及 <br/>將超表面黏合到所述介電材料並與所述邊緣耦合器對準，所述超表面包括分散在保持介質各處的超原子。
如請求項3所述的方法，其中所述超原子在所述保持介質內排列成一系列同心圓。
如請求項3所述的方法，其中第一同心圓內的第一超原子具有第一直徑，其中第二同心圓內的第二超原子具有不同於所述第一直徑的第二直徑。
如請求項5所述的方法，其中所述第一同心圓比所述第二同心圓更靠近所述超表面的中心，且其中所述第一直徑大於所述第二直徑。
一種光學裝置，包括： <br/>光學中介物； <br/>邊緣耦合器，位於所述光學中介物內； <br/>超表面，與所述邊緣耦合器對準；以及 <br/>光學膠，將所述超表面附接到所述光學中介物，且所述超表面具有不大於所述光學膠的厚度的工作距離。
如請求項7所述的光學裝置，其中所述超表面包括位於保持介質內的超原子。
如請求項8所述的光學裝置，其中所述超原子包括二氧化鈦。
如請求項9所述的光學裝置，其中所述保持介質包括氧化矽。
一種滾筒式清潔器，適用於清潔一印刷版，並包含：<br/> 一握持單元，包括一握柄及一沿一左右方向延伸且可樞轉地穿設於該握柄的轉軸結構；及<br/> 一滾筒單元，安裝於該轉軸結構且適用於吸附液體，該滾筒單元能夠以該轉軸結構為軸心轉動，而在該印刷版的表面上相對滾動，該轉軸結構具有兩個分別突出於該握柄的左、右兩側的安裝件；該滾筒單元包括兩個適用於吸附液體的滾筒，各該滾筒具有一貫穿左、右兩面的第一安裝孔，該等第一安裝孔分別供該等安裝件穿入，使該等滾筒分別安裝於該轉軸結構的左、右兩端，各該安裝件具有一本體部及多個凸條，各該本體部呈圓柱狀且其軸向平行於該左右方向，各該安裝件的該等凸條突出於相應的該本體部的外周面且環繞該本體部的軸心分布，並撐抵於相應的該第一安裝孔的內壁。
如請求項1所述的滾筒式清潔器，其中，該握持單元還包括一安裝於該握柄前段的壓力感測組件，該壓力感測組件具有一能夠被該轉軸結構觸抵的壓力感測器，及一與該壓力感測器電連接的發光元件，當該壓力感測器受到該轉軸結構觸抵且其觸抵的力道大過該壓力感測器的閥值時，該發光元件受到該壓力感測器驅動而發出亮光。
如請求項1所述的滾筒式清潔器，其中，該等滾筒分別可拆除地安裝於該等安裝件；該轉軸結構還具有一樞軸及兩個固定件，該樞軸穿設於該握柄，並供該等安裝件分別安裝於其左、右兩端；該等固定件分別可分離地插設於該樞軸的左、右兩端面，並分別壓抵於該滾筒單元的端面，以限制該滾筒單元拆除。
如請求項3所述的滾筒式清潔器，其中，該滾筒單元還包括兩個可拆除地安裝於該轉軸結構且適用於吸附液體的滾筒片體，該等滾筒片體分別位於該等滾筒相互遠離的一側外，該等滾筒片體的外徑大於該等滾筒的外徑，且該等滾筒片體在該左右方向上的長度小於該等滾筒在該左右方向上的長度。
如請求項4所述的滾筒式清潔器，其中，該樞軸的左、右兩端面各凹陷形成一固定孔；各該滾筒片體具有一貫穿左、右兩面的第二安裝孔；各該固定件具有一可分離地插入相應的該固定孔的固定部、一與該滾筒的端面間隔的限位部，及一設置於該固定部與該限位部之間的安裝部，該等安裝部分別可拆除地穿入該等第二安裝孔或該等第一安裝孔，該滾筒單元能夠被操作而在一該等滾筒片體安裝於該轉軸結構的第一使用狀態，及一該等滾筒片體被拆除的第二使用狀態之間變換，當該滾筒單元處於該第一使用狀態時，該等滾筒片體的該第二安裝孔分別供該等安裝部穿入，且該等滾筒片體的端面分別受到該等限位部擋止而被限制拆除；當該滾筒單元處於該第二使用狀態時，該等滾筒的該第一安裝孔分別供該等安裝部穿入，且該等滾筒的端面分別受到該等限位部擋止而被限制拆除。
如請求項1所述的滾筒式清潔器，其中，該握柄的底面向上凹陷形成一供食指置入的底部凹槽，該底部凹槽的槽壁供食指向上撐抵。
如請求項6所述的滾筒式清潔器，其中，該握柄沿一前後方向延伸，且該握柄的頂面鄰近該底部凹槽處向下凹陷形成多個頂部狹縫，該等頂部狹縫在該前後方向上間隔排列，該握柄設有該等頂部狹縫處供拇指壓抵。
如請求項6所述的滾筒式清潔器，其中，該握柄沿一前後方向延伸，且該底部凹槽的槽壁向上凹陷形成多個底部狹縫，該等底部狹縫在該前後方向上間隔排列。
一種機器人關節裝置，包括：<br/> 一關節件，包括一第一樞軸、一第二樞軸及一第三樞軸；<br/> 一第一樞轉件，樞接於該第一樞軸； <br/> 一第二樞轉件，樞接於該第二樞軸；以及<br/> 一第三樞轉件，樞接於該第三樞軸；<br/> 其中，該關節件更包括一關節本體，該關節本體為一球體的至少一部分，該第一樞軸、該第二樞軸及該第三樞軸連接於該關節本體，且該第一樞軸之一第一中心軸、一第二樞軸之一第二中心軸及一第三樞軸之一第三中心軸通過該關節本體之一中心。
如請求項1所述之機器人關節裝置，其中該關節本體具有一本體外輪廓面；該第一樞轉件具有一第一內輪廓面及一第一滑槽，其中該第一內輪廓面順應該本體外輪廓面，該第一滑槽從該第一內輪廓面往外延伸；該第二樞轉件具有一第二內輪廓面及一第二滑槽，其中該第二內輪廓面順應該本體外輪廓面，該第二滑槽從該第二內輪廓面往外延伸；該第三樞轉件具有一第三內輪廓面及一第三滑槽，其中該第三內輪廓面順應該本體外輪廓面，該第三滑槽從該第三內輪廓面往外延伸。
如請求項2所述之機器人關節裝置，其中該關節本體具有一上表面及一下表面，該第一滑槽、該第二滑槽及該第三滑槽從該上表面往該下表面的方向傾斜地延伸。
如請求項2所述之機器人關節裝置，其中該第一滑槽與一平面之間的夾角、該第二滑槽與該平面之間的夾角及該第三滑槽與該平面之間的夾角相等。
如請求項1所述之機器人關節裝置，其中該第一樞轉件具有一第一從動齒輪，該第二樞轉件具有一第二從動齒輪，該第三樞轉件具有一第三從動齒輪；該機器人關節裝置更包括：<br/> 一第一驅動機構，連接該第一從動齒輪，以驅動該第一樞轉件轉動；<br/> 一第二驅動機構，連接該第二從動齒輪，以驅動該第二樞轉件轉動；以及<br/> 一第三驅動機構，連接該第三從動齒輪，以驅動該第三樞轉件轉動。
如請求項5所述之機器人關節裝置，其中該關節件具有一關節中心軸；該第一驅動機構具有一第一轉軸，該第二驅動機構具有一第二轉軸，該第三驅動機構具有一第三轉軸；該關節中心軸與該第一轉軸之間具有一第一連線，該關節中心軸與該第二轉軸之間具有一第二連線，該關節中心軸與該第三轉軸之間具有一第三連線；該第一連線與該第二連線之間的夾角、該第一連線與該第三連線之間的夾角以及該第二連線與該第三連線之間的夾角相等。
一種機器人關節裝置，包括：<br/> 單個關節件；<br/> 複數個樞轉件，樞接該單個關節件；以及<br/> 複數個驅動機構，分別獨立控制該些樞轉件的運動；<br/> 其中，該單個關節件更包括一關節本體及複數個樞軸，該關節本體為一球體的至少一部分，該些樞軸連接於該關節本體，且各該樞軸之一中心軸通過該關節本體之一中心。
如請求項7所述之機器人關節裝置，其中該關節本體具有一本體外輪廓面；各該樞轉件具有一內輪廓面及一滑槽，其中該內輪廓面順應該本體外輪廓面且該滑槽從該內輪廓面往外延伸。
如請求項8所述之機器人關節裝置，其中該關節本體具有一上表面及一下表面，各該滑槽從該上表面往該下表面的方向傾斜地延伸。
如請求項8所述之機器人關節裝置，其中各該滑槽與一平面之間具有一夾角，該些夾角係相等。
如請求項7所述之機器人關節裝置，其中各該樞轉件具有一從動齒輪；該些驅動機構連接該些從動齒輪，以驅動該些樞轉件轉動。
一種光通訊裝置，包括：<br/> 殼體，包括前開口以及鄰近於上述前開口的內彈片；<br/> 定位結構，設置於上述殼體，且包括鄰近於上述內彈片的外彈片；以及<br/> 變形傳感器，設置於上述內彈片以及上述外彈片之間，<br/> 其中當光通訊模組插入上述殼體內且使上述內彈片變形時，上述變形傳感器發出變形訊號，<br/> 其中上述內彈片更包括扣合孔，且上述光通訊模組包括卡扣，當上述卡扣位於上述扣合孔內時，上述內彈片回覆至初始位置。
如請求項1所述的光通訊裝置，更包括電連接器，設置於上述殼體內，當上述卡扣位於上述扣合孔內時，上述光通訊模組連接於上述電連接器。
如請求項1所述的光通訊裝置，其中當上述光通訊模組插入上述殼體內且使上述內彈片變形時，上述外彈片提供彈力於上述內彈片。
如請求項1所述的光通訊裝置，更包括發光模組，依據上述變形訊號，發出警示燈號。
如請求項1所述的光通訊裝置，更包括：<br/> 距離傳感器，設置於上述殼體內，用以感測上述光通訊模組與上述距離傳感器之間的距離；以及<br/> 發光模組，當上述距離於距離範圍內時，上述距離傳感器發出距離訊號，且上述發光模組依據上述距離訊號發出提示燈號，<br/> 當上述距離於預定距離內時，上述距離傳感器發出連接訊號，且上述發光模組依據上述連接訊號發出連接燈號。
一種光通訊裝置的使用方法，包括下列步驟：<br/> (1) 當光通訊模組進入殼體內時，距離傳感器感測上述光通訊模組與上述距離傳感器之間的距離；<br/> (2) 當上述距離於距離範圍內時，上述距離傳感器發出距離訊號；<br/> (3) 當光通訊模組使上述殼體的內彈片變形時，連接於上述內彈片的變形傳感器發出變形訊號；以及<br/> (4) 當上述距離小於預定距離時，上述距離傳感器發出連接訊號。
如請求項6所述的光通訊裝置的使用方法，其中於上述步驟(3)中更包括發光模組依據上述變形訊號發出警示燈號。
如請求項6所述的光通訊裝置的使用方法，其中於上述步驟(4)中更包括當上述光通訊模組的卡扣位於上述內彈片的扣合孔內時，上述內彈片回復至初始位置，且當上述內彈片回復至初始位置時，上述發光模組停止發出上述警示燈號。
如請求項6所述的光通訊裝置的使用方法，其中於上述步驟(2)中更包括發光模組依據上述距離訊號發出提示燈號，且上述發光模組依據上述連接訊號發出連接燈號。
一種用在一浸沒周遭環境中之電路裝置，該電路裝置包含： <br/>至少一個輸入電接點，其經配置以接收電輸入； <br/>至少一個輸出接點，其經配置以提供電輸出；及 <br/>至少一個電導體，其與該電路裝置之電功能相關聯，其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體中之各者至少部分地由多種自鈍化金屬中之一者形成，其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之該多種自鈍化金屬中之該一者在曝露於該浸沒周遭環境時在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之表面上形成絕緣層，以減輕在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之間的電弧。
如請求項1之電路裝置，其進一步包含由抗腐蝕材料中之一者及該多種自鈍化金屬中之一者形成的致動部分，該致動部分經配置以機械接合，以執行該電路裝置之該電功能。
如請求項1之電路裝置，其中該電路裝置經配置為電感器線圈，該電感器線圈包含經配置為以複數個環圈捲繞之電線的該至少一個電導體，其中該電感器線圈包含這些環圈中之各者之間的空間間隙或絕緣材料中之一者。
如請求項1之電路裝置，其中該電路裝置經配置為開關，其中該至少一個電導體經配置為至少一個開關接點，該至少一個開關接點經配置以將該至少一個輸入電接點中之各者電耦接至該至少一個輸出接點中之各別者。
如請求項1之電路裝置，其中該電路裝置經配置為繼電器，其中該至少一個電導體包含電感器線圈及複數個開關接點，其中該至少一個輸入電接點包含致動輸入端，該致動輸入端經配置以提供電流至該致動輸入端且通過該電感器線圈，以接合該複數個開關接點以將該至少一個輸入電接點中之各者電耦接至該至少一個輸出接點中之各別者。
如請求項1之電路裝置，其中該電路裝置經配置為斷路器，其中該至少一個電導體包含跳脫棒接點及致動組件。
如請求項6之電路裝置，其中該致動組件包含電感器線圈，該電感器線圈經配置以回應於與在各別的至少一個電輸入電接點上提供之至少一個電輸入相關聯的過電流而磁接合這些跳脫棒接點。
如請求項6之電路裝置，其中該致動組件包含熱偵測器，該熱偵測器經配置以回應於與在各別的至少一個電輸入電接點上提供之至少一個電輸入相關聯的過電流而熱接合這些跳脫棒接點。
如請求項8之電路裝置，其進一步包含熱套管，該熱套管覆蓋該熱偵測器以減輕至該浸沒周遭環境中之熱耗散。
如請求項1之電路裝置，其中該電路裝置經配置為恆溫器，其中該至少一個輸入電接點及該至少一個輸出接點包含用於該恆溫器之電力接點，其中該至少一個電導體包含熱感測線圈、機械耦接至該熱感測線圈之凸輪及耦接至該凸輪之開關。
一種用於製造用在浸沒周遭環境中之電路裝置的方法，該電路裝置包含電感器線圈、開關、繼電器、斷路器及恆溫器中之至少一者，該方法包含： <br/>至少部分地由多種自鈍化金屬中之一者形成該電路裝置之至少一個輸入電接點，該至少一個輸入電接點經配置以接收電輸入； <br/>至少部分地由該多種自鈍化金屬中之一者形成該電路裝置之至少一個輸出接點，該至少一個輸出接點經配置以提供電輸出； <br/>至少部分地由該多種自鈍化金屬中之一者形成該電路裝置之至少一個電導體，該至少一個電導體與該電路裝置之電功能相關聯；及 <br/>在浸沒周遭環境中操作該電路裝置，使得該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體曝露於該浸沒周遭環境， <br/>其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之該多種自鈍化金屬中之該一者在曝露於該浸沒周遭環境時在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之表面上形成絕緣層，以減輕在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之間的電弧。
如請求項11之方法，其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之形成中之至少一者包含完全由這些自鈍化金屬中之該一者形成該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體中之至少一者。
如請求項11之方法，其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之形成中之至少一者包含： <br/>由金屬形成該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體中之至少一者；及 <br/>用這些自鈍化金屬中之該一者鍍敷該金屬。
如請求項11之方法，其進一步包含製造致動組件，該致動組件經配置以機械接合，以執行該電路裝置之該電功能，該致動組件由抗腐蝕金屬中之一者或由該多種自鈍化金屬中之一者形成。
一種用於在浸沒周遭環境中實施電路裝置之方法，該方法包含： <br/>將至少一個第一電導體電耦接至該電路裝置之各別至少一個輸入電接點，該至少一個輸入電接點至少部分由多種自鈍化金屬中之一者形成，該至少一個輸入電接點耦接至該電路裝置之至少一個電導體，至少一個電導體至少部分由該多種自鈍化金屬中之一者形成； <br/>將至少一個第二電導體電耦接至該電路裝置之各別至少一個輸出接點，至少一個輸出接點至少部分由該多種自鈍化金屬中之一者形成，該至少一個輸出接點耦接至該電路裝置之該至少一個電導體； <br/>在該電耦接之前或之後將該電路裝置浸沒於該浸沒周遭環境中；及 <br/>回應於自該至少一個第一電導體提供至該電路裝置之電輸入而對該電路裝置進行機械控制及電控制中之至少一者，以經由該至少一個電導體提供電功能， <br/>其中該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之該多種自鈍化金屬中之該一者在曝露於該浸沒周遭環境時在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之表面上形成絕緣層，以減輕在該至少一個輸入電接點、該至少一個輸出接點及該至少一個電導體之間的電弧。
如請求項15之方法，其中該電路裝置經配置為電感器線圈，該電感器線圈包含經配置為以複數個環圈捲繞之電線的該至少一個電導體，其中該電感器線圈包含這些環圈中之各者之間的空間間隙或絕緣材料中之一者，其中控制該電路裝置包含將電流作為該電輸入提供至該至少一個輸入電接點以在該電感器線圈中產生磁場。
如請求項15之方法，其中該電路裝置經配置為開關，其中該至少一個電導體經配置為至少一個開關接點，該至少一個開關接點經配置以將該至少一個輸入電接點中之各者電耦接至該至少一個輸出接點中之各別者，其中控制該電路裝置包含致動該開關之致動器部分以將該至少一個輸入電接點電耦接至該至少一個輸出接點。
如請求項15之方法，其中該電路裝置經配置為繼電器，其中該至少一個電導體包含電感器線圈及複數個開關接點，其中該至少一個輸入電接點包含致動輸入端，其中控制該電路裝置包含將電流作為該電輸入提供至該致動輸入端且通過該電感器線圈，以接合該複數個開關接點，以將該至少一個輸入電接點中之各者電耦接至該至少一個輸出接點中之各別者。
如請求項15之方法，其中該電路裝置經配置為斷路器，其中該至少一個電導體包含跳脫棒接點及致動組件，其中控制該電路裝置包含將電流作為該電輸入提供至該至少一個輸入電接點中之一者；及以下中之至少一者： <br/>回應於與該電流相關聯之過電流而磁接合這些跳脫棒接點；或 <br/>回應於與該電流相關聯之該過電流而熱接合這些跳脫棒接點。
如請求項15之方法，其中該電路裝置經配置為恆溫器，其中該至少一個輸入電接點及該至少一個輸出接點包含用於該恆溫器之電力接點，其中該至少一個電導體包含熱感測線圈、機械耦接至該熱感測線圈之凸輪及耦接至該凸輪之開關。
一種電路板的乾膜壓合方法，其包括：<br/> 一前置步驟，提供一防焊乾膜及一基板；<br/> 一前處理步驟，將所述基板的其中一表面進行清潔；<br/> 一壓模步驟，通過一壓模機將所述防焊乾膜的一貼合面壓合於所述基板的所述表面，並通過所述壓模機在一真空環境下將所述防焊乾膜內的氣泡壓出；其中，所述壓模步驟包含一壓模溫度，所述壓模溫度介於50℃至70℃之間；<br/> 一曝光步驟，以一光線對貼合於所述基板的所述防焊乾膜進行光固化以形成一防焊層；及<br/> 一開窗步驟，將所述基板上的所述防焊層通過一顯影劑進行開窗，以使所述防焊層上形成有至少一個開孔，至少一個所述開孔能使所述基板的部分所述表面露出；<br/> 其中，於所述曝光步驟後，所述防焊層定義有一最大厚度及一最小厚度，所述最大厚度與所述最小厚度間的一厚度差小於8微米，並且所述防焊層的一表面粗糙度(Ra)小於0.2微米。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，所述基板的所述表面包含有一防焊區及至少一個焊接區；其中，所述防焊層是形成於所述表面的所述防焊區。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，所述最大厚度與所述最小厚度間的所述厚度差小於6微米。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，所述表面粗糙度小於0.1微米。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，於所述壓模步驟中，所述壓模步驟包含一壓模時間，所述壓模時間介於20秒至40秒之間。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，於所述壓模步驟中，所述壓模步驟包含一壓模壓力，所述壓模壓力介於0.4Mpa至0.8Mpa之間。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，所述開窗步驟中的所述顯影劑為碳酸鈉或碳酸鉀的至少其中之一。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，於所述曝光步驟中定義有至少一個預計開孔位置；其中，所述預計開孔位置與相對應的所述開孔的一偏移數值不大於15微米。
如請求項1所述的電路板的乾膜壓合方法，其中，於所述開窗步驟中，至少一個所述開孔包含有一開孔長度及一開孔寬度；其中，所述開孔長度大於190微米、並小於1000微米，所述開孔寬度大於140微米、並小於950微米。
一種基於行動邊緣運算應用的行動終端的識別系統，包括封包處理模組、與該封包處理模組電性連接或通訊連接的識別模組以及與該識別模組電性連接或通訊連接的用戶設備資料管控模組，該用戶設備資料管控模組用以儲存各行動終端設備的識別資訊，其中，<br/> 該封包處理模組經由基地台接收第一行動終端設備發送的信令封包及識別請求，將該信令封包及該識別請求傳送至該識別模組，<br/> 該識別模組對該信令封包及該識別請求進行解析，以獲取該第一行動終端設備的第一識別資訊，並傳送該第一識別資訊及查詢請求至該用戶設備資料管控模組，以獲取查詢資訊，<br/> 該識別模組依據該查詢資訊進行判斷，以獲取識別結果資訊，並且將該識別結果資訊傳送至該封包處理模組，其中該識別模組依據該查詢資訊進行判斷，以獲取該識別結果資訊，並且將該識別結果資訊傳送至該封包處理模組的操作中，更包括：<br/> 該識別模組依據該查詢資訊判斷該識別資訊中是否包括該第一識別資訊，<br/> 倘若該識別資訊中包括該第一識別資訊，該識別模組獲取該識別結果資訊為通過識別程序，以及<br/> 倘若該識別資訊中未包括該第一識別資訊，該識別模組獲取該識別結果資訊為未通過識別程序，以及<br/> 該封包處理模組依據該識別結果資訊對訊務封包標識身份代碼與位置代碼後傳送至本地應用服務或者依據應用場域需求對該訊務封包進行處理。
如請求項1所述的識別系統，其中該封包處理模組依據該識別結果資訊對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼後傳送至該本地應用服務或者依據應用場域需求對該訊務封包進行處理的操作中，<br/> 該封包處理模組更用以於該識別程序通過之後，對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼並傳送至該本地應用服務，以及<br/> 該封包處理模組更用以於該識別程序未通過之後，依據應用場域需求對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼、維持該訊務封包或丟棄該訊務封包。
如請求項2所述的識別系統，其中於對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼並傳送至該本地應用服務之後，<br/> 該本地應用服務經由該封包處理模組及該基地台欲傳送該訊務封包至該第一行動終端設備，<br/> 該封包處理模組更用以解析該訊務封包，判斷該訊務封包中是否包括該身份代碼與該位置代碼，<br/> 倘若該訊務封包中包括該身份代碼與該位置代碼，該封包處理模組更用以從該訊務封包中移除該身份代碼與該位置代碼，並且將經移除後的該訊務封包經由該基地台傳送至該第一行動終端設備，以及<br/> 倘若該訊務封包中不包括該身份代碼與該位置代碼，該封包處理模組更用以將該訊務封包經由該基地台傳送至該第一行動終端設備。
如請求項1所述的識別系統，其中，<br/> 該用戶設備資料管控模組更用以接收新增識別資訊請求，依據該新增識別資訊請求判斷新增識別資訊是否完整且是否已存在於該識別資訊中，<br/> 倘若該新增識別資訊完整且不存在於該識別資訊中，該用戶設備資料管控模組將該新增識別資訊新增至該識別資訊中，以及<br/> 倘若該新增識別資訊完整且存在於該識別資訊中，回覆該用戶設備資料管控模組新增識別資訊失敗。
一種基於行動邊緣運算應用的行動終端的識別方法，包括：<br/> 經由基地台接收第一行動終端設備發送的信令封包及識別請求，並傳送該信令封包及該識別請求；<br/> 對該信令封包及該識別請求進行解析，以獲取該第一行動終端設備的第一識別資訊，並傳送該第一識別資訊及查詢請求，以獲取查詢資訊；<br/> 依據該查詢資訊進行判斷，以獲取並且傳送該識別結果資訊，其中該依據該查詢資訊進行判斷，以獲取該識別結果資訊，並且傳送該識別結果資訊的步驟中，更包括：<br/> 依據該查詢資訊判斷該識別資訊中是否包括身份代碼與位置代碼；<br/> 倘若該識別資訊中包括該身份代碼與該位置代碼，獲取該識別結果資訊為通過識別程序；以及<br/> 倘若該識別資訊中未包括該身份代碼與該位置代碼，獲取該識別結果資訊為未通過識別程序；以及<br/> 依據該識別結果資訊對訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼後傳送至本地應用服務或者依據應用場域需求對該訊務封包進行處理。
如請求項5所述的識別方法，其中該依據該識別結果資訊對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼後傳送至該本地應用服務或者依據應用場域需求對該訊務封包進行處理的步驟中，更包括，<br/> 於該識別程序通過之後，對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼並傳送至該本地應用服務，以及<br/> 於該識別程序未通過之後，依據應用場域需求對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼、維持該信令封包或丟棄該訊務封包。
如請求項6所述的識別方法，其中對該訊務封包標識該身份代碼與該位置代碼並傳送至該本地應用服務之後，該識別方法更包括，<br/> 該本地應用服務經由該基地台欲傳送該訊務封包至該第一行動終端設備；<br/> 解析該訊務封包，判斷該訊務封包中是否包括該身份代碼與該位置代碼；<br/> 倘若該訊務封包中包括該身份代碼與該位置代碼，從該訊務封包中移除該身份代碼與該位置代碼，並且將經移除後的該訊務封包經由該基地台傳送至該第一行動終端設備；以及<br/> 倘若該訊務封包中不包括該身份代碼與該位置代碼，將該訊務封包經由該基地台傳送至該第一行動終端設備。
如請求項5所述的識別方法，其中該識別方法更包括：<br/> 接收新增識別資訊請求，依據該新增識別資訊請求判斷新增識別資訊是否完整且是否已存在於該識別資訊中；<br/> 倘若該新增識別資訊完整且不存在於該識別資訊中，將該新增識別資訊新增至該識別資訊中；以及<br/> 倘若該新增識別資訊完整且存在於該識別資訊中，回覆新增識別資訊失敗。
一種顯示器用樹脂製導光體，其係含有甲基丙烯酸系樹脂組合物者，並且 <br/>上述顯示器用樹脂製導光體中的甲基丙烯酸系樹脂組合物中之甲基丙烯酸酯單體單元之配向度之絕對值為0.10～0.25， <br/>影像光導波之有效區域面之PV值為100 μm以下。
如請求項1之顯示器用樹脂製導光體，其中上述顯示器用樹脂製導光體中所含之甲基丙烯酸系樹脂組合物之光彈性係數之絕對值為10×10 <sup>-12</sup>Pa <sup>-1</sup>以下。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其中上述甲基丙烯酸系樹脂組合物之重量平均分子量為11萬～17萬。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其中上述甲基丙烯酸系樹脂組合物之玻璃轉移溫度(Tg)為115℃～150℃。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其面內相位差之絕對值為10 nm以下。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其中上述甲基丙烯酸系樹脂組合物含有具備具有環結構之結構單元之甲基丙烯酸系樹脂。
如請求項6之顯示器用樹脂製導光體，其中上述具有環結構之結構單元包含選自由源自N-取代順丁烯二醯亞胺單體之結構單元、戊二醯亞胺系結構單元、芳香族乙烯基結構單元、脂環式乙烯基結構單元及內酯環結構單元所組成之群中之至少一種結構單元。
如請求項6之顯示器用樹脂製導光體，其中上述具有環結構之結構單元包含源自N-取代順丁烯二醯亞胺單體之結構單元。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其厚度為0.8 mm以下。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其中於光之入射部與出射部之至少一者中具備繞射光學元件。
如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體，其中於表面之一部分或複數個部位具有微細凸形狀， <br/>上述微細凸形狀之線寬為0.10～2.00 μm。
如請求項11之顯示器用樹脂製導光體，其中上述微細凸形狀之線寬與高度之比(高度)/(線寬)為0.10～1.50。
一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1或2之顯示器用樹脂製導光體。
一種顯示器用樹脂製導光體之製造方法，其特徵在於：其係利用熱塑性樹脂組合物之射出壓縮成形而製造顯示器用樹脂製導光體之方法， <br/>該方法包括樹脂填充步驟及壓縮步驟， <br/>將自射出成形機機筒之噴嘴前端至中央之溫度設定為相對於上述熱塑性樹脂組合物之玻璃轉移溫度(Tg)高120～180℃之溫度，將模具溫度設定為相對於上述熱塑性樹脂組合物之玻璃轉移溫度(Tg)為(Tg－80)℃～(Tg－35)℃之範圍， <br/>以滿足下述(1)及(2)之方式調整上述樹脂填充步驟中之射出速度及填充時間、上述壓縮步驟中之壓縮距離、壓縮時間及壓縮壓力、以及上述樹脂填充步驟與上述壓縮步驟之間設定之壓縮延遲時間及冷卻時間之各條件； <br/>(1)上述顯示器用樹脂製導光體之面內相位差之絕對值為10 nm以下； <br/>(2)於上述顯示器用樹脂製導光體中，影像光導波之有效區域面之PV值為100 μm以下。
一種雷射掃描系統，其包括： <br/>欲進行雷射掃描工序的一工件； <br/>一雷射源； <br/>一振鏡驅動單元，用以驅動一振鏡的掃描作動； <br/>一輸入單元，用以輸入一加工檔； <br/>一儲存單元，用以儲存至少一振鏡掃描模式； <br/>一控制單元，耦接該雷射源、該振鏡驅動單元、該輸入單元與該儲存單元；該控制單元接收由該輸入單元輸入的該加工檔與該儲存單元輸入的該至少一振鏡掃描模式； <br/>該控制單元根據該加工檔與該至少一振鏡掃描模式，計算用以驅動該振鏡驅動單元的掃描作動，且該振鏡的掃描作動實施為完全覆蓋該加工檔的一第一掃描路徑； <br/>該控制單元根據該加工檔與該第一掃描路徑調整每個掃描區域的振鏡掃描路徑計算出一第二掃描路徑，該第二掃描路徑將該加工檔區分為至少一等間距範圍的掃描路徑； <br/>該控制單元根據該第二掃描路徑輸出一振鏡掃描命令給該振鏡驅動單元，並輸出一開關命令給該雷射源，用以執行雷射掃描加工。
如請求項1所述之雷射掃描系統，其中，該加工檔係包含該工件表面欲進行雷射掃描工序之加工圖形的計算機輔助設計(CAD)檔、影像檔。
如請求項1所述之雷射掃描系統，其中，該至少一振鏡掃描模式具有相對應該振鏡的一固定掃描作動規則。
如請求項3所述之雷射掃描系統，其中，該第一掃描路徑為該振鏡以該至少一振鏡掃描模式的該固定掃描作動規則完全覆蓋該加工檔。
如請求項1所述之雷射掃描系統，其中，該至少一等間距範圍的掃描路徑與該至少一振鏡掃描模式具有相對關係。
如請求項1所述之雷射掃描系統，其中，該控制單元控制該振鏡驅動單元移動到對應的該至少一等間距範圍的掃描路徑時，該控制單元輸出給該雷射源的該開關命令為一雷射開啟命令，且在該振鏡驅動單元移動到非掃描路徑時，該控制單元輸出給該雷射源的該開關命令為一雷射關閉命令。
一種雷射掃描方法，其包括： <br/>一控制單元耦接一雷射源、一振鏡驅動單元、一輸入單元與一儲存單元，該控制單元接收由該輸入單元輸入的一加工檔與該儲存單元輸入的至少一振鏡掃描模式； <br/>該控制單元先根據該加工檔與該至少一振鏡掃描模式，計算用以驅動該振鏡驅動單元操控一振鏡的掃描作動，且該振鏡的掃描作動實施為完全覆蓋該加工檔的一第一掃描路徑； <br/>該控制單元再根據該加工檔與該第一掃描路徑調整每個掃描區域的振鏡掃描路徑計算出一第二掃描路徑，該第二掃描路徑將該加工檔區分為至少一等間距範圍的掃描路徑； <br/>最後，該控制單元根據該第二掃描路徑輸出一振鏡掃描命令給該振鏡驅動單元，並輸出一開關命令給一雷射源，用以對一工件執行雷射掃描加工。
如請求項7所述之雷射掃描方法，其中，該加工檔係包含該工件表面欲進行雷射掃描工序之加工圖形的計算機輔助設計(CAD)檔、影像檔。
如請求項7所述之雷射掃描方法，其中，該至少一振鏡掃描模式具有相對應該振鏡的一固定掃描作動規則。
如請求項9所述之雷射掃描方法，其中，該第一掃描路徑為該振鏡以該至少一振鏡掃描模式的該固定掃描作動規則完全覆蓋該加工檔。
如請求項7所述之雷射掃描方法，其中，該至少一等間距範圍的掃描路徑與該至少一振鏡掃描模式具有相對關係。
如請求項7所述之雷射掃描方法，其中，該控制單元控制該振鏡驅動單元移動到對應的該至少一等間距範圍的掃描路徑時，該控制單元輸出給該雷射源的該開關命令為一雷射開啟命令，且在該振鏡驅動單元移動到非掃描路徑時，該控制單元輸出給該雷射源的該開關命令為一雷射關閉命令。
一種半導體布局圖案，包含:<br/> 一基底，基底上有兩個內容可定址記憶體(Content Addressable Memory, CAM)單元排列於一對稱軸的兩側，其中每一個內容可定址記憶體單元包含有十個電晶體布局圖案，且每一個十電晶體布局圖案包含:<br/> 一第一上拉電晶體(PU1)以及一第一下拉電晶體(PD1)組成一第一反向器(INV1)、一第二上拉電晶體(PU2)與一第二下拉電晶體(PD2)組成一第二反向器(INV2)；<br/> 一第一傳輸閘電晶體(PG1)與一第二傳輸閘電晶體(PG2)連接該第一反向器與該第二反向器；以及<br/> 相互串聯的一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的所包含的該閘極結構連接該第一下拉電晶體(PD1)的該閘極結構；以及<br/> 相互串聯的一第三電晶體與一第四電晶體，其中該第四電晶體的所包含的該閘極結構連接該第二下拉電晶體(PD2)的該閘極結構；以及<br/> 一第一匹配線(matching line，ML)導電層以及一第二匹配線導電層位於該基底上，其中從一上視圖來看，該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層與該兩個內容可定址記憶體單元之間的該對稱軸重疊，且沿著該對稱軸的方向排列。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中各該內容可定址記憶體單元均包含有四個邊，其中一個邊為該對稱軸，除了該對稱軸以外的其他三個邊定義為外邊界，且該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層不與該三個外邊界相互重疊。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中該第二電晶體的一閘極以及該第三電晶體的一閘極分別連接至一搜尋線SL1以及一另搜尋線SL1B。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中該第二電晶體的一源極以及該第四電晶體的一源極連接至一匹配線(ML)。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中該第一電晶體的一汲極以及該第三電晶體的一汲極連接一電壓源(Vss)。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中從該上視圖來看，沿著一水平方向，該兩個內容可定址記憶體單元之間的該對稱軸上依序包含有該第一匹配線導電層、一位元線導電層、一Vcc電壓源導電層、一Vss電壓源導電層、以及該第二匹配線導電層。
如申請專利範圍第1項所述的導體布局圖案，其中更包含有一第二金屬層，其中該第二金屬層中包含有一第一部份，該第一部分為一沿著水平方向延伸的長條狀圖案，且該第一部分電性連接該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層。
如申請專利範圍第7項所述的導體布局圖案，其中該兩個內容可定址記憶體單元中的一個內容可定址記憶體單元包含一上方邊界，其中沿著一水平方向，該內容可定址記憶體單元的該上方邊界依序包含有一第一Vss電壓源導電層、一第二Vss電壓源導電層、一Vcc電壓源導電層、一位元線導電層、以及一第三Vss電壓源導電層。
如申請專利範圍第8項所述的導體布局圖案，其中該第二金屬層包含有一第二部分，該第二部份為一沿著水平方向延伸的長條狀圖案並且與該上方邊界重疊，其中該第二部分電性連接該第一Vss電壓源導電層、該第二Vss電壓源導電層以及該第三Vss電壓源導電層。
一種半導體布局圖案的製作方法，包含:<br/> 提供一基底，基底上形成有兩個內容可定址記憶體(Content Addressable Memory, CAM)單元排列於一對稱軸的兩側，其中每一個內容可定址記憶體單元包含有十個電晶體布局圖案，且每一個十電晶體布局圖案包含:<br/> 一第一上拉電晶體(PU1)以及一第一下拉電晶體(PD1)組成一第一反向器(INV1)、一第二上拉電晶體(PU2)與一第二下拉電晶體(PD2)組成一第二反向器(INV2)；<br/> 一第一傳輸閘電晶體(PG1)與一第二傳輸閘電晶體(PG2)連接該第一反向器與該第二反向器；以及<br/> 相互串聯的一第一電晶體與一第二電晶體，其中該第一電晶體的所包含的該閘極結構連接該第一下拉電晶體(PD1)的該閘極結構；以及<br/> 相互串聯的一第三電晶體與一第四電晶體，其中該第四電晶體的所包含的該閘極結構連接該第二下拉電晶體(PD2)的該閘極結構；以及<br/> 形成一第一匹配線(matching line，ML)導電層以及一第二匹配線導電層位於該基底上，其中從一上視圖來看，該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層與該兩個內容可定址記憶體單元之間的該對稱軸重疊，且沿著該對稱軸的方向排列。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中各該內容可定址記憶體單元均包含有四個邊，其中一個邊為該對稱軸，除了該對稱軸以外的其他三個邊定義為外邊界，且該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層不與該三個外邊界相互重疊。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中該第二電晶體的一閘極以及該第三電晶體的一閘極分別連接至一搜尋線SL1以及另一搜尋線SL1B。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中該第二電晶體的一源極以及該第四電晶體的一源極連接至一匹配線(ML)。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中該第一電晶體的一汲極以及該第三電晶體的一汲極連接一電壓源(Vss)。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中從該上視圖來看，沿著一水平方向，該兩個內容可定址記憶體單元之間的該對稱軸上依序包含有該第一匹配線導電層、一位元線導電層、一Vcc電壓源導電層、一Vss電壓源導電層、以及該第二匹配線導電層。
如申請專利範圍第10項所述的導體布局圖案的製作方法，其中更包含形成有一第二金屬層，其中該第二金屬層中包含有一第一部份，該第一部分為一沿著水平方向延伸的長條狀圖案，且該第一部分電性連接該第一匹配線導電層以及該第二匹配線導電層。
如申請專利範圍第16項所述的導體布局圖案的製作方法，其中該兩個內容可定址記憶體單元中的一個內容可定址記憶體單元包含一上方邊界，其中沿著一水平方向，該內容可定址記憶體單元的該上方邊界依序包含有一第一Vss電壓源導電層、一第二Vss電壓源導電層、一Vcc電壓源導電層、一位元線導電層、以及一第三Vss電壓源導電層。
如申請專利範圍第17項所述的導體布局圖案的製作方法，其中該第二金屬層包含有一第二部分，該第二部份為一沿著水平方向延伸的長條狀圖案並且與該上方邊界重疊，其中該第二部分電性連接該第一Vss電壓源導電層、該第二Vss電壓源導電層以及該第三Vss電壓源導電層。
一種連接器，包括： <br/>殼結構和絕緣結構，所述絕緣結構設置於所述殼結構內； <br/>端子組件，包括第一信號端子組和第二信號端子組，所述第一信號端子組和所述第二信號端子組沿所述連接器的厚度方向相對設置，且所述第一信號端子組的至少部分結構和所述第二信號端子組的至少部分結構埋設於所述絕緣結構內；以及 <br/>屏蔽結構，至少部分結構埋設於所述絕緣結構內；其中，所述屏蔽結構包括中間屏蔽件，所述中間屏蔽件位於所述第一信號端子組和所述第二信號端子組之間；所述連接器具有相對設置的第一端和第二端，位於所述第一端的所述中間屏蔽件設置有接地端子； <br/>位於所述第一端的所述第一信號端子組、所述第二信號端子組以及所述接地端子呈同排並列設置。
根據請求項1所述的連接器，其中，所述第一信號端子組包括兩組第一導電端子，兩組所述第一導電端子沿第一方向對稱設置； <br/>所述第一導電端子包括第二導電本體和多個第一導電本體，多個所述第一導電本體沿第二方向依次間隔排列；其中，所述第一方向、所述第二方向以及所述連接器的厚度方向兩兩垂直； <br/>所述第二導電本體與位於邊緣的所述第一導電本體間隔設置。
根據請求項2所述的連接器，其中，所述第一導電本體包括依次連接的第一主平直段、第一主彎折段、第一次平直段、第一次彎折段和第二次彎折段，所述第一主平直段位於所述第二端，所述第二次彎折段位於所述第一端；其中，所述接地端子位於兩組所述第一導電端子之間，且與相鄰的所述第二次彎折段間隔設置； <br/>所述第一主平直段、所述第一主彎折段和所述第一次平直段位於同一平面，所述第一主彎折段相對所述第一方向傾斜設置，使得所述第一主彎折段與所述第一方向之間形成第一夾角；所述第一次彎折段沿第三方向延伸，所述第二次彎折段沿所述第一方向延伸；其中，所述第三方向與所述連接器的厚度方向一致； <br/>所述第二導電本體包括第一主段和第一連接段，所述第一主段通過所述第一連接段與所述中間屏蔽件連接。
根據請求項3所述的連接器，其中，所述第二信號端子組包括兩組第二導電端子，兩組所述第二導電端子沿所述第一方向對稱設置； <br/>所述第二導電端子包括多個第三導電本體和第四導電本體，多個所述第三導電本體沿所述第二方向依次間隔排列； <br/>所述第四導電本體與位於邊緣的所述第三導電本體間隔設置。
根據請求項4所述的連接器，其中，所述第三導電本體包括依次連接的第二主平直段、第二主彎折段、第二次平直段、第三次彎折段和第四次彎折段，所述第二主平直段位於所述第二端，所述第四次彎折段位於所述第一端； <br/>所述第二主平直段、所述第二主彎折段和所述第二次平直段位於同一平面，所述第二主彎折段相對所述第一方向傾斜設置，使得所述第二主彎折段與所述第一方向之間形成第二夾角；所述第三次彎折段沿第三方向延伸，所述第四次彎折段沿所述第一方向延伸； <br/>所述第四導電本體包括第二主段和第二連接段，所述第二主段通過所述第二連接段與所述中間屏蔽件連接。
根據請求項5所述的連接器，其中，所述接地端子包括依次連接的第一接地段、第二接地段和第三接地段，所述第一接地段沿所述第一方向延伸且與所述中間屏蔽件連接，所述第二接地段沿第三方向延伸，所述第三接地段沿所述第一方向延伸； <br/>所述第二接地段、所述第一次彎折段和所述第三次彎折段位於同排並列設置；所述第三接地段、所述第二次彎折段和所述第四次彎折段位於同排並列設置。
根據請求項1所述的連接器，其中，所述屏蔽結構包括第一屏蔽件和第二屏蔽件，所述第一屏蔽件和所述第二屏蔽件均套設在所述絕緣結構上，且所述第二屏蔽件位於所述第一屏蔽件的外側； <br/>所述第一屏蔽件包括依次連接的第一屏蔽體、連接屏蔽體、第二屏蔽體，所述連接屏蔽體相對所述第一屏蔽體和/或所述第二屏蔽體彎折，使得所述第一屏蔽體的厚度小所述第二屏蔽體的厚度； <br/>所述第二屏蔽體與所述第二屏蔽件連接，且所述第一屏蔽體與所述第二屏蔽件之間具有預設距離。
根據請求項7所述的連接器，其中，所述第一屏蔽體設置有兩個第一避讓缺口，兩個所述第一避讓缺口沿第二方向對稱設置； <br/>其中，所述中間屏蔽件的部分結構伸入至所述第一避讓缺口內，並與所述第一屏蔽體接觸連接。
根據請求項7所述的連接器，其中，所述第二屏蔽件包括第三屏蔽體、多個彈性臂和多個連接凸包，所述第三屏蔽體為筒狀結構； <br/>多個所述彈性臂對稱設置於所述第三屏蔽體的內壁，多個所述連接凸包對稱設置於所述第三屏蔽體的內壁，且所述彈性臂和所述連接凸包錯開設置。
根據請求項1所述的連接器，其中，所述絕緣結構包括第一絕緣件、第二絕緣件和第三絕緣件，所述第一絕緣件和所述第二絕緣件連接，所述第三絕緣件包覆所述第一絕緣件和所述第二絕緣件； <br/>其中，所述第一信號端子組的部分結構埋設在所述第一絕緣件內，所述第二信號端子組的的部分結構埋設在所述第二絕緣件內。
根據請求項10所述的連接器，其中，所述第一絕緣件包括第一絕緣體、第一限位體以及多個第一支撐柱； <br/>所述第一絕緣體與所述第一限位體連接，所述第一限位體設置有第二避讓缺口和第三避讓缺口，所述第二避讓缺口用於避讓所述接地端子，所述第三避讓缺口用於避讓所述第二絕緣件； <br/>多個所述第一支撐柱依次間隔設置於所述第一限位體，所述第一支撐柱用於支撐所述第一信號端子組。
根據請求項11所述的連接器，其中，所述第一絕緣件還包括設置於所述第一絕緣體的多個第二限位體，所述第一絕緣件通過所述第二限位體與所述第三絕緣件限位連接。
根據請求項12所述的連接器，其中，所述第二絕緣件還包括第二絕緣體、第三限位體、第四限位體和多個第二支撐柱； <br/>所述第三限位體和所述第四限位體分別與所述第二絕緣體連接，所述第三限位體設置有第四避讓缺口，所述第一限位體和所述第四限位體分別位於所述第四避讓缺口內，且所述第四限位體位於所述第三避讓缺口內； <br/>多個所述第二支撐柱依次間隔設置於所述第三限位體，所述第二支撐柱用於支撐所述第二信號端子組。
根據請求項13所述的連接器，其中，所述第二絕緣件還包括設置於所述第二絕緣體的多個第五限位體，所述第二絕緣件通過所述第五限位體與所述第三絕緣件限位連接。
根據請求項14所述的連接器，其中，所述第三絕緣件採用注塑成型的方式包覆所述第一絕緣件和所述第二絕緣件，使得所述第三絕緣件與所述第二限位體和所述第五限位體限位連接； <br/>其中，所述第三絕緣件設置有避讓部，以避讓所述端子組件，且所述中間屏蔽件的部分結構伸出所述第三絕緣件； <br/>所述第三絕緣件上設置有第三支撐柱，所述第三支撐柱用於支撐所述接地端子。
根據請求項7所述的連接器，其中，所述殼結構包括依次連接的第一殼體、第二殼體和第三殼體，所述第一殼體套設在所述第二屏蔽件上，所述第二殼體套設在所述絕緣結構上； <br/>所述第三殼體相對所述第二殼體彎折，所述第三殼體覆蓋所述絕緣結構，並與所述第二殼體卡接。
根據請求項16所述的連接器，其中，所述第一殼體設置有第一定位體和/或所述第二殼體設置有第二定位體，所述第一定位體和/或所述第二定位體用於與電子設備的配件連接。
一種電子設備的配件，包括電路板以及如請求項1至17中任一項所述的連接器，所述電路板與所述連接器連接。
一種廟宇活動通知系統，其可與一通訊軟體進行連接，而該廟宇活動通知系統包含有： <br/>一資料庫模組，其具有一可供使用者輸入會員資料與儲存之會員資料庫，一可供管理者建立活動資訊與儲存之活動資料庫，以及一可供登記並紀錄報名参與活動之報名資料庫； <br/>一管理模組，其包括有一連接該資料庫模組之管理單元介面，以及分別連接該管理單元介面之發送單元、接收單元，而該發送單元、接收單元接收及傳送訊息至該通訊軟體，前述該管理單元介面可對該會員資料庫及該活動資料庫進行管理，且當該管理單元介面於該活動資料庫中建立活動資訊時，可選擇將該活動資訊透過該發送單元發送至該通訊軟體上，同時該接收單元接收會員資料與報名活動後，經由該管理單元介面連接記錄於該報名資料庫中；及 <br/>一使用者模組，其具有一與該通訊軟體連接之使用者介面，以及一可使該使用者介面與該通訊軟體連接且進行數據傳輸之收發單元，而該使用者介面輸入會員資料後，透過該收發單元傳送至該管理單元介面後，該使用者介面連接該通訊軟體中接收該活動資訊之訊息，同時亦可透過該通訊軟體進行活動資訊之報名。
根據請求項1所述廟宇活動通知系統，其中，該通訊軟體具有一與該會員資料庫連接之註冊單元，一可接收該發送單元傳送之訊息單元，以及一與該管理單元介面、報名資料庫連接之報名單元。
根據請求項1所述廟宇活動通知系統，其中，該會員資料庫包括有會員身份證號、姓名、性別、生日、地址之紀錄欄位。
根據請求項1所述廟宇活動通知系統，其中，該活動資料庫包括有活動名稱、活動時間、活動地點、活動提醒時間、活動備註。
根據請求項1所述廟宇活動通知系統，其中，該報名資料庫包括有參加者姓名、聯絡方式、報名活動、參加人數及備註。
一種滑行運動裝置，包含有：一貼地件，呈片狀，以止滑材質構成，其二端設有二切縫；及複數滑片，以表面摩擦力小之材質構成，分別具有不同之滑度，可拆卸地擇一貼設於該貼地件之表面，可供使用者於其上進行滑行運動，該滑片之二端係穿經該二切縫而延伸至貼地件之底側，使該貼地件二端未受滑片覆蓋之部分形成二止滑區，可供使用者於該滑片滑行後踩踏於止滑區而止滑，而更換不同滑度之滑片，可產生不同滑行程度之效果。
如請求項1所述之滑行運動裝置，其中，該滑片延伸至貼地件底側之部分係更延伸、突出貼地件之二端，該滑片二端突出貼地件之部分之頂、底側表面係塗佈有止滑劑以形成二輔助止滑區。
如請求項2所述之滑行運動裝置，其中，該二輔助止滑區之頂側更分別設置有一防跌保護件。
如請求項2所述之滑行運動裝置，其中，係包含有複數貼地件及一滑片，各該貼地件之厚度係不同，該滑片係穿經相隔適當距離之各貼地件上之二切縫。
一種機車結構，機車至少包括有車架單元，該車架單元具有頭管，由該頭管朝車體後方延設的主車架，該主車架朝車體後方連接有左右一對的連接板架；該連接板架樞設有後搖臂；該後搖臂與該車架單元之間設有後避震器；該後避震器以上樞接部與該車架單元樞接；該連接板架外側蓋設有板架蓋，該連接板架上至少開設有一個貫通的開口部，該板架蓋對應該開口部開設有維修口部；由車體側視觀視，可由該維修口部與該開口部可看到該後避震器的該上樞接部。
如請求項1所述之機車結構，其中，該連接板架上設有腳踏桿；該腳踏桿收摺後係容置於該板架蓋的該維修口部內，並可至少遮蔽部分的該開口部。
如請求項1所述之機車結構，其中，該連接板架上側設有上橫桿，該連接板架的下側設有下橫桿；該下橫桿樞設第一連桿，該第一連桿樞設有第二連桿；該後避震器的上樞接部係樞接於該上橫桿上，該後避震器的下樞接部係樞接於該第一連桿上；該第二連桿的另一端樞接於該後搖臂上。
如請求項1或3所述之機車結構，其中，該後避震器係呈略向車體前方傾斜被配設於近車體中心處。
如請求項3所述之機車結構，其中，該連接板架更設有貫通的第二開口部；該第二開口部對應著該第一連桿的樞接部。
如請求項1所述之機車結構，其中，該機車具有燃油箱與動力單元；該開口部與該維修口部係設於該燃油箱的上端緣與該動力單元的下端緣之間。
如請求項1所述之機車結構，其中，該機車具有燃油箱與後輪；該開口部與該維修口部係設於燃油箱的前端緣與該後輪的前端緣之間。
如請求項1所述之機車結構，其中，該連接板架更設有貫通的第二開口部；該板架蓋未遮蔽該第二開口部。
一種金屬圓柱擠壓方法，其包含有下列步驟：a.利用第一壓缸將擠壓機之蓋體開啟，置入金屬物料於入料室後關閉該蓋體，該第一壓缸係設有活塞桿連接該蓋體；b.進行第一次擠壓：利用第二壓缸將該金屬物料由側面擠壓至擠壓室，該擠壓室之底部係設有弧形之抵持面，該抵持面係擠壓該金屬物料下半部，該第二壓缸係設有活塞桿連接平面之側壓塊；c.進行第二次擠壓：利用第三壓缸將該金屬物料由頂面擠壓，該第三壓缸係設有活塞桿連接弧形之頂壓塊，該頂壓塊係擠壓該金屬物料上半部；d.進行第三次擠壓：利用第四壓缸將該金屬物料由後面擠壓成圓柱，該第四壓缸係設有活塞桿連接平面之後壓推塊，該後壓推塊係將該圓柱後面擠壓整平；e.利用第五壓缸係設有活塞桿連接該閘門，該閘門係將該圓柱前面擠壓整平，該第五壓缸將該擠壓機之閘門開啟，再利用該第四壓缸推出該圓柱。
如請求項1所述金屬圓柱擠壓方法，其中，該金屬物料係為原材料或回收廢料。
如請求項1所述金屬圓柱擠壓方法，其中，該擠壓機係在250kg/cm<sup>2</sup>以上的壓力擠壓。
一種阻劑材料，含有： <br/>雙鎓鹽，含有具有直接鍵結於被碘原子取代之芳香族基的磺酸陰離子結構及直接鍵結於該芳香族基或介隔含有1個以上之原子的連結基而鍵結之羧酸陰離子結構的2價陰離子、以及鎓陽離子， <br/>該雙鎓鹽為下式(1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="158px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p為1～4之整數；q為0～3之整數； <br/>X<sup>1</sup>～X<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、或酯鍵； <br/>R<sup>1</sup>～R<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵或碳數1～30之伸烴基，且該伸烴基也可含有選自氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子中之至少1種；惟，R<sup>1</sup>～R<sup>3</sup>之碳數的合計之上限為30； <br/>R<sup>4</sup>為氫原子、或氟原子； <br/>Ar為(p+q+1)價苯基； <br/>M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項1之阻劑材料，更含有基礎聚合物。
如請求項2之阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有下式(a1)或(a2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="94px" file="ed10119.jpg" alt="ed10119.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種的碳數1～12之連結基，且該伸苯基、伸萘基及連結基也可具有選自羥基、碳數1～8之飽和烴基氧基及碳數2～8之飽和烴基羰基氧基中之至少1種； <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R<sup>13</sup>為碳數1～4之飽和烴基、鹵素原子、碳數2～5之飽和烴基羰基、氰基或碳數2～5之飽和烴基氧基羰基； <br/>R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1～6之烷二基，且該烷二基也可含有醚鍵或酯鍵； <br/>a為0～4之整數。
如請求項3之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項2之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為不含酸不穩定基者。
如請求項5之阻劑材料，其係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有淬滅劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有酸產生劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至10中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影。
如請求項11之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯，其結構式係下式(I)所示：<br/><img align="absmiddle" height="110px" width="211px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)<br/> 。
一種3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯之製備方法，其步驟包含：<br/> 將羥基苯乙基茴香酸酯透過巨型芽孢桿菌酪氨酸酶（BmTYR）進行生物轉化，以製得如請求項1所述之3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯；該生物轉化係透過將硼酸鹽、維生素C及羥基苯乙基茴香酸酯化合物溶液，以與BmTYR進行振盪孵育者。
如請求項2所述之3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯之製備方法，其中，該生物轉化係將500 mM pH 9.0之硼酸鹽、10 mM 維生素C，及1 mg/mL羥基苯乙基茴香酸酯化合物溶液，與108 ug/mL之BmTYR 的反應混合物，於50 °C 下 200 rpm振盪孵育1.5 小時，並透過加入20 uL 1M之鹽酸（HCl）及120 uL之甲醇（MeOH）以停止反應而製得該3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯者。
一種藥物組合物，其係包含有效劑量之如請求項1所述之3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯，以及藥學上可接受之載體或鹽類。
一種3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯用於製備抗皮膚癌及抗炎活性組合物的用途，其中，該3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯係抑制巨噬細胞一氧化氮之生成。
一種3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯用於製備抗黑色素瘤活性組合物的用途，其中，該3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯係去除黑色素瘤細胞。
一種3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯用於製備美白、抑制黑色素生成組合物的用途，其中，該3', 4'-二羥基苯乙基茴香酸酯係降低黑色素於皮膚之沉著。
一種形成奈米結構場效電晶體的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 形成突出於一基板上方的一鰭結構，其中該鰭結構包括一鰭及上覆於該鰭的一層堆疊，其中該層堆疊包括一第一半導體材料與一第二半導體材料的多個交替層；<br/> 在該鰭結構上方形成一閘極結構；<br/> 在該閘極結構的多個相對側上的該鰭結構中形成多個源極/汲極開口；<br/> 用多個內部間隔物替換由該些源極/汲極開口暴露的該第一半導體材料的多個第一端部；<br/> 在該替換之後，執行一離子佈植製程，其中該離子佈植製程將一第一摻雜劑佈植至由該些源極/汲極開口暴露的該第二半導體材料的多個第二端部中；及<br/> 在執行該離子佈植製程之後，在該些源極/汲極開口中形成多個源極/汲極區。
如請求項1所述之方法，其中在形成該些源極/汲極區之步驟之後，進一步包括以下步驟：<br/> 在該閘極結構周圍的該些源極/汲極區上方形成一介電層；及<br/> 用一替換閘極結構替換該閘極結構。
如請求項2所述之方法，其中替換該閘極結構之步驟包括以下步驟：<br/> 移除該閘極結構以在該介電層中形成一凹槽，其中該凹槽暴露該第一半導體材料的多個第一部分及該第二半導體材料的多個第二部分；<br/> 在移除該閘極結構之後，選擇性地移除該第一半導體材料的該些第一部分，其中在該選擇性地移除之步驟之後，該第二半導體材料的該些第二部分保留以形成複數個奈米結構；<br/> 在該些奈米結構周圍形成一閘極介電材料；及<br/> 在該閘極介電材料周圍形成一閘極電極材料。
如請求項1所述之方法，其中該些源極/汲極開口形成為具有多個傾斜側壁，使得該些源極/汲極開口的一寬度隨著該些源極/汲極開口朝向該基板延伸而減小。
一種形成奈米結構場效電晶體的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 形成突出於一基板上方的一鰭結構，其中該鰭結構包括一鰭及該鰭上方的一第一半導體材料與一第二半導體材料的多個交替層；<br/> 在該鰭結構上方形成一虛設閘極結構；<br/> 在該虛設閘極結構的多個相對側上的該鰭結構中形成多個源極/汲極開口；<br/> 在該第二半導體材料的多個相鄰層之間形成多個內部間隔物；<br/> 在形成該些內部間隔物之後，將一第一摻雜劑佈植至由該些源極/汲極開口暴露的該第二半導體材料的多個端部中；<br/> 在佈植該第一摻雜劑之後，在該些源極/汲極開口中形成多個源極/汲極區，其中該些源極/汲極區經形成為具有一第二摻雜劑；<br/> 在該虛設閘極結構周圍形成一介電層；及<br/> 用一替換閘極結構替換該虛設閘極結構。
如請求項5所述之方法，其中替換該虛設閘極結構之步驟包括以下步驟：<br/> 移除該虛設閘極結構以在該介電層中形成一凹槽，其中該凹槽暴露該第一半導體材料的多個第一部分及該第二半導體材料的多個第二部分；<br/> 在移除該虛設閘極結構之後，選擇性地移除該第一半導體材料的該些第一部分，其中在該選擇性地移除之步驟之後，該第二半導體材料的該些第二部分保留以形成多個奈米結構；<br/> 在該些奈米結構周圍形成一閘極介電材料；及<br/> 在該閘極介電材料周圍形成一閘極電極材料。
如請求項6所述之方法，其中該些奈米結構經形成為具有面向該些源極/汲極區的多個相對傾斜側壁，其中在該些奈米結構的該些相對傾斜側壁之間量測的該些奈米結構的一長度沿著該些源極/汲極開口的一深度方向朝向該基板增加。
一種奈米結構場效電晶體，包括：<br/> 一基板；<br/> 一鰭，突出於該基板上方；<br/> 一閘極結構，處於該鰭上方；<br/> 多個源極/汲極區，處於該閘極結構的多個相對側上的該鰭上方；及<br/> 多個奈米結構，處於該些源極/汲極區之間且處於該閘極結構下方，其中該些奈米結構係該半導體裝置的多個通道區，且包括與該些源極/汲極區接觸的多個摻雜區及該些摻雜區之間的多個未摻雜區，其中該些摻雜區包括一通道材料及該通道材料中的一第一摻雜劑，其中該些摻雜區中的一摻雜劑濃度沿著垂直於該基板的一主上部的一第一方向增加，其中該第一方向自遠離該基板的一最上面的奈米結構朝向最靠近該基板的一最下面的奈米結構延伸，該些未摻雜區之一者橫向位於該些摻雜區之兩者之間且包含一半導體材料。
如請求項8所述之奈米結構場效電晶體，其中該些奈米結構中的一第一奈米結構中的一第一摻雜區具有一第一寬度，且該些奈米結構中的一第二奈米結構中的一第二摻雜區具有大於該第一寬度的一第二寬度，其中該第二奈米結構比該第一奈米結構更靠近該基板，其中該第一寬度及該第二寬度係沿著該些通道區中的一電流流動方向量測的。
如請求項8所述之奈米結構場效電晶體，其中該些奈米結構具有面向該些源極/汲極區的多個相對傾斜側壁，其中在該些奈米結構的該些相對傾斜側壁之間量測的該些奈米結構的一寬度沿著該第一方向增加。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板上之一半導體層堆疊；<br/> 一閘極結構，該閘極結構包圍該半導體層堆疊；及<br/> 一源極/汲極結構，其係在該基板上且與該半導體層堆疊接觸，其中該源極/汲極結構在該源極/汲極結構的一頂表面下方包含一孔隙，其中該孔隙之一水平尺寸與該源極/汲極結構之一寬度的一第一比率範圍為約0.1至約0.8，且該孔隙之一垂直尺寸與該源極/汲極結構之一高度的一第二比率範圍為約0.05至約0.8。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該源極/汲極結構包含與該孔隙分離的一額外孔隙。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含該源極/汲極結構與該閘極結構之間的一內部間隔物，其中該孔隙由該內部間隔物部分圍封。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含該基板與該源極/汲極結構之間的一介電層，其中該孔隙係在該介電層上方且由該源極/汲極結構圍封。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含該基板與該源極/汲極結構之間的一介電層，其中該孔隙由該介電層與該源極/汲極結構部分圍封。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含該源極/汲極結構上的一介電層及該介電層上的一額外源極/汲極結構，其中該額外源極/汲極結構包含一額外孔隙。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一基板上的第一半導體層堆疊及第二半導體層堆疊；<br/> 一第一閘極結構，該第一閘極結構包圍該第一半導體層堆疊；<br/> 一第二閘極結構，該第二閘極結構包圍該第二半導體層堆疊；及<br/> 一源極/汲極結構，其係在該第一半導體層堆疊與該第二半導體層堆疊之間，其中該源極/汲極結構在該源極/汲極結構的一頂表面下方包含一孔隙，其中該孔隙之一水平尺寸與該源極/汲極結構之一寬度的一第一比率範圍為約0.1至約0.8，且該孔隙之一垂直尺寸與該源極/汲極結構之一高度的一第二比率範圍為約0.05至約0.8。
如請求項7所述之半導體裝置，其中該孔隙相鄰於該第一半導體層堆疊，且該源極/汲極結構包含相鄰於該第二半導體層堆疊的一額外孔隙。
一種半導體裝置的形成方法，包含：<br/> 在一基板上形成一半導體層堆疊；<br/> 在該基板上且與該半導體層堆疊接觸地沈積一源極/汲極結構，其中該源極/汲極結構在該源極/汲極結構的一頂表面下方包含一孔隙，其中該孔隙之一水平尺寸與該源極/汲極結構之一寬度的一第一比率範圍為約0.1至約0.8，且該孔隙之一垂直尺寸與該源極/汲極結構之一高度的一第二比率範圍為約0.05至約0.8；及<br/> 形成一閘極結構，該閘極結構包圍該半導體層堆疊。
如請求項9所述之方法，進一步包含：<br/> 在該源極/汲極結構上形成一介電層；及<br/> 在該介電層上形成一額外源極/汲極結構，其中該額外源極/汲極結構包含一額外孔隙。
一種降壓轉換器，包括：<br/> 一功率級，包括：<br/> 一輸入端，用以接收一輸入電壓；以及<br/> 一輸出端，用以輸出一輸出電壓；<br/> 一反饋網路，耦接於該功率級，用以根據該輸出電壓產生一反饋電壓；<br/> 一控制迴路，包括：<br/> 一誤差放大器，用以通過比較一參考電壓與該反饋電壓來產生一誤差電壓；以及<br/> 一比較器，耦接於該誤差放大器，用以根據該誤差電壓產生一比較器信號；<br/> 一邏輯電路，耦接於該控制迴路，用以根據一組控制信號產生一邏輯控制信號以實現一控制方案；<br/> 一驅動電路，耦接於該邏輯電路與該功率級之間，用以根據該邏輯控制信號驅動該功率級；<br/> 一旁路檢測器，用以將該輸入電壓及一預定閾值進行比較，並相應地產生一旁路模式信號，其中該預定閾值係與該輸出電壓相關；<br/> 一導通時間產生器，耦接於該邏輯電路，用以產生該組控制信號中的一第一控制信號；以及<br/> 一零電流檢測器，耦接於該邏輯電路，用以產生該組控制信號中的一第二控制信號和一旁路啟用信號至該旁路檢測器。
如請求項1所述之降壓轉換器，另包括：<br/> 一過電流保護電路，用以產生該組控制信號中的一過電流保護信號；以及<br/> 一大電流檢測電路，用以檢測輸入電壓與切換節點電壓之差，並據此判斷電流大小。
如請求項1所述之降壓轉換器，其中該功率級另包括：<br/> 一第一開關和一第二開關，該第一開關和該第二開關係串聯耦接，形成該輸入端與一接地端之間的一半橋配置；<br/> 一輸出電感，耦接於該第一開關和該第二開關的一開關節點與該輸出端之間；以及<br/> 一輸出電容，耦接於該輸出端與該接地端之間。
如請求項3所述之降壓轉換器，其中：<br/> 該第一開關包括：<br/> 一第一端，耦接於該輸入端；<br/> 一第二端，耦接於該開關節點；以及<br/> 一控制端，耦接於該驅動電路；以及<br/> 該第二開關包括：<br/> 一第一端，耦接於該開關節點；<br/> 一第二端，耦接於該接地端；以及<br/> 一控制端，耦接於該驅動電路。
如請求項1所述之降壓轉換器，其中該反饋網路包括：<br/> 一遲滯開關，耦接於該輸出端並由該旁路模式信號控制；<br/> 一旁路電阻，耦接於該輸出端；<br/> 一電阻分壓器，耦接於該遲滯開關與一接地端之間；以及<br/> 一前饋電容，耦接於該輸出端、該電阻分壓器和該誤差放大器。
如請求項1所述之降壓轉換器，其中該控制迴路另包括：<br/> 一RC（resistor-capacitor）電路，耦接於該誤差放大器與一接地端之間。
如請求項6所述之降壓轉換器，其中該誤差放大器包括：<br/> 一非反相端，用以接收該參考電壓；<br/> 一反相端，耦接於該反饋網路；<br/> 一第一輸出端；以及<br/> 一第二輸出端，耦接於該邏輯電路。
如請求項6所述之降壓轉換器，其中該比較器包括：<br/> 一非反相端，耦接於該誤差放大器的該第一輸出端；<br/> 一反相端；<br/> 一信號端，耦接於該邏輯電路；以及<br/> 一輸出端，耦接於該邏輯電路。
如請求項1所述之降壓轉換器，另包括一負載，耦接於該輸出端與一接地端之間。
一種操作降壓轉換器的方法，包括：<br/> 在一正常模式下操作該降壓轉換器，其中該正常模式包括交替啟動一高側開關和一低側開關以調節一輸出電壓；<br/> 由一零電流檢測器監測該降壓轉換器的一輸出電感中的一電流；<br/> 由該零電流檢測器產生一旁路啟用信號；<br/> 根據該旁路啟用信號啟用一旁路檢測器；<br/> 由該旁路檢測器比較該降壓轉換器的一輸入電壓與一第一預定閾值，該第一預定閾值係與該輸出電壓相關；<br/> 當該輸入電壓降至該第一預定閾值以下時，由該旁路檢測器產生一旁路模式信號；及<br/> 根據該旁路模式信號，將該降壓轉換器從該正常模式轉換至一旁路模式，其中該旁路模式包括啟用該高側開關且停用該低側開關。
如請求項10所述之方法，另包括：<br/> 在該旁路模式下操作時：<br/> 停用該旁路檢測器和該降壓轉換器的一比較器；以及<br/> 由該降壓轉換器的一誤差放大器監測一反饋電壓與一參考電壓之間的差異。
如請求項11所述之方法，另包括：<br/> 由該誤差放大器確定該輸出電壓是否已上升至高於該參考電壓一預定幅度；以及<br/> 若該輸出電壓已上升至高於該參考電壓該預定幅度：<br/> 由該誤差放大器產生一旁路退出信號；以及<br/> 啟用該降壓轉換器的該比較器。
如請求項12所述之方法，另包括：<br/> 根據該旁路退出信號，將該降壓轉換器從該旁路模式轉換回該正常模式。
如請求項10所述之方法，另包括：<br/> 在該旁路模式下操作時：<br/> 停用該降壓轉換器的一過電流保護電路；以及<br/> 啟用該降壓轉換器的一大電流檢測電路。
如請求項14所述之方法，另包括：<br/> 由該大電流檢測電路監測該降壓轉換器的一輸入電壓與一開關節點電壓之間的電壓差。
如請求項15所述之方法，另包括：<br/> 由該大電流檢測電路確定該電壓差是否超過一第二預定閾值；以及<br/> 若該電壓差超過該第二預定閾值：<br/> 由該大電流檢測電路產生一大電流信號；以及<br/> 啟用該過電流保護電路。
如請求項16所述之方法，另包括：<br/> 由該過電流保護電路比較一輸出電流與一過電流閾值；以及<br/> 若該輸出電流超過該過電流閾值，將該降壓轉換器從該旁路模式轉換回該正常模式。
如請求項17所述之方法，另包括：<br/> 若該輸出電流未超過該過電流閾值，保持該降壓轉換器在該旁路模式並停用該過電流保護電路。
如請求項10所述之方法，另包括：<br/> 在操作該降壓轉換器於該正常模式之前，於一睡眠模式中操作該降壓轉換器，其中該睡眠模式包括：<br/> 停用該高側開關和該低側開關；以及<br/> 停用該旁路檢測器和該降壓轉換器的一比較器。
一種清洗控制方法，其中，所述方法應用於自潔淨系統，所述自潔淨系統包括自潔淨設備和設備基站，所述設備基站用於停靠所述自潔淨設備，所述自潔淨設備包括清潔件和設置有溢水口的水箱，所述溢水口用於，當所述水箱的水位高於所述溢水口或所述水箱內水的壓力高於預設壓力時，將水通過所述溢水口溢出；所述方法包括： <br/>控制設備基站向所述水箱補水第一預設時長或第一預設水量，所述水箱補滿水後水從所述溢水口溢出至所述清潔件，將所述清潔件浸濕； <br/>對已浸濕的所述清潔件進行第一清洗處理。
根據請求項1所述的方法，其中所述對已浸濕的所述清潔件進行第一清洗處理，包括： <br/>控制由所述溢水口溢出的水浸濕的所述清潔件，按照第一占空比以及第一轉速轉動，以實現第一清洗處理。
根據請求項2所述的方法，其中所述第一占空比的數值範圍為2%至15%；所述第一轉速的數值範圍為40r/min至60r/min。
根據請求項1所述的方法，其中所述第一預設時長的數值範圍為25s至45s。
根據請求項1所述的方法，其中在所述控制設備基站向所述水箱補水第一預設時長或第一預設水量的之前或同時，所述方法還包括： <br/>控制所述設備基站向所述清潔件出水第二預設時長或第二預設水量。
根據請求項5所述的方法，其中所述第二預設時長的數值範圍為5s至25s。
根據請求項5所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>在出水的之前、同步、之中或之後，控制所述清潔件按照第二占空比以及第二轉速轉動，所述第二占空比大於第一占空比，所述第二轉速大於第一轉速。
根據請求項7所述的方法，其中所述第二占空比的數值範圍為15%至35%；所述第二轉速的數值範圍為90r/min至110r/min。
根據請求項1所述的方法，其中在所述對已浸濕的所述清潔件進行第一清洗處理之後，所述方法還包括： <br/>控制所述設備基站向所述清潔件出水第三預設時長或第三預設水量，並對所述清潔件進行第二清洗處理。
根據請求項9所述的方法，其中所述對所述清潔件進行第二清洗處理，包括： <br/>在出水的之前、同步、之中或之後，控制所述清潔件按照第三占空比以及第三轉速轉動，以實現第二清洗處理，所述第三占空比大於第一占空比，所述第三轉速大於第一轉速。
根據請求項10所述的方法，其中所述第三預設時長的數值範圍為35s至55s；所述第三占空比的數值範圍為25%至45%；所述第三轉速的數值範圍為100r/min至120r/min。
根據請求項9所述的方法，其中所述控制所述設備基站向所述清潔件出水第三預設時長或第三預設水量，並對所述清潔件進行第二清洗處理，包括： <br/>獲取所述第一清洗處理後所排污水的髒污程度； <br/>若所述髒污程度大於或等於預設閾值，則控制所述設備基站向所述清潔件出水第三預設時長或第三預設水量，並對所述清潔件進行第二清洗處理。
根據請求項9所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>獲取使用者設置的清潔件清洗模式； <br/>若所述清潔件清洗模式為第一清洗模式，則對所述清潔件進行第一清洗處理和第二清洗處理； <br/>若所述清潔件清洗模式為第二清洗模式，則對所述清潔件進行第一清洗處理。
根據請求項1至13中任一項所述的方法，其中所述方法還包括： <br/>在清洗完成後，控制所述清潔件按照第四占空比以及第四轉速轉動，以對所述清潔件甩乾，所述第四占空比大於第一占空比，所述第四轉速大於第一轉速。
根據請求項14所述的方法，其中所述第四占空比的數值範圍為45%至50%；所述第四轉速的數值範圍為120r/min至150r/min。
一種清洗控制裝置，其中所述裝置應用於自潔淨系統，所述自潔淨系統包括自潔淨設備和設備基站，所述設備基站用於停靠所述自潔淨設備，所述自潔淨設備包括清潔件和設置有溢水口的水箱，所述溢水口用於，當所述水箱的水位高於所述溢水口或所述水箱內水的壓力高於預設壓力時，將水通過所述溢水口溢出；所述裝置包括： <br/>補水控制模組，用於控制設備基站向所述水箱發送用於所述水箱補水的第一預設時長或第一預設水量，所述水箱補滿水後水從所述溢水口溢出至所述清潔件，將所述清潔件浸濕； <br/>清洗控制模組，用於對所述溢水口溢出的水浸濕的所述清潔件進行第一清洗處理。
一種自潔淨設備，其中，包括： <br/>設備主體和清潔件，所述清潔件與所述設備主體連接，所述設備主體用於驅動所述清潔件移動清潔，所述設備主體設置有出水口，任一所述清潔件對應至少一個所述出水口； <br/>水箱，設置有溢水口，所述溢水口用於當所述水箱的水位高於溢水口或所述水箱內水的壓力高於預設壓力時，將水通過溢水口溢出至所述出水口，以淋濕所述清潔件。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中， <br/>所述清潔件與所述出水口一一對應； <br/>或者，所述清潔件對應至少兩個所述出水口。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中， <br/>所述清潔件對應多個所述出水口，多個所述出水口圍繞所述清潔件轉軸配置。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中， <br/>所述清潔件包括支撐架和拖擦件，所述支撐架與所述設備主體連接，所述拖擦件設置於所述支撐架上，所述支撐架上設置有鏤空，所述出水口與所述鏤空相對應。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中，所述自潔淨設備還包括： <br/>過濾件，所述過濾件覆蓋於所述出水口。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中，所述自潔淨設備還包括： <br/>出水件，所述出水件與所述設備主體可拆卸連接，所述出水口設置於所述出水件上。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中， <br/>所述設備主體包括容納空間，所述水箱位於所述容納空間中，所述出水口與所述容納空間相連通。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中，所述自潔淨設備還包括： <br/>連接管，所述水箱與所述出水口通過所述連接管連通。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中，所述自潔淨設備還包括： <br/>連接管，所述連接管的一端與所述水箱連通，所述連接管的另一端與所述設備主體的底壁相對，所述出水口開設於所述底壁，所述水箱的溢水通過所述連接管以及所述底壁流至所述出水口。
根據請求項17所述的自潔淨設備，其中，所述自潔淨設備還包括： <br/>補水接頭，所述補水接頭與所述水箱連通，所述補水接頭用於與水源對接，以向所述水箱補水。
一種自潔淨系統，其中，包括自潔淨設備和設備基站，所述設備基站用於停靠所述自潔淨設備；所述自潔淨設備包括： <br/>清潔件； <br/>水箱，所述水箱設置有溢水口，所述溢水口用於，當所述水箱的水位高於所述溢水口或所述水箱內水的壓力高於預設壓力時，將水通過所述溢水口溢出，從所述溢水口溢出的水可接觸所述清潔件； <br/>記憶體，所述記憶體儲存有程式或指令； <br/>處理器，所述處理器執行所述程式或指令時實現如請求項1至15中任一項所述的清洗控制方法的步驟。
一種可讀儲存媒介，其上儲存有程式或指令，其中，所述程式或指令被處理器執行時實現如請求項1至15中任一項所述的清洗控制方法的步驟。
一種物品供給裝置，其具備： <br/>本體部； <br/>收容部，其可收容物品，且可安裝於上述本體部，且構成為可處於安裝於上述本體部之第1狀態、及自上述本體部卸下之第2狀態；及 <br/>供給部，其設置於上述本體部，可供給上述物品；且 <br/>上述收容部包含可載置上述物品之載置部、及操作部；上述載置部構成為可基於上述操作部之操作，一邊保持水平狀態一邊於上位置與下位置之間上下移動，且構成為可根據收容於上述收容部之上述物品之數量調整上述物品之高度位置，且構成為以上述載置部位於上述上位置為條件而可自上述本體部拉出；上述供給部構成為以上述收容部處於上述第1狀態為條件而可供給上述物品。
如請求項1之物品供給裝置，其中 <br/>上述收容部包含可對上述物品加壓之加壓部；且 <br/>上述加壓部構成為可對收容於上述收容部之上述物品自其下部加壓。
如請求項2之物品供給裝置，其中 <br/>上述加壓部包含第1加壓部與第2加壓部；且 <br/>上述第1加壓部可對收容於上述收容部之上述物品之上述供給部之供給方向之前方加壓； <br/>上述第2加壓部可對收容於上述收容部之上述物品之上述供給方向之後方加壓。
如請求項3之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1加壓部及上述第2加壓部由彈性構件構成。
如請求項4之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部構成為可供給收容於上述收容部之複數個上述物品中位於最上方之上述物品。
如請求項5之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部包含可送出上述物品之送出部；且 <br/>上述送出部構成為可送出收容於上述收容部且位於最上方之上述物品。
如請求項6之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1加壓部設置於上述送出部之正下方。
如請求項7之物品供給裝置，其中 <br/>上述送出部構成為旋轉輥部；且 <br/>上述旋轉輥部構成為可向水平方向送出收容於上述收容部之上述物品。
如請求項8之物品供給裝置，其中 <br/>上述旋轉輥部之剖面呈非正圓之形狀，構成為包含可與上述物品接觸之第1周面與不與上述物品接觸之第2周面。
如請求項1之物品供給裝置，其中 <br/>上述收容部構成為來自上述供給部之上述物品之供給方向與來自上述本體部之拉出方向成為同一方向。
如請求項1至9中任一項之物品供給裝置，其進而包含： <br/>分選部，其於利用上述供給部進行之上述物品之供給時，一次僅可分選一個上述物品；且 <br/>上述分選部構成為可僅分選於上述收容部中積層之複數個上述物品中位於最上方之上述物品。
如請求項11之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部構成為可供給由上述分選部分選出之上述物品。
如請求項12之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部可以價款之支付為條件供給1個上述物品。
一種物品供給裝置，其具備： <br/>本體部； <br/>收容部，其可安裝於上述本體部，且可收容物品； <br/>供給部，其設置於收容部，可供給上述物品； <br/>控制部，其可控制來自上述供給部之上述物品之供給；及 <br/>動力賦予部，其賦予由上述供給部應供給上述物品之動力；且 <br/>上述收容部包含第1收容部與第2收容部； <br/>上述供給部包含可送出收容於上述第1收容部之上述物品之第1送出部、與可送出收容於上述第2收容部之上述物品之第2送出部； <br/>上述動力賦予部構成為可對上述第1送出部及上述第2送出部賦予動力； <br/>上述動力賦予部具備第1動力賦予部與第2動力賦予部； <br/>上述供給部包含可進一步送出由上述第1送出部送出之上述物品之第3送出部、與可進一步送出由上述第2送出部送出之上述物品之第4送出部；且 <br/>上述第1動力賦予部構成為可對上述第1送出部及上述第2送出部賦予動力； <br/>上述第2動力賦予部構成為可對第3送出部及第4送出部賦予動力。
如請求項1之物品供給裝置，其中 <br/>上述動力賦予部構成為可同時對上述第1送出部及上述第2送出部賦予動力。
如請求項2之物品供給裝置，其中 <br/>於進行利用上述第1送出部之上述物品之送出動作時，控制為不進行利用上述第2送出部之上述物品之送出動作。
如請求項3之物品供給裝置，其中 <br/>於進行利用上述第2送出部之上述物品之送出動作時，控制為不進行利用上述第1送出部之上述物品之送出動作。
如請求項4之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1送出部及上述第2送出部構成為可進行旋轉動作；且 <br/>上述第1送出部可向第1方向旋轉； <br/>上述第2送出部構成為可向與上述第1方向不同之第2方向旋轉。
如請求項5之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1送出部包含不使其向上述第2方向旋轉之第1離合器機構；且 <br/>上述第2送出部包含不使其向上述第1方向旋轉之第2離合器機構。
如請求項1之物品供給裝置，其中 <br/>於上述第3送出部及上述第4送出部與上述第2動力賦予部之間未設置控制動力傳遞之離合器機構。
如請求項7之物品供給裝置，其中 <br/>於進行由上述第1動力賦予部向上述第1送出部及上述第2送出部賦予動力後，可由上述第2動力賦予部向第3送出部及第4送出部賦予動力。
如請求項8之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1送出部位於上述第2送出部之正上方；且 <br/>上述第3送出部構成為位於第4送出部之正上方。
如請求項9之物品供給裝置，其中 <br/>上述第1送出部及上述第2送出部之剖面呈非正圓之形狀；且 <br/>上述第3送出部及上述第4送出部之剖面呈正圓之形狀。
如請求項1至6中任一項之物品供給裝置，其中 <br/>不同時供給收容於上述第1收容部之上述物品、與收容於上述第2收容部之上述物品。
如請求項1至6中任一項之物品供給裝置，其進而具備： <br/>遊戲執行部；且 <br/>上述遊戲執行部可以價款之支付為條件執行遊戲。
如請求項12之物品供給裝置，其中 <br/>上述供給部可以價款之支付為條件供給1個上述物品。
一種系統級晶片整合架構，包括：<br/> 至少一單晶片系統晶片；<br/> 至少一內嵌最末級快取層之特殊積體電路晶片，堆疊於該單晶片系統晶片上方或下方；以及<br/> 至少一動態隨機存取記憶體層，堆疊於該特殊積體電路晶片下方或上方；<br/> 其中，該動態隨機存取記憶體層與該特殊積體電路晶片之間以及該特殊積體電路晶片與該單晶片系統晶片之間是經由矽穿孔而連接，使該特殊積體電路晶片與該單晶片系統晶片之間形成一高資料頻寬介面，以及使該動態隨機存取記憶體層與該特殊積體電路晶片之間形成一高資料頻寬介面；<br/> 其中，該特殊積體電路晶片作為該動態隨機存取記憶體層與該單晶片系統晶片之間的一資料傳輸之緩衝及暫存區。
如請求項1所述之系統級晶片整合架構，其中該特殊積體電路晶片還包括動態隨機存取記憶體層和特殊積體電路晶片中至少一種記憶體的修復電路。
如請求項1所述之系統級晶片整合架構，其中該特殊積體電路晶片使用磁阻式隨機存取記憶體、靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體或前述組合。
一種系統級晶片整合架構，包括：<br/> 至少一單晶片系統晶片；<br/> 至少一內嵌最末級快取層之特殊積體電路晶片，堆疊於該單晶片系統晶片上方或下方；以及<br/> 至少一動態隨機存取記憶體層，堆疊於該特殊積體電路晶片下方或上方；<br/> 其中，該動態隨機存取記憶體層與該特殊積體電路晶片之間以及該特殊積體電路晶片與該單晶片系統晶片之間是經由矽穿孔而連接，使該特殊積體電路晶片與該單晶片系統晶片之間形成一高資料頻寬介面，以及使該動態隨機存取記憶體層與該特殊積體電路晶片之間形成一高資料頻寬介面；<br/> 其中，該特殊積體電路晶片僅做為矽穿孔連接區。
如請求項4所述之系統級晶片整合架構，其中該特殊積體電路晶片還包括動態隨機存取記憶體層和特殊積體電路晶片中至少一種記憶體的修復電路。
如請求項4所述之系統級晶片整合架構，其中該特殊積體電路晶片使用磁阻式隨機存取記憶體、靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體或前述組合。
一種筆記型電腦之控制方法，包括：<br/> 以一觸控板之一外環感測線路及一觸控感測線路感測一觸控筆與該觸控板之一近接距離；以及<br/> 依據該觸控筆與該觸控板之該近接距離，控制該觸控板之一振動單元之一可振程度，<br/> 其中該外環感測線路用以感測一第一預定距離至一第二預定距離之間的該近接距離，該觸控感測線路用以感測該第一預定距離之內的該近接距離。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中於控制該觸控板之該振動單元之該可振程度之步驟中，若該近接距離為0，則控制該可振程度為0。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中於控制該觸控板之該振動單元之該可振程度之步驟中，該可振程度與該近接距離成正比。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中於控制該觸控板之該振動單元之該可振程度之步驟中，該可振程度與該近接距離之關係為一線性方程式。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中於控制該觸控板之該振動單元之該可振程度之步驟中，該可振程度與該近接距離之關係為一曲線方程式。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中該外環感測線路包括複數個角落感測線路，該控制方法更包括：<br/> 若該些角落感測線路之其中之一感測到該觸控筆維持達一持續時間，則啟動一對應動作。
如請求項1所述之筆記型電腦之控制方法，其中該外環感測線路包括複數個角落感測線路，該控制方法更包括：<br/> 若該些角落感測線路按照一預定順序感測到該觸控筆，則啟動一對應動作。
一種筆記型電腦，包括：<br/> 一觸控筆；以及<br/> 一觸控板，包括：<br/> 一平板；<br/> 一外環感測線路，設置於該平板之下；<br/> 一觸控感測線路，設置於該平板之下，該外環感測線路及該觸控感測線路感測該觸控筆與該觸控板之一近接距離；<br/> 一振動單元，設置於該平板之下；及<br/> 一控制單元，連接於該外環感測線路、該觸控感測線路及該振動單元，該控制單元用以依據該觸控筆與該觸控板之該近接距離，控制該振動單元之一可振程度，<br/> 其中該外環感測線路用以感測一第一預定距離至一第二預定距離之間的該近接距離，該觸控感測線路用以感測該第一預定距離之內的該近接距離。
如請求項8所述之筆記型電腦，其中若該近接距離為0，則該控制單元控制該可振程度為0。
如請求項8所述之筆記型電腦，其中該控制單元控制該可振程度與該近接距離成正比。
如請求項8所述之筆記型電腦，其中該外環感測線路包括複數個角落感測線路，若該些角落感測線路之其中之一感測到該觸控筆達一持續時間，則該控制單元啟動一對應動作。
如請求項8所述之筆記型電腦，其中該外環感測線路包括複數個角落感測線路，若該些角落感測線路按照一預定順序感測到該觸控筆，則該控制單元啟動一對應動作。
一種混合式差動放大器，根據一差動輸入訊號產生一差動輸出訊號，以驅動一負載，其中該差動輸入訊號具有一基礎頻率(fundamental frequency)，該混合式差動放大器包含：<br/> 一第一放大器，配置為一電感切換式轉換器，用以根據該差動輸入訊號的一第一輸入訊號進行脈寬調變(PWM)轉換以切換一電感器而產生該差動輸出訊號的一第一輸出訊號；以及<br/> 一第二放大器，用以根據該差動輸入訊號的一第二輸入訊號而產生該差動輸出訊號的一第二輸出訊號；<br/> 其中該第二放大器配置為相異於該電感切換式轉換器的另一類別的放大器；<br/> 其中該第一放大器或該第二放大器中的其中一者更根據該差動輸出訊號之回授產生該第一輸出訊號或該第二輸出訊號，藉此該差動輸出訊號線性相關於該差動輸入訊號；<br/> 其中該第一放大器或該第二放大器中的另外一者更用以將該第一輸入訊號或該第二輸入訊號進行一量化處理，使得該第二輸出訊號包括相關於該基礎頻率的一階梯波，其中該階梯波包括至少三個量化輸出位準；<br/> 其中該量化處理包括：根據該第一輸入訊號或該第二輸入訊號與至少一量化閾值位準，以產生一量化輸出訊號，藉此使得該第二輸出訊號包括該階梯波。
如請求項1所述之混合式差動放大器，其中該至少三個量化輸出位準包括一第一階梯位準、一第二階梯位準以及一接地位準，其中該第二階梯位準小於該第一階梯位準且大於該接地位準，其中該第二階梯位準之一持續時間大於該第一輸出訊號與該第二輸出訊號之間的一延遲時間，藉此使得該差動輸出訊號的失真程度小於一預設程度。
如請求項2所述之混合式差動放大器，其中該第一階梯位準對應於一供應電壓之位準，該第二階梯位準對應於該供應電壓之一分壓之位準。
如請求項2所述之混合式差動放大器，其中該第二放大器包括：<br/> 一量化控制電路，耦接於該第二輸入訊號；以及<br/> 一選擇電路，耦接於該量化控制電路與該第二輸出訊號之間；<br/> 其中該量化處理包括：<br/> 該量化控制電路用以根據該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準，以產生一量化控制訊號；以及<br/> 該選擇電路用以根據該量化控制訊號，選擇該第一階梯位準、該第二階梯位準或該接地位準，以產生該量化輸出訊號；<br/> 其中該量化輸出訊號對應於該第二輸出訊號。
如請求項4所述之混合式差動放大器，其中該第一放大器包括：<br/> 一迴路濾波電路，用以根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分以產生一迴路濾波訊號；<br/> 一脈寬調變電路，用以根據該迴路濾波訊號與一三角波之比較產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 一切換功率級電路，用以根據該PWM輸出訊號而切換該電感器，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中該第一放大器藉由回授控制，使得該第一輸出訊號包括該第一輸入訊號與該階梯波的疊加。
如請求項2所述之混合式差動放大器，其中該第二放大器配置為在連續時間域下操作的線性放大器，其中該第二放大器包括：<br/> 一量化電路，耦接於該第二輸入訊號；以及<br/> 一放大級電路，耦接於該量化電路與該第二輸出訊號之間；<br/> 其中該量化處理包括：<br/> 該量化電路用以根據該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準，以產生該量化輸出訊號，其中該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的一方波或該階梯波；以及<br/> 該放大級電路用以線性放大該量化輸出訊號以產生該第二輸出訊號；<br/> 其中該方波具有兩個位準，分別對應於該第一階梯位準與該接地位準，該階梯波具有三個位準，分別對應於該第一階梯位準、該第二階梯位準以及該接地位準。
如請求項6所述之混合式差動放大器，其中該第一放大器包括：<br/> 一迴路濾波電路，用以根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分以產生一迴路濾波訊號；<br/> 一脈寬調變電路，用以根據該迴路濾波訊號與一三角波之比較產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 一切換功率級電路，用以根據該PWM輸出訊號而切換該電感器，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中該第一放大器藉由回授控制，使得該第一輸出訊號包括該第一輸入訊號與該階梯波的疊加。
如請求項6所述之混合式差動放大器，其中當該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的該方波時，該放大級電路包括：<br/> 一B類放大器，包括一第一上橋電晶體以及一第一下橋電晶體，其中該第一上橋電晶體之閘極與該第一下橋電晶體之閘極互相耦接且耦接於該量化輸出訊號，該第一上橋電晶體與該第一下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二輸出訊號的該階梯波的該第二階梯位準之該持續時間相關於該第一上橋電晶體之一導通閾值與該第一下橋電晶體之一導通閾值；或者<br/> 一AB類放大器，包括一第二上橋電晶體、一第二下橋電晶體以及一位準移位器，該位準移位器之第一端及第二端分別耦接於該第二上橋電晶體之閘極與該第二下橋電晶體之閘極，以維持該第二上橋電晶體之該閘極與該第二下橋電晶體之該閘極間的電壓差，且該位準移位器之一輸入端耦接於該量化輸出訊號以控制該位準移位器之該第一端及該第二端的電壓，該第二上橋電晶體與該第二下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二輸出訊號的該階梯波的該第二階梯位準之該持續時間相關於該第二上橋電晶體之一導通閾值、該第二下橋電晶體之一導通閾值及該位準移位器之一偏移位準；<br/> 其中該供應電壓具有該第一階梯位準，該接地電位對應於該接地位準。
如請求項6所述之混合式差動放大器，其中當該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的該階梯波時，該放大級電路包括：<br/> 一AB類放大器，包括一上橋電晶體、一下橋電晶體以及一位準移位器，該位準移位器之第一端及第二端分別耦接於該上橋電晶體之閘極與該下橋電晶體之閘極，以維持該上橋電晶體之該閘極與該下橋電晶體之該閘極間的電壓差，且該位準移位器之一輸入端耦接於量化輸出訊號以控制該位準移位器之該第一端及該第二端的電壓，該上橋電晶體與該下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二階梯位準之該持續時間相關於該上橋電晶體之一導通閾值、該下橋電晶體之一導通閾值及該位準移位器之一偏移位準；<br/> 其中該供應電壓具有該第一階梯位準，該接地電位對應於該接地位準。
如請求項2所述之混合式差動放大器，其中該第一放大器包括：<br/> 一預處理電路，用以根據該第一輸入訊號及/或該第二輸入訊號進行預處理，以產生一預處理輸出訊號；<br/> 一脈寬調變電路，用以根據該預處理輸出訊號與一三角波之比較產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 一切換功率級電路，用以根據該PWM輸出訊號而切換該電感器，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中所述預處理包括：根據該第一輸入訊號及/或該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準進行量化處理，以產生該量化輸出訊號，且將該量化輸出訊號與該第一輸入訊號疊加以產生該預處理輸出訊號；<br/> 其中該量化輸出訊號包括該階梯波，該階梯波具有該第一階梯位準、該第二階梯位準以及該接地位準。
如請求項10所述之混合式差動放大器，其中該第二放大器包括：<br/> 一迴路濾波電路，用以根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分以產生一迴路濾波訊號；<br/> 一增益級電路，用以線性放大該迴路濾波訊號以產生一增益輸出訊號；以及<br/> 一放大級電路，用以線性放大該增益輸出訊號以產生該第二輸出訊號；<br/> 其中該第二放大器藉由回授控制，使得該第二輸出訊號包括該階梯波。
一種混合式差動放大方法，根據一差動輸入訊號產生一差動輸出訊號以驅動一負載，其中該差動輸入訊號具有一基礎頻率(fundamental frequency)，該混合式差動放大方法包含：<br/> 根據該差動輸入訊號的一第一輸入訊號進行脈寬調變(PWM)轉換，以產生該差動輸出訊號的一第一輸出訊號；以及<br/> 根據該差動輸入訊號的一第二輸入訊號，產生該差動輸出訊號的一第二輸出訊號；<br/> 其中該第二輸出訊號的產生方式相異於該脈寬調變轉換；<br/> 其中該第一輸出訊號或該第二輸出訊號中的其中一者更根據該差動輸出訊號之回授產生，藉此該差動輸出訊號線性相關於該差動輸入訊號；<br/> 其中該第一輸出訊號或該第二輸出訊號中的另外一者更根據該第一輸入訊號或該第二輸入訊號之一量化處理，使得該第二輸出訊號包括相關於該基礎頻率的一階梯波，其中該階梯波包括至少三個量化輸出位準；<br/> 其中該量化處理包括：根據該第一輸入訊號或該第二輸入訊號與至少一量化閾值位準，以產生一量化輸出訊號，藉此使得該第二輸出訊號包括該階梯波。
如請求項12所述之混合式差動放大方法，其中該至少三個量化輸出位準包括一第一階梯位準、一第二階梯位準以及一接地位準，其中該第二階梯位準小於該第一階梯位準且大於該接地位準，其中該第二階梯位準之一持續時間大於該第一輸出訊號與該第二輸出訊號之間的一延遲時間，藉此使得該差動輸出訊號的失真程度小於一預設程度。
如請求項13所述之混合式差動放大方法，其中該第一階梯位準對應於一供應電壓之位準，該第二階梯位準對應於該供應電壓之一分壓之位準。
如請求項13所述之混合式差動放大方法，其中該量化處理包括：<br/> 根據該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準，以產生一量化控制訊號；以及<br/> 根據該量化控制訊號，選擇該第一階梯位準、該第二階梯位準或該接地位準，以產生該量化輸出訊號；<br/> 其中該量化輸出訊號對應於該第二輸出訊號。
如請求項15所述之混合式差動放大方法，其中產生該第一輸出訊號之步驟包括：<br/> 根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分，以產生一迴路濾波訊號；<br/> 根據該迴路濾波訊號與一三角波之比較，產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 根據該PWM輸出訊號進行切換，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中產生該第一輸出訊號之該步驟藉由回授控制，使得該第一輸出訊號包括該第一輸入訊號與該階梯波的疊加。
如請求項13所述之混合式差動放大方法，其中該量化處理包括：<br/> 根據該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準，以產生該量化輸出訊號，其中該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的一方波或該階梯波；以及<br/> 將該量化輸出訊號線性放大，以產生該第二輸出訊號；<br/> 其中該方波具有兩個位準，分別對應於該第一階梯位準與該接地位準，該階梯波具有三個位準，分別對應於該第一階梯位準、該第二階梯位準以及該接地位準。
如請求項17所述之混合式差動放大方法，其中產生該第一輸出訊號之步驟包括：<br/> 根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分，以產生一迴路濾波訊號；<br/> 根據該迴路濾波訊號與一三角波之比較，產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 根據該PWM輸出訊號進行切換，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中產生該第一輸出訊號之該步驟藉由回授控制，使得該第一輸出訊號包括該第一輸入訊號與該階梯波的疊加。
如請求項17所述之混合式差動放大方法，其中當該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的該方波時，將該量化輸出訊號線性放大之步驟包括：<br/> 以B類放大方式，控制一第一上橋電晶體與一第一下橋電晶體的導通，以產生該第二輸出訊號，其中該第一上橋電晶體與該第一下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二輸出訊號的該階梯波的該第二階梯位準之該持續時間相關於該第一上橋電晶體之一導通閾值與該第一下橋電晶體之一導通閾值；或者<br/> 以AB類放大方式，維持一第二上橋電晶體之閘極與一第二下橋電晶體之閘極間的電壓差，並根據該量化輸出訊號控制該電壓差，以產生該第二輸出訊號，其中該第二上橋電晶體與該第二下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二輸出訊號的該階梯波的該第二階梯位準之該持續時間相關於該第二上橋電晶體之一導通閾值、該第二下橋電晶體之一導通閾值及一偏移位準，其中該偏移位準正相關於該電壓差；<br/> 其中該供應電壓具有該第一階梯位準，該接地電位對應於該接地位準。
如請求項17所述之混合式差動放大方法，其中當該量化輸出訊號包括相關於該基礎頻率的該階梯波時，將該量化輸出訊號線性放大之步驟包括：<br/> 以AB類放大方式，維持一上橋電晶體之閘極與一下橋電晶體之閘極間的電壓差，並根據該量化輸出訊號控制該電壓差，以產生該第二輸出訊號，其中該上橋電晶體與該下橋電晶體彼此串聯於一供應電壓與一接地電位之間以產生該第二輸出訊號，其中該第二階梯位準之該持續時間相關於該上橋電晶體之一導通閾值、該下橋電晶體之一導通閾值及一偏移位準，其中該偏移位準正相關於該電壓差；<br/> 其中該供應電壓具有該第一階梯位準，該接地電位對應於該接地位準。
如請求項13所述之混合式差動放大方法，其中產生該第一輸出訊號之步驟包括：<br/> 根據該第一輸入訊號及/或該第二輸入訊號進行預處理，以產生一預處理輸出訊號；<br/> 根據該預處理輸出訊號與一三角波之比較，產生一PWM輸出訊號；以及<br/> 根據該PWM輸出訊號進行切換，以產生該第一輸出訊號；<br/> 其中所述預處理包括：根據該第一輸入訊號及/或該第二輸入訊號與該至少一量化閾值位準進行量化處理，以產生該量化輸出訊號，且將該量化輸出訊號與該第一輸入訊號疊加，以產生該預處理輸出訊號；<br/> 其中該量化輸出訊號包括該階梯波，該階梯波具有該第一階梯位準、該第二階梯位準以及該接地位準。
如請求項21所述之混合式差動放大方法，其中產生該第一輸出訊號之步驟包括：<br/> 根據該差動輸出訊號與該差動輸入訊號之差值線性積分，以產生一迴路濾波訊號；<br/> 將該迴路濾波訊號線性放大，以產生一增益輸出訊號；以及<br/> 將該增益輸出訊號線性放大，以產生該第二輸出訊號；<br/> 其中產生該第一輸出訊號之步驟藉由回授控制，使得該第二輸出訊號包括該階梯波。
一種製程腔室，其包含：<br/> 一第一窗口；<br/> 一第二窗口；<br/> 一基板支撐件，其安置在該第一窗口與該第二窗口之間，該基板支撐件經配置為支撐一基板； <br/> 一旋轉臺，其安置在該第一窗口上方的一第一平面中；及<br/> 一可旋轉輻射點加熱源，其安置在該第一窗口上方且經配置為經由該第一窗口提供輻射能，使得該可旋轉輻射點加熱源安裝至該旋轉臺並且以相對於該第一平面的一銳角定位，其中該旋轉臺可旋轉以繞著正交於該第一平面的一旋轉軸而旋轉該可旋轉輻射點加熱源。
如請求項1所述之製程腔室，其中該旋轉軸穿過該旋轉臺且該旋轉臺與一致動器耦合，該致動器經配置為繞著該旋轉臺而旋轉該可旋轉輻射點加熱源。
如請求項2所述之製程腔室，其中該旋轉軸也穿過該可旋轉輻射點加熱源。
如請求項3所述之製程腔室，其中該旋轉軸線與該可旋轉輻射點加熱源的一縱向軸不平行。
如請求項3所述之製程腔室，其中該可旋轉輻射點加熱源經配置為將輻射能以環形圖案引導越過安置於該基板支撐件的一基板的一表面。
如請求項2所述之製程腔室，其中該可旋轉輻射點加熱源包含：<br/> 一準直儀固持器；以及<br/> 一準直儀，其安置在該準直儀固持器中。
一種製程腔室，其包含：<br/> 一第一窗口；<br/> 一基板支撐件，其鄰近該第一窗口安置；<br/> 一旋轉臺，其安置在一第一平面中；及<br/> 一可旋轉輻射點加熱源，其安裝至該旋轉臺並經配置為經由該第一窗口朝該基板支撐件提供輻射能，該可旋轉輻射點加熱源以相對於該第一平面的一銳角定位，其中該旋轉臺可旋轉以繞著正交於該第一平面的一旋轉軸而旋轉該可旋轉輻射點加熱源。
如請求項7所述之製程腔室，其中該旋轉軸穿過該旋轉臺且該旋轉臺與一致動器耦合，該致動器經配置為繞著該旋轉臺而旋轉該可旋轉輻射點加熱源。
如請求項8所述之製程腔室，進一步包含：<br/> 一準直儀，其安置在一準直儀固持器上；及<br/> 一雷射器，其耦接至該準直儀。
如請求項9所述之製程腔室，其中該準直儀固持器包含安裝在其中的至少一個透鏡。
如請求項10所述之製程腔室，其中該旋轉軸線與該可旋轉輻射點加熱源的一縱向軸不平行。
如請求項11所述之製程腔室，其中該可旋轉輻射點加熱源經配置為將輻射能以環形圖案引導越過安置於該基板支撐件的一基板的一表面。
一種聚醯亞胺膜，其包括含有二酐單體和二胺單體作為聚合單元的聚醯亞胺，其中 <br/>所述二酐單體包含二苯甲酮四羧酸二酐（3,3',4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride，BTDA）、聯苯四羧酸二酐（3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，BPDA）和均苯四甲酸二酐（pyromellitic dianhydride，PMDA）； <br/>所述二胺單體包含二胺基二苯醚（4,4'-oxydianiline，ODA）、對苯二胺（p-phenylenediamine，PPD）和3,5-二胺基苯甲酸（3,5-diaminobenzoic acid，DABA）； <br/>所述聚醯亞胺膜的黏附力為1.2 kgf/cm以上；以及 <br/>所述聚醯亞胺膜的機器方向（Machine Direction，MD）的熱膨脹係數（CTE）和橫向方向（Transverse Direction，TD）的熱膨脹係數（CTE）的平均值小於13 ppm/℃； <br/>其中，以所述二胺單體的總含量100 mol%為基準， <br/>所述二胺基二苯醚的含量為40 mol%以上且50 mol%以下， <br/>所述對苯二胺的含量為40 mol%以上且55 mol%以下，以及 <br/>所述3,5-二胺基苯甲酸的含量為5 mol%以上且10 mol%以下； <br/>其中，所述聚醯亞胺膜的強度為300 MPa以上，彈性模數為5.0 GPa以上，且伸長率為50%以上。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，以所述二酐單體的總含量100 mol%為基準， <br/>所述二苯甲酮四羧酸二酐的含量為15 mol%以上且35 mol%以下， <br/>所述聯苯四羧酸二酐的含量為30 mol%以上且50 mol%以下，以及 <br/>所述均苯四甲酸二酐的含量為30 mol%以上且50 mol%以下。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺膜的玻璃化轉變溫度為340℃以上。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺為包括含有所述二胺基二苯醚和所述二苯甲酮四羧酸二酐的嵌段的共聚物。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，所述聚醯亞胺為包括含有所述二胺基二苯醚、所述二苯甲酮四羧酸二酐和所述均苯四甲酸二酐的嵌段的共聚物。
一種聚醯亞胺膜的製備方法，包括： <br/>（a）將二酐單體和二胺單體在有機溶劑中聚合以製備聚醯胺酸的步驟，其中，所述二酐單體包含二苯甲酮四羧酸二酐（3,3',4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride，BTDA）、聯苯四羧酸二酐（3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，BPDA）和均苯四甲酸二酐（pyromellitic dianhydride，PMDA），並且，所述二胺單體包含二胺基二苯醚（4,4'-oxydianiline，ODA）、對苯二胺（p-phenylenediamine，PPD）和3,5-二胺基苯甲酸（3,5-diaminobenzoic acid，DABA）；以及 <br/>（b）將所述聚醯胺酸進行醯亞胺化的步驟； <br/>其中，所製備的聚醯亞胺膜的黏附力為1.2 kgf/cm以上，且機器方向（Machine Direction，MD）的熱膨脹係數（CTE）和橫向方向（Transverse Direction，TD）的熱膨脹係數（CTE）的平均值小於13 ppm/℃； <br/>其中，以所述二胺單體的總含量100 mol%為基準， <br/>所述二胺基二苯醚的含量為40 mol%以上且50 mol%以下， <br/>所述對苯二胺的含量為40 mol%以上且55 mol%以下，以及 <br/>所述3,5-二胺基苯甲酸的含量為5 mol%以上且10 mol%以下； <br/>其中，所述聚醯亞胺膜的強度為300 MPa以上，彈性模數為5.0 GPa以上，且伸長率為50%以上。
如請求項6所述之聚醯亞胺膜的製備方法，其中， 以所述二酐單體的總含量100 mol%為基準， <br/>所述二苯甲酮四羧酸二酐的含量為15 mol%以上且35 mol%以下，所述聯苯四羧酸二酐的含量為30 mol%以上且50 mol%以下，且所述均苯四甲酸二酐的含量為30 mol%以上且50 mol%以下。
如請求項6所述之聚醯亞胺膜的製備方法，所述聚醯亞胺膜的玻璃化轉變溫度為340℃以上。
如請求項6所述之聚醯亞胺膜的製備方法，所述聚醯亞胺為包括含有所述二胺基二苯醚和所述二苯甲酮四羧酸二酐的嵌段的共聚物。
如請求項6所述之聚醯亞胺膜的製備方法，所述聚醯胺酸為包括含有所述二胺基二苯醚、所述二苯甲酮四羧酸二酐和所述均苯四甲酸二酐的嵌段的共聚物。
一種多層膜，其包括如請求項1至5中任一項所述的聚醯亞胺膜和熱塑性樹脂層。
一種可撓性金屬箔積層板，其包括如請求項1至5中任一項所述的聚醯亞胺膜和導電性金屬箔。
一種電子元件，其包括如請求項12所述的可撓性金屬箔積層板。
一種飛行載具降落控制系統，適用於輔助具有多個支撐腳的一飛行載具降落，且包含：<br/> 多個第一距離感測器，用於偵測該飛行載具與一降落面之間在多個方向上的多個量測距離；<br/> 一腳架控制器，用於控制該些支撐腳的旋轉角度或延伸長度；<br/> 一飛行控制器；以及<br/> 一運算裝置，連接於該飛行控制器、該些第一距離感測器及該腳架控制器，用於根據該些量測距離取得該降落面相對於該飛行載具的傾斜資訊或時變高度資訊，並根據該傾斜資訊控制該腳架控制器調整該些支撐腳的該旋轉角度或該延伸長度或根據該時變高度資訊透過該飛行控制器控制該飛行載具的降落速度，<br/> 其中該運算裝置是用於當判斷該時變高度資訊的高度時變量介於該飛行載具的一第一預設速度與一第二預設速度之間時，透過該飛行控制器以該高度時變量補償該飛行載具的該降落速度。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該運算裝置用於根據該傾斜資訊控制該些支撐腳的該旋轉角度或該延伸長度，且根據該時變高度資訊透過該飛行控制器控制該飛行載具的該降落速度。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該些第一距離感測器為光學雷達感測器。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該些第一距離感測器分別用於偵測對應於該些支撐腳之該些方向的該些量測距離。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該運算裝置用於取得該些量測距離的一平均高度，並根據該平均高度取得該時變高度資訊。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，更包含一第二距離感測器，用於偵測該飛行載具與該降落面之間一垂直距離，<br/> 其中，該運算裝置更用於根據該垂直距離取得該時變高度資訊。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該運算裝置用於當判斷該傾斜資訊的傾斜角度小於一第一預設角度時，控制該旋轉角度或該延伸長度為零。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該運算裝置更用於當判斷該傾斜資訊的傾斜角度大於一第二預設角度時，透過該飛行控制器停止該飛行載具的降落操作。
如請求項1所述的飛行載具降落控制系統，其中該運算裝置更用於當判斷該時變高度資訊的該高度時變量大於該飛行載具的該第二預設速度時，透過該飛行控制器停止該飛行載具的降落操作。
一種可自主降落的飛行載具，包含：<br/> 一連接平台；<br/> 多個第一距離感測器，設置於該連接平台，用於偵測該飛行載具與一降落面之間在多個方向上的多個量測距離；<br/> 多個支撐腳，耦接於該連接平台，該些支撐腳的每一者具有相對於該連接平台的一參考支點；<br/> 一腳架控制器，連接於該些支撐腳，用於控制該些支撐腳相對於該參考支點的旋轉角度或延伸長度； <br/> 一飛行控制器；以及<br/> 一運算裝置，連接於該些第一距離感測器、該腳架控制器及該飛行控制器，用於根據該些量測距離取得該降落面相對於該飛行載具的傾斜資訊或時變高度資訊，並根據該傾斜資訊控制該腳架控制器調整該些支撐腳的該旋轉角度或該延伸長度或根據該時變高度資訊透過該飛行控制器控制該飛行載具的降落速度，<br/> 其中該運算裝置是用於當判斷該時變高度資訊的高度時變量介於該飛行載具的一第一預設速度與一第二預設速度之間時，以該高度時變量透過該飛行控制器補償該飛行載具的該降落速度。
如請求項10所述的飛行載具，其中該運算裝置用於根據該傾斜資訊控制該些支撐腳的該旋轉角度或該延伸長度，且根據該時變高度資訊透過該飛行控制器控制該飛行載具的該降落速度。
如請求項10所述的飛行載具，其中該些第一距離感測器為光學雷達感測器。
如請求項10所述的飛行載具，其中該些第一距離感測器分別用於偵測對應於該些支撐腳之該些方向的該些量測距離。
如請求項10所述的飛行載具，其中該運算裝置用於取得該些量測距離的一平均高度，並根據該平均高度取得該時變高度資訊。
如請求項10所述的飛行載具，更包含一第二距離感測器，設置於該連接平台，用於偵測該飛行載具與該降落面之間一垂直距離，<br/> 其中，該運算裝置更用於根據該垂直距離取得該時變高度資訊。
如請求項10所述的飛行載具，其中該運算裝置用於當判斷該傾斜資訊的傾斜角度小於一第一預設角度時，控制該旋轉角度或該延伸長度為零。
如請求項10所述的飛行載具，其中該運算裝置更用於當判斷該傾斜資訊的傾斜角度大於一第二預設角度時，透過該飛行控制器停止該飛行載具的降落操作。
如請求項10所述的飛行載具，其中該運算裝置更用於當判斷該時變高度資訊的該高度時變量大於該飛行載具的該第二預設速度時，透過該飛行控制器停止該飛行載具的降落操作。
一種飛行載具降落控制方法，包含以一運算裝置執行：<br/> 透過多個第一距離感測器偵測一飛行載具與一降落面之間在多個方向上的多個量測距離；<br/> 根據該些量測距離取得該降落面相對於該飛行載具的傾斜資訊或時變高度資訊；以及<br/> 根據該傾斜資訊控制一腳架控制器調整多個支撐腳的旋轉角度或延伸長度，或根據該時變高度資訊控制該飛行載具的降落速度，<br/> 其中該些支撐腳耦接於該飛行載具，<br/> 其中根據該時變高度資訊控制該飛行載具的該降落速度包含：當判斷該時變高度資訊的高度時變量介於該飛行載具的一第一預設速度與一第二預設速度之間時，以該高度時變量補償該飛行載具的該降落速度。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，包含以該運算裝置執行：<br/> 根據該傾斜資訊控制一腳架控制器調整多個支撐腳的旋轉角度或延伸長度，其中該些支撐腳耦接於該飛行載具；以及<br/> 根據該時變高度資訊控制該飛行載具的降落速度。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，其中偵測該飛行載具與該降落面之間在該些方向上的該些量測距離係基於光學雷達感測技術。
如請求項9所述的飛行載具降落控制方法，其中偵測該飛行載具與該降落面之間在該些方向上的該些量測距離包含：<br/> 偵測對應於該些支撐腳之該些方向的該些量測距離。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，其中根據該些量測距離取得該降落面相對於該飛行載具的該傾斜資訊或該時變高度資訊包含：<br/> 取得該些量測距離的一平均高度，並根據該平均高度取得該時變高度資訊。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，更包含：<br/> 透過設置於該飛行載具的一第二距離感測器偵測該飛行載具與該降落面之間的一垂直距離；以及<br/> 根據該垂直距離舉得該時變高度資訊。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，其中根據該傾斜資訊控制該腳架控制器調整該些支撐腳的該旋轉角度或該延伸長度包含：<br/> 當判斷該傾斜資訊的傾斜角度小於一第一預設角度時，控制該旋轉角度或該延伸長度為零。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，更包含：<br/> 當判斷該傾斜資訊的傾斜角度大於一第二預設角度時，停止該飛行載具的降落操作。
如請求項19所述的飛行載具降落控制方法，其中根據該時變高度資訊控制該飛行載具的該降落速度更包含：<br/> 當判斷該時變高度資訊的該高度時變量大於該飛行載具的該第二預設速度時，停止該飛行載具的降落操作。
一種導光光學零件，具有長度L<sub>1</sub>的實心的錐形部以及接續形成有長度L<sub>2</sub>的實心的入射部，該錐形部係為從高度H<sub>1</sub>且寬度W<sub>1</sub>的矩形的入射面朝高度H<sub>2</sub>寬度W<sub>2</sub>的矩形的出射面以相對於光軸於高度方向成角度β<sub>1</sub>且於寬度方向成角度β<sub>2</sub>而於光的行進方向擴展的末端寬廣的四角錐台，其中H<sub>1</sub>=W<sub>1</sub>時為正方形，H<sub>2</sub>＞H<sub>1</sub>，W<sub>2</sub>＞W<sub>1</sub>，該入射部係由以所述的高度H<sub>1</sub>及寬度W<sub>1</sub>的正方形或矩形為底面且具有高度H<sub>3</sub>且寬度W<sub>3</sub>的矩形的頂面的矩形CPC構成，其中H<sub>3</sub>=W<sub>3</sub>時為正方形，其中，構成該矩形CPC的上下側面及左右側面全部由內反射型複合拋物面構成，藉由該入射部上的點的切平面與包含光軸的水平面或垂直面所呈的夾角在靠近該入射部的該入射面的點為最大且愈靠近該錐形部而愈接近該錐形部的傾斜角，而該上下側面的任意位置中的切平面與包含光軸的水平面所呈的夾角β<sub>3</sub>比該β<sub>1</sub>更大，該左右側面的任意位置中的切平面與包含光軸的垂直面所呈的夾角β<sub>4</sub>比該β<sub>2</sub>更大，並且該錐形部的長度L<sub>1</sub>與該矩形CPC的長度L<sub>2</sub>的和的全長L為該錐形部的出射面的對角的長度D的1.5倍以上5倍以下，該導光光學零件係由實心的該錐形部及實心的該入射部構成。
如請求項1所述之導光光學零件，其中該矩形CPC的長度L<sub>2</sub>為該錐形部的長度L<sub>1</sub>的2.4%至13.4%的範圍。
如請求項1所述之導光光學零件，其中該β<sub>1</sub>為1.9°至5.8°的範圍，該β<sub>2</sub>為4.1°至13.8°的範圍。
一種導光光學零件，具有長度L<sub>1</sub>的實心的錐形部以及接續形成有長度L<sub>2</sub>的入射部，該錐形部係由從高度a<sub>1</sub>且寬度b<sub>1</sub>的矩形的入射面朝高度H<sub>2</sub>寬度W<sub>2</sub>的矩形的出射面以相對於光軸於高度方向成角度β<sub>7</sub>且於寬度方向成角度β<sub>8</sub>而於光的行進方向擴展的末端寬廣的實心的四角錐台構成，其中H<sub>2</sub>＞a<sub>1</sub>，W<sub>2</sub>＞b<sub>1</sub>，該入射部係由以該高度a<sub>1</sub>及寬度b<sub>1</sub>的矩形為底面且以短軸a<sub>3</sub>且長軸b<sub>3</sub>的橢圓為頂面的橢圓錐台構成，其中，該橢圓錐台的斜面由拋物面構成，藉由該入射部上的點的切平面與光軸所呈的夾角在靠近該入射部的該入射面的點為最大且愈靠近該錐形部而愈接近該錐形部的傾斜角，而該橢圓錐台在任意位置的斜面與光軸所呈的夾角β<sub>9</sub>比該β<sub>7</sub>及該β<sub>8</sub>更大，並且該錐形部的長度L<sub>1</sub>與該橢圓錐台的長度L<sub>2</sub>的和的全長L為該錐形部的出射面的對角的長度D的2倍以上5倍以下。
如請求項4所述之導光光學零件，其中該橢圓錐台的長度L<sub>2</sub>為該錐形部的長度L<sub>1</sub>的14.2%至41.6%的範圍。
如請求項4所述之導光光學零件，其中該β<sub>7</sub>為1.2°至4.2°的範圍，該β<sub>8</sub>為3.1°至7.3°的範圍。
一種導光光學零件，係於長度L<sub>1</sub>的實心的錐形部接續形成有長度L<sub>2</sub>的實心的入射部，該錐形部係由從高度a<sub>1</sub>且寬度a<sub>1</sub>的正方形的入射面朝高度H<sub>2</sub>寬度W<sub>2</sub>的矩形的出射面以相對於光軸於高度方向成角度β<sub>7</sub>且於寬度方向成角度β<sub>8</sub>而擴展的末端寬廣的四角錐台構成，該入射部係由以高度a<sub>1</sub>且寬度b<sub>1</sub>且b<sub>1</sub>=a<sub>1</sub>的矩形為底面而頂面為直徑a<sub>3</sub>的圓形且側面為內反射型拋物面的圓形CPC構成，其中，藉由該入射部上的點的切平面與光軸所呈的夾角在靠近該入射部的該入射面的點為最大且愈靠近該錐形部而愈接近該錐形部的傾斜角，而該入射部側面的任意位置中的切平面與光軸所呈的夾角β<sub>10</sub>比該β<sub>7</sub>及該β<sub>8</sub>更大，並且該錐形部的長度L<sub>1</sub>與該圓形CPC的長度L<sub>2</sub>的和的全長L為該錐形部的出射面的對角的長度D的2.4倍以上5倍以下。
如請求項7所述之導光光學零件，其中該圓形CPC的長度L<sub>2</sub>為該錐形部的長度L<sub>1</sub>的11.3%至16.7%的範圍。
如請求項7所述之導光光學零件，其中該β<sub>7</sub>為0.5°至3.5°的範圍，該β<sub>8</sub>為3.0°至8.1°的範圍。
如請求項1、4及7中任一項所述之導光光學零件，其中在該錐形部的出射面的位置一體化有具備集光作用或發散作用的透鏡。
一種導光光學零件，係為配置有複數個如請求項1所述之導光光學零件而一體化之物。
一種導光光學零件，係為配置有複數個如請求項4所述之導光光學零件而一體化之物。
一種導光光學零件，係為配置有複數個如請求項7所述之導光光學零件而一體化之物。
一種照明裝置，係於如請求項1、4、7、11、12及13中任一項所述之導光光學零件的入射部的入射面抵接有LED光學元件並且使之發光。
一種投射型顯示裝置，係包含如請求項14所述之照明裝置、透鏡機構、光閥、放大光學透鏡系統及螢幕，其中到達該照明裝置的導光光學零件的出射面的LED元件的光藉由透鏡機構聚光而照射光閥並在光閥產生的輸出圖像藉由放大光學系統放大，而投射至螢幕。
一種提供停車資訊的系統，包含： <br/>一車載裝置，供安裝於汽車內部，該車載裝置包含： <br/>一處理器； <br/>一藍牙收發模組，連接該處理器，用於與一外部裝置連線； <br/>一門鎖控制模組，連接該處理器，係輸出信號以控制汽車執行上鎖或解鎖； <br/>一行動裝置，與該車載裝置的該藍牙收發模組建立一無線通訊，該行動裝置內安裝有用於控制該車載裝置的一應用程式； <br/>其中，當行動裝置與該車載裝置之間的該無線通訊於中斷連線時，該行動裝置係記錄其當下的座標資訊以作為該汽車的一停車座標；該行動裝置依據使用者的一操作而透過該應用程式顯示出該停車座標； <br/>當該行動裝置發送一解鎖指令給該車載裝置，且判斷汽車已經開始移動，係記錄當下的一開車時刻，並持續計算一開車時長； <br/>當行動裝置判斷與該車載裝置已經無維持連線，行動裝置發送一上鎖指令給車載裝置並記錄一停車時刻，並持續計算一停車時長。
如請求項1所述提供停車資訊的系統，其中，該行動裝置係透過應用程式顯示一地圖介面以及對應該停車座標的一標記。
如請求項1或2所述提供停車資訊的系統，其中，該應用程式中可設定啟用或停用一自動上鎖／解鎖功能； <br/>當該自動上鎖／解鎖功能啟用時，該行動裝置係可自動發送一上鎖指令或一解鎖指令予該車載裝置。
如請求項3所述提供停車資訊的系統，其中，在該自動上鎖／解鎖功能未啟用的情況下，當該行動裝置判斷其與該車載裝置之間的無線通訊的連線強度值大於一預設強度值且汽車已經移動達一預設距離時，該行動裝置係自動啟用該自動上鎖／解鎖功能。
一種提供停車資訊的方法，係由一行動裝置執行，該方法包含： <br/>建立該行動裝置與一車載裝置之間的無線連線，其中，該車載裝置供安裝於一汽車內部以控制該汽車執行上鎖或解鎖； <br/>該行動裝置持續判斷與該車載裝置之間的無線通訊是否維持在一連線狀態； <br/>當行動裝置判斷與該車載裝置已經中斷該無線通訊，該行動裝置記錄斷線當下該行動裝置的座標資訊，作為該汽車的一停車座標； <br/>當該行動裝置與該車載裝置已建立該無線通訊，該行動裝置發送一解鎖指令給車載裝置，控制該車載裝置解鎖車門； <br/>行動裝置判斷汽車已經開始移動，係記錄當下的一開車時刻並持續計算一開車時長； <br/>當行動裝置判斷與該車載裝置已經無維持連線，行動裝置發送一上鎖指令給車載裝置，控制該車載裝置上鎖車門並記錄一停車時刻，且持續計算一停車時長； <br/>該行動裝置依據一操作指令顯示一地圖畫面，在該地圖畫面上對應該停車座標的位置顯示一標記。
如請求項5所述提供停車資訊的方法，其中，該行動裝置的應用程式中提供一可允許使用者設定的自動上鎖／解鎖功能，該方法進一步包含： <br/>行動裝置確認該自動上鎖／解鎖功能已經停用； <br/>該行動裝置判斷其與該車載裝置之間的無線通訊的連線強度值是否大於一預設強度值且汽車是否已經移動達一預設距離； <br/>當連線強度值大於該預設強度值且汽車已移動達該預設距離，該行動裝置自動啟用該自動上鎖／解鎖功能。
如請求項6所述提供停車資訊的方法，其中，當該行動裝置自動啟用該自動上鎖／解鎖功能後，係自動發出一上鎖指令給該車載裝置。
如請求項7所述提供停車資訊的方法，其中，該行動裝置係依據自身的座標資訊改變，判斷該汽車是否已經移動達該預設距離。
一種處理器執行的自動檢查方法，包括：<br/> 通過增加或刪除命名規則中主類別、子類別和關鍵字中至少一者，調整或修改所述命名規則；<br/> 接收包含多個元素的原理圖或佈局；<br/> 根據調整或修改後的命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到所述調整或修改後的命名規則中相應的子類別中，其中所述調整或修改後的命名規則包含多個主類別，每個主類別具有多個子類別，並且每個主類別中的每個子類別具有關鍵字並對應到預定義的設計規則；<br/> 報告名稱不正確的元素，其中，所述名稱不正確的元素是無法被分類到相應子類別的元素；以及<br/> 接收所述名稱不正確的元素的修正後名稱。
根據請求項1的自動檢查方法，根據所述調整或修改後的命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到所述調整或修改後的命名規則中相應的子類別中的步驟包括：<br/> 根據從所述原理圖或所述佈局轉換的文本確定所述多個元素的相應主類別；以及<br/> 根據所述調整或修改後的命名規則中的關鍵字和所述多個元素的名稱確定所述多個元素是否被分類到所確定的主類別中的相應子類別。
根據請求項1的自動檢查方法，其中所述命名規則是適用於多個原理圖的統一命名規則。
根據請求項1的自動檢查方法，進一步包括：<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查以生成原理圖檢查結果；以及<br/> 響應該原理圖檢查結果指示多個元素的連接未滿足所述子類別的預定義設計規則，則修正所述多個元素的連接直到滿足所述子類別的預定義設計規則。
根據請求項4的自動檢查方法，<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查的步驟包括：<br/> 根據所述調整或修改後的命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及<br/> 對需要的子類別進行自動原理圖檢查，其中需要的子類別是指需要進行原理圖檢查的子類別。
根據請求項4的自動檢查方法，其中所述多個元素包括第一元素和第二元素，且所述第一元素是引腳，所述第二元素是連接該引腳的訊號；<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查的步驟包括：<br/> 根據所述引腳的名稱確定所述引腳所屬的第一子類別；<br/> 根據所述訊號的名稱確定所述訊號所屬的第二子類別；以及<br/> 基於對應所述第一子類別的預定義設計規則和對應所述第二子類別的預定義設計規則，確定從所述引腳到所述訊號的連接。
根據請求項4的自動檢查方法，<br/> 其中所述多個元素包括開關元素的差分輸入引腳和開關元素的差分輸出引腳，差分輸入引腳包括正輸入引腳和負輸入引腳，差分輸出引腳包括正輸出引腳和負輸出引腳；<br/> 所述差分輸入引腳和差分輸出引腳屬於主類別引腳內的差分引腳子類別；<br/> 所述多個元素的子類別的預定義設計規則包括：差分輸入引腳中的正輸入引腳和差分輸出引腳中的正輸出引腳應連接到表示相同極性的訊號，以及差分輸入引腳中的負輸入引腳和差分輸出引腳中的負輸出引腳應連接到表示相同極性的訊號。
如請求項1所述的自動檢查方法，進一步包括：<br/> 根據多個元素的預定義的子類別的設計規則對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查，以生成佈局設計檢查結果；以及<br/> 在所述佈局設計檢查結果指示多個元素的佈局未能滿足預定義的子類別的設計規則時，修正多個元素的佈局，直到多個元素的佈局滿足預定義的子類別的設計規則。
如請求項8所述的自動檢查方法，根據多個元素的預定義的子類別的設計規則對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查，以生成佈局設計檢查結果的步驟包括：<br/> 根據所述調整或修改後的命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及<br/> 對所需子類別進行自動佈局設計檢查，其中所需子類別是需要原理圖檢查的子類別。
一種處理器執行的自動檢查方法，包括：<br/> 接收包含多個元素的原理圖或佈局；<br/> 根據命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到命名規則中相應的子類別中，其中所述命名規則包含多個主類別，每個主類別具有多個子類別，並且每個主類別中的每個子類別具有關鍵字並對應到預定義的設計規則；<br/> 報告名稱不正確的元素，其中，所述名稱不正確的元素是無法被分類到相應子類別的元素；以及<br/> 接收所述名稱不正確的元素的修正後名稱；<br/> 所述命名規則是以約束文件被輸入，所述約束文件包含多個主類別、與每個主類別相關的多個子類別，以及每個子類別所對應的關鍵字。
根據請求項10的自動檢查方法，其中不同的原理圖對應不同的約束文件。
根據請求項10的自動檢查方法，進一步包括：<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查以生成原理圖檢查結果；以及<br/> 響應該原理圖檢查結果指示多個元素的連接未滿足所述子類別的預定義設計規則，則修正所述多個元素的連接直到滿足所述子類別的預定義設計規則。
根據請求項12的自動檢查方法，<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查的步驟包括：<br/> 根據所述命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及<br/> 對需要的子類別進行自動原理圖檢查，其中需要的子類別是指需要進行原理圖檢查的子類別。
根據請求項12的自動檢查方法，其中所述多個元素包括第一元素和第二元素，且所述第一元素是引腳，所述第二元素是連接該引腳的訊號；<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查的步驟包括：<br/> 根據所述引腳的名稱確定所述引腳所屬的第一子類別；<br/> 根據所述訊號的名稱確定所述訊號所屬的第二子類別；以及<br/> 基於對應所述第一子類別的預定義設計規則和對應所述第二子類別的預定義設計規則，確定從所述引腳到所述訊號的連接。
根據請求項12的自動檢查方法，<br/> 其中所述多個元素包括開關元素的差分輸入引腳和開關元素的差分輸出引腳，差分輸入引腳包括正輸入引腳和負輸入引腳，差分輸出引腳包括正輸出引腳和負輸出引腳；<br/> 所述差分輸入引腳和差分輸出引腳屬於主類別引腳內的差分引腳子類別；<br/> 所述多個元素的子類別的預定義設計規則包括：差分輸入引腳中的正輸入引腳和差分輸出引腳中的正輸出引腳應連接到表示相同極性的訊號，以及差分輸入引腳中的負輸入引腳和差分輸出引腳中的負輸出引腳應連接到表示相同極性的訊號。
如請求項10所述的自動檢查方法，進一步包括：<br/> 根據多個元素的預定義的子類別的設計規則對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查，以生成佈局設計檢查結果；以及<br/> 在所述佈局設計檢查結果指示多個元素的佈局未能滿足預定義的子類別的設計規則時，修正多個元素的佈局，直到多個元素的佈局滿足預定義的子類別的設計規則。
如請求項16所述的自動檢查方法，根據多個元素的預定義的子類別的設計規則對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查，以生成佈局設計檢查結果的步驟包括：<br/> 根據所述命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及<br/> 對所需子類別進行自動佈局設計檢查，其中所需子類別是需要原理圖檢查的子類別。
根據請求項10的自動檢查方法，根據所述命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到所述命名規則中相應的子類別中的步驟包括：<br/> 根據從所述原理圖或所述佈局轉換的文本確定所述多個元素的相應主類別；以及<br/> 根據所述命名規則中的關鍵字和所述多個元素的名稱確定所述多個元素是否被分類到所確定的主類別中的相應子類別。
一種自動檢查裝置，包括：<br/> 處理器；以及與處理器相連的顯示器；<br/> 其中處理器被配置為：通過增加或刪除命名規則中主類別、子類別和關鍵字中至少一者，調整或修改所述命名規則；接收具有多個元素的原理圖；根據所述調整或修改後的命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到所述調整或修改後的命名規則中相應的子類別中，其中所述調整或修改後的命名規則包含多個主類別，每個主類別具有多個子類別，並且每個主類別中的每個子類別具有關鍵字並對應到預定義的設計規則；通過顯示器報告名稱不正確的元素，其中，所述名稱不正確的元素是無法被分類到相應子類別的元素；以及接收所述名稱不正確的元素的修正後名稱。
如請求項19所述的自動檢查裝置，其中在確定所述多個元素是否被分類到所述調整或修改後的命名規則中相應的子類別中時，處理器進一步被配置為：根據從所述原理圖或所述佈局轉換的文本確定所述多個元素的相應主類別；以及根據所述調整或修改後的命名規則中的關鍵字和所述多個元素的名稱確定所述多個元素是否被分類到所確定的主類別中的相應子類別。
如請求項19所述的自動檢查裝置，其中處理器進一步被配置為：<br/> 根據多個元素的子類別的預定義設計規則對多個元素的連接進行自動原理圖檢查以生成原理圖檢查結果；以及<br/> 響應該原理圖檢查結果指示多個元素的連接未滿足所述子類別的預定義設計規則，則修正所述多個元素的連接直到滿足所述子類別的預定義設計規則。
如請求項21所述的自動檢查裝置，在對多個元素的連接進行自動原理圖檢查時，處理器進一步被配置為：根據所述調整或修改後的所述命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及對需要的子類別進行自動原理圖檢查，其中需要的子類別是指需要進行原理圖檢查的子類別。
如請求項19所述的自動檢查裝置，其中處理器進一步被配置為：根據多個元素的預定義的子類別的設計規則對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查，以生成佈局設計檢查結果；以及在所述佈局設計檢查結果指示多個元素的佈局未能滿足預定義的子類別的設計規則時，修正多個元素的佈局，直到多個元素的佈局滿足預定義的子類別的設計規則。
如請求項23所述的自動檢查裝置，在對多個元素的佈局進行自動佈局設計檢查時，處理器進一步被配置為：根據所述調整或修改後的命名規則將多個元素分類到相應子類別；以及對所需子類別進行自動佈局設計檢查，其中所需子類別是需要原理圖檢查的子類別。
一種自動檢查裝置，包括：<br/> 處理器；以及與處理器相連的顯示器；<br/> 其中處理器被配置為：接收具有多個元素的原理圖；根據命名規則中的關鍵字和多個元素的名稱，確定所述多個元素是否被分類到命名規則中相應的子類別中，其中所述命名規則包含多個主類別，每個主類別具有多個子類別，並且每個主類別中的每個子類別具有關鍵字並對應到預定義的設計規則；通過顯示器報告名稱不正確的元素，其中，所述名稱不正確的元素是無法被分類到相應子類別的元素；以及接收所述名稱不正確的元素的修正後名稱；<br/> 其中，所述命名規則是以約束文件被輸入，所述約束文件包含多個主類別、與每個主類別相關的多個子類別，以及每個子類別所對應的關鍵字。
一種海上裝置的穩定器，適用於外掛在海上的一物件與一浮力單元，該海上裝置的穩定器包含：<br/> 一環座，設置在該物件，且具有多個連接部；及<br/> 多個阻尼模組，其數量對應該等連接部的數量，且連接在該環座與該浮力單元間，每一該阻尼模組包括：<br/> 一第一活動單元，可活動地定位在該浮力單元；<br/> 一第二活動單元，可活動地定位在該環座的其中一該連接部；及<br/> 一阻尼器單元，連接在該第二活動單元與該第一活動單元之間，並用來產生一削減自然環境作用力的阻尼力，該阻尼器單元具有一用來提供該阻尼力的阻尼棒，及一能轉動地螺接於該阻尼棒的容置筒，該阻尼棒具有一連接該容置筒的缸體，及一能伸縮地設置在該缸體的活塞桿，該缸體具有一形成在外表面的外螺紋部，每一該阻尼模組的該容置筒具有一螺接於該外螺紋部的內螺紋孔，該阻尼棒與該容置筒相對轉動時，能改變該阻尼器單元的全長。
如請求項1所述的海上裝置的穩定器，其中，每一該阻尼模組的該阻尼器單元還具有至少一個螺鎖在該阻尼棒且用來抵接該容置筒的螺鎖件。
如請求項1所述的海上裝置的穩定器，其中，每一該阻尼模組的該阻尼棒是液壓缸。
如請求項1所述的海上裝置的穩定器，其中，每一該阻尼模組的該第一活動單元具有一設置在該浮力單元的固定座，及一能轉動地連接該固定座的連接臂。
如請求項4所述的海上裝置的穩定器，其中，每一該阻尼模組的第一活動單元還具有一活動桿，該活動桿的一端樞設於該連接臂且另一端連接該阻尼器單元。
如請求項1所述的海上裝置的穩定器，其中，每一該阻尼模組的該第二活動單元具有兩個相反設置的樞接部，其中一該樞接部樞接在所對應的該連接部，另一該樞接部樞接在各自的阻尼器單元。
如請求項1所述的海上裝置的穩定器，其中，該環座一還具有一固定在該物件的結合主體，該等連接部由該結合主體朝外延伸。
如請求項7所述的海上裝置的穩定器，其中，該環座包括多個能互相拆組的座體，由該等座體圍繞界定出該結合主體，及一環繞該物件的套孔，每一該座體形成有一個該連接部。
一種海上裝置，包含：<br/> 一浮力單元，用來在海上提供一浮力；<br/> 至少一物件，設置在該浮力單元；及<br/> 至少一如請求項1至請求項8中任一項的穩定器，該穩定器的數量對應該物件的數量，且外掛在該物件與該浮力單元。
如請求項9所述的海上裝置，其中，該海上裝置包含一個該物件及一個該穩定器，該物件是風力發電機，且包括一沿一上下方向延伸且設置在該浮力單元的塔柱，及一設置在該塔柱的頂側的風力機組，該浮力單元包括多個間隔環繞在該塔柱外側的浮筒，該穩定器的該等阻尼模組的第一活動單元分別安裝在該等浮筒。
一種海上裝置，包含：<br/> 一浮力單元，用來在海上提供一浮力；<br/> 至少一阻尼模組，設置在該浮力單元，該阻尼模組包括：<br/> 一第一活動單元，可活動地定位在該浮力單元，<br/> 一阻尼器單元，連接在該第一活動單元，並具有一阻尼棒，及一能轉動地螺接於該阻尼棒的容置筒，該阻尼棒用來提供一削減自然環境作用力的阻尼力，並具有一連接該容置筒的缸體，及一能伸縮地設置在該缸體的活塞桿，該缸體具有一形成在外表面的外螺紋部，每一該阻尼模組的該容置筒具有一螺接於該外螺紋部的內螺紋孔，該阻尼棒與該容置筒相對轉動時，能改變該阻尼器單元的全長；及<br/> 一第二活動單元，連接在該阻尼器單元相反於該第一活動單元的一端；及<br/> 一板體，設置在該阻尼模組的第二活動單元。
如請求項11所述的海上裝置，其中，該板體是浮式太陽能板或無人機起降平台。
一種提供AB測試狀態資訊之方法，其係於裝置中實行者，該裝置包括一個以上之處理器、及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上的記憶體，上述方法包括如下步驟，即，上述一個以上之處理器如下： <br/>接收用以對第1頁面實行第1 AB測試之請求； <br/>對應於上述請求，針對上述第1頁面中包括之複數個區域各者而產生正在實行之其他AB測試之AB測試狀態資訊，上述AB測試狀態資訊包括上述複數個區域各者中是否正在實行上述其他AB測試； <br/>針對上述複數個區域各者而產生用以顯示上述AB測試狀態資訊之可視化資訊；及 <br/>將上述可視化資訊傳輸至上述終端，以使上述可視化資訊顯示於終端之第2頁面， <br/>其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>判斷作為上述複數個區域中之一者之第3區域中正在實行之第4 AB測試是否對上述第1 AB測試的結果造成影響；及 <br/>響應於判斷為上述第4 AB測試對上述第1 AB測試之結果造成影響，確定為針對上述第3區域而顯示第2識別符。
如請求項1之方法，其中上述第2頁面基於上述第1頁面中包括之上述複數個區域之配置資訊、及包括於上述複數個區域各者中之子區域之層級構造資訊，顯示上述第1頁面之區域及子區域。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著確定正在對作為上述複數個區域中之一者之第1區域實行第2 AB測試，以包括上述第2 AB測試之管理者、上述第2 AB測試之期間或上述第2 AB測試之識別碼中之至少一者的方式產生上述AB測試狀態資訊。
如請求項3之方法，其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>隨著於上述第2頁面中接收到針對上述第1區域之用戶輸入，以顯示上述第2 AB測試之管理者、上述第2 AB測試之期間或上述第2 AB測試之識別碼中之至少一者的方式產生上述可視化資訊。
如請求項1之方法，其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述AB測試狀態資訊，將上述複數個區域中之正在實行上述其他AB測試之區域之色調確定為第1色調，將並非正在實行上述其他AB測試之區域之色調確定為第2色調。
如請求項5之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著確定已中斷曾於作為上述複數個區域中之一者之第2區域中實行之第3 AB測試，確定將上述第2區域之色調自上述第1色調轉換為上述第2色調。
如請求項6之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著確定已刪除與上述第3 AB測試相關之代碼，即使接收到針對上述第2區域之用戶輸入，亦確定不於上述第2頁面中顯示上述第3 AB測試之管理者、上述第3 AB測試之期間及上述第3 AB測試。
如請求項1之方法，其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述AB測試狀態資訊，確定為針對上述複數個區域中之正在實行上述其他AB測試之區域而顯示第1識別符。
如請求項1之方法，其中上述AB測試狀態資訊進而包括將對作為上述複數個區域中之一者之第4區域實行之第5 AB測試的預約期間， <br/>產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>將已預約上述第5 AB測試之上述第4區域之色調確定為第4色調。
如請求項9之方法，其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>以於上述第2頁面中顯示上述第5 AB測試之上述預約期間之方式產生上述可視化資訊。
如請求項1之方法，其中產生上述可視化資訊之步驟包括如下步驟： <br/>按照預定之週期更新上述AB測試狀態資訊；及 <br/>以更新之上述AB測試狀態資訊顯示於上述第2頁面中之方式更新上述可視化資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將問詢是否實行上述第1 AB測試之訊息傳輸給第6 AB測試之管理者，該第6 AB測試管理者係正在對作為上述複數個區域中之一者之第5區域實行上述第6 AB測試者；及 <br/>自上述第6 AB測試之管理者接收是否實行上述第1 AB測試之應答訊息。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>隨著接收到用以實行上述第1 AB測試之請求，將通知預計實行上述第1 AB測試之訊息傳輸給上述其他AB測試之管理者。
一種電子裝置，其包括： <br/>處理器；及 <br/>記憶體，其儲存有以藉由上述處理器而執行之方式構成之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述處理器而執行上述命令時，上述處理器實行如請求項1至13中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有用以藉由處理器而執行之電腦程式者， <br/>上述電腦程式以如下方式構成：使上述處理器執行如請求項1至13中任一項之方法。
一種清潔滾刷，包括：<br/>殼體（110）和安裝於所述殼體（110）的清潔部（120），所述清潔部（120）至少部分成螺旋設置；<br/>切割組件（130），安裝於所述殼體（110）；<br/>其中，所述清潔部（120）能夠將纏繞物引導至所述切割組件（130）處，所述切割組件（130）用於切割所述纏繞物；<br/>其中，所述切割組件（130）包括傳動件（150）和與所述傳動件（150）傳動連接的切割件（160），所述傳動件（150）與所述殼體（110）固定連接，所述切割件（160）與所述殼體（110）轉動連接。
如請求項1所述之清潔滾刷，其中所述清潔部（120）包括第一清潔段（122）和第二清潔段（123），所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）沿所述殼體（110）的延伸方向依次設置，所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）的旋向相反。
如請求項2所述之清潔滾刷，其中所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）間隔設置，所述切割組件（130）的至少一部分位於所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）之間。
如請求項3所述之清潔滾刷，其中所述第一清潔段（122）靠近所述第二清潔段（123）的一端具有第一導向面（122a）；<br/>和/或<br/>所述第二清潔段（123）靠近所述第一清潔段（122）的一端具有第二導向面（123a）。
如請求項2所述之清潔滾刷，其中所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）一體成型，所述切割組件（130）設置於所述第一清潔段（122）和所述第二清潔段（123）的連接處。
如請求項1至5任一項所述之清潔滾刷，其中所述清潔滾刷（100）還包括引導部（140），所述引導部（140）安裝於所述殼體（110），所述引導部（140）用於將纏繞物引導至所述切割組件（130）處。
如請求項6所述之清潔滾刷，其中所述引導部（140）包括多個，多個所述引導部（140）呈螺旋狀佈置。
如請求項7所述之清潔滾刷，其中多個所述引導部（140）的螺旋參數與所述清潔部（120）的螺旋參數相同。
如請求項1所述之清潔滾刷，其中所述傳動件（150）包括傳動軸（151）和第一傳動部（152），所述傳動軸（151）安裝於所述殼體（110），所述第一傳動部（152）沿所述殼體（110）的延伸方向排布，所述第一傳動部（152）與所述切割件（160）和所述傳動軸（151）傳動配合。
如請求項1所述之清潔滾刷，其中所述切割件（160）的切割方向與所述殼體（110）的轉動方向呈夾角設置。
如請求項1所述之清潔滾刷，其中所述切割件（160）包括轉軸（161）、切割部（162）和第二傳動部（163），所述第二傳動部（163）和所述切割部（162）套設於所述轉軸（161），所述轉軸（161）安裝於所述殼體（110），所述切割部（162）至少部分與所述轉軸（161）傳動連接，所述切割部（162）與所述傳動件（150）傳動連接。
如請求項11所述之清潔滾刷，其中所述切割部（162）包括第一切割刀（162a）和第二切割刀（162c），所述第二切割刀（162c）與所述殼體（110）固定連接，所述第一切割刀（162a）與所述轉軸（161）傳動連接。
如請求項12所述之清潔滾刷，其中所述第一切割刀（162a）具有多個第一切割刃（162b），所述第一切割刃（162b）沿著所述第一切割刀（162a）的圓周間隔佈置，所述第二切割刀（162c）具有多個第二切割刃（162d），多個所述第二切割刃（162d）沿著所述第二切割刀（162c）的圓周間隔佈置，所述第一切割刃（162b）和所述第二切割刃（162d）相向設置。
如請求項13所述之清潔滾刷，其中所述殼體（110）具有容納腔（113）和所述容納腔（113）連通的切割槽（114），所述傳動件（150）和所述切割件（160）設置於所述容納腔（113）內，所述第一切割刀（162a）和所述第二切割刀（162c）至少部分外露於所述切割槽（114）。
如請求項14所述之清潔滾刷，其中所述切割槽（114）具有多個子槽（114a），所述第二切割刃（162d）至少部分與所述子槽（114a）錯位設置。
如請求項14所述之清潔滾刷，其中所述殼體（110）上凸設有安裝部（116），所述切割槽（114）設置於所述安裝部（116）。
如請求項16所述之清潔滾刷，其中所述安裝部（116）凸出於所述殼體（110）的高度小於所述清潔部（120）凸出於所述殼體（110）的高度。
一種清潔設備，包括主體和如請求項1至17任一項所述之清潔滾刷（100），所述清潔滾刷（100）安裝於所述主體上。
一種清潔系統，包括清潔基站與如請求項18所述之清潔設備。
一種具擴展能力的散熱風扇，包含：<br/> 一框體；<br/> 一驅動單元，設於該框體上；<br/> 一扇葉，由該驅動單元驅動而相對該框體轉動；<br/> 複數通用序列匯流排，顯露於該框體的多個面；及<br/> 一多工管理單元，設於該框體並電性連接該些通用序列匯流排與該驅動單元，該多工管理單元令該些通用序列匯流排每一同時以一第一角色與一第二角色實施，該第一角色為一電力輸入者與一電力輸出者其中一者，該第二角色為一訊號輸入者與一訊號輸出者其中一者，該些通用序列匯流排其中之一的第一角色為該電力輸入者時，該多工管理單元令該些通訊序列匯流排其餘者的第一角色為電力輸出者；<br/> 其中，該些通用序列匯流排每一可供一擴展裝置連接，該散熱風扇可為串聯配置及樹狀配置中的其中一者，該散熱風扇與該至少一擴展裝置為獨立控制。
如請求項1所述具擴展能力的散熱風扇，其中，該框體包含四側牆，該四側牆的至少其中之二分別設有該些通用序列匯流排中的至少其中之一。
如請求項1所述具擴展能力的散熱風扇，其中，該驅動單元包含一設於該框體上的電路板，一設於該電路板上的控制電路，及一連接該控制電路的馬達，該控制電路電性連接該多工管理單元，該散熱風扇包含一設於該框體上的視覺顯示單元，該視覺顯示單元連接該驅動單元。
如請求項3所述具擴展能力的散熱風扇，其中，該驅動單元包含一連接該控制電路的熱感應件。
如請求項3所述具擴展能力的散熱風扇，其中，該驅動單元具有一裝置位址。
如請求項3所述具擴展能力的散熱風扇，其中，該多工管理單元為一USB集線器模組。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料包括具有電洞傳輸性的骨架及具有電子傳輸性的骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 該第二主體材料的LUMO能階高於該第一主體材料的LUMO能階； <br/> 且該第二主體材料的HOMO能階低於該客體材料的HOMO能階。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料包括具有電洞傳輸性的骨架及具有電子傳輸性的骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 且該第二主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與該客體材料的HOMO能階的能量差。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料包括具有電洞傳輸性的骨架及具有電子傳輸性的骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 且該第二主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料具有富π電子型芳雜環骨架或芳香族胺骨架，以及缺π電子型芳雜環骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 該第二主體材料的LUMO能階高於該第一主體材料的LUMO能階； <br/> 且該第二主體材料的HOMO能階低於該客體材料的HOMO能階。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料具有富π電子型芳雜環骨架或芳香族胺骨架，以及缺π電子型芳雜環骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 且該第二主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與該客體材料的HOMO能階的能量差。
一種發光元件，包括： <br/> 在一對電極之間具有包含客體材料、第一主體材料及第二主體材料的層； <br/> 該第一主體材料具有富π電子型芳雜環骨架或芳香族胺骨架，以及缺π電子型芳雜環骨架； <br/> 該客體材料具有能將三重激發能量轉換為發光的功能； <br/> 該客體材料的HOMO能階高於該第一主體材料的HOMO能階； <br/> 該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差； <br/> 且該第二主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差大於該第一主體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第一主體材料的LUMO能階與該客體材料的HOMO能階的能量差為從該客體材料的吸收光譜的吸收端所算出的遷移能量以上。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第一主體材料的LUMO能階與該客體材料的HOMO能階的能量差為該客體材料所呈現的發光能量以上。
如請求項2、3、5及6中任一項所記載之發光元件，其中該第二主體材料的HOMO能階低於該客體材料的HOMO能階。
如請求項2、3、5及6中任一項所記載之發光元件，其中該第二主體材料的LUMO能階高於該第一主體材料的LUMO能階。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該富π電子型芳雜環骨架為吖啶骨架、啡㗁𠯤骨架、啡噻𠯤骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架中的任一種。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該富π電子型芳雜環骨架為二苯并呋喃骨架或二苯并噻吩骨架。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該富π電子型芳雜環骨架為吲哚骨架、咔唑骨架及聯咔唑骨架中的任一種。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該富π電子型芳雜環骨架為在2位至4位中的任一位置上互相連接的兩個咔唑基的聯咔唑骨架。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該缺π電子型芳雜環骨架為二嗪骨架及三嗪骨架中的任一種。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該缺π電子型芳雜環骨架為嘧啶骨架、吡嗪骨架及嗒<img align="absmiddle" height="17px" width="17px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>骨架中的任一種。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該缺π電子型芳雜環骨架為具有二嗪骨架的稠合雜環骨架。
如請求項4至6中任一項所記載之發光元件，其中該缺π電子型芳雜環骨架為苯并呋喃并嘧啶骨架或苯并噻吩并嘧啶骨架。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第二主體材料的S1能階為該第一主體材料的S1能階以上。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差比從該客體材料的吸收光譜的吸收端算出的遷移能量大0.4eV以上。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該客體材料的LUMO能階與HOMO能階的能量差比該客體材料呈現的發光能量大0.4eV以上。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中，該第一主體材料的S1能階與T1能階的差值大於0eV且為0.2eV以下。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第一主體材料具有在室溫下呈現熱活化延遲螢光的功能。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第一主體材料具有對該客體材料供應激發能量的功能。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該第一主體材料呈現的發光的發射光譜具有與該客體材料的吸收光譜中的最低能量一側的吸收帶重疊的波長區域。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，其中該客體材料含有銥。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，具有包含喹㗁啉衍生物、二苯并喹㗁啉衍生物、啡啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物及三嗪衍生物中任一種的電子傳輸層。
如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，具有包含顯示電子接收性的材料的電洞注入層。
一種顯示裝置，包括: <br/> 如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，以及 <br/> 濾色片或電晶體中的至少一種。
一種顯示裝置，包括: <br/> 第一至第六電晶體和發光元件； <br/> 該第一電晶體的源極或汲極的一個與第一佈線電連接； <br/> 該第二電晶體的源極或汲極的一個與第二佈線電連接； <br/> 該第三電晶體的源極或汲極的一個與該第一電晶體的源極或汲極的另一個電連接； <br/> 該第三電晶體的源極或汲極的一個與該第二電晶體的源極或汲極的另一個電連接； <br/> 該第四電晶體的源極或汲極的一個與該第三電晶體的源極或汲極的另一個電連接； <br/> 該第四電晶體的源極或汲極的另一個與該第三電晶體的閘極電連接； <br/> 該第五電晶體的源極或汲極的一個與該第三電晶體的源極或汲極的另一個電連接； <br/> 該第五電晶體的源極或汲極的另一個與該發光元件電連接； <br/> 該第六電晶體的源極或汲極的一個與第三佈線電連接； <br/> 該第六電晶體的源極或汲極的另一個與該第三電晶體的閘極電連接； <br/> 該發光元件為如請求項1至6中任一項所記載之發光元件。
一種電子裝置，包括: <br/> 如請求項29所記載之顯示裝置，以及 <br/> 外殼或觸控感測器中的至少一種。
一種照明裝置，包括: <br/> 如請求項1至6中任一項所記載之發光元件，以及 <br/> 外殼或觸控感測器中的至少一種。
一種電子裝置，包括：<br/> 一接地面，具有一凹口；以及<br/> 一天線模組，設置於該凹口內，且包括：<br/> 一第一輻射體，包括一饋入端；<br/> 一第一電子元件，連接該饋入端與該接地面；<br/> 一第二輻射體；<br/> 一第二電子元件，連接該第一輻射體與該第二輻射體；<br/> 一第三電子元件，連接該第二輻射體與該接地面，該第一電子元件、該第一輻射體、該第二電子元件、該第二輻射體與該第三電子元件形成一第一迴路，該第一迴路共振出一第一頻段；<br/> 一第三輻射體，連接於該第一輻射體；<br/> 一第四電子元件，連接該第三輻射體與該接地面，該第一電子元件、該第一輻射體、該第三輻射體及該第四電子元件形成一第二迴路，該第二迴路共振出一第二頻段；<br/> 一第四輻射體，連接於該饋入端；以及<br/> 一第五電子元件，連接該第四輻射體與該接地面，該第一電子元件、該饋入端、該第四輻射體及該第五電子元件形成一第三迴路，該第三迴路共振出一第三頻段，其中該第一電子元件包括一電感，該第二電子元件、該第三電子元件、該第四電子元件及該第五電子元件的每一者包括一電容。
如請求項1所述的電子裝置，其中該凹口包括一第一邊緣、一第二邊緣及一第三邊緣，該第一電子元件連接於該第二邊緣，且該第一邊緣比該第三邊緣更靠近該第一電子元件。
如請求項2所述的電子裝置，其中該第二邊緣包括一第一端與一第二端，該第一端連接於該第一邊緣，該第二端連接於該第三邊緣，該第一電子元件與該第一端的距離為該第一電子元件與該第二端的距離的0.4至0.6倍。
如請求項2所述的電子裝置，其中該第三電子元件連接於該第三邊緣，該第四電子元件連接於該第一邊緣，該第五電子元件連接於該第二邊緣。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一迴路的長度為該第一頻段的1/8倍波長，該第二迴路的長度為該第二頻段的1/8倍波長，該第三迴路的長度為該第三頻段的1/8倍波長。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一頻段介於2400MHz~2500MHz之間，該第二頻段介於5000MHz~6500MHz之間，該第三頻段介於6500MHz~8000MHz之間。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/> 一第五輻射體，連接於該第一輻射體；以及<br/> 一第六電子元件，連接於該第五輻射體與該接地面，該第六電子元件包括一電容。
如請求項7所述的電子裝置，更包括：<br/> 一第六輻射體，連接於該第一輻射體；以及<br/> 一第七電子元件，連接於該第六輻射體與該接地面，該第七電子元件包括一電容。
一種脂質性化合物，其特徵在於，具有如下式（I）所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="21px" width="64px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，<br/> 式（I）<br/> 其中，所述W<sub>1</sub>選自直連鍵或<img align="absmiddle" height="39px" width="43px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 所述X’<sub>1</sub>選自O或S原子；<br/> 所述X<sub>2</sub>選自-SH、-OH、-NH<sub>2</sub>、C1-C6烷基或C1-C6烷氧基；<br/> 所述T<sub>1</sub>選自<img align="absmiddle" height="53px" width="74px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中，所述Q<sub>1</sub>和Q<sub>4</sub>各自獨立地選自-NHCO-或-CONH-；<br/> 所述Q<sub>2</sub>選自-SH、-OH、-NH<sub>2</sub>、-H、C1-C6烷基、-COOH、醯胺基、-O-、-S-、-S-S-、磷酸酯基、硫代磷酸酯基、或<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，R’<sub>7</sub>為H或直連鍵，X<sub>1</sub>選自O或S原子，X<sub>4</sub>為-OH或-SH；<br/> 所述Q<sub>3</sub>選自-H或C1-C10烷基；<br/> 所述L<sub>1</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>l</sub>-(NR’<sub>4</sub>)<sub>t</sub>-(CH<sub>2</sub>)q-，l和q為0-10的整數且 l+q=1-10，t為0或1，R’<sub>4</sub>為-CO(CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>COOH，r為10-30的整數；<br/> 所述L<sub>2</sub>和L<sub>3</sub>各自獨立地選自C1-C10的飽和烷烴鏈或直連鍵；<br/> 所述R’<sub>1</sub>選自C10-C30的飽和脂肪酸鏈或C10-C30的飽和烷烴鏈。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於，具有所述式（I）所示的結構：<br/> W<sub>1</sub>為<img align="absmiddle" height="39px" width="43px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，X’<sub>1</sub>選自O或S原子；<br/> T<sub>1</sub>選自<img align="absmiddle" height="53px" width="74px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 所述Q<sub>1</sub>和Q<sub>4</sub>各自讀立地選自-NHCO-或-CONH-；<br/> 所述Q<sub>2</sub>選自-SH、-OH、-NH<sub>2</sub>、-H、-CH<sub>3</sub>、-COOH、醯胺基、-O-、-S-、-S-S-、磷酸酯基、硫代磷酸酯基或<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 所述Q<sub>3</sub>選自-H或C1-C10的烷基；<br/> 所述L<sub>2</sub> 和L<sub>3</sub>各自讀立地選自C1-C10的飽和烷烴鏈或直連鍵；<br/> 所述X<sub>1</sub>選自O或S原子；<br/> 所述X<sub>2</sub>選自-SH、-OH、-NH<sub>2</sub>、-CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-OCH<sub>3</sub>或-OCH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>；並且<br/> 所述R’<sub>1</sub>選自C10-C30的飽和脂肪酸鏈或C10-C30的飽和烷烴鏈。
如請求項2所述的脂質性化合物，其特徵在於， R’<sub>1</sub>選自C13-C16的飽和脂肪酸鏈或飽和烷烴鏈。
如請求項3所述的脂質性化合物，其特徵在於， R’<sub>1</sub>為C15的飽和脂肪酸鏈或飽和烷烴鏈。
如請求項3所述的脂質性化合物，其特徵在於，L<sub>1</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>l</sub>-(NR’<sub>4</sub>)<sub>t</sub>-(CH<sub>2</sub>)q-，t為0。
如請求項3所述的脂質性化合物，其特徵在於，L<sub>1</sub>為-(CH<sub>2</sub>)<sub>l</sub>-(NR’<sub>4</sub>)<sub>t</sub>-(CH<sub>2</sub>)q-，l+q=1-10，t為1；<br/> L<sub>2</sub>選自C1-C10的飽和烷烴鏈或直連鍵；<br/> L<sub>3</sub>為直連鍵；<br/> Q<sub>2</sub>為H；<br/> Q<sub>3</sub>選自-H或C1-C10烷基。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於， Q<sub>2</sub>選自-SH、-OH、-O-、-S-、或<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，R’<sub>7</sub>為直連鍵或H。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於，在式（I）中，R’<sub>1</sub>為C10-C30的飽和脂肪酸鏈，所述C10-C30的飽和脂肪酸鏈為-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-COOH或-(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>-COOR’<sub>16</sub>，m為10-30的整數，R’<sub>16</sub>選自C1-C6的烷基或<img align="absmiddle" height="34px" width="21px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R’<sub>17</sub>為鹵素。
如請求項8所述的脂質性化合物，其特徵在於，所述C1-C6烷基為甲基、乙基、異丙基或叔丁基，並且所述鹵素為Cl。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於，式（I）波浪線處連接H或X<sub>6</sub>，其中X<sub>6</sub>具有以下結構<img align="absmiddle" height="41px" width="31px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，R’<sub>11</sub>和R’<sub>12</sub>各自獨立地選自C1-C6烷基。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於，所述脂質性化合物選自如下結構中的至少一個：<br/> 。
如請求項1所述的脂質性化合物，其特徵在於，所述脂質性化合物選自如下結構中的至少一個：<br/> 其中，E選自O和S。
一種核酸綴合物，其特徵在於，包括核酸以及綴合連接至所述核酸的綴合體，<br/> 所述綴合體選自請求項1-12任一項所述的脂質性化合物。
如請求項13所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述綴合體與核酸的磷酸酯基或核糖的羥基綴合。
如請求項13所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述核酸綴合物具有如下式（III）所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="4px" width="68px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式（III），<br/> 其中，Nu為核酸或核酸片段，其他變數定義如請求項1-11中任一項所定義。
如請求項13所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述直連鍵與核酸或核酸片段綴合。
如請求項13所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述核酸選自單鏈核酸及其片段或雙鏈核酸及其片段。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述雙鏈核酸及其片段的長度為12-30mer，所述雙鏈核酸及其片段為siRNA及其片段，和/或所述雙鏈核酸及其片段的分子量範圍為：6000-20000道爾頓。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述單鏈核酸及其片段的長度為12-30mer，所述單鏈核酸及其片段為單鏈磷硫酸酯寡核苷酸及其片段，和/或所述單鏈核酸及其片段的分子量範圍為：3000-10000道爾頓。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述核酸中的每一個核苷酸各自獨立地為修飾或未修飾的核苷酸，或者，所述核酸中相鄰兩個核苷酸通過磷酸二酯鍵連接，所述磷酸二酯鍵中的一個或多個為硫代磷酸二酯鍵。
如請求項20所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述核酸中的每一個核苷酸彼此獨立地為氟取代修飾的核苷酸或非氟取代修飾的核苷酸。
如請求項21所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述氟取代修飾為核苷酸的戊糖2’位羥基被F取代；和/或<br/> 所述非氟取代修飾為核苷酸的戊糖2’位羥基被烷氧基取代，其中所述2’位羥基被甲氧基或2’-甲氧基乙氧基取代。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述綴合體與所述雙鏈核酸綴合，其中所述雙鏈核酸含有正義鏈和反義鏈，所述綴合體與所述正義鏈或所述反義鏈的3’或5’端綴合。
如請求項23所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述綴合體與所述正義鏈的3’端綴合。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述綴合體一側與所述雙鏈核酸綴合，另一側與所述單鏈核酸綴合。
如請求項25所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述綴合體一側與所述雙鏈核酸的正義鏈綴合，另一側與所述單鏈核酸綴合形成所述核酸綴合物的正義鏈。
如請求項26所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述單鏈核酸位於所述核酸綴合物的正義鏈3’端。
如請求項23所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述正義鏈的序列選自如下序列：<br/> 1）CAUUUUAAUCCUCACUCUAAA，<br/> 2）GCUCAGCAUUGCCUGAAUAAA，或，<br/> 3）UGCAAAUAGUCUACAAACCAA，<br/> 所述反義鏈的序列選自如下序列：<br/> 4）UUUAGAGUGAGGAUUAAAAUGAG，<br/> 5）UUUAUUCAGGCAAUGCUGAGCUU，或，<br/> 6）UUGGUUUGUAGACUAUUUGCACA。
如請求項17所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述單鏈核酸包括14-20個核苷酸。
如請求項29所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述單鏈核酸包括選自以下的序列：<br/> CCGTCGCCCTTCAGCACGCA， <br/> CGTCGCCCTTCAGCACGC，<br/> GTCGCCCTTCAGCACG，或，<br/> TCGCCCTTCAGCAC。
如請求項13所述的綴合物，其特徵在於，所述綴合物選自如下結構中的至少一個：<br/> 上述表中，所述Nu、Nu<sub>1</sub>、Nu<sub>2</sub>彼此獨立地代表核酸或者核酸的片段；Nu、Nu<sub>1</sub>、Nu<sub>2</sub>各自相同或不同；<br/> 其中，E選自O或S。
如請求項13所述的核酸綴合物，其特徵在於，所述核酸綴合物具有如下結構： <br/> 其中E為O。
一種用於治療與基因相關疾病的藥物，其包含如請求項13-32任一項所述的核酸綴合物，其中所述基因選自APP、SOD1、HTT、MeCP2、DUX4、HDAC2、GPR75、Ataxin 1、Ataxin 2、Ataxin 3、Ataxin 6、Ataxin 7、C9ORF72、UBE3A、Prion、PMP22、Tau、LRRK2、LINGO2、GYS1、KCNT1、IRF5、Progranulin、GFAP、TARDBP、SNCA、FUS、SCA1、SCA7、SCA8、MeCP2、PRNP、SOD1、DMPK 、MAPT或TTR。
如請求項33所述的藥物，其特徵在於，所述疾病為中樞神經類疾病。
如請求項34所述的藥物，其特徵在於，所述中樞神經類疾病選自阿爾茨海默病、早老性癡呆、漸凍症、亨廷頓舞蹈症、帕金森病、Dravet綜合症、Charcot三聯症、亞歷山大症、脊髓小腦共濟失調症或安格曼綜合症。
如請求項33所述的藥物，其特徵在於，所述藥物為注射劑或口服製劑。
根據權利要求33所述的藥物，其特徵在於，所述藥物為通過顱內、脊髓鞘內、皮下、靜脈、肌肉給藥的注射劑。
一種模組化聚落式微電網能源管理系統，其包含：<br/> 一微電網核心，係包含一電源裝置、一儲能裝置、一能量轉換裝置、一負載裝置、一監控裝置、一保護裝置或上述裝置的組合；<br/> 複數個電網模組，係環繞該微電網核心設置以形成一第一聚落，該複數個電網模組及該微電網核心藉由串聯或並聯的連接方式形成複數個拓撲型式；以及<br/> 一控制裝置，係連接該微電網核心及該複數個電網模組，藉由該微電網核心及該複數個電網模組的一能量資訊，評估該第一聚落的一系統韌性指標，通過該系統韌性指標切換該複數個拓撲型式。
如請求項1所述之模組化聚落式微電網能源管理系統，其中該複數個電網模組包含一微電網、一奈電網、一市電、一第二聚落或上述的組合。
如請求項1所述之模組化聚落式微電網能源管理系統，其中該系統韌性指標包含在一決策區間時間內的一能量型指標及一功率型指標，該決策區間時間包含一短期時間、一中期時間及一長期時間。
如請求項3所述之模組化聚落式微電網能源管理系統，其中該功率型指標包含一電壓變化指標及一頻率變化指標。
如請求項3所述之模組化聚落式微電網能源管理系統，其中該能量型指標包含一能量寬裕度及一關鍵負載量的關係，該能量寬裕度為可用總能量減去用電需求量。
一種模組化聚落式微電網能源管理系統之控制方法，其包含以下步驟：<br/> 設置一第一聚落，該第一聚落包含一微電網核心及複數個電網模組，該複數個電網模組環繞該微電網核心，且該複數個電網模組及該微電網核心串聯或並聯形成複數個拓撲型式；<br/> 設置一控制裝置，接收該微電網核心及該複數個電網模組的一能量資訊，評估該第一聚落的一系統韌性指標；<br/> 該控制裝置判斷該系統韌性指標是否超過一預設閾值，通過判斷結果決定該微電網核心及該複數個電網模組之間的連接方式，進行該複數個拓撲型式的切換。
如請求項6所述之模組化聚落式微電網能源管理系統之控制方法，其中該微電網核心包含一電源裝置、一儲能裝置、一能量轉換裝置、一負載裝置、一監控裝置、一保護裝置或上述裝置的組合，該複數個電網模組包含一微電網、一奈電網、一市電、一第二聚落或上述的組合。
如請求項6所述之模組化聚落式微電網能源管理系統之控制方法，其中該系統韌性指標包含在一決策區間時間內的一能量型指標及一功率型指標，該決策區間時間包含一短期時間、一中期時間及一長期時間。
如請求項8所述之模組化聚落式微電網能源管理系統之控制方法，其中該功率型指標包含一電壓變化指標及一頻率變化指標。
如請求項8所述之模組化聚落式微電網能源管理系統之控制方法，其中該能量型指標包含一能量寬裕度及一關鍵負載量的關係，該能量寬裕度為可用總能量減去用電需求量。
一種工業爐之溫度控制方法，包括：<br/> 計算一工業爐的複數個熱電偶所分別測得的複數個溫度讀值之一熱電偶平均溫度；<br/> 將一命令溫度減去該熱電偶平均溫度來取得一溫度差；<br/> 根據該溫度差來對該工業爐的一燃燒器的一控制閥執行一比例積分微分控制以取得一占空比；<br/> 自一節能優化演算法腳本讀取一閥開度；<br/> 根據該閥開度與該占空比來取得該控制閥的一總熱能，其中該控制閥的該總熱能為該燃燒器的一最高瓦斯流量、該閥開度、一週期時間與該占空比的乘積；<br/> 根據該閥開度與該總熱能來取得一控制訊號，其中該控制訊號至少包含一梯形波形；及<br/> 根據該控制訊號來控制該燃燒器進行燃燒操作；<br/> 其中該控制訊號的波形以時間為橫軸且以該燃燒器的一瓦斯流量為縱軸，其中該瓦斯流量正相關於該閥開度；<br/> 其中該控制訊號的波形由一矩形波形與緊鄰於且位於該矩形波形上方的該梯形波形所組成，其中該矩形波形的寬度對應於該週期時間，其中該矩形波形的高度對應於該燃燒器的一最低瓦斯流量；<br/> 其中該最低瓦斯流量代表該燃燒器在該週期時間內皆不會關閉。
如請求項1所述之工業爐之溫度控制方法，其中該矩形波形與該梯形波形之面積加總等於該總熱能。
如請求項1所述之工業爐之溫度控制方法，更包括：<br/> 自一梯形斜邊斜率腳本讀取該梯形波形的一斜邊斜率；及<br/> 根據該斜邊斜率、該閥開度與該總熱能來取得該梯形波形的一上底與一下底的長度。
如請求項3所述之工業爐之溫度控制方法，其中該下底與該上底之間的一長度差係用以下算式取得：<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="59px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中m為該斜邊斜率，F為該控制訊號的波形的最高點所對應的該瓦斯流量，F<sub>L</sub>為該最低瓦斯流量，<img align="absmiddle" height="13px" width="23px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該長度差，W<sub>b</sub>為該下底的長度，W<sub>t</sub>為該上底的長度。
如請求項4所述之工業爐之溫度控制方法，其中該控制訊號的波形的最高點所對應的該瓦斯流量相等於該閥開度乘上該燃燒器的該最高瓦斯流量。
如請求項4所述之工業爐之溫度控制方法，其中該上底的長度係利用以下算式取得：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="104px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中Q為該總熱能減去該矩形波形之面積。
如請求項6所述之工業爐之溫度控制方法，其中該下底的長度等於該長度差加上該上底的長度。
一種氣瓶用無人運送自主行進裝置，包括： <br/>櫃體，其中設置有氣瓶； <br/>行進單元，用於承載和運送該氣瓶； <br/>夾持部件，設置在該行進單元上，以便夾持該氣瓶； <br/>驅動單元，用於使該夾持部件沿X-Y-Z軸方向移動，以便裝載或卸載該氣瓶； <br/>安裝部件，設置在該行進單元上，以便在該夾持部件降下該氣瓶時吸收衝擊並確認位置；以及 <br/>方向變換裝置，設置在該行進單元的下部上，以便使該行進單元在行進時能直線行進和變換方向，而不受存放室的地面的平坦度的影響， <br/>其中，該安裝部件包含： <br/>該行進單元的框架； <br/>載台，其安裝成曝露於該框架的上表面的上方，並由裝配到複數個桿上的彈簧彈性地安裝，使得在該載台上安裝一個氣瓶； <br/>固定板，固定於該框架的下表面；以及 <br/>第一偵測裝置，其在該氣瓶放置在該載台的上表面上且該載台下降時，偵測該氣瓶的安裝，並將該氣瓶的安裝通知給整合管理系統。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該夾持部件包含： <br/>一對夾持器，用於夾持該氣瓶的主體部件；以及 <br/>支撐構件，固定於相應的該些夾持器的上部，以便在該氣瓶掉落時使該氣瓶的頸環懸掛在該些支撐構件上。
如請求項2所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，在夾持該氣瓶的該主體部件的各個夾持器的連接部件處形成梯形凹槽。
如請求項2所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，第四感測器固定於該夾持部件的各夾持器，以便對該氣瓶的裝卸區域進行偵測。
如請求項2所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，第五感測器安裝在該夾持部件中的該些支撐構件的每一個的上表面上，以便偵測該氣瓶的該頸環的位置。
如請求項2所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中， <br/>該對夾持器安裝在夾持器主板上，該夾持器主板在透過驅動Z軸馬達旋轉滾珠螺桿時上下移動， <br/>螺帽座安裝在該夾持器主板上，以便透過由彈簧彈性安裝的一對導銷來引導並支撐以上下移動，以及 <br/>第六感測器安裝在該夾持器主板的上表面上，以便在該些螺帽座下降時偵測該氣瓶的設置狀態。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該第一偵測裝置包含： <br/>近接感測器，透過支架固定於該框架；以及 <br/>限位器，固定於限位器支架，該限位器支架固定於該些桿的下表面， <br/>其中，當該載台下降時，該近接感測器向該整合管理系統通知該限位器的接點發生短路。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該行進單元包含： <br/>第一感測器，用於偵測該行進單元的前方、後方、左側和右側的障礙物；以及 <br/>第二感測器，用於偵測行進期間的碰撞。
如請求項8所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中， <br/>沿著該行進單元的邊緣形成有凹槽，以及 <br/>在該凹槽的對角方向上安裝有兩個該第一感測器。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，第三感測器安裝在該行進單元的左側及右側的每一側上，以便偵測該氣瓶的裝卸區域。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，設在該行進單元上的該安裝部件設置在該些方向變換裝置之間的該行進單元的側表面上。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該方向變換裝置包含： <br/>一對驅動輪，彼此平行可旋轉地沿行進方向安裝在該行進單元的下表面的中央中的安裝板上； <br/>行進馬達，用於分別旋轉該些驅動輪； <br/>第二偵測裝置，用於分別確定該些驅動輪的旋轉角度； <br/>轉向齒輪驅動馬達，其等將由該第二偵測裝置偵測到的位移與正常值進行比較，然後，當該些位移偏離該些正常值時，驅動該些轉向齒輪驅動馬達以校正該些位移，使得該些驅動輪的角度位置能維持在直線方向上；以及 <br/>動力傳動裝置，用於將該些轉向齒輪驅動馬達的動力分別傳送至該些驅動輪。
如請求項12所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該第二偵測裝置包含： <br/>固定式引導感測器，固定於位於各安裝板的一側的框架上；以及 <br/>旋轉式引導感測器，可旋轉地固定於該安裝板，以便根據該些驅動輪的該些旋轉角度來位移。
如請求項12所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該些驅動輪分別透過懸吊裝置來彈性安裝，該些驅動輪的位移根據該些轉向齒輪驅動馬達的驅動來調整。
如請求項1所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該行進單元進一步設置有水平姿態校正裝置，用於在該行進單元停止時，於裝載或卸載該氣瓶之前校正該行進單元的水平狀態。
如請求項15所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，在該行進單元的下表面上安裝該水平姿態校正裝置以便形成三角形。
如請求項15或16所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，該水平姿態校正裝置包含： <br/>複數個升降螺桿，分別安裝在該行進單元上，以便根據BLDC馬達的運作而上下移動； <br/>水平調整腳，分別可旋轉地耦接至該些升降螺桿的下部； <br/>原點感測器，用於偵測該些升降螺桿的上下移動，使得該BLDC馬達的運作得到控制；以及 <br/>角度感測器，用於偵測該行進單元相對於框架的水平狀態。
如請求項17所述之氣瓶用無人運送自主行進裝置，其中，在該些水平調整腳中的每一個的周圍安裝有防滑材料。
一種支援寬頻操作之行動裝置，包括：<br/> 一饋入輻射部，具有一饋入點；<br/> 一延伸輻射部，耦接至該饋入輻射部；<br/> 一短路輻射部，其中該饋入輻射部和該延伸輻射部皆經由該短路輻射部耦接至一接地電位；<br/> 一輔助輻射部，耦接至該饋入輻射部；<br/> 一接地輻射部，耦接至該接地電位，其中該接地輻射部係鄰近於該饋入輻射部；以及<br/> 一介質基板，其中該饋入輻射部、該延伸輻射部、該短路輻射部、該輔助輻射部，以及該接地輻射部皆設置於該介質基板上；<br/> 其中該饋入輻射部、該延伸輻射部、該短路輻射部、該輔助輻射部，以及該接地輻射部係共同形成一天線結構；<br/> 其中該饋入輻射部更包括一第一增寬部份，而該第一增寬部份係呈現一矩形或一正方形；<br/> 其中該饋入輻射部、該短路輻射部，以及該輔助輻射部包圍住一L字形單極槽孔。
如請求項1所述之行動裝置，其中該饋入輻射部之該第一增寬部份與該輔助輻射部之間形成一第一耦合間隙，而該第一耦合間隙之寬度係介於1mm至1.5mm之間。
如請求項1所述之行動裝置，其中該接地輻射部更包括一第二增寬部份，而該第二增寬部份係呈現另一矩形或另一正方形。
如請求項1所述之行動裝置，其中該饋入輻射部與該接地輻射部之間形成一第二耦合間隙，而該第二耦合間隙之寬度係介於1mm至1.5mm之間。
如請求項1所述之行動裝置，其中該天線結構涵蓋一第一頻帶、一第二頻帶，以及一第三頻帶，該第一頻帶係介於2400MHz至2500MHz之間，該第二頻帶係介於5150MHz至5850MHz之間，而該第三頻帶係介於5925MHz至7125MHz之間。
如請求項5所述之行動裝置，其中該饋入輻射部和該延伸輻射部之總長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
如請求項5所述之行動裝置，其中該延伸輻射部和該短路輻射部之總長度係大致等於該第二頻帶之0.5倍波長。
如請求項5所述之行動裝置，其中該接地輻射部之長度係大致等於該第一頻帶之0.25倍波長。
一種用於供水泥砂漿或混凝土充填之抗裂結構，其特徵在於：<br/>該抗裂結構為一層板體，並由上至下形成有複數個鏤空孔，該等鏤空孔於三維空間呈不規則排列，且由上至下之該等鏤空孔投影於平面後呈現相互交疊狀；其中，將通過該層板體之外表面各自定義為六個虛擬封閉面，並於該六個虛擬封閉面所包覆之一立體區域內因該等鏤空孔所形成之總體鏤空區域的體積占比係大於50%，其中，該層板體厚度為10mm~80mm。
如請求項1所述之抗裂結構，其中，該層板體係由線體彼此交疊或相互纏繞或相互連結構成，而該等鏤空孔則由線體框圍而成。
如請求項2所述之抗裂結構，其中，構成該層板體之線體其抗拉強度為20~4200Mpa。
如請求項3所述之抗裂結構，其中，構成該層板體之線體其彈性模量大於1.2Gpa。
如請求項1所述之抗裂結構，其中，該層板體包括鋼材、玻璃纖維材、高分子聚合物其中之一或其組合。
如請求項5所述之抗裂結構，其中，該層板體所包括之高分子聚合物係選自PP、PET、PVA、TPEE、PE、PC、PA其中之一或其組合。
如請求項1所述之抗裂結構，其中，該層板體為玻璃纖維與PP之複合材或玻璃纖維與PET之複合材。
如請求項1所述之抗裂結構，其中，該等鏤空孔之尺寸由上至下為漸縮趨勢。
如請求項1所述之抗裂結構，其中，該等鏤空孔之尺寸由上至下為間隔性遞減。
一種樓地板層，包含：<br/>一如請求項1~9其中任一項所述之抗裂結構；及<br/>一隔音結構，係設置於該抗裂結構一側。
如請求項10之樓地板層，其中，該隔音結構之一側面具有一保護層，該保護層係與該抗裂結構相互附著固接。
如請求項11之樓地板層，其中，該保護層為防水或防潑水材質。
如請求項10之樓地板層，更包含：一基底層，係設置於該隔音結構與該抗裂結構之間。
如請求項13之樓地板層，其中，該基底層為防水或防潑水材質。
一種目鏡光學系統，配置用以使來自一顯示畫面的成像光線經過該目鏡光學系統進入一觀察者的一眼睛以形成一影像，其中朝向該眼睛的一側為一目側且朝向該顯示畫面的一側為一顯示側，該目鏡光學系統從該目側至該顯示側沿一光軸依序包括一第一透鏡以及一第二透鏡，該第一透鏡至該第二透鏡各自包括朝向該目側且使該成像光線通過的一目側面及朝向該顯示側且使該成像光線通過的一顯示側面，該目鏡光學系統還包括一線偏振膜、一反射偏振膜、一四分之一波長片及部分反射鏡； <br/>該四分之一波長片設置在該反射偏振膜上，該反射偏振膜設置在該線偏振膜上，該線偏振膜設置在該第一透鏡的該顯示側面的一光軸區域的一平面上； <br/>該部分反射鏡設置該第二透鏡的該顯示側面的一光軸區域上； <br/>該第二透鏡的該目側面的一光軸區域為一凸面； <br/>該目鏡光學系統具有屈光率的透鏡只有上述兩片透鏡； <br/>該目鏡光學系統滿足以下條件式：2.100≤TTL/BFL≤8.200以及ImgH/ (T1+G12)≥2.900，其中TTL為該第一透鏡的該目側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，BFL為該第二透鏡的該顯示側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，ImgH為該目鏡光學系統的最大像高，T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度，且G12為該第一透鏡的該顯示側面到該第二透鏡的該目側面在該光軸上的距離。
一種目鏡光學系統，配置用以使來自一顯示畫面的成像光線經過該目鏡光學系統進入一觀察者的一眼睛以形成一影像，其中朝向該眼睛的一側為一目側且朝向該顯示畫面的一側為一顯示側，該目鏡光學系統從該目側至該顯示側沿一光軸依序包括一第一透鏡以及一第二透鏡，該第一透鏡至該第二透鏡各自包括朝向該目側且使該成像光線通過的一目側面及朝向該顯示側且使該成像光線通過的一顯示側面，該目鏡光學系統還包括一線偏振膜、一反射偏振膜、一四分之一波長片及部分反射鏡； <br/>該四分之一波長片設置在該反射偏振膜上，該反射偏振膜設置在該線偏振膜上，該線偏振膜設置在該第一透鏡的該顯示側面的一光軸區域的一平面上； <br/>該部分反射鏡設置該第二透鏡的該顯示側面的一光軸區域上； <br/>該第二透鏡的該目側面的一光軸區域為一凸面； <br/>該目鏡光學系統具有屈光率的透鏡只有上述兩片透鏡； <br/>該目鏡光學系統滿足以下條件式：2.100≤TTL/BFL≤8.200以及(ImgH+BFL)/(T1+G12)≥3.200，其中TTL為該第一透鏡的該目側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，BFL為該第二透鏡的該顯示側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，ImgH為該目鏡光學系統的最大像高，T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度，且G12為該第一透鏡的該顯示側面到該第二透鏡的該目側面在該光軸上的距離。
如請求項1或2所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：(ImgH+TTL)/(T1+G12)≥5.000。
如請求項1或2所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：(ImgH+TTL)/TL≥2.100，其中TL為該第一透鏡的該目側面到該第二透鏡的該顯示側面在該光軸上的距離。
如請求項1或2所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：(ImgH+TTL)/ALT≥2.900，其中ALT為ALT為該第一透鏡與該第二透鏡在該光軸上的厚度總和。
如請求項1或2所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：(EFL+TTL)/(T1+G12)≥5.500，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距。
一種目鏡光學系統，配置用以使來自一顯示畫面的成像光線經過該目鏡光學系統進入一觀察者的一眼睛以形成一影像，其中朝向該眼睛的一側為一目側且朝向該顯示畫面的一側為一顯示側，該目鏡光學系統從該目側至該顯示側沿一光軸依序包括一第一透鏡以及一第二透鏡，該第一透鏡至該第二透鏡各自包括朝向該目側且使該成像光線通過的一目側面及朝向該顯示側且使該成像光線通過的一顯示側面，該目鏡光學系統還包括一線偏振膜、一反射偏振膜、一四分之一波長片及部分反射鏡； <br/>該線偏振膜設置在該第一透鏡的該顯示側面的一光軸區域的一平面上，該反射偏振膜設置在該線偏振膜上，該四分之一波長片設置在該反射偏振膜上，該部分反射鏡設置該第二透鏡的該顯示側面的一光軸區域上； <br/>該第一透鏡的該顯示側面的一光軸區域為一平面； <br/>該第二透鏡的該目側面的一光軸區域為一凸面，以及該第二透鏡的該目側面的一圓周區域為一凹面； <br/>該目鏡光學系統具有屈光率的透鏡只有上述兩片透鏡； <br/>該目鏡光學系統滿足以下條件式：2.100≤TTL/BFL≤8.200 以及(ImgH+BFL)/(T1+G12)≥3.500，其中TTL為該第一透鏡的該目側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，BFL為該第二透鏡的該顯示側面到該顯示畫面在該光軸上的距離，ImgH為該目鏡光學系統的最大像高，T1為該第一透鏡在該光軸上的厚度，且G12為該第一透鏡的該顯示側面到該第二透鏡的該目側面在該光軸上的距離。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：ImgH/T1≥4.800。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：ImgH/T2≥1.700，其中T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：ImgH/G12≥3.900。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：EFL/T1≥5.500，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：EFL/T2≤3.000，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距，且T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：EFL/G12≤24.600，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：EFL/(T1+G12)≥3.000，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：(EFL+BFL)/(T1+G12)≥3.400，其中EFL為該目鏡光學系統的系統焦距。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：1.300≤OXR12/ImgH≤1.800，其中OXR12為該第一透鏡的該顯示側面的光學最大半徑。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：2.700≤OXR22/T2≤4.200，其中OXR22為該第二透鏡的該顯示側面的光學最大半徑，且T2為該第二透鏡在該光軸上的厚度。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：1.600≤ (OXR11+OXR12)/(ImgH+BFL)≤3.200，其中OXR11為該第一透鏡的該目側面的光學最大半徑，且OXR12為該第一透鏡的該顯示側面的光學最大半徑。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：7.300≤OXR12/T1≤19.100，其中OXR12為該第一透鏡的該顯示側面的光學最大半徑。
如請求項1、2及請求項7中任一項所述的目鏡光學系統，其中該目鏡光學系統更滿足以下條列式：4.300≤|OXR22/Sag22|≤6.200，其中OXR22為該第二透鏡的該顯示側面的光學最大半徑，且Sag22為該第二透鏡的該顯示側面在該光學最大半徑上的Sag值。
一種半導體元件，包含：<br/> 一碳化矽磊晶基材，具有彼此反向的一頂面及一底面；<br/> 兩個阱區，間隔地自該碳化矽磊晶基材的頂面向下形成，並具有第二型摻雜；<br/> 一接面場效區，自該碳化矽磊晶基材的頂面向下形成，位於該兩個阱區之間且不與該兩個阱區相接觸，並具有第一型摻雜；<br/> 兩個源極，分別自該碳化矽磊晶基材的頂面向下延伸而位於該兩個阱區；<br/> 兩個輕摻雜區，對應該兩個源極設置，每一個輕摻雜區具有自該碳化矽磊晶基材的頂面向下並位於相應的該源極的側邊的一第一輕摻雜層，及一位於該第一輕摻雜層下方，並自相應的該源極的側邊的下半部延伸至該源極的底部的第二輕摻雜層，該第一輕摻雜層具有第一型摻雜，該第二輕摻雜層具有第二型摻雜且於對應該源極的側邊的寬度大於該第一輕摻雜層；<br/> 兩個重摻雜區，分別對應位於該兩個源極的底部且不超過該阱區，具有第二型摻雜；<br/> 一閘極，位於該碳化矽磊晶基材的頂面並位於相鄰的該兩個源極之間，且該閘極的左右兩側延伸至與該兩個源極部分重疊；及<br/> 一汲極電極，位於該碳化矽磊晶基材的底面。
如請求項1所述的半導體元件，其中，該第二輕摻雜層的摻雜濃度小於該阱區的摻雜濃度，該等重摻雜區的濃度高於該等阱區的摻雜濃度。
如請求項1所述的半導體元件，其中，該第二輕摻雜層延伸至該源極的底部並位於相應的該重摻雜區的側邊。
如請求項1所述的半導體元件，還包含一絕緣單元、一導電單元及一保護單元，該絕緣單元具有一覆蓋該碳化矽磊晶基材的頂面的第一絕緣層，及一第二絕緣層，該閘極位於該第一絕緣層表面，該第二絕緣層覆蓋該閘極及該第一絕緣層，該導電單元具有與該等源極接觸連接的歐姆接觸層及與該等歐姆接觸層電連接的導電層，該保護單元由絕緣材料構成並覆蓋該導電層及該第二絕緣層。
如請求項4所述的半導體元件，還包含一電連接單元，具有多個穿過該保護單元與該第二絕緣層，並分別與該導電層及該閘極電連接的導電結構，以及一用於將等導電結構對外電連接的電連接線路。
一種半導體元件的製作方法，包含：<br/> 步驟A，於一碳化矽磊晶基材的頂面形成一第一硬遮罩單元，該第一硬遮罩單元具有自該頂面依序堆疊的一第一硬遮罩層、一第二硬遮罩層，及一第三硬遮罩層；<br/> 步驟B，利用微影蝕刻製程自該第三硬遮罩層向下蝕刻至該第一硬遮罩層，以形成多個彼此間隔的第一摻雜開口；<br/> 步驟C，自該等第一摻雜開口向該碳化矽磊晶基材進行離子佈植，以於該碳化矽磊晶基材形成多個彼此間隔且具有第二型摻雜的阱區；<br/> 步驟D，於該步驟C後，形成沿蝕刻後的該第一硬遮罩單元的表面覆蓋的一第一遮罩層，再將停留於該第三硬遮罩層的表面及位於該等第一摻雜開口的該第一遮罩層移除，並令該第一遮罩層於該等第一摻雜開口的側面殘留一厚度，以於各該第一摻雜開口定義出一口徑小於該第一摻雜開口的第二摻雜開口；<br/> 步驟E，自該等第二摻雜開口進行第一次離子佈植，以自該碳化矽磊晶基材的頂面向下形成一第一輕摻雜層，接著，自該等第二摻雜開口進行第二次離子佈植，形成一位於第一輕摻雜層下方，且寬度大於該第一輕摻雜層的第二輕摻雜層，其中，該第一輕摻雜層為第一型摻雜，該第二輕摻雜層為第二型摻雜；<br/> 步驟F，形成一覆蓋該第三硬遮罩層的表面、該第一遮罩層的表面，及自該等第二摻雜開口露出的該第一硬遮罩層的表面的第四硬遮罩層，及一覆蓋該第四硬遮罩層的第二遮罩層，再將對應位於該第三硬遮罩層的頂面及位於該第二摻雜開口底部的該第二遮罩層移除，並令該第二遮罩層於該等第二摻雜開口的側面殘留一厚度，以於各該第二摻雜開口定義出一口徑小於該第二摻雜開口的第三摻雜開口；<br/> 步驟G，自該等第三摻雜開口進行高濃度離子佈植，以形成自該碳化矽磊晶基材的頂面向下的多個源極，其中，該等源極為第一型摻雜，摻雜濃度大於該第一輕摻雜層及該第二輕摻雜層，且深度介於該第一、二輕摻雜層之間；<br/> 步驟H，移除該第一~四硬遮罩層及該第一、二遮罩層，接著，利用微影方式於該碳化矽磊晶基材的頂面形成一圖案化光阻層，該圖案化光阻層定義出多個對應該等源極且寬度小於該等源極的重摻雜開口，自該等重摻雜開口進行離子佈植，以於該等源極底部形成具有第二型摻雜的重摻雜區，之後，移除該圖案化光阻層；<br/> 步驟I，於該碳化矽磊晶基材的頂面再形成一第二硬遮罩單元，該第二硬遮罩單元具有自該頂面依序堆疊的一第五硬遮罩層、一第六硬遮罩層，及一第七硬遮罩層，以微影蝕刻方式自該第七硬遮罩層向下蝕刻至該第五硬遮罩層，形成對應位於任相鄰的兩個阱區之間的開口；<br/> 步驟J，於該步驟I後，形成一沿蝕刻後的該第二硬遮罩單元的表面覆蓋的第三遮罩層，再將對應位於該第七硬遮罩層的頂面及部分位於該等開口底部的該第三遮罩層移除，令該第三遮罩層於該等開口的側面殘留一厚度，以於每一該開口定義出一口徑小於該開口的第四摻雜開口，且該第四摻雜開口的寬度小於任相鄰的該兩個阱區的間距；<br/> 步驟K，自該第四摻雜開口進行離子佈植，形成自該碳化矽磊晶基材的頂面向下並位於該兩個阱區之間的接面場效區，每一該接面場效區具有第一型摻雜，且不與相鄰的該兩個阱區相接觸，之後，移除殘餘的該第二硬遮罩單元及該第三遮罩層。
如請求項6所述的半導體元件的製作方法，還包含一步驟L、一步驟M，及一步驟N，該步驟L是自該碳化矽磊晶基材的頂面依序形成一第一絕緣層、一多晶矽層及一第二絕緣層，接著，利用微影蝕刻方式自該第二絕緣層對應該等源極的位置向下蝕刻至該第一絕緣層以形成多個開口，並將該多晶矽層定義出一閘極，接著於該第一絕緣層、該閘極及該第二絕緣層露出之表面形成一第四氧化物層，並將位於該第二絕緣層頂面及該等開口底部的該第四氧化物層移除，令殘留於該等開口的側面的該第四氧化物層定義出多個第五開口，之後，自該等第五開口向下蝕刻，於該等源極形成凹槽，然後再依序於該等凹槽形成一歐姆接觸層及一導電層，該步驟M是形成一覆蓋該導電層的絕緣保護層，該步驟N是形成一穿過該絕緣保護層，並該導電層及該閘極電連接且可供對外電連接的電連接單元。
如請求項7所述的半導體元件的製作方法，還包含一步驟O，於該碳化矽磊晶基材的底面依序形成一金屬矽化物層及一金屬導電層以形成一汲極電極。
一種檢查裝置，係檢查含有孔及插入於該孔之零件之對象物，並包括：<br/>複數光源，係從含有該孔之領域的相異方向依序照明；<br/>相機，係生成藉由該複數光源依序照明之該領域之複數影像資料；及<br/>控制器，係藉由比較由該相機生成之該複數影像資料中的至少2個資料所含有之該零件之陰影的長度差與閾值，而判定該零件是否正常插入該孔。
如請求項1所述之檢查裝置，其中該零件含有互相可分解之第一部分及第二部分，<br/>該控制器根據該複數影像資料進一步判定該第一部分與該第二部分是否在正常連結狀態下插入該孔。
如請求項1所述之檢查裝置，其中該複數光源分別的光射出方向相對於該對象物中該孔的設置面以相同角度傾斜。
如請求項1所述之檢查裝置，其中該對象物具有直線狀排列的複數該孔，<br/>該複數光源分別的光射出方向在平面視中與該複數孔之排列方向交叉。
一種檢查方法，係檢查含有孔及插入於該孔之零件之對象物，並包括下述步驟：<br/>藉由複數光源而由相異方向依序照明含有該孔之領域；<br/>藉由相機生成藉由該複數光源依序照明之該領域之複數影像資料；<br/>根據藉由比較由該相機生成之該複數影像資料中的至少2個資料所含有之該零件之陰影的長度差與閾值，而判定該零件是否正常插入該孔。
如請求項5所述之檢查方法，其中該零件含有互相可分解之第一部分及第二部分，<br/>該判定包括下述步驟：<br/>根據該複數影像資料，判定該第一部分與該第二部分是否在正常連結狀態下插入該孔。
如請求項5所述之檢查方法，其中該複數光源分別的光射出方向相對於該對象物中該孔的設置面以相同角度傾斜。
如請求項5所述之檢查方法，其中該對象物具有直線狀排列的複數該孔，<br/>該複數光源分別的光射出方向在平面視中與該複數孔之排列方向交叉。
一種電子設備，包括： <br/>機殼； <br/>主機板，設置於該機殼內部，其中該機殼內部具有位於該主機板的一側的線路區； <br/>獨立顯示卡，設置於該機殼內部，其中該獨立顯示卡的部分延伸至該線路區；以及 <br/>活動飾板，設置於該獨立顯示卡的上方，並遮蔽該線路區，其中該活動飾板包括固定於該機殼內部的第一飾板與疊合於該第一飾板上的第二飾板，且該第二飾板滑動連接於該第一飾板以依據該獨立顯示卡的尺寸在該第一飾板上滑動並貼近該獨立顯示卡。
如請求項1所述的電子設備，其中該機殼在該線路區設有二個固定扣片，且該第一飾板具有二個扣孔，該二個固定扣片扣合於該二個扣孔以將該第一飾板固定於該機殼內部。
如請求項2所述的電子設備，其中該機殼在該線路區還設有位於該二個固定扣片之間的螺絲孔，且該第一飾板還具有位於該二個扣孔之間的定位孔，螺絲穿過該定位孔並鎖入該螺絲孔以將該第一飾板固定於該機殼內部。
如請求項1所述的電子設備，其中該第一飾板具有第一滑槽，且該第二飾板具有活動扣片，該活動扣片可滑動地扣接於該第一滑槽。
如請求項4所述的電子設備，其中該第二飾板具有第二滑槽，且該第一飾板設有定位螺絲，該定位螺絲穿設於該第二滑槽。
如請求項5所述的電子設備，其中該第一滑槽與該第二滑槽互為平行。
如請求項1所述的電子設備，其中該第一飾板包括安裝板部、第一遮蔽板部及第一側板部，該安裝板部固定於該機殼，該第一遮蔽板部遮蔽該線路區，且該第一側板部的兩端分別連接該安裝板部與該第一遮蔽板部，該第一側板部相對於該安裝板部轉折，且該第一遮蔽板部相對於該第一側板部轉折。
如請求項7所述的電子設備，其中該第二飾板包括第二側板部與連接該第二側板部的第二遮蔽板部，且該第二遮蔽板部相對於該第二側板部轉折，該第二側板部疊合於該第一側板部，且該第二遮蔽板部疊合於該第一遮蔽板部，以與該第一遮蔽板部遮蔽該線路區。
如請求項8所述的電子設備，其中該機殼的頂部具有排風口，且該獨立顯示卡具有朝向該排風口的出風口，該活動飾板設置於該排風口與該出風口之間，且該第一遮蔽板部、該第一側板部、該第二遮蔽板部及該第二側板部在該排風口與該出風口之間形成導流通道。
如請求項8所述的電子設備，其中該機殼的側部設有風扇，且該第一側板部與該第二側板部位於該風扇與該主機板之間，該第一側板部與該第二側板部皆具有多個氣流通孔。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，包含：<br/> 使該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態期間相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準，其中該第一主要頻率位準及該第二主要頻率位準各者係大於零；及<br/> 使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第一次要頻率位準及該第二次要頻率位準各者係大於零，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準。
如請求項1之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，更包含：<br/> 將該主要RF訊號供給至一第一阻抗匹配網路，該第一阻抗匹配網路係耦合至一電漿室的一上電極；及<br/> 將該次要RF訊號供給至該第一阻抗匹配網路。
如請求項2之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，更包含：<br/> 將一偏壓RF訊號供給至一第二阻抗匹配網路，該第二阻抗匹配網路係耦合至該電漿室的一下電極，其中該偏壓RF訊號為一連續波訊號。
如請求項1之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，其中該第二主要頻率位準低於該第一主要頻率位準。
如請求項4之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，其中該第二次要頻率位準大於該第一次要頻率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，包含：<br/> 使該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態期間相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準，<br/> 其中使該主要RF訊號脈動包含在一第一過渡時間將該主要RF訊號的該第一主要頻率位準修改至該第二主要頻率位準，且在一第二過渡時間將該主要RF訊號的該第二主要頻率位準修改至該第一主要頻率位準，其中使該次要RF訊號脈動包含在該第一過渡時間將該次要RF訊號的該第一次要頻率位準修改至該第二次要頻率位準，且在該第二過渡時間將該次要RF訊號的該第二次要頻率位準修改至該第一次要頻率位準。
如請求項6之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，其中使該主要RF訊號脈動包含在該第一狀態期間維持該第一主要頻率位準，且在該第二狀態期間維持該第二主要頻率位準，其中使該次要RF訊號脈動包含在該第一狀態期間維持該第一次要頻率位準，且在該第二狀態期間維持該第二次要頻率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的方法，包含：<br/> 使該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態期間相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準，<br/> 使該主要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一主要功率位準與和該第二狀態相關的一第二主要功率位準之間脈動，其中該第二主要功率位準不同於該第一主要功率位準；及<br/> 使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要功率位準與和該第二狀態相關的一第二次要功率位準之間脈動，其中該第二次要功率位準不同於該第一次要功率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，包含：<br/> 一第一RF產生器，其用以使該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 一第二RF產生器，其用以使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準，其中該第一RF產生器及該第二RF產生器係配置成耦合至一第一阻抗匹配網路。
如請求項9之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，<br/> 其中該第一RF產生器包含一第一RF電源，該第一RF電源用以將該主要RF訊號供給至該第一阻抗匹配網路，其中該第一阻抗匹配網路係配置成耦合至一電漿室的一上電極，且<br/> 其中該第二RF產生器包含一第二RF電源，該第二RF電源用以將該次要RF訊號供給至該第一阻抗匹配網路。
如請求項10之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，更包含：<br/> 一第三射頻產生器，其具有一第三RF電源，該第三RF電源用以將一偏壓RF訊號供給至一第二阻抗匹配網路，其中該第二阻抗匹配網路係配置成耦合至該電漿室的一下電極，其中該偏壓RF訊號為一連續波訊號。
如請求項9之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中為了使該主要RF訊號脈動，該第一RF產生器用以在一第一過渡時間將該主要RF訊號的該第一主要頻率位準修改至該第二主要頻率位準、及在一第二過渡時間將該主要RF訊號的該第二主要頻率位準修改至該第一主要頻率位準，其中為了使該次要RF訊號脈動，該第二RF產生器用以在該第一過渡時間將該次要RF訊號的該第一次要頻率位準修改至該第二次要頻率位準、及在該第二過渡時間將該次要RF訊號的該第二次要頻率位準修改至該第一次要頻率位準。
如請求項12之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中為了使該主要RF訊號脈動，該第一RF產生器用以在該第一狀態期間維持該第一主要頻率位準，且在該第二狀態期間維持該第二主要頻率位準，其中為了使該次要RF訊號脈動，該第二RF產生器用以在該第一狀態期間維持該第一次要頻率位準，且在該第二狀態期間維持該第二次要頻率位準。
如請求項9之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中該第二主要頻率位準低於該第一主要頻率位準。
如請求項14之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中該第二次要頻率位準大於該第一次要頻率位準。
如請求項9之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，<br/> 其中該第一RF產生器用以使該主要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一主要功率位準與和該第二狀態相關的一第二主要功率位準之間脈動，其中該第二主要功率位準不同於該第一主要功率位準，且<br/> 其中該第二RF產生器用以使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要功率位準與和該第二狀態相關的一第二次要功率位準之間脈動，其中該第二次要功率位準不同於該第一次要功率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，包含：<br/> 一或更多主要控制器，用以控制一主要RF電源，以產生在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態相關的一第二主要頻率位準之間脈動的該主要RF訊號，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 一或更多次要控制器，用以控制一次要RF電源，以產生在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動的該次要RF訊號，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準。
如請求項17之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，<br/> 其中該主要RF電源用以將該主要RF訊號供給至一第一阻抗匹配網路，該第一阻抗匹配網路係耦合至一電漿室的一上電極，且<br/> 其中該次要RF電源用以將該次要RF訊號供給至該第一阻抗匹配網路。
如請求項18之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，更包含：<br/> 一或更多偏壓控制器，用以控制一偏壓RF電源，以產生一偏壓RF訊號，其中該偏壓RF訊號為一連續波訊號。
如請求項17之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中為了使該主要RF訊號脈動，該一或更多主要控制器用以在一第一過渡時間將該主要RF訊號的該第一主要頻率位準修改至該第二主要頻率位準、及在一第二過渡時間將該主要RF訊號的該第二主要頻率位準修改至該第一主要頻率位準，其中為了使該次要RF訊號脈動，該一或更多次要控制器用以在該第一過渡時間將該次要RF訊號的該第一次要頻率位準修改至該第二次要頻率位準、及在該第二過渡時間將該次要RF訊號的該第二次要頻率位準修改至該第一次要頻率位準。
如請求項17之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，<br/> 其中該一或更多主要控制器用以控制該主要RF電源，以使該主要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一主要功率位準與和該第二狀態相關的一第二主要功率位準之間脈動，其中該第二主要功率位準不同於該第一主要功率位準，且<br/> 其中該一或更多次要控制器用以控制該次要RF電源，以使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要功率位準與和該第二狀態相關的一第二次要功率位準之間脈動，其中該第二次要功率位準不同於該第一次要功率位準。
如請求項17之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中該第二主要頻率位準低於該第一主要頻率位準。
如請求項22之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的系統，其中該第二次要頻率位準大於該第一次要頻率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，包含：<br/> 一處理器，用以：<br/> 控制一主要RF電源以產生該主要RF訊號，該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第一主要頻率位準及該第二主要頻率位準各者係大於零，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 控制一次要RF電源以產生該次要RF訊號，該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第一次要頻率位準及該第二次要頻率位準各者係大於零，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準；以及<br/> 一記憶體裝置，其耦合至該處理器。
如請求項24之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，<br/> 其中該主要RF電源用以將該主要RF訊號供給至一第一阻抗匹配網路，該第一阻抗匹配網路係耦合至一電漿室的一上電極，且<br/> 其中該次要RF電源用以將該次要RF訊號供給至該第一阻抗匹配網路。
如請求項25之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，其中該處理器用以控制一偏壓RF電源，以產生一偏壓RF訊號，其中該偏壓RF訊號為一連續波訊號。
如請求項24之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，其中該第二主要頻率位準低於該第一主要頻率位準。
如請求項27之脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，其中該第二次要頻率位準大於該第一次要頻率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，包含：<br/> 一處理器，用以：<br/> 控制一主要RF電源以產生該主要RF訊號，該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 控制一次要RF電源以產生該次要RF訊號，該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準；以及<br/> 一記憶體裝置，其耦合至該處理器，<br/> 其中為了使該主要RF訊號脈動，該處理器用以在一第一過渡時間將該主要RF訊號的該第一主要頻率位準修改至該第二主要頻率位準、及在一第二過渡時間將該主要RF訊號的該第二主要頻率位準修改至該第一主要頻率位準，其中為了使該次要RF訊號脈動，該處理器用以在該第一過渡時間將該次要RF訊號的該第一次要頻率位準修改至該第二次要頻率位準、及在該第二過渡時間將該次要RF訊號的該第二次要頻率位準修改至該第一次要頻率位準。
一種脈動主要射頻(RF)訊號及次要RF訊號的控制器，包含：<br/> 一處理器，用以：<br/> 控制一主要RF電源以產生該主要RF訊號，該主要RF訊號在和一第一狀態相關的一第一主要頻率位準與和一第二狀態相關的一第二主要頻率位準之間脈動，其中該第二主要頻率位準不同於該第一主要頻率位準；及<br/> 控制一次要RF電源以產生該次要RF訊號，該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要頻率位準與和該第二狀態相關的一第二次要頻率位準之間脈動，其中該第二次要頻率位準不同於該第一次要頻率位準；以及<br/> 一記憶體裝置，其耦合至該處理器，<br/> 其中該處理器用以控制該主要RF電源，以使該主要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一主要功率位準與和該第二狀態相關的一第二主要功率位準之間脈動，其中該第二主要功率位準不同於該第一主要功率位準，且<br/> 其中該處理器用以控制該次要RF電源，以使該次要RF訊號在和該第一狀態相關的一第一次要功率位準與和該第二狀態相關的一第二次要功率位準之間脈動，其中該第二次要功率位準不同於該第一次要功率位準。
一種複合配線基板，其具有： <br/>基底基板； <br/>熔點變化型之接合材；以及 <br/>中繼基板，其經由上述接合材電性連接於上述基底基板；且 <br/>上述基底基板具有： <br/>第1核心基材； <br/>有機樹脂製之第1有機基材，其接合於上述第1核心基材；以及 <br/>複數個第1配線，其等位於上述第1有機基材之內部；且 <br/>上述中繼基板具有： <br/>有機樹脂製之第2有機基材；以及 <br/>複數個第2配線，其等位於上述第2有機基材之內部；且 <br/>上述第2配線於側面具有擴散抑制層。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>上述第1配線及上述第2配線以銅作為主成分， <br/>上述接合材包含選自Ag、Bi、In、Cu及Sb中之至少一者以及Sn。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>上述擴散抑制層含有Cr、Ti、Ni及將該等中之2種以上組合而成之化合物中之任一者。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>上述第1配線之側面與上述第1有機基材直接相接。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>上述中繼基板具有第2核心基材， <br/>上述第2有機基材接合於上述第2核心基材。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>上述第1核心基材為陶瓷製。
如請求項6之複合配線基板，其中 <br/>上述第1核心基材具有複數個陶瓷層。
如請求項6之複合配線基板，其具有2個上述第1有機基材， <br/>上述第1核心基材具有： <br/>第1面；以及 <br/>第2面，其位於與上述第1面相反之側；且 <br/>上述第1有機基材接合於上述第1面及上述第2面各者。
如請求項8之複合配線基板，其具有導體， <br/>該導體貫通上述第1核心基材之上述第1面及上述第2面， <br/>位於接合於上述第1面之上述第1有機基材之上述第1配線與位於接合於上述第2面之上述第1有機基材之上述第1配線經由上述導體電性連接。
如請求項6之複合配線基板，其中 <br/>上述第1核心基材包含玻璃成分， <br/>上述第1有機基材含有與上述玻璃成分化學鍵結之偶合劑。
如請求項1之複合配線基板，其中 <br/>於上述第2有機基材之內部，上述第2配線係以複數個配線彼此之配線間距離較上述第1配線彼此之配線間距離短之方式而形成， <br/>上述擴散抑制層係以抑制相鄰之上述第2配線間之短路之方式而形成於上述第2配線之側面。
一種半導體裝置，其具有： <br/>母板； <br/>如請求項1至11中任一項之複合配線基板，其搭載於上述母板；以及 <br/>半導體元件，其搭載於上述中繼基板。
一種量測系統，其係進行半導體器件之量測者，且具備： <br/>接合前量測裝置，其對接合前之第1晶圓及第2晶圓進行量測，且 <br/>上述接合前量測裝置讀入上述第1晶圓及/或上述第2晶圓之佈局資料，自上述佈局資料取得座標系資訊；且 <br/>於將上述第1晶圓之量測對象作為第1量測點時，將使用上述座標系資訊使上述第1量測點反轉之位置作為上述第2晶圓之量測對象即第2量測點。
如請求項1之量測系統，其中上述接合前量測裝置於量測上述第1晶圓之上述第1量測點之後，量測上述第2晶圓之上述第2量測點。
如請求項1之量測系統，其進一步具備： <br/>接合後量測裝置，其對接合後之上述第1晶圓及上述第2晶圓進行量測；及 <br/>分析裝置，其將接合後之量測結果、上述第1量測點之量測結果及上述第2量測點之量測結果進行對照。
如請求項3之量測系統，其中上述分析裝置對照之上述量測結果為 <br/>焊墊之量測值本身、晶片內之一部分或全部焊墊之量測值之平均、晶圓內之焊墊之量測值之傾向之任一者。
如請求項3之量測系統，其中上述分析裝置藉由對照，決定作為上述第1量測點之量測結果容許之管理範圍、及作為上述第2量測點之量測結果容許之管理範圍。
如請求項3之量測系統，其中上述分析裝置將上述第1量測點之量測結果或與量測結果對應之圖像或兩者、或者上述第2量測點之量測結果或與量測結果對應之圖像或兩者反轉而顯示。
如請求項3之量測系統，其中上述接合後量測裝置之解析度低於上述接合前量測裝置之解析度。
如請求項7之量測系統，其中 <br/>上述接合後量測裝置係使用SEM或AFM之裝置， <br/>上述接合前量測裝置係使用超音波、X射線、紅外線之任一者之裝置。
如請求項1之量測系統，其中 <br/>上述接合前量測裝置具有製作規定量測條件之配方之計算機、及基於上述配方執行量測之量測部，且 <br/>上述計算機 <br/>讀入與上述第1晶圓相關之第1配方，取得上述第1晶圓之量測對象即上述第1量測點之資訊即第1量測點資訊； <br/>讀入上述第1晶圓及/或上述第2晶圓之佈局資料，自上述佈局資料取得座標系資訊； <br/>使用上述座標系資訊使上述第1量測點資訊反轉，基於反轉後之上述第1量測點資訊，製作與上述第2晶圓相關之第2配方。
如請求項1之量測系統，其中 <br/>上述接合前量測裝置具有製作規定量測條件之配方之計算機、及基於上述配方執行量測之量測部， <br/>上述計算機 <br/>基於上述第1晶圓之佈局資料及使用者輸入之上述第1晶圓之量測條件，製作包含上述第1晶圓之量測對象即上述第1量測點之資訊即第1量測點資訊之第1配方； <br/>使用自上述佈局資料取得之座標系資訊使上述第1量測點資訊反轉，基於反轉後之上述第1量測點資訊，製作包含上述第2晶圓之量測對象即上述第2量測點之資訊即第2量測點資訊之第2配方。
如請求項1之量測系統，其中 <br/>上述接合前量測裝置具有製作規定量測條件之配方之計算機、及基於上述配方執行量測之量測部； <br/>上述計算機製作包含上述第1晶圓之量測對象即上述第1量測點之資訊即第1量測點資訊之第1配方，且製作包含上述第2晶圓之量測對象即上述第2量測點之資訊即第2量測點資訊之第2配方； <br/>上述量測部於基於上述第1配方執行上述第1晶圓之量測之後，基於使用上述第1量測點之量測結果修正後之上述第2配方執行上述第2晶圓之量測。
一種量測方法，其對接合前之第1晶圓及第2晶圓進行量測，且具備如下步驟： <br/>將第1量測點作為量測對象對上述第1晶圓進行量測； <br/>讀入上述第1晶圓及/或上述第2晶圓之佈局資料，自上述佈局資料取得座標系資訊；及 <br/>將使用上述座標系資訊使上述第1量測點反轉之位置作為第2量測點對上述第2晶圓進行量測。
如請求項12之量測方法，其具備如下步驟： <br/>讀入與第1晶圓相關之第1配方，取得上述第1晶圓之量測對象即上述第1量測點之資訊即第1量測點資訊； <br/>讀入上述第1晶圓及/或第2晶圓之佈局資料，自上述佈局資料取得座標系資訊；及 <br/>使用上述座標系資訊使上述第1量測點資訊反轉，基於反轉後之上述第1量測點資訊，製作與上述第2晶圓相關之第2配方。
如請求項12之量測方法，其具備如下步驟： <br/>基於上述第1晶圓之佈局資料及使用者輸入之上述第1晶圓之量測條件，製作包含上述第1晶圓之量測對象即上述第1量測點之資訊即第1量測點資訊之第1配方；及 <br/>使用自上述佈局資料取得之座標系資訊使上述第1量測點資訊反轉，基於反轉後之第1量測點資訊，製作包含上述第2晶圓之量測對象即上述第2量測點之資訊即第2量測點資訊之第2配方。
一種離心式散熱風扇，適用於筆記型電腦，該離心式散熱風扇包括： <br/>殼體，具有多個凹陷； <br/>輪轂，可旋轉地設置於該殼體內；以及 <br/>多個扇葉，環設於該輪轂以隨該輪轂而沿一方向旋轉，其中該些凹陷面對該些扇葉，且各該凹陷的輪廓沿該方向呈漸縮，以在該離心式散熱風扇運轉時，該殼體表面的氣流進入該凹陷，因所述漸縮而匯集一處且被擠出該凹陷而吹向該些扇葉。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中該殼體具有底座與頂板，且該底座與該頂板的至少其中之一具有入風口。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，其中該些凹陷環繞該入風口。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，其中該些凹陷在該入風口所在平面的正投影環繞該入風口。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，其中該些凹陷位於該底座與該頂板的至少其中之一。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，還包括靜音環，連接該些扇葉，該靜音環面對該殼體的表面呈非單一平面。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，其中該頂板具有一平面，該凹陷的深度方向是該平面的法線方向。
如請求項2所述的離心式散熱風扇，其中該底座具有一平面，該凹陷的深度方向是該平面的法線方向。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中該凹陷的深度方向平行於該輪轂與該些扇葉的旋轉軸向。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中該些凹陷呈等距分佈。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中各該凹陷具有第一流道與第二流道，沿該方向而交會於一處。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中各該凹陷呈箭頭輪廓或呈三角形輪廓。
如請求項1所述的離心式散熱風扇，其中該些凹陷相對於該輪轂與該些扇葉的旋轉軸向呈多半徑複數圈配置。
一種內視鏡影像的搜尋方法，包括以運算裝置執行的多個步驟，該些步驟包括：<br/> 以一儲存裝置儲存多個內視鏡影像及多個影像標記，其中該些影像標記用於指示該些內視鏡影像各自所屬的一人體器官及一區域；<br/> 依據該影像標記將該些內視鏡影像分類為多個第一來源影像及多個第二來源影像，其中該些第一來源影像及該些第二來源影像各自對應的該區域不同；<br/> 以一特徵擷取模型依據一目標影像、該些第一來源影像及該些第二來源影像分別產生一目標特徵值、多個第一特徵值及多個第二特徵值；<br/> 計算該些第一特徵值及該些第二特徵值各自與該目標特徵值之間的多個第一相似度及第二相似度；<br/> 依據該些第一相似度及該些第二相似度分別計算第一參考值及第二參考值，其中該第一參考值及該第二參考值分別為該些第一相似度及該些第二相似度的平均值或中位數；<br/> 當該第一參考值大於該第二參考值時，選擇該些第一相似度中的最大者對應的該些第一來源影像中的一者作為一搜尋結果；以及<br/> 當該第一參考值不大於該第二參考值時，選擇該些第二相似度中的最大者對應的該些第二來源影像中的一者作為該搜尋結果。
如請求項1的內視鏡影像的搜尋方法，更包括：<br/> 以內視鏡基於第一光源拍攝該人體器官以產生一原始影像；<br/> 以該運算裝置依據該原始影像產生一模擬影像，其中該模擬影像係模擬該內視鏡基於第二光源拍攝該人體器官的結果；<br/> 以該運算裝置依據該模擬影像及該原始影像訓練該特徵擷取模型。
如請求項1的內視鏡影像的搜尋方法，更包括：<br/> 以內視鏡拍攝該人體器官以產生第一原始影像及第二原始影像；<br/> 以該運算裝置依據一位置擷取該第一原始影像的一區塊； <br/> 以該區塊取代該第二原始影像的該位置以產生一混合影像；以及<br/> 以該運算裝置依據該第一原始影像、該第二原始影像及該混合影像訓練該特徵擷取模型。
如請求項1的內視鏡影像的搜尋方法，其中該些第一相似度及該些第二相似度為歐幾里得距離或餘弦相似度。
一種內視鏡影像的搜尋系統，包括：<br/> 一儲存裝置，用於儲存多個內視鏡影像及多個影像標記，其中該些影像標記用於指示該些內視鏡影像各自所屬的一人體器官及一區域；以及<br/> 一運算裝置，電性連接該儲存裝置，該運算裝置用於依據該影像標記將該些內視鏡影像分類為多個第一來源影像及多個第二來源影像，其中該些第一來源影像及該些第二來源影像各自對應的該區域不同，該運算裝置以一特徵擷取模型依據一目標影像、多個第一來源影像及多個第二來源影像分別產生一目標特徵值、多個第一特徵值及多個第二特徵值，計算該些第一特徵值及該些第二特徵值各自與該目標特徵值之間的多個第一相似度及第二相似度，依據該些第一相似度及該些第二相似度分別計算第一參考值及第二參考值，其中該第一參考值及該第二參考值分別為該些第一相似度及該些第二相似度的平均值或中位數，當該第一參考值大於該第二參考值時，選擇該些第一相似度中的最大者對應的該些第一來源影像中的一者作為一搜尋結果，以及當該第一參考值不大於該第二參考值時，選擇該些第二相似度中的最大者對應的該些第二來源影像中的一者作為該搜尋結果。
如請求項5的內視鏡影像的搜尋系統，其中該儲存裝置更用於儲存以內視鏡基於第一光源拍攝該人體器官產生的一原始影像，該運算裝置更用於依據該原始影像產生一模擬影像，並依據該模擬影像及該原始影像訓練該特徵擷取模型，其中該模擬影像係模擬該內視鏡基於第二光源拍攝該人體器官的結果。
如請求項5的內視鏡影像的搜尋系統，其中該儲存裝置更用於儲存以內視鏡拍攝該人體器官產生的第一原始影像及第二原始影像，該運算裝置更用於依據一位置擷取該第一原始影像的一區塊，以該區塊取代該第二原始影像的該位置以產生一混合影像，以及依據該第一原始影像、該第二原始影像及該混合影像訓練該特徵擷取模型。
如請求項5的內視鏡影像的搜尋系統，其中該些第一相似度或該些第二相似度為歐幾里得距離或餘弦相似度。
一種水冷板裝置，用以容納一冷卻流體，該水冷板裝置包含：<br/> 一導熱殼，具有一散熱空間，並用以容納該冷卻流體；一鰭片，設置於該導熱殼，並位於該散熱空間；一進液管，連接於該導熱殼遠離該鰭片之一側，並與該散熱空間相連通，該進液管包含一第一漸擴部以及一第一外接部，該第一漸擴部之相對兩側分別與該導熱殼以及該第一外接部相連，且第一漸擴部的寬度自連接於該第一外接部之一端朝連接於該導熱殼之一端遞增，該第一漸擴部對應於至少部分之該鰭片，且該第一漸擴部的漸擴方向與該鰭片的延伸方向不平行；以及一出液管，連接於該導熱殼遠離該鰭片之一側，並與該散熱空間相連通，該出液管包含一第二漸擴部以及一第二外接部，該第二漸擴部之相對兩側分別與該導熱殼以及該第二外接部相連，第二漸擴部的寬度自連接於該第二外接部之一端朝連接於該導熱殼之一端遞增，該第二漸擴部對應於至少另一部分之該鰭片，且該第二漸擴部的漸擴方向與該鰭片的延伸方向不平行，該第二外接部的直徑大於該第一外接部的直徑。
如請求項1所述之水冷板裝置，其中該導熱殼包含一第一殼體以及一第二殼體，該第一殼體與該第二殼體共同圍繞出該散熱空間，該進液管之該第一漸擴部與該出液管之該第二漸擴部連接於該第二殼體，該鰭片設置於該第一殼體。
如請求項2所述之水冷板裝置，其中該第二殼體包含一基部以及一凸出部，該凸出部與該第一殼體分別連接於該基部之相對兩側，該進液管之該第一漸擴部以及該出液管之該第二漸擴部連接於該凸出部，且該鰭片與該凸出部之間的距離自靠近該進液管處朝靠近該出液管處遞增。
如請求項3所述之水冷板裝置，其中該鰭片具有一第一溝槽、一第二溝槽以及一第三溝槽，該第一溝槽、該第二溝槽以及該第三溝槽對應於該凸出部之處將該凸出部依序區分為一第一區段、一第二區段、一第三區段以及一第四區段，該第一區段、該第二區段、該第三區段以及該第四區段依序自靠近該進液管處朝靠近該出液管處排列，該第一區段與該第二區段相連處切齊於該第一溝槽靠近該進液管之一側，該第二區段、該第三區段以及該第四區段靠近該鰭片之一側呈傾斜平面，且該第二區段、該第三區段以及該第四區段靠近該鰭片之一側的斜率依序遞增。
如請求項4所述之水冷板裝置，其中該進液管之該第一漸擴部的長邊以及該出液管之該第二漸擴部的長邊與該第二殼體之邊緣切齊，且該凸出部具有一傾斜部，該傾斜部斜向地位於該進液管之該第一漸擴部與該第一區段之間。
如請求項2所述之水冷板裝置，更包含一第一擋流塊，該第一擋流塊設置於該第二殼體，並位於該散熱空間，該鰭片與該第一擋流塊之間的距離自靠近該進液管處朝靠近該出液管處遞增。
如請求項6所述之水冷板裝置，其中該鰭片具有一第一溝槽、一第二溝槽以及一第三溝槽，該第一溝槽、該第二溝槽以及該第三溝槽對應於該第一擋流塊之處將該第一擋流塊依序區分為一第一區段、一第二區段、一第三區段以及一第四區段，該第一區段、該第二區段、該第三區段以及該第四區段依序自靠近該進液管處朝靠近該出液管處排列，該第一區段與該第二區段相連處切齊於該第一溝槽靠近該進液管之一側，該第二區段、該第三區段以及該第四區段靠近該鰭片之一側呈傾斜平面，且該第二區段、該第三區段以及該第四區段靠近該鰭片之一側的斜率依序遞增。
如請求項7所述之水冷板裝置，其中該進液管之該第一漸擴部的長邊以及該出液管之該第二漸擴部的長邊與該第二殼體之邊緣切齊，且該第一區段遠離該第二區段之一側呈傾斜狀，並自遠離該鰭片之一端朝遠離該第一漸擴部的方向傾斜，該第四區段遠離該第三區段之一側與該第二漸擴部的內壁面切齊。
如請求項7所述之水冷板裝置，更包含一第二擋流塊以及一第三擋流塊，且該進液管之該第一漸擴部的長邊以及該出液管之該第二漸擴部的長邊與該第二殼體之邊緣相分離，該第二擋流塊與該第三擋流塊位於該散熱空間，該第二擋流塊設置於該第二殼體靠近該第一漸擴部之邊緣處，該第三擋流塊設置於該第二殼體靠近該第二漸擴部之邊緣處，該第一區段遠離該第二區段之一側呈傾斜狀，並自遠離該鰭片之一端朝遠離該出液管的方向傾斜，該第二擋流塊靠近該第一擋流塊之一側呈傾斜狀，且該第二擋流塊靠近該第一擋流塊之一側的斜率與該第一區段遠離該第二區段之一側的斜率相同，該第三擋流塊靠近該第一擋流塊之一側自遠離該鰭片之一端朝遠離該進液管的方向傾斜，該第四區段遠離該第三區段之一側與該第二漸擴部的內壁面切齊。
一種製造系統，係具備： <br/>自走式機器人，係包含機器臂； <br/>拍攝部，係藉由前述機器臂而移動；及 <br/>遙控操作部，係遙控操作前述自走式機器人，由前述自走式機器人對製造裝置進行作業； <br/>前述自走式機器人係包含記憶有程式與參數的控制部，且構成為可切換藉由前述控制部進行的控制處理以及藉由前述遙控操作部進行的遙控操作。
一種製造系統，係具備： <br/>自走式機器人，係包含機器臂； <br/>拍攝部，係藉由前述機器臂而移動；及 <br/>遙控操作部，係遙控操作前述自走式機器人，由前述自走式機器人對製造裝置進行作業； <br/>前述自走式機器人係包含安裝於前述機器臂的前端的支架、安裝於前述支架的手安裝部、以及可更換地安裝於前述手安裝部的手； <br/>前述拍攝部係安裝於前述支架。
如請求項1或2所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係由前述遙控操作部遙控操作而進行拍攝前述製造裝置的內部的作業以及操作前述製造裝置的操作裝置的作業的至少一作業。
如請求項3所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係在前述製造裝置中檢測到異常時，由前述遙控操作部遙控操作，從而藉由前述拍攝部進行拍攝前述製造裝置的內部的作業。
如請求項3所述之製造系統，其中，前述製造裝置的操作裝置係包含操作觸控面板； <br/>前述自走式機器人係包含操作手，該操作手係安裝於前述機器臂的前端且具有用以操作前述操作觸控面板的觸控操作部，由前述遙控操作部遙控操作前述自走式機器人，從而藉由前述操作手進行前述操作觸控面板的操作作業。
如請求項1或2所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係在由前述遙控操作部操作時，移動到前述製造裝置的附近的預定位置； <br/>前述自走式機器人移動到前述預定位置時，前述遙控操作部係受理使前述機器臂移動的操作指示。
如請求項1所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係包含安裝於前述機器臂的前端的支架、安裝於前述支架的手安裝部、以及可更換地安裝於前述手安裝部的手； <br/>前述拍攝部係安裝於前述支架。
如請求項1或2所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係包含通信部，當藉由前述遙控操作部遙控操作前述自走式機器人時，該通信部係將前述拍攝部拍攝到的影像資訊發送至具有顯示部的作業者的終端機。
如請求項1或2所述之製造系統，其中，前述自走式機器人係包含保持手，該保持手係安裝於前述機器臂的前端以保持用以收容基板的基板收容容器，且藉由前述保持手保持並搬送前述基板收容容器。
如請求項9所述之製造系統，其中，前述拍攝部係在藉由前述保持手保持前述基板收容容器時，兼作為拍攝前述基板收容容器的拍攝部。
如請求項1或2所述之製造系統，其具備包含搬送基板的基板搬送機器人的前述製造裝置的基板搬送裝置。
如請求項1或2所述之製造系統，其中，前述自走式機器人及前述製造裝置係配置於無塵室內； <br/>前述遙控操作部係配置於前述無塵室外。
一種製造系統的控制方法，該製造系統係具備： <br/>自走式機器人，係包含機器臂及記憶有程式與參數的控制部； <br/>拍攝部，係藉由前述機器臂而移動；及 <br/>遙控操作部，係遙控操作前述自走式機器人，由前述自走式機器人對製造裝置進行作業； <br/>該製造系統的控制方法係對於前述自走式機器人切換藉由前述控制部進行的控制處理以及藉由前述遙控操作部進行的遙控操作。
一種混波器，包含：<br/> 一輸入級，用以接收一本地振盪器訊號且包含：<br/> 一變壓器，用以轉換該本地振盪器訊號為一差動訊號，其中該本地振盪器訊號與該差動訊號的匝數比值為1:N，N大於1，且該差動訊號包含一正半週訊號及一負半週訊號；<br/> 一開關電路，電性連接於該輸入級及一接地端之間，且用以作為一跨導級及一開關級，其中一射頻訊號經由該跨導級而被放大轉換為一電流訊號，且該電流訊號及該差動訊號經由該開關級而被調製為一混合頻率訊號；以及<br/> 一輸出級，電性連接於一供電電壓與該開關電路之間，且用以輸出該混合頻率訊號。
如請求項1所述之混波器，其中該開關電路包含：<br/> 一第一開關，其基極端接收該正半週訊號，其閘極端接收該射頻訊號；<br/> 一第二開關，其基極端接收該正半週訊號，其閘極端透過一電容器連接至該接地端；<br/> 一第三開關，其基極端接收該負半週訊號，其閘極端透過該電容器連接至該接地端；以及<br/> 一第四開關，其基極端接收該負半週訊號，其閘極端接收該射頻訊號；<br/> 其中該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關的源極端皆電性連接該接地端。
如請求項2所述之混波器，其中該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關為四埠電晶體。
如請求項2所述之混波器，其中該混合頻率訊號包含一輸出正半週訊號及一輸出負半週訊號，該輸出級包含：<br/> 一第一電感器，其第一端電性連接該供電電壓，其第二端電性連接該第一開關的一汲極端及該第三開關的一汲極端於該輸出級的一第一輸出端，以輸出該輸出正半週訊號；以及<br/> 一第二電感器，其第一端電性連接該供電電壓，其第二端電性連接該第二開關的一汲極端及該第四開關的一汲極端於該輸出級的一第二輸出端，以輸出該輸出負半週訊號。
如請求項2所述之混波器，其中還包含一射頻輸入級，用以傳輸該射頻訊號至該開關電路且包含：<br/> 一第四電感器，其第一端接收一第一電壓，其第二端電性連接該第一開關之該閘極端及該第四開關之該閘極端。
如請求項5所述之混波器，其中還包含該射頻輸入級還包含：<br/> 一第五電感器，其第一端接收該第一電壓，其第二端電性連接該第二開關之該閘極端及該第三開關之該閘極端。
如請求項2所述之混波器，其中消除該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關任一者之一汲極-源極電流的三階交越調變項的條件為：<br/><img align="absmiddle" height="15px" width="52px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，P<sub>3</sub>為泰勒級數的第三階係數，P<sub>5</sub>為泰勒級數的第五階係數，A為該射頻訊號的振幅。
如請求項7所述之混波器，其中供應至該第一開關、該第二開關、該第三開關及該第四開關的一閘極源極電壓範圍介於0.42V至0.56V之間。
一種接收器系統，包含：<br/> 如請求項1~8任一項所述之混波器；以及<br/> 一振盪器，電性連接該混波器，且用以提供該本地振盪器訊號至該混波器。
一種電子裝置，包括：<br/> 一基板；<br/> 一電路層，設置在該基板上且包括一第一部分、一第二部分以及一溝槽，該溝槽設置在該第一部分與該第二部分之間；<br/> 一第一電子元件，設置在該基板上且電性連接該第一部分與該第二部分的其中一個；<br/> 一第一透鏡，設置在該第一電子元件上；以及<br/> 一冗餘透鏡，設置在該基板上且在該基板的一法線方向上重疊於該溝槽；<br/> 其中，該溝槽沿著一第一方向延伸，且在垂直於該第一方向的一第二方向上，該第一透鏡的直徑大於該溝槽的寬度。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一濾光層，設置在該電路層上，且該濾光層包括：<br/> 一濾光元件，設置在該第一電子元件與該第一透鏡之間；以及<br/> 一黑色矩陣層，設置在該溝槽上。
如請求項2所述的電子裝置，其中在該基板的該法線方向上，該第一透鏡重疊於該黑色矩陣層。
如請求項1所述的電子裝置，其中在該第二方向上，該第一透鏡的半徑大於或等於該溝槽的該寬度。
如請求項1所述的電子裝置，其中在該電子裝置的一俯視圖中，該第一透鏡的面積不同於該冗餘透鏡的面積。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一第一絕緣層，設置在該電路層上並填入該溝槽，且該電路層還包括一第二絕緣層，其中該第一絕緣層與該第二絕緣層包括不同材料。
如請求項6所述的電子裝置，其中該第一絕緣層包括有機材料，且該第二絕緣層包括無機材料。
一種基板搬送裝置，其特徵在於，其係具有可搬送水平姿勢之基板之手部者，且 <br/>上述手部具備： <br/>基構件； <br/>複數個引導件，其等設置於上述基構件之上表面，供基板之周緣抵接；及 <br/>複數個感測器，其等個別檢測抵接於上述各引導件之基板； <br/>且上述基板搬送裝置具備： <br/>判定部，其基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態； <br/>第1上述引導件，其設置於上述基構件之前端部； <br/>第2上述引導件，其設置於上述基構件之基端部； <br/>第1上述感測器，其檢測抵接於上述第1上述引導件之基板；及 <br/>第2上述感測器，其檢測抵接於上述第2上述引導件之基板；且 <br/>將連結上述基構件之基端部與上述基構件之前端部之方向設為前後方向之情形時， <br/>上述判定部基於上述第1感測器檢測基板之時間點、與上述第2感測器檢測基板之時間點之時間差，判定上述手部於前後方向上之傾斜狀態。
一種基板搬送裝置，其特徵在於，其係具有可搬送水平姿勢之基板之手部者，且 <br/>上述手部具備： <br/>基構件； <br/>複數個引導件，其等設置於上述基構件之上表面，供基板之周緣抵接；及 <br/>複數個感測器，其等個別檢測抵接於上述各引導件之基板； <br/>且上述基板搬送裝置具備： <br/>判定部，其基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態；且 <br/>將連結上述基構件之基端部與上述基構件之前端部之方向設為前後方向，將於水平面內相對於上述前後方向正交之方向設為左右方向之情形時，上述基板搬送裝置具備： <br/>第1上述引導件，其設置於上述基構件之前端部中之上述左右方向之一端側； <br/>第2上述引導件，其設置於上述基構件之前端部中之上述左右方向之另一端側； <br/>第1上述感測器，其檢測抵接於上述第1引導件之基板；及 <br/>第2上述感測器，其檢測抵接於上述第2引導件之基板；且 <br/>上述判定部基於上述第1感測器檢測基板之時間點、與上述第2感測器檢測基板之時間點之時間差，判定上述手部於左右方向上之傾斜狀態；且 <br/>上述手部具備： <br/>至少1個第3上述引導件，其設置於上述基構件之基端部，供基板之周緣抵接；及 <br/>第3感測器，其檢測抵接於上述第3引導件之基板；且 <br/>上述判定部 <br/>基於上述第1感測器檢測基板之時間點、與上述第3感測器檢測基板之時間點之時間差，判定上述手部於前後方向上之傾斜狀態， <br/>基於上述第1感測器檢測基板之時間點、與上述第2感測器檢測基板之時間點之時間差，判定上述手部於左右方向上之傾斜狀態。
一種基板搬送裝置，其特徵在於，其係具有可搬送水平姿勢之基板之手部者，且 <br/>上述手部具備： <br/>基構件； <br/>複數個引導件，其等設置於上述基構件之上表面，供基板之周緣抵接；及 <br/>複數個感測器，其等個別檢測抵接於上述各引導件之基板； <br/>且上述基板搬送裝置具備： <br/>判定部，其基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態；且 <br/>上述判定部於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之間，基於時間次序上相隔最遠之2個時間點之時間差而判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態。
一種基板搬送裝置，其特徵在於，其係具有可搬送水平姿勢之基板之手部者，且 <br/>上述手部具備： <br/>基構件； <br/>複數個引導件，其等設置於上述基構件之上表面，供基板之周緣抵接；及 <br/>複數個感測器，其等個別檢測抵接於上述各引導件之基板； <br/>且上述基板搬送裝置具備： <br/>判定部，其基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態；且 <br/>上述各引導件具備供基板之下部接觸之支持部、與供基板之外周面接觸之壁部。
如請求項1~4中任一項之基板搬送裝置，其具備： <br/>通知表示上述時間差之指標值大於規定值之通知部。
如請求項1~4中任一項之基板搬送裝置，其具備： <br/>升降機構，其使上述手部升降；及 <br/>升降控制部，其控制上述升降機構；且 <br/>上述升降控制部 <br/>使位於處於靜止狀態之基板之下部之上述手部上升而使基板抵接於上述複數個引導件。
如請求項1~4中任一項之基板搬送裝置，其中 <br/>上述各感測器係觸覺感測器，其等分別設置於上述基構件與上述各引導件之間。
如請求項1~4中任一項之基板搬送裝置，其中 <br/>上述基構件具備埋設上述各感測器之複數個凹部。
如請求項1~4中任一項之基板搬送裝置，其中 <br/>上述各感測器檢測基板是否接觸到對應之上述各引導件。
一種基板處理裝置，其特徵在於具備： <br/>基板搬送裝置；及 <br/>載體載置架，其可載置將水平姿勢之基板於鉛直方向積層並收納之載體；且 <br/>上述基板搬送裝置係具有可搬送水平姿勢之基板之手部者，且 <br/>上述手部具備： <br/>基構件； <br/>複數個引導件，其等設置於上述基構件之上表面，供基板之周緣抵接；及 <br/>複數個感測器，其等個別檢測抵接於上述各引導件之基板； <br/>且上述基板搬送裝置具備： <br/>判定部，其基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述手部相對於上述基板之傾斜狀態；且 <br/>上述基板處理裝置藉由上述基板搬送裝置對上述載體進行基板之搬入及搬出； <br/>上述判定部基於上述各感測器個別檢測基板之各時間點之時間差，判定上述載體相對於上述手部之傾斜狀態。
如請求項10之基板處理裝置，其具備： <br/>逐片處理上述基板搬送裝置搬送之基板之單片處理部。
一種水性臭氧地板消毒系統，包括：一清潔機構，能夠穿越一地板表面並清潔該地板表面；一水性臭氧產生器，接收水並從該水中產生一臭氧濃縮液；一混合器，接收並按比例混合該臭氧濃縮液的一部分和該水，以形成所需臭氧濃度級別的一臭氧消毒溶液；該混合器根據該清潔機構穿過該地板的速度改變該臭氧消毒溶液的該臭氧濃度級別；和一噴嘴，將該臭氧消毒溶液噴灑到已被該清潔機構清潔的該地板表面。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，其中該水性臭氧產生器包括：一管道外殼，緊固在與一水源流體連通路徑中；和該水性臭氧產生器是可互換的並且可拆卸地緊固於該管道外殼並且包括一電化學產生器，該電化學產生器包括一離子交換材料。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一固定容積檢查室，接收該臭氧濃縮液的一部分或該臭氧消毒溶液的連續流並且持續保持該液體或溶液的一固定體積，以供臭氧濃度測試使用。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一第二混合器，接收並按比例混合該臭氧濃縮液一部分和水的一部分，以形成所需臭氧濃度級別的一第二臭氧消毒溶液；和一噴嘴，將該第二臭氧消毒溶液噴灑到已被該清潔機構清潔的該地板表面。
如請求項4所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一第三混合器，接收並按比例混合該臭氧濃縮液一部分和水的一部分，以形成所需臭氧濃度級別的一第三臭氧消毒溶液；和一噴嘴，將該第三臭氧消毒溶液噴灑到已被該清潔機構清潔的該地板表面。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一泵，用於控制該臭氧消毒溶液從該噴嘴的流出；和一控制系統，該控制系統可包括一微控制器、一記憶體、該泵和一移動感測器，該微控制器在操作上與該記憶體、該泵和該移動感測器相關，該記憶體被編碼指令，當該微控制器執行這些指令時，當該移動感測器偵測到該地板清潔機構正在移動時，通過該泵進行分配該臭氧消毒溶液。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一水泵，用於將水抽送到該混合器中；一濃縮液泵，用於將該臭氧濃縮液抽送到該混合器中；和一控制系統，該控制系統包括一微控制器、一記憶體、該水泵和該濃縮液泵，該微控制器在操作上與該記憶體、該水泵和該濃縮液泵相關，該記憶體被編碼指令，當該微控制器執行這些指令時執行下述步驟：啟動該水泵持續一水脈衝寬度週期，使得該水源在該水脈衝寬度週期流入該混合器；啟動該濃縮液泵持續一濃縮液脈衝寬度週期，使得該臭氧濃縮液在該濃縮液脈衝寬度週期流入該混合器；和其中選擇該水脈衝寬度週期和該濃縮液脈衝寬度週期以產生該所需臭氧濃度級別的該臭氧消毒溶液。
如請求項1所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一控制系統，該控制系統包括一微控制器、一記憶體、一臭氧感測器、和一通訊介面，其中該微控制器在操作上與該記憶體、該臭氧感測器和該通訊介面相關，並且該記憶體被編碼指令，當該微控制器執行這些指令時執行下述步驟：透過該臭氧感測器記錄該臭氧濃縮液或該衛生後臭氧消毒溶液的一測試臭氧濃度；透過該通訊介面，將該測試臭氧濃度傳送至一資料處理資源；和從該資料處理資源，透過該通訊介面接收水性臭氧產生器使用壽命資料。
如請求項8所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：該記憶體被編碼指令，當該微控制器執行這些指令時執行下述步驟：如果該水性臭氧產生器使用壽命資料指示該水性臭氧產生器已達到使用壽命終點，則可以阻止該清潔機構運作。
如請求項8所述的水性臭氧地板消毒系統，進一步包括：一顯示器，該微控制器在操作上與該顯示器相關，並且該記憶體被編碼指令，當該微控制器執行這些指令時執行下述步驟：一電化學產生器的一使用壽命狀態顯示在該顯示器上，該使用壽命狀態是基於從該資料處理資源接收的該水性臭氧產生器使用壽命資料，該水性臭氧產生器包括該電化學產生器。
一種使用一水性臭氧地板消毒系統的方法，該方法包括下列步驟：在一地板表面上操作一清潔機構；用一水性臭氧產生器從水中產生一臭氧濃縮液；填充一固定容積檢查室，該固定容積檢查室接收一連續流量並維持該臭氧濃縮液或該臭氧消毒液的一固定容積部分；確定該臭氧濃縮液或該臭氧消毒液的一測試臭氧濃度，在該固定容積檢查室內，手動地將一臭氧感測器插入該固定容積檢查室；用一混合器接收並按比例混合該臭氧濃縮液的一部分和水，以形成所需臭氧濃度級別的一臭氧消毒溶液；和用一噴嘴將該臭氧消毒溶液噴灑到已被該清潔機構清潔的該地板表面。
如請求項11所述的方法，進一步包括下列步驟：透過該臭氧感測器記錄該臭氧濃縮液或該臭氧消毒溶液的一測試臭氧濃度；將該測試臭氧濃度傳送至一資料處理資源；和從該資料處理資源接收水性臭氧產生器使用壽命資料。
如請求項12所述的方法，進一步包括下列步驟：如果該水性臭氧產生器使用壽命資料指示該水性臭氧產生器已達到使用壽命終點，則阻止該清潔機構運作。
如請求項12所述的方法，進一步包括下列步驟：顯示一電化學產生器的一使用壽命狀態，該使用壽命狀態是基於從該資料處理資源接收的該水性臭氧產生器使用壽命資料，該水性臭氧產生器包括該電化學產生器。
如請求項11所述的方法，進一步包括下列步驟：當該臭氧消毒溶液已被分配時，透過全球定位系統(GPS)記錄一已消毒區域的GPS位置；和透過該通訊介面將已消毒區域的GPS位置傳送至一資料處理資源。
一種鋁電池之電極材料的製造方法，包含以下步驟：<br/> 提供一鋁基石墨烯鑄錠，其包含一鋁基材料，以及分佈於該鋁基材料內的一石墨烯；<br/> 透過一第一成型製程，將該鋁基石墨烯鑄錠製成一第一基材，其中，該第一成型製程為採用一鍛造製程或一擠型製程，以使該石墨烯均勻分散於該鋁基材料中；<br/> 將該第一基材進行一等通道轉角擠型製程而獲得一第二基材；<br/> 透過一第二成型製程，使該第二基材中的石墨烯的分佈沿該第二基材的一延展方向有序排列且橫跨該第二基材的晶界，以製成一第三基材，其中，該第二成型製程為採用一壓延製程或一抽線製程；及<br/> 當該第二成型製程為採用該壓延製程時，透過一輾壓製程，以使該第三基材的表面形成數個孔；<br/> 其中，提供一鋁基石墨烯鑄錠的步驟包含：<br/> 將鋁粉及石墨烯粉混合成複合粉體；<br/> 將該複合粉體壓結成一鑄造母合金，並將該鑄造母合金進行熱還原製程；以及<br/> 將熱還原製程後之該鑄造母合金投入一鋁金屬液，並施以攪拌鑄造，以形成該鋁基石墨烯鑄錠。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該第二基材為一板材，透過該壓延製程使該板材中的石墨烯的分佈沿該板材的縱向有序排列且橫跨該板材的晶界，以製成該第三基材，該第三基材為一鋁箔。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該第二基材為一棒材，透過該抽線製程使該棒材中的石墨烯的分佈沿該棒材的軸向有序排列且橫跨該棒材的晶界，以製成該第三基材，該第三基材為一鋁細線。
如請求項3所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該鋁細線的線徑介於20微米至2000微米之間。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，基於100wt%的鋁基石墨烯鑄錠，該石墨烯的重量百分比的含量為X，0.2 wt.%≦X≦5 wt.%。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該孔的孔徑介於0.05微米至500微米之間。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該第三基材的開孔面積百分率介於50%至90%之間。
如請求項1所述之鋁電池之電極材料的製造方法，其中，該孔為盲孔。
一種鋁電池之電極材料，其使用如請求項1至8中任一項所述之鋁電池之電極材料的製造方法所製得。
一種用於顯示面板的顯示控制方法，包括： 獲取用於控制背光模組的責任週期資訊；<br/> 至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓；以及，<br/> 將該目標資料電壓施加到該顯示面板上的資料線以控制該顯示面板進行顯示，<br/> 其中，至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓包括：<br/> 基於該責任週期資訊確定灰階調整增益；<br/> 基於該灰階調整增益對用於該顯示面板上的各個像素的顯示灰階資料進行調整以獲得調整後的顯示灰階資料；以及，<br/> 基於該調整後的顯示灰階資料生成該目標資料電壓；或者，<br/> 至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓包括：<br/> 基於該責任週期資訊確定電壓調整增益；以及，<br/> 基於該電壓調整增益對該顯示面板上的各個像素的資料電壓進行調整，以獲得目標資料電壓，<br/> 其中，每個責任週期所對應的該灰階調整增益或該電壓調整增益是根據標準色溫預先確定的。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，該灰階調整增益包括與一種或多種顔色相對應的灰階調整增益，並且，基於該責任週期資訊對用於該顯示面板上的各個像素的顯示灰階資料進行調整以獲得調整後的顯示灰階資料包括：<br/> 基於該責任週期資訊確定與一種或多種顔色相對應的灰階調整增益；以及，<br/> 基於該與一種或多種顔色相對應的灰階調整增益對相應顔色的子像素的顯示灰階資料進行調整以獲得調整後的顯示灰階資料。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，基於該責任週期資訊確定灰階調整增益包括：<br/> 透過預先儲存的查找表確定該灰階調整增益，其中該查找表用於記錄多個責任週期中的每一個以及對應的灰階調整增益。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，該電壓調整增益包括與一種或多種顔色相對應的電壓調整增益，並且，至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓包括：<br/> 基於該責任週期資訊確定與一種或多種顔色相對應的電壓調整增益；以及，<br/> 基於該與一種或多種顔色相對應的電壓調整增益對相應顔色的子像素的資料電壓進行調整以獲得目標資料電壓。
如請求項1所述的顯示控制方法，其中，基於該責任週期資訊確定電壓調整增益包括：<br/> 透過預先儲存的查找表確定該電壓調整增益，其中該查找表用於記錄多個責任週期中的每一個以及對應的電壓調整增益。
一種用於顯示面板的顯示控制裝置，包括：<br/> 用於獲取用於控制背光模組的責任週期資訊的元件；<br/> 用於至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓的元件；以及，<br/> 用於將該目標資料電壓施加到該顯示面板上的資料線以控制該顯示面板進行顯示的元件，<br/> 其中，用於至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓的該元件包括用於執行以下操作的元件：<br/> 基於該責任週期資訊確定灰階調整增益；<br/> 基於該灰階調整增益對用於該顯示面板上的各個像素的顯示灰階資料進行調整以獲得調整後的顯示灰階資料；以及，<br/> 基於該調整後的顯示灰階資料生成該目標資料電壓；或者，<br/> 用於至少部分地基於該責任週期資訊確定該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓的該元件包括用於執行以下操作的元件：<br/> 基於該責任週期資訊確定電壓調整增益；以及，<br/> 基於該電壓調整增益對該顯示面板上的各個像素的資料電壓進行調整，以獲得目標資料電壓，<br/> 其中，每個責任週期所對應的該灰階調整增益或該電壓調整增益是根據標準色溫預先確定的。
一種顯示系統，包括：<br/> 顯示面板；<br/> 背光模組；<br/> 調整模組，被配置為：<br/> 獲取用於控制該背光模組的責任週期資訊；<br/> 基於該責任週期資訊確定灰階調整增益，其中每個責任週期所對應的該灰階調整增益是根據標準色溫預先確定的；<br/> 基於該灰階調整增益對用於該顯示面板上的各個像素的顯示灰階資料進行調整以獲得調整後的顯示灰階資料；以及，<br/> 源極驅動器，被配置為基於該調整後的顯示灰階資料生成該顯示面板上的各個像素的目標資料電壓，以及將該目標資料電壓施加到該顯示面板上的資料線以控制該顯示面板進行顯示。
如請求項7所述的顯示系統，其中，該顯示系統還包括定時控制器，並且該調整模組位於該定時控制器內部。
一種顯示系統，包括：<br/> 顯示面板；<br/> 背光模組；<br/> 確定模組，被配置為：<br/> 獲取用於控制該背光模組的責任週期資訊；<br/> 基於該責任週期資訊確定電壓調整增益，其中每個責任週期所對應的該電壓調整增益是根據標準色溫預先確定的；以及，<br/> 源極驅動器，被配置為基於該電壓調整增益對該顯示面板上的各個像素的資料電壓進行調整以獲得目標資料電壓，以及將該目標資料電壓施加到該顯示面板上的資料線以控制該顯示面板進行顯示。
如請求項9所述的顯示系統，其中，該顯示系統還包括定時控制器，並且該確定模組位於該定時控制器內部。
如請求項9所述的顯示系統，其中，該確定模組位於該源極驅動器內部。
一種傾斜式薄膜淺耕機構，係設置於一水耕植栽設備，該水耕植栽設備包含一機架及設置於機架之一液體輸送單元、一光照單元，該薄膜式淺耕機構係設置於機架並連接液體輸送單元，供種植蔬菜，該液體輸送單元係輸送培養液至薄膜式淺耕機構並回收，該光照單元係設置於薄膜式淺耕機構之頂側，提供蔬菜生長所需之光線；其特徵在於該薄膜式淺耕機構係包含有：若干載盤，固設於該機架之一層架並相對地面傾斜預定角度，包含一底板，呈平板狀，複數側板，設於該底板之周緣，該底板上凹設有凹弧狀之複數容納凹入，各該容納凹入係不相連通；若干栽培墊，以密度低於培養液之材料構成，可上下浮動地抵貼於該底板之頂側，其對應各該容納凹入之位置分別開設有複數栽培孔；及複數栽培塊，分別可拆卸地塞置於各該栽培孔，係承載蔬菜苗，各該蔬菜苗之根部則分別伸入各容納凹入；藉此，該液體輸送單元係連接載盤之二端，可將培養液輸送至該載盤，則該栽培墊可受培養液之浮力作用而略為浮起，使培養液可進入栽培墊與底板之間沿著傾斜之該底板流動而自然地流入各容納凹入，各該栽培塊上蔬菜苗之根部可伸入容納凹入，培養液於該底板與栽培墊之間之流動過程概呈薄膜狀，培養液停止輸送後該栽培墊則下降而抵貼於底板。
如請求項1所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，該載盤相對地面傾斜之角度小於10度。
如請求項2所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，該載盤相對地面傾斜之角度為1度至5度。
如請求項2所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，該機架係設有若干層架，該層架係傾斜地對應地面，該載盤概呈矩形盤狀。
如請求項4所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，該載盤包含一矩形之底板，複數側板，設於該底板之周緣，各該容納凹入係設於底板，該栽培墊係貼置於底板上並位於各側板之間，該液體輸送單元係穿經載盤二端之側板而連通底板之頂側。
如請求項2所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，該機架對應層架較高之一端設有若干高度調整裝置，該高度調整裝置係可調整層架一端之高度，藉以改變該載盤相對地面傾斜之角度。
如請求項1所述之傾斜式薄膜淺耕機構，其中，各該容納凹入之容量係可供容納適量之培養液及各種類之蔬菜成長至可摘除時之根部體積。
種隔離水耕方法，係運用如請求項1、4或6所述之傾斜式薄膜淺耕機構，係將該載盤設為相對地面傾斜預定角度，並將該液體輸送單元連接載盤之二端，再將該栽培墊擺置於載盤之頂側，繼而將設置有蔬菜苗之各該栽培塊塞入栽培墊之各栽培孔，使該液體輸送單元輸出之培養液可流動至載盤與栽培墊之間，用以使該栽培墊受培養液之浮力作用而浮起，令培養液可進入栽培墊與底板之間而持續地沿著傾斜之該底板之頂側流動並流入底板之各容納凹入，供各該容納凹入內蔬菜苗之根部吸收養分而成長，培養液於該底板與栽培墊之間之流動過程概呈薄膜狀，各該容納凹入蓄滿培養液後培養液即會溢出，預定時間後，該液體輸送單元即停止輸出培養液，該栽培墊即可下降而抵貼於底板。
如請求項8所述之隔離水耕方法，其中，係將該機架之層架設為相對地面傾斜預定角度，再將該載盤固設於該層架。
如請求項8所述之隔離水耕方法，其中，該預定時間係指載盤之各容納凹入皆蓄滿培養液所需之時間。
一種用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，該方法包含以下步驟：<br/>數據採集步驟：一鞋墊本體上的六個壓力感測器分別檢測使用者足部的壓力分佈，並產生對應的六個壓力感測數據，其中第一感測器位於腳跟骨中央，第二感測器位於第一蹠骨頭下方，第三感測器位於第五蹠骨頭下方，第四感測器位於內側足弓區域下方，第五感測器位於外側足弓區域下方，第六感測器位於趾骨下方；<br/>慣性數據收集步驟：啟動一慣性測量單元，其包含至少一加速度計及至少一陀螺儀，收集高爾夫揮桿動作的複數慣性數據，包括角速度、加速度及揮桿軌跡；<br/>數據整合與處理步驟：利用一微處理器以整合來自該些壓力感測器的六個壓力感測數據與來自該慣性測量單元的該些慣性數據，進行數據濾波處理，以去除環境噪音及干擾信號；<br/>動作識別與分析步驟：利用卷積神經網路(CNN)和長短期記憶模型(LSTM)對處理後的該些壓力數據和該些慣性數據進行動作特徵提取及時序分析，辨識高爾夫揮桿動作是否合宜，並產生一動作辨識數據；<br/>技術建議生成步驟：根據該動作辨識數據，自動生成技術建議，包括重心調整建議、發力順序優化建議及矯正不合宜動作的具體指導；及<br/>數據傳輸步驟：透過一資料傳輸模組將該動作辨識數據及技術建議即時傳送至一虛擬運動教練系統。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，數據採集步驟更包含：檢測使用者站立或行走狀態下的壓力變化，並通過該些感測器的即時回應，持續收集壓力數據，並將各該感測器數據標記為對應的足部區域，以便後續整合分析時確保數據的正確來源。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，慣性數據收集步驟更包含：該加速度計即時收集腳部運動中的線性加速度，特別是在揮桿起始、下桿及收桿階段，且該陀螺儀收集角速度數據，用於判斷腳部旋轉與穩定性，並與壓力數據交叉驗證以確認重心轉移的正確性。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，數據整合與處理步驟更包含：使用低通濾波器去除高頻噪音，確保感測數據的平滑度，且進行在數據同步處理時，將該些壓力數據與該些慣性數據按時間順序對齊，確保該兩組數據在動作分析時的準確匹配。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，動作識別與分析步驟更包含：使用卷積神經網路(CNN)提取該些壓力感測數據的空間特徵，判斷足部不同區域的壓力變化模式，並利用長短期記憶模型(LSTM)分析時間序列數據，識別揮桿過程中的重心轉移及發力時序，再根據模型分析結果，將揮桿動作分類為合宜或不合宜，並生成一動作標籤以供後續建議生成使用。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，技術建議生成步驟更包含：比較實時壓力分佈與標準重心轉移路徑，生成重心調整建議，再根據壓力變化和慣性數據提供發力順序優化建議，避免揮桿過程中的力量過早或過晚應用，並提供針對不合宜動作的具體矯正建議，包括調整站姿、腳部擺位及重心轉移等細節指導。
如請求項1所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，數據傳輸步驟更包含：通過藍牙5.0模組即時將該動作辨識數據傳輸至該虛擬運動教練系統，確保數據的低延遲傳遞，並設定數據傳輸的安全加密協議，保護使用者的隱私及數據安全，且在數據傳輸步驟後更包含用戶反饋步驟：該虛擬運動教練系統更根據接收到的該動作辨識數據及技術建議，透過語音提示或一視覺介面，提供即時反饋給使用者，幫助調整動作。
如請求項7所述的用於高爾夫智慧訓練鞋墊的數據判斷方法，其中，用戶反饋步驟更包含：透過該視覺介面顯示動作分析結果，包含壓力熱圖及重心轉移路徑，幫助使用者理解技術建議，且在用戶反饋步驟後更包含數據儲存與回放步驟：將歷史動作辨識數據及建議儲存在雲端，用於長期技術分析及回放比較，以便使用者檢視及改進訓練成效。
一種採用如請求項1之數據判斷方法的高爾夫智慧訓練鞋墊結構，與一虛擬運動教練系統搭配，該高爾夫智慧訓練鞋墊結構包含：一鞋墊本體；<br/>六個壓力感測器，分別配置於該鞋墊本體的不同區域以偵測使用者足部壓力分佈及動作模式，並產生對應的六個壓力感測數據；<br/>一慣性測量單元，包含至少一加速度計及至少一陀螺儀，用於收集高爾夫揮桿動作的複數慣性數據；<br/>一微處理器，整合該些壓力感測數據及該些慣性數據，進行動作識別及分析，並產生一動作辨識數據；<br/>一資料傳輸模組，將接收到的該動作辨識數據即時地傳送至該虛擬運動教練系統；及<br/>一無線充電模組，包含一無線充電接收單元，支援快速充電和深度睡眠模式；<br/>其中，該些壓力感測器包含一第一感測器，位於腳跟骨中央，用以感測腳跟壓力，一第二感測器，位於第一蹠骨頭下方，一第三感測器，位於第五蹠骨頭下方，一第四感測器，位於內側足弓區域下方，一第五感測器，位於外側足弓區域下方，一第六感測器，位於趾骨下方，且該第一感測器與該第二感測器之間的間距範圍介於6~12公分，該第二感測器與該第五感測器之間的間距範圍介於2~8公分。
如請求項9所述的高爾夫智慧訓練鞋墊結構，其中，該虛擬運動教練系統包含一動作識別模組及一技術建議生成模組，該動作識別模組接收該動作辨識數據後，進行步態和揮桿動作的實時分析，使用微機器學習(TinyML)技術進行動作分類和時序分析，辨別合宜與不合宜的動作並對應產生一動作識別結果該技術建議生成模組則根據該動作識別結果，提供揮桿時發力順序的優化建議、重心調整建議及矯正指導，針對不合宜動作進行矯正，且該虛擬運動教練系統更與一介面模組連結或內建於該介面模組內，該介面模組包含一數據視覺化單元、一語音提示單元、一回放與比較單元及一用戶互動介面，該數據視覺化單元即時將使用者的壓力分佈、動作時序和發力順序等數據轉換為圖表並予以顯示，該語音提示單元可基於動作分析結果，使用合成語音技術提供即時語音提示和指導，以幫助使用者即時修正動作，該回放與比較單元，允許使用者回放歷史揮桿動作，並與標準動作進行視覺化對比，提供改進的具體建議，該用戶互動介面，提供直觀的使用者界面，用於設定個人參數、查看訓練建議、和歷史數據。
一種用於規劃路徑的系統，包括：<br/> 行動網路訊號計算模組；<br/> 成本地圖生成模組；以及<br/> 路徑規劃模組，其中<br/> 所述行動網路訊號計算模組利用對應於目標空域的基地台位置來獲得行動網路訊號強度，其中多個二維網格的每一者對應於所述行動網路訊號強度；<br/> 所述成本地圖生成模組利用所述行動網路訊號強度來生成對應於所述多個二維網格的成本地圖；<br/> 所述路徑規劃模組利用所述成本地圖來建立所述目標空域的路徑規劃模型，並且所述路徑規劃模組利用所述多個二維網格以及所述路徑規劃模型來規劃出起始點以及終點之間的路徑，其中<br/> 所述行動網路訊號計算模組利用飛行記錄來獲得所述基地台位置，其中<br/> 所述行動網路訊號計算模組利用無線電波損耗模型來獲得所述基地台位置。
如請求項1所述的系統，更包括網格映射模組，其中<br/> 所述網格映射模組將所述目標空域劃分為所述多個二維網格。
如請求項1所述的系統，更包括網格映射模組，其中所述目標空域更對應於地形資料以及建築物資料，其中<br/> 所述網格映射模組利用所述地形資料以及所述建築物資料來獲得所述目標空域內的障礙物高度，並且將所述障礙物高度映射至所述多個二維網格的每一者。
如請求項1所述的系統，更包括網格映射模組，其中<br/> 所述網格映射模組獲得對應於所述目標空域的空域類別，並且將所述空域類別映射至所述多個二維網格的每一者。
如請求項1所述的系統，其中所述成本地圖包括成本，其中所述多個二維網格的每一者對應於所述成本。
如請求項1所述的系統，其中所述目標空域更對應於地形資料以及建築物資料，其中<br/> 所述行動網路訊號計算模組利用所述地形資料、所述建築物資料以及所述基地台位置來獲得所述行動網路訊號強度。
如請求項6所述的系統，其中<br/> 所述行動網路訊號計算模組更利用所述地形資料、所述建築物資料、所述基地台位置以及所述目標空域內的障礙物來獲得所述行動網路訊號強度。
如請求項1所述的系統，其中所述目標空域更對應於地形資料以及建築物資料，其中<br/> 所述成本地圖生成模組利用所述地形資料、所述建築物資料以及所述行動網路訊號強度來生成對應於所述多個二維網格的所述成本地圖。
如請求項1所述的系統，其中所述起始點對應於經緯度，且所述終點對應於所述經緯度，其中所述多個二維網格的每一者對應於網格座標，其中<br/> 所述路徑規劃模組將所述經緯度轉換為所述網格座標。
一種用於規劃路徑的方法，適於包括行動網路訊號計算模組、成本地圖生成模組以及路徑規劃模組的系統，其中所述方法包括以下步驟：<br/> 由所述行動網路訊號計算模組利用對應於目標空域的基地台位置來獲得行動網路訊號強度，其中多個二維網格的每一者對應於所述行動網路訊號強度；<br/> 由所述成本地圖生成模組利用所述行動網路訊號強度來生成對應於所述多個二維網格的成本地圖；以及<br/> 由所述路徑規劃模組利用所述成本地圖來建立所述目標空域的路徑規劃模型，並且由所述路徑規劃模組利用所述多個二維網格以及所述路徑規劃模型來規劃出起始點以及終點之間的路徑，其中所述方法更包括以下步驟：<br/> 由所述行動網路訊號計算模組利用飛行記錄來獲得所述基地台位置，其中所述方法更包括以下步驟：<br/> 由所述行動網路訊號計算模組利用無線電波損耗模型來獲得所述基地台位置。
一種電解單元，具備： <br/>離子交換膜，以及 <br/>以該離子交換膜的陽極側及陰極側中至少與陽極側的表面抵接的方式設置，並以鎳單體的多孔體形成之膜狀的電極； <br/>前述電極具有：設置於前述表面側的內側層部件，以及 <br/>設置於該內側層部件的外側且較該內側層部件的空隙率更高的外側層部件。
如請求項1之電解單元，其中前述膜狀的電極設置在前述離子交換膜的前述陽極側及前述陰極側雙方。
如請求項1或2之電解單元，其中前述空隙率從前述內側層部件到前述外側層部件成階段地變化。
如請求項1或2之電解單元，其中前述空隙率從前述內側層部件到前述外側層部件成連續地變化。
如請求項1或2之電解單元，其中前述內側層部件的前述空隙率為70%以下，前述外側層部件的前述空隙率大於70%。
一種電解裝置，其具備： <br/>如請求項1或2之電解單元， <br/>向前述電解單元供給電解液的電解液供給部，以及 <br/>向前述電解單元施加電壓的電源部。
一種創建可視化虛擬空間降低平台負載的邊緣運算之方法，其係透過以下步驟進行：使用一創作工具輸出成一可視化虛擬空間，該可視化虛擬空間於一伺服器中運行，至少一用戶端透過網址訪問所述伺服器，將該可視化虛擬空間載入所述用戶端，所述用戶端訪問該伺服器外的至少一資料庫獲取該可視化虛擬空間運行所需的資源，藉由所述可視化虛擬空間將該資料庫的資源直接在所述用戶端呈現，所述可視化虛擬空間更可以對該用戶端進行用戶身分判定，根據該用戶端的用戶身分不同而有不同的權限，配合所述可視化虛擬空間回傳獲得不公開的路徑以訪問該資料庫取用資源，令不同身分之所述用戶端能取用特定之該資料庫的資源，或令不同身分之所述用戶端能取用的該資料庫之類別、數量有所不同。
如請求項1所述的創建可視化虛擬空間降低平台負載的邊緣運算之方法，其中，所述可視化虛擬空間存在初始連動路徑，當所述可視化虛擬空間載入該用戶端後，所述用戶端可以配合所述可視化虛擬空間藉由一第一途徑、一第二途徑、一第三途徑或一第四途徑獲取該資料庫的路徑進行訪問取用資源，所述第一途徑是所述用戶端從該可視化虛擬空間直接獲取所述資料庫的路徑進行訪問，所述第二途徑是所述用戶端從該可視化虛擬空間直接獲取一所述資料庫的路徑進行訪問並從一該資料庫回傳其他之所述資料庫的路徑進行訪問，所述第三途徑是所述用戶端從該可視化虛擬空間透過API直接連接到所述伺服器以回傳該資料庫的路徑進行訪問，所述第四途徑是所述用戶端從該可視化虛擬空間透過API直接連接到所述伺服器以回傳一該資料庫的路徑進行訪問並從一該資料庫回傳其他之所述資料庫的路徑進行訪問。
如請求項1所述的創建可視化虛擬空間降低平台負載的邊緣運算之方法，其中，所述創作工具可以是Unity引擎，所述用戶端可以是瀏覽器，而所述可視化虛擬空間的呈現方式可以是於瀏覽器中呈現互動式2D或3D圖形。
一種散熱支架，其改良在於，包括：<br/> 複數散熱板，所述散熱板限定長度方向、寬度方向和厚度方向；複數所述散熱板沿厚度方向間隔設置；各個所述散熱板分別設有沿所述寬度方向間隔之第一流道和第二流道；<br/> 第一側板，所述第一側板開設有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室和所述第二腔室沿所述散熱板之寬度方向間隔設置；所述第一側板設有進水口和出水口，所述進水口連通所述第一腔室，所述出水口連通所述第二腔室；以及，<br/> 第二側板，所述第二側板開設有複數連通道；<br/> 其中，各個所述散熱板分別連接於所述第一側板和第二側板之間，且相鄰之兩個所述散熱板之間限定安裝空間，所述安裝空間用於安裝目標件；各個所述散熱板之所述第一流道靠近所述第一側板之一端連通所述第一腔室，所述第二流道靠近所述第一側板之一端連通所述第二腔室；各個所述散熱板之所述第一流道和所述第二流道之靠近所述第二側板之一端均連通對應之所述連通道。
如請求項1所述之散熱支架，其中，所述第一側板包括第一板體、第一蓋板和密封結構，所述第一板體和所述第一蓋板圍成內部腔室，所述密封結構設於所述內部腔室，並將所述內部腔室分隔成所述第一腔室和所述第二腔室；<br/> 所述進水口和所述出水口分別設置於所述第一蓋板。
如請求項2所述之散熱支架，其中，所述第一板體具有第一表面和第二表面，所述第一表面位於所述第一板體背離所述第二側板之一側，所述第二表面位於所述第一板體朝向所述第二側板之一側；<br/> 所述第一板體開設有從所述第一表面內凹形成之第一凹槽，以及複數從所述第一凹槽之槽底面貫通至所述第二表面之第一安裝槽；所述第一蓋板蓋合所述第一凹槽，以形成所述內部腔室；<br/> 複數所述散熱板靠近所述第一側板之一端分別安裝於複數所述第一安裝槽；<br/> 所述第一側板還包括凸島結構，所述凸島結構從所述第一凹槽之槽底面凸出並抵頂所述第一蓋板，所述凸島結構位於兩相鄰之所述第一安裝槽之間；<br/> 所述凸島結構包括中間島；<br/> 所述密封結構包括兩個密封塊，兩個所述密封塊分別連接於所述中間島之兩側，所述中間島和兩個所述密封塊共同構成分隔結構，所述分隔結構將所述內部腔室分隔成所述第一腔室和所述第二腔室。
如請求項3所述之散熱支架，其中，所述凸島結構還包括第一側島和第二側島；<br/> 所述第一側島位於所述第一腔室內，並和所述中間島間隔，以限定第一通道；所述第一通道之寬度小於所述第一安裝槽位於所述第一腔室之部分之寬度；<br/> 所述第二側島位於所述第二腔室內，並和所述中間島間隔，以限定第二通道；所述第二通道之寬度小於所述第一安裝槽位於所述第二腔室之部分之寬度；<br/> 所述進水口沿所述散熱板之長度方向對應所述第一通道，所述出水口沿所述散熱板之長度方向對應所述第二通道。
如請求項1所述之散熱支架，其中，所述第二側板包括第二板體和複數第二蓋板；<br/> 所述第二板體開設有複數第二凹槽，複數所述第二蓋板分別蓋合複數所述第二凹槽，以形成複數所述連通道。
如請求項5所述之散熱支架，其中，所述第二側板還具有第三表面和第四表面，所述第三表面位於所述第二板體朝向所述第一側板之一側，所述第四表面位於所述第二板體背離所述第一側板之一側；<br/> 所述第二板體還開設有第二安裝槽，所述第二安裝槽從所述第二凹槽之槽底面貫通至所述第三表面；<br/> 所述散熱板靠近所述第二側板之一端配合於所述第二安裝槽內，並連通所述連通道。
如請求項1所述之散熱支架，其中，所述第一側板具有第二表面，所述第二表面位於所述第一側板朝向所述第二側板之一側；<br/> 所述第二側板具有第三表面，所述第三表面位於所述第二側板朝向所述第一側板之一側；<br/> 所述第一側板具有從所述第二表面凸出之第一限位凸台，所述第二側板具有從所述第三表面凸出之第二限位凸台；所述第一限位凸台和所述第二限位凸台沿所述散熱板之長度方向相對；<br/> 所述安裝空間包括第一子空間和第二子空間，所述第一子空間和所述第二子空間分別位於所述第一限位凸台和所述第二限位凸台之兩側，所述第一子空間和所述第二子空間分別用於容納一個所述目標件。
如請求項1所述之散熱支架，其中，所述第一側板具有第二表面，所述第二表面位於所述第一側板朝向所述第二側板之一側；<br/> 所述第二側板還具有第三表面，所述第三表面位於所述第二側板朝向所述第一側板之一側；<br/> 所述第一側板具有從所述第二表面凸出之第一支撐台，所述第二側板具有從所述第三表面凸出之第二支撐台；<br/> 所述第一支撐台和所述第二支撐台分別用於支撐位於最下層之所述散熱板之長度方向之兩端；<br/> 所述第一支撐台和所述第二支撐台之間之空間被構造成能夠用於安裝一個所述目標件。
如請求項1所述之散熱支架，其中，各個所述散熱板分別具有沿厚度方向相背之兩個散熱表面，所述散熱表面被配置成用於導熱接觸所述目標件。
一種電控組件，其改良在於，包括：<br/> 如請求項1至9中任意一項所述之散熱支架；<br/> 目標件，所述目標件為電控盒；所述目標件設於所述散熱支架，並與至少一個所述散熱板導熱連接。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 在一基板上方形成一堆疊，該堆疊包括與複數個犧牲層交錯的複數個通道層；<br/> 圖案化該堆疊以形成一鰭片狀結構；<br/> 在該鰭片狀結構的一通道區上方形成一虛置閘極堆疊；<br/> 在該虛置閘極堆疊上方沉積一閘極間隔物層；<br/> 在沉積該閘極間隔物層之後，凹蝕該鰭片狀結構的一源極/汲極區；<br/> 選擇性地移除位於該通道區中的該些犧牲層，以釋放該些通道層作為複數個通道構件；<br/> 在該些通道構件之間的一空間中沉積一虛置層；<br/> 選擇性地以及部分地凹蝕該虛置層以形成複數個內間隔物凹槽；<br/> 在該些間隔物凹槽中沉積一第一介電層；<br/> 回蝕該第一介電層；<br/> 在該源極/汲極區上方形成一源極/汲極部件的一第一磊晶部件；<br/> 在回蝕該第一介電層之後，在該第一介電層上方沉積一第二介電層；<br/> 回蝕該第二介電層，以在該些內間隔物凹槽中形成複數個內間隔物，該些內間隔物包括該第一介電層以及該第二介電層；<br/> 在該源極/汲極區上方形成該源極/汲極部件的一第二磊晶部件；<br/> 移除該虛置閘極堆疊；<br/> 移除該虛置層；以及<br/> 形成一閘極結構以包繞該些通道構件中的每一個。
如請求項1所述之半導體結構的形成方法，其中該第一介電層的沉積在該第一介電層內捕捉（trap）一接縫（seam），且該第一介電層的回蝕打開該接縫，其中該第二介電層的沉積密封該接縫。
如請求項1所述之半導體結構的形成方法，其中該第一介電層的沉積形成一喙狀（beaked）開口，且該第一介電層的回蝕擴大該喙狀開口的一孔徑（aperture）。
如請求項3所述之半導體結構的形成方法，其中該第二介電層的沉積將該第二介電層完全填充擴大的該喙狀開口，且第二介電層內沒有接縫。
如請求項1所述之半導體結構的形成方法，其中在回蝕該第二介電層之後，該第二介電層的一側壁具有一碟狀凹陷（dishing），且其中該源極/汲極部件的形成在該第二介電層的該側壁與該源極/汲極部件之間捕捉一空隙（void）。
如請求項1所述之半導體結構的形成方法，其中在回蝕該第二介電層之後，該第二介電層的一側壁具有一碟狀凹陷（dishing），且其中該源極/汲極部件的形成完全填充該碟狀凹陷，且在該第二介電層的該側壁與該源極/汲極部件之間沒有空隙。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 形成從一基底突出的一鰭片狀結構；<br/> 形成跨越該鰭片狀結構的一虛置閘極堆疊；<br/> 在該虛置閘極堆疊上方沉積一閘極間隔物層；<br/> 在沉積該閘極間隔物層之後，凹蝕該鰭片狀結構的一區域以形成一溝槽；<br/> 在鰭片狀結構面對該溝槽的多個側壁上形成複數個內間隔物凹槽；<br/> 在該些內間隔物凹槽中沉積一第一介電層；<br/> 在該溝槽的一底部中形成一第一磊晶部件；<br/> 在形成該第一磊晶部件之後，在該第一介電層上沉積一第二介電層；<br/> 回蝕該第二介電層以在該些內間隔物凹槽中形成複數個內間隔物；<br/> 在回蝕該第二介電層之後，在該溝槽的一頂部中形成一第二磊晶部件；以及<br/> 用一金屬閘極結構置換該虛置閘極堆疊，該些內間隔物插入（interposing）該金屬閘極結構與該第二磊晶部件之間。
如請求項7所述之半導體結構的形成方法，其中該第一介電層的沉積在該第一介電層內捕捉（trap）一接縫（seam），且其中該第一介電層的回蝕打開該接縫。
如請求項8所述之半導體結構的形成方法，其中該第二介電層的沉積在該第一介電層與該第二介電層之間捕捉一空隙（void）。
如請求項9所述之半導體結構的形成方法，其中該空隙連接至該接縫。
如請求項7至10中任一項所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在沉積該第一介電層之前，在該些內間隔物凹槽中沉積一介電襯層，其中該介電襯層與該第一介電層包括不同的材料組成。
如請求項11所述之半導體結構的形成方法，其中該虛置閘極堆疊的置換穿透（breaks through）該介電襯層，使得該金屬閘極結構接觸該第一介電層。
一種半導體結構，包括：<br/> 一基部鰭片，位於一基底上方；<br/> 一第一源極/汲極部件以及一第二源極/汲極部件，位於該基部鰭片上方，其中該第一源極/汲極部件包括一第一磊晶部件以及位於該第一磊晶部件上的一第二磊晶部件；<br/> 複數個奈米結構，在該第一源極/汲極部件與該第二源極/汲極部件之間延伸；<br/> 一閘極結構，包繞該些奈米結構中的每一個；以及<br/> 複數個內間隔物，與該些奈米結構交錯，<br/> 其中該些內間隔物各自包括一襯層以及被該襯層圍繞的一塊材介電部分，且其中該塊材介電部分包括一第一子層以及一第二子層。
如請求項13所述之半導體結構，其中該塊材介電部分更包括一接縫（seam）位於該第一子層內且被該第二子層覆蓋。
如請求項13所述之半導體結構，其中該塊材介電部分的一側壁具有一碟狀凹陷（dishing）輪廓，且第一源極/汲極部件以及該第二源極/汲極部件其中之一者在該塊材介電部分的該側壁與該第一源極/汲極部件以及該第二源極/汲極部件其中之該者之間捕捉一空隙（void）。
一種提供資訊至一送貨員之一終端機之方法，該方法包括： <br/>藉由一電子設備識別該送貨員之一參考位置； <br/>藉由該電子設備識別包含於含有該參考位置之一第一地理範圍中之至少一筆區域資訊； <br/>藉由該電子設備識別各區域之送貨訂單資訊； <br/>藉由該電子設備對該送貨員之該終端機提供一第一頁面，該第一頁面包含該第一地理範圍之一地圖，及至少一個第一類型圖示，其中該第一類型圖示係顯示於該地圖上且包含基於該各區域之該送貨訂單資訊識別之訂單數量資訊及送貨費用資訊； <br/>藉由該電子設備接收待指派給該送貨員之一送貨訂單；及 <br/>藉由該電子設備，回應於接收該送貨訂單，對該送貨員之該終端機提供其中隱藏所有第一類型圖示及顯示與該送貨訂單之出發資訊、目的地資訊及送貨費用資訊有關的該第一頁面， <br/>其中該第一類型圖示係顯示於： <br/>與該各區域之一邊界接觸且包含該各區域之一虛擬矩形之一中心點處， <br/>與該各區域之該邊界接觸之一虛擬多邊形之一重心處，或 <br/>與該各區域之該邊界接觸且包含該各區域之該虛擬矩形之該中心點處，但若是該虛擬矩形之該中心點係定位於該各區域之外部，則該第一類型圖示係顯示於與該各區域之該邊界接觸之該虛擬多邊形之該重心處。
如請求項1之提供資訊之方法，其中該訂單數量資訊包括關於將該各區域的訂單數量相對於該第一地理範圍內所有區域的訂單數量分類成按百分位百分比所分隔的多個區段之任一者之一結果的文字資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中該送貨費用資訊係藉由將一服務提供者預設定的一獎金金額添加到用於該各區域中的所有送貨訂單之各者之一基本送貨費用的一代表值上來判定。
如請求項1之提供資訊之方法，其中該訂單數量資訊及該送貨費用資訊係： <br/>基於在一第一時段內收集之資訊來計算，且在一第二時段之一周期更新，該第二時段比該第一時段短；且 <br/>基於每當第二時段流逝之一時間點基於在該第一時段內收集之該資訊重新計算。
如請求項1之提供資訊之方法，其中對於該第一頁面，當該地圖之一顯示範圍回應於對該送貨員之該終端機之一輸入而從該第一地理範圍改變為一第二地理範圍時，當對應於兩個或更多個區域之各者之第一類型圖示重疊時，基於自該參考位置至該第二地理範圍內之各區域之一距離、該第二地理範圍內之該等區域之各者之送貨費用資訊及當前指派給該第二地理範圍內之該等區域之各者之送貨員之一數目之至少一者來判定待顯示該等第一類型圖示之層之一順序。
如請求項5之提供資訊之方法，其中該第一頁面中待顯示該等第一類型圖示之層之該順序經判定， <br/>以使對應於與該參考位置相對較近之區域之一第一類型圖示優先於對應於與參考位置相對較遠之區域之一第一類型圖示在該第一頁面上顯示。
如請求項5之提供資訊之方法，其中該第一頁面中待顯示該等第一類型圖示之層之該順序經判定， <br/>以使對應於該第二地理範圍內具有一最高送貨費用之一區域之一第一類型圖示優先顯示於該第一頁面上。
如請求項5之提供資訊之方法，其中該第一頁面中待顯示該等第一類型圖示之層之該順序經判定， <br/>以使對應於該第二地理範圍內具有一最大數目之當前指派之送貨員之一區域之一第一類型圖示優先顯示於該第一頁面上。
如請求項1之提供資訊之方法，其中當該虛擬多邊形係包括一曲線之一多邊形且該第一類型圖示待顯示於該虛擬多邊形之該重心處時，該第一類型圖示被顯示在接近該虛擬多邊形且僅由直線之一組合組成之一第二多邊形之一重心處。
如請求項1之提供資訊之方法，其中對於屬於自顯示於該地圖上所有區域所選擇之一熱門清單之各區域選擇性地顯示該第一類型圖示。
如請求項1之提供資訊之方法，其進一步包括，藉由該電子設備， <br/>當一第一類型圖示經由該送貨員之該終端機被選擇時，將一第二頁面提供至該外送員之該終端機，該第二頁面包括： <br/>關於對應於該經選擇之該第一類型圖示之一區域之邊界資訊； <br/>基於關於該區域中之訂單之一數目之資訊之一熱圖；及 <br/>該區域內之一或多個子區域之一清單， <br/>其中，基於該等子區域之各者之送貨訂單資訊，關於該等子區域之該清單顯示在一訂單中。
一種電腦可讀非暫時性記錄媒體，其上記錄用於在一電腦上執行如請求項1之方法的一程式。
一種用於提供資訊至一送貨員之一終端機的電子設備，該電子設備包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中連接至該收發器及該記憶體之該處理器經組態以： <br/>識別該送貨員之一參考位置； <br/>識別包含於含有該參考位置之一第一地理範圍中之至少一筆區域資訊； <br/>識別各區域之送貨訂單資訊； <br/>對該送貨員之該終端機提供一第一頁面，該第一頁面包含該第一地理範圍之一地圖，及至少一個第一類型圖示，其中該第一類型圖示係顯示於該地圖上且包含基於該各區域之該送貨訂單資訊識別之訂單數量資訊及送貨費用資訊； <br/>接收待指派給該送貨員之一送貨訂單；及 <br/>回應於接收該送貨訂單，對該送貨員之該終端機提供其中隱藏所有第一類型圖示及顯示與該送貨訂單之出發資訊、目的地資訊及送貨費用資訊有關的該第一頁面， <br/>其中該第一類型圖示係顯示於： <br/>與該各區域之一邊界接觸且包含該各區域之一虛擬矩形之一中心點處， <br/>與該各區域之該邊界接觸之一虛擬多邊形之一重心處，或 <br/>與該各區域之該邊界接觸且包含該各區域之該虛擬矩形之該中心點處，但若是該虛擬矩形之該中心點係定位於該各區域之外部，則該第一類型圖示係顯示於與該各區域之該邊界接觸之該虛擬多邊形之該重心處。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成上設有一位移結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，該第一滾動件之滾面在該第一導引面進行活動位移，使該滑軌總成藉由該第一導引面而在該支撐架進行活動位移；以及一開關結構，該開關結構包括一路徑板及一相對於該路徑板之導引組件，當該路徑板設在該滑軌總成，則該導引組件設在該滑軌裝置，或當該路徑板設在該滑軌裝置，則該導引組件設在該滑軌總成，令該導引組件鎖定或解鎖該路徑板，使該滑軌總成在該滑軌裝置進行鎖定或解鎖；其中，該路徑板包括一路徑及該導引組件包括一架體、一樞接於該架體之把手及一設在該把手上之導引體，該導引體在該路徑進行鎖定過程或解鎖過程。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；一滑軌總成，該滑軌總成上設有一位移結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，該第一滾動件之滾面在該第一導引面進行活動位移，使該滑軌總成藉由該第一導引面而在該支撐架進行活動位移；以及該滑軌裝置與該滑軌總成之間設有一開關結構及一輔助結構，該輔助結構鎖定該滑軌總成為收合狀態；該開關結構鎖定該滑軌裝置與該滑軌總成之間的相對位置，再以該開關結構解鎖該滑軌裝置與該滑軌總成之間的相對位置；該位移結構帶動該滑軌總成在該滑軌裝置上進行活動位移；以及該輔助結構隨著該位移結構在該滑軌裝置上進行活動位移，當該輔助結構活動位移至該滑軌裝置之預定處，則該輔助結構解鎖該滑軌總成進行展開狀態。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成上設有一位移結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，該第一滾動件之滾面在該第一導引面進行活動位移，使該滑軌總成藉由該第一導引面而在該支撐架進行活動位移；以及一輔助結構，該輔助結構包括一第一鎖定特徵及一第二鎖定特徵，而該第一鎖定特徵相對於該滑軌裝置或該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該滑軌總成包括一第一軌及一第二軌，該第二軌設有一第一解鎖特徵，且該第二鎖定特徵相對於該第一解鎖特徵。
一種滑軌機構，包含：一滑軌裝置，該滑軌裝置包括一支撐架，該支撐架具有一第一牆、一第二牆及一縱向牆連接該第一牆與該第二牆之間而形成一通道，該第一牆上設有一第一導引面；一滑軌總成，該滑軌總成相對於該滑軌裝置進行活動位移，且該滑軌總成上設有一位移結構，該位移結構包括一安裝件及至少一第一滾動件，該安裝件之上方裝設該第一滾動件，該第一滾動件之滾面在該第一導引面進行活動位移，使該滑軌總成藉由該第一導引面而在該支撐架進行活動位移；以及一輔助結構，該輔助結構包括一第二鎖定特徵，而該第二鎖定特徵相對於該滑軌總成；其中，該滑軌總成包括一第一軌、一第二軌及一第三軌，該第二軌設有一第一解鎖特徵或該第三軌設有一第二解鎖特徵，且該第二鎖定特徵相對於該第一解鎖特徵或該第二鎖定特徵相對於該第二解鎖特徵。
如請求項1至請求項4中任一項所述之滑軌機構，其中，該第一牆延伸一第四牆，該第四牆設有一定位特徵，且該滑軌總成藉由該定位特徵而在該支撐架進行定位。
如請求項1或2所述之滑軌機構，其中，該開關結構更包括一導引件，且該第一牆延伸一第四牆，並以該導引件相對於該第四牆。
如請求項1至請求項4中任一項所述之滑軌機構，其中，該第一牆延伸一第四牆，並以該第一滾動件之側面抱持該第四牆。
如請求項7所述之滑軌機構，其中，該第二牆延伸一第五牆，且該安裝件之下方裝設至少一第二滾動件之側面抱持該第五牆，或該安裝件之下方具有一抱持牆抱持該第五牆，或該安裝件之下方具有一抱持牆抱持該第二牆。
如請求項8所述之滑軌機構，其中，該第五牆上具有一第二導引面，且該安裝件之側面裝設至少一第三滾動件，該第三滾動件之滾面在該第二導引面進行活動位移。
一種滑軌機構之操作方法，包含：提供一滑軌裝置及一滑軌總成，該滑軌裝置與該滑軌總成之間設有一開關結構、一位移結構及一輔助結構，該輔助結構鎖定該滑軌總成為收合狀態；該開關結構鎖定該滑軌裝置與該滑軌總成之間的相對位置，再以該開關結構解鎖該滑軌裝置與該滑軌總成之間的相對位置；該位移結構帶動該滑軌總成在該滑軌裝置上進行活動位移；以及該輔助結構隨著該位移結構在該滑軌裝置上進行活動位移，當該輔助結構活動位移至該滑軌裝置之預定處，則該輔助結構解鎖該滑軌總成進行展開狀態。
一種人體組織檢驗套組，包含： <br/>一底座，其頂面凹設有一容置槽，該底座至少於該容置槽處為透明者而可自外目視； <br/>一試紙，設於該容置槽底部，該試紙具檢測與顯色功能，以供自外目視檢測結果； <br/>一黏貼層，具有一黏貼面供黏貼於該底座之頂面以覆蓋該容置槽； <br/>一壓抵塊，具有相反之一第一面與一第二面，該第一面設置於該黏貼層之黏貼面，該第二面朝向該底座且表面具有複數凸起部分，該壓抵塊之位置與尺寸對應該容置槽之位置與尺寸，當待測之人體組織置入該容置槽，再將該黏貼層黏貼至該底座之頂面後，該壓抵塊之第二面壓抵該人體組織而使其汁液流出以沾濕該試紙，藉以對該人體組織進行特定檢驗並供自該底座之底部目視確認。
如請求項1所述之人體組織檢驗套組，其中該容置槽之內環壁鄰近該容置槽之底部處設有複數抵頂塊，各該抵頂塊自該容置槽之內環壁朝該容置槽內徑向凸出，該些抵頂塊間隔設置而成城垛狀，該試紙卡設於該些抵頂塊之間而受其固定。
如請求項2所述之人體組織檢驗套組，其中任二該抵頂塊之間形成一凹入部。
如請求項3所述之人體組織檢驗套組，其中該底座另形成有一洩氣道，該洩氣道一端開口於該容置槽之內環壁並延伸至其中一該凹入部處，另一端開口連通外界，該容置槽之內環面另凹設有一導氣道，該導氣道自該容置槽之開口旁延伸至另一該凹入部處，該壓抵塊的第一面與該壓抵塊的外環壁之間形成一第一倒角部，該第一倒角部與該黏貼層之間圍構一導氣空間，當該壓抵塊置於該容置槽內時，該導氣空間與該洩氣道之開口及該導氣道連通，以供使該容置槽中被該黏貼層、該壓抵塊與該人體組織擠壓的空氣依序自該導氣道、該導氣空間與該洩氣道排出。
如請求項2至4中任一項所述之人體組織檢驗套組，其中該容置槽之內環壁與底部之間形成一第二倒角部，該第二倒角部向內形成圓弧凹處，該些抵頂塊係形成於該第二倒角部處。
如請求項1所述之人體組織檢驗套組，其中該容置槽自該底座之底面朝下凸出，以利目視。
如請求項1所述之人體組織檢驗套組，其中該壓抵塊之該些凸起部分布滿該第二面而形成凹凸紋路。
如請求項1所述之人體組織檢驗套組，其中該黏貼層係為可重複黏貼之材質製成，以能重複黏貼於該底座之頂面。
如請求項1所述之人體組織檢驗套組，其中該容置槽之內環面自該容置槽之開口朝該容置槽之底部漸縮，使該容置槽之內環面呈往外漸擴之斜面，該壓抵塊之外環面自該第一面朝該第二面方向漸縮，使該壓抵塊之外環面呈朝外漸縮之斜面。
一種具有加壓結構之超聲波點焊機，包含：<br/> 至少一點焊單元，該點焊單元包括<br/> 一固定板；<br/> 一移動模組，具有一沿一上下方向設置於該固定板的滑軌、一能移動地設置於該滑軌的滑塊，及一設置於該滑塊的上夾板；<br/> 一點焊槍，安裝於該上夾板，並能透過自身重量帶動該上夾板與該滑塊沿該滑軌向下移動，或是受到推抵而帶動該上夾板與該滑塊沿該滑軌向上移動；及<br/> 二加壓模組，設置於該固定板且分別位於該移動模組的滑軌的左右兩側，每一加壓模組具有一設置於該固定板的上支架，及一設置於該上支架底部的加壓彈性件，該上支架位於該上夾板的上方，該加壓彈性件位於該上支架與該上夾板之間，該等加壓模組的該等加壓彈性件的彈性係數不同，且該等加壓彈性件在未受該上夾板推抵的情況下，該等加壓彈性件之其中一者沿該上下方向的長度較長，該等加壓彈性件之其中一者沿該上下方向的長度較短；<br/> 其中，當該點焊槍帶動該上夾板與該滑塊於該滑軌向上移動時，該上夾板先壓抵長度較長的該加壓彈性件，當該點焊槍帶動該上夾板與該滑塊於該滑軌向上移動並抵於該等加壓彈性件時，該等加壓彈性件被該上夾板壓縮而產生向下推抵該上夾板的一彈性下推力。
如請求項1所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，其中，該等加壓模組的該等加壓彈性件可採用優力膠、彈簧或橡膠。
如請求項1所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，其中，該上夾板具有一固定於該滑塊的上定位板部，及一連接該上定位板部的上扣合板部，該上定位板部與該上扣合板部共同界定出一供該點焊槍穿過的上夾設空間，該點焊槍夾置於該上定位板部與該上扣合板部之間。
如請求項1所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，其中，該至少一點焊單元還包括至少一設置於該固定板的緩衝模組，其中，該移動模組還具有一設置於該滑塊並位於該上夾板下方的下夾板，該下夾板配合該上夾板以供該點焊槍安裝，該點焊槍帶動上夾板、該下夾板與該滑塊沿該滑軌上下移動，該至少一緩衝模組具有一設置於該固定板的下支架，及一設置於該下支架頂部的緩衝彈性件，該下支架位於該下夾板下方，該緩衝彈性件位於該下夾板與該下支架之間，當該點焊槍帶動該上夾板、該下夾板與該滑塊於該滑軌向下移動時，該下夾板抵於該緩衝彈性件。
如請求項4所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，其中，該至少一點焊單元包括二緩衝模組，設置於該固定板且分別位於該移動模組的滑軌的左右兩側。
如請求項4所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，其中，該下夾板具有一固定於該滑塊的下定位板部，及一連接該下定位板部的下扣合板部，該下定位板部與該下扣合板部共同界定出一供該點焊槍穿過的下夾設空間，該點焊槍夾置於該下定位板部與該下扣合板部之間。
如請求項1所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，還包含一機體，及一設置於該機體的軌道單元，該軌道單元包括二設置於該機體並沿一前後方向延伸的前後導軌、一能移動地設置於該等前後導軌併沿一左右方向延伸的左右導軌、一能移動地設置於該左右導軌的左右載台、一設置於該左右載台的氣壓缸，及一能受該氣壓缸驅動而沿該上下方向移動的上下載台，該至少一點焊單元的該固定板安裝於該上下載台。
如請求項7所述的具有加壓結構之超聲波點焊機，包含二點焊單元，分別設置於該上下載台的左右兩側，該上下載台能帶動該等點焊單元上下移動。
一種用於判定一模型之非暫時性電腦可讀媒體，該模型經組態以產生用於估計一經圖案化基板之一結構之深度資訊的資料，該媒體包含儲存於其中之指令，該等指令在由一或多個處理器執行時引起包含以下各者之操作：<br/>獲得該經圖案化基板之該結構之一對影像，該對影像包括以相對於該經圖案化基板所成之一第一角度捕捉的一第一影像，及以不同於該第一角度之一第二角度捕捉的一第二影像；<br/>經由一模型使用該第一影像作為輸入，產生該第一影像與該第二影像之間的像差（disparity）資料，該像差資料指示與該第一影像相關聯之深度資訊；<br/>組合該像差資料與該第二影像以產生對應於該第一影像之一經重建構影像；及<br/>基於一效能函數(performance function)，調整該模型之一或多個參數從而使得該效能函數在一指定（specified）效能臨限值內，該效能函數為該像差資料、該經重建構影像及該第一影像的一函數，該模型經組態以產生可轉換成該經圖案化基板之該結構之深度資訊的資料，<br/>其中該第一影像為與經引導垂直於該經圖案化基板之一電子束相關聯的一正常影像(normal image)，且該第二影像係與經引導以相對於該經圖案化基板成大於90º或小於90º之一角度的一電子束相關聯。
如請求項1之媒體，其中該像差資料包含該第一影像與該第二影像內的相似特徵之座標的差。
如請求項2之媒體，其中該經重建構影像係藉由以下操作產生：<br/>在該像差資料與該第二影像之間執行一合成運算以產生該經重建構影像。
如請求項1至3中任一項之媒體，其中該效能函數進一步包含一損失函數，該損失函數係基於與先前一或多個經圖案化基板之一對立體影像相關聯之像差特性以及由該模型預測之該像差資料而計算。
如請求項1至3中任一項之媒體，其中調整該模型之該一或多個參數係一反覆程序，每一反覆包含：<br/>基於該像差資料及該經重建構影像判定該效能函數；<br/>判定該效能函數是否在該指定效能臨限值內；及<br/>回應於該效能函數不在該指定差臨限值內，調整該模型之該一或多個參數以使該效能函數待在該指定效能臨限值內，該調整係基於該效能函數相對於該一或多個參數之一梯度。
如請求項1之媒體，其中獲得該對影像包含獲得該經圖案化基板之複數對SEM影像，每一對SEM影像包括與一度量衡工具之一第一電子束傾斜設定相關聯的一第一SEM影像，及與該度量衡工具之一第二電子束傾斜設定相關聯的一第二SEM影像。
如請求項1之媒體，其中判定該模型包含：<br/>獲得該結構之複數個影像，每一影像係以不同角度獲得。
如請求項6之媒體，其中該等操作進一步包含：<br/>經由該度量衡工具在該度量衡工具之該第一電子束傾斜設定下獲得該經圖案化基板之一單一SEM影像。
一種用於判定經組態以產生用於估計一經圖案化基板之一結構之深度資訊之資料的一模型之電腦實施方法，該方法包含：<br/>獲得該經圖案化基板之該結構之一對影像，該對影像包括以相對於該經圖案化基板所成之一第一角度捕捉的一第一影像，及以不同於該第一角度之一第二角度捕捉的一第二影像；<br/>經由一模型使用該第一影像作為輸入，產生該第一影像與該第二影像之間的像差資料，該像差資料指示與該第一影像相關聯之深度資訊；<br/>組合該像差資料與該第二影像以產生對應於該第一影像之一經重建構影像；及<br/>基於一效能函數，調整該模型之一或多個參數從而使得該效能函數在一指定效能臨限值內，該效能函數為該像差資料、該經重建構影像及該第一影像的一函數，該模型經組態以產生可轉換成該經圖案化基板之該結構之深度資訊的資料。
一種電子裝置，包括：<br/> 感測器，經配置以感測環境溫度以提供環境溫度資訊；<br/> 控制器，電連接於所述感測器，經配置以接收所述環境溫度資訊；<br/> 記憶體，經配置以儲存對應於不同的所述環境溫度資訊的多組數據；<br/> 驅動電路，電連接於所述控制器與所述記憶體；以及<br/> 至少一個電子單元，電連接於所述驅動電路，<br/> 其中所述驅動電路依據不同的所述環境溫度資訊產生不同的驅動信號來驅動所述至少一個電子單元，<br/> 其中所述控制器依據所接收到的所述環境溫度資訊來提供驅動命令，<br/> 其中所述驅動電路依據所述驅動命令由所述記憶體中選擇至少一組數據，並依據所述至少一組數據來產生所述驅動信號，<br/> 其中所述控制器將所述多組數據載入至所述記憶體。
如請求項1所述的電子裝置，其中當所述環境溫度資訊發生改變時，所述驅動電路變更所述驅動信號。
如請求項1所述的電子裝置，其中：<br/> 所述多組數據分別包括多組伽馬數據，<br/> 所述多組伽馬數據分別對應於用於提供不同顏色的輸出光的電子單元。
如請求項1所述的電子裝置，其中：<br/> 所述驅動信號分別依據所述多組數據的其中之一被產生，<br/> 所述環境溫度包含第一環境溫度、第二環境溫度，所述第一環境溫度對應所述多組數據當中的第一數據，<br/> 所述第二環境溫度對應所述多組數據當中的第二數據，<br/> 所述感測器接收第三環境溫度，其中所述第三環境溫度介於所述第一環境溫度與所述第二環境溫度之間，並且<br/> 所述控制器對所述第一數據、所述第二數據、所述第一環境溫度、所述第二環境溫度以及所述第三環境溫度進行內插運算以產生對應於第三環境溫度的第三數據。
一種電子裝置，包括：<br/> 感測器，經配置以感測環境溫度以提供環境溫度資訊；<br/> 控制器，電連接於所述感測器，經配置以接收所述環境溫度資訊；<br/> 記憶體，經配置以儲存對應於不同的所述環境溫度資訊的多組數據；<br/> 驅動電路，電連接於所述控制器；以及<br/> 至少一個電子單元，電連接於所述驅動電路，<br/> 其中，所述多組數據分別包括多組伽馬數據，且所述多組伽馬數據分別對應於用於提供不同顏色的輸出光的電子單元。
一種殼體結構，包括：<br/> 殼件，具有外觀面、相對於該外觀面的內面、貫通該外觀面與該內面的透光槽及位於該內面並與該透光槽相連通的第一凹槽；<br/> 透光膠體層，填充於該透光槽，其中該透光膠體層包括位於該透光槽內的第一部分與位於該透光槽外的第二部分，該第二部分凸出於該內面的所在側且分佈於該第一凹槽內；以及<br/> 發光模組，設置於該內面，且包括光源與導光板，其中該第二部分接觸該導光板，該光源向該導光板傳遞光線，且該導光板覆蓋該透光槽。
如請求項1所述的殼體結構，其中該透光膠體層具有接觸該導光板的入光面與相對於該入光面的出光面，且該出光面低於或齊平於該外觀面。
如請求項1所述的殼體結構，其中該透光槽的截面輪廓包含階梯狀輪廓、梯形輪廓或矩形輪廓。
如請求項1所述的殼體結構，其中該透光槽在該外觀面的截面寬度大於該透光槽在該內面的截面寬度。
如請求項1所述的殼體結構，其中該透光槽的截面寬度從該外觀面往該內面的方向漸縮。
如請求項1所述的殼體結構，其中該透光槽的截面寬度從該外觀面往該內面的方向保持不變。
如請求項1所述的殼體結構，其中該殼件還具有位於該第一凹槽內並與該透光槽相連通的第二凹槽，且該透光膠體層的該第二部分分佈於該第二凹槽內。
如請求項7所述的殼體結構，其中該第二凹槽與該透光槽相交。
一種殼體結構，包括：<br/> 殼件，具有外觀面、相對於該外觀面的內面、貫通該外觀面與該內面的透光槽及位於該內面並與該透光槽相連通的第一凹槽；<br/> 透光膠體層，填充於該透光槽，其中該透光膠體層包括位於該透光槽內的第一部分與位於該透光槽外的第二部分，該第二部分凸出於該內面的所在側且分佈於該第一凹槽內；以及<br/> 發光模組，設置於該內面，且位於該透光槽的一側，其中該發光模組包括分佈於該第二部分的邊緣區域的光源，且該光源向該透光膠體層傳遞光線。
如請求項9所述的殼體結構，其中該透光膠體層具有位於該第二部分的入光面與位於該第一部分的出光面，其中該入光面朝向該光源，且該出光面低於或齊平於該外觀面。
如請求項10所述的殼體結構，其中該透光膠體層還具有位於該第二部分並與該出光面相對的底面，其中該入光面與該底面相連接，且該底面設有光學微結構。
如請求項9所述的殼體結構，其中該殼件還具有位於該第一凹槽內並與該透光槽相連通的第二凹槽，且該透光膠體層的該第二部分分佈於該第二凹槽內。
如請求項9所述的殼體結構，其中該光源設置於該第一凹槽內。
一種新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其包含：<br/> 一肩關節裝置，其設有一第一軸機構、一第二軸機構及一第三軸機構；<br/> 該第一軸機構係包含有配置於一支架之肩傳動軸及一水平驅動裝置，該水平驅動裝置係驅動該肩傳動軸沿一水平方向移動；<br/> 該第二軸機構，其設有一肩屈伸轉盤及二肩屈伸氣壓肌肉致動裝置，該肩屈伸轉盤係對應定位於該肩傳動軸，所述肩屈伸氣壓肌肉致動裝置係對應由該肩屈伸轉盤對應正反向傳動於該肩屈伸轉盤；<br/> 該第三軸機構，其係設置於該肩傳動軸一端，且該第三軸機構係設有一基座，該基座設有一外展轉盤，且該外展轉盤於該第二軸機構一端設置有一肩外展氣壓肌肉致動裝置，以對應外展驅動該外展轉盤；<br/> 一肘關節裝置，其具有一肘座，該肘座係對應連接設置於該基座之下端處；該肘關節裝置設置有一第四軸機構及一第五軸機構；<br/> 該第四軸機構係包含一肘傳動軸、一肘屈伸轉盤及一肘屈伸氣壓肌肉致動裝置，該肘傳動軸係對應樞設於該肘座，且該肘屈伸轉盤係對應傳動固設於該肘傳動軸；且該肘屈伸氣壓肌肉致動裝置係對應屈伸傳動於該肘屈伸轉盤；該第四軸機構之該肘傳動軸，設有一對應於該肘屈伸轉盤旋轉方向之肘屈伸扭力彈性元件，用以對應施加扭力於該肘傳動軸；<br/> 該第五軸機構係包含一肘傳動裝置、一肘旋轉盤及一肘旋轉氣壓肌肉致動裝置；該肘傳動裝置係對應垂直並連動設置於該肘傳動軸，且該肘旋轉盤係對應樞設於該肘傳動裝置之下端處，該肘旋轉氣壓肌肉致動裝置係對應旋轉傳動於該肘旋轉盤；該肘旋轉盤，其一端設有一肘旋轉扭力彈性元件，用以對應施加扭力於該肘旋轉盤；以及<br/> 一腕關節裝置，其具有一腕座，該腕座係對應連接設置於該肘旋轉盤之下端處；該腕關節裝置設置有一第六軸機構及一第七軸機構；<br/> 該第六軸機構係包含一腕傳動軸、一腕屈伸轉盤及一腕屈伸氣壓肌肉致動裝置，該腕傳動軸係對應樞設於該腕座，且該腕屈伸轉盤係對應傳動固設於該腕傳動軸；且該腕屈伸氣壓肌肉致動裝置係對應屈伸傳動於該腕屈伸轉盤；該第六軸機構之該腕傳動軸，設有一對應於該腕屈伸轉盤旋轉方向之腕屈伸扭力彈性元件，用以對應施加扭力於該腕傳動軸；<br/> 該第七軸機構係包含一腕傳動裝置、一腕旋轉盤及一腕旋轉氣壓肌肉致動裝置；該腕傳動裝置係對應垂直並連動設置於該腕傳動軸，且該腕旋轉盤係對應樞設於該腕傳動裝置之下端處，該腕旋轉氣壓肌肉致動裝置係對應旋轉傳動於該腕旋轉盤；該腕旋轉盤，其一端設有一腕旋轉扭力彈性元件，用以對應施加扭力於該腕旋轉盤；而該肘旋轉扭力彈性元件及該腕旋轉扭力彈性元件為渦卷彈簧，並分別與該肘旋轉氣壓肌肉致動裝置及該腕旋轉氣壓肌肉致動裝置並聯設置，以進行並聯彈性驅動；且該肘屈伸扭力彈性元件及該腕屈伸扭力彈性元件，亦分別與肘屈伸氣壓肌肉致動裝置及腕屈伸氣壓肌肉致動裝置並聯設置者。
如請求項1所述之新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其中，該肘屈伸氣壓肌肉致動裝置及該肘旋轉氣壓肌肉致動裝置，其係分別垂直設置於該基座之底端處者。
如請求項1所述之新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其中，該腕屈伸氣壓肌肉致動裝置及該腕旋轉氣壓肌肉致動裝置，其係分別垂直設置於該肘旋轉盤之底端處者。
如請求項1所述之新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其中，該腕旋轉盤之下端處，更對應設有至少一操作裝置。
如請求項1所述之新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其中，所述肩屈伸氣壓肌肉致動裝置及該肩外展氣壓肌肉致動裝置，其係對應直立設置於該支架者。
如請求項1所述之新型混合驅動七自由度仿人機械手臂，其中，所述肩屈伸氣壓肌肉致動裝置、該肩外展氣壓肌肉致動裝置、該肘屈伸氣壓肌肉致動裝置、該肘旋轉氣壓肌肉致動裝置、該腕屈伸氣壓肌肉致動裝置，以及該腕旋轉氣壓肌肉致動裝置之至少其一者，係透過分數階自適應擴張觀測器之分數階滑模控制（Fractional Order Adaptive Extended State Observer - Fractional Order Sliding Mode Control, FoAESO-FoSMC），以對應補償調整並控制其壓力者。
一種包裝容器，用于收容至少一個物品，其中， <br/>包括： <br/>上板，構成所述包裝容器的上表面； <br/>多個側板，構成所述包裝容器的側面；以及 <br/>下板，構成所述包裝容器的下表面， <br/>所述上板、所述多個側板以及所述下板中的至少一個板包括： <br/>多個墊片；以及 <br/>支撑部件，設置在所述多個墊片之間， <br/>其中，所述多個側板包括： <br/>多個第一側板，構成所述包裝容器的第一層；以及 <br/>多個第二側板，構成所述包裝容器的第二層。
如請求項1之包裝容器，其中，所述支撑部件由所述多個墊片密封而不暴露在外部。
如請求項1之包裝容器，其中，以所述至少一個板的中心爲基準，所述支撑部件從所述至少一個板的第一邊角區域延伸到位于所述第一邊角區域的相對側的第二邊角區域。
如請求項1之包裝容器，其中，所述至少一個板還包括框架，所述框架通過與所述多個墊片相結合來形成所述至少一個板的邊緣（edge）。
如請求項1之包裝容器，其中，所述包裝容器以可拆卸的方式構成在托盤的至少一部分，所述托盤在上表面包括網格圖案。
如請求項5之包裝容器，其中，所述下板包括至少一個第一緊固部件，所述第一緊固部件以可緊固的方式構成在所述托盤。
如請求項6之包裝容器，其中，所述至少一個第一緊固部件的至少一部分插入到所述托盤的網格圖案所形成的多個開口中的至少一個開口，從而緊固到所述托盤。
如請求項6之包裝容器，其中，所述至少一個第一緊固部件包括： <br/>第一部分，沿垂直于所述下板的第一方向延伸； <br/>第二部分，從所述第一部分沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；以及 <br/>第三部分，從所述第二部分沿與所述第一方向相反的第三方向延伸。
如請求項1之包裝容器，其中，所述多個側板中的一部分包括第二緊固部件，所述第二緊固部件以橫跨所述側板的一部分的方式設置。
如請求項1之包裝容器，其中，所述上板包括至少一個連接部件，所述連接部件用于連接所述包裝容器的多個板。
如請求項1之包裝容器，其中， <br/>所述多個側板中的部分側板及所述下板構成相互連接的第一容器， <br/>所述多個側板中的部分其餘側板及所述上板構成相互連接的第二容器， <br/>所述第一容器及所述第二容器以可拆卸的方式構成。
如請求項1之包裝容器，其中，所述多個第一側板包括： <br/>第1-1側板，沿第一方向與所述下板相連接； <br/>第1-2側板，沿與所述第一方向相反的第二方向與所述下板相連接； <br/>第1-3側板，沿垂直于所述第一方向或所述第二方向的第三方向與所述第1-2側板相連接；以及 <br/>第1-4側板，沿與所述第三方向相反的第四方向與所述第1-2側板相連接。
如請求項12之包裝容器，其中，所述多個第二側板包括： <br/>第2-1側板，沿所述第二方向與所述第1-2側板相連接； <br/>第2-2側板，沿所述第三方向與所述第2-1側板相連接； <br/>第2-3側板，沿所述第四方向與所述第2-1側板相連接；以及 <br/>第2-4側板，沿所述第一方向與所述第1-1側板相連接。
如請求項1之包裝容器，其中，所述上板、所述多個側板以及所述下板分別以與相鄰的板形成縫隙的方式相互連接。
如請求項1之包裝容器，其中，所述上板、所述多個側板以及所述下板分別包括具有隔熱特性的材質。
一種半導體封裝，包括： <br/>光子積體電路晶粒，包括波長調變器及熱耦合到所述波長調變器的加熱元件； <br/>互連結構，設置於所述光子積體電路晶粒上，其中所述互連結構包括多個導電特徵及空隙，從俯視圖看，所述空隙與所述加熱元件及所述波長調變器重疊；以及 <br/>多個導電連接器，設置於所述互連結構上方並電性連接到所述多個導電特徵。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述空隙包括氣隙，所述氣隙從所述光子積體電路晶粒的頂表面延伸到所述多個導電連接器的底表面。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括圍繞所述空隙的熱隔離結構，所述熱隔離結構包括金屬柱及焊料區。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括接合到所述互連結構的電子積體電路晶粒。
一種製造半導體封裝的方法，包括： <br/>形成光子積體電路晶粒，所述光子積體電路晶粒包括波長調變器及熱耦合到所述波長調變器的加熱元件； <br/>在所述光子積體電路晶粒上形成互連結構，其中所述互連結構包括多個導電特徵及無任何所述多個導電特徵於其內的無金屬區域，從俯視圖看，所述無金屬區域與所述加熱元件及所述波長調變器重疊；以及 <br/>在所述互連結構上方形成多個導電連接器，其中所述導電連接器電性連接到所述多個導電特徵。
如請求項5所述的方法，其中形成所述無金屬區域包括形成從所述光子積體電路晶粒的頂表面延伸到所述多個導電連接器的底表面的氣隙。
如請求項6所述的方法，更包括形成圍繞所述無金屬區域的熱隔離結構，其中形成所述熱隔離結構包括形成金屬柱及焊料區，所述熱隔離結構經配置以容納空氣於所述無金屬區域內。
一種半導體裝置，包括： <br/>光子積體電路晶粒，包括光學元件； <br/>互連結構，設置於所述光子積體電路晶粒上，所述互連結構包括介電層及在所述介電層中的導電特徵； <br/>絕熱井，設置在所述互連結構中，從俯視圖看，所述絕熱井與所述光學元件重疊；以及 <br/>多個導電連接器，設置於所述互連結構上方並電性連接到所述導電特徵。
如請求項8所述的半導體裝置，其中所述光學元件包括微環調變器及熱耦合到所述微環調變器的加熱器。
如請求項8所述的半導體裝置，其中所述絕熱井包括空氣或熱阻材料。
一種筆芯模組，應用於一電容式觸控筆，該筆芯模組包含有：<br/> 一筆芯件，包含相連接的一非導電部與一導電部；<br/> 一固定件，設置在該導電部之相對於該非導電部之一端，該固定件具有相連接的一定位部與一支撐部，該導電部安裝在該定位部內，該支撐部連結於該電容式觸控筆之一內壁；以及<br/> 一壓力感測器，和該定位部分別設置在該支撐部之兩相對位置，用來感應該支撐部之一變形量；<br/> 其中該支撐部為一薄片結構，其係隨著該筆芯模組受到一外力時產生結構變形。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該固定件係由導電材料製作。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該支撐部之至少一側邊係嵌合於該內壁。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該筆芯模組另包含一第一訊號線，電連接該支撐部以傳送與一外部裝置接觸感應接收的一電子訊號。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該筆芯模組另包含一第二訊號線，電連接該電容式觸控筆之一感應件以傳送與一外部裝置接觸感應接收的一電子訊號。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該筆芯模組係以可拆卸方式安裝在該電容式觸控筆之一筆管。
如請求項1所述之筆芯模組，其中該導電部與該非導電部為非一體式結構，該導電部與該非導電部透過嵌合、螺合或凹凸結構進行組合。
一種電容式觸控筆，其包含有：<br/> 一筆管；<br/> 一電路基板，設置在該筆管內，該電路基板設有一控制器；<br/> 一儲電元件，設置在該筆管內以供應電能給該電路基板；以及<br/> 一筆芯模組，以可拆卸方式安裝在該筆管，該筆芯模組包含有：<br/> 一筆芯件，包含相連接的一非導電部與一導電部；<br/> 一固定件，設置在該導電部之相對於該非導電部之一端，該固定件具有相連接的一定位部與一支撐部，該導電部安裝在該定位部內，該支撐部連結於該電容式觸控筆之一內壁；以及<br/> 一壓力感測器，和該定位部分別設置在該支撐部之兩相對位置，用來感應該支撐部之一變形量；<br/> 其中該支撐部為一薄片結構，其係隨著該筆芯模組受到外力時產生結構變形。
如請求項8所述之電容式觸控筆，其中該固定件係由導電材料製作。
如請求項8所述之電容式觸控筆，其中該支撐部之至少一側邊係嵌合於該內壁。
如請求項8所述之電容式觸控筆，其中該筆芯模組另包含一第一訊號線，電連接該支撐部以傳送與一外部裝置接觸感應接收的一電子訊號。
如請求項8所述之電容式觸控筆，其中該筆芯模組另包含一第二訊號線，電連接與一外部裝置接觸感應接收的一電子訊號。
如請求項8所述之電容式觸控筆，其中該導電部與該非導電部為非一體式結構，該導電部與該非導電部透過嵌合結構、螺合結構或凹凸結構進行組合。
一種顯示系統的背光控制方法，該顯示系統具有一背光模組，該背光模組之一發光面係區分為複數個發光區域，各該發光區域對應於至少一發光單元，包含： <br/>由該顯示系統之一顯示模組接收一輸入影像數據； <br/>依據該輸入影像數據對該背光模組進行一區域調光程序，其中各該發光區域對應之該至少一發光單元具有一區域調光值； <br/>獲取各該發光區域的一亮度峰值； <br/>根據一亮度增強對照表與該些發光區域對應之該亮度峰值，確定各該發光區域之一補償亮度峰值；以及 <br/>使用各該補償亮度峰值於該背光模組中對應的各該發光區域。
如請求項1所述的背光控制方法，其中該亮度增強對照表包含不同亮度峰值範圍對應的補償亮度峰值。
如請求項2所述的背光控制方法，其中，當該亮度峰值在10%至20%範圍內時，對應的補償亮度峰值為50%至70%。
如請求項1所述的背光控制方法，其中該輸入影像數據對應之一顯示畫面具有至少一亮區與至少一暗區分布。
如請求項4所述的背光控制方法，其中該亮區係呈現一環狀亮區之分布，該暗區係呈現一中央暗區之分布。
如請求項4所述的背光控制方法，其中該區域調光程序中包含基於該暗區的光暈程度補償該暗區對應的區域調光值。
如請求項1所述的背光控制方法，其中，該補償亮度峰值係為該亮度峰值與一亮度調整比率的乘積計算所得。
一種顯示系統，包含： <br/>一顯示模組，接收一輸入影像數據； <br/>一背光模組，具有區分為複數個發光區域之一發光面，各該發光區域對應設置有至少一發光單元，其中各該發光區域對應之該至少一發光單元具有一區域調光值；以及 <br/>一驅動單元，係分別與該顯示模組及該背光模組耦接，且該驅動單元係依據該輸入影像數據對該背光模組進行一區域調光程序，並且使用多個補償亮度峰值於該背光模組中對應之各該發光區域； <br/>其中，各該補償亮度峰值係根據一亮度增強對照表與各該發光區域對應之一亮度峰值而獲得。
如請求項8所述之顯示系統，其中，該些發光區域係區分為至少一亮區與至少一暗區，該補償亮度峰值係應用於該暗區。
如請求項9所述之顯示系統，其中，當該發光區域之該亮度峰值在10%至20%範圍內時，對應的該補償亮度峰值為50%至70%。
如請求項9所述之顯示系統，其中該亮區係呈現一環狀亮區之分布，該暗區係呈現一中央暗區之分布。
如請求項9所述之顯示系統，其中該區域調光值係基於該暗區的光暈程度而被確定。
一種具有密封蓋的凍存管，包括：<br/> 一管體，具有一腔室、一開孔以及一第一卡齒，該開孔設置於該管體的一第一端連通該腔室與外界，該第一卡齒位於該第一端的外圍表面；<br/> 一塞體，設置於該第一端用以密封該開孔，並具有一凸緣；以及<br/> 一固定件，設置於該第一端並且為管狀，用以將該塞體固定於該第一端，該固定件具有一第一溝槽以及一封蓋，該封蓋封閉該固定件的一端開口，該第一溝槽位於該固定件的另一端開口之內圍表面；<br/> 其中，該第一溝槽與該第一卡齒為相互對應卡合的形狀，用以組合該固定件與該管體，並且該封蓋可以打開以露出該塞體；<br/> 其中，該固定件的該第一溝槽與該封蓋之間還具有一定位部，該定位部形成為朝該封蓋側縮小該固定件之內徑的段差；以及<br/> 其中，該凸緣靠近該塞體的底端之一側抵靠該第一端的端面，相對另一側抵靠該定位部。
如請求項1所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該管體還具有一第二卡齒位於該第一端的外圍表面，該固定件還具有一第二溝槽位於遠離該封蓋側的開口之內圍表面，該第二溝槽與該第二卡齒為相互卡合的形狀，並且該第二溝槽與該第二卡齒共同形成一止逆結構。
如請求項1所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該第一端的外圍表面還設置有一凸齒部，並且該固定件的接近該封蓋側之內圍表面還具有對應該凸齒部的一凹齒部。
如請求項1所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該固定件靠近該封蓋的一端內圍表面還具有一第三溝槽，並且，該塞體具有一組裝凸起部對應該第三溝槽，用以組裝該塞體與該固定件。
如請求項1至4任一項所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該固定件還具有一連接部以及一易斷部，該封蓋藉由該連接部連接該固定件，該連接部的直徑最小處界定為該易斷部。
如請求項5所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該塞體的軸線與該管體的軸線對齊，並且還具有：<br/> 一穿刺部，設置於該塞體的頂端，並且被該封蓋覆蓋；<br/> 一導引部，設置於該塞體的底端，位於該腔室中，並且該導引部的外徑朝該底端漸縮；以及<br/> 一密封部，設置於該穿刺部與該導引部之間的該塞體之外圍表面，與該管體的內圍表面接觸，以密封該開孔。
如請求項6所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該塞體還具有一凹陷部，該凹陷部從該塞體的底端依序貫穿該導引部的內部以及該密封部的內部，並且延伸至該穿刺部的內部。
如請求項7所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該凹陷部的內徑從該穿刺部的內部朝該底端漸增。
如請求項8所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該凹陷部的軸線與該塞體的軸線對齊。
如請求項6所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該凸緣的厚度為：1.0~1.4 mm。
如請求項1所述之具有密封蓋的凍存管，其中，該塞體為高分子彈性材料。
一種電漿源，包括： <br/>反應主體，結合複數個主體部而成，所述主體部內部形成氣體擴散空間，並在相互結合的所述複數個主體部之間結合至少一個絕緣部，並且所述複數個主體部內的所述氣體擴散空間相互連通整體形成閉環形狀且啟動製程氣體的環形通道； <br/>磁芯部，形成為包圍所述主體部的至少一部分；以及 <br/>繞組部，配置成纏繞所述磁芯部，並從電源部接收供電，以在所述磁芯部內感應磁力； <br/>其中，所述主體部包括： <br/>內壁部，構成所述氣體擴散空間；以及 <br/>多孔支撐部，形成在所述內壁部的外側，以在所述主體部的內部與所述主體部的外部之間進行熱傳遞； <br/>其中，在所述主體部中，所述氣體擴散空間的內側表面形成為具有相互連續的表面，所述多孔支撐部在所述內壁部上無邊界線地相互連續形成。
根據請求項1所述的電漿源，其中，所述多孔支撐部形成為將所述內壁部至少包圍一部分的形狀。
根據請求項1所述的電漿源，其中，所述主體部包括冷卻介質流動部，所述冷卻介質流動部形成在所述內壁部，以使用於冷卻所述主體部內部的熱的冷卻介質流動。
根據請求項3所述的電漿源，其中，所述主體部為用單一部件形成一體，以使所述內壁部、所述冷卻介質流動部及所述多孔支撐部彼此無邊界線地連續。
根據請求項3所述的電漿源，其中， <br/>所述多孔支撐部形成為將所述內壁部的一部分至少包圍一部分；以及 <br/>所述冷卻介質流動部形成在從所述多孔支撐部中暴露的所述內壁部的其他部分。
根據請求項3所述的電漿源，其中，在所述主體部形成製冷劑入口及製冷劑出口，所述製冷劑入口連接於所述冷卻介質流動部的一端，而所述製冷劑出口連接於所述冷卻介質流動部的另一端。
根據請求項1所述的電漿源，其中， <br/>所述主體部由具有第一高度及第一寬度的第一區域及具有第二高度及第二寬度的第二區域形成； <br/>所述第一高度大於所述第二高度； <br/>所述第一寬度大於所述第二寬度；以及 <br/>所述磁芯部配置成包圍所述主體部的所述第二區域。
根據請求項7所述的電漿源，其中， <br/>所述主體部包括冷卻介質流動部； <br/>所述冷卻介質流動部形成在所述內壁部，以使用於冷卻所述主體部內部的熱的冷卻介質流動；以及 <br/>所述冷卻介質流動部的至少一部分形成在所述第一區域。
根據請求項8所述的電漿源，其中， <br/>所述主體部包括所述冷卻介質流動部； <br/>所述冷卻介質流動部形成在所述內壁部，以使用於冷卻所述主體部內部的熱的冷卻介質流動；以及 <br/>所述冷卻介質流動部的至少另一部分形成在所述第二區域。
根據請求項7所述的電漿源，其中，所述多孔支撐部的至少一部分形成在所述第一區域。
根據請求項7所述的電漿源，其中，所述多孔支撐部的至少另一部分形成在所述第二區域。
根據請求項7所述的電漿源，其中， <br/>所述多孔支撐部的至少一部分形成為在所述第一區域具有第一密度； <br/>所述多孔支撐部的至少另一部分形成為在所述第二區域具有第二密度；以及 <br/>所述第二密度大於所述第一密度，以使所述多孔支撐部的至少另一部分在所述第二區域中支撐所述磁芯部。
根據請求項7所述的電漿源，其中， <br/>所述多孔支撐部的至少一部分形成為在所述第一區域具有第一孔隙率； <br/>所述多孔支撐部的至少另一部分形成為在所述第二區域具有第二孔隙率； <br/>所述第二孔隙率大於所述第一孔隙率，以使所述第二區域比所述第一區域更加快速冷卻。
根據請求項1所述的電漿源，其中， <br/>在所述主體部的上部或者側部分別形成至少一個進氣部；以及 <br/>在所述主體部的下部分別形成至少一個開口部。
根據請求項14所述的電漿源，還包括：排氣板，形成有複數個排氣孔部，以使在所述反應主體中啟動的所述製程氣體排放到下部，並結合在所述反應主體下部，使所述排氣孔部與所述至少一個開口部連通。
根據請求項15所述的電漿源，其中，所述排氣板用絕緣材料形成。
根據請求項15所述的電漿源，其中，在所述反應主體與所述排氣板之間結合源絕緣部件。
一種基板處理裝置，包括： <br/>製程腔室，在內部形成反應空間； <br/>基板支撐部，結合在所述製程腔室的下部，以在所述反應空間內支撐基板； <br/>電漿源元件，結合在所述製程腔室的上方，並配置有一個以上如請求項1至14中任一項所述的電漿源；以及 <br/>氣體噴射部，與所述基板支撐部相互面對的同時配置在所述電漿源元件的下部，形成有氣體噴射板，用於向所述基板支撐部上噴射通過所述電漿源元件啟動的製程氣體； <br/>其中，所述電漿源元件包括： <br/>排氣板，形成有排氣孔部，以使所述製程氣體排放到下部； <br/>第一電漿源，結合在所述排氣板上；以及 <br/>第二電漿源，在外側間隔於所述第一電漿源配置，並結合在所述排氣板上； <br/>其中，在所述第一電漿源配置有第一開口部，以排放透過所述第一電漿源啟動的所述製程氣體；以及 <br/>其中，在所述第二電漿源配置有第二開口部，以排放透過所述第二電漿源啟動的所述製程氣體。
一種半導體裝置，在同一晶片內具有絕緣閘雙極電晶體區域與二極體區域，所述半導體裝置的特徵在於， <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域的絕緣閘雙極電晶體具有：多個第一溝槽，內部設置有閘極電極；第一導電型的射極層，被夾持於所述第一溝槽中；第二導電型的體層，被夾持於所述第一溝槽中且設置於較所述射極層更靠下層處；第二溝槽，貫通所述射極層並設置至所述體層的中途為止；以及射極電極，經由所述第二溝槽而與所述射極層及所述體層電性連接， <br/>所述二極體區域的二極體具有：多個第三溝槽，具有向內部施加射極電位的溝槽內電極；第二導電型的第一半導體層，被夾持於所述第三溝槽中；第二導電型的第二半導體層，被夾持於所述第三溝槽中且設置於較所述第一半導體層更靠下層處，雜質濃度較所述第一半導體層低；第一導電型的第三半導體層，設置於較所述第二半導體層更靠下層處；第四溝槽，貫通所述第一半導體層及所述第二半導體層並到達所述第三半導體層；以及第一電極，與所述射極電極電性連接並設置於較所述第一半導體層更靠上層處及所述第四溝槽的內部， <br/>所述第四溝槽的側面與所述第一半導體層及所述第二半導體層相接， <br/>至少在所述第四溝槽的底面中，所述第一電極與所述第三半導體層肖特基接合。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>在所述第四溝槽的側面的一部分中，所述第一電極與所述第三半導體層肖特基接合。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述二極體的所述第二半導體層的雜質濃度與所述絕緣閘雙極電晶體的所述體層的雜質濃度實質上相同。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述第四溝槽的深度較所述第二溝槽的深度深，且較所述第三溝槽的深度淺。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述絕緣閘雙極電晶體具有：第一導電型的漂移層，設置於較所述體層更靠下層處；第二導電型的集極層，設置於較所述漂移層更靠下層處；以及集極電極，與所述集極層電性連接， <br/>所述二極體具有：第一導電型的第四半導體層，設置於較所述第三半導體層更靠下層處且雜質濃度較所述第三半導體層高；以及第二電極，與所述第四半導體層及所述集極電極電性連接， <br/>所述二極體的所述第三半導體層的雜質濃度與所述絕緣閘雙極電晶體的所述漂移層的雜質濃度實質上相同。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述絕緣閘雙極電晶體具有：第一導電型的漂移層，設置於較所述體層更靠下層處；第二導電型的集極層，設置於較所述漂移層更靠下層處；集極電極，與所述集極層電性連接；以及第一導電型的障壁層，設置於所述漂移層與所述體層之間且雜質濃度較所述漂移層高， <br/>所述二極體具有：第一導電型的第四半導體層，設置於較所述第三半導體層更靠下層處且雜質濃度較所述第三半導體層低；第一導電型的第五半導體層，設置於較所述第四半導體層更靠下層處且雜質濃度較所述第四半導體層高；以及第二電極，與所述第五半導體層及所述集極電極電性連接， <br/>所述二極體的所述第三半導體層的雜質濃度與所述絕緣閘雙極電晶體的所述障壁層的雜質濃度實質上相同， <br/>所述二極體的所述第四半導體層的雜質濃度與所述絕緣閘雙極電晶體的所述漂移層的雜質濃度實質上相同。
如請求項1所述的半導體裝置，其中， <br/>所述第一導電型為n型，所述第二導電型為p型，所述第一電極為陽極電極。
一種基板處理裝置，其特徵是具有： <br/> 處理室，其處理基板； <br/> 基板支撐部，其具備可在前述處理室內支撐基板的基板支撐面； <br/> 第一氣體供給部，其可經由設在與前述基板支撐面對向的位置的第一氣體供給孔來供給處理氣體至前述處理室； <br/> 第二氣體供給部，其可經由環狀地設在前述第一氣體供給孔的周圍的第二氣體供給孔來供給非處理氣體至前述基板支撐部的側方； <br/> 第一壁，其在水平方向，被設在前述基板支撐部與前述第二氣體供給孔之間，且被設在上端比前述基板支撐部的上端更高的位置； <br/> 第一排氣流路，其被設在前述第一壁與前述基板支撐部之間； <br/> 第二排氣流路，其被設在前述第二氣體供給孔的下方；及 <br/> 複數個筒狀構件，其構成前述第一壁、前述第一排氣流路及前述第二排氣流路，並以同心圓狀配置。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，設有複數的基板支撐台，作為前述基板支撐部， <br/> 前述第一壁、前述第一排氣流路、前述第二排氣流路的組合是對應於前述基板支撐台來分別設置。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，進一步，在前述第二氣體供給孔的下方，於水平方向，在前述第一壁的外側，在與前述第一壁之間設有構成前述第二排氣流路的第二壁。
如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述第二壁的上端的高度是被構成為與前述第一壁的上端的高度相同或更低。
如請求項3記載的基板處理裝置，其中，前述第二壁的上端的高度是被構成為比前述第一壁的上端的高度更高。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述非處理氣體為惰性氣體。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述非處理氣體的主成分是與前述處理氣體的主成分相同。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述第二氣體供給孔的內側面是被設在前述第二排氣流路上。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述第一氣體供給孔是在水平方向被設於比前述第二氣體供給孔更靠前述基板支撐面側。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，具有可經由第一氣體供給孔來供給第二處理氣體至前述處理室的第二處理氣體供給部。
如請求項2記載的基板處理裝置，其中，在複數的前述基板支撐台之間設有隔開構件，其在前述基板支撐台的高度，將前述處理室區劃成上下。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，更具有控制部，其被構成為可控制前述第一氣體供給部及第二氣體供給部，使得開始前述非處理氣體的供給，然後開始前述處理氣體的供給。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，在前述第二排氣流路的上游及前述第一排氣流路的上游，前述非處理氣體的流量是被構成為比前述處理氣體的流量更高。
如請求項1或請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述第二排氣流路的寬度是被構成為比前述第一排氣流路的寬度更大。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，設有可加熱前述第一排氣流路的加熱器。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述第一排氣流路與前述第二排氣流路連通，設有可加熱前述第二排氣流路的加熱器。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，設有使前述第一排氣流路與前述第二排氣流路連通的第三排氣流路，設有可加熱前述第三排氣流路的加熱器。
一種基板處理方法，其特徵是具有： <br/> 在被設於處理室內的基板支撐部的基板支撐面支撐基板之工序； <br/> 一面經由設在與前述基板支撐面對向的位置的第一氣體供給孔來供給處理氣體至前述基板，並經由環狀地設在前述第一氣體供給孔的周圍的第二氣體供給孔來供給非處理氣體至前述基板支撐部的側方，一面在設有構成第一壁、第一排氣流路及第二排氣流路且以同心圓狀配置的複數個筒狀構件的狀態下，於水平方向在前述基板支撐部與前述第二氣體供給孔之間，從前述第一排氣流路和前述第二排氣流路排除前述處理室的氣氛之工序， <br/> 該第一排氣流路是被設在前述基板支撐部與前述第一壁之間，該第一壁是被設在上端比前述基板支撐部的上端更高的位置， <br/> 該第二排氣流路是被設在前述第二氣體供給孔的下方。
一種半導體裝置的製造方法，其特徵是具有： <br/> 在被設於處理室內的基板支撐部的基板支撐面支撐基板之工序； <br/> 一面經由設在與前述基板支撐面對向的位置的第一氣體供給孔來供給處理氣體至前述基板，並經由環狀地設在前述第一氣體供給孔的周圍的第二氣體供給孔來供給非處理氣體至前述基板支撐部的側方，一面在設有構成第一壁、第一排氣流路及第二排氣流路且以同心圓狀配置的複數個筒狀構件的狀態下，於水平方向在前述基板支撐部與前述第二氣體供給孔之間，從前述第一排氣流路和前述第二排氣流路排除前述處理室的氣氛之工序， <br/> 該第一排氣流路是被設在前述基板支撐部與前述第一壁之間，該第一壁是被設在上端比前述基板支撐部的上端更高的位置， <br/> 該第二排氣流路是被設在前述第二氣體供給孔的下方。
一種為了基板處理的電腦程式，其特徵為藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置， <br/> 在被設於處理室內的基板支撐部的基板支撐面支撐基板之工序； <br/> 一面經由設在與前述基板支撐面對向的位置的第一氣體供給孔來供給處理氣體至前述基板，並經由環狀地設在前述第一氣體供給孔的周圍的第二氣體供給孔來供給非處理氣體至前述基板支撐部的側方，一面在設有構成第一壁、第一排氣流路及第二排氣流路且以同心圓狀配置的複數個筒狀構件的狀態下，於水平方向在前述基板支撐部與前述第二氣體供給孔之間，從前述第一排氣流路和前述第二排氣流路排除前述處理室的氣氛之工序， <br/> 該第一排氣流路是被設在前述基板支撐部與前述第一壁之間，該第一壁是被設在上端比前述基板支撐部的上端更高的位置， <br/> 該第二排氣流路是被設在前述第二氣體供給孔的下方。
一種電子零件之橡膠密封墊片組成物，包含有：<br/> 丁腈橡膠，具有100重量份；<br/> 碳黑，具有30至50重量份；<br/> 滑石粉，具有10至30重量份；<br/> 高嶺土，具有30至60重量份；<br/> 加工助劑，具有2至5重量份，該加工助劑係選自硬脂酸；<br/> 老化防止劑，具有1至3重量份，該老化防止劑係選自抗氧化劑、抗臭氧劑、紫外線穩定劑、光穩定劑、酸性緩衝劑其中之一或其任意組合；<br/> 交聯劑，具有6至10重量份，該交聯劑係選自有機過氧化物交聯劑；<br/> 將該丁腈橡膠、該碳黑、該滑石粉、該高嶺土、該加工助劑、該老化防止劑及該交聯劑，利用混練機進行混鍊後，再放入壓縮成型機之模具中，在高溫和壓力下加熱，藉以成型為一橡膠密封墊片；<br/> 該橡膠密封墊片浸入於70℃之礦物油類的冷卻液中，經過70小時後，其硬度(Shore A)係為88度，體積增加0.91%，浸油前之平均重量為0.28712g，浸油後之平均重量為0.28586g，平均重量減少0.00126g，浸油前之平均直徑為9.128mm，浸油後之平均直徑為9.198mm，平均直徑增加0.07mm，浸油前之平均厚度係為3.85mm，浸油後之平均厚度為3.814mm，平均厚度減少0.036mm。
如請求項1之電子零件之橡膠密封墊片組成物，其中，該橡膠密封墊片成型的溫度係為170℃至185℃之間，成型時間則為240秒至360秒之間。
一種複合管材密封及縮徑結構，包括：<br/> 一套管，具有一外套管以及一中間環，該外套管之一內表面設有該中間環，並該中間環與該外套管之間的接合處形成一斜面，該外套管之該內表面的兩端分別具有一第一內螺紋段以及一第二內螺紋段；<br/> 一第一管材，該第一管材之一外表面具有一第一外螺紋段，且該第一管材的該第一外螺紋段插入該外套管的該第一內螺紋段以螺接固定；以及<br/> 一第二管材，該第二管材之一外表面具有一第二外螺紋段，且該第二管材的該第二外螺紋段插入該外套管的該第二內螺紋段以螺接固定；<br/> 其中，該第一管材之口徑大於該第二管材之口徑，並且該第一管材與第二管材之口徑差異在3吋以內，且該中間環斜向連接並密封具有不同口徑之該第一管材以及該第二管材，並該套管、該第一管材以及該第二管材為一耐腐蝕材質。
如請求項1所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該套管的口徑從該第一內螺紋段朝向該第二內螺紋段方向而漸縮。
如請求項1所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該套管、該第一管材以及該第二管材為一多層複合材料。
如請求項1所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該第一管材更包括有一第一限位件，並該第一外螺紋段以螺接固定在該第一內螺紋段，直至該外套管之一端頂抵住該第一限位件；且其中該第二管材更包括有一第二限位件，並該第二外螺紋段以螺接固定在該第二內螺紋段，直至該外套管之一端頂抵住該第二限位件。
如請求項4所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該第一限位件及該第二限位件頂抵住該外套管之一端，而該第一管材及該第二管材鎖固在該中間環，以形成密封結構。
如請求項1所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該外套管包括有一第一合金層，覆設於該外套管的一外表面。
如請求項1所述之複合管材密封及縮徑結構，其中該第一管材以及該第二管材的每一包括一第二合金層，覆設於該第一管材以及該第二管材的該外表面。
一種雷射加工裝置，包含：<br/> 一運輸單元，沿一運送方向延伸；<br/> 多個作業單元，沿該運送方向間隔地設置於該運輸單元上方，每一該作業單元適用於發出雷射光而對一產品進行加工；及<br/> 多個運作單元，分別設置於該等作業單元下方，每一該運作單元包括一圍繞界定出一能讓雷射光通過之開槽的下壓框板、一設置於該下壓框板下方的定位頂板、一可沿一縱方向移動而用以帶動該定位頂板的升降機構，及多個配置於該下壓框板下方且用以固定該定位頂板的鎖定機構，該升降機構用以在一抬升該定位頂板而使該定位頂板與該下壓框板一同定位該產品的抬升位置，及一相對於該抬升位置下降至該運輸單元下方，並使所述產品能在該運輸單元沿該運送方向運輸的待命位置之間移動，該鎖定機構具有一可橫向移動且用以將該定位頂板定位於該抬升位置的固定件，及一連接於該固定件且用以帶動該固定件作動的驅動件。
如請求項1所述的雷射加工裝置，其中，該運作單元之該升降機構具有一動力缸，及一連接於該動力缸且用以可與該定位頂板脫離地帶動該定位頂板的帶動件。
如請求項1所述的雷射加工裝置，其中，該定位頂板具有多個凹設於分別對應該等鎖定機構之位置，且各自之縱向高度由外而內漸小的定位凹槽，每一該鎖定機構之該固定件之形狀是與個別之該定位凹槽相吻合，且用以伸置於該定位凹槽而支撐於該定位頂板下方。
如請求項1所述的雷射加工裝置，其中，每一該運作單元之該下壓框板具有一連通流道，該定位頂板具有一連通於該連通流道且分布於朝向該下壓框板之頂面的抽吸流道，每一該運作單元還包括一連接於該連通流道，且用以經該抽吸流道抽吸而讓該產品吸附於該定位頂板的真空抽吸模組。
如請求項1所述的雷射加工裝置，還包含多個朝向對應之該運作單元的該下壓框板，且用以拍攝該開槽而判斷該產品是否平整定位於該下壓框板與該定位頂板之間的確保單元。
如請求項5所述的雷射加工裝置，還包含多個分別與該等運作單元之該下壓框板相鄰設置，且用以在對應之任一該確保單元判斷該產品未平整定位時自該開槽向下壓抵該下壓框板或該產品之至少其中之一的輔助壓制單元。
如請求項1至6任一項所述的雷射加工裝置，其中，每一該作業單元包括至少一能發出所述雷射光而進行加工的工作模組。
如請求項7所述的雷射加工裝置，其中，每一該作業單元包括複數個沿該運送方向間隔配置的所述工作模組。
一種共聚物，係含有源自具有親水性基之單體(a)的結構單元(A)、及源自具有兒茶酚基之單體(b)的結構單元(B)，前述親水性基係排除兒茶酚基，其中， <br/>前述單體(a)為在側鏈之末端具有前述親水性基， <br/>前述親水性基為羥基及/或磷酸基， <br/>該共聚物之質量平均分子量為500以上20000以下。
如請求項1所述之共聚物，其中，前述單體(a)為下述式(1)所示之單體， <br/><img align="absmiddle" height="166px" width="670px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>係表示氫原子、或碳數1至20之直鏈或者分支鏈狀的烷基， <br/>X係表示醯胺鍵或酯鍵，該醯胺鍵為-C(O)NH-或者-NHC(O)-，該酯鍵為-C(O)O-或者-OC(O)-， <br/>R<sup>2</sup>係表示單鍵、可具有取代基之碳數1至10之直鏈或者分支鏈狀的伸烷基、或可具有取代基之碳數1至10之直鏈或者分支鏈狀之氧伸烷基， <br/>n表示以平均值計為1以上20以下之數， <br/>R<sup>2</sup>為單鍵或可具有取代基之碳數1至10的直鏈或者分支鏈狀之伸烷基時，R<sup>3</sup>係表示羥基或磷酸基， <br/>R<sup>2</sup>為可具有取代基之碳數1至10的直鏈或者分支鏈狀之氧伸烷基時，R<sup>3</sup>係表示氫原子、羥基、或磷酸基。
如請求項1所述之共聚物，其中，前述單體(b)為下述式(2)所示之單體， <br/><img align="absmiddle" height="238px" width="767px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>4</sup>係表示氫原子、或碳數1至20之直鏈或者分支鏈狀的烷基， <br/>Y係表示醯胺鍵或酯鍵，該醯胺鍵為-C(O)NH-或者-NHC(O)-，該酯鍵為-C(O)O-或者-OC(O)-， <br/>R<sup>5</sup>係表示單鍵或可具有取代基之碳數1至10的直鏈或者分支鏈狀之伸烷基， <br/>R<sup>6</sup>係表示單鍵、醚鍵、-CH(OH)-、酯鍵、或碳酸酯基，該醚鍵為-O-，該酯鍵為-C(O)O-或者-OC(O)-，該碳酸酯基為-OC(O)O-。
一種複合粒子，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物、及表面自由能未達70mJ/m<sup>2</sup>之粒子， <br/>前述共聚物係附著於前述粒子之表面。
如請求項4所述之複合粒子，其中，前述複合粒子更包含界面活性劑，其中， <br/>前述界面活性劑係附著於前述粒子之表面。
一種複合粒子分散體，係包含請求項4所述之複合粒子、及水性溶劑，其中， <br/>前述複合粒子分散於前述水性溶劑中。
一種複合粒子分散體，係包含請求項5所述之複合粒子、及水性溶劑，其中， <br/>前述複合粒子分散於前述水性溶劑中。
一種共聚物的製造方法，其係具備使具有親水性基之單體(a)、及具有兒茶酚基之單體(b)在鏈移動劑之存在下共聚合之步驟，前述親水性基係排除兒茶酚基，其中， <br/>前述共聚物為含有源自具有親水性基之單體(a)的結構單元(A)、及源自具有兒茶酚基之單體(b)的結構單元(B)，前述親水性基係排除兒茶酚基， <br/>前述親水性基為羥基及/或磷酸基， <br/>前述共聚物之質量平均分子量為500以上20000以下。
一種分散劑，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物。
一種塗敷劑，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物。
一種塗料，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物。
一種潤滑被膜，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物。
一種電池，係包含請求項1至3中任一項所述之共聚物。
一種感測電路，用以感測一半導體非揮發性記憶體(NVM)裝置之一被選擇NVM單元之一儲存位元，包含：<br/> 一個半閂鎖器，耦接在具有一供應電壓的一數位電壓軌和一接地電壓節點之間，並具有一電壓訊號輸入節點和一數位電壓訊號輸出節點；<br/> 一PMOSFET裝置，具有一源極電極連接到該數位電壓軌，以及一汲極電極連接到該電壓訊號輸入節點；<br/> 一開關裝置，連接到該數位電壓軌，用於根據一第一控制訊號，選擇性地對該PMOSFET裝置的閘極電極進行充電；<br/> 一NMOSFET裝置，具有一汲極電極連接到該開關裝置和該PMOSFET裝置的閘極，以及一閘極電極被施加一偏壓電壓V<sub>b</sub>；<br/> 一個多工器位元線開關，用以根據一選擇訊號，將該NMOSFET裝置的源極電極連接到一條與該被選擇NVM單元耦接的被選擇位元線，以形成一位元線讀取路徑；以及<br/> 一重置電晶體，連接在該電壓訊號輸入節點和該接地電壓節點之間，用以根據一第二控制訊號，選擇性地將該電壓訊號輸入節點連接到該接地電壓節點。
如請求項1所述的感測電路，更包含：<br/> 一個正反器緩衝器，耦接到該數位電壓訊號輸出節點，用以儲存在該數位電壓訊號輸出節點上的一數位電壓訊號，並根據該數位電壓訊號輸出節點上的數位電壓訊號，輸出該儲存位元。
如請求項1所述的感測電路，其中該儲存位元與該被選擇NVM單元的一電導狀態相關聯。
如請求項1所述的感測電路，其中在該位元線讀取路徑被充電至一初始電壓但卻無法達到 (V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>) 之後，該NMOSFET裝置和該PMOSFET裝置被導通，導致該電壓訊號輸入節點具有該供應電壓。
如請求項1所述的感測電路，其中在該位元線讀取路徑被充電至一初始電壓並且一閘極電壓被施加到與該被選擇NVM 單元相關的一字元線之後，該被選擇 NVM 單元的一電導狀態決定該位元線讀取路徑是否放電，其中該初始電壓係大於或等於(V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>)以及V<sub>thn</sub>表示該 NMOSFET 裝置的臨界電壓。
如請求項5所述的感測電路，其中若該被選擇 NVM 單元被導通而處於一高電導狀態，則該位元線讀取路徑上的一電壓V<sub>R</sub>會下降，否則該電壓V<sub>R</sub>保持不變。
如請求項5所述的感測電路，其中當該位元線讀取路徑上的一電壓V<sub>R</sub>下降到低於(V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>)時，該NMOSFET裝置被導通，否則該 NMOSFET 裝置被關閉而處於一低電導狀態。
如請求項7所述的感測電路，其中，在該PMOSFET裝置的閘極被充電至該供應電壓、該電壓訊號輸入節點被該重置電晶體重置以及該 NMOSFET 裝置被導通之後，當該PMOSFET裝置的閘極上的一電壓V<sub>1</sub>下降到低於 (V<sub>DD</sub> - V<sub>thp</sub>) 時，該PMOSFET裝置被導通導致該電壓訊號輸入節點具有該供應電壓，否則該PMOSFET裝置被關閉並且該電壓訊號輸入節點保持在一接地電壓，其中 V<sub>thp</sub>表示該PMOSFET裝置的臨界電壓且V<sub>DD</sub>表示該供應電壓。
一種感測方法，用以感測一半導體非揮發性記憶體(NVM)裝置之一被選擇NVM單元之一儲存位元，該半導體NVM裝置包含一感測電路，該感測電路包含一PMOSFET裝置、一NMOSFET裝置、一個多工器位元線開關以及一個半閂鎖器，該半閂鎖器耦接在具有一供應電壓的一數位電壓軌與一接地電壓節點之間，並具有一電壓訊號輸入節點與一數位電壓訊號輸出節點，其中該PMOSFET 裝置的汲極電極和源極電極分別連接到該電壓訊號輸入節點和該數位電壓軌，其中該 NMOSFET裝置的汲極電極連接到該PMOSFET裝置的閘極電極，該 NMOSFET裝置的閘極電極被施加一偏壓電壓 V<sub>b</sub>，以及該NMOSFET裝置的源極電極連接至該多工器位元線開關，該方法包含：<br/> 分別將該NMOSFET裝置的源極電極和該PMOSFET裝置的閘極充電到一初始電壓和該供應電壓；<br/> 將該電壓訊號輸入節點重置至一接地電壓；<br/> 停止充電和重置；<br/> 透過該多工器位元線開關，將該NMOSFET裝置的源極電極連接到一條與該被選擇NVM單元耦接的被選擇位元線，以形成一位元線讀取路徑；<br/> 施加一個閘極電壓至與該被選擇NVM單元相關的一字元線；<br/> 根據該NMOSFET裝置與該被選擇NVM 單元的電導狀態以及該初始電壓，以該位元線讀取路徑和該PMOSFET裝置的閘極電極選擇性地放電；以及<br/> 根據該 PMOSFET 裝置的電導狀態，在該電壓訊號輸入節點上得到一電壓。
如請求項9所述的感測方法，其中該選擇性放電的步驟包含：<br/> 若該初始電壓無法達到 (V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>)，導致該NMOSFET 裝置和該 PMOSFET裝置被導通，使得該電壓訊號輸入節點具有該供應電壓，其中，V<sub>thn</sub>表示該NMOSFET 裝置的一臨界電壓。
如請求項9所述的感測方法，其中該選擇性地放電的步驟包含：<br/> 若該初始電壓大於或等於 (V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>)，<br/> 根據該被選擇NVM 單元的該電導狀態，以該位元線讀取路徑選擇性地放電，以及，<br/> 根據該NMOSFET裝置和該被選擇NVM單元的電導狀態，以該PMOSFET 裝置的閘極電極選擇性地放電。
如請求項11所述的感測方法，其中該以該位元線讀取路徑選擇性地放電的步驟包含：<br/> 若該被選擇NVM 單元被導通，導致該位元線讀取路徑放電，否則導致該位元線讀取路徑維持該初始電壓；以及<br/> 當該位元線讀取路徑上的電壓下降到低於 (V<sub>b</sub> - V<sub>thn</sub>) 時，導致該NMOSFET裝置被導通，否則導致該NMOSFET裝置被關閉。
如請求項12所述的感測方法，其中該以該PMOSFET裝置的閘極電極選擇性地放電的步驟包含：<br/> 當該被選擇NVM單元和該NMOSFET裝置被導通時，導致該PMOSFET裝置的閘極電極從該供應電壓放電；以及<br/> 當該PMOSFET裝置的閘極電極上的電壓下降到低於 (V<sub>DD</sub> - V<sub>thp</sub>) 時，導致該PMOSFET裝置被導通，使得該電壓訊號輸入節點具有該供應電壓，否則該PMOSFET裝置被關閉並且該電壓訊號輸入節點維持該接地電壓，其中V<sub>thp</sub>表示該PMOSFET裝置的臨界電壓以及V<sub>DD</sub>表示該供應電壓。
如請求項9所述的感測方法，更包含：<br/> 根據該電壓訊號輸入節點的電壓，以該半閂鎖器在該數位電壓訊號輸出節點上產生一數位電壓訊號；以及<br/> 根據該數位電壓訊號輸出節點上的該數位電壓訊號，輸出該儲存位元。
如請求項14所述的感測方法，其中，從該施加該閘極電壓步驟到該輸出該儲存位元步驟的反應時間是在數納秒的範圍內。
如請求項9所述的感測方法，其中，該儲存位元與該被選擇NVM單元的電導狀態相關。
一種仿生動物，包含：<br/> 一軀體；<br/> 一馬達，設置於該軀體中；以及<br/> 一腿部，連接於該馬達，該腿部包含：<br/> 一連桿機構，包含複數個連桿，該複數個連桿可轉動地相互連接，各該連桿具有一容置槽；以及<br/> 一彈性體，嵌設於各該連桿之該容置槽中；<br/> 其中，該彈性體隨著該複數個連桿的轉動而彈性變形；在該複數個連桿轉動後，該彈性體提供彈性力使該複數個連桿復位。
如請求項1所述之仿生動物，其中各該連桿具有至少一定位柱，該至少一定位柱位於該容置槽中，該彈性體具有複數個定位孔，各該定位孔套設於各該連桿之該至少一定位柱，以將該彈性體定位於各該連桿之該容置槽中。
如請求項1所述之仿生動物，其中該複數個連桿之間形成複數個關節，該彈性體具有複數個可變形回彈結構，該複數個可變形回彈結構之位置對應該複數個關節之位置。
如請求項3所述之仿生動物，其中各該連桿具有一避讓槽，各該可變形回彈結構位於該避讓槽中，該避讓槽提供一彈性變形空間予各該可變形回彈結構。
如請求項1所述之仿生動物，其中各該連桿具有一限位結構，該複數個連桿的其中之一之該限位結構限制該複數個連桿的其中另一的轉動角度。
如請求項5所述之仿生動物，其中該限位結構位於該複數個連桿中的二相鄰連桿的連接處。
如請求項1所述之仿生動物，其中該複數個連桿具有複數個卡槽，該彈性體具有複數個突出部，該複數個突出部卡合於該複數個卡槽。
如請求項1所述之仿生動物，其中該彈性體透過3D列印一體成型。
如請求項1所述之仿生動物，其中該彈性體的材料為熱塑性聚氨酯。
一種高壓基板處理裝置，其中，包括： <br/>內部腔室，形成為容納待處理基板和以高於大氣壓的第一壓力供應的處理氣體； <br/>外部腔室，具有外部殼體、及外部門，該外部殼體容納該內部腔室，該外部門形成為可在關閉該外部殼體的關閉狀態和打開該外部殼體的打開狀態之間移動，該外部腔室形成為容納以與該第一壓力相關設定的第二壓力供應的保護氣體； <br/>緊固模塊，形成為在該關閉狀態下，緊固該外部殼體和該外部門；以及 <br/>捕集模塊，相鄰地位於用於緊固該外部殼體和該外部門之間的接觸部位，用於捕集異物。
如請求項1所述的高壓基板處理裝置，其中，該緊固模塊，包括： <br/>支撐突起，連接至該外部殼體；以及 <br/>卡止突起，連接到該外部門，從相對於該支撐突起偏移的第一關係切換到與該支撐突起相對應的第二關係時，由該支撐突起受支撐， <br/>該異物包括在從該第一關係切換到該第二關係的過程中由於該支撐突起和該卡止突起之間的接觸而產生的金屬顆粒， <br/>該捕集模塊包括產生用於吸附該金屬顆粒的磁力的磁性單元。
如請求項2所述的高壓基板處理裝置，其中，該磁性單元設置於該外部殼體和該外部門中的一個。
如請求項2所述的高壓基板處理裝置，其中，該緊固模塊還包括該支撐突起突出形成的旋轉構件， <br/>該磁性單元藉由該旋轉構件設置於該外部殼體。
如請求項4所述的高壓基板處理裝置，其中，該旋轉構件包括可旋轉地安裝於該外部殼體上的旋轉環， <br/>該磁性單元附著於該支撐突起和該旋轉環中的至少一個。
如請求項2所述的高壓基板處理裝置，其中，該磁性單元，包括： <br/>磁鐵；以及 <br/>塗層，覆蓋該磁鐵以防該磁鐵被氧化。
如請求項6所述的高壓基板處理裝置，其中，該塗層，作為塗層材料包括鎳、鎂、鈦、鎢及鉻中的至少一種。
如請求項2所述的高壓基板處理裝置，其中，該磁性單元包括以該外部門的中心軸為中心排列成圓形的多個磁鐵。
如請求項8所述的高壓基板處理裝置，其中，該多個磁鐵布置成按照從該中心軸隔開的距離分類成多個組。
一種高壓基板處理裝置，其中，包括： <br/>腔室，具有殼體、及用於打開及關閉該殼體的門； <br/>緊固模塊，形成為緊固該殼體和該門，以保持注入到該腔室中的工藝氣體的壓力高於大氣壓；以及 <br/>捕集模塊，形成為相鄰地位於用於緊固該殼體和該門之間的接觸部位，用於捕集金屬顆粒， <br/>該捕集模塊包括磁性單元，該磁性單元具備用於吸附該金屬顆粒的磁鐵。
如請求項10所述的高壓基板處理裝置，其中，該緊固模塊，包括： <br/>支撐突起，連接至該殼體；以及 <br/>卡止突起，連接到該門，從相對於該支撐突起偏移的第一關係切換到與該支撐突起相對應的第二關係時，由該支撐突起受支撐， <br/>該金屬顆粒是為了從該第一關係切換到該第二關係，該支撐突起相對於該卡止突起旋轉的過程中，該支撐突起和該卡止突起之間的接觸而產生。
如請求項10所述的高壓基板處理裝置，其中，該磁鐵具備多個，以該門的中心軸為中心排列成圓形。
如請求項10所述的高壓基板處理裝置，其中，該磁性單元包括在該磁鐵塗布鎳、鎂、鈦、鎢及鉻中的至少一種材料的塗層。
如請求項10所述的高壓基板處理裝置，其中，該工藝氣體包含含有活性氣體的處理氣體和惰性氣體的保護氣體， <br/>該殼體，包括： <br/>內部殼體，形成為容納待處理基板和該處理氣體；以及 <br/>外部殼體，容納該內部殼體的至少一部分，並聯接到該內部殼體以與該內部殼體一起形成容納該保護氣體的關閉空間， <br/>該門形成為封閉該內部殼體。
如請求項14所述的高壓基板處理裝置，其中，該緊固模塊，包括： <br/>支撐突起，連接至該外部殼體；以及 <br/>卡止突起，連接到該門，從相對於該支撐突起偏移的第一關係切換到當該門進行旋轉時支撐於該支撐突起上的第二關係， <br/>該捕集模塊包括磁性單元，該磁性單元形成為用於捕集在從該第一關係切換到該第二關係的過程中由於該支撐突起和該卡止突起之間的接觸而產生的該金屬顆粒。
一種人工智慧之燈效生成方法，用以於一燈效裝置顯示對應於一螢幕畫面之一燈效圖，該人工智慧之燈效生成方法包括：<br/> 進行一初始程序，以獲得一人工智慧模型之一模型輸入張量（model inputting tensor）與一模型輸出張量（model outputting tensor）的數據格式的內容與維度；以及<br/> 進行一執行程序，以依據該模型輸入張量的數據格式的內容與維度，調整該螢幕畫面之一畫面張量（frame tensor），並依據該模型輸出張量的數據格式的內容與維度，對該人工智慧模型之一推論結果進行調整；<br/> 其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸入張量；<br/> 判斷該模型輸入張量中，在連續空間是否為相同顏色；<br/> 若該模型輸入張量中，在連續空間為相同顏色，則該模型輸入張量係為色彩通道優先（channel first）的數據格式；以及<br/> 若該模型輸入張量中，在連續空間不為相同顏色，則該模型輸入張量係為色彩通道最後（channel last）的數據格式。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸出張量；<br/> 判斷該模型輸出張量之一第一維度與一最後維度是否為1；<br/> 若該模型輸出張量之該第一維度或該最後維度為1，則設定一壓縮旗標（squeeze flag）為1；以及<br/> 若該模型輸出張量之該第一維度與該最後維度不為1，則設定該壓縮旗標為0。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸出張量；<br/> 判斷該模型輸出張量之一色彩通道維度是否小於3；以及<br/> 若該模型輸出張量之該色彩通道維度小於3，則設定一後製合併旗標（post process with concatenate flag）為1。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該執行程序包括：<br/> 獲得該燈效裝置之一燈效寬高乘積與該螢幕畫面之一畫面寬高乘積；<br/> 判斷該燈效寬高乘積是否小於或等於該畫面寬高乘積；<br/> 判斷該畫面張量與該模型輸入張量是否皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式或者皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式；<br/> 若該燈效寬高乘積小於或等於該畫面寬高乘積、且該畫面張量與該模型輸入張量不皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式、且該畫面張量與該模型輸入張量不皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式，則先對該畫面張量進行尺寸調整，再對該畫面張量進行轉置（transpose）；以及<br/> 若該燈效寬高乘積大於該畫面寬高乘積、且該畫面張量與該模型輸入張量不皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式、且該畫面張量與該模型輸入張量不皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式，則先對該畫面張量進行轉置（transpose），再對該畫面張量進行尺寸調整。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該執行程序包括：<br/> 獲得該畫面張量之一色彩通道維度與該模型輸入張量的一色彩通道維度；<br/> 判斷該畫面張量之該色彩通道維度與該模型輸入張量的該色彩通道維度是否一致；以及<br/> 若該畫面張量之該色彩通道維度與該模型輸入張量的該色彩通道維度不一致，則對該畫面張量進行維度轉換。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該執行程序包括：<br/> 判斷一壓縮旗標（squeeze flag）是否為1，該壓縮旗標為1代表該模型輸出張量之一第一維度或一最後維度為1；以及<br/> 若該壓縮旗標為1，則對該人工智慧模型之該推論結果進行降維。
如請求項1所述之人工智慧之燈效生成方法，其中該執行程序包括：<br/> 判斷一後製合併旗標（post process with concatenate flag）是否為1，該後製合併旗標為1代表該模型輸出張量之一色彩通道維度小於3；以及<br/> 若該後製合併旗標為1，則對該人工智慧模型之該推論結果進行資料合併。
一種電子裝置，包括：<br/> 一顯示單元，用以顯示一螢幕畫面；<br/> 一燈效裝置，用以顯示對應於該螢幕畫面之一燈效圖；<br/> 一作業系統內核單元（Operating System Kernel），連接於該顯示單元及該燈效裝置；<br/> 一神經網路處理器（Neural-network Processing Unit, NPU），連接於該作業系統內核單元；以及<br/> 一圖形處理器（Graphics Processing Unit, GPU），連接於該作業系統內核單元，該圖形處理器包括：<br/> 一統一計算架構單元（Compute Unified Device Architecture, CUDA），該電子裝置載入一程式以執行一人工智慧之燈效生成方法，該人工智慧之燈效生成方法包括：<br/> 以該作業系統內核單元進行一初始程序，以獲得一人工智慧模型之一模型輸入張量（model inputting tensor）與一模型輸出張量（model outputting tensor）的數據格式的內容與維度；以及<br/> 以該神經網路處理器或該圖形處理器之該統一計算架構單元進行一執行程序，以依據該模型輸入張量的數據格式的內容與維度，調整該螢幕畫面之一畫面張量（frame tensor），並依據該模型輸出張量的數據格式的內容與維度，對該人工智慧模型之一推論結果進行調整；<br/> 其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸入張量；<br/> 判斷該模型輸入張量中，在連續空間是否為相同顏色；<br/> 若該模型輸入張量中，在連續空間為相同顏色，則該模型輸入張量係為色彩通道優先（channel first）的數據格式；以及<br/> 若該模型輸入張量中，在連續空間不為相同顏色，則該模型輸入張量係為色彩通道最後（channel last）的數據格式。
如請求項8所述之電子裝置，其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸出張量；<br/> 判斷該模型輸出張量之一第一維度與一最後維度是否為1；<br/> 若該模型輸出張量之該第一維度或該最後維度為1，則設定一壓縮旗標（squeeze flag）為1；以及<br/> 若該模型輸出張量之該第一維度與該最後維度不為1，則設定該壓縮旗標為0。
如請求項8所述之電子裝置，其中該初始程序包括：<br/> 掃描該模型輸出張量；<br/> 判斷該模型輸出張量之一色彩通道維度是否小於3；以及<br/> 若該模型輸出張量之該色彩通道維度小於3，則設定一後製合併旗標（post process with concatenate flag）為1。
如請求項8所述之電子裝置，其中該執行程序包括：<br/> 獲得該燈效裝置之一燈效寬高乘積與該螢幕畫面之一畫面寬高乘積；<br/> 判斷該燈效寬高乘積是否小於或等於該畫面寬高乘積；<br/> 判斷該畫面張量與該模型輸出張量是否皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式或者皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式；<br/> 若該燈效寬高乘積小於或等於該畫面寬高乘積、且該畫面張量與該模型輸出張量不皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式、且該畫面張量與該模型輸出張量不皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式，則先對該畫面張量進行尺寸調整，再對該畫面張量進行轉置（transpose）；以及<br/> 若該燈效寬高乘積大於該畫面寬高乘積、且該畫面張量與該模型輸出張量不皆為色彩通道優先（channel first）的數據格式、且該畫面張量與該模型輸出張量不皆為色彩通道最後（channel last）的數據格式，則先對該畫面張量進行轉置（transpose），再對該畫面張量進行尺寸調整。
如請求項8所述之電子裝置，其中該執行程序包括：<br/> 獲得該畫面張量之一色彩通道維度與該模型輸入張量的一色彩通道的維度；<br/> 判斷該畫面張量之該色彩通道維度與該模型輸入張量的該色彩通道維度是否一致；以及<br/> 若該畫面張量之該色彩通道維度與該模型輸入張量的該色彩通道維度不一致，則對該畫面張量進行維度轉換。
如請求項8所述之電子裝置，其中該執行程序包括：<br/> 判斷一壓縮旗標（squeeze flag）是否為1，該壓縮旗標為1代表該模型輸出張量之一第一維度或一最後維度為1；以及<br/> 若該壓縮旗標為1，則對該人工智慧模型之推論結果進行降維。
如請求項8所述之電子裝置，其中該執行程序包括：<br/> 判斷一後製合併旗標（post process with concatenate flag）是否為1，該後製合併旗標為1代表該模型輸出張量之一色彩通道維度小於3；以及<br/> 若該後製合併旗標為1，則對該人工智慧模型之該推論結果進行資料合併。
一種可調式噴頭，包括：<br/> 一第一構件，包含有一第一主體、一第一通道與一斜口，該第一通道沿一第一方向延伸貫穿該第一主體，該第一方向係斜向於通過該斜口之開口方向；及<br/> 一第二構件，包含有一第二主體、一第二通道與一卡抵部，該第二通道貫穿該第二主體，該卡抵部設於該第二主體，當該第二主體穿設該第一通道而凸伸出該斜口時，該第二主體可相對該第一主體轉動，該卡抵部位於該第一通道且於該第一方向上與圍構該斜口之一口緣相互擋止，該第二通道連通該第一通道；<br/> 其中，該第一主體另包含有一斜向於該第一方向之斜端面，該斜口係貫設於該斜端面，以橫切面觀之，該口緣之複數端點與該斜口之一中心點分別沿該第一方向投影至一虛擬平面上會形成複數邊界投影點與一中心投影點，二平行該第一方向延伸之邊界線會通過分別位於該中心投影點之二側形成最短距離的二該邊界投影點，該第二主體凸出於該斜端面的部分僅會超出該二邊界線其中一者。
如請求項1所述的可調式噴頭，其中該第二主體係以該斜口之中心線為一旋轉軸而相對該第一主體轉動。
如請求項2所述的可調式噴頭，其中該第一主體之延伸方向、該第二主體之延伸方向與該第一方向皆係斜向於該旋轉軸。
如請求項1所述的可調式噴頭，其中該卡抵部包含有一插接部與一擋止部，該插接部定義有一軸向與一徑向，該第二主體斜向該軸向地凸伸於該插接部之一端，該擋止部沿該徑向凸伸於該插接部之另一端，該插接部用以插接於該斜口，該擋止部位於該第一通道內地與該口緣於該第一方向上相互擋止。
如請求項4所述的可調式噴頭，其中該口緣朝向該第一通道的一側設有一導角部，該插接部與該擋止部相互連接處之輪廓匹配該導角部。
如請求項1所述的可調式噴頭，其中該第二構件凸伸出該斜口的部分於該斜口之開口方向上未壓抵於該第一構件。
如請求項1所述的可調式噴頭，其中該第二主體遠離該卡抵部之一口部係呈現傾斜狀，該口部連通該第二通道，定義該第二主體相對較高的一側為一第一側壁，定義該第二主體相對較低的另一側為一第二側壁，該第一側壁與該第二側壁相連接以共同圍構出該第二通道與該口部；其中，該第一側壁之最小壁厚係不小於該第二側壁之最小壁厚。
如請求項1所述的可調式噴頭，其中當轉動該第二主體而使其延伸方向平行於該第一方向時，以及轉動該第二主體而使其延伸方向垂直於該第一方向，該第二主體皆係凸出於同一條該邊界線。
如請求項3所述的可調式噴頭，其中該卡抵部包含有一插接部與一擋止部，該插接部定義有一軸向與一徑向，該第二主體斜向該軸向地凸伸於該插接部之一端，該擋止部沿該徑向凸伸於該插接部之另一端，該插接部用以插接於該斜口，該擋止部位於該第一通道內地與該口緣於該第一方向上相互擋止；該第二構件凸伸出該斜口的部分於該斜口之開口方向上未壓抵於該第一構件；該斜口之輪廓為圓形；該第二主體遠離該卡抵部之一口部係呈現傾斜狀，定義該第二主體相對較高的一側為一第一側壁，定義該第二主體相對較低的另一側為一第二側壁，該第一側壁與該第二側壁相連接以共同圍構出該第二通道與該口部；其中，該第一側壁之最小壁厚係不小於該第二側壁之最小壁厚；當轉動該第二主體而使其延伸方向平行於該第一方向時，以及轉動該第二主體而使其延伸方向垂直於該第一方向，該第二主體皆係凸出於同一條該邊界線；於垂直該第一方向上，該第一通道之尺寸係大於該第二構件之最大外徑；該第二主體係沿遠離該卡抵部之方向漸縮；該第一側壁之壁厚係由該卡抵部朝向該口部之方向漸薄，該第二側壁之壁厚維持等厚；該第二主體之長度大於該第一主體之長度；該口部之輪廓呈非圓形；該第一構件另包含有一環凸垣，該環凸垣橫向地凸伸於該第一主體遠離該斜口之一側。
一種模具鋼的製備方法，包含：<br/> 一提供步驟，提供一合金鋼胚，該合金鋼胚的組成包括不小於0.3 wt%的碳、不小於13.0 wt%的鉻，及用以平衡且含量不為零的鐵；<br/> 一熱加工步驟，將該合金鋼胚升溫至不小於1100 ℃，於該溫度條件下對合金鋼胚進行熱加工，並令該合金鋼胚產生不小於20%的加工應變量；<br/> 一第一降溫步驟，將該合金鋼胚冷卻至室溫後，形成一第一半成品；<br/> 一沃斯田鐵化步驟，將該第一半成品升溫到800 ℃至1000 ℃間，並持溫至少30分鐘，令該第一半成品進行沃斯田鐵化並析出碳化物，形成一第二半成品；及<br/> 一第二降溫步驟，以不小於60 ℃/秒的降溫速率將該第二半成品的溫度下降至室溫，以獲得一主要為麻田散鐵相且沃斯田鐵相的體積分率不大於0.5%的模具鋼。
如請求項1所述的製備方法，其中，該合金鋼胚的碳含量介於0.30~0.40 wt%、鉻含量介於13.00~14.70 wt%，且該合金鋼胚的組成還包括0.20~0.81 wt%的矽、0.37~0.54 wt%的錳、0.045~0.29 wt%的鉬、0.20~0.50 wt%的鎳，及0.16~0.33 wt%的釩。
如請求項1所述的製備方法，其中，該模具鋼的沃斯田鐵相的體積分率不大於0.1%。
如請求項1所述的製備方法，其中，該沃斯田鐵化步驟的持溫時間介於30分鐘至120分鐘。
如請求項1所述的製備方法，其中，該熱加工步驟產生的熱加工應變量介於20%至40%。
如請求項1所述的製備方法，其中，該碳化物選自M<sub>23</sub>C<sub>6</sub>、MC、M<sub>7</sub>C<sub>3</sub>、M<sub>2</sub>C、M<sub>6</sub>C的其中至少一者。
一種模具鋼，由請求項1所述的製備方法所製得，包括鐵基合金及分散於該鐵基合金的碳化物，其中，該模具鋼的組成包括不小於0.3 wt%的碳、不小於13.0 wt%的鉻，及用以平衡且含量不為零的鐵，該模具鋼主要為麻田散鐵相且沃斯田鐵相的體積分率不大於0.5%。
如請求項7所述的模具鋼，其中，該模具鋼的組成還包括0.20~0.81 wt%的矽、0.37~0.54 wt%的錳、0.045~0.29 wt%的鉬、0.20~0.50 wt%的鎳，及0.16~0.33 wt%的釩。
如請求項7所述的模具鋼，其中，該模具鋼的沃斯田鐵相的體積分率不大於0.1%。
如請求項7所述的模具鋼，其中，該碳化物選自M<sub>23</sub>C<sub>6</sub>、MC、M<sub>7</sub>C<sub>3</sub>、M<sub>2</sub>C、M<sub>6</sub>C的其中至少一者，且該碳化物是由金屬(M)，M為矽、錳、鉬、鎳、鉻，及釩的其中至少一者，與碳元素所形成。
一種電子裝置，包括：<br/> 一金屬機殼，包括一側殼；以及<br/> 一天線模組，設置於該金屬機殼內，並適以共振出一頻段，該天線模組包括：<br/> 一絕緣基板，包括相對的一第一面及一第二面；<br/> 兩貼片天線，設置於該第一面，該兩貼片天線沿著一第一方向並排且間隔設置，其中該兩貼片天線的每一者包括沿著該第一方向延伸的一中心軸線、一饋入端及一中心點，該饋入端位於該中心軸線上且偏離於該中心點，該兩貼片天線的其中一者的該中心點與另一者的該中心點之間的距離小於等於該頻段的0.5倍波長；<br/> 一接地面，設置於該第二面；及<br/> 兩接地延伸段，連接於該接地面，該兩接地延伸段的其中一者延伸至該金屬機殼的該側殼，<br/> 其中該兩接地延伸段自該接地面往相反的方向延伸至該接地面之外。
如請求項1所述的電子裝置，其中該兩貼片天線的每一者為具有四個角落為圓弧的矩形。
如請求項2所述的電子裝置，其中該四個角落的每一者的圓弧所形成的圓的直徑為R，該饋入端的寬度為d，該貼片天線在沿著一第二方向的長度為2R+d，該第二方向垂直於該第一方向。
如請求項1所述的電子裝置，其中該兩接地延伸段的長度相同，且對稱地設置於該接地面的兩側。
如請求項1所述的電子裝置，其中該兩接地延伸段的每一者的長度大於等於該頻段的0.5倍波長。
如請求項1所述的電子裝置，其中該金屬機殼包括一底殼，該兩接地延伸段中延伸至該側殼的該者沿著該側殼往遠離該底殼的方向延伸。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/> 一電子組件，設置於該金屬機殼內，該天線模組位於該側殼與該電子組件之間，該兩接地延伸段的另一者延伸至該電子組件。
如請求項7所述的電子裝置，其中該電子組件具有絕緣外殼，該兩接地延伸段的該另一者延伸至該絕緣外殼的上表面。
如請求項1所述的電子裝置，其中該天線模組共振出的該頻段介於7737MHz至8237MHz之間。
一種可監測預警的岩壁護坡構造，其用以設置於一岩壁，該岩壁護坡構造包含： <br/>複數岩釘，其穿設固定於該岩壁且間隔排列呈一面狀； <br/>複數掛網，其鋪設於該岩壁且每一該掛網貫穿有部分該複數岩釘； <br/>複數固定桿，其組成網格狀結構且蓋設於各該掛網，並與各該岩釘相結合固定，每一該固定桿貫穿有複數固定孔，各該固定孔為長孔且沿該固定桿的軸向方向延伸，其中一該岩釘貫穿其中一該固定孔； <br/>複數應變計，每一該應變計設置於每一該固定桿，各該應變計具無線傳輸功能。
如請求項1所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中該複數固定桿包含複數上縱桿、複數下縱桿、複數左橫桿及複數右橫桿，每一該岩釘穿設於其中一該上縱桿、其中一該下縱桿、其中一該左橫桿及其中一該右橫桿的一端。
如請求項1或2所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中各該固定桿呈矩陣式排列設置。
如請求項3所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中各該固定桿為鍍鋅角鋼。
如請求項3所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中各該固定桿為經由陰極處理的角鋼。
如請求項3所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中各該固定桿為耐候鋼。
如請求項1所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中各該掛網為8字形鋼捲網。
如請求項1所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中每一該岩釘包含一螺桿、一墊片及至少一螺帽，該墊片套設於該螺桿，該至少一螺帽套設於該螺桿且相鄰於該墊片。
如請求項8所述之可監測預警的岩壁護坡構造，其中該至少一螺帽的數量為二個，且該二螺帽相貼靠的螺合於該螺桿。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一n型場效電晶體(NFET)，包含一第一二維(2D)半導體層及在該第一二維半導體層之相對側面上的多個第一源極/汲極接觸結構；及<br/> 一p型場效電晶體(PFET)，包含一第二二維半導體層及在該第二二維半導體層之相對側面上的多個第二源極/汲極接觸結構，<br/> 其中該些第一源極/汲極接觸結構中之各者包含一第一半金屬層及在該第一半金屬層上方的一第二半金屬層，且該些第二源極/汲極接觸結構中之各者包含一第三半金屬層及在該第三半金屬層上方的一第四半金屬層，其中該n型場效電晶體中該第一半金屬層與該第二半金屬層之一厚度比值大於該p型場效電晶體中該第三半金屬層與該第四半金屬層之一厚度比值。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一半金屬層係一銻層。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第二半金屬層係一鉑層。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該n型場效電晶體中該第一半金屬層與該第二半金屬層之該厚度比值大於100%。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該p型場效電晶體中該第三半金屬層與該第四半金屬層之該厚度比值小於100%。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一第一二維半導體層，在一基板上方；<br/> 一第一源極/汲極接觸結構，與該第一二維半導體層之一第一區接觸；<br/> 一第二源極/汲極接觸結構，與該第一二維半導體層的一第二區接觸，該第二區與該第一二維半導體層之該第一區間隔開，<br/> 其中該第一源極/汲極接觸結構包含與該第一二維半導體層之該第一區接觸的一第一銻層及在該第一銻層上方的一第一鉑層，該第二源極/汲極接觸結構包含與該第一二維半導體層的該第二區接觸的一第二銻層及在該第二銻層上方的一第二鉑層；<br/> 一第二二維半導體層，在該基板上方；<br/> 一第三源極/汲極接觸結構，與該第二二維半導體層之一第一區接觸；及<br/> 一第四源極/汲極接觸結構，與該第二二維半導體層之一第二區接觸，<br/> 其中該第三源極/汲極接觸結構包含與該第二二維半導體層之該第一區接觸的一第三銻層及在該第三銻層上方的一第三鉑層，該第四源極/汲極接觸結構包含與該第二二維半導體層之該第二區接觸的一第四銻層及在該第四銻層上方的一第四鉑層，其中該第三銻層具有大於該第一銻層之一厚度的一厚度。
如請求項6所述之半導體裝置，其中該第一銻層之該厚度小於該第一鉑層之一厚度。
如請求項6所述之半導體裝置，其中該第一銻層之該厚度大於該第一鉑層之一厚度兩倍。
一種形成半導體裝置之方法，包含：<br/> 在一基板上方形成一介電層；<br/> 在該介電層上方形成一第一二維半導體層及一第二二維半導體層；<br/> 形成與該第一二維半導體層之相對側面接觸的一第一銻層及一第二銻層；<br/> 形成與該第二二維半導體層之相對側面接觸的一第三銻層及一第四銻層，其中該第三銻層具有大於該第一銻層之一厚度的一厚度；及<br/> 在該第一銻層、該第二銻層、該第三銻層、及該第四銻層上方分別形成一第一鉑層、一第二鉑層、一第三鉑層、及一第四鉑層。
如請求項9所述之形成半導體裝置之方法，其中該第四銻層具有大於該第二銻層之一厚度的一厚度。
一種顯示裝置，包含：一基板；一阻擋層，設置於該基板上；以及一低反射膜，設置於該阻擋層之下並包含至少一金屬元素及氧，氧的含量的範圍為31.6原子百分比(at%)至47.3 at%，其中該低反射膜的厚度介於150 Å及400 Å之間。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該低反射膜包含Mo、Ti、Ni及W中的至少一者。
如請求項2所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Mo的含量等於或大於包含於該低反射膜中的Ti的含量。
如請求項2所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Mo及Ti的比例的範圍為1:1至3:1。
如請求項4所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Ti及O的比例為1:2。
如請求項5所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Mo的含量為31.3 at%，且包含於該低反射膜中的Ti的含量為21.1 at%。
如請求項6所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的O的含量為42 at%。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該低反射膜設置於該阻擋層及該基板之間，且該低反射膜的一下表面與該基板接觸。
如請求項1所述之顯示裝置，更包含設置於該基板及該低反射膜之間的一緩衝層。
如請求項1所述之顯示裝置，更包含設置於該基板上的一電晶體，該電晶體包含一源極電極、一汲極電極及一閘極電極的，其中該低反射膜更設置於該源極電極、該汲極電極及該閘極電極中的至少一者之下。
如請求項10所述之顯示裝置，更包含位於該電晶體上的一黑色堤部層。
一種顯示裝置，包含：一基板；一阻擋層，設置於該基板上；一低反射膜，設置於該阻擋層之下並包含至少一金屬元素及氧，氧的含量的範圍為29 at%至38 at%；一電晶體，包含一源極電極、一汲極電極及一閘極電極；以及一黑色堤部層，位於該電晶體上。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該低反射膜包含W、Y、Zn及Nb中的至少一者。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量為47.8 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為6.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為14.4 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中當包含於該低反射膜中的O的含量為31.4 at%時，包含於該低反射膜中的W的含量為47.8 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為6.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為14.4 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量為44.4 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為5.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為16.6 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中當包含於該低反射膜中的O的含量為31.4 at%時，包含於該低反射膜中的W的含量為44.4 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為5.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為16.6 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量為41.6 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為1.3 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為21.4 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中當包含於該低反射膜中的O的含量為35.8 at%時，包含於該低反射膜中的W的含量為41.6 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為1.3 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為21.4 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量的範圍為41.6 at%至47.8 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Zn的含量的範圍為1.3 at%至6.5 at%。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的Y的含量的範圍為14.4 at%至21.4 at%。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該低反射膜設置於該阻擋層及該基板之間，且該低反射膜與該基板的一上表面接觸。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該低反射膜的厚度介於100 Å及350 Å之間。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該低反射膜設置於該源極電極、該汲極電極及該閘極電極中的至少一者之下。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W、Zn、Y及O的比例為7.5:1:2:5。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W、Zn、Y及O的比例為8:1:3:6。
如請求項13所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W、Zn、Y及O的比例為32:1:17:28。
一種顯示裝置，包含：一基板；一阻擋層，設置於該基板上；一電晶體，設置於該阻擋層上且包含一源極電極、一汲極電極及一閘極電極；以及一低反射膜，設置於該阻擋層以及該源極電極、該汲極電極及該閘極電極中的至少一者之下，並包含至少一金屬元素及氧，氧的含量的範圍為29 at%至38 at%，該低反射膜包含W、Y、Zn及Nb中的至少一者。
如請求項29所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W、Zn、Y及O的比例為7.5:1:2:5。
如請求項29所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量為47.8 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為6.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為14.4 at%。
如請求項29所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W、Zn、Y及O的比例為8:1:3:6。
如請求項29所述之顯示裝置，其中包含於該低反射膜中的W的含量為44.4 at%，包含於該低反射膜中的Zn的含量為5.5 at%，且包含於該低反射膜中的Y的含量為16.6 at%。
如請求項29所述之顯示裝置，其中該低反射膜的厚度介於100 Å及350 Å之間。
一種智慧節能顯示裝置之控制方法，包括：<br/> 取得該智慧節能顯示裝置之一當前畫面；<br/> 以一用戶追蹤裝置偵測一用戶狀態；<br/> 依據該用戶狀態，決定是否啟動一極性模式調整程序；<br/> 若決定啟動該極性模式調整程序，則一時序控制器（T-CON）依據該當前畫面，獲得一極性調整模式；<br/> 依據該極性調整模式，調整該智慧節能顯示裝置之一極性模式；以及<br/> 顯示該當前畫面。
如請求項1所述之智慧節能顯示裝置之控制方法，其中偵測該用戶狀態之步驟中，該用戶追蹤裝置係為一攝影機、一紅外線感測裝置、一光學偵測器、一音波偵測器、或一超音波偵測器。
如請求項1所述之智慧節能顯示裝置之控制方法，其中依據該當前畫面，獲得該極性調整模式之步驟包括：<br/> 提供一查找表，該查找表儲存複數個候選極性模式；<br/> 根據各該候選極性模式，分析每一像素位置之一交流電壓波動差值及一直流偏壓值，以計算該智慧節能顯示裝置之一交流電壓波動差總和平方值及一直流電壓波動差總和平方值，並依據該交流電壓波動差總和平方值及該直流電壓波動差總和平方值，獲得一功耗總值；以及<br/> 依據該些功耗總值，從該些候選極性模式中，挑選出該極性調整模式。
如請求項1所述之智慧節能顯示裝置之控制方法，其中依據該當前畫面，獲得該極性調整模式之步驟包括：<br/> 輸入該當前畫面至一神經處理器；以及<br/> 該神經處理器輸出該極性調整模式。
如請求項4所述之智慧節能顯示裝置之控制方法，其中該神經處理器設置於該時序控制器（T-CON）內。
一種智慧節能顯示裝置，包括：<br/> 一時序控制器（T-CON），用以依據一用戶狀態，決定是否啟動一極性模式調整程序，若決定啟動該極性模式調整程序，則該時序控制器依據一當前畫面，獲得一極性調整模式；<br/> 一訊號轉換器（signal switching unit），連接於該時序控制器，該訊號轉換器用以接收該極性調整模式後，調整一極性模式，以輸出一控制訊號；以及<br/> 一源驅動器（source driver），連接於該訊號轉換器，該源驅動器用以依據該控制訊號顯示該當前畫面。
如請求項6所述之智慧節能顯示裝置，其中該用戶狀態係由一用戶追蹤裝置進行偵測，該用戶追蹤裝置係為一攝影機、一紅外線感測裝置、一光學偵測器、一音波偵測器、或一超音波偵測器。
如請求項6所述之智慧節能顯示裝置，更包括：<br/> 一記憶體，連接於該時序控制器，該記憶體用以儲存一查找表，該查找表儲存複數個候選極性模式；<br/> 其中該時序控制器根據各該候選極性模式，分析每一像素位置之一交流電壓波動差值及一直流偏壓值，以計算該智慧節能顯示裝置之一交流電壓波動差總和平方值及一直流電壓波動差總和平方值，並依據該交流電壓波動差總和平方值及該直流電壓波動差總和平方值，獲得一功耗總值；以及<br/> 該時序控制器更依據該些功耗總值，從該些候選極性模式中，挑選出該極性調整模式。
如請求項6所述之智慧節能顯示裝置，其中該時序控制器包括：<br/> 一神經處理器，用以接收該當前畫面，並依據該當前畫面輸出該極性調整模式。
一種電子系統，包括：<br/> 一用戶追蹤裝置，用以偵測一用戶狀態；<br/> 一主機，連接於該用戶追蹤裝置，該主機包括：<br/> 一處理器，用以提供一當前畫面；以及<br/> 一智慧節能顯示裝置，連接於該主機，該智慧節能顯示裝置包括：<br/> 一時序控制器（T-CON），用以依據該用戶狀態，決定是否啟動一極性模式調整程序，若決定啟動該極性模式調整程序，則該時序控制器依據該當前畫面，獲得一極性調整模式；<br/> 一訊號轉換器（signal switching unit），連接於該時序控制器，該訊號轉換器用以接收該極性調整模式後，調整一極性模式，以輸出一控制訊號；及<br/> 一源驅動器（source driver），連接於該訊號轉換器，該源驅動器用以依據該控制訊號顯示該當前畫面。
一種用於仿聲翻譯的系統，包括：<br/> 訊號前處理模組；<br/> 多語言語音辨識模組；<br/> 多語言翻譯模組；以及<br/> 多語言語音仿聲合成模組，其中<br/> 所述訊號前處理模組對原始語音訊號執行前處理操作來獲得前處理後的所述原始語音訊號；<br/> 所述多語言語音辨識模組利用前處理後的所述原始語音訊號來獲得原始語言種類以及原始語言文字；<br/> 所述多語言翻譯模組利用所述原始語言種類、所述原始語言文字以及目標語言種類來獲得目標語言文字；<br/> 所述多語言語音仿聲合成模組利用前處理後的所述原始語音訊號以及所述目標語言文字來獲得翻譯後語音訊號，其中所述翻譯後語音訊號包括對應於所述原始語音訊號的音色以及語調，<br/> 其中所述訊號前處理模組包括語音增強模組，其中所述前處理操作包括語音增強操作，其中所述語音增強模組包括數位訊號處理演算法、端到端深度類神經網路模型以及注意力機制神經網路模型。
如請求項1所述的系統，其中所述原始語音訊號包括基石模型輸出的特徵。
如請求項1所述的系統，其中所述原始語音訊號包括數位訊號的特徵。
如請求項1所述的系統，其中所述訊號前處理模組包括去除噪音模組，其中所述前處理操作包括去除噪音操作，其中所述去除噪音模組包括所述數位訊號處理演算法、所述端到端深度類神經網路模型以及所述注意力機制神經網路模型。
如請求項1所述的系統，其中所述多語言語音辨識模組包括HMM（Hidden Markov Model）模型、所述端到端深度類神經網路模型以及自監督式學習神經網路模型。
如請求項1所述的系統，其中所述多語言翻譯模組包括統計式模型、神經機器翻譯模型以及LLM（Large Language Model）模型。
如請求項1所述的系統，其中所述多語言語音仿聲合成模組包括基於編碼器及解碼器的神經網路模型、所述端到端深度類神經網路模型以及所述注意力機制神經網路模型。
如請求項1所述的系統，其中<br/> 所述訊號前處理模組通過輸入裝置或者收發器來獲得所述原始語音訊號；<br/> 所述多語言翻譯模組通過所述輸入裝置或者所述收發器來獲得所述目標語言種類。
一種用於仿聲翻譯的方法，適於包括訊號前處理模組、多語言語音辨識模組、多語言翻譯模組以及多語言語音仿聲合成模組的系統，其中所述方法包括以下步驟：<br/> 所述訊號前處理模組對原始語音訊號執行前處理操作來獲得前處理後的所述原始語音訊號；<br/> 所述多語言語音辨識模組利用前處理後的所述原始語音訊號來獲得原始語言種類以及原始語言文字；<br/> 所述多語言翻譯模組利用所述原始語言種類、所述原始語言文字以及目標語言種類來獲得目標語言文字；以及<br/> 所述多語言語音仿聲合成模組利用前處理後的所述原始語音訊號以及所述目標語言文字來獲得翻譯後語音訊號，其中所述翻譯後語音訊號包括對應於所述原始語音訊號的音色以及語調，<br/> 其中所述訊號前處理模組包括語音增強模組，其中所述前處理操作包括語音增強操作，其中所述語音增強模組包括數位訊號處理演算法、端到端深度類神經網路模型以及注意力機制神經網路模型。
一種點雲生成方法，其中，應用於電子設備，包括：<br/> 獲取目標物體的醫學影像資料；在所述醫學影像資料中，基於亨氏值篩選所述目標物體的體素，得到第一體素集合；<br/> 對所述醫學影像資料進行邊緣檢測，得到第二體素集合，所述第二體素集合包括所述目標物體輪廓處的體素；<br/> 基於所述第一體素集合和所述第二體素集合生成所述目標物體的點雲，包括：基於所述第一體素集合和所述第二體素集合進行邏輯與運算，得到交集；基於所述交集生成所述目標物體的點雲。
如請求項1所述的點雲生成方法，其中，所述在所述醫學影像資料中，基於亨氏值篩選所述目標物體的體素，得到第一體素集合，包括：<br/> 獲取所述醫學影像資料中各體素的亨氏值；<br/> 在所述醫學影像資料的各體素中，篩選亨氏值處於預設亨氏值範圍的體素，得到所述第一體素集合；<br/> 其中，所述預設亨氏值範圍為所述目標物體體素的亨氏值範圍。
如請求項1所述的點雲生成方法，其中，所述對所述醫學影像資料進行邊緣檢測，得到第二體素集合，包括：<br/> 沿所述醫學影像資料的成像平面，對所述醫學影像資料進行切片，得到多個二維影像資料；<br/> 分別對所述多個二維影像資料進行邊緣檢測，得到所述多個二維影像資料的邊緣區域；<br/> 對所述多個二維影像資料的邊緣區域進行堆疊，得到所述第二體素集合。
如請求項3所述的點雲生成方法，其中，所述分別對所述多個二維影像資料進行邊緣檢測，得到所述多個二維影像資料的邊緣區域，包括：<br/> 將所述二維影像資料的像素與預設的水平方向卷積核進行卷積運算，得到所述二維影像資料的水平方向梯度；<br/> 將所述二維影像資料的像素與預設的垂直方向卷積核進行卷積運算，得到所述二維影像資料的垂直方向梯度；<br/> 基於所述水平方向梯度和所述垂直方向梯度確定所述二維影像資料中每個像素的梯度幅值；<br/> 基於所述梯度幅值，在所述二維影像資料中篩選處於邊緣區域的像素，得到所述二維影像資料的邊緣區域。
如請求項1所述的點雲生成方法，其中，所述基於所述第一體素集合和所述第二體素集合進行邏輯與運算，得到交集，包括：<br/> 沿所述醫學影像資料的深度軸方向，對所述第一體素集合進行形態學膨脹處理，得到第三體素集合；<br/> 沿所述深度軸方向，對所述第二體素集合進行形態學膨脹處理，得到第四體素集合；<br/> 對所述第三體素集合和所述第四體素集合進行邏輯與運算，得到所述交集。
如請求項1所述的點雲生成方法，其中，所述基於所述交集生成所述目標物體的點雲，包括：<br/> 在所述交集中，識別由相互連通的體素所形成的連通區域；<br/> 基於構成最大連通區域的體素，生成所述目標物體的點雲。
一種點雲生成裝置，其中，運行於電子設備，包括：<br/> 資料獲取模組，用於獲取目標物體的醫學影像資料；<br/> 體素篩選模組，用於在所述醫學影像資料中，基於亨氏值篩選所述目標物體的體素，得到第一體素集合；<br/> 邊緣檢測模組，用於對所述醫學影像資料進行邊緣檢測，得到第二體素集合，所述第二體素集合包括所述目標物體輪廓處的體素；<br/> 點雲生成模組，用於基於所述第一體素集合和所述第二體素集合生成所述目標物體的點雲，包括：基於所述第一體素集合和所述第二體素集合進行邏輯與運算，得到交集；基於所述交集生成所述目標物體的點雲。
一種電子設備，所述電子設備包括處理器及記憶體，其中，所述記憶體用於存儲指令，所述處理器用於調用所述記憶體中的指令，使得所述電子設備執行如請求項1至請求項6中任一項所述的點雲生成方法。
一種電腦可讀存儲介質，其中，所述電腦可讀存儲介質存儲電腦指令，當所述電腦指令在電子設備上運行時，使得所述電子設備執行如請求項1至請求項6中任一項所述的點雲生成方法。
一種顯示裝置，其中：<br/>具有電阻元件與電晶體；<br/>該電阻元件具有第一氧化物半導體層；<br/>該電晶體具有第二氧化物半導體層；<br/>該電阻元件的其中一個端子與該電晶體的源極或汲極的其中一個一直處與導通狀態；<br/>設置有基板、第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層、第五導電層、第一絕緣層、第二絕緣層；<br/>該第一導電層係具有與該基板頂面接觸的區域；<br/>該第二導電層係具有與該基板頂面接觸的區域；<br/>該第一絕緣層係具有與該第一導電層頂面接觸的區域，和與該第二導電層頂面接觸的區域；<br/>該第一氧化物半導體層係具有與該第一絕緣層頂面接觸的區域；<br/>該第二氧化物半導體層係具有與該第一絕緣層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有與該第一氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第四導電層係具有與該第一氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第五導電層係具有與該第二氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第二絕緣層係具有與該第三導電層頂面接觸的區域，和與該第四導電層頂面接觸的區域，和與該第五導電層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有與該第一導電層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有作為該電阻元件另外一個端子的功能；<br/>該第四導電層係具有作為該電阻元件其中一個端子的功能；<br/>該第二導電層係具有作為該電晶體的閘極電極的功能；<br/>該第一絕緣層係具有作為該電晶體的閘極絕緣層的功能；<br/>該第四導電層係具有作為該電晶體的源極電極或汲極電極的其中一個的功能；<br/>該第五導電層係具有作為該電晶體的源極電極或汲極電極的另外一個的功能；<br/>在平面視圖中，該第一氧化物半導體層具有彎曲形狀；<br/>在平面視圖中，該第一導電層不與該第一氧化物半導體層重疊。
一種顯示裝置，其中：<br/>具有電阻元件與電晶體；<br/>該電阻元件具有第一氧化物半導體層；<br/>該電晶體具有第二氧化物半導體層；<br/>該電阻元件的其中一個端子與該電晶體的源極或汲極的其中一個一直處與導通狀態；<br/>設置有基板、第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層、第五導電層、第一絕緣層、第二絕緣層；<br/>該第一導電層係具有與該基板頂面接觸的區域；<br/>該第二導電層係具有與該基板頂面接觸的區域；<br/>該第一絕緣層係具有與該第一導電層頂面接觸的區域，和與該第二導電層頂面接觸的區域；<br/>該第一氧化物半導體層係具有與該第一絕緣層頂面接觸的區域；<br/>該第二氧化物半導體層係具有與該第一絕緣層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有與該第一氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第四導電層係具有與該第一氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第五導電層係具有與該第二氧化物半導體層頂面接觸的區域；<br/>該第二絕緣層係具有與該第三導電層頂面接觸的區域，和與該第四導電層頂面接觸的區域，和與該第五導電層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有與該第一導電層頂面接觸的區域；<br/>該第三導電層係具有作為該電阻元件另外一個端子的功能；<br/>該第四導電層係具有作為該電阻元件其中一個端子的功能；<br/>該第二導電層係具有作為該電晶體的閘極電極的功能；<br/>該第一絕緣層係具有作為該電晶體的閘極絕緣層的功能；<br/>該第四導電層係具有作為該電晶體的源極電極或汲極電極的其中一個的功能；<br/>該第五導電層係具有作為該電晶體的源極電極或汲極電極的另外一個的功能；<br/>在平面視圖中，該第一氧化物半導體層具有蛇行形狀；<br/>在平面視圖中，該第一導電層不與該第一氧化物半導體層重疊。
如請求項1或2之顯示裝置，其中，<br/>該第二絕緣層具有氮化矽層。
一種被處理材表面處理方法，係在使薄膜黏著在被處理材的表面的成膜工程之前，對黏著前述薄膜的前述被處理材的黏著面進行表面處理工程的被處理材表面處理方法，其特徵係 <br/> 在配置有電極的真空室內導入非活性氣體， <br/> 使前述被處理材在一對處理面形成用輥的下游側，與保持構件緊貼， <br/> 將前述保持構件與接地電極連接，將前述被處理材設為接地電位， <br/> 經由週期性地提供負電位的高頻電源施加到前述電極上， <br/> 在一對前述處理面形成用輥間，使前述被處理材對於前述保持構件成為分離狀態， <br/> 對於處於前述分離狀態的前述被處理材的處理面，前述保持構件位於一方，前述電極位於另一方， <br/> 使前述被處理材在所述電極與前述保持構件間，成為從前述保持構件離開的狀態， <br/> 在不施加前述負電位時，使電漿化前述非活性氣體作用於處於離開前述保持構件的狀態的前述被處理材的處理面。
如請求項1記載之被處理材表面處理方法，其中，使用板狀電極作為前述電極， <br/> 將前述板狀電極作為難蝕刻材。
如請求項1記載之被處理材表面處理方法，其中，前述真空室內為0.1Pa以上10Pa以下。
如請求項1~請求項3之任一項記載的被處理材表面處理方法，前述被處理材為氟樹脂薄片，前述薄膜為銅薄膜。
如請求項4記載之被處理材表面處理方法，其中，將前述被處理材設為PTFE薄片。
如請求項1~請求項3之任一項記載的被處理材表面處理方法，前述被處理材為LCP薄膜，前述薄膜為銅薄膜。
如請求項1記載之被處理材表面處理方法，其中，將前述非活性氣體設為N<sub>2</sub>， <br/> 將H<sub>2</sub>O與前述N<sub>2</sub>一起導入前述真空室內。
一種被處理材表面處理裝置，在真空室內配置電極、保持構件及一對處理面形成用輥，向前述真空室內導入非活性氣體，對被處理材的黏著面進行表面處理的被處理材表面處理裝置，其特徵係 <br/> 使前述被處理材在一對前述處理面形成用輥的下游側，與前述保持構件緊貼， <br/> 將前述保持構件與接地電極連接，將前述保持構件設為接地電位， <br/> 前述電極係經由週期性地提供負電位的高頻電源施加， <br/> 在一對前述處理面形成用輥間，使前述被處理材對於前述保持構件成為分離狀態， <br/> 對於處於前述分離狀態的前述被處理材的處理面，前述保持構件位於一方，前述電極位於另一方。
如請求項8記載之被處理材表面處理裝置，其中，使用板狀電極作為前述電極， <br/> 將前述板狀電極作為難蝕刻材。
一種天線裝置，包括：<br/> 第一透明基板，具有第一表面與第二表面；<br/> 多個天線單元，其中相鄰的所述多個天線單元之間具有透光區，且各所述天線單元包括：<br/> 第一天線電極，設置於所述第一透明基板的所述第一表面上；<br/> 圖案化導線層，設置於所述第一透明基板的所述第二表面上且包括圖案化導線，所述圖案化導線耦合所述第一天線電極；以及<br/> 晶片，接合所述圖案化導線；以及<br/> 散熱層，與所述第一透明基板層疊配置，且包括第二透明基板、第一圖案化微結構層以及一散熱液體，其中所述第二透明基板以及所述第一圖案化微結構層之間形成一空腔，所述空腔內容置所述散熱液體，且所述散熱液體適於對所述晶片進行散熱，<br/> 其中所述第一圖案化微結構層的至少一部分在所述第一透明基板的垂直投影重疊所述圖案化導線或所述第一天線電極在所述第一透明基板的垂直投影。
如請求項1所述的天線裝置，其中所述散熱層包括第一區域以及第二區域，所述第一圖案化微結構層包括配置於所述第一區域內的第一部分以及配置於所述第二區域內的第二部分，所述多個天線單元配置於所述天線裝置的主動區內，所述第一圖案化微結構層的所述第一部分對應所述主動區，所述第一圖案化微結構層的所述第二部分對應所述天線裝置的非主動區並圍繞所述第一部分。
如請求項2所述的天線裝置，其中所述第一區域具有第一面積，所述第二區域具有第二面積，所述第一面積以及所述第二面積的和與所述第一面積的比值大於1.2。
如請求項1所述的天線裝置，其中所述散熱層的所述第一圖案化微結構層位於所述第一透明基板的所述第一表面上。
如請求項4所述的天線裝置，其中各所述天線單元還包括第二天線電極，耦合所述圖案化導線，所述第二透明基板包括朝向所述第一圖案化微結構層的第一表面，以及與所述第一表面相對的第二表面，所述第二天線電極配置於所述第二透明基板的所述第二表面上。
如請求項5所述的天線裝置，其中所述散熱層還包括第二圖案化微結構層，對應所述第一圖案化微結構層，且配置於所述第二透明基板的所述第一表面上。
如請求項1所述的天線裝置，其中所述散熱層還包括第三透明基板，位於所述第一透明基板以及所述第二透明基板之間，其中所述第一圖案化微結構層配置於所述第三透明基板上。
如請求項7所述的天線裝置，其中所述散熱層還包括第二圖案化微結構層，對應所述第一圖案化微結構層，且配置於所述第二透明基板上。
如請求項6或8所述的天線裝置，其中所述第一圖案化微結構層具備親水性。
如請求項6或8所述的天線裝置，其中所述第二圖案化微結構層具備疏水性。
如請求項8所述的天線裝置，其中所述空腔位於所述第二透明基板以及所述第三透明基板之間，所述空腔具備一空腔高度，所述散熱液體具備一液面高度，且所述液面高度與所述空腔高度的比值落在0.05至0.9的範圍內。
一種利用磁性雙性粒子(magnetic Janus particle，MJP)檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，包含：<br/> 提供一溶液，其中該溶液包含磁性雙性粒子，且該磁性雙性粒子包含：<br/> 一螢光核心，其中該螢光核心的粒徑是0.1 μm 至10.0 μm；<br/> 一金屬半球殼，覆蓋該螢光核心之一半球表面，其中該金屬半球殼包含一銀層、一鎳層及一金層，其中該銀層設置於該鎳層及該螢光核心的該半球表面之間，該金層設置於該鎳層上，該銀層的厚度是1 nm至15 nm，該鎳層的厚度是10 nm至25 nm，且該金層的厚度是1 nm至15 nm；以及<br/> 檢測抗體，固定於該金屬半球殼的一表面上，其中該檢測抗體與該磁性雙性粒子的數量比是(150~1500000)：1；<br/> 加入含有癌症生物標記之一離體生物樣本於該溶液中，使該溶液的黏度是0.98 cP至7.06 cP，並使該檢測抗體與該癌症生物標記結合，且該磁性雙性粒子轉變為一複合體，其中該離體生物樣本為一標準樣本或源自待測對象之一待測樣本，該標準樣本包含已知濃度的該癌症生物標記，且該癌症生物標記包含外泌體；<br/> 對該複合體施加一處理，以獲得該複合體之訊噪比-驅動頻率曲線，其中該處理包含施加激發光及複數個驅動頻率的一交變磁場，該交變磁場的磁場強度是0.1 mG至500 mG，該些驅動頻率是大於1 Hz至50 Hz，由該標準樣本獲得之該訊噪比-驅動頻率曲線為一第一訊噪比-驅動頻率曲線，且由該待測樣本獲得之該訊噪比-驅動頻率曲線為一第二訊噪比-驅動頻率曲線；<br/> 以訊噪比大於1且小於5為基準，由該第一訊噪比-驅動頻率曲線及該第二訊噪比-驅動頻率曲線分別獲得一第一截頻率及一第二截頻率；以及<br/> 利用該第一截頻率對應該已知濃度建立一標準曲線，並根據該標準曲線，由該第二截頻率獲得該待測樣本的一測量濃度。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，其中該癌症生物標記是用以輔助預測癌症，且該癌症包含口腔癌、大腸癌、胰臟癌、腎癌、膀胱癌、乳癌、前列腺癌、血癌及/或軟骨癌。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，其中該離體生物樣本是源自於唾液、口腔黏液、腸黏液、尿液、乳液、精液、血液、組織液及/或關節滑液。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，其中該離體生物樣本係經一外泌體分離處理後獲得。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，其中該檢測抗體包含CD63抗體、CD44抗體、CD81抗體、ADAM10抗體及/或MMP14抗體。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，其中該激發光的波長是530 nm至550 nm。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，更包含於該複合體施加該處理前，對該複合體施加前處理，其中該前處理包含施加該激發光及測試頻率的該交變磁場，且該測試頻率是小於該些驅動頻率。
如請求項1所述之利用磁性雙性粒子檢測離體生物樣本的癌症生物標記的濃度之方法，更包含在加入該離體生物樣本於該溶液後，以500 rpm至1000 rpm進行一反應步驟達20分鐘至60分鐘。
一種應用於LLC諧振電源轉換器的控制器，包含：<br/> 一臨界電壓產生電路，用以根據一參考電壓、一回授電壓和一閘極控制信號相位，產生一上臨界電壓和一下臨界電壓；及<br/> 一閘極控制信號產生電路，用以產生一上橋控制信號與一下橋控制信號以分別控制該LLC諧振電源轉換器的一上橋開關與一下橋開關；<br/> 其中該閘極控制信號產生電路係根據一上橋致能信號致能該上橋控制信號，或根據一下橋致能信號致能該下橋控制信號，且根據一偵測電壓和該上臨界電壓去能該上橋控制信號，或根據該偵測電壓和該下臨界電壓去能該下橋控制信號。
如請求項1所述的控制器，其中該閘極控制信號相位為一第一相位或一第二相位，該第一相位對應該上橋控制信號，以及該第二相位對應該下橋控制信號。
如請求項2所述的控制器，其中該臨界電壓產生電路包含：<br/> 一補償電路，用以接收一補償電壓和該參考電壓，其中該補償電路根據該第一相位、該補償電壓和該參考電壓，輸出一第一電壓，以及根據該第二相位、該補償電壓和該參考電壓，輸出一第二電壓；及<br/> 一電壓調整電路，耦接於該補償電路，用以根據該回授電壓和該第一電壓，產生該上臨界電壓，以及根據該回授電壓和該第二電壓，產生該下臨界電壓。
如請求項3所述的控制器，其中該補償電路包含：<br/> 一第一加法器，用以接收該補償電壓和該參考電壓，並將該參考電壓減去該補償電壓以產生該第一電壓；及<br/> 一第二加法器，用以接收該補償電壓和該參考電壓，並將該參考電壓加上該補償電壓以產生該第二電壓。
如請求項3所述的控制器，其中該電壓調整電路包含：<br/> 一位準電路，用以根據該回授電壓產生一電壓位準；及<br/> 一位準偏移器，耦接於該補償電路和該位準電路，包含一第三加法器和一第四加法器，其中該第三加法器是用以將該第一電壓加上該電壓位準以產生該上臨界電壓，以及該第四加法器是用以將該第二電壓減去該電壓位準以產生該下臨界電壓。
如請求項1所述的控制器，其中該閘極控制信號產生電路包含：<br/> 一第一比較器，用以接收該偵測電壓和該上臨界電壓，且根據該偵測電壓和該上臨界電壓，產生一第一去能信號；<br/> 一第二比較器，用以接收該偵測電壓和該下臨界電壓，且根據該偵測電壓和該下臨界電壓，產生一第二去能信號；<br/> 一第一正反器，耦接於該第一比較器，用以分別根據該第一去能信號和該上橋致能信號，控制該上橋控制信號的去能與致能；及<br/> 一第二正反器，耦接於該第二比較器，用以分別根據該第二去能信號和該下橋致能信號，控制該下橋控制信號的去能與致能。
如請求項1所述的控制器，其中該上臨界電壓大於該參考電壓以及該下臨界電壓小於該參考電壓。
如請求項1所述的控制器，其中該電源轉換器是一電流模式LLC諧振電源轉換器。
一種應用於LLC諧振電源轉換器的控制器，包含：<br/> 一臨界電壓產生電路，用以根據一參考電壓、一回授電壓、一上橋控制信號和一下橋控制信號，產生一上臨界電壓和一下臨界電壓；及<br/> 一閘極控制信號產生電路，用以產生該上橋控制信號與該下橋控制信號以分別控制該LLC諧振電源轉換器的一上橋開關與一下橋開關；<br/> 其中該閘極控制信號產生電路係根據一上橋致能信號致能該上橋控制信號，或根據一下橋致能信號致能該下橋控制信號，且根據一偵測電壓和該上臨界電壓去能該上橋控制信號，或根據該偵測電壓和該下臨界電壓去能該下橋控制信號。
如請求項9所述的控制器，其中該臨界電壓產生電路包含：<br/> 一補償電路，用以接收一補償電壓、該參考電壓、該上橋控制信號和該下橋控制信號，其中該補償電路根據該上橋控制信號、該補償電壓和該參考電壓，輸出一第一電壓，以及根據該下橋控制信號、該補償電壓和該參考電壓，輸出一第二電壓；及<br/> 一電壓調整電路，耦接於該補償電路，用以根據該回授電壓和該第一電壓，產生該上臨界電壓，以及根據該回授電壓和該第二電壓，產生該下臨界電壓。
如請求項10所述的控制器，其中該電壓調整電路包含：<br/> 一位準電路，用以根據該回授電壓產生一電壓位準；及<br/> 一位準偏移器，耦接於該補償電路和該位準電路，包含一第三加法器和一第四加法器，其中該第三加法器是用以將該第一電壓加上該電壓位準以產生該上臨界電壓，以及該第四加法器是用以將該第二電壓減去該電壓位準以產生該下臨界電壓。
如請求項10所述的控制器，其中該補償電路包含：<br/> 一第五加法器，用以接收該補償電壓和該參考電壓，並將該參考電壓減去該補償電壓以產生該第一電壓；及<br/> 一第六加法器，用以接收該補償電壓和該參考電壓，並將該參考電壓加上該補償電壓以產生該第二電壓。
如請求項9所述的控制器，其中該閘極控制信號產生電路包含：<br/> 一第一比較器，用以接收該偵測電壓和該上臨界電壓，且根據該偵測電壓和該上臨界電壓，產生一第一去能信號；<br/> 一第二比較器，用以接收該偵測電壓和該下臨界電壓，且根據該偵測電壓和該下臨界電壓，產生一第二去能信號；<br/> 一第一正反器，耦接於該第一比較器，用以分別根據該第一去能信號和該上橋致能信號，控制該上橋控制信號的去能與致能；及<br/> 一第二正反器，耦接於該第二比較器，用以分別根據該第二去能信號和該下橋致能信號，控制該下橋控制信號的去能與致能。
一種滑軌總成，包含：一軌件，該軌件具有一抵持部；以及一操作件，該操作件具有一彈片，該彈片具有一第一部分，當操作該操作件，則連動該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，使該操作件保持不動，該操作件之中部具有一第一推動部，當該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，則該第一推動部推動一第一擋件，使該第一擋件隨著該操作件保持不動。
一種滑軌總成，包含：一軌件，該軌件具有一抵持部；以及一操作件，該操作件具有一彈片，該彈片具有一第一部分，當操作該操作件，則連動該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，使該操作件保持不動，該操作件之中部具有一第一推動部，當該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，則該第一推動部推動一第一擋件，使該第一擋件隨著該操作件保持不動；該操作件之後部具有一第二推動部，當該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，則該第二推動部推動一第二擋件，使該第二擋件隨著該操作件保持不動。
一種滑軌總成，包含：一軌件，該軌件具有一抵持部；以及一操作件，該操作件具有一彈片，該彈片具有一第一部分，當操作該操作件，則連動該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，使該操作件保持不動，該操作件之後部具有一第二推動部，當該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，則該第二推動部推動一第二擋件，使該第二擋件隨著該操作件保持不動。
一種滑軌總成，包含：一軌件，該軌件具有一抵持部；一第一軌，該第一軌活動連接該軌件；一第二軌，該第二軌活動連接該第一軌，該第二軌設有一固定件及該第一軌設有一鎖件，該鎖件相對於該固定件，當該第一軌朝向該第二軌進行展開，則該鎖件定位於該固定件；以及一操作件，該操作件位於該軌件與該第一軌之間，並具有一彈片，該彈片具有一第一部分相對於該抵持部，當該軌件、該第一軌及該第二軌進行展開後，則以便於操作該操作件，而連動該彈片之該第一部分卡掣於該抵持部，使該操作件保持不動。
如請求項4述之滑軌總成，其中，該軌件設有一第一解除特徵，該第一解除特徵相對於該鎖件，當該軌件朝向該第一軌進行收合，則該鎖件解除於該固定件。
如請求項1~5任一項中所述之滑軌總成，其中，該彈片具有一相對於該第一部分之第二部分，當啟動該彈片之該第二部分，則該彈片之該第一部分脫離該抵持部，使該操作件解除保持不動。
如請求項1~5任一項中所述之滑軌總成，其中，該抵持部為具有一掣孔，該掣孔為凸狀形成一抵靠面，且該第一部分具有一頭部特徵及一延伸於該頭部特徵之翼形特徵，該翼形特徵抵持於該抵靠面。
如請求項6所述之滑軌總成，其中，該軌件具有一開孔，該開孔相對應該彈片之該第二部分，該彈片之該第二部分在該開孔內進行作動。
如請求項6所述之滑軌總成，更包括一活動連接該軌件之第一軌，該第一軌設有一第一擋體，該第一擋體相對於該彈片之該第二部分，當該軌件朝向該第一軌進行收合，則該第一擋體啟動該彈片之該第二部分。
一種按壓構件，其用於對按壓對象進行按壓，其特徵在於，具備：<br/> 被按壓部，其用於承受來自外部之載荷；及<br/> 按壓部，其自前述被按壓部延伸，抵接於前述按壓對象而進行按壓，<br/> 前述按壓部上形成有：<br/> 複數個貫穿孔，其沿著前述按壓部之延伸方向貫穿；及<br/> 孔部，其沿著與前述貫穿孔之貫穿方向交叉之方向延伸。
如請求項1之按壓構件，其中<br/> 前述複數個貫穿孔排列成格子狀。
如請求項1之按壓構件，其中<br/> 前述孔部係形成於前述按壓部之端面之狹縫。
如請求項1之按壓構件，其中<br/> 前述孔部係形成在與前述按壓部之端面相連之側面上之貫穿孔。
如請求項1之按壓構件，其中<br/> 具有凹部，前述凹部形成自前述被按壓部延伸至前述按壓部側之空間，<br/> 前述按壓部呈有底筒狀，其由前述凹部形成空間，並且具有設置在與前述被按壓部側相反之一側的底部，<br/> 前述孔部形成在形成前述凹部之壁面上。
一種保持裝置，其特徵在於，具備：<br/> 框架；<br/> 底板，其將前述框架支承為轉動自如；及<br/> 按壓構件，其設置於前述框架與前述底板之間，對按壓對象進行按壓，<br/> 前述按壓構件具有：<br/> 被按壓部，其用於承受來自外部之載荷；及<br/> 按壓部，其自前述被按壓部延伸，抵接於前述按壓對象而進行按壓，<br/> 前述按壓部上形成有：<br/> 複數個貫穿孔，其沿著前述按壓部之延伸方向貫穿；及<br/> 孔部，其沿著與前述貫穿孔之貫穿方向交叉之方向延伸。
一種基板處理方法，利用一基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：一製程腔室，在內部形成有一反應空間；一基板支撐部，結合於所述製程腔室，以支撐一基板，並在內部包含一靜電電極；以及一氣體噴射部，設置在所述製程腔室，以向所述反應空間供應一製程氣體； <br/>所述基板處理方法包括以下步驟： <br/>在所述靜電電極施加一第一極性的一第一電壓； <br/>在所述靜電電極施加所述第一電壓的狀態下，在所述反應空間形成一電漿環境的同時透過所述氣體噴射部向所述反應空間噴射所述製程氣體，以在所述基板上形成一第一薄膜； <br/>在所述靜電電極施加與所述第一極性相反的一第二極性的一第二電壓；以及 <br/>在所述靜電電極施加所述第二電壓的狀態下，在所述反應空間形成所述電漿環境的同時透過所述氣體噴射部向所述反應空間噴射所述製程氣體，進而在所述基板上形成一第二薄膜。
如請求項1所述的基板處理方法，進一步包括以下步驟：將所述第一電壓施加步驟、所述第一薄膜形成步驟、所述第二電壓施加步驟及所述第二薄膜形成步驟依次反復多次。
如請求項1所述的基板處理方法，其中，所述第一薄膜及所述第二薄膜包含相同的絕緣物。
如請求項1所述的基板處理方法，進一步包括以下步驟： <br/>在所述第一薄膜形成步驟之後及所述第二電壓施加步驟之前，在所述靜電電極施加所述第一電壓的狀態下，在所述反應空間形成所述電漿環境的同時透過所述氣體噴射部向所述反應空間噴射所述製程氣體，進而在所述基板上形成一第三薄膜；以及 <br/>在所述第二薄膜形成步驟之後，在所述靜電電極施加所述第二電壓的狀態下，在所述反應空間形成所述電漿環境的同時透過所述氣體噴射部向所述反應空間噴射所述製程氣體，進而在所述基板上形成一第四薄膜。
如請求項4所述的基板處理方法，進一步包括以下步驟：將所述第一電壓施加步驟、所述第一薄膜形成步驟、所述第三薄膜形成步驟、所述第二電壓施加步驟、所述第二薄膜形成步驟及所述第四薄膜形成步驟依次反復多次。
如請求項5所述的基板處理方法，其中，所述反復多次的步驟中，在每次反復時，逐漸增加所述第一電壓及所述第二電壓的絕對值。
如請求項4所述的基板處理方法，其中，在所述第二電壓施加步驟之前，將所述第一薄膜形成步驟及所述第三薄膜形成步驟交替執行多次。
如請求項4所述的基板處理方法，其中，在所述第二電壓施加步驟之後，將所述第二薄膜形成步驟及所述第四薄膜形成步驟交替執行多次。
如請求項4至8中任一項所述的基板處理方法，其中， <br/>所述第一薄膜、所述第三薄膜、所述第二薄膜及所述第四薄膜具有層疊結構， <br/>所述第一薄膜及所述第二薄膜包含相同的一第一絕緣物，以及 <br/>所述第三薄膜及所述第四薄膜包含相同的一第二絕緣物。
如請求項9所述的基板處理方法，其中，所述第一薄膜、所述第三薄膜、所述第二薄膜及所述第四薄膜的層疊結構包括氧化膜、氮化膜、氧化膜、氮化膜的交替層疊結構或者氮化膜、氧化膜、氮化膜、氧化膜的交替層疊結構。
一種顯示裝置，包括基板以及配置在所述基板上的多個顯示單元，所述多個顯示單元中的至少一顯示單元包括：<br/> 發光二極體，包括沿著遠離所述基板的第一方向依序配置的第一半導體層、發光層以及第二半導體層；<br/> 第一絕緣層，圍繞所述發光二極體；以及<br/> 第二絕緣層，圍繞所述發光二極體，其中所述第一絕緣層配置於所述基板以及所述第二絕緣層之間，<br/> 其中所述第二半導體層的頂面與所述基板之間的第一距離大於所述第一絕緣層的頂面與所述基板之間的第二距離，且小於所述第二絕緣層的頂面與所述基板之間的第三距離，<br/> 其中所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層直接接觸所述發光二極體。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層為圖案化結構，且所述第一絕緣層的所述頂面中的部分頂面被所述第二絕緣層暴露出來。
如請求項2所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層在所述第一方向上的寬度大於被所述第二絕緣層暴露出來的所述部分頂面在一第二方向上的寬度，所述第二方向垂直所述第一方向。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層直接接觸所述第一絕緣層的所述頂面，所述第二絕緣層的折射率小於所述第一絕緣層的折射率，且大於1。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二半導體層的所述頂面在所述基板的垂直投影的至少一部分不重疊所述第二絕緣層在所述基板的垂直投影。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第二半導體層包括至少一側面，所述至少一側面連接所述第一絕緣層的所述頂面，且連接所述第二絕緣層的所述頂面。
如請求項6所述的顯示裝置，其中所述至少一側面形成為所述顯示單元的出光面。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一半導體層以及所述第二半導體層分別為N型半導體以及P型半導體，且所述第一絕緣層的折射率大於所述第二絕緣層的折射率。
如請求項8所述的顯示裝置，其中所述第一絕緣層的所述折射率大於或等於1.6。
如請求項8所述的顯示裝置，其中所述發光層與所述基板之間的第四距離小於所述第二距離。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一半導體層以及所述第二半導體層分別為P型半導體以及N型半導體，且所述第二絕緣層的折射率大於所述第一絕緣層的折射率。
如請求項11所述的顯示裝置，其中所述第二絕緣層的所述折射率大於或等於1.6。
如請求項11所述的顯示裝置，其中所述發光層與所述基板之間的第四距離大於所述第二距離。
一種雷射二極體裝置製程監測的方法，包括： <br/>提供一雷射二極體，包括一反射層及一主動發光層，所述主動發光層位於所述反射層上； <br/>在所述主動發光層上生成一電流侷限層，且所述電流侷限層形成有一侷限孔；以及 <br/>通過一觀察裝置觀察所述侷限孔的孔徑，所述觀察裝置包括一透鏡組及一光源模組，其中，對應於所述主動發光層及所述反射層的材料組成，所述光源模組對所述電流侷限層發出一光束，所述光束不被所述反射層吸收且不激發所述主動發光層，以提供所述透鏡組獲取一清晰的所述侷限孔的影像。
如請求項1所述的雷射二極體裝置製程監測的方法，其中，所述光源模組包括至少一雷射二極體、至少一發光二極體或其組合。
一種雷射二極體裝置製程監測的方法，包括： <br/>提供一雷射二極體，包括一反射層及一主動發光層，所述主動發光層位於所述反射層上； <br/>在所述主動發光層上生成一電流侷限層，且所述電流侷限層形成有一侷限孔；以及 <br/>通過一觀察裝置觀察所述侷限孔的孔徑，所述觀察裝置包括一透鏡組及一光源模組，其中，所述光源模組包括至少二子光源，分別可發出不同波長的光束，所述至少二子光源同時對所述電流侷限層發光，所述多個光束中，不激發所述主動發光層的光束提供所述透鏡組獲取一清晰的所述侷限孔的影像。
如請求項3所述的雷射二極體裝置製程監測的方法，其中，所述光源模組的所述至少二子光源可為雷射二極體、發光二極體或其組合。
如請求項1或3所述的雷射二極體裝置製程監測的方法，其中，所述反射層的材料包括AlAs、GaAs、AlGaAs、 InAlAs、InGaAlAs、InP、InGaAsP、AlGaAsSb、AlAsSb、SiO <sub>2</sub>、TiO <sub>2</sub>、Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>中至少一者或其組合。
如請求項1或3所述的雷射二極體裝置製程監測的方法，其中，所述主動發光層的材料包括GaAs、InGaAs、InGaAsP、AlGaAs、InGaN、InGaAlAs、GaN、AlGaInP、GaAsSb中至少一者或其組合。
一種雷射二極體裝置製程的監測設備，適於監測一電流侷限層的一侷限孔的孔徑，所述雷射二極體裝置製程的監測設備包括： <br/>一管理裝置； <br/>一高溫氧化爐，電性連接所述管理裝置，所述高溫氧化爐通過一高溫對雷射二極體進行一選擇性氧化，所述雷射二極體包括一反射層及一主動發光層，所述主動發光層位於所述反射層上，所述選擇性氧化在所述主動發光層上生成所述電流侷限層，且所述電流侷限層形成有所述侷限孔；以及 <br/>一觀察裝置，電性連接所述管理裝置，所述觀察裝置包括一透鏡組及一光源模組，所述管理裝置依據所述主動發光層及所述反射層的材料組成，令所述光源模組對所述電流侷限層發出一光束，所述光束不被所述反射層吸收且不激發所述主動發光層，以提供所述透鏡組獲取一清晰的所述侷限孔的影像。
如請求項7所述的雷射二極體裝置製程的監測設備，其中，所述光源模組包括至少一雷射二極體、至少一發光二極體或其組合。
一種雷射二極體裝置製程的監測設備，適於監測一電流侷限層的一侷限孔的孔徑，所述雷射二極體裝置製程的監測設備包括： <br/>一管理裝置； <br/>一高溫氧化爐，電性連接所述管理裝置，所述高溫氧化爐通過一高溫對雷射二極體進行一選擇性氧化，所述雷射二極體包括一反射層及一主動發光層，所述主動發光層位於所述反射層上，所述選擇性氧化在所述主動發光層上生成一電流侷限層，且所述電流侷限層形成有一侷限孔；以及 <br/>一觀察裝置，電性連接所述管理裝置，所述觀察裝置包括一透鏡組及一光源模組，所述光源模組包括至少二子光源，分別可發出不同波長的光束，所述管理裝置令所述至少二子光源同時對所述電流侷限層發光，於所述多個光束中，不激發所述主動發光層的光束提供所述透鏡組獲取一清晰的所述侷限孔的影像。
如請求項9所述的雷射二極體裝置製程的監測設備，其中，所述光源模組的所述至少二子光源可為雷射二極體、發光二極體或其組合。
如請求項7或9所述的雷射二極體裝置製程的監測設備，其中，所述反射層的材料包括AlAs、GaAs、AlGaAs、 InAlAs、InGaAlAs、InP、InGaAsP、AlGaAsSb、AlAsSb、SiO <sub>2</sub>、TiO <sub>2</sub>、Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>中至少一者或其組合。
如請求項7或9所述的雷射二極體裝置製程的監測設備，其中，所述主動發光層的材料包括GaAs、InGaAs、InGaAsP、AlGaAs、InGaN、InGaAlAs、GaN、AlGaInP、GaAsSb中至少一者或其組合。
一種數位隔離器，其特徵在於，包括第一毫米波電路和第二毫米波電路；所述第一毫米波電路包括第一毫米波天線、第一毫米波發射機以及功率檢測器；所述第二毫米波電路包括第二毫米波天線、第二毫米波接收機、第二毫米波發射機、切換開關；<br/> 所述第一毫米波發射機和所述功率檢測器分別與所述第一毫米波天線連接；所述第二毫米波天線經由所述切換開關分別與所述第二毫米波發射機和所述第二毫米波接收機連接；所述切換開關還與所述第二毫米波電路對應的第二被隔離電路連接；<br/> 所述切換開關，被配置為在第二毫米波電路向第一毫米波電路發送第二訊號時，由原本與第二毫米波接收機連通切換為與第二毫米波發射機連通；<br/> 所述功率檢測器，被配置為檢測第一毫米波電路發送至第二毫米波電路的功率是否由於第一毫米波天線與第二毫米波天線之間發生近場牽引效應而變低；<br/> 所述功率檢測器被配置為根據雙向通訊模式切換功率檢測工作狀態，其中，當第一毫米波電路發送訊號時，功率檢測器啟動功率檢測；當第二毫米波電路發送訊號時，功率檢測器停止功率檢測或切換至非檢測狀態。
如請求項1所述的數位隔離器，其中，所述第一毫米波天線與所述第二毫米天線之間的距離在2-3mm之間。
如請求項1所述的數位隔離器，其中，所述切換開關包括開關a和開關b；所述第二毫米波天線經由所述開關a與所述第二毫米波發射機連接；所述第二毫米波天線經由所述開關b與所述第二毫米波接收機連接；<br/> 所述開關a，被配置為在第一毫米波電路向第二毫米波電路發送第一訊號時導通，第二毫米波電路向第一毫米波電路發送第二訊號時關斷；<br/> 所述開關b，被配置為在第二毫米波電路向第一毫米波電路發送第二訊號時導通，第一毫米波電路向第二毫米波電路發送第一訊號時關斷。
一種數位隔離器的應用電路，其特徵在於，包括如請求項1至3中任意一項所述的數位隔離器；還包括第一被隔離電路和第二被隔離電路；所述第一毫米波發射機和所述功率檢測器分別與所述第一被隔離電路連接；所述第二毫米波接收機和所述第二毫米波發射機分別與所述第二被隔離電路連接。
如請求項4所述的數位隔離器的應用電路，其中，所述第一被隔離電路為低壓電路；所述第二被隔離電路為高壓電路。
如請求項4所述的數位隔離器的應用電路，其中，所述第一被隔離電路為低壓半橋電路；所述第二被隔離電路為高壓半橋電路；<br/> 所述低壓半橋電路包括低壓半橋控制器；所述高壓半橋電路包括高壓半橋控制器；<br/> 所述第一毫米波發射機和所述功率檢測器分別與所述低壓半橋控制器連接；所述第二毫米波接收機、所述第二毫米波發射機、所述切換開關分別與所述高壓半橋控制器連接。
一種隔離通訊方法，其特徵在於，基於如請求項1至3中任意一項所述的數位隔離器，包括：<br/> 在第一毫米波電路向第二毫米波電路發送第一訊號時，第一毫米波電路的第一毫米波發射機經由第一毫米波天線向第二毫米波電路發送第一訊號；第二毫米波電路的第二毫米波天線接收所述第一訊號後，經由所述切換開關將所述第一資訊傳輸至第二毫米波接收機；<br/> 在第二毫米波電路向第一毫米波電路發送第二訊號時，切換開關由原本與第二毫米波接收機連通切換為與第二毫米波發射機連通；第二毫米波發射機傳輸第二訊號至第二毫米波天線；第一毫米波天線與第二毫米波天線之間基於近場pulling效應而使得第一毫米波發射機發出的功率變低；第一毫米波電路的功率檢測器檢測到第一毫米波發射機發出的功率變低後，則提示第一毫米波電路對應的第一被隔離電路。
如請求項7所述的隔離通訊方法，其中，所述第一被隔離電路為低壓電路；所述第二被隔離電路為高壓電路。
如請求項7所述的隔離通訊方法，其中，所述第一被隔離電路為低壓半橋電路；所述第二被隔離電路為高壓半橋電路；所述低壓半橋電路包括低壓半橋控制器；所述高壓半橋電路包括高壓半橋控制器；通過所述高壓半橋控制器控制所述切換開關。
如請求項9所述的隔離通訊方法，其中，所述提示第一毫米波電路對應的第一被隔離電路，包括：<br/> 功率檢測器提示低壓半橋控制器高壓半橋電路異常；<br/> 低壓半橋控制器控制關斷第一毫米波發射機或調整第一毫米波發射機的傳輸功率。
一種半導體結構，包括： <br/>半導體層； <br/>光柵耦合器，配置於所述半導體層上，所述光柵耦合器包括多個光柵線，其中所述光柵線中的每一條沿著符合橢圓的區段的曲線延伸，所述橢圓由半徑R1和小於半徑R1的半徑R2定義；以及 <br/>波導，配置於所述半導體層上且沿著橫向方向鄰近所述光柵耦合器， <br/>其中所述光柵線中每一者的側壁包括具有圓形輪廓的底部部分。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述光柵線沿著所述橫向方向彼此間隔開。
如請求項1所述的半導體結構，其中所述光柵線排列成同心圖案。
如請求項1所述的半導體結構，其中： <br/>所述光柵耦合器包括第一光柵線和第二光柵線， <br/>所述第一光柵線沿著所述橫向方向具有第一寬度， <br/>所述第二光柵線沿著所述橫向方向具有第二寬度，以及 <br/>所述第二寬度不同於所述第一寬度。
如請求項4所述的半導體結構，其中： <br/>所述光柵耦合器更包括第三光柵線， <br/>所述第一光柵線和所述第二光柵線由具有沿著所述橫向方向的第三寬度的第一凹槽分隔， <br/>所述第二光柵線和所述第三光柵線由具有沿著所述橫向方向的第四寬度的第二凹槽分隔，以及 <br/>所述第三寬度不同於所述第四寬度。
一種晶粒，包括： <br/>基底；以及 <br/>裝置層，配置在所述基底上方，所述裝置層包括： <br/>光柵耦合器，具有多個光柵線，所述多個光柵線以同心圖案沿著橫向方向排列在所述裝置層上，其中所述光柵線中的每一者沿著橢圓的區段延伸，所述橢圓由長半徑和短半徑定義，且所述長半徑與所述短半徑的比率大於一，以及 <br/>波導，鄰近所述光柵耦合器， <br/>其中所述光柵線中每一者的側壁包括具有圓形輪廓的底部部分。
如請求項6所述的晶粒，其中： <br/>所述光柵耦合器包括錐形結構，以及 <br/>所述錐形結構沿著所述橫向方向配置在所述波導的鄰近處。
如請求項6所述的晶粒，其中兩個相鄰光柵線之間的間距沿著所述橫向方向變化，所述間距中的每一者沿著所述橫向方向延伸。
一種形成半導體結構的方法，包括： <br/>在介電層上方提供第一半導體層，所述介電層具有底表面； <br/>在所述第一半導體層中形成光柵耦合器和波導，所述光柵耦合器包括多個彎曲光柵線，所述多個彎曲光柵線在橫向方向上彼此間隔開，其中所述彎曲光柵線中的每一者沿著橢圓的區段延伸，所述橢圓由第一半徑和不同於所述第一半徑的第二半徑定義； <br/>提供具有頂表面的第二半導體層；以及 <br/>將所述底表面與所述頂表面接合以形成所述半導體結構， <br/>其中所述光柵線中每一者的側壁包括具有圓形輪廓的底部部分。
如請求項9所述的方法，其中形成所述光柵耦合器包括形成多個凹槽，每個凹槽插入兩個相鄰的彎曲光柵線之間，並且其中所述凹槽的深度沿著所述橫向方向變化。
一種畫素電路，包括： <br/>一驅動電路，耦接至一電源電壓，受控於一資料訊號； <br/>一發光元件，該發光元件的陽極耦接至該驅動電路，在一光感測模式中，透過感測一光訊號的強度以產生一感測訊號； <br/>一訊號處理器，耦接至該發光元件，根據該感測訊號與一參考電壓以產生一光感測資訊；以及 <br/>一選擇電路，耦接至一參考接地電壓以及該發光元件的陰極之間，且該選擇電路根據該畫素電路的工作模式導通或切斷該發光元件與該參考接地電壓間的連接狀態。
如請求項1所述的畫素電路，其中該發光元件的陽極耦接至該驅動電路，該發光元件的陰極耦接至該選擇電路，在該光感測模式下，該發光元件透過感測該光訊號的強度以產生一感測電流。
如請求項2所述的畫素電路，更包括： <br/> 一電流電壓轉換器，耦接至該發光元件的陰極與一第一電壓間，該電流電壓轉換器根據該感測電流以產生為電壓訊號的該感測訊號。
如請求項3所述的畫素電路，其中該訊號處理器包括： <br/> 一運算放大器，具有一正輸入端以接收該感測訊號；以及 <br/> 一回授電路，耦接在該運算放大器的輸出端以及該運算放大器的一負輸入端間，根據該運算放大器的一輸出電壓與一第二電壓以產生該參考電壓。
如請求項4所述的畫素電路，其中該回授電路包括： <br/> 一第一電阻與一第二電阻，其中該第一電阻耦接在該運算放大器的該負輸入端與一輸入電壓間，該第二電阻耦接在該第一電阻與該運算放大器的該輸出端間。
如請求項1所述的畫素電路，其中該發光元件的陽極耦接至該驅動電路，該發光元件的陰極耦接至該選擇電路，在該光感測模式下，透過感測該光訊號的強度，該發光元件的陽極產生為電壓訊號的該感測訊號。
如請求項6所述的畫素電路，其中該訊號處理器包括： <br/> 一比較器，具有一負輸入端以耦接至該發光元件的陰極以接收該感測訊號； <br/> 一參考電壓產生器，耦接至該比較器的一正輸入端以及該比較器的輸出端，該參考電壓產生器根據一第一電壓與該比較器的輸出電壓以產生該參考電壓。
如請求項7所述的畫素電路，其中該參考電壓產生器包括一第一電阻以及一第二電阻，該第一電阻的一端接收該第一電壓，該第一電阻的另一端耦接至該比較器的該正輸入端，該第二電阻耦接在該第一電阻與該比較器的輸出端間。
如請求項1所述的畫素電路，其中該驅動電路包括一第一開關，該選擇電路包括一第二開關，該第一開關的一端接收該電源電壓，該第一開關的另一端耦接至該發光元件；該第二開關耦接在該發光元件與一參考接地電壓間。
如請求項9所述的畫素電路，在該光感測模式下，該第一開關被導通，該第二開關被斷開；在一發光模式下，該第一開關與該第二開關均被導通。
如請求項9所述的畫素電路，其中該驅動電路更包括一第三開關，該第三開關接收該資料訊號，並根據一掃描訊號以提供該資料訊號至該第一開關的控制端。
一種顯示面板，包括： <br/> 多個畫素電路，排列為一畫素陣列，各該畫素電路包括： <br/> 一驅動電路，耦接至一電源電壓，受控於一資料訊號； <br/> 一發光元件，該發光元件的陽極耦接至該驅動電路，在一光感測模式中，透過感測一光訊號的強度以產生一感測訊號； <br/> 一訊號處理器，耦接至該發光元件，根據該感測訊號與一參考電壓以產生一光感測資訊；以及 <br/> 一選擇電路，耦接至一參考接地電壓以及該發光元件的陰極之間，且該選擇電路根據該畫素電路的工作模式導通或切斷該發光元件與該參考接地電壓間的連接狀態。
如請求項12所述的顯示面板，其中該畫素陣列被區分為多個畫素分區，各該畫素分區中的該些畫素電路共用相同的該選擇電路以及該訊號處理器的至少其中之一。
如請求項12所述的顯示面板，其中該畫素陣列被區分為多個畫素行，各該畫素行中的該些畫素電路共用相同的該訊號處理器。
如請求項12所述的顯示面板，其中該畫素陣列被區分為多個畫素分區，該些畫素分區中的該些畫素電路共用相同的該訊號處理器，該顯示面板更包括： <br/> 多個多工器，其中各該多工器分別耦接在對應的各該畫素分區的該些發光元件與對應的各該訊號處理器間，用以選擇各該畫素分區中的該些感測訊號其中之一至對應的各該訊號處理。
如請求項12所述的顯示面板，其中該些畫素電路共用相同的該訊號處理器，該顯示面板更包括： <br/> 一多工器，耦接在各該畫素電路的各該發光元件與該訊號處理器間，用以選擇該些感測訊號其中之一至該訊號處理器。
如請求項12所述的顯示面板，更包括： <br/> 一控制器，接收各該畫素電路的各該光感測資訊，根據該些光感測資訊以產生對應各該畫素電路的各該資料訊號。
如請求項17所述的顯示面板，其中該控制器根據該些光感測資訊，在發光模式下，調整該些畫素電路中被點亮的數量。
如請求項12所述的顯示面板，其中各該畫素電路更包括： <br/> 一光電二極體，耦接至各該畫素電路中的該發光元件，該光電二極體用以感測該光訊號的強度。
一種環氧樹脂組合物，其係用於具有孔徑3～40 μm之孔之成型品者，且 <br/>包含(A)環氧樹脂、(B)酚樹脂、(C)硬化促進劑、(D)二氧化矽、及(E)氧化鋁， <br/>(C)硬化促進劑於甲酚酚醛清漆型環氧樹脂與酚醛清漆型酚樹脂之混合物(混合比率為，相對於甲酚酚醛清漆型環氧樹脂之環氧基1莫耳，酚醛清漆型酚樹脂之羥基為1莫耳)每100質量份中之添加量為1質量份時之硬化反應之反應起始溫度為125～150℃， <br/>(D)二氧化矽之累積體積10%粒徑(D10)為1.5 μm以上，累積體積50%粒徑(D50)為10.0～35.0 μm，且累積體積90%粒徑(D90)超過35.0 μm且為150.0 μm以下， <br/>(D)二氧化矽及(E)氧化鋁之合計含量為85.0～92.0質量%， <br/>(E)氧化鋁相對於(D)二氧化矽之質量比為0.09～0.45。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(D)二氧化矽之含量為62.0～85.0質量%。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(E)氧化鋁之累積體積50%粒徑(D50)為0.1～2.0 μm。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(C)硬化促進劑係熔點為140～190℃且於1個分子中具有2個以上之脲基之脲化合物。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(C)硬化促進劑包含1,1'-(4-甲基-1,3-伸苯基)雙(3,3-二甲基脲)。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(D)二氧化矽係球狀粒子。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(E)氧化鋁係球狀粒子。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其中(A)環氧樹脂係三苯酚甲烷型環氧樹脂。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其進而包含(F)脫模劑，且(F)脫模劑之熔點為70～180℃。
如請求項9之環氧樹脂組合物，其中(F)脫模劑包含天然蠟及金屬皂。
如請求項1之環氧樹脂組合物，其用於射出成形。
一種成型品，其係如請求項1至11中任一項之環氧樹脂組合物之硬化物，且具有孔徑3～40 μm之孔。
如請求項12之成型品，其係列印頭。
如請求項12之成型品，其係pH計之電極接液構件。
一種旋翼快速拆裝結構，係包括：一旋翼連接體，該旋翼連接體側邊設置有至少一旋翼樞接孔及底部形成有至少一連接卡面與至少一連接卡槽；一主體，該主體上形成有一頂組槽及頂組槽側邊形成有至少一內組面，而該旋翼連接體係設置於該頂組槽內，並該連接卡面與該內組面相互貼附，又該主體側邊形成有至少一連動組槽及至少一側通孔；至少一導引體，該導引體係設置於該連動組槽內，並該導引體頂部形成有一展肋設置於連接卡槽內，以及該導引體側邊設置有至少一側壓件通過所述側通孔，又該導引體底部設置有至少一彈性件；及一驅動組件，該導引體與該側壓件係設置於所述驅動組件上，且該驅動組件上具有一驅動軸。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述旋翼連接體底部形成有至少一連接導邊，而該導引體頂部之展肋形成有至少一連動導邊，該旋翼連接體往頂組槽方向組設，係由該連接導邊接觸所述連動導邊並推動所述導引體，而該導引體向外位移且拉伸所述彈性件，直至該連接卡槽下移至展肋位置處，該彈性件之拉力拉動該導引體向內位移且使該展肋位移至所述連接卡槽內。
如請求項2所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述連動組槽側邊形成有至少一滑槽，而該導引體側邊形成有至少一導肋，該導肋係設置於所述滑槽內，該導引體由該導肋位移於主體之滑槽內且向外及向內位移。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述旋翼連接體底面形成有一連接底組孔，而該頂組槽內形成有一主軸凸部，該旋翼連接體設置於該連動組槽內時，該連接底組孔係與該主軸凸部相互組設。
如請求項3所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述導引體底部側面具有至少一導引導邊，而該側壓件側面形成有至少一側壓導邊接觸所述導引導邊，按壓所述側壓件時，該側壓件內縮並由側壓導邊擠壓所述導引體之導引導邊，該導引體由該導肋位移於主體之滑槽內且向外位移，使該展肋往外位移並脫離所述連接卡槽，並上移所述旋翼連接體離開所述頂組槽，而該彈性件之拉力拉動該導引體回復至原始位置。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述主體兩側邊分別形成有所述連動組槽，而該導引體係設置於該連動組槽內，並該主體於該兩側之連動組槽間之側邊分別形成有所述側通孔，該側通孔內分別設置有所述側壓件。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述驅動組件上設置有一驅動組板，而該導引體與側壓件與主體係設置於所述驅動組板上。
如請求項7所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述驅動組板上形成有至少一延伸抵邊及至少一板限位槽，該延伸抵邊係抵觸所述彈性件相對導引體之另一端，而該側壓件係由底部之一側壓底肋限位於板限位槽上。
如請求項8所述之旋翼快速拆裝結構，其中所述旋翼連接體係由所述旋翼樞接孔與一旋翼件相互組設，而該驅動組件轉動所述驅動軸，該驅動軸帶動所述驅動組板及該主體及該旋翼連接體轉動。
一種旋翼快速拆裝套件，係包括：<br/>一旋翼連接體，該旋翼連接體側邊設置有至少一旋翼樞接孔及底部具有一連接組部，該連接組部側邊形成有至少一展肋，又該連接組部底部形成有一連接組槽及至少一卡槽；<br/>一主體，該主體上形成有一頂組槽，而該連接組部係設置於所述頂組槽內，及該主體於該頂組槽內形成有一導槽及至少一內通孔，又該主體側邊形成有至少一側通孔；<br/>一導引體，該導引體係設置於所述主體內，且該導引體上設置有至少一卡肋通過所述內通孔，及該導引體側邊設置有至少一側壓件通過所述側通孔，又該導引體側邊設置有至少一彈性件；及<br/>一驅動組件，該驅動組件係設置於所述導引體下方，且該驅動組件具有一驅動軸與該主體相互組設。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述頂組槽側邊形成有至少一側簷肋，該側簷肋下方形成有一止擋壁及由該止擋壁界定有所述導槽，而該連接組部係擠壓所述卡肋且帶動所述導引體往下位移並擠壓所述彈性件，並轉動所述旋翼連接體，該展肋進入所述導槽且由該止擋壁限位，而該彈性件之彈力推動所述導引體，使該卡肋進入所述卡槽。
如請求項2所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述主體於頂組槽內形成有一主軸凸部與該連接組槽相互組設，另該主體內部形成有一內組槽，而該導引體頂部形成有一導引凸部與該內組槽相互組設，與該驅動軸通過所述彈性件且與該導引凸部相互組設。
如請求項3所述之旋翼快速拆裝套件，其中按壓所述側壓件，該側壓件下壓所述導引體，使該卡肋脫離所述卡槽，並反向轉動所述旋翼連接體，該展肋離開所述導槽且可脫離所述頂組槽，而該彈性件之彈力推動所述導引體，使該卡肋回復至原始位置。
如請求項3所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述驅動組件上設置有一驅動組板，而該導引體與該主體係設置於所述驅動組板上，並該驅動軸係通過所述驅動組板且通過所述彈性件及與該導引凸部相互組設。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述頂組槽側邊形成有至少一側簷肋，該側簷肋下方形成有一止擋壁及由該止擋壁界定有所述導槽，而該連接組部設置於所述頂組槽內，該旋翼連接體轉動於頂組槽，該連接組部接觸所述卡肋之一導邊，並帶動卡肋位移於內通孔且擠壓所述彈性件，且使該卡槽轉動至卡肋位置處，而該彈性件之彈力推動所述導引體，使該卡肋進入所述卡槽。
如請求項6所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述主體於頂組槽內形成有一主軸凸部與該連接組槽相互組設，另該主體內部形成有一內抵邊抵觸所述彈性件相對導引體之另一端，與該驅動軸係與該主軸凸部相互組設。
如請求項7所述之旋翼快速拆裝套件，其中按壓所述側壓件，卡肋位移於內通孔且脫離所述卡槽，並反向轉動所述旋翼連接體，該展肋離開所述導槽且可脫離所述頂組槽，而該彈性件之彈力推動所述導引體，使該卡肋回復至原始位置。
如請求項7所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述驅動組件上設置有一驅動組板，而該導引體與該主體係設置於所述驅動組板上，並該驅動軸係通過所述驅動組板且與該主軸凸部相互組設。
如請求項1所述之旋翼快速拆裝套件，其中所述旋翼連接體係由所述旋翼樞接孔與一旋翼件相互組設，而該驅動組件轉動所述驅動軸，該驅動軸帶動所述主體與該旋翼連接體轉動。
一種浸沒式冷卻系統，用以冷卻一發熱元件，該浸沒式冷卻系統包含：至少一槽體，用以容置一冷卻液，其中該至少一槽體具有一底面、一冷卻液輸入口以及一冷卻液輸出口，且該冷卻液輸入口較該冷卻液輸出口靠近該底面；以及一分流結構，設置於該至少一槽體內以分隔出一底流道以及多個分流道，其中該底流道沿著平行於該底面的方向延伸，該些分流道沿著遠離該底面的方向延伸，且該分流結構於該些分流道處具有多個開孔；其中，該冷卻液輸入口依序經由該底流道、該些分流道與該些開孔連通該冷卻液輸出口。
如請求項1所述之浸沒式冷卻系統，其中該分流結構包含一分隔部以及多個分流部，該分隔部與該至少一槽體的該底面之間形成該底流道，該些分流部設置於該分隔部遠離該底面之一側，該些分流部圍繞出該些分流道，且該些分流部具有該些開孔。
如請求項2所述之浸沒式冷卻系統，其中該些分流部當中至少一者其遠離該底面之一端較該冷卻液輸出口遠離該底面，且該些開孔當中最遠離該底面之一者較該冷卻液輸出口遠離該底面。
如請求項2所述之浸沒式冷卻系統，其中該些分流部所圍繞出該些分流道各自呈圓形柱狀或方形柱狀。
如請求項2所述之浸沒式冷卻系統，其中該些分流部當中至少其中兩者的長度不相同。
如請求項1所述之浸沒式冷卻系統，更包含一冷卻液分配單元，其中該冷卻液分配單元可拆卸地設置於該至少一槽體，該冷卻液分配單元具有至少一分配輸入口以及至少一分配輸出口，且該至少一分配輸入口與該至少一分配輸出口分別連通該至少一槽體的該冷卻液輸出口與該冷卻液輸入口。
如請求項6所述之浸沒式冷卻系統，其中該至少一槽體的數量為二，該至少一分配輸入口的數量為二，該至少一分配輸出口的數量為二，該冷卻液分配單元可拆卸地設置於該些槽體之間，該些分配輸入口分別連通該些槽體的該些冷卻液輸出口，且該些分配輸出口分別連通該些槽體的該些冷卻液輸入口。
如請求項1所述之浸沒式冷卻系統，更包含至少一冷凝管，其中該至少一冷凝管設置於該至少一槽體遠離該底面之一側，且該至少一冷凝管用以將汽態之該冷卻液凝結回液態。
如請求項8所述之浸沒式冷卻系統，更包含至少一風扇，其中該至少一風扇設置於該至少一槽體內，且該至少一風扇朝向該至少一冷凝管以將汽態之該冷卻液吹向該至少一冷凝管。
如請求項1所述之浸沒式冷卻系統，更包含彼此連通的至少一主管以及至少一岐管，該至少一主管與該至少一岐管設置於該至少一槽體遠離該底面之一側，該至少一岐管用以對準該發熱元件以供該冷卻液從該至少一主管流經該至少一岐管而噴灑於該發熱元件。
一種用於製備由式(I)表示之艾樂替尼(alectinib)或其鹽的製程 <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="228px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>該製程包含： <br/>a) 使由式(SPT-2)表示之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="240px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在第一溶劑中，在Pd催化劑、輔助配位體及第一鹼存在下，與4-(4-哌啶基)-𠰌啉進行接觸，得到由式(SPT-3)表示之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="148px" width="325px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其鹽， <br/>其中該Pd催化劑為(三苯膦)鈀(0)、Pd(OAc)<sub>2</sub>、Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>、PdCl<sub>2</sub>(dppf)、Pd(dtbpf)Cl<sub>2</sub>或PdCl<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>，且 <br/>該輔助配位體為BrettPhos、(Cy)PHCPhos、EPhos、EvanPhos、NixantPhos、RockPhos、RuPhos或2,2-聯苯二基雙[雙(3,5-二甲基苯基)膦]； <br/>b) 用酸性試劑將該式(SPT-3)之化合物或其鹽脫除保護基，以形成由式(SPT-4)之化合物表示的化合物 <br/><img align="absmiddle" height="107px" width="232px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>c) 在第二溶劑中，用縮合劑及第二鹼處理該式(SPT-4)之化合物，得到式(I)之艾樂替尼， <br/>其中該第二溶劑為二甲基乙醯胺(DMAc)或N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)；及 <br/>d) 視情況將式(I)之艾樂替尼轉化為其鹽， <br/>其中R為C<sub>1</sub><sub>-</sub><sub>6</sub>烷基且L為脫離基。
如請求項1之製程，其中步驟a)中之該Pd催化劑為Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>。
如請求項1之製程，其中該膦配位體為RuPhos。
如請求項1之製程，其中步驟a)中之該第一鹼為鹼金屬六甲基二矽氮烷化物、二異丙胺基鋰(LDA)、三級丁氧化鉀(t-BuOK)或1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯(DBU)。
如請求項4之製程，其中步驟a)中之該第一鹼為六甲基二矽氮烷化鈉(NaHMDS)。
如請求項1之製程，其中步驟a)中之該第一溶劑為四氫呋喃(THF)、1,4-二㗁烷、二甲亞碸(DMSO)或1,2-二甲氧基乙烷(DME)。
如請求項9之製程，其中步驟a)中之該第一溶劑為1,2-二甲氧基乙烷。
如請求項1之製程，其中步驟a)中之該鹽為鹽酸鹽。
如請求項1之製程，其中步驟a)在30至40℃之溫度下進行。
如請求項1之製程，其中步驟b)中之該酸性試劑為於三氟乙醇(TFE)中之氯化三甲基矽烷(TMSCl)，或三氟乙酸(TFA)。
如請求項1之製程，其中步驟c)中之該縮合劑為N,N'-二異丙基碳化二亞胺(DIC)、N,N'-二環己基碳化二亞胺(DCC)、六氟磷酸氮雜苯并三唑四甲基<img align="absmiddle" height="17px" width="19px" file="ed10042.JPG" alt="ed10042.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(HATU)、六氟磷酸苯并三唑四甲基<img align="absmiddle" height="17px" width="19px" file="ed10042.JPG" alt="ed10042.JPG" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(HBTU)或3-(二乙氧基磷醯基氧基)-1,2,3-苯并三𠯤-4(3H)-酮(DEPBT)。
如請求項11之製程，其中步驟c)中之該縮合劑為N,N'-二異丙基碳化二亞胺(DIC)。
如請求項1之製程，其中步驟b)中之該第二鹼為N,N-二乙胺(DEA)、N,N-二異丙基乙胺(DIPEA)、三乙胺(TEA)、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯(DBU)或哌啶。
如請求項13之製程，其中步驟b)中之該第二鹼為N,N-二異丙基乙胺(DIPEA)。
如請求項1之製程，其中步驟c)中之該第二溶劑為二甲基乙醯胺(DMAc)。
如請求項1之製程，其中步驟c)在50至60℃之溫度下進行。
如請求項1之製程，其中步驟d)進一步包含使式(I)之艾樂替尼與有機溶劑接觸且向反應混合物中添加酸。
如請求項17之製程，其中該有機溶劑為NMP、THF或其混合物。
如請求項17之製程，其中該酸為鹽酸。
如請求項1之製程，其中該脫離基為鹵素。
一種用於製備由式(I)表示之艾樂替尼或其鹽酸鹽的製程 <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="228px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>該製程包含： <br/>a) 使由式(SPT-2a)表示之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="101px" width="249px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>在DME系統中，在Pd<sub>2</sub>(dba)<sub>3</sub>、RuPhos及NaHMDS存在下，與4-(4-哌啶基)-𠰌啉進行接觸，得到由式(SPT-3a)表示之化合物；且視情況將該式(SPT-3a)之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="325px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>轉化為其鹽； <br/>b) 在TFE系統中，用TMSCl使該式(SPT-3a)之化合物或其鹽脫除保護基，以形成由(SPT-4)表示之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="108px" width="231px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>c) 在二甲基乙醯胺(DMAc)或N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中，用N,N'-二異丙基碳化二亞胺(DIC)及N,N-二異丙基乙胺(DIPEA)處理該式(SPT-4)之化合物，得到艾樂替尼；及 <br/>d) 視情況將式(I)之艾樂替尼轉化為其鹽酸鹽。
一種晶圓定位環結構，包含： <br/>一個研磨環； <br/>一個組接環；及 <br/>一個定位單元，包括數個間隔設置在該研磨環與該組接環的其中之一的第一定位部，及數個間隔設置在該研磨環與該組接環的其中另一的第二定位部，該等第一定位部與該研磨環與該組接環的其中之一為一體成形，該等第二定位部與該研磨環與該組接環的其中另一為一體成形，該等第二定位部能分別與該等第一定位部可移離地相結合，而可將該組接環定位於該研磨環頂側。
如請求項1所述的晶圓定位環結構，其中，每一該第一定位部是一卡塊，每一該第二定位部是一嵌槽。
如請求項2所述的晶圓定位環結構，其中，該研磨環包括內外相反的一個研磨內環面與一個研磨外環面，每一該第一定位部是自該研磨外環面朝外突伸，該組接環包括內外相反的一個組接內環面與一個組接外環面，每一該第二定位部是凹設在該組接內環面。
如請求項3所述的晶圓定位環結構，其中，該組接環還包括一個朝下且連接該組接內環面與該組接外環面的組接環底面，每一該第二定位部具有一個沿該組接環周緣方向延伸地凹設在該組接內環面的滑移槽部，及一個連通該滑移槽部且往下貫穿該組接環底面的嵌口部。
如請求項2所述的晶圓定位環結構，其中，該研磨環包括內外相反的一個研磨內環面與一個研磨外環面，每一該第二定位部是凹設在該研磨外環面，該組接環包括內外相反的一個組接內環面與一個組接外環面，每一該第一定位部是自該組接內環面背離該組接外環面突伸。
如請求項5所述的晶圓定位環結構，其中，該研磨環還包括一個朝上且連接該研磨內環面與該研磨外環面的研磨環頂面，每一該第二定位部具有一個沿該研磨環周緣方向延伸地凹設在該研磨外環面的滑移槽部，及一個連通該滑移槽部且往上貫穿該研磨環頂面的嵌口部。
如請求項4或6所述的晶圓定位環結構，其中，每一該滑移槽部具有一個連通該嵌口部且可供對應之該第一定位部滑移的滑移區，及一個連通該滑移區且遠離該嵌口部並可供對應之該第一定位部限位的定位區。
如請求項7所述的晶圓定位環結構，其中，每一該滑移槽部之橫截面概呈弧狀，每一該嵌口部之橫截面概呈半圓狀。
如請求項2所述的晶圓定位環結構，其中，每一該第一定位部之橫截面概呈半圓狀。
一種蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為15.62±0.5°、12.88±0.5°及18.84±0.5°之位置處包含三個最高相對強度峰值的X射線粉末繞射圖。
一種蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為18.81±0.5°、12.90±0.5°及15.63±0.5°之位置處包含三個最高相對強度峰值的X射線粉末繞射圖。
一種蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為12.91±0.5°、15.65±0.5°及18.89±0.5°之位置處包含三個最高相對強度峰值的X射線粉末繞射圖。
如請求項1之蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為15.62±0.5°、12.88±0.5°、18.84±0.5°、20.88±0.5°及24.26±0.5°之位置處包含峰值的X射線粉末繞射圖。
如請求項2之蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為18.81±0.5°、12.90±0.5°、15.63±0.5°、24.27±0.5°及22.36±0.5°之位置處包含峰值的X射線粉末繞射圖。
如請求項3之蔗果三糖晶體，其具有在X射線粉末繞射（XRD）分析中在2θ繞射角為12.91±0.5°、15.65±0.5°、18.89±0.5°、24.28±0.5°及20.91±0.5°之位置處包含峰值的X射線粉末繞射圖。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該峰值具有40%或更大之相對強度。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之D[4,3]（體積平均直徑）為170至1,000 μm。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之平均比表面積為0.01至0.1 m<sup>2</sup>/g。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之跨度（span）值為0.5至2.2。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之大徑與小徑之比率為1:8。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之熔融溫度（Tm）為180至220℃。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之熔融焓為80至130 J/g。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體包含小於1.4 wt%之蔗果四糖。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之溶液的電導率為2.5 μS/cm或更小。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之亮度為50至97.5。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之黃度為0.01至0.6。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之白度為50至95。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中該蔗果三糖晶體之靜止角為20至47°。
如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體，其中在45℃之溫度及85%之相對濕度的條件下向該蔗果三糖晶體施加相同重量之表面壓力2小時之後，硬度增加率為120%或更小。
一種甜味劑，其包含如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體。
一種果寡醣，其包含如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體。
一種如請求項1至3中任一項之蔗果三糖晶體之製備方法，其包含： <br/>將跨度為0.5至2.5之晶種添加至原始蔗果三糖溶液之步驟；及 <br/>藉由冷卻該原始蔗果三糖溶液或蒸發濃縮該原始蔗果三糖溶液來獲得蔗果三糖晶體之步驟。
如請求項23之製備方法，其中所述晶種具有10至300 μm之平均直徑。
如請求項23之製備方法，其中所述晶種按該蔗果三糖溶液之固體含量的100wt%計以0.01至1wt%添加。
如請求項23之製備方法，其中結晶產率為40%或更大。
如請求項23之製備方法，其中所述冷卻是將該原始蔗果三糖溶液之溫度冷卻至20至40℃之溫度。
如請求項23之製備方法，其中所述蒸發濃縮是藉由在50至70℃之溫度下進一步供應該原始蔗果三糖溶液來進行濃縮。
一種組合物在製備美白用皮膚外用劑中的用途，該組合物包含： <br/>丙酮酸鈉和尿素。
一種藥學組合物在製備色素沉著症治療劑中的用途，該藥學組合物包含： <br/>丙酮酸鈉和尿素。
如請求項2所述的用途，其中，該色素沉著症為選自由肝斑、黑皮症、雀斑、老年性黑色斑點和黑色素色素沉著組成的組中的一種以上，其中，該黑皮症是黑斑。
一種電子設備的解鎖方法，包括：<br/> 由該電子設備產生電磁力，其中該電磁力用以將該電子設備磁吸鎖定於磁性目標物上；<br/> 偵測輸入事件；<br/> 判斷該輸入事件是否符合預設條件；以及<br/> 若該輸入事件符合該預設條件，減弱該電磁力。
如請求項1所述的電子設備的解鎖方法，其中偵測該輸入事件的步驟包括：<br/> 當該電子設備磁吸鎖定於該磁性目標物上時，透過感測器偵測該輸入事件。
如請求項2所述的電子設備的解鎖方法，其中透過該感測器偵測該輸入事件的步驟包括：<br/> 當該電子設備磁吸鎖定於該磁性目標物上時，使該電子設備處於禁能狀態；以及<br/> 在該電子設備處於該禁能狀態的情況下，透過該感測器偵測該輸入事件。
如請求項2所述的電子設備的解鎖方法，其中該感測器包括電容式感測器或光學式感測器。
如請求項1所述的電子設備的解鎖方法，其中該輸入事件包括生物特徵輸入事件，且判斷該輸入事件是否符合該預設條件的步驟包括：<br/> 判斷該生物特徵輸入事件所對應的生物特徵資訊是否符合生物特徵驗證條件；以及<br/> 若該生物特徵資訊符合該生物特徵驗證條件，判定該輸入事件符合該預設條件。
如請求項1所述的電子設備的解鎖方法，其中該輸入事件包括電容變化事件，且判斷該輸入事件是否符合該預設條件的步驟包括：<br/> 判斷該電容變化事件所對應的電容變化資訊是否符合電容變化條件；以及<br/> 若該電容變化資訊符合該電容變化條件，判定該輸入事件符合該預設條件。
如請求項1所述的電子設備的解鎖方法，其中減弱該電磁力的步驟包括：<br/> 停止產生該電磁力。
如請求項1所述的電子設備的解鎖方法，更包括：<br/> 若該輸入事件符合該預設條件，將該電子設備從禁能狀態切換至致能狀態。
一種電子設備，包括：<br/> 磁力產生電路；以及<br/> 處理器，連接至該磁力產生電路，<br/> 其中該處理器用以：<br/> 控制該磁力產生電路產生電磁力，其中該電磁力用以將該電子設備磁吸鎖定於磁性目標物上；<br/> 偵測輸入事件；<br/> 判斷該輸入事件是否符合預設條件；以及<br/> 若該輸入事件符合該預設條件，控制該磁力產生電路減弱該電磁力。
如請求項9所述的電子設備，更包括：<br/> 感測器，連接至該處理器，<br/> 其中偵測該輸入事件的操作包括：<br/> 當該電子設備磁吸鎖定於該磁性目標物上時，透過該感測器偵測該輸入事件。
如請求項10所述的電子設備，其中透過該感測器偵測該輸入事件的操作包括：<br/> 當該電子設備磁吸鎖定於該磁性目標物上時，使該電子設備處於禁能狀態；以及<br/> 在該電子設備處於該禁能狀態的情況下，透過該感測器偵測該輸入事件。
如請求項10所述的電子設備，其中該感測器包括電容式感測器或光學式感測器。
如請求項9所述的電子設備，其中該輸入事件包括生物特徵輸入事件，且判斷該輸入事件是否符合該預設條件的操作包括：<br/> 判斷該生物特徵輸入事件所對應的生物特徵資訊是否符合生物特徵驗證條件；以及<br/> 若該生物特徵資訊符合該生物特徵驗證條件，判定該輸入事件符合該預設條件。
如請求項9所述的電子設備，其中該輸入事件包括電容變化事件，且判斷該輸入事件是否符合該預設條件的操作包括：<br/> 判斷該電容變化事件所對應的電容變化資訊是否符合電容變化條件；以及<br/> 若該電容變化資訊符合該電容變化條件，判定該輸入事件符合該預設條件。
如請求項9所述的電子設備，其中減弱該電磁力的操作包括：<br/> 控制該磁力產生電路停止產生該電磁力。
如請求項9所述的電子設備，其中該處理器更用以：<br/> 若該輸入事件符合該預設條件，將該電子設備從禁能狀態切換至致能狀態。
一種心電訊號監測系統，包含： <br/>至少三個電極，用以取得複數個電極訊號； <br/>一導程分析電路，耦接於該些電極，且用以根據該些電極訊號計算出複數個第一心電訊號；以及 <br/>一導程生成電路，耦接於該導程分析電路，用以根據該些第一心電訊號產生複數個第二心電訊號，且用以將該些第一心電訊號及該些第二心電訊號整合為一十二導程心電資料； <br/>其中該導程生成電路包含至少一訊號生成器，該至少一訊號生成器包含多個資料過濾器，該些資料過濾器用以擷取該些第一心電訊號中對應於不同取樣頻率的複數個訊號特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
如請求項1所述之心電訊號監測系統，其中該至少一訊號生成器包含複數個訊號生成器，且該導程生成電路還包含一訊號分類電路，該訊號分類電路用以分析該些第一心電訊號的波形，以選擇該些訊號生成器的其中一者產生該些第二心電訊號。
如請求項2所述之心電訊號監測系統，其中該訊號分類電路係分析該些第一心電訊號中的一第一肢導程訊號及一第二肢導程訊號的波形，以判斷出該些第一心電訊號中的一心跳週期。
如請求項3所述之心電訊號監測系統，其中該些訊號生成器為一種生成式神經網路。
如請求項1所述之心電訊號監測系統，其中該些資料過濾器的數量為至少四個。
如請求項1所述之心電訊號監測系統，其中該至少一訊號生成器還包含一深度過濾器，該深度過濾器用以接收該些資料過濾器輸出的複數個過濾訊號，以將該些過濾訊號整合為一特徵訊號；該深度過濾器還用以擷取該特徵訊號中的特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
如請求項1所述之心電訊號監測系統，其中該導程分析電路用以將該些第一心電訊號與一下探波形特徵相比對，且在該些第一心電訊號的任一者與該下探波形特徵相符時，產生一第一警示訊號。
一種心電訊號監測方法，包含： <br/>透過至少三個電極，接收複數個電極訊號； <br/>透過一導程分析電路，根據該些電極訊號計算複數個第一心電訊號； <br/>透過至少一訊號生成器的多個資料過濾器，擷取該些第一心電訊號中對應於不同取樣頻率的複數個訊號特徵，以使該至少一訊號生成器產生複數個第二心電訊號；以及 <br/>將該些第一心電訊號及該些第二心電訊號整合為一十二導程心電資料。
如請求項8所述之心電訊號監測方法，其中該至少一訊號生成器包含複數個訊號生成器，且產生該些第二心電訊號的方法包含： <br/>透過一訊號分類電路，分析該些第一心電訊號的波形，以自該些訊號生成器中選擇其中一者產生該些第二心電訊號。
如請求項9所述之心電訊號監測方法，其中分析該些第一心電訊號的心跳週期的方法包含： <br/>分析該些第一心電訊號中的一第一肢導程訊號及一第二肢導程訊號的波形，以判斷出該些第一心電訊號中的一心跳週期。
如請求項10所述之心電訊號監測方法，其中該些訊號生成器為一種生成式神經網路。
如請求項8所述之心電訊號監測方法，其中該些資料過濾器的數量為至少四個，且產生該些第二心電訊號的方法包含： <br/>透過該至少一訊號生成器的一深度過濾器，接收該些資料過濾器輸出的複數個過濾訊號，且將該些過濾訊號整合為一特徵訊號；以及 <br/>透過該深度過濾器，擷取該特徵訊號中的特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
如請求項8所述之心電訊號監測方法，還包含： <br/>比對該些第一心電訊號與一下探波形特徵；以及 <br/>在該些第一心電訊號的任一者與該下探波形特徵相符時，產生一第一警示訊號。
一種心電訊號分析系統，包含： <br/>一第一心電分析電路，用以自至少三個電極接收複數個電極訊號，且根據該些電極訊號計算出複數個第一心電訊號，其中當該第一心電分析電路判斷該些第一心電訊號符合一第一波形特徵時，該第一心電分析電路用以產生一第一警示訊號；以及 <br/>一第二心電分析電路，耦接該第一心電分析電路，用以在該些第一心電訊號不符合該第一波形特徵時，根據該些第一心電訊號產生複數個第二心電訊號，且用以將該些第一心電訊號及該些第二心電訊號整合為一十二導程心電資料； <br/>其中該第二心電分析電路還用以將該十二導程心電資料與一第二波形特徵相比對，當該十二導程心電資料符合該第二波形特徵時，該第二心電分析電路用以產生一第二警示訊號； <br/>其中該第一波形特徵及該第二波形特徵係分別對應於不同的波形區段。
如請求項14所述之心電訊號分析系統，其中該第一波形特徵包含一Q波波形特徵，該第二波形特徵則包含一ST波形特徵或R波形特徵。
如請求項14所述之心電訊號分析系統，其中該第二心電分析電路包含至少一訊號生成器，該至少一訊號生成器包含至少四個資料過濾器，該些資料過濾器用以擷取該些第一心電訊號中對應於不同取樣頻率的複數個訊號特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
如請求項16所述之心電訊號分析系統，其中該至少一訊號生成器包含複數個訊號生成器，且該第二心電分析電路還包含一訊號分類電路，該訊號分類電路用以分析該些第一心電訊號的波形，以自該些訊號生成器中選擇其中一者產生該些第二心電訊號。
如請求項17所述之心電訊號分析系統，其中該訊號分類電路係分析該些第一心電訊號中的一第一肢導程訊號及一第二肢導程訊號的波形，以判斷出該些第一心電訊號中的一心跳週期。
如請求項16所述之心電訊號分析系統，其中該至少一訊號生成器還包含一深度過濾器，該深度過濾器用以接收該些資料過濾器輸出的複數個過濾訊號，以將該些過濾訊號整合為一特徵訊號；該深度過濾器還用以擷取該特徵訊號中的特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
一種心電訊號分析方法，包含： <br/>透過一第一心電分析電路，根據至少三個電極訊號計算複數個第一心電訊號； <br/>在判斷該些第一心電訊號符合一第一波形特徵時，透過該第一心電分析電路產生一第一警示訊號； <br/>在判斷該些第一心電訊號不符合該第一波形特徵時，透過一第二心電分析電路，根據該些第一心電訊號產生複數個第二心電訊號，且將該些第一心電訊號及該些第二心電訊號整合為一十二導程心電資料；以及 <br/>在判斷該十二導程心電資料與一第二波形特徵相符時，產生一第二警示訊號，其中該第一波形特徵及該第二波形特徵係分別對應於不同的波形區段。
如請求項20所述之心電訊號分析方法，其中該第一波形特徵包含一Q波波形特徵，該第二波形特徵則包含一ST波形特徵或R波形特徵。
如請求項20所述之心電訊號分析方法，其中根據該些第一心電訊號產生該些第二心電訊號的方法包含： <br/>透過至少一訊號生成器中的至少四個資料過濾器，擷取該些第一心電訊號中對應於不同取樣頻率的複數個訊號特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
如請求項22所述之心電訊號分析方法，其中該至少一訊號生成器包含複數個訊號生成器，且根據該些第一心電訊號產生該些第二心電訊號的方法還包含： <br/>透過一訊號分類電路，分析該些第一心電訊號的波形；以及 <br/>自該些訊號生成器中選擇其中一者以產生該些第二心電訊號。
如請求項23所述之心電訊號分析方法，其中分析該些第一心電訊號的波形的方法包含： <br/>分析該些第一心電訊號中的一第一肢導程訊號及一第二肢導程訊號的波形，以判斷出該些第一心電訊號中的一心跳週期。
如請求項22所述之心電訊號分析方法，其中根據該些第一心電訊號產生該些第二心電訊號的方法包含： <br/>透過該至少一訊號生成器中的一深度過濾器，接收該些資料過濾器輸出的複數個過濾訊號，且將該些過濾訊號整合為一特徵訊號；以及 <br/>透過該深度過濾器，擷取該特徵訊號中的特徵，以使該至少一訊號生成器產生該些第二心電訊號。
一種樹脂組合物，其包括：<br/> （A）100重量份的含不飽和碳碳雙鍵的聚苯醚樹脂；<br/> （B）5重量份至100重量份的式（1）所示化合物、式（2）所示化合物、式（1）所示化合物的低聚物、式（2）所示化合物的低聚物或其組合；以及<br/> （C）5重量份至100重量份的苯并環丁烯改性聚烯烴，其中，該苯并環丁烯改性聚烯烴包括苯并環丁烯改性聚丁二烯、苯并環丁烯改性聚異戊二烯、苯乙烯-丁二烯共聚物的苯并環丁烯改性物、苯乙烯-異戊二烯共聚物的苯并環丁烯改性物、苯乙烯-丁二烯-二乙烯基苯聚合物的苯并環丁烯改性物、苯乙烯-乙烯-二乙烯基苯聚合物的苯并環丁烯改性物、苯乙烯-乙基乙烯苯-二乙烯基苯聚合物的苯并環丁烯改性物、馬來酸酐加成聚丁二烯的苯并環丁烯改性物、馬來酸酐加成聚異戊二烯的苯并環丁烯改性物、馬來酸酐加成苯乙烯-丁二烯共聚物的苯并環丁烯改性物、馬來酸酐加成苯乙烯-異戊二烯共聚物的苯并環丁烯改性物、乙烯基-聚丁二烯-脲酯聚合物的苯并環丁烯改性物、含矽烷苯乙烯-丁二烯共聚物的苯并環丁烯改性物、末端丙烯醯基聚丁二烯的苯并環丁烯改性物、含環氧基聚丁二烯的苯并環丁烯改性物或其組合；<br/><img align="absmiddle" height="65px" width="137px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="142px" width="226px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（1） 式（2）<br/> 在式（1）中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立選自氫原子、C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>的烷基、乙烯基苯基、乙烯基苄基、烯丙基苯基及烯丙基苄基，且R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>中的至少一者為乙烯基苯基、乙烯基苄基、烯丙基苯基或烯丙基苄基；R<sup>4</sup>選自氫原子及C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>的烷基；<img align="absmiddle" height="10px" width="28px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表C-C單鍵或C=C雙鍵；當<img align="absmiddle" height="10px" width="28px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表C-C單鍵時，n1為4，當<img align="absmiddle" height="10px" width="28px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表C=C雙鍵時，n1為2；<br/> 在式（2）中，L<sup>1</sup>及L<sup>2</sup>各自獨立選自C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>的伸烷基及C<sub>6</sub>至C<sub>12</sub>的伸芳基；R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立選自氫原子、C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>的烷基、乙烯基苯基、乙烯基苄基、烯丙基苯基及烯丙基苄基，且R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>中的至少一者為乙烯基苯基、乙烯基苄基、烯丙基苯基或烯丙基苄基；以及R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各自獨立選自氫原子及C<sub>1</sub>至C<sub>5</sub>的烷基。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該式（1）所示化合物、該式（2）所示化合物、該式（1）所示化合物的低聚物、該式（2）所示化合物的低聚物或其組合為5重量份至75重量份。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該苯并環丁烯改性聚烯烴為5重量份至80重量份。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該含不飽和碳碳雙鍵的聚苯醚樹脂包括乙烯苄基聚苯醚樹脂、(甲基)丙烯醯基聚苯醚樹脂、乙烯基聚苯醚樹脂、烯丙基聚苯醚樹脂或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該式（1）所示化合物包括式（1-1）所示化合物、式（1-2）所示化合物、式（1-3）所示化合物、式（1-4）所示化合物或其組合，該式（2）所示化合物包括式（2-1）所示化合物、式（2-2）所示化合物、式（2-3）所示化合物或其組合：<br/><img align="absmiddle" height="48px" width="76px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="86px" width="75px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（1-1） 式（1-2）<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="92px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="68px" width="102px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（1-3） 式（1-4）<br/><img align="absmiddle" height="83px" width="131px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="75px" width="76px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（2-1） 式（2-2）<br/><img align="absmiddle" height="81px" width="94px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式（2-3）。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該苯并環丁烯改性聚烯烴包括苯并環丁烯改性具有雜原子的聚烯烴、苯并環丁烯改性不具有雜原子的聚烯烴或其組合。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該苯并環丁烯改性聚烯烴包括苯并環丁烯改性具有雜原子的聚烯烴以及苯并環丁烯改性不具有雜原子的聚烯烴，且苯并環丁烯改性具有雜原子的聚烯烴與苯并環丁烯改性不具有雜原子的聚烯烴的重量比為2:1至1:9。
如請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物還包括不同於苯并環丁烯改性聚烯烴的聚烯烴、有機矽樹脂、苯并噁嗪樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂、酚樹脂、胺類固化劑、聚醯胺、聚醯亞胺、馬來醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺三嗪樹脂或其組合。
請求項1所述的樹脂組合物，其中，該樹脂組合物還包括硬化促進劑、阻聚劑、阻燃劑、無機填充物、表面處理劑、染色劑、增韌劑、溶劑或其組合。
一種由請求項1所述的樹脂組合物製成的製品，其包括半固化片、樹脂膜、積層板或印刷電路板。
如請求項10所述的製品，其具有以下特性中的一種、多種或全部：<br/> 參考IPC-TM-650 2.4.8的方法測量及計算而得的板中與板邊鍍銅後銅箔剝離強度差值小於或等於0.34 lb/in；<br/> 參考IPC-TM-650 2.4.24.5的方法測量而得的Z軸熱膨脹係數小於或等於43 ppm/<sup>o</sup>C；以及<br/> 參考IPC-TM-650 2.4.24.4的方法測量及計算而得的儲能模量變化率小於或等於40%。
一種自行車，包含： 一車體，包含一車架、一後車輪以及一前車輪，該車架包含由後向前依序連接的一車架主體、一貨架以及一前叉，該後車輪結合於該車架主體的後側，該車架主體的前側具有一轉軸管，該貨架樞接於該車架主體的前側，該貨架包含至少一軸套，該貨架的前側具有一頭管，該前叉可轉動地穿置於該頭管，該前車輪結合於該前叉；<br/> 一轉向系統，包含一轉軸、一車手把以及一轉向連動裝置，該轉軸可轉動地穿置於該轉軸管，該至少一軸套可轉動地套接該轉軸，該車手把結合於該轉軸的上端，該轉向連動裝置連接該轉軸與該前叉，用以連動該轉軸與該前叉同向旋轉。
如請求項1所述之自行車，其中該至少一軸套包含一第一軸套及一第二軸套，該第一軸套及該第二軸套可轉動地套接該轉軸，該轉軸管位於該第一軸套及該第二軸套之間。
如請求項2所述之自行車，其中該貨架包含一底座及二收摺桿，該底座之前側連接該頭管，該底座之後側連接該第一軸套及該第二軸套，各該收摺桿之二端可擺動地樞接該底座。
如請求項3所述之自行車，其中該轉向連動裝置包含一第一線盤、一第二線盤、至少一第一右線及至少一第一左線，該第一線盤連接該轉軸且具有至少一第一線槽，該第二線盤連接該前叉且具有至少一第二線槽，該至少一第一右線之一端連接該第一線盤之右側且位於該至少一第一線槽中，該至少一第一右線之另一端連接該第二線盤之右側且位於該至少一第二線槽中，該至少一第一左線之一端連接該第一線盤之左側且位於該至少一第一線槽中，該至少一第一左線之另一端連接該第二線盤之左側且位於該至少一第二線槽中。
如請求項4所述之自行車，其中該第一線盤的外徑及該第二線盤的外徑相同。
如請求項4所述之自行車，其中該轉向連動裝置包含至少一第一右線套、至少一第一左線套、一第一固線板及一第二固線板，該至少一第一右線套及該至少一第一左線套連接該底座，該至少一第一右線套之一端連接該第一固線板之右側，另一端連接該第二固線板之右側，該至少一第一右線穿過該至少一第一右線套；該至少一第一左線套之一端連接該第一固線板之左側，另一端連接該第二固線板之左側，該至少一第一左線穿過該至少一第一左線套；該第一固線板及該第二固線板連接該底座。
如請求項6所述之自行車，其中該轉向系統包括一貨架轉向裝置，該貨架轉向裝置包含一第三線盤、至少一第二右線、至少一第二左線及一導線結構，該第三線盤固定於該轉軸管且具有至少一第三線槽，該至少一第二右線之一端連接該第一線盤之右側且位於該至少一第一線槽中，該至少一第二右線之另一端連接該第三線盤之右側且位於該至少一第三線槽中，該至少一第二左線之一端連接該第一線盤之左側且位於該至少一第一線槽中，該至少一第二左線之另一端連接該第三線盤之左側且位於該至少一第三線槽中，該導線結構結合於該底座後側；該至少一第二右線及該至少一第二左線可滑動地設置在該導線結構。
如請求項7所述之自行車，其中該第三線盤的外徑大於該第一線盤的外徑。
如請求項7所述之自行車，其中該導線結構包含至少一第二右線套及至少一第二左線套，該至少一第二右線套之一端及該至少一第二左線套之一端連接該第一固線板之上側，該至少一第二右線套之另一端及該至少一第二左線套之另一端連接該第一固線板之下側，該至少一第二右線穿過該至少一第二右線套，該至少一第二左線穿過該至少一第二左線套。
一種用戶評論資訊提供方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>確認與物品相關之用戶評論資訊； <br/>獲得預存之上述用戶評論資訊； <br/>向與上述用戶評論對應之第1用戶終端傳輸上述用戶評論之標籤設定通知； <br/>基於上述用戶評論資訊而產生至少一個第1標籤； <br/>確定上述至少一個第1標籤中之與上述用戶評論資訊對應之第2標籤；及 <br/>提供包括上述第2標籤之上述用戶評論。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其中產生上述至少一個第1標籤之步驟包括如下步驟： <br/>向經學習之人工神經網路模型輸入上述用戶評論資訊；及 <br/>獲得自上述人工神經網路模型輸出之上述至少一個第1標籤。
如請求項2之用戶評論資訊提供方法，其中上述人工神經網路模型係以如下方式產生者： <br/>將標記有與複數個用戶評論資訊各者對應之複數個標籤之上述複數個用戶評論資訊作為學習用輸入資料集， <br/>將與上述複數個用戶評論資訊各者對應之上述複數個標籤作為學習用輸出資料集， <br/>從而利用機器學習演算法來對上述學習用輸入資料集與上述學習用輸出資料集之間的相關關係進行建模。
如請求項3之用戶評論資訊提供方法，其中上述人工神經網路模型係以如下方式學習者： <br/>對上述複數個用戶評論資訊中之用戶評論之長度短於規定之長度、或用戶評論之評分為規定之基準以下的第1用戶評論進行篩選，或者較低地設定上述第1用戶評論之加權值。
如請求項2之用戶評論資訊提供方法，其中上述人工神經網路模型係以如下方式學習者： <br/>根據上述物品之屬性資訊及上述物品所屬之類別資訊來使用不同之提示。
如請求項2之用戶評論資訊提供方法，其中上述人工神經網路模型係大型語言模型。
如請求項2之用戶評論資訊提供方法，其中上述用戶評論進而包括上述第2標籤是否為藉由上述人工神經網路模型而產生者。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於第1用戶在第1用戶終端中輸入物品評論資訊之情形時，向第1用戶終端推薦上述至少一個第1標籤； <br/>將上述第1用戶於上述至少一個第1標籤中選擇之標籤確定為上述第2標籤；及 <br/>自上述第1用戶終端獲得包括上述第2標籤之上述物品評論。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其中上述用戶評論係上述第2標籤顯示於上述用戶評論之上端者。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述第2標籤中之藉由第2用戶終端選擇之第3標籤，向上述第2用戶終端提供至少一個用戶評論。
如請求項10之用戶評論資訊提供方法，其中提供上述至少一個用戶評論之步驟進而包括如下步驟： <br/>按照分數順序提供具有與上述第3標籤相同之標籤之用戶評論。
如請求項10之用戶評論資訊提供方法，其中提供上述至少一個用戶評論之步驟包括如下步驟： <br/>於藉由上述第2用戶終端而選擇之上述第3標籤為複數個之情形時，優先提供上述至少一個用戶評論中之包括更多與上述第3標籤相同之標籤的用戶評論。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其中傳輸上述標籤設定通知之步驟包括如下步驟： <br/>藉由SMS或彈出視窗而向上述第1用戶終端傳輸標籤設定通知。
如請求項1之用戶評論資訊提供方法，其中傳輸上述標籤設定通知之步驟包括如下步驟： <br/>於上述預存之用戶評論為複數個且上述複數個預存之用戶評論由第1用戶撰寫之情形時，向與上述第1用戶對應之上述第1用戶終端傳輸上述預存之複數個用戶評論中之規定之個數之第2用戶評論的標籤設定通知；及 <br/>於自提供上述標籤設定通知之時間起經過規定之時間之後，基於是否對上述第2用戶評論設定標籤，確定是否針對上述預存之複數個用戶評論中之規定之個數的第3用戶評論傳輸標籤設定通知。
如請求項14之用戶評論資訊提供方法，其中確定是否針對上述規定之個數之第2用戶評論傳輸標籤設定通知之步驟包括如下步驟： <br/>於上述第2用戶評論之標籤設定為規定之比率以上之情形時，確定向上述第1用戶終端提供上述第3用戶評論之標籤設定通知，於上述第2用戶評論之標籤設定未達規定之比率之情形時，確定不向上述第1用戶終端傳輸上述第3用戶評論之標籤設定通知。
如請求項14之用戶評論資訊提供方法，其中上述規定之個數之第2用戶評論係上述預存之複數個用戶評論中之於規定之期間內按照最新撰寫的順序來排列並選擇者。
如請求項14之用戶評論資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於是否對上述第2用戶評論設定標籤，向與上述第1用戶評論對應之第1用戶提供包括里程、優惠券或積分之獎勵。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至17中任一項之用戶評論資訊提供方法之程式。
一種電子裝置，其係用以於電子商務平台中提供評論資訊者，其包括： <br/>收發器； <br/>至少一個處理器；及 <br/>記憶體，其儲存藉由上述至少一個處理器而執行之至少一個命令； <br/>上述至少一個處理器如下：執行上述至少一個命令，藉此 <br/>確認與物品相關之用戶評論資訊； <br/>獲得預存之上述用戶評論資訊； <br/>向與上述用戶評論對應之第1用戶終端傳輸上述用戶評論之標籤設定通知； <br/>基於上述用戶評論資訊而產生至少一個第1標籤； <br/>確定上述至少一個第1標籤中之與上述用戶評論資訊對應之第2標籤； <br/>提供包括上述第2標籤之上述用戶評論。
一種半導體結構，其包括： <br/>第一半導體裝置，其包括： <br/>重新分佈結構，所述重新分佈結構包括導電結構； <br/>第一基板，所述第一基板在所述重新分佈結構的頂側上並且具有腔和與所述重新分佈結構接觸的柱； <br/>電子組件，所述電子組件在所述重新分佈結構的頂表面上且在所述腔中，其中所述電子組件與所述導電結構經由組件互連件電耦合；以及 <br/>囊封件，所述囊封件位於所述腔中且在所述重新分佈結構的所述頂側上，所述囊封件形成所述電子組件的側面和所述柱的邊界；以及 <br/>第二半導體裝置，所述第二半導體裝置在所述第一半導體裝置的頂側上，其中所述第二半導體裝置在所述第一基板的頂側上與基板焊盤電耦合； <br/>其中，所述囊封件包括在所述電子組件的主動側以及所述重新分佈結構之間的單一連續結構； <br/>其中，所述重新分佈結構包括第一介電結構和第二介電結構。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述第二半導體裝置包括第二基板、第二電子組件以及第二囊封件，所述第二電子組件位於所述第二基板的頂側上，所述第二囊封件位於所述第二基板的所述頂側上，所述第二囊封件接觸所述第二電子組件的側面。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述重新分佈結構包括重新分佈層基板，並且所述第一基板包括預形成的基板。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述第一半導體裝置的所述柱包括導電桿，所述導電桿與所述重新分佈結構的所述導電結構和所述基板焊盤電耦合。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述第一基板在至少兩個側面上形成電子裝置的邊界。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述囊封件位於所述電子組件與所述重新分佈結構之間並且位於所述第一基板與所述重新分佈結構之間。
根據請求項1所述的半導體結構，其中所述囊封件接觸所述組件互連件的側面以及所述柱的側面。
一種製造半導體結構的方法，其包括： <br/>提供第一半導體裝置，其包括： <br/>重新分佈結構，所述重新分佈結構包括導電結構； <br/>第一基板，所述第一基板位於所述重新分佈結構的頂側上並且具有腔和接觸所述重新分佈結構的柱； <br/>電子組件，所述電子組件位於所述重新分佈結構的頂表面上和所述腔中，其中所述電子組件通過組件互連件與所述導電結構電耦合；以及 <br/>囊封件，所述囊封件位於所述腔中和所述重新分佈結構的所述頂側上，所述囊封件形成所述電子組件的側面和所述柱的邊界；以及 <br/>提供第二半導體裝置，所述第二半導體裝置位於所述第一半導體裝置的頂側上，其中所述第二半導體裝置與所述第一基板的頂側上的基板焊盤電耦合， <br/>其中，所述囊封件包括單一連續結構，所述單一連續結構在所述電子組件的主動側以及所述重新分佈結構之間； <br/>其中，所述重新分佈結構包括第一介電結構和第二介電結構。
根據請求項8所述的方法，其中所述第二半導體裝置包括： <br/>第二基板； <br/>第二電子組件，所述第二電子組件位於所述第二基板的頂側上；以及 <br/>第二囊封件，所述第二囊封件位於所述第二基板的所述頂側上，所述第二囊封件接觸所述第二電子組件的側面。
根據請求項8所述的方法，其中： <br/>所述重新分佈結構包括重新分佈層基板；並且 <br/>所述第一基板包括預形成的基板。
根據請求項8所述的方法，其中所述第一半導體裝置的所述柱包括導電柱，所述導電柱與所述重新分佈結構的所述導電結構以及所述基板焊盤電耦合。
根據請求項8所述的方法，其中所述第一基板在至少兩個側面上界定所述電子組件。
根據請求項8所述的方法，其中所述囊封件位在所述電子組件以及所述重新分佈結構之間並且位在所述第一基板以及所述重新分佈結構之間。
根據請求項8所述的方法，其中所述囊封件接觸所述組件互連件的側面以及所述柱的側面。
一種半導體結構，其包括： <br/>重新分佈結構，所述重新分佈結構包括第一導電結構和第二導電結構； <br/>腔基板，所述腔基板在所述重新分佈結構上方，其中所述腔基板具有腔以及基板互連件，所述基板互連件耦接所述第一導電結構； <br/>電子組件，所述電子組件在所述重新分佈結構上方且在所述腔中，其中所述電子組件具有組件互連件，所述組件互連件耦接所述第一導電結構；以及 <br/>囊封件，所述囊封件在所述重新分佈結構上方且在所述腔中，其中所述囊封件接觸所述電子組件的側面； <br/>其中，所述第一導電結構在所述重新分佈結構之中並且所述第二導電結構的第一部分向所述重新分佈結構外部延伸；並且 <br/>其中，所述囊封件包括單一連續結構，所述單一連續結構位於所述電子組件的主動側以及所述重新分佈結構之間； <br/>其中，所述重新分佈結構包括第一介電結構和第二介電結構。
根據請求項15所述的半導體結構，其進一步包括外部互連件，所述外部互連件耦接所述第二導電結構的所述第一部分，所述第一部分在所述重新分佈結構的外部。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述第一導電結構與所述第二導電結構耦接。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述第一導電結構位於所述第一介電結構和所述第二介電結構之間。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述組件互連件具有單一寬度，並且所述組件互連件的所述單一寬度小於所述基板互連件的寬度。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述基板互連件包括銅柱。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述囊封件位於所述重新分佈結構和所述腔基板之間。
根據請求項15所述的半導體結構，其中所述囊封件接觸所述組件互連件的側面以及所述基板互連件的側面。
一種摻雜發光材料，該摻雜發光材料包含一主體化合物和一客體化合物，其中，<br/> 該主體化合物為根據式(1)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="73px" width="149px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(1)<br/> 在式(1)中，A為-CO-、-O-或-S-基團；R<sub>19</sub>-R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、羥基、胺基、碳原子數為1-10的烷基、碳原子數為1-10的鹵代烷基、碳原子數為1-10的烷氧基、碳原子數為1-16的二烷基胺基或氰基；或者R<sub>21</sub>和R<sub>26</sub>合併成選自-CO-、-O-或-S-基團的一個基團；和<br/> 該客體化合物為根據式(2)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="108px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(2)<br/> 在式(2)中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自獨立地表示H、鹵素、OR<sup>3</sup>或NH=CO-R<sup>4</sup>，R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地表示碳原子數為1-10的烷基；R<sub>3</sub>-R<sub>18</sub>各自獨立地表示H、鹵素、碳原子數為1-10的烷基、碳原子數為1-10的鹵代烷基、碳原子數為1-10的烷氧基、碳原子數為1-16的二烷基胺基或氰基。
如請求項1所述的摻雜發光材料，其中，在式(1)中，R<sub>19</sub>-R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、羥基、胺基、碳原子數為1-6的烷基、碳原子數為1-6的鹵代烷基、碳原子數為1-6的烷氧基、碳原子數為1-12的二烷基胺基或氰基。
如請求項1所述的摻雜發光材料，其中在式(2)中，R<sub>3</sub>-R<sub>18</sub>各自獨立地表示H、鹵素、碳原子數為1-6的烷基、碳原子數為1-6的鹵代烷基、碳原子數為1-6的烷氧基、碳原子數為1-12的二烷基胺基或氰基。
如請求項1所述的摻雜發光材料，其中，相對於1莫耳的該客體化合物，該主體化合物的含量為20-15000莫耳。
如請求項1所述的摻雜發光材料，其中，相對於1莫耳的該客體化合物，該主體化合物的含量為100-5000莫耳。
如請求項1所述的摻雜發光材料，其中，相對於1莫耳的該客體化合物，該主體化合物的含量為100-1000莫耳。
如請求項1至請求項6中任一項所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物為根據式(3)化合物：<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="93px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(3)<br/> 在式(3)中，R<sub>19</sub>-R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、碳原子數為1-10的烷基、碳原子數為1-10的鹵代烷基、碳原子數為1-10的烷氧基、碳原子數為1-16的二烷基胺基或氰基；或者R<sub>21</sub>和R<sub>26</sub>合併成選自-CO-、-O-或-S-基團的一個基團。
如請求項7所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物為根據式(4)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="93px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(4)<br/> 在式(4)中，R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>各自獨立地表示H、鹵素、碳原子數為1-10的烷基、碳原子數為1-10的鹵代烷基、碳原子數為1-10的烷氧基、碳原子數為1-16的二烷基胺基或氰基。
如請求項8所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物選自以下中的一種或多種：式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為H的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為F的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為Cl的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為Br的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為甲基的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>為H且R<sub>24</sub>為三氟甲基的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為甲氧基的化合物、式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為二甲基胺基的化合物，或式(4)中R<sub>19</sub>和R<sub>24</sub>為氰基的化合物。
如請求項1至請求項6中任一項所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物為根據式(5)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="143px" width="280px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(5)<br/> 在式(5)中，R<sub>19</sub>-R<sub>20</sub>、R<sub>22</sub>-R<sub>25</sub>和R<sub>27</sub>-R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、羥基、胺基、碳原子數為1-10的烷基或碳原子數為1-10的烷氧基。
如請求項10所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物為根據式(6)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="100px" width="283px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(6)<br/> 在式(6)中，R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、羥基、胺基、碳原子數為1-10的烷基或碳原子數為1-10的烷氧基。
如請求項11所述的摻雜發光材料，其中，該主體化合物選自以下中的一種或多種：式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為F的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為Cl的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為Br的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為羥基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為胺基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為甲基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>中的兩個為H且另兩個為甲氧基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為H的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為F的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為Cl的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為Br的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為羥基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為胺基的化合物，式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為甲基的化合物，和式(6)中R<sub>19</sub>、R<sub>23</sub>、R<sub>24</sub>、R<sub>28</sub>為甲氧基的化合物。
如請求項1至請求項6中任一項所述的摻雜發光材料，其中，在根據式(1)的主體化合物中，R<sub>19</sub>-R<sub>28</sub>各自獨立地表示H、鹵素、碳原子數為1-10的烷基或碳原子數為1-10的烷氧基。
如請求項1至請求項6中任一項所述的摻雜發光材料，其中，該客體化合物為根據式(7)的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="59px" width="116px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(7)<br/> 在式(7)中，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自獨立地表示H、鹵素、OR<sup>3</sup>或NH=CO-R<sup>4</sup>，其中R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地表示碳原子數為1-10的烷基。
如請求項14所述的摻雜發光材料，其中，該客體化合物選自以下中的一種或多種：式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為H的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為F的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為Cl的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為Br的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為OR<sup>3</sup>且R<sup>3</sup>為甲基的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為OR<sup>3</sup>且R<sup>3</sup>為乙基的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為OR<sup>3</sup>且R<sup>3</sup>為丙基的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為NH=CO-R<sup>4</sup>且R<sup>4</sup>為甲基的化合物、式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為NH=CO-R<sup>4</sup>且R<sup>4</sup>為乙基的化合物，和式(7)中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>為NH=CO-R<sup>4</sup>且R<sup>4</sup>為丙基的化合物。
一種如請求項1至請求項15中任一項所述的摻雜發光材料的製備方法，該方法包括藉由將該主體化合物和該客體化合物進行摻雜得到該摻雜發光材料的步驟。
一種製品，其包含如請求項1至請求項15中任一項所述的摻雜發光材料。
一種如請求項1至請求項15中任一項所述的摻雜發光材料在製備防偽材料、生物組織成像技術和傳感技術中的用途。
一種如請求項1至請求項15中任一項所述的摻雜發光材料在製備用於活體診斷的製劑中的用途。
一種如請求項1至請求項15中所限定的客體化合物在摻雜發光材料中的用途。
一種合金鋼球化盤元的製造方法，包含：<br/> 對一合金鋼胚進行一粗軋操作，以獲得一粗軋鋼材，其中基於該合金鋼胚為100 wt%，該合金鋼胚包含：<br/> 0.2 wt%至0.4 wt%的碳；<br/> 0.5 wt%至1.0 wt%的錳；<br/> 0.3 wt%至1.3 wt%的鉻；以及<br/> 其餘為鐵及不可避免的雜質； <br/> 對該粗軋鋼材進行一精軋操作，以獲得一精軋鋼材，其中該精軋操作的一精軋溫度為770°C至870°C；<br/> 對該精軋鋼材進行一盤捲操作，以獲得一合金鋼捲；<br/> 對該合金鋼捲進行一冷卻操作，以獲得一熱軋盤元，其中該冷卻操作的一冷卻速率為0.5°C/s至1.5°C/s；以及<br/> 對該熱軋盤元進行一球化退火操作，以獲得該合金鋼球化盤元。
如請求項1所述之合金鋼球化盤元的製造方法，其中該精軋操作包含：<br/> 一第一精軋操作，其中該第一精軋操作的一第一精軋溫度為770°C至870°C；以及<br/> 一第二精軋操作，其中該第二精軋操作的一第二精軋溫度為770°C至850°C。
如請求項1所述之合金鋼球化盤元的製造方法，更包含：<br/> 在該冷卻操作之前，將該合金鋼捲散置於一冷卻床上，其中該合金鋼捲的一散置溫度為780°C至820°C。
如請求項3所述之合金鋼球化盤元的製造方法，其中該冷卻床的一輸送帶速度為12 公尺/分鐘(m/min)至15 m/min。
如請求項1所述之合金鋼球化盤元的製造方法，其中該熱軋盤元的一金相組織包含肥粒鐵及細波來鐵。
如請求項1所述之合金鋼球化盤元的製造方法，其中該精軋鋼材的γ晶粒尺寸為2 μm至10 μm。
一種合金鋼球化盤元，其係利用請求項1至6任一項所述之合金鋼球化盤元的製造方法所製得。
如請求項7所述之合金鋼球化盤元，其中該合金鋼球化盤元的一直徑為5.5 mm至18 mm。
如請求項7所述之合金鋼球化盤元，其中該合金鋼球化盤元的一球化率小於3。
一種晶圓背面研磨用粘結膜，其中，包括： <br/>基材層； <br/>緩衝層，設置在所述基材層上； <br/>中間支撐層，設置在所述緩衝層上；以及 <br/>粘結層，設置在所述中間支撐層上， <br/>相對於所述緩衝層、所述中間支撐層及所述粘結層的總厚度，所述中間支撐層的厚度大於5％， <br/>滿足下述式1及式2， <br/>式1：在25℃的溫度下，所述粘結層的儲能模量＜所述中間支撐層的儲能模量， <br/>式2：在25℃的溫度下，所述緩衝層的儲能模量＜所述中間支撐層的儲能模量。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述中間支撐層為包含熱塑性丙烯酸類樹脂的組合物的熱固化物。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述中間支撐層在25℃的溫度下的所述儲能模量為0.03MPa至0.3MPa。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述粘結層在25℃的溫度下的所述儲能模量為0.02MPa至0.2MPa。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述緩衝層在25℃的溫度下的所述儲能模量為0.02MPa至0.2MPa。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，滿足下述式3及式4， <br/>式3：在25℃的溫度下，所述粘結層的所述儲能模量：所述中間支撐層的所述儲能模量＝1：1.1至1：4， <br/>式4：在25℃的溫度下，所述緩衝層的所述儲能模量：所述中間支撐層的所述儲能模量＝1：1.1至1：4。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，滿足下述式5及式6， <br/>式5：在60℃的溫度下，所述粘結層的所述儲能模量：所述中間支撐層的所述儲能模量＝1：1.1至1：3， <br/>式6：在60℃的溫度下，所述緩衝層的所述儲能模量：所述中間支撐層的所述儲能模量＝1：1.1至1：3。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述緩衝層、所述中間支撐層及所述粘結層的總厚度為20μm至600μm。
如請求項1所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述中間支撐層的厚度為1μm至40μm。
如請求項1至9中任一項所述的晶圓背面研磨用粘結膜，其中，所述晶圓背面研磨用粘結膜應用於形成有凸塊的晶圓的背面研磨工序。
一種缺陷分類裝置，其特徵為具備：缺陷區域圖像製作部，是對包含一個或多個電路圖案區域與缺陷區域之檢查對象區域所拍攝而成的學習用圖像、包含第1參考圖像內電路圖案區域的第1參考圖像進行差分，基於該差分來產生包含有對應前述缺陷區域之缺陷區域圖像內缺陷區域的缺陷區域圖像； <br/>缺陷種類判定部，是基於電路圖案辨認圖像、前述缺陷區域圖像來判定前述電路圖案區域與前述缺陷區域的位置關係，該電路圖案辨認圖像包含有前述第1參考圖像內電路圖案區域所對應之電路圖案辨認圖像內電路圖案區域；以及 <br/>圖像合成部，是基於前述位置關係，合成前述缺陷區域圖像與第2參考圖像來產生合成圖像， <br/>前述第1參考圖像是將第1半導體晶圓加以攝像而得到的圖像， <br/>前述第2參考圖像是將與前述第1半導體晶圓不同之第2半導體晶圓加以攝像而得到的圖像。
如請求項1記載的缺陷分類裝置，其中，前述缺陷種類判定部，是基於前述電路圖案辨認圖像與前述缺陷區域圖像，來取得前述電路圖案區域是否接觸前述缺陷區域的第1判定結果；當前述第1判定結果為肯定的情況下，取得前述缺陷區域是否被包含在前述電路圖案區域內的第2判定結果。
如請求項1記載的缺陷分類裝置，其中，前述缺陷種類判定部，是取得前述電路圖案區域的方向，以及接觸於前述缺陷區域之前述電路圖案區域的數量。
如請求項1記載的缺陷分類裝置，其中，前述缺陷種類判定部，是基於各個前述電路圖案區域的形狀，來取得各個前述電路圖案區域之重心與前述缺陷區域之重心的距離。
如請求項1記載的缺陷分類裝置，其中，更具備位置關係取得部，是將表示前述位置關係的缺陷種類位置關係確認畫面，顯示於顯示部。
如請求項2記載的缺陷分類裝置，其中，前述第2參考圖像是包含一個或多個第2參考圖像内電路圖案區域， <br/>前述合成圖像，是包含有前述第2參考圖像內電路圖案區域所對應之合成圖像內電路圖案區域、前述缺陷區域所對應之合成圖像內缺陷區域， <br/>前述圖像合成部，是基於前述學習用圖像中前述電路圖案區域、前述缺陷區域的位置關係，來決定前述合成圖像中前述合成圖像內電路圖案區域、前述合成圖像內缺陷區域的位置關係。
一種缺陷分類方法，其特徵為使電腦執行：缺陷區域圖像製作過程，是對包含一個或多個電路圖案區域與缺陷區域之檢查對象區域所拍攝而成的學習用圖像、包含第1參考圖像內電路圖案區域的第1參考圖像進行差分，基於該差分來產生包含有對應前述缺陷區域之缺陷區域圖像內缺陷區域的缺陷區域圖像； <br/>缺陷種類判定過程，是基於電路圖案辨認圖像、前述缺陷區域圖像來判定前述電路圖案區域與前述缺陷區域的位置關係，該電路圖案辨認圖像包含有前述第1參考圖像內電路圖案區域所對應之電路圖案辨認圖像內電路圖案區域；以及 <br/>圖像合成過程，是基於前述位置關係，合成前述缺陷區域圖像與第2參考圖像來產生合成圖像， <br/>前述第1參考圖像是將第1半導體晶圓加以攝像而得到的圖像， <br/>前述第2參考圖像是將與前述第1半導體晶圓不同之第2半導體晶圓加以攝像而得到的圖像。
如請求項7記載的缺陷分類方法，其中，前述缺陷種類判定過程，是基於前述電路圖案辨認圖像與前述缺陷區域圖像，來取得前述電路圖案區域是否接觸前述缺陷區域的第1判定結果；當前述第1判定結果為肯定的情況下，取得前述缺陷區域是否被包含在前述電路圖案區域內的第2判定結果。
如請求項7記載的缺陷分類方法，其中，前述缺陷種類判定過程，進一步取得前述電路圖案區域的方向，以及接觸於前述缺陷區域之前述電路圖案區域的數量。
如請求項7記載的缺陷分類方法，其中，前述缺陷種類判定過程，進一步基於各個前述電路圖案區域的形狀，來取得各個前述電路圖案區域之重心與前述缺陷區域之重心的距離。
如請求項7記載的缺陷分類方法，其中，更以前述電腦執行位置關係取得過程，來將表示前述位置關係的缺陷種類位置關係確認畫面，顯示於顯示部。
如請求項8記載的缺陷分類方法，其中，前述第2參考圖像是包含一個或多個第2參考圖像内電路圖案區域， <br/>前述合成圖像，是包含有前述第2參考圖像內電路圖案區域所對應之合成圖像內電路圖案區域、前述缺陷區域所對應之合成圖像內缺陷區域， <br/>前述圖像合成過程，是基於前述學習用圖像中前述電路圖案區域、前述缺陷區域的位置關係，來決定前述合成圖像中前述合成圖像內電路圖案區域、前述合成圖像內缺陷區域的位置關係。
一種半導體基板光學檢測系統，包括：一樣品，定位於一檢測位置；一光源模組，提供一激發光；該激發光的波長為1200~1800nm；將該激發光從該樣品的正面入射至具有高深寬比特徵的一微孔的內部，據以產生一正向激發訊號；一界面，用以將入射至該微孔的該激發光反射成為一反向激發光，從該樣品的背面返回該微孔內部，據以產生一反向激發訊號；一光偵測器，接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，並將該等訊號轉換為電訊號；一訊號處理及圖像生成模組，與該光偵測器耦合，用以獲取及處理該電訊號並生成關於該微孔的一幾何結構圖像；該幾何結構圖像以高分辨特徵呈現該微孔孔壁的正向及反向二維形狀及其缺陷。
如請求項1所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面是設於該樣品結構中的一反射層。
如請求項1所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面是一反射層，該反射層設於一載台的表面，該反射層承載該樣品的背面。
如請求項1所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面包括固定於該樣品背面或該樣品內部可反射光線的結構層。
如請求項1所述半導體基板光學檢測系統，其中，該激發光為超快雷射。
一種半導體基板光學檢測系統，包括：一樣品，定位於一檢測位置；一光源模組，提供一激發光；該激發光的波長為1200~1800nm；將該激發光從該樣品的正面入射至具有高深寬比特徵的一微孔的內部，據以產生一正向激發訊號；一界面，用以將入射至該微孔的該激發光反射成為一反向激發光返回該微孔內部，據以產生一反向激發訊號；一光偵測器，用以接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，並將該等訊號轉換為電訊號；一垂直軸推進模組，控制該光源模組、該光偵測器和相關光學物件、該樣品之擇一或其組合沿著一垂直軸推進，沿著推進方向逐層的產生該微孔的該正向激發訊號和該反向激發訊號；一訊號處理及圖像生成模組，與該光偵測模組耦合，用以獲取及處理該電訊號並生成關於該微孔的一幾何結構圖像；該幾何結構圖像以高分辨特徵呈現該微孔的三維孔壁形狀及其缺陷。
如請求項6所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面是設於該樣品結構中的一反射層。
如請求項6所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面是一反射層，該反射層設於一載台的表面，該反射層承載該樣品的背面。
如請求項6所述半導體基板光學檢測系統，其中，該界面包括固定於該樣品背面或該樣品內部可反射光線的結構層。
如請求項6所述半導體基材基板光學檢測系統，其中，該激發光為超快雷射。
一種半導體基板光學檢測方法，包括：提供一激發光，該激發光的波長為1200~1800nm，並將該激發光從一樣品的正面入射至具有高深寬比特徵的一微孔的內部，據以產生一正向激發訊號；提供一界面，用以將入射至該微孔的該激發光反射成為一反向激發光返回該微孔內部，據以產生一反向激發訊號；接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，並將該訊號轉換為電訊號；以及依據該電訊號生成關於該微孔的二維孔壁形狀及其缺陷的圖像。
一種半導體基板光學檢測方法，包括：提供一激發光，該激發光的波長為1200~1800nm，並將該激發光從一樣品的正面入射至具有高深寬比特徵的一微孔的內部，據以產生一正向激發訊號；提供一界面，用以將入射至該微孔的該激發光反射成為一反向激發光返回該微孔內部，據以產生一反向激發訊號；控制該激發光和其相關光學物件、該樣品之擇一或其組合沿著一垂直軸推進，據以逐層的產生該微孔的該正向激發訊號和該反向激發訊號；接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，將該等訊號轉換為電訊號；以及依據該電訊號生成關於該微孔的三維孔壁形狀及其缺陷的圖像。
一種半導體基板光學檢測方法，包括：提供一激發光，該激發光的波長為1200~1800nm，並將該激發光從一樣品的正面入射該樣品的一指定區域，據以產生該指定區域的一正向激發訊號；提供一界面，將該激發光反射成為一反向激發光返回該指定區域，據以產生該指定區域的一反向激發訊號；接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，並將該訊號轉換為電訊號；以及依據該電訊號生成關於該指定區域的圖像。
一種半導體基板光學檢測方法，包括：提供一激發光，該激發光的波長為1200~1800nm，並將該激發光從一樣品的正面入射該樣品的一指定區域，據以產生該指定區域的一正向激發訊號；提供一界面，將該激發光反射成為一反向激發光返回該指定區域，據以產生該指定區域的一反向激發訊號；控制該激發光和其相關光學物件、該樣品之擇一或其組合沿著一垂直軸推進，據以逐層的產生該指定區域的該正向激發訊號和該反向激發訊號；接收該正向激發訊號和該反向激發訊號，將該等訊號轉換為電訊號；以及依據該電訊號生成關於該指定區域的三維圖像。
一種具有高耐寒性的聚酯可塑劑，是通過二酸成分與二醇成分的酯化反應並經封端劑封端而獲得，其中所述二酸成分為癸二酸，所述二醇成分包括第一二醇組分及第二二醇組分，所述第一二醇組分為二乙二醇，且所述第二二醇組分為具有矽氧結構單元的二醇、具有直鏈結構的二醇或具有分支鏈結構的二醇；其中，所述具有直鏈結構的二醇為十二烷二醇，且所述具有分支鏈結構的二醇為2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇。
如請求項1所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其具有如下式I所示的結構：<br/> 式I中，A表示癸二酸的殘基；B<sub>1</sub>和B<sub>2</sub>各自獨立表示所述第一二醇組分或所述第二二醇組分的殘基；C表示封端劑的殘基；n為1至4的正整數。
如請求項2所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述具有矽氧結構單元的二醇具有如下式II所示的結構：<br/> 式II中，Me表示甲基，n為1至12的正整數。
如請求項3所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述第二二醇組分為具有矽氧結構單元的二醇；且式I中，B<sub>1</sub>和B<sub>2</sub>各自獨立表示二乙二醇的殘基或所述具有矽氧結構單元的二醇所衍生的殘基。
如請求項3所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述第二二醇組分為具有直鏈結構的二醇；且式I中，B<sub>1</sub>和B<sub>2</sub>各自獨立表示二乙二醇的殘基或所述具有直鏈結構的二醇所衍生的殘基。
如請求項3所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述第二二醇組分為具有分支鏈結構的二醇；且式I中，B<sub>1</sub>和B<sub>2</sub>各自獨立表示二乙二醇的殘基或所述具有分支鏈結構的二醇所衍生的殘基。
如請求項4至6中任一項所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述封端劑為一酸類封端劑。
如請求項7所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑，其中，所述封端劑為月桂酸。
一種聚氯乙烯組成物，用於製作一軟質製品，所述聚氯乙烯組成物包含100重量份的聚氯乙烯成分、一可塑劑成分、一安定劑及至少一無機添加劑，其中所述可塑劑成分包含如請求項1所述的具有高耐寒性的聚酯可塑劑。
如請求項9所述的聚氯乙烯組成物，其中，所述可塑劑成分還進一步包含鄰苯二甲酸C9-C11酯，且所述鄰苯二甲酸C9-C11酯與所述具有高耐寒性的聚酯可塑劑的添加比例為3 : 1。
一種鈦材，其是以純鈦或鈦合金為基材； <br/>以X射線光電子光譜法分析構成前述鈦材的表面的成分時，最外表面起算在深度方向上至50nm位置為止的材料表面中， <br/>Si濃度最大值為10原子%以上且40原子%以下， <br/>Al濃度最大值為10原子%以上且40原子%以下， <br/>在前述Si濃度或前述Al濃度之任一者為1原子%以上之深度方向的範圍中O濃度最小值為20原子%以上且50原子%以下； <br/>依據JIS Z 8781-4：2013所測定之前述鈦材之前述表面的色彩測定值如下： <br/>L <sup>＊</sup>：55~75、 <br/>a <sup>＊</sup>：1.0~2.0、 <br/>b <sup>＊</sup>：4.0~8.0。
如請求項1的鈦材，其中，以X射線光電子光譜法分析前述材料表面時， <br/>C濃度最大值為10原子%以下。
如請求項1或2的鈦材，其中，以X射線光電子光譜法分析前述材料表面時， <br/>F濃度最大值為10原子%以下，及 <br/>N濃度最大值為0原子%以上且10原子%以下。
如請求項1的鈦材，其中，以X射線光電子光譜法分析前述材料表面時， <br/>Ti濃度最小值為1原子%以上且40原子%以下。
一種鈦材的製造方法，是製造如請求項1之鈦材的方法，並包含：珠粒噴擊步驟，其是對於以純鈦或鈦合金為基材的鈦素材之表面，投射以SiO <sub>2</sub>構成的投射材及以Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>構成的投射材； <br/>前述以SiO <sub>2</sub>構成的投射材及前述以Al <sub>2</sub>O <sub>3</sub>構成的投射材之各粒度是依據JIS R 6001-1：2017的F20~F100； <br/>投射量為1~50g/m <sup>2</sup>・s， <br/>投射速度為10m/s以上且100m/s以下， <br/>投射時間為10s/m <sup>2</sup>以上。
一種鈦材的製造方法，是製造如請求項1之鈦材的方法，並包含： <br/>附著步驟：其是對於以純鈦或鈦合金為基材的鈦素材之表面，使膠體二氧化矽及氧化鋁膠體附著；及 <br/>退火步驟：其是將前述附著步驟後之前述鈦素材在100℃~500℃之間且於大氣中或真空中退火5分鐘以上且10分鐘以下。
一種配置於一基板處理系統之一上腔室與一下腔室之間的雙離子過濾器，其包含：<br/> 一上過濾器，其包含第一複數通孔，設置以過濾來自該上腔室中的一電漿之離子；以及<br/> 一下過濾器，其包含第二複數通孔，設置以控制該下腔室中的該電漿的均勻性；<br/> 其中該上過濾器的該第一複數通孔之直徑小於該下過濾器的該第二複數通孔之直徑；且<br/> 其中該上過濾器的該第一複數通孔之數量大於該下過濾器的該第二複數通孔之數量。
如請求項1之雙離子過濾器，其中以包含氧化釔之塗層來塗佈該上過濾器及該下過濾器。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器配置成與該下過濾器平行，且其中該上過濾器與該下過濾器以預定間隔相隔開。
如請求項1之雙離子過濾器，更包含一間隔環，其配置在該上過濾器及該下過濾器之間。
如請求項4之雙離子過濾器，更包含：<br/> 一緊固件，該緊固件以傳導材料所製成並通過在該間隔環中的洞將該上過濾器連接至該下過濾器；以及<br/> 一保護罩，該保護罩以抗電漿材料所製成並配置在該緊固件之電漿面對表面上。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器及該下過濾器係連接至選自由接地、正DC參考、及負DC參考所組成之群組的參考電位。
如請求項1之雙離子過濾器，其中：<br/> 該上過濾器係連接至選自由接地、正DC參考、及負DC參考所組成之群組的參考電位；<br/> 該下過濾器係連接至選自由接地、正DC參考、及負DC參考所組成之群組的參考電位；且<br/> 該上過濾器及該下過濾器具有不同偏壓。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器與該下過濾器具有不同厚度。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器比該下過濾器更薄。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器與該下過濾器其中至少一者包含用以接收冷卻流體之一充氣部。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器之該第一複數通孔具有在0.5毫米到1.5毫米之範圍內的第一直徑。
如請求項11之雙離子過濾器，其中該第一複數通孔的數量在5,000到50,000之範圍內。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該下過濾器之該第二複數通孔具有在1毫米到4毫米之範圍內的第二直徑。
如請求項13之雙離子過濾器，其中該第二複數通孔的數量在100到10,000之範圍內。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器係配置成與該下過濾器平行，且其中該上過濾器與該下過濾器以在1毫米到50毫米之範圍內的預定間隔相隔開。
如請求項1之雙離子過濾器，其中該上過濾器具有在2到5毫米之範圍內的厚度，且該下過濾器具有在5到15毫米之範圍內的厚度。
一種包含請求項1之上腔室及下腔室及雙離子過濾器的系統，更包含：<br/> 一基板支撐件，其配置於該下腔室中以支撐一基板；<br/> 一氣體輸送系統，用以將一氣體混合物供應至該上腔室；<br/> 一感應線圈，其配置成圍繞該上腔室之外部表面；以及<br/> 一RF產生器，用以於藉由該氣體輸送系統來供應該氣體混合物時將RF訊號供應至該感應線圈，以在該上腔室中產生該電漿。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一面板； <br/>第一可拉伸膜，設置在該第一面板的一側； <br/>第一膠層，連接該第一面板與該第一可拉伸膜，其中該第一面板的楊氏模量對該第一膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000；以及 <br/>第二膠層，設置在該第一面板背對該第一可拉伸膜的一側，且連接該第一面板，其中該第一面板的該楊氏模量對該第二膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一膠層與該第二膠層各自的厚度大於該第一面板的厚度。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括： <br/>第二可拉伸膜，設置在該第二膠層背對該第一面板的一側，且連接該第二膠層，其中該第一可拉伸膜與該第二可拉伸膜各自的楊氏模量小於該第一面板的該楊氏模量。
如請求項3所述的顯示裝置，還包括： <br/>第二面板，設置在該第二可拉伸膜背對該第一面板的一側；以及 <br/>第三膠層，連接該第二面板與該第二可拉伸膜，其中該第二面板的楊氏模量對該第三膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000。
如請求項4所述的顯示裝置，其中該第一面板與該第二面板各自的該楊氏模量小於100 MPa。
如請求項4所述的顯示裝置，還包括： <br/>第四膠層，設置在該第二面板背對該第一面板的一側，且連接該第二面板，其中該第二面板的該楊氏模量對該第四膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000；以及 <br/>第三可拉伸膜，設置在該第四膠層背對該第二面板的一側，且連接該第四膠層，該第三可拉伸膜的楊氏模量小於該第二面板的該楊氏模量。
如請求項6所述的顯示裝置，其中該第三膠層與該第四膠層各自的厚度大於該第二面板的厚度。
如請求項3所述的顯示裝置，還包括： <br/>伸縮機構，設置在該第二可拉伸膜背對該第一面板的一側，其中該第一面板、該第一膠層、該第二膠層、該第一可拉伸膜與該第二可拉伸膜沿著堆疊方向組成可拉伸面板，該伸縮機構適於沿著該堆疊方向帶動該可拉伸面板變形。
一種顯示裝置，包括： <br/>第一面板； <br/>第一可拉伸膜，設置在該第一面板的一側；以及 <br/>第一膠層，連接該第一面板與該第一可拉伸膜，其中該第一面板的楊氏模量對該第一膠層的楊氏模量的比值大於或等於1000，該第一面板的該楊氏模量對該第一膠層的該楊氏模量的比值小於或等於10<sup>5</sup>。
一種電子封裝件，係包括：承載結構，具有相對之第一表面及第二表面；第一光電裝置與第二光電裝置，分別設置於該承載結構之第一表面上並電性連接該承載結構，其中，該第一光電裝置包含有第一封裝模組、設於該第一封裝模組中之第一半導體元件以及接置於該第一封裝模組上之第一光學元件，該第二光電裝置包含有第二封裝模組、設於該第二封裝模組中之第二半導體元件以及接置於該第二封裝模組上之第二光學元件，且該第一光電裝置與該第二光電裝置係分別以該第一光學元件之一側與該第二光學元件之一側結合至該承載結構，而使該第一封裝模組之一側與該第二封裝模組之一側各自朝向遠離該承載結構之方向；以及電子元件，設置於該承載結構之第一表面上並電性連接該承載結構，其中，包含有該第一封裝模組、該第一半導體元件與該第一光學元件之該第一光電裝置位於該電子元件之一側，且包含有該第二封裝模組、該第二半導體元件與該第二光學元件之該第二光電裝置位於該電子元件之另一側。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該承載結構之第一表面形成有凹槽，以供該第一光電裝置容設於該凹槽中。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該第一封裝模組為扇出型堆疊封裝結構，該第一半導體元件為電子積體電路元件，且該第一光學元件為光晶片或光晶片模組。
如請求項3所述之電子封裝件，其中，該光晶片模組包含有耦合器、光晶片、全反射鏡或光纖陣列單元。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該第一光學元件結合有光元件。
如請求項1所述之電子封裝件，復包括電性連接該承載結構及該第一光電裝置之複數銲線。
如請求項6所述之電子封裝件，其中，各該銲線之一端係連接至該承載結構之第一表面，另一端則連接至該第一光電裝置之第一封裝模組之表面的電性接點。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該電子元件透過承載件接合並電性連接該承載結構。
如請求項8所述之電子封裝件，其中，該承載件透過複數導電元件接合並電性連接至該承載結構之第一表面。
如請求項1所述之電子封裝件，復包括形成於該承載結構上以包覆該電子元件及該第一光電裝置之包覆層。
一種電子封裝件之製法，係包括：提供一具有相對之第一表面及第二表面的承載結構；將第一光電裝置與第二光電裝置分別設於該承載結構之第一表面上並電性連接該承載結構，其中，該第一光電裝置包含有第一封裝模組、設於該第一封裝模組中之第一半導體元件以及接置於該第一封裝模組上之第一光學元件，該第二光電裝置包含有第二封裝模組、設於該第二封裝模組中之第二半導體元件以及接置於該第二封裝模組上之第二光學元件，且該第一光電裝置與該第二光電裝置分別以該第一光學元件之一側與該第二光學元件之一側接觸結合於該承載結構，而使該第一封裝模組之一側與該第二封裝模組之一側各自朝向遠離該承載結構之方向；以及將電子元件設於該承載結構之第一表面上並電性連接該承載結構，其中，包含有該第一封裝模組、該第一半導體元件與該第一光學元件之該第一光電裝置位於該電子元件之一側，且包含有該第二封裝模組、該第二半導體元件與該第二光學元件之該第二光電裝置位於該電子元件之另一側。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該承載結構之第一表面形成有凹槽，以供該第一光電裝置容設於該凹槽中。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該第一封裝模組為扇出型堆疊封裝結構，該第一半導體元件為電子積體電路元件，且該第一光學元件為光晶片或光晶片模組。
如請求項13所述之電子封裝件之製法，其中，該光晶片模組包含有耦合器、光晶片、全反射鏡或光纖陣列單元。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該第一光學元件結合有光元件。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，復包括利用複數銲線電性連接該承載結構及該第一光電裝置。
如請求項16所述之電子封裝件之製法，其中，各該銲線之一端係連接至該承載結構之第一表面，另一端則連接至該第一光電裝置之第一封裝模組之表面的電性接點。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，其中，該電子元件透過承載件接合並電性連接該承載結構。
如請求項18所述之電子封裝件之製法，其中，該承載件透過複數導電元件接合並電性連接至該承載結構之第一表面。
如請求項11所述之電子封裝件之製法，復包括於該承載結構上形成包覆該電子元件及該第一光電裝置之包覆層。
一種帶電粒子線裝置管理系統，係具有至少1個帶電粒子線裝置及裝置管理裝置之帶電粒子線裝置管理系統，其特徵為： <br/>前述裝置管理裝置，具備： <br/>電子光學系統模擬部，分別求出帶電粒子線裝置亦即評估對象裝置與目標裝置的狀態； <br/>裝置狀態修正候補算出部，求出使評估對象裝置趨近目標裝置的狀態之裝置構成要素的修正條件；及 <br/>裝置狀態推定部，求出遵照前述修正條件而修正評估對象裝置時的與目標裝置之差異； <br/>前述裝置狀態修正候補算出部，求出在裝置上執行修正時的成本，而輸出求出的修正條件及修正後的與目標裝置之差異以及修正成本。
如請求項1記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>所謂裝置的狀態，係因電子光學系統中的電磁場分布及前述電磁場分布而變動的電子束的狀態、以及因電子束的照射而產生的散射電子之檢測條件。
如請求項2記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>當求出裝置的狀態時，前述電子光學系統模擬部，變更裝置構成要素的條件，藉由包含模擬在內的邏輯計算而求出裝置狀態， <br/>前述裝置狀態推定部，在複數個拍攝條件間比較求出的裝置狀態以及藉由評估對象裝置拍攝而得到的圖像，而將在複數個拍攝條件間得到類似的傾向之裝置構成要素的條件訂為評估對象裝置的裝置構成要素的條件，而將在評估對象裝置的裝置構成要素的條件下藉由邏輯計算求出的裝置狀態訂為評估對象的裝置狀態。
如請求項3記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>前述裝置狀態推定部，為了在複數個拍攝條件間比較裝置狀態以及拍攝圖像，係學習裝置狀態與拍攝圖像之關係，運用學習結果而從拍攝圖像算出裝置狀態，而比較從拍攝圖像算出的裝置狀態與學習中運用的裝置狀態。
如請求項1記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>使評估對象裝置趨近目標裝置的狀態之裝置構成要素的修正條件，包含裝置構成要素的條件為一致之條件。
如請求項1記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>使評估對象裝置趨近目標裝置的狀態之裝置構成要素的修正條件，包含裝置構成要素的條件為不一致之條件。
如請求項1記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>當求出在裝置上執行修正時的成本時，前述裝置狀態修正候補算出部，事先保持每一修正項目的成本，而讀出該修正項目中的成本。
如請求項1記載之帶電粒子線裝置管理系統，其中， <br/>在裝置上執行修正時的成本， <br/>包含零件更換所花費的零件費、人事費、更換後的裝置調整費用、裝置非運轉時間、裝置非運轉所伴隨的計測對象的製造損失費用當中的其中一者以上。
一種帶電粒子線裝置的管理方法，係具有至少1個帶電粒子線裝置及裝置管理裝置之帶電粒子線裝置管理系統中的帶電粒子線裝置的管理方法，其特徵為： <br/>構成前述裝置管理裝置的電子光學系統模擬部，分別求出帶電粒子線裝置亦即評估對象裝置與目標裝置的狀態， <br/>構成前述裝置管理裝置的裝置狀態修正候補算出部，求出使評估對象裝置趨近目標裝置的狀態之裝置構成要素的修正條件， <br/>構成前述裝置管理裝置的裝置狀態推定部，求出遵照前述修正條件而修正評估對象裝置時的與目標裝置之差異， <br/>前述裝置狀態修正候補算出部，求出在裝置上執行修正時的成本，而輸出求出的修正條件及修正後的與目標裝置之差異以及修正成本。
如請求項9記載之帶電粒子線裝置的管理方法，其中， <br/>所謂裝置的狀態，係因電子光學系統中的電磁場分布及前述電磁場分布而變動的電子束的狀態、以及因電子束的照射而產生的散射電子之檢測條件。
如請求項10記載之帶電粒子線裝置的管理方法，其中， <br/>當求出裝置的狀態時，前述電子光學系統模擬部，變更裝置構成要素的條件，藉由包含模擬在內的邏輯計算而求出裝置狀態， <br/>前述裝置狀態推定部，在複數個拍攝條件間比較求出的裝置狀態以及藉由評估對象裝置拍攝而得到的圖像，而將在複數個拍攝條件間得到類似的傾向之裝置構成要素的條件訂為評估對象裝置的裝置構成要素的條件，而將在評估對象裝置的裝置構成要素的條件下藉由邏輯計算求出的裝置狀態訂為評估對象的裝置狀態。
如請求項11記載之帶電粒子線裝置的管理方法，其中， <br/>前述裝置狀態推定部，為了在複數個拍攝條件間比較裝置狀態以及拍攝圖像，係學習裝置狀態與拍攝圖像之關係，運用學習結果而從拍攝圖像算出裝置狀態，而比較從拍攝圖像算出的裝置狀態與學習中運用的裝置狀態。
一種車用系統，包括： <br/>中控台（CID，Center Information Display），包括暖通空調（HVAC，Heating, Ventilation and Air Conditioning）裝置； <br/>駕駛側電子鏡（E-Mirror），包括監控攝影機；以及 <br/>處理器，耦接所述中控台以及所述駕駛側電子鏡，其中 <br/> 所述處理器接收車輛內部參數，其中所述車輛內部參數包括駕駛疲勞值以及駕駛視線，其中所述處理器通過所述監控攝影機來接收所述駕駛疲勞值以及所述駕駛視線； <br/> 所述處理器利用所述車輛內部參數以及車輛外部參數來設置所述暖通空調裝置的溫度、風量以及風向， <br/>其中所述車輛內部參數更包括方向盤轉動頻率、所述中控台的溫度、所述中控台的頻率、煞車程度以及車速。
如請求項1所述的車用系統，其中 <br/>所述處理器更利用所述車輛內部參數以及所述車輛外部參數來設置所述駕駛側電子鏡的多視窗顯示。
如請求項2所述的車用系統，其中所述多視窗顯示包括左右分割、上下分割以及彈出（Pop Up）顯示。
如請求項1所述的車用系統，其中 <br/>所述處理器更利用所述車輛內部參數以及所述車輛外部參數來設置所述駕駛側電子鏡的視野（FOV，Field of View）、A柱死角顯示以及特定危險警示。
如請求項1所述的車用系統，其中所述中控台更包括車用資訊娛樂（IVI，In Vehicle Infotainment）裝置，其中 <br/>所述處理器更利用所述車輛內部參數以及所述車輛外部參數來設置所述車用資訊娛樂裝置的暖通空調變動資訊顯示、除霧開啟顯示、疲勞警示顯示、周圍物件顯示、亮度、刷新頻率以及前車防撞回堵顯示。
如請求項1所述的車用系統，更包括耦接所述處理器的儀表板（Cluster），其中 <br/>所述處理器更利用所述車輛內部參數以及所述車輛外部參數來設置所述儀表板的疲勞警示顯示、周圍物件顯示、亮度、刷新頻率以及前車防撞回堵顯示。
如請求項1所述的車用系統，其中所述車輛外部參數包括天氣、亮度以及周圍物件資訊。
一種探針卡，包含：<br/>一基板；<br/>至少一第一探針，設置於該基板上的一第一區域；以及<br/>複數個第二探針，設置於該基板上的複數個第二區域，且對應於該第一區域的一第一側及一第二側；<br/>其中當該至少一第一探針及該些第二探針用以傳遞至少一測試訊號時，該至少一第一探針上的一第一電流方向相反於該些第二探針上的一第二電流方向，<br/>其中該至少一第一探針包含複數個第一探針，且該第一區域中的一探針數量大於該些第二區域的任一者中的一探針數量。
如請求項1所述之探針卡，其中該第一區域的該第一側及該第二側包含該第一區域的兩對應側。
如請求項1所述之探針卡，其中該些第二區域環繞該第一區域。
如請求項1所述之探針卡，其中該至少一第一探針用以將至少一第一測試訊號施加至一晶圓，且該些第二探針用以接收該晶圓所輸出的複數個第二測試訊號。
一種測試裝置，包含：<br/>一處理器，用以提供至少一測試訊號；<br/>一承載台，用以承載一晶圓；以及<br/>一探針卡，耦接於該處理器，且用以接收該測試訊號，其中該探針卡包含：<br/>至少一第一探針，設置於該探針卡上的一第一區域；以及<br/>複數個第二探針，設置於該探針卡上的複數個第二區域，且對應於該第一區域的一第一側及一第二側；<br/>其中當該至少一第一探針及該些第二探針用以傳遞至少一測試訊號時，該至少一第一探針上的一第一電流方向相反於該些第二探針上的一第二電流方向，<br/>其中該至少一第一探針包含複數個第一探針，且該第一區域中的一探針數量大於該些第二區域的任一者中的一探針數量。
如請求項5所述之測試裝置，其中該第一區域的該第一側及該第二側包含該第一區域的兩對應側。
如請求項5所述之測試裝置，其中該些第二區域環繞該第一區域。
如請求項5所述之測試裝置，其中該至少一第一探針用以將至少一第一測試訊號施加至該晶圓，且該些第二探針用以接收該晶圓所輸出的複數個第二測試訊號。
一種阻尼器，包括：<br/> 一缸體，其一端具有一貫穿孔；<br/> 一活塞桿，係密封性地穿過該缸體的該貫穿孔，且該活塞桿的一外露部份係位於該缸體外，其餘部份位於該缸體內；<br/> 一連接部，包括一結合段，該結合段固定於該活塞桿的該外露部份的一前端；<br/> 一護罩，係硬質的且一端固定於該缸體的該端，另一端讓該連接部的該結合段可移動的插入，其中，該護罩的一內環壁貼靠於該連接部的該結合段的一外環壁，該護罩的一腔室位於該連接部的該結合段與該缸體的該端之間且容納該活塞桿的該外露部份。
如請求項1所述的阻尼器，包括一密封環，該密封環被夾擠在該連接部的該結合段的該外環壁與該護罩的該內環壁之間。
如請求項1所述的阻尼器，其中，該連接部的該結合段的該外環壁還形成有多個彼此間隔一小距離的小環形凹槽。
如請求項1或2所述的阻尼器，其中，該連接部包括位於該護罩的該腔室外的一連接頭，該連接頭包括一軸桿、一蓋體及一頭部，該軸桿的一端形成一球形塊體，該球形塊體座落於該連接部的一球形槽內，該軸桿的另一端形成一外螺紋段，該蓋體係結合於該連接部的該端且具有一貫穿孔，該軸桿的該外螺紋段穿過該蓋體的該貫穿孔並結合於該頭部。
一種顯示裝置，包括： <br/>基板，具有島區、橋接區以及連接區，其中所述連接區鄰接於所述島區且連接所述橋接區； <br/>畫素結構，設置於所述島區，且包括發光元件； <br/>訊號線，位於所述橋接區且延伸至所述連接區，並電性連接所述畫素結構；以及 <br/>第一無機絕緣圖案，位於所述連接區，且具有缺口， <br/>其中所述訊號線於所述基板的正投影重疊所述缺口於所述基板的正投影，且所述第一無機絕緣圖案位於所述基板與所述訊號線之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述缺口具有圓弧狀的輪廓。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一無機絕緣圖案與所述訊號線重疊的部分具有第一最大尺寸，所述第一無機絕緣圖案與所述訊號線不重疊的部分具有第二最大尺寸，且所述第一最大尺寸小於所述第二最大尺寸。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括附加訊號線，其中所述附加訊號線位於所述基板與所述第一無機絕緣圖案之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述第一無機絕緣圖案具有開口，且所述開口分割所述第一無機絕緣圖案。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述開口連通所述缺口。
如請求項5所述的顯示裝置，其中所述訊號線重疊所述開口。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述訊號線包括第一訊號線及第二訊號線，且所述第一無機絕緣圖案具有多個所述缺口，其中所述第一訊號線與所述第二訊號線分別重疊多個所述缺口。
如請求項8所述的顯示裝置，其中所述第一訊號線與所述第二訊號線分別連接於第一訊號源與第二訊號源。
如請求項1所述的顯示裝置，還包括多個第二無機絕緣圖案，所述多個第二無機絕緣圖案位於所述橋接區且彼此實體分離。
如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個第二無機絕緣圖案中的一部分第二無機絕緣圖案重疊所述訊號線，所述多個第二無機絕緣圖案中的另一部分第二無機絕緣圖案不重疊所述訊號線。
如請求項10所述的顯示裝置，還包括有機絕緣層，所述有機絕緣層圍繞所述訊號線、所述第一無機絕緣圖案及所述第二無機絕緣圖案。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述發光元件包括微型發光二極體或有機發光二極體。
如請求項1所述的顯示裝置，其中所述島區具有矩形輪廓，且所述橋接區具有U形、V形或S形輪廓。
一種顯示裝置，包括： <br/>基板，具有島區、橋接區以及連接區，其中所述連接區鄰接於所述島區且連接所述橋接區； <br/>畫素結構，設置於所述島區，且包括發光元件； <br/>訊號線，位於所述橋接區且延伸至所述連接區，並電性連接所述畫素結構；以及 <br/>第一無機絕緣圖案，位於所述連接區，且具有缺口， <br/>其中所述訊號線於所述基板的正投影重疊所述缺口於所述基板的正投影，所述第一無機絕緣圖案與所述訊號線重疊的部分具有第一最大尺寸，所述第一無機絕緣圖案與所述訊號線不重疊的部分具有第二最大尺寸，且所述第一最大尺寸小於所述第二最大尺寸。
一種視覺感測模組，適於設置在一顯示器上，包括： <br/>一影像感測器，用以接收一環境光，以產生一影像； <br/>一透鏡，設置在該影像感測器前，使該環境光穿過該透鏡後再傳遞至該影像感測器；以及 <br/>一處理器，電性連接至該影像感測器，用以辨識該影像的內容，以產生一輸出訊號， <br/>其中該視覺感測模組的光軸與該顯示器的顯示面不互相垂直，該光軸由從該影像感測器的感測面的中心朝該透鏡的中心定義。
如請求項1所述的視覺感測模組，其中該光軸與該顯示器的該顯示面之間的夾角落在60度至80度之間。
如請求項1所述的視覺感測模組，其中該影像感測器的該感測面平行於該顯示器的該顯示面。
如請求項1所述的視覺感測模組，其中該透鏡的光軸與該影像感測器的該感測面的該中心之間的距離大於0。
如請求項1所述的視覺感測模組，其中： <br/><img align="absmiddle" height="10px" width="29px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中θ為該光軸與該透鏡的光軸之間的夾角，d為該透鏡的該光軸與該影像感測器的該感測面的該中心之間的距離，且f為該透鏡的焦距。
如請求項1所述的視覺感測模組，其中該輸出訊號包括是否偵測到使用者、該使用者的視線方向以及該使用者與該顯示器之間的距離。
一種天線結構，其中，包括第一天線及第二天線： <br/>所述第一天線，包括： <br/>第一輻射部，設置於主機板的第一面並位於金屬接地面的第一側； <br/>第一外接金屬片，一端固定於所述主機板的第二面並電連接於所述第一輻射部，另一端沿所述主機板外延伸並懸空，所述第一外接金屬片與所述第一輻射部耦合激發第一操作頻段； <br/>第一接地延長部，一端電連接於所述金屬接地面的第一側及所述第一輻射部，另一端懸空，用於與所述第一輻射部耦合激發第二操作頻段及第三操作頻段； <br/>所述第二天線，包括： <br/>第二輻射部，設置於所述主機板的第一面並位於所述金屬接地面的第一側; <br/>第二外接金屬片，一端固定於所述主機板的第二面並電連接於所述第二輻射部，另一端沿所述主機板外延伸並懸空，所述第二外接金屬片與所述第二輻射部耦合激發所述第一操作頻段； <br/>第三輻射部，位於與所述金屬接地面一側垂直的另一側，一端垂直連接於所述第二輻射部，另一端懸空； <br/>第二接地延長部，一端電連接於所述金屬接地面的第二側，另一端懸空，用於與所述第三輻射部耦合激發出所述第二操作頻段及所述第三操作頻段。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述天線結構還包括： <br/>第三外接金屬片，垂直固定於所述主機板的第二面並電連接於所述金屬接地面，位於所述第三輻射部與所述第一天線之間，用於主機板散熱及延伸接地面，還用於增加所述第一天線及所述第二天線之間的隔離度。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述第一輻射部包括： <br/>第一輻射體，呈長條形； <br/>第二輻射體，呈梯形，所述梯形的下底電連接於所述第一輻射體，所述梯形的上底的一角為第一饋入端，所述梯形的上底的另一角通過微帶線電連接於所述第一接地延長部。
如請求項3所述的天線結構，其中，所述第一接地延長部包括： <br/>第一延長體，呈┒形，位於所述第二輻射體的一側，從所述金屬接地面的第一側沿所述第二輻射體的一側至所述第一輻射體方向延伸； <br/>第二延長體，呈┒形，位於所述第二輻射體的另一側，從所述金屬接地面的第一側沿所述第一輻射體至所述第二輻射體的另一側方向延伸。
如請求項3所述的天線結構，其中，所述第一外接金屬片包括： <br/>第一金屬片，一端固定於所述第一輻射體在所述主機板的第二面的投影位置，另一端懸空； <br/>第二金屬片，一端固定於所述第一輻射體在所述主機板的第二面的投影位置，另一端懸空，所述第一金屬片與所述第二金屬片之間存在預設間隔。
如請求項1所述的天線結構，其中， <br/>所述第二輻射部呈L形，所述第二外接金屬片的一端固定於所述第二輻射部在所述主機板的第二面的投影位置。
如請求項1所述的天線結構，其中，所述第三輻射部包括： <br/>第三輻射體，呈長條形，一端電連接於所述第二輻射部； <br/>第四輻射體，呈三角形，所述三角形的第一角電連接於所述第三輻射體的另一端，所述三角形的第二角為第二饋入端； <br/>第五輻射體，呈長條形，一端電連接於所述三角形的第三角，另一端懸空。
如請求項7所述的天線結構，其中： <br/>所述第二接地延長部呈彎折形，從所述金屬接地面的第二側沿所述第四輻射體至所述第五輻射體方向延伸。
如請求項1所述的天線結構，其中， <br/>調整所述金屬接地面的寬度以調整所述第一天線及所述第二天線的第一操作頻段的中心頻率； <br/>調整所述金屬接地面的長度以調整所述第一天線及所述第二天線的第一操作頻段的中心頻率。
一種電子設備，包括如請求項1至9中任一項所述的天線結構。
一種電壓轉換器，所述電壓轉換器包括半橋電路及控制電路，所述半橋電路包括高側開關及低側開關，所述控制電路包括電壓閾值生成電路、比較電路、控制器及驅動電路；<br/> 所述電壓閾值生成電路包括第一電壓閾值生成電路，所述第一電壓閾值生成電路包括限制電流源及跟循電路，所述限制電流源與所述跟循電路串聯連接，所述跟循電路之等效電阻值與所述低側開關之等效電阻值成比例，所述限制電流源之輸出電流與預設之負電流閾值成比例，所述第一電壓閾值生成電路之輸出端輸出第一閾值電壓，作為比較閾值電壓；<br/> 所述比較電路用於接收所述比較閾值電壓與所述電壓轉換器之輸出電壓，並根據所述比較閾值電壓與所述輸出電壓之比較結果，輸出比較訊號；<br/> 所述控制器用於接收所述比較訊號，並根據所述比較訊號輸出定時訊號；及<br/> 所述驅動電路用於根據致能訊號、所述比較訊號及所述定時訊號，對應控制所述高側開關及所述低側開關導通或斷開。
如請求項1所述之電壓轉換器，其中，所述跟循電路包括至少一個跟循功率電晶體，每個所述跟循功率電晶體之類型與所述低側開關均相同。
如請求項1所述之電壓轉換器，其中，所述比較訊號具有第一狀態及第二狀態，所述根據所述比較閾值電壓與所述輸出電壓之比較結果，輸出比較訊號，包括：<br/> 當所述比較閾值電壓小於所述輸出電壓時，所述比較電路輸出所述第一狀態之所述比較訊號，否則輸出所述第二狀態之所述比較訊號。
如請求項3所述之電壓轉換器，其中，所述定時訊號具有第一狀態及第二狀態，所述根據所述比較訊號輸出所述定時訊號，包括：<br/> 當接收到所述第一狀態之所述比較訊號時，所述控制器輸出所述第一狀態之所述定時訊號，預設限流時間後，將所述定時訊號切換為所述第二狀態。
如請求項4所述之電壓轉換器，其中，所述致能訊號具有第一狀態，所述根據致能訊號、所述比較訊號及所述定時訊號，對應控制所述高側開關及所述低側開關導通或斷開，包括：<br/> 當接收到所述第一狀態之所述致能訊號、所述第二狀態之所述比較訊號、所述第二狀態之所述定時訊號時，驅動所述低側開關導通；及<br/> 當接收到所述第一狀態之所述致能訊號及所述第一狀態之所述定時訊號，驅動所述高側開關及所述低側開關斷開。
如請求項3所述之電壓轉換器，其中，所述致能訊號還具有第二狀態，所述電壓閾值生成電路還包括負電流控制開關及零電流控制開關，所述零電流控制開關之一端接收第二閾值電壓，所述零電流控制開關之另一端電連接所述比較電路之輸入端，所述負電流控制開關之兩端分別電連接所述限制電流源之輸出端及所述比較電路之輸入端；<br/> 響應於所述第一狀態之所述致能訊號，所述負電流控制開關導通，所述零電流控制開關斷開，所述電壓閾值生成電路輸出所述第一閾值電壓，作為所述比較閾值電壓；及<br/> 響應於所述第二狀態之所述致能訊號，所述負電流控制開關斷開，所述零電流控制開關導通，所述電壓閾值生成電路輸出所述第二閾值電壓，作為所述比較閾值電壓。
如請求項6所述之電壓轉換器，其中，所述驅動電路用於根據所述第二狀態之所述致能訊號、所述比較訊號，對應控制所述高側開關及所述低側開關導通或斷開；<br/> 其中，當接收到所述第二狀態之所述致能訊號、所述第一狀態之所述比較訊號時，驅動所述低側開關斷開。
如請求項1至7中任一項所述之電壓轉換器，其中，所述比較電路包括比較器及偏移補償電路，所述偏移補償電路包括多工器及偏移控制電路，所述比較器之第一輸入端接收所述電壓轉換器之輸出電壓，所述比較器之第二輸入端電連接所述多工器之輸出端，所述比較器之輸出端電連接所述偏移補償電路，所述偏移補償電路還電連接所述多工器之控制端；<br/> 所述多工器包括至少一個輸入開關，每個所述輸入開關均用於接收所述比較閾值電壓，且用於減少所述比較閾值電壓之偏移量，不同之所述輸入開關對應減少不同之偏移量；及<br/> 所述偏移補償電路用於根據所述比較訊號之狀態，逐次控制所述至少一個所述輸入開關之導通或斷開，以調整所述比較閾值電壓之偏移量。
一種電壓轉換器之控制方法，所述控制方法應用於如請求項1至8中任一項所述之電壓轉換器，所述控制方法包括：<br/> 根據預設之負電流閾值，生成所述第一閾值電壓；<br/> 當所述致能訊號為第一狀態時，生成所述第一閾值電壓作為所述比較閾值電壓，當所述致能訊號為第二狀態時，生成第二閾值電壓作為所述比較閾值電壓，其中，所述第二閾值電壓為零電壓；<br/> 對所述比較閾值電壓與所述輸出電壓進行比較，生成所述比較訊號；及<br/> 根據所述比較訊號、所述致能訊號，對應控制所述高側開關及所述低側開關導通或斷開。
如請求項9所述之控制方法，其中，所述根據所述比較訊號、所述致能訊號，對應控制所述高側開關及所述低側開關導通或斷開，包括：<br/> 當所述致能訊號為第一狀態、所述比較訊號為第一狀態時，生成第一狀態之定時訊號，經過預設限流時間後，替換生成為第二狀態之定時訊號；<br/> 響應於第一狀態之所述致能訊號及第一狀態之所述定時訊號，控制所述低側開關與所述高側開關均斷開；<br/> 響應於第一狀態之所述致能訊號及第二狀態之所述定時訊號，控制所述低側開關導通；及<br/> 響應於第二狀態之所述致能訊號及第一狀態之比較訊號，控制所述低側開關斷開。
如請求項10所述之控制方法，其中，所述控制方法還包括：<br/> 根據所述比較訊號之狀態，調整所述比較閾值電壓之偏移量。
一種電壓轉換裝置，所述電壓轉換裝置包括輸出電感、輸出電容及如請求項1至8中任一項所述之電壓轉換器，所述輸出電感之一端電連接所述電壓轉換器之輸出端，所述輸出電感之另一端電連接所述輸出電容之一端，且所述輸出電感之另一端用於電連接負載。
一種智慧步態識別鞋墊，其包含：一鞋墊基底，由柔性材料製成，具有一防水防塵保護層；一感測模組，包含六壓力感測器、至少一加速度感測器及至少一陀螺儀感測器，該些感測器設置於該鞋墊基底且相互電性連接，該些壓力感測器包含一第一感測器，位於腳跟骨中央，用以感測腳跟壓力並產生一第一壓力感測訊號，一第二感測器，位於第一蹠骨頭下方，用以感測內側前足壓力並產生一第二壓力感測訊號，一第三感測器，位於第五蹠骨頭下方，用以感測外側前足壓力並產生一第三壓力感測訊號，一第四感測器，位於內側足弓區域下方，用以感測足弓內側壓力並產生一第四壓力感測訊號，一第五感測器，位於外側足弓區域下方，用以感測足弓外側壓力並產生一第五壓力感測訊號，一第六感測器，位於趾骨下方，用以感測腳趾區域壓力並產生一第六壓力感測訊號，且該加速度感測器產生一加速度訊號，該陀螺儀感測器產生一角速度訊號；一處理與傳輸模組，包含一微處理單元及一無線傳輸單元，該微處理單元接收來自該感測模組的該些壓力感測訊號、該加速度訊號及該角速度訊號後，處理並分析以產生至少一步態數據訊號，該無線傳輸單元則接收該微處理單元的該步態數據訊號，並即時輸出；一電源模組，包含一無線充電電池以提供電力，支持該感測模組、該處理與傳輸模組得以正常運作；及一外部設備，與該智慧步態識別鞋墊以無線傳輸方式電性連接，包含：一接收模組，接收來自該無線傳輸模組輸出的該步態數據訊號；及一分析與顯示模組，包含一處理單元和一顯示單元，該處理單元在該接收模組接收該步態數據訊號後，對該步態數據訊號進行處理並生成一行為建議，該顯示模組則依據該行為建議以即時顯示一結果。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該些壓力感測器可為薄膜柔性壓力感測器，用以提高對壓力變化的靈敏度。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該加速度感測器為三軸加速計，用以檢測三維空間中的加速度變化。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該加速度感測器配置於該鞋墊基底的中央位置，用以檢測步態中的速度變化。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該陀螺儀感測器為三軸陀螺儀，用以檢測該鞋墊本體在運動過程中的三維角速度變化。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該陀螺儀感測器配置於該鞋墊基底的前端，用以監測步態中的方向穩定性。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第一感測器與該第二感測器之間的間距範圍介於6~12公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第一感測器與該第三感測器之間的間距範圍介於5~10公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第二感測器與該第三感測器之間的間距範圍介於5~7公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第二感測器與該第四感測器之間的間距範圍介於3~5公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第三感測器與該第五感測器之間的間距範圍介於4~6公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第四感測器與該第五感測器之間的間距範圍介於6~8公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該第五感測器與該第六感測器之間的間距範圍介於6~8公分。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該些感測器的總面積占該鞋墊基底總面積的比例不大於30%。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該微處理單元以微機器學習法進行即時運算，並以監督式學習法進行分類。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該微處理單元進一步整合有步態模式識別算法，用以對步態數據訊號進行分類並檢測步態異常。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該無線傳輸單元包含藍牙模組，用於低功耗即時傳輸該步態數據訊號至該外部設備。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該電源模組的該無線充電電池支援快速充電技術，以縮短充電時間並延長使用時間。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該外部設備的該接收模組更具有複數個連接功能，用於同時接收複數個智慧步態識別鞋墊的該些步態數據訊號。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該分析與顯示模組的處理單元包含機器學習算法，用以優化步態數據的分析準確性。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該結果可包含正常步態結果、內八步態結果、外八步態結果、拖行步態結果、蹣跚步態結果、跛行步態結果、快速步態結果、慢速步態結果、不規則步態結果、跨步步態結果、單腳支撐時間異常、上下樓梯步態結果、跑步步態結果及不穩步態結果。
如請求項1所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該電源模組的該無線充電電池更藉由一外部供電模組進行無線充電。
如請求項22所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該外部供電模組可為一平板型無線充電器、一支架型無線充電器或一環繞型無線充電器，該平板型無線充電器可放置於一平面上，一鞋體直接接觸該平面以進行充電，該支架型無線充電器為一鞋支架結構，該鞋體可以直立或傾斜的型態懸掛在該鞋支架結構上，並進行無線充電，該環繞型無線充電器為圓環狀，該鞋體放置於該環繞型無線充電器內，使該鞋體進行全方位的無線充電。
如請求項22所述的智慧步態識別鞋墊，其中，該外部供電模組更具有複數個無線充電感應區，可同時對複數鞋體進行無線充電。
一種感測器封裝，包括：<br/> 一第一基板，所述第一基板具有穿過其的一第一感測器開口及在所述第一感測器開口內形成的一第一基板透明模蓋；<br/> 一第二基板，所述第二基板具有穿過其的一第二感測器開口及在所述第二感測器開口內形成的一第二基板透明模蓋，<br/> 一第一基板感測元件，所述第一基板感測元件在所述第一基板和所述第二基板之間安裝在所述第一基板的內表面上，其中所述第一基板感測元件具有面朝所述第一感測器開口且與所述第一感測器開口對準的感測區域，並且電耦接到所述第一基板；<br/> 一第二基板感測元件，所述第二基板感測元件在所述第一基板和所述第二基板之間安裝在所述第二基板的內表面上，其中所述第二基板感測元件具有面朝所述第二感測器開口且與所述第二感測器開口對準的一感測區域，並且電耦接到所述第二基板；<br/> 一第一側面感測元件和一第二側面感測元件，所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件豎直地安裝在所述第一基板和所述第二基板之間，其中所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件具有彼此背對且面向所述感測器封裝外部的相應感測區域，並且其中所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件電耦接到所述第一基板和所述第二基板中的至少一個基板；<br/> 一第一側面透明模蓋和一第二側面透明模蓋，所述第一側面透明模蓋和所述第二側面透明模蓋覆蓋所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件的所述相應感測區域；以及<br/> 一包封層，所述包封層在所述第一基板和所述第二基板之間形成以包封所述第一基板感測元件、所述第二基板感測元件及所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件。
根據請求項1所述的感測器封裝，其中，所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件電耦接到所述第一基板和所述第二基板兩者。
根據請求項2所述的感測器封裝，其中，所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件經由相應L形接合線或相應導電塊電耦接到所述第一基板和所述第二基板兩者。
根據請求項1所述的感測器封裝，其中，所述包封層形成為使得所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件被所述包封層和所述第一側面透明模蓋和所述第二側面透明模蓋包封，其中所述第一側面透明模蓋和所述第二側面透明模蓋從所述包封層露出。
根據請求項1所述的感測器封裝，其中，所述第一基板、所述第二基板、所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件的每個所述相應感測區域被濾光層覆蓋。
根據請求項1所述的感測器封裝，其中，進一步包括：<br/> 一互連模組，所述互連模組用於將所述感測器封裝內部的導電圖案電延伸到所述感測器封裝中未被所述第一、第二基板感測元件和所述第一、第二側面感測元件中的任一個佔用的面。
根據請求項1所述的感測器封裝，其中，所述第一側面感測元件和所述第二側面感測元件在垂直於所述第一基板和所述第二基板的方向上具有相同長度。
一種感測器封裝製造方法，所述方法包括：<br/> 提供一第一基板，所述第一基板具有穿過其的一第一感測器開口及在所述第一感測器開口內形成的一第一基板透明模蓋，其中一第一基板感測元件安裝在所述第一基板的內表面上且電耦接到所述第一基板，並且其中所述第一基板感測元件具有面朝所述第一感測器開口且與所述第一感測器開口對準的感測區域；<br/> 在所述第一基板的所述內表面上豎直地安裝一第一側面感測器組件和一第二側面感測器組件，其中所述第一側面感測器組件和所述第二側面感測器組件中的每一個側面感測器組件包括具有面向外部且被側面透明模蓋覆蓋的感測區域的側面感測元件，並且其中所述第一側面感測器組件和所述第二側面感測器組件中的每一個側面感測器組件包括包封所述側面感測元件但露出所述側面透明模蓋的側面包封層；<br/> 將一第二基板安裝到所述第一側面感測器組件和所述第二側面感測器組件上，使得所述第二基板由側面感測元件支撐；其中所述第二基板具有穿過其的第二感測器開口及在所述第二感測器開口內形成的第二基板透明模蓋，第二基板感測元件安裝在所述第二基板的內表面上且電耦接到所述第二基板，所述第二基板感測元件具有面朝所述第二感測器開口且與所述第二感測器開口對準的感測區域；並且其中所述第一側面感測器組件和所述第二側面感測器組件的所述側面感測元件電耦接到所述第一基板和所述第二基板中的至少一個基板；以及<br/> 在所述第一基板和所述第二基板之間形成封裝包封層以包封所述第一基板感測元件和所述第二基板感測元件。
根據請求項8所述的方法，其中，在將第二基板安裝到所述第一側面感測器組件和所述第二側面感測器組件上之後，所述側面感測元件電耦接到所述第一基板和所述第二基板兩者。
根據請求項9所述的方法，其中，所述側面感測元件經由相應L形接合線或相應導電塊電耦接到所述第一基板和所述第二基板兩者。
根據請求項10所述的方法，其中，所述L形接合線使用以下過程形成：<br/> 在所述側面感測元件和同一感測器晶片中鄰近於所述側面感測元件的另一側面感測元件之間形成「n」形接合線；<br/> 在所述側面感測元件和另一側面感測元件之間形成一包封層以包封所述「n」形接合線；以及<br/> 將所述包封層和所述「n」形接合線切成兩個部分以形成所述L形接合線。
根據請求項10所述的方法，其中，所述導電塊使用以下過程形成：<br/> 在所述側面感測元件和同一感測器晶片中鄰近於所述側面感測元件的另一側面感測元件之間形成一導電塊；<br/> 在所述側面感測元件和另一側面感測元件之間形成一包封層以包封所述「n」形接合線；以及<br/> 將所述包封層和所述導電塊切成兩個部分，使得所述側面感測元件和另一側面感測元件中的每一個側面感測元件具有所述導電塊的相應部分。
根據請求項8所述的方法，其中，所述第一基板感測元件和所述第二基板感測元件及所述側面感測元件的每個相應感測區域被濾光層覆蓋。
根據請求項8所述的方法，其中，所述方法進一步包括：<br/> 在所述包封層內形成一互連模組，以將所述感測器封裝內部的導電圖案電延伸到所述感測器封裝中未被所述基板感測元件和所述側面感測元件中的任一個佔用的面。
根據請求項8所述的方法，其中，所述側面感測元件在垂直於所述第一基板和所述第二基板的方向上具有相同長度。
一種圖案遮蓋變化裝置，包含：<br/> 一底部圖案板，包括複數個構成一第一圖案的第一陣列點，每一第一陣列點是圓點，該第一圖案由半徑大小不一的該等第一陣列點構成；及<br/> 一透明圖案板，設置於該底部圖案板上方並沿一軸線與該底部圖案板疊合，該透明圖案板包括複數構成一第二圖案的第二陣列點，每一第二陣列點是圓點，該第二圖案由半徑大小不一的該等第二陣列點構成；<br/> 其中，該透明圖案板能相對該底部圖案板繞該軸線在一完全遮蔽位置與數個非遮蔽位置間連續轉動，當該透明圖案板相對該底部圖案板繞該軸線轉動至該全遮蔽位置時，該等第一陣列點受到部分的該等第二陣列點完全遮蔽，使該第二圖案完全遮蔽該第一圖案，當該透明圖案板相對該底部圖案板繞該軸線轉動至任一該非遮蔽位置時，該等第一陣列點與該等第二陣列點交錯，使該第一圖案與該第二圖案疊加並同時顯現。
如請求項1所述的圖案遮蓋變化裝置，其中，在該透明圖案板相對該底部圖案板繞該軸線轉動至該全遮蔽位置的狀態下，相鄰的任二該第一陣列點之間的相對距離及相對位置，與分別對應遮蔽二該第一陣列點的二該第二陣列點之間的相對距離及相對位置皆相同。
如請求項1所述的圖案遮蓋變化裝置，其中，該底部圖案板還包括一主板體、一形成於該主板體的空白區，及設置於該空白區的該等第一陣列點，該等第一陣列點於該空白區構成該第一圖案，該透明圖案板還包括一尺寸對應該空白區的透明板體，及設置於該透明板體的該等第二陣列點。
如請求項1所述的圖案遮蓋變化裝置，還包含一沿該軸線將該透明圖案板可轉動地定位於該底部圖案板的定位組件。
如請求項4所述的圖案遮蓋變化裝置，其中，該定位組件包括一沿該軸線設置於該底部圖案板下表面的第一磁吸件，及一沿該軸線設置於該透明圖案板上表面並磁吸於該第一磁吸件的第二磁吸件。
如請求項4所述的圖案遮蓋變化裝置，還包含一蓋設於該透明圖案板上方的頂蓋板，其中該定位組件包括一設置於該底部圖案板上方的隔板，該隔板具有一容置孔，該底部圖案板封閉該容置孔之一端，該透明圖案板能容納於該容置孔，該頂蓋板具有一展示孔，透過該展示孔可顯示該第一圖案與該第二圖案。
如請求項6所述的圖案遮蓋變化裝置，其中，該底部圖案板還包括一主板體、一形成於該主板體的空白區，及設置於該空白區的該等第一陣列點，該等第一陣列點於該空白區構成該第一圖案，該隔板的容置孔的孔徑大於該空白區的面積，該透明圖案板的尺寸對應於該隔板的容置孔，且還包括一尺寸對應該空白區的透明板體、一環繞連接於該透明板體外圍的操作板體，及設置於該透明板體的該等第二陣列點。
一種微控制器，用以耦接於一主機裝置，該微控制器包含有： <br/>一唯讀記憶體，用以永久性地儲存一開機啟動碼； <br/>一靜態隨機存取記憶體；以及 <br/>一控制電路，耦接至該唯讀記憶體與該靜態隨機存取記憶體，用以當該主機裝置之一系統重新啟動之後，該控制電路根據該開機啟動碼來進行開機，取得從該主機裝置來的該微控制器之一操作條件，並將該操作條件暫存於該靜態隨機存取記憶體內，以及根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該操作條件來進行一韌體程式的載入、設定與更新或進行該微控制器之一狀態的回復。
如申請專利範圍第1項所述之微控制器，其中該操作條件包括一韌體程式資訊，該控制電路取得從該主機裝置來的該微控制器之該韌體程式資訊，並將該韌體程式資訊暫存於該靜態隨機存取記憶體內，以及根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該韌體程式資訊來進行該韌體程式的載入、設定與更新。
如申請專利範圍第1項所述之微控制器，其中該操作條件包括該微控制器之一執行狀態資訊，該控制電路取得從該主機裝置來的該微控制器之該執行狀態資訊，並將該執行狀態資訊暫存於該靜態隨機存取記憶體內，以及根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該執行狀態資訊來進行該微控制器之該狀態的回復。
如申請專利範圍第1項所述之微控制器，其中該控制電路係將該操作條件傳輸至該主機裝置，使該操作條件之資訊備份並儲存於該主機裝置之一驅動程式或該主機裝置之一儲存裝置中。
如申請專利範圍第4項所述之微控制器，其中該控制電路因應於該主機裝置所發送之一特定儲存事件，將該操作條件之資訊中所包括之一對應的狀態資訊備份並儲存於該主機裝置之該儲存裝置中。
如申請專利範圍第4項所述之微控制器，其中該微控制器另通過另一串列周邊介面匯流排來外接於一外接的快閃記憶體，該控制電路係將該操作條件另傳輸至該外接的快閃記憶體，使該操作條件之資訊備份並儲存於該外接的快閃記憶體。
如申請專利範圍第1項所述之微控制器，其中該操作條件並未永久性地保留於該微控制器中。
一種微控制器的操作方法，該微控制器用以耦接於一主機裝置，以及該操作方法包含： <br/>提供一唯讀記憶體以永久性地儲存一開機啟動碼； <br/>提供一靜態隨機存取記憶體； <br/>當該主機裝置之一系統重新啟動之後，根據該開機啟動碼來進行開機，取得從該主機裝置來的該微控制器之一操作條件，將該操作條件暫存於該靜態隨機存取記憶體內；以及 <br/>根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該操作條件來進行一韌體程式的載入、設定與更新或進行該微控制器之一狀態的回復。
如申請專利範圍第8項所述之操作方法，其中該操作條件包括一韌體程式資訊，以及該操作方法另包括： <br/>取得從該主機裝置來的該微控制器之該韌體程式資訊，並將該韌體程式資訊暫存於該靜態隨機存取記憶體內，以及根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該韌體程式資訊來進行該韌體程式的載入、設定與更新。
如申請專利範圍第8項所述之操作方法，其中該操作條件包括該微控制器之一執行狀態資訊，以及該操作方法另包括： <br/>取得從該主機裝置來的該微控制器之該執行狀態資訊，並將該執行狀態資訊暫存於該靜態隨機存取記憶體內，以及根據該靜態隨機存取記憶體內所暫存之該執行狀態資訊來進行該微控制器之該狀態的回復。
一種電子裝置，包括： <br/>一立體顯示器； <br/>一第一處理器，用以接收來自一訊號源的第一立體影像，以分析該第一立體影像的第一解析度；以及 <br/>一第二處理器，電性連接至該立體顯示器與該第一處理器， <br/>其中該第一處理器根據一參數組，計算一影像重建方案， <br/>其中該第二處理器接收來自該第一處理器的該第一立體影像及該影像重建方案，重建該第一立體影像以獲得第二立體影像， <br/>其中該立體顯示器用以接收並顯示該第二立體影像，以及 <br/>其中該第二立體影像的第二解析度大於該第一立體影像的該第一解析度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該參數組包括該第一立體影像的該第一解析度、該立體顯示器的解析度及該第二處理器的運算能力。
如請求項2所述的電子裝置，其中該影像重建方案包括決定該第二立體影像的該第二解析度， <br/>其中該第二立體影像的最高解析度為該立體顯示器的該解析度。
如請求項1所述的電子裝置，其中該影像重建方案包括對多個預設視區進行影像重建， <br/>其中該些預設視區所重建後的影像內容皆不同。
如請求項1所述的電子裝置，其中該影像重建方案包括對該第一立體影像中的注視點區域進行影像重建， <br/>其中在該第二立體影像中，該注視點區域的解析度大於其餘區域的解析度。
一種線上匯款操作主動通知系統，運行在一銀行伺服器，並且允許一客戶端通過網路與該銀行伺服器連線，該系統包含： <br/>一儲存模組，用以儲存一匯款規格，其中，所述匯款規格包含一收款人統編、一發票資料及一收款人電子郵件信箱； <br/>一偵測模組，連接該儲存模組，用以在該客戶端登入該銀行伺服器使用所述匯款規格執行匯款後，通過所述收款人統編偵測一收款人是否初次使用所述匯款規格，當偵測到所述收款人為初次使用時，產生一觸發訊號； <br/>一生成模組，連接該偵測模組，用以在所述觸發訊號產生後，產生一通知訊息，並且在所述通知訊息中嵌入一匯款查詢系統的一網址及所述收款人的一初次登入帳號密碼以生成一通知信件，並且將本次匯款的一匯款明細及所述發票資料儲存在所述匯款查詢系統；以及 <br/>一通知模組，連接該生成模組，用以通過所述收款人電子郵件信箱將所述通知信件傳送至所述收款人，通知所述收款人通過所述網址及所述初次登入帳號密碼登入所述匯款查詢系統，並且在所述收款人成功登入後，所述匯款查詢系統顯示一整合管理介面以供所述收款人查詢所述匯款明細及所述發票資料。
如請求項1之線上匯款操作主動通知系統，其中所述匯款查詢系統運行在一網頁伺服器，該網頁伺服器允許所述收款人以所述初次登入帳號密碼進行登入後，輸出一變更密碼提示訊息直到偵測到所述收款人完成密碼變更為止，當完成密碼變更時，重新要求所述收款人以變更後的密碼進行登入，當未完成密碼變更時，禁能所述整合管理介面。
如請求項1之線上匯款操作主動通知系統，其中所述初次登入帳號密碼包含一登入帳號及一登入密碼，在所述登入帳號密碼的生成過程中，將所述收款人統編作為所述登入帳號，以及將所述收款人統編及所述收款人電子郵件信箱結合，並且通過一雜湊演算法執行雜湊運算以生成固定長度的所述登入密碼。
如請求項1之線上匯款操作主動通知系統，其中所述整合管理介面根據所述發票資料中的項目名稱及其金額顯示相應的一確認元件，並且在所述收款人點選所述確認元件時，產生一到帳通知，以及在應用程式介面、即時通訊程式、電子郵件及簡訊中選擇至少其中之一傳送所述到帳通知。
如請求項1之線上匯款操作主動通知系統，其中所述整合管理介面載入同一所述收款人統編的所有所述發票資料以進行顯示，並且逐一比對載入的所述發票資料的日期及金額，當通過一滑動窗口法、一統計檢測法及一機器學習演算法至少其中之一識別出符合密集小額交易特徵時，輸出一警示訊息。
一種線上匯款操作主動通知方法，通過一銀行伺服器執行，並且允許一客戶端通過網路與所述銀行伺服器連線，其步驟包括： <br/>該銀行伺服器儲存一匯款規格，其中，所述匯款規格包含一收款人統編、一發票資料及一收款人電子郵件信箱； <br/>在該客戶端登入該銀行伺服器使用所述匯款規格執行匯款後，該銀行伺服器通過所述收款人統編偵測一收款人是否初次使用所述匯款規格，當偵測到所述收款人為初次使用時，產生一觸發訊號； <br/>該銀行伺服器在所述觸發訊號產生後，產生一通知訊息，並且在所述通知訊息中嵌入一匯款查詢系統的一網址及所述收款人的一初次登入帳號密碼以生成一通知信件，並且將本次匯款的一匯款明細及所述發票資料儲存在所述匯款查詢系統；以及 <br/>該銀行伺服器通過所述收款人電子郵件信箱將所述通知信件傳送至所述收款人，通知所述收款人通過所述網址及所述初次登入帳號密碼登入所述匯款查詢系統，並且在所述收款人成功登入後，所述匯款查詢系統顯示一整合管理介面以供所述收款人查詢所述匯款明細及所述發票資料。
如請求項6之線上匯款操作主動通知方法，其中所述匯款查詢系統運行在一網頁伺服器，該網頁伺服器允許所述收款人以所述初次登入帳號密碼進行登入後，輸出一變更密碼提示訊息直到偵測到所述收款人完成密碼變更為止，當完成密碼變更時，重新要求所述收款人以變更後的密碼進行登入，當未完成密碼變更時，禁能所述整合管理介面。
如請求項6之線上匯款操作主動通知方法，其中所述初次登入帳號密碼包含一登入帳號及一登入密碼，在所述登入帳號密碼的生成過程中，將所述收款人統編作為所述登入帳號，以及將所述收款人統編及所述收款人電子郵件信箱結合，並且通過一雜湊演算法執行雜湊運算以生成固定長度的所述登入密碼。
如請求項6之線上匯款操作主動通知方法，其中所述整合管理介面根據所述發票資料中的項目名稱及其金額顯示相應的一確認元件，並且在所述收款人點選所述確認元件時，產生一到帳通知，以及在應用程式介面、即時通訊程式、電子郵件及簡訊中選擇至少其中之一傳送所述到帳通知。
如請求項6之線上匯款操作主動通知方法，其中所述整合管理介面載入同一所述收款人統編的所有所述發票資料以進行顯示，並且逐一比對載入的所述發票資料的日期及金額，當通過一滑動窗口法、一統計檢測法及一機器學習演算法至少其中之一識別出符合密集小額交易特徵時，輸出一警示訊息。
一種電子封裝件，包括：承載結構；光子元件，係設於該承載結構上；耦合結構，設於該光子元件之側邊；以及光通訊單元，係透過該耦合結構連接該光子元件，其中，該耦合結構對應連接該光通訊單元之一側具有第一光耦合面，並於該第一光耦合面上設有第一對位結構，且該光通訊單元對應連接該耦合結構之一側具有第二光耦合面，並於該第二光耦合面上設有第二對位結構，以供該耦合結構及該光通訊單元利用該第一對位結構及該第二對位結構而相互連接。
如請求項1所述之電子封裝件，更包括接置於該承載結構上之電子元件。
如請求項2所述之電子封裝件，其中，該電子元件為電子積體電路晶片。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該光子元件為光子積體電路晶片。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該光通訊單元為光纖陣列單元，其連接該光子元件並供設置光纖。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該第一對位結構及該第二對位結構為相對之凹凸結構。
如請求項6所述之電子封裝件，其中，該凹凸結構相互交錯配置於該第一光耦合面及該第二光耦合面。
如請求項1所述之電子封裝件，復包括形成於該承載結構上以包覆該光子元件之包覆層。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該耦合結構為可透光結構。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該耦合結構具有對應該光子元件及該光通訊單元的折射率。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該光子元件具有耦合件，該耦合件外露於光子元件的側面，並連接有第一透鏡。
如請求項11所述之電子封裝件，其中，該光通訊單元之光纖對應於該光子元件之一端設有第二透鏡。
如請求項12所述之電子封裝件，其中，該第一對位結構及該第二對位結構於越靠近該第二透鏡之尺寸越小。
一種影像瑕疵檢測方法，包含： <br/>在不同拍攝條件下，對一具有遮罩之標準色板進行拍攝，以取得複數檢測圖片，且該具有遮罩之標準色板包含複數定位標記； <br/>偵測每一該檢測圖片上之該複數定位標記，以利用該複數定位標記運算圖片旋轉的一角度； <br/>將該檢測圖片逆向旋轉該角度，並擷取該檢測圖片之複數感興趣區域； <br/>計算該複數感興趣區域內顏色交界處之複數初步邊緣位置； <br/>於該複數初步邊緣位置中去除偽陽性位置及偽陰性位置，以得到複數最終邊緣位置； <br/>計算該複數最終邊緣位置之一標準差平均及一浮動峰值越界個數；以及 <br/>根據該標準差平均及該浮動峰值越界個數，篩選每一該檢測圖片中不符合標準的一瑕疵邊緣區域。
如請求項1所述之影像瑕疵檢測方法，其中該拍攝條件係包含：一環境光、一旋轉角度、一變焦倍率以及一拍攝距離，以透過不同的該拍攝條件對該具有遮罩之標準色板進行拍攝。
如請求項2所述之影像瑕疵檢測方法，其中在固定畫面之可視範圍下，以不同該變焦倍率及不同該拍攝距離來對該具有遮罩之標準色板進行拍攝，且該變焦倍率與該拍攝距離為正相關。
如請求項1所述之影像瑕疵檢測方法，其中該具有遮罩之標準色板更包含：複數色塊；以及複數遮罩，其係分別位於每一該色塊之一中間區域，以將每一該色塊劃分為三子區塊。
如請求項1所述之影像瑕疵檢測方法，其中在計算該複數感興趣區域內顏色交界處之該複數初步邊緣位置之步驟中，更包含：提取該複數感興趣區域內每一行的平均值儲存成一陣列，對該陣列之曲線進行微分，以使用該平均值及該平均值的微分來計算出該複數初步邊緣位置。
如請求項5所述之影像瑕疵檢測方法，其中微分後之該曲線上的節點若超過一閥值，則將該節點對應的該行標記為該初步邊緣位置，且標記1代表在該行的位置有邊緣，標記0則代表沒有邊緣。
如請求項1所述之影像瑕疵檢測方法，其中該偽陽性位置係為不該是邊緣卻被判定為邊緣的位置；以及該偽陰性位置係為該是邊緣卻被判定為非邊緣的位置。
如請求項7所述之影像瑕疵檢測方法，其中在該複數初步邊緣位置中係透過一聚類算法來修正該偽陽性位置及該偽陰性位置，以得到該複數最終邊緣位置。
如請求項1所述之影像瑕疵檢測方法，其中在計算該複數最終邊緣位置之該標準差平均及該浮動峰值越界個數之步驟中，更包含：計算該複數最終邊緣位置之一區域平均值及該標準差平均；以及根據該區域平均值計算出該浮動峰值越界個數。
如請求項9所述之影像瑕疵檢測方法，其中該區域平均值配合一偏移量會產生一浮動峰值上限及一浮動峰值下限，並計算該複數最終邊緣位置中同一區域內每四個橫向相鄰像素之一像素平均值，在該像素平均值超過該浮動峰值上限或該浮動峰值下限時，增加該浮動峰值越界個數之數量，以統計出該浮動峰值越界個數。
一種影像瑕疵檢測系統，包含： <br/>一具有遮罩之標準色板，包含： <br/>複數色塊； <br/>複數遮罩，分別位於每一該色塊之一中間區域，以將每一該色塊劃分為三子區塊；及 <br/>複數定位標記，位於該複數色塊外側； <br/>一影像擷取裝置，其係在不同拍攝條件下，對該具有遮罩之標準色板進行拍攝，以取得複數檢測圖片；以及 <br/>一運算裝置，訊號連接該影像擷取裝置，以接收該複數檢測圖片，該運算裝置對該複數檢測圖片進行瑕疵檢測。
如請求項11所述之影像瑕疵檢測系統，其中該遮罩之寬度係為該色塊之寬度的三分之一。
如請求項11所述之影像瑕疵檢測系統，其中該遮罩係為一白色遮罩。
如請求項11所述之影像瑕疵檢測系統，其中該拍攝條件係包含：一環境光、一旋轉角度、一變焦倍率以及一拍攝距離，以透過不同的該拍攝條件對該具有遮罩之標準色板進行拍攝。
如請求項14所述之影像瑕疵檢測系統，其中在固定畫面之可視範圍下，該影像擷取裝置係以不同該變焦倍率及不同該拍攝距離來對該具有遮罩之標準色板進行拍攝，且該變焦倍率與該拍攝距離為正相關。
如請求項11所述之影像瑕疵檢測系統，其中該運算裝置對該檢測圖片進行瑕疵檢測時，更包括：偵測每一該檢測圖片上之該複數定位標記，以利用該複數定位標記運算圖片旋轉的一角度；將該檢測圖片逆向旋轉該角度，並擷取該檢測圖片之複數感興趣區域；計算該複數感興趣區域內顏色交界處之複數初步邊緣位置；於該複數初步邊緣位置中去除偽陽性位置及偽陰性位置，以得到複數最終邊緣位置；計算該複數最終邊緣位置之一標準差平均及一浮動峰值越界個數；及根據該標準差平均及該浮動峰值越界個數，篩選每一該檢測圖片中不符合標準的一瑕疵邊緣區域。
如請求項16所述之影像瑕疵檢測系統，其中該運算裝置在計算該複數感興趣區域內顏色交界處之該複數初步邊緣位置時，更包含：提取該複數感興趣區域內每一行的平均值儲存成一陣列，對該陣列之曲線進行微分，以使用該平均值及該平均值的微分來計算出該複數初步邊緣位置。
如請求項17所述之影像瑕疵檢測系統，其中微分後之該曲線上的節點若超過一閥值，則將該節點對應的該行標記為該初步邊緣位置，且標記1代表在該行的位置有邊緣，標記0則代表沒有邊緣。
如請求項16所述之影像瑕疵檢測系統，其中該偽陽性位置係為不該是邊緣卻被判定為邊緣的位置；以及該偽陰性位置係為該是邊緣卻被判定為非邊緣的位置。
如請求項19所述之影像瑕疵檢測系統，其中該運算裝置係透過一聚類算法來修正該偽陽性位置及該偽陰性位置，以得到該複數最終邊緣位置。
如請求項16所述之影像瑕疵檢測系統，其中該運算裝置在計算該複數最終邊緣位置之該標準差平均及該浮動峰值越界個數時，更包含：計算該複數最終邊緣位置之一區域平均值及該標準差平均；以及根據該區域平均值計算出該浮動峰值越界個數。
如請求項21所述之影像瑕疵檢測系統，其中該區域平均值配合一偏移量會產生一浮動峰值上限及一浮動峰值下限，該運算裝置計算該複數最終邊緣位置中同一區域內每四個橫向相鄰像素之一像素平均值，在該像素平均值超過該浮動峰值上限或該浮動峰值下限時，增加該浮動峰值越界個數之數量，以統計出該浮動峰值越界個數。
一種空氣品質感測模組，包括：<br/> 一腔體；<br/> 一空氣品質感測器；以及<br/> 一空氣泵；<br/> 其中所述空氣品質感測模組設置在或將要設置在一手持式裝置內；<br/> 其中所述空氣泵產生朝向所述腔體或遠離所述腔體的一氣流，以使所述空氣品質感測器執行一空氣品質感測操作；<br/> 其中由所述手持式裝置內的所述空氣泵所產生的所述氣流的一方向是可逆的；<br/> 其中所述空氣泵為一微機電系統晶片。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，<br/> 其中所述空氣泵產生從一周圍環境朝向所述腔體的一第一氣流，使得所述空氣品質感測器在一第一時段感測所述周圍環境的空氣品質；<br/> 其中所述空氣泵產生從所述腔體朝向的所述周圍環境的一第二氣流，以在一第二時段中更新所述腔體。
如請求項1所述的空氣品質感測模組， <br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構，用以被致動而以一超聲波頻率產生多個空氣脈衝；<br/> 其中所述多個空氣脈衝產生朝向一單一方向的一淨氣流。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，<br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構包括一瓣片對，所述瓣片對包括一第一瓣片與一第二瓣片，所述第一瓣片與所述第二瓣片彼此相對設置；<br/> 其中所述瓣片對被致動以執行一運動，以同步於一超聲波頻率的一開口頻率形成一開口。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，<br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構透過一驅動訊號而被致動；<br/> 其中所述驅動訊號根據一輸入訊號而產生，所述輸入訊號為非零直流電壓或包括非零直流電壓。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，<br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構透過一調製訊號而被致動，以執行一共模運動；<br/> 其中所述調製訊號根據一輸入訊號而產生，所述輸入訊號為非零直流電壓或包括非零直流電壓。
如請求項1所述的空氣品質感測模組， <br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構透過一解調訊號而被致動，以執行一差模運動而以同步於一超聲波頻率的一開口頻率形成一開口。
如請求項1所述的空氣品質感測模組， <br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構透過一調製訊號而被致動，以執行一共模運動； <br/> 其中所述膜結構透過一解調訊號而被致動，以執行一差模運動而形成一開口；<br/> 其中由所述空氣泵所產生的所述氣流的所述方向根據所述調製訊號與所述解調訊號之間的相位來控制。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，其中由所述手持式裝置內的所述空氣泵所產生的所述氣流的強度是可調整的。
如請求項9所述的空氣品質感測模組，<br/> 其中所述空氣泵包括一膜結構；<br/> 其中所述膜結構透過一調製訊號而被致動，以執行一共模運動； <br/> 其中所述膜結構透過一解調訊號而被致動，以執行一差模運動而形成一開口；<br/> 其中所述氣流的所述強度透過調整所述調製訊號的振幅、所述解調訊號的振幅、所述調製訊號的頻率或所述解調訊號的頻率而調整。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，還包括另一空氣泵；<br/> 其中在一第一時段中，所述空氣泵產生從一周圍環境朝向所述腔體的一第一氣流，且所述另一空氣泵產生從所述周圍環境朝向所述腔體的一第三氣流；<br/> 其中在一第二時段中，所述空氣泵產生從所述腔體朝向所述周圍環境的一第二氣流，且所述另一空氣泵產生從所述腔體朝向所述周圍環境的一第四氣流。
如請求項1所述的空氣品質感測模組，還包括另一空氣泵，其中所述空氣泵產生從一周圍環境朝向所述腔體的所述氣流，且所述另一空氣泵同時產生從所述腔體朝向所述周圍環境的另一氣流。
一種支援方法，對搜索使目標變量的期待值最大化或最小化的說明變量的值進行支援，所述支援方法包括： <br/>從能夠輸出預測分布的第一機器學習模型輸出所述目標變量的期待值的預測分布即第一預測分布的步驟； <br/>從能夠輸出預測分布的第二機器學習模型輸出所述目標變量的方差的預測分布即第二預測分布的步驟； <br/>接受異方差獲得函數中所包含的風險規避係數的值的設定的係數設定步驟；以及 <br/>基於所述第一預測分布、所述第二預測分布、在所述係數設定步驟中設定了所述風險規避係數的值的所述異方差獲得函數、及搜索範圍來執行異方差貝葉斯最優化，從所述搜索範圍內取得使所述異方差獲得函數最大化的所述說明變量的推薦值的步驟， <br/>所述異方差獲得函數表示如下函數：所述風險規避係數的值越增大，從所述方差更小的區域取得所述推薦值的比例越增高， <br/>所述係數設定步驟包括基於作業者能夠操作的滑塊的位置來設定所述風險規避係數的值的步驟。
如請求項1所述的支援方法，其中，在設定所述風險規避係數的值時，製作與所述滑塊的位置對應的截斷常態分布，基於從所述截斷常態分布中隨機採樣的值來設定所述風險規避係數的值。
如請求項1所述的支援方法，其中，所述滑塊能夠在第一刻度的值表示大於0的值的第一位置、與所述第一刻度的值表示小於1的值的第二位置之間移動， <br/>在設定所述風險規避係數的值時，所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，越是將所述風險規避係數設定為更大的值。
如請求項3所述的支援方法，其中，在對搜索使所述目標變量的所述期待值最小化的所述說明變量的值進行支援的情況下，所述係數設定步驟包括： <br/>顯示所述滑塊、所述第一刻度、第一物件、第二刻度、及第二物件的步驟，所述第一物件表示與所述目標變量的可取值的範圍對應的虛擬範圍，所述第二刻度表示與所述期待值對應的虛擬期待值，所述第二物件表示所述第二刻度中所包含的各值中的一個；以及 <br/>所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，越進一步縮短所述第一物件的長度，並且越使所述第二物件向與所述第二刻度中所包含的所述各值對應的位置中的、與更大的值對應的位置移動的步驟， <br/>在對搜索使所述目標變量的所述期待值最大化的所述說明變量的值進行支援的情況下，所述係數設定步驟包括： <br/>顯示所述滑塊、所述第一刻度、所述第一物件、所述第二刻度、及所述第二物件的步驟；以及 <br/>所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，越進一步縮短所述第一物件的長度，並且越使所述第二物件向與所述第二刻度中所包含的所述各值對應的位置中的、與更小的值對應的位置移動的步驟。
一種記錄媒體，能夠由電腦讀取，所述記錄媒體記錄規定如請求項1至4中任一項所述的支援方法的支援程式。
一種支援系統，對搜索使目標變量的期待值最大化或最小化的說明變量的值進行支援，所述支援系統包括： <br/>存儲部，存儲能夠輸出預測分布的第一機器學習模型、能夠輸出預測分布的第二機器學習模型、及異方差獲得函數； <br/>顯示部，顯示滑塊； <br/>操作部，接受作業者對所述滑塊的操作；以及 <br/>處理部，從所述第一機器學習模型輸出所述目標變量的期待值的預測分布即第一預測分布，並從所述第二機器學習模型輸出所述目標變量的方差的預測分布即第二預測分布， <br/>所述處理部 <br/>基於所述滑塊的位置來設定所述異方差獲得函數中所包含的風險規避係數的值，且 <br/>基於所述第一預測分布、所述第二預測分布、根據所述滑塊的位置設定了所述風險規避係數的值的所述異方差獲得函數、及搜索範圍來執行異方差貝葉斯最優化，從所述搜索範圍內取得使所述異方差獲得函數最大化的所述說明變量的推薦值， <br/>所述異方差獲得函數表示如下函數：所述風險規避係數的值越增大，從所述方差更小的區域取得所述推薦值的比例越增高。
如請求項6所述的支援系統，其中，所述處理部在設定所述風險規避係數的值時，製作與所述滑塊的位置對應的截斷常態分布，基於從所述截斷常態分布中隨機採樣的值來設定所述風險規避係數的值。
如請求項6所述的支援系統，其中，所述顯示部進一步顯示第一刻度， <br/>所述滑塊根據所述作業者對所述操作部的操作，在所述第一刻度的值表示大於0的值的第一位置、與所述第一刻度的值表示小於1的值的第二位置之間移動， <br/>所述處理部在設定所述風險規避係數的值時，所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，越是將所述風險規避係數設定為更大的值。
如請求項8所述的支援系統，其中，所述顯示部進一步顯示第一物件、第二刻度、及第二物件，所述第一物件表示與所述目標變量的可取值的範圍對應的虛擬範圍，所述第二刻度表示與所述期待值對應的虛擬期待值，所述第二物件表示所述第二刻度中所包含的各值中的一個， <br/>在對搜索使所述目標變量的所述期待值最小化的所述說明變量的值進行支援的情況下，所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，所述處理部越進一步縮短所述第一物件的長度，並且越使所述第二物件向與所述第二刻度中所包含的所述各值對應的位置中的、與更大的值對應的位置移動， <br/>在對搜索使所述目標變量的所述期待值最大化的所述說明變量的值進行支援的情況下，所述滑塊的位置越是接近所述第二位置的位置，所述處理部越進一步縮短所述第一物件的長度，並且越使所述第二物件向與所述第二刻度中所包含的所述各值對應的位置中的、與更小的值對應的位置移動。
一種空化效應熱能系統，包含： <br/> 一儲水槽，設有一冷水區和一熱水區，用於分別儲存一冷水和一熱水；<br/> 一加壓泵，與該儲水槽的冷水區連接，用於將該冷水加壓至一預定壓力；<br/> 一加熱裝置，與該加壓泵連接，用於將加壓至該預定壓力的該冷水加熱成該熱水及一水蒸氣；<br/> 其中，該加熱裝置被配置為將該水蒸氣的乾度控制在小於或等於0.5的範圍內 ；以及<br/> 一噴射器，與該加熱裝置連接，用於接收來自該加熱裝置的加熱後的水和水蒸氣，並產生流體動力空化現象 ；<br/> 其中，該冷水由該儲水槽的該冷水區流出後，通過該加壓泵加壓至該預定壓力後，再經由該加熱裝置加熱成該熱水及該水蒸氣，該熱水及該水蒸氣通過該噴射器在系統中流動到該儲水槽時透過冷熱衝擊產生空化現象和動態衝擊，從而產生額外熱能，部分該熱水可回流至該儲水槽的該熱水區進行儲存。
如請求項1所述的空化效應熱能系統，其中，該儲水槽具有一管道，該管道可注入冷水，且該管道可進一步的佈設經過該熱水區，而注入該儲水槽的該熱水區的熱水所攜帶的熱能，可藉由該管道的管壁傳遞至該管道中的水。
如請求項1所述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括與該加熱裝置連接的一共振腔，該共振腔設計用於引發共振及氣泡空化現象。
如請求項3所述的空化效應熱能系統，其中，該共振腔包括複數個不同容積的第一腔體及第二腔體，該些腔體用於引發流體的共振及增強氣泡空化現象。
如請求項1所述的空化效應熱能系統，其中，該噴射器為文氏管。
如請求項1所述的空化效應熱能系統，其中，該噴射器由多個腔體、連接管及縮管所組成，且該些腔體的體積各不相同，該些腔體為錐形，可依入口與出口大小分為漸縮錐形及漸擴錐形，漸縮錐形的出口截面積小於入口截面積，漸擴錐形的出口截面積大於入口截面積，藉由該些腔體的進出口截面積不相同可改變水流的壓力及流速。
如請求項1所述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括設置於系統流體流動路徑末端的一開關閥，用於通過開關動作產生水錘現象。
如請求項7所述的空化效應熱能系統，其中，該開關閥為電磁脈衝開關閥，透過該電磁脈衝開關閥的快速開關作用來增強空化效應。
如請求項7所述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括至少一個超聲波振盪器，該超聲波振盪器設置於該系統的至少一個組件的外部，用於對該組件內的流體施加超聲波振盪，以加強氣泡空化現象。
如請求項7所述的空化效應熱能系統，其中，該加熱裝置為一貫流爐。
一種空化效應熱能系統，包含：<br/> 一儲水槽，設有一冷水區和一熱水區，用於分別儲存一冷水和一熱水；<br/> 一加壓泵，與該儲水槽的冷水區連接，用於將該冷水加壓至一預定壓力；<br/> 一加熱裝置，與該加壓泵連接，用於將加壓至該預定壓力的該冷水加熱成該熱水；<br/> 一噴射器，與該加熱裝置連接，用於接收來自該加熱裝置的加熱後的水；<br/> 其中，該冷水由該儲水槽的該冷水區流出後，通過該加壓泵加壓至該預定壓力後，再經由該加熱裝置加熱成該熱水，該熱水通過該噴射器在系統中流動到該儲水槽時透過冷熱衝擊產生空化現象和動態衝擊，從而產生額外熱能，部分該熱水可回流至該儲水槽的該熱水區進行儲存。
如請求項11述的空化效應熱能系統，其中，該儲水槽具有一管道，該管道可注入冷水，且該管道可進一步的佈設經過該熱水區，而注入該儲水槽的該熱水區的熱水所攜帶的熱能，可藉由該管道的管壁傳遞至該管道中的水。
如請求項11述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括與該加熱裝置連接的一共振腔，該共振腔設計用於引發共振及氣泡空化現象。
如請求項13的空化效應熱能系統，其中，該共振腔包括複數個不同容積的第一腔體及第二腔體，該些腔體用於引發流體的共振及增強氣泡空化現象。
如請求項11的空化效應熱能系統，其中，該噴射器為文氏管。
如請求項11的空化效應熱能系統，其中，該噴射器由多個腔體、連接管及縮管所組成，且該些腔體的體積各不相同，該些腔體為錐形，可依入口與出口大小分為漸縮錐形及漸擴錐形，漸縮錐形的出口截面積小於入口截面積，漸擴錐形的出口截面積大於入口截面積，藉由該些腔體的進出口截面積不相同可改變水流的壓力及流速。
如請求項11述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括設置於系統流體流動路徑末端的一開關閥，用於通過開關動作產生水錘現象。
如請求項17的空化效應熱能系統，其中，該開關閥為電磁脈衝開關閥，透過該電磁脈衝開關閥的快速開關作用來增強空化效應。
如請求項11述的空化效應熱能系統，其中，系統還包括至少一個超聲波振盪器，該超聲波振盪器設置於該系統的至少一個組件的外部，用於對該組件內的流體施加超聲波振盪，以加強氣泡空化現象。
如請求項11述的空化效應熱能系統，其中，該加熱裝置為一貫流爐。
一種功率放大器參數的校準方法，其中，該功率放大器具有N個參數，該N個參數中的每一個具有一預設標準功率輸出值範圍，該方法包括： <br/>步驟1，手動校準該N個參數中的N1個參數的參數值，以得到該N1個參數的校準參數值； <br/>步驟2，將該N1個參數的校準參數值輸入至一人工智慧背景運算程式，以藉由該人工智慧背景運算程式運算出剩餘的N2個參數的校準參數值，其中，N2 = N − N1；以及 <br/>步驟3，將該N個參數的校準參數值載入至該功率放大器，以完成該功率放大器參數的校準， <br/>其中，步驟1包括： <br/>步驟1-1，手動輸入該N1個參數中的一第一參數的參數值至該功率放大器； <br/>步驟1-2，讀取該功率放大器的功率輸出值； <br/>步驟1-3，確認該功率放大器的功率輸出值是否在對應於該第一參數的預設標準功率輸出值範圍內，若是，則輸入的該參數值為該第一參數的校準參數值，並繼續校準另一個參數，若否，則重複步驟1-1至1-3；以及 <br/>步驟1-4，藉由重複步驟1-1至1-3來得到該N1個參數的校準參數值。
如請求項1所述的方法，其中，步驟1-1包含： <br/>使用一單機式測試儀，其連接至一測試電腦； <br/>將包含該功率放大器的一射頻通訊元件連接至該單機式測試儀；以及 <br/>經由該測試電腦和該單機式測試儀，手動輸入該N1個參數中的該第一參數的參數值至該功率放大器，以控制該射頻通訊元件發射一射頻訊號。
如請求項2所述的方法，其中，步驟1-2包含： <br/>使用該單機式測試儀，接收該射頻訊號，並讀取該射頻訊號的功率值，該功率值為該功率放大器對應於該第一參數的參數值的功率輸出值。
如請求項3所述的方法，其中，步驟1-3包含： <br/>藉由該單機式測試儀，回傳該射頻訊號的功率值至該測試電腦；以及 <br/>使用該測試電腦，確認該射頻訊號的功率值是否在對應於該第一參數的預設標準功率輸出值範圍內。
一種功率放大器參數的校準方法，其中，該功率放大器具有N個參數，該N個參數中的每一個具有一預設標準功率輸出值範圍，該方法包括： <br/>步驟1，手動校準該N個參數中的N1個參數的參數值，以得到該N1個參數的校準參數值； <br/>步驟2，將該N1個參數的校準參數值輸入至一人工智慧背景運算程式，以藉由該人工智慧背景運算程式運算出剩餘的N2個參數的校準參數值，其中，N2 = N − N1；以及 <br/>步驟3，將該N個參數的校準參數值載入至該功率放大器，以完成該功率放大器參數的校準， <br/>其中，步驟2包括： <br/>步驟2-1，提供一第一功率放大器，該第一功率放大器具有該N個參數，該第一功率放大器已手動校準完成，將該第一功率放大器的該N個參數的校準參數值和對應的功率輸出值輸入至一人工智慧伺服器，以建立一第一參數預測模型，並將該第一參數預測模型載入至該人工智慧背景運算程式；以及 <br/>步驟2-2，將該功率放大器的該N1個參數的校準參數值輸入至該人工智慧背景運算程式的該第一參數預測模型，以藉由該第一參數預測模型運算出該功率放大器的剩餘的該N2個參數的校準參數值。
如請求項5所述的方法，進一步包括： <br/>步驟4， 將該功率放大器的該N個參數的校準參數值和對應的功率輸出值輸入至該人工智慧伺服器，以建立一第二參數預測模型，並將該第二參數預測模型載入至該人工智慧背景運算程式，以更新該人工智慧背景運算程式的參數預測模型。
如請求項5所述的方法，其中，該人工智慧背景運算程式裝載在一人工智慧邊緣運算盒中，該人工智慧邊緣運算盒連接至一測試電腦。
如請求項5所述的方法，其中，以該人工智慧伺服器建立參數預測模型的方法包含：線性回歸演算法、隨機森林回歸演算法、梯度提升回歸演算法、支持向量回歸演算法、類神經網絡演算法、或其組合。
一種射頻通訊元件，包含： <br/>藉由請求項1~8中任一項所述的校準方法所校準的一功率放大器。
一種含氫燃料之高爐預測方法，該方法包括以下步驟：<br/> 一鐵-碳-氧-氫系統的里斯圖操作線形成步驟，通過一高爐的一數據繪製該高爐的一鐵-碳-氧-氫系統的里斯圖操作線，其中該數據包含一上部高爐區數據、一熱儲備區數據、一下部高爐區數據、一風徑區數據及一分離區域數據中的至少一種；<br/> 一鐵-氧-氫系統的里斯圖操作線形成步驟，通過計算該高爐的一熱儲備區的鐵-氧-氫系統的氣體和固體之間的化學平衡繪製該高爐的一鐵-氧-氫系統的里斯圖操作線；<br/> 一鐵-氧-碳系統的里斯圖操作線形成步驟，通過一鐵-氧-氫系統的還原氣體利用率及一鐵-碳-氧-氫系統的總還原氣體利用率計算該高爐的一鐵-氧-碳系統的還原氣體利用率，及通過該鐵-氧-碳系統的還原氣體利用率和該熱儲備區的鐵-氧-碳系統的氣體和固體之間的化學平衡繪製一鐵-氧-碳系統的里斯圖操作線；<br/> 通過該鐵-碳-氧-氫系統的里斯圖操作線、該鐵-氧-氫系統的里斯圖操作線及該鐵-氧-碳系統的里斯圖操作線預測高爐的鐵水成分組成、鐵水產量、高爐爐頂氣組成、爐渣成分組成、爐腹氣成分組成、爐腹氣氣體流量、高爐整體碳排放量及高爐生產成本中的至少一種。
如請求項1所述的方法，其中該鐵-碳-氧-氫系統的里斯圖操作線通過該熱儲備區的鐵-碳-氧-氫系統的氣體和固體之間的化學平衡和還原氣體莫耳數與鐵水中的鐵莫耳數之比求得。
如請求項2所述的方法，其中該還原氣體莫耳數與鐵水中鐵莫耳數之比<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以通過下式求得：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="171px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示投入鐵礦中碳成分的莫耳數；<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示投入焦炭中碳成分的莫耳數；<img align="absmiddle" height="8px" width="19px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示鼓風自風徑區提供的水成分莫耳數；<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示粉煤自風徑區提供的碳成分莫耳數；<img align="absmiddle" height="8px" width="21px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示粉煤自風徑區提供的氫氣成分莫耳數；<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示粉煤自風徑區提供的水成分莫耳數；<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示鐵水中鐵成分的莫耳數；<img align="absmiddle" height="7px" width="15px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示鐵水中碳成分的質量分率。
如請求項2所述的方法，其中該鐵-碳-氧-氫系統的氣體和固體之間的化學平衡包含一鐵-碳-氧-氫系統理論平衡點或一鐵-碳-氧-氫系統實際平衡點，該鐵-碳-氧-氫系統理論平衡點的橫座標通過<i>X<sub>W </sub>=</i>1 + (1 <i>− x<sub>h</sub></i>)<i>ω<sub>WC </sub>+ x<sub>h</sub>ω<sub>WH </sub></i>計算，該鐵-碳-氧-氫系統理論平衡點的縱座標<i>Y<sub>W</sub></i>為1.05，其中<i>x<sub>h</sub></i>為還原氣體中H<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的莫耳分率；<i>ω<sub>WC</sub></i>為鐵-氧-碳系統的平衡狀態的莫耳分率；<i><sub/></i><i>ω<sub>WH</sub></i>為鐵-氧-氫系統的平衡狀態的莫耳分率。
如請求項4所述的方法，其中該鐵-碳-氧-氫系統實際平衡點的橫座標通過<i>X<sub>R</sub></i> = 1 + <i>r</i>(<i>X<sub>W</sub></i> − 1)及該鐵-碳-氧-氫系統實際平衡點的縱座標通過<i>Y<sub>R</sub></i> = <i>Y<sub>A</sub></i> + r(<i>Y<sub>A</sub></i> − <i>Y<sub>W</sub></i> )，其中r 表示高爐實際交換的氧與理論交換的氧的比值；<i>Y<sub>A</sub></i>表示鐵氧化物的初始氧化態；<i>X<sub>W</sub></i>表示該鐵-氧-氫系統理論平衡點的橫座標；<i>Y<sub>W</sub></i> 表示該鐵-氧-碳系統理論平衡點的縱座標。
如請求項4所述的方法，其中該鐵-氧-氫系統的氣體和固體之間的化學平衡包含一鐵-氧-氫系統理論平衡點，該鐵-氧-氫系統理論平衡點的橫座標通過<i>X<sub>W </sub>=</i>1 +<i>x<sub>h</sub>ω<sub>WH </sub></i>計算，該鐵-氧-氫系統理論平衡點的縱座標<i>Y<sub>W</sub></i>為1.05，其中<i>x<sub>h</sub></i>為還原氣體中H<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的莫耳分率；<i><sub/></i><i>ω<sub>WH</sub></i>為鐵-氧-氫系統的平衡狀態的莫耳分率。
如請求項4所述的方法，其中該鐵-氧-氫系統的里斯圖操作線通過該鐵-碳-氧-氫系統理論平衡點或該鐵-碳-氧-氫系統實際平衡點與里斯圖上的座標（1,0）點連成一直線繪製。
如請求項1所述的方法，其中該鐵-氧-碳系統的氣體和固體之間的化學平衡包含一鐵-氧-碳系統理論平衡點或一鐵-氧-碳系統實際平衡點，該鐵-氧-碳系統理論平衡點的橫座標通過<i>X<sub>W </sub>=</i>1 + (1 <i>− x<sub>h</sub></i>)<i>ω<sub>WC </sub></i>計算，該鐵-氧-碳系統理論平衡點的縱座標<i>Y<sub>W</sub></i>為1.05，其中<i>x<sub>h</sub></i>為還原氣體中H<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的莫耳分率；<i>ω<sub>WC</sub></i>為鐵-氧-碳系統的平衡狀態的莫耳分率。
如請求項1所述的方法，其中該鐵-碳-氧-氫系統的總還原氣體利用率<img align="absmiddle" height="11px" width="49px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；該鐵-氧-氫系統的還原氣體利用率<img align="absmiddle" height="11px" width="34px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及該鐵-氧-碳系統的還原氣體利用率<img align="absmiddle" height="11px" width="36px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="10px" width="21px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種含氫燃料之高爐預測系統，包含：一執行器，配備用以執行如請求項1至9任一項所述的方法。
一種拉瓣式封口墊片，其自上而下依次包含：<br/> 上部層，其包含表面膜；<br/> 連結層，其包含連結黏劑或連結劑和拉瓣層；以及<br/> 黏封複合層，其自上而下依次包含電磁感應加熱層和黏封層，<br/> 其中，該連結層係透過該連結黏劑或該連結劑而將該上部層與該黏封複合層複合，並且在該上部層與該黏封複合層之間形成未黏合區域，及<br/> 其中，該拉瓣層被配置在該未黏合區域中，並且該拉瓣層係透過複合黏劑或複合劑而與該上部層和該黏封複合層中的一者複合，<br/> 其中，該電磁感應加熱層係無線資訊集成片，<br/> 其中，該無線資訊集成片係包含：基膜；資訊與加熱層，其包括資訊區和電磁感應加熱環；第一黏貼層，其係位於該基膜和該資訊與加熱層之間；其中，該資訊區具有相互導通的天線及晶片，且該電磁感應加熱環係在平面視角中圍繞該資訊區，<br/> 其中，該電磁感應加熱環與該資訊區之間具有間隔。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該上部層係透過該連結黏劑而與該黏封複合層複合，該拉瓣層係透過該複合黏劑而與該上部層複合，在該拉瓣層與該黏封複合層之間形成空隙區域，並且該拉瓣層包含：<br/> 單片式拉瓣膜，其材質為紙、聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate, PET）、聚丙烯（Polypropylene, PP）、聚醯胺（Polyamide, PA）、聚萘二甲酸乙二醇酯（Polyethylene Naphthalate, PEN）及聚醯亞胺（Polyimide, PI）所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該上部層係透過該連結黏劑而與該黏封複合層複合，該拉瓣層係透過該複合黏劑而與該黏封複合層複合，在該上部層與該拉瓣層之間形成空隙區域，並且該拉瓣層包含：<br/> 單片式拉瓣膜，其材質為紙、PET、PP、PA、PEN及PI所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該上部層係透過該連結劑而與該黏封複合層複合，該拉瓣層係透過該複合劑而與該上部層複合，該拉瓣層係透過黏合劑而與該黏封複合層複合，並且該拉瓣層包含：<br/> 對折式拉瓣膜，其包含上折拉瓣膜和下折拉瓣膜，該上折拉瓣膜與該上部層複合，該下折拉瓣膜與該黏封複合層複合，並且在該上折拉瓣膜與該下折拉瓣膜之間形成空隙區域，<br/> 其中，該上折拉瓣膜與該下折拉瓣膜的材質分別係選自由PA、PP、PET、PEN及PI所組成之群組中的至少一者，及<br/> 其中該上折拉瓣膜的剖面寬度小於或等於該下折拉瓣膜的剖面寬度。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該上部層係透過該連結黏劑而與該黏封複合層複合，該拉瓣層係透過該複合黏劑而與該上部層複合，在該拉瓣層與該黏封複合層之間形成空隙區域，並且該拉瓣層包含：<br/> 拼接式拉瓣膜，其包含第一拉瓣膜和第二拉瓣膜，並且在該第一拉瓣膜與該第二拉瓣膜之間形成間隙區域，<br/> 其中，該第一拉瓣膜的材質係選自由PP、PET、PA、PEN及PI所組成之群組中的至少一者，該第二拉瓣膜的材質係選自由紙、PP、PET、PA、PEN及PI所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該上部層係透過該連結劑而與該黏封複合層複合，該拉瓣層係透過該複合劑而與該上部層複合，該拉瓣層係透過黏合劑而與該黏封複合層複合，並且該拉瓣層包含：<br/> 對折式拼接拉瓣膜，其包含上折拉瓣膜和下折拉瓣膜，該上折拉瓣膜與該上部層複合，該下折拉瓣膜與該黏封複合層複合，並且在該上折拉瓣膜與該下折拉瓣膜之間形成空隙區域，<br/> 其中，該上折拉瓣膜包含第一拉瓣膜和第二拉瓣膜，並且在該第一拉瓣膜與該第二拉瓣膜之間形成間隙區域，<br/> 其中，該上折拉瓣膜的第一拉瓣膜與該下折拉瓣膜的材質分別係選自由PA、PP、PET、PEN及PI所組成之群組中的至少一者，及<br/> 其中，該上折拉瓣膜的第二拉瓣膜的材質係選自由紙、PA、PP、PET、PEN及PI所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該拉瓣層的剖面寬度大於或等於該拉瓣式封口墊片的剖面寬度的六分之一倍，並且該拉瓣層的剖面寬度小於或等於該拉瓣式封口墊片的剖面寬度的六分之五倍。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該黏封複合層還包含：<br/> 連結膜，其被配置在該黏封複合層的最上層，<br/> 其中，該連結膜的材質係選自由聚乙烯（Polyethylene, PE）、PP、PA、可發泡性聚丙烯（Expandaple Polyproplene, EPP）及可發泡性聚乙烯（Expandaple Polyethylene, EPE）所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該黏封複合層還包含：<br/> 複合膜，其被配置在該電磁感應加熱層的上方，<br/> 其中，該複合膜的材質係選自由PP、PET、PEN、PE及PA所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該連結黏劑係使該上部層與該黏封複合層之間的剝離強度大於或等於17.8N/15mm。
如請求項1至10中任一項所述之拉瓣式封口墊片，其中，該表面膜的材質係選自由PEN、PI、PET、PE、PP及PA所組成之群組中的至少一者。
如請求項1至10中任一項所述之拉瓣式封口墊片，其中，該黏封層為熱熔膠或黏封膜與黏貼劑之組合，並且該熱熔膠的材質係選自由乙烯/醋酸乙烯酯共聚物（Ethylene Vinyl Acetate Copolymer, EVA）、聚異丁烯（Polyisobutylene, PIB）、乙烯丙烯酸丁酯共聚物（Ethylene Butyl Acrylate Copolymer, EBA）、乙烯丙烯酸共聚物（Ethylene Acrylic Acid Copolymer, EAA）、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物（Ethylene-Methyl Acrylate Copolymer, EMAC）、聚丙烯酸酯、丙烯酸共聚物及乙烯-甲基丙烯酸共聚物（Ethylene Methacrylic Acid Copolymer, EMAA）所組成之群組中的至少一者，而該黏封膜的材質係選自由PE、PP、PA、聚偏二氯乙烯（Polyvinylidene Chloride, PVDC）、乙烯-乙烯醇共聚物（Ethylene Vinyl Alcohol Copolymer, EVOH）及PET所組成之群組中的至少一者，並且該黏貼劑位於該黏封膜與該電磁感應加熱層之間。
如請求項1至10中任一項所述之拉瓣式封口墊片，其中，該連結黏劑、該複合黏劑、該連結劑和該複合劑為乾式複合膠或熱熔層合膠，該熱熔層合膠的材質係選自由PE、PP、EMAA、EAA、乙烯丙烯酸乙酯共聚物（Ethylene Ethyl Acrylate Copolymer, EEA）、EMAC及乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物（Ethylene Methyl Methacrylate, EMMA）所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該無線資訊集成片還具有保護層及第二黏貼層，該保護層係位於該資訊與加熱層之遠離該基膜的一側，且該第二黏貼層係位於該資訊與加熱層和該保護層之間。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該間隔係該資訊區的最外緣與該電磁感應加熱環的最內緣之間距，其為0.1mm至3mm。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該電磁感應加熱環與該資訊區之間充滿間隔。
如請求項1所述之拉瓣式封口墊片，其中，該資訊與加熱層還包括至少一個物理連接橋，其係用於連接該資訊區與該電磁感應加熱環。
一種易啟式封口墊片，其自上而下依次包含：上部層，其包含表面膜；連結層，其包含連結黏劑；以及黏封複合層，其自上而下依次包含下連結膜、電磁感應加熱層和黏封層；其中，該連結層係透過該連結黏劑而將該上部層與該黏封複合層複合，並且在該上部層與該黏封複合層之間形成未黏合區域；其中，該電磁感應加熱層係無線資訊集成片，該無線資訊集成片包含：基膜；資訊與加熱層，其包括資訊區和電磁感應加熱環；及第一黏貼層，其係位於該基膜和該資訊與加熱層之間；其中，該資訊區具有相互導通的天線及晶片，且該電磁感應加熱環係在平面視角中圍繞該資訊區；其中，該電磁感應加熱環與該資訊區之間具有間隔。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該連結黏劑的塗佈範圍的剖面寬度大於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之一倍，並且該連結黏劑的塗佈範圍的剖面寬度小於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之五倍。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該連結層還包含：夾層，其被配置在該未黏合區域中，並且該夾層係透過複合黏劑而與該上部層複合；以及塗佈層，其被塗佈於該夾層的下表面；其中，該夾層的材質係選自由聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚醯胺(Polyamide,PA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)及聚醯亞胺(Polyimide,PI)所組成之群組中的至少一者；及其中，該塗佈層的材質為光油或矽油。
如請求項3所述之易啟式封口墊片，其中，該塗佈層的塗佈方式為滿狀塗佈或點狀塗佈。
如請求項3所述之易啟式封口墊片，其中，該塗佈層的塗佈範圍的剖面寬度大於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之一倍，並且該塗佈層的塗佈範圍的剖面寬度小於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之五倍。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該連結層還包含：夾層，其被配置在該未黏合區域中，並且該夾層係透過複合黏劑而與該黏封複合層複合；以及塗佈層，其被塗佈於該夾層的上表面；其中，該夾層的材質係選自由PET、PP、PA、PEN及PI所組成之群組中的至少一者；及其中，該塗佈層的材質為光油或矽油。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該連結層還包含：塗佈層，其被塗佈於該上部層的下表面或該黏封複合層的上表面；其中，該塗佈層的材質為光油或矽油。
如請求項7所述之易啟式封口墊片，其中，該塗佈層的塗佈方式為滿狀塗佈或點狀塗佈。
如請求項7所述之易啟式封口墊片，其中，該塗佈層的塗佈範圍的剖面寬度大於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之一倍，並且該塗佈層的塗佈範圍的剖面寬度小於或等於該易啟式封口墊片的剖面寬度的六分之五倍。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該下連結膜的材質係選自由聚乙烯(Polyethylene,PE)、PP、PET、PA、可發泡性聚丙烯(Expandaple Polyproplene,EPP)及可發泡性聚乙烯(Expandaple Polyethylene,EPE)所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該黏封複合層還包含：複合膜，其被配置在該電磁感應加熱層的上方；其中，該複合膜的材質係選自由PET、PP、PA、PEN及PE所組成之群組中的至少一者。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該連結黏劑為乾式複合膠或熱熔層合膠，該熱熔層合膠的材質係選自由PE、PP、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(Ethylene-Methyl Acrylate Copolymer,EMAC)、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(Ethylene Methacrylic Acid Copolymer,EMAA)、乙烯丙烯酸共聚物(Ethylene Acrylic Acid copolymer,EAA)、乙烯丙烯酸乙酯共聚物(Ethylene Ethyl Acrylate Copolymer,EEA)及乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(Ethylene Methyl Methacrylate,EMMA)所組成之群組中的至少一者。
如請求項1至12中任一項所述之易啟式封口墊片，其中，該表面膜的材質係選自由PP、PET、PE、PA、PEN、PI及EMAC所組成之群組中的至少一者。
如請求項1至12中任一項所述之易啟式封口墊片，其中，該黏封層為熱熔膠或黏封膜與黏貼劑之組合，該熱熔膠的材質係選自由乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate copolymer,EVA)、聚異丁烯(Polyisobutylene,PIB)、乙烯丙烯酸丁酯共聚物(Ethylene Butyl Acrylate Copolymer,EBA)、EAA、EMAC、聚丙烯酸酯、丙烯酸共聚物及EMAA所組成之群組中的至少一者，該黏封膜的材質係選自由PE、PP、PA、聚偏二氯乙烯(Polyvinylidene Chloride,PVDC)、乙烯-乙烯醇共聚物(Ethylene Vinyl Alcohol Copolymer,EVOH)及PET所組成之群組中的至少一者，並且該黏貼劑被配置在該黏封膜與該電磁感應加熱層之間。
如請求項1至12中任一項所述之易啟式封口墊片，其中，該連結黏劑係使該上部層與該黏封複合層之間的剝離強度大於或等於17.8N/15mm。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該無線資訊集成片還包含保護層及第二黏貼層，該保護層係位於該資訊與加熱層之遠離該基膜的一側，且該第二黏貼層係位於該資訊與加熱層和該保護層之間。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該間隔係該資訊區的最外緣與該電磁感應加熱環的最內緣之間距，其為0.1mm至3mm。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該電磁感應加熱環與該資訊區之間充滿間隔。
如請求項1所述之易啟式封口墊片，其中，該資訊與加熱層還包括至少一個物理連接橋，其係用於連接該資訊區與該電磁感應加熱環。
一種環形膜盤(1)，其特徵在於，所述環形膜盤(1)包括膜盤主體(11)，所述膜盤主體(11)的徑向一端形成有膜盤波紋狀裙邊結構，所述膜盤波紋狀裙邊結構用於與傳動對象和/或被傳動對象傳動連接；所述膜盤波紋狀裙邊結構沿所述膜盤主體(11)的周向交替地形成有膜盤裙邊凸部(163)和膜盤裙邊凹部(164)；其中，所述膜盤裙邊凸部(163)向所述膜盤主體(11)的軸向一側凸出，所述膜盤裙邊凹部(164)向所述膜盤主體(11)的軸向另一側凹陷；所述膜盤裙邊凸部(163)的凸高和膜盤裙邊凹部(164)的凹深各自沿所述膜盤主體(11)的徑向向所述膜盤主體(11)逐漸變小。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，在所述膜盤主體(11)的任一軸向側，所述膜盤裙邊凸部(163)的凸面(165)和所述膜盤裙邊凹部(164)的凹面(166)分別沿所述膜盤主體(11)的徑向逐漸平滑過渡到所述膜盤主體(11)的對應的軸向側面。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，在沿著所述膜盤波紋狀裙邊結構的周向剖面上，所述膜盤裙邊凸部(163)形成有膜盤裙邊凸部周向輪廓線(161)，所述膜盤裙邊凹部(164)形成有膜盤裙邊凹部周向輪廓線(162)；在所述膜盤波紋狀裙邊結構的周向剖面被展開為平面的情況下，所述膜盤裙邊凸部周向輪廓線(161)和所述膜盤裙邊凹部周向輪廓線(162)均為圓弧線，或一個所述膜盤裙邊凸部周向輪廓線(161)和相鄰的一個所述膜盤裙邊凹部周向輪廓線(162)構成一個週期的正弦曲線；其中，所述膜盤波紋狀裙邊結構的周向剖面為與所述膜盤主體(11)同軸設置的圓柱面切斷所述膜盤波紋狀裙邊結構所形成的周向剖面。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤波紋狀裙邊結構在所述膜盤主體(11)的徑向上包括第一波紋段和第二波紋段，所述第一波紋段遠離所述膜盤主體(11)設置，所述第二波紋段靠近所述膜盤主體(11)設置；沿所述第一波紋段至所述第二波紋段方向，所述第一波紋段的波紋高度線性降低；在所述膜盤主體(11)的徑向上，所述第二波紋段和第一波紋段相切連接，所述第二波紋段和所述膜盤主體(11)相切連接。
如請求項4所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤波紋狀裙邊結構沿所述膜盤主體(11)的徑向寬度為W10，所述第一波紋段沿所述膜盤主體(11)的徑向寬度為W11，所述W10和W11滿足：60%≦W11/W10≦80%。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤波紋狀裙邊結構由所述膜盤主體(11)的徑向一端通過壓延拉伸形成。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤裙邊凸部(163)和相鄰的膜盤裙邊凹部(164)相切連接，且兩者相切連接的切平面(181)與膜盤主體的中心面(183)之間的夾角為α，所述α在所述膜盤主體(11)的徑向端部滿足：20°≦α≦35°；和/或，過所述膜盤裙邊凸部(163)的外輪廓波峰線的切平面(182)與膜盤主體的中心面(183)之間的夾角為β，所述β滿足：4.5°≦β≦12°；其中，沿所述膜盤主體(11)的軸向，由所述膜盤主體(11)的中心面(183)至所述膜盤裙邊凸部(163)，所述膜盤裙邊凸部(163)的外輪廓波峰線遠離所述膜盤主體的中心面(183)設置，所述膜盤裙邊凸部(163)的內輪廓波峰線靠近所述膜盤主體的中心面(183)設置。
如請求項1所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤主體(11)包括沿所述膜盤主體(11)的徑向相對設置的膜盤徑向內邊緣(12)和膜盤徑向外邊緣(13)，所述膜盤波紋狀裙邊結構至少形成在所述膜盤徑向內邊緣(12)。
如請求項8所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤徑向內邊緣(12)形成的膜盤波紋狀裙邊結構為膜盤波紋狀內裙邊結構(14)；所述膜盤波紋狀內裙邊結構(14)的第一波紋段為第一內波紋段(141)，所述膜盤波紋狀內裙邊結構(14)的第二波紋段為第二內波紋段(142)；沿所述膜盤主體(11)的徑向由內至外，所述第一內波紋段(141)、第二內波紋段(142)和膜盤主體(11)依次設置；所述第一內波紋段(141)的波紋高度沿所述膜盤主體(11)的徑向由內至外線性降低。
如請求項8所述的環形膜盤(1)，其中，所述膜盤徑向外邊緣(13)形成的膜盤波紋狀裙邊結構為膜盤波紋狀外裙邊結構(15)，所述膜盤波紋狀外裙邊結構(15)的第一波紋段為第一外波紋段(151)，所述膜盤波紋狀外裙邊結構(15)的第二波紋段為第二外波紋段(152)；沿所述膜盤主體(11)的徑向由外至內，所述第一外波紋段(151)、第二外波紋段(152)和膜盤主體(11)依次設置；所述第一外波紋段(151)的波紋高度沿所述膜盤主體(11)的徑向由外至內線性降低。
一種法蘭，其特徵在於，包括法蘭盤和軸伸，所述軸伸設置在所述法蘭盤的軸向一端；所述軸伸包括軸伸主體，所述軸伸主體形成有軸伸波紋狀裙邊結構；所述軸伸波紋狀裙邊結構遠離所述法蘭盤且位於所述軸伸主體的徑向一端；所述軸伸波紋狀裙邊結構具有如請求項1至10任一項所述的膜盤波紋狀裙邊結構相配合的結構。
一種法蘭，其特徵在於，包括法蘭盤和軸伸，所述軸伸設置在所述法蘭盤的軸向一端；所述軸伸包括軸伸主體，所述軸伸主體形成有軸伸波紋狀裙邊結構；所述軸伸波紋狀裙邊結構遠離所述法蘭盤且位於所述軸伸主體的徑向一端；所述軸伸波紋狀裙邊結構用於與傳動對象和/或被傳動對象傳動連接；所述軸伸波紋狀裙邊結構沿所述軸伸主體的周向交替地形成有軸伸凸部和軸伸凹部；其中，所述軸伸凸部向所述軸伸主體的軸向一側凸出，所述軸伸凹部向所述軸伸主體的軸向另一側凹陷；所述軸伸凸部和所述軸伸凹部各自沿所述軸伸主體的徑向逐漸平滑過渡到所述軸伸主體。
一種傳動連接組件，其特徵在於，包括內法蘭(3)和如請求項1至10任一項所述的環形膜盤(1)，所述內法蘭(3)為請求項11至12任一項所述的法蘭；所述膜盤主體(11)的徑向內邊緣(12)形成有所述膜盤波紋狀裙邊結構，所述膜盤主體(11)的徑向外邊緣(13)形成有膜盤銷孔(132)；所述內法蘭(3)的軸伸主體(32)的徑向內邊緣形成有所述軸伸波紋狀裙邊結構；所述傳動連接組件還包括外法蘭，所述外法蘭的法蘭盤形成有外法蘭銷孔；所述膜盤波紋狀裙邊結構和所述軸伸波紋狀裙邊結構配合，所述膜盤銷孔(132)和所述外法蘭銷孔配合，進而所述環形膜盤(1)可與所述內法蘭(3)、所述外法蘭連接。
一種傳動連接組件，其特徵在於，包括如請求項1至10任一項所述的環形膜盤(1)和如請求項11至12任一項所述的法蘭；所述膜盤主體(11)的徑向內邊緣(12)和徑向外邊緣(13)均形成有所述膜盤波紋狀裙邊結構，所述膜盤主體(11)的所述徑向內邊緣(12)形成的膜盤波紋狀裙邊結構為膜盤波紋狀內裙邊結構(14)，所述膜盤主體(11)的所述徑向外邊緣(13)形成的膜盤波紋狀裙邊結構為膜盤波紋狀外裙邊結構(15)；所述法蘭包括內法蘭(3)和外法蘭；所述內法蘭(3)的軸伸主體(32)的徑向內邊緣形成有所述軸伸波紋狀裙邊結構，所述軸伸波紋狀裙邊為軸伸波紋狀內裙邊結構(33)；所述外法蘭的軸伸主體的徑向外邊緣形成有所述軸伸波紋狀裙邊結構，所述軸伸波紋狀裙邊結構為軸伸波紋狀外裙邊結構；所述膜盤波紋狀內裙邊結構(14)和所述軸伸波紋狀內裙邊結構(33)配合，所述膜盤波紋狀外裙邊結構(15)和所述軸伸波紋狀外裙邊結構配合，進而所述環形膜盤(1)可與所述內法蘭(3)、所述外法蘭連接。
一種鋁合金的製造方法，包含：<br/> 提供一鋁胚，其中以該鋁胚的總重量為100重量百分比計，該鋁胚包含：<br/> 不大於0.2重量百分比的矽；<br/> 0.45重量百分比至0.6重量百分比的鐵；<br/> 不大於0.2重量百分比的銅；<br/> 不大於0.05重量百分比的鎂；<br/> 不大於0.05重量百分比的錳； <br/> 不大於0.04重量百分比的鈦；<br/> 其剩餘量的鋁；以及<br/> 不可避免的雜質<br/> 對該鋁胚進行一預熱步驟，其中該預熱步驟中的一預熱溫度為480°C至580°C；<br/> 於該預熱步驟後，對該鋁胚進行一熱軋步驟，以獲得一熱軋鋁板，其中該熱軋步驟中的一完軋溫度為290°C至320°C；<br/> 對該熱軋鋁板進行一冷軋步驟，以獲得一冷軋鋁板；以及<br/> 對該冷軋鋁板進行一退火步驟，以獲得該鋁合金，其中該退火步驟中的一退火溫度為290°C至330°C，該鋁合金的再結晶集合組織與變形集合組織根據式(I)之強度比值為0.85至1.5，且該鋁合金的凸耳率小於3.5%：<br/>
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中在該冷軋步驟之後以及在該退火步驟之前不包含一中間退火步驟。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該預熱步驟中的該預熱溫度為490°C至570°C。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該預熱步驟中的一持溫時間為2小時至8小時。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該熱軋鋁板的再結晶率為60%至70%。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該冷軋步驟中的一冷軋裁減量為70%至95%。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該退火步驟中的一退火時間為2小時至5小時。
如請求項1所述之鋁合金的製造方法，其中該鋁合金的Al-Fe(Si)析出相之平均粒徑大於0.2微米。
一種鋁合金，藉由如請求項1至請求項8任一項所述之鋁合金的製造方法所製成，其中該鋁合金的凸耳率小於3.5%。
如請求項9所述之鋁合金，其中該鋁合金的延伸率大於30%。
一種可調整之自行車車鈴結構，其包含有：一固定座、一第一磁鐵、一第二磁鐵與一擊錘架，其中：<br/>所述固定座上設有用來將該固定座安裝在自行車之把手桿上的一結合部，一表面上伸出有一套接管，所述套接管的內部設有一定位件，該定位件是一圓形的柱狀體，且該定位件的外徑是小於所述套接管的內管徑，以在該定位件與所述套接管間形成一可供插設之環形空間，所述定位件的周緣以放射狀環設有數卡齒，所述定位件的端面中央設有一第一孔，俾以該第一孔提供所述第一磁鐵做嵌固；<br/>所述第一磁鐵與所述第二磁鐵分別具有一第一磁吸面與一第二磁吸面，該第一磁吸面與該第二磁吸面是設呈不同之磁極，當所述第一磁鐵放入嵌固在所述第一孔中時，便以所述第一磁吸面朝向所述第二磁鐵的所述第二磁吸面，讓所述第一磁鐵能以該第一磁吸面與所述第二磁鐵的所述第二磁吸面做磁吸；<br/>所述擊錘架具有一支撐臂、一套接柱，與連接在該支撐臂、該套接柱間的一架本體，所述支撐臂上設有一鈴罩與一擊錘，所述套接柱是與所述套接管呈緊配合狀，且所述套接柱的端面中央設有一套孔，該套孔的孔緣以放射狀環設有數齒槽，所述套孔的底部再連接有一用來提供所述第二磁鐵做嵌固的第二孔，利用各所述齒槽提供各所述卡齒做卡入，並以所述第一磁鐵與所述第二磁鐵的磁吸，讓所述套接柱以緊配合狀插設在所述環形空間中，將令所述擊錘架能確實安裝在所述固定座上，通過對所述擊錘架的反向拔開，並往一側做轉動後，再將所述擊錘架重新裝回，還令所述擊錘架能具有角度可調整之功能。
如請求項1所述之可調整之自行車車鈴結構，其中，所述結合部是由多個扣勾組成，利用所述扣勾提供一彈性環做扣掣，將令所述固定座能順利安裝在所述把手桿上。
如請求項1所述之可調整之自行車車鈴結構，其中，所述定位件是一體設在所述固定座上。
如請求項1所述之可調整之自行車車鈴結構，其中，所述第一磁鐵與所述第二磁鐵是強力磁鐵。
如請求項1所述之可調整之自行車車鈴結構，其中，所述架本體是傾斜設在所述支撐臂與所述套接柱間。
一種鋁基複合結構，包括： <br/>第一鋁-銅-X（Al-Cu-X）複材層板； <br/>第二Al-Cu-X複材層板，重疊所述第一Al-Cu-X複材層板；以及 <br/>介面接合層，位於所述第一Al-Cu-X複材層板與所述第二Al-Cu-X複材層板之間， <br/>其中X包括高導熱成分，以所述介面接合層的總重量為基準，所述介面接合層包括60.0至90.0重量%的Al、7.1至37.1重量%的鋅（Zn）、以及0.1至2.9重量%的Cu，且所述介面接合層包括Al<sub>60-70</sub>Cu<sub>30-40</sub>粒子， <br/>其中所述第一Al-Cu-X複材層板及所述第二Al-Cu-X複材層板為94Al-5Cu-1BN、94Al-5Cu-1SiC或94Al-5Cu-1C。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中所述介面接合層中Al的濃度從所述介面接合層往所述第一Al-Cu-X複材層板或所述第二Al-Cu-X複材層板的方向遞增。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中所述介面接合層中Zn的濃度從所述介面接合層往所述第一Al-Cu-X複材層板或所述第二Al-Cu-X複材層板的方向遞減。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中以所述介面接合層的總重量為基準，所述介面接合層包括70.0至81.0重量%的Al、17.0至29.0重量%的Zn、以及1.0至2.3重量%的Cu。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中所述介面接合層包括Al<sub>2</sub>Cu粒子。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中所述Al<sub>60-70</sub>Cu<sub>30-40</sub>粒子的粒徑為0.1至10μm。
如請求項1所述的鋁基複合結構，其中所述介面接合層的熔點為620℃至645℃。
一種形成鋁基複合結構的方法，包括： <br/>將接合材料夾置於第一Al-Cu-X複材層板與第二Al-Cu-X複材層板之間，其中所述接合材料包括82Zn-15Al-3Cu，所述第一Al-Cu-X複材層板及所述第二Al-Cu-X複材層板為94Al-5Cu-1BN、94Al-5Cu-1SiC或94Al-5Cu-1C；以及 <br/>對所述接合材料進行加熱處理並升溫至接合溫度， <br/>其中所述接合溫度高於所述接合材料的第一熔點且低於所述第一Al-Cu-X複材層板或所述第二Al-Cu-X複材層板的第二熔點。
如請求項8所述的方法，其中所述加熱處理的持續時間為0.5至12小時。
如請求項8所述的方法，其中所述接合溫度為490至550℃。
如請求項8所述的方法，其中所述第一熔點為380至500℃。
如請求項8所述的方法，還包括在所述加熱處理的同時進行加壓處理，其中所述加壓處理的壓力為3至15 MPa。
如請求項12所述的方法，其中所述加熱處理及所述加壓處理使得所述接合材料進行暫態液相接合程序而轉化為介面接合層，且所述介面接合層的熔點高於所述第一熔點。
如請求項13所述的方法，其中所述介面接合層的熔點為620℃至645℃。
一種散熱元件，包括： <br/>殼體，其中所述殼體包括如請求項1所述的鋁基複合結構。
如請求項15所述的散熱元件，其中所述散熱元件為液冷板。
一種容器(1)，具有下殼(2)和上殼(3)，所述下殼和所述上殼通過至少一個鉸接裝置(4)以能夠相對於彼此樞轉的方式連接並且能夠通過至少一個鎖定裝置(5)在鎖定位置中彼此鎖定； <br/> 其中，所述容器(1)具有預緊裝置(6)，所述預緊裝置沿打開方向以如下方式預緊上殼(3)：使得上殼(3)在鎖定裝置(5)解鎖的情況下以關於下殼(2)預先確定的打開角度打開， <br/> 其中，所述鎖定裝置(5)具有：能夠在鎖定位置與打開位置之間樞轉的提手(51)，所述提手安裝在所述下殼(2)及所述上殼(3)中的一個上；以及提手接合部(52)，所述提手接合部安裝在所述下殼(2)及所述上殼(3)中的另一個上，其中，在鎖定位置中，所述提手(51)與所述提手接合部(52)接合，從而所述下殼(2)及所述上殼(3)閉合，在打開位置中，所述提手(3)不與所述提手接合部(52)接合，從而所述上殼(3)以相對於所述下殼(2)預先確定的打開角打開；和 <br/>其中，所述鎖定裝置(5)具有關閉彈簧(53)，所述關閉彈簧將所述提手(51)預緊到鎖定位置中。
根據請求項1所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鉸接裝置(4)是鉸鏈帶，並且所述預緊裝置(6)是設置在鉸鏈帶中或鉸鏈帶上的打開彈簧(6)，所述打開彈簧以如下方式預緊鉸鏈帶：使得在鎖定裝置(5)解鎖的情況下，上殼(3)以相對於下殼(2)預先確定的打開角度打開。
根據請求項2所述的容器(1)，其中， <br/> 設置有一個或兩個鉸鏈帶，所述鉸鏈帶分別具有至少一個與上殼(3)連接的上鉸鏈帶部件(41)、至少一個與下殼(2)連接的下鉸鏈帶部件(42)、金屬銷(43)以及打開彈簧(6)，所述金屬銷引導穿過上鉸鏈帶部件(41)和下鉸鏈帶部件(42)以便將上鉸鏈帶部件和下鉸鏈帶部件以能夠相對於彼此樞轉的方式連接，在鎖定裝置(5)解鎖的情況下，所述打開彈簧使上鉸鏈帶部件(41)以關於下鉸鏈帶部件(42)預先確定的打開角度打開； <br/> 其中，至少所述上鉸鏈帶部件(41)或所述下鉸鏈帶部件(42)被安裝在所述下殼(2)或所述上殼(3)的外側上並且形成用於所述容器(1)的放置面(46)，其中，兩個鉸鏈帶的兩個放置面(46)位於共同的平面中。
根據請求項1至3中任一項所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鉸接裝置(4)是鉸鏈，所述鉸鏈具有與所述下殼(2)和所述上殼(3)中的一個連接的第一鉸鏈帶部件(41)和兩個與所述下殼(2)和所述上殼(3)中的另一個連接的第二鉸鏈帶部件(42)、金屬銷(43)以及打開彈簧(6)，所述金屬銷引導穿過所述第一鉸鏈帶部件(41)和所述第二鉸鏈帶部件(42)以將所述第一鉸鏈帶部件和所述第二鉸鏈帶部件以能夠相對於彼此樞轉的方式連接，在解鎖裝置(5)解鎖的情況下，所述打開彈簧使所述第一鉸鏈帶部件(41)以相對於所述第二鉸鏈帶部件(42)預先確定的打開角度打開；以及 <br/> 所述打開彈簧(6)構造為扭轉彈簧並且具有彈簧弓(61)和兩個彈簧腿(62)，所述彈簧弓貼靠在所述下殼(2)和所述上殼(3)中的一個的內側上，所述彈簧腿貼靠在所述第二鉸鏈帶部件(42)的相應的內側上。
根據請求項1所述的容器(1)，其中， <br/> 所述提手(51)在鎖定位置中環圍所述提手接合部(52)並且卡鎖在所述提手接合部上。
根據請求項1所述的容器(1)，其中， <br/> 所述關閉彈簧(53)是板簧，當所述提手(51)處於打開位置時，所述板簧能夠卡鎖到所述下殼(2)和所述上殼(3)中的一個中的凹部(58)中，當所述提手(51)處於鎖定位置時，所述關閉彈簧(53)能夠卡鎖到所述下殼(2)和所述上殼(3)中的一個中的另一個凹部(57)中。
根據請求項6所述的容器(1)，其中， <br/> 所述板簧的彈簧常數以如下方式設定：使得所述彈簧常數小到無法將所述板簧從屬於打開位置的凹部(58)中釋放，但是所述彈簧常數大到使得一旦所述板簧(53)從屬於打開位置的凹部(58)中出來，所述提手(51)就與所述提手接合部(52)接合。
根據請求項1至3中任一項所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鎖定裝置(5)具有阻止所述鎖定裝置(5)發生解鎖的鎖止裝置。
根據請求項8所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鎖止裝置構造成： <br/> 在俯視圖中，所述提手(51)具有基本上細長的、矩形的內部輪廓； <br/> 所述提手(51)在鎖定位置以其內部輪廓環圍所述提手接合部(52)並且卡鎖在所述提手接合部(52)上； <br/> 在鎖定位置中，在基本上平行於上殼(3)相對於下殼(2)的樞轉方向的方向上，提手(51)能夠在鎖止位置和非鎖止位置之間相對於下殼(2)和上殼(3)中的一個移動，或能夠在設置於下殼(2)和上殼(3)中的一個中的凹空部(20)中移動； <br/> 所述提手具有止動件(54)，所述止動件在鎖止位置中保持在容納部(55)中，所述容納部設置在所述下殼(2)和所述上殼(3)中的一個中，使得所述提手(51)在鎖止位置中無法樞轉到所述打開位置中；以及 <br/> 在非鎖止位置中，所述止動件(54)不被保持在所述容納部(55)中，使得所述提手(51)在非鎖止位置中能夠樞轉到打開位置中。
根據請求項8所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鎖止裝置構造成： <br/> 在下殼(2)和上殼(3)中的一個上設置有開關(56)，所述開關能夠在鎖止位置和非鎖止位置之間切換，其中，所述開關(56)在鎖止位置中阻止關閉彈簧(53)發生變形，使得提手(51)在鎖止位置中無法樞轉到打開位置中，並且所述開關(56)在非鎖止位置中不阻止開關彈簧(53)發生變形，使得提手(51)在非鎖止位置中能夠樞轉到打開位置中。
根據請求項10所述的容器(1)，其中， <br/> 所述鎖定裝置(5)具有板簧，所述板簧將提手(51)預緊到鎖定位置，當提手(51)處於打開位置時，所述板簧能夠卡鎖在下殼(2)和上殼(3)中的一個中的凹部(58)中；以及 <br/> 所述開關(56)在鎖止位置中防止所述板簧達到凹部(58)。
根據請求項1至3中任一項所述的容器(1)，其中， <br/> 在所述容器(1)的背向鉸接裝置(4)的一側上佈置有把手(8)，所述把手具有金屬帶(81)，所述金屬帶在其兩個端部上以能夠移動的方式緊固在支承座(7)上，所述支承座佈置在下殼(2)和上殼(3)中的一個上，其中，所述金屬帶(81)被塑膠包套(82)包覆； <br/> 其中，所述金屬帶(81)能夠從支承座(7)中以預先確定的程度拉出，並且通過彈簧預緊，所述金屬帶自主地又被拉回到支承座(7)中。
根據請求項12所述的容器(1)，其中， <br/> 所述提手(51)中的每個提手以能夠樞轉的方式安裝在相應的支承座(7)中。
根據請求項1至3中任一項所述的容器(1)，其中， <br/> 所述下殼(2)、所述上殼(3)、所述至少一個鉸接裝置(4)和/或所述提手(51)由冷軋的薄板構成。
一種用於單手打開根據請求項1至14中任一項所述的容器(1)的方法，所述方法包括以下步驟： <br/> 單手操作所述鎖定裝置(5)，以便使其從鎖定位置轉入打開位置，從而在鎖定裝置解鎖的情況下，以一相對於下殼(3)預先確定的打開角度打開上殼(2)； <br/> 在一縫隙處單手抓握上殼(3)，所述縫隙由下殼(2)和上殼(3)之間預先確定的打開角度形成；和 <br/> 單手打開上殼(3)超過所述預先確定的打開角度。
根據請求項15所述的方法，該容器包含設置在該上殼(2)和下殼(3)其中一者上的開關(56)，該方法還包括用以單手將所述提手(51)和所述開關(56)從鎖止位置移動到非鎖止位置的步驟。
一種具有額外延遲的發射器電路，適於一數位隔離器，該數位隔離器包括一接收器電路與電性耦接於該發射器電路與該接收器電路之間的一隔離屏障； <br/>其中，該發射器電路係接收一資料輸入訊號，並根據該資料輸入訊號產生一第一發射器輸出訊號與一第二發射器輸出訊號，其中，該第二發射器輸出訊號係為該第一發射器輸出訊號的延遲訊號； <br/>該隔離屏障係電性耦接該發射器電路並接收該第一發射器輸出訊號與該第二發射器輸出訊號，該隔離屏障係根據所接收的該第一發射器輸出訊號與該第二發射器輸出訊號，產生一第一隔離輸出訊號與一第二隔離輸出訊號；以及 <br/>該接收器電路係電性耦接於該隔離屏障以接收該第一隔離輸出訊號與該第二隔離輸出訊號，使該接收器電路係響應該第一隔離輸出訊號與該第二隔離輸出訊號，從而產生一資料輸出訊號。
如請求項1所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，基於該資料輸入訊號係為週期性的，並且，該第一發射器輸出訊號的電壓位準係跟隨該資料輸入訊號的電壓位準，使該第一發射器輸出訊號係為週期性的。
如請求項1所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一發射器輸出訊號係包括一第一分部訊號與一第二分部訊號，該發射器電路係響應於該資料輸入訊號從一第一邏輯狀態到一第二邏輯狀態的一第一轉態而開始產生該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號，並且在該資料輸入訊號仍然在該第二邏輯狀態時，該發射器電路係停止產生該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號，並且，該發射器電路係響應於該資料輸入訊號從該第二邏輯狀態到該第一邏輯狀態的一第二轉態而開始產生該第一發射器輸出訊號之該第二分部訊號，並且在該資料輸入訊號仍然在該第一邏輯狀態時，該發射器電路係停止產生該第一發射器輸出訊號之該第二分部訊號。
如請求項3所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號係包括第一組脈衝載波，該第一發射器輸出訊號之該第二分部訊號係包括第二組脈衝載波，且該第一分部訊號之該第一組脈衝載波的數量與該第二分部訊號之該第二組脈衝載波的數量係為相異的。
如請求項4所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一分部訊號之該第一組脈衝載波的頻率與該第二分部訊號之該第二組脈衝載波的頻率係各自為一變數。
如請求項4所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一分部訊號之該第一組脈衝載波的振幅與該第二分部訊號之該第二組脈衝載波的振幅係各自為一變數。
如請求項3所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，在該發射器電路停止產生該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號或該第二分部訊號後，該第一發射器輸出訊號係具有可調變之一電壓位準。
如請求項1所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，基於該資料輸入訊號係為週期性的，並且，該第二發射器輸出訊號的電壓位準係跟隨該資料輸入訊號的電壓位準，使該第二發射器輸出訊號係為週期性的。
如請求項1所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一發射器輸出訊號係具有一工作週期，該第二發射器輸出訊號係透過將該第一發射器輸出訊號延遲半個該工作週期而產生的。
如請求項4所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號係具有一第一操作時間，該第一操作時間係為該發射器電路開始產生該第一組脈衝載波與該發射器電路終止產生該第一組脈衝載波之間的一第一時間間隔，該第一發射器輸出訊號之該第二分部訊號係具有一第二操作時間，該第二操作時間係為該發射器電路開始產生該第二組脈衝載波與該發射器電路終止產生該第二組脈衝載波之間的一第二時間間隔，並且，該第一分部訊號之該第一操作時間與該第二分部訊號之該第二操作時間係為相異的。
如請求項10所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該發射器電路包括： <br/>一上下緣轉換器，係接收該資料輸入訊號，並響應於該資料輸入訊號之一上升緣與一下降緣輸出一轉換資料訊號，其中，該轉換資料訊號係包括一第一分區訊號與一第二分區訊號，該上下緣轉換器係響應該資料輸入訊號之該上升緣產生該第一分區訊號，並且在該資料輸入訊號到達該下降緣之前，該上下緣轉換器係終止產生該第一分區訊號，並且，該上下緣轉換器係響應該資料輸入訊號之該下降緣產生該第二分區訊號，並且在該資料輸入訊號到達下一個該上升緣之前，該上下緣轉換器係終止產生該第二分區訊號，且該第一分區訊號之一第一工作時間與該第二分區訊號之一第二工作時間係為相異的； <br/>一延遲邏輯單元，係電性耦接於該上下緣轉換器以接收該轉換資料訊號，並據以產生一載波訊號，其中，在該資料輸入訊號的該上升緣與該資料輸入訊號的該下降緣之間，該載波訊號係具有複數個脈衝； <br/>一AND邏輯閘，係電性耦接於該上下緣轉換器與該延遲邏輯單元，以接收該轉換資料訊號與該載波訊號，從而產生該第一發射器輸出訊號；以及 <br/>一延遲電路，係電性耦接於該AND邏輯閘，該延遲電路係接收該第一發射器輸出訊號，延遲該第一發射器輸出訊號，從而產生該第二發射器輸出訊號。
如請求項3所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該資料輸入訊號從該第一邏輯狀態到該第二邏輯狀態的該第一轉態係響應於該資料輸入訊號之一上升緣。
如請求項3所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該資料輸入訊號從該第二邏輯狀態到該第一邏輯狀態的該第二轉態係響應於該資料輸入訊號之一下降緣。
如請求項11所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該載波訊號之該些脈衝的數量係為有限且具有明確數量的。
如請求項11所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該第一發射器輸出訊號之該第一分部訊號的該第一操作時間係與該轉換資料訊號之該第一分區訊號的該第一工作時間相等，且該第一發射器輸出訊號之該第二分部訊號的該第二操作時間係與該轉換資料訊號之該第二分區訊號的該第二工作時間相等。
如請求項11所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該延遲邏輯單元包括： <br/>複數個延遲單元，其係相互串聯連接以接收該轉換資料訊號，依序延遲該轉換資料訊號，並輸出複數個延遲訊號，其中，每一個該延遲單元的訊號延遲時間係為一個週期； <br/>複數個多工器，每一個該多工器係具有兩個輸入端與一個輸出端， <br/>其中，該兩個輸入端係電性耦接於該轉換資料訊號與該些延遲訊號當中的連續兩者，以在該輸出端產生一多工訊號；以及 <br/>一OR邏輯閘，其係自該等多工器之各該輸出端接收各該多工訊號，並據以產生該載波訊號。
如請求項16所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，當該轉換資料訊號與該些延遲訊號當中的連續兩個訊號，其中的前者為一高電壓位準，且後者為一低電壓位準時，將使得該多工訊號轉為該高電壓位準。
如請求項11所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該上下緣轉換器係包括一反相器、一第一傳輸閘、一第二傳輸閘、一第三傳輸閘、一第四傳輸閘、以及一反或閘，其中，該反相器係接收該資料輸入訊號並輸出一反相資料輸入訊號，該反或閘之一第一輸入端係電性耦接於該第一傳輸閘和該第二傳輸閘，該反或閘之一第二輸入端係電性耦接於該第三傳輸閘和該第四傳輸閘，該第一傳輸閘和該第三傳輸閘更各自連接於該反相器之一輸入端與一輸出端，其中，該資料輸入訊號係各自被延遲一第一週期與一第二週期來分別控制該第一傳輸閘與該第四傳輸閘，該反相資料輸入訊號係各自被延遲該第一週期與該第二週期來分別控制該第二傳輸閘與該第三傳輸閘，使得該反或閘係輸出該轉換資料訊號。
如請求項18所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，當該第一週期係長於該第二週期時，該轉換資料訊號之該第一分區訊號的該第一工作時間係長於該轉換資料訊號之該第二分區訊號的該第二工作時間。
如請求項18所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，當該第二週期係長於該第一週期時，該轉換資料訊號之該第二分區訊號的該第二工作時間係長於該轉換資料訊號之該第一分區訊號的該第一工作時間。
如請求項11所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該延遲電路係包括至少一反相單元，該至少一反相單元係由串接兩個反相器所組成，使得該至少一反相單元係接收該第一發射器輸出訊號，並據以產生該第二發射器輸出訊號。
如請求項21所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該延遲電路更包括複數個該反相單元，該些反相單元係相互串接並接收該第一發射器輸出訊號，從而產生該第二發射器輸出訊號。
如請求項1所述之具有額外延遲的發射器電路，其中，該隔離屏障係包括至少一組隔離電容，該組隔離電容中之一電容係適於接收該第一發射器輸出訊號並產生該第一隔離輸出訊號，該組隔離電容中之另一電容係適於接收該第二發射器輸出訊號並產生該第二隔離輸出訊號。
一種通式(AAI)所示的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><br/><img align="absmiddle" height="39px" width="105px" file="ed10441.jpg" alt="ed10441.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="26px" file="ed10442.jpg" alt="ed10442.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="24px" width="26px" file="ed10443.jpg" alt="ed10443.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="30px" width="29px" file="ed10444.jpg" alt="ed10444.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，t選自0、1或2；<br/> 環C選自6元芳基、3~5元環烷基、5~7元雜環基或5~6元雜芳基；<br/> R<sup>A</sup>選自氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> 環A選自6元芳基、5~6元雜芳基或5~7元雜環基；<br/> 環B選自6元芳基或5~10元雜芳基；<br/> L選自-C(=O)-、-C(=O)NR<sup>a</sup>-或-NR<sup>b</sup>C(=O)-；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> X、Y、Z和Q各自獨立地選自N或CR<sup>c</sup>；且X、Y、Z、Q中至多有兩個原子同時為N原子；<br/> 或者X與Y，Z與Y各自獨立地形成5-6元雜芳基或5-6元雜環基；其中所述的5-6元雜芳基或5-6元雜環基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、3~5元環烷基的取代基所取代；<br/> R<sup>c</sup>選自氫原子、鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基；其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、3~5元環烷基的取代基所取代；<br/> R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基或3~5元環烷基；其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基或3~5元環烷基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、3~5元環烷基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基的取代基所取代；<br/> R<sup>2</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基；其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基的取代基所取代；<br/> 或者，兩個R<sup>2</sup>與其所連接的同一個碳原子形成一個-C(O)；<br/> R<sup>3</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、3~5元環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、SF<sub>5</sub>、-C(O)R<sup>5</sup>、-C(O)OR<sup>5</sup>、-NHC(O)R<sup>5</sup>、-NHC(O)OR<sup>5</sup>、-NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-C(O)NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-CH<sub>2</sub>NHC(O)OR<sup>5</sup>、-CH<sub>2</sub>NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>或-S(O)<sub>r</sub>R<sup>5</sup>；其中所述的烷基、烷氧基、烯基或環烷基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氰基、烷基、烷氧基、鹵代烷基、鹵代烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、=O、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-OC(O)R<sup>8</sup>、-NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-C(O)NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或-NR<sup>9</sup>C(O)R<sup>10</sup>的取代基所取代；<br/> R<sup>4</sup>各自獨立地選自氫原子、氰基、鹵素、烷基、烯基、炔基、羥基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、-OR<sup>5</sup>、-C(O)R<sup>5</sup>、-C(O)OR<sup>5</sup>、-NHC(O)R<sup>5</sup>、-NHC(O)OR<sup>5</sup>、-NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-C(O)NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-CH<sub>2</sub>NHC(O)OR<sup>5</sup>、-CH<sub>2</sub>NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>或-S(O)<sub>r</sub>R<sup>5</sup>；其中所述的烷基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氰基、烷基、烷氧基、鹵代烷基、鹵代烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、=O、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-OC(O)R<sup>8</sup>、-NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-C(O)NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或-NR<sup>9</sup>C(O)R<sup>10</sup>的取代基所取代；<br/> R<sup>5</sup>各自獨立地選自氫原子、烷基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基，其中所述的烷基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氰基、烷基、烷氧基、鹵代烷基、鹵代烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、=O、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-OC(O)R<sup>8</sup>、-NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-C(O)NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或-NR<sup>9</sup>C(O)R<sup>10</sup>的取代基所取代；<br/> R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>各自獨立地選自氫原子、羥基、烷基、烷氧基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基，其中所述的烷基、烷氧基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氰基、烷基、烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、=O、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-OC(O)R<sup>8</sup>、-NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-C(O)NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或-NR<sup>9</sup>C(O)R<sup>10</sup>的取代基所取代；<br/> 或者，R<sup>6</sup>和R<sup>7</sup>與它們相連接的原子一起形成一個4～8元雜環基，其中4～8元雜環基內含有一個或多個N、O或S(O)r，並且所述的4～8元雜環基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氰基、烷基、烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、=O、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-OC(O)R<sup>8</sup>、-NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-C(O)NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或-NR<sup>9</sup>C(O)R<sup>10</sup>的取代基所取代；<br/> R<sup>8</sup>、R<sup>9</sup>和R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫原子、烷基、氨基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基，其中所述的烷基、環烷基、雜環基、芳基或雜芳基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、硝基、氨基、氰基、烷基、烷氧基、環烷基、雜環基、芳基、雜芳基、羧基或羧酸酯基的取代基所取代；<br/> m選自0、1或2；<br/> n選自0、1或2；<br/> p選自0、1或2；<br/> q選自0、1或2；且<br/> r各自獨立地為0、1或2。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(AI)所示的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="105px" file="ed10446.jpg" alt="ed10446.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：<br/> X、Y、Z和Q各自獨立地選自N或CR<sup>c</sup>；且X、Y、Z、Q中至多有兩個原子同時為N原子；<br/> 或者，Z與Y形成一個5-6元雜芳基，其中所述的5-6元雜芳基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、3~5元環烷基的取代基所取代；<br/> 或者，X與Y形成一個5-6元雜芳基，其中所述的5-6元雜芳基任選進一步被一個或多個選自鹵素、羥基、氰基、3~5元環烷基的取代基所取代；<br/> t選自0、1或2；<br/> 環A、環B、環C、L、R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>、R<sup>A</sup>、p、q、m或n的定義如請求項1所述。
如請求項2所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(I)所示的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><br/><img align="absmiddle" height="47px" width="105px" file="ed10448.jpg" alt="ed10448.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：環A、環B、環C、L、R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>、X、Y、Z、Q、p、q、m、n或t的定義如請求項2所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中環A選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10450.jpg" alt="ed10450.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="17px" width="25px" file="ed10452.jpg" alt="ed10452.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10454.jpg" alt="ed10454.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10456.jpg" alt="ed10456.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="14px" width="24px" file="ed10458.jpg" alt="ed10458.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="17px" width="25px" file="ed10460.jpg" alt="ed10460.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="17px" width="24px" file="ed10462.jpg" alt="ed10462.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="30px" file="ed10464.jpg" alt="ed10464.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中環B選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="26px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="26px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中：L選自-C(=O)-、-C(=O)NH-或-NHC(=O)-。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(IIA)或(IIB)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10474.jpg" alt="ed10474.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10475.jpg" alt="ed10475.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：X<sub>1</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>d</sup>；<br/> X<sub>4</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>d</sup>；<br/> R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或甲基；<br/> R<sup>d</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> X<sub>2</sub>和X<sub>3</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>e</sup>；<br/> j各自獨立地選自0或1；<br/> R<sup>e</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> 環C、X、Y、Z、Q、R<sup>1</sup>~ R<sup>4</sup>、p、q或t的定義如請求項2中所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(II)或(III)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10476.jpg" alt="ed10476.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10478.jpg" alt="ed10478.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：X<sub>1</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>d</sup>；<br/> R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或甲基；<br/> R<sup>d</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> X<sub>2</sub>和X<sub>3</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>e</sup>；<br/> j各自獨立地選自0或1；<br/> R<sup>e</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> 環C、X、Y、Z、Q、R<sup>1</sup>~ R<sup>4</sup>、p、q或t的定義如請求項2中所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(IV-1)或(IV-2)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="100px" file="ed10480.jpg" alt="ed10480.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="100px" file="ed10481.jpg" alt="ed10481.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：X<sub>1</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>d</sup>；<br/> X<sub>4</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>d</sup>；<br/> R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或甲基；<br/> R<sup>d</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> X<sub>2</sub>和X<sub>3</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>e</sup>；<br/> j各自獨立地選自0或1；<br/> R<sup>e</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> t選自0、1或2；<br/> X、Y、Z、Q或R<sup>1</sup>~ R<sup>4</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(V-A)、(V-B)、(V-C)或(V-D)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="108px" file="ed10483.jpg" alt="ed10483.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="108px" file="ed10485.jpg" alt="ed10485.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="41px" width="108px" file="ed10487.jpg" alt="ed10487.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="108px" file="ed10489.jpg" alt="ed10489.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或甲基；<br/> 環B各自獨立地選自<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10466.jpg" alt="ed10466.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="26px" file="ed10468.jpg" alt="ed10468.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10470.jpg" alt="ed10470.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="26px" file="ed10472.jpg" alt="ed10472.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> Y<sub>1</sub>和Y<sub>2</sub>各自獨立地選自N或CH；<br/> j各自獨立地選自0或1；<br/> t各自獨立地選自0、1或2；<br/> 環C、X、Y、Z、Q、R<sup>1</sup>~ R<sup>4</sup>、p、q或n的定義如請求項1中所述。
如請求項10所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其為通式(V-1)或(V-2)所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10491.jpg" alt="ed10491.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="47px" width="100px" file="ed10493.jpg" alt="ed10493.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中：R<sup>b</sup>各自獨立地選自氫原子或甲基；<br/> X<sub>2</sub>和X<sub>3</sub>各自獨立地選自N或CR<sup>e</sup>；<br/> j各自獨立地選自0或1；<br/> R<sup>e</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> t選自0、1或2；<br/> 環C、X、Y、Z、Q、R<sup>1</sup>~ R<sup>4</sup>、p或q的定義如請求項1中所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中<img align="absmiddle" height="18px" width="24px" file="ed10495.jpg" alt="ed10495.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10497.jpg" alt="ed10497.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10499.jpg" alt="ed10499.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="31px" file="ed10501.jpg" alt="ed10501.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="31px" file="ed10503.jpg" alt="ed10503.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10505.jpg" alt="ed10505.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="32px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="37px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="30px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="32px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="16px" width="31px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="32px" width="34px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R<sup>c</sup>各自獨立地選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> k各自獨立地選自選自0、1或2。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中環C選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="16px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="13px" width="19px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="23px" width="18px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="19px" width="17px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="20px" width="18px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="20px" width="23px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="24px" width="17px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>4</sup>選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)R<sup>5</sup>、-C(O)NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>5</sup>、-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>6</sup>R<sup>7</sup>、其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基任選進一步被一個或多個選自羥基、鹵素、氰基或-C(O)OR<sup>8</sup>的取代基所取代；<br/> R<sup>5</sup>各自獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、3~5元環烷基或5~6元雜芳基，其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基、3~5元環烷基或5~6元雜芳基任選進一步被一個或多個選自鹵素或C<sub>1-6</sub>烷氧基的取代基所取代；<br/> R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>各自獨立地選自氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> R<sup>8</sup>選自氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項13所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中<img align="absmiddle" height="20px" width="26px" file="ed10573.jpg" alt="ed10573.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自以下基團：<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="16px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="13px" width="19px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="19px" width="18px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="27px" width="18px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="19px" width="17px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="27px" width="24px" file="ed10589.jpg" alt="ed10589.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="24px" width="17px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中：R<sup>4a</sup>各自獨立地選自氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基；<br/> R<sup>4</sup>的定義如請求項13中所述。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基或3~5元環烷基，其中所述的C<sub>1-6</sub>烷基或3~5元環烷基任選進一步被一個或多個選自C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、鹵素、羥基或氰基的取代基所取代。
如請求項16所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>選自環丙基、甲基、乙基、異丙基、二氟甲基、三氟甲基、<img align="absmiddle" height="13px" width="14px" file="ed10601.jpg" alt="ed10601.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="8px" width="24px" file="ed10613.jpg" alt="ed10613.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="20px" file="ed10625.jpg" alt="ed10625.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="14px" width="14px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>2</sup>選自氫原子、鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基；<br/> 或者，兩個R<sup>2</sup>與其所連接的同一個碳原子形成一個-C(O)。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>3</sup>選自氫原子、鹵素、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、3~5元環烷基、SF<sub>5</sub>、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基。
如請求項19所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中R<sup>3</sup>選自氯、三氟甲氧基、甲基、乙基或乙氧基。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中p為0，q為0。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中p為1，q為1或2。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中p為2，q為0、1或2。
如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，其中所述的化合物為：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10649.jpg" alt="ed10649.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10661.jpg" alt="ed10661.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10671.jpg" alt="ed10671.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="43px" width="97px" file="ed10673.jpg" alt="ed10673.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="40px" width="97px" file="ed10674.jpg" alt="ed10674.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="89px" file="ed10676.jpg" alt="ed10676.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="55px" width="89px" file="ed10677.jpg" alt="ed10677.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="97px" file="ed10679.jpg" alt="ed10679.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="43px" width="102px" file="ed10681.jpg" alt="ed10681.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="44px" width="102px" file="ed10683.jpg" alt="ed10683.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="49px" width="102px" file="ed10684.jpg" alt="ed10684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10685.jpg" alt="ed10685.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10686.jpg" alt="ed10686.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="51px" width="102px" file="ed10687.jpg" alt="ed10687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10688.jpg" alt="ed10688.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10689.jpg" alt="ed10689.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10690.jpg" alt="ed10690.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10691.jpg" alt="ed10691.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10692.jpg" alt="ed10692.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10693.jpg" alt="ed10693.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10694.jpg" alt="ed10694.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10695.jpg" alt="ed10695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10696.jpg" alt="ed10696.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10697.jpg" alt="ed10697.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10698.jpg" alt="ed10698.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="102px" file="ed10699.jpg" alt="ed10699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="43px" width="97px" file="ed10700.jpg" alt="ed10700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="97px" file="ed10701.jpg" alt="ed10701.jpg" 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img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="97px" file="ed10714.jpg" alt="ed10714.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="97px" file="ed10715.jpg" alt="ed10715.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="97px" file="ed10716.jpg" alt="ed10716.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="41px" width="97px" file="ed10718.jpg" alt="ed10718.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="103px" file="ed10719.jpg" alt="ed10719.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10720.jpg" alt="ed10720.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="44px" width="95px" file="ed10721.jpg" alt="ed10721.jpg" 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img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed10734.jpg" alt="ed10734.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="90px" file="ed10735.jpg" alt="ed10735.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="56px" width="90px" file="ed10736.jpg" alt="ed10736.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10738.jpg" alt="ed10738.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="47px" width="102px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <img align="absmiddle" height="40px" width="95px" file="ed10740.jpg" alt="ed10740.jpg" 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width="79px" file="ed10963.jpg" alt="ed10963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="45px" width="97px" file="ed10964.jpg" alt="ed10964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="45px" width="97px" file="ed10965.jpg" alt="ed10965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="39px" width="97px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="45px" width="98px" file="ed10967.jpg" alt="ed10967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="37px" width="98px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="38px" width="102px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，所述的藥物組合物含有有效劑量的如請求項1所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，及可藥用的載體。
一種如請求項1至24中任何一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，或如請求項25所述的藥物組合物在製備CTPS1抑制劑中的用途。
一種如請求項1至24中任何一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，或如請求項25所述的藥物組合物在製備治療由CTPS1介導的疾病的藥物中的用途。
如請求項27所述的用途，其中所述的由CTPS1介導的疾病為淋巴瘤或實體瘤。
如請求項28所述的用途，其中所述的淋巴瘤為復發/難治性B細胞和T細胞淋巴瘤。
如請求項29所述的用途，其中所述的復發/難治性B細胞和T細胞淋巴瘤為套細胞淋巴瘤，彌漫性大B細胞淋巴瘤，外周T細胞淋巴瘤，皮膚T細胞淋巴瘤，惰性B細胞淋巴瘤。
一種如請求項1至24中任何一項所述的化合物或其立體異構體、互變異構體或其可藥用的鹽，或如請求項25所述的藥物組合物在製備治療淋巴瘤或實體瘤的藥物中的用途。
如請求項31所述的用途，其中所述淋巴瘤為復發/難治性B細胞和T細胞淋巴瘤。
如請求項32所述的用途，其中所述復發/難治性B細胞和T細胞淋巴瘤為套細胞淋巴瘤，彌漫性大B細胞淋巴瘤，外周T細胞淋巴瘤，皮膚T細胞淋巴瘤，惰性B細胞淋巴瘤。
如請求項28所述的用途，其中所述的實體瘤為胰腺癌。
一種具立體內裝之車輛紙紮結構，包含：<br/> 一底盤，由一紙紮平面構成；<br/> 一立體內裝結構，設置於該底盤上，該立體內裝結構具有至少一箱體結構；<br/> 一外觀結構，設置於該底盤上且覆蓋該立體內裝結構；以及<br/> 至少一立體輪胎結構，設置於該底盤之周緣且用以承載該外觀結構；其特徵在於︰該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構包含梯形結構。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構用以搭建包含座椅、中控台、儀表板、方向機柱蓋等內裝元件。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構之該梯形結構係可替換包含長方體結構、立方體結構、圓柱體結構、方柱體結構、錐柱體結構、圓錐體結構、六邊形柱體結構、梯形柱體結構、半圓柱體結構、U型結構、H型結構、橢圓柱體結構、弧形結構、Z型結構等。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構用以構建單人座、多人座等任意形式之車輛座椅結構。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該外觀結構由一外觀主體及至少一輪拱構成，該外觀結構對應於欲紙紮之車輛外觀，且該至少一輪拱對應於欲紙紮之車輛輪拱數。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該至少一立體輪胎結構具有針對輪胎之部分或全部寬度進行調整之結構。
如請求項1所述之具立體內裝之車輛紙紮結構，其中該底盤為一具有平底設計之底盤。
一種具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，包含下列步驟：<br/> 製作一底盤，該底盤由一紙紮平面構成；<br/> 製作一立體內裝結構，該立體內裝結構具有至少一箱體結構；<br/> 製作一外觀結構及至少一立體輪胎結構，該外觀結構及該至少一立體輪胎結構由完整之平面、凹折線與黏貼區塊搭建而成；以及<br/> 組裝該底盤、該立體內裝結構、該外觀結構及該至少一立體輪胎結構以形成一車輛紙紮結構；<br/> 該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構包含梯形結構。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構用以搭建包含座椅、中控台、儀表板、方向機柱蓋等內裝元件。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構之該梯形結構係可替換包含長方體結構、立方體結構、圓柱體結構、方柱體結構、錐柱體結構、圓錐體結構、六邊形柱體結構、梯形柱體結構、半圓柱體結構、U型結構、H型結構、橢圓柱體結構、弧形結構、Z型結構等。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該立體內裝結構所具有之該至少一箱體結構用以構建單人座、多人座等任意形式之車輛座椅結構。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該外觀結構由一外觀主體及至少一輪拱構成，該外觀結構對應於欲紙紮之車輛外觀，該至少一輪拱對應於欲紙紮之車輛輪拱數。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該至少一立體輪胎結構具有針對輪胎之部分或全部寬度進行調整之結構。
如請求項8所述之具立體內裝之車輛紙紮結構的製造流程，其中該底盤為一具有平底設計之底盤。
一種自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，包含：<br/> 一桿件，具有一萬向端部、及一反向於該萬向端部的調整桿部；<br/> 一定位銷，沿一穿設方向穿置在該萬向端部，並具有一沿該穿設方向成形的定位部；<br/> 一迫緊環件，用以迫緊或放鬆該定位銷的定位部；<br/> 一迫緊組件，沿一垂直該穿設方向的迫緊方向的設在該迫緊環件，並使該迫緊環件在一迫緊狀態與一放鬆狀態間變動，當該迫緊環件在迫緊狀態時，該迫緊環件迫緊該定位部，當該迫緊環件在放鬆狀態時，該迫緊環件放鬆該定位部；<br/> 一調整夾座，用以夾固或放鬆該桿件之調整桿部；以及<br/> 一調整組件，能夠調整的設在該調整夾座，並使該調整夾座在一夾固狀態與一調整狀態間變動，當該調整夾座在夾固狀態時，該調整夾座夾固該調整桿部，當該調整夾座在調整狀態時，該調整桿部得以相對該調整夾座進行位移調整，以調整該桿件相對於該調整夾座的位置，以便對不同長度、尺寸的車架進行測試。
如請求項1所述之自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，其中，該萬向端部內樞設有一萬向球座，該定位銷具有一反向於該定位部且設在該萬向球座內的端部。
如請求項1所述之自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，其中，該迫緊環件具有一供該定位部插置的迫緊環部、一設在該迫緊環部一端的第一迫緊部、一設在該迫緊環部另一端且與該第一迫緊部形成一迫緊剖溝的第二迫緊部，且該第一迫緊部與該第二迫緊部沿該迫緊方向設置；該迫緊組件，沿該迫緊方向作動的設在該第一迫緊部與第二迫緊部，並使該迫緊環件在該迫緊狀態與該放鬆狀態間變動，在該迫緊狀態時，該第一迫緊部與第二迫緊部相互靠近而縮小該迫緊剖溝之寬度，使該迫緊環部迫緊該定位部，在該放鬆狀態時，該第一迫緊部與第二迫緊部相互遠離而還原該迫緊剖溝之寬度，使該定位部能脫離於該迫緊環部。
如請求項1所述之自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，其中，該調整夾座具有一用以夾持或放鬆該桿件之調整桿部的調整夾部、一設於該調整夾部一端的第一夾持部、一設在該調整夾部另一端且與該第一夾持部形成一夾持剖溝的第二夾持部；該調整組件，能夠作動的設在該第一夾持部與第二夾持部，並使該調整夾座在該夾固狀態與該調整狀態間變動，在該夾固狀態時，該第一夾持部與第二夾持部相互靠近而縮小該夾持剖溝之寬度，使該調整夾部夾固該調整桿部，在該調整狀態時，該第一夾持部與第二夾持部相互遠離而還原該夾持剖溝之寬度，使該調整桿部得以相對該調整夾座進行位移調整。
一種自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，包含：<br/> 一桿件，具有一萬向端部、及一反向於該萬向端部的調整桿部；<br/> 一調整夾座，用以夾固或放鬆該桿件之調整桿部；以及<br/> 一調整組件，能夠調整的設在該調整夾座，並使該調整夾座在一夾固狀態與一調整狀態間變動，當該調整夾座在夾固狀態時，該調整夾座夾固該調整桿部，當該調整夾座在調整狀態時，該調整桿部得以相對該調整夾座進行位移調整，以調整該桿件相對於該調整夾座的位置，以便對不同長度、尺寸的車架進行測試。
如請求項5所述之自行車車架腳踏力檢測機的桿件組，其中，該調整夾座具有一用以夾持或放鬆該桿件之調整桿部的調整夾部、一設於該調整夾部一端的第一夾持部、一設在該調整夾部另一端且與該第一夾持部形成一夾持剖溝的第二夾持部；該調整組件，能夠作動的設在該第一夾持部與第二夾持部，並使該調整夾座在該夾固狀態與該調整狀態間變動，在該夾固狀態時，該第一夾持部與第二夾持部相互靠近而縮小該夾持剖溝之寬度，使該調整夾部夾固該調整桿部，在該調整狀態時，該第一夾持部與第二夾持部相互遠離而還原該夾持剖溝之寬度，使該調整桿部得以相對該調整夾座進行位移調整。
一種處理一基板的方法，該基板包含多個晶粒，該方法包含以下步驟：<br/> 選擇性地將一處理流體分配到該基板的一選定晶粒的一表面上；以及<br/> 在分配該處理流體後對該基板進行化學機械拋光，其中該處理流體選擇性地氧化該基板的該選定晶粒的該表面，使得與未施加該處理流體之一個或多個晶粒相比，在施加該處理流體的該選定晶粒處之該化學機械拋光的一拋光速率改變。
一種處理一基板的方法，該基板包含多個晶粒，該方法包含以下步驟：<br/> 選擇性地將一處理流體分配到該基板的一選定晶粒的一表面上；以及<br/> 在分配該處理流體後對該基板進行化學機械拋光，其中該處理流體包含一抑制劑或促進劑，該抑制劑或促進劑使施加該處理流體的該選定晶粒處之該化學機械拋光的一初始拋光速率改變成不同於未施加該處理流體之一個或多個晶粒。
如請求項1或2所述之方法，其中選擇性地分配該處理流體包含噴射液滴印刷、旋塗、噴塗或絲網印刷中之一種或多種。
如請求項3所述之方法，其中選擇性地分配之步驟包含以下步驟：使該處理流體流過一遮罩。
如請求項3所述之方法，其中選擇性地分配之步驟包含以下步驟：選擇性地將該處理流體的液滴噴射到該基板上。
如請求項2所述之方法，其中該處理流體形成一單層，該單層調節該（多個）選定晶粒相對於該（多個）剩餘晶粒的一親水性。
一種化學機械拋光系統，包含：<br/> 一處理站，包括一分配器，用以輸送一處理流體到一基板的一選定晶粒上，其中該處理流體選擇性地氧化該基板的該選定晶粒的表面，使得與未施加該處理流體之一個或多個晶粒相比，在施加該處理流體的該選定晶粒處之該化學機械拋光的一拋光速率改變；以及<br/> 一化學機械拋光站；以及<br/> 一基板傳送機器人，用以將該基板從該處理站傳送到該化學機械拋光站。
一種化學機械拋光系統，包含：<br/> 一處理站，包括一分配器，用以輸送一處理流體到一基板的一選定晶粒上，其中該處理流體包含一抑制劑或促進劑，該抑制劑或促進劑使該基板的該選定晶粒的一初始拋光速率改變，使得施加該處理流體的該選定晶粒處之該化學機械拋光的一拋光速率不同於未施加該處理流體的一個或多個晶粒；以及<br/> 一化學機械拋光站；以及<br/> 一基板傳送機器人，用以將該基板從該處理站傳送到該化學機械拋光站。
如請求項7或8所述之系統，其中該分配器包含噴射液滴印刷機、旋塗機、噴塗機或絲網印刷機中之一種或多種。
如請求項9所述之系統，其中該處理站包括一遮罩，該遮罩定位成阻止該處理流體被施加到該（多個）剩餘晶粒。
如請求項7或8所述之系統，其中該分配器包含一換能器，以將聲能施加到該處理流體並在該（多個）選定晶粒處對該基板上的一層進行超聲處理。
如請求項7或8所述之系統，進一步包含一控制系統，該控制系統經配置以獲得指示該（多個）選定晶粒的數據，並控制該分配器在該（多個）選定晶粒處施加該處理流體。
如請求項12所述之系統，其中該控制系統經配置以接收對應於該基板上的複數個晶粒的複數個位置之複數個厚度測量，並基於該複數個厚度測量來決定該（多個）選定晶粒。
如請求項13所述之系統，包含一在線或獨立計量系統，以在該基板上進行該複數個厚度測量。
一種溝槽式功率半導體元件，包括：<br/> 基板；<br/> 磊晶層，位於所述基板上，其中所述磊晶層具有交替排列的多個第一溝槽及多個第二溝槽；<br/> 第一閘極結構，設置於每個所述第一溝槽內，以形成MOS控制二極體（MCD）元件；<br/> 第二閘極結構，設置於每個所述第二溝槽內，以形成MOS元件；<br/> 體區，形成於所述磊晶層中且位於所述多個第一溝槽與所述多個第二溝槽之間；<br/> 第一源極區，形成於每個所述第一溝槽兩側的所述體區中；以及<br/> 第二源極區，形成於每個所述第二溝槽兩側的所述體區中，且所述第二源極區與所述第一源極區相接，<br/> 其中所述第一源極區的底面不低於所述第二源極區的底面，其中所述體區包括：<br/> 第一部分，靠近所述多個第一溝槽且與所述第一源極區在垂直方向上重疊；以及<br/> 第二部分，靠近所述多個第二溝槽且與所述第二源極區在所述垂直方向上重疊，<br/> 其中所述第二部分的底面高於所述第一部分的底面。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中<br/> 所述第一閘極結構包括：<br/> 第一頂部閘極，位於所述第一溝槽內；以及<br/> 第一閘極介電層，位於所述第一頂部閘極與所述體區之間，<br/> 所述第二閘極結構包括：<br/> 第二頂部閘極，位於所述第二溝槽內；以及<br/> 第二閘極介電層，位於所述第二頂部閘極與所述體區之間，<br/> 其中所述第一閘極介電層的厚度小於所述第二閘極介電層的厚度。
如請求項2所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述第一閘極介電層的所述厚度與所述第二閘極介電層的所述厚度的比值在0.04至0.14之間。
如請求項2所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述第一閘極介電層還延伸至所述第一源極區上的所述磊晶層的頂面，所述第二閘極介電層還延伸至所述第二源極區上的所述磊晶層的所述頂面。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述MCD元件的通道長度大於等於所述MOS元件的通道長度。
如請求項2所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述第一閘極結構更包括：<br/> 第一底部閘極，位於所述第一頂部閘極下方；<br/> 第一厚氧化層，位於所述第一底部閘極與所述磊晶層之間；以及<br/> 第一閘間介電層，位於所述第一頂部閘極與所述第一底部閘極之間。
如請求項2所述的溝槽式功率半導體元件，所述第一頂部閘極與所述第一源極區及所述第二源極區電性連接。
如請求項2所述的溝槽式功率半導體元件，更包括：<br/> 源極金屬層，設置於所述磊晶層之上並與所述第一頂部閘極、所述第一源極區及所述第二源極區電性連接；以及<br/> 閘極金屬層，設置於所述磊晶層之上並與所述第二頂部閘極電性連接。
如請求項8所述的溝槽式功率半導體元件，更包括：<br/> 源極接觸窗，連接所述源極金屬層至所述第一頂部閘極、所述第一源極區或所述第二源極區。
一種有機膜形成用組成物，其特徵為包含: <br/>(A)有機膜形成用材料、 <br/>(B)具有下列通式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)表示之次結構之芳基苄醚化合物、及 <br/>(C)溶劑， <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="182px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子、或下式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，a1為0或1，a1為0時，b1為1~5，c1為0~4，R<sub>3</sub>為亞甲基，a1為1時，b1為1~7，c1為0~6，R<sub>3</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="307px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>4</sub>為單鍵、或下式(B5)表示之基中之任一者，R<sub>5</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a2為0或1，a2為0時，b2為1~5，c2為0~4，a2為1時，b2為1~7，c2為0~6， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="399px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="149px" width="304px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>6</sub>為下式(B7)表示之任意基，R<sub>7</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a3為0或1，a3為0時，b3為1~5，c3為0~4，a3為1時，b3為1~7，c3為0~6， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="386px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="69px" width="171px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為下式(B9)表示之基，a4為0或1，b4為1或2，d4為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="214px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="217px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為上式(B9)表示之基，W<sub>2</sub>為單鍵或碳數1~50之有機基，m為符合1≦m≦5之整數，a5為0或1，b5為1或2，d5為1~4，但m為1時，W<sub>2</sub>為碳數1~50之有機基， <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="185px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>8</sub>為氫原子或甲基，b6為1~5， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="256px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，虛線代表和上式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)中之氧原子之原子鍵。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，該(B)芳基苄醚化合物之重量平均分子量為1000~30000。
如請求項1之有機膜形成用組成物，其中，相對於該(A)有機膜形成用材料之含量100質量份，該(B)芳基苄醚化合物之含量為0.01質量份至5質量份。
一種有機膜形成方法，係半導體裝置之製造步驟使用之有機膜之形成方法，其特徵為: <br/>在被加工基板上將如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物旋轉塗佈而獲得塗膜， <br/>將該塗膜於100℃以上600℃以下之溫度於10~600秒之範圍利用熱處理使其硬化而形成有機膜。
一種圖案形成方法，其特徵為: <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上使用含矽阻劑中間膜材料形成含矽阻劑中間膜， <br/>在該含矽阻劑中間膜之上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案，將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，於該含矽阻劑中間膜以蝕刻轉印圖案， <br/>將該已轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，於該有機膜以蝕刻轉印圖案， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為: <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上使用含矽阻劑中間膜材料形成含矽阻劑中間膜，在該含矽阻劑中間膜之上形成有機抗反射膜或密合膜， <br/>在該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，於該有機抗反射膜或密合膜及該含矽阻劑中間膜以蝕刻轉印圖案， <br/>將該已轉印圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，於該有機膜以蝕刻轉印圖案， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為: <br/>在被加工體上使用如請求項1至3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上形成選自由矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜構成之群組中之無機硬遮罩， <br/>在該無機硬遮罩之上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，於該無機硬遮罩以蝕刻轉印圖案， <br/>將該已轉印圖案之無機硬遮罩作為遮罩，於該有機膜以蝕刻轉印圖案， <br/>再將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，於該被加工體以蝕刻形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為： <br/>在被加工體上使用如請求項1至請求項3中任一項之有機膜形成用組成物形成有機膜， <br/>在該有機膜之上形成選自由矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜構成之群組中之無機硬遮罩， <br/>在該無機硬遮罩之上形成有機抗反射膜或密合膜，在該有機抗反射膜或密合膜上使用由光阻劑組成物構成之阻劑上層膜材料形成阻劑上層膜， <br/>在該阻劑上層膜形成電路圖案， <br/>將該已形成電路圖案之阻劑上層膜作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印在該有機抗反射膜或密合膜及該無機硬遮罩， <br/>將該已轉印圖案之無機硬遮罩作為遮罩，以蝕刻將圖案轉印在該有機膜， <br/>又，將該已轉印圖案之有機膜作為遮罩，以蝕刻將圖案形成於該被加工體。
如請求項7之圖案形成方法，其中，該無機硬遮罩之形成係利用化學氣相沈積法或原子層沉積法進行。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，係利用使用了波長為10nm以上300nm以下之光之微影、利用電子束所為之直接描繪、奈米壓印、或該等之組合來形成電路圖案。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該電路圖案之形成中，利用鹼顯影或有機溶劑將電路圖案予以顯影。
如請求項5之圖案形成方法，其中，該被加工體係半導體裝置基板、或在該半導體裝置基板上成膜了金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、及金屬氧化氮化膜中之任意者。
如請求項12之圖案形成方法，其中，就該被加工體而言，構成該被加工體之金屬使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、銀、金、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬、或該等之合金。
一種界面活性劑，係由具有下列通式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)表示之次結構之芳基苄醚化合物構成， <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="182px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子、或下式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，a1為0或1，a1為0時，b1為1~5，c1為0~4，R<sub>3</sub>為亞甲基，a1為1時，b1為1~7，c1為0~6，R<sub>3</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基， <br/><img align="absmiddle" height="90px" width="307px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>4</sub>為單鍵、或下式(B5)表示之基中之任一者，R<sub>5</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a2為0或1，a2為0時，b2為1~5，c2為0~4，a2為1時，b2為1~7，c2為0~6， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="399px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="149px" width="304px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>2</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之1價有機基，R<sub>6</sub>為下式(B7)表示之任意基，R<sub>7</sub>為碳數1~30之飽和或不飽和之2價有機基，a3為0或1，a3為0時，b3為1~5，c3為0~4，a3為1時，b3為1~7，c3為0~6， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="386px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="69px" width="171px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為下式(B9)表示之基，a4為0或1，b4為1或2，d4為1~4， <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="214px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="217px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，W<sub>1</sub>為上式(B9)表示之基，W<sub>2</sub>為單鍵或碳數1~50之有機基，m為符合1≦m≦5之整數，a5為0或1，b5為1或2，d5為1~4，但m為1時，W<sub>2</sub>為碳數1~50之有機基， <br/><img align="absmiddle" height="91px" width="185px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>為氫原子或該式(B2)表示之含氟基中之1種或2種，構成該R<sub>1</sub>之結構之中，令氫原子之比例為α，該式(B2)表示之含氟基之比例為β時，符合α＋β＝1、0.1≦α≦0.5、0.5≦β≦0.9之關係，R<sub>8</sub>為氫原子或甲基，b6為1~5， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="256px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，虛線代表和上式(B3)、(B4)、(B6)、(B8)、(B10)、或(B11)中之氧原子之原子鍵。
如請求項14之界面活性劑，其中，該芳基苄醚化合物之重量平均分子量為1000~30000。
一種用於連動工具機之一部件轉動的機構，包含：<br/> 一基座；<br/> 一旋轉軸，係穿過該基座且能夠原處轉動，該旋轉軸具有一被連動部，該被連動部沿著該旋轉軸的周面設置，該旋轉軸之一端用以連結該部件；<br/> 一連動件，具有一連動部，該連動部與該旋轉軸之該被連動部互為嵌合連動；<br/> 一驅動單元，包括有至少一帶動件，該至少一帶動件連結該連動件且受控制往復移動，該至少一帶動件在往復移動的切換過程中，透過該連動件帶動該旋轉軸以一第一旋向或是一第二旋向轉動，其中該第一旋向與該第二旋向為相反方向；<br/> 其中該連動件為長形體且具有一第一端與一第二端，該連動部位於該第一端與該第二端之間；該驅動單元包括有一第一壓缸及一第二壓缸，該第一壓缸具有一第一帶動件，該第一帶動件連結該連動件之該第一端，該第二壓缸具有一第二帶動件，該第二帶動件連結該連動件之該第二端；其中該第一帶動件係能夠相對一第一缸體移出或是退入，該第二帶動件係能夠相對一第二缸體移出或是退入，且該第一帶動件與該第二帶動件的移出或是退入動作相反。
如請求項1所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，其中該第一缸體具有一第一止擋部，該第二缸體具有一第二止擋部；該第一帶動件為長桿體且兩端穿出該第一缸體，該第一帶動件的一端連結該連動件之該第一端，另一端設有一第一抵接部；該第二帶動件為長桿體且兩端穿出該第二缸體，該第二帶動件的一端連結該連動件之該第二端，另一端設有一第二抵接部；其中該第一抵接部能夠與該第一止擋部接觸而限制該第一帶動件移動，該第二抵接部能夠與該第二止擋部接觸而限制該第二帶動件移動。
如請求項2所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，其中該第一抵接部與該第二抵接部的至少一者係能夠相對所接設的該第一帶動件或是該第二帶動件移動，以改變與該第一止擋部或是該第二止擋部的距離。
如請求項3所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，其中該第一帶動件及/或該第二帶動件具有一螺紋桿身，該第一抵接部及/或是該第二抵接部包括有一螺帽與一緩衝墊體，該螺帽鎖設在該螺紋桿身上，該緩衝墊體設置在該螺帽與該第一止擋部及/或該第二止擋部之間。
如請求項1所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，包括一感應單元，該感應單元用以感知該第一帶動件與該第二帶動件之至少一者的移動位置。
如請求項5所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，其中該感應單元包括一第一感知組與一第二感知組，該第一感知組與該第二感知組分別具有兩個感應器，且分別設置在該第一壓缸與該第二壓缸上，其中該第一感知組的兩個感應器用於偵測該第一帶動件的移動位置，該第二感知組的兩個感應器用於偵測該第二帶動件的移動位置。
如請求項6所述用於連動工具機之一部件轉動的機構，其中該感應單元的每一該感應器為一磁簧開關，且設置在該第一缸體與該第二缸體的外部；該第一帶動件上設置一第一磁鐵，該第一磁鐵位於該第一缸體內且能夠隨著該第一帶動件的移動於二該磁簧開關之間移動，該第二帶動件上設置一第二磁鐵，該第二磁鐵位於該第二缸體內且能夠隨著該第二帶動件的移動於二該磁簧開關之間移動。
一種用於連動工具機之一部件轉動的機構，包含：<br/> 一基座；<br/> 一旋轉軸，係穿過該基座且能夠原處轉動，該旋轉軸具有一被連動部，該被連動部沿著該旋轉軸的周面設置，該旋轉軸之一端用以連結該部件；<br/> 一連動件，具有一連動部，該連動部與該旋轉軸之該被連動部互為嵌合連動；<br/> 一驅動單元，包括有至少一帶動件，該至少一帶動件連結該連動件且受控制往復移動，該至少一帶動件在往復移動的切換過程中，透過該連動件帶動該旋轉軸以一第一旋向或是一第二旋向轉動，其中該第一旋向與該第二旋向為相反方向；<br/> 其中該旋轉軸包括一軸桿及一鍊盤，該軸桿能夠轉動地穿過該基座，該鍊盤固接該軸桿且構成該被連動部，該鍊盤具有多數個鍊齒沿著該軸桿的周面設置；該連動件包括一鍊條，該鍊條具有多數個連接鍊節，該些連接鍊節構成該連動部。
一種組合物，其包含至少約1:2.5之莫耳比之葡萄糖腦苷脂酶(GCB)及異煙肼(isofagomine)(IFG)，其中該組合物之pH係約6.0、約6.5或約7.0。
如請求項1之組合物，其中該GCB係維拉苷酶α (velaglucerase alfa)。
如請求項1之組合物，其中該GCB與該IFG之莫耳比係： <br/>(a) 1:2.5至1:30； <br/>(b) 1:2.5至1:10； <br/>(c) 1:10至1:30； <br/>(d) 1:2.5至1:3.5；或 <br/>(e) 1:3.0。
如請求項1之組合物，其中該組合物係於(a) 20℃至40℃，(b) 0℃至20℃，或(c) 小於0℃之溫度。
如請求項1之組合物，其中該組合物係水溶液。
如請求項1之組合物，其進一步包含醫藥學上可接受之賦形劑、醫藥學上可接受之鹽，或醫藥學上可接受之賦形劑及醫藥學上可接受之鹽二者。
如請求項1之組合物，其中該IFG係酒石酸異煙肼。
如請求項7之組合物，其中該酒石酸異煙肼係D-酒石酸異煙肼。
如請求項1之組合物，其進一步包含抗氧化劑，及/或碳水化合物，及/或界面活性劑。
如請求項1之組合物，其中該組合物包含45-120 mg/mL GCB及0.2-1.8 mg/mL異煙肼，尤其60 mg/mL GCB及0.9 mg/mL異煙肼。
如請求項10之組合物，其中該組合物進一步包含： <br/>(a) 50 mM檸檬酸鈉或磷酸鈉及0.01%聚山梨醇酯20，或 <br/>(b) 5-20 mM檸檬酸鈉及0.01%聚山梨醇酯20，或 <br/>(c) 10 mM檸檬酸鈉及0.01%聚山梨醇酯20，或 <br/>(d) 5-20 mM磷酸鈉及0.01%聚山梨醇酯20，或 <br/>(e) 10 mM磷酸鈉及0.01%聚山梨醇酯20。
一種容器，其包含如請求項1至11中任一項之組合物，其中視情況該容器係選自由以下組成之群：載藥之注射器、小瓶或安瓿。
一種製備如請求項1至11中任一項之組合物的方法，其包含將該IFG溶解於水中，將該pH調整至約6.0，及添加該GCB以生成該組合物。
一種如請求項1至11中任一項之組合物之用途，其係用於製備用於療法之藥物。
如請求項14之用途，其中該藥物係用於GCase路徑中功能異常相關病症的療法。
如請求項15之用途，其中該病症係溶酶體儲積病。
如請求項16之用途，其中該溶酶體儲積病係選自高歇氏病(Gaucher disease)、法布瑞氏症(Fabry disease)、龐培氏症(Pompe disease)、黏多醣病及多系統萎縮。
如請求項15至17中任一項之用途，其中該病症係神經退化性病症。
如請求18之用途，其中該神經退化性病症係選自帕金森氏病(Parkinson disease)、阿茲海默氏病(Alzheimer's disease)及路易體性癡呆(Lewy body dementia)。
一種電子式馬達模擬器，用以模擬一馬達，且接收一待測驅動器的一輸出訊號，該馬達模擬器包括： <br/>一控制器，根據該輸出訊號相應的計算該待測驅動器應提供的一三相電流，且提供相應於該三相電流的一控制訊號；及 <br/>一電力級電路，耦接該控制器與該待測驅動器，且該電力級電路包括： <br/>一第一三相電感，耦接該待測驅動器，且對應該馬達中的一激磁電感； <br/>一反電動勢模擬器，耦接該第一三相電感，且該反電動勢模擬器根據該控制訊號模擬相應於該輸出訊號的一反電動勢；及 <br/>一電感補償器，耦接該反電動勢模擬器，且該電感補償器用以補償該第一三相電感而模擬該馬達的該激磁電感； <br/>其中，該電力級電路根據該反電動勢與該激磁電感抽取該三相電流。
如請求項1所述之馬達模擬器，其中該反電動勢模擬器包括： <br/>一濾波電路，耦接該第一三相電感與該電感補償器； <br/>一第一三相開關，耦接該濾波電路；及 <br/>一第一電壓源，耦接該第一三相開關； <br/>其中，該控制器包括預設的一馬達數值模型，且該控制器根據該馬達數值模型計算相應於該輸出訊號的該三相電流；該控制器基於該三相電流控制該第一三相開關進行切換，以將該第一電壓源調整為相應於該三相電流的該反電動勢。
如請求項2所述之馬達模擬器，更包括： <br/>一角度模擬器，耦接該控制器； <br/>其中，該控制器通過該馬達數值模型提供相應於該馬達的一轉子的一模擬角度，且該角度模擬器根據該模擬角度提供一角度回授訊號至該待測驅動器。
如請求項2所述之馬達模擬器，其中該濾波電路包括： <br/>一第二三相電感，耦接該第一三相電感與該第一三相開關；及 <br/>一三相電容，耦接該第二三相電感與該電感補償器； <br/>其中，該控制器通過控制該第一三相開關的切換，於該三相電容模擬該反電動勢。
如請求項1所述之馬達模擬器，其中電感補償器包括： <br/>一第二三相開關，耦接該反電動勢模擬器；及 <br/>一第二電壓源，耦接該第二三相開關； <br/>其中，該控制器根據該輸出訊號控制該第二三相開關進行切換，以根據該第二電壓源提供一補償電壓，且該第一三相電感通過該補償電壓的補償而模擬該激磁電感。
如請求項5所述之馬達模擬器，其中該第一三相電感的感值與該激磁電感的感值相差一倍率值，且該控制器根據該倍率值與該待測驅動器的一輸入電壓調整該第二電壓源。
如請求項5所述之馬達模擬器，其中該控制器根據該輸出訊號的一電壓準位控制該第二三相開關進行切換，以提供準位相同於該電壓準位的該補償電壓。
如請求項7所述之馬達模擬器，其中該輸出訊號為一脈寬調變訊號，且該輸出訊號包括三組以上的電壓準位。
如請求項1所述之馬達模擬器，其中該馬達的一轉子旋轉時，該激磁電感的感值在一特定範圍變動，且該特定範圍在15%以內，該控制器將該特定範圍的一中間值設定為該激磁電感的感值，以通過該中間值控制該電感補償器模擬該激磁電感的感值。
一種電子式馬達模擬器的操作方法，該馬達模擬器用以模擬一馬達，且包括對應該馬達中的一激磁電感的一第一三相電感、一反電動勢模擬器及一電感補償器，該操作方法包括下列步驟： <br/>接收一待測驅動器的一輸出訊號； <br/>根據該輸出訊號相應的計算該待測驅動器應提供的一三相電流，且提供相應於該三相電流的一控制訊號； <br/>根據該控制訊號控制該反電動勢模擬器，以模擬相應於該輸出訊號的一反電動勢； <br/>通過該控制訊號控制該電感補償器補償該第一三相電感的感值，以模擬該馬達的該激磁電感；及 <br/>該馬達模擬器根據該反電動勢與該激磁電感抽取該三相電流。
如請求項10所述之馬達模擬器的操作方法，更包括下列步驟： <br/>根據預設的一馬達數值模型計算相應於該輸出訊號的該三相電流； <br/>基於該三相電流控制該反電動勢模擬器的一第一三相開關進行切換，以將該反電動勢模擬器的一第一電壓源調整為相應於該三相電流的該反電動勢。
如請求項11所述之馬達模擬器的操作方法，更包括下列步驟： <br/>通過控制該第一三相開關的切換，於該反電動勢模擬器的一三相電容模擬該反電動勢； <br/>該三相電容兩端的一電壓的上升用以模擬該馬達的一轉子的加速；及 <br/>該電壓的下降用以模擬該轉子的減速。
如請求項10所述之馬達模擬器的操作方法，更包括下列步驟： <br/>根據該輸出訊號控制該電感補償器的一第二三相開關進行切換，以根據該電感補償器的一第二電壓源提供一補償電壓；及 <br/>該第一三相電感通過該補償電壓的補償而模擬該激磁電感。
如請求項13所述之馬達模擬器的操作方法，更包括下列步驟： <br/>根據該輸出訊號的一電壓準位控制該第二三相開關進行切換；及 <br/>根據該第二三相開關的切換提供準位相同於該電壓準位的該補償電壓。
一種積層體，其係於環烯烴系共聚物基材之至少一面積層有為硬化性樹脂組成物之硬化物的塗佈層者， <br/>該硬化性樹脂組成物含有脂環式酮化合物及/或脂環式醚化合物與陽離子聚合性矽倍半氧烷及/或陽離子聚合性環狀矽氧烷， <br/>於該塗佈層以1 mm間隔呈格子狀地製作100個網格，貼附黏著帶，於90°方向剝離時殘存90個以上。
一種積層體，其係於環烯烴系共聚物基材之至少一面積層有為硬化性樹脂組成物之硬化物的塗佈層者， <br/>該硬化性樹脂組成物含有脂環式酮化合物及/或脂環式醚化合物與陽離子聚合性矽倍半氧烷及/或陽離子聚合性環狀矽氧烷， <br/>該塗佈層之算術平均高度（Sa）為30 μm以下。
如請求項1或2之積層體，其中，該硬化性樹脂組成物於25℃之黏度為15 mPa・s以下。
如請求項1或2之積層體，其中，該脂環式酮化合物為環己酮或環戊酮，該脂環式醚化合物為環戊基甲基醚。
如請求項1或2之積層體，其中，該陽離子聚合性矽倍半氧烷之陽離子聚合性官能基具有環狀醚結構。
如請求項1或2之積層體，其中，該環烯烴系共聚物基材為透鏡用基材。
一種塑膠透鏡，其具備請求項6之積層體。
一種影像顯示裝置，其具備請求項1或2之積層體。
一種電漿增強原子層沉積設備，用於根據原子層沉積的原理，依序以至少一第一前驅氣體與一第二前驅氣體對一基板(41)的一表面進行處理，該電漿增強原子層沉積設備包括：<br/> 一真空腔室(1)，具有一頂壁(11)、一底壁(12)、以及至少一側壁(13)，該頂壁(11)、該底壁(12)、以及該至少一側壁(13)在該真空腔室(1) 的內部形成一真空空間(10)；<br/> 一反應腔室(2)，設置於該真空腔室(1)內部，該反應腔室(2)具有一頂壁(21)、一底壁(22)、以及至少一側壁(23)，該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)在該反應腔室(2)的內形成一反應空間(20)；<br/> 一基板支架(4)，設置於該反應腔室(2)內，用於在原子層沉積期間支撐該基板(41)；<br/> 一蓮蓬頭噴嘴(5)，設置於該反應腔室(2)內，與該基板支架(4)相對，從而在該蓮蓬頭噴嘴(5)與該基板支架(4)之間，在該反應空間(20)內形成一反應區(20a)，其中該蓮蓬頭噴嘴(5)包括數個前驅體供應開口(6)，透過該等前驅體供應開口(6)向該反應區(20a)供應前驅氣體；<br/> 其特徵在於該電漿增強原子層沉積設備更包括：<br/> 一第一電源(PS1)，與該基板支架(4)電性連接；<br/> 一第二電源(PS2)，與該蓮蓬頭噴嘴(5)電性連接；<br/> 該第一電源(PS1)與該第二電源(PS2)設置於該真空腔室(1)的外部。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於：<br/> 該第一電源(PS1)為一射頻電源，該第二電源(PS2)為一射頻電源，或<br/> 該第一電源(PS1)為一直流電源，該第二電源(PS2)為一射頻電源。
如請求項1或2所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該電漿增強原子層沉積設備更包括一第一電極(E1)以及一第二電極(E2)，為可獨立控制的分離電極。
如請求項3所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於設置於該真空腔室(1)外部的該第一電源(PS1)透過該第一電極(E1)與該基板支架(4)電性連接，其中該第一電極(E1)配置以穿過該真空腔室(1)的該頂壁(11)、該底壁(12)、以及該至少一側壁(13)、並經由該真空腔室(1)的該真空空間(10)、穿過該反應腔室(2)的該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)至該基板支架(4)。
如請求項4所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該第一電極(E1)包括一第一板狀電極(E1<sub>P</sub>)，與該基板支架(4)具有一電性連接，並且與該基板支架(4)的一支撐表面平行延伸，在沉積過程中該支撐表面用於放置該基板(41)。
如請求項5所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該第一板狀電極(E1<sub>P</sub>)設置於反應腔室(2)內部。
如請求項5所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該第一電極(E1)更包括一桿狀電極(E1<sub>R</sub>)，延伸穿過該真空腔室(1)的該真空空間(10)，並穿過該反應腔室(2)的該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)，且與該板狀電極(E1<sub>P</sub>)連接。
如請求項4所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該基板支架(4)至少部分由該第一電極(E1)形成。
如請求項3所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於設置於該真空腔室(1)外部的該第二電源(PS2)經由該第二電極(E2)與該蓮蓬頭噴嘴(5)電性連接，其中該第二電極(E2)配置以穿過該真空腔室(1)的該頂壁(11)、該底壁(12)、以及該至少一側壁(13)、並穿過該反應腔室(2)的該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)至該蓮蓬頭噴嘴(5)。
如請求項3所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該蓮蓬頭噴嘴(5)包括該第二電極(E2)，且該第二電極(E2)為該蓮蓬頭噴嘴(5)的一體式部分。
如請求項3所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於與該第一電極(E1)連接的該第一電源(PS1)以及與該第二電極(E2)連接的該第二電源(PS2)均設置於該真空腔室(1)的外部，位於該真空腔室(1)的該頂壁(11)側。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該蓮蓬頭噴嘴(5)設置與該反應腔室(2)的該頂壁(21)連接，而該基板支架(4)設置與該反應腔室(2)的該底壁(22)連接，該蓮蓬頭噴嘴(5)與該基板支架(4)之間形成的該反應區(20a)具有一高度，該高度位於該蓮蓬頭噴嘴(5)的一輸出口面至該基板支架(4)的一頂表面之間，該高度範圍為10毫米至40毫米。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該反應空間(20)內設有一電漿柵格(8)，該電漿柵格(8)設置於該反應區(20a)內，且相較於該基板支架(4)更接近該蓮蓬頭噴嘴(5)。
如請求項3所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於，該電漿增強原子層沉積設備包括：<br/> 一第一絕緣體(I1)，使該第一電極(E1)透過該第一絕緣體(I1)與該反應腔室(2)的結構電性隔離；<br/> 一第二絕緣體(I2)，使該第二電極(E2)透過該第二絕緣體(I2)與該反應腔室(2)的結構電性隔離。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該電漿增強原子層沉積設備更包括至少一前驅氣體源(G)，該至少一前驅氣體源(G)設置於該真空腔室(1)的外部，並與該蓮蓬頭噴嘴(5)流體連接，以透過該等前驅體供應開口前驅體供應開口(6)向該反應區(20a)供應前驅氣體。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該電漿增強原子層沉積設備更包括獨立的一前驅氣體入口(50)，該前驅氣體入口(50)設置與該反應腔室(2)的該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)連接，以在該蓮蓬頭噴嘴(5)與該基板支架(4)之間的該反應區(20a)內供應前驅氣體。
如請求項1所述之電漿增強原子層沉積設備，其特徵在於該電漿增強原子層沉積設備更包括一排氣出口(60)，設置與該反應腔室(2)的該頂壁(21)、該底壁(22)、以及該至少一側壁(23)連接，用於將前驅氣體從該反應空間(20)排出，該排氣出口(60)連接至設置於該真空腔室(1)外部的一排氣泵(D)。
一種發光裝置，包括：<br/> 電路基板；<br/> 發光元件，位於所述電路基板上，且電性連接所述電路基板；<br/> 散射層，位於所述電路基板上，且圍繞所述發光元件；以及<br/> 微凸塊，位於所述發光元件之上，且重疊所述發光元件，<br/> 其中所述微凸塊具有頂面、底面及位於其側邊的斜面，所述頂面的面積小於所述底面的面積，所述底面與所述斜面之間夾有夾角θ，光線從所述微凸塊射出的全反射角為θc，且θc ≤ θ ≤ (θc +10°)。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的剖面呈梯形。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊具有平坦的頂面。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的頂面的短邊寬度為所述發光元件的短邊寬度的40%至60%。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的高度為所述發光元件的短邊寬度的25%至50%。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的頂面的長邊長度為所述發光元件的長邊長度的40%至60%。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的折射率為1.6至1.8。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述微凸塊的頂面具有沿所述發光元件的長邊方向延伸的多條凹陷，且所述多條凹陷沿所述發光元件的短邊方向排列。
如請求項8所述的發光裝置，其中所述發光元件位於所述發光裝置的子畫素的轉置區或修補區，且所述子畫素的所述轉置區及所述修補區於所述電路基板的正投影完全重疊所述微凸塊於所述電路基板的正投影。
如請求項1所述的發光裝置，還包括遮光層，位於所述散射層上且不重疊所述發光元件。
如請求項10所述的發光裝置，其中所述微凸塊還包括延伸層，所述延伸層位於所述微凸塊的靠近所述發光元件的一側，且所述遮光層位於所述微凸塊的所述延伸層與所述散射層之間。
如請求項10所述的發光裝置，還包括平坦層，位於所述微凸塊與所述發光元件之間。
如請求項12所述的發光裝置，其中所述遮光層位於所述平坦層與所述散射層之間。
如請求項1所述的發光裝置，其中所述光線從所述微凸塊的所述斜面射出至相鄰介質的所述全反射角為θc。
一種用於實行單件分離多重包裝之方法，其係藉由包裝設備而實行者，其包括如下步驟： <br/>自履行之伺服器接收對複數個生鮮庫存單元進行包裝之請求，該履行之伺服器係接收到針對格口內之上述複數個生鮮庫存單元之訂單者； <br/>於上述伺服器確定對上述複數個生鮮庫存單元實行上述單件分離多重包裝之情形時，自上述伺服器接收上述複數個生鮮庫存單元之用於生鮮多重包裝之第1箱碼及第1冷媒劑代碼； <br/>響應於上述接收而於上述包裝設備中顯示如下之指示，即，要求使用與上述第1箱碼對應之箱子及與上述第1冷媒劑代碼對應之第1冷媒劑來於第1包裝工位對上述複數個生鮮庫存單元實行生鮮多重包裝， <br/>其中上述單件分離多重包裝確定為於針對上述複數個生鮮庫存單元之訂單滿足第1條件與第2條件時實行，該第1條件係使得於使用第2箱碼之第2包裝工位對上述複數個庫存單元各者實行單件分離包裝者，該第2條件係使得於使用上述第1箱碼之上述第1包裝工位對上述複數個生鮮庫存單元整體實行生鮮多重包裝者。
如請求項1之方法，其中上述第1冷媒劑與用於單件分離包裝之第2冷媒劑不同，且上述第1冷媒劑之尺寸大於上述第2冷媒劑。
如請求項2之方法，其中上述第1冷媒劑包括冰袋或銀色包裝袋。
如請求項1之方法，其中上述第2條件包括如下者：能夠將上述複數個生鮮庫存單元裝載至上述格口內之一個運送箱並移動至上述第1包裝工位。
如請求項1之方法，其中上述第2條件包括如下者：上述複數個生鮮庫存單元各者位於上述格口內之已激活單件分離多重包裝之區域。
如請求項5之方法，其中已激活上述單件分離多重包裝之區域之設定可藉由上述伺服器而實行。
如請求項1之方法，其中上述第1箱碼與上述第2箱碼不同，與上述第1箱碼對應之箱子之尺寸大於與上述第2箱碼對應之箱子。
如請求項7之方法，其中上述第1箱碼為WB 7，上述第2箱碼為WB 3。
如請求項1之方法，其中上述第1包裝工位與上述第2包裝工位之流程路徑不同。
如請求項1之方法，其中於上述第1包裝工位對上述複數個生鮮庫存單元實行上述多重包裝之情形時，不對上述複數個生鮮庫存單元實行分播。
一種電子裝置，其係對與履行相關之資料進行處理者，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令者，且上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種用於提升睡眠品質之組合物，包含： <br/>具有提升睡眠品質之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 ( <i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 ( <i>Bifidobacterium animalis</i>subsp. <i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 ( <i>Bifidobacterium longum</i>subsp. <i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；以及副乾酪乳酪桿菌 ( <i>Lacticaseibacillus paracasei</i>) BR176菌株，寄存編號為BCRC 911253，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所；以及 <br/>載劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10 <sup>9</sup>CFU/g。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項1所述之用於提升睡眠品質之組合物，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種乳酸菌菌株在製備用於提升睡眠品質之組合物之用途，其中該組合物包含： <br/>具有提升睡眠品質之活性效果之乳酸菌菌株，該乳酸菌菌株包含經分離之短雙歧桿菌 ( <i>Bifidobacterium breve</i>) BBr-28菌株，寄存編號為BCRC 911254；動物雙歧桿菌乳亞種 ( <i>Bifidobacterium animalis</i>subsp. <i>lactis</i>) PS23菌株，寄存編號為BCRC 911251；長雙歧桿菌嬰兒亞種 ( <i>Bifidobacterium longum</i>subsp. <i>infantis</i>) BR631菌株，寄存編號為BCRC 911172；以及副乾酪乳酪桿菌 ( <i>Lacticaseibacillus paracasei</i>) BR176菌株，寄存編號為BCRC 911253，上述菌株均寄存於財團法人食品工業發展研究所；以及 <br/>載劑。
如請求項6所述之用途，其中該乳酸菌菌株之有效活菌數等於或大於5×10 <sup>9</sup>CFU/g。
如請求項6所述之用途，其中該載劑為生理上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項6所述之用途，其中該載劑為醫藥上可接受的賦形劑或稀釋劑。
如請求項6所述之用途，其劑型為錠劑、膠囊或粉劑。
一種轉盤調節扣，包括：第一扣件，包含容置空間及第一匹配部；以及第二扣件，包含柱體及第二匹配部，該柱體位於該容置空間並供一繩體纏繞，該第二匹配部設於該柱體並位於該容置空間，且與該第一匹配部相互組配；其中，該第二扣件能相對該第一扣件旋轉，使該繩體能沿一緊固方向纏繞於該柱體或於一釋放方向自該柱體鬆脫，該第一匹配部於該緊固方向及該釋放方向不會脫離該第二匹配部，且該第一匹配部及該第二匹配部之間的卡合強度根據該緊固方向及該釋放方向而有所不同。
如請求項1所述之轉盤調節扣，其中，該緊固方向的該卡合強度小於該釋放方向的該卡合強度。
如請求項2所述之轉盤調節扣，其中，該第一匹配部具有至少一齒部，該第二匹配部具有複數定位槽，所述齒部容設於所述定位槽中。
如請求項3所述之轉盤調節扣，其中，該第二匹配部更具有轉盤體，所述定位槽自該轉盤體凹陷形成並彼此相間隔地排列成環狀或放射狀。
如請求項3所述之轉盤調節扣，其中，該第一扣件更包含座體及環壁，該環壁自該座體朝外延伸，該第一匹配部設於該環壁內，該容置空間由該環壁及該第一匹配部圍繞界定，該第二扣件更包含操作部，該操作部設於該環壁，且該柱體自該操作部朝外延伸。
如請求項5所述之轉盤調節扣，其中，該第一扣件更包含二第一貫孔，該第二扣件更包含第二貫孔，所述第一貫孔貫通形成於該環壁且彼此相對應，該第二貫孔貫通形成於該柱體，其中，所述第一貫孔及該第二貫孔供該繩體穿設。
如請求項5所述之轉盤調節扣，其中，該第一匹配部更具有連接部及至少一彈性部，該連接部呈H形並設於該環壁內，所述彈性部連接該連接部，且所述齒部設於所述彈性部。
如請求項7所述之轉盤調節扣，其中，該座體之材質為尼龍，該環壁及該第一匹配部之材質為聚甲醛，該第二扣件之材質為尼龍。
如請求項5所述之轉盤調節扣，其中，該第一匹配部更具有連接部及至少一彈性部，該連接部設於該環壁內，所述彈性部連接該連接部並與該連接部共同呈十字形，且所述齒部設於所述彈性部。
如請求項9所述之轉盤調節扣，其中，該座體及該環壁之材質為尼龍，該第一匹配部之材質為聚甲醛，該第二扣件之材質為尼龍。
如請求項3所述之轉盤調節扣，其中，所述齒部具有相鄰的傾斜面及止擋面，該傾斜面的面積大於該止擋面的面積。
如請求項11所述之轉盤調節扣，其中，所述定位槽具有相對的推移面及限位面，該推移面對應該傾斜面，該限位面對應該止擋面並與該止擋面接合。
如請求項12所述之轉盤調節扣，其中，當該第二扣件相對該第一扣件旋轉使該繩體沿該緊固方向纏繞於該柱體時，該推移面於該傾斜面上滑動而與該傾斜面相互錯位，當該第二扣件相對該第一扣件旋轉使該繩體沿該釋放方向自該柱體鬆脫時，該限位面與該止擋面相互錯位。
如請求項2所述之轉盤調節扣，其中，該第一匹配部具有複數定位槽，該第二匹配部具有至少一卡爪，所述卡爪容設於所述定位槽中。
如請求項14所述之轉盤調節扣，其中，所述卡爪由自該柱體朝外延伸形成的基端、向周方向彎折的彎折體，以及設於該彎折體並面向所述定位槽的卡扣體所構成。
如請求項15所述之轉盤調節扣，其中，該第一扣件更包含座體、環壁及第一限位部，該環壁自該座體朝外延伸，所述定位槽環設於該環壁，該容置空間由該座體及該環壁圍繞界定，該第一限位部自該環壁朝外延伸，該第二扣件更包含操作部及第二限位部，該操作部設於該環壁頂緣並連接該柱體，該第二限位部設於該操作部並卡扣於該第一限位部。
如請求項16所述之轉盤調節扣，其中，該第一扣件更包含二第一貫孔，該第二扣件更包含第二貫孔，所述第一貫孔貫通形成於該環壁且彼此相對應，該第二貫孔貫通形成於該柱體，其中，所述第一貫孔及該第二貫孔供該繩體穿設。
如請求項16所述之轉盤調節扣，其中，該柱體具有軸部，該座體具有軸孔，該軸部容設於該軸孔，使該第二扣件能以該軸部為軸心相對於該第一扣件旋轉。
如請求項16所述之轉盤調節扣，其中，該操作部之材質為尼龍，該第二匹配部及該柱體之材質為聚甲醛，該第一扣件之材質為尼龍。
如請求項15所述之轉盤調節扣，其中，該卡扣體具有相鄰的傾斜面及止擋面，該傾斜面的面積大於該止擋面的面積。
如請求項20所述之轉盤調節扣，其中，所述定位槽具有相鄰的推移面及限位面，該推移面的面積大於該限位面的面積，且該推移面對應接合該傾斜面，該限位面對應接合該止擋面。
如請求項21所述之轉盤調節扣，其中，當該第二扣件相對該第一扣件旋轉使該繩體沿該緊固方向纏繞於該柱體時，該推移面於該傾斜面上滑動而與該傾斜面相互錯位，且該彎折體朝該柱體彈性壓縮，直到該卡扣體經由該傾斜面及該推移面而滑入下一相鄰的所述定位槽後才回彈。
如請求項21所述之轉盤調節扣，其中，當該第二扣件相對該第一扣件旋轉使該繩體沿該釋放方向自該柱體鬆脫時，該限位面於該止擋面上滑動而與該止擋面相互錯位，且該彎折體朝該柱體彈性壓縮，直到該卡扣體經由該限位面及該止擋面而滑入下一相鄰的所述定位槽後才回彈。
一種電子裝置之遊戲輔助方法，包括：<br/> 依據一中央處理器（Central Processing Unit，CPU）、一集成圖形處理器（integrated Graphics Processing Unit，iGPU）及一離散圖形處理器（discrete Graphics Processing Unit，dGPU）之負載，選擇該中央處理器、該集成圖形處理器及該離散圖形處理器之其中之一作為一指定運算單元；<br/> 擷取該電子裝置之一螢幕截圖；<br/> 該指定運算單元以一人工智慧模組之一第一辨識模型對該螢幕截圖進行一第一辨識程序，以辨識該螢幕截圖是否具有一遊戲畫面，並辨識該螢幕截圖是否具有一遊戲提示；<br/> 若該螢幕截圖具有該遊戲畫面，且該螢幕截圖具有該遊戲提示，則該指定運算單元以該人工智慧模組之一第二辨識模型對該螢幕截圖進行一第二辨識程序，以辨識出該遊戲提示於該螢幕截圖之一顯示位置與對應之一輸入動作；以及<br/> 依據該輸入動作，該電子裝置自動執行該輸入動作。
如請求項1所述之電子裝置之遊戲輔助方法，更包括：<br/> 判斷該電子裝置設定於一自動執行模式或一教學導覽模式；<br/> 若該電子裝置設定於該教學導覽模式，則依據該輸入動作，該電子裝置提供一提示訊息。
如請求項2所述之電子裝置之遊戲輔助方法，其中該提示訊息係為一鍵盤動態光效。
如請求項2所述之電子裝置之遊戲輔助方法，其中該提示訊息係為一震動訊息。
如請求項1所述之電子裝置之遊戲輔助方法，更包括：<br/> 判斷該電子裝置設定於一自動執行模式或一教學導覽模式；<br/> 若該電子裝置設定於該自動執行模式，則依據該輸入動作，該電子裝置自動執行該輸入動作。
一種電子裝置，包括：<br/> 一中央處理器（Central Processing Unit，CPU）；<br/> 一集成圖形處理器（integrated Graphics Processing Unit，iGPU）；<br/> 一離散圖形處理器（discrete Graphics Processing Unit，dGPU）；<br/> 一控制單元，用以依據該中央處理器、該集成圖形處理器及該離散圖形處理器之負載，選擇該中央處理器、該集成圖形處理器及該離散圖形處理器之其中之一作為一指定運算單元；<br/> 一顯示螢幕；<br/> 一畫面擷取單元，連接於該顯示螢幕，該畫面擷取單元用以擷取該電子裝置之一螢幕截圖；以及<br/> 一人工智慧模組，包括：<br/> 一第一辨識模型，該指定運算單元以該第一辨識模型對該螢幕截圖進行一第一辨識程序，以辨識該螢幕截圖是否具有一遊戲畫面，並辨識該螢幕截圖是否具有一遊戲提示；及<br/> 一第二辨識模型，若該螢幕截圖具有該遊戲畫面，且該螢幕截圖具有該遊戲提示，則該指定運算單元以該第二辨識模型對該螢幕截圖進行一第二辨識程序，以辨識出該遊戲提示於該螢幕截圖之一顯示位置與對應之一輸入動作；以及<br/> 一輸入單元，用以依據該輸入動作，控制該輸入單元自動執行該輸入動作。
如請求項6所述之電子裝置，更包括：<br/> 一儲存單元，用以記錄該電子裝置設定於一自動執行模式或一教學導覽模式；以及<br/> 一提示單元，若該電子裝置設定於該教學導覽模式，則該控制單元依據該輸入動作，控制該提示單元提供一提示訊息。
如請求項7所述之電子裝置，其中該提示訊息係為一鍵盤動態光效。
如請求項7所述之電子裝置，其中該提示訊息係為一震動訊息。
如請求項7所述之電子裝置，更包括：<br/> 一儲存單元，用以記錄該電子裝置設定於一自動執行模式或一教學導覽模式，若該電子裝置設定於該自動執行模式，則該控制單元依據該輸入動作，控制該輸入單元自動執行該輸入動作。
一種蟲害防治方法，包含：<br/> 一害蟲偵測步驟(S10)，使用一物體偵測單元偵測一空間之一第一出入口及一第二出入口是否有一物體通過，以獲得一偵測結果，並且在該偵測結果為是時，使一啟動辨識訊號傳送至一影像辨識單元；<br/> 一害蟲認出統計步驟(S20)，包含一次數統計步驟(S21)，該次數統計步驟(S21)係當該影像辨識單元收到該啟動辨識訊號時，使用該影像辨識單元對該物體進行辨識，以辨識該物體是否為目標害蟲，而獲得一目標害蟲認出次數，並且將該目標害蟲認出次數傳送至一中央處理模組；<br/> 一生物體密度統計步驟(S30)，包含一生物體密度計算步驟(S31)及一生物體門檻密度持續偵測步驟(S32)，該生物體密度計算步驟(S31)係使用一密度計算模組對一目標區域的各種生物體的整體密度進行計算，以得到對應的一聚集密度值，並且將該聚集密度值傳送至該中央處理模組；該生物體門檻密度持續偵測步驟(S32)係使用一門檻密度持續時間偵測模組偵測該目標區域的該聚集密度值達到一較低密度門檻值的持續時間，並且將達到該較低密度門檻值的持續時間傳送至該中央處理模組；<br/> 一藥劑投放決定步驟(S40)，包含使用該中央處理模組在根據由以下各項所組成的群組中的一個的情況發生時，發送一藥劑投放訊號至一藥劑投放模組，以使該藥劑投放模組對該目標區域進行一藥劑的投放：在該目標害蟲認出次數達到一總認出次數較高門檻值的情況、在該聚集密度值達到一較高密度門檻值的情況、以及當該聚集密度值達到該較低密度門檻值並持續達到一密度持續時間門檻值的情況；<br/> 一藥劑投放步驟(S50)，係依據該藥劑投放訊號啟動該藥劑投放模組對該目標區域進行該藥劑的投放，並且在該藥劑投放完畢後，使一藥劑投放完畢訊號傳送至一訊息發送模組；及一訊息發送步驟(S60)，於收到該藥劑投放完畢訊號後，使用一訊息發送模組發送訊息通知一用戶清空該目標區域的生物體。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，該害蟲認出統計步驟(S20)，另包含：一認出次數較低門檻值持續偵測步驟(S22)，係使用一認出次數較低門檻值偵測模組偵測該目標害蟲認出次數達到一總認出次數較低門檻值的持續時間，並且將該總認出次數較低門檻值的持續時間傳送至該中央處理模組。
如請求項2所述之蟲害防治方法，其中，在該藥劑投放步驟(S40)中，該中央處理模組還在當該聚集密度值達到該較低密度門檻值，且對應於該較低密度門檻值的該較低密度門檻值的持續時間達到該密度持續時間門檻值，以及當該目標害蟲認出次數達到該總認出次數較低門檻值，並且對應於該總認出次數較低門檻值的該總認出次數較低門檻值的持續時間達到一認出次數持續時間門檻值，發送該藥劑投放訊號至該藥劑投放模組，以使該藥劑投放模組對該目標區域進行該藥劑的投放。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，該藥劑的投放量係透過比較該目標害蟲認出次數與該聚集密度值來被決定。
如請求項1所述之蟲害防治方法，另包含，一誘食步驟(S01)，係使用一飼料投放模組於該目標區域內投放飼料以誘集該目標害蟲，其中，該飼料投放模組依據由該目標害蟲認出次數、該聚集密度值及投放飼料的時間所組成的群組中的一個或多個在投放飼料期間自動的調整該飼料的投放量。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，在該藥劑投放模組投放藥劑的期間，該藥劑投放模組模依據由該認出次數值、該聚集密度值及投放藥劑的時間所組成的群組中的一個或多個來自動的調整該藥劑的投放量。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，該蟲害防治方法的每一輪害蟲誘捕係以該害蟲偵測步驟(S10)中初次偵測到物體通過該出入口為開始，且以該藥劑投放步驟(S50)中的該藥劑投放模組投放藥劑完畢後為結束，並且在一重啟害蟲誘捕模組被觸發使一重啟害蟲誘捕訊號傳送至該物體偵測單元時，才進行下一輪的害蟲誘捕。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，在該訊息發送步驟(S60)中，在該訊息發送模組發送訊息通知該用戶清空該目標區域的生物體經一特定時間後該目標區域的生物體仍未被清空，該訊息發送模組再次發送訊息通知該用戶清空該目標區域的生物體。
如請求項1所述之蟲害防治方法，其中，在該訊息發送步驟(S60)中，在該訊息發送模組發送訊息通知該用戶清空該目標區域的生物體經一特定時間後該目標區域的生物體仍未被清空，該訊息發送模組使一重啟藥劑投放訊號傳送至該藥劑投放模組，以使該藥劑投放模組對該目標區域再次進行該藥劑的投放。
一種蟲害防治裝置，包含：<br/> 一殼體(10)，該殼體(10)設有一容置空間(11)、連接該容置空間(11)之相對一第一出入口(12)及一第二出入口(12’)，以及一可抽拉底盤(D)，該第一出入口(12)及該第二出入口(12’)相對設置在該殼體10之側部，該可抽拉底盤(D)設置在該殼體10之底部而位在該容置空間(11)；<br/> 一物體偵測單元(20)，對應該第一出入口(12)及該第二出入口(12’)設置於該殼體(10)，以偵測是否有一物體通過該第一出入口(12)及/或該第二出入口(12’)；<br/> 一影像辨識單元(31)，設置於該殼體(10)，用以對該物體進行辨識，以辨識該物體是否為目標害蟲，而獲得一目標害蟲認出次數；<br/> 一密度計算模組(41)，設置於該殼體(10)，用以對一目標區域的各種生物體的整體密度進行計算，以得到對應的一聚集密度值；<br/> 一門檻密度持續時間偵測模組(42)，設置於該殼體(10)，用以偵測該目標區域的該聚集密度值達到一較低密度門檻值的持續時間；<br/> 一藥劑投放模組(50)，設置於該殼體(10)，用以對該目標區域進行該藥劑的投放；<br/> 一訊息發送模組(70)，設置於該殼體(10)，於收到該藥劑投放完畢訊號後，發送訊息通知一用戶處理該目標區域的生物體；及<br/> 一中央處理模組(C)，設置於該殼體(10)，並且電性連接該影像辨識單元(31)、該密度計算模組(41)、該門檻密度持續時間偵測模組(42)、該藥劑投放模組(50)及該訊息發送模組(70)。
一種適應性調整天線功率之電子裝置，包含： <br/>複數天線； <br/>複數組諧調器，分別電性連接該天線，使每一組該諧調器分別對應一該天線； <br/>一數據機，電性連接該複數組諧調器，以控制該複數組諧調器，並取得該複數組諧調器各自的一狀態資訊；以及 <br/>一處理裝置，電性連接該數據機，該處理裝置根據該狀態資訊之變化來判斷該複數組諧調器之作動，當該複數組諧調器中只有一組作動或鄰近組別同時作動時，該處理裝置將該數據機之一輸出功率設定為一肢體特定吸收率模式；當該複數組諧調器中全部組別都在作動或相對長邊組別同時作動時，該處理裝置將該數據機之該輸出功率設定為一全身特定吸收率模式。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該諧調器係為一天線阻抗諧調器、一天線孔徑諧調器、一相位諧調器或前述之任意組合。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該狀態資訊係為該複數組諧調器之組態變化。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該數據機係產生一第一控制訊號來控制該複數組諧調器。
請求項4所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該第一控制訊號係為一通用型輸入輸出訊號或是一行動產業處理器介面訊號。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中當該複數組諧調器中只有一組作動或鄰近組別同時作動時，該處理裝置會產生一第二控制訊號給該數據機，以根據該第二控制訊號將該數據機之該輸出功率設定為該肢體特定吸收率模式；以及當該複數組諧調器中全部組別都在作動或相對長邊組別同時作動時，該處理裝置會產生該第二控制訊號給該數據機，以根據該第二控制訊號將該數據機之該輸出功率設定為該全身特定吸收率模式。
如請求項6所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該第二控制訊號係為一高速週邊元件交互連接裝置訊號或一同向正交訊號。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該複數天線係分別均勻設置在該電子裝置之一殼體上。
如請求項1所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該處理裝置將該數據機之該輸出功率設定為該肢體特定吸收率模式或該全身特定吸收率模式之後，該處理裝置更會判斷該狀態資訊是否維持一預設時間的穩定狀態，若是，該處理裝置將該數據機之該輸出功率設定還原為一預設功率模式；若否，則維持該肢體特定吸收率模式或該全身特定吸收率模式。
如請求項9所述之適應性調整天線功率之電子裝置，其中該預設功率模式係具有一最大功率值。
一種適應性調整天線功率之方法，適用於一電子裝置，該電子裝置包含複數天線、複數組諧調器以及一數據機，該方法包含： <br/>取得該複數組諧調器各自的一狀態資訊； <br/>根據該狀態資訊之變化來判斷該複數組諧調器之作動，並在該狀態資訊產生變化時，判斷該複數組諧調器中有幾組產生變化； <br/>當該複數組諧調器中只有一組作動或鄰近組別同時作動時，將該數據機之一輸出功率設定為一肢體特定吸收率模式；以及 <br/>當該複數組諧調器中全部組別都在作動或相對長邊組別同時作動時，將該數據機之該輸出功率設定為一全身特定吸收率模式。
如請求項11所述之適應性調整天線功率之方法，其中該諧調器係為一天線阻抗諧調器、一天線孔徑諧調器、一相位諧調器或前述之任意組合。
如請求項11所述之適應性調整天線功率之方法，其中該狀態資訊係為該複數組諧調器之組態變化。
如請求項11所述之適應性調整天線功率之方法，其中當該複數組諧調器中只有一組作動或鄰近組別同時作動時，會透過一第二控制訊號控制該數據機，以根據該第二控制訊號將該數據機之該輸出功率設定為該肢體特定吸收率模式；以及當該複數組諧調器中全部組別都在作動或相對長邊組別同時作動時，會透過該第二控制訊號控制該數據機，以根據該第二控制訊號將該數據機之該輸出功率設定為該全身特定吸收率模式。
如請求項14所述之適應性調整天線功率之方法，其中該第二控制訊號係為一高速週邊元件交互連接裝置訊號或一同向正交訊號。
如請求項11所述之適應性調整天線功率之方法，其中該複數天線係分別均勻設置在該電子裝置之一殼體上。
如請求項11所述之適應性調整天線功率之方法，其中將該數據機之該輸出功率設定為該肢體特定吸收率模式或該全身特定吸收率模式之後，更會進一步判斷該狀態資訊是否維持一預設時間的穩定狀態，若是，將該數據機之該輸出功率設定還原為一預設功率模式；若否，則維持該肢體特定吸收率模式或該全身特定吸收率模式。
如請求項17所述之適應性調整天線功率之方法，其中該預設功率模式係具有一最大功率值。
一種電連接裝置，包含：一殼體，具有一底部、一頂部以及連接該底部與該頂部的一側部，其中該底部具有一開口配置以供一電連接端子通過； <br/>一連接座，耦接於該殼體且具有相連的一對接部與一連接部，其中該對接部於該殼體中且具有一對接孔，該對接孔連通於該殼體的該底部的該開口； <br/>一導電接觸件，位於該連接座的該對接孔中； <br/>一彈性件，沿著該連接座的一長度方向上位於該連接座的該對接部與該殼體的該側部之間；以及 <br/>一卡合件，耦接於該殼體且配置以嵌入該電連接端子的一凹槽。
如請求項1所述之電連接裝置，其中該卡合件位於該對接部遠離該彈性件的一側。
如請求項2所述之電連接裝置，其中該卡合件位於該連接座上方。
如請求項2所述之電連接裝置，其中該連接座位於該卡合件上方。
如請求項1所述之電連接裝置，其中該彈性件連接於該卡合件。
如請求項5所述之電連接裝置，其中該殼體的該側部具有一突起部朝向該連接座突出，且該突起部配置以在該卡合件嵌入該電連接端子的該凹槽時，抵靠於該彈性件。
如請求項1所述之電連接裝置，其中該彈性件具有一卡合孔，且該連接座具有一卡合部耦接於該彈性件的該卡合孔。
如請求項1所述之電連接裝置，其中該彈性件配置以在該卡合件嵌入該電連接端子的該凹槽時，沿著該長度方向壓縮。
如請求項1所述之電連接裝置，其中該電連接端子沿著該長度方向的一尺寸小於該殼體的該開口沿著該長度方向的一尺寸。
如請求項9所述之電連接裝置，其中該連接部配置以供一電纜沿著該長度方向進入並電性連接。
一種電連接裝置，包含： <br/>一殼體，具有一底部、一頂部以及連接該底部與該頂部的一側部，其中該底部具有一開口配置以供一電連接端子通過； <br/>一連接座，沿一長度方向可相對移動地耦接於該殼體，其中該連接座具有一對接孔，該對接孔連通於該殼體的該底部的該開口； <br/>一導電接觸件，位於該連接座的該對接孔中；以及 <br/>一卡合件，耦接於該殼體且配置以當該電連接端子插入該對接孔時卡合該電連接端子。
如請求項11所述之電連接裝置，其中該連接座包含一對接部與一連接部，該對接部位於該殼體內並與該連接部沿著該長度方向相連。
如請求項12所述之電連接裝置，還包含一彈性件，該彈性件位於該對接部與該側部之間。
如請求項13所述之電連接裝置，其中該彈性件連接該卡合件，該側部具有一突起部，該突起部配置以抵靠於該彈性件。
如請求項11所述之電連接裝置，其中該開口沿該長度方向的一尺寸大於垂直於該長度方向的一尺寸。
如請求項11所述之電連接裝置，其中在該對接孔的一中心軸方向的投影上，該卡合件與該開口部分重疊。
一種具沙灘運動效果之跑步包，包含有：<br/>一袋體；<br/>複數顆粒，容納於該袋體內部且未充滿袋體；及<br/>一手持件，設置於該袋體一端；<br/>藉此，手抓該手持件將袋體之一端拉高時，各該顆粒可移動而積聚於袋體之另一端，使用者可手抓該手持件並踩踏於袋體積聚各顆粒之一端表面同步進行手臂及跑步等運動。
如請求項1所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，各該顆粒係單一材質之小顆粒。
如請求項2所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，各該顆粒係包含不同材質之複數小顆粒。
如請求項3所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，該袋體內部係區隔有複數空間，各該空間係分別容納不同材質之複數顆粒。
如請求項4所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，各該空間內不同材質之顆粒之粗細程度不同，該袋體內設有至少一牆部，用以將該袋體內部區隔為至少二個該空間，該牆部上設有複數孔洞，各該孔洞之口徑係略大於一材質之顆粒之外徑而小於另一材質之顆粒之外徑，使得各該孔洞僅可供一預定材質之顆粒通過。
如請求項5所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，該袋體內係設有複數牆部，各該牆部係將袋體內部區隔為牆部之數目加一個之該空間，各該牆部上所設之各孔洞之口徑不同，使得各該顆粒僅可透過外徑之差異留置於預定空間或移動至其他空間。
如請求項1所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，該手持件係可供手掌抓取或握持之繩狀物、桿狀物或一手操作運動器材之一。
如請求項1所述之具沙灘運動效果之跑步包，其中，該手持件更連接至少一袋體，該袋體內亦容納有複數顆粒且各顆粒未充滿袋體。
一種操作如請求項1所述之具沙灘運動效果之跑步包進行跑步運動之方法，係先將該袋體擺置於地面，再手抓該手持件將袋體之一端朝上拉起，使該袋體內之各顆粒移動至仍位於地面之袋體另一端，再踩踏於該袋體上進行跑步運動。
一種雙人操作如請求項8所述之具沙灘運動效果之跑步包進行跑步運動之方法，係先將各該以相對朝外之方式擺置於地面，使該手持件位於各袋體之間，雙人的手再同時拉該手持件將各袋體之一端朝上拉起，使各該袋體內之各顆粒移動至各袋體仍位於地面之另一端，雙人再分別踩踏於各該袋體上進行跑步運動。
一種自動脫勾吊裝設備，其包含有：<br/> 一吊鉤，其具有一鉤體及一止擋扣板，該鉤體具有一上方連接部件及一下方勾狀部件，其中該下方勾狀部件具有一勾掛空間，且該下方勾狀部件一側與該上方連接部件間形成有一連通外部與該勾掛空間之鉤嘴，再者該止擋扣板係樞設於該鉤體之上方連接部件用以選擇性封閉該鉤嘴，又該止擋扣板係利用一樞軸穿樞於該鉤體之上方連接部件，且該止擋扣板於該樞軸同軸處設有一彈力儲存件，使該止擋扣板可相對該鉤體之鉤嘴產生自動完全或幾乎完全封閉之回復預力，又該止擋扣板於異於鉤嘴一側設有一包覆該下方勾狀部件外側之拉引導板，另該拉引導板兩側中至少一側與該鉤體間連接有一伸片；<br/> 一吊鏈，其具有一上端及一下端，該吊鏈之下端可接設該吊鉤，該吊鏈上設有至少一導索片，該等導索片上具有一掛耳；<br/> 一拉索，其具有一上端及一下端，該拉索之下端設於該止擋扣板之拉引導板上，又該拉索可穿置前述導索片之掛耳，以避免該拉索於作業過程中纏繞打結，且該拉索之上端可供作業人員於上方操作；<br/> 藉以能讓作業人員於上方透過拉動該拉引導板來同步帶動該止擋扣板，以開啟位於下方吊鉤之鉤嘴，並進一步使得該吊鉤可以自動鬆開吊掛物。
如請求項1所述之自動脫勾吊裝設備，其中該鉤體的上方連接部件可以是環圈體。
如請求項1或2所述之自動脫勾吊裝設備，其中該連接部件頂部設有一耦接件，供該吊鏈利用一掛接件選擇性掛接。
如請求項3所述之自動脫勾吊裝設備，其中該吊鏈之上端具有一掛環體，用來供一移動式或一固定式之起重機吊鉤勾設。
如請求項1所述之自動脫勾吊裝設備，其中該拉引導板上具有一掛孔凸耳，而該拉索之下端固設於該止擋扣板之掛孔凸耳上。
一種密合膜形成用組成物，係用於形成於含矽中間膜與阻劑上層膜之間形成之密合膜，其特徵在於： <br/>該組成物包含(A)有機聚合物、(B)金屬源、及(C)有機溶劑，且 <br/>該(A)有機聚合物係含有下式(1)及式(2)表示之重複單元中之一者或兩者之高分子化合物， <br/>該(B)金屬源係選自於Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、In、Sn、Hf、及Bi之金屬與碳數1~30之1~4價羧酸之鹽、或該金屬與β二酮類之錯合物， <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="392px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>1</sub>係氫原子或甲基，R<sub>2</sub>係含有選自於下式(R<sub>2</sub>-1)至(R<sub>2</sub>-3)之基之碳數2~20之1價有機基，R<sub>3</sub>係氫原子或碳數1~3之直鏈或支鏈狀之烷基， <br/><img align="absmiddle" height="105px" width="261px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>4</sub>係氫原子或碳數1~10之烷基，虛線表示原子鍵。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(A)有機聚合物係更含有下式(3a)或式(3b)表示之重複單元中之任意者之高分子化合物，<img align="absmiddle" height="135px" width="194px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sub>F1</sub>係含有至少1個F原子之碳數1~20之1價有機基，R<sub>F2</sub>係F原子或含有1個以上F原子之碳數1~10之1價有機基，R<sub>1</sub>與上式(1)相同，n表示1~5。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(A)有機聚合物係重量平均分子量為6,000~50,000之高分子化合物。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(A)有機聚合物係以重量平均分子量/數平均分子量表示之分散度為3.0以下之高分子化合物。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(B)金屬源係該金屬與碳數1~30之1~4價羧酸之鹽。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(B)金屬源係下式(B-1)表示之結構， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="213px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，M係選自於Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、In、Sn、Hf、及Bi中之任意者，R<sub>1</sub>係碳數1~30之1價有機基，n係1~4之整數。
如請求項6之密合膜形成用組成物，其中，該式(B-1)中之R<sub>1</sub>係飽和或不飽和之碳數1~10之烴基。
如請求項6之密合膜形成用組成物，其中，該式(B-1)中之R<sub>1</sub>係碳數3~10之支鏈狀之烷基。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(B)金屬源之金屬係Sn。
如請求項1之密合膜形成用組成物，更含有(D)熱酸發生劑、(E)光酸發生劑、(F)交聯劑、及(G)界面活性劑中之至少1種以上。
如請求項1之密合膜形成用組成物，其中，該(C)有機溶劑係1種以上之沸點未達180℃之有機溶劑與1種以上之沸點為180℃以上之有機溶劑((C-1)高沸點溶劑)之混合物。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵在於具有下列步驟： <br/>(I-1)於該被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(I-2)於該阻劑下層膜上形成含矽阻劑中間膜， <br/>(I-3)於該含矽阻劑中間膜上塗佈如請求項1至11中任一項之密合膜形成用組成物後，利用熱處理來形成密合膜， <br/>(I-4)於該密合膜上使用光阻材料來形成阻劑上層膜， <br/>(I-5)將該阻劑上層膜予以圖案曝光後，利用顯影液進行顯影來於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(I-6)將該形成了圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該密合膜， <br/>(I-7)將該形成了圖案之密合膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該含矽阻劑中間膜， <br/>(I-8)將該轉印了圖案之含矽阻劑中間膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜及 <br/>(I-9)將該轉印了圖案之阻劑下層膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該被加工基板。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵在於具有下列步驟： <br/>(II-1)於該被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(II-2)於該阻劑下層膜上形成選自於矽氧化膜、矽氮化膜及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩中間膜， <br/>(II-3)於該無機硬遮罩中間膜上塗佈如請求項1至11中任一項之密合膜形成用組成物後，利用熱處理來形成密合膜， <br/>(II-4)於該密合膜上，使用光阻材料來形成阻劑上層膜， <br/>(II-5)將該阻劑上層膜予以圖案曝光後，利用顯影液進行顯影來於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(II-6)將該形成了圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該密合膜， <br/>(II-7)將該形成了圖案之密合膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該無機硬遮罩中間膜， <br/>(II-8)將該轉印了圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜及 <br/>(II-9)將該轉印了圖案之阻劑下層膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印於該被加工基板。
如請求項12之圖案形成方法，其中，該步驟(I-5)中，使用EUV光來進行該圖案曝光。
如請求項13之圖案形成方法，其中，該步驟(II-5)中，使用EUV光來進行該圖案曝光。
一種蟲蛀音波檢測系統，包含：<br/> 一收音裝置，用以對一物件進行收音，以產生一聲音訊號；<br/> 一儲存裝置，訊號連接該收音裝置，並儲存該聲音訊號；以及<br/> 一處理裝置，訊號連接該儲存裝置，並接收該聲音訊號，該處理裝置包含：<br/> 一特徵提取模組，自該聲音訊號提取複數特徵資訊；及<br/> 一人工智慧模組，訊號連接該特徵提取模組，將該些特徵資訊輸入至一第一辨識模型以產生一第一辨識結果，並將該些特徵資訊輸入至一第二辨識模型以產生一第二辨識結果；<br/> 其中，該第一辨識結果包含該物件中是否有一蛀蟲，該第二辨識結果包含該蛀蟲的一類別；<br/> 其中，該特徵提取模組包含：<br/> 一分割模組，將該聲音訊號切割為複數聲音片段訊號；<br/> 一處理模組，訊號連接該分割模組，並對該些聲音片段訊號進行一窗函數處理以產生複數片段加窗訊號；<br/> 一傅立葉轉換模組，訊號連接該處理模組，並將該些片段加窗訊號進行一傅立葉轉換由時域轉換為頻域；及<br/> 一特徵轉換模組，訊號連接該傅立葉轉換模組，並透過一梅爾刻度濾波器對該些片段加窗訊號轉換而產生該些特徵資訊。
如請求項1所述之蟲蛀音波檢測系統，其中該第一辨識模型與該第二辨識模型的任一者包含一移動窗口轉換器(Shifted Windows Transformer；Swin Transformer)。
如請求項1所述之蟲蛀音波檢測系統，其中該收音裝置包含一監聽探頭、一封裝表面聲波濾波器的感應器或一壓電薄膜電子聽診器。
如請求項1所述之蟲蛀音波檢測系統，其中該處理裝置更包含：<br/> 一收集模組，訊號連接該人工智慧模組，將該物件對應的該第一辨識結果及該第二辨識結果標記於該聲音訊號並存入該儲存裝置。
一種蟲蛀音波檢測方法，包含：<br/> 驅動一收音裝置對一物件進行收音，以產生一聲音訊號；<br/> 驅動一儲存裝置儲存該聲音訊號；<br/> 驅動一處理裝置的一特徵提取模組自該聲音訊號提取複數特徵資訊；<br/> 驅動該處理裝置的一人工智慧模組將該些特徵資訊輸入至一第一辨識模型以產生一第一辨識結果；以及<br/> 驅動該處理裝置的該人工智慧模組將該些特徵資訊輸入至一第二辨識模型以產生一第二辨識結果；<br/> 其中，該第一辨識結果包含該物件中是否有一蛀蟲，該第二辨識結果包含該蛀蟲的一類別；<br/> 其中，該蟲蛀音波檢測方法更包含：<br/> 驅動該特徵提取模組的一分割模組將該聲音訊號切割為複數聲音片段訊號；<br/> 驅動該特徵提取模組的一處理模組對該些聲音片段訊號進行一窗函數處理以產生複數片段加窗訊號；<br/> 驅動該特徵提取模組的一傅立葉轉換模組將該些片段加窗訊號進行一傅立葉轉換由時域轉換為頻域；及<br/> 驅動該特徵提取模組的一特徵轉換模組透過一梅爾刻度濾波器對該些片段加窗訊號轉換而產生該些特徵資訊。
如請求項5所述之蟲蛀音波檢測方法，其中該第一辨識模型與該第二辨識模型的任一者包含一移動窗口轉換器。
如請求項5所述之蟲蛀音波檢測方法，其中該收音裝置包含一監聽探頭、一封裝表面聲波濾波器的感應器或一壓電薄膜電子聽診器。
如請求項5所述之蟲蛀音波檢測方法，更包含：<br/> 驅動該處理裝置的一收集模組將該物件對應的該第一辨識結果及該第二辨識結果標記於該聲音訊號並存入該儲存裝置。
一種記憶體系統，包括： 一半導體記憶體裝置；以及<br/> 一記憶體控制器，所述記憶體控制器被配置為：<br/> 回應於第一讀取操作的改錯碼（ECC）解碼失敗，執行與目標頁對應的第一掃描操作以獲得第一讀取偏移量，所述第一讀取偏移量為第一讀取電壓相對於第一讀取電平的第一讀取參考電壓的偏移量；<br/> 執行與所述目標頁對應的第二掃描操作以獲得第二讀取偏移量，所述第二讀取偏移量為第二讀取電壓相對於第二讀取電平的第二讀取參考電壓的偏移量，所述第二掃描操作的掃描範圍基於錨讀取電壓確定，所述錨讀取電壓相對於所述第二讀取參考電壓具有與所述第一讀取偏移量相同的偏移量；和<br/> 根據所述第一讀取偏移量和所述第二讀取偏移量，執行與所述目標頁對應的第二讀取操作。
如請求項1所述的記憶體系統，其中，所述第一掃描操作包括：<br/> 基於所述第一讀取參考電壓，確定第一電壓範圍；<br/> 通過在所述第一電壓範圍內執行一系列第一單讀取操作，基於第一步進電壓對所述第一電壓範圍進行掃描，一個第一單讀取操作對應於所述第一電壓範圍內的一個第一掃描電壓；<br/> 基於對所述第一電壓範圍的掃描，確定第三讀取參考電壓；<br/> 基於所述第三讀取參考電壓，確定第二電壓範圍；<br/> 通過在所述第二電壓範圍內執行一系列第二單讀取操作，基於第二步進電壓對所述第二電壓範圍進行掃描，一個第二單讀取操作對應於所述第二電壓範圍內的一個第二掃描電壓；和<br/> 基於對所述第二電壓範圍的掃描，確定所述第一讀取偏移量。
如請求項2所述的記憶體系統，其中，所述第一電壓範圍的確定包括：<br/> 獲得第一組第一參考偏移量，一個第一參考偏移量為相對於所述第一讀取參考電壓的電壓位移，所述一個第一參考偏移量對應於一個存儲單元條件，所述存儲單元條件使得處於該存儲單元條件下的一組存儲單元具有相應的所述第一參考偏移量，並且所述第一參考偏移量具有正值或負值；<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最大值設置為所述第一電壓範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最小值設置為所述第一電壓範圍的下限偏移量。
如請求項3所述的記憶體系統，其中，所述第二掃描操作的掃描範圍的確定包括：<br/> 獲得第二組第二參考偏移量，一個第二參考偏移量與所述第一組第一參考偏移量中的一個和相應的存儲單元條件相對應，所述第二參考偏移量是相對於所述第二讀取參考電壓的電壓移位元，所述第二參考偏移量具有正值或負值；<br/> 確定每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的差，所述差等於所述相應的第二參考偏移量減去相應的第一參考偏移量；<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最大值設置為所述掃描範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最小值設置為所述掃描範圍的下限偏移量。
如請求項2所述的記憶體系統，其中，每一個第一單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；以及<br/> 所述第三讀取參考電壓的確定包括：<br/> 確定對應於所述第一電壓範圍內的第一掃描電壓的第一位元數目差和第二位元數目差，所述第一掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第一較低掃描電壓和第一較高掃描電壓，所述第一位元數目差是分別對應於所述第一掃描電壓和所述第一較低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差，所述第二位元數目差是分別對應於所述第一掃描電壓和所述第一較高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 基於與所述第一電壓範圍內的所述第一掃描電壓相對應的一系列所述第一位元數目差和所述第二位元數目差，確定所述第三讀取參考電壓。
如請求項5所述的記憶體系統，其中，所述第三讀取參考電壓的確定包括：<br/> 將所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓：該第一掃描電壓對應的所述第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和在所述一系列第一單讀取操作之中具有最小值；<br/> 當存在多於一個第一掃描電壓所對應的多於一個第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和具有相同的值時，將所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓：該第一掃描電壓對應的所述第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差或相應的所述第二位元數目差具有最小值；和<br/> 當存在多於一個第一掃描電壓所對應的多於一個第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和具有相同的值時，將最接近所述第一電壓範圍的中點的所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓。
如請求項2所述的記憶體系統，其中，<br/> 所述第二電壓範圍的上限為所述第三讀取參考電壓加上所述第一步進電壓，所述第二電壓範圍的下限為所述第三讀取參考電壓減去所述第一步進電壓；<br/> 每一個第二單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；和<br/> 所述第一讀取偏移量的獲取包括：<br/> 確定對應於所述第二電壓範圍內的第二掃描電壓的第三位元數目差和第四位元數目差，所述第二掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第二較低掃描電壓和第二較高掃描電壓，所述第三位元數目差是分別對應於所述第二掃描電壓和所述第二較低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；所述第四位元數目差是分別對應於所述第二掃描電壓和所述第二較高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 將所述第二掃描電壓確定為所述第一讀取電壓：該第二掃描電壓對應的所述第二單讀取操作的相應的所述第三位元數目差與相應的所述第四位元數目差的總和在所述一系列第二單讀取操作之中具有最小值；其中，所述第一讀取電壓相對於所述第一讀取參考電壓的偏移量為所述第一讀取偏移量。
如請求項1所述的記憶體系統，其中，所述第二掃描操作包括：<br/> 通過在所述掃描範圍內執行一系列第三單讀取操作，對所述掃描範圍進行掃描，一個第三單讀取操作對應於所述掃描範圍內的一個第三掃描電壓，每一個第三單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；<br/> 確定對應於所述掃描範圍內的第三掃描電壓的第五位元數目差和第六位元數目差，所述第三掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第三低掃描電壓和第三高掃描電壓，所述第五位元數目差是分別對應於所述第三掃描電壓和所述第三低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；所述第六位元數目差是分別對應於所述第三掃描電壓和所述第三更高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 將所述第三掃描電壓確定為所述第二讀取電壓：該第三掃描電壓對應的所述第三單讀取操作的相應的所述第五位元數目差與相應的所述第六位元數目差的總和在所述一系列第三單讀取操作之中具有最小值；其中，所述第二讀取電壓相對於所述第二讀取參考電壓的偏移量為所述第二讀取偏移量。
如請求項1所述的記憶體系統，其中，根據所述第一讀取電壓和所述第二讀取電壓執行所述第二讀取操作，所述第一讀取電壓根據所述第一讀取參考電壓和所述第一讀取偏移量確定，以及所述第二讀取電壓根據所述第二讀取參考電壓和所述第二讀取偏移量確定。
一種記憶體控制器，包括：<br/> 改錯碼（ECC）電路，被配置為執行一ECC操作；以及<br/> 電路裝置，被配置為：<br/> 回應於第一讀取操作的改錯碼（ECC）解碼失敗，執行與目標頁對應的第一掃描操作以獲得第一讀取偏移量，所述第一讀取偏移量為第一讀取電壓相對於第一讀取電平的第一讀取參考電壓的偏移量；<br/> 執行與所述目標頁對應的第二掃描操作以獲得第二讀取偏移量，所述第二讀取偏移量為第二讀取電壓相對於第二讀取電平的第二讀取參考電壓的偏移量，所述第二掃描操作的掃描範圍基於錨讀取電壓確定，所述錨讀取電壓相對於所述第二讀取參考電壓具有與所述第一讀取偏移量相同的偏移量；和<br/> 根據所述第一讀取偏移量和所述第二讀取偏移量，執行與所述目標頁對應的第二讀取操作。
如請求項10所述的記憶體控制器，其中，所述第一掃描操作包括：<br/> 基於所述第一讀取參考電壓，確定第一電壓範圍；<br/> 通過在所述第一電壓範圍內執行一系列第一單讀取操作，基於第一步進電壓對所述第一電壓範圍進行掃描，一個第一單讀取操作對應於所述第一電壓範圍內的一個第一掃描電壓；<br/> 基於對所述第一電壓範圍的掃描，確定第三讀取參考電壓；<br/> 基於所述第三讀取參考電壓，確定第二電壓範圍；<br/> 通過在所述第二電壓範圍內執行一系列第二單讀取操作，基於第二步進電壓對所述第二電壓範圍進行掃描，一個第二單讀取操作對應於所述第二電壓範圍內的一個第二掃描電壓；和<br/> 基於對所述第二電壓範圍的掃描，確定所述第一讀取偏移量。
如請求項11所述的記憶體控制器，其中，所述第一電壓範圍的確定包括：<br/> 獲得第一組第一參考偏移量，一個第一參考偏移量為相對於所述第一讀取參考電壓的電壓位移，所述一個第一參考偏移量對應於一個存儲單元條件，所述存儲單元條件使得處於該存儲單元條件下的一組存儲單元具有相應的所述第一參考偏移量，並且所述第一參考偏移量具有正值或負值；<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最大值設置為所述第一電壓範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最小值設置為所述第一電壓範圍的下限偏移量。
如請求項12所述的記憶體控制器，其中，所述第二掃描操作的掃描範圍的確定包括：<br/> 獲得第二組第二參考偏移量，一個第二參考偏移量與所述第一組第一參考偏移量中的一個和相應的存儲單元條件相對應，所述第二參考偏移量是相對於所述第二讀取參考電壓的電壓移位元，所述第二參考偏移量具有正值或負值；<br/> 確定每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的差，所述差等於所述相應的第二參考偏移量減去相應的第一參考偏移量；<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最大值設置為所述掃描範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最小值設置為所述掃描範圍的下限偏移量。
如請求項11所述的記憶體控制器，其中，每一個第一單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；以及<br/> 所述第三讀取參考電壓的確定包括：<br/> 確定對應於所述第一電壓範圍內的第一掃描電壓的第一位元數目差和第二位元數目差，所述第一掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第一較低掃描電壓和第一較高掃描電壓，所述第一位元數目差是分別對應於所述第一掃描電壓和所述第一較低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差，所述第二位元數目差是分別對應於所述第一掃描電壓和所述第一較高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 基於與所述第一電壓範圍內的所述第一掃描電壓相對應的一系列所述第一位元數目差和所述第二位元數目差，確定所述第三讀取參考電壓。
如請求項14所述的記憶體控制器，其中，所述第三讀取參考電壓的確定包括：<br/> 將所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓：該第一掃描電壓對應的所述第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和在所述一系列第一單讀取操作之中具有最小值；<br/> 當存在多於一個第一掃描電壓所對應的多於一個第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和具有相同的值時，將所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓：該第一掃描電壓對應的所述第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差或相應的所述第二位元數目差具有最小值；和<br/> 當存在多於一個第一掃描電壓所對應的多於一個第一單讀取操作的相應的所述第一位元數目差與相應的所述第二位元數目差的總和具有相同的值時，將最接近所述第一電壓範圍的中點的所述第一掃描電壓確定為所述第三讀取參考電壓。
如請求項11所述的記憶體控制器，其中，<br/> 所述第二電壓範圍的上限為所述第三讀取參考電壓加上所述第一步進電壓，所述第二電壓範圍的下限為所述第三讀取參考電壓減去所述第一步進電壓；<br/> 每一個第二單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；和<br/> 所述第一讀取偏移量的獲取包括：<br/> 確定對應於所述第二電壓範圍內的第二掃描電壓的第三位元數目差和第四位元數目差，所述第二掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第二較低掃描電壓和第二較高掃描電壓，所述第三位元數目差是分別對應於所述第二掃描電壓和所述第二較低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；所述第四位元數目差是分別對應於所述第二掃描電壓和所述第二較高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 將所述第二掃描電壓確定為所述第一讀取電壓：該第二掃描電壓對應的所述第二單讀取操作的相應的所述第三位元數目差與相應的所述第四位元數目差的總和在所述一系列第二單讀取操作之中具有最小值；其中，所述第一讀取電壓相對於所述第一讀取參考電壓的偏移量為所述第一讀取偏移量。
如請求項10所述的記憶體控制器，其中，所述第二掃描操作包括：<br/> 通過在所述掃描範圍內執行一系列第三單讀取操作，對所述掃描範圍進行掃描，一個第三單讀取操作對應於所述掃描範圍內的一個第三掃描電壓，每一個第三單讀取操作生成為1或為0的一位元數目；<br/> 確定對應於所述掃描範圍內的第三掃描電壓的第五位元數目差和第六位元數目差，所述第三掃描電壓的兩個相鄰掃描電壓包括第三低掃描電壓和第三高掃描電壓，所述第五位元數目差是分別對應於所述第三掃描電壓和所述第三低掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；所述第六位元數目差是分別對應於所述第三掃描電壓和所述第三更高掃描電壓的位元數目之間的位元數目差；和<br/> 將所述第三掃描電壓確定為所述第二讀取電壓：該第三掃描電壓對應的所述第三單讀取操作的相應的所述第五位元數目差與相應的所述第六位元數目差的總和在所述一系列第三單讀取操作之中具有最小值；其中，所述第二讀取電壓相對於所述第二讀取參考電壓的偏移量為所述第二讀取偏移量。
一種用於記憶體系統的方法，包括：<br/> 回應於第一讀取操作的改錯碼（ECC）解碼失敗，執行與目標頁對應的第一掃描操作以獲得第一讀取偏移量，所述第一讀取偏移量為第一讀取電壓相對於第一讀取電平的第一讀取參考電壓的偏移量；<br/> 執行與所述目標頁對應的第二掃描操作以獲得第二讀取偏移量，所述第二讀取偏移量為第二讀取電壓相對於第二讀取電平的第二讀取參考電壓的偏移量，所述第二掃描操作的掃描範圍基於錨讀取電壓確定，所述錨讀取電壓相對於所述第二讀取參考電壓具有與所述第一讀取偏移量相同的偏移量；和<br/> 根據所述第一讀取偏移量和所述第二讀取偏移量，執行與所述目標頁對應的第二讀取操作。
如請求項18所述的方法，其中，所述第一掃描操作包括：<br/> 基於所述第一讀取參考電壓，確定第一電壓範圍；<br/> 通過在所述第一電壓範圍內執行一系列第一單讀取操作，基於第一步進電壓對所述第一電壓範圍進行掃描，一個第一單讀取操作對應於所述第一電壓範圍內的一個第一掃描電壓；<br/> 基於對所述第一電壓範圍的掃描，確定第三讀取參考電壓；<br/> 基於所述第三讀取參考電壓，確定第二電壓範圍；<br/> 通過在所述第二電壓範圍內執行一系列第二單讀取操作，基於第二步進電壓對所述第二電壓範圍進行掃描，一個第二單讀取操作對應於所述第二電壓範圍內的一個第二掃描電壓；和<br/> 基於對所述第二電壓範圍的掃描，確定所述第一讀取偏移量。
如請求項19所述的方法，<br/> 獲得第一組第一參考偏移量，一個第一參考偏移量為相對於所述第一讀取參考電壓的電壓位移，所述一個第一參考偏移量對應於一個存儲單元條件，所述存儲單元條件使得處於該存儲單元條件下的一組存儲單元具有相應的所述第一參考偏移量，並且所述第一參考偏移量具有正值或負值；<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最大值設置為所述第一電壓範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述第一組第一參考偏移量中的最小值設置為所述第一電壓範圍的下限偏移量。
如請求項20所述的方法，其中，所述第二掃描操作的掃描範圍的確定包括：<br/> 獲得第二組第二參考偏移量，一個第二參考偏移量與所述第一組第一參考偏移量中的一個和相應的存儲單元條件相對應，所述第二參考偏移量是相對於所述第二讀取參考電壓的電壓移位元，所述第二參考偏移量具有正值或負值；<br/> 確定每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的差，所述差等於所述相應的第二參考偏移量減去相應的第一參考偏移量；<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最大值設置為所述掃描範圍的上限偏移量；和<br/> 將所述每一對第一參考偏移量和相應的第二參考偏移量之間的所述差的最小值設置為所述掃描範圍的下限偏移量。
如請求項18所述的方法，其中，所述第二讀取操作的執行包括：<br/> 根據所述第一讀取參考電壓和所述第一讀取偏移量確定所述第一讀取電壓；<br/> 根據所述第二讀取參考電壓和所述第二讀取偏移量確定所述第二讀取電壓；以及<br/> 根據所述第一讀取電壓和所述第二讀取電壓讀取所述目標頁。
一種圖案形成方法，係具備下列步驟之使用EUV微影之圖案形成方法， <br/>於基板之至少一面側形成阻劑上層膜， <br/>對該阻劑上層膜照射EUV光，及 <br/>將該阻劑上層膜予以顯影來形成圖案； <br/>其特徵在於： <br/>於該基板與該阻劑上層膜之間包含多層反射膜層， <br/>使用具有將該EUV光之波長之折射率n相差0.01以上之2種以上之材料交互疊層成之結構者作為該多層反射膜層， <br/>該阻劑上層膜與該多層反射膜層之間包含選自於由含有Si、及選自於氮、碳、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之含矽硬遮罩膜，以及由含有碳、及選自於氮、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之含碳硬遮罩膜之密合膜中之至少1層以上。
如請求項1之圖案形成方法，使用具有由含有Si、及選自於氮、碳、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之1層或2層以上之高折射率膜，以及由含有Ti、Cr、Ni、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、及Bi中之任意1種以上金屬之材料構成之1層或2層以上之低折射率膜者作為該多層反射膜層。
如請求項1之圖案形成方法，使用具有由含有碳、及選自於氮、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之1層或2層以上之高折射率膜，以及由含有Ti、Cr、Ni、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、及Bi中之任意1種以上金屬之材料構成之1層或2層以上之低折射率膜者作為該多層反射膜層。
如請求項1之圖案形成方法，使用包含2層以上之由含有Ti、Cr、Ni、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Hf、Ta、W、及Bi中之任意1種以上金屬之材料構成之低折射率膜者作為該多層反射膜層。
如請求項2之圖案形成方法，使用該EUV光之波長之折射率n為0.97以下者作為該低折射率膜。
如請求項3之圖案形成方法，使用該EUV光之波長之折射率n為0.97以下者作為該低折射率膜。
如請求項4之圖案形成方法，使用該EUV光之波長之折射率n為0.97以下者作為該低折射率膜。
如請求項2之圖案形成方法，使用單層之膜厚為10nm以下者作為該低折射率膜。
如請求項3之圖案形成方法，使用單層之膜厚為10nm以下者作為該低折射率膜。
如請求項4之圖案形成方法，使用單層之膜厚為10nm以下者作為該低折射率膜。
如請求項1至10中任一項之圖案形成方法，具有下列步驟： <br/>將該形成了圖案之阻劑上層膜作為遮罩，利用乾蝕刻將圖案轉印至該基板上之被加工層為止。
一種疊層體，其特徵在於具有形成了圖案之被加工基板、該被加工基板上之多層反射膜層、及該多層反射膜層上之阻劑上層膜，該多層反射膜層係將EUV光之波長之折射率n相差0.01以上之2種以上之材料交互疊層成者，且該阻劑上層膜與該多層反射膜層之間包含選自於由含有Si、及選自於氮、碳、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之含矽硬遮罩膜，以及由含有碳、及選自於氮、氫、及氧中之1種以上元素之材料構成之含碳硬遮罩膜之密合膜中之至少1層以上。
一種工件處理系統，包括： <br/>處理腔室，維持在接近真空條件；以及 <br/>軸，延伸穿過所述處理腔室的牆，其中所述軸可以延伸進入所述處理腔室並從所述處理腔室縮回； <br/>其中所述軸包括： <br/>外殼，由低熱膨脹係數材料構造； <br/>溫度調節裝置，配置在所述外殼的內表面附近；以及 <br/>隔絕層，配置在所述溫度調節裝置與所述軸的內部之間。
如請求項1所述的工件處理系統，還包括內襯，配置在所述外殼內，其中所述隔絕層配置在所述溫度調節裝置與所述內襯之間。
如請求項2所述的工件處理系統，其中所述內襯包括不銹鋼、塑膠或金屬網。
如請求項1所述的工件處理系統，其中所述低熱膨脹係數材料包括殷瓦(Invar)或超殷瓦32-5。
如請求項1所述的工件處理系統，其中所述溫度調節裝置包括電阻加熱器。
如請求項5所述的工件處理系統，還包括電源供應器，用於向所述電阻加熱器供應功率，以及控制器，用於控制向所述電阻加熱器供應的功率。
如請求項6所述的工件處理系統，還包括溫度感測器，其中來自所述溫度感測器的資訊被所述控制器用於控制所述電源供應器向所述電阻加熱器供應的功率。
如請求項7所述的工件處理系統，其中所述溫度感測器安裝在所述外殼的內表面或外表面上。
如請求項1所述的工件處理系統，其中所述溫度調節裝置包括流體管。
如請求項9所述的工件處理系統，還包括與所述流體管連通的加熱器，其中所述流體管用於加熱所述外殼，流體通過所述加熱器進入所述流體管並回流到所述加熱器。
如請求項9所述的工件處理系統，還包括與所述流體管連通的冷卻器，其中所述流體管用於冷卻所述外殼，流體通過所述冷卻器進入所述流體管並回流到所述冷卻器。
如請求項9所述的工件處理系統，還包括安裝在所述外殼的內表面或外表面上的溫度感測器，其中來自所述溫度感測器的資訊用於控制通過所述流體管的流體的流速和/或溫度。
一種束線離子植入系統，包括： <br/>離子源，用於產生離子束； <br/>質量分析器； <br/>處理腔室，維持在接近真空的條件下； <br/>一個或多個束線元件，用於將所述離子束引導朝向所述處理腔室；以及 <br/>軸，延伸穿過所述處理腔室的牆，其中所述軸可以延伸進入所述處理腔室並從所述處理腔室縮回； <br/>其中所述軸包括： <br/>外殼，由低熱膨脹係數材料構造； <br/>溫度調節裝置，配置在所述外殼的內表面附近；以及 <br/>隔絕層，配置在所述溫度調節裝置與所述軸的內部之間。
如請求項13所述的束線離子植入系統，還包括內襯，配置在所述外殼內，其中所述隔絕層配置在所述溫度調節裝置與所述內襯之間，並且其中所述內襯包括不銹鋼、塑膠或金屬網。
如請求項13所述的束線離子植入系統，其中所述低熱膨脹係數材料包括殷瓦(Invar)或超殷瓦32-5。
如請求項13所述的束線離子植入系統，其中所述溫度調節裝置包括電阻加熱器。
如請求項16所述的束線離子植入系統，還包括電源供應器，用於向所述電阻加熱器供應功率，控制器，用於控制向所述電阻加熱器供應的功率，以及溫度感測器，其中來自所述溫度感測器的資訊被所述控制器用於控制所述電源供應器向所述電阻加熱器供應的功率。
如請求項13所述的束線離子植入系統，其中所述溫度調節裝置包括流體管。
如請求項18所述的束線離子植入系統，還包括與所述流體管連通的加熱器，其中所述流體管用於加熱所述外殼，流體通過所述加熱器進入所述流體管並回流至所述加熱器。
如請求項18所述的束線離子植入系統，還包括與所述流體管連通的冷卻器，其中所述流體管用於冷卻所述外殼，流體通過所述冷卻器進入所述流體管並回流至所述冷卻器。
一種序列器，為一電子裝置的一實體層介面，其包括：<br/> 一序列模組，具有一序列操作頻率，用以將並列的資料封包序列轉換為串列傳輸的資料串流；以及<br/> 一資料升頻處理模組，該資料升頻處理模組包括：<br/> 一除頻單元，與一媒體存取控制區塊及該序列模組電性連接，用以接收該序列操作頻率，並基於該序列操作頻率產生一裝置操作頻率，該裝置操作頻率提供至該媒體存取控制區塊，該裝置操作頻率小於該序列操作頻率；以及<br/> 多個異步暫存器單元，各該異步暫存器單元與該媒體存取控制區塊及該序列模組電性連接，該等異步暫存器單元用以接收該序列操作頻率及來自該媒體存取控制區塊的輸出操作頻率，該等異步暫存器單元基於該輸出操作頻率接收來自該媒體存取控制區塊的資料封包序列，並基於該序列操作頻率輸出該資料封包序列，該輸出操作頻率小於該序列操作頻率，<br/> 其中，該資料封包序列包括不重複的多個資料封包，該資料串流包括重複的該資料封包。
如請求項1所述的序列器，其中，該些異步暫存器單元的數量及重複的該資料封包的數量與該除頻單元的除頻倍數相關聯。
如請求項1所述的序列器，其中，該資料封包包括複數同步位元及複數資料位元，不同的資料封包彼此具有不同的同步位元。
如請求項1所述的序列器，其中，各該異步暫存器單元為一異步先進先出元件。
如請求項1所述的序列器，其中，該輸出操作頻率與該裝置操作頻率相同。
一種解序列器，為一電子裝置的一實體層介面，其包括：<br/> 一解序列模組，具有一解序列操作頻率，用以接收串列傳輸的資料串流，且將該資料串流轉換為並列傳輸的資料封包序列，該資料封包序列包括重複的資料封包；以及<br/> 多個資料降頻處理模組，各該資料降頻處理模組包括：<br/> 一除頻單元，與一媒體存取控制區塊及該解序列模組電性連接，用以接收一資料處理頻率，並基於該資料處理頻率產生一資料操作頻率，該資料操作頻率提供至該媒體存取控制區塊，該資料操作頻率小於該解序列操作頻率；<br/> 一對齊單元，與該解序列模組電性連接，用以接收來自該解序列模組的該資料處理頻率及該資料封包序列，該對齊單元用以確認該資料封包序列中每一資料封包的起始位置；以及<br/> 一封包拋棄單元，與該對齊單元及該解序列模組電性連接，用以接收該資料處理頻率及來自該對齊單元的該資料封包序列，並拋棄該資料封包序列中重複的該資料封包，且輸出一復原資料封包序列，該復原資料封包序列包括不重複的該資料封包。
如請求項6所述的解序列器，其中，該些資料降頻處理模組的數量及重複的該資料封包的數量與該除頻單元的除頻倍數相關聯。
如請求項6所述的解序列器，其中，各該資料降頻處理模組的該資料處理頻率彼此不同。
如請求項6所述的解序列器，其中，該資料封包包括複數同步位元及複數資料位元，不同的資料封包彼此具有不同的同步位元。
如請求項9所述的解序列器，其中，該對齊單元用以識別出該等同步位元，以基於該等同步位元確認該資料封包序列中每一該資料封包的起始位置。
一種應變發生結構，其包括：<br/> 至少一個應變體，該應變體被配置為在外力作用下發生應變；<br/> 其中，<br/> 至少一個該應變體的表面形成有至少一個凹凸結構，該凹凸結構具有凹部以及與該凹部鄰接的凸部，至少一個該凹凸結構的凸部設置有至少一個應變計，該應變計被配置為感應該應變體發生的應變；<br/> 並且，<br/> 該應變發生結構具有垂直於其軸線的基準面，該應變發生結構的各該應變計平行於該基準面設置；<br/> 沿垂直於該軸線的方向，至少一個該應變計設置在該凹部的一側，且靠件該凹部的凸部上的應變小於遠離該凹部的凸部上的應變。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，至少一個該凹凸結構的凸部上設置有多個該應變計，其中，至少兩個該應變計沿遠離或靠近該凹凸結構的凹部的方向依次間隔設置。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，至少一個該應變體的表面形成有多個該凹凸結構，其中，至少一對相鄰的該凹凸結構的凹部連接或一體形成兩側為凸部的組合凹部，至少一個該應變計設置在至少一個該組合凹部的一側或兩側的凸部上。
如請求項3所述的應變發生結構，其中，至少一個該應變體的表面形成有多個該組合凹部，其中，至少一對相鄰的該組合凹部之間的各凸部連接或一體形成組合凸部，至少兩個該應變計間隔設置在該組合凸部上。
如請求項4所述的應變發生結構，其中，至少兩個該應變計沿該對組合凹部的排布方向依次間隔設置在該組合凸部上。
如請求項3至5中任一項所述的應變發生結構，其中，該組合凹部的類型包括橫貫該應變體表面的第一凹槽和於該應變體表面形成開口的第二凹槽中的至少一種。
如請求項3至5中任一項所述的應變發生結構，其中，該組合凹部的至少一側壁具有平滑連續的第一圓弧結構。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，至少一個該應變體具有相對而設且平行於該基準面的第一表面和第二表面，該第一表面和/或該第二表面形成有至少一個該凹凸結構，至少一個該凹凸結構的凸部設置有至少一個該應變計。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，至少一個該凹凸結構中凹部的側面與該基準面成角度設置；或者，至少一個該凹凸結構中凹部的表面為曲面；或者，至少一個該凹凸結構中凹部的表面與凸部的表面平滑連接。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，至少一個該凹凸結構的凹部的凹陷深度小於或等於第一預設值。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，該應變發生結構具有平行於該應變體的外力傳入端面的參考平面，形成有至少一個該凹凸結構的應變體的外力傳入端面於該參考平面具有第一正投影，與至少一個該凹凸結構的凹部對應的應變體的橫截面於該參考平面具有第二正投影，該第一正投影覆蓋該第二正投影。
如請求項11所述的應變發生結構，其中，與至少一個該凹凸結構的凸部對應的應變體的橫截面於該參考平面具有第三正投影，該第一正投影覆蓋該第三正投影。
如請求項1至5中任一項所述的應變發生結構，其中，該應變計包括至少一個惠斯登電橋，該惠斯登電橋包括單體式電阻應變片、半橋式電阻應變片、全橋式電阻應變片中的至少一個；<br/> 其中，<br/> 該單體式電阻應變片包括電阻以及分別與該電阻的相對的兩端連接的上焊盤和下焊盤；<br/> 該半橋式電阻應變片包括透過中焊盤串聯的兩個電阻以及分別與串聯的兩個電阻的相對的兩端連接的上焊盤和下焊盤；<br/> 該全橋式電阻應變片包括透過橋接焊盤串聯的兩個該半橋式電阻應變片。
如請求項13所述的應變發生結構，其中，至少一個該應變計中，<br/> 最靠近對應凹凸結構的凹部的電阻距該凹部的距離小於或等於第二預設值，和/或最遠離對應凹凸結構的凹部的電阻距該凹部的距離大於或等於第三預設值。
如請求項13所述的應變發生結構，其中，<br/> 至少一個該應變體具有多個該凹凸結構；<br/> 其中，至少一對相鄰的該凹凸結構的凸部連接或一體形成組合凸部，該組合凸部上設置有至少一個該應變計；<br/> 其中，至少一個該應變計中的至少一個電阻距該組合凸部的中心的距離小於或等於第四預設值。
如請求項1所述的應變發生結構，其中，該應變發生結構還包括：<br/> 第一剛性體，與該應變體的一端連接；<br/> 第二剛性體，與該應變體遠離該第一剛性體的一端連接；以及，<br/> 至少一個貫通槽，開設於該第一剛性體和該第二剛性體之間，與該應變體沿該應變發生結構的周向交替設置；<br/> 其中，<br/> 該第一剛性體和該第二剛性體之間的力和/或力矩傳遞至該應變體時該應變體發生應變。
如請求項16所述的應變發生結構，其中，該貫通槽於該第一剛性體具有第一槽壁，該貫通槽於該第二剛性體具有第二槽壁；其中，至少部分該第二槽壁的輪廓與至少部分該第一槽壁的輪廓相匹配。
如請求項16或17所述的應變發生結構，其中，<br/> 該應變體包括彈性結構和與該彈性結構連接的應變梁；<br/> 其中，該彈性結構的一端與該第一剛性體連接，遠離該第一剛性體的另一端與該應變梁連接，該應變梁遠離該彈性結構的一端與該第二剛性體連接；<br/> 其中，至少一個該應變體的至少一個該凹凸結構的凸部位於該應變梁。
如請求項18所述的應變發生結構，其中，<br/> 該第一剛性體與該彈性結構的連接位置處設置有平滑連續的第二圓弧結構；和/或，<br/> 該彈性結構與該應變梁的連接位置處設置有平滑連續的第三圓弧結構；和/或，<br/> 該應變梁與該第二剛性體的連接位置處設置有平滑連續的第四圓弧結構。
如請求項18所述的應變發生結構，其中，該彈性結構上貫穿設置有切口槽，該切口槽遠離該第一剛性體的一側的彈性結構沿該應變發生結構的徑向向內延伸與該應變梁連接。
如請求項16或17所述的應變發生結構，其中，該第一剛性體具有與第一物體連接的第一裝配部，該第二剛性體具有與第二物體連接的第二裝配部，其中，該第一物體與該第二物體之間的力和/或力矩透過該第一裝配部和該第二裝配部傳遞至該應變發生結構。
一種應變發生結構，其包括：<br/> 至少一個應變體，該應變體被配置為在外力作用下發生應變；<br/> 其中，<br/> 至少一個該應變體具有至少一個垂直於該應變發生結構的軸線的目標表面，至少一個該目標表面形成有至少一個凹陷部且在非凹陷部設有至少一個應變計，該應變計被配置為感應該應變體發生的應變；<br/> 並且，<br/> 各該應變體的非目標表面未設置該應變計；<br/> 沿垂直於該軸線的方向，至少一個該應變計設置在該凹陷部的一側，且靠近該凹陷部的非凹陷部上的應變小於遠離該凹陷部的非凹陷部上的應變。
如請求項22所述的應變發生結構，其中，至少一個該目標表面形成有多個該凹陷部，且在至少一對相鄰的該凹陷部之間的目標表面上間隔設置有至少兩個該應變計。
如請求項22所述的應變發生結構，其中，該應變發生結構具有平行於該應變體的外力傳入端面的參考平面，形成有至少一個該凹陷部的應變體的外力傳入端面於該參考平面具有第四正投影，與至少一個該凹陷部對應的應變體的橫截面於該參考平面具有第五正投影，該第四正投影覆蓋該第五正投影。
一種應變發生結構，其包括第一剛性體、第二剛性體、以及連接在該第一剛性體和該第二剛性體之間的至少一個應變體，該應變體被配置為在外力作用下發生應變；<br/> 其中，<br/> 該應變體、以及與該應變體連接的部分該第一剛性體和部分該第二剛性體共同形成用於傳遞該第一剛性體和該第二剛性體之間的力和/或力矩的通路，至少一個該通路上形成有至少一個凹陷部且在非凹陷部設有至少一個應變計；<br/> 其中，<br/> 該應變計位於該應變體，被配置為感應該應變體發生的應變；<br/> 該應變發生結構具有垂直於其軸線的基準面，該應變發生結構的各該應變計平行於該基準面設置。
一種應變發生結構，其包括：<br/> 至少一個應變體，包括應變梁，該應變梁被配置為在外力作用下發生應變；<br/> 其中，<br/> 至少一個該應變體的表面形成有至少一個凹陷部且在非凹陷部設有至少一個應變計，各該應變計設於該應變梁且被配置為感應該應變梁發生的應變；<br/> 並且，<br/> 該凹陷部滿足以下關係式：0.001H≤D≤0.8H，A≥W，其中，D表示該凹陷部的深度，A表示該凹陷部的寬度，H表示該應變梁的高度，W表示該應變梁的寬度；<br/> 以及，<br/> 該應變發生結構具有垂直於其軸線的基準面，該應變發生結構的各該應變計平行於該基準面設置。
如請求項26所述的應變發生結構，其中，<br/> 該應變計還滿足以下關係式：0≤P≤0.4L，其中，P表示該應變計與該凹陷部的邊緣之間的距離，L表示該應變梁的長度；和/或，<br/> 該應變計滿足以下關係式：0≤Q≤0.4W，其中，Q表示該應變計與該應變梁的側邊緣之間的距離。
一種應變發生結構的製備方法，該應變發生結構包括至少一個應變體、與該應變體的一端連接的第一剛性體以及與該應變體遠離該第一剛性體的一端連接的第二剛性體；<br/> 該製備方法包括：<br/> 在基體上開設至少一個貫通槽，以形成間隔設置的該第一剛性體和該第二剛性體以及連接該第一剛性體和該第二剛性體的至少一個該應變體；<br/> 對該應變體上的部分區域進行減薄，以形成至少一個凹凸結構；<br/> 將所有應變計平行於基準面地貼附在至少一個該凹凸結構的凸部；其中，該應變計被配置為感應該應變體發生的應變，該基準面垂直於該應變發生結構的軸線。
一種力檢測模組，其包括如請求項1至27中任一項所述的應變發生結構以及與該應變發生結構中各該應變計耦合的測量電路，該測量電路被配置為根據來自至少一個該應變計的電訊號，測量該應變發生結構受到的力和/或力矩的方向和大小。
一種力感測器，其包括如請求項29所述的力檢測模組。
一種機器人，其包括設於該機器人至少一個關節位置處或機械臂、機械拉桿位置處的如請求項30該的力感測器。
一種採樣管自動開關蓋設備，包含：<br/> 一基座；<br/> 複數個夾件，平行於該基座的一縱軸，且環繞該縱軸對稱設置於該基座下方，每一該複數個夾件包含上下設置的一第一夾部及一第二夾部；以及<br/> 至少一驅動裝置，控制該基座及該複數個夾件的移動，<br/> 其中該複數個夾件的複數個該第一夾部架構為共同環繞夾持一第一採樣管之一第一管蓋，以進行該第一管蓋與該第一採樣管之一第一管身的分離與結合，且該複數個夾件的複數個該第二夾部架構為共同環繞夾持一第二採樣管之一第二管蓋，以進行該第二管蓋與該第二採樣管之一第二管身的分離與結合，<br/> 其中每一該複數個夾件中，該第一夾部與該縱軸的最短距離小於該第二夾部與該縱軸的最短距離，以使該第一夾部與該第二夾部之間形成一段差，且複數個該第一夾部朝向該縱軸內側所圍出的空間小於複數個該第二夾部朝向該縱軸的內側所圍出的空間，以及<br/> 其中該第一管蓋與該第二管蓋具有不同的高度及/或硬度。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其更包含管身固定部，以在進行該第一管蓋及該第二管蓋分別與該第一管身及該第二管身的分離與結合時，分別固定該第一管身及該第二管身。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該第一管蓋包含一第一材質，以及該第二管蓋包含一第二材質，且該第一材質的硬度大於該第二材質的硬度。
如請求項3所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該第一管蓋的高度大於等於該第二管蓋的高度。
如請求項3所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該第二管蓋更包含該第一材質，且該第一材質形成於該第二材質的外周。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該段差在該第二管蓋與該第二管身的分離與結合期間抵頂該第二管蓋的上緣。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其更包括至少一擋板，設置於該基座下方且位在該複數個夾件之間，以在該第一管蓋與該第一管身的分離與結合期間抵頂該第一管蓋的上緣。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中每一該複數個夾件之該第一夾部具有朝向該縱軸的一第一接觸面，且該第一接觸面採用彈性材質製成。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中每一該複數個夾件之該第二夾部具有朝向該縱軸的一第二接觸面，且該第二接觸面設有溝槽。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中每一該複數個夾件之該第二夾部的下緣設有一凸出部，凸出朝向該縱軸。
如請求項10所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該凸出部朝向該縱軸的一緣部為圓弧狀。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其更包含一管蓋高度感測機構，以感測該第一管蓋及該第二管蓋的高度，其中該管蓋高度感測機構包含一感測器、一觸發件、一彈性元件、及一線性滑軌。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該第一管蓋及該第二管蓋以螺旋方式分別與該第一管身及該第二管身相結合。
如請求項1所述的採樣管自動開關蓋設備，其中該至少一驅動裝置包含一第一驅動裝置及一第二驅動裝置，該第一驅動裝置控制該基座環繞該縱軸的旋轉以及該複數個夾件相對於該縱軸的開闔，且該第二驅動裝置控制該基座及該複數個夾件沿該縱軸的移動。
一種基板處理方法，係具有： <br/>(a)對基板供給含第15族元素之氣體，於上述基板表面形成含上述第15族元素之第1層的步驟； <br/>(b)對上述基板供給含金屬元素之氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供給還原氣體的步驟；與 <br/>(d)於抑制上述第1層分解的環境下，進行(b)與(c)既定次數，於上述第1層上形成含有金屬元素之膜的步驟；其中， <br/>將(c)中上述基板之處理環境之壓力設為較(b)中上述基板之處理環境之壓力高。
如請求項1之基板處理方法，其中，將(c)中供給之上述還原氣體之流量設為較(a)中供給之上述還原氣體之供給流量大。
如請求項1之基板處理方法，其中，於(a)中，至少在供給上述含第15族元素之氣體的期間供給還原氣體。
如請求項3之基板處理方法，其中，於(a)中，將上述基板之處理環境之上述含第15族元素之氣體的分壓設為小於供給至上述基板之處理環境之上述還原氣體與惰性氣體中至少一者的分壓。
如請求項3之基板處理方法，其中，於(a)中，在開始供給上述含第15族元素之氣體前，開始上述還原氣體之供給。
如請求項3之基板處理方法，其中，於(a)中，在開始供給上述含第15族元素之氣體前，藉由上述還原氣體使上述基板之處理環境之壓力上升。
如請求項3之基板處理方法，其中，於(a)中，在供給著上述還原氣體之狀態下，停止上述含第15族元素之氣體的供給。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述還原氣體係含有氫元素。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述還原氣體係由氫單體所構成的氣體。
如請求項3之基板處理方法，其中，於(a)所供給之上述還原氣體與於(c)所供給之上述還原氣體，係不同分子構造之氣體。
如請求項1之基板處理方法，其中，於(d)中，具有將(b)與(c)進行X次的步驟、與於X次後將(b)與(c)進行Y次的步驟；進行X次之步驟中(c)的時間係設定為較進行Y次之步驟中(c)的時間長(X、Y分別為1以上整數)。
如請求項1之基板處理方法，其中，將(a)中上述基板的溫度設為(c)中上述基板的溫度以下。
如請求項1之基板處理方法，其中，將(a)中供給至上述基板之上述含第15族元素之氣體的濃度設為0.1~50%。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述第15族元素為磷。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述含第15族元素之氣體係含氫元素之氣體。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述金屬元素為Ru、Mo、W之任一者。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述金屬元素為Mo。
一種半導體裝置之製造方法，係具有： <br/>(a)對基板供給含第15族元素之氣體，於上述基板表面形成含上述第15族元素之第1層的步驟； <br/>(b)對上述基板供給含金屬元素之氣體的步驟； <br/>(c)對上述基板供給還原氣體的步驟；與 <br/>(d)於抑制上述第1層分解的環境下，進行(b)與(c)既定次數，於上述第1層上形成含有金屬元素之膜的步驟；其中， <br/>將(c)中上述基板之處理環境之壓力設為較(b)中上述基板之處理環境之壓力高。
一種藉由電腦使基板處理裝置實行程序的程式，係實行： <br/>(a)對基板供給含第15族元素之氣體，於上述基板表面形成含上述第15族元素之第1層的程序； <br/>(b)對上述基板供給含金屬元素之氣體的程序； <br/>(c)對上述基板供給還原氣體的程序； <br/>(d)於抑制上述第1層分解的環境下，進行(b)與(c)既定次數，於上述第1層上形成含有金屬元素之膜的程序；與 <br/>將(c)中上述基板之處理環境之壓力設為較(b)中上述基板之處理環境之壓力高的程序。
一種基板處理裝置，係具有： <br/>對基板供給含金屬元素之氣體與還原氣體與含第15族元素之氣體之至少一者以上的氣體供給系統；與 <br/>控制部，係構成為可控制上述氣體供給系統，使其進行： <br/>(a)對基板供給上述含第15族元素之氣體，於上述基板表面形成含上述第15族元素之第1層的處理； <br/>(b)對上述基板供給上述含金屬元素之氣體的處理； <br/>(c)對上述基板供給上述還原氣體的處理； <br/>(d)於抑制上述第1層分解的環境下，進行(b)與(c)既定次數，於上述第1層上形成含有金屬元素之膜的處理；與 <br/>將(c)中上述基板之處理環境之壓力設為較(b)中上述基板之處理環境之壓力高的處理。
一種吸汙組件，包括： <br/>吸汙桶，包括第一容納腔； <br/>前殼，包括第二容納腔和第一開口； <br/>吸汙管，所述吸汙管與所述第一容納腔連通，且至少部分所述吸汙管設置於所述第二容納腔內，所述第一開口暴露至少部分所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端； <br/>聯動機構，包括第一安裝部和觸發部，所述第一安裝部與所述吸汙管連接，所述觸發部具有第一狀態和第二狀態，當所述觸發部處於所述第一狀態時，所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端處於第一位置；當所述觸發部處於所述第二狀態時，所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端處於第二位置；並且，在所述吸汙管的延伸方向上，所述第二位置相對於所述第一位置遠離所述吸汙桶。
如請求項1所述之吸汙組件，其中，部分所述吸汙管位於所述第一容納腔內，所述吸汙組件還包括： <br/>伸縮件，包括：第一連接部、伸縮部和第二連接部，所述第一連接部與所述吸汙管連接，所述第二連接部與所述吸汙桶連接，所述伸縮部位於所述第一連接部和所述第二連接部之間；當所述觸發部處於所述第二狀態時，所述伸縮部具有恢復力。
如請求項2所述之吸汙組件，其中，所述伸縮部套設於所述吸汙管的至少部分外周面。
如請求項3所述之吸汙組件，其中，所述吸汙管包括： <br/>本體部； <br/>固定部，設置於所述本體部的外周面，並向背離所述本體部的外周面的方向延伸，且所述第一連接部與所述固定部連接。
如請求項4所述之吸汙組件，其中，所述第一連接部向靠近所述本體部的外周面的方向延伸，並且所述第一連接部的一個延伸面與所述固定部的一個延伸面連接。
如請求項5所述之吸汙組件，還包括： <br/>第一壓緊件，位於所述第一連接部背離所述固定部的一面，並且所述第一壓緊件分別與所述第一連接部以及所述固定部連接。
如請求項6所述之吸汙組件，其中，所述固定部、所述第一連接部和所述第一壓緊件分別為環繞所述本體部的外周面設置的環狀結構。
如請求項4所述之吸汙組件，其中，所述第二連接部向背離所述本體部的外周面的方向延伸，並且所述第二連接部的一個延伸面與所述吸汙桶的桶壁連接。
如請求項8所述之吸汙組件，還包括： <br/>第二壓緊件，位於所述第二連接部背離所述吸汙桶的桶壁的一面，並且所述第二壓緊件分別與所述第二連接部以及所述吸汙桶的桶壁連接。
如請求項9所述之吸汙組件，其中，所述第一連接部和所述第二壓緊件分別為環繞所述伸縮部設置的環狀結構。
如請求項2所述之吸汙組件，其中，所述伸縮件位於所述吸汙桶的外部。
如請求項2所述之吸汙組件，其中，所述伸縮件為伸縮軟膠。
如請求項1所述之吸汙組件，其中，所述吸汙管具有彈性，並且所述吸汙管與所述吸汙桶固定連接。
如請求項1至13任一項所述之吸汙組件，其中，所述吸汙管設置有第二安裝部，所述第二安裝部設置於所述吸汙管的外周面，並且所述第一安裝部和第二安裝部連接。
如請求項14所述之吸汙組件，其中，所述第一安裝部為凹陷結構，所述第二安裝部為凸出結構；或者，所述第一安裝部為凸出結構，所述第二安裝部為凹陷結構；或者，第一安裝部為凸出結構，所述第二安裝部為凸出結構。
如請求項15所述之吸汙組件，其中，所述聯動機構設置於所述第二容納腔內，並與所述前殼轉動連接；所述前殼還包括： <br/>第二開口，設置於所述前殼中與所述吸汙桶相對設置的一面並與所述第二容納腔連通，且所述第二開口暴露所述觸發部。
如請求項16所述之吸汙組件，其中，所述聯動機構還包括： <br/>聯動件，所述第一安裝部和所述觸發部設置於所述聯動件； <br/>彈性元件，設置於所述聯動件和所述前殼中與所述吸汙桶相對設置的一面之間，和/或所述彈性元件設置於所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端，並且當所述觸發部處於所述第二狀態時，所述彈性元件處於壓縮狀態。
如請求項1至13任一項所述之吸汙組件，還包括： <br/>對接件，安裝於所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端。
如請求項18所述之吸汙組件，其中，所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端設置有固定台，所述固定台凸出於所述吸汙管的外周面；所述對接件設置有固定凹槽，所述固定凹槽固定於所述固定台，以使所述對接件安裝於所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端。
如請求項1至13任一項所述之吸汙組件，還包括： <br/>阻氣結構，所述阻氣結構設置於所述吸汙管內，和/或，所述阻氣結構設置於所述吸汙管的至少一端。
如請求項1至13任一項所述之吸汙組件，其中，所述吸汙桶與所述前殼相對設置，並且所述第一開口設置於所述前殼中與所述吸汙桶相對設置的一面。
一種清潔設備，包括： <br/>清潔主機； <br/>吸汙組件，所述吸汙組件為請求項1至21任一項所述之吸汙組件，所述吸汙管遠離所述吸汙桶的一端能夠通過所述第一開口與所述清潔主機對接。
一種鈦酚醛樹脂的製造方法，包含：<br/> 混合苯酚與一鈦改質劑，以獲得一中間體混合物，其中該苯酚與該鈦改質劑的莫耳比為1：0.01至1：0.1；以及<br/> 加入多聚甲醛及一催化劑，使該中間體混合物與該多聚甲醛進行一反應，以製得該鈦酚醛樹脂，其中該反應的一反應溫度為100°C至150°C，且基於該苯酚的一用量為100 wt%，該催化劑的一添加量為0.5 wt%至10 wt%。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，其中該混合該苯酚與該鈦改質劑之步驟的一反應溫度為80°C至100°C，且一反應時間為1小時至2小時。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，其中該鈦改質劑係選自於由四氯化鈦、四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯所組成的一群組。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，更包含：<br/> 在加入該多聚甲醛之前，使該中間體混合物降溫至60°C至80°C。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，其中該催化劑係選自於由三乙胺、氫氧化胺、氧化鋅、氧化鎂、四氫呋喃及醋酸鋅所組成的一群組。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，其中該多聚甲醛分解成甲醛，且該苯酚與該甲醛的一莫耳比為1：1至1：2。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，其中該反應係進行1小時至3小時。
如請求項1所述之鈦酚醛樹脂的製造方法，更包含：<br/> 在該反應之後，添加一稀釋劑至該鈦酚醛樹脂中，其中該稀釋劑係選自於乙醇、乙二醇及丙三醇所組成之一群組。
一種鈦酚醛樹脂，其係由請求項1至8之任一項所述之鈦酚醛樹脂的製造方法所製得。
一種具信號補償功能之蜂鳴器驅動系統 ，用於一蜂鳴器，包含：<br/> 一控制模組，具有一神經網路單元，該神經網路單元根據該蜂鳴器之一頻譜資料，產生對應該蜂鳴器頻率響應之一濾波係數；<br/> 一濾波模組，接收一音頻播放訊號，根據該濾波係數對該音頻播放訊號進行濾波，以產生一輸出訊號；<br/> 一類比數位轉換模組，連接該蜂鳴器，採集該蜂鳴器接收複數測試訊號所產生之複數測試電壓；以及<br/> 一快速傅立葉轉換(Fast Fourier Transform, FFT)模組，連接該類比數位轉換模組及該控制模組，對該類比數位轉換模組採集之該複數測試電壓進行快速傅立葉轉換分析，以產生該頻譜資料。
如請求項1所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動系統，其中，該濾波模組包含N階之一有限脈衝響應(Finite impulse response, FIR)濾波器；該濾波係數為一N階濾波係數。
如請求項1所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動系統，其中，每一測試訊號之一訊號頻率不同，且該複數測試訊號之該訊號頻率分別依據一預設頻率差依序增減。
如請求項3所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動系統，其中，每一測試訊號之一訊號強度相同，且該複數測試訊號相互疊加。
如請求項1所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動系統，其中，該神經網路單元根據複數樣本頻譜資料以及對應該複數樣本頻譜資料之複數樣本濾波係數進行模型訓練；<br/> 每一樣本頻譜資料由一樣本蜂鳴器接收複數測試訊號所產生之複數樣本電壓，並將該複數樣本電壓進行快速傅立葉轉換分析所產生。
一種具信號補償功能之蜂鳴器驅動方法，應用於一蜂鳴器，步驟包含：<br/> 採集該蜂鳴器接收複數測試訊號所產生之複數測試電壓；<br/> 對該複數測試電壓進行快速傅立葉轉換分析，產生該蜂鳴器之一頻譜資料；<br/> 透過神經網路，根據該頻譜資料運算產生對應該蜂鳴器頻率響應之一濾波係數；<br/> 根據該濾波係數對一音頻播放訊號進行濾波，以產生一輸出訊號驅動該蜂鳴器；<br/> 其中，進一步執行一模型訓練流程，該模型訓練流程之步驟包含：<br/> 接收複數測試訊號產生複數樣本電壓，並將該複數樣本電壓進行快速傅立葉轉換分析產生複數樣本頻譜資料；<br/> 根據該複數樣本頻譜資料以及對應該複數樣本頻譜資料之複數樣本濾波係數進行模型訓練。
如請求項6所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動方法，其中，該濾波係數為N階之一有限脈衝響應濾波器之一N階濾波係數。
如請求項6所述之具信號補償功能之蜂鳴器驅動方法，其中，每一測試訊號之一訊號頻率不同，且該複數測試訊號之該訊號頻率分別依據一預設頻率差依序增減。
一種無線充電裝置，其中，包括： <br/>殼體（1），設有承載蓋板（11），所述承載蓋板（11）用於承載待充電設備； <br/>底座（2），設於所述殼體（1）內； <br/>第一驅動組件（3），設於所述底座（2）； <br/>第二驅動組件（4），所述第二驅動組件包括驅動支架（41）和移動件（43），所述驅動支架（41）設於所述第一驅動組件（3）的能做旋轉運動的輸出端，所述移動件（43）能沿所述驅動支架（41）的延伸方向做直線運動； <br/>其中， 所述驅動支架（41）上間隔設有第一支撐件（411）和第二支撐件（412），所述底座（2）設有滑槽（22），所述第一支撐件（411）和所述第二支撐件（412）設於所述滑槽（22）中，所述滑槽（22）中設有止擋部，所述止擋部用於與所述第一支撐件（411）和所述第二支撐件（412）抵接，以限制所述驅動支架（41）的轉動角度； <br/>充電線圈（5），設於所述移動件（43）；以及 <br/>導線組件（6），所述導線組件（6）的輸入端位於所述底座（2），所述導線組件（6）的輸出端與所述充電線圈（5）連接。
如請求項1所述的無線充電裝置，其中，所述第二驅動組件（4）包括驅動支架（41）、絲桿（42）、移動件（43）和第一動力件（44），所述驅動支架（41）轉動設於所述第一驅動組件（3）的輸出端，所述絲桿（42）轉動設於所述驅動支架（41），所述第一動力件（44）設於所述驅動支架（41）且和所述絲桿（42）傳動連接，所述移動件（43）設有螺孔，且滑動設於所述驅動支架（41）並與所述絲桿（42）螺紋配合。
如請求項1所述的無線充電裝置，其中，所述導線組件（6）包括第一中轉件（61）、第二中轉件（62）、第一弧形件（63）和第二弧形件（64），所述第一弧形件（63）和所述第二弧形件（64）均設於所述底座（2），且弧度值均為180度，所述第一弧形件（63）和所述第二弧形件（64）分別與外部電源（60）的正極和負極電連接，所述第一中轉件（61）和所述第二中轉件（62）均設於所述驅動支架（41），所述驅動支架（41）旋轉過程，所述第一中轉件（61）的一端與所述第一弧形件（63）保持抵接，且所述第二中轉件（62）的一端與所述第二弧形件（64）保持抵接。
如請求項3所述的無線充電裝置，其中，所述第一弧形件（63）與所述第二弧形件（64）同心設置，且所述第一弧形件（63）的半徑尺寸與所述第二弧形件（64）的半徑尺寸不同。
如請求項3所述的無線充電裝置，其中，所述第一中轉件（61）和所述第二中轉件（62）分別設有第一彈性中轉部（611）和第二彈性中轉部（621），所述驅動支架（41）旋轉過程，所述第一彈性中轉部（611）與所述第一弧形件（63）保持抵接，且所述第二彈性中轉部（621）與所述第二弧形件（64）保持抵接。
如請求項5所述的無線充電裝置，其中，所述導線組件（6）包括與所述充電線圈（5）的正極和負極分別連接的第一連接片（65）和第二連接片（66），所述第一連接片（65）和所述第二連接片（66）分別設有第一彈性連接部（651）和第二彈性連接部（661），所述第一中轉件（61）包括第一長條件（612），所述第一彈性中轉部（611）設於所述第一長條件（612），所述第二中轉件（62）包括第二長條件（622），所述第二彈性中轉部（621）設於所述第二長條件（622），所述移動件（43）滑動過程中，所述第一彈性連接部（651）與所述第一長條件（612）保持抵接，所述第二彈性連接部（661）與所述第二長條件（622）保持抵接。
如請求項6所述的無線充電裝置，其中，所述第一彈性連接部（651）抵接所述第一長條件（612）的一端設有第一前連接弧面結構（6511）和第一後連接弧面結構（6512）；和/或 <br/>所述第二彈性連接部（661）抵接所述第二長條件（622）的一端設有第二前連接弧面結構（6611）和第二後連接弧面結構（6612）。
如請求項3所述的無線充電裝置，其中，所述底座（2）設有過孔（21），所述底座（2）上設有與所述過孔（21）連通的第一弧形槽和第二弧形槽，所述第一弧形槽和所述第二弧形槽的弧度值均為180度，所述第一弧形件（63）和所述第二弧形件（64）分別設於所述第一弧形槽和所述第二弧形槽中。
如請求項1至8任一項所述的無線充電裝置，其中，所述導線組件（6）包括環狀導電件（67）、第一彈片（68）和第二彈片（69），外部電源（60）的正極和負極分別連通至第一彈片（68）和第二彈片（69），所述第一彈片（68）和所述第二彈片（69）均位於所述第一驅動組件（3）的輸出端，所述環狀導電件（67）設有相互絕緣的第一導電環（671）和第二導電環（672），所述環狀導電件（67）的一端設於所述第二驅動組件（4），所述第一導電環（671）和所述第二導電環（672）均透過連接線路為所述第二驅動組件（4）供電，所述環狀導電件（67）的另一端設於所述第一驅動組件（3）的輸出端，所述第一彈片（68）和所述第二彈片（69）分別與所述第一導電環（671）和所述第二導電環（672）抵接。
一種診斷裝置，包括： <br/>濾波器，將表示診斷對象的時間變化的原訊號，分割成彼此頻帶不同的第1時域訊號和第2時域訊號； <br/>第1訊號轉換部，透過對前述第1時域訊號進行每個時間寬度的時間-頻率轉換，以計算出表示頻譜強度的時間變化的第1強度訊號，並將前述第1強度訊號相對於時間或頻率進行加總，以產生第1轉換訊號； <br/>第2訊號轉換部，透過對前述第2時域訊號進行每個時間寬度的時間-頻率轉換，以計算出表示頻譜強度的時間變化的第2強度訊號，並將前述第2強度訊號相對於時間或頻率進行加總，以產生第2轉換訊號； <br/>特徵量提取部，用於從前述第1轉換訊號和前述第2轉換訊號提取1個或多個特徵量； <br/>診斷部，基於前述1個或多個特徵量對前述診斷對象進行診斷； <br/>其中，前述特徵量提取部， <br/>提取前述第1轉換訊號的峰值、或大於第1閾值的前述第1轉換訊號的極值，作為第1特徵量；以及 <br/>提取前述第2轉換訊號的峰值、或大於第2閾值的前述第2轉換訊號的極值，作為第2特徵量； <br/>前述診斷部，基於前述第1特徵量和前述第2特徵量對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1所記載之診斷裝置，其中，前述原訊號是表示前述診斷對象之振動的振動訊號、或表示前述診斷對象產生聲音的聲音訊號。
如請求項1所記載之診斷裝置，其中，前述特徵量提取部，對由前述第1轉換訊號乘以對應於前述第1時域訊號的頻帶的權重所得到的值、和由前述第2轉換訊號乘以對應於前述第2時域訊號的頻帶的權重所得到的值進行加總，而算出加總值； <br/>前述診斷部，基於前述加總值對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述第1訊號轉換部，將前述第1時域訊號進行時間分割成為多個訊號成分，並針對分割的每個訊號成分產生前述第1轉換訊號； <br/>前述第2訊號轉換部，將前述第2時域訊號進行時間分割成為多個訊號成分，並針對分割的每個訊號成分產生前述第2轉換訊號。
如請求項4所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述第1訊號轉換部，依據前述第1時域訊號超過第1基準值的時間，對前述第1時域訊號進行時間分割； <br/>前述第2訊號轉換部，依據前述第2時域訊號超過第2基準值的時間，對前述第2時域訊號進行時間分割。
如請求項4所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷對象為包括接點的開關裝置， <br/>前述第1訊號轉換部，根據表示前述接點之操作的訊號變化的時間，對前述第1時域訊號進行時間分割； <br/>前述第2訊號轉換部，根據前述時間，對前述第2時域訊號進行時間分割。
如請求項1所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷對象為與電力系統的供電路徑電性連接的開關裝置； <br/>前述診斷裝置，更包括：控制部，用以控制前述開關裝置，使得前述開關裝置的斷開操作和閉合操作在可抑制前述電力系統斷電的短時間內進行； <br/>前述特徵量提取部，從在前述開關裝置的斷開操作期間所取得的前述原訊號中，提取前述第1特徵量，且從在前述開關裝置閉合操作期間所取得的前述原訊號中，提取前述第2特徵量。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述特徵量提取部，基於透過機器學習所產生的訓練完成模型，來設定前述第1閾值和前述第2閾值。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷部，是基於前述第1特徵量被提取的時間與前述第2特徵量被提取的時間兩者之間的時間差，來對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷部，基於前述第1特徵量被提取的期間中的前述原訊號的頻率、和前述第2特徵量被提取的期間中的前述原訊號的頻率，來對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷部，基於前述第1特徵量被提取的期間中前述第1轉換訊號的衰減時間、和在前述第2特徵量被提取的期間中前述第2轉換訊號的衰減時間，來對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷部，偵測前述第1特徵量被提取的期間中的前述第1轉換訊號的變化量、和前述第2特徵量被提取的期間中的前述第2轉換訊號的變化量，來對前述診斷對象進行診斷。
如請求項1至7中任一項所記載之診斷裝置，其中， <br/> 前述診斷部，透過外插前述第1特徵量和前述第2特徵量，來估計前述診斷對象的壽命。
如請求項13所記載之診斷裝置，其中， <br/>前述診斷部，通知前述診斷對象的建議更新時間，前述診斷對象的建議更新時間是根據前述壽命而決定。
一種診斷方法，包括： <br/>分割之步驟，將表示診斷對象的時間變化的原訊號，分割成彼此頻帶不同的第1時域訊號和第2時域訊號； <br/>產生第1轉換訊號之步驟，透過對前述第1時域訊號進行每個時間寬度的時間-頻率轉換，以計算出表示頻譜強度的時間變化的第1強度訊號，並將前述第1強度訊號相對於時間或頻率進行加總，以產生第1轉換訊號； <br/>產生第2轉換訊號之步驟，透過對前述第2時域訊號進行每個時間寬度的時間-頻率轉換，以計算出表示頻譜強度的時間變化的第2強度訊號，並將前述第2強度訊號相對於時間或頻率進行加總，以產生第2轉換訊號； <br/>提取特徵量之步驟，用於從前述第1轉換訊號和前述第2轉換訊號提取1個或多個特徵量；以及 <br/>診斷之步驟，用於根據前述1個或多個特徵量對前述診斷對象進行診斷； <br/>其中，前述提取特徵之步驟，包括 <br/>第1提取步驟，提取前述第1轉換訊號的峰值、或大於第1閾值的前述第1轉換訊號的極值，作為第1特徵量；以及 <br/>第2提取步驟，提取前述第2轉換訊號的峰值、或大於第2閾值的前述第2轉換訊號的極值，作為第2特徵量； <br/>前述診斷之步驟，基於前述第1特徵量和前述第2特徵量對前述診斷對象進行診斷。
一種離子植入系統，包括： <br/>離子源，用於產生離子束； <br/>一或多個束線組件，位於所述離子源下游以朝向工件導引所述離子束； <br/>製程腔室，容納台板；以及 <br/>隔離閥，設置於所述製程腔室與所述一或多個束線組件中緊鄰地位於所述製程腔室上游的組件之間。
如請求項1所述的離子植入系統，其中緊鄰地位於所述製程腔室上游的所述組件包括加速/減速級。
如請求項2所述的離子植入系統，其中所述加速/減速級是包括多個經加偏壓桿的靜電過濾器。
如請求項3所述的離子植入系統，其中所述隔離閥不接觸所述多個經加偏壓桿中的任一者。
如請求項1所述的離子植入系統，其中所述隔離閥包括主體及可移動板。
如請求項5所述的離子植入系統，其中所述可移動板自所述離子束上方的位置下降以將所述製程腔室隔離。
如請求項5所述的離子植入系統，其中所述可移動板自所述離子束下方的位置向上移動以將所述製程腔室隔離。
如請求項5所述的離子植入系統，其中所述可移動板沿著平行於所述製程腔室的前壁的路徑行進。
一種離子植入系統，包括： <br/>離子源，用於產生離子束； <br/>一或多個束線組件，位於所述離子源下游以朝向工件導引所述離子束； <br/>製程腔室，容納台板；以及 <br/>隔離閥，設置於所述製程腔室與所述一或多個束線組件中緊鄰地位於所述製程腔室上游的組件之間，其中所述隔離閥包括主體及可移動板，且所述可移動板沿著不平行於所述製程腔室的前壁的路徑行進。
如請求項9所述的離子植入系統，其中所述可移動板自所述離子束下方的位置向上移動以將所述製程腔室隔離。
如請求項10所述的離子植入系統，其中當所述可移動板向上移動時，所述可移動板逐漸靠近所述製程腔室。
如請求項9所述的離子植入系統，其中所述可移動板自所述離子束上方的位置向下移動以將所述製程腔室隔離。
如請求項12所述的離子植入系統，其中當所述可移動板向下移動時，所述可移動板逐漸靠近所述製程腔室。
如請求項9所述的離子植入系統，其中緊鄰地位於所述製程腔室上游的所述組件包括加速/減速級。
如請求項14所述的離子植入系統，其中所述加速/減速級是包括多個經加偏壓桿的靜電過濾器，且其中所述隔離閥不接觸所述多個經加偏壓桿中的任一者。
一種離子植入系統，包括： <br/>離子源，用於產生離子束； <br/>一或多個束線組件，位於所述離子源下游以朝向工件導引所述離子束； <br/>製程腔室，容納台板；以及 <br/>隔離閥，設置於所述製程腔室與所述一或多個束線組件中緊鄰地位於所述製程腔室上游的組件之間，其中所述隔離閥包括主體及可移動板，其中所述可移動板自所述離子束上方的位置下降以將所述製程腔室隔離。
如請求項16所述的離子植入系統，其中所述可移動板沿著平行於所述製程腔室的前壁的路徑行進。
如請求項16所述的離子植入系統，其中所述可移動板沿著不平行於所述製程腔室的前壁的路徑行進。
如請求項16所述的離子植入系統，其中緊鄰地位於所述製程腔室上游的所述組件包括加速/減速級。
如請求項19所述的離子植入系統，其中所述加速/減速級是包括多個經加偏壓桿的靜電過濾器，且其中所述隔離閥不接觸所述多個經加偏壓桿中的任一者。
一種口腔清潔盆，供使用者以側臥、坐臥或半坐臥姿勢進行漱口作業，包含： <br/>一盆體，為一體成型之結構，該盆體包含： <br/>一第一側板，為弧型板體，且該第一側板之一側係具有一凹陷部； <br/>一第二側板，為弧形板體且相對該第一側板設置，該第一側板之兩端係與該第二側板之兩端相互連接；及 <br/>一第三側板，為矩形板體，該第三側板之相對兩端係分別與該第一側板及該第二側板連接處相互連接設置； <br/>其中，該第一側板及該第三側板夾設形成一淨水容置空間，供以容置潔淨水，該第三側板及該第二側板夾設形成一汙水容置空間，供以容置口腔清潔後之汙水，該第一側板之高度為X，該第二側板之高度為Y，該第三側板之高度為Z，且符合Z＜X≦Y，該淨水容置空間之容積小於該汙水容置空間之容積； <br/>一淨水蓋，係蓋設於該淨水容置空間頂側且由該第一側板朝該第三側板傾斜，該淨水蓋具有二活動部及一固定部，該固定部具有一水平區段及一垂直區段，且該水平區段係與該第三側板及局部之該第一側板邊緣為一體成型結構，該等活動部係呈對稱設置而位於該垂直區段之相對兩側且一端分別與該固定部之該水平區段相互樞接，以相對該淨水容置空間開啟或關閉；其中，該淨水蓋亦具有至少一穿孔及一導流槽，該導流槽係設於該垂直區段且與該凹陷部相對應，該導流槽並由該第一側板朝該第三側板方向延伸至該固定部邊緣，該導流槽之兩側分別具有一擋牆，該穿孔係設置於該固定部；其中，各該擋牆由該第一側板朝該第三側板方向依序具有一彈性區段及一固定區段，並該彈性區段係可因應受力而縮合； <br/>至少一給水組件，包含一第一管體、一幫浦、一第二管體、一第一單向閥及一第二單向閥，該第一管體供插設於該穿孔且一端凸出於該穿孔外，該幫浦一側係與該第一管體之端末組接，另一側與該第二管體連接，該第一單向閥係設於該幫浦與該第一管體組接之開口處，該第二單向閥設於該第二管體內；其中該幫浦係相對該第一管體為可拆式結構，且該第一管體及該第二管體為可彎折結構，按壓該幫浦，該潔淨水係由該第一管體流往該幫浦及該第二管體； <br/>二軟墊，設於該淨水蓋之該等活動部表面； <br/>一可拆式頸部掛帶，兩端係分別組設於該第一側板及該第二側板連接處，且該可拆式頸部掛帶中央位置之厚度與寬度係大於其他區域；及 <br/>一握把，設於該第二側板且為彎弧型結構，該握把之一端係連接於該第二側板之頂側邊緣。
如請求項1所述之口腔清潔盆，其中，該穿孔係為長條狀，且該淨水蓋係更包含至少一對活動蓋板，該對活動蓋板係分設於該穿孔之相對兩側，且可朝向該穿孔之中心方向滑移，各該活動蓋板朝向該穿孔之中心之端係具有一弧形凹部及一磁吸元件；當該給水組件插設於該穿孔後，分別滑移該對活動蓋板使該對活動蓋板因應該等磁吸元件固定，且該等弧形凹部係夾設於該第一管體周側。
如請求項2所述之口腔清潔盆，其中，該等弧形凹部之邊緣係具有一阻擋部，且該阻擋部之高度為0.5～1.5mm。
如請求項1所述之口腔清潔盆，其中，該穿孔之邊緣係具有一凸起部，且該凸起部之高度為0.5～1.5mm。
如請求項1或2或3或4所述之口腔清潔盆，其中，該第二側板頂側邊緣係延伸形成一防濺板，該防濺板為朝向該第一側板方向彎曲之弧型板體。
如請求項5所述之口腔清潔盆，其中，該淨水蓋之傾斜角度為10～25度。
如請求項6所述之口腔清潔盆，其中，該等活動部之一側係設有一密封膠條，該密封膠條係對應該第一側板之頂側邊緣，以於該等活動部蓋合時壓抵於該第一側板之頂側邊緣。
如請求項7所述之口腔清潔盆，其中，該盆體係具有複數橡膠墊片及一格紋結構，該格紋結構係分布於該盆體之外底面，該等橡膠墊片係間隔排列設置於該盆體之外底面。
如請求項8所述之口腔清潔盆，其中，該第三側板之長度為20～25cm，該淨水蓋之最大寬度為6～7cm，該導流槽之長度為4.5～5.5cm，該第三側板與該第二側板之最大間距為11～13cm。
一種鞋底，包含：<br/>一本體，具有可撓性；<br/>一第一彈性單元，嵌設於該本體，其中該第一彈性單元包含一第一囊體界定出一第一容置空間及一第一流體設置於該第一容置空間，該第一囊體的至少局部具有光能傳遞性；以及<br/>一第一光學單元，對應該第一彈性單元設置，其中該第一光學單元的至少局部用於使一光線的能量透過該第一囊體傳遞給該第一流體。
如請求項1所述的鞋底，其中該第一光學單元的至少局部設有一第一透鏡，且該第一透鏡用於讓該光線穿透並聚焦在該第一容置空間。
如請求項2所述的鞋底，其中該第一透鏡是一凸透鏡或一菲涅耳透鏡（Fresnel lens）。
如請求項1所述的鞋底，其中該第一囊體的數量為二個。
如請求項4所述的鞋底，其中該第一光學單元的至少局部設有二第一透鏡對應該二第一囊體。
如請求項1所述的鞋底，其中該本體包含：<br/>一第一表面；<br/>一第二表面，與該第一表面相對；<br/>一第三表面，連接於該第一表面與該第二表面之間；以及<br/>一第一容室，形成於該本體，其中該第一容室包含一第一開口形成於該第一表面，該第一彈性單元對應該第一開口嵌設於該第一容室。
如請求項6所述的鞋底，其中該第一容室更包含一第二開口形成於該第三表面，且該第一光學單元對應該第二開口設置於該第一容室。
如請求項6所述的鞋底，其中該第一容室更包含一第二開口形成於該第二表面，且該第一光學單元對應該第二開口設置於該第一容室。
如請求項6所述的鞋底，其中該第一光學單元設置於該第一彈性單元遠離該第一容室的一表面。
如請求項6至9任一項所述的鞋底，其中該第一容室具有一第一底端遠離該第一表面，當該第一表面未受壓時，該第一囊體與該第一底端之間具有一第一間距，當該第一表面受壓時，該第一囊體與該第一底端之間具有一第二間距，且該第二間距小於該第一間距。
如請求項7或9所述的鞋底，其中該第一容室具有一第一底面遠離該第一表面，該本體更包含一緩衝塊自該第一底面朝向該第一表面凸出，當該第一表面未受壓時，該第一囊體與該緩衝塊之間具有一第一間距，當該第一表面受壓時，該第一囊體與該緩衝塊之間具有一第二間距，且該第二間距小於該第一間距。
如請求項6至9任一項所述的鞋底，其中該第一囊體的數量為二個，該第一容室具有一第一底端遠離該第一表面，當該第一表面未受壓時，該二第一囊體與該第一底端之間的間距不同，當該第一表面受壓時，該二第一囊體與該第一底端之間的間距皆變小。
如請求項7或9所述的鞋底，其中該第一囊體的數量為二個，該第一容室具有一第一底面遠離該第一表面，且該本體更包含二緩衝塊自該第一底面朝向該第一表面凸出且對應該二第一囊體。
如請求項6所述的鞋底，其中於該鞋底的一俯視視角，該第一容室具有U型形狀，該第一容室更包含一第二開口形成於該第三表面，該第一囊體的數量為複數個，該複數個第一囊體對應該第一開口嵌設於該第一容室，該第一光學單元對應該第二開口設置於該第一容室，且該第一光學單元的至少局部設有複數個第一透鏡對應該複數個第一囊體。
如請求項1所述的鞋底，其中該第一彈性單元更包含一第二囊體界定出一第二容置空間以及一第二流體設置於該第二容置空間，該第二囊體的至少局部具有光能傳遞性，該鞋底更包含一第二光學單元對應該第二囊體，且該第二光學單元的至少局部用於使另一光線的能量透過該第二囊體傳遞給該第二流體。
如請求項1所述的鞋底，更包含：<br/>一第二彈性單元，嵌設於該本體，其中該第二彈性單元包含界定出一第二容置空間的一第二囊體及設置於該第一容置空間的一第二流體，該第二囊體的至少局部具有光能傳遞性；以及<br/>一第二光學單元，對應該第二彈性單元設置，其中該第二光學單元的至少局部用於使另一光線的能量透過該第二囊體傳遞給該第二流體。
如請求項16所述的鞋底，其中該本體包含：<br/>一第一表面；<br/>一第二表面，與該第一表面相對；<br/>一第三表面，連接於該第一表面與該第二表面之間；<br/>一第一容室，形成於該本體，其中該第一容室包含一第一開口形成於該第一表面以及一第二開口形成於該第三表面，該第一彈性單元對應該第一開口嵌設於該第一容室，且該第一光學單元對應該第二開口設置於該第一容室；以及<br/>一第二容室，形成於該本體，其中該第二容室包含一第三開口形成於該第一表面以及一第四開口形成於該第三表面且與該第二開口相對設置，該第二彈性單元對應該第三開口嵌設於該第二容室，且該第二光學單元對應該第四開口設置於該第二容室。
如請求項17所述的鞋底，其中該第一容室具有一第一底面遠離該第一表面，該第二容室具有一第二底面遠離該第一表面，當該第一表面未受壓時，該第一囊體與該第一底面之間具有一第一間距且該第二囊體與該第二底面之間具有一第二間距，當該第一表面受壓時，該第一囊體與該第一底面之間具有一第三間距且該第二囊體與該第二底面之間具有一第四間距，且該第三間距小於該第一間距且該第四間距小於該第二間距。
如請求項6、7、8、9、14、17及18任一項所述的鞋底，其中該第一囊體是由一第一撓性片及一第二撓性片連接而成，該第一撓性片包含一第一周緣部以及一第一凹部，該第一周緣部固定於該第一表面，該第一凹部自該第一周緣部朝向該第二表面凹陷且位於該第一容室並界定出一第一空腔，且該第二撓性片封閉該第一空腔形成該第一容置空間。
如請求項19所述的鞋底，其中該本體更包含一凸緣部形成於該本體的一周緣，該凸緣部具有一內側表面與該第一表面連接，且該第二撓性片包含一第二周緣部固定於該內側表面。
如請求項7、8、14、17及18任一項所述的鞋底，其中該第一光學單元包含一基部以及一第一透鏡，該基部固定於該第一容室，該第一透鏡自該基部朝遠離該第一容室的方向凸出且用於讓該光線穿透並聚焦在該第一容置空間。
如請求項1所述的鞋底，其中該本體的材質是一第一熱塑性樹脂、一熱固性樹脂或其組合，該第一囊體的材質是一第二熱塑性樹脂，該第一流體是一氣體，且該第一光學單元的材質是一第三熱塑性樹脂。
一種鞋子，包含：<br/>如請求項1至22任一項所述的鞋底。
一種線性光源模組，其包括：<br/> 一基板，定義一第一方向及垂直所述第一方向的一第二方向；以及<br/> 多個發光元件，設置於所述基板上並沿所述第一方向間隔排列，其中每一所述發光元件包括一發光單元及一光擴散層，所述發光單元具有一頂發光面、在所述第一方向上相對設置的兩個第一側發光面及在所述第二方向上相對設置的兩個第二側發光面，所述光擴散層覆蓋所述頂發光面與兩個所述第二側發光面，但未覆蓋兩個所述第一側發光面。
如請求項1所述的線性光源模組，其中，兩個相鄰的所述發光元件的間距在1 mm至20 mm的範圍內。
如請求項1所述的線性光源模組，其中，所述光擴散層的厚度在30 μm至150 μm的範圍內；其中，所述光擴散層的材料中含有二氧化鈦粒子，且以所述光擴散層的材料的總重為100 wt%計，所述二氧化鈦粒子的含量在10 wt%至60 wt%的範圍內。
如請求項1所述的線性光源模組，其中，每一所述發光元件包括設置於所述發光單元與所述光擴散層之間的一波長轉換層，且所述波長轉換層覆蓋所述頂發光面、兩個所述第一側發光面與兩個所述第二側發光面。
如請求項4所述的線性光源模組，其中，所述波長轉換層的厚度在30 μm至150 μm的範圍內。
如請求項4所述的線性光源模組，其中，每一所述發光元件包括設置於所述光擴散層與所述波長轉換層之間的一可透光層，且所述可透光層位於所述頂發光面的上方。
如請求項1所述的線性光源模組，其中，每一所述發光元件包括設置於所述發光單元與所述光擴散層之間的一可透光層。
如請求項7所述的線性光源模組，其中，所述可透光層覆蓋所述頂發光面、兩個所述第一側發光面與兩個所述第二側發光面。
如請求項7所述的線性光源模組，其中，所述可透光層填充於所述光擴散層與兩個所述第二側發光面之間的間隙中，且在所述光擴散層與所述頂發光面之間無間隙存在。
如請求項8或9所述的線性光源模組，其中，所述可透光層中含有擴散粒子。
一種式I化合物的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，所述甲磺酸鹽晶型A使用Cu−Kα輻射，以2θ表示的X射線粉末衍射圖在下述位置具有衍射峰：5.60°±0.2°、12.31°±0.2°、15.40°±0.2°；<br/><img align="absmiddle" height="35px" width="75px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式I化合物甲磺酸鹽結構式。
如請求項1所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，所述甲磺酸鹽晶型A以2θ角表示的X射線粉末衍射圖在下述的位置有衍射峰：5.60°±0.2°、9.47°±0.2°、10.99°±0.2°、12.31°±0.2°、15.40°±0.2°、17.57°±0.2°、19.15°±0.2°。
如請求項1所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，所述甲磺酸鹽晶型A以2θ角表示的X射線粉末衍射圖在下述的位置有衍射峰：5.60°±0.2°、9.47°±0.2°、10.99°±0.2°、12.31°±0.2°、14.86°±0.2°、15.40°±0.2°、17.12°±0.2°、17.57°±0.2°、18.33°±0.2°、19.15°±0.2°、22.42°±0.2°、22.94°±0.2°。
如請求項1所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，所述甲磺酸鹽晶型A以2θ角表示的X射線粉末衍射圖在下述的位置有衍射峰：5.60°±0.2°、7.35°±0.2°、9.47°±0.2°、10.99°±0.2°、11.36°±0.2°、12.31°±0.2°、13.48°±0.2°、14.02°±0.2°、14.86°±0.2°、15.40°±0.2°、16.45°±0.2°、17.12°±0.2°、17.57°±0.2°、18.33°±0.2°、19.15°±0.2°、19.66°±0.2°、20.10°±0.2°、20.66°±0.2°、21.78°±0.2°、22.42°±0.2°、22.94°±0.2°、23.44°±0.2°、26.69°±0.2°、27.18°±0.2°、28.95°±0.2°、34.31°±0.2°、36.14°±0.2°。
如請求項2所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，所述甲磺酸鹽晶型A以2θ角表示的X射線粉末衍射圖具有如下表所示的衍射峰：<br/> 。
如請求項1~5任一項所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，其滿足如下一個或多個條件：<br/> (1) 所述甲磺酸鹽晶型A的差示掃描量熱圖在213.85℃±3℃峰值處有一個吸熱峰；<br/> (2) 所述甲磺酸鹽晶型A的熱重分析圖在升溫至180℃處有0.85%的重量損失；<br/> (3) 所述甲磺酸鹽晶型A為單甲磺酸鹽的無水晶型。
如請求項6所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，其滿足如下一個或多個條件：<br/> (1)所述甲磺酸鹽晶型A的差示掃描量熱圖在213.85℃±3℃峰值處有一個吸熱峰，熔化熱為66.99J/g；<br/> (2) 所述甲磺酸鹽晶型A的熱重分析圖基本上如圖2所示。
如請求項6所述的甲磺酸鹽晶型A，其特徵在於，其滿足以下條件的一個或多個：<br/> (1)所述甲磺酸鹽晶型A通過以下參數獲得X射線粉末衍射圖：<br/> ；<br/> (2)所述甲磺酸鹽晶型A通過以下參數獲得晶體形式的TGA和/或DSC圖案：<br/> 。
一種如請求項1~8任一項所述的甲磺酸鹽晶型A在製備藥物中的應用，<br/> 所述的藥物用於治療和/或預防受電壓門控鉀通道影響的疾病或病症。
一種如請求項1~8任一項所述的甲磺酸鹽晶型A在製備藥物中的應用，<br/> 所述的藥物用於治療和/或預防下述疾病或病症中的一種或多種：癲癇、肌萎縮側索硬化、抑鬱症和疼痛。
一種光固化樹脂材料，包含： <br/>一第一光固化樹脂，由一第一高分子樹脂材料以及一第一光引發劑合成； <br/>一第二光固化樹脂，由一第二高分子樹脂材料以及一第二光引發劑合成；以及 <br/>一第三光固化樹脂，由一第三高分子樹脂材料以及一第三光引發劑合成； <br/>其中，該第一高分子樹脂材料、該第二高分子樹脂材料以及該第三高分子樹脂材料均係由一第一預聚物以及一第二預聚物反應合成，該第一預聚物不同於該第二預聚物，且該第一高分子樹脂材料、該第二高分子樹脂材料以及該第三高分子樹脂材料內之該第一預聚物與該第二預聚物之重量比各不相同； <br/>其中，該第一光引發劑、該第二光引發劑以及該第三光引發劑均係由一光起始劑以及一硬化促進劑反應合成，並且，該第一光引發劑、該第二光引發劑以及該第三光引發劑中之該硬化促進劑之占比各不相同。
如請求項1所述之光固化樹脂材料，其中，該硬化促進劑在該第一光引發劑中具有一第一占比，該硬化促進劑在該第二光引發劑中具有一第二占比，該硬化促進劑在該第三光引發劑具有一第三占比，該第一占比低於該第二占比，該第二占比低於該第三占比。
如請求項2所述之光固化樹脂材料，其中，該第一占比介於40wt%與50wt%之間，該第二占比介於50wt%與60wt%之間，該第三占比介於60wt%與70wt%之間。
如請求項1所述之光固化樹脂材料，其中，該第一高分子樹脂材料內該第一預聚物所占之比例高於該第二高分子樹脂材料內該第一預聚物所占之比例，但低於該第三高分子樹脂材料內之該第一預聚物所占之比例。
如請求項4所述之光固化樹脂材料，其中，該第二高分子樹脂材料內之該第一預聚物與該第二預聚物之重量比為1:1，該第二高分子樹脂材料內之該第一預聚物與該第二預聚物之重量比為1:2，該第三高分子樹脂材料內之該第一預聚物與該第二預聚物之重量比為2:1。
如請求項1所述之光固化樹脂材料，更包含一染料。
如請求項1所述之光固化樹脂材料，其中，該第一光引發劑在該第一光固化樹脂中所占之重量比介於1wt%-5wt%。
一種製造方法，適於製造一光固化樹脂材料，該製造方法包含： <br/>利用一第一預聚物以及一第二預聚物反應合成一第一高分子樹脂材料、一第二高分子樹脂材料以及一第三高分子樹脂材料，其中，該第二高分子樹脂材料以及該第三高分子樹脂材料內之該第一預聚物與該第二預聚物之重量比各不相同； <br/>利用一光起始劑以及一硬化促進劑反應合成一第一光引發劑、一第二光引發劑以及一第三光引發劑，其中，該第一光引發劑、該第二光引發劑以及該第三光引發劑中之該硬化促進劑之占比各不相同； <br/>利用該第一高分子樹脂材料以及該第一光引發劑反應合成一第一光固化樹脂，利用該第二高分子樹脂材料以及該第二光引發劑反應合成一第二光固化樹脂，並利用該第三高分子樹脂材料以及該第三光引發劑反應合成一第三光固化樹脂；以及 <br/>將該第一光固化樹脂、該第二光固化樹脂以及該第三光固化樹脂進行混合，以獲得該光固化樹脂材料。
如請求項8所述之製造方法，其中，將該第一光固化樹脂、該第二光固化樹脂以及該第三光固化樹脂進行混合，以獲得該光固化樹脂材料之步驟係將該第一光固化樹脂、該第二光固化樹脂、該第三光固化樹脂、一助劑以及一溶劑進行混合，以獲得該光固化樹脂材料。
一種固化方法，適於固化請求項1所述之光固化樹脂材料，該固化方法包含： <br/>利用該光固化樹脂材料形成一濕膜於一底材上； <br/>利用一發光二極體光源照射該濕膜，而形成一預固化膜； <br/>利用一準分子光源照射該預固化膜，而形成一反應固化膜；以及 <br/>利用一紫外光源照射該反應固化膜，而形成一全固化膜。
如請求項10所述之固化方法，其中，該準分子光源之波長介於200nm至400nm。
如請求項10所述之固化方法，其中，該紫外光源係一汞燈光源。
如請求項10所述之固化方法，其中，該濕膜的厚度介於20至30微米。
一種藥液，其用於選自由預濕液、顯影液、沖洗液、光阻液的溶劑及剝離液組成之群組中的至少1種，其中 <br/>該藥液含有有機溶劑、有機雜質及金屬雜質， <br/>該有機雜質包含磷酸酯及己二酸酯， <br/>該磷酸酯的含量相對於該己二酸酯的含量之質量比例為1～10<sup>4</sup>， <br/>該金屬雜質包含含金屬的粒子及金屬離子， <br/>該含金屬的粒子包含粒徑為0.5～17 nm的金屬奈米粒子。
如請求項1所述的藥液，其中 <br/>該磷酸酯的含量相對於該藥液的總質量為0.1質量ppt～100質量ppm。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該己二酸酯的含量相對於該藥液的總質量為0.1質量ppt～10質量ppm。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該有機雜質進一步包含鄰苯二甲酸酯。
如請求項4所述的藥液，其中 <br/>該鄰苯二甲酸酯的含量相對於該藥液的總質量為0.1質量ppt～10質量ppm。
如請求項4所述的藥液，其中 <br/>該磷酸酯的含量相對於該鄰苯二甲酸酯的含量之質量比例為10<sup>-2</sup>～10。
如請求項4所述的藥液，其中 <br/>該己二酸酯的含量相對於該鄰苯二甲酸酯的含量之質量比例為10<sup>-3</sup>～10。
如請求項1或2所述的藥液，其進一步含有水， <br/>該水的含量相對於該藥液的總質量為0.001～0.10質量%。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該有機雜質進一步含有選自由醇及丙酮組成之群組中的至少1種。
如請求項9所述的藥液，其中 <br/>該醇為選自由甲醇、乙醇、正丁醇及環己醇組成之群組中的至少1種。
如請求項9所述的藥液，其中 <br/>該醇及該丙酮的含量的合計相對於該藥液的總質量為1質量ppt～3000質量ppm。
如請求項9所述的藥液，其中 <br/>該磷酸酯的含量相對於該醇及該丙酮的含量的合計之質量比例為10<sup>-3</sup>～10<sup>9</sup>。
如請求項9所述的藥液，其中 <br/>該己二酸酯的含量相對於該醇及該丙酮的含量的合計之質量比例為10<sup>-1</sup>～10<sup>5</sup>。
如請求項9所述的藥液，其進一步含有水， <br/>該水的含量相對於該醇及該丙酮的含量的合計之質量比例為1～10<sup>9</sup>。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該金屬雜質的含量相對於該藥液的總質量為0.1～2000質量ppt。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該金屬奈米粒子包含由氧化鐵組成之第1氧化鐵奈米粒子， <br/>該藥液的每單位體積中該第1氧化鐵奈米粒子的含有粒子數為10～1.0×10<sup>11</sup>個/cm<sup>3</sup>。
如請求項16所述的藥液，其進一步含有水， <br/>該金屬奈米粒子含有包含氧化鐵及有機化合物之第2氧化鐵奈米粒子， <br/>該藥液的每單位體積中，該第2氧化鐵奈米粒子的含有粒子數相對於該第1氧化鐵奈米粒子的含有粒子數之比為10～10<sup>8</sup>。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>該有機雜質進一步包含穩定化劑。
如請求項18所述的藥液，其中 <br/>該穩定化劑為抗氧化劑。
如請求項18所述的藥液，其進一步含有水， <br/>該水的含量相對於該穩定化劑的含量之質量比例為10～10<sup>5</sup>。
如請求項18所述的藥液，其中 <br/>該有機雜質進一步包含選自由醇及丙酮組成之群組中的至少1種， <br/>該醇及該丙酮的含量的合計相對於該穩定化劑的含量之質量比例為10<sup>-7</sup>～10<sup>3</sup>。
如請求項18所述的藥液，其中 <br/>該穩定化劑為選自由二丁基羥基甲苯、氫醌、3,3’-硫代二丙酸雙十二烷基酯、3,3’-硫代二丙酸雙十八烷基酯、3,3’-硫代二丙酸雙十四烷基酯、4,4’-亞丁基雙-(6-第三丁基-3-甲基苯酚)、2,2’-亞甲基雙-(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、丁基羥基茴香醚、三(2-乙基己基)亞磷酸酯及亞磷酸三異癸酯組成之群組中的至少1種抗氧化劑。
如請求項18所述的藥液，其中 <br/>該穩定化劑的沸點為150～500℃。
如請求項1或2所述的藥液，其中 <br/>藉由光散射型液中粒子計數器被計數之0.04 μm以上的尺寸的被計數體的數量為100個/mL以下。
如請求項1或2所述的藥液，其用作選自包括顯影液、沖洗液、預濕液及配管清洗液之群組中的至少1種液體的原料。
一種藥液收容體，其具有容器及被收容在該容器內之如請求項1至25中任一項所述之藥液。
如請求項26所述的藥液收容體，其中 <br/>該容器的接液部的至少一部分為氟樹脂、經電解研磨之不鏽鋼或玻璃。
如請求項26或27所述的藥液收容體，其中 <br/>該藥液收容體中的該容器的孔隙率為5～30體積%， <br/>該孔隙率依據下式（X）來進行計算， <br/>式（X）：孔隙率（體積%）=｛1-（容器內的藥液的體積/容器的容器體積）｝×100。
一種罐蓋，該罐蓋包含：<br/> 一蓋體，包含一蓋板及一環壁，該環壁連接於該蓋板的周緣且該環壁由該蓋板之周緣朝下延伸，該環壁具有一環壁底面；<br/> 至少一凸塊，係分別連接於該蓋板之周緣，且該至少一凸塊由該蓋板之周緣朝背離該環壁之方向朝上延伸，該至少一凸塊具有一凸塊頂面，該環壁的環壁底面與該至少一凸塊的凸塊頂面的位置上、下對應，以強化該蓋板與該環壁的連接處的結構。
如請求項1所述之罐蓋，其中該蓋板係板體，該至少一凸塊包括二凸塊，各該凸塊係C形塊體，於該二凸塊之間形成二空隙。
如請求項1所述之罐蓋，其中該蓋板具有一朝上突起形成之凸部，該凸部的周緣連接一環部，該環部的外周緣與該環壁相連；該凸部具有一凸部頂面，該環部具有一環部頂面；該至少一凸塊連接於該環部之周緣。
如請求項3所述之罐蓋，其中於該罐蓋定義有一中心軸，該凸部頂面與該環部頂面的外周緣之間沿該中心軸的距離具有一第一高度，該環部頂面與該環壁背離該蓋體方向的端緣之間沿該中心軸的距離具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度。
如請求項4所述之罐蓋，其中各該凸塊與該環壁背離該蓋體方向的端緣之間沿該中心軸的距離具有一第三高度，該第三高度大於該第一高度與該第二高度之和的0.5倍。
如請求項1所述之罐蓋，其中於該罐蓋定義有一中心軸，該蓋板具有一凸部頂面及一周面，該凸部頂面沿該中心軸的高度高於該周面沿該中心軸的高度，該凸部頂面的周邊連接該周面的內周緣，該周面的外周緣連接該環壁，該至少一凸塊連接於該周面之外周緣。
如請求項6所述之罐蓋，其中該凸部頂面與該周面的外周緣之間沿該中心軸的距離具有一第四高度，該周面的外周緣與該環壁背離該蓋體方向的端緣之間沿該中心軸的距離具有一第五高度，該第四高度大於該第五高度。
如請求項7所述之罐蓋，其中各該凸塊與該環壁背離該蓋體方向的端緣之間沿該中心軸的距離具有一第六高度，該第六高度大於該第四高度與該第五高度之和的0.5倍。
一種處理基板之方法，包含：<br/> 在一處理腔室中提供該基板，其中該基板為一半導體基板，其包含一基板層及位於該基板層上方的光阻；以及<br/> 對該光阻執行一處理，以改變該光阻的材料特性，俾使得在後續的曝光後乾式顯影處理中的蝕刻選擇性增加，<br/> 其中該處理涉及伴隨溫度、壓力、周圍氣體化學品、氣體流量/比率、及濕度之控制的熱處理，以及<br/> 其中該周圍氣體化學品包含一反應性氣體物種，且其中該反應性氣體物種係選自由以下者所組成之群組：水、氫(H<sub>2</sub>)、氧(O<sub>2</sub>)、臭氧、過氧化氫、一氧化碳、二氧化碳、羰基硫、二氧化硫、氯(Cl<sub>2</sub>)、氨、氧化亞氮、一氧化氮、甲烷、醇、乙醯丙酮、甲酸、草醯氯、吡啶、羧酸、胺、及其組合。
如請求項1之處理基板之方法，其中該處理致使該光阻中的交聯作用增加。
如請求項1之處理基板之方法，其中該反應性氣體物種包含水以及以下一者以上：氧(O<sub>2</sub>)、過氧化氫、臭氧、氯(Cl<sub>2</sub>)、或氧化亞氮。
如請求項1之處理基板之方法，其中該反應性氣體物種包含水以及氧(O<sub>2</sub>)、過氧化氫、臭氧、氯(Cl<sub>2</sub>)、或氧化亞氮。
如請求項1之處理基板之方法，其中該反應性氣體物種包含水以及過氧化氫。
如請求項1之處理基板之方法，其中該反應性氣體物種包含水以及臭氧。
如請求項1之處理基板之方法，其中該反應性氣體物種包含水以及氧(O<sub>2</sub>)。
如請求項1之處理基板之方法，其中該光阻包含金屬。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該光阻已被塗佈於該基板層但尚未暴露於圖案化輻射，且該處理為一塗佈後烘烤處理(PAB)。
如請求項9之處理基板之方法，其中該處理使得該光阻的曝光輻射敏感性增加，從而與未進行該處理之情況下所達到之較高的期望尺寸劑量(dose to size)和較高的線邊緣粗糙度相比，而在該基板暴露於該圖案化輻射時實現較低的期望尺寸劑量(dose to size)，並在該基板暴露於該圖案化輻射之後實現較低的線邊緣粗糙度。
如請求項9之處理基板之方法，其中該處理係在約90至250°C之間的溫度下進行。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該光阻已透過部分地暴露於圖案化輻射而被圖案化，從而引致該光阻的經曝光與未曝光部分，且該處理為一曝光後烘烤處理(PEB)。
如請求項12之處理基板之方法，其中該處理係在約170至250°C之間的溫度下進行。
如請求項13之處理基板之方法，其中藉由該處理而改變該光阻之未曝光與經曝光部分的組成，俾(i) 增加在乾式顯影蝕刻氣體中的蝕刻速率；(ii) 增加該光阻之未曝光與經曝光部分之間的組成差異；及/或(iii) 增加該光阻之未曝光與經曝光部分之間的一或更多材料特性的差異。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中在對該光阻進行該處理時使該基板的溫度進行變化。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中將該處理期間的壓力控制在約0.1-760 Torr之間。
如請求項16之處理基板之方法，其中將該處理期間的壓力控制在約0.1-10 Torr之間。
如請求項1之處理基板之方法，其中該處理涉及使該光阻暴露於一遠程電漿，該遠程電漿產生自由基，該等自由基與該光阻進行反應以改變該光阻的一或更多材料特性。
如請求項18之處理基板之方法，其中該等自由基係由一氣體物種所產生，該氣體物種係選自由以下者所組成之群組：水、氫(H<sub>2</sub>)、氧(O<sub>2</sub>)、臭氧、過氧化氫、一氧化碳、二氧化碳、羰基硫、二氧化硫、氯(Cl<sub>2</sub>)、氨、氧化亞氮、一氧化氮、甲烷、醇、乙醯丙酮、甲酸、草醯氯、吡啶、羧酸、胺、及其組合。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該處理為使用第一組處理條件及第二組處理條件執行的熱處理，其中該第一組處理條件與該第二組處理條件針對周圍氣體或混合物、溫度、及/或壓力之其中至少一者而有所不同，從而調制該光阻的材料特性和調諧該光阻的蝕刻選擇性。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該光阻為對EUV具敏感性的薄膜。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該處理係在使該光阻暴露於EUV微影處理之前進行。
如請求項1至8之任一項之處理基板之方法，其中該處理係在使該光阻暴露於EUV微影處理之後進行。
如請求項22之處理基板之方法，其中在使該光阻暴露於EUV微影處理之後再次進行該處理。
一種用於處理基板之設備，包含：<br/> 一處理腔室，其包含一基板支座；<br/> 一處理氣體源，其係與該處理腔室及相關的氣體流量控制硬體連接；<br/> 基板熱控制設備；<br/> 基板搬運硬體，其係與該處理腔室連接；以及<br/> 一控制器，其具有一處理器，其中該處理器係至少與該氣體流量控制硬體、該基板熱控制設備、及該基板搬運硬體可操作地連接，其中該控制器係配置以引致請求項1-8或本說明書另外記載的方法中之任一或多者。
一種連接器，包含：<br/> 一絕緣殼體，包含：<br/> 一閂鎖面板，具有相對的一第一表面以及一第二表面，以及連通該第一表面與該第二表面之一閂孔；<br/> 一第一部分，連接該第一表面，並具有至少一開槽；<br/> 一第二部分，連接該第二表面；<br/> 一扣合部，位於該第二部分；以及<br/> 一導引部，連接該第二表面，其中該扣合部與該導引部分別位於該第二部分相鄰的一第一側以及一第二側；至少一端子組，設置於該至少一開槽內；以及<br/> 一閂鎖件，包含：<br/> 一閂鎖臂，可滑動地銜接該導引部，並經由該閂孔部分地穿出該第一表面；以及<br/> 一致動部，連接該閂鎖臂，並配置以可拆卸地扣合該扣合部。
如請求項1所述之連接器，其中該導引部包含一滑槽，該滑槽連通該閂孔，該閂鎖臂包含一突出部，該閂鎖臂可滑動地設置於該滑槽，且該突出部經由該閂孔部分地穿出該第一表面。
如請求項1所述之連接器，其中該第二部分具有一第一延伸板位於該第一側，該扣合部設置於該第一延伸板的一外側面上。
如請求項3所述之連接器，其中該扣合部包含一凸肋，設置於該外側面上，該致動部包含一第二勾部以及一按壓部，該第二勾部連接該按壓部，且該第二勾部可滑動地扣合於該凸肋上。
如請求項4所述之連接器，其中該外側面具有一凹部，該按壓部配置以被按壓而進入該凹部，致使該致動部脫離該扣合部。
如請求項3所述之連接器，其中該第二部分具有一第二延伸板位於一第三側，該第三側相對於該第一側，且該絕緣殼體包含一後蓋體，可拆卸地蓋合至該第一延伸板與該第二延伸板遠離該閂鎖面板的一後側。
如請求項4所述之連接器，其中該致動部還包含一支點部，該支點部位於該第二勾部及該按壓部之間，並配置以抵靠該第一延伸板的該外側面而做為一旋轉支點。
如請求項1所述之連接器，其中該絕緣殼體進一步包含兩阻擋塊，該兩阻擋塊分別連接該第一部分的相反兩側，且各與該閂鎖面板形成一間隙。
一種連接器，包含：<br/> 一絕緣殼體，包含：<br/> 一閂鎖機構，具有一間隙以收容一面板之部分，該閂鎖機構包含一閂鎖面板，該閂鎖面板具有相對的一第一表面以及一第二表面，以及連通該第一表面與該第二表面之一閂孔；<br/> 一第一部分，位於該閂鎖機構的一第一側，並具有至少一開槽，該開槽於第一部分的三側均具有開口；以及<br/> 一第二部分，位於該閂鎖機構與該第一側相對的一第二側；<br/> 至少一端子組，設置於該至少一開槽內；以及<br/> 一閂鎖件，可滑動地設置於該絕緣殼體，並於一第一狀態及一第二狀態之間切換，其中該閂鎖件包含：<br/> 一閂鎖部，可滑動地經由該閂孔部分地穿出該第一表面；以及<br/> 一致動部，連接該閂鎖部，並配置以於第二部分的一外側面上滑動；<br/> 其中當該閂鎖件位於該第一狀態時，該絕緣殼體可以安裝於該面板上並進行一橫向移動；當該閂鎖件位於該第二狀態時，該閂鎖件限制該橫向移動。
如請求項9所述之連接器，其中該閂鎖機構包含：<br/> 至少一阻擋塊，該至少一阻擋塊與該閂鎖面板相互分離以形成該間隙。
如請求項10所述之連接器，其中該絕緣殼體還包含一導引部，連接該第二表面並對齊該閂孔，該閂鎖部可滑動地設置於該導引部之一滑槽內。
如請求項10所述之連接器，其中該閂鎖部位於該第二部分的一側上，而該致動部位於該第二部分的另一側上。
一種生物反應器，係具備：<br/>固定圓筒面，係以軸線作為中心往軸線方向延伸；<br/>旋轉圓筒面，係以前述軸線作為中心往前述軸線方向延伸，並在與對向於前述軸線之徑方向之前述固定圓筒面之間劃分形成池，並且能夠繞前述軸線旋轉；<br/>底板部，係形成於前述池之底面；<br/>頂板部，係形成於前述池之頂面；<br/>液體供給部，係能夠對於前述池供給液體；<br/>空氣供給部，係自前述底面對於前述池內供給空氣；<br/>第一肋條，係自前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面之至少其中一方朝向另一方往前述徑方向延伸，並且前端隔著間隙對向於另一方；<br/>空氣排出部，係設於比前述第一肋條更上方，自前述池內排出前述空氣；以及<br/>液面調整部，係將前述池內之前述液體造成之液面，調整為比前述第一肋條更上方且比前述空氣排出部更下方。
如請求項1所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條之上表面隨著從基端前往前端，朝向下方延伸。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條之下表面隨著從基端前往前端，朝向上方延伸。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>係進一步具備：閉塞構件，係填塞前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面當中至少其中一方與前述底面之間之角部。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>係進一步具備：消泡機構，係設於前述池之前述第一肋條之上方，自前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面之至少其中一方朝向另一方往前述徑方向延伸。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>係進一步具備：第二肋條，係設於前述池之比前述第一肋條更下方，沿著前述軸線方向自前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面交互突出。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條，係對於前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面之其中一方以能夠裝卸之方式設置。
如請求項7所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條，係自前述軸線方向嵌入，並對於前述固定圓筒面及前述旋轉圓筒面之至少其中一方能夠裝卸。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條，係設為能夠調整上下方向之位置。
如請求項9所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條，係具有位置調整用之上部環及下部環，以及配置於前述上部環及前述下部環之間之肋條本體。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>前述第一肋條，係具有卡止部、支承部、肋條本體；<br/>前述卡止部，係配置為對於前述固定圓筒面之朝向上方之端面，自軸線方向重疊；<br/>前述支承部，係呈自前述卡止部之內周側之端緣朝向下方延伸之圓筒狀；<br/>前述肋條本體，係自支承部之下側之端緣朝向內周側突出。
如請求項1或2所述之生物反應器，其中，<br/>內側圓筒，係具有前述固定圓筒面；<br/>外側圓筒，係自外周側覆蓋前述內側圓筒，並且內周面形成前述固定圓筒面；以及<br/>中間圓筒，係配置於前述內側圓筒與前述外側圓筒之間，被支承為能夠繞前述軸線旋轉，藉此由內周面及外周面形成前述旋轉圓筒面。
一種反射式鏡頭防窺模組，包含：<br/> 一殼體，包括一形成於該殼體內部的容室，及一貫通該殼體的穿孔；<br/> 一鏡頭，設置於該容室中且對準該穿孔；<br/> 一蓋體，設置於該殼體並能遮蔽該穿孔，該蓋體包括一面向該殼體及該鏡頭的反射鏡；<br/> 一傳動結構，設置於該容室且連接該蓋體，並包括一設置於該容室中的馬達，及一設置於該蓋體且穿設該殼體並連接該馬達的連動件，該連動件用於調整形成於該蓋體與該殼體間的一夾角的角度，以改變周遭環境光線反射至該鏡頭的範圍；及<br/> 一控制單元，設置於該容室且電連接該鏡頭及該馬達，該控制單元可被致動而驅動該鏡頭及該傳動結構，使該傳動結構帶動該蓋體，使該蓋體的一端以該蓋體樞接該殼體的另一端為軸心轉動，使該夾角的角度可供調整，並使該蓋體能相對於該殼體在一收合位置與一展開位置間變換，在該收合位置時，該蓋體靠近該殼體而遮蔽該鏡頭，在該展開位置時，該蓋體與該殼體間形成該夾角而顯露該鏡頭，使周遭環境的光線經由該反射鏡反射至該鏡頭。
如請求項1所述的反射式鏡頭防窺模組，其中，該夾角為40-60∘。
如請求項1所述的反射式鏡頭防窺模組，還包含一設置於該殼體且電連接該控制單元的訊號燈，該訊號燈用於表示該鏡頭的運作狀態。
如請求項1所述的反射式鏡頭防窺模組，其中，該鏡頭為啟動狀態時該蓋體處於該展開位置，該鏡頭為關閉狀態時該蓋體處於該收合位置。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一機殼；及<br/> 一如請求項第1項至第4項中任一項所述之反射式鏡頭防窺模組，設置於該機殼的側邊，<br/> 其中，該蓋體處於該展開位置時，該機殼的前側顯露該反射鏡。
如請求項5所述的顯示裝置，其中，該反射式鏡頭防窺模組設置於該機殼的底側，該鏡頭的取景方向朝下，該蓋體的後端樞接於該殼體，該反射鏡設置於該蓋體的頂面。
一種以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，包括： <br/>在蛋白序列中，找出在多個資料庫中對應到所述蛋白序列的胜肽； <br/>透過所述胜肽與所述蛋白序列的關係，計算特性指標，由所述特性指標篩選出高品質的蛋白序列； <br/>在所述高品質的蛋白序列中，利用所述蛋白序列與所述胜肽的非切斷位置，作為負樣本候選序列； <br/>基於所述胜肽與所述蛋白序列的切斷位置，產生胺基酸的切斷頻率表；以及 <br/>計算所述負樣本候選序列的胺基酸切斷分數，並整合多個資料庫，以產生負樣本。
如請求項1所述的以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，其中所述特性指標包括切點飽和度、胜肽覆蓋度及胜肽密度。
如請求項2所述的以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，其中所述切點飽和度用以衡量所述蛋白序列上切斷的一致性。
如請求項2所述的以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，其中所述胜肽覆蓋度用以衡量胜肽覆蓋所述蛋白序列的程度。
如請求項2所述的以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，其中所述胜肽密度用以衡量所述蛋白序列被切斷的可能性。
如請求項1所述的以胺基酸與來源蛋白關係產生負樣本的方法，其中計算所述負樣本候選序列的所述胺基酸切斷分數的公式如下： <br/><img align="absmiddle" height="24px" width="219px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，S <sub>n</sub>為序列的第i個位置在切斷頻率表的分數，n為序列長度，W <sub>DB_N</sub>為資料庫N的權重，N為第N個資料庫。
一種遊戲輔助方法，包括：<br/> 對複數個運算硬體進行排序，以獲得一指定運算硬體；<br/> 該指定運算硬體透過一第一人工智慧模型對一遊戲畫面進行一影像辨識程序，以獲得一訊息圖樣；<br/> 該指定運算硬體透過一第二人工智慧模型對該訊息圖樣進行一影像處理程序，以獲得一處理後圖樣；以及<br/> 將該處理後圖樣合成於一指定位置，<br/> 其中該指定位置係為一游標之一鄰近範圍。
如請求項1所述之遊戲輔助方法，其中該些運算硬體按照一使用率進行排序。
如請求項2所述之遊戲輔助方法，其中該些運算硬體更按照一時脈、一操作頻率、一記憶體可用容量進行排序。
如請求項1所述之遊戲輔助方法，其中該些運算硬體包括一中央處理器、一圖形處理器及一神經網路處理器。
如請求項1所述之遊戲輔助方法，其中該訊息圖樣係為一血量圖樣、一彈藥量圖樣、一寶物圖樣或一怪物圖樣。
如請求項1所述之遊戲輔助方法，其中該第一人工智慧模型更推論出該指定位置。
如請求項1所述之遊戲輔助方法，其中該影像處理程序係為去背處理、輪廓分析、或透明度處理。
一種電子裝置，包括：<br/> 複數個運算硬體；<br/> 一控制單元，用以對該些運算硬體進行排序，以獲得一指定運算硬體；<br/> 一第一人工智慧模型，該指定運算硬體用以透過該第一人工智慧模型對一遊戲畫面進行一影像辨識程序，以獲得一訊息圖樣；<br/> 一第二人工智慧模型，該指定運算硬體用以透過該第二人工智慧模型對該訊息圖樣進行一影像處理程序，以獲得一處理後圖樣；以及<br/> 一合成單元，用以將該處理後圖樣合成於一指定位置，<br/> 其中該指定位置係為一游標之一鄰近範圍。
如請求項8所述之電子裝置，其中該控制單元按照一使用率對該些運算硬體進行排序。
如請求項9所述之電子裝置，其中該控制單元更按照一時脈、一操作頻率、一記憶體可用容量對該些運算硬體進行排序。
如請求項8所述之電子裝置，其中該訊息圖樣係為一血量圖樣、一彈藥量圖樣、一寶物圖樣或一怪物圖樣。
如請求項8所述之電子裝置，其中該第一人工智慧模型更推論出該指定位置。
如請求項8所述之電子裝置，其中該影像處理程序係為去背處理、輪廓分析、或透明度處理。
一種電子元件的散熱結構，包含：<br/> 一電子元件，具有一封裝外殼，複數顯露於該封裝外殼的接腳，及一顯露於該封裝外殼的頂置散熱片；<br/> 一散熱器，成形有一可令該散熱器跨於該電子元件上的空間及一連通該空間的注入通道，該散熱器跨於該電子元件上時未令該些接腳進入該空間中，該注入通道允許一實體導熱介質注入該空間內，該實體導熱介質使該頂置散熱片與該散熱器產生熱傳導關係；以及<br/> 一電路板，設有複數第一銅箔及一第二銅箔，該些第一銅箔提供該電子元件的該些接腳黏接，該第二銅箔提供該散熱器黏接。
如請求項1所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱器包含複數鰭片，該注入通道成形於該些鰭片其中之一。
如請求項1或2所述電子元件的散熱結構，其中，該注入通道具有一顯露於該散熱器的第一端口及一面對該空間的第二端口，該第二端口大於該第一端口。
如請求項3所述電子元件的散熱結構，其中，該注入通道具有一連通該第一端口的注入段，以及一連通該注入段及該第二端口的漸擴段。
如請求項4所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱器成形有一容置槽，該容置槽屬於該空間的一部分，該容置槽連通該第二端口。
如請求項1所述電子元件的散熱結構，其中，該第二銅箔區分成至少一提供該散熱器黏接的第一部分，及一連接該至少一第一部分的第二部分，該第二部分於該電子元件設於該電路板上時與該電子元件的該封裝外殼接觸但不形成黏接關係。
如請求項6所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱器跨設於該電子元件上，該散熱器包含二黏著腳，該第二銅箔包含二該第一部分，該第二銅箔的該第二部分位於二該第一部分之間。
如請求項7所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱器上的該空間由一缺口形成。
如請求項7所述電子元件的散熱結構，其中，二該第一部分至少其中之一包含一散熱器黏接區以及一連接該散熱器黏接區的輔助散熱區。
如請求項6所述電子元件的散熱結構，其中，該些第一銅箔分成二間隔設置的群組，該二群組每一的至少三側面設有該第二銅箔，該第二銅箔的該第二部分位於該二群組之間。
如請求項6所述電子元件的散熱結構，其中，二該第一部分分別包含一散熱器黏接區以及二連接該散熱器黏接區的輔助散熱區。
如請求項1所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱器上的該空間由一缺口形成。
如請求項1所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱結構包含複數該電子元件，該散熱器的該空間提供複數該電子元件容置其中。
如請求項1所述電子元件的散熱結構，其中，該散熱結構包含複數該電子元件，該散熱器成形複數該空間及複數該注入通道，複數該注入通道每一對應複數該空間其中之一設置，複數該電子元件分別容置於複數該空間之中，複數該空間每一提供容置的複數該電子元件數量大於或等於1。
一種積體電路裝置，包括： <br/>電容器，包括： <br/>第一電極，包括： <br/>第一組導電棒、導電周界和導電填充物皆導電連接到第一導電板；以及 <br/>第二電極，包括第一組相應導電套筒，導電連接到第二導電板，其中： <br/>所述第一電極與所述第二電極電氣隔離； <br/>對於所述第一組導電棒的每個導電棒和所述第一組相應導電套筒的相應導電套筒： <br/>所述導電棒被所述相應導電套筒橫向包覆；且 <br/>所述導電棒通過介電阻障層與所述相應導電套筒電氣隔離； <br/>所述導電周界和所述導電填充物包覆所述第一組相應導電套筒；且 <br/>所述第一組導電套筒通過所述介電阻障層與所述導電周界和所述導電填充物電氣隔離。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中，對於所述第一組導電棒的每個導電棒，所述導電棒不含介電材料。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中，對於所述第一組相應導電套筒的每個導電套筒，所述導電套筒包括內部段部和外部段部，其通過擴散阻障層橫向且導電連接。
如請求項3所述的積體電路裝置，其中所述內部段部還包括底部段部，其通過所述擴散阻障層導電連接到所述第二導電板。
如請求項4所述的積體電路裝置，其中所述外部段部通過介電層與所述第二導電板分離。
如請求項1所述的積體電路裝置，其中： <br/>所述電容器是分叉電容器，還包括： <br/>第二組導電棒，導電連接到所述第一導電板；以及 <br/>第二組相應導電套筒，導電連接到第三導電板； <br/>所述第二組相應導電套筒也被所述導電周界和所述導電填充物包覆；且 <br/>所述第三導電板與所述第一導電板和所述第二導電板電氣隔離。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中： <br/>所述第一組相應導電套筒大於所述第二組相應導電套筒； <br/>所述第一組相應導電套筒用於積體電路影像感測器的多轉換增益電路的低轉換增益電路中；且 <br/>所述第二組相應導電套筒用於所述積體電路影像感測器的所述多轉換增益電路的高轉換增益電路中。
如請求項6所述的積體電路裝置，其中： <br/>所述第一組相應導電套筒與所述第二組相應導電套筒的尺寸相同； <br/>所述第一組相應導電套筒用於積體電路影像感測器的關連式雙重取樣（CDS）電路的背景感測電路中；且 <br/>所述第二組相應導電套筒用於所述積體電路影像感測器的所述CDS電路的信號感測電路中。
一種積體電路裝置，包括： <br/>多分支電容器，包括多個段部，其中： <br/>每個段部包括： <br/>一組導電棒導電連接至第一導電板；以及 <br/>一組相應導電套筒導電連接至相應導電板； <br/>所述第一導電板與所述相應導電板電氣隔離； <br/>所述相應導電板彼此電氣隔離； <br/>對於所述一組導電棒中的每個導電棒和所述一組相應導電套筒中的相應導電套筒： <br/>所述導電棒被所述相應導電套筒橫向包覆；且 <br/>所述導電棒通過介電阻障層與所述相應導電套筒電氣隔離。
一種積體電路裝置的製作方法，包括： <br/>形成介電層； <br/>在所述介電層中蝕刻一組空腔； <br/>在所述空腔之上沉積第一導電層； <br/>在所述第一導電層之上沉積第二導電層，以形成電容器的底部電極的一組導電套筒； <br/>在所述導電套筒周圍蝕刻出周界，並在所述導電套筒之間蝕刻出間隙空間； <br/>在所述底部電極的所述導電套筒之上沉積介電阻障層；以及 <br/>在所述導電套筒內且在所述經蝕刻的周界和間隙空間中沉積導電材料，以形成所述電容器的頂部電極。
一種包含基板及至少2個不同的光電裝置之元件，其中該至少2個不同的光電裝置在該基板上以單石方式製造，該元件符合下述(A)及(B)中至少一者（但排除符合下述(1)及(2)中至少一者之情形）； <br/>(A)上述至少2個不同的光電裝置係在不同波長下發光之至少2個有機半導體雷射二極體； <br/>(B)上述至少2個不同的光電裝置係有機半導體雷射二極體及有機發光二極體； <br/>(1)上述至少2個不同的光電裝置具有彼此不同的光柵； <br/>(2)上述至少2個不同的光電裝置包含有機固態雷射二極體，上述有機固態雷射二極體於上述基板上依次包含絕緣光柵、第一電極、有機層及第二電極。
如請求項1之元件，其中 <br/>上述至少2個不同的光電裝置係3個不同的光電裝置。
如請求項2之元件，其中 <br/>上述3個不同的光電裝置分別係紅色發光電子裝置、綠色發光電子裝置、藍色發光電子裝置。
如請求項1之元件，其中 <br/>上述至少2個不同的光電裝置具有彼此不同的增益有機材料（Organic Gain Material）。
如請求項1之元件，其符合上述(A)。
如請求項1之元件，其符合上述(B)。
如請求項1之元件，其中 <br/>該元件從其底部發射。
如請求項1之元件，其中 <br/>該元件從其頂部發射。
一種元件的製造方法，其中 <br/>該元件包含基板及至少2個不同的光電裝置，且符合下述(A)及(B)中至少一者，該製造方法包括在該基板上以單石方式製造該至少2個不同的光電裝置之步驟（但排除符合下述(1)及(2)中至少一者之情形）； <br/>(A)上述至少2個不同的光電裝置係在不同波長下發光之至少2個有機半導體雷射二極體； <br/>(B)上述至少2個不同的光電裝置係有機半導體雷射二極體及有機發光二極體； <br/>(1)上述至少2個不同的光電裝置具有彼此不同的光柵； <br/>(2)上述至少2個不同的光電裝置包含有機固態雷射二極體，上述有機固態雷射二極體於上述基板上依次包含絕緣光柵、第一電極、有機層及第二電極。
如請求項9之方法，其中 <br/>上述至少2個不同的光電裝置係3個不同的光電裝置。
如請求項10之方法，其中 <br/>上述3個不同的光電裝置分別係紅色發光電子裝置、綠色發光電子裝置、藍色發光電子裝置。
如請求項9之方法，其中 <br/>上述至少2個不同的光電裝置具有彼此不同的增益有機材料（Organic Gain Material）。
如請求項9之方法，其中 <br/>該方法包括在該基板上形成絕緣光柵之步驟及之後形成用於上述至少2個不同的光電裝置之有機層之步驟。
一種智慧型氧氣濃縮機監控系統，係包括：至少一感測設備，該感測設備係設置於一氧氣濃縮機上，且該感測設備具有資料壓縮單元及一氧氣濃度感測單元及一氧氣流量感測單元及一影像擷取單元及一溫度感測單元及一聲音感測單元及一震動感測單元及一運作感測單元，該氧氣濃度感測單元係感測該氧氣濃縮機之送氧氣濃度並產生有至少一氧氣濃度感測資料，該氧氣流量感測單元係感測該氧氣濃縮機之送氧量並產生有至少一氧氣流量感測資料，該影像擷取單元係拍攝一吸氧使用者並產生有至少一影像資料，該溫度感測單元係感測該氧氣濃縮機之運作溫度並產生有至少一溫度感測資料，該聲音感測單元係感測該氧氣濃縮機之運作聲音並產生有至少一聲音感測資料，該震動感測單元係感測該氧氣濃縮機之震動狀況並產生有至少一震動感測資料，該運作感測單元係感測該氧氣濃縮機之運作狀況並產生有至少一運作感測資料；及一伺服設備，該伺服設備具有一資訊分類單元，該資訊分類單元係接收所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料，並該資訊分類單元分析所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料並產生有至少一分析資訊，而該伺服設備傳送所述分析資訊到至少一管理監控裝置及至少一指定聯絡裝置，該管理監控裝置及該指定聯絡裝置由該分析資訊得知該氧氣濃縮機使用狀況及故障前之異常並進行處理或更換。
如請求項1所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述感測設備更包括有一資料壓縮單元及一無線通訊單元，該資料壓縮單元接收所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料，並該資料壓縮單元將所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料壓縮為一感測壓縮資料，並將該感測壓縮資料傳送至所述無線通訊單元。
如請求項2所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一資料解壓縮單元，該資料解壓縮單元接收所述無線通訊單元之感測壓縮資料並對其解壓縮，而還原成所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料並傳送至所述資訊分類單元。
如請求項3所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一資料比對單元，該資料比對單元係接收所述資料解壓縮單元還原之氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料並比對後產生有一比對資訊。
如請求項4所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一參數資料儲存單元，而該資料比對單元係擷取該參數資料儲存單元內之至少一氧氣濃度資料及至少一氧氣流量資料及至少一膚色判斷資料及至少一機體溫度資料及至少一機體聲音資料及至少一機體震動資料，且分別與氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料比對並產生有所述比對資訊，而該伺服設備將該比對資訊傳送至所述管理監控裝置及所述指定聯絡裝置。
如請求項5所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述資料比對單元係擷取該參數資料儲存單元內之氧氣濃度資料及氧氣流量資料及膚色判斷資料及機體溫度資料及機體聲音資料及機體震動資料，且分別與氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料比對後產生有一異常資訊，並該伺服設備傳送所述比對資訊及異常資訊至所述管理監控裝置及所述指定聯絡裝置。
如請求項6所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一資訊分類單元，該資訊分類單元包括有一正規化模組及一特徵選取模組及一分群分類模組及一AI資訊蒐集模組，該正規化模組接收所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料並進行正規化處理，而取得有一氧氣濃度正規資料及一氧氣流量正規資料及一影像正規資料及一溫度正規資料及一聲音正規資料及一震動正規資料，而該特徵選取模組接收所述氧氣濃度正規資料及氧氣流量正規資料及影像正規資料及溫度正規資料及聲音正規資料及震動正規資料並擷取出有複數獨立特徵及至少一交集特徵，該分群分類模組接收所述獨立特徵及交集特徵並分類出有至少一分類結果，而由該分類結果與該獨立特徵及交集特徵進行機器學習以產生所述AI資訊蒐集模組。
如請求項7所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述資訊分類單元係接收所述氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料及運作感測資料，而該氧氣濃度感測資料及氧氣流量感測資料及影像資料及溫度感測資料及聲音感測資料及震動感測資料係由該正規化模組進行正規化處理，及特徵選取模組擷取出有所述獨立特徵及交集特徵，與分群分類模組分類出有所述分類結果，而該學習完之AI資訊蒐集模組接收分類結果與該獨立特徵及交集特徵並判斷而產生所述分析資訊。
如請求項8所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一補值模組，該補值模組係可產生有至少一補值資料至該正規化模組進行正規化處理。
如請求項8所述之智慧型氧氣濃縮機監控系統，其中所述伺服設備更包括有一優化模組，該優化模組係接收所述分類結果且將分類結果轉換符合參數資料儲存單元的資料格式並傳送至所述參數資料儲存單元，由該參數資料儲存單元依照分類結果更新所述氧氣濃度資料及氧氣流量資料及膚色判斷資料及機體溫度資料及機體聲音資料及機體震動資料。
一種記憶體裝置，其包含：<br/>一記憶體單元，其耦接至一位元線及一字元線；<br/>一第一延遲電路，其經配置以產生一第一延遲信號，以根據該記憶體單元之該位元線轉變為一邏輯低狀態來啟動一字元線驅動器；及<br/>一第二延遲電路，其經配置以產生一第二延遲信號，以根據有效耦接至該記憶體單元的該字元線所需的至少一時間量來停用該字元線驅動器。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該第一延遲電路包含仿效該位元線之多個電特性的一跟蹤位元線節點。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中該第一延遲電路包含耦接至該跟蹤位元線節點的一預充電電路，該預充電電路經配置以將該跟蹤位元線節點充電至一供應電壓。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中該第一延遲電路包含耦接至該跟蹤位元線節點的至少一個跟蹤記憶體單元，該至少一個跟蹤記憶體單元仿效耦接至該位元線的該記憶體單元之多個第二電特性。
如請求項2所述之記憶體裝置，其中該第一延遲電路包含經配置以將該跟蹤位元線節點之一電壓設定為該邏輯低狀態的一仿效寫入驅動器電路。
一種記憶體電路，其包含：<br/>一位元線及一字元線，其耦接至一記憶體單元；<br/>一跟蹤位元線，其耦接至一跟蹤記憶體單元，其中該跟蹤位元線及該跟蹤記憶體單元仿效耦接至該記憶體單元的該位元線之多個電特性；及<br/>一仿效寫入驅動器裝置，其經配置以在一第一時間段內將該跟蹤位元線之一電壓設定為約一接地電壓，其中將該跟蹤位元線上的該電壓設定為約該接地電壓導致耦接至該字元線的一字元線驅動器裝置在該第一時間段之後將該字元線設定為一邏輯低狀態。
如請求項6所述之記憶體電路，其進一步包含複數個並聯電晶體，該些並聯電晶體具有仿效耦接至該記憶體單元的該字元線之一對應電容的一電容。
如請求項7所述之記憶體電路，其進一步包含一反向器鏈，該反向器鏈響應於使用該些並聯電晶體產生的一信號及一啟動信號，產生針對該字元線驅動器裝置的一停用信號。
如請求項8所述之記憶體電路，其中對該些並聯電晶體進行充電的一第二時間量及該反向器鏈之一延遲時間對應於該字元線之一有效時間，以完成針對該記憶體單元的一寫入操作。
一種記憶體電路的操作方法，其包含以下步驟：<br/>啟動一記憶體單元的一寫入操作；<br/>產生對應於耦接至該記憶體單元的一字元線之一啟動的一第一延遲信號；及<br/>使用該第一延遲信號產生對應於耦接至該記憶體單元的該字元線之停用的一第二延遲信號。
一種主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，係包括： <br/>一第一基板層，係具有一第一上表面及一第一下表面； <br/>一第二基板層，係具有一第二上表面及一第二下表面； <br/>一第一液晶層，該第一液晶層係相疊連接於該第一基板層與該第二基板層之間； <br/>數個第一表面單元，係以陣列方式排列於該第一上表面，該第一表面單元係具有四個第一表面外框貼片及一第一表面十字型貼片，其中該第一表面外框貼片內係具有一第一表面內框貼片； <br/>數個第二表面單元，係以陣列方式排列於該第一下表面，其中每一個第二表面單元係具有四個第二表面矩形貼片，其中每一個第二表面矩形貼片邊緣係連接有四個第二表面金屬線，而該第二表面矩形貼片中央係具有一第二表面十字型槽孔； <br/>數個第三表面單元，係以陣列方式排列於該第二上表面，其中每一個第三表面單元係具有四個第三表面矩形貼片，其中每一個第三表面矩形貼片邊緣係連接有四個第三表面金屬線，而該第三表面矩形貼片中央係具有一第三表面方型槽孔；以及 <br/>數個第四表面單元，係以陣列方式排列於該第二下表面，該第四表面單元係為一第四表面十字型貼片； <br/>其中，該第一表面外框貼片、該第一表面內框貼片、該第一基板層、該第二表面矩形貼片與第二表面矩形貼片邊緣連接之四個第二表面金屬線、該第一液晶層、該第二基板層、該第三表面矩形貼片與該第三表面矩形貼片邊緣連接之四個第三表面金屬線係形成一反射式單胞單元，該反射式單胞單元於該第一液晶層未施加偏壓時，其中心工作頻率係位於27~29GHz之間； <br/>其中，該第一表面十字型貼片、該第一基板層、該第二表面單元、該第一液晶層、該第三表面單元、該第二基板層及該第四表面單元係形成一穿透式單胞單元，該穿透式單胞單元於一電磁波於該第一液晶層施加偏壓後入射時，其中心工作頻率係位於17~19GHz之間。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中每四個第一表面外框貼片係排列於該第一表面十字型貼片周圍，該第一表面外框貼片與該第一表面內框貼片之間係具有一第一表面矩形狹縫，而該第一表面內框貼片中央係具有一第一表面矩形槽孔。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中每四個第二表面矩形貼片係與該第二表面金屬線包圍有一第二表面十字型開孔。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中每四個第三表面矩形貼片係與該第三表面金屬線包圍有一第三表面十字型開孔。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第一表面單元、該第二表面單元、該第三表面單元及該第四表面單元係為金屬材質所形成。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第一液晶層施加偏壓前後，該第一液晶層之介電係數係為2.55~3.76，而正切損耗係為0.004~0.006。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第一表面外框貼片之長度及寬度係為0.5~3.3mm。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第一表面十字型貼片係具有一第一縱向部位及一第一橫向部位，該第一縱向部位及該第一橫向部位之長度係為1.5~8.5mm。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第二表面十字型槽孔係具有一第二縱向部位及一第二橫向部位，該第二縱向部位及該第二橫向部位之寬度係為0.57~0.67mm，而該第二縱向部位及該第二橫向部位之長度係為3.25~3.35mm。
如請求項1所述之主動式雙頻液晶穿透暨反射陣列結構，其中該第一液晶層未偏壓時，該反射式單胞單元於中心工作頻率位於27~29GHz之間時，能夠做為一反射面使用；而當該第一液晶層施加偏壓時，該穿透式單胞單元於中心工作頻率位於17~19GHz之間時，能夠作為一穿透面使用。
一種背光模組，包含： <br/>一結構光學膜，包含一結構光學本體、一結構層及一緩衝層，該結構光學本體具有相對的一第一出光面及一第一底面，該結構層設置於該第一底面，該結構層包含多個第一條狀結構及多個光學擴散結構，該些第一條狀結構間隔排列，該些光學擴散結構設置於該些第一條狀結構之間，該緩衝層設置於該第一出光面，該緩衝層的材質為軟性光學膠； <br/>一複合膜，設置於該結構光學膜的該第一出光面的一側，該複合膜具有相對的一第二出光面及一第二底面，該第二底面面向該結構光學膜的該第一出光面，該第二出光面設有多個第二條狀結構； <br/>一抗吸附層，設置於該第二底面，該抗吸附層介於該複合膜與該緩衝層之間； <br/>一增亮膜，設置於該複合膜的該第二出光面的一側，該增亮膜具有相對的一第三出光面及一第三底面，該第三底面面向該複合膜的該第二出光面，該第三出光面設有多個第三條狀結構； <br/>一導光板，設置於該第一底面的一側，該導光板具有一入光面及相對的一上表面及一下表面，該上表面面向該結構光學膜的該第一底面；以及 <br/>多個發光元件，設置於該導光板的該入光面的一側，且該些發光元件沿一光源排列方向排列。
如請求項1所述的背光模組，其中，該結構光學膜的每一該些第一條狀結構具有一第一延伸方向，且該第一延伸方向與該光源排列方向不平行。
如請求項2所述的背光模組，其中，該第一延伸方向與該光源排列方向之間具有一第一延伸夾角，該第一延伸夾角的角度介於60度至120度之間。
如請求項2所述的背光模組，其中，每一該些第二條狀結構具有一第二延伸方向，該第二延伸方向與該第一延伸方向之間具有一第二延伸夾角，該第二延伸夾角的角度介於80度至100度之間。
如請求項2所述的背光模組，其中，每一該些第三條狀結構具有一第三延伸方向，該第三延伸方向與該第一延伸方向之間具有一第三延伸夾角，該第三延伸夾角介於0度至10度之間。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第一條狀結構包含兩第一側面，該兩第一側面之間具有一第一結構夾角，該第一結構夾角的角度介於80度至110度之間。
如請求項6所述的背光模組，其中，每一該些第一條狀結構更包含一第一頂面，該第一頂面連接該兩第一側面，且該第一頂面呈圓弧面。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面為半橢圓形，或者，每一該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面的邊線為拋物線。
如請求項8所述的背光模組，其中，當該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面為半橢圓形時，該截面的邊緣符合橢圓形圓周公式<img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，A為半長軸長度， B為半短軸長度，其中B小於A，H為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於x軸上的垂直投影位置，K為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於y軸上的垂直投影位置，x為橢圓形圓周上任一點於x軸上的垂直投影位置，y為橢圓形圓周上任一點於y軸上的垂直投影位置，其中y大於等於K或0。
如請求項8所述的背光模組，其中，當該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面的邊線為拋物線時，符合拋物線公式<img align="absmiddle" height="7px" width="57px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，該拋物線於X-Y平面上的對稱軸為<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，焦點為(h, k+c)，且h為該拋物線於X-Y平面上最高點於x軸上的垂直投影位置，k為該拋物線於X-Y平面上最高點(頂點)於y軸上的垂直投影位置，y大於等於0，c為焦距，且c的絕對值大於0.1μm且小於5μm。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第一條狀結構在垂直於該第一底面的方向上具有一第一條狀結構高度，每一該些光學擴散結構在垂直於該第一底面的方向上具有一光學擴散結構高度，該第一條狀結構高度大於該光學擴散結構高度。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些光學擴散結構為包含多個擴散粒子的塗層。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些光學擴散結構包含多個點狀微結構，每一該些點狀微結構具有一表面輪廓，該表面輪廓為球面、橢圓面、自由曲面。
如請求項13所述的背光模組，其中，該表面輪廓符合下列公式：<img align="absmiddle" height="13px" width="54px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，S(x)為每一該些點狀微結構於一X軸上的該表面輪廓，k為每一該些點狀微結構的一圓錐係數，且k大於-1且小於等於0，R為每一該些點狀微結構的一頂點的一曲率半徑，且R介於0.05μm至0.2μm之間，x為該表面輪廓於x軸上的垂直投影位置，該些點狀微結構具有相同的R值及k值。
如請求項1所述的背光模組，其中，該些光學擴散結構占該第一底面的整體面積的5%~50%。
如請求項1所述的背光模組，其中，該導光板更包含多個導光微結構，該些導光微結構設置於該下表面。
如請求項16所述的背光模組，其中，每一該些導光微結構具有一背光面，該背光面與該下表面之間具有一背光夾角，該背光夾角的角度介於1度至6度之間。
如請求項16所述的背光模組，其中，每一該些導光微結構具有一迎光面，該迎光面為曲面，每一該些導光微結構垂直於該下表面的截面具有一迎光脊線，該迎光脊線與該下表面之間具有一迎光夾角，該迎光夾角的角度介於1度至20度之間。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第二條狀結構包含兩第二側面，該兩第二側面之間具有一第二結構夾角，該第二結構夾角的角度介於80度至110度之間。
如請求項19所述的背光模組，其中，每一該些第二條狀結構更包含一第二頂面，該第二頂面連接該兩第二側面，且該第二頂面呈圓弧面。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第二條狀結構垂直於該第二出光面的截面為半橢圓形，或者，每一該些第二條狀結構垂直於該第二出光面的截面的邊線為拋物線。
如請求項21所述的背光模組，其中，當該些第二條狀結構垂直於該第二出光面的截面為半橢圓形時，該截面的邊緣符合橢圓形圓周公式<img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，A為半長軸長度， B為半短軸長度，其中B小於A，H為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於x軸上的垂直投影位置，K為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於y軸上的垂直投影位置，x為橢圓形圓周上任一點於x軸上的垂直投影位置，y為橢圓形圓周上任一點於y軸上的垂直投影位置，其中y大於等於K或0。
如請求項21所述的背光模組，其中，當該些第二條狀結構垂直於該第二出光面的截面的邊線為拋物線時，符合拋物線公式<img align="absmiddle" height="7px" width="57px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，該拋物線於X-Y平面上的對稱軸為<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，焦點為(h, k+c)，且h為該拋物線於X-Y平面上最高點於x軸上的垂直投影位置，k為該拋物線於X-Y平面上最高點(頂點)於y軸上的垂直投影位置，y大於等於0，c為焦距，且c的絕對值大於0.1μm且小於5μm。
如請求項1所述的背光模組，其中，該抗吸附層包含多個點狀微結構，每一該些點狀微結構具有一表面輪廓，該表面輪廓為球面、橢圓面、自由曲面。
如請求項24所述的背光模組，其中，該表面輪廓符合下列公式： <br/><img align="absmiddle" height="13px" width="54px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，S(x)為每一該些點狀微結構於一X軸上的表面輪廓，k為每一該些點狀微結構的一圓錐係數，且k大於-1且小於等於0，R為每一該些點狀微結構的一頂點的一曲率半徑，且R介於0.005μm至0.05μm之間，x為表面輪廓於x軸上的垂直投影位置，該些微結構具有相同的R值及k值。
如請求項1所述的背光模組，其中，該抗吸附層為包含多個擴散粒子的塗層。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第三條狀結構包含兩第三側面，該兩第三側面之間具有一第三結構夾角，該第三結構夾角的角度介於80度至110度之間。
如請求項27所述的背光模組，其中，每一該些第三條狀結構更包含一第三頂面，該第三頂面連接該兩第三側面，且該第三頂面呈圓弧面。
如請求項1所述的背光模組，其中，每一該些第三條狀結構垂直於該第三出光面的截面為半橢圓形，或者，每一該些第三條狀結構垂直於該第三出光面的截面的邊線為拋物線。
如請求項29所述的背光模組，其中，當該些第三條狀結構垂直於該第三出光面的截面為半橢圓形時，該截面的邊緣符合橢圓形圓周公式<img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，A為半長軸長度， B為半短軸長度，其中B小於A，H為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於x軸上的垂直投影位置，K為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於y軸上的垂直投影位置，x為橢圓形圓周上任一點於x軸上的垂直投影位置，y為橢圓形圓周上任一點於y軸上的垂直投影位置，其中y大於等於K或0。
如請求項29所述的背光模組，其中，當該些第二條狀結構垂直於該第二出光面的截面的邊線為拋物線時，符合拋物線公式<img align="absmiddle" height="7px" width="57px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，該拋物線於X-Y平面上的對稱軸為<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，焦點為(h, k+c)，且h為該拋物線於X-Y平面上最高點於x軸上的垂直投影位置，k為該拋物線於X-Y平面上最高點(頂點)於y軸上的垂直投影位置，y大於等於0，c為焦距，且c的絕對值大於0.1μm且小於5μm。
如請求項1所述的背光模組，更包含一反射片及至少一光學膜片，該反射片設置於該下表面的一側，該至少一光學膜片設置於該結構光學膜遠離該導光板的一側，其中，該光學膜片選自擴散片或反射式增亮膜。
一種結構光學膜，包含 <br/>一結構光學本體，具有相對的一第一出光面及一第一底面； <br/>一結構層，設置於該第一底面，該結構層包含多個第一條狀結構及多個光學擴散結構，該些第一條狀結構間隔排列，該些光學擴散結構設置於該些第一條狀結構之間；以及 <br/>一緩衝層，設置於該第一出光面，該緩衝層的材質為軟性光學膠。
如請求項33所述的結構光學膜，其中，每一該些第一條狀結構包含兩第一側面，該兩第一側面之間具有一第一結構夾角，該第一結構夾角的角度介於80度至110度之間。
如請求項34所述的結構光學膜，其中，每一該些第一條狀結構更包含一第一頂面，該第一頂面連接該兩第一側面，且該第一頂面呈圓弧面。
如請求項33所述的結構光學膜，其中，每一該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面為半橢圓形，或者，每一該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面的邊線為拋物線。
如請求項36所述的結構光學膜，其中，當該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面為半橢圓形時，該截面的邊緣符合橢圓形圓周公式<img align="absmiddle" height="11px" width="50px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，A為半長軸長度， B為半短軸長度，其中B小於A，H為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於x軸上的垂直投影位置，K為橢圓形於X-Y平面上長軸及短軸交會的中心於y軸上的垂直投影位置，x為橢圓形圓周上任一點於x軸上的垂直投影位置，y為橢圓形圓周上任一點於y軸上的垂直投影位置，其中y大於等於K或0。
如請求項36所述的結構光學膜，其中，當該些第一條狀結構垂直於該第一底面的截面的邊線為拋物線時，符合拋物線公式<img align="absmiddle" height="7px" width="57px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ，其中，該拋物線於X-Y平面上的對稱軸為<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，焦點為(h, k+c)，且h為該拋物線於X-Y平面上最高點於x軸上的垂直投影位置，k為該拋物線於X-Y平面上最高點(頂點)於y軸上的垂直投影位置，y大於等於0，c為焦距，且c的絕對值大於0.1μm且小於5μm。
如請求項33所述的結構光學膜，其中，每一該些第一條狀結構在垂直於該第一底面的方向上具有一第一條狀結構高度，每一該些光學擴散結構在垂直於該第一底面的方向上具有一光學擴散結構高度，該第一條狀結構高度大於該光學擴散結構高度。
如請求項33所述的結構光學膜，其中，每一該些光學擴散結構為包含多個擴散粒子的塗層。
如請求項33所述的結構光學膜，其中，每一該些光學擴散結構包含多個點狀微結構，每一該些點狀微結構具有一表面輪廓，該表面輪廓為球面、橢圓面、自由曲面。
一種光功率的調整方法，包含：<br/> 分別利用一光接收裝置以及一光發射裝置偵測一輸入光功率以及一輸出光功率；<br/> 判斷該輸出光功率是否必須調整；<br/> 計算一偏置電流以及一調變電流；以及<br/> 根據該偏置電流以及該調變電流調整該輸出光功率，<br/> 其中判斷該輸出光功率是否必須調整進一步包含判斷該輸入光功率是否大於一接收靈敏度。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 若判斷該輸入光功率大於該接收靈敏度，計算該偏置電流以及該調變電流。
如請求項1所述之方法，其中：<br/> 若判斷該輸入光功率小於或等於該接收靈敏度，偵測該輸入光功率以及該輸出光功率。
如請求項1所述之方法，其中該計算該偏置電流以及該調變電流進一步包含：<br/> 計算與該輸入光功率相關聯之一輸入光功率位準以及與該輸出光功率相關聯之一輸出光功率位準之間之一第一差值；<br/> 利用該第一差值以及該接收靈敏度計算一目標輸出光功率位準；<br/> 計算該輸出光功率位準與該目標輸出光功率位準之間之一第二差值；<br/> 利用該第二差值計算該偏置電流；以及<br/> 利用該輸出光功率位準以及該目標輸出光功率位準計算該調變電流。
如請求項4所述之方法，其中：<br/> 若判斷該輸入光功率位準小於一閾值，關閉該光發射裝置。
如請求項4所述之方法，其中該偏置電流以及該調變電流之一總和與該第二差值為正相關。
如請求項4所述之方法，其中根據該偏置電流以及該調變電流調整該輸出光功率進一步包含：<br/> 利用該偏置電流以及該調變電流將該輸出光功率位準調整至該目標輸出光功率位準。
如請求項1所述之方法，其中該偵測該輸入光功率以及該輸出光功率進一步包含：<br/> 將該輸入光功率以及該輸出光功率分別轉換為一輸入光功率位準以及一輸出光功率位準。
如請求項1所述之方法，其中該偵測該輸入光功率以及該輸出光功率的步驟係執行於該根據該偏置電流以及該調變電流調整該輸出光功率的步驟之後。
一種光模組，包含：<br/> 一光發射裝置，配置以偵測一輸出光功率；<br/> 一光接收裝置，配置以偵測一輸入光功率；<br/> 一訊號處理單元，連接該光發射裝置以及該光接收裝置並配置以將該輸出光功率以及該輸入光功率分別轉換為一輸出光功率位準以及一輸入光功率位準；<br/> 一通訊介面，連接該訊號處理單元；以及<br/> 一控制計算單元，連接該通訊介面並配置以：<br/> 判斷該輸出光功率是否必須調整；<br/> 根據該輸出光功率位準以及該輸入光功率位準計算一偏置電流以及一調變電流；以及<br/> 根據該偏置電流以及該調變電流調整該輸出光功率，<br/> 其中該控制計算單元進一步配置以：<br/> 判斷該輸入光功率是否大於一接收靈敏度。
如請求項10所述之光模組，其中該控制計算單元進一步配置以：<br/> 若判斷該輸入光功率位準小於一閾值，關閉該光發射裝置。
如請求項10所述之光模組，其中該控制計算單元進一步配置以：<br/> 計算該輸入光功率位準與該輸出光功率位準之一第一差值；<br/> 利用該第一差值以及該接收靈敏度計算一目標輸出光功率位準；<br/> 計算該輸出光功率位準與該目標輸出光功率位準之間之一第二差值；<br/> 利用該第二差值計算該偏置電流；以及<br/> 利用該輸出光功率位準以及該目標輸出光功率位準計算該調變電流。
如請求項12所述之光模組，其中該控制計算單元進一步配置以：<br/> 利用該偏置電流以及該調變電流將該輸出光功率位準調整至該目標輸出光功率位準。
一種氣溶膠稀釋模組，包含： <br/>一霧化組件，包含： <br/>一霧化腔體，包含一霧化空間及連通該霧化空間的一第一開口、一第二開口、一第三開口及一第四開口，在一高度方向上，該第三開口高於該第四開口，該第一開口位於該第三開口及該第四開口之間； <br/>一第一氣體輸入單元，連接於該第一開口用以輸入一第一潔淨乾燥空氣；以及 <br/>一待測液供應單元，連接於該第二開口； <br/>一稀釋組件，包含： <br/>一稀釋腔體，連接於該第三開口；以及 <br/>一第二氣體輸入單元，連接於該稀釋腔體用以輸入一第二潔淨乾燥空氣； <br/>一排放組件，連接於該稀釋腔體用以排放一冗餘氣溶膠； <br/>一輸出組件，連接於該排放組件用以接收一第三氣溶膠；以及 <br/>一控制器，連接該霧化組件、該稀釋組件、該排放組件以及該輸出組件，該控制器控制該霧化組件將一待測液霧化成一第一氣溶膠，該第一氣溶膠的部分自該第三開口進入該稀釋腔體，該第一氣溶膠的其餘部分形成一氣溶膠凝結液並自該第四開口輸出，該控制器根據該第三氣溶膠相對於該第一氣溶膠的稀釋率及流量控制該第一潔淨乾燥空氣、該第二潔淨乾燥空氣及該冗餘氣溶膠的流量。
如請求項1所述之氣溶膠稀釋模組，其中該第一氣體輸入單元包含一第一氣體儲存槽及一第一氣體流量控制器，該第一氣體流量控制器根據該控制器的控制自該第一氣體儲存槽輸出該第一潔淨乾燥空氣進入該霧化空間。
如請求項1所述之氣溶膠稀釋模組，其中該第二氣體輸入單元包含一第二氣體儲存槽及一第二氣體流量控制器，該第二氣體流量控制器根據該控制器的控制自該第二氣體儲存槽輸出該第二潔淨乾燥空氣進入該稀釋腔體。
如請求項1所述之氣溶膠稀釋模組，其中該第二潔淨乾燥空氣的流量小於該第一潔淨乾燥空氣的流量。
如請求項1所述之氣溶膠稀釋模組，其中該排放組件包含一排放管、一孔口板及一真空泵，該排放管連接該稀釋腔體，該真空泵根據該控制器的控制經該孔口板自該排放管吸取該冗餘氣溶膠。
如請求項1所述之氣溶膠稀釋模組，其中該第一潔淨乾燥空氣具有一第一流量，該第二潔淨乾燥空氣具有一第三流量，該控制器根據該第三氣溶膠相對於該第一氣溶膠的稀釋率計算出該氣溶膠凝結液的一第二流量，其中該第三氣溶膠相對於該第一氣溶膠的稀釋率為(第一流量-第二流量)÷((第一流量-第二流量)+第三流量)。
如請求項6所述之氣溶膠稀釋模組，其中該冗餘氣溶膠具有一第四流量，該第三氣溶膠具有一第五流量，該控制器根據下列計算式計算該第四流量：第一流量+第三流量=第二流量+第四流量+第五流量。
如請求項5所述之氣溶膠稀釋模組，其中該待測液為高腐蝕性液體，該稀釋腔體及該排放管以耐腐蝕材質製成。
如請求項5所述之氣溶膠稀釋模組，其中該稀釋腔體及該排放管以電導體材質製成。
一種液體粒子檢測系統，包含： <br/>如請求項1至9中任一項所述之氣溶膠稀釋模組； <br/>一氣溶膠乾燥器，連接該控制器及該氣溶膠稀釋模組的輸出組件； <br/>一靜電中和器，連接該控制器及該氣溶膠乾燥器； <br/>一粒子分離器，連接該控制器及該靜電中和器；以及 <br/>一計數器，連接該控制器及該粒子分離器； <br/>其中，該控制器控制該氣溶膠稀釋模組輸出該第三氣溶膠；該控制器控制該氣溶膠乾燥器加熱乾燥該第三氣溶膠；該控制器控制該靜電中和器以使該第三氣溶膠靜電中和；該控制器控制該粒子分離器產生一流場，並對該第三氣溶膠施加電場，而使該第三氣溶膠中的複數個粒子依據粒徑分離；該控制器控制該計數器將分離的該等粒子凝聚放大，並計算出該等粒子的數量，並輸出一計數資訊。
一種電子封裝件，係包括：基板，具有相對之第一側及第二側；電子元件，具有相對之第一表面及第二表面，並以其第二表面接置於該基板之第一側上，且該電子元件形成有貫穿該第一表面及該第二表面之複數導電穿孔並電性連接該基板；以及光電模組，接置於該電子元件之該第一表面上並電性連接該複數導電穿孔，其中，該複數導電穿孔之位置係位於該光電模組之垂直投影面積內。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該電子元件為轉換式特定應用積體電路。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該電子元件以該第二表面透過複數導電凸塊電性連接至該基板。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該光電模組包含有封裝結構、設於該封裝結構中之半導體元件以及接置於封裝結構上之光元件。
如請求項4所述之電子封裝件，其中，該半導體元件為電子積體電路元件。
如請求項4所述之電子封裝件，其中，該光元件為光晶片或光模組。
如請求項6所述之電子封裝件，其中，該光模組包含有耦合器、光晶片、全反射鏡及光纖陣列單元。
如請求項4所述之電子封裝件，其中，該光電模組透過設於該封裝結構上之導電件接置於該電子元件之該第一表面上並電性連接該電子元件。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該基板之第二側植設有複數導電元件。
如請求項1所述之電子封裝件，其中，該基板、該電子元件及該光電模組構成三層垂直堆疊結構。
一種資料隔離備份之方法，係由至少一源電子裝置、至少一橋接電子裝置、至少一目標備份電子裝置及至少一網路管理器執行，其中，該方法之步驟包括： <br/>該網路管理器通訊連接於該橋接電子裝置； <br/>該橋接電子裝置向網路管理器發送第一任務執行指令； <br/>該網路管理器通訊連接於該源電子裝置，且發送第一任務執行指令至該源電子裝置； <br/>該源電子裝置依該第一任務執行指令將第一資料複製並傳輸給該橋接電子裝置，該橋接電子裝置儲存該第一資料； <br/>該橋接電子裝置向網路管理器發送第二任務執行指令； <br/>該網路管理器中斷與該源電子裝置之通訊連接，且該網路管理器通訊連接於該目標備份電子裝置； <br/>該橋接電子裝置依該第二任務執行指令將第二資料複製並傳輸給該目標備份電子裝置，該目標備份電子裝置儲存該第二資料； <br/>該網路管理器中斷與該目標備份電子裝置之通訊連接。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該源電子裝置係一電子裝置，第一資料係源自該源電子裝置；以及，經由該源電子裝置檢測一公共網路或一外部網路之安全性後，可通訊連接於該公共網路或該外部網路。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該橋接電子裝置係一電子裝置，且可通訊連接於私人網路或內部網路；以及，該橋接電子裝置具任務排程功能，該橋接電子裝置之使用者可透過此功能設定第一任務執行指令或第二任務執行指令之發出時間。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該目標備份電子裝置係為儲存第二資料之電子裝置，且可通訊連接於私人網路或內部網路；以及，透過本方法，該目標備份電子裝置形成一具與公共網路或外部網路隔離性質之電子裝置。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該網路管理器可為一路由器、交換器或閘道器，且可供使用者設定權限管控，意即於該橋接電子裝置發出該第一任務執行指令或該第二任務執行指令時，該網路管理器驗證該橋接電子裝置之使用者資訊，於通過驗證後才可執行該第一任務執行指令或該第二任務執行指令；反之，如未通過驗證則不執行該第一任務執行指令或該第二任務執行指令。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該第一任務執行指令可包含備份指令、同步指令、源電子裝置通訊連接指令或第一資料範圍。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該第一資料係指該源電子裝置根據該第一任務執行指令之第一資料範圍所複製並傳輸至該橋接電子裝置之資料。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該第二任務執行指令可包含備份指令、同步指令、目標備份電子裝置通訊連接指令、源電子裝置中斷通訊連接指令或第二資料範圍。
如請求項1之資料隔離備份方法，其中，該第二資料係指該橋接電子裝置根據該第二任務執行指令之第二資料範圍所複製並傳輸至該目標備份電子裝置之資料，且該第二資料可不同於該第一資料。
一種資料隔離備份系統，係包含至少一源電子裝置、一橋接電子裝置、一目標備份電子裝置及一網路管理器，且該源電子裝置、該橋接電子裝置、該目標備份電子裝置及該網路管理器執行請求項1至9之隔離備份方法。
一種改善無線網路覆蓋率的方法，應用於電子裝置中，其中，包括下列步驟： <br/>匯入一無線網路區域的場地圖資，根據該場地圖資並通過一射頻掃描器掃描該無線網路區域中的多個網路分享裝置，以形成一Wi-Fi網狀網路； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路產生一服務集識別碼（Service Set IDentifier，SSID）服務品質（Quality of Service，QoS）表； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路產生一白頻道表（White Channel List），其中，在該白頻道表中的網路分享裝置的接收信號強度指示（Received Signal Strength Indication，RSSI）值小於70分貝毫瓦（Decibel relative to one milliwatt，dBm）； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路提供該些網路分享裝置的多裝置支援表，其中，該多裝置支援表描述每一個使用者所在的子區域可被多少個網路分享裝置的無線訊號覆蓋到；以及 <br/>根據該服務集識別碼服務品質表、該白頻道表與該多裝置支援表，通過多用戶多輸入多輸出（Multi-User Multiple Input Multiple Output，MU-MIMO）技術分配該些網路分享裝置中的一或多個網路分享裝置給使用者連接上網。
如請求項1所述的改善無線網路覆蓋率的方法，其中，該服務集識別碼服務品質表中的每一個服務集識別碼對應一個網路分享裝置，並且根據每一個網路分享裝置的流量大小對該些網路分享裝置進行排序。
一種電子裝置，其中，該電子裝置包括記憶體、處理器及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的改善無線網路覆蓋率的程式，該改善無線網路覆蓋率的程式被該處理器執行時實現如下步驟： <br/>匯入一無線網路區域的場地圖資，根據該場地圖資並通過一射頻掃描器掃描該無線網路區域中的多個網路分享裝置，以形成一Wi-Fi網狀網路； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路產生一服務集識別碼服務品質表； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路產生一白頻道表，其中，在該白頻道表中的網路分享裝置的接收信號強度指示值小於70dBm； <br/>根據該Wi-Fi網狀網路提供該些網路分享裝置的多裝置支援表，其中，該多裝置支援表描述每一個使用者所在的子區域可被多少個網路分享裝置的無線訊號覆蓋到；以及 <br/>根據該服務集識別碼服務品質表、該白頻道表與該多裝置支援表，通過多用戶多輸入多輸出技術分配該些網路分享裝置中的一或多個網路分享裝置給使用者連接上網。
如請求項3所述的電子裝置，其中，該服務集識別碼服務品質表中的每一個服務集識別碼對應一個網路分享裝置，並且根據每一個網路分享裝置的流量大小對該些網路分享裝置進行排序。
一種儲存媒體，包括記憶體、處理器以及存儲在記憶體上並可在處理器上運行的電腦程式，其中，該處理器執行該電腦程式時實現如請求項1至2中任一項所述的改善無線網路覆蓋率的方法的步驟。
一種溝槽式功率半導體元件，包括：<br/> 基底，包括基體區，形成於所述基體區上的基體接觸區，及形成於所述基體區上且位於所述基體接觸區旁的源極區，所述源極區與所述基體接觸區具有不同的導電型；以及<br/> 埋入式閘極結構，形成於所述基體區中，且位於所述基體接觸區與所述源極區的一側，<br/> 其中所述基底具有形成於所述源極區上的凹槽，使得位於所述凹槽的底部的所述源極區的表面低於所述基體接觸區的頂表面。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述源極區包括N型摻質，所述基體接觸區包括P型摻質。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，更包括：<br/> 源極電極，覆蓋所述源極區與所述基體接觸區，且包括填入所述凹槽的多個延伸部，使得各所述延伸部的底表面低於所述基體接觸區的頂表面，<br/> 其中所述基底更包括外延區，且所述基體區係位於所述外延區與所述源極區或所述基體接觸區之間。
如請求項3所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述埋入式閘極結構形成於位於所述基體區與所述外延區中的閘極溝槽中，且包括：<br/> 閘絕緣層，形成於所述閘極溝槽的表面上；<br/> 埋入式閘極電極，形成於所述閘絕緣層上；以及 <br/> 絕緣蓋層，設置於所述埋入式閘極電極上，且位於所述凹槽的底部的所述源極區的表面高於所述絕緣蓋層的頂表面或與所述絕緣蓋層的頂表面處於相同水平。
如請求項4所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述閘極溝槽的深寬比大於或等於2.5，所述埋入式閘極電極包括無孔隙的共形閘極層及具有孔隙的閘極填充層，且所述孔隙與所述閘絕緣層至少距離10奈米。
如請求項4所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述絕緣蓋層具有位於所述埋入式閘極結構兩側的多個所述源極區之間的凹陷部，所述凹陷部的頂表面低於位於所述埋入式閘極結構兩側的多個所述基體接觸區之間的所述絕緣蓋層的頂表面。
如請求項6所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述絕緣蓋層具有沿著所述埋入式閘極結構的延伸方向排列的多個所述凹陷部，且多個所述凹陷部與多個所述凹槽具有相同的週期和相位。
如請求項6所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹陷部的深度小於所述凹槽的深度。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其更包括源極電極，其中所述源極電極包括：<br/> 基底部，覆蓋所述源極區以及所述基體接觸區；<br/> 第一延伸部，填入於所述凹槽中，以使得所述第一延伸部的底表面低於所述基體接觸區的頂表面；以及<br/> 第二延伸部，位於所述埋入式閘極結構上且鄰近所述第一延伸部，其中所述第二延伸部的底表面低於所述第一延伸部的底表面。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹槽形成於所述源極區內。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹槽橫跨一部分所述源極區以及一部分所述基體接觸區。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹槽的上側壁與下側壁各自具有不同的導電型，且所述凹槽的所述下側壁與所述凹槽的底部的導電型相同。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹槽的側壁具有漸縮輪廓。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述基體接觸區的頂表面包括凸面，且所述源極區的所述表面包括凹面。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述凹槽的側壁具有階梯輪廓。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述基底具有位於所述埋入式閘極結構的第一側上的多個所述凹槽以及位於所述埋入式閘極結構的第二側上的所述基體接觸區，其中所述多個凹槽與所述基體接觸區沿著與所述埋入式閘極結構的延伸方向垂直的方向交替排列。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述源極區的寬度小於或等於200奈米。
如請求項1所述的溝槽式功率半導體元件，其中所述源極區的寬度小於或等於150奈米。
一種溝槽式功率半導體元件的製造方法，包括：<br/> 形成基體區於基底中；<br/> 形成基體接觸區於所述基體區中；<br/> 形成源極區於所述基體區上且位於所述基體接觸區旁，其中所述源極區與所述基體接觸區具有不同的導電型；<br/> 形成凹槽於所述源極區上，使得位於所述凹槽的底部的所述源極區的表面低於所述基體接觸區的頂表面；以及<br/> 形成埋入式閘極結構於所述基體區中，其中所述埋入式閘極結構位於所述基體接觸區與所述源極區的一側。
如請求項19所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中所述源極區包括N型摻質，且所述基體接觸區包括P型摻質。
如請求項19所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中形成所述源極區的步驟包括：<br/> 在所述基體區上依序形成植入阻擋層、硬罩幕層以及圖案化光阻層，其中所述植入阻擋層的厚度大於所述圖案化光阻層的厚度；<br/> 在所述植入阻擋層中形成通孔以暴露所述基體區的表面；<br/> 對所述基體區被暴露的所述表面進行離子植入製程，以形成所述源極區；<br/> 進行蝕刻製程以去除所述硬罩幕層且形成所述凹槽；以及<br/> 移除所述植入阻擋層。
如請求項20所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中形成所述埋入式閘極結構的步驟包括：<br/> 形成閘極溝槽於所述基體區中；<br/> 形成閘絕緣層於所述閘極溝槽的表面上；<br/> 形成埋入式閘極電極於所述閘絕緣層上；以及<br/> 形成絕緣蓋層於所述埋入式閘極電極上，<br/> 其中位於所述凹槽的底部的所述源極區的表面高於所述絕緣蓋層的頂表面或與所述絕緣蓋層的頂表面處於相同水平。
如請求項21所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中所述絕緣蓋層的一部分在所述蝕刻製程中也被移除。
如請求項20所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中所述蝕刻製程為利用氟化物離子電漿的乾蝕刻製程。
如請求項20所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中所述通孔的深寬比大於等於7。
如請求項19所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中形成所述埋入式閘極結構的步驟包括：<br/> 形成閘極溝槽於所述基體區中；<br/> 形成閘絕緣層於所述閘極溝槽的表面上；<br/> 形成埋入式閘極電極於所述閘絕緣層上；以及<br/> 形成絕緣蓋層於所述埋入式閘極電極上，<br/> 其中位於所述凹槽的底部的所述源極區的表面高於所述絕緣蓋層的頂表面或與所述絕緣蓋層的頂表面處於相同水平。
如請求項26所述的溝槽式功率半導體元件的製造方法，其中所述閘極溝槽的深寬比大於或等於2.5，所述埋入式閘極電極包括無孔隙的共形閘極層及具有孔隙的閘極填充層，且所述孔隙與所述閘絕緣層至少距離10奈米。
一種操作裝置，包含：<br/>底座構件，其包含：<br/>第一端部部份，被建構成被耦接於車把，<br/>第二端部部份，相反於該第一端部部份，<br/>抓握部份，被設置在該第一端部部份與該第二端部部份之間，及<br/>缸筒孔，該缸筒孔具有缸筒中心軸線，該缸筒孔沿著該缸筒中心軸線延伸；<br/>操作構件，其被可繞樞轉軸線樞轉地耦接於該底座構件，該底座構件包含第一側表面、及於平行於該樞轉軸線的樞轉軸線方向被設置在該第一側表面的反面之第二側表面；及<br/>電開關，該電開關具有使用者操作部份，該使用者操作部份被建構成接收使用者輸入，且該使用者操作部份被設置於該第一側表面及該第二側表面中的至少一者，使得該使用者操作部份在從該樞轉軸線方向觀看時從該缸筒孔偏移。
如請求項1所述的操作裝置，其中<br/>該電開關在從該樞轉軸線方向觀看時從該缸筒孔偏移。
如請求項1或2所述的操作裝置，還包含：<br/>活塞，其被可移動地設置於該缸筒孔內，<br/>該使用者操作部份在從該樞轉軸線方向觀看時從該活塞偏移。
如請求項1或2所述的操作裝置，還包含：<br/>貯器孔，<br/>該使用者操作部份在從該樞轉軸線方向觀看時從該貯器孔偏移。
如請求項1或2所述的操作裝置，還包含：<br/>電路板，<br/>該電開關包含開關電路，該開關電路被電安裝在該電路板上。
如請求項5所述的操作裝置，還包含：<br/>通訊器，其被建構成將控制訊號無線地傳輸至電裝置，該通訊器被電安裝在該電路板上。
如請求項6所述的操作裝置，還包含：<br/>電源，其被安裝在該電開關上，該電源被建構成將電力供應給該通訊器。
如請求項5所述的操作裝置，其中<br/>該電開關包含開關托座，該開關托座被附接於該底座構件，且<br/>該開關托座收納該電路板。
如請求項8所述的操作裝置，其中<br/>該底座構件包含鞍橋部份，該鞍橋部份在該底座構件被安裝於該車把的安裝狀態中從該第二端部部份向前地向上延伸，且<br/>該開關托座被附接於該鞍橋部份。
如請求項1或2所述的操作裝置，其中<br/>該使用者操作部份可於操作方向移動，該操作方向不平行於參考平面，該參考平面垂直於該樞轉軸線。
如請求項1或2所述的操作裝置，其中<br/>該操作構件包括近端部、及相反於該近端部的遠端部，<br/>該操作構件於該近端部被可繞該樞轉軸線樞轉地耦接於該底座構件，<br/>該操作構件從該近端部延伸至該遠端部，<br/>該電開關被設置於該底座構件的一部份，該底座構件的該部份位在相對於該樞轉軸線與該遠端部相反之一側。
如請求項11所述的操作裝置，其中<br/>該電開關被設置於該第二端部部份的一部份，該第二端部部份的該部份位在相對於該樞轉軸線與該遠端部相反之一側。
如請求項1或2所述的操作裝置，其中<br/>該底座構件包含底座本體及握套，<br/>該握套被附接於該底座本體，以至少部份地覆蓋該底座本體，且<br/>該使用者操作部份被該握套覆蓋。
如請求項1或2所述的操作裝置，其中<br/>該電開關被建構成接收該使用者輸入，該電開關在沿著該樞轉軸線觀看時從參考平面偏移，該參考平面垂直於該樞轉軸線。
一種鎓鹽，係以下式(1)表示；<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="144px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n1為0或1；n2為1~4之整數；n3為1~4之整數；n4為0~3之整數；惟n1為0時，2≦n2＋n3＋n4≦5，且n1為1時，2≦n2＋n3＋n4≦7；<br/> W<sup>A</sup>為包含碳數2~10之環狀醚結構之基；<br/> R<sup>1</sup>為碘原子以外之鹵素原子、或亦可含有雜原子之碳數1~20之烴基；n4為2或3時，複數之R<sup>1</sup>亦可互相鍵結，而與它們鍵結之芳香環上的碳原子一起形成環，該環之-CH<sub>2</sub>-之一部分，亦可被-O-或-S-取代；<br/> L<sup>A</sup>及L<sup>B</sup>各自獨立地為單鍵、醚鍵、硫醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵；<br/> X<sup>L</sup>為單鍵、或亦可含有雜原子之碳數1~40之伸烴基；<br/> Z<sup>+</sup>為錪陽離子、鋶陽離子、銨陽離子。
如請求項1之鎓鹽，其中，L<sup>A</sup>為醚鍵或硫醚鍵。
如請求項1之鎓鹽，其中，W<sup>A</sup>為亦可具有取代基之環氧乙烷環、亦可具有取代基之氧雜環丁烷環、亦可具有取代基之四氫呋喃環或亦可具有取代基之四氫吡喃環。
如請求項1之鎓鹽，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子、下式(cation-2)表示之錪陽離子、或下式(cation-3)表示之銨陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="151px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct9</sup>各自獨立地為鹵素原子、或亦可含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct3</sup>中之任2者，亦可互相鍵結而與它們鍵結之硫原子一起形成環，R<sup>ct6</sup>~R<sup>ct9</sup>中之任2者，亦可互相鍵結而與它們鍵結之氮原子一起形成環。
一種淬滅劑，係由如請求項1至4中任一項之鎓鹽構成。
一種化學增幅阻劑組成物，包含如請求項5之淬滅劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，包含含有下式(a1)表示之重複單元之基礎聚合物；<br/><img align="absmiddle" height="39px" width="70px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(＝O)-O-X<sup>11</sup>-，且該伸苯基或伸萘基，亦可經亦可含有氟原子之碳數1~10之烷氧基或鹵素原子取代；X<sup>11</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該飽和伸烴基亦可含有羥基、醚鍵或酯鍵；*表示與主鏈之碳原子的原子鍵；<br/> AL<sup>1</sup>為酸不穩定基。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物包含下式(a2)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="70px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> X<sup>2</sup>為單鍵或*-C(＝O)-O-；*表示與主鏈之碳原子的原子鍵；<br/> R<sup>11</sup>為鹵素原子、氰基、亦可含有雜原子之碳數1~20之烴基、亦可含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、亦可含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、亦可含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或亦可含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基；<br/> AL<sup>2</sup>為酸不穩定基；<br/> a為0~4之整數。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物包含下式(b1)或(b2)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="52px" width="88px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> Y<sup>1</sup>為單鍵或*-C(＝O)-O-；*表示與主鏈之碳原子的原子鍵；<br/> R<sup>21</sup>為氫原子、或包含選自酚性羥基以外之羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵及羧酸酐(-C(＝O)-O-C(＝O)-)中之至少1者以上之結構之碳數1~20的基；<br/> R<sup>22</sup>為鹵素原子、羥基、羧基、硝基、氰基、亦可含有雜原子之碳數1~20之烴基、亦可含有雜原子之碳數1~20之烴氧基、亦可含有雜原子之碳數2~20之烴羰基、亦可含有雜原子之碳數2~20之烴羰氧基或亦可含有雜原子之碳數2~20之烴氧羰基；<br/> b為1~4之整數；c為0~4之整數；惟1≦b＋c≦5。
如請求項7之化學增幅阻劑組成物，其中，該基礎聚合物包含選自下式(c1)表示之重複單元、下式(c2)表示之重複單元、下式(c3)表示之重複單元及下式(c4)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="128px" width="213px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> Z<sup>1</sup>為單鍵或亦可具有取代基之伸苯基；<br/> Z<sup>2</sup>為單鍵、**-C(＝O)-O-Z<sup>21</sup>-、**-C(＝O)-NH-Z<sup>21</sup>-或**-O-Z<sup>21</sup>-；Z<sup>21</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之2價基，且亦可含有鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> Z<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵；<br/> Z<sup>4</sup>為單鍵、或碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之2價基，且亦可含有鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> Z<sup>5</sup>各自獨立地為單鍵、亦可具有取代基之伸苯基、伸萘基或*-C(＝O)-O-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~10之脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該脂肪族伸烴基亦可含有鹵素原子、羥基、醚鍵或酯鍵；<br/> Z<sup>6</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵；<br/> Z<sup>7</sup>各自獨立地為單鍵、***-Z<sup>71</sup>-C(＝O)-O-、***-C(＝O)-NH-Z<sup>71</sup>-或***-O-Z<sup>71</sup>-；Z<sup>71</sup>為亦可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；<br/> Z<sup>8</sup>各自獨立地為單鍵、****-Z<sup>81</sup>-C(＝O)-O-、****-C(＝O)-NH-Z<sup>81</sup>-或****-O-Z<sup>81</sup>-；Z<sup>81</sup>為亦可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；<br/> Z<sup>9</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、*-C(＝O)-O-Z<sup>91</sup>-、*-C(＝O)-N(H)-Z<sup>91</sup>-或*-O-Z<sup>91</sup>-；Z<sup>91</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或經三氟甲基取代之伸苯基，且亦可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> *表示與主鏈之碳原子的原子鍵；**表示與Z<sup>1</sup>之原子鍵；***表示與Z<sup>6</sup>之原子鍵；****表示與Z<sup>7</sup>之原子鍵；<br/> R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>亦可互相鍵結而與它們鍵結之硫原子一起形成環；<br/> L<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵；<br/> Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基；<br/> Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基；<br/> Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1~6之氟化飽和烴基；惟，Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>不會全部同時為氫原子；<br/> M<sup>-</sup>為非親核性相對離子；<br/> A<sup>+</sup>為鎓陽離子；<br/> d為0、1、2或3。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含有機溶劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含會產生強酸之光酸產生劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含如請求項5之淬滅劑以外的淬滅劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含界面活性劑。
一種圖案形成方法，包括下列步驟：<br/> 使用如請求項6之化學增幅阻劑組成物在基板上形成阻劑膜；<br/> 將該阻劑膜以高能射線進行曝光；及<br/> 將該曝光後之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項15之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種具並聯開關的直流-直流轉換器，包含： <br/>一交換式直流-直流轉換電路，包含至少一開關單元，各該開關單元包含並聯的N個開關，該N個開關中包含一第i開關與一第i+1開關，N為大於或等於2的正整數，i為1至N-1的正整數；以及 <br/>一控制單元，電性連接各該開關單元的該N個開關的驅動端，該控制單元輸出N個驅動信號分別至該N個開關的驅動端，該N個驅動信號為具有相同週期與相同脈波寬度的脈波寬度調變信號，以分別控制該N個開關的導通狀態與截止狀態，其中，該控制單元輸出一第i驅動信號與一第i+1驅動信號分別至該第i開關與該第i+1開關，且該第i驅動信號與該第i+1驅動信號的導通相位彼此交錯且不重複。
如請求項1所述之具並聯開關的直流-直流轉換器，其中，該第i驅動信號與該第i+1驅動信號的導通相位彼此相差360/N度。
如請求項1或2所述之具並聯開關的直流-直流轉換器，其中，該第i驅動信號與該第i+1驅動信號為責任週期小於(1/N)×100%的脈波寬度調變信號。
一種具並聯開關的直流-直流轉換器的控制方法，於一控制單元實施，該控制單元電性連接一交換式直流-直流轉換電路之至少一開關單元，各該開關單元包含並聯的N個開關，該控制單元輸出N個驅動信號分別至該N個開關的驅動端，該N個驅動信號為具有相同週期與相同脈波寬度的脈波寬度調變信號，該N個開關中包含一第i開關與一第i+1開關，N為大於或等於2的正整數，i為1至N-1的正整數，該控制方法包含： <br/>輸出一第i驅動信號至該第i開關；以及 <br/>輸出一第i+1驅動信號至該第i+1開關，其中，該第i驅動信號與該第i+1驅動信號的導通相位彼此交錯且不重複。
如請求項4所述之具並聯開關的直流-直流轉換器的控制方法，其中，該第i驅動信號與該第i+1驅動信號的導通相位彼此相差360/N度。
如請求項4或5所述之具並聯開關的直流-直流轉換器的控制方法，其中，該第i驅動信號與該第i+1驅動信號為責任週期小於(1/N)×100%的脈波寬度調變信號。
一種顯示面板，包括： <br/>第一基板； <br/>畫素結構，設置在該第一基板上，且設有反射區與穿透區，該畫素結構包括： <br/>主動元件； <br/>第一透明電極，重疊該穿透區設置； <br/>反射層，設置在該主動元件上，且定義出該反射區；以及 <br/>第二透明電極，重疊該穿透區設置，且位在該第一透明電極與該第一基板之間；以及 <br/>絕緣層，設置在該第一透明電極與該第二透明電極之間， <br/>其中該第一透明電極或該第二透明電極電性連接該主動元件，且該第一透明電極與該第二透明電極電性耦合並形成儲存電容。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一透明電極與該第二透明電極還重疊該反射區設置，且該第一透明電極電性連接該主動元件。
如請求項2所述的顯示面板，還包括： <br/>披覆層，設置在該第一透明電極與該第一基板之間，且覆蓋該主動元件，其中該第二透明電極設置在該絕緣層與該披覆層之間。
如請求項3所述的顯示面板，其中該畫素結構還包括： <br/>共電極，設置在該披覆層與該第一透明電極之間，且位於該反射區內，該第二透明電極延伸至該反射區內，且直接接觸該共電極。
如請求項4所述的顯示面板，其中該畫素結構還包括： <br/>電容電極，位於該反射區中，且延伸自該主動元件的汲極，其中該共電極與該電容電極電性耦合並形成另一儲存電容。
如請求項3所述的顯示面板，還包括： <br/>第二基板，重疊該第一基板設置； <br/>共電極層，設置在該第二基板上；以及 <br/>液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間，其中該披覆層具有位於該穿透區內的開口，且該液晶層在該穿透區的厚度大於該液晶層在該反射區的厚度。
如請求項6所述的顯示面板，其中該第一透明電極在該穿透區內設有多個微縫隙，且該共電極層具有重疊於該穿透區的電極開口。
如請求項1所述的顯示面板，其中該反射層與該第二透明電極為同一膜層，且彼此電性連接。
如請求項8所述的顯示面板，其中該第二透明電極的厚度小於該反射層的厚度。
如請求項8所述的顯示面板，其中該第二透明電極與該反射層的材料包括銀。
如請求項8所述的顯示面板，其中該第一透明電極與該反射層電性耦合並形成另一儲存電容。
如請求項1所述的顯示面板，還包括： <br/>披覆層，設置在該第一透明電極與該第一基板之間，且覆蓋該主動元件，該披覆層具有位於該穿透區的開口，其中該第二透明電極設置在該披覆層與該第一基板之間。
如請求項12所述的顯示面板，還包括： <br/>第二基板，重疊該第一基板設置； <br/>共電極層，設置在該第二基板上；以及 <br/>液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間，其中該液晶層在該穿透區的厚度大於該液晶層在該反射區的厚度。
如請求項13所述的顯示面板，其中該第一透明電極在該穿透區內設有多個微縫隙，且該共電極層具有重疊於該穿透區的電極開口。
如請求項12所述的顯示面板，其中該畫素結構還包括： <br/>電容電極，位於該反射區中，且延伸自該主動元件的汲極；以及 <br/>共電極，設置在該電容電極與該第一基板之間，且位於該反射區中，該共電極重疊於該電容電極。
如請求項15所述的顯示面板，其中該第一透明電極延伸至該反射區內並且電性連接該電容電極，該第二透明電極電性連接該共電極，該電容電極與該共電極電性耦合並形成另一儲存電容。
如請求項15所述的顯示面板，其中該畫素結構還包括： <br/>第三透明電極，重疊該反射區設置，且電性連接該電容電極。
如請求項17所述的顯示面板，其中該第一透明電極與該第三透明電極為同一膜層，且彼此電性獨立。
如請求項17所述的顯示面板，其中該第二透明電極電性連接該電容電極，該電容電極與該共電極電性耦合並形成另一儲存電容。
如請求項1所述的顯示面板，其中該第一透明電極延伸至該反射區內，並且電性連接該反射層。
一種防水蓋，用以蓋合於具有金屬殼的連接器本體，金屬殼具有彼此相對的內周面和外周面，外周面具有凹槽，金屬殼對應凹槽形成有扣接邊，該防水蓋包括： <br/>一內環牆，具有一防水凸緣；以及 <br/>一外環牆，對應該內環牆圍繞且具有一卡扣凸緣，該防水凸緣與該卡扣凸緣彼此相向配置； <br/>其中，該防水蓋套設於所述金屬殼，該卡扣凸緣對應伸入所述凹槽內並倒扣於所述扣接邊，該防水凸緣抵接於所述內周面，該防水凸緣和該卡扣凸緣彼此相對地迫抵和夾持所述金屬殼。
如請求項1所述之防水蓋，其中該防水凸緣和該卡扣凸緣皆為環繞狀的環繞凸緣。
如請求項1所述之防水蓋，其中該外環牆具有用於被擋止的一牆邊。
如請求項1所述之防水蓋，該防水蓋定義有一套設方向和垂直於該套設方向的一徑向，該防水凸緣和該卡扣凸緣之間定義有一相向方向，該相向方向相對於該徑向傾斜一角度。
如請求項4所述之防水蓋，其中該外環牆沿該套設方向的凸出長度大於該內環牆沿該套設方向的凸出長度，該內環牆和該外環牆沿該徑向彼此間隔。
如請求項1所述之防水蓋，其中該外環牆面對該內環牆的一面凸出有一凸體，該凸體做為嵌入用且形成有該卡扣凸緣。
如請求項6所述之防水蓋，該防水蓋定義有一套設方向和垂直於該套設方向的一徑向，該凸體為一環繞體且具有一側面，該側面相對於該套設方向傾斜，該外環牆對應該側面形成一喇叭口，該喇叭口的口徑為沿該套設方向由小漸大。
如請求項1所述之防水蓋，其中該防水凸緣為由防水材成型的防水墊圈。
如請求項1所述之防水蓋，其中該防水凸緣能經由迫抵而彈性變形。
一種防水連接器，包括： <br/>一連接器本體，包含一金屬殼，該金屬殼具有彼此相對的一內周面和一外周面，該外周面具有一凹槽，該金屬殼對應該凹槽形成有一扣接邊；以及 <br/>一防水蓋，套設於該金屬殼，該防水蓋具有一內環牆和圍繞該內環牆的一外環牆，該內環牆具有一防水凸緣，該外環牆具有一卡扣凸緣，該防水凸緣與該卡扣凸緣彼此相向配置，該卡扣凸緣對應伸入該凹槽內並倒扣於該扣接邊，該防水凸緣抵接於該內周面，該防水凸緣和該卡扣凸緣彼此相對地迫抵和夾持該金屬殼。
如請求項10所述之防水連接器，其中該金屬殼定義有一插接方向和垂直於該插接方向的一徑向，該凹槽環繞該外周面且形成有一槽口，該槽口朝向該徑向，該防水凸緣和該卡扣凸緣皆為環繞狀的環繞凸緣。
如請求項10所述之防水連接器，其中該金屬殼對應該凹槽還形成有一擋止邊，該扣接邊與該擋止邊彼此間隔相對，該外環牆被該擋止邊所擋止。
如請求項10所述之防水連接器，其中該金屬殼定義有一插接方向和垂直於該插接方向的一徑向，該防水凸緣和該卡扣凸緣之間定義有一相向方向，該相向方向相對於該徑向傾斜一角度。
如請求項13所述之防水連接器，其中該外環牆沿該插接方向的凸出長度大於該內環牆沿該插接方向的凸出長度，該內環牆和該外環牆沿該徑向彼此間隔。
如請求項10所述之防水連接器，其中該外環牆面對該內環牆的一面凸出有一凸體，該凸體嵌入該凹槽內且形成有該卡扣凸緣。
如請求項15所述之防水連接器，其中該金屬殼定義有一插接方向和垂直於該插接方向的一徑向，該凸體為一環繞體且具有面對該外周面的一側面，該側面相對於該插接方向傾斜，該外環牆對應該側面形成一喇叭口，該喇叭口的口徑為沿該插接方向由小漸大。
如請求項10所述之防水連接器，其中該防水凸緣為由防水材成型的防水墊圈。
如請求項10所述之防水連接器，其中該防水凸緣經由迫抵該內周面而彈性變形。
一種唯讀記憶體陣列，包含： <br/>多條平行之共源線，包含一第一共源線； <br/>多條平行之字元線，與該多條平行之共源線互相垂直，該多條平行之字元線包含一第一字元線； <br/>多條平行之位元線，與該多條平行之字元線互相垂直，該多條平行之位元線包含一第一位元線；以及 <br/>多個唯讀記憶體，每一該唯讀記憶體耦接一條該共源線、一條該字元線與一條該位元線，其中每一該唯讀記憶體包含： <br/>一N通道場效電晶體，其源極耦接該第一共源線； <br/>一電子開關，耦接於該N通道場效電晶體之汲極與該第一位元線之間；以及 <br/>一電容器，其一端耦接該N通道場效電晶體之閘極，另一端耦接該第一字元線，其中該N通道場效電晶體與該電容器設於一P型半導體區域中； <br/>其中該電容器包含： <br/>一第一N型重摻雜區，設於該P型半導體區域中，並耦接該第一字元線； <br/>一第一介電區塊；以及 <br/>一電極區塊，透過該第一介電區塊設於該P型半導體區域上，並耦接該N通道場效電晶體之該閘極，其中該電極區塊具有一條狀部及與其垂直設置的多個指狀部，每一該指狀部之一端連接該條狀部，另一端往該第一N型重摻雜區延伸。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該電容器更包含一第一N型井區，其設於該P型半導體區域中，且該第一N型重摻雜區設於該第一N型井區中。
如請求項2所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體包含： <br/>一第二介電區塊，設於該P型半導體區域上； <br/>一導電閘極，設於該第二介電區塊上，其中該導電閘極耦接該電極區塊；以及 <br/>一第二N型重摻雜區與一第三N型重摻雜區，設於該P型半導體區域中，該第二N型重摻雜區與該第三N型重摻雜區分別位於該導電閘極之正下方的該P型半導體區域的相異兩側，該第二N型重摻雜區耦接該第一共源線，該第三N型重摻雜區透過該電子開關耦接該第一位元線。
如請求項3所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體更包含一第二N型井區，其設於該P型半導體區域中，且該第二N型重摻雜區設於該第二N型井區中。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體與該電容器被選擇進行程式化(programming)動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該第一字元線耦合高電壓，該第一共源線耦合該接地電壓，該第一位元線電性浮接，該高電壓大於該接地電壓。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體與該電容器未被選擇進行程式化(programming)動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該第一字元線耦合該接地電壓，該第一共源線耦合該接地電壓，該第一位元線電性浮接。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體與該電容器被選擇進行抹除動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該第一字元線耦合該接地電壓，該第一共源線耦合高電壓，該第一位元線電性浮接，該高電壓大於該接地電壓。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該N通道場效電晶體與該電容器未被選擇進行抹除動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該第一字元線耦合中電壓，該第一共源線耦合高電壓，該第一位元線電性浮接，該高電壓大於該中電壓，該中電壓大於該接地電壓。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該條狀部耦接於該N通道場效電晶體之該閘極與該指狀部之間。
如請求項1所述之唯讀記憶體陣列，其中該P型半導體區域為半導體基板或設於半導體基板上的磊晶層。
一種唯讀記憶體，包含： <br/>一N通道場效電晶體，其源極耦接一共源線； <br/>一電子開關，耦接於該N通道場效電晶體之汲極與一位元線之間；以及 <br/>一電容器，其一端耦接該N通道場效電晶體之閘極，另一端耦接一字元線，該字元線垂直交會該位元線與該共源線，其中該N通道場效電晶體與該電容器設於一P型半導體區域中； <br/>其中該電容器包含： <br/>一第一N型重摻雜區，設於該P型半導體區域中，並耦接該字元線； <br/>一第一介電區塊；以及 <br/>一電極區塊，其透過該第一介電區塊設於該P型半導體區域上，並耦接該N通道場效電晶體之該閘極，其中該電極區塊具有一條狀部及與其垂直設置的多個指狀部，每一該指狀部之一端連接該條狀部，另一端往該第一N型重摻雜區延伸。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該電容器更包含一第一N型井區，其設於該P型半導體區域中，且該第一N型重摻雜區設於該第一N型井區中。
如請求項12所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體包含： <br/>一第二介電區塊，設於該P型半導體區域上； <br/>一導電閘極，設於該第二介電區塊上，其中該導電閘極耦接該電極區塊；以及 <br/>一第二N型重摻雜區與一第三N型重摻雜區，設於該P型半導體區域中，該第二N型重摻雜區與該第三N型重摻雜區分別位於該導電閘極之正下方的該P型半導體區域的相異兩側，該第二N型重摻雜區耦接該共源線，該第三N型重摻雜區透過該電子開關耦接該位元線。
如請求項13所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體更包含一第二N型井區，其設於該P型半導體區域中，且該第二N型重摻雜區設於該第二N型井區中。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體與該電容器被選擇進行程式化(programming)動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該字元線耦合高電壓，該共源線耦合該接地電壓，該位元線電性浮接，該高電壓大於該接地電壓。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體與該電容器未被選擇進行程式化(programming)動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該字元線耦合該接地電壓，該共源線耦合該接地電壓，該位元線電性浮接。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體與該電容器被選擇進行抹除動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該字元線耦合該接地電壓，該共源線耦合高電壓，該位元線電性浮接，該高電壓大於該接地電壓。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該N通道場效電晶體與該電容器未被選擇進行抹除動作時，該P型半導體區域耦合接地電壓，該字元線耦合中電壓，該共源線耦合高電壓，該位元線電性浮接，該高電壓大於該中電壓，該中電壓大於該接地電壓。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該條狀部耦接於該N通道場效電晶體之該閘極與該指狀部之間。
如請求項11所述之唯讀記憶體，其中該P型半導體區域為半導體基板或設於半導體基板上的磊晶層。
一種混合式雜訊濾波器，耦接於一輸入電源與一電源轉換器之間，該混合式雜訊濾波器包括： <br/>一差模濾波單元，具有一差模輸入側與一差模輸出側，且該差模輸入側連接該輸入電源，該差模濾波單元包括： <br/>一差模電感，包括一第一繞組與一第二繞組；以及 <br/>一差模電容，串聯該差模電感的該第二繞組；以及 <br/>一共模濾波單元，具有一共模輸入側與一共模輸出側，該共模輸入側連接該差模輸出側，且該共模輸出側連接該電源轉換器，該共模濾波單元包括： <br/>一共模電感，包括一第一繞組、一第二繞組以及一第三繞組；以及 <br/>一第一共模電容，串聯該共模電感的該第三繞組，且連接於一接地端。
如請求項1所述之混合式雜訊濾波器，其中該差模電感的該第一繞組具有一第一端與一第二端，該差模電感的該第二繞組具有一第一端與一第二端，該差模電容具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第一繞組的該第一端連接該第二繞組的該第一端，該第二繞組的該第二端連接該差模電容的該第一端； <br/>其中該第一繞組的該第一端與該差模電容的該第二端形成該差模輸入側； <br/>其中該第一繞組的該第二端與該差模電容的該第二端形成該差模輸出側。
如請求項2所述之混合式雜訊濾波器，其中該差模電感的該第一繞組的該第二端的極性與該差模電感的該第二繞組的該第二端的極性相同。
如請求項1所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模電感的該第一繞組具有一第一端與一第二端，該共模電感的該第二繞組具有一第一端與一第二端，該共模電感的該第三繞組具有一第一端與一第二端，該第一共模電容具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第一繞組的該第一端連接該第三繞組的該第一端，該第三繞組的該第二端連接該第一共模電容的該第一端； <br/>其中該第一繞組的該第一端與該第二繞組的該第一端形成該共模輸入側； <br/>其中該第一繞組的該第二端與該第二繞組的該第二端形成該共模輸出側。
如請求項4所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模電感的該第一繞組的該第二端的極性與該共模電感的該第二繞組的該第二端的極性相同，且該共模電感的該第二繞組的該第二端的極性與該共模電感的該第三繞組的該第二端的極性相同。
如請求項1所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模濾波單元更包括： <br/>一第二共模電容，連接於該共模輸入側之間。
如請求項4所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模濾波單元更包括： <br/>一第二共模電容，具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第二共模電容的該第一端連接該第三繞組的該第一端，該第二共模電容的該第二端連接該第二繞組的該第一端。
一種混合式雜訊濾波器，耦接於一輸入電源與一電源轉換器之間，該混合式雜訊濾波器包括： <br/>一共模濾波單元，具有一共模輸入側與一共模輸出側，且該共模輸入側連接該輸入電源，該共模濾波單元包括： <br/>一共模電感，包括一第一繞組、一第二繞組以及一第三繞組；以及 <br/>一第一共模電容，串聯該共模電感的該第三繞組，且連接於一接地端；以及 <br/>一差模濾波單元，具有一差模輸入側與一差模輸出側，該差模輸入側連接該共模輸出側，且該差模輸出側連接該電源轉換器，該差模濾波單元包括： <br/>一差模電感，包括一第一繞組與一第二繞組；以及 <br/>一差模電容，串聯該差模電感的該第二繞組。
如請求項8所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模電感的該第一繞組具有一第一端與一第二端，該共模電感的該第二繞組具有一第一端與一第二端，該共模電感的該第三繞組具有一第一端與一第二端，該第一共模電容具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第一繞組的該第一端連接該第三繞組的該第一端，該第三繞組的該第二端連接該第一共模電容的該第一端； <br/>其中該第一繞組的該第一端與該第二繞組的該第一端形成該共模輸入側； <br/>其中該第一繞組的該第二端與該第二繞組的該第二端形成該共模輸出側。
如請求項9所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模電感的該第一繞組的該第二端的極性與該共模電感的該第二繞組的該第二端的極性相同，且該共模電感的該第二繞組的該第二端的極性與該共模電感的該第三繞組的該第二端的極性相同。
如請求項8所述之混合式雜訊濾波器，其中該差模電感的該第一繞組具有一第一端與一第二端，該差模電感的該第二繞組具有一第一端與一第二端，該差模電容具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第一繞組的該第一端連接該第二繞組的該第一端，該第二繞組的該第二端連接該差模電容的該第一端； <br/>其中該第一繞組的該第一端與該差模電容的該第二端形成該差模輸入側； <br/>其中該第一繞組的該第二端與該差模電容的該第二端形成該差模輸出側。
如請求項11所述之混合式雜訊濾波器，其中該差模電感的該第一繞組的該第二端的極性與該差模電感的該第二繞組的該第二端的極性相同。
如請求項8所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模濾波單元更包括： <br/>一第二共模電容，連接於該共模輸入側之間。
如請求項9所述之混合式雜訊濾波器，其中該共模濾波單元更包括： <br/>一第二共模電容，具有一第一端與一第二端； <br/>其中該第二共模電容的該第一端連接該第三繞組的該第一端，該第二共模電容的該第二端連接該第二繞組的該第一端。
一種空氣清淨裝置，包括： <br/>一負電極；及 <br/>複數吸水性導體，設置在該負電極上，該吸水性導體包含至少一陶瓷纖維，且該陶瓷纖維之表面包覆有一石墨烯覆層。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，其中該負電極包含一銅本體，以及包覆該銅本體的一鎳鍍層。
如請求項2所述之空氣清淨裝置，其中該銅本體呈長條片狀。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，其中該石墨烯覆層包含複數石墨烯微片，該些石墨烯微片之平均片徑介於50~80目，該些石墨烯微片堆疊2至5層，且該石墨烯覆層之厚度介於0.3nm至1nm。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，其中該吸水性導體呈柱狀。
如請求項5所述之空氣清淨裝置，其中該吸水性導體之一端呈錐狀且另一端固定在該負電極。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，其中該陶瓷纖維包含氧化鋯、氧化鋁、碳化矽的至少其中之一者。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，更包含一正電極，與該負電極間隔配置。
如請求項8所述之空氣清淨裝置，更包含一高壓模組，該高壓模組包含一正電端以及一負電端，該正電端連接該正電極且該負電端連接該負電極。
如請求項1所述之空氣清淨裝置，更包含一風機，該風機的送風方向橫越該負電極而通過該些吸水性導體。
一種空氣清淨裝置的吸水性導體之製造方法： <br/>提供至少一陶瓷纖維、一石墨烯粉末5wt%~10wt%及一黏結劑並混合為一混合原料；及 <br/>將該混合原料乾燥後固化成形； <br/>其中，該混合原料中的該石墨烯粉末覆著於該陶瓷纖維的表面。
如請求項11所述之空氣清淨裝置的吸水性導體之製造方法，其中在乾燥該混合原料前更包含一步驟：提供一模具，以該模具塑形該混合原料。
如請求項11所述之空氣清淨裝置的吸水性導體之製造方法，其中該陶瓷纖維包含碳化矽、氧化鋁、氧化鋯至少其中之一燒製而成之纖維。
一種半導體裝置，其包含： <br/>一透光基板； <br/>一黏膠層，其設置該透光基板之一上方，該黏膠層設置一漸縮部；以及 <br/>一半導體元件，其設置於該黏膠層之一上方，該半導體元件包含： <br/>一半導體單元，其一下方之一第一截面積大於該漸縮部之一第二截面積； <br/>一絕緣層，其包覆該半導體單元之一外側；以及 <br/>一電極層，其電性連接並設置於該半導體單元之一下方，該黏膠層包覆該電極層。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該半導體單元係一發光二極體。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該透光基板係一藍寶石基板。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該漸縮部設置於該黏膠層之中間，使該黏膠層形成漏斗狀結構。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該黏膠層以該漸縮部連接該透光基板。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一截面積係該半導體單元之最小截面積。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該黏膠層係以一感應耦合電漿蝕刻或一反應式離子蝕刻形成該漸縮部。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該半導體元件係以一雷射剝離照射該黏膠層，使該半導體元件從該透光基板分離。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該絕緣層之材料係一氮化矽或一氧化矽。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該絕緣層之厚度係500nm~1000nm。
一種經組態用於接收射頻信號之玻璃單元(100)，該玻璃單元包括 <br/>一第一板(111；650)及一第二板(112)，該等第一及第二板係彼此平行， <br/>一第一基板(141；621)及一第二基板(142；622)， <br/>該第一基板及該第二基板係平行於該等第一及第二板配置於該玻璃單元中， <br/>至少兩個指叉式電極係配置於該第一基板之一第二側上，該第一基板之該第二側係與該第一基板之該第一側相對，該第一基板之該第二側面向該第二基板之一第一側， <br/>至少兩個指叉式電極係配置於該第二基板之該第一側上，該第二基板之該第一側面向該第一基板， <br/>至少一個天線(121)，其用於接收一射頻信號，該天線係配置於該第一基板之一側上或該第一板之一側上， <br/>一光學層(143)，其配置於該第一基板與該第二基板之間，帶電或可充電粒子係流體懸浮在該光學層(143)中，該等粒子以及該等第一及第二基板上之電極經組態協作進行該等粒子之位置之電泳調變，而引起行進穿過該玻璃單元之光之調變，其中在該第一基板或其部分上之該至少兩個指叉式電極係組態為該至少一個天線。
如請求項1之玻璃單元(100)，其中 <br/>該第一基板之該第一側係面向該第一板，該第二基板之一第二側面向該第二板，該等第一及第二基板係配置於該玻璃單元內部，或 <br/>該第二基板之一第二側面向該第一板，該等第一及第二基板係配置於該玻璃單元之一外部側處。
如請求項1之玻璃單元，其中該第一板經配置用於面向一建築物外部，該第二板經配置用於面向該建築物內部，或其中該第一板經配置用於面向一車輛外部，該第二板經配置用於面向該車輛內部。
如請求項1之玻璃單元，該玻璃單元包括 <br/>一夾具(130)，其包圍該玻璃單元，該等第一及第二板係附接至該夾具，該夾具經配置以將該等第一及第二板彼此間隔。
如請求項1之玻璃單元，其中該至少一個天線包括以下之一或多者： <br/>一第一天線，其經組態以自該經接收射頻信號捕捉電功率， <br/>一第二天線，其經組態以自該經接收射頻信號恢復經RF調變資料， <br/>一第三天線，其經組態以在再調變之後重傳該恢復經RF調變資料。
如請求項1之玻璃單元，一電容器(150)經連接至該天線(121)以將該天線(121)調諧為高於100 MHz之一頻率。
如請求項1之玻璃單元，其中該等第一及第二基板上之該等指叉式電極係用具有低於1 kHz，較佳低於100 Hz之一頻率之一電信號控制。
如請求項1之玻璃單元，其中該至少一或多個天線包括組態為貼片天線之一或多個貼片元件。
如請求項1之玻璃單元，其包括一射頻解調器及一射頻調變器。
如請求項1之玻璃單元，其包括經連接至該第一基板上之該至少兩個指叉式電極及/或該第二基板上之該至少兩個指叉式電極以用於控制該光學層之一控制器，該控制器可經組態以接收指示該光學層控制之一控制信號。
如請求項1之玻璃單元，其中該控制器(160)經配置以自該天線信號獲得電功率以用於至少部分驅動該等第一及第二基板(141、142)上之該等電極(122、123)。
如請求項1之玻璃單元，其包括一控制器(160)，該控制器經配置以自該天線信號恢復在該天線信號中傳達之資料，及/或用於再調變該經恢復資料且經由另一天線傳輸該經再調變資料。
如請求項1之玻璃單元，其中一隔離層(144)係配置於該第一基板(142)與該第二板(112)之間，其中該隔離層(144)可為真空或包括一隔離氣體，例如氬氣。
如請求項1之玻璃單元，其包括一電容器，其中該電容器(150)包括多個指叉式介電鰭片(255)及導電鰭片(254)，一接地平面(253)係連接一第一外部介電鰭片，且一連接器(252)係連接至一第二外部介電鰭片，天線121之一第一連接係連接至該第一外部介電鰭片，且天線121之一第二連接係連接至該連接器(252)。
如請求項1之玻璃單元，其從該第一板之該外部包括：該一或多個天線、一介電層、一透明導電層及該第一基板，以該順序，該介電層將該一或多個天線與該透明導電層隔離。
如請求項1之玻璃單元，其中 <br/>一ITO層、一介電層及該一或多個天線係配置於該第一基板之該第一側上，或 <br/>一透明導電層、一介電層及該一或多個天線係配置於該第一板背離該第一基板之一側上，或 <br/>該一或多個天線係配置於該第一板背離該第一基板之一側上，且一透明導電層係配置於該第一基板之該第一側上。
如請求項1之玻璃單元，其中該一或多個天線係配置於該第一基板之該第二側上在該至少兩個指叉式電極間。
如請求項1之玻璃單元，其中在該第一基板之該第二側上之至少兩個指叉式天線包括一或多個貼片，針對高頻信號但非針對低頻信號，將該等貼片與該第一基板之該第二側上之該至少兩個指叉式天線之其餘部分隔離。
一種如前述請求項1至18中任一項之第一基板。
一種第一基板，其具有一第一側及一第二側， <br/>一透明導電層、一介電層及一或多個天線係配置於該第一基板之該第一側上，及 <br/>至少兩個指叉式電極係配置於該第一基板之該第二側上。
一種離子束蝕刻基板的方法，該方法包括：<br/> 從一離子束源腔室產生一惰性氣體的一離子束；<br/> 施加該惰性氣體的該離子束至該離子束源腔室外部的一處理腔室內之該基板，其中該離子束對該基板上的一磁性隨機存取記憶體（MRAM）堆疊之一或更多層進行蝕刻；以及<br/> 直接引入一反應性氣體至該處理腔室內並且朝向該基板，其中引入該反應性氣體的步驟包含將該反應性氣體直接脈衝進入該處理腔室內。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該反應性氣體包括具有羥基的一含碳氣體。
如請求項2所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該含碳氣體係選自於由醇、羧酸、有機氫過氧化物、半縮醛、和半縮酮所組成的群組。
如請求項3所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該含碳氣體包括甲醇。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該反應性氣體包括一含氟氣體、或一含氮氣體。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該MRAM堆疊包括一磁性穿隧接面(MTJ)堆疊，其中該MTJ堆疊包括一頂磁性層、一底磁性層、以及介於該頂磁性層與該底磁性層之間的一穿隧障壁層。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中在蝕刻該一或更多層後且在引入該反應性氣體後，該MRAM堆疊的側壁實質上不含再沉積的蝕刻副產物。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中施加該離子束的步驟包括連續地施加該離子束以蝕刻該MRAM堆疊的該一或更多層。
如請求項8所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟係與施加該離子束的步驟同時發生。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟包含引入該反應性氣體朝向該基板，且不穿過該離子束源腔室。
如請求項1所述之離子束蝕刻基板的方法，其中施加該離子束的步驟包括將該離子束脈衝化以蝕刻該MRAM堆疊的該一或更多層。
如請求項11所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟係與施加該離子束的步驟同時發生。
如請求項11所述之離子束蝕刻基板的方法，其中在將該離子束脈衝化時，該離子束的一振幅係隨著時間而進行調變。
如請求項1至13中任一項所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟包括當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，在一初始處理時距的期間流動該反應性氣體。
如請求項1至13中任一項所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟包括當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，在一終端處理時距的期間流動該反應性氣體。
如請求項1至13中任一項所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟包括當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，在一中間處理時距的期間流動該反應性氣體。
如請求項1至13中任一項所述之離子束蝕刻基板的方法，其中在該處理腔室中該反應性氣體的壓力係介於約0.1 mTorr與約0.6 mTorr之間。
如請求項1至13中任一項所述之離子束蝕刻基板的方法，其中引入該反應性氣體的步驟避免蝕刻副產物再沉積於該MRAM堆疊的側壁上。
一種離子束蝕刻基板的方法，該方法包括：<br/> 在一離子束源腔室內產生一惰性氣體的一離子束；<br/> 將該惰性氣體的該離子束脈衝至該離子束源腔室外部的一處理腔室中之該基板，其中該離子束對該基板上的一磁性隨機存取記憶體（MRAM）堆疊之一或更多層進行蝕刻；以及<br/> 將一反應性氣體直接引入該處理腔室內朝向該基板，其中引入該反應性氣體的步驟包含將該反應性氣體直接脈衝進入該處理腔室內。
如請求項19所述之離子束蝕刻基板的方法，其中在將該離子束脈衝化時，該離子束的一振幅係隨著時間而進行調變。
如請求項20所述之離子束蝕刻基板的方法，其中該反應性氣體包括具有羥基的一含碳氣體，其中該含碳氣體係選自於由醇、羧酸、有機氫過氧化物、半縮醛、和半縮酮所組成的群組。
如請求項19所述之離子束蝕刻基板的方法，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一初始處理時距的期間進行流動。
如請求項19所述之離子束蝕刻基板的方法，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一終端處理時距的期間進行流動。
如請求項19所述之離子束蝕刻基板的方法，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一中間處理時距的期間進行流動。
一種用於執行基板的離子束蝕刻之設備，該設備包括：<br/> 一離子束源腔室；<br/> 一處理腔室，耦接至該離子束源腔室，其中該處理腔室係配置以固持位於該處理腔室內的該基板，其中一磁性隨機存取記憶體（MRAM）堆疊包括設置在該基板上的一或更多層；<br/> 一氣體輸送系統，耦接至該處理腔室；以及<br/> 一控制器，配置以提供指令以執行以下操作：<br/> 在該離子束源腔室內產生一惰性氣體的一離子束；<br/> 將該惰性氣體的該離子束施加至該處理腔室中之該基板，其中該離子束對該基板上的該MRAM堆疊之該一或更多層進行蝕刻；以及<br/> 透過該氣體輸送系統將一反應性氣體直接引入該處理腔室內朝向該基板，其中引入該反應性氣體的操作包含將該反應性氣體直接脈衝進入該處理腔室內。
如請求項25所述之用於執行基板的離子束蝕刻之設備，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一初始處理時距的期間進行流動。
如請求項25所述之用於執行基板的離子束蝕刻之設備，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一終端處理時距的期間進行流動。
如請求項25所述之用於執行基板的離子束蝕刻之設備，其中當對該MRAM堆疊的該一或更多層進行蝕刻時，該反應性氣體係在一中間處理時距的期間進行流動。
一種農產品表面根系去除裝置，其包含： <br/>一機台本體，其包含由前往後依序連接之一入料部、一切削部及一出料部，所述切削部形成有一根系收集空間，且所述出料部形成有一出料收集空間； <br/>一升降驅動模組，其係設置於該機台本體的入料部； <br/>一切削模組，其包含一轉動驅動件、一轉動軸、一滾筒及一入料斗，該轉動驅動件係樞設於該機台本體的出料部，該轉動軸係連接該轉動驅動件並銜接該升降驅動模組，該滾筒係設置於該轉動軸，並能被該轉動驅動件帶動旋轉，該滾筒內部形成有一滾動空間，且所述滾動空間於鄰近該機台本體的入料部處形成有一入料口，並於鄰近該出料部形成有一出料口，且該滾筒分布形成有複數貫通外周壁之切削孔，每一切削孔的孔徑係自該滾筒的外側朝內側尺寸漸縮，且每一切削孔於該滾筒內側的孔緣處形成環形的一切削刃，該複數切削孔係位於該切削部的上方，該入料斗係設置於該滾筒前端，並具有朝向該滾筒之入料口的一入料通道，所述切削模組之滾筒能被該升降驅動模組帶動而改變傾斜角度；以及 <br/>一控制模組，其係設置於該機台本體上並電性連接該升降驅動模組及該切削模組。
如請求項1所述之農產品表面根系去除裝置，其中該滾筒的內徑係自該入料口朝該出料口方向尺寸漸減。
如請求項1所述之農產品表面根系去除裝置，其中該升降驅動模組包含一升降驅動件及一升降載座，所述升降驅動件係設置於該機台本體的入料部，該升降載座係能垂直升降地設置於該升降驅動件上，所述切削模組的轉動軸係連接該升降載座，所述升降驅動件能控制所述升降載座升降以調整所述切削模組之滾筒之傾斜角度。
如請求項2所述之農產品表面根系去除裝置，其中該升降驅動模組包含一升降驅動件及一升降載座，所述升降驅動件係設置於該機台本體的入料部，該升降載座係能垂直升降地設置於該升降驅動件上，所述切削模組的轉動軸係連接該升降載座，所述升降驅動件能控制所述升降載座升降以調整所述切削模組之滾筒之傾斜角度。
如請求項1至4中任一項所述之農產品表面根系去除裝置，其中該機台本體的切削部具有朝一側向下傾斜之一根系導引斜板，且所述切削部於所述根系導引斜板之向下傾斜側形成有連通該根系收集空間之一根系輸出口，該機台本體之出料部具有朝後端方向向下傾斜之一出口導引斜板，且所述出料部於所述出口導引斜板之後端形成有連通該出料收集空間之一集料出口。
如請求項5所述之農產品表面根系去除裝置，其中該機台本體於該集料出口處向後延伸形成一延伸導板。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該第一有機化合物為具有三嗪骨架、嘧啶骨架、嗒<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="d10184.TIF" alt="其他非圖式ed10184.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10184.png"/>骨架及吡啶骨架的任一個的雜環化合物，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該第一有機化合物為<img align="absmiddle" height="20px" width="20px" file="d10185.TIF" alt="其他非圖式ed10185.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10185.png"/>二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物及三嗪衍生物的任一個，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差為根據該包含鉑族元素之金屬錯合物的吸收光譜中的吸收端而算出的遷移能量以上，<br/>該第一有機化合物為具有三嗪骨架、嘧啶骨架、嗒<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="d10186.TIF" alt="其他非圖式ed10186.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10186.png"/>骨架及吡啶骨架的任一個的雜環化合物，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差為根據該包含鉑族元素之金屬錯合物的吸收光譜中的吸收端而算出的遷移能量以上，<br/>該第一有機化合物為<img align="absmiddle" height="20px" width="19px" file="d10187.TIF" alt="其他非圖式ed10187.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10187.png"/>二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物及三嗪衍生物的任一個，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差為該包含鉑族元素之金屬錯合物所呈現的發光能量以上，<br/>該第一有機化合物為具有三嗪骨架、嘧啶骨架、嗒<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="d10188.TIF" alt="其他非圖式ed10188.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10188.png"/>骨架及吡啶骨架的任一個的雜環化合物，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
一種發光元件，包括：<br/>包含鉑族元素之金屬錯合物；<br/>第一有機化合物；以及<br/>第二有機化合物的發光層，<br/>其中，該第一有機化合物的LUMO能階低於該第二有機化合物的LUMO能階，<br/>該第一有機化合物的HOMO能階低於該第二有機化合物的HOMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的LUMO能階低於該第一有機化合物的該LUMO能階，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與HOMO能階之間的能量差大於該第一有機化合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差，<br/>並且，該第一有機化合物與該第二有機化合物組合而形成激態錯合物，<br/>該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該第二有機化合物的該HOMO能階之間的能量差為該包含鉑族元素之金屬錯合物所呈現的發光能量以上，<br/>該第一有機化合物為<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="d10189.TIF" alt="其他非圖式ed10189.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10189.png"/>二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物、吡啶衍生物、聯吡啶衍生物、嘧啶衍生物及三嗪衍生物的任一個，<br/>該第二有機化合物為具有吡咯骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及芳香胺骨架的任一個的化合物。
如請求項1項至第6項中任一項之發光元件，<br/>其中該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該HOMO能階之間的該能量差比根據該包含鉑族元素之金屬錯合物的吸收光譜中的吸收端而算出的遷移能量大0.4eV以上。
如請求項1至6中任一項之發光元件，<br/>其中該包含鉑族元素之金屬錯合物的該LUMO能階與該HOMO能階之間的該能量差比該包含鉑族元素之金屬錯合物所呈現的發光能量大0.4eV以上。
如請求項1至6中任一項之發光元件，其中該激態錯合物所呈現的發射光譜具有與該包含鉑族元素之金屬錯合物的吸收光譜中的最長波長一側的吸收帶重疊的區域。
如請求項1至6中任一項之發光元件，其中該包含鉑族元素之金屬錯合物具有釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑。
一種快速接頭測試設備，係用於一母接頭，包括：<br/>一座體，內部形成有一內通道，該內通道上方組設該母接頭；<br/>一控制組件，設置於該座體側邊且接收一程序控制訊號，並該控制組件可由該程序控制訊號驅動至少一致動件，使該致動件控制一連動件執行位移動作；<br/>一壓板，組設於該連動件上且具有一接合孔，該母接頭對應所述接合孔，該接合孔內形成有一卡槽，使該母接頭相對該接合孔設置，該卡槽抵觸該母接頭之一套環，使該連動件執行位移動作時，該連動件帶動該壓板位移並推動該套環位移，令該母接頭解鎖。
如請求項1所述之快速接頭測試設備，其中所述座體上設置有一延伸組件，該延伸組件內形成有一延伸通道連通所述內通道。
如請求項1所述之快速接頭測試設備，其中所述控制組件鎖固於該座體側邊，且該控制組件側邊設置有至少一氣源輸入管及至少一氣源輸出管，該氣源輸入管輸入氣源至該控制組件，而該氣源輸出管連通所述致動件，並該控制組件經由所述氣源輸出管切換氣源至該致動件。
如請求項1所述之快速接頭測試設備，其中所述連動件上設置有一承載部，而該壓板係組設於該承載部上。
如請求項4所述之快速接頭測試設備，其中所述壓板形成有複數固定孔，而該承載部上形成有複數結合孔，該壓板透過該固定孔通過所述結合孔由至少一螺固元件螺鎖固定。
如請求項1所述之快速接頭測試設備，其中該卡槽之內徑寬度大於該接合孔之內徑寬度。
如請求項1所述之快速接頭測試設備，其中所述控制組件係為電磁閥，而該致動件係為氣缸，該連動件係為活塞。
一種聚醯亞胺溶液，其係使以下聚醯亞胺溶解於極性有機溶劑之聚醯亞胺溶液，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之2,4-二胺基甲苯所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="565px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
如請求項1之聚醯亞胺溶液，其中前述聚醯亞胺於極性有機溶劑中的含有量為5～50質量%。
一種塗布材料，其中含有聚醯亞胺，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之2,4-二胺基甲苯所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="565px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
一種成形材料，其中含有聚醯亞胺，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之2,4-二胺基甲苯所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="280px" width="565px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
一種聚醯亞胺溶液，其係使以下聚醯亞胺溶解於極性有機溶劑之聚醯亞胺溶液，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之4,4’-氧基二苯胺及/或3,4’-氧基二苯胺所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="276px" width="571px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
如請求項5之聚醯亞胺溶液，其中前述聚醯亞胺之含有量為極性有機溶劑中為5～50質量%。
一種塗布材料，其中含有聚醯亞胺，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之4,4’-氧基二苯胺及/或3,4’-氧基二苯胺所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="276px" width="571px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
一種成形材料，其中含有聚醯亞胺，該聚醯亞胺係由使由3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐所構成的酸成分，與由15.0～80.0mol%之下述式(A)所示化合物A、15.0～80.0mol%之2,2-雙-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷及超過0.0mol%且未達30.0mol%之4,4’-氧基二苯胺及/或3,4’-氧基二苯胺所構成的二胺成分進行聚合而成者， <br/><img align="absmiddle" height="276px" width="571px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 前述式(A)中之R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>各獨立為甲基或乙基。
一種儲存裝置的分類方法，包括：<br/> 對一輸入資料與儲存於該儲存裝置的一記憶體內計算(CIM)單元的複數個第一權重進行一第一運算以產生複數個第一運算結果；<br/> 比較該些第一運算結果與一臨界值，以得到一比較結果；<br/> 根據該比較結果，從該儲存裝置的一儲存單元讀出複數個第二權重的一第一部份，其中，該儲存單元儲存該些第二權重，該些第二權重的該第一部份係相關於複數個候選分類，該些第二權重之每一者的一位元長度長於該些第一權重之每一者的一位元長度；<br/> 對該輸入資料與該些第二權重的該第一部份進行一第二運算以產生複數個第二運算結果；以及<br/> 根據該些第二運算結果，從該些候選分類中選擇具有最高或前幾高乘積值的複數個目標候選分類。
如請求項1所述之儲存裝置的分類方法，其中，<br/> 根據該比較結果，當從該儲存單元讀出該些第二權重的該第一部份時，決定不將該些第二權重的一第二部份從該儲存單元中讀出，其中，該些第二權重的該第二部份係相關於複數個不相關分類；<br/> 一旦決定一特定第一權重的該第一運算結果低於該臨界值，則將相關於該特定第一權重的一特定第二權重所相關的一分類定義為該不相關分類；以及<br/> 一旦決定該特定第一權重的該第一運算結果高於該臨界值，則將相關於該特定第一權重的該特定第二權重所相關的該分類定義為該候選分類。
如請求項1所述之儲存裝置的分類方法，更包括：<br/> 把該第一權重分割成複數個子權重；以及<br/> 對該輸入資料與該些子權重進行一第三運算以產生複數個第三運算結果，以及，根據一前一子權重的該第三運算結果來調整一目前子權重的該臨界值。
如請求項1所述之儲存裝置的分類方法，更包括：<br/> 累加該比較結果以得到一累加結果；<br/> 比較該累加結果與一參考值以得到一累加比較結果；以及<br/> 根據該累加比較結果與一臨界值累加參數，更新該臨界值。
如請求項4所述之儲存裝置的分類方法，其中，<br/> 一旦決定該記憶體內計算單元的該第一運算結果高於該臨界值時，該累加結果加1；<br/> 一旦決定該累加結果小於該參考值，不更新該臨界值；以及<br/> 一旦決定該累加結果等於大於該參考值，將該臨界值加上該臨界值累加參數以得到更新後的該臨界值。
一種儲存裝置，包括：<br/> 一記憶體內計算單元，儲存複數個第一權重；<br/> 一儲存單元，儲存複數個第二權重，其中，該些第二權重係相關於該些第一權重，該些第二權重之每一者的一位元長度長於該些第一權重之每一者的一位元長度；<br/> 一控制器，耦接至該記憶體內計算單元與該儲存單元，以及<br/> 一分類加速器，耦接至該記憶體內計算單元、該儲存單元與該控制器；<br/> 其中，<br/> 該記憶體內計算單元計算一輸入資料與該些第一權重以產生複數個第一運算結果；<br/> 該分類加速器比較該些第一運算結果與一臨界值，以得到一比較結果；<br/> 根據該比較結果，該控制器從該儲存單元讀出該些第二權重的一第一部份，該些第二權重的該第一部份係相關於複數個候選分類；<br/> 該分類加速器計算該輸入資料與該些第二權重的該第一部份以產生複數個第二運算結果；以及<br/> 根據該些第二運算結果，該分類加速器從該些候選分類中選擇具有最高或前幾高乘積值的複數個目標候選分類。
如請求項6所述之儲存裝置，其中，<br/> 根據該比較結果，當該控制器從該儲存單元讀出該些第二權重的該第一部份時，該控制器決定不將該些第二權重的一第二部份從該儲存單元中讀出，其中，該些第二權重的該第二部份係相關於複數個不相關分類；<br/> 一旦決定一特定第一權重的該第一運算結果低於該臨界值，則將相關於該特定第一權重的一特定第二權重所相關的一分類定義為該不相關分類；以及<br/> 一旦決定該特定第一權重的該第一運算結果高於該臨界值，則將相關於該特定第一權重的該特定第二權重所相關的該分類定義為該候選分類。
如請求項6所述之儲存裝置，其中，該分類加速器架構成：<br/> 把該第一權重分割成複數個子權重；以及<br/> 對該輸入資料與該些子權重進行一第三運算以產生複數個第三運算結果，以及，根據一前一子權重的該第三運算結果來調整一目前子權重的該臨界值。
如請求項6所述之儲存裝置，其中，該分類加速器架構成：<br/> 累加該比較結果以得到一累加結果；<br/> 比較該累加結果與一參考值以得到一累加比較結果；以及<br/> 根據該累加比較結果與一臨界值累加參數，更新該臨界值。
如請求項9所述之儲存裝置，其中，該分類加速器架構成：<br/> 一旦決定該記憶體內計算單元的該第一運算結果高於該臨界值時，該累加結果加1；<br/> 一旦決定該累加結果小於該參考值，不更新該臨界值；以及<br/> 一旦決定該累加結果等於大於該參考值，將該臨界值加上該臨界值累加參數以得到更新後的該臨界值。
一種單手操作型觸發裝置，其包括:<br/> 一開關組件，包括一第一接點部件、一第二接點部件、電連接於該第一接點部件的一第一導線和電連接於該第二接點部件的一第二導線，該第一接點部件沿一第一方向移動與該第二接點部件接觸以形成導通狀態或分離以形成斷路狀態；<br/> 一基座組件，包括一支撐件和多個第一延伸件，該支撐件支撐該第二接點部件，多個該第一延伸件在一第二方向上設置於該支撐件的相對兩側且沿該第一方向靠近該第二接點部件延伸，該第二方向與該第一方向正交；<br/> 一按壓組件，包括一按壓本體、一抵接件和多個第二延伸件，該抵接件從該按壓本體沿該第一方向靠近該第一接點部件延伸，且該抵接件抵接於該第一接點部件，多個該第二延伸件在該第二方向上設置於該按壓本體的相對兩側且沿該第一方向靠近該第一接點部件延伸；<br/> 一限位加壓機構，設置於多個第一延伸件和多個該第二延伸件，該限位加壓機構包括多個抵接凸件和多個抵接槽孔，多個該抵接凸件分別抵接於多個該抵接槽孔在該第一方向上的孔壁；<br/> 其中，施力於該按壓本體的一側定義為一施力側，該按壓本體中與該施力側相對的一側定義為一抵接側，該抵接側的至少一個該抵接凸件保持抵接於該抵接槽孔的孔壁，使得該抵接件推動該第一接點部件沿該第一方向移動與該第二接點部件接觸；<br/> 其中，該抵接件抵接於該第一接點部件的一個接觸位置。
如請求項1所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該第一延伸件還在一第三方向上設置於該支撐件的相對兩側，多個該第二延伸件還在該第三方向上設置於該按壓本體的相對兩側，該第三方向垂直於該第一方向和該第二方向。
如請求項1或2所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該抵接凸件分別設置於多個該第一延伸件且多個該抵接槽孔分別設置於多個該第二延伸件。
如請求項3所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該第二延伸件彼此連接而形成延伸周壁。
如請求項3所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該抵接凸件抵接於該抵接槽孔靠近該開關組件的該孔壁。
如請求項3所述的單手操作型觸發裝置，其中，每個該抵接凸件設置於該第一延伸件的末端，且該第一延伸件的該末端與該按壓本體間具有一退避距離。
如請求項1或2所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該抵接凸件分別設置於多個該第二延伸件且多個抵接槽孔分別設置於多個該第一延伸件。
如請求項7所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該第一延伸件彼此連接而形成延伸周壁。
如請求項8所述的單手操作型觸發裝置，其中，多個該抵接凸件抵接於該抵接槽孔遠離該開關組件的該孔壁。
如請求項1所述的單手操作型觸發裝置，其中，每個該抵接凸件設置於該第二延伸件的末端，且該第二延伸件的該末端與該支撐件間具有一退避距離。
如請求項1所述的單手操作型觸發裝置，其中，該第一接點部件為弧形彈片且沿該第一方向遠離該第二接點部件凸起，該抵接件抵接於該第一接點部件的頂點。
如請求項2所述的單手操作型觸發裝置，其中，該支撐件包括多個支撐凸肋，多個該支撐凸肋沿該第二方向或/和該第三方向延伸且支撐該第二接點部件。
如請求項12所述的單手操作型觸發裝置，其中，該支撐件還包括沿該第一方向往遠離支撐凸肋延伸的多個定位柱，該開關組件具有多個定位孔，透過多個該定位柱穿過於多個該定位孔，使得該開關組件在該支撐件上於該第二方向和該第三方向上形成限位。
如請求項12所述的單手操作型觸發裝置，其中，該支撐件還包括多個卡扣件，多個卡扣件設置於多個該支撐凸肋的相對兩側，且抵接於該開關組件，使得該開關組件在該支撐件上於該第一方向上形成限位。
如請求項14所述的單手操作型觸發裝置，其中，該支撐件還包括形成於多個該支撐凸肋和多個該卡扣件間的兩個線槽，兩個相鄰的第一延伸件間形成一穿孔，該第一導線和該第二導線經由該穿孔分別進入該支撐件的兩個該線槽。
如請求項1所述的單手操作型觸發裝置，其中，還包括一裝置容置組件，該裝置容置組件包括一容置件、一電連接件和一卡合定位件，該容置件具有一底壁和一外周壁，該底壁與該外周壁連接以形成一容置槽，一卡合槽形成於該外周壁且與該容置槽連通，該電連接件連接該第一導線和該第二導線且結合於該卡合定位件，該卡合定位件卡合於該卡合槽而定位於該容置件，且至少部分的該電連接件露出該容置槽。
如請求項16所述的單手操作型觸發裝置，其中，該容置槽與該卡合槽開口於該容置件的相對兩側，該卡合槽包括設置於其相對兩側的兩個第一卡合端部，該卡合定位件包括設置於其相對兩側的兩個第二卡合端部和位於兩個該第二卡合端部間的一應力變形缺口，兩個該第一卡合端部間的距離小於兩個該第二卡合端部間的距離，該卡合定位件在該應力變形缺口處產生應力變形，使該卡合定位件卡合於該卡合槽，兩個該第一卡合端部和兩個該第二卡合端部為彼此配合的階梯狀結構，且靠近該應力變形缺口的該第二卡合端部具有一導引斜面。
如請求項16所述的單手操作型觸發裝置，其中，該卡合定位件還包括一結合槽，該結合槽形成於該卡合定位件靠近該容置件的該容置槽的表面，該電連接件定位於該結合槽。
如請求項18所述的單手操作型觸發裝置，其中，該電連接件包括一電連接件本體與設置於該電連接件本體的表面的兩個電連接結構，該電連接件本體定位於該結合槽，兩個該電連接結構延伸進入該容置槽。
如請求項16所述的單手操作型觸發裝置，其中，該裝置容置組件包括一導線定位件，該容置件還包括形成於該容置件的該底壁的一導線定位槽，該第一導線與該第二導線結合於該導線定位件，且該電連接件與該第一導線和該第二導線連接的部分抵接於該導線定位件，該導線定位件透過構形配合的結構結合於該導線定位槽。
一種電動交通工具之控制方法，包括：<br/> 獲得一輪轂馬達之一驅動力；<br/> 判斷該輪轂馬達之該驅動力是否大於一預定位準；<br/> 若該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準，則獲得該輪轂馬達之一馬達速度資訊；<br/> 若該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準，則由一車速偵測器獲得該電動交通工具之一行進速度資訊；<br/> 判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之一差異是否位於一預定範圍之內；以及<br/> 若該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異不位於該預定範圍之內，判定該車速偵測器故障，<br/> 其中該預定位準係為一預定電壓位準或一預定電流位準，<br/> 其中該差異係為該馬達速度資訊之轉速與該行進速度資訊之轉速的差距。
如請求項1所述之電動交通工具之控制方法，其中該預定範圍係為5 RPM （Revolutions Per Minute）。
如請求項1所述之電動交通工具之控制方法，其中該預定範圍係為該馬達速度資訊之10%。
如請求項1所述之電動交通工具之控制方法，其中判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異是否位於該預定範圍之內之步驟僅執行於該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準的情況下。
如請求項1所述之電動交通工具之控制方法，其中判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異是否位於該預定範圍之內之步驟每隔一執行週期重複執行。
如請求項5所述之電動交通工具之控制方法，其中該執行週期係依照該馬達速度資訊決定。
一種電動交通工具，包括：<br/> 一輪轂馬達；<br/> 一驅動單元，連接於該輪轂馬達，該驅動單元用以驅動該輪轂馬達；<br/> 一判斷單元，用以判斷該輪轂馬達之一驅動力是否大於一預定位準；<br/> 一馬達偵測器，連接於該輪轂馬達，若該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準，則該馬達偵測器獲得該輪轂馬達之一馬達速度資訊；<br/> 一車輪；以及<br/> 一車速偵測器，連接於該車輪，若該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準，則該車速偵測器獲得該電動交通工具之一行進速度資訊；以及<br/> 其中該判斷單元更用以判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之一差異是否位於一預定範圍之內，若該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異不位於該預定範圍之內，則該判斷單元判定該車速偵測器故障，<br/> 其中該預定位準係為一預定電壓位準或一預定電流位準，<br/> 其中該差異係為該馬達速度資訊之轉速與該行進速度資訊之轉速的差距。
如請求項7所述之電動交通工具，其中該預定範圍係為5 RPM （Revolutions Per Minute）。
如請求項7所述之電動交通工具，其中該預定範圍係為該馬達速度資訊之10%。
如請求項7所述之電動交通工具，其中判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異是否位於該預定範圍之內之步驟僅執行於該輪轂馬達之該驅動力大於該預定位準的情況下。
如請求項7所述之電動交通工具，其中判斷該馬達速度資訊與該行進速度資訊之該差異是否位於該預定範圍之內之步驟每隔一執行週期重複執行。
如請求項11所述之電動交通工具，其中該執行週期係依照該馬達速度資訊決定。
一種固體電解質，其係具有包含Li、La、Zr及O之石榴石型結晶結構的固體電解質，其中，<br/>藉由飛行時間式二次離子質量分析法檢測到的二次離子之強度係相對於Li<sup>+</sup>的強度而言，Li<sub>2</sub>F<sup>+</sup>的強度為0.1%以上。
如請求項1之固體電解質，其中在藉由以O<sup>2-</sup>作為離子源的濺射進行深度方向分析時，檢測到的二次離子之強度係至少到深度28nm為止，相對於Li<sup>+</sup>的強度而言，Li<sub>2</sub>F<sup>+</sup>的強度為0.1%以上。
如請求項1或2之固體電解質，其更包含Mg及Sr。
一種離子導體，其包含：<br/>如請求項1或2之固體電解質；及<br/>鋰鹽溶解於非水溶劑而成的電解液。
一種薄片，其包含如請求項1或2之固體電解質。
一種電極，其包含如請求項1或2之固體電解質。
一種電極，其與包含如請求項1或2之固體電解質的保護層接觸。
一種蓄電裝置，其包含如請求項6之電極。
一種蓄電裝置，其包含如請求項7之電極。
一種分隔件，其包含如請求項1或2之固體電解質。
一種分隔件，其與包含如請求項1或2之固體電解質的保護層接觸。
一種蓄電裝置，其包含如請求項10之分隔件。
一種蓄電裝置，其包含如請求項11之分隔件。
一種傢俱部件，其包括： <br/>一座椅底座； <br/>一座椅總成，其包含：一座椅框架總成；一座椅底部，其附接至該座椅框架總成；及一座椅靠背，其附接至該座椅底部，其中該座椅總成可相對於該座椅底座在一向前傾斜搖動位置與一向後傾斜搖動位置之間移動； <br/>一腿托機構，其包含一腿托平台，其中該腿托平台可相對於該座椅底座在一縮回位置與一延伸位置之間移動； <br/>一齒條總成，其包含固定地附接至該座椅框架總成之一第一側及包含複數個齒之一第二側；及 <br/>一棘爪總成，其可在一接合位置與一脫離位置之間移動，且包含： <br/>一棘爪， <br/>一棘爪蓋，其安置於該棘爪之一頂端處， <br/>一安裝托架，其附接至該座椅底座，及 <br/>一彈簧，其包含鄰接該棘爪之一第一壁及鄰接該安裝托架之一第二壁，該彈簧可相對於該安裝托架在一第一位置與一第二位置之間移動， <br/>其中當該腿托平台處於該延伸位置時，該棘爪蓋鄰接該複數個齒之一者，且限制該座椅總成在該向前傾斜搖動位置與該向後傾斜搖動位置之間移動。
如請求項1之傢俱部件，其中該齒條總成包含安置於該第一側處的一托架及接納於該托架中的一棘輪齒條。
如請求項2之傢俱部件，其中該棘輪齒條由一聚合材料、一彈性材料及一金屬材料之至少一者形成。
如請求項3之傢俱部件，其中該金屬材料係一硬化材料。
如請求項2之傢俱部件，其中該棘輪齒條包含一組板，該等板之各者包含該複數個齒，且各板之該複數個齒彼此對準。
如請求項5之傢俱部件，其中該組板包含三個板。
如請求項1之傢俱部件，其中該齒條總成包含定位於該第一側處的一後壁及從該後壁之相對端延伸的一對側壁以形成一U形形狀，且該複數個齒形成於該對側壁中。
如請求項1之傢俱部件，其中該棘爪蓋包含在該棘爪之該頂端上方延伸之一凸緣。
如請求項8之傢俱部件，其中該棘爪蓋使用一機械緊固件固定至該棘爪。
如請求項1之傢俱部件，其中該棘爪蓋包含覆蓋該棘爪之該頂端之一頂壁及從該頂壁延伸且鄰接該棘爪之相對表面之相對側壁。
如請求項10之傢俱部件，其中該棘爪蓋之該頂壁具有一第一深度，且該複數個齒之各齒具有一第二深度，其中該第一深度等於或大於該第二深度。
如請求項1之傢俱部件，其中該棘爪蓋由一聚合材料、一彈性材料及一金屬材料之至少一者形成。
如請求項1之傢俱部件，其中該棘爪包含接納該彈簧之該第一壁的一第一鉤，且該安裝托架包含接納該彈簧之該第二壁的一第二鉤。
一種傢俱部件，其包括： <br/>一座椅底座； <br/>一座椅總成，該座椅總成可相對於該座椅底座在一向前傾斜搖動位置與一向後傾斜搖動位置之間移動；及 <br/>一腿托機構，其附接至該座椅總成，且包含： <br/>一驅動桿，其由該座椅總成支撐， <br/>一腿托平台，其中該腿托平台可相對於該座椅底座在一縮回位置與一延伸位置之間移動； <br/>一受電弓連桿組，其由該驅動桿驅動且附接至該腿托平台，該受電弓連桿組可在一縮回位置與一延伸位置之間移動，及 <br/>一驅動連桿，其附接至該受電弓連桿組，該驅動連桿包含固定地附接至該驅動桿之一第一端及可旋轉地附接至該受電弓連桿組之一第二端， <br/>其中當該腿托平台處於該延伸位置時，該驅動連桿及該受電弓連桿組經構形為一越心狀態， <br/>其中該傢俱部件進一步包括： <br/>一齒條總成，其包含固定地附接至該座椅框架總成之一第一側及包含複數個齒之一第二側；及 <br/>一棘爪總成，其可在一接合位置與一脫離位置之間移動，且包含： <br/>一棘爪， <br/>一棘爪蓋，其安置於該棘爪之一頂端處， <br/>一安裝托架，其附接至該座椅底座，及 <br/>一彈簧，其包含鄰接該棘爪之一第一壁及鄰接該安裝托架之一第二壁，該彈簧可相對於該安裝托架在一第一位置與一第二位置之間移動， <br/>其中當該腿托平台處於該延伸位置時，該棘爪蓋鄰接該複數個齒之一者，且限制該座椅總成在該向前傾斜搖動位置與該向後傾斜搖動位置之間移動。
如請求項14之傢俱部件，其中該受電弓連桿組包含一第一支撐連桿，且該第一支撐連桿在附接至該驅動連桿之一第一端與一第二端之間延伸。
如請求項15之傢俱部件，其中當該腿托機構處於該延伸位置時，該驅動連桿及該受電弓連桿組之該第一支撐連桿經構形為該越心狀態。
如請求項15之傢俱部件，其中該第一支撐連桿係實質上線性的。
如請求項15之傢俱部件，其中當該驅動連桿及該第一支撐連桿軸向對準時，該驅動連桿及該第一支撐連桿經構形為一中心狀態。
如請求項18之傢俱部件，其中該驅動桿從該中心狀態在一第一方向上旋轉約1度將該驅動連桿及該受電弓連桿組置於該越心狀態。
如請求項18之傢俱部件，其中該驅動桿從該中心狀態在一第一方向上旋轉約5度將該驅動連桿及該受電弓連桿組置於該越心狀態。
如請求項18之傢俱部件，其中該驅動桿從該中心狀態在一第一方向上旋轉約8度將該驅動連桿及該受電弓連桿組置於該越心狀態。
一種傢俱部件，其包括： <br/>一座椅底座； <br/>一座椅總成，其包含：一座椅框架總成、一座椅靠背及一座椅底部； <br/>該座椅靠背，其包含彼此隔開之一對第一面板及在該對第一面板之間延伸之一第二面板； <br/>該座椅底部，其包含一對第一支撐樑及一對第二支撐樑，其中該對第一支撐樑之各者在該對第二支撐樑之間延伸，且包含一第一凸緣及一第二凸緣；及 <br/>一對連桿組，其可樞轉地附接該座椅靠背之該對第一面板及該座椅底部之該對第一支撐樑，其中該對連桿組經構形以使該座椅靠背及該座椅底部相對於該座椅底座在一直立位置與一傾斜位置之間移動， <br/>其中該對連桿組可旋轉地附接至該對第一支撐樑之該等第一凸緣，且可滑動地附接至該對第一支撐樑之該等第二凸緣， <br/>其中該傢俱部件進一步包括： <br/>一腿托機構，其包含一腿托平台，其中該腿托平台可相對於該座椅底座在一縮回位置與一延伸位置之間移動； <br/>一齒條總成，其包含固定地附接至該座椅框架總成之一第一側及包含複數個齒之一第二側；及 <br/>一棘爪總成，其可在一接合位置與一脫離位置之間移動，且包含： <br/>一棘爪， <br/>一棘爪蓋，其安置於該棘爪之一頂端處， <br/>一安裝托架，其附接至該座椅底座，及 <br/>一彈簧，其包含鄰接該棘爪之一第一壁及鄰接該安裝托架之一第二壁，該彈簧可相對於該安裝托架在一第一位置與一第二位置之間移動， <br/>其中當該腿托平台處於該延伸位置時，該棘爪蓋鄰接該複數個齒之一者，且限制該座椅總成在一向前傾斜搖動位置與一向後傾斜搖動位置之間移動。
如請求項22之傢俱部件，其中該座椅靠背及該座椅底部之至少一者由一金屬材料形成。
如請求項23之傢俱部件，其中該金屬材料係鋼。
如請求項22之傢俱部件，其中該座椅靠背包含一對支撐面板，該對支撐面板從該第二面板延伸且定位於該對第一面板之外側。
如請求項25之傢俱部件，其進一步包含一第一覆蓋飾物，該第一覆蓋飾物安置於該座椅靠背上且使用複數個第一夾具固定至該座椅靠背。
如請求項26之傢俱部件，其中該第一覆蓋飾物縫合至該複數個第一夾具之各者上。
如請求項26之傢俱部件，其中該等第一夾具之各者鉤接至該座椅靠背之該對第一面板及該對支撐面板之至少一者。
如請求項22之傢俱部件，其進一步包含一第二覆蓋飾物，該第二覆蓋飾物安置於該座椅底部上且使用複數個第二夾具固定至該座椅底部。
如請求項29之傢俱部件，其中該第二覆蓋飾物縫合至該複數個第二夾具之各者上。
如請求項29之傢俱部件，其中該等第二夾具之各者鉤接至該座椅底部之該對第一支撐樑及該對第二支撐樑之至少一者。
如請求項22之傢俱部件，其中該對連桿組包含附接至該座椅靠背之一第二連桿及可樞轉地附接至該第二連桿之一第一連桿。
如請求項32之傢俱部件，其中該第二連桿可旋轉地附接至該對第一支撐樑之該第一凸緣。
如請求項32之傢俱部件，其中該第一連桿包含一槽且使用一機械緊固件附接至該對第一支撐樑之各者之該第二凸緣。
如請求項34之傢俱部件，其中當該座椅靠背及該座椅底部在該直立位置與該傾斜位置之間移動時，該機械緊固件可在該槽內滑動。
一種傢俱部件，其包括： <br/>一座椅靠背； <br/>一座椅底部，其使用一對連桿組可樞轉地附接至該座椅靠背； <br/>一座椅框架，其包含安置於該座椅底部之相對側上之一對扶手；及 <br/>一座椅底座，其使用一對搖桿彈簧總成耦合至該座椅框架，該座椅底座包含： <br/>一對側支撐部件，其包含平坦之一頂表面，及 <br/>一第一交叉部件，其在該對側支撐部件之間延伸， <br/>其中該對側支撐部件之各者焊接至該第一交叉部件， <br/>其中該傢俱部件進一步包括： <br/>一腿托機構，其包含一腿托平台，其中該腿托平台可相對於該座椅底座在一縮回位置與一延伸位置之間移動； <br/>一齒條總成，其包含固定地附接至該座椅框架總成之一第一側及包含複數個齒之一第二側；及 <br/>一棘爪總成，其可在一接合位置與一脫離位置之間移動，且包含： <br/>一棘爪， <br/>一棘爪蓋，其安置於該棘爪之一頂端處， <br/>一安裝托架，其附接至該座椅底座，及 <br/>一彈簧，其包含鄰接該棘爪之一第一壁及鄰接該安裝托架之一第二壁，該彈簧可相對於該安裝托架在一第一位置與一第二位置之間移動， <br/>其中當該腿托平台處於該延伸位置時，該棘爪蓋鄰接該複數個齒之一者，且限制該座椅靠背、該座椅底部、以及該座椅框架在一向前傾斜搖動位置與一向後傾斜搖動位置之間移動。
如請求項36之傢俱部件，其中該座椅底座由一金屬材料形成。
如請求項37之傢俱部件，其中該金屬材料係鋼。
如請求項38之傢俱部件，其中該座椅底座包含一第二交叉部件，該第二交叉部件在該對側支撐部件之間延伸且與該第一交叉部件隔開。
如請求項39之傢俱部件，其中該座椅底座包含一支撐面板，該支撐面板在該等第一及第二交叉部件之間延伸且在該對側支撐部件之間延伸。
如請求項40之傢俱部件，其中該支撐面板包含一開口，該開口經定大小以封裝一腿托機構之一對第一支撐連桿、一對擺動連桿、一對第二支撐連桿、一對交叉連桿及一對第三支撐連桿。
如請求項36之傢俱部件，其中該對側支撐部件之各者在一第一端與一第二端之間延伸，且包含： <br/>一底座角軌，其包含頂表面及從該頂表面延伸之相對側壁，及 <br/>一底座軌，其安置於該底座角軌之該等側壁之間，且在該側支撐部件之該等第一及第二端之間延伸。
如請求項36之傢俱部件，其中該等側支撐部件之各者包含： <br/>一搖桿支撐軌，其包含該頂表面、從該頂表面延伸之一內側壁及實質上與該頂表面平行的一底壁，及 <br/>一側軌，其包含安置於該搖桿支撐軌之該底壁下方的一基壁及從該基壁延伸且實質上與該搖桿支撐軌之該內側壁平行的一外側壁。
一種捲香取放裝置，其包括一取放裝置，該取放裝置係可線性位移地安裝於一主機體上，該主體機一端設一捲香成形裝置，該捲香成形裝置位於該取放裝置之位移路徑末端，從而透過該取放裝置將成形之捲香進行取放作業，該主機體更設有一置放網板，該置放網板低於該取放裝置並位於該取放裝置之位移路徑上，其中：該取放裝置包含可自動化運作之一滑行基座、一升降中座、一取放座以及一推移板，該滑行基座係可前後位移地設置於該主機體上，並移動於該捲香成形裝置以及該置放網板間，該升降中座係可升降位移地組設於該滑行基座下方，且該升降中座前端朝向捲香成形裝置設有一連結立板，該取放座係可前後位移地組設於該升降中座底部，該取放座前端係由底部設有往前延伸之至少一鏟板，該鏟板係隨該取放座位移而可縮入該升降中座下方，且該鏟板與該取放座底部具有一間隙並以前後環繞方式設有至少一取放布，該取放布一端係由下往上繞過一滾柱後並通過該間隙，最後將該取放布的兩端連接並組設於該升降中座之連結立板外側，使該取放布可隨著該取放座的前後位移並相對於該鏟板上具有捲動取放狀態，進一步達到捲香的取放作業，該推移板係可升降位移地組設於該升降中座前端，當該捲香被放置於該置放網板且該鏟板縮入該升降中座底部時，該推移板可再往下位移鄰近該置放網板，並利用該滑行基座位移推動所述捲香排列整齊。
如請求項1所述之捲香取放裝置，其中，該滑行基座下表面設有至少二滑軌座以沿著該主機體兩側預設之二線性滑軌滑動位移，且該滑行基座置中設有一透孔以及一第一驅動缸，該第一驅動缸係通過該透孔後連結該升降中座，進一步控制該升降中座升降位移，且該滑行基座係貫穿上、下表面設有四導引座，該升降中座更對應設有四導正立柱與四該導引座穿設連結，確保該升降中座之升降穩定度。
如請求項1所述之捲香取放裝置，其中，該升降中座下表面係平行設有複數個線性導軌，該取放座上表面係平行設有複數個導軌座與所述線性導軌契合滑動，且該升降中座與該取放座間設一第二驅動缸，並透過該第二驅動缸帶動該取放座沿著所述線性導軌前後位移。
如請求項1所述之捲香取放裝置，其中，該鏟板具有一水平段以及一下斜段，並於表面間隔設有複數片該取放布，所述取放布的兩端係利用二夾板固定後再組設於該連結立板外側，該連結立板係對應所述取放布數量設有複數個縱向長孔，且所述取放布之二該夾板中央處亦設有一凹槽用以對齊所述縱向長孔，又該升降中座前端下表面設一組合塊，該連結立板係分別利用複數個限位軸栓通過所述縱向長孔與該組合塊組裝，所述縱向長孔可沿所述限位軸栓上、下位移，從而將該連結立板活動組設於該組合塊上，同時達到所述取放布之夾板可活動升降之目的。
如請求項1所述之捲香取放裝置，其中，該取放座下表面於該鏟板的後端對應所述取放布的數量組設有複數個該滾柱以及複數個︹形架，各該︹形架係分別組裝一該滾柱，且所述︹形架可於該取放座位移微調，從而達到所述取放布的鬆緊調整。
如請求項1所述之捲香取放裝置，其中，該推移板係搭配一第三驅動缸安裝於該升降中座上，並透過該第三驅動缸帶動該推移板升降位移。
一種節能全自動袪水器，包括： <br/>一儲存桶，包括一進水口以及一排水口； <br/>一進水管，設置於該進水口處，且該進水管的一部分設置於該儲存桶中； <br/>一排水管，設置於該排水口處，且該排水管的一部分設置於該儲存桶中； <br/>一閥門裝置，連接至該排水管的另一部分；以及 <br/>至少一高水位感應偵測器，設置於該儲存桶的一頂面上； <br/>其中，該閥門裝置電性連接至至少一該高水位感應偵測器， <br/>其中，設置於該儲存桶中該排水管的該部分的長度大於設置於該儲存桶中該進水管的該部分的長度。
如請求項1所述之節能全自動袪水器，進一步包括至少一低水位感應偵測器，至少一該低水位感應偵測器設置於該儲存桶的該頂面上，且該閥門裝置電性連接至至少一該低水位感應偵測器。
如請求項1所述之節能全自動袪水器，其中，該進水管連接至該排水管，且該進水管與該排水管之間包括一擋水板。
如請求項1所述之節能全自動袪水器，其中，該高水位感應偵測器的數量為複數個，該等高水位感應偵測器設置於該儲存桶的該頂面上，且該等高水位感應偵測器電性連接至該閥門裝置。
如請求項2所述之節能全自動袪水器，其中，該低水位感應偵測器的數量為複數個，該等低水位感應偵測器設置於該儲存桶的該頂面上，且該等低水位感應偵測器電性連接至該閥門裝置。
如請求項2所述之節能全自動袪水器，其中，該高水位感應偵測器的數量以及該低水位感應偵測器的數量皆為複數個，該等高水位感應偵測器及該等低水位感應偵測器設置於該儲存桶的該頂面上，且該等高水位感應偵測器及該等低水位感應偵測器電性連接至該閥門裝置。
一種節能全自動袪水器，包括： <br/>一儲存桶，包括一進水口以及一排水口； <br/>一進水管，設置於該進水口處，且該進水管的一部分設置於該儲存桶中，該進水管的另一部分包括一入口段； <br/>一排水管，設置於該排水口處，且該排水管的一部分設置於該儲存桶中； <br/>一閥門裝置，連接至該排水管的另一部分； <br/>一壓力平衡管，該壓力平衡管的一端設置於該儲存桶的一頂面上，該壓力平衡管的另一端設置於該儲存桶中；以及 <br/>一浮球水位控制器，該浮球水位控制器的一端設置於該儲存桶中，該浮球水位控制器的另一端設置於該儲存桶的該頂面上； <br/>其中，該閥門裝置電性連接至該浮球水位控制器， <br/>其中，設置於該儲存桶中該排水管的該部分的長度大於設置於該儲存桶中該進水管的該部分的長度。
如請求項7所述之節能全自動袪水器，其中，該儲存桶進一步包括一排水閥及/或一排水清污閥，該排水閥設置於該儲存桶的一外壁的一底部上，該排水清污閥設置於該儲存桶的一底面上。
如請求項7所述之節能全自動袪水器，其中，該進水管進一步包括一過濾網，該過濾網設置於該入口段中。
如請求項7或請求項9所述之節能全自動袪水器，其中，該進水管進一步包括一噴嘴，該噴嘴設置於該入口段的一出口處。
一種光學鏡片之鍍膜用承載治具，包括：一底層薄板，其開設有複數個第一穿孔，且該底層薄板形成有一第一拋光表面；一中層薄板，其利用光膠現象重疊吸附於該第一拋光表面，該中層薄板正對該第一穿孔開設有複數個第二穿孔； 一上蓋薄板，其形成有一第二拋光表面，且該上蓋薄板之該第二拋光表面與該中層薄板以光膠現象形成重疊吸附，讓該中層薄板夾合於該底層薄板與該上蓋薄板之間，又該上蓋薄板正對該第一穿孔開設有複數個第三穿孔；其中該第二穿孔用於放置一光學鏡片，該光學鏡片形成有一鏡片部，且該鏡片部的周緣環設有一外環部，又該中層薄板的厚度略大於該外環部，且該底層薄板與該上蓋薄板夾設該外環部並形成有一游移間隙。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該底層薄板之該第一穿孔周緣用於承載該光學鏡片之該外環部，且該上蓋薄板之該第三穿孔周緣用於阻擋該光學鏡片之該外環部，且該中層薄板能配合該光學鏡片的厚度更換不同厚度。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該第一穿孔的孔徑小於該第二穿孔的孔徑，且該第三穿孔的孔徑小於該第一穿孔的孔徑。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該底層薄板、該中層薄板與該上蓋薄板皆為不具金屬特性之無機脆性材料所製成。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該底層薄板、該中層薄板與該上蓋薄板皆為玻璃材質所製成。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該底層薄板、該中層薄板與該上蓋薄板的材料能各自選用玻璃、石英、陶瓷、紅藍寶石、氮化矽、碳化矽及單晶矽的單一種材料組合或兩種以上的複合材料組合。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該底層薄板與該中層薄板疊加的厚度介於0.3mm至1mm之間，而該上蓋薄板的厚度介於0.2mm至0.3mm之間。
如請求項1所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該中層薄板的兩表面的粗糙度皆介於1nm至20nm之間，該底層薄板之該第一拋光表面的粗糙度介於1nm至10nm之間，且該上蓋薄板之該第二拋光表面的粗糙度介於11nm至20nm之間。
如請求項8所述的光學鏡片之鍍膜用承載治具，其中該上蓋薄板與該中層薄板皆為圓盤狀且互相重合，又該底層薄板與該上蓋薄板的外周緣皆外凸於該中層薄板的外周緣而形成有一內凹環部，對該內凹環部處施力能將該上蓋薄板由該中層薄板處分離，藉此取出該光學鏡片。
一種無鹼玻璃板，其特徵在於：作為玻璃組成，以莫耳%計而含有55%～80%的SiO<sub>2</sub>、10%～25%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0%～4%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0%～4%的MgO、0%～25%的CaO、4%～15%的SrO、0%～15%的BaO、0%～5%的ZnO、0%～未滿1.0%的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，實質不含鹼金屬氧化物，且應變點為750℃以上，滿足[SiO<sub>2</sub>]+14×[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]-15×[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]+6×[MgO]+[CaO]+14×[SrO]+16×[BaO]≧360莫耳%的關係。
如請求項1所述的無鹼玻璃板，其中滿足17.8×[SiO<sub>2</sub>]+23.1×[Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]+3.7×[B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>]+12.9×[MgO]+14.1×[CaO]+15.5×[SrO]+15.0×[BaO]+7.2×[ZnO]≧1786莫耳%的關係。
如請求項1或請求項2所述的無鹼玻璃板，其中Rh的含量為0.1質量ppm～3質量ppm。
如請求項1或請求項2所述的無鹼玻璃板，其中楊氏模量為82 GPa以上。
一種用於一帶電粒子束設備之偵測器，其包含： <br/>複數個感測元件(sensing elements)； <br/>複數個電路，該複數個電路中之每一電路係關連於該複數個感測元件中之一對應的感測元件且包含： <br/>一儲存胞元(storage cell)，其經組態以接收表示該對應的感測元件之一輸出之一信號； <br/>一多工器(multiplexer)，其經組態以將表示該對應的感測元件之該輸出之該信號選擇性地饋入(feed)至該儲存胞元； <br/>一臨限值偵測器，其包括經組態以判定對應於一帶電粒子到達事件之積分之一開始的電路系統；及 <br/>一轉換器，其包括經組態以判定關於該帶電粒子到達事件之資訊之電路系統。
如請求項1之偵測器，其進一步包括一分段式偵測器陣列。
如請求項1或2之偵測器，其中該資訊包括該帶電粒子到達事件之一能量位準。
如請求項1或2之偵測器，其中該資訊包括一溢位指示符。
如請求項4之偵測器，其中該溢位指示符指示在該帶電粒子到達事件期間是否有多於一預定數目個帶電粒子到達。
如請求項1之偵測器，其中該臨限值偵測器包括經組態以判定對應於該帶電粒子到達事件之積分之一停止的電路系統。
如請求項1或2之偵測器，其中該資訊包括所偵測到之帶電粒子之一數目的一判定，其中該等帶電粒子為電子。
如請求項1或2之偵測器，其中該電路進一步包含： <br/>一控制單元，其包括經組態以監測一結果分析請求指示符之電路系統， <br/>其中該控制單元經組態以： <br/>回應於判定設定了該結果分析請求指示符，對一第一儲存胞元執行一信號處理，及 <br/>基於該信號處理接收來自該轉換器之一輸出。
如請求項1或2之偵測器，其進一步包含： <br/>經組態以將該對應的感測元件之該輸出轉換成一不同形式之一電信號的電路系統。
一種電腦可讀媒體，其儲存可由一系統之一或多個處理器執行以致使該系統執行一方法的一指令集，該方法包含： <br/>經由一互連(interconnection)連接與一第一感測元件相關聯之一第一電路及與一第二感測元件相關聯之一第二電路， <br/>使用該第一電路基於來自該第一電路之一第一信號及來自該第二電路之一第二信號執行處理，及 <br/>基於該處理判定關於由一偵測器接收之帶電粒子之資訊，該偵測器包含該第一感測元件及該第二感測元件。
一種降解飛灰粉塵有害物質的反應器裝置，包含反應器本體及進料單元、出料單元所構成；該反應器本體係由鋼板製成的上寬下窄之圓柱錐狀結構，上端緣設一浮液柵網，覆蓋在反應器本體的上端面，該反應器本體上端、浮液柵網下方，設一注漿口；該反應器本體上端、浮液柵網上方，設一溢流管，該溢流管末端可銜接至溢流浮漿槽；該反應器本體的底端設有一出漿口，可供反應器本體內淘洗後的漿液排出；該反應器本體的頂端架設一攪拌機，該攪拌機延伸一轉軸至反應器本體內部，並在轉軸上樞接一或若干螺旋狀的攪拌葉片，使攪拌機作用時，該攪拌葉片在反應器本體內部以預定轉速、轉向行攪拌動作；該反應器本體的頂端設有一加藥管，該加藥管延伸至反應器本體內部，使化學調理藥劑可由加藥管進入反應器本體內部；該進料單元係於一料槽內對飛灰粉塵與系統回收水混合成灰漿後再經與50℃之溫水混合，而形成固液比1：4之漿液，經壓力泵之作用將該漿液強力輸送至反應器本體的注漿口；該出料單元係包含粗分離機及固液分離器，該粗分離機及固液分離器二者之間以管線相連，該粗分離機係銜接自反應器本體底端的出漿口，利用淘洗後顆粒與液體之密度差及離心力，達成第一階段固液分離收集洗淨粗顆粒之目的，而固液分離器則銜接粗分離機，利用馬達加壓過濾壓縮脫水達到淨泥料目的；藉此，該進料單元可將飛灰與溫水混合的漿液輸送至反應器本體內部，令攪拌機帶動攪拌葉片對漿液進行攪拌，進而進行分離粗、細漿粒，粗漿粒在離心力及重力作用下沉落到反應器本體底部由出漿口排出至出料單元分篩，而細小顆粒與不溶於水之物質通過浮液柵網由溢流管流至溢流浮漿槽內處理。
根據請求項1所述之降解飛灰粉塵有害物質的反應器裝置，其中，該反應器本體之注漿口的入料角度係與其呈切線狀態。
根據請求項1所述之降解飛灰粉塵有害物質的反應器裝置，其中，該反應器本體之上方更設有一清洗管，該清洗管可噴出高壓清水對反應器本體內部進行清潔。
根據請求項1所述之降解飛灰粉塵有害物質的反應器裝置，其中，該反應器本體頂端之加藥管可供化學調理藥劑加入其內部，該化學調理藥劑指氧化鐵、界面活性劑、天然多醣類之藥劑，使漿液產生乳化分離浮液作用。
根據請求項1所述之降解飛灰粉塵有害物質的反應器裝置，其中，該反應器本體頂端之加藥管可供無機或有機之化學調理藥劑加入其內部，該藥劑指PACl(聚氯化鋁)、FeCl3(氯化鐵)、螯合劑之藥劑使漿液膠羽沉澱掃除之作用。
一種主機板組件，用以承載一電路板，包含：一主機板，包含一基板及一電連接器，該電連接器設置於該基板且用以供該電路板插接；以及一固定支架，包含：一第一豎牆；一第二豎牆，該第一豎牆及該第二豎牆相分離地豎立於該基板且分別位於該電連接器的相對二側；一限位件，包含依序相連的一樞接部、一限位部及一卡固部，該樞接部可樞轉地設置於該第一豎牆，且該卡固部可分離地卡固於該第二豎牆，該基板、該第一豎牆、該第二豎牆及該限位件共同圍繞一限位空間以限位該電路板，該卡固部包含一卡勾結構、一連接部及一彈臂部，該第二豎牆包含一卡固孔，該卡固部的該卡勾結構可分離地卡固於該第二豎牆的該卡固孔，該彈臂部透過該連接部連接於該限位部，該彈臂部可相對該連接部活動，該卡勾結構位於該彈臂部；以及一彈性件，該彈性件設置於該限位件，以施予該限位件的該卡固部遠離該第二豎牆的作用力。
如請求項1所述之主機板組件，其中該彈性件為扭簧，該彈性件的一端固定於該第一豎牆，該彈性件的另一端固定於該限位件的該樞接部。
如請求項1所述之主機板組件，其中該限位件更包含一操作部，該操作部透過該彈臂部連接於該連接部，該操作部凸出於該第二豎牆。
如請求項1所述之主機板組件，其中該第一豎牆包含一第一限位槽，該第二豎牆包含一第二限位槽，該第一限位槽及該第二限位槽沿該限位件朝該基板的方向延伸，該第一限位槽及該第二限位槽用以對該電路板進行限位。
如請求項4所述之主機板組件，其中該第一限位槽包含相連的一第一寬段及一第一窄段，該第一寬段較該第一窄段遠離該基板，該第一寬段的最大寬度大於該第一窄段的寬度，該第二限位槽包含相連的一第二寬段及一第二窄段，該第二寬段較該第二窄段遠離該基板，該第二寬段的最大寬度大於該第二窄段的寬度。
如請求項5所述之主機板組件，其中該第一寬段的寬度及該第二寬段的寬度沿該限位件朝該基板的方向漸減。
一種固定支架，用以固定插接於一主機板的一電連接器的一電路板，該固定支架包含：一第一豎牆；一第二豎牆，該第一豎牆及該第二豎牆用以相分離地豎立於該主機板的一基板且分別位於該電連接器的相對二側；一限位件，包含依序相連的一樞接部、一限位部及一卡固部，該樞接部可樞轉地設置於該第一豎牆，且該卡固部可分離地卡固於該第二豎牆，該基板、該第一豎牆、該第二豎牆及該限位件用以共同圍繞一限位空間以限位該電路板，該卡固部包含一卡勾結構、一連接部及一彈臂部，該第二豎牆包含一卡固孔，該卡固部的該卡勾結構可分離地卡固於該第二豎牆的該卡固孔，該彈臂部透過該連接部連接於該限位部，該彈臂部可相對該連接部活動，該卡勾結構位於該彈臂部；以及一彈性件，該彈性件設置於該限位件，以施予該限位件的該卡固部遠離該第二豎牆的作用力。
一種發光裝置，包含：<br/>第一基板；<br/>該第一基板上的顯示部；以及<br/>該顯示部上的第二基板；<br/>該顯示部包含複數個像素，該像素包含電晶體以及發光元件；<br/>該電晶體上配置有包含有機材料的絕緣層；<br/>該絕緣層上配置有該發光元件的下部電極、以及包含與該下部電極相同材料的第一導電層；<br/>該發光元件的下部電極上以及該第一導電層上配置有第一樹脂層，該第一樹脂層與該下部電極的端部重疊，且與該第一導電層的端部重疊；<br/>該第一樹脂層上配置有該發光元件的上部電極；<br/>第二樹脂層配置於該上部電極上，且配置成與該上部電極接觸；<br/>第二絕緣層配置於該第二樹脂層上，且配置成與該第二樹脂層接觸；<br/>該發光元件的上部電極在該顯示部的周緣，具有與該第一導電層接觸的第一區域。
一種發光裝置，包含：<br/>第一基板；<br/>該第一基板上的顯示部；以及<br/>該顯示部上的第二基板；<br/>該顯示部包含複數個像素，該像素包含電晶體以及發光元件；<br/>該電晶體上配置有包含有機材料的絕緣層；<br/>該絕緣層上配置有該發光元件的下部電極、以及包含與該下部電極相同材料的第一導電層；<br/>該發光元件的下部電極上以及該第一導電層上配置有第一樹脂層，該第一樹脂層與該下部電極的端部重疊，且與該第一導電層的端部重疊；<br/>該第一樹脂層上配置有該發光元件的上部電極；<br/>第二樹脂層配置於該上部電極上，且配置成與該上部電極接觸；<br/>第二絕緣層配置於該第二樹脂層上，且配置成與該第二樹脂層接觸；<br/>該第二絕緣層與該第一導電層重疊；<br/>該發光元件的上部電極在該顯示部的周緣，具有與該第一導電層接觸的第一區域。
一種發光裝置，包含：<br/>第一基板；<br/>該第一基板上的顯示部；以及<br/>該顯示部上的第二基板；<br/>該顯示部包含複數個像素，該像素包含電晶體以及發光元件；<br/>該電晶體上配置有包含有機材料的絕緣層；<br/>該絕緣層上配置有該發光元件的下部電極、以及包含與該下部電極相同材料的第一導電層；<br/>該發光元件的下部電極上以及該第一導電層上配置有第一樹脂層，該第一樹脂層與該下部電極的端部重疊，且與該第一導電層的端部重疊；<br/>該第一樹脂層上配置有該發光元件的上部電極；<br/>第二樹脂層配置於該上部電極上，且配置成與該上部電極接觸；<br/>第二絕緣層配置於該第二樹脂層上，且配置成與該第二樹脂層接觸；<br/>該發光元件的上部電極在該顯示部的周緣，具有與該第一導電層接觸的第一區域；<br/>該絕緣層在該顯示部的周緣具有開口部；<br/>該第一樹脂層配置成覆蓋該開口部。
一種發光裝置，包含：<br/>第一基板；<br/>該第一基板上的顯示部；以及<br/>該顯示部上的第二基板；<br/>該顯示部包含複數個像素，該像素包含電晶體以及發光元件；<br/>該電晶體上配置有包含有機材料的絕緣層；<br/>該絕緣層上配置有該發光元件的下部電極、以及包含與該下部電極相同材料的第一導電層；<br/>該發光元件的下部電極上以及該第一導電層上配置有第一樹脂層，該第一樹脂層與該下部電極的端部重疊，且與該第一導電層的端部重疊；<br/>該第一樹脂層上配置有該發光元件的上部電極；<br/>第二樹脂層配置於該上部電極上，且配置成與該上部電極接觸；<br/>第二絕緣層配置於該第二樹脂層上，且配置成與該第二樹脂層接觸；<br/>該發光元件的上部電極在該顯示部的周緣，具有與該第一導電層接觸的第一區域；<br/>該絕緣層在該顯示部的周緣具有開口部；<br/>該第一樹脂層配置成覆蓋該開口部；<br/>該第二樹脂層與該開口部重疊。
一種芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其係藉由一共押出製程製成，而且具有大於或等於0.45毫米的纖維粗度且截面具有大於或等於0.9的真圓度，包含：<br/> 一沿著縱長方向延伸的芯層，其基本上由一聚丙烯均聚物組成，其中該聚丙烯均聚物的熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分（g/cm<sup>3</sup>）；以及<br/> 一沿著該縱長方向實質上完全包覆該芯層的鞘層，其基本上由一無規型聚丙烯組成，其中該無規型聚丙烯是一乙烯-丙烯無規共聚物，其依據該共聚物的總重量為基準具有小於或等於5重量%的乙烯含量，具有熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分；<br/> 其中以該單絲纖維的總體積為準，該鞘層具有位於10% (v/v)至80% (v/v)的範圍內的體積百分比。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其中該鞘層具有位於30% (v/v)至40% (v/v)的範圍內的體積百分比。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其中該乙烯-丙烯無規共聚物依據其總重量為基準具有介於2至3重量%的乙烯含量。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其中該聚丙烯均聚物的熔融指數介於1至4克/10分鐘之間，且其中該無規型聚丙烯的熔融指數介於6至8克/10分鐘之間。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其具有約為0.5毫米的粗度，適用於再加工製成常用的3號拉鍊。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其具有約為0.68~0.78毫米的粗度，適用於再加工製成常用的5、6號拉鍊。
如請求項1所述芯鞘型聚丙烯單絲纖維，其具有約為0.80~1.18毫米的粗度，適用於再加工製成常用的8至10號拉鍊。
一種用於製造芯鞘型聚丙烯單絲纖維的方法，該芯鞘型聚丙烯單絲纖維具有大於或等於0.45毫米的纖維粗度且截面具有大於或等於0.9的真圓度，所述方法包含下列步驟：<br/> 加熱聚丙烯均聚物切粒，以產生一基本上由一聚丙烯均聚物組成的芯層熔融流，其中該聚丙烯均聚物的熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分；<br/> 加熱無規型聚丙烯切粒，以產生一基本上由一無規型聚丙烯組成的鞘層熔融流，其中該無規型聚丙烯是一乙烯-丙烯無規共聚物，其依據該共聚物的總重量為基準具有小於或等於5重量%的乙烯含量，具有熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分；<br/> 將該芯層熔融流與該鞘層熔融流在一共押出溫度下進行共押出，而獲得一具有大於或等於0.45毫米的纖維粗度且截面具有大於或等於0.9的真圓度的芯鞘型單絲纖維，其中以該單絲纖維的總體積為準，該鞘層具有位於10% (v/v)至90% (v/v)的範圍內的體積百分比。
如請求項8所述製造芯鞘型聚丙烯單絲纖維的方法，其中該鞘層具有位於30% (v/v)至40% (v/v)的範圍內的體積百分比。
如請求項8所述製造芯鞘型聚丙烯單絲纖維的方法，其中該共擠製步驟包含將被押出的該芯層熔融流和該鞘層熔融流加以冷卻。
如請求項10所述製造芯鞘型聚丙烯單絲纖維的方法，其在該共押出步驟之後還包含一熱延伸步驟，而該熱延伸步驟包含加熱該單絲纖維並且使其延伸。
如請求項11所述製造芯鞘型聚丙烯單絲纖維的方法，其中該熱延伸步驟包含於一位在150℃至200℃的範圍內的溫度下加熱該單絲纖維。
如請求項10所述製造芯鞘型複合單絲纖維的方法，其中該共擠製溫度位在200℃至270℃的範圍內。
一種拉鍊，其包含兩條成對的鍊帶，且該等鍊帶各包含：<br/> 一沿著縱向延伸的聚丙烯帶體，其沿著該縱向具有一縱向側緣；<br/> 複數個鍊齒，各包含一被接合至該縱向側緣的基部、一由該基部朝外突伸的頸部、以及一連接於該頸部且與該基部相對配置的膨大頭部，其中該複數個鍊齒以實質相等的距離排列於該縱向側緣，以在該複數個鍊齒之間界定出複數個凹槽，使得該兩條成對鍊帶可以藉由將該複數個鍊齒耦合於該複數個凹槽而可釋除地互鎖；<br/> 其中該複數個鍊齒各包含一基本上由一聚丙烯均聚物組成的芯層，以及一實質上完全包覆該芯層的基本上由一無規型聚丙烯組成的鞘層，其中該聚丙烯均聚物的熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分，以及其中該無規型聚丙烯是一乙烯-丙烯無規共聚物，其依據該共聚物的總重量為基準具有小於或等於5重量%的乙烯含量，具有熔融指數小於或等於8克/10分鐘，且密度小於或等於0.91克/立方公分。
一種無線感測網路系統，包含： <br/>一基地台，配置以接收至少一感測資料封包；以及 <br/>至少一感測裝置，配置以收集至少一感測資料，並將該至少一感測資料封裝成該至少一感測資料封包， <br/>其中該至少一感測裝置中的每一者具有一資訊年齡（age of information，AoI），並配置以依據一增強式迷你時槽閾值ALOHA（enhanced mini-slot threshold ALOHA，EMiSTA）協定在至少一時槽（slot）內傳送該至少一感測資料封包至該基地台， <br/>且其中該至少一時槽中的每一者包含一迷你時槽（mini-slot）及一資料子時槽（data sub-slot）， <br/>且其中該資訊年齡大於或等於預先設定之一資訊年齡閾值的該至少一感測裝置在該迷你時槽以一第一傳送機率發出至少一傳送請求（request）至該基地台，且收到該基地台回傳之一回覆訊息的該至少一感測裝置的其中一者再於該資料子時槽傳送該至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項1所述之無線感測網路系統，其中該基地台更配置以偵測其接收到來自該至少一感測裝置發出之該至少一傳送請求的數量。
如請求項2所述之無線感測網路系統，其中當該基地台偵測其接收到該至少一傳送請求的數量為0時，該基地台更配置以廣播通知該資訊年齡大於或等於該資訊年齡閾值的該至少一感測裝置再於該資料子時槽以該第一傳送機率傳送該至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項2所述之無線感測網路系統，其中當該基地台偵測其接收到該至少一傳送請求的數量大於或等於2時，該基地台更配置以廣播通知該資訊年齡大於或等於該資訊年齡閾值的該至少一感測裝置在該資料子時槽以一第二傳送機率傳送該至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項4所述之無線感測網路系統，其中該第二傳送機率大於該第一傳送機率。
一種無線感測網路方法，包含： <br/>比較至少一感測裝置中的每一者的一資訊年齡與預先設定之一資訊年齡閾值；以及 <br/>由該資訊年齡大於或等於該資訊年齡閾值的該至少一感測裝置在一迷你時槽以一第一傳送機率發出至少一傳送請求至一基地台，且由收到該基地台回傳之一回覆訊息的該至少一感測裝置的其中一者再於一資料子時槽傳送至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項6所述之無線感測網路方法，其中該基地台更配置以偵測其接收到來自該至少一感測裝置發出之該至少一傳送請求的數量。
如請求項7所述之無線感測網路方法，其中當該基地台偵測其接收到該至少一傳送請求的數量為0時，該基地台更配置以廣播通知該資訊年齡大於或等於該資訊年齡閾值的該至少一感測裝置再於該資料子時槽以該第一傳送機率傳送該至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項7所述之無線感測網路方法，其中當該基地台偵測其接收到該至少一傳送請求的數量大於或等於2時，該基地台更配置以廣播通知該資訊年齡大於或等於該資訊年齡閾值的該至少一感測裝置在該資料子時槽以一第二傳送機率傳送該至少一感測資料封包至該基地台。
如請求項9所述之無線感測網路方法，其中該第二傳送機率大於該第一傳送機率。
一種機櫃冷卻系統，包含有： <br/>一桶槽，其中容裝有液態冷卻氣體； <br/>一機櫃，其中具有一空間； <br/>一感測器，用以偵測該機櫃的空間中的參數； <br/>一主管道，一端連接於該桶槽，另一端則連接該機櫃；該桶槽中的液態冷卻氣體流入該主管道後，轉變為冷卻氣體，再流入該機櫃的空間中；該主管道設有一主開關閥，受控制而開通或關閉該主管道； <br/>一槽池，其中裝有液體；該主管道具有一部分沒入該槽池的液體中； <br/>一循環管道，具有一進氣端與一出氣端，二者分別連接該機櫃，該循環管道中設有一抽氣機，將該機櫃中的冷卻氣體由該進氣端抽入該循環管道再由該出氣端回到該機櫃；該循環管道具有一部分沒入該槽池的液體中；該循環管道中設有一循環開關閥，受控制而開啟或關閉該循環管道；以及 <br/>一控制單元，接收該感測器之參數，據以控制該主開關閥、該循環開關閥與該抽氣機開啟或關閉。
如請求項1所述之機櫃冷卻系統，其中該主管道上設置有一壓力板，令該主管道中的液態冷卻氣體昇華為冷卻氣體。
如請求項2所述之機櫃冷卻系統，其中該壓力板位於該槽池與該機櫃之間。
如請求項1所述之機櫃冷卻系統，其中該機櫃更設有一排氣管道，設於該機櫃空間；該排氣管道中一排氣開關閥，該機櫃之空間中的冷卻氣體可經由該排氣管道排出至外界，該排氣開關閥受控制而開啟或關閉該排氣管道。
如請求項4所述之機櫃冷卻系統，其中該排氣管道藉由一三通閥連接於該循環管道，並藉由該抽氣機將該機櫃之空間中的冷卻氣體經由該排氣管道排出至外界。
如請求項4所述之機櫃冷卻系統，其中該感測器具有二流量計，分別設於該主管道與該排氣管道。
如請求項4所述之機櫃冷卻系統，其中該控制單元，根據該感測器之參數，控制該排氣開關閥開啟或關閉。
如請求項1所述之機櫃冷卻系統，其中該機櫃之空間中設有一風扇。
一種利用一冷卻系統冷卻一機櫃之方法，包含有下列步驟： <br/>輸入步驟：將一桶槽中的液態冷卻氣體流入一主管道，且該液態冷卻氣體於該主管道中轉變為冷卻氣體後輸送入一機櫃之空間中；其中該主管道具有一部分沒入一槽池的液體中；以及當該空間中的冷卻氣體的量到達一預定值時，停止該輸入步驟； <br/>循環步驟：當該機櫃空間中的溫度到達一工作溫度時，將該機櫃空間中的冷卻氣體由一進氣端抽入一循環管道，再由該循環管道之一出氣端流回該機櫃空間中；其中，該循環管道具有一部分沒入一槽池的液體中；以及 <br/>填充步驟：當該機櫃空間中的溫度到達一警戒溫度時，停止該循環步驟，且該桶槽開始提供該液態冷卻氣體至該主管道，並於該主管道中轉變為該冷卻氣體後，輸入該機櫃之空間中，直到該機櫃的空間中的溫度到達一重置溫度時，停止該填充步驟；其中該警戒溫度高於該工作溫度，該重置溫度低於該警戒溫度。
如請求項9所述之方法，在該輸入步驟之前更包含有下列步驟： <br/>前置步驟：將該機櫃之空間中的氣體排放至外界，直到該空間中的壓力到達一準備壓力。
如請求項10所述之方法，其中該主管道以及該循環管道中的氣體於該前置步驟中一併被排放至外界。
如請求項9所述之方法，在該填充步驟之後更包含有： <br/>排氣步驟：將該機櫃之空間中一預定量的冷卻氣體，排放至外界。
如請求項12所述之方法，其中於進行該填充步驟時，紀錄流入該空間中該冷卻氣體的量，於進行該排氣步驟時，紀錄自該空間中所排出該冷卻氣體的量；當自該空間中所排出該冷卻氣體的量等於流入該空間中該冷卻氣體的量時，停止該排氣步驟。
如請求項9所述之方法，其中該重置溫度低於該工作溫度。
如請求項12所述之方法，其中該填充步驟與該排氣步驟同時進行。
一種選擇性沉積方法，包含以下步驟：<br/> 將一基板暴露於一阻擋化合物，該基板具有位於該基板的同一側上之一第一表面及一第二表面，以越過該第二表面將一阻擋層選擇性地形成在該第一表面的至少一部分上；以及將該基板依序暴露於一金屬前驅物和一反應物，以越過該阻擋層或該第一表面將一含金屬層選擇性地形成在該第二表面上，其中該金屬前驅物包含以下一或多種：Al、Hf、Zr、Y、Ti、Ta、Si、Cu、Co、W或Ru，且其中該反應物包含叔丁醇且實質上不含水、氧(O2)或臭氧，或該反應物包含以下一或多種：氮氣(N<sub>2</sub>)、氨、肼、肼衍生物、N<sub>2</sub>O或NO<sub>2</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該第一表面包含一導電材料，且該第二表面包含一介電材料。
如請求項2所述之方法，其中該阻擋化合物包含一阻擋分子，該阻擋分子具有一反應性頭部基團和一碳質尾部基團，該反應性頭部基團選自由(HO)<sub>2</sub>OP-、HS-及H<sub>3</sub>Si-組成之群組。
如請求項1所述之方法，其中該第一表面包含一介電材料，且該第二表面包含一導電材料。
如請求項4所述之方法，其中該阻擋化合物包含一阻擋分子，該阻擋分子具有一反應性頭部基團和一碳質尾部基團，該反應性頭部基團選自由(R<sub>2</sub>N)<sub>3</sub>Si-、X<sub>3</sub>Si-及(RO)<sub>3</sub>Si-組成之群組，其中各個R獨立地選自C1-C6烷基、C1-C6環烷基及C1-C6芳基，且各個X獨立地選自鹵素。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含一第3週期金屬，且該金屬前驅物具有大於或等於22埃之一動力學直徑。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含一第4週期金屬，且該金屬前驅物具有大於或等於24埃之一動力學直徑。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含一第5週期金屬，且該金屬前驅物具有大於或等於26埃之一動力學直徑。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含一第6週期金屬，且該金屬前驅物具有大於或等於28埃之一動力學直徑。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含以下一或多種：三-叔丁基鋁(tri-tertbutyl aluminum)或三-新戊基鋁(tri-neopentyl aluminum)。
如請求項1所述之方法，其中該金屬前驅物包含以下一或多種：四(二甲基醯胺基)鈦(tetrakis(dimethylamido)titanium)或四(二乙基醯胺基)鈦(tetrakis(diethylamido)titanium)。
如請求項1所述之方法，其中該含金屬層包含金屬原子和氧原子、氮原子、碳原子或前述原子之組合。
如請求項12所述之方法，其中當該反應物包含叔丁醇時，該含金屬層包含氧原子。
如請求項12所述之方法，其中當該反應物包含以下一或多種：氮氣(N<sub>2</sub>)、氨、肼、肼衍生物、N<sub>2</sub>O或NO<sub>2</sub>時，該含金屬層包含氮原子。
如請求項1所述之方法，其中該含金屬層包含一純金屬膜。
如請求項15所述之方法，其中該反應物進一步包含氫氣(H<sub>2</sub>)。
如請求項1所述之方法，其中由該阻擋層覆蓋之該第一表面的該部分大於或等於約90%的該第一表面。
一種滅火裝置，設置於一安裝位置，所述滅火裝置包括：<br/> 一罩體，所述罩體以柔性不可燃材質製成，所述罩體能呈收納狀態及伸展狀態，所述罩體包含一頂部片體及四側壁片體，所述四側壁片體的上端分別連接於所述頂部片體的四邊，且所述四側壁片體的兩側彼此相連；以及<br/> 一控制機構，所述控制機構連接於所述罩體；<br/> 其中當收到火災訊號時，所述控制機構能控制釋放所述罩體，使所述罩體呈伸展狀態，所述罩體能利用重力自動下垂，而能罩蓋於一易燃物外；所述罩體的所述頂部片體為兩層結構，且設有形成錯位狀的裂縫；所述易燃物為電動車，所述電動車插接一充電線，所述充電線上設置一配重套管，所述配重套管對應於所述罩體的一所述側壁片體。
如請求項1所述的滅火裝置，其中所述罩體的所述四側壁片體呈皺折狀片體，而形成蛇腹管狀。
如請求項1所述的滅火裝置，其中所述罩體的下端設置一配重，使所述罩體呈伸展狀態時，所述罩體的底端能緊貼地面。
如請求項1所述的滅火裝置，其中所述控制機構包含一動力源及一控制件，所述控制件連接於所述動力源及所述罩體，所述動力源能驅動所述控制件移動，使所述控制件能在一第一位置及一第二位置之間移動，所述控制件在所述第一位置時，能控制所述罩體呈收納狀態，所述控制件在所述第二位置時，能控制所述罩體呈伸展狀態。
如請求項4所述的滅火裝置，其中所述控制機構包含多個上掛勾，該些上掛勾設置於所述罩體的上端，所述控制件具有多個缺口及多個掛持部，該些缺口分別位於該些掛持部的一側，當所述控制件在所述第一位置時，該些上掛勾分別掛置於該些掛持部上，當所述控制件在所述第二位置時，該些上掛勾能分別通過該些缺口而向下掉落。
如請求項5所述的滅火裝置，其中所述罩體的下端設置多個下掛勾，當所述控制件在所述第一位置時，該些下掛勾分別掛置於該些掛持部上，當所述控制件在所述第二位置時，該些下掛勾能分別通過該些缺口而向下掉落。
如請求項4所述的滅火裝置，其中所述控制件配合設置於一導引件內，所述控制件以所述導引件導引而水平移動。
如請求項1所述的滅火裝置，其中所述罩體呈收納狀態時形成扁平狀，所述罩體呈伸展狀態時形成長方體狀。
一種隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，適用於一隨機韌性供應鏈網路，所述隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法包括：<br/> 計算該隨機韌性供應鏈網路中，至少一供應商斷鏈期間的一第一產能機率表；<br/> 列出從該至少一供應商到一市場的所有運輸路徑；<br/> 找出滿足一初始需求的至少一可行流量向量，列出該至少一可行流量向量的至少一條件式；<br/> 將該至少一可行流量向量轉換為一容量向量；<br/> 使用向量運算中的比較規則，獲取一第一最小容量向量，並依據該第一產能機率表，利用該第一最小容量向量計算一第一網路可靠度；<br/> 若該第一網路可靠度未達一初始網路可靠度，計算該隨機韌性供應鏈網路中，開始從至少一備用供應商補貨後，在斷鏈期間的一第二產能機率表；<br/> 計算補貨後第一個工作天的一第一需求；<br/> 計算第一個工作天的一預計供應量，並依據該第一需求，計算第一個工作天的一供應量分配，其中該供應量分配以網路可靠度達到該初始網路可靠度的供應量分配為準；<br/> 根據該供應量分配，使用向量運算中的比較規則，獲取一第二最小容量向量，再利用該第二最小容量向量，依據該第二產能機率表，計算一第二網路可靠度；以及<br/> 若該第二網路可靠度未達該初始網路可靠度，則計算次一工作天的一需求，並計算次一工作天的一網路可靠度，直到該網路可靠度達到該初始網路可靠度為止。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該第一產能機率表中，維持一非零產能之機率為該非零產能於斷鏈前之機率乘以斷鏈期間能維持相同產能之機率，而產能為零之機率為1減去維持每一非零產能之機率。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該可行流量向量中的每一分量分別對應該等運輸路徑中之一者。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該可行流量向量中的每一分量滿足該等供應商之產能限制及該等運輸路徑之載具數量限制。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該第一網路可靠度為：<br/><img align="absmiddle" height="21px" width="65px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<i>k</i>為該第一最小容量向量之數量，X<sub>t</sub>為產能。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，第一工作天的該第一需求為該初始需求減去一初始庫存量，而第二工作天開始時的庫存量為第一工作天的該預計供應量減去第一工作天的該第一需求。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該預計供應量依據該第二產能機率表計算，其中每一供應商及備用供應商之供應量為該供應商或備用供應商之每一可能產量及該產量機率之乘積加總後向下取整，而該預計供應量為每一供應商及備用供應商之供應量之總和。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該第一需求為一供應商供應量及一備用供應商供應量之總和，而該備用供應商供應量滿足下列條件式：<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="118px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中s為備用供應商數量，p為主要供應商數量，n為運輸路徑數，x<sub>t</sub>為產能，w<sub>t</sub>為備用供應商的最大產能，<i>Q</i><sub>I</sub><sup>1</sup>為該備用供應商供應量。
如請求項1所述的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估方法，其中，該第二網路可靠度為：<br/><img align="absmiddle" height="21px" width="79px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中<i>k</i>為該第二最小容量向量之數量，<i>Q</i><sub>V</sub><sup>1</sup>為供應商供應量，<i>Q</i><sub>I</sub><sup>1</sup>為備用供應商供應量，X<sub>t</sub>為產能。
一種具有如請求項1所述方法的隨機韌性供應鏈網路可靠度評估裝置，包括：<br/> 一記憶體，用以儲存該隨機韌性供應鏈網路，以及如請求項1所述之方法；以及<br/> 一處理器，用以執行該方法，以計算該隨機韌性供應鏈網路的一網路可靠度。
一種生物訊號監測用穿戴物，其特徵在於具備： <br/>數個電極，其等與受驗者之皮膚接觸； <br/>穿戴物本體，其穿戴在上述受驗者上； <br/>導通單元，其配置於上述穿戴物本體的表背兩面中與上述受驗者之皮膚對向之背面，且將測量上述受驗者之生物訊號之生物訊號測量器與上述數個電極能夠導通地連接；且 <br/>上述穿戴物本體具備： <br/>主體部，其圍繞上述受驗者之軀體周圍形成環狀； <br/>彈性體，其以於上述主體部之圓周方向上呈較長之方式設置於上述主體部中上述穿戴物本體之後身片之主體部，且於長度方向上具有上述受驗者之胸口窩部分之軀體圍長度之30%以上且60%以下之長度；及 <br/>非彈性構造之布襯紙，其設置於上述主體部中配置有上述導通單元之上述穿戴物本體之前身片之主體部； <br/>上述導通單元具備： <br/>片狀絕緣體，其具有可撓性； <br/>數個電極連接器，其等設置於上述絕緣體之厚度方向兩面中之第1面，將上述數個電極分別連接； <br/>測量器連接器，其設置於上述絕緣體之厚度方向兩面中與上述第1面為相反面之第2面，將上述生物訊號測量器能夠裝卸地連接；及 <br/>導電體，其設置於上述絕緣體，使上述數個電極連接器與上述測量器連接器導通。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>使上述彈性體於其長度方向上伸長30%所需之力為3 N以上且9 N以下。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>使上述彈性體於其長度方向上伸長20%所需之力為2 N以上且6 N以下。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>使上述彈性體自於其長度方向上伸長10%之狀態延長至伸長30%之狀態時所需之力之增加量之比例為0.1 N/%以上且0.2 N/%以下。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其具備布料構件，該布料構件覆蓋上述導通單元中之上述絕緣體之上述第1面中上述數個電極連接器以外之部分。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>上述生物訊號測量器係心電儀。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>上述數個電極由導電性纖維構成。
如請求項7之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>上述數個電極由纖維直徑為10 nm以上且5000 nm以下之奈米纖維構成。
如請求項1之生物訊號監測用穿戴物，其中， <br/>上述數個電極具備利用依據JIS-Z0237之規定之90度剝離法所測定之黏著力為200 g/20 mm以下之導電性片材。
一種超薄玻璃基板的加工設備，其包括：<br/> 一訊號控制模組；<br/> 一基板承載模組，所述基板承載模組電性連接於所述訊號控制模組，所述基板承載模組被配置以用於承載一暫時性承載基板；<br/> 一膠材提供模組，所述膠材提供模組電性連接於所述訊號控制模組，所述膠材提供模組被配置以用於提供一可逆黏著膠層於所述暫時性承載基板上；<br/> 一玻璃貼合模組，所述玻璃貼合模組電性連接於所述訊號控制模組，所述玻璃貼合模組被配置以用於將一超薄玻璃基板貼附在所述可逆黏著膠層上； <br/> 一膠材固化模組，所述膠材固化模組電性連接於所述訊號控制模組，所述膠材固化模組被配置以用於固化所述可逆黏著膠層，藉此以將所述超薄玻璃基板固定在所述暫時性承載基板上；以及<br/> 一玻璃加工模組，所述玻璃加工模組電性連接於所述訊號控制模組，所述玻璃加工模組被配置以用於對所述超薄玻璃基板進行加工，藉此以得到一已加工超薄玻璃基板；<br/> 其中，所述超薄玻璃基板、所述可逆黏著膠層以及所述暫時性承載基板被整合成一超薄玻璃暫時承載組件；以及<br/> 其中，所述超薄玻璃基板的厚度小於100 µm。
如請求項1所述的超薄玻璃基板的加工設備，<br/> 其中，所述膠材提供模組被配置以將所述可逆黏著膠層塗佈或者貼附在所述暫時性承載基板上，且所述可逆黏著膠層被配置為一UV解膠型黏著材料層、一熱釋放型黏著材料層或者一化學溶劑溶解型黏著材料層；<br/> 其中，所述膠材固化模組被配置以提供一預定固膠光源或者一預定固膠熱源給所述可逆黏著膠層，藉此以將所述可逆黏著膠層固化在所述暫時性承載基板與所述超薄玻璃基板兩者之間；<br/> 其中，所述玻璃加工模組被配置以對所述超薄玻璃基板進行薄化、鑽孔或者切割；<br/> 其中，所述玻璃加工模組被配置以所述超薄玻璃基板為基底進行半導體製程、印刷電路板製程或者液晶顯示器製程；以及<br/> 其中，當所述超薄玻璃基板透過所述玻璃加工模組進行鑽孔以形成至少一貫穿孔時，所述至少一貫穿孔的範圍延伸至所述可逆黏著膠層以及所述暫時性承載基板。
如請求項1所述的超薄玻璃基板的加工設備，進一步包括：<br/> 一表面處理模組，所述表面處理模組電性連接於所述訊號控制模組，所述表面處理模組被配置以用於對所述暫時性承載基板進行一表面處理加工；<br/> 一玻璃脫膠模組，所述玻璃脫膠模組電性連接於所述訊號控制模組，所述玻璃脫膠模組被配置以允許所述已加工超薄玻璃基板從所述可逆黏著膠層進行分離；<br/> 一玻璃清潔模組，所述玻璃清潔模組電性連接於所述訊號控制模組，所述玻璃清潔模組被配置以用於清潔所述已加工超薄玻璃基板以及所述暫時性承載基板；<br/> 一外觀檢查模組，所述外觀檢查模組電性連接於所述訊號控制模組，所述外觀檢查模組被配置以用於檢查所述已加工超薄玻璃基板的一預定外觀；<br/> 一功能檢測模組，所述功能檢測模組電性連接於所述訊號控制模組，所述功能檢測模組被配置以用於檢測所述已加工超薄玻璃基板的一預定功能；以及<br/> 一基板移轉模組，所述基板移轉模組電性連接於所述訊號控制模組，所述基板移轉模組被配置以用於將所述已加工超薄玻璃基板堆疊設置在另一個已加工超薄玻璃基板上。
如請求項3所述的超薄玻璃基板的加工設備，<br/> 其中，所述表面處理加工包括用於移除油污或微粒的一清潔與乾燥加工、用於提升膠材附著力的一表面粗化加工或者用於提升膠材附著力的一等離子預處理加工；<br/> 其中，所述玻璃脫膠模組被配置以提供一預定解膠光源或者一預定解膠熱源給所述可逆黏著膠層，藉此以降低所述已加工超薄玻璃基板與所述可逆黏著膠層兩者之間的黏著力；<br/> 其中，所述玻璃清潔模組被配置以提供一預定清潔劑給所述已加工超薄玻璃基板，藉此以移除附著於所述已加工超薄玻璃基板的異物；<br/> 其中，所述已加工超薄玻璃基板的所述預定外觀為表面平整度、表面氣泡、表面裂痕、結構翹曲或者殘留異物；以及<br/> 其中，所述已加工超薄玻璃基板的所述預定功能為電性功能或者光學功能。
一種超薄玻璃暫時承載組件，其包括：<br/> 一暫時性承載基板；<br/> 一可逆黏著膠層，所述可逆黏著膠層設置在所述暫時性承載基板上；以及<br/> 一超薄玻璃基板，所述超薄玻璃基板設置在所述可逆黏著膠層上；<br/> 其中，所述超薄玻璃基板的厚度小於100 µm；<br/> 其中，所述可逆黏著膠層透過一膠材提供模組以設置在所述暫時性承載基板上；<br/> 其中，所述超薄玻璃基板透過一玻璃貼合模組以及一膠材固化模組的配合以設置在所述可逆黏著膠層上；<br/> 其中，所述超薄玻璃基板透過一玻璃加工模組以形成一已加工超薄玻璃基板；<br/> 其中，當所述超薄玻璃基板透過所述玻璃加工模組進行鑽孔以形成至少一貫穿孔時，所述至少一貫穿孔的範圍延伸至所述可逆黏著膠層以及所述暫時性承載基板。
如請求項5所述的超薄玻璃暫時承載組件，<br/> 其中，所述暫時性承載基板被配置為一金屬基板、一陶瓷基板或者一聚合物基板，且所述暫時性承載基板的厚度大於所述超薄玻璃基板的厚度；<br/> 其中，所述超薄玻璃基板的厚度介於30 µm至100 µm之間。
一種時脈傳輸裝置，包括： <br/>一時脈傳輸電路，基於一輸入時脈產生至少一輸出時脈；以及 <br/>一抖動抑制電路，基於一電源電壓供應一電源電流給該時脈傳輸電路， <br/>其中該抖動抑制電路響應於該電源電壓的一電源雜訊而適應性地調整該電源電流，以抑制該至少一輸出時脈的一電源雜訊導致抖動， <br/>其中該抖動抑制電路包括： <br/>一雜訊放大電路，感測該電源電壓的該電源雜訊以產生該電源雜訊所對應的一第一控制訊號；以及 <br/>一第一補償電路，其中該第一補償電路的一輸入端接收該電源電壓，該第一補償電路的一輸出端耦接至該時脈傳輸電路的一電源端以供應該電源電流，該第一補償電路的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第一控制訊號，以及該第一補償電路響應於該第一控制訊號而適應性地調整該電源電流，以及 <br/>其中該第一補償電路包括： <br/>一電晶體，其中該電晶體的一第一端接收該電源電壓，該電晶體的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的該電源端以供應該電源電流，該電晶體的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第一控制訊號，以及該電晶體響應於該第一控制訊號而適應性地調整該電源電流；以及 <br/>一電容，其中該電容的一第一端接收該電源電壓，以及該電容的一第二端耦接至該電晶體的該控制端。
如請求項1所述的時脈傳輸裝置，其中該時脈傳輸電路包括： <br/>一增益電路，增益該輸入時脈而產生一經增益時脈，其中該抖動抑制電路供應該電源電流給該增益電路，該抖動抑制電路感測該電源電壓的該電源雜訊以適應性地調整該電源電流，以抑制該經增益時脈的一電源雜訊導致抖動；以及 <br/>一時脈樹電路，耦接至該增益電路的一輸出端以接收該經增益時脈，其中該時脈樹電路基於該經增益時脈產生該至少一輸出時脈。
如請求項1所述的時脈傳輸裝置，其中該雜訊放大電路包括： <br/>一誤差放大電路，其中該誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，該誤差放大電路的一第二輸入端接收一第一參考電壓，該誤差放大電路比較該電源電壓與該第一參考電壓而產生該第一控制訊號，以及該誤差放大電路的一第一輸出端耦接至該第一補償電路的該控制端以供應該第一控制訊號。
如請求項3所述的時脈傳輸裝置，其中該第一參考電壓為一帶隙電壓。
如請求項3所述的時脈傳輸裝置，其中該誤差放大電路包括： <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端接收該電源電壓，該第一電晶體的一第二端耦接至該誤差放大電路的一第二輸出端，以及該第一電晶體的一控制端接收一第二參考電壓； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端接收該電源電壓，該第二電晶體的一第二端耦接至該誤差放大電路的該第一輸出端，以及該第二電晶體的一控制端接收該第二參考電壓； <br/>一第三電晶體，其中該第三電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，以及該第三電晶體的一控制端耦接至該誤差放大電路的該第一輸入端； <br/>一第四電晶體，其中該第四電晶體的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，以及該第四電晶體的一控制端耦接至該誤差放大電路的該第二輸入端； <br/>一電阻，其中該電阻的一第一端耦接至該第三電晶體的一第二端，以及該電阻的一第二端耦接至該第四電晶體的一第二端； <br/>一第一電容，其中該第一電容的一第一端耦接至該第三電晶體的該控制端，以及該第一電容的一第二端耦接至該第四電晶體的該第二端； <br/>一第二電容，其中該第二電容的一第一端耦接至該第四電晶體的該控制端，以及該第二電容的一第二端耦接至該第三電晶體的該第二端； <br/>一第一電流源，耦接至該第三電晶體的該第二端；以及 <br/>一第二電流源，耦接至該第四電晶體的該第二端。
如請求項3所述的時脈傳輸裝置，其中該誤差放大電路包括： <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端接收該電源電壓，以及該第一電晶體的一控制端耦接至該誤差放大電路的該第一輸入端； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端接收該電源電壓，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該誤差放大電路的該第二輸入端； <br/>一第三電晶體，其中該第三電晶體的一控制端耦接至該第一電晶體的一第二端，以及該第三電晶體的一第一端耦接至該誤差放大電路的一第二輸出端； <br/>一第四電晶體，其中該第四電晶體的一控制端耦接至該第二電晶體的一第二端，以及該第四電晶體的一第一端耦接至該誤差放大電路的該第一輸出端； <br/>一第五電晶體，其中該第五電晶體的一第一端耦接至該第三電晶體的該第一端，該第五電晶體的一第二端接收一第二參考電壓，以及該第五電晶體的一控制端接收該電源電壓； <br/>一第六電晶體，其中該第六電晶體的一第一端耦接至該第四電晶體的該第一端，該第六電晶體的一第二端接收該第二參考電壓，以及該第六電晶體的一控制端接收該電源電壓； <br/>一電阻，其中該電阻的一第一端耦接至該第三電晶體的一第二端，以及該電阻的一第二端耦接至該第四電晶體的一第二端； <br/>一第一電容，其中該第一電容的一第一端耦接至該第一電晶體的該控制端，以及該第一電容的一第二端耦接至該第四電晶體的該第二端； <br/>一第二電容，其中該第二電容的一第一端耦接至該第二電晶體的該控制端，以及該第二電容的一第二端耦接至該第三電晶體的該第二端； <br/>一第一電流源，耦接至該第一電晶體的該第二端； <br/>一第二電流源，耦接至該第二電晶體的該第二端； <br/>一第三電流源，耦接至該第三電晶體的該第二端；以及 <br/>一第四電流源，耦接至該第四電晶體的該第二端。
如請求項1所述的時脈傳輸裝置，其中該雜訊放大電路包括： <br/>一誤差放大電路，其中該誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，該誤差放大電路的一第二輸入端接收一第一參考電壓，以及該誤差放大電路比較該電源電壓與該第一參考電壓而產生一誤差訊號；以及 <br/>一增益電路，其中該增益電路的一第一輸入端耦接至該誤差放大電路的一第一輸出端，該增益電路的一第二輸入端耦接至該誤差放大電路的一第二輸出端，該增益電路將該誤差訊號轉換為該第一控制訊號，以及該增益電路的一第一輸出端耦接至該第一補償電路的該控制端以供應該第一控制訊號。
如請求項7所述的時脈傳輸裝置，其中該增益電路包括： <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端接收該電源電壓，以及該第一電晶體的一第二端耦接至該增益電路的該第一輸出端； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端接收該電源電壓，該第二電晶體的一第二端耦接至該增益電路的一第二輸出端，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該第一電晶體的一控制端； <br/>一第三電晶體，其中該第三電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，以及該第三電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第二輸入端； <br/>一第四電晶體，其中該第四電晶體的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，以及該第四電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第一輸入端； <br/>一第五電晶體，其中該第五電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，該第五電晶體的一第二端耦接至該第一電晶體的該控制端，以及該第五電晶體的一控制端接收一第二參考電壓； <br/>一第六電晶體，其中該第六電晶體的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，該第六電晶體的一第二端耦接至該第二電晶體的該控制端，以及該第六電晶體的一控制端接收該第二參考電壓；以及 <br/>一電流源，耦接至該第三電晶體的一第二端以及該第四電晶體的一第二端。
如請求項7所述的時脈傳輸裝置，其中該增益電路包括： <br/>一電流源； <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端耦接至該電流源，該第一電晶體的一第二端耦接至該增益電路的一第二輸出端，以及該第一電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第一輸入端； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端耦接至該電流源，該第二電晶體的一第二端耦接至該增益電路的該第一輸出端，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第二輸入端； <br/>一第三電晶體，其中該第三電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，以及該第三電晶體的一第二端接收一第二參考電壓； <br/>一第四電晶體，其中該第四電晶體的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，該第四電晶體的一第二端接收該第二參考電壓，以及該第四電晶體的一控制端耦接至該第三電晶體的一控制端； <br/>一第五電晶體，其中該第五電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，該第五電晶體的一第二端耦接至該第三電晶體的該控制端，以及該第五電晶體的一控制端接收該電源電壓；以及 <br/>一第六電晶體，其中該第六電晶體的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，該第六電晶體的一第二端耦接至該第四電晶體的該控制端，以及該第六電晶體的一控制端接收該電源電壓。
如請求項7所述的時脈傳輸裝置，其中該增益電路包括一電流模式邏輯電路。
如請求項10所述的時脈傳輸裝置，其中該電流模式邏輯電路包括： <br/>一第一電阻，其中該第一電阻的一第一端接收該電源電壓，以及該第一電阻的一第二端耦接至該增益電路的該第一輸出端； <br/>一第二電阻，其中該第二電阻的一第一端接收該電源電壓，以及該第二電阻的一第二端耦接至該增益電路的一第二輸出端； <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端耦接至該第一電阻的該第二端，以及該第一電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第二輸入端； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端耦接至該第二電阻的該第二端，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第一輸入端；以及 <br/>一電流源，耦接至該第一電晶體的一第二端以及該第二電晶體的一第二端。
如請求項10所述的時脈傳輸裝置，其中該電流模式邏輯電路包括： <br/>一電流源； <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端耦接至該電流源，該第一電晶體的一第二端耦接至該增益電路的一第二輸出端，以及該第一電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第一輸入端； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端耦接至該電流源，該第二電晶體的一第二端耦接至該增益電路的該第一輸出端，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該增益電路的該第二輸入端； <br/>一第一電阻，其中該第一電阻的一第一端耦接至該第一電晶體的該第二端，以及該第一電阻的一第二端接收一第二參考電壓；以及 <br/>一第二電阻，其中該第二電阻的一第一端耦接至該第二電晶體的該第二端，以及該第二電阻的一第二端接收該第二參考電壓。
如請求項1所述的時脈傳輸裝置，其中該雜訊放大電路包括： <br/>一第一誤差放大電路，其中該第一誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，該第一誤差放大電路的一第二輸入端接收一第一參考電壓，以及該第一誤差放大電路比較該電源電壓與該第一參考電壓而產生一第一誤差訊號； <br/>一第一增益電路，其中該第一增益電路的一第一輸入端耦接至該第一誤差放大電路的一第一輸出端，該第一增益電路的一第二輸入端耦接至該第一誤差放大電路的一第二輸出端，該第一增益電路將該第一誤差訊號轉換為該第一控制訊號，以及該第一增益電路的一輸出端耦接至該第一補償電路的該控制端以供應該第一控制訊號； <br/>一第二誤差放大電路，其中該第二誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，該第二誤差放大電路的一第二輸入端接收該第一參考電壓，以及該第二誤差放大電路比較該電源電壓與該第一參考電壓而產生一第二誤差訊號；以及 <br/>一第二增益電路，其中該第二增益電路的一第一輸入端耦接至該第二誤差放大電路的一第一輸出端，該第二增益電路的一第二輸入端耦接至該第二誤差放大電路的一第二輸出端，該第二增益電路將該第二誤差訊號轉換為一第二控制訊號，該第二增益電路的一輸出端耦接至該抖動抑制電路的一第二補償電路的一控制端以供應該第二控制訊號，該第二補償電路的一第一端接收一第二參考電壓，以及該第二補償電路的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的一參考端。
如請求項1所述的時脈傳輸裝置，其中該抖動抑制電路更包括： <br/>一第二補償電路，其中該第二補償電路的一第一端接收一參考電壓，該第二補償電路的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的一參考端，以及該第二補償電路的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收一第二控制訊號。
如請求項14所述的時脈傳輸裝置，其中該第二補償電路包括： <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端接收該參考電壓，該第一電晶體的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的該參考端，以及該第一電晶體的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第二控制訊號。
如請求項14所述的時脈傳輸裝置，其中該第二補償電路包括： <br/>一第一電晶體，其中該第一電晶體的一第一端接收該參考電壓，以及該第一電晶體的一控制端接收該電源電壓； <br/>一第二電晶體，其中該第二電晶體的一第一端耦接至該第一電晶體的一第二端，該第二電晶體的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的該參考端，以及該第二電晶體的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第二控制訊號；以及 <br/>一第一電容，其中該第一電容的一第一端接收該電源電壓，以及該第一電容的一第二端耦接至該第二電晶體的該第一端。
一種時脈傳輸裝置的操作方法，包括： <br/>由該時脈傳輸裝置的一時脈傳輸電路基於一輸入時脈產生至少一輸出時脈； <br/>由該時脈傳輸裝置的一抖動抑制電路基於一電源電壓供應一電源電流給該時脈傳輸電路； <br/>由該抖動抑制電路響應於該電源電壓的一電源雜訊而適應性地調整該電源電流，以抑制該至少一輸出時脈的一電源雜訊導致抖動； <br/>由該抖動抑制電路的一雜訊放大電路感測該電源電壓的該電源雜訊，以產生該電源雜訊所對應的一第一控制訊號； <br/>由該抖動抑制電路的一第一補償電路響應於該第一控制訊號而適應性地調整該電源電流，其中該第一補償電路的一輸入端接收該電源電壓，該第一補償電路的一輸出端耦接至該時脈傳輸電路的一電源端以供應該電源電流，以及該第一補償電路的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第一控制訊號； <br/>由該雜訊放大電路的一誤差放大電路比較該電源電壓與一第一參考電壓而產生一誤差訊號，其中該誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，以及該誤差放大電路的一第二輸入端接收該第一參考電壓；以及 <br/>由該雜訊放大電路的一增益電路將該誤差訊號轉換為該第一控制訊號，其中該增益電路的一第一輸入端耦接至該誤差放大電路的一第一輸出端，該增益電路的一第二輸入端耦接至該誤差放大電路的一第二輸出端，以及該增益電路的一第一輸出端耦接至該第一補償電路的該控制端以供應該第一控制訊號。
如請求項17所述的操作方法，更包括： <br/>由該抖動抑制電路供應該電源電流給該時脈傳輸電路的一增益電路； <br/>由該增益電路增益一輸入時脈而產生一經增益時脈； <br/>由該抖動抑制電路感測該電源電壓的該電源雜訊以適應性地調整該電源電流，以抑制該經增益時脈的一電源雜訊導致抖動；以及 <br/>由該時脈傳輸電路的一增益電路一時脈樹電路基於該經增益時脈產生該至少一輸出時脈，其中該時脈樹電路耦接至該增益電路以接收該經增益時脈。
如請求項17所述的操作方法，其中該第一參考電壓為一帶隙電壓。
一種時脈傳輸裝置的操作方法，包括： <br/>由該時脈傳輸裝置的一時脈傳輸電路基於一輸入時脈產生至少一輸出時脈； <br/>由該時脈傳輸裝置的一抖動抑制電路基於一電源電壓供應一電源電流給該時脈傳輸電路； <br/>由該抖動抑制電路響應於該電源電壓的一電源雜訊而適應性地調整該電源電流，以抑制該至少一輸出時脈的一電源雜訊導致抖動； <br/>由該抖動抑制電路的一雜訊放大電路感測該電源電壓的該電源雜訊，以產生該電源雜訊所對應的一第一控制訊號； <br/>由該抖動抑制電路的一第一補償電路響應於該第一控制訊號而適應性地調整該電源電流，其中該第一補償電路的一輸入端接收該電源電壓，該第一補償電路的一輸出端耦接至該時脈傳輸電路的一電源端以供應該電源電流，以及該第一補償電路的一控制端耦接至該雜訊放大電路以接收該第一控制訊號； <br/>由該雜訊放大電路的一第一誤差放大電路比較該電源電壓與一第一參考電壓而產生一第一誤差訊號，其中該第一誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，以及該第一誤差放大電路的一第二輸入端接收該第一參考電壓； <br/>由該雜訊放大電路的一第一增益電路將該第一誤差訊號轉換為該第一控制訊號，其中該第一增益電路的一第一輸入端耦接至該第一誤差放大電路的一第一輸出端，該第一增益電路的一第二輸入端耦接至該第一誤差放大電路的一第二輸出端，以及該第一增益電路的一輸出端耦接至該第一補償電路的該控制端以供應該第一控制訊號； <br/>由該雜訊放大電路的一第二誤差放大電路比較該電源電壓與該第一參考電壓而產生一第二誤差訊號，其中該第二誤差放大電路的一第一輸入端接收該電源電壓，以及該第二誤差放大電路的一第二輸入端接收該第一參考電壓；以及 <br/>由該雜訊放大電路的一第二增益電路將該第二誤差訊號轉換為一第二控制訊號，其中該第二增益電路的一第一輸入端耦接至該第二誤差放大電路的一第一輸出端，該第二增益電路的一第二輸入端耦接至該第二誤差放大電路的一第二輸出端，該第二增益電路的一輸出端耦接至該抖動抑制電路的一第二補償電路的一控制端以供應該第二控制訊號，該第二補償電路的一第一端接收一第二參考電壓，以及該第二補償電路的一第二端耦接至該時脈傳輸電路的一參考端。
一種深度偽造內容檢測方法，包括： <br/>獲取包括第一影像幀的影片； <br/>利用一深度學習模型辨識所述第一影像幀的真偽而獲取所述深度學習模型輸出之一真實性評估值； <br/>辨識所述第一影像幀的多個臉部特徵點，以根據所述多個臉部特徵點決定至少一臉部五官資訊；以及 <br/>根據所述真實性評估值與所述至少一臉部五官資訊，決定所述影片為真實內容或偽造內容， <br/>其中所述深度學習模型包括依序串接的一特徵萃取網路、一遞迴神經網路與一分類神經網路，且利用所述深度學習模型辨識所述第一影像幀的真偽而獲取所述深度學習模型輸出之所述真實性評估值的步驟包括： <br/>對所述第一影像幀進行一影像預處理，而獲取一標準化臉部影像； <br/>將所述標準化臉部影像輸入至所述深度學習模型的所述特徵萃取網路，而獲取所述特徵萃取網路輸出的一影像特徵向量； <br/>將所述第一影像幀的所述影像特徵向量饋入至所述深度學習模型的所述遞迴神經網路，而獲取所述遞迴神經網路輸出的一狀態輸出；以及 <br/>將所述狀態輸出饋入至所述分類神經網路，以輸出所述第一影像幀的所述真實性評估值。
如請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，其中根據所述真實性評估值與所述至少一臉部五官資訊，決定所述影片為所述真實內容或所述偽造內容的步驟包括： <br/>將所述真實性評估值與所述至少一臉部五官資訊輸入至一分類模型；以及 <br/>根據所述分類模型的分類結果，決定所述影片為所述真實內容或所述偽造內容。
如請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，其中辨識所述第一影像幀的所述多個臉部特徵點，以根據所述多個臉部特徵點決定所述至少一臉部五官資訊的步驟包括： <br/>辨識所述第一影像幀的所述多個眼部特徵點；以及 <br/>根據所述眼部特徵點決定所述至少一臉部五官資訊中的一眼部特徵資訊，其中所述眼部特徵資訊包括眼部寬高比例或眨眼資訊。
如請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，其中辨識所述第一影像幀的所述多個臉部特徵點，以根據所述多個臉部特徵點決定所述至少一臉部五官資訊的步驟包括： <br/>辨識所述第一影像幀的所述多個嘴部特徵點；以及 <br/>根據所述嘴部特徵點決定所述至少一臉部五官資訊中的一嘴部特徵資訊，其中所述嘴部特徵資訊包括嘴部寬高比例或唇部同步資訊。
如請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，更包括： <br/>提取所述影片的音訊資料的多個音訊特徵； <br/>將所述多個音訊特徵結合為一整合音訊特徵；以及 <br/>利用一分類模型根據所述整合音訊特徵，決定所述影片為所述真實內容或所述偽造內容。
如請求項5所述的深度偽造內容檢測方法，其中所述音訊特徵包括梅爾頻率倒譜係數（MFCC）、頻譜對比、共振峰分佈與音高（Pitch）特徵。
如請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，其中獲取包括所述第一影像幀的所述影片的步驟包括： <br/>執行一應用程式並獲取所述應用程式所播放的所述影片。
請求項1所述的深度偽造內容檢測方法，更包括： <br/>反應於判定所述影片為所述偽造內容，提供一警示。
一種電子裝置，包括： <br/>一儲存裝置，記錄有多個指令；以及 <br/>一處理器，耦接所述儲存裝置，經配置以： <br/> 獲取包括第一影像幀的影片； <br/> 利用一深度學習模型辨識所述第一影像幀的真偽而獲取所述深度學習模型輸出之一真實性評估值； <br/> 辨識所述第一影像幀的多個臉部特徵點，以根據所述多個臉部特徵點決定至少一臉部五官資訊；以及 <br/> 根據所述真實性評估值與所述至少一臉部五官資訊，決定所述影片為真實內容或偽造內容， <br/>其中所述深度學習模型包括依序串接的一特徵萃取網路、一遞迴神經網路與一分類神經網路，且所述處理器還經配置以： <br/>對所述第一影像幀進行一影像預處理，而獲取一標準化臉部影像； <br/>將所述標準化臉部影像輸入至所述深度學習模型的所述特徵萃取網路，而獲取所述特徵萃取網路輸出的一影像特徵向量； <br/>將所述第一影像幀的所述影像特徵向量饋入至所述深度學習模型的所述遞迴神經網路，而獲取所述遞迴神經網路輸出的一狀態輸出；以及 <br/>將所述狀態輸出饋入至所述分類神經網路，以輸出所述第一影像幀的所述真實性評估值。
一種用於一發光鍵盤之背光裝置，包含：<br/> 一導光板，定義一縱向方向以及一橫向方向且具有一頂面、與該頂面相對之一背面、一第一橫向側邊、與該第一橫向側邊相對之一第二橫向側邊、一第一縱向側邊、與該第一縱向側邊相對之一第二縱向側邊、複數個第一貫孔、複數個第二貫孔以及複數個第三貫孔，該複數第一貫孔係自該第一橫向側邊沿該縱向方向排列且靠近該第一縱向側邊，該複數第二貫孔係自該第一橫向側邊沿該縱向方向排列且靠近該第二縱向側邊，該複數個第三貫孔緊靠該第二橫向側邊且沿該橫向方向排列並位於該複數個第一貫孔與該複數個第二貫孔之間，每一個第一貫孔具有一各自的第一入光面，該複數個第一貫孔之該複數個第一入光面中沿該縱向方向之該兩相鄰第一入光面中之一個第一入光面朝向該第二縱向側邊且另一個第一入光面朝向該第一縱向側邊，每一個第二貫孔具有一各自的第二入光面，該複數個第二貫孔之該複數個第二入光面中沿該縱向方向之該兩相鄰地二入光面中之一個第二入光面朝向該第一縱向側邊且另一個第二入光面朝向該第二縱向側邊，每一個第三貫孔具有一各自的第三入光面，該複數個第三貫孔之該複數個第三入光面係朝向該第一橫向側邊；一長條狀軟性電路板，包含一第一長條部、連接該第一長條部之一第一彎折部、連接該第一彎折部之一第二長條部、連接該第二長條部之一第二彎折部以及連接該第二彎折部之一第三長條部，該第一長條部具有一第一上表面以及一第一下表面且定義一第一長度方向，該第二長條部具有一第二上表面以及一第二下表面且定義一第二長度方向，該第三長條部具有一第三上表面以及一第三下表面且定義一第三長度方向；複數個第一發光元件，係電性接合於該第一長條部之該第一下表面上且沿該第一長度方向排列，每一個第一發光元件對應一個第一貫孔；複數個第二發光元件，係電性接合於該第三長條部之該第三下表面上且沿該第三長度方向排列，每一個第二發光元件對應一個第二貫孔；以及複數個第三發光元件，係電性接合於該第二長條部之該第二上表面上且沿該第二長度方向排列，每一個第三發光元件對應一個第三貫孔；其中該第一彎折部與該第二彎折部被彎折使該第一長條部之該第一下表面翻轉朝上且使該第三長條部之該第三下表面翻轉朝上，進而與仍朝上之該第二長條部之該第二上表面朝向同一側並共一平面，該長條狀軟性電路板係以該第一下表面、該第二上表面以及該第三下表面置於該導光板之該背面上，致使每一個第一發光元件係置於其對應的第一貫孔內，每一個第二發光元件係置於其對應的第二貫孔內，每一個第三發光元件係置於其對應的第三貫孔內，每一個第一發光元件發射一第一光線射向其對應的第一貫孔之該第一入光面進而射入該導光板內，每一個第二發光元件發射一第二光線射向其對應的第二貫孔之該第二入光面進而射入該導光板內，每一個第三發光元件發射一第三光線射向其對應的第三貫孔之該第三入光面進而射入該導光板內。
如請求項1所述之背光裝置，其中該複數個第一貫孔與該第一縱向側邊之間之一第一距離以及該複數個第二貫孔與該第二縱向側邊之間之一第二距離為該第一橫向側邊之一橫向長度之五分之一至二分之一。
如請求項1所述之背光裝置，進一步包含一連接軟性電路板，包含一第三彎折部以及一第四長條部，該第三彎折部連接於該第二長條部之一前緣，該第四長條部連接該第三彎折部，其中該第三彎折部被彎折使該第四長條部之一部分緊貼該第二長條部之該第二下表面。
一種用於一發光鍵盤之背光裝置，包含：<br/> 一導光板，定義一縱向方向以及一橫向方向且具有一頂面、與該頂面相對之一背面、一第一橫向側邊、與該第一橫向側邊相對之一第二橫向側邊、一第一縱向側邊、與該第一縱向側邊相對之一第二縱向側邊、複數個第一貫孔、複數個第二貫孔以及複數個第三貫孔，該複數第一貫孔係自該第一橫向側邊沿該縱向方向排列且靠近該第一縱向側邊，該複數第二貫孔係自該第一橫向側邊沿該縱向方向排列且靠近該第二縱向側邊，該複數個第三貫孔係沿該橫向方向排列並位於該複數個第一貫孔與該複數個第二貫孔之間並靠近該第二橫向側邊，每一個第一貫孔具有一各自的第一入光面，該複數個第一貫孔之該複數個第一入光面係交替地朝向該第二縱向側邊及該第一縱向側邊，每一個第二貫孔具有一各自的第二入光面，該複數個第二貫孔之該複數個第二入光面係交替地朝向該第一縱向側邊及該第二縱向側邊，每一個第三貫孔具有一各自的第三入光面，該複數個第三貫孔之該複數個第三入光面係交替地朝向該第一橫向側邊及該第二橫向側邊；一長條狀軟性電路板，包含一第一長條部、連接該第一長條部之一第一彎折部、連接該第一彎折部之一第二長條部、連接該第二長條部之一第二彎折部以及連接該第二彎折部之一第三長條部，該第一長條部具有一第一上表面以及一第一下表面且定義一第一長度方向，該第二長條部具有一第二上表面以及一第二下表面且定義一第二長度方向，該第三長條部具有一第三上表面以及一第三下表面且定義一第三長度方向；複數個第一發光元件，係電性接合於該第一長條部之該第一下表面上且沿該第一長度方向排列，每一個第一發光元件對應一個第一貫孔；複數個第二發光元件，係電性接合於該第三長條部之該第三下表面上且沿該第三長度方向排列，每一個第二發光元件對應一個第二貫孔；以及複數個第三發光元件，係電性接合於該第二長條部之該第二上表面上且沿該第二長度方向排列，每一個第三發光元件對應一個第三貫孔；其中該第一彎折部與該第二彎折部被彎折使該第一長條部之該第一下表面、該第三長條部之該第三下表面與該第二長條部之該第二上表面共一平面，該長條狀軟性電路板係以該第一下表面、該第二上表面以及該第三下表面置於該導光板之該背面上，致使每一個第一發光元件係置於其對應的第一貫孔內，每一個第二發光元件係置於其對應的第二貫孔內，每一個第三發光元件係置於其對應的第三貫孔內，每一個第一發光元件發射一第一光線射向其對應的第一貫孔之該第一入光面進而射入該導光板內，每一個第二發光元件發射一第二光線射向其對應的第二貫孔之該第二入光面進而射入該導光板內，每一個第三發光元件發射一第三光線射向其對應的第三貫孔之該第三入光面進而射入該導光板內。
如請求項4所述之背光裝置，其中該複數個第一貫孔中最靠近該第二橫向側邊之該個第一貫孔之該第一入光面朝向該第一縱向側邊鄰近該第二橫向側邊處，該複數個第三貫孔中最靠近該第一縱向側邊之該個第三貫孔之該第三入光面朝向該第二橫向側邊鄰近該第一縱向側邊處，該複數個第三貫孔中最靠近該第二縱向側邊之該個第三貫孔之該第三入光面朝向該第二橫向側邊鄰近該第二縱向側邊處，該複數個第二貫孔中最靠近該第二橫向側邊之該個第二貫孔之該第二入光面朝向該第二縱向側邊鄰近該第二橫向側邊處。
如請求項4所述之背光裝置，其中該複數個第一貫孔與該第一縱向側邊之間之一第一距離以及該複數個第二貫孔與該第二縱向側邊之間之一第二距離為該第一橫向側邊之一橫向長度之五分之一至二分之一。
如請求項4所述之背光裝置，其中該複數個第三貫孔與該第二橫向側邊之間之一第三距離為該第一縱向側邊之一縱向長度之五分之一至二分之一。
如請求項4所述之背光裝置，進一步包含一連接軟性電路板，包含一第三彎折部以及一第四長條部，該第三彎折部連接於該第二長條部之一前緣，該第四長條部連接該第三彎折部，其中該第三彎折部被彎折使該第四長條部之一部分緊貼該第二長條部之該第二下表面。
一種用於一發光鍵盤之背光裝置，包含：<br/> 一導光板，定義一縱向方向以及一橫向方向且具有一頂面、與該頂面相對之一背面、一第一橫向側邊、與該第一橫向側邊相對之一第二橫向側邊、一第一縱向側邊、與該第一縱向側邊相對之一第二縱向側邊以及複數個貫孔，該複數個貫孔係沿該橫向方向排列並位於該第一縱向側邊與該第二縱向側邊之間，每一個貫孔具有一各自的入光面，該複數個貫孔之該複數個入光面係交替地朝向該第一橫向側邊及該第二橫向側邊；一長條狀軟性電路板，具有一上表面以及一下表面且定義一長度方向；以及複數個發光元件，係電性接合於該長條狀軟性電路板之該上表面上且沿該長度方向排列，每一個第一發光元件對應一個貫孔；其中該長條狀軟性電路板係以該上表面置於該導光板之該背面上，致使每一個發光元件係置於其對應的貫孔內，每一個發光元件發射一光線射向其對應的貫孔之該入光面進而射入該導光板內。
如請求項9所述之背光裝置，其中該複數個貫孔與該第二橫向側邊之間之一距離為該第一縱向側邊之一縱向長度之二分之一。
一種基板處理方法，在基板上交替層疊有Si層和SiGe層的堆疊件中在橫向方向上選擇性蝕刻SiGe層，其中，所述基板處理方法包括： <br/>（a）電漿化預處理用氣體來改性SiGe層的表面的步驟；以及 <br/>（b）利用蝕刻氣體蝕刻SiGe層的步驟， <br/>在所述（a）步驟中，所述預處理用氣體包括鹵素成分，所述SiGe層的表面改性為鹵素成分， <br/>在所述（b）步驟中，所述蝕刻氣體包括氟成分、氯成分或者互鹵化物成分。<u> </u>
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，所述預處理用氣體包括氯氣或者氯化氫氣體。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，預處理用氣體的電漿化在噴淋頭上方執行。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，RF功率施加時間或者反應腔體內預處理用氣體的滯留時間是30秒以上。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，RF功率是300W~500W。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，所述預處理用氣體的流量是10sccm~300sccm。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（a）步驟中，反應腔體內部壓力是200mTorr~1500mTorr。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，蝕刻氣體的流量是10sccm~20sccm。
如請求項1所述的基板處理方法，其中， <br/>所述的基板處理方法在所述（a）步驟之前還包括： <br/>去除交替層疊有所述Si層和所述SiGe層的堆疊件的側面的自然氧化膜的步驟。
一種基板處理方法，在基板上交替層疊有Si層和SiGe層的堆疊件中在橫向方向上選擇性蝕刻SiGe層，其中，所述基板處理方法包括： <br/>（a）去除交替層疊有所述Si層和所述SiGe層的堆疊件的側面的自然氧化膜的步驟； <br/>（b）電漿化包括鹵素成分的預處理用氣體來將去除自然氧化膜的SiGe層的表面改性為鹵素成分的步驟；以及 <br/>（c）利用包括氟成分、氯成分或者互鹵化物成分的蝕刻氣體蝕刻SiGe層的步驟。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>所述（a）步驟至所述（c）步驟在原位進行。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，所述預處理用氣體包括氯氣或者氯化氫氣體。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，所述預處理用氣體的電漿化在噴淋頭上方執行。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，RF功率施加時間或者反應腔體內預處理用氣體的滯留時間是30秒以上。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，RF功率是300W~500W。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，所述預處理用氣體的流量是10sccm~300sccm。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（b）步驟中，反應腔體內部壓力是200mTorr~1500mTorr。
如請求項10所述的基板處理方法，其中， <br/>在所述（c）步驟中，所述蝕刻氣體的流量是10sccm~20sccm。
一種載具儲存設備，包含：一主體；一儲存單元，相對於一儲存軸可轉動地耦合至該主體； 一轉動單元，用於相對於該儲存軸轉動該儲存單元；以及 一傳送單元，用於執行一傳送操作，該傳送操作包含用以將一載具裝載到該儲存單元中之一裝載操作與用以將該載具從該儲存單元卸載之一卸載操作中之至少一者， 其中該儲存單元包含多個接收單元，該些接收單元用於接收相對於一垂直方向處於平行豎立狀態之該載具，該些接收單元沿相對於該儲存軸之一轉動方向設置，該傳送單元為該些接收單元之中位於一傳送位置的接收單元執行該傳送操作，以及 該轉動單元透過相對於該儲存軸轉動該儲存單元來更換位於該傳送位置的該接收單元。
如請求項1所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含設置於該儲存單元下方之一下方構件，及形成在對應於各該些接收單元之位置的貫穿該下方構件之多個傳送孔， 該傳送單元包含配置為移動該載具之一移動滾輪、與該移動滾輪耦合之一傳送主體以及配置為將該傳送主體向上移動及向下移動之一升降機構， 該升降機構在其中該移動滾輪透過該傳送孔插入位於該傳送位置的該接收單元的一抬升位置與其中該移動滾輪被設置於該下方構件下方的一降低位置之間移動該傳送主體，以及該移動滾輪相對於位於該抬升位置中之該傳送位置之該接收單元執行該傳送操作。
如請求項2所述之載具儲存設備，其中多個該移動滾輪沿著其中該載具進行移動以執行該傳送操作之一移動方向耦合至該傳送主體，該些移動滾輪相對於沿該移動方向彼此間隔開之位置上的多個滾輪軸可轉動地耦合至該傳送主體，以及該傳送單元包含一轉動機構，該轉動機構耦合至該傳送主體並配置為轉動該些移動滾輪。
如請求項2所述之載具儲存設備，其中該傳送主體包含突出到該儲存單元外的一突出主體，該傳送單元包含可轉動地耦合至該突出主體之一輔助滾輪，以及該輔助滾輪與該移動滾輪相對於位於該抬升位置中的該傳送位置的該接收單元執行該傳送操作。
如請求項3所述之載具儲存設備，其中該傳送單元包含配置為對該載具進行感測之一第一檢測感測器，以及配置為在該移動方向上與該第一檢測感測器間隔開之一位置對該載具進行感測之一第二檢測感測器，以及該轉動機構使用該第一檢測感測器與該第二檢測感測器中之每一者所感測到之感測資訊調整轉動該些移動滾輪之一轉動速度。
如請求項5所述之載具儲存設備，其中該傳送單元包含配置為相對於該移動方向對該第二檢測感測器與該儲存軸之間的該載具進行感測之一內部感測器，以及配置為沿該移動方向在與該內部感測器間隔開的一位置感測該載具之一外部感測器， 該第一檢測感測器和該第二檢測感測器相對於該移動方向被設置於該外部感測器與該內部感測器之間，以及 該轉動機構利用該外部感測器與該內部感測器中之每一者所感測之該感測資訊選擇性地轉動該些移動滾輪。
如請求項1所述之載具儲存設備， 其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件、設置於該些接收單元上方之一上方構件，以及於該下方構件和該上方構件之間耦合至該下方構件和該上方構件中之每一者之一連接構件， 該下方構件包含耦合至該連接構件之一第一下方構件，以及可拆卸地耦合至該第一下方構件之一第二下方構件，以及因該第二下方構件於該傳送位置與該第一下方構件分開，該第二下方構件曝露出該傳送單元。
如請求項1所述之載具儲存設備， 其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件，以及耦合至該下方構件之多個下方支撐構件， 用於該載具之插入的一下方支撐槽形成於該些下方支撐構件的每一者中，並且該些下方支撐構件被設置為沿該載具為該些接收單元之每一者中的該傳送操作的一移動方向彼此間隔開方向上。
如請求項8所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含耦合至該下方構件的多個下方停止件，以及該些下方停止件的每一者設置於該下方支撐構件與該儲存軸之間，並被配置為限制該載具向該儲存軸移動之一距離。
如請求項1所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含多個防分離單元，該些防分離單元用於支撐該些接收單元中所接收之該載具，以及該些防分離單元設置於其中該轉動單元轉動該儲存單元時一離心力被施加至該些接收單元所接收之該載具的一向外方向上方向上。
如請求項10所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件，該些防分離單元的每一者包含相對於一轉動軸可轉動地耦合至該下方構件之一防分離構件，以及從該防分離構件向上突出之一防分離突出，多個該防分離構件中之每一者包含相對於該轉動軸設置於該向外方向上之一外部構件，以及相對於該轉動軸設置於與該向外方向相反的一向內方向上之一內部構件，其中該外部構件與該內部構件間之一夾角形成一鈍角，以及多個該防分離突出中之每一者形成於該外部構件上，以被設置於在該向外方向上與該轉動軸間隔開的位置。
如請求項11所述之載具儲存設備，其中該些防分離單元中之每一者包含在一向上方向上彈性地壓該內部構件的一彈性構件。
如請求項10所述之載具儲存設備， 其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件，該些防分離單元中之每一者包含從該下方構件向上突出的一傾斜構件，以及該些傾斜構件中之每一者形成為在該向外方向上延伸時具有更高之高度並且被配置為支撐形成於該載具中之一斜面。
如請求項1所述之載具儲存設備， 其中該儲存單元包含設置於該些接收單元上方之一上方構件，以及與該上方構件耦合之多個上方支撐構件，該些上方支撐構件被設置為沿其中該載具為該些接收單元之每一者的該傳送操作移動的該移動方向彼此間隔開， 該些上方支撐構件中之每一者包含多個上方滾輪，該些上方滾輪配置為相對於與該移動方向垂直的一切線方向支撐該接收單元中所接收的該載具之兩側，以及該些上方滾輪中之每一者相對於平行於該垂直方向的一轉動軸可轉動地耦合至該上方構件。
如請求項14所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含耦合至該上方構件之多個上方停止件，以及該些上方停止件中之每一者設置於該上方支撐構件與該儲存軸之間並配置為限制該載具能夠向該儲存軸移動之距離。
如請求項1所述之載具儲存設備，其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件以及設置在該些接收單元上方之一上方構件，以及該下方構件之一上表面與該上方構件之一下表面之間沿該垂直方向的距離較該接收單元之一高度為長，使在該上方構件的該下表面與該接收單元之間設置有一間隔單元。
如請求項1所述之載具儲存設備，更包含與該主體耦合之一維持構件， 其中該儲存單元包含設置於該些接收單元下方之一下方構件，以及 該維持構件設置於該下方構件的下方。
如請求項1所述之載具儲存設備，更包含配置為從儲存在該儲存單元中的該載具去除水分並耦合至該主體之一除濕單元。
一種開放式機櫃，適用於承載至少一伺服器，該開放式機櫃包含： <br/>一櫃體；以及至少一模組化載盤，包含：一承載件，可活動地裝設於該櫃體，並包含一底板以及二側板，該二側板連接於該底板之相對兩側，且該底板以及該二側板共同圍繞出一第一容置空間；以及至少一快拆支架，可拆卸地位於該二側板之間，該底板、該二側板至少一者以及該至少一快拆支架共同圍繞出一第二容置空間，且該第一容置空間的尺寸大於該第二容置空間的尺寸，該第一容置空間或該第二容置空間用以供該至少一伺服器設置。
如請求項1所述之開放式機櫃，其中該底板或該二側板包含至少一第一定位結構，且該至少一快拆支架包含至少一第二定位結構，該至少一第二定位結構包含一寬段部以及一窄段部，該寬段部與該窄段部相連，該寬段部的寬度大於該窄段部的寬度，該至少一第一定位結構可滑動地設置於該至少一第二定位結構而位於該寬段部或該窄段部，該至少一第一定位結構透過位於該寬段部以令該至少一快拆支架與該承載件相分離，並透過位於該窄段部以令該至少一快拆支架定位於該承載件。
如請求項1所述之開放式機櫃，其中該至少一模組化載盤更包含一電源盒，該電源盒設置於該底板，且該櫃體包含一匯流排，該電源盒用以供該至少一伺服器電性連接於該匯流排。
如請求項1所述之開放式機櫃，其中該至少一模組化載盤更包含至少一卡合組件，該至少一卡合組件包含至少一第一卡合部，該至少一第一卡合部設置於該二側板之一者，該櫃體包含至少一第二卡合部，該至少一第一卡合部用以卡合於該至少一第二卡合部，以令該至少一模組化載盤定位於該櫃體。
如請求項4所述之開放式機櫃，其中該至少一卡合組件更包含至少一止擋部，該至少一止擋部設置於該二側板之一者，並用以抵靠於該櫃體。
如請求項1所述之開放式機櫃，其中該至少一模組化載盤更包含一緊固件，該至少一快拆支架透過該緊固件而固定於該底板。
如請求項1所述之開放式機櫃，其中該模組化載盤更包含一強化支架，該強化支架可拆卸地安裝於該至少一快拆支架，並用以罩設該至少一伺服器。
一種模組化載盤，用以設置於一開放式機櫃內並供至少一伺服器裝設，該模組化載盤包含： <br/>一承載件，用以可活動地裝設於該開放式機櫃，並包含一底板以及二側板，該二側板連接於該底板之相對兩側，且該底板以及該二側板共同圍繞出一第一容置空間；以及至少一快拆支架，可拆卸地位於該二側板之間，該底板、該二側板至少一者以及該至少一快拆支架共同圍繞出一第二容置空間，且該第一容置空間的尺寸大於該第二容置空間的尺寸，該第一容置空間或該第二容置空間用以供該至少一伺服器設置。
如請求項8所述之模組化載盤，其中該底板或該二側板包含至少一第一定位結構，且該至少一快拆支架包含至少一第二定位結構，該至少一第二定位結構包含一寬段部以及一窄段部，該寬段部與該窄段部相連，該寬段部的寬度大於該窄段部的寬度，該至少一第一定位結構可滑動地設置於該至少一第二定位結構而位於該寬段部或該窄段部，該至少一第一定位結構透過位於該寬段部以令該至少一快拆支架與該承載件相分離，並透過位於該窄段部以令該至少一快拆支架定位於該承載件。
如請求項8所述之模組化載盤，更包含一電源盒，該電源盒設置於該底板，並用以供該至少一伺服器電性連接於該開放式機櫃之匯流排。
一種用於輔助一用戶對一病患的一眼睛進行一眼科手術的系統，包括： <br/>一用戶介面，該用戶介面通訊耦合至一輸入/輸出介面，且該用戶介面被配置為與一用戶裝置進行通訊； <br/>一資料庫，該資料庫包含一病患資料庫、一臨床資料庫及一程序資料庫，其中該資料庫與該輸入/輸出介面通訊耦合；及 <br/>一處理器，該處理器與該輸入/輸出介面和該資料庫通訊耦合，其中該處理器包括一演算法，該演算法提供該眼睛的、或該眼睛的一部分的一物理力學模型； <br/>其中該輸入/輸出介面、該資料庫和該處理器中之至少一者是基於雲端的；及 <br/>一顯示裝置，提供一擴增實境顯示。
如請求項1所述的系統，其中該輸入/輸出介面包括一規劃模組。
如請求項1或請求項2所述的系統，其中該輸入/輸出介面包括一治療模組。
如請求項1或請求項2所述的系統，其中該資料庫包括一從業醫師資料庫。
如請求項1或請求項2所述的系統，其中該資料庫包括一儀器資料庫。
如請求項1或請求項2所述的系統，其中該處理器包括一機器學習演算法，該機器學習演算法被配置為將來自該臨床資料庫的數據與來自該病患資料庫的數據相關聯，並通過該輸入/輸出介面提供一治療建議。
一種用於輔助一用戶配置一眼科手術裝置的方法，包括： <br/>存取一輸入/輸出介面的一規劃模組，該輸入/輸出介面通訊耦合至一資料庫及一處理器，其中該輸入/輸出介面包括一演算法輔助，其中該資料庫包含一病患資料庫、一臨床資料庫及一程序資料庫，且一顯示裝置提供一擴增實境顯示； <br/>通過該輸入/輸出介面從該眼科手術輸入一期望的結果； <br/>利用該處理器之一機器學習演算法及來自該等病患、臨床及程序資料庫的數據，決定一建議程序； <br/>將該建議程序傳送至該輸入/輸出介面； <br/>其中該輸入/輸出介面、該資料庫和該處理器中之至少一者是基於雲端的；及 <br/>通過該演算法輔助，以一擴增實境的形式提供該眼睛或該眼睛的一部分的一互動式物理力學模型。
如請求項7所述的方法，包含以下步驟：生成該眼睛或該眼睛的一部分之一物理力學模型。
如請求項8所述的方法，其中該期望的結果係由該用戶與該物理力學模型的互動而輸入。
如請求項8所述的方法，其中該建議程序係通過該物理力學模型傳達給該用戶。
如請求項7至請求項10任一項所述的方法，其中該資料庫包括一從業醫師資料庫，且其中該建議程序部分地藉由來自該從業醫師資料庫的數據來決定。
如請求項7至請求項10任一項所述的方法，其中該資料庫包括一儀器資料庫，且其中該建議程序部分地藉由來自該儀器資料庫的數據來決定。
如請求項7至請求項10任一項所述的方法，包括以下步驟：將該建議程序之一可能結果傳送至該輸入/輸出介面。
如請求項13所述的方法，包括以下步驟：基於該可能結果輸入對該建議程序之一修改，以產生修正程序及一修正結果，且當該可能結果為不可接受時，將該修正結果傳送至該輸入/輸出介面。
一種配置一眼科手術系統的方法，包括： <br/>至少部分地基於定義一第一密度的數據及定義一第二尺寸的數據，導出代表該眼睛或該眼睛的解剖的該結構的一物理力學模型； <br/>從該用戶接收一所選眼科程序之一選擇； <br/>將該所選眼科程序應用至該物理力學模型，以預測該所選眼科程序應用於該眼睛的該結構時之一效果；及 <br/>當應用至該眼睛的該結構時，以一擴增實境的形式向該用戶提供該所選眼科程序的該預測效果之一表示； <br/>其中該物理力學模型係從該眼睛或該眼睛的一部分於一解剖學脈絡中的一機械性質導出。
如請求項15所述的方法，包含以下步驟：將該所選程序應用至該眼睛。
如請求項15或請求項16所述的方法，其中該預測效果之一表示係從藉由該所選程序之該機械性質的改變的結構分析導出。
如請求項15或請求項16所述的方法，其中該預測效果之一表示係從一計算應變或靜態能量之最小化分析導出，其中該計算應變或靜態能量係從該機械性質導出。
如請求項15或請求項16所述的方法，其中該預測效果之一表示係從應用該所選程序後對該眼睛或該眼睛的一部分作為一柔性層狀結構之分析導出。
如請求項15或請求項16所述的方法，包含取得用於生成該物理力學模型之額外眼科數據，其中該數據選自以下所構成之群組： <br/>角膜聲學反應或超音波數據、地形圖數據、角膜厚度圖數據、角膜高程數據、角膜厚度數據、角膜曲率數據、波前數據、眼內壓數據、周邊基質厚度數據、病患年齡、病患性別、隱形眼鏡配戴時間、先前手術處置、對先前手術處置之反應、及角膜之降伏點。
如請求項15或請求項16所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>修改該所選眼科程序以產生一修正眼科程序；及 <br/>使用該物理力學模型以預測將該修正眼科程序應用於該眼睛所導致之一第二預測效果。
如請求項21所述的方法，其中該第二預測效果對該眼睛結構造成一修正後之眼睛結構，且其中該修正後眼睛結構之計算物理特性被用於生成一代表該修正後眼睛結構之第二物理力學模型。
一種雷射系統，包括： <br/>一飛秒雷射，用於將一飛秒雷射束導引至一眼睛； <br/>一建模系統，包含一建模引擎及一病患資料庫；該病患資料庫被配置為接收該眼睛之一結構的已決定密度特徵及該結構的已決定尺寸特徵；及 <br/>一圖形化用戶介面（GUI），被配置為接收來自一用戶的一輸入並顯示來自該建模系統之一輸出；該輸入包括一所選程序； <br/>其中該建模系統被配置為： <br/> 基於由該病患資料庫所接收的該結構之一已決定密度特徵、該結構之一已決定尺寸特徵、或其兩者，導出一代表該眼睛之該結構的一物理力學模型表示； <br/> 從該GUI接收該所選程序； <br/> 將該所選程序應用至該物理力學模型表示，從而導出該所選程序對該眼睛之該結構的一預測效果，且該預測效果被合併至一擴增實境系統中，與該眼睛之影像結合；及 <br/> 向該GUI提供該預測效果之一表示。
如請求項23所述之系統，包括一超音波乳化術系統。
如請求項23或請求項24所述之系統，其中該所選程序為一角膜的邊緣鬆弛切開術。
如請求項23或請求項24所述之系統，其中該所選程序為在一角膜中之一微切開術。
一種用於半導體製程設備的噴淋結構，其包括噴淋頭以及與該噴淋頭對應設置的排液清潔元件，該排液清潔元件包括：清潔部件； <br/>該清潔部件包括容納腔體、保護腔體、乾燥腔體和清洗腔體，該容納腔體的兩端分別設有第一埠和第二埠，該第一埠用於進出該噴淋頭，該第二埠用於排液，該保護腔體、該乾燥腔體和該清洗腔體均設於該容納腔體的外周，並沿自該第一埠至該第二埠的方向設置； <br/>該保護腔體、該乾燥腔體和該清洗腔體各自的內部空間分別藉由第一通道、第二通道和第三通道，與該容納腔體的內部空間連通； <br/>該保護腔體設有用於接收保護氣體的第一通孔，該乾燥腔體設有用於接收乾燥氣體的第二通孔，該清洗腔體設有用於接收清洗液的第三通孔。
如請求項1所述的噴淋結構，其中沿自該保護腔體至該容納腔體的方向，該第一通道朝向該第一埠的方向傾斜延伸。
如請求項1或2所述的噴淋結構，其中該保護腔體環繞設置於該容納腔體的該外周； <br/>該保護腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多個該第一通道連通，多個該第一通道沿該容納腔體的周向排布，和/或，該保護腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多層該第一通道連通，多層該第一通道沿自該第一埠至該第二埠的該方向排布。
如請求項1所述的噴淋結構，其中沿自該乾燥腔體至該容納腔體的方向，該第二通道朝向該第二埠的方向傾斜延伸。
如請求項1或4所述的噴淋結構，其中該乾燥腔體環繞設置於該容納腔體的該外周； <br/>該乾燥腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多個該第二通道連通，多個該第二通道沿該容納腔體的周向排布，和/或，該乾燥腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多層該第二通道連通，多層該第二通道沿該第一埠至該第二埠的該方向排布。
如請求項1所述的噴淋結構，其中沿自該清洗腔體至該容納腔體的方向，該第三通道朝向該第二埠的方向傾斜延伸。
如請求項1或6所述的噴淋結構，其中該清洗腔體環繞設置於該容納腔體的該外周； <br/>該清洗腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多個該第三通道連通，多個該第三通道沿該容納腔體的周向排布，和/或，該清洗腔體的該內部空間與該容納腔體的該內部空間之間藉由多層該第三通道連通，多層該第三通道沿自該第一埠至該第二埠的該方向排布。
如請求項1所述的噴淋結構，其中該排液清潔元件還包括升降機構，該升降機構與該清潔部件連接，用於帶動該清潔部件升降，其中，升降方向與自該第一埠至該第二埠的該方向平行。
如請求項8所述的噴淋結構，其中該升降機構包括驅動部件、支架和套筒； <br/>該支架與該驅動部件的驅動端連接，該套筒與該支架連接，該清潔部件的至少部分設於該套筒中。
如請求項9所述的噴淋結構，其中該排液清潔元件還包括第一限位件和第二限位件； <br/>該第一限位件和該第二限位件沿自該第一埠至該第二埠的該方向間隔設置； <br/>該驅動端位於該第一限位件與該第二限位件之間； <br/>在該驅動端與該第一限位件接觸的情況下，該第三通道用於與該噴淋頭對應設置； <br/>在該驅動端與該第二限位件接觸的情況下，該第二通道用於與該噴淋頭對應設置。
如請求項9所述的噴淋結構，其中該清潔部件還包括排液管，該排液管的一端連接至該第二埠； <br/>該支架設有避讓孔，該排液管的另一端穿過該避讓孔，用於與廠務端連接。
一種半導體製程設備，其包括：製程腔室、承載裝置以及如請求項1至11中任一項所述的噴淋結構； <br/>該承載裝置設於該製程腔室內，用於承載晶圓； <br/>該噴淋結構還包括噴淋臂，該噴淋臂設於該製程腔室內，該噴淋頭與該噴淋臂連接，用於向該承載裝置所承載的該晶圓噴淋製程液體； <br/>該清潔部件設於該製程腔室內； <br/>在非製程狀態下，該噴淋頭與該容納腔體相對設置。
如請求項12所述半導體製程設備，其中該排液清潔元件還包括升降機構，該升降機構為如請求項8或9所述的噴淋結構中的排液清潔元件所包括的升降機構； <br/>該升降機構設於該製程腔室的外側，且該升降機構的至少部分延伸至該製程腔室內，並與該清潔部件連接。
一種磁能控制發電供電系統，其包含有：一底座，該底座上設有一磁控單元、三組儲能裝置、三個控制器與一曲軸，且該曲軸是與一發電機、一驅動電機做相互之連結，其中：<br/>所述磁控單元具有固定在所述底座上的三根立管，所述立管中均套組有一磁芯，外部均繞設有電磁線圈，利用所述電磁線圈通電後改變磁極方向，將令所述磁芯能被上推伸出，或上推後再被拉動回縮，及每一所述立管的所述電磁線圈均分別與一組所述儲能裝置做連結；<br/>所述儲能裝置是由至少一顆電池構成，俾以所述電池儲存發電後所產生之電力，該儲能裝置均單獨受控於一所述控制器，且每一所述儲能裝置均設有一整流器，並共同透過一逆變器、一變頻器與所述驅動電機做連結；<br/>所述曲軸是水平樞設在所述底座上，該曲軸上結合有三根連桿，利用三根所述連桿分別與三根所述磁芯做樞接，便能透過所述磁芯的伸出或回縮，經所述連桿來帶動所述曲軸做旋轉，又所述曲軸上設有三組凸輪，每一所述凸輪是互相間隔一角度做安裝，以分別對應一所述連桿與一所述磁芯，且每一所述凸輪上均設有二角度感知器，當所述曲軸被所述連桿與所述磁芯帶動旋轉，讓所述角度感知器測得所述連桿已達最高行程位置或最低行程位置時，便能將測得之角度訊號傳送給所述控制器後，再由所述控制器馬上改變所述電磁線圈之磁極，利用所述凸輪本身所具有之重量在往下轉動時產生慣性加速力，還能有效降低所述曲軸在上轉時所需耗費之電能，以大幅提高發電效率，及所述發電機是透過一變壓器與所述儲能裝置之所述整流器做連結者。
如請求項1所述之磁能控制發電供電系統，其中，所述底座上設有二支撐架，俾以該二支撐架來提供所述曲軸做樞設。
如請求項1所述之磁能控制發電供電系統，其中，每一所述凸輪均由二凸輪塊構成，利用該二凸輪塊的對接，將令所述凸輪能順利箝固在所述曲軸上，及每一所述凸輪的二所述角度感知器係分別安裝在該二凸輪塊上。
如請求項1所述之磁能控制發電供電系統，其中，所述角度感知器是利用無線傳輸之方式將測得的訊號傳送給所述控制器。
一種綁帶式行動裝置固定座，係用以將一行動裝置加以固定後，綁固於一載體之一選定固定位置，藉以在該載體運動時，仍保持綁固於該選定固定位置，該綁帶式行動裝置固定座包含： <br/>一固定座本體，係設有用以固定該行動裝置之一固定結構，並具有彼此相對之一第一連接部與一第二連接部； <br/>一第一彈性綁帶，包含： <br/>一第一實心段，係自該第一連接部背向該第二連接部延伸出，並且設有一第一卡扣部；以及 <br/>一第一穿孔段，係自第一實心段遠離該固定座本體而延伸出，並且分別開設鄰近於該第一實心段之一第一穿孔與遠離該第一實心段之至少一第一卡孔；以及 <br/>一第二彈性綁帶，包含： <br/>一第二實心段，係自該第二連接部背向該第一連接部延伸出，並且設有一第二卡扣部；以及 <br/>一第二穿孔段，係自第二實心段遠離該固定座本體而延伸出，並且分別開設鄰近於該第二實心段之一第二穿孔與遠離於該第二實心段之至少一第二卡孔； <br/>其中，在將固定有該行動裝置之該綁帶式行動裝置固定座綁固於該載體之該選定固定位置時，係將該第一彈性綁帶繞過該載體後穿過該第二穿孔，或將該第二彈性綁帶繞過該載體後穿過第一穿孔後，使其中一上述第一卡孔卡扣於該第二卡扣部，並使其中一上述第二卡孔卡扣於該第一卡扣部，藉以雙向卡扣綁固於該選定固定位置。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該第一穿孔段開設有複數個上述之第一卡孔，且該第二穿孔段開設有複數個上述之第二卡孔，用以選擇性地將該些第一卡孔中之一者卡扣於該第二卡扣部，並用以選擇性地將該些第二卡孔中之一者卡扣於該第一卡扣部，藉以調整該第一彈性綁帶與該第二彈性綁帶綁固於該選定固定位置之綁固力矩。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該綁帶式行動裝置固定座係為一體成形構件。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該第一彈性綁帶與該第二彈性綁帶皆為一體成形構件。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該固定座本體係為一體成形構件。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該固定結構係包含複數條彈性套繩，用以彈性包覆地對該行動裝置加以固定。
如請求項1所述之綁帶式行動裝置固定座，其中，該固定結構係包含複數個彈性護套，用以彈性包覆地對該行動裝置加以固定。
一種氨裂解系統，包含： 三個熱交換裝置，其中該些熱交換裝置彼此耦接且配置以依序接收一混合物，並利用一傳熱物質加熱該混合物，其中該混合物包含氨，其中該些熱交換裝置包含:<br/> 一第一者，配置於將該混合物加熱至90℃與100℃之間；<br/> 一第二者，與該第一者耦接，且配置於將該混合物加熱至180℃與200℃之間；以及<br/> 一第三者，與該第二者耦接，且配置於將該混合物加熱至290℃與320℃之間；<br/> 三個絕熱反應裝置，其中該些絕熱反應裝置彼此耦接且配置以依序接收經該些熱交換裝置加熱的該混合物，並對該混合物中的氨進行預裂解，使得該混合物中的氨部分地裂解產生氫與氮；<br/> 一管式反應爐，配置以接收經預裂解的該混合物，並進一步進行裂解；以及<br/> 一洗滌裝置，配置以接收經裂解的該混合物，並通過洗滌移除該混合物中的氨。
如請求項1所述之氨裂解系統，還包含一吸附裝置，配置以接收經洗滌的該混合物，並自該混合物分離出氫。
如請求項1所述之氨裂解系統，其中該些熱交換裝置還配置以接收經裂解的該混合物，並將經裂解的該混合物用作該傳熱物質。
如請求項1所述之氨裂解系統，還包含一中間加熱裝置耦接於該些絕熱反應裝置中之一第一者與一第二者之間，且配置以進一步加熱經預裂解的該混合物。
一種氨裂解方法，包含：<br/> 驅使包含氨的一混合物依序通過三個熱交換裝置，以加熱該混合物，且包含:<br/> 通過該些熱交換裝置中之一第一者將該混合物加熱至90℃與100℃之間；<br/> 通過該些熱交換裝置中之一第二者將該混合物加熱至180℃與200℃之間；以及<br/> 通過該些熱交換裝置中之一第三者將該混合物加熱至290℃與320℃之間；<br/> 驅使經加熱的該混合物依序通過三個絕熱反應裝置，以對該混合物中的氨進行預裂解並產生氫與氮；<br/> 驅使經預裂解的該混合物通過一管式反應爐，以進一步進行裂解；<br/> 驅使經裂解的該混合物通過一洗滌裝置，以移除該混合物中的氨；以及<br/> 驅使經洗滌的該混合物通過一吸附裝置，以自該混合物分離出氫。
如請求項5所述之氨裂解方法，其中對該混合物中的氨進行預裂解包含：<br/> 通過該些絕熱反應裝置中之一第一者對該混合物中的氨進行預裂解，使得氨的一裂解率在5%與15%之間；<br/> 通過該些絕熱反應裝置中之一第二者對該混合物中的氨進行預裂解，使得氨的該裂解率在20%與30%之間；以及<br/> 通過該些絕熱反應裝置中之一第三者對該混合物中的氨進行預裂解，使得氨的該裂解率在35%與45%之間，<br/> 其中該些絕熱反應裝置包含相同的一催化劑。
如請求項5所述之氨裂解方法，其中經預裂解的該混合物在通過該管式反應爐前具有在650℃與850℃之間的一溫度。
如請求項5所述之氨裂解方法，還包含驅使經裂解的該混合物在通過該洗滌裝置前，依序通過該些熱交換裝置，以提供熱量至該些熱交換裝置。
如請求項5所述之氨裂解方法，其中經裂解的該混合物在通過該洗滌裝置前具有在30℃與40℃之間的一溫度。
一種胰島素用針頭之輸送裝置，係包括針頭供輸機及導引軌道，其中：<br/> 該針頭供輸機係提供包裝後成品之複數針頭，並設有將該複數針頭送出之傳送通道，該傳送通道末端設有出口；<br/> 該導引軌道係設置於該針頭供輸機的該傳送通道的該出口處，內部設有導引該複數針頭之移送通道，該導引軌道係呈U形狀，並於該移送通道二側壁面分別設有供導正該複數針頭的頂部朝上呈相對式之導正肋體，該導引軌道於該移送通道二側所設之該導正肋體之間的寬度（Ｄ）為大於或等於該針頭的該頂部之寬度（ｄ１）但小於該針頭的上蓋之寬度（ｄ２）。<b><u/></b>
如請求項1所述之胰島素用針頭之輸送裝置，其中該針頭供輸機係為震盪機，並於該針頭供輸機內部設有供儲放該複數針頭之容置空間，且設有沿著該容置空間內壁面環形斜向延伸至頂部之該傳送通道，該傳送通道為於該針頭供輸機頂部設有該出口。
如請求項1所述之胰島素用針頭之輸送裝置，其中該針頭供輸機於該傳送通道末端的該出口外部設有傾斜狀之支架，該支架係供該導引軌道組裝，以供該導引軌道一側對位於該出口處。
如請求項1所述之胰島素用針頭之輸送裝置，其中該移送通道的二側壁面呈相對式之該導正肋體，係分別呈三角形狀、菱形狀、梯形狀或錐形狀。
如請求項1所述之胰島素用針頭之輸送裝置，其中該導引軌道為於相對該針頭供輸機的該移送通道另側、設有進行該複數針頭數量計算之預設計數器、攝影機或監視器。
如請求項1所述之胰島素用針頭之輸送裝置，其中該導引軌道係為透明之壓克力、矽膠、塑膠或強化玻璃材質製成，並可於該導引軌道的至少一外側邊設有進行該複數針頭數量計算之預設計數器、攝影機或監視器。
一種無線存取點，包括： <br/>一主系統，包括： <br/> 一儲存媒體，儲存一用戶清單； <br/> 一處理器，耦接該儲存媒體；以及 <br/> 複數個功能件，電性連接於該處理器；以及 <br/>一低功耗無線模組，耦接該主系統，其中 <br/>在一工作模式中，響應於接收到一休眠請求，該處理器開啟該低功耗無線模組，並傳送一Beacon封包至該低功耗無線模組， <br/>響應於接收到該Beacon封包，該低功耗無線模組關閉該些功能件，以使該無線存取點進入一休眠模式， <br/>在該休眠模式期間，該低功耗無線模組發送該Beacon封包， <br/>響應於接收到一探測請求，該低功耗無線模組開啟該些功能件，以使該無線存取點回到該工作模式。
如請求項1所述的無線存取點，其中該用戶清單包括可與該無線存取點進行連線的至少一電子裝置的至少一媒體存取控制(Media Access Control，MAC)地址。
一種無線存取點，包括： <br/>一主系統，包括： <br/>一儲存媒體，儲存一用戶清單； <br/>一處理器，耦接該儲存媒體； <br/>一控制電路；以及 <br/>一低功耗無線模組，耦接該主系統及該控制電路，其中 <br/>在一工作模式中，響應於接收到一休眠請求，該處理器開啟該低功耗無線模組，並傳送一Beacon封包至該低功耗無線模組， <br/>響應於接收到該Beacon封包，該低功耗無線模組透過該控制電路關閉該主系統的電源，以使該無線存取點進入一休眠模式， <br/>在該休眠模式期間，該低功耗無線模組發送該Beacon封包， <br/>響應於接收到一探測請求，該低功耗無線模組透過該控制電路開啟該電源，以使該無線存取點回到該工作模式。
如請求項3所述的無線存取點，其中該用戶清單包括可與該無線存取點進行連線的至少一電子裝置的至少一媒體存取控制地址。
如請求項3所述的無線存取點，其中該控制電路為一過壓保護(Over Voltage Protection，OVP)電路。
一種節能控制方法，用於一無線存取點，其中該無線存取點包括一主系統及一低功耗無線模組，該主系統包括一處理器、一儲存媒體以及複數個功能件，該儲存媒體儲存一用戶清單，該節能控制方法包括： <br/>在一工作模式中，響應於接收到一休眠請求，由該處理器開啟該低功耗無線模組，並傳送一Beacon封包至該低功耗無線模組； <br/>響應於接收到該Beacon封包，由該低功耗無線模組關閉該些功能件，以使該無線存取點進入一休眠模式； <br/>在該休眠模式期間，由該低功耗無線模組發送該Beacon封包； <br/>響應於接收到一探測請求，由該低功耗無線模組開啟該些功能件，以使該無線存取點回到該工作模式。
如請求項6所述的節能控制方法，其中該用戶清單包括可與該無線存取點進行連線的至少一電子裝置的至少一媒體存取控制地址。
一種節能控制方法，用於一無線存取點，其中該無線存取點包括一主系統、一控制電路及一低功耗無線模組，該主系統包括一處理器及一儲存媒體，該儲存媒體儲存一用戶清單，該節能控制方法包括： <br/>在一工作模式中，響應於接收到一休眠請求，由該處理器開啟該低功耗無線模組，並傳送一Beacon封包至該低功耗無線模組； <br/>響應於接收到該Beacon封包，由該低功耗無線模組透過該控制電路關閉該主系統的電源，以使該無線存取點進入一休眠模式； <br/>在該休眠模式期間，由該低功耗無線模組發送該Beacon封包； <br/>響應於接收到一探測請求，由該低功耗無線模組透過該控制電路開啟該電源，以使該無線存取點回到該工作模式。
如請求項8所述的節能控制方法，其中該用戶清單包括可與該無線存取點進行連線的至少一電子裝置的至少一媒體存取控制地址。
如請求項8所述的節能控制方法，其中該控制電路為一過壓保護電路。
一種電子裝置，包含： <br/>一機殼；以及至少一擴充模組，包含：一擴充卡支架，可拆卸地裝設於該機殼內；以及二擴充卡，每一該二擴充卡包含一板體以及一電連接器，該二板體立設於該擴充卡支架內，該二電連接器分別設置於該二板體，並位於該二板體之間，且該二電連接器的設置高度相異，而使該二電連接器相錯位。
如請求項1所述之電子裝置，其中該機殼包含一底板，該擴充卡支架可拆卸地裝設於該底板，每一該二板體遠離該底板之一側與該底板之間的距離小於等於高度為2U之該機殼。
如請求項1所述之電子裝置，其中該擴充卡支架包含至少一第一導引柱，該機殼包含至少一第一導引孔，該至少一第一導引孔包含一第一寬段以及一第一窄段，該第一寬段與該第一窄段相連，透過該至少一第一導引柱位於該第一寬段或該第一窄段，而使該擴充卡支架可與該機殼相分離或使該擴充卡支架定位於該機殼。
如請求項3所述之電子裝置，其中該擴充卡支架包含至少一第二導引柱，且該板體包含至少一第二導引孔，該至少一第二導引孔包含一第二寬段以及一第二窄段，該第二寬段與該第二窄段相連，透過該至少一第二導引柱位於該第二寬段或該第二窄段，而使該板體可與該擴充卡支架相分離或使該板體定位於該擴充卡支架。
如請求項1所述之電子裝置，其中該至少一擴充模組更包含一緊固結構，該緊固結構包含一基座以及一活動式緊固件，該基座設置於該擴充卡支架，該活動式緊固件可活動地設置於該基座，並可分離地緊固於該機殼。
一種擴充模組，用以可拆卸地裝設於一機殼內，該擴充模組包含： <br/>一擴充卡支架，用以可拆卸地裝設於該機殼內；以及二擴充卡，每一該二擴充卡包含一板體以及一電連接器，該二板體立設於該擴充卡支架內，該二電連接器分別設置於該二板體，並位於該二板體之間，且該二電連接器的設置高度相異，而使該二電連接器相錯位。
如請求項6所述之擴充模組，其中每一該二板體用以遠離該機殼的底板之一側與該機殼的底板之間的距離小於等於高度為2U之該機殼。
如請求項6所述之擴充模組，其中該擴充卡支架包含至少一第一導引柱，該至少一第一導引柱用以透過位於該機殼之至少一第一導引孔的一第一寬段或一第一窄段，而使該擴充卡支架可與該機殼相分離或使該擴充卡支架定位於該機殼。
如請求項8所述之擴充模組，其中該擴充卡支架包含至少一第二導引柱，且該板體包含至少一第二導引孔，該至少一第二導引孔包含一第二寬段以及一第二窄段，該第二寬段與該第二窄段相連，該至少一第二導引柱透過位於該第二寬段或該第二窄段，而使該板體可與該擴充卡支架相分離或使該板體定位於該擴充卡支架。
如請求項6所述之擴充模組，更包含一緊固結構，該緊固結構包含一基座以及一活動式緊固件，該基座設置於該擴充卡支架，該活動式緊固件可活動地設置於該基座，並用以可分離地緊固於該機殼。
一種彈性片體之環保光硫化製法，其步驟至少包含有：<br/>壓片：將一彈性材料壓制成片狀，該彈性材料包含硫化劑；<br/>貼合：將一薄片貼置於片狀之彈性材料一側，並施壓使二者貼合成為一彈性片體半成品；<br/>光預熟成：利用一光線照射該彈性片體半成品之彈性材料表面預定時間，使該彈性材料吸收光線與熱度而使表面適當地熟成，藉以產生該彈性材料之表面可防沾黏之效果；及<br/>光硫化：將該彈性片體半成品捲收後置於一溫室內，利用射入該溫室內之陽光及溫室內產生之光線不分日夜地持續照射彈性片體半成品數日，使該彈性片體半成品硫化、熟成為彈性片體。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，壓片之步驟中，該彈性材料係彈性體、以植物性彈性材為主之彈性體或全植物性彈性體之一。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，貼合之步驟中，該薄片係布料或彈性片材之一。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，該彈性材料更包含一吸熱材料，用以使該彈性材料可吸收陽光及溫室內之光線照射時產生之熱量，供給該彈性材料內之硫化劑反應，而使該彈性片體半成品常溫硫化熟成為彈性片體。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，該彈性材料更包含一溼氣反應型材料，用以使該彈性材料可吸收該溫室內之溼氣，促進該彈性片體半成品適當地硬化以配合硫化熟成為彈性片體。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，光預熟成之步驟中，該光線係紫外光、X光、雷射光或微波之一，該彈性材料更包含光觸發劑，使該彈性材料之表面受光線照射時，該彈性材料內之光觸發劑可吸收光線而產生聚合反應，促進該彈性材料之表面適當地熟成。
如請求項1所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，光預熟成與光硫化之步驟間更包含有一阻隔手段，係將可撕離之一阻隔片貼置於彈性材料表面，以避免該彈性片體半成品捲收時彈性材料之表面相對沾黏。
如請求項7所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，該阻隔片添加有一熱傳導材料，用以可將陽光及溫室內之光線照射時產生之熱量傳導至該彈性材料。
如請求項8所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，該阻隔片之表面設有若干紋路，可促使硫化熟成後該彈性片體之表面形成紋路。
如請求項1或6所述之彈性片體之環保光硫化製法，其中，光硫化之步驟中，該溫室內設有可射出光線之若干燈具，該燈具運作所需之電力由溫室外所設之若干太陽能板發電產生之電力供應。
一種廢水自動監控及添加系統，用於監控一廢水調整槽中的一待處理液體，包含：<br/> 至少一光學儀器，用於偵測該廢水調整槽中的該待處理液體的至少一參數指標；<br/> 一演算模組，根據該至少一光學儀器偵測到的該至少一參數指標及一第一比例，計算出一添加物的一需求添加量；以及<br/> 一水質監測器，用於偵測該待處理液體的酸鹼(PH)值，其中該水質監測器偵測該待處理液體的PH值的時間點早於該至少一光學儀器偵測該待處理液體的該至少一參數指標的時間點，且該至少一光學儀器偵測的該待處理液體的PH值介於6至9之間；<br/> 其中，該至少一光學儀器、該演算模組及該水質監測器是運作於一級化混系統之處理之前。
如請求項1所述的廢水自動監控及添加系統，其中該演算模組是根據該至少一參數指標計算出該待處理液體的氮含量，並利用氮含量及該第一比例來計算出該需求添加量。
如請求項2所述的廢水自動監控及添加系統，其中該第一比例為一目標碳氮比，該添加物為一碳源。
如請求項3所述的廢水自動監控及添加系統，其中該演算模組是根據以下算式計算出該添加物的該需求添加量：<br/> X=T×(C:N)×TN/E；<br/> 其中X為該添加物的該需求添加量，T為該待處理液體的總量，(C:N)為該目標碳氮比，TN為一總氮濃度，E為每毫克的該添加物的碳含量。
如請求項1所述的廢水自動監控及添加系統，其中該至少一參數指標包含化學需氧量(chemical oxygen demand，COD)、總有機碳濃度(TOC)、游離氨態氮(NH<sub>3</sub>-N)的濃度、硝酸鹽氮(NO<sub>3</sub>-N)的濃度、總氮濃度(TN)、及氨氮(NH<sub>4</sub><sup>+</sup>-N)的其中至少一者。
如請求項1所述的廢水自動監控及添加系統，其中該添加物包含碳氫鍵化合物。
如請求項6所述的廢水自動監控及添加系統，其中該添加物包含葡萄糖、醋酸、及異丙醇(Isopropanol，IPA)的其中至少一者。
一種廢水自動監控及添加方法，用於監控一廢水調整槽中的一待處理液體，該方法包含步驟：<br/> 藉由至少一光學儀器，偵測該廢水調整槽中的該待處理液體的至少一參數指標；<br/> 藉由一演算模組，根據該至少一光學儀器偵測到的該至少一參數指標及一第一比例來計算出一添加物的一需求添加值；以及<br/> 藉由一水質監測器，偵測該待處理液體的PH值，其中該水質監測器偵測該待處理液體的PH值的時間點早於該至少一光學儀器偵測該待處理液體的該至少一參數指標的時間點，且該至少一光學儀器偵測的該待處理液體的PH值介於6至9之間；<br/> 其中，該廢水自動監控及添加方法是執行於一級化混系統之處理之前。
如請求項8所述的廢水自動監控及添加方法，其中藉由該演算模組計算出該需求添加值的步驟還包含子步驟：<br/> 根據該至少一參數指標計算出該待處理液體的一總氮濃度；以及<br/> 利用該總氮濃度及該第一比例來計算出該需求添加值。
如請求項9所述的廢水自動監控及添加方法，其中該第一比例為一目標碳氮比，該添加物為一碳源。
如請求項10所述的廢水自動監控及添加方法，其中該演算模組是根據以下算式計算出該碳源的該需求添加值：<br/> X=T×(C:N)×TN/E；<br/> 其中X為該碳源的該需求添加值，T為該待處理液體的總量，(C:N)為該目標碳氮比，TN為該總氮濃度，E為每毫克的該碳源的碳含量。
一種醫療影像分析系統，包含：<br/> 一輪廓模組，接收一解剖影像與一功能影像，該輪廓模組更包含，<br/> 一輪廓識別單元，藉由該解剖影像識別出一幾何輪廓；<br/> 一輪廓定義單元，藉由該功能影像識別出一分佈輪廓；<br/> 一影像融合模組，耦接該輪廓模組，疊合該解剖影像和該功能影像，取該幾何輪廓與該分佈輪廓的至少一交集區域後輸出；以及，<br/> 一分佈分析模組，由該至少一交集區域進行定量分析。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該輪廓定義單元透過所疊合之該解剖影像和該功能影像，藉由一解剖輪廓定義該分佈輪廓。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該輪廓定義單元透過硼藥物或其它標定物質之光訊號強度定義該分佈輪廓。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該輪廓識別單元，藉由皮膚或人體組織往非興趣區域外之方向突出至少一體素定義出該幾何輪廓。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該影像融合模組進行影像融合的演算法，選自高通濾波法、金字塔法、小波轉換法，或是曲波轉換法、主成分分析法、HIS變換融合，或是以上之任意組合。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該影像融合模組更包含一座標處理單元，藉由角度轉置處理與/或座標平移處理對位該功能影像與該解剖影像。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，其中該影像融合模組更包含一解析度補正單元，提高功能影像或/與解剖影像的解析度。
如請求項7所述之醫療影像分析系統，其中該解析度補正單元透過線性插值或非線性插值提高影像的解析度。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，更包含：<br/> 一讀取模組，耦接該輪廓模組，將該功能影像和解剖影像傳輸至該輪廓模組，其中該讀取模組進一步包含，<br/> 一解剖影像單元，讀取該解剖影像；以及，<br/> 一功能影像單元，讀取該功能影像。
如請求項1所述之醫療影像分析系統，更包含一智慧模組，藉一人工智慧監控及調整該輪廓模組、該影像融合模組，以及該分佈分析模組之運作模式，其中該人工智慧之演算法選自監督式學習網路、無監督式學習網路、混合式學習網路、聯想式學習網路、最適化學習網路，或是以上之任意組合。
一種醫療影像分析方法，包含以下程序：<br/> 準備一功能影像和一解剖影像；<br/> 藉由一輪廓模組辨識該解剖影像，得出一幾何輪廓；<br/> 藉由該輪廓模組定義該功能影像，得出一分佈輪廓；<br/> 透過一影像融合模組對該解剖影像與該功能影像進行影像融合，並取該幾何輪廓和該分佈輪廓的至少一交集區域；以及，<br/> 根據至少一交集區域，透過一分佈分析模組進行定量分析。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含該輪廓模組透過所疊合之該解剖影像和該功能影像，藉一解剖輪廓定義該分佈輪廓。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含透過該輪廓模組透過硼藥物或其它標定物質之光訊號強度定義該分佈輪廓。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中影像融合的演算法，選自高通濾波法、金字塔法、小波轉換法，或是曲波轉換法、主成分分析法、HIS變換融合，或是以上之任意組合。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含藉由一座標處理單元將功能影像或/與解剖影像之座標進行座標變換，透過角度轉置處理、座標平移處理，或以上之結合同步化座標系統。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含藉由一解析度補正單元進行該功能影像或/與該解剖影像之解析度補正。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含藉由一智慧模組判斷該分佈分析模組所進行的定量分析之檢測結果的精準度是否符合所需的檢測標準，若符合，則輸出檢測結果。
如請求項11所述之醫療影像分析方法，其中更包含藉由一智慧模組判斷該分佈分析模組所進行的定量分析之檢測結果的精準度是否符合所需的檢測標準，若不符合，則該智慧模組調整該輪廓模組、該影像融合模組、該分佈分析模組，或以上元件的運作模式。
一種顯示面板補償裝置，包括： <br/>拍攝單元，用以對顯示面板進行一般拍攝； <br/>計算單元，耦接該拍攝單元，用以根據該一般拍攝之結果取得一般補償數據；以及 <br/>融合單元，耦接該計算單元，用以將該一般補償數據與低頻補償特徵數據融合為最終補償數據； <br/>其中，該低頻補償特徵數據係根據在Demura啟動模式下對該顯示面板進行二次拍攝之結果而取得。
如請求項1所述的顯示面板補償裝置，還包括： <br/>低頻補償提取模板，用以取得該低頻補償特徵數據。
如請求項2所述的顯示面板補償裝置，其中該低頻補償提取模板係透過抽樣該顯示面板的屏體、由該拍攝單元對該屏體進行該一般拍攝、由該計算單元根據該一般拍攝之結果取得該一般補償數據、於該Demura啟動模式下，由該拍攝單元對該屏體進行該二次拍攝、由該計算單元根據該二次拍攝之結果計算出該低頻補償特徵數據而取得該低頻補償特徵數據。
如請求項1所述的顯示面板補償裝置，其中該融合單元係透過相加模式或相乘模式將該一般補償數據與該低頻補償特徵數據融合為該最終補償數據。
如請求項1所述的顯示面板補償裝置，其中該融合單元係分別接收該一般補償數據、該低頻補償特徵數據及該顯示面板的幀率/顯示亮度值(DBV)，並根據該一般補償數據、該低頻補償特徵數據及該顯示面板的該幀率/DBV產生該最終補償數據。
一種顯示面板補償方法，包括下列步驟： <br/>(a)對顯示面板進行一般拍攝，以取得一般補償數據； <br/>(b)於Demura啟動模式下對該顯示面板進行二次拍攝，以取得低頻補償特徵數據； <br/>(c)將該一般補償數據與該低頻補償特徵數據融合為最終補償數據；以及 <br/>(d)以該最終補償數據對該顯示面板進行補償。
如請求項6所述的顯示面板補償方法，其中步驟(b)包括： <br/>透過低頻補償提取模板取得低頻補償特徵數據。
如請求項7所述的顯示面板補償方法，其中透過該低頻補償提取模板取得該低頻補償特徵數據包括： <br/>抽樣屏體； <br/>對該屏體進行該一般拍攝，以取得該一般補償數據；以及 <br/>於該Demura啟動模式下對該屏體進行該二次拍攝，以取得該低頻補償特徵數據。
如請求項6所述的顯示面板補償方法，其中步驟(c)係透過相加模式或相乘模式將該一般補償數據與該低頻補償特徵數據融合為該最終補償數據。
如請求項6所述的顯示面板補償方法，其中步驟(c)係分別接收該一般補償數據、該低頻補償特徵數據及該顯示面板的幀率/DBV，並根據該一般補償數據、該低頻補償特徵數據及該顯示面板的該幀率/DBV產生該最終補償數據。
一種半導體裝置，其包含：<br/> 一基板，其具有一半導體鰭片；<br/> 一第一電晶體，其在該基板上方，且包含在該半導體鰭片上方的一第一閘極結構，其中在一橫截面圖中，該半導體鰭片包含一通道部分，該通道部分與該第一閘極結構之一底表面接觸；及源極/汲極部分，該些源極/汲極部分在該第一閘極結構之多個相對側壁上；及<br/> 一第二電晶體，其垂直地在該第一電晶體之上，且包含：<br/> 一半導體通道層，其在該半導體鰭片之上；<br/> 一第二閘極結構，其在該半導體通道層上方；及<br/> 源極/汲極磊晶結構，該些源極/汲極磊晶結構在該半導體通道層之多個相對末端上。
如請求項1所述之半導體裝置，其中在該橫截面圖中，該第一閘極結構比該第二閘極結構寬。
如請求項1所述之半導體裝置，其進一步包含在該半導體通道層與該半導體鰭片之間的一內部間隔物，其中該第一閘極結構與該內部間隔物之一底表面介接。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該半導體鰭片的該些源極/汲極部分中之各者具有從該半導體鰭片之一頂表面向下降低的一摻雜劑濃度。
一種半導體裝置，其包含：<br/> 一基板，其具有一半導體鰭片；<br/> 一第一電晶體，其在該基板上方，並包含一第一閘極結構，該第一閘極結構具有嵌入該半導體鰭片中的一部分；<br/> 一源極/汲極，其與該半導體鰭片之一部分交叉；及<br/> 一第二電晶體，其垂直地在該第一電晶體之上，且包含：<br/> 一半導體通道層，其在該半導體鰭片之上；<br/> 一第二閘極結構，其在該半導體通道層上方；及<br/> 源極/汲極磊晶結構，該些源極/汲極磊晶結構在該半導體通道層之多個相對末端上。
如請求項5所述之半導體裝置，其中與該第一閘極結構之一側壁接觸的該半導體鰭片之一源極/汲極部分具有一梯度摻雜劑濃度。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該半導體鰭片包含與該第一閘極結構之一側壁接觸的該半導體鰭片之一源極/汲極部分及與該第一閘極結構之一底表面接觸的一通道部分，且其中該半導體鰭片之該源極/汲極部分的一最大摻雜劑濃度大於該半導體鰭片之該通道部分的一最大摻雜劑濃度。
一種半導體裝置的形成方法，其包含以下步驟：<br/> 在一半導體鰭片上方形成交替的多個犧牲層與多個半導體層之一堆疊；<br/> 在該些半導體層之多個相對末端上形成多個源極/汲極磊晶結構；<br/> 執行移除該些犧牲層及該半導體鰭片之一部分的一蝕刻，使得該些半導體層懸置在該半導體鰭片上方，並在該半導體鰭片中形成一凹槽；及<br/> 形成包覆於該些半導體層周圍並在該半導體鰭片之該凹槽中的一閘極材料。
如請求項8所述之方法，其中形成該些犧牲層與該些半導體層之該堆疊之步驟包含以下步驟：<br/> 在該半導體鰭片上方形成該些犧牲層中之一最底一者，其中該些犧牲層中之該最底一者經摻雜；<br/> 執行一退火製程以將該些犧牲層中之該最底一者的多個摻雜劑驅入該半導體鰭片中，使得該半導體鰭片具有一梯度摻雜劑濃度；及<br/> 在該退火製程完成之後，在該些犧牲層中之該最底一者上方形成該些半導體層及其他犧牲層。
如請求項8所述之方法，其進一步包含以下步驟：在形成該些源極/汲極磊晶結構之前形成與該半導體鰭片之一部分交叉的一金屬層。
一種晶片資料傳輸介面，包括： <br/>一資料接收電路，被配置成依據一第一操作時脈接收一平行輸入資料，以及送出一平行輸出資料； <br/>一資料傳輸電路，耦接於該資料接收電路，且被配置成根據一第二操作時脈接收該平行輸出資料，以及送出一序列資料； <br/>一時脈供應電路，耦接該資料接收電路與該資料傳輸電路，該時脈供應電路被配置成根據一來源時脈，以產生一系統時脈與該第二操作時脈；及 <br/>一調相電路，耦接該資料接收電路與該時脈供應電路，該調相電路被配置成接收該系統時脈與該第一操作時脈，並使該第一操作時脈與該系統時脈的相位一致； <br/>其中，於該第一操作時脈與該系統時脈的相位一致時，該時脈供應電路被配置成輸出該第二操作時脈，且該第二操作時脈同步於該第一操作時脈。
如請求項1所述的晶片資料傳輸介面，其中該系統時脈經由該調相電路與一數位延遲以形成該第一操作時脈。
如請求項1所述的晶片資料傳輸介面，其中該時脈供應電路包括： <br/>一第一分頻器，被配置成根據該來源時脈，以產生該系統時脈； <br/>一第二分頻器，被配置成根據該來源時脈，以產生該第二操作時脈；及 <br/>一重置與同步電路，耦接該第一分頻器與該第二分頻器，該重置與同步電路被配置成根據一重置訊號致能該第一分頻器，以及在該系統時脈與該第一操作時脈相位一致時致能該第二分頻器。
如請求項1所述的晶片資料傳輸介面，其中該調相電路包括： <br/>一相位偵測器，被配置成偵測出該系統時脈與該第一操作時脈的相位差，並根據該相位差輸出一偵測訊號； <br/>一相位調整控制器，耦接該相位偵測器，該相位調整控制器被配置成根據該偵測訊號輸出一控制訊號；及 <br/>一相位調整器，耦接該相位調整控制器與該時脈供應電路，該相位調整器被配置成接收該系統時脈，並根據該控制訊號用以調整該系統時脈的相位，以輸出一調整後系統時脈。
如請求項4所述的晶片資料傳輸介面，其中該調整後系統時脈經由一數位延遲以形成該第一操作時脈。
如請求項1所述的晶片資料傳輸介面，其中該資料傳輸電路，包括： <br/>一平行轉序列電路，耦接該資料接收電路，且被配置成將該平行輸出資料轉成該序列資料；及 <br/>一傳輸驅動器，耦接該平行轉序列電路，該傳輸驅動器被配置成接收該序列資料並發送出一輸出資料訊號。
一種半導體裝置，包括： <br/>一第一晶片，具有一晶片資料傳輸介面；及 <br/>一第二晶片，耦接於該晶片資料傳輸介面； <br/>其中，該晶片資料傳輸介面包括： <br/>一資料接收電路，被配置成依據一第一操作時脈接收一平行輸入資料，以及送出一平行輸出資料； <br/>一資料傳輸電路，耦接於該資料接收電路，被配置成根據一第二操作時脈接收該平行輸出資料，以及送出一序列資料； <br/>一時脈供應電路，耦接該資料接收電路與該資料傳輸電路，該時脈供應電路被配置成根據一來源時脈，以產生一系統時脈與該第二操作時脈；及 <br/>一調相電路，耦接該資料接收電路與該時脈供應電路，該調相電路被配置成接收該系統時脈與該第一操作時脈，並使該系統時脈與該第一操作時脈的相位一致； <br/>其中，於該系統時脈與該第一操作時脈的相位一致時，該時脈供應電路被配置成輸出該第二操作時脈，且該第二操作時脈同步於該第一操作時脈。
如請求項7所述的半導體裝置，其中該系統時脈經由該調相電路與一數位延遲以形成該第一操作時脈。
如請求項7所述的半導體裝置，其中該時脈供應電路包括： <br/>一第一分頻器，被配置成根據該來源時脈，以產生該系統時脈； <br/>一第二分頻器，被配置成根據該來源時脈，以產生該第二操作時脈；及 <br/>一重置與同步電路，耦接該第一分頻器與該第二分頻器，該重置與同步電路被配置成根據一重置訊號致能該第一分頻器，以及在該系統時脈與該第一操作時脈相位一致時致能該第二分頻器。
如請求項7所述的半導體裝置，其中該調相電路包括： <br/>一相位偵測器，被配置成偵測出該系統時脈與該第一操作時脈的相位差，並根據該相位差輸出一偵測訊號； <br/>一相位調整控制器，耦接該相位偵測器，該相位調整控制器被配置成根據該偵測訊號輸出一控制訊號；及 <br/>一相位調整器，耦接該相位調整控制器與該時脈供應電路，該相位調整器被配置成接收該系統時脈，並根據該控制訊號用以調整該系統時脈的相位，以輸出一調整後系統時脈。
如請求項10所述的半導體裝置，其中該調整後系統時脈經由一數位延遲以形成該第一操作時脈。
如請求項7所述的半導體裝置，其中該資料傳輸電路，包括： <br/>一平行轉序列電路，耦接該資料接收電路，且被配置成將該平行輸出資料轉成該序列資料；及 <br/>一傳輸驅動器，耦接該平行轉序列電路與該第二晶片，該傳輸驅動器被配置成接收該序列資料並發送出一輸出資料訊號至該第二晶片。
一種用於電動工具支架之平行架，該電動工具支架包含有一腳架與一設置於該腳架上的工作臺，該平行架組設於該工作臺，該平行架包含有： <br/>至少一第一定位槽，形成於該平行架之頂側； <br/>至少一第二定位槽，形成於該平行架之側邊；以及 <br/>複數個位置調整組件，每一該位置調整組件具有一滑動件與一鎖固件，該滑動件之至少一端部穿設於該第二定位槽，該鎖固件穿設於第一定位槽並組接至該滑動件，該等位置調整組件能選擇性地沿著該第二定位槽移動。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該腳架具有一活動腳與一樞接於該活動腳之固定腳，該活動腳之一端樞接於該工作臺的底側，該固定腳之一端固定於該工作臺的底側，且該活動腳未連接至該工作臺的一端設置有一輪組。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該工作臺包含有一支撐架，該支撐架具有複數個支撐管，該等支撐管彼此互相組接。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該工作臺還具有至少一延伸架，該延伸架具有一延伸桿、一設置於該延伸桿之快拆組件、一連接該延伸桿之滾輪與一連接該延伸桿之抵靠板。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該平行架的一端還包含有一固定組件，於各該平行架之底側則具有一銜接部，該銜接部抵接於該工作臺，且該等平行架透過該固定組件可拆卸地組裝於該工作臺。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該等平行架之第二定位槽的一端係擴大形成一開放穿槽。
如請求項6所述用於電動工具支架之平行架，其中該開放穿槽係選擇性地設置一擋塊，該擋塊卡接於該等平行架之側壁，以遮蔽該開放穿槽。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該該平行架具有一容置空間，該容置空間容納該等位置調整組件，且該容置空間、該第一定位槽及該第二定位槽係互相連通。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該滑動件具有一固定孔與一鎖設部，該固定孔貫穿該滑動件之頂面及底面，該鎖設部設置於該滑動件之頂面或底面，或直接形成於該滑動件之固定孔的周圍。
如請求項1所述用於電動工具支架之平行架，其中該滑動件之端部向外凸出形成一握持部。
一種電子裝置的快閃記憶體電路存取介面，其中該電子裝置包含一主處理器與一系統匯流排，且該主處理器傳送包含一存取指令代碼、一元件識別位址與一快閃記憶體存取位址的一快閃記憶體存取指令至該系統匯流排，其中該快閃記憶體電路存取介面係包含：<br/> 一多工器，電連接於一快閃記憶體電路；<br/> 一存取指令改道模組，包含：<br/> 一內部匯流排，電連接於該主處理器與該多工器；<br/> 一存取指令傳遞電路，電連接於該內部匯流排；以及<br/> 一代理處理器，電連接於該內部匯流排與該存取指令傳遞電路；以及<br/> 一解多工器，電連接於該系統匯流排、該多工器與該內部匯流排，其係在經由該系統匯流排接收該快閃記憶體存取指令後，根據該元件識別位址而將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器與該內部匯流排其中的一者，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器時，該主處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該內部匯流排時，該存取指令傳遞電路係經由該內部匯流排而接收該存取指令代碼，且該代理處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取。
如請求項1所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路係包含：<br/> 一指令暫存器，電連接於該內部匯流排，其係透過該內部匯流排接收並儲存該存取指令代碼。
如請求項2所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路更包含：<br/> 一開始暫存器，電連接於該內部匯流排與該代理處理器，其係因應該主處理器的設定而產生傳送至該代理處理器的一代理處理器中斷信號，<br/> 其中該代理處理器係因應該代理處理器中斷信號的產生，經由該內部匯流排讀取儲存在該指令暫存器的該存取指令代碼。
如請求項1所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路係包含：<br/> 一狀態暫存器，電連接於該內部匯流排，其中該代理處理器係因應對該快閃記憶體電路進行存取的結果，透過該內部匯流排而更新該狀態暫存器的內容。
如請求項4所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路更包含：<br/> 一完成暫存器，電連接於該主處理器與該內部匯流排，其中該代理處理器係在完成對該快閃記憶體電路的存取後，透過該內部匯流排而設定該完成暫存器，且該完成暫存器在被設定後，產生傳送至該主處理器的一主處理器中斷信號。
如請求項5所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該主處理器係在接收該主處理器中斷信號後，經由該系統匯流排、該解多工器與該內部匯流排而讀取儲存在該狀態暫存器的內容。
如請求項1所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令改道模組更包含：<br/> 一非揮發式儲存電路，電連接於該內部匯流排；以及<br/> 一揮發式儲存電路，電連接於該內部匯流排。
如請求項1所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令改道模組更包含：<br/> 一低接腳數介面電路，電連接於該內部匯流排，以及選擇性電連接於一測試機台，其中該測試機台係透過該低接腳數介面電路與該內部匯流排而存取該存取指令傳遞電路。
如請求項8所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令改道模組更包含：<br/> 一非揮發式儲存電路，電連接於該內部匯流排，其中該測試機台係透過該低接腳數介面電路與該內部匯流排，將一預設測試資料型樣儲存在該非揮發式儲存電路，且<br/> 該代理處理器在透過該內部匯流排讀取儲存在該非揮發式儲存電路的該預設測試資料型樣後，根據該預設測試資料型樣對該快閃記憶體電路進行一寫讀測試，<br/> 其中該代理處理器係在該寫讀測試結束後，將該寫讀測試的執行結果存入該存取指令傳遞電路，且該測試機台透過該低接腳數介面電路與該內部匯流排而讀取該代理處理器儲存在該存取指令傳遞電路的該寫讀測試的執行結果。
如請求項9所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該代理處理器對該快閃記憶體電路進行該寫讀測試時，<br/> 該代理處理器先將自該非揮發式儲存電路讀出的該預設測試資料型樣存入該快閃記憶體電路，再自該快閃記憶體電路讀出該預設測試資料型樣，且<br/> 該代理處理器比較自該非揮發式儲存電路讀出的該預設測試資料型樣，與自該快閃記憶體電路讀出的該預設測試資料型樣是否一致。
如請求項8所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令改道模組更包含：<br/> 一揮發式儲存電路，電連接於該內部匯流排，其中<br/> 在該測試機台係透過該低接腳數介面電路與該內部匯流排，將測試該快閃記憶體電路用的一擴充用的測試程式儲存在該揮發式儲存電路，且該代理處理器執行該擴充用的測試程式。
如請求項11所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路係包含： <br/> 一位址暫存器，電連接於該內部匯流排，其中<br/> 該測試機台係將該擴充用的測試程式儲存在該揮發式儲存電路的一測試程式載入位址<b>，</b>且該測試機台經由該低接腳數介面電路與該內部匯流排而將該測試程式載入位址存入該位址暫存器。
如請求項12所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該代理處理器經由該內部匯流排而讀取儲存在該位址暫存器的該測試程式載入位址後，該代理處理器經由該內部匯流排而至該揮發式儲存電路的該測試程式載入位址，執行該擴充用的測試程式。
如請求項8所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該低接腳數介面電路係為一序列周邊介面或為一內部整合電路，且該低接腳數介面電路係透過一聯合測試工作群組(Joint Test Action Group，簡稱為JTAG)排線而選擇性電連接於該測試機台。
如請求項8所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該電子裝置更包含：<br/> K個半導體矽智財電路，電連接於該主處理器與該存取指令改道模組，其中該測試機台係透過該低接腳數介面電路、該代理處理器與該內部匯流排，將與該K個半導體矽智財電路對應的K組校正參數儲存在該快閃記憶體電路，其中K為正整數。
如請求項15所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該存取指令傳遞電路係包含：<br/> K個校正資料暫存器，電連接於該內部匯流排與各該K個半導體矽智財電路，其中<br/> 該代理處理器係於該電子裝置開機時，透過該內部匯流排自該快閃記憶體電路讀取該K組校正參數，且該代理處理器透過該內部匯流排將各該K組校正參數分別存入各該K個校正資料暫存器。
如請求項16所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該K個校正資料暫存器中的一第k個校正資料暫存器係透過一實體接線信號，將該K組校正參數中的一第k組校正參數傳送至該K個半導體矽智財電路的一第k個半導體矽智財電路，且該第k個半導體矽智財電路係在該電子裝置開機時，根據該實體接線信號傳送的該第k組校正參數而進行校正，<br/> 其中k為正整數，且k小於或等於K。
如請求項1所述之快閃記憶體電路存取介面，其中該快閃記憶體電路係包含：<br/> 一快閃記憶體控制器，電連接於該多工器，其係自該多工器接收該快閃記憶體存取位址；以及，<br/> 一快閃記憶體陣列，電連接於該快閃記憶體控制器，其中該快閃記憶體控制器係根據該主處理器與該代理處理器其中一者的控制，對該快閃記憶體陣列裡的該快閃記憶體存取位址執行與該存取指令代碼對應的操作。
一種電子裝置的快閃記憶體模組，其中該電子裝置包含一主處理器與一系統匯流排，且該主處理器傳送包含一存取指令代碼、一元件識別位址與一快閃記憶體存取位址的一快閃記憶體存取指令至該系統匯流排，其中該快閃記憶體模組係包含：<br/> 一快閃記憶體電路；以及<br/> 一快閃記憶體電路存取介面，電連接於該系統匯流排，包含： <br/> 一多工器，電連接於該快閃記憶體電路；<br/> 一存取指令改道模組，包含：<br/> 一內部匯流排，電連接於該主處理器與該多工器；<br/> 一存取指令傳遞電路，電連接於該內部匯流排；以及<br/> 一代理處理器，電連接於該內部匯流排與該存取指令傳遞電路；以及<br/> 一解多工器，電連接於該系統匯流排、該多工器與該內部匯流排，其係在經由該系統匯流排接收該快閃記憶體存取指令後，根據該元件識別位址而將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器與該內部匯流排其中的一者，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器時，該主處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該內部匯流排時，該存取指令傳遞電路係經由該內部匯流排而接收該存取指令代碼，且該代理處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取。
一種電子裝置，包含：<br/> 一系統匯流排；<br/> 一主處理器，電連接於該系統匯流排，其係傳送包含一存取指令代碼、一元件識別位址與一快閃記憶體存取位址的一快閃記憶體存取指令至該系統匯流排；以及<br/> 一快閃記憶體模組，包含：<br/> 一快閃記憶體電路；以及<br/> 一快閃記憶體電路存取介面，電連接於該系統匯流排，包含： <br/> 一多工器，電連接於該快閃記憶體電路；<br/> 一存取指令改道模組，包含：<br/> 一內部匯流排，電連接於該主處理器與該多工器；<br/> 一存取指令傳遞電路，電連接於該內部匯流排；以及<br/> 一代理處理器，電連接於該內部匯流排與該存取指令傳遞電路；以及<br/> 一解多工器，電連接於該系統匯流排、該多工器與該內部匯流排，其係在經由該系統匯流排接收該快閃記憶體存取指令後，根據該元件識別位址而將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器與該內部匯流排其中的一者，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該多工器時，該主處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取，<br/> 其中當該解多工器將該存取指令代碼和該快閃記憶體存取位址傳送至該內部匯流排時，<br/> 該存取指令傳遞電路係經由該內部匯流排而接收該存取指令代碼，且該代理處理器根據該存取指令代碼而對該快閃記憶體電路裡的該快閃記憶體存取位址進行存取。
一種奈米雙金屬複合去除劑製備方法，其至少包含下列步驟： <br/>步驟一：將兩種濃度介於0.1~2.0 M之間的過渡金屬氯化物鹽類作為一共沉澱基材溶於水中，在低溫中以25~65°C溶解並保持恆溫，形成一雙金屬溶液；將一濃度介於0.1~1.5 M之間的亞鐵氰化物溶於水中，形成一亞鐵氰化物溶液，將該亞鐵氰化物溶液緩慢加入該雙金屬溶液反應，該亞鐵氰化物溶液與該雙金屬溶液的配比為0.5~3.5，待攪拌4~16小時後，過濾水洗沉澱物，將殘留未反應試劑去除，經過低溫85~125°C烘乾後研磨，即製備成一奈米級雙金屬粉體；其中，該過渡金屬氯化物鹽類係選自氯化鎳、氯化鈷、氯化鐵及氯化鉀所組成的群組中的至少二種可溶性鹽類；該雙金屬溶液係選自硝酸雙金屬、硫酸雙金屬、醋酸雙金屬、及氯化雙金屬所組成的群組中的至少一種含有雙金屬化合物的水溶液；該亞鐵氰化物係選自亞鐵氰化鉀、亞鐵氰化鈉、亞鐵氰化銅、亞鐵氰化鉀鈦及亞鐵氰化鎳所組成的群組中的至少一種； <br/>步驟二：將矽鋁酸鹽材料以高溫600~900°C鍛燒活化，成為非晶形的狀態結構，將該奈米級雙金屬粉體與經過鍛燒活化後之該矽鋁酸鹽材料，以1~5:1的比例混合，再加入1~5 M之鹼性活化劑攪拌混合均勻，形成一膏狀聚合調和液；其中，該矽鋁酸鹽材料為偏高嶺土，該鹼性活化劑為偏矽酸鈉溶液；以及 <br/>步驟三：將該膏狀聚合調和液塗佈於一具有1~2 mm的陣列孔洞之模板，在室溫下聚合固化1~3小時，經固化脫模後即完成顆粒尺寸1~2 mm之奈米雙金屬複合去除劑。
如請求項1所述之奈米雙金屬複合去除劑製備方法，其中，該 <br/>奈米級雙金屬粉體的平均粒徑為40±20% nm。
如請求項1所述之奈米雙金屬複合去除劑製備方法，其中，該 <br/>奈米雙金屬複合去除劑可依需求調控該奈米級雙金屬粉體與該鹼性活化劑之組成配比，調整聚合的固化成型造粒比例。
一種奈米雙金屬複合去除劑，其係由請求項1至3中任一項所述 <br/>之製備方法製備而得，其BET（Brunauer-Emmett-Teller）比表面積至少達35 m<sup>2</sup>/g以上，且具有0.71 kgf/mm以上之機械強度。
一種多屏組合顯示方法，系執行於一多屏組合拼接顯示系統中，包括：<br/> 步驟(A)：使用該多屏組合拼接顯示系統的一影像信號源獲取該多屏組合拼接顯示系統之複數個顯示裝置組合拼接的一組合拼接資訊，並創建一全幅虛擬顯示器；<br/> 步驟(B)：使用該影像信號源取得一第i 幀的一全幅影像，並分割該第i 幀的該全幅影像為對應於該複數個影像裝置的複數個分割影像，其中i 為大於等於1 的整數；<br/> 步驟(C)：針對該複數個分割影像的每一者，使用該影像信號源劃分出每一個分割影像的K 個子區塊影像，其中該分割影像的該K 個子區塊影像的每一者對應有一子區塊編號，K 為大於等於1 的整數；<br/> 步驟(D)：使用該影像信號源取得該第i 幀之該複數個分割影像之該子區塊編號為j 的該複數筆子區塊影像串流資料，j 為大於等於1 的整數；<br/> 步驟(E)：待該影像信號源取得全部的該第i 幀之該複數個分割影像之該子區塊編號為j 的該複數筆子區塊影像串流資料，使用該影像信號源將該第i 幀之該複數個分割影像之該子區塊編號為j 的該複數筆子區塊影像串流資料分別傳遞給該複數個顯示裝置；<br/> 於該步驟(E)後，使用該影像信號源判斷j 是否等於K；以及<br/> 若該影像信號源判斷j 不等於K，則更新j 為j+1，並接著執行該步驟(D)。
如請求項1 所述的多屏組合顯示方法，其中該影像信號源依據該組合拼接資訊計算出該複數個顯示裝置的複數個影像座標，並且根據該複數個影像座標將該第i 幀的該全幅影像分割為對應於該複數個影像裝置的該複數個分割影像。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，更包括：<br/> 若該影像信號源判斷j等於K，則初始化j為1，並更新i為i+1，並接著執行該步驟(B)。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，其中該影像信號源為一筆記型電腦、一平板、一智慧型手機、一桌上電腦或一影像儲存設備。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，其中該複數個顯示裝置以任意形狀組合拼接。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，其中該影像信號源對該第i幀的該複數個分割影像之該子區塊編號為j的該複數個子區塊影像進行平行多工處理，以取得該第i帧之該複數個分割影像之該子區塊編號為j的該複數筆子區塊影像串流資料。
如請求項2所述的多屏組合顯示方法，其中該影像座標為對應該顯示裝置之該分割影像在該全幅影像之一起始點。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，其中該全幅影像不會有畫面撕裂。
如請求項1所述的多屏組合顯示方法，其中該複數個顯示裝置的每一者具有至少一通用序列匯流排(USB)連接器，以藉此進行組合拼接。
一種反熔絲單元電路，包括：<br/> 一第一反熔絲單元，具有：<br/> 一第一電晶體，具有耦接一第一位元線的第一端、耦接一第一節點的第二端，以及耦接一第一字元線的一第一控制端；以及<br/> 一第二電晶體，具有耦接該第一節點的第一端和耦接一第一寫入線的一第二控制端；以及<br/> 一第一測試單元，具有一第一測試電晶體，其中該第一測試電晶體的第一端耦接該第一節點，且該第一測試電晶體的第二端和一第三控制端同時耦接至一測試電壓，<br/> 其中，在布局配置上，該第一測試單元位於該第一字元線和該第一寫入線之間的區域。
如請求項1所述之反熔絲單元電路，其中該測試電壓不低於該第一測試電晶體的閾值電壓。
如請求項1所述之反熔絲單元電路，其中響應於該第一寫入線對該第一反熔絲單元進行程式化，該第二電晶體形成導通路徑。
如請求項1所述之反熔絲單元電路，更包括：<br/> 一第二反熔絲單元，具有：<br/> 一第三電晶體，具有耦接一第二位元線的第一端，耦接一第二節點的第二端，以及耦接一第二字元線的一第四控制端；以及<br/> 一第四電晶體，具有耦接該第二節點的第一端，和耦接一第二寫入線的一第五控制端，<br/> 其中，該第一測試單元更包括一第二測試電晶體，具有耦接該第二節點的第一端，和耦接該測試電壓的第二端和一第六控制端。
如請求項4所述之反熔絲單元電路，其中響應於該二寫入線對該第二反熔絲單元進行程式化，該第四電晶體形成導通路徑。
如請求項4所述之反熔絲單元電路，更包括：<br/> 一第三反熔絲單元，具有：<br/> 一第五電晶體，具有耦接該第一位元線的第一端，耦接該第一節點的第二端，以及耦接一第三字元線的一第七控制端；以及<br/> 一第六電晶體，具有耦接該第一節點的第一端，和耦接一第三寫入線的一第八控制端；以及<br/> 一第四反熔絲單元，具有：<br/> 一第七電晶體，具有耦接該第二位元線的第一端，耦接該第二節點的第二端，以及耦接一第四字元線的一第九控制端；以及<br/> 一第八電晶體，具有耦接該第二節點的第一端，和耦接一第四寫入線的一第十控制端。
如請求項4所述之反熔絲單元電路，更包括：<br/> 一第三反熔絲單元，具有： <br/> 一第五電晶體，具有耦接該第一位元線的第一端，耦接一第三節點的第二端，以及耦接一第三字元線的一第七控制端；以及<br/> 一第六電晶體，具有耦接該第三節點的第一端，和耦接一第三寫入線的一第八控制端；<br/> 一第四反熔絲單元，具有：<br/> 一第七電晶體，具有耦接該第二位元線的第一端，耦接一第四節點的第二端，以及耦接一第四字元線的一第九控制端；以及<br/> 一第八電晶體，具有耦接該第四節點的第一端，和耦接一第四寫入線的一第十控制端；以及<br/> 一第二測試單元，具有：<br/> 一第三測試電晶體，具有耦接該第三節點的第一端，和耦接該測試電壓的第二端和一第十一控制端；以及<br/> 一第四測試電晶體，具有耦接該第四節點的第一端，和耦接該測試電壓的第二端和一第十二控制端。
如請求項7所述之反熔絲單元電路，其中在布局配置上，該第二測試單元位於該第三字元線和該第三寫入線之間的區域。
如請求項7所述之反熔絲單元電路，其中該測試電壓不低於該第一測試電晶體、第二測試電晶體、該第三測試電晶體以及該第四測試電晶體的閾值電壓。
如請求項6或7所述之反熔絲單元電路，其中該第六電晶體的第二端為斷路，該第二電晶體的第二端為斷路，該第四電晶體的第二端為斷路，該第八電晶體的第二端為斷路。
一種口感滑順高蛋白豆奶的製造方法，包含：<br/> 一大豆切割步驟，將一為黃豆的大豆原料分割切碎成一碎豆原料，該碎豆原料包含一無法通過5目篩網的粗碎豆部分，及一通過5目篩網的細碎豆部分，以該碎豆原料的總量為100wt%，該粗碎豆部分的含量為70至90wt%，該細碎豆部分的含量為10至30wt%；<br/> 一脫皮步驟，將該碎豆原料進行大豆皮剝離、抽氣脫皮而獲得一脫皮碎豆；<br/> 一研磨萃取步驟，該脫皮碎豆與一磨豆水於一研磨裝置進行研磨跟離心脫渣後獲得一豆汁，該大豆原料與該磨豆水的比例範圍為1比4.6至1比5.4，該磨豆水的溫度為75至85℃；及<br/> 一煮漿步驟，以蒸氣直接注入該豆汁，將該豆汁加熱至110~120℃並維持1至2分鐘而獲得一豆奶，該豆奶的蛋白質含量大於等於5.5g/100ml。
如請求項1所述的口感滑順高蛋白豆奶的製造方法，其中，該豆奶的黏度為10~30cps。
如請求項1所述的口感滑順高蛋白豆奶的製造方法，於該研磨萃取步驟中，還獲得一第一豆渣，該第一豆渣與一熱於一混和裝置進行混和跟離心脫渣後獲得該磨豆水，該磨豆水進入該研磨裝置與該脫皮碎豆進行研磨。
如請求項1所述的口感滑順高蛋白豆奶的製造方法，其中，於該煮漿步驟後依序還包括一減壓脫氣步驟、一冷卻步驟，及一殺菌步驟，於該減壓脫氣步驟中，將該豆奶進行減壓脫氣，於該冷卻步驟中，將該豆奶進行冷卻，於該殺菌步驟中，以130至140℃加熱該豆奶。
一種發光鍵盤，包括： <br/>托架； <br/>多個鍵帽，設置所述托架上並連接至所述托架； <br/>第一電路層，設置於所述多個鍵帽和所述托架之間；以及 <br/>發光模組，設置於所述托架下方，包括： <br/>基板； <br/>第二電路層，設置於所述基板上； <br/>輔助層，設置於所述基板上，且與所述第二電路層分離設置； <br/>光源，設置於所述基板上且電性連接於所述第二電路層；以及 <br/>覆蓋層，設置於所述第二電路層與所述輔助層上， <br/>其中所述輔助層的至少一部分接觸所述托架。
如請求項1所述的發光鍵盤，其中所述托架包括突出部，所述基板包括開口，所述輔助層包括凹陷，所述凹陷與所述開口對應所述突出部設置。
如請求項1所述的發光鍵盤，其中所述托架包括朝所述發光模組延伸的突出部，所述突出部位於所述托架的外緣，或者，所述突出部位於所述托架的內部且對應於所述多個鍵帽中的相鄰兩者之間。
一種發光鍵盤，包括： <br/>托架； <br/>間隔件，設置於所述托架下且接觸所述托架； <br/>多個鍵帽，設置所述托架上並連接至所述托架； <br/>第一電路層，設置於所述多個鍵帽和所述托架之間；以及 <br/>發光模組，設置於所述托架下方，包括： <br/>基板，包括上表面與下表面； <br/>第二電路層，設置於所述基板的所述上表面； <br/>輔助層，設置於所述基板的所述上表面，且與所述第二電路層分離；以及 <br/>光源，設置於所述基板的所述上表面且電性連接於所述第二電路層， <br/>其中所述輔助層的至少一部分接觸所述間隔件。
如請求項4所述的發光鍵盤，其中所述間隔件包括導電材料，其兩端分別連接所述托架與所述輔助層。
如請求項4所述的發光鍵盤，更包括覆蓋層，設置於所述第二電路層與所述輔助層上，且覆蓋所述基板的所述上表面的一部分。
如請求項1或6所述的發光鍵盤，其中所述輔助層包括第一部與第二部，所述覆蓋層覆蓋所述第二電路層與所述輔助層的所述第一部，且所述覆蓋層露出所述光源與所述輔助層的所述第二部，所述輔助層的所述第二部直接或間接連接於所述托架的下表面。
如請求項7所述的發光鍵盤，其中所述輔助層的所述第一部的分布密度小於所述輔助層的所述第二部的分布密度。
如請求項7所述的發光鍵盤，其中所述輔助層的所述第一部與所述第二部的至少其中之一呈網格狀。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述輔助層是圖案化導體層，所述輔助層包括與所述第二電路層相同的材質。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述輔助層包括第一部與第二部，所述第一部對應設置於所述多個鍵帽中的其中之一下方，所述第二部對應設置於所述多個鍵帽中的相鄰兩者之間的所述托架下方。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述發光模組還包括導光層及圖案層，所述導光層設置於所述基板與所述圖案層之間，所述導光層包括孔洞，所述光源設置於所述孔洞，所述圖案層對應所述光源具有圖案化遮光塗層或圖案化反射塗層。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述光源包括晶片，所述晶片具有長軸，所述長軸沿著平行於所述發光鍵盤的短邊方向延伸。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述托架包括托架孔，所述托架孔位於所述多個鍵帽的其中一者下且對應於所述光源。
如請求項14所述的發光鍵盤，其中所述光源包括晶片，所述晶片具有長軸，所述長軸平行於所述發光鍵盤的短邊方向延伸。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述光源包括兩個晶片，所述兩個晶片的每一者具有長軸，所述兩個晶片的一者的所述長軸與另一者的所述長軸平行且並排於彼此。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述光源包括兩個晶片，所述兩個晶片的每一者具有長軸，所述兩個晶片的一者的所述長軸與另一者的所述長軸共軸。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述光源包括第一晶片及第二晶片，所述第一晶片具有第一短邊，所述第二晶片具有第二短邊，所述第一短邊與所述第二短邊相鄰，且所述第一晶片與所述第二晶片在對應所述第一短邊及所述第二短邊處具有相同的極性。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述光源包括兩個晶片，所述兩個晶片之間具有間隙，所述兩個晶片的至少其中之一覆蓋有螢光粉。
如請求項1或4所述的發光鍵盤，其中所述第二電路層包括兩條導線，分別電性連接於所述光源的兩側，所述光源具有長軸，所述兩條導線沿著平行於所述長軸的方向延伸。
一種電子後視鏡，包含： <br/>一主體單元，圍繞界定出一內部空間； <br/>一顯示單元，包括一嵌設於該主體單元上的顯示板、一設置於該內部空間中且與該顯示板訊號連接的影像模組，及一由該影像模組朝前凸起且用於控制該影像模組的控制鈕； <br/>一安裝單元，包括一設置於該主體單元上的安裝板，及一設置於該主體單元上且位於該安裝板前方的定位座，該安裝板具有一擋止面，該定位座具有一固定於該主體單元上的座體部，及二彼此左右相間隔地設置於該座體部上且朝下彎弧延伸的導引部，每一導引部具有一面向該擋止面且為曲面的內滑面；及 <br/>一調控單元，包括二可轉動地被限位於該安裝板與該等導引部之間的樞轉凸塊、一連接該等樞轉凸塊且位於該等導引部之間的調整桿、二由該調整桿朝左右兩側向外凸伸且分別位於該等導引部前方的限位塊，及一凸設於該調整桿上且位於該控制鈕後方的觸壓塊，每一樞轉凸塊具有二卡掣面，及一連接該等卡掣面且與相對應導引部之內滑面滑動接觸的外滑面，該調整桿可受操作而在一第一位置與一第二位置間切換，當該調整桿位於該第一位置時，其中一卡掣面靠抵該擋止面，且該觸壓塊未壓抵該控制鈕，當該調整桿位於該第二位置時，另一卡掣面靠抵該擋止面，且該觸壓塊壓抵該控制鈕。
如請求項1所述的電子後視鏡，其中，該調控單元之每一樞轉凸塊與相對應限位塊分別位於該安裝單元之相對應導引部的後側及前側，當該調整桿在該第一位置與該第二位置間切換時，該樞轉凸塊之外滑面與該導引部之內滑面保持滑動接觸，且該限位塊在該導引部外側相對於該導引部往復移動。
如請求項1所述的電子後視鏡，其中，該調控單元之調整桿具有一連接該等樞轉凸塊、該等限位塊，與該觸壓塊的承接部，及一由該承接部彎折延伸的操作部，當該調整桿位於該第一位置時，該操作部由該承接部朝後延伸，當該調整桿位於該第二位置時，該操作部由該承接部朝下延伸。
如請求項3所述的電子後視鏡，其中，該安裝單元之安裝板具有一與該定位座之座體部一起固定於該主體單元上的設置片部，及一連接該設置片部且具有該擋止面的延伸片部，該延伸片部位於該顯示單元之控制鈕的前方，且與該主體單元相配合界定出一前後貫通的通口，當該調整桿位於該第一位置時，該觸壓塊位於該通口前方而未通過該通口，當該調整桿位於該第二位置時，該觸壓塊朝後穿伸通過該通口以壓抵該控制鈕。
如請求項4所述的電子後視鏡，其中，該調控單元之觸壓塊具有一連接該承接部的延伸段，及一由該延伸段彎折延伸且與該延伸段相配合界定出一缺槽的凸鉤段，當該調整桿位於該第一位置時，該延伸段由該承接部朝上延伸，且該凸鉤段由該承接部朝後延伸，該缺槽及該凸鉤段位於該通口前方，當該調整桿位於該第二位置時，該延伸段由該承接部朝後延伸，且該凸鉤段由該承接部朝下延伸，該延伸段穿伸通過該通口，使該凸鉤段位於該通口後方而壓抵該控制鈕。
如請求項5所述的電子後視鏡，其中，該觸壓塊之凸鉤段的厚度向後逐漸縮減。
如請求項1所述的電子後視鏡，其中，該主體單元包括一供該顯示單元之顯示板嵌設的殼身、一組裝於該殼身前方而與該殼身相配合界定出該內部空間的殼罩，及一固定於該殼身或該殼罩上且位於該內部空間中的安裝框架，該影像模組設置於該殼身與該安裝框架之間而位於該顯示板後方。
如請求項7所述的電子後視鏡，其中，該安裝單元之安裝板及該定位座被一起固定於該殼罩或該安裝框架上。
如請求項1所述的電子後視鏡，還包含一連接該主體單元的連接單元，該連接單元包括一固定於該主體單元上的支撐座、一可多向轉動地樞接該支撐座的轉接套筒，及一可多向轉動地樞接該轉接套筒的連接座。
一種以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其係包括下列步驟： <br/>細菌纖維培養採集步驟：先製備培養槽後往裡放入培養液進行細菌培養，待該培養液中的細菌代謝產生細菌纖維後，將該細菌纖維取出並以去離子水清洗； <br/>葉片採集清洗步驟：蒐集複數葉片後將樹枝挑揀出來，並以清水將各葉片上的灰塵與土壤做去除； <br/>鹼處理步驟：將清洗後的該細菌纖維置於第一溶液中進行二次清洗，同時將清洗完畢的各葉片置入第二溶液進行預處理後，進行清洗以提取植物纖維； <br/>軟化纖維步驟：將經過該鹼處理步驟後的該細菌纖維與該植物纖維分別進行軟化作業； <br/>混合打漿步驟：將軟化後的該植物纖維、該細菌纖維與液體混合後進行打漿； <br/>纖維模塑步驟：將該混合打漿步驟所產生的漿液倒入成型模具中； <br/>乾燥步驟：將該成型模具拿去進行脫水乾燥的作業； <br/>成型裁切步驟：將乾燥後的成型模具打開進行成品的裁切。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該細菌纖維培養採集步驟，培養方式係包含靜態培養與動態攪拌培養。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該細菌纖維培養採集步驟，所選用的細菌為木質醋酸菌。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該鹼處理步驟，該第一溶液為氫氧化鈉溶液。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該鹼處理步驟，該第二溶液為氫氧化鈉溶液或亞硝酸鈉溶液。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該鹼處理步驟，該細菌纖維置於該第一溶液後，係以超聲波進行清洗以提升細菌纖維的純度。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該鹼處理步驟與該軟化纖維步驟之間，進一步增加一木質素氧化步驟：將清洗後的植物纖維，置於鹼性環境並加入氧化試劑，進一步將木質素析出。
如請求項7所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，該氧化試劑為過氧化氫。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該軟化纖維步驟，軟化方式可為加熱軟化法或醋酸軟化法。
如請求項1所述之以植物纖維與細菌纖維成型之容器製作方法，其中，於該乾燥步驟，乾燥的方法可為自然風乾、真空乾燥或烘乾。
一種乾燥設備，包括： <br/>一殼體，具有彼此相通的一入風口、一出風口和一腔室，該入風口和該出風口位於該腔室的相對兩側； <br/>一第一均流板，設置於該腔室內，該第一均流板位於該入風口與該出風口之間，且靠近該入風口，該第一均流板的多個通風孔朝向該載台； <br/>一過濾元件，設置於該腔室內，且位於該第一均流板和該入風口之間； <br/>一載台，設置於該腔室內，且位於該第一均流板和該出風口之間；以及 <br/>一第二均流板，設置於該腔室內，且位於該載台和該出風口之間。
如請求項1所述之乾燥設備，其中該第二均流板具有多個中間通風孔和多個周圍通風孔，該些周圍通風孔圍繞該些中間通風孔，且每一該些中間通風孔的一孔徑大於每一該些周圍通風孔的一孔徑。
如請求項2所述之乾燥設備，其中每一該些中間通風孔的該孔徑和每一該些周圍通風孔的該孔徑介於1 mm～30 mm。
如請求項1所述之乾燥設備，其中該第二均流板與該載台之間的距離小於該第二均流板與該出風口之間的距離。
如請求項1所述之乾燥設備，其中該過濾元件與該第一均流板之間的距離小於該過濾元件與該入風口之間的距離。
如請求項1所述之乾燥設備，其中該第一均流板與該過濾元件之間的距離小於該第一均流板與該載台之間的距離。
如請求項1所述之乾燥設備，更包括一第三均流板，其中該第三均流板設置於該腔室內，且位於該過濾元件和該入風口之間。
如請求項7所述之乾燥設備，其中該第三均流板具有多個第一通風孔和多個第二通風孔，該些第一通風孔對位於該入風口，且該些第二通風孔與該入風口錯位，每一該些第一通風孔的一孔徑小於每一該些第二通風孔的一孔徑。
如請求項8所述之乾燥設備，其中每一該些第一通風孔的該孔徑和每一該些第二通風孔的該孔徑介於1 mm～30 mm。
如請求項7所述之乾燥設備，其中該第三均流板與該過濾元件之間的距離小於該第三均流板與該入風口之間的距離。
如請求項1所述之乾燥設備，更包括一氣流循環裝置和一導流管，其中該導流管連接該入風口，且該氣流循環裝置連接該導流管和該出風口。
如請求項11所述之乾燥設備，其中該氣流循環裝置具有一排水孔，且該排水孔相通於該出風口。
如請求項11所述之乾燥設備，更包括一加熱裝置，其中該加熱裝置設置於該出風口和該氣流循環裝置之間。
如請求項1所述之乾燥設備，其中該第一均流板的該些通風孔呈均勻分布。
如請求項14所述之乾燥設備，其中該些通風孔的孔徑介於1 mm～30 mm。
一種積體裝置，包括： <br/>基底，包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面； <br/>多個光偵測器，位於所述基底內並排列成網格圖案；以及 <br/>深溝槽隔離結構，延伸於所述多個光偵測器之間，所述深溝槽隔離結構包括： <br/>第一介電層，位於所述第一表面上並向所述第二表面延伸， <br/>高功函數層，包括金屬或金屬氧化物，並通過所述第一介電層與所述基底間隔開， <br/>第二介電層，其中所述第二介電層的第一部分通過所述高功函數層與所述第一介電層間隔開，以及 <br/>絕緣填充物，延伸於所述第二介電層的內部側壁之間； <br/>其中所述高功函數層具有大於5電子伏特的功函數。
如請求項1所述的積體裝置，其中所述高功函數層包括透明金屬氧化物，且其中垂直於所述基底的所述第一表面延伸的第一軸穿過所述高功函數層的部分，其中所述高功函數層的所述透明金屬氧化物從所述高功函數層的接觸所述第一介電層的第一側延伸到所述高功函數層的接觸所述第二介電層的第二側。
如請求項1所述的積體裝置，其中所述高功函數層包括金屬，且在平行於所述基底的所述第一表面的方向上，通過所述第一介電層與所述基底的所述第一表面間隔開，其中所述高功函數層的所述金屬從所述高功函數層的接觸所述第一介電層的第一側延伸到所述高功函數層的接觸所述第二介電層的第二側。
如請求項1所述的積體裝置，其中所述第二介電層的第二部分接觸所述第一介電層。
如請求項1所述的積體裝置，其中所述第二介電層的所述第一部分延伸於所述絕緣填充物之下。
一種積體裝置，包括： <br/>基底，包括第一表面和第二表面； <br/>第一介電層，在所述第一表面上，向所述第二表面延伸並包括內部側壁； <br/>高功函數層，襯覆所述第一介電層的內部側壁並包括內部側壁； <br/>第二介電層，襯覆所述高功函數層的所述內部側壁；以及 <br/>絕緣填充物，延伸於所述第二介電層的所述內部側壁之間； <br/>其中所述高功函數層具有大於5電子伏特的功函數。
如請求項6所述的積體裝置，其中所述第一介電層還包括位於所述基底的所述第一表面和所述第二表面之間的第一部分，以及通過所述基底的所述第一表面與所述第二表面間隔開的第二部分，其中所述第一介電層具有與所述基底的所述第一表面朝向相同方向的第一外表面，且其中所述第二介電層在與所述第一外表面實質上平行的方向上與所述第一外表面間隔開。
如請求項6所述的積體裝置，更包括所述基底的包含p型摻雜物的摻雜區，其中所述第一介電層的第一部分延伸於所述第一表面和所述摻雜區之間，其中所述第一介電層的第二部分延伸進入所述摻雜區。
一種形成積體裝置的方法，包括： <br/>在基底內形成多個光偵測器； <br/>在所述基底上形成多個傳輸電晶體； <br/>在所述傳輸電晶體上形成互連結構，所述互連結構包括延伸至所述傳輸電晶體的接點； <br/>在所述基底的第一表面上蝕刻多個溝槽進入所述基底，所述基底的所述第一表面背向所述互連結構； <br/>在所述基底的所述第一表面上沉積第一介電層並襯覆所述多個溝槽的內部側壁； <br/>在所述基底的所述第一表面上形成包含金屬或金屬氧化物的高功函數層並覆蓋所述第一介電層的所述內部側壁的第一部分；以及 <br/>將絕緣填充物沉積到所述多個溝槽中，填充所述多個溝槽。
如請求項9所述的方法，更包括： <br/>在沉積所述絕緣填充物後，移除所述高功函數層延伸超過所述基底的所述第一表面的部分，其中在形成所述高功函數層之後且在將所述絕緣填充物沉積到所述多個溝槽之前，所述第一介電層的所述內部側壁的第二部分被暴露；以及 <br/>其中在沉積所述絕緣填充物後移除所述高功函數層延伸超過所述基底的所述第一表面的部分，導致所述高功函數層包含環繞所述多個光偵測器的多個電氣隔離環。
一種逃生塔，其用以設置於一地面，該逃生塔包含： <br/>一主體，其設置於該地面且向上延伸，該主體形成有一內部空間，該內部空間與該地面保持一距離；以及 <br/>一錨定系統，其固接於該主體，且固接於該地面；該錨定系統包含： <br/>多個第一錨定樁，其固設於該地面； <br/>多條主錨索，各該主錨索的其中一端連接於該主體的頂部，且另一端連接於其中一該第一錨定樁； <br/>一圍束腰索，其沿水平方向環繞該主體且連接於該等主錨索；及 <br/>多條水平拉索，各該水平拉索的兩端分別連接於該圍束腰索與其中一該主錨索之相連處和該主體，且各該主錨索與該圍束腰索的相連處連接兩條該水平拉索，各該水平拉索之兩端的高度位置相同。
如請求項1所述之逃生塔，其中，該主體包含： <br/>一組立組件，其圍繞該內部空間，且從該地面往上延伸；以及 <br/>多個平台，其連接於該組立組件，該等平台彼此之間間隔設置，且沿該組立組件的高度方向排列。
如請求項2所述之逃生塔，其中，該組立組件形成有多個穿孔，各該穿孔連通該內部空間及該主體的外部。
如請求項1至3中任一項所述之逃生塔，其中，該等主錨索的數量為八條且環繞該主體，該等主錨索兩兩一組且各組之中的兩該主錨索分別連接於該主體的相對兩側並朝遠離彼此的方向延伸。
如請求項1至3中任一項所述之逃生塔，其中，該錨定系統進一步具有： <br/>多條內斜拉索，各該內斜拉索的兩端分別連接於該主體及其中一該主錨索；各該主錨索的兩相異位置分別連接兩條該內斜拉索，且該兩內斜拉索連接於該主體的同一位置，且該兩內斜拉索連接該主體的位置在高度方向上位於該兩內斜拉索連接於該主錨索的兩位置之間。
如請求項1至3中任一項所述之逃生塔，其中，該錨定系統進一步具有： <br/>多條外斜拉索，各該外斜拉索之兩端分別連接於相鄰的兩該主錨索，且各該外斜拉索之兩端的高度位置不相同。
如請求項1至3中任一項所述之逃生塔，其進一步具有： <br/>一滑索，其一端連接於該主體的頂部；以及 <br/>一逃生器，其設置於該滑索，且能沿該滑索移動。
一種液冷式熱交換裝置，係透過液體進行熱交換來達到散熱功能，該液冷式熱交換裝置主要包含有：一蓋體模組，其一側面係分別設有一第一貫孔與一第二貫孔，而該第一貫孔連通組設一第一管體，且該第二貫孔連通組設一第二管體；一底座模組，係組設於該蓋體模組另一側面；一導流板體，係組設且容置於該蓋體模組與該底座模組之間，該導流板體並具有陣列設置之複數導入孔與相鄰接之複數導出孔；一間隔單元，係組設於該導流板體與該蓋體模組之間，其中，該間隔單元使該導流板體與該蓋體模組間形成一第一空間與相鄰接一第二空間；以及一散熱模組，係設有複數凸出部、複數凹入部與複數連通部，而該等凸出部與該等凹入部係沿相同一方向交錯設置，且每一該凸出部並設有該等連通部與相鄰之該等凹入部相互連通，而該散熱模組沿一第一方向設有複數連接部，每一該連接部沿該第一方向連接朝一第二方向凸設之該等凸出部；其中，液體自該第一管體流入並依序流經該第一空間、一第三空間與該第二空間，再自該第二管體流出；其中，液體係自該散熱模組之該等連接部端所對應之該等導入孔流入至該第三空間，並使液體經該第三空間之該散熱模組再由該等導出孔而流至該第二空間；其中，該等導流板體於該等導入孔與該等導出孔間凸設有該間隔單元。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該散熱模組對應該導出孔之位置係各設有具鏤空結構之一導出部。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，相鄰接之二該連接部間並設有複數直立部，該等直立部設於相鄰二該連接部之該等凸出部與該等凹入部之間，並使相鄰之二該連接部間隔形成該等連通部。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該間隔單元係為一框體且採焊接方式結合於該導流板體與該蓋體模組之間。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該間隔單元係凸設形成於該等導入孔與該等導出孔間之隔板結構，該間隔單元使該蓋體模組與該導流板體間形成該第一空間與該第二空間。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該第一貫孔與該第二貫孔投影到該導流板體時並不會與該等導入孔其中之一者或該等導出孔其中之一者重疊。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該等導入孔係採陣列分佈或採不規則分佈其中之一者設置，而該等導入孔具有之每一導入徑寬係小於或等於該等導出孔具有之每一導出徑寬但大於零。
如請求項1所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該第一管體與該第二管體間連接有一冷卻散熱模組。
如請求項8所述之液冷式熱交換裝置，進一步地，該冷卻散熱模組係包含有一液泵單元、一冷卻單元與一貯液單元，而該液泵單元一端連接該冷卻單元，其另端連接該貯液單元，使由該第二管體輸送之液體經該冷卻單元降低其溫度後，再經該液泵單元輸送至該貯液單元，並使該貯液單元所容置之液體再輸送至該第一管體。
一種清潔設備，用以清潔具有複數探針之測試座，係包括：機台；伸縮模組，設於該機台上並可相對該機台移動，以凸伸出及沒入於該機台；光學模組，設於該伸縮模組中；以及雷射模組，設於該機台上並提供雷射光束經該光學模組至該測試座。
如請求項1所述之清潔設備，其中，該機台係進行三維方向之運動。
如請求項1所述之清潔設備，其中，該伸縮模組具有用以容設該光學模組之腔室。
如請求項1所述之清潔設備，其中，該光學模組包含有第一光學透鏡、第二光學透鏡及第三光學透鏡，且該第一光學透鏡設於該機台上，該第二光學透鏡及該第三光學透鏡設於該伸縮模組上。
如請求項4所述之清潔設備，其中，該第一光學透鏡為反射鏡，該第二光學透鏡為聚焦透鏡，且該第三光學透鏡為反射鏡。
如請求項1所述之清潔設備，其中，該伸縮模組凸伸至該複數探針之上方，以透過該雷射光束對該複數探針進行清潔。
一種清潔方法，用以清潔具有複數探針之測試座，係包括：提供一清潔設備，其包含機台、設於該機台上並可相對該機台移動以凸伸出及沒入於該機台之伸縮模組、設於該伸縮模組中之光學模組以及設於該機台上以提供雷射光束至該光學模組之雷射模組；令該伸縮模組自該機台凸伸出而位於該測試座上方；以及令該雷射模組提供雷射光束，以由該光學模組導引該雷射光束對該複數探針進行清潔。
如請求項7所述之清潔方法，復包括在完成該複數探針之清潔後，關閉該雷射模組。
如請求項8所述之清潔方法，復包括縮回該伸縮模組以收納於該機台。
如請求項7所述之清潔方法，其中，該機台係進行三維方向之運動。
如請求項7所述之清潔方法，其中，該伸縮模組具有用以容設該光學模組之腔室。
如請求項11所述之清潔方法，其中，該光學模組包含有第一光學透鏡、第二光學透鏡及第三光學透鏡，且該第一光學透鏡設於該機台上，該第二光學透鏡及該第三光學透鏡設於該伸縮模組上。
如請求項12所述之清潔方法，其中，該第一光學透鏡為反射鏡，該第二光學透鏡為聚焦透鏡，且該第三光學透鏡為反射鏡。
一種電池狀態估測系統，包含： <br/>一量測裝置，用以量測一電池之一電池充放電電流、一電池端電壓、一表面溫度量測值及一周邊溫度量測值；以及 <br/>一處理裝置，連接該量測裝置，並取得該電池充放電電流、該電池端電壓、該表面溫度量測值及該周邊溫度量測值，該處理裝置經配置以實施包含以下的操作： <br/>對該電池充放電電流與該電池端電壓執行一發熱量估測操作而產生一電池發熱量； <br/>執行一表面溫度觀測操作，其中該表面溫度觀測操作包含觀測該電池發熱量、該表面溫度量測值及該周邊溫度量測值以建立一表面溫度觀測模型並產生一表面溫度誤差值，該表面溫度觀測模型包含複數適應性參數及一適應性控制項； <br/>對該表面溫度誤差值執行一滑動模式操作而定義一滑動函數，並基於該滑動函數定義複數參數誤差方程式及一控制輸入方程式； <br/>執行一適應性控制操作，其中該適應性控制操作透過該些參數誤差方程式及該控制輸入方程式分別更新該些適應性參數及該適應性控制項，並在一有限時間內穩定該滑動函數，以使該些參數誤差方程式在該有限時間內進行收斂而產生複數估計參數；及 <br/>對該些估計參數執行一電池狀態計算操作而估測該電池之一電池狀態。
如請求項1所述之電池狀態估測系統，其中該發熱量估測操作包含一內阻值推估操作與一發熱量計算操作，該內阻值推估操作包含根據該電池充放電電流與該電池端電壓推估一電池內阻值，該發熱量計算操作包含將該電池內阻值與該電池充放電電流進行計算而產生該電池發熱量。
如請求項1所述之電池狀態估測系統，其中該表面溫度觀測模型更包含該電池發熱量與一表面溫度估測值，且符合下列式子： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="110px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該表面溫度估測值， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>對該表面溫度估測值進行一次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對該表面溫度估測值進行二次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該些適應性參數， <img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該適應性控制項， <img align="absmiddle" height="16px" width="8px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該電池發熱量； <br/>其中，該表面溫度觀測操作更包含對該表面溫度估測值與該表面溫度量測值進行計算而產生該表面溫度誤差值。
如請求項1所述之電池狀態估測系統，其中該滑動函數包含該表面溫度誤差值與一控制增益，且符合下列式子： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="44px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中， <img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該滑動函數， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該表面溫度誤差值， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>對該表面溫度誤差值進行一次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>該控制增益； <br/>其中，該滑動模式操作包含驅使該些參數誤差方程式進入一滑動模式，當該些參數誤差方程式進入該滑動模式時，該滑動函數到達一滑動面，該滑動面為0； <br/>其中，該滑動模式操作更包含透過一李亞普諾夫函數(Lyapunov Function)確認該些參數誤差方程式進入該滑動模式。
如請求項1所述之電池狀態估測系統，其中該電池狀態計算操作包含一電池熱阻計算操作與一核心溫度計算操作，該電池熱阻計算操作包含將該些估計參數進行計算而產生該電池狀態之一表面至環境熱阻或一核心到表面熱阻，該核心溫度計算操作包含將該些估計參數進行計算而產生該電池狀態之一核心溫度值。
一種電池狀態估測方法，包含： <br/>藉由一量測裝置量測一電池之一電池充放電電流、一電池端電壓、一表面溫度量測值及一周邊溫度量測值； <br/>藉由一處理裝置對該電池充放電電流與該電池端電壓執行一發熱量估測操作而產生一電池發熱量； <br/>藉由該處理裝置執行一表面溫度觀測操作，其中該表面溫度觀測操作包含觀測該電池發熱量、該表面溫度量測值及該周邊溫度量測值以建立一表面溫度觀測模型並產生一表面溫度誤差值，該表面溫度觀測模型包含複數適應性參數及一適應性控制項； <br/>藉由該處理裝置對該表面溫度誤差值執行一滑動模式操作而定義一滑動函數，並基於該滑動函數定義複數參數誤差方程式及一控制輸入方程式； <br/>藉由該處理裝置執行一適應性控制操作，其中該適應性控制操作透過該些參數誤差方程式及該控制輸入方程式分別更新該些適應性參數及該適應性控制項，並在一有限時間內穩定該滑動函數，以使該些參數誤差方程式在該有限時間內進行收斂而產生複數估計參數；以及 <br/>藉由該處理裝置對該些估計參數執行一電池狀態計算操作而估測該電池之一電池狀態。
如請求項6所述之電池狀態估測方法，其中該發熱量估測操作包含一內阻值推估操作與一發熱量計算操作，該內阻值推估操作包含根據該電池充放電電流與該電池端電壓推估一電池內阻值，該發熱量計算操作包含將該電池內阻值與該電池充放電電流進行計算而產生該電池發熱量。
如請求項6所述之電池狀態估測方法，其中該表面溫度觀測模型更包含該電池發熱量與一表面溫度估測值，且符合下列式子： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="110px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該表面溫度估測值， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>對該表面溫度估測值進行一次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對該表面溫度估測值進行二次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <img align="absmiddle" height="16px" width="7px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該些適應性參數， <img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該適應性控制項， <img align="absmiddle" height="16px" width="8px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該電池發熱量； <br/>其中，該表面溫度觀測操作更包含對該表面溫度估測值與該表面溫度量測值進行計算而產生該表面溫度誤差值。
如請求項6所述之電池狀態估測方法，其中該滑動函數包含該表面溫度誤差值與一控制增益，且符合下列式子： <br/><img align="absmiddle" height="16px" width="44px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中， <img align="absmiddle" height="16px" width="4px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該滑動函數， <img align="absmiddle" height="16px" width="6px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該表面溫度誤差值， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>對該表面溫度誤差值進行一次微分， <img align="absmiddle" height="16px" width="20px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>該控制增益； <br/>其中，該滑動模式操作包含驅使該些參數誤差方程式進入一滑動模式，當該些參數誤差方程式進入該滑動模式時，該滑動函數到達一滑動面，該滑動面為0； <br/>其中，該滑動模式操作更包含透過一李亞普諾夫函數(Lyapunov Function)確認該些參數誤差方程式進入該滑動模式。
如請求項6所述之電池狀態估測方法，其中該電池狀態計算操作包含一電池熱阻計算操作與一核心溫度計算操作，該電池熱阻計算操作包含將該些估計參數進行計算而產生該電池狀態之一表面至環境熱阻或一核心到表面熱阻，該核心溫度計算操作包含將該些估計參數進行計算而產生該電池狀態之一核心溫度值。
一種電壓產生電路，包含： <br/>分壓電路； <br/>第一電流路徑，與該分壓電路並聯於第一節點與第二節點之間，該第一節點被連接至電源線，該電源線被組態以供給第一電壓，該第一電流路徑包含第一電晶體； <br/>第二電流路徑，與該分壓電路並聯於第三節點與第四節點之間，該第三節點與該第二節點不同，該第四節點連接至接地，該接地被組態以供給第二電壓，該第二電流路徑包含第二電晶體； <br/>第一輸出端子連接至該第二節點； <br/>第二輸出端子連接至該第三節點；及 <br/>切換電路，被組態以藉由使用該第一電晶體與該第二電晶體，根據該第一電壓與該第二電壓，切換該第一電流路徑與該第二電流路徑的連接，其中 <br/>該第一節點、該第二節點、該第三節點、與該第四節點與該分壓電路串聯。
如請求項1的電壓產生電路，其中： <br/>當等於或低於元件耐壓的電壓被供給作為該第一電壓時，該切換電路被組態以： <br/>導通在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以將該第一節點透過該第一電流路徑連接至該第一輸出端子，及 <br/>導通在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以將該第四節點透過該第二電流路徑連接至該第二輸出端子。
如請求項1的電壓產生電路，其中： <br/>當高於元件耐壓的電壓被供給作為該第一電壓時，該切換電路被組態以： <br/>關斷在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以斷開透過該第一電流路徑的該第一節點與該第一輸出端子，及 <br/>關斷在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以斷開透過該第二電流路徑的該第四節點與該第二輸出端子。
如請求項1的電壓產生電路，更包含： <br/>被供給有第三電壓的偏壓電路，其中當未供給該第一電壓而是供給該第三電壓時，該切換電路被組態以： <br/>關斷在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以斷開透過該第一電流路徑的該第一節點與該第一輸出端子，及 <br/>關斷在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以斷開透過該第二電流路徑的該第四節點與該第二輸出端子。
如請求項4的電壓產生電路，其中： <br/>該分壓電路包含第一電阻， <br/>該第三電壓由該第一輸出端子輸出，及 <br/>該第三電壓係透過該第一電阻由該第二輸出端子輸出。
一種半導體裝置，包含： <br/>如請求項1的電壓產生電路；及 <br/>介面電路，其包含處理電路被組態以與主機通訊資料，及從該電壓產生電路供給電源電壓至該處理電路中的元件。
如請求項6的半導體裝置，其中： <br/>當等於或低於元件耐壓的電壓被供給作為該第一電壓時，該切換電路被組態以： <br/>導通在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以將該第一節點透過該第一電流路徑連接至該第一輸出端子，及 <br/>導通在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以將該第四節點透過該第二電流路徑連接至該第二輸出端子。
如請求項6的半導體裝置，其中： <br/>當高於元件耐壓的電壓被供給作為該第一電壓時，該切換電路被組態以： <br/>關斷在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以斷開透過該第一電流路徑的該第一節點與該第一輸出端子，及 <br/>關斷在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以斷開透過該第二電流路徑的該第四節點與該第二輸出端子。
如請求項6的半導體裝置，其中該電壓產生電路更包含被供給有第三電壓的偏壓電路，及 <br/>當未供給該第一電壓而是供給該第三電壓時，該切換電路被組態以： <br/>關斷在該第一電流路徑中之該第一電晶體，以斷開透過該第一電流路徑的該第一節點與該第一輸出端子，及 <br/>關斷在該第二電流路徑中之該第二電晶體，以斷開透過該第二電流路徑的該第四節點與該第二輸出端子。
如請求項9的半導體裝置，其中： <br/>該分壓電路包含第一電阻， <br/>該第三電壓由該第一輸出端子輸出，及 <br/>該第三電壓係透過該第一電阻由該第二輸出端子輸出。
一種半導體製程腔室，其包括腔室本體、頂蓋、氣體純化組件、第一管道以及位於該第一管道兩端的第一開關閥，其中： <br/>該頂蓋設於該腔室本體，且用於與該腔室本體圍成製程內腔，該半導體製程腔室具有依次貫穿該腔室本體和該頂蓋的第一輸氣通道，且該第一輸氣通道與該製程內腔相互隔離，該頂蓋具有與該製程內腔連通的第二輸氣通道； <br/>該氣體純化組件包括第二管道、設於該第二管道的第二開關閥以及設於該第二管道且位於該第二開關閥下游的純化器； <br/>該第一管道和該第二管道並聯設置，且在該頂蓋的位置處均連通於該第一輸氣通道與第二輸氣通道之間； <br/>該第一輸氣通道用於通過該第一管道或該第二管道向該製程內腔提供氣體。
如請求項1所述的半導體製程腔室，其中，該氣體純化組件還包括減壓閥和壓力感測器，該減壓閥和該壓力感測器均設於該第二管道，且均位於該純化器上游。
如請求項2所述的半導體製程腔室，其中，該半導體製程腔室還包括控制器，該控制器用於根據該壓力感測器檢測的該第二管道內氣體的實際壓力控制該減壓閥的開度，以使流經該純化器的該氣體的壓力位於預設壓力範圍內。
如請求項3所述的半導體製程腔室，其中，該氣體純化組件還包括流量控制器，該流量控制器設於該第二管道，且位於該純化器的上游，該流量控制器用於控制流經該純化器的該氣體的流量。
如請求項4所述的半導體製程腔室，其中，該氣體純化組件還包括溫度檢測裝置，該溫度檢測裝置用於檢測該純化器的實際溫度； <br/>該控制器還用於根據該溫度檢測裝置檢測的該實際溫度控制該流量控制器的開度。
如請求項1所述的半導體製程腔室，其中，該氣體純化組件還包括篩檢程序，該篩檢程序設於該第二管道，且位於該純化器的上游，用於過濾流經該第二管道的氣體中的顆粒物。
如請求項1所述的半導體製程腔室，其中，該氣體純化組件還包括設於該第二管道的第三開關閥，該第三開關閥位於該純化器的下游。
一種應用於半導體製程腔室的控制方法，其中，該半導體製程腔室為請求項1所述的半導體製程腔室，該控制方法包括： <br/>在打開該頂蓋之前，控制該第一開關閥和該第二開關閥均關閉； <br/>在關閉該頂蓋後，控制該第二開關閥開啟，並向該第一輸氣通道內輸送該氣體，以使該氣體經過該第一輸氣通道進入該第二管道，並經過該純化器後通過該第二輸氣通道進入該製程內腔。
如請求項8所述的控制方法，其中，該氣體純化組件還包括流量控制器，該流量控制器設於該第二管道，且位於該純化器的上游； <br/>在所述控制該第二開關閥開啟之前，該控制方法還包括： <br/>關閉該流量控制器； <br/>在所述控制該第二開關閥開啟之後，該控制方法還包括： <br/>控制該流量控制器的開度逐漸增大至第一預設開度閾值。
如請求項9所述的控制方法，其中，該氣體純化組件還包括溫度檢測裝置，該溫度檢測裝置用於檢測該純化器的實際溫度； <br/>所述控制該流量控制器的開度逐漸增大至第一預設開度閾值，包括： <br/>控制該流量控制器的開度增大第一開度值； <br/>判斷在增大該第一開度值後的第一預設時長內該實際溫度是否小於預設溫度閾值； <br/>在增大該第一開度值後的該第一預設時長內該實際溫度小於該預設溫度閾值時，返回執行控制該流量控制器的開度增大第一開度值的步驟，直至該流量控制器的開度增大至該第一預設開度閾值。
如請求項10所述的控制方法，其中，該控制方法還包括： <br/>在增大該第一開度值後的該第一預設時長內該實際溫度大於或等於該預設溫度閾值時，控制該流量控制器減小第二開度值； <br/>判斷在減小該第二開度值後的第二預設時長內該實際溫度是否小於該預設溫度閾值； <br/>在減小該第二開度值後的該第二預設時長內該實際溫度小於該預設溫度閾值時，返回執行控制該流量控制器的開度增大第一開度值的步驟； <br/>在減小該第二開度值後的該第二預設時長內該實際溫度大於或等於該預設溫度閾值時，返回執行控制該流量控制器減小第二開度值的步驟，直至在減小該第二開度值後的該第二預設時長內該實際溫度小於該預設溫度閾值。
如請求項8所述的控制方法，其中，該氣體純化組件還包括減壓閥和壓力感測器，該減壓閥和該壓力感測器均設於該第二管道，且均位於該純化器的上游； <br/>在所述控制該第二開關閥開啟之前，該控制方法還包括： <br/>控制該減壓閥的開度處於最小值； <br/>在所述控制該第二開關閥開啟之後，該控制方法還包括： <br/>根據該壓力感測器檢測的該第二管道內該氣體的實際壓力，控制該減壓閥的開度，以使流經該純化器的該氣體的壓力位於預設壓力範圍內。
一種矽控整流器佈局結構，包括： <br/>基板； <br/>多個陰極主動區，設置於該基板內； <br/>多個陽極主動區，設置於該基板內，且該多個陽極主動區與該多個陰極主動區交替分布； <br/>多個觸發節點，設置在與每個該陰極主動區的兩側相鄰的該基板內，且位於不同側的該多個觸發節點彼此交錯配置；以及 <br/>隔離結構，設置於該多個觸發節點與每個該陰極主動區之間。
如請求項1所述的矽控整流器佈局結構，其中該多個觸發節點與每個該陰極主動區相接。
如請求項1所述的矽控整流器佈局結構，其中與每個該陰極主動區的第一側相鄰的該多個觸發節點的數量少於與每個該陰極主動區的第二側相鄰的該多個觸發節點的數量，該第一側相對於該第二側。
如請求項1所述的矽控整流器佈局結構，其中與每個該陰極主動區的第一側相鄰的該多個觸發節點的數量多於與每個該陰極主動區的第二側相鄰的該多個觸發節點的數量，該第一側相對於該第二側。
如請求項1所述的矽控整流器佈局結構，其中在俯視圖中，該多個陰極主動區沿第一方向延伸，且該多個陽極主動區也沿該第一方向延伸。
如請求項5所述的矽控整流器佈局結構，其中在該俯視圖中，位於不同側的該多個觸發節點在第二方向上彼此交錯，該第二方向垂直於該第一方向。
如請求項6所述的矽控整流器佈局結構，其中位於不同側的該多個觸發節點在該第二方向上不重疊。
如請求項6所述的矽控整流器佈局結構，其中位於不同側的該多個觸發節點在該第二方向上部分重疊。
如請求項6所述的矽控整流器佈局結構，其中位於不同側的該多個觸發節點的邊緣在該第二方向上彼此切齊。
一種矽控整流器佈局結構，包括： <br/>基板，具有交替分布的多個第一主動區與多個第二主動區； <br/>第一P+區，設置於該多個第一主動區內； <br/>P井區，設置於該多個第二主動區； <br/>多個第一N+區，設置在與該P井區的兩側的該多個第二主動區內，且位於不同側的該多個第一N+區彼此交錯配置，其中該多個第一N+區作為矽控整流器之觸發節點(trigger node)； <br/>第二P+區，設置於該P井區內； <br/>第二N+區，設置於該第二P+區的第一側的該P井區內；以及 <br/>第三N+區，設置於該第二P+區的第二側的該P井區內，其中該第二P+區的該第一側相對於該第二P+區的該第二側。
如請求項10所述的矽控整流器佈局結構，其中該多個第一N+區與該P井區相接。
如請求項10所述的矽控整流器佈局結構，更包括隔離結構，以使該多個第一N+區與該P井區內的該第二N+區或該第三N+區隔開。
如請求項10所述的矽控整流器佈局結構，其中位在該P井區的第一側的該多個第一N+區的數量少於位在該P井區的第二側的該多個第一N+區的數量，其中該P井區的該第一側相對於該P井區的該第二側。
如請求項10所述的矽控整流器佈局結構，其中位在該P井區的第一側的該多個第一N+區的數量多於位在該P井區的第二側的該多個第一N+區的數量，其中該P井區的該第一側相對於該P井區的該第二側。
如請求項10所述的矽控整流器佈局結構，其中在俯視圖中，該第一P+區沿第一方向延伸，且該第二P+區也沿該第一方向延伸。
如請求項15所述的矽控整流器佈局結構，其中在該俯視圖中，位於不同側的該多個第一N+區在第二方向上彼此交錯，且該第二方向垂直於該第一方向。
一種醫學圖像分析方法，應用於電子設備，其中，所述方法包括：<br/> 獲取第一模型對醫學圖像的分類結果，及第二模型對所述醫學圖像的檢測結果，其中所述分類結果包括疾病的第一疾病等級及所述第一疾病等級的第一概率，所述檢測結果包括病灶情報及所述病灶情報的置信度，所述病灶情報包括病灶類型與病灶位置；<br/> 依據疾病分級規則確定所述檢測結果對應的第二疾病等級；<br/> 根據關鍵病灶規則確定所述第二疾病等級的關鍵病灶類型，依據所述關鍵病灶類型對應的所述病灶情報的置信度，確定所述檢測結果對應的第二概率；<br/> 依據所述第一疾病等級與所述第二疾病等級的匹配情形，確定所述醫學圖像的分析步驟，包括：<br/> 在所述第一疾病等級與所述第二疾病等級不匹配的情形下，將所述第一概率與第一預設值進行比較，在所述第一概率小於所述第一預設值時，將所述第二概率與第二預設值進行比較，若所述第一概率大於或等於所述第一預設值，或者若所述第一概率小於所述第一預設值且所述第二概率小於所述第二預設值，根據所述第一疾病等級與所述第二疾病等級之間的差異，調整所述檢測結果，得到更正檢測結果，並根據所述第一疾病等級及所述更正檢測結果，確定所述醫學圖像的分析結果。
如請求項1所述的醫學圖像分析方法，其中，所述依據所述關鍵病灶類型對應的所述病灶情報的置信度，確定所述檢測結果對應的第二概率包括：<br/> 若所述關鍵病灶類型為複數，從複數關鍵病灶類型對應的所有置信度中確定最高的置信度，根據所述最高的置信度確定所述第二概率；<br/> 若所述關鍵病灶類型為單個，將所述關鍵病灶類型對應的置信度確定為所述第二概率。
如請求項1所述的醫學圖像分析方法，其中，所述根據所述第一疾病等級與所述第二疾病等級之間的差異，調整所述檢測結果，得到更正檢測結果包括：<br/> 若所述第一疾病等級高於所述第二疾病等級，從所述第一疾病等級對應的病灶類型中排除所述第二疾病等級對應的病灶類型後，獲得其餘病灶類型；對所述其餘病灶類型中每個病灶類型對應的置信度進行調整，直至獲得滿足預設條件的置信度；根據滿足所述預設條件的置信度、滿足所述預設條件的置信度對應的病灶類型與病灶位置，確定所述更正檢測結果；<br/> 若所述第一疾病等級低於所述第二疾病等級，根據所述第一疾病等級對應的病灶類型、病灶位置與置信度，確定所述更正檢測結果。
如請求項1所述的醫學圖像分析方法，其中，若所述第一概率小於所述第一預設值且所述第二概率大於或等於所述第二預設值，執行以下分析步驟：<br/> 根據所述第二疾病等級及所述檢測結果，確定所述醫學圖像的分析結果。
如請求項1所述的醫學圖像分析方法，其中，所述依據疾病分級規則確定所述檢測結果對應的第二疾病等級包括：<br/> 將所述檢測結果與複數預設疾病等級對應的病灶資訊進行比對，確定所述第二疾病等級，其中所述病灶資訊包括預設病灶類型及預設病灶類型的病灶位置。
如請求項5所述的醫學圖像分析方法，其中，若所述第二疾病等級為所述複數預設疾病等級中最低的預設疾病等級，則所述第二疾病等級的關鍵病灶類型為所述第二疾病等級對應的預設病灶類型，若所述第二疾病等級不為所述最低的預設疾病等級，則所述第二疾病等級的關鍵病灶類型包括從所述第二疾病等級對應的預設病灶類型中排除所述第二疾病等級的前一個預設疾病等級對應的預設病灶類型後剩餘的預設病灶類型。
如請求項1所述的醫學圖像分析方法，其中，在所述第一疾病等級與所述第二疾病等級匹配的情形下，執行以下分析步驟：<br/> 根據所述檢測結果、所述第一疾病等級或所述第二疾病等級，確定所述醫學圖像的分析結果。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括：<br/> 記憶體，儲存至少一個指令；及處理器，執行所述記憶體中儲存的指令以實現如請求項1至7中任意一項所述的醫學圖像分析方法。
一種電腦可讀儲存介質，其中，所述電腦可讀儲存介質上儲存有電腦程式，所述電腦程式被電子設備中的處理器執行時實現如請求項1至7中任意一項所述的醫學圖像分析方法。
一種伸縮式吸水浮座之結構裝置，主要係包含一底座本體、一伸縮桿、一浮筒結構體所構成，該底座本體，係由圓盤座體、連通管和L型通管所組成，其中：圓盤座體，係一體成形而具有一圓盤座體、軸桿體和連通體等部位之結構體，而該軸桿體內部具有一直立通孔，連通體內部也具有一斜通孔，而該直立通孔和斜通孔係呈相互交叉相通狀；而該連通管則係呈一桿體狀，其中間處部位具有一六角塊體，而在該六角塊體上方段則具有一上螺桿部，其端部則具有一通孔道，在該通孔道的端部內側，則具有一內環道，在下方段則具有一下螺桿部，而該下螺桿部係螺固在圓盤座體之軸桿體的內部螺紋孔內而和圓盤座體組裝形成一體狀；而L型通管其一端呈錐形階級部，中央具有一出口部之孔洞，另一端則呈一螺紋桿部，該螺紋桿部係可螺固在該圓盤座體之連通體內之螺紋孔部內，而和圓盤座體組裝形成一體狀；伸縮桿，係呈一中空圓長條形狀，其中央具有一通孔道，在通孔道靠端口內側，則具有一內環道，而在下端部具有一ㄇ型孔，而在靠近該ㄇ型孔上方適當處，則具有一凸環，而該伸縮桿係可整體套插入底座本體上之軸桿體的通孔道內；浮筒結構體，係由阻擋杯體、十字連接體、螺固片體、桿體、4個浮筒體、4個螺桿、4個墊片和4個螺帽所組成，其中，該阻擋杯體係由複數個L型阻擋片以固定間隔部陣列向上分佈，以使整體形成一U形狀體，在該U形狀體的中央底部處具有一圓形孔；十字連接體，其中央處具有一圓弧部，該圓弧部係可容置阻擋杯體，而在該圓弧部上下左右端各具有一呈90度直立狀之L型固定片，而該L型固定片的中央處則具有一孔槽，該孔槽係可容置阻擋杯體；螺固片體，係呈一六角形狀，其中央部位具有一螺紋孔；桿體，係呈一中空圓長條形狀，其中央具有一上通孔，在上端部處的外週圍具有一螺紋部，在下端部處則具有一ㄇ型孔，而在靠近該ㄇ型孔上方適當處，則具有一凸環，該桿體頂端所具有之桿紋部，係可穿過十字連接體之中央底部的孔槽，接著還可穿過阻擋杯體底部中央的圓形孔，放置在十字連接體中央底部的圓弧部上，並可使螺固片體旋入桿體頂端所具有之桿紋部，即可使阻擋杯體、十字連接體螺固在桿件頂端上，而該桿體係可套入伸縮桿之通孔道內，進而藉由該伸縮桿在套插入底座本體上之軸桿體的通孔道內時，同步可使該桿體可和底座本體作結合；浮筒體，係呈一中空短條圓形體狀，其二端面處各具有一如倒角之弧形狀，中央處則具有一通孔，該通孔可利用螺桿、墊片穿過後，再行穿過十字連接體之L型固定片的孔槽內，並利用螺帽螺入螺桿入而可將浮筒體固定在十字連接體的L型固定片上；藉由上述之結構裝置，當吸水浮座結構放置在欲進行分離切削液槽內之混合有廢棄油質和鐵屑進之使用過的切削液，而要吸取較乾淨之切削液時以作二次使用時，只要將該吸水浮座結構置於該切削液槽內，則吸水浮座結構除會使該浮筒結構體會持續飄浮在液面上，並使其上之下通孔可置於廢棄油質下方而位在切削液面層外，該浮筒結構體下方之伸縮桿和底座本體，則會自動伸展，而使底座本體自動下沈而置於切削液槽內的底部，至使當泵浦作動下，該浮筒結構體中央之下通孔除會僅自動吸入較無雜質之切削液而經由伸縮桿內、底座本體內之ㄇ型孔而從套設在L型通管上之軟管而流入回收槽內外，其浮筒結構體上之阻擋杯體也會自動阻擋切削液槽內浮於液面上之鐵屑進入下通孔，且該浮筒結構體之高度，也會自動隨著切削液面高度的變換而自動變換，以隨時保持使浮筒結構體均處於切削液面外，若浮筒結構體下降至使伸縮桿置於底座本體最底部時，則會因為其ㄇ型孔被阻斷而會自動停止吸取切削液的動作，反之則會自動進行吸取者。
一種肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板，其特徵在於：<br/> 前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板之化學組成以質量%計含有：<br/> C：0.050%以下、<br/> Si：2.00%以下、<br/> Mn：0.5~6.0%、<br/> P：0.0500%以下、<br/> S：0.0500%以下、<br/> N：0.08~0.30%、<br/> Cr：17.0~30.0%、<br/> Ni：0.1~8.0%、<br/> Mo：0.1~3.5%、<br/> Cu：0~3.0%<br/> Nb：0~0.100%、<br/> Sn：0~1.00%、<br/> W：0~1.00%、<br/> V：0~1.00%、<br/> Ti：0~0.050%、<br/> B：0~0.0050%、<br/> Ca：0~0.0050%、<br/> Mg：0~0.0050%、<br/> Al：0~0.0500%、及<br/> REM：0~0.500%，<br/> 剩餘部分為Fe及不純物；<br/> 下述式1所計算之PREN_Mn值為35.0以下；<br/> 前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板表面起算在板厚方向上0.5mm位置之沃斯田鐵相的面積分率為30~70%；<br/> 基於前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板表面起算在板厚方向上0.5mm位置之沃斯田鐵相中的組成並由下述式2所計算之Md30值為-150℃以上；<br/> 前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板表面起算在板厚方向上0.5mm位置之沃斯田鐵相的平均KAM值為1.0°以上；<br/> 針對前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板、以及對前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板施予1050℃×5min之固溶化熱處理後的樣品，分別實施依據ASTM G48E法的三氯化鐵CPT試驗，所求出之前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板之三氯化鐵CPT、以及施予固溶化熱處理後的前述樣品之三氯化鐵CPT，兩者之差值為10℃以下；<br/> 從前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板之板厚1/4的位置採取8φ×110L之試驗片，藉由均熱帶15mm之高頻加熱及非活性氣體冷卻，以30℃/s加熱至1360℃並均熱5秒後，以40℃/s冷卻至900℃後，隨即以11℃/s冷卻至600℃後，隨即以2℃/s冷卻至300℃後獲得樣品，針對所得樣品之均熱帶對半分割而得的剖面，實施基於JIS G0590的臨界孔蝕溫度(電化學CPT)試驗，此時，前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板之臨界孔蝕溫度、以及施予熱處理後的前述肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板之臨界孔蝕溫度，兩者之差值為15℃以下；<br/> PREN_Mn值＝Cr+3.3(Mo+0.5W)+16N-Mn…(式1)<br/> Md30值(℃)＝551-462(C+N)-9.2Si-8.1Mn<br/> -13.7Cr-29(Ni+Cu)-18.5Mo<br/> -68Nb …(式2)<br/> 其中，上述式1中之元素符號是鋼中所含之各元素的含有率(質量%)，式2之元素符號是沃斯田鐵相中所含之各元素的含有率(質量%)，若不含則代入0。
如請求項1的肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板，其中，前述化學組成以質量%計含有選自下列之1種以上：<br/> Cu：0.1~3.0%、<br/> Nb：0.010~0.100%、<br/> Sn：0.03~1.00%、<br/> W：0.01~1.00%、及<br/> V：0.01~1.00%。
如請求項1或2的肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板，其中，前述化學組成以質量%計含有選自下列之1種以上：<br/> Ti：0.005~0.050%、及<br/> B：0.0003~0.0050%。
如請求項1或2的肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板，其中，前述化學組成以質量%計含有選自下列之1種以上：<br/> Ca：0.0001~0.0050%、<br/> Mg：0.0001~0.0050%、<br/> Al：0.0030~0.0500%、及<br/> REM：0.005~0.500%。
如請求項1或2的肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板，其中，<br/> 下述式3所計算之DF值為70以下，<br/> 下述式4所計算之Md30_γ值為-150℃以上；<br/> DF值＝7.2×(Cr+0.88Mo+0.78Si)<br/> -8.9×(Ni+0.03Mn+0.72Cu+22C+21N)<br/> -44.9 …(式3)<br/> Md30_γ值＝702-175×C-190N-19.7Si-8.5Mn<br/> -27.0Cr-16.8Ni-21.0Cu-31.1Mo<br/> -74.8Nb …(式4)<br/> 其中，上述式3及4之元素符號是鋼中所含之各元素的含有率(質量%)，若不含則代入0。
一種肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板的製造方法，其特徵在於：<br/> 其是製造如請求項1的肥粒鐵-沃斯田鐵雙相不鏽鋼板的方法，並進行如下：<br/> 將950℃以下之軋縮率設為10%以上且40%以下，來將下述化學組成的鋼進行熱輥軋而獲得熱軋鋼板；<br/> 將前述熱軋鋼板在830℃以上進行氣冷10s以上後，將800℃至600℃之溫度區間的冷卻速度設為1.0℃/s以上來進行冷卻；及<br/> 以冷矯正後之0.2%降伏強度會比冷矯正前提高10MPa以上的條件，將前述熱軋鋼板進行冷矯正；<br/> 所述化學組成以質量%計含有：<br/> C：0.050%以下、<br/> Si：2.00%以下、<br/> Mn：0.5~6.0%、<br/> P：0.0500%以下、<br/> S：0.0500%以下、<br/> N：0.08~0.30%、<br/> Cr：17.0~30.0%、<br/> Ni：0.1~8.0%、<br/> Mo：0.1~3.5%、<br/> Cu：0~3.0%<br/> Nb：0~0.100%、<br/> Sn：0~1.00%、<br/> W：0~1.00%、<br/> V：0~1.00%、<br/> Ti：0~0.050%、<br/> B：0~0.0050%、<br/> Ca：0~0.0050%、<br/> Mg：0~0.0050%、<br/> Al：0~0.0500%、及<br/> REM：0~0.500%，<br/> 剩餘部分為Fe及不純物。
一種用於在一電子設備中管理一工作時間表之方法，其包括： <br/>獲得各工作群組之經估計工作負載資訊及補充人員資訊； <br/>基於該經估計工作負載資訊及該補充人員資訊，設定該各工作群組之員工之一目標出勤值；及 <br/>基於該目標出勤值及預定工作規則條件，產生該各工作群組之該等員工之一工作時間表， <br/>其中該產生一工作時間表包含： <br/>藉由設定該各工作群組之員工的休息日以滿足該等工作規則條件來產生一候選工作時間表； <br/>根據該各工作群組之該候選工作時間表來計算員工之一經估計出勤值； <br/>對於該各工作群組，計算該目標出勤值與該經估計出勤值之間的一差距； <br/>對於該各工作群組，重複該產生一候選工作時間表、該計算一經估計出勤值及該計算一差距預定次數； <br/>識別在作為該重複之結果計算的差距當中是否存在滿足一預定條件的一差距；及 <br/>若存在滿足該預定條件之一差距，則將對應於滿足該預定條件之該差距之一候選工作時間表判定為一最終工作時間表， <br/>且其中該判定一最終工作時間表包含，若存在滿足該預定條件之複數個差距，則將在對應於該複數個差距之各者之候選工作時間表當中之具有各員工之首選休息日之一最高反映比率的一候選工作時間表判定為該最終工作時間表。
如請求項1之方法，其中基於工時、一工作分支、一工作類型及一工作技能等級中之至少一者來判定該工作群組。
如請求項2之方法，其中該等工時包含一日班及一夜班， <br/>其中該工作類型包含一遞送工作及一分支中之一物流工作，且 <br/>其中該工作技能等級包含一新手狀態及一正常狀態。
如請求項1之方法，其中該經估計工作負載資訊包含各工作群組之每日經估計工作負載資訊，且 <br/>其中該補充人員資訊包含關於各工作群組之排除臨時招聘員工之每天之一人數的資訊。
如請求項1之方法，其中該等工作規則條件包含每週之一最少休息天數之條件、一最多連續工作天數之條件及各員工之首選休息日之條件中的至少一者， <br/>其中每週之一最少休息天數之該等條件包含每週對各員工准予至少兩個休息日， <br/>其中一最多連續工作天數之該等條件包含各員工之一連續工作天數不超過八天，且 <br/>其中各員工之首選休息日之該等條件包含每個月至少一次反映各員工之一首選休息日。
如請求項1之方法，其中該產生一工作時間表包含： <br/>若不存在滿足該等工作規則條件之工作時間表，則在考量在構成該等工作規則條件之詳細條件當中的優先級及在屬於同一工作群組之員工當中的優先級的情況下，排除該等詳細條件當中至少一些較低優先級之詳細條件；及 <br/>基於該目標出勤值及在該等詳細條件當中剩餘的詳細條件來產生該工作時間表。
如請求項1之方法，其中該重複係藉由一管理者所設定之批次數目來執行，且其中，當候選工作時間表的數目小於該批次數目，其執行可被產生之候選工作時間表的該數目。
如請求項1之方法，其中該識別包含： <br/>識別在作為該重複之結果計算的差距當中是否存在具有等於或小於一預定臨限值之一值的一差距；及 <br/>若存在具有等於或小於該臨限值之值的複數個差距，則將該複數個差距當中之具有一最小值的一差距判定為滿足該條件的一差距。
如請求項1之方法，其中該計算一經估計出勤值包含計算該各工作群組之一經估計出勤者人數或一經估計出勤百分比作為該經估計出勤值， <br/>其中基於該各工作群組之該經估計出勤者人數與一經估計可用人數之一比率來計算該經估計出勤百分比。
如請求項1之方法，進一步包括，若不存在滿足該預定條件之一差距，則重新執行該重複及該識別是否存在滿足該預定條件之一差距。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>接收來自一員工終端機之針對兩個員工之間之一休息日交換的一請求； <br/>識別針對該休息日交換之該請求是否有效； <br/>若針對該休息日交換之該請求係有效的，則藉由在該兩個員工之間交換休息日來更新該工作時間表；及 <br/>若針對該休息日交換之該請求係無效的，則對傳輸針對該休息日交換之該請求的該員工終端機提供指示不允許該兩個員工之間之該休息日交換的一信號。
如請求項11之方法，其中針對該休息日交換之該請求是否有效之該識別包括： <br/>若根據針對該休息日交換之經接收請求而更新之一工作時間表滿足一預定工作規則條件，或若當應用根據該經接收請求而更新之該工作時間表時而計算之一估計出勤值與該目標出勤值之間的差距滿足一預定條件，則判定針對該休息日交換之該請求為有效；及 <br/>若經指定為該休息日交換之主體之兩個員工之任一者係沒有資格獲得休息日交換之一員工，若針對該休息日交換請求之日期之任一者並非一休息日，或若該兩個員工屬於不同工作群組，則判定對該休息日交換之該請求為無效。
如請求項1之方法，進一步包括： <br/>接收來自對該工作時間表具有查詢權限之一管理者之針對該工作時間表之一修改請求； <br/>在該工作時間表中反映該修改請求； <br/>接收來自該管理者之針對該工作時間表之一確認命令；及 <br/>回應於根據該確認命令產生之一確認事件，將該工作時間表分配至一員工管理伺服器。
如請求項1之方法，進一步包括，若直至基於產生該工作時間表之一時間設定之截止期限之一時間才產生該工作時間表之一確認事件，則將該工作時間表分配至一員工管理伺服器。
如請求項1之方法，進一步包括，在分配該工作時間表之後，若一新員工在對應於該工作時間表之一時段期間加入一公司，則設定該新員工之一休息日以滿足該等工作規則條件。
一種電腦可讀非暫時性記錄媒體，其具有用於在一電腦上執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於管理一工作時間表之電子設備，其包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中經連接至該收發器及該記憶體之該處理器經組態以： <br/>獲得各工作群組之經估計工作負載資訊及補充人員資訊； <br/>基於該經估計工作負載資訊及該補充人員資訊，設定該各工作群組之員工之一目標出勤值；及 <br/>基於該目標出勤值及預定工作規則條件，產生該各工作群組之該等員工之一工作時間表， <br/>其中該產生一工作時間表包含： <br/>藉由設定該各工作群組之員工的休息日以滿足該等工作規則條件來產生一候選工作時間表； <br/>根據該各工作群組之該候選工作時間表來計算員工之一經估計出勤值； <br/>對於該各工作群組，計算該目標出勤值與該經估計出勤值之間的一差距； <br/>對於該各工作群組，重複該產生一候選工作時間表、該計算一經估計出勤值及該計算一差距預定次數； <br/>識別在作為該重複之結果計算的差距當中是否存在滿足一預定條件的一差距；及 <br/>若存在滿足該預定條件之一差距，則將對應於滿足該預定條件之該差距之一候選工作時間表判定為一最終工作時間表， <br/>且其中該判定一最終工作時間表包含，若存在滿足該預定條件之複數個差距，則將在對應於該複數個差距之各者之候選工作時間表當中之具有各員工之首選休息日之一最高反映比率的一候選工作時間表判定為該最終工作時間表。
一種油水分離機之過濾結構裝置，主要係包含一過濾網本體、複數片過濾網所構成，其中：<br/>過濾網本體，係略呈一U型狀，但在該U型狀的二側，各具有一體連接之ㄇ型槽部，而在該ㄇ型槽部上，具有複數條由上而下之嵌插槽，另在過濾網本體的底部，則具有一鏤空部；<br/>過濾網，係由一ㄇ型凹槽框體和一整片一體彎摺成形之過濾網片所結合成單一片體型態，而該過濾網片係由複數片片狀體結構型態，以等寬度、等間隔一體彎折排列而構成，且在每片之片狀體上還具有複數個等間隔分佈之皺摺區，該過濾網係可依序嵌插入過濾網本體之嵌插槽內，並直插到底，以使該過濾網平置橫跨於鏤空部上。
一種具除臭、降噪及對抗重油煙之全罩式油霧機結構裝置，主要係由一油霧機本體、一過濾桶、一串接框體、二個滑軌、一橫桿、一旋鈕、一圓形壓片以及一上蓋所構成，其中該過濾桶係可直接嵌固在油霧機本體上方中央處，以形成第一道對油煙的過濾；其特徵在於：串接框體，係呈一長方形體狀，其外觀的前方底部邊角，各具有一切邊部，而在該串接框體內側的四個邊角距頂端開口部適當處，各具有一邊角片，至使四個角落的邊角片可形成一可水平置放堆疊複數片不同尺寸、不同用途之過濾用活性碳過濾網的區域者；滑軌，係呈一長條狀，其長邊兩側各形成一上下對稱之呈ㄇ字型之滑槽，而該對稱呈ㄇ字型之滑槽中間，則形成一滑道，而該滑軌係可於該串接框體之兩側長邊的內側壁上略靠頂端開口部，各設置一滑軌，且在二個相對稱之滑軌間可卡固一可滑動之橫桿者；橫桿，係呈一長條狀，其左右兩端各自形成具有一T形部外，其中央處還具有一孔洞，而該兩端之T形部係可各別嵌置於滑軌的兩對稱之呈ㄇ字型之滑槽內，進而可在滑軌之滑道內，經由滑槽的輔助作用，而可自由地於滑道內自由地左右移動者；旋鈕，係呈一T字型，係由旋鈕頭和螺桿所構成，該旋鈕頭上具有複數個弧形凹槽，而該螺桿係可穿過橫桿中央處的孔洞；圓形壓片，係呈一圓形片狀體，其中央處具有一螺紋孔槽，該螺紋孔槽係可供旋鈕之螺桿作螺固銜接用而結合形成一體狀；上蓋，係呈一長方形狀，其上表面處具有複數個排氣孔，另在該上蓋背面內部，則形成具有一凹槽環部，該凹槽環部係可用於隨機依作業環境來作為提供安裝HEPA高效過濾網，該上蓋係可直接按裝螺固在串接框體之頂端開口部上；藉由上述結構裝置，可在串接框體內之4個邊角片所形成的區域，具有可放置複數片活性碳過濾網之特點，以形成第二道過濾結構外，而該第二道過濾結構還可利用滑軌、橫桿、旋鈕和圓形壓片所形成之結構，達到單可移動橫桿至所需之位置後，即可旋轉旋鈕即可迫使圓形壓片產生一下壓力而可壓固置放在第二道之過濾結構上活性碳過濾網，且在上蓋的內側之凹槽環部，還具有可另外安裝HEPA高效過濾網，以形成第三道過濾結構者。
如申請專利範圍第1項所述之具除臭、降噪及對抗重油煙之全罩式油霧機結構裝置，其中該第二道之過濾結構和第三道之過濾結構，可依實際作業環境來作增加或減少者。
如申請專利範圍第1項所述之具除臭、降噪及對抗重油煙之全罩式油霧機結構裝置，其中該第二道之過濾結構和第三道之過濾結構所使用之HEPA高效過濾網和活性碳過濾網之型態，可依實際作業環境來作變更者。
一種生物性混合物，包含生物性交聯材料，且所述生物性交聯材料包含膠原蛋白、膠原多肽、第一玻尿酸和第二玻尿酸；其中， <br/>所述第一玻尿酸的分子量為100千道爾吞(kDa)至500千道爾吞，且所述第二玻尿酸的分子量為1500千道爾吞至3000千道爾吞；以及 <br/>所述膠原蛋白、所述膠原多肽、所述第一玻尿酸和所述第二玻尿酸彼此交聯，且所述生物性交聯材料的平均交聯度為65%至97%。
如請求項1所述之生物性混合物，其中以所述生物性交聯材料的總體積為基準，所述膠原蛋白和膠原多肽的總含量為30 mg/ml至80 mg/ml。
如請求項1所述之生物性混合物，其中以所述生物性交聯材料的總體積為基準，所述第一玻尿酸和所述第二玻尿酸的總含量為1 mg/ml至18 mg/ml。
如請求項1所述之生物性混合物，其進一步包含外泌體。
如請求項4所述之生物性混合物，其中以所述生物性混合物之總體積為基準，所述外泌體之濃度為每毫升1×10 <sup>5</sup>顆至1×10 <sup>11</sup>顆。
一種如請求項1至5中任一項所述之生物性交聯材料用於製備皮膚組織填補產品之用途。
如請求項6所述之用途，其中所述皮膚組織填補產品的劑型包含針劑。
一種如請求項1至5中任一項所述之生物性混合物之製法，包含： <br/>第一交聯步驟：將膠原蛋白、所述第一玻尿酸、第一交聯劑和第一載劑混合後，以獲得第一混合液，經反應20小時至28小時，以獲得一第一交聯複合物；其中，以所述第一混合液之總體積為基準，所述膠原蛋白的含量為10重量體積百分比(w/v%)至40重量體積百分比，以及所述第一玻尿酸的含量為0.1重量體積百分比至9重量體積百分比； <br/>第二交聯步驟：將所述第一交聯複合物、第二玻尿酸、第二交聯劑和第二載劑混合後，以獲得第二混合液，經反應20小時至28小時，以獲得一第二交聯複合物；其中，以所述第二混合液之總體積為基準，所述第一交聯複合物的含量為10重量體積百分比至40重量體積百分比，以及所述第二玻尿酸的含量為0.1重量體積百分比至9重量體積百分比；以及 <br/>第三交聯步驟：將所述第二交聯複合物、膠原多肽、第三交聯劑和第三載劑混合後，以獲得第三混合液，經反應20小時至28小時，以獲得所述生物性交聯材料；其中，以所述第三混合液之總體積為基準，所述第二交聯複合物的含量為10重量體積百分比至40重量體積百分比，以及所述膠原多肽的含量為10重量體積百分比至40重量體積百分比；其中， <br/>所述第一交聯劑、所述第二交聯劑和所述第三交聯劑為不同的交聯劑，且所述第一載劑、所述第二載劑和所述第三載劑皆包含水。
如請求項8所述之製法，其中所述第一交聯劑包含1,4-丁二醇縮水甘油醚，且以所述第一混合液之總體積為基準，所述第一交聯劑的含量為0.5重量體積百分比至5重量體積百分比； <br/>所述第二交聯劑包含戊二醛，且以所述第二混合液之總體積為基準，所述第二交聯劑的含量為0.005重量體積百分比至0.1重量體積百分比；以及 <br/>所述第三交聯劑包含1-乙基-3-(3-二甲基胺基丙基)碳二亞胺，且以所述第三混合液之總體積為基準，所述第三交聯劑的含量為0.5重量體積百分比至5重量體積百分比。
如請求項8所述之製法，其中所述第一交聯步驟和所述第三交聯步驟之任一或其組合包含添加一鹼劑。
一種動態解碼方法，用於可複寫式非揮發性記憶體模組，所述動態解碼方法包括： <br/>從所述可複寫式非揮發性記憶體模組的實體單元讀取第一碼字，其中所述第一碼字包括至少二群組； <br/>根據所述第一碼字的第一群組執行解碼操作； <br/>判斷所述解碼操作的當前迭代次數是否小於預定次數； <br/>響應於所述當前迭代次數小於所述預定次數，根據所述第一群組執行所述解碼操作； <br/>在所述解碼操作中，檢查所述第一碼字的校驗子資料是否等於零；以及 <br/>響應於所述校驗子資料等於零，輸出所述第一碼字。
如請求項1所述的動態解碼方法，更包括： <br/>在完成根據所述第一群組所執行的所述解碼操作後，響應於所述校驗子資料不等於零，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項1所述的動態解碼方法，更包括： <br/>響應於所述當前迭代次數不小於所述預定次數，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項1所述的動態解碼方法，其中所述至少二群組的解碼能力皆不相同，且所述第一群組的解碼能力低於所述第一碼字的第二群組的解碼能力。
如請求項1所述的動態解碼方法，更包括： <br/>基於所述至少二群組建立查找表；以及 <br/>根據所述解碼操作的所述當前迭代次數查詢所述查找表，以判定根據所述至少二群組的其中之一或完整的所述第一碼字來執行所述解碼操作。
一種記憶體儲存裝置，包括： <br/>連接介面單元，用以耦接至主機系統； <br/>可複寫式非揮發性記憶體模組；以及 <br/>記憶體控制電路單元，耦接至所述連接介面單元及所述可複寫式非揮發性記憶體模組， <br/>其中所述記憶體控制電路單元用以： <br/>下達讀取指令序列至所述可複寫式非揮發性記憶體模組，所述讀取指令序列用以指示從所述可複寫式非揮發性記憶體模組的實體單元讀取第一碼字，其中所述第一碼字包括至少二群組； <br/>根據所述第一碼字的第一群組執行解碼操作； <br/>判斷所述解碼操作的當前迭代次數是否小於預定次數； <br/>響應於所述當前迭代次數小於所述預定次數，根據所述第一群組執行所述解碼操作； <br/>在所述解碼操作中，檢查所述第一碼字的校驗子資料是否等於零；以及 <br/>響應於所述校驗子資料等於零，輸出所述第一碼字。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述記憶體控制電路單元更用以： <br/>在完成根據所述第一群組所執行的所述解碼操作後，響應於所述校驗子資料不等於零，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述記憶體控制電路單元更用以： <br/>響應於所述當前迭代次數不小於所述預定次數，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述至少二群組的解碼能力皆不相同，且所述第一群組的解碼能力低於所述第一碼字的第二群組的解碼能力。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述記憶體控制電路單元更用以： <br/>基於所述至少二群組建立查找表；以及 <br/>根據所述解碼操作的所述當前迭代次數查詢所述查找表，以判定根據所述至少二群組的其中之一或完整的所述第一碼字來執行所述解碼操作。
一種記憶體控制電路單元，設置於記憶體儲存裝置中，所述記憶體控制電路單元包括： <br/>主機介面，用以耦接至連接介面單元； <br/>記憶體介面，用以耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組；以及 <br/>記憶體管理電路，耦接至所述主機介面及所述記憶體介面， <br/>其中所述記憶體管理電路用以： <br/>下達讀取指令序列至所述可複寫式非揮發性記憶體模組，所述讀取指令序列用以指示從所述可複寫式非揮發性記憶體模組的實體單元讀取第一碼字，其中所述第一碼字包括至少二群組； <br/>根據所述第一碼字的第一群組執行解碼操作； <br/>判斷所述解碼操作的當前迭代次數是否小於預定次數； <br/>響應於所述當前迭代次數小於所述預定次數，根據所述第一群組執行所述解碼操作； <br/>在所述解碼操作中，檢查所述第一碼字的校驗子資料是否等於零；以及 <br/>響應於所述校驗子資料等於零，輸出所述第一碼字。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述記憶體管理電路更用以： <br/>在完成根據所述第一群組所執行的所述解碼操作後，響應於所述校驗子資料不等於零，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述記憶體管理電路更用以： <br/>響應於所述當前迭代次數不小於所述預定次數，根據完整的所述第一碼字執行所述解碼操作。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述至少二群組的解碼能力皆不相同，且所述第一群組的解碼能力低於所述第一碼字的第二群組的解碼能力。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述記憶體管理電路更用以： <br/>基於所述至少二群組建立查找表；以及 <br/>根據所述解碼操作的所述當前迭代次數查詢所述查找表，以判定根據所述至少二群組的其中之一或完整的所述第一碼字來執行所述解碼操作。
一種濕式集塵機，其包含有：一本體、一刮泥機與一分離器，其中：所述本體具有傾斜往上高出該本體的一第一管道，該第一管道往下設有一出料口，所述本體內部隔出有一沉降池與一水槽，該沉降池是與所述第一管道做連接導通，所述沉降池與所述水槽間形成有至少一溢流口，所述溢流口上安裝有濾網，又所述本體上在相對於所述沉降池的上方位置設有一進水管與一溢水管，下方位置設有一排出管，所述進水管的端部設有一水位開關，俾以該水位開關來控制自動補水與關水，所述本體上在相對於所述水槽的位置處設有一回流管，該回流管是與一抽水泵浦做連接，讓所述水槽內的水能透過該回流管與該抽水泵浦做回抽，以達到循環使用之效果；所述刮泥機具有一輸送帶與一馬達，該輸送帶是設置在所述沉降池與所述第一管道內，以藉由所述馬達之帶動，讓該輸送帶產生持續性之運轉，且所述輸送帶上設有數刮板；所述分離器連接有一第二管道，該第二管道具有一進氣口，所述分離器是安裝在所述沉降池上方，俾令所述分離器的一端能形成有一排氣口，另一端則設有伸入所述沉降池中的一排放管，又所述第二管道上設有一霧化裝置，該霧化裝置包含有一第一管體與二第二管體，利用所述第一管體將所述第二管體與所述回流管連接在一起，將令所述第二管體能獲得水源上之供應，且該第二管體是伸置在所述第二管道中，每一所述第二管體上均相對設有二擋板與二噴孔。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述溢水管是高於所述進水管。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述水位開關是一浮球開關。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述進水管、所述溢水管、所述排出管與所述回流管是設在所述本體的側邊。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述本體上設有一液面高度計。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述輸送帶是由二平行相隔的鏈條與數鏈輪構成，讓所述刮板能跨置在該二鏈條上，並以所述鏈輪與所述馬達的連結，讓所輸送帶能產生持續性之運轉。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述第二管道上設有一閘門。
如請求項1所述之濕式集塵機，其中，所述分離器是一大於所述第二管道的中空筒體。
一種埋地型載具停駐感測裝置，該埋地型載具停駐感測裝置至少有一部分埋入地面中，並藉由感測器對靠近地面之被測物進行感測，該埋地型載具停駐感測裝置具有： <br/>容置部，係具有機芯容置空間，且於該機芯容置空間的上方具有第一開口； <br/>機芯部，係形成為圓柱狀，且至少部分容置於該機芯容置空間中，且該感測器係容置於該機芯部中； <br/>電池部，係容置於該機芯容置空間中且可拆卸地與該機芯部結合； <br/>其中，該機芯部的外側壁設有外螺紋，該容置部的內壁設有內螺紋，以供該機芯部與該容置部螺合連接； <br/>該機芯部係具有用以與該電池部電連接之第一電連接部，該電池部具有用以與該機芯部電連接之第二電連接部，該機芯部的外圍除了該第一電連接部之外的部分係防水密封，該電池部的外圍除了該第二電連接部之外的部分係防水密封，且 <br/>於該機芯部的頂面形成至少兩個以上的階差部。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中該機芯部係具有用以容置該電池部之電池容置空間，該電池部的至少一部分係容置於該電池容置空間中，且於該電池容置空間的側邊具有第二開口，以供該電池部進出該電池容置空間。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中該第一電連接部與該第二電連接部之間係可拆裝且防水密封地連接。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中該第一電連接部與該第二電連接部係藉由於常溫下保持可塑型狀態之可塑型件而防水密封地連接。
如請求項4所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中該可塑型件的彈性模量為2MN/m <sup>2</sup>至8MN/m <sup>2</sup>。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中於該機芯部的外側壁且於該外螺紋的上方處係設有O形環。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中該階差部的數量為三個，且各個該階差部係沿著與該機芯部的頂面的圓心為同心的同心圓均勻分布。
如請求項1所述之埋地型載具停駐感測裝置，其中各個該階差部的平面形狀為圓形，且直徑小於1公分。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一殼體，包含相連之一壁板以及一底板，該壁板與該底板共同定義一空間；<br/> 一顯示模組，位於該空間內，該顯示模組包含：<br/> 一顯示面板；<br/> 一透明蓋板；以及<br/> 一第三黏膠，沿一垂直方向黏合於該顯示面板與該透明蓋板之間；<br/> 一背光模組，與該顯示模組疊置於該殼體內，該顯示面板位於該透明蓋板與該背光模組之間；<br/> 一第一黏膠，黏合於該顯示模組與該背光模組之間；以及<br/> 一第二黏膠，黏合於該背光模組與該殼體之間，<br/> 其中，該顯示模組、該第一黏膠、該背光模組、該第二黏膠以及該底板至少部分沿該垂直方向順序重疊，該第一黏膠之一上表面完整地黏附於該顯示面板，該第三黏膠之一下表面完整地黏附於該顯示面板。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示面板相對該透明蓋板內縮，該顯示模組更包含：<br/> 一遮光膠，連接該透明蓋板朝向該背光模組之一側以及該顯示面板之一側面。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該透明蓋板與該壁板彼此分隔。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一黏膠與該第三黏膠為光學透明膠。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該背光模組包含一背板、一側板、複數個光學膜片、一支撐玻璃以及一膠帶，該側板位於該些光學膜片與該背板之間，該支撐玻璃疊置於該些光學膜片遠離該背板之一側，該膠帶黏附於該側板之一外側、該支撐玻璃遠離該背板之一側以及該背板遠離該支撐玻璃之一側，該第一黏膠黏合於該顯示面板與該支撐玻璃之間，該第二黏膠黏合於該背板與該底板之間。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該支撐玻璃直接抵接該些光學膜片遠離該背板之一側。
如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一黏膠至少部分覆蓋該膠帶。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該殼體更包含一吸光層，設置於該壁板朝向該空間之一側，並至少部分對齊該顯示模組。
一種水性表面處理劑，包括：<br/> 一有機矽化合物(A)，其中該有機矽化合物(A)係經由氨基矽烷偶聯劑(A1)、環氧基矽烷偶聯劑(A2)及一酸性溶液(A3)反應所得，該酸性溶液(A3)的一分子量小於300，且該酸性溶液(A3)可解離出至少一氫離子，且該酸性溶液(A3)的至少一酸解離常數(pKa)小於3；及 <br/> 一陽離子型聚氨酯樹脂(B)，其中該陽離子型聚氨酯樹脂(B)包含脂肪族異氰酸酯與脂肪族多元醇之聚合物。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該酸性溶液(A3)解離的氫離子(a3)與該氨基矽烷偶聯劑(A1)之一莫耳比((a3)/(A1))為0.9至1.1，且該水性表面處理劑的pH值為3至6。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該環氧基矽烷偶聯劑(A2)與該氨基矽烷偶聯劑(A1)之一莫耳比((A2)/(A1))為2至2.5。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中基於該水性表面處理劑總固成分為100wt%，該有機矽化合物(A)為40 wt%至65 wt%。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該有機矽化合物(A)與該陽離子型聚氨酯樹脂(B)之一質量比((A)/(B))為1至4.3。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該水性表面處理劑更包含至少一金屬化合物(C)，該金屬化合物(C)包含鈦、釩、鋯或其組合，且基於該水性表面處理劑總固成分為100 wt%，該金屬化合物(C)為5 wt%至10 wt%。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該水性表面處理劑更包含一烯烴系蠟(D)，且基於該水性表面處理劑總固成分為100 wt%，該烯烴系蠟(D)為4 wt%至6 wt%。
如請求項1所述之水性表面處理劑，其中該水性表面處理劑更包含一含磷化合物(E)，且基於該水性表面處理劑總固成分為100 wt%，該含磷化合物(E)為6 wt%至10 wt%。
一種表面處理方法，包含：<br/> 塗覆請求項1至8之任一項所述之水性表面處理劑在一鍍鋅鋼板的一表面上；以及<br/> 對該水性表面處理劑進行一乾燥步驟，以獲得一乾燥塗膜，其中該乾燥塗膜形成於該鍍鋅鋼板上。
一種表面處理鍍鋅鋼板，其係由請求項9所述之表面處理方法所製得，其中該表面處理鍍鋅鋼板之一膜重為0.2 g/m<sup>2</sup>至1.5 g/m<sup>2</sup>。
一種具手寫功能的多穩態顯示器，包含有： <br/>一時序控制電路單元，產生一時序控制訊號； <br/>一驅動電路單元，連接該時序控制電路單元，並接收該時序控制訊號； <br/>一顯示面板單元，連接該驅動電路單元； <br/>其中，該時序控制訊號包含有一數位類比轉換訊號、一資料訊號及一掃描訊號，且該資料訊號依序包含有一手寫像素電極標頭數據及一手寫像素電極波形數據，而該掃描訊號依序包含有一手寫線路電極標頭數據及一手寫線路電極波形數據； <br/>其中，當該驅動電路單元接收到該數位類比轉換訊號時，該驅動電路單元根據該手寫像素電極標頭數據及該手寫像素電極波形數據產生輸出至該顯示面板單元的一像素電極驅動訊號，且該驅動電路單元根據該手寫線路電極標頭數據及該手寫線路電極波形數據產生輸出至該顯示面板單元的一線路電極驅動訊號。
如請求項1所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該資料訊號的該手寫像素電極波形數據為1位元的數據，且該掃描訊號的該手寫線路電極波形數據為1位元的數據。
如請求項2所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該像素電極驅動訊號具有一第一像素電極半週期及一第二像素電極半週期； <br/>其中，當該驅動電路單元接收到第一個該數位類比轉換訊號時，該驅動電路單元輸出該像素電極驅動訊號為該第一像素電極半週期； <br/>其中，當該驅動電路單元接收到第二個該數位類比轉換訊號時，該驅動電路單元輸出該像素電極驅動訊號為該第二像素電極半週期。
如請求項3所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該資料訊號的該手寫像素電極標頭數據包含有一第一像素電極電壓數據及一第二像素電極電壓數據； <br/>其中，當該資料訊號的該手寫像素電極波形數據為一第一數位值時，且當該驅動電路單元輸出的該像素電極驅動訊號為該第一像素電極半週期時，該驅動電路單元係根據該手寫像素電極標頭數據的該第一像素電極電壓數據產生該像素電極驅動訊號； <br/>其中，當該資料訊號的該手寫像素電極波形數據為該第一數位值時，且當該驅動電路單元輸出的該像素電極驅動訊號為該第二像素電極半週期時，該驅動電路單元係根據該手寫像素電極標頭數據的該第二像素電極電壓數據產生該像素電極驅動訊號。
如請求項2所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該線路電極驅動訊號具有一第一線路電極半週期及一第二線路電極半週期； <br/>其中，當該驅動電路單元接收到第一個該數位類比轉換訊號時，該驅動電路單元輸出該線路電極驅動訊號為該第一線路電極半週期； <br/>其中，當該驅動電路單元接收到第二個該數位類比轉換訊號時，該驅動電路單元輸出該線路電極驅動訊號為該第二線路電極半週期。
如請求項5所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該掃描訊號的該手寫線路電極標頭數據包含有一第一線路電極電壓數據及一第二線路電極電壓數據； <br/>其中，當該掃描訊號的該手寫線路電極波形數據為一第一數位值時，且當該驅動電路單元輸出的該線路電極驅動訊號為該第一線路電極半週期時，該驅動電路單元係根據該手寫線路電極標頭數據的該第一線路電極電壓數據產生該線路電極驅動訊號； <br/>其中，當該掃描訊號的該手寫線路電極波形數據為該第一數位值時，且當該驅動電路單元輸出的該線路電極驅動訊號為該第二線路電極半週期時，該驅動電路單元係根據該手寫線路電極標頭數據的該第二線路電極電壓數據產生該線路電極驅動訊號。
如請求項1所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元包含有： <br/>一標頭設定控制端，連接該驅動電路單元，輸出一標頭設定訊號至該驅動電路單元； <br/>複數資料輸出端，連接該驅動電路單元，輸出該資料訊號至該驅動電路單元； <br/>其中，當該資料輸出端輸出該資料訊號為該手寫像素電極標頭數據時，該標頭設定控制端輸出的該標頭設定訊號為一高電壓準位。
如請求項1所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該時序控制電路單元包含有： <br/>一數位類比轉換控制端，連接該驅動電路單元，且輸出該數位類比轉換訊號至該驅動電路單元。
如請求項1所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該資料訊號還包含有一像素電極空白數據，且該像素電極空白數據接續於該手寫像素電極波形數據之後； <br/>其中，該掃描訊號還包含有依序為一線路電極空白數據，且該線路電極空白數據接續於該手寫線路電極波形數據之後。
如請求項9所述之具手寫功能的多穩態顯示器，其中，該驅動電路單元係於該資料訊號為該像素電極空白數據的期間，輸出該數位類比轉換訊號至該驅動電路單元。
一種自行車電子控制裝置，供設於一自行車之握把，包括：<br/> 一握把座，設有一握持部；<br/> 一煞車把手，設於該握把座；<br/> 一轉軸，供該煞車把手樞接於該握把座；<br/> 一天線單元，設於該轉軸；及<br/> 一控制單元，與該天線單元電信連接，透過該天線單元對外傳送一無線訊號；<br/> 其中，該天線單元包括一設於該轉軸的基座及一設於該基座之天線，該基座與該握把座為二個相互分別的構件，該基座容置於該煞車把手內部，該天線供將該無線訊號對外傳送。
如請求項1所述的自行車電子控制裝置，其中另包括一控制桿，該控制桿樞接於該轉軸，該控制單元設於該控制桿。
如請求項1所述的自行車電子控制裝置，其中該控制單元包括一電源，該電源與該天線單元及該控制單元電性連接。
如請求項1所述的自行車電子控制裝置，其中該天線單元套設於該轉軸。
如請求項1所述的自行車電子控制裝置，其中該基座包括一嵌槽，該天線嵌設於該嵌槽。
如請求項1所述的自行車電子控制裝置，其中該基座另包括一套接部、一延伸臂及一天線安裝部，該套接部套設於該轉軸，該延伸臂連接於該套接部與該天線安裝部之間，該天線設於該天線安裝部。
如請求項2所述的自行車電子控制裝置，其中該控制單元包括一操作機構，供操作傳送該無線訊號。
如請求項7所述的自行車電子控制裝置，其中該操作機構設於該控制桿。
如請求項2所述的自行車電子控制裝置，其中該控制桿上設有二操作機構，該控制桿與該煞車把手至少部分重疊，並且該二操作機構可延該煞車把手之外輪廓依序上下設置。
一種高強度耐衝擊之鈦合金材料的製造方法，包括以下步驟：<br/> 提供一鈦合金鑄造材料，其中按該鈦合金鑄造材料之總重為100 wt.%計，該鈦合金鑄造材料包括：6.53至7.0 wt.%的鋁、2.0至2.36 wt.%的鋯、2.0至2.28 wt.%的釩、1.0至2.0 wt.%的鉬、0.5至1.5 wt.%的鐵、0.1至0.3 wt.%的硼、大於0 wt.%且0.15 wt.%以下的矽、大於0 wt.%且0.015 wt.%以下的氫、大於0 wt.%且0.15 wt.%以下的氧、大於0 wt.%且0.05 wt.%以下的氮、大於0 wt.%且0.08 wt.%以下的碳、平衡量的鈦，以及不可避免之雜質；<br/> 將該鈦合金鑄造材料進行一鍛造步驟，以形成一鈦合金鍛造板胚，其中該鍛造步驟包括：<br/> 一第一火次鍛造步驟，其中該第一火次鍛造步驟之加熱溫度為1100±20℃，其中該第一火次鍛造步驟將該鈦合金鑄造材料加熱至1100±20℃後，對該鈦合金鑄造材料進行一鐓粗一拔長步驟；<br/> 一第二火次鍛造步驟，其中該第二火次鍛造步驟之加熱溫度為950±10℃，其中該第二火次鍛造步驟將該鈦合金鑄造材料加熱至950±10℃後，對該鈦合金鑄造材料進行一鐓粗一拔長步驟；<br/> 一第三火次鍛造步驟，其中該第三火次鍛造步驟之加熱溫度為990±10℃，其中該第三火次鍛造步驟將該鈦合金鑄造材料加熱至990±10℃後，對該鈦合金鑄造材料進行一鐓粗一拔長步驟；<br/> 一第四火次鍛造步驟，其中該第四火次鍛造步驟之加熱溫度為850±10℃，其中該第四火次鍛造步驟將該鈦合金鑄造材料加熱至850±10℃後，對該鈦合金鑄造材料進行一鐓粗一拔長步驟；<br/> 一第五火次鍛造步驟，其中該第五火次鍛造步驟之加熱溫度為820±40℃；及<br/> 將該鈦合金鍛造板胚進行一軋製步驟，以形成一鈦合金鍛造板材，其中該軋製步驟包括：<br/> 一第一火次軋製步驟，其中該第一火次軋製步驟之加熱溫度為900至1100℃；<br/> 一第二火次軋製步驟，其中該第二火次軋製步驟之加熱溫度為700至800℃；<br/> 一第三火次軋製步驟，其中該第三火次軋製步驟之加熱溫度為900至1100℃；及<br/> 一第四火次軋製步驟，其中該第四火次軋製步驟之加熱溫度為700至800℃。
如請求項1所述的製造方法，其中該第一火次鍛造步驟於鍛後進行空冷至室溫並修磨去除表面裂紋。
如請求項1所述的製造方法，其中該第二火次鍛造步驟於鍛後進行空冷至室溫並修磨去除表面裂紋。
如請求項1所述的製造方法，其中該第三火次鍛造步驟於鍛後進行空冷至室溫並修磨去除表面裂紋。
如請求項1所述的製造方法，其中該第四火次鍛造步驟於鍛後回爐重新加熱。
如請求項1所述的製造方法，其中該第五火次鍛造步驟將該鈦合金鑄造材料加熱至820±40℃後，對該鈦合金鑄造材料交替進行單向壓下操作及四周整形操作，以形成該鈦合金鍛造板胚。
如請求項1所述的製造方法，其中該第一火次軋製步驟及該第二火次軋製步驟的軋延率為30%至50%。
如請求項1所述的製造方法，其中該第三火次軋製步驟包括將該鈦合金鍛造板胚加熱至900至1100℃後進行熱軋，並控制持溫時間為20至60分鐘，且於該第三火次軋製步驟之後進行一水淬步驟。
如請求項8所述的製造方法，其中該第四火次軋製步驟包括將該第三火次軋製步驟進行該水淬步驟後的該鈦合金鍛造板胚加熱至700至800℃，並進行換向軋製，其中該第四火次軋製步驟軋延至目標板厚的70%至80%。
一種通過如請求項1至9任一項所述的製造方法製造的鈦合金材料，其中該鈦合金材料的抗拉強度為139至160 KSI之間、降服強度為139至150 KSI之間、延伸率為12至16%之間、硬度為35至36 HRC之間。
一種可適用多種針釘槍的力量調整裝置，適宜安裝於一釘槍，該釘槍還包含一殼體單元、一可沿一上下方向移動的設置於該殼體單元內部的擊釘片、一設置於該殼體單元內部且提供該擊釘片移動彈力的蓄力單元、一可轉動地樞設於該殼體單元的壓柄單元，以及一設置於該殼體單元內部且提供該壓柄單元回復彈力的彈性單元，該力量調整裝置包括： <br/>一導引件，設置於該殼體單元內部，並具有一鄰近於該擊釘片的低端、一沿一前後方向相反於該低端的高端，以及一由該高端延伸至該低端的抵靠面，該高端對應於該上下方向的位置高於該低端；及 <br/>一調整單元，具有一設置於該殼體單元內部且可移動的設置於該抵靠面的調整件，以及一可連動該調整件的操作件，該調整件提供該蓄力單元釋放彈力時的限位抵靠，該操作件由該殼體單元外部延伸至該殼體單元內部，操作該操作件可帶動該調整件移動至該抵靠面的不同位置。
如請求項1所述的可適用多種針釘槍的力量調整裝置，其中，該導引件的抵靠面具有至少二個呈階梯設置的抵靠部，該等抵靠部對應於該上下方向的位置呈高低不同，操作該操作件可帶動該調整件移動至不同位置的抵靠部。
如請求項2所述的可適用多種針釘槍的力量調整裝置，其中，該殼體單元具有一設置於頂部的滑槽，該調整單元還具有一樞接於該調整件的連桿件，該操作件相反於該調整件且連接於該連桿件，該操作件可滑動的安裝於該滑槽中。
如請求項1所述的可適用多種針釘槍的力量調整裝置，其中，該蓄力單元採用扭簧，並具有一樞接於該殼體單元的環圈部、一連接於該環圈部其中一端的受力臂，以及一連接於該環圈部另一端的帶動臂，該受力臂受該壓柄單元連動並可蓄積該帶動臂釋放彈力的能量。
一種具有力量調整裝置的釘槍，包含: <br/>一殼體單元，包括二可界定出一容置空間的殼座，該殼體單元具有一頂部、一沿一上下方向相反於該頂部的底部、一由該容置空間連通至外部的滑槽，以及一設置於該底部且由該容置空間連通至外部的出釘口； <br/>一擊釘片，位置對應於該出釘口且可沿該上下方向移動的設置於該容置空間中； <br/>一蓄力單元，設置於該容置空間中且提供該擊釘片沿該上下方向移動彈力； <br/>一壓柄單元，可轉動地樞設於該殼體單元，操作該壓柄單元可使該蓄力單元蓄積釋放彈力的能量； <br/>一彈性單元，設置於該容置空間中且提供該蓄力單元及該壓柄單元回復的彈力；及 <br/>一力量調整裝置，包括一導引件及一調整單元，該導引件設置於該容置空間中，並具有一鄰近於該擊釘片的低端、一沿一前後方向相反於該低端的高端，以及一由該高端延伸至該低端的抵靠面，該高端對應於該上下方向的位置高於該低端，該調整單元具有一設置於該容置空間中且可移動的設置於該抵靠面的調整件，以及一可連動該調整件的操作件，該調整件提供該蓄力單元釋放彈力時的限位抵靠，該操作件由該殼體單元外部延伸至該容置空間中，且可移動的穿設於該滑槽中，操作該操作件可帶動該調整件移動至該抵靠面的不同位置，且可調整該蓄力單元釋放彈力的行程。
如請求項5所述的具有力量調整裝置的釘槍，其中，該調整單元的導引件的抵靠面具有至少二個呈階梯設置的抵靠部，該等抵靠部對應於該上下方向的位置呈高低不同，操作該操作件可帶動該調整件移動至不同位置的抵靠部。
如請求項6所述的具有力量調整裝置的釘槍，其中，該殼體單元的滑槽設置於該等殼座的頂部，該調整單元還具有一樞接於該調整件的連桿件，該操作件相反於該調整件且連接於該連桿件。
如請求項5所述的具有力量調整裝置的釘槍，其中，該蓄力單元採用扭簧，並具有一樞接於該殼體單元的環圈部、一連接於該環圈部其中一端的受力臂，以及一連接於該環圈部另一端的帶動臂，該受力臂受該壓柄單元連動並可蓄積該帶動臂釋放彈力的能量。
一種對一低頻率效應(LFE)聲道進行編碼之方法，其包括：<br/>使用一或多個處理器接收一時域LFE聲道信號；<br/>使用一低通濾波器對該時域LFE聲道信號進行濾波；<br/>使用該一或多個處理器將經濾波之該時域LFE聲道信號轉換成該LFE聲道信號的包含表示該LFE聲道信號之一頻譜之一定數目個係數之一頻域表示；<br/>使用該一或多個處理器將係數配置至與該LFE聲道信號之不同頻帶對應之一定數目個次頻帶群組中；<br/>使用該一或多個處理器根據該低通濾波器之一頻率回應曲線將每一次頻帶群組中之係數量化；<br/>使用該一或多個處理器使用針對每一次頻帶群組調諧之一熵寫碼器對該次頻帶群組中之該等經量化係數進行編碼；及<br/>使用該一或多個處理器產生包含經編碼之該等經量化係數之一位元串流。
一種儲存指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器實行如請求項1之操作。
一種AED訓練貼片，包含有：<br/> 一貼片本體，係形成有併排相鄰的一貼面部及一固定部，並於該貼面部及該固定部上分別塗佈有一黏膠，該固定部區隔成可互相對折黏合的一第一黏合面及一第二黏合面，該第二黏合面係能對折黏合於該第一黏合面；<br/> 一導線單元，係固定於該貼片本體的該固定部上，該導線單元係包含有一固定件及一導線件，該導線件連結於該固定件，該固定件被黏合固定於該第一黏合面及該第二黏合面之間，該固定件上設有一透孔，以供該導線件的一端穿過該透孔後打一繩結，使該導線件連結於該固定件。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該貼片本體係為塑膠紙、塑膠片或紙片之材質製成。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該第二黏合面於縱向上設有一裁切口延伸至與該第一黏合面的相鄰處，該導線件通過該裁切口伸出，而不被黏合固定於該第一黏合面及該第二黏合面之間。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該固定件係為一織帶所製成。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該貼面部上貼合有一第一離型紙。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該固定部上則貼合有一第二離型紙。
如請求項1之AED訓練貼片，其中，該固定件包含有一殼座及一蓋板所組合而成。
如請求項7之AED訓練貼片，其中，該殼座內設有一容室，該殼座外側設有一連接端貫通至該容室，該連接端設有該透孔，該導線件的一端係由該連接端之該透孔伸入至該容室內，然後該導線件的該一端打一繩結，使得該導線件的該一端無法經由該連接端之該透孔伸出於該容室外。
如請求項8之AED訓練貼片，其中，該蓋板利用至少一螺絲將其鎖固於該殼座上。
一種零件更換系統，包含： <br/>零件更換裝置，其因應藉由無線通信所接收到的來自控制裝置的第1指示，移動到對基板進行處理的處理裝置的位置，並與該處理裝置連接；以及 <br/>零件收納裝置，其因應藉由無線通信所接收到的來自該控制裝置的第2指示，移動到該處理裝置所連接的該零件更換裝置的位置，並與該零件更換裝置連接； <br/>該零件更換裝置將該處理裝置內所安裝的作為更換對象的零件，與該零件收納裝置內所收納的零件相更換。
如請求項1之零件更換系統，其中， <br/>該零件更換裝置，包含： <br/>搬運臂，其在該處理裝置與該零件收納裝置之間經由該零件更換裝置搬運零件；以及 <br/>操作臂，其從該處理裝置內將作為更換對象的零件卸下，載置於該搬運臂，並將載置於該搬運臂的零件安裝到該處理裝置內。
如請求項2之零件更換系統，更包含： <br/>治具收納裝置，其收納裝設於該操作臂的前端的端接器，並與該零件更換裝置連接； <br/>該操作臂，從該治具收納裝置取出並裝設用以更換作為更換對象的零件的端接器，並用所裝設的端接器更換作為更換對象的零件。
如請求項3之零件更換系統，其中， <br/>端接器包含感測器； <br/>該操作臂，在更換零件之前，用裝設於前端的感測器，感測該處理裝置內的狀態； <br/>該零件更換裝置，包含判定部，其根據該操作臂的感測結果，判定是否可更換零件；當可更換零件時，令該操作臂更換零件；當不可更換零件時，則通知不可更換零件之主旨。
如請求項3或4之零件更換系統，其中， <br/>該治具收納裝置，收納裝設於該搬運臂的前端的保持構件； <br/>該搬運臂，從該治具收納裝置取出適用於更換作為更換對象的零件的保持構件，並用所取出的保持構件搬運作為更換對象的零件。
如請求項1至4項中任一項之零件更換系統，其中， <br/>該零件收納裝置，收納了複數種類的零件，且針對各種類至少收納1個以上的零件。
如請求項1至4項中任一項之零件更換系統，其中， <br/>該零件收納裝置，收納了複數個單一種類的零件。
如請求項1至4項中任一項之零件更換系統，其中， <br/>該零件更換裝置，包含用以控制該零件更換裝置內的壓力之壓力調整機構； <br/>該壓力調整機構，控制該零件更換裝置內的壓力，以在更換該處理裝置內所安裝的作為更換對象的零件時，令該零件更換裝置內的壓力比該處理裝置內的壓力更高。
如請求項1至4項中任一項之零件更換系統，其中， <br/>該零件更換裝置，更包含： <br/>第1接收部，其接收該第1指示； <br/>第1移動機構，其具有動力源，令該零件更換裝置移動； <br/>第1感測器，其感測該零件更換裝置的周圍；以及 <br/>第1控制部，其因應該第1指示，用該第1感測器的感測結果控制該第1移動機構，以令該零件更換裝置移動到安裝了作為更換對象的零件的處理裝置的位置。
如請求項1至4項中任一項之零件更換系統，其中， <br/>該零件收納裝置，包含： <br/>第2接收部，其接收該第2指示； <br/>第2移動機構，其具有動力源，令該零件收納裝置移動； <br/>第2感測器，其感測該零件收納裝置的周圍；以及 <br/>第2控制部，其因應該第2指示，用該第2感測器的感測結果控制該第2移動機構，以令該零件收納裝置移動到該零件更換裝置的位置。
一種零件更換裝置，包含： <br/>接收部，藉由無線通信接收來自控制裝置的第1指示； <br/>第1零件搬運口，其透過第1閘閥與處理裝置連接； <br/>第2零件搬運口，其透過第2閘閥與零件收納裝置連接； <br/>搬運臂，其用來將該處理裝置內所安裝的作為更換對象的零件，與該零件收納裝置內所收納的零件相更換；以及 <br/>移動機構，其因應該第1指示，令該零件更換裝置移動到安裝了作為更換對象的零件的處理裝置的位置。
一種基板處理裝置，其中，包括： <br/>內部腔室，具有內殼和內門，該內門與該內殼一起限定出用於容納待處理基板的處理室，供給到該處理室以達到高於大氣壓的第一壓力的反應氣體被加熱以達到處理溫度； <br/>外部腔室，被形成為容納該內部腔室，並且容納以相對於該第一壓力設定的第二壓力供給的保護氣體； <br/>密封單元，被形成為配置在該內殼與該內門之間，使該反應氣體與該保護氣體相互隔離；以及 <br/>釋放單元，被形成為位於與該密封單元所在的高度相對應的高度，並減輕該密封單元的熱影響。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該內門被形成為沿高度方向移動以打開及關閉該處理室，該釋放單元的至少一部分沿該高度方向位於該密封單元所佔據的高度區段內。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被形成為位於該密封單元形成的閉環的內側，用於阻止向該密封單元傳熱。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被形成為位於該密封單元形成的閉環的外側，用於奪走該密封單元的熱。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被配置為與該密封單元直接接觸。
如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元包括在內部容納冷媒的冷媒管。
如請求項6所述的基板處理裝置，其中，該冷媒管形成與該密封單元所形成的閉環同心的另一個閉環。
如請求項6所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元還包括與該冷媒管相連通的冷媒通道。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中，該冷媒通道，包括： <br/>冷媒注入通道，被形成為用於將該冷媒引導至該冷媒管的內部；以及 <br/>冷媒排出通道，被形成為用於將該冷媒引導至該冷媒管的外部。
如請求項8所述的基板處理裝置，其中，該冷媒管位於該內門的上表面，該冷媒通道從該內門的上表面側貫穿該內門而延伸。
如請求項6所述的基板處理裝置，其中，該冷媒管包括在其外表面上形成的凹槽，以供該密封單元的一部分插入。
一種基板處理裝置，其中，包括： <br/>第一外殼； <br/>第二外殼，與該第一外殼一起形成用來容納待處理基板； <br/>加熱單元，被配置成用於加熱該待處理基板； <br/>密封單元，配置在該第一外殼與該第二外殼之間，用於將容納該基板的空間與外部密封；以及 <br/>釋放單元，其位於與該密封單元所在高度相對應的高度，並且形成為減輕由於加該熱單元的運行而引起的該密封單元的熱影響。
如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該第二外殼被形成為沿高度方向移動，用於打開及關閉容納該處理基板的空間，該釋放單元的至少一部分沿該高度方向位於該密封單元所佔據的高度區段內。
如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被形成為位於該密封單元形成的閉環的內側，用於阻止向該密封單元傳熱。
如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被形成為位於該密封單元形成的閉環的外側，用於奪走該密封單元的熱。
如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元被配置為與該密封單元直接接觸。
如請求項12所述的基板處理裝置，其中，該釋放單元包括在內部容納冷媒的冷媒管。
一種開鎖與上鎖的控制裝置，包括： <br/>一鑰匙設備，包括一第一藍牙模組及一第一超寬頻模組；以及 <br/>一電子設備，包括一第二藍牙模組、一第二超寬頻模組、一電子鎖模組及一處理器模組，該處理器模組電性連接該第二藍牙模組、該第二超寬頻模組及該電子鎖模組； <br/>其中，當該第二藍牙模組與該第一藍牙模組配對成功時，該第一藍牙模組以一藍牙測距技術測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第一間距； <br/>其中，當該處理器模組判斷出該第一間距小於一第一設定距離時，該處理器模組啟動該第二超寬頻模組並喚醒該第一超寬頻模組，使以該第一超寬頻模組測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第二間距； <br/>其中，當該處理器模組判斷出該第二間距小於一第二設定距離，且該第二設定距離小於該第一設定距離時，該處理器模組控制該電子鎖模組解鎖； <br/>其中，以該藍牙測距技術之一相位差距測距法及一往返延遲時間測距法，分別測量該鑰匙設備與該電子設備之間的距離，以取得一第一距離及一第二距離，該第一距離乘上一第一權重，以產生一第一加權值，該第二距離乘上一第二權重，以產生一第二加權值，該第一間距等於該第一加權值與該第二加權值的總和，該第一權重與該第二權重分別介於0～100%之間，不包含端點值，且該第一權重大於該第二權重。
如請求項1所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，該第一權重介於60～70%，包含端點值，該第二權重介於30～40%，包含端點值，且該第一權重與該第二權重之總和為100%。
如請求項1所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，該第一藍牙模組還以該藍牙測距技術之一接收訊號強度指示測距法測量該鑰匙設備與該電子設備之間的距離，以取得一第三距離，該第三距離乘上一第三權重，以產生一第三加權值，該第一間距等於該第一加權值、該第二加權值與該第三加權值的總和，該第三權重介於0～100%之間，不包含端點值，且該第二權重大於該第三權重。
如請求項3所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，該第一權重介於10～70%，該第二權重介於10～70%，該第三權重介於0～20%，不包含端點值，且該第一權重、該第二權重與該第三權重之總和為100%。
如請求項4所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，該第一權重為60%，該第二權重為30%，該第三權重為10%。
如請求項1至5中任一項所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，當該電子鎖模組處於解鎖時，以該第一超寬頻模組測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第三間距；當該處理器模組判斷出該第三間距大於一第三設定距離，且該第三設定距離介於該第一設定距離與該第二設定距離之間時，該處理器模組控制該電子鎖模組上鎖。
如請求項6所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，當該電子鎖模組由解鎖轉換成上鎖時，以該第一超寬頻模組測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第四間距；當該處理器模組判斷出該第四間距大於一第四設定距離，且該第四設定距離大於該第一設定距離時，該處理器模組透過該第二超寬頻模組控制該第一超寬頻模組休眠。
如請求項7所述之開鎖與上鎖的控制裝置，其中，當該第一超寬頻模組休眠之後，以該藍牙測距技術測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第五間距；當該處理器模組判斷出該第五間距大於該第一設定距離時，該第二藍牙模組斷開與該第一藍牙模組的連線。
一種開鎖與上鎖的控制方法，適於使用在以一鑰匙設備開鎖與上鎖一電子設備，該鑰匙設備包括一第一藍牙模組及一第一超寬頻模組，該電子設備包括一第二藍牙模組、一第二超寬頻模組、一電子鎖模組及一處理器模組，該處理器模組電性連接該第二藍牙模組、該第二超寬頻模組及該電子鎖模組，該開鎖與上鎖的控制方法包括以下步驟： <br/>當該第二藍牙模組與該第一藍牙模組配對成功時，該第一藍牙模組以一藍牙測距技術測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第一間距； <br/>當該處理器模組判斷出該第一間距小於一第一設定距離時，該處理器模組啟動該第二超寬頻模組並喚醒該第一超寬頻模組，使以該第一超寬頻模組測量取得該鑰匙設備與該電子設備之間的一第二間距； <br/>當該處理器模組判斷出該第二間距小於一第二設定距離，且該第二設定距離小於該第一設定距離時，該處理器模組控制該電子鎖模組解鎖； <br/>其中，以該藍牙測距技術之一相位差距測距法及一往返延遲時間測距法，分別測量該鑰匙設備與該電子設備之間的距離，以取得一第一距離及一第二距離，該第一距離乘上一第一權重，以產生一第一加權值，該第二距離乘上一第二權重，以產生一第二加權值，該第一間距等於該第一加權值與該第二加權值的總和，該第一權重與該第二權重分別介於0～100%之間，不包含端點值，且該第一權重大於該第二權重。
如請求項9所述之開鎖與上鎖的控制方法，其中，該第一藍牙模組還以該藍牙測距技術之一接收訊號強度指示測距法測量該鑰匙設備與該電子設備之間的距離，以取得一第三距離，該第三距離乘上一第三權重，以產生一第三加權值，該第一間距等於該第一加權值、該第二加權值與該第三加權值的總和，該第三權重介於0～100%之間，不包含端點值，且該第二權重大於該第三權重。
一種單晶金屬箔的製造方法，包括：<br/> 將一待處理金屬箔置於一支架上，以使該待處理金屬箔的至少一部分因重力呈懸垂，並將該待處理金屬箔連同該支架置於一腔室中；<br/> 使該腔室內的氣壓到達一預定壓力；<br/> 將一惰性氣體以一第一惰氣流量通入該腔室中，並使該腔室內的環境溫度到達一預定溫度；<br/> 於該預定溫度下，將該惰性氣體以一第二惰氣流量通入該腔室中，同時將氫氣以一氫氣流量通入該腔室中，並維持一預定時間；及<br/> 將該惰性氣體以一第三惰氣流量通入該腔室中，並使該腔室自然冷卻；<br/> 其中，該第一惰氣流量為1~500 sccm，該預定溫度為1000~1500℃，該第二惰氣流量為200~500 sccm，該氫氣流量為1~200 sccm，該預定時間為8~22小時，該第三惰氣流量為1~500 sccm。
如請求項1之單晶金屬箔的製造方法，其中，該待處理金屬箔為銅箔或鎳箔。
如請求項1之單晶金屬箔的製造方法，其中，該預定壓力為1 × 10<sup>-1</sup>~1 × 10<sup>-4</sup>托。
如請求項1之單晶金屬箔的製造方法，其中，該支架包括一基座、一支撐柱及一延伸桿；該支撐柱的一端立於該基座上，該支撐柱的另一端連接該延伸桿；將該待處理金屬箔置於該延伸桿上，而使該待處理金屬箔的至少一部分因重力呈懸垂。
如請求項8之單晶金屬箔的製造方法，其中，該支架具有互相平行的二該延伸桿，該二延伸桿之間具有一最大間距，該最大間距為12~18 mm。
一種導絲轉接裝置，其包含： <br/>一轉接環，其相對的兩面分別具有一第一開口及一第二開口，一內部空間形成於該轉接環內，且該內部空間與該第一開口及該第二開口互相連通； <br/>一導管連接筒，其可轉動地設置於該轉接環，該導管連接筒具有： <br/>一轉動端，其穿設於該第一開口，且延伸至該內部空間中； <br/>一連接端，其往遠離該轉動端的方向延伸；及 <br/>一第一通道，其貫穿形成於該導管連接筒，該第一通道連通該連接端及該轉動端；以及 <br/>一本體組件，其穿設於該轉接環，該本體組件具有： <br/>一接合端，其穿設於該第二開口，且設置於該轉動端，該導管連接筒能相對該接合端轉動； <br/>一轉接端，其為相對於該接合端的另一端；及 <br/>一第二通道，其貫穿形成於該本體組件，且連通該接合端及該轉接端，該第二通道與該第一通道互相連通； <br/>其中，該本體組件包含： <br/>一主筒，其穿設於該轉接環，該接合端位於該主筒的其中一端，且該主筒具有： <br/>一接入端，其位於該主筒相對於該接合端的一端； <br/>一鎖定槽，其凹陷形成於該接入端，該鎖定槽包含一鎖定段，該鎖定段的內徑由該接入端往該接合端的方向漸縮；及 <br/>一第一子通道，其貫穿並連通該接合端和該鎖定槽的槽底；以及 <br/>一鎖定筒，其可移動地穿設於該鎖定槽，該轉接端位於該鎖定筒的其中一端，該鎖定筒具有： <br/>一夾擠端，其位於該鎖定筒相對於該轉接端的一端，該夾擠端位於該鎖定槽的該鎖定段；及 <br/>一第二子通道，其貫穿該鎖定筒的相對兩端，且貫穿該夾擠端，該第二子通道在該夾擠端之位置的內徑為可變的； <br/>其中，該第一子通道與該第二子通道互相連通並共同形成該第二通道。
一種導絲轉接裝置，其包含： <br/>一轉接環，其相對的兩面分別具有一第一開口及一第二開口，一內部空間形成於該轉接環內，且該內部空間與該第一開口及該第二開口互相連通； <br/>一導管連接筒，其可轉動地設置於該轉接環，該導管連接筒具有： <br/>一轉動端，其穿設於該第一開口，且延伸至該內部空間中； <br/>一連接端，其往遠離該轉動端的方向延伸；及 <br/>一第一通道，其貫穿形成於該導管連接筒，該第一通道連通該連接端及該轉動端； <br/>一本體組件，其穿設於該轉接環，該本體組件具有： <br/>一接合端，其穿設於該第二開口，且設置於該轉動端，該導管連接筒能相對該接合端轉動； <br/>一轉接端，其為相對於該接合端的另一端； <br/>一第二通道，其貫穿形成於該本體組件，且連通該接合端及該轉接端，該第二通道與該第一通道互相連通；及 <br/>一主筒，其穿設於該轉接環，該接合端與該轉接端位於該主筒的相對兩端，該第二通道位於該主筒；且該第二通道進一步包含一插入段，該插入段的內徑由該轉接端往該接合端的方向漸縮；以及 <br/>一鎖定單元，其連接於該主筒的該轉接端，該鎖定單元具有： <br/>一第一子筒，其具有： <br/>一第一端及一第二端，其分別位於該第一子筒的相對兩端，該第一端穿設於該插入段； <br/>一鎖定槽，其凹陷形成於該第二端，該鎖定槽包含一鎖定段，該鎖定段的內徑由該第二端往該第一端的方向漸縮；及 <br/>一第三通道，其貫穿並連通該第一端和該鎖定槽的槽底；以及 <br/>一第二子筒，其可移動地穿設於該第一子筒，該第二子筒具有： <br/>一夾擠端及一連結端，其分別位於該第二子筒的相對兩端，該夾擠端位於該鎖定槽的該鎖定段；及 <br/>一第四通道，其貫穿且連通該第二子筒的該夾擠端和該連結端，該第四通道在該夾擠端之位置的內徑為可變的； <br/>其中，該第三通道連通該第四通道與該第二通道。
如請求項1或2所述之導絲轉接裝置，其中，該導管連接筒進一步具有： <br/>一第一外環凸肋，其凸出形成於該轉動端的外周面，且位於該轉接環的該內部空間，該第一外環凸肋抵靠於該第一開口的周緣。
如請求項1或2所述之導絲轉接裝置，該本體組件進一步具有： <br/>一第二外環凸肋，其凸出形成於該接合端的外周面，且位於該轉接環的該內部空間，該第二外環凸肋抵靠於該第二開口的周緣。
如請求項1或2所述之導絲轉接裝置，其中，該轉動端凹陷形成有一設置槽，該接合端可相對轉動地設置於該設置槽。
如請求項5所述之導絲轉接裝置，其中： <br/>該設置槽的槽底進一步凹陷形成有一限位槽，該第一通道在該限位槽的槽底形成一開口；且 <br/>該接合端進一步具有一內筒壁，該內筒壁周向環繞該第二通道，該內筒壁的一端設置於該限位槽。
如請求項1或2所述之導絲轉接裝置，其中，該連接端凹陷形成一外環槽，該外環槽周向環繞該第一通道。
如請求項1或2所述之導絲轉接裝置，其中，該本體組件包含一握把部，其位於該接合端與該轉接端之間；該握把部具有： <br/>一中段位置及兩端位置，該中段位置連接於兩該端位置之間，該握把部的外徑由該中段位置分別往兩該端位置漸縮。
一種具投射照明之電腦機箱，係包括有一電腦機箱、一投射裝置及一控制器，其中： <br/>該電腦機箱之箱體內部為具有供複數預設電腦硬件組裝之容置空間，並且該箱體內的至少二壁面為被投射面，再於該箱體一側設有之前板及相鄰一側的側板之間設有呈一角度傾斜延伸之組裝面，並於該組裝面上形成有一安裝部； <br/>該投射裝置為具有安裝於該組裝面上之一組裝板，並於該組裝板朝向該箱體內側設有一投射器，並且該投射器設有一中央投射部及二側各設有的至少一側面投射部，並且該中央投射部上為設有凸出最高點之第一中部投射區，再於該第一中部投射區的上、下二側弧面各延伸有第一投射區，而各該至少一側面投射部為設有凸出最高點之第二中部投射區，再於各該第二中部投射區的上、下二側弧面各延伸有第二投射區，並於該中央投射部及二側的該至少一側面投射部上為各設有具發光元件之複數發光部； <br/>該控制器設有的一處理模組內部為設有一時序單元，並且該處理模組係電性連接一傳輸模組，並透過該傳輸模組與該投射裝置內的該些發光元件形成電性連接，其中該時序單元為設定一組燈光閃爍的時序訊號，並發送至各別的該些發光部進行發光動作，以令該投射器照射之光源照射於該箱體的各該被投射面上而不互相干涉。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該前板及該側板上為各設有一第一透光部及一第二透光部，且該第一透光部及該第二透光部係可為玻璃材質、透明pvc板、透明壓克力等透明材質製成。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該中央投射部及各該至少一側面投射部之間具有調節彎曲角度之調節槽。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射裝置的各該發光部為設有位於該發光元件表面之透鏡。
如請求項4所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射裝置的各該透鏡係能令照射範圍調整於10~30度之間的角度範圍。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射裝置的該些發光元件係由3*3、4*4或5*5的ARGB LED矩陣組合而成，並且各該發光元件的ARGB LED係以電子線路的串聯方式呈現。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射器於至少一或一個以上的該發光元件周緣處剖設有至少一剖槽。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射器內部為進一步設有偵測該電腦機箱內部光源亮度之一感測器，並且該感測器係為偵測該電腦機箱內部各區塊的的顏色、亮度，並將該電腦機箱內部各區塊的顏色、亮度傳輸至該控制器內的該處理模組分析出該電腦機箱內部各區塊的色彩權重，進而調整該時序單元設定的燈光閃爍的時序訊號，係令該燈光閃爍的時序訊號能根據該電腦機箱內部各區塊的色彩權重控制該投射器的各該發光部投射顏色的權重比例高低。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該投射裝置的該組裝板係非透光材質製成。
如請求項1所述之具投射照明之電腦機箱，其中該控制器內的該處理模組係可用光效動畫庫、螢幕同步畫面、音樂同步光效以及光效邏輯編排方式，設定該時序單元的燈光閃爍的時序訊號。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有折射力； <br/>第二透鏡，具有折射力且具有凹的物側表面； <br/>第三透鏡，具有折射力； <br/>第四透鏡，具有正的折射力且具有凹的物側表面；以及 <br/>第五透鏡，具有凸的像側表面， <br/>其中所述第一透鏡至所述第五透鏡從物側朝向成像平面依序設置，且 <br/>其中，0.2 ＜ (D23+D34+D45)/BFL ＜ 0.5，其中D23是自所述第二透鏡的像側表面至所述第三透鏡的物側表面的距離，D34是自所述第三透鏡的像側表面至所述第四透鏡的物側表面的距離，D45是自所述第四透鏡的像側表面至所述第五透鏡的物側表面的距離，且BFL是自所述第五透鏡的像側表面至成像平面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有凸的物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸的物側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凸的像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第五透鏡具有凹的物側表面。
一種光學成像系統，包括： <br/>第一透鏡，具有折射力； <br/>第二透鏡，具有折射力； <br/>第三透鏡，具有折射力； <br/>第四透鏡，具有折射力；以及 <br/>第五透鏡，具有折射力， <br/>其中所述第一透鏡至所述第五透鏡從物側朝向成像平面依序設置， <br/>其中0.2 ＜ (D23+D34+D45)/BFL ＜ 0.5，0.8 ＜ (L1S1:L5S2)/BFL ＜ 1.2以及(n2+n4)/n3 ＜ 2.0，其中D23是自所述第二透鏡的像側表面至所述第三透鏡的物側表面的距離，D34是自所述第三透鏡的像側表面至所述第四透鏡的物側表面的距離，D45是自所述第四透鏡的像側表面至所述第五透鏡的物側表面的距離，BFL是自所述第五透鏡的像側表面至成像平面的距離，L1S1:L5S2是自所述第一透鏡的物側表面至所述第五透鏡的所述像側表面的距離，n2是所述第二透鏡的折射率，n4是所述第四透鏡的折射率，且n3是所述第三透鏡的折射率。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有正的折射力。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有凸的物側表面。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸的物側表面。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凹的物側表面。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凸的像側表面。
一種透明銅箔基板，其係包含：<br/> 透明基材，其包括第一表面及第二表面；<br/> 黑色種子層，其係藉由雙重化學鍍而形成於該第一表面，該黑色種子層的片電阻小於10Ω/sq，且該黑色種子層包括鎳及鋅，其中鋅/鎳的重量比值為0.018~0.07；及<br/> 銅層，其係形成於該黑色種子層之遠離該透明基材的一面，並與該黑色種子層複合為金屬導電層；<br/> 其中，該透明銅箔基板之由該透明基材的第二表面穿射入第一表面方向所測得之入射光於入射角5°的反射率在400~700nm的範圍內小於22%。
如請求項1所述之透明銅箔基板，其中，該透明基材的透光度大於87%，且選自由以下所組成之群組：玻璃、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)及聚碳酸酯(PC)。
如請求項1所述之透明銅箔基板，其中，該透明基材和該黑色種子層之間存在高分子塗層，且該高分子塗層之透光度大於85%。
如請求項3所述之透明銅箔基板，其中，該高分子塗層的材料選自由以下所組成之群組：聚醯亞胺(PI)、聚氨酯(PU)、壓克力樹脂及環氧樹脂。
如請求項1~4中任一項所述之透明銅箔基板，其中，該黑色種子層更包括磷，且磷的含量為該黑色種子層的4wt%以下。
一種透明銅箔基板的製造方法，其係包含：<br/> 步驟(A)，提供透明基材，其包括第一表面及第二表面；<br/> 步驟(B)，藉由進行雙重化學鍍，來於該第一表面形成黑色種子層，該黑色種子層的片電阻小於10Ω/sq，且該黑色種子層係包括鎳和鋅，並且鋅/鎳的重量比值為0.018~0.07；及<br/> 步驟(C)，藉由電鍍將銅層形成於該黑色種子層之遠離該透明基材的一面，並且該銅層與該黑色種子層複合為金屬導電層；<br/> 其中，該透明銅箔基板之由該透明基材的第二表面穿射入第一表面方向所測得之入射光於入射角5°的反射率在400~700nm的範圍內小於22%。
如請求項6所述之透明銅箔基板的製造方法，其中，該透明基材的透光度大於87%，且選自由以下所組成之群組：玻璃、聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)及聚碳酸酯(PC)。
如請求項6所述之透明銅箔基板的製造方法，其中，該銅層的厚度為0.2~20μm。
如請求項6所述之透明銅箔基板的製造方法，其中，在該步驟(A)之後且該步驟(B)之前，將高分子塗層塗佈於該透明基材的第一表面，並使該高分子塗層位於該透明基材和該黑色種子層之間。
如請求項9所述之透明銅箔基板的製造方法，其中，該高分子塗層之透光度大於85%，並且該高分子塗層的材料選自由以下所組成之群組：聚醯亞胺(PI)、聚氨酯(PU)、壓克力樹脂及環氧樹脂。
如請求項6~10中任一項所述之透明銅箔基板的製造方法，其中，該黑色種子層更包括磷，且磷的含量為該黑色種子層的4wt%以下。
一種具釋壓功能的球閥，其包括：<br/> 一閥本體，具有一入口端、一相反於該入口端的出口端及一內腔，該內腔設於入口端與該出口端之間，該閥本體具有一排壓孔連通於該內腔及一活動室；<br/> 一閥球，轉動設置於該內腔，該閥球具有一通孔，該閥球在一開啟位置及一關閉位置之間切換，於該開啟位置時，該通孔連通於該入口端與該出口端以允許介質沿著一流動路徑流通，於該關閉位置時，該閥球阻止所述介質由該出口端流出；<br/> 一旁通管路，其設置於該閥本體，該旁通管路一端連通於該流動路徑，該旁通管路另一端連接於該排壓孔，該活動室連接於該排壓孔與該旁通管路之間；以及<br/> 一釋壓裝置，設置於該閥本體且設於該排壓孔與該旁通管路之間，該釋壓裝置選擇性地控制該排壓孔與該旁通管路連通與否，該釋壓裝置包括設置於該活動室的一密封件、一作動桿及一彈性件，該作動桿受該彈性件之彈力作用而能夠將該密封件朝該排壓孔方向封閉，以便保持該排壓孔與該旁通管路不相通；<br/> 其中，在該閥球於該開啟位置時，該釋壓裝置保持該排壓孔於封閉狀態；於該閥球在該關閉位置，且殘留在該內腔的所述介質產生膨脹時而能夠促使該釋壓裝置作動，<u>且</u>所述介質因膨脹產生的壓力大於該彈性件之彈力，該密封件與該作動桿產生位移，以便該排壓孔與該旁通管路導通從而釋放壓力於該流動路徑。
如請求項1所述之具釋壓功能的球閥，其中，該旁通管路連通於該入口端，當該釋壓裝置作動時，壓力能夠經由該旁通管路排放至該入口端。
如請求項1所述之具釋壓功能的球閥，其中，該旁通管路連通於該出口端，當該釋壓裝置作動時，壓力能夠經由該旁通管路排放至該出口端。
如請求項1所述之具釋壓功能的球閥，其中，該活動室鄰近於該排壓孔的一端內壁設有一第一迫緊部，該密封件具有一第二迫緊部與該第一迫緊部相互適配。
如請求項4所述之具釋壓功能的球閥，其中，該釋壓裝置更包括一固定座固定設置於該閥本體，該固定座具有一活動槽連通於該活動室，該作動桿一端穿伸於該活動槽，該彈性件一端抵於該固定座，該彈性件另一端抵於該作動桿。
如請求項5所述之具釋壓功能的球閥，其中，該作動桿具有一滑動部及一遠離滑動部之抵接部，該滑動部設於該活動槽，更包括二閥座隔開設置於該內腔，該二閥座分別抵接於該閥球的兩側。
如請求項1所述之具釋壓功能的球閥，更包括一軸桿，其沿著垂直於該流動路徑之一轉動軸線而連接於該閥球，該活動室平行於該轉動軸線的方向設置，該排壓孔設在該閥本體遠離該軸桿之一側。
如請求項7所述之具釋壓功能的球閥，其中，該旁通管路具有一第一段及一第二段，該第一段平行於該轉動軸線且連通於該流動路徑，該第二段平行於該流動路徑且連通於該第一段與該活動室。
一種硬體版本偵測系統，包含：<br/> 一檢測設備，包括：<br/> 一計數器，可操作地以根據一參考時鐘信號進行計數而產生一目前計數值；<br/> 一輸入輸出接腳；<br/> 一輸入輸出電路，電連接到該輸入輸出接腳，可操作以將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到一第一準位，並且根據該輸入輸出接腳上的電壓產生一指示信號，該第一準位是一預設高準位及一預設低準位的其中一者，該指示信號指示該輸入輸出接腳上的電壓在準位上是否比一參考電壓更接近一第二準位，該第二準位是該預設低準位及該預設高準位其中相對於該第一準位的另一者，該參考電壓的準位高於該預設低準位，而且低於該預設高準位；及<br/> 一控制器，電連接該計數器及該輸入輸出電路，從該計數器接收該目前計數值，並且從該輸入輸出電路接收該指示信號；及<br/> 一延遲電路，電連接該輸入輸出接腳，並且在該輸入輸出電路沒有將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到該第一準位時，將該輸入輸出接腳上的電壓的準位逐漸拉到該第二準位；<br/> 其中，該控制器：<br/> 使該輸入輸出電路將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到該第一準位，<br/> 設定該計數器，使該目前計數值等於一預設最小值，<br/> 使該計數器開始計數，及<br/> 當該指示信號指示該輸入輸出接腳上的電壓比該參考電壓在準位上更接近該第二準位時，使該計數器停止計數，並且根據該目前計數值獲得一目前硬體版本數據。
如請求項1所述的硬體版本偵測系統，其中，該延遲電路包括一電阻及一電容，該電阻具有一接收一預設電壓的第一端，及一電連接該輸入輸出接腳的第二端，該電容具有一電連接該輸入輸出接腳的第一端，及一接收一預設低電壓的第二端，該預設電壓具有該第二準位，該預設低電壓具有該預設低準位。
如請求項1所述的硬體版本偵測系統，其中，該輸入輸出電路包括：<br/> 一輸出驅動器，電連接到該輸入輸出接腳及該控制器，並且受該控制器控制在將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到該第一準位及不將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到該第一準位之間切換；及<br/> 一比較器，電連接到該輸入輸出接腳及該控制器，並且比較該輸入輸出接腳上的電壓及該參考電壓以產生該指示信號。
如請求項1所述的硬體版本偵測系統，還包含：<br/> 一儲存電路，電連接到該控制器，並且儲存多筆硬體版本數據，該等硬體版本數據分別對應多個參考計數值；<br/> 其中，該控制器根據該目前計數值從該儲存電路獲得該等硬體版本數據的其中之一作為該目前硬體版本數據。
一種硬體版本偵測方法，由一檢測設備實現，該檢測設備包括一輸入輸出接腳及一計數器，該輸入輸出接腳電連接到一延遲電路，該延遲電路在該檢測設備沒有將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到一第一準位時，將該輸入輸出接腳上的電壓的準位逐漸拉到一第二準位，該第一準位是一預設高準位及一預設低準位的其中一者，該第二準位是該預設低準位及該預設高準位其中相對於該第一準位的另一者，該預設低準位低於該預設高準位，該計數器可操作地以根據一參考時鐘信號進行計數而產生一目前計數值，該硬體版本偵測方法包含以下步驟：<br/> (A)將該輸入輸出接腳上的電壓的準位拉到該第一準位；<br/> (B)將該目前計數值設定到一預設最小值；<br/> (C)根據該參考時鐘信開始計數以增加該目前計數值；及<br/> (D)根據該目前計數值獲得一目前硬體版本數據；<br/> 其中，步驟(D)包括以下子步驟：<br/> (D1)偵測該輸入輸出接腳上的電壓是否比一參考電壓在準位上更接近該第二準位，該參考電壓的準位高於該預設低準位，並且小於該預設高準位；當偵測到該輸入輸出接腳上的電壓比該參考電壓在準位上更接近該第二準位時，前進到子步驟(D2)；<br/> (D2)停止計數；及<br/> (D3)根據該目前計數值獲得該目前硬體版本數據。
如請求項5所述的硬體版本偵測方法，其中，步驟(D)還包括以下子步驟：<br/> (DA)判斷該目前計數值是否異常，當判斷出該目前計數值並非異常時，前進到子步驟(D1)，當判斷出該目前計數值異常時，前進到子步驟(D3)；<br/> 其中，在子步驟(D1)中，當偵測到該輸入輸出接腳上的電壓沒有比該參考電壓在準位上更接近該第二準位時，回到子步驟(DA)。
如請求項6所述的硬體版本偵測方法，其中，在子步驟(DA)中，當該目前計數值等於該預設最小值及一預設最大值中的一者時，判定該目前計數值異常，否則，判定該目前計數值並非異常，該預設最大值大於該預設最小值。
如請求項5所述的硬體版本偵測方法，還包括在步驟(C)之前的一步驟(Z)是將一重啟值設定到一預設重啟最小值，其中，步驟(D)還包括以下子步驟：<br/> (DA)判斷該目前計數值是否異常，當判斷出該目前計數值異常時，前進到子步驟(DB)，當判斷出該目前計數值並非異常時，前進到子步驟(D3)；<br/> (DB)判斷該重啟值是否大於一預設重啟最大值，該預設重啟最大值大於該預設重啟最小值，當判斷出該重啟值並非大於該預設重啟最大值時，前進到子步驟(DC)，當判斷出該重啟值大於該預設重啟最大值時，前進到子步驟(D3)；<br/> (DC)將該重啟值增加一，並等待一預設時間後回到子步驟(D1)；<br/> 其中，當在子步驟(D1)偵測到該輸入輸出接腳上的電壓沒有比該參考電壓在準位上更接近該第二準位時，回到子步驟(D1)；<br/> 其中，子步驟(DA)在子步驟(D2)之後執行。
如請求項8所述的硬體版本偵測方法，其中，在子步驟(DA)中，當該目前計數值等於該預設最小值時，判定該目前計數值異常，否則，判定該目前計數值並非異常。
一種層積體之製造方法，其特徵係包含： <br/> (a)準備於至少一表面具備凸塊的配線基板的工程； <br/> 以及(b)將依序具備載體、剝離層及包含黏著性材料的黏著層的黏著片層積到前述配線基板的具備前述凸塊的表面上的工程中， <br/> (b)步驟中包括： <br/> (b1)在3.0hPa以下的真空壓下，使前述配線基板的前述凸塊與前述黏著片的前述黏著層抵住並接觸，並進行第1階段真空層壓，形成前述凸塊埋設在前述黏著層中的層積體； <br/> 以及(b2)在前述真空壓下，對前述層積體以高於前述第1階段真空層壓的溫度進行第2階段真空層壓。
如請求項1記載之層積體之製造方法，其中，更包含在將前述黏著片層積到前述配線基板上的工程(b)之後，進一步包含： <br/> (c)硬化前述黏著層的工程。
如請求項2記載之層積體之製造方法，其中，更包含在硬化前述黏著層的工程(c)之後，進一步包含： <br/> (d)對前述層積體以高於前述第2階段真空層壓的溫度進行加熱處理的工程。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述第1階段真空層壓在60℃以上且未滿200℃的溫度、0.10MPa以上的壓力以及10秒以上600秒以下的加壓時間下進行。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述第2階段真空層壓在150℃以上200℃以下的溫度、0.10MPa以上的壓力以及10秒以上600秒以下的加壓時間下進行。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述凸塊係具有10μm以上1000μm以下的直徑及10μm以上1000μm以下的高度的錫球。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述凸塊係以30μm以上1000μm以下的間距(中心間距離)規則地排列。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述載體的卜瓦松比為0.15以上0.50以下。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述載體係由金屬構成。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述載體係選自鋁及鋁合金、不鏽鋼、銅及銅合金、鈦及鈦合金，以及鎳及鎳合金中的至少1種。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述黏著性材料係選自熱硬化性環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂及酚醛樹脂所成群中的至少1種。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述黏著層係具有1μm以上2000μm以下的厚度。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述黏著層的平面視面積A<sub>A</sub>相對於前述載體的平面視面積A<sub>C</sub>的比值A<sub>A</sub>/A<sub>C</sub>為0.03以上1.0以下。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述剝離層係包含碳。
如請求項1~3之任一項記載之層積體之製造方法，其中，前述黏著片係更具備設在前述剝離層與前述黏著層之間的金屬層。
一種虛擬資源配置方法，應用於安裝有虛擬化驅動軟體的電腦設備，所述虛擬資源配置方法包括：<br/> 響應虛擬資源創建請求，從虛擬功能資源池中確定滿足所述虛擬資源創建請求的目標數量個目標虛擬功能資源；<br/> 所述虛擬功能資源池中的虛擬功能資源位於支援單根輸入/輸出虛擬化技術的顯示卡上，其中所述虛擬化驅動軟體包括Host驅動軟體，所述虛擬功能資源池是在所述Host驅動軟體初始階段構建的；以及<br/> 基於所述目標數量個目標虛擬功能資源創建目標虛擬圖形處理器設備，並基於所述目標虛擬圖形處理器設備運行目標虛擬機器。
如請求項1所述的虛擬資源配置方法，所述虛擬資源配置方法還包括：<br/> 確定支援單根輸入/輸出虛擬化技術的顯示卡所具有的虛擬功能資源資訊；以及<br/> 基於所述虛擬功能資源資訊構建所述虛擬功能資源池。
如請求項2所述的虛擬資源配置方法，其中所述虛擬功能資源資訊對應至少一個第一虛擬功能資源，所述虛擬功能資源池包括已用資源池和空閒資源池；<br/> 所述基於所述虛擬功能資源資訊構建所述虛擬功能資源池，包括：<br/> 基於每一第一虛擬功能資源的使用情況，將所述每一第一虛擬功能資源劃分至已被使用的第一虛擬功能資源集合和未被使用的第二虛擬功能資源集合；以及<br/> 基於所述第一虛擬功能資源集合和所述第二虛擬功能資源集合，確定所述已用資源池和所述空閒資源池；所述第一虛擬功能資源集合中的虛擬功能資源被標記為已被使用的狀態，所述第二虛擬功能資源集合中的虛擬功能資源被標記為未被使用的狀態。
如請求項3所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述第一虛擬功能資源集合和所述第二虛擬功能資源集合，確定所述已用資源池和所述空閒資源池，包括：<br/> 將所述第一虛擬功能資源集合中的每一虛擬功能資源標記為第一標識；所述第一標識表徵對應的虛擬功能資源已被使用；<br/> 將所述第二虛擬功能資源集合中的每一虛擬功能資源標記為第二標識；所述第二標識表徵對應的虛擬功能資源未被使用；<br/> 將標記後的第一虛擬功能資源集合作為已用資源池；以及<br/> 將標記後的第二虛擬功能資源集合作為空閒資源池。
如請求項1至4中任一項所述的虛擬資源配置方法，其中所述虛擬功能資源池包括空閒資源池，所述虛擬資源創建請求包括目標顯示記憶體資源大小；<br/> 所述從虛擬功能資源池中確定滿足所述虛擬資源創建請求的目標數量個目標虛擬功能資源，包括：<br/> 確定單個虛擬功能資源具有的顯示記憶體資源大小；<br/> 基於所述單個虛擬功能資源具有的顯示記憶體資源大小和所述目標顯示記憶體資源大小，確定目標數量； <br/> 從所述空閒資源池中確定目標數量個虛擬功能資源作為所述目標數量個目標虛擬功能資源；以及<br/> 所述目標數量個目標虛擬功能資源的大小的和、與所述目標顯示記憶體資源大小匹配。
如請求項1至4中任一項所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述目標數量個目標虛擬功能資源創建目標虛擬圖形處理器設備，包括：<br/> 確定虛擬功能資源與計算核心組之間的關聯關係；以及<br/> 基於所述關聯關係和所述目標數量個目標虛擬功能資源，創建所述目標虛擬圖形處理器設備。
如請求項6所述的虛擬資源配置方法，其中所述虛擬資源創建請求包括目標計算資源大小；<br/> 所述基於所述關聯關係和所述目標數量個目標虛擬功能資源，創建所述目標虛擬圖形處理器設備，包括：<br/> 在所述關聯關係為不同的虛擬功能資源連接於不同的計算核心組的情況下，確定與所述目標計算資源大小匹配的至少一個第一計算核心組；以及<br/> 基於所述目標數量個目標虛擬功能資源和所述至少一個第一計算核心組，創建所述目標虛擬圖形處理器設備。
如請求項7所述的虛擬資源配置方法，其中所述確定與所述目標計算資源大小匹配的至少一個第一計算核心組，包括：<br/> 確定所述目標數量個目標虛擬功能資源對應的至少一個第二計算核心組的計算資源大小的和；<br/> 在所述至少一個第二計算核心組的計算資源大小的和與所述目標計算資源大小匹配的情況下，將所述至少一個第二計算核心組作為所述至少一個第一計算核心組；<br/> 在所述至少一個第二計算核心組的計算資源大小的和與所述目標計算資源大小不匹配的情況下，從處於空閒的至少一個第三計算核心組中確定至少一個第四計算核心組，將所述至少一個第二計算核心組和所述至少一個第四計算核心組作為所述至少一個第一計算核心組；以及<br/> 所述至少一個第二計算核心組和所述至少一個第四計算核心組的計算資源大小的和、與所述目標計算資源大小匹配。
如請求項6所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述關聯關係和所述目標數量個目標虛擬功能資源，創建所述目標虛擬圖形處理器設備，包括：<br/> 在所述關聯關係為所有的虛擬功能資源分享所有的計算核心組的情況下，基於所述目標數量個目標虛擬功能資源，創建所述目標虛擬圖形處理器設備。
如請求項1至4中任一項所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述目標數量個目標虛擬功能資源，創建所述目標虛擬圖形處理器設備，包括：<br/> 從所述目標數量個目標虛擬功能資源中選取出一個虛擬功能資源作為主虛擬功能資源，將除所述主虛擬功能資源之外的其它虛擬功能資源作為從虛擬功能資源；以及<br/> 基於所述主虛擬功能資源和所述從虛擬功能資源創建所述目標虛擬圖形處理器設備。
如請求項10所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述主虛擬功能資源和所述從虛擬功能資源創建所述目標虛擬圖形處理器設備，包括：<br/> 對所述主虛擬功能資源的目標資源和所述從虛擬功能資源的顯示記憶體資源進行整合，得到所述目標虛擬圖形處理器設備；其中，所述目標資源包括寄存器、配置資訊、計算資源和顯示記憶體資源中的至少一項。
如請求項1至4中任一項所述的虛擬資源配置方法，其中所述基於所述目標虛擬圖形處理器設備運行目標虛擬機器，包括：<br/> 通過直通元件，將所述目標虛擬圖形處理器設備透傳至所述目標虛擬機器，以基於所述目標虛擬圖形處理器設備運行所述目標虛擬機器的程式。
如請求項3或4所述的虛擬資源配置方法，其中所述虛擬資源配置方法還包括：<br/> 確定所述每一第一虛擬功能資源的資源描述；所述資源描述包括所述每一第一虛擬功能資源的所處位置、使用情況、控制情況以及連接情況中的至少一項；以及<br/> 根據所述每一虛擬功能資源的資源描述對所述虛擬功能資源池中的每一虛擬功能資源進行說明。
一種電腦設備，包括記憶體和處理器，所述記憶體儲存有可在所述處理器上運行的電腦程式，所述處理器執行所述程式時實現請求項1至13中任一項所述方法的步驟。
一種電腦可讀儲存媒體，其上儲存有電腦程式，該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至13中任一項所述方法的步驟。
一種內循環散熱式風扇，包括： <br/>一定子，包含一線圈組；及 <br/>一葉輪，包含一輪轂及環繞該輪轂配置的複數扇葉，該輪轂具有一內罩殼以及套疊在該內罩殼的一外罩殼，該線圈組容置在該內罩殼內，該內罩殼及該外罩殼之間形成一內流道，該內流道的一側連通該內罩殼之內且另一側連通至該外罩殼之外，該內流道內設置有複數散熱葉片，該些散熱葉片環列配置且每一該散熱葉片上的一側緣連接該內罩殼及該外罩殼的其中之一者； <br/>其中，該定子包含一底座，該線圈組固設在該底座，該輪轂以一轉軸樞設樞設在該底座，該底座的頂面設有複數導流翼，該些導流翼對應該內罩殼的底端且以該轉軸為中心呈環列配置。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中該些散熱葉片設置在該內罩殼的外側。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中該些散熱葉片設置在該外罩殼的內側。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中該外罩殼包含一外筒以及一頂蓋。
如請求項4所述之內循環散熱式風扇，其中該些扇葉設置在該外筒之外側。
如請求項4所述之內循環散熱式風扇，其中該些散熱葉片設置在該頂蓋。
如請求項4所述之內循環散熱式風扇，其中該內流道的至少一部分定義在該頂蓋及該內罩殼之間。
如請求項4所述之內循環散熱式風扇，其中該內流道的至少一部分定義在該外筒及該內罩殼之間。
如請求項4所述之內循環散熱式風扇，其中該內罩殼呈二端開放的筒體。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中該外罩殼與該內罩殼之間形成有連通該內流道的一底部開口。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中該外罩殼的側面形成有連通該內流道的一側出口。
如請求項1所述之內循環散熱式風扇，其中每一該散熱葉片上相對的另一側緣抵接該內罩殼及該外罩殼的另一者。
一種局部字元線驅動器，包括： <br/>多個區塊，設置於基底上且沿著第一方向上排列，其中所述多個區塊中的一者包括多個傳輸閘極電晶體，所述多個傳輸閘極電晶體中的一者包括多個環繞式閘極結構電晶體，且所述多個環繞式閘極結構電晶體中的一者包括： <br/>通道層，在垂直方向上延伸； <br/>閘介電層，環繞所述通道層的側表面； <br/>多層閘極，環繞所述閘介電層； <br/>多層偽閘極，環繞所述閘介電層且鄰近所述多層閘極； <br/>源極，在所述垂直方向上設置於所述通道層的上方；以及 <br/>汲極，在所述垂直方向上設置於所述通道層的下方； <br/>局部字元線組，設置於所述基底上，其中所述局部字元線組包括多條局部字元線，且所述多條局部字元線各自與相應的所述多個傳輸閘極電晶體的所述源極電性連接；以及 <br/>全域字元線組，設置於所述基底上，其中所述全域字元線組包括多條全域字元線，且所述多條全域字元線通過所述多個傳輸閘極電晶體各自與相應的所述多條局部字元線電性連接。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，其中位於所述多個區塊中的所述一者中的所述多個傳輸閘極電晶體沿著第二方向上排列，且所述第二方向與所述第一方向垂直。
如請求項2所述的局部字元線驅動器，其中所述多層閘極被位於所述多個區塊中的所述一者中的所述多個傳輸閘極電晶體共用。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，其中所述多層偽閘極位於所述汲極與所述多層閘極之間。
如請求項4所述的局部字元線驅動器，其中在所述垂直方向上，所述多層偽閘極中最靠近所述汲極的一者與所述汲極之間具有間距。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，其中所述多層偽閘極位於所述源極與所述多層閘極之間。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，還包括： <br/>多個接點，其中所述多條全域字元線各自通過相應的所述多個接點與所述基底中的第一摻雜區電性連接。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，其中所述多個傳輸閘極電晶體中的所述一者包括4個所述環繞式閘極結構電晶體。
如請求項1所述的局部字元線驅動器，其中所述通道層的材料包括單晶矽。
一種三微記憶體，包括： <br/>三維記憶體元件； <br/>如請求項1所述的局部字元線驅動器，設置於所述三維記憶體元件的下方；以及 <br/>高壓元件以及低壓元件，與所述局部字元線驅動器相鄰，其中所述高壓元件設置於所述低壓元件與所述局部字元線驅動器之間。
一種多輸入多輸出(multi-input multi-output，以下簡稱MIMO)通訊系統，包含：<br/> 複數個發射天線組，各該複數個發射天線組包含二個發射天線，該二個發射天線分別發射具有不同的發射端極化方向的發射信號，其中該等不同的發射端極化方向是相互正交；<br/> 複數個接收天線，各具有一接收端極化方向且用以對應接收來自該等發射天線其中之一的該發射信號，且該接收天線所接收的該發射信號的發射端極化方向與該接收端極化方向相同；<br/> 對於該發射端極化方向與該接收端極化方向相同的該發射天線與該接收天線之間形成一匹配信號傳輸路徑，該發射天線所發射的該發射信號傳輸其中；對於該發射端極化方向與該接收端極化方向不相同的該發射天線與該接收天線之間形成一非匹配信號傳輸路徑；及<br/> 一電磁波阻隔裝置，設置於該等發射天線組之間且具有一預設高度，用於阻斷該等發射天線組之間的該非匹配信號傳輸路徑。
如請求項1所述的MIMO通訊系統，其中，該等發射天線組的任一者的該等發射天線所產生的發射信號的發射端極化方向，與該等天線組的另外任一者的該等發射天線所發射的發射信號的發射端極化方向非正交。
如請求項1所述的MIMO通訊系統，其中該電磁波阻隔裝置呈板狀，且該預設高度為4至5公分。
如請求項1所述的MIMO通訊系統，還包含一用以裝載該等複數個發射天線組及該電磁波阻隔裝置的機殼，該機殼具有一第一面及與該第一面直接或間接相連的複數個第二面，該等發射天線朝向該第一面，<br/> 其中，該電磁波阻隔裝置的延伸方向與該機殼的該第一面方向垂直，該等第二面的其中一部分或全部設有一電磁波阻隔塗層。
一種MIMO通訊系統的發射設備，用於對複數個接收天線進行通訊，各該接收天線具有一接收端極化方向，包含：<br/> 複數個發射天線組，各該複數個發射天線包含二個發射天線，該二個發射天線分別發射具有不同的發射端極化方向的發射信號，其中該等不同的發射端極化方向是相互正交，且各該發射信號的發射端極化方向與其中一接收天線的該接收端極化方向相同，對於該發射端極化方向與該接收端極化方向相同的該發射天線與該接收天線之間形成一信號傳輸路徑，該發射天線所發射的該發射信號傳輸其中；<br/> 對於該發射端極化方向與該接收端極化方向不相同的該發射天線與該接收天線之間形成一非匹配信號傳輸路徑；及<br/> 一電磁波阻隔裝置，設置於該等發射天線組之間且具有一預設高度，用於阻斷該等發射天線組之間的該非匹配信號傳輸路徑。
如請求項5所述的MIMO發射設備，其中，該電磁波阻隔裝置呈板狀，且該預設高度為4至5公分。
如請求項5所述的MIMO發射設備，還包含一用以裝載該等複數個發射天線組及該電磁波阻隔裝置的機殼，該機殼具有一第一面及與該第一面直接或間接相連的複數個第二面，該等發射天線朝向該第一面，<br/> 其中，該電磁波阻隔裝置的延伸方向與該機殼的該第一面方向垂直，該等第二面的其中一部分或全部設有一電磁波阻隔塗層。
一種連接裝置，用於連接彈性導線組合，所述彈性導線組合包含多條彈性導線，所述連接裝置包括：<br/>一固定座，所述固定座包含兩橫桿及一抬升結構，所述兩橫桿間隔的設置，所述抬升結構設置於所述兩橫桿之間，所述抬升結構與所述兩橫桿之間各形成有一穿孔，能供所述彈性導線組合穿過，使所述彈性導線組合能穿過所述兩橫桿的底側及所述抬升結構的頂側，使所述彈性導線組合呈彎曲狀穿設於所述固定座；<br/>一電路板，所述電路板相反的兩面分別設有多個第一接點及多個第二接點；以及<br/>一連接器，所述連接器具有多個接腳，該些第一接點分別與所述連接器的所述多個接腳焊接，所述電路板設置於所述固定座上；<br/>其中所述多條彈性導線能以所述抬升結構抬升，使所述多條彈性導線分別形成一凸起部，所述多條彈性導線的所述凸起部分別與所述電路板的所述多個第二接點接觸，使所述多條彈性導線通過所述電路板與所述連接器電連接。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述固定座還包含兩側桿，所述兩側桿間隔的設置，所述兩橫桿的兩端分別連接於所述兩側桿的兩端，所述抬升結構的兩端分別連接於所述兩側桿。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述抬升結構位於所述固定座的中間底側處，所述抬升結構與所述兩橫桿等距。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述多條彈性導線連接於一背膠，所述彈性導線組合對應於所述抬升結構的部位將所述背膠去除，使所述抬升結構接觸所述多條彈性導線。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述兩橫桿及所述抬升結構位於不同的水平高度，所述兩橫桿的水平高度高於所述抬升結構的水平高度，所述抬升結構位於所述固定座的底側。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述兩橫桿上間隔的設有多個第一線槽，所述抬升結構上間隔的設有多個第二線槽，所述多個第一線槽分別設置於所述兩橫桿的底側，所述多個第二線槽設置於所述抬升結構頂側，所述多條彈性導線分別容納於該些第一線槽及該些第二線槽中。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述多條彈性導線與該些第二接點之間分別設置導電膠。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述固定座具有多個定位柱，所述電路板具有多個定位孔，該些定位柱分別與該些定位孔配合，並以熱壓方式將所述電路板上方的該些定位柱壓平。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述多條彈性導線的所述凸起部凸起的高度分別與所述電路板的所述第二接點緊壓接觸，且所述凸起部呈長條狀，所述凸起部的長度大於所述彈性導線的直徑。
如請求項1所述的連接裝置，其中所述電路板壓置於所述多條彈性導線的所述凸起部上，使所述多條彈性導線的所述凸起部分別與所述電路板的所述第二接點緊壓接觸。
一種用於一通訊裝置處理呼叫（paging）傳輸的方法，包含有：<br/>從一網路端接收一增強型呼叫區域（enhanced paging region，EPR）組態（configuration），其中該增強型呼叫區域組態包含有一增強型呼叫區域循環（cycle）及一呼叫監控視窗（paging monitor window，PMW）組態；<br/>根據該呼叫監控視窗組態，決定在該增強型呼叫區域循環中的至少一呼叫監控視窗；<br/>在該至少一呼叫監控視窗中，從該網路端接收至少一呼叫下鏈路（downlink，DL）控制資訊（DL control information，DCI）；以及<br/>根據該至少一呼叫下鏈路控制資訊，從該網路端接收至少一第一呼叫訊息（paging message，PM）。
如請求項1所述的方法，其中該呼叫監控視窗組態包含有時間位置資訊（time location information）。
如請求項2所述的方法，其中該時間位置資訊包含有用於該呼叫監控視窗的一起始點（starting point）及一長度。
如請求項2所述的方法，其中根據該呼叫監控視窗組態，決定在該增強型呼叫區域循環中的該至少一呼叫監控視窗的步驟包含有：<br/>根據該時間位置資訊，決定在該增強型呼叫區域循環中的該至少一呼叫監控視窗。
如請求項1所述的方法，其中該呼叫監控視窗組態包含有指示至少一預設的呼叫循環（default paging cycle，DPC）的一呼叫監控視窗指示符。
如請求項5所述的方法，其中根據該呼叫監控視窗組態，決定在該增強型呼叫區域循環中的該至少一呼叫監控視窗的步驟包含有：<br/>根據該呼叫監控視窗指示符，決定在該增強型呼叫區域循環中的該至少一預設的呼叫循環為該至少一呼叫監控視窗。
如請求項5所述的方法，其中該呼叫監控視窗指示符包含有一指標（index number）及一位元圖（bit map）中至少一者。
如請求項7所述的方法，其中該位元圖包含有複數個位元，以及該複數個位元分別對應於在該增強型呼叫區域循環中的複數個預設的呼叫循環。
如請求項1所述的方法，其中該呼叫監控視窗組態包含有一係數（coefficient）。
如請求項9所述的方法，其中根據該呼叫監控視窗組態，決定在該增強型呼叫區域循環中的該至少一呼叫監控視窗的步驟包含有：<br/>根據以下方程式，決定在該增強型呼叫區域循環中的至少一呼叫訊框（paging frame，PF）為一呼叫監控視窗：<br/><img align="absmiddle" height="13px" width="198px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中<img align="absmiddle" height="9px" width="14px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是一無線電訊框（radio frame，RF）的一指標，<img align="absmiddle" height="9px" width="23px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是用於一呼叫監控視窗的一偏移量（offset），<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該係數，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是在一預設的呼叫循環中的無線電訊框的一數量，<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是在該預設的呼叫循環中的呼叫訊框的一數量，及<img align="absmiddle" height="9px" width="16px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是該通訊裝置的一識別（identity，ID）。
如請求項1所述的方法，其中該至少一呼叫下鏈路控制資訊的一呼叫下鏈路控制資訊包含有一短訊息及一呼叫訊息的一第一資源分配。
如請求項11所述的方法，其中該呼叫訊息包含有一呼叫記錄列表（paging record list）、一延長的（extended）呼叫記錄列表、一額外的（additional）呼叫記錄列表、用於該延長的呼叫記錄列表的一第一呼叫記錄列表指示符、用於該額外的呼叫記錄列表的一第二呼叫記錄列表指示符及至少一第二呼叫訊息的至少一第二資源分配中至少一者。
如請求項1所述的方法，其中該至少一呼叫下鏈路控制資訊的一呼叫下鏈路控制資訊包含有至少一第二呼叫訊息的至少一第二資源分配、用於一延長的呼叫記錄列表的一第一呼叫記錄列表指示符及用於一額外的呼叫記錄列表的一第二呼叫記錄列表指示符中至少一者。
如請求項13所述的方法，其中該至少一第二呼叫訊息包含有至少一呼叫記錄列表。
如請求項1所述的方法，其中該增強型呼叫區域組態另包含有指示該增強型呼叫區域組態的一初始狀態的一第一狀態指示符。
如請求項15所述的方法，另包含有：<br/>根據該初始狀態，決定是否應用（apply）該增強型呼叫區域組態。
如請求項1所述的方法，另包含有：<br/>從該網路端接收用於該增強型呼叫區域組態的一第二狀態指示符，以啟用（activate）或關閉（deactivate）該增強型呼叫區域組態。
如請求項17所述的方法，其中該至少一呼叫下鏈路控制資訊、該至少一第一呼叫訊息及系統資訊（system information，SI）中至少一者包含有該第二狀態指示符。
一種用來處理呼叫（paging）傳輸的通訊裝置，包含有：<br/>至少一儲存裝置；以及<br/>至少一處理電路，耦接於該至少一儲存裝置，其中該至少一儲存裝置被配置來儲存指令，以及該至少一處理電路被配置來執行儲存於該至少一儲存裝置中的以下指令：<br/>從一網路端接收一增強型呼叫區域（enhanced paging region，EPR）組態（configuration），其中該增強型呼叫區域組態包含有一增強型呼叫區域循環（cycle）及一呼叫監控視窗（paging monitor window，PMW）組態；<br/>根據該呼叫監控視窗組態，決定在該增強型呼叫區域循環中的至少一呼叫監控視窗；<br/>在該至少一呼叫監控視窗中，從該網路端接收至少一呼叫下鏈路（downlink，DL）控制資訊（DL control information，DCI）；以及<br/>根據該至少一呼叫下鏈路控制資訊，從該網路端接收至少一第一呼叫訊息（paging message，PM）。
一種用於一網路端處理呼叫（paging）傳輸的方法，包含有：<br/>傳送一增強型呼叫區域（enhanced paging region，EPR）組態（configuration）到一通訊裝置，其中該增強型呼叫區域組態包含有一增強型呼叫區域循環（cycle）及一呼叫監控視窗（paging monitor window，PMW）組態；<br/>在至少一預設的呼叫循環（default paging cycle，DPC）中，傳送至少一呼叫下鏈路（downlink，DL）控制資訊（DL control information，DCI）到該通訊裝置，其中該至少一預設的呼叫循環與至少一呼叫監控視窗重疊，以及該至少一呼叫監控視窗根據該至少一呼叫監控視窗組態被決定；以及<br/>根據該至少一呼叫下鏈路控制資訊，傳送至少一第一呼叫訊息（paging message，PM）到該通訊裝置。
一種建模裝置，包含：<br/> 一相機，用以在一視角擷取一被測物的一第一影像以及一第二影像，其中該第一影像及該第二影像其中之一包含複數個參考點；以及<br/> 一處理器，連接該相機，用以執行以下運作：<br/> 基於該第一影像，擷取該被測物的一輪廓；<br/> 基於該被測物的該輪廓，在該第二影像擷取該被測物的一外觀；<br/> 基於該第一影像或該第二影像中的該些參考點之間的一實際距離以及該第一影像或該第二影像中該些參考點之間的一像素數量，計算一像素距離；<br/> 基於該像素距離，計算該被測物的一尺寸；以及<br/> 基於該被測物的該輪廓、該外觀以及該尺寸，產生該被測物的一立體模型。
如請求項1所述之建模裝置，進一步包含：<br/> 一背光源，連接該處理器，用以朝該相機投射一背光，其中該背光源以及該相機之間形成一放置空間，該放置空間用以容置該被測物；<br/> 其中擷取該被測物的該第一影像的運作進一步包含：<br/> 該處理器開啟該背光源以投射該背光；以及<br/> 在該背光源投射該背光時，該相機擷取該被測物的該第一影像。
如請求項1所述之建模裝置，進一步包含：<br/> 一正光源，連接該處理器，用以朝該被測物投射一補光；<br/> 其中擷取該被測物的該第二影像的運作進一步包含：<br/> 該處理器開啟該正光源以投射該補光；以及<br/> 在該正光源投射該補光時，該相機擷取該被測物的該第二影像。
如請求項3所述之建模裝置，其中擷取該被測物的該第二影像的運作進一步包含：<br/> 該處理器基於該相機擷取的一第三影像，計算一環境亮度；以及<br/> 響應於該環境亮度高於一亮度閾值，該處理器關閉該正光源。
如請求項1所述之建模裝置，其中擷取該被測物的該輪廓的運作進一步包含：<br/> 計算該第一影像中複數個像素的複數個灰階值；<br/> 基於該些灰階值，計算該第一影像中對應該被測物的一邊緣；以及<br/> 基於該邊緣，產生該被測物的該輪廓。
如請求項1所述之建模裝置，其中擷取該被測物的該外觀的運作進一步包含：<br/> 基於該第一影像中該被測物的該輪廓，裁切該第二影像，以擷取該被測物的該外觀。
如請求項1所述之建模裝置，其中擷取該被測物的該外觀的運作進一步包含：<br/> 基於該第一影像中該被測物的該輪廓，計算一變換矩陣；<br/> 基於該變換矩陣，調整該第二影像；以及<br/> 基於該被測物的該輪廓，裁切調整後的該第二影像，以擷取該被測物的該外觀。
如請求項1所述之建模裝置，其中該相機為一深度相機，並且產生該被測物的該立體模型的運作進一步包含：<br/> 基於該第一影像或該第二影像，產生對應該被測物的一深度資訊；以及<br/> 基於該被測物的該深度資訊、該輪廓、該外觀以及該尺寸，產生該被測物的該立體模型。
如請求項8所述之建模裝置，其中產生該被測物的該立體模型的運作進一步包含：<br/> 基於該被測物的該輪廓，產生該立體模型的一底面；<br/> 基於該被測物的該深度資訊，產生該立體模型的一厚度；以及<br/> 基於該立體模型的該底面以及該厚度，構成該立體模型。
一種建模方法，適用於一電子裝置，其步驟包含：<br/> 取得一被測物在一視角擷取的一第一影像以及一第二影像，其中該第一影像及該第二影像其中之一包含複數個參考點；<br/> 基於該第一影像，擷取該被測物的一輪廓；<br/> 基於該輪廓，在該第二影像擷取該被測物的一外觀；<br/> 基於該第一影像或該第二影像中的該些參考點之間的一實際距離以及該第一影像或該第二影像中該些參考點之間的一像素數量，計算一像素距離；<br/> 基於該像素距離，計算該被測物的一尺寸；以及<br/> 基於該被測物的該輪廓、該外觀以及該尺寸，產生該被測物的一立體模型。
如請求項10所述之建模方法，其中擷取該被測物的該第一影像的步驟進一步包含：<br/> 開啟一背光源以朝該視角投射一背光；以及<br/> 在該背光源投射該背光時，擷取該被測物的該第一影像。
如請求項10所述之建模方法，其中擷取該被測物的該第二影像的步驟進一步包含：<br/> 開啟一正光源以朝該被測物投射一補光；以及<br/> 在該正光源投射該補光時，擷取該被測物的該第二影像。
如請求項12所述之建模方法，其中擷取該被測物的該第二影像的步驟進一步包含：<br/> 基於一第三影像，計算一環境亮度；以及<br/> 響應於該環境亮度高於一亮度閾值，關閉該正光源。
如請求項10所述之建模方法，其中擷取該被測物的該輪廓的步驟進一步包含：<br/> 計算該第一影像中複數個像素的複數個灰階值；<br/> 基於該些灰階值，計算該第一影像中對應該被測物的一邊緣；以及<br/> 基於該邊緣，產生該被測物的該輪廓。
如請求項10所述之建模方法，其中擷取該被測物的該外觀的步驟進一步包含：<br/> 基於該第一影像中該被測物的該輪廓，裁切該第二影像，以擷取該被測物的該外觀。
如請求項10所述之建模方法，其中擷取該被測物的該外觀的步驟進一步包含：<br/> 基於該第一影像中該被測物的該輪廓，計算一變換矩陣；<br/> 基於該變換矩陣，調整該第二影像；以及<br/> 基於該被測物的該輪廓，裁切調整後的該第二影像，以擷取該被測物的該外觀。
如請求項10所述之建模方法，其中產生該被測物的該立體模型的步驟進一步包含：<br/> 基於該第一影像或該第二影像，產生對應該被測物的一深度資訊；以及<br/> 基於該被測物的該深度資訊、該輪廓、該外觀以及該尺寸，產生該被測物的該立體模型。
如請求項17所述之建模方法，其中產生該被測物的該立體模型的步驟進一步包含：<br/> 基於該被測物的該輪廓，產生該立體模型的一底面；<br/> 基於該被測物的該深度資訊，產生該立體模型的一厚度；以及<br/> 基於該立體模型的該底面以及該厚度，構成該立體模型。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一驅動基板，包含一上表面與一下表面；<br/> 一軟性印刷電路板，電性連接該驅動基板並設置於該驅動基板的該上表面；<br/> 一微控制器單元 (MCU)，透過一金屬凸塊直接設置於該驅動基板的該上表面；<br/> 一驅動積體電路，設置於該驅動基板的該上表面；<br/> 一走線，連接該微控制器單元與該驅動積體電路，其中該走線設置在該驅動基板的該上表面；以及<br/> 一防水膠，設置於該驅動基板的該上表面並覆蓋該微控制器單元。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該驅動基板包含一顯示區域與一周邊區域，其中該微控制器單元位在該周邊區域。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該驅動積體電路位在該周邊區域。
如請求項2所述之顯示裝置，其中該驅動基板的該周邊區域包含一連接區域，位在該驅動基板鄰近該軟性印刷電路板的一側。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該金屬凸塊包含一錐粒金凸塊。
如請求項1所述之顯示裝置，還包含：<br/> 一非導電膜，設置於該驅動積體電路與該驅動基板的該上表面之間。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該微控制器單元還包含一藍芽模組。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該軟性印刷電路板反折至該驅動基板的該下表面。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該軟性印刷電路板包含一聚醯亞胺薄膜、兩樹脂層以及兩銅箔層，其中該兩樹脂層分別位在該聚醯亞胺薄膜與該兩銅箔層之間。
如請求項1所述之顯示裝置，還包含：<br/> 一微控制器單元控制電路，設置於該軟性印刷電路板<br/> 上並與該微控制器單元電性連接。
如請求項1所述之顯示裝置，還包含：<br/> 一外殼，包覆該驅動基板、該軟性印刷電路板以及該微控制器單元。
一種顯示裝置，包含：<br/> 一驅動基板，包含一顯示區域與一周邊區域；<br/> 一軟性印刷電路板，電性連接該驅動基板並設置於該驅動基板的該周邊區域；<br/> 一微控制器單元，透過一金屬凸塊直接設置於該驅動基板的一上表面與該周邊區域；<br/> 一驅動積體電路，設置於該驅動基板的該周邊區域；以及<br/> 一防水膠，設置於該驅動基板的該上表面並覆蓋該微控制器單元。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該驅動基板包含一下表面，該顯示裝置還包含：<br/> 一走線，連接該微控制器單元與該驅動積體電路，其中該走線位在該驅動基板的該上表面。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該走線為直線。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該微控制器單元位在該驅動基板的該上表面。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該周邊區域包含一連接區域，位在該驅動基板鄰近該軟性印刷電路板的一側，且該走線位在該周邊區域。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該走線位在該顯示區域與該軟性印刷電路板之間。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該微控制器單元位在該顯示區域與該軟性印刷電路板之間。
如請求項12所述之顯示裝置，其中該驅動積體電路位在該顯示區域與該軟性印刷電路板之間。
一種擺角導針繞線系統，組配將一線體繞設於一電極，該擺角導針繞線系統包括：<br/> 一基座，組配相對該電極於一縱向上位移和一橫向上位移；<br/> 一導針，樞接設置於該基座，且具有彼此相反的一入線端以及一出線端，其中該基座驅動該導針沿一繞線路徑將該線體繞設於該電極，該線體由該入線端導入，經該出線端導出後繞設於該電極上；以及<br/> 一擺動模組，包括：<br/> 一傳動電機，設置於該基座；以及<br/> 一連接桿，包括彼此相反的一第一端和一第二端，其中該第一端連接該傳動電機，且受該傳動電機驅動使該連接桿相對該基座於該縱向上位移，該第二端連接該導針的該入線端，當該連接桿於該縱向上位移時該第二端帶動該導針的該出線端相對該縱向擺動，其中該繞線路徑環繞該電極，包括一上昇縱向位移路徑、一上端橫向位移路徑、一下降縱向位移路徑以及一下端橫向位移路徑，其中該導針於該上昇縱向位移路徑和該上端橫向位移路徑時，該擺動模組驅動該導針的該出線端相對該縱向擺動至一第一出線角度，其中該導針於該下降縱向位移路徑和該下端橫向位移路徑時，該擺動模組驅動該導針的該出線端相對該縱向擺動至一第二出線角度，其中該第一出線角度小於或等於90度，該第二出線角度大於或等於90度。
如請求項1所述的擺角導針繞線系統，其中該擺動模組更包括一滾珠螺桿樞接該連接桿的該第一端，該傳動電機驅動該滾珠螺桿旋轉，以使該連接桿於該縱向上移動。
如請求項2所述的擺角導針繞線系統，其中該傳動電機為一線性馬達，通過該滾珠螺桿連接至該連接桿的該第一端。
如請求項2所述的擺角導針繞線系統，其中該基座包括一固定支撐架沿該縱向延伸，該固定支撐架的頂端鄰近該傳動電機和該滾珠螺桿，該導針通過一軸承組樞接至該固定支撐架的底端，該軸承組位於該入線端和該出線端之間，且該連接桿的該第二端樞接至該導針的該入線端。
如請求項4所述的擺角導針繞線系統，其中該基座更包括一滑軌組件，該滑軌組件設置於該固定支撐架與該滾珠螺桿之間，組配允許該滾珠螺桿沿該縱向相對該固定支撐架位移。
如請求項2所述的擺角導針繞線系統，其中該導針的該出線端由該基座向下延伸，該導針相對該縱向具有一初始角度，該擺動模組未驅動該導針擺動。
如請求項1所述的擺角導針繞線系統，其中該電極包括複數個電極，該複數個電極環繞設置形成一環形框架，該環形框架更包括複數個電極槽，該複數個電極及該複數個電極槽，彼此交替排列。
如請求項7所述的擺角導針繞線系統，其中該導針係由外向內面向該環形框架的外環面，以將該線體繞設於該電極上，或由內向外面向該環形框架的內環面，以將該線體繞設於該電極上。
如請求項7所述的擺角導針繞線系統，其中該導針於該上昇縱向位移路徑或該下降縱向位移路徑時通過所對應的該電極槽。
如請求項7所述的擺角導針繞線系統，其中該環形框架更包括複數對上凸緣和下凸緣，分別位於該複數個電極的上緣和下緣，其中該導針於該上端橫向位移路徑時該出線端的一縱向高度低於該上凸緣，該導針於該下端橫向位移路徑時該出線端的一縱向高度高於該下凸緣，以縮短該出線端與該電極之間的距離。
如請求項10所述的擺角導針繞線系統，其中該導針包括一導線噴嘴以及一中空部，導線噴嘴位於該出線端，該中空部貫穿該導針的該入線端和該出線端，該線體由該入線端進入該中空部，再由該出線端的該導線噴嘴出線。
一種擺動模組，組配連接一導針而將一線體繞設於一電極，其中該擺動模組包括：<br/> 一傳動電機，設置於一基座，其中該導針樞接設置於該基座的一底端，且具有彼此相反的一入線端以及一出線端；以及<br/> 一連接桿，包括彼此相反的一第一端和一第二端，其中該第一端連接該傳動電機，且受該傳動電機驅動使該連接桿相對該基座於一縱向上位移，該第二端連接該導針的該入線端，其中當該連接桿於該縱向上位移時該第二端帶動該導針的該出線端相對該縱向擺動一角度。
如請求項12所述的擺動模組，其中該基座驅動該導針沿一繞線路徑將該線體繞設於該電極，該線體由該入線端導入，經該出線端導出後繞設於該電極上，其中該繞線路徑環繞該電極，包括一上昇縱向位移路徑、一上端橫向位移路徑、一下降縱向位移路徑以及一下端橫向位移路徑，其中該導針於該上昇縱向位移路徑和該上端橫向位移路徑時，該擺動模組驅動該導針的該出線端相對該縱向擺動至一第一出線角度，其中該導針於該下降縱向位移路徑和該下端橫向位移路徑時，該擺動模組驅動該導針的該出線端相對該縱向擺動至一第二出線角度，其中該第一出線角度小於或等於90度，該第二出線角度大於或等於90度。
一種氣體吸收速率的量測方法，包含：<br/> 提供一氣體吸收速率量測裝置，其中該氣體吸收速率量測裝置包括：<br/> 一反應瓶，包含一容液部； <br/> 一接頭瓶蓋，設置於該容液部上方並覆蓋該容液部，其中該接頭瓶蓋包含一第一配管件、一第二配管件、一第三配管件及一第四配管件，該第一配管件、該第二配管件、該第三配管件及該第四配管件彼此相鄰；<br/> 一氣體充氣管，連接該接頭瓶蓋的該第一配管件的一上端，其中該氣體充氣管包含一第一氣體開關閥；<br/> 一壓差計，連接該接頭瓶蓋的該第二配管件； <br/> 一注射針筒，連接該接頭瓶蓋的該第三配管件；以及<br/> 一氣體排氣管，連接該接頭瓶蓋的該第四配管件，其中該氣體排氣管包含一第二氣體開關閥； <br/> 添加一吸收劑於該注射針筒中；<br/> 開啟該氣體充氣管之該第一氣體開關閥與該氣體排氣管之該第二氣體開關閥；<br/> 透過該氣體充氣管通入一氣體至該反應瓶的該容液部中；<br/> 關閉該氣體充氣管之該第一氣體開關閥與該氣體排氣管之該第二氣體開關閥；<br/> 開啟該壓差計，以量測該反應瓶內之一起始壓力；<br/> 注入該吸收劑於該反應瓶內，以吸收該氣體，並藉由該壓差計量測該反應瓶內之一終端壓力；以及<br/> 根據該反應瓶內之一壓力變化量，計算該吸收劑對該氣體的一吸收速率，其中該壓力變化量定義為該終端壓力與該起始壓力之一差值。
如請求項1所述之氣體吸收速率的量測方法，其中該氣體吸收速率的量測方法之一反應溫度為25℃至30℃。
如請求項1所述之氣體吸收速率的量測方法，其中當該反應瓶之一容量為100 mL時，該注射針筒所添加之該吸收劑之一用量為0.7 mL至1 mL。
如請求項1所述之氣體吸收速率的量測方法，其中當該氣體為二氧化碳時，該吸收劑包含乙醇胺、醇類溶液及一溶劑。
如請求項4所述之氣體吸收速率的量測方法，其中該醇類溶液係選自於甲醇、乙醇、正丙醇及正丁醇所組成之一群組。
如請求項4所述之氣體吸收速率的量測方法，其中基於該吸收劑為100 wt%，該醇類溶液為2 wt%至15 wt%。
一種網路檔案傳送方法，適用於一客戶端、一伺服端、及一網路交換機，且藉由該網路交換機來實施，該客戶端要依序將支援網路檔案系統的多個請求封包經由該網路交換機傳送至該伺服端，該網路檔案傳送方法包含下列步驟：<br/>(A)當判斷出自該網路交換機的一入口匹配動作管線(Ingress match-action pipeline，IMAP)所接收的是來自該客戶端的該請求封包時，儲存包括該請求封包的一交易識別碼(Transaction ID，xID)，及設定為「已請求」的一識別碼狀態的一狀態對應關係；<br/>(B)事先儲存一資料塊尺寸block_size及一預取數量P，計算offset%(block_size*P)而獲得一餘數，offset是該請求封包的一偏移量，該資料塊尺寸及該預取數量都是正整數；<br/>(C)當判斷該餘數不等於零時，丟棄該請求封包，而當判斷該餘數等於零時，設定一預取計數器等於0，並將該請求封包複製而傳送至該伺服端且將該請求封包變更為一工作(Worker)封包；<br/>(D)將該工作封包的該交易識別碼更改為對應下一個會接收到來自該客戶端的該請求封包的該交易識別碼，且將該工作封包的該偏移量改為等於該偏移量加該資料塊尺寸；<br/>(E)複製該工作封包，並將該工作封包傳送至該網路交換機的一再循環埠(Recirculation port)，而輸入至該入口匹配動作管線，且將複製後的該工作封包設定為一種一般封包進而傳送至該伺服端；<br/>(F)當判斷出自該入口匹配動作管線所接收的是來自該伺服端且支援網路檔案系統的一回覆封包時，根據該狀態對應關係，判斷該回覆封包的該交易識別碼所對應的該識別碼狀態；及<br/>(G)當判斷對應該回覆封包的該識別碼狀態是「已請求」時，將該回覆封包傳送至該客戶端。
如請求項1所述的網路檔案傳送方法，該客戶端依序要傳送的該等請求封包的該等交易識別碼是連續的正整數，其中，在步驟(D)中，該網路交換機是將該工作封包的該交易識別碼改為等於該交易識別碼加1。
如請求項1所述的網路檔案傳送方法，還包含：<br/>(H)當判斷出自該入口匹配動作管線所接收的是該工作封包時，將該預取計數器改為等於該預取計數器加1，並判斷該預取計數器是否等於該預取數量；<br/>(I)當判斷出該預取計數器等於該預取數量時，將該工作封包丟棄，而當判斷出該預取計數器不等於該預取數量時，儲存包括該工作封包的該交易識別碼，及設定為「預取」的該識別碼狀態的該狀態對應關係，並接續執行步驟(D)及(E)。
如請求項1所述的網路檔案傳送方法，其中，在步驟(G)中，而當判斷對應該回覆封包的該識別碼狀態是「預取」時，將該回覆封包傳送至該網路交換機的該再循環埠。
一種網路檔案傳送方法，適用於多個客戶端、一伺服端、及一網路交換機，且藉由該網路交換機來實施，每一該客戶端要依序將支援網路檔案系統的多個請求封包經由該網路交換機傳送至該伺服端，該網路檔案傳送方法包含下列步驟：<br/>(L)當判斷出自該網路交換機的一入口匹配動作管線所接收的是來自其中一個該客戶端的該請求封包時，根據事先儲存的一資料塊尺寸與一預取數量，及該請求封包的一檔案句柄(File handle)與一偏移量，產生一轉換後交易識別碼，並儲存包括對應的該客戶端、該轉換後交易識別碼、及該請求封包原來的一交易識別碼的一狀態對應關係，且將該請求封包的該交易識別碼更換為該轉換後交易識別碼；<br/>(M)計算offset%(block_size*P)而獲得一餘數，offset是該請求封包的該偏移量，該資料塊尺寸block_size及該預取數量P都是正整數；<br/>(N)當判斷該餘數不等於零時，丟棄該請求封包，而當判斷該餘數等於零時，設定一預取計數器等於0，並將該請求封包複製而傳送至該伺服端且將該請求封包變更為一工作(Worker)封包；<br/>(O)將該工作封包的該交易識別碼依照一預定規則作變更，且將該工作封包的該偏移量改為等於該偏移量加該資料塊尺寸；<br/>(P)複製該工作封包，並將該工作封包傳送至該網路交換機的一再循環埠(Recirculation port)，而輸入至該入口匹配動作管線，且將複製後的該工作封包設定為一種一般封包進而傳送至該伺服端；<br/>(Q)當判斷出自該入口匹配動作管線所接收的是來自該伺服端且支援網路檔案系統的一回覆封包時，根據該狀態對應關係，判斷與該回覆封包的該交易識別碼相符合的該轉換後交易識別碼所對應的原來的該交易識別碼；及<br/>(R)當判斷與該回覆封包的該交易識別碼相符合的該轉換後交易識別碼所對應的原來的該交易識別碼不是「預取」時，根據該狀態對應關係，將該回覆封包的該交易識別碼更換為與該回覆封包的該交易識別碼相符合的該轉換後交易識別碼所對應的原來的該交易識別碼，且將該回覆封包傳送至該客戶端。
如請求項5所述的網路檔案傳送方法，其中，在步驟(L)中，該網路交換機根據該資料塊尺寸block_size與該預取數量P，及該請求封包的該檔案句柄file_handle與該偏移量offset，計算file_handle++(offset/block_size)% P，而據以獲得該轉換後交易識別碼。
如請求項5所述的網路檔案傳送方法，其中，在步驟(O)中，該預定規則是將該工作封包的該交易識別碼改為等於該交易識別碼加1。
如請求項5所述的網路檔案傳送方法，還包含：<br/>(S)當判斷出自該入口匹配動作管線所接收的是該工作封包時，將該預取計數器改為等於該預取計數器加1，並判斷該預取計數器是否等於該預取數量；<br/>(T)當判斷出該預取計數器等於該預取數量時，將該工作封包丟棄，而當判斷出該預取計數器不等於該預取數量時，根據該資料塊尺寸與該預取數量，及該工作封包的該檔案句柄與該偏移量，產生該轉換後交易識別碼，並儲存包括對應的該客戶端、該轉換後交易識別碼、及設定為「預取」的該交易識別碼的該狀態對應關係，且將該工作封包的該交易識別碼更換為該轉換後交易識別碼，並接續執行步驟(O)及(P)。
如請求項5所述的網路檔案傳送方法，其中，在步驟(R)中，而判斷與該回覆封包的該交易識別碼相符合的該轉換後交易識別碼所對應的該交易識別碼是「預取」時，將該回覆封包傳送至該網路交換機的該再循環埠。
一種船舶異常行為偵測總成，包含：<br/> 一自動識別系統，安裝於一船舶，而上述船舶在進行航行的過程中，上述自動識別系統會感側上述船舶於每單位時間的動態數據以持續形成一經緯度資訊、一船速資訊、一航向資訊與一艏向資訊；<br/> 一數據處理模組，接收不同單位時間的上述經緯度資訊、船速資訊、航向資訊與艏向資訊，而上述數據處理模組透過上述經緯度資訊、航向資訊與艏向資訊而演算出當下單位時間的一偏航距離資訊與一偏航角度資訊；<br/> 一模糊化模組，連接於上述數據處理模組，上述模糊化模組能接收上述船速資訊、航向資訊、偏航距離資訊與偏航角度資訊，而上述模糊化模組將上述船速資訊、航向資訊、偏航距離資訊與偏航角度資訊進行模糊化而形成一航向模糊集合、一船速模糊集合、一偏航距離模糊集合與一偏航角度模糊集合；<br/> 一模糊規則庫，具有複數個規則；<br/> 一模糊推理模組，連接於上述模糊化模組與模糊規則庫之間，上述模糊推理模組透過上述航向模糊集合、船速模糊集合、偏航距離模糊集合與偏航角度模糊集合來觸發上述模糊規則庫的一部分上述規則以形成一船舶異常行為模糊集合；<br/> 一解模糊化模組，連接於上述模糊推理模組，並對上述船舶異常行為模糊集合進行解模糊化以形成當下單位時間的一船舶異常行為指數；以及<br/> 一異常預警模組，連接於上述解模糊化模組以能接收不同單位時間的船舶異常行為指數，而上述異常預警模組能透過上述船舶異常行為指數形成一表示上述船舶行為異常的警告訊息。
如請求項1所述船舶異常行為偵測總成，其中，上述異常預警模組儲存有一門檻值，上述異常預警模組會將每一個上述船舶異常行為指數比對於上述門檻值，而當上述異常預警模組比對其中一個異常行為指數大於上述門檻值時，上述異常預警模組會形成上述警告訊息。
如請求項2所述船舶異常行為偵測總成，其中，上述異常預警模組會將複數個上述船舶異常行為指數轉化為一船舶異常圖，上述船舶異常圖具有一由複數個上述船舶異常行為指數相連的連接線，上述連接線透過上述門檻值而區分為一穩定段與一異常段。
如請求項1所述船舶異常行為偵測總成，其中，上述模糊推理模組具有一航向隸屬函數、一船速隸屬函數、一偏航距離隸屬函數與一偏航角度隸屬函數，上述模糊化模組將上述船速資訊、航向資訊、偏航距離資訊與偏航角度資訊分別輸入至上述航向隸屬函數、船速隸屬函數、偏航距離隸屬函數與偏航角度隸屬函數以形成上述航向模糊集合、船速模糊集合、偏航距離模糊集合與偏航角度模糊集合。
如請求項1所述船舶異常行為偵測總成，其中，上述模糊規則庫的一部分上述規則設為複數個船舶操縱規則，而另一部分上述規則設為複數個船舶運行規則，則剩餘上述規則設為複數個船舶異常行為規則；<br/> 上述模糊推理模組透過上述航向模糊集合與船速模糊集合來觸發一部分的上述船舶操縱規則以形成一船舶操縱狀況模糊集合，並透過上述偏航距離模糊集合與偏航角度模糊集合來觸發一部分的上述船舶運行規則以形成一船舶運行狀況模糊集合，而上述模糊推理模組透過上述船舶操縱狀況模糊集合與船舶運行狀況模糊集合來觸發一部分的上述船舶異常行為規則以形成上述船舶異常行為模糊集合。
一種船舶異常行為偵測總成，包含：<br/> 一自動識別系統，安裝於一船舶，而上述船舶在進行航行的過程中，上述自動識別系統會感側上述船舶於每單位時間的動態數據以持續形成一經緯度資訊、一船速資訊、一航向資訊與一艏向資訊；<br/> 一數據處理模組，接收不同單位時間的上述經緯度資訊、船速資訊、航向資訊與艏向資訊，而上述數據處理模組透過上述經緯度資訊、航向資訊與艏向資訊而演算出當下單位時間的一偏航距離資訊與一偏航角度資訊；<br/> 一模糊化模組，連接於上述數據處理模組，上述模糊化模組能接收上述船速資訊、航向資訊、偏航距離資訊與偏航角度資訊，而上述模糊化模組將上述船速資訊、航向資訊、偏航距離資訊與偏航角度資訊進行模糊化而形成一航向模糊集合、一船速模糊集合、一偏航距離模糊集合與一偏航角度模糊集合；<br/> 一模糊規則庫，具有複數個規則；<br/> 一模糊推理模組，連接於上述模糊化模組與模糊規則庫之間，上述模糊推理模組透過上述航向模糊集合、船速模糊集合、偏航距離模糊集合與偏航角度模糊集合來觸發上述模糊規則庫的一部分上述規則以形成一船舶異常行為模糊集合；<br/> 一解模糊化模組，連接於上述模糊推理模組，並對上述複數個船舶異常行為模糊集合進行解模糊化以形成當下單位時間的一船舶異常行為指數；<br/> 一權重模組，連接於上述解模糊化模組以能接收不同單位時間的船舶異常行為指數，並將每一個上述船舶異常行為指數配合一表示過往上述船舶異常航行行為程度的權重值形成複數個權重異常行為指數；以及<br/> 一異常預警模組，連接於上述權重模組以能接收不同單位時間的權重異常行為指數，而上述異常預警模組能透過上述權重異常行為指數形成一表示上述船舶行為異常的警告訊息。
如請求項6所述船舶異常行為偵測總成，其中，上述船舶異常行為偵測總成進一步具有一船舶歷程資料庫，上述船舶歷程資料庫儲存有複數個表示上述船舶過往航行狀態的歷史動態數據，而上述權重模組透過上述歷史動態數據而能形成上述權重值。
一種刀片盒，其包括有：<br/>一個盒體，該盒體沿一個第一方向設置有一個正面及相反於該正面的一個背面，該盒體沿垂直該第一方向的一個第二方向設置有一個第一插槽；<br/>一個第一刀片容器，該第一刀片容器包括有一個第一抽拉蓋及一個第一刀片槽，該第一抽拉蓋能夠沿該第二方向在第一閉合位置與第一開啟位置之間移動地插接於該第一插槽，該第一刀片槽容置於該第一插槽內，該第一刀片槽鄰近該背面的一側以一體成型結構連接有一個第一彈性部，該第一彈性部連接於該第一抽拉蓋或抵靠於該第一插槽的內周緣，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置時，該第一抽拉蓋封閉該第一插槽，該第一抽拉蓋在該第一開啟位置時，該盒體於該正面形成連通該第一插槽與外部的一個第一開口，該第一刀片槽受該第一彈性部頂推往鄰近該第一開口的方向移動。
如請求項1所述之刀片盒，其中該第一抽拉蓋沿該第二方向設置有一個第一抽拉部並沿該第一方向設置有連接於該第一抽拉部的一個第一蓋部，該第一抽拉部可滑移地連接於該第一插槽的內周緣，該第一彈性部連接於該第一抽拉部，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置時，該第一蓋部封閉該第一插槽，該第一抽拉蓋在該第一開啟位置時，該第一蓋部脫離該第一插槽。
如請求項2所述之刀片盒，其中該第一抽拉部鄰近該正面的一側沿垂直該第一方向與該第二方向的一個第三方向設置有一個第一固定槽，該第一固定槽沿其徑向設置有一個第一側口，該第一彈性部相反於該第一刀片槽的一端連接有一個第一固接部，該第一固接部能夠沿該第三方向移動地插接於該第一固定槽，該第一彈性部由該第一側口凸伸出該第一固定槽外。
如請求項3所述之刀片盒，其中該第一插槽的內周緣設置有兩個第一限位槽，該兩個第一限位槽分別設置於該第一插槽沿該第三方向相反的兩側且鄰近該背面，該第一抽拉部設置有兩個第一凸緣，該兩個第一凸緣分別插接於該兩個第一限位槽，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置與該第一開啟位置之間移動時，該兩個第一凸緣分別在該兩個第一限位槽內滑移。
如請求項4所述之刀片盒，其中該盒體設置有兩個第一扣槽，該兩個第一扣槽分別設置於該盒體沿該第三方向相反的兩側的外周緣且鄰近該第一插槽的開口，該第一蓋部設置有兩個第一扣部，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置時，該兩個第一扣部分別扣接於該兩個第一扣槽，該第一抽拉蓋在該第一開啟位置時，該兩個第一扣部脫離該兩個第一扣槽。
如請求項5所述之刀片盒，其中該盒體沿該第二方向相反於該第一插槽的一端設置有一個第二插槽，該刀片盒包括有一個第二刀片容器，該第二刀片容器包括有一個第二抽拉蓋及一個第二刀片槽，該第二抽拉蓋能夠沿該第二方向在第二閉合位置與第二開啟位置之間移動地插接於該第二插槽，該第二刀片槽容置於該第二插槽內，該第二刀片槽鄰近該背面的一側以一體成型結構連接有一個第二彈性部，該第二彈性部連接於該第二抽拉蓋，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置時，該第二抽拉蓋封閉該第二插槽，該第二抽拉蓋在該第二開啟位置時，該盒體於該正面形成連通該第二插槽與外部的一個第二開口，該第二刀片槽受該第二彈性部頂推往鄰近該第二開口的方向移動，該第二抽拉蓋沿該第二方向設置有一個第二抽拉部並沿該第一方向設置有連接於該第二抽拉部的一個第二蓋部，該第二抽拉部可滑移地連接於該第二插槽的內周緣，該第二彈性部連接於該第二抽拉部，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置時，該第二蓋部封閉該第二插槽，該第二抽拉蓋在該第二開啟位置時，該第二蓋部脫離該第二插槽，該第二抽拉部鄰近該正面的一側沿該第三方向設置有一個第二固定槽，該第二固定槽沿其徑向設置有一個第二側口，該第二彈性部相反於該第二刀片槽的一端連接有一個第二固接部，該第二固接部能夠沿該第三方向移動地插接於該第二固定槽，該第二彈性部由該第二側口凸伸出該第二固定槽外，該第二插槽的內周緣設置有兩個第二限位槽，該兩個第二限位槽分別設置於該第二插槽沿該第三方向相反的兩側且鄰近該背面，該第二抽拉部設置有兩個第二凸緣，該兩個第二凸緣分別插接於該兩個第二限位槽，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置與該第二開啟位置之間移動時，該兩個第二凸緣分別在該兩個第二限位槽內滑移，該盒體設置有兩個第二扣槽，該兩個第二扣槽分別設置於該盒體沿該第三方向相反的兩側的外周緣且鄰近該第二插槽的開口，該第二蓋部設置有兩個第二扣部，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置時，該兩個第二扣部分別扣接於該兩個第二扣槽，該第二抽拉蓋在該第二開啟位置時，該兩個第二扣部脫離該兩個第二扣槽。
如請求項1所述之刀片盒，其中該第一抽拉蓋沿該第二方向設置有一個第一抽拉部並沿該第一方向設置有連接於該第一抽拉部的一個第一蓋部，該第一抽拉部可滑移地連接於該第一插槽的內周緣，該第一刀片槽連接於該第一抽拉部，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置時，該第一蓋部封閉該第一插槽，該第一抽拉蓋在該第一開啟位置時，該第一蓋部脫離該第一插槽。
如請求項7所述之刀片盒，其中該第一抽拉部沿該第一方向貫穿地設置有一個第一穿孔，該第一彈性部相反於該第一刀片槽的一端穿過該第一穿孔並抵靠於該第一插槽的內周緣。
如請求項8所述之刀片盒，其中該第一抽拉部相反於該第一蓋部的一端設置有一個第一樞部，該第一刀片槽相反於該第一蓋部的一端設置有一個第二樞部，該第二樞部樞設於該第一樞部，該第一抽拉蓋在該第一閉合位置與該第一開啟位置之間移動時，該第一刀片槽以該第一樞部為中心相對該第一抽拉部轉動。
如請求項9所述之刀片盒，其中該盒體沿該第二方向相反於該第一插槽的一端設置有一個第二插槽，該刀片盒包括有一個第二刀片容器，該第二刀片容器包括有一個第二抽拉蓋及一個第二刀片槽，該第二抽拉蓋能夠沿該第二方向在第二閉合位置與第二開啟位置之間移動地插接於該第二插槽，該第二刀片槽容置於該第二插槽內，該第二刀片槽鄰近該背面的一側以一體成型結構連接有一個第二彈性部，該第二抽拉蓋沿該第二方向設置有一個第二抽拉部並沿該第一方向設置有連接於該第二抽拉部的一個第二蓋部，該第二抽拉部可滑移地連接於該第二插槽的內周緣，該第二抽拉部沿垂直該第一方向貫穿地設置有一個第二穿孔，該第二彈性部相反於該第二刀片槽的一端穿過該第二穿孔並抵靠於該第二插槽的內周緣，該第二抽拉部相反於該第二蓋部的一端設置有一個第三樞部，該第二刀片槽相反於該第二蓋部的一端設置有一個第四樞部，該第四樞部樞設於該第三樞部，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置時，該第二蓋部封閉該第二插槽，該第二抽拉蓋在該第二閉合位置與該第二開啟位置之間移動時，該第二刀片槽以該第三樞部為中心相對該第二抽拉部轉動，該第二抽拉蓋在該第二開啟位置時，該第二蓋部脫離該第二插槽，該盒體於該正面形成連通該第二插槽與外部的一個第二開口，該第二刀片槽受該第二彈性部頂推往鄰近該第二開口的方向移動。
一種電致變色面板，包括：<br/>一訊號輸入元件；<br/>一第一基底；<br/>一第一導電層，設置於該第一基底上，且電性連接至該訊號輸入元件，其中該第一導電層包括：<br/>一第一網狀電極，具有一第一直向部及分別位於該第一直向部相對兩側的多個第一橫向部，其中該第一直向部的一第一端靠近該訊號輸入元件，且該第一直向部的一第二端與該些第一橫向部連接；以及<br/>多個第二網狀電極，分別位於該第一導電層的該第一網狀電極的該第一直向部的相對兩側，其中該第一導電層的每一第二網狀電極包括一第二直向部及一第二橫向部，該第二直向部實質上平行於該第一直向部，該第二直向部的一第一端靠近該訊號輸入元件，該第二直向部的一第二端與該第二橫向部連接，且該第一導電層的該些第二網狀電極的多個第二橫向部分別朝向相反的一第一方向及一第二方向延伸；<br/>該第一網狀電極的該第一直向部在該第一方向上具有一寬度W1，該些第二網狀電極的該些第二直向部在該第一方向上分別具有一寬度W21及一寬度W22，且W1＞(W21+W22)；<br/>一絕緣層，設置於該第一導電層上，且具有多個接觸窗，其中該些接觸窗重疊於該第一導電層的該第一網狀電極及該些第二網狀電極；<br/>一第二導電層，設置於該絕緣層上，其中該第二導電層包括：<br/>一第一網狀電極，其中該第二導電層的該第一網狀電極重疊於該第一導電層的該第一網狀電極的該些第一橫向部，且透過該些接觸窗的一部分電性連接至該第一導電層的該第一網狀電極；以及<br/>一第二網狀電極，其中該第二導電層的該第二網狀電極重疊於該第一導電層的該些第二網狀電極的該些第二橫向部，且透過該些接觸窗的一部分電性連接至該第一導電層的該第二網狀電極；<br/>一第二基底，設置於該第一基底的對向；以及<br/>一電致變色層，位於該第一基底與該第二基底之間。
如請求項1所述的電致變色面板，其中該第一導電層更包括：<br/>多個第三網狀電極，分別位於該第一導電層的該些第二網狀電極旁，其中該第一導電層的該些第二網狀電極位於該第一導電層的該第一網狀電極與該第一導電層的該些第三網狀電極之間，該第一導電層的每一第三網狀電極包括一第三直向部及一第三橫向部，該第三直向部實質上平行於該第一直向部，該第三直向部的一第一端靠近該訊號輸入元件，該第三直向部的一第二端與該第三橫向部連接，且該第一導電層的該些第三網狀電極的多個第三橫向部分別朝向相反的該第一方向及該第二方向延伸；<br/>該第一導電層的該些第三網狀電極的該些第三直向部在該第一方向上分別具有一寬度W31及一寬度W32，且W21+W22＞W31+W32。
如請求項1所述的電致變色面板，其中該第一導電層的該第一網狀電極的一電阻值為<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第一導電層的該些第二網狀電極的一電阻值為<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="11px" width="37px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的電致變色面板，其中該第一導電層的該第一網狀電極的該第一直向部的該第一端及該第一導電層的該些第二網狀電極的該些第二直向部的多個第一端具有相同的電位。
如請求項1所述的電致變色面板，其中該第一導電層的該第一網狀電極的該第一直向部在一第三方向上延伸，該第二導電層的該第一網狀電極在該第三方向上具有一寬度<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第二導電層的該第一網狀電極在該第一方向上具有一寬度<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="7px" width="67px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該電致變色層具有一片電阻值<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="11px" width="67px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種電致變色面板，包括：<br/>一訊號輸入元件；<br/>一第一基底；<br/>一第一導電層，設置於該第一基底上，且電性連接至該訊號輸入元件，其中該第一導電層包括：<br/>一第一網狀電極，具有一第一直向部及分別位於該第一直向部相對兩側的多個第一橫向部，其中該第一直向部的一第一端靠近該訊號輸入元件，且該第一直向部的一第二端與該些第一橫向部連接；<br/>一絕緣層，設置於該第一導電層上，且具有多個接觸窗，其中該些接觸窗重疊於該第一導電層的該第一網狀電極；<br/>一第二導電層，設置於該絕緣層上，其中該第二導電層包括：<br/>一第一網狀電極，其中該第二導電層的該第一網狀電極重疊於該第一導電層的該第一網狀電極的該些第一橫向部且透過該些接觸窗的一部分電性連接至該第一導電層的該第一網狀電極，該第一導電層的該第一網狀電極的該第一直向部在一第三方向上延伸，該第二導電層的該第一網狀電極在該第三方向上具有一寬度<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第二導電層的該第一網狀電極在該第一方向上具有一寬度<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="14px" width="63px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/>一第二基底，設置於該第一基底的對向；以及<br/>一電致變色層，設置於該第一基底與該第二基底之間。
如請求項6所述的電致變色面板，其中該電致變色層具有一片電阻值<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且<img align="absmiddle" height="11px" width="65px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種自重式移位之氣懸浮載台裝置，至少包括:<br/>一氣懸浮載台本體(10)，至少包括有內部具有一空腔氣室(111)之一承載台(11)，其中該承載台(11)具有一側高之一高端側(115)、一側低之一低端側(116)、一傾斜檯面(112)以及複數個噴流孔(113)，該傾斜檯面(112) 與一水平軸(XA)呈現一傾斜角(θ)，以及一高壓氣源(12)提供高壓空氣進入該空腔氣室(111)內再自該些噴流孔(113)噴出，以在該傾斜檯面(112)上形成一氣流層(121)，該氣流層(121)承載至少一待測物(WF)懸浮在該傾斜檯面(112)上，且該待測物(WF)以自重之分力作用而在該傾斜檯面(112)上依循該傾斜角(θ)由該高端側(115)往該低端側(116)自動飄移；以及<br/>一止擋引導單元(20)，設置於該氣懸浮載台本體(10)之該傾斜檯面(112)的該低端側(116)，用以承托傾斜地懸浮於該傾斜檯面(112)上的該待測物(WF)之一側邊，以及用以使該待測物(WF)依循該傾斜角(θ)移位，據以控制與引導該待測物(WF)在該傾斜檯面(112)上懸浮飄移的速度與路徑。
如請求項1所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，更包括:<br/>一光學檢測模組(30)，設置於該氣懸浮載台本體(10)之該傾斜檯面(112)上方之一預設高度處，用以投射一感測光至傾斜地懸浮於該傾斜檯面(112)上的該待測物(WF)之一上表面，以及接收自該待測物(WF)上反射的光學圖樣或拍攝擷取該待測物(WF)之該上表面的影像。
如請求項2所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，更包括:<br/>一微控制器單元(40)，電性連接該光學檢測模組(30)以及該止擋引導單元(20)，用於控制該光學檢測模組(30)以及該止擋引導單元(20)。
如請求項3所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該止擋引導單元(20)包括一止擋件(21)、連接該止擋件(21)的一牽引件(22)以及電性連接該微控制器單元(40)的一驅動裝置(23)，該止擋件(21)用以承托傾斜地懸浮於該傾斜檯面(112)上的該待測物(WF)之該側邊，該牽引件(22)用以牽引該止擋件(21)依循該傾斜角(θ)移位，以使該待測物(WF)依循該傾斜角(θ)移位，並據以控制與引導該待測物(WF)在該傾斜檯面(112)上懸浮飄移的速度與路徑，以及該驅動裝置(23)連接且驅動該牽引件(22)，以藉此控制該止擋件(21)的移位速度，其中該牽引件(22)係為一可伸縮之液壓桿，或係為一可伸縮之氣壓桿，或是其他可牽引該止擋件(21)移位之一連桿結構。
如請求項1所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該傾斜角(θ)大於等於0.5度且小於等於30度。
如請求項3所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該光學檢測模組(30)包括一光源(31)與一相機(32)，該光源(31)的一光軸(OA)與該相機(32)的一取像軸(SA)垂直於該傾斜檯面(112)，以及該光源(31)及該相機(32)電性連接該微控制器單元(40)。
如請求項3所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該氣懸浮載台本體(10)更包括該高壓氣源(12)，該高壓氣源(12)包括一供氣裝置(122)以及一進氣管(123)，該進氣管(123)連接於該供氣裝置(122)及該空腔氣室(111)之間，且具有一流量氣閥(124)，以及該微控制器單元(40)電性連接該流量氣閥(124)，並控制該流量氣閥(124)的一啟閉狀態，以控制流入該空腔氣室(111)內的氣體流量。
如請求項3所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該氣懸浮載台本體(10)之該空腔氣室(111)與該複數個噴流孔(113)之間，更設有複數個相應的噴流氣閥(114)，且該微控制器單元(40)電性連接該複數個噴流氣閥(114)，用以控制該複數個噴流氣閥(114)之每一者的一啟閉狀態，以控制噴流出該噴流孔(113)的氣體流量。
如請求項1所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該傾斜檯面(112)上定義有一承載區(SP)，且該複數個噴流孔(113)分布設置於該承載區(SP)內，而且該承載區(SP)為一陶瓷材料所製或由一金屬材料挖孔形成。
如請求項1所述的自重式移位之氣懸浮載台裝置，其中該待測物(WF)係為一透明晶圓、一第三代半導體晶圓、一玻璃穿孔基板、未蝕刻的一裸晶圓、經蝕刻而存在有至少一晶粒的一晶圓或其一上表面及或一下表面不可觸碰之一半導體待測物。
一種肥粒鐵系不鏽鋼板，係具有下述組成，即，以質量%計，含有： <br/>C：0.001~0.150%、Si：0.01~2.00%、Mn：0.01~1.00%、P：0.050%以下、S：0.040%以下、Ni：0.01~2.50%、Cr：10.5~32.0%、Al：0.001~6.5%、及N：0.001~0.100%， <br/>且任意含有從以下(A組)~(C組)中選擇之1組或2組以上， <br/>其餘係Fe及不可避免之雜質； <br/>(A組)從Cu：2.00%以下、Co：2.00%以下、Mo：3.00%以下、及W：2.00%以下中選擇之1種或2種以上； <br/>(B組)從Ti：0.50%以下、Nb：1.00%以下、V：0.50%以下、及Zr：0.50%以下中選擇之1種或2種以上； <br/>(C組)從B：0.0050%以下、Mg：0.0050%以下、Ca：0.0030%以下、Y：0.20%以下、REM(稀土族金屬)：0.20%以下、Sn：0.50%以下、及Sb：0.50%以下中選擇之1種或2種以上； <br/>該肥粒鐵系不鏽鋼板之Sa為10.0μm以上且40.0μm以下、 <br/>Spd為1500個/mm<sup>2</sup>以上； <br/>此處，Sa與Spd係ISO25178所規定的表面性狀參數，Sa係算術平均高度，Spd係峰頂密度。
如請求項1之肥粒鐵系不鏽鋼板，其中， <br/>GS(60°)係50以下， <br/>L*係50以上， <br/>刮痕顯眼度指數係50以下， <br/>最大自相關長度係50μm以下； <br/>此處，GS(60°)、L*、刮痕顯眼度指數及最大自相關長度分別如下： <br/>GS(60°)：JIS Z 8741：1997所規定的60度鏡面光澤 <br/>L*：JIS Z 8781-4：2013所規定的亮度指數 <br/>刮痕顯眼度指數：經施行以下的刮痕施加試驗後，再依以下拍攝條件所拍攝獲得的肥粒鐵系不鏽鋼板表面的灰階影像中，刮痕部輝度與非刮痕部輝度的差； <br/>[刮痕施加試驗] <br/>將砂紙號數：#240砂紙壓抵於肥粒鐵系不鏽鋼板表面，以壓抵荷重：0.01N/mm<sup>2</sup>、速度：10mm/s朝肥粒鐵系不鏽鋼板的軋延方向移動，而在肥粒鐵系不鏽鋼板的表面上劃出刮痕部；又，將肥粒鐵系不鏽鋼板表面之刮痕部以外的區域設為非刮痕部；壓抵荷重係每單位面積(1mm<sup>2</sup>)的荷重； <br/>[拍攝條件] <br/>將映入於肥粒鐵系不鏽鋼板表面的背景顏色設為黑色，且朝肥粒鐵系不鏽鋼板的表面從垂直方向照射光； <br/>最大自相關長度：在將依照同軸落射照明法所獲得之肥粒鐵系不鏽鋼板表面的顯微鏡像施行影像處理而獲得的自相關影像中，將包含影像中心部、且像素輝度值為基準值以上之區域的絶對最大長度除以2之數值。
一種資訊處理方法，包含以下步驟：<br/>取得對象基板的表面之變形因子的資訊的步驟；<br/>取得表示該對象基板之表面的處理狀態之表面影像的步驟；<br/>基於該表面之變形因子的資訊，針對該表面影像的各像素而計算補償因該表面之變形所造成之影像變化的修正係數的步驟；及<br/>藉由使用該修正係數修正該表面影像中之各像素的亮度值，而生成該對象基板的修正影像的步驟。
如請求項1所述之資訊處理方法，其中，<br/>取得該表面之變形因子的資訊的步驟，係包含取得該對象基板之翹曲量的步驟；<br/>基於該表面之變形因子的資訊而計算該修正係數的步驟，係包含基於以翹曲量為既知之基準基板為基礎的翹曲係數、及該對象基板之翹曲量，而計算該修正係數的步驟。
如請求項2所述之資訊處理方法，其中，<br/>取得該對象基板之翹曲量的步驟，係包含基於略平坦的基準基板之端面中的輪廓線之資料、及該對象基板之端面中的輪廓線之資料，而計算該對象基板之翹曲量的步驟。
如請求項2所述之資訊處理方法，更包含以下步驟：<br/>取得該基準基板之翹曲量；<br/>取得該基準基板的表面影像；及<br/>基於該基準基板之翹曲量及該基準基板之表面影像，而計算該翹曲係數。
如請求項4所述之資訊處理方法，其中，<br/>計算該翹曲係數的步驟，係包含分別針對該基準基板之表面影像的各畫素，計算該翹曲係數的步驟。
如請求項5所述之資訊處理方法，其中，<br/>計算該翹曲係數的步驟，係包含基於該基準基板之翹曲量、及該基準基板之表面影像中的各畫素之亮度值，而分別針對該基準基板之表面影像的各畫素，計算該翹曲係數的步驟。
如請求項6所述之資訊處理方法，其中，<br/>計算該翹曲係數的步驟，係包含以下步驟：<br/>生成藉由該基準基板之表面影像的中央區域中之亮度值，而將該表面影像之各畫素的亮度值標準化後的標準化資料；及<br/>基於該基準基板之翹曲量及該標準化資料，而計算該翹曲係數。
如請求項4所述之資訊處理方法，其中，<br/>取得該基準基板之翹曲量的步驟，係包含基於略平坦的基準基板之端面中的輪廓線之資料、及非平坦的基準基板之端面中的輪廓線之資料，而計算該基準基板之翹曲量的步驟。
如請求項8所述之資訊處理方法，其中，<br/>該非平坦的基準基板係呈現往上凸之旋轉拋物面形狀的基準基板，或是呈現往下凸之旋轉拋物面形狀的基準基板。
如請求項4至9中任一項所述之資訊處理方法，更包含以下步驟：<br/>分別取得該基準基板中之不同的兩個區域的翹曲量；及<br/>基於該兩個區域的翹曲量及該基準基板的表面影像，而分別針對該兩個區域計算該翹曲係數。
如請求項2至9中任一項所述之資訊處理方法，更包含以下步驟：<br/>基於改變調整用基板相對於基板固持部之角度而獲得之該調整用基板的兩種翹曲量，來計算該基板固持部的傾斜分量。
如請求項2至9中任一項所述之資訊處理方法，其中，<br/>該對象基板之翹曲量的測量與該對象基板之表面的拍攝，係在相同殼體內進行。
如請求項1至9中任一項所述之資訊處理方法，其中，<br/>取得該對象基板之表面影像的步驟，係包含取得固持於可旋轉之夾頭的該對象基板之表面影像的步驟；<br/>取得該表面之變形因子的資訊的步驟，係包含取得在獲得該對象基板之表面影像時的該夾頭之旋轉角度資訊的步驟；<br/>基於該表面之變形因子的資訊而計算該修正係數的步驟，係包含基於該夾頭的旋轉角度資訊而計算該修正係數的步驟。
如請求項13所述之資訊處理方法，其中，<br/>基於該表面之變形因子的資訊而計算該修正係數的步驟，係包含基於表示該夾頭之旋轉角度與該修正係數之關係的係數模型、及該夾頭的旋轉角度資訊，而計算該修正係數的步驟。
一種資訊處理裝置，包含：<br/>儲存部，儲存對象基板之表面之變形因子的資訊、及表示該對象基板之表面的處理狀態之表面影像；<br/>計算部，基於該表面之變形因子的資訊，針對該表面影像的各像素而計算補償因該表面之變形所造成之影像變化的修正係數；及<br/>生成部，藉由使用該修正係數修正該表面影像中之各像素的亮度值，而生成該對象基板的修正影像。
一種電腦可讀取記錄媒體，係記錄有用於使資訊處理裝置執行如請求項1至14中任一項所述之資訊處理方法的程式。
一種軌道式防火毯自動覆蓋系統，主要包括防火毯收納裝置與軌道式啟動機構；其中，防火毯收納裝置係於一長盒體內設一捲軸機構及於該捲軸機構左右兩內邊上各設一限位裝置、上掀式氣壓棒而成者；而軌道式啟動機構主要係於兩平行軌道上各設一滾動機組及於該兩平行軌道之前端頭上設一驅動機構而成；藉由防火毯收納裝置的限位裝置搭配上掀氣壓棒控制長盒體之上板蓋與前蓋板的關閉或開啟，以及前述限位裝置之插梢與防火毯端之繩索係與軌道式啟動機構的滾動機組連接並被連動，同時由軌道式啟動機構的驅動機構拉動滾動機組於兩平行軌道上滾動移位，以及配合兩平行軌道上缺口設計，使前述滾動機組的前滾輪組位移到無底面支撐的缺口時會連帶插梢、防火毯自動掉落達到完全覆蓋住下方的車輛之目的者。
依據申請專利範圍第1項所述之軌道式防火毯自動覆蓋系統，其中，防火毯收納裝置，主要係於一長盒體內設一捲軸機構及於該捲軸機構左右兩內邊上各設一限位裝置、上掀式氣壓棒而成者；其中：長盒體係由一略呈”U”字狀本體，及於該”U”字狀本體上設有一能關啟並作為封住”U”字狀本體內各裝置用之上蓋板及一前蓋板，上蓋板與前蓋板係利用複數個隱藏式後鈕分別連接於”U”字狀本體上端面上與底端面上，使上蓋板可向上掀開，而前蓋板可向下掀開，其中，上蓋板左右兩邊處各開設有一插梢孔洞以供插梢插置於定位塊內並令插梢之環狀突出物露出於該上蓋板上；捲軸機構係由複數具連座軸承將一捲軸設置於上述長盒體內而成者，其中，捲軸係供捲繞收置防火毯之用，而該防火毯左右兩端並各設有一繩索連接至滾動機構之勾環並受該滾動機構牽動；限位裝置，係以對稱方式設置於上述長盒體的上蓋板左右兩邊緣處，其主要係於一定位塊內容設一鋼珠、一插梢及一銜接板後並由一固定板螺固而成；其中，插梢係插置於定位塊端面上透過鋼珠作為擠壓定位銜接板之用，且其上設有環狀突出物，以露出於定位塊外並供滾動機構連接之用；而定位塊係固定於長盒體之內側板面上或內底板面上，其內開設有一內孔槽供套合鋼珠自由滾動，端面上開設有一插梢孔供插梢插置；而銜接板係呈”<img align="absmiddle" height="17px" width="10px" file="d10010.TIF" alt="其他非圖式ed10010.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10010.png"/>”狀，藉其水平端面螺接於長盒體之上蓋板，並利用其垂直面插置於鋼珠與固定板之間，藉由插梢的插置於插梢孔內時迫逼鋼珠向該銜接板及固定板方向推擠並令鋼珠卡入該銜接板之預開的孔洞中，進而將銜接板與定位塊定位成一體，亦即長盒體的上蓋板及一前蓋板能蓋合在一起令長盒體呈關閉狀態，反之，當插梢被拔出令銜接板內的推擠力或定位力消失時，該銜接板當可被拔出脫離定位塊，亦即長盒體的上蓋板可被打開，而長盒體的前蓋板則因重力關係自然落下自動打開，進而令捲繞收置在長盒體內的防火毯能很順利地被拉出進行自動覆蓋作業；上掀式氣壓棒，係以對稱方式設置於上述長盒體的左右內側板與上蓋板左右兩邊緣處間，主要係作為開啟上述長盒體之上蓋板者，該上掀式氣壓棒於正常情況下皆處於上掀狀態，亦即在正常情況下該上掀式氣壓棒都是處在自由行程的狀態中，藉由該上掀式氣壓棒的上掀作用，使長盒體之上蓋板於正常情況下都處在開啟狀態，但因上蓋板受到限位裝置的牽制，亦即該上蓋板受到限位裝置的銜接板插接於定位塊內，而等定位塊又分別連結於長盒體之左右內側邊面上，因此，致使上蓋板能完全蓋合於長盒體上，令長盒體呈完全關閉狀態，然，當偵測到火警時，設置於軌道式啟動機構上之捲動裝置啟動並驅動聯軸器旋轉，經由傳動軸的連轉同時帶動左右兩軌道上之滾動機組順著軌道滾動移位先拉出定位塊上之插梢後再一併拉出長盒體內之防火毯，直至左右兩平行軌道上預設的缺口處時，兩滾動機組的前滾輪組順著上述缺口並帶著插梢、防火毯自由落體地落下至地面，完成自動包覆下方物之作業。
依據申請專利範圍第1項所述之軌道式防火毯自動覆蓋系統，其中，軌道式啟動機構主要係於兩平行軌道上各設一滾動機組及於該兩平行軌道之前端頭上設一驅動機構而成；其中：兩平行軌道係呈”<img align="absmiddle" height="19px" width="23px" file="d10011.TIF" alt="其他非圖式ed10011.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10011.png"/>”狀以平行方式架設於停車位上方或天花板上，或利用骨架架設於停車位上方或天花板上，且該兩平行軌道之前端緣設為缺口，藉該缺口使行至之滾動機組的前滾輪組可連同插梢、防火毯一起自動掉下，完成達到防火毯之自動覆蓋目的者；滾動機組係以相同方式設置於兩平行軌道之相同等距上同時滾動移位作為拉出插梢及拉出防火毯之用，該滾動機組主要係由鋼索固定件、前後連桿、前滾輪組、後滾輪組所組構而成，藉由鉚接及串聯方式依序將鋼索固定件及前後連桿銜接成節狀體者，其中，鋼索固定件之前端作為固定鋼索用，後端則連接前連桿之用，前連桿由下向上開設有一缺口，利用該缺口套置於亦相對位置開設有缺口之前滾輪組，套置後使該前滾輪組的固定軸心抵觸於該缺口之底端面，故當該前滾輪組滾動移至兩平行軌道之缺口時，因下方無軌道支撐致使該前滾輪組會整組直接掉落，而該前滾輪組藉其側邊上預設的勾環勾住插梢及勾住防火毯一端，故當該前滾輪組整組直接掉落同時連同插梢及防火毯一起掉下，使防火毯完全覆蓋住下方車輛，達到即時進行滅火作業，有效控制抑制災情、防止災害擴大，進而降低財損風險者，而後連桿係作為軸設後滾輪組之用，其主要係作為輔助支撐前滾輪組用；驅動機構係按裝於上述兩平行軌道之前端頭上，主要由一驅動馬達經由聯軸器帶動一傳動軸及左右兩鋼索輪所組構而成，其中，左右兩鋼索輪上各設一鋼索，且該鋼索與上述滾動機組之鋼索固定件連結，藉由驅動馬達轉動的同時帶轉聯軸器及傳動軸、左右兩鋼索輪旋轉，進而由左右兩鋼索輪旋轉收捲鋼索，令滾動機組順著兩平行軌道滾動移位，首先先拉出插於定位塊上之插梢，致使長盒體之上蓋板頓時失去約束力，進而由其左右兩邊的上掀式氣壓棒上掀作用將該上蓋板打開，於此同時，收捲撓在長盒體內的防火毯亦因受到滾動機組的牽動順利被拉出，直到鋼索固定件之一抵觸到微動開關關閉驅動馬達之運轉時，上述滾動機組之前滾輪組同時移位至兩平行軌道之缺口處，因前滾輪組之底面無支撐面致會連同插梢、防火毯一起掉下，令防火毯覆蓋住下方停放之車輛，完成防火毯自動覆蓋之目的者。
一種倒角形狀判定方法，判定利用倒角輪將複數片晶圓一片一片倒角時，各晶圓的倒角形狀，包括： <br/>第一振動值檢測製程，檢測第一片晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值； <br/>第一判定製程，基於該第一片晶圓之倒角形狀的測定結果，判定該倒角形狀是否為目標形狀； <br/>第二振動值檢測製程，在該第一判定製程中判定為該目標形狀的情況下，檢測剩餘的晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值；以及 <br/>第二判定製程，判定該剩餘的晶圓的倒角形狀是否為該目標形狀； <br/>其中，該第二判定製程係在滿足以下的公式（1）的情況下，判定該倒角形狀為該目標形狀，且在不滿足該公式（1）的情況下，判定非為該目標形狀； <br/>B－A≦C … （1） <br/>A：該第一片晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值的絕對值之最大值或平均值； <br/>B：該剩餘的晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值的絕對值之最大值或平均值； <br/>C：閾值。
如請求項1記載之倒角形狀判定方法，其中， <br/>該晶圓係各自藉由複數個階段的倒角製程來倒角； <br/>該第二判定製程係，在該第一片以及該剩餘的晶圓之互相對應的全階段的倒角製程中，在滿足該公式（1）的情況下，判定該倒角形狀為該目標形狀，且在至少一個階段的倒角製程中，在不滿足該公式（1）的情況下，判定非為該目標形狀。
如請求項1記載之倒角形狀判定方法，其中， <br/>該晶圓係各自藉由複數個階段的倒角製程來倒角； <br/>該第二判定製程係，在該第一片以及該剩餘的晶圓之倒角製程中的最終階段的倒角製程中，在滿足該公式（1）的情況下，判定該倒角形狀為該目標形狀，且在不滿足該公式（1）的情況下，判定非為該目標形狀。
一種倒角形狀判定裝置，判定利用倒角輪將複數片晶圓一片一片倒角時，各晶圓的倒角形狀，包括： <br/>振動感測器，檢測該各晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值； <br/>第一判定部，基於該第一片晶圓之倒角形狀的測定結果，判定該倒角形狀是否為目標形狀；以及 <br/>第二判定部，在透過該第一判定部判定該倒角形狀為該目標形狀的情況下，判定剩餘的晶圓的倒角形狀是否為該目標形狀； <br/>其中，該第二判定部係在滿足以下的公式（2）的情況下，判定該倒角形狀為該目標形狀，且在不滿足該公式（2）的情況下，判定非為該目標形狀； <br/>B－A≦C … （2） <br/>A：該第一片晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值的絕對值之最大值或平均值； <br/>B：該剩餘的晶圓之倒角時，該倒角輪的振動值的絕對值之最大值或平均值； <br/>C：閾值。
一種倒角系統，包括： <br/>倒角裝置，利用倒角輪將複數片晶圓一片一片倒角；以及 <br/>如請求項4記載之倒角形狀判定裝置。
一種具有式（<b>I</b>）所示結構的草醯胺類化合物或者其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體：<br/><img align="absmiddle" height="65px" width="87px" file="ed10121.jpg" alt="ed10121.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/><img align="absmiddle" height="4px" width="10px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為單鍵或雙鍵；<br/> q和t各自獨立選自0，1或2，且q和t不同時選自0；<br/> p選自1或2；<br/> Z選自S，O，-S(=O)-，-S(=O)<sub>2</sub>-，-S(=O)=NH，CHR<sup>10</sup>，CR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或NR<sup>10</sup>；<br/> Y選自CHR<sup>9</sup>，CR<sup>9</sup>R<sup>10</sup>或NR<sup>9</sup>；<br/> R<sup>1</sup>選自被一個或多個取代基團取代的C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、4-12元雜環基、4-12元環烯基、C<sub>3</sub>-C<sub>12</sub>環烷基、C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基、或C<sub>1-4</sub>亞烯基C<sub>6-12</sub>芳基，該取代基團選自R<sup>g</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>NHR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(OR<sup>1b</sup>) (NH(AA)C(O)O R<sup>1c</sup>)、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(NHR<sup>2c</sup>)(NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)(NH(AA)C(O) OR<sup>1c</sup>)、P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、P(O)(OR<sup>1b</sup>) (NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)、P(O)(NHR<sup>2c</sup>) (NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)或P(O) (NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)(NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)；<br/> R<sup>1a</sup>、R<sup>2a</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>羥烷基；或者，R<sup>1a</sup>和R<sup>2a</sup>與其所連接的原子形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基；<br/> R<sup>1b</sup>、R<sup>2b</sup>各自獨立地選自-R<sup>1aa</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-C(O)O-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)O-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-O-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-SC(O)O-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-SC(O)-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)NH-R<sup>1ab</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)NR<sup>1ab</sup>R<sup>1ac</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)-R<sup>1ab</sup>-O-R<sup>1ac</sup>、-R<sup>1aa</sup>-OC(O)O-R<sup>1ab</sup>-O-R<sup>1ac</sup>、-R<sup>1aa</sup>-SC(O)O-R<sup>1ab</sup>-O-R<sup>1ac</sup>、-R<sup>1aa</sup>-SC(O)-R<sup>1ab</sup>-O-R<sup>1ac</sup>或-R<sup>1aa</sup>-OC(O)-(NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)；<br/> R<sup>1aa</sup>、R<sup>1ab</sup>、R<sup>1ac</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基、C<sub>1-4</sub>羥烷基、5-7元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基，C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基，該5-7元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基，C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基可任選進一步被一個或多個R<sup>h</sup>或C(O)OR<sup>h</sup>取代；<br/> R<sup>1c</sup>、R<sup>2c</sup>各自獨立地選自氫、氘，或可任選被一個或多個取代基團取代的C<sub>1-6</sub>烷基、5-7元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基，該取代基團選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基；<br/> AA選自天然或非天然胺基酸的殘基，該天然或非天然胺基酸的殘基為α或β構型；<br/> R<sup>2</sup>選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個取代基團取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基或4-10元雜環基，該取代基團選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基；<br/> R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Y</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基醯基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；<br/> 或者，R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>及其它們所連接的原子共同形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基，該C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基可任選被一個或多個R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>取代；<br/> R<sup>Y1</sup>、R<sup>Y2</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基；<br/> R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>各自獨立地選自氫、氘、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基；<br/> R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>各自獨立地選自可任選被一個或多個R<sup>Z</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、5-12元雜環基、5-12元環烷基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；<br/> 或者，R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>及其它們所連接的原子共同形成4-14元雜環基、5-12元雜芳基，該4-14元雜環基、5-12元雜芳基可任選進一步被一個或多個R<sup>Z</sup>取代；<br/> R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Y</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基醯基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；<br/> 或者，R<sup>9</sup>和R<sup>10</sup>及其它們所連接的原子共同形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基，該C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基可任選被一個或多個R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>取代；<br/> R<sup>Z</sup>、R<sup>Y</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、亞氨基、或被可任選被一個或多個R<sup>Q</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、-NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-OR<sup>a</sup>、-C(O)R<sup>a</sup>、-C(O)OR<sup>a</sup>、-NHC(O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(O)R<sup>a</sup>、-NR<sup>a</sup>C(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、-C(O)NR<sup>a</sup>R<sup>b</sup>、-S(O)R<sup>c</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-S(O)=NHR<sup>c</sup>、-S(O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>或-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>；<br/> R<sup>Q</sup>選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、亞氨基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、-NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-OR<sup>e</sup>、-C(O)R<sup>e</sup>、-C(O)OR<sup>e</sup>、-NHC(O)OR<sup>e</sup>、-NHC(O)R<sup>e</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)OR<sup>f</sup>、-NR<sup>e</sup>C(O)R<sup>f</sup>、-NR<sup>g</sup>C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-C(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-S(O)R<sup>e</sup>、-S(O)<sub>2</sub>R<sup>e</sup>、-S(O)=NHR<sup>e</sup>、-S(O)NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>或-S(O)<sub>2</sub>NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>、R<sup>d</sup>、R<sup>e</sup>、R<sup>f</sup>、R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、亞氨基、或可任選被一個或多個取代基團取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基，該取代基團選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基、苯基或苄基。
如請求項1所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該化合物具有如下式（<b>II</b>）所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="86px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，p、t、q、Z、Y、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項2所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該化合物具有如下式（<b>III</b>）、（<b>IV</b>）、（<b>V</b>）、（<b>VI</b>）、（<b>VII</b>）或（<b>VIII</b>）所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="241px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，p、Z、Y、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項3所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該化合物具有如下式（<b>IIIa</b>）、（<b>IVa</b>）、（<b>Va</b>）、（<b>VIa</b>）、（<b>VIIa</b>）、（<b>VIIIa</b>）、（<b>IIIb</b>）、（<b>IVb</b>）、（<b>Vb</b>）、（<b>VIb</b>）、（<b>VIIb</b>）或（<b>VIIIb</b>）所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="253px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="254px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="241px" file="ed10127.jpg" alt="ed10127.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="265px" file="ed10128.jpg" alt="ed10128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，Z、Y、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項4所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該化合物具有如下式（<b>IIIa-1</b>）、（<b>IIIa-2</b>）、（<b>IIIa-3</b>）、（<b>IIIa-4</b>）、（<b>IIIa-5</b>）、（<b>IVa-1</b>）、（<b>IVa-2</b>）、（<b>IVa-3</b>）、（<b>IVa-4</b>）、（<b>IVa-5</b>）、（<b>IVa-6</b>）、（<b>IVa-7</b>）、（<b>IVa-8</b>）、（<b>IVa-9</b>）、（<b>IVa-10</b>）、（<b>Va-1</b>）、（<b>Via-1</b>）或（<b>IVb-1</b>）所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="266px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="267px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="146px" width="267px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="82px" width="265px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="54px" width="261px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>、R<sup>Y1</sup>、R<sup>Y2</sup>的定義如請求項1中所述。
如請求項1至5中任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>2</sup>選自氫或羥基。
如請求項1至5中任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Y</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基醯基、C<sub>3-6</sub>環烷基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基，該R<sup>Y</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代或亞氨基。
如請求項1至5中任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>及其它們所連接的原子共同形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基，該C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基可任選被一個或多個R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>取代；該R<sup>Y1</sup>、R<sup>Y2</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基。
如請求項7所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>各自獨立選自氫、氘、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基或C<sub>1-6</sub>烷基醯基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Y</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基醯基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；該R<sup>Y</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-6</sub>烷基或亞氨基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Y</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷基醯基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-6</sub>烷碸基、C<sub>1-6</sub>烷硫基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；該R<sup>Y</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代或亞氨基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>9</sup>和R<sup>10</sup>及其它們所連接的原子共同形成C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基，該C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基或3-6元雜環基可任選被一個或多個R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>取代，該R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基。
如請求項12所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>9</sup>、R<sup>10</sup>及其它們所連接的原子共同形成環丙基，該環丙基可任選被一個或多個R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>取代，該R<sup>Y1</sup>或R<sup>Y2</sup>各自獨立地選自氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、C<sub>1-4</sub>鹵代烷基或C<sub>1-4</sub>鹵代烷氧基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>各自獨立地選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>1</sup>選自被一個或多個取代基團取代的C<sub>6-12</sub>芳基或5-12元雜芳基，該取代基選自R<sup>g</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>NHR<sup>2b</sup>或CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(OR<sup>1b</sup>)(NH(AA)C(O) OR<sup>1c</sup>)。
如請求項15所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>1</sup>選自一個或多個取代基團取代的<img align="absmiddle" height="17px" width="90px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該取代基團選自R<sup>g</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>NHR<sup>2b</sup>或CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(OR<sup>1b</sup>)(NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)。
如請求項16所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>1a</sup>或R<sup>2a</sup>各自獨立地選自氫、鹵素或氧代。
如請求項16所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>NHR<sup>2b</sup>或 CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(OR<sup>1b</sup>) (NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)選自<br/><img align="absmiddle" height="73px" width="267px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="40px" width="272px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項16所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>OR<sup>2b</sup>、CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)OR<sup>1b</sup>NHR<sup>2b</sup>或 CR<sup>1a</sup>R<sup>2a</sup>P(O)(OR<sup>1b</sup>) (NH(AA)C(O)OR<sup>1c</sup>)選自<br/><img align="absmiddle" height="137px" width="263px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="45px" width="174px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>各自獨立地選自可任選被一個或多個R<sup>Z</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、5-12元雜環基、5-12元環烷基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>6-12</sub>芳基或C<sub>1-4</sub>亞烷基C<sub>2-10</sub>雜芳基；<br/> 該R<sup>Z</sup>獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Q</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基或5-12元雜芳基。
如請求項20所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>Q</sup>選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、亞氨基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、-NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-C(O)R<sup>e</sup>、-NHC(O)R<sup>e</sup>或-NR<sup>e</sup>C(O)R<sup>f</sup>，該R<sup>e</sup>、R<sup>f</sup>各自獨立選自氫、氘或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>7</sup>和R<sup>8</sup>及其它們所連接的原子共同形成4-14元雜環基，該4-14元雜環基可任選被一個或多個R<sup>Z</sup>取代；<br/> 該R<sup>Z</sup>獨立選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氧代、或可任選被一個或多個R<sup>Q</sup>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基或5-12元雜芳基。
如請求項22所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該R<sup>Q</sup>選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、氨基、巰基、氧代、亞氨基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、4-10元雜環基、C<sub>6-12</sub>芳基、5-12元雜芳基、-NR<sup>e</sup>R<sup>f</sup>、-C(O)R<sup>e</sup>、-NHC(O)R<sup>e</sup>或-NR<sup>e</sup>C(O)R<sup>f</sup>，該R<sup>e</sup>、R<sup>f</sup>各自獨立選自氫、氘或C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至5任一項所述的化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="275px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
一種化合物，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體，其中該化合物選自以下結構化合物：<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10143.jpg" alt="ed10143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="267px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="264px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="266px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="266px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="266px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="267px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="261px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="259px" file="ed10162.jpg" alt="ed10162.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="260px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="255px" file="ed10113.jpg" alt="ed10113.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="262px" file="ed10114.jpg" alt="ed10114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="259px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="261px" file="ed10115.jpg" alt="ed10115.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="262px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="264px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="258px" file="ed10117.jpg" alt="ed10117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="262px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="262px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="64px" width="263px" file="ed10119.jpg" alt="ed10119.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="265px" width="261px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="263px" file="ed10120.jpg" alt="ed10120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="70px" width="266px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="73px" width="271px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
一種藥物組合物，包含一治療有效量的如請求項1-23中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體。
一種如請求項1-24中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體或如請求項25所述的藥物組合物在製備用於治療STAT6介導的疾病或病症及相關疾病或病症的藥物中的用途，其中該STAT6介導的疾病或病症為腫瘤或第II型炎症相關疾病，該第II型炎症相關疾病選自特應性皮炎、大皰性類天皰瘡、結節性癢疹、慢性自發性蕁麻疹、嗜酸性食管炎、食物過敏、慢性鼻-鼻竇炎伴鼻息肉（CRSwNP）、慢性鼻-鼻竇炎不伴鼻息肉（CRSsNP）、非甾體抗炎藥加重性呼吸系統疾病（NSAID-ERD/AERD）、過敏性鼻炎、哮喘、慢性阻塞性肺疾病（COPD）、嗜酸粒細胞性肉芽腫性多血管炎（EGPA）或過敏性支氣管肺麯黴病；該腫瘤選自淋巴瘤、孤立性纖維性腫瘤、結腸癌、食管癌、乳腺癌、膽管癌、肝癌、腎癌、胃癌、頭頸鱗癌、前列腺癌、肺癌、急性B淋巴細胞白血病、膀胱癌、胰腺癌、骨肉瘤、骨髓瘤、膠質瘤、卵巢癌或皮膚癌。
一種中間體化合物<b>M1-1</b><b>、</b><b>M1-3</b>或<b>M1</b>，或其藥學上可接受的鹽、同位素衍生物，或者其立體異構體、互變異構體：<br/><img align="absmiddle" height="73px" width="268px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，R<sup>1a</sup>、R<sup>2a</sup>、R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7</sup>、R<sup>8</sup>、R<sup>g</sup>、Z和Y的定義如請求項1中所述。
一種膠皮調整座，適於與一氣動玩具槍配合應用，該氣動玩具槍包括一槍本體，該槍本體包括一下槍身及一槍管，該下槍身包括一組裝槽，該膠皮調整座套設於該槍管的外側，並設置於該組裝槽，且該膠皮調整座包括：<br/>一調整本體，套設於該槍管的一端，並包括容置於該組裝槽且與該組裝槽對應的一組裝部；以及<br/>一調整結構，設置於該調整本體的該組裝部；<br/>其中，當該膠皮調整座組裝於該下槍身時，該膠皮調整座係透過該調整結構調整該組裝部與該組裝槽的緊配程度。
如請求項1所述的膠皮調整座，其中該調整結構包括至少一調整件，該至少一調整件為螺絲、螺栓、卡鉗、偏心輪、凸塊、滑動楔塊或可形變件，或其組合。
如請求項1所述的膠皮調整座，其中該調整結構包括複數調整件，該等調整件之間的一虛擬連接線垂直於該槍管的延伸方向。
如請求項1所述的膠皮調整座，其中該調整結構包括一第一調整件與一第二調整件，該組裝部包括一第一側面及與該第一側面相反的一第二側面，該第一調整件設置於該第一側面，該第二調整件設置於該第二側面。
如請求項4所述的膠皮調整座，其中該第一側面包括與該第一調整件對應設置的一第一固定孔，該第二側面包括與該第二調整件對應設置的一第二固定孔。
如請求項5所述的膠皮調整座，其中，當該膠皮調整座組裝於該下槍身時，該膠皮調整座係透過調整該第一調整件與該第一固定孔、及/或該第二調整件與該第二固定孔的連接程度來調整該組裝部與該組裝槽的緊配程度。
一種氣動玩具槍，包括：<br/>一槍本體，包括一下槍身及一槍管，該下槍身包括一組裝槽；以及<br/>一膠皮調整座，套設於該槍管的外側，並設置於該組裝槽，且該膠皮調整座包括：<br/>一調整本體，套設於該槍管的一端，並包括容置於該組裝槽且與該組裝槽對應的一組裝部；及<br/>一調整結構，設置於該調整本體的該組裝部；<br/>其中，當該膠皮調整座組裝於該下槍身時，該膠皮調整座係透過該調整結構調整該組裝部與該組裝槽的緊配程度。
如請求項7所述的氣動玩具槍，其中該調整結構包括至少一調整件，該至少一調整件為螺絲、螺栓、卡鉗、偏心輪、凸塊、滑動楔塊或可形變件，或其組合。
如請求項7所述的氣動玩具槍，其中該調整結構包括複數調整件，該等調整件之間的一虛擬連接線垂直於該槍管的延伸方向。
如請求項7所述的氣動玩具槍，其中該調整結構包括一第一調整件與一第二調整件，該組裝部包括一第一側面及與該第一側面相反的一第二側面，該第一調整件設置於該第一側面，該第二調整件設置於該第二側面。
如請求項10所述的氣動玩具槍，其中該第一側面包括與該第一調整件對應設置的一第一固定孔，該第二側面包括與該第二調整件對應設置的一第二固定孔。
如請求項11所述的氣動玩具槍，其中，當該膠皮調整座組裝於該下槍身時，該膠皮調整座係透過調整該第一調整件與該第一固定孔、及/或該第二調整件與該第二固定孔的連接程度來調整該組裝部與該組裝槽的緊配程度。
如請求項7所述的氣動玩具槍，更包括：<br/>一上旋膠皮，套設於該槍管的該端，且該膠皮調整座更套設於該上旋膠皮的外側。
如請求項7所述的氣動玩具槍，其中該槍本體更包括一滑套，該膠皮調整座及該槍管設置於該滑套與該下槍身之間。
一種晶片容器外殼，其特徵在於，包括： <br/>主框架，其限定容器存儲空間以容納用於裝納第一組晶片的第一晶片容器，且所述主框架的尺寸與用於裝納第二組晶片的第二晶片容器的尺寸大體上相同，其中所述第一組晶片的直徑小於所述第二組晶片的直徑；以及 <br/>把手，其從所述主框架的頂部部分向上延伸，且能與自動傳送機接合以允許通過所述自動傳送機轉移所述晶片容器外殼。
如請求項1所述的晶片容器外殼，其中所述主框架的形狀為立方體，且在其側面處限定前開口，所述第一晶片容器能穿過所述前開口被插入到所述容器存儲空間中並容納在其中。
如請求項2所述的晶片容器外殼，其中所述晶片容器外殼進一步包括： <br/>一個或多個容器鎖定元件，其用於當所述第一晶片容器容納在所述容器存儲空間內時將所述第一晶片容器與所述主框架固定在一起。
如請求項3所述的晶片容器外殼，其中所述主框架包括鄰近於所述前開口的第一側壁和第二側壁，以及與所述前開口相對的後壁，且其中所述一個或多個容器鎖定元件安置在所述第一側壁和所述第二側壁上。
如請求項4所述的晶片容器外殼，其中所述一個或多個容器鎖定元件包括： <br/>安置在所述第一側壁上的第一容器鎖定元件，以及安置在所述第二側壁上的第二容器鎖定元件，其中所述第一容器鎖定元件和所述第二容器鎖定元件中的每一者被配置成朝向所述容器存儲空間施加偏置力，以在所述第一晶片容器容納在所述容器存儲空間內時限制所述第一晶片容器在所述第一側壁和所述第二側壁之間的平移移動。
如請求項4所述的晶片容器外殼，進一步包括形成於所述第一側壁上的第一軌道和形成於所述第二側壁上的第二軌道；其中所述第一軌道和所述第二軌道兩者均在所述前開口和所述後壁之間延伸，且被配置成接收位於所述第一晶片容器的外部處的相應突片，以允許所述第一晶片容器穿過所述前開口滑動進入或離開所述主框架。
如請求項6所述的晶片容器外殼，其中所述一個或多個容器鎖定元件包括： <br/>安置在所述第一軌道中的第三容器鎖定元件，以及安置在所述第二軌道中的第四容器鎖定元件，其中所述第三容器鎖定元件和所述第四容器鎖定元件中的每一者被配置成施加垂直於對應軌道的偏置力，以在所述第一晶片容器容納在所述容器存儲空間內時限制所述第一晶片容器的豎直移動。
如請求項4所述的晶片容器外殼，其中所述一個或多個容器鎖定元件包括： <br/>第五容器鎖定元件，其安置在所述第一側壁和所述第二側壁中的一者上且接近於所述前開口，且被配置成朝向所述後壁施加偏置力，以在所述第一晶片容器容納在所述容器存儲空間內時限制所述第一晶片容器在所述前開口和所述後壁之間的平移移動。
如請求項1所述的晶片容器外殼，其中所述主框架進一步包括一個或多個視窗，經由所述一個或多個視窗所述晶片容器的一部分能被觀察到。
一種晶片容器轉移方法，其特徵在於，包括： <br/>提供晶片容器外殼； <br/>將用於裝納第一組晶片的第一晶片容器容納在所述晶片容器外殼內，其中所述晶片容器外殼的尺寸與用於裝納第二組晶片的第二晶片容器的尺寸大體上相同，且所述第一組晶片的直徑小於所述第二組晶片的直徑； <br/>使所述晶片容器外殼與自動傳送機接合；以及 <br/>通過所述自動傳送機轉移所述晶片容器外殼和所述第一晶片容器。
如請求項10所述的晶片容器轉移方法，其中所述晶片容器外殼進一步包括一個或多個容器鎖定元件，且所述方法進一步包括： <br/>通過所述一個或多個容器鎖定元件將所述第一晶片容器固定在所述晶片容器外殼內。
一種自行車電控裝置，包含：<br/> 一本體，包含一殼體、一電控組件、一電池及一電池蓋，該殼體具有一容置空間及一電池槽，該電控組件設置於該容置空間，該電池設置於該電池槽，該電池蓋可被開啟地裝設於該殼體而遮蔽該電池槽；以及<br/> 一安全銷，可移動地設置於該殼體而可於一限制位置及一釋放位置之間移動，其中當該安全銷處於該限制位置時，該安全銷限制該電池蓋的開啟；當該安全銷處於該釋放位置時，該安全銷不限制該電池蓋的開啟；<br/> 其中該電池蓋具有一插孔，該安全銷具有一限位部，該安全銷穿過該殼體，且該安全銷的該限位部位於該電池槽外並可分離地插設於該電池蓋的該插孔。
如請求項1所述之自行車電控裝置，其中該電池蓋可轉動地設置於該電池槽而可於一分離位置及一關閉位置之間移動；當該電池蓋處於該分離位置時，該電池蓋可分離於該殼體；當該電池蓋處於該關閉位置時，該電池蓋固定於該殼體；當該電池蓋處於該關閉位置，且該安全銷處於該限制位置時，該安全銷限制該電池蓋無法從該關閉位置旋轉至該分離位置；當該電池蓋處於該關閉位置，且該安全銷處於該釋放位置時，該安全銷允許該電池蓋從該關閉位置旋轉至該分離位置。
如請求項2所述之自行車電控裝置，其中該殼體具有一卡固凸塊，該卡固凸塊形成於該電池槽的內環壁面，該電池蓋具有一卡槽，該卡槽自該電池蓋的外環壁面凹陷形成且具有相連的一釋放段及一卡固段，該釋放段位於該電池蓋的邊緣，該卡固段較該釋放段遠離該電池蓋的邊緣且沿該電池蓋的圓周方向延伸；當該電池蓋處於該關閉位置時，該殼體的該卡固凸塊位於該卡槽的該卡固段；當該電池蓋處於該分離位置時，該殼體的該卡固凸塊位於該卡槽的該釋放段。
如請求項1所述之自行車電控裝置，其中該殼體具有一組裝孔及一內螺紋結構，該內螺紋結構形成於該組裝孔內，該安全銷具有一外螺紋結構及一限位部，該安全銷的該外螺紋結構與該殼體的該內螺紋結構結合，該限位部可分離地止擋該電池蓋。
一種自行車電控裝置，包含：<br/> 一本體，包含一殼體、一電控組件、一電池及一電池蓋，該殼體具有一容置空間及一電池槽，該電控組件設置於該容置空間，該電池設置於該電池槽，該電池蓋可被開啟地裝設於該殼體而遮蔽該電池槽；以及<br/> 一安全銷，可移動地設置於該殼體而可於一限制位置及一釋放位置之間移動，其中當該安全銷處於該限制位置時，該安全銷限制該電池蓋的開啟；當該安全銷處於該釋放位置時，該安全銷不限制該電池蓋的開啟；<br/> 其中，該自行車電控裝置更包含一止擋件，該止擋件設置於該殼體，該止擋件具有一穿孔，該安全銷可移動地穿過該穿孔，該穿孔的內徑小於部分之該安全銷的外徑，以止擋該安全銷。
如請求項5所述之自行車電控裝置，其中該電控組件包含一電路板、一第一驅動開關及一第二驅動開關，該第一驅動開關、該第二驅動開關及該電池電性連接於該電路板。
如請求項6所述之自行車電控裝置，其中該電控組件更包含一無線傳輸單元，該無線傳輸單元電性連接於該電路板。
如請求項7所述之自行車電控裝置，其中該電控組件更包含一配對開關及一配對按鈕，該配對開關電性連接於該電路板，該配對按鈕設置於該殼體且對應於該配對開關。
如請求項6所述之自行車電控裝置，其中該本體更包含一第一撥桿及一第二撥桿，該第一撥桿及該第二撥桿樞設於該殼體且分別用以觸發該第一驅動開關及該第二驅動開關。
如請求項9所述之自行車電控裝置，其中該本體更包含一第一操作回饋機構及一第二操作回饋機構，該第一操作回饋機構及該第二操作回饋機構設置於該容置空間內，該第一操作回饋機構及該第二操作回饋機構分別用以受該第一撥桿及該第二撥桿驅動而提供聲音回饋。
如請求項9所述之自行車電控裝置，其中該本體更包含一第一觸發件及一第二觸發件，該第一觸發件及該第二觸發件分別設置於該第一撥桿及該第二撥桿，以觸發該第一驅動開關及該第二驅動開關，該第一觸發件及該第二觸發件可相對該第一撥桿及該第二撥桿活動，而調整該第一觸發件及該第二觸發件分別觸發該第一驅動開關及該第二驅動開關的觸發行程。
如請求項5所述之自行車電控裝置，其中該容置空間與該電池槽相分離。
如請求項5所述之自行車電控裝置，其中該電池蓋可分離地裝設於該殼體。
一種輪胎氣嘴，包括：<br/>一管件，包括一內面、一內部通道及一閥桿螺紋，該內部通道由該內面所界定；<br/>一閥組，包括一密封部，可活動地插設於該內部通道，可作動使得該密封部抵接於該內面而阻斷該內部通道、或使得該密封部不抵接於該內面而不阻斷該內部通道；及<br/>一套件，包括一接口、一螺帽螺紋及一外螺紋，該螺帽螺紋螺鎖於該閥桿螺紋，該套件供迫抵一輪框以將該輪胎氣嘴固緊至該輪框，該接口連通該內部通道，該外螺紋供一充氣裝置可拆卸地組接使該充氣裝置與該接口氣體連通。
如請求項1所述的輪胎氣嘴，其中該管件另包括一閥桿、一端帽及一彈性密封環，該閥桿包括該閥桿螺紋，該端帽螺鎖於該閥桿的一末端部，該彈性密封環套設於該閥桿且夾設於該閥桿與該端帽之間。
如請求項2所述的輪胎氣嘴，其中該端帽包括一內徑向凸緣，該閥桿軸向抵接於該內徑向凸緣，該閥組可活動至被該內徑向凸緣軸向止擋。
如請求項3所述的輪胎氣嘴，其中該閥組另包括一身部及多個支腳，該密封部設於該身部，該多個支腳自該身部延伸而出且可被該內徑向凸緣軸向止擋。
如請求項2所述的輪胎氣嘴，另包括一洩氣組件，該閥桿及該套件的其中之一的內面設有一凹槽結構及至少一相對徑向凸出於該凹槽結構的擋凸，該洩氣組件包括一蓋設於該套件的蓋件及一可活動地穿設於該蓋件的桿件，該桿件包括至少一徑向凸部，當該至少一徑向凸部與該至少一擋凸軸向相對應時，該桿件不能頂推該閥組使該內部通道不阻斷，當該至少一徑向凸部不與該至少一擋凸軸向相對應時，該桿件能頂推該閥組以不阻斷該內部通道。
如請求項5所述的輪胎氣嘴，其中該凹槽結構包括一環凹及至少一縱凹，該至少一縱凹與該至少一擋凸於一周向上相鄰配置，該至少一縱凹自該環凹軸向朝內延伸。
如請求項3所述的輪胎氣嘴，其中該端帽包括多個延伸臂，各該延伸臂包括一第一段及一第二段，該第一段自該內徑向凸緣延伸而出，該第二段自該第一段徑向朝內延伸，該多個延伸臂的末端相互間隔。
如請求項3所述的輪胎氣嘴，其中該閥桿的末端部包括一內斜面，該內斜面朝該內徑向凸緣的方向漸擴。
如請求項1至8任一項所述的輪胎氣嘴，其中該套件的外周壁設有多個側切面，該多個側切面供一驅動工具組接以驅動該套件。
如請求項1至8任一項所述的輪胎氣嘴，其中該套件另包括至少一外抵肩，該至少一外抵肩供迫抵該輪框以固緊該輪胎氣嘴。
一種聚合物，具有式(I)所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="231px" width="905px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)<br/> ，其中A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="153px" width="180px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="222px" width="351px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="162px" width="351px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="152px" width="553px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="163px" width="508px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；A<sup>2</sup>係<img align="absmiddle" height="121px" width="363px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="121px" width="185px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；A<sup>3</sup>係<img align="absmiddle" height="177px" width="190px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="321px" width="362px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="396px" width="449px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="412px" width="543px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；R<sup>1</sup>係獨立為氫、或-COOH，且至少一個R<sup>1</sup>係-COOH； Z係單鍵、-O-、-SO<sub>2</sub>-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、<img align="absmiddle" height="143px" width="156px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="131px" width="313px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="137px" width="513px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="512px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="178px" width="425px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> ； R<sup>2</sup>係獨立為氫、氟、甲基、或氟甲基；以及，n≥1。
如請求項1所述聚合物，其中A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="157px" width="189px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="161px" width="216px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="222px" width="363px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="221px" width="362px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="220px" width="377px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="162px" width="363px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="161px" width="362px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="191px" width="377px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="150px" width="616px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="198px" width="567px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="198px" width="516px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="163px" width="535px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="163px" width="535px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="163px" width="535px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述聚合物，其中A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="177px" width="189px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="153px" width="238px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="171px" width="362px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="507px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="127px" width="507px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="121px" width="507px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="171px" width="362px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="507px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="128px" width="507px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="121px" width="507px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="171px" width="535px" file="ed10113.jpg" alt="ed10113.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="178px" width="535px" file="ed10114.jpg" alt="ed10114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述聚合物，其中A<sup>2</sup>係<img align="absmiddle" height="121px" width="344px" file="ed10115.jpg" alt="ed10115.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="122px" width="363px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="172px" width="363px" file="ed10117.jpg" alt="ed10117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="175px" width="643px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="121px" width="185px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種組合物，包含：<br/> 一聚合物，其中該聚合物係請求項1所述之聚合物；以及<br/> 一光起始劑，其中該光起始劑與該聚合物的重量比係5：100至10：100。
如請求項5所述之組合物，更包含：<br/> 一丙烯酸酯單體、2-(二甲氨基)乙基丙烯醯胺、3-(二甲氨基)丙基丙烯醯胺、2-(二乙氨基)乙基丙烯醯胺、3-(二乙氨基)丙基丙烯醯胺、2-(二甲氨基)乙基甲基丙烯醯胺、3-(二甲氨基)丙基甲基丙烯醯胺、2-(二乙氨基)乙基甲基丙烯醯胺、3-(二乙氨基)丙基甲基丙烯醯胺、或上述之組合，其中該丙烯酸酯單體係多丙烯酸酯基化合物(multi-acrylate compound)、多甲基丙烯酸酯基化合物(multi-methacrylate compound)、三級胺丙烯酸酯(tertiary amine acrylate compound)化合物、或上述之組合。
如請求項6所述之組合物，其中該丙烯酸酯單體與該聚合物的重量比係1：100至20：100。
如請求項6所述之組合物，其中該丙烯酸酯單體係1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇(200)二丙烯酸酯、聚乙二醇(400)二丙烯酸酯、聚乙二醇(600)二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇五甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、聚四亞甲基二醇二丙烯酸酯、聚乙烯聚丙二醇二丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二聚季戊四醇聚丙烯酸酯、聚季戊四醇聚丙烯酸酯、聚丁二烯二丙烯酸酯、3-甲基1,5-戊二醇二丙烯酸酯、乙氧基化3雙酚A二丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三丙烯酸酯、乙氧基化(20)三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化3三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、丙氧基化3三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化4季戊四醇四丙烯酸酯、6三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化9三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化4雙酚A二丙烯酸酯、乙氧基化10雙酚A二丙烯酸酯、酯二醇二丙烯酸酯、烷氧化二丙烯酸酯、丙氧基化2新戊二醇二丙烯酸酯、丙氧基化3甘油三丙烯酸酯、乙氧基化15三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化12甘油三丙烯酸酯、2-(二甲氨基)乙基丙烯酸酯、3-(二甲氨基)丙基丙烯酸酯、2-(二乙氨基)乙基丙烯酸酯、3-(二乙氨基)丙基丙烯酸酯、2-(二甲氨基)乙基甲基丙烯酸酯、3-(二甲氨基)丙基甲基丙烯酸酯、2-(二乙氨基)乙基甲基丙烯酸酯、3-(二乙氨基)丙基甲基丙烯酸酯、或上述之組合。
如請求項5所述之組合物，更包含：<br/> 一光鹼產生劑。
如請求項9所述之組合物，其中該光鹼產生劑與該聚合物的重量比係0.1：100至10：100。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體構件，設置在該主殼體內且包括一匣體及一針頭，所述匣體包括一藥劑；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組致動時將該匣體及該針頭相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；其中該動力組包括一內部主體、一外部主體、一彈簧以及一活塞桿，該內部主體包括至少一夾頭臂，可於一收縮位置與一向外展開位置之間移動，該內部主體設置於該外部主體內且可於該外部主體內之一未致動位置與一釋放位置之間移動，當該內部主體處於該未致動位置時，該外部主體保持該內部主體之該至少一夾頭臂與該活塞桿接合，以抵抗該彈簧之一偏壓力保持該活塞桿之一存儲位置，其中當該內部主體處於該釋放位置時，該至少一夾頭臂可自由地移動至該展開位置，從而釋放該活塞桿，以藉由該彈簧之作用移動該匣體構件；及一針蓋可操作地連接至該動力組，該針蓋可相對於該主殼體從一第一位置縮回至一致動位置，用以藉由將該動力組之該內部主體從該未致動位置移動至該釋放位置以致動該動力組，之後當該匣體與該針頭處於該注射位置時，該針蓋可延伸至覆蓋該針頭之一延伸位置。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該彈簧位於該活塞桿和該內部主體之間。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該針蓋包括至少一卡鈎，該卡鈎接合該自動注射器中包括之卡扣以將該針蓋保持於該第一位置。
如申請專利範圍第3項所述之自動注射器，其中該卡扣設置於一匣體容器上，其中該針蓋設置於該主殼體與該匣體容器之間。
如申請專利範圍第4項所述之自動注射器，其中當該針蓋從該第一位置縮回至該致動位置時，該至少一卡鈎被該外部主體偏移，從而將該至少一卡鈎從該卡扣釋放。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中當該至少一夾頭臂處於該收縮位置且該內部主體處於該未致動位置時，該內部主體之該至少一夾頭臂與該活塞桿之一後端包括相配合錐形表面。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該活塞桿為一一體成型部件。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該彈簧圍繞該活塞桿且具有兩相對端，分別抵靠該活塞桿之一彈簧肩和該內部主體之一夾頭之一下側，其中該夾頭包括該至少一夾頭臂。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該內部主體可在該外部主體內於該未致動位置及該釋放位置之間向後移動，且該內部主體、該活塞桿及該彈簧作為一整體移動。
如申請專利範圍第1項所述之自動注射器，其中該內部主體包括一夾頭，且該至少一夾頭臂包括組成該夾頭之至少三夾頭臂。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體容器，設置於該主殼體內；一匣體構件，設置於該匣體容器內且包括一匣體及一針頭，該匣體包括一藥劑及可於該匣體內移動之止擋器，用以通過該針頭配給該藥劑；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組包括一活塞桿，用以當致動時將該匣體及該針頭相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；一密封環，圍繞該匣體之一頸部設置位且於該匣體與該匣體容器之間。
如申請專利範圍第11項所述之自動注射器，其中該匣體包括一隔膜，且當該匣體處於該儲存位置時，該針頭之一後端與該隔膜間隔開，當該匣體處於該注射位置時，該針頭之該後端已經刺穿該隔膜。
如申請專利範圍第11項所述之自動注射器，其中一針蓋或該匣體容器之一前端之一開口包括一薄膜，當該匣體與該針頭處於該注射位置時，該針頭刺穿該薄膜。
如申請專利範圍第13項所述之自動注射器，其中該薄膜為一多孔過濾膜，提供一無菌屏障，允許大氣氣體通過並阻止細菌通過。
如申請專利範圍第14項所述之自動注射器，其中該多孔過濾膜與該密封環於該匣體容器內構成一無菌室。
如申請專利範圍第11項所述之自動注射器，其中該匣體為一玻璃製小瓶。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體容器，設置於該主殼體內；一匣體構件，設置在該匣體容器內且包括一匣體及一針頭，所述匣體包括一藥劑；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組致動時將該匣體相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；一針蓋可操作地連接至該動力組，該針蓋可相對於該主殼體從一第一位置縮回至一致動位置，之後當該匣體與該針頭處於該注射位置時，該針蓋可延伸至覆蓋該針頭之一延伸位置；其中該針蓋位於該主殼體與該匣體容器之間，該主殼體包括一殼體窗口，該針蓋包括一針蓋窗口，當該針蓋處於該第一位置時，該殼體窗口與該針蓋窗口對齊，其中當該針蓋處於該延伸位置時，通過該殼體窗口可看到該針蓋之一實體。
如申請專利範圍第17項所述之自動注射器，其中該匣體封裝於一匣體套筒中，用於連接該動力組之一活塞桿及該匣體構件，其中該匣體套筒包括一匣體套筒窗口，當該針蓋處於該第一位置時，該殼體窗口、該針蓋窗口及該匣體套筒窗口對齊。
如申請專利範圍第17項所述之自動注射器，更包含一針蓋彈簧，其中藉由該針蓋彈簧之作用，該針蓋可延伸至一延伸位置，該針蓋彈簧縱向設置於該針蓋及該動力組之間。
如申請專利範圍第19項所述之自動注射器，其中該針蓋彈簧圍繞該匣體容器設置。
如申請專利範圍第19項所述之自動注射器，其中當該針蓋處於該第一位置以及當該針蓋處於該延伸位置時，該針蓋彈簧位於該殼體窗口之後方。
如申請專利範圍第17項所述之自動注射器，其中該主殼體為不透明，該殼體窗口為一通孔。
如申請專利範圍第22項所述之自動注射器，其中一透明窗片設置於該殼體窗口。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體容器；一匣體構件，設置在該匣體容器內且包括一匣體及一針頭，所述匣體包括一藥劑；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組致動時將該匣體構件相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；一針蓋可操作地連接至該動力組，該針蓋可相對於該主殼體從一第一位置縮回至一致動位置以致動該動力組，其中當該匣體構件處於該注射位置時，該針蓋可延伸至覆蓋該針頭之一延伸位置；其中該針蓋在該第一位置為一第一鎖定組件鎖定以防止向前移動，且在該延伸位置為一第二鎖定組件鎖定以防止向後移動；其中該第一鎖定組件包括一卡扣組件，位於該針蓋與該匣體容器之間，且位於該針蓋與該匣體容器之一後端，該卡扣組件於該針蓋移動至該致動位置時被釋放；及該第二鎖定組件包括該針蓋之一彈性構件，當該針蓋移動至該延伸位置時，該彈性構件彈出以超出該主殼體之一凸緣。
如申請專利範圍第24項所述之自動注射器，其中該動力組包括一內部主體、一外部主體、一彈簧以及一活塞桿，其中該針蓋可相對於該主殼體從該第一位置縮回至該致動位置，以藉由相對於該外部主體，將該動力組之該內部主體從一未致動位置移動至一釋放位置來致動該動力組，其中當該內部主體處於該釋放位置時，該彈簧被釋放以驅動該活塞桿並驅動該匣體構件至該注射位置。
如申請專利範圍第24項所述之自動注射器，其中該第一鎖定組件之該卡扣組件包括設置於該針蓋之該後端之一卡鈎，該卡鈎接合該匣體容器之該後端之一第一突起。
如申請專利範圍第26項所述之自動注射器，其中該卡鈎設置於一彈性臂，當該針蓋移動至該致動位置時，該彈性臂偏移以脫離該第一突起，從而將該針蓋從該匣體容器釋放，使得該針蓋能移動至該延伸位置。
如申請專利範圍第24項所述之自動注射器，更包含一針蓋彈簧，圍繞該匣體容器設置且縱向設置於該針蓋及該動力組之間。
如申請專利範圍第24項所述之自動注射器，其中該針蓋包括一針蓋窗口，用於當該針蓋處於該第一位置時觀察該匣體中之該藥劑。
如申請專利範圍第29項所述之自動注射器，更包含一針蓋彈簧，位於該針蓋窗口之後方。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體構件，設置於該主殼體內且包括一匣體及一針頭，該匣體包括一藥劑，其中一活塞構件設置於該匣體內，當向前移動時，該活塞構件驅使該藥劑通過該針頭流出；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組致動時將該匣體構件相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；一匣體套筒，於一後端處包括一唇緣；一匣體容器，設置於該主殼體內；及其中該匣體套筒設置於該匣體套筒之一前端圍繞該匣體之一頸部，該動力組包括一活塞桿，該活塞桿之一前端延伸穿過該匣體之一後部開口，用於接合該活塞構件並使該活塞構件向前移動，該活塞桿之該前端包括於活塞桿之一球狀部分中，且該唇緣接合於該球狀部分後面以連接該活塞桿與該匣體。
如申請專利範圍第31項所述之自動注射器，其中一密封環壓縮於該匣體容器與該匣體之該頸部之間。
如申請專利範圍第31項所述之自動注射器，其中該匣體套筒沿一側之部分為開口。
如申請專利範圍第33項所述之自動注射器，其中該匣體套筒包括圍繞該匣體周設置之一前套環，且該匣體之一前部延伸穿過該前套環。
如申請專利範圍第34項所述之自動注射器，其中該匣體之該前部包括一隔膜。
一種自動注射器，包含：一主殼體；一匣體構件，設置在該主殼體內且包括一匣體及一針頭，所述匣體包括一藥劑；一動力組，設置於該主殼體內，該動力組致動時將該匣體及該針頭相對於該主殼體從一存儲位置移動至一注射位置；一針蓋彈簧；一致動單元，包括一匣體容器及設置於該匣體容器和該主殼體間之一針蓋，該致動單元可操作地連接至該動力組，且可相對於該主殼體從一第一位置縮回至一致動位置以致動該動力組，之後當該匣體及該針頭處於該注射位置時，藉由該針蓋彈簧之作用，該針蓋可延伸至覆蓋該針頭之一延伸位置；其中當該致動單元處於該致動位置時，該針蓋彈簧被壓縮於固定在該主殼體之一彈簧止動件與該針蓋之間，從而將該致動單元朝向該主殼體之一前端偏置。
如申請專利範圍第36項所述之自動注射器，其中該針蓋包括一面向後之彈簧座，用於接收該針蓋彈簧之一前端。
如申請專利範圍第36項所述之自動注射器，其中該針蓋之一後部具有擴大之橫截面輪廓，以於該針蓋與該匣體容器間界定一空腔，該針蓋彈簧被壓縮於該空腔內。
如申請專利範圍第38項所述之自動注射器，其中該針蓋之該後部與該針蓋之一前部間之界面包括一層階變化之輪廓，以界定用於該針蓋彈簧之該前端的一面向後之座。
如申請專利範圍第36項所述之自動注射器，其中該彈簧止動件包括一從該主殼體之一內表面突出之一固定向內突出部。
如申請專利範圍第40項所述之自動注射器，其中該致動單元更包括一面向前之彈簧座，且當該致動單元處於該第一位置時，該面向前之彈簧座支撐該針蓋彈簧。
如申請專利範圍第41項所述之自動注射器，其中當該致動單元處於該致動位置時，該面向前之彈簧座位於該彈簧止動件之後面，使得當該彈簧於該彈簧止動件與該針蓋之間被壓縮時，該面向前之彈簧座從該針蓋彈簧脫離。
如申請專利範圍第41項所述之自動注射器，其中該面向前之彈簧座位於該匣體容器之一後部。
一種製備氧化鎂氣凝膠的方法，包含步驟：<br/> S10；將殼聚醣溶於冰醋酸水溶液中，以得到透明膠體，其中該殼聚醣與該冰醋酸水溶液的重量比為1：30至1：40；<br/> S20：將六水硝酸鎂添加到該透明膠體中，使該六水硝酸鎂溶解在該透明膠體中，以獲得白色膠體，其中該六水硝酸鎂與該透明膠體的重量比為1：6至1：8；<br/> S30：將該白色膠體滴入氫氧化鈉溶液中，以得到白色凝膠珠；<br/> S40：以水洗滌該白色凝膠珠；<br/> S50：將該白色凝膠珠進行乾燥，以獲得鎂基殼聚醣珠；以及<br/> S60：將該鎂基殼聚醣珠進行鍛燒，以獲得氧化鎂氣凝膠。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S10中，該冰醋酸水溶液為1.5至2.5 % v/v。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S30中，該氫氧化鈉溶液為0.4至0.6 M。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S40中，以水洗滌該白色凝膠珠至中性。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，在步驟S30與步驟S40之間還包含步驟S31，將該白色凝膠珠靜置10小時至14小時。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S50中，將該白色凝膠珠在-15 ℃至-25 ℃下進行冷凍乾燥。
如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S60中，將該鎂基殼聚醣珠在550 ℃至650 ℃下進行鍛燒。
如請求項7所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法，其中在步驟S60中，將該鎂基殼聚醣珠在550 ℃至650 ℃下進行鍛燒1.5至3小時。
一種透過如請求項1所述之製備氧化鎂氣凝膠的方法所得到的氧化鎂氣凝膠，其中該氧化鎂氣凝膠的粒徑為4.5至5.5毫米。
一種去除水中氟鹽的方法，包含步驟：將如請求項9所述之氧化鎂氣凝膠投入含氟鹽的水，以吸附該水中的該氟鹽，其中該氟鹽與氧化鎂氣凝膠的重量比為1：12至1：60。
一種方形鋼管，具有平板部及角部， <br/> 前述方形鋼管的成分組成的質量%包含： <br/> C：0.07%以上0.20%以下、 <br/> Si：0.01%以上0.40%以下、 <br/> Mn：0.20%以上1.20%以下、 <br/> P：0.100%以下、 <br/> S：0.050%以下、 <br/> Ti：0.005%以上0.035%以下、 <br/> Al：0.005%以上0.100%以下、及 <br/> N：0.0100%以下， <br/> 前述成分組成中，殘餘部由Fe及不可避免的雜質所構成， <br/> 前述成分組成中，Mn的含有量對於Ti的含有量的比%Mn/%Ti是30.0以上150.0以下， <br/> 前述方形鋼管在前述平板部的板厚中心位置中的微小組織中，面積率包含： <br/> 肥粒鐵：面積率是80～95%，以及 <br/> 從由變韌鐵、擬變韌鐵及上部波來鐵所構成的群組選擇1種或2種以上：合計面積率5～20%， <br/> 且肥粒鐵的平均結晶粒徑d<sub>f</sub>是5.0～20.0μm、 <br/> 變韌鐵及擬變韌鐵的平均結晶粒徑d<sub>p</sub>是3.0～18.0 μm、 <br/> d<sub>p</sub>對於d<sub>f</sub>的比d<sub>p</sub>/d<sub>f</sub>是0.60以上1.00以下、 <br/> 變韌鐵及擬變韌鐵的合計數密度是2000個/mm<sup>2</sup>以上。
如請求項1的方形鋼管，其中， <br/> 前述成分組成的質量%，進一步包含從由以下所構成的群組選擇1種或2種以上， <br/> Nb：0.020%以下、 <br/> V：0.10%以下、 <br/> Cr：0.50%以下、 <br/> Mo：0.50%以下、 <br/> Cu：0.40%以下、 <br/> Ni：0.40%以下、 <br/> Ca：0.0100%以下、 <br/> B：0.0100%以下、 <br/> Sn：0.100%以下、及 <br/> Sb：0.100%以下。
一種方形鋼管的製造方法，前述方形鋼管是如請求項1或2的方形鋼管， <br/> 前述製造方法包含： <br/> 將具有前述成分組成的鋼材加熱至加熱溫度：1100℃以上1300℃以下；及 <br/> 將被加熱的前述鋼材熱軋製而作成熱軋鋼板；及 <br/> 將前述熱軋鋼板冷卻，冷卻條件是板厚中心位置中的平均冷卻速度：10.0℃/s以下且板厚中心位置中的冷卻停止溫度：480℃以上650℃以下；及 <br/> 將被冷卻的前述熱軋鋼板，在板厚中心位置中的捲繞溫度：480℃以上650℃以下進行捲繞；及 <br/> 將前述捲繞後的熱軋鋼板藉由彎成型並成型成圓筒狀之後將端部焊接作成圓形鋼管；及 <br/> 將前述圓形鋼管成型而作成前述方形鋼管； <br/> 前述熱軋製，藉由依序施加粗軋製及精軋製而進行， <br/> 前述粗軋製的進行條件，粗軋製結束溫度：850℃以上1150℃以下，從前述鋼材的加熱結束至前述粗軋製結束為止的時間：10.0分鐘以下，且930℃以上的合計壓下率：60%以上， <br/> 前述精軋製的進行條件，精軋製結束溫度：750℃以上850℃以下， <br/> 前述熱軋製的進行條件，930℃以下的合計壓下率：40%以上。
一種建築結構物， <br/> 將如請求項1或2的方形鋼管作為柱材使用。
一種用於眼底影像的影像處理系統，其包括：<br/> 一處理裝置，經配置以針對一待處理眼底影像執行下列步驟：<br/> 將該待處理眼底影像分解為對應多個色彩通道的多個第一色彩通道影像；<br/> 依據該等第一色彩通道影像的一亮度平均值產生一預定亮度分佈；<br/> 擷取該等第一色彩通道影像及在多個角度上的多個第一色彩結構資訊以及該預定亮度分佈在該等角度上的一第二色彩結構資訊；<br/> 對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行一亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的多個第二色彩結構資訊；<br/> 對該等第二色彩結構資訊執行一平滑化程序，並通過一重建程序產生多個第二色彩通道影像；及<br/> 合併該等第二色彩通道影像以產生一增強眼底影像。
如請求項1所述的影像處理系統，其中，依據該等第一色彩通道影像的一亮度平均值產生一預定亮度分佈的步驟包括：<br/> 產生具有一預定影像尺寸的一高斯模板，該高斯模板為一均值及一預定標準差的函數，該均值以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="445px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該均值，<img align="absmiddle" height="11px" width="36px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示該等第一色彩通道影像在對應的該色彩通道為 C時的像素值，R、G、B為該等色彩通道，<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該預定影像尺寸的長及寬。
如請求項2所述的影像處理系統，其中，擷取該等第一色彩通道影像及在該等角度上的該等第一色彩結構資訊以及該預定亮度分佈在該等角度上的該第二色彩結構資訊的步驟包括：<br/> 對該等第一色彩通道影像及該高斯模板執行一離散Radon變換程序以計算得到多個第一正弦圖矩陣及一第二正弦圖矩陣。
如請求項3所述的影像處理系統，其中對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行該亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊的步驟包括：<br/> 分別取得該等第一正弦圖矩陣的多個第一正弦圖係數；以及<br/> 針對每一種色彩，計算該第一正弦圖係數的一正弦圖平均值，並以最大的該正弦圖平均值作為一最大正弦圖係數平均值。
如請求項4所述的影像處理系統，其中對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行該亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊的步驟還包括：<br/> 對該等第一正弦圖矩陣進行奇異值分解以取得多個第一奇異值矩陣；<br/> 對該第二正弦圖矩陣進行奇異值分解以取得一第二奇異值矩陣；<br/> 針對每一該色彩通道，依據對應的該正弦圖平均值、該最大正弦圖係數平均值、對應的該第一奇異值矩陣及該第二奇異值矩陣計算得到一補償係數；以及<br/> 將該等第一奇異值矩陣乘以該等補償係數，以得到多個第三正弦圖矩陣，作為經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊。
如請求項5所述的影像處理系統，其中，對該等第二色彩結構資訊執行一平滑化程序的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩結構資訊依序執行一高斯濾波程序、一拉普拉斯濾波程序及一拉普拉斯高斯 (Laplacian of Gaussian，LoG) 銳化程序。
如請求項6所述的影像處理系統，其中，通過該重建程序產生該等第二色彩通道影像的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩結構資訊執行一逆Radon變換程序以計算得到該等第二色彩通道影像。
如請求項1所述的影像處理系統，其中，合併該等第二色彩通道影像以產生該增強眼底影像的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩通道影像執行歸一化及融合程序，以產生該增強眼底影像。
一種用於眼底影像的影像處理方法，其包括：<br/> 配置一處理裝置針對一待處理眼底影像執行下列步驟：<br/> 將該待處理眼底影像分解為對應多個色彩通道的多個第一色彩通道影像；<br/> 依據該等第一色彩通道影像的一亮度平均值產生一預定亮度分佈；<br/> 擷取該等第一色彩通道影像及在多個角度上的多個第一色彩結構資訊以及該預定亮度分佈在該等角度上的一第二色彩結構資訊；<br/> 對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行一亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的多個第二色彩結構資訊；<br/> 對該等第二色彩結構資訊執行一平滑化程序，並通過一重建程序產生多個第二色彩通道影像；及<br/> 合併該等第二色彩通道影像以產生一增強眼底影像。
如請求項9所述的影像處理方法，其中，依據該等第一色彩通道影像的一亮度平均值產生一預定亮度分佈的步驟包括：<br/> 產生具有一預定影像尺寸的一高斯模板，該高斯模板為一均值及一預定標準差的函數，該均值以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="93px" width="445px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該均值，<img align="absmiddle" height="11px" width="36px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示該等第一色彩通道影像在對應的該色彩通道為 C時的像素值，R、G、B為該等色彩通道，<img align="absmiddle" height="9px" width="6px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該預定影像尺寸的長及寬。
如請求項10所述的影像處理方法，其中，擷取該等第一色彩通道影像及在該等角度上的該等第一色彩結構資訊以及該預定亮度分佈在該等角度上的該第二色彩結構資訊的步驟包括：<br/> 對該等第一色彩通道影像及該高斯模板執行一離散Radon變換程序以計算得到多個第一正弦圖矩陣及一第二正弦圖矩陣。
如請求項11所述的影像處理方法，其中對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行該亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊的步驟包括：<br/> 分別取得該等第一正弦圖矩陣的多個第一正弦圖係數；以及<br/> 針對每一種色彩，計算該第一正弦圖係數的一正弦圖平均值，並以最大的該正弦圖平均值作為一最大正弦圖係數平均值。
如請求項12所述的影像處理方法，其中對該等第一色彩結構資訊及該第二色彩結構資訊中的每一者執行該亮度平衡程序，以產生經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊的步驟還包括：<br/> 對該等第一正弦圖矩陣進行奇異值分解以取得多個第一奇異值矩陣；<br/> 對該第二正弦圖矩陣進行奇異值分解以取得一第二奇異值矩陣；<br/> 針對每一該色彩通道，依據對應的該正弦圖平均值、該最大正弦圖係數平均值、對應的該第一奇異值矩陣及該第二奇異值矩陣計算得到一補償係數；以及<br/> 將該等第一奇異值矩陣乘以該等補償係數，以得到多個第三正弦圖矩陣，作為經亮度平衡的該等第二色彩結構資訊。
如請求項13所述的影像處理方法，其中，對該等第二色彩結構資訊執行一平滑化程序的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩結構資訊依序執行一高斯濾波程序、一拉普拉斯濾波程序及一拉普拉斯高斯 (Laplacian of Gaussian，LoG) 銳化程序。
如請求項14所述的影像處理方法，其中，通過該重建程序產生該等第二色彩通道影像的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩結構資訊執行一逆Radon變換程序以計算得到該等第二色彩通道影像。
如請求項9所述的影像處理方法，其中，合併該等第二色彩通道影像以產生該增強眼底影像的步驟包括：<br/> 對該等第二色彩通道影像執行歸一化及融合程序，以產生該增強眼底影像。
一種智能寵物互動裝置，其包含：<br/>殼體；<br/>輸送通道，設置於該殼體中，該輸送通道包括相連接的容置子通道以及投擲子通道，該容置子通道用以容置飼料，該投擲子通道設置有通道出口，以使得該飼料經由該通道出口離開該智能寵物互動裝置；<br/>閥單元，設置於該容置子通道與該投擲子通道之連接處，被組配成用於控制該容置子通道與該投擲子通道是否連通；<br/>感測單元，設置於該投擲子通道中，被組配成用於感測該飼料是否通過該投擲子通道；以及<br/>處理單元，設置於該殼體中，該處理單元與該閥單元及該感測單元電連接；<br/>其中，響應於該處理單元接收到投擲訊號，該處理單元控制該閥單元處於投擲狀態，致使該容置子通道與該投擲子通道連通，並且該閥單元推送該投擲子通道中的該飼料朝向該通道出口移動。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，其中該投擲子通道設置有凹槽，用於將進入該投擲子通道的該飼料固定於該凹槽處。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，其中響應於該感測單元未感測到該飼料通過該投擲子通道，該處理單元控制該閥單元處於振動狀態，以振動該輸送通道。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，其中響應於該處理單元未接收到該投擲訊號，控制該閥單元處於預備狀態。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，其中該通道出口相對於該殼體之底面的高度大於該容置子通道與該投擲子通道之該連接處相對於該殼體之該底面的高度。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，其中該閥單元包含可移動的閥桿，當該閥單元處於該投擲狀態時，該閥桿先移動至縮回位置致使該容置子通道與該投擲子通道連通，接著移動至伸出位置以推送該投擲子通道中的該飼料朝向該通道出口移動。
如請求項3所述之智能寵物互動裝置，其中該閥單元包含可移動的閥桿，當該閥單元處於該振動狀態時，該閥桿在縮回位置與伸出位置之間進行多次來回線性移動。
如請求項4所述之智能寵物互動裝置，其中該閥單元包含可移動的閥桿，當該閥單元處於該預備狀態時，該閥桿處於伸出位置致使該容置子通道與該投擲子通道不連通。
如請求項1所述之智能寵物互動裝置，進一步包含：<br/>音訊單元，其被組配成用於獲取音訊資料；<br/>其中，該處理單元與該音訊單元電連接，當該處理單元判定該音訊資料符合投擲條件，產生該投擲訊號。
一種智能寵物互動方法，其包含：<br/>由處理單元接收投擲訊號；<br/>控制閥單元處於投擲狀態，致使容置子通道與投擲子通道連通並推送飼料前進；<br/>由感測單元感測該飼料是否通過該投擲子通道；<br/>其中，響應於該感測單元未感測到該飼料通過該投擲子通道，該處理單元控制該閥單元處於振動狀態，以振動該容置子通道與該投擲子通道。
一種線纜連接器，其中，包括：<br/>絕緣本體，前述絕緣本體包括主體部；<br/>安裝基座，前述安裝基座與前述絕緣本體相連；<br/>導電端子，前述導電端子設於前述絕緣本體，前述導電端子包括設於前述主體部中的接觸部以及設於前述安裝基座的第一安裝部，前述接觸部配置為與對接導電端子相接觸；<br/>導電殼體，前述導電殼體至少部分套設於前述絕緣本體，前述導電殼體包括設於前述安裝基座的第二安裝部；以及<br/>線纜，前述線纜包括第一極性線以及第二極性線，前述第一極性線與前述第一安裝部電性連接，前述第二極性線與前述第二安裝部電性連接；<br/>其中，前述第一安裝部與前述第二安裝部分別位於前述安裝基座的相對兩側。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述第一極性線為電源線，前述第二極性線為接地線。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述第一安裝部設有第一弧形安裝面，前述第二安裝部設有第二弧形安裝面，前述第一弧形安裝面的凹陷方向與前述第二弧形安裝面的凹陷方向相背對。
如請求項3所述的線纜連接器，其中：前述第一弧形安裝面與前述第一極性線相連，前述第二弧形安裝面與前述第二極性線相連。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述主體部設有定位凹槽，前述導電殼體設有卡持在前述定位凹槽中的定位凸起。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述絕緣本體包括與前述主體部相連的頭部，前述頭部與前述安裝基座分別位於前述主體部的兩端；前述絕緣本體包括位於前述頭部與前述主體部的交界處的定位面，前述導電殼體包括套接在前述主體部上的套筒部，前述套筒部設有與前述定位面相抵接的端面。
如請求項6所述的線纜連接器，其中：前述頭部設有第一外圓柱面，前述套筒部設有第二外圓柱面，前述第一外圓柱面與前述第二外圓柱面齊平。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述安裝基座與前述絕緣本體分體設置，前述安裝基座與前述絕緣本體相固定。
如請求項8所述的線纜連接器，其中：前述安裝基座與前述絕緣本體設有相互配合的凸柱與凹孔。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述安裝基座設有第一安裝凹槽以及與前述第一安裝凹槽相背對的第二安裝凹槽，前述第一安裝部設置於前述第一安裝凹槽中，前述第二安裝部設置於前述第二安裝凹槽中。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述安裝基座設有遠離前述主體部的限位凸條，前述導電殼體設有第一延伸側壁以及第二延伸側壁，前述第一延伸側壁設有第一末端面，前述第二延伸側壁設有第二末端面，前述第一末端面以及前述第二末端面均抵接於前述限位凸條的內側。
如請求項11所述的線纜連接器，其中：前述第二安裝部連接在前述第一延伸側壁以及前述第二延伸側壁之間。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述安裝基座為絕緣安裝基座。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述接觸部設有配置為收容對接導電端子的收容腔。
如請求項1至14中任意一項所述的線纜連接器，其中：前述第一安裝部設有第一凹槽，前述第一極性線至少部分位於前述第一凹槽中；<br/>前述第二安裝部設有第二凹槽，前述第二極性線至少部分位於前述第二凹槽中。
如請求項15所述的線纜連接器，其中：前述第二極性線與前述第二安裝部焊接固定，且焊接後的前述第二極性線位於前述第二安裝部以內。
如請求項1所述的線纜連接器，其中：前述導電殼體包括套接在前述主體部上的套筒部，前述套筒部具有沿前述套筒部的周向延伸的圍繞區域；<br/>前述第一極性線以及前述第二極性線均位於前述圍繞區域的範圍內。
一種環狀手術牽開器，其包括一基板、一驅動板以及多個撐開件，其中：<br/>該基板具有：<br/>一定環板部，其上形成有一穿孔，該定環板部具有一內側面與多個導引部，該些導引部呈長條形，設於該定環板部的所述內側面，並且環繞該定環板部之所述穿孔依序排列設置，每一所述導引部具有朝向該定環板部之內環周緣的一收合端以及朝向該定環板部之外環周緣的一展開端，該導引部之該收合端與該導引部之該展開端位在該定環板部之相異的徑向延伸線上；與<br/>一定握把，其固接於該定環板部之所述外環周緣；<br/>該驅動板具有：<br/>一動環板部，其上形成有一穿孔，該動環板部具有一內側面與多個驅動部，該動環板部之所述內側面朝向該定環板部之所述內側面，該些驅動部設於該動環板部之所述內側面，並且環繞該動環板部之所述穿孔排列設置；與<br/>一動握把固接於該動環板部之所述外環周緣；<br/>該些撐開件環繞排列地設置在該基板和該驅動板之間，每一撐開件具有：<br/>一傳動板，其設於該定環板部和該動環板部之間，該傳動板具有一第一側面、一第二側面、一滑動部與一傳動部；該第一側面朝向該定環板部，該第二側面朝向該動環板部；該傳動板之內端突伸至位於該定環板部的所述穿孔和該動環板部的所述穿孔之間，該傳動板之外端位於該定環板部和該動環板部之間；該滑動部設於該傳動板之所述第一側面，該些撐開件之該傳動板的所述滑動部分別可移動地與該定環板部之該些導引部相互套接，使該滑動部能沿相對應的所述導引部移動；該傳動部設於該傳動板之所述第二側面，該傳動部具有一收合端與一展開端，該傳動部之該收合端朝向該動環板部之該外環周緣，該傳動部之該展開端朝向該動環板部之該內環周緣，該些撐開件之該傳動板的所述傳動部分別可移動地與該動環板部之該些驅動部相互套接，使該驅動部能沿相對應的所述傳動部移動；與<br/>一撐開桿，其形成於該傳動板之該內端，並且相對該傳動板彎折而由該定環板部之該穿孔向外突伸；<br/>其中，該些撐開件能受該驅動板之帶動而在一收合位置與一展開位置之間來回移動：<br/>當該撐開件位於該收合位置時，該動環板部之該驅動部位於相對應之該撐開件的該傳動部的收合端，每一所述撐開件之該滑動部位於相對應之該定環板部的該導引部的收合端，該些撐開件之該撐開桿側向相互抵靠而形成柱體狀；<br/>當該撐開件移動至該展開位置時，該動環板部之該驅動部移動至相對應之該撐開件的該傳動部的展開端，每一所述撐開件之該滑動部移動至相對應之該定環板部的該導引部的展開端，該些撐開件之該撐開桿相間隔地環繞設置。
如請求項1所述之環狀手術牽開器，其進一步包括至少一微型攝影模組，該至少一微型攝影模組裝設在該撐開件的該撐開桿上。
如請求項2所述之環狀手術牽開器，其中，該至少一微型攝影模組包括兩個所述微型攝影模組，該兩個微型攝影模組分別裝設在位置相對的兩根所述撐開桿上。
如請求項1所述之環狀手術牽開器，其進一步包括一彈性套，該彈性套環繞套設在該些撐開件之該撐開桿上。
如請求項2所述之環狀手術牽開器，其進一步包括一彈性套，該彈性套環繞套設在該些撐開件之該撐開桿上。
如請求項1至5中任一項所述之環狀手術牽開器，其中，每一所述撐開件之該撐開桿與該傳動板之間的夾角在90度至100度之間。
如請求項1至5中任一項所述之環狀手術牽開器，其中：<br/>該驅動板之該動環板部具有多個限位導槽，該些限位導槽相間隔地沿該定環板部之所述外環周緣設置，每一所述限位導槽形成為弧形長孔狀而沿該定環板部之所述外環周緣延伸；<br/>該基板之該定環板部具有多個限位凸部，該些限位凸部設於該定環板部的所述內側面，並且相間隔地沿該定環板部之所述外環周緣設置，該些限位凸部分別可移動地突伸於該些限位導槽中。
如請求項7所述之環狀手術牽開器，其中，該限位凸部可拆卸地裝設於該定環板部的該內側面。
如請求項1至5中任一項所述之環狀手術牽開器，其中，該定環板部之該導引部形成為長形導槽，該動環板部之該滑動部形成為凸塊而突伸於該導引部中。
如請求項9所述之環狀手術牽開器，其中，該滑動部形成為長度短於該導引部的長形凸塊。
如請求項1至5中任一項所述之環狀手術牽開器，其中，該撐開件之該傳動板的所述傳動部形成為長形導槽，該動環板部之所述驅動部形成為凸塊而突伸於該傳動部中。
如請求項9所述之環狀手術牽開器，其中，該撐開件之該傳動板的所述傳動部形成為長形導槽，該動環板部之所述驅動部形成為凸塊而突伸於該傳動部中。
如請求項1至5中任一項所述之環狀手術牽開器，其中，該動握把上進一步設有一安裝孔，該安裝孔內設有一定位件，該定位件上形成有至少一定位齒，該定握把上進一步設有一弧形齒條，該弧形齒條的一端固接於該定握把、另一端穿設在該動握把之該安裝孔中，該定位件之該定位齒彈性地與該弧形齒條嚙合相接。
一種發光模組，包括：<br/> 一電路基板；<br/> 一第一發光元件，設置在該電路基板上；以及<br/> 一第一面罩，設置在該電路基板上，並圍繞該第一發光元件，其中該第一面罩包括一第一開口，該第一發光元件包括一發光基板以及一第一發光單元，該第一發光單元設置在該發光基板上，該第一發光元件設置在該第一開口中，其中該第一發光元件的一最大出光角度(θ)大於80度，且該最大出光角度(θ)滿足θ=tan<sup>-1</sup>(S<sub>L</sub>)/(S<sub>Z</sub>)，其中(S<sub>L</sub>)是該第一發光單元與該第一面罩的一橫向距離，而(S<sub>Z</sub>)是該第一發光單元的一底表面與該第一面罩的一頂表面的一縱向距離差。
如請求項1所述之發光模組，其中該第一面罩還包括一第一凸出部以及一第二凸出部，該第一凸出部與該第一發光元件在一第一方向排列，該第二凸出部與該第一發光元件在一第二方向排列，該第一發光元件還包括一第二發光單元，該第一發光單元與該第二發光單元在該第二方向排列，該第一方向與該第二方向不同；<br/> 該第一發光元件在該第一方向上的一第一最大出光角度(θ<sub>x</sub>)大於80度，且該第一最大出光角度(θ<sub>x</sub>)滿足θ<sub>x</sub>=tan<sup>-1</sup>(M<sub>W</sub>/2)/(M<sub>HX</sub>-L<sub>H2</sub>)，其中(M<sub>W</sub>)是該第一開口在該第一方向的寬度，(M<sub>HX</sub>)是該第一凸出部的該頂表面到該電路基板之間的一距離，且(L<sub>H2</sub>)是該發光基板的厚度；<br/> 該第一發光元件在該第二方向上的一第二最大出光角度(θ<sub>y</sub>)大於80度，且該第二最大出光角度(θ<sub>y</sub>)滿足θ<sub>y</sub>=tan<sup>-1</sup>(M<sub>L</sub>/2-C<sub>GAP</sub>)/(M<sub>HY</sub>-L<sub>H2</sub>)，其中(M<sub>L</sub>)是該第一開口在該第二方向的長度，(M<sub>HY</sub>)是該第二凸出部的一頂表面到該電路基板之間的一距離，且(C<sub>GAP</sub>)是在該第二方向上，該第一發光單元與該第二發光單元之間的間距。
如請求項2所述之發光模組，其中該第一凸出部的該頂表面到該電路基板之間的該距離(M<sub>HX</sub>)與該第二凸出部的該頂表面到該電路基板之間的該距離(M<sub>HY</sub>)彼此不同。
如請求項2所述之發光模組，其中該第一凸出部的該頂表面到該電路基板之間的該距離(M<sub>HX</sub>)與該第二凸出部的該頂表面到該電路基板之間的該距離(M<sub>HY</sub>)彼此相同。
如請求項2所述之發光模組，其中該第一面罩還包括一第一凹槽，該第一凹槽鄰接該第一凸出部並從該第一凸出部的該頂表面凹陷，且該第一發光元件的一頂表面與該電路基板之間的一距離大於該第一凸出部的該頂表面與該電路基板之間的一距離；<br/> 該發光模組更包括一第二發光元件，設置在該電路基板上，其中該第一面罩具有一第二開口，該第一發光元件與該第二發光元件分別設置在該第一開口以及該第二開口中，且該第一發光元件鄰接該第二發光元件；<br/> 其中該第一凹槽具有一寬度(M<sub>GAPX</sub>)，且該寬度(M<sub>GAPX</sub>)滿足0.1mm＜M<sub>GAPX</sub>＜M<sub>PX</sub>-M<sub>W</sub>-0.25mm*2，其中(M<sub>PX</sub>)是該第一發光元件與該第二發光元件的節距，且(M<sub>W</sub>)是該第一開口的寬度。
如請求項5所述之發光模組，更包括一第二面罩，設置在該電路基板上，其中該第一面罩與該第二面罩之間具有一間距，且該間距介於0.1mm至0.2mm之間。
如請求項5所述之發光模組，其中該第一發光元件的該頂表面與該電路基板之間的該距離(M<sub>HX</sub>)滿足0.2*M<sub>HX</sub>＜M<sub>HGAPX</sub>＜0.5*M<sub>HX</sub>，其中(M<sub>HGAPX</sub>)為該第一凹槽的一深度。
如請求項7所述之發光模組，其中該第一面罩更包括一第二凹槽，與該第一凹槽在不同的方向延伸，其中該第二凹槽具有一深度(M<sub>HGAPY</sub>)，且該第一凹槽的該深度(M<sub>HGAPX</sub>)與該第二凹槽的該深度(M<sub>HGAPY</sub>)彼此不同。
如請求項7所述之發光模組，其中該第一面罩更包括一第二凹槽，與該第一凹槽在不同的方向延伸，其中該第二凹槽具有一深度(M<sub>HGAPY</sub>)，且該第一凹槽的該深度(M<sub>HGAPX</sub>)與該第二凹槽的該深度(M<sub>HGAPY</sub>)彼此相同。
如請求項2所述之發光模組，其中該第一面罩還包括一第一凹槽，該第一凸出部與該第二凸出部在相同的方向延伸，且該第一凹槽設置在該第一凸出部以及該第二凸出部之間。
一種用於血細胞影像的影像增強系統，其包括：<br/> 一處理裝置，經配置以針對一待處理血細胞影像執行下列步驟：<br/> 將該待處理血細胞影像分解為對應多個色彩通道的多個第一色彩通道影像；<br/> 對該等第一色彩通道影像及該待處理血細胞影像的一預定亮度分佈執行一轉換程序，以得到多個第一頻域資訊及一第二頻域資訊；<br/> 分別從該等第一頻域資訊擷取出多個第一直流特徵資訊，以及從該第二頻域資訊擷取出一第二直流特徵資訊；<br/> 對該等第一直流特徵資訊及該第二直流特徵資訊執行一分解程序以得到多個第一亮度特徵資訊及一第二亮度特徵資訊；<br/> 依據該等第一色彩通道影像、該等第一直流特徵資訊、該等第一亮度特徵資訊及該第二亮度特徵資訊，對該等第一直流特徵資訊中的該等第一亮度特徵資訊執行一亮度補償程序，以得到多個經補償直流特徵資訊；<br/> 將該等經補償直流特徵資訊還原為多個補償頻域資訊，並對該等補償頻域資訊執行一逆轉換程序，以得到分別對應該等色彩通道的多個第二色彩通道影像；<br/> 合併該等第二色彩通道影像以產生一增強血細胞影像；<br/> 其中，該預定亮度分佈為該待處理血細胞影像的一高斯模板，該轉換程序為一二維離散餘弦變換（DCT）程序，該等第一頻域資訊為對應於該等色彩通道的多個第一DCT係數矩陣，該第二頻域資訊為對應於該高斯模板的一第二DCT係數矩陣。
如請求項1所述的影像增強系統，其中，該等第一直流特徵資訊為從該等第一DCT係數矩陣擷取的多個第一直流係數，該第二直流特徵資訊為從該第二DCT係數矩陣擷取的一第二直流係數。
如請求項2所述的影像增強系統，其中，該分解程序為一奇異值分解程序，該等第一亮度特徵資訊為從該等第一DCT係數矩陣分解出的多個第一奇異值矩陣，該第二亮度特徵資訊為從該第二DCT係數矩陣分解出的一第二奇異值矩陣。
如請求項3所述的影像增強系統，其中，該亮度補償程序包括：<br/> 分別計算該等第一色彩通道影像的多個均值，並進行比較以得到一最大均值；<br/> 取出該等第一DCT 係數矩陣的多個直流係數，並進行比較以得到一最大直流係數；<br/> 依據該等均值、該最大均值、該等直流係數、該最大直流係數、該等第一奇異值矩陣及該第二奇異值矩陣計算對應該等色彩通道的多個補償係數；<br/> 分別對該等第一奇異值矩陣應用該等補償係數以得到多個第一經補償奇異值矩陣；<br/> 分別以該等經補償奇異值矩陣取代該等第一DCT係數矩陣中的該等第一奇異值矩陣，以得到多個經補償直流係數作為該等經補償直流特徵資訊。
如請求項4所述的影像增強系統，其中，每一該補償係數以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="128px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，<i>C</i>為其中一個該色彩通道，<i>ζ<sub>C</sub></i>為對應的該補償係數，μc為對應的該均值，<i>μ<sub>max</sub></i>為該最大均值，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應的該第一直流係數，<i>ω<sub>max</sub></i>為該最大直流係數，max(<i>S<sub>C</sub></i>) 表示對應的該第一奇異值矩陣中的一第一最大奇異值，max(<i>Sg</i>)表示該第二奇異值矩陣中的一第二最大奇異值。
如請求項4所述的影像增強系統，其中，將該等經補償直流特徵資訊還原為該等補償頻域資訊的步驟包括以該等經補償直流係數取代該等第一DCT係數矩陣的該等第一直流係數，以得到多個第三DCT係數矩陣作為該等補償頻域資訊。
如請求項6所述的影像增強系統，其中，該逆轉換程序為一逆離散餘弦變換 (IDCT)程序，用於將該等第三DCT係數矩陣從頻域轉換至空間域以得到該等第二色彩通道影像。
一種用於血細胞影像的影像增強方法，其包括：<br/> 配置一處理裝置針對一待處理血細胞影像執行下列步驟：<br/> 將該待處理血細胞影像分解為對應多個色彩通道的多個第一色彩通道影像；<br/> 對該等第一色彩通道影像及該待處理血細胞影像的一預定亮度分佈執行一轉換程序，以得到多個第一頻域資訊及一第二頻域資訊；<br/> 分別從該等第一頻域資訊擷取出多個第一直流特徵資訊，以及從該第二頻域資訊擷取出一第二直流特徵資訊；<br/> 對該等第一直流特徵資訊及該第二直流特徵資訊執行一分解程序以得到多個第一亮度特徵資訊及一第二亮度特徵資訊；<br/> 依據該等第一色彩通道影像、該等第一直流特徵資訊、該等第一亮度特徵資訊及該第二亮度特徵資訊，對該等第一直流特徵資訊中的該等第一亮度特徵資訊執行一亮度補償程序，以得到多個經補償直流特徵資訊；<br/> 將該等經補償直流特徵資訊還原為多個補償頻域資訊，並對該等補償頻域資訊執行一逆轉換程序，以得到分別對應該等色彩通道的多個第二色彩通道影像；<br/> 合併該等第二色彩通道影像以產生一增強血細胞影像；<br/> 其中，該預定亮度分佈為該待處理血細胞影像的一高斯模板，該轉換程序為一二維離散餘弦變換（DCT）程序，該等第一頻域資訊為對應於該等色彩通道的多個第一DCT係數矩陣，該第二頻域資訊為對應於該高斯模板的一第二DCT係數矩陣。
如請求項8所述的影像增強方法，其中，該等第一直流特徵資訊為從該等第一DCT係數矩陣擷取的多個第一直流係數，該第二直流特徵資訊為從該第二DCT係數矩陣擷取的一第二直流係數。
如請求項9所述的影像增強方法，其中，該分解程序為一奇異值分解程序，該等第一亮度特徵資訊為從該等第一DCT係數矩陣分解出的多個第一奇異值矩陣，該第二亮度特徵資訊為從該第二DCT係數矩陣分解出的一第二奇異值矩陣。
如請求項10所述的影像增強方法，其中，該亮度補償程序包括：<br/> 分別計算該等第一色彩通道影像的多個均值，並進行比較以得到一最大均值；<br/> 取出該等第一DCT 係數矩陣的多個直流係數，並進行比較以得到一最大直流係數；<br/> 依據該等均值、該最大均值、該等直流係數、該最大直流係數、該等第一奇異值矩陣及該第二奇異值矩陣計算對應該等色彩通道的多個補償係數；<br/> 分別對該等第一奇異值矩陣應用該等補償係數以得到多個第一經補償奇異值矩陣；<br/> 分別以該等經補償奇異值矩陣取代該等第一DCT係數矩陣中的該等第一奇異值矩陣，以得到多個經補償直流係數作為該等經補償直流特徵資訊。
如請求項11所述的影像增強方法，其中，每一該補償係數以下式表示：<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="128px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，c 為其中一個該色彩通道，ζc為對應的該補償係數，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應的該均值，<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該最大均值，<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為對應的該第一直流係數，<img align="absmiddle" height="7px" width="14px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該最大直流係數，max(<i>Sg</i>) 表示對應的該第一奇異值矩陣中的一第一最大奇異值，max(<i>Sc</i>)表示該第二奇異值矩陣中的一第二最大奇異值。
如請求項11所述的影像增強方法，其中，將該等經補償直流特徵資訊還原為該等補償頻域資訊的步驟包括以該等經補償直流係數取代該等第一DCT係數矩陣的該等第一直流係數，以得到多個第三DCT係數矩陣作為該等補償頻域資訊。
如請求項13所述的影像增強方法，其中，該逆轉換程序為一逆離散餘弦變換 (IDCT)程序，用於將該等第三DCT係數矩陣從頻域轉換至空間域以得到該等第二色彩通道影像。
一種運動裝置，包含： 一基架；<br/> 一第一運動機構，設置於該基架的一側，能於一第一連動狀態及一第一獨立狀態之間切換；該第一運動機構包含一第一上肢單元、一第一下肢單元及一第一連動單元；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一連動單元分別連接該第一上肢單元及該第一下肢單元，使該第一上肢單元及該第一下肢單元透過該第一連動單元相互連動；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一上肢單元或該第一下肢單元，使該第一上肢單元與該第一下肢單元得以各自獨立移動；以及<br/> 一第二運動機構，設置於該基架相對於該第一運動機構之一側；<br/> 其中，當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一下肢單元；該第一上肢單元包含一第一下擺臂及一第一配合部，該第一配合部的一端連接該第一下擺臂；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一配合部的另一端連接該第一連動單元；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一配合部的另一端自該第一連動單元脫離；<br/> 其中該第一配合部包含一第一本體件及一第一勾扣件，該第一本體件分別連接該第一下擺臂及該第一勾扣件；該第一連動單元包含一第一上肢連動部；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一勾扣件勾扣於該第一上肢連動部；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一勾扣件自該第一上肢連動部脫離。<br/> 。
一種運動裝置，包含：<br/> 一基架；<br/> 一第一運動機構，設置於該基架的一側，能於一第一連動狀態及一第一獨立狀態之間切換；該第一運動機構包含一第一上肢單元、一第一下肢單元及一第一連動單元；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一連動單元分別連接該第一上肢單元及該第一下肢單元，使該第一上肢單元及該第一下肢單元透過該第一連動單元相互連動；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一上肢單元或該第一下肢單元，使該第一上肢單元與該第一下肢單元得以各自獨立移動；以及<br/> 一第二運動機構，設置於該基架相對於該第一運動機構之一側；<br/> 其中，當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一下肢單元；該第一上肢單元包含一第一下擺臂及一第一配合部，該第一配合部的一端連接該第一下擺臂；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一配合部的另一端連接該第一連動單元；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一配合部的另一端自該第一連動單元脫離；<br/> 其中該第一連動單元包含一第一上肢連動部及一第一固定件，該第一上肢連動部具有一第一預設孔供設置該第一固定件；該第一配合部的另一端具有一第一配合孔；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一固定件設置於該第一預設孔及該第一配合孔；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一固定件自該第一預設孔及該第一配合孔脫離，以使該第一配合部的另一端能自該第一連動單元脫離。
一種運動裝置，包含：<br/> 一基架；<br/> 一第一運動機構，設置於該基架的一側，能於一第一連動狀態及一第一獨立狀態之間切換；該第一運動機構包含一第一上肢單元、一第一下肢單元及一第一連動單元；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一連動單元分別連接該第一上肢單元及該第一下肢單元，使該第一上肢單元及該第一下肢單元透過該第一連動單元相互連動；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一上肢單元或該第一下肢單元，使該第一上肢單元與該第一下肢單元得以各自獨立移動；以及<br/> 一第二運動機構，設置於該基架相對於該第一運動機構之一側；<br/> 其中，當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一下肢單元；該第一上肢單元包含一第一下擺臂及一第一配合部，該第一配合部的一端連接該第一下擺臂；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一配合部的另一端連接該第一連動單元；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一配合部的另一端自該第一連動單元脫離；<br/> 其中該第一配合部包含一第一磁吸件；該第一下擺臂具有磁性；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一磁吸件供該第一配合部定位於該第一下擺臂。
一種運動裝置，包含：<br/> 一基架；<br/> 一第一運動機構，設置於該基架的一側，能於一第一連動狀態及一第一獨立狀態之間切換；該第一運動機構包含一第一上肢單元、一第一下肢單元及一第一連動單元；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一連動單元分別連接該第一上肢單元及該第一下肢單元，使該第一上肢單元及該第一下肢單元透過該第一連動單元相互連動；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一上肢單元或該第一下肢單元，使該第一上肢單元與該第一下肢單元得以各自獨立移動；以及<br/> 一第二運動機構，設置於該基架相對於該第一運動機構之一側；<br/> 其中，當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一連動單元連接該第一下肢單元；該第一上肢單元包含一第一下擺臂及一第一配合部，該第一配合部的一端連接該第一下擺臂；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一配合部的另一端連接該第一連動單元；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一配合部的另一端自該第一連動單元脫離；<br/> 其中該第一上肢單元包含一第一固定部，該第一固定部之一端連接該基架；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一固定部之另一端供該第一下擺臂抵靠。
如請求項4所述之運動裝置，其中該第一固定部包含一第一支撐件、一第一抵靠件及一第一止動件，該第一支撐件分別連接該基架及該第一抵靠件；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態時，該第一抵靠件供該第一下擺臂抵靠；該第一抵靠件具有至少一第一固定穿孔，供設置該第一止動件；該第一下擺臂具有一第一下擺穿孔；當該第一運動機構處於該第一獨立狀態，且該第一下擺臂抵靠於該第一抵靠件時，該第一止動件供設置於該至少一第一固定穿孔及該第一下擺穿孔；當該第一運動機構自該第一獨立狀態切換至該第一連動狀態時，該第一止動件自該第一下擺穿孔移除。
如請求項1、2、3或4所述之運動裝置，其中該第一運動機構包含一第一齒件；該第二運動機構包含一第二齒件；該運動裝置包含一操控機構，設置於該第一運動機構與該第二運動機構之間；該操控機構包含一第三齒件，該第三齒件能於一囓合位置及一自由位置之間移動；當該第三齒件位於該囓合位置時，該第三齒件分別與該第一齒件及該第二齒件嚙合，使該第一運動機構與該第二運動機構透過該第三齒件相互連動；當該第三齒件位於該自由位置時，該第三齒件脫離該第一齒件及該第二齒件中至少一者，使該第一運動機構與該第二運動機構得以各自獨立移動。
如請求項1、2、3或4所述之運動裝置，其中該第一連動單元包含一轉動部、一第一下肢連動部及一第一上肢連動部，該轉動部分別連接該第一下肢連動部及該第一上肢連動部；當該第一運動機構處於該第一連動狀態時，該第一下肢連動部連接該第一下肢單元，該第一上肢連動部連接該第一上肢單元，該轉動部可受該第一下肢單元及該第一上肢單元中至少一者的驅動而轉動，使該第一上肢單元及該第一下肢單元透過該轉動部的轉動而相互連動；當該第一運動機構自該第一連動狀態切換至該第一獨立狀態時，該第一下肢連動部仍連接該第一下肢單元，該第一上肢單元自該第一上肢連動部脫離。
如請求項7所述之運動裝置，其中該第一下肢單元包含一第一上腳桿、一第一踏板、一第一樞桿、一第一下腳桿及一第一帶動桿；該第一上腳桿連接該第一踏板；該第一樞桿的一端具有一第一樞桿樞接部；該第一下腳桿的一端連接該第一樞桿，且該第一下腳桿與該第一樞桿的一連接處相對於該第一樞桿樞接部呈偏心設置；該第一下腳桿的另一端連接該第一踏板；該第一帶動桿的一端連接該第一下腳桿，該第一帶動桿的另一端連接該第一下肢連動部。
一種牆固式安全固定裝置，係可裝設夾固於一牆面的頂部上，該牆固式安全固定裝置係至少包含:至少一桿體，係延伸有一長度；至少一第一鉗部，係延伸設於該桿體的前端並可抵住該牆面的外側；一第二鉗部，係延伸設於該桿體的中段並可抵住該牆面的內側與該第一鉗部相對應，該第二鉗部至少具有一活動螺桿，該活動螺桿可控制該第二鉗部迫緊夾固住該牆面；一第一板體，係固設於該桿體的前端並可相對置於該牆面的頂部外側，該第一板體係為L型板且彎折處係為圓角，該第一板體的兩側係分別向上延伸設有一限位塊；一第二板體，係固設於該桿體的中段並與該第二鉗部的延伸部具有一間隔，該第二板體可相對置於該牆面的頂部內側與該第一板體相對應，該第二板體係為L型板且彎折處係為圓角，該第二板體的兩側係分別向上延伸設有一限位塊，該第二板體的底部係相對向該桿體前端直角延伸有一擋板；其中，該第一板體與第二板體可供至少一作業索跨置。
如請求項1所述之牆固式安全固定裝置，其中該第二鉗部的活動螺桿係連接有一握把。
如請求項1所述之牆固式安全固定裝置，其中更包含有至少一第一單向制動件，該第一單向制動件係設於該桿體的後端可供該作業索穿置，當該作業索逆向作動時該第一單向制動件可將該作業索制動咬死。
如請求項3所述之牆固式安全固定裝置，其中該第一單向制動件係至少具有一棘輪，該棘輪係可對該作業索進行制動。
如請求項1所述之牆固式安全固定裝置，其中更包含有至少一第二單向制動件，且該桿體的前端係延伸設有一耳部，該第二單向制動件係具有一安全索，該安全索係連接設於該耳部，該第二單向制動件可供該作業索穿置，當該作業索逆向作動時該第二單向制動件可將該作業索制動咬死。
如請求項5所述之牆固式安全固定裝置，其中該第二單向制動件係至少具有一棘輪，該棘輪係可對該作業索進行制動。
如請求項4或6所述之牆固式安全固定裝置，其中該棘輪係為偏心輪或橢圓輪結構。
如請求項5所述之牆固式安全固定裝置，其中該安全索係為鋼索。
一種輔助醫學美容的方法，執行於護目鏡中，所述方法包括:<br/> 獲取裝配在所述護目鏡上的攝像模組擷取的真實場景影像，其中，所述真實場景影像包括皮膚影像；<br/> 將所述皮膚影像劃分為複數施術區域，對各個施術區域分別進行皮膚狀況分析與特徵點識別；<br/> 根據所述各個施術區域的皮膚狀況及特徵點，計算所述各個施術區域對應的能量密度，其中，所述各個施術區域對應的能量密度是根據以下公式進行計算:<img align="absmiddle" height="7px" width="125px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，ED為能量密度；R函數用於取四捨五入值；<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>用於表示有無毛髮，當<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，表示該施術區域有毛髮，當<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，表示該施術區域無毛髮；<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>用於表示有無斑點，當<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，表示該施術區域有斑點，當<img align="absmiddle" height="7px" width="17px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，表示該施術區域無斑點；SCS用於表示膚色色階，SCS的值為1到5表示深色到淺色；SP用於表示皮膚特性，SP的值為1表示乾燥皮膚，SP的值為2表示油性皮膚；<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為預設的SCS加權係數；<img align="absmiddle" height="7px" width="10px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為預設的SP加權係數；<br/> 根據所述皮膚影像，生成所述複數施術區域及所述各個施術區域的特徵點及對應的能量密度的虛擬影像，<br/> 疊加所述虛擬影像到所述真實場景影像以生成輔助醫學美容介面；以及<br/> 在所述護目鏡的顯示模組上顯示所述輔助醫學美容介面。
如請求項1所述的輔助醫學美容的方法，其中，所述皮膚狀況分析包括:膚色識別和膚質分析。
如請求項1所述的輔助醫學美容的方法，其中，所述特徵點包括：斑點及毛髮。
如請求項1所述的輔助醫學美容的方法，其中，所述顯示模組包括成像鏡面，所述成像鏡面包括光感測器和電致變色材料，其中，當所述光感測器感測到強光時，所述電致變色材料改變狀態，使所述成像鏡面呈現不透光狀態。
如請求項1所述的輔助醫學美容的方法，其中，所述護目鏡與醫學美容設備通信連接，所述醫學美容設備包括手持式施術裝置，所述方法還包括:<br/> 定位所述手持式施術裝置，確定所述手持式施術裝置對應的第一施術區域；<br/> 獲取所述第一施術區域對應的能量密度；<br/> 傳送所述第一施術區域對應的能量密度至所述醫學美容設備，令所述醫學美容設備根據所述能量密度設定所述手持式施術裝置的雷射能量；<br/> 判斷是否接收到所述醫學美容設備的施術完成通知，當接收到所述施術完成通知時，在所述輔助醫學美容介面中將所述第一施術區域標示為已完成狀態。
一種輔助醫學美容的護目鏡，包括<br/> 處理器；以及<br/> 記憶體，用於存儲計算機程式，當所述計算機程式被所述處理器執行時，使得所述處理器實現如請求項1至5中任一項所述的輔助醫學美容的方法。
一種燈具卡扣改良結構，包含有：<br/>二卡扣座，對稱設置在一燈具之兩相對內側上，並於該燈具之外周側上開設有與該二卡扣座相對連通之二通孔，該二卡扣座分別具有一與其對應之通孔呈相對設置的底板、及二配置於該底板兩旁呈間隔設置的側板，使該底板與該二側板之間形成一軌槽，並於該軌槽中設有一可沿該軌槽滑移之卡扣件，該卡扣件於面向該二側板之兩相對側形成有與該二側板呈相互平行設置之二邊板，並於該卡扣件朝向其通孔之一端形成有呈間隔設置且橫設於該二邊板間之一第一板片及一第二板片，使該第一板片與該第二板片之間形成有一插槽，該第一板片於朝向其通孔之一側形成有一按壓塊，該第二板片於朝向該插槽之一側則形成有一位在其插槽中的扣合塊，而一彈性件以其兩端分別彈抵在該第二板片及該底板之間，使該卡扣件可沿該軌槽直線滑移並帶動該按壓塊伸入於其通孔中，並於該二卡扣座上分別設有一外蓋，該外蓋可拆卸地蓋合在其卡扣座上，以遮擋其軌槽及組設於其軌槽中之卡扣件與彈性件。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該通孔於朝外一側之內周緣形成有一向外漸擴連接至該燈具之外周側的漸擴段，且當該彈性件彈抵該卡扣件時，將帶動該按壓塊相對伸入於該漸擴段中。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該二側板與該二邊板彼此相對之側壁分別呈完整之平面狀，使該卡扣件可沿著該二側板之側壁延伸方向直線滑移。
如請求項3所述之燈具卡扣改良結構，其中，該通孔於朝外一側之內周緣形成有一向外漸擴連接至該燈具之外周側的漸擴段，而該二邊板於朝向該底板之延伸末端分別向外凸伸形成一擋止部，當該彈性件彈抵該卡扣件時，各該擋止部相對抵靠在相鄰側板之端緣，並使該按壓塊可相對位於該漸擴段中。
如請求項2或4所述之燈具卡扣改良結構，其中，該按壓塊之凸伸末端係與該燈具之外周側相齊平或稍微凸出於該燈具之外周側。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該第二板片於朝向該底板之一側凸伸形成有一插接柱，且該彈性件軸向套接在該插接柱上，以定位該彈性件。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該扣合塊呈三角形楔塊狀而具有一向下且朝著該第一板片方向傾斜之推抵斜面。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該二側板分別開設一穿孔，且該外蓋於對應各該穿孔之兩相對內側分別凸設有一可用以相對扣入於其穿孔中的勾扣凸部。
如請求項7所述之燈具卡扣改良結構，其中，該外蓋之頂面開設有二工作孔，且該二工作孔分別與其中一勾扣凸部呈上下相對設置。
如請求項1所述之燈具卡扣改良結構，其中，該插槽用以供一固定座之勾部插入並與該扣合塊相扣接，且該插槽之截面積大於勾部之最大外徑。
一種嬰兒載具，包括：<br/> 載具骨架；及<br/> 高度調整機構，包括固定座、定位件及釋卡操作件，所述固定座活動地連接於所述載具骨架，所述定位件適於鎖定所述固定座相對於所述載具骨架的位置，且所述高度調整機構在所述定位件與所述釋卡操作件之間設有傳動機構，使所述釋卡操作件朝釋鎖方向之移動得通過所述傳動機構促使所述定位件移動而釋鎖所述固定座；<br/> 其中所述傳動機構配置為允許所述釋卡操作件相對於所述定位件具有相對移動範圍，使所述釋卡操作件可在所述定位件不動而保持鎖定所述固定座的狀態下於所述相對移動範圍內朝所述釋鎖方向移動。
如請求項1所述的嬰兒載具，其中所述傳動機構包含可相對移動之第一元件和第二元件，而所述相對移動範圍設置於所述第一元件和所述第二元件之間。
如請求項2所述的嬰兒載具，其中所述第一元件和所述第二元件為兩個極性相反的磁性件。
如請求項3所述的嬰兒載具，其中所述高度調整機構包括彼此活動地連接之連接件和滑動件，所述連接件與所述定位件連接，所述兩個磁性件中之一者安裝在所述連接件上，所述兩個磁性件中之另一者安裝在所述滑動件上。
如請求項4所述的嬰兒載具，其中所述連接件在其相對兩端分別與所述定位件、所述滑動件連接。
一種嬰兒載具，包括：<br/> 載具骨架；及<br/> 高度調整機構，包括固定座、連接件、定位件及釋卡操作件，所述固定座活動地連接於所述載具骨架，所述定位件適於鎖定所述固定座相對於所述載具骨架的位置，且所述高度調整機構可通過所述釋卡操作件、所述連接件之移動促使所述定位件移動而釋鎖所述固定座；<br/> 其中所述定位件樞接於所述固定座，所述連接件可沿所述載具骨架滑動而促使所述定位件移動而釋鎖所述固定座。
如請求項6所述的嬰兒載具，其中所述定位件具有樞轉軸、接合部及樞轉部，所述樞轉軸可轉動地裝配於所述固定座而作為所述定位件轉動的支點，所述接合部和所述樞轉部自所述樞轉軸突出，所述連接件在所述樞轉軸之離軸處連接於所述樞轉部，而所述接合部適於與所述載具骨架之定位部接合、脫離接合。
如請求項7所述的嬰兒載具，其中所述接合部之第一端連接於所述樞轉軸，所述接合部之第二端適於與所述載具骨架之所述定位部接合且設有插卡斜面。
如請求項8所述的嬰兒載具，其中所述插卡斜面在所述接合部與所述載具骨架之所述定位部接合時可與所述定位部的底面保持抵頂。
如請求項1至9中任一項所述的嬰兒載具，其中所述固定座包括長柄部及托座部，所述托座部設置於所述長柄部的下端處並適於接收載具本體之安裝，所述定位件鄰近於所述托座部處，而所述釋卡操作件設置於所述長柄部的上端處。
一種可改變承載溫度之載台，包含：<br/>一基座，具有一容置空間、至少一流體入口及至少一流體出口，該流體入口及該流體出口連通該容置空間，該流體入口用以輸入一流體至該容置空間，該流體出口用以輸出通過該容置空間的該流體；<br/>一導流模組，設置於該容置空間中，該導流模組包含複數個隔板，該些隔板活動地相接合並圈圍形成複數個艙室於該容置空間中，各該隔板分別位於相鄰的各該艙室之間，藉由選擇性地拆離部分的該些隔板，使該些艙室可選擇性地連通，以構成可改變一流體流向的至少一流道，該流道連通該流體入口及該流體出口；<br/>至少一導管，設置於該容置空間中，該導管具有一第一端部及一第二端部，該第一端部接合於該基座，該基座顯露出該第一端部；及<br/>一承載板，覆蓋該容置空間，該導管的該第二端部接合於該承載板，該承載板的一承載表面顯露出該第二端部，藉由一負壓源連接該第一端部，使顯露出該第二端部的該承載表面形成有一吸附力。
如請求項1之可改變承載溫度之載台，其中該導流模組包含複數個轉接柱，該些轉接柱設置於該容置空間中，該些隔板活動地接合於相鄰的該轉接柱，以形成該些艙室。
如請求項2之可改變承載溫度之載台，其中各該轉接柱分別具有複數個結合槽，該些隔板分別選擇性地結合於相鄰的二該轉接柱的該些結合槽以形成該些艙室及/或該流道。
如請求項1至3中任一項之可改變承載溫度之載台，其中該導管設置於該些艙室的其中之一中。
如請求項1至3中任一項之可改變承載溫度之載台，其中該導管位於該流道中。
如請求項1或2之可改變承載溫度之載台，其中該承載板具有至少一第二穿孔，該第二端部接合於該第二穿孔。
如請求項6之可改變承載溫度之載台，其中該基座另具有至少一第一穿孔，該第一端部接合於該第一穿孔。
如請求項7之可改變承載溫度之載台，其中該基座具有一底部及一框部，該框部結合於該底部並環繞該容置空間，該第一穿孔設置於該底部，該底部顯露出該第一端部，該第一端部連接該負壓源。
一種電子裝置，用以容納一冷卻流體，該電子裝置包含：<br/>一殼體，用以容納該冷卻流體；一液冷散熱組件，設置於該殼體內，並用以供該冷卻流體流通，液冷散熱組件包含一熱交換部、一進液管、二出液管以及一鰭片結構，該熱交換部具有一主流道以及多個分流道，該些分流道分別與該主流道之相對兩側相連通，該進液管與該主流道相連通，該二出液管分別與該些分流道相連通，該鰭片結構包含多個第一鰭片以及多個第二鰭片，該些第一鰭片與該些第二鰭片設置於該些分流道內並相連，該些第一鰭片靠近該主流道，該些第二鰭片分別靠近該二出液管，且該些第一鰭片的設置密度小於該些第二鰭片的設置密度；以及至少一硬碟，設置於該殼體內，並用以浸沒於該冷卻流體。
如請求項1所述之電子裝置，其中該液冷散熱組件更包含一匯流部，該匯流部包含一匯流管以及多個入口管，該些入口管與該進液管分別與該匯流管之相對兩側相連通，且該匯流管與該些入口管用以令流經該至少一硬碟之該冷卻流體匯流至該進液管。
如請求項1所述之電子裝置，其中該液冷散熱組件更包含一分流部，該分流部包含一分流管以及多個出口管，該些出口管與該二出液管分別與該分流管之相對兩側相連通，且該分流管與該些出口管用以令朝該至少一硬碟流動之該冷卻流體分流。
如請求項1所述之電子裝置，其中該液冷散熱組件更包含一幫浦，該幫浦設置於該進液管，並與該進液管相連通，該幫浦用以驅動該冷卻流體流動。
如請求項1所述之電子裝置，更包含至少一風扇，該至少一風扇設置於該殼體內，並位於該二出液管之一側，該至少一風扇用以產生流經該熱交換部之一冷卻氣流。
如請求項1所述之電子裝置，其中位於該主流道之每一側之該些分流道的排列方向垂直於該二出液管的排列方向。
一種液冷散熱組件，用以設置於一殼體內，並供一冷卻流體流通，該液冷散熱組件包含：<br/>一熱交換部，具有一主流道以及多個分流道，該些分流道分別與該主流道之相對兩側相連通；一進液管，與該主流道相連通；二出液管，分別與該些分流道相連通；以及一鰭片結構，包含多個第一鰭片以及多個第二鰭片，該些第一鰭片與該些第二鰭片設置於該些分流道內並相連，該些第一鰭片靠近該主流道，該些第二鰭片分別靠近該二出液管，且該些第一鰭片的設置密度小於該些第二鰭片的設置密度。
如請求項7所述之液冷散熱組件，其中該液冷散熱組件更包含一匯流部，該匯流部包含一匯流管以及多個入口管，該些入口管與該進液管分別與該匯流管之相對兩側相連通，且該匯流管與該些入口管用以令該冷卻流體匯流至該進液管。
如請求項7所述之液冷散熱組件，其中該液冷散熱組件更包含一分流部，該分流部包含一分流管以及多個出口管，該些出口管與該二出液管分別與該分流管之相對兩側相連通，且該分流管與該些出口管用以令該冷卻流體自該二出液管分流。
如請求項7所述之液冷散熱組件，其中該液冷散熱組件更包含一幫浦，該幫浦設置於該進液管，並與該進液管相連通，該幫浦用以驅動該冷卻流體流動。
一種切斷裝置，係用來將藉由第1工具與第2工具加以夾住的多層材以該第1工具與該第2工具切斷之裝置，其特徵為： <br/> 前述第1工具與前述第2工具將各自的刀部配置成在推入方向相對向， <br/> 前述第1工具或前述第2工具中的至少其中任一方的刀部具有： <br/> 傾斜部，其具有對前述推入方向傾斜之工具傾斜面；及 <br/> 突起部，其從前述傾斜部朝前述推入方向突出，並具有從前述工具傾斜面沿著前述推入方向延伸的縱壁面和與前述縱壁面正交的按壓面， <br/> 前述傾斜部係在推入方向視角上，與對向的工具重複， <br/> 前述工具傾斜面對前述推入方向之傾斜角度，為15°以上45°以下， <br/> 前述縱壁面與前述按壓面交叉之角部的曲率半徑為0.1mm以下， <br/> 藉由前述第1工具與前述第2工具切斷之前述多層材的板厚方向之斷裂面的長度為前述多層材的板厚的30%以下。
如請求項1的切斷裝置，其中，前述縱壁面對前述推入方向之長度，為0.1mm以上0.8mm以下。
如請求項1或2的切斷裝置，其中，前述第1工具及前述第2工具分別具備前述傾斜部及前述突起部。
如請求項1或2的切斷裝置，其中，前述第1工具的形狀與前述第2工具之形狀為對稱。
一種多層材，係藉由被覆材被覆母材的表面所構成之多層材，其特徵為： <br/> 具有藉由如請求項1至4中任一項的切斷裝置進行切斷而形成並且從第1表面朝第2表面沿著板厚方向之切斷端面， <br/> 前述切斷端面依序具有對前述板厚方向傾斜之傾斜面和斷裂面， <br/> 前述傾斜面的至少一部分係藉由自前述第1表面連續之被覆材被覆， <br/> 前述傾斜面對於前述板厚方向之傾斜角度對應於前述工具傾斜面對於前述推入方向之傾斜角度。
如請求項5的多層材，其中，前述板厚方向上之前述斷裂面的長度，為前述多層材的板厚的30%以下。
如請求項5或6的多層材，其中，前述第1表面與前述傾斜面交叉， <br/> 前述第2表面與前述斷裂面交叉， <br/> 前述第1表面與前述傾斜面形成之內角為鈍角。
如請求項5或6的多層材，其中，前述被覆材為由Zn、Al或該等金屬的合金所構成。
如請求項5或6的多層材，其中，前述母材為鋼板。
一種多層材的製造方法，係製造藉由被覆材被覆母材的表面所構成之多層材的製造方法，其特徵為： <br/> 利用以如請求項1至4中任一項所述的切斷裝置，將以前述被覆材被覆前述母材的前述表面所構成的材料切斷，形成從第1表面朝第2表面沿著板厚方向的切斷斷面， <br/> 該切斷端面形成為依次具有對於前述板厚方向傾斜的傾斜面與斷裂面， <br/> 藉由前述切斷，使得前述傾斜面的至少一部分藉由從前述第1表面相連的前述被覆材被覆。
一種無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，用於安裝在一待安裝物體的外凸角或內凹角處，其包括兩燈體及一轉角固定機構，其中:<br/>該兩燈體相鄰的內側邊透過該轉角固定機構相互樞接，該兩燈體以該轉角固定機構為支點在相對的一角度範圍內可折合或張開；該兩燈體的背面分別設有一防滑墊，該兩燈體的正面設有一發光部；<br/>該轉角固定機構具有上下兩鉸鍊、一轉角固定件、一楔形頂推件及一轉動件；該兩鉸鍊結合在該兩燈體之間，使該兩燈體能折合或撐張；該轉角固定件的上下端分別結合在該兩鉸鍊，使該轉角固定件位於該兩鉸鍊之間；該楔形頂推件與該轉角固定件相平行，並可活動地設置在該轉角固定件的前面或後面；該轉動件螺合在該轉角固定件，該轉動件的前端用於帶動該楔形頂推件向該轉角固定件的前面或後面方向移動；以及<br/>於安裝狀態時，該楔形頂推件的移動能使其兩側面推動該兩燈體，使該兩燈體背面的該防滑墊與內凹角或外凸角的兩側面產生摩擦力，撐張於該待安裝物體的內凹角的兩側面，或夾持於該待安裝物體的外凸角的兩側面。
如請求項1所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該轉角固定件為一管體，該兩鉸鍊結合該管體的上下端；該管體的後管壁設有一開口，該楔形頂推件設置在該開口；該管體的前管壁設有多個穿孔，該轉動件從該穿孔穿入並螺合在該管體內，該轉動件的前端卡掣在該楔形頂推件的後面。
如請求項2所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該管體內設有一固定板，該轉動件螺合在該固定板。
如請求項3所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該楔形頂推件的後面設有多個耦合部，該轉動件的前端卡掣在該耦合部。
如請求項1所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該轉角固定件為一管體，該兩鉸鍊結合該管體的上下端；該管體的後管壁設有一開口，該楔形頂推件設置在該開口；該管體內設有可上下活動的一或二個斜楔塊，該斜楔塊抵靠在該楔形頂推件的後面；該轉動件垂直方向螺合在該鉸鍊，該轉動件的前端用於帶動該斜楔塊。
如請求項2或5所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該楔形頂推件為斷面呈梯形、三角形或半圓形的長條。
如請求項1所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該兩鉸鍊為併排的兩個鉸鍊片；該轉角固定件為兩個併排相連通的雙管體，該雙管體的上下兩端分別設有一或兩個鉸鍊；該雙管體的後管壁設有相連的一開口，該楔形頂推件設置在該開口，該楔形頂推件為斷面呈V形的V形長條；該雙管體的內部分別設有一或二個斜楔塊，該斜楔塊分別抵靠在該V形長條兩翼的後面；該雙管體的上下一端或兩端垂直螺合該轉動件，該轉動件的前端用於帶動該斜楔塊。
如請求項5或7所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該楔形頂推件的後面設有一斜卡掣條，該斜楔塊設有匹配該斜卡掣條的一斜卡掣槽，該斜卡掣槽套設在該斜卡掣條。
如請求項1所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該兩燈體分別為一板狀燈殼，該兩燈體的背面為一平面；該防滑墊具有一防滑面，該防滑面為一平面或具有止滑紋路。
如請求項9所述無需鑽孔即可安裝於轉角處的轉角燈具，其中該防滑墊為矽膠墊片、橡膠墊片及塑膠墊片其中之一。
一種洗劑供應器，可用以輸送至少一洗劑到一洗衣機，其包括：<br/> 一第一殼體；<br/> 一延時型計時器，設置於該第一殼體的一表面上；<br/> 一第一開關，設置於該第一殼體的該表面上，以切換該延時型計時器為一第一模式或一第二模式；<br/> 至少一蠕動幫浦，設置於該第一殼體的該表面上；<br/> 至少一流量調整器，設置於該第一殼體的該表面上，並且用於控制該些蠕動幫浦的運轉次數；以及<br/> 至少一第二開關，設置於該第一殼體的該表面上，以切換該些流量調整器為一第三模式或一第四模式。
如請求項1所述之洗劑供應器，其中該些蠕動幫浦進一步包括一第二殼體、一轉動平台、至少三蠕動轉子以及一蠕動管，其中該第二殼體具有一凹槽且用以容納該轉動平台，並且該些蠕動轉子設置於該轉動平台，而該蠕動管以環路形式安裝於該轉動平台的外圍並且透過該些蠕動轉子以支撐該蠕動管。
如請求項2所述之洗劑供應器，其中該蠕動管進一步包括一軟管接頭及一逆止閥，其分別設置於該蠕動管之兩端開口處。
如請求項2至請求項3任一項所述之洗劑供應器，其中該洗劑供應器進一步包括至少一洗劑容器以及至少二管路，該蠕動管之兩端透過該軟管接頭和該逆止閥分別以螺紋旋入方式安裝於該些管路。
如請求項4所述之洗劑供應器，其中該些管路的其中之一經由該軟管接頭連接於該些洗劑容器，而該些管路的另外其中之一經由該逆止閥連接於該洗衣機。
如請求項4所述之洗劑供應器，其中該些洗劑容器用以存放該些洗劑。
如請求項1所述之洗劑供應器，其中該些洗劑包括一主洗劑、一助洗劑、一漂白水、一雙氧水和一柔軟劑。
如請求項1所述之洗劑供應器，其中該第一開關切換成該第一模式且該些第二開關切換成該第四模式時，透過該洗劑供應器輸入該些洗劑至該洗衣機，並且自動開啟該洗衣機的一洗滌模式直到衣物清洗完成。
如請求項8所述之洗劑供應器，其中該第一開關切換成該第二模式且該些第二開關切換成該第三模式時，透過該洗劑供應器輸入該些洗劑至該洗衣機，並且另外設定該洗衣機的該洗滌模式之開啟。
如請求項8所述之洗劑供應器，其中該第一開關切換成該第一模式且對應到該些第二開關切換成該第四模式時，透過該洗劑供應器輸入該些洗劑至該洗衣機，並且另外設定該洗衣機的該洗滌模式之開啟。
一種滑軌機構，適用於將一第一承載物與一第二承載物安裝至一機架，且該機架具有一第一側與一第二側，該滑軌機構包含：<br/>一第一組滑軌總成，包含：<br/>一第一預定軌用以安排在該機架的第一側；<br/>一第一對應軌包含一第一防呆特徵；<br/>一第二預定軌用以安排在該機架的第二側，且該第二預定軌包含一第二防呆特徵；及<br/>一第二對應軌；以及<br/>一第二組滑軌總成，包含：<br/>一第三預定軌用以安排在該機架的第一側，且該第三預定軌包含一第三防呆特徵；<br/>一第三對應軌；<br/>一第四預定軌用以安排在該機架的第二側；及<br/>一第四對應軌包含一第四防呆特徵；<br/>其中，該第一對應軌與該第二對應軌用以安排至該第一承載物，且該第一對應軌與該第二對應軌用以分別可拆卸地插入至該第一預定軌與該第二預定軌，使該第一承載物可安裝至該機架；<br/>其中，該第三對應軌與該第四對應軌用以安排至該第二承載物，且該第三對應軌與該第四對應軌用以分別可拆卸地插入至該第三預定軌與該第四預定軌，使該第二承載物可安裝至該機架；<br/>其中，當該第一承載物以該第一對應軌與該第二對應軌分別插入至該第三預定軌與該第四預定軌的過程中，該第一對應軌的第一防呆特徵與該第三預定軌的第三防呆特徵會產生相互干涉，以致該第一承載物無法安裝至該機架，具有防呆作用。
如請求項1所述之滑軌機構，其中，當該第二承載物以該第三對應軌與該第四對應軌分別插入至該第一預定軌與該第二預定軌的過程中，該第四對應軌的第四防呆特徵與該第二預定軌的第二防呆特徵會產生相互干涉，以致該第二承載物無法安裝至該機架，具有防呆作用。
如請求項2所述之滑軌機構，其中，該第一防呆特徵為固定不可活動的位在該第一對應軌的一擋部，該第二防呆特徵為固定不可活動的位在該第二預定軌的一擋部，該第三防呆特徵為固定不可活動的位在該第三預定軌的另一擋部，該第四防呆特徵為固定不可活動的位在該第四對應軌的另一擋部。
如請求項1所述之滑軌機構，其中，該機架的第一側與第二側分別為一左側與一右側。
如請求項4所述之滑軌機構，其中，該第一預定軌與該第二預定軌用以分別安排在該機架的一第一高度的該第一側與該第二側；該第三預定軌與該第四預定軌用以分別安排在該機架的一第二高度的該第一側與該第二側，其中，該第二高度不同於該第一高度。
如請求項5所述之滑軌機構，其中，該第一預定軌與該第二預定軌用以分別透過一第一固定軌與一第二固定軌安排在該機架的該第一高度的該第一側與該第二側；該第三預定軌與該第四預定軌用以分別透過一第三固定軌與一第四固定軌安排在該機架的該第二高度的該第一側與該第二側。
一種滑軌機構，包含：<br/>一第一組滑軌總成，包含：<br/>一第一預定軌；<br/>一第一對應軌包含一第一防呆特徵，該第一對應軌用以與該第一預定軌搭配使用；<br/>一第二預定軌包含一第二防呆特徵；及<br/>一第二對應軌用以與該第二預定軌搭配使用；以及<br/>一第二組滑軌總成，包含：<br/>一第三預定軌包含一第三防呆特徵；<br/>一第三對應軌用以與該第三預定軌搭配使用；<br/>一第四預定軌；及<br/>一第四對應軌包含一第四防呆特徵，該第四對應軌用以與該第四預定軌搭配使用；<br/>其中，當該第一對應軌從該第一預定軌的一通道外插入至該第一預定軌的通道內的過程中，該第一對應軌的第一防呆特徵不會與該第一預定軌產生干涉，以致該第一對應軌可安裝至該第一預定軌；<br/>其中，當該第一對應軌從該第三預定軌的一通道外插入至該第三預定軌的通道內的過程中，該第一對應軌的第一防呆特徵與該第三預定軌的第三防呆特徵會產生相互干涉，以致該第一對應軌無法安裝至該第三預定軌，具有防呆作用。
如請求項7所述之滑軌機構，其中，當該第四對應軌從該第四預定軌的一通道外插入至該第四預定軌的通道內的過程中，該第四對應軌的第四防呆特徵不會與該第四預定軌產生干涉，以致該第四對應軌可安裝至該第四預定軌。
如請求項8所述之滑軌機構，其中，當該第四對應軌從該第二預定軌的一通道外插入至該第二預定軌的通道內的過程中，該第四對應軌的第四防呆特徵與該第二預定軌的第二防呆特徵會產生相互干涉，以致該第四對應軌無法安裝至該第二預定軌，具有防呆作用。
如請求項7所述之滑軌機構，其中，當該第二對應軌從該第二預定軌的一通道外插入至該第二預定軌的通道內的過程中，該第二對應軌不會與該第二預定軌的第二防呆特徵產生干涉，以致該第二對應軌可安裝至該第二預定軌；當該第三對應軌從該第三預定軌的一通道外插入至該第三預定軌的通道內的過程中，該第三對應軌不會與該第三預定軌的第三防呆特徵產生干涉，以致該第三對應軌可安裝至該第三預定軌。
如請求項7所述之滑軌機構，其中，該第一防呆特徵、該第二防呆特徵、該第三防呆特徵與該第四防呆特徵皆為固定的一擋部。
一種滑軌機構，包含一第一組滑軌總成，該第一組滑軌總成包含一第一側滑軌裝置及一第二側滑軌裝置，其中，該第一側滑軌裝置，包含：<br/>一第一對應軌包含一第一防呆特徵；<br/>一第一固定軌；以及<br/>一第一預定軌活動地安裝在該第一對應軌與該第一固定軌之間；<br/>該第二側滑軌裝置，包含：<br/>一第二對應軌；<br/>一第二固定軌；以及<br/>一第二預定軌包含一第二防呆特徵，該第二預定軌活動地安裝在該第二對應軌與該第二固定軌之間；<br/>其中，於一第一安裝環境下，該第一對應軌與該第二對應軌用以分別與該第一預定軌與該第二預定軌搭配使用；<br/>其中，於一第二安裝環境下，該第一對應軌及該第二對應軌二者的左右所處之安裝環境安裝錯誤時，該第一對應軌會受限於該第一對應軌的第一防呆特徵與該第二預定軌的第二防呆特徵相互干涉而無法插入結合。
如請求項12所述之滑軌機構，更包含：<br/>一第二組滑軌總成，該第二組滑軌總成包含一第一側滑軌裝置及一第二側滑軌裝置，其中，該第一側滑軌裝置，包含：<br/>一第三對應軌；<br/>一第三固定軌；以及<br/>一第三預定軌包含一第三防呆特徵，該第三預定軌是活動地安裝在該第三對應軌與該第三固定軌之間；<br/>該第二側滑軌裝置，包含：<br/>一第四對應軌包含一第四防呆特徵；<br/>一第四固定軌；以及<br/>一第四預定軌活動地安裝在該第四對應軌與該第四固定軌之間；<br/>其中，於一異常環境下，若該第三對應軌及該第四對應軌二者的左右所處之安裝環境安裝錯誤時，會受限於該第三預定軌的第三防呆特徵與該第四對應軌的第四防呆特徵相互干涉而無法插入結合。
如請求項13所述之滑軌機構，其中，該第三預定軌安排有一第一滾珠助滑裝置，且該第三預定軌安排有一第一定位件，該第一定位件用以供該第一滾珠助滑裝置暫時地停止在一預定位置。
如請求項14所述之滑軌機構，其中，該第一定位件固定在該第三預定軌，且該第一定位件包含一第一彈力臂具有一第一定位孔可供該第一滾珠助滑裝置的一第一卡掣部卡掣，使該第一滾珠助滑裝置保持在該預定位置。
如請求項15所述之滑軌機構，其中，該第一彈力臂上安排有該第三防呆特徵，該第三防呆特徵是一預定牆、一凸出物或一延伸段。
如請求項16所述之滑軌機構，其中，該第三防呆特徵與該第一定位孔分別位於該第一彈力臂的一前端與一後端。
如請求項14所述之滑軌機構，其中，該第一預定軌安排有一第二滾珠助滑裝置，且該第一預定軌安排有一第二定位件，該第二定位件用以供該第二滾珠助滑裝置暫時地停止在一預定位置。
如請求項18所述之滑軌機構，其中，該第二定位件固定在該第一預定軌，且該第二定位件包含一第二彈力臂具有一第二定位孔可供該第二滾珠助滑裝置的一第二卡掣部卡掣，使該第二滾珠助滑裝置保持在該預定位置。
如請求項19所述之滑軌機構，其中，該第二彈力臂並未具有防呆特徵，當該第一對應軌插入至該第一預定軌的過程中，該第一對應軌的第一防呆特徵與該第一預定軌上的第二彈力臂不會產生相互干涉。
一種半導體裝置，係具有半導體基板、配置於前述半導體基板上的配線構造、及壓敏電阻的半導體裝置，其特徵為： <br/> 前述配線構造包含有包含焊盤的焊盤區域與電路區域，前述焊盤區域及前述電路區域各自包含複數配線層、配置於前述複數配線層之間的層間絕緣膜、及相互連接前述複數配線層的通孔導通柱， <br/> 前述壓敏電阻電性連接於前述焊盤， <br/> 前述壓敏電阻配置於前述電路區域中，且位於前述半導體基板的上表面之上。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻配置於前述電路區域中鄰近前述焊盤區域的位置。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻藉由配線圖案電性連接於前述焊盤。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻經由配線圖案及電阻元件電性連接於前述焊盤。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述配線構造進一步具備包含第2焊盤的第2焊盤區域， <br/> 前述壓敏電阻配置於前述焊盤區域與前述第2焊盤區域之間。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻作為電阻膜而具有氧化鉬膜。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻具有包含配置於前述複數配線層中距離前述半導體基板最遠的最遠配線層之導電膜的電極。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻包含有包含分別配置於前述複數配線層中至少兩個配線層之導電膜的電極。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻具有電阻膜、配置於前述電阻膜之主面的第1區域的第1電極、及配置於前述電阻膜之前述主面的第2區域的第2電極，前述第2區域與前述第1區域分離。
如請求項9所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述第1電極及前述第2電極各自包含分別配置於前述複數配線層中至少兩個配線層的至少兩個導電膜。
如請求項10所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻進一步包含電性連接前述至少兩個導電膜的導通柱。
如請求項11所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述至少兩個導電膜包含有包含第1圖案的第1導電膜、及包含比前述第1圖案小的複數第2導電圖案的第2導電膜。
如請求項9所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻進一步具有分別配置於前述電阻膜與前述第1電極之間、及前述電阻膜與前述第2電極之間的中間膜。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻包含第1電極、配置於前述第1電極上的電阻膜、及配置於前述電阻膜上的第2電極。
如請求項14所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述第1電極及前述第2電極各自包含分別配置於前述複數配線層中至少兩個配線層的至少兩個導電膜。
如請求項15所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻進一步包含電性連接前述至少兩個導電膜的導通柱。
如請求項16所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述至少兩個導電膜包含有包含第1圖案的第1導電膜、及包含比前述第1圖案小的複數第2導電圖案的第2導電膜。
如請求項14所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述壓敏電阻進一步具有分別配置於前述電阻膜與前述第1電極之間、及前述電阻膜與前述第2電極之間的中間膜。
如請求項1至18中任一項所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述電路區域包含配置於前述壓敏電阻下方的電晶體。
一種電子機器，其特徵為具備請求項1至18中任一項所記載之半導體裝置。
一種物品資訊管理方法，其係藉由與物品銷售服務相關之電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認第1物品之第1資訊； <br/>提供於源物品目錄中基於上述第1資訊而選擇之類似物品目錄，該類似物品目錄包括與上述第1物品對應之一個以上之類似物品； <br/>基於上述第1資訊及上述類似物品目錄而確認結果資訊，該結果資訊包括上述類似物品目錄中是否包括與上述第1物品對應之物品之資訊；及 <br/>將上述結果資訊映射至包含上述第1物品之一第1目標物品目錄； <br/>確認對應至上述結果資訊已被映射的上述第1目標物品目錄之一檢查率； <br/>提供包括於上述第1目標物品目錄中的上述第1物品之資訊，上述第1物品基於上述檢查率而選擇。
如請求項1之方法，其中上述映射包含： <br/>相對於包含於上述第1目標物品目錄的所有物品映射上述結果資訊。
如請求項1之方法，其中確認上述檢查率包含：基於上述第1目標物品目錄之類別資訊之至少一部分與包含在一第2目標物品目錄上之一映射操作之錯誤率資訊之歷史資訊而確認上述檢查率。
如請求項1之方法，其中上述提供包含於上述第1目標物品目錄之上述第1物品資訊包含： <br/>提供包含於上述第1目標物品目錄之基於上述檢查率隨機選擇之上述第1物品資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將添加物品目錄所包括之物品中之至少一部分之物品的資訊提供至上述物品銷售服務。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述結果資訊，於上述類似物品目錄中包括與上述第1物品對應之物品之情形時，將上述結果資訊中包括之與上述第1物品對應之物品之識別資訊映射至上述第1物品的識別資訊。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將上述結果資訊映射至上述第1物品之識別資訊。
如請求項1之方法，其中與上述第1物品對應之物品係上述物品之特性與上述第1物品之特性中之至少一部分相同的物品。
如請求項1之方法，其中確認上述結果資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>接收基於上述第1資訊及上述類似物品目錄之第2作業人員輸入；及 <br/>基於上述第2作業人員輸入而確認結果資訊。
如請求項9之方法，其中接收上述第2作業人員輸入之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述類似物品目錄，獲得與上述第1物品對應之物品之識別資訊。
如請求項1之方法，其中確認上述第1資訊之步驟進而包括如下步驟： <br/>對應於第1作業人員輸入，自外部資料庫獲得與上述第1物品對應之第1資訊。
如請求項1之方法，其中選擇上述類似物品之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於上述第1資訊中包括之影像及文本資料中之至少一部分、與上述源物品目錄中包括之一個以上之物品之資訊，選擇與上述第1物品對應之類似物品。
如請求項1之方法，其中上述源物品目錄包括自與上述物品銷售服務相關之內部資料庫獲得之一個以上之物品資訊。
如請求項1之方法，其中上述源物品目錄包括自外部資料庫獲得之一個以上之物品資訊。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>提供第1資訊；及 <br/>提供第2物品之物品資訊，該第2物品係於上述類似物品目錄中基於作業人員輸入而選擇者。
如請求項15之方法，其進而包括如下步驟：基於上述第1物品之物品識別資訊，自外部資料庫獲得上述第1資訊；及 <br/>自與上述物品銷售服務相關之內部資料庫獲得上述第2物品之物品資訊。
如請求項15之方法，其進而包括提供用於物品比較之第1頁面之步驟， <br/>上述第1頁面包括： <br/>第1區域，其顯示上述第1資訊； <br/>第2區域，其顯示上述第2物品之物品資訊；及 <br/>第3區域，其包括用以接收與上述結果資訊相關之作業人員輸入之至少一個用戶介面。
如請求項1之物品資訊管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>提供重複物品目錄及添加物品目錄，該重複物品目錄包括與上述源物品目錄中包括之至少一個物品對應之物品。
一種電子裝置，其包括： <br/>儲存器； <br/>通訊部；及 <br/>處理器； <br/>上述處理器係以如下之方式設定： <br/>確認第1物品之第1資訊； <br/>提供於源物品目錄中基於上述第1資訊而選擇之類似物品目錄，該類似物品目錄包括與上述第1物品對應之一個以上之類似物品； <br/>基於上述第1資訊及上述類似物品目錄而確認結果資訊，該結果資訊包括上述類似物品目錄中是否包括與上述第1物品對應之物品之資訊； <br/>將上述結果資訊映射至包含上述第1物品之一第1目標物品目錄； <br/>確認對應至上述結果資訊已被映射的上述第1目標物品目錄之一檢查率； <br/>提供包括於上述第1目標物品目錄中的上述第1物品之資訊，上述第1物品基於上述檢查率而選擇。
一種非暫時性可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種具轉態測試功能的自動測試設備，包含：<br/>多個測試板；<br/>一電腦，用以產生一測試指令；以及<br/>一主控板，電性連接該電腦以及該些測試板，用以將該測試指令經過一微指令匯流排傳輸至該些測試板；<br/>其中該測試指令用以控制每一該測試板對連接的一待測元件進行一轉態測試以產生一測試結果，該電腦經過一低速匯流排接收每一該測試板的該測試結果。
如請求項1所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中每一該測試板發送一測試電壓給連接的該待測元件，並且自動接收該待測元件響應該測試電壓的一響應電壓。
如請求項2所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中該測試指令設定每一該測試板發送的該測試電壓的一指定電壓值。
如請求項2所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中每一該測試板更判斷該響應電壓的一轉態點，每一該測試板記錄的該轉態點為該測試結果。
如請求項4所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中每一該測試板自動判斷的該響應電壓是否轉態，並且至少記錄該響應電壓轉態的一轉態時間或一轉態電壓值為該轉態點。
如請求項1所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中該主控板將該測試指令經過該微指令匯流排同時傳輸至該些測試板。
如請求項1所述之具轉態測試功能的自動測試設備，其中該電腦經過該低速匯流排依序接收每一該測試板的該測試結果。
一種轉態測試方法，用於一自動測試設備，所述轉態測試方法包含：<br/>將一電腦產生的一測試指令提供給一主控板；<br/>由該主控板將該測試指令經過一微指令匯流排傳輸至多個測試板；<br/>由每一該測試板對連接的一待測元件進行一轉態測試以產生一測試結果；以及<br/>由該電腦經過一低速匯流排接收每一該測試板的該測試結果。
如請求項8所述之轉態測試方法，其中於由每一該測試板對連接的該待測元件進行該轉態測試以產生該測試結果的步驟中，包含：<br/>由每一該測試板發送一測試電壓給連接的該待測元件，並且自動接收該待測元件響應該測試電壓的一響應電壓。
如請求項9所述之轉態測試方法，其中該測試指令設定每一該測試板發送的該測試電壓的一指定電壓值。
如請求項9所述之轉態測試方法，更包含：<br/>每一該測試板更判斷該響應電壓的一轉態點，每一該測試板記錄的該轉態點為該測試結果。
如請求項11所述之轉態測試方法，其中每一該測試板自動判斷的該響應電壓是否轉態，並且至少記錄該響應電壓轉態的一轉態時間或一轉態電壓值為該轉態點。
如請求項8所述之轉態測試方法，其中該主控板將該測試指令經過該微指令匯流排同時傳輸至該些測試板。
如請求項8所述之轉態測試方法，其中該電腦經過該低速匯流排依序接收每一該測試板的該測試結果。
一種印刷電路板檢測方法，其步驟包括：<br/>一取像步驟：於一工作板承載至少一個印刷電路板時，通過一取像元件擷取至少一個所述印刷電路板的影像；<br/>一激光測距步驟：於所述工作板承載至少一個所述印刷電路板時，通過一激光測距感測器對至少一個所述印刷電路板發出一發射光線和接收一反射光線；<br/>一影像檢測步驟：配置一處理組件通過所述取像元件取得一印刷電路板影像，並依據所述印刷電路板的輪廓計算所述印刷電路板的像素個數，以取得一印刷電路板像素個數；其中，所述處理組件比較所述印刷電路板像素個數是否大於一門檻值；以及<br/>一厚度檢測步驟：配置所述處理組件計算所述激光測距感測器從發出所述發射光線到接收所述反射光線之間的時間，以得知一量測厚度；其中，所述處理組件比較所述量測厚度是否大於一預設厚度；<br/>其中，當所述處理組件比較所述印刷電路板像素個數大於所述門檻值並且比較所述量測厚度大於所述預設厚度時，所述處理組件發出一曡板訊息以確認有曡板發生。
如請求項1所述的印刷電路板檢測方法，其中，於所述影像檢測步驟中，所述處理組件依據所述印刷電路板的輪廓分割所述印刷電路板影像產生一印刷電路板輪廓影像，所述處理組件計算所述印刷電路板輪廓影像的像素，以取得所述印刷電路板像素個數。
如請求項1所述的印刷電路板檢測方法，其中，於所述厚度檢測步驟中，所述處理組件依據所述發射光線的一發出時間與所述反射光線的一接收時間之間的時間差計算出一感測距離，並且依據所述激光測距感測器與所述工作板之間的距離與所述感測距離計算出所述量測厚度。
如請求項1所述的印刷電路板檢測方法，其中，所述印刷電路板檢測方法於所述取像步驟之前更包含一啟動步驟，所述啟動步驟：配置一色標感測器感測到所述工作板的一觸發點，以驅使所述取像元件與所述激光測距感測器運作。
如請求項4所述的印刷電路板檢測方法，其中，所述色標感測器感測到所述工作板的所述觸發點，以驅使所述取像元件與所述激光測距感測器同步運作。
如請求項1所述的印刷電路板檢測方法，其中，當至少一個所述印刷電路板的數量為多個時，每個所述印刷電路板的尺寸皆相同。
如請求項1所述的印刷電路板檢測方法，其中，於所述取像步驟與所述激光測距步驟中，配置一調節模組調整所述取像元件與所述激光測距感測器的位置；其中，所述調節模組包含一橫向調節組件與一縱向調節組件，所述橫向調節組件垂直設置於所述縱向調節組件；其中，所述橫向調節組件能沿垂直於一高度方向的一橫向方向移動，以使所述取像元件與所述激光測距感測器位於所述工作板的上方，並且所述縱向調節組件能沿所述高度方向移動，以決定所述激光測距感測器與所述工作板之間的距離。
如請求項7所述的印刷電路板檢測方法，其中，所述取像元件與所述激光測距感測器設置於所述橫向調節組件的末端，所述橫向調節組件能帶動所述取像元件與所述激光測距感測器沿所述橫向方向來回移動。
如請求項7所述的印刷電路板檢測方法，其中，所述縱向調節組件包含：<br/>一固定塊；<br/>一導向桿，固定連接所述固定塊，所述導向桿具有沿所述高度方向設置的一螺紋槽；<br/>一螺紋桿，具有位於相反側的兩端，所述螺紋桿的一端嚙合所述螺紋槽；<br/>一滑套，具有一穿孔；其中，所述螺紋桿的另一端可旋轉地穿設所述穿孔；<br/>一滑動桿，呈中空狀，所述滑動桿的內壁固定連接於所述滑套，並且所述滑動桿可滑動地套接所述導向桿；<br/>一轉動桿，具有一外螺紋，所述轉動桿可旋轉地穿設於所述滑動桿，並於間隔設置於所述螺紋桿的另一端；<br/>一主動錐形齒輪，嚙合於所述轉動桿的所述外螺紋；及<br/>一從動錐形齒輪，嚙合於所述主動錐形齒輪與所述螺紋桿；<br/>其中，當所述轉動桿轉動而帶動所述主動錐形齒輪轉動時，所述從動錐形齒輪連動而帶動螺紋桿轉動，以使所述滑套與所述滑動桿能沿所述高度方向上下移動。
一種便攜容器蓋，包含有：<br/> 一外件，具有一外體，一穿孔貫設於該外體上，一環同軸於該穿孔地突設於該外體的一側，並往外延伸一高度，且以內側環面定義一第一連接牆面；<br/> 一內件，具有一內體，得以穿伸於該穿孔中，並以該內體周側對應於該環所在的部位定義一第二連接牆面，且使該第二連接牆面該第一連接牆面彼此相向且相隔開來地於其彼此之間定義出一容納空間；<br/> 一第一結合部，設於該第一連接牆面上，用以結合於外部杯身的杯口外側；<br/> 一第二結合部，設於該第二連接牆面上，用以結合於外部杯身的杯口內側；<br/> 一第三結合部，設於該外體與該內體間，將該內體定位結合於該外體上；<br/> 其中，該第三結合部包含有二第一勾體，分別突設於該內體周側的兩相異位置，二第二勾體則分別突設於該穿孔孔壁的兩相異位置上，並得分別與該第一勾體相互勾接；<br/> 其中，該穿孔包含有一主孔區，供該內體之穿伸，二側凹區則用以分別容納各該第二勾體；<br/> 其中，該第二連接牆面與該第一連接牆面彼此相向且相隔有一間距，從而於其彼此之間定義出一容納空間；<br/> 其中，該第一結合部為內螺紋，突設於該第一牆面上，並使該內螺紋的齒高小於該間距尺寸的二分之一；<br/> 其中，該第二結合部為外螺紋，突設在該第二牆面上，並使該外螺紋的齒高小於該間距尺寸的二分之一。
一種便攜容器蓋套組，包含有：<br/> 二如請求項1所述的便攜容器蓋，並使該些便攜容器蓋所包含的該些第一結合部為內螺紋，與外部杯身的杯口外側所設的外螺紋進行螺接結合，以及使該些便攜容器蓋所包含的該些第二結合部為外螺紋，與外部杯身的杯口內側所設的內螺紋進行螺接結合；<br/> 藉此，該些便攜容器蓋各自所包含的外件與內件可以交錯結合，即其中之一的便攜容器蓋的外件可以與另一便攜容器蓋的內件相結合者；<br/> 其中，該便攜容器蓋套組更包含有二第三結合部，分設於該些便攜容器蓋各自的該外體與該內體間，分別將該些便攜容器蓋的該些內體各自定位結合於該些外體上。
一種計算裝置，包括：<br/>多個特殊應用積體電路(ASIC)晶片，每個該ASIC晶片包括：<br/>SA鎖存器；以及<br/>處理器，包含靜態隨機存取記憶體(SRAM)和算術邏輯單元(ALU)，用以處理來自該SA鎖存器的資料；<br/>多個三維(3D)NOR小晶片(Chiplet)，以面對面方式接合至該多個ASIC晶片，其中每個該3D NOR小晶片包括：<br/>3D NOR快閃記憶體陣列；<br/>列解碼器，以提供驅動該3D NOR快閃記憶體陣列的字元線信號；以及<br/>位元線開關，包含第一位元線開關組和第二位元線開關組；<br/>多個第一連接線，電性連接該SA鎖存器與該第一位元線開關組；以及<br/>多個第二連接線，設置在該多個3D NOR小晶片中，以電性連接該3D NOR快閃記憶體陣列與該第二位元線開關組。
如請求項1所述的計算裝置，其中每個該3D NOR小晶片利用混合接合來接合至每個該ASIC晶片。
如請求項2所述的計算裝置，其中該混合接合中的金屬對金屬接合為銅對銅接合。
如請求項1所述的計算裝置，其中每個該ASIC晶片更包括重分佈層，設置於面對每個該3D NOR小晶片的表面。
如請求項1所述的計算裝置，其中每個該3D NOR小晶片中的該列解碼器位於該3D NOR快閃記憶體陣列下方。
如請求項1所述的計算裝置，其中每個該3D NOR小晶片更包括：<br/>頁緩衝器；以及<br/>多個全域位元線(GBL)，電性耦接該頁緩衝器與該第二位元線開關組。
如請求項6所述的計算裝置，其中該多個全域位元線設置在該3D NOR快閃記憶體陣列與該位元線開關之間。
如請求項6所述的計算裝置，其中同一行的該3D NOR快閃記憶體陣列連至同一條該全域位元線。
如請求項6所述的計算裝置，其中該頁緩衝器經組態以對該3D NOR快閃記憶體陣列進行編程或抹除操作。
如請求項1所述的計算裝置，其中該SA鎖存器與該處理器包括低壓CMOS元件。
如請求項1所述的計算裝置，其中每個該3D NOR小晶片更包括：<br/>多條位元線，設置於該3D NOR快閃記憶體陣列上方；<br/>多條重分佈金屬線，設置於該多條位元線上，且該多條重分佈金屬線之間的距離相等；以及<br/>多個接合墊，設置於該多條重分佈金屬線上，用以與每個該ASIC晶片接合。
如請求項11所述的計算裝置，其中該多個接合墊之間的距離相等。
如請求項11所述的計算裝置，其中該多個接合墊為銅墊。
如請求項11所述的計算裝置，其中該多條位元線與該多個第二連接線電性連接。
如請求項11所述的計算裝置，更包括多條浮接金屬線，分別設置在兩條該重分佈金屬線之間。
如請求項15所述的計算裝置，其中該多條浮接金屬線與該多條重分佈金屬線為同一金屬層。
如請求項15所述的計算裝置，其中每條該浮接金屬線的線寬小於每條該重分佈金屬線的線寬。
一種飲食營養分析系統，包括：<br/> 一電子裝置，包括：<br/> 一中央處理器；<br/> 一影像獲取模組，連接該中央處理器，該影像獲取模組經配置以獲取一飲食影像；及 <br/> 一通訊模組，連接該中央處理器，該通訊模組經配置以接收該中央處理器傳送的該飲食影像，該通訊模組經配置以連接一雲端伺服器，該雲端伺服器包括三維重建模型及一飲食辨識模型；<br/> 其中，該三維重建模型經配置以接收該通訊模組傳送的該飲食影像，該三維重建模型通過一幾何演算法以獲取該飲食影像的一食物體積資料及一飲品體積資料； <br/> 其中，該飲食辨識模型接收該三維重建模型傳送的該食物體積資料及該飲品體積資料，該飲食辨識模型通過該雲端伺服器的一飲食營養數據庫對該食物體積資料及該飲品體積資料進行影像目標檢測以獲取一食物種類分析結果及一飲品種類分析結果；<br/> 其中，該雲端伺服器還包括一幾何特徵分析模型，該幾何特徵分析模型接收該飲食辨識模型傳送的該食物種類分析結果及該飲品種類分析結果；該幾何特徵分析模型對該食物種類分析結果及該飲品種類分析結果進行形狀與特徵分析，以獲取該飲食影像的一模型體積數據及一密度參數；該幾何特徵分析模型根據該模型體積數據、該密度參數、該食物體積資料及該飲品體積資料以獲取一食物重量資料及一飲品重量資料。
如請求項1所述的飲食營養分析系統，其中，該雲端伺服器的該飲食營養數據庫根據該食物重量資料、該食物體積資料、該飲品重量資料及該飲品體積資料以獲取一熱量指標、一鈉指標、一蛋白質指標、一碳水化合物指標及一脂肪指標。
如請求項2所述的飲食營養分析系統，其中，該雲端伺服器還包括一使用者資料庫，該使用者資料庫根據一時間訊號、該熱量指標、該鈉指標、該蛋白質指標、該碳水化合物指標及該脂肪指標產生一使用者飲食歷史紀錄圖表。
如請求項1所述的飲食營養分析系統，其中，該三維重建模型通過該幾何演算法對該飲食影像進行歐拉角計算以取得多個方向向量，並根據該多個方向向量產生該飲食影像的一幾何斜面；經過該幾何斜面中點雲數據的最低點，以確保該幾何斜面中多個基準平面的一致性；計算該點雲數據到該幾何斜面的多個直線距離，整合該多個直線距離以獲取該食物體積資料及該飲品體積資料。
一種運作方法，適用於一種飲食營養分析系統，該飲食營養分析系統包括一電子裝置，該電子裝置包括一中央處理器、一影像獲取模組及一通訊模組，該影像獲取模組連接該中央處理器，該通訊模組連接該中央處理器，該運作方法包括：<br/> 由該影像獲取模組經配置以獲取一飲食影像； <br/> 由該通訊模組經配置以接收該中央處理器傳送的該飲食影像，該通訊模組經配置以連接一雲端伺服器，該雲端伺服器包括三維重建模型及一飲食辨識模型；<br/> 由該三維重建模型經配置以接收該通訊模組傳送的該飲食影像，該三維重建模型通過一幾何演算法以獲取該飲食影像的一食物體積資料及一飲品體積資料；及 <br/> 由該飲食辨識模型接收該三維重建模型傳送的該食物體積資料及該飲品體積資料，該飲食辨識模型通過該雲端伺服器的一飲食營養數據庫對該食物體積資料及該飲品體積資料進行影像目標檢測以獲取一食物種類分析結果及一飲品種類分析結果；<br/> 其中，該雲端伺服器還包括一幾何特徵分析模型，該幾何特徵分析模型接收該飲食辨識模型傳送的該食物種類分析結果及該飲品種類分析結果；該幾何特徵分析模型對該食物種類分析結果及該飲品種類分析結果進行形狀與特徵分析，以獲取該飲食影像的一模型體積數據及一密度參數；該幾何特徵分析模型根據該模型體積數據、該密度參數、該食物體積資料及該飲品體積資料以獲取一食物重量資料及一飲品重量資料。
如請求項5所述的運作方法，其中，該雲端伺服器的該飲食營養數據庫根據該食物重量資料、該食物體積資料、該飲品重量資料及該飲品體積資料以獲取一熱量指標、一鈉指標、一蛋白質指標、一碳水化合物指標及一脂肪指標。
如請求項6所述的運作方法，其中，該雲端伺服器還包括一使用者資料庫，該使用者資料庫根據一時間訊號、該熱量指標、該鈉指標、該蛋白質指標、該碳水化合物指標及該脂肪指標產生一使用者飲食歷史紀錄圖表。
如請求項5所述的運作方法，其中，該三維重建模型通過該幾何演算法對該飲食影像進行歐拉角計算以取得多個方向向量，並根據該多個方向向量產生該飲食影像的一幾何斜面；經過該幾何斜面中點雲數據的最低點，以確保該幾何斜面中多個基準平面的一致性；計算該點雲數據到該幾何斜面的多個直線距離，整合該多個直線距離以獲取該食物體積資料及該飲品體積資料。
一種處理帶電粒子束裝置拍攝之半導體設備的圖像之圖像處理系統，其中，<br/>前述半導體設備具有第一構造與形成於前述第一構造的下層之第二構造，前述帶電粒子束裝置具有：<br/>儲存裝置，將對前述半導體設備以相同的視野來拍攝之，包含前述第一構造的資訊之第一學習圖像數據和包含前述第一構造及前述第二構造的資訊之第二學習圖像數據的組合作為學習數據存儲；及<br/>構造學習部，輸入前述第一學習圖像數據及前述第二學習圖像數據，並生成推定前述第一構造的圖像及前述第二構造的圖像之學習模型，<br/>前述構造學習部，具備：<br/>構造推定部，利用前述學習模型從前述第一學習圖像數據推定前述第一構造的圖像，和從前述第二學習圖像數據推定前述第二構造的圖像；<br/>圖像合成部，將由前述構造推定部推定出之前述第一構造的圖像與前述第二構造的圖像合成，從而合成前述第二學習圖像數據的擬似圖像；及<br/>誤差減低部，以減低前述擬似圖像的像素值與前述第二學習圖像數據的圖像的像素值之間的誤差之方式，進行前述學習模型的參數調整。
如請求項1所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述構造推定部具備：第一構造推定部，使用第一學習模型從前述第一學習圖像數據推定前述第一構造的圖像；及第二構造推定部，使用第二學習模型從前述第二學習圖像數據推定前述第二構造的圖像，<br/>前述誤差減低部以減低前述擬似圖像的像素值與前述第二學習圖像數據的圖像的像素值之間的誤差之方式，進行前述第一學習模型及前述第二學習模型的參數調整。
如請求項2所述的圖像處理系統，其中，<br/>使用已完成前述誤差減低部的參數調整之前述第二構造推定部的學習完的模型，對於檢查或測量對象的前述半導體設備，從前述帶電粒子束裝置所拍攝之，包含前述第一構造及前述第二構造的資訊之圖像數據，推定前述第二構造的圖像。
如請求項3所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述構造推定部具備：第一前處理部，對輸入到前述第一構造推定部之前述第一學習圖像數據的圖像進行前處理；及第二前處理部，對輸入到前述第二構造推定部之前述第二學習圖像數據的圖像進行前處理，<br/>對於前述檢查或測量對象的半導體設備，從對前述圖像數據的圖像進行了與前述第二前處理部相同的前處理之圖像，使用前述學習完的模型推定前述第二構造的圖像。
如請求項1所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述圖像合成部將前述第一構造的圖像的像素值和前述第二構造的圖像的像素值相加來合成前述擬似圖像。
如請求項1所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述半導體設備係從第1層到第L層(L為2以上的任意整數)，從上層朝向下層積層，<br/>前述第一構造係由第1層到第N層(N為L以下的任意整數)形成之構造，<br/>前述第二構造係由第(N+1)層到第M層(M大於N且為L以下的任意整數)形成之構造。
如請求項1所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述帶電粒子束裝置具備：第一檢測器，檢測主要由二次電子組成之第一信號電子；及第二檢測器，檢測主要由背向散射電子組成之第二信號電子，<br/>前述第一學習圖像數據係基於由前述第一檢測器檢測到之信號強度而生成，前述第二學習圖像數據係基於由前述第二檢測器檢測到之信號強度而生成。
一種處理具有第一構造與形成於前述第一構造的下層之第二構造之半導體設備的圖像之圖像處理系統，具有：<br/>帶電粒子束裝置，對於檢查或測量對象的前述半導體設備取得包含前述第一構造及前述第二構造的資訊之圖像數據；及<br/>構造推定部，使用學習完的模型，對於檢查或測量對象的前述半導體設備，從前述帶電粒子束所取得之前述圖像數據推定前述第二構造的圖像，<br/>前述學習完的模型，將前述帶電粒子束裝置對前述半導體設備以相同的視野來拍攝之，包含前述第一構造的資訊之第一學習圖像數據和包含前述第一構造及前述第二構造的資訊之第二學習圖像數據的組合作為學習數據，<br/>並使用第一學習模型從前述第一學習圖像數據推定前述第一構造的圖像，使用第二學習模型從前述第二學習圖像數據推定前述第二構造的圖像，<br/>以將被推定之前述第一構造的圖像與前述第二構造的圖像合成之前述第二學習圖像數據的擬似圖像的像素值和前述第二學習圖像數據的圖像的像素值之間的誤差減低之方式，進行前述第一學習模型及前述第二學習模型的參數調整，並設為學習完的前述第二學習模型。
如請求項8所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述構造推定部具備：前處理部，對前述圖像數據的圖像進行前處理，<br/>使用前述第二學習圖像數據進行前述第二學習模型的參數調整，該數據已以與前述前處理部進行之前處理相同的方式進行前處理。
如請求項8所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述半導體設備係從第1層到第L層(L為2以上的任意整數)，從上層朝向下層積層，<br/>前述第一構造係由第1層到第N層(N為L以下的任意整數)形成之構造，<br/>前述第二構造係由第(N+1)層到第M層(M大於N且為L以下的任意整數)形成之構造。
如請求項8所述的圖像處理系統，其中，<br/>前述帶電粒子束裝置具備：第一檢測器，檢測主要由二次電子組成之第一信號電子；及第二檢測器，檢測主要由背向散射電子組成之第二信號電子，<br/>前述第一學習圖像數據係基於由前述第一檢測器檢測到之信號強度而生成，前述圖像數據及前述第二學習圖像數據係基於由前述第二檢測器檢測到之信號強度而生成。
一種積木式萬用載具，至少包含一載台與複數組設置於前述載台側邊之履帶總成：<br/> 前述履帶總成係包含支架組件、被動輪組件、動力組件及履帶，前述支架組件係包含被動輪架、動力輪架、延伸支架與連接支架，且前述被動輪架、動力輪架與延伸支架之左右兩側係具有相互對稱之結構；前述被動輪架係用於設置及定位前述被動輪組件；前述動力輪架係設置在前述被動輪架上方，並用於設置及定位前述動力組件；前述延伸支架係套設在前述動力輪架上，並延伸至前述履帶的上方外側，使部分的前述履帶被限制在前述延伸支架內，前述延伸支架為前述履帶總成向外延伸之支架結構，以及前述履帶之防脫落機構，前述延伸支架係設置複數固定座，前述固定座係設置在前述履帶的上方外側位置，並橫向設置在前述延伸支架上，以連接前述延伸支架之兩側；前述連接支架係可拆卸且對稱的設置於前述支架組件的左側或右側，使前述載台與履帶總成得以相互連接固定，並可使前述履帶總成安裝在前述載台之任一側；前述延伸支架係設置複數桿座，前述桿座係設置在前述履帶的上方外側位置，並橫向設置在前述延伸支架上，以連接前述延伸支架之兩側；<br/> 前述被動輪組件係設置於前述被動輪架內，並用於支撐及固定前述履帶；前述動力組件係設置於前述動力輪架內，並提供前述履帶總成移動之動力，前述動力組件係設置馬達、傳動套件及驅動輪，前述傳動套件係用於將前述馬達的動力傳送至前述驅動輪，使前述驅動輪可驅動前述履帶轉動；前述履帶係由前述被動輪組件與動力組件支撐固定，前述履帶係位於前述支架組件之延伸支架內，利用前述延伸支架以保護前述履帶並防止其脫軌。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述載台係設置複數連接元件，並於該連接元件設置裝備。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述載台係設置電控箱，該電控箱內係設置有控制系統及供電模組，且前述供電模組係為電池模組與發電機之複合式供電模組。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述延伸支架之固定座係設置裝備。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述支架組件上設置複數可拆式搬運桿，該可拆式搬運桿可直接插入前述桿座內，以搬運前述履帶總成。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述延伸支架係設置複數吊環，使前述履帶總成可被吊掛搬運。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述被動輪組件係包含被動輪、避震輪與頂撐輪，前述被動輪係設置於前述被動輪架之一端，前述頂撐輪係設置於前述被動輪架之另一端，前述避震輪係設置於前述被動輪與頂撐輪之間。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其中前述傳動套件係設置雙齒輪與皮帶，前述雙齒輪之一側為第一傘齒輪，另一側為第一齒輪，且前述馬達之轉軸端部係設置與前述雙齒輪之第一傘齒輪相對應的第二傘齒輪，前述驅動輪之一側係設置與前述雙齒輪之第一齒輪相對應的第二齒輪，前述皮帶係設置於前述第一齒輪與第二齒輪之間。
根據申請專利範圍第1項所述之積木式萬用載具，其係具有二載台與三組履帶總成，其中前述二組履帶總成係分別設置於前述二載台之外側，前述一組履帶總成係設置於前述二載台之間。
一種輸液輔助系統，其包括：<br/> 一情境資料庫，包含多個場景任務；<br/> 一標準操作資料庫，電性連接於所述情境資料庫，所述標準操作資料庫具有多個標準操作資料，並且各個所述標準操作資料能對應匹配其中一個所述場景任務；<br/> 一穿戴套件，電性連接於所述情境資料庫及所述標準操作資料庫，並且所述穿戴套件包含：<br/> 一虛擬實境模組，能被命令而載入其中一個所述場景任務，以使各個所述場景任務產生一虛擬場景；其中，所述虛擬場景包含具有多個第一座標的一操作物件；<br/> 多個手套模組，各包含多個節點感測器；其中，各個所述手套模組能通過多個所述節點感測器於所述虛擬場景中產生多個第二座標；<br/> 一控制單元，電性連接所述情境資料庫、所述標準操作資料庫、及所述穿戴套件，所述控制單元命令所述虛擬實境模組載入其中一個所述場景任務；<br/> 一判定單元，電性連接於所述控制單元、所述標準操作資料庫、及所述穿戴套件；當所述判定單元判定多個所述第一座標與多個所述第二座標匹配所述標準操作資料時，所述判定單元發出一標準操作訊號；當所述判定單元判定多個所述第一座標與多個所述第二座標未匹配對應的所述標準操作資料時，所述判定單元發出一提示操作訊號；<br/> 其中，所述控制單元接收所述提示操作訊號後，所述控制單元能依據所述標準操作資料庫於所述虛擬場景中產生一提示訊息。
如請求項1所述的輸液輔助系統，其中，所述操作物件的外輪廓進一步延伸形成有一操作觸發範圍；當其中一個所述手套模組所產生的多個所述第二座標進入所述操作觸發範圍時，對應的所述手套模組於所述虛擬場景的多個所述第二座標能響應所述操作物件的多個所述第一座標，以使所述操作物件的多個所述第一座標隨著對應的所述手套模組的動作相對地產生改變。
如請求項2所述的輸液輔助系統，其中，各個所述手套模組進一步包含連接於多個所述節點感測器的一回饋組件；其中，當其中一個手套模組所產生的多個所述第二座標進入所述操作觸發範圍時，所述判定單元發出一操作觸發訊號，所述控制單元接收所述操作觸發訊號，以控制對應的所述回饋組件對各個所述節點感測器產生對應的一觸感回饋。
如請求項3所述的輸液輔助系統，其中，所述輸液輔助系統進一步包含一力回饋資料庫；各個所述節點感測器進一步能計算對應的所述第二座標所產生的一操作變化量，並且所述控制單元能依據所述力回饋資料庫將多個所述操作變化量轉換為一力回饋資訊、並控制所述回饋組件對各個所述節點感測器產生對應所述力回饋資訊的所述觸感回饋。
如請求項3所述的輸液輔助系統，其中，所述控制單元能用以接收所述標準操作訊號，以控制所述回饋組件對各個所述節點感測器產生對應的<b>一</b>互動回饋。
如請求項5所述的輸液輔助系統，其中，各個所述標準操作資料進一步包含對應所述操作物件的多個所述第一座標的一第一標準操作資料、及對應於多個所述手套模組的多個所述第二座標的一第二標準操作資料。
如請求項1所述的輸液輔助系統，其中，所述輸液輔助系統進一步包含電性連接於所述情境資料庫、及所述穿戴套件的一計算單元，所述計算單元自所述虛擬實境模組產生所述虛擬場景時開始計算多個所述第一座標與多個所述第二座標匹配所述標準操作資料的一反應時間；其中，所述控制單元能用以判斷所述反應時間是否介於一預定時間限制；當所述控制單元判定所述反應時間未介於所述預定時間限制時，所述控制單元命令所述虛擬實境模組重新啟動對應的所述場景任務。
如請求項7所述的輸液輔助系統，其中，當所述控制單元於所述預定時間限制內未接收所述計算單元所產生的所述反應時間時，所述控制單元命令所述虛擬實境模組重新啟動對應的所述場景任務。
如請求項8所述的輸液輔助系統，其中，當所述控制單元接收所述標準操作訊號、並判定所述反應時間介於所述預定時間限制時，所述控制單元能命令所述虛擬實境模組載入其中另一個所述場景任務。
一種輸液輔助方法，用以提供一虛擬實境模組及多個手套模組執行；其中，各個所述手套模組包含多個節點感測器；所述輸液輔助方法包含以下步驟：<br/> 建立多個場景任務、並建立分別對應多個所述場景任務的多個標準操作資料；<br/> 載入其中一個所述場景任務以用來產生提供一使用者培訓的一虛擬場景；所述虛擬場景具有一操作物件；<br/> 取得所述操作物件於所述虛擬場景的多個第一座標；<br/> 取得多個所述節點感測器於所述虛擬場景的多個第二座標；<br/> 判定多個所述第一座標與多個所述第二座標是否匹配對應的所述標準操作資料；<br/> 當多個所述第一座標與多個所述第二座標匹配所述標準操作資料時，發出一標準操作訊號；<br/> 當多個所述第一座標與多個所述第二座標未匹配對應的所述標準操作資料時，發出一提示操作訊號；<br/> 接收所述提示操作訊號、並於接收所述提示操作訊號後於所述虛擬場景中產生一提示訊息。
一種爐頭變距式爐具，其包括：<br/> 一基座；<br/> 一旋轉件，其具有一主體部、複數延伸部，該複數延伸部間隔相連於該主體部周側，該主體部樞設於該基座頂部；<br/> 複數爐架，其分別樞設於各延伸部；<br/> 複數爐頭，其分別設置於各爐架；<br/> 複數爐座，其分別以一管線相連於該主體部，該複數爐座分別相連於各爐頭下方；<br/> 其中該旋轉件轉動時，該旋轉件帶動該複數爐架相對各延伸部同步樞擺，各爐架之樞擺分別帶動各爐頭位移。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中該基座頂部設置有一 定位件，該主體部具有複數定位孔，該定位件部分活動位於該複數定位孔中其中一定位孔。
如請求項2所述之爐頭變距式爐具，其中該定位件包括有一定位珠，該定位珠活動位於該複數定位孔中其中一定位孔。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中各管線之材質為銅。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中各延伸部具有一側擋片，各爐架相對各延伸部樞擺至最大角度時，各爐架分別靠抵於對應之該側擋片。
如請求項5所述之爐頭變距式爐具，前述之最大角度為180度。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中該基座頂部具有一軸孔，該主體部具有一穿孔，一軸桿穿設於該穿孔、該軸孔。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中各爐架頂部具有止滑齒紋。
如請求項1所述之爐頭變距式爐具，其中各爐頭頂部呈現弧凸樣態。
一種基板處理裝置，係具備：<br/> 台，係保持基板；<br/> 處理部，係對前述基板進行預定的處理；<br/> 台移動機構，係將前述台相對於前述處理部於與前述基板的上表面平行的掃描方向相對性地移動；<br/> 距離測定器，係在前述台的前述掃描方向的一方側處遠離前述台地配置，朝向與前述台的前述掃描方向垂直的被測定面射出雷射光並接收來自前述被測定面的反射光，藉此測定與前述掃描方向中的前述台之間的距離；以及<br/> 第一氣體供給部，係從在前述台的前述掃描方向的前述一方側處遠離前述台地配置的周狀噴射口沿著前述掃描方向朝向前述台噴射氣體藉此形成筒狀氣流，前述筒狀氣流係圍繞前述雷射光的周圍並沿著前述掃描方向朝向前述台流動。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中來自前述周狀噴射口之氣體的噴射方向係與前述雷射光平行。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述筒狀氣流的前述掃描方向中的流速係比前述台移動機構所為之前述台的前述掃描方向中的移動速度還要大。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：第二氣體供給部，係從側部噴射口沿著前述掃描方向朝向前述台噴射氣體，藉此在前述筒狀氣流的周圍形成沿著前述掃描方向朝向前述台流動的側方氣流，前述側部噴射口係配置於前述台的前述掃描方向的前述一方側且在與前述掃描方向平行地觀看之側視時配置於前述周狀噴射口的周圍。
如請求項4所記載之基板處理裝置，其中來自前述周狀噴射口之氣體的噴射流速係與來自前述側部噴射口之氣體的噴射流速相同。
如請求項4所記載之基板處理裝置，其中來自前述周狀噴射口之氣體的噴射溫度係與來自前述側部噴射口之氣體的噴射溫度相同。
如請求項4所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：支撐部，係側視時為門形，在前述台的上方處支撐前述處理部且跨越前述台豎立地設置；<br/> 前述側部噴射口的整體係側視時位於門形的前述支撐部的內側。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：另一個距離測定器，係在前述台的前述掃描方向的前述一方側處遠離前述台地配置，朝向前述台的前述被測定面射出雷射光並接收來自前述被測定面的反射光，藉此測定與前述掃描方向中的前述台之間的距離；<br/> 前述第一氣體供給部係從另一個周狀噴射口沿著前述掃描方向朝向前述台噴射氣體藉此形成另一個筒狀氣流，前述另一個周狀噴射口係在前述台的前述掃描方向的前述一方側處遠離前述台地配置且從前述周狀噴射口朝與前述掃描方向垂直的方向的一方側遠離地配置，前述另一個筒狀氣流係圍繞來自前述另一個距離測定器之前述雷射光的周圍並沿著前述掃描方向朝向前述台流動。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：第三氣體供給部，係從配置於前述台的上方之上部噴射口朝向下方噴射氣體；<br/> 選擇性地進行來自前述周狀噴射口之氣體的噴射以及來自前述上部噴射口之氣體的噴射。
如請求項1至9中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述處理部為描繪部，用以對前述基板照射光並進行圖案的描繪。
一種使用石墨烯合成工具的擴散耦合成方法，該方法包括：<br/> 提供基板負載，<br/> 其中，該基板負載至少包括第一已加工基板和第二已加工基板，<br/> 其中，該第一已加工基板包括第一碳源層、第一犧牲擴散層和第一元件層級，<br/> 其中，在該第一元件層級上方配置第一介電質層，其中，該第一元件層級包括第一電晶體，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層直接配置在該第一介電質層之上，<br/> 其中，該第一碳源層直接配置在該第一犧牲擴散層之上，且<br/> 其中，該第二已加工基板包括第二碳源層、第二犧牲擴散層和第二元件層級，<br/> 其中，在該第二元件層級上方配置第二介電質層，<br/> 其中，該第二元件層級包括第二電晶體，<br/> 其中，該第二犧牲擴散層直接配置在該第二介電質層之上，<br/> 其中，該第二碳源層直接配置在該第二犧牲擴散層之上；<br/> 提供一種石墨烯合成工具，<br/> 其中，該石墨烯合成工具可以在製程腔室內對該基板負載施加壓力和溫度；<br/> 將該基板負載放置在該製程腔室內；<br/> 對該基板負載施加該壓力和該溫度，<br/> 其中，該第二已加工基板是翻轉倒裝在該第一已加工基板上方，<br/> 其中，該第一碳源層與該第二碳源層直接接觸；及<br/> 在該第一介電質層與該第一犧牲擴散層之間的第一界面處以及在該第二介電質層與該第二犧牲擴散層之間的第二界面處形成石墨烯，<br/> 其中，該第一碳源層的第一碳以與該第二碳源層的第二碳正相反的方向擴散。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層與該第二犧牲擴散層包含鎳或鈷。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層與該第二犧牲擴散層包含鎳或鈷，且<br/> 其中，該第一碳源層與該第二碳源層包含非晶態碳或石墨粉末。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該第一已加工基板與該第二已加工基板各自包括直徑為450mm、直徑300mm、直徑200mm或直徑150mm的矽晶圓。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該第一電介質層與該第二電介質 層包括二氧化矽或HBN。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該石墨烯是高品質原子級厚度的薄片，且<br/> 其中，該高品質是指其 Raman G/D峰比大於1.0。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該基板負載包括至少一片過渡板。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該石墨烯整合在互補金屬氧化物半導體（CMOS）微電子裝置中。
根據請求項1的方法，<br/> 其中，該施加於該基板負載的壓力為30 psi至1000 psi，且其中該溫度高於25 °C且低於500 °C。
一種使用石墨烯合成工具執行的擴散耦合成方法，該方法包括：<br/> 提供基板負載，<br/> 其中，該基板負載至少包括第一已加工基板和第二已加工基板，<br/> 其中，該第一已加工基板包括第一碳源層、第一犧牲擴散層和第一元件層級，<br/> 其中，在該第一元件層級上方配置第一介電質層，其中，該第一元件層級包括第一電晶體，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層直接配置在該第一介電質層之上，<br/> 其中，該第一碳源層直接配置在該第一犧牲擴散層之上，且<br/> 其中，該第二已加工基板包括第二犧牲擴散層和第二元件層級，<br/> 其中，在該第二元件層級上方配置第二介電質層，<br/> 其中，該第二元件層級包括第二電晶體，<br/> 其中，該第二犧牲擴散層直接配置在該第二介電質層之上，<br/> 提供一種石墨烯合成工具，<br/> 其中，該石墨烯合成工具可以在製程腔室內對該基板負載施加壓力和溫度； <br/> 將該基板負載放置在該製程腔室內；<br/> 對該基板負載施加該壓力和該溫度；<br/> 其中，該第二已加工基板是翻轉倒裝在該第一已加工基板上方，<br/> 其中，該第一碳源層與該第二犧牲擴散層直接接觸；及<br/> 使該第一碳源層的碳沿第一方向擴散，以在該第一介電質層和該第一犧牲擴散層之間的第一界面處形成石墨烯；同時，<br/> 使該第一碳源層的碳沿著第二方向擴散，以在該第二介電質層和該第二犧牲擴散層之間的第二界面處形成石墨烯。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層與該第二犧牲擴散層包含鎳或鈷。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該第一犧牲擴散層與該第二犧牲擴散層包含鎳或鈷，且<br/> 其中，該第一碳源層包含非晶態碳或石墨粉末。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該第一已加工基板與該第二已加工基板各自包括直徑為450mm、直徑300mm、直徑200mm或直徑150mm的矽晶圓。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該第一電介質層與該第二電介質 層包括二氧化矽或HBN。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該石墨烯是高品質原子級厚度的薄片，且<br/> 其中，該高品質是指其 Raman G/D峰比大於1.0。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該石墨烯合成工具包括放大的擴散耦裝置、晶圓接合工具、基於熱壓的等靜壓燒結系統、熱等靜壓機（HIP）或熱壓容器，並且<br/> 其中，該石墨烯合成工具相對於其原始設計已經過修改或未經過修改。
根據請求項10的方法，<br/> 其中，該石墨烯整合在互補金屬氧化物半導體（CMOS）微電子裝置中。
根據請求項10該的方法，<br/> 其中，該施加於該基板負載的壓力為30 psi至1000 psi，且其中該溫度高於25 °C且低於500 °C。
一種使用石墨烯合成工具的擴散偶合成方法，該方法包括：<br/> 提供基板負載，<br/> 其中該基板負載包括已加工基板；<br/> 提供石墨烯合成工具，<br/> 其中，該石墨烯合成工具可以在製程腔室內對該基板負載施加壓力和溫度；<br/> 將該基板負載放置在該製程腔室內；<br/> 將該壓力和該溫度施加於該基板負載，<br/> 其中該已加工基板包括擴散層和元件層級，<br/> 其中，該介電質層配置在該元件層級上方，<br/> 其中，該擴散層直接配置在該介電質層之上，<br/> 其中，在該已加工基板的該擴散層之上直接配置單層碳源層，<br/> 其中，該單層碳源層與該已加工基板的該犧牲擴散層直接接觸；及<br/> 在該已加工基板的該介電質層和該擴散層之間的界面處形成石墨烯，<br/> 其中，該基板負載包括至少三個另外的已加工基板，且<br/> 其中，該已加工基板對包括一個朝向上方的已加工基板和一個倒裝的已加工基板。
一種印刷電路板自動選點與測點裝置，用於一印刷電路板之製程，包括：<br/> 一第一自動選點裝置，用以接收該印刷電路板的一測試資料，該第一自動選點裝置根據該測試資料的第一參數以一測試點選取規則進行選點，生成一二線測試點資訊；<br/> 一第二自動選點裝置，通訊連接該第一自動選點裝置，用以接收該第一自動選點裝置的該二線測試點資訊及該測試資料，並根據該測試資料的第二參數對該二線測試點資訊進行配對選點，生成一四線測試點資訊；<br/> 一第三自動選點裝置，通訊連接該第二自動選點裝置，用以接收該二線測試點資訊及該四線測試點資訊，該第三自動選點裝置將該二線測試點資訊與該四線測試點資訊進行比對以選點，生成一新的四線測試點資訊；其中，該新的四線測試點資訊為274X格式之四線飛針專用測試點；以及<br/> 一檢測裝置，通訊連接該第一自動選點裝置、該第二自動選點裝置及該第三自動選點裝置，用以根據該二線測試點資訊對該印刷電路板進行二線檢測或根據該四線測試點資訊或該新的四線測試點資訊對該印刷電路板進行四線檢測，產生一檢測結果。
如請求項1所述的印刷電路板自動選點與測點裝置，其中該二線測試點資訊為274X格式之二線測試點。
如請求項1所述的印刷電路板自動選點與測點裝置，其中該四線測試點資訊為GBX格式之四線測試點。
一種印刷電路板自動選點與測點共享的方法，用於一印刷電路板之製程，包括以下步驟：<br/> 將該印刷電路板的一測試資料導入一第一自動選點裝置，該第一自動選點裝置根據該測試資料的第一參數以一測試點選取規則進行選點，生成一二線測試點資訊；<br/> 一第二自動選點裝置接收該第一自動選點裝置的該二線測試點資訊及該測試資料，並根據該測試資料的第二參數進行配對選點，生成一四線測試點資訊；<br/> 一第三自動選點裝置接收該第一自動選點裝置傳輸的該二線測試點資訊及該第二自動選點裝置傳輸的該四線測試點資訊，該第三自動選點裝置將該二線測試點資訊與該四線測試點資訊進行比對以選點，生成一新的四線測試點資訊；其中，該新的四線測試點資訊為274X格式之四線飛針專用測試點；<br/> 一檢測裝置根據該二線測試點資訊對該印刷電路板進行二線測試；以及<br/> 該檢測裝置根據該四線測試點資訊或該新的四線測試點資訊對該印刷電路板進行四線檢測，產生一檢測結果。
如請求項4所述的方法，其中該二線測試點資訊為274X格式之二線測試點。
如請求項4所述的方法，其中該四線測試點資訊為GBX格式之四線測試點。
一種護理輔助人工智慧機器人，包含：<br/> 一承載體，用以承載一使用者且包含複數輪子及一座椅；<br/> 一移動驅動裝置，設置於該承載體以驅動該些輪子轉動；<br/> 一語音收發裝置，設置於該承載體；<br/> 一生理資訊量測裝置，設置於該承載體且用以量測該使用者的一生理資訊，該生理資訊量測裝置包含一測重感測器，該測重感測器設置於該座椅且用以量測該使用者的一體重；<br/> 一控制器，設置於該承載體且訊號連接該語音收發裝置及該生理資訊量測裝置，該控制器包含：<br/> 一問診模組，包含：<br/> 一應答單元，使該語音收發裝置以語音方式對該使用者傳達一問句；及<br/> 一語音分析單元，用以接收該語音收發裝置所接收的一語音答覆，辨識並解析該語音答覆所表示的一身體症狀；及<br/> 一人工智慧初步診斷模組，訊號連接該問診模組，該人工智慧初步診斷模組包含一資訊融合單元及一生成式AI模型，該生成式AI模型訊號連接該資訊融合單元，該資訊融合單元用以將該語音分析單元所辨識的該身體症狀與該生理資訊融合後形成一結構式描述，該生成式AI模型基於一醫療知識庫的資料生成與該結構式描述相關的一初步論斷結果，該生成式AI模型再生成包含該初步診斷結果的一醫療報表；<br/> 一等級顯示裝置，設置於該承載體且訊號連接該控制器，該人工智慧初步診斷模組更基於該身體症狀及該生理資訊判斷一風險等級，該等級顯示裝置依據該風險等級提供一顯示；以及<br/> 一自動消毒裝置；<br/> 其中，當該測重感測器感測有一重量時，該自動消毒裝置進行一手部消毒，當該測重感測器感測的該重量消失時，該自動消毒裝置對該護理輔助人工智慧機器人進行消毒。
如請求項1所述之護理輔助人工智慧機器人，其中該承載體包含一扶手，該生理資訊包含一心率及一血壓，該生理資訊量測裝置包含一血壓計，該血壓計設置於該扶手且用以量測該使用者的該心率及該血壓。
如請求項2所述之護理輔助人工智慧機器人，其中該承載體包含一椅背，該生理資訊更包含一身高，該生理資訊量測裝置更包含：<br/> 一攝影機，設置於該椅背的上端且用以拍攝該使用者，以取得該使用者的該身高。
如請求項1所述之護理輔助人工智慧機器人，更包含：<br/> 一讀卡裝置，設置於該承載體且用以讀取一卡片，以取得該使用者的一歷史病歷資訊。
如請求項1所述之護理輔助人工智慧機器人，其中該控制器更包含一加密及傳輸模組，其將該醫療報表加密並傳輸至一醫療資料庫。
一種護理輔助人工智慧機器人，包含：<br/> 一承載體，用以承載一使用者且包含一座椅；<br/> 一語音收發裝置，設置於該承載體；<br/> 一生理資訊量測裝置，設置於該承載體且用以量測該使用者的一生理資訊，該生理資訊量測裝置包含一測重感測器，該測重感測器設置於該座椅且用以量測該使用者的一體重；<br/> 一讀卡裝置，設置於該承載體，用以讀取一卡片以取得一歷史病歷資訊；<br/> 一控制器，設置於該承載體且訊號連接該語音收發裝置、該生理資訊量測裝置及該讀卡裝置，該控制器包含：<br/> 一問診模組，包含：<br/> 一應答單元，使該語音收發裝置以語音方式對該使用者傳達一問句；及<br/> 一語音分析單元，用以接收該語音收發裝置所接收的一語音答覆，辨識並解析該語音答覆所表示的一身體症狀；及<br/> 一人工智慧初步診斷模組，訊號連接該問診模組，該人工智慧初步診斷模組包含一資訊融合單元及一生成式AI模型，該生成式AI模型訊號連接該資訊融合單元，該資訊融合單元用以將該語音分析單元所辨識的該身體症狀、該生理資訊及該歷史病歷資訊融合後形成一結構式描述，該生成式AI模型基於一醫療知識庫的資料生成與該結構式描述相關的一初步論斷結果，該生成式AI模型再生成包含該初步診斷結果的一醫療報表；以及<br/> 一自動消毒裝置；<br/> 其中，當該測重感測器感測有一重量時，該自動消毒裝置進行一手部消毒，當該測重感測器感測的該重量消失時，該自動消毒裝置對該護理輔助人工智慧機器人進行消毒。
一組電晶體結構，包含：<br/> 一半導體基板，具有一半導體表面；<br/> 一第一凹槽，一第二凹槽，和一第三凹槽在該半導體基板內； <br/> 一n型金氧半電晶體，包含： <br/> 一閘極結構； <br/> 一第一導電區，其中該第一導電區包含在該第一凹槽中的一第一n型重摻雜半導體區；及<br/> 一第二導電區，其中該第二導電區包含在該第二凹槽中的一第二n型重摻雜半導體區； <br/> 一p型金氧半電晶體，包含：<br/> 一閘極結構； <br/> 一第三導電區，其中該第三導電區包含在該第一凹槽中的一第一p型重摻雜半導體區；及<br/> 一第四導電區，其中該第四導電區包含在該第三凹槽中的一第二p型重摻雜半導體區；及<br/> 一金屬區，接觸該第一n型重摻雜半導體區位於該第一凹槽內的一側邊和接觸該第一p型重摻雜半導體區位於該第一凹槽內的一側邊，使該第一n型重摻雜半導體區電耦合該第一p型重摻雜半導體區。
如請求項1所述的該組電晶體，另包含： <br/> 一第一保護隔離層，位於該第一凹槽中，其中該第一保護隔離層接觸該第一n型重摻雜半導體區的底部以及該第一p型重摻雜半導體區的底部； <br/> 其中該第一保護隔離層接觸該金屬區的底部。
如請求項1所述的該組電晶體結構，另包含： <br/> 一第二保護隔離層，位於該第二凹槽中，其中該第二保護隔離層接觸該第二n型重摻雜半導體區的底部；及 <br/> 一第三保護隔離層，位於該第三凹槽中，其中該第三保護隔離層接觸該第二p型重摻雜半導體區的底部。
如請求項1所述的該組電晶體結構，其中該半導體基板包含一p井和一n井，該第四導電區的底部通過該n井電耦接一第一電源，及/或該第二導電區的底部通過該p井電耦接一第二電源。
如請求項1所述的該組電晶體結構，其中該半導體基板包含一p井和一n井，該第二n型重摻雜半導體區毗鄰該p井，以及該第二p型重摻雜半導體區毗鄰該n井。
如請求項1所述的該組電晶體結構，更包含一淺溝槽隔離結構圍繞該第二導電區或該第四導電區，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該第二導電區或該第四導電區的一底面。
如請求項6所述的該組電晶體結構，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該半導體表面，且該第二導電區或該第四導電區的另外兩個相對側邊接觸該淺溝槽隔離結構。
如請求項1所述的該組電晶體結構，其中該金屬區包含一金屬著陸襯墊。
一組電晶體結構，包含：<br/> 一半導體基板，具有一半導體表面；<br/> 一第一通道區，包含一第一端和一第二端； <br/> 一第一凹槽，位於該半導體基板內；<br/> 一第一導電區，設置於該第一凹槽內，並電耦接該第一通道區的第一端；<br/> 一第二導電區，耦接該第一通道區的第一端； <br/> 一第二通道區，包含一第三端和一第四端；<br/> 一第二凹槽，位於該半導體基板內；<br/> 一第三導電區，設置於該第二凹槽內，並電耦接該第二通道區的第三端；<br/> 一第四導電區，電耦接該第二通道區的第四端；及<br/> 一金屬區，接觸該第一導電區位於該第一凹槽內的一側邊和接觸該第三導電區位於該第二凹槽內的一側邊，使該第一導電區電耦合該第三導電區。
如請求項9所述的該組電晶體結構，其中該第一導電區另包含在該半導體表面下的一第一重摻雜半導體區，該第三導電區另包含在該半導體表面下的一第三重摻雜半導體區，該金屬區包含一複合金屬材料接觸該第一重摻雜半導體區與該第三重摻雜半導體區。
如請求項10所述的該組電晶體結構，另包含：<br/> 一第一保護隔離層，位於該第一重摻雜半導體區下，其中該第一保護隔離層防止該第一重摻雜半導體區與該金屬區接觸該半導體基板；及<br/> 一第二保護隔離層，位於該第三重摻雜半導體區下，其中該第二保護隔離層防止該第三重摻雜半導體區與該金屬區接觸該半導體基板。
如請求項9所述的該組電晶體結構，更包含一淺溝槽隔離結構圍繞該第一導電區或該第三導電區，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該第一導電區或該第三導電區的一底面。
如請求項12所述的該組電晶體結構，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該半導體表面，且該第一導電區或該第三導電區的另外兩個相對側邊接觸該淺溝槽隔離結構。
如請求項9所述的該組電晶體結構，其中該金屬區包含一金屬著陸襯墊。
如請求項9所述的該組電晶體結構，更包含一淺溝槽隔離結構圍繞該第一導電區與該第三導電區，其中該第一凹槽位於該淺溝槽隔離結構與該第一通道區之間，該第二凹槽位於該淺溝槽隔離結構與該第二通道區之間。
一組電晶體結構，包含：<br/> 一半導體基板，具有一半導體表面；<br/> 一第一通道區，包含一第一端和一第二端； <br/> 一凹槽，位於該半導體基板內；<br/> 一第一導電區，設置於該凹槽內，並電耦接該第一通道區的第一端；<br/> 一第二導電區，耦接該第一通道區的第一端； <br/> 一第二通道區，包含一第三端和一第四端；<br/> 一第三導電區，設置於該凹槽內，並電耦接該第二通道區的第三端； <br/> 一第四導電區，電耦接該第二通道區的第四端；及<br/> 一金屬區，接觸該第一導電區位於該凹槽內的一側邊和接觸該第三導電區位於該凹槽內的一側邊，使該第一導電區電耦合該第三導電區。
如請求項16所述的該組電晶體結構，其中該第一導電區另包含在該半導體表面下的一第一重摻雜半導體區，該第三導電區另包含在該半導體表面下的一第三重摻雜半導體區，該金屬區包含一複合金屬材料接觸該第一重摻雜半導體區與該第三重摻雜半導體區。
如請求項17所述的該組電晶體結構，另包含：<br/> 一第一保護隔離層，位於該第一重摻雜半導體區下，其中該第一保護隔離層防止該第一重摻雜半導體區與該金屬區接觸該半導體基板；及<br/> 一第二保護隔離層，位於該第三重摻雜半導體區下，其中該第二保護隔離層防止該第三重摻雜半導體區與該金屬區接觸該半導體基板。
如請求項16所述的該組電晶體結構，更包含一淺溝槽隔離結構圍繞該第一導電區或該第三導電區，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該第一導電區或該第三導電區的一底面。
如請求項19所述的該組電晶體結構，其中該淺溝槽隔離結構之頂面高於該半導體表面，且該第一導電區或該第三導電區的另外兩個相對側邊接觸該淺溝槽隔離結構。
如請求項16所述的該組電晶體結構，其中該金屬區包含一金屬著陸襯墊。
一種觸控顯示裝置，包括： <br/>一殼體； <br/>一防水貼材，貼附於該殼體的周圍；以及 <br/>一基板，該防水貼材貼附於該基板的周圍，且該防水貼材位於該殼體及該基板之間，其中該防水貼材包括： <br/>一第一框條，具有二第一凹部，位於該第一框條的相對兩端； <br/>二第二框條，分別具有一第一凸部及一第二凸部，該第一凸部及該第二凸部位於該第二框條的相對兩端，其中該二第一凸部位於該二第一凹部內，且朝向背離於彼此的方向延伸；以及 <br/>一第三框條，位於該二第二框條之間， <br/>其中，至少一該第二框條與該第一框條之間的連接處位於該觸控顯示裝置的上方。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第一框條的一第一端部至該第二框條的一第一外側之間的一第一距離大於該第一凸部自該第一外側延伸而出的一第二距離。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有對應於一該第二凸部的一第二凹部，且該第二凸部的一第一寬度大於等於該第二凹部的一深度。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有二第三凸部，該二第三凸部位於該第三框條的相對兩端，該第一凸部的一第二寬度除以該第三凸部的一第三寬度的值為正值。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第一凸部相對於該第二框條的一第二端部之間的一第一夾角大於90度角且小於270度角。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第一框條具有二第一導角，該二第一導角位於該第一框條的相對兩端，該第一導角相對於該第一框條的一第二外側的一第二夾角大於等於0度角且小於等於90度角。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第二框條具有一第二導角，該第二導角相對於該第二框條的一第三端部的一第三夾角大於等於0度角且小於等於180度角。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有對應於該二第二凸部的二第二凹部，且該第二凹部相對於該第三框條的一第三外側的一第四夾角大於等於90度角且小於等於270度角。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有二第三凸部，該二第三凸部位於該第三框條的相對兩端，該第一凹部自該第一框條的一內側凹陷而入的一第三距離加上該第二框條的一第二端部至該第一框條的一內側的一第四距離大於該第一凸部的一第二寬度除以該第三凸部的一第三寬度的值。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第一框條具有二第三導角，該二第三導角位於該第一框條的相對兩端，且該第三導角相對於該第一框條的一內側的一第五夾角大於等於0度角且小於等於270度角。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有二第二凹部，該二第二凹部位於該第三框條的相對兩端，該二第二凸部位於該二第二凹部內，且該二第二凸部朝向彼此所在的方向延伸。
如請求項1所述的觸控顯示裝置，其中該第三框條具有對應於一該第二凸部的一第二凹部，且該第二凸部的一第四寬度小於該第二凹部的一深度。
一種電子裝置，包括：<br/> 一色彩光感測器，用以感測一環境光；<br/> 一光源，用以發出一測試光；<br/> 一鏡面結構，用以可切換地設置在該測試光的光路及該色彩光感測器的感測路徑上；<br/> 一處理器，電性連接至該色彩光感測器及該光源，並用以根據該環境光的亮度及色溫，調整一顯示器的亮度及色溫；以及<br/> 一致動器，與該鏡面結構連接，並與該處理器電性連接，該致動器用以驅動該鏡面結構移動，使該鏡面結構可切換地設置在該測試光的光路及該色彩光感測器的感測路徑上，<br/> 其中在該鏡面結構未設置在該測試光的該光路及該色彩光感測器的該感測路徑上時，該光源未被開啟，該色彩光感測器感測該環境光，使該處理器取得該環境光的該亮度及該色溫，以及<br/> 其中在該鏡面結構設置在該測試光的該光路及該色彩光感測器的該感測路徑上時，該處理器控制該光源發出該測試光，該色彩光感測器感測被該鏡面結構反射的該測試光，該處理器再根據該色彩光感測器所感測到的訊號判斷是否要校正該光源或校正該色彩光感測器。
如請求項1所述的電子裝置，其中在確認滿足以下關係式後，該處理器校正該光源：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="62px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="14px" width="62px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="32px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><br/> 其中W<sub>x</sub>為及W<sub>y</sub>分別為該訊號在色彩空間下的x及y值，且X、Y、Z分別為該訊號在該色彩空間下的三色刺激值。
如請求項2所述的電子裝置，其中該測試光的色溫為D50光源的色溫。
如請求項2所述的電子裝置，其中該處理器根據該色彩光感測器所感測到的該訊號，計算光源轉換矩陣，以校正該光源，該光源轉換矩陣滿足以下關係式：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="43px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中X<sub>D50</sub>、Y<sub>D50</sub>、Z<sub>D50</sub>分別為一目標色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，且M為該光源轉換矩陣。
如請求項4所述的電子裝置，其中該光源轉換矩陣更滿足以下關係式：<br/><img align="absmiddle" height="24px" width="69px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="10px" width="19px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="36px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="23px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="13px" width="38px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="11px" width="20px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="11px" width="37px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="25px" width="84px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中(x<sub>r</sub>,y<sub>r</sub>)=(0.640,0.330)，(x<sub>g</sub>,y<sub>g</sub>)=(0.300,0.600)，且(x<sub>b</sub>,y<sub>b</sub>)=(0.150,0.060)。
如請求項1所述的電子裝置，其中該光源發出多個不同色溫的該測試光，使該處理器根據該色彩光感測器所感測到的該訊號校正該色彩光感測器。
如請求項6所述的電子裝置，其中該些不同色溫包括第一色溫、第二色溫以及第三色溫。
如請求項6所述的電子裝置，其中該些不同色溫的其中之一為D50光源的色溫。
如請求項7所述的電子裝置，其中該處理器根據該色彩光感測器所感測到的該訊號，計算補償轉換矩陣，以校正該色彩光感測器，該補償轉換矩陣滿足以下關係式：<br/><img align="absmiddle" height="14px" width="60px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="53px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="93px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="86px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中M<sub>calib</sub>為該補償轉換矩陣，(X<sub>2500K</sub>,Y<sub>2500K</sub>,Z<sub>2500K</sub>)為該第一色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，(X<sub>5000K</sub>,Y<sub>5000K</sub>,Z<sub>5000K</sub>)為該第二色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，(X<sub>8500K</sub>,Y<sub>8500K</sub>,Z<sub>8500K</sub>)為該第三色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，(R<sub>2500K</sub>,G<sub>2500K</sub>,B<sub>2500K</sub>)為對應該第一色溫的目標色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，(R<sub>5000K</sub>,G<sub>5000K</sub>,B<sub>5000K</sub>)為對應該第二色溫的目標色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值，且(R<sub>8500K</sub>,G<sub>8500K</sub>,B<sub>8500K</sub>)為對應該第三色溫的目標色溫所對應在該色彩空間下的三色刺激值。
一種2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，係應用於製備改善卵巢的儲備功能之藥物，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係供投予一所需個體，以增加該所需個體的血清中抗穆勒氏管激素之濃度；以增加該所需個體的基礎竇卵泡計數；以促進該所需個體的卵泡發育；以提升該所需個體的卵母細胞之品質；以改善該所需個體之卵巢對促排卵藥物的反應性；以提高該所需個體的臨床妊娠率；及/或以提高該所需個體的活產率。
如請求項1之2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係以口服的方式投予該所需個體。
如請求項1之2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係以非經腸道的方式投予該所需個體。
如請求項1之2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係以0.005～10毫克/公斤/次之投予劑量投予該所需個體。
如請求項1之2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係以每月1次、每週1次、隔日1次或每日1次之投予頻率投予該所需個體。
如請求項1之2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽的新用途，其中，2-氨基-2-[2-(4-辛基苯基)乙基]-1,3-丙二醇鹽酸鹽係連續投予該所需個體2週以上。
一種配送員管理方法， <br/>藉由計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>獲取配送員的特定配送的軌跡資訊； <br/>基於所述軌跡資訊，將所述配送員的平均移動速度小於第一閾值的區間識別為低速軌跡段；以及 <br/>判斷識別的所述低速軌跡段是否與和所述特定配送無關的目標行為相關， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的步驟包括如下步驟： <br/>如果與所述低速軌跡段對應的場所是與所述特定配送相關的場所，則判斷所述低速軌跡段與所述目標行為無關， <br/>與所述特定配送相關的場所是接受所述特定配送請求的地點、配送物品收貨地址、經由地或配送目的地中的至少一個， <br/>其中，識別為所述低速軌跡段的步驟包括如下步驟： <br/>將所述配送員的平均移動速度小於所述第一閾值的區間識別為候選低速軌跡段；以及 <br/>當所述區間內包括的所述配送員的移動速度小於第二閾值的地點為規定比例以上時，將所述候選低速軌跡段識別為所述低速軌跡段，其中所述第二閾值小於所述第一閾值。
如請求項1之配送員管理方法，其中， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的步驟還包括如下步驟： <br/>基於所述低速軌跡段內道路與所述配送員之間的距離判斷是否與所述目標行為相關，其中，所述道路與所述配送員之間的距離表示代表特定時刻的所述配送員的位置的第一地點與所述道路上最接近所述第一地點的第二地點之間的距離；以及 <br/>當所述低速軌跡段內包括的道路與所述配送員之間的距離為第三閾值以上的地點為規定比例以上時，判斷為所述低速軌跡段與所述目標行為相關，其中，基於所述道路屬性確定所述第三閾值， <br/>所述道路屬性包括所述道路的類型和所述道路的寬度， <br/>所述道路的類型是汽車專用道路、普通道路、小巷、坡道、十字路口、丁字路口之一。
如請求項1之配送員管理方法，其中， <br/>基於道路的屬性和所述配送員的配送工具確定所述第一閾值。
如請求項1之配送員管理方法，其中， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的步驟還包括如下步驟： <br/>基於所述低速軌跡段內所述配送員的移動方向變化判斷是否與所述目標行為相關。
如請求項1之配送員管理方法，其中， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的步驟包括如下步驟： <br/>基於所述低速軌跡段對應的場所的類型判斷是否與所述目標行為相關。
一種配送員管理方法， <br/>藉由計算系統執行，其包括如下步驟： <br/>獲取配送員的特定配送的軌跡資訊； <br/>基於所述軌跡資訊，將所述配送員的平均移動速度小於第一閾值的區間識別為低速軌跡段；以及 <br/>判斷識別的所述低速軌跡段是否與和所述特定配送無關的目標行為相關， <br/>識別為所述低速軌跡段的步驟包括如下步驟： <br/>將所述配送員的平均移動速度小於所述第一閾值的區間識別為候選低速軌跡段；以及 <br/>當所述區間內包括的所述配送員的移動速度小於第二閾值的地點為規定比例以上時，將所述候選低速軌跡段識別為所述低速軌跡段，其中所述第二閾值小於所述第一閾值， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的步驟包括如下步驟： <br/>基於所述低速軌跡段內道路與所述配送員之間的距離判斷是否與所述目標行為相關，其中，所述道路與所述配送員之間的距離表示代表特定時刻的所述配送員的位置的第一地點與所述道路上最接近所述第一地點的第二地點之間的距離； <br/>當所述低速軌跡段內包括的道路與所述配送員之間的距離為第三閾值以上的地點為規定比例以上時，判斷為所述低速軌跡段與所述目標行為相關，其中，基於所述道路屬性確定所述第三閾值；以及 <br/>如果與所述低速軌跡段對應的場所是與所述特定配送相關的場所，則判斷所述低速軌跡段與所述目標行為無關， <br/>所述道路屬性包括所述道路的類型和所述道路的寬度， <br/>所述道路的類型是汽車專用道路、普通道路、小巷、坡道、十字路口、丁字路口之一，並且， <br/>與所述特定配送相關的場所是接受所述特定配送請求的地點、配送物品收貨地址、經由地或配送目的地中的至少一個。
一種配送員管理系統，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載（load）電腦程式；以及 <br/>處理器，執行所述電腦程式， <br/>所述電腦程式包括如下指令（instructions）： <br/>獲取配送員的特定配送的軌跡資訊； <br/>基於所述軌跡資訊，將所述配送員的平均移動速度小於第一閾值的區間識別為低速軌跡段；以及 <br/>判斷識別的所述低速軌跡段是否與和所述特定配送無關的目標行為相關， <br/>識別為所述低速軌跡段的指令包括如下指令： <br/>將所述配送員的平均移動速度小於所述第一閾值的區間識別為候選低速軌跡段；以及 <br/>當所述區間內包括的所述配送員的移動速度小於第二閾值的地點為規定比例以上時，將所述候選低速軌跡段識別為所述低速軌跡段，其中所述第二閾值小於所述第一閾值， <br/>判斷是否與所述目標行為相關的指令包括如下指令： <br/>基於所述低速軌跡段內道路與所述配送員之間的距離判斷是否與所述目標行為相關，其中，所述道路與所述配送員之間的距離表示代表特定時刻的所述配送員的位置的第一地點與所述道路上最接近所述第一地點的第二地點之間的距離； <br/>當所述低速軌跡段內包括的道路與所述配送員之間的距離為第三閾值以上的地點為規定比例以上時，判斷為所述低速軌跡段與所述目標行為相關，其中，基於所述道路屬性確定所述第三閾值；以及 <br/>如果與所述低速軌跡段對應的場所是與所述特定配送相關的場所，則判斷所述低速軌跡段與所述目標行為無關， <br/>所述道路屬性包括所述道路的類型和所述道路的寬度， <br/>所述道路的類型是汽車專用道路、普通道路、小巷、坡道、十字路口、丁字路口之一，並且， <br/>與所述特定配送相關的場所是接受所述特定配送請求的地點、配送物品收貨地址、經由地或配送目的地中的至少一個。
一種不含副丙酮酸之丙酮酸鈣的製備方法，其係包含有下列步驟：<br/>步驟A：將一氫氧化鈣加入一丙酮溶劑，得到一氫氧化鈣/丙酮溶液；<br/>步驟B：將一丙酮酸加入該氫氧化鈣/丙酮溶液，於4-50℃下反應12-24小時；其中，該氫氧化鈣與該丙酮酸之莫爾比為1：2-1：10；並該丙酮酸與該丙酮溶劑之體積比為1：4-1：8；<br/>步驟C：得到一丙酮酸鈣晶體。
如請求項1所述不含副丙酮酸之丙酮酸鈣的製備方法，其中，該氫氧化鈣與該丙酮酸之莫爾比係為1：2、1：5或1：10。
如請求項1所述不含副丙酮酸之丙酮酸鈣的製備方法，其中，該丙酮酸與該丙酮溶劑之體積比係為1：4、1：6或1：8。
如請求項1所述不含副丙酮酸之丙酮酸鈣的製備方法，其中，該步驟B之反應溫度係為4、25或50℃。
如請求項1所述不含副丙酮酸之丙酮酸鈣的製備方法，其中，該步驟B之反應時間係為12、18或24小時。
一種可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，係包括：<br/> 一包覆部，係具有一容納空間及至少一連接口；該至少一連接口係連通該容納空間及外界；<br/> 一冷凍媒介部，係設於該容納空間內；其係可吸熱或放熱，且具有一可流動變形之狀態及一不可流動之固定狀態；及<br/> 一熱傳遞骨架部，係設於該容納空間內；該熱傳遞骨架部係具有一內置部及至少一外延部，該內置部與該至少一外延部係連結為一體結構；該內置部係位於該容納空間內且接觸該冷凍媒介部，該外延部係接觸該外界，用以提高對該內置部及該冷凍媒介部之熱導率；<br/> 其中，當該冷凍媒介部為可流動變形之狀態時，該熱傳遞骨架部之該內置部係可被施力而改變形狀，且維持該形狀。
如請求項1所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中：<br/> 該內置部係為金屬板件；<br/> 該至少一外延部係為金屬塊體；及<br/> 該至少一外延部係設2個。
如請求項1所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中：<br/> 該內置部係為金屬板件；<br/> 該至少一外延部係為金屬耳件；及<br/> 該至少一外延部係設2個。
如請求項3所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中，該內置部係具有至少一孔。
如請求項4所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中，該可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置係又包括：<br/> 一快冷輔助部，係具有至少一底板部及至少一傳導柱；<br/> 該至少一傳導柱係由該至少一底板部延伸出；<br/> 該至少一傳導柱係供該金屬耳件插設，而可透過該至少一底板部及該至少一傳導柱，提高對該內置部及該冷凍媒介部之熱導率；及<br/> 該包覆部係可置於該至少一底板部上。
如請求項5所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中：<br/> 該至少一底板部係為二個；<br/> 該至少一傳導柱係為二個，並分別從該二底板部上延伸出；<br/> 該金屬耳件係為二個；及<br/> 當該內置部被施力而改變形狀，係連動該二金屬耳件隨之改變位置，該二傳導柱係分別供改變位置後之該二金屬耳件插設。
如請求項6所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中，該熱傳遞骨架部之熱傳遞係數係為≧60W/mK。
如請求項7所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中，該熱傳遞骨架部係為銅、鋁、鐵及鋼其中之一。
如請求項8所述之可在冷凍前設定形狀之冰敷袋裝置，其中，該熱傳遞骨架部係為銅、鋁、鐵及鋼之其合金。
一種石膏鋸切教具裝置，係包括：<br/> 一手持結構，係具有一握持部；<br/> 一第一半殼結構，係設於該手持結構，該第一半殼結構係具有一第一板部及一第一牆部；該第一板部係連結該握持部，並具有一虛擬軸線；<br/> 一第二半殼結構，係設於該第一半殼結構，該第二半殼結構係具有一第二板部及一第二牆部；該第二板部係與該第一板部係相對應且間隔開；該第二牆部與該第一牆部係相對應且可抵接，使該第一半殼結構與該第二半殼結構之間形成一工作空間及一工作開口；<br/> 一發聲結構，係固定於該第一板部、該第二板部其中一者上；該發聲結構係具有複數發聲彈片，該複數發聲彈片中之每一發聲彈片係以一端固定於該第一板部、該第二板部其中一者上；並以另端懸空延伸出去，且該複數發聲彈片係呈圓形平均分佈於該虛擬軸線周圍；<br/> 一轉動結構，係對應該發聲結構，而可相對轉動的設於該第二板部、該第一板部其中一者上，該轉動結構係與該虛擬軸線同軸；<br/> 一鋸片造型結構，係對應該轉動結構而設，該鋸片造型結構係具有一圓形鋸片部、一鋸片傳動部及一撥片部；該圓形鋸片部係具有複數外緣齒部；該鋸片傳動部係與該虛擬軸線同軸，並供該圓形鋸片部架設於該轉動結構，並可與該第二板部、該第一板部其中一者相對轉動；該撥片部係從該圓形鋸片部上延伸出，且與該鋸片傳動部互呈背對，並平行於該虛擬軸線；<br/> 其中，當該鋸片造型結構被轉動後，可經由該轉動結構，使該撥片部可依序撥動該複數發聲彈片，進而產生複數聲音。
如請求項1所述之石膏鋸切教具裝置，其中：<br/> 該第一半殼結構係又具有一第一固定部；<br/> 該第二半殼結構係又具有一第二固定部；及<br/> 該第二固定部與該第一固定部係由至少一固定元件相互固定或分離。
如請求項2所述之石膏鋸切教具裝置，其中：<br/> 該第一固定部係為螺孔；<br/> 該第二固定部係為固定孔；及<br/> 該至少一固定元件係為螺絲。
如請求項1所述之石膏鋸切教具裝置，其中：<br/> 該發聲結構係又具有一牆部，該牆部係供該發聲結構固定於該第二板部，且該虛擬軸線係與該牆部同軸心；及<br/> 該每一發聲彈片係具有一彈片座部及一彈片部，該彈片座部係供該發聲彈片固定於該牆部，該彈片部係從該彈片座部上，朝向該虛擬軸線而懸空延伸出去。
如請求項4所述之石膏鋸切教具裝置，其中，該轉動結構係對應該發聲結構，而可相對轉動的設於該第一板部。
如請求項1所述之石膏鋸切教具裝置，其中：<br/> 該轉動結構係為軸承，並具有一樞轉元件；<br/> 該樞轉元件在受到一外力時，係可透過該轉動結構與該握持部相對樞轉；及<br/> 該鋸片傳動部係供該鋸片造型結構卡合固定於該樞轉元件，並可與該第一板部相對轉動。
如請求項1所述之石膏鋸切教具裝置，其中：<br/> 該每一發聲彈片係具有一彈片座部及一彈片部，該彈片座部係供該發聲彈片固定於該第一板部，該彈片部係從該彈片座部上，懸空延伸出去，且與該虛擬軸線互呈平行；<br/> 該轉動結構係對應該發聲結構，而可相對轉動的設於該第二板部；<br/> 該轉動結構係為軸承；及<br/> 該鋸片傳動部係供該鋸片造型結構卡合固定於該轉動結構，並可與該第二板部相對轉動。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一基板；以及<br/> 多個畫素結構，設置於該基板上，其中每一該畫素結構包括：<br/> 多個接墊組，具有一接墊組幾何中心，其中每一該接墊組包括至少一接墊；<br/> 多個發光元件，分別接合至該些接墊組；以及<br/> 一驅動線路結構，夾設於該基板與該些接墊組，其中該驅動線路結構的至少一部分電性連接至該些接墊組；<br/> 該些畫素結構在一第一方向上以一第一間距排列，該第一間距為P<sub>1</sub>，該些畫素結構在一第二方向上以一第二間距排列，該第二間距為P<sub>2</sub>，其中該第一方向與該第二方向交錯；<br/> 每一該畫素結構設置於一畫素區內，一第一擬直線平行於該第二方向，該第一擬直線與該畫素結構的該接墊組幾何中心在該第一方向上相隔<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，一第二擬直線平行於該第二方向，該第二擬直線與該畫素結構的該接墊組幾何中心在與該第一方向相反的一第三方向上相隔<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，一第三擬直線平行於該第一方向，該第三擬直線與該畫素結構的該接墊組幾何中心在該第二方向上相隔<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，一第四擬直線平行於該第一方向，該第四擬直線與該畫素結構的該接墊組幾何中心在與該第二方向相反的一第四方向上相隔<img align="absmiddle" height="14px" width="4px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該畫素區由該第一擬直線、該第二擬直線、該第三擬直線及該第四擬直線圍出；<br/> 該畫素區的一有效面積為該畫素區的一總面積與該畫素區內的該些接墊組的面積的差；<br/> 在該畫素區內有一低吸收區，在相同波長的一雷射下，該低吸收區對該雷射的吸收率小於該些接墊組對該雷射的吸收率，該低吸收區的面積大於該有效面積的60%且小於該有效面積的90%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中在該畫素區內，該驅動線路結構更具有位於該些接墊組外的一高吸收區，在相同波長的該雷射下，該高吸收區對該雷射的吸收率大於等於該些接墊組對該雷射的吸收率，該高吸收區在該畫素區內的面積大於該有效面積的10%且小於該有效面積的40%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一方向及該第二方向彼此垂直。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該接墊的材質包括鈦，該驅動線路結構的該低吸收區的材質包括鋁、銅、金、銀、或鋁、銅、金及銀的至少兩者的合金。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該低吸收區的面積小於等於該有效面積的87%。
如請求項1所述的顯示裝置，其中該低吸收區包括一非穿透材料區及一穿透區。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一基板；以及<br/> 多個畫素結構，設置於該基板上，其中每一該畫素結構包括：<br/> 多個接墊組，具有一接墊組幾何中心，其中每一該接墊組包括至少一接墊；<br/> 多個發光元件，分別接合至該些接墊組；以及<br/> 一驅動線路結構，夾設於該基板與該些接墊組，其中該驅動線路結構的至少一部分電性連接至該些接墊組；<br/> 多個畫素結構為多個重複單元，每一該畫素結構設置於一畫素區內；<br/> 該畫素區的一有效面積為該畫素區的一總面積與該畫素區內的該些接墊組的面積的差；<br/> 在該畫素區內有一低吸收區，在相同波長的一雷射下，該低吸收區對該雷射的吸收率小於該些接墊組對該雷射的吸收率，該低吸收區的面積大於該有效面積的60%且小於該有效面積的90%。
如請求項7所述的顯示裝置，其中在該畫素區內，該驅動線路結構更具有位於該些接墊組外的一高吸收區，在相同波長的該雷射下，該高吸收區對該雷射的吸收率大於等於該些接墊組對該雷射的吸收率，該高吸收區在該畫素區內的面積大於該有效面積的10%且小於該有效面積的40%。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該低吸收區的面積小於等於該有效面積的87%。
如請求項7所述的顯示裝置，其中該低吸收區包括一非穿透材料區及一穿透區。
一種電子裝置，包括：<br/>一顯示面板；<br/>一時序控制器，耦接該顯示面板，經配置以在一開機程序完成之前，控制該顯示面板顯示一標誌畫面或一自測試畫面；以及<br/>一控制電路，耦接該時序控制器，經配置以根據一自測試啟動通知而利用至少一顯示命令指示該時序控制器決定該標誌畫面及該自測試畫面的一顯示時序。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一顯示命令包括一標誌畫面開始顯示命令及一自測試畫面開始顯示命令，當該控制電路在輸出該標誌畫面開始顯示命令之前接收到該自測試啟動通知時，該控制電路反應於該自測試啟動通知而輸出該自測試畫面開始顯示命令至該時序控制器，以指示該時序控制器控制該顯示面板略過該標誌畫面而顯示該自測試畫面。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少一顯示命令包括一標誌畫面開始顯示命令及一自測試畫面開始顯示命令，當該控制電路在輸出該標誌畫面開始顯示命令之後接收到該自測試啟動通知時，該控制電路反應於該自測試啟動通知而在輸出該標誌畫面開始顯示命令之後輸出該自測試畫面開始顯示命令至該時序控制器，以指示該時序控制器控制該顯示面板在顯示該標誌畫面之後取代該標誌畫面而顯示該自測試畫面。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/>一電源供應電路，耦接該顯示面板、該時序控制器及該控制電路，<br/>其中，在該控制電路接收到一電源鍵信號的情況下，該控制電路使該電子裝置執行該開機程序，接著指示該電源供應電路提供一電源電壓至該時序控制器及該顯示面板。
如請求項1所述的電子裝置，其中在該時序控制器及該顯示面板接收到一電源電壓經過一第一時間間隔之後，該時序控制器控制該顯示面板開始顯示畫面。
如請求項5所述的電子裝置，其中在該時序控制器及該顯示面板接收到該電源電壓經過大於該第一時間間隔的一第二時間間隔之後，該時序控制器輸出一致能準位的一模式調整通知信號至該控制電路。
如請求項1所述的電子裝置，其中在該時序控制器輸出一致能準位的一模式調整通知信號至該控制電路之後，該時序控制器輸出該致能準位的一顯示備妥信號至該控制電路。
如請求項1所述的電子裝置，其中在該控制電路接收到一致能準位的一顯示備妥信號之後，該控制電路經由一匯流排電路輸出該至少一顯示命令至該時序控制器。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/>一背光模組，耦接該顯示面板及該控制電路，<br/>其中，在該控制電路接收到一致能準位的一顯示備妥信號之後，該控制電路輸出該致能準位的一背光啟用信號至該背光模組，以使該背光模組提供一光源至該顯示面板。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：<br/>一輸入裝置，耦接該控制電路，經配置以接收一輸入操作，據以產生該自測試啟動通知且將該自測試啟動通知傳送至該控制電路。
一種自測試方法，適用於具有一顯示面板及一時序控制器的一電子裝置，該自測試方法包括下列步驟：<br/>在一開機程序完成之前，透過該時序控制器來控制該顯示面板顯示一標誌畫面或一自測試畫面；以及<br/>根據一自測試啟動通知而利用至少一顯示命令指示該時序控制器決定該標誌畫面及該自測試畫面的一顯示時序。
如請求項11所述的自測試方法，其中該至少一顯示命令包括一標誌畫面開始顯示命令及一自測試畫面開始顯示命令，根據該自測試啟動通知而利用該至少一顯示命令指示該時序控制器決定該標誌畫面及該自測試畫面的該顯示時序的步驟包括：<br/>當在輸出該標誌畫面開始顯示命令之前接收到該自測試啟動通知時，反應於該自測試啟動通知而輸出該自測試畫面開始顯示命令至該時序控制器，以指示該時序控制器控制該顯示面板略過該標誌畫面而顯示該自測試畫面。
如請求項11所述的自測試方法，其中該至少一顯示命令包括一標誌畫面開始顯示命令及一自測試畫面開始顯示命令，根據該自測試啟動通知而利用該至少一顯示命令指示該時序控制器決定該標誌畫面及該自測試畫面的該顯示時序的步驟包括：<br/>當在輸出該標誌畫面開始顯示命令之後接收到該自測試啟動通知時，反應於該自測試啟動通知而在輸出該標誌畫面開始顯示命令之後輸出該自測試畫面開始顯示命令至該時序控制器，以指示該時序控制器控制該顯示面板在顯示該標誌畫面之後取代該標誌畫面而顯示該自測試畫面。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>在接收到一電源鍵信號的情況下，使該電子裝置執行該開機程序，接著提供一電源電壓至該時序控制器及該顯示面板。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>在該時序控制器及該顯示面板接收到一電源電壓經過一第一時間間隔之後，透過該時序控制器控制該顯示面板開始顯示畫面。
如請求項15所述的自測試方法，更包括：<br/>在該時序控制器及該顯示面板接收到該電源電壓經過大於該第一時間間隔的一第二時間間隔之後，透過該時序控制器輸出一致能準位的一模式調整通知信號。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>在該時序控制器輸出一致能準位的一模式調整通知信號之後，透過該時序控制器輸出該致能準位的一顯示備妥信號。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>在接收到一致能準位的一顯示備妥信號之後，經由一匯流排電路輸出該至少一顯示命令至該時序控制器。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>在接收到一致能準位的一顯示備妥信號之後，提供一光源至該顯示面板。
如請求項11所述的自測試方法，更包括：<br/>接收一輸入操作，據以產生該自測試啟動通知。
一種顯示裝置，包括： <br/>一裝置基板； <br/>一第一薄膜電晶體，位於該裝置基板上，該第一薄膜電晶體包含一第一半導體圖案、一第一閘極電極、一第一源極電極、以及一第一汲極電極； <br/>一第二薄膜電晶體，位於該裝置基板上，並且與該第一薄膜電晶體間隔開，該第二薄膜電晶體包含一第二半導體圖案、一第二閘極電極、一第二源極電極、以及一第二汲極電極； <br/>一發光裝置，位於該第二薄膜電晶體上； <br/>一第一絕緣層，位於該裝置基板上； <br/>一第二絕緣層，位於該第一絕緣層上； <br/>一第一遮光圖案，與該第一半導體圖案重疊，並且位於該第一半導體圖案與該裝置基板之間；以及 <br/>一第二遮光圖案，與該第二半導體圖案重疊，並且位於該第二半導體圖案與該裝置基板之間， <br/>其中，該第二半導體圖案與該第二閘極電極之間的一第三距離大於該第二半導體圖案與該第二遮光圖案之間的一第二距離。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一半導體圖案與該第一遮光圖案之間的一第一距離大於該第二距離。
如請求項1所述的顯示裝置， <br/>其中，該第一遮光圖案位於該第一絕緣層下面，以及 <br/>其中，該第二遮光圖案位於該第一絕緣層上面。
如請求項1所述的顯示裝置， <br/>其中，該第二絕緣層位於該第一半導體圖案與該第一遮光圖案之間，以及 <br/>其中，該第二絕緣層位於該第二半導體圖案與該第二遮光圖案之間。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第一絕緣層的厚度大於該第二絕緣層的厚度。
如請求項1所述的顯示裝置，進一步包括： <br/>一第一閘極絕緣層，位於該第一半導體圖案與該第一閘極電極之間， <br/>其中，該第一閘極絕緣層進一步位於該第二半導體圖案與該第二閘極電極之間。
如請求項6所述的顯示裝置，其中，該第一閘極絕緣層的厚度大於該第二絕緣層的厚度。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該第二遮光圖案與該第二半導體圖案之間的一第一電容大於該第二半導體圖案與該第二閘極電極之間的一第二電容。
如請求項8所述的顯示裝置， <br/>其中，位於該第二半導體圖案與該第二閘極電極之間的一第一閘極絕緣層的厚度大於位於該第二半導體圖案與該第二遮光圖案之間的該第二絕緣層的厚度，以及 <br/>其中，該第一閘極絕緣層的厚度對應於該第三距離，而且該第二絕緣層的厚度對應於該第二距離。
如請求項1所述的顯示裝置，進一步包括： <br/>一第三薄膜電晶體，位於該裝置基板上，並且與該第一薄膜電晶體和該第二薄膜電晶體間隔開， <br/>其中，該第三薄膜電晶體包含一第三半導體圖案、一第三閘極電極、一第三源極電極、以及一第三汲極電極，以及 <br/>其中，該第三半導體圖案和該第三閘極電極位於該第一絕緣層下面。
如請求項10所述的顯示裝置，進一步包括： <br/>一第二閘極絕緣層，位於該第三半導體圖案與該第三閘極電極之間， <br/>其中，該第一遮光圖案位於該第二閘極絕緣層與該第一絕緣層之間。
如請求項1所述的顯示裝置， <br/>其中，該第一薄膜電晶體是一開關薄膜電晶體，以及 <br/>其中，該第二薄膜電晶體是一驅動薄膜電晶體。
如請求項1所述的顯示裝置，其中，該裝置基板包含氧化矽。
一種製備狼尾草（<i>Pennisetum purpureum</i>Schumach）萃出物的方法，包含：<br/>(a) 將狼尾草與溶劑以重量比1：10的比例，加熱萃取至少1小時後產生一第一萃取液，其中所述溶劑是水或是10%之乙醇溶液。
如請求項1所述之方法，更包含：<br/>(b) 重複所述步驟(a)以獲得一第二萃取液；及<br/>(c) 將所述第一萃取液與所述第二萃取液合併。
如請求項2所述之方法，更包含：<br/>(d)對所述步驟(c)之合併的萃取液進行減壓濃縮及冷凍乾燥。
如請求項1所述之方法，其中所述加熱萃取係加熱沸騰回流萃取所述狼尾草。
一種狼尾草萃出物用來製備一藥物的用途，其中所述藥物可用於治療及/或預防肌肉失調或肌肉疾病，且所述狼尾草萃出物係以請求項1-4中任一項所述方法製備而成。
如請求項5所述之用途，其中所述肌肉失調或肌肉疾病是指肌細胞數目減少、肌肉萎縮或是肌少症。
如請求項5所述之用途，其中所述治療及/或預防肌肉失調或肌肉疾病是指以下任一項：提升肌細胞存活率、促進肌細胞增生、增加肌小管尺寸、減緩及或防止肌小管尺寸下降。
一種狼尾草萃出物用來製備一保健食品的用途，所述保健食品可提升一個體之肌肉質量，且所述狼尾草萃出物係以請求項1-4中任一項所述方法製備而成。
如請求項8所述之用途，其中所述提升個體之肌肉質量是指促進所述個體之肌細胞或肌肉之增生與修復。
一種用於測試I3C裝置的積體電路(IC)，該IC包含： <br/>開始/停止偵測邏輯區塊，用以接收串列資料線(SDA)信號及串列時脈線(SCL)信號，並輸出開始偵測信號及停止偵測信號； <br/>SCL計數器區塊，用以接收該SCL信號及這些開始及停止偵測信號，並輸出SCL計數值、SCL正邊緣偵測信號、及SCL負邊緣偵測信號； <br/>SDA反相邏輯區塊，用以接收該SCL計數值、SCL程式化計數值、及這些SCL正邊緣及負邊緣偵測信號，並基於該SCL計數值與該SCL程式化計數值的比較而輸出SDA反相啟用信號；及 <br/>多工器，用以接收該SDA信號、反相SDA信號、及該SDA反相啟用信號，並基於該SDA反相啟用信號而輸出該SDA信號或該反相SDA信號。
如請求項1之IC，其中該開始/停止偵測邏輯區塊係用以回應於偵測到開始條件而輸出該開始偵測信號，以啟用該SCL計數器區塊，並回應於偵測到停止條件而輸出該停止偵測信號，以重設該SCL計數器區塊。
如請求項2之IC，其中該開始條件係基於tcas（在開始條件之後的時脈(Clock After START Condition)）參數，且該停止條件係基於tcbp（在停止條件之前的時脈(Clock Before STOP Condition)）參數。
如請求項1之IC，其中該SCL計數器區塊係用以在該SCL正邊緣偵測信號為高位準時增量該SCL計數值。
如請求項4之IC，其中該SCL正邊緣偵測信號在偵測到該SCL信號的低至高位準轉換時為高位準，且該SCL負邊緣偵測信號在偵測到該SCL信號的高至低位準轉換時為高位準。
如請求項5之IC，其進一步包含暫存器，用以儲存該SCL程式化計數值。
如請求項6之IC，其中該SDA反相邏輯區塊係用以將該SCL程式化計數值與該SCL計數值進行比較。
如請求項7之IC，其中該SDA反相啟用信號回應於該SDA反相邏輯區塊在該SCL計數值等於該SCL程式化計數值減一之後接收到高位準的SCL負邊緣偵測信號而為高位準，並回應於該SDA反相邏輯區塊在該SCL計數值等於該SCL程式化計數值之後接收到高位準的SCL負邊緣偵測信號而為低位準。
如請求項1之IC，其中該多工器係用以在該SDA反相啟用信號為高位準時輸出該反相SDA信號，並在該SDA反相啟用信號為低位準時輸出該SDA信號。
如請求項1之IC，其中該IC係用以基於該SDA信號而產生下列中之至少一者：CE1控制器錯誤狀態、及TE0至TE6目標錯誤狀態。
如請求項10之IC，其中該SCL程式化計數值係基於用於測試的錯誤狀態。
一種用於測試I3C裝置之方法，該方法包含： <br/>在開始/停止偵測邏輯區塊，接收串列資料線(SDA)信號及串列時脈線(SCL)信號； <br/>從該開始/停止偵測邏輯區塊，輸出開始偵測信號及停止偵測信號； <br/>在SCL計數器區塊，接收該SCL信號、及這些開始及停止偵測信號； <br/>從該SCL計數器區塊，輸出SCL計數值、SCL正邊緣偵測信號、及SCL負邊緣偵測信號； <br/>在SDA反相邏輯區塊，接收該SCL計數值、SCL程式化計數值、及這些SCL正邊緣及負邊緣偵測信號； <br/>從該SDA反相區塊，基於該SCL計數值與該SCL程式化計數值的比較而輸出SDA反相啟用信號； <br/>在多工器，接收該SDA信號、反相SDA信號、及該SDA反相啟用信號；及 <br/>從該多工器，基於該SDA反相啟用信號而輸出該SDA信號或該反相SDA信號。
如請求項12之方法，其中該開始-停止偵測邏輯區塊係用以回應於偵測到開始條件而輸出該開始偵測信號，以啟用該SCL計數器區塊，並回應於偵測到停止條件而輸出該停止偵測信號，以重設該SCL計數器區塊。
如請求項13之方法，其中該開始條件係基於tcas（在開始條件之後的時脈(Clock After START Condition)）參數，且該停止條件係基於tcbp（在停止條件之前的時脈(Clock Before STOP Condition)）參數。
如請求項12之方法，其進一步包含： <br/>當該SCL正邊緣偵測信號為高位準時，藉由該SCL計數器區塊來增量該SCL計數值。
如請求項15之方法，其中該SCL正邊緣偵測信號在偵測到該SCL信號的低至高位準轉換時為高位準，且該SCL負邊緣偵測信號在偵測到該SCL信號的高至低位準轉換時為高位準。
如請求項16之方法，其進一步包含： <br/>在暫存器，儲存該SCL程式化計數值。
如請求項17之方法，其中該SCL程式化計數值與該SCL計數值的該比較係由該SDA反相邏輯區塊來執行。
如請求項18之方法，其中該SDA反相啟用信號回應於該SDA反相邏輯區塊在該SCL計數值等於該SCL程式化計數值減一之後接收到高位準的SCL負邊緣偵測信號而為高位準，並回應於該SDA反相邏輯區塊在該SCL計數值等於該SCL程式化計數值之後接收到高位準的SCL負邊緣偵測信號而為低位準。
如請求項12之方法，其中該多工器係用以在該SDA反相啟用信號為高位準時輸出該反相SDA信號，並在該SDA反相啟用信號為低位準時輸出該SDA信號。
一種高齡者食物輔助處理裝置，包含： <br/>一食物纖維預處理組件，包含： <br/>一第一本體，為盒體結構且具有一第一容置空間，供以容置食物； <br/>一超音波發射器，設於該第一容置空間，用以接觸食物並發出超音波； <br/>一板體，設於該第一容置空間底側用以承載食物； <br/>一震動器，設於該板體一側，用以震動該板體及其上之食物；及 <br/>一纖維處理控制器，設於該第一本體且與該超音波發射器及該震動器電訊連接，供以依據一處理指令驅動該超音波發射器及該震動器； <br/>一食物切割處理組件，供以蓋設於該食物纖維預處理組件頂側，包含： <br/>一第二本體，為蓋體結構且具有一第二容置空間，該第二本體設有一環狀凸出結構及一凹部，該環狀凸出結構係由該第二本體之開口內緣向下延伸形成，且該環狀凸出結構之壁厚小於該第二本體之壁厚，該凹部係由該第二容置空間之內壁延伸至該環狀凸出結構之內壁；當該第二本體與該第一本體相互組設後，該第一容置空間及該第二容置空間係相互連通，且該環狀凸出結構係插設於該第一容置空間內； <br/>一刀具組，設於該第二容置空間且包含複數平行可動支架及複數刀片，該等刀片係分別設於各該平行可動支架之一端，該等平行可動支架係間隔排列設置； <br/>一移動組件，設於該凹部，該移動組件之一端係與該等平行可動支架連接設置，另一端可於該凹部上下移動；及 <br/>一切割控制器，設於該第二本體且與該移動組件、該等平行可動支架及該纖維處理控制器電訊連接，該切割控制器係依據一切割指令控制該移動組件及該等平行可動支架，該等刀片係因應該等平行可動支架之移動而調整彼此間距大小； <br/>其中，當置於該第一容置空間內的食物受該超音波發射器與該震動器而執行纖維預處理作業後，該纖維處理控制器係生成一處理完成訊號並傳送至該切割控制器，該切割控制器始控制該移動組件帶動該等平行可動支架及該等刀片由該第二容置空間移動至該第一容置空間以切割食物。
如請求項1所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該食物纖維預處理組件更包含一加熱組件，該加熱組件設於該第一容置空間內且與該纖維處理控制器電訊連接，用以針對食物進行加熱。
如請求項2所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該加熱組件包含一微波發射器。
如請求項3所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該食物纖維預處理組件更包含一拍打組件，設於該第一容置空間內且位於該板體頂側，該拍打組件包含一驅動件及至少一槌打件，該驅動件與該纖維處理控制器電訊連接且供以驅動該槌打件，該槌打件係受該驅動件帶動而由上而下地反覆敲打食物。
如請求項4所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該纖維處理控制器係設定為依據一預定順序啟動該超音波發射器、該震動器、該加熱組件及該驅動件，且該預定順序為該超音波發射器-該震動器-該加熱組件-該驅動件。
如請求項1至5其中任一項所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該食物纖維預處理組件係更包含一旋轉組件，設於該板體底側且與該切割控制器電訊連接，該旋轉組件用以帶動該板體旋轉，其中當該切割控制器控制該移動組件帶動該等平行可動支架及該等刀片進行切割後，該切割控制器係控制該旋轉組件使該板體旋轉一預定角度，並再次控制該移動組件帶動該等平行可動支架及該等刀片進行下一次切割。
如請求項6所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該食物纖維預處理組件更包含一第一殺菌組件，設於該第一容置空間內且被配置為朝向該板體，供以針對該板體進行殺菌消毒；該食物切割處理組件更包含一第二殺菌組件，設於該第二容置空間內且被配置為朝向該刀具組，供以針對該等刀片進行殺菌消毒。
如請求項7所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該第一本體頂側周緣係設有至少一電動伸縮桿體，該第二本體底側周緣係對應該電動伸縮桿體設有至少一組合槽，該電動伸縮桿體係與該纖維處理控制器電訊連接，當該纖維處理控制器接收該處理指令後係先控制該電動伸縮桿體展開而插設至該組合槽內。
如請求項8所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該超音波發射器之發出頻率為20～80kHz，該震動器之震動頻率為10～500Hz，震動強度為0.1～5g。
如請求項9所述之高齡者食物輔助處理裝置，其中，該纖維處理控制器儲存有一第一模式、一第二模式及一第三模式，其中該第一模式之該超音波發射器之發出頻率為30～50kHz、該震動器之震動頻率為100～200Hz、震動強度為1.5～3g；該第二模式之該超音波發射器之發出頻率為40～60kHz、該震動器之震動頻率為50～100Hz、震動強度為0.5～1g；該第三模式之該超音波發射器之發出頻率為20～40kHz、該震動器之震動頻率為200～500Hz、震動強度為3～5g。
一種阻劑組成物，含有： <br/>含有下式(1)表示之具有超原子價碘結構之重複單元的聚合物， <br/>含羧基之化合物，及 <br/>溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="97px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m為0或1；n在m為0時係0、1、2、3或4，在m為1時係0、1、2、3、4、5或6； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、鹵素原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為鹵素原子、或也可含有雜原子之碳數1~10之烴基；又，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子及該碳原子間的原子一起形成環； <br/>R<sup>3</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基。
如請求項1之阻劑組成物，其中，該含羧基之化合物為含有下式(2)表示之重複單元的聚合物或下式(3)表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="105px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、鹵素原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>A</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-X<sup>A1</sup>-；X<sup>A1</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環；*表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>k為1、2、3或4； <br/>R<sup>11</sup>為碳數1~40之k價烴基或碳數2~40之k價雜環基，k為2時，R<sup>11</sup>也可為醚鍵、羰基、偶氮基、硫醚鍵、碳酸酯鍵、胺基甲酸酯鍵、亞磺醯基或磺醯基；又，該k價烴基或k價雜環基之氫原子的一部分或全部也可被含雜原子之基取代，且該k價烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被含雜原子之基取代； <br/>R<sup>12</sup>為單鍵或碳數1~10之伸烴基，且該伸烴基之氫原子的一部分或全部也可被含雜原子之基取代，且該伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被含雜原子之基取代；k為2、3或4時，各R<sup>12</sup>可互為相同也可相異。
一種疊層體，具備： <br/>基板，及 <br/>於該基板上得自如請求項1或2之阻劑組成物的阻劑膜。
如請求項3之疊層體，其中，於該基板與該阻劑膜之間具備下層膜。
如請求項3之疊層體，其中，該阻劑膜係藉由該超原子價碘化合物與含羧基之化合物的配位基交換而形成者。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1或2之阻劑組成物於基板上或疊層有下層膜之基板的該下層膜上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
一種疾病診斷碼建議方法，包括： <br/>獲取第一診療資訊； <br/>根據所述第一診療資訊利用一語言模型產生一文本特徵向量； <br/>利用一標籤注意力機制根據所述文本特徵向量決定多個第一疾病診斷碼各自的一注意力表示向量； <br/>根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量與第二診療資訊，決定所述多個第一疾病診斷碼中的多個第二疾病診斷碼各自對應於所述第一診療資訊的相關性分數；以及 <br/>根據各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數，產生包括所述多個第二疾病診斷碼其中至少一者的一疾病診斷碼建議清單， <br/>其中根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量與所述第二診療資訊，決定所述多個第一疾病診斷碼中的所述多個第二疾病診斷碼各自對應於所述第一診療資訊的所述相關性分數的步驟包括： <br/>根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量，決定各所述多個第一疾病診斷碼與所述第一診療資訊之間的初始相關性分數； <br/>根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述初始相關性分數，從所述多個第一疾病診斷碼挑選多個第二疾病診斷碼；以及 <br/>根據所述第二診療資訊，決定各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數。
如請求項1所述的疾病診斷碼建議方法，其中根據所述第二診療資訊，決定各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數的步驟包括： <br/>根據所述第二診療資訊進行特徵融合而產生一整合特徵向量； <br/>根據所述整合特徵向量與各所述多個第二疾病診斷碼的所述注意力表示向量，決定各所述多個第二疾病診斷碼與所述第一診療資訊之間的所述相關性分數。
如請求項2所述的疾病診斷碼建議方法，其中根據各所述多個第二疾病診斷碼的相關性分數，產生包括所述多個第二疾病診斷碼其中至少一者的所述疾病診斷碼建議清單的步驟包括： <br/>根據各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數，決定所述多個第二疾病診斷碼的相關性排名；以及 <br/>根據所述多個第二疾病診斷碼的相關性排名，產生所述疾病診斷碼建議清單。
如請求項2所述的疾病診斷碼建議方法，其中根據所述整合特徵向量與各所述多個第二疾病診斷碼的所述注意力表示向量，決定各所述多個第二疾病診斷碼與所述第一診療資訊之間的所述相關性分數的步驟包括： <br/>利用一多頭注意力機制（multi-head attention mechanism，MHA）調整各所述多個第二疾病診斷碼的所述注意力表示向量； <br/>利用所述整合特徵向量調整各所述多個第二疾病診斷碼的所述注意力表示向量；以及 <br/>將各所述多個第二疾病診斷碼之經調整的所述注意力表示向量饋入至一前饋神經網路，以獲取所述前饋神經網路輸出的各所述多個第二疾病診斷碼與所述第一診療資訊之間的所述相關性分數。
如請求項2所述的疾病診斷碼建議方法，其中根據所述第二診療資訊進行特徵融合而產生所述整合特徵向量的步驟包括： <br/>根據所述第二診療資訊產生一參考特徵向量；以及 <br/>合併所述參考特徵向量與所述文本特徵向量而產生所述整合特徵向量。
如請求項1所述的疾病診斷碼建議方法，其中所述第一診療資訊包括醫生筆記。
如請求項1所述的疾病診斷碼建議方法，其中所述第二診療資訊包括醫師資訊、醫囑、用藥資訊或其組合。
如請求項1所述的疾病診斷碼建議方法，還包括： <br/>透過一顯示器顯示包括所述疾病診斷碼建議清單的使用者介面，其中所述疾病診斷碼建議清單中的所述多個第二疾病診斷碼其中至少一者依據所述相關性排名而排列；以及 <br/>經由所述使用者介面接收關聯於所述疾病診斷碼建議清單的一用戶選擇操作，以根據所述用戶選擇操作所選定的疾病診斷碼執行一功能。
如請求項1所述的疾病診斷碼建議方法，其中該些疾病診斷碼為國際疾病分類標準第十版（International Classification of Diseases 10th Revision，ICD-10）編碼。
一種疾病診斷碼建議系統，包括： <br/>一儲存裝置；以及 <br/>一處理器，耦接該儲存裝置，並經配置以： <br/> 獲取第一診療資訊； <br/> 根據所述第一診療資訊利用一語言模型產生一文本特徵向量； <br/> 利用一標籤注意力機制根據所述文本特徵向量決定多個第一疾病診斷碼各自的一注意力表示向量； <br/> 根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量與第二診療資訊，決定所述多個第一疾病診斷碼中的多個第二疾病診斷碼各自對應於所述第一診療資訊的相關性分數；以及 <br/> 根據各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數，產生包括所述多個第二疾病診斷碼其中至少一者的一疾病診斷碼建議清單， <br/>其中根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量與所述第二診療資訊，決定所述多個第一疾病診斷碼中的所述多個第二疾病診斷碼各自對應於所述第一診療資訊的所述相關性分數的步驟包括： <br/>根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述注意力表示向量，決定各所述多個第一疾病診斷碼與所述第一診療資訊之間的初始相關性分數； <br/>根據各所述多個第一疾病診斷碼的所述初始相關性分數，從所述多個第一疾病診斷碼挑選多個第二疾病診斷碼；以及 <br/>根據所述第二診療資訊，決定各所述多個第二疾病診斷碼的所述相關性分數。
一種截骨手術器械，適用於將一骨頭的一長條狀縫隙撐開，該截骨手術器械包含：<br/> 一支架，具有沿一第一方向排列的兩個架體；<br/> 兩個撐頂爪組，分別設於該兩個架體且沿該第一方向間隔排列，每一該撐頂爪組包括沿垂直於該第一方向的一第二方向排列地樞設於對應的該架體且用以撐開該長條狀縫隙的兩個撐頂桿；<br/> 兩個調整單元，設於該支架且分別連接於該兩個撐頂爪組，該兩個調整單元用以調整控制對應的該撐頂爪組的開合度；以及<br/> 兩個壓力感測裝置，分別對應於該兩個撐頂爪組且分別用以感測該兩個撐頂爪組的所受壓力。
如請求項1所述的截骨手術器械，其中，每一該撐頂桿具有樞設於該架體的一樞設部、用以撐開該長條狀縫隙的一撐頂部，以及位於該樞設部與該撐頂部之間的一連接部，每一該調整單元包括分別連接於該兩個撐頂桿的連接部的兩個連接桿，以及連接於該兩個連接桿且能相對於該支架沿一第三方向移動的一移動件，該第三方向垂直於該第一方向與該第二方向，透過該移動件在該第三方向上的移動與該兩連接桿的連動，能調整控制對應的該撐頂爪組的開合度。
如請求項2所述的截骨手術器械，其中，每一該調整單元還包括可轉動地設於該支架且沿該第三方向延伸的一調整件，該調整件與該移動件透過螺紋與螺孔的配合彼此連接，該調整件的轉動能使該移動件在該第三方向上移動。
如請求項3所述的截骨手術器械，其中，該兩個壓力感測裝置分別設於該兩個調整單元的移動件，透過測量該兩個調整單元的移動件在該第三方向上的壓力來感測該兩撐頂爪組的所受壓力。
如請求項4所述的截骨手術器械，其中，各該移動件具有與該兩連接桿連接的一第一端、相反於該第一端且與該調整件連接的一第二端，以及位於該第一端與該第二端之間且鄰靠該第一端的一容置槽，該容置槽用以容置對應的該壓力感測裝置。
一種製造半導體裝置的方法，包括：<br/> (a) 提供一半導體結構，該半導體結構包括一第一基材，位於該第一基材上的一第二基材，位於該第一基材與該第二基材之間的一接合層，以及位於該接合層與該第二基材之間的一蝕刻停止層；<br/> (b) 於該第二基材之一第一側形成一第一半導體裝置之至少一部分，其中該第一基材位於該第二基材之相對於該第一側的一第二側上；<br/> (c) 於該第二基材之該第一側形成一第一內連線結構；<br/> (d) 附加一第三基材於該第二基材之該第一側，其中該第二基材位於該第三基材與該第一基材之間；<br/> (e) 移除該半導體結構之該第一基材以及該接合層以暴露該蝕刻停止層；<br/> (f) 移除至少一部分之該蝕刻停止層；以及<br/> (g) 於該第二基材之該第二側形成一第二內連線結構，該第二內連線結構電性連接至該第一半導體裝置。
如請求項1之方法，其中該步驟(b)包括摻雜該第二基材或蝕刻該第二基材。
如請求項1之方法，其中在附加該第三基材於該第二基材之該第一側(步驟(d))之前於該第二基材之該第一側形成該第一內連線結構(步驟(c))。
如請求項1之方法，其中在移除該半導體結構之該第一基材以及該接合層以暴露該蝕刻停止層(步驟(e))之後於該第二基材之該第二側形成該第二內連線結構(步驟(g))。
如請求項1之方法，其中該步驟(b)包括形成一電晶體，該電晶體包括一第一源極/汲極區域及一第二源極/汲極區域。
如請求項5之方法，更包括在移除該半導體結構之該第一基材與該接合層(步驟(e))之後，於該第二基材之該第二側形成一第二源極/汲極接點，該第二源極/汲極接點物理且電性連接至該第二源極/汲極區域，且該第二內連線結構物理且電性連接至該第二源極/汲極接點。
如請求項1之方法，其中該第一半導體裝置更包括位於該第二基材之該第二側的一第二閘極結構及一第二閘極介電質。
如請求項7之方法，其中該方法更包括在移除該半導體結構之該第一基材與該接合層(步驟(e))之後，形成一第二閘極接點，該第二閘極接點物理且電性連接至該第二閘極結構，且該第二內連線結構物理且電性連接至該第二閘極接點。
如請求項7之方法，其中該方法更包括在移除該半導體結構之該第一基材與該接合層(步驟(e))之後，形成穿過該第二閘極介電質的一通孔。
如請求項1之方法，其中該半導體結構更包括：<br/> 一中間層，位於該蝕刻停止層與該第二基材之間。
如請求項10之方法，其中該步驟(f)包括移除至少一部分之該蝕刻停止層以暴露該中間層。
如請求項10之方法，其中該中間層經圖案化。
如請求項1之方法，其中該步驟(e)包括藉由施加一第一蝕刻劑執行一第一蝕刻製程以移除該接合層。
如請求項13之方法，其中該步驟(f)包括藉由施加一第二蝕刻劑執行一第二蝕刻製程以移除該至少一部分之該蝕刻停止層。
如請求項1之方法，其中該半導體結構更包括設置於該第二基材中的一對準標記，其中該步驟(g)包括依據該對準標記形成該第二內連線結構。
如請求項1之方法，其中在該步驟(d)中，該第三基材包括一第二半導體裝置，該第二半導體裝置電性連接至該第一內連線結構。
一種阻劑組成物，含有： <br/>含有具有下式(1)表示之超原子價碘結構之重複單元的聚合物， <br/>含羧基之化合物，及 <br/>溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="85px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m為0或1；n在m為0時係0、1、2、3或4，在m為1時係0、1、2、3、4、5或6； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、鹵素原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~10之烴基； <br/>R<sup>2</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~40之烴基；n為2以上時，各R<sup>2</sup>可互為相同也可相異；又，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的芳香環的碳原子一起形成環； <br/>R<sup>3</sup>為羰基或也可含有雜原子之碳數1~10之伸烴基； <br/>*1及*2表示和式中之芳香環的碳原子之原子鍵；惟，*1及*2鍵結於芳香環之相鄰的碳原子。
如請求項1之阻劑組成物，其中，該含羧基之化合物為含有下式(2)表示之重複單元的聚合物或下式(3)表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="105px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子、鹵素原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>A</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-X<sup>A1</sup>-；X<sup>A1</sup>為碳數1~10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，且該飽和伸烴基也可含有羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環；*表示和主鏈之碳原子的原子鍵； <br/>k為1、2、3或4； <br/>R<sup>11</sup>為碳數1~40之k價烴基或碳數2~40之k價雜環基，k為2時，R<sup>11</sup>也可為醚鍵、羰基、偶氮基、硫醚鍵、碳酸酯鍵、胺基甲酸酯鍵、亞磺醯基或磺醯基；又，該k價烴基或k價雜環基之氫原子的一部分或全部也可被含雜原子之基取代，且該k價烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被含雜原子之基取代； <br/>R<sup>12</sup>為單鍵或碳數1~10之伸烴基，且該伸烴基之氫原子的一部分或全部也可被含雜原子之基取代，且該伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被含雜原子之基取代；k為2、3或4時，各R<sup>12</sup>可互為相同也可相異。
一種疊層體，具備： <br/>基板，及 <br/>於該基板上得自如請求項1或2之阻劑組成物的阻劑膜。
如請求項3之疊層體，其中，於該基板與該阻劑膜之間具備下層膜。
如請求項3之疊層體，其中，該阻劑膜係藉由該超原子價碘化合物與含羧基之化合物的配位子交換而形成者。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1或2之阻劑組成物於基板上或疊層有下層膜之基板的該下層膜上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>將該已曝光之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
一種安裝於一車輛的雷達裝置，包括：<br/> 一雷達模組，包含：<br/> 一天線，用以發射或接受一雷達訊號；<br/> 一訊號連接器；以及<br/> 一外殼，包覆該天線及該訊號連接器，其中，該外殼包含對應該天線的一天線區域及圍繞該訊號連接器的一連接部；以及<br/> 一調整機構，包括一雷達固定部，其中該雷達固定部用於固定該雷達模組於該車輛上，且該雷達固定部包含一天線視窗及一連接器保護部，其中該天線視窗露出該天線區域，及該連接器保護部覆蓋該連接部。
如請求項1所述之雷達裝置，其中該雷達模組更包括一控制器，耦接於該天線及該訊號連接器，並被包覆於該外殼中，<br/> 其中該控制器用以控制該天線從對應該天線的天線區域穿過該天線視窗產生一雷達偵測範圍，並藉由該訊號連接器輸出該雷達偵測範圍中所產生的一雷達反射訊號。
如請求項2所述之雷達裝置，其中調整機構更包括一車輛安裝部，用於固定於該車輛的一第一側，<br/> 其中該雷達固定部樞接於該車輛安裝部，使該雷達固定部可樞轉於該車輛安裝部。
如請求項2所述之雷達裝置，更包含一第一面及相對於該第一面之一第二面，其中，該第一面位於該雷達固定部且面向該雷達模組產生的一雷達波束的前進方向，及該第二面位於該車輛安裝部且面向該車輛，其中藉由調整該雷達固定部樞轉於該車輛安裝部的角度，使該第一面平行於該第二面，或使該第一面相對於該第二面具有一傾角。
如請求項4所述之雷達裝置，其中，該傾角的角度介於正7度至負7度之間。
如請求項4所述之雷達裝置，該雷達偵測範圍包括一警示區域，其中該警示區域涵蓋位於該第一側正前方且具有一第一寬度大於該第一側的一第二寬度
如請求項6所述之雷達裝置，其中該傾角的調整係對應於該雷達偵測範圍的該警示區域的一偵測高度的上下限。
如請求項2所述之雷達裝置，更包含複數個固件連接該車輛安裝部及該雷達固定部。
如請求項8所述之雷達裝置，其中該雷達固定部包含一第一開孔以及一第二開孔對應該複數個固件，其中該第一開孔與該第二開孔的形狀不同。
如請求項1所述之雷達裝置，其中該雷達模組的中心點與地面具有介於40cm至140cm之間的一垂直距離。
一種形成積體電路之方法，包含：<br/>在一積體電路的一層間介電層上方形成一圖案化層； <br/>利用一第一微影製程在該圖案化層中形成複數第一溝槽； <br/>在該圖案化層上及該些第一溝槽中保形地沉積一介電層； <br/>藉由自該圖案化層的一頂表面移除該介電層而自該介電層形成複數間隔物，該些間隔物之各者加襯該些第一溝槽之各者的多個側壁； <br/>在該層間介電層中形成複數第一金屬線，該些第一金屬線之各者與該些間隔物中的一者橫向自對準；及 <br/>在該層間介電層中形成複數第二金屬線，該些第二金屬線與該些第一金屬線橫向交錯且各自與相鄰之該些間隔物之間的一縫隙橫向自對準。
如請求項1所述之方法，包含： <br/>利用一第二微影製程，在該圖案化層與該層間介電層之間的一硬遮罩層中，形成複數第二溝槽在該些第一溝槽下方的該硬遮罩層中；及 <br/>利用一第三微影製程，在該硬遮罩層中，基於該些間隔物形成與該些第一溝槽橫向交錯的複數第三溝槽。
如請求項1所述之方法，其中該圖案化層為非晶矽。
如請求項2所述之方法，其中該硬遮罩層包括位於該層間介電層上的一第一硬遮罩子層、位於該第一硬遮罩子層上的一第二硬遮罩子層及位於該第二硬遮罩子層上的一第三硬遮罩子層。
如請求項4所述之方法，其中該第一硬遮罩子層及該第三硬遮罩子層為四乙氧基矽烷。
一種形成積體電路之方法，包含： <br/>利用一第一微影及蝕刻製程在一層間介電層上方的一圖案化層中形成複數第一溝槽； <br/>形成複數間隔物，該些間隔物之各者加襯該些第一溝槽之各者的多個側壁且彼此隔離； <br/>利用一第二微影製程在該圖案化層下方的一硬遮罩層中形成複數第二溝槽；及 <br/>在該硬遮罩層中形成與該些第二溝槽橫向交替的複數第三溝槽，該些第二溝槽及該些第三溝槽與該些間隔物橫向自對準。
如請求項6所述之方法，包含： <br/>利用一第一蝕刻製程在該層間介電層中以該些第二溝槽的一圖案形成多個第四溝槽； <br/>利用該第一蝕刻製程在該層間介電層中以該些第三溝槽的一圖案形成多個第五溝槽； <br/>在該些第四溝槽中形成多個第一金屬線；及 <br/>藉由利用沉積製程沉積金屬而在該些第五溝槽中形成多個第二金屬線。
如請求項7所述之方法，其中該硬遮罩層包括一第一硬遮罩子層及位於該第一硬遮罩子層上的一第二硬遮罩子層。
一種積體電路，包含： <br/>複數電晶體； <br/>一層間介電層，位於該些電晶體上方； <br/>複數第一金屬線，在該層間介電層中在一第一橫向方向上延伸；及 <br/>複數第二金屬線，在該層間介電層中在該第一橫向方向上延伸且在橫向於該第一橫向方向的一第二橫向方向上與該些第一金屬線交替，其中該些第一金屬線具有多個不同的端至端尺寸，其中該些第二金屬線具有多個不同的端至端尺寸。
如請求項9所述之積體電路，其中該些第一金屬線及該些第二金屬線為一SRAM單元的部分。
一種用於排油煙機的可調式吊掛件，其係包含有：<br/>一本體，該本體設有一鎖固片及一吊掛片，該吊掛片與該鎖固片呈一夾角設置；<br/>至少一鎖固調整溝，該至少一鎖固調整溝貫穿該本體的鎖固片且設有一導引段及至少一調整段，該導引段沿著該本體鎖固片的長度方向延伸設置，該至少一調整段位於該導引段的一端且沿著該本體鎖固片的寬度方向延伸設置，且該至少一調整段與該導引段相連通；以及<br/>至少一吊掛調整孔，該至少一吊掛調整孔貫穿該本體的吊掛片且設有一穿孔部、一連通段及一吊掛調整部，該穿孔部貫穿該本體的吊掛片，該連通段貫穿該本體的吊掛片且與該穿孔部相連通，且該連通段沿著該本體吊掛片的長度方向延伸，該吊掛調整部貫穿該本體的吊掛片且沿著該本體吊掛片的寬度方向延伸，且該吊掛調整部與該連通段遠離該穿孔部的一端相連通，使該連通段位於該穿孔部及該吊掛調整部之間。
如請求項1所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該至少一調整段設有兩間隔設置的調整槽。
如請求項2所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該至少一調整段於內表面凸設有數個凸肋，且於各該凸肋之間形成所述的調整槽。
如請求項3所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該至少一調整段設有三個間隔設置的調整槽。
如請求項1至4中任一項所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該至少一鎖固調整溝於該導引段的兩端分別設有一所述的調整段，使該至少一鎖固調整溝略呈一U字型結構。
如請求項5所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該可調式吊掛件於該本體的鎖固片上設有兩間隔設置的鎖固調整溝。
如請求項6所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該可調式吊掛件於該本體的吊掛片上設有兩間隔設置的吊掛調整孔。
如請求項7所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該吊掛片與該鎖固片之間的夾角介於88~92˚之間。
如請求項7所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該可調式吊掛件於該本體的吊掛片貫穿設有至少一固定孔。
如請求項1至4中任一項所述之用於排油煙機的可調式吊掛件，其中該可調式吊掛件於該本體的鎖固片上設有兩間隔設置的鎖固調整溝，該可調式吊掛件於該本體的吊掛片上設有兩間隔設置的吊掛調整孔。
一種加熱不燃燒設備，包括：<br/> 一殼體，被配置為與一加熱煙草（HT）耗材接合；<br/> 一加熱元件，具有與該殼體連接的一基部；<br/> 複數個空氣入口，被界定在該殼體處；<br/> 其中該複數個空氣入口被配置為允許一空氣流在該加熱元件的該基部附近進入該殼體，<br/> 該加熱不燃燒設備的特徵是，該複數個空氣入口是界定在該殼體處且在緊鄰該加熱元件的該基部的一位置處的開口；<br/> 其中該設備包括一頂蓋，該頂蓋界定用於接收該HT耗材的一空腔；<br/> 其中該頂蓋在一開啟位置與一關閉位置之間可移動，在該開啟位置下，提供對該加熱元件的進出口，在該關閉位置下，該頂蓋至少部分地包圍該加熱元件；<br/> 其中當該頂蓋處於該關閉位置時，在該頂蓋附近提供該複數個空氣入口；<br/> 其中當該頂蓋處於該關閉位置時，在該頂蓋與該殼體之間存在一間隙，及<br/> 其中該間隙形成提供空氣入口的一谷或凹部，使得在使用時，該空氣流可以通過該間隙及該等空氣入口進入該殼體。
如請求項1所述的加熱不燃燒設備，其中該頂蓋在該開啟位置與該關閉位置之間可滑動。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該加熱元件位於該空腔中。
如請求項1所述的加熱不燃燒設備，其中該殼體包括一凸起面，並且其中該複數個空氣入口界定在該凸起面附近。
如請求項4所述的加熱不燃燒設備，其中該凸起面促進一使用者抓握該加熱不燃燒設備。
如請求項4所述的加熱不燃燒設備，其中該凸起面沿著該殼體的一縱軸線延伸。
如請求項6所述的加熱不燃燒設備，其中該複數個空氣入口被界定在該凸起面的一端部處。
如請求項4至7中的任一項所述的加熱不燃燒設備，其中該複數個空氣入口被界定在該凸起面的兩側處。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該複數個空氣入口被界定在該殼體的一主要面處。
如請求項9所述的加熱不燃燒設備，其中該主要面包括該殼體的一前面板。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該複數個空氣入口中的每一者包括一通孔。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該等空氣入口是延伸通過該殼體的空氣流通道，其中該等空氣流通道是相對於該設備的該縱軸線以一角度提供的。
如請求項12所述的加熱不燃燒設備，其中該角度為至少5°至85°。
如請求項13所述的加熱不燃燒設備，其中該角度為約45°。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該加熱元件由陶瓷形成。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，包括沿著該加熱元件縱向延伸的一加熱軌路。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該加熱元件被配置為插入該HT耗材。
如請求項1或2所述的加熱不燃燒設備，其中該設備包括一噗氣感測器，並且其中該等空氣入口被提供在該噗氣感測器附近。
一種吸煙替代系統，包括：<br/> 如請求項1或2所述的一加熱不燃燒設備；及<br/> 一煙霧形成基材，包括一加熱煙草（HT）耗材。
一種包覆板，係具備有： <br/>第1金屬層，其係由含Ni與Cr的Fe合金構成，熱膨脹率為5.0×10<sup>-6</sup>/K以上且15.0×10<sup>-6</sup>/K以下、且厚度為TB； <br/>第2金屬層，其係由Cu或Cu合金構成，熱膨脹率為16.0×10<sup>-6</sup>/K以上且21.0×10<sup>-6</sup>/K以下、熱傳導率為100W/(m・K)以上且400W/(m・K)以下、厚度為TC；以及 <br/>第3金屬層，其係由含Ag與Cu的Ag合金構成； <br/>在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層； <br/>上述TB係0.015mm以上且0.080mm以下，上述TC係0.005mm以上且0.020mm以下，TB/TC係2.0以上且12.0以下。
如請求項1之包覆板，其中，上述包覆板更進一步具備有由Ni或Ni合金構成的第4金屬層；在上述第4金屬層與上述第1金屬層之間、上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層。
一種氣密密封用蓋材，係由包覆板構成，藉由對劃分收容空間的陶瓷箱，利用焊接將內建電子電路之小型零組件密封於封裝的收容空間內之氣密密封用蓋材； <br/>上述包覆板係具備有： <br/>第1金屬層，其係由含Ni與Cr的Fe合金構成，熱膨脹率為5.0×10<sup>-6</sup>/K以上且15.0×10<sup>-6</sup>/K以下、且厚度為TB； <br/>第2金屬層，其係由Cu或Cu合金構成，熱膨脹率為16.0×10<sup>-6</sup>/K以上且21.0×10<sup>-6</sup>/K以下、熱傳導率為100W/(m・K)以上且400W/(m・K)以下、厚度為TC；以及 <br/>第3金屬層，其係由含Ag與Cu的Ag合金構成； <br/>在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層，上述TB係0.015mm以上且0.080mm以下，上述TC係0.005mm以上且0.020mm以下，TB/TC係2.0以上且12.0以下。
如請求項3之氣密密封用蓋材，其中，上述包覆板更進一步具備有由Ni或Ni合金構成的第4金屬層；在上述第4金屬層與上述第1金屬層之間、上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層。
一種小型零組件收容封裝，係具備有： <br/>內建有電子電路之小型零組件； <br/>上述小型零組件的收容空間； <br/>劃分出上述收容空間之陶瓷箱；以及 <br/>氣密密封用蓋材，其係由包覆板構成，藉由對上述陶瓷箱施行焊接，而將上述小型零組件密封於上述收容空間中；其中， <br/>上述包覆板係具備有： <br/>第1金屬層，其係由含Ni與Cr的Fe合金構成，熱膨脹率為5.0×10<sup>-6</sup>/K以上且15.0×10<sup>-6</sup>/K以下、且厚度為TB； <br/>第2金屬層，其係由Cu或Cu合金構成，熱膨脹率為16.0×10<sup>-6</sup>/K以上且21.0×10<sup>-6</sup>/K以下、熱傳導率為100W/(m・K)以上且400W/(m・K)以下、厚度為TC；以及 <br/>第3金屬層，其係由含Ag與Cu的Ag合金構成； <br/>在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層，上述TB係0.015mm以上且0.080mm以下，上述TC係0.005mm以上且0.020mm以下，TB/TC係2.0以上且12.0以下。
如請求項5之小型零組件收容封裝，其中，上述包覆板更進一步具備有由Ni或Ni合金構成的第4金屬層；在上述第4金屬層與上述第1金屬層之間、上述第1金屬層與上述第2金屬層之間、及上述第2金屬層與上述第3金屬層之間設有擴散層。
一種磁性儲存裝置，包含： <br/>第一磁性層； <br/>第一預定元素含有層，含有氧（O）並含有從鈧（Sc）、釔（Y）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、鋁（Al）、矽（Si）、鑭（La）、鈰（Ce）、鐠（Pr）、釹（Nd）、鉕（Pm）、釤（Sm）、銪（Eu）、釓（Gd）、鋱（Tb）、鈥（Ho）、鏑（Dy）、鉺（Er）、鐿（Yb）和鎦（Lu）中選擇的至少一種第一預定元素； <br/>第二磁性層，設置於所述第一磁性層與所述第一預定元素含有層之間； <br/>第二預定元素含有層，設置於所述第一預定元素含有層與所述第二磁性層之間，其中所述第二預定元素含有層實質上僅含有從磷（P）、砷（As）、銻（Sb）、鉍（Bi）、硫（S）、硒（Se）和碲（Te）中選擇的至少一種第二預定元素；以及 <br/>非磁性層，設置於所述第一磁性層與所述第二磁性層之間。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第一磁性層具有固定磁化方向，且所述第二磁性層具有可變磁化方向。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第一磁性層含有從鐵（Fe）和鈷（Co）中選擇的至少一種元素。
如請求項3所述的磁性儲存裝置，其中所述第一磁性層進一步含有硼（B）。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二磁性層含有從鐵（Fe）和鈷（Co）中選擇的至少一種元素。
如請求項5所述的磁性儲存裝置，其中所述第二磁性層進一步含有硼（B）。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述非磁性層含有鎂（Mg）和氧（O）。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二預定元素含有層與所述第一預定元素含有層接觸。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二預定元素含有層與所述第二磁性層接觸。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二磁性層與所述非磁性層接觸。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第一磁性層與所述非磁性層接觸。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第一磁性層具有垂直磁化。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二磁性層具有垂直磁化。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二預定元素含有層具有1奈米以下的厚度。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，進一步包含第三磁性層，所述第三磁性層具有與所述第一磁性層的磁化方向反平行的磁化方向，其中所述第一磁性層設置在所述非磁性層和所述第三磁性層之間。
如請求項15所述的磁性儲存裝置，進一步包含中間層，所述中間層包括銥（Ir）或釕（Ru），其中所述中間層設置在所述第一磁性層和所述第三磁性層之間。
如請求項15所述的磁性儲存裝置，其中所述第三磁性層具有垂直磁化。
如請求項15所述的磁性儲存裝置，其中所述第三磁性層具有固定磁化方向。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第一預定元素含有層設置在所述第二預定元素含有層的上表面上。
如請求項1所述的磁性儲存裝置，其中所述第二預定元素含有層設置在所述第一預定元素含有層的上表面上。
一種鐵水的脫磷方法，向保持於容器中的鐵水供給造渣材料及氧源且向所述鐵水中吹入攪拌氣體，藉此一邊進行攪拌一邊進行所述鐵水的脫磷處理，所述鐵水的脫磷方法的特徵在於， <br/>所述脫磷處理開始時的所述鐵水的溫度為1650℃～1750℃， <br/>藉由使所述造渣材料熔解於所述鐵水中而生成的熔渣中所含的CaO相對於SiO<sub>2</sub>的質量比即鹼度為4.0～6.0， <br/>在標準狀態的體積基準下，所述氧源中的以氧氣計的每單位時間的供給量與為了攪拌所述鐵水而供給的所述攪拌氣體的每單位時間的供給量之比即供給氣體速度比為1～100的範圍。
如請求項1所述的鐵水的脫磷方法， <br/>在所述脫磷處理之前，在熔解爐中將冷鐵源熔解而獲得鐵水後，將所述鐵水自所述熔解爐出鐵至所述容器時，將與所述鐵水一起流入所述容器中的熔渣自所述鐵水分離。
一種圖像處理系統，係處理帶電粒子束裝置所得到的試料的觀察圖像之圖像處理系統，具備： <br/> 圖像顯示部，顯示前述觀察圖像； <br/> 輪廓抽出部，基於事先設定好的參數的第1設定值，從前述觀察圖像抽出有關前述試料的構造上的交界的第1輪廓資訊； <br/> 第1輪廓資訊顯示部，將藉由前述輪廓抽出部抽出的第1輪廓資訊顯示於前述觀察圖像上； <br/> 第2輪廓資訊受理部，受理有關前述觀察圖像中可目視確認的交界的第2輪廓資訊的輸入； <br/> 參數值取得部，以前述觀察圖像中的前述第1輪廓資訊與前述第2輪廓資訊之差異最小化之方式，取得和前述第1設定值相異的第2設定值。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 更具備：第3輪廓資訊顯示部，將基於藉由前述參數值取得部取得的前述第2設定值而由前述輪廓抽出部抽出的第3輪廓資訊顯示於前述觀察圖像上。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述參數有複數種類， <br/> 複數個前述參數的1個，為用來除去圖像的噪訊的參數。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述參數有複數種類， <br/> 複數個前述參數的1個，為決定區別圖像的區域的閾值的參數。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述輪廓抽出部，基於顯示於前述圖像顯示部的觀察圖像，受理用來規定前述構造上的交界的基準線以及基準點的輸入，基於前述基準線以及前述基準點、前述第1設定值而從前述觀察圖像抽出前述第1輪廓資訊。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述第1輪廓資訊在顯示於前述圖像顯示部的前述觀察圖像上被移動， <br/> 藉由前述第1輪廓資訊被移動而前述第2輪廓資訊受到整形， <br/> 前述第1輪廓資訊在前述觀察圖像上所能夠移動的範圍被顯示於前述觀察圖像上。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述參數有複數種類， <br/> 複數個前述參數的1個，為用來使前述觀察圖像當中的被選擇的區域的圖像變得平滑的平滑化濾波處理的核尺寸(kernel size)。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述參數有複數種類， <br/> 複數個前述參數的1個，為針對前述觀察圖像當中的白色區域不使其變化而從前述白色區域除去黑點噪訊的開(opening)處理的核尺寸。
如請求項1記載的圖像處理系統，其中， <br/> 前述參數有複數種類， <br/> 複數個前述參數的1個，為針對前述觀察圖像當中的黑色區域不使其變化而從前述黑色區域除去白點噪訊的閉(closing)處理的核尺寸。
一種圖像處理方法，係處理帶電粒子束裝置所得到的試料的觀察圖像之圖像處理系統所執行的圖像處理方法， <br/> 前述圖像處理系統， <br/> 顯示前述觀察圖像， <br/> 基於事先設定好的參數的第1設定值，從前述觀察圖像抽出有關前述試料的構造上的交界的第1輪廓資訊， <br/> 將抽出的前述第1輪廓資訊顯示於前述觀察圖像上， <br/> 受理有關前述觀察圖像中可目視確認的交界的第2輪廓資訊的輸入， <br/> 以前述觀察圖像中的前述第1輪廓資訊與前述第2輪廓資訊之差異最小化之方式，取得和前述第1設定值相異的第2設定值。
一種顯示裝置，係處理帶電粒子束裝置所得到的試料的觀察圖像之圖像處理系統中運用的顯示裝置， <br/> 前述顯示裝置， <br/> 基於事先設定好的參數的第1設定值，將從前述觀察圖像抽出的有關前述試料的構造上的交界的第1輪廓資訊顯示於前述觀察圖像上， <br/> 受理有關前述觀察圖像中可目視確認的交界的第2輪廓資訊的輸入， <br/> 以前述觀察圖像中的前述第1輪廓資訊與前述第2輪廓資訊之差異最小化之方式，取得和前述第1設定值相異的第2設定值，將基於取得的前述第2設定值而抽出的第3輪廓資訊顯示於前述觀察圖像上。
一種具抗氧化物質之熟成番茄，其係將一番茄經一超音波前處理，再經一熟成處理而獲得，其中<br/> 該熟成番茄可抑制α-葡萄糖苷酶活性；<br/> 該超音波前處理係於40kHz之頻率下，以90~390W之功率對該番茄進行15~30分鐘之前處理；以及<br/> 該熟成處理係於50~75℃、相對溼度60~80%下，對經該超音波前處理後之該番茄熟成3~4週。
如請求項1所述之熟成番茄，其中該熟成番茄中含有5-羥甲基糠醛(5-HMF)。
如請求項1所述之熟成番茄，其中該熟成番茄中不含糠醛。
如請求項1所述之熟成番茄，其中該熟成番茄具有延緩血糖上升之效果。
一種具抗氧化物質之熟成番茄的製備方法，其包含以下步驟：<br/> 步驟S1：將番茄進行一超音波前處理，獲得一經前處理之番茄；以及<br/> 步驟S2：將該經前處理之番茄進行一熟成處理，獲得一熟成番茄，其中<br/> 該超音波前處理係於40kHz之頻率下，以90~390W之功率對該番茄進行15~30分鐘之前處理；以及<br/> 該熟成處理係於50~75℃、相對溼度60~80%下，對該經前處理之番茄熟成3~4週。
如請求項5所述之製備方法，其中該熟成番茄中含有5-羥甲基糠醛(5-HMF)。
如請求項5所述之製備方法，其中該熟成番茄中不含糠醛。
如請求項5所述之製備方法，其中該熟成番茄具有延緩血糖上升之效果。
一種眼部參數測量儀器，其中，包括：<br/> 波前預補償裝置，該波前預補償裝置包括依次設置的補償光源、準直透鏡和第一4f系統；<br/> 波前像差測量裝置，該波前像差測量裝置包括依次設置的第二4f系統、第一分光元件和波前像差儀；<br/> 角膜地形測量裝置，該角膜地形測量裝置包括依次設置的Placido disc結構、第三4f系統、第二分光元件和圖像採集元件；該Placido disc結構朝向被測者的眼部；<br/> 其中，該第一4f系統的光路與該第三4f系統的光路交匯於該第二分光元件；該第二4f系統的光路與該第三4f系統的光路交匯於該第一分光元件。
如請求項1所述的眼部參數測量儀器，其中，該補償光源包括第一光源、第二光源和耦合光纖，該第一光源發出的光束和該第二光源發出的光束通過該耦合光纖合成一束光束；該第一光源用於為該波前像差測量裝置提供光源；該第二光源用於確定被檢查者的眼睛位置是否正確。
如請求項1所述的眼部參數測量儀器，其中，該第一4f系統包括依次設置的第一前消色差透鏡和第一後消色差透鏡。
如請求項3所述的眼部參數測量儀器，其中，該第二分光元件設置在該第一前消色差透鏡和該第一後消色差透鏡之間。
如請求項4所述的眼部參數測量儀器，其中，該第二4f系統包括第二前消色差透鏡和該第一後消色差透鏡，該第一分光元件和該第二分光元件依次設置在該第二前消色差透鏡和該第一後消色差透鏡之間。
如請求項5所述的眼部參數測量儀器，其中，該眼部參數測量儀器還包括第一光欄，該第一光欄設置在該第一分光元件和該第二分光元件之間，或者，該第一光欄設置在該第二前消色差透鏡和該第一分光元件之間。
如請求項3所述的眼部參數測量儀器，其中，該第二分光元件設置在該第一後消色差透鏡和該Placido disc結構之間。
如請求項7所述的眼部參數測量儀器，其中，該第二4f系統包括第二前消色差透鏡和第二後消色差透鏡，該第二分光元件設置在該第二後消色差透鏡和該Placido disc結構之間；該第一分光元件設置在該第二前消色差透鏡和該第二後消色差透鏡之間。
如請求項8所述的眼部參數測量儀器，其中，該眼部參數測量儀器還包括第一光欄，該第一光欄設置在該第二前消色差透鏡和該第一分光元件之間；或者，該第一光欄設置在該第一分光元件與該第二後消色差透鏡之間。
如請求項6所述的眼部參數測量儀器，其中，該第三4f系統包括第三前消色差透鏡和該第一後消色差透鏡，該第一分光元件和該第二分光元件依次設置在該第三前消色差透鏡和該第一後消色差透鏡之間。
如請求項6所述的眼部參數測量儀器，其中，該第三4f系統包括第三前消色差透鏡和第二後消色差透鏡，該第二分光元件設置在該第二後消色差透鏡和該Placido disc結構之間；該第一分光元件設置在該第三前消色差透鏡和該第二後消色差透鏡之間。
如請求項10或11所述的眼部參數測量儀器，其中，該眼部參數測量儀器還包括第二光欄，該第二光欄設置在該第三前消色差透鏡和該第一分光元件之間。
如請求項12所述的眼部參數測量儀器，其中，該眼部參數測量儀器還包括第一帶通濾波片，該第一帶通濾波片設置在該波前像差儀與該第三前消色差透鏡之間。
如請求項13所述的眼部參數測量儀器，其中，該部參數測量儀器還包括第二帶通濾波片，該第二帶通濾波片設置在該圖像採集元件與該第二前消色差透鏡之間。
如請求項1所述的眼部參數測量儀器，其中，該Placido disc結構中設有照明單元。
一種表面改質奈米鑽石，其含有奈米鑽石粒子、及對上述奈米鑽石粒子進行表面改質之下述式（1）所表示之基， <br/>-X-R<sup>1</sup> （1） <br/>[於式（1）中，X表示-NH-、-O-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-NH-C(=O)-、-C(=O)-NH-、或-S-，自X向左伸出之鍵結鍵與奈米鑽石粒子鍵結；R<sup>1</sup>表示不具有羥基、羧基、胺基、單取代胺基、末端烯基、及末端環氧基的一價有機基，與X鍵結之原子為碳原子；其中，於式（1）中，碳原子相對於選自由氮原子、氧原子、硫原子、及矽原子所組成之群中之雜原子之總量的莫耳比為4.5以上]， <br/>上述奈米鑽石粒子相對於表面改質基（X）之質量比為0.5～7.0， <br/>上述表面改質奈米鑽石係藉由具有以下步驟之表面改質奈米鑽石粒子之製造方法而製造：於表面具有羥基或羧基之奈米鑽石粒子奈米分散於水之狀態下，且於酸觸媒之存在下，使上述奈米鑽石粒子與下述式（2）所表示之化合物反應，從而獲得表面改質奈米鑽石粒子； <br/>R<sup>2</sup>-Y-H （2） <br/>[於式（2）中，Y表示-NH-、-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、或-S-；R<sup>2</sup>表示經取代或未經取代之碳數6～22之直鏈狀或支鏈狀烴基之一價有機基，與Y鍵結之原子為碳原子]。
如請求項1之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（1）中，X表示-O-、-O-C(=O)-、或-C(=O)-O-，R<sup>1</sup>表示不具有羥基、羧基、胺基、單取代胺基、末端烯基、及末端環氧基的一價之經取代或未經取代之烴基。
如請求項1之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（1）中，X表示-O-、-O-C(=O)-、或-C(=O)-O-，R<sup>1</sup>表示不具有末端烯基的碳數8～20之直鏈狀或支鏈狀烴基。
如請求項1之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（1）中，X表示-NH-。
如請求項1之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（1）中，X表示-NH-，R<sup>1</sup>表示含有8～20個碳原子、且不具有羥基、羧基、胺基、單取代胺基、末端烯基、及末端環氧基的一價有機基。
如請求項1之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（1）中，X表示-NH-，R<sup>1</sup>表示含有4個以上之碳原子直鏈狀地相連之烴基、且不具有羥基、羧基、胺基、單取代胺基、末端烯基、及末端環氧基的一價有機基。
一種表面改質奈米鑽石，其含有奈米鑽石粒子、及對上述奈米鑽石粒子進行表面改質之下述式（I）所表示之基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="51px" width="226px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[於式（I）中，X<sup>1</sup>表示-C(=O)-O-或-C(=O)-NH-，自X<sup>1</sup>向左伸出之鍵結鍵與奈米鑽石粒子鍵結；R<sup>A</sup>表示碳數6～12之二價之直鏈狀或支鏈狀烴基，與X<sup>1</sup>鍵結之原子為碳原子；R<sup>B</sup>表示一價有機基]， <br/>上述表面改質奈米鑽石係藉由具有以下步驟之表面改質奈米鑽石粒子之製造方法而製造：於表面具有羥基或羧基之奈米鑽石粒子奈米分散於水之狀態下，且於酸觸媒之存在下，使上述奈米鑽石粒子與下述式（2）所表示之化合物反應，從而獲得表面改質奈米鑽石粒子； <br/>R<sup>2</sup>-Y-H （2） <br/>[於式（2）中，Y表示-C(=O)-O-、或-C(=O)-NH-；R<sup>2</sup>表示經取代或未經取代之碳數6～22之直鏈狀或支鏈狀烴基之一價有機基，與Y鍵結之原子為碳原子]。
如請求項7之表面改質奈米鑽石，其中，於上述式（I）中，R<sup>B</sup>為碳數6～12之一價之直鏈狀或支鏈狀烴基。
一種擺線型減速機，包括：<br/> 一輸入軸，沿一軸向設置；<br/> 一擺線齒盤，包含一中軸孔、一外齒部以及複數個軸孔，其中該中軸孔沿該軸向貫穿該擺線齒盤，且組配供該輸入軸穿設，該外齒部設置於該擺線齒盤的外環面，該複數個軸孔等距環繞設置於該中軸孔與該外齒部之間；<br/> 一滾柱輪組，套設於該擺線齒盤上，且包含複數個滾柱於空間上相對於該擺線齒盤的該外齒部； <br/> 複數個連接軸，通過該複數個軸孔貫穿該擺線齒盤，且平行該軸向，其中該複數個連接軸選自一長直軸和一短直軸的組合；以及<br/> 一第一輸出盤以及一第二輸出盤，分別設置於該擺線齒盤的兩相反側，通過該複數個連接軸與該擺線齒盤連接，其中該複數個連接軸之每一者固定於該第一輸出盤，每一該短直軸形成一鎖固端，每一該長直軸形成一卡合端，該鎖固端連接該第二輸出盤，該卡合端貫穿該第二輸出盤並與該第二輸出盤卡合，使該第一輸出盤與該第二輸出盤保持同軸，其中當該輸入軸驅動該擺線齒盤的該外齒部與該滾柱輪組的該複數個滾柱嚙合作用，該擺線齒盤藉由與該複數個連接軸之轉動，使得該複數個連接軸帶動該第一輸出盤及該第二輸出盤轉動。
如請求項1所述的擺線型減速機，其中該複數個連接軸由該第一輸出盤的外側向內貫穿固定於該第一輸出盤，且由該第一輸出盤的內側向該第二輸出盤延伸形成該卡合端或該鎖固端。
如請求項2所述的擺線型減速機，其中該鎖固端接抵該第二輸出盤的內側。
如請求項3所述的擺線型減速機，其中該鎖固端包括一螺紋孔和一螺絲，該第二輸出盤包括一螺紋穿孔於空間上相對該螺紋孔和該螺絲，且平行該軸向，其中該螺絲通過該螺紋穿孔與該螺紋孔鎖固，使該鎖固端接抵該第二輸出盤的內側並彼此固定。
如請求項2所述的擺線型減速機，其中該卡合端經該第二輸出盤的內側貫穿該第二輸出盤。
如請求項5所述的擺線型減速機，其中該卡合端更包括一內孔以及一固定插件，其中該第二輸出盤包括一固定孔於空間上相對該內孔和該固定插件，且平行該軸向，其中該卡合端貫穿該第二輸出盤的該固定孔，該固定插件沿平行該軸向的方向插入該內孔，使該卡合端與該固定孔產生干涉而固定。
如請求項6所述的擺線型減速機，其中該固定插件插入該卡合端的該內孔後，使該卡合端的外徑膨脹與該第二輸出盤干涉固定。
如請求項1所述的擺線型減速機，其中該擺線齒盤的該中軸孔通過一滾針軸承套設於該輸入軸的一偏心部。
如請求項8所述的擺線型減速機，更包括一間隔環，該間隔環設置於該輸入軸的該偏心部和一深溝軸承之間。
一種擺線型減速機的組裝方法，包括步驟：<br/> (a) 提供一第一輸出盤以及複數個連接軸，該複數個連接軸固定於該第一輸出盤且平行於一軸向，其中該複數個連接軸選自一長直軸和一短直軸的組合，每一該短直軸形成一鎖固端，每一該長直軸形成一卡合端；<br/> (b) 提供一輸入軸和一擺線齒盤，其中該輸入軸沿該軸向設置於該第一輸出盤，該擺線齒盤包含一中軸孔、一外齒部以及複數個軸孔，其中該中軸孔沿該軸向貫穿該擺線齒盤，且供該輸入軸穿設，該外齒部設置於該擺線齒盤的外環面，該複數個軸孔等距環繞設置於該中軸孔與該外齒部之間，且供該複數個連接軸貫穿且平行該軸向；<br/> (c) 提供一滾柱輪組，套設於該擺線齒盤上，且包含複數個滾柱於空間上相對於該擺線齒盤的該外齒部； <br/> (d) 提供一第二輸出盤，設置於該擺線齒盤遠離該第一輸出盤的另一側，並通過該複數個連接軸與該第一輸出盤連接，其中該鎖固端連接該第二輸出盤，該卡合端貫穿該第二輸出盤；<br/> (e) 使該鎖固端通過一螺絲與該第二輸出盤鎖固而固定；以及<br/> (f) 使該卡合端通過一固定插件插入該卡合端的一內孔而與該第二輸出盤產生緊配干涉並固定。
如請求項10所述的擺線型減速機的組裝方法，其中於該步驟(a)中，該複數個連接軸由該第一輸出盤的外側向內貫穿固定於該第一輸出盤，且由該第一輸出盤的內側向該第二輸出盤延伸形成該卡合端或該鎖固端。
如請求項10所述的擺線型減速機的組裝方法，其中該鎖固端包括一螺紋孔和該螺絲，該第二輸出盤包括一螺紋穿孔於空間上相對該螺紋孔和該螺絲，且平行該軸向，其中於該步驟(d)中，該螺絲通過該螺紋穿孔與該螺紋孔鎖固，使該鎖固端接抵該第二輸出盤的內側並彼此固定。
如請求項10所述的擺線型減速機的組裝方法，其中該第二輸出盤包括一固定孔於空間上相對該內孔和該固定插件，且平行該軸向，其中於該步驟(f)中，該卡合端貫穿該第二輸出盤的該固定孔，該固定插件沿平行該軸向的方向插入該內孔，使該卡合端與該固定孔產生干涉而固定。
如請求項10所述的擺線型減速機的組裝方法，其中該擺線齒盤之該複數個軸孔分別通過一襯套套設於該複數個連接軸中所對應的該短直軸或該長直軸上。
一種飲品裝置，適用於一杯體且包括：<br/> 一冷卻單元，包括一入口端以及一出口端；以及<br/> 一汲排單元，包括：<br/> 一汲液件，連接於該入口端且適於進入該杯體；<br/> 一排液件，連接於該出口端；<br/> 一汲排驅動件，耦接於該汲液件與該排液件；<br/> 一汲排滑軌；以及<br/> 一汲排滑動驅動件，該汲液件與該排液件的至少其中之一滑設於該汲排滑軌，且該汲排滑動驅動件耦接於該至少其中之一。
如請求項1所述的飲品裝置，其中該汲液件與該排液件之間的距離小於該杯體的內徑。
如請求項1所述的飲品裝置，還包括一承載平台，該承載平台適於承載該杯體且適於相對於該汲液件移動。
如請求項3所述的飲品裝置，其中該承載平台形成有複數個排液孔或複數個排液間隙，且該承載平台可拆卸地連接於該汲排單元。
如請求項1所述的飲品裝置，還包括一遮擋件，該遮擋件連接於該汲排單元且適於遮擋該杯體的至少一部份。
如請求項5所述的飲品裝置，其中該遮擋件可滑動地、可樞轉地或可開闔地連接於該汲排單元。
如請求項1所述的飲品裝置，還包括一感測器，且該感測器用以偵測該杯體與該汲液件之間的相對位置。
如請求項7所述的飲品裝置，其中該感測器為一光感測器或一力感測器。
如請求項1所述的飲品裝置，其中該冷卻單元包括：<br/> 一第一冷卻部，該第一冷卻部內維持一第一溫度；<br/> 一第二冷卻部，該第二冷卻部內維持一第二溫度，且該第一溫度與該第二溫度彼此相異；<br/> 一第一冷卻管路，連接於該入口端且配置於該第一冷卻部內；以及<br/> 一第二冷卻管路，連接於該第一冷卻管路與該出口端之間且配置於該第二冷卻部內。
一種用於一晶圓容器之清洗埠總成，其包括： <br/>一清洗模組，其經構形以允許清洗氣體之進口流動；及 <br/>一過渡部分，其經安置於該清洗模組之一中間出口上，該過渡部分包含： <br/>一接收器，其具有經構形以接收自該清洗模組放出之該清洗氣體之一進口開口， <br/>一出口連接器，其經構形以與一擴散器附接，及 <br/>一中間導管，其將該接收器連接至該出口連接器，該中間導管具有自該接收器延伸至該出口連接器之一管形狀，且該中間導管具有使該出口連接器與該接收器間隔開之一長度， <br/>其中該中間導管包含一曲線。
如請求項1之清洗埠總成，其中該中間導管之一最小內截面積係至少13 mm<sup>2</sup>。
如請求項1之清洗埠總成，其中跨中間導管之一壓降在100 SLPM之一清洗氣體流速處小於20 kPa。
如請求項1之清洗埠總成，其中該曲線在沿該中間導管之一長度為連續。
如請求項1之清洗埠總成，其中該中間導管延伸使得當在平面圖中觀看該清洗埠總成時，該出口連接器與該接收器完全間隔開。
如請求項1之清洗埠總成，其中自該接收器之一上表面突出之中間導管之一部分具有比該接收器之一本體之一直徑之一半小之一寬度。
如請求項1之清洗埠總成，其中該接收器之該進口開口之一面積對該中間導管之一最小截面積之一比率等於或大於23:1。
如請求項1之清洗埠總成，其中在該接收器之一上表面上方突出之該中間導管之一部分經完全安置於該接收器之一中心線之一側上。
如請求項1之清洗埠總成，其中該過渡部分與該出口連接器一體成型。
如請求項1之清洗埠總成，其中該清洗模組及該過渡部分經構形以安置於該晶圓容器之一殼中之一開口中，該開口延伸穿過該晶圓容器之該殼之一底側且該清洗埠總成經構形以封鎖住該殼中之該開口。
如請求項10之清洗埠總成，其中該過渡部分經構形以自該開口延伸至該晶圓容器之一內部空間中。
一種晶圓容器，其包括： <br/>一殼，其包含一內部空間； <br/>一清洗埠總成，其延伸穿過該殼中之一開口而進入該內部空間，該清洗埠總成包含： <br/>一清洗模組，其經安置於該殼中之該開口中，該清洗模組包含經構形以允許清洗氣體之一止回閥；及 <br/>一過渡部分，其經安置於該殼中之該開口中之該清洗模組上，該過渡部分包含： <br/>一接收器，其具有經構形以接收自該清洗模組放出之該清洗氣體之一進口開口， <br/>一出口連接器，其經構形以與一擴散器附接，及 <br/>一中間導管，其將該接收器連接至該出口連接器，該中間導管具有自該接收器延伸至該出口連接器之一管形狀，該中間導管具有使該出口連接器與該接收器間隔開之一長度， <br/>其中該中間導管包含一曲線。
如請求項12之晶圓容器，其中： <br/>該過渡部分自該殼中之該開口延伸至該殼之該內部空間中， <br/>該過渡部分之該接收器經安置於該殼中之該開口中， <br/>該過渡部分之該出口連接器經安置於該殼之該內部空間中，且 <br/>該中間導管自該殼中之該開口延伸至該殼之該內部空間中。
如請求項12之晶圓容器，其中該晶圓容器係一前開式晶圓傳送盒，該殼包含一前開口及經構形以安置於該前開口中之一門。
如請求項12之晶圓容器，其進一步包括： <br/>該擴散器，該擴散器具有一柱形狀且包含經配合連接至該出口連接器之一端。
一種即時字幕系統，其包含有：<br/> 一控制處理單元，其作為該即時字幕系統運作時之運算、控制與資料傳輸；<br/> 一影音資料接收單元，其連接該控制處理單元，該影音資料接收單元接收至少一欲播放影音伴唱資料，該影音伴唱資料包括有影像資料、伴唱歌詞字幕資料及聲音資料；<br/> 一背景去除單元，其連接該控制處理單元，該背景去除單元將該影像資料中之背景影像加以去除；<br/> 一原色擷取單元，其連接該控制處理單元，該原色擷取單元於該影像資料去除背景影像後擷取該影像資料中之綠色調原色；<br/> 一歌詞擷取單元，其連接該控制處理單元，該歌詞擷取單元於該影像資料去除背景影像後擷取該伴唱詞字幕資料；<br/> 一聲音擷取單元，其連接該控制處理單元，該聲音擷取單元於該影像資料去除背景影像後擷取該聲音資料；<br/> 一整合單元，其連接該控制處理單元，該整合單元將去除背景影像後所擷取之該綠色調原色、該伴唱詞字幕資料與該聲音資料進行編碼整合，之後再去除該綠色調原色，以產生一即時歌詞字幕伴唱資料；以及<br/> 一輸出單元，其連接該控制處理單元，該輸出單元將該即時歌詞字幕伴唱資料輸出至一後續影音設備，使該即時歌詞字幕伴唱資料與一演唱現場之現場畫面與現場演唱聲音進行同步處理，以供現場演唱畫面整合該即時歌詞字幕伴唱資料。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該控制處理單元為中央處理器、伺服器、軟體、硬體或邏輯電路。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該影音資料接收單元、該背景去除單元、該原色擷取單元、該歌詞擷取單元、該聲音擷取單元、該整合單元與該輸出單元為軟體、硬體或邏輯電路；該影音資料接收單元為硬碟或記憶體。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該背景去除單元包括有一選取模組及一刪除模組，由該選取模組選取欲播放影音伴唱資料中之背景影像，並以該刪除模組將所選取之背景影像加以去除。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該原色擷取單元包括有一紅色調原色刪除模組、一藍色調原色刪除模組及一綠色調原色選取模組，該紅色調原色刪除模組於該影像資料去除背景影像後刪除該影像資料中之紅色調原色，該藍色調原色刪除模組於該影像資料去除背景影像後刪除該影像資料中之藍色調原色，該綠色調原色選取模組於該影像資料去除背景影像後擷取該影像資料中之綠色調原色。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該整合單元包括有一編輯模組及一綠色調原色刪除模組，該編輯模組將該整合單元將去除背景影像後所擷取之該綠色調原色、該伴唱詞字幕資料與該聲音資料進行編碼整合，並於編碼整合後由該綠色調原色刪除模組去除該綠色調原色，以產生該即時歌詞字幕伴唱資料。
如請求項1所述之即時字幕系統，其中該輸出單元包括有一有線傳輸模組及一無線傳輸模組，該有線傳輸模組接收該即時歌詞字幕伴唱資料並傳輸該後續影音設備，或該無線傳輸模組接收該即時歌詞字幕伴唱資料並傳輸該後續影音設備。
一種光學攝像鏡組，包含七片透鏡，該七片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡以及第七透鏡，該光學攝像鏡組的透鏡總數為七片，且該七片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該第一透鏡具有正屈折力，該第三透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第七透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第七透鏡像側表面具有至少一反曲點；<br/> 其中，定義一被攝物至該光學攝像鏡組的一最物側透鏡物側表面於光軸上的距離為一物距，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12L，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第二透鏡物側表面至該第七透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr3r14L，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第六透鏡與該第七透鏡於光軸上的間隔距離為T67L，該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ＜ T12L/Dr3r14L ＜ 2.50；<br/> 0.05 ＜ CT6/T67L ＜ 2.00；以及<br/> -1.50 ＜ (R1-R2)/(R1+R2) ＜ 0.2。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該第五透鏡具有正屈折力，該第六透鏡具有負屈折力，該第七透鏡物側表面於近光軸處為凸面。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12L，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第二透鏡物側表面至該第七透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr3r14L，其滿足下列條件：<br/> 0.60 ＜ T12L/Dr3r14L ＜ 2.20。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該第一透鏡物側表面的曲率半徑為R1，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，其滿足下列條件：<br/> -1.50 ＜ (R1-R2)/(R1+R2) ＜ -0.05。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該第五透鏡的阿貝數為V5，該第五透鏡的折射率為N5，其滿足下列條件：<br/> 7.00 ＜ V5/N5 ＜ 30.00。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時最大視角的一半為HFOVL，其滿足下列條件：<br/> 8.0 度 ＜ HFOVL ＜ 22.0 度。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該第四透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第六透鏡物側表面於近光軸處為凹面，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第六透鏡與該第七透鏡於光軸上的間隔距離為T67L，其滿足下列條件：<br/> 0.15 ＜ CT6/T67L ＜ 1.80。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該第四透鏡的焦距為f4，該第四透鏡物側表面的曲率半徑為R7，該第四透鏡像側表面的曲率半徑為R8，該光學攝像鏡組中阿貝數小於35的透鏡總數為V35，其滿足下列條件：<br/> 1.00 ＜ |f4/R7|+|f4/R8| ＜ 6.00；以及<br/> 3 ≤ V35。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該最物側透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TLL，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時一最像側透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BLL，其滿足下列條件：<br/> 2.00 ＜ TLL/BLL ＜ 10.00。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離小於該第三透鏡於光軸上的厚度。
如請求項1所述之光學攝像鏡組，更包含至少一反射元件，其中該至少一反射元件位於該第一透鏡與該第二透鏡之間。
一種取像裝置，包含：<br/> 如請求項1所述之光學攝像鏡組；<br/> 一影像穩定模組，對應該光學攝像鏡組設置；以及<br/> 一電子感光元件，設置於該光學攝像鏡組的一成像面上。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項12所述之取像裝置。
一種光學攝像鏡組，包含七片透鏡，該七片透鏡沿光路由物側至像側依序為第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡以及第七透鏡，該光學攝像鏡組的透鏡總數為七片，且該七片透鏡分別具有朝向物側方向的物側表面與朝向像側方向的像側表面；<br/> 其中，該第一透鏡具有正屈折力，該第三透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第七透鏡像側表面於近光軸處為凹面，且該第七透鏡像側表面具有至少一反曲點；<br/> 其中，定義一被攝物至該光學攝像鏡組的一最物側透鏡物側表面於光軸上的距離為一物距，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12L，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第二透鏡物側表面至該第七透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr3r14L，該第六透鏡於光軸上的厚度為CT6，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第六透鏡與該第七透鏡於光軸上的間隔距離為T67L，該第五透鏡的阿貝數為V5，該第五透鏡的折射率為N5，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ＜ T12L/Dr3r14L ＜ 2.50；<br/> 0.05 ＜ CT6/T67L ＜ 2.00；以及<br/> 5.00 ＜ V5/N5 ＜ 32.00。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該第五透鏡具有正屈折力，該第六透鏡具有負屈折力，該第七透鏡物側表面於近光軸處為凸面，該第五透鏡的阿貝數為V5，該第五透鏡的折射率為N5，其滿足下列條件：<br/> 8.00 ＜ V5/N5 ＜ 28.00。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組中阿貝數小於30的透鏡總數為V30，其滿足下列條件：<br/> 3 ≤ V30。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時最大視角的一半為HFOVL，該第四透鏡的焦距為f4，該第四透鏡物側表面的曲率半徑為R7，該第四透鏡像側表面的曲率半徑為R8，其滿足下列條件：<br/> 8.0 度 ＜ HFOVL ＜ 18.0 度；以及<br/> 1.00 ＜ |f4/R7|+|f4/R8| ＜ 4.50。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該第七透鏡像側表面於離軸處具有至少一凸臨界點，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該最物側透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TLL，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時一最像側透鏡像側表面至該成像面於光軸上的距離為BLL，其滿足下列條件：<br/> 3.00 ＜ TLL/BLL ＜ 10.00。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該最物側透鏡物側表面至一成像面於光軸上的距離為TLL，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時的焦距為fL，其滿足下列條件：<br/> 1.00 ＜ TLL/fL ＜ 2.00。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第二透鏡物側表面至該第五透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr3r10L，該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第六透鏡物側表面至該第七透鏡像側表面於光軸上的距離為Dr11r14L，其滿足下列條件：<br/> 1.00 ＜ Dr3r10L/Dr11r14L ＜ 3.50。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該第三透鏡物側表面的曲率半徑的絕對值小於該第一透鏡像側表面的曲率半徑的絕對值，該第一透鏡像側表面的曲率半徑為R2，該第三透鏡像側表面的曲率半徑為R6，其滿足下列條件：<br/> 0 ＜ |R6/R2| ＜ 0.50。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第六透鏡與該第七透鏡於光軸上的間隔距離為T67L，該第六透鏡像側表面於光軸上的交點至該第六透鏡像側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的位移量為Sag6R2，該第七透鏡物側表面於光軸上的交點至該第七透鏡物側表面的最大有效半徑位置平行於光軸的位移量為Sag7R1，其滿足下列條件：<br/> 0.06 ＜ (T67L-Sag6R2+Sag7R1)/T67L ＜ 1.00。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該第六透鏡物側表面的曲率半徑的絕對值小於該第六透鏡像側表面的曲率半徑的絕對值。
如請求項14所述之光學攝像鏡組，其中該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時該第四透鏡與該第五透鏡於光軸上的間隔距離小於該光學攝像鏡組於該物距為無窮遠時一最像側透鏡像側表面至一成像面於光軸上的距離。
一種連接器組合，包含： <br/>一第一連接器，包含： <br/>一第一絕緣殼體； <br/>複數個第一端子，連接該第一絕緣殼體；以及 <br/>一卡扣元件，沿一第一方向彈性連接該第一絕緣殼體；以及 <br/>一第二連接器，包含： <br/>一第二絕緣殼體，配置以至少部分抵接該第一絕緣殼體； <br/>複數個第二端子，連接該第二絕緣殼體，並配置以沿一第二方向連接該些第一端子，該第二方向與該第一方向彼此相交；以及 <br/>一卡扣部，連接該第二絕緣殼體，並配置以至少部分進入該第一絕緣殼體內，該卡扣元件配置以相對該第一絕緣殼體沿該第一方向移動並卡扣於該卡扣部。
如請求項1所述之連接器組合，其中該卡扣部具有一第一穿孔，該卡扣元件包含： <br/>一第一主體，具有一第一表面、一第二表面以及一第三表面，該第一表面與該第二表面彼此相對，該第三表面連接於該第一表面與該第二表面之間，該第一表面具有一內緣，該內緣圍繞以定義一凹陷空間；以及 <br/>一勾部，設置於該第二表面，並配置以至少部分穿越該第一穿孔， <br/>該第一連接器更包含： <br/>一彈性元件，沿該第一方向連接於該第三表面與該第一絕緣殼體之間；以及 <br/>一移動元件，包含： <br/>一第二主體，至少部分位於該第一絕緣殼體內，並配置以沿該第二方向移動；以及 <br/>一凸出部，連接該第二主體並具有一抵壓面，該抵壓面至少部分相對該第一方向傾斜，並配置以抵壓該內緣以推動該卡扣元件沿該第一方向移動以壓縮該彈性元件，從而使該凸出部至少部分容置於該凹陷空間內。
如請求項2所述之連接器組合，其中該第一絕緣殼體包含相對之兩側板，該些側板分別具有一限位孔，該限位孔沿該第二方向延伸並劃分為相連通之一第一區、一第二區以及一限位區，該限位區位於該第一區與該第二區之間，該限位孔於該第一區具有一第一寬度，該限位孔於該第二區具有一第二寬度，該限位孔於該限位區具有一第三寬度，該第一寬度相等於該第二寬度，該第三寬度小於該第一寬度與該第二寬度，該移動元件更包含： <br/>兩限位部，設置於該第二主體的相對兩側，並配置以卡扣於該些限位孔中對應之一者內，該些限位部中每一者具有一第四寬度，該第四寬度相等於該第一寬度與該第二寬度。
如請求項3所述之連接器組合，其中該第一絕緣殼體更包含： <br/>一第一分隔板，連接於該些側板之間；以及 <br/>一第二分隔板，連接於該些側板之間，並與該第一分隔板定義一活動空間於其中，該移動元件至少部分位於該活動空間，該些限位孔位於該第一分隔板與該第二分隔板之間，該第一分隔板與該第二分隔板至少部分位於該些第一端子之間。
如請求項4所述之連接器組合，其中該些第一端子中每一者包含一第一接觸部、一第一連接部以及一彈性套筒，該第一接觸部具有一通孔，該彈性套筒位於該通孔內，該第一連接部連接該第一接觸部，該第一絕緣殼體包含： <br/>一頂板； <br/>一底板，該些側板連接於該頂板與該底板之間，該底板具有一第一開口、一第二開口以及一第三開口，該第一分隔板與該第二分隔板設置於該底板與該頂板之間，並位於該第一開口與該第二開口之間，該些通孔分別對齊該第一開口與該第二開口，該第三開口位於該第一分隔板與該第二分隔板之間，並配置以讓該卡扣部穿越； <br/>一前板，連接該頂板、該底板以及該些側板；以及 <br/>一後板，連接於該些側板之間，該些第一連接部中至少一者經過該後板而至少部分暴露於該第一絕緣殼體外。
如請求項5所述之連接器組合，其中該第一分隔板相對該底板具有一第一高度，該第二分隔板相對該底板具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度，該些第一端子中之至少一者的該第一連接部順序經過該第一分隔板、該第二分隔板以及該些第一端子中之至少另一者的該第一接觸部，該後板位於該些第一連接部之間，該些第一連接部至少部分暴露於該第一絕緣殼體外。
如請求項5所述之連接器組合，其中該第一分隔板相對該底板具有一第一高度，該第二分隔板相對該底板具有一第二高度，該第一高度大於該第二高度，該些第一端子中之至少一者的該第一連接部位於該前板與該後板之間，並順序經過該第一分隔板與該第二分隔板而連接該些第一端子中之至少另一者的該第一接觸部，以使該些第一端子形成一體成型結構。
如請求項5所述之連接器組合，其中該頂板具有兩避位部，分別由該頂板之相對兩邊緣內縮而成，該第二主體包含： <br/>一結構部，該凸出部連接該結構部； <br/>兩樞接部；以及 <br/>兩延伸部，分別連接於該結構部與該些樞接部中對應之一者之間，該些限位部設置於該結構部的相對兩側，該些延伸部分別穿越該些避位部， <br/>該移動元件更包含： <br/>一把手，樞接於該些樞接部。
如請求項5所述之連接器組合，其中該第二絕緣殼體包含： <br/>一板部，具有複數個第二穿孔，該些第二穿孔分別具有一內徑； <br/>一壁部，連接該板部並圍繞以定義一容置空間；以及 <br/>複數個支撐部，該壁部連接於該板部與該些支撐部之間，該些支撐部配置以抵接一板體， <br/>該些第二端子中每一者包含： <br/>一第二接觸部，穿越該些第二穿孔中對應之一者，並配置以穿越該第一開口與該第二開口中對應之一者，以連接該些彈性套筒中對應之一者； <br/>一第二連接部，配置以電性連接該板體；以及 <br/>一固定部，連接於該第二接觸部與該第二連接部之間，並位於該容置空間，該固定部具有一外徑，該外徑大於該內徑。
如請求項9所述之連接器組合，其中該第二絕緣殼體更包含： <br/>至少一第一定位部，設置於該些支撐部中之一者，並配置以連接該板體之一第二定位部。
如請求項9所述之連接器組合，其中該板部具有至少一鎖固孔，該第二連接器更包含： <br/>至少一鎖固件，配置以至少部分穿越而卡扣於該鎖固孔並鎖固於該板體。
如請求項9所述之連接器組合，其中該些第二接觸部中每一者具有一端子高度，該些端子高度彼此相異。
如請求項9所述之連接器組合，其中該些第二接觸部中每一者具有一端子高度，該些端子高度彼此相同。
如請求項5所述之連接器組合，其中該些第二端子沿一連接線排列，該卡扣部位於該些第二端子之間並從該連接線錯開，該第三開口靠近該些側板中之一者。
一種播放參數判定方法，由一播放裝置執行，該方法包括：<br/> 收集一音樂訊號的一第一區段開始播放時一使用者的一第一生理特徵，並判定該音樂訊號的一音樂特徵；<br/> 從一歷史資料庫取得多個歷史特徵資料，其中各該歷史特徵資料具有一歷史播放參數、一歷史生理特徵及一歷史音樂特徵；<br/> 判定該第一生理特徵與各該歷史特徵資料的該歷史生理特徵之間的一第一比較結果，並判定該音樂特徵與各該歷史特徵資料的該歷史音樂特徵之間的一第二比較結果；<br/> 基於各該歷史特徵資料對應的該第一比較結果及該第二比較結果，判定各該歷史特徵資料的一第三比較結果，並比較該等歷史特徵資料的該第三比較結果，將該等歷史特徵資料其中之一判定為一參考歷史特徵資料；<br/> 基於該參考歷史特徵資料對應的該第三比較結果判定該參考歷史特徵資料的一信賴度；<br/> 反應於判定該信賴度滿足一預設條件，使用對應於該參考歷史特徵資料的該歷史播放參數作為一參考播放參數；<br/> 反應於判定該信賴度未滿足該預設條件，至少基於該第一生理特徵、該音樂特徵及一目標心理狀態判定一目標播放參數，並以該目標播放參數作為該參考播放參數；以及<br/> 基於該參考播放參數播放該音樂訊號的該第一區段。
如請求項1所述的方法，其中該第一生理特徵經表徵為<img align="absmiddle" height="8px" width="36px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該等歷史特徵資料中的第i個歷史特徵資料的該歷史生理特徵經表徵為<img align="absmiddle" height="8px" width="20px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且該第一生理特徵與該第i個歷史特徵資料的該歷史生理特徵之間的該第一比較結果經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="138px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，其中<img align="absmiddle" height="7px" width="51px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為餘弦距離運算子。
如請求項1所述的方法，其中該音樂特徵經表徵為<img align="absmiddle" height="7px" width="34px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該等歷史特徵資料中的第i個歷史特徵資料的該歷史音樂特徵經表徵為<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且該音樂特徵與該第i個歷史特徵資料的該歷史音樂特徵之間的該第二比較結果經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="133px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，其中<img align="absmiddle" height="7px" width="51px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為餘弦距離運算子。
如請求項1所述的方法，其中該第一生理特徵與該等歷史特徵資料中的第i個歷史特徵資料的該歷史生理特徵之間的該第一比較結果經表徵為<img align="absmiddle" height="8px" width="21px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該音樂特徵與該第i個歷史特徵資料的該歷史音樂特徵之間的該第二比較結果經表徵為<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，且該第i個歷史特徵資料對應的該第三比較結果經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>=<img align="absmiddle" height="8px" width="74px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，其中<img align="absmiddle" height="9px" width="21px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為權重，i為大於或等於1的自然數。
如請求項4所述的方法，其中該參考歷史特徵資料對應的該第三比較結果經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="9px" width="35px" file="ed10042.jpg" alt="ed10042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，其中K為該等歷史特徵資料的數量。
如請求項5該的方法，其中該信賴度經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="46px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 。
如請求項6所述的方法，更包括：<br/> 反應於判定該信賴度高於一參考閾值，判定該信賴度滿足該預設條件；以及<br/> 反應於判定該信賴度低於該參考閾值，判定該信賴度未滿足該預設條件。
如請求項7所述的方法，更包括：<br/> 收集該使用者在聆聽該第一區段後的一第二生理特徵；<br/> 基於該第二生理特徵、該音樂特徵及各該歷史特徵資料判定一參考信賴度；<br/> 判定該信賴度與該參考信賴度之間的一參考差異；以及<br/> 基於該參考差異更新該參考閾值及該等權重。
如請求項1所述的方法，其中在使用對應於該參考歷史特徵資料的該歷史播放參數作為該參考播放參數之後，更包括：<br/> 更新該歷史播放參數的一使用次數。
如請求項9所述的方法，更包括：<br/> 反應於判定該歷史資料庫中的該等歷史特徵資料的數量達到一上限值，依據各該歷史特徵資料之該歷史播放參數的該使用次數剔除該等歷史特徵資料的一部分。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 基於該第一生理特徵該判定該使用者的一第一心理狀態；<br/> 收集該使用者在聆聽該第一區段後的一第二生理特徵，並基於該第二生理特徵判定該使用者的一第二心理狀態；<br/> 基於該第二生理特徵、該音樂特徵及各該歷史特徵資料判定一參考信賴度；<br/> 反應於判定該參考信賴度滿足該預設條件，且該第二心理狀態相較於該第一心理狀態更接近於該目標心理狀態，將該第一生理特徵、該音樂特徵及該目標播放參數新增至該歷史資料庫。
如請求項1所述的方法，其中至少基於該第一生理特徵、該音樂特徵及該目標心理狀態判定該目標播放參數包括：<br/> 將一輸入數據整理為具特定結構化格式的一提示詞，該輸入數據包括該第一生理特徵、該音樂特徵及該目標心理狀態；以及<br/> 將該提示詞輸入一大型語言模型，以觸發該大型語言模型反應於該提示詞而推論該目標播放參數。
如請求項12所述的方法，其中該輸入數據還包括該等歷史特徵資料中的至少一歷史情緒標記。
如請求項1所述的方法，其中基於該參考播放參數播放該音樂訊號的該第一區段包括：<br/> 取得該第一區段開始播放時的一第一播放參數；<br/> 取得該音樂訊號的一當下播放時間點，並基於該當下播放時間點判定一時間權重函數；以及<br/> 基於該時間權重函數、該第一播放參數及該參考播放參數判定對應於該當下播放時間點的一當下播放參數。
如請求項14所述的方法，其中該當下播放參數經表徵為：<br/><img align="absmiddle" height="8px" width="134px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> ，其中t為該當下播放時間點，<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該時間權重函數，<img align="absmiddle" height="7px" width="25px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該第一播放參數，<img align="absmiddle" height="8px" width="22px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該參考播放參數。
如請求項15所述的方法，其中該時間權重函數為非線性時間權重函數。
一種播放裝置，包括：<br/> 一儲存電路，儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，耦接該儲存電路並存取該程式碼以執行：<br/> 收集一音樂訊號的一第一區段開始播放時一使用者的一第一生理特徵，並判定該音樂訊號的一音樂特徵；<br/> 從一歷史資料庫取得多個歷史特徵資料，其中各該歷史特徵資料具有一歷史播放參數、一歷史生理特徵及一歷史音樂特徵；<br/> 判定該第一生理特徵與各該歷史特徵資料的該歷史生理特徵之間的一第一比較結果，並判定該音樂特徵與各該歷史特徵資料的該歷史音樂特徵之間的一第二比較結果；<br/> 基於各該歷史特徵資料對應的該第一比較結果及該第二比較結果，判定各該歷史特徵資料的一第三比較結果，並比較該等歷史特徵資料的該第三比較結果，將該等歷史特徵資料其中之一判定為一參考歷史特徵資料；<br/> 基於該參考歷史特徵資料對應的該第三比較結果判定該參考歷史特徵資料的一信賴度；<br/> 反應於判定該信賴度滿足一預設條件，使用對應於該參考歷史特徵資料的該歷史播放參數作為一參考播放參數；<br/> 反應於判定該信賴度未滿足該預設條件，至少基於該第一生理特徵、該音樂特徵及一目標心理狀態判定一目標播放參數，並以該目標播放參數作為該參考播放參數；以及<br/> 基於該參考播放參數播放該音樂訊號的該第一區段。
一種碳酸酯可塑劑的製備方法，包含以下步驟：<br/> 使包含碳酸酯類化合物、二元醇(A)及催化劑的原料組分進行碳酸酯多元醇合成程序，獲得碳酸酯多元醇類化合物；及<br/> 使該碳酸酯多元醇類化合物與包含封端劑的反應物進行包括第一酯化反應的碳酸酯可塑劑合成程序，獲得碳酸酯可塑劑；<br/> 其中，該碳酸酯多元醇合成程序是使該原料組分進行具有酯交換反應的反應步驟而獲得該碳酸酯多元醇類化合物，該碳酸酯類化合物是選自於碳酸烯酯、碳酸二烷基酯及碳酸二苯基酯中至少一者，該碳酸酯多元醇類化合物是選自於碳酸酯多元醇或聚碳酸酯多元醇，該封端劑是選自於單元醇或單元羧酸。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯可塑劑合成程序是使該碳酸酯多元醇類化合物與該封端劑進行該第一酯化反應，且該封端劑為單元羧酸。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該反應物還包含選自於二元醇(B)及二元羧酸中至少一者的縮聚單體組分，該碳酸酯可塑劑合成程序是使該碳酸酯多元醇類化合物、該縮聚單體組分與該封端劑進行該第一酯化反應。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯多元醇合成程序的該反應步驟還具有縮聚反應，且該碳酸酯多元醇類化合物為聚碳酸酯多元醇。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯類化合物是選自於碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二丁酯、碳酸二苯酯，及上述化合物的衍生物中至少一者。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯多元醇類化合物的羥值範圍為20mgKOH/g至400mgKOH/g。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯可塑劑合成程序還包括在該第一酯化反應後的第二酯化反應，且該碳酸酯可塑劑的酸價範圍為大於0mgKOH/g且小於1mgKOH/g。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯可塑劑包含具有如式(I)所示的結構的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="155px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)<br/> 在該式(I)中，n為2以上的整數，R<sup>1</sup>為總碳數為2至20的脂肪族基團或總碳數為2至20的脂肪醚基團，R<sup>a</sup>為總碳數為1至19的烷基，且每個R<sup>1</sup>為相同，每個R<sup>a</sup>為相同。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯可塑劑包含具有如式(II)所示的結構的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="43px" width="330px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (II)<br/> 在該式(II)中，n及m各自獨立地為2以上的整數，R<sup>1</sup>及R<sup>3</sup>各自獨立地為總碳數為2至20的脂肪族基團或總碳數為2至20的脂肪醚基團，R<sup>2</sup>為總碳數為2至12的脂肪族基團或總碳數為6至12的芳香族基團，R<sup>a</sup>為總碳數為1至19的烷基，且每個R<sup>1</sup>為相同，每個R<sup>2</sup>為相同，每個R<sup>3</sup>為相同，每個R<sup>a</sup>為相同。
如請求項1所述的碳酸酯可塑劑的製備方法，其中，該碳酸酯可塑劑包含具有如式(III)所示的結構的化合物，<br/><img align="absmiddle" height="41px" width="244px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III)<br/> 在該式(III)中，n及m各自獨立地為2以上的整數，R<sup>1</sup>為總碳數為2至20的脂肪族基團或總碳數為2至20的脂肪醚基團，R<sup>2</sup>為總碳數為2至12的脂肪族基團或總碳數為6至12的芳香族基團，R<sup>b</sup>為總碳數為1至20的烷基，且每個R<sup>1</sup>為相同，每個R<sup>2</sup>為相同，每個R<sup>b</sup>為相同。
一種金屬微結構層沉積裝置，其包含一沉積平台、一蒸鍍模組以及一真空氣氛模組，其中：<br/> 該沉積平台於一蒸鍍條件下接收來自該蒸鍍模組之一金屬蒸氣並於該沉積平台沉積形成一金屬沉積層，其中，該金屬沉積層包含複數個沉積微結構；<br/> 該蒸鍍模組包含一金屬靶材、容置該金屬靶材的一靶材容器以及一遮罩單元，於該蒸鍍條件下該金屬靶材汽化形成該金屬蒸氣通過該遮罩單元沉積於該沉積平台；以及<br/> 該真空氣氛模組用以提供該金屬微結構層沉積裝置所需之一內部壓力，其中：<br/> 該遮罩單元包含複數個蒸氣通孔，複數個該蒸氣通孔以一排列方式設置於該遮罩單元表面之至少一部分；<br/> 該靶材容器與該沉積平台之一蒸鍍間距介於300奈米至600奈米之間；<br/> 該遮罩單元與該沉積平台之一遮罩間距介於300微米至700微米之間；以及<br/> 各該沉積微結構包含一表面曲率以及一幾何尺寸，該表面曲率介於6微米<sup>-1</sup>(μm⁻¹)至20微米<sup>-1</sup>(μm⁻¹)之間；該幾何尺寸包含一高度以及一底部直徑，該高度介於15奈米至50奈米之間；以及該底部直徑介於70奈米至250奈米之間。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，該蒸氣通孔之一橫截面包含圓形、類圓形、多角形之形狀。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，該排列方式包含一規則陣列、一不規則陣列或一密度漸變陣列。
如請求項3所述之金屬微結構層沉積裝置，該規則陣列包含選自蜂巢狀陣列以及矩陣陣列之一種或及其組合。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，該沉積平台包含一多軸驅動單元以及一加熱單元，該多軸驅動單元用以驅動該沉積平台至少一維度之移動或轉動；以及該加熱單元提供一加熱溫度予該沉積平台，其中，該加熱溫度介於25°C至200°C之間。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，該沉積平台包含複數個熱電偶感測器以監控該沉積平台之溫度分布。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，該蒸鍍條件包含提供該蒸鍍模組之一蒸鍍溫度、一蒸鍍速率以及一沉積時間，該蒸鍍溫度介於850°C至1300°C之間；該蒸鍍速率介於0.1奈米/秒至2.0奈米/秒之間；以及該沉積時間介於100秒至300秒之間。
如請求項1所述之金屬微結構層沉積裝置，各該蒸氣通孔的一平均孔徑介於0.8微米至1.5微米之間；各該蒸氣通孔的一平均孔深介於30微米至100微米。
如請求項1至8中任一項所述之金屬微結構層沉積裝置，該沉積平台包含陽極化鋁合金、石英玻璃、陶瓷材料或有機聚合物之材料。
如請求項1至8中任一項所述之金屬微結構層沉積裝置，該金屬靶材包含選自銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)及鋁(Al)之一種或及其組合。
一種仿生器官設備，包括： <br/>一第一本體，具有一氣體儲存腔、一第一進氣孔和一第一出氣孔，該第一進氣孔設置於該第一本體上遠離該第一出氣孔的一側，該氣體儲存腔儲存有一氣溶膠； <br/>一第二本體，與該第一本體相連，並具有相鄰的一容置腔和一排氣腔，該容置腔具有一第二進氣孔和一第二出氣孔，該排氣腔具有一第三進氣孔和一第三出氣孔，該第二進氣孔連通該第一出氣孔，該第三進氣孔連通該第二出氣孔； <br/>一器官晶片，設置於該容置腔內，該器官晶片具有一第一入口和一第一出口，以及連通該第一入口和該第一出口的一第一氣體流道，該第一入口連通該第二進氣孔，該第一出口連通該第二出氣孔；以及 <br/>一氣流提供裝置，設置於該排氣腔內，該氣流提供裝置具有一第二入口和一第二出口，以及連通該第二入口和該第二出口的一第二氣體流道，該第二入口連通該第三進氣孔，該第二出口連通該第三出氣孔，該氣流提供裝置適於產生一氣流，帶動該氣溶膠流動，該氣流依序流經該氣體儲存腔、該第一氣體流道和該第二氣體流道，並從該第三出氣孔排出。
如請求項1所述之仿生器官設備，其中該第一本體和該第二本體藉由卡扣方式連接。
如請求項1所述之仿生器官設備，其中該氣流提供裝置包括： <br/>一筒狀本體，具有該第二氣體流道，且該第二氣體流道呈筒狀，該筒狀本體包括至少一噴嘴，該至少一噴嘴設置為朝向該第三出氣孔； <br/>一基座，承載該筒狀本體，該基座具有一開孔及一通道，該通道與該至少一噴嘴和該開孔連通；以及 <br/>一氣流提供元件，設置於該基座內，該氣流提供元件適於提供一噴射氣流，該噴射氣流從該開孔進入該通道，並依序流動至該至少一噴嘴和該第三出氣孔，且該噴射氣流致使該氣體儲存腔內產生該氣流。
如請求項3所述之仿生器官設備，其中該至少一噴嘴為單個環狀噴嘴，設置於該筒狀本體的一內表面，該內表面圍繞出該第二氣體流道，且該至少一噴嘴位於該內表面靠近該第二入口的一側，該第二氣體流道靠近該第二入口的一側的面積小於靠近該第二出口的一側的面積。
如請求項4所述之仿生器官設備，其中該筒狀本體更包括一導流結構，設置於該內表面，並位於該至少一噴嘴的旁邊，且該導流結構沿著該第二入口朝向該第二出口的方向延伸。
如請求項3所述之仿生器官設備，其中該至少一噴嘴為多個噴嘴，每一該些噴嘴為管狀，該些噴嘴設置於該筒狀本體朝向該第三出氣孔的一表面。
如請求項1所述之仿生器官設備，其中該器官晶片為一單流道器官晶片，該器官晶片具有一筒狀殼體，該筒狀殼體具有該第一入口、該第一出口和該第一氣體流道，該第一氣體流道呈筒狀。
如請求項1所述之仿生器官設備，其中該器官晶片為一雙流道器官晶片，該器官晶片包括疊設的一第一殼體和一第二殼體，以及設置於該第一殼體和該第二殼體之間的一有孔膜，其中： <br/>該第一殼體具有該第一入口和該第一出口，該第一殼體面對該第二殼體的一側具有一第一槽狀結構，該第一槽狀結構連接該第一入口和該第一出口，該第一槽狀結構與該有孔膜之間形成該第一氣體流道； <br/>該第二殼體具有一流體入口和一流體出口，該第二殼體面對該第一殼體的一側具有一第二槽狀結構，該第二槽狀結構連接該流體入口和該流體出口，該第二槽狀結構與該有孔膜之間形成一流體流道。
如請求項8所述之仿生器官設備，更包括一流體提供裝置，該流體提供裝置連接該流體入口，並適於提供一流體經過該流體入口進入該流體流道。
如請求項1所述之仿生器官設備，更包括一過濾元件，設置於該第三出氣孔遠離該第三進氣孔的一側。
如請求項1所述之仿生器官設備，更包括一氣溶膠提供裝置，連接該氣體儲存腔，該氣溶膠提供裝置適於提供該氣溶膠至該氣體儲存腔。
一種向量矩陣乘法系統，其包含： <br/>非揮發性記憶體胞元之一神經網路陣列，其包含i列，其中i為2之倍數，且i係一正整數； <br/>i/2個源極線，其中該等源極線中之各別者由包含該i列中之兩者的一扇區共用；及 <br/>一源極線下拉電路，其用以在一讀取或驗證操作期間當選擇耦接至該各別源極線之一或多列時將該i/2個源極線中之各別者耦接至一第一電壓，以及在一讀取或驗證操作期間當未選擇耦接至該各別源極線之兩列時將該i/2個源極線中之該等各別者耦接至一第二電壓，其中該第二電壓大於0V。
如請求項1之系統，其中，該等非揮發性記憶體胞元為堆疊閘極快閃記憶體胞元。
如請求項1之系統，其中，該等非揮發性記憶體胞元為分離閘極快閃記憶體胞元。
如請求項1之系統，其包含： <br/>j個列暫存器，其中j＜i； <br/>j個數位至類比轉換器，其用以將自該j個列暫存器接收到之數位資料之j個集合轉換成j個類比信號；及 <br/>j個多工器，其用以在一讀取或驗證操作期間回應於一控制信號而將該j個類比信號投送至該i列之一子集。
如請求項4之系統，其中，j=i/2。
如請求項4之系統，其中，j=i/4。
如請求項1之系統，其包含： <br/>i/2個抹除閘極線，其中該i/2個抹除閘極線中之各別者由一扇區共用。
一種化學機械研磨用氧化鈰粒子，其中，藉由X射線吸收精細結構（XAFS）光譜測量時，前述氧化鈰粒子在5730eV以上且小於5740eV的範圍內具有第一峰的最大吸光係數，並且前述第一峰的最大吸光係數為0.1～0.4，<br/> 前述氧化鈰粒子的BET比表面積值為50m<sup>2</sup>/g以下，<br/> 當前述氧化鈰粒子包含於化學機械研磨用漿料中時，前述化學機械研磨用漿料呈透明狀，<br/> 在前述氧化鈰粒子的含量被調節為1.0重量%的水分散液中，對於波長為450～800nm的光的平均透光率為50%以上。
如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子，其中，在前述氧化鈰粒子的含量被調節為1.0重量%的水分散液中，對於波長為500nm的光的透光率為50%以上。
如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子，其中，利用動態光散射（DLS）細微性分析儀測得的前述氧化鈰粒子的二次粒徑為1～30nm。
如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子，其中，利用動態光散射（DLS）細微性分析儀測得的前述氧化鈰粒子的二次粒徑為1～20nm。
如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子，其中，藉由X射線繞射（XRD）分析時，前述氧化鈰粒子的一次粒徑為0.5～15nm。
一種化學機械研磨用漿料組合物，其中，包含如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子和溶劑。
如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，以總重為100重量份的化學機械研磨用漿料組合物為基準時，前述氧化鈰粒子的含量為0.01～5重量份。
如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，前述化學機械研磨用漿料組合物的pH值為2～10。
如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，前述化學機械研磨用漿料組合物進一步包含pH調節劑，前述pH調節劑為選自硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸中的一種以上無機酸、選自醋酸、檸檬酸、戊二酸、乙醇酸、甲酸、乳酸、蘋果酸、胡蘿蔔酸、馬來酸、草酸、鄰苯二甲酸、琥珀酸、酒石酸中的一種以上有機酸、選自賴氨酸、甘氨酸、丙氨酸、精氨酸、纈氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、甲硫氨酸、半胱氨酸、脯氨酸、組氨酸、苯丙氨酸、絲氨酸、三（羥甲基）甲基甘氨酸、酪氨酸、天冬氨酸、色氨酸以及氨酪酸中的一種以上氨基酸、咪唑、烷基胺類、醇胺、季銨鹼、氨或它們的組合。
如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，前述溶劑為去離子水。
如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物，其中，前述化學機械研磨用漿料組合物具有1,000～5,000Å/min的矽氧化膜研磨速度。
一種半導體器件的製造方法，其中，利用如請求項6所述之化學機械研磨用漿料組合物進行研磨。
一種含有如請求項1所述之化學機械研磨用氧化鈰粒子的分散液的製造方法，包括以下步驟：<br/> 準備原料前體；以及<br/> 在包含前述原料前體的溶液中對氧化鈰粒子進行粉碎或沉澱以獲得化學機械研磨用氧化鈰粒子的分散液。
一種能同時保冷及保溫的外送置物箱，係設置於一機車，該能同時保冷及保溫的外送置物箱包含：<br/> 一箱本體，有相對的一第一開口及一第二開口，以及位於該第一開口及該第二開口之間的一隔板，該隔板有一穿口，該隔板在該箱本體內部區分一保溫空間及一保冷空間，該保溫空間連通該第一開口，該保冷空間連通該第二開口，有二門片可選擇的分別封閉該第一開口及該第二開口；<br/> 一熱電致冷模組，有相貼合的一致冷部及一致熱部，該熱電致冷模組嵌入該穿口，並使該致冷部位於該保冷空間，該致熱部位於該保溫空間，該熱電致冷模組有一熱電致冷晶片，該熱電致冷晶片有位於相對側的一第一熱面及一第一冷面，有一第一風扇結合於一第一散熱鰭片座，並經由該第一散熱鰭片座貼合於該第一熱面，該第一風扇、該第一散熱鰭片座及該第一熱面構成該致熱部；有一第二風扇結合於一第二散熱鰭片座，並經由該第二散熱鰭片座貼合於該第一冷面，該第二風扇、第二散熱鰭片座及該第一冷面構成該致冷部，該第一風扇及該第二風扇分別相鄰該隔板設置；<br/> 一溫控模組，電性連接該熱電致冷模組；<br/> 二感溫模組，電性連接該溫控模組，該二感溫模組分別設置於該保溫空間及該保冷空間；<br/> 一溫差發電模組，電性連接該溫控模組，該溫差發電模組設置貼於該機車的一排氣管；<br/> 該溫差發電模組經由排氣管產生的熱源而發出一電力；<br/> 該溫控模組接收該電力，並藉該二感溫模組分別感測該保溫空間及該保冷空間的溫度，而可選擇的驅動該熱電致冷模組作動，使該致冷部對該保冷空間發出一冷源，以及使該致熱部對該保溫空間發出一熱源；<br/> 該第一風扇係朝下吹向該第一散熱鰭片座，使該熱源沿著隔板被吹向下方，在自然狀態下，該熱源會由下方移動至較高處，使該保溫空間內部的溫度均勻；<br/> 該第二風扇係朝上吹向該第二散熱鰭片座，使該冷源沿著隔板被吹向上方，在自然狀態下，該冷源會由上方沉降至較低處，使該保冷空間內部的溫度均勻。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，該溫差發電模組有一導熱塊、複數溫差發電晶片及複數散熱鰭片組，該導熱塊固定於該排氣管的前端，前述溫差發電晶片經由一第二熱面貼附於該導熱塊，前述散熱鰭片組依序對應貼附於前述溫差發電晶片的一第二冷面。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，該箱本體有位於上下二側的一頂面及一底面，設置於該保溫空間的其中一感溫模組相鄰該頂面，設置於該保冷空間的另一感溫模組相鄰該底面。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，有一發電風扇及一蓄電單元，該發電風扇電性連接該蓄電單元，該蓄電單元電性連接該溫控模組，該發電風扇設置於該機車的操控龍頭。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，有一太陽能模組及一蓄電單元，該太陽能模組電性連接該蓄電單元，該蓄電單元電性連接該溫控模組，該太陽能模組設置於該箱本體的一頂面。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，有一發電風扇、一蓄電單元及一太陽能模組，該發電風扇及該太陽能模組分別電性連接該蓄電單元，該蓄電單元電性連接該溫控模組，該發電風扇設置於該機車的操控龍頭，該太陽能模組設置於該箱本體的一頂面。
如請求項1所述之能同時保冷及保溫的外送置物箱，其中，有至少一閥門設置於該隔板，前述閥門電性連接該溫控模組；可選擇地控制前述閥門啟閉，而使該保冷空間暫時連通該保溫空間。
一種資料結構轉換方法，用於電子裝置，其中所述電子裝置包括硬體執行單元，所述硬體執行單元具有多個線程，且所述資料結構轉換方法包括：<br/> 取得第一資料結構，其中所述第一資料結構包括多個元素；<br/> 基於預設規則，對所述第一資料結構執行第一結構轉換，以確定第二資料結構，其中所述多個元素在所述第一資料結構中的第一排列方式不同於所述多個元素在所述第二資料結構中的第二排列方式；<br/> 獲取硬體執行單元的線程資訊，其中所述線程資訊與所述多個線程的總數有關；以及<br/> 基於所述線程資訊，對所述第二資料結構執行第二結構轉換，以確定第三資料結構，<br/> 其中所述第三資料結構用以供所述硬體執行單元通過所述多個線程存取所述多個元素的至少其中之一，且所述多個元素在所述第三資料結構中的第三排列方式不同於所述第二排列方式。
如請求項1所述的資料結構轉換方法，其中所述第二排列方式為一維陣列。
如請求項1所述的資料結構轉換方法，其中所述第一排列方式與所述第三排列方式皆為二維陣列。
如請求項1所述的資料結構轉換方法，其中所述第三資料結構的第一方向對應所述多個線程，且所述第三資料結構的第二方向對應多個寄存器。
如請求項1所述的資料結構轉換方法，更包括：<br/> 取得操作指令，其中所述操作指令指示對所述第一資料結構中的至少一第一元素執行第一操作；<br/> 根據所述操作指令與所述第三資料結構，產生對應於所述至少一第一元素的存取控制資訊；以及<br/> 由所述硬體執行單元根據所述存取控制資訊存取所述至少一第一元素。
如請求項5所述的資料結構轉換方法，其中所述存取控制資訊包括線程索引資訊與寄存器索引資訊，所述線程索引資訊用以指示所述至少一第一元素所對應的線程，所述寄存器索引資訊用以指示所述至少一第一元素所對應的寄存器。
如請求項6所述的資料結構轉換方法，其中所述線程索引資訊包括多個控制位元，且所述多個控制位元分別對應所述多個線程。
如請求項5所述的資料結構轉換方法，其中根據所述操作指令與所述第三資料結構，產生對應於所述至少一第一元素的所述存取控制資訊的步驟包括：<br/> 將所述操作指令攜帶的存取資訊輸入至對應於所述第三資料結構的轉換函數；以及<br/> 根據所述轉換函數的輸出，確定所述存取控制資訊。
如請求項5所述的資料結構轉換方法，其中所述操作指令是基於所述第一排列方式來描述所述至少一第一元素。
一種電子裝置，包括處理器、硬體運算電路及儲存電路，所述處理器連接至所述硬體運算電路及所述儲存電路，且所述處理器用以執行請求項1~9中的任一者所述的資料結構轉換方法。
一種用於高衝擊環境的發光二極體（LED）顯示單元，所述LED顯示單元包括：<br/> 設置在外殼內的框架；以及<br/> 附接至所述框架的多個顯示模組，每個所述顯示模組包括：<br/> 具有後表面和前表面的支撐結構；<br/> 設置在所述框架與所述支撐結構的所述後表面之間的泡沫減震器；<br/> 設置在所述框架與所述支撐結構的所述後表面之間的多個彈簧偏置減震器；<br/> 附接至所述支撐結構的所述前表面的印刷電路板，所述印刷電路板具有LED陣列；以及<br/> 覆蓋所述LED陣列的前保護面板，<br/> 其中，當所述前保護面板受到異物撞擊時，所述泡沫減震器與多個所述彈簧偏置減震器的組合提供減震，防止所述印刷電路板受損。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中所述泡沫減震器包括乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）泡沫。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中所述泡沫減震器的厚度範圍為1英吋至2英吋。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中每個所述顯示模組為矩形顯示模組，且多個所述彈簧偏置減震器包括四個彈簧偏置減震器，每個所述彈簧偏置減震器鄰近所述矩形顯示模組的對應拐角設置。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中每個所述彈簧偏置減震器包括位於套筒部分內的彈簧偏置活塞部分。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中每個所述彈簧偏置減震器設置在所述泡沫減震器的多個孔中的其中一個對應孔內。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中所述前保護面板與所述LED陣列的間距為2公厘。
如請求項1所述之LED顯示單元，其中，<br/> 所述前保護面板包括從所述前保護面板的後表面延伸的多個柱體；<br/> 所述印刷電路板包括多個孔，藉由多個所述孔容納從所述前保護面板延伸的多個所述柱體；並且<br/> 所述支撐結構的所述前表面包括多個插座，用於容納穿過所述印刷電路板上的所述孔的所述柱體。
一種用於高衝擊環境的發光二極體（LED）顯示單元，所述LED顯示單元包括：<br/> 設置在外殼內的框架；以及<br/> 附接至所述框架的多個顯示模組，每個所述顯示模組大致呈矩形，且包括：<br/> 具有後表面和前表面的支撐結構；<br/> 設置在所述框架與所述支撐結構的所述後表面之間的泡沫減震器，其中所述泡沫減震器具有多個孔；<br/> 多個彈簧偏置減震器，每個所述彈簧偏置減震器設置在所述泡沫減震器的多個所述孔中的其中一個對應孔內，其中每個所述彈簧偏置減震器包括位於套筒部分內的彈簧偏置活塞部分，且至少四個彈簧偏置減震器鄰近所述顯示模組的對應拐角設置；<br/> 附接至所述支撐結構的所述前表面的印刷電路板，所述印刷電路板具有LED陣列和設置在所述LED陣列內的多個孔；以及<br/> 覆蓋所述LED陣列的前保護面板，其中，所述前保護面板包括從所述前保護面板的後表面延伸的多個柱體，多個所述柱體容納在位於所述LED陣列內的多個所述孔中，<br/> 其中，所述支撐結構的所述前表面包括多個插座，用於容納延伸穿過所述印刷電路板上的多個所述孔的多個所述柱體，並且<br/> 其中，當所述前保護面板受到異物撞擊時，所述泡沫減震器與多個所述彈簧偏置減震器的組合提供減震，防止所述印刷電路板受損。
如請求項9所述之LED顯示單元，其中所述泡沫減震器包括乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）泡沫。
如請求項9所述之LED顯示單元，其中所述泡沫減震器的厚度範圍為1英吋至2英吋。
如請求項9所述之LED顯示單元，其中所述前保護面板與所述LED陣列的間距為2公厘。
一種圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其包括：<br/> 一鍵控面板，其正面設有多個複合式觸控單元；各該複合式觸控單元具有設於其前端且彼此不同輪廓形狀的一按壓扭轉鍵，該按壓扭轉鍵凸出該鍵控面板的前面；該按壓扭轉鍵能被按壓及扭轉，用以進行兩段機械式密碼的設定及輸入；該按壓扭轉鍵內設有一觸控式面板，該觸控式面板能顯示顏色、數字或符號，用以進行至少一段數位式密碼的設定及輸入；<br/> 一控制器，連接於該鍵控面板的複合式觸控單元，用於接收複合式觸控單元的按壓扭轉鍵的機械式訊號與該觸控式面板的數位訊號；依據預先儲存的解鎖條件進行比對與判斷，當所有密碼輸入段落皆符合設定條件時，產生一解鎖控制訊號；以及<br/> 一解鎖裝置，用於接收該解鎖控制訊號，以執行一機械式解鎖動作。
如請求項1所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其中該鍵控面板排列設置兩個、三個或四個複合式觸控單元，各該複合式觸控單元的按壓扭轉鍵的該輪廓形狀為圓形、三角形、正方形或菱形。
如請求項1或2所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其中該複合式觸控單元具有連接該按壓扭轉鍵的一按壓導電機構，使該按壓扭轉鍵能上下按壓收縮或凸出，用於作為一段機械式按壓密碼；該按壓導電機構並能被扭轉，使該按壓扭轉鍵能轉動至少四個方位，用於作為另一段機械式方位密碼。
如請求項3所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其中各該複合式觸控單元的該觸控式面板能設定該顏色，用於作為一段數位式顏色密碼；該觸控式面板能設定該數字，用於作為另一段數位式數字密碼。
如請求項4所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其中該機械式按壓密碼、該機械式方位密碼、該數位式顏色密碼與該數位式數字密碼能任意設定彼此的先後順序。
如請求項5所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，其中該鍵控面板設置在保險箱的門鎖、房屋門鎖、機密儲藏裝置的鎖具或設備啟動裝置前的解鎖裝置。
如請求項3所述的圖形顏色數字化多段式密碼鎖系統，更包括一機械導電控制單元，其連接於該複合式觸控單元與該控制器之間，僅於該複合式觸控單元的按壓扭轉鍵操作到預設的解碼位置，通過一電訊號啟動該控制器與該解鎖裝置。
一種大氣集水系統，其包含： <br/>熱泵，所述熱泵具有熱側和冷側； <br/>多個吸附劑模塊，所述多個吸附劑模塊各自含有一或多個吸附劑； <br/>解吸室，其包圍所述熱泵的所述熱側， <br/>其中所述解吸室配置成將熱量從所述熱泵的所述熱側傳遞到設置在所述解吸室中的所述多個吸附劑模塊中的至少一個，以從所述一或多個吸附劑中解吸水蒸氣； <br/>其中所述解吸室外的所述多個吸附劑模塊中的至少一個同時從周圍空氣捕獲水； <br/>冷凝室，其包圍或定位成極為接近於所述熱泵的所述冷側，所述冷凝室配置成接收並冷凝來自所述一或多個吸附劑的所述解吸水蒸氣中的水； <br/>計算機，其通訊地耦合至： <br/>位於所述解吸室內部的解吸室溫度感測器；及 <br/>位於所述解吸室內部的解吸室濕度感測器。
根據請求項1所述的系統，其中所述解吸室配置成在平均解吸溫度下操作，以維持所述水蒸氣從所述一或多個吸附劑中解吸的目標速率。
根據請求項2所述的系統，其中所述冷凝室配置成在平均冷凝溫度下操作，以從所述一或多個吸附劑解吸的所述水蒸氣中冷凝所述水。
根據請求項3所述的系統，其中所述平均解吸溫度和所述平均冷凝溫度被選擇以實現用所述一或多個吸附劑產生的每升水的最低能量。
根據請求項1所述的系統，其中所述系統配置成在平均解吸溫度和平均冷凝溫度下操作以實現用所述一或多個吸附劑產生的每升水的最低能量。
根據請求項5所述的系統，其中所述平均解吸溫度被選擇以維持所述水蒸氣從所述一或多個吸附劑中解吸的目標速率。
根據請求項1所述的系統，其中所述解吸室在約50℃與約160℃的範圍內的解吸溫度下操作，以從所述一或多個吸附劑中解吸水蒸氣。
根據請求項7所述的系統，其中所述冷凝室在低於從所述一個或多個吸附劑中解吸所述水蒸氣的露點的冷凝溫度下操作，以從所述解吸水蒸氣中冷凝所述水。<sub> </sub>
根據請求項7所述的系統，其中所述冷凝溫度在約40℃與約95℃的範圍內。
根據請求項1所述的系統，其中所述一個或多個吸附劑包含至少一個金屬-有機框架。
根據請求項10所述的系統，其中所述至少一個金屬-有機框架具有在約25℃下約20%相對濕度至約60%相對濕度的範圍內的等溫線階梯。
根據請求項10所述的系統，其中所述至少一個金屬-有機框架具有在約25℃下約20%相對濕度的等溫線階梯。
根據請求項12所述的系統，其中所述解吸室在約130°C至約140°C的的解吸溫度下操作，以及所述冷凝室在約85°C至約95°C的冷凝溫度下操作。
根據請求項10所述的系統，其中所述至少一個金屬-有機框架具有在約25℃下約40%相對濕度的等溫線階梯。
根據請求項14所述的系統，其中所述解吸室在約115°C至約125°C的解吸溫度下操作，以及所述冷凝室在約85°C至約95°C的冷凝溫度下操作。
根據請求項10所述的系統，其中所述至少一個金屬-有機框架具有在約25℃下約60%相對濕度的等溫線階梯。
根據請求項16所述的系統，其中所述解吸室在約100°C至約110°C之間的解吸溫度下操作，所述冷凝室在約85°C至約95°C之間的冷凝溫度下操作。
根據請求項1所述的系統，其中所計算機通訊地耦合至一或多個周圍空氣溫度感測器或一或多個周圍空氣濕度感測器，所述計算機配置成測量所述系統周圍的環境的周圍空氣溫度或周圍空氣濕度，及其組合。
根據請求項1所述的系統，其進一步包含位於所述冷凝室內部的冷凝室溫度感測器和冷凝室濕度感測器。
根據請求項18所述的系統，其中所述計算機包含集水算法，該集水算法可實施以基於所述周圍空氣溫度或所述周圍空氣濕度及其組合的測量值以調節所述系統的操作參數。
根據請求項19所述的系統，其中所述計算機包含集水算法，該集水算法可實施以基於解吸室空氣溫度和解吸室空氣濕度的測量值以調節所述系統的操作參數。
根據請求項21所述的系統，其中所述計算機進一步包含集水算法，該集水算法可實施以基於所述冷凝室空氣溫度和所述冷凝室空氣濕度的測量值以調節所述系統的操作參數。
根據請求項1所述的系統，其中所述計算機進一步包含集水算法，該集水算法可實施以所述解吸室溫度和所述冷凝室溫度與所述一或多個吸附劑的函數來確定每升水的系統能量消耗。
根據請求項23所述的系統，其中所述集水算法可實施以確定平均解吸溫度和平均冷凝溫度，以實現所述系統用所述一或多個吸附劑產生的每升水的最低能量。
一種折疊工具，其包括有：<br/> 一個本體，該本體設置有一個樞軸，該樞軸沿其徑向的外周緣設置有一個第一樞部及一個第二樞部，該第一樞部沿該樞軸徑向的寬度形成一個第一寬度，該第二樞部沿該樞軸徑向的寬度形成一個第二寬度，該第二寬度小於該第一寬度；<br/> 一個工具頭組，該工具頭組包括有一個第一工具頭及一個第二工具頭，該第一工具頭的一端設置有一個第一套接部，該第一套接部套接並樞設於該第一樞部，該第二工具頭的一端設置有一個第二套接部，該第二套接部套接並樞設於該第二樞部。
如請求項1所述之折疊工具，其中該第一樞部與該第二樞部相鄰，該工具頭組包括有一個第一墊圈，該第一墊圈套設於該第二樞部並抵靠於該第一樞部鄰近該第二樞部的一端，該第一墊圈沿該樞軸徑向的寬度形成一個第三寬度，該第三寬度大於該第一寬度，該第一墊圈沿該樞軸軸向的兩側分別抵靠於該第一套接部與該第二套接部。
如請求項2所述之折疊工具，其中該樞軸沿其徑向的外周緣設置有一個第三樞部，該第三樞部沿該樞軸徑向的寬度形成一個第四寬度，該第四寬度小於該第一寬度且不等於該第二寬度，該工具頭組包括有一個第三工具頭，該第三工具頭的一端設置有一個第三套接部，該第三套接部套接並樞設於該第三樞部。
如請求項3所述之折疊工具，其中該第三樞部與該第二樞部相鄰並設置於該第二樞部相反於該第一樞部的一側，該第四寬度小於該第二寬度，該工具頭組包括有一個第二墊圈，該第二墊圈套設於該第三樞部並抵靠於該第二樞部鄰近該第三樞部的一端，該第二墊圈沿該樞軸徑向的寬度等於該第三寬度，該第二墊圈沿該樞軸軸向的兩側分別抵靠於該第二套接部與該第三套接部。
如請求項4所述之折疊工具，其中該工具頭組包括有一個第四工具頭及一個第三墊圈，該第四工具頭的一端設置有一個第四套接部，該第四套接部套接並樞設於該第三樞部，該第四套接部設置於該第三套接部相反於該第二套接部的一側，該第三墊圈套設於該第三樞部，該第三墊圈沿該樞軸徑向的寬度等於該第三寬度，該第三墊圈沿該樞軸軸向的兩側分別抵靠於該第三套接部與該第四套接部。
如請求項3所述之折疊工具，其中該本體包括有兩個側板，該樞軸包括有一個軸桿、一個螺件及一個軸套，該軸桿穿設於該兩個側板，該螺件以螺鎖方式連接於該軸桿，該軸桿與該螺件分別抵靠於該兩個側板相反於彼此的一側，該軸套套設於該軸桿並設置於該兩個側板之間，該第一樞部、該第二樞部與該第三樞部設置於該軸套。
如請求項6所述之折疊工具，其中該本體包括有兩個挖胎棒，該兩個挖胎棒分別可脫離地連接於該側板，該側板設置於該兩個挖胎棒之間。
一種9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物，其特徵在於，具有式I所示結構： <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="65px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式I， <br/>式I所示結構，n=1~5，R選自H或碳原子數1~5的烷基；R′選自H、苯基、萘基或苄基。
如請求項1所述的9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物，其特徵在於，R、R′選自H，n=1~5，具有式II所示結構： <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="62px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式II。
如請求項2所述的9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物，其特徵在於，R、R′選自H，n=1時，為具有式III所示結構的9,9-雙[甲叉基(苯並環丁烯)]芴： <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="60px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式III， <br/>所述9,9-雙[甲叉基(苯並環丁烯)]芴具有單斜晶系，熱分析DSC譜的熔融吸收峰為 164.0~169.0℃。
一種如請求項1至3中任一項所述的9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物的合成方法，其特徵在於，包括以下步驟：鹼性條件下，將式IV所示結構的化合物溶於極性非質子溶劑中，加入式V所示結構的化合物，進行親核取代反應，得式I所示結構的9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物 <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="174px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>式V所示結構的化合物，X選自Cl、Br或I，所述親核取代反應的溫度為20~50℃，持續的時間為2~8小時， <br/>式IV所示結構的化合物、式V所示結構的化合物和式I所示結構中，n=1~5，R選自H或碳原子數1~5的烷基；R′選自H、苯基、萘基或苄基。
如請求項4所述的合成方法，其特徵在於，所述鹼性條件由鹼性試劑形成，以莫耳量計，所述鹼性試劑加入量為式IV所示結構化合物的1.8~3.0倍，式V所示結構化合物加入量為式IV所示結構化合物的2.0~2.5倍。
如請求項5所述的合成方法，其特徵在於，所述鹼性試劑為有機鹼、無機鹼、金屬氫化物中的一種或多種混合，所述有機鹼為叔丁醇鉀、叔丁醇鈉、異丙醇鉀、異丙醇鈉、乙醇鉀、乙醇鈉、甲醇鈉、甲醇鉀中的一種，無機鹼為氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氨基鉀、氨基鈉中的一種，金屬氫化物為氫化鉀和/或氫化鈉。
如請求項4所述的合成方法，其特徵在於，所述極性非質子性溶劑為N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、二甲亞碸、環丁碸、六甲基磷醯胺、N-甲基吡咯烷酮、乙腈中的一種或幾種混合。
一種碳氫樹脂材料，其特徵在於，由式I至式III所示結構的化合物中的至少一種作為單體，通過熔融熱固化製得， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="65px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式I， <br/>式I所示結構，n=1~5，R選自H或碳原子數1~5的烷基；R′選自H、苯基、萘基或苄基， <br/><img align="absmiddle" height="32px" width="62px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式II， <br/>式II所示結構，n=1~5， <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="60px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式III。
如請求項8所述的碳氫樹脂材料，其特徵在於，所述熔融熱固化條件為在氮氣保護下在180~250℃熔融熱固化，壓力為70~80mmHg，時間不少於240分鐘。
一種如請求項8或9所述的碳氫樹脂材料在高頻高速基板樹脂或微電子器件的封裝材料中的應用。
一種如請求項1至3中任一項所述的9,9-雙[烷叉基(苯並環丁烯)]芴衍生物作為烯基封端的改性聚苯醚樹脂的交聯劑。
一種操作拾放工具之方法，包含： <br/>使用一拾放工具的一臂來拾取一頂部晶粒； <br/>識別該臂上的一第一對準標記與該頂部晶粒上的一第一對準標記之間的一第一位置偏移，其中該頂部晶粒上的該第一對準標記不在該頂部晶粒的一角落中； <br/>識別該臂上的一第二對準標記與該頂部晶粒上的一第二對準標記之間的一第二位置偏移； <br/>基於該第一位置偏移及該第二位置偏移調整該臂的一定向；以及 <br/>控制該臂，以將該頂部晶粒放置於一目標位置中。
如請求項1所述之方法，其中該頂部晶粒上的該第二對準標記位於該頂部晶粒的該角落中。
如請求項1所述之方法，其中該頂部晶粒上的該第二對準標記不位於該頂部晶粒的該角落中。
如請求項1所述之方法，其中該頂部晶粒上的該第一對準標記及該頂部晶粒上的該第二對準標記位於該頂部晶粒的相鄰側面區域中。
如請求項1所述之方法，其中該頂部晶粒上的該第一對準標記位於該頂部晶粒上不同於該第二對準標記的一側上。
一種使用拾放工具之方法，包含： <br/>使用一拾放工具的一臂來拾取一頂部晶粒； <br/>使用一影像偵測器來捕獲一第一影像，該第一影像展示該臂上的一第一對準標記及該頂部晶粒上的一第一對準標記； <br/>使用該影像偵測器來捕獲一第二影像，該第二影像展示該臂上的一第二對準標記及該頂部晶粒上的一第二對準標記； <br/>自該第一影像確定一第一位置偏移； <br/>自該第二影像確定一第二位置偏移； <br/>基於該第一位置偏移及該第二位置偏移調整該臂的一定向；以及 <br/>控制該臂，以將該頂部晶粒放置於一目標位置中的一底部晶粒上。
如請求項6所述之方法，其中該第一位置偏移及該第二位置偏移係藉由以下步驟來識別： <br/>比較該第一影像中該臂上的該第一對準標記的一位置與該頂部晶粒上的該第一對準標記的一位置，以確定該第一位置偏移；以及 <br/>比較該第二影像中該臂上的該第二對準標記的一位置與該頂部晶粒上的該第二對準標記的一位置，以確定該第二位置偏移。
一種拾放工具，包含： <br/>一臂，包含： <br/>一吸頭，用於固持一頂部晶粒，該吸頭定義該臂的一晶粒區域； <br/>一第一對準標記，靠近該晶粒區域的一第一側面；以及 <br/>一第二對準標記，靠近該晶粒區域的一第二側面； <br/>至少一個驅動機構，連接至該臂；以及 <br/>一台架，用於在一第一位置與一第二位置之間移動該臂。
如請求項8所述之拾放工具，其中該晶粒區域的該第一側面與該第一對準標記之間的一距離為1公分或更小。
如請求項8所述之拾放工具，其中該第二對準標記靠近該晶粒區域的一角落，並且該拾放工具進一步包含在該晶粒區域的一第三側面上靠近該晶粒區域的該角落的一第三對準標記。
一種慶福燈，包含： <br/>一基座，包含一前凹槽、一通電模組安裝槽與一導光插孔，該前凹槽形成於該基座的前側，該通電模組安裝槽係位於該前凹槽內部的後側，該導光插孔形成於該基座的頂側，其與該前凹槽內部相通； <br/>一導光板，包含一光源顯示部與一插入部，該光源顯示部底端形成該插入部，該插入部係插入該導光插孔； <br/>一蓋板，其包含一內襯凸緣，其係形成於該蓋板後側； <br/>一燈源座，包含一支撐部、一燈源安裝部、一蓋板安裝部與一通電模組安裝部，該支撐部係設置於該燈源座頂部，該支撐部的後側具有一支撐面，該支撐面係呈縱向設置，其可貼合於該插入部，該燈源安裝部係相對地位於該支撐部的底部，該蓋板安裝部係設置於該燈源座前側，並安裝於該內襯凸緣的後側，該通電模組安裝部係設置於該燈源座後側； <br/>一燈源，係安裝於該燈源安裝部；以及 <br/>一通電模組，包含一第一通電座、一第一磁性元件、一第一通電元件、一第二通電座、一第二磁性元件、一第二通電元件，該第一通電座的同側設置有該第一磁性元件與該第一通電元件，該第一通電座係固設於該通電模組安裝部，該第一通電元件係與該燈源電性連接，該第二通電座的同側設置有該第二磁性元件與該第二通電元件，該第二通電座係固設於該通電模組安裝槽，該第二通電元件係與一電源電性連接； <br/>其中，當該燈源座與該內襯凸緣位於該前凹槽內時，該燈源係對應於該導光插孔與該插入部底部，該第一磁性元件與該第二磁性元件相吸，該第一通電元件與該第二通電元件對接。
如請求項1之慶福燈，其中該基座還包含一電線開孔與一後凹槽，該電線開孔係由該前凹槽內部與該基座後側相通，該通電模組安裝槽係由該電線開孔朝外圍擴張而成，其位於該電線開孔對應於前凹槽的一側，該後凹槽形成於該基座的後側。
如請求項1之慶福燈，其中該插入部的寬度小於該光源顯示部的寬度，該插入部的寬度與該導光插孔的寬度吻合。
如請求項1之慶福燈，其中該光源顯示部內具有一裝飾圖樣。
如請求項1之慶福燈，其中該蓋板的輪廓係與該基座前側面的外輪廓吻合。
如請求項1之慶福燈，其中該內襯凸緣的外輪廓與該前凹槽的槽型吻合。
如請求項1之慶福燈，其中該蓋板的前側還包含一前飾面，該前飾面係為縱向設置或傾斜設置。
如請求項1之慶福燈，其中該燈源安裝部的兩側設置有一導線開口，該通電模組安裝部與該燈源安裝部可通過該導線開口以電線電性連接。
如請求項1之慶福燈，其中該基座包含複數個該前凹槽、該通電模組安裝槽與該導光插孔。
如請求項9之慶福燈，其中該等前凹槽係以線狀排列於該基座。
一種DC‑DC電源供應器，包括：<br/> 一初級電路；<br/> 一次級電路；<br/> M組變壓器組，並聯連接於該初級電路與該次級電路之間，其中該M組變壓器組之每一組變壓器組包括N個變壓器，且M及N皆為正整數，M+N≥3；<br/> 其中，每一該變壓器包括一第一初級繞組、一第二初級繞組、一第一次級繞組及一第二次級繞組，其中該第一次級繞組及該第二次級繞組之一連接節點與該次級電路之一輸出電容電連接，且該第一次級繞組及該第二次級繞組各自與該次級電路之對應的一次級開關電連接；<br/> 其中，該M組變壓器組之每一該變壓器組之該N個變壓器之該第一初級繞組與該第二初級繞組串聯連接，且該M組變壓器組之所有該M×N個變壓器沿一第一方向排列，該M×N個變壓器之每一該變壓器包括沿該第一方向排列且分別沿一第二方向延伸之一第一側柱、一中心柱及一第二側柱，該第二方向垂直該第一方向。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該初級電路包括：<br/> 一第一開關橋臂，包括一第一初級開關與一第二初級開關彼此串聯連接；以及<br/> 一第二開關橋臂，包括一第三初級開關與一第四初級開關彼此串聯連接，其中該第一開關橋臂與該第二開關橋臂並聯連接；<br/> 其中，該M組變壓器組之每一組該變壓器組之該N個變壓器之該第一初級繞組及該第二初級繞組係串聯連接於該第一初級開關及該第二初級開關之一連接節點與該第三初級開關及該第四初級開關之一連接節點之間。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該初級電路包括具有並聯輸入之一第一半橋轉換器及一第二半橋轉換器；其中該第一半橋轉換器包括：<br/> 一第一電容橋臂，包括一第一電容與一第二電容彼此串聯連接；以及<br/> 一第一開關橋臂，包括一第一初級開關與一第二初級開關彼此串聯連接，其中該第一開關橋臂與該第一電容橋臂並聯連接；<br/> 該第二半橋轉換器包括：<br/> 一第二電容橋臂，包括一第三電容與一第四電容彼此串聯連接；以及<br/> 一第二開關橋臂，包括一第三初級開關與一第四初級開關彼此串聯連接，其中該第二開關橋臂與該第二電容橋臂並聯連接；<br/> 其中M大於1，該M組變壓器組分為一第一組與一第二組，該M組變壓器組之該第一組之該N個變壓器之該第一初級繞組及該第二初級繞組係串聯連接於該第一初級開關及該第二初級開關之一連接節點與該第一電容及該第二電容之一連接節點之間，以及該M組變壓器組之該第二組之該N個變壓器之該第一初級繞組及該第二初級繞組係串聯連接於該第三初級開關及該第四初級開關之一連接節點與該第三電容及該第四電容之一連接節點之間。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該M×N個變壓器中，任兩相鄰之該變壓器分別視為一第一變壓器及一第二變壓器，其中，於該第一變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第一側柱，該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第二側柱，其中，該第二變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第二側柱，該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第一側柱。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該M組變壓器組之每一組該變壓器組中之該N個變壓器之每一該變壓器係拆分為沿該第二方向堆疊之一第一變壓器及一第二變壓器，其中該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第一變壓器之該第一側柱與該第二變壓器之該第二側柱，其中該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第一變壓器之該第二側柱與該第二變壓器之該第一側柱。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該M組變壓器組之每一組該變壓器組之該N個變壓器之每一該變壓器中，該第一初級繞組及該第二初級繞組繞設於該中心柱，且每一繞組圈由該第一初級繞組及該第二初級繞組所形成，以及該第一次級繞組及該第二次級繞組繞設於該中心柱，且每一繞組圈由該第一次級繞組及該第二次級繞組所形成。
如請求項6所述之DC‑DC電源供應器，其中於該M×N個變壓器中，任兩相鄰之該變壓器分別視為一第一變壓器與一第二變壓器，其中於該第一變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組配置於該第一側柱與該中心柱之間，該第二初級繞組與該第二次級繞組配置於該中心柱與該第二側柱之間，其中，於該第二變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組配置於該中心柱與該第二側柱之間，該第二初級繞組與該第二次級繞組配置於該第一側柱與該中心柱之間。
如請求項7所述之DC‑DC電源供應器，其中該第一變壓器之該第二側柱與該第二變壓器之該第一側柱合併或一體成形形成一共用柱。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該初級電路、該M組變壓器組及該次級電路形成一轉換器，其中該DC‑DC電源供應器包括兩個該轉換器，分別視為一第一轉換器及一第二轉換器，且該第一轉換器之所有該變壓器沿該第二方向堆疊於該第二轉換器之所有該變壓器之上。
如請求項1所述之DC‑DC電源供應器，其中該M×N個變壓器包括倍流變壓器，且該M×N個變壓器與該次級電路形成倍流整流器。
一種變壓器組件，適用於具有一初級電路及一次級電路的DC‑DC電源供應器，其中該變壓器器組件包含M組變壓器組，該M組變壓器組並聯連接於該初級電路與該次級電路之間，該M組變壓器組之每一組變壓器組包括N個變壓器，且M及N皆為正整數，M+N≥3；<br/> 其中，每一該變壓器包括一第一初級繞組、一第二初級繞組、一第一次級繞組及一第二次級繞組，該第一次級繞組及該第二次級繞組之一連接節點與該次級電路之一輸出電容電連接，且該第一次級繞組及該第二次級繞組各自與該次級電路之對應的一次級開關電連接；<br/> 其中，該M組變壓器組之每一該變壓器組之該N個變壓器之該第一初級繞組與該第二初級繞組串聯連接，且該M組變壓器組之所有該M×N個變壓器沿一第一方向排列，該M×N個變壓器之每一該變壓器包括沿該第一方向排列且分別沿一第二方向延伸之一第一側柱、一中心柱及一第二側柱，該第二方向垂直該第一方向。
如請求項11所述之變壓器組件，其中於該M×N個變壓器中，任兩相鄰之該變壓器分別視為一第一變壓器及一第二變壓器，其中，於該第一變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第一側柱，該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第二側柱，其中，該第二變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第二側柱，該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第一側柱。
如請求項11所述之變壓器組件，其中該M組變壓器組之每一組該變壓器組中之該N個變壓器之每一該變壓器係拆分為沿該第二方向堆疊之一第一變壓器及一第二變壓器，其中該第一初級繞組與該第一次級繞組繞設於該第一變壓器之該第一側柱與該第二變壓器之該第二側柱，其中該第二初級繞組與該第二次級繞組繞設於該第一變壓器之該第二側柱與該第二變壓器之該第一側柱。
如請求項11所述之變壓器組件，其中該M組變壓器組之每一組該變壓器組之該N個變壓器之每一該變壓器中，該第一初級繞組及該第二初級繞組繞設於該中心柱，且每一繞組圈由該第一初級繞組及該第二初級繞組所形成，以及該第一次級繞組及該第二次級繞組繞設於該中心柱，且每一繞組圈由該第一次級繞組及該第二次級繞組所形成。
如請求項14所述之變壓器組件，其中於該M×N個變壓器中，任兩相鄰之該變壓器分別視為一第一變壓器與一第二變壓器，其中於該第一變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組配置於該第一側柱與該中心柱之間，該第二初級繞組與該第二次級繞組配置於該中心柱與該第二側柱之間，其中，於該第二變壓器中，該第一初級繞組與該第一次級繞組配置於該中心柱與該第二側柱之間，該第二初級繞組與該第二次級繞組配置於該第一側柱與該中心柱之間。
如請求項15所述之變壓器組件，其中該第一變壓器之該第二側柱與該第二變壓器之該第一側柱合併或一體成形形成一共用柱。
如請求項11所述之變壓器組件，其中該初級電路、該M組變壓器組及該次級電路形成一轉換器，其中該DC DC電源供應器包括兩個該轉換器，分別視為一第一轉換器及一第二轉換器，且該第一轉換器之所有該變壓器沿該第二方向堆疊於該第二轉換器之所有該變壓器之上。
如請求項11所述之變壓器組件，其中該M×N個變壓器包括倍流變壓器，且該M×N個變壓器與該次級電路形成倍流整流器。
一種冷板組件，其特徵在於，包括：換熱層，所述換熱層具有相背設置的第一側和第二側，所述第一側開設有換熱槽，所述第二側用於與發熱元件傳熱連接；均熱層，所述均熱層設於所述第一側，所述均熱層設有均流通道和進液口，所述均流通道的介質流動方向平行於所述換熱層所在的平面，所述進液口設有至少兩個，至少兩個所述進液口與所述均流通道連通並沿所述均流通道的介質流動方向間隔設置，以使所述均流通道能夠透過所述進液口與所述換熱槽連通；以及注液部，所述注液部設於所述均熱層並與所述均流通道連通；其中，所述冷板組件還包括排液部，所述均熱層還設有排液通道和出液口，所述排液通道的介質流動方向平行於所述換熱層所在的平面，所述出液口設有至少兩個，至少兩個所述出液口與所述排液通道連通並沿所述排液通道的介質流動方向間隔設置，以使所述換熱槽能夠透過所述出液口與所述排液通道連通，所述排液部設於所述均熱層並與所述排液通道連通；其中，所述冷板組件還包括隔斷件，所述隔斷件設於所述換熱槽內，以將所述換熱槽分隔形成至少兩個換熱空間，所述換熱空間與至少一個所述進液口連通，所述換熱空間與至少一個所述出液口連通；其中，所述出液口位於至少兩個相鄰設置的所述換熱空間的銜接處，以使所述出液口能夠與至少兩個相鄰設置的所述換熱空間連通。
如請求項1所述的冷板組件，其中，所述均流通道的介質流動方向和所述排液通道的介質流動方向均沿所述冷板組件的第一方向延伸設置，所述均流通道設有至少兩個，所述排液通道設有至少兩個，所述均流通道和所述排液通道沿所述冷板組件的第二方向一一交替設置，所述第二方向與所述第一方向呈夾角。
如請求項2所述的冷板組件，其中，所述均熱層還設有第一集液腔和第二集液腔，所述第一集液腔位於所述均流通道沿所述第一方向的一側，所述第二集液腔位於所述均流通道沿所述第一方向的另一側，所述第一集液腔與所述注液部連通，所述第二集液腔與所述排液部連通，至少兩個所述均流通道與所述第一集液腔連通，至少兩個所述排液通道與所述第二集液腔連通。
如請求項1所述的冷板組件，其中，所述冷板組件還包括散熱翅，所述散熱翅與所述換熱槽的底壁連接。
如請求項4所述的冷板組件，其中，所述散熱翅包括翅針，所述翅針設有至少兩個並間隔設置於所述換熱槽內，所述翅針的一端與所述換熱槽的底壁連接，所述翅針的另一端朝向所述均熱層設置。
如請求項1所述的冷板組件，其中，所述均熱層包括均熱板和蓋板，所述均熱板的一側設於所述第一側，所述均熱板的另一側開設有均流槽和排液槽，至少兩個所述進液口開設於所述均流槽的底壁，至少兩個所述出液口開設於所述換熱槽的底壁，所述蓋板設於所述均熱板遠離所述第一側的一側，所述蓋板與所述均流槽圍設形成所述均流通道，所述蓋板與所述排液槽圍設形成所述排液通道。
一種伺服器，其特徵在於，所述伺服器包括機箱、發熱元件以及如請求項1-6任一項所述的冷板組件，所述發熱元件和所述冷板組件均設於所述機箱內。
一種散熱結構（10），用於對第一硬碟陣列單元（31）與第二硬碟陣列單元（32）進行散熱，所述散熱結構（10）包括：<br/> 冷板（11），所述冷板（11）設有液流通道（1111），所述液流通道（1111）用於供冷卻液流動，所述冷板（11）具有所述液流通道（1111）的部分用於與所述第一硬碟陣列單元（31）熱耦合，以使所述液流通道（1111）內的冷卻液對所述第一硬碟陣列單元（31）進行液冷散熱；以及散熱風機（12），所述散熱風機（12）設於所述冷板（11）的側部，所述散熱風機（12）用於驅使空氣流動以對所述第二硬碟陣列單元（32）進行風冷散熱。
如請求項1所述的散熱結構（10），其中所述冷板（11）具有第一部分（111）以及第二部分（112），所述第一部分（111）設有所述液流通道（1111），所述第一部分（111）用於與所述第一硬碟陣列單元（31）熱耦合，所述第二部分（112）用於與所述第二硬碟陣列單元（32）熱耦合。
如請求項2所述的散熱結構（10），其中所述散熱風機（12）設於所述第一部分（111）背離所述第二部分（112）的一側。
如請求項1所述的散熱結構（10），其中所述液流通道（1111）設有至少兩條，至少兩條所述液流通道（1111）相互獨立且錯開設置。
如請求項1所述的散熱結構（10），其中所述液流通道（1111）設有至少兩條，至少兩條所述液流通道（1111）的長度相等。
如請求項2所述的散熱結構（10），其中所述冷板（11）還設有第一進液口（1112）以及第一出液口（1113），所述第一進液口（1112）以及所述第一出液口（1113）均與所述液流通道（1111）連通；<br/> 所述散熱結構（10）還包括冷卻液分配單元，所述冷卻液分配單元設有第二進液口以及第二出液口，所述第二進液口與所述第一出液口（1113）連通，所述第二出液口與所述第一進液口（1112）連通。
如請求項1所述的散熱結構（10），更包括多個導熱支架（13），多個所述導熱支架（13）陣列設於所述冷板（11）上並與所述冷板（11）熱耦合，多個所述導熱支架（13）均設有容置槽（131），所述容置槽（131）用以供多個硬碟（30）設置於內，且所述導熱支架（13）用以與所述硬碟（30）熱耦合。
如請求項7所述的散熱結構（10），其中所述導熱支架（13）包括導熱底板（132）、第一導熱側板（133）以及第二導熱側板（134），所述導熱底板（132）與所述冷板（11）熱耦合，所述第一導熱側板（133）設有兩個，兩個所述第一導熱側板（133）在所述冷板（11）的第一方向上相對設置，所述第二導熱側板（134）設於兩個所述第一導熱側板（133）之間，所述第一導熱側板（133）、所述第二導熱側板（134）與所述導熱底板（132）圍設形成所述容置槽（131）。
如請求項8所述的散熱結構（10），其中在所述第一方向上的相鄰兩個所述導熱支架（13）的所述第一導熱側板（133）之間間隔設置以形成有第一氣流通道；<br/> 和/或，在所述冷板（11）的第二方向上的相鄰兩個所述導熱支架（13）的所述第二導熱側板（134）之間的間距大於單個所述硬碟（30）的厚度，以使相鄰的其中一個所述導熱支架（13）上的所述硬碟（30）與相鄰的另外一個所述導熱支架（13）的所述第二導熱側板（134）之間間隔設置以形成有第二氣流通道。
如請求項7所述的散熱結構（10），更包括導熱介質層，所述導熱介質層設於所述冷板（11）與所述導熱支架（13）之間。
一種電子裝置，包括：<br/> 殼體（20），所述殼體（20）設有容納腔（21）、進風孔（231）以及出風孔（221），所述容納腔（21）與所述進風孔（231）以及所述出風孔（221）連通；多個硬碟（30），所述多個硬碟（30）陣列設於所述容納腔（21）內，以形成有第一硬碟陣列單元（31）以及第二硬碟陣列單元（32）；以及如請求項1至10任一項所述的散熱結構（10），所述冷板（11）設於所述容納腔（21）內，所述冷板（11）具有所述液流通道（1111）的部分與所述第一硬碟陣列單元（31）熱耦合，所述散熱風機（12）設於所述殼體（20），所述散熱風機（12）用於驅使外界空氣經所述進風孔（231）進入所述容納腔（21）內以吹向所述第二硬碟陣列單元（32）並從所述出風孔（221）排出。
如請求項11所述的電子裝置，其中所述散熱風機（12）設於所述第一硬碟陣列單元（31）背離所述第二硬碟陣列單元（32）的一側，所述散熱風機（12）的吸風側與所述進風孔（231）相對設置，所述散熱風機（12）的出風側與所述出風孔（221）相對設置。
如請求項11所述的電子裝置，更包括主板（40），所述冷板（11）設於所述主板（40）上，所述硬碟（30）設於所述冷板（11）背離所述主板（40）的一側並與所述主板（40）電連接。
一種並排式耦合電感器，包括：<br/> 一芯體，係至少包含一第一表面及一第二表面；其中該第一表面及該第二表面係呈垂直，該第一表面上形成有二第一接墊及二個第二接墊；<br/> 一第一次級線圈體，係包覆於該芯體中，並一體包含一第一橫部及二相對第一直立部，各該第一直立部係呈一字形；其中該二第一直立部的二自由端係直接朝向該芯體的該第一表面，並與該二第一接墊連接；以及<br/> 一第一初級線圈體，係包覆於該芯體中，並一體包含一第二橫部及二相對第二直立部；其中各該第二直立部係呈L形，並包含：<br/> 一垂直段，係電性絕緣且實體地緊靠於該第一次級線圈體的對應該直立部；以及<br/> 一水平段，係一體連接至該垂直段，且連接處形成一彎折部；其中該水平段的一自由端係朝向該芯體的該第二表面，而其朝向該芯體的第一表面的一側壁係直接與該第一表面上的對應該第二接墊連接。
如請求項1所述之並排式耦合電感器，其中該芯體係包含：<br/> 一內芯部，係包含：<br/> 一立牆；<br/> 一第一支架部，係自該立牆的一第一側面橫向延伸而出，供該第一次級線圈體的該第一橫部及該第一初級線圈體的該第二橫部設置於其上；以及<br/> 一第一擋牆，係自該第一支架部的未端向上延伸；其中並排設置的該第一橫部及該第二橫部係位在該立牆及該第一擋牆之間；以及<br/> 一外芯部，係包覆該內芯部、該第一次級線圈體及該第一初級線圈體。
如請求項2所述之並排式耦合電感器，其中該外芯部對應該第一次級線圈體的該二自由端與該第一初級線圈體的該二側壁形成多個開口，供該二第一接墊及該二第二接墊分別位在於其中。
如請求項3所述之並排式耦合電感器，其中各該第一接墊及各該第二接墊係與該外芯部的表面齊平。
如請求項1至4中任一項所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該第一次級線圈體的該第一橫部與該第一初級線圈體的該第二橫部靠攏處有一電絕緣層；以及<br/> 該第一次級線圈體的該二第一直立部與該第一初級線圈體的該二第二直立部的該二垂直段靠攏處有一電絕緣層。
如請求項5所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該第一次級線圈體除了該二第一直立部的該二自由端外，均包覆該電絕緣層；或<br/> 該第一初級線圈體除了該二水平段與該二第二接墊連接的側壁外，均包覆該電絕緣層。
如請求項2所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該芯體進一步包含一與該第二表面相對的第三表面，且其該第一表面上形成有二第三接墊及二個第四接墊；<br/> 該內芯部的該支架部的一第二側面係橫向延伸而出一第二支架部及一第二擋牆；<br/> 一第二次級線圈體，係包覆於該芯體中，並一體包含一第一橫部及二相對第一直立部，該第一橫部係設置在該第二支架部上，且各該第一直立部係呈一字形；其中該二第一直立部的二自由端係自該外芯部外露直接朝向該芯體的該第一表面，並與該二第三接墊連接；<br/> 一第二初級線圈體，係包覆於該芯體中，並一體包含一第二橫部及二相對第二直立部；其中該第二橫部係設置在該第二支架部上並靠攏該第一橫部，又各該第二直立部係呈L形，並包含：<br/> 一垂直段，係電性絕緣且實體地緊靠於該第二次級線圈體的對應該直立部；以及<br/> 一水平段，係一體連接至該垂直段，且連接處形成一彎折部；其中該水平段的一自由端係朝向該芯體的該第三表面，而其朝向該芯體的第一表面的一側壁係直接與該第一表面上的對應該第四接墊連接。
如請求項7所述之並排式耦合電感器，其中該外芯部對應該第二次級線圈體的該二自由端與該第二初級線圈體的該二側壁再形成多個開口，供該二第三接墊及該二第四接墊分別位在於其中，且各該第三接墊及各該第四接墊係與該外芯部的表面齊平。
如請求項7或8所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該第二次級線圈體的該第一橫部與該第二初級線圈體的該第二橫部靠攏處有一電絕緣層；以及<br/> 該第二次級線圈體的該二第一直立部與該第二初級線圈體的該二第二直立部的該二垂直段靠攏處有一電絕緣層。
如請求項9所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該第二次級線圈體除了該二第一直立部的該二自由端外，均包覆該電絕緣層；或<br/> 該第二初級線圈體除了該二水平段與該二第二接墊連接的側壁外，均包覆該電絕緣層。
如請求項10所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該芯體係進一步包含一與該第一表面相對的一第四表面；以及<br/> 二散熱片，係分別嵌合於該芯體的該第二表面及該第三表面，並分別延伸嵌合於該第一表面及該第二表面，但不與該第一表面的該第一接墊至該第四接墊接觸。
如請求項11所述之並排式耦合電感器，其中該內芯部對應該二散熱片位在該第一表面的部分係形成有嵌合槽。
如請求項10所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 各該彎折部之圓弧角係大於0.2mm；以及<br/> 各該水平段的二相對內側係與對應的第一支架部的外側或該第二支架部外側之間，係保持一間隙。
如請求項10所述之並排式耦合電感器，其中：<br/> 該第一支架部及該第二支架部係預先成型；以及<br/> 該外芯部係填粉成型，其材質可與該內芯部相同。
如請求項10所述之並排式耦合電感器，其中該外芯部、該第一支架部及該第二支架部的材質係為鐵鎳合金、奈米晶材、非晶材、羰基材或鐵硅鋁合金。
一種鼓風嘴前鼻磨損的預測方法，包含以下步驟：<br/> 建立反映高爐實際操作條件之模擬模型，該模擬模型包含鼓風嘴幾何結構與其對應之高爐環境區域，並設定包含氣體與焦炭顆粒性質之模擬參數；<br/> 利用計算流體力學（CFD）模擬鼓風嘴噴射氣體進入高爐環境後之流場分佈，並分析氣體對焦炭顆粒的作用；<br/> 利用離散元素法（DEM）模擬焦炭顆粒的運動行為，包括顆粒間相互作用、流動軌跡及其與鼓風嘴之碰撞行為；<br/> 結合CFD與DEM進行耦合模擬，並於耦合模擬中運用基於DEM建立磨損模型，據以預測焦炭顆粒與鼓風嘴前鼻表面之磨損分佈，以識別高磨損區域。
如請求項1所述之方法，其中所述高磨損區域是透過CFD與DEM耦合模擬，整合氣體流場與焦炭顆粒運動特性，取得鼓風嘴周圍焦炭顆粒撞擊能量與撞擊頻率的空間分布，並基於所述磨損模型，識別鼓風嘴前鼻最易產生旋回焦刮擦磨損之區域。
如請求項1所述之方法，其中於CFD與DEM之耦合模擬環境中，透過調整鼓風嘴前鼻的幾何結構，以改變焦炭顆粒撞擊能量與分佈狀態，據以預測不同幾何參數下之磨損分佈，並藉由模擬結果評估前鼻曲率、壁厚及表面微結構之設計對耐磨性能的影響。
如請求項1所述之方法，進一步包含局部塗覆強化處理步驟，係根據所識別之鼓風嘴前鼻高磨損區域，於該高磨損區域進行選擇性塗覆。
如請求項4所述之方法，其中所述局部塗覆強化處理步驟包含調整鼓風嘴前鼻高磨損區域之耐磨層厚度與其應力分佈設計。
如請求項4所述之方法，其中所述局部塗覆強化處理步驟的配置參數是依據高爐實際操作條件來設定，包括鼓風流速、焦炭粒徑分佈與燃燒環境。
如請求項1所述之方法，其中所述CFD模擬包含進行高解析度數值計算，以解析鼓風嘴內部及其出口區域之氣體流速、壓力分佈與溫度變化，並據此計算焦炭顆粒受氣流作用後之動力學行為。
如請求項1所述之方法，其中所述DEM模擬包含設定焦炭顆粒之形狀、尺寸分佈與物理性質，並基於顆粒與鼓風嘴之碰撞行為對應之磨損模型，計算顆粒撞擊能量、磨損率及表面材料變化。
如請求項1所述之方法，其中所述DEM之磨損模型係基於 Archard 磨損定律，並依據焦炭顆粒之撞擊角度、速度及壓力分佈，計算單位面積之磨耗速率，以預測鼓風嘴前鼻各部位之耐久性差異。
如請求項1所述之方法，還包括一驗證步驟，該驗證步驟包含利用一冷模風徑區實驗設備進行模擬，該冷模風徑區實驗設備包括：內部裝填試驗用顆粒之二維槽體、設置於該二維槽體入口處之試驗用鼓風嘴，以及與該試驗用鼓風嘴連接之供氣設備，用以提供模擬高爐內部之氣流條件；並透過觀察不同氣流條件下試驗用顆粒對鼓風嘴產生之磨耗狀況，以驗證模擬預測之準確性。
一種控壓閥控制方法，應用於半導體加工設備，包括： <br/>回應於檢測到的被控部件的實際壓力值未達到預設的目標壓力值，確定由該實際壓力值到達該目標壓力值所需的第一剩餘時間； <br/>回應於該第一剩餘時間大於預設時間閾值，對該實際壓力值和該目標壓力值的差值採用PID演算法計算出第一調整量； <br/>基於使該被控部件的實際壓力值達到該目標壓力值所需的控壓閥的控制參數對該第一調整量進行調整，得到第二調整量； <br/>根據該第二調整量對該控壓閥的控制參數進行調整，以使該被控部件達到該目標壓力值的第二剩餘時間小於該第一剩餘時間。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該方法還包括：回應於該第一剩餘時間小於或等於該預設時間閾值，對該實際壓力值和該目標壓力值的差值採用PID演算法計算出第一調整量，並根據該第一調整量對該控壓閥的控制參數進行調整。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該基於使該被控部件的實際壓力值達到該目標壓力值所需的控制參數對該第一調整量進行調整的步驟，包括： <br/>計算該控壓閥的控制參數的總調整量； <br/>計算該控壓閥的控制參數的補償調整量，該補償調整量為預設調整係數與該總調整量的乘積；其中，該預設調整係數大於0，且小於1； <br/>計算該第一調整量與該補償調整量之和，並將之作為該第二調整量。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該確定由該實際壓力值到達該目標壓力值所需的第一剩餘時間的步驟，包括： <br/>計算當前時刻檢測到的該實際壓力值與該目標壓力值的差值； <br/>計算在預設時間段內檢測到的該實際壓力值的變化率； <br/>計算自當前時刻，該被控部件的實際壓力值達到該目標壓力值所需的該第一剩餘時間；其中，該第一剩餘時間等於該差值與該變化率之比。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該計算該控壓閥的控制參數的總調整量，包括： <br/>計算檢測到的該被控部件的實際壓力值與當前的該控壓閥的控制參數的比值； <br/>計算該實際壓力值與該目標壓力值之間的差值與該比值之比，作為該總調整量。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該控壓閥的控制參數包括該控壓閥的閥門開度值。
如請求項1所述之控壓閥控制方法，其中，該預設時間閾值為預設回應時長與當前控制時長的差值； <br/>該預設回應時長小於或等於工藝期望控壓時長； <br/>該當前控制時長為從開始控制控壓閥的時刻到當前時刻的累積時長；或者，該當前控制時長為從該差值達到預設目標差值的時刻到當前時刻的累積時長。
如請求項1或請求項2所述之控壓閥控制方法，其中，在該確定由該實際壓力值到達該目標壓力值所需的第一剩餘時間的步驟之前，還包括： <br/>判斷該實際壓力值與該目標壓力值之間的差值是否大於預設目標差值；若是，則繼續進行後續步驟；若否，則返回該判斷該實際壓力值與該目標壓力值之間的差值是否大於預設目標差值的步驟； <br/>在對該控壓閥的控制參數進行調整之後，還包括： <br/>返回該判斷該實際壓力值與該目標壓力值之間的差值是否大於預設目標差值的步驟。
一種控壓閥控制裝置，應用於半導體加工設備，包括壓力檢測單元和控制單元，其中： <br/>該壓力檢測單元用於檢測被控部件的實際壓力值，並將該實際壓力值發送至該控制單元； <br/>該控制單元用於採用請求項1至8任意一項所述的控壓閥控制方法控制該控壓閥。
如請求項9所述之控壓閥控制裝置，其中，該控制單元包括第一計算模組和第二計算模組； <br/>該第一計算模組用於採用PID演算法計算該第一調整量； <br/>該第二計算模組用於計算該控壓閥的控制參數的總調整量，並根據該總調整量計算出該控壓閥的控制參數的補償調整量；該第二計算模組還用於獲取該第一調整量，並計算該第一調整量與該補償調整量之和，並將之作為該第二調整量。
一種半導體加工設備，包括半導體腔室、控壓閥和控制器，其中，該控壓閥用於控制該半導體腔室內部壓力；該控制器包括至少一個處理器和至少一個記憶體，該記憶體中存儲有電腦程式，該電腦程式被該處理器執行時實現如請求項1至8中任一項所述的控壓閥控制方法。
一種育苗模組，包含有：多數之育苗體，具有一核心層、一中間層及一外層，該核心層之頂面往下凹陷有一育苗室，該中間層係包覆於該核心層之外周面與底面上，而頂面呈透空，使該育苗室露出，該外層係包覆於該中間層之外周面與底面上，而頂面則呈透空，使該育苗室露出；多數之連接體，係分別連接於相鄰之兩兩育苗體之外層之間。
如請求項1所述之育苗模組，其中，該核心層之成分包含有植物纖維、再生紙漿、澱粉及蘆薈；該中間層之成分包含有植物纖維與再生紙漿及澱粉；該外層之成分包含有植物纖維、再生紙漿、蚵殼粉及澱粉。
如請求項1所述之育苗模組，其中，該核心層呈球狀，該中間層呈碗狀，該外層呈碗狀。
如請求項1所述之育苗模組，其中，該育苗體更包含有一第一夾層及一第二夾層，該第一夾層係被夾制於該核心層與該中間層之間，該第二夾層係被夾制於該中間層與該外層之間。
如請求項4所述之育苗模組，其中，該第一夾層之成分包含有糥米與寒天粉；該第二夾層之成分包含有糥米與寒天粉。
一種育苗體，包含有：一核心層，該核心層之頂面往下凹陷有一育苗室；一中間層，係包覆於該核心層之外周面與底面上，而頂面呈透空，使該育苗室露出；一外層，係包覆於該中間層之外周面與底面上，而頂面則呈透空，使該育苗室露出。
如請求項6所述之育苗體，其中，該核心層之成分包含有植物纖維、再生紙漿、澱粉及蘆薈；該中間層之成分包含有植物纖維與再生紙漿及澱粉；該外層之成分包含有植物纖維、再生紙漿、蚵殼粉及澱粉。
如請求項6所述之育苗體，其中，該核心層呈球狀，該中間層呈碗狀，該外層呈碗狀。
如請求項6所述之育苗體，更包含有一第一夾層及一第二夾層，該第一夾層係被夾制於該核心層與該中間層之間，該第二夾層係被夾制於該中間層與該外層之間。
如請求項9所述之育苗體，其中，該第一夾層之成分包含有糥米與寒天粉；該第二夾層之成分包含有糥米與寒天粉。
一種風力發電組合，其包含：<br/> 至少二個動力裝置組合相鄰設置，其各該動力裝置組合包含至少二個動力裝置串連，其中，各該動力裝置組合包含一轉子軸，其中，相鄰的二個該動力裝置之間之最長距離小於一個該動力裝置之本體之最短距離；<br/> 一發電裝置，包含一傳動軸，該傳動軸受驅動後轉動，以使該發電裝置產生一電能輸出；以及<br/> 其中，各轉子軸與該傳動軸以一傳動裝置結合，使各動力裝置組合之一機械能傳輸至該傳動軸。
如請求項1所述之該風力發電組合，該傳動裝置為各該動力裝置組合之該轉子軸分別與該傳動軸形成一有角度的嚙合。
如請求項2所述之該風力發電組合，該傳動裝置為一齒輪組與一傳輸帶之組合。
如請求項3所述之該風力發電組合，該轉子軸與該傳動軸以一傘形齒輪囓合。
如請求項4所述之該風力發電組合，該轉子軸與該傳動軸之一傳動比為1：1.1~10。
如請求項5所述之該風力發電組合，該齒輪組包含一齒輪或是一齒盤。
如請求項5所述之該風力發電組合，該傳輸帶包含一皮帶或是一鏈條。
如請求項1所述之該風力發電組合，每個該動力裝置包含：<br/> 二個固定板，其為板片狀，其間隔且平行設置，並定義一旋轉軸心，該旋轉軸心與該轉子軸對應；<br/> 複數個導流葉片，每一導流葉片為長條且包含多曲面之片體，兩端分別結合兩個該固定板，各導流葉片相互間隔設於兩個該固定板之間，且其一長度方向與該轉子軸的平行設置。
如請求項8所述之該風力發電組合，各該導流葉片之材質包含一纖維增強複合材料，其中，該纖維增強複合材料包含一樹脂以及一纖維。
如請求項8所述之該風力發電組合，各該導流葉片之材質包含一金屬，其中，該金屬材包含鋁合金或是不鏽鋼。
如請求項1所述之該風力發電組合，該傳動裝置包含一棘輪。
如請求項 1 所述之該風力發電組合，該風力發電組合設置一向位追蹤裝置。
一種分離散熱式共封裝光通訊裝置，包括： <br/>一主板； <br/>一基座，設置在該主板； <br/>一支架，設置在該主板且圍繞該基座； <br/>一主晶片，設置在該基座之中心且經由該基座電性連接該主板； <br/>複數光電訊號轉換模組，設置在該基座且經由該基座電性連接該主板，該些光電訊號轉換模組圍繞該主晶片配置且與該主晶片共同封裝設置在該基座； <br/>一第一散熱器，設置在該支架且熱連接該些光電訊號轉換模組，該第一散熱器具有一容槽，且該容槽底部設有一通口；及 <br/>一第二散熱器，嵌設在該容槽中，該第二散熱器具有一凸台，該凸台穿過該通口而熱連接該主晶片。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一散熱器具有一第一均溫板，且該第一均溫板搭接該基座。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第二散熱器具有一第二均溫板，且該第二均溫板的一側凸出形成該凸台熱連接該主晶片。
如請求項3所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第二均溫板的另一側立設有連通第二均溫板的至少一熱轉移腔體。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一散熱器疊置在該基座上且鎖附該支架 。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，更包含一托架，設置在該主板且該第一散熱器鎖附該托架。
如請求項6所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該托架圍繞該支架。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一散熱器具有複數穿孔，且該第二散熱器穿過該些穿孔鎖附基座 。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一散熱器具有一第一均溫板，該第一均溫板疊置在基座上，該第一均溫板的其中一面第一底面搭接該基座且熱連接該些光電訊號轉換模組，在該第一均溫板的另一面上則設置有一第一鰭片組。
如請求項9所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一均溫板鎖附該支架，該第一鰭片組設有連接至該第一均溫板的複數操作通道以供鎖附該第一均溫板。
如請求項1所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第二散熱器具有一第二均溫板，該第二均溫板上設置有一第二鰭片組且該第二鰭片組之外輪廓與容槽之內輪廓相配合。
如請求項11所述之分離散熱式共封裝光通訊裝置，其中該第一散熱器具有複數穿孔，且該第二均溫板穿過該些穿孔鎖附該基座，該第二鰭片組設有連接至該第二均溫板的複數操作通道以供鎖附該第二均溫板。
一種載板測試裝置，設置於一半導體量測機台中，包含：<br/>一檢測治具，包含複數個被動元件；以及<br/>一連接電路，電性連接於該檢測治具及一載板之間，其中當該連接電路透過該載板連接至一測試儀器時，該檢測治具的該些被動元件與該載板及該測試儀器形成至少一測試迴路，以使該測試儀器透過一測試訊號，測試該載板的電氣特性。
如請求項1所述之載板測試裝置，其中該些被動元件包含複數個阻抗元件，且該載板內包含至少一開關元件，當該檢測治具透過該連接電路及該載板電性連接至該測試儀器時，該些阻抗元件用以透過該至少一開關元件選擇性地形成一串聯測試路徑或一並聯測試路徑。
如請求項1所述之載板測試裝置，其中該連接電路包含：<br/>一基板；以及<br/>複數個彈性端子，設置於該基板上，其中當該些彈性端子被壓縮時，該半導體量測機台內對應於該基板的一側之區域將形成一間隙空間；<br/>其中該檢測治具係設置於該間隙空間中，且位於該連接電路及該半導體量測機台中的一功能板卡之間。
一種半導體量測機台，包含：<br/>一載板，用以傳遞一量測訊號至一待測物；<br/>一連接電路，該連接電路的一第一側耦接於該載板，該連接電路的一第二側則對應於該半導體量測機台內的一配置空間；<br/>一功能板卡，設置於該配置空間中；以及<br/>一檢測治具，設置於該配置空間中，且包含複數個被動元件；<br/>其中當該連接電路的該第二側電性連接至該功能板卡時，該功能板卡用以提供該量測訊號，以量測該待測物的電氣特性；<br/>其中當該連接電路的該第二側電性連接至該檢測治具時，該檢測治具的該些被動元件及該載板用以形成至少一測試迴路，使一測試儀器透過該至少一測試迴路傳遞一測試訊號，以測試該載板的電氣特性。
如請求項4所述之半導體量測機台，其中該連接電路包含：<br/>一基板；以及<br/>複數個彈性端子，設置於該基板上，且伸入至該配置空間，其中當該些彈性端子被壓縮時，該配置空間中對應於該連接電路的該第二側的區域將形成一間隙空間；以及<br/>其中該檢測治具係設置於該間隙空間中。
如請求項4所述之半導體量測機台，還包含：<br/>一連接器，其中該功能板卡係設置於該連接器上，且該連接器與該連接電路的該第二側之間具有一第一間距；<br/>其中該第一間距係大於該檢測治具的厚度，以使該檢測治具設置於該連接器及該連接電路之間的一間隙空間中。
如請求項4所述之半導體量測機台，其中該至少一測試迴路用以測試該載板的一路徑阻抗，且該路徑阻抗用以作為一校正資料，使該半導體量測機台根據該校正資料及該量測訊號，量測該待測物的電氣特性。
如請求項4所述之半導體量測機台，其中該至少一測試迴路用以傳遞數位格式的該測試訊號，以測試該測試訊號的一反射時間。
如請求項4所述之半導體量測機台，其中該些被動元件包含複數個阻抗元件，且該載板內包含至少一開關元件，當該連接電路的該第二側連接至該檢測治具時，該些阻抗元件用以透過該至少一開關元件選擇性地形成一串聯測試路徑或一並聯測試路徑。
如請求項9所述之半導體量測機台，其中在該些阻抗元件透過該至少一開關元件形成該串聯測試路徑時，該測試儀器用以檢測該串聯測試路徑的電流，以判斷該載板是否存在一並聯阻抗；以及<br/>其中在該些阻抗元件透過該至少一開關元件形成該並聯測試路徑時，該測試儀器用以檢測該並聯測試路徑的電壓，以判斷該載板是否存在一串聯阻抗。
一種相機，其整合在一行動裝置中，該相機包括：<br/> 一鏡頭組件，其包括在一物體側上以L<sub>1</sub>開始的N個透鏡元件L<sub>1</sub>-L<sub>N</sub>，其中其中N ≥ 6；<br/> 一影像感測器，具有一感測器對角線S<sub>D</sub>，該感測器對角線S<sub>D</sub>的範圍在11至22毫米內；以及<br/> 一彈出機構，配置為控制一透鏡元件與與該影像感測器之間的一氣隙，以使該相機進入一操作彈出狀態及一收縮狀態，<br/> 其中該彈出機構配置為相對於該行動裝置的一固定表面來升高及降低一移動窗元件，並且該彈出機構配置包括一外部模組密封件，該外部模組密封件配置為防止流體及顆粒進入該行動裝置，<br/> 其中該外部模組密封件耦合到該移動窗元件及該固定表面，以適應該移動窗元件的一運動，<br/> 其中該鏡頭組件具有在該操作彈出狀態下的一光學總長TTL及在該收縮狀態下的一收縮光學總長cTTL，並且<br/> 其中cTTL/S<sub>D</sub> ＜ 0.65。
如請求項1所述之相機，其中該外部模組密封件具有一可收縮結構、一內緣及一外緣，並且其中當該彈出機構降低該移動窗元件時，該外部模組密封件收縮至一周邊凸起中，該周邊凸起形成在該內緣與該外緣之間。
如請求項2所述之相機，其中當該彈出機構升高該移動窗元件時，該外部模組密封件的該周邊凸起展開。
如請求項3所述之相機，其中在該操作彈出狀態下，該外部模組密封件延伸以形成具有一管狀形狀的一冠部。
如請求項3所述之相機，其中在該收縮狀態下，該周邊凸起向內延伸到該行動裝置。
如請求項1所述之相機，其中該外部模組密封件有利於完全防止灰塵進入該行動裝置，並且使該行動裝置能夠在預定壓力條件下持續進入水中。
如請求項6所述之相機，其中該外部模組密封件支持該行動裝置的IP68等級。
如請求項1所述之相機，其中該彈出機構包括一步進馬達。
如請求項1所述之相機，其中cTTL/S<sub>D</sub> ＜ 0.625。
如請求項1所述之相機，其中N ≥ 6，包括N = 6或7。
如請求項1所述之相機，其中該鏡頭組件具有一F數，該F數的範圍在1.7至2.5內。
如請求項1所述之相機，其中該鏡頭組件具有一F數，該F數的範圍在1.5至1.7內。
如請求項1所述之相機，其中該相機包括一光學模組，該光學模組包括該鏡頭組件，其中該彈出機構包括與該光學模組可接合的一窗框，其中該窗框在該操作彈出狀態下不接觸該光學模組，並且其中該窗框可操作成壓在該光學模組上以使該相機進入該收縮狀態。
如請求項13所述之相機，其中該移動窗元件是該窗框。
如請求項13所述之相機，其中該光學模組具有一光學模組直徑d<sub>O</sub>，其中該鏡頭組件具有一最大鏡頭直徑d<sub>L</sub>，其中d<sub>O</sub> ＜ d<sub>L</sub> + 8毫米。
如請求項15所述之相機，其中d<sub>O</sub> ＜ d<sub>L</sub> + 4毫米。
如請求項15所述之相機，其中d<sub>O</sub> ＜ d<sub>L</sub> + 2毫米。
如請求項15所述之相機，其中d<sub>O</sub> ＜ d<sub>L</sub> + 1毫米。
如請求項1所述之相機，其中該彈出機構包括基於運動耦合機構的一引導暨定位機構。
如請求項1所述之相機，其中該行動裝置是一智慧型手機。
一種化學機械拋光之方法，包含以下步驟： <br/>以一拋光墊，而以該拋光墊的一表面拋光一基板； <br/>蒸發一液體或固體材料以產生一冷氣體； <br/>在該基板的該拋光期間，藉由將該冷氣體的一串流引導至該拋光墊上來降低該拋光墊的一溫度。
如請求項1所述之方法，其中該液體為液態氮且該冷氣體為氮氣。
如請求項1所述之方法，其中該固體為乾冰且該冷氣體為二氧化碳。
如請求項1所述之方法，其中該冷氣體具有比正常大氣更少的氧。
如請求項1所述之方法，包含以下步驟：將液態水滴注入冷氣體的該串流中。
一種化學機械拋光之方法，包含以下步驟： <br/>在一第一溫度下，以一拋光墊，而以該拋光墊的一表面拋光一基板；及 <br/>在該基板的拋光期間， <br/>流動一壓縮的氣體通過一渦流管，以產生冷氣體的一串流及熱氣體的一串流，且 <br/>藉由引導冷氣體的該串流至該拋光墊的該表面上，來降低該拋光墊的該表面的一溫度。
如請求項6所述之方法，其中該冷氣體具有比正常大氣更少的氧。
如請求項6所述之方法，包含以下步驟：將液態水滴注入冷氣體的該串流中。
如請求項6所述之方法，其中將冷氣體的該串流引導至該拋光墊的該表面上之步驟包含以下步驟：將該冷氣體引導通過在該拋光墊上延伸的一手臂上的複數個噴嘴。
如請求項9所述之方法，包含以下步驟：將氣體流動通過複數個渦流管，至在該等渦流管的該等下部端處的複數個噴嘴中。
一種化學機械拋光系統，包含： <br/>一平台，以支撐具有一拋光表面的一拋光墊； <br/>一承載頭，以保持一基板與該拋光表面接觸； <br/>一溫度控制系統，包括： <br/>冷流體的一源，及 <br/>一配給器，具有在該平台上懸吊的一或更多噴嘴，以將冷流體的該串流引導至該拋光表面上，其中各個噴嘴配置成以一大致呈平面三角形空間而產生一噴灑，而在一拉長的區域中撞擊該拋光墊。
如請求項11所述之系統，其中該等噴嘴之一或更多者經定向，使得該等拉長的區域之一或更多者具有一縱軸，該縱軸平行於延伸通過該拉長的區域的該半徑。
如請求項11所述之系統，其中該等噴嘴之一或更多者經定向，使得該等拉長的區域之一或更多者相對於通過該拉長的區域的該半徑具有一傾斜角度。
如請求項11所述之系統，其中該複數個噴嘴經定向，使得從某噴嘴的噴灑的一中心軸相對於該拋光表面具有一傾斜角度。
如請求項14所述之系統，其中該複數個噴嘴經定向，使得噴灑在將該噴灑撞擊在該拋光墊上的一區域中以一水平分量引導出，該水平分量在相對於該拋光墊的運動的一方向的一方向中。
一種牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其包含： <br/>步驟一(A1)：取複數已知本地產地牛乳(10A)、取複數已知進口產地牛乳(10B)，該已知本地產地牛乳(10A)具有一第一已知物理化學屬性(11A)，該已知進口產地牛乳(10B)具有一第二已知物理化學屬性(11B)，該第一已知物理化學屬性(11A)與該第二已知物理化學屬性(11B)為牛乳分析出的同位素、微量元素含量等至少1種物理化學屬性到26種物理化學屬性或以上； <br/>步驟二(A2)：將複數已知本地產地牛乳(10A)與複數已知進口產地牛乳(10B)進行混合，成為複數已知產地混乳(10C)，且該已知產地混乳(10C)具有混合的第三已知物理化學屬性(11C)； <br/>步驟三(A3)：將複數具該第一已知物理化學屬性(11A)的該已知本地產地牛乳(10A)、複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)與複數具該第三已知物理化學屬性(11C)的該已知產地混乳(10C)分別以一第一監督式機器學習演算法(20)進行演算分別得到複數預測純乳機率(12A)與複數預測混乳機率(12B)，該預測純乳機率(12A)為該已知本地產地牛乳(10A)及該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生，該預測混乳機率(12B)為該已知產地混乳(10C)演算所產生，該預測純乳機率(12A)與該預測混乳機率(12B)為0到1的機率值； <br/>步驟四(A4)：將該預測純乳機率(12A)與該預測混乳機率(12B)加入一為機率強化算式(30)的熵值運算(30A)(Shannon‘s entropy formula (夏農熵))進行運算，<img align="absmiddle" height="77px" width="223px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中H為熵值，Pi為該各預測純乳機率(12A)或該各預測混乳機率(12B)，以得到對應該各已知單一產地牛乳(10A及10B)、該各已知產地混乳(10C)的複數混乳訊號強度(40)，此目的為放大加強該各預測純乳機率(12A)與放大加強該各預測混乳機率(12B)的訊號強度，該混乳訊號強度(40)為0到1的訊號強度； <br/>步驟五(A5)：將該複數已知單一產地牛乳(10A及10B)的該第一及第二已知物理化學屬性(11A及11B)與該複數已知產地混乳(10C)的該第三已知物理化學屬性(11C)，分別導入自身對應的該混乳訊號強度(40)訊號後，分別以一第二監督式機器學習演算法(50)進行演算各自得到一對應最終純乳機率(14A)或對應的最終混乳機率(14B)，該最終純乳機率(14A)與該最終混乳機率(14B)為0到1的值； <br/>步驟六(A6)：將複數具該最終純乳機率(14A)的該已知單一產地牛乳(10A及10B)與複數具該最終混乳機率(14B)的該已知產地混乳(10C)判讀，其中接近訊號1為多產地混乳機率值，接近訊號0為單一產地牛乳機率值。
如請求項1所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其中該已知本地產地牛乳(10A)的該第一已知物理化學屬性(11A)、該已知進口產地牛乳(10B)的該第二已知物理化學屬性(11B)與該已知產地混乳(10C)的該第三已知物理化學屬性(11C)的同位素、微量元素含量等26種物理化學屬性，各自拆成26個獨立的物理化學屬性，分別為一第一獨立物理化學屬性(X1)、一第二獨立物理化學屬性(X2)、一第三獨立物理化學屬性(X3)以此類推至一第二十六獨立物理化學屬性(X26)，將該第一獨立物理化學屬性(X1)、該第二獨立物理化學屬性(X2)、該第三獨立物理化學屬性(X3)以此類推至該第二十六獨立物理化學屬性(X26)分別依序進行該步驟一(A1)、該步驟二(A2)、該步驟三(A3)、該步驟四(A4)、該步驟五(A5)及該步驟六(A6)即可得到對應的該最終純乳機率(14A)與該最終混乳機率(14B)為0到1的機率，藉此可以選用或放棄該第一獨立物理化學屬性(X1)至該第二十六獨立物理化學屬性(X26)其中不正確機率高的物理化學屬性。
如請求項1所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其中該第一監督式機器學習演算法(20)採用的是隨機森林(Random Forest)，該第二監督式機器學習演算法(50)採用的是隨機森林(Random Forest)。
如請求項1所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，更包含：一步驟七(A7)：取一未知乳源(60)，該未知乳源(60)有一第四已知物理化學屬性(61)，將該第四已知物理化學屬性(61)依序進行該步驟三(A3)、該步驟四(A4)、該步驟五(A5)及該步驟六(A6)可得到一未知乳源判斷結果(62)，其中接近1為多產地混乳機率值，接近0為單一產地牛乳機率值。
如請求項1所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，該步驟三(A3)：更包含將複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)與複數具該第三已知物理化學屬性(11C)的該已知產地混乳(10C)分別以一第一監督式機器學習演算法(20)進行演算分別得到複數預測純乳機率(12A)與複數預測混乳機率(12B)，該預測純乳機率(12A)為該已知本地產地牛乳(10A)與該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生；該步驟五(A5)：複數具該最終純乳機率(14A)更包含該複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生。
一種牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其包含： <br/>步驟一(A1)：取複數已知本地產地牛乳(10A)、取複數已知進口產地牛乳(10B)，該已知本地產地牛乳(10A)具有一第一已知物理化學屬性(11A)，該已知進口產地牛乳(10B)具有一第二已知物理化學屬性(11B)，該第一已知物理化學屬性(11A)與該第二已知物理化學屬性(11B)為牛乳分析出的同位素、微量元素含量等至少1種物理化學屬性到26種物理化學屬性或以上； <br/>步驟二(A2)：將複數已知本地產地牛乳(10A)與複數已知進口產地牛乳(10B)進行混合，成為複數已知產地混乳(10C)，且該已知產地混乳(10C)具有混合的第三已知物理化學屬性(11C)； <br/>步驟三(A3)：將複數具該第一已知物理化學屬性(11A)的該已知本地產地牛乳(10A)、複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)與複數具該第三已知物理化學屬性(11C)的該已知產地混乳(10C)分別以一第一監督式機器學習演算法(20)進行演算分別得到複數預測純乳機率(12A)與複數預測混乳機率(12B)，該預測純乳機率(12A)為該已知本地產地牛乳(10A)及該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生，該預測混乳機率(12B)為該已知產地混乳(10C)演算所產生，該預測純乳機率(12A)與該預測混乳機率(12B)為0到1的機率值； <br/>步驟四(A4)：將該預測純乳機率(12A)與該預測混乳機率(12B)加入一為機率強化算式(30)的基尼係數(30B)(Gini Index(或稱基尼不純度Gini Impurity))進行運算，<img align="absmiddle" height="69px" width="223px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中Gini為基尼係數，Pj為該各預測純乳機率(12A)或該各預測混乳機率(12B)，以得到對應該各已知單一產地牛乳(10A及10B)、該各已知產地混乳(10C)的複數混乳訊號強度(40)，此目的為放大加強該各預測純乳機率(12A)與放大加強該各預測混乳機率(12B)的訊號強度，該混乳訊號強度(40)為0到0.5的值； <br/>步驟五(A5)：將該複數已知單一產地牛乳(10A及10B)的該第一及第二已知物理化學屬性(11A及11B)與該複數已知產地混乳(10C)的該第三已知物理化學屬性(11C)，分別導入自身對應的該混乳訊號強度(40)訊號後，分別以一第二監督式機器學習演算法(50)進行演算各自得到一對應最終純乳機率(14A)或對應的最終混乳機率(14B)，該最終純乳機率(14A)與該最終混乳機率(14B)為0到1的值； <br/>步驟六(A6)：將複數具該最終純乳機率(14A)的該已知單一產地牛乳(10A及10B)與複數具該最終混乳機率(14B)的該已知產地混乳(10C)判讀，其中接近訊號1為多產地混乳機率值，接近訊號0為單一產地牛乳機率值。
如請求項6所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其中該已知本地產地牛乳(10A)的該第一已知物理化學屬性(11A)、該已知進口產地牛乳(10B)的該第二已知物理化學屬性(11B)與該已知產地混乳(10C)的該第三已知物理化學屬性(11C)的同位素、微量元素含量等26種物理化學屬性，各自拆成26個獨立的物理化學屬性，分別為一第一獨立物理化學屬性(X1)、一第二獨立物理化學屬性(X2)、一第三獨立物理化學屬性(X3)以此類推至一第二十六獨立物理化學屬性(X26)，將該第一獨立物理化學屬性(X1)、該第二獨立物理化學屬性(X2)、該第三獨立物理化學屬性(X3)以此類推至該第二十六獨立物理化學屬性(X26)分別依序進行該步驟一(A1)、該步驟二(A2)、該步驟三(A3)、該步驟四(A4)、該步驟五(A5)及該步驟六(A6)即可得到對應的該最終純乳機率(14A)與該最終混乳機率(14B)為0到1的機率，藉此可以選用或放棄該第一獨立物理化學屬性(X1)至該第二十六獨立物理化學屬性(X26)其中不正確機率高的物理化學屬性。
如請求項6所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，其中該第一監督式機器學習演算法(20)採用的是隨機森林(Random Forest)，該第二監督式機器學習演算法(50)採用的是隨機森林(Random Forest)。
如請求項6所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，更包含：一步驟七(A7)：取一未知乳源(60)，該未知乳源(60)有一第四已知物理化學屬性(61)，將該第四已知物理化學屬性(61)依序進行該步驟三(A3)、該步驟四(A4)、該步驟五(A5)及該步驟六(A6)可得到一未知乳源判斷結果(62)，其中接近1為多產地混乳機率值，接近0為單一產地牛乳機率值。
如請求項6所述的牛乳的單一產地與非單一產地的混乳辨識方法，該步驟三(A3)：更包含將複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)與複數具該第三已知物理化學屬性(11C)的該已知產地混乳(10C)分別以一第一監督式機器學習演算法(20)進行演算分別得到複數預測純乳機率(12A)與複數預測混乳機率(12B)，該預測純乳機率(12A)為該已知本地產地牛乳(10A)與該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生；該步驟五(A5)：複數具該最終純乳機率(14A)更包含該複數具該第二已知物理化學屬性(11B)的該已知進口產地牛乳(10B)演算所產生。
一種物聯網智慧多功能標示牌，包含：<br/> 行動裝置，用以供消費者操作，而產生並輸出操作資料；以及<br/> 標示牌體，經配置而與陳列商品的貨架連接，用以呈現該商品的商品資訊，該標示牌體包括：<br/> 通訊模組，設置於該標示牌體內，用以與該行動裝置連接而獲得該操作資料；<br/> 收音模組，設置於該標示牌體的表面，用以收集聲音而獲得聲音資料；<br/> 儲存模組，設置於該標示牌體內，用以儲存對應於商品的商品資訊；<br/> 人工智慧控制模組，設置於該標示牌體內並連接於該通訊模組、該收音模組及該儲存模組，藉由人工智慧模型對該聲音資料進行語音辨識，而獲得辨識結果，並且根據該操作資料及／或該辨識結果，將該儲存模組中對應該消費者的所屬國家的語言的該商品資訊作為所屬國家語言商品資訊予以輸出；以及<br/> 顯示模組，設置於該標示牌體的表面並連接於該儲存模組，顯示該所屬國家語言商品資訊。
如請求項1所述之物聯網智慧多功能標示牌，其中該商品資訊包括對應於該商品的名稱、價格、規格、促銷資訊及有效日期。
如請求項1所述之物聯網智慧多功能標示牌，其中該所屬國家語言商品資訊包括對應該消費者的所屬國家的幣值。
如請求項1所述之物聯網智慧多功能標示牌，其中該顯示模組更顯示對應該行動裝置的辨識燈號。
如請求項1所述之物聯網智慧多功能標示牌，更包含一後台裝置，連接於該標示牌體的該通訊模組，該後台裝置接收銷售者的操作而對儲存於該儲存模組的該商品資訊進行修改。
一種具備動態感光位點可用性評估的電光系統，該系統包括：<br/> 一光電檢測器陣列，包括多個感光位點，每個感光位點可操作以在多個不同幀輸出多個檢測訊號，由該相應的感光位點對於一幀輸出的該檢測訊號指示在一相應幀曝光時間期間衝擊在該相應的感光位點上的一光量；<br/> 一可用性過濾模組，可操作以先基於一第一幀曝光時間對於該多個感光位點中的每個感光位點決定該感光位點為不可用，並且稍後基於一第二幀曝光時間決定該感光位點為可用，該第二幀曝光時間比該第一幀曝光時間更短；及<br/> 一處理器，可操作以基於該多個感光位點的多個幀檢測級別產生多個影像，其中該處理器被配置為：<br/> 當基於多個第一幀檢測級別產生一第一影像時，排除由該可用性過濾模組決定為不可用於該第一影像的一被濾波的感光位點的一第一檢測訊號，以及<br/> 當在擷取該多個第一幀檢測級別後基於由該光電檢測器陣列擷取的多個第二幀檢測級別產生一第二影像時，包括由該可用性過濾模組決定為可用於第二影像的該被濾波的感光位點的一第二檢測訊號。
如請求項1所述的電光系統，包括：一控制器，該控制器用於基於該電光系統的一視野中的多個物體的多個不同照明級別，決定對於多個不同幀的多個不同幀曝光時間。
如請求項2所述的電光系統，其中該控制器被配置為通過最大化多個幀曝光時間，同時將對於該多個幀的多個不可用感光位點的一數量保持低於一預定閾值，決定該電光系統的多個幀曝光時間。
如請求項1所述的電光系統，包括：至少一個遮蔽光電檢測器，該至少一個遮蔽光電檢測器被遮蔽以免受環境照明；及一電路，該電路基於該至少一個遮蔽光電檢測器的訊號位準輸出一電參數，指示暗電流級別，其中該處理器被配置為基於該電參數、基於該相應的幀曝光時間及基於該光電檢測器陣列的該多個檢測訊號產生多個影像，從而補償在多個不同幀中的暗電流累積的多個不同程度。
如請求項4所述的電光系統，包括：一控制器，該控制器用於基於該電光系統的一視野中的多個物體的多個不同照明級別，決定對於多個不同幀的多個不同幀曝光時間，其中該控制器被配置為通過最大化多個幀曝光時間，同時將對於該多個相應幀的多個不可用感光位點的一數量保持低於一預定閾值，決定該電光系統的多個幀曝光時間。
如請求項1所述的電光系統，其中該處理器可操作以基於在該感光位點被識別為可用時被測量的該被濾波的感光位點的一檢測級別，計算該被濾波的感光位點相關聯的該第一影像的至少一個像素的一替換值。
如請求項6所述的電光系統，包括：一控制器，該控制器用於基於該電光系統的一視野中的多個物體的多個不同照明級別，決定多個不同幀的多個不同幀曝光時間，其中該控制器被配置為通過最大化多個幀曝光時間，同時將對於該多個相應幀的多個不可用感光位點的一數量保持低於一預定閾值，決定該電光系統的多個幀曝光時間。
一種基於一光電檢測器陣列的資料產生影像資訊的方法，包括：<br/> 接收第一幀資訊，該第一幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的多個感光位點中的每個感光位點的一第一幀檢測級別，該第一幀檢測級別指示在一第一幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第一幀曝光時間，在該光電檢測器陣列的該多個感光位點中識別：(a) 一第一可用感光位點群組，該第一可用感光位點群組包括一第一個感光位點、一第二個感光位點及一第三個感光位點，以及(b) 一第一不可用感光位點群組，該第一不可用感光位點群組包括一第四個感光位點；<br/> 基於該第一可用感光位點群組的多個第一幀檢測級別產生一第一影像，而不理會該第一不可用感光位點群組的多個第一幀檢測級別；<br/> 在接收該第一幀資訊後，決定一第二幀曝光時間，該第二幀曝光時間比該第一幀曝光時間更長；<br/> 接收第二幀資訊，該第二幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的該多個感光位點中的每個感光位點的一第二幀檢測級別，該第二幀檢測級別指示在該第二幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第二幀曝光時間，在該光電檢測器陣列的該多個感光位點中識別：一第二可用感光位點群組，該第二可用感光位點群組包括該第一個感光位點，以及一第二不可用感光位點群組，該第二不可用感光位點群組包括該第二個感光位點、該第三個感光位點及該第四個感光位點；<br/> 基於該第二可用感光位點群組的多個第二幀檢測級別產生一第二影像，而不理會該第二不可用感光位點群組的多個第二幀檢測級別；<br/> 在接收該第二幀資訊後，決定一第三幀曝光時間，該第三幀曝光時間比該第一幀曝光時間更長且比該第二幀曝光時間更短；<br/> 接收第三幀資訊，該第三幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的該多個感光位點中的每個感光位點的一第三幀檢測級別，該第三幀檢測級別指示在該第三幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第三幀曝光時間，在該光電檢測器陣列的該多個感光位點中識別：(a) 一第三可用感光位點群組，該第三可用感光位點群組包括該第一個感光位點及該第二個感光位點，以及(b) 一第三不可用感光位點群組，該第三不可用感光位點群組包括該第三個感光位點及該第四個感光位點；及<br/> 基於該第三可用感光位點群組的多個第三幀檢測級別產生一第三影像，而不理會該第三不可用感光位點群組的多個第三幀檢測級別。
如請求項8所述的方法，其中該第一影像、該第二影像及該第三影像中的每個影像的該產生包括：計算被識別為不可用於該相應的影像的一感光位點相關聯的至少一個像素的一替換值，基於至少一個其它相鄰感光位點的檢測級別被識別為可用於該相應的影像。
如請求項8所述的方法，包括：在多個不同曝光時間，對該光電檢測器陣列的多個感光位點的可用性進行建模，其中該第二幀曝光時間及該第三幀曝光時間中的至少一個幀曝光時間的該決定是基於該建模的多個結果，其中從該多個不可用感光位點群組中的至少一個不可用感光位點群組的該識別是基於該建模的多個結果。
如請求項8所述的方法，其中該第二幀曝光時間及該第三幀曝光時間中的至少一個幀曝光時間的該決定包括：最大化該相應的幀曝光時間，同時將對於該相應的幀的多個不可用感光位點的一數量保持低於一預定閾值。
如請求項8所述的方法，其中該方法包括：評估該第一影像、該第二影像及該第三影像中的至少一個影像的暗電流累積，其中該相應的影像的該產生包括：從該相應的影像的多個可用感光位點的多個感光位點檢測級別減去該暗電流累積的評估。
如請求項8所述的方法，其中該第一影像、該第二影像及該第三影像中的至少一個影像的該產生包括：計算被識別為不可用於該相應的影像的一感光位點相關聯的至少一個像素的一替換值，基於在該感光位點被識別為可用時被測量的該感光位點的一檢測級別。
如請求項8所述的方法，包括：在多個不同曝光時間，對該光電檢測器陣列的該多個感光位點的可用性進行建模，其中該第二幀曝光時間及該第三幀曝光時間中的至少一個幀曝光時間的該決定是基於該建模的多個結果，其中該多個不可用感光位點群組中的至少一個不可用感光位點群組的該識別是基於該建模的多個結果；<br/> 其中該第一影像、該第二影像及該第三影像中每個影像的該產生包括：(a) 計算被識別為不可用於該相應的影像的一感光位點相關聯的至少一個像素的一替換值，基於至少一個其它相鄰感光位點的檢測級別被識別為可用於該相應的影像；及(b) 計算被識別為不可用於該相應的影像的一感光位點相關聯的至少一個像素的一替換值，基於在該感光位點被識別為可用時被測量的該感光位點的一檢測級別。
如請求項14所述的方法，包括：評估該第一影像、該第二影像及該第三影像中的至少一個影像的暗電流累積，其中該相應的影像的該產生包括：從該相應的影像的多個可用感光位點的多個感光位點檢測級別減去該暗電流累積的評估。
一種非暫時性電腦可讀媒體，用於基於一光電檢測器陣列的資料產生影像資訊，該非暫時性電腦可讀媒體包括被儲存在其上的多個指令，該多個指令在一處理器上被執行時，進行以下步驟：<br/> 接收第一幀資訊，該第一幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的多個感光位點中的每個感光位點的一第一幀檢測級別，該第一幀檢測級別指示在一第一幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第一幀曝光時間，在該光電檢測器陣列的該多個感光位點中識別：(a) 一第一可用感光位點群組，該第一可用感光位點群組包括一第一個感光位點、一第二個感光位點及一第三個感光位點，以及(b) 一第一不可用感光位點群組，該第一不可用感光位點群組包括一第四個感光位點；<br/> 基於該第一可用感光位點群組的多個第一幀檢測級別產生一第一影像，而不理會該第一不可用感光位點群組的多個第一幀檢測級別；<br/> 在接收該第一幀資訊後，決定一第二幀曝光時間，該第二幀曝光時間比該第一幀曝光時間更長；<br/> 接收第二幀資訊，該第二幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的該多個感光位點中的每個感光位點的一第二幀檢測級別，該第二幀檢測級別指示在該第二幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第二幀曝光時間，在該光電檢測器陣列的該多個感光位點中識別：(a) 一第二可用感光位點群組，該第二可用感光位點群組包括該第一個感光位點，以及(b) 一第二不可用感光位點群組，該第二不可用感光位點群組包括該第二個感光位點、該第三個感光位點及該第四個感光位點；<br/> 基於該第二可用感光位點群組的該多個第二幀檢測級別產生一第二影像，而不理會該第二不可用感光位點群組的多個第二幀檢測級別；<br/> 在接收該第二幀資訊後，決定一第三幀曝光時間，該第三幀曝光時間比該第一幀曝光時間更長且比該第二幀曝光時間更短；<br/> 接收第三幀資訊，該第三幀資訊包括對於該光電檢測器陣列的該多個感光位點中的每個感光位點的一第三幀檢測級別，該第三幀檢測級別指示在一第三幀曝光時間期間由該相應的感光位點所檢測的光強度；<br/> 基於該第三幀曝光時間，從該光電檢測器陣列的多個感光位點中識別：(a) 一第三可用感光位點群組，該第三可用感光位點群組包括該第一個感光位點及該第二個感光位點，以及(b) 一第三不可用感光位點群組，該第三不可用感光位點群組包括該第三個感光位點及該第四個感光位點；及<br/> 基於該第三可用感光位點群組的多個第三幀檢測級別產生一第三影像，而不理會該第三不可用感光位點群組的多個第三幀檢測級別。
如請求項16所述的非暫時性電腦可讀媒體，包括被儲存在其上的多個指令，該多個指令在一處理器上被執行時，進行步驟：在多個不同曝光時間，對該光電檢測器陣列的多個感光位點的可用性進行建模，其中該第二幀曝光時間及該第三幀曝光時間中的至少一個幀曝光時間的該決定是基於該建模的多個結果，其中該多個不可用感光位點群組中的至少一個不可用感光位點群組的該識別是基於該建模的多個結果。
如請求項16所述的非暫時性電腦可讀媒體，包括被儲存在其上的多個指令，該多個指令在一處理器上被執行時，進行步驟：決定該第二幀曝光時間及該第三幀曝光時間中的至少一個幀曝光時間，以致最大化該相應的幀曝光時間，同時將對於該相應的幀的多個不可用感光位點的一數量保持低於一預定閾值。
如請求項16所述的非暫時性電腦可讀媒體，包括被儲存在其上的多個指令，該多個指令在一處理器上被執行時，進行步驟：評估該第一影像、該第二影像及該第三影像中的至少一個影像的暗電流累積，其中該相應的影像的該產生包括：從該相應的影像的多個可用感光位點的多個感光位點檢測級別減去該暗電流累積的評估。
如請求項16所述的非暫時性電腦可讀媒體，包括被儲存在其上的多個指令，該多個指令在一處理器上被執行時，進行步驟：產生該第一影像、該第二影像及該第三影像中的至少一個影像，以致包括：計算被識別為不可用於該相應的影像的一感光位點相關聯的至少一個像素的一替換值，基於在該感光位點被識別為可用時被測量的該感光位點的一檢測級別。
一種指紋解鎖結構，包含：<br/> 一指紋辨識器，包括：<br/> 一辨識單元；及<br/> 一動力源，電性連接該辨識單元；<br/> 一鎖扣裝置，包括：<br/> 一殼體，具有一容置空間；<br/> 一限位框架，設置於該容置空間，該限位框架劃分為相互不連通的一限位空間及一第一卡抵孔，該限位空間鄰近該第一卡抵孔的壁面具有一推片，該第一卡抵孔遠離該限位空間的壁面具有一卡抵單元；<br/> 一旋轉作動件，設置於該限位空間並耦接該動力源，該旋轉作動件於作動後的預定時間會復歸至原始位置；<br/> 一半螺旋推抵單元，設置該容置空間並位於該限位空間，該半螺旋推抵單元嵌設於該旋轉作動件的一端；及<br/> 一壓抵板，設置於該容置空間並用於壓抵該限位框架，該壓抵板具有一第二卡抵孔，該第二卡抵孔小於該第一卡抵孔，且該第二卡抵孔與該第一卡抵孔及該卡抵單元呈重疊位置；<br/> 其中，啟用該辨識單元後，係驅動該旋轉作動件於作動時帶動該半螺旋推抵單元旋轉，進而驅使該推片朝向遠離該旋轉作動件的方向位移，並且使該卡抵單元與該第二卡抵孔處於錯位狀態，直到該旋轉作動件復歸至該原始位置，該半螺旋推抵單元隨之帶動該推片返回，該卡抵單元與該第二卡抵孔恢復對位狀態。
如請求項1所述之指紋解鎖結構，其中，該殼體進一步包括二第一撐抵板，該二第一撐抵板分別設置於該容置空間的相對兩側，且該限位框架於對應位置設有二第二撐抵板，各該第一撐抵板與各該第二撐抵板之間設置一彈性件。
如請求項2所述之指紋解鎖結構，其中，各該第二撐抵板具有一凸部，各該凸部用以定位對應之各該彈性件。
如請求項1所述之指紋解鎖結構，其中，該旋轉作動件的一端具有一定位凸部，該半螺旋推抵單元於一端具有一定位嵌部，該定位凸部嵌設於該定位嵌部。
如請求項1所述之指紋解鎖結構，其中，該鎖扣裝置進一步包括一復位單元，該復位單元的兩側分別設置一復位彈簧，各該復位彈簧位於該容置空間的兩側並由一固定件固定，該復位單元設置於該殼體的一端並且固定於該壓抵板的表面。
如請求項5所述之指紋解鎖結構，其中，該壓抵板具有一第一理線孔，該復位單元於對應位置具有一第二理線孔，且該第一理線孔與該第二理線孔的槽口方向呈垂直。
如請求項1所述之指紋解鎖結構，其中，該指紋辨識器進一步包括一電量顯示單元，該電量顯示單元耦接該動力源，用以顯示該動力源之剩餘電量。
如請求項1所述之指紋解鎖結構，其中，該指紋辨識器進一步包括一充電槽，該充電槽耦接該動力源。
一種行李箱，包含：<br/> 一本體，其設置一指紋辨識器及一鎖扣裝置；<br/> 該指紋辨識器包括：<br/> 一辨識單元；及<br/> 一動力源，電性連接該辨識單元；<br/> 該鎖扣裝置，包括：<br/> 一殼體，具有一容置空間；<br/> 一限位框架，設置於該容置空間，該限位框架劃分為相互不連通的一限位空間及一第一卡抵孔，該限位空間鄰近該第一卡抵孔的壁面具有一推片，該第一卡抵孔遠離該限位空間的壁面具有一卡抵單元；<br/> 一旋轉作動件，設置於該限位空間並耦接該動力源，該旋轉作動件於作動後的預定時間會復歸至原始位置；<br/> 一半螺旋推抵單元，設置該容置空間並位於該限位空間，該半螺旋推抵單元嵌設於該旋轉作動件的一端；及<br/> 一壓抵板，設置於該容置空間並用於壓抵該限位框架，該壓抵板具有一第二卡抵孔，該第二卡抵孔小於該第一卡抵孔，且該第二卡抵孔位於該第一卡抵孔及該卡抵單元的重疊位置；<br/> 其中，啟用該辨識單元後，係驅動該旋轉作動件於作動時帶動該半螺旋推抵單元旋轉，進而驅使該推片朝向遠離該旋轉作動件的方向位移，並且使該卡抵單元與該第二卡抵孔處於錯位狀態，直到該旋轉作動件復歸至該原始位置，該半螺旋推抵單元隨之帶動該推片返回，該卡抵單元與該第二卡抵孔恢復對位狀態。
一種協調波束成形和協調空間重用 PPDU 格式及信令的方法，包括： <br/> 由一設備的處理器執行涉及多存取點 (MAP) 協調傳輸的一無線通信，通過以下方式： <br/> 生成並傳輸一物理層協議數據單元 (PPDU)；或 <br/> 接收並處理該 PPDU， <br/> 其中，該 PPDU 包括一指示，包含協調波束成形 (CBF)、協調空間重用 (CSR) 或兩者的格式和信令。
如請求項1所述的方法，其中，在該 PPDU 包括一CBF PPDU的情況下，該 PPDU的傳輸包括由該 MAP中的共享AP和被共享AP進行的聯合PPDU傳輸，使得： <br/> 該 CBF PPDU的共有前導碼攜帶相同的資訊；且 <br/> 在超高可靠性 (UHR) 短訓練場 (UHR-STF)、UHR長訓練場 (UHR-LTF)、UHR數據場 (UHR-資料) 和該 CBF PPDU的數據包擴展上執行波束成形。
如請求項1所述的方法，其中，該指示包括在該 PPDU的PPDU類型和壓縮模式字段中的一現有條目，並在共有訊號 (SIG) 字段中添加一位或一附加字段，以指示該 PPDU是CBF PPDU或是CSR PPDU。
如請求項3所述的方法，其中，該 PPDU類型和壓縮模式字段中的第一現有條目與該共有SIG字段中的附加位結合，指示一下載鏈路 (DL) CSR PPDU，其中，該 PPDU類型和壓縮模式字段中的第二現有條目與該共有SIG字段中的附加位結合，指示一DL CBF PPDU，且該共有SIG字段包括一通用訊號字段 (U-SIG) 或一超高可靠性 (UHR) 訊號字段 (UHR-SIG)。
如請求項4所述的方法，其中，在電氣與電子工程師學會 (IEEE) 802.11be 規範中定義的一驗證位被用作CSR或CBF的指示符。
如請求項3所述的方法，其中，該 PPDU類型和壓縮模式字段中的一現有條目與該共有SIG字段中的附加位結合，指示一下載鏈路 (DL) CBF PPDU或一DL CSR PPDU，其中，該共有SIG字段中MAP類型的2位的新第一值指示DL CBF作為一第一附加條目，且該共有SIG字段中MAP類型的2位的新第二值指示DL CSR作為一第二附加條目。
如請求項3所述的方法，其中，該 PPDU類型和壓縮模式字段中的一保留條目被用於指示該 PPDU為一增強型長距離 (ELR) PPDU。
如請求項1所述的方法，其中，該 PPDU包括一超高可靠性 (UHR) CBF PPDU或UHR CSR PPDU，其格式遵循一UHR多用戶 (MU) PPDU。
如請求項1所述的方法，其中，該 PPDU包括一CSR PPDU，其： <br/> 具有一共有傳統前導碼 (L-preamble) 和通用訊號字段 (U-SIG)； <br/> 具有一單獨的超高可靠性 (UHR) 訊號字段 (UHR-SIG) 或一共有UHR-SIG； <br/> 將傳輸階段限制為兩個AP； <br/> 不與多用戶多輸入多輸出 (MU-MIMO) 混合；且 <br/> 具有一符合該 U-SIG或該 UHR-SIG中指示的相同調製和編碼方案 (MCS) 級別的UHR-SIG，或該UHR-SIG採用MCS0。
如請求項1所述的方法，其中，該 PPDU包括一CBF PPDU，其： <br/> 具有一共有傳統前導碼 (L-preamble)、通用訊號字段 (U-SIG)、超高可靠性 (UHR) 訊號字段 (UHR-SIG)、UHR短訓練場 (UHR-STF) 和UHR長訓練場 (UHR-LTF)； <br/> 將傳輸階段限制為兩個AP；且 <br/> 不與空間重用混合。
如請求項1所述的方法，其中，固定的數據包擴展的標稱時間 (T<sub>PE</sub> ) 值被用於CBF PPDU、CSR PPDU或該 CBF和CSR PPDUs。
如請求項11所述的方法，其中，該 PPDU的共有信息字段的LDPC額外符號段子字段被固定為1，且該 LDPC額外符號段子字段未包含在一共有控制幀中。
一種協調波束成形和協調空間重用 PPDU 格式及信令的裝置，包括: <br/> 一個被配置為無線通信的收發器；以及 <br/> 一個與該收發器耦合並被配置為執行操作的處理器，包括: <br/> 通過該收發器執行涉及多存取點 (MAP) 協調傳輸的無線通信，方法為: <br/> 生成並傳輸一個實體層協議資料單元 (PPDU)；或 <br/> 接收並處理該PPDU， <br/> 其中該PPDU包括一指示，包含協調波束成形 (CBF)、協調空間重用 (CSR) 或兩者的格式和信令。
如請求項13所述的裝置，其中，在該PPDU包括CBF PPDU的情況下，該PPDU的傳輸包括由共享AP和共享AP在該MAP中進行的聯合PPDU傳輸，使得: <br/> 該CBF PPDU的共有前導碼攜帶相同資訊；以及 <br/> 在超高可靠性 (UHR) 短訓練場 (UHR-STF)、UHR 長訓練場 (UHR-LTF)、UHR 資料場 (UHR-資料) 和該CBF PPDU的封包擴展上執行波束成形。
如請求項13所述的裝置，其中該指示包括在該PPDU的PPDU類型和壓縮模式欄位中的現有條目，並在共有訊號 (SIG) 欄位中增加一個附加位或附加欄位，以指示該PPDU是CBF PPDU還是CSR PPDU。
如請求項15所述的裝置，其中在該PPDU類型和壓縮模式欄位中的第一現有條目與該共有SIG欄位中的附加位結合指示下行鏈路 (DL) CSR PPDU，其中在該PPDU類型和壓縮模式欄位中的第二現有條目與該共有SIG欄位中的附加位結合指示DL CBF PPDU，並且其中該共有SIG欄位包括通用訊號欄位 (U-SIG) 或超高可靠性 (UHR) 訊號欄位 (UHR-SIG)。
如請求項16所述的裝置，其中在電氣電子工程師學會 (IEEE) 802.11be 規範中定義的驗證位用作CSR或CBF的指示器。
如請求項15所述的裝置，其中在該PPDU類型和壓縮模式欄位中的現有條目與該共有SIG欄位中的附加位結合指示下行鏈路 (DL) CBF PPDU或DL CSR PPDU，其中在該共有SIG欄位中的MAP類型的2位的新第一值指示DL CBF作為第一附加條目，並且其中在該共有SIG欄位中的MAP類型的2位的新第二值指示DL CSR作為第二附加條目。
如請求項15所述的裝置，其中在該PPDU類型和壓縮模式欄位中的保留條目用於指示該PPDU是一個增強長距離 (ELR) PPDU。
如請求項13所述的裝置，其中該PPDU包括一個超高可靠性 (UHR) CBF PPDU或UHR CSR PPDU，其格式遵循UHR多用戶 (MU) PPDU。
一種由廢樹脂組成物製造再生樹脂的方法，其中前述再生樹脂包含聚碳酸酯樹脂， <br/> 前述方法包含 <br/> 使活性碳接觸溶解有前述廢樹脂組成物之廢樹脂溶液，獲得再生樹脂溶液的步驟(a2)，及 <br/> 使前述再生樹脂溶液與40~100℃之水接觸而使再生樹脂析出的步驟(b2)， <br/> 前述再生樹脂之黃色度為未達13。
如請求項1之製造方法，其中前述廢樹脂溶液為5~20質量%之二氯甲烷溶液。
如請求項1或2之製造方法，其中前述活性碳之使用量，相對於廢樹脂溶液100質量份為0.001~0.1質量份。
如請求項1或2之製造方法，其中前述水之使用量，相對於廢樹脂溶液100質量份為1000~10000質量份。
如請求項1或2之製造方法，其中前述步驟(b2)包含將再生樹脂溶液添加至藉由具有攪拌翼之攪拌機進行攪拌之40~100℃的水中。
如請求項1或2之製造方法，其中前述步驟(b2)之後，進一步包含將前述再生樹脂進行脫水處理的步驟(c2)。
如請求項1或2之製造方法，其中前述再生樹脂包含樹脂，該樹脂具有選自由下述一般式(1)~(4)所成群組中之至少1個的結構單元： <br/><img align="absmiddle" height="1547px" width="1219px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>a</sub>、X<sub>b</sub>、X<sub>c</sub>、X<sub>d</sub>、X<sub>e</sub>及X<sub>f</sub>，各自獨立地表示碳數1~4之伸烷基， <br/> R<sub>a</sub>、R<sub>b</sub>、R<sub>c</sub>、R<sub>d</sub>、R<sub>e</sub>及R<sub>f</sub>，各自獨立地選自鹵素原子、碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、碳數5~20之環烷基、碳數5~20之環烷氧基、碳數6~20之芳基、含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基、碳數6~20之芳氧基，以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示碳數6~20之芳基或含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基， <br/> a、b、c、d、e及f，各自獨立地表示0~10之整數， <br/> h、i、j、k、m及n，各自獨立地表示0~4之整數， <br/> R<sub>g</sub>表示氫原子或碳數1~3之烷基]。
如請求項1或2之製造方法，其中前述廢樹脂組成物包含雜質樹脂，該雜質樹脂具有選自由下述一般式(6)~(8)所成群組中之至少1個的結構單元： <br/><img align="absmiddle" height="314px" width="177px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>g</sub>，各自獨立地表示碳數1~10之伸烷基， <br/> R<sub>j</sub>、R<sub>k</sub>及R<sub>l</sub>，各自獨立地選自鹵素原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之碳數5~20之環烷基、取代或無取代之碳數5~20之環烷氧基、取代或無取代之碳數6~20之芳基、取代或無取代之含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基、取代或無取代之碳數6~20之芳氧基，以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示取代或無取代之碳數6~20之芳基或含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基， <br/> p，各自獨立地表示0或1之整數， <br/> q、r及s，各自獨立地表示0~10之整數， <br/> t表示1~3之整數， <br/> 此處，q為2以上，且2個R<sub>j</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>j</sub>亦可一起形成環結構， <br/> r為2以上，且2個R<sub>k</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>k</sub>亦可一起形成環結構， <br/> s為2以上，且2個R<sub>l</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>l</sub>亦可一起形成環結構， <br/> R<sub>m</sub>表示氫原子或碳數1~3之烷基]。
如請求項7之製造方法，其中前述廢樹脂組成物包含雜質樹脂，該雜質樹脂具有選自由下述一般式(6)~(8)所成群組中之至少1個的結構單元： <br/><img align="absmiddle" height="314px" width="177px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式中， <br/> X<sub>g</sub>，各自獨立地表示碳數1~10之伸烷基， <br/> R<sub>j</sub>、R<sub>k</sub>及R<sub>l</sub>，各自獨立地選自鹵素原子、取代或無取代之碳數1~20之烷基、取代或無取代之碳數1~20之烷氧基、取代或無取代之碳數5~20之環烷基、取代或無取代之碳數5~20之環烷氧基、取代或無取代之碳數6~20之芳基、取代或無取代之含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基、取代或無取代之碳數6~20之芳氧基，以及-C≡C-R<sub>i</sub>， <br/> R<sub>i</sub>表示取代或無取代之碳數6~20之芳基或含有選自O、N及S中之1個以上之雜環原子的碳數3~20之雜芳基， <br/> p，各自獨立地表示0或1之整數， <br/> q、r及s，各自獨立地表示0~10之整數， <br/> t表示1~3之整數， <br/> 此處，q為2以上，且2個R<sub>j</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>j</sub>亦可一起形成環結構， <br/> r為2以上，且2個R<sub>k</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>k</sub>亦可一起形成環結構， <br/> s為2以上，且2個R<sub>l</sub>存在於鄰接的碳原子上時，2個R<sub>l</sub>亦可一起形成環結構， <br/> R<sub>m</sub>表示氫原子或碳數1~3之烷基]。
一種用於加熱器的聚合物正溫度係數（PPTC）主體，包括： <br/>聚合物基質，包括聚合物正溫度係數材料，其中所述聚合物基質配置為位於平面的平坦環形，其中所述聚合物正溫度係數主體具備上部表面以及下部表面；以及 <br/>石墨烯填料組分，安置於所述聚合物基質中，其中所述石墨烯填料組分包括由石墨烯片形成的多個石墨烯顆粒，其中所述石墨烯片沿所述平面對準。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，更包括至少一個設置在所述聚合物正溫度係數主體的所述上部表面上的電極，以及至少一個設置在所述聚合物正溫度係數主體的所述下部表面上的附加電極。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，其中所述平坦環形包括圓形環、矩形環、橢圓形環、卵形環或多邊形環。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，更包括作為多個碳顆粒安置於所述聚合物基質內的碳填料組分。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，其中所述聚合物基質的體積百分比在50%至99%之間。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，其中所述石墨烯填料組分的體積百分比在1%至50%之間。
如請求項1所述的聚合物正溫度係數主體，更包括碳奈米管填料組分。
一種用於加熱器的聚合物正溫度係數（PPTC）主體，包括： <br/>聚合物基質，包括聚合物正溫度係數材料，其中所述聚合物基質配置為位於平面的平坦環形，其中所述聚合物正溫度係數主體具備上部表面以及下部表面；以及 <br/>碳奈米管填料組分，安置於所述聚合物基質中，其中所述碳奈米管填料組分包括單壁碳奈米管或多壁碳奈米管材料。
如請求項8所述的聚合物正溫度係數主體，更包括至少一個設置在所述聚合物正溫度係數主體的所述上部表面上的電極，以及至少一個設置在所述聚合物正溫度係數主體的所述下部表面上的附加電極。
如請求項8所述的聚合物正溫度係數主體，其中所述平坦環形包括圓形環、矩形環、橢圓形環、卵形環或多邊形環。
如請求項8所述的聚合物正溫度係數主體，其中所述聚合物基質的體積百分比在50%至99%之間。
如請求項8所述的聚合物正溫度係數主體，更包括石墨烯填料組分。
一種基板容器，其包括： <br/>一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁、一底壁、一頂壁及沿該殼體之該前開口延伸於對置壁之間的一前邊緣；及 <br/>一第一歧管及一第二歧管，各附接至該底壁、該頂壁、該第一側壁及該第二側壁之至少一者，其中： <br/>該第一歧管包含經構形以接收淨化氣體之一第一流的一第一進口及經構形以將淨化氣體之該第一流分配至該內部空間中的一第一氣體分配部分； <br/>該第二歧管包含經構形以接收淨化氣體之一第二流的一第二進口及經構形以將淨化氣體之該第二流分配至該內部空間中的一第二氣體分配部分；及 <br/>該第一歧管及該第二歧管相對於該殼體之該前開口定位於不同位置。
如請求項1所述之基板容器，其中該第一歧管定位成比該第二歧管更靠近該前開口。
如請求項1所述之基板容器，其中該第一歧管附接至該底壁且該第二歧管附接至該頂壁。
如請求項1所述之基板容器，其中該第一歧管附接至該第一側壁且該第二歧管附接至該第二側壁。
如請求項1所述之基板容器，其中： <br/>該第一氣體分配部分包含經構形以產生高速氣體噴流的複數個狹縫；及 <br/>該第二氣體分配部分包含經構形以產生高速氣體噴流的複數個狹縫。
如請求項5所述之基板容器，其中該第一歧管之該等狹縫及該第二歧管之該等狹縫經定向以在該內部空間內產生互相搭配的氣流形態。
如請求項1所述之基板容器，其中： <br/>該第一歧管作為用於將淨化氣體引入至該內部空間中的一進口歧管；及 <br/>該第二歧管作為用於自該內部空間排放氣體的一出口歧管。
如請求項7所述之基板容器，進一步包括： <br/>安置於該第一歧管之該第一進口中的一第一閥；及 <br/>安置於該第二歧管之該第二進口中的一第二閥。
如請求項1所述之基板容器，其中該第一歧管及該第二歧管經構形以同時操作以在該內部空間內產生淨化氣體之一循環形態。
如請求項1所述之基板容器，進一步包括： <br/>一第三歧管，其附接至該底壁、該頂壁、該第一側壁及該第二側壁之至少一者，該第三歧管包含經構形以接收淨化氣體之一第三流的一第三進口及經構形以將淨化氣體之該第三流分配至該內部空間中的一第三氣體分配部分。
一種元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，包括：<br/> 按設計要求對第二PCB基板進行加工，生成撈槽，其中生成撈槽後的第二PCB基板表面具有第二銅層；<br/> 將元器件埋嵌封裝單元垂直埋嵌所述撈槽內；<br/> 在第二銅層表面依次鋪設半固化片和銅箔，進行壓合，並在元器件的引腳位置加工對外導通的鐳射孔，對鐳射孔進行電鍍鍍銅，以實現PCB中的電路導通；<br/> 所述元器件埋嵌封裝單元的製作過程包括：<br/> 按設計要求對第一PCB基板進行打孔並電鍍鍍銅，第一PCB基板表面具有第一銅層；在第一銅層上進行圖形設計，生成放置區域；<br/> 在第一PCB基板的預定放置區域加工出第一凹槽，第一凹槽底部延伸至第一PCB基板底部的第一銅層；<br/> 將元器件附著於第一凹槽底部的第一銅層上；<br/> 在第一PCB基板附著有元器件的一面上依次鋪設半固化片和銅箔，並進行壓合處理；<br/> 在半固化片和銅箔上加工出用於元器件對外導通的第二凹槽；<br/> 對元器件頂部第二凹槽進行電鍍鍍銅，生成金屬化填充層；<br/> 對壓合後的第一PCB基板頂部和底部表面進行電鍍加厚處理，在表面生成加厚銅層；<br/> 在加厚銅層上進行圖形設計，生成元器件頂部引腳和元器件底部引腳，得到加工完成的元器件埋嵌封裝單元。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述對壓合後的第一PCB基板頂部和底部表面進行電鍍加厚處理時，加厚至少大於2oz。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述元器件通過銀燒結或共晶焊形成焊接層附著於第一銅層上。
如請求項3所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述元器件底部引腳通過焊接層及蝕刻圖形延伸至側壁露出，所述元器件頂部引腳通過金屬化填充的第二凹槽及蝕刻圖形延伸至側壁露出。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述第二PCB基板的撈槽尺寸大於元器件埋嵌封裝單元尺寸，且單邊間距在100~300um之間；所述第二PCB基板的厚度與元器件厚度匹配，偏差在+/-100um以內。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述第一PCB基板/第二PCB基板為單層core板或多層core板壓合後的整體。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述第一PCB基板底部的第一銅層厚度不小於1oz，且板厚大於元器件的厚度。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述第一凹槽尺寸大於元器件的尺寸，單邊間距在100~200um之間。
如請求項1所述的元器件埋嵌封裝單元在PCB中的應用方法，其中所述元器件埋嵌封裝單元中埋嵌一個或多個元器件。
一種積層薄膜，係依序積層有第1分離件、第1黏著劑層、基材、第2黏著劑層及第2分離件者；前述第1黏著劑層係由低黏著性黏著劑層構成，且前述第2黏著劑層係由剝離性黏著劑層構成；<br/> 在23℃、50%R.H.及剝離速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第1分離件對前述第1黏著劑層之180°剝開剝離力F(1)(N/50mm)、<br/> 在23℃、50%R.H.及剝離速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第2分離件對前述第2黏著劑層之180°剝開剝離力F(2)(N/50mm)、<br/> 在23℃、50%R.H.及拉伸速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第2黏著劑層對玻璃板之180°剝開黏著力P(2)(N/50mm)、<br/> 將前述第2黏著劑層貼附於玻璃板並在160℃下經過5分鐘後，在23℃、50%R.H.及拉伸速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第2黏著劑層對玻璃板之180°剝開黏著力P’(2)(N/50mm)、<br/> 在23℃、50%R.H.及拉伸速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第1黏著劑層對前述第1分離件之90°起始剝離力T(1)(N/50mm)、以及<br/> 在23℃、50%R.H.及拉伸速度0.3m/分鐘之條件下，所測定之前述第2黏著劑層對前述第2分離件之90度起始剝離力T(2)(N/50mm)，<br/> 滿足下述式之關係：<br/> F(2)/F(1)＜0.80<br/> P(2)/F(1)＞1.00<br/> P’(2)/P(2)＜1.20<br/> P’(2)＜1.00<br/> T(1)/T(2)＞1.05<br/> P(2)/T(1)＜1.00。
一種排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統，用以辨識一舉球員之動作之姿勢異常，該排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統包含：<br/> 複數攝影機，朝向該舉球員設置，並用以分別擷取複數影像；以及<br/> 一處理裝置，連接該些攝影機並接收該些影像，該處理裝置依據一骨架偵測演算法處理該些影像而產生複數二維骨架資訊，並依據一轉換演算法處理該些二維骨架資訊而產生一三維骨架資訊，並透過一劃分方式將對應該三維骨架資訊之一資料序列集合進行劃分且轉換為一圖像，並將該圖像輸入至一學習模型而產生一排球舉球動作辨識結果，並分類該排球舉球動作辨識結果屬於二排球舉球動作之其中一者，並判斷該排球舉球動作辨識結果屬於複數姿勢異常類型之其中一者；<br/> 其中，該排球舉球動作辨識結果對應該舉球員之動作，該二排球舉球動作分別為一下蹲取位動作與一球觸手離手動作，該些姿勢異常類型包含一卡位位置偏移、一手臂角度異常、一下蹲不足、一雙手施力不均及一球觸手時機異常。
如請求項1所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統，其中在該些姿勢異常類型中，<br/> 該卡位位置偏移代表球未位於該舉球員之額頭正上方，且偏向左側或右側；<br/> 該手臂角度異常代表該舉球員之手腕與肩膀之間的夾角超出一預設角度範圍，該預設角度範圍大於等於70度且小於等於90度；<br/> 該下蹲不足代表該舉球員之一前膝彎曲角度不小於110度；<br/> 該雙手施力不均代表該舉球員之一隻手之施力大於另一隻手之施力；及<br/> 該球觸手時機異常代表球接觸手時，該舉球員之雙手與頭部的距離不在一預設距離範圍以內，該預設距離範圍大於等於15公分且小於等於20公分。
如請求項1所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統，其中，<br/> 該骨架偵測演算法為OpenPose；<br/> 該轉換演算法為一直接線性轉換(Direct Linear Transformation；DLT)演算法；<br/> 該學習模型為一視覺轉換器(Vision Transformer；ViT)模型；及<br/> 該下蹲取位動作與該球觸手離手動作彼此相異，該卡位位置偏移、該手臂角度異常及該下蹲不足對應該下蹲取位動作之姿勢異常，該雙手施力不均及該球觸手時機異常對應該球觸手離手動作之姿勢異常。
如請求項1所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統，其中該劃分方式包含一滑動視窗(Sliding Window)方式，該滑動視窗方式包含將該資料序列集合劃分成複數視窗，並以一固定步長移動各該視窗；<br/> 其中，該資料序列集合為所有幀畫面於時間序列上的集合，各該視窗包含複數幀畫面，各該幀畫面包含複數關節點座標資訊，該固定步長等於8，該些幀畫面之數量等於48，該些關節點座標資訊之數量等於25，該圖像包含該些幀畫面之其中一者的該些關節點座標資訊。
如請求項1所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識系統，更包含：<br/> 一壓力感測裝置，設置於該舉球員，並用以感測該舉球員之腳底壓力而產生一腳底壓力訊號；及<br/> 一微控制器，連接於該壓力感測裝置與該處理裝置之間，該微控制器接收並處理該腳底壓力訊號而產生一數位壓力資料，並將該數位壓力資料傳送至該處理裝置；<br/> 其中，該處理裝置將該數位壓力資料與該圖像輸入至該學習模型而產生該排球舉球動作辨識結果。
一種排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法，用以辨識一舉球員之動作之姿勢異常，該排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法包含：<br/> 藉由複數攝影機分別擷取複數影像，其中該些攝影機朝向該舉球員設置；<br/> 藉由一處理裝置接收該些影像，並依據一骨架偵測演算法處理該些影像而產生複數二維骨架資訊；<br/> 藉由該處理裝置依據一轉換演算法處理該些二維骨架資訊而產生一三維骨架資訊；<br/> 藉由該處理裝置透過一劃分方式將對應該三維骨架資訊之一資料序列集合進行劃分且轉換為一圖像；以及<br/> 藉由該處理裝置將該圖像輸入至一學習模型而產生一排球舉球動作辨識結果，並分類該排球舉球動作辨識結果屬於二排球舉球動作之其中一者，並判斷該排球舉球動作辨識結果屬於複數姿勢異常類型之其中一者；<br/> 其中，該處理裝置連接該些攝影機，該排球舉球動作辨識結果對應該舉球員之動作，該二排球舉球動作分別為一下蹲取位動作與一球觸手離手動作，該些姿勢異常類型包含一卡位位置偏移、一手臂角度異常、一下蹲不足、一雙手施力不均及一球觸手時機異常。
如請求項6所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法，其中在該些姿勢異常類型中，<br/> 該卡位位置偏移代表球未位於該舉球員之額頭正上方，且偏向左側或右側；<br/> 該手臂角度異常代表該舉球員之手腕與肩膀之間的夾角超出一預設角度範圍，該預設角度範圍大於等於70度且小於等於90度；<br/> 該下蹲不足代表該舉球員之一前膝彎曲角度不小於110度；<br/> 該雙手施力不均代表該舉球員之一隻手之施力大於另一隻手之施力；及<br/> 該球觸手時機異常代表球接觸手時，該舉球員之雙手與頭部的距離不在一預設距離範圍以內，該預設距離範圍大於等於15公分且小於等於20公分。
如請求項6所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法，其中，<br/> 該骨架偵測演算法為OpenPose；<br/> 該轉換演算法為一直接線性轉換(Direct Linear Transformation；DLT)演算法；<br/> 該學習模型為一視覺轉換器(Vision Transformer；ViT)模型；及<br/> 該下蹲取位動作與該球觸手離手動作彼此相異，該卡位位置偏移、該手臂角度異常及該下蹲不足對應該下蹲取位動作之姿勢異常，該雙手施力不均及該球觸手時機異常對應該球觸手離手動作之姿勢異常。
如請求項6所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法，其中該劃分方式包含一滑動視窗(Sliding Window)方式，該滑動視窗方式包含將該資料序列集合劃分成複數視窗，並以一固定步長移動各該視窗；<br/> 其中，該資料序列集合為所有幀畫面於時間序列上的集合，各該視窗包含複數幀畫面，各該幀畫面包含複數關節點座標資訊，該固定步長等於8，該些幀畫面之數量等於48，該些關節點座標資訊之數量等於25，該圖像包含該些幀畫面之其中一者的該些關節點座標資訊。
如請求項6所述之排球舉球動作之姿勢異常之自動辨識方法，更包含：<br/> 藉由一壓力感測裝置感測該舉球員之腳底壓力而產生一腳底壓力訊號；<br/> 藉由一微控制器接收並處理該腳底壓力訊號而產生一數位壓力資料，並將該數位壓力資料傳送至該處理裝置；及<br/> 藉由該處理裝置將該數位壓力資料與該圖像輸入至該學習模型而產生該排球舉球動作辨識結果；<br/> 其中，該壓力感測裝置設置於該舉球員，該微控制器連接於該壓力感測裝置與該處理裝置之間。
一種具有苯並環丁烯基團的樹脂，具有由下述式（1）表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="237px" width="653px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式（1），<br/> 在式（1）中，<br/> A表示二價酸酐基團、碳數為6~24的伸芳基以及碳數為1~20的伸烷基的組合。
如請求項1所述的具有苯並環丁烯基團的樹脂，其中A表示二價酸酐基團、伸苯基以及亞甲基的組合。
如請求項1所述的具有苯並環丁烯基團的樹脂，其中由式（1）表示的結構的樹脂為由下述式（2）表示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="38px" width="191px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> <br/> 式（2）。
一種樹脂組成物，包括：<br/> 如請求項1至請求項3中任一項所述的具有苯並環丁烯基團的樹脂；<br/> 碳氫樹脂；<br/> 耐燃劑；以及<br/> 填充材料。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中所述碳氫樹脂的重量平均分子量為2000克/莫耳至40000克/莫耳。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中所述碳氫樹脂包括苯乙烯基團、二乙烯基苯基團、乙烯基團、醚基團或其組合。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中所述碳氫樹脂包括第一碳氫樹脂以及第二碳氫樹脂，所述第一碳氫樹脂的重量平均分子量為2000克/莫耳至4000克/莫耳，且所述第二碳氫樹脂的重量平均分子量為20000克/莫耳至40000克/莫耳。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中所述碳氫樹脂包括第一碳氫樹脂以及第二碳氫樹脂，所述第一碳氫樹脂包括苯乙烯基團及醚基團，且所述第二碳氫樹脂包括苯乙烯基團、二乙烯基苯基團、乙烯基團或其組合。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中基於所述樹脂組成物的使用量總和為100重量份，所述具有苯並環丁烯基團的樹脂的使用量為5重量份至15重量份，所述碳氫樹脂的使用量為20重量份至35重量份，所述耐燃劑的使用量為10重量份至15重量份，及/或所述填充材料的使用量為40重量份至60重量份。
如請求項4所述的樹脂組成物，更包括自由基起始劑、耦合劑或其組合。
如請求項10所述的樹脂組成物，其中基於所述具有苯並環丁烯基團的樹脂以及所述碳氫樹脂的使用量總和為100重量份，所述自由基起始劑的使用量為0.1重量份至1重量份，及/或所述耦合劑的使用量為0.1重量份至5重量份。
一種預浸體，包括：<br/> 如請求項4至11中任一項所述的樹脂組成物；以及<br/> 纖維質基材。
一種覆金屬積層板，包括：<br/> 如請求項12所述的預浸體；以及<br/> 金屬箔。
如請求項13所述的覆金屬積層板，其中所述覆金屬積層板同時具有小於3.2的介電常數以及小於0.00055的介電損耗因子。
一種高層數基板，包括：20至30層如請求項13或14所述的覆金屬積層板。
一種資訊處理系統，其具備： <br/> 資訊取得手段，至少可取得由利用者輸入的輸入資訊及與該利用者相關的利用者資訊； <br/> 資訊分類手段，藉由特定資訊是否達到既定基準來判定前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的該特定資訊對於前述利用者而言重要度是否高，在該特定資訊達到該既定基準時，將該特定資訊作為記憶資訊記憶於記憶用區域，在該特定資訊未達到該既定基準時，將該特定資訊作為忘卻資訊記憶於忘卻用區域；以及 <br/> 回答取得手段，將前述輸入資訊及前述記憶資訊輸入至大型語言模型，並從該大型語言模型取得針對該輸入資訊及該記憶資訊的回答資訊。
如請求項1記載的資訊處理系統，其中， <br/> 前述資訊分類手段，無論前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的前述特定資訊是否達到前述既定基準，若在該輸入資訊中存在暗示將該特定資訊作為前述記憶資訊記憶於前述記憶用區域的指令時，則將該特定資訊記憶於該記憶用區域，若在該輸入資訊中存在暗示從前述記憶用區域刪除該記憶資訊的指令時，則從該記憶用區域刪除該記憶資訊。
如請求項2記載的資訊處理系統，其中， <br/> 對每個前述利用者構成為可閱覽前述記憶用區域以及前述忘卻用區域。
如請求項1或2記載的資訊處理系統，其中， <br/> 前述資訊分類手段將未達到某個基準的前述記憶資訊，從前述記憶用區域定期地刪除。
一種資訊處理方法，其具備： <br/> 資訊取得步驟，至少可取得由利用者輸入的輸入資訊及與該利用者相關的利用者資訊； <br/> 資訊分類步驟，藉由特定資訊是否達到既定基準來判定前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的該特定資訊對於前述利用者而言重要度是否高，在該特定資訊達到該既定基準時，將該特定資訊作為記憶資訊記憶於記憶用區域，在該特定資訊未達到該既定基準時，將該特定資訊作為忘卻資訊記憶於忘卻用區域；以及 <br/> 回答取得步驟，將前述輸入資訊及前述記憶資訊輸入至大型語言模型，並從該大型語言模型取得針對該輸入資訊及該記憶資訊的回答資訊。
如請求項5記載的資訊處理方法，其中， <br/> 前述資訊分類步驟，無論前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的前述特定資訊是否達到前述既定基準，若在該輸入資訊中存在暗示將該特定資訊作為前述記憶資訊記憶於前述記憶用區域的指令時，則將該特定資訊記憶於該記憶用區域，若在該輸入資訊中存在暗示從前述記憶用區域刪除該記憶資訊的指令時，則從該記憶用區域刪除該記憶資訊。
一種資訊處理程式，使電腦作為以下發揮功能： <br/> 資訊取得手段，至少可取得由利用者輸入的輸入資訊及與該利用者相關的利用者資訊； <br/> 資訊分類手段，藉由特定資訊是否達到既定基準來判定前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的該特定資訊對於前述利用者而言重要度是否高，在該特定資訊達到該既定基準時，將該特定資訊作為記憶資訊記憶於記憶用區域，在該特定資訊未達到該既定基準時，將該特定資訊作為忘卻資訊記憶於忘卻用區域；以及 <br/> 回答取得手段，將前述輸入資訊及前述記憶資訊輸入至大型語言模型，並從該大型語言模型取得針對該輸入資訊及該記憶資訊的回答資訊。
如請求項7記載的資訊處理程式，其中， <br/> 前述資訊分類手段，無論前述輸入資訊或前述利用者資訊中包含的前述特定資訊是否達到前述既定基準，若在該輸入資訊中存在暗示將該特定資訊作為前述記憶資訊記憶於前述記憶用區域的指令時，則將該特定資訊記憶於該記憶用區域，若在該輸入資訊中存在暗示從前述記憶用區域刪除該記憶資訊的指令時，則從該記憶用區域刪除該記憶資訊。
一種連接結構，用於連接第一設備與第二設備；其改良在於，所述連接結構包括： <br/>第一連接件，所述第一連接件用於與所述第一設備連接； <br/>第二連接件，所述第二連接件用於與所述第二設備連接，所述第二連接件與所述第一連接件沿第一方向依次設置； <br/>定位件，所述定位件連接於所述第一連接件，所述第二連接件設有定位槽，所述定位件插設於所述定位槽，所述定位槽具有第一定位面與第二定位面，所述第一定位面與所述第二定位面沿第二方向依次設置，所述第二方向與所述第一方向相交，所述第一定位面相對於所述第一方向與所述第二方向均傾斜，所述第二定位面相對於所述第一定位面傾斜；所述第一定位面與所述定位件抵接並沿所述第一方向朝向所述第一連接件止擋所述定位件，所述第二定位面與所述定位件抵接並沿所述第二方向朝向所述第一定位面止擋所述定位件； <br/>固定件，所述固定件連接所述第一連接件與所述第二連接件，以使所述定位件與所述第一定位面與所述第二定位面均保持抵接。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述定位件設有弧形抵接面，所述弧形抵接面與所述第一定位面與所述第二定位面抵接。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述定位件設有第一抵接面與第二抵接面，所述第一抵接面平行於所述第一定位面並與所述第一定位面抵接，所述第二抵接面平行於所述第二定位面並與所述第二定位面抵接。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述第一連接件設有安裝槽，所述安裝槽與所述定位槽均沿第三方向貫穿設置，所述定位件能夠沿所述第三方向分別插設於所述安裝槽與所述定位槽，所述第三方向與所述第一方向與所述第二方向均垂直，所述安裝槽能夠於所述第一方向上與所述第二方向上約束所述定位件。
如請求項4所述之連接結構，其中，所述連接結構還包括限位件，所述限位件與所述第一連接件或所述第二連接件可拆卸連接，所述限位件與所述定位件抵接並沿所述第三方向朝向對應之所述第一設備或第二設備止擋所述定位件。
如請求項5所述之連接結構，其中，所述連接結構還包括承接件，所述承接件與所述第一連接件或所述第二連接件可拆卸連接，所述定位件沿所述第三方向且遠離所述限位件之一側與所述承接件抵接。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述第一連接件與所述第二連接件中之其中一者沿所述第一方向貫穿設有固定通孔，所述第一連接件與所述第二連接件中之另一者沿所述第一方向設有固定螺孔，所述固定件為固定螺釘，所述固定螺釘插設於所述固定通孔並與所述固定螺孔螺紋配合。
如請求項7所述之連接結構，其中，所述固定通孔為條形孔，所述固定通孔之長度方向沿第三方向設置，所述第三方向與所述第一方向與所述第二方向均垂直。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述第一連接件與所述第二連接件中之其中至少一者設有第一連接孔，所述第一連接孔為條形孔，所述第一連接孔之長度方向沿所述第一方向設置，所述連接結構還包括第一螺釘，所述第一螺釘插設於所述第一連接孔並用於與對應之所述第一設備或所述第二設備連接。
如請求項1所述之連接結構，其中，所述第一連接件與所述第二連接件中之其中至少一者設有第二連接孔，所述第二連接孔為條形孔，所述第二連接孔之長度方向沿所述第二方向設置，所述連接結構還包括第二螺釘，所述第二螺釘插設於所述第二連接孔並用於與對應之所述第一設備或所述第二設備連接。
一種上料機構，其改良在於，包括：<br/> 基座；<br/> 承載件，設於所述基座，所述承載件包括吸附面，所述吸附面用於承載並吸附連接有複數工件之料匣，複數所述工件沿第一方向層疊設置於所述料匣；<br/> 對位件，固定設於所述基座，所述對位件連接所述料匣，並用於接收至少部分之所述工件；<br/> 中轉組件，設於所述基座，並位於所述對位件背向所述承載件之一端，所述中轉組件包括相連接之第一驅動件與挾持件，所述挾持件具有挾持位，所述挾持位被配置為與所述對位件沿所述第一方向間隔設置，所述第一驅動件用於驅動所述挾持件沿所述第一方向移動，使所述對位件背向所述承載件之一端插入所述挾持位，所述挾持件用於挾持所述挾持位中之所述工件;<br/> 推料組件，設於所述基座，用於沿所述第一方向抵推複數層疊設置之所述工件,使靠近所述中轉組件之所述工件沿所述對位件被推至所述挾持位。
如請求項1所述之上料機構，其中，所述挾持件包括擋塊、第一夾爪、第二夾爪與第二驅動件，所述挾持位設於所述擋塊，所述擋塊朝所述挾持位之一側設有止擋面，所述止擋面用在於所述對位件位於所述挾持位時抵接所述對位件，所述第一夾爪與所述第二夾爪沿第二方向間隔設置，並穿設於所述擋塊，所述第二方向垂直於所述第一方向，所述第二驅動件連接所述第一夾爪與所述第二夾爪，並用於驅動所述第二夾爪與所述第一夾爪相對移動，以挾持所述挾持位中之所述工件。
如請求項2所述之上料機構，其中，所述擋塊包括沿所述第二方向間隔設置之第一凸塊與第二凸塊，所述挾持位位於所述第一凸塊與所述第二凸塊之間；<br/> 所述第一夾爪包括第一凹槽，所述第二夾爪包括第二凹槽，當所述第一夾爪與所述第二夾爪挾持所述工件時，所述工件部分位於所述第一凹槽與所述第二凹槽，且所述第一凹槽與所述第二凹槽用於將所述工件抵持於所述止擋面。
如請求項1所述之上料機構，其中，所述對位件朝向所述中轉組件之一端設有限位組件，所述限位組件包括第三驅動件與兩個夾板，兩個所述夾板分別設於所述對位件沿第三方向之相對兩側，所述第三方向垂直於所述第一方向，所述第三驅動件連接兩個所述夾板，並用於驅動兩個所述夾板相對靠近，以限制所述工件朝所述中轉組件移動。
如請求項1所述之上料機構，其中，所述推料組件包括驅動模組與推塊，所述推塊穿設於所述承載件，驅動模組連接所述推塊，並能用於驅動所述推塊沿所述第一方向運動，使所述推塊帶動所述工件沿所述第一方向移動。
如請求項5所述之上料機構，其中，所述承載件設有兩個凸台，兩個所述凸台分別設於所述推塊沿第三方向之相對兩側，每個所述凸台背向所述承載件之一面為吸附面，每個所述吸附面能吸附一個所述料匣，每個所述料匣連接一個所述對位件；<br/> 所述中轉組件還包括第四驅動件，所述第四驅動件連接所述第一驅動件，並用於驅動所述第一驅動件與所述挾持件沿所述第三方向移動，使每個所述料匣上之所述工件均能於相對應之所述對位件之引導下進入所述挾持位；<br/> 所述驅動模組還能用於驅動所述推塊沿所述第三方向移動，使所述推塊能於兩個所述凸台之間移動，以帶動兩個所述料匣上之所述工件沿所述第一方向移動。
如請求項5所述之上料機構，其中，所述承載件滑動連接有抵推件，所述抵推件包括依次連接之滑動部、推料頭與配合部，所述滑動部沿所述第一方向滑動連接於所述承載件，所述推料頭可容所述料匣穿過，並用於抵推所述料匣上之所述工件，所述配合部位於所述推塊朝所述中轉組件之一側，所述配合部用在於所述推塊朝所述中轉組件移動時抵接所述推塊，使所述推料頭沿所述第一方向抵推複數所述工件。
如請求項1至7中任一項所述之上料機構，其中，所述上料機構還包括第一感應件與第二感應件，所述第一感應件設於所述推料組件，並用於感應所述推料組件對複數所述工件施加之推力，所述第二感應件設於所述挾持位，並用於感應所述挾持位中之所述工件；<br/> 所述第一感應件電連接所述第二感應件，當所述第二感應件感應到所述工件，且所述第一感應件感應到所述推力大於預設值時，所述工件被所述推料組件抵推於所述挾持位。
如請求項8所述之上料機構，其中，所述基座設有滑軌，所述滑軌沿所述第一方向延伸，所述承載件連接於所述滑軌，使所述承載件能沿所述滑軌相對所述基座移動。
一種組裝設備，其改良在於，包括定位機構與如請求項1至9中任一項所述之上料機構，所述定位機構連接於所述基座，所述定位機構用於定位所述上料機構中所述工件之位置。
一種物料回收機之輸送構造，以供處理一回收物，定義通過該回收物的軸心線之方向為一軸向，垂直於該軸向的方向為一徑向，該物料回收機之輸送構造包含有：<br/>一機殼，內部設呈為中空狀，該機殼的外緣設有一投入口及一退出口，該投入口及該退出口於該機殼內部形成有一輸送路徑，以供該回收物沿著該軸向於該輸送路徑上移動輸送，該投入口於該輸送路徑上設有一輸入通道，該退出口於該輸送路徑上設有一輸出通道，該回收物以該軸向由該投入口投入，並且以該軸向由該退出口退出，該輸出通道設有一開口部；<br/>一轉動單元，設置於該機殼內部，該轉動單元位於該輸入通道及該輸出通道之間，該轉動單元設有至少一容置區，以供該回收物以該軸向的置入到該容置區內，該轉動單元帶動該容置區旋轉，藉以使該容置區對應銜接於該輸入通道或該輸出通道，以構成該輸送路徑；<br/>一啟閉單元，設置於該機殼內部，該啟閉單元設有可移動的一擋板，藉以控制該擋板遮蔽或開啟該開口部；<br/>一輾壓破碎單元，設置於該機殼內部，並對應該開口部的位置而設置；<br/>一儲存箱，活動的設置於該機殼內部，並對應該輾壓破碎單元的位置而設置；<br/>一辨識單元，設置於該機殼內部，並位於該移動路徑上，藉以辨識該回收物的種類，於確認該回收物為可回收之種類時，則發出一接受訊號，如果確認為不可回收之種類時，則發出一拒絕訊號；<br/>一控制單元，設置於該機殼，該控制單元分別訊號連接該轉動單元、該啟閉單元、該輾壓破碎單元及該辨識單元，該控制單元控制該轉動單元及該輾壓破碎單元啟動或停止運轉，該控制單元於接收到該接受訊號，則控制該啟閉單元啟動，以帶動該擋板開啟該開口部，又該控制單元於接收到該拒絕訊號，則控制該啟閉單元啟動，以帶動該擋板遮蔽該開口部。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該輸入通道的一端連接該投入口，另一端則由該投入口朝向該機殼內部逐漸的向下傾斜而形成一斜面。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該輸出通道的一端連接該退出口，另一端則由該機殼內部朝向該退出口逐漸的向下傾斜而形成另一斜面。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該投入口的開口尺寸小於該回收物的該軸向之長度。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該辨識單元包含一材質光譜辨識單元、一影像外觀辨識單元、一荷重辨識單元、一金屬辨識單元的其中之一或其任意組合，該材質光譜辨識單元設置於該輸入通道與接該投入口的連接處，該影像外觀辨識單元設置於該轉動單元的上方處，以正對於該容置區，該荷重辨識單元設置於該轉動單元，該金屬辨識單元設置於該轉動單元的任一或特定的葉片上，並於該材質光譜辨識單元、該影像外觀辨識單元、該荷重辨識單元、該金屬辨識單元的其中之一或其任意組合辨識出該回收物之種類後，則發出該接受訊號或該拒絕訊號。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該控制單元設有一觸控螢幕，該觸控螢幕設置於該機殼的外緣。
如請求項1之物料回收機之輸送構造，其中，該轉動單元傾斜的位於該輸入通道及該輸出通道之間，該轉動單元設有一馬達，該馬達帶動一轉軸旋轉，該轉軸的周緣環設有複數葉片，任二相鄰的該葉片之間形成該容置區，使得該回收物與該轉軸於該軸向上為同方向。
如請求項7之物料回收機之輸送構造，其中，該等葉片之周緣及該轉軸的端部設有一遮片，該遮片的底部設置有開放的一缺口，該回收物隨著該等葉片旋轉至最底部，該回收物可以經由該缺口脫離該容置區。
如請求項7之物料回收機之輸送構造，其中，對應該輾壓破碎單元的位置設有可傾斜擺動的一分選板，對應該輾壓破碎單元的位置設有二該儲存箱。
如請求項7之物料回收機之輸送構造，其中，該馬達可帶動該轉軸正轉或反轉，以控制該容置區正轉或反轉，對應該輾壓破碎單元的位置設有可傾斜擺動的一分選板，對應該輾壓破碎單元的位置設有二該儲存箱。
一種分子動力管，其係包含有：一管體，其沿軸向之一端為一進氣端，另一端則為一出氣端，且該進氣端與該出氣端係相通；複數個隔板，係沿徑向間隔設於該管體內，該等隔板上皆設有一通孔，其中，該等通孔之孔徑皆不相同，係由該進氣端朝向該出氣端逐漸縮小。
依據請求項1所述之分子動力管，其中，該管體於該進氣端上設有一進氣頭，而該管體於該出氣端上則設有一出氣嘴。
依據請求項1所述之分子動力管，其中，該等隔板與該管體係一體成形。
依據請求項1所述之分子動力管，其中，該等隔板係等距設於該管體內。
依據請求項1所述之分子動力管，其中，該等通孔係同軸設在該等隔板之中心。
依據請求項2所述之分子動力管，更包含有；一軟管，該軟管一端至少具有一固定端，係固設於該出氣嘴上，另一端為自由端，係可供伸置入引擎之進氣口內。
一種集成計量系統，包括：<br/> 基於法向入射光譜的計量通道，被配置成執行晶圓的計量位點的光學測量；<br/> 模式識別成像通道（PRIC），與所述計量通道機械地/光學地對準並且被配置成：在計量會話期間生成用於相對於所述計量位點進行導航的導航圖像資訊，並且在至少部分的晶圓對準會話期間採集用於晶圓邊緣區域部分的PRIC計量資訊；<br/> 樣品移動單元，所述樣品移動單元操作耦接所述計量通道和所述PRIC，以在所述晶圓對準會話期間引入所述晶圓與所述PRIC和所述計量通道中的至少一個通道之間的相對移動；以及<br/> 處理電路，所述處理電路操作耦接所述PRIC和所述計量通道，且被配置成處理所述PRIC計量資訊以及計量通道光學測量資訊二者以提供關於所述晶圓邊緣區域部分的計量結果。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述光學測量是光學關鍵尺寸（OCD）測量。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述光學測量涉及用寬帶輻射照射所述晶圓。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，每個所述計量位點具有幾十微米的寬度和長度。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述PRIC和所述計量通道共用至少一個光學部件。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量位點中的至少一些被定位在所述晶圓邊緣區域部分的內部。
如請求項6所述之集成計量系統，其中，所述處理電路被配置成使用通過所述計量通道來相對於所述計量位點中的一個或多個生成的光學計量測量來驗證所述PRIC計量資訊。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述處理電路被配置成應用所述PRIC計量資訊到所述計量結果之間的映射。
如請求項8所述之集成計量系統，其中，所述映射是通過機器學習過程生成的。
如請求項9所述之集成計量系統，其中，所述集成計量系統被配置成向所述機器學習過程的訓練過程提供：有關訓練樣品的一個或多個邊緣區域部分的訓練PRIC計量資訊，以及相對於所述訓練樣品的一個或多個訓練測量位點的計量結果。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述PRIC計量資訊僅在所述晶圓對準會話期間被獲取。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述PRIC計量資訊部分地在所述晶圓對準會話期間並且部分地不在所述晶圓對準會話期間被獲取。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量位點中的一個或多個被定位在一個或多個邊緣區域部分中的每個的外部。
如請求項1所述之集成計量系統，其還包括由所述PRIC和所述計量通道共用的光學頭。
如請求項14所述之集成計量系統，其還包括被配置成相對於所述晶圓線性地移動所述光學頭的光學頭移動單元。
如請求項15所述之集成計量系統，其中，所述樣品移動單元還被配置成在所述計量會話期間相對於所述光學頭移動所述晶圓。
如請求項14所述之集成計量系統，其中，所述光學頭被配置成：將來自光學層的照明部分的輻射導向被定位在所述光學頭的臨時視場的內部的樣品的區域，並且接收來自所述樣品返回的返回輻射，以及將所述返回輻射導向所述光學層的收集部分。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量結果指示在所述晶圓邊緣區域部分處的不同晶圓層的邊緣之間的過渡。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量結果指示宏觀缺陷和層剝離中的至少一種。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量結果指示裂紋。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述計量結果指示晶圓邊沿的面積中的層厚度變化。
如請求項1所述之集成計量系統，其還包括：包括一個或多個PRIC光學部件的PRIC光學頭，以及包括一個或多個計量通道光學部件的計量通道光學頭。
如請求項1所述之集成計量系統，其中，所述PRIC和所述計量通道不共用任何光學部件。
一種用於集成計量系統的非瞬態電腦可讀媒體，所述非瞬態電腦可讀媒體儲存由電腦化裝置運行的指令，以：<br/> 控制通過如請求項1所述之集成計量系統的計量通道來進行的晶圓的計量位點的光學測量的執行；<br/> 控制通過所述集成計量系統的模式識別成像通道（PRIC）並且在計量會話期間來進行的用於相對於所述計量位點進行導航的導航圖像資訊的生成；<br/> 控制通過所述PRIC來進行的在至少部分的晶圓對準會話期間的用於晶圓邊緣區域部分的計量資訊的採集；<br/> 控制通過所述集成計量系統的樣品移動單元來進行的在所述晶圓對準會話期間的所述晶圓的旋轉；並且<br/> 控制通過所述集成計量系統的處理電路來進行的針對至少PRIC計量資訊的、以提供關於所述晶圓邊緣區域部分的計量結果的處理。
一種氣壓缸，具備： <br/> 缸筒，具有延伸於軸線方向的貫穿孔； <br/> 第1蓋，將前述貫穿孔之第1方向的端部封閉； <br/> 第2蓋，將前述貫穿孔之第2方向的端部封閉，與前述第1蓋之間形成缸室； <br/> 活塞，將前述缸室分隔成第1壓力室與第2壓力室； <br/> 第1埠，形成於前述缸筒，對前述第1壓力室供給、排出壓縮空氣； <br/> 第1緩衝室，形成於前述第1蓋，並連通於前述第1壓力室； <br/> 第1緩衝突起，從前述活塞朝前述第1方向突出，一旦插入前述第1緩衝室，便阻斷前述第1緩衝室與前述第1壓力室之間的連通； <br/> 第1主流路，連通於前述第1緩衝室； <br/> 第1固定孔口，具有比前述第1主流路更小的有效剖面積，朝前述第1壓力室形成開口， <br/> 第1主流路與前述第1固定孔口，在前述第1埠的底面形成開口。
如請求項1所記載的氣壓缸，其中前述第1主流路在前述第1埠的底面之前述第1方向的端部形成開口，前述第1固定孔口在前述第1埠的底面之前述第2方向的端部形成開口。
如請求項1所記載的氣壓缸，其中在前述第1蓋的外周部安裝有：被配置於前述第1主流路與前述第1固定孔口之間的第2外周襯墊。
如請求項1所記載的氣壓缸，其中前述第1蓋之前述軸線方向的位置，從前述第1固定孔口之前述軸線方向的位置分離，前述第1壓力室延伸至前述第1固定孔口的內側。
如請求項1所記載的氣壓缸，其中前述第1蓋之前述軸線方向的端部的位置，與前述第1固定孔口之前述軸線方向的位置重疊或者一致。
如請求項1所記載的氣壓缸，其中前述第1蓋具有：第1內部流路，延伸於與前述軸線方向交叉的徑向，連接前述第1緩衝室與前述第1主流路， <br/> 前述第1內部流路之前述軸線方向的位置，與前述第1埠之前述軸線方向的位置重疊。
如請求項1至請求項6其中任一項所記載的氣壓缸，其中更進一步具備： <br/> 第2埠，形成於前述缸筒，對前述第2壓力室供給、排出壓縮空氣； <br/> 第2緩衝室，形成於前述第2蓋，並連通於前述第2壓力室； <br/> 第2緩衝突起，從前述活塞朝前述第2方向突出，一旦插入前述第2緩衝室，便阻斷前述第2緩衝室與前述第2壓力室之間的連通； <br/> 第2主流路，與前述第2緩衝室連通； <br/> 第2固定孔口，具有比前述第2主流路更小的有效剖面積，朝前述第2壓力室形成開口， <br/> 前述第2主流路與前述第2固定孔口，在前述第2埠的底面形成開口。<b> </b>
一種電連接器，包括： <br/>殼體，所述殼體包括配合面、第一插槽、第二插槽和第三插槽，每個插槽在橫向方向上從所述配合面凹入到所述殼體中，所述第一插槽、所述第二插槽和所述第三插槽依次佈置並在垂直於所述橫向方向的縱向方向上彼此間隔開；以及 <br/>多個導電元件，每個導電元件包括配合端、接觸尾部和中間部分，所述配合端具有設置在所述第一插槽、所述第二插槽和所述第三插槽中的相應插槽中的配合接觸部分，所述接觸尾部被配置用於線纜端接，並且所述中間部分連結所述配合端和所述接觸尾部，所述多個導電元件包括： <br/>多個第一導電元件，所述多個第一導電元件的配合端的配合接觸部分設置在所述第一插槽中； <br/>多個第二導電元件，所述多個第二導電元件的配合端的配合接觸部分設置在所述第二插槽中；以及 <br/>多個第三導電元件，所述多個第三導電元件的配合端的配合接觸部分設置在所述第三插槽中，其中： <br/>每個第一導電元件在所述縱向方向上比每個第三導電元件更寬；並且 <br/>每個第三導電元件在所述縱向方向上比每個第二導電元件更寬。
如請求項1所述的電連接器，其中： <br/>所述多個第一導電元件被配置用於傳輸電力； <br/>所述多個第二導電元件中的至少一部分被配置用於傳輸信號；並且 <br/>所述多個第三導電元件被配置用於傳輸電力。
如請求項1所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體包括第一壁段、第二壁段、第一分隔件、第一通道和第二通道，所述第一分隔件連結所述第一壁段和所述第二壁段並分開所述第二插槽和所述第三插槽，所述第一通道和所述第二通道與所述第一分隔件相鄰並在垂直於所述橫向方向和所述縱向方向兩者的豎直方向上從所述第三插槽分別延伸到所述第一壁段和所述第二壁段中；並且 <br/>所述多個第三導電元件至少部分地延伸到所述第一通道和所述第二通道中。
如請求項3所述的電連接器，其中： <br/>所述電連接器的多個導電元件包括多個第四導電元件； <br/>所述多個第四導電元件的配合端的配合接觸部分設置在所述第三插槽中； <br/>每個第三導電元件比每個第四導電元件更寬；並且 <br/>與所述多個第四導電元件相比，所述多個第三導電元件在所述縱向方向上更靠近所述第一分隔件設置。
如請求項4所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體包括多個第三通道； <br/>每個第三通道比每個第一通道或每個第二通道更窄；並且 <br/>所述多個第四導電元件至少部分地延伸到所述多個第三通道中。
如請求項5所述的電連接器，其中： <br/>所述多個第四導電元件中的至少一部分被配置用於傳輸信號；並且 <br/>每個第四導電元件具有與每個第二導電元件相同的寬度。
如請求項4所述的電連接器，其中： <br/>所述多個第三導電元件的配合接觸部分在所述縱向方向上佈置成兩個第一排； <br/>所述兩個第一排在所述豎直方向上彼此相對且間隔開； <br/>所述多個第四導電元件的配合接觸部分在所述縱向方向上佈置成兩個第二排； <br/>所述兩個第二排在所述豎直方向上彼此相對且間隔開；並且 <br/>所述兩個第一排中的每個第一排與所述兩個第二排中的對應第二排在所述縱向方向上彼此對齊且間隔開。
如請求項7所述的電連接器，其中： <br/>每個第一排的相鄰的兩個配合接觸部分在所述縱向方向上彼此間隔的間距大於每個第二排的相鄰的兩個配合接觸部分在所述縱向方向上彼此間隔的間距。
如請求項4所述的電連接器，其中： <br/>所述多個第三導電元件的每個配合接觸部分在所述縱向方向上比所述多個第四導電元件的每個配合接觸部分更寬。
如請求項3所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體進一步包括第三壁段、第四壁段、第二分隔件、第四通道和第五通道，所述第三壁段連接到所述第一壁段，所述第四壁段連接到所述第二壁段，所述第二分隔件連結所述第三壁段和所述第四壁段並分開所述第一插槽和所述第二插槽，所述第四通道和所述第五通道在所述豎直方向上從所述第一插槽分別延伸到所述第三壁段和所述第四壁段中；並且 <br/>所述多個第一導電元件至少部分地延伸到所述第四通道和所述第五通道中。
如請求項10所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體包括端壁和延伸部，所述端壁連結所述第三壁段和所述第四壁段，所述延伸部與所述第一插槽相鄰並被配置用於連接到面板；並且 <br/>所述第一插槽設置在所述第二分隔件與所述端壁之間並延伸穿過所述端壁。
一種電連接器，包括： <br/>殼體，所述殼體包括配合面、多個插槽和多個分隔件，每個插槽在橫向方向上從所述配合面凹入到所述殼體中，每個分隔件設置在所述多個插槽中相鄰的插槽之間，所述多個插槽在垂直於所述橫向方向的縱向方向上對齊；以及 <br/>多個導電元件，每個導電元件包括配合端、接觸尾部和中間部分，所述配合端具有設置在所述多個插槽中的相應插槽中的配合接觸部分，所述中間部分連結所述配合端和所述接觸尾部，所述多個導電元件包括： <br/>一對第一導電元件，每個第一導電元件包括設置在所述多個插槽中的第一插槽中的多個第一配合接觸部分， <br/>一對第二導電元件，每個第二導電元件包括設置在所述多個插槽中的第二插槽中的多個第二配合接觸部分，以及 <br/>多個第三導電元件，所述多個第三導電元件包括設置在所述多個插槽中的除所述第一插槽之外的相應插槽中的第三配合接觸部分，其中： <br/>每個第一配合接觸部分在所述縱向方向上比每個第三配合接觸部分更寬；並且 <br/>每個第二配合接觸部分在所述縱向方向上比每個第一配合接觸部分更寬。
如請求項12所述的電連接器，其中： <br/>每個第二配合接觸部分在所述縱向方向上比每個第一配合接觸部分更寬。
如請求項12所述的電連接器，進一步包括： <br/>多個線纜，所述多個線纜包括： <br/>多個第一線纜，所述多個第一線纜包括附接到所述多個第一導電元件的接觸尾部或所述多個第二導電元件的接觸尾部的第一導線；以及 <br/>多個第二線纜，所述多個第二線纜包括附接到所述多個第三導電元件的接觸尾部的第二導線。
如請求項14所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體包括與所述配合面相對的第二面，以及延伸超過所述第二面並橫穿所述多個分隔件的平臺；並且 <br/>所述多個線纜附接到所述平臺的相對側上的相應接觸尾部。
如請求項14所述的電連接器，其中： <br/>所述殼體包括一對延伸部，所述一對延伸部在所述縱向方向上設置在所述殼體的相對側上並被配置用於連接到面板。
如請求項12所述的電連接器，其中： <br/>所述多個第二導電元件的配合接觸部分具有0.6 mm的第一間距； <br/>每個第二導電元件的配合接觸部分具有大於所述第一間距的第二間距；並且 <br/>每個第二導電元件的配合接觸部分具有大於所述第一間距的第三間距。
如請求項12所述的電連接器，其中： <br/>所述多個插槽包括設置在所述第一插槽與所述第二插槽之間的第三插槽，以及通過所述第二插槽與所述第一插槽分開的第四插槽、第五插槽和第六插槽。
如請求項18所述的電連接器，其中： <br/>所述第六插槽是所述多個插槽中在所述縱向方向上最長的插槽並固持兩排導電元件； <br/>所述多個分隔件包括在所述縱向方向上最寬的分隔件；並且 <br/>所述第六插槽通過所述多個分隔件中最長的分隔件與所述第五插槽分開。
如請求項18所述的電連接器，其中： <br/>多個遮罩構件至少部分地延伸到除所述第一插槽之外的所述多個插槽中；並且 <br/>每個遮罩構件包括設置在各對第三導電元件上方的凸台、附接到設置在所述各對第三導電元件中相鄰的各對第三導電元件之間的凹谷以及連結相鄰的凸台和凹谷的連接部分。
一種遮擋件，用於遮擋推車儲物空間的開口，其特徵在於，所述遮擋件包括：<br/> 遮擋本體；以及<br/> 連接件，連接所述遮擋本體；<br/> 所述遮擋本體通過所述連接件可附接於所述推車，以至少部分遮擋所述儲物空間的開口。
如請求項1所述的遮擋件，其特徵在於：所述遮擋本體具有多個側邊，所述多個側邊的至少一者具有可收縮性，於附接至所述推車時其長度可適應延伸。
如請求項2所述的遮擋件，其特徵在於：所述多個側邊包括相對的第一側邊與第二側邊，所述第一側邊具有可收縮性且於張緊時的長度大於所述第二側邊的長度。
如請求項2所述的遮擋件，其特徵在於：所述多個側邊包括相對的第一側邊與第二側邊，所述第一側邊具有可收縮性且設有束緊件，所述第一側邊通過所述束緊件而可收縮束緊。
如請求項2所述的遮擋件，其特徵在於：所述多個側邊包括第一側邊和第二側邊，所述第二側邊連接至所述儲物空間的上緣，所述第一側邊通過所述連接件連接至所述推車的管件。
如請求項5所述的遮擋件，其特徵在於：所述遮擋本體與所述連接件可收置於所述儲物空間。
如請求項1所述的遮擋件，其特徵在於：所述遮擋件通過所述連接件可拆卸式連接所述推車。
一種掛袋，可附接至推車，其特徵在於，所述掛袋包括：<br/> 收納本體，具有開口部和封閉底部，所述開口部具有可收縮性，且在張緊時的寬度大於所述封閉底部的寬度；以及<br/> 多個連接件，所述收納本體通過所述連接件連接至所述推車。
如請求項8所述的掛袋，其特徵在於：所述連接件包括軟性帶和與所述軟性帶連接的調節扣，通過所述調節扣可調整所述軟性帶的連接長度。
如請求項9所述的掛袋，其特徵在於：所述連接件具有止擋部，設於所述軟性帶的端部，用以止擋所述軟性帶從所述調節扣的調節孔脫出。
一種具有可轉動之儀表的機車，包含：<br/>一車架；<br/>一動力模組，安裝於該車架且用以產生一動力；<br/>一驅動模組，設置於該車架且連接於該動力模組，並用以將該動力轉換為一驅動該機車移動之動能；<br/>一轉向模組，設置於該車架之前段且適用於供操作而控制該機車行駛之方向；<br/>一支架，連接於該車架；<br/>一遮光罩，樞接於該支架；及<br/>一顯示儀表，可拆卸地鎖固於該遮光罩，並能與該遮光罩一同相對於該支架樞轉。
如請求項1所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該遮光罩包括一基板、一銜接該基板且沿橫向延伸而用以遮擋陽光的棚板，及二間隔設置於該基板且沿同向延伸的凸耳。
如請求項2所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該支架包括一連接於該車架的支撐部，及一自該支撐部向上延伸且界定出二定位孔的定位部，且每一該凸耳界定出一與個別之該定位孔相互對位的樞接孔，且每一該樞接孔與對位之該定位孔位於相同之一旋轉軸線。
如請求項2所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該顯示儀表包括一具有多個彼此相互間隔之固定件的背板，及一圍繞該背板且用以顯示所述機車之重要資訊的面板，且該遮光罩之該基板界定出多個分別供該等固定件對應穿伸的固定孔。
如請求項2至4任一項所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該遮光罩之該棚板具有一位於上側的第一遮光部，及二分別自該第一遮光部之左右兩側彎折且沿同向延伸的第二遮光部。
如請求項5所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該第一遮光部遠離該基板的高度大於該第二遮光部遠離該基板的高度。
如請求項5所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，該第一遮光部具有二彼此間隔的外凸段，及一銜接於該等外凸段之間且相對於該等外凸段呈向內凹陷的內凹段。
如請求項7所述的具有可轉動之儀表的機車，其中，每一該第二遮光部具有一銜接於該第一遮光部的高段，及一自該高段向下延伸自該基板延伸之距離小於該高段的低段。
如請求項1所述的具有可轉動之儀表的機車，還包含一設置於該車架且與該動力模組連通的空濾模組，及一設置於該車架前端的頭燈模組，其中，該顯示儀表位於該空濾模組與該頭燈模組之間。
一種跨騎式車輛，包含：<br/>一車身；<br/>一動力系統，設置於該車身上；<br/>一主水箱，鄰近該動力系統地設置於該車身上；<br/>一副水箱，設置於該車身上且連通該主水箱；及<br/>一電裝元件，可拆卸地設置於該副水箱上。
如請求項1所述的跨騎式車輛，其中，該車身圍繞界定出一置物空間，及一連通該置物空間且位於該置物空間後方的維修空間，該副水箱及該電裝元件位於該維修空間中，該動力系統位於該置物空間相對下方處。
如請求項1所述的跨騎式車輛，還包含一可拆離地設置於該車身上的蓋體，該蓋體遮蔽該副水箱及該電裝元件。
如請求項1所述的跨騎式車輛，其中，該副水箱具有一開口朝向上方的加水口。
如請求項3所述的跨騎式車輛，其中，該車身圍繞界定出一置物空間，及一連通該置物空間的維修空間，該副水箱及該電裝元件位於該維修空間中，且該蓋體封閉該維修空間，該蓋體具有一朝向上方的上表面，及一連接該上表面且朝向該置物空間的側表面。
如請求項1所述的跨騎式車輛，其中，該副水箱由外側朝內凹陷地形成一凹陷空間，該電裝元件容置於該凹陷空間中。
如請求項6所述的跨騎式車輛，其中，該副水箱包括一箱體部，該箱體部具有一頂面、一連接該頂面且向下延伸的安裝側面，及一連接該安裝側面且遠離該安裝側面地延伸的安裝平面，該安裝側面及該安裝平面相配合界定出該凹陷空間。
如請求項1所述的跨騎式車輛，其中，該副水箱包括一形成一由外側朝內凹陷之凹陷空間的箱體部，及一由該箱體部伸置於該凹陷空間中的承載部，該電裝元件包括一主體部，及一可拆卸地設置於該承載部上的固定部。
如請求項2所述的跨騎式車輛，其中，該維修空間具有一面向上方的上開口，及一連接該上開口且面向該置物空間的側開口，該副水箱包括一形成一凹陷空間的箱體部，及一朝向上方的加水口，該加水口及該電裝元件至少部分與該上開口重疊。
如請求項2所述的跨騎式車輛，其中，該維修空間具有一面向上方的上開口，及一連接該上開口且面向該置物空間的側開口，該副水箱包括一形成一凹陷空間的箱體部，及一朝向上方的加水口，該加水口或該電裝元件至少部分與該側開口重疊。
一種收納籃，包含：<br/>一容器本體，具有一第一層結構、一第二層結構及一彈性層結構，該彈性層結構介於該第一層結構與該第二層結構之間；及<br/>一蓋構件，可拆卸地結合於該第二層結構；<br/>其中，該容器本體可呈一展開狀態及一收摺狀態，當收納籃呈該收摺狀態時，該第二層結構位於該第一層結構的外側。
如請求項1所述之收納籃，其中當收納籃呈該收摺狀態時，該第一層結構位於該彈性層結構的內側且該彈性層結構介於該第一層結構與該第二層結構之間。
如請求項1所述之收納籃，其中該容器本體為一體成型，且該彈性層結構較該第一層結構及該第二層結構軟。
如請求項2所述之收納籃，其中該彈性層結構的材質為熱塑性彈性體 （TPE）。
如請求項2所述之收納籃，其中該第一層結構及該第二層結構的材質為聚丙烯 （PP）。
如請求項1所述之收納籃，其中該蓋構件為可收折桌蓋構件，包含一桌板及一桌腳，該桌腳樞接該桌板的一第一樞接部。
如請求項6所述之收納籃，其中該桌腳包含二支撐部及一連接部，該二支撐部分別連接於該連接部的兩端且該連接部可拆卸地與該蓋構件之一固定部結合。
如請求項1所述之收納籃，其更包含一扣具，與該蓋構件之一第二樞接部樞接；當蓋構件結合該第二層結構時，該扣具之一定位部可扣合於該第二層結構之一結合緣。
如請求項1所述之收納籃，其更包含一提把，與該第二層結構之一第三樞接部樞接。
如請求項1所述之收納籃，其中該蓋構件更設有一溝槽，具有高度相異之第一側壁及一第二側壁。
如請求項1所述之收納籃，其中該蓋構件更設有一凹槽。
一種植物根部生長基質溫控的栽種結構，包含以下元件：一栽種溫控槽床，用以固定栽種溫控基質與植物栽種基質之槽床，栽種溫控槽床，使用單一式栽種溫控槽床、複式栽種溫控槽床、堆疊式溫控槽床等擇一使用；一栽種溫控基質，使用土壤、多孔材料或水耕介質等，填充放置於栽種溫控槽床內部，亦可作為植物根部固定與供及養分之基質；一栽種基質溫度感測器，設置於植物栽種基質中，感測器連接至外部數據處理系統，即時偵測栽種溫控基質溫度；一溫控管路系統，由金屬管、塑膠導管、複合塑膠導管等至少選一種使用，該管路埋設於植物栽種基質中，用以進行熱交換；一溫控流體，經由外部主機加熱或冷卻後流入土壤管路中；一外部溫控主機，連接溫控管路系統，具備供冷熱功能。
如請求項1所述之植物根部生長基質溫控的栽種結構，其中，栽種溫控槽床的複式溫控槽床，是指植物栽種於植物栽種基質的獨立容器，再安置於栽種溫控槽床上部或中間方式。
如請求項1所述之植物根部生長基質溫控的栽種結構，其中溫控流體，使用水、冷媒或其他可控溫熱交換流體介質至少選一種使用。
如請求項1所述之植物根部生長基質溫控的栽種結構，其中所述栽種槽床之內壁具備隔熱泡棉層或隔熱層，以阻絕外部高低溫變化對內部栽種環境造成影響。
一種紙盒組裝系統，該紙盒包含一矩形底板，以及圍繞豎立在該矩形底板四邊的前、後、左、右壁板；該組裝系統包含一裁紙設備以及一與該裁紙設備隔離的組裝設備，其中：<br/> 該裁紙設備將兩種不同厚度的平面紙材分別裁切，其中相對較薄的紙材裁切為多數片外層飾片，相對較厚的紙材裁切為多數片矩形補強板；<br/> 其中每一外層飾片包含一片中央矩形片；分別由該中央矩形片的四邊向外延伸的一前側片、一後側片、一左側片、一右側片；分別由該四片側片向外延伸的一前摺疊片、一後摺疊片、一左摺疊片、一右摺疊片；以及，分別由該前側片、後側片的兩側朝向相鄰的左、右側片方向延伸的四片連接片；<br/> 該多數片矩形補強板分成兩種規格，包括形狀分別與該前、後側片大致相同的第一補強板，以及一體接續而且形狀與該左側片、中央矩形片、右側片大致相同的第二補強板；其中兩片第一補強板依該組裝步驟可構成一前補強板、一後補強板，該單一片第二補強板依該組裝步驟可構成一左側補強板、一中央補強板、及一右側補強板；<br/> 該組裝設備將其中一片外層飾片、二片第一補強板及一片第二補強板共同組裝成該紙盒，且該一片外層飾片、二片第一補強板及一片第二補強板分別具有一底面以及一頂面，該組裝設備包含：一前後連貫式工作機台，以及分別設置在該工作機台周圍的第一送料機組、第二送料機組、第一摺疊機組、第三送料機組、第二摺疊機組、第三摺疊機組；其中：<br/> 該第一送料機組設置在該工作機台的起始端，能將該外層飾片底面平鋪於該工作機台後於其頂面上膠；<br/> 該第二送料機組設置在該第一送料機組下游端，能將該前、後補強板底面分別對齊並黏著於該外層飾片中兩相對的前、後側片頂面；<br/> 該第一摺疊機組設置在該第二送料機組下游端，能將分別位於該前、後側片外側的前、後摺疊片由外向內摺疊及黏著於該前、後補強板的頂面；<br/> 該第三送料機組設置在該第一摺疊機組的下游端，能將該第二補強板底面部分疊合於該外層飾片的頂面，其中該中央補強板底面疊合並黏著於該中央矩形片的頂面，該左側補強板及右側補強板相對於該中央補強板為向上豎立狀態，使其頂面分別朝向內側，底面則分別朝向外側；<br/> 該第二摺疊機組設置在該第三送料機組的下游端，能將該前補強板、後補強板分別豎立後，使四片連接片分別朝向左側補強板及右側補強板的底面彎摺後黏著，以透過該四片連接片橫向連接前、後、左、右側補強板，用以維持該等補強板的豎立狀態；以及<br/> 該第三摺疊機組設置在該第二摺疊機組的下游端，能將該左側片及右側片分別豎立，使二者的頂面分別黏著於左側補強板、右側補強板及四片連接片的底面後，將該左、右摺疊片向下及向內疊合黏著在該左側補強板、右側補強板的頂面。
一種紙盒組裝系統，該紙盒包含一矩形底板，以及圍繞豎立在該矩形底板四邊的前、後、左、右壁板；該組裝系統包含一裁紙設備以及一組裝設備，其中：<br/> 該裁紙設備將兩種不同厚度的平面紙材分別裁切，其中相對較薄的紙材裁切為多數片外層飾片，相對較厚的紙材裁切為多數片矩形補強板；<br/> 其中每一外層飾片包含一片中央矩形片；分別由該中央矩形片的四邊向外延伸的一前側片、一後側片、一左側片、一右側片；分別由該四片側片向外延伸的一前摺疊片、一後摺疊片、一左摺疊片、一右摺疊片；以及，分別由該前側片、後側片的兩側朝向相鄰的左、右側片方向延伸的四片連接片；<br/> 該多數片矩形補強板分成兩種規格，包括形狀分別與該前、後側片大致相同的第一補強板，以及一體接續而且形狀與該左側片、中央矩形片、右側片大致相同的第二補強板；其中兩片第一補強板依該組裝步驟可構成一前補強板、一後補強板，該單一片第二補強板依該組裝步驟可構成一左側補強板、一中央補強板、及一右側補強板；<br/> 該組裝設備將其中一片外層飾片、二片第一補強板及一片第二補強板共同組裝成該紙盒，且該一片外層飾片、二片第一補強板及一片第二補強板分別具有一底面以及一頂面，該組裝設備包含：一前後連貫式工作機台，以及分別設置在該工作機台周圍的第一送料機組、第二送料機組、第一摺疊機組、第三送料機組、第二摺疊機組、第三摺疊機組；其中：<br/> 該第一送料機組設置在該工作機台的起始端，能將該外層飾片底面平鋪於該工作機台後於其頂面上膠；<br/> 該第三送料機組設置在第一送料機組的下游端，能將該第二補強板底面部分疊合於該外層飾片的頂面，其中該中央補強板底面疊合並黏著於該中央矩形片的頂面，該左側補強板及右側補強板相對於該中央補強板為向上豎立狀態，使其頂面分別朝向內側，底面則分別朝向外側；<br/> 該第二送料機組設置在該第三送料機組下游端，能將該前、後補強板底面分別對齊並黏著於該外層飾片中兩相對的前、後側片頂面；<br/> 該第一摺疊機組設置在第二送料機組的下游端，能將分別位於該前、後側片外側的前、後摺疊片由外向內摺疊及黏著於該前、後補強板的頂面； <br/> 該第二摺疊機組設置在該第一摺疊機組的下游端，能將該前補強板、後補強板分別豎立後，使四片連接片分別朝向左側補強板及右側補強板的底面彎摺後黏著，以透過該四片連接片橫向連接前、後、左、右側補強板，用以維持該等補強板的豎立狀態；以及<br/> 該第三摺疊機組設置在該第二摺疊機組的下游端，能將該左側片及右側片分別豎立，使二者的頂面分別黏著於左側補強板、右側補強板及四片連接片的底面後，將該左、右摺疊片向下及向內疊合黏著在該左側補強板、右側補強板的頂面。
如請求項1或2所述的紙盒組裝系統，其中，該組裝設備進一步包括一可自動收料的收料機組，該收料機組設置在第三摺疊機組的下游端。
如請求項1或2所述的紙盒組裝系統，其中，該工作機台呈環形，該第一送料機組、第二送料機組、第一摺疊機組、第三送料機組、第二摺疊機組、第三摺疊機組圍繞在該工作機台周圍。
如請求項1或2所述的紙盒組裝系統，其中，該工作機台呈線形，該第一送料機組、第二送料機組、第一摺疊機組、第三送料機組、第二摺疊機組、第三摺疊機組排列在該工作機台其中一側或交錯排列在兩側。
一種高壓靜電式空氣淨化模塊，其包括:該高壓靜電式空氣淨化模塊應用在一離子風空氣淨化器上；並包括一裝配有金屬絲之發射網和一裝配有一集塵板之收集網；該發射網與該收集網相對平行設置，且兩者之間的距離在預設活動範圍之內；所述發射網及所述收集網電性接觸一電源並用於為該金屬絲和該集塵板供電；當該離子風空氣淨化器的出風量設定為一第一預設值時，該電源的電壓值在預設電壓範圍內與該發射網與該收集網之間的距離呈正比關系；其中，該預設活動範圍在5毫米至200毫米之間；該預設電壓範圍在15000V至43000V之間。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該發射網包括一絲架框體；該金屬絲為一條，且以第一預設形狀整體編成絲網裝配在該絲架框體上。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該收集網包括一底殼；該集塵板的數量為一塊，且呈金屬帶狀；該金屬帶狀的集塵板以第二預設形狀整體裝配在該底殼上。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該集塵板包括多塊，每塊該集塵板水平設置，且多塊之間呈上下相間隔設置；該金屬絲包括多根，每根該金屬絲垂直設置，且多根之間呈左右相間隔設置。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該發射網包括一絲架框體，該絲架框體上設置有一防高壓快速母接頭和一彈簧支架；該金屬絲的一端與該防高壓快速母接頭連接，另一端通過彈簧與該彈簧支架連接；在該絲架框體上對應該金屬絲的出絲口處，開設有容置該金屬絲且不與該金屬絲接觸的凹槽。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該收集網包括一底殼；該底殼上開設有多個開口槽，該底殼內設置有一導電金屬片；該集塵板為多塊帶拱金屬片；多塊該帶拱金屬片分別插入該開口槽中，並與該導電金屬片相接。
如請求項1所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該收集網的上表面或下表面設置有凸起，該凸起為點狀或條形狀。
如請求項6所述之高壓靜電式空氣淨化模塊，其中該收集網包括一頂針組件，該頂針組件包括一絕緣罩、一支架和一裝配在該支架上的金屬頂針；該金屬頂針的一端通過螺母與電源線固定，另一端通過一彈簧與該導電金屬片接觸；該絕緣罩安裝在該螺母之上，並將該金屬頂針固定。
一種離子風空氣淨化器，其中包括主體及如請求項1至8任一項所述之高壓靜電式空氣淨化模塊；該發射網和該收集網均裝配在該主體上。
如請求項9所述之離子風空氣淨化器，其中該主體上設置有一L型卡扣，該L型卡扣的一端與該主體鎖定，另一端上設置有一防脫凸點，該防脫凸點在該收集網在裝配於該主體上之後限制該收集網脫出；或者，該主體上設置有一公頭，該發射網上設置有與該公頭匹配的母頭，當該發射網裝配在該主體上時，該公頭與母頭對接固定。
一種滾刷，用於設置在清潔設備上，且用於清掃待清潔面，包括： <br/>第一輥體，所述第一輥體具有第一端和第二端，所述第一端為連接端，所述第二端為自由端，所述連接端用於與所述清潔設備的動力裝置的輸出端相連接，所述自由端在安裝於所述清潔設備上時處於懸空狀態； <br/>第一清潔件，所述第一清潔件包括多個第一葉片，各所述第一葉片設於所述第一輥體的外周壁上，並且，各所述第一葉片沿所述第一端至所述第二端的方向呈螺旋延伸； <br/>第二清潔件，所述第二清潔件包括刷毛排，所述刷毛排設於所述第一輥體的外周壁上； <br/>所述第一葉片在工作狀態時與所述待清潔面相干涉，其中，干涉量為K， <br/>0＜K≤1 mm。
如請求項1所述之滾刷，其中：0＜K≤0.5mm。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述刷毛排由所述第一端處向所述第二端延伸，所述刷毛排與至少一個所述第一葉片相鄰設置。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述第一清潔件的數量是所述第二清潔件的數量的倍數或者因數。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述第一清潔件的數量為四個，所述第二清潔件的數量為兩個或者四個。
如請求項5所述之滾刷，其中：各所述第一清潔件、各所述第二清潔件等間距地相間隔地設於所述第一輥體的外周壁上，所述第二清潔件位於相鄰兩個所述第一清潔件之間，至少一個所述第二清潔件鄰近一個所述第一清潔件設置。
如請求項6所述之滾刷，其中：在所述相鄰兩個所述第一清潔件之間，至少一個所述第二清潔件至其中一個所述第一清潔件的距離小於當前所述第二清潔件至另一個所述第一清潔件的距離。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述第二清潔件包括第一刷毛排和第二刷毛排； <br/>其中，所述第一刷毛排的高度與所述第二刷毛排的高度不同；或者， <br/>所述第一刷毛排的高度與所述第二刷毛排的高度相等，且，所述第一刷毛排的硬度和所述第二刷毛排的硬度不同。
如請求項8所述之滾刷，其中：所述第一刷毛排在所述第一輥體的周向相對設置，所述第二刷毛排在所述第一輥體的周向相對設置；所述第一刷毛排與所述第二刷毛排間隔設置。
如請求項8所述之滾刷，其中：在所述第一端至所述第二端的方向上，同一所述第一刷毛排的刷毛簇的高度不同，或者，同一所述第二刷毛排的刷毛簇的高度不同。
如請求項1至10中任一項所述之滾刷，其中：在所述第一輥體的表面還設有凹槽結構，所述凹槽結構具有以下至少之一：所述凹槽結構位於所述第一清潔件與第二清潔件之間；所述凹槽結構鄰近所述第二清潔件設置；所述凹槽結構的數量與所述第二清潔件的數量相同。
如請求項1至10中任一項所述之滾刷，其中：所述第一清潔件的高度在距離所述第二端的第一長度範圍內逐漸減小，其中，所述第一長度與所述第一輥體的長度之比為1/6~1/4；和/或， <br/>所述第二清潔件在距離所述第二端的第二長度範圍內不作設置，其中，所述第二長度與所述第一輥體的長度之比為1/6~1/4；和/或， <br/>所述第一清潔件的高度與所述第二清潔件的高度在距離所述第二端的第一長度範圍內同步減小，其中，所述第一長度與所述第一輥體的長度之比為1/6~1/4。
如請求項12所述之滾刷，其中：所述第二長度大於所述第一長度；和/或，所述第二清潔件中最靠近所述第二端的刷毛簇的延伸端於所述第一輥體的徑向在所述第一輥體上的投影點到所述第二端的第三長度不大於所述第一長度。
如請求項1至10中任一項所述之滾刷，其中：所述刷毛排具有連接於所述第一輥體的固定端，所述第一輥體的轉動中心與所述固定端的連線的延長線方向與所述固定端相對所述第一輥體的伸出方向呈夾角，10°≤所述夾角≤60°。
如請求項8所述之滾刷，其中：所述第一刷毛排具有連接於所述第一輥體的第一固定端，所述第一輥體的轉動中心與所述第一固定端的連線的延長線方向與所述第一固定端相對所述第一輥體的伸出方向呈夾角a； <br/>所述第二刷毛排具有連接於所述第一輥體的第二固定端，所述第一輥體的轉動中心與所述第二固定端的連線的延長線方向與所述第二固定端相對所述第一輥體的伸出方向呈夾角b；所述夾角a與所述夾角b相同，或者，所述夾角a與所述夾角b不同，或者20°≤所述夾角a≤45°，20°≤所述夾角b≤45°。
如請求項1至10中任一項所述之滾刷，其中：所述第一葉片具有連接部和與所述連接部相對的清潔部，所述連接部連接於所述第一輥體，所述第一葉片具有以下至少之一： <br/>在所述第一葉片於所述第一端處，所述清潔部由所述第一端至所述第二端的延伸方向與所述第一輥體的徑向方向呈銳角夾角； <br/>在所述連接部至所述清潔部的方向上，所述第一葉片的厚度呈減小趨勢； <br/>所述第一葉片上形成防滑結構； <br/>所述第一葉片靠近所述第一端處的端部上設有缺口； <br/>所述第一葉片具有柔性； <br/>所述第一葉片的硬度為邵氏硬度60A~邵氏硬度85A。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述滾刷還包括端蓋，所述第二端上開設有安裝孔，所述端蓋置於所述安裝孔內，所述第一輥體的外周壁上開設形成安裝槽，所述安裝槽與所述安裝孔相連通，各所述第一葉片由所述安裝孔處插設於所述安裝槽，或者，所述第一葉片一體成型於所述安裝槽。
如請求項1所述之滾刷，其中：所述滾刷還包括端蓋，所述端蓋一體成型於所述第二端，或者，所述端蓋可拆卸於所述第二端。
如請求項17或18所述之滾刷，其中：所述端蓋的端面上設有便於纏繞物從所述第二端上甩出的第一結構，其中，所述第一結構具有以下之一： <br/>所述第一結構包括凸起結構，所述凸起結構的佈設路徑穿設於端蓋的幾何中心，所述凸起結構的高度沿自身的佈設路徑方向呈遞增趨勢； <br/>所述第一結構包括凸點，所述凸點設於除所述端蓋的幾何中心的任意位置上； <br/>所述端蓋的端面為傾斜面，所述傾斜面形成所述第一結構。
如請求項17或18所述之滾刷，其中：所述端蓋具有以下至少之一： <br/>所述端蓋具有柔性； <br/>所述端蓋的端面的粗糙度大於30； <br/>所述端蓋的硬度為邵氏硬度45A ~邵氏硬度75A。
如請求項5所述之滾刷，其中：當所述第一清潔件的數量為四個、所述第二清潔件的數量為兩個時，所述第一輥體的外周壁上還設有供所述第二清潔件設置的第一區域以及未設置所述第二清潔件的第二區域，所述第二區域形成導向部，所述導向部位於兩個所述第一清潔件之間。
如請求項21所述之滾刷，其中：在沿所述第一端至所述第二端的方向上，所述導向部的數量為兩個，其中所述導向部表面的粗糙度逐漸減小，和/或，所述導向部表面的粗糙度逐漸增加；和/或，不同的所述導向部在沿所述滾刷的徑向方向上對應部分表面的粗糙度不同。
如請求項1至10、17至18、21至22中任一項所述之滾刷，其中：所述第一輥體上設有用於容置所述第二清潔件的孔結構，所述孔結構的孔徑r的範圍為1.5mm≤r≤4.0mm；和/或，所述孔結構的數量範圍為20~35個；和/或，當所述孔結構的孔徑r為1.5mm時，所述第二清潔件的植毛數量S的範圍為50≤S≤250。
如請求項8所述之滾刷，其中：所述滾刷包括轉動連接於所述第一輥體的所述第一端的支架，所述支架與所述第一輥體可拆卸連接或者所述支架不可從所述第一輥體上拆卸下來。
如請求項24所述之滾刷，其中：所述支架包括主體部以及設於所述主體部的相對兩側的支撐部，兩個所述支撐部用於與所述清潔設備的外殼相連接；所述第一輥體的所述第一端設有傳動部，所述傳動部用於所述清潔設備的動力裝置的輸出端相適配； <br/>其中，至少一所述支撐部上設有防呆結構，和/或，所述傳動部的齒數為四至七個。
如請求項24或25所述之滾刷，其中：在所述第一輥體轉動時，所述第一刷毛排與所述支架相互干涉；和/或所述第二刷毛排與所述支架不相互干涉。
如請求項24或25所述之滾刷，其中：在所述第一輥體與所述支架之間設有阻隔件，所述阻隔件隨所述第一輥體轉動，所述阻隔件與所述支架發生干涉。
一種滾刷組件，包括： <br/>殼體，所述殼體具有容置腔，及 <br/>如請求項1至27任一項所述之滾刷； <br/>其中，所述滾刷設於所述容置腔內，所述殼體上開設有吸風口，所述吸風口與所述滾刷的所述第二端相對應。
如請求項28所述之滾刷組件，其中：所述滾刷的第二清潔件的旋轉直徑大於所述容置腔的內徑。
一種滾刷組件，包括： <br/>殼體，所述殼體具有容置腔，及 <br/>第一滾刷，所述第一滾刷是如請求項1至27任一項所述之滾刷； <br/>第二滾刷，所述第二滾刷包括第二輥體和第三清潔件，其中，所述第三清潔件與所述第一清潔件相同； <br/>其中，所述第一滾刷和所述第二滾刷設於所述容置腔內。
如請求項30所述之滾刷組件，其中：所述第一滾刷和所述第二滾刷相對地或並排地設於所述容置腔內。
如請求項30所述之滾刷組件，其中，所述第一滾刷與所述第二滾刷同步旋轉或者以不同的轉速旋轉。
如請求項30所述之滾刷組件，其中，所述第一輥體還設置有第三刷毛排，所述第三刷毛排位於所述第一滾刷的自由端上和/或所述第二輥體上設置有第四刷毛排，所述第四刷毛排位於所述第二滾刷的自由端上。
如請求項30至33中任一項所述之滾刷組件，其中，所述容置腔包括吸塵口，設置於靠近所述第一滾刷的自由端和/或所述第一滾刷的自由端的一側。
如請求項34所述之滾刷組件，所述容置腔靠近所述吸塵口的側壁具有偏心結構，所述偏心結構被配置為使被清潔物進入所述吸塵口。
一種清潔設備，其中：包括如請求項28至29任一項或如請求項30至35中任一項所述之滾刷組件。
一種清潔系統，其中：包括基站，以及如請求項36所述之清潔設備，其中，所述基站用於停靠所述清潔設備。
一種水底吸塵裝置，包括：<br/> 一本體，其內部具有一通道並貫通於該本體，並且該通道之一端為一輸出端；<br/> 一固定件，其設置於該本體的該輸出端；<br/> 至少一轉子，其具有複數旋轉葉片並以可旋轉地設置於該通道；以及<br/> 複數輪子，其具有一連接桿，並且透過該連接桿之一端連接於該些轉子；<br/> 其中，當一管體之一端以螺旋旋入方式安裝於該固定件，而另一端固定連接於一游泳池的一排水孔，並透過該排水孔的一吸力作用使得該些轉子旋轉，藉此產生一動力作用驅使該些輪子沿一方向在該游泳池之底部以移動。
如請求項1所述之水底吸塵裝置，其中該通道係呈現為一Y字形之形狀。
如請求項1所述之水底吸塵裝置，其中該些輪子包括有一齒輪，該齒輪以可轉動地設置於該連接桿，且至少一限位件與該本體之間以可移動地設置有兩延長段，並且在該本體與該些延長段之間設置有一彈性元件。
如請求項3所述之水底吸塵裝置，其中該些輪子在該游泳池之底部以移動，直到其中之一該些限位件抵靠至該游泳池之牆壁並且朝向該本體移動，並使得具有該彈性元件之該些延長段推抵於該齒輪。
如請求項3所述之水底吸塵裝置，其中具有該彈性元件之該些延長段推抵於該齒輪時，接著透過該彈性元件之彈性恢復力的作用下使得該些限位件復位，並使該些輪子沿該方向之相反方向以移動。
如請求項1所述之水底吸塵裝置， 其中該管體為一軟性材料製成。
如請求項1所述之水底吸塵裝置， 其中當該輪子在該游泳池之底部以移動時，會透過該些轉子吸入該游泳池之底部的一異物，藉此達成清潔作用。
一種磁能杯墊，其包含：二磁能模塊，每一該磁能模塊具有一第一封合層，於每一該磁能模塊分別具有一第一端部以及一第二端部，令該第一端部係設呈具正極(N極)磁性，以及遠離第一端部之一端設呈具負極(S極)磁性，並且該每一磁能模塊包括複數個磁性單元組成之磁能組件，以及：一封合層，係包覆於二磁能模塊外周圍表面之外表層；其中，利用二該磁能模塊分別以二具正極(N極)磁性之第一端部，以及二具負極(S極)磁性之第二端部平行相對，並且呈相並聯抵接束合呈一杯墊，並利用同極相斥之磁性作用，使二磁能模塊間產生磁能效應放射釋放磁能於之杯墊之外周表面形成一磁能杯墊。
如請求項1所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊係包括複數個由二相並聯之磁力單元構成之磁力組件，令彼此相串聯抵接組成。
如請求項2所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之磁力組件表層具有一第二封合層，其一端部呈具正極(N極)磁性，另一端部呈具負極(S極)磁性，令每一磁力組件以呈同極磁性方向相對上下串聯抵接，使每一磁力組件相抵接面形成具磁能效應之磁能區。
如請求項2所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之磁力組件表層具有一第二封合層，其一端部呈具正極(N極)磁性，另一端部呈具負極(S極)磁性，令每一磁力組件以呈異極磁性方向相對上下相吸串聯，使每一磁力組件相抵接面形成具磁能效應之磁能區。
如請求項2所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之磁力單元表層具有一第三封合層，其一端部呈具正極(N極)磁性，另一端部呈具負極(S極)磁性，令每一磁力單元以呈同極磁性方向相並聯抵接構成一磁力組件，使每一磁力單元相抵接面形成具磁能效應之磁能區。
如請求項2所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之磁力單元係由複數個強力磁鐵呈同極性磁性相串聯之磁鐵組，並以二同極性磁性磁鐵組並聯構成，使每一磁力單元之磁鐵間上下相斥磁能串聯及左右相斥磁能並聯連結，使每一抵面均形成一磁能效應之磁能區。
如請求項2所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之磁力單元係可設為複數個強力磁鐵呈異極性磁性相串聯之磁鐵組，並以二同極性磁性磁鐵組並聯構成，使每一磁力單元之磁鐵間上下相磁吸串聯及左右相斥磁聯並聯連結，使每一抵面均形成一磁能效應之磁能區。
如請求項4所述之磁能杯墊，其中該磁力單元之強力磁鐵係設呈圓柱形之釹鐵硼強力磁鐵。
如請求項5所述之磁能杯墊，其中該磁力單元之每一強力磁鐵之磁性單位係設為4800高斯(Gauss)。
如請求項1所述之磁能杯墊，其中該磁能模塊之封合層及第一封合層係可設為金屬材質除外之各種包材。
如請求項3所述之磁能杯墊，其中該磁力組件表層之第二封合層可設為金屬材質除外之各種包材。
如請求項4所述之磁能杯墊，其中該磁力單元表層之第三封合層可設為金屬材質除外之各種包材。
一種汽車電子液壓駐車轉換器，其包括:<br/> 一驅動機構、一基座和一制動板，其中該基座卡接於該驅動機構上，該制動板和該基座通過固定一螺栓連接；<br/> 該制動板的內部開設有一第二凹槽，且位於該第二凹槽的嵌入式安裝有一制動件，該制動件的內部螺紋連接有一傳動件；<br/> 其中，該傳動件的一端貫穿該基座，且與該驅動機構的一輸出軸卡接，並能夠在該驅動機構的驅動下，該傳動件自轉，該制動件直線運動；<br/> 該制動板的外部一側開設有一進油孔，另一側開設有一出油孔；<br/> 該制動件包括一擋板和一活塞，該活塞和該第二凹槽之間存在一間隙，該進油孔和該出油孔均與該間隙連通；<br/> 該活塞的外側開設有一第一通道，該活塞的底部開設有一第二通道，該第一通道與該第二通道連通，該活塞的外側套設有一油封；<br/> 該第一通道位於該油封上部，且與該進油孔連通，該第二通道與該出油孔連通；<br/> 該擋板上開設有一與該傳動件螺紋連接的第四螺紋孔。
如請求項1所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該驅動機構包括一套環，該基座包括一連接部和一凸起部，該凸起部插入該套環內。
如請求項2所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該連接部上開設有兩個第三螺紋孔，該套環上開設有兩個第一螺紋孔，該連接部和該套環之間具有兩個螺栓螺紋連接在該第三螺紋孔和該第一螺紋孔內。
如請求項2所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該制動板的上表面開設有四個第一通孔，該連接部的表面開設有四個第二螺紋孔，複數固定螺栓螺紋連接在該第二螺紋孔和該第一通孔內。
如請求項4所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該制動板的下表面開設有四個第二通孔，該第一通孔和該第二通孔連通，且該第二通孔的半徑大於該第一通孔的半徑。
如請求項3所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該傳動件包括與該第一螺紋孔卡接的連接件、固定在該連接件上的隔板以及固定在該隔板上的螺杆，該螺杆螺紋連接在該第四螺紋孔內。
如請求項1所述之汽車電子液壓駐車轉換器，其中該基座內開設有一第一凹槽，該第一凹槽內設有一墊片組。
一種鍵盤與滑鼠融合輸入設備，係其為微控制器、鍵帽與鍵軸、光學滑鼠感測器、客製化鍵盤PCB、3D列印外殼合為一體，設有複數鍵帽與鍵軸；一微控制器，電性連接於客製化鍵盤PCB，用以接收按鍵訊號並輸出控制游標之信號；一光學滑鼠感測器，設置於所述鍵盤本體底部，用以感測本體相對於接觸面之移動，並據以產生游標控制信號；一3D列印外殼之成型，裝設於所述鍵盤本體外部，具有符合人體工學之外形，包含手腕支撐結構，鍵軸固定於客製化鍵盤PCB上，鍵帽則安裝於鍵軸之頂部。
一種醫療及健康數據自主管理系統，包括： <br/>一電子裝置，耦接一穿戴式裝置，該穿戴式裝置用以感測一個人生理數據，該電子裝置用以接收該個人生理數據、通過一加密金鑰對該個人生理數據加密以產生一加密數據、及儲存一解密金鑰中的一第一解密金鑰； <br/>一第三方驗證裝置，耦接該電子裝置，用以接收並儲存該解密金鑰中的一第二解密金鑰； <br/>一數據庫，耦接該電子裝置與該第三方驗證裝置，用以接收並儲存該加密數據； <br/>其中當該數據庫中的該加密數據被解密時，該電子裝置被授權以提供該第一解密金鑰、該第三方驗證裝置被授權以提供該第二解密金鑰、以及該第一解密金鑰與該第二解密金鑰被組合成該解密金鑰。
如請求項1所述的醫療及健康數據自主管理系統，其中該穿戴式裝置執行一行動應用軟體以感測該個人生理數據。
如請求項1所述的醫療及健康數據自主管理系統，其中該電子裝置無線連接該穿戴式裝置。
如請求項1所述的醫療及健康數據自主管理系統，其中該電子裝置是智慧型手機、平板、個人電腦、或伺服器。
如請求項1所述的醫療及健康數據自主管理系統，其中該電子裝置包括一數據加密模組，用以產生該加密金鑰與該解密金鑰。
一種電源線纜，包括： <br/>一線纜主體，包括一接線插頭、一供電插頭及一連接線束，該接線插頭適於與一功能元件連接，該供電插頭適於與一供電介面連接，該連接線束連接於該接線插頭及該供電插頭之間，並包括一第一排線，該第一排線包括多個第一導線；以及 <br/>一功能模組，包括： <br/>一均流件，該些第一導線透過該均流件並聯連接；以及 <br/>一絕緣件，包覆於該均流件的外側。
如請求項1所述的電源線纜，其中各該些第一導線包括一芯線和一絕緣護套，該絕緣護套包覆於該芯線的外側，各該些第一導線的該絕緣護套在靠近該接線插頭的一端部設置有暴露該芯線的一缺口，該均流件設置於該缺口處，並與該芯線連接。
如請求項2所述的電源線纜，其中該均流件包括多個第一連接部和至少一第二連接部，該第二連接部連接於相鄰的兩個該第一連接部之間，該第一連接部配置為中空筒狀結構，並套接於外露在該缺口處的該芯線，該第二連接部配置為拱形結構或平面形結構。
如請求項1所述的電源線纜，其中該電源線纜為一顯卡供電線、一主機板供電線、一中央處理器供電線或一SATA介面供電線，該第一排線的數量為多個，該均流件的數量為至少一個。
如請求項1所述的電源線纜，其中該電源線纜為一顯卡供電線，該第一排線和該均流件的數量各自皆為兩個，兩個該均流件相互絕緣設置。
如請求項1所述的電源線纜，其中該功能模組更包括一防護外殼，該絕緣件靠近該接線插頭設置，並與該接線插頭間隔設置，該防護外殼包覆於該絕緣件的外側，該防護外殼與該接線插頭靠近該供電插頭的一端部卡接，該連接線束穿設出該防護外殼遠離該接線插頭的一端部。
如請求項6所述的電源線纜，其中該功能模組更包括一控制電路板、一溫度檢測器及至少一顯示結構，該控制電路板與該溫度檢測器、該至少一顯示結構及該均流件導電連接，該溫度檢測器用於檢測該均流件的溫度，該控制電路板用於控制該至少一顯示結構顯示該溫度檢測器檢測到的該均流件的當前溫度資訊，其中，該當前溫度資訊包括溫度數值、溫度等級中的至少一者。
如請求項7所述的電源線纜，其中該絕緣件的一側壁設置有一導接孔，該功能模組更包括一導接件，該導接件的一端穿過該導接孔並與該均流件導電連接，該導接件的另一端與該控制電路板導電連接。
如請求項6所述的電源線纜，其中該防護外殼包括一第一殼體和與該第一殼體相互配合固定的一第二殼體，該第一殼體設置有一第一限位槽，該第二殼體設置有與該第一限位槽相對設置的一第二限位槽，在該電源線纜的厚度方向上，該絕緣件的一端限定在該第一限位槽內，該絕緣件的另一端限定在該第二限位槽內。
如請求項6所述的電源線纜，該連接線束更包括一第二排線，該第二排線包括多個第二導線，該第二排線設置於該絕緣件和該防護外殼之間。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一元件區域，包含:<br/> 一磊晶層；<br/> 一閘極結構，位於該磊晶層中；<br/> 一源極區域，位於該磊晶層中且相鄰於該閘極結構； <br/> 一源極電極，位於一介電層上，該源極電極包括一源極接觸穿過該介電層且電性連接至該源極區域；以及<br/> 一閘極電極，位於該介電層上，且電性連接至該閘極結構；以及<br/> 一終端區域，環繞該元件區域，其中在一上視圖中，該元件區域以及該終端區域具有一凹部，其中該閘極電極位於該凹部上方。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該閘極電極覆蓋該終端區域的該凹部的一部分。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該閘極結構具有複數個條狀結構，在該上視圖中，該些條狀結構位於該閘極電極的相對兩側。
如請求項3所述的半導體裝置，其中在該上視圖中，該閘極電極與該些條狀結構不重疊。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該終端區域具有圓弧形轉角。
如請求項5所述的半導體裝置，其中該終端區域的該凹部具有圓弧形轉角。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該終端區域包含複數個隔離結構，位於該磊晶層中。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該終端區域包含複數個摻雜區，位於該磊晶層中。
如請求項1所述的半導體裝置，還包含:<br/> 一體區域，位於該源極區域下方。
如請求項1所述的半導體裝置，其中該閘極結構具有一第一閘極電極層和一第二閘極電極層，其中該第二閘極電極層位於該第一閘極電極層上方。
一種承載機構，其改良在於，包括：<br/> 承載臺，所述承載臺用於承載物料，所述承載臺中部開設第一通槽，所述第一通槽沿所述承載機構之高度方向貫穿所述承載臺；所述物料底部開口設置，所述物料內之側壁設置標記；<br/> 反射件，所述反射件可轉動地連接於所述承載臺，所述反射件於所述承載機構之高度方向上之投影，與所述第一通槽於所述承載機構之高度方向上之投影重合；所述反射件用於接收掃碼器射出之光線，並將所述光線反射至所述標記，使所述掃碼器完成對所述標記之識別。
如請求項1所述之承載機構，其中，所述承載機構還包括：<br/> 連接架，所述連接架設置於所述承載臺上，所述反射件可轉動地連接於所述連接架，以實現與所述承載臺之可轉動地連接。
如請求項2所述之承載機構，其中，所述連接架上開設限位槽，所述限位槽沿所述反射件之轉動方向延伸，所述承載機構還包括：<br/> 定位螺釘，所述定位螺釘穿過所述限位槽，並與所述反射件螺紋連接，所述定位螺釘之頭部用於按壓於所述連接架，以限制所述反射件之轉動。
如請求項2所述之承載機構，其中，所述第一通槽之內壁凸設連接座，於所述承載機構之高度方向上，所述承載臺之頂面之所在高度大於所述連接座之頂面之所在高度，所述連接架設置於所述連接座頂面。
如請求項1所述之承載機構，其中，所述承載臺上開設有第二通槽，所述第二通槽沿所述承載機構之高度方向貫穿所述承載臺，所述第二通槽用於收容所述物料底部凸設之凸起部，所述凸起部凸出所述物料之底部。
如請求項1所述之承載機構，其中，所述承載臺底部開設有第一定位槽，所述承載機構還包括：<br/> 安裝片，所述安裝片與所述第一定位槽適配，且收容於所述第一定位槽，所述安裝片與所述承載臺可拆卸地連接，所述安裝片用於安裝於機臺上。
如請求項6所述之承載機構，其中，所述承載臺底部形成與所述第一定位槽避讓之複數定位座，所述安裝片上開設有複數第二定位槽，複數所述第二定位槽用於分別收容複數所述定位座。
如請求項4所述之承載機構，其中，所述承載臺底部開設有第一定位槽，所述第一定位槽之頂壁與所述連接座之底部相平，所述承載機構還包括：<br/> 安裝片，所述安裝片與所述第一定位槽適配，且收容於所述第一定位槽，所述安裝片上開設第三通槽，所述第三通槽與所述第一通槽對應並連通，所述第三通槽內壁凸設延伸片，所述延伸片與所述連接座對應，並抵接與/或連接於所述連接座。
如請求項1所述之承載機構，其中，所述承載臺之頂部開設複數凹槽，複數所述凹槽間隔設置，使所述承載臺上形成與複數所述凹槽避讓之複數承載座，複數所述承載座間隔設置，複數所述承載座均用於承接所述物料。
一種掃碼裝置，其改良在於，包括：<br/> 掃碼器；<br/> 如請求項1至9中任一項所述之承載機構，所述掃碼器用於向所述承載機構之所述反射件射出光線。
一種具有雷達的機車，包括：<br/> 一轉向支架；<br/> 一龍頭前蓋，固定於該轉向支架；<br/> 一龍頭後蓋，固定於該轉向支架；以及<br/> 一雷達，設於該龍頭前蓋與該龍頭後蓋之間，其中，當該轉向支架轉動時，該雷達隨該轉向支架轉動。
如請求項1所述之具有雷達的機車，其更包括一安裝座以及一螺帽，其中，該安裝座包括一第一定位孔以及一鎖附孔，該雷達包括一第一定位柱以及一螺栓，該第一定位柱插入該第一定位孔以提供定位效果，該螺栓穿過該鎖附孔，該螺帽連接該螺栓以將該雷達固定於該安裝座。
如請求項2所述之具有雷達的機車，其中，該安裝座被固設於該轉向支架之上。
如請求項2所述之具有雷達的機車，其更包括一儀表裝置，其中，該儀表裝置被固設於該轉向支架之上，該安裝座被固設於該儀表裝置。
如請求項4所述之具有雷達的機車，其中，該儀表裝置更包括一裝置正面以及一裝置背面，該裝置正面適於顯示機車資訊，該安裝座被固設於該裝置背面。
如請求項2所述之具有雷達的機車，其更包括一頭燈座體，其中，該頭燈座體被固設於該轉向支架之上，該安裝座被固設於該頭燈座體之上。
如請求項6所述之具有雷達的機車，其中，該頭燈座體包括一燈泡安裝槽，該燈泡安裝槽設置於該頭燈座體之一座體前側，該安裝座被固設於該座體前側並鄰接該燈泡安裝槽。
如請求項2至7任一項所述之具有雷達的機車，其中，該安裝座更包括一第二定位孔，該雷達更包括一第二定位柱，該第二定位柱插入該第二定位孔以提供定位效果。
如請求項8所述之具有雷達的機車，其中，該第一定位孔、該第二定位孔以及該鎖附孔位於同一直線之上。
如請求項2至7任一項所述之具有雷達的機車，其中，該安裝座包括一限位側邊，在該雷達被安裝於該安裝座的過程中，該限位側邊適於對該雷達的側邊進行限位。
一種具有獨立於基板製造之乾式母粒貼合的正極極板，該正極極板係應用於固態或類固態電池的正極中；其中該正極極板包含：一正極基板，為一載板用於承載正極的材料；一正極漿料層塗覆在該正極基板上，形成該正極極板；其中該正極漿料層係由母粒所構成，該母粒在室溫時為一固體型態的材料結構；該母粒獨立於該正極基板，為單獨攜行之材料；在應用時，將該母粒高溫熔融而結合至該正極基板上，因此形成該正極極板；該母粒包含：多個正極顆粒用於儲存或釋放鋰離子，其中該正極顆粒為一種活性物質；PEO；該PEO具可熱塑性，其在高溫時會呈熔融狀；該PEO亦具導離子性能，因此可做為導鋰離子使用，增加正極整體的導鋰離子能力；PVDF或PVDF--HFP；該PVDF及該PEO為高分子材料；其中當該母粒加溫到一定溫度時，該母粒中的該PEO及該PVDF-HFP/PVDF的共聚物會呈融熔態，使整個該母粒具有黏性而貼附在該正極基板上，整體形成該正極極板；多個助導劑；該多個助導劑用於增加該母粒的電子電導；鋰鹽，該鋰鹽用於使該高分子材料內的分子鏈滑動，進而提升離子導電能力；多個陶瓷顆粒用於導引鋰離子，該多個陶瓷顆粒對於鋰離子的離子電導率高；藉由多個分散的該陶瓷顆粒的導引，避免鋰離子在該母粒內不正常的累積而與該母粒產生副反應；其中該多個正極顆粒、該多個陶瓷顆粒、該助導劑及該鋰鹽分散在用於撐持整個該母粒的該高分子材料之間；藉由上述材料所形成獨立且可攜性的母粒，因此可將母粒之製造及極板之製造分開獨立進行；其中在製造極板時，係將該母粒應用高溫熔融而結合至該正極基板上，因此形成該正極極板；由於該母粒的構成材料，因此在結合的過程無須經過烘乾及輾壓的程序，而將該母粒直接貼附到該正極基板上。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中各該陶瓷顆粒的外表面尚包覆一複合層，該複合層包含一多巴胺層包覆在該陶瓷顆粒之外表面，該多巴胺層與對應之陶瓷顆粒形成一二級複合顆粒；其中該多巴胺層由聚多巴胺分子所構成；以及一PVDF層包覆在該二級複合顆粒外表面，該PVDF層及對應之該二級複合顆粒形成一複合助導顆粒；其中該PVDF層由PVDF材料所構成；其中該多巴胺層並非完整包覆該陶瓷顆粒之外表面，因此仍有少部分的該陶瓷顆粒之表面會裸露出來；所以該PVDF層會部分接觸到該陶瓷顆粒表面；而部分接觸到該多巴胺層；其中在該PVDF層的該PVDF材料中，其部份的氟離子會與對應之陶瓷顆粒表面的鋰離子產生離子鍵的鍵結形成氟化鋰；而該PVDF層的該PVDF材料中另一部分的氟離子會與該二級複合顆粒表面的該聚多巴胺分子之氮離子產生氫鍵鍵結，因此該PVDF材料會形成該PVDF層包覆在該二級複合顆粒外表面。
如申請專利範圍第1或2項所述之正極極板，其中該陶瓷顆粒為具鋰離子傳導能力之氧化物，或是具石榴石或鈣鈦礦結構之氧化物或是硫化物。
如申請專利範圍第3項所述之正極極板，其中該具鋰離子傳導能力之氧化物選自具NASICON結構之磷酸鍺鋁鋰及磷酸鈦鋁鋰。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中當該陶瓷顆粒為LAGP所構成時，該LAGP選自Li<sub>1+x</sub>Al<sub>x</sub>Ge<sub>2-x</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>或Li<sub>1+x+y</sub>Al<sub>x</sub>Ge<sub>2-x-y-z</sub>M<sub>y</sub>N<sub>z</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>；當該陶瓷顆粒為LATP所構成時，該LATP係選自Li<sub>1+x</sub>Al<sub>x</sub>Ti<sub>2-x</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>，或Li<sub>1+x+y</sub>Al<sub>x</sub>Ti<sub>2-x-y-z</sub>MyN<sub>z</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>；其中x介於0.1與0.8之間，y介於0至0.2之間，z介於0至0.2之間；其中M為三價陽離子；N為四價陽離子。
如申請專利範圍第5項所述之正極極板，其中該三價陽離子選自Sc<sup>3+</sup>、Y<sup>3+</sup>、Ga<sup>3+</sup>、In<sup>3+</sup>、La<sup>3+</sup>；且其中該四價陽離子選自Zr<sup>4+</sup>、Si<sup>4+</sup>、Sn<sup>4+</sup>。
如申請專利範圍第3項所述之正極極板，其中該具石榴石或鈣鈦礦結構之氧化物選自鋰鑭鋯氧化物或是鋰鑭鈦氧化物。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中當該陶瓷顆粒為LLZO材料所構成時，該LLZO材料係選自LLZO、Ga-LLZO、Cu-LLZO、Ta-LLZO、Sr-LLZO以及Al-LLZO中至少一項。
如申請專利範圍第3項所述之正極極板，其中該硫化物選自LPSC。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個正極顆粒選自鈷酸鋰顆粒、單晶或多晶的鎳鈷錳顆粒及磷酸錳鐵鋰或磷酸鐵鋰等。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個正極顆粒與”該高分子材料及該鋰鹽”與”該助導劑及該多個陶瓷顆粒”的重量比為88~97：10~2：2~1。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該高分子材料尚包含PVA或HDPE中任一項。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個助導劑係選自奈米碳管、奈米級非晶質碳、及石墨烯中至少一項。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該鋰鹽選自PDDA-TFSI或Py14-TFSI中任一項。
如申請專利範圍第14項所述之正極極板，其中該鋰鹽尚包含LiBOB、Li<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>、LiFSI、LiTFSI、LiPF<sub>6</sub>中至少一項。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該正極基板為一鋁箔基板。
一種可調式彈性綁物繩，用以綑綁物件，包含：<br/> 一繩體，具有一第一端、一第二端，及多個沿該繩體長度方向間隔設置的通孔；<br/> 其中，每一通孔均被一繩體的局部增厚、一體成型之強化部環繞，該強化部的橫截面厚度大於相鄰繩體部位的厚度；<br/> 其中，所述繩體可於任兩相鄰通孔之間之任一位置裁切，以縮短所述繩體至所需長度，同時於新裁切段仍保有至少一通孔；且<br/> 其中，該繩體係由一具彈性、可受拉伸且可彈性回復之硫化的彈性體所組成。
如請求項1所述之可調式彈性綁物繩，其中，該彈性體的組成物中至少有25%重量比為回收橡膠材料，所述回收橡膠材料來源為廢棄橡膠。
如請求項2所述之可調式彈性綁物繩，其中，該彈性體的組成物為一混合物，包含粉碎硫化橡膠顆粒與再生解硫化橡膠，使得總回收橡膠含量為組成物重量比之25%至75%，餘下則為原生彈性體及配方添加劑。
如請求項3所述之可調式彈性綁物繩，其中，該回收橡膠材料係取自報廢輪胎橡膠，包含輪胎膠粉及輪胎來源之再生橡膠。
如請求項1所述之可調式彈性綁物繩，其中，該彈性體的組成物更包含配方添加劑，該配方添加劑包括至少一種補強填料、至少一種增塑劑、以及硫黃基硫化劑，比例足以使該組成物硫化，並賦予所述繩體彈性及耐久性。
如請求項1所述之可調式彈性綁物繩，其中，每一通孔周圍之強化部厚度至少為相鄰繩體部位厚度的1.5倍。
如請求項1所述之可調式彈性綁物繩，其中，所述多個通孔均勻間隔設置於所述繩體之長度方向。
如請求項1所述之可調式彈性綁物繩，更包含至少一個可拆卸式鉤型緊固件，該鉤型緊固件可穿設於任一所述通孔，藉以將該繩體固定於一錨點。
一種主板模組，其改良在於，包括：<br/> 電路組件，包括主板與功能模塊，所述主板設有連接區域，所述功能模塊設於所述主板之一側並設有導通區域，所述主板之所述連接區域與所述功能模塊之所述導通區域分別設有複數均勻排布之導電球體；<br/> 導電組件，與所述主板及所述功能模塊分別連接，所述導電組件具有導電膠片，所述導電膠片覆蓋所述連接區域與所述導通區域，並抵接於所述連接區域與所述導通區域上之複數所述導電球體，以使所述主板與所述功能模塊訊號傳輸連接。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述主板與所述功能模塊沿水平方向間隔設置，所述導電組件包括：<br/> 剛性電路板，設於所述主板與所述功能模塊之上方；<br/> 兩個鎖付件，其中一個所述鎖付件沿豎直方向穿設於所述剛性電路板與所述主板，並與所述剛性電路板及所述主板分別螺紋連接，另外一個所述鎖付件沿豎直方向穿設於所述剛性電路板與所述功能模塊，並與所述剛性電路板及所述功能模塊分別螺紋連接；<br/> 其中，所述導電膠片之數量為兩個，其中一個所述導電膠片設於所述剛性電路板與所述導通區域之間，另外一個所述導電膠片設於所述剛性電路板與所述連接區域之間。
如請求項2所述的主板模組，其中，所述導電組件還包括：<br/> 兩個支撐件，均為絕緣體，其中一個所述支撐件與所述主板及所述剛性電路板分別抵接，另外一個所述支撐件與所述功能模塊及所述剛性電路板分別抵接。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述主板與所述功能模塊沿水平方向間隔設置，所述導電組件包括：<br/> 柔性電路板，設於所述主板與所述功能模塊之上方；<br/> 兩個支撐板，分別位於所述柔性電路板之兩端，並均位於所述柔性電路板背離所述主板之一側，每個所述支撐板均抵接於所述柔性電路板；<br/> 兩個鎖付件，與兩個所述支撐板一一對應，其中一個所述鎖付件依次穿設於所述主板、所述柔性電路板及對應之所述支撐板，並與所述主板及對應之所述支撐板分別螺紋連接，另外一個所述鎖付件依次穿設於所述功能模塊、所述柔性電路板及對應之所述支撐板，並與所述功能模塊及對應之所述支撐板分別螺紋連接；<br/> 其中，所述導電膠片之數量為兩個，其中一個所述導電膠片設於所述柔性電路板與所述導通區域之間，另外一個所述導電膠片設於所述柔性電路板與所述連接區域之間。
如請求項4所述的主板模組，其中，所述導電組件包括：<br/> 兩個支撐件，均為絕緣體，其中一個所述支撐件與所述主板及所述柔性電路板分別抵接，另外一個所述支撐件與所述功能模塊及所述柔性電路板分別抵接。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述主板與所述功能模塊沿豎直方向間隔設置，所述導電組件設於所述主板與所述功能模塊之間，所述導電組件包括所述導電膠片與鎖付件，所述導電膠片之兩側分別抵接於所述連接區域與所述導通區域，所述鎖付件沿豎直方向穿設於所述主板與所述功能模塊，並與所述功能模塊及所述主板分別螺紋連接。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述導電組件還包括：<br/> 支撐件，所述支撐件為絕緣體，所述支撐件之兩端分別抵接於所述主板與所述功能模塊。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述導電膠片於豎直方向上具有導電性，於水平方向上具有絕緣性。
如請求項1所述的主板模組，其中，所述導電組件還包括：<br/> 複數導電針，沿水平方向均勻排布並均穿設於所述導電膠片。
一種電子裝置，其改良在於，包括：<br/> 如請求項1至9中任一項所述的主板模組。
一種電子設備承載裝置，包括： <br/>一支承件； <br/>一掛架，用以掛置一電子設備，且樞接於該支承件；以及 <br/>一扭力調整結構，設置於該支承件與該掛架之間，且包括： <br/>一定位座，固接於該支承件； <br/>一調整螺絲，螺接於該定位座； <br/>一抵壓件，滑設於該定位座；以及 <br/>至少一扭力彈簧，恆對該掛架提供一總彈性力，且具有抵接於該掛架的第一端與容置於該定位座的第二端，其中該調整螺絲的一末端與該至少一扭力彈簧的該第二端分別抵接於該抵壓件的相對兩側， <br/>當旋轉該調整螺絲使其沿一第一方向逐漸移動，推抵該抵壓件逐漸沿該第一方向移動，並連帶推動該至少一扭力彈簧的該第二端，藉此使該總彈性力逐漸變大， <br/>當旋轉該調整螺絲使其沿反向於該第一方向的一第二方向逐漸移動，該抵壓件受該至少一扭力彈簧的該第二端復位而沿該第二方向逐漸移動，且該總彈性力逐漸變小。
如請求項1所述的電子設備承載裝置，其中該調整螺絲與該抵壓件實質沿該第一方向或沿該第二方向同步移動。
如請求項1所述的電子設備承載裝置，其中該定位座具有一導向開槽、一第一側壁及一第二側壁，該第一側壁與該第二側壁共同配合界定該導向開槽，該第一側壁鄰接該導向開槽的一側形成一第一內螺紋區，該第二側壁鄰接該導向開槽的一側形成一第二內螺紋區，且該第一內螺紋區與該第二內螺紋區對應配合供該調整螺絲螺設，該抵壓件滑設於該導向開槽內。
如請求項3所述的電子設備承載裝置，其中該定位座還具有形成於該第一側壁的一第一貫槽，該第一貫槽連通於該導向開槽，該至少一扭力彈簧的該第二端穿過該第一貫槽，並延伸至該導向開槽內。
如請求項4所述的電子設備承載裝置，其中該定位座還具有形成於該第二側壁的一第二貫槽，該第二貫槽連通於該導向開槽，該至少一扭力彈簧的該第二端穿過該導向開槽，並延伸至該第二貫槽內。
如請求項3所述的電子設備承載裝置，其中該支承件具有對位於該第一內螺紋區及該第二內螺紋區的一穿孔，且該調整螺絲穿過該穿孔以螺設於該第一內螺紋區與該第二內螺紋區。
如請求項3所述的電子設備承載裝置，該第一內螺紋區、該第二內螺紋區及該導向開槽的一部分共同配合形成對應該調整螺絲的一實質等效螺孔。
如請求項3所述的電子設備承載裝置，該第一內螺紋區與該第二內螺紋區分別是與該導向開槽相連通且具有內螺紋的一弧形凹槽，且於垂直於一重力方向的一截面上，對應一相同的圓心。
如請求項1所述的電子設備承載裝置，更包括： <br/>一定位軸，穿設於該支承件與該掛架，且該至少一扭力彈簧套設於該定位軸。
如請求項9所述的電子設備承載裝置，更包括： <br/>一套筒，套設於該定位軸，且該至少一扭力彈簧套設於該套筒。
如請求項3所述的電子設備承載裝置，其中該抵壓件包括一第一桿部與並列設置的二個第二桿部，且該二個第二桿部與該第一桿部相連接，該調整螺絲的該末端與該至少一扭力彈簧的該第二端分別抵接於該第一桿部的相對兩側，且該至少一扭力彈簧的該第二端定位於該二個第二桿部之間。
如請求項11所述的電子設備承載裝置，當該調整螺絲沿該第一方向或該第二方向移動，該第二桿部分別抵靠該第一側壁及該第二側壁，藉此產生導引效果，避免該抵壓件相對該定位座歪斜。
如請求項1所述的電子設備承載裝置，其中該至少一扭力彈簧的數量為多個，且各該扭力彈簧的該第二端均抵接於該抵壓件。
一種沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，包括：一手機與電腦資料共享平台以系統匯流排與雙模式介面相連結，其建構於統一資料架構與雲端同步技術基礎上，透過資庫與其後端服務器實現iOS、Android手機、Windows與macOS電腦等多平台即時資料共享，系統採用前後端分離與微服務設計，前端介面最佳化支援各裝置操作，後端大數據微服務模組則集中處理用戶設定、分析結果、查詢紀錄、推播與報告資訊，並經由應用程式介面(API)閘道器與資料同步模組實現裝置間資料一致與狀態同步，當用戶於任一平台查詢、接收建議圖或推播圖時，資料即時寫入雲端並反映於其他裝置端，支援多端登入、狀態還原與離線同步，結合身份驗證與權限控管，以保障資料安全，實現跨裝置流暢操作與全端一致的沉浸式使用體驗；一雙模式介面以系統匯流排與股票與總經數據擷取模組相連結，其技術功能係基於使用情境導向設計理念，整合推論模式與查詢模式兩種操作邏輯於單一使用者介面中，推論模式主要由人工智慧演算法分析核心模組所產出之自動化預測結果與操作建議，包括建議圖、信心指標、技術圖形與財務總覽，並即時或定期更新內容，供使用者快速參考決策，而查詢模式則強調互動性與主動查詢功能，支援自然語言金融問答，允許使用者輸入語音或文字問題，以取得特定個股、產業或市場之即時資料與歷史分析，介面根據使用者操作意圖，可於兩模式之間無縫切換，並保留操作上下文與查詢紀錄以提供連貫性操作，雙模式皆支援響應式介面與跨平台一致設計，可依使用裝置自動調整顯示結構與互動形式，搭配模組化呈現建議區、查詢欄、視覺圖層與回饋區等功能區塊，確保不同操作模式下資訊呈現邏輯清晰、互動流暢與層級分明，以提升整體決策效率；一股票與總經數據擷取模組以系統匯流排與人工智慧演算法分析核心模組相連結，負責自動化蒐集並統一處理多來源金融市場資料，包含每日即時與歷史股價、成交量、技術指標、財報資訊、利率預期、消費者物價指數、國內生產總值與國內外地緣政治，與經濟因素等經濟指標數據，透過應用程式介面(API)串接證交所、數據供應商與第三方平台，定時抓取即時與歷史數據，並內建資料清洗、格式轉換、欄位標準化與異常值過濾機制，以確保輸入至人工智慧演算法分析核心模組資料，具備一致性與高品質，支援日線、週線、月線與高頻數據處理，並依使用者偏好與模型需求，自動調整更新頻率與範圍，同時具備異動監控與備援容錯通報機制，所有數據皆依時間戳記儲存於大數據微服務系統，提供後續查詢與追溯依據，為整體系統資料驅動決策與人工智慧推論準確性之基礎；一人工智慧演算法分析核心模組以系統匯流排與自訂追蹤設定模組相連結，其整合多種深度學習與機器學習架構，進行金融資料之預測與決策分析，模組結構之時序資料輸入處理器，負責接收股票與總經數據擷取模組傳送之歷史股價、技術指標與總體經濟等數據，並執行清洗、標準化與缺值補全等預處理後，將資料輸入至時序預測模組，分別透過長短期記憶網路(LSTM)捕捉長期依賴、時序卷積網路(TCN)提取固定視窗內特徵與變換器(Transformer)，以自注意力機制進行平行運算，而處理長期依賴與非線性波動後，交由特徵工程模組進行關鍵輸入特徵選取與多模態擴充，再經由特徵融合與輸出整合器，整合不同模型輸出與注意力資訊，產生具辨識力的統一輸出供分類決策模組使用，其結合極端梯度提升演算法(XGBoost)與輕量梯度提升機演算法(LightGBM)，建立多分類模型轉化為具信心指標之操作建議，系統亦內建多模型版本控管與切換器，可依市場變化選擇最佳模型組合，並由即時推論執行單元於資料更新後，快速產出預測結果與推播建議，最後中介資訊導出與注意力視覺化模組，將模型之注意力權重，與分類機率資訊傳送至分析依據展示模組，進行可解釋呈現，人工智慧演算法分析核心模組與自訂追蹤設定模組，連動比對條件以觸發通知流程，為系統智慧決策能力核心；一自訂追蹤設定模組以系統匯流排與智慧查詢模組相連結，具備靈活化與個人化參數管理能力，使用者可依自身投資策略風險偏好設定多項追蹤條件，如股價區間、技術指標交叉訊號、成交量異動門檻、產業新聞關鍵詞、總經數據變動等，系統將即時監控並比對外部擷取資料與人工智慧預測結果，是否符合所設定條件，觸發後自動將相關分析輸入推播與建議圖產生流程，並可支援條件儲存、複製、命名與修改功能，亦可進行多股票群組化追蹤與條件批次套用，使用能建構專屬之動態監控邏輯網路，大幅提升決策精確度；一智慧查詢模組以系統匯流排與分析核心協同模組相連結，具備自然語言(NLP)理解與語意解析(Semantic Analysis)能力，支援使用者以語音或文字方式，進行股票與總經問題查詢，透過語意分析技術將查詢語句轉化為結構化問題，並連結至資料庫或人工智慧推論結果模組，回傳包含個股基本資料、技術指標變化、預測趨勢、財報重點與即時事件等資訊，並可針對多樣查詢，進行準確回應，搭配視覺化呈現，如趨勢圖、建議圖與信心雷達圖，提升使用者互動效率與系統可用性，實現智慧化、語意導向之投資決策；一分析核心協同模組以系統匯流排與推播通知模組相連結，負責整合各模組輸出之分析結果與中介資料，包含人工智慧時序預測模型之價格趨勢、分類決策模型之操作建議與信心指標、使用者偏好設定、自訂追蹤條件、即時市場事件與技術指標變化，透過統一格式轉換、權重評估與決策優先排序邏輯，將多來源資訊融合成一致性分析結果，並同步提供給推播通知模組與分析依據展示模組使用，其亦具備決策路徑追蹤功能，可儲存每一輪分析所依據之模型輸出與來源資料，供後續分析依據展示模組進行視覺化說明，確保決策邏輯透明且具可解釋性，進一步提升系統整體智慧化程度與使用者信任；一推播通知模組以系統匯流排與財務總覽模組相連結，其負責即時溝通與主動提醒之關鍵元件，其核心功能為接收來自分析核心協同模組所產生之判斷結果、信心指標與建議圖資訊，並與自訂追蹤設定模組進行條件比對，當系統偵測到個股價格突破、成交量異常或總經變數變動等事件符合使用者預設條件時，即觸發推播流程，將即時建議、視覺化圖與解釋性摘要整合封裝為通知內容，透過支援多通訊協定如雲端訊息傳遞(Firebase Cloud Messaging)、網路傳輸協議(WebSocket)、電子郵件(Email)或社群網路服務(SNS)等方式，自動推送至手機、桌面應用程式或指定設備端，同時記錄推播歷程與回應情形，以供後續分析與調整，模組亦支援通知優先層級設定與靜音時段管理，確保在關鍵時機提供高可用性、低延遲與具情境感知之智慧推播體驗，增強使用者即時決策能力與市場風險應變效率；一財務總覽模組以系統匯流排與分析依據展示模組相連結，負責整合並視覺化呈現個股與市場整體財務資訊之關鍵元件，主要功能為自動擷取與解析來自證交所、資料供應商或第三方應用程式介面(API)之財報資料、盈餘報告、每股盈餘(EPS)、股利發放、資產負債表與現金流量表等多維度財務指標，經由資料標準化與分類處理後，轉換為易於理解之動態圖表與指標圖表，包括歷年每股盈餘(EPS)折線圖、毛利率與淨利率變化趨勢圖、資本結構分析圖與成長性評估雷達圖等，並可依使用者需求，切換不同分析期間與指標維度，財務總覽模組支援與人工智慧演算法分析核心模組互通，可將財務變數納入預測與分類輸入，亦可回饋使用者偏好設定，以強化個人化呈現，財務總覽模組介面設計採響應式技術，支援手機與電腦桌面端跨平台顯示，提供整合性財務概況與互動式數據探勘能力，協助使用者快速掌握公司基本面與長期價值評估，提升決策依據精確度；一分析依據展示模組以系統匯流排與即時報告產生模組相連結，負責將人工智慧模型推論結果進行可解釋化視覺呈現之關鍵元件，其主要功能為接收來自人工智慧演算法分析核心模組所輸出的中介資訊，包括分類機率分布、模型信心指標、注意力權重、特徵貢獻排序與決策路徑等，並經由視覺化轉換後整合至建議圖中呈現，使用者能清楚理解每一項操作建議背後之資料依據與演算邏輯，支援特徵重要度條形圖、信心雷達圖、決策熱力圖與注意力流向圖等多種展現方式，並可依使用者點選特定股票或模型建議，進行動態展開與說明，同時具備與自然語言查詢模組整合能力，使用者可透過語音或文字查詢某一建議之依據與信心水準，系統即會即時解析並以圖文並陳方式給出說明，亦可記錄使用者點閱與關注特徵以優化未來建議展示順序，整體功能提升系統透明度、增強使用者信任與決策品質，有助於打造具可理解性與互動性的智慧決策；一即時報告產生模組以系統匯流排與定期報告產出模組相連結，負責即時生成個股分析報告與操作建議摘要之關鍵模組，當使用者查詢特定股票、接收推播事件或模型更新完成時，系統即透過此模組整合人工智慧演算法分析核心模組之預測結果、分類建議、信心指標與分析依據展示模組之視覺化圖像，快速編排為完整分析報告，內容涵蓋個股基本資訊、近期走勢圖、技術指標評估、總經環境關聯、人工智慧建議圖、信心雷達圖與模型解釋摘要等欄位，並支援超文字標記語言(HTML)、可攜式文件格式(PDF)、圖文混合格式等輸出方式，報告可於手機與電腦端即時預覽與儲存，模組亦支援與使用者偏好條件設定連動，自動篩選重點資訊與圖表顯示順序，確保資訊符合投資人關注焦點，其具備背景產生與非同步執行機制，可處理多用戶查詢請求，並與推播通知模組串接，於異常事件發生時自動產出並附加於通知訊息內，實現即時、個人化與資料驅動之股票決策報告生成功能，有效強化使用者對市場變化之理解與反應速度；一定期報告產出模組以系統匯流排與大數據微服務系統相連結，負責根據預設每日、每週、每月週期自動產出股票與總經分析彙整報告之核心模組，該模組將依據使用者追蹤清單、自訂產出頻率與偏好設定，自動整合人工智慧演算法分析核心模組之預測結果、分類建議與信心指標，並彙入財務總覽模組之每股盈餘(EPS)變動與財報摘要、分析依據展示模組之圖形化說明，與即時報告產生模組之重點精華，生成具備可讀性、可視化且可比較性之多股與多期間整合報告，內容格式可包含個股趨勢對照圖、投資建議變化紀錄、總經數據趨勢比較、模型信心變化軌跡與回測績效簡表，並支援多種輸出格式如可攜式文件格式(PDF)、超文字標記語言(HTML)或試算表軟體(Excel)，以利儲存、列印與後續分析使用，其亦支援報告個人版、團隊版、顧問版之分級權限設定，並可與推播通知模組或電子郵件(Email)系統整合，自動將定期報告發送至使用者所指定裝置或信箱，實現高效率、低人力介入之智慧報告產出流程，提升使用者對整體投資組合與市場變化之長期掌握能力；一大數據微服務系統以系統匯流排與人工智慧模型訓練系統相連結，負責資料處理、運算、通訊與安全管理等基礎核心，其中大數據微服務系統架構包含儲存服務器、應用服務器、通訊服務器、安全服務器，其中每一子功能皆封裝為獨立可部署之微服務，透過容器集群管理系统(Kubernetes)容器平台，與彈性計算服務(ECS)進行彈性調度與水平擴展，儲存服務器負責持久化所有原始資料、人工智慧分析結果、使用者偏好、追蹤設定、推播紀錄與各式報告文件，支援關聯式PostgreSQL資料庫與非關聯式DynamoDB資料庫，並搭配記憶體存儲的資料結構服務器(Redis)與記憶體內快取(Cache)服務，作為快取(Cache)層強化存取效能，應用服務器以微服務方式承載各核心邏輯如智慧查詢服務、分析核心協合服務、即時報告產生服務與定期報告產出服務，並透過表述性狀態轉移應用程式介面(RESTful API)、圖資料庫查詢語言(GraphQL)與其他模組等方式進行高效連接，通訊服務器整合訊息佇列遙測傳輸電子郵件(Email)、網路傳輸協議(WebSocket)、或社群網路服務(SNS)等即時協定，作為推播通知模組之底層訊息通道，實現多平台即時推播與通知任務處理，安全服務器獨立執行開放授權(OAuth)、隱藏身分授權(Cognito)驗證邏輯與權限管理，並搭配金鑰管理系統(KMS)加密機制，保障所有資料傳輸與儲存安全，系統整體部署於雲端大數據架構之上，結合雲端儲存服務、通用語言理解評估(Glue)托管提取、開源大資料平臺(EMR)與步骤函數(Step Functions)等元件，執行大規模批次資料處理與機器學習模型訓練流程，各微服務間透過服務網格(Istio)與應用程式介面(API)閘道器管理通訊流量、監控指標與故障隔離，實現高可用、高擴展與模組解耦之架構優勢，有效支援跨模組協作與跨平台部署需求，為系統提供穩定的大數據微服務決策；以及一人工智慧模型訓練系統，負責每日更新推論模型採用增量學習與輕量化更新架構，於資料擷取、預處理、特徵工程、模型訓練與推論等關鍵節點強化處理效能，透過分層式資料快取與異動偵測機制，自動判別每日新增或異動資料，針對每一公司股票建立以資料結構服務器(Redis)與記憶體內快取(Cache)服務，儲存個股層級(Ticker-level)快照摘要的獨立資料快取索引，每日資料更新時透過時間戳記、行散列(Row Hash)、欄位指紋與外部版本號進行精確比對，針對異動公司與欄位觸發局部清洗與特徵轉換，並搭配批次與管線通用語言理解評估(Glue)流式資料，與Kinesis資料傳輸器(KDF)及無服務器函數服務執行非同步分流清洗，於特徵處理階段載入歷史快取資料進行補全與對齊，並將更新資料合併至資料湖供人工智慧模型增量學習模組使用，模型端則結合線上增強學習(Online Boosting)的極端梯度提升演算法(XGBoost)、輕量梯度提升機演算法(LightGBM)與熱啟動(Warm Start)方式持續優化分類模型、長短期記憶網路(LSTM)與時序卷積網路(TCN)等時序模型、並採固定輸入窗格與儲存狀態進行快速微調，所有訓練與推論節點由人工智慧服務器進行分散運算，搭配模型版本監控與效能門檻機制，確保僅於準確率與穩定性優化時才觸發模型替換，推論層導入TensorRT優化引擎與ONNX模型部署優化器，實現模型壓縮與量化加速，整體流程由無服務器容器執行自動排程服務，結合彈性運算資源與儲存快照策略，確保於市場開盤前完成人工智慧模型更新與部署，實現高頻、多股票環境下之即時、節能與高效決策服務。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中手機與電腦資料共享平台，建構於統一資料架構與雲端同步技術基礎上，透過資料庫與後端服務器實現iOS、Android手機、Windows與macOS電腦等多平台即時資料共享，系統採用前後端分離微服務設計，前端介面經最佳化以支援各裝置操作，後端大數據微服務模組集中處理用戶設定、分析結果、查詢紀錄、推播與報告資訊，並經由應用程式介面(API)閘道器與資料同步模組實現資料一致與狀態同步，當用戶於任一平台查詢、接收建議圖或推播時，資料即時寫入雲端並反映於其他端點，支援多端登入、狀態還原與離線同步，結合身份驗證與權限控管保障資料安全，實現跨裝置流暢操作與全端一致的沉浸式使用體驗。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該雙模式介面，其技術功能係基於使用情境導向設計理念，整合推論模式與查詢模式兩種操作邏輯於單一使用者介面中，推論模式主要由人工智慧演算法分析核心模組所產出之自動化預測結果與操作建議，包括建議圖、信心指標、技術圖形與財務總覽，並即時或定期更新內容供使用者快速參考決策參考，而查詢模式則強調互動性與主動性功能，支援自然語言金融問答，允許使用者輸入語音或文字問題以取得特定個股、產業或市場之即時資料與歷史分析，介面根據使用者操作意圖於兩模式之間無縫切換，並保留操作上下文與查詢紀錄以提供連貫性操作，雙模式皆支援響應式介面與跨平台一致設計，依使用裝置自動調整顯示結構與互動形式，搭配模組化呈現建議區、查詢欄、視覺圖層與回饋區等功能區塊，確保不同操作模式下資訊呈現邏輯清晰、互動流暢、且資訊層級分明，以提升整體決策效率。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該股票與總經數據擷取模組，負責自動化蒐集並統一處理多來源金融市場資料，包含各金融市場資料，每日即時與歷史股價、成交量、技術指標、財報資訊、利率預期、消費者物價指數、國內生產總值與國內外地緣政治與經濟因素等經濟指標數據，透過應用程式介面(API)串接證交所、數據供應商與第三方平台，定時抓取即時與歷史數據，並內建資料清洗、格式轉換、欄位標準化與異常值過濾機制，以確保輸入至人工智慧演算法分析核心模組之資料具一致性與高品質，支援日線、週線、月線與高頻數據處理，並依使用者偏好與模型需求自動調整更新頻率與範圍，同時具備異動監控與備援容錯通報機制，所有數據皆按時間戳記儲存於大數據微服務系統，提供後續查詢與追溯依據，為整體系統資料驅動決策與人工智慧推論準確性之基礎。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該人工智慧演算法分析核心模組，整合多種深度學習與機器學習架構進行金融資料之預測與決策分析，模組結構之時序資料輸入處理器負責接收股票與總經數據擷取模組傳送之歷史股價、技術指標與總體經濟等數據並執行清洗、標準化與缺值補全等預處理後，將資料輸入至時序預測模組，分別透過長短期記憶網路(LSTM)捕捉長期依賴、時序卷積網路(TCN)提取固定視窗內特徵與變換器(Transformer)，以自注意力機制進行平行運算，而處理長期依賴與非線性波動後，交由特徵工程模組進行關鍵輸入特徵選取與多模態擴充，再經由特徵融合與輸出整合器整合不同模型輸出與注意力資訊，產生具辨識力的統一輸出供分類決策模組使用，其結合極端梯度提升演算法(XGBoost)，與輕量梯度提升機演算法(LightGBM)建立多分類模型，並轉化為具信心指標之操作建議，內建多模型版本控管與切換器系統，可依市場變化選擇最佳模型組合，並由即時推論執行單元於資料更新後快速產出預測結果與推播建議，最後中介資訊導出與注意力視覺化模組將模型之注意力權重與分類機率資訊，傳送至分析依據展示模組進行可解釋呈現，整體模組與自訂追蹤設定模組連動比對條件觸發通知流程，為系統智慧決策能力核心。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該自訂追蹤設定模組，具備靈活化與個人化參數管理能力，使用者可依自身投資策略與風險偏好設定多項追蹤條件，如股價區間、技術指標交叉訊號、成交量異動門檻、產業新聞關鍵詞、總經數據變動等，系統將即時監控並比對外部擷取資料與人工智慧預測結果是否符合所設定條件，觸發後自動將相關分析輸入推播流程與建議圖產生流程，並支援條件儲存、複製、命名與修改功能，亦可進行多股票群組化追蹤與條件批次套用，使用者能建構專屬之動態監控邏輯網路，大幅提升決策主動性之能力。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該智慧查詢模組，具備自然語言(NLP)理解與語意解析(Semantic Analysis)能力，支援使用者以語音或文字方式進行股票與總經問題查詢，透過語意分析技術將查詢語句轉化為結構化問題，並連結至資料庫或人工智慧推論結果模組，回傳包含個股基本資料、技術指標變化、預測趨勢、財報重點與即時事件相關資訊，並可針對多種查詢進行準確回應，搭配視覺化呈現如趨勢圖、建議圖與信心雷達圖，提升使用者互動效率，實現智慧化語意導向之投資決策。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該分析核心協同模組，負責整合各模組輸出之分析結果與中介資料，包含人工智慧時序預測模型之價格趨勢、分類決策模型之操作建議與信心指標、使用者偏好設定、自訂追蹤條件、即時市場事件與技術指標變化，透過格式轉換、權重評估與決策優先排序邏輯，將多來源資訊融合成一致性分析結果，並同步提供給推播通知模組與分析依據展示模組使用，其亦具備決策路徑追蹤功能，能儲存每一輪分析所依據之模型輸出與來源資料，供後續分析依據展示模組進行視覺化說明，確保決策邏輯透明，進一步提升系統整體智慧化程度與使用者信任。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該推播通知模組，負責即時溝通與主動提醒，核心功能為接收來自分析核心協同模組所產生之判斷結果、信心指標與建議圖資訊，並與自訂追蹤設定模組進行條件比對，當系統偵測到個股價格突破、成交量異常或總經變數變動等事件符合使用者預設條件，即觸發推播流程，將即時建議、視覺化圖與解釋性摘要整合封裝為通知內容，透過支援多通訊協定如雲端訊息傳遞(Firebase Cloud Messaging)、網路傳輸協議(WebSocket)、電子郵件(Email)或社群網路服務(SNS)等方式，自動推送至手機、桌面應用程式，同時記錄推播歷程與回應情形以供後續分析與調整，支援通知優先層級設定與靜音時段管理，確保在關鍵時機提供高可用性、低延遲之智慧推播體驗，增強使用者即時決策能力與市場風險應變效率。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該財務總覽模組，負責整合並視覺化呈現個股與市場整體財務資訊，主要功能為自動擷取與解析來自證交所、資料供應商或第三方應用程式介面(API)之財報資料、盈餘報告、每股盈餘(EPS)、股利發放、資產負債表與現金流量表等多維度財務指標，經由資料標準化與分類處理後，轉換為易於理解之動態圖表與指標圖表，包括歷年每股盈餘(EPS)折線圖、毛利率與淨利率變化趨勢圖、資本結構分析圖與成長性評估雷達圖等，並可依使用者需求切換不同分析期間與指標維度，支援與人工智慧演算法分析核心模組之互通性，可將財務變數納入預測與分類輸入，亦可回饋使用者偏好設定以強化個人化呈現，其介面設計採用響應式設計技術，支援手機與桌面端跨平台顯示，提供整合性財務概況與互動式數據探勘能力，協助使用者快速掌握公司基本面與長期價值評估，提升決策依據之精確度。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該分析依據展示模組，負責將人工智慧模型推論結果進行可解釋化視覺呈現，其主要功能為接收來自人工智慧演算法分析核心模組所輸出的中介資訊，包括分類機率分佈、模型信心指標、注意力權重、特徵貢獻排序與決策路徑等，並經由視覺化轉換後整合至建議圖中呈現，使用者能清楚理解每一項操作建議背後之資料依據與演算邏輯，支援特徵貢獻條形圖、信心雷達圖、決策熱力圖與注意力流向圖等多種展現方式，並可依使用者點選特定股票或模型建議進行動態展開與說明，同時具備與自然語言查詢模組整合之能力，使用者可透過語音或文字查詢建議依據與信心水準，系統即會即時解析並以圖文並陳方式說明，可記錄使用者點閱與關注特徵以優化未來建議展示順序，整體功能提升系統透明度、增強使用者信任與決策效率，實現具互動性與可解釋性的智慧決策，具互動性的智慧決策。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中該即時報告產生模組，負責即時生成個股分析報告與操作建議摘要之關鍵模組，當使用者查詢特定股票、接收推播事件或模型更新完成時，系統即透過此模組整合人工智慧演算法分析核心模組之預測結果、分類建議、信心指標與分析依據展示模組之視覺化圖像，快速編排為完整分析報告，內容涵蓋個股基本資訊、近期走勢圖、技術指標評估、總經環境關聯、人工智慧建議圖、信心雷達圖與模型解釋摘要等欄位，並支援超文字標記語言(HTML)、可攜式文件格式(PDF)、圖文混合格式輸出，報告可於手機與電腦端即時預覽與儲存，支援與使用者偏好條件設定連動，自動篩選重點資訊與圖表顯示順序，即時報告產生模組亦具備背景產生與非同步執行機制，可處理多用戶查詢請求並與推播通知模組串接，於異常事件發生時自動產出並附加於通知訊息內，實現即時、個人化與資料驅動之股票決策報告功能，有效強化使用者對市場變化之反應速度。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中定期報告產出模組，負責根據預設每日、每週、每月週期自動產出股票與總經分析彙整報告之核心模組，其依使用者追蹤清單、自訂產出頻率與偏好設定，自動整合人工智慧預測結果、分類建議與信心指標，並彙入財務總覽模組之每股盈餘(EPS)變動與財報摘要、分析依據展示模組之圖形化說明與即時報告產生模組之重點精華，生成具備可視化之多股與多期間整合報告，內容包含個股趨勢對照圖、投資建議變化紀錄、總經數據趨勢比較、模型信心變化軌跡與回測績效簡表，並支援多種輸出格式如可攜式文件格式(PDF)、超文字標記語言(HTML)或試算表軟體(Excel)以利儲存、列印與後續分析應用，報告支援個人版、團隊版與顧問版之分級權限設定，並可與推播通知模組或電子郵件(Email)系統整合，自動將定期報告發送至使用者指定之裝置或信箱，以提升使用者對整體投資組合與市場變化之長期掌握能力。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中大數據微服務系統，負責資料處理、運算、通訊與安全管理，其服務架構包含儲存服務器、應用服務器、通訊服務器與安全服務器等，微服務部署透過容器集群管理系统(Kubernetes)容器平台與彈性計算服務(ECS)進行彈性調度與水平擴展，儲存服務器負責儲存所有原始資料、人工智慧分析結果、使用者偏好、追蹤設定、推播紀錄與各式報告文件，支援關聯式PostgreSQL資料庫與非關聯式DynamoDB資料庫，並搭配資料結構服務器(Redis)與記憶體內快取(Cache)服務，作為快取(Cache)層強化存取效能，應用服務器承載各核心邏輯如智慧查詢服務、分析核心協合服務、即時報告產生服務與定期報告產出服務，並透過表述性狀態轉移應用程式介面(RESTful API)或圖資料庫查詢語言(GraphQL)與其他模組進行連接，通訊服務器整合訊息佇列遙測傳輸(MQTT)、網路傳輸協議(WebSocket)、電子郵件(Email)或社群網路服務(SNS)等，即時協定作為推播通知模組之底層訊息通道，實現多平台即時推播與通知任務處理，安全服務器執行開放授權(OAuth)、隱藏身分授權(Cognito)驗證邏輯與權限管理，並搭配金鑰管理系統(KMS)加密機制保障所有資料傳輸與儲存安全，系統整體部署於雲端大數據架構之上，結合雲端儲存服務、通用語言理解評估(Glue)托管提取、開源大資料平臺(EMR)與步骤函數(Step Functions)等元件，執行大規模批次資料處理與機器學習模型訓練流程，各微服務間透過服務網格(Istio)與應用程式介面(API)閘道器管理通訊流量、監控指標與故障隔離，有效支援跨模組協作與跨平台部署需求，並為系統提供穩定、安全且高彈性的智慧決策大數據微服務。
如請求項1所述之沉浸式人工智慧跨平台股票決策系統，其中人工智慧模型訓練系統，負責每日更新推論模型採用增量學習與輕量化更新架構，於資料擷取、預處理、特徵工程、模型訓練與推論等關鍵節點強化處理效能，透過分層式資料快取與異動偵測機制，自動判別每日新增或異動資料，針對每一公司建立以資料結構服務器(Redis)與記憶體內快取(Cache)服務，儲存個股層級(Ticker-level)快照摘要的獨立資料快取索引，每日資料更新時透過時間戳記、行散列(Row Hash)、欄位指紋與外部版本號進行精確比對，針對異動公司與欄位觸發局部清洗與特徵轉換，並搭配批次與管線通用語言理解評估(Glue)流式資料、Kinesis資料傳輸器(KDF)及無服務器函數服務執行非同步分流清洗，於特徵處理階段載入歷史快取資料進行補全與對齊，並將更新資料合併至資料湖供人工智慧模型增量學習模組使用，模型端則結合線上增強學習(Online Boosting)的極端梯度提升演算法(XGBoost)、輕量梯度提升機演算法(LightGBM)與熱啟動(Warm Start)方式持續優化分類模型，長短期記憶網路(LSTM)與時序卷積網路(TCN)等時序模型、採固定輸入窗格與儲存狀態進行快速微調，所有訓練與推論節點由人工智慧服務器進行分散運算，搭配模型版本監控與效能門檻機制確保僅於準確率與穩定性優化時才觸發模型替換，推論層導入TensorRT優化引擎與ONNX模型部署優化器，實現模型壓縮與量化加速，整體流程由無服務器容器執行自動排程服務，結合彈性運算資源與儲存快照策略，確保於市場開盤前完成人工智慧模型更新與部署，實現高頻、多股票環境下之即時、節能與高效決策服務。
一種便攜式自動咖啡機，包括與機體(20)可拆式相接的研磨倉(21)，所述研磨倉(21)內設置有用於研磨咖啡豆的內刀(14)和外刀(15)，所述機體(20)內設置有研磨電機(10)以及與所述研磨電機(10)的輸出軸相接的減速機構，用於驅動所述內刀(14)轉動的轉軸(12)的一端與所述減速機構相接，所述轉軸(12)的另一端與所述內刀(14)相接，其特徵是所述機體(20)內還設置有用於容納液體的水倉(2)以及水泵(23)，所述水泵(23)的進口通過進水管(19)與所述水倉(2)的內腔相連通，所述研磨倉(21)內設置有咖啡豆存貯腔(22)，所述內刀(14)和所述外刀(15)位於所述咖啡豆存貯腔(22)的底部，可拆式濾網(16)的頂部與所述研磨倉(21)的底部相接，所述內刀(14)與外所述刀(15)共同圍成的出粉間隙，所述出粉間隙與所述濾網(16)的內腔相連通，所述水泵(23)的出口與所述濾網(16)的內腔相連通。
如請求項1所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述機體(20)或所述研磨倉(21)上設置有與所述咖啡豆存貯腔(22)相互分隔開來的第一水流道(18)，所述水泵(23)的所述出口通過所述第一水流道(18)與所述濾網(16)的內腔相連通。
如請求項2所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述水泵(23)設置在所述研磨電機(10)的旁邊，所述機體(20)內設置有出水管(5)，所述機體(20)的底部設置有上下貫通的出水孔(5.1)，所述水泵(23)的所述出口與所述出水管(5)的一端相連通，所述出水管(5)的另一端與所述出水孔(5.1)相連通，所述出水孔(5.1)與所述第一水流道(18)相連通。
如請求項2所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述外刀(15)的下面設置有用於調節咖啡粉粒徑大小的刻度盤(9.1)和與其配合使用的調檔蓋(9.2)，所述轉軸(12)的另一端穿過所述內刀(14)和所述刻度盤(9.1)後與所述調檔蓋(9.2)螺紋相接，所述出粉間隙位於所述刻度盤(9.1)與所述調檔蓋(9.2)的外側； <br/>所述研磨倉(21)的底部還設置有呈環狀佈置的第二水流道(24)，所述第一水流道(18)豎向設置，所述研磨倉(21)的底部端面上設置有呈周向間隔佈置且上下貫通的多個第一注水口(18.1)，所述第一注水口(18.1)與所述濾網(16)的內腔相連通，所述第二水流道(24)的一側與所述第一水流道(18)相連通，所述第二水流道(24)的另一側與所述第一注水口(18.1)相連通。
如請求項2所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述外刀(15)的下面設置有用於調節咖啡粉粒徑大小的刻度盤(9.1)和與其配合使用的轉流蓋(25)，所述轉軸(12)的另一端穿過所述內刀(14)和所述刻度盤(9.1)後與所述轉流蓋(25)螺紋相接， <br/>所述轉流蓋(25)上設置有呈環狀設置且上部開口的第三水流道(34)，所述轉流蓋(25)的底部設置有呈間隔佈置且上下貫通的二個以上的第二注水口(25.1)，所述第二注水口(25.1)與所述濾網(16)的內腔相連通，所述第三水流道(34)的一側與所述第一水流道(18)相連通，所述第三水流道(34)的另一側與所述第二注水口(25.1)相連通，所述轉流蓋(25)上設置有位於所述出粉間隙下方且上下貫穿的過粉通道(25.2)，所述過粉通道(25.2)位於所述第三水流道(34)的旁邊，所述過粉通道(25.2)與所述濾網(16)的內腔相連通。
如請求項2所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述機體(20)上設置有用於蓋接所述水倉(2)的內蓋(28)，外蓋(1)蓋接在所述內蓋(28)上，所述研磨倉(21)上設置有用於遮蔽所述第一水流道(18)且露出所述咖啡豆存貯腔(22)的接豆環(26)；當所述接豆環(26)不使用時，所述接豆環(26)設置在所述外蓋(1)與所述內蓋(28)之間或設置在所述內蓋(28)上；和/或，所述水倉(2)上設置有用於加熱所述水倉(2)的電加熱元件(4)。
如請求項1所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述機體(20)與所述研磨倉(21)相接的一端設置有開口朝下的第一裝配凹槽(20.2)，所述研磨倉(21)的端部插裝在所述第一裝配凹槽(20.2)中，所述第一裝配凹槽(20.2)所在部分的最小直徑大於所述研磨倉(21)的最大直徑；或者，所述研磨倉(21)與所述機體(20)相接的一端設置有裝配凸台，所述裝配凸台上設置有開口朝上的第二裝配凹槽，所述裝配凸台的最小外徑大於所述研磨倉(21)去除所述裝配凸台之外的其餘部分的最大外徑。
如請求項7所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述濾網(16)的下方設置有飲用杯(17)，所述機體(20)的端部壓接在支承件上； <br/>其中，所述支承件為第一支承件(30)，所述第一支承件(30)包括位於上部的第一支承板(30.1)和位於下部的第二支承板(30.2)以及位於中部的至少一件中間連接件(30.3)，所述中間連接件(30.3)的頂部與所述第一支承板(30.1)相接，所述中間連接件(30.3)的底部與所述第二支承板(30.2)相接，所述第一支承板(30.1)上設置有第一定位孔(30.1.1)，所述濾網(16)和所述研磨倉(21)的一端依次穿過所述第一定位孔(30.1.1)，所述機體(20)的端部壓接在所述第一支承板(30.1)上； <br/>或者，所述支承件為第二支承件(40)，所述第二支承件(40)包括位於上部的第三支承板(40.1)，第一支撐腳(40.2)的一端與所述第三支承板(40.1)的一端鉸接，第二支撐腳(40.3)的一端與所述第三支承板(40.1)的另一端鉸接，所述第三支承板(40.1)上設置有第三定位孔(40.1.1)，所述濾網(16)和所述研磨倉(21)的一端依次穿過所述第三定位孔(40.1.1)，所述機體(20)的端部壓接在所述第三支承板(40.1)上，所述飲用杯(17)位於所述濾網(16)的下方且位於所述第一支撐腳(40.2)的另一端與所述第二支撐腳(40.3)的另一端之間，所述第一支撐腳(40.2)和所述第二支撐腳(40.3)的長度值分別大於所述研磨倉(21)、所述濾網(16)和所述飲用杯(17)的高度總和； <br/>或者，所述支承件為第三支承件(50)，所述第三支承件(50)呈環狀，所述飲用杯(17)與所述第三支承件(50)的一端相接，所述機體(20)與所述第三支承件(50)的另一端相接，所述研磨倉(21)和所述濾網(16)套設在所述第三支承件(50)內。
如請求項8所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述飲用杯(17)壓接在所述第二支承板(30.2)上；或者，所述第二支承板(30.2)上設置有第二定位孔(30.2.1)，所述第二定位孔(30.2.1)的最小直徑大於等於所述第一定位孔(30.1.1)的最小直徑；或者，所述第三支承件(50)的側壁上設置有通氣孔。
如請求項1所述之便攜式自動咖啡機，其特徵是所述濾網(16)的下方設置有飲用杯(17)，所述機體(20)的底部與所述飲用杯(17)的頂部相接，所述研磨倉(21)和所述濾網(16)位於所述飲用杯(17)的內腔中；或者，所述濾網(16)移除後，所述機體(20)的底部與所述飲用杯(17)的頂部相接，所述研磨倉(21)位於所述飲用杯(17)的內腔中。
一種車用後照鏡，包括：<br/> 一支撐桿，包括一支撐桿接頭；<br/> 一鏡殼，其中，該鏡殼上形成有一安裝座，該支撐桿接頭以可轉動的方式連接該安裝座，該安裝座的位置偏離該鏡殼的幾何中心；以及<br/> 一後照鏡片，設於該鏡殼之上。
如請求項1所述之車用後照鏡，其中，該支撐桿接頭為一萬向接頭。
如請求項2所述之車用後照鏡，其中，該後照鏡片呈圓形。
如請求項3所述之車用後照鏡，其中，該後照鏡片具有一圓心以及一半徑，該支撐桿接頭與該圓心之間具有一偏心距離，該偏心距離與該半徑的比值介於0.2與0.8之間。
一種機車，包括:<br/> 一轉向機構；<br/> 一把手，設於該轉向機構之一端；以及<br/> 一車用後照鏡，設置於該轉向機構之上，其中，該車用後照鏡包括：<br/> 一支撐桿，固接該轉向機構，其中，該支撐桿包括一支撐桿接頭；<br/> 一鏡殼，其中，該鏡殼上形成有一安裝座，該支撐桿接頭 以可轉動的方式連接該安裝座，該安裝座的位置偏離該鏡殼的幾何中心；以及<br/> 一後照鏡片，設於該鏡殼之上。
如請求項5所述之機車，其中，該支撐桿接頭為一萬向接頭，該鏡殼適於相對該支撐桿轉動，藉此該鏡殼相對該把手於一第一位置以及一第二位置之間移動。
如請求項6所述之機車，其中，當該鏡殼相對該把手處於該第一位置時，該後照鏡片之一圓心對應該把手上之一第一對應點，該第一對應點與該把手之一末端之間的距離等於或小於該把手之一把手長度的1/3。
如請求項7所述之機車，其中，當該鏡殼相對該把手處於該第二位置時，該後照鏡片之該圓心對應該把手上之一第二對應點，該第二對應點與該把手之該末端之間的距離等於或大於該把手之該把手長度的2/3。
如請求項8所述之機車，其中，該後照鏡片呈圓形。
如請求項8所述之機車，其中，該後照鏡片具有一半徑，該支撐桿接頭與該圓心之間具有一偏心距離，該偏心距離與該半徑的比值介於0.2與0.8之間。
一種具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，包含有：<br/> 一墊體，該墊體具有頂面及底面，該頂面設有前掌部、後跟部及兩側足弓部，該後跟部設有配合足部形狀之弧狀足杯部，該弧狀足杯部與兩側該足弓部相接，該墊體為POLIYOU（寶利優）複合材料製成，該複合材料為POLIYOU（寶利優）材料及不織布材料組成，該底面相對於該前掌部位置設有前凹陷標示部，該底面相對於該後跟部位置設有後凹陷標示部，該前凹陷標示部設有前掌支撐墊；以及 <br/> 一銅纖維織物層，該銅纖維織物層貼合於該墊體之該頂面。
如申請專利範圍第1項所述之具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，其中，該前掌支撐墊設有複數溝槽，該複數溝槽令該前掌支撐墊形成複數塊狀體結構，該鞋墊於踩踏或彎曲時，該前掌支撐墊可以緊密貼合該鞋墊底面，令該前掌支撐墊隨著受壓或彎曲而不會脫落。
如申請專利範圍第2項所述之具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，其中，該後凹陷標示部設有複數溝槽。
如申請專利範圍第3項所述之具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，其中，該後凹陷標示部設有避震墊。
如申請專利範圍第4項所述之具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，其中，該避震墊進一步組設一後跟支撐墊。
如申請專利範圍第5項所述之具有銅纖維織物層之調整步態鞋墊結構，其中，該頂面於兩側該足弓部之間設有足心凸部。
一種智慧開關裝置，用以控制N個燈具，其中，各所述燈具包括一發光模組與一驅動模組，且所述智慧開關裝置包括：<br/> 一容置盒，具有一第一頂部開口，且其一側開設有複數個孔洞；<br/> 複數個導電件，設置在該容置盒內，且對應地通過該複數個孔洞從而自該容置盒露出；其中，該複數個導電件電連接一條火線(live wire)、N條燈線(load wire)與一條導線，該N條燈線同時對應地電連接N個所述驅動模組，且該導線為選自於由中性線(neutral wire)和接地線(ground wire)所組成群組之中的一者；<br/> 一第一電路組件，設置在該容置盒內，且包括：<br/> 一電源轉換模組，通過二個所述導電件以電連接該火線與該導線以接收一市電(mains electricity)，且被配置用以對該市電執行一交流-直流轉換處理；<br/> N個電力切換單元，電連接該電源轉換模組與該火線，且通過N個所述導電件以對應地電連接該N條燈線；及<br/> 至少一調光控制器，耦接該微處理器，且通過該N條燈線耦接於該N個電力切換單元與該N個所述驅動模組之間；<br/> 一第二電路組件，設置在該容置盒內，且包括：<br/> 一微處理器，耦接該電源轉換模組與該N個電力切換單元；<br/> 一無線信號處理器，耦接該微處理器；<br/> 至少一溫度感測器，耦接該電源轉換模組與該微處理器；及<br/> 至少一濕度感測器，耦接該電源轉換模組與該微處理器；<br/> 其中，該微處理器自該溫度感測器接收一溫度感測信號，且處理該溫度感測信號以獲得一環境溫度；<br/> 其中，該微處理器自該濕度感測器接收一濕度感測信號，且處理該濕度感測信號以獲得一環境濕度；以及<br/> 一觸控顯示組件，耦接該電源轉換模組與該微處理器，結合至該容置盒以封閉該第一頂部開口；<br/> 其中，該觸控顯示組件包括一前面板與一觸控顯示模組，且該觸控顯示模組具有N個觸控區塊以及一資訊顯示區塊；<br/> 其中，該微處理器被配置以執行：<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第一觸控操作、該無線信號處理器自一用戶端電子裝置接收的一第一無線信號、或該無線信號處理器自一控制端電子裝置接收的一第二無線信號，控制對應的所述電力切換單元執行一第一切換操作，以使得所述燈線電連接該火線；<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第二觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第三無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第四無線信號，控制對應的所述電力切換單元執行一第二切換操作，以斷開所述燈線與該火線的電連接；以及<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第三觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第五無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第六無線信號，控制該調光控制器對通過對應的所述燈線傳送至對應的所述驅動模組的該市電執行一正相位調控(forward phase control)或一反相位調控(reverse phase control)以實現一調光控制；<br/> 其中，該調光控制器通過一第一有線通信介面(wired communication interface)耦接所述驅動模組，且該微處理器被配置以執行：<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第三觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第五無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第六無線信號，控制該調光控制器產生一調光控制信號通過該第一有線通信介面傳送至所述驅動模組，以實現一調光控制；<br/> 其中，所述驅動模組通過一第二有線通信介面電連接至該複數個導電件，且該微處理器被配置以執行：<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第四觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第七無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第八無線信號，產生一光色調控信號或一色溫調控信號通過該第二有線通信介面傳送至所述驅動模組，以實現一光色變換控制或一色溫變換控制。
如請求項1所述之智慧開關裝置，其中，所述驅動模組具有一無線通信介面，且該微處理器被配置以執行：<br/> 在該無線通信介面與該無線信號處理器資訊連結的情況下，依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第四觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第七無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第八無線信號，產生一光色調控信號或一色溫調控信號通過該無線通信介面傳送至所述驅動模組，以實現一光色變換控制或一色溫變換控制。
如請求項1所述之智慧開關裝置，其中，該複數個導電件通過一第三有線通信介面耦接至少一暖通空調設備(heating, ventilation and air conditioning，HVAC)，且該微處理器被配置以執行：<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第五觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第九無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第十無線信號，產生一第一空調控制信號通過該第三有線通信介面傳送至該暖通空調設備，以使能該暖通空調設備啟動或關閉；<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第六觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第十一無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第十二無線信號，產生一第二空調控制信號通過該第三有線通信介面傳送至該暖通空調設備，以對該暖通空調設備進行一功能調整；以及<br/> 依據該環境溫度及/或環境濕度產生所述第一空調控制信號通過該第三有線通信介面傳送至該暖通空調設備，以使能該暖通空調設備啟動或關閉，<br/> 其中，該第二電路組件更包括：<br/> 一功率監控晶片，耦接該N條燈線與該導線，用以自該N條燈線與該導線量測獲得N個所述燈具的一功率消耗值；<br/> 一LED指示燈組，耦接該電源轉換模組；以及<br/> 一控制器，耦接該電源轉換模組、該LED指示燈組與該微處理器。
如請求項1所述之智慧開關裝置，其中，該無線信號處理器與一暖通空調設備的一無線通信介面資訊連結，且該微處理器被配置以執行：<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第五觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第九無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第十無線信號，產生一第一空調控制信號通過該無線通信介面傳送至該暖通空調設備，以使能該暖通空調設備啟動或關閉；以及<br/> 依據在一個所述觸控區塊之上執行的一第六觸控操作、該無線信號處理器自該用戶端電子裝置接收的一第十一無線信號、或該無線信號處理器自該控制端電子裝置接收的一第十二無線信號，產生一第二空調控制信號通過該無線通信介面傳送至該暖通空調設備，以對該暖通空調設備進行一功能調整；以及<br/> 依據該環境溫度及/或環境濕度產生所述第一空調控制信號通過該無線通信介面傳送至該暖通空調設備，以使能該暖通空調設備啟動或關閉。
如請求項3所述之智慧開關裝置，其中，該微處理器還被配置以執行：<br/> 驅動該觸控顯示組件，從而在該資訊顯示區塊顯示該環境溫度、該環境濕度與該功率消耗值；以及<br/> 使能該控制器驅動該LED指示燈組發出一狀態指示燈。
如請求項3所述之智慧開關裝置，其中，該前面板上設有複數個電子零件電連接該微處理器，且該複數個電子零件包括：用於開/關N個所述燈具的N個第一開關零件、用於調整所述燈具的燈光的亮度的一第二開關零件及/或用於調整所述燈具的燈光的燈色的一第三開關零件。
如請求項3所述之智慧開關裝置，其中，該電源轉換模組包括：<br/> 一交流-直流轉換電路，包括：<br/> 一輸入保護單元，電連接該火線與該導線；<br/> 一輸入整流單元，電連接該輸入保護單元以接收該市電，且將該市電整流為一第一電力信號；<br/> 一第一輸入濾波單元，電連接該輸入整流單元，且對該第一電力信號執行一第一濾波處理；<br/> 一第一降壓晶片，電連接該第一輸入濾波單元，且具一第一電壓輸出端、耦接至一電路接地端的一第一接地端、一第一電壓回授端、與一第一電流感測端，並用以對該第一電力信號執行一第一電壓調降處理，從而輸出一第二電力信號；<br/> 一第一輸出整流單元，耦接於該第一接地端與該第一電壓輸出端之間，且用以該對第二電力信號執行一整流處理；<br/> 一第一輸出濾波單元，耦接於該電路接地端與該第一輸出整流單元之間，且對該第二電力信號執行一第二濾波處理；<br/> 一第一分壓電阻單元，耦接於該第一電壓回授端、該第一接地端與該第一電壓輸出端之間；及<br/> 一第一電流感測電阻，耦接於該第一電流感測端與該第一接地端之間；以及<br/> 一直流-直流轉換電路，包括：<br/> 一第二降壓晶片，具有一電壓輸入端、一電壓輸出端、一回授輸入端、與和該電路接地端耦接的一接地端，其中，該電壓輸入端電連接該第一輸出濾波單元以接收該第二電力信號，且該第二降壓晶片對該第二電力信號執行一第二電壓調降處理，從而輸出一第三電力信號；<br/> 一第二輸出濾波單元，耦接於該電壓輸出端與該電路接地端之間，且對該第三電力信號執行一第三濾波處理；及<br/> 一第二分壓單元，耦接於該電壓輸出端與該接地端之間；<br/> 其中，該第三電力信號供給至該微處理器、該無線信號處理器、該觸控顯示組件、該功率監控晶片、該LED指示燈組、與該控制器。
如請求項7所述之智慧開關裝置，其中，該電力切換單元包括：<br/> 一線路切換器，具有一控制端、一第一輸入端、一第二輸入端、以及一輸出端，其中，該第一輸入端耦接電連接火線，該第二輸入端電連接中性線，且該輸出端電連接該燈線；以及<br/> 一控制晶片，電連接至該第一輸出濾波單元以接收該第二電力信號，且耦接該控制端與該微處理器；<br/> 其中，受控於該微處理器，該控制晶片控制該線路切換器執行所述第一切換操作以使得所述燈線電連接該火線，或控制該線路切換器執行所述第二切換操作以斷開所述燈線與該火線的電連接。
如請求項7所述之智慧開關裝置，其中，該電力切換單元包括：<br/> 二個線路切換器，皆具有一控制端、一第一輸入端、一第二輸入端、以及一輸出端；以及<br/> 一控制晶片，電連接至該第一輸出濾波單元以接收該第二電力信號，且耦接該微處理器；<br/> 其中，該二個線路切換器的該第一輸入端與該第二輸入端皆電連接該火線與該導線，第一個所述線路切換器的該控制端耦接該控制晶片，第二個所述線路切換器的該控制端耦接第一個所述線路切換器的該輸出端，且第二個所述線路切換器的該輸出端耦接該燈線。
一種室內環境調節系統，包括：<br/> 至少一燈具，安裝在一室內環境內，該燈具包括一發光模組與一驅動模組，且該發光模組包括：<br/> 一殼體，具有一第二頂部開口；<br/> 複數個LED燈條，設置在該殼體內，且通過一有線介面電連接位於該殼體之外的該驅動模組；以及<br/> 一燈罩，結合至該殼體以封閉該第二頂部開口；<br/> 至少一暖通空調設備，安裝在該室內環境內；<br/> 一用戶端電子裝置及/或一控制端電子裝置；以及<br/> 至少一個如請求項1至請求項16之中任一項所述之智慧開關裝置，安裝在該室內環境內；<br/> 其中，該智慧開關裝置有線或無線連接耦接該燈具與該暖通空調設備，且無線連接該用戶端電子裝置及/或該控制端電子裝置，<br/> 該LED燈條包括一基板以及複數個LED元件，且該複數個LED元件包括複數個紅光LED元件、複數個綠光LED元件、與複數個藍光LED元件、與複數個白光LED元件，<br/> 該複數個白光LED元件包括複數個暖黃光LED元件、複數個中性白光LED元件、與複數個冷白光LED元件。
一種摩托車車用電子元件配置，具有一車架與一前車殼，上述車架具有一連接於上述前車殼的頭管與兩位於上述頭管後方的後車管，上述頭管連接有一能被上述前車殼遮蓋的防鎖死煞車系統控制器，而兩上述後車管彼此左右間隔排列，並連接有一電瓶與一引擎控制單元；<br/> 其中，上述車架設有一從上述頭管延伸至上述後車管的車輛中心線，上述防鎖死煞車系統控制器、電瓶與引擎控制單元都設置於上述車輛中心線上，使得沿著上述車輛中心線觀之，上述防鎖死煞車系統控制器同時遮蓋一部分的上述電瓶與一部分的上述引擎控制單元。
如請求項1所述摩托車車用電子元件配置，其中，上述前車殼安裝有一定位燈，上述定位燈設置於上述車輛中心線上，而沿著上述車輛中心線觀之，上述防鎖死煞車系統控制器的一部分被上述定位燈遮蓋。
如請求項2所述摩托車車用電子元件配置，其中，上述定位燈設置在上述防鎖死煞車系統控制器的斜前上方位置，使得從上述車架的上方朝向上述車架的下方觀之，上述定位燈遮蓋一部分的上述防鎖死煞車系統控制器。
如請求項1所述摩托車車用電子元件配置，其中，上述車架進一步設有一連接在兩上述後車管之間的電瓶連接座，上述電瓶連接座設有一安裝空間以容置上述電瓶。
如請求項4所述摩托車車用電子元件配置，其中，每一個上述後車管由前向後依序設有一後管起始段、一後管延伸段與一後管尾末段，兩上述後車管的後管延伸段共同連接上述電瓶連接座，而上述引擎控制單元的高度位置低於兩上述後管尾末段的高度位置，使得從上述車架的上方朝向上述車架的下方觀之，上述後管尾末段遮蓋一部分的上述引擎控制單元。
如請求項1所述摩托車車用電子元件配置，其中，上述車架進一步設有一設置在上述頭管的支撐座，上述支撐座具有一連接於上述防鎖死煞車系統控制器的控制器支架、一連接於上述控制器支架的擋泥板支架與一連接於上述擋泥板支架的車殼支架，上述擋泥板支架連接於一安裝於上述前車殼的內內擋泥板，而上述車殼支架連接於上述前車殼。
一種取紙機構，設置於一饋紙式事務機並包含：<br/> 一下機殼；<br/> 一活動樞接於所述下機殼的上機殼；<br/> 一由所述上機殼與所述下機殼共同定義的饋紙通道；<br/> 一設置於所述下機殼中的傳動馬達；<br/> 一設置於所述下機殼並部分暴露於所述饋紙通道中的進紙單元；<br/> 一設置於所述上機殼的下表面並向上凹陷的取紙輪槽；<br/> 一活動樞接於所述取紙輪槽處以封閉所述取紙輪槽的取紙滾輪蓋；<br/> 一活動樞接於所述取紙輪槽中的取紙滾輪；<br/> 一設置於所述下機殼的上表面並向下凹陷的分紙輪槽；<br/> 一活動樞接於所述分紙輪槽處以封閉所述分紙輪槽的分紙滾輪蓋；<br/> 一活動樞接於所述分紙輪槽中的分紙滾輪；以及<br/> 一傳動馬達致動件，所述致動件活動樞接於所述下機殼中並透過一傳動結構與所述傳動馬達連接，且所述致動件具有一向上游方向延伸並與所述取紙滾輪蓋活動樞接的控制臂，一向下游方向延伸的致動臂以及一設置在所述致動臂末端側緣的凸塊；且其中，當所述取紙機構被所述傳動馬達驅動而開始將紙張由進紙匣取入饋紙通道時，所述致動件受所述傳動馬達驅動開始偏轉，使所述控制臂向下轉動以關閉所述取紙滾輪蓋，同時所述致動臂向上轉動而使所述凸塊推抵所述分紙滾輪蓋並關閉所述分紙滾輪蓋。
如請求項1所述之取紙機構，其中所述分紙滾輪蓋設有一分紙滾輪口，所述分紙滾輪的部分經由所述分紙滾輪口暴露於所述饋紙通道中。
如請求項1所述之取紙機構，其中所述取紙滾輪蓋設有一取紙滾輪口，所述取紙滾輪的部分經由所述取紙滾輪口暴露於所述饋紙通道中。
如請求項1所述之取紙機構，其中所述分紙滾輪蓋上設有一大致與所述饋紙通道垂直的滑軌；所述滑軌上連接設有一可沿著所述滑軌移動的導引件，所述導引件靠上游的一側設有導引斜面。
如請求項4所述之取紙機構，其中所述導引件上進一步設有至少一擋紙臂，所述擋紙臂活動樞接於所述導引件上並向下延伸至所述饋紙通道中，使所述擋紙臂的末端與所述致動臂接觸。
如請求項1所述之取紙機構，其中所述傳動結構包含一樞接於所述下機殼中的抬升臂以及連接在所述抬升臂以及所述傳動馬達之間的傳動齒輪組，其中所述抬升臂被設置以抵接所述致動臂，並在所述取紙機構開始將紙張由取入饋紙通道時，使所述控制臂向下轉動並使所述致動臂向上轉動。
一種柔性電路板，包括：<br/> 底PI膜；<br/> 負極銅箔，疊設於所述底PI膜上；<br/> 中心PI膜，疊設於所述負極銅箔上；<br/> 正極銅箔，疊設於所述中心PI膜上；<br/> 頂PI膜，疊設於所述正極銅箔上，其中所述中心PI膜以及所述頂PI膜上開設電極柱孔；以及<br/> 燈珠，具有電極柱，其中所述電極柱穿過所述電極柱孔並分別固定在所述正極銅箔以及所述負極銅箔上形成電流導通。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，熱固膠主要由樹脂和固化劑組成，其中樹脂為酚醛樹脂，由苯酚與甲醛縮聚反應得到。
如請求項2所述的柔性電路板，其中，所述熱固膠中的固化劑為自由基固化劑，具體為丙烯酸固化劑。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，熱固膠在貼合過程中的厚度為0.001mm，PI膜的厚度為0.034mm。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，銅箔的厚度為0.018mm。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，使用治具貼合時，治具溫度控制在150℃ - 180℃，貼合壓力為0.5MPa - 1MPa，貼合時間為5s - 10s。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，在對銅箔和PI膜進行模切前，對原材料進行平整度檢測，平整度偏差超過0.02mm的原材料予以剔除。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，模切塗有熱固膠的PI膜時，模切精度控制在±0.01mm範圍內，模切銅箔正負極時，採用數控模切設備，以確保模切邊緣的平整度偏差不超過0.005mm。
如請求項1所述的柔性電路板，其中，當電極柱的直徑在1-3mm之間時，脈衝放電頻率在100 - 500Hz之間。
一種檢測裝置，用於檢測工件，其改良在於，包括：<br/> 容納倉，設有插接口，所述插接口被配置為供所述工件進出所述容納倉之內部；<br/> 反射結構，設於所述容納倉之內部；所述反射結構被配置為於通電時發射成像光線至所述工件之側面；<br/> 視覺組件，包括拍攝件與檢測模組，所述拍攝件設於所述容納倉之一端；當所述反射結構斷電時，所述拍攝件能拍攝所述工件沿第一方向之投影圖像，以形成第一圖像；當所述反射結構通電時，所述拍攝件能接收所述工件之側面反射之所述成像光線，以形成第二圖像；所述檢測模組電連接所述拍攝件，以測得所述工件之尺寸。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述反射結構包括第一發光件，所述第一發光件設於所述插接口沿第二方向之一側，所述第二方向垂直於所述第一方向；<br/> 所述第一發光件具有第一斜面，所述第一斜面與所述第一方向形成第一夾角α，所述第一夾角α為45°，所述第一發光件能沿垂直於所述第一斜面之方向發射所述成像光線至所述工件之側面，使所述第二圖像為所述工件沿所述第二方向之正投影圖像。
如請求項1所述之檢測裝置，其中，所述反射結構包括第一發光件與第二發光件，所述第二發光件與所述第一發光件間隔且環繞所述插接口分佈；<br/> 所述第一發光件被配置為發射第一成像光線至所述工件之第一側面，所述第二發光件被配置為發射第二成像光線至所述工件之第二側面，所述第二發光件與所述第一發光件交替工作，使所述拍攝件接收所述第一側面反射之所述第一成像光線、或者接收所述第二側面反射之所述第二成像光線，以形成不同之所述第二圖像。
如請求項3所述之檢測裝置，其中，所述第一發光件具有第一斜面，所述第一斜面與所述第一方向形成第一夾角α；所述第二發光件具有第二斜面，所述第二斜面與所述第一方向形成第二夾角β，所述第一夾角α與所述第二夾角β為45°；<br/> 所述第一發光件設於所述插接口沿第二方向之一側，所述第一發光件能沿垂直於所述第一斜面之方向發射所述第一成像光線，使所述第二圖像為所述工件沿所述第二方向之正投影圖像；<br/> 所述第二發光件設於所述插接口沿第三方向之一側，所述第二發光件能沿垂直於所述第二斜面之方向發射所述第二成像光線，使所述第二圖像為所述工件沿所述第三方向之正投影圖像；<br/> 所述第三方向垂直於所述第二方向與所述第一方向。
如請求項1至4中任意一項所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括光源件，所述光源件設於所述容納倉與所述拍攝件之間，並被配置為沿所述容納倉之延伸方向朝所述工件提供補充光線；<br/> 所述容納倉設有安裝槽，所述安裝槽之底部開設有通孔，所述通孔與所述容納倉之內部相連通，所述拍攝件穿過所述通孔並伸入所述容納倉之內部。
如請求項1至4中任意一項所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括上料件，所述上料件具有進料口與取料口，所述進料口被配置為接收所述工件，所述上料件被配置為將所述工件傳送至所述取料口，所述取料口被配置為提供所述工件至取料件。
如請求項6所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括擋板，所述擋板轉動設於所述上料件以露出或者遮蓋所述進料口。
如請求項7所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括驅動組件，所述驅動組件連接所述擋板，所述驅動組件電連接識別件，以於所述識別件識別所述工件匹配時驅動所述擋板轉動。
如請求項6所述之檢測裝置，其中，所述檢測裝置還包括消磁件，所述消磁件具有消磁入口，所述工件能插入所述消磁入口，所述消磁件被配置為對插入所述消磁入口之所述工件消磁。
一種自動化設備，用於將所述工件安裝至產品，其改良在於，所述自動化設備包括如請求項1至9中任意一項所述之檢測裝置。
一種吸附機構，改良在於，包括：<br/> 複數吸附組件，每一所述吸附組件分別包括套筒、吸盤、真空管與緩衝件，所述真空管具有相對之第一端與第二端，所述套筒套設於所述第一端並與所述第一端滑動連接，所述第二端與所述吸盤連通，所述第一端還與外界之負壓源連通，以對所述吸盤提供負壓；<br/> 安裝架，用於與外界之移動裝置連接，每一所述套筒分別與所述安裝架滑動連接，所述安裝架被配置為於所述外界之移動裝置之作用下移動，並同步帶動所有之所述吸附組件移動；<br/> 所述緩衝件均具有相對之兩端，所述緩衝件之兩端分別與對應之所述套筒與所述真空管接觸，每一所述緩衝件被配置為於所述安裝架帶動所述吸附組件靠近產品移動直至所述吸盤對所述產品施加壓力時，所述緩衝件對對應之所述真空管進行緩衝。
如請求項1所述之吸附機構，其中，所述吸附機構還包括視覺檢測機構，所述視覺檢測機構用於對所述物料之位置進行檢測，並在所述吸嘴帶動所述物料朝所述產品移動時向所述第一驅動機構和/或第二驅動機構發出回饋信號。
如請求項2所述之吸附機構，其中，所述第二驅動機構包括旋轉驅動器和旋轉組件，所述旋轉組件分別與所述旋轉驅動器和所述連接部連接，所述旋轉驅動器用於驅動所述旋轉組件繞第一軸線轉動，並同步帶動所述下壓件轉動，以使所述下壓件遠離所述產品，並在所述產品之一側形成避讓空間；<br/> 其中，所述第一軸線與所述抵壓部和所述連接部相對設置之方向垂直。
如請求項2所述之吸附機構，其中，所述第二驅動機構包括升降驅動器、滑軌和第一滑塊，所述滑軌沿所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向延伸，所述第一滑塊與所述滑軌滑動連接，所述第一滑塊還分別與所述旋轉驅動器和所述升降驅動器連接，所述升降驅動器用於驅動所述第一滑塊移動，並同步帶動所述旋轉驅動器、所述旋轉組件和所述連接部沿所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向靠近所述吸嘴移動，所述連接部帶動所述抵壓部移動，以使所述抵壓部沿所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向作用於所述物料。
如請求項2所述之吸附機構，其中，所述第二驅動機構包括限位塊，所述限位塊與所述旋轉驅動器連接，所述限位塊位於所述旋轉組件之旋轉路徑上，所述限位塊用於與所述旋轉組件接觸並限制所述旋轉組件轉動。
如請求項5所述之吸附機構，其中，所述第一軸線、所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向以及所述抵壓部和所述連接部相對設置之方向兩兩垂直；<br/> 所述下壓件在所述旋轉驅動器之帶動下作用於所述物料。
如請求項5所述之吸附機構，其中，所述吸嘴包括用於與所述物料接觸之吸附面，所述抵壓部包括用於與所述物料接觸之工作面；<br/> 所述第一軸線、所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向以及所述抵壓部和所述連接部相對設置之方向兩兩垂直；<br/> 所述吸附機構還包括第一定位機構，所述第一定位機構與所述旋轉驅動器連接，所述第一定位機構用於對所述旋轉組件轉動之位置進行定位，所述第一定位機構還用於在所述抵壓部轉動至所述工作面與所述吸嘴之所述吸附面平行時向所述旋轉驅動器發出回饋信號。
如請求項1所述之吸附機構，其中，所述吸附機構還包括導向組件，所述導向組件包括導軌和第二滑塊，所述導軌沿所述容納槽貫穿於所述吸嘴之方向延伸，所述第二滑塊與所述導軌滑動連接，所述導軌與所述第二驅動機構連接，所述連接部與所述第二滑塊連接；和/或<br/> 所述導軌與所述第一驅動機構連接，所述吸嘴與所述第二滑塊連接。
如請求項8所述之吸附機構，其中，所述導向組件還包括彈性件，所述彈性件分別與所述第二滑塊和所述第二驅動機構連接，所述彈性件用於在所述抵壓部作用於所述物料時對所述第二滑塊進行緩衝；和/或<br/> 所述彈性件分別與所述第二滑塊和所述第一驅動機構連接，所述彈性件用於在所述吸嘴作用於所述物料時對所述第二滑塊進行緩衝。
一種上下料裝置，改良在於，包括移動機構及如上述請求項1至9中任意一項所述之吸附機構，其中，所述移動機構與所述安裝架連接，所述移動機構被配置為帶動所述安裝架移動，以使所述吸盤釋放或獲取所述產品。
一種可攜式熔接氣瓶組合架，包含一支撐架及一握把，該支撐架包含一背架及一立架，該握把的一端與該立架相連，其特徵在於：<br/> 該背架的正面設有二氧氣瓶固定結構，該二氧氣瓶固定結構沿著一寬度方向間隔設置，以及一瓦斯瓶固定結構設於該二氧氣瓶固定結構之間。
如請求項1所述之可攜式熔接氣瓶組合架，其中該立架的背面設有二掛勾，該二掛勾沿著一高度方向呈間隔設置。
如請求項1所述之可攜式熔接氣瓶組合架，其中各該氧氣瓶固定結構具有一瓶體座及一環狀固定架沿一高度方向呈間隔設置，該環狀固定架設於該瓶體座上方。
如請求項3所述之可攜式熔接氣瓶組合架，其中各該氧氣瓶固定結構的該環狀固定架還安裝有一鎖固件。
如請求項1所述之可攜式熔接氣瓶組合架，其中該瓦斯瓶固定結構具有一底座及一氣閥固定部沿一高度方向呈間隔設置，該氣閥固定部位於該底座上方。
如請求項1所述之可攜式熔接氣瓶組合架，其中該握把的另一端延伸設有一把手部，該把手部的延伸方向朝向該支撐架的正面。
一種可攜式熔接工具組，係包含：<br/> 一可攜式熔接氣瓶組合架，包含一支撐架及一握把，該支撐架包含一背架及一立架，該握把的一端與該立架相連，該背架的正面設有二氧氣瓶固定結構，該二氧氣瓶固定結構沿著一寬度方向間隔設置，以及一瓦斯瓶固定結構設於該二氧氣瓶固定結構之間；<br/> 二氧氣瓶，分別設於該二氧氣瓶固定結構；<br/> 一瓦斯瓶，設於該瓦斯瓶固定結構；以及<br/> 一三通閥，設於該二氧氣瓶之間，用以連接該二氧氣瓶以及一氣壓錶。
一種插拔式接口組件，其改良在於，包括：<br/> 固定座，包括基座、連接件和金手指，所述基座包括插孔、第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均與所述插孔連通，所述連接件包括第一固定端和第一自由端，所述金手指包括第二固定端和第二自由端，所述第一固定端和所述基座固定，所述第一自由端從所述第一通孔向所述插孔延伸，所述第二固定端和所述基座固定，所述第二自由端從所述第二通孔向所述插孔延伸；所述連接件和所述金手指絕緣連接，所述第一自由端相對於所述第二自由端更靠近所述插孔的開口側；以及<br/> 插接件，用於插入所述插孔，所述插接件包括凹槽和電連接部；<br/> 其中，在所述插接件未插入所述插孔中時，所述第一自由端凸伸至所述插孔中，所述第二自由端凸伸至所述插孔中；<br/> 當所述插接件插入所述插孔時，所述插接件優先抵接所述第一自由端，使所述連接件帶動所述金手指同步產生形變並收容於所述第二通孔內；當所述插接件進一步插入預設位置時，所述第一自由端位於所述凹槽中並回彈，所述金手指隨所述連接件同步回彈，且所述第二自由端抵接所述電連接部。
如請求項1所述之插拔式接口組件，其中，所述固定座還包括電路板，所述基座還包括收容腔，所述電路板位於所述收容腔中，所述金手指還包括電連接端，所述電連接端位於所述第二固定端背離所述第二自由端的一側，所述電連接端和所述電路板電連接。
如請求項2所述之插拔式接口組件，其中，所述連接件包括還第一彈性部、第二彈性部和橫樑，所述第一彈性部和所述第二彈性部均包括所述第一固定端和所述第一自由端，所述第一彈性部和所述第二彈性部位於所述金手指的兩側，所述橫樑連接所述第一彈性部和所述第二彈性部，所述橫樑絕緣連接所述金手指。
如請求項3所述之插拔式接口組件，其中，所述基座還包括第三通孔，所述第三通孔連通所述第一通孔和所述插孔；所述第三通孔用於收容所述橫樑。
如請求項4所述之插拔式接口組件，其中，所述第三通孔位於所述第一通孔背離所述開口側的一側。
如請求項3所述之插拔式接口組件，其中，所述金手指的數量為多個，所述橫樑和每一所述金手指連接。
如請求項3所述之插拔式接口組件，其中，所述插拔式接口組件還包括絕緣層，所述絕緣層位於所述橫樑和所述金手指之間，所述絕緣層用於絕緣連接所述橫樑和所述金手指。
如請求項7所述之插拔式接口組件，其中，所述連接件的材質為金屬或金屬合金。
如請求項1至8中任意一項所述之插拔式接口組件，其中，所述基座還包括第一卡槽和第二卡槽，所述第一卡槽和所述第一通孔連通，所述第二卡槽和所述第二通孔連通，所述第一固定端卡持於所述第一卡槽中，所述第二固定端卡持於所述第二卡槽中。
如請求項1至8中任意一項所述之插拔式接口組件，其中，在所述插接件未插入所述插孔中時，所述第一自由端位於所述插孔中的高度高於所述第二自由端位於所述插孔中的高度。
一種座墊，包括：<br/> 一底座，其中，該底座形成有一開口；<br/> 一活動蓋板，覆蓋該開口，其中，該活動蓋板適於相對該底座於一第一位置以及一第二位置之間移動，該第二位置的高度高於該第一位置；<br/> 一合棉層，覆蓋該底座以及該活動蓋板；以及<br/> 一表皮層，覆蓋合棉層以及至少部分之該底座，其中，該表皮層被固定於該底座。
如請求項1所述之座墊，其中，該底座包括一連續溝槽，該連續溝槽環繞該開口，該活動蓋板包括一蓋體以及一環狀壁，該環狀壁環繞蓋蓋體的邊緣，該環狀壁以可活動的方式插入於該連續溝槽之中。
如請求項2所述之座墊，其中，該底座上形成有一凹陷部，該連續溝槽以及該開口形成於該凹陷部之內。
如請求項1至3任一項所述之座墊，其中，該底座包括複數個限位勾，該活動蓋板包括複數個抵接部，當該活動蓋板處於該第一位置時，該等限位勾未接觸該等抵接部，當該活動蓋板處於該第二位置時，該等限位勾抵接該等抵接部。
如請求項4所述之座墊，其中，該活動蓋板包括複數個限位槽，等限位勾對應伸入該等限位槽之內，該等抵接部分別位於該等限位槽之中。
如請求項5所述之座墊，其中，每一限位勾包括一引導斜面，該引導斜面形成於該限位勾的自由端。
如請求項1至3任一項所述之座墊，其中，該合棉層包括一變形部，該變形部包括複數個鏤空槽，該變形部對應該活動蓋板，當該活動蓋板位於該第二位置時，該活動蓋板推頂該變形部。
一種機車，適於容置一物件，包括：<br/> 一後置物箱，包括一容置空間，其中，該物件適於被收納於該容置空間之中；以及<br/> 一座墊，以可轉動的方式連接該後置物箱，並適於覆蓋該容置空間，包括：<br/> 一底座，其中，該底座形成有一開口；<br/> 一活動蓋板，覆蓋該開口，其中，該活動蓋板適於相對該底座於一第一位置以及一第二位置之間移動，該第二位置的高度高於該第一位置；<br/> 一合棉層，覆蓋該底座以及該活動蓋板；以及<br/> 一表皮層，覆蓋合棉層以及至少部分之該底座，其中，該表皮層被固定於該底座。
如請求項8所述之機車，其中，該活動蓋板對應該容置空間，該活動蓋板適於被該物件從該第一位置推向該第二位置。
如請求項9所述之機車，其中，該物件為一安全帽，該活動蓋板包括一曲面，該曲面適於與該物件的外表面相配合。
一種具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其包含：<br/> 一鞋底，該鞋底為超臨界發泡輕量鞋底，由高分子發泡材料製成，該鞋底具有頂面、底面及側牆部，該頂面設有前掌區與後跟區，該後跟區設有一組接部，該底面設有至少一底面穿孔，該底面穿孔與該組接部貫通；以及<br/> 一彈力氣墊，該彈力氣墊為彈性材質製成，該彈力氣墊組接於該組接部內。
如請求項1所述之具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其中，該彈力氣墊內部設有複數填充物。
如請求項2所述之具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其中，複數該填充物為彈性材質製成之顆粒狀填充物。
如請求項3所述之具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其中，該高分子發泡材料為TPU、EVA、PEBA或前述材料兩種以上之混合材料。
如請求項4所述之具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其中，該鞋底之該底面設有複數凸塊及複數溝槽。
如請求項4所述之具有彈力氣墊之超臨界發泡輕量鞋底結構，其中，該側牆部設有環繞凸肋，該凸肋上設有複數溝槽。
一種測試裝置，用於測試工件之按鍵之使用次數，其改良在於，包括： 基板，設置有載料位，所述載料位被配置為承載與定位所述工件；<br/> 驅動組件，包括測試驅動件、第一轉軸及第一偏心輪，所述測試驅動件設置於所述基板背離所述載料位之一側，所述第一轉軸繞第一方向轉動連接於所述基板並設置於所述載料位之一側，所述第一轉軸與所述測試驅動件連接，所述第一偏心輪連接於所述第一轉軸遠離所述測試驅動件之一端並與所述載料位設置於所述基板之同側；<br/> 第一滑動機構，包括第一滑動組件與第一彈性件，所述第一滑動組件沿垂直於所述第一方向之第二方向滑動連接於所述基板並設置於所述載料位與所述第一偏心輪之間，所述第一彈性件之一端與所述第一滑動組件連接，另一端與所述基板連接，所述第一彈性件被配置為驅動所述第一滑動組件遠離所述載料位運動；<br/> 按壓組件，可拆卸連接於所述第一滑動組件靠近所述載料位之一側，且所述按壓組件與所述工件之所述按鍵對應設置；及<br/> 計數組件，包括感應件與計數感應器，所述感應件連接於所述第一轉軸，所述計數感應器靠近所述第一轉軸設置，所述計數感應器被配置為感應所述感應件；其中，<br/> 所述測試驅動件用於驅動所述第一轉軸轉動，所述第一轉軸帶動所述第一偏心輪與所述感應件旋轉，所述第一偏心輪被配置為抵推所述第一滑動組件朝向所述載料位運動，以使所述按壓組件按壓所述按鍵。
如請求項1所述之測試裝置，其中，<br/> 所述測試裝置還包括第二滑動機構，所述第二滑動機構包括第二滑動組件與第二彈性件，所述第二滑動組件沿所述第二方向滑動連接於所述基板並設置於所述載料位遠離所述第一滑動組件之另一側，所述第二滑動組件朝向所述載料位之一側亦設置有所述按壓組件；<br/> 所述驅動組件還包括第二轉軸、第二偏心輪及同步帶，所述第二轉軸繞所述第一方向轉動連接於所述基板並設置於所述第二滑動組件背離所述載料位之一側，所述第二偏心輪連接於所述第二轉軸並與所述第二滑動組件相對設置，所述同步帶設置於所述基板背離所述載料位之一側並與所述第一轉軸與所述第二轉軸傳動連接；<br/> 所述測試驅動件藉由所述第一轉軸驅動所述同步帶運動，進而驅動所述第二轉軸與所述第二偏心輪轉動，以使所述第二偏心輪驅動所述第二滑動組件與連接於所述第二滑動組件之所述按壓組件按壓所述按鍵。
如請求項2所述之測試裝置，其中，<br/> 所述第一滑動組件包括第一滑動座與連接座，所述第一滑動座沿所述第二方向滑動連接於所述基板並抵接於所述第一偏心輪，所述第一彈性件遠離所述基板之一端與所述第一滑動座連接，所述連接座連接於所述第一滑動座，所述連接座被配置為連接所述按壓組件；<br/> 所述第二滑動組件包括第二滑動座，所述第二滑動座沿所述第二方向滑動連接於所述基板並抵接於所述第二偏心輪，所述第二彈性件遠離所述基板之一端與所述第二滑動座連接，所述第二滑動座靠近所述載料位之一側被配置為連接所述按壓組件。
如請求項3所述之測試裝置，其中，<br/> 所述第一滑動組件還包括位移驅動件，所述位移驅動件設置於所述第一滑動座，且所述位移驅動件與所述連接座驅動連接，所述連接座與所述第一滑動座沿所述第二方向滑動連接，所述位移驅動件用於驅動所述連接座沿所述第二方向滑動，以使所述連接座帶動所述按壓組件靠近或遠離所述載料位。
如請求項3所述之測試裝置，其中，<br/> 所述按壓組件包括連接底板、容置殼、壓頭及第三彈性件，所述連接底板可拆卸連接於所述連接座與/或所述第二滑動座靠近所述載料位之一側，所述容置殼連接於所述連接底板靠近所述載料位之一側，所述容置殼內開設有沿所述第二方向延伸之容置腔，所述壓頭活動設置於所述容置腔並伸出所述容置殼靠近所述載料位之一側，所述第三彈性件設置於所述容置腔且兩端分別抵接於所述連接底板與所述壓頭。
如請求項5所述之測試裝置，其中，<br/> 所述按壓組件還包括柔性件，所述柔性件設置於所述壓頭靠近所述載料位之一側，所述柔性件被配置為柔性抵接所述按鍵。
如請求項5所述之測試裝置，其中，<br/> 所述連接座靠近所述載料位之一側設置有沿垂直於所述第一方向與所述第二方向之第三方向延伸之第一滑動槽，所述第二滑動座靠近所述載料位之一側設置有沿所述第三方向延伸之第二滑動槽，所述連接底板背離所述容置殼之一側設置有與所述第一滑動槽與所述第二滑動槽相適配之滑動凸起，所述滑動凸起被配置為滑動設置於所述第一滑動槽或所述第二滑動槽，以使所述連接底板與所述連接座或所述第二滑動座連接；<br/> 所述容置殼與所述連接底板之連接位置沿所述第一方向可調。
如請求項3所述之測試裝置，其中，<br/> 所述第一滑動組件還包括第一隨動輪，所述第一隨動輪連接於所述第一滑動座並抵接於所述第一偏心輪；<br/> 所述第二滑動組件還包括第二隨動輪，所述第二隨動輪連接於所述第二滑動座並抵接於所述第二偏心輪。
如請求項2所述之測試裝置，其中，<br/> 所述驅動組件還包括複數張緊輪，複數所述張緊輪均繞所述第一方向轉動設置於所述基板背離所述載料位之一側，且複數所述張緊輪均抵接於所述同步帶。
如請求項1所述之測試裝置，其中，<br/> 所述基板設置有複數定位塊，複數所述定位塊設置於所述載料位之周側，複數所述定位塊被配置為對所述工件定位。
一種沉浸式廣告導覽收益系統，能用以連結一客戶關係管理系統，包括：<br/>一虛擬環境生成模組，連結設置於一後端伺服器，用以建立三維之虛擬導覽場景，該虛擬導覽場景由包括至少一個或至少複數之建築模型或室內空間模型匯入後組成一導覽節點，並提供可供互動之虛擬空間；<br/>一互動行為接收模組，連結該虛擬環境生成模組，用以接收使用者於該虛擬導覽場景中所進行之操作指令，並將該操作指令傳送至該後端伺服器；<br/>一異業廣告整合模組，連結該互動行為接收模組，供至少一外部之異業廣告端以包括虛擬店面、虛擬帆布式廣告或互動導購連結任其中一種或任其中組合之型態匯入該虛擬環境生成模組，令該虛擬空間置入該異業廣告端設定之異業廣告；<br/>一數據追蹤與行為分析模組，連結該互動行為接收模組，紀錄該等使用者包括在導覽過程中之互動行為與內容、時間或喜好，並進行屬性分類與流量資料數據生成，包括區分異業廣告之流量資料及建案瀏覽之流量資料，該流量資料數據並傳送至一後端數據整合模組；<br/>一異業流量交換機制，連結該數據追蹤與行為分析模組，透過後端數據整合模組之一條件預設手段，達成該條件預設手段則觸發該異業廣告流量資料或建案瀏覽流量資料傳輸至後端伺服器或該異業廣告端。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中該後端數據整合模組收納經分類處理後之該流量資料數據，並傳遞至一行銷推播平台作為潛在客戶分群依據。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包一權限控管與分層解鎖模組，連結該互動行為接收模組與該虛擬環境生成模組，提供使用者之身分驗證資訊與其操作行為是否達成預設條件，藉以控制該虛擬導覽場景所設之一可視互動區塊是否解鎖顯示，其中該互動行為接收模組與該虛擬環境生成模組連接一裝置適配模組，用以接收一裝置類型識別資訊，能至少自動調整虛擬導覽場景之解析度、顯示比例與操作回饋邏輯。
如請求項3所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包括一廣告推播與虛擬環境生成模組，與該權限控管與分層解鎖模組連結，構成每一導覽節點需經由互動行為達成條件後才得以載入並啟動。
如請求項3所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包括一視角掛件整合模組，連結該異業廣告整合模組進行資料同步，能動態預設該異業廣告呈現於該虛擬空間之預定位置，且能依據使用者目前於虛擬導覽場景中之視角範圍與位置判斷是否啟動；其中該異業廣告包括建材類、家電類、金融類、保險類、服務類、服飾類。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包括一廣告收益分潤模組，與該後端伺服器連結，記錄使用者點擊與駐留時間並供一管理者查閱效益。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中所述異業廣告整合模組更包括定期將使用者之一點擊紀錄與一用戶回應率傳回該客戶關係管理系統以進行收益評估。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中更包含一代理權設定模組，連結該後端伺服器，允許至少一建案提供者或代銷代理人於沉浸式廣告導覽收益系統中註冊並取得特定區域之導覽節點之設定與管理權限。
如請求項8所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中代理權設定模組包括一身分驗證機制及角色分級邏輯，用以限制該代銷代理人僅能編輯或投放其授權區域內之內容。
如請求項8所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包括一收益結算模組，連結該代理權設定模組，能依據使用者之行為包括曝光、點擊與停留時間，計算出收益數據，並以分潤比例產出一月結報表供下載。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中異業廣告整合模組包括一廣告掛載區配置工具，提供一圖形化操作介面，允許一管理者結合於包括外觀牆面、圍籬、招牌、燈箱、旗幟、室內指定區域、虛擬店面、公共設施、移動式結構、屋頂大型看板或數位螢幕。
如請求項1所述之沉浸式廣告導覽收益系統，更包括一廣告點位餘額與刊登排程模組，連結該異業廣告整合模組，可供一管理者於後端伺服器查詢各導覽節點中包括剩餘可用之掛件點位、既有刊登紀錄與熱門熱區排序結果，並可設定未來刊登之排程時間與內容。
一種沉浸式廣告導覽收益系統，包括：<br/>一虛擬環境生成模組，連結設置於一後端伺服器，用以建立三維之虛擬導覽場景，該虛擬導覽場景由包括至少一個或至少複數之建築模型或室內空間模型匯入後組成一導覽節點，並提供可供互動之虛擬空間；<br/>一互動行為接收模組，連結該虛擬環境生成模組，用以接收使用者於該虛擬導覽場景中所進行之操作指令，並將該操作指令傳送至該後端伺服器；<br/>一異業廣告整合模組，連結該互動行為接收模組，供至少一外部之異業廣告端之異業廣告匯入該虛擬環境生成模組；<br/>一數據追蹤與行為分析模組，連結該互動行為接收模組，透過使用者瀏覽而至少分析出屬性分類與流量資料數據生成，包括區分異業廣告流量資料及建案瀏覽流量資料，該異業廣告、建案瀏覽流量資料數據並傳送至一後端數據整合模組；<br/>一裝置適配模組，連接該互動行為接收模組與該虛擬環境生成模組，用以接收一裝置類型識別資訊，能至少自動調整虛擬導覽場景之解析度、顯示比例與操作回饋邏輯；<br/>一異業流量交換機制，連結該數據追蹤與行為分析模組，透過後端數據整合模組之一條件預設手段，達成該條件預設手段則觸發該異業廣告流量資料或建案瀏覽流量資料傳輸至後端伺服器或該異業廣告端；<br/>一意願分析模組，連結該數據追蹤與行為分析模組，能包括依據使用者在導覽過程中之互動行為與內容、時間或喜好分析該使用者投入購買之意願、注意項目及推估成交機率。
如請求項12所述之沉浸式廣告導覽收益系統，其中該異業廣告包括虛擬店面、虛擬帆布式廣告或互動導購連結任其中一種或任其中組合之型態。
一種封罐機之瓶蓋揀取調整封合機構，包含：一機體，設有一輸送帶；一容器蓋供料筒，設置於該機體上，該容器蓋供料筒具有一入料空間，供容置複數容器蓋，且該容器蓋供料筒之一側開設有一輸出滑道，該輸出滑道內設有一滑軌；一容器蓋調整單元，設置於該機體上，並銜接於該滑軌，該容器蓋調整單元包含一基座，該基座具有一軌道，且基座上方設有一上蓋，其中該基座對應上蓋設有一高度調整模組，以調整上蓋與基座間的高度間距，並於該軌道內設有一寬度調整模組，以調整軌道寬度，該容器蓋調整單元之一端設有一組設部；一容器蓋導引單元，設置於該機體並對應於該輸送帶，且銜接於該容器蓋調整單元，該容器蓋導引單元包含一基件，該基件設有一組設端，該組設端組設於所述組設部，該基件連設一上部軌道，該上部軌道具有一第一導面及一第二導面，且該上部軌道兩側分別設有一軌道前箱，各該軌道前箱設有複數連接孔，以分別組裝第一導桿及第二導桿，並於該軌道前箱另設有一鎖部，以供組設一側軌元件之一鎖孔，且各該軌道前箱底緣相對位置分別凸伸形成一側軌部；其中，該容器蓋導引單元之一端設有一牽引桿，該牽引桿具有一牽引桿彈簧，且該容器蓋導引單元底部設有一容器蓋軌部，且該容器蓋導引單元末端設有一導口；該容器蓋導引單元一側設有一調整孔，該調整孔固設有一調整螺帽，該調整螺帽可供一調整旋鈕組設；一封口壓合單元，設置於該機體並對應於該輸送帶，且銜接於該容器蓋導引單元，該封口壓合單元包含一第一壓桿及一第二壓桿，其中該第一壓桿底端設有一第一壓座，該第一壓座與該第一壓桿末端以一第一樞轉部樞接，該第一壓座底部形成一第一壓面；該第二壓桿底端設有一第二壓座，該第二壓座與該第二壓桿末端以一第二樞轉部樞接，該第二壓座底部形成一第二壓面；其中，該第一壓面呈傾斜角度10至20度，且該第二壓面為水平角度。
如請求項1所述之封罐機之瓶蓋揀取調整封合機構，其中，該容器蓋調整單元之高度調整模組包含一高度調整鈕，該高度調整鈕可驅動一第一傘齒輪轉動，該第一傘齒輪嚙合帶動一第二傘齒輪，該第二傘齒輪經轉動後連動兩縱向齒排桿，以致使所述上蓋作縱向升降運動。
如請求項1所述之封罐機之瓶蓋揀取調整封合機構，其中，該容器蓋調整單元之寬度調整模組包含一寬度調整鈕，該寬度調整鈕可驅動一正逆向螺桿，該正逆向螺桿兩端分別帶動一滑塊作正逆向移動，使各該滑塊可朝向軌道內部或外部作擴張或內縮，以調整所述軌道之寬度。
如請求項1所述之封罐機之瓶蓋揀取調整封合機構，其中，該機體更設有一控制單元，以控制該輸送帶之啟閉運作。
一種摺疊枕結構，其係包含有：一枕套，該枕套車縫有一彎折線，用以將該枕套區隔成一第一半部與一第二半部，該第一半部於該彎折線之一側係設置一第一布面，且該第一半部內形成一第一容置空間，而該第二半部於該彎折線之另側係設置一第二布面，該第二半部內形成一第二容置空間；一第一枕心，該第一枕心係設於該枕套之該第一容置空間內，該第一枕心之一側係形成一第一斜切面，該第一斜切面係可貼合於該第一布面之內面；一第二枕心，該第二枕心係設於該枕套之該第二容置空間內，該第二枕心之一側係形成一第二斜切面，該第二斜切面係可貼合於該第二布面之內面，該第二斜切面之傾斜方向係與該第一斜切面相反，使該第二斜切面可對應拼接於該第一斜切面，藉此，該枕套能以該彎折線為轉軸，使該第二半部相對該第一半部翻轉而上下堆疊，或使該第二半部之該第二布面貼合於該第一半部之該第一布面而位於同一水平線上。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一布面與該第二布面係分別對應該第一斜切面與該第二斜切面之形狀大小設置。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該枕套對應該第一容置空間設有一第一開口，該第一開口車縫有能開啟或封閉該第一容置空間之一第一拉鍊，而該枕套對應該第二容置空間設有一第二開口，該第二開口車縫有能開啟或封閉該第二容置空間之一第二拉鍊。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一容置空間之容積係大於該第二容置空間之容積。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一半部頂面之材質及顏色係可與其底面、第二半部頂面與底面之材質及顏色相同或不同。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一枕心與該第二枕心之材質係為記憶泡棉(polyurethane memory)。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一枕心之體積係大於該第二枕心之體積。
如請求項1所述之摺疊枕結構，其中，該第一枕心與該第二枕心之表面可供形成有複數紋路。
一種定位裝置，用於吊掛件移動裝置，所述吊掛件移動裝置包括安裝架及吊掛件，所述吊掛件包括移動端及掛持端，所述移動端可移動地設於所述安裝架，所述掛持端用於掛持產品，所述掛持端沿背離所述安裝架的方向延伸，其改良在於，所述定位裝置包括：<br/> 引導組件，所述引導組件開設引導槽，所述引導槽沿第一方向延伸，所述引導槽用於引導所述移動端沿第一方向移動；<br/> 固定組件，所述固定組件與所述引導組件沿所述吊掛件的延伸方向對應設置，所述固定組件包括止擋部及夾持部，所述止擋部與所述夾持部沿第二方向間隔設置，所述止擋部用於止擋所述掛持端，所述夾持部用於夾持被所述止擋部止擋的所述掛持端。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述引導槽具有進口及出口，沿所述進口指向所述出口的方向，所述引導槽包括引導段，所述引導段的寬度在靠近所述出口的方向上逐漸減小。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述引導槽具有沿第二方向相對設置的弧面，所述弧面朝向所述引導槽的內側突出設置，且兩個所述弧面被配置為與所述移動端線接觸。
如請求項3所述之定位裝置，其中，所述引導組件包括兩個引導件，兩個所述引導件沿第一方向間隔設置，兩個所述引導件之間形成所述引導槽，所述引導件的外周面為圓弧面。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述止擋部沿第一方向的一側設有止擋面；<br/> 所述夾持部位於所述止擋部沿第二方向的一側，所述夾持部包括兩個夾塊，兩個所述夾塊具有打開位置及夾持位置，在所述打開位置，所述夾塊位於所述掛持端背離所述移動端的一側，在所述夾持位置，兩個所述夾塊沿第一方向間隔設置，並形成夾持槽；沿第一方向，所述止擋面位於兩個所述夾塊之間。
如請求項1所述之定位裝置，其中，所述固定組件還包括磁吸部，所述磁吸部設於所述止擋部，所述磁吸部用於吸附所述掛持端。
如請求項6所述之定位裝置，其中，所述定位裝置還包括移動組件，所述移動組件傳動連接所述固定組件，並用於帶動所述固定組件沿第一方向往復運動。
一種生產線，其改良在於，包括：<br/> 吊掛件移動裝置，所述吊掛件移動裝置包括安裝架及吊掛件，所述吊掛件包括移動端及掛持端，所述移動端可移動地設於所述安裝架，所述掛持端沿背離所述安裝架的方向延伸，所述掛持端用於承載產品；<br/> 如請求項1至7中任一項所述之定位裝置。
如請求項8所述之生產線，其中，所述生產線還包括取料裝置及運輸裝置，所述取料裝置用於抓取所述產品，並將所述產品在所述吊掛件及所述運輸裝置之間轉移。
如請求項9所述之生產線，其中，所述取料裝置包括驅動組件、取料部及吸附部，所述取料部傳動連接所述驅動組件，並被配置為在所述驅動組件的帶動下在所述吊掛件及所述運輸裝置之間往復運動，所述吸附部連接所述取料部，所述吸附部用於吸附所述產品。
一種用於電路板的烘烤治具，其改良在於，包括：<br/> 第一底板，具有第一表面；以及<br/> 複數第一支撐件，所述複數第一支撐件間隔固定於所述第一表面，相鄰的所述第一支撐件之間形成放置區，所述放置區用於放置電路板，相鄰的所述第一支撐件用於將所述電路板限位於所述放置區內。
如請求項1所述的烘烤治具，其中，部分所述第一支撐件沿第一方向間隔排布，部分所述第一支撐件沿第二方向間隔排布，所述第一方向與所述第二方向相交。
如請求項2所述的烘烤治具，其中，所述第一底板還具有與所述第一表面相對的第二表面，所述第一底板設有貫穿所述第一表面和所述第二表面的第一通槽，所述第一通槽分佈於所述放置區內或分佈於所述放置區的周圍。
如請求項3所述的烘烤治具，其中，所述第一底板設有所述複數第一通槽，部分所述第一通槽沿所述第一方向間隔排布，部分所述第一通槽沿所述第二方向間隔排布。
如請求項4所述的烘烤治具，其中，所述烘烤治具還包括第二底板和複數連接件，所述連接件固定於所述第一表面，所述複數連接件用於連接所述第一底板和所述第二底板，所述複數連接件位於所述第一底板和所述第二底板之間。
如請求項5所述的烘烤治具，其中，所述複數連接件分佈於所述第一支撐件的四周。
如請求項5所述的烘烤治具，其中，所述第二底板具有第三表面，所述烘烤治具還包括複數第二支撐件，所述複數第二支撐件間隔固定於所述第三表面。
如請求項7所述的烘烤治具，其中，所述第二底板還具有與所述第三表面相對的第四表面，所述第二底板設有第二通槽，所述第二通槽貫穿所述第三表面和所述第四表面。
如請求項8所述的烘烤治具，其中，所述第二底板設有所述複數第二通槽，部分所述第二通槽沿所述第一方向間隔排布，部分所述第二通槽沿所述第二方向間隔排布。
一種烘烤設備，其改良在於，包含如請求項1至9中任一項所述的烘烤治具。
一種定位機構，其改良在於，所述定位機構包括：<br/> 基座；<br/> 定位件，沿第一方向與所述基座間隔設置，所述定位件沿所述第一方向遠離所述基座的一端用於抵接於目標件；以及，<br/> 浮動組件，沿所述第一方向可活動地設於所述基座，所述浮動組件包括第一浮動件、第二浮動件、兩個第一彈性件及兩個第二彈性件，所述第一浮動件和所述第二浮動件沿所述基座指向所述定位件的方向分佈，所述第一彈性件沿所述第一方向彈性地抵頂於所述基座和所述第一浮動件之間，且兩個所述第一彈性件沿第二方向間隔設置，所述第二彈性件沿所述第一方向彈性地抵頂於所述第一浮動件和所述第二浮動件之間，且兩個所述第二彈性件沿第三方向間隔設置，所述第二浮動件遠離所述第一浮動件的一端與所述定位件連接；<br/> 其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩垂直。
如請求項1所述的定位機構，其中，所述基座設有第一限位通道和第二限位通道，所述第一限位通道和所述第二限位通道沿所述基座指向所述定位件的方向分佈並彼此連通，所述第一限位通道沿所述第二方向延伸，所述第二限位通道沿所述第三方向延伸，所述第二限位通道內設有限位凸起；<br/> 至少部分所述第一浮動件沿所述第三方向限位於所述第一限位通道內；<br/> 至少部分所述第二浮動件沿所述第二方向限位於所述第二限位通道內，所述第二浮動件上設有限位槽，所述限位凸起沿所述第一方向可移動地限位於所述限位槽內。
如請求項2所述的定位機構，其中，所述基座包括座體、兩個第一限位部和四個第二限位部；<br/> 沿所述第一方向，所述第一限位部連接於所述座體和所述第二限位部之間，兩個所述第一限位部沿所述第三方向間隔設置，以在兩個所述第一限位部之間限定所述第一限位通道；兩個所述第一限位部各連接兩個所述第二限位部；<br/> 連接於同一所述第一限位部的兩個所述第二限位部沿所述第二方向間隔設置，以在兩個所述第二限位部之間限定所述第二限位通道，至少一個所述第二限位部遠離所述第一限位部的一端設有所述限位凸起。
如請求項3所述的定位機構，其中，所述限位凸起一一對應地設於所述第二限位部，所述限位凸起沿所述第二方向凸設於對應的所述第二限位部靠近所述第二限位通道的一側；<br/> 所述限位槽有兩個，兩個所述限位槽分別設於所述第二浮動件沿所述第二方向的兩側，兩個所述限位槽沿所述第三方向延伸，兩個所述限位槽各對應兩個所述限位凸起。
如請求項2所述的定位機構，其中，所述第一浮動件包括第一內嵌部和第二內嵌部，所述第一內嵌部和所述第二內嵌部沿所述基座指向所述定位件的方向分佈，所述第一內嵌部沿所述第二方向延伸，並設於所述第一限位通道內，所述第二內嵌部設於所述第二限位通道內，並沿所述第三方向延伸；<br/> 所述第二浮動件包括連接部和兩個第三內嵌部，所述第三內嵌部和所述連接部沿所述基座指向所述定位件的方向分佈，所述第三內嵌部設於所述第二限位通道內，兩個所述第三內嵌部分別位於所述第二內嵌部沿所述第二方向的兩側，所述連接部分別與兩個所述第三內嵌部和所述定位件連接；<br/> 所述第一彈性件沿所述第一方向彈性地抵頂於所述第一內嵌部和所述基座之間；<br/> 所述第二彈性件沿所述第一方向彈性地抵頂於所述第二內嵌部和所述連接部之間。
如請求項5所述的定位機構，其中，所述定位機構還包括第一連接件；<br/> 所述第一連接件沿所述第三方向分別穿設於所述基座和所述第一內嵌部。
如請求項5所述的定位機構，其中，所述定位機構還包括第二連接件；<br/> 所述第二連接件沿所述第二方向分別穿設於所述第二內嵌部和所述第三內嵌部。
如請求項1所述的定位機構，其中，所述定位件沿所述第一方向遠離所述基座的一端設有接觸凸起，所述接觸凸起用於接觸所述目標件。
如請求項8所述的定位機構，其中，所述接觸凸起有多個，多個所述接觸凸起沿所述第二方向彼此間隔設置。
一種自動化設備，其改良在於，包括如請求項1至9中任意一項所述的定位機構。
一種貼合裝置，用於在第一工件上貼合第二工件，其改良在於，包括： 機架，包括底板、背板及頂板，所述背板設置於所述底板，所述頂板設置於所述背板遠離所述底板之一側，且所述頂板與所述底板沿第一方向相對設置；<br/> 定位機構，包括支撐組件、第一定位組件及第二定位組件，所述支撐組件連接於所述背板並設置於所述底板與所述頂板之間，所述支撐組件被配置為支撐所述第一工件，所述第一定位組件連接於所述支撐組件，所述第一定位組件被配置為沿第二方向抵推所述第一工件，以配合所述支撐組件於所述第二方向對所述第一工件定位，所述第二定位組件連接於所述頂板且與所述支撐組件沿第三方向之兩側相對設置，所述第二定位組件被配置為沿所述第三方向對所述第一工件定位；<br/> 複數貼合機構，分別連接於所述底板與所述頂板，每個所述貼合機構均包括貼合驅動件與貼合組件，所述貼合驅動件連接於所述底板或所述頂板，所述貼合組件連接於所述貼合驅動件靠近所述第一工件之一側，所述貼合組件被配置為連接所述第二工件，所述貼合驅動件用於驅動所述貼合組件朝向所述第一工件移動，以將所述第二工件貼合於所述第一工件；其中，<br/> 所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向兩兩垂直。
如請求項1所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述支撐組件包括連接板、支撐板及限位板，所述連接板連接於所述背板靠近所述底板與所述頂板之一側，所述支撐板與所述限位板均連接於所述連接板背離所述背板之一側，且所述支撐板與所述限位板沿所述第一方向間隔設置，所述支撐板被配置為支撐所述第一工件，所述限位板被配置為抵接所述第一工件背離所述支撐板之一側以對所述第一工件限位。
如請求項2所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述第一定位組件包括容置殼、滑動柱、彈性件、聯動板及抵推件，所述容置殼連接於所述支撐板背離所述限位板之一側，所述容置殼開設有容置腔，所述滑動柱沿所述第二方向滑動穿設於所述容置殼背離所述背板之側壁，且所述滑動柱之一端設置於所述容置腔內，另一端設置於所述容置殼外，所述彈性件設置於所述容置腔並套設於所述滑動柱，所述彈性件之兩端分別抵接於所述容置殼之內壁與所述滑動柱設置於所述容置腔之一端，所述聯動板連接於所述滑動柱伸出所述容置殼之一端，所述抵推件之一端與所述聯動板連接，另一端與所述支撐板與所述限位板遠離所述連接板之一側相對應，所述彈性件被配置為抵推所述滑動柱向所述容置腔內移動，以帶動所述聯動板與所述抵推件朝向所述支撐板移動，進而使所述抵推件沿所述第二方向抵推所述第一工件，以於所述第二方向對所述第一工件定位。
如請求項3所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述第一定位組件還包括轉軸，所述轉軸繞所述第二方向轉動設置於所述聯動板背離所述滑動柱之一側，所述抵推件藉由所述轉軸與所述聯動板連接，以使所述抵推件可繞所述轉軸之軸線旋轉；<br/> 所述抵推件遠離所述轉軸之一端設置有限位凸起，所述限位凸起沿所述第二方向朝向所述背板延伸。
如請求項1所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述第二定位組件包括驅動單元與兩個夾持件，所述驅動單元設置於所述頂板背離所述底板之一側，兩個所述夾持件對稱連接於所述驅動單元沿所述第三方向之兩側，每個所述夾持件均包括沿所述第三方向延伸之連接臂與沿所述第一方向延伸之夾持臂，所述連接臂與所述驅動單元連接，所述夾持臂於所述第三方向上與所述支撐組件相對應，所述驅動單元用於驅動兩個所述夾持件相互靠近或遠離，以使兩個所述夾持臂沿所述第三方向夾持或鬆開所述第一工件，進而於兩個所述夾持臂夾持所述第一工件時於所述第三方向對所述第一工件定位。
如請求項5所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述驅動單元包括支撐框架、齒輪、齒條及兩個螺紋軸，所述支撐框架設置於所述頂板背離所述底板之一側，所述齒輪設置於支撐框架內並與所述支撐框架繞所述第三方向轉動連接，所述齒條沿所述第二方向滑動連接於所述支撐框架，且所述齒條與所述齒輪嚙合，兩個所述螺紋軸分別連接於所述齒輪沿所述第三方向之兩端，且兩個所述螺紋軸上之螺紋方向相反，兩個所述螺紋軸分別與兩個所述夾持件之所述連接臂螺紋連接，所述齒條用於驅動所述齒輪與兩個所述螺紋軸轉動，進而驅動所述兩個所述夾持件相互靠近或遠離。
如請求項5所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述第二定位組件還包括兩個限位桿，兩個所述限位桿分別設置於所述頂板沿所述第三方向之兩側且沿所述第三方向延伸，兩個所述限位桿與兩個所述夾持件一一對應設置，每個所述限位桿分別滑動插設於對應之所述夾持件之夾持臂，以限制所述夾持件之運動方向。
如請求項5所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述第二定位組件還包括兩個柔性件，兩個所述柔性件分別與兩個所述夾持臂連接，且每個所述柔性件均設置於對應之所述夾持臂靠近所述支撐組件之一側，所述柔性件用於柔性抵接所述第一工件。
如請求項1所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述貼合組件包括真空盤與抽氣泵，所述真空盤連接於所述貼合驅動件，所述真空盤背離所述貼合驅動件之一側設置有複數真空孔，所述抽氣泵連接於所述真空盤，且所述抽氣泵與複數所述真空孔均連接，所述抽氣泵被配置為藉由複數所述真空孔抽氣，以使所述真空盤背離所述貼合驅動件之一側產生負壓，進而吸附所述第二工件。
如請求項9所述之貼合裝置，其中，<br/> 所述貼合組件還包括密封圈，所述密封圈設置於所述真空盤背離所述貼合驅動件之一側且環繞複數所述真空孔設置。
一種多層電路板，包含：<br/> 至少一第一板層；<br/> 複數個中間板層，該些中間板層為層疊設置且包括一第一中間板層與一第二中間板層，該第一中間板層疊於該至少一第一板層上；<br/> 至少一第二板層，疊於該些中間板層的該第二中間板層上；以及<br/> 至少一導電結構，包括一導電槽狀埋孔、複數個第一導電盲孔與複數個第二導電盲孔，其中：<br/> 該導電槽狀埋孔配置於該些中間板層且貫穿該些中間板層，該導電槽狀埋孔具有一第一端與一第二端，該第一端形成於該第一中間板層，該第二端形成於該第二中間板層；<br/> 該些第一導電盲孔配置於該至少一第一板層且貫穿該至少一第一板層；該些第一導電盲孔沿著該導電槽狀埋孔之該第一端的孔緣配置且與該導電槽狀埋孔形成電性連接；<br/> 該些第二導電盲孔配置於該至少一第二板層且貫穿該至少一第二板層；該些第二導電盲孔沿著該導電槽狀埋孔之該第二端的孔緣配置且與該導電槽狀埋孔形成電性連接。
如請求項1所述之多層電路板，包含一電源網路與一接地網路；<br/> 其中，該電源網路包括一主部、複數個第一側延伸部與複數個第二側延伸部，該主部沿著一第一軸向延伸，該些第一側延伸部設置於該主部的一側且沿著該第一軸向間隔設置，各該第一側延伸部沿著一第二軸向延伸，該第二軸向垂直於該第一軸向，該些第二側延伸部設置於該主部的另一側且沿著該第一軸向間隔設置，各該第二側延伸部沿著該第二軸向延伸；<br/> 其中，該接地網路位於該電源網路的外圍；該接地網路包括一第一伸入部、一第二伸入部與一基部，該第一伸入部於該第一軸向上位於二個該第一側延伸部之間，該第二伸入部於該第一軸向上位於二個該第二側延伸部之間；該基部於該第一軸向上位於該電源網路的一側；<br/> 其中，該至少一導電結構為複數個且包括複數個第一導電結構與複數個第二導電結構，該些第一導電結構配置於該電源網路，其中，該主部配置有多個該第一導電結構，各該第一側延伸部配置有至少一個該第一導電結構，各該第二側延伸部配置有至少一個該第一導電結構；<br/> 其中，該些第二導電結構配置於該接地網路，其中，該第一伸入部配置有至少一個該第二導電結構，該第二伸入部配置有至少一個該第二導電結構，該基部配置有多個該第二導電結構。
如請求項2所述之多層電路板，其中該接地網路包括一第一包圍部與一第二包圍部，該第一包圍部於該第一軸向上與該第一伸入部相間隔，且一個該第一側延伸部於該第一軸向上位於該第一包圍部與該第一伸入部之間，該第一包圍部配置有至少一個該第二導電結構；該第二包圍部於該第一軸向上與該第二伸入部相間隔，且一個該第二側延伸部於該第一軸向上位於該第二包圍部與該第二伸入部之間，該第二包圍部配置有至少一個該第二導電結構。
如請求項2所述之多層電路板，其中各該導電結構的該導電槽狀埋孔具有一長軸向與一短軸向，該長軸向對應於該第二軸向，該短軸向對應於該第一軸向。
如請求項4所述之多層電路板，其中，位在一個該第一側延伸部上的該第一導電結構之該導電槽狀埋孔於該長軸向上的一長度小於位在該第一伸入部上的一個該第二導電結構之該導電槽狀埋孔於該長軸向上的一長度；位在一個該第二側延伸部上的該第一導電結構之該導電槽狀埋孔於該長軸向上的一長度小於位在該第二伸入部上的一個該第二導電結構之該導電槽狀埋孔於該長軸向上的一長度。
如請求項1所述之多層電路板，其中各該第一導電盲孔填充有一第一填充材料；各該第二導電盲孔填充有一第二填充材料。
如請求項6所述之多層電路板，其中各該第一填充材料與各該第二填充材料為一導電材料。
如請求項7所述之多層電路板，其中該導電槽狀埋孔具有一導電孔壁；各該第一導電盲孔具有一第一導電孔壁，各該第二導電盲孔具有一第二導電孔壁；各該第一導電盲孔係透過該第一導電孔壁與該第一填充材料電性連接該導電槽狀埋孔的導電孔壁；各該第二導電盲孔係透過該第二導電孔壁與該第二填充材料電性連接該導電槽狀埋孔的導電孔壁。
如請求項1所述之多層電路板，其中該導電槽狀埋孔中填充有一填充材料。
如請求項9所述之多層電路板，其中該填充材料為樹脂。
如請求項1所述之多層電路板，其中該導電槽狀埋孔具有一長軸向與一短軸向，該些第一導電盲孔包括二組第一導電盲孔，該二組第一導電盲孔分別配置於該第一端且位於該短軸向上的兩側；該些第二導電盲孔包括二組第二導電盲孔，該二組第二導電盲孔分別配置於該第二端且位於該短軸向上的兩側。
如請求項11所述之多層電路板，其中該導電槽狀埋孔具有一槽孔以及一導電材料鍍於該槽孔的孔壁，該槽孔於該長軸向上的長度為2 mm至2.5 mm，該槽孔於該短軸向上的長度為0.5 mm。
如請求項1所述之多層電路板，其中該導電槽狀埋孔具有一導電孔壁；各該第一導電盲孔具有一第一導電孔壁，各該第二導電盲孔具有一第二導電孔壁；各該第一導電盲孔係透過該第一導電孔壁電性連接該導電槽狀埋孔的導電孔壁；各該第二導電盲孔係透過該第二導電孔壁電性連接該導電槽狀埋孔的導電孔壁。
一種液體投放裝置（10），其包括：<br/> 分液盒（100），內部形成分液腔（110），所述分液盒（100）開設有第一通孔（120）；所述分液盒（100）還開設有與所述分液腔（110）連通的入液口（150）和第一出液口（111）；<br/> 儲液件（200），內部形成儲液腔（210），至少部分位於所述分液腔（110）內，且所述儲液件（200）能夠在第一方向上相對於所述分液盒（100）滑動，所述儲液件（200）開設有第二通孔（220），所述第二通孔（220）的中心軸線與所述第一方向平行；<br/> 抽液泵（400），位於所述分液盒（100）的外部；及<br/> 抽吸管（700），位於所述儲液腔（210）內，所述抽吸管（700）具有相對的第一端和第二端，所述抽吸管（700）的所述第一端與所述第二通孔（220）連通，所述抽吸管（700）由所述抽吸管（700）的所述第一端向所述儲液腔（210）的底面延伸形成所述抽吸管（700）的所述第二端，所述抽吸管（700）的所述第二端具有抽吸口（741）；<br/> 所述抽液泵（400）的入液端通過所述第一通孔（120）、所述第二通孔（220）和所述抽吸管（700）連通所述儲液腔（210）；<br/> 所述抽液泵（400）的出液端連通所述入液口（150）。
如請求項1所述之液體投放裝置（10），其中，所述儲液件（200）為儲液瓶（201），所述儲液瓶（201）能夠由所述分液腔（110）內取出，所述儲液件（200）還開設有透氣通孔（230）。
如請求項2所述之液體投放裝置（10），其中，所述液體投放裝置（10）還包括：<br/> 抽液接頭（300），與所述分液盒（100）可拆卸地連接，所述抽液接頭（300）包括管狀部（310），所述管狀部（310）的第一端位於所述分液盒（100）外部，所述管狀部（310）的與所述第一端相對的第二端由所述第一通孔（120）伸入所述分液腔（110），所述管狀部（310）的所述第二端能夠與所述第二通孔（220）連通；<br/> 抽液管（500），所述抽液管（500）連通所述抽液泵（400）的所述入液端和所述管狀部（310）的所述第一端；<br/> 回液管（600），所述回液管（600）連通所述抽液泵（400）的所述出液端和所述入液口（150）。
如請求項3所述之液體投放裝置（10），其中，所述抽液接頭（300）還包括位於所述管狀部（310）外周的第一連接結構（330），所述第一連接結構（330）通過連接件可拆卸地固定於所述分液盒（100）的外表面。
如請求項4所述之液體投放裝置（10），其中，所述分液盒（100）的外表面內凹形成第一凹槽（170）並相應的在所述分液盒（100）的內表面外凸形成第一凸起（140），所述第一凹槽處（170）開設有所述第一通孔（120）；所述第一連接結構（330）通過連接件可拆卸地固定於所述分液盒的所述第一凹槽（170）內。
如請求項2至5中任一項所述之液體投放裝置（10），其中，所述儲液瓶（201）包括瓶體（240）和瓶蓋（250），所述瓶蓋（250）與所述瓶體（240）可拆卸地連接，所述瓶體（240）和所述瓶蓋（250）的內表面包圍形成所述儲液腔（210），所述瓶體（240）的端部開設有瓶口（241），在所述瓶蓋（250）與所述瓶體（240）裝配的狀態下，所述瓶口（241）被所述瓶蓋（250）覆蓋；所述瓶蓋（250）的內表面凸設有第二凸起（253），所述第二通孔（220）和所述透氣通孔（230）均貫穿所述第二凸起（253）並在所述第二凸起（253）朝向所述儲液腔（210）的第一表面形成開口，所述第二通孔（220）在所述第一表面形成開口的外周設有環形壁（252），所述環形壁（252）具有第一定位結構（2521），所述抽吸管（700）的外表面具有第二定位結構（701），在所述抽吸管（700）的所述第一端伸入所述環形壁（252）包圍的空間並與所述第二通孔（220）連通的狀態下，所述第一定位結構（2521）與所述第二定位結構（701）相互卡合。
如請求項6所述之液體投放裝置（10）其中，所述抽吸管（700）包括：第一管狀部（720）和第二管狀部（730），所述第二管狀部（730）由所述第一管狀部（720）的側壁的外表面突出，且所述第二管狀部（730）的延伸方向與所述第一管狀部（720）的延伸方向形成一定的夾角；<br/> 所述第一管狀部（720）的端部形成所述抽吸管（700）的所述第一端，所述抽吸管（700）的所述第一端具有連通口（721），所述連通口（721）與所述第二通孔（220）連通，所述第二管狀部（730）向所述儲液腔（210）的底面延伸，且所述第二管狀部（730）的朝向所述底面的端部形成所述抽吸管（700）的所述第二端，所述抽吸管（700）的所述第二端具有所述抽吸口（741）。
如請求項7所述之液體投放裝置（10），其中，所述儲液瓶（201）還包括單向閥（260），所述第二通孔（220）的內表面凸設有環形定位台（2522），所述單向閥（260）的一端容納於所述環形壁（252）內並與所述環形定位台（2522）的底面抵接，所述單向閥（260）的另一端容納於所述第一管狀部（720）內並與所述第一管狀部（720）的內表面抵接。
如請求項1至5中任一項所述之液體投放裝置（10），其中，所述抽吸管（700）的所述第二端凸設有抵接凸台（750），所述抵接凸台（750）由所述抽吸管（700）的所述第二端向所述儲液腔（210）的底面突出形成抵接端（751），所述抵接端（751）與所述儲液腔（210）的底面抵接；<br/> 所述抵接凸台（750）的數量大於等於三個，各所述抵接凸台（750）環繞所述抽吸口（741）間隔設置，和/或，沿所述抵接凸台（750）的延伸方向上，所述抵接凸台（750）的橫截面的面積遞減，所述橫截面為垂直於所述抵接凸台（750）的延伸方向的平面。
如請求項1至5中任一項所述之液體投放裝置（10），其中，所述抽吸管（700）的所述第二端凸設有抵接凸台（750），所述抵接凸台（750）由所述抽吸管（700）的所述第二端向所述儲液腔（210）的底面突出形成抵接端（751）；<br/> 所述儲液腔（210）的底面下凹形成第二凹槽（243），所述抽吸管（700）的所述第二端伸入所述第二凹槽（243）內，且所述抵接端（751）與所述第二凹槽（243）的底面抵接。
如請求項6所述之液體投放裝置（10），其中，所述液體投放裝置（10）還包括儲液瓶架（900），所述儲液瓶架（900）內部形成盛放空間（910），在第一方向上，所述儲液瓶架（900）能夠相對於所述分液盒（100）運動，從而使得所述儲液瓶（201）能夠在所述第一方向上相對於所述分液盒（100）滑動，所述儲液瓶架（900）能夠沿所述第一方向被抽拉出所述分液腔（110）；<br/> 在所述第一方向上，所述儲液瓶架（900）具有靠近所述瓶蓋（250）的第一端和與所述第一端相對的第二端，所述儲液瓶架（900）的第一端開設有第三通孔（920），在所述儲液瓶（201）放置於所述盛放空間（910）的狀態下，所述瓶蓋（250）由所述第三通孔（920）伸入所述分液腔（110）內；<br/> 在所述儲液瓶架（900）被抽拉出所述分液腔（110）的狀態下，所述儲液瓶（201）能夠由所述盛放空間（910）內取出或被裝入所述盛放空間（910）內。
如請求項11所述之液體投放裝置（10），其中，所述儲液瓶架（900）的底壁的外表面具有導向槽（963），所述分液盒（100）的底壁的內表面具有導向軌（112），在所述儲液瓶架（900）與所述分液盒（100）裝配的狀態下，所述導向軌（112）位於所述導向槽（963）內，所述導向槽（963）沿所述第一方向延伸，所述導向軌（112）能夠在所述導向槽（963）內沿所述第一方向運動。
如請求項11所述之液體投放裝置（10），其中，所述儲液瓶架（900）的第二端具有彈性臂（931），所述彈性臂（931）在所述儲液瓶架（900）的所述第一端的內表面的投影位於所述第三通孔（920）內，且所述彈性臂（931）能夠在所述第一方向上產生彈性形變；和/或<br/> 所述儲液瓶架（900）的靠近所述儲液瓶架（900）的所述第二端的側面開設有操作槽（940）；和/或<br/> 所述儲液腔（210）的底面下凹形成第二凹槽（243）並在所述瓶體（240）的外表面的對應位置形成第三凸起（244），所述儲液瓶架（900）的內表面內凹形成第三凹槽（901），所述第三凹槽（901）沿所述第一方向延伸，且在所述第一方向上，所述第三凸起（244）的尺寸小於所述第三凹槽（901）的尺寸，在所述儲液瓶（201）位於所述盛放空間（910）內的狀態下，所述第三凸起（244）位於所述第三凹槽（901）內。
一種洗滌裝置（1），其包括：<br/> 殼體（20），所述殼體（20）形成容納腔（21）；<br/> 洗滌筒（30），所述洗滌筒（30）位於所述容納腔（21）內；及<br/> 如請求項1至13中任一項所述之液體投放裝置（10），所述液體投放裝置（10）位於所述容納腔（21）內，所述第一出液口（111）與所述洗滌筒（30）連通；<br/> 其中，所述殼體（20）包括前面板（22）和分液盒框（23），所述前面板（22）開設有儲液件口（221），所述儲液件（200）能夠由所述儲液件口（221）從所述分液盒（100）中被抽拉出來；<br/> 所述分液盒框（23）的下部開設有第一安裝孔（27）；<br/> 所述前面板（22）在所述儲液件口（221）環設有向所述容納腔（21）內凹的側壁，所述側壁上有突出至所述儲液件口（221）的卡鈎（24）和連接凸片（25），所述連接凸片（25）開設有第二安裝孔（26）；<br/> 所述分液盒（100）的前表面開設有第三安裝孔（180）；<br/> 所述第一安裝孔（27）的中心軸線、所述第二安裝孔（26）的中心軸線和所述第三安裝孔（180）的中心軸線共線；連接件依次穿設於所述第一安裝孔（27）、所述第二安裝孔（26）和所述第三安裝孔（180）以將所述分液盒框（23）、所述前面板（22）和所述分液盒（100）固定連接。
如請求項14所述之洗滌裝置（1），其中，所述液體投放裝置（10）還包括儲液瓶架（900），所述儲液瓶架（900）包括儲液架體（950）和扣手板（960），所述扣手板（960）固定於所述儲液架體（950）的前表面，所述扣手板（960）的下部突出於所述儲液架體（950），且所述扣手板（960）和所述分液盒（100）在所述第一方向上位於所述分液盒框（23）的兩側；<br/> 所述扣手板（960）的下部背向所述分液盒框（23）的面具有扣手槽（961），所述扣手板（960）下部朝向所述分液盒框（23）的面具有卡扣（962），所述分液盒框（23）具有卡槽（28），所述在分液盒框（23）上，所述卡槽（28）和所述第一安裝孔（27）左右分佈；所述分液盒（100）的前表面開設有與所述卡槽（28）對應的避讓孔（190）；所述卡槽（28）的深度方向與所述第一方向平行，所述卡扣（962）能夠與所述卡槽（28）卡合，所述儲液瓶架（900）從所述分液盒（100）中被抽拉出來時，所述卡扣（962）脫離所述卡槽（28）。
一種結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，包含有一電路主板，並以一軟性電路板結合一指紋感應區塊電路板，該電路主板設有一電源管理系統、一觸覺回饋元件、和一指紋識別模組，另可再擴充設以一個以上的功能模組；藉由前述之觸覺回饋元件針對不同操作情境設定對應震動樣式回饋，結合指紋識別的判別，供使用者認知整體之運作者。
如請求項1所述之結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，其中該電源管理系統具有一電池管理晶片、一電池、及一LED電源指示燈。
如請求項1所述之結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，其中之觸覺回饋元件可為一微型電動馬達。
如請求項1所述之結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，其中之指紋感應區塊電路板包含有一電容式觸控指紋感應器，並以一矽膠覆蓋之。
如請求項1所述之結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，其中之功能模組可為通訊模組、語音模組、或聲音模組，而適用於錄音筆、觸控筆、語音翻譯裝置等可攜式的電子產品。
如請求項5所述之結合指紋識別與觸覺回饋功能之微型電子模組，其中通訊模組可包含藍芽/WIFI晶片和TYPE-C晶片。
一種裝配機構，用於裝配料件，其改良在於，所述裝配機構包括殼體、定位件、固定件、第一彈性件、緩衝件與第二彈性件，所述殼體設有容納腔以及沿第一方向相對設置之第一開口與第二開口，所述定位件沿所述第一方向可活動地連接於所述殼體，所述定位件之一端設置於所述容納腔中，所述定位件之另一端自所述第一開口伸出且被配置為定位所述料件，所述固定件固定於所述殼體且封堵所述第二開口，所述第一彈性件、所述緩衝件與所述第二彈性件沿所述第一方向依次排列於所述定位件與所述固定件之間，所述第一彈性件將所述緩衝件朝向所述固定件之方向彈性抵持，所述第二彈性件將所述緩衝件朝向所述定位件之方向彈性抵持；<br/> 所述殼體設有與所述容納腔連通之觀察孔，至少部分所述緩衝件從所述觀察孔顯露。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述緩衝件包括第一磁性件與第二磁性件，所述第一磁性件與所述第二磁性件沿所述第一方向依次排列於所述第一彈性件與所述第二彈性件之間，所述第一磁性件與所述第二磁性件之同名磁極相對設置並相互排斥，所述第一磁性件與所述第二磁性件之間具有間隙。
如請求項2所述之裝配機構，其中，所述觀察孔被配置為觀察所述第一磁性件與所述第二磁性件之間之間隙。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述裝配機構包第三磁性件，所述第三磁性件設置於所述定位件與所述第一彈性件之間，所述第三磁性件被配置為將所述料件磁性吸附於所述定位件。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述定位件包括沿第一方向連接之延伸部與限位部，沿所述第一方向觀察，所述延伸部之尺寸小於所述限位部之尺寸，所述限位部限位連接於所述容納腔中，所述延伸部自所述第一開口伸出。
如請求項5所述之裝配機構，其中，所述延伸部遠離所述限位部之端面設有仿形槽，所述仿形槽被配置為與所述料件之頭部適配。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述固定件與所述殼體藉由螺紋連接。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述殼體設有掛鉤，所述掛鉤與所述觀察孔間隔設置。
如請求項1所述之裝配機構，其中，所述固定件位於所述殼體外之部位設有凸出部，沿所述第一方向觀察，所述凸出部之周側設有交替設置之凹面與凸面。
一種裝配裝置，用於裝配料件與對應之墊圈，其改良在於，所述裝配裝置包括如請求項1至9中任意一項所述之裝配機構;所述裝配裝置還包括:<br/> 底座，所述底座包括承載件與卡持件，所述承載件被配置為放置所述墊圈，所述承載件設有避讓孔，所述避讓孔被配置為設置於所述墊圈之通孔之下方，所述卡持件設置於所述承載件之一側，所述卡持件被配置為卡持所述裝配機構。
一種貼膜裝置，其改良在於，包括：<br/> 承載組件，用於承載工件並可帶動所述工件轉動；<br/> 供膜組件，可轉動地設於所述承載組件之一側並裝夾收卷之膜體，所述供膜組件用於提供所述膜體至所述承載組件；<br/> 定位組件，與所述供膜組件間隔設置於所述承載組件之周側，所述定位組件用於定位所述承載組件承載之所述工件；及<br/> 壓緊組件，包括支撐件、連接件及壓緊件，所述支撐件設於所述承載組件與所述供膜組件之間，所述連接件與所述支撐件轉動連接，所述壓緊件與所述連接件遠離所述支撐件之一端轉動連接，所述壓緊件與所述連接件之端部之間供所述膜體穿過，所述壓緊件用於將所述膜體壓緊貼附至所述工件之表面，以使所述承載組件帶動貼附有所述膜體之所述工件轉動，以將所述膜體貼附於所述工件之周側。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述承載組件包括：<br/> 承載件，可轉動地設於所述供膜組件之一側並用於承載所述工件；<br/> 吸附件，嵌設於所述承載件，所述吸附件用於吸附所述承載件承載之所述工件。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述供膜組件包括：<br/> 固定件，設於所述承載組件之一側；<br/> 轉動件，活動穿設於所述固定件並與所述固定件轉動連接；及<br/> 供膜件，與所述轉動件遠離所述固定件之一端連接並裝夾所述膜體，所述供膜件用於在所述承載組件轉動時同步轉動並張放所述膜體，以提供所述膜體至所述承載組件。
如請求項3所述之貼膜裝置，其中，所述固定件包括固定體與抵持體，所述固定體設於所述承載組件之一側，所述抵持體設於所述固定體背離所述供膜件之一側並與所述固定體連接，所述轉動件包括轉動體與調節體，所述轉動體之一端活動穿設於所述固定體及所述抵持體，所述轉動體之另一端與所述供膜件連接，所述調節體套設於所述轉動體並與所述轉動體螺紋連接，所述調節體用於抵接於所述抵持體背離所述固定體之一側以調節所述轉動體之轉動速度。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述定位組件包括：<br/> 基座，鄰近所述承載組件設置；<br/> 定位件，包括第一定位體與第二定位體，所述第一定位體與所述基座轉動連接，所述第二定位體與所述第一定位體垂直連接，所述第一定位體及所述第二定位體用於分別沿第一方向及第二方向抵接於所述工件，以沿所述第一方向及所述第二方向定位所述工件。
如請求項5所述之貼膜裝置，其中，所述定位件還包括第一凸起體與第二凸起體，所述第一凸起體沿第三方向凸設於所述第一定位體之上表面，所述第二凸起體沿所述第三方向凸設於所述第二定位體之上表面。
如請求項5所述之貼膜裝置，其中，所述定位組件還包括：<br/> 基準件，與所述定位件間隔設置，所述基準件與所述基座轉動連接，所述基準件用於抵接於所述工件之表面以確定所述工件之貼膜區域位置。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述壓緊組件還包括：<br/> 限位件，設於所述連接件背離所述承載組件之一側並轉動連接於所述連接件，所述限位件與所述連接件之間形成限位空間，所述限位空間用於供所述膜體穿過以限位所述膜體。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述膜體覆蓋有保護膜，所述保護膜與所述膜體於所述壓緊件與所述連接件之端部之間相脫離，所述壓緊組件還包括：<br/> 限制件，設於所述連接件朝向所述承載組件之一側並與所述連接件轉動連接，所述限制件與所述連接件之間形成限制空間，所述限制空間用於供所述保護膜穿過以限位所述保護膜。
如請求項1所述之貼膜裝置，其中，所述連接件包括：<br/> 連接體，套設於所述支撐件並與所述壓緊件轉動連接；<br/> 鎖付體，沿所述支撐件之徑向穿設於所述連接體並抵接於所述支撐件之側壁，以鎖付所述連接體至所述支撐件。
一種封合鎖蓋機構，包含：一機體，其上設有一輸送帶，該輸送帶用以輸送具外螺紋之容器罐，並使具有內螺紋之容器蓋蓋合於容器罐上；該輸送帶上方設有一機座，該機座內形成一內壁面；及一旋緊單元，設置於所述機座內，該旋緊單元包括一驅動輪及一從動輪組，二者相對設置並分別繞設一第一皮帶及一第二皮帶，其中所述第一皮帶與第二皮帶之長度比為1：1.5，以致二皮帶轉速不同，當所述容器罐經由輸送帶通過第一皮帶與第二皮帶下方時，容器蓋之頂面受二皮帶摩擦推動而產生扭矩，使容器蓋旋入容器罐之外螺紋，從而達成旋緊封合。
如請求項1所述之封合鎖蓋機構，其中，該第一皮帶之線速範圍為1.0m/s至1.5m/s，該第二皮帶之線速範圍為0.6m/s至1.0m/s，且兩者速差介於0.2m/s至0.5m/s。
如請求項1所述之封合鎖蓋機構，其中，該第一皮帶及第二皮帶之外層均覆設一彈性摩擦層，該彈性摩擦層為橡膠或聚氨酯材質，用以增加摩擦係數，且由該摩擦層所產生之扭矩範圍為0.3N．m至0.6N．m，以確保容器蓋能順利旋緊而不致變形或滑牙。
如請求項1所述之封合鎖蓋機構，其中該驅動輪包含一驅轉軸，該驅轉軸之一端延伸入所述機座之內壁面，另一端設有一第一輪體及一第二輪體，且所述第二輪體直徑略大於第一輪體；該從動輪組包含一第一輪座及一第二輪座，第一輪座具有一第一架座，該第一架座內樞設一第一軸件，並由該第一軸件樞設一第一導輪，且該第一架座底部設有一連結架，該連結架底部形成一第一樞座，該第一樞座設有一第一樞孔；該第二輪座具有一第二支架，該第二支架設有一第二架座，該第二架座內樞設一第二軸件，並由該第二軸件樞設一第二導輪，且該第二支架底部設有一第二樞座，該第二樞座設有一第二樞孔；其中，第一輪座與第二輪座分別組裝於一升降調整座，該升降調整座設有相鄰的兩吊架，各吊架設有一吊孔；升降調整座之一端設有一導引端，底面形成一底滑面，底滑面兩側分別設有一側導緣；升降調整座另一端設有一樞靠座，該樞靠座分別樞設於所述第一樞座與第二樞座，並於第一樞座與樞靠座之間設置一第三導輪，於第二樞座與樞靠座之間設置一第四導輪；其中，該吊架分別裝設於兩升降吊架，各升降吊架設有一吊座，所述吊座內部貫穿一組合孔，並藉由一固定銷樞組於升降調整座之吊孔，且所述升降吊架組合於一基架座，該基架座頂端設有一升降調整鈕，所述升降調整鈕經由一蝸桿機構帶動一導轉軸，進而驅動一蝸輪暨鍊輪機構，以分別帶動第一鍊條與第二鍊條，所述第一鍊條與第二鍊條末端分別嚙合一第一鍊輪與一第二鍊輪，該第一鍊輪與第二鍊輪分別裝設於兩升降吊架，並帶動升降調整座同步升降，使第一皮帶與第二皮帶相對於輸送帶之高度可調，以因應不同高度之容器罐及容器蓋進行旋緊加工。
如請求項4所述之封合鎖蓋機構，其中該第一輪座之連結架設有一第一樞耳，第二輪座之第二支架設有一第二樞耳；該機座內壁面設有一固定支柱及一固定支座，所述第一樞耳與第二樞耳分別樞設一鬆緊調整支架，該鬆緊調整支架具有一樞組端，該樞組端設有一樞接部及一樞接孔，並可藉由一定位銷固定於所述第一樞耳及第二樞耳；該樞組端一端連接一伸縮架，該伸縮架內裝設一導柱，導柱與伸縮架之間套設一彈性元件，且導柱之一端設有一多段定位部，該定位部之側緣形成複數不同間距之嵌槽，各嵌槽可選擇性嵌合於固定支柱定位，藉此使第一輪座及第二輪座能透過所述鬆緊調整支架之多段定位部與導柱之彈性伸縮結合，以調整第一皮帶與第二皮帶之鬆緊度。
如請求項1所述之封合鎖蓋機構，其中該機座內設有一降溫管路，該降溫管路可對應第一皮帶與第二皮帶進行噴水降溫。
如請求項1所述之封合鎖蓋機構，其中該輸送帶兩側分設有兩扶托皮帶，用以扶托輸送中的容器罐。
一種瓶蓋封合真空殺菌結構，包含：<br/>一機體，設有一輸送帶，該輸送帶用以輸送具有開口上緣空間之容器罐；該機體於對應輸送帶位置設置一機座，該機座上設有一容器蓋導引單元，用以使容器蓋以傾斜狀態暫置於容器罐開口側緣而未完全封合；<br/>一蒸汽導引座，設置於該機座之後側，並於對應該容器蓋導引單元位置連通設置一蒸汽導引槽；及<br/>一真空殺菌單元，具有一高溫供氣管件，該高溫供氣管件對應該蒸汽導引座設置一供氣端，該供氣端與該蒸汽導引槽相連通，以使經該蒸汽導引槽所導入之高溫氣體進入該容器罐之開口上緣空間內，並將內部冷空氣排出，達成真空殺菌作用。
如請求項1所述之瓶蓋封合真空殺菌結構，其中該真空殺菌單元進一步包含：<br/>一壓縮氣瓶，其頂端設有一進氣管，底端設有一導管及一分歧管；<br/>其中，該導管連通一氣閥件，該氣閥件一端連通一氣閥壓力表，該分歧管連通一回水管路，該回水管路設有一疏水閥，該疏水閥之一端連通一出水管；<br/>該氣閥件之另一端連通一蒸汽供應管路，該蒸汽供應管路包含一分配管，該分配管一側連通一導引開關，該導引開關連通一導引壓力表，該分配管另一側連通一溫度表，且該分配管底側設有一供氣開關，該供氣開關之一端連通該高溫供氣管件。
如請求項2所述之瓶蓋封合真空殺菌結構，其中該出水管進一步連通一熱水循環管路，該熱水循環管路連通一熱水循環儲存桶，該熱水循環儲存桶再分別循環連通一回水儲存桶；另該壓縮氣瓶頂端之該進氣管連通設置一蒸汽鍋爐。
如請求項1所述之瓶蓋封合真空殺菌結構，其中該機體於對應該容器蓋導引單元之前端流程位置，設置一容器蓋調整單元；該容器蓋調整單元之前端流程位置設有一容器蓋供料筒，該容器蓋供料筒採用傾斜式震動理蓋結構以將容器蓋有序排列；<br/>該容器蓋調整單元包含翻正與平放工位，用以使容器蓋以頂面朝上之狀態輸送至該容器蓋導引單元；該容器蓋導引單元具有簡易導向定位功能，以確保容器蓋與容器罐同軸對正；<br/>該容器蓋導引單元之後端流程位置設有一壓合封口機構，用以將容器蓋與容器罐作封口壓合；<br/>另該機體設有一控制單元，用以控制該容器蓋供料筒、容器蓋調整單元、容器蓋導引單元、壓合封口機構及真空殺菌單元之運作與啟閉。
一種酶類除臭用品，其包括有：複數酶類粉末；及至少一載體，其中各該載體之粒徑大於各該酶類粉末，且各該酶類粉末結合於該載體之表面。
如請求項1所述之酶類除臭用品，進一步包含複數輔助劑，其重量百分比為整體的1~50wt%，各該輔助劑之粒徑小於該載體，各該輔助劑結合於該載體之表面。
如請求項2所述之酶類除臭用品，其中各該輔助劑為穩定劑粉末、防腐劑粉末、pH值調整劑粉末或香料。
如請求項1所述之酶類除臭用品，其中各該酶類粉末之重量百分比為整體的1~99wt%，該載體之重量百分比為整體的1~98wt%。
如請求項1所述之酶類除臭用品，其中各該酶類粉末為蛋白酶粉末、脂肪酶粉末、纖維素酶粉末、過氧化氫酶粉末或尿素酶粉末。
如請求項1所述之酶類除臭用品，其中各該載體為矽藻土、沸石、活性炭或聚丙烯酸酯。
如請求項1所述之酶類除臭用品，其中各該酶類粉末與該載體之總合顆粒大小為20~200目。
如請求項3所述之酶類除臭用品，其中各該輔助劑之香料為檸檬香料或薰衣草香料。
一種具有微球結構的光學感測器，其包含：<br/> 一基板；<br/> 一透光層，包含：<br/> 一微球承載結構，設置於所述基板上；以及<br/> 一微球透鏡，設置於所述微球承載結構上，其中所述微球透鏡的高度小於或等於所述微球透鏡的半徑；以及<br/> 一光電單元，電性連接所述基板；<br/> 其中，所述光電單元經配置以接收行進通過所述微球透鏡或者所述微球承載結構的光。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球透鏡的所述高度介於所述微球透鏡的所述半徑至所述半徑的三分之一的範圍。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球透鏡的所述高度介於所述微球透鏡的所述半徑的三分之二至三分之一的範圍。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球透鏡的所述高度介於所述微球透鏡的所述半徑的二分之一至三分之一的範圍。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述光電單元封裝於所述微球承載結構與所述基板之間。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球承載結構的厚度介於所述微球透鏡的所述半徑的10%至100%的範圍。
如請求項1所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述光電單元經配置以接收在所述微球承載結構內部至少反射一次的光。
一種具有微球結構的光學感測器，其包含：<br/> 一基板；<br/> 一透光層，包含：<br/> 一微球承載結構，設置於所述基板上；以及<br/> 多個微球透鏡，設置於所述微球承載結構上，其中多個所述微球透鏡中的每一者各自的高度小於或等於多個所述微球透鏡中的每一者各自的半徑；以及<br/> 一光電單元，電性連接所述基板；<br/> 其中，所述光電單元經配置以接收行進通過多個所述微球透鏡中的至少一者或所述微球承載結構的光。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡以陣列形式排列。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡彼此不交會或重疊。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡中任意相鄰兩者的球面之間形成一連接邊界，且所述連接邊界與所述微球承載結構的頂面之間的距離介於多個所述微球透鏡中的每一者各自的所述半徑的10%至50%的範圍。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡中的每一者各自的所述高度介於多個所述微球透鏡中的每一者各自的所述半徑至所述半徑的三分之一的範圍。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡中的每一者各自的的所述高度介於多個所述微球透鏡中的每一者各自的所述半徑的三分之二至三分之一的範圍。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡中的每一者各自的的所述高度介於多個所述微球透鏡中的每一者各自的所述半徑的二分之一至三分之一的範圍。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球承載結構與多個所述微球透鏡一體成型為連續結構。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，各所述微球透鏡中具有遠離所述微球承載結構的一頂點，多個所述微球透鏡中沿一第一方向排列且彼此相鄰的任意兩者的頂點之間定義一第一間距，所述第一間距介於所述彼此相鄰的兩者中任一的所述半徑的12.5%至150%的範圍。
如請求項16所述的具有微球結構的光學感測器，其中，多個所述微球透鏡中沿垂直於所述第一方向的第二方向排列且彼此相鄰的任意兩者的頂點之間定義一第二間距，所述第二間距介於所述彼此相鄰的兩者中任一的所述半徑的75%至250%的範圍。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述透光層更包含：<br/> 一突出部，設置於所述微球承載結構上的一側，其中所述突出部的高度大於各所述微球透鏡的所述高度。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述微球承載結構具有一環繞側面，且各所述微球透鏡具有至少一側面係與所述環繞側面共面。
如請求項8所述的具有微球結構的光學感測器，其中，所述光電單元配置以接收行進通過多個所述微球透鏡中的至少一者以及所述微球承載結構的光。
一種測試設備，其改良在於，所述測試設備包括：<br/> 底座，具有用於放置測試物之放置區；<br/> 屏蔽罩，活動連接於所述底座，所述屏蔽罩相對所述底座能夠移動至第一位置或第二位置；<br/> 風扇組件，設置於所述屏蔽罩，所述屏蔽罩開設有與所述風扇組件對應之通風口；<br/> 開關元件，設置於所述底座與所述屏蔽罩之間，並與所述風扇組件電連接，所述開關元件用於與供電裝置電連接，所述開關元件用於跟隨所述屏蔽罩之移動而切換導通狀態；<br/> 其中，於所述屏蔽罩處於所述第一位置之情況下，所述屏蔽罩蓋設於所述底座並遮擋所述放置區，且所述開關元件導通，以使所述風扇組件與所述供電裝置導電；<br/> 於所述屏蔽罩處於所述第二位置之情況下，所述屏蔽罩與所述底座分離以顯露所述放置區，且所述開關元件斷開，以使所述風扇組件與所述供電裝置斷電。
如請求項1所述之測試設備，其中，所述屏蔽罩設置有屏蔽網，所述屏蔽網位於所述通風口處。
如請求項1所述之測試設備，其中，所述風扇組件包括複數個風扇，複數個所述風扇間隔分佈於所述屏蔽罩。
如請求項3所述之測試設備，其中，複數個所述風扇分別為進風風扇與出風風扇，所述進風風扇與所述出風風扇均設置於所述屏蔽罩，所述進風風扇用於自所述屏蔽罩之外部向所述屏蔽罩之內部吹風，所述出風風扇用於自所述屏蔽罩之內部向所述屏蔽罩之外部吹風。
如請求項4所述之測試設備，其中，所述進風風扇與所述出風風扇分別位於所述屏蔽罩不同之面上。
如請求項1所述之測試設備，其中，所述開關元件包括供電導電件與開關導電件，所述供電導電件固定於所述底座，且所述供電導電件與所述供電裝置電連接；所述開關導電件固定於所述屏蔽罩，且所述開關導電件與所述風扇組件電連接；<br/> 於所述屏蔽罩處於所述第一位置之情況下，所述供電導電件與所述開關導電件接觸，此時所述開關元件導通；於所述屏蔽罩處於所述第二位置之情況下，所述供電導電件與所述開關導電件分離，此時所述開關元件導斷開。
如請求項1所述之測試設備，其中，所述底座設置有測試電源，所述測試電源用於向所述測試物供電，所述開關元件與所述測試電源電連接。
如請求項1所述之測試設備，其中，所述測試設備還包括驅動组件，所述驅動组件連接於所述屏蔽罩，所述驅動组件用於驅使所述屏蔽罩相對所述底座移動至所述第一位置或所述第二位置。
如請求項1至8中任一項所述之測試設備，其中，所述屏蔽罩與所述底座沿第一方向滑動配合，所述屏蔽罩藉由沿所述第一方向滑動之方式移動至所述第一位置或所述第二位置。
如請求項9所述之測試設備，其中，所述屏蔽罩設置有安裝塊，所述安裝塊置有導向柱，所述導向柱沿第一方向延伸設置；所述底座設置有固定筒，所述導向柱插入所述固定筒之內部，並與所述固定筒沿所述第一方向滑動配合。
一種拉鉚裝置，用於對工件進行拉鉚，其改良在於，所述拉鉚裝置包括：<br/> 頂升組件，其被配置為可帶動所述工件沿第一方向移動，所述頂升組件包括第一定位件和第二定位件，沿第二方向，所述第一定位件和所述第二定位件中的至少一者可相對另一者移動，所述第一定位件和所述第二定位件用於共同支撐所述工件；<br/> 限位組件，其與所述頂升組件沿所述第一方向間隔設置，所述限位組件包括第一限位件和第二限位件，沿所述第二方向，所述第一限位件和所述第二限位件中的至少一者可相對另一者移動，所述第一限位件和所述第二限位件可分別抵持於所述工件在所述第二方向上的兩側，以對所述工件進行限位；<br/> 拉鉚機構，其設置於所述頂升組件在第三方向上的一側，所述拉鉚機構被配置為可對所述工件進行拉鉚，所述第一方向、所述第二方向與所述第三方向兩兩相交。
如請求項1所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述頂升組件還包括第一驅動件和第一安裝件，所述第一定位件連接於所述第一安裝件，所述第二定位件可移動地連接於所述第一安裝件，所述第一驅動件傳動連接所述第一安裝件，所述第一驅動件可驅動所述第一安裝件沿所述第一方向移動。
如請求項2所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述頂升組件還包括第三限位件，所述第三限位件連接於所述第一安裝件，所述第二定位件可在所述第二方向上抵持於所述第三限位件以被所述第三限位件限制在所述第二方向上的位移。
如請求項1所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述頂升組件還包括第二驅動件，所述第二驅動件傳動連接所述第二定位件，所述第二驅動件可驅動所述第二定位件沿所述第二方向移動。
如請求項1所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述限位組件還包括第二安裝件和連接件，所述第一限位件連接於所述第二安裝件，所述連接件可移動地連接於所述第二安裝件，所述第二限位件連接於所述連接件。
如請求項5所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述限位組件還包括第三驅動件，所述第三驅動件傳動連接所述連接件，所述第三驅動件可驅動所述連接件沿所述第二方向移動。
如請求項5所述的拉鉚裝置，其中： 所述限位組件還包括第四限位件，所述第四限位件連接於所述第二安裝件，所述連接件可在所述第二方向上抵持於所述第四限位件以被所述第四限位件限制在所述第二方向上的位移。
如請求項5所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述限位組件還包括第三定位件和第四定位件，所述第三定位件和所述第四定位件連接於所述第二安裝件，所述第三定位件或所述第四定位件可與所述工件連接以對所述工件進行定位。
如請求項1所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述拉鉚機構包括拉鉚組件和移動組件，所述移動組件包括第一移動件和第二移動件，所述第二移動件可移動地連接於所述第一移動件，所述第二移動件被配置為可相對所述第一移動件沿所述第二方向移動，所述拉鉚組件可移動地連接於所述第二移動件，所述拉鉚組件被配置為可相對所述第二移動件沿所述第一方向移動。
如請求項9所述的拉鉚裝置，其中：<br/> 所述拉鉚組件包括拉鉚件和第一檢測件，所述第一檢測件連接於所述拉鉚件，所述第一檢測件用於檢測所述拉鉚件上是否連接有鉚釘，所述拉鉚件用於對所述工件進行拉鉚。
一種拆屏模組，用於拆除電子設備之螢幕，其中，所述拆屏模組包括：<br/> 底座，設有複數連接部；<br/> 加熱平臺，連接於所述底座；及<br/> 至少一個吸盤，所述吸盤連接於複數所述連接部中之一個，所述吸盤被配置為吸附電子設備背離所述螢幕之一側，使所述加熱平臺對所述電子設備進行加熱。
如請求項1所述之拆屏模組，其中，所述加熱平臺設有加熱面，所述加熱面被配置為用於接觸並加熱所述電子設備；所述吸盤設有吸附端，所述吸附端被配置為吸附所述電子設備；<br/> 所述吸盤於自然狀態下時，所述吸附端凸伸於所述加熱面，且沿所述吸附端帶動所述電子設備朝向所述加熱平臺移動之方向，所述吸附端與所述加熱面之間距H滿足：3mm≤H≤25mm，於所述間距H範圍內，所述吸盤可調節地連接於所述連接部。
如請求項1所述之拆屏模組，其中，所述吸盤之數量為複數，複數所述吸盤被配置為採用獨立之負壓吸附所述電子設備，每個所述吸盤連接於複數所述連接部中之一個。
如請求項1至3中之任一項所述之拆屏模組，其中，所述吸盤為波紋吸盤。
如請求項1至3中之任一項所述之拆屏模組，其中，所述連接部為所述底座設置之螺紋孔與螺紋柱中之一個，所述吸盤設有與所述連接部螺紋配合之所述螺紋孔與所述螺紋柱中之另一個。
如請求項1至3中之任一項所述之拆屏模組，其中，所述底座設有止擋部，所述止擋部位於所述加熱平臺之一側，所述止擋部高出所述加熱平臺。
如請求項1至3中之任一項所述之拆屏模組，其中，所述加熱平臺可拆卸地連接於所述底座。
如請求項1至3中之任一項所述之拆屏模組，其中，所述加熱平臺設有避位口，所述避位口被配置為用於容置所述電子設備背離所述螢幕一側之凸起部分。
如請求項1或3所述之拆屏模組，其中，所述吸盤設有吸附端，所述吸附端被配置為接觸所述電子設備；所述吸附端之直徑D滿足：40mm≤D≤80mm。
一種拆屏模組，用於拆除電子設備之螢幕，其中，所述拆屏模組包括：<br/> 底座；<br/> 加熱平臺，連接於所述底座；及<br/> 至少一個吸盤，所述吸盤連接於所述底座，所述吸盤設有吸附端，所述吸附端被配置為接觸所述電子設備背離所述螢幕之一側，使所述電子設備吸附於所述加熱平臺，所述吸附端之直徑D滿足：40mm≤D≤80mm。
一種夾持裝置，用於夾持目標件，其改良在於，所述夾持裝置包括：<br/> 定位夾持組件，包括夾持驅動件、兩個夾爪及定位件；<br/> 所述定位件位於兩個所述夾爪中間，用於定位配合所述目標件；<br/> 兩個所述夾爪分別連接於所述夾持驅動件，並能夠在所述夾持驅動件之帶動下張開或合攏，用於夾持定位後之目標件；<br/> 轉動驅動組件，傳動連接所述定位夾持組件，用於帶動所述定位夾持組件轉動，以使所述定位件轉動至適配於目標件之角度。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述目標件具有定位孔，所述定位孔為非圓孔；<br/> 所述定位件包括第一桿段及定位頭，所述定位頭連接於所述第一桿段之末端，且所述定位頭之外周面之形狀與所述定位孔相適配；<br/> 兩個所述夾爪分別用於夾持在所述目標件之外周面之兩側。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述夾持驅動件包括固定部分及連接於固定部分之兩個活動夾指，兩個所述夾爪分別連接於兩個活動夾指，以在兩個活動夾指之帶動下張開或合攏；<br/> 所述定位夾持組件還包括安裝座及彈性件，所述安裝座設置於兩個所述夾爪之間；<br/> 所述定位件呈桿狀，並沿所述定位件之軸向可滑動地設置於所述安裝座；<br/> 所述彈性件沿所述定位件之軸向彈性地支撐所述定位件，用於對所述定位件施加遠離所述固定部分之彈性力。
如請求項3所述之夾持裝置，其中，<br/> 兩個所述夾爪分別包括第一連接部及夾持部，每一所述第一連接部連接於一個所述活動夾指；<br/> 兩個所述夾持部分別連接於兩個所述第一連接部，且分別向所述定位件一側延伸。
如請求項3所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述安裝座包括第一安裝塊及第二安裝塊；<br/> 所述第一安裝塊開設有安裝槽，所述安裝槽沿所述定位件之軸向延伸；<br/> 所述第二安裝塊包括第二連接部及延伸部，所述第二連接部連接所述第一安裝塊；所述延伸部連接於所述第二連接部並延伸至所述安裝槽背離所述固定部分一側；<br/> 所述延伸部開設有第一通孔，所述第一通孔沿所述定位件之軸向貫通所述延伸部；<br/> 所述定位件一端可滑動地設置於所述安裝槽，另一端沿所述定位件之軸向穿過所述第一通孔並伸出至所述第一通孔外；<br/> 所述彈性件沿所述定位件之軸向之兩端分別抵頂所述定位件及所述安裝槽之槽底面。
如請求項5所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述定位件包括定位頭、第一桿段及第二桿段，所述第一桿段連接於所述第二桿段沿所述定位件之軸向遠離所述安裝槽之槽底面一側；<br/> 所述第二桿段之截面面積大於所述第一桿段之截面面積；所述第一通孔配合於所述第一桿段之外周面，並將所述第二桿段限位於所述延伸部沿所述定位件之軸向朝向所述第一安裝塊一側之表面和所述安裝槽之槽底面之間。
如請求項3所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述夾持驅動件還包括限位塊，所述限位塊連接於所述固定部分，並沿所述定位件之軸向延伸至對應兩個所述活動夾指相對之外側，以限制兩個所述活動夾指張開之距離。
如請求項1所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述夾持裝置還包括第一基座及第二基座；<br/> 所述第二基座可轉動地連接於所述第一基座；<br/> 所述轉動驅動組件安裝於所述第一基座，並傳動連接所述第二基座，用於帶動所述第二基座轉動；<br/> 所述定位夾持組件安裝於所述第二基座，並能夠隨所述第二基座轉動。
如請求項8所述之夾持裝置，其中，<br/> 所述第一基座包括外延部，所述外延部開設有第二通孔，所述第二通孔沿所述定位件之軸向貫通所述外延部；<br/> 所述轉動驅動組件包括轉動驅動件及傳動桿，所述轉動驅動件設置於所述第一基座，所述傳動桿可轉動地配合於所述第二通孔，所述傳動桿沿所述定位件之軸向穿過所述外延部並連接至所述第二基座，以帶動所述第二基座轉動；<br/> 所述轉動驅動件傳動連接至所述傳動桿沿所述定位件之軸向遠離所述第二基座一端，以藉由所述傳動桿帶動所述第二基座轉動。
一種取料裝置，其改良在於，所述取料裝置包括：<br/> 承載組件，所述承載組件用於承載目標件；<br/> 如請求項1至9中任意一項所述之夾持裝置，用於定位夾持所述目標件並將所述目標件從所述承載組件取出。
一種光學成像系統包括： <br/>多個透鏡，沿著所述光學成像系統的光軸從所述多個透鏡的物體側向所述光學成像系統的成像平面依序設置；以及 <br/>反射構件，設置在所述多個透鏡的前方且具有反射表面， <br/>其中所述多個透鏡包括最靠近所述反射構件設置並具有正的折射力的第一透鏡和設置於相鄰所述第一透鏡的影像側並具有負的折射力的第二透鏡，且 <br/>滿足條件表達式60°＜FOV＜90°和1.3＜Fno＜1.7，其中FOV是所述光學成像系統的視場，且Fno是所述光學成像系統的F數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡包括至少兩個透鏡具有小於25的阿貝數和負的折射率。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式1.00＜TTL/f＜1.29，其中TTL是沿所述光軸從所述第一透鏡的物體側表面到所述成像平面的距離，且f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式0.5＜f1/f＜1.5和-3.5＜f2/f＜-1，其中f1是所述第一透鏡的焦距，f2是所述第二透鏡的焦距，f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式1.2＜f12/f＜1.6，其中f12是所述第一透鏡和所述第二透鏡的合成焦距，且f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡還包括設置在相鄰所述第二透鏡在所述第二透鏡影像側上的第三透鏡，且滿足條件表達式1.0＜f123/f＜1.9，其中f123是所述第一透鏡、所述第二透鏡和所述第三透鏡的合成焦距，且f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式0＜|f1/f2|＜0.6，其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f2是所述第二透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式0.05mm/°＜TTL/FOV＜0.2mm/°，其中TTL是沿所述光軸從所述第一透鏡的物體側表面到所述成像平面的距離。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式15＜v2＜25和30＜v1-v2＜60，其中v1是所述第一透鏡的阿貝數，且v2是所述第二透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡更包括設置在所述第二透鏡影像側與所述第二透鏡相鄰的第三透鏡，且 <br/>滿足條件表達式0＜|v1-(v2v3)|＜19，其中v1是所述第一透鏡的阿貝數，v2是所述第二透鏡的阿貝數，且v3是所述第三透鏡的阿貝數。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式-1.0＜(R1-R2)/(R1R2)＜-0.3，其中R1是所述第一透鏡的物體側表面的曲率半徑，且R2是所述第一透鏡的影像側表面的曲率半徑。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡更包括第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡和第七透鏡，且 <br/>所述第一透鏡、所述第二透鏡、所述第三透鏡、所述第四透鏡、所述第五透鏡、所述第六透鏡、所述第七透鏡沿所述光軸從所述第一透鏡的物體側向所述成像平面以遞增的編號順序依序設置。
如請求項12所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有正的折射力，所述第二透鏡具有負的折射力，所述第三透鏡具有負的折射力，所述第四透鏡具有正的折射力，所述第五透鏡具有負的折射力，所述第六透鏡具有正的折射力，且所述第七透鏡具有負的折射力。
如請求項12所述的光學成像系統，其中滿足下列條件表達式中的任一個或任兩個或多個的組合： <br/>4＜|f3/f|＜17， <br/>5＜|f4/f|＜3.5，和 <br/>2＜|f5/f|＜31， <br/>其中f3是所述第三透鏡的焦距，f4是所述第四透鏡的焦距，f5是所述第五透鏡的焦距，且f是所述光學成像系統的總焦距。
如請求項12所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式0＜|f1/f3|＜0.4，其中f1是所述第一透鏡的焦距，且f3是所述第三透鏡的焦距。
如請求項12所述的光學成像系統，其中滿足條件表達式0＜|f2/f3|＜0.7，其中f2是所述第二透鏡的焦距，且f3是所述第三透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡更包括第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡、第七透鏡和第八透鏡，且 <br/>所述第一透鏡、所述第二透鏡、所述第三透鏡、所述第四透鏡、所述第五透鏡、所述第六透鏡、所述第七透鏡、所述第八透鏡沿所述光軸從所述第一透鏡的物體側向所述成像平面以遞增的編號順序依序設置。
如請求項17所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有正的折射力，所述第二透鏡具有負的折射力，所述第三透鏡具有正的折射力，所述第七透鏡具有正的折射力，且所述第八透鏡具有負的折射力。
如請求項1所述的光學成像系統，更包括設置在所述第一透鏡的物體側表面和所述反射構件之間的光闌。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述多個透鏡中的最後面的透鏡具有彼此垂直且彼此相交以及相交所述光軸的長軸和短軸，且 <br/>所述長軸比所述短軸長。
一種定位模組，其主要包含有：<br/> 一基座，於中心位置設有一腔室，且周圍設有複數個通道，在每一通道壁面設有連通該腔室的通孔，且於每一通孔處置設一致動件；<br/> 一外殼體，係具備有一供該基座置入的容室，並讓該外殼體與該基座結合固定，在該容室對應該基座的每一通道處分別設有嵌槽孔，該嵌槽孔連通至外部，其中每一通道與每一嵌槽孔間所形成的空間可分別置入一定位桿，每一定位桿具有一凹環，並結合在一工件載台上； <br/> 一驅動機構，係包含有一活塞座且對應組設在該基座的腔室中，並與該腔室同一中心，該活塞座對應該基座每一通孔處分別設有供容置該致動件的作用槽，且該作用槽上緣設有斜面連通至該活塞座端面，經外力控制該驅動機構驅使每一致動件同步作動，以同步鬆放落入各該作用槽內或同步卡掣於各個定位桿之凹環鎖定，令該工件載台與該活塞座保持在同一中心；<br/> 其中，於該活塞座中央設有一安裝孔並對應組設一頂掣件，而該外殼體對應該頂掣件處設有一頂透孔，該頂透孔供該驅動機構作動時，令該活塞座帶動該頂掣件凸伸出該頂透孔頂推該工件載台脫離者。
如請求項1所述之定位模組，其中在該基座上設有至少一連通該腔室的氣孔，而該外殼體設有至少一輸導埠並與至少一氣孔連通，由該至少一輸導埠、該至少一氣孔導入外部介質於該腔室，以驅使該驅動機構作動。
如請求項1所述之定位模組，其中該驅動機構進一步包含有複數彈性件，係在該活塞座上設有複數孔，該孔對應容置該彈性件，且該彈性件一端抵掣於該外殼體。
如請求項1所述之定位模組，其中該外殼體上設有複數個供安裝定位的組設槽孔。
一種具一體成型自修復減噪層的自修復輪胎，其包含： <br/>一輪胎本體，其內部界定出一供容裝一車輪輪框的空心空間； <br/>一輪胎接地面，其是設置於該輪胎本體的一外周面； <br/>一輪胎內面，其是相對於該輪胎接地面設置於該輪胎本體內部，且該輪胎內面包含一環圈狀的內頂壁及由該內頂壁兩側延伸的二內側壁；及 <br/>一自修復減噪層，其是由一流體狀的自修復減噪層材料環圈狀連續地鋪設並凝固成型於該輪胎內面的該內頂壁上，該自修復減噪層為密度介於0.7gm/cc至1.8gm/cc的一體成型的發泡體或一體成型的非發泡體；其中該自修復減噪層材料是由一第一劑及一第二劑所混合組成且該第一劑及該第二劑在該自修復減噪層材料中的重量比是1:0.6至1.4，該第一劑為氫氧價10至50的聚醚多元醇（Polyether polyol）45wt%至70wt%、多元醇樹脂（Polyol Resin）30wt%至55wt%及調色用顏料0wt%至3wt%，該第二劑為NCO值為1.5%至32.5%的異氰酸酯預聚合物（Isocyanate Prepolymer）； <br/>其中該自修復輪胎是藉由包含以下步驟的方法所製成： <br/>步驟S1：提供一輪胎驅動裝置，用以驅動該輪胎本體直立地進行轉動； <br/>步驟S2：提供一流體狀材料灌注裝置，該流體狀材料灌注裝置內包含有該自修復減噪層材料；其中該流體狀材料灌注裝置設有一灌注頭供用以將該流體狀材料灌注裝置內的該自修復減噪層材料對外灌注；及 <br/>步驟S3：利用該灌注頭將該自修復減噪層材料灌注並鋪設於該輪胎本體轉動中的該內頂壁上至少一環圈，藉由該輪胎本體轉動所產生的一離心力，使該自修復減噪層材料於該內頂壁上擴散形成一體成型的發泡體或一體成型的非發泡體，並使該自修復減噪層材料於該內頂壁上凝固成型為該自修復減噪層，藉此製作出該自修復輪胎。
如請求項1所述之自修復輪胎，其中該自修復減噪層的厚度為1mm以上。
如請求項1所述之自修復輪胎，其中在步驟S2中，該流體狀材料灌注裝置更包含有一攪拌容器、一第一劑容器、一第二劑容器及一控制單元，該攪拌容器供容裝來自於該第一劑容器所提供的該第一劑及該第二劑容器所提供的該第二劑並攪拌形成該自修復減噪層材料，該控制單元是供用以控制該流體狀材料灌注裝置。
一種具一體成型自修復減噪層的自修復輪胎，其包含： <br/>一輪胎本體，其內部界定出一供容裝一車輪輪框的空心空間； <br/>一輪胎接地面，其是設置於該輪胎本體的一外周面； <br/>一輪胎內面，其是相對於該輪胎接地面設置於該輪胎本體內部，且該輪胎內面包含一環圈狀的內頂壁及由該內頂壁兩側延伸的二內側壁； <br/>至少一自修復減噪層，各該自修復減噪層是由一流體狀的自修復減噪層材料環圈狀連續地鋪設並凝固成型於該輪胎內面的該內頂壁處，各該自修復減噪層為密度介於0.7gm/cc至1.8gm/cc的一體成型的發泡體或一體成型的非發泡體；其中該自修復減噪層材料是由一第一劑及一第二劑所混合組成且該第一劑及該第二劑在該自修復減噪層材料中的重量比是1:0.6至1.4，該第一劑為氫氧價10至50的聚醚多元醇（Polyether polyol）45wt%至70wt%、多元醇樹脂（Polyol Resin）30wt%至55wt%及調色用顏料0wt%至3wt%，該第二劑為NCO值為1.5%至32.5%的異氰酸酯預聚合物（Isocyanate Prepolymer）；及 <br/>至少一減噪層，各該減噪層是由一流體狀的減噪層材料環圈狀連續地鋪設並凝固成型於該輪胎內面的該內頂壁處； <br/>其中各該自修復減噪層更是與各該減噪層相互堆疊且連結地凝固成型於該輪胎內面的該內頂壁處，而使各該自修復減噪層更是與各該減噪層形成一前一層與一後一層的對應關係的一多層式結構體； <br/>其中該自修復輪胎是藉由包含以下步驟的方法所製成： <br/>步驟S1：提供一輪胎驅動裝置，用以驅動該輪胎本體直立地進行轉動； <br/>步驟S2：提供至少一流體狀材料灌注裝置，各該流體狀材料灌注裝置內包含有該自修復減噪層材料或該減噪層材料；其中該流體狀材料灌注裝置設有一灌注頭供用以將該流體狀材料灌注裝置內的該自修復減噪層材料或該減噪層材料對外灌注；及 <br/>步驟S3：利用各該灌注頭將該自修復減噪層材料或該減噪層材料交替地灌注並鋪設於該輪胎本體轉動中的該內頂壁上分別至少一環圈，並藉由該輪胎本體轉動所產生的一離心力，使該自修復減噪層材料或該減噪層材料於該內頂壁處擴散形成一體成型的發泡體或一體成型的非發泡體，且使該自修復減噪層材料及該減噪層材料於該內頂壁處相互堆疊且連結地凝固成型為由至少一該自修復減噪層及至少一該減噪層所構成的該前一層與該後一層的對應關係的該多層式結構體，藉此製作出該自修復輪胎。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中在該步驟S3中，當該後一層的材料在灌注鋪設於該前一層上時，進一步是在該前一層的材料經過一凝固成型等待時間以形成為該前一層之後，才將該後一層的材料灌注鋪設於該前一層上。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中在該步驟S3中，該多層式結構體進一步包含二層式堆疊的結構體或三層式堆疊的結構體。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中該自修復減噪層的厚度為1mm以上。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中該減噪層材料是由一第一劑及一第二劑所混合組成；其中在步驟S2中，各該流體狀材料灌注裝置更包含有一攪拌容器、一第一劑容器、一第二劑容器及一控制單元，該攪拌容器供容裝來自於該第一劑容器所提供該自修復減噪層材料或該減噪層材料的該第一劑，以及該第二劑容器所提供的該自修復減噪層材料或該減噪層材料的該第二劑，並攪拌形成該自修復減噪層材料或該減噪層材料，該控制單元是供用以控制該流體狀材料灌注裝置。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中形成該減噪層材料的材料組成包含三官能基聚醚多元醇（Tri-functional Polyether Polyol）8.8wt%、共聚三官能基聚醚多元醇（Graft Tri-functional Polyether Polyol）12wt%、雙官能基聚醚多元醇（Di-functional Polyether Polyol）24wt%、異氰酸酯（Isocyanate）20wt%、充填劑32wt%、防沉劑0.8wt%、催化劑0.24wt%及脫水劑2.16wt%。
如請求項4所述之自修復輪胎，其中當各該減噪層是一體成型非發泡體時，各該減噪層的厚度為1mm至100mm；其中當各該減噪層是一體成型的發泡體時，各該減噪層的厚度為0.5mm至50mm。
一種偵測過期不久食物是否可食用的偵測機器，包含：<br/> 攝影模組，用以取得食物影像；<br/> 影像處理模組，連接於該攝影模組，用以分析食物影像；<br/> LED模組，電連接於該影像處理模組，用以發出警示光；及<br/> 充電電池模組，包含USB接頭，電連接於該攝影模組、該影像處理模組及該LED模組，用以供電。
如請求項1所述之偵測過期不久食物是否可食用的偵測機器，其中更包含無線連接模組，電連接於該攝影模組、該影像處理模組及該充電電池模組，用以無線連接外部裝置。
一種天然成分的保溫瓶清潔錠，包含：<br/> 第一清潔部，包含食品學上可接受之檸檬酸；<br/> 第二清潔部，連接於該第一清潔部，包含食品學上可接受之香料。
如請求項1所述之天然成分的保溫瓶清潔錠，其中該第二清潔部更包含食品學上可接受之甘味劑。
一種背板連接器組件，其中，包括：第一背板連接器以及與前述第一背板連接器相配合的第二背板連接器，其中：<br/> 前述第一背板連接器包括第一端子模組，前述第一端子模組包括複數第一導電端子以及至少部分環繞設置在前述第一導電端子之外的第一屏蔽套筒；前述第一導電端子包括第一接觸部；<br/> 前述第二背板連接器包括第二端子模組，前述第二端子模組包括複數第二導電端子以及至少部分環繞設置在前述第二導電端子之外的第二屏蔽套筒；前述第二導電端子包括第二接觸部；<br/> 當前述第一背板連接器與前述第二背板連接器沿對接方向對接時，前述第一屏蔽套筒與前述第二屏蔽套筒相互靠近，前述第一導電端子的第一接觸部與前述第二導電端子的第二接觸部相接觸。
如請求項1所述的背板連接器組件，其中：當前述第一背板連接器與前述第二背板連接器對接到位後，前述第一屏蔽套筒與前述第二屏蔽套筒沿前述對接方向不直接接觸。
如請求項1所述的背板連接器組件，其中：前述第一背板連接器包括延伸屏蔽殼體組件，前述延伸屏蔽殼體組件設有四周環繞式的屏蔽腔體；<br/> 當前述第一背板連接器與前述第二背板連接器沿前述對接方向對接時，前述第二屏蔽套筒至少部分插入前述屏蔽腔體中。
如請求項3所述的背板連接器組件，其中：前述第一屏蔽套筒與前述第二屏蔽套筒藉由前述延伸屏蔽殼體組件間接連接在一起。
如請求項3所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件與前述第一屏蔽套筒始終接觸，前述第一屏蔽套筒至少部分位於前述屏蔽腔體中。
如請求項3所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括：<br/> 第一延伸屏蔽片；<br/> 第二延伸屏蔽片，前述第一延伸屏蔽片與前述第二延伸屏蔽片相對設置；<br/> 第一連接屏蔽片；以及<br/> 第二連接屏蔽片，前述第一連接屏蔽片與前述第二連接屏蔽片相對設置；前述屏蔽腔體由前述第一延伸屏蔽片、前述第二延伸屏蔽片、前述第一連接屏蔽片以及前述第二連接屏蔽片共同圍成。
如請求項6所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括暴露於前述屏蔽腔體中的第一彈片，前述第一彈片配置為與前述第二背板連接器相抵接。
如請求項7所述的背板連接器組件，其中：前述第一彈片與前述第一連接屏蔽片分體設置；前述第一彈片包括固定於前述第一連接屏蔽片的第一固定部、自前述第一固定部的一端延伸而成的第一彈臂以及自前述第一固定部的另一端延伸而成的第二彈臂；前述第一彈臂以及前述第二彈臂均凸伸入前述屏蔽腔體中，以與前述第二背板連接器相抵接。
如請求項8所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括第二彈片，前述第二彈片與前述第一連接屏蔽片分體設置；前述第二彈片包括固定於前述第一連接屏蔽片的第二固定部、自前述第二固定部的一端延伸而成的第三彈臂以及自前述第二固定部的另一端延伸而成的第四彈臂；前述第三彈臂以及前述第四彈臂凸伸入前述屏蔽腔體中，以始終與前述第一屏蔽套筒相接觸。
如請求項9所述的背板連接器組件，其中：前述第一彈臂、前述第二彈臂、前述第三彈臂以及前述第四彈臂沿前述對接方向依次佈置。
如請求項6所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括第三彈片，前述第三彈片與前述第二連接屏蔽片分體設置，前述第三彈片包括固定於前述第二連接屏蔽片的第三固定部、自前述第三固定部的一端延伸而成的第五彈臂以及自前述第三固定部的另一端延伸而成的第六彈臂，前述第五彈臂以及前述第六彈臂配置為與前述第二背板連接器相抵接。
如請求項11所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括第四彈片，前述第四彈片與前述第二連接屏蔽片分體設置，前述第四彈片包括固定於前述第二連接屏蔽片的第四固定部、自前述第四固定部的一端延伸而成的第七彈臂以及自前述第四固定部的另一端延伸而成的第八彈臂；前述第七彈臂以及前述第八彈臂凸伸入前述屏蔽腔體中，以始終與前述第一屏蔽套筒相接觸。
如請求項12所述的背板連接器組件，其中：前述第五彈臂、前述第六彈臂、前述第七彈臂以及前述第八彈臂沿前述對接方向依次佈置。
如請求項6所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括第一抵接彈片，前述第一抵接彈片與前述第一延伸屏蔽片分體設置，前述第一抵接彈片包括固定於前述第一延伸屏蔽片的第一固持部、自前述第一固持部的一端延伸而成的第一抵接彈臂以及自前述第一固持部的另一端延伸而成的第二抵接彈臂；前述第一抵接彈臂以及前述第二抵接彈臂配置為與前述第二背板連接器相抵接。
如請求項6所述的背板連接器組件，其中：前述延伸屏蔽殼體組件包括第二抵接彈片，前述第二抵接彈片與前述第二延伸屏蔽片分體設置，前述第二抵接彈片包括固定於前述第二延伸屏蔽片的第二固持部、自前述第二固持部的一端延伸而成的第三抵接彈臂、自前述第二固持部的另一端延伸而成的第四抵接彈臂；前述第三抵接彈臂以及前述第四抵接彈臂配置為與前述第二背板連接器相抵接。
如請求項1所述的背板連接器組件，其中：前述第一背板連接器包括：<br/> 絕緣支架，前述第一導電端子固定於前述絕緣支架； <br/> 第一金屬屏蔽片，前述第一金屬屏蔽片位於前述絕緣支架的一側；以及<br/> 第二金屬屏蔽片，前述第二金屬屏蔽片位於前述絕緣支架的另一相對側；<br/> 前述第一屏蔽套筒與前述第一金屬屏蔽片和/或前述第二金屬屏蔽片相接觸。
如請求項16所述的背板連接器組件，其中：前述第一金屬屏蔽片包括第一主體部以及自前述第一主體部延伸的第一延伸部；<br/> 前述第二金屬屏蔽片包括第二主體部以及自前述第二主體部延伸的第二延伸部；<br/> 前述第一屏蔽套筒至少部分套接在前述第一延伸部以及前述第二延伸部上。
如請求項1所述的背板連接器組件，其中：前述第一背板連接器包括第一線纜模組，前述第一線纜模組包括前述第一導電端子以及與前述第一導電端子相連的第一線纜；<br/> 前述第一屏蔽套筒至少部分套接在前述第一線纜模組上。
如請求項3所述的背板連接器組件，其中：前述第一背板連接器包括第一殼體，前述第一端子模組設置於前述第一殼體；<br/> 前述第一導電端子包括第一訊號端子以及第二訊號端子，前述第一訊號端子的第一接觸部以及前述第二訊號端子的第一接觸部均延伸凸出前述第一屏蔽套筒，且前述第一訊號端子的第一接觸部以及前述第二訊號端子的第一接觸部均凸伸入前述延伸屏蔽殼體組件的屏蔽腔體中；<br/> 前述第二背板連接器包括第二殼體，前述第二端子模組設於前述第二殼體。
如請求項1所述的背板連接器組件，其中：前述第一屏蔽套筒與前述第二屏蔽套筒沿垂直於前述對接方向的上下方向上的高度相同。
一種智慧復健系統，係包含： <br/>一訓練資料庫，係用於儲存複數個標籤及分別對應於該些標籤的複數個訓練策略； <br/>一處理模組，係與該訓練資料庫連接，該處理模組用於接收一病患的一復健評估量表，並分析該復健評估量表的複數個關鍵詞，以根據該些關鍵詞由該些標籤中選擇一部分，以產生複數個選定的標籤及與該些選定的標籤對應的該些訓練策略；以及 <br/>一顯示器，係與該處理模組連接，並用於顯示該些選定的標籤對應的該些訓練策略；以及 <br/>一輸入模組，係與該處理模組連接，並用於調整該些選定的標籤對應的該些訓練策略。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中各個該訓練策略包括一訓練處方。
如請求項2所述之智慧復健系統，其中各個該訓練策略還包括一訓練影片。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中該復健評估量表包括一功能分級表，該處理模組用於將該功能分級表的分級結果做為該關鍵詞，並根據該關鍵詞選擇該些標籤中之一，以產生該選定的標籤及與該選定的標籤對應的該訓練策略。
如請求項4所述之智慧復健系統，其中該處理模組用於根據該功能分級表的分級結果產生一輔具建議，並通過該顯示器顯示該輔具建議。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中該復健評估量表包括一功能分級表，該功能分級表包括複數個功能項目，且各個該功能項目具有一目標值及一實際能力值，該處理模組用於在該實際能力值小於該目標值時將該功能項目做為該關鍵詞，並根據該關鍵詞選擇該些標籤中之一，以產生該選定的標籤及與該選定的標籤對應的該訓練策略。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中該處理模組用於根據該病患的的資料及對應於該病患的該些選定的標籤產生一個案管理頁面。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中該處理模組用於根據該些標籤及分別對應於該些標籤的該些訓練策略產生一標籤管理頁面。
如請求項8所述之智慧復健系統，其中該輸入模組用於調整該標籤管理頁面。
如請求項1所述之智慧復健系統，其中該處理模組與一輔具銷售平台連接，並通過該顯示器顯示該輔具銷售平台的一銷售頁面。
一種拆除工具，用來扣接一電子元件，該拆除工具包含有：<br/> 一桿件，包含一本體、與相對於該本體彎折的至少一突出部；<br/> 至少一插銷，設置在該至少一突出部，用以插入該電子元件之至少一導孔；以及<br/> 至少一限位件，以可旋轉方式設置在該桿件，該至少一限位件旋轉到鄰近或對齊該至少一插銷之一位置，該至少一限位件係可分離地止抵於該電子元件之相對於該至少一突出部的一表面。
如請求項1所述之拆除工具，其中該桿件進一步包含一握持部，設置在該本體上，對應該電子元件的一受力點。
如請求項1所述之拆除工具，其中該本體包含可相對滑行的n個區段，n為大於或等於2之正整數，該至少一突出部包含二個突出部，分別設置在該n個區段之一第一區段和一第n區段。
如請求項1所述之拆除工具，其中該本體具有一定位孔，套接於一蓋板之一定位柱，以將該拆除工具固定在該蓋板上。
如請求項1所述之拆除工具，其中該至少一限位件包含一轉軸部以及一止擋部，該轉軸部樞接於該桿件，該止擋部設置在該轉軸部之一第一軸端。
如請求項5所述之拆除工具，其中該至少一限位件進一步包含一緩衝墊片，設置在該止擋部。
如請求項5所述之拆除工具，其中該至少一限位件進一步包含一推抵部，設置在該轉軸部之一第二軸端。
如請求項7所述之拆除工具，其中該止擋部之一結構縱向和該推抵部之一結構縱向的一夾角實質小於一百八十度。
如請求項5所述之拆除工具，其中該至少一限位件進一步包含一拘束部，設置在靠近該轉軸部的位置，並相對於該止擋部彎折。
如請求項1所述之拆除工具，其中該拆除工具進一步包含一扭簧，該扭簧之兩相對端分別止抵該桿件與該至少一限位件。
一種電子裝置，其包含有：<br/> 一機殼，該機殼內之一容置空間係設置至少一電子元件；<br/> 一蓋板，覆蓋於該機殼以封住該容置空間；以及<br/> 一拆除工具，以可分離方式安裝在該蓋板，用來將該至少一電子元件自該機殼拆離或組裝到該機殼內，該拆除工具包含有：<br/> 一桿件，包含一本體、與相對於該本體彎折的至少一突出部；<br/> 至少一插銷，設置在該至少一突出部，用以插入該至少一電子元件之至少一導孔；以及<br/> 至少一限位件，以可旋轉方式設置在該桿件，該至少一限位件旋轉到鄰近或對齊該至少一插銷之一位置，該至少一限位件係可分離地止抵於該至少一電子元件之相對於該至少一突出部的一表面。
如請求項11所述之電子裝置，其中該桿件進一步包含一握持部，設置在該本體上，對應該至少一電子元件的一受力點。
如請求項11所述之電子裝置，其中該本體包含可相對滑行的n個區段，n為大於或等於2之正整數，該至少一突出部包含二個突出部，分別設置在該n個區段之一第一區段和一第n區段。
如請求項11所述之電子裝置，其中該本體具有一定位孔，套接於該蓋板之一定位柱，以將該拆除工具固定在該蓋板上。
如請求項11所述之電子裝置，其中該至少一限位件包含一轉軸部以及一止擋部，該轉軸部樞接於該桿件，該止擋部設置在該轉軸部之一第一軸端。
如請求項15所述之電子裝置，其中該至少一限位件進一步包含一緩衝墊片，設置在該止擋部。
如請求項15所述之電子裝置，其中該至少一限位件進一步包含一推抵部，設置在該轉軸部之一第二軸端。
如請求項17所述之電子裝置，其中該止擋部之一結構縱向和該推抵部之一結構縱向的一夾角實質小於一百八十度。
如請求項15所述之電子裝置，其中該至少一限位件進一步包含一拘束部，設置在靠近該轉軸部的位置，並相對於該止擋部彎折。
如請求項11所述之電子裝置，其中該拆除工具進一步包含一扭簧，該扭簧之兩相對端分別止抵該桿件與該至少一限位件。
一種連接線，其包含：<br/> 一編織層，由多個矽膠線材所編織形成，所述編織層的外緣直徑小於0.55公分，各所述矽膠線材具有八個矽膠線錠，並且各所述矽膠線錠包含N個矽膠股線，N為2至6之間的正整數；<br/> 一絕緣層，被所述編織層包覆，所述絕緣層具有一容置空間；<br/> 多個導線及多個接地線，設置於所述容置空間內；以及<br/> 兩個連接埠，分別連接於多個所述導線與多個所述接地線的兩端。
如請求項1所述的連接線，其中，N為6。
如請求項1所述的連接線，其中，多個所述導線包含四個鐵氟龍導線、以及兩個熱塑性聚酯彈性體導線，四個所述鐵氟龍導線彼此間隔地配置，並且四個所述鐵氟龍導線之間配置兩個所述熱塑性聚酯彈性體導線。
如請求項3所述的連接線，其中，相鄰的任兩個所述鐵氟龍導線之間配置一個所述接地線。
如請求項4所述的連接線，其中，所述連接線還包含多個填充線，各所述填充線配置相鄰的所述接地線、所述鐵氟龍導線與所述熱塑性聚酯彈性體導線之間、或相鄰的所述接地線與所述鐵氟龍導線之間。
如請求項5所述的連接線，其中，多個所述填充線包含多個第一尼龍繩、及多個第二尼龍繩，各所述第一尼龍繩的丹尼（Denier）大於各所述第二尼龍繩的丹尼（Denier），各所述第一尼龍繩配置於相鄰的所述接地線與所述鐵氟龍導線之間，各所述第二尼龍繩配置於相鄰的所述接地線、所述鐵氟龍導線與所述熱塑性聚酯彈性體導線之間。
如請求項3所述的連接線，其中，四個所述鐵氟龍導線定義有兩個第一鐵氟龍導線及兩個第二鐵氟龍導線，各所述第一鐵氟龍導線的內徑大於各所述第二鐵氟龍導線的內徑，並且各所述熱塑性聚酯彈性體導線的內徑介於所述第一鐵氟龍導線的內徑與所述第二鐵氟龍導線的內徑之間。
如請求項7所述的連接線，其中，所述熱塑性聚酯彈性體導線的內徑為所述第二鐵氟龍導線的內徑的120％至130％，所述第一鐵氟龍導線的內徑為所述第二鐵氟龍導線的內徑的155％至165％之間。
如請求項7所述連接線，其中，各所述接地線的導體的總截面積大於各所述第一鐵氟龍導線的導體的總截面積，各所述第一鐵氟龍導線的導體的總截面積大於各所述第二鐵氟龍導線的導體的總截面積與各所述熱塑性聚酯彈性體導線的導體的總截面積。
如請求項9所述連接線，其中，各所述第二鐵氟龍導線的導體的總截面積與各所述熱塑性聚酯彈性體導線的導體的總截面積相等；各所述第一鐵氟龍導線的導體的總截面積為各所述第二鐵氟龍導線的導體的總截面積、或各所述熱塑性聚酯彈性體導線的導體的總截面積的465％至505％之間，各所述接地線的導體的總截面積為各所述第二鐵氟龍導線的導體的總截面積、或各所述熱塑性聚酯彈性體導線的導體的總截面積的585％至625％之間。
一種組配式碗組結構，其包含一止動環、一抵靠環、一螺鎖結構、一夾持環以及一軸承，該止動環、該抵靠環、該夾持環以及該軸承軸向地對應設置，其中：<br/> 該止動環外周面之至少一部分與該抵靠環內周面之至少一部分形成該螺鎖結構相互螺鎖以固定該軸承；以及<br/> 該軸承包含可相對轉動一外圈以及一內芯圈，該外圈與該內芯圈分別與該止動環以及該夾持環結合設置。
如請求項1所述之組配式碗組結構，該止動環包含至少一緊固結構，該緊固結構包含一柱狀體或是凹設的一凹槽。
如請求項2所述之組配式碗組結構，該緊固結構設置於該止動環表面之至少一部分。
如請求項1所述之組配式碗組結構，該止動環之內周面形成一第一環斜面與該外圈對應設置。
如請求項2所述之組配式碗組結構，該柱狀體或該凹槽之一截面包含多角形、圓形或特殊形狀(如：弧形、橢圓形)。
如請求項1所述之組配式碗組結構，該夾持環之一環內徑略大於一前叉軸管之一管徑。
如請求項1所述之組配式碗組結構，該夾持環之外周面形成一第二環斜面與該內芯圈對應設置。
如請求項1至7任一項中所述之組配式碗組結構，該抵靠環內周面之至少一部分凹設形成一固定凹槽，該固定凹槽容納該軸承套設其中。
如請求項8所述之組配式碗組結構，該夾持環外周面之至少一部分徑向地凸設至少一限位凸肋，該抵靠環對應該限位凸肋於該抵靠環之內周面凹設有至少一限位凹槽。
如請求項9所述之組配式碗組結構，該限位凹槽容納該限位凸肋於其中並提供一滑動空間予該限位凸肋滑移。
一種焙烤用鏟，包括：<br/> 一鏟柄，為管狀，中心形成為一容置空間；<br/> 一主鏟片，連接該鏟柄的一端，一面為一鏟面，另一面為一底面；<br/> 一伸縮鏟片，設置於該底面；<br/> 一擋板，設置於該鏟面，並藉由一連接桿連接於該鏟柄；<br/> 一伸縮機構，設置於該容置空間，朝該主鏟片側延伸以連接該伸縮鏟片，並包含：<br/> 一伸縮件，設置於該容置空間，一端連接該伸縮鏟片，另一端凸出該容置空間；<br/> 一握把，連接該伸縮件遠離該鏟片的一端，並且凸出該容置空間；<br/> 一第一擋片，設置於該伸縮件遠離該主鏟片的一端；<br/> 一第二擋片，設置於該容置空間靠近該主鏟片的一端，並且形成有一孔洞以供該伸縮件穿過；以及<br/> 一彈簧，設置於該容置空間，並位於該第一擋片與該第二擋片之間；<br/> 其中，該握把朝該主鏟片推動時，該第一擋片壓縮該彈簧，並且該伸縮鏟片朝遠離該主鏟片的方向凸出。
如請求項1所述的焙烤用鏟，還包括一釋放機構，設置於該鏟柄的外表面，並具有：<br/> 一樞轉支點，設置於該鏟柄的外表面；<br/> 一按壓桿，樞轉地連接該樞轉支點；<br/> 一插銷，設置於該按壓桿的一端；以及<br/> 一彈性元件，設置於該按壓桿的另一端；<br/> 其中，該樞轉支點連接該按壓桿的位置為該插銷與該彈性元件之間，使該插銷朝該鏟柄軸心靠近；<br/> 其中，該伸縮件連接該伸縮鏟片的一端與該第二擋片之間形成扁平狀的一扁平部；以及<br/> 其中，該鏟柄與該扁平部均具有一插孔，該鏟柄的該插孔設置於該插銷與該鏟柄的接觸點上，並且當該握把朝遠離該主鏟片的方向推動時，該等插孔的對齊以供該插銷穿過。
如請求項2所述的焙烤用鏟，其中，該連接桿設置有一調整孔，該鏟柄對應該調整孔的位置設置有一螺孔；<br/> 其中，藉由一緊固件穿過該調整孔鎖入該螺孔，從而固定該擋板與該鏟柄的相對距離。
如請求項3所述的焙烤用鏟，其中，該伸縮鏟片在該鏟柄軸向的相對兩側均設置有一導引側邊，該等導引側邊的內側面為該主鏟片的邊緣。
如請求項4所述的焙烤用鏟，其中，該主鏟片在該鏟柄軸向的兩側以及靠近該鏟柄的一側均設置有一立邊；<br/> 其中，該鏟柄軸向的兩側的該等立邊的外側面與該導引側邊接觸，用以輔助導引該伸縮鏟片。
一種智慧型斷路系統，安裝於配電箱（AC box）中，該智慧型斷路系統包括： <br/> 一主電路切換模組，包含一跳脫單元與一電控開關，其中該跳脫單元於一瞬時跳脫條件下，切斷火線與負載之間的該電控開關；<br/> 一監控模組，實時感測該智慧型斷路系統內電流、電壓與溫度，並根據該電流與該電壓計算使用功率與用電量，以及存儲該使用功率與該用電量的歷史紀錄，以根據該歷史紀錄判斷實時感測的該電流、該電壓或該溫度是否對應一用電異常狀況，該監控模組又包含一漏電感測單元或一溫度感測單元，其中當該漏電感測單元所感測的一漏電值超過一漏電閾值、或者當該溫度感測單元所感測的該溫度高於一危險溫度時，該控制與通訊模組進行控制該電控開關以切斷該火線與該負載之間的電性導通；<br/> 一控制與通訊模組，當感測到該用電異常狀況、或接收到一遠端用戶指令，傳送至該主電路切換模組，經由控制該電控開關進行切斷該火線與該負載之間的電性導通；以及<br/> 一電源供應模組，用以提供該智慧型斷路系統內部所需電力；<br/> 其中，該監控模組又包含一資料存儲單元，存儲該使用功率與該用電量，以產生一用電行為模型，其中當實時感測的該使用功率與該用電量，與該用電行為模型的預估值間相差超過一預設值，判斷屬於一用電異常狀態，該監控模組包含設置於該火線與地線之間之一共模感測電路，用以感測並分析流經其中線路的60Hz交流共模電流，進行判斷漏電或接地異常；其中，當該交流共模電流大於一預設共模電流閾值時，判定為一共模干擾狀態，<br/> 該控制與通訊模組包含一主控制器與一無線通訊單元，該無線通訊單元包含至少一數位通訊介面與一通訊訊號保護單元，該通訊訊號保護單元設於該數位通訊介面與主控制器之間，該通訊訊號保護單元包含一數位訊號隔離器與一共模濾波器，用以防止經由該通訊訊號保護單元之共模干擾進入該主控制器。
如請求項1所述之智慧型斷路系統，其中該用電異常狀態包含一火災預判條件，該監控模組感測到該漏電值與該溫度中符合該火災預判條件時，藉由該控制與通訊模組觸發一智慧門鎖進行解鎖開門，以輔助緊急逃生。
如請求項1所述之智慧型斷路系統，其中該控制與通訊模組中的該無線通訊單元支援Zigbee、Thread、Wi-Fi、Matter協定，並可藉由韌體堆疊進行協定選擇或透過閘道器轉換協定。
如請求項1所述之智慧型斷路系統，其中該主控制器所連線的一種智慧門鎖裝置，包括：<br/> 一鎖具模組，包括：<br/> 一殼體，其一第一側開設有一第一穿孔；<br/> 一電磁電控鎖，設置在該殼體內，且具有至少一個第一鎖舌件穿出該殼體的前側；<br/> 至少一個第二鎖舌件，設置在該殼體內，且穿出該殼體的前側；以及<br/> 一第一驅動單元，設置在該殼體內，且動力耦接(power coupling to)該第二鎖舌件，用以驅動該第二鎖舌件前進或後退；<br/> 一第一把手模組，包括：<br/> 一第一容置體；<br/> 一第一把手，包括一第一連接部與一第一握持部，且該第一握持部連接至該第一容置體的前側；<br/> 一第一傳動軸，穿過該第一容置體的前側與後側從而連接該第一把手的該第一連接部，並穿過該第一穿孔從而連接該第一驅動單元；<br/> 一電源供應單元，耦接於該主電路切換模組，該電源供應單元設置在該第一容置體內；以及<br/> 一第一控制與處理單元，耦接該主控制器、該電源供應單元與該電磁電控鎖，且包括一處理器、一無線信號處理器、一控制器、以及一記憶體；<br/> 其中，該記憶體儲存有至少一應用程式，且該處理器執行該應用程式從而被配置以執行：<br/> 依據接收自一用戶端電子裝置的一第一無線信號，使能該控制器控制該電磁電控鎖的該第一鎖舌件後退；以及<br/> 依據接收自該用戶端電子裝置的一第二無線信號，使能該控制器控制該電磁電控鎖的該第一鎖舌件前進。
如請求項4所述之智慧型斷路系統，其中，該處理器還被配置以執行：<br/> 透過該無線信號處理器與該用戶端電子裝置傳輸一配對無線信號；<br/> 依據該配對無線信號的一信號強度估測該用戶端電子裝置與該第一把手模組之間的一距離；<br/> 在該距離小於一預設定的開鎖距離的情況下，使能該控制器控制該電磁電控鎖的該第一鎖舌件後退；以及<br/> 在該距離大於一預設定的上鎖距離的情況下，使能該控制器控制該電磁電控鎖的該第一鎖舌件前進。
如請求項4所述之智慧型斷路系統，係更包括一第二把手模組，且該第二把手模組包括：<br/> 一第二容置體，具有一穿孔；<br/> 一第二把手，包括一第二連接部與一第二握持部，且該第二握持部連接至該第二容置體的前側；<br/> 一第二傳動軸，穿過該第二容置體的後側與前側從而連接該第二把手的該第二連接部；以及<br/> 一旋鈕單元，具有一轉動件與連接至該轉動件底部的一驅動件；<br/> 其中，該殼體的一第二側開設有一第二穿孔，該第二側與該第一側相對且相距一距離，且該第二傳動軸同時穿過該第二穿孔以連接該第一驅動單元；<br/> 其中，該殼體的該第一側還開設有一第三穿孔，且該驅動件穿過該穿孔和該第三穿孔從而連接該第一驅動單元。
如請求項6所述之智慧型斷路系統，其中，該記憶體還儲存有至少一個用戶指紋圖像、至少一個用戶臉部圖像、及/或至少一用戶虹膜圖像，且該第一把手模組更包括：<br/> 一指紋識別單元，設置在該第一容置體內以耦接該電源供應單元與該處理器，且其一指紋採集部係經由該第一容置體的前側或該第一把手的該第一握持部執行指紋採集作業；<br/> 一攝像單元，設置在該第一容置體內以耦接該電源供應單元與該處理器，且以其一攝像鏡頭露出於該第一容置體之外；<br/> 其中，且該處理器還被配置以執行：<br/> 接收該指紋識別單元傳送的一採集指紋圖像，並將該採集指紋圖像與該用戶指紋圖像進行比對以進行一第一用戶識別；<br/> 接收該攝像單元自一用戶拍攝獲得的一採集臉部圖像，並將該採集臉部圖像與該用戶臉部圖像進行比對以進行一第二用戶識別；<br/> 接收該攝像單元自該用戶拍攝獲得的一採集虹膜圖像，並將該採集虹膜圖像與該用戶虹膜圖像進行比對以進行一第三用戶識別；<br/> 在通過(Pass)所述第一用戶識別、所述第二用戶識別或所述第三用戶識別的情況下，使能該控制器控制該電磁電控鎖的該第一鎖舌件後退；以及<br/> 在所述第一用戶識別、所述第二用戶識別或所述第三用戶識別不通過(Not pass)的情況下，透過該無線信號處理器傳送一警示信號至該用戶端電子裝置。
如請求項7所述之智慧型斷路系統，其中該智慧門鎖裝置安裝在一室內環境的一門上，供一種居家安全系統的操作，該居家安全系統包括： <br/> 至少一運動感測器，安裝在該室內環境內；<br/> 至少一門窗感測器，安裝在該室內環境內；<br/> 至少一煙霧感測器，安裝在該室內環境內；<br/> 至少一監視攝像機，安裝在該室內環境內；以及<br/> 一用戶端電子裝置； <br/> 其中，該智慧門鎖裝置有線方式或無線方式耦接該運動感測器、該門窗感測器、該煙霧感測器、與該監視攝像機，且無線連接該用戶端電子裝置。
一種清潔裝置，所述清潔裝置包括：<br/> 殼體，包括相互連接的底壁和側壁；<br/> 雷射雷達組件，至少部分位於所述殼體內；和<br/> 供液組件，包括儲液箱和液體管路，所述儲液箱和所述液體管路位於所述殼體內，所述液體管路與所述儲液箱連通；<br/> 其中，所述液體管路的至少部分位於所述雷射雷達組件與所述底壁之間。
如請求項1所述之清潔裝置，其中，所述雷射雷達組件包括雷射雷達外殼和承載件，所述雷射雷達外殼設於所述底壁，所述承載件設於所述雷射雷達外殼內，並且與所述雷射雷達外殼的內周壁連接；<br/> 所述液體管路的至少部分位於所述承載件與所述底壁之間。
如請求項2所述之清潔裝置，其中，所述雷射雷達外殼朝向所述底壁的一側形成有避讓口，用於避讓所述液體管路。
如請求項2或3所述之清潔裝置，其中，所述底壁形成有限位件，所述限位件以沿所述雷射雷達組件的高度方向延伸的方式設於所述底壁，所述限位件位於所述承載件與所述底壁之間，用於對位於所述承載件與所述底壁之間的所述液體管路進行限位。
如請求項4所述之清潔裝置，其中，所述限位件靠近所述雷射雷達外殼的所述內周壁並且沿著所述雷射雷達外殼的所述內周壁佈置；<br/> 所述限位件包括間隔佈置的第一限位件和第二限位件，所述第一限位件相對於所述第二限位件遠離所述雷射雷達外殼的所述內周壁設置，位於所述承載件與所述底壁之間的所述液體管路位於所述第一限位件和所述第二限位件之間。
如請求項5所述之清潔裝置，其中，所述清潔裝置還包括立板，所述立板以沿所述雷射雷達組件的高度方向延伸的方式設於所述底壁，所述立板位於所述第二限位件背向所述第一限位件的一側，並且與所述第二限位件間隔佈置；<br/> 所述雷射雷達外殼的部分位於所述立板與所述第二限位件之間。
如請求項1至3中任一項所述之清潔裝置，其中，所述液體管路包括進液管路；<br/> 所述側壁形成有進液口，所述進液管路的一端與所述儲液箱連通，另一端與所述進液口連通；<br/> 所述進液管路的至少部分位於所述雷射雷達組件與所述底壁之間。
如請求項7所述之清潔裝置，其中，所述進液口處設置有單向閥。
如請求項1至3中任一項所述之清潔裝置，其中，所述液體管路包括出液管路；<br/> 所述出液管路的一端與所述儲液箱連通，另一端連接所述清潔裝置的清潔組件；<br/> 所述出液管路的至少部分位於所述雷射雷達組件與所述底壁之間。
如請求項9所述之清潔裝置，其中，所述清潔組件包括第一清潔組件和第二清潔組件；<br/> 所述出液管路包括主管路、第一子管路和第二子管路，所述主管路、所述第一子管路和所述第二子管路通過分流閥彼此連通，所述第一子管路用於向所述第一清潔組件供液，所述第二子管路用於向所述第二清潔組件供液。
如請求項9所述之清潔裝置，其中，所述供液組件還包括驅動泵，所述驅動泵設於所述出液管路，用於驅動所述儲液箱內的液體通過所述出液管路流向所述清潔組件。
如請求項1至3中任一項所述之清潔裝置，其中，所述液體管路包括溢液管路，所述溢液管路的一端與所述儲液箱連通，另一端連通外界。
如請求項12所述之清潔裝置，其中，沿著所述儲液箱的高度方向，所述溢液管路與所述儲液箱遠離所述底壁的一側連通。
一種清潔系統，所述清潔系統包括：<br/> 如請求項1至13中任一項所述之清潔裝置；和<br/> 清潔基站，所述清潔基站用於向所述清潔裝置的供液組件進行供液。
一種電子裝置，包含：<br/> 一儲存裝置，其內係儲存有複數幀原始影像；以及<br/> 一處理裝置，電性連接該儲存裝置，並內建有一物件偵測模型、一特徵提取模型、一方向回歸模型以及一追蹤演算法，該處理裝置利用該物件偵測模型對該複數幀原始影像中之每一幀原始影像進行物體選取，以找出每一物體之位置，並擷取其對應之一物體影像；該處理裝置利用該特徵提取模型對每一該物體影像進行特徵擷取，以取得每一該物體之一特徵維度資訊；該處理裝置利用該方向回歸模型取得每一該物體對應之一方向資訊；以及該處理裝置根據該特徵維度資訊及該方向資訊執行該追蹤演算法，依序對該複數幀原始影像中相鄰二幀原始影像進行匹配，以對每一該物體進行追蹤。
如請求項1所述之電子裝置，其中該複數幀原始影像係為複數極低幀率影像。
如請求項2所述之電子裝置，其中該複數極低幀率影像之極低幀率係為1～10幀每秒（FPS）。
如請求項1所述之電子裝置，其中該處理裝置利用該物件偵測模型進行該物體選取之流程更包含：自一影像數據中依序擷取出複數極低幀率影像作為該複數幀原始影像；利用複數物件偵測微調模型對該每一幀原始影像進行該物體選取，以輸出一第一預測結果，並利用一單詞物件偵測預訓練模型輸入特定物體的文字來對該每一幀原始影像進行該物體選取，以輸出一第二預測結果；以及融合該第一預測結果及該第二預測結果，以框選出每一該物體之位置。
如請求項4所述之電子裝置，其中該處理裝置係使用一加權框融合方法來融合該第一預測結果及該第二預測結果，使該每一幀原始影像上產生最終之至少一物體邊界框，進而根據該至少一物體邊界框擷取每一該物體影像。
如請求項4所述之電子裝置，其中該複數極低幀率影像之極低幀率係為1～10幀每秒（FPS）。
如請求項4所述之電子裝置，其中該影像數據係透過一影像擷取裝置拍攝一環境而取得。
如請求項7所述之電子裝置，其中該環境係為一道路環境。
如請求項1所述之電子裝置，其中該特徵維度資訊係為一高維度之特徵向量。
如請求項1所述之電子裝置，其中該特徵提取模型係以一全尺度特徵學習網路模型作為主要架構進行訓練，以透過訓練好的該特徵提取模型對該物體影像提取該特徵維度資訊。
如請求項1所述之電子裝置，其中該方向回歸模型係為一卷積神經網路模型。
如請求項11所述之電子裝置，其中該處理裝置係透過複數圖片-角度訓練對資料對該卷積神經網路模型進行訓練，以獲得訓練好的該方向回歸模型。
如請求項1所述之電子裝置，其中每一該物體係各別具有一追蹤識別碼。
如請求項13所述之電子裝置，其中該處理裝置執行該追蹤演算法之步驟更包含：該處理裝置處理該複數幀原始影像中之一第一幀原始影像時，將該第一幀原始影像偵測到的每一該物體定義為一軌跡片段；根據該相鄰二幀原始影像對應之該特徵維度資訊及該方向資訊對該相鄰二幀原始影像進行特徵匹配與方向限制，以獲得一匹配成本矩陣；根據該匹配成本矩陣，使用一匈牙利匹配演算法進行分配，以取得匹配後的該物體；以及在該物體成功匹配後，該處理裝置會更新該物體之該追蹤識別碼、該特徵維度資訊及該方向資訊，使更新後的該軌跡片段將作為下一幀原始影像進行匹配的依據，並透過匹配後該物體之中心點，更新該相鄰二幀原始影像中該物體的線性位移距離，以預測該物體位於下一幀原始影像中之可能位置。
如請求項14所述之電子裝置，其中該物體若在該複數幀原始影像中幾個連續幀原始影像中都未能匹配，則將該物體之狀態標記為不活動，以表示該物體已經離開畫面。
如請求項14所述之電子裝置，其中該物體在該複數幀原始影像中之一當前幀原始影像中沒有找到任何匹配，並且在之前的原始影像中也未被追蹤，將該物體標記為新出現，並分配一新的該追蹤識別碼對應該物體。
如請求項14所述之電子裝置，其中該相鄰二幀原始影像係包含一當前幀原始影像以及一先前幀原始影像，在進行該特徵匹配之步驟中，基於該先前幀原始影像之該特徵維度資訊與該當前幀原始影像之該特徵維度資訊進行比較，以根據一餘弦相似度來計算該物體之特徵相似度。
如請求項17所述之電子裝置，其中該餘弦相似度係表示為<img align="absmiddle" height="14px" width="126px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該<img align="absmiddle" height="8px" width="13px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該先前幀原始影像之該特徵維度資訊，<img align="absmiddle" height="7px" width="20px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該當前幀原始影像之該特徵維度資訊。
如請求項18所述之電子裝置，其中該匹配成本矩陣係表示為<img align="absmiddle" height="10px" width="172px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中該<img align="absmiddle" height="6px" width="6px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該先前幀原始影像之該方向資訊與該當前幀原始影像之該方向資訊的方向變化，該<img align="absmiddle" height="6px" width="19px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為一方向限制角度，該α及該β分別為一權重調整值。
如請求項19所述之電子裝置，其中該α代表之該權重調整值係為1；以及該β代表之該權重調整值係為1。
如請求項19所述之電子裝置，其中該方向限制角度係為120度，以表示該物體最大可能的轉彎角度。
如請求項19所述之電子裝置，其中該匹配成本矩陣之數值愈大，表示該相鄰二幀原始影像中比對之該物體的相似度愈低；以及該匹配成本矩陣之數值愈小，表示該相鄰二幀原始影像中比對之該物體的相似度愈高。
如請求項1所述之電子裝置，更包含一圖形處理器，該圖形處理器電性連接該處理裝置，該圖形處理器係協助該處理裝置進行運算。
一種省力調整定位的扭力扳手結構，包括：<br/>一扳手頭桿後側外周樞接管狀的一扭力桿，該扳手頭桿尾端設一頂銷及一頂銷座，該頂銷座底端抵於一壓力彈簧一端；一固定座設數導引凹槽，該固定座固定至該扭力桿；扭力定位之一調節釋放環套設滑移於該扭力桿；該調節釋放環前側套設一彈性元件且固設數導引凸條，該導引凸條滑組於該導引凹槽，該調節釋放環後側設一第二棘齒環；一扭力調節組件，包括設一軌道套筒，一螺桿以一限位座限制只能旋轉而安裝至該軌道套筒，一螺帽螺設於該螺桿，該螺帽前端頂推該壓力彈簧另端，該扭力桿末端套組固定至該扭力調節組件；一手柄前端設一第一棘齒環，該手柄末端設一第一銷孔，該螺桿末端設一第二銷孔，該手柄套於該扭力調節組件外，該第一、二銷孔對齊，再以一銷桿穿組固定；該第一、二棘齒環嚙合，使該手柄可單向旋轉進行加壓蓄壓，該調節釋放環可輕拉快放進行單點壓力釋放或可輕拉不放進行全部壓力釋放；其特徵在於：<br/>該螺帽與該軌道套筒一體的一筒內擋環間組設具緩衝材質的一緩衝元件，當釋壓速退之該螺帽衝擊力撞擊該緩衝元件時，衝擊力得以適緩進而得以維護保持扭力扳手的精準度者。
如請求項1所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件得設成一圓環形狀。
如請求項1所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質得為金屬或軟質膠體。
如請求項3所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質為該金屬的彈簧或盤形彈簧。
如請求項3所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質為該軟質膠體的橡膠或優力膠。
如請求項1所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件得設成兩半相對稱的半圓環形狀，並於其間對應設凸卡柱或凹卡槽者。
如請求項6所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質得為金屬或軟質膠體。
如請求項7所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質為該金屬的彈簧或盤形彈簧。
如請求項7所述之省力調整定位的扭力扳手結構，其中該緩衝元件之材質為該軟質膠體的橡膠或優力膠。
一種半導體封裝結構，包括： <br/>一承載層； <br/>一電路層，與該承載層堆疊設置； <br/>一第一晶片，設置於該電路層遠離該承載層之一側並電連接該電路層； <br/>一容置空間，設置於該電路層遠離該承載層之該側，且該容置空間與該第一晶片在該電路層之虛擬延伸面上的投影範圍相鄰；以及 <br/>一側牆，設置於該承載層靠近該電路層之一側且位於該容置空間之至少一側。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該承載層包含抗變形材料。
如請求項2所述的半導體封裝結構，其中該抗變形材料包含玻璃或陶瓷。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該側牆設置於該電路層遠離該承載層之該側。
如請求項4所述的半導體封裝結構，進一步包括一雷射阻隔層，該雷射阻隔層設置於該側牆與該電路層之間。
如請求項4所述的半導體封裝結構，進一步包括一黏合層，該黏合層設置於該側牆與該電路層之間以黏合該側牆與該電路層。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該承載層延伸超出該電路層，且該側牆設置於該承載層的延伸部分。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該側牆圍繞該第一晶片與該容置空間設置，且該側牆在該電路層上的投影範圍呈一封閉形狀。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該側牆圍繞該第一晶片與該容置空間設置，且該側牆在該電路層上的投影範圍具有一開口。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該第一晶片與該容置空間在一第一方向上相鄰，該側牆與該第一晶片在一第二方向上不重疊，該第一方向與該第二方向不同，且該第一方向與該第二方向皆平行於該電路層。
如請求項1所述的半導體封裝結構，其中該側牆圍繞該容置空間設置，該第一晶片與該容置空間在一第一方向上相鄰， <br/>並且，在平行於該電路層且與該第一方向不同的一第二方向上，該側牆之寬度小於等於該第一晶片之寬度。
如請求項1所述的半導體封裝結構，進一步包括複數第一接墊，該些第一接墊由該電路層延伸穿透該承載層並露出於該承載層遠離該電路層之一側。
如請求項1所述的半導體封裝結構，進一步包括一第一模封膠，該第一模封膠模封該第一晶片，且該第一模封膠延伸至該電路層對應該容置空間之區域。
如請求項13所述的半導體封裝結構，其中該電路層進一步具有複數第二接墊，該些第二接墊由該電路層遠離該承載層之該側朝向該容置空間延伸，且該些第二接墊露出於該第一模封膠遠離該電路層之一側。
如請求項13所述的半導體封裝結構，進一步包括： <br/>一第二晶片，設置於該容置空間中且位於該第一模封膠遠離該電路層之一側，且該第二晶片電連接該電路層；以及 <br/>一第二模封膠，模封該第二晶片。
如請求項15所述的半導體封裝結構，其中該第二晶片在該電路層之該虛擬延伸面上的投影範圍延伸至該電路層之一邊緣。
如請求項15所述的半導體封裝結構，其中該第二晶片在該電路層之該虛擬延伸面上的投影範圍延伸超出該電路層。
一種支架，其包括： <br/>一本體部，具有至少一貫穿孔，用以容納一鎖固元件之一第一部份； <br/>一承接部，鄰近該本體部，用以承接一板體結構；以及 <br/>一集水槽部，位於該本體部之一側，用以容納水。
如請求項1所述之支架，更包括： <br/>一底槽部，位於該本體部下方，用以容納該鎖固元件之該第一部份之末端，其中該底槽部具有一底璧，該底璧具有一開孔，該開孔係對應該貫穿孔，且該底璧之該開孔的寬度係大於該本體部之該貫穿孔的寬度。
如請求項2所述之支架，更包括： <br/>一容納部，位於該集水槽部下方，用以容納一外部元件；以及 <br/>一固定槽部，位於該集水槽部及該容納部之間，且用以將一物品可拆卸地附著至該支架上。
如請求項1所述之支架，其中該至少一貫穿孔包括複數個貫穿孔，該本體部包含複數個水平肋部及複數個垂直肋部，該等垂直肋部連接該等水平肋部及該承接部，每一該等水平肋部界定每一該等貫穿孔。
一種支架組合結構，其包括： <br/>一主支架，包括： <br/>一本體部，具有至少一貫穿孔；以及 <br/>一承接部，鄰近該本體部； <br/>一壓條，位於該主支架上方，且包括一卡掣部及一壓合部，其中該卡掣部係對應該本體部之該貫穿孔，該壓合部係對應該承接部；以及 <br/>一鎖固元件，具有： <br/>一第一部份，貫穿該本體部之該貫穿孔；以及 <br/>一第二部份，位於該壓條之該卡掣部，其中該鎖固元件經配置以從該第一部份的末端調整該壓條之該壓合部與該主支架之該承接部之間的距離。
如請求項5所述之支架組合結構，其中該鎖固元件包括一螺絲頭、一螺桿及一螺帽，該螺絲頭係為該鎖固元件之該第二部份，其係卡掣於該壓條之該卡掣部內，該螺桿係為該鎖固元件之該第一部份，該螺帽係為該鎖固元件之一第三部份，其中該螺帽係鎖合於該螺桿之該末端，且頂抵該主支架之該本體部。
如請求項6所述之支架組合結構，其中該卡掣部包括二內側壁，以界定一容置空間，其中該螺絲頭位於該容置空間內，且該螺絲頭的寬度略小於該容置空間的寬度。
如請求項7所述之支架組合結構，其中該螺絲頭係為六角螺絲頭，且該卡掣部之該二內側壁係用以限制該螺絲頭，使其不能轉動。
如請求項5所述之支架組合結構，更包括： <br/>一板體結構，夾設於該壓條之該卡掣部與該主支架之該承接部之間。
如請求項5所述之支架組合結構，更包括： <br/>一輔助支架，大致垂直該主支架，且卡設於該主支架之一集水槽部，其中該輔助支架包括一集水槽部，連通該主支架之該集水槽部。
如請求項5所述之支架組合結構，更包括： <br/>一墊片，包括： <br/>一基板部，覆蓋該主支架之一端；以及 <br/>至少一突出部，由該基板部之一表面突出，且插入該主支架內。
一種抗輻射飛行載具寬頻微波吸收碳纖複合材料，其構成包含碳基導電填料、錳鈷鋅鋰複合型鐵氧體層薄膜、氧化鋁緩衝層、聚偏二氟乙烯薄膜、矽緩衝層、碳纖複合材料基板的結構，其中矽緩衝層形成於碳纖複合材料基板上方，聚偏二氟乙烯薄膜形成於矽緩衝層上方，氧化鋁緩衝層形成於聚偏二氟乙烯薄膜上方，而該錳鈷鋅鋰複合型鐵氧體層薄膜形成於氧化鋁緩衝層上方，碳基導電填料形成於錳鈷鋅鋰複合型鐵氧體層薄膜上方，應用於飛行載具微波吸收結構。
依據申請專利範圍第1項所述之抗輻射飛行載具寬頻微波吸收碳纖複合材料，其中該錳鈷鋅鋰複合型鐵氧體層薄膜可為鎳銅鎂鋰複合型鐵氧體層薄膜。
依據申請專利範圍第1項所述之抗輻射飛行載具寬頻微波吸收碳纖複合材料，其中該聚偏二氟乙烯薄膜可為聚四氟乙烯薄膜。
一種靜置設備，用於靜置載具上的目標件，其改良在於，所述靜置設備包括：<br/> 上料傳送帶，用於承載所述載具，並沿所述上料傳送帶的輸送方向輸送所述載具；所述載具具有相對的前端和後端，並且具有相對所述上料傳送帶的正向狀態和反向狀態，在所述正向狀態，所述後端指向所述前端的方向與所述輸送方向相同，在所述反向狀態，所述後端指向所述前端的方向與所述輸送方向相反；所述前端或所述後端設有識別部；<br/> 識別裝置，用於識別所述識別部；以及，<br/> 調整裝置，與所述識別裝置信號連接，所述調整裝置用於帶動載具繞轉動軸線相對所述上料傳送帶旋轉，以使所述載具從所述反向狀態旋轉至所述正向狀態；其中，所述轉動軸線與所述上料傳送帶用於承載所述載具的表面垂直。
如請求項1所述的靜置設備，其中，所述載具設有容納槽，所述容納槽沿平行於所述轉動軸線的方向的一側設有敞口，所述容納槽用於容納所述目標件；<br/> 所述識別部連接於所述容納槽的槽壁的外側。
如請求項1所述的靜置設備，其中，所述調整裝置包括抓取機構、旋轉機構和升降機構；<br/> 所述抓取機構用於抓取所述載具；<br/> 所述旋轉機構傳動連接於所述抓取機構，以帶動所述抓取機構繞所述轉動軸線相對所述上料傳送帶轉動；<br/> 所述升降機構傳動連接於所述抓取機構，以帶動所述抓取機構沿平行於所述轉動軸線的方向相對所述上料傳送帶升降。
如請求項3所述的靜置設備，其中，所述上料傳送帶設有多個傳送通道，多個所述傳送通道沿所述上料傳送帶的寬度方向分佈，多個所述傳送通道平行設置，並用於沿所述輸送方向分別輸送多個所述載具；其中，所述寬度方向分別與所述輸送方向和所述轉動軸線垂直；<br/> 所述調整裝置還包括移動機構，所述移動機構傳動連接於所述抓取機構，以帶動所述抓取機構沿所述寬度方向相對所述上料傳送帶移動，從而使所述抓取機構與任一所述傳送通道相對。
如請求項3所述的靜置設備，其中，所述上料傳送帶具有上料端和下料端，所述上料端指向所述下料端的方向與所述輸送方向相同；<br/> 所述靜置設備還包括靜置傳送帶，所述靜置傳送帶位於所述下料端外；<br/> 所述調整裝置還包括移送機構，所述移送機構傳動連接於所述抓取機構，以帶動所述抓取機構沿所述輸送方向在所述上料傳送帶和所述靜置傳送帶之間移動。
如請求項5所述的靜置設備，其中，所述靜置設備還包括防塵蓋板，所述防塵蓋板蓋設於所述靜置傳送帶上，且所述防塵蓋板與所述靜置傳送帶沿平行於所述轉動軸線的方向間隔設置。
如請求項5所述的靜置設備，其中，所述靜置設備還包括第一阻擋組件；<br/> 所述第一阻擋組件設於所述下料端，並能夠沿所述輸送方向與所述上料傳送帶上的所述載具相抵。
如請求項5所述的靜置設備，其中，所述靜置設備還包括第一感應組件，所述第一感應組件設於所述下料端，並用於感應所述載具。
如請求項5所述的靜置設備，其中，所述靜置設備還包括調速組件；<br/> 所述調速組件設於所述靜置傳送帶，並用於調節所述靜置傳送帶沿所述輸送方向傳送所述載具的速度。
如請求項5所述的靜置設備，其中，所述靜置設備還包括下料傳送帶和下料裝置；<br/> 所述下料傳送帶位於所述靜置傳送帶沿所述輸送方向遠離所述上料傳送帶的一端外；<br/> 所述下料裝置用於將所述靜置傳送帶上的所述載具移動至所述下料傳送帶。
一種可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，包含有：一容納袋，係可具透水性的柔軟片材構成的封閉狀袋體；及一沖泡原料，置於該容納袋內，包含複數植物切塊與複數萃取物顆粒，各該植物切塊係包含對人體健康有益成分之若干植物之特定部位切塊或/及顆粒，各該萃取物顆粒係利用超臨界萃取技術對各植物切塊萃取出之脂溶性成分所形成之顆粒，易溶於水，各該植物切塊之水溶性等成分則仍保留於植物切塊中。
如請求項1所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，該容納袋係呈立體之多邊形狀。
如請求項1所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，該容納袋係呈矩形袋狀。
如請求項2所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，各該植物切塊與萃取物顆粒係混合置於容納袋內。
如請求項3所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，各該萃取物顆粒係置於容納袋之一端，各該植物係置於各萃取物顆粒之另一端。
如請求項1所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，各該植物切塊係數種不同植物之特定部位切塊或/及顆粒。
如請求項6所述之可快速釋放植物脂溶性成分之沖泡包，其中，各該植物之特定部位可為根、莖、枝、葉或/及果實。
一種清潔模組，包括：<br/> 一清潔模組本體，該清潔模組本體與一清潔設備本體相連且伸出該清潔設備本體；<br/> 一限位件，該限位件安裝於該清潔模組本體，該限位件到該清潔模組本體的形心之間的最大距離大於該清潔模組的邊緣到該清潔模組本體的形心之間的最大距離。
如請求項1所述的清潔模組，其中，該限位件包括一導向輪，該導向輪可轉動地安裝於該清潔模組本體，且該導向輪到該清潔模組本體的形心之間的最大距離大於該清潔模組的邊緣到該清潔模組本體的形心之間的最大距離。
如請求項2所述的清潔模組，其中，該清潔模組本體包括一清潔圓盤，該導向輪的至少部分位於該清潔圓盤的徑向外側。
如請求項3所述的清潔模組，其中，該清潔模組本體具有一清潔面，該導向輪的轉動軸線的延伸方向與該清潔面所在的平面垂直。
如請求項2所述的清潔模組，其中，該限位件還包括：一連接件，該連接件包括一第一連接部和一第二連接部，該第一連接部與該清潔模組本體相連，該第二連接部的至少部分與該清潔模組本體間隔開設置，該導向輪可轉動地安裝於該第二連接部。
如請求項5所述的清潔模組，其中，該清潔模組本體包括一清潔圓盤，該第二連接部沿該清潔圓盤的徑向延伸。
如請求項6所述的清潔模組，其中，該限位件還包括：一連接軸，該導向輪通過該連接軸安裝於該第二連接部。
如請求項7所述的清潔模組，其中，該連接件設有一安裝槽，該導向輪的至少部分可轉動地安裝於該安裝槽內。
如請求項8所述的清潔模組，其中，該第二連接部設有兩個擋板，兩個該擋板間隔開設置以限定出該安裝槽。
如請求項9所述的清潔模組，其中，該連接軸安裝於該安裝槽內，該導向輪與該連接軸可轉動地相連。
如請求項5所述的清潔模組，其中，該第二連接部遠離該第一連接部的一端的外周壁的至少部分形成為弧面。
如請求項5所述的清潔模組，其中，該連接件與該清潔模組本體為一體成型件。
如請求項1至12中任一項所述的清潔模組，其中，該清潔模組本體具有一清潔面，該限位件與該清潔面位於該清潔模組本體相對設置的兩側。
一種清潔設備，包括：<br/> 一清潔設備本體和請求項1至13中任一項所述的清潔模組，該清潔模組與該清潔設備本體相連。
一種保護罩，用於保護基礎件，所述基礎件用於連接目標件，其改良在於，所述保護罩包括：<br/> 支架，所述支架上設有供所述目標件穿過的通過槽，所述通過槽沿第一方向貫穿所述支架；以及，<br/> 兩個限位結構，分別位於所述通過槽沿第二方向的相對兩側，且兩個所述限位結構沿所述第二方向相對設置，以將所述基礎件沿所述第二方向限位於兩個所述限位結構之間；其中，所述第一方向與所述第二方向相交。
如請求項1所述的保護罩，其中，每個所述限位結構包括限位板，每個所述限位板自所述支架沿所述第一方向朝遠離所述通過槽的方向延伸。
如請求項2所述的保護罩，其中，至少一個所述限位結構包括沿第三方向間隔設置的多個限位板；<br/> 其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩相交。
如請求項3所述的保護罩，其中，其中一個所述限位結構包括沿所述第三方向分佈的三個第一限位板，另一個所述限位結構包括第二限位板；<br/> 其中兩個所述第一限位板位於所述第二限位板沿所述第三方向的兩端外，另一所述第一限位板與所述第二限位板的中部沿所述第二方向相對設置。
如請求項1所述的保護罩，其中，所述保護罩還包括連接部；<br/> 所述連接部自所述支架的外緣沿垂直於所述第一方向的方向朝外延伸。
如請求項5所述的保護罩，其中，所述連接部有多個，多個所述連接部沿所述支架的週向彼此間隔設置；<br/> 所述保護罩還包括加強部，所述加強部與至少一個所述連接部連接，至少部分所述加強部與所述支架層疊設置；<br/> 所述保護罩還包括連接件，所述連接件分別穿設於所述加強部和所述支架。
如請求項1所述的保護罩，其中，所述保護罩還包括兩個支撐部，兩個所述支撐部分別位於所述通過槽沿第三方向的相對兩側，且兩個所述支撐部沿所述第三方向相對設置，兩個所述支撐部用於分別支撐於所述目標件；<br/> 其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩相交。
一種電子設備，其改良在於，包括主機殼、插槽結構、電子器件以及如請求項1至7中任意一項所述的保護罩；所述插槽結構設於所述主機殼內；所述電子器件插接於所述插槽結構；所述基礎件為所述插槽結構，所述目標件為所述電子器件。
如請求項8所述的電子設備，其中，所述電子設備還包括主機板和絕緣件；<br/> 所述插槽結構設置於所述主機板上；<br/> 所述絕緣件凸出於所述保護罩沿所述第一方向靠近所述主機板的一側並抵頂所述保護罩，以將所述保護罩間隔地支撐於所述主機板。
如請求項8所述的電子設備，其中，所述電子設備還包括主機板和緊固件；<br/> 所述插槽結構設置於所述主機板上；<br/> 所述緊固件分別穿設於所述主機殼、所述主機板以及所述保護罩。
一種用於雷射切割機的組合式三向基座，其包含：<br/> 一上座，具有一上表面、一第一側表面、一第一接合面及一第一光通道，該第一側表面連接該上表面及該第一接合面，該第一光通道貫穿該上表面與該第一接合面；以及<br/> 一下座，可組裝地連接該上座，該下座具有一下表面、一第二側表面、一第二接合面、一第二光通道及一第三光通道，該第二側表面連接該第二接合面及該下表面，該第二光通道貫穿該第二接合面與該下表面，該第三光通道貫穿該第二側表面與該第二接合面，其中該第二接合面與該第一接合面接合，且該第一光通道對準該第二光通道。
如請求項1所述之用於雷射切割機的組合式三向基座，還包含：<br/> 一反射鏡，設置在該上座的該第一接合面與該下座的該第二接合面之間，且該反射鏡面向該第三光通道。
如請求項1所述之用於雷射切割機的組合式三向基座，其中該第一側表面與該第一接合面之間具有一第一夾角，該第一夾角具有30度至60度之間的一第一角度。
如請求項3所述之用於雷射切割機的組合式三向基座，其中該第二側表面與該第二接合面之間具有一第二夾角，該第二夾角具有30度至60度之間的一第二角度。
如請求項4所述之用於雷射切割機的組合式三向基座，其中該第一角度與該第二角度相同。
如請求項1所述之用於雷射切割機的組合式三向基座，其中該上座與該下座由金屬所製成。
一種雷射切割機，其包含：<br/> 一影像擷取裝置；<br/> 一變焦鏡組，連接該影像擷取裝置；<br/> 一組合式三向基座，具有可組裝地連接的一上座及一下座，該上座的一第一接合面與該下座的一第二接合面接合，該上座的一第一光通道對準該下座的一第二光通道，其中該上座連接該變焦鏡組；<br/> 一反射鏡，設置在該上座與該下座之間且面向該下座的一第三光通道；<br/> 一聚焦鏡組，連接該組合式三向基座的該下座；<br/> 一雷射發射器，用以產生一雷射，其中該雷射通過該第三光通道射向該反射鏡，該反射鏡將通過該第三光通道的該雷射反射至該第二光通道。
如請求項7所述之雷射切割機，其中該雷射的一波長在200nm至1200nm之間。
如請求項7所述之雷射切割機，其中該影像擷取裝置用以擷取可見光影像、X射線影像、紫外光影像及紅外線影像。
如請求項7所述之雷射切割機，其中該影像擷取裝置包含一電荷耦合元件感測元件、一互補式金氧半導體感測元件。
一種按鍵裝置，其包括：<br/> 一操控結構，包含：<br/> 多個透明鍵體，各具有至少80的蕭氏硬度（Shore hardness）且各具有至少130°C的玻璃轉化溫度（glass transition temperature，Tg）；其中，每個所述透明鍵體為絕緣且具有一上表面、位於所述上表面相反側的一下表面、及位於所述上表面與所述下表面之間的一環側面；及<br/> 一絕緣支架層，其以埋入射出方式形成於多個所述透明鍵體，並且所述絕緣支架層包含：<br/> 一片體，形成有：<br/> 多個鍵孔，呈貫穿狀且彼此間隔地配置；及<br/> 多個連通道，凹設於所述片體的底面，並且每個所述連通道連通於彼此相鄰的兩個所述鍵孔；及<br/> 多個支撐體，其一端分別相連於多個所述鍵孔的孔壁、另一端分別相連於多個所述透明鍵體，並且每個所述支撐體具有：<br/> 一結合段，呈環狀且無間隙地接合於相對應所述透明鍵體的所述環側面，並且所述結合段的底緣形成有一突出部，其凸伸出相對應所述透明鍵體的所述下表面；及<br/> 一彈性段，呈環狀且連接所述結合段與相對應所述鍵孔的所述孔壁，以使相對應所述透明鍵體位於相對應所述鍵孔之上；以及<br/> 一電阻式觸控螢幕，定義有多個觸控圖像；其中，所述操控結構以所述片體的所述底面設置於所述電阻式觸控螢幕，並且多個所述支撐體的所述突出部分別間隔且面向多個所述觸控圖像，以使任一個所述透明鍵體能通過所述上表面被按壓、而驅使相對應所述突出部壓抵相對應所述觸控圖像，令所述電阻式觸控螢幕產生彈性地變形。
如請求項1所述的按鍵裝置，其中，每個所述透明鍵體於所述環側面形成有一凸起，其呈環型且與所述環側面共同定義有一環形槽；於每個所述透明鍵體與相對應所述支撐體之中，所述環形槽被相對應所述結合段所填滿，而所述凸起的頂緣裸露於相對應所述結合段之外。
如請求項2所述的按鍵裝置，其中，於每個所述透明鍵體與相對應所述支撐體之中，所述凸起的外側緣形成有多個缺口，其被相對應所述結合段所填滿。
如請求項2所述的按鍵裝置，其中，每個所述透明鍵體於所述凸起的所述頂緣形成有彼此間隔配置的多個子鍵體，每個所述觸控圖像定義有多個子觸控區，並且每個所述透明鍵體的多個所述子鍵體的位置分別與相對應所述觸控圖像的多個所述子觸控區相互對應。
如請求項4所述的按鍵裝置，其中，於每個所述透明鍵體與相對應所述支撐體之中，所述突出部位於多個所述子鍵體的正下方。
如請求項1所述的按鍵裝置，其中，每個所述透明鍵體於所述環側面形成有一凸起，並且每個所述透明鍵體的所述凸起完全埋置於相對應所述結合段之內。
如請求項1所述的按鍵裝置，其中，於每個所述透明鍵體之中，所述上表面的輪廓切齊於所述下表面的輪廓，並且所述環側面的兩端分別垂直地相連於所述上表面與所述下表面。
如請求項1所述的按鍵裝置，其中，於每個所述透明鍵體與相對應所述支撐體之中，所述透明鍵體的所述下表面與所述支撐體的所述突出部皆位於相對應所述鍵孔之內，並且所述突出部的位置不低於相鄰所述連通道。
一種操控結構，其包括：<br/> 多個透明鍵體，各具有至少80的蕭氏硬度（Shore hardness）且各具有至少130°C的玻璃轉化溫度（glass transition temperature，Tg）；其中，每個所述透明鍵體為絕緣且具有一上表面、位於所述上表面相反側的一下表面、及位於所述上表面與所述下表面之間的一環側面；以及<br/> 一絕緣支架層，其以埋入射出方式形成於多個所述透明鍵體，並且所述絕緣支架層包含：<br/> 一片體，形成有：<br/> 多個鍵孔，呈貫穿狀且彼此間隔地配置；及<br/> 多個連通道，凹設於所述片體的底面，並且每個所述連通道連通於彼此相鄰的兩個所述鍵孔；及<br/> 多個支撐體，其一端分別相連於多個所述鍵孔的孔壁、另一端分別相連於多個所述透明鍵體，並且每個所述支撐體具有：<br/> 一結合段，呈環狀且無間隙地接合於相對應所述透明鍵體的所述環側面，並且所述結合段的底緣形成有一突出部，其凸伸出相對應所述透明鍵體的所述下表面；及<br/> 一彈性段，呈環狀且連接所述結合段與相對應所述鍵孔的所述孔壁，以使相對應所述透明鍵體位於相對應所述鍵孔之上。
一種操控結構，其包括：<br/> 一透明鍵體，具有至少80的蕭氏硬度（Shore hardness）且具有至少130°C的玻璃轉化溫度（glass transition temperature，Tg）；其中，所述透明鍵體為絕緣且具有一上表面、位於所述上表面相反側的一下表面、及位於所述上表面與所述下表面之間的一環側面；以及<br/> 一絕緣支架層，其以埋入射出方式形成於所述透明鍵體，並且所述絕緣支架層包含：<br/> 一片體，形成有呈貫穿狀的一鍵孔；及<br/> 一支撐體，其一端相連於所述鍵孔的孔壁、另一端相連於所述透明鍵體，並且所述支撐體具有：<br/> 一結合段，呈環狀且無間隙地接合於所述透明鍵體的所述環側面，並且所述結合段的底緣形成有一突出部，其凸伸出所述透明鍵體的所述下表面；及<br/> 一彈性段，呈環狀且連接所述結合段與所述鍵孔的所述孔壁，以使所述透明鍵體位於所述鍵孔之上。
一種管路快接裝置，包括： <br/>相互配合沿一中心軸線對接的一第一接管以及一第二接管， <br/>一逆止閥組件，設置在該第一接管及該第二接管的其之中一者之內，該逆止閥組件包含一固定閥件閥件及一活動閥件，該固定閥件固定配置，該活動閥件配置為可沿該中心軸線相對活動而能夠移動而與該固定閥件相抵閉合； <br/>一第一磁性件，固定設置在該第一接管及該第二接管的另一者內，該第一磁性件具有環繞該中心軸線穿插排列的至少一第一指北極以及至少一第一指南極，該至少一第一指北極與該至少一第一指南極同數量；及 <br/>一第二磁性件，設置在該該活動閥件，該第二磁性件具有環繞該中心軸線穿插排列的至少一第二指北極以及至少一第二指南極，該至少一第一指北極與該至少一第一指南極同數量，該至少一第一指北極與該至少一第二指北極同數量，該至少一第一指南極與該至少一第二指南極同數量， <br/>其中，該第一接管及該第二接管能夠相對旋轉於一對接相對位置及一鎖定相對位置之間，當該第一接管及該第二接管位於該對接相對位置時，該至少一第一指北極對齊該至少一第二指南極且該至少一第一指南極對齊該至少一第二指北極使該第一磁性件與該第二磁性件相吸而使該活動閥與該固定閥件靠攏閉合； <br/>其中，當該第一接管及該第二接管位於該鎖定相對位置時，該至少一第一指北極對齊該至少一第二指北極且該至少一第一指南極對齊該至少一第二指南極而使該第二磁性件與該第一磁性件相斥而使該活動閥與該固定閥件分離。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中該固定閥件為一通道結構，且該活動閥件為一塞體。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中該固定閥件為一塞體，且該活動閥件為一通道結構。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中該活動閥件連接一彈性件，該彈性件朝向該固定閥件預壓於該活動閥件以使該活動閥件與該固定閥件預設為閉合。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中該至少一第一指北極為單一個第一指北極，該至少一第一指南極為單一個第一指南極，該至少一第二指北極為單一個第二指北極，該至少一第二指南極為單一個第二指南極。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中該至少一第一指北極為偶數個第一指北極，該至少一第一指南極為偶數個第一指南極，該至少一第二指北極為偶數個第二指北極，該至少一第二指南極為偶數個第二指南極。
如請求項1所述之管路快接裝置，其中在該第一接管及該第二接管的其中之一者之開口處設有一縱向槽段，且該縱向槽段連通一周向槽段的一端，該第一接管及該第二接管的另一者設有一滑榫； <br/>其中該第一接管軸向對接該第二接管時，該第一接管及該第二接管位於該對接相對位置且該滑榫進入該縱向槽段。
如請求項7所述之管路快接裝置，其中該第一接管及該第二接管能夠相對轉至該鎖定位置使該滑榫沿該周向槽段移動至該周向槽段的另一端。
如請求項7所述之管路快接裝置，其中該至少一第一指北極為單一個第一指北極，該至少一第一指南極為單一個第一指南極，該至少一第二指北極為單一個第二指北極，該至少一第二指南極為單一個第二指南極，該周向槽段的延伸角度為180度。
如請求項7所述之管路快接裝置，其中該至少一第一指北極為偶數個第一指北極，該至少一第一指南極為偶數個第一指南極，該至少一第二指北極為偶數個第二指北極，該至少一第二指南極為偶數個第二指南極，該周向槽段的延伸角度為90度。
一種測試系統，用以對具有一風扇裝置的一散熱系統進行測試，且該測試系統包括： <br/>一箱體，包括一容置空間，且該箱體用以提供一氣流於該容置空間循環流動； <br/>一溫度調節裝置，包括配置於該容置空間的一冷卻裝置及一加熱裝置，以通過該冷卻裝置及該加熱裝置調整該氣流的一溫度，其中當該溫度高於一第一目標溫度時，該冷卻裝置對該氣流降溫，且當該溫度低於一第二目標溫度時，該加熱裝置對該氣流加熱； <br/>一噴嘴裝置，配置於該容置空間，且對準該散熱系統的一入風側，其中該噴嘴裝置用以依該風扇裝置的一操作範圍，對應的調整並取得流至該入風側的該氣流的流速與流量；及 <br/>一輔助風機，配置於該容置空間，其中該輔助風機用以調整流至該噴嘴裝置的該氣流的流量，且用以引導該散熱系統排出的一熱空氣經由該氣流的帶動而流經該溫度調節裝置及該噴嘴裝置。
如請求項1所述之測試系統，其中該冷卻裝置包括： <br/>一第一風道，配置一冷卻盤管，且該冷卻裝置用以於該溫度高於該第一目標溫度時，提供該氣流流經該冷卻盤管來進行熱交換，以對該氣流降溫；及 <br/>一第一旁通風道，並接於該第一風道，且該冷卻裝置用以於該溫度未高於該第一目標溫度時，導引該氣流流過該第一旁通風道。
如請求項2所述之測試系統，其中該冷卻裝置更包括： <br/>一第一導流裝置，配置於該第一風道與該第一旁通風道的入風口； <br/>其中，當該溫度與該第一目標溫度的差值於一第一特定範圍內時，該第一導流裝置調整該第一風道與該第一旁通風道的入風口大小，以供該氣流的一部分流經該第一風道，且該氣流的另一部分流經該第一旁通風道。
如請求項1所述之測試系統，其中該加熱裝置包括： <br/>一第二風道，配置一加熱盤管，且該加熱裝置用以於該溫度低於該第二目標溫度時，提供該氣流流經該加熱盤管來進行熱交換，以對該氣流加熱；及 <br/>一第二旁通風道，並接於該第二風道，且該加熱裝置用以於該溫度未低於該第二目標溫度時，導引該氣流流過該第二旁通風道。
如請求項4所述之測試系統，其中該加熱裝置更包括： <br/>一第二導流裝置，配置於該第二風道與該第二旁通風道的入風口； <br/>其中，當該溫度與該第二目標溫度的差值於一第二特定範圍內時，該第二導流裝置調整該第二風道與該第二旁通風道的入風口大小，以供該氣流的一部分流經該第二風道，且該氣流的另一部分流經該第二旁通風道。
如請求項1所述之測試系統，更包括： <br/>一溫度感測器，配置於該容置空間，且用以感測該溫度，以供該溫度調節裝置據以對該氣流加熱或降溫。
如請求項1所述之測試系統，更包括： <br/>一第一壓力量測裝置，配置於該散熱系統的該入風側與一出風側，且用以量測該氣流於該散熱系統前後的一第一靜壓差，以通過該第一靜壓差取得該散熱系統的一阻抗參數。
如請求項1所述之測試系統，其中該噴嘴裝置包括： <br/>複數個噴嘴，分別具備不同的孔徑，且該些噴嘴用以依該操作範圍而相應的開啟或關閉，以供該噴嘴裝置依照該些噴嘴所選擇性開啟的孔徑組合來取得流至該入風側的該氣流的流速與流量； <br/>其中，該操作範圍包括該風扇裝置的一風量範圍與一風壓範圍。
如請求項8所述之測試系統，更包括： <br/>一第二壓力量測裝置，配置於該噴嘴裝置，且用以量測該氣流於該些噴嘴前後的一第二靜壓差，以通過該第二靜壓差取得流至該入風側的該氣流的流速與流量。
如請求項1所述之測試系統，更包括： <br/>一承接流道，配置於該噴嘴裝置與該入風側之間，且用以密合連通該噴嘴裝置與該入風側；及 <br/>一消音裝置，配置於該輔助風機的入風口與出風口，且用以消除該輔助風機引導該氣流流動時所產生的一氣流噪音。
一種3C產品用之鎖固件，包括：<br/> 二夾體，可相對活動地相連接，該二夾體分別包括一插孔及一限位部，該插孔供一鎖具插設，該二夾體中的至少其中一個另包括一卡掣部，該卡掣部可相對活動於一釋放位置及一卡掣位置；<br/> 其中，當該卡掣部位於該釋放位置時，一該夾體的卡掣部相對遠離另一該夾體使得一3C產品可插入於該二夾體之間或自該二夾體之間抽離；<br/> 其中，當該卡掣部位於該卡掣位置時，可允許該鎖具插入該插孔且穿過該限位部而與該限位部相卡抵，使得該卡掣部無法移動至該釋放位置。
如請求項1所述的3C產品用之鎖固件，其中該二夾體包括一第一夾體及一第二夾體，該第一夾體包括該插孔，該第二夾體包括該限位部，該插孔及該限位部於該鎖具的一插設方向上相面對。
如請求項2所述的3C產品用之鎖固件，其中該第一夾體另包括一周壁及一由該周壁圍構而成的槽室，該插孔貫設於該周壁且連通該槽室，該限位部伸入該槽室中。
如請求項3所述的3C產品用之鎖固件，其中該限位部包括一鎖孔，該鎖孔供該鎖具插設。
如請求項2所述的3C產品用之鎖固件，另包括一彈性件，該彈性件設於該第一夾體與該第二夾體之間。
如請求項5所述的3C產品用之鎖固件，其中該第一夾體另包括一第一凹槽，該第二夾體另包括一第二凹槽，該彈性件的二端分別插入該第一凹槽及該第二凹槽。
如請求項4所述的3C產品用之鎖固件，另包括一彈性件，該彈性件設於該第一夾體與該第二夾體之間；該第一夾體另包括一第一凹槽，該第二夾體另包括一第二凹槽，該彈性件的二端分別插入該第一凹槽及該第二凹槽；該第二夾體另包括一端凸部及一內凸部，該端凸部與該卡掣部相面對，該內凸部位於該二夾體的連接處與該端凸部之間，該端凸部及該內凸部供抵擋該3C產品。
如請求項1至7任一項所述的3C產品用之鎖固件，其中該二夾體分別為一體成型的單一構件。
如請求項1至7任一項所述的3C產品用之鎖固件，其中一該夾體另包括一第一樞接凸部及一樞接凹部，另一該夾體另包括一第二樞接凸部，該第一樞接凸部及該第二樞接凸部相樞接，該第二樞接凸部部分容至於該樞接凹部。
如請求項1至7任一項所述的3C產品用之鎖固件，其中一該夾體另包括一穿孔，該限位部伸入該穿孔中。
一種水冷頭裝置，包括： <br/>一外殼，設有一入口及一出口； <br/>一分隔板，設置在該外殼之內，而將該外殼內部的空間分隔為一熱交換層腔以及一進出層腔，該分隔板上設有至少一進水通口以及至少一出水通口；及 <br/>一分隔壁，設置在該進出層腔內而將該進出層腔分隔為一進水分腔以及一出水分腔，且該分隔壁將該至少一進水通口及該至少一出水通口分隔， <br/>其中該進水分腔連接該入口且通過該至少一進水通口連通該熱交換層腔，該出水分腔連接該出口且通過該至少一出水通口連通該熱交換層腔。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中該至少一進水通口包含複數進水通口，該至少一出水通口包含複數出水通口，該些進水通口沿複數第一列排列，該些出水通口沿複數第二列排列，該些第一列排列與該些第二列並列配置且穿插排列。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中在該外殼的二相對側分別具有一第一側壁及一第二側壁，該分隔壁的二端分別連接該第一側壁及該第二側壁，且該分隔壁在該第一側壁及該第二側壁之間曲折迂迴延伸。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中該至少一進水通口及該至少一出水通口為穿槽。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中該至少一進水通口及該至少一出水通口為穿孔。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中該分隔壁一體形成在該分隔板。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中在該熱交換層腔之內設置有一支撐結構，該支撐結構分別連接在該分隔壁及該外殼的內壁之間。
如請求項7所述之水冷頭裝置，其中該支撐結構一體形成在該分隔板。
如請求項1所述之水冷頭裝置，其中該外殼包含相對閉合的一上蓋件以及一下蓋件。
如請求項9所述之水冷頭裝置，其中該外殼包含相對閉合的一上蓋件以及一下蓋件，且該分隔壁一體形成在該上蓋件。
如請求項9所述之水冷頭裝置，其中該外殼包含相對閉合的一上蓋件及一下蓋件，在該熱交換層腔之內設置有一支撐結構，該支撐結構分別連接在該分隔壁及該外殼的內壁之間，該支撐結構一體形成在該下蓋件。
一種吸嘴，其改良在於，包括：<br/> 基座；<br/> 吸頭，設於所述基座，所述吸頭具有吸附面與吸附孔，所述吸附孔設於所述吸附面，當所述吸附面抵持工件時，所述吸附孔可容氣體作用於所述工件以吸附所述工件至所述吸附面；<br/> 支撐件，設於所述基座，所述支撐件具有抵持面，當所述抵持面抵持所述工件，所述吸附面抵持所述工件；<br/> 所述抵持面環繞於所述吸附面之外側，且所述抵持面於抵持所述工件時為所述工件提供均勻之垂直壓力。
如請求項1所述之吸嘴，其中：所述吸頭可彈性變形，所述吸附面與所述抵持面之間形成有間距，且所述吸附面比所述抵持面離所述基座更遠，使所述吸附面比所述抵持面先接觸所述工件。
如請求項2所述之吸嘴，其中：所述吸頭包括連接部與吸附頭，所述連接部連接所述吸附頭，所述連接部可拆卸連接於所述基座，所述吸附頭可彈性變形。
如請求項3所述之吸嘴，其中：所述吸附頭呈波紋狀。
如請求項3所述之吸嘴，其中：所述基座設有插接口，所述連接部插入並螺紋連接於所述插接口。
如請求項1所述之吸嘴，其中：所述支撐件沿所述吸頭之延伸方向延伸，並圍於所述吸頭之外側；所述支撐件設有避讓槽，所述避讓槽被配置為避讓所述工件之表面結構。
如請求項1或6所述之吸嘴，其中：所述支撐件包括至少三個支柱，至少三個所述支柱沿所述吸頭之外周均勻分佈，至少三個所述支柱之下表面圍成所述抵持面。
如請求項1所述之吸嘴，其中：所述基座設有氣道，所述氣道連通所述吸附孔，所述基座之側面設有與所述氣道連通之進氣口，所述進氣口被配置為連接用於提供氣體之供氣件。
如請求項8所述之吸嘴，其中：所述吸嘴還包括轉接件，所述轉接件包括轉接部與氣管，所述轉接部插入並螺紋連接於所述進氣口，所述氣管與所述轉接部連通所述氣道，且所述氣管被配置為連接所述供氣件。
一種吸附設備，其改良在於，包括動力結構與如請求項1至9中任意一項所述之吸嘴，所述動力結構連接所述吸嘴，並被配置為驅動所述吸嘴移動。
一種抽管芯棒改良結構，其係包含：<br/>一芯棒本體，該芯棒本體具有一定位部、一棒身部及一施力部，該定位部係連接於該棒身部之一端，該定位部與該棒身部之連接處係形成一環周緣，該棒身部之表面係等距間隔設置有複數定位環，各該定位環沿其圓周方向係間隔凹設複數缺槽，而該施力部係連接於該棒身部之另端。
如請求項1所述之抽管芯棒改良結構，其中，各該定位環之直徑係大於該棒身部之直徑。
如請求項1所述之抽管芯棒改良結構，其中，該環周緣之直徑係大於該棒身部之直徑，且略大於各該定位環之直徑。
如請求項1所述之抽管芯棒改良結構，其中，該定位部遠離該棒身部之端緣係設置一定位錐。
如請求項1所述之抽管芯棒改良結構，其中，該施力部係徑向貫設一穿孔，且端部係軸向設置一貫槽。
一種電感結構，包含：<br/> 一基板，包括一表面且定義出一與該表面平行的第一方向；及<br/> 一導電線圈，包括多個沿該第一方向平行間隔排列設置且相互連接的導線單元，每一導線單元具有<br/> 一非等向性導電組件，具有<br/> 一第一金屬層，設置於該基板的該表面，<br/> 一底導電層，疊置於該第一金屬層，且具有二間隔設置的底導電端部，及一連接該等底導電端部的底導電連接部，每一底導電端部具有一底內周面，及<br/> 一頂導電層，疊置於該底導電層，且具有二間隔設置且對應該等底導電端部的頂導電端部，及一與該等頂導電端部中一者連接的頂導電連接部，每一頂導電端部具有一頂內周面，<br/> 其中，該底導電層及該頂導電層於一與該基板的該表面垂直的第二方向上不導電，<br/> 二通孔，自該頂導電層遠離該第一金屬層的表面朝向該第一金屬層貫通，每一通孔由一圍繞面部所界定出，且該圍繞面部具有對應的該頂導電端部的頂內周面及對應的該底導電端部的底內周面，及<br/> 二電導通組件，分別設置於該等通孔並與該等圍繞面部接觸，以使該底導電層及該頂導電層電導通，<br/> 該等導線單元的該等底導電連接部沿該第一方向平行間隔排列設置，該等頂導電連接部與該等底導電連接部成一夾角地沿該第一方向平行間隔排列設置，且每一頂導電連接部的兩端分別與兩相鄰的導線單元中相應的頂導電端部連接，以使該兩相鄰的導線單元電連接。
如請求項1所述的電感結構，其中，每一電導通組件為一導電柱，且該導電柱與對應的該通孔之圍繞面部的頂內周面及底內周面接觸。
如請求項2所述的電感結構，其中，每一通孔連通該頂導電層遠離該第一金屬層的表面及該底導電層鄰近該第一金屬層的表面，且每一通孔對應的該導電柱還與該第一金屬層的表面接觸。
如請求項2所述的電感結構，其中， 該第一金屬層具有二分別位於兩端且對應該等底內周面及該等頂內周面的內環面，每一通孔連通該頂導電層遠離該第一金屬層的表面及該第一金屬層鄰近該基板的表面，每一通孔的該圍繞面部還具有對應的該第一金屬層的內環面，且每一通孔對應的該導電柱還與該基板的該表面接觸。
如請求項1所述的電感結構，其中，每一電導通組件具有一導電柱及一設置於對應的該通孔的圍繞面部的第二金屬層，且該第二金屬層被夾置於該圍繞面部及該導電柱之間並與該圍繞面部的頂內周面及底內周面接觸。
如請求項5所述的電感結構，其中，每一通孔連通該頂導電層遠離該第一金屬層的表面及該底導電層鄰近該第一金屬層的表面，且每一通孔對應的該第二金屬層還與該第一金屬層的表面接觸。
如請求項5所述的電感結構，其中，該第一金屬層具有二分別位於兩端且對應該等底內周面及該等頂內周面的內環面，每一通孔連通該頂導電層遠離該第一金屬層的表面及該第一金屬層鄰近該基板的表面，每一通孔的該圍繞面部還具有對應的該第一金屬層的內環面，且每一通孔對應的該第二金屬層還與該基板的該表面接觸。
如請求項1所述的電感結構，還包含一芯件，該芯件沿該第一方向設置於該基板的該表面，且該芯件被夾置於該等底導電層的該等底導電連接部及該等頂導電層的該等頂導電連接部之間。
如請求項8所述的電感結構，其中，該基板還包括一自該表面凹陷的凹槽，且該芯件部分嵌設於該凹槽。
如請求項9所述的電感結構，其中，該芯件部分嵌設於該凹槽內且沿該第二方向剖面的剖面形狀為梯形、V字形、弧形或不規則形。
一種送料裝置，用於運輸物料，其改良在於，所述送料裝置包括：<br/> 夾持組件，其沿第一方向間隔設置有多個，所述夾持組件包括夾持機構和定位機構，所述定位機構用於定位所述物料，所述夾持組件被配置為夾持被定位的物料；<br/> 加工站，其沿所述第一方向間隔設置有多個加工位，所述加工位用於放置並加工所述物料；<br/> 橫移組件，所述橫移組件傳動連接多個所述夾持組件，所述橫移組件可帶動多個所述夾持組件分別夾持一個所述加工位上的物料移動至下一個所述加工位。
如請求項1所述的送料裝置，其中：<br/> 所述橫移組件包括第一驅動件和第一安裝件，所述第一驅動件傳動連接所述第一安裝件，所述第一驅動件被配置為驅動所述第一安裝件沿所述第一方向移動，所述夾持組件沿所述第一方向間隔連接於所述第一安裝件。
如請求項2所述的送料裝置，其中：<br/> 所述送料裝置還包括升降組件，所述升降組件傳動連接多個所述夾持組件，所述升降組件可帶動所述夾持組件沿第二方向移動，所述第二方向與所述第一方向相交。
如請求項3所述的送料裝置，其中：<br/> 所述升降組件包括第二驅動件，所述第二驅動件傳動連接所述第一安裝件，所述第二驅動件被配置為驅動所述第一安裝件沿所述第二方向移動。
如請求項4所述的送料裝置，其中：<br/> 所述升降組件還包括連接件，所述第一安裝件可移動地連接於所述連接件，所述第二驅動件傳動連接所述連接件，並可驅動所述連接件沿所述第二方向移動。
如請求項5所述的送料裝置，其中：<br/> 所述升降組件還包括導向件，所述導向件連接於所述連接件，沿所述第二方向，所述導向件抵持於所述第一安裝件的至少一側，所述第一安裝件可相對所述導向件沿所述第二方向移動。
如請求項2所述的送料裝置，其中： 所述夾持機構包括第二安裝件和沿所述第一方向間隔設置的兩個夾持件，所述第二安裝件連接於所述第一安裝件，所述夾持件滑動連接於所述第二安裝件。
如請求項7所述的送料裝置，其中：<br/> 所述夾持機構還包括第三驅動件，所述第二安裝件開設有滑槽，所述滑槽沿所述第一方向延伸，所述第三驅動件傳動連接所述夾持件，所述第三驅動件被配置為驅動所述夾持件沿所述滑槽滑動。
如請求項1所述的送料裝置，其中：<br/> 所述送料裝置還包括上料組件，所述上料組件包括上料件和上料台，所述上料台用於放置所述物料，所述上料件可吸附所述物料，所述橫移組件傳動連接所述上料件，所述橫移組件可帶動所述上料件沿所述第一方向移動。
如請求項9所述的送料裝置，其中：<br/> 所述上料組件還包括定位件，所述定位件連接於所述上料件，所述定位件用於定位所述上料件吸附的物料。
一種內視鏡前端結構，包括：<br/> 一前端套管，該前端套管的前端具有一傾斜面，且於該傾斜面凹設有一承靠凹槽；<br/> 一影像感測模組，設在該承靠凹槽內，該影像感測模組包括一基座、一影像感測器與複數個光源元件，該基座具有相對的一頂部與一底部，該底部設有複數個電性連接點，該影像感測器和該複數個光源元件設在該頂部上，且該複數個光源元件分別設於該影像感測器的兩側；<br/> 一線材，設在該基座的該底部，且連接該複數個電性連接點；<br/> 一滑塊，設在該前端套管的該承靠凹槽內，並緊靠在該影像感測模組的一側，以將該影像感測模組定位在一預設位置上；以及<br/> 一封裝膠材，填設在該前端套管的該承靠凹槽內，並該封裝膠材包覆該影像感測模組的側壁，與覆蓋該滑塊表面，以封閉該承靠凹槽的開口。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該承靠凹槽內的該封裝膠材形成一第一封裝體，該第一封裝體封閉該承靠凹槽的開口並固定該影像感測模組與該滑塊。
如請求項2所述的內視鏡前端結構，其中，該第一封裝體的頂面高度高於該滑塊的頂面高度。
如請求項2所述的內視鏡前端結構，其中，該第一封裝體的頂面高度高於該複數個光源元件之表面高度。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該影像感測器的一部分側壁與該複數個光源元件的側壁包覆有一第二封裝體。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該基座的該頂部包括一感測器連接區及一光源連接區，且該光源連接區的表面高度相對高於該感測器連接區的表面高度，該感測器連接區設有該影像感測器，該光源連接區設有該複數個光源元件；<br/> 該頂部的該感測器連接區、該光源連接區以及該底部的該複數個電性連接點，分別透過該基座內部的複數個導電線路電性連接。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該線材包含彼此獨立的多根導線，該線材的一端設有一線材保護結構，該線材保護結構為膠材構成，部分包覆於該線材的外披覆層上，以整體包覆並保護該多根導線；該線材的另一端為一延伸部，該延伸部自該線材的一端延伸，且該延伸部的軸線相對於該線材保護結構的軸線之間具有一預設彎折角度。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該承靠凹槽的內側壁突設一承靠塊，該基座的底部設有一承靠面，該承靠面與該線材的連接處相鄰，在該影像感測模組設在該承靠凹槽時，該承靠面貼合在該承靠塊上。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該影像感測模組底部與該線材之間還設有一膠材固化層，該膠材固化層填設在該些電性連接點與該線材之間。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該封裝膠材為一透明且具生物相容性之材料。
如請求項1所述的內視鏡前端結構，其中，該前端套管為一圓管件，該傾斜面相對於該圓管件的軸線具有一預設傾斜角度。
一種電動攪拌杯結構，包含： <br/>一杯體(10)； <br/>一內膽(20)，容置於該杯體(10)內部，該內膽(20)具有一內底部(21)與一頂部開口(22)，該內底部(21)中央設有一環狀凸部(23)，該環狀凸部(23)圍繞界定出一限制區域(24)； <br/>一杯蓋(30)，可拆卸地組裝於該內膽(20)的頂部開口(22)，以封閉該內膽(20)內部； <br/>一棒狀轉子(40)，容置於該內膽(20)內底部(21)的該限制區域(24)內，該棒狀轉子(40)之中段外周設有一環凸緣(42)，當該棒狀轉子(40)於該限制區域(24)內旋轉時，該環凸緣(42)與該內膽(20)的內底部(21)形成點接觸支撐，以減少旋轉摩擦阻力，並藉由該環狀凸部(23)限制該棒狀轉子(40)的移動範圍；以及 <br/>一驅動裝置(50)，包含一安裝於該內膽(20)底部的底座(51)、一安裝於該底座(51)上的馬達(52)以及一固定於該馬達(52)輸出軸上且設有強力磁鐵(531)的轉盤(53)； <br/>其中，該驅動裝置(50)透過該轉盤(53)上的強力磁鐵(531)所產生的旋轉磁場，以磁力耦合方式非接觸地驅動該棒狀轉子(40)於該限制區域(24)內旋轉，進而攪拌容置於該內膽(20)內的流體內容物。
如請求項1所述之電動攪拌杯結構，其中該棒狀轉子(40)內部裝設有磁性材料(41)，藉以與該驅動裝置(50)之強力磁鐵(531)產生磁力耦合作用。
如請求項1所述之電動攪拌杯結構，其中該驅動裝置(50)更包含一電路板(54)與一電池(55)，該電路板(54)設有一開關(541)，該電路板(54)負責控制該電動攪拌杯結構之運作，並與該馬達(52)及該電池(55)進行電性連接。
如請求項3所述之電動攪拌杯結構，其中該電池(55)為一可充電電池。
如請求項1所述之電動攪拌杯結構，其中該轉盤(53)之形狀為圓形或圓角矩形。
如請求項1所述之電動攪拌杯結構，其中該強力磁鐵(531)為長方形片狀或圓形片狀。
一種省電之電子鎖結構，包含有：<br/> 一本體，內部具有一容置空間；<br/> 一鎖舌，設於該本體，經設置而於一上鎖位置與一解鎖位置間往復移動；當該鎖舌於該上鎖位置時，該鎖舌至少一部分伸出該本體；當該鎖舌於該解鎖位置時，該鎖舌縮回該本體之該容置空間內；<br/> 一活動機構，設於該本體，具有一電磁管、一活動金屬件、一第一磁鐵、一第二磁鐵及一連動件；該活動金屬件以可活動的方式設於該電磁管內部；該第一磁鐵與該第二磁鐵分別設於該活動金屬件之軸向兩端，其中該第一磁鐵相較該第二磁鐵接近該鎖舌；該連動件一端連接於該鎖舌，另一端連接於該活動金屬件；以及<br/> 一機板，具有一供電單元及一控制單元；該供電單元電性連接於該電磁管；該控制單元電性連接於該供電單元，用以受控制而發出一上鎖訊號或一解鎖訊號至該供電單元；<br/> 其中，當該供電單元接收該上鎖訊號，則短暫送電至該電磁管產生一第一磁場將該活動金屬件推向該第一磁鐵的方向，使該連動件帶動該鎖舌移動至該上鎖位置，並在結束送電後藉由該第一磁鐵吸住該活動金屬件維持上鎖狀態；當該供電單元接收該解鎖訊號，則短暫送電至該電磁管產生一第二磁場將該活動金屬件推向該第二磁鐵的方向，使該連動件帶動該鎖舌移動至該解鎖位置，並在結束送電後藉由該第二磁鐵吸住該活動金屬件維持解鎖狀態。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，其中該第一磁鐵與該第二磁鐵之間的距離大於該活動金屬件之長度。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，其中該第一磁場與該第二磁場之磁場方向相反。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，其中該鎖舌之一端具有一第一樞接部；該活動金屬件之一端具有一第二樞接部；該連動件之兩端分別樞接於該第一樞接部及該第二樞接部。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，其中該活動機構更包含有一第一磁鐵座，設於該電磁管接近該鎖舌之一側並供該第一磁鐵設置於其中；該第一磁鐵座相鄰該活動金屬件之一側具有一第一斜槽；該活動金屬件相鄰該第一磁鐵座之一端具有ㄧ第一斜面，使該活動金屬件接近該第一磁鐵時，該第一斜面抵靠於該第一斜槽。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，其中該活動機構更包含有一第二磁鐵座，設於該電磁管遠離該鎖舌之一側並供該第二磁鐵設置於其中；該第二磁鐵座相鄰該活動金屬件之一側具有一第二斜槽；該活動金屬件相鄰該第二磁鐵座之一端具有ㄧ第二斜面，使該活動金屬件接近該第二磁鐵時，該第二斜面抵靠於該第二斜槽。
如請求項1所述之省電之電子鎖結構，更包含有一手動操作機構，具有一拉桿、一鎖芯及一操作件；該拉桿設於該本體之該容置空間內並連接於該活動金屬件遠離該鎖舌之一端；該鎖芯設於該本體，具有一轉動件受控制而沿一水平位置及一垂直位置間轉動；該操作件連接於該鎖芯，用以當該操作件轉動時，帶動該鎖芯之該轉動件推動該拉桿移動，使該活動金屬件被同步拉動朝該第二磁鐵的方向移動。
如請求項7所述之省電之電子鎖結構，其中該拉桿具有ㄧ活動槽，及一推頂部形成於該活動槽遠離該活動金屬件之一側；當該轉動件位於該水平位置時，該轉動件與該推頂部相隔一定距離並概呈垂直；當該轉動件由該水平位置朝該垂直位置轉動時，該轉動件伸入該活動槽並推抵該推頂部，使該拉桿帶動該活動金屬件朝該第二磁鐵的方向移動。
一種多功能感應開關結構，包含有：<br/> 一本體，內部具有一容置空間；<br/> 一微波感應模組，設於該本體之該容置空間內，用以受控制而朝一第一感應範圍發射一微波雷達訊號，並在接收到對應於該微波雷達訊號之一反射波訊號時產生一第一感應訊號；<br/> 一紅外線感應模組，設於該本體之該容置空間內，用以受控制而朝一第二感應範圍發射一紅外線訊號，並在接收到對應於該紅外線訊號之一反射光訊號時產生一第二感應訊號； <br/> 一控制模組，通訊或電性連接於該微波感應模組與該紅外線感應模組，具有一控制單元及一判斷單元；該控制單元用以控制該微波感應模組與該紅外線感應模組進行感應與否；該判斷單元用以接收並分析該微波感應模組產生之該第一感應訊號和/或該紅外線感應模組產生之該第二感應訊號，並在同時接收該第一感應訊號與該第二感應訊號時發出一動作指令，通過一傳輸單元傳輸至一自動設備以控制該自動設備執行相對應之動作；<br/> 一電路板，設於該本體之該容置空間中，用以供該微波感應模組、該紅外線感應模組及該控制模組安裝於其上；以及<br/> 一機械按鈕模組，具有一機械按鈕及一按壓件；該機械按鈕設於該電路板並訊號連接於該控制模組；該按壓件以可活動的方式設於該本體之一側，用以供操作而沿遠離或接近該機械按鈕的方向移動；其中當該按壓件接觸該機械按鈕時，該機械按鈕即傳送一控制訊號至該控制模組，強制控制該自動設備執行相對應之動作。
如請求項1所述之多功能感應開關結構，其中該機械按鈕模組更包含有一變形件，設於該本體之該容置空間並相鄰於該電路板；當施力於該按壓件時，該變形件產生相對應之變形使該按壓件可朝接近該機械按鈕的方向移動。
如請求項2所述之多功能感應開關結構，其中該變形件中央具有一觸動孔，對應於該機械按鈕；該按壓件中央具有一凸柱，伸入該觸動孔中。
如請求項3所述之多功能感應開關結構，其中該變形件具有複數個定位孔，設於該觸動孔附近；該按壓件具有複數個一第一定位件，分別伸入該變形件對應之該等定位孔中，使該按壓件無法相對該變形件轉動。
如請求項2所述之多功能感應開關結構，其中該本體更包含有一定位環，埋設於該容置空間中，該定位環之外周緣設有複數個定位槽；該按壓件外周緣具有複數個第二定位件，分別伸入該定位環對應之該等定位槽中，使該按壓件無法相對該本體轉動。
如請求項2所述之多功能感應開關結構，其中該變形件之材質為橡膠製成。
如請求項1所述之多功能感應開關結構，其中該第一感應範圍至少一部分重疊於該第二感應範圍，且該第一感應範圍大於該第二感應範圍。
如請求項1所述之多功能感應開關結構，其中該微波感應模組具有一微波發射單元及一微波接收單元；該微波發射單元用以朝該第一感應範圍發射一預定頻率之該微波雷達訊號；該微波接收單元用以接收對應於該微波雷達訊號之該反射波訊號，據以產生該第一感應訊號。
如請求項1所述之多功能感應開關結構，其中該紅外線感應模組具有一紅外線發射單元及一紅外線接收單元；該紅外線發射單元用以發射該紅外線訊號；該紅外線接收單元通訊或電性連接於該判斷單元，用以接收對應於該紅外線訊號之該反射光訊號，據以產生該第二感應訊號傳輸至該判斷單元。
如請求項1所述之多功能感應開關結構，其中該控制模組更包含有一發光單元，電性連接於該控制單元，用以受該控制單元控制以根據該多功能感應開關結構處於待機狀態或觸發狀態而發出不同顏色之光源。
一種線束定位組件，配置以定位複數條線材，該線束定位組件包括：<br/> 一導體固定件，具有複數個導體定位槽與一延伸部，其中該些線材的複數條線芯分別定位於該些導體定位槽中；以及<br/> 一鏈式線夾件，圍繞該導體固定件的該延伸部，且具有複數個夾持部，其中該些夾持部相鄰兩者彼此連接，該些夾持部各具有一卡線槽，且該些線材分別定位於該些夾持部的該些卡線槽中。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該些導體定位槽至少其中兩者的尺寸不同，且該些卡線槽至少其中兩者的尺寸不同。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該鏈式線夾件的該些夾持部其中兩者分別具有一卡勾與一卡槽，當該卡勾與該卡槽卡合時，該鏈式線夾件為柱狀。
如請求項3所述之線束定位組件，其中該鏈式線夾件的中央區具有一多邊形開口，該導體固定件的該延伸部為一多邊形結構，且該多邊形開口耦合該多邊形結構。
如請求項3所述之線束定位組件，其中該鏈式線夾件的外側壁具有一缺口，且該缺口位於該些線材相鄰兩者之間，該線束定位組件更包括：<br/> 複數個內模，圍繞該導體固定件、該鏈式線夾件至少其中一者與該些線材；以及<br/> 一外模，圍繞該些內模至少其中一者與該鏈式線夾件，其中該外模的至少一部分位於該缺口中。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該導體固定件的該延伸部具有一限位端部，且該限位端部抵接該鏈式線夾件。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該些夾持部相鄰兩者的連接處沿徑向的厚度在0.2毫米至0.7毫米的範圍中。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該些夾持部的該些卡線槽各包括一點膠槽，該點膠槽具有黏膠層，且該點膠槽的深度在0.1毫米至0.2毫米的範圍中。
如請求項1所述之線束定位組件，其中該導體固定件的該些導體定位槽的深度分別為該些線材的該些線芯的厚度的1/2至2/3，且該導體固定件的該些導體定位槽的邊緣具有倒角。
如請求項1所述之線束定位組件，更包括：<br/> 一螺母，位於該導體固定件中，配置以供鎖附以定位該導體固定件。
一種具排水功能之拖把桶結構，其係包括： <br/> 一桶體，所述桶體的底部或者側壁上設置 有排水孔； <br/> 一排水裝置，所述排水裝置設有一排水塞、一彈性件、一排水座及一抵持管，該排水座設有一軸孔，而該排水座側邊設有數排水口，且該數排水口與該軸孔導通，其中該排水座之軸孔相對於桶體之排水孔固設設置，而該排水塞呈可滑動設於排水孔與軸孔間，且該彈性件套設於排水塞上，該抵持管呈可升降控制滑動設於軸孔上，而該抵持管端側抵持該彈性件，以控制彈性件相對排水塞之彈性抵持力，進行排水塞相對排水座之數排水口之開啟導通與止擋遮蔽。
如請求項1所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該抵持管設有一升降螺合部，而該排水座之軸孔設有一升降螺固部，其中該抵持管之升降螺合部呈可升降調整控制，螺設於排水座之升降螺固部。
如請求項1或2所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該抵持管設有一儲存管身部，而該儲存管身部近底側周緣設有數導出孔，其中該儲存管身部注入地板清潔劑，該地板清潔劑由該數導出孔導入桶體內。
如請求項3所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該抵持管之儲存管身部所設數導出孔，係環繞抵持管周圍呈柵欄孔狀設置。
如請求項4所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該抵持管頂側套合固定設有一把手蓋。
如請求項5所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該把手蓋頂側設有升降轉向控制凹凸紋路。
如請求項6所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該把手蓋係以彈性防滑膠質材質製成。
如請求項3所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該桶體的底部之排水孔周圍設有一結合座，而該排水裝置所設排水座與該結合座結合固定。
如請求項8所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該結合座設有數結合孔，而該排水裝置所設排水座設有數固定孔，且該固定孔分別設有一固定件，其中該結合座之數結合孔，與該排水座所設數固定孔相對，並以固定孔所設固定件進行結合固定。
如請求項8所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該結合座與該排水裝置所設排水座間設有一止洩墊圈。
如請求項8所述之具排水功能之拖把桶結構，其中，該排水座係為彈性防滑膠質材質製成，使其與桶體之排水孔周圍所設結合座結合更為密合。
一種電動起子，包含有：一主體，其前端設有一插接部，該插接部用於可拆卸地安裝一起子接頭；一握持體，係與該主體呈預設角度連接，該握持體表面設有一啟動開關；一驅動元件，設於該主體內部，該驅動元件的一輸出軸伸入插接部內，用於與安裝在該插接部的起子接頭連接；及一發光裝置，設於該主體上；藉此，當觸發該啟動開關時，該發光裝置被點亮並向插接部方向發射光線，以對該起子接頭操作區域提供照明。
如請求項1所述之電動起子，其中，該主體包括相接的一前殼體和一後殼體，該前殼體的橫截面直徑小於後殼體的橫截面直徑。
如請求項1所述之電動起子，其中，該主體包括二側殼體，該二側殼體的橫截面呈半環形，係可對應連接形成呈圓形之主體。
如請求項1所述之電動起子，其中，該輸出軸與主體之間設有一減震元件，該減震元件包括：一隔音罩，套設在該輸出軸與主體之間；一彈性件，抵接於該隔音罩和主體之間；及一減震元件，填充於該輸出軸和隔音罩之間。
如請求項4所述之電動起子，其中，該彈性件為壓縮彈簧。
如請求項1所述之電動起子，其中，該預設角度為90°-105°。
如請求項1所述之電動起子，其中，該主體的後半部設有若干散熱孔。
如請求項1所述之電動起子，其中，該握持體的橫截面呈橢圓形。
如請求項1所述之電動起子，其中，該驅動元件的動力設於主體的後半部，該主體的後半部為柱狀結構，其軸向長度L與主體總長度L0滿足以下條件：0.2L0<img align="absmiddle" height="17px" width="12px" file="d10010.TIF" alt="其他非圖式ed10010.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10010.png"/>L<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10011.TIF" alt="其他非圖式ed10011.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10011.png"/>0.5L0。
如請求項1所述之電動起子，其中，該輸出軸的自由端設有若干安裝孔，該安裝孔透過機械卡扣結構或磁性吸附方式與起子接頭連接。
如請求項1所述之電動起子，其中，該起子接頭的插接部為多邊形凹槽。
如請求項1所述之電動起子，其中，該握持體的頂部與主體的後半部連接，該握持體的底部設有一電池置入部，該電池置入部設有一充電介面。
如請求項1所述之電動起子，其中，該主體的後端設有一方向開關及順時針和逆時針旋轉的若干箭頭標識。
一種用於淨水器的顯示面板，其特徵在於，包括透光殼、遮光殼和顯示模組，所述遮光殼貼合安裝於所述透光殼的內側，所述遮光殼上設有顯示模組安裝孔，所述顯示模組嵌合安裝於所述顯示模組安裝孔中，所述顯示模組的主體為遮光板，所述遮光板上設置有透光孔，所述顯示模組的正面貼合有麥拉膜，所述顯示模組的背面安裝有發光組件。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述遮光殼的背面沿所述顯示模組安裝孔的周向設置有若干個第一凹槽，所述透光殼的背面與所述若干個第一凹槽對應的位置設置有若干個第一安裝柱，所述若干個第一凹槽套設於所述若干個第一安裝柱並與所述若干個第一安裝柱緊固連接。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述透光殼的背面設置有第二安裝柱。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述透光殼的背面與所述顯示模組安裝孔對應的區域中設置有第三安裝柱，所述顯示模組的正面與所述第三安裝柱對應的位置設置有讓位孔，所述顯示模組的背面與所述第三安裝柱對應的位置設置有安裝套筒，所述第三安裝柱穿過所述讓位孔套設於所述安裝套筒中並配合連接件將所述顯示模組固定於所述透光殼。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述透光殼的側邊設置有卡扣。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述卡扣包括第一卡扣和第二卡扣，所述第一卡扣用於顯示面板的安裝，所述第二卡扣用於所述遮光殼的限位。
根據請求項2所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述顯示模組的側邊設置有側安裝件，所述側安裝件套設於所述第一凹槽並與所述第一安裝柱和所述第一凹槽緊固連接。
根據請求項1所述的用於淨水器的顯示面板，其中所述發光組件封膠安裝於所述顯示模組的背面。
一種即熱式淨飲機水路系統，其特徵在於，包括： <br/>即熱體（300），所述即熱體（300）進口端通過即熱進水管（310）與主供水管（280）出口連通，出口端連接換向閥（314）的進口，所述換向閥（314）的第一出口連接熱水出水管（330）； <br/>保溫箱（400），所述保溫箱（400）的第一進口通過保溫進水管（430）與所述換向閥（314）的第二出口連通，所述保溫箱（400）的保溫出水口（461）通過保溫出水管（420）與所述即熱進水管（310）連通，所述保溫出水管（420）上設有抽水泵b（421）； <br/>外回流管（320），所述外回流管（320）的進口端連通所述熱水出水管（330），所述外回流管（320）的出口端連通在所述即熱體（300）出口端與所述換向閥（314）進口之間，所述外回流管（320）上設有外回流控制閥（321）。
一種即熱式淨飲機水路系統，其特徵在於，包括： <br/>即熱體（300），所述即熱體（300）進口端通過即熱進水管（310）與主供水管（280）出口連通，出口端連接換向閥（314）的進口，所述換向閥（314）的第一出口連接熱水出水管（330）； <br/>保溫箱（400），所述保溫箱（400）的第一進口通過保溫進水管（430）與所述換向閥（314）的第二出口連通，所述保溫箱（400）的保溫出水口（461）通過保溫出水管（420）與所述即熱進水管（310）連通，所述保溫出水管（420）上設有抽水泵b（421）； <br/>外回水管（340），所述外回水管（340）的進口端連通所述熱水出水管（330），所述外回水管（340）的出口端連通所述保溫進水管（430），且所述外回水管（340）上設有外回水電磁閥（341）。
根據請求項1或2所述的即熱式淨飲機水路系統，其中還包括補水管（410），所述保溫箱（400）的第二進口通過所述補水管（410）與所述主供水管（280）出口連通，所述補水管（410）上設有補水閥（411）。
根據請求項1或2所述的即熱式淨飲機水路系統，其中還包括濾芯組件，所述濾芯組件的純水出口端連接純水管（230），所述純水管（230）出口端分別連通常溫出水管（260）和所述主供水管（280）； <br/>所述主供水管（280）上還設有分配閥（112）和負壓閥（281），所述分配閥（112）具有一進口(a)通過分配回水管（270）與所述常溫出水管（260）連通，具有一出口(b)連通所述負壓閥（281），所述主供水管（280）上於所述負壓閥（281）下游設有抽水泵a（282）。
根據請求項4所述的即熱式淨飲機水路系統，其中所述濾芯組件包括第一濾芯（100）和RO膜濾芯（200），所述第一濾芯（100）的出口通過第一淨水管（110）連通所述RO膜濾芯（200）的進口，所述第一淨水管（110）上沿水流方向設有進水閥（111）和增壓泵（113）； <br/>分配閥（112）具有一進口(c)和一出口(d)，所述進口(c)連通所述進水閥（111）的出口，出口(d)連通所述增壓泵（113）的進口；所述分配閥（112）用於將所述常溫出水管（260）上的多餘水量回流至所述增壓泵（113）之前。
根據請求項4所述的即熱式淨飲機水路系統，其中所述常溫出水管（260）上沿水流方向依次設有單向閥a（261）和常溫電磁閥（262）；所述分配回水管（270）與所述常溫出水管（260）的連通位置處於所述單向閥a（261）上游。
根據請求項1或2所述的即熱式淨飲機水路系統，其中即熱進水管（310）上沿水流方向依次設有出水閥（311）、單向閥b（312），所述保溫出水管（420）出口連通至所述單向閥b（312）下游。
根據請求項5所述的即熱式淨飲機水路系統，其中還包括排水管（290）；所述排水管（290）的進口與所述常溫出水管（260）連通，所述排水管（290）的出口與所述RO膜濾芯（200）的廢水管（210）連通，所述排水管（290）上設有排水閥（291）和排水單向閥（292）。
根據請求項3所述的即熱式淨飲機水路系統，其中所述保溫箱（400）的第一進口和第二進口設於所述保溫箱（400）頂部，所述保溫出水口（461）設於所述保溫箱（400）的底部，且第一進口、第二進口和所述保溫出水口（461）處於箱體長度方向的同一側。
根據請求項9所述的即熱式淨飲機水路系統，其中所述保溫箱（400）內位於所述保溫出水口（461）上方還設有防護板（450），所述防護板（450）延伸至覆蓋並超出所述保溫出水口（461）的孔徑，所述防護板（450）與所述保溫出水口（461）之間形成一定高度的過流空間。
一種可調式門框結構，包含：<br/> 一框體，具有一位於第一側的第一框部、及一位於第二側的第二框部，該第一框部具有一第一側抵部，該第二框部具有一朝向該第一側的組裝槽、一鄰接該組裝槽的第一平面部、及一凸設在該第一平面部的凸起部；<br/> 一蓋板，設在該框體，並具有一與該第一框部同側的第一蓋部、及一與該第二框部同側的第二蓋部，該第二蓋部具有一勾設在該組裝槽的勾扣部、及一鄰接該勾扣部且與該第一平面部及該凸起部共同形成一調整槽的第二平面部，該調整槽朝向該第二側；以及<br/> 一調整框，具有一第二側抵部、及一連接該第二側抵部且能夠調整地插設在該調整槽的調整部；<br/> 藉由該調整部插設在該調整槽的深淺而調整改變該框體的第一側抵部與該調整框的第二側抵部之間的距離。
如請求項1所述之可調式門框結構，其中，該可調式門框結構適用於設在一牆壁，該牆壁具有一第一側牆面、一反向於該第一側牆面的第二側牆面、及一位於該第一側牆面與該第二側牆面之間的正牆面，該框體的第一側抵部靠抵在該第一側牆面，該調整框的第二側抵部靠抵在該第二側牆面，該框體的第一框部藉由一螺絲鎖固在該正牆面。
如請求項1所述之可調式門框結構，其中，該蓋板的第一蓋部具有一壓抵在該第一框部的壓抵部。
如請求項3所述之可調式門框結構，其中，該蓋板的壓抵部呈連續彎折狀。
如請求項4所述之可調式門框結構，其中，該蓋板的壓抵部具有一壓抵在該第一框部的壓抵段、一連接該壓抵段且遠離該第一框部的連接段、及一連接該連接段且平行於該壓抵段的延伸段。
如請求項3所述之可調式門框結構，其中，該蓋板的第一蓋部具有一連接該壓抵部的密封槽，該密封槽設有一密封條。
如請求項2所述之可調式門框結構，其中，該蓋板的第一蓋部具有具有一罩設在該螺絲的遮蔽槽。
一種具換氣結構之鞋底結構，包含有一鞋底，該鞋底由中底及大底組成，該中底具有頂面、底面及側牆部，該底面區分為前掌區、足心區及後跟區，該後跟區設有一容置空間，由該容置空間向外延伸有至少一排氣通道，該側牆部設有排氣孔並於該排氣通道連通，該容置空間向該前掌區方向延伸設有至少一主流通道，該主流通道於該足心區設有複數分流通道，複數該分流通道設有起點處與終點處，該主流通道於該前掌區設有複數進氣通道，複數該進氣通道設有複數進氣孔，複數該進氣孔貫穿該中底之該頂面，該容置空間、該主流通道、複數該分流通道、複數該進氣通道及複數該進氣孔相連通，該大底組設於該中底之該底面。
如申請專利範圍第1項所述之具換氣結構之鞋底結構，其中，複數該分流通道之該起點處與該終點處皆與該主流通道相連通。
如申請專利範圍第1項所述之具換氣結構之鞋底結構，其中，複數該分流通道之該起點處與該主流通道夾角角度位於30度～70度之間。
如申請專利範圍第1項所述之具換氣結構之鞋底結構，其中，複數該進氣通道為縱向排列。
如申請專利範圍第1項所述之具換氣結構之鞋底結構，其中，複數該進氣通道為直向排列。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之具換氣結構之鞋底結構，其中，複數該進氣通道為縱向及直向交錯排列。
一種可完全防止漏氣之快速接頭結構改良，主要係由一快速接頭本體和二個橡膠塊所構成，其中，該快速接頭本體的中間則具有一六角狀之六角塊本體，而在該六角塊本體的兩側，則各具有一左側外螺紋部和一右側外螺紋部的結構體，其特徵在於：<br/>速接頭本體，在該快速接頭本體的左端部和右端部各具有一體成形狀之左側流通管和右側流通管，而該左側流通管和右側流通管上，各具有一流通管道，另在該左側流通管的周圍底部，則具有一左嵌合凹槽，相對地在右側流通管的周圍底部，則也具有一右嵌合凹槽；<br/>橡膠塊，係一端呈圓弧狀，而另一端呈平整狀，其中央具有一通孔，該橡膠塊係可利用其通孔而可穿過快速接頭本體之左端部的左側流通管，而可和左嵌合凹槽作嵌固黏合，進而可在該快速接頭之左端部形成一凸出狀之橡膠塊之結構特徵；相對地，另一橡膠塊也可利用其通孔而可穿過快速接頭本體之右端部的右側流通管，而可和右嵌合凹槽作嵌固黏合，進而可在該快速接頭之右端部形成一凸出狀之橡膠塊之結構特徵者。
一種鏡頭組件，其包括：<br/> 一安裝座；<br/> 一鏡頭座；<br/> 一彈性部，包括一第一連接區、一第二連接區和一彈性體，該彈性體連接於該第一連接區和該第二連接區之間且彎曲延伸，該第一連接區與該安裝座連接，該第二連接區與該鏡頭座連接；以及<br/> 一止擋結構，設置於該鏡頭座和該安裝座，該止擋結構包括多個第一止擋部和多個第二止擋部，多個第一止擋部與多個第二止擋部一一對應設置，該第一止擋部和該第二止擋部朝該鏡頭座和該安裝座的相對側凸起，且該第一止擋部和對應的該第二止擋部位於該彈性體的兩側。
如請求項1所述的鏡頭組件，其中，該第二止擋部的凸起高度大於該第一止擋部的凸起高度，且該第二止擋部與該第一止擋部之凸起高度的差值處於一預定範圍。
如請求項2所述的鏡頭組件，其中，該第二止擋部與該第一止擋部之凸起高度的差值大於0mm，並且小於或等於0.0387mm。
如請求項2所述的鏡頭組件，其中，該鏡頭座具有一第一接觸位置和一第二接觸位置；<br/> 在該第一接觸位置，該鏡頭座與該安裝座透過該第二止擋部相互抵接，且該第一止擋部與該鏡頭座或該安裝座處於一間隔狀態；<br/> 在該第二接觸位置，該鏡頭座與該安裝座透過該第一止擋部和該第二止擋部相互抵接。
如請求項2所述的鏡頭組件，其中，該彈性體包括一第一連接端和一第二連接端，該第一連接端與該第一連接區連接，該第二連接端與該第二連接區連接；<br/> 該第一止擋部相對於該第二止擋部靠近該第一連接端。
如請求項5所述的鏡頭組件，其中，該第一連接端連接於該第一連接區靠近該第一止擋部的一側；<br/> 該第二止擋部位於該第一連接區遠離該第一止擋部的一側，且該第二連接區與該第二止擋部相鄰設置。
如請求項2所述的鏡頭組件，其中，該安裝座具有一第一面，該第一面凸設有一第一連接凸台；<br/> 該第一連接區設置於該第一連接凸台的檯面，至少部分該彈性體與該第一面相對且間隔設置。
如請求項7所述的鏡頭組件，其中，該鏡頭座在該安裝座投影的方向上，至少部分該第一止擋部和至少部分該第二止擋部與該鏡頭座的邊緣區域重合，該第一連接區與該鏡頭座錯開。
如請求項7所述的鏡頭組件，其中，該鏡頭座具有一第二面，該第二面朝向該第一面，該第二面凸設有一第二連接凸台；<br/> 該第二連接區設置於該第二連接凸台的檯面，至少部分該彈性體與該第二面相對且間隔設置。
如請求項7所述的鏡頭組件，其中，該第一連接區為片狀結構，該第一止擋部和該第二止擋部的凸起高度大於該片狀結構的厚度；<br/> 該彈性部處於一自由狀態下，該第一連接區與該第一止擋部的側面和該第二止擋部的側面對應。
如請求項7所述的鏡頭組件，其中，該彈性體包括一第一連接端和一第二連接端，該第一連接端與該第一連接區連接，該第二連接端與該第二連接區連接；<br/> 該第一連接區具有一第一側緣，該第一側緣位於該第一連接區靠近該鏡頭座的一側並處於該第一連接凸台的邊緣，該第一連接端與該第一側緣連接。
如請求項11所述的鏡頭組件，其中，該第一側緣在一長度方向上包括一避讓段和一連接段，該避讓段位於該第一連接凸台的檯面，該連接段相對於該避讓段，靠近該第一連接凸台的邊緣並與該第一連接端連接；<br/> 該第一止擋部與該連接段相鄰設置，該第二止擋部與該避讓段相鄰設置。
如請求項11所述的鏡頭組件，其中，該第一止擋部包括一第一止擋凸台，該第一止擋凸台具有一第一止擋面；<br/> 該第二止擋部包括一第二止擋凸台，該第二止擋凸台具有一第二止擋面；<br/> 該第一止擋面的面積大於該第二止擋面的面積。
如請求項13所述的鏡頭組件，其中，該第一止擋面與該第二止擋面遠離該鏡頭座一側的一連接直線，穿過該第一連接端且位於該第一側緣靠近該鏡頭座的一側。
如請求項13所述的鏡頭組件，其中，該第一止擋凸台和該第二止擋凸台設置於該安裝座，且該第一止擋凸台和該第二止擋凸台向該鏡頭座凸起，該第二止擋凸台的檯面邊緣設置有一圓角。
如請求項13所述的鏡頭組件，其中，該第二止擋部還包括一第三止擋凸台；<br/> 該第一止擋凸台和該第二止擋凸台設置於該鏡頭座，且該第一止擋凸台和該第二止擋凸台向該安裝座凸起，該第三止擋凸台設置於該安裝座，該第三止擋凸台向該安裝座凸起並與該第二止擋凸台對應，該第二止擋凸台和/或該第三止擋凸台的檯面邊緣設置有一圓角。
如請求項1所述的鏡頭組件，其中，該第一止擋部和該第二止擋部的數量均為多個，且該第一止擋部和該第二止擋部組成一止擋單元；<br/> 該彈性部的數量為多個，該彈性部包括與多個該止擋單元一一對應的多個彈性單元，該彈性單元包括該第一連接區、該第二連接區和該彈性體，且多個該彈性單元位於多個該彈性部相互遠離的一側。
如請求項17所述的鏡頭組件，其中，該彈性部的數量為兩個，兩個該彈性部相對設置，該彈性部包括一連接體，該連接體的兩端連接有兩個該第二連接區；<br/> 該彈性部包括兩個該彈性單元，與同一該彈性部對應的兩個該第一止擋部，位於兩個該彈性單元相互靠近的一側。
如請求項18所述的鏡頭組件，其中，該止擋結構還包括：<br/> 兩個第三止擋部，設置於該鏡頭座和/或該安裝座，該第三止擋部朝該鏡頭座和該安裝座的相對側凸起，且該第三止擋部的凸起高度與該第二止擋部相同；<br/> 兩個該第三止擋部分別與兩個該彈性部對應設置，該第三止擋部位於對應的兩個該第一止擋部之間。
如請求項19所述的鏡頭組件，其中，該止擋結構還包括：<br/> 兩個轉動限位部，分別與兩個該第三止擋部對應設置，該轉動限位部設置於該鏡頭座和/或該安裝座並朝該鏡頭座和該安裝座的相對側凸起，該轉動限位部的側面與該第三止擋部的側面至少部分相對。
一種氣槍結構，可供一壓縮氣瓶(A)安裝，所述壓縮氣瓶(A)內填充有一壓縮氣體，該氣槍結構包括： <br/>一槍身，具有相互連通的一儲氣室及一出彈通道，所述壓縮氣瓶(A)連接該槍身以對該儲氣室注入所述壓縮氣體； <br/>一活動閥體，設置在該儲氣室內且配置為能夠在一儲氣位置及一擊發位置之間移動； <br/>一卡榫，可活動地設置在該槍身內，該卡榫抵接該活動閥體以將該活動閥體固定在該儲氣位置； <br/>一連動機構，設置在該槍身；及 <br/>一扳機，樞接在該槍身，該扳機通過該連動機構動力連接於該卡榫； <br/>其中當該活動閥體位於儲氣位置時，該活動閥體阻隔該儲氣室與該出彈通道之間的連通而使所述壓縮氣體填充於該儲氣室內； <br/>其中當按壓該扳機時，該扳機帶動該連動機構使該卡榫移動以釋放該活動閥體，所述壓縮氣體推動該活動閥體移動至該擊發位置並由該出彈通道排出。
如請求項1所述之氣槍結構，其中該活動閥體包括一固定桿及一套筒，該固定桿固定在該儲氣室內，該套筒套接該固定桿而能夠在該儲氣位置及該擊發位置之間移動。
如請求項2所述之氣槍結構，其還包括一復位元件，該復位元件套接該固定桿，該復位元件的兩端分別彈性抵接該固定桿及該活動閥體。
如請求項2所述之氣槍結構，其中該套筒具有一卡槽，當該活動閥體位於該儲氣位置時，該卡榫抵接於該卡槽內以固定該活動閥體，當按壓該扳機時，該扳機帶動該連動機構使該卡榫脫離該卡槽以釋放該活動閥體。
如請求項1所述之氣槍結構，其還包括一復位元件，該復位元件預壓地彈性抵接該活動閥體，當所述壓縮氣體推動該活動閥體移動至該擊發位置並由該出彈通道排出後，該復位元件推抵該活動閥體移動至該儲氣位置並讓該卡榫重新抵接該活動閥體，從而將該活動閥體固定在該儲氣位置以使所述壓縮氣體重新填充於該儲氣室內。
如請求項1所述之氣槍結構，其還包括一密封膠圈，該密封膠圈設置在該儲氣室與該出彈通道的交接處，當該活動閥體位於該儲氣位置時，該活動閥體緊密地穿接該密封膠圈以阻隔該儲氣室與該出彈通道之間的連通，當該活動閥體位於該擊發位置時，該活動閥體脫離該密封膠圈以使該儲氣室連通於該出彈通道。
如請求項1所述之氣槍結構，其中該活動閥體具有一卡槽，該卡榫具有一抵頂部，當該活動閥體位於該儲氣位置時，該抵頂部抵接於該卡槽內以固定該活動閥體，當按壓該扳機時，該扳機帶動該連動機構使該抵頂部脫離該卡槽以釋放該活動閥體。
如請求項1所述之氣槍結構，其中該連動機構包括一第一連桿、一第二連桿及一抬升塊，該第一連桿可活動地設置在該槍身，該第二連桿與該抬升塊分別樞接於該槍身，該第一連桿的一端樞接於該扳機，該第一連桿的另一端抵接該第二連桿的一端，該第二連桿的另一端抵接該抬升塊，當按壓該扳機時，該扳機帶動該第一連桿作動使該第二連桿樞轉，從而讓該第二連桿推動該抬升塊以推抵該卡榫移動。
如請求項8所述之氣槍結構，其中該連動機構還包括一第一扭力復位件及一第二扭力復位件，該第一扭力復位件預壓地彈性抵接該抬升塊，該第二扭力復位件預壓地彈性抵接該第二連桿。
如請求項9所述之氣槍結構，其中該連動機構還包括一從動件，該從動件樞接在該槍身，第一扭力復位件的兩端分別彈性抵接該從動件及該抬升塊，該第二扭力復位件的兩端分別彈性抵接該槍身及該第二連桿。
一種具有直接塗裝的氟橡膠塗層的金屬板，包括： <br/>一金屬基材；以及 <br/>一氟橡膠塗層，由氟橡膠塗料烘乾而成，並且覆蓋在該金屬基材的表面； <br/>其中，氟橡膠塗料由漆漿、交聯劑及樹脂漿組成，漆漿包括30wt%至50wt%的塊狀材料、50wt%至70wt%的溶劑、1wt%至5wt%的分散劑、1wt%至5wt%的消泡劑及1wt%至5wt%的矽烷偶合劑，塊狀材料包括40wt%至60wt%的氟橡膠、5wt%至10wt%的活性氧化鎂、5wt%至10wt%的炭黑、5wt%至10wt%的二氧化鈦及5wt%至10wt%的松香材料，交聯劑包括1wt%至5wt%的過氧化物、1wt%至5wt%的促進劑、1wt%至5wt%的雙酚AF硫化劑及40wt%至100wt%的溶劑，樹脂漿包括20wt%至40wt%的熱塑性樹脂、1wt%至10wt%的多元醇樹脂、1wt%至10wt%的封閉型異氰酸酯及40wt%至60wt%的溶劑。
如請求項1所述的具有直接塗裝的氟橡膠塗層的金屬板，其中，漆漿與樹脂漿的重量比為5：1，交聯劑為漆漿的重量百分比的5～10%，且氟橡膠塗料的黏度為2000～4000mPa<img align="absmiddle" height="9px" width="2px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>s。
如請求項1所述的具有直接塗裝的氟橡膠塗層的金屬板，其中，松香材料選自於由松香、二聚松香、氫化松香、岐化松香、去羧基松香和松香酯所構成的群組。
一種口腔檢測裝置，其用以結合具有一影像擷取鏡頭的一影像擷取裝置，該口腔檢測裝置包含：<br/> 一本體，包含一殼體及至少一光模組，該殼體具有一第一視窗及一腔室，該光模組的一光線朝該殼體外投射；<br/> 一蓋體，結合於該殼體，並罩蓋該腔室；及<br/> 一夾持模組，用以夾持該影像擷取裝置，該夾持模組滑動地設置於該殼體，並可帶動該影像擷取裝置往復移動，使該影像擷取鏡頭對準該第一視窗，該夾持模組包含一滑座、一第一夾持件、一第二夾持件及一第一彈性件，該第一夾持件具有一第一夾持部，該第二夾持件具有一第二夾持部及一滑動部，該第一夾持部及該第二夾持部用以夾持該影像擷取裝置，該滑動部帶動該第二夾持部相對該第一夾持部滑動，該第一彈性件的一第一接合端結合於該滑座與該第一夾持件之間的一固定件，該第一彈性件的一第二接合端結合於該第二夾持件，使該第二夾持件朝該第一夾持件方向復位移動，以夾持該影像擷取裝置，該滑座結合於該第一夾持件，使該滑動部被限制於該滑座與該第一夾持件之間。
如請求項1之口腔檢測裝置，其中該第一夾持件具有一容置空間及位於該容置空間中的一第一限位件、一第二限位件及一導槽，該導槽位於該第一限位件及該第二限位件之間，該滑動部滑動地設置於該導槽中，該滑動部的一末端具有一擋止凸緣，該擋止凸緣位於該容置空間中，該擋止凸緣用以抵靠該第一限位件及/或該第二限位件。
如請求項1或2之口腔檢測裝置，其中該蓋體具有一凹槽，該夾持模組滑動地設置於該凹槽，該殼體具有至少一限位柱，該蓋體具有至少一穿孔，該穿孔位於該凹槽中，該滑座具有一限位長槽，該限位柱的一末端經由該穿孔穿出並位於該滑座的該限位長槽中。
如請求項1之口腔檢測裝置，其中該固定件包含凸設於該滑座的一第一固定部及/或凸設於該第一夾持件的一第二固定部。
如請求項1或2之口腔檢測裝置，其另包含一擺動限位件及一第二彈性件，該擺動限位件的一末端具有一樞接孔，該擺動限位件以該樞接孔擺動地樞接於該殼體的一樞軸，該第二彈性件的一第三接合端結合於該殼體，該第二彈性件的一第四接合端結合於該擺動限位件，使該擺動限位件以該樞軸為擺動中心復位擺動，該擺動限位件具有至少一卡齒，該滑座具有數個卡槽，該擺動限位件藉由該第二彈性件朝該滑座擺動，並使該卡齒卡掣於該些卡槽的其中之一。
如請求項5之口腔檢測裝置，其中該蓋體具有一凹槽，該夾持模組滑動地設置於該凹槽，該凹槽的一側牆具有一第一長槽孔，該第一長槽孔顯露出該滑座的該些卡槽，該擺動限位件的該卡齒經由該第一長槽孔卡掣於該些卡槽的其中之一。
如請求項5之口腔檢測裝置，其中該殼體具有一第二長槽孔，該擺動限位件具有一頭部，該第二長槽孔顯露出該頭部，該頭部可在該第二長槽孔中往復移動。
如請求項1之口腔檢測裝置，其另包含一遮光罩，該遮光罩結合於該殼體，且該遮光罩環繞該第一視窗，該光模組的該光線經由該遮光罩的一通道投射出。
如請求項1之口腔檢測裝置，其中該光模組選自於紫外光模組，該本體另包含一濾光片，該濾光片設置於該第一視窗。
如請求項9之口腔檢測裝置，其中該蓋體具有一第二視窗，該第二視窗對準該第一視窗，該濾光片位於該第一視窗與該第二視窗之間，該夾持模組可帶動該影像擷取裝置移動，使該影像擷取鏡頭對準該第二視窗。
一種一體式軸流風扇，包括: <br/> 一風扇罩蓋，包括一框體、連接該框體的一支架及連接該支架的複數置放座，該框體內部間隔設置有複數隔板，該支架為一長條形且貫穿各該隔板，該支架和該框體為一體構成並形成在該框體之長邊方向的中間處； <br/> 一理線槽，係沿著該支架的長度方向貫通並且連通各該置放座； <br/> 複數風扇單元，分別設置在各該置放座上，每一該風扇單元包括一定子及連接該定子並相對其旋轉的一葉輪，各該定子對應於各該置放座安裝；以及 <br/> 一電連接件，設置在該理線槽內並且電性連接各該風扇單元。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其中每一該置放座在連接該支架的位置分別設有一過線槽。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其中該理線槽係形成在該支架背向各該風扇單元的一側邊。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其中該風扇罩蓋還包括複數插接件，每一該隔板設有一開口槽，於該開口槽的兩側分別設有一插孔，每一該插接件具有兩個插柱，各該插柱係對應於各該插孔插接。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其中該電連接件為複數電線，各該電線分別連接各該風扇單元，每一該隔板設有一貫通槽，用以供各該電線從該貫通槽置入。
如請求項5所述之一體式軸流風扇，其中該理線槽係形成在該支架朝向各該風扇單元的一側邊，在該理線槽的側邊設有一壓線片，用以壓掣經過的該電線。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其中該電連接件包括一電路板、設置在該電路板的複數導電端子及設置在各該風扇單元的複數端子孔，各該導電端子插接各該端子孔。
如請求項1所述之一體式軸流風扇，其還包括一底殼，該風扇罩蓋連接該底殼。
如請求項8所述之一體式軸流風扇，其中該底殼包括一下框座及自該下框座延伸的一圍板，於該圍板間隔設置有複數卡勾，該框體設有與各該卡勾相互卡扣固定的複數卡槽。
一種散熱裝置，包括: <br/> 一如請求項1至9中之任一項所述之一體式軸流風扇；以及 <br/> 一水冷排，包括複數水冷管及複數散熱鰭片，各該水冷管係相互平行且間隔配置，各該散熱鰭片係設置在任兩相鄰的該水冷管之間且與其熱接觸； <br/> 其中該風扇罩蓋蓋合於該水冷排，各該置放座形成在該水冷排的上方，各該葉輪位於各該水冷管及各該散熱鰭片的上方。
如請求項10所述之散熱裝置，其中該水冷排還包括一進出水箱，該進出水箱連接有一入水接頭和一出水接頭，該框體對應於該入水接頭和該出水接頭位置分別設有一管套。
如請求項11所述之散熱裝置，其中該框體鄰近該管套的側邊設有一連接器。
一種冷卻液分配裝置，包含：<br/>一主機板模組，包含一基板、一主要晶片及一第一邊緣連接器，其中該主要晶片位於該基板上，該第一邊緣連接器設置於該基板的一第一邊緣，該主要晶片電性連接該第一邊緣連接器；以及<br/>一交換器模組，連接該主機板模組，包含一媒體存取控制元件及一第一卡緣連接器，該媒體存取控制元件電性連接該第一卡緣連接器；<br/>其中該第一邊緣鄰近該交換器模組，該第一邊緣連接器連接該第一卡緣連接器。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，進一步包含：<br/>一內殼體，包含一底板，該主機板模組及該交換器模組設置於該底板上；以及<br/>至少一第一滑軌，設置於該底板上，位於該主機板模組的該基板的覆蓋範圍之外，且該交換器模組可沿著該至少一第一滑軌移動。
如請求項2所述之冷卻液分配裝置，其中該至少一第一滑軌的數量為兩個，該交換器模組位於該兩個第一滑軌之間。
如請求項2所述之冷卻液分配裝置，其中該至少一第一滑軌垂直於該基板的該第一邊緣。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該主機板模組進一步包含一連接器，電性連接該主要晶片及設置於該冷卻液分配裝置中的一感測器或一控制器。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，其中該交換器模組進一步包含一網路埠，用以電性連接該媒體存取控制元件及設置於該冷卻液分配裝置之外的一外部裝置。
如請求項1所述之冷卻液分配裝置，進一步包含：<br/>一數據中心安全控制模組，連接該主機板模組，包含一基板管理控制器及一第二卡緣連接器，該基板管理控制器電性連接該第二卡緣連接器；<br/>其中該主機板模組進一步包含設置於該基板的該第一邊緣的一第二邊緣連接器，該第一邊緣鄰近該數據中心安全控制模組，該第二邊緣連接器連接該第二卡緣連接器。
如請求項7所述之冷卻液分配裝置，進一步包含：<br/>一內殼體，包含一底板，該主機板模組、該交換器模組及該數據中心安全控制模組設置於該底板上；以及<br/>至少一第二滑軌，設置於該底板上，位於該主機板模組的該基板的覆蓋範圍之外，且該數據中心安全控制模組可沿著該至少一第二滑軌移動。
如請求項7所述之冷卻液分配裝置，進一步包含相鄰設置的一第一滑軌組及一第二滑軌組，其中該交換器模組位於該第一滑軌組之間，該數據中心安全控制模組位於該第二滑軌組之間。
如請求項9所述之冷卻液分配裝置，其中該交換器模組可沿著該第一滑軌組移動，並可插拔地電性連接該主機板模組，該數據中心安全控制模組可沿著該第二滑軌組移動，並可插拔地電性連接該主機板模組。
一種浮動盲插快接頭裝置，包括：<br/> 一母端快接頭，所述母端快接頭包含一母端外殼、一固定閥芯、一第一彈性件及一活動閥芯，所述固定閥芯及所述活動閥芯設置於所述母端外殼內，所述活動閥芯套設於所述固定閥芯外，所述第一彈性件能頂推所述活動閥芯向前移動，使所述活動閥芯能彈性封閉所述母端外殼的內部；以及<br/> 一公端快接頭，所述公端快接頭包含一公端外殼、一固定環、一尾蓋、一第二彈性件及一公端閥芯，所述公端外殼具有一插接部及一環部，所述環部設於所述插接部的後端，所述固定環套設於所述插接部外，所述尾蓋套設於所述固定環外，所述尾蓋設置於所述環部外，所述公端外殼與所述固定環及所述尾蓋之間形成一浮動空間，使所述公端外殼能相對於所述固定環及所述尾蓋浮動移動，所述公端閥芯及所述第二彈性件設置於所述公端外殼內，所述第二彈性件能頂推所述公端閥芯向前移動，使所述公端閥芯能彈性封閉所述公端外殼的內部，所述公端外殼的所述環部及所述尾蓋之間設有多個滑動件；<br/> 其中所述母端快接頭及所述公端快接頭相互插接時，所述固定閥芯及所述公端閥芯能相互頂推，且所述公端外殼與所述活動閥芯能相互頂推，使所述母端快接頭及所述公端快接頭形成開放狀態。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述母端外殼的內側設置一第一C型環，所述第一C型環卡扣於所述母端外殼的內側，用以限位所述固定閥芯，所述固定閥芯具有一桿體及一固定座，所述固定座呈鏤空狀，所述固定座連接於所述桿體的後端，所述固定座的後端抵觸於所述第一C型環，所述第一彈性件設置於所述固定閥芯的所述固定座及所述活動閥芯之間，所述固定閥芯的所述固定座設有一定位槽，所述第一彈性件的後端容置於所述定位槽，用於定位所述第一彈性件。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述活動閥芯具有一第一環體及一第二環體，所述第一環體及所述第二環體相連接，所述第一環體的外徑小於所述第二環體的外徑，所述第一彈性件的前端抵觸於所述第一環體的後端，所述第一環體及所述第二環體之間形成一第一抵觸面，所述母端外殼的內側設有一第二抵觸面，所述第二抵觸面能用以擋止限位所述第一抵觸面。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述母端外殼的內側靠近前端處設置兩第一密封圈，所述兩第一密封圈間隔的設置，所述母端快接頭及所述公端快接頭相互接合時，所述兩第一密封圈位於所述母端外殼及所述公端外殼之間。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述浮動空間具有一浮動距離，所述浮動距離為0.5~1.5mm。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述浮動空間位於所述插接部及所述環部的外側，使所述浮動空間位於所述插接部與所述固定環之間，以及所述環部與所述尾蓋之間。
如請求項6所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述固定環的前端具有一定位部，所述定位部抵觸於所述尾蓋的前端而定位，所述固定環的後端具有一限位部，所述限位部位於所述環部的一側，所述限位部能擋止限位所述環部，使所述公端外殼及所述尾蓋之間不會產生軸向的位移。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述公端外殼的內側設置一第二C型環，所述第二C型環卡扣於所述公端外殼的內側，所述第二彈性件的後端抵觸於所述第二C型環，用於擋止限位所述第二彈性件。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述多個滑動件為滾珠，且於所述尾蓋的內側設有多個容置槽，所述多個滑動件分別容置於所述多個容置槽中，所述多個滑動件能滑動接觸所述公端外殼的所述環部。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述多個滑動件為突出球體，所述多個滑動件成型於所述尾蓋的內側，所述多個滑動件能滑動接觸所述公端外殼的所述環部。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述公端外殼的所述環部及所述固定環之間設有一第二密封圈，所述固定環及所述尾蓋之間設有一第三密封圈。
如請求項1所述的浮動盲插快接頭裝置，其中所述公端外殼的所述插接部的前端設有一倒角，所述母端外殼的前端設有一錐形孔。
一種抽芯機構，其包括：<br/> 一上模座；<br/> 一轉動件，該轉動件包括一轉動本體和設於該轉動本體一端的一模芯，該模芯沿遠離該轉動本體方向螺旋布置；該轉動本體和該上模座二者中的一個設有一導向槽，另一個設有一螺旋導軌，該螺旋導軌穿設於該導向槽中，該轉動件沿自身軸線移動的同時繞自身軸線轉動；<br/> 一驅動組件，與該上模座滑動配合，並與該轉動本體連接，該驅動組件靠近或遠離該上模座以帶動該轉動本體螺旋前進或螺旋退後。
如請求項1所述的抽芯機構，其中，該驅動組件包括：<br/> 一動模蓋，與該上模座滑動連接，該上模座具有一動模通道；<br/> 一連接件，該連接件穿設於該動模通道，且一端與該動模蓋連接，另一端與該轉動本體連接，該動模蓋靠近或遠離該上模座以透過該連接件帶動該轉動本體螺旋前進或螺旋退後。
如請求項2所述的抽芯機構，其中，該連接件包括一連接桿、一下端螺釘和一限位筒，該連接桿包括一主體段和一連接段，該轉動本體設有繞自身軸線延伸的一弧形通道，該弧形通道的寬度小於該主體段的直徑，且小於該限位筒的外徑，該連接段穿設於該弧形通道，該下端螺釘穿設於該限位筒，並螺接於該連接段的連接孔中。
如請求項3所述的抽芯機構，其中，該動模蓋具有一固定孔，該連接件還包括一彈性套筒和一張力螺釘，該張力螺釘包括依次連接的一螺接段、一張力段和一張力螺帽，該張力段的直徑沿靠近該張力螺帽的方向逐漸增加，該彈性套筒的內徑小於該張力段的最大直徑，且大於該張力段的最小直徑，該彈性套筒穿設於該固定孔中，該張力螺釘穿設於該彈性套筒，並螺接於該主體段的張力螺孔中，以使該彈性套筒夾設於該張力段和該固定孔的側壁之間。
如請求項2所述的抽芯機構，其中，該連接件具有三個，三個該連接件繞該轉動本體的軸線間隔均布；和/或，<br/> 該模芯具有至少四個。
如請求項2所述的抽芯機構，其中，該驅動組件還包括一動模彈性件，該動模彈性件設於該動模蓋和該上模座之間，並向該動模蓋施加彈性力以使其具有遠離該上模座的運動趨勢。
如請求項2至6中任一項所述的抽芯機構，其中，該螺旋導軌包括一導軌本體和設於該導軌本體的一插接頭，該上模座包括沿一抽芯方向間隔布置的一上限位塊和一下限位塊，該下限位塊設有一插接槽，該插接頭插接於該插接槽中，該導軌本體的上端與該上限位塊抵接。
如請求項7所述的抽芯機構，其中，該抽芯機構還包括一抵推件，該上限位塊設有一抵推通道，該抵推件穿設於該抵推通道中，該動模蓋靠近該上模座時，帶動該抵推件向下移動以帶動該轉動本體下移。
如請求項8所述的抽芯機構，其中，該抵推通道包括相連通的一上通道和一下通道，該上通道的直徑小於該下通道的直徑，該抵推件包括相連接的一上抵推段和一下抵推段，該上抵推段位於該上通道中，該動模蓋遠離該上模座時，該下抵推段抵接該上通道和該下通道之間的一臺階面，以限制該轉動本體繼續上移。
一種模具，其包括一下模座和如請求項1至9中任一項所述的抽芯機構，該下模座具有一第一槽，該上模座具有一第二槽，該第一槽和該第二槽開口相對，該上模座靠近該模座時，該第一槽和該第二槽圍成一澆注腔，該模芯部分位於該澆注腔內。
一種板模定位結構，包括：<br/>複數板模定位單元，每一該板模定位單元依一預鑄牆面寬度，於該板模定位單元二長側邊邊緣處一體成型衝製出上下交錯彎折的四個擋止定位件；該板模定位單元的四個該擋止定位件間，即該板模定位單元的中段處設承受應力長條狀的至少一補強凸肋；該板模定位單元鄰接該中段的兩側中間處設一個大孔的一長條透空十字槽，可供一較大鐵釘穿貫釘設或數小鐵釘於該長條透空十字槽的範圍內調節釘設；該板模定位單元兩側突出該預鑄牆面分別形成為一折斷部，該預鑄牆面與該折斷部相鄰處為一假想折斷線，該假想折斷線兩側衝壓形成兩凹點，該折斷部折斷時該兩凹點因應力集中而可易於折斷者。
如請求項1所述之板模定位結構，其中該板模定位單元兩側得分別設有一長條孔。
如請求項2所述之板模定位結構，其中該長條孔周邊設有類U形的一凹凸面，該凹凸面乃形成一種補強肋的作用。
如請求項3所述之板模定位結構，其中該板模定位單元設於一上左板模、一下左板模、一上右板模及一下右板模之間的間隙處，該上、下左板模與該上、下右板模間保持該預鑄牆面的寬度。
如請求項4所述之板模定位結構，其中該板模定位單元兩側在穿出該上、下左板模與該上、下右板模的位置處，得先套設一固定桿。
如請求項5所述之板模定位結構，其中該板模定位單元兩側分別設置之該長條孔，可分別供一扁插銷插組定位，該扁插銷斷面為長條形狀得插設於該長條孔處，該扁插銷一側設一漸擴斜面，使其達到越插越緊的作用，該扁插銷另側設一平直面緊頂該固定桿與該板模定位單元形成緊固固定者。
一種平板變壓器，其包括：<br/> 一上磁芯；<br/> 一下磁芯，係設在該上磁芯的下方，並與該上磁芯相對設置；<br/> 一電路板繞組，係設在該上磁芯與該下磁芯之間，並具有一繞組佈線結構，該繞組佈線結構包括：<br/> 多條上層佈線；<br/> 多條下層佈線，係設在該等上層佈線的下方，該等下層佈線的延伸方向係與該等上層佈線的延伸方向相互交錯；<br/> 多個連接件，係分別串聯連接該等上層佈線與該等下層佈線。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該等上層佈線包括多條第一上佈線、多條第二上佈線及多條第三上佈線，該等下層佈線包括多條第一下佈線、多條第二下佈線及多條第三下佈線；<br/> 該等第一下佈線的延伸方向係與該等第一上佈線、該等第二上佈線的延伸方向相互交錯，該等第二下佈線的延伸方向係與該等第二上佈線、該等第三上佈線的延伸方向相互交錯，該等第三下佈線的延伸方向係與該等第三上佈線、該等第一上佈線的延伸方向相互交錯；<br/> 其中，該等第一上佈線、該等第一下佈線、該等第二上佈線、該等第二下佈線、該等第三上佈線、該等第三下佈線係依序透過該等連接件相互串聯連接。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該等上層佈線包括多條第一上佈線、多條第二上佈線、多條第三上佈線、多條第四上佈線、多條第五上佈線及多條第六上佈線，該等下層佈線包括多條第一下佈線、多條第二下佈線、多條第三下佈線、多條第四下佈線、多條第五下佈線及多條第六下佈線；<br/> 該等第一下佈線的延伸方向係與該等第一上佈線、該等第二上佈線的延伸方向相互交錯，該等第二下佈線的延伸方向係與該等第二上佈線、該等第三上佈線的延伸方向相互交錯，該等第三下佈線的延伸方向係與該等第三上佈線、該等第四上佈線的延伸方向相互交錯，該等第四下佈線的延伸方向係與該等第四上佈線、該等第五上佈線的延伸方向相互交錯，該等第五下佈線的延伸方向係與該等第五上佈線、該等第六上佈線的延伸方向相互交錯，該等第六下佈線的延伸方向係與該等第六上佈線、該等第一上佈線的延伸方向相互交錯；<br/> 其中，該等第一上佈線、該等第一下佈線、該等第二上佈線、該等第二下佈線、該等第三上佈線、該等第三下佈線、該等第四上佈線、該等第四下佈線、該等第五上佈線、該等第五下佈線、該等第六上佈線、該等第六下佈線係依序透過該等連接件相互串聯連接。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該上磁芯具有一上基座及一第一上磁柱，該第一上磁柱形成在該上基座的下表面；<br/> 該下磁芯具有一下基座及一第一下磁柱，該第一下磁柱形成在該下基座的上表面，且與該第一上磁柱的位置相對應，該第一下磁柱與該第一上磁柱之間具有一第一氣隙。
如請求項4所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構係環繞該第一上磁柱、該第一氣隙及該第一下磁柱。
如請求項4所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為三個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構、一第二繞組佈線結構及一第三繞組佈線結構；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一氣隙，該第二繞組佈線結構環繞該第一上磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該上基座之間，該第三繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該下基座之間。
如請求項4所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為兩個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構及一第二繞組佈線結構，該電路板繞組還具有兩個銅片繞組，該等銅片繞組包括一第一銅片繞組及一第二銅片繞組；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一上磁柱，並且靠近該第一氣隙的上側，該第二繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且靠近該第一氣隙的下側，該第一銅片繞組環繞該第一上磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該上基座之間，該第二銅片繞組環繞該第一下磁柱，並且位在該第二繞組佈線結構與該下基座之間。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該上磁芯具有一上基座；<br/> 該下磁芯具有一下基座及一第一下磁柱，該第一下磁柱形成在該下基座的上表面，該第一下磁柱與該上基座之間具有一第一氣隙。
如請求項8所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為三個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構、一第二繞組佈線結構及一第三繞組佈線結構；<br/> 該第一繞組佈線結構、該第二繞組佈線結構及該第三繞組佈線結構分別環繞該第一下磁柱，該第一繞組佈線結構靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構位在該第一繞組佈線結構與該下基座之間，該第三繞組佈線結構位在該第二繞組佈線結構與該下基座之間。
如請求項8所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為兩個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構及一第二繞組佈線結構，該電路板繞組還具有兩個銅片繞組，該等銅片繞組包括一第一銅片繞組及一第二銅片繞組；<br/> 該第一繞組佈線結構、該第二繞組佈線結構、該第一銅片繞組及該第二銅片繞組分別環繞該第一下磁柱，該第一繞組佈線結構靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構位在該第一繞組佈線結構與該下基座之間，該第一銅片繞組位在該第二繞組佈線結構與該下基座之間，該第二銅片繞組位在該第一銅片繞組與該下基座之間。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該上磁芯具有一上基座及一第一上磁柱，該第一上磁柱形成在該上基座的下表面；<br/> 該下磁芯具有一下基座，該第一上磁柱與該下基座之間具有一第一氣隙。
如請求項11所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為三個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構、一第二繞組佈線結構及一第三繞組佈線結構；<br/> 該第一繞組佈線結構、該第二繞組佈線結構及該第三繞組佈線結構分別環繞該第一上磁柱，該第一繞組佈線結構靠近該第一氣隙的上側，該第二繞組佈線結構位在該第一繞組佈線結構與該上基座之間，該第三繞組佈線結構位在該第二繞組佈線結構與該上基座之間。
如請求項11所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為兩個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構及一第二繞組佈線結構，該電路板繞組還具有兩個銅片繞組，該等銅片繞組包括一第一銅片繞組及一第二銅片繞組；<br/> 該第一繞組佈線結構、該第二繞組佈線結構、該第一銅片繞組及該第二銅片繞組分別環繞該第一上磁柱，該第一繞組佈線結構靠近該第一氣隙的上側，該第二繞組佈線結構位在該第一繞組佈線結構與該上基座之間，該第一銅片繞組位在該第二繞組佈線結構與該上基座之間，該第二銅片繞組位在該第一銅片繞組與該上基座之間。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該上磁芯具有一上基座、一第一上磁柱及一第二上磁柱，該第一上磁柱與該第二上磁柱分別形成在該上基座的下表面；<br/> 該下磁芯具有一下基座、一第一下磁柱及一第二下磁柱，該第一下磁柱與該第二下磁柱分別形成在該下基座的上表面；<br/> 其中，該第一下磁柱與該第一上磁柱的位置相對應，該第一下磁柱與該第一上磁柱之間具有一第一氣隙，該第二下磁柱與該第二上磁柱的位置相對應，該第二下磁柱與該第二上磁柱之間具有一第二氣隙。
如請求項14所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為四個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構、一第二繞組佈線結構、一第三繞組佈線結構及一第四繞組佈線結構；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構環繞該第二上磁柱，並且靠近該第二氣隙的上側，該第三繞組佈線結構環繞該第一上磁柱，並且位在該第二繞組佈線結構與該上基座之間，該第四繞組佈線結構環繞該第二下磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該下基座之間。
如請求項14所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為二個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構及一第二繞組佈線結構，該電路板繞組還具有兩個銅片繞組，該等銅片繞組包括一第一銅片繞組及一第二銅片繞組；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構環繞該第二上磁柱，並且靠近該第二氣隙的上側，該第一銅片繞組環繞該第一上磁柱，並且位在該第二繞組佈線結構與該上基座之間，該第二銅片繞組環繞該第二下磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該下基座之間。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該上磁芯具有一上基座及一第二上磁柱，該第二上磁柱形成在該上基座的下表面；<br/> 該下磁芯具有一下基座及一第一下磁柱，該第一下磁柱形成在該下基座的上表面；<br/> 其中，該第一下磁柱與該上基座之間具有一第一氣隙，該第二上磁柱與該下基座之間具有一第二氣隙。
如請求項17所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為四個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構、一第二繞組佈線結構、一第三繞組佈線結構及一第四繞組佈線結構；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構環繞該第二上磁柱，並且靠近該第二氣隙的上側，該第三繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該第二繞組佈線結構之間，該第四繞組佈線結構環繞該第二上磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該第三繞組佈線結構之間。
如請求項17所述的平板變壓器，其中，該繞組佈線結構的數量為二個，該等繞組佈線結構包括一第一繞組佈線結構及一第二繞組佈線結構，該電路板繞組還具有兩個銅片繞組，該等銅片繞組包括一第一銅片繞組及一第二銅片繞組；<br/> 該第一繞組佈線結構環繞該第一下磁柱，並且靠近該第一氣隙的下側，該第二繞組佈線結構環繞該第二上磁柱，並且靠近該第二氣隙的上側，該第一銅片繞組環繞該第一下磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該第二繞組佈線結構之間，該第二銅片繞組環繞該第二上磁柱，並且位在該第一繞組佈線結構與該第一銅片繞組之間。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該等上層佈線與該等下層佈線係分別以放射狀方式延伸並呈曲線狀。
如請求項1所述的平板變壓器，其中，該等上層佈線與該等下層佈線係分別以放射狀方式延伸並呈直線狀。
如請求項20或21所述的平板變壓器，其中，該等上層佈線與該等下層佈線係分別具有相對的一內端及一外端，該上層佈線的內端與外端分別具有一第一內端寬度及一第一外端寬度，該下層佈線的內端與外端分別具有一第二內端寬度及一第二外端寬度，該第一外端寬度係等於或大於該第一內端寬度，該第二外端寬度係等於或大於該第二內端寬度。
一種混合型辨識裝置，包括：<br/> 第一辨識模組，用以擷取生物特徵以產生生物特徵信號；<br/> 第二辨識模組，用以擷取圖形特徵以產生圖形特徵信號；以及<br/> 處理單元，電性連接於所述第一辨識模組以及所述第二辨識模組，用以依據所述生物特徵信號辨識所述生物特徵及/或用以依據所述圖形特徵信號辨識所述圖形特徵，進而產生處理訊號。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述第一辨識模組包括光學感測器、電容感測器、超音波辨識器及飛時測距感測器的至少其中一者。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述生物特徵包括使用者的指紋、人臉、靜脈、虹膜、掌形及身形的至少其中一者。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述第二辨識模組包括攝像元件。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述圖形特徵包括幾何圖形、二維條碼、立體圖案、圖案光源及影像畫面的至少其中一者。
如請求項5所述的混合型辨識裝置，其中所述幾何圖形、所述二維條碼、所述立體圖案及/或所述圖案光源形成於實體物件上。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述處理單元還依據所述圖形特徵信號的變化修改所述處理信號。
如請求項7所述的混合型辨識裝置，其中所述圖形特徵信號的變化包括所述圖形特徵信號旋轉、改變位置、縮小放大及波長改變。
如請求項1所述的混合型辨識裝置，其中所述第二辨識模組還用以擷取防窺特徵以產生防窺特徵信號，所述防窺特徵覆蓋重疊於所述圖形特徵的至少一部份。
如請求項9所述的混合型辨識裝置，其中所述防窺特徵信號包括與所述圖形特徵信號不同波長的圖案、離焦圖案及偏光圖案的少其中一者。
一種泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，適用於檢測一尿液檢體，該尿液檢體含有一待測成分，及至少一種影響檢測結果的干擾成分，該泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置包含：<br/> 一容器，適用於盛裝該尿液檢體；<br/> 一導管，連通該容器且適用於將該尿液檢體自該容器導出；及<br/> 一檢測模組，設置於該導管內且適用於承接該導管所導出之該尿液檢體，並包括一用以過濾及吸附該尿液檢體之該至少一干擾成分的前處理區、一位於該前處理區下游並具有一用以與該尿液檢體之該待測成分結合並形成一複合物之奈米金粒子抗體的共軛區、一位於該共軛區下游且用以供該尿液檢體通過的反應區，及一位於該檢測區下游且用以吸收該尿液檢體的吸收區，該反應區具有一用以與該複合物結合而顯色的測試抗體段、一間隔於該測試抗體段且用以與未結合之該奈米金粒子抗體結合而顯色的控制抗體段，及二分別位於該共軛區與該測試抗體段間，及該測試抗體段與該控制抗體段間的緩衝段。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該測試抗體段是選自奈米硝酸纖維素結合小鼠單株抗體(mouse mAb)或奈米硝酸纖維素結合山羊多株抗體(Goat Pab)。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該控制抗體段是選自奈米硝酸纖維素結合山羊抗小鼠免疫球蛋白G(Goat anti-mouse IgG)或奈米硝酸纖維素結合抗人免疫球蛋白G(Anti-human IgG)。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該等緩衝段係為奈米硝酸纖維素。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該共軛區還具有一設有所述奈米金粒子抗體的共軛墊，及一設置於該共軛墊內的穩定劑，該共軛墊之材質係為玻璃纖維，該穩定劑選自蔗糖、磷酸緩衝液，及介面活性劑所組成的群組。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該前處理區之材質是選自纖維素或聚酯纖維。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該吸收區之材質是選自玻璃纖維及聚酯纖維所組成之群組。
如請求項1所述的泌尿系統攝護腺癌早期即時家用快篩裝置，其中，該導管包括一適用於供該尿液檢體通過的管體，及一設置於該管體並用以控制該尿液檢體流速的調控閥。
一種極早期前列腺癌細胞捕捉與釋放之非侵入式磁性奈米粒子感測裝置，適用於收集一尿液檢體之數個癌細胞，並包含：<br/> 一容器，界定一用以盛裝液體的容槽，並可在一收集模式及一分離模式間切換，當該容器處於該收集模式時，該容槽盛裝所述尿液檢體，在該容器處於該分離模式時，該容槽盛裝一分離液；及<br/> 一收集單元，可拆卸地安裝於該容器上，並包括一連通該容槽且含有數個用以與該等癌細胞結合而形成數個複合物之磁性奈米粒子的過濾管，及一設置於該過濾管上且用以提供一能將該等複合物集中之磁力的磁吸件，該過濾管之底部界定一呈貫穿狀且供液體通過的通孔；<br/> 該容器處於該收集模式時，該過濾管自該容槽導流所述尿液檢體，在所述尿液檢體逐漸自該通孔導出的過程中，使該等磁性奈米粒子與該等癌細胞結合而形成所述複合物；該容器處於該分離模式時，該過濾管自該容槽導流該分離液，該分離液用以將該等複合物中之該等癌細胞自該等磁性奈米粒子上解離並回收於該分離液中。
如請求項1所述的極早期前列腺癌細胞捕捉與釋放之非侵入式磁性奈米粒子感測裝置，其中，該分離液是選自於氯化鈉、氯化鎂，及硫酸銨所組成的群組。
如請求項1所述的極早期前列腺癌細胞捕捉與釋放之非侵入式磁性奈米粒子感測裝置，其中，每一該磁性奈米分子具有一核心、一包覆於核心表面的包覆層，及數個固定於該包覆層上且適用於辨識並結合所述癌細胞的適體分子，該核心的材質係為氧化鐵，該包覆層的材質係為二氧化矽，該適體分子係選自於選自於單股去氧核醣核酸 (DNA)或單股核糖核酸 (RNA)。
如請求項1所述的極早期前列腺癌細胞捕捉與釋放之非侵入式磁性奈米粒子感測裝置，其中，該收集單元還具有一可拆卸地安裝於該過濾管，且用以在該容器處於該分離模式時，承接自該通孔流出之該分離液的集中管，該集中管具有一環繞地自表面向內凹設且適用於供一分析儀器安裝的凹槽。
一種易取用型雙眼皮貼配置結構，其包括：<br/>一貼布層，其係由一紗線編織成的一織物所形成，該貼布層包括一貼布本體以及複數個雙眼皮貼，每個該雙眼皮貼沿第一方向延伸，且該等雙眼皮貼沿一第二方向排成至少一列且彼此相隔既定的距離，該等雙眼皮貼係可分離地設置於該貼布本體，該第一方向與該第二方向垂直；<br/>一黏膠層，塗佈於該貼布層的一接合表面；以及<br/>一離型片層，可分離地貼合於該黏膠層且靠近該貼布層的該接合表面；<br/>其中該離型片層具有部分切斷的至少一裁切線結構，該至少一裁切線結構作為一折線，該折線沿該第二方向延伸，且每個該雙眼皮貼對應跨越該折線的兩側。
如請求項1所述的易取用型雙眼皮貼配置結構，其中該離型片層具有兩個該裁切線結構，以作為兩個該折線。
如請求項2所述的易取用型雙眼皮貼配置結構，其中兩個該折線相對於每個該雙眼皮貼中心呈對稱設置。
如請求項1、2或3所述的易取用型雙眼皮貼配置結構，其中每個該雙眼皮貼位於每個該折線的兩側具有不同的面積。
如請求項1所述的易取用型雙眼皮貼配置結構，其中每個該雙眼皮貼具有一直線邊以及一弧線邊，該直線邊的兩端分別連接於該弧線邊的兩端，使得每個該雙眼皮貼具有相對設置的兩個角部，該折線位於兩個該角部之間。
如請求項5所述的易取用型雙眼皮貼配置結構，其中該貼布層、該黏膠層以及該離型片層沿著該折線彎曲，使得至少一個該雙眼皮貼靠近該折線的一個該角部與該貼布本體分離且從該離型片層剝離。
一種卧式雙電感器，包括：<br/> 一導磁基座，係包含一基板及二相分離的定位柱，該基板包含有一安裝面及多個垂直於該安裝面的側面，該二定位柱係自該安裝面上直立延伸而出；<br/> 二第一單線圈，各該第一單線圈的一第一線圈本體係橫向地設置在該安裝面上，並分別套設在對應的該定位柱外，且各該第一線圈本體的二端係沿著該基板的同一側面向下延伸二第一接腳部；<br/> 一導磁包覆體，係包覆該導磁基座及其上的該二第一單線圈；其中各該第一單線圈的該二第一接腳部之端面係外露於該導磁包覆體的一表面；以及<br/> 四第一焊接墊，係形成在該導磁包覆體的該表面，並分別與對應該些第一接腳部的端面接觸。
如請求項1所述之卧式雙電感器，係進一步包含：<br/> 二第二單線圈，係分別電絕緣地疊設在該二第一單線圈，各該第二單線圈包含：<br/> 一第二線圈本體，係橫向地疊設在對應該第一線圈本體上，且套設在對應該定位柱之外；以及<br/> 二第二接腳部，各該第二接腳部係自其該第二線圈本體的一端面沿著對應該第一接腳部延伸，該二接腳部朝向該導磁包覆體的該表面的部分係外露；以及<br/> 四第二焊接墊，係形成在該導磁包覆體的該表面，並分別與對應該些第二接腳部之外露的部分接觸。
如請求項2所述之卧式雙電感器，其中：<br/> 各該第二接腳部的該二端面係直接外露在該導磁包覆體的該表面，以與對應的該些第二焊接墊連接；或<br/> 各該第二接腳部係呈L形，並包含：<br/> 一直立段，係電絕緣地平貼於該第一接腳部；以及<br/> 一橫向段，係一體連接該直立段，並朝向遠離該第一接腳部方向延伸；其中該橫向部朝向該導磁包覆體的該表面的一側面係局部外露，以與對應的該第二焊接墊連接。
如請求項1至3中任一項所述之卧式雙電感器，係進一步包含一側隔離板，該側隔離板係自該基板的該側面水平延伸而出，並位在相鄰的該二第一接腳部之間。
如請求項4所述之卧式雙電感器，其中該二第一單線圈的該二第一線圈本體之間的間隔係由該導磁包覆體填充。
如請求項4所述之卧式雙電感器，其中該導磁基座係進一步包含一T形擋板，該T形擋板係自該基板的該安裝面直立延伸而出，並包含：<br/> 一橫部，係與該基板另一側面平齊，此一側面係與該第一接腳部靠近的該側面相對；以及<br/> 一中間部，係一體連接該橫部及該側隔離板，並位於該二第一線圈本體之間。
如請求項2或3所述之卧式雙電感器，係進一步包含：<br/> 二散熱片，係嵌設於該導磁包覆體上；<br/> 一第一長溝，係形成於該導磁包覆體的該表面，並位在該些第一焊接墊及該些第二焊接墊之間；以及<br/> 一第二長溝，係形成於該導磁包覆體的該表面，並位在該第一焊接墊及該二散熱片之間。
如請求項1所述之卧式雙電感器，係進一步包含二散熱片，該二散熱片係嵌設於該導磁包覆體上。
如請求項2所述之卧式雙電感器，係進一步包含二散熱片，該二散熱片係嵌設於該導磁包覆體上。
如請求項2所述之卧式雙電感器，其中各該第一線圈本體及各該第二線圈本體係包含一導體及包覆該導體的一絕緣包覆層。
如請求項10所述之卧式雙電感器，其中：<br/> 各該第一線圈本體及各該第二線圈本體係呈U字形；以及<br/> 該絕緣包覆層係為絕緣漆膜或電泳絕緣膜。
如請求項1或8所述之卧式雙電感器，其中各該第一單線圈係包含一導體及包覆該導體的一絕緣包覆層，且該絕緣包覆層係進一步由一絕緣材包覆之。
如請求項10或11所述之卧式雙電感器，係進一步包含一絕緣材，該絕緣材係包覆於相疊設的該第一單線圈的該絕緣包覆層及該第二單線圈的該絕緣包覆層。
一種電源供應管理裝置，包括：<br/>一電源供應單元，包括一記憶體，該記憶體儲存一時間資料；以及<br/>一處理器，連接該電源供應單元並經配置以：<br/>發出包括複數資料欄位的一控制指令至該電源供應單元；<br/>讀取該時間資料並從該時間資料的一最低有效位元開始依序依據一讀取長度，分段取得該時間資料的複數時間片段；<br/>從該複數時間片段的該最低有效位元開始載入該複數資料欄位的第一個，直到該複數時間片段全數載入該複數資料欄位；以及<br/>解碼該控制指令，並從該複數資料欄位的內容為最後載入該複數資料欄位的該時間片段開始的順序，組合該複數時間片段以獲得該電源供應單元的總啟動時間。
如請求項1所述的電源供應管理裝置，其中該複數資料欄位包括一第一資料欄位、一第二資料欄位及一第三資料欄位，該處理器從該時間資料的該最低有效位元開始依序取得的該複數時間片段包括一第一時間片段、一第二時間片段及一第三時間片段，並由該第一資料欄位攜帶該第一時間片段、在該第二資料欄位攜帶該第二時間片段及在該第三資料欄位攜帶該第三時間片段，使得該第一資料欄位、該第二資料欄位及該第三資料欄位的內容為該時間資料在關聯於該最低有效位元為反序排列。
如請求項1所述的電源供應管理裝置，其中該控制指令的欄位包括一位址，該位址的內容為該電源供應單元的該時間資料被儲存的該記憶體的位址。
如請求項1所述的電源供應管理裝置，其中該控制指令為通用冗餘電源供應規範的BDh指令或保留指令。
如請求項2所述的電源供應管理裝置，其中該第一資料欄位、該第二資料欄位及該第三資料欄位的長度分別為8位元且該讀取長度為8位元，以及該處理器組合該第一時間片段、該第二時間片段及該第三時間片段來獲得長度為24位元的該總啟動時間。
如請求項2所述的電源供應管理裝置，其中當該處理器於組合該第一時間片段、該第二時間片段及該第三時間片段來獲得該總啟動時間時，使用一同位錯誤檢查碼來檢查該總啟動時間是否有完整，其中該同位錯誤檢查碼為8位元。
一種易穿設鼻胃管結構，包含： <br/>一導管本體(10)，係為細長且具可撓性的管狀構件，該導管本體(10)沿長軸方向延伸，並具有一前端(10A)與一後端(10B)，於鄰近該前端(10A)之管壁上設有至少一側孔(12)；以及 <br/>一鍍膜層(20)，均勻披覆於該導管本體(10)的整個外表面，該鍍膜層(20)表面粗糙度低於該導管本體(10)的外表面，摩擦係數亦低於該導管本體(10)的外表面； <br/>其中，該鍍膜層(20)藉由降低與生物組織及黏膜之摩擦力，提升該導管本體(10)於鼻腔、咽喉與消化道內之穿設順暢性，並同時具備抗沾附、易清潔及抑制微生物附著之功能。
如請求項1所述之易穿設鼻胃管結構，其中該鍍膜層(20)係由具低表面能之材料所構成。
如請求項2所述之易穿設鼻胃管結構，其中該鍍膜層(20)之材質選自聚四氟乙烯（PTFE）、聚偏氟乙烯（PVDF）、其他含氟聚合物或疏水性奈米材料之單一或組合使用。
如請求項1所述之易穿設鼻胃管結構，其中該鍍膜層(20)係透過真空鍍膜技術披覆於該導管本體(10)之外表面。
如請求項1所述之易穿設鼻胃管結構，其中該導管本體(10)之材質選自聚氯乙烯（PVC）、矽膠或聚氨酯（PU）。
如請求項1所述之易穿設鼻胃管結構，其中該前端(10A)設有一圓滑之端塞(11)，封閉該導管本體(10)於前端(10A)的開口。
一種表面電漿共振裝置，具有：<br/> 一檢測平台，具有一檢測區及貼附於該檢測區之底面之一光學元件，該光學元件具有相對之一入光側及一出光側以接收一入射光及提供一輸出光；<br/> 一光源，設置於該檢測平台下方，用以產生該入射光；以及<br/> 一光偵測器，設置於該檢測平台下方，用以接收該輸出光；<br/> 其中，該光學元件具有整合在一模組中之一入射光導引結構、一反射部及一反射光導引結構，該反射部係貼附於該底面，該入射光導引結構具有一第一面鏡組合以將該入射光導引至該反射部之一斜向入射路徑以經由該反射部照射該檢測區而在該檢測區產生一反射光；且該反射光導引結構具有一第二面鏡組合以改變該反射光之方向而產生該輸出光。
如請求項1所述之表面電漿共振裝置，其中，該輸出光係大致相對該入射光同向傳輸或反向傳輸。
如請求項1所述之表面電漿共振裝置，其中，該第一面鏡組合包括斜向相對之一平面鏡及一曲面鏡或斜向相對之二平面鏡。
如請求項1所述之表面電漿共振裝置，其中，該第二面鏡組合包括斜向相對之一平面鏡及一曲面鏡或斜向相對之二平面鏡。
如請求項1所述之表面電漿共振裝置，其中，該反射部具有一透光件及覆蓋於該透光件上方之一表面電漿激發層，該透光件係一玻璃層或一塑膠玻璃層，該表面電漿激發層包含一金屬膜，且該金屬膜包含由金膜、銀膜、鋁膜和銅膜所組成之群組所選擇的至少一層膜。
如請求項5所述之表面電漿共振裝置，其中，該金屬膜之表面進一步形成有一抗氧化膜。
如請求項1所述之表面電漿共振裝置，其進一步具有一處理器，於操作時，該檢測區安裝有一微流體晶片，該微流體晶片內含一待測微流體；該處理器由該光偵測器獲得該反射光之一信號參數，並據以執行一轉換運算以決定該待測微流體中之至少一種分子之至少一物/化特性數值，其中，該轉換運算係一查表運算。
如請求項7所述之表面電漿共振裝置，其中所述至少一種分子係選自由蛋白質、小分子、核酸、生物活性分子、完整細胞、病毒顆粒和細菌所組成之群組。
如請求項7所述之表面電漿共振裝置，其中，所述至少一物/化特性數值包含所述至少一種分子之其一的濃度及/或所述至少一種分子之其二間的結合速率常數（Ka）或解離速率常數（Kd）。
如請求項7所述之表面電漿共振裝置，其中，該信號參數係由光強度參數、光相位參數、共振角參數、共振波長參數和干涉圖案參數所組成之群組所選擇的一種參數。
一種口腔訓練系統，其特徵在於，包括：一口腔訓練裝置，安裝於一使用者之一口腔；一光譜照射器，設置於該口腔訓練裝置，並用於對該口腔之一指定部位發射具有特定波長之光譜；一控制器，電性連接於該光譜照射器以提供一控制訊號。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該口腔訓練裝置包括光療止鼾器、鼻腔治療用之光發射器、牙刷、牙齦護理按摩器、牙套型牙刷。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該光譜照射器所具有之一波長光譜照射裝置包括LED、MINI LED、雷射光設備、脈衝光設備、連續光設備、碳量子點(CQD)等及其組合。
如請求項3所述之口腔訓練系統，其中該波長光譜照射裝置，包括一軟顎部波長光譜照射裝置、一左頰側波長光譜照射裝置與一右頰側波長光譜照射裝置。
如請求項3所述之口腔訓練系統，其中該波長光譜照射裝置的主體材料結構為矽膠。
如請求項3所述之口腔訓練系統，其中當該光譜照射器所具有之該波長光譜照射裝置為一照射裝置與一碳量子點時，該照射裝置可用以發射一第一波長光譜，該碳量子點可用以吸收該第一波長光譜以轉換為一第二波長光譜。
如請求項3所述之口腔訓練系統，其中該波長光譜照射裝置的電流功率所產生之溫度範圍係介於33℃~38℃之間。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中當該口腔訓練裝置為一光療止鼾器時，該光療止鼾器包括一軟顎部、一外層部與一波長光譜照射裝置容置空間，且該軟顎部及該外層部為具備透明度之材料。
如請求項8所述之口腔訓練系統，其中該波長光譜照射裝置容置空間，包括一波長光譜照射裝置軟顎部容置空間、一波長光譜照射裝置左頰側容置空間與一波長光譜照射裝置右頰側容置空間。
如請求項8所述之口腔訓練系統，其中該軟顎部及該外層部的主體材料結構為高分子硬式生醫聚合材，該軟顎部與牙齒之咬合接觸面具有一熱塑透明材料，該外層部之立面具有一開口與至少一扣鎖，軟顎部與外層部之後端設有至少一轉軸機構。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該控制器包括一晶片或一具演算力之設備，且該控制器用以安裝一控制程式或一控制演算法。
如請求項11所述之口腔訓練系統，其中該控制程式依據包括光照射強度、時長、頻率等波長光譜照射之設定值，以完成波長光譜照射之控制。
如請求項11所述之口腔訓練系統，其中該控制演算法用以演算最佳化之包括照射控制流程、強度、時長、頻率等波長光譜照射之設定值。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該光譜照射器可以採用雷射光作為光源。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該口腔訓練裝置可以整合震動裝置。
如請求項1所述之口腔訓練系統，其中該控制器可以通過控制波長光譜照射裝置之電流功率，降低波長光譜照射裝置照射時之產熱溫度。
一種用於自動清潔和潤滑一自行車鏈條的系統，包括：<br/> 一殼體，連接至相鄰於該自行車鏈條的一自行車車架；<br/> 一隨動件，靠在一自行車輪上，並配置為檢測和響應於該自行車輪的運動；<br/> 一控制機構，容設在該殼體中，其中該控制機構被配置為響應於所檢測的該自行車輪的運動而產生一致動；<br/> 一第一貯存器，被容置在該殼體的一端內，且配置為在正常操作期間儲存用於清潔週期的去油劑和空氣；<br/> 一第二貯存器，被容置在該殼體的另一端內，且配置為在該第二貯存器中儲存潤滑油；<br/> 一第一活塞，可操作地連接至該控制機構和該第一貯存器，其中該第一活塞被配置為響應於該控制機構的該致動而從該第一貯存器通過一空氣管移動且泵送壓縮空氣或該去油劑至該自行車鏈條；以及<br/> 一第二活塞，可操作地連接至該控制機構和該第二貯存器，其中該第二活塞被配置為響應於該控制機構的該致動而從該第二貯存器通過一油管泵送且導引該潤滑油以對該自行車鏈條進行潤滑。
如請求項1所述的系統，其中該隨動件係一發電機，該發電機在該隨動件和該自行車輪之間的摩擦的影響下響應於該發電機的旋轉而進行旋轉時產生電壓。
如請求項2所述的系統，其中該控制機構進一步包括：<br/> 一第一印刷電路板，被配置為經由多個電線接收由該發電機所產生的多個電訊號，該第一印刷電路板被配置為產生該致動以控制該第一活塞和該第二活塞，其中該第一印刷電路板以多個致動訊號的形式產生該致動；<br/> 一第一線性致動器，可操作地耦接至該第一印刷電路板和該第一活塞，且被配置為響應於從該第一印刷電路板接收到該等致動訊號，推動該第一活塞以從該第一貯存器釋放該壓縮空氣或該去油劑；以及<br/> 一第二線性致動器，可操作地耦接至該第一印刷電路板和該第二活塞，且被配置為推動該第二活塞以從該第二貯存器釋放該潤滑油。
如請求項3所述的系統，其中該第一印刷電路板被配置為藉由檢測多個電壓峰值來計數輪旋轉的次數並根據該輪旋轉的計數對該第一線性致動器和該第二線性致動器提供相應的該等致動訊號。
如請求項4所述的系統，其中該第一印刷電路板還包括一電容器，用於在非活動期間保持所儲存的該輪旋轉的計數。
如請求項1所述的系統，其中該隨動件係附接到該自行車輪的磁體，用於感測該自行車輪的旋轉並對該自行車輪的旋轉次數進行計數。
如請求項6所述的系統，其中該控制機構進一步包括：<br/> 一第二印刷電路板和一霍爾感測器的一組件，該組件被配置為檢測磁場變化並響應於該自行車輪的旋轉而產生該致動；<br/> 一電池，可操作地連接至該第二印刷電路板和該霍爾感測器的該組件，用於向該組件進行供電；<br/> 一第一線性致動器，可操作地耦接至該第二印刷電路板和該第一活塞，且被配置為響應於從該第二印刷電路板接收該等致動訊號，推動該第一活塞以從該第一貯存器釋放該壓縮空氣；以及<br/> 一第二線性致動器，可操作地耦接至該第二印刷電路板和該第二活塞，且被配置為推動該第二活塞以從該第二貯存器釋放該潤滑油。
如請求項7所述的系統，其中該第二印刷電路板藉由該霍爾感測器對該自行車輪的旋轉次數進行計數，並驅動該第一線性致動器和該第二線性致動器，以控制該第一活塞和該第二活塞，從而將該壓縮空氣和該潤滑油輸送到該自行車鏈條。
如請求項7所述的系統，其中該第二印刷電路板響應於該自行車輪的旋轉來控制該第一活塞和該第二活塞的該致動。
一種組合式屏風結構，其包括：<br/> 多個隔板構件，其分別具有一隔離空間以及至少一穿孔，該隔離空間與該至少一穿孔相通；以及<br/> 一連接構件，其包括：<br/> 多個第一內固定元件，其被配置成用於分別設置於其中一該隔離空間；<br/> 至少一第二外固定元件，其被配置成用於設置於該多個隔板構件之間；以及<br/> 至少一連接元件，其被配置成用於穿設於該多個隔板構件之該至少一穿孔且能拆卸地連接於該多個第一內固定元件與該至少一第二外固定元件。
如請求項1所述之組合式屏風結構，其中，該連接構件還包括：<br/> 多個該第二外固定元件，其被配置成用於設置於該多個隔板構件之間，每一該第二外固定元件對應於其中一該隔板構件；以及<br/> 至少一轉接元件，其被配置成用於設置於多個該第二外固定元件之間；<br/> 多個該連接元件，每一該連接元件被配置成用於穿設於其中一該隔板構件之該至少一穿孔且能拆卸地連接於其中一該第一內固定元件、其中一該第二外固定元件與該至少一轉接元件。
如請求項2所述之組合式屏風結構，其中，該至少一轉接元件為中空結構，該至少一轉接元件之截面呈圓形或多角形。
如請求項2所述之組合式屏風結構，其中，該連接構件還包括：<br/> 一封閉元件，其具有至少一溝槽部，該封閉元件被配置成用於部分圍繞該至少一轉接元件；以及<br/> 至少一第二內固定元件，其被配置成用於設置於該至少一溝槽部中；<br/> 其中，當其中一該連接元件被配置成用於穿設於其中一該隔板構件之該至少一穿孔且能拆卸地連接於其中一該第一內固定元件、其中一該第二外固定元件與該至少一轉接元件時，另外一該連接元件被配置成用於穿設於另外一該隔板構件之該至少一穿孔且能拆卸地連接於另外一該第一內固定元件、另外一該第二外固定元件、該至少一轉接元件與該至少一第二內固定元件。
如請求項4所述之組合式屏風結構，其中，該封閉元件具有一主體部以及多個側翼部，該多個側翼部分別設置於該主體部之其中一側，該主體部之其中一面向外凸出形成該至少一溝槽部，該主體部之截面呈一字形或L形。
一種連接構件，其包括：<br/> 多個第一內固定元件，其被配置成用於分別設置於一隔板構件之內部；<br/> 至少一第二外固定元件，其被配置成用於設置於多個該隔板構件之間；以及<br/> 至少一連接元件，其被配置成用於穿設於該多個隔板構件且能拆卸地連接於該多個第一內固定元件與該至少一第二外固定元件。
如請求項6所述之連接構件，還包括：<br/> 多個該第二外固定元件，其被配置成用於設置於該多個隔板構件之間，每一該第二外固定元件對應於其中一該隔板構件；以及<br/> 至少一轉接元件，其被配置成用於設置於多個該第二外固定元件之間；<br/> 多個該連接元件，每一該連接元件被配置成用於穿設於其中一該隔板構件且能拆卸地連接於其中一該第一內固定元件、其中一該第二外固定元件與該至少一轉接元件。
如請求項7所述之連接構件，其中，該至少一轉接元件為中空結構，該至少一轉接元件之截面呈圓形或多角形。
如請求項7所述之連接構件，還包括：<br/> 一封閉元件，其具有至少一溝槽部，該封閉元件被配置成用於部分圍繞該至少一轉接元件；以及<br/> 至少一第二內固定元件，其被配置成用於設置於該至少一溝槽部中；<br/> 其中，當其中一該連接元件被配置成用於穿設於其中一該隔板構件且能拆卸地連接於其中一該第一內固定元件、其中一該第二外固定元件與該至少一轉接元件時，另外一該連接元件被配置成用於穿設於另外一該隔板構件且能拆卸地連接於另外一該第一內固定元件、另外一該第二外固定元件、該至少一轉接元件與該至少一第二內固定元件。
如請求項9所述之連接構件，其中，該封閉元件具有一主體部以及多個側翼部，該多個側翼部分別設置於該主體部之其中一側，該主體部之其中一面向外凸出形成該至少一溝槽部，該主體部之截面呈一字形或L形。
一種協助車輛上下樓梯的軌道，其特徵在於，包括︰<br/> 多個主軌道，係呈兩兩平行相對應且分別於中央設有一主凹槽，該主凹槽兩側延伸設有一主側牆，該主側牆設有相對之多個嵌孔且於上端具有一主側凹扣；<br/> 多個支軌道，係呈兩兩平行相對應且相互套設及重疊設於該主軌道，該支軌道中央設有一支凹槽，該支凹槽兩側延伸設有一支側牆，該支側牆設有對應該主軌道之該嵌孔且呈相對之多個彈性銷，該支側牆上端設有多個支側凹扣且對應該主軌道之該主側凹扣；<br/> 多個橫桿組，係設於兩兩平行相對應之該支軌道/或及該主軌道間，該橫桿組包含相互套合之一左橫桿及一右橫桿，該左橫桿一側設有多個橫嵌孔，該右橫桿另側設有對應該橫嵌孔之多個橫彈性銷；<br/> 利用該支軌道及該主軌道相互套合展開且該主凹槽及該支凹槽內端相對且呈平面或相互重疊收合，利用該橫桿組相互套合嵌扣調整該支軌道及該主軌道寬度。
如申請專利範圍第1項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述主軌道上端之支軌道上端分別設有一把手。
如申請專利範圍第2項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述把手下端設有至少一止滑件。
如申請專利範圍第1項、第2項或第3項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述支軌道展開其內端係呈相對，該支側牆之該彈性銷嵌扣設於該支側牆之該彈性銷。
如申請專利範圍第4項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述支軌道展開於該主軌道，該支軌道之該支凹槽及該主軌道之該主凹槽係呈平面。
如申請專利範圍第1項、第2項或第3項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述支軌道與該主軌道收合係呈相互重疊。
如申請專利範圍第1項所述之協助車輛上下樓梯的軌道，其中，所述車輛係為輪椅、貨車或推車或嬰兒車。
一種多孔出料功能頭結合閥門的容器，其係包含有：<br/>一出料頭，該出料頭具有一結合座，該結合座之頂部延伸設置複數出料柱，各該出料柱分別軸向貫設一出料孔，且該結合座之內底面係設置複數定位柱，該等出料孔係與該等定位柱呈錯位設置；<br/>一活塞桿，該活塞桿係由一凸緣盤朝向一端延伸設置一固定段及另一端延伸設置一桿身而成，並於對應該固定段之一端設置一開槽，該開槽係與該等出料孔相通，該開槽內凸設有一結合塊，該結合塊之外周係形成有複數內凹面，各該內凹面係供各該定位柱卡合，該開槽之槽底於對應各該內凹面位置係分別設置一穿孔，另外，該桿身內係軸向貫設一貫槽，該貫槽係與該等穿孔相連通；<br/>一軸套，該軸套一端係軸向開設一容置槽，該桿身係套合於該容置槽，該軸套具有一軸身，該軸身一端漸縮形成一環底部，另一端外緣擴增為一環周部，該環底部之周緣開設至少一入料口，該入料口係與該容置槽相通。
如請求項1所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，還包含裝有化妝液之一瓶體，該瓶體一端軸向設有一開口，該軸套係套設於該開口內緣，使該環周部抵止於該開口端面，而該開口外緣設有一螺紋部。
如請求項2所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，還包含有一外蓋，該外蓋一端內壁面設有一螺合部，並形成有一迫壓緣，該螺合部係與該瓶體之該螺紋部對應螺合，使該外蓋蓋設於該出料頭。
如請求項1所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，該桿身之外表面鄰近該凸緣盤係環設有一擋止環，該軸套之內壁面於該軸身與該環底部之連接處係環設有一限位部，該限位部係卡抵於該桿身之外壁面。
如請求項4所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，還包含一彈性件，該彈性件係套設於該活塞桿之該桿身，且可於該擋止環與該限位部之間移動。
如請求項1所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，該結合座之內壁面環設有一嵌凸部，該固定段之外表面鄰近該凸緣盤係環設一嵌凹部，該嵌凹部係與該嵌凸部對應嵌設。
如請求項1所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，該環底部之內底面係設有一呈錐狀之環凸塊。
如請求項1所述之多孔出料功能頭結合閥門的容器，其中，該出料頭之材質係為聚丙烯(PP)或矽膠。
一種滑軌式浴簾桿，其特徵在於，包括：兩側滑軌，分別固定於牆面兩側；連接桿，兩端分別可滑動地設於上述滑軌內；所述連接桿為可伸縮或固定結構；藉由連接滑塊滑動方式，使浴簾桿可沿牆面推拉移動，達到收納及節省空間之效果。
如請求項1所述之滑軌式浴簾桿，其中滑軌內設有滑槽，連接桿兩端設滑塊，可在滑槽內滑動。
如請求項1或2所述之滑軌式浴簾桿，其中滑軌以螺絲或黏貼結構固定於牆面，適用於浴室或更衣區域。
一種支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，用於與具備一數據處理器的一終端裝置結合後，由該終端裝置啟動，其包含：<br/> 一微控制器單元；<br/> 一記憶體，與該微控制器單元呈資訊連結，該記憶體載有一衛星通訊業者設定檔、及一整合型行動通訊業者設定檔； <br/> 一數位通訊介面，與該微控制器單元呈資訊連結，用於與該數據處理器完成資訊連結；以及<br/> 當該終端裝置的一應用程式於境內一行動通訊網路之訊號不可得時，可選擇與一衛星通訊訊號進行通訊連結。
如請求項1所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該整合型行動通訊業者設定檔可為一跨境電信商設定檔，以支援多網路接取，當目前所連接電信業者無信號時，該終端裝置可同門號自動切換至其它行動電信業者。
如請求項1所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，一訊號偵測及切換程式或該應用程式提供一手動雙模式之訊號切換功能，當該行動通訊網路之訊號的品質低於一預設閾值時，可以進行衛星通訊訊號的切換。
如請求項1所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該eSIM卡係為一實體卡形式、該eSIM晶片係為一內嵌於終端裝置之晶片形式之任一種。
如請求項1所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該eSIM卡或一晶片以一遠端SIM配置（RSP）技術，得於與一後台伺服器呈資訊連結，可以遠端配置新增一行動通訊業者設定、或進行一加值通訊流量之設定參數之其中之一或其組合。
如請求項5所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該遠端配置步驟的實施過程中，可透過TLS或對稱或非對稱加密驗證，以防止設定檔竄改。
如請求項5所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該eSIM卡或一晶片被配置為不鎖定單一終端裝置序號，以支援跨裝置重複使用以及透過一RSP技術反復延伸使用週期。
如請求項5所述之支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，該RSP技術之一觸發介面，透過應用程式掃描一QR Code或輸入啟動碼，完成該電信業者設定檔之遠端載入與啟用。
如請求項1所述的支持多電信和衛星通訊服務的eSIM卡或晶片系統，其中，係經由該終端裝置的該應用程式一操作介面介入，選擇欲接取之網路種類，使系統能於各種使用情境下保持最佳連線可用性。
一種門頂框結構，適用於設在牆壁門洞的上方，該門頂框結構包含：<br/> 一框體，設在該牆壁門洞的上方，並具有一燈槽，該燈槽具有一朝下的槽口；以及<br/> 一發光單元，設在該燈槽，並提供一由該槽口射出的光源。
如請求項1所述之門頂框結構，其中，該框體的燈槽具有二呈相對設置的槽壁，各該槽壁凸設有一卡凸部，該發光單元具有一受二該卡凸部卡抵的導電條部、及一設在該導電條部且提供該光源的發光元件。
如請求項1所述之門頂框結構，其中，該門頂框結構還包括一燈蓋，該燈蓋設在該燈槽的槽口，並具有一面對該發光單元的透光部。
如請求項3所述之門頂框結構，其中，該框體的燈槽具有二呈相對設置的槽壁，各該槽壁具有一由內朝外呈漸縮狀的內斜面；該燈蓋具有二設在該透光部兩側的卡側部，各該卡側部係由該透光部朝外呈漸擴狀且卡抵在該燈槽的內斜面。
一種適用於光學檢測之承接盤，包括：<br/> 一個承接盤（10），具有選擇性透光特性；<br/> 一個盤底部（11），作為該承接盤（10）的底部；<br/> 多個盤壁（12），立設於該盤底部（11）周圍邊緣；<br/> 多個槽（20），形成於該盤底部（11）並位於各該盤壁（12）之間，該槽（20）由一個槽底部（21）與多個槽壁（24）構成；以及<br/> 至少一個霧面（18、19）或斜面，設於該盤底部（11）、該盤壁（12）、該槽底部（21）或該槽壁（24）的表面，用以降低光學檢測過程中之透光或反光干擾。
如請求項1所述適用於光學檢測之承接盤，其中，該霧面（18、19）具有一個紋路結構（17）。
如請求項1所述適用於光學檢測之承接盤，其中，該霧面（18、19）透過對該盤底部（11）、該盤壁（12）的表面進行壓紋加工，直接形成具紋路的霧面結構。
一種用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其包括：<br/> 處理器；以及<br/> 記憶體，其與該處理器連接，並儲存可由該處理器執行之指令，<br/> 其中，該處理器在執行該指令時，實現以下步驟：<br/> 接收並標準化來自外部來源之資料，該外部來源包括使用者端裝置、穿戴式感測裝置、醫療紀錄資料庫或其組合；<br/> 基於標準化資料進行時序分析與特徵比對，以產生健康風險評估結果；<br/> 根據該健康風險評估結果生成行動建議；及<br/> 將該行動建議回傳至外部裝置或介面以提供給使用者。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，接收並標準化來自外部來源之資料之步驟包含資料清洗、格式轉換及特徵工程，以產生適合分析之特徵向量。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，該時序分析以長短期記憶網路(LSTM)進行，該特徵比對以梯度提升機(XGBoost)進行。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，生成行動建議的步驟進一步根據疾病風險分數與症狀描述，輸出高、中或低風險等級之行動建議。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，將行動建議回傳之步驟包含生成可視化圖表，其包括雷達圖或趨勢圖。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，該處理器在執行該指令時，進一步進行模型微調，以基於更新後之醫療紀錄與行為資料最佳化健康風險評估結果。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，該接收之資料包括由該使用者端裝置輸入的症狀描述，並透過自然語言處理將其轉換為結構化資料。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，該接收之資料包括由該穿戴式感測裝置傳輸之心率、血氧或睡眠資料。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，該接收之資料包括由該醫療紀錄資料庫提供之就診紀錄、檢驗報告或用藥歷史。
如請求項1所述之用於個人化健康風險評估之伺服器裝置，其中，將行動建議回傳之步驟於判定高風險情境時，觸發緊急聯絡通知或醫療諮詢服務之連結。
一種具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，包含：一主鏡框，該主鏡框正面兩端各具有一樁頭，至少一該樁頭之內部具有一容置室，該容置室具有一開口部與一樞軸，該開口部設有一固定部，該固定部具有一第一前固定件與一第二前固定件；至少一活動板，設置於對應該容置室之該樁頭表面，該活動板形成該容置室之蓋體，該活動板具有一樞接孔、一第一壓按部、一第二壓按部、一前面板及一後板，該樞接孔與該樞軸相互樞接，使該活動板以該樞軸為圓心，轉動於一收合位置與一展開位置，該第一壓按部用以供按壓後使該活動板位移至該展開位置，此時該前面板位於該容置室外且正面朝向該主鏡框之前方；該第二壓按部用以供按壓後使該活動板移至該收合位置，此時該前面板收入該容置室內；一鏡頭模組，設置於該眼鏡，該鏡頭模組具有一鏡頭，該鏡頭置於該前面板之該正面，用以隨之移動於該容置室內及該容置室之外，且能朝向該主鏡框之前方拍攝；以及一對鏡腳，連接於各該樁頭之末端，用以將該主鏡框夾置於配戴者之頭部；其中，該活動板之該前面板設有一前定位件，該前定位件具有一第一前定位件與一第二前定位件，當該活動板位於該收合位置時，該第一前定位件與該第一前固定件呈互相對應且相互連接定位，同時該第二前定位件與該第二前固定件呈互相對應且相互連接定位，當該活動板位於該展開位置時，該第二前定位件與該第一前固定件呈互相對應且相互連接定位。
如請求項1所述之具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，其中，該第一前定位件與該第一前固定件為一凸塊與一凹孔相互對應嵌合之一對凹凸塊，該第二前定位件與該第二前固定件為一凸塊與一凹孔相互對應嵌合之一對凹凸塊且該第二前定位件也能與該第一前固定件相互對應嵌合。
如請求項1所述之具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，其中，該第一前定位件與該第一前固定件為相互對應磁吸定位之一對磁吸件，該第二前定位件與該第二前固定件為相互對應磁吸定位之一對磁吸件且該第二前定位件也能與該第一前固定件相互對應磁吸定位。
一種具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，包含：一主鏡框，該主鏡框正面兩端各具有一樁頭，至少一該樁頭之內部具有一容置室，該容置室具有一開口部與一樞軸，該開口部設有一固定部，該固定部具有一第一後固定件與一第二後固定件；至少一活動板，設置於對應該容置室之該樁頭表面，該活動板形成該容置室之蓋體，該活動板具有一樞接孔、一第一壓按部、一第二壓按部、一前面板及一後板，該樞接孔與該樞軸相互樞接，使該活動板以該樞軸為圓心，轉動於一收合位置與一展開位置，該第一壓按部用以供按壓後使該活動板位移至該展開位置，此時該前面板位於該容置室外且正面朝向該主鏡框之前方，該第二壓按部用以供按壓後使該活動板移至該收合位置，此時該前面板收入該容置室內；一鏡頭模組，設置於該眼鏡，該鏡頭模組具有一鏡頭，該鏡頭置於該前面板之該正面，用以隨之移動於該容置室內及該容置室之外，且能朝向該主鏡框之前方拍攝；以及一對鏡腳，連接於各該樁頭之末端，用以將該主鏡框夾置於配戴者之頭部；其中，該活動板之該後板設有一後定位件，當該活動板位於該收合位置時，該後定位件與該第一後固定件呈互相對應且相互連接定位，當該活動板位於該展開位置時，該後定位件與該第二後固定件呈互相對應且相互連接定位。
如請求項4所述之具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，其中，該後定位件與該第一後固定件分別為相互對應嵌合之一凸塊與一凹孔，該後定位件與該第二後固定件分別為相互對應嵌合之一凸塊與一凹孔。
如請求項4所述之具有可隱藏或外露鏡頭結構之眼鏡，其中，該後定位件與該第一後固定件為相互對應磁吸定位之一對磁吸件，該後定位件與該第二後固定件為相互對應磁吸定位之一對磁吸件。
一種具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，包含有：一頭套本體、一披風層以及一收納腔所構成；<br/> 該披風層連接於頭套本體之後緣，該披風層之外緣形成至少一對手部墊及一對腳部墊，該收納腔設於頭套本體內部，用以容納所述披風層；<br/> 當該披風層沿導向折線向內反摺並塞入該收納腔時，所述手部墊及腳部墊翻轉至該頭套本體之前側，形成熊抱枕外觀；<br/> 而當災害發生時，該披風層可由該收納腔抽出展開，覆蓋幼兒之後頸及肩部，構成防護狀態。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該披風層內含防撞吸能芯，該吸能芯由EVA泡棉層與記憶棉層複合構成，以緩衝衝擊力。
如請求項1或2所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該披風層與頭套本體之連接處設有導向折線或弱化縫線，以控制反摺方向並確保披風層於反摺時能順利進入收納腔。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該手部墊及腳部墊除具裝飾外觀外，並兼作拉扣部，供使用者由抱枕模式向外抽拉以展開披風層。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該頭套本體與披風層之間設有轉換扣合構件，該轉換扣合構件為拉鍊、魔鬼氈或磁吸扣，用以封閉或開啟收納腔。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該收納腔為翻袋式結構，腔口朝向頭套內側，披風層於完全反摺後可由腔緣布蓋覆閉。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該頭套本體內部設有可插入暖包或芳香包之袋，以兼具保暖與安撫功能。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該頭套本體內設有隱藏式固定帶，於防災模式時可繫於幼兒下巴位置以防止滑落。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該披風層外緣之手部墊與腳部墊於反摺收納後翻轉至頭套前方形成四肢狀外觀，使整體於抱枕模式時呈擬態玩偶造型。
如請求項1所述之具遊戲與防災雙功能之幼兒頭套，其中，該頭套本體與披風層之外表面覆設有毛絨裝飾層，該毛絨裝飾層由柔軟絨布製成，以模擬布偶造型並增進安撫觸感。
一種機械手臂，包括：<br/> 至少一手臂單體；<br/> 牙條，穿設於該手臂單體，其中該牙條具有彼此相對的第一端與第二端，該第一端固定於該手臂單體，該第二端突出於該手臂單體；以及<br/> 螺帽，活動地螺接於該第二端並抵壓該手臂單體以驅動該手臂單體產生預變形，其中通過該螺帽在該牙條上的位置改變而調整該預變形的變形量。
如請求項1所述的機械手臂，其中該牙條的剛性大於該手臂單體的剛性。
如請求項1所述的機械手臂，其中該牙條位在該手臂單體的中央平面之上。
如請求項3所述的機械手臂，其中該手臂單體具有容置槽，該牙條的該第一端通過嵌合件嵌入該容置槽的一端，該牙條的該第二端穿出該容置槽的側向開口而與該螺帽螺接，該中央平面是該容置槽所在之該手臂單體的結構中心。
如請求項1所述的機械手臂，當該螺帽沿該牙條朝該第一端移動時，該螺帽抵壓且驅使該手臂單體產生凹面朝上的變形，以使該手臂單體鄰近該第二端的局部呈現反向於重力方向的向上移動。
如請求項1所述的機械手臂，其是X型連桿式取放臂，包括驅動模組、第一主臂、第二主臂、二個該手臂單體與夾持器，該第一主臂與該第二主臂連接至該驅動模組，其中一個該手臂單體的相對兩端分別樞接該第一主臂與該夾持器，另一個該手臂單體的相對兩端分別樞接該第二主臂與該夾持器。
如請求項6所述的機械手臂，其中該第一主臂、該第二主臂、該二個手臂單體與該夾持器構成取放模組，而該機械手臂包括多個該取放模組，分別連接該驅動模組。
如請求項6所述的機械手臂，其中該夾持器包括載體、連接件與轉軸組件，該二個手臂單體分別沿第一軸樞接該連接件，該轉軸組件連接在該連接件與該載體之間，以使該載體通過該轉軸組件而以第二軸相對於該連接件旋轉，該第一軸與該第二軸彼此相異。
如請求項8所述的機械手臂，其中該第一軸垂直該第二軸。
如請求項8所述的機械手臂，其中該轉軸組件包括軸體件、鎖附件與弧形保持件，而該連接件具有弧形結構，該軸體件組裝至該載體且可樞轉地抵接在該弧形結構與該弧形保持件之間，該鎖附件穿過該弧形保持件與該軸體件而鎖附至該弧形結構。
如請求項10所述的機械手臂，其中該轉軸組件還包括調整件，活動地鎖附於該軸體件且抵接該弧形結構，以調整該載體相對於該連接件的仰角。
如請求項10所述的機械手臂，其中該弧形結構的弧形輪廓與該弧形保持件的弧形輪廓附於該軸體件的圓柱輪廓的相對兩側且彼此共軸心。
一種具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其特徵在於，包括︰<br/> 一刷握柄，係包括一握持部、一頸部、一頭部，其中，該握持部前端設有該頸部，該頸部前端設有該頭部且於中央設有一凹陷容置座，該頭部位於該凹陷容置座前端設有一前導槽，該頭部前段兩側下端且與該前導槽相貫通分別設有一下扣凹陷座，該頭部位於該凹陷容置座後端下段設有一內扣孔，該頭部位於該凹陷容置座上端兩側分別設有呈凹陷之一側槽；<br/> 至少一刷頭，係設於該頭部之該凹陷容置座，該刷頭包括設有一刷毛座、多個刷毛、一前凸塊、二側斜扣、二側壓板及一後凸扣，其中，該刷毛座上端植設有多個該刷毛，該刷毛座前端上段設有該前凸塊，該前凸塊兩側設有呈向前傾斜之該側斜扣，該前凸塊對應該頭部之該前導槽，該側斜扣對應該頭部之該下扣凹陷座，該側壓板係設於該刷毛座上段兩側且對應該頭部之該側槽，該後凸扣係設於該刷毛座後段下段且對應該頭部位於該凹陷容置座後端下段之該內扣孔；<br/> 利用該刷頭容置於該刷握柄之該頭部所設之該凹陷容置座，透過該前凸塊、該側斜扣及該側壓板與該後凸扣分別扣合固定於該頭部之該前導槽、該下扣凹陷座及該側槽及該內扣孔或解除替換該刷頭。
如申請專利範圍第1項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述握持部前端所設之該頸部係呈向上傾斜或平直或向下傾斜。
如申請專利範圍第1項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述刷握柄之該頸部形狀係呈ㄇ形狀或倒U形狀。
如申請專利範圍第1項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述刷握柄之該握持部包括一底板及二側板；該底板係設於該握持部底部，該底板兩側向上延伸分別設有該側板，該握持部前端並設有一嵌扣部，該側板下端間隔分別設有一下滑扣槽，該握持部前端相對該嵌扣部兩側設有一彈性凹，該側板內側於該下滑扣槽間分別設有一內抵側塊且於頂部形成一上平面，該上平面高度係低於該側板上端，該握持部之該側板後端上段設有一後扣槽。
如申請專利範圍第4項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述握持部之該底板設有多個省料孔。
如申請專利範圍第4項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述握持部之該底板後端設有一吊掛耳且於中央具有至少一吊掛孔。
如申請專利範圍第4、5或6項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述刷握柄之該握持部內部位於該側板之該內抵側塊上端設有一滑動板，該滑動板兩側設有多個外扣爪且於下端具有該外凸部且對應該握持部之該下滑扣槽，該滑動板前端下段設有一前支撐板且對應該握持部之該嵌扣部，該滑動板後端設有一後扣滑動塊且於兩側分別具有一凹扣槽，該凹扣槽並對應該握持部後端之該後扣槽。
如申請專利範圍第7項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述滑動板上端表面設有多個止滑紋。
如申請專利範圍第7項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述滑動板之該前支撐板形狀係呈半橢圓形狀或長條形狀或半圓形狀。
如申請專利範圍第7項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述握持部形狀係呈倒ㄇ形狀或U形狀。
如申請專利範圍第7項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述握持部之該嵌扣部形狀係呈ㄇ形狀或倒U形狀。
如申請專利範圍第7項所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述該側板具有該上平面之該內抵側塊並使該側板外側形成工字型面。
如申請專利範圍第1所述之具有卡扣式可替換刷頭牙刷，其中，所述刷握柄之該頭部下端設有一刮舌胎部。
一種太陽能電子紙定位吊卡，包含：<br/>一定位吊卡本體，該定位吊卡本體之一端表面嵌設有一電子紙顯示器主機板、其另一端表面設有一透光面；<br/>該定位吊卡本體內部設有一太陽能薄膜、一控制器及一鋰電池；且該電子紙顯示器主機板設有一電性線路、該鋰電池設有一電性連接端；<br/>該太陽能薄膜係設置於該定位吊卡本體內部並對應該透光面位置，該太陽能薄膜設有二電性接端，該控制器設有二對應該電性接端之電性接部，該電性接端電性連接該電性接部；<br/>該控制器設有一藍牙全球定位模組及一電性連接部，該電性連接部分別電性連接該鋰電池之電性連接端與該電子紙顯示器主機板之電性線路。
如請求項1所述之太陽能電子紙定位吊卡，其中該定位吊卡本體係由一第一殼體及一第二殼體相對組合而成；該第一殼體表面設有一結合部，該結合部嵌設該電子紙顯示器主機板，且該第一殼體側邊設有複數扣部；該第二殼體對應該第一殼體之該扣部設有複數扣槽，以使該第一殼體與該第二殼體相互扣合組裝；該第二殼體設有該透光面，且該透光面設有一貫孔；該第二殼體內側緣設有複數扣組部，用以卡持並定位該太陽能薄膜之側緣；該太陽能薄膜設有一光電模組，該光電模組對應該透光面位置配置；而該太陽能薄膜對應該第二殼體之貫孔設置一電源鍵，該電源鍵可穿伸於該貫孔之外。
如請求項2所述之太陽能電子紙定位吊卡，其中該第一殼體上端一側設有一穿孔，該第二殼體上端設有一穿部，該穿孔與該穿部對應排列並共同穿置一吊環。
如請求項1所述之太陽能電子紙定位吊卡，其中該太陽能薄膜於預定位置設有複數組設孔；該控制器於對應該組設孔位置設有複數組固孔；並由複數組設件分別穿過該組設孔及該組固孔以進行螺鎖固定結合。
一種基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其包括一機箱以及設置於所述機箱內的一電路板，所述電路板上整合有一資料擷取模組、一資料建模模組、一異常判斷模組以及一狀態指示模組；<br/> 其中，所述資料擷取模組經配置以取得一變壓器在第一個預定監測週期內的第一運行狀態資料；所述資料建模模組經配置以利用所述第一運行狀態資料建立一數據關聯模型；<br/> 其中，所述資料擷取模組經配置以取得所述變壓器在下N個預定監測週期內的第二運行狀態資料，N為大於等於1之自然數；所述資料建模模組經配置以利用所述第二運行狀態資料更新所述數據關聯模型；其中，更新後的所述數據關聯模型中融入了所述第二運行狀態資料，且所述第二運行狀態資料的權重大於所述第一運行狀態資料；<br/> 其中，所述異常判斷模組經配置以利用更新後的所述數據關聯模型，根據所述變壓器之一絕緣油的液位高度變化，判斷所述變壓器的運行狀態是否有異常；所述狀態指示模組經配置以在所述變壓器的運行狀態被判斷為有異常時，輸出一異常指示訊息。
如請求項1所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，所述第一運行狀態資料包括所述資料擷取模組在第一個預定監測週期內所取樣之反映所述絕緣油的液位高度隨所述狀態參數變化的數據集，且所述數據關聯模型表徵由所述資料建模模組根據所述第一運行狀態資料所建立之所述狀態參數與所述絕緣油的液位高度之間的函數對應關係。
如請求項2所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，所述函數對應關係以液位高度對應溫度的變化關係曲線的形式呈現。
如請求項3所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，所述液位高度對應溫度的變化關係曲線由多個標準對應點構成，在所述資料建模模組建立所述數據關聯模型的程序中，每一所述標準對應點由下式1計算而生成：<br/> 式1中，S<sub>1</sub>表示所述液位高度對應溫度的變化關係曲線之所述標準對應點的特定溫度下的標準液位高度；T<sub>1</sub>表示第一個預定監測週期內之單位時間段總數；H<sub>1</sub>表示於第一個預定監測週期內，在所述特定溫度下所取樣之多個液位高度的總和。
如請求項4所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，在更新所述數據關聯模型的程序中，所述資料建模模組係基於所述第二運行狀態資料重構所述液位高度對應溫度的變化關係曲線，所述第二運行狀態資料包括所述資料擷取模組在下N個預定監測週期內所取樣之反映所述絕緣油的液位高度隨所述狀態參數變化的數據集；其中，重構的所述液位高度對應溫度的變化關係曲線的所述標準對應點由下式2計算而生成：<br/> 式2中，S<sub>2</sub>表示重構的所述液位高度對應溫度的變化關係曲線之所述標準對應點的特定溫度下的標準液位高度；T<sub>2</sub>表示下N個預定監測週期內之單位時間段總數；H<sub>2</sub>表示於下N個預定監測週期內，在所述特定溫度下所取樣之多個液位高度的總和。
如請求項1所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，所述狀態指示模組為一燈號指示器，其包括一綠色指示燈、一黃色指示燈及一紅色指示燈。
如請求項1所述的基於數據迭代更新的變壓器異常監測裝置，其中，所述電路板上整合有一顯示模組，且所述顯示模組從所述機箱外露。
一種變壓器狀態診斷系統，其包括一變壓器以及如請求項1所述的異常監測裝置，所述變壓器的一油槽設置有一感測模組，且所述資料擷取模組與所述感測模組電性連接，以擷取所述感測模組所測得的數據。
如請求項8所述的變壓器狀態診斷系統，其中，所述感測模組為一溫度液位複合感測器，其貼附於所述油槽的一底壁的外壁面，以同時量測所述油槽的一絕緣油的代表性溫度和液位高度。
如請求項8所述的變壓器狀態診斷系統，其中，所述感測模組包括一溫度感測器及一液位感測器，所述溫度感測器貼附於所述油槽的一側壁或一底壁的外壁面，以量測所述油槽的一絕緣油的代表性溫度，且所述液位感測器的一探頭設置於所述油槽內，以量測所述絕緣油的液位高度。
一種具有可抽換模組的機殼，包括：<br/> 一機殼本體，其內部具有一安裝空間且外側具有一抽換面板，該抽換面板具有一抽換口，於該抽換口的周壁形成一定位插銷孔；以及<br/> 一可抽換模組，包括一承載座、一轉盤座、一轉盤、一鎖定插銷組件與一定位插銷組件；該承載座、該轉盤座、該鎖定插銷組件與該定位插銷組件位於該安裝空間且該承載座連接於該轉盤座；該轉盤座對應設置於該抽換口且周圍部分具有一定位孔與一鎖定孔，該定位孔正對該定位插銷孔；該轉盤可旋轉地結合於該轉盤座，於該轉盤朝向該承載座的一側的偏心位置分別形成一軌道與結合一旋轉桿，該軌道係沿該轉盤的徑向延伸且該軌道的一端通往該鎖定孔，該轉盤的偏心位置具有一鎖定鈕開口，該鎖定鈕開口與該軌道相通；該鎖定插銷組件設置於該軌道內且具有一按鈕元件，該按鈕元件露出於該鎖定鈕開口且用以驅動一鎖定插銷，該鎖定插銷對應該鎖定孔的一端可活動地插入該鎖定孔；該定位插銷組件包括一插銷座與一定位插銷，該插銷座結合於該轉盤座且具有一通孔，該通孔與該定位孔相通，該定位插銷穿置於該通孔與該定位孔，該定位插銷對應該定位插銷孔的一端可活動地插入或脫離該定位插銷孔，該定位插銷的另一端連接一連動元件，該連動元件受該旋轉桿驅動而令該定位插銷沿該通孔滑動插入或脫離該定位插銷孔。
如請求項1所述之具有可抽換模組的機殼，其中該轉盤座具有一轉盤孔；該轉盤包括一盤體與一握把，該盤體可旋轉地設置於該轉盤孔，該鎖定鈕開口形成於該盤體的偏心位置，該軌道與該旋轉桿分別結合於該盤體朝向該承載座的一側的偏心位置；該握把結合於該盤體背離該承載座的另一側。
如請求項2所述之具有可抽換模組的機殼，其中該握把具有一壓鈕通孔，該壓鈕通孔與該鎖定鈕開口相通；該按鈕元件包括一按鈕塊與一滑塊，該按鈕塊可滑動地穿置於該壓鈕通孔與該鎖定鈕開口，該按鈕塊朝向該承載座的一側形成一驅動斜面；該滑塊固定於該鎖定插銷且配合該驅動斜面形成一從動斜面，該從動斜面可滑動地抵靠於該驅動斜面，於該軌道內設置一按鈕彈簧，該按鈕彈簧朝該鎖定孔的方向推動該滑塊與該鎖定插銷。
如請求項3所述之具有可抽換模組的機殼，其中於該滑塊形成一插銷穿孔，該插銷穿孔延伸的方向平行於該軌道延伸的方向，於該滑塊形成一螺絲穿孔，該螺絲穿孔延伸的方向垂直於該軌道延伸的方向，且該螺絲穿孔與該插銷穿孔相通；該鎖定插銷的中間具有一固定螺孔，且該鎖定插銷的中間穿過該插銷穿孔；設有一螺絲穿過該螺絲穿孔螺鎖於該固定螺孔，將該滑塊固定於該鎖定插銷。
如請求項4所述之具有可抽換模組的機殼，其中該驅動斜面對應該鎖定插銷形成一插銷凹槽，用以容納該鎖定插銷鄰接於該從動斜面的部分。
如請求項3所述之具有可抽換模組的機殼，其中該轉盤座的中央具有一軸部；該盤體的中央具有一管部，該管部可轉動地套合於該軸部；於該管部的外周面連接一引導管，該鎖定插銷的內端穿入該引導管內，該按鈕彈簧套合於該鎖定插銷，該按鈕彈簧的一端抵靠於該引導管且以另一端推動該滑塊。
如請求項6所述之具有可抽換模組的機殼，其中該轉盤座包括一外蓋與一內蓋；該外蓋係開口朝向該承載座的蓋體且與該承載座相連，該外蓋的外周面抵靠於該抽換口的周壁，該定位孔形成於該外蓋的外周面，該轉盤孔形成於該外蓋的中間；該內蓋係開口背離該承載座的蓋體，該內蓋容納於該外蓋內且與該外蓋結合，該內蓋的端緣鄰近或連接該轉盤孔的周緣，該軸部連接於該內蓋的中央，該鎖定孔形成於該內蓋的外周面，且該內蓋對應該定位孔於其周圍部分的一側形成一凹部；該插銷座結合於該外蓋的周圍部分且位於該凹部內。
如請求項7所述之具有可抽換模組的機殼，其中於該內蓋的外周面形成一解鎖孔，該鎖定插銷對應該鎖定孔的一端隨著該轉盤的旋轉移動可活動地插入或脫離該解鎖孔。
如請求項1或7所述之具有可抽換模組的機殼，其中該通孔具有一大徑部與一小徑部，於該大徑部與該小徑部之間形成一肩部，該大徑部鄰接於該定位孔；該定位插銷對應該定位插銷孔的一端具有一頭部，於該定位插銷套合一插銷彈簧，該插銷彈簧的兩端分別抵靠於該肩部與該頭部；該連動元件具有一連動元件本體，該連動元件本體可轉動地樞接於該定位插銷的另一端，且該連動元件朝向該插銷座的一側形成一抵靠面，該抵靠面抵靠於該插銷座，該抵靠面垂直於該定位插銷軸向的兩側的至少一側形成一支點部，於該連動元件本體連接一擺臂，該擺臂位於該旋轉桿隨該轉盤旋轉的路徑上。
如請求項1或7所述之具有可抽換模組的機殼，其中該連動元件係長條形的環體且於內側形成一旋轉桿軌道，該旋轉桿軌道的延伸方向與該定位插銷的軸向垂直，且該旋轉桿軌道具有兩端且其中一端相較於另一端更靠近該定位插銷的內端；該旋轉桿穿置於該旋轉桿軌道的兩端的其中一端。
一種無線通訊裝置，包括：<br/> 一殼體，該殼體內開設有一安裝腔；<br/> 至少一個天線，各該天線均設於該殼體，每一該天線的一端均設有一配合件；<br/> 一鎖定組件，該鎖定組件包括一連桿和一鎖定件，該鎖定件設於一連桿的端部位置，用於在靜態下和該配合件相磁吸實現鎖付，該連桿滑動設於該安裝腔；在該連桿滑動時，該鎖定件能夠與該配合件分離，以使該天線展開。
如請求項1所述的無線通訊裝置，其中，該鎖定組件還包括與該連桿連接的一按壓件，該殼體開設有一連接孔，該按壓件滑動穿設於該連接孔。
如請求項2所述的無線通訊裝置，其中，該鎖定組件包括一彈性件，該彈性件的兩端分別與該殼體和該按壓件彈性抵接。
如請求項3所述的無線通訊裝置，其中，該按壓件遠離該連桿的一端凸設有一抵接部，在垂向方向上，該抵接部的正投影大於該連接孔內側壁的正投影。
如請求項4所述的無線通訊裝置，其中，該殼體開設有一按壓槽，該連接孔位於該按壓槽的槽底，該彈性件容納限位與該按壓槽，並與該抵接部和該按壓槽的槽底彈性抵接。
如請求項1至5中任一項所述的無線通訊裝置，其中，該天線遠離該配合件的一端與該殼體轉動連接，該無線通訊裝置還設有一扭簧，該扭簧的兩端分別連接該天線和該殼體。
如請求項6所述的無線通訊裝置，其中，該鎖定件和該配合件其中之一為磁鐵，其中之另一為鐵磁性金屬；或該鎖定件和該配合件均為磁鐵。
如請求項1至5中任一項所述的無線通訊裝置，其中，該殼體的側壁開設有一容納槽，該天線轉動設於該容納槽。
如請求項1至5中任一項所述的無線通訊裝置，其中，該連桿的端部凸設有一安裝部，該安裝部開設有一安裝槽，該鎖定件容納限位於該安裝槽。
如請求項8所述的無線通訊裝置，其中，該容納槽的側壁開設有一連接通道，該連接通道連通該安裝腔與該容納槽。
一種承載頭膜，用於安裝在一研磨頭，該承載頭膜包括： 一主要部分，該主要部分為實質上平坦且具有一用於晶圓安裝的下表面，其中，該主要部分與該研磨頭之間界定出複數個可加壓的腔室；<br/> 一垂直部分，從該主要部分實質垂直延伸；<br/> 一第一水平部分，從該垂直部分實質橫向延伸，該第一水平部分連接有一第一厚緣；<br/> 一或多個第一強化肋，設置於該第一水平部分上，該第一強化肋從該第一水平部分靠近該第一厚緣的一第一周緣區域，橫向地朝該垂直部分延伸；<br/> 一外環形部分，從該主要部分的一外邊緣實質垂直延伸；<br/> 一第二水平部分，從該外環形部分朝內實質橫向延伸，該第二水平部分連接有一第二厚緣；以及<br/> 一或多個第二強化肋，設置於該第二水平部分上，該第二強化肋從該第二水平部分靠近該第二厚緣的一第二周緣區域，橫向地延伸並接觸該外環形部分。
如請求項1所述的承載頭膜，其中該第一強化肋與該第二強化肋分別為沿著徑向延伸的條狀結構。
如請求項2所述的承載頭膜，其中該第一強化肋與該第二強化肋分別被配置為以該承載頭膜的一中心呈輻射狀。
如請求項2所述的承載頭膜，其中該第一強化肋與該第二強化肋的該條狀結構於俯視下被配置為錯位。
如請求項1所述的承載頭膜，其中該第一強化肋與該第二強化肋的數量彼此獨立地介於2至20個之間。
如請求項1所述的承載頭膜，其中該第一強化肋進一步延伸至該垂直部分上。
一種具備迂迴排氣結構之杯蓋，其包含有：<br/> 一杯蓋本體，其具有一開口向上之容置槽，該容置槽之底部開設一第一通孔，該第一通孔貫穿該杯蓋本體，以使一杯體內之氣體能進入該容置槽；<br/> 一遮蓋體，其具有一塞部，該塞部可嵌入該容置槽內，使該遮蓋體封閉該容置槽之開口，該遮蓋體開設一第二通孔，該第二通孔貫穿該遮蓋體，並與該第一通孔之中心軸線相互錯開，用以連通該容置槽與外部環境； <br/> 至少二隔牆，沿該容置槽之深度方向設置於該容置槽內，該些隔牆與該容置槽之周壁共同將該容置槽分隔爲複數個彼此連通之子空間，藉由該些子空間與該些隔牆構成供氣體通過之迂迴排氣路徑；<br/> 其中，該第一通孔連通於其中一子空間，該第二通孔連通於另一子空間，使自該第一通孔流向該第二通孔之氣體沿該迂迴排氣路徑依序流經至少兩個該子空間，並於相鄰子空間之間至少發生一次轉折，以將杯體內部之氣體從該第二通孔導出至外部環境。
如請求項1所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些隔牆係自該容置槽之底面朝上一體延伸而成。
如請求項2所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些隔牆包含呈十字形結構配置之四道隔牆，以將該容置槽分隔爲四個子空間，其中三道隔牆各自形成一連通其兩側相鄰子空間之氣體通道。
如請求項3所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些氣體通道係由該些隔牆之頂部內凹形成之通槽與該遮蓋體之底面共同構成。
如請求項3所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些氣體通道分別貫穿相對應之隔牆以連通其兩側之子空間，該些氣體通道沿該迂迴排氣路徑自鄰近該第一通孔者至鄰近該第二通孔者其高度逐漸遞增設置。
如請求項1所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些隔牆包含至少兩道沿該容置槽之徑向延伸且高度一致之隔牆，各該隔牆之一側邊連接於該容置槽之周壁，另一側邊與該容置槽之周壁間隔配置以構成一氣體通道，且相鄰二隔牆之氣體通道於該容置槽之周向上相互錯開。
如請求項1所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些隔牆包含至少兩道沿該容置槽之徑向延伸且高度一致之隔牆，各該隔牆之兩側邊分別連接於該容置槽之周壁，且各自貫穿設有一連通其兩側子空間之氣體通道，相鄰二隔牆之氣體通道於該容置槽之徑向上相互錯開，且該些氣體通道沿該迂迴排氣路徑自鄰近該第一通孔者至鄰近該第二通孔者其高度逐漸遞增設置。
如請求項1所述之具備迂迴排氣結構之杯蓋，其中，該些隔牆包含至少兩道沿該容置槽之徑向延伸且彼此間隔設置之隔牆，該些隔牆沿該迂迴排氣路徑自鄰近該第一通孔者至鄰近該第二通孔者其高度逐漸遞增，且各該隔牆之頂部與該遮蓋體之底面之間保持一間隙，以構成相鄰子空間彼此連通之氣體通道。
一種米捲結構，包含：<br/> 一米捲，圍繞一軸線，並具有一沿該軸線延伸且貫穿的穿槽；及<br/> 一米棒，圍繞該軸線且穿置於該米捲的該穿槽。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米捲在垂直於該軸線上的橫截面呈環形，並具有一厚度，該穿槽具有一口徑，該口徑不小於該厚度。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米捲具有二沿該軸線相反設置的切面，該等切面在垂直於該軸線上的橫截面為平面。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米捲具有二沿該軸線相反設置的切面，該米棒具有二沿該軸線相反設置的端部，每一該端部沿該軸線與對應的該切面齊平。
如請求項1所述的米捲結構，還包含一塗層，該米捲具有相反設置的一外環面及一內環面，該塗層塗布於該外環面。
如請求項5所述的米捲結構，其中，該塗層的成分包括醬油、麥芽糊精、玉米糖漿與油。
如請求項5所述的米捲結構，其中，該塗層的成分包括糖、油、鹽、奶粉、香料與巧克力醬。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米棒沿該軸線延伸的長度不大於該米捲沿該軸線延伸的長度。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米棒沿該軸線延伸的長度大於該米捲沿該軸線延伸的長度。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米捲的成分包括白米、玉米、糙米與水。
如請求項1所述的米捲結構，其中，該米棒的成分包括米、麥芽、砂糖、油與鹽。
如請求項11所述的米捲結構，其中，該米棒的成分還包括海苔、草莓、或巧克力的任一者。
如請求項1所述的米捲結構，還包含一外層，該米捲具有相反設置的一外環面及一內環面，該外層套設於該米捲的該外環面。
如請求項13所述的米捲結構，其中，該外層沿該軸線延伸的長度不大於該米捲沿該軸線延伸的長度。
如請求項13所述的米捲結構，其中，該外層為海苔片。
一種影音剪輯系統，包含：<br/> 至少一電子裝置，擷取並傳送一原始影片；以及<br/> 一處理裝置，訊號連接該至少一電子裝置並接收該原始影片，該處理裝置包含：<br/> 一文字辨識模組，根據該原始影片的一音頻資訊生成複數個文字檔，該些文字檔對應該原始影片的複數個畫面；<br/> 一語意辨識模組，根據該音頻資訊，在該原始影片標記複數個時間戳記；<br/> 一剪輯模組，訊號連接該語意辨識模組及該文字辨識模組，該剪輯模組根據該些時間戳記剪出對應的該些畫面，並將該些畫面與對應的該些文字檔合併成複數個片段，接著將該些片段依序串聯成一初剪影片；及<br/> 一輸出模組，與該剪輯模組訊號連接，用以輸出該初剪影片成至少一影片檔。
如請求項1所述的影音剪輯系統，其中該語意辨識模組為一自然語言處理(NLP)模型。
如請求項1所述的影音剪輯系統，其中該至少一電子裝置的數量為複數，該些電子裝置中的一者傳送複數個輔助影片至該處理裝置，而該處理裝置更包含：<br/> 一對位選鏡模組，與該語意辨識模組及該剪輯模組訊號連接，並根據該初剪影片的一音頻資訊，將該些輔助影片的複數個畫面同步對位至該初剪影片中的該些畫面。
如請求項3所述的影音剪輯系統，其中該對位選鏡模組為一多機素材自動同步(Auto-Sync)模型。
如請求項3所述的影音剪輯系統，其中該至少一電子裝置包含：<br/> 一場記表生成模組，用以生成一選鏡規則，該剪輯模組根據該選鏡規則，將該初剪影片中對應的每一該些畫面取代成該些輔助影片的一者中同步對位的每一該些畫面。
如請求項1所述的影音剪輯系統，其中該語意辨識模組根據該原始影片的該音頻資訊生成複數個合成語音檔及複數個補字檔，並分別嵌入該音頻資訊及該些文字檔中。
如請求項5所述的影音剪輯系統，其中該至少一電子裝置更包含：<br/> 一操作介面，用以預覽該初剪影片後，接收並傳送一修改指令至該處理裝置，該剪輯模組根據該修改指令修改該初剪影片後，傳送至該輸出裝置輸出成該至少一影片檔。
如請求項7所述的影音剪輯系統，其中該操作介面訊號連接該場記表生成模組，該操作介面生成並傳送一電子場記表至該場記表生成模組，該場記表生成模組根據該電子場記表及一劇本生成該選鏡規則。
如請求項8所述的影音剪輯系統，其中該電子場記表包含素材可用性資訊、導演評語、攝影設計內容、演員走位及表演細節紀錄中至少一者。
如請求項1所述的影音剪輯系統，其中該文字辨識模組對該原始影片的該音頻資訊執行一前處理，該前處理包含雜訊抑制、語者分割及音量與取樣正規化中至少一者。
一種電測探針模組，用以對一晶圓上之一晶片進行一電測操作，其具有：<br/> 一第一定位基板，具有相對之一第一面及一第二面，該第一面及該第二面之間形成有至少一第一通孔以容置至少一第一端子部，所述至少一第一端子部外露於該第一面；<br/> 一第二定位基板，具有相對之一第三面及一第四面，該第三面及該第四面之間形成有至少一第二通孔以容置至少一第二端子部，所述至少一第二端子部外露於該第四面；<br/> 至少一導電彈性部，連接於所述至少一第一端子部與所述至少一第二端子部之間；以及<br/> 一彈性絕緣膠片，貼附於該至少一導電彈性部。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，該第一定位基板和該第二定位基板均係一絕緣基板。
如請求項2所述之電測探針模組，其中，該絕緣基板係由一玻璃基板、一陶瓷基板、一塑膠基板和一FR4基板所組成之群組所選擇的一種基板。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，該彈性絕緣膠片係由矽膠、樹脂和橡膠所組成之群組所選擇的一種材料製成。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，所述第一端子部和所述第二端子部均係由銅或銅合金製成。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，所述導電彈性部係由銅或銅合金製成。
如請求項6所述之電測探針模組，其中，所述導電彈性部具有一連續彎折結構。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，該至少一導電彈性部係被該彈性絕緣膠片包覆住。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，該第一定位基板具有一第一結合部，該第二定位基板具有一第二結合部，該第一結合部及該第二結合部係合以為該第一定位基板及該第二定位基板提供一結合機制。
如請求項1所述之電測探針模組，其中，所述第一端子部與所述第二端子部均具有一抵頂結構。
一種清潔頭，其包括：<br/> 殼體，所述殼體用於在待清潔表面移動，所述殼體限定有流體通道，其中所述殼體還限定有第一腔體，所述第一腔體與所述流體通道流體連通；以及<br/> 清掃裝置，用於對所述待清潔表面清掃，所述清掃裝置包括驅動電機、傳動結構和清掃件，所述驅動電機用於通過所述傳動結構驅動所述清掃件沿一運動軌跡運動；所述運動軌跡包括第一區段和第二區段，在所述第一區段內，所述清掃件離開所述待清潔表面，在所述第二區段內，所述清掃件與所述待清潔表面相接觸，<br/> 其中，在所述運動軌跡中，所述清掃件始終朝向所述待清潔表面。
如請求項1所述的清潔頭，其中所述清掃件和部分所述傳動結構設置於所述第一腔體內部，所述驅動電機和其餘部分所述傳動結構設置於所述第一腔體外部。
如請求項1所述的清潔頭，其中所述第一腔體包括抽吸腔和清掃腔，所述抽吸腔和所述清掃腔之間通過至少一個連通口流體連通。
一種清潔頭，其包括：<br/> 殼體，所述殼體用於在待清潔表面移動，所述殼體限定有流體通道，其中所述殼體還限定有與所述流體通道流體連通的抽吸腔和與所述抽吸腔流體連通的清掃腔，且其中所述抽吸腔和所述清掃腔之間通過至少一個連通口流體連通；以及<br/> 清掃裝置，用於對所述待清潔表面進行清掃，所述清掃裝置包括驅動電機、傳動結構和清掃件，所述清掃件設置於所述清掃腔內，所述驅動電機用於通過所述傳動結構驅動所述清掃件沿一運動軌跡運動，所述運動軌跡包括第一區段和第二區段，在所述第一區段內，所述清掃件離開所述待清潔表面，在所述第二區段內，所述清掃件與所述待清潔表面相接觸，以將所述待清潔表面上的髒汙掃向所述連通口。
如請求項1-4中任一項所述的清潔頭，其中其中，所述傳動結構包括減速機構和輸出機構；所述減速機構的輸入端與所述驅動電機的輸出軸傳動連接，所述減速機構的輸出端與所述輸出機構傳動連接，所述輸出機構用於帶動所述清掃件沿所述運動軌跡運動。
如請求項5所述的清潔頭，其中所述減速機構包括一級皮帶減速器和二級皮帶減速器，所述一級皮帶減速器的輸入端與所述驅動電機的輸出軸傳動連接，所述一級皮帶減速器的輸出端與所述二級皮帶減速器的輸入端傳動連接，所述二級皮帶減速器的輸出端與所述輸出機構傳動連接。
如請求項5所述的清潔頭，其中所述輸出機構包括第一輸出元件和第二輸出元件，所述第一輸出元件包括第一輸出軸和分別位於所述第一輸出軸兩端的第一輸出件和第二輸出件，所述第二輸出元件包括第二輸出軸和分別位於所述第二輸出軸兩端的第三輸出件和第四輸出件，所述減速機構的輸出端與所述第一輸出軸和/或所述第二輸出軸傳動連接。
如請求項7所述的清潔頭，其中所述傳動結構還包括第一連杆和第二連杆，所述清掃件通過所述第一連杆和第二連杆與所述輸出機構傳動連接；所述第一輸出件和所述第三輸出件共同驅動所述第一連杆；所述第二輸出件和所述第四輸出件共同驅動所述第二連杆。
如請求項8所述的清潔頭，其中所述第一輸出軸和/或所述第二輸出軸上設置有配重塊。
如請求項5所述的清潔頭，其中當所述清掃件在所述第二區段內運動時，沿豎直方向至少部分所述清掃件位於所述輸出機構的正下方。
如請求項1-4中任一項所述的清潔頭，其中所述傳動結構包括第一傳動組，所述第一傳動組包括第一偏心輪、傳動連接至所述第一偏心輪的第一連杆和第一引導結構，所述第一偏心輪轉動以帶動所述第一連杆相對於所述第一引導結構運動。
如請求項11所述的清潔頭，其中所述第一引導結構包括支撐杆，所述第一連杆設置有與所述支撐杆對應的行程槽，所述支撐杆與所述行程槽之間相互配合以限定所述第一連杆的運動軌跡。
如請求項12所述的清潔頭，其中所述傳動結構還包括第二傳動組，所述第二傳動組包括第二偏心輪、傳動連接至所述第二偏心輪的第二連杆和第二引導結構，所述第二偏心輪轉動以帶動所述第二連杆相對於所述第二引導結構運動。
如請求項3或4所述的清潔頭，其中部分所述傳動結構位於所述抽吸腔的上方。
如請求項3或4所述的清潔頭，其中沿豎直方向，所述抽吸腔的高度小於所述清掃腔的高度。
如請求項1所述的清潔頭，其中所述清掃件包括支架和安裝於所述支架上的擦拭條，所述擦拭條的長度大於所述清掃腔的長度，以使所述擦拭條凸出於所述殼體的側壁。
如請求項1-4中任一項所述的清潔頭，其中所述清掃件包括支架和安裝於所述支架上的擦拭條，所述擦拭條的長度大於所述清掃腔的長度，以使所述擦拭條凸出於所述殼體的側壁。
如請求項1-4中任一項所述的清潔頭，其中沿所述清潔頭運動方向所述傳動結構至少部分設置於所述流體通道的正前方。
一種吸塵器，包括：<br/> 用於產生抽吸氣流的抽吸電機；和<br/> 如請求項1-18中任一項所述的清潔頭。
一種清潔系統，包括：<br/> 如請求項19所述的吸塵器；和<br/> 用於對接所述吸塵器的基站。
一種自動提款機阻詐自動通知系統，包括：<br/> 一大數據分析伺服器裝置，用以大數據分析客戶的消費、取款模式；<br/> 一警方電子裝置；以及<br/> 一洗錢防制伺服器裝置，通訊連接該大數據分析伺服器裝置及該警方電子裝置，用以於觸及相關犯罪、詐騙或洗錢徵兆時傳送警告通知給該警方電子裝置。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該大數據分析伺服器裝置包含一處理器用以分析客戶的消費、取款模式而建立符合洗錢防制之各項指標、徵兆。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該大數據分析伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存客戶的消費與取款模式的資訊。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該大數據分析伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該洗錢防制伺服器裝置。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該洗錢防制伺服器裝置包含一處理器，用以判斷是否觸及相關犯罪、詐騙或洗錢徵兆。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該洗錢防制伺服器裝置包含一處理器，用以判斷是否傳送警告通知給該警方電子裝置。
如請求項1所述之自動提款機阻詐自動通知系統，還包含一自動提款機通訊伺服器裝置，該自動提款機通訊伺服器裝置用以通訊連接至複數個自動提款機獲取欲監控的資訊。
如請求項7所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該自動提款機通訊伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該大數據分析伺服器裝置及該些自動提款機。
如請求項7所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該自動提款機通訊伺服器裝置包含一處理器，用以判斷符合洗錢防制之領款人於該些自動提款機取款資訊。
如請求項9所述之自動提款機阻詐自動通知系統，其中該自動提款機通訊伺服器裝置包含一儲存單元，用以暫存該符合洗錢防制之領款人於該些自動提款機取款資訊。
一種採種用蕹菜採割裝置，採割裝置包含有一前導切莖單元，位於一機體的前側，至少具有二切莖輪刀，該切莖輪刀分別位在機體的左右兩側，刀刃朝前，用以將採割裝置經過的蕹菜走莖切斷；一動力扶撥單元，係位於該前導切莖單元的後側，由一軸及放射狀排列且固定在軸面上的複數支扶撥板所組成，用以將匍匐的蕹菜莖部扶撥往後；一犁刀，係橫向配置在機體上，設置於該動力扶撥單元後，用以將蕹菜基部切斷；及一輸送單元，係配置於該犁刀後方，用以將莖部切斷的蕹菜輸送且落入畦面上。
如請求項1所述之採種用蕹菜採割裝置，其中該採割裝置係附掛於一曳引機的前側或後側，動力由該曳引機提供。
如請求項1所述之採種用蕹菜採割裝置，其中該切莖輪刀係分別位在該機體的左右兩側及中間位置。
如請求項1所述之採種用蕹菜採割裝置，其中該扶撥板可配置多組分配在該軸上，且各相對應的扶撥板的尾端以橫向的連接桿連接。
如請求項1所述之採種用蕹菜採割裝置，其中該輸送單元為柵鏈型輸送機。
一種基站，包括：<br/> 殼體，其限定有接收腔，所述接收腔用於對接至少部分表面清潔設備；所述殼體包括底壁和側壁；<br/> 充電觸點，設置於所述殼體的側壁，所述充電觸點用於對接所述表面清潔設備的充電接頭，以實現所述表面清潔設備和所述基站之間的電力和/或信號傳輸；所述充電觸點可在第一位置和第二位置之間移動，所述充電觸點配置成：在所述第一位置時不影響表面清潔設備進入所述接收腔，在所述第二位置時與所述充電接頭相接觸；以及<br/> 觸發裝置，與所述充電觸點相連，所述觸發裝置配置成：所述表面清潔設備在對接到所述基站後可驅動所述觸發裝置，以使所述充電觸點保持在第二位置。
如請求項1所述的基站，其中所述觸發裝置包括觸動端，所述觸動端設置於所述側壁且凸出於所述側壁的壁面。
如請求項2所述的基站，其中在所述表面清潔設備對接到所述基站後，所述表面清潔設備的側部驅動所述觸動端。
如請求項1所述的基站，其中所述觸發裝置包括觸動端，所述觸動端設置於所述底壁。
如請求項4所述的基站，其中所述表面清潔設備包括滾輪，在所述表面清潔設備對接到所述基站後，所述滾輪驅動所述觸動端。
如請求項1所述的基站，其中所述觸發裝置包括主體結構，所述主體結構包括觸動端、安裝端和位於所述觸動端和所述安裝端之間的樞轉結構，所述樞轉結構可樞轉的安裝於所述殼體。
如請求項2所述的基站，其中所述觸動端包括至少一個可旋轉的滑輪，所述滑輪可與所述表面清潔設備相接觸。
如請求項4所述的基站，其中所述基站設置有用於容納滾輪的第一空間，所述觸動端至少部分位於所述第一空間內。
如請求項1所述的基站，其中所述充電觸點包括第一觸點和第二觸點，所述第一觸點和所述第二觸點分開設置。
一種清潔系統，包括表面清潔設備和如請求項1-9中任一項所述的基站，所述表面清潔設備可對接至所述基站。
一種清潔系統，其中包括：<br/> 表面清潔設備，用於對待清潔表面進行清潔；所述表面清潔設備包括滾輪和充電接頭；以及<br/> 基站，其包括殼體，所述殼體限定有接收腔，所述接收腔用於對接至少部分所述表面清潔設備，所述殼體包括底壁和側壁；所述殼體的側壁設置有充電觸點；所述充電觸點用於對接所述充電接頭，以實現所述表面清潔設備和所述基站之間的電力和/或信號傳輸；所述充電觸點可在第一位置和第二位置之間移動，所述充電觸點配置成：在所述第一位置時不影響表面清潔設備進入所述接收腔，在所述第二位置時與所述充電接頭相接觸。
如請求項11所述的清潔系統，其中沿進入所述基站的方向所述充電接頭位於所述滾輪的前方。
如請求項11或12所述的清潔系統，其中所述基站還包括觸發裝置，所述觸發裝置與所述充電觸點相連，所述觸發裝置配置成：所述表面清潔設備在對接到所述基站後可驅動所述觸發裝置，以使所述充電觸點保持在第二位置。
如請求項13所述的清潔系統，其中所述觸發裝置包括主體結構，所述主體結構包括觸動端、安裝端和位於觸動端和安裝端之間的樞轉結構。
如請求項14所述的清潔系統，其中所述觸動端設置於所述底壁，所述滾輪配置成可驅動所述觸發裝置。
如請求項10或11所述的清潔系統，其中所述充電觸點包括第一觸點和第二觸點，所述第一觸點和所述第二觸點分別設置於左側和右側。
一種腸造口袋洋裝結構，其包括：<br/>一洋裝衣體，於其腰部設置有一開口，並在該開口上設置有一拉鍊，以及在該開口下方設置有至少一魔鬼粘；<br/>一袋體，其一側設置有一魔鬼粘，並透過該魔鬼粘使袋體可貼置於洋裝衣體其開口下方之魔鬼粘上；<br/>一腰帶，其二末端均設置有至少一魔鬼粘，使腰帶可繞設於洋裝衣體之腰部，同時遮擋住洋裝衣體之開口與袋體。
如請求項1所述之腸造口袋洋裝結構，其中開口之長度至少為腰部之三分之二。
如請求項1所述之腸造口袋洋裝結構，其中腰帶上更另設置有至少一鬆緊帶。
一種感測模組之結構，其係包含：<br/> 一絕緣基板，其係包含：<br/> 一貫穿孔，其設置於該絕緣基板之一面；<br/> 一印刷電路，其設置於該絕緣基板之該面，且該印刷電路之一端透過該貫穿孔設置於該絕緣基板之一另一面；<br/> 一感測器，其設置於該絕緣基板之該面，並電性連接該印刷電路；及<br/> 一第一凹槽，其設置於該絕緣基板之該面，該第一凹槽圍設於該印刷電路及該感測器；<br/> 一光學轉換元件，其設置於該絕緣基板之該面，該光學轉換元件之一下方環設一環狀連接件；及<br/> 一液態金屬，其設置於該第一凹槽之一內部，該液態金屬接合該環狀連接件係用以使該光學轉換元件與該感測器之間具有一密閉空腔。
如請求項1所述之感測模組之結構，其中該光學轉換元件更包含一第二凹槽，該第二凹槽環設於該光學轉換元件之該下方，該第二凹槽係用以固設該環狀連接件。
如請求項1所述之感測模組之結構，更包含一光學透鏡，其設置於該光學轉換元件之一上方，該光學透鏡係用以導引一入射光並集中至該感測器。
如請求項3所述之感測模組之結構，其中該光學透鏡係一菲涅爾透鏡。
如請求項1所述之感測模組之結構，其中該光學轉換元件之材料係選自於矽、鍺、硫化鋅或其組合。
如請求項1所述之感測模組之結構，其中該液態金屬之材質係選自於鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、鉛(Pb)、鎘(Cd)、鋅(Zn)、鋁(Al)或其合金。
如請求項1所述之感測模組之結構，其中該液態金屬之一熔點係-20°C至70°C。
一種感測模組之結構，其係包含：<br/> 一絕緣基板，其係包含：<br/> 一環狀延伸件，其係延伸並環設於該絕緣基板之一面，該環狀延伸件之一下方設置一貫穿孔，該環狀延伸件之一上方設置一第一凹槽；<br/> 一印刷電路，其設置於該絕緣基板之該面，並穿設該貫穿孔；及<br/> 一感測器，其設置於該絕緣基板之該面，並電性連接該印刷電路，該環狀延伸件係圍設該感測器；<br/> 一光學轉換元件，其設置於該絕緣基板之該面，該光學轉換元件之一下方環設一環狀連接件；及<br/> 一液態金屬，其設置於該第一凹槽之一內部，該液態金屬接合該環狀連接件使該光學轉換元件與該感測器之間具有一密閉空腔。
如請求項8所述之感測模組之結構，其中該光學轉換元件更包含一第二凹槽，該第二凹槽環設於該光學轉換元件之該下方，該第二凹槽係用以固設該環狀連接件。
一種多電池模組電源管理系統，係應用於複數之電池模組，該多電池模組電源管理系統包含： <br/>一電池模組協調系統； <br/>複數之電池管理系統，該些電池管理系統係電性連接至該電池模組協調系統；以及 <br/>複數之獨立充電模組，該些獨立充電模組係電性連接至該電池模組協調系統以及該些電池管理系統， <br/>其中，該些電池模組包含一第一電池模組，該些電池管理系統包含一第一電池管理系統，該些獨立充電模組包含一第一獨立充電模組，該第一獨立充電模組係電性連接至該電池模組協調系統以及該第一電池管理系統，該第一電池管理系統係連接至該第一電池模組；該電池模組協調系統被配置為接收由該第一電池管理系統所提供的關聯於該第一電池模組的一荷電狀態參數，並且基於該荷電狀態參數控制該第一獨立充電模組以設定輸出至該第一電池模組的一第一充電電流或一第一充電功率以調節對該第一電池模組的充電方式。
如請求項1所述之多電池模組電源管理系統，其中，該電池模組協調系統被配置為基於該荷電狀態參數控制該第一獨立充電模組以設定輸出至該第一電池模組的該第一充電電流或該第一充電功率以在該第一電池模組的放電過程中單獨地輔助該第一電池模組降低該第一電池模組的輸出電流。
如請求項2所述之多電池模組電源管理系統，其中，該電池模組協調系統被配置為接收由該第一電池管理系統所提供的關聯於該第一電池模組的一功能狀態參數，並且基於該功能狀態參數控制該第一獨立充電模組以設定輸出至該第一電池模組的該第一充電電流或該第一充電功率以調節對該第一電池模組的該充電方式。
如請求項3所述之多電池模組電源管理系統，其中，該電池模組協調系統被配置為基於該功能狀態參數控制該第一獨立充電模組以設定輸出至該第一電池模組的該第一充電電流或該第一充電功率以在該第一電池模組的該放電過程中單獨地輔助該第一電池模組降低該第一電池模組的該輸出電流。
如請求項4所述之多電池模組電源管理系統，係更應用於一區域電網，其中，該電池模組協調系統被配置為設定該區域電網的最大供應瓦數；該電池模組協調系統被配置為基於該荷電狀態參數控制該第一獨立充電模組以在不同情境時設定輸出至該第一電池模組的該第一充電電流或該第一充電功率。
如請求項5所述之多電池模組電源管理系統，係更應用於一受電端，其中，該電池模組協調系統被配置為基於該受電端的電壓需求動態地配置並使用該些電池模組以供電至該受電端，並且自動地分配複數之通訊識別碼至連接至該些電池模組的該些電池管理系統；該電池模組協調系統被配置為管理該些通訊識別碼；該電池模組協調系統被配置為與另一該電池模組協調系統互相通訊以擴展該些通訊識別碼；該電池模組協調系統被配置為藉由全域式自動化配置方式配置該些通訊識別碼至連接至該些電池模組的該些電池管理系統。
如請求項6所述之多電池模組電源管理系統，更包含： <br/>複數之直流開關單元，該些直流開關單元係電性連接至該電池模組協調系統、該些電池管理系統以及該些獨立充電模組；以及 <br/>複數之交流開關單元，該些交流開關單元係電性連接至該電池模組協調系統、該些電池管理系統以及該些獨立充電模組， <br/>其中，該電池模組協調系統包含： <br/>一系統供電區塊，該系統供電區塊係電性連接至該些電池管理系統以及該些獨立充電模組， <br/>其中，該系統供電區塊包含： <br/>一交流轉直流轉換器，該交流轉直流轉換器係電性連接至該些交流開關單元；以及 <br/>一高壓直流轉換器，該高壓直流轉換器係電性連接至該些直流開關單元， <br/>其中，該交流轉直流轉換器被配置為轉換該區域電網所提供的一交流電壓成為一第一直流電壓以供電給該電池模組協調系統；當該區域電網停止提供該交流電壓時，該高壓直流轉換器被配置為轉換該些電池模組所提供的一直流高電壓成為一第二直流電壓以供電給該電池模組協調系統。
如請求項7所述之多電池模組電源管理系統，係更應用於一後台管理系統，其中，該電池模組協調系統更包含： <br/>一控制單元，該控制單元係電性連接至該交流轉直流轉換器、該高壓直流轉換器、該些直流開關單元以及該些交流開關單元； <br/>一通訊單元，該通訊單元係電性連接至該交流轉直流轉換器、該高壓直流轉換器、該控制單元、該些獨立充電模組以及該些電池模組； <br/>一記憶體單元，該記憶體單元係電性連接至該交流轉直流轉換器、該高壓直流轉換器以及該通訊單元；以及 <br/>一無線通訊模組，該無線通訊模組係電性連接至該交流轉直流轉換器、該高壓直流轉換器、該通訊單元以及該後台管理系統， <br/>其中，該控制單元被配置為藉由該第一直流電壓或該第二直流電壓驅動該些直流開關單元以及該些交流開關單元；該無線通訊模組係為該電池模組協調系統的物聯網途徑。
如請求項8所述之多電池模組電源管理系統，其中，該些獨立充電模組的每一個包含： <br/>一充電器控制單元，該充電器控制單元係電性連接至該電池模組協調系統；以及 <br/>一高壓交流轉直流轉換器，該高壓交流轉直流轉換器係電性連接至該充電器控制單元以及該些電池模組， <br/>其中，該高壓交流轉直流轉換器被配置為轉換該區域電網所提供的該交流電壓成為一第三直流電壓；該充電器控制單元被配置為控制該高壓交流轉直流轉換器以調整該第一充電電流或該第一充電功率以對該第一電池模組進行充電。
如請求項9所述之多電池模組電源管理系統，其中，該些電池模組的每一個包含複數之電池包，該些電池管理系統的每一個包含： <br/>一電池控制單元，該電池控制單元係電性連接至該電池模組協調系統；以及 <br/>一類比前端積體電路 ，該類比前端積體電路 係電性連接至該電池控制單元以及該些電池包， <br/>其中，該類比前端積體電路被配置為感測並取得該些電池包的複數之電池資料，並且傳送該些電池資料至該電池控制單元；該電池控制單元被配置為利用並計算該些電池資料以得到該荷電狀態參數以及該功能狀態參數，並且傳送該荷電狀態參數以及該功能狀態參數至該電池模組協調系統。
一種自動待機顯示器，包含有： <br/>一顯示模組； <br/>一偵測模組，電連接該顯示模組，且儲存有一暫存影像雜湊值及一相同次數； <br/>其中，該顯示模組及該偵測模組分別接收一主機產生的一顯示訊號，且該偵測模組根據該顯示訊號計算一影像雜湊值，以及該偵測模組判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值是否相同； <br/>其中，當該偵測模組判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值相同，該偵測模組累加該相同次數，且該偵測模組判斷該相同次數是否等於一第一閾值； <br/>其中，當該相同次數等於該第一閾值時，該偵測模組產生並傳送一關閉訊號至該顯示模組，以關閉該顯示模組，並重設該相同次數。
如請求項1所述之自動待機顯示器，其中，當該偵測模組判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值相異時，該偵測模組傳送一開啟訊號至該顯示模組，以開啟該顯示模組，並將該影像雜湊值儲存為該暫存影像雜湊值，以及重設該相同次數。
如請求項1所述之自動待機顯示器，其中，該偵測模組包含有： <br/>一校驗算法電路，接收該主機產生的該顯示訊號，且連接該顯示模組； <br/>一雜湊暫存器，電連接該校驗算法電路；及 <br/>一相同次數計數器，電連接該校驗算法電路； <br/>其中，該雜湊暫存器儲存該暫存影像雜湊值，以及該相同次數計數器儲存該相同次數。
如請求項3所述之自動待機顯示器，其中，該顯示訊號包含有複數顏色通道訊號，且該些影像雜湊值包含有複數影像顏色雜湊值，並且該暫存影像雜湊值包含有複數暫存影像顏色雜湊值； <br/>其中，該偵測模組的該校驗算法電路包含有複數顏色校驗算法電路，且該些顏色校驗算法電路分別接收該主機產生的該顯示訊號； <br/>其中，該偵測模組的該雜湊暫存器包含複數顏色雜湊暫存器，且該些顏色雜湊暫存器分別電連接該些顏色校驗算法電路，並分別儲存有該些暫存影像顏色雜湊值； <br/>其中，該些顏色校驗算法電路分別接收該些顏色通道訊號，並根據該些顏色通道訊號各自計算該些影像顏色雜湊值； <br/>其中，當該偵測模組判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值是否相同時，該偵測模組的該些顏色校驗算法電路係分別判斷該些影像顏色雜湊值與該些暫存影像顏色雜湊值是否相同； <br/>其中，當該些顏色校驗算法電路判斷該些影像顏色雜湊值與該些暫存影像顏色雜湊值皆相同時，該偵測模組才判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值相同。
如請求項3或4所述之自動待機顯示器，其中，該校驗算法電路使用一Adler-32校驗算法。
如請求項1所述之自動待機顯示器，其中，該偵測模組接收該主機傳送的一主機控制訊號； <br/>其中，當該偵測模組接收到低準位的該主機控制訊號，且該相同次數等於該第一閾值時，該偵測模組傳送該關閉訊號至該顯示模組； <br/>當該偵測模組接收到高準位的該主機控制訊號，且該偵測模組判斷該影像雜湊值與該暫存影像雜湊值相異時，該偵測模組傳送一開啟訊號至該顯示模組。
如請求項3所述之自動待機顯示器，其中，該偵測模組包含有一像素計數器，連接到該校驗算法電路，且儲存有一像素計數； <br/>其中，該顯示訊號包含有一垂直同步訊號及一資料有效訊號； <br/>當該偵測模組接收到低準位的該垂直同步訊號時，該偵測模組清空該像素計數器的該像素計數； <br/>當該偵測模組接收到高準位的該垂直同步訊號，且接收到高準位的資料有效訊號時，該偵測模組根據該顯示訊號的一像素資料計算該影像雜湊值，該像素計數器增加該像素計數； <br/>當該像素計數等於一第二閾值時，該偵測模組判斷該影像雜湊值是否與該暫存影像雜湊值相同，並重設該像素計數器的該像素計數。
一種水泥攪拌之懸吊裝置，包含：<br/> 一攪拌機台，具有一機台本體，該機台本體具有一攪拌桶，該攪拌桶具有一攪拌空間，該攪拌空間具有一攪拌件，一動力元件用以帶動該攪拌件旋轉，一支持部位於該機台本體或該攪拌桶；<br/> 一懸吊組件，具有一柱桿，該柱桿可活動的結合在該支持部，該柱桿位於該懸吊組件的一邊，該懸吊組件的另一邊具有一導輪，一繞捲構件上纏繞有一連接件，該連接件繞經該導輪，該連接件具有至少一鉤件；及<br/> 一控制組件，用以控制該繞捲構件旋轉，以使該連接件延放或捲收。
如請求項1之水泥攪拌之懸吊裝置，其中，該懸吊組件具有一置物檯。
如請求項2之水泥攪拌之懸吊裝置，其中，該置物檯位於該攪拌桶的一側邊。
如請求項1之水泥攪拌之懸吊裝置，其中，該機台本體具有一承載台，該承載台用以置放配重體。
如請求項1之水泥攪拌之懸吊裝置，其中，該支持部為一組配孔，形成組配孔的該支持部的斷面形狀，與該柱桿的斷面形狀係同形成圓形。
一種電聲轉換器，包括：<br/> 一基架；<br/> 一磁路組件，與該基架固定連接，該磁路組件包括一軛鐵、一第二內磁路組件、一第一內磁路組件和一外磁路組件，該第二內磁路組件、該第一內磁路組件和該外磁路組件設於該軛鐵，該第一內磁路組件設於該第二內磁路組件的外側並與該第二內磁路組件之間形成一高音磁間隙，該外磁路組件設於該第一內磁路組件的外側並與該第一內磁路組件之間形成一低音磁間隙，該軛鐵包括一基板，該基板開設有至少一個穿孔，該穿孔與該高音磁間隙相連通；<br/> 一低音振動單元，包括一低音振膜和與該低音振膜連接的一低音音圈，該低音音圈設於該低音磁間隙，該低音振膜和該基板分別設置在該基架相對的兩側；以及<br/> 一高音振動單元，包括一高音振膜與該高音振膜連接的一高音音圈，該高音音圈設於該高音磁間隙。
如請求項1所述的電聲轉換器，其中，該軛鐵與該基架之間形成第一透氣孔，該第一透氣孔與該低音磁間隙相連通。
如請求項1所述的電聲轉換器，其中，該低音振膜與該高音振膜一體形成，該低音振膜設置在該高音振膜的外周。
如請求項3所述的電聲轉換器，其中，該電聲轉換器還包括：一墊圈，一端與該第一內磁路組件連接，另一端與該低音振膜和該高音振膜的交界處連接，該墊圈設於該低音音圈的內側並圍繞在該高音音圈的外側。
如請求項4所述的電聲轉換器，其中，該第一內磁路組件包括：一第一內磁體，與該軛鐵固定連接；以及一第一內導磁板，設於該第一內磁體靠近該低音振膜的一側，該第一內導磁板具有一墊圈定位槽，該墊圈設於該墊圈定位槽中。
如請求項3所述的電聲轉換器，其中，該第二內磁路組件包括：一高音磁體，與該軛鐵固定連接；以及一高音導磁板，設於該高音磁體靠近該高音振膜的一側；其中，該軛鐵的底部具有間隔相對設置的兩個該穿孔，兩個該穿孔分別設於該高音磁體的兩側。
如請求項3所述的電聲轉換器，其中，該高音音圈的一引線從該穿孔穿出該軛鐵。
如請求項2所述的電聲轉換器，其中，該高音振膜覆蓋該穿孔，該高音振膜的邊緣與該軛鐵固定連接。
如請求項8該的電聲轉換器，其中，該軛鐵背離該低音振膜的一側具有一第一過線槽，該第一過線槽從該穿孔的側壁延伸至該軛鐵的邊緣，該高音音圈的一引線從該第一過線槽穿過。
如請求項8所述的電聲轉換器，其中，該第一內磁路組件包括：一第一內磁體，與該軛鐵固定連接；以及一第一內導磁板，設於該第一內磁體靠近該低音振膜的一側，該第一內導磁板連接該第一內磁體與該第二內磁路組件。
如請求項10所述的電聲轉換器，其中，該第二內磁路組件包括：一高音磁體，固定於該第一內導磁板靠近該高音振膜的一側；以及一高音導磁板，設於該高音磁體靠近該高音振膜的一側。
如請求項10所述的電聲轉換器，其中，該磁路組件還包括：一副磁體，與該第一內導磁板靠近該低音振膜的一側連接並設於該低音音圈的內側。
如請求項10所述的電聲轉換器，其中，該低音音圈內側具有一第一空間，該第一內導磁板具有貫穿的一第二透氣孔，該第二透氣孔連通該高音磁間隙與該第一空間，該第二透氣孔覆蓋一網布。
如請求項10所述的電聲轉換器，其中，該軛鐵的外邊緣具有兩個卡臂，該卡臂從該基板的邊緣向靠近該低音振膜的方向彎折，該基架具有與該卡臂對應的一軛鐵定位槽，該卡臂插入該軛鐵定位槽中，該卡臂的頂端面與該第一內磁路組件的頂端面共面。
如請求項10所述的電聲轉換器，其中，該穿孔具有一第一定位槽，該高音振膜的邊緣固定於該第一定位槽，該穿孔內具有兩個相對設置的凸臺，該凸臺從該第一定位槽的內側邊緣向靠近該穿孔的中心的方向延伸，該第一內磁體至少部分固定於該凸臺，該高音音圈設於兩個該凸臺之間。
如請求項1至15中任一項所述的電聲轉換器，其中，該基架背離該低音振膜的一側凹設有一第二定位槽，該外磁路組件至少部分設於該第二定位槽中，該基架的中部具有一鏤空部，該第一內磁路組件和該第二內磁路組件設於該鏤空部。
如請求項16所述的電聲轉換器，其中，該軛鐵至少部分設於該定位槽中並疊置在該外磁路組件遠離該低音振膜的一側。
如請求項16所述的電聲轉換器，其中，該外磁路組件包括兩個外磁路子組件，該基架具有兩個該第二定位槽，兩個該第二定位槽分別設於該基架相對設置的兩個對邊，每個該第二定位槽中設置一個對應的該外磁路子組件。
如請求項1至15中任一項所述的電聲轉換器，其中，該基架靠近該低音振膜的一側具有一第二過線槽，該第二過線槽從該基架的內邊緣延伸至外邊緣，該低音音圈的該引線從該第二過線槽穿過。
如請求項1至15中任一項所述的電聲轉換器，其中，該低音振膜具有一低音折環，該高音振膜具有兩個隆起方向相同的高音折環，該高音折環和該低音折環的隆起方向相反。
如請求項1至15中任一項所述的電聲轉換器，其中，該第二內磁路組件包括一高音磁體，該第一內磁路組件包括一第一內磁體，該第一內磁體為一環形，該外磁路組件包括一外磁體，該高音磁體與該第一內磁體的極性相反，該第一內磁體與該外磁體的極性相反。
一種折疊裝置，其包括：<br/> 一工作臺；<br/> 一上料模組，該上料模組設置於該工作臺上，並且推動一物料相對該工作臺移動；<br/> 一預折模組，該預折模組設置於該工作臺上，該預折模組分別彎折該物料的兩側邊以使該物料形成一基底、一第一折邊和一第二折邊，該預折模組彎折該第一折邊以使該第一折邊形成一第一支撐部和一配合部，該預折模組彎折該第二折邊上的折耳，該第一折邊和該第二折邊分別連接至該基底，該第一支撐部連接至該基底，該配合部連接至該第一支撐部，該第一支撐部和該配合部的連接處具有一卡槽；<br/> 一扣合模組，該扣合模組設置於該工作臺上並且彎折該第二折邊以使該第二折邊形成一第二支撐部和一扣合部，該第二支撐部連接至該基底，該扣合部連接至該第二支撐部，該扣合部上具有該折耳，該扣合模組彎折該扣合部並將該折耳插入該卡槽內；以及<br/> 一頂彎模組，該頂彎模組設置於該工作臺上並且同步頂彎該第一支撐部和該第二支撐部，以使該第一支撐部和該第二支撐部彎折成V字型。
如請求項1所述的折疊裝置，其中，該預折模組包括：<br/> 一第一預折機構，該第一預折機構彎折該物料的第一側邊以形成該第一折邊；<br/> 一第二預折機構，該第二預折機構彎折該物料的第二側邊以形成該第二折邊；<br/> 一第三預折機構，該第三預折機構彎折該第一折邊以形成該第一支撐部和該配合部；以及<br/> 一第四預折機構，該第四預折機構彎折該折耳。
如請求項2所述的折疊裝置，其中，該第一預折機構包括一第一滾筒和一第一預折驅動件，該第一預折驅動件連接該第一滾筒，該第一預折驅動件驅動該第一滾筒彎折該物料並形成該第一折邊；<br/> 該第二預折機構包括一第二滾筒和一第二預折驅動件，該第二預折驅動件連接該第二滾筒，該第二預折驅動件驅動該第二滾筒彎折該物料以形成該第二折邊。
如請求項2所述的折疊裝置，其中，該第三預折機構包括一第一預折推塊、一第三預折驅動件和一第五預折驅動件，該第三預折驅動件連接該第一預折推塊，該第五預折驅動件連接該第三預折驅動件，該第五預折驅動件驅動該第三預折驅動件朝向該第一折邊移動，該第三預折驅動件驅動該第一預折推塊彎折該第一折邊以形成該第一支撐部和該配合部；<br/> 該第四預折機構包括一第二預折推塊、一第四預折驅動件和一第六預折驅動件，該第四預折驅動件連接該第二預折推塊，該第六預折驅動件連接該第四預折驅動件，該第六預折驅動件驅動該第四預折驅動件朝向該第二折邊移動，該第四預折驅動件驅動該第二預折推塊彎折該折耳。
如請求項2所述的折疊裝置，其中，該預折模組還包括：<br/> 一第一保持機構，該第一保持機構從一側擋住該第一折邊以使該第一折邊保持彎折；以及<br/> 一第二保持機構，該第二保持機構從一側擋住該第二折邊以使該第二折邊保持彎折。
如請求項5所述的折疊裝置，其中，該第一保持機構包括一第一保持件和一第一保持驅動件，該第一保持驅動件連接該第一保持件，該第一保持驅動件驅動該第一保持件移動至該第一折邊的一側；<br/> 該第二保持機構包括一第二保持件和一第二保持驅動件，該第二保持驅動件連接該第二保持件，該第二保持驅動件驅動該第二保持件移動至該第二折邊的一側。
如請求項2所述的折疊裝置，其中，該預折模組還包括：<br/> 一預折仿形塊，該預折仿形塊與該工作臺間隔設置以使該物料位於該預折仿形塊和該工作臺之間，該預折仿形塊具有一第一預折仿形面、一第二預折仿形面和一第三預折仿形面，該第一預折仿形面與該基底相互匹配，該第二預折仿形面與該第一支撐部相互匹配，該第三預折仿形面與該第二折邊相互匹配。
如請求項1所述的折疊裝置，其中，該扣合模組包括：<br/> 一第一扣合機構，該第一扣合機構持續對該折耳限位；<br/> 一第二扣合機構，該第二扣合機構彎折該第二折邊以形成該第二支撐部和該扣合部，並且按壓該扣合部以使該折耳部分伸入該卡槽內；以及<br/> 一第三扣合機構，該第三扣合機構按壓該扣合部以使該折耳全部插入該卡槽內。
如請求項8所述的折疊裝置，其中，該第一扣合機構包括一導向件和一第一扣合驅動件，該第一扣合驅動件連接該導向件，該第一扣合驅動件驅動該導向件朝向該折耳移動，該導向件具有一弧形板，該弧形板持續壓住該折耳。
如請求項8所述的折疊裝置，其中，該第二扣合機構包括一扣合推塊、一第二扣合驅動件和一第四扣合驅動件，該第二扣合驅動件連接該扣合推塊，該第四扣合驅動件連接該第二扣合驅動件，該第二扣合驅動件驅動該扣合推塊彎折該第二折邊以形成該第二支撐部和該扣合部，該第四扣合驅動件驅動該第二扣合驅動件以使該扣合推塊按壓該扣合部。
如請求項8所述的折疊裝置，其中，該第三扣合機構包括一扣合壓塊、一第三扣合驅動件和一第五扣合驅動件，該第三扣合驅動件連接該扣合壓塊，該第五扣合驅動件連接該第三扣合驅動件，該第五扣合驅動件驅動該第三扣合驅動件朝向該扣合部移動，該第三扣合驅動件驅動該扣合壓塊按壓該扣合部。
如請求項8所述的折疊裝置，其中，該扣合模組還包括：<br/> 一第三保持機構，該第三保持機構從一側擋住該配合部以使該配合部保持彎折。
如請求項12所述的折疊裝置，其中，該第三保持機構包括一第三保持件和一第三保持驅動件，該第三保持驅動件連接該第三保持件，該第三保持驅動件驅動該第三保持件移動至該配合部的一側。
如請求項8所述的折疊裝置，其中，該扣合模組還包括：<br/> 一扣合仿形塊，該扣合仿形塊與該工作臺間隔設置以使該基底位於該扣合仿形塊和該工作臺之間，該扣合仿形塊具有一第一扣合仿形面、一第二扣合仿形面和一第三扣合仿形面，該第一扣合仿形面與該基底相互匹配，該第二扣合仿形面與該第一支撐部相互匹配，該第三扣合仿形面與該第二支撐部相互匹配。
如請求項1所述的折疊裝置，其中，該頂彎模組包括：<br/> 一第一頂彎機構，該第一頂彎機構頂彎該第一支撐部；以及<br/> 一第二頂彎機構，該第二頂彎機構頂彎該第二支撐部。
如請求項15所述的折疊裝置，其中，該第一頂彎機構包括一第一頂彎推塊和一第一頂彎驅動件，該第一頂彎驅動件連接該第一頂彎推塊，該第一頂彎驅動件驅動該第一頂彎推塊頂壓該第一支撐部；<br/> 該第二頂彎機構包括一第二頂彎推塊和一第二頂彎驅動件，該第二頂彎驅動件連接該第二頂彎推塊，該第二頂彎驅動件驅動該第二頂彎推塊頂壓該第二支撐部。
如請求項1所述的折疊裝置，其中，該上料模組包括：<br/> 一上料機構，該上料機構推動該物料相對該工作臺移動；以及<br/> 一導向機構，該導向機構與該上料機構連接。
如請求項17所述的折疊裝置，其中，該上料機構包括一上料推塊和一上料驅動件，該上料驅動件連接該上料推塊，該上料驅動件驅動該上料推塊推動該物料；<br/> 該導向機構包括一滑軌和一滑塊，該滑軌設置於該工作臺上，該滑塊滑動設置於該滑軌上並與該上料推塊連接。
一種筆記型電腦喇叭減震固定結構，其包括：<br/> 一殼體；<br/> 多個固定柱，所述多個固定柱一體成型於所述殼體上；<br/> 多個減振套環，所述多個減振套環以彈性材料製成，所述多個減振套環各具有一穿孔，所述多個固定柱分別穿設於所述多個減振套環的所述穿孔中，使所述多個減振套環分別套設於所述多個固定柱上；以及<br/> 一喇叭，所述喇叭具有一腔體，所述腔體設有多個連接部，所述多個減振套環分別固定於所述多個連接部，使所述多個減振套環分別連接於所述多個固定柱及所述喇叭之間。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述多個減振套環各具有一套環本體及兩端板，所述兩端板分別連接於所述套環本體的兩端，所述兩端板間隔的設置，所述多個連接部各包含一定位板，所述定位板呈C型板體，所述定位板套設於所述套環本體的外側，且所述定位板夾置於所述兩端板之間。
如請求項2所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述兩端板相互遠離的一面各設有多個凸肋，所述多個凸肋呈輻射狀排列。
如請求項2所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述定位板上設有一開口，所述定位板能通過所述開口套設於所述套環本體的外側。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述多個固定柱靠近一端處各設有至少一擋止部，所述擋止部突出於所述固定柱的外側，所述擋止部能用於擋止定位所述減振套環。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述多個固定柱的數量為三個，所述多個減振套環的數量為三個。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述多個固定柱及所述殼體之間各設置多個加強肋。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述多個固定柱為圓柱體，所述多個減振套環的所述穿孔呈圓形。
如請求項1所述的筆記型電腦喇叭減震固定結構，其中，所述固定柱豎立於所述殼體的一內側面上，所述固定柱垂直於所述內側面。
一種高耐壓及高功率密度耦合磁性元件，其包括：<br/> 一第一鐵芯體，具有一貫通二個相對表面的容置腔；<br/> 一外部線圈，可拆卸地位於所述容置腔內，所述外部線圈包括二第一側柱及一第一連接部，所述第一連接部的兩端分別連接所述二第一側柱的頂端，所述第一連接部與所述二第一側柱形成一容置空間；<br/> 一內部線圈，可拆卸地位於所述容置空間內，所述內部線圈包括二第二側柱、一第二連接部及二底部接腳部，所述第二連接部的兩端分別連接所述二第二側柱的頂端，每一所述第二側柱的底端分別連接每一所述底部接腳部，所述第二側柱、所述第二連接部及所述二底部接腳部形成一置放空間；以及<br/> 一第二鐵芯體，可拆卸地位於所述置放空間內。
如請求項1所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性元件，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述第一鐵芯體。
如請求項1所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性元件，其中，每一所述底部接腳部包括一本體及一基體，所述本體連接所述基體，所述二基體相對設置，且分別位於所述二第二側柱外部；每一所述本體具有一邊線及一斜邊，每一所述邊線分別與每一所述第二側柱連接，二所述斜邊之間具有一狹槽。
如請求項3所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性元件，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述第一鐵芯體；每一所述接腳分別位於二相對的所述基體之間，且與所述二相對的基體相對應。
如請求項3所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性元件，其中，所述本體概呈一直角三角形，三邊分別為所述斜邊、所述邊線及一底邊，所述底邊與所述基體相連。
一種高耐壓及高功率密度耦合磁性模組，其包括：<br/> 二個如請求項1所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性元件；<br/> 其中，二個所述第一鐵芯體相連接形成一外部鐵芯體；以及<br/> 其中，二個所述內部線圈中，相鄰的二個底部接腳相連接。
如請求項6所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述外部鐵芯體。
如請求項6所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述底部接腳包括一本體及一基體，所述本體連接所述基體，所述二基體相對設置，且分別位於所述二第二側柱外部；每一所述本體具有一邊線及一斜邊，每一所述邊線分別與每一所述第二側柱連接，相鄰的二個所述斜邊之間具有一狹槽。
如請求項8所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述外部鐵芯體；每一所述接腳分別位於相鄰的二個所述基體之間，且與相鄰的二個所述基體相對應。
如請求項8所述的高耐壓及高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述本體概呈一直角三角形，三邊分別為所述斜邊、所述邊線及一底邊，所述底邊與所述基體相連。
一種具低直流電阻之高功率密度耦合磁性元件，其包括：<br/> 一第一鐵芯體，具有一蓋體與一鐵芯柱，所述蓋體具有二第一側壁與一第一連接壁，每一所述第一側壁與所述第一連接壁形成一第一容置腔，所述鐵芯柱連接所述第一連接壁且位於所述第一容置腔內；<br/> 一外部線圈，可拆卸地位於所述第一容置腔內，所述外部線圈包括二第一側柱及一第一連接部，所述第一連接部的兩端分別連接每一所述第一側柱的頂端，所述第一連接部與每一所述第一側柱形成一容置空間；<br/> 一內部線圈，可拆卸地位於所述容置空間內，所述內部線圈包括二第二側柱、一第二連接部及二底部接腳部，所述第二連接部的兩端分別連接每一所述第二側柱的頂端，每一所述第二側柱的底端分別連接每一所述底部接腳部，所述第二側柱、所述第二連接部及每一所述底部接腳部形成一置放空間，以容置所述鐵芯柱；以及<br/> 一第二鐵芯體，可拆卸地以一水平方向與所述第一鐵芯體相結合而形成一腔室，所述外部線圈、所述內部線圈以及所述鐵芯柱位於所述腔室內。
如請求項1所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性元件，其中，所述第二鐵芯體包括二第二側壁、一第二連接壁及另一鐵芯柱，所述第二側壁及所述第二連接壁形成一第二容置腔，所述另一鐵芯柱位於所述第二容置腔內，每一所述第二側壁分別可拆卸的與每一所述第一側壁連接。
如請求項1所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性元件，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述第一鐵芯體。
如請求項1所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性元件，其中，每一所述底部接腳部包括一本體及一基體，所述本體連接所述基體，每一所述基體相對設置，且分別位於每一所述第二側柱外部；每一所述本體具有一邊線及一斜邊，每一所述邊線分別與每一所述第二側柱連接，二所述斜邊之間具有一狹槽。
如請求項4所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性元件，其中，所述本體概呈一直角三角形，三邊分別為所述斜邊、所述邊線及一底邊，所述底邊與所述基體相連接。
一種具低直流電阻之高功率密度耦合磁性模組，其包括：<br/> 二第一鐵芯體，相對設置，每一所述第一鐵芯體具有一蓋體與一鐵芯柱，所述蓋體具有二第一側壁與一第一連接壁，每一所述第一側壁與所述第一連接壁形成一第一容置腔，所述鐵芯柱連接所述第一連接壁且位於所述第一容置腔內；<br/> 二外部線圈，每一所述外部線圈分別可拆卸地位於每一所述第一容置腔內，每一所述外部線圈包括二第一側柱及一第一連接部，所述第一連接部的兩端分別連接每一所述第一側柱的頂端，所述第一連接部與每一所述第一側柱形成一容置空間；<br/> 一內部線圈組，包括二內部線圈，每一所述內部線圈可分別拆卸地位於每一所述容置空間內，每一所述內部線圈包括二第二側柱、一第二連接部及二底部接腳部，所述第二連接部的兩端分別連接每一所述第二側柱的頂端，每一所述第二側柱的底端分別連接每一所述底部接腳部，所述第二側柱、所述第二連接部及每一所述底部接腳部形成一置放空間，每一所述置放空間分別容置每一所述鐵芯柱，其中每一所述內部線圈中，相鄰的二個底部接腳部相連接；以及<br/> 一第二鐵芯體，可拆卸地位於相鄰的二所述鐵芯柱之間，且位於所述多個底部接腳部的上方；<br/> 其中，每一所述蓋體是以一水平方向相對結合。
如請求項6所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述蓋體。
如請求項6所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述底部接腳部包括一本體及一基體，所述本體連接所述基體，每一所述基體相對設置，且分別位於每一所述第二側柱外部；每一所述本體具有一邊線及一斜邊，每一所述邊線分別與每一所述第二側柱連接，相鄰的二個所述斜邊之間具有一狹槽。
如請求項8所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述第一側柱包括一柱體及一接腳，所述接腳位於所述柱體的底端，朝向所述柱體的外部延伸，且凸露於所述蓋體；每一所述接腳分別位於相鄰的二個所述基體之間，且與相鄰的二個所述基體相對應。
如請求項8所述的具低直流電阻之高功率密度耦合磁性模組，其中，每一所述本體概呈一直角三角形，三邊分別為所述斜邊、所述邊線及一底邊，所述底邊與所述基體相連。
一種奈米多孔矽加工系統，包含： <br/>一多孔矽製造設備，用以將一矽基材加工形成一多孔矽結構，包含： <br/>一電化學蝕刻裝置，包含一電解槽及一固定結構，該電解槽具有一容置空間，供以置放一電解液，該固定結構設於該容置空間內，用以固定該矽基材以使其進行蝕刻； <br/>一多波長雷射照射裝置，設於該電化學蝕刻裝置一側，用以對該矽基材施以不同波長之雷射光以激發載子生成；及 <br/>一超音波振動裝置，設於該電化學蝕刻裝置之底部或側壁，用以於蝕刻反應過程中產生超音波振動以排除氣泡。
如請求項1所述之奈米多孔矽加工系統，其中，該多波長雷射照射裝置供以發射波長為600～1350nm之雷射光。
如請求項2所述之奈米多孔矽加工系統，其中，該電解槽之一側槽壁具有一照射窗，且該矽基材受該固定結構固定後係對應位於該照射窗之框圍範圍內，該多波長雷射照射裝置係對應該照射窗設置。
如請求項3所述之奈米多孔矽加工系統，其中，該固定結構為一夾具。
如請求項1至4其中任一項所述之奈米多孔矽加工系統，更包含一低溫鍵合處理設備，設於該多孔矽製造設備一側，用以針對該多孔矽結構與一待鍵合物進行低溫鍵合加工，該低溫鍵合處理設備包含： <br/>一密閉腔體，用以容置該多孔矽結構及該待鍵合物； <br/>一氣體導入裝置，連接至該密閉腔體，用以將水蒸氣導入該密閉腔體內； <br/>一射頻組件，包含一射頻電極及一射頻電源，該射頻電極設於該密閉腔體內且與該射頻電源電性連接，以使水蒸氣電離形成電漿； <br/>一真空泵，連接至該密閉腔體，用以抽取該密閉腔體內部之氣體；及 <br/>一冷卻裝置，設於該密閉腔體，用以冷卻該密閉腔體。
如請求項5所述之奈米多孔矽加工系統，其中，該低溫鍵合處理設備之該密閉腔體係具有一觀視窗。
如請求項6所述之奈米多孔矽加工系統，其中，該低溫鍵合處理設備更包含一離子捕集板，設於該密閉腔體內。
一種具韌性支撐架的機車背靠墊結構，包含：一背靠墊(10)，其為軟性之墊體，其一面具有符合人體背部之弧度；其中該背靠墊的下方包含一連結部；一支撐架(20)包含：一上結合部(22)在該背靠墊(10)的下方；該上結合部可與該背靠墊的連結部結合；一本體(24)連接該上結合部；以及一下結合部(26)連接該本體；該下結合部可與一機車坐墊後方的架體結合；其中該背靠墊的該連結部包含數個螺孔；該支撐架的該上結合部及該下結合部也均有螺孔；因此該支撐架的該上結合部經由螺絲或螺栓而與該背靠墊的該連結部組合；而且該支撐架的該下結合部可經由螺絲或螺栓而與機車坐墊後方的支撐架結合。
如申請專利範圍第1項所述之具韌性支撐架的機車背靠墊結構，其中在該支撐架之第一種形式，其中該支撐架的該上結合部為一平板部位，外觀呈凸字形狀，其中包含三個螺孔；該本體與該上結合部形成約90度的夾角，該本體上有一穿孔；該下結合部與該本體形成約90度的夾角；該下結合部包含單一個螺孔；其中該本體形成兩段的凹折。
如申請專利範圍第1項所述之具韌性支撐架的機車背靠墊結構，其中在該支撐架之第二種形式中，該支撐架的該上結合部為一平板部位，外觀呈凸字形狀，其中包含三個螺孔；該本體與該上結合部形成約90度的夾角，該本體上有三個延長的狹縫，沿著直線的方向排列，該本體形成三段的形式，每一段均具有凸弧形的外緣；該下結合部與該本體形成約90度的夾角；該下結合部包含單一個螺孔。
如申請專利範圍第1項所述之具韌性支撐架的機車背靠墊結構，其中在該支撐架之第三種形式中，其中該支撐架的該上結合部為一平板部位，外觀呈凸字形狀，其中包含三個螺孔；該本體與該上結合部形成約90度的夾角，該本體上有五個延長的狹縫；該下結合部與該本體形成約90度的夾角；該下結合部包含單一個螺孔；其中該本體上有五個延長的狹縫，包含四個較小的狹縫，分別位在四邊形的四個角落，一個較大的長直狹縫，位在該四邊形的下方。
如申請專利範圍第1項所述之具韌性支撐架的機車背靠墊結構，其中在該支撐架之第四種形式中，其中該支撐架的該上結合部為一平板部位，外觀呈凸字形狀，其中包含三個螺孔；該本體與該上結合部形成約90度的夾角；該下結合部與該本體形成約90度的夾角；該下結合部為一橫向的平板，在該平板的兩端各包含單一個螺孔；其中該本體的下方連結該下結合部之處形成一彎折型態的立體方框。
一種電鍍裝置，包括：<br/> 一機架；<br/> 一傳動單元，設於該機架上，具一軸桿；<br/> 一導電單元，設於該機架上與該軸桿電性連接；<br/> 至少一導電板，與該傳動單元連動組合，並由該傳動單元帶動旋轉，中央具可穿插該軸桿並與該軸桿電性連接之第一接合孔，又環周朝向中央內凹設置至少一第一容置槽，該第一容置槽外側具第一開口；<br/> 複數連結桿，對應該軸桿約平行方向與該導電板連接；<br/> 複數側擋件，設於對應該軸桿徑向位置，對應該第一開口方向設置擋靠部，並二端設置可與該連結桿接合或取出之接合部。
如請求項1所述之電鍍裝置，其中該第一容置槽周緣設置寬度大於該導電板厚度之導電片。
如請求項1所述之電鍍裝置，其中該導電板對應該第一接合孔徑向不同角度位置設置複數可穿插該連結桿與該連結桿組合之第一透孔。
如請求項3所述之電鍍裝置，其中更包括至少一輔助板，該輔助板由塑膠或其他非導電材質製造，約對應該導電板形狀設置，對應該第一接合孔、該第一容置槽、該第一開口、該第一透孔位置分別設置第二接合孔、第二容置槽、第二開口、第二透孔；並該輔助板與該導電板呈平行排列設置。
如請求項4所述之電鍍裝置，其中該機架具二平行間隔排列之板塊，二該板塊由桿體結合；又該傳動單元具至少一齒輪組，該齒輪組具連動之主動輪、被動輪、作動輪，並該作動輪具二個分別設於二該板塊內側；又該軸桿二端分別與二該作動輪中央接合；又該連結桿對應該軸桿平行方向穿插該導電板之第一透孔及該輔助板之第二透孔與該導電板及該輔助板接合，並二端分別與二該作動輪接合。
如請求項1所述之電鍍裝置，其中該側擋件之接合部為可勾扣該連結桿之勾體，具可套合該連結桿之套合槽，該套合槽對應該導電板外側徑向設置可套合該連結桿之缺口。
如請求項1所述之電鍍裝置，其中該導電單元具導電套筒、電連接片；又該電連接片電性連接該導電套筒及該軸桿。
一種滾鍍式電鍍裝置，包括：<br/> 一機架；<br/> 一傳動單元，設於該機架上，具一軸桿；<br/> 一導電單元，設於該機架上，電性連接該軸桿；<br/> 至少一導電板，與該傳動單元接合並由該傳動單元帶動旋轉，中央具可穿插該軸桿並與該軸桿電性連接之接合孔，又於環周朝向中央設置至少一容置槽，該容置槽外側具一開口；<br/> 複數擋板，設於該導電板相對二側及對應該容置槽位置，又於對應該導電板方向之表面凸設一環狀擋緣；<br/> 複數組合桿，與二相對之該擋板組合，並使二相對之該擋板間形成一容置區；<br/> 複數側擋件，為條狀體設於對應該軸桿徑向及對應該開口位置，二端設置可與該組合桿接合或取出之接合部。
如請求項1所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該導電板之容置槽周緣設置寬度大於該導電板厚度之導電片。
如請求項1所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該擋板於該擋緣對應該導電板之開口位置設置一缺口；又包括至少一擋件，該擋件可遮覆該缺口。
如請求項3所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該擋件為可壓縮及回復材質製造之擋環，該擋環可設於該擋緣內側並封閉該缺口。
如請求項4所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該導電板及該擋板對應位置分別設置複數穿孔、複數組合孔；又包括複數組合桿，該組合桿穿插該擋板之組合孔及該導電板之穿孔令二相對平行設置之該擋板互為組合。
如請求項5所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該擋板與該組合桿之組合位置可調整。
如請求項6所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該組合桿二端具螺紋部，並設置螺帽與該螺紋部組合以調整該擋板位置及二相對之該擋板間距。
如請求項1所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該側擋件之該接合部為可勾扣該組合桿之勾體，具可套合該組合桿之套合槽，該套合槽對應該導電板外側徑向設置可套合該組合桿之缺口。
如請求項1所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該機架具二平行排列之板塊，二該板塊由桿體結合；又該傳動單元具至少一齒輪組，該齒輪組具主動輪、被動輪、作動輪，並該作動輪具二個分別設於二該板塊內側，並分別與該軸桿端部接合；又該導電單元具導電套筒、電連接片，該電連接片電性連接該導電套筒及該軸桿。
如請求項9所述之滾鍍式電鍍裝置，其中該導電板於對應該接合孔徑向不同角度位置設置複數透孔，又包括複數連結桿，該連結桿對應該軸桿平行方向穿插該透孔與該導電板接合，並二端分別與該作動輪接合。
一種二氧化碳捕捉設備，包含：<br/> 一進氣管，配置以通入一混合氣體，其中該混合氣體包含二氧化碳；<br/> 一微粒化裝置，連接該進氣管，其中該微粒化裝置係配置以產生一微粒化氣體；以及<br/> 一吸收裝置，其中該微粒化裝置設置於該吸收裝置內並位於該吸收裝置的底部，該吸收裝置配置以接收該微粒化氣體，且該吸收裝置包含至少一吸收劑。
如請求項1所述之二氧化碳捕捉設備，其中該微粒化裝置包含：<br/> 一承載裝置，其中該承載裝置包含一中央區，且該中央區凹設於該承載裝置的中間；以及<br/> 一發泡器，其中該發泡器與該中央區嵌合。
如請求項2所述之二氧化碳捕捉設備，其中該中央區包含：<br/> 一進氣口，配置以連接該進氣管；以及<br/> 複數個導氣凹槽，圍繞該進氣口。
如請求項3所述之二氧化碳捕捉設備，其中該中央區更包含一十字徑向凹槽，該十字徑向凹槽跨設該進氣口，且該些導氣凹槽連接該十字徑向凹槽。
如請求項2所述之二氧化碳捕捉設備，其中該發泡器包含複數個孔洞，且該些孔洞之平均孔徑為1 nm至1 μm。
如請求項4所述之二氧化碳捕捉設備，其中該十字徑向凹槽的深度大於該些導氣凹槽的深度，且該十字徑向凹槽與該些導氣凹槽形成一多階層氣體導引面。
如請求項1所述之二氧化碳捕捉設備，更包含：<br/> 一脫泡裝置，連接該吸收裝置；以及<br/> 一解吸裝置，連接該脫泡裝置，其中該解吸裝置包含一加熱裝置。
如請求項7所述之二氧化碳捕捉設備，更包含：<br/> 一熱交換器，連接該吸收裝置及該解吸裝置。
一種具快拆式扇葉的吊扇，包括：<br/> 一葉架，包括第一勾合部、及第二勾合部，所述第一勾合部與所述第二勾合部相互錯開；<br/> 多個扇葉，每一所述多個扇葉包括一葉片本體及一組合部，所述組合部一體成型地設置於或模組化組合於所述葉片本體；以及<br/> 多個操作鎖把，分別設置於所述多個扇葉，所述操作鎖把沿第一軸心可轉動地設置於所述扇葉的所述組合部，所述操作鎖把具有一主要卡勾，所述主要卡勾可選擇地勾住所述第一勾合部；及<br/> 多個連動鎖件，分別以連動方式連接所述多個操作鎖把，所述連動鎖件可滑動地設置於所述操作鎖把與所述組合部之間，所述連動鎖件被規劃為被所述操作鎖把帶動，每一所述連動鎖件具有一輔助卡勾，所述輔助卡勾可選擇地勾住所述第二勾合部；<br/> 其中當所述操作鎖把沿著所述第一軸心轉動靠近所述扇葉，所述操作鎖把的所述主要卡勾卡合於所述葉架的所述第一勾合部，並且所述操作鎖把連動地帶動所述連動鎖件滑動，使得所述輔助卡勾卡合於所述葉架的所述第二勾合部。
如請求項1所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述連動鎖件沿第二軸心可轉動地連接於所述操作鎖把，並且所述連動鎖件沿一滑行軌跡可滑動地連接於所述組合部，所述第二軸心平行於所述第一軸心，當所述操作鎖把沿著所述第一軸心轉動靠近所述扇葉，所述連動鎖件的所述輔助卡勾移動朝向所述第二勾合部。
如請求項2所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述操作鎖把具有一把手部，所述把手部與所述主要卡勾相對，所述第一軸心位於所述把手部與所述主要卡勾之間，所述第二軸心通過所述把手部，所述把手部具有至少一定位卡勾，當所述操作鎖把沿著所述第一軸心轉動靠近所述扇葉，所述至少一定位卡勾卡扣於所述組合部。
如請求項3所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述組合部包括一組合板體、及一對側組合臂，所述一對側組合臂位於所述組合板體的兩側，每一所述側組合臂具有一第一固定勾部，所述第一固定勾部被規劃於卡扣所述第一勾合部，所述組合板體具有一第二固定勾部，所述第二固定勾部被規劃於卡扣所述第二勾合部。
如請求項4所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述一對側組合臂各具有一凹槽狀的主軸樞接部，所述操作鎖把的兩側沿著所述第一軸心的方向各突出一軸桿，所述軸桿可轉動地設置於所述側組合臂的所述主軸樞接部，藉此，所述操作鎖把沿著所述第一軸心樞接於所述主軸樞接部。
如請求項5所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中每一所述連動鎖件具有一對臂部，所述一對臂部連接於所述輔助卡勾的兩端，每一所述臂部的內側沿所述第二軸心的方向突出一樞接凸軸，所述操作鎖把的所述把手部的兩側各形成一凹陷的連動樞接槽，所述樞接凸軸可轉動地設置於所述連動樞接槽內；所述一對側組合臂各有一向所述組合板體突出的連動凸軸，每一所述臂部的外側凹陷地形成一弧形凹槽，所述連動凸軸位於所述弧形凹槽內。
如請求項1所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述操作鎖把的頂面具有一解鎖孔。
如請求項1所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述葉架包括一第一盤體、及一第二盤體，所述第一盤體固定於所述第二盤體的上方，所述第一盤體小於所述第二盤體，所述第一勾合部形成於所述第一盤體的邊緣，所述第二勾合部形成於所述第二盤體的邊緣，所述第一勾合部與所述第二勾合部沿著所述扇葉的縱長方向相互錯開，並且上下錯開。
如請求項8所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述組合部延伸至所述第一盤體與所述第二盤體之間，並且卡合於所述第一勾合部與所述第二勾合部，所述組合部具有多個彈性牙叉能彈性抵緊於所述第二盤體。
如請求項9所述的具快拆式扇葉的吊扇，其中所述第一勾合部與所述第二勾合部呈圓環狀，所述第一勾合部向下延伸呈一圓環狀，所述第二勾合部由所述第一勾合部的下方向外延伸超出所述第一勾合部，且形成一圓環狀，所述第二勾合部位於所述第一勾合部的外圍，所述第二勾合部的內側面呈多邊形。
一種跨境匯款整批入帳系統，包括： <br/>伺服器；以及 <br/>處理器，耦接該伺服器，並經配置以： <br/>接收多筆跨境匯款訊息，其中該些跨境匯款訊息中的每一筆包括匯款金額以及入帳帳號； <br/>將該些匯款金額加總為總額； <br/>取得該些跨境匯款訊息對應的帳本； <br/>透過第一合作單位將該總額匯款進行跨境匯款至第二合作單位，並透過該伺服器將該帳本由該第一合作單位交換至該第二合作單位；以及 <br/>根據該帳本將該匯款金額匯入對應的該入帳帳號。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該些跨境匯款訊息中的每一筆包括由第一地點匯款至第二地點，其中該些跨境匯款訊息中的每一個該第一地點皆相同，並且該些跨境匯款訊息中的每一個該第二地點皆相同。
如請求項2所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該第一合作單位與該第一地點屬於相同的第一區域，該第二合作單位與該第二地點屬於相同的第二區域。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該些跨境匯款訊息中每一筆的匯款幣別皆相同。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該些跨境匯款訊息的每一筆包括匯款人訊息，其中該處理器更經配置以： <br/>根據黑名單驗證該匯款人訊息，其中該匯款人訊息包括匯款人的身分證統一編號以及護照號碼。
如請求項5所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該處理器更經配置以： <br/>響應於對該些跨境匯款訊息中的第一跨境匯款訊息包括的第一匯款人訊息驗證成功，不對該些跨境匯款訊息中包括該第一匯款人訊息的第二跨境匯款訊息進行驗證。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該處理器更經配置以： <br/>根據黑名單驗證該入帳帳號； <br/>響應於驗證通過，將該匯款金額匯入該入帳帳號；以及 <br/>響應於驗證失敗，圈存該匯款金額。
如請求項7所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該處理器更經配置以： <br/>根據該跨境匯款訊息的入帳幣別，將該匯款金額轉換成對應的入帳金額。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該第一合作單位為境外合作單位，該第二合作單位為境內合作單位，其中該處理器更經配置以： <br/>響應於該境內合作單位收受該總額，透過監管機關利用自動轉帳系統(Automated Clearing House，ACH)將該匯款金額匯入對應的該入帳帳號。
如請求項1所述的跨境匯款整批入帳系統，其中該第一合作單位為境內合作單位，該第二合作單位為境外合作單位，其中該處理器更經配置以： <br/>響應於接收該些跨境匯款訊息，透過監管機關利用自動轉帳系統彙整該些跨境匯款訊息為該帳本，並傳送至該境內合作單位。
一種電池包搬運設備，包括： <br/> 一下層裝置，包括一基座及設於該基座上的一第一移動機構； <br/> 一中層裝置，配置在該下層裝置上方，該中層裝置包括一中框體、一升降機構及一樞轉機構，該中框體連接該第一移動機構並受其帶動而能夠產生一第一方向移動，該升降機構和該樞轉機構設置在該中框體的兩端；以及 <br/> 一上層裝置，配置在該中層裝置上方，該上層裝置包括一上框體、一承放台及一第二移動機構，該上框體連接該升降機構和該樞轉機構，該升降機構和該樞轉機構係用以對該上框體產生一水平方位的旋轉，該承放台和該第二移動機構設於該上框體上，該第二移動機構連接該承放台並用以帶動其產生一第二方向移動，其中該第二方向移動和該第一方向移動互為正交，該承放台上設置有複數滾輪。
如請求項1所述之電池包搬運設備，其中該基座包括一對第一桿件和一對第二桿件，各該第一桿件為間隔配置，各該第二桿件亦為間隔配置並且架設在各該第一桿件的上方，各該第一桿件和各該第二桿件互為正交。
如請求項2所述之電池包搬運設備，其中每一該第一桿件的剖斷面為一U字形，每一該第二桿件的剖斷面為一口字形。
如請求項2所述之電池包搬運設備，其中該基座還包括一中間桿，配置在各該第二桿件之間且連接各該第一桿件，該第一移動機構包括一對線性滑軌、一第一螺桿、一第一手轉輪及一移動座，各該線性滑軌分別設置在各該第二桿件上方，該第一螺桿架設在該中間桿上方且平行於各該第二桿件配置，該第一手轉輪連接在該第一螺桿的端部且位於該中間桿外部，該移動座與該第一螺桿螺接傳動。
如請求項1所述之電池包搬運設備，其中該升降機構包括一升降承板、一對升降器及一第四手轉輪，各該升降器埋設在該升降承板的下方，該第四手轉輪連接各該升降器，並用以操控各該升降器的上升或下降。
如請求項5所述之電池包搬運設備，其中該樞轉機構包括一樞轉承板及一樞軸，該樞軸穿接該樞轉承板並且樞接在該中框體。
如請求項6所述之電池包搬運設備，其中該中層裝置還包括一第三移動機構，其設置在該中框體上，該第三移動機構連接該上框體並用以帶動其產生一第三方向移動，其中第三方向移動與該第一方向移動互為正交。
如請求項7所述之電池包搬運設備，其中該第三移動機構包括一對線性滑軌、一第三螺桿、一轉接組件、一第三手轉輪及一移動座，各該線性滑軌分別跨設在該升降承板和該樞轉承板上，該第三螺桿架設在該中框體上方且平行於各該線性滑軌配置，該轉接組件連接在該第三螺桿的一端且與該第三螺桿互為正交，該第三手轉輪連接在該轉接組件端部且位於該中框體外部，該移動座與該第三螺桿螺接傳動。
如請求項1所述之電池包搬運設備，其中該第二移動機構包括一對線性導桿、一第二螺桿、一轉接組件及一第二手轉輪，各該線性導桿分別設置在該上框體和該承放台的兩側，該第二螺桿設於該上框體上且位於該承放台中間處，該轉接組件連接在該第二螺桿的一端且與該第二螺桿互為正交，該第二手轉輪連接在該轉接組件端部且位於該上框體外部。
如請求項9所述之電池包搬運設備，其中該第二手轉輪設有一轉接頭，用以供一電動起子套接。
如請求項1所述之電池包搬運設備，其中該承放台的兩相對應邊分別設有複數限位塊，各該限位塊係間隔配置，每一該限位塊上設有複數條形槽。
如請求項1所述之電池包搬運設備，其中該承放台還設有一對治具模塊和一對掛勾，各該治具模塊係用以推送所述電池包，各該掛勾係用以將所述電池包拉出。
一種繩體快速調整及固定結構，其包含有一調整器，所述調整器用以與至少一繩體組合，其中：<br/>所述調整器具有一調整器本體，該調整器本體縱向貫通有至少一第一繩孔及至少一第二繩孔，所述調整器本體的底部凹設有至少一底溝槽，所述繩體依序具有一頭段、一中間段與一尾段，所述繩體穿過該第一繩孔並從該第二繩孔穿出，令所述中間段位於該底溝槽，所述尾段穿過該中間段與該底溝槽之間，將所述繩體束緊組合於該調整器本體上。
如請求項1所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述調整器與該繩體係安裝於一窗體上，該窗體設有至少一容置槽體，所述繩體穿過該窗體以限制其伸展移動的路徑，並以所述調整器抵住該容置槽體藉以阻擋所述窗體移動。
如請求項2所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述容置槽體側面貫通有至少一開孔用以供該繩體之尾段穿過。
如請求項1到3任一項所述的繩體快速調整及固定結構，其中，該調整器本體的側面凹設有至少一側溝槽，所述繩體穿出該第二繩孔後卡入該側溝槽。
如請求項1到3任一項所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述調整器本體凸設有至少一凸緣。
如請求項2或3所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述調整器本體凸設有至少一凸緣，該容置槽體凹設有至少一卡固槽，所述凸緣卡入該卡固槽內。
如請求項1到3任一項所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述第一繩孔的數量為一個，該第二繩孔的數量為一個。
如請求項1到3任一項所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述第一繩孔的數量為一個，該第二繩孔的數量為二個。
如請求項1到3任一項所述的繩體快速調整及固定結構，其中，所述第一繩孔的數量為一個，該第二繩孔的數量為四個。
一種用於馬達測試系統之可快速裝卸的堵轉裝置，用於可選擇地與該馬達測試系統的一軸心建立一銜接關係，該堵轉裝置包含：<br/> 一環狀部件，環設於該軸心以與該軸心同軸旋轉，該環狀部件的一外周面上設置至少一第一孔；<br/> 一基座，供該軸心的穿設並與該軸心隔離配置，該基座包括一軸承模組；<br/> 一堵轉盤，由該軸承模組支承以供旋轉，該堵轉盤包括供該環狀部件及該軸心穿設的一通口部及環設於該通口部周圍的一盤體部，該通口部的一內周面與該環狀部件的該外周面相對且隔離配置，該通口部包括貫通的至少一第二孔；<br/> 一制動模組，設置於該基座並配置於該盤體部的邊緣，以供受控而對該盤體部產生一夾持力；及<br/> 至少一插接件，用於選擇性地同時插設於該第一孔及該第二孔中以建立該銜接關係，以使該堵轉盤基於該夾持力而對該軸心施加一扭轉負載。
如請求項1所述之堵轉裝置，其中該基座包括：<br/> 一支撐架，跨設於該馬達測試系統中並界定供該軸心穿設的區域；及<br/> 該軸承模組，包括供該軸心穿設的一軸承座及一軸承，該軸承座設置於該支撐架，該軸承設置於該軸承座，該軸承包括可相對旋轉的一內環及一外環。
如請求項2所述之堵轉裝置，其中該軸承藉由該內環及該外環此二者的其一設置在該軸承座，該堵轉盤藉由該內環及該外環此二者的另一設置在該軸承。
如請求項3所述之堵轉裝置，其中該堵轉盤藉由該軸承的支承而可相對於該軸承座旋轉。
如請求項1至4中任一項所述之堵轉裝置，其中該環狀部件係為套設於該軸心之一端的一聯軸器，該聯軸器之另一側用於接收一待測馬達的一驅動源。
如請求項5所述之堵轉裝置，其中該通口部的該內周面與該環狀部件的該外周面之間係直接以一空氣間隙隔開。
如請求項6所述之堵轉裝置，其中該第一孔、該第二孔及該插接件的數量皆各為複數個。
如請求項7所述之堵轉裝置，其中各該插接件為一插銷或一螺絲。
一種輸送帶滾輪，包括：<br/> 一主體，包括：<br/> 一管狀殼體；以及<br/> 一中空軸，貫穿該管狀殼體；<br/> 一軸心，設置於該中空軸；以及<br/> 一可拆卸式胎皮，可拆卸地結合於該管狀殼體的外側。
如請求項1所述之輸送帶滾輪，其中該主體更包括複數卡固孔，該複數卡固孔設置於該管狀殼體。
如請求項2所述之輸送帶滾輪，其中該可拆卸式胎皮更包括複數穿孔，該複數穿孔的位置分別對應該複數卡固孔。
如請求項3所述之輸送帶滾輪，更包括複數卡固件，該複數卡固件分別卡固該複數穿孔和該複數卡固孔。
如請求項4所述之輸送帶滾輪，更包括二個培林，該二個培林分別設置於該軸心的兩端。
如請求項5所述之輸送帶滾輪，其中該主體更包括一止擋部，該止擋部位於該中空軸內並止擋其中一培林。
如請求項6所述之輸送帶滾輪，其中該主體更包括一卡槽，該卡槽位於另一培林旁邊。
如請求項7所述之輸送帶滾輪，更包括一固定環，該固定環卡固於該卡槽。
如請求項8所述之輸送帶滾輪，其中該複數卡固件是螺絲，該複數卡固孔是螺孔。
如請求項9所述之輸送帶滾輪，其中該可拆卸式胎皮的材質是聚氨酯(Polyurethane)。
一種非同質化代幣(NFT)保單證明管理系統，包括：<br/> 複數個區塊鏈加密伺服器裝置，用以生成專屬NFT保單證明；<br/> 一傳統保單伺服器裝置，用以提供所有傳統保險種類的相關資料；以及<br/> 一NFT保單伺服器裝置，通訊連接該傳統保單伺服器裝置及該些個區塊鏈加密伺服器裝置，用以提供NFT保單證明的管理資訊。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該傳統保單伺服器裝置包含一處理器用以篩選適用NFT保單的傳統保險種類。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該傳統保單伺服器裝置包含一儲存單元用以儲存傳統保險種類的相關資料。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該傳統保單伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該NFT保單伺服器裝置。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該NFT保單伺服器裝置包含一處理器，用以執行傳統保險與NFT保單的轉換。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該NFT保單伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該傳統保單伺服器裝置及該些個區塊鏈加密伺服器裝置。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該些個區塊鏈加密伺服器裝置之每一者包含一網路介面單元用以通訊連接該NFT保單伺服器裝置。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該些個區塊鏈加密伺服器裝置之每一者包含一處理器，用以執行專屬NFT保單證明的生成。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該些個區塊鏈加密伺服器裝置之每一者包含一儲存單元，用以儲存NFT保單證明的相關資訊。
如請求項1所述之NFT保單證明管理系統，其中該NFT保單伺服器裝置包含一儲存單元用以儲存NFT保單證明的管理資訊。
一種拒馬結構，其包含：<br/> 一橫支架，底部設一提持空間；以及<br/> 兩自該橫支架之末端向下延伸之側支架，其中，該橫支架及該兩側支架之內部設有一端板，且該兩側支架之底端分別連接固定一支撐腳，藉由各該支撐腳之支撐，使該橫支架及該兩側支架得以穩固立向設置；其特徵在於：<br/> 該端板具有一底緣，該底緣之預定位置開設複數開口；以及<br/> 各該側支架與其對應之支撐腳之側端面相接處界定為一銜接部，該銜接部固設一補強片。
如請求項1所述之拒馬結構，其中該端板底緣之複數開口係由一橫支桿設定於該底緣之下方形成一間距，並於該橫支桿與該底緣之間立向設置複數縱支桿，使該複數開口形成於各該縱支桿相鄰間之空隙位置。
如請求項1所述之拒馬結構，其中該補強片為三角形片體。
如請求項3所述之拒馬結構，其中該補強片設有一第一固定點及二第二固定點，且該側支架與該支撐腳之間形成之銜接部對應該補強片之第一固定點及二第二固定點，分別設置一第一連結點及二第二連結點，使該補強片之第一固定點焊接於該第一連結點，該二第二固定點分別焊接於該二第二連結點。
如請求項1所述之拒馬結構，其中各該側支架與對應之該支撐腳間以滿焊方式連接固定。
如請求項1所述之拒馬結構，其中該支撐腳呈倒 U 型外觀。
如請求項1所述之拒馬結構，其中該支撐腳呈橫桿型外觀，且該橫桿型支撐腳之兩端分別設一止滑套固端。
一種具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，包括：一框架；複數支撐件，係間隔地固設於該框架內之二側；一跑板，係由複合木板製成；複數避震塊，係由彈性之塑料材質製成且呈一橫向之中空圈體，並各以其底部固設於各該支撐件頂部，且各以其頂部固設並共同向上頂撐該跑板底部，其中，該中空圈體圈壁之頂側及底側各貫設一固定孔，且該中空圈體內部之橫向最大直徑處設有至少一間隔肋板，並該間隔肋板貫設一通孔且其二端連接於該中空圈體之內圈壁，使該中空圈體內部分隔為上、下空間，另外，該間隔肋板之上、下側分別與中空圈體之內圈壁之間設有至少一抵撐件，當該避震塊受到跑板下壓致使該中空圈體受到較大的擠壓變形時，該抵撐件二端分別抵撐於該間隔肋板與中空圈體之內圈壁。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊係呈正圓形之中空圈體。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊係呈橢圓形之中空圈體。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該中空圈體內部設有二平行間隔之間隔肋板。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該間隔肋板之二端係以加大厚度之補強肋連接於該中空圈體之內圈壁，並該補強肋開放側之斷面係呈凹弧面。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊底部係以一螺絲固設於該支撐件頂部。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊頂部係以一螺絲搭配一具螺孔之U型固定片螺設於該跑板底部。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊頂側之固定孔與間隔肋板之通孔孔徑係大於底側固定孔的孔徑。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該避震塊之圈壁厚度、間隔肋板之厚度、斷面外直徑、及軸向長度分別係為3.5~6.5mm、2.5~5.0mm、25~45mm、20~40mm。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該抵撐件一端係連接於該間隔肋板且另端朝向該中空圈體之內圈壁。
依據申請專利範圍第1項所述之具更佳效率之跑步機避震緩衝裝置，其中，該抵撐件一端係連接於該中空圈體之內圈壁且另端朝向該間隔肋板。
一種防窺紗網，其包含： <br/> 一紗網基底，包括複數彼此交織的紗線，該紗網基底呈一平面狀而定義一朝外面及一朝內面；以及<br/> 一防窺塗層，披覆於該紗網基底的該朝外面，其中該防窺塗層的可見光反射率大於該紗線的可見光反射率，而使該朝外面的可見光反射率大於該朝內面的可見光反射率。
如請求項1所述之防窺紗網，其中該防窺塗層為鍍銀層。
一種防窺紗窗，包含：<br/> 一窗框；以及<br/> 如請求項1或2所述之防窺紗網，設置於該窗框。
如請求項3所述之防窺紗窗，更包括一窗鎖，設置於該窗框的一側而與該朝內面同向。
一種插拔治具，適應於插拔擴充卡至插槽，所述插槽設置有釋放結構，所述插拔治具包括：<br/> 固定模組；<br/> 施力件，樞接於所述固定模組，且所述施力件包括把手、連動於所述把手的第一推動部及第二推動部；<br/> 下壓模組，可移動地設置於所述固定模組、位於所述第一推動部的下方，且位於所述擴充卡的上方；以及<br/> 解扣模組，可活動地設置於所述固定模組、位於所述施力件的下方，且位於所述釋放結構的上方；<br/> 其中<br/> 當所述把手相對所述固定模組從第一位置轉動至第二位置時，所述第一推動部推抵所述下壓模組，使得所述下壓模組向下移動；以及<br/> 當所述把手相對所述固定模組從所述第一位置轉動至第三位置時，所述第二推動部推抵所述解扣模組，使得所述解扣模組向外旋轉。
如請求項1所述的插拔治具，其中所述固定模組包括上固定座，包括：<br/> 第一套筒，形成有第一凹槽，其中所述第一推動部位於所述第一套筒內，所述第二推動部位於所述第一套筒外，且所述下壓模組部分地套設於所述第一套筒內；<br/> 第一轉軸，設置於所述第一凹槽中，且沿X方向穿過所述施力件和所述第一套筒；以及<br/> 第一延伸部，連接所述第一套筒，位於所述第一凹槽下方，且由所述第一套筒沿Y方向延伸。
如請求項2所述的插拔治具，其中所述固定模組更包括連接所述上固定座的下固定座，包括：<br/> 第二套筒，連接所述第一套筒，位於所述第一套筒下方，形成有相對的二個第二凹槽，其中所述下壓模組部分地套設於所述第二套筒內；<br/> 相對的二個第二延伸部，連接所述第二套筒，位於所述二個第二凹槽下方，且由所述第二套筒沿所述Y方向延伸，其中所述二個第二延伸部之間形成有第三凹槽；以及<br/> 第二轉軸，設置於所述第三凹槽中，且沿所述X方向穿過所述二個第二延伸部和所述解扣模組。
如請求項3所述的插拔治具，其中所述固定模組更包括連接所述下固定座的導引座，所述導引座包括：<br/> 多個側牆，其中所述多個側牆的相鄰二者之間形成有一導槽，且所述導槽用於導引擴充卡。
如請求項4所述的插拔治具，其中所述下壓模組包括：<br/> 第一壓塊，位於所述第一套筒內，所述第一壓塊受所述第一推動部推抵而沿Z方向移動；<br/> 相對的二個第三延伸部，連接所述第一壓塊，部分地位於所述第二套筒及所述二個第二凹槽內，其中所述二個第二凹槽在所述Z方向上的長度與所述二個第三延伸部在所述Z方向上的長度的差值限制所述第一壓塊及在所述Z方向上的移動距離；<br/> 相對的二個第一凸柱，連接所述二個第三延伸部，沿所述Z方向穿過所述第一延伸部；以及<br/> 第二壓塊，連接所述第一壓塊，用於抵壓所述擴充卡。
如請求項5所述的插拔治具，其中所述下壓模組更包括：<br/> 二個第一彈性件，各所述第一彈性件的一端抵靠對應的所述第一凸柱，另一端抵靠所述第一延伸部；<br/> 其中當所述把手從所述第一位置轉動至所述第二位置時，所述第一彈性件蓄積彈力；以及<br/> 當所述第一彈性件釋放所蓄積的彈力時，所述把手從所述第二位置回到所述第一位置。
如請求項5所述的插拔治具，其中所述第一壓塊為十字形。
如請求項5所述的插拔治具，其中所述相對的二個第三延伸部之間形成有第四凹槽，所述解扣模組包括：<br/> 受力部，位於所述第二推動部的下方；<br/> 第二凸柱，連接所述受力部，沿所述Z方向穿過所述第一延伸部；<br/> 移動部，連接所述第二凸柱，可移動地設置於所述第四凹槽，且位於所述第一延伸部下方；以及<br/> 轉動部，經由所述第二轉軸樞接於所述下固定座，位於所述移動部的下方； <br/> 其中當所述把手從所述第一位置轉動至所述第三位置時，所述受力部受所述第二推動部推抵而帶動所述轉動部轉動，使得所述轉動部推動所述釋放結構。
如請求項8所述的插拔治具，所述解扣模組更包括：<br/> 第二彈性件，其一端抵靠所述受力部，另一端抵靠所述第一延伸部；<br/> 其中當所述把手從所述第一位置轉動至所述第三位置時，所述第二彈性件蓄積彈力；以及<br/> 當所述第二彈性件釋放所蓄積的彈力時，所述把手從所述第三位置回到所述第一位置。
如請求項8所述的插拔治具，其中所述移動部及所述轉動部呈L形。
如請求項4所述的插拔治具，其適應於插拔擴充卡至插槽，所述插槽設置有釋放結構，其中：<br/> 當所述把手相對所述固定模組從第一位置轉動至第二位置時，所述第一推動部推抵所述下壓模組，使得所述下壓模組將所述擴充卡插入至所述插槽內；以及<br/> 當所述把手相對所述固定模組從所述第一位置轉動至第三位置時，所述第二推動部推抵所述解扣模組，使得所述解扣模組帶動所述釋放結構拔出所述擴充卡。
一種臨櫃異常交易控管系統，適配以根據一的一即時語音資訊來判斷一客戶是否遭遇詐騙，且該臨櫃異常交易控管系統包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收該客戶的一即時語音，其中該輸入輸出裝置包括：<br/> 一錄音設備，設置於該輸入輸出裝置的左側、右側、前側或後側，配置以錄製該客戶的該即時語音，並根據該即時語音產生該即時語音資訊；以及<br/> 一處理器，與該輸入輸出裝置耦接，其中該處理器包括：<br/> 一即時語音匯入模組，配置以匯入透過該錄音設備錄製的該即時語音資訊，其中該即時語音資訊包括該客戶講述的一內容、一交易目的、一資金來源、一匯款指示、一第三方要求或其組合；<br/> 一即時語音轉譯模組，訊號連接該即時語音匯入模組，配置以對該即時語音資訊進行一語音辨識處理，以將該即時語音資訊轉譯為一即時語音文本內容；以及<br/> 一即時詐騙判斷模組，訊號連接該即時語音轉譯模組，配置以比對該即時語音文本內容與一詐騙資料集，以判斷該客戶是否可能遭遇詐騙，其中當該即時詐騙判斷模組判斷該客戶可能遭遇詐騙時，該即時詐騙判斷模組更配置以產生一詐騙告警訊息。
如請求項1所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一即時詐騙警示模組，訊號連接該即時詐騙判斷模組，配置以接收該詐騙告警訊息，並顯示於該輸入輸出裝置。
如請求項1所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該即時語音文本內容包括一語意特徵，且該語意特徵包括一關鍵詞彙、一語句模式、一交易目的描述、一第三方指示內容、一匯款用途、一顯示強制性、一指令性語氣或其組合。
如請求項1所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該詐騙資料集包括一高風險語意特徵集，且該高風險語意特徵集包括與一詐騙手法、一詐騙行為模式、一受害者特徵、一涉詐帳戶資訊、一匯款方式、一詐騙話術、一交易時間點、一警示關鍵字、警方或行政機關發布的一詐騙警戒資訊相關資料或其組合。
如請求項1所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該詐騙告警訊息是由該即時詐騙判斷模組利用一生成式人工智慧技術生成。
如請求項1所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該處理器更分別與一判決書系統及一防詐動態警報系統串接，其中該判決書系統包括複數個詐騙案件判決書，且該防詐動態警報系統包括複數個防詐警報。
如請求項6所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一詐騙案件下載模組，配置以自該判決書系統下載與一詐騙關鍵字相關的該些詐騙案件判決書；以及<br/> 一詐騙案件彙整模組，訊號連接該詐騙案件下載模組，配置以彙整該些詐騙案件判決書，以產生該詐騙資料集。
如請求項7所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該詐騙關鍵字包括與一詐騙案件類型、一詐騙手法、一匯款用途、一匯款對象或其組合相關的文字。
如請求項6所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一防詐警報匯入模組，配置以自該防詐動態警報系統匯入該些防詐警報；以及<br/> 一詐騙案件彙整模組，訊號連接該防詐警報匯入模組，配置以彙整該些防詐警報，以產生該詐騙資料集。
如請求項9所述之臨櫃異常交易控管系統，其中該些防詐警報包括一最新詐騙手法警訊、金融機構共享的一高風險帳戶清單、近期跨行通報的一異常匯款行為、行政機關發布的一詐騙關鍵字或其組合。
一種電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其包含：<br/> 雙層中空軸、二單向離合器及一扭力感測系統，並對應配置於一馬達內；所述單向離合器係包含一第一單向離合器及一第二單向離合器；<br/> 所述中空軸係包含一內中空軸及一外中空軸，且該內中空軸及該外中空軸在一端互相結合；<br/> 該內中空軸一端係連結該第一單向離合器，並經該第一單向離合器與一腳踏軸結合；<br/> 該外中空軸一端係連結該第二單向離合器，該外中空軸係設有該扭力感測系統，且該外中空軸另端係用以結合一電動車配置之一鏈盤；<br/> 藉此，該腳踏軸兩側所受之腳踏扭力，係可分別經由該第一單向離合器、該內中空軸及該外中空軸，以傳遞至該扭力感測系統者。
如請求項1所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該馬達設置有一外蓋，且該外蓋設置於該扭力感測系統及該鏈盤之間；且該外蓋內側設置有一對應接收該扭力感測系統之接受器。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該內中空軸及該外中空軸間，係透過嚙合、卡合或鎖接方式進行結合者。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該第一單向離合器係透過鎖固方式以對應鎖接於該腳踏軸者。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該第一單向離合器之外徑係小於該第二單向離合器之外徑者。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該第一單向離合器為單向棘輪。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該第二單向離合器為單向之滾珠或滾柱軸承。
如請求項1或2所述之電動車中置馬達之雙中空軸及雙單向離合器的配置結構，其中，該內中空軸之至少部分係對應套接於該外中空軸內，且該外中空軸與該內中空軸之套接處係具有一間隙。
一種對稱式耦合電感，其包括：<br/> 一第一鐵芯件，包括一第一本體、一第一柱體及一第二柱體，所述第一柱體與所述第二柱體位於所述第一本體上，且之間具有一第一間隔；<br/> 一第二鐵芯件，與所述第一鐵芯件相對設置，所述第二鐵芯件包括一第二本體、一第三柱體及一第四柱體，所述第三柱體與所述第四柱體位於所述第二本體上，且之間具有一第二間隔，其中所述第一柱體鄰接於所述第三柱體，且之間具有一第一氣隙，所述第二柱體鄰接於所述第四柱體，且之間具有一第二氣隙；<br/> 一第一線圈，設置於所述第一鐵芯件的所述第一本體上，所述第一線圈包括相連接的一第一拱門段及一第一L型延伸段，所述第一拱門段具有一第一引腳，所述第一L型延伸段具有一第二引腳，所述第一拱門段環繞所述第一柱體，所述第一引腳朝一第一方向延伸；所述第一L型延伸段位於所述第二柱體的下方，所述第二引腳朝所述第一方向延伸；以及<br/> 一第二線圈，設置於所述第二鐵芯件的所述第二本體上，所述第二線圈包括相連接的一第二拱門段及一第二L型延伸段，所述第二拱門段具有一第三引腳，所述第二L型延伸段具有一第四引腳，所述第二拱門段環繞所述第四柱體，所述第三引腳朝所述第一方向延伸；所述第二L型延伸段位於所述第三柱體的下方，所述第四引腳朝所述第一方向延伸。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中所述第一柱體、所述第二柱體、所述第三柱體及所述第四柱體為方體，且形狀相同。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，所述第一引腳凸露於所述第一本體，所述第二引腳凸露於所述第一本體。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，所述第三引腳凸露於所述第二本體，所述第四引腳凸露於所述第二本體。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，所述第一拱門段包括具所述第一引腳的一第一側臂部、一第一連接部及一第二側臂部，所述第一側臂部位於所述第一柱體的一側面，所述第一連接部位於所述第一柱體的一頂面，所述第二側臂部位於所述第一柱體的另一側面；所述第一L型延伸段還包括一第一直向部，位於所述第二柱體的一底面，所述第一直向部兩端分別連接所述第二側臂部及所述第二引腳。
如請求項5所述的對稱式耦合電感，其中，沿與第一方向正交的第二方向，所述第一側臂部凸露於所述第一本體；沿所述第二方向，所述第一直向部凸露於所述第一本體。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，所述第二拱門段包括具所述第三引腳的一第三側臂部、一第二連接部及一第四側臂部，所述第三側臂部位於所述第四柱體的一側面，所述第二連接部位於所述第四柱體的一頂面，所述第四側臂部位於所述第四柱體的另一側面；所述第二L型延伸段還包括一第二直向部，位於所述第三柱體的一底面，所述第二直向部兩端分別連接所述第四側臂部及所述第四引腳。
如請求項7所述的對稱式耦合電感，其中，沿與第一方向正交的第二方向，所述第三側臂部凸露於所述第二本體；沿所述第二方向，所述第二直向部凸露於所述第二本體。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，在所述第一方向上，所述第一引腳的底端與所述第二引腳的底端位於相同或不相同的位置。
如請求項1所述的對稱式耦合電感，其中，在所述第一方向上，所述第三引腳的底端與所述第四引腳的底端位於相同或不相同的位置。
一種降壓轉換器，其包括：<br/> 一功率模組，包括一導線框架、一第一功率元件、一第二功率元件及一驅動晶片，所述第一功率元件、所述第二功率元件及所述驅動晶片皆設置於所述導線框架上；以及<br/> 一電感元件，位於所述功率模組的上方，其中，所述電感元件的一第一引腳分別電性連接所述第一功率元件及所述第二功率元件，所述電感元件的一第二引腳連接於所述導線框架上，或不與所述導線框架接觸。
如請求項1所述的降壓轉換器，其中，所述導線框架包括至少一導電構件，所述驅動晶片經由一引線電性連接至所述導電構件，且經由另一引線電性連接所述第一功率元件。
如請求項1所述的降壓轉換器，還包括一連接件，為金屬材質，所述第一引腳通過所述連接件電性連接所述第一功率元件及所述第二功率元件。
如請求項1所述的降壓轉換器，其中所述第一引腳為金屬材質，所述第一引腳以接觸的方式電性連接所述第一功率元件及所述第二功率元件。
如請求項1所述的降壓轉換器，其中所述電感元件還包括一鐵芯體，所述第一引腳外露於所述鐵芯體的表面。
如請求項5所述的降壓轉換器，其中所述第二引腳連接所述第一引腳，所述第二引腳外露於所述鐵芯體的表面。
如請求項1所述的降壓轉換器，其中，所述功率模組及所述電感元件為多個。
一種植栽桌，包含：<br/> 一本體，具有一支持物，該本體具有一容置空間，一承板置於該容置空間，該承板具有數孔，用以使水液經由該數孔下落至該本體的底部；及<br/> 一蓋板，由二側各具有一第一樞接軸與一第二樞接軸，該二第一樞接軸分別與一第一臂的一端樞接，該第一臂的另一端樞接在該本體的一第一樞接部，該二第二樞接軸分別與一第二臂的一端樞接，各該第二臂的另一端各與一第三臂的一端樞接，各該第三臂的另一端各樞接在該本體的一第二樞接部。
如請求項1之植栽桌，其中，該本體的底部具有一排水孔，該排水孔用以引接一管體。
如請求項1之植栽桌，其中，該支持物為數腳，該數腳各由一第一腳及一第二腳所構成，該第一腳的一端連接在該本體，該第一腳的另一端可調整及固定地連接該第二腳。
如請求項3之植栽桌，其中，該第一腳或/及該第二腳為一空心的管，使其中一腳的一端伸入在另一腳中且被固定。
如請求項4之植栽桌，其中，該第一腳為一空心管及具有複數的第一定位孔，該第二腳具有至少一第二定位孔，該第二腳的一端用以伸入在該第一腳的空心管內，及以該至少一第二定位孔對位於其中一第一定位孔，及以一定位元件結合在相對位的該第一定位孔、第二定位孔。
如請求項3之植栽桌，其中，該第二腳的底部具有止滑件。
如請求項3之植栽桌，其中，該第二腳的底部具有滑輪。
如請求項1之植栽桌，其中，該二第一樞接軸分別供一第一臂的一端以一第一樞接孔樞接，該第一臂的另一端以一第二樞接孔供一第一樞接件樞接在該本體的該第一樞接部。
如請求項1之植栽桌，其中，該二第二樞接軸分別供一第二臂的一端以一第三樞接孔樞接，各該第二臂的另一端各以一第二樞接件與一第三臂的一端樞接，各該第三臂的另一端各以一第四樞接孔供一第三樞接件樞接在該本體的該第二樞接部。
如請求項9之植栽桌，其中，各該第二臂與各該第三臂的樞接端係具有至少一止板。
如請求項9之植栽桌，其中，在該第一樞接部與該第二樞接部之間的該本體各具有一凹槽，各該第二臂與各該第三臂折收在一較小的樞接角度時，樞接各該第二臂與各該第三臂的各該第二樞接件容置於該凹槽。
一種光源模組，其特徵在於，包含：<br/> 一基板； <br/> 設置於該基板上的複數第一發光晶粒，該複數第一發光晶粒用以發出一白光； <br/> 設置於該基板上的複數第二發光晶粒，該複數第二發光晶粒用以發出一暖光；以及<br/> 一光學元件，覆設於該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒上；<br/> 其中，該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒共用該基板，且共用該光學元件，以使該光源模組能提供白光發光模式、暖光發光模式以及同時發光模式。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒交錯排列於該基板上。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒包含一中心排列區與至少一邊緣排列區，且該中心排列區包含交錯設置之第一發光晶粒與第二發光晶粒。
如申請專利範圍第3項所述之光源模組，其中該中心排列區包含四個晶粒排列成正方形，且該複數第一發光晶粒中的其中兩個第一發光晶粒位於該正方形的對角線位置，該複數第二發光晶粒中的其中兩個第二發光晶粒位於該正方形的其餘位置。
如申請專利範圍第4項所述之光源模組，其中該邊緣排列區包含兩個該第一發光晶粒位於該正方形的其中一側，以及包含兩個該第二發光晶粒位於該正方形的另一側，其中該邊緣排列區的該兩個第一發光晶粒以及該兩個第二發光晶粒沿著同一方向排列。
如申請專利範圍第3項所述之光源模組，其中，該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒呈對稱配置，以提升混光均勻度。
如申請專利範圍第3項所述之光源模組，其中該複數第一發光晶粒均位於該中心排列區內，且該複數第二發光晶粒均位於該邊緣排列區內。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒之數量比例為 1:1，或是該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒之數量比例為介於 1:2 至 2:1 之間。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該光學元件包含一透鏡，且該光源模組另外包含有一反光杯位於該基板的周圍。
如申請專利範圍第9項所述之光源模組，其中，該光學元件包含至少一光學膜層，該光學膜層用以調整白光與暖光之出光角度或光型。
如申請專利範圍第10項所述之光源模組，其中，該光學元件與該反光杯使白光之主要出光方向與暖光之主要出光方向不同，以提升霧中穿透度。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該光源模組更包含一驅動電路，該驅動電路分別驅動該複數第一發光晶粒與該複數第二發光晶粒。
如申請專利範圍第12項所述之光源模組，其中，該驅動電路可根據光源模組之溫度調整白光或暖光之輸出功率。
如申請專利範圍第12項所述之光源模組，其中，該驅動電路可接收外部感測模組之訊號，並根據霧氣濃度、自動切換白光發光模式與暖光發光模式。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，該光源模組更包含至少一第三發光單元，該第三發光單元用以發出不同於該白光與該暖光的另一顏色光或是紅外光。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，更包含有多個微結構反射板設置於該基板上並且位於該複數個第一發光晶粒與該複數個第二發光晶粒之間，用於反射部分該白光與該暖光。
如申請專利範圍第1項所述之光源模組，其中，沿著一垂直方向，該複數個第一發光晶粒與該複數個第二發光晶粒設置於該基板上的不同水平面上，以調整白光與暖光之出光角度或光型。
一種連接直管，包含：<br/> 一外管件，包括一表面平滑且呈直管狀的本體部；及<br/> 一內管組，材質為具抗腐蝕性的鐵氟龍且同軸安裝於該外管件內，該內管組包括一呈直管狀並靠抵於該本體部內一端的長管件，及一裝設於該本體部內另一端且固定該長管件之一端的接合件，該接合件具有一銜接固定於該長管件一端的銜接部。
如請求項1所述的連接直管，其中，該外管件還包括一位於該本體部之一端且與該接合件扣合的固定部，及一位於該本體部之另一端且徑向往內凸起的定位部，該定位部的內徑小於該固定部的內徑，該長管件具有一位於兩相反端的第一端與第二端，該第一端靠抵於該定位部。
如請求項2所述的連接直管，其中，該接合件與該固定部共同界定出一環狀的環隙空間，該環隙空間用於容納黏著該接合件與該固定部的黏著劑。
如請求項2所述的連接直管，其中，該外管件還包括兩個分別自該本體部兩相反端向外徑向凸起並呈凸環狀的端部，每一該端部之外徑大於該本體部之外徑。
一種含氫氣體噴吹用之噴鎗結構，配置以設置於一鼓風管的側部，其中該鼓風管具有一主體部以及一噴鎗鞘，其中該主體部具有用以輸送高溫熱鼓風之主氣流通道，該噴鎗鞘設於該主體部之側面並與該主氣流通道連通，其中該噴鎗結構包括：<br/> 一單管噴鎗，插入於該噴鎗鞘之內，該單管噴鎗配置以傳輸含氫氣體，且該單管噴鎗與該噴鎗鞘之間形成一間隙以構成一冷卻氣體通道；以及<br/> 一冷卻氣體供應結構，設於該噴鎗鞘之外部，連通該冷卻氣體通道，且配置以提供冷卻氣體導入所述冷卻氣體通道中。
如請求項1所述之噴鎗結構，其中該冷卻氣體供應結構包括：<br/> 一腔體，包覆於該單管噴鎗之外部，並與該噴鎗鞘相連，以形成供冷卻氣體流通之氣密空間；<br/> 一前端法蘭及一後端法蘭，分別設於該腔體之前端與後端，以將該腔體固定並氣密連接於所述噴鎗鞘及所述單管噴鎗；以及<br/> 一冷卻氣體導管，連接一氣體供應源與該腔體，用以將冷卻氣體導入至該腔體內，並經由所述噴鎗鞘導入該冷卻氣體通道中。
如請求項2所述之噴鎗結構，其中該單管噴鎗於其插入該後端法蘭之部分在外壁部具有一弧形凸面部，該後端法蘭於其內側端面具有對應之一弧形凹面部，該弧形凸面部與該弧形凹面部相互貼合以形成氣密接合。
如請求項3所述之噴鎗結構，其中該單管噴鎗之外壁設有一溫度感測器，該溫度感測器設置於所述弧形凸面部與弧形凹面部貼合區域以外的位置，並穿出該腔體之外。
如請求項1所述之噴鎗結構，其中該單管噴鎗之外壁設有一溫度感測器，該溫度感測器隨該單管噴鎗插入該噴鎗鞘，配置以感測該單管噴鎗之溫度。
如請求項4或5所述之噴鎗結構，其中該溫度感測器連接一控制單元，該控制單元配置以控制該單管噴鎗選擇性導入高壓氮氣。
如請求項4或5所述之噴鎗結構，其中該溫度感測器設置於靠近該噴鎗鞘出口與該主氣流通道的邊界處，或設於遠離該噴鎗鞘出口之位置。
如請求項4或5所述之噴鎗結構，其中該溫度感測器為熱電偶。
如請求項3所述之噴鎗結構，其中在弧形凸面部與弧形凹面部貼合區域之外側設有一插銷，該插銷迫緊弧形凸面部與弧形凹面部。
如請求項1所述之噴鎗結構，其中該單管噴鎗之管徑及結構配置以噴吹流量為800 Nm³/h以上的含氫氣體。
一種人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，包括：<br/> 一客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置，用以蒐集一客戶的一或多個交易行為資料；<br/> 一客戶端電子裝置；以及<br/> 一防詐辨識及宣導伺服器裝置，通訊連接該客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置及該客戶端電子裝置，用以於該客戶可能受詐騙時傳送一對應的防詐騙宣導影像給該客戶端電子裝置。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置包含一處理器用以分析該客戶的一或多個交易行為資料。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存該客戶的一或多個交易行為資料。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該防詐辨識及宣導伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該防詐辨識及宣導伺服器裝置包含一處理器，用以判斷該客戶是否可能受詐騙。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該防詐辨識及宣導伺服器裝置包含一處理器，用以判斷是否傳送該對應的防詐騙宣導影像給該客戶端電子裝置。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，還包含一分行或自動化服務點伺服器裝置，該分行或自動化服務點伺服器裝置包含一網路介面單元用以通訊連接該客戶交易行為資料蒐集伺服器裝置以提供該客戶於該分行或自動化服務點伺服器裝置包含的一或多個交易行為資料。
如請求項7所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該分行或自動化服務點伺服器裝置包含一處理器，用以判斷該客戶符合防詐騙相關的一或多個交易行為資料。
如請求項8所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該分行或自動化服務點伺服器裝置包含一儲存單元，用以暫存該客戶符合防詐騙相關的一或多個交易行為資料。
如請求項1所述之人工智慧詐騙行為辨識及防詐騙宣導系統，其中該防詐辨識及宣導伺服器裝置包含一防詐騙宣導生成介面，用以製造該對應的防詐騙宣導影像。
一種生物辨識信用卡系統，包含：<br/> 一生物辨識伺服器，包含一資料庫，其中該資料庫儲存一生物辨識資料及一信用卡額度；以及<br/> 一生物特徵刷卡機，通訊連接該生物辨識伺服器；<br/> 其中該生物特徵刷卡機根據一生物辨識特徵及一交易紀錄產生一交易資料，且傳送該交易資料至該生物辨識伺服器；<br/> 其中該生物辨識伺服器比對該生物辨識特徵和該生物辨識資料是否相符，且根據該信用卡額度判斷是否執行該交易紀錄，並直接據以產生一結果資料；<br/> 其中該生物辨識伺服器回傳該結果資料至該生物特徵刷卡機；<br/> 其中該生物特徵刷卡機根據該結果資料顯示一交易結果。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，還包含：<br/> 一生物特徵紀錄器，通訊連接該生物辨識伺服器，其中該生物特徵紀錄器用於擷取多個基準生物特徵，並根據該些基準生物特徵產生該生物辨識資料；<br/> 其中該生物特徵紀錄器傳送該生物辨識資料至該生物辨識伺服器，該生物辨識伺服器接收該生物辨識資料並儲存至該資料庫。
如請求項2所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物特徵紀錄器包含一紀錄器通訊模組，該生物特徵紀錄器經由該紀錄器通訊模組通訊連接該生物辨識伺服器。
如請求項2所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物特徵紀錄器包含一紀錄器生物特徵擷取模組，該生物特徵紀錄器經由該紀錄器生物特徵擷取模組擷取該些基準生物特徵。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識伺服器還包含一通訊模組，該生物辨識伺服器經由該通訊模組通訊連接該生物特徵刷卡機。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識伺服器還包含一處理器，該生物辨識伺服器經由該處理器比對該生物辨識特徵和該生物辨識資料、判斷是否執行該交易紀錄，以及產生該結果資料。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物特徵刷卡機包含一刷卡機通訊模組，該生物特徵刷卡機經由該刷卡機通訊模組通訊連接該生物辨識伺服器。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物特徵刷卡機包含一刷卡機生物特徵擷取模組，該生物特徵刷卡機經由該刷卡機生物特徵擷取模組擷取該生物辨識特徵。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識資料包含一指紋資訊、一臉部資訊，及一虹膜資訊。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識特徵為一指紋特徵。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識特徵為一臉部特徵。
如請求項1所述之生物辨識信用卡系統，其中該生物辨識特徵為一虹膜特徵。
一種汽車輔助頭枕高度調整裝置，安裝於汽車座椅的椅背，該高度調整裝置包括有一本體，具有呈ㄇ字型的一分隔間隙，使該本體形成有一固定部、一左支架及一右支架，該固定部設有一左固定孔及一右固定孔，該本體設有一長形槽，該長形槽的一側為齒條；<br/>該本體裝設有一輔助頭枕固定面板，設有一第一槽孔、兩第二槽孔及兩第三槽孔，該輔助頭枕固定面板的後端面裝設有一接合件，該接合件容置於該長形槽中，該接合件內部設有一彈性卡榫，該彈性卡榫與該長形槽一側的齒條互相對應，該接合件的一側裝設有一限位片，將該限位片與該接合件固定結合，該彈性卡榫與該長形槽的互相作用，使該輔助頭枕固定面板能夠於該長形槽中滑動，該輔助頭枕固定面板用於固定一輔助頭枕；及<br/>該汽車座椅包含有一座椅頭枕，該座椅頭枕下端面的一左固定桿及一右固定桿插入於該汽車座椅的椅背裡，使該座椅頭枕固定於該汽車座椅，該高度調整裝置的該左固定孔與該右固定孔分別與該座椅頭枕的該左固定桿與該右固定桿來套接，再將該高度調整裝置與該座椅頭枕固定於該汽車座椅，完成該高度調整裝置的安裝，然後以折彎方式，調整該左支架與該右支架的弧度，使該高度調整裝置完全貼合於椅背。
如請求項1所述之汽車輔助頭枕高度調整裝置，其中該長形槽的一側為連續半圓形齒條。
如請求項1所述之汽車輔助頭枕高度調整裝置，其中該彈性卡榫的一側有凸出半圓形狀，能夠與該長形槽一側的齒條互相配合。
一種智能防詐轉帳預警系統，適用於與一供一轉出方客戶操作的轉出方電子裝置及一資料源伺服器通訊，並包含：<br/> 一處理單元，電連接該轉出方電子裝置及該資料源伺服器；及<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，並儲存預先建置的一風險判斷模型及多個分別對應於多個風險機率範圍的預定風險等級，該等預定風險等級其中所對應的該風險機率範圍較高的一者或多者作為一警示風險等級或多個警示風險等級；<br/> 該處理單元自該資料源伺服器接收多筆分別對應於多個銀行客戶的銀行金流資料及多筆分別對應於該等銀行客戶的銀行行為資料；<br/> 對於每一銀行客戶，該處理單元將對應於該銀行客戶的該銀行金流資料及該銀行行為資料輸入至該風險判斷模型以產生一對應於該銀行客戶的銀行客戶風險機率值；<br/> 對於每一銀行客戶，該處理單元根據對應的該銀行客戶風險機率值產生對應於該銀行客戶的一銀行客戶風險等級，該銀行客戶風險等級指示出涵蓋該銀行客戶風險機率值的該風險機率值範圍所對應的該預定風險等級；<br/> 當該處理單元自該轉出方電子裝置接收到一轉帳交易請求時，該處理單元判斷該轉帳交易請求的一轉入帳號對應的該銀行客戶對應的該銀行客戶風險等級所指示的該預定風險等級是否為該警示風險等級或該等警示風險等級其中一者；<br/> 當該處理單元判斷出該轉帳交易請求的該轉入帳號對應的該銀行客戶對應的該銀行客戶風險等級所指示的該預定風險等級為該警示風險等級或該等警示風險等級其中一者時，該處理單元使該轉出方電子裝置顯示一防詐提醒訊息及一用於供該轉出方客戶輸入一繼續交易指令或一取消交易指令的操作介面；<br/> 當該處理單元接收到該轉出方客戶透過該操作介面輸入的該取消交易指令，該處理單元不執行該轉帳交易請求對應的一轉帳交易程序。
如請求項1所述的智能防詐轉帳預警系統，其中，當該處理單元接收到該轉出方客戶透過該操作介面輸入的該繼續交易指令，該處理單元執行該轉帳交易請求對應的該轉帳交易程序。
如請求項1所述的智能防詐轉帳預警系統，其中，該等預定風險等級指示出低風險等級、中風險等級、高風險等級及極高風險等級，該警示風險等級或該等警示風險等級為指示出極高風險等級的該預定風險等級或指示出極高風險等級與高風險等級的該等預定風險等級。
一種機器學習模型公平性的評估裝置，適用於評估一待評估機器學習模型之公平性，包含：<br/> 一儲存模組，儲存該待評估機器學習模型，及多筆測試資料，每一測試資料包括一特徵資訊及一真實標籤；及<br/> 一處理模組，訊號連接該儲存模組；<br/> 其中，該處理模組根據該等測試資料的特徵資訊，利用該待評估機器學習模型，獲得多個分別對應該等測試資料的輸出結果，並根據該等測試資料的特徵資訊，將該等測試資料分成多個群組，對於每一群組，該處理模組根據該群組的測試資料的真實標籤及對應該群組的測試資料的輸出結果，獲得一對應該群組的模型評估指標，且從該等群組對應的模型評估指標中決定一理想參考模型評估指標，對於每一群組，該處理模組根據該理想參考模型評估指標，及該群組對應的模型評估指標，產生一公平性表現評估結果。
如請求項1所述的機器學習模型公平性的評估裝置，其中，該模型評估指標為一準確率、一精確率、一召回率、一F分數，及一接收者操作特徵曲線下面積之其中一者。
如請求項1所述的機器學習模型公平性的評估裝置，其中，該理想參考模型評估指標為該等群組對應的模型評估指標中之最高者。
如請求項1所述的機器學習模型公平性的評估裝置，其中，對於每一群組，該處理模組將該理想參考模型評估指標減去該群組對應的模型評估指標，以獲得一偏差值，對於每一群組，該處理模組根據該偏差值產生該公平性表現評估結果。
一種大型語言模型評測裝置，適用於評測一待評測大型語言模型，包含：<br/> 一儲存模組，儲存多筆問答資料，每一問答資料對應多個不同評測指標之其中一者且對應多個不同題型種類之其中一者，每一問答資料包括一問題訊息，及一對應該問題的答案訊息；及<br/> 一處理模組，訊號連接該儲存模組，運行一批改大型語言模型及該待評測大型語言模型；<br/> 其中，該處理模組從該等問答資料選擇出多筆目標問答資料，對於每一目標問答資料，該處理模組根據該目標問答資料，產生一包括該目標問答資料之提問訊息的解答提示詞，並利用該待評測大型語言模型根據該解答提示詞產生一回覆訊息，對於每一目標問答資料，該處理模組產生一包括該目標問答資料之答案訊息及該回覆訊息的批改提示詞，並利用該批改大型語言模型根據該批改提示詞產生一批改結果，該處理模組根據該等目標問答資料對應的多個批改結果產生一評測報告。
如請求項1所述的大型語言模型評測裝置，其中，對於每一目標問答資料，該處理模組根據該目標問答資料對應之題型種類，產生該解答提示詞，該解答提示詞指示出不回答多餘內容。
如請求項2所述的大型語言模型評測裝置，其中，對於每一對應的題型種類為是非種類的目標問答資料，該解答提示詞指示出僅能回覆對或錯。
如請求項2所述的大型語言模型評測裝置，其中，對於每一對應的題型種類為單選種類的目標問答資料，該解答提示詞指示出僅回覆單一字元。
如請求項2所述的大型語言模型評測裝置，其中，對於每一對應的題型種類為多選種類的目標問答資料，該解答提示詞指示出以標點符號隔開每一字元。
如請求項1所述的大型語言模型評測裝置，其中，該儲存模組還儲存一拒答語句，對於每一批改提示詞，該處理模組利用該批改大型語言模型根據該批改提示詞的該回覆訊息及該拒答語句進行相似度比對，以獲得一相似度，並判斷該相似度是否大於一閾值，當判斷出該相似度大於該閾值時，產生指示出跳過後續分析的該批改結果。
如請求項6所述的大型語言模型評測裝置，其中，當判斷出該相似度小於等於該閾值時，該目標問答資料之答案訊息及該回覆訊息進行比對，以獲得指示出正確或錯誤的該批改結果。
一種信託從業人員教育訓練管理系統，包括：<br/> 一信託公會伺服器；<br/> 一通訊介面，通訊連接所述信託公會伺服器；以及<br/> 一處理器，通訊連接所述通訊介面，其中所述處理器配置以：<br/> 接收所述信託公會伺服器的一信託從業人員清冊；<br/> 篩選所述信託從業人員清冊的一到職日、一受訓紀錄、一類別與一訓練截止日的欄位資訊；<br/> 依據所述類別得知至少一需受訓課程與所述至少一需受訓課程每一個的至少一需受訓時數；<br/> 結合所述至少一需受訓課程與所述至少一需受訓時數，並針對一從屬分行、所述到職日、一個人資訊、所述受訓紀錄與所述訓練截止日執行排程的一規劃；以及<br/> 當一信託從業人員完成所排程的所述至少一需受訓課程後，傳送並更新所述受訓紀錄至所述信託公會伺服器。
如請求項1所述之信託從業人員教育訓練管理系統，還包括：<br/> 一內部人資伺服器，通訊連接所述通訊介面；<br/> 其中所述處理器配置以：<br/> 接收所述內部人資伺服器的一職前信託業務人員清單；<br/> 篩選所述職前信託業務人員清單的所述到職日、所述受訓紀錄與所述訓練截止日的欄位資訊；<br/> 得知所述至少一需受訓課程與所述至少一需受訓課程每一個的所述至少一需受訓時數；<br/> 結合所述至少一需受訓課程與所述至少一需受訓時數，並針對所述從屬分行、所述到職日、所述個人資訊、所述受訓紀錄與所述訓練截止日執行排程的所述規劃；以及<br/> 當一職前信託業務人員完成所排程的所述至少一需受訓課程後，傳送並登錄所述受訓紀錄至所述信託公會伺服器。
如請求項2所述之信託從業人員教育訓練管理系統，還包括：<br/> 一人機介面，連接所述處理器，用以輸入與顯示所述信託從業人員清冊、所述職前信託業務人員清單與更新的所述受訓紀錄；以及<br/> 一儲存器，連接所述人機介面，用以儲存所述信託從業人員清冊、所述職前信託業務人員清單與更新的所述受訓紀錄。
如請求項1所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述類別包括管理類和業務類。
如請求項2所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述需受訓課程包括管理人員在職訓練、業務人員在職訓練和業務人員職前訓練的其中至少一種。
如請求項2所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述職前信託業務人員清單的列入原因包括：<br/> 一已取得信託業務人員證照但未於信託公會辦理登錄者；以及<br/> 一信託業務人員登錄失效超過兩年者。
如請求項6所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述信託業務人員登錄失效超過兩年者的原因包括未在規定時間內滿足所述至少一需受訓時數，依規定遭撤銷登錄者。
如請求項6所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述信託業務人員登錄失效超過兩年者的原因包括因非從事信託業務工作而辦理註銷登錄者超過兩年。
如請求項1所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述類別為管理類的所述至少一需受訓課程，其認可機構包括財團法人台灣金融研訓院、財團法人中華民國證劵暨期貨市場發展基金會與財團法人台北金融研究發展基金會。
如請求項1所述之信託從業人員教育訓練管理系統，其中所述規劃為非公開的內部受訓課程。
一種狗嘴套結構改良，其構成包含一嘴套及一設於該嘴套後方的束帶，其特徵在於：<br/> 該嘴套係由若干線體組成網罩狀結構，下方底部係呈開放構造，並於上方中間位置的線體前端適當處往內凸設一柱體，該柱體係對應狗嘴前端的鼻子位置，據以當狗吠叫時其鼻子會因碰撞柱體而停止。
依請求項１所述之狗嘴套結構改良，其中該柱體外端係形成圓錐狀，而能加深對狗鼻子碰撞的刺激效果。
一種軌道監測系統，包括：<br/> 一機關車，包括：<br/> 多組感測器，設置於該機關車內；<br/> 一伺服器，連接於該些感測器，接收該些感測器的多個即時感測數據資料，並傳輸該些即時感測數據資料，其中該伺服器整合該些感測器的該些即時感測數據資料，成為多筆整合資料；<br/> 一第一儲存器，連接該伺服器，紀錄該些感測器的該些即時感測數據資料與該些整合資料；以及<br/> 一第一通訊介面，通訊連接該伺服器與該第一儲存器；<br/> 一網路通訊介面，通訊連接於該第一通訊介面，傳送該伺服器的該些即時感測數據資料與該第一儲存器的該些整合資料；以及<br/> 一中控系統，通訊連接於該網路通訊介面，接收該些即時感測數據資料與該些整合資料，包括:<br/> 一第二通訊介面，通訊連接於該網路通訊介面；以及<br/> 一處理器，耦接該第二通訊介面，其中該處理器執行以下運作：<br/> 將該些即時感測數據資料與該些整合資料的多個訊號中歸類出多個振動訊號片段；<br/> 將該些振動訊號片段每一個進行時頻轉換，並各別產生多個功率譜；<br/> 將該些振動訊號片段各別產生的該些功率譜進行頻率分析並各別分離出一主振源訊號；<br/> 將該些振動訊號片段各別分離出的該主振源訊號比對多個失效特徵；以及<br/> 比對該主振源訊號與該些失效特徵後，輸出至少一檢測結果。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該處理器更用以執行以下運作：<br/> 當該些振動訊號片段各別分離出的該主振源訊號吻合於該些失效特徵時，則輸出一預告警報訊息與一維修建議。
如請求項2所述之軌道監測系統，其中該中控系統還包括：<br/> 一人機介面，通訊連接於該處理器，用以輸入一預設異常值門檻，並顯示該至少一檢測結果、該預告警報訊息與該維修建議；以及<br/> 一第二儲存器，連接於該處理器，儲存該些失效特徵、該至少一檢測結果、該預告警報訊息與該維修建議。
如請求項3所述之軌道監測系統，其中該處理器更用以執行以下運作：<br/> 當該檢測結果超過該預設異常值門檻時，則自動觸發一即時警報訊息和產生一維修工單。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該些感測器，包括：<br/> 一加速度感測器，設置於該機關車的一輪軸上；<br/> 一傾角感測器，設置於該機關車的兩個該輪軸之間；以及<br/> 一照度感測器，設置於該機關車的上方。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該些失效特徵包括扣件鬆脫、輪軌打滑、駕駛行為異常、軌道下陷及照明不足。
如請求項3所述之軌道監測系統，其中一軌道下陷數值超出該預設異常值門檻時，所對應的一失效位置顯示於該人機介面。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該機關車的該第一通訊介面通過該網路通訊介面傳輸至該中控系統的該第二通訊介面的資料為串流資料。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該機關車的該第一通訊介面通過該網路通訊介面傳輸至該中控系統的該第二通訊介面的資料為批次資料。
如請求項1所述之軌道監測系統，其中該網路通訊介面為MDVPN(Mobile Data Virtual Private Network)閘道器。
一種會員名單查找及管理系統，包括： 一中央模組(1)、至少一使用者裝置(2)、一帳戶模組(3)、一通訊裝置(4)、一虛擬文件閱讀模組(5)以及一查找及名片輸入模組(6)；該中央模組(1)包括一中央處理器(10)以及一儲存模組(11)，該儲存模組(11)係與該中央處理器(10)耦接；該中央處理器(10)係與該使用者裝置(2)、該帳戶模組(3)、該通訊裝置(4)、該虛擬文件閱讀模組(5)以及該查找及名片輸入模組(6)耦接；該儲存模組(11)係儲存有複數筆會員名單資訊，每一筆會員名單資訊包含所對應之一姓名資訊、一會員識別碼資訊、一聯絡資訊、一任職資訊、一名片資訊及一從屬資訊，該從屬資訊包含一所屬年分資訊、一所屬地區資訊、一所屬區域資訊、一所屬分區資訊及/或一所屬社團資訊；其中， <br/> 該使用者裝置(2)供一使用者輸入一使用者資訊並傳送給該中央處理器(10)，該使用者資訊包含一輸入會員識別碼資訊及一輸入密碼資訊； <br/>該帳戶模組(3)儲存有該會員識別碼資訊及其所對應的一預設密碼資訊，該中央模組(1)將該使用者資訊傳送至該帳戶模組(3)，當該輸入會員識別碼資訊與該會員識別碼資訊相符且該輸入密碼資訊與該預設密碼資訊相符時，該帳戶模組(3)產生一合格會員資訊並傳送給該中央處理器(10)；當該輸入會員識別碼資訊與該會員識別碼資訊不相符或該輸入密碼資訊與該預設密碼資訊不相符時，該帳戶模組(3)產生一不合格會員資訊並傳送給該中央處理器(10)； <br/>該中央處理器(10)將該合格會員資訊傳送給該虛擬文件閱讀模組(5)及查找及名片輸入模組(6)以由該虛擬文件閱讀模組(5)及該查找及名片輸入模組(6)產生一資料顯示資訊，並由該中央處理器(10)將該資料顯示資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示該資料顯示資訊給該使用者；或者，該中央處理器(10)將該不合格會員資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示一登入錯誤資訊給該使用者。
如請求項1所述之會員名單查找及管理系統，其中，複數筆會員名單資訊係被區分為複數個頁次段落，該虛擬文件閱讀模組(5)為提供一可攜式文件格式（Portable document format，PDF）閱讀功能之一PDF閱讀器。
如請求項2所述之會員名單查找及管理系統，其中，該虛擬文件閱讀模組(5)更包括一目錄次模組(51)及一書籤次模組(52)，該目錄次模組(51)係耦接該書籤次模組(52)，並由該中央處理器(10)與該目錄次模組(51)耦接；其中該使用者透過該使用者裝置(2)產生一閱讀目錄指令資訊，該中央處理器(10)將該閱讀目錄指令資訊傳送至該目錄次模組(51)並由該目錄次模組(51)產生一目錄資訊，該目錄資訊包含該從屬資訊及其所對應的該頁次段落，該中央處理器(10)將該目錄資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示該目錄資訊給該使用者；或者，該使用者透過該使用者裝置(2)產生一閱讀書籤指令資訊，該中央處理器(10)將該閱讀書籤指令資訊傳送至書籤次模組(52)，該書籤次模組(52)產生一書籤資訊，該書籤資訊包含該所屬年分資訊、該所屬地區資訊、該所屬區域資訊、該所屬分區資訊及/或該所屬社團資訊，該中央處理器(10)將該書籤資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示該書籤資訊給該使用者；且，該資料顯示資訊包含該目錄資訊及/或該書籤資訊。
如請求項3所述之會員名單查找及管理系統，其中，該查找及名片輸入模組(6)包括一檢索模組(61)以及一名片輸入模組(62)，該檢索模組(61)及該名片輸入模組(62)係分別與該中央處理器(10)耦接；該使用者透過該使用者裝置(2)產生一檢索指令資訊，該中央處理器(10)將該檢索指令資訊傳送至該檢索模組(61)，該檢索模組(61)將該檢索指令資訊依次比對該儲存模組(11)中的每一筆會員名單資訊之該姓名資訊、該會員識別碼資訊、該聯絡資訊、該任職資訊、該名片資訊及該從屬資訊並產生一檢索結果資訊，該中央處理器(10)將該檢索結果資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示該檢索結果資訊給該使用者。
如請求項4所述之會員名單查找及管理系統，其中，該檢索指令資訊係為一關鍵字資訊。
如請求項5所述之會員名單查找及管理系統，其中，該會員名單查找及管理系統(100)更包含一管理者模組(A)，該管理者模組(A)與該中央處理器(10)耦接，該中央處理器(10)將該使用者資訊傳送至該管理者模組(A)，該管理者模組(A)將該輸入會員識別碼資訊與該會員識別碼資訊進行比對；當該輸入會員識別碼資訊與該會員識別碼資訊相同且該輸入會員識別碼資訊為第一次出現時，該管理者模組(A)產生一要求設定密碼資訊並將該要求設定密碼資訊傳送至該使用者裝置(2)並由該使用者裝置(2)顯示該要求設定密碼資訊給該使用者；且，該管理者模組(A)產生一次性驗證碼(one-time password，OTP)，該通訊裝置(4)將該一次性驗證碼傳送至該使用者裝置(2)，且待該使用者透過該使用者裝置(2)輸入一對應一次性驗證碼，由該使用者裝置(2)將該對應一次性驗證碼傳送至該中央處理器(10)，並由該中央處理器(10)判斷該對應一次性驗證碼是否與該一次性驗證碼相符，且當該對應一次性驗證碼與該一次性驗證碼相符時，該中央處理器(10)產生一有效驗證碼資訊，並將該有效驗證碼資訊傳送至該使用者裝置(2)，以由該使用者裝置(2)顯示該要求設定密碼資訊給該使用者；或者，當該對應一次性驗證碼與該一次性驗證碼不相符時，該中央處理器(10)產生一無效驗證碼資訊，並將該無效驗證碼資訊傳送至該使用者裝置(2)，以由該使用者裝置(2)顯示一驗證碼錯誤資訊給該使用者。
如請求項6所述之會員名單查找及管理系統，其中，該通訊裝置(4)係透過簡訊、電子郵件或應用程式的方式將該一次性驗證碼傳送至該使用者裝置(2)。
如請求項7所述之會員名單查找及管理系統，其中，每一筆該會員名單資訊所對應之該聯絡資訊包含所對應之一手機電話號碼，而該通訊裝置(4)係透過簡訊方式將該一次性驗證碼傳送至該手機電話號碼所對應之一手機。
如請求項8所述之會員名單查找及管理系統，其中，該名片輸入模組(62)係由一通訊裝置(4)或一影像輸入裝置(B)取得一名片影像，並將該名片影像以一光學字元辨識（Optical Character Recognition，OCR）模組(9)辨識出一文字資訊而成為該名片資訊；且，該通訊裝置(4)、該影像輸入裝置(B)及該光學字元辨識模組(9)係分別與該中央處理器(10)耦接，該影像輸入裝置(B)及/或該光學字元辨識模組(9)係由該管理者模組(A)所控制其是否運作。
如請求項9所述之會員名單查找及管理系統，其中，該會員名單查找及管理系統(100)更包括一資料抹除模組(7)，該中央處理器(10)係與該資料抹除模組(7)耦接； 該管理者模組(A)產生一刪除指令資訊，該中央處理器(10)依據該刪除指令資訊而將該複數筆會員名單資訊的其中之一者刪除，或者將該會員名單資訊所對應之該姓名資訊、該會員識別碼資訊、該聯絡資訊、該任職資訊、該名片資訊或該從屬資訊刪除，或者將該所屬年分資訊、該所屬地區資訊、該所屬區域資訊、該所屬分區資訊或該所屬社團資訊刪除。
如請求項10所述之會員名單查找及管理系統，其中，該會員名單查找及管理系統(100)更包含一歷程記錄模組(8)，該歷程記錄模組(8)與該中央處理器(10)耦接，該歷程記錄模組(8)儲存一操作記錄，該操作記錄包含該使用者資訊、該合格會員資訊、該不合格會員資訊、該資料顯示資訊、該登入錯誤資訊、該閱讀目錄指令資訊、該目錄資訊、該閱讀書籤指令資訊、該書籤資訊、該檢索指令資訊、該檢索結果資訊、該關鍵字資訊、該刪除指令資訊、該要求設定密碼資訊及/或該一次性驗證碼。
一種具有光子傳送的治療裝置，其係包含有：<br/>一主機，該主機包括一控制單元、一操作介面、一輸出單元及一顯示單元，該控制單元係設於該主機內部，並具有一頻率調整模組、一振幅調整模組、一波形調整模組及一計時模組，該頻率調整模組可供調整給予輸出電流之頻率，該振幅調整模組可供調整電流之振幅，以改變電刺激的電流強度，該波形調整模組可供調整電刺激的持續時間，而該計時模組可供自動計算電療時間，該操作介面係設於該主機之前表面，且電性連接該控制單元，該操作介面係供調整該控制單元的輸出參數，該控制單元係會接收該操作介面的指令後，將訊號傳送至該輸出單元，該輸出單元係設於該主機之側表面，且電性連接該控制單元，該輸出單元係供與一按摩件以及外部電源進行配接，該顯示單元係設於該主機之前表面，且電性連接該控制單元，用以顯示電療時的運作模式、刺激度以及運作時間。
如請求項1所述之具有光子傳送的治療裝置，其中，還包含至少一該按摩件，該按摩件具有二電極貼片，該按摩件係藉由一導子線與該輸出單元進行連接。
如請求項1所述之具有光子傳送的治療裝置，其中，該操作介面具有一主按鍵、二第一操作鍵及二第二操作鍵，該主按鍵係供控制該主機的開啟與關閉，該等第一操作鍵係供調整電療時的運作模式，該等第二操作鍵係供調整電療時的刺激度。
如請求項1所述之具有光子傳送的治療裝置，其中，該輸出單元具有至少一導線插孔及一電源插孔，該電源插孔係供電源線插設，以連接至外部電源。
如請求項1所述之具有光子傳送的治療裝置，其中，該頻率調整模組可調整之頻率數係可超過10000Hz以上(高週波)。
一種嬰兒揹帶用充氣式坐墊，包括：<br/> 一本體，具有一頂部平面及側壁，<br/> 其中，該頂部平面之形狀略呈彎月形，具有一弧形外側及一弧形內側於兩端交會而形成該彎月形狀；以及，由該弧形外側及該弧形內側分別向下延伸形成側壁，由該弧形內側向下延伸之側壁係大致垂直於該頂部平面，由該弧形外側向下延伸之側壁係向內傾斜延伸；以及<br/> 該本體可容納氣體於該頂部平面及該側壁所形成之空間中。
如請求項1之充氣式坐墊，其中，該弧形外側向下延伸之側壁係向內傾斜延伸而與由該弧形內側向下延伸之側壁交會而閉合。
如請求項1之充氣式坐墊，其進一步包括：支撐件，設於該充氣式坐墊內部，並設於該側壁上，用於輔助支撐嬰兒之乘坐。
如請求項3之充氣式坐墊，其中，該支撐件為圓柱狀、立方體狀或長方體狀。
如請求項3之充氣式坐墊，其中，該支撐件與該充氣式坐墊本體為一體成形、或分別形成而組裝。
如請求項1之充氣式坐墊，其進一步包括：充氣口，設於該側壁，用以通入或排出氣體。
如請求項1之充氣式坐墊，其係由軟質材料所形成，於充氣狀態下，該頂部平面用以供嬰兒乘坐；及，於排氣狀態下，該坐墊係呈扁平狀而可折疊。
如請求項1之充氣式坐墊，其中，於充氣狀態下，該弧形內側及由該弧形內側向下延伸之側壁係與使用者之腹部大致貼合。
如請求項7之充氣式坐墊，其中，該軟質材料包括塑膠、橡膠、及/或矽膠。
一種定期拆幣投資系統，包含： <br/> 一定期拆幣投資伺服器；以及<br/> 複數個用戶端電腦裝置，連接於該定期拆幣投資伺服器，以預約申請購買虛擬貨幣，該定期拆幣投資伺服器計算複數個投資組合以及設定拆分人數，並整合購入一所需的虛擬貨幣，以進行拆分。
如請求項1所述之定期拆幣投資系統，更包含：<br/> 一海外虛擬貨幣交易伺服器，連接於該定期拆幣投資伺服器，以購入該所需的虛擬貨幣。
如請求項2所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，包含：<br/> 一用戶資料分析模組，以根據該些用戶端電腦裝置的資料，進行用戶資料分析。
如請求項3所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一預約申購模組，連接於該用戶資料分析模組，以接受來自於該些用戶端電腦裝置的虛擬貨幣預約購買申請。
如請求項4所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一金額匯總分拆模組，連接於該預約申購模組，以計算該些投資組合以及設定拆分人數，並傳輸虛擬代碼以及二維條碼至該些用戶端電腦裝置，以確認購買。
如請求項5所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一申購回覆模組，連接於該金額匯總分拆模組，以回覆申購結果。
如請求項6所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一定期定額設定模組，連接於該申購回覆模組，以設定一定期定額購買的金額以及扣款帳戶。
如請求項7所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一定期定額扣款模組，連接於該定期定額設定模組，以定期由該些扣款帳戶進行扣款。
如請求項8所述之定期拆幣投資系統，其中該定期拆幣投資伺服器，更包含：<br/> 一客服聯繫模組，連接於該定期定額扣款模組，以處理該些用戶端電腦裝置的問題與留言。
如請求項9所述之定期拆幣投資系統，其中該些用戶端電腦裝置，包含用戶端手機、用戶端平板電腦或用戶端筆電。
一種地球儀教具，包含：<br/> 一本體，具有一外殼及一支架，該外殼的外表面印製全球地圖，該外殼組裝於該支架；<br/> 一感應單元，設置於該本體，該感應單元感應一可辨識標記；<br/> 一反應單元，設置於該本體，該反應單元接收到信號後產生即時回饋；<br/> 一控制模組，設置於該本體，該控制模組電性連接該感應單元及該反應單元，該控制模組接收來自該感應單元的信號後分類並輸出對應的信號至該反應單元；及<br/> 一電力單元，設置於該本體，該電力單元供應該感應單元、該反應單元及該控制模組的電力。
如請求項1之地球儀教具，其中，該外殼為一透光中空球體。
如請求項1之地球儀教具，其中，該本體具有一開口貫通該外殼的內側及外側。
如請求項3之地球儀教具，其中，該本體具有一收納槽插置於該外殼的內部，該收納槽具有一容置空間位於該外殼的內部及一握持件凸出於該外殼。
如請求項1之地球儀教具，其中，該反應單元具有至少一發光單元，該發光單元根據該控制模組輸出的信號發不同顏色的光。
如請求項1之地球儀教具，其中，該反應單元具有一氣味單元，該氣味單元根據該控制模組輸出的信號發不同的氣味。
如請求項1之地球儀教具，其中，該反應單元具有一音效單元，該音效單元根據該控制模組輸出的信號發不同的音效。
一種貨斗式車頂帳，其包含：<br/> 一中空的箱體，其係提供可拆式結合於一貨車的貨斗上，該箱體包括有互相結合的一前壁體、一左壁體、一後壁體及一右壁體，該前壁體、該左壁體、該後壁體及該右壁體的頂面及底面分別具有一上開口及一下開口，該箱體的頂部可拆式設有複數內板，以各該內板開啟或封閉該上開口；該上開口的兩側樞設有複數外板，各該外板樞轉後疊合於各該內板上或樞轉至該箱體的外側，各該外板的一端分別位於該左壁體及該右壁體頂面；該前壁體及該後壁體的頂面上設有一軌道，各該軌道的一端分別樞設有一第一連桿，另端滑設有一第二連桿，且該第一連桿與該第二連桿的中心互相樞合，各該第一連桿與各該第二連桿的頂部連接有一殼體；及<br/> 一遮蔽單元，其包括有一第一布體，該第一布體的底部結合在各該外板的頂面的周緣上，該第一布體的頂部結合在該殼體底面內側的周緣，該第一布體上設有至少一鏤空部，該鏤空部的周緣可拆式結合一遮布，以該遮布開啟或封閉該鏤空部。
如請求項1所述之貨斗式車頂帳，其中該箱體的頂面設有一框架，該框架包括有至少一透孔，該透孔與該上開口連通，各該內板樞設於該框架上，樞轉各該內板用以開啟或封閉該透孔。
如請求項2所述之貨斗式車頂帳，其中該框架內設有一橫架及一縱架，各該內板的邊緣係抵靠於該橫架及該縱架上。
如請求項1所述之貨斗式車頂帳，其中該第一連桿及該第二連桿位於該第一布體外側，並與該第一布體之間具有一預定距離。
如請求項1所述之貨斗式車頂帳，其中該遮蔽單元更包括有至少一第二布體，該第二布體的頂面設於該殼體底面內側，且位於該第一布體的外側，該第二布體的底部間隔設有複數定位孔，至少一該外板的外側間隔設有複數組裝孔，各該組裝孔及各該定位孔分別提供裝設一支撐架。
如請求項1所述之貨斗式車頂帳，其中該箱體更包括有一骨架，該骨架包括有一前鏤空部、左鏤空部、一右鏤空部及一後鏤空部，該前壁體、該左壁體及該右壁體分別設於該前鏤空部、該左鏤空部及該右鏤空部，該後壁體的頂部與該骨架樞設，並對應該後鏤空部。
如請求項1或6所述之貨斗式車頂帳，其中該前壁體、該左壁體、該後壁體及該右壁體內分別設有至少一窗體。
如請求項6所述之貨斗式車頂帳，其中該後鏤空部的兩側的該骨架上設有複數握把。
如請求項1所述之貨斗式車頂帳，其中各該第一連桿的一端及各該第二連桿的一端之間分別設有一油壓桿。
一種耐磨管材結構，包含：<br/> 一管體，係呈中空管狀，其內部形成一輸送通道；以及<br/> 一耐磨塗層，係塗佈於該管體的內壁表面，該耐磨塗層之配方係至少包含一耐磨填料與一強化纖維所混合而成。
如請求項1之耐磨管材結構，其中該管體係由金屬製成。
如請求項1之耐磨管材結構，其中該耐磨塗層的厚度為3至8mm。
如請求項1之耐磨管材結構，其中該耐磨塗層之配方係包含一環氧樹酯、一硬化劑、一耐磨填料、一強化纖維與一增韌劑所混合而成，該耐磨填料係透過一硅烷偶聯劑結合複數高硬度基體所製成。
如請求項4之耐磨管材結構，其中該環氧樹酯的添加比例為20%至40%，該硬化劑的添加比例為20%至40%，該耐磨填料的添加比例為25%至45%，該強化纖維的添加比例為0.5%至2%，該增韌劑的添加比例為1%至8%。
如請求項4之耐磨管材結構，其中該硬化劑係選擇自脂肪族聚醯胺類或酚醛胺類。
如請求項4之耐磨管材結構，其中該高硬度基體係選擇自氧化鋁珠、氧化鋯珠、融熔石英粉、碳化矽或二氧化矽等。
如請求項7之耐磨管材結構，其中該氧化鋁珠為球形或不規則形顆粒，其粒徑分布為10至100 μm，莫氏硬度 9。
如請求項7之耐磨管材結構，其中該氧化鋯珠為球形顆粒，其粒徑分布為5至50 μm，莫氏硬度 8.5。
如請求項4之耐磨管材結構，其中該強化纖維係選擇自短切碳纖維、短切玻璃纖維、短切礦物纖維或短切克維拉纖維。
如請求項4之耐磨管材結構，其中該增韌劑係選擇自CTBN顆粒或其他彈性體顆粒。
如請求項1之耐磨管材結構，其中該耐磨塗層之配方還包含一改質劑或一添加劑。
如請求項12之耐磨管材結構，其中該改質劑的添加比例為1%至3%，該添加劑的添加比例為0.5%至2%。
如請求項12之耐磨管材結構，其中該改質劑係為有機矽改性助劑。
如請求項12之耐磨管材結構，其中該添加劑係選擇自吸濕劑、耐熱劑、增稠劑、稀釋劑、玻璃微珠、空心陶瓷微珠、流平劑或消泡劑。
一種基於車牌辨識技術之自動化服務系統，係供用於裝設有至少一終端服務設備之一場域中，以供一使用者駕車至該場域時，該終端服務設備即自動啟動服務，其特徵在於： <br/>該自動化服務系統係包含至少一車牌辨識模組及一終端管理裝置，該車牌辨識模組裝設於對應之該終端服務設備上，並據此設定有對應之該場域之一場域識別碼及該終端服務設備之一設備識別碼，該終端管理裝置電連接該車牌辨識模組及該終端服務設備，且該終端管理裝置內存有至少一設備資訊及複數個會員資訊，該設備資訊關聯對應之該場域識別碼及該設備識別碼，各該會員資訊分別包含至少一會員車牌號碼及一扣款設定；該車牌辨識模組於辨識獲得一車牌號碼時，輸出包含對應之該場域識別碼及該設備識別碼之一辨識訊號，且該終端管理裝置利用該等會員資訊比對該辨識訊號之該車牌號碼，以於確認獲悉為對應之該會員車牌號碼時，依據該場域識別碼及該設備識別碼輸出一驅動訊號予對應之該終端服務設備而啟動服務行程，同時，該終端管理裝置依據對應之該扣款設定進行扣款。
如請求項1所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，其中，各該會員資訊係包含一服務使用記錄，當該終端管理裝置確認獲悉該車牌號碼為該會員車牌號碼時，該終端管理裝置讀取出對應之該會員資訊，並記錄一服務日誌至該服務使用記錄中，同時地，請求對應之該終端服務設備回報一設備即時狀態，且該終端管理裝置於確認該設備即時狀態正常且可運行後，輸出該驅動訊號。
如請求項2所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，其中，該會員資訊係包含一會員等級，其規範對應之服務條款；當該終端管理裝置輸出該驅動訊號並驅動該終端服務設備啟動服務行程後，該終端管理裝置依據該會員等級計算出一服務費用，並透過該扣款設定進行該服務費用扣款。
如請求項3所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，其中，該會員資訊係包含一會員權益，其至少記載一免費使用資料；當該終端管理裝置輸出該驅動訊號並驅動該終端服務設備啟動服務行程後，該終端管理裝置核查該會員權益，並於獲知符合之至少一個該免費使用資料時，計算該免費使用資料與該服務費用而獲得一扣繳金額，依據該扣繳金額透過該扣款設定進行扣款。
如請求項1所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，更設有一連結二維碼，係供裝設於該終端服務設備上，使便利該使用者自主利用一移動電子裝置讀取後觸發連結開啟一網頁，以進行一會員註冊作業、輸入該會員車牌號碼及設定該扣款設定之其中至少一者。
如請求項6所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，更設有一顯示模組，其係電連接該終端管理裝置，供即時顯示資訊；當該終端管理裝置比對獲知該車牌號碼非為該會員車牌號碼時，透過該顯示模組輸出一會員需求聲名，且顯示該連結二維碼。
如請求項1所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，其中，該場域係為加油站，該終端管理裝置電連接該場域之一管理平台而接收平台資料，以匯整形成該等會員資訊及其對應之複數個消費數據，且該終端管理裝置計算該等消費數據而獲得對應之該會員等級及該會員權益之其中至少一者。
如請求項7所述之基於車牌辨識技術之自動化服務系統，其中，該場域係為複數營運型態。
一種連接器之固定結構，包含有：<br/> 一左框體，具有一延伸片供以一結合件結合於一基座之固定位置；<br/> 一右框體，具有一延伸片供以一結合件結合於一基座之固定位置，且與該左框體相對組合形成一容置空間；<br/> 一固定彈片，設置於該容置空間中，該固定彈片具金屬彈性，於一連接器插入時可向外變形，插入完成後自動復位以夾持該連接器，防止連接器鬆脫。
如請求項1所述之連接器之固定結構，其中，該左框體與右框體係以結構疊合方式相互組合形成所述該容置空間，並可配合該基座之固定位置，相對地調整該左框體與右框體間的間距，以改變該容置空間之尺寸以適配不同規格之連接器。
如請求項1所述之連接器之固定結構，其中，該固定彈片具有一延伸片，該延伸片可與該左框體或右框體之延伸片疊合，並透過該結合件結合於一基座之固定位置。
如請求項1所述之連接器之固定結構，其中，該結合件可為螺絲、勾扣件、卡榫等結合方式，且該基座之固定位置相應配合該結合件之結合方式。
如請求項1所述之連接器之固定結構，其中，該固定彈片具有一防脫部，當該固定彈片於該連接器插入後自動復位，該防脫部提供一壓持力以防止連接器因振動而鬆脫。
如請求項1所述之連接器之固定結構，其中，該左框體與右框體各該延伸片透過結合件共同結合於該基座上。
一種測試座，適於供待測物設置，該測試座包括：<br/>基座，具有複數凹孔；<br/>複數頂針，分別設於各該凹孔中，且各該頂針之頂端係凸出於該凹孔；及<br/>複數彈力金屬件，設於該基座中，以電性接觸該待測物。
如請求項1所述之測試座，其中，該待測物具有包含複數作用區以及非作用區之作用面，以於該待測物置於該測試座時，各該頂針抵頂該非作用區。
如請求項1所述之測試座，其中，該頂針為柱狀結構。
如請求項1所述之測試座，其中，該頂針具有固定長度。
如請求項1所述之測試座，其中，該頂針具有肩部，以及該凹孔具有凸部，使該凹孔藉由該凸部擋止該肩部，而將該頂針限位於該基座中。
如請求項5所述之測試座，其中，該頂針具有大徑段及小徑段，使該肩部位於該大徑段與該小徑段之交界處，且該凹孔具有由內壁面形成之大孔徑段及由該凸部所形成之小孔徑段，使該頂針之該大徑段設於該凹孔之該大孔徑段中以及部分該小徑段設於該小孔徑段中，且其中，該頂針之該大徑段之直徑大於該小孔徑段之孔徑。
如請求項1所述之測試座，其中，該頂針之該頂端係為一平面或一凸曲面。
如請求項1所述之測試座，其中，該基座具有下表面，令該頂針之該頂端相對於該下表面之高度大於該彈力金屬件之頂端相對於該下表面之高度。
如請求項1所述之測試座，其中，該基座定義有一測試區，且該基座復包含：<br/>維持件；<br/>殼體，設於該維持件上；<br/>安裝板，設於該殼體上並與該維持件結合；以及<br/>導引板，對應該測試區以結合至該安裝板，用以導引該待測物放置於該測試區。
如請求項9所述之測試座，其中，該頂針係設於該測試區內。
一種約定撥款帳戶管理系統，包含：<br/> 一檢核伺服器，用以儲存數個約定撥款帳戶，每一約定撥款帳戶包括一用以辨別帳戶科目的參數，該檢核伺服器根據該參數產生一用以決定是否儲存每一約定撥款帳戶的判斷訊號，並根據該判斷訊號產生一用以請求同意儲存該約定撥款帳戶的請求簽核信號；及<br/> 一總行伺服器，訊號連接該檢核伺服器，並用於接收該請求簽核信號並產生一用以簽核同意該檢核伺服器儲存每一約定撥款帳戶的簽核同意信號，並傳送到該檢核伺服器。
如請求項1所述的約定撥款帳戶管理系統，其中，該檢核伺服器包括一根據該參數產生該判斷訊號的檢核模組、一訊號連接該檢核模組並接收該判斷訊號的處理模組，及一訊號連接該處理模組並供存放該等約定撥款帳戶的資料模組，<br/> 其中， 該檢核模組根據每一約定撥款帳戶的該參數產生該判斷訊號，且根據該判斷訊號傳送對應於該判斷訊號的每一約定撥款帳戶到該處理模組，該處理模組根據該判斷訊號用以決定是否儲存對應於該判斷訊號的每一約定撥款帳戶。
如請求項2所述的約定撥款帳戶管理系統，其中，每一約定撥款帳戶對應的該參數包括一公司帳戶科目、一行號帳戶科目、一其他帳戶科目地至少之一，該判斷訊號包括一正確信號與一錯誤信號，當該檢核模組根據該參數判定每一約定撥款帳戶為該公司帳戶科目或該行號帳戶科目，則該檢核模組產生該正確信號並傳送到該處理模組，且根據該正確信號傳送對應於該正確信號的每一約定撥款帳戶到該處理模組。
如請求項2所述的約定撥款帳戶管理系統，其中，每一約定撥款帳戶對應的該參數包括一公司帳戶科目、一行號帳戶科目、一其他帳戶科目的至少之一，該判斷訊號包括一正確信號與一錯誤信號，當該檢核模組根據該參數判定每一約定撥款帳戶為該其他帳戶科目，則該檢核模組產生該錯誤信號並傳送到該處理模組，且根據該錯誤信號傳送對應於該錯誤信號的每一約定撥款帳戶到該處理模組，該處理模組根據該錯誤信號將對應於該錯誤信號的每一約定撥款帳戶刪除。
如請求項3所述的約定撥款帳戶管理系統，其中， 該處理模組接收來自該檢核模組產生的該正確信號，該處理模組根據該正確信號產生一用以請求同意儲存對應於該正確信號的每一約定撥款帳戶的請求簽核信號，並傳送到該總行伺服器。
如請求項5所述的約定撥款帳戶管理系統，其中，該總行伺服器接收到來自該處理模組傳送的該請求簽核信號，並根據該請求簽核信號產生一用以簽核同意該處理模組欲儲存對應於該正確信號的每一約定撥款帳戶的簽核同意信號，並傳送到該處理模組。
如請求項6所述的約定撥款帳戶管理系統，其中，該處理模組接收到來自該總行伺服器傳送的該簽核同意信號，並根據該簽核同意信號將對應於該正確信號的每一約定撥款帳戶儲存至該資料模組。
一種焚化爐結構，係包含：<br/> 一爐體，乃於該爐體成型一有容腔，並於該容腔內設有數隔板，數該隔板係圍設形成一焚燒空間，且於該爐體一側成型有該焚燒空間的投入口，數該隔板係與該爐體之該容腔的腔壁間共同形成一氣動空間，又於數該隔板上設有數透孔，該焚燒空間係經該隔板之該透孔與該氣動空間相通，另於該爐體一側設有一進氣口，該進氣口係與該氣動空間相通；<br/> 一氣體輸入單元，係設於該爐體外部，包含有一鼓風機及一導風管，該導風管一端係與該鼓風機相連結，又該導風管另端係與該爐體之該進氣口相連結。
如請求項1所述之焚化爐結構，其中，該爐體係於其下方一側處設有一爐灰口，該爐灰口係與該焚燒空間相通，又包含有一爐蓋單元，該爐蓋單元係設有一蓋體，該蓋體係對應蓋設於該爐體之該爐灰口，又於該蓋體及該爐體的一側以至少一鉸鍊相樞接，另於該蓋體及該爐體相對其彼此樞接之另側係設有至少一鎖固件，用以活動鎖固該蓋體及該爐體。
一種可撓性測漏膜片，用於感測一電子裝置在設置液冷模組後的一測漏部位是否漏液且包括： <br/>一基材，為一可撓性片體且具有一面和另一面，該另一面設置有一定位件；以及 <br/>一導電層，包含皆為可撓性的一第一導線和一第二導線，該第一導線和該第二導線彼此間隔並排地佈設在該基材的該一面上； <br/>其中，該基材以該定位件對應所述測漏部位定位，該基材連同該導電層一起適應性地相對於所述測漏部位進行變化，該變化包含彎折，該導電層於當所述測漏部位漏液至該第一導線與該第二導線之間時產生一信號。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該變化還包含開設破口。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該基材為一軟性電路板。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該第一導線和該第二導線的材料皆為一導電銀漿，該導電銀漿在該基材上經由固化而形成該第一導線和該第二導線。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該第一導線和該第二導線在該一面上如十指交握般彼此交錯。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該定位件為一背膠或一黏扣帶。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，還包括一吸水層，該吸水層設置在該導電層上，該導電層位於該吸水層與該基材之間。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該基材還一體延伸有至少一凸伸臂，該凸伸臂具有一臂面，該第一導線和該第二導線還彼此間隔並排地佈設在該臂面上，該導電層經由該凸伸臂傳送該信號。
如請求項8所述之可撓性測漏膜片，其中之凸伸臂設置為二，二該凸伸臂分別設置有一連接器和一對接連接器。
如請求項1所述之可撓性測漏膜片，其中該基材的周圍還一體延伸有一圍牆，該圍牆對應圍繞該基材的周圍且共同形成一集液空間。
如請求項8所述之可撓性測漏膜片，還包括一傳送件，該傳送件可組卸地連接於該凸伸臂，該導電層經由該凸伸臂和該傳送件傳送該信號。
如請求項11所述之可撓性測漏膜片，其中該傳送件和該凸伸臂分別設置有一連接器和一對接連接器，該連接器和該對接連接器可組卸地此對接。
如請求項12所述之可撓性測漏膜片，其中該凸伸臂設置有該連接器，該傳送件的兩端分別設置有該對接連接器和另一該連接器。
一種漏液感測系統，用於感測一電子裝置是否漏液，所述電子裝置設置有液冷模組而具有至少一測漏部位，該漏液感測系統包括： <br/>至少一如請求項1至10中任一項所述之可撓性測漏膜片，至少一該可撓性測漏膜片對應所述至少一測漏部位設置並定位；以及 <br/>一控制器，連接至少一該可撓性測漏膜片； <br/>其中，至少一該可撓性測漏膜片的該導電層於當所述測漏部位漏液至該第一導線與該第二導線之間時產生一信號，該信號傳送給該控制器。
如請求項14所述之漏液感測系統，還包括至少一傳送件，該傳送件可組卸地有線連接於該導電層，該導電層經由該傳送件傳送該信號給該控制器。
如請求項15所述之漏液感測系統，其中該傳送件和該導電層分別設置有一連接器和一對接連接器，該連接器和該對接連接器可組卸地此對接。
如請求項16所述之漏液感測系統，其中該導電層設置有該連接器，該傳送件的兩端分別設置有該對接連接器和另一該連接器。
如請求項14所述之漏液感測系統，還包括至少一傳送件，該導電層經由該傳送件而無線傳送該信號給該控制器。
一種消除接合間隙搖晃的電連接器組，包括一電連接器母座及一插接至該電連接器母座之電連接器公頭，該電連接器母座的一第一金屬殼體及該電連接器公頭的一第二金屬殼體之間存在一間隙；其特徵在於：<br/> 至少一凸塊係分別位在該第一及第二金屬殼體的重疊處，且各該至少一凸塊的厚度匹配該間隙。
如請求項1所述電連接器組，其中該至少一凸塊係包含二第一凸塊，該二第一凸塊係由該第一金屬殼體的二相對直立側壁分別由外向內凹設而成。
如請求項1所述電連接器組，其中該至少一凸塊係包含二第二凸塊，該二第二凸塊係由該第二金屬殼體的二相對直立側壁分別由內向外凸出而成。
如請求項2所述電連接器組，其中該至少一凸塊係包含二第二凸塊，該二第二凸塊係由該第二金屬殼體的二相對直立側壁分別由內向外凸出而成。
如請求項4所述電連接器組，其中：<br/> 該第一金屬殼體的各該直立側壁係由外向內凹設二上下並排的第一凸塊，且各該第一凸塊係呈長條狀；以及<br/> 該第二金屬殼體的各該第二凸塊係位在同側且上下並排的該二第一凸塊之間的前方。
如請求項1所述電連接器組，其中該至少一凸塊係包含二第三凸塊，該二第三凸塊係由該第一金屬殼體的二相對橫向側壁係分別由外向內凹設而成。
如請求項6所述電連接器組，其中該第一金屬殼體的各該橫向側壁由外向內凹設二左右並排的第三凸塊。
如請求項1至7中任一項所述電連接器組，其中：<br/> 該電連接器母座係進一步包含：<br/> 一絕緣座體，係設置在該第一金屬殼體內，其一前側向該第一金屬殼體的一第一前開口延伸一舌片；該舌片的二相對側近其前側分別形成二內凹部；<br/> 一金屬中隔板，係橫向嵌入該舌片，該金屬中隔板的一本體位在該舌片內且靠近該舌片的該前側係形成一增強部，該增強部的高度較該本體的厚度大，又該本體的前端的二側係分別形成二斜導角，自該舌片的該二相對側外露；以及<br/> 一第一充電端子組，係設置於該舌片的第一表面；以及<br/> 該電連接器公頭係進一步包含：<br/> 一絕緣本體，係設置在該第二金屬殼體內；<br/> 多個金屬端子，係間隔並排於該絕緣本體內，且用以接觸該第一充電端子組；以及<br/> 一側卡扣件，係用以卡合該電連接器母座的該舌片的該二內凹部。
如請求項8所述電連接器組，其中：<br/> 該金屬中隔板的該增強部係位在該舌片內且靠近該舌片的該前側；或<br/> 該金屬中隔板的該增強部係自該該舌片內的該前側突出。
如請求項9所述電連接器組，其中：<br/> 該電連接器母座係進一步包含一第二充電端子組，係設置於該舌片的第二表面，該第二表面係與該第一表面相對；以及<br/> 該電連接器公頭的各該金屬端子係呈音叉狀且等寬，而包含有一上彈性端子及一下彈性端子；其中該上彈性端子係用以接觸該第一充電端子組，而該下彈性端子是用以接觸該第二充電端子組。
如請求項10所述電連接器組，其中各該第一及第二充電端子組係包含：<br/> 一正電極端子，係對應接觸該些金屬端子的數支；<br/> 二負電極端子，係分別位在該正電極端子二側，對應接觸該些金屬端子的數支；以及<br/> 一訊號端子，係位在該正電極端子及其中一負電極端子之間，對應接觸該些金屬端子的單支。
一種消除接合間隙搖晃的電連接器組的電連接器母座，包括：<br/> 一絕緣座體，其一前側橫向延伸一舌片；<br/> 一第一充電端子組，係設置於該舌片的第一表面；以及<br/> 一第一金屬殼體，係包覆該絕緣座體及其上的該第一充電端子組，並於至少一側壁由外向內形成至少一第一凸塊，且該至少第一凸塊係位在舌片長度範圍內。
如請求項12所述的電連接器母座，其中：<br/> 該第一金屬殼體係包含：<br/> 二相對的直立側壁；以及<br/> 二相對的橫向側壁；以及<br/> 該至少一第一凸塊係包含：<br/> 二第一凸塊，係分別由外向內自該二直立側壁凹設形成。
如請求項12所述的電連接器母座，其中：<br/> 該第一金屬殼體係包含：<br/> 二相對的直立側壁；以及<br/> 二相對的橫向側壁；以及<br/> 該至少一第一凸塊係包含：<br/> 二第三凸塊，係分別由外向內自該二橫向側壁凹設形成。
如請求項13所述的電連接器母座，其中該至少一第一凸塊係進一步包含二第三凸塊，該二第三凸塊係分別由外向內自該二橫向側壁凹設形成。
如請求項12至15中任一項所述電連接器母座，係進一步包含：<br/> 一金屬中隔板，其係橫向嵌入該舌片，該金屬中隔板的一本體位在該舌片內且靠近該舌片的該前側係形成一增強部，該增強部的高度較該本體的厚度大；以及<br/> 一第二充電端子組，係設置於該舌片的第二表面，該第二表面係與該第一表面相對。
如請求項16所述電連接器母座，其中：<br/> 該金屬中隔板的該增強部係位在該舌片內且靠近該舌片的該前側；或<br/> 該金屬中隔板的該增強部係自該該舌片內的該前側突出。
一種螢幕顯示選單的自動建置系統，包含：<br/> 一處理器，包含：<br/> 一接收模組，配置以接收一自然語言訊息；<br/> 一語義分析模組，配置以自該自然語言訊息提取一選單架構訊息，其中該選單架構訊息描述選單層級與功能需求；以及<br/> 一代碼生成模組，內建一代碼生成模型且配置以依據該選單架構訊息生成一選單建置代碼；以及<br/> 一目標執行平台，耦接該處理器，且配置以執行符合該目標執行平台之介面及資源配置規範的該選單建置代碼，以於一顯示螢幕上呈現對應之一互動式選單。
如請求項1所述之自動建置系統，其中該代碼生成模組還配置以：<br/> 獲取複數筆歷史選單資訊；<br/> 自該些歷史選單資訊中擷取複數個選單特徵，其中該些選單特徵包含層級關係、控制屬性及交互邏輯；以及<br/> 轉換該些選單特徵為一結構化訓練集，並運用深度神經網路基於該結構化訓練集建立該代碼生成模型。
如請求項1所述之自動建置系統，其中該處理器還包含：<br/> 一硬體抽象層，耦接於該代碼生成模組與該目標執行平台之間，且配置以依據該目標執行平台的一系統配置資訊建立與該選單架構訊息之間的一映射關係，並將該映射關係整合至該選單建置代碼，其中該映射關係包含寄存器映射關係。
如請求項1所述之自動建置系統，其中該語義分析模組還配置以：<br/> 轉換該自然語言訊息為一詞元序列；<br/> 識別該詞元序列的功能類型及操作目標；以及<br/> 依據該詞元序列的上下文關聯建構抽象語法樹，以解析層級結構並輸出該選單架構訊息。
一種人員輪調檢核系統，包括： <br/>一通訊模組，配置以接收來自一使用者裝置的一使用者資料； <br/>一處理器，連接該通訊模組； <br/>一儲存模組，連接該處理器，其中該儲存模組配置以儲存該使用者資料； <br/>一輪調人員判定模組，連接該處理器，其中該處理器配置以操作該輪調人員判定模組根據一人員資料及一第一判定條件以產生一輪調人員資料，該人員資料包括一服務單位及一服務年資，該第一判定條件包括： <br/>當該人員資料記載一人員在該服務單位的該服務年資大於或等於7年，該輪調人員資料包括該人員資料；及 <br/>當該人員資料記載一人員在該服務單位的該服務年資小於7年，該輪調人員資料不包括該人員資料；及 <br/>一交易行為判定模組，連接該處理器， <br/>其中該處理器配置以操作該交易行為判定模組根據該輪調人員資料、該使用者資料及一商品資料以產生一交易行為結果。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該處理器配置以操作該交易行為判定模組根據該輪調人員資料、該使用者資料、該商品資料及一第二判定條件以產生該交易行為結果，該第二判定條件包括：<br/>當該輪調人員資料包括該使用者資料時，該使用者資料對應的使用者被禁止在6個月內對該服務單位的一客戶販售一金融商品。
如請求項2所述之人員輪調檢核系統，其中該金融商品包括一投資理財類型的金融商品或一非投資理財類型的金融商品。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該處理器配置以操作該交易行為判定模組根據該輪調人員資料、該使用者資料、該商品資料及一第二判定條件以產生該交易行為結果，該第二判定條件包括：<br/>當該輪調人員資料包括該使用者資料時，該使用者資料對應的使用者被允許對自己、其配偶或其直系血親販售一金融商品。
如請求項4所述之人員輪調檢核系統，其中該金融商品包括一投資理財類型的金融商品或一非投資理財類型的金融商品。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該處理器配置以操作該交易行為判定模組根據該輪調人員資料、該使用者資料、該商品資料及一第二判定條件以產生該交易行為結果，該第二判定條件包括：<br/>當該輪調人員資料包括該使用者資料時，該使用者資料對應的使用者被允許對該服務單位的一客戶之外的另一客戶販售一非投資理財類型的金融商品。
如請求項6所述之人員輪調檢核系統，其中該非投資理財類型的金融商品包括消費型金融商品、保險型金融商品、儲蓄型金融商品或其組合。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該儲存模組更包括一人員資料庫，配置以儲存該人員資料。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該儲存模組更包括一輪調人員資料庫，配置以儲存該輪調人員資料。
如請求項1所述之人員輪調檢核系統，其中該儲存模組更包括一商品資料庫，配置以儲存該商品資料，且該商品資料包括一投資理財類型的商品資料或一非投資理財類型的商品資料。
一種聚丙烯編織袋，包括一袋本體，該袋本體具有相對兩端，一端成形為一封閉端，另一端成形為一開口端；其中：<br/> 該袋本體係由高分子纖維編織形成，該袋本體具有編織形成之孔隙結構；<br/> 該封閉端係設有一車縫線而封閉並形成一縫餘區開口，該封閉端沿該縫餘區開口之周緣熱熔貼覆有一第一強化帶層，該第一強化帶層係選擇性覆設於該車縫線上並與該縫餘區開口之周緣齊切；<br/> 該開口端係沿其開口之周緣熱熔貼覆有一第二強化帶層，該第二強化帶層與該開口端之開口齊切。
如請求項1所述之聚丙烯編織袋，其中，該高分子纖維為假捻加工之聚丙烯長絲，該第一強化帶層及該第二強化帶層皆為聚丙烯薄膜。
如請求項2所述之聚丙烯編織袋，其中，該聚丙烯長絲為扁絲、開網絲或複絲；其中，該複絲為單股或多股捻製結構。
如請求項3所述之聚丙烯編織袋，其中，該第一強化帶層及/或該第二強化帶層之表面設有一圖文內容。
如請求項4所述之聚丙烯編織袋，其中，該第一強化帶層及該第二強化帶層之帶寬為2cm至10cm。
如請求項5所述之聚丙烯編織袋，其中，該第一強化帶層及該第二強化帶層之帶厚為30μm至100μm。
一種多通道有線轉無線設備，適用於多個有線感測裝置，包括：多個輸入埠，分別連接於該些有線感測裝置，用於接收多個感測訊號；一控制器，連接於該些輸入埠，用於根據該些感測訊號判斷該些有線感測裝置各自的一感測狀態；以及一射頻晶片，連接於該控制器，用於將該些感測訊號轉換為多個無線訊號傳輸。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，其中該控制器包括一電壓偵測電路，該電壓偵測電路獨立連接於該些輸入埠中的各者，且用於獨立識別該些感測訊號各自的一電位。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，其中該射頻晶片具有一晶片天線，該晶片天線用於傳輸該些無線訊號至一無線主機或控制中心。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，其中該些輸入埠的數量為八個。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，更包括多個電源輸出埠，該些電源輸出埠連接於該控制器，且用於提供直流電壓輸出至該些有線感測裝置。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，更包括多個常關/常開按鈕，該些常關/常開按鈕連接於該控制器，且該些常關/常開按鈕分別對應於該些輸入埠。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，更包括多個識別燈，該些識別燈連接於該射頻晶片，且用於根據該些有線感測裝置各自的該感測狀態顯示燈號。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，更包括一設定鈕，該設定鈕連接於該射頻晶片。
如請求項8所述的多通道有線轉無線設備，更包括一識別燈，該識別燈連接於該射頻晶片，且用於根據該設定鈕顯示燈號。
如請求項1所述的多通道有線轉無線設備，更包括二振盪器，該二振盪器連接於該射頻晶片。
一種隔振風扇，包括：扇葉；框體，所述框體的中部具有安裝部，所述安裝部具有環形外壁、環形內壁和多個卡勾，所述環形外壁和所述環形內壁之間形成有環形安裝槽，多個所述卡勾位於所述環形安裝槽旁；驅動組件，所述驅動組件包括馬達和馬達座，所述馬達設在所述馬達座上，並與所述扇葉連接，用於驅動所述扇葉旋轉，所述馬達座與多個所述卡勾卡接；以及減震墊，所述減震墊套設在所述馬達座上，所述馬達座將所述減震墊壓在所述環形安裝槽的槽底上，所述減震墊的外側壁與所述環形外壁接觸，所述減震墊的內側壁與所述環形內壁接觸。
如請求項1所述的隔振風扇，其中所述減震墊為橡膠墊。
如請求項1所述的隔振風扇，其中所述環形安裝槽的槽底設置有貫通框體兩側的通孔。
如請求項1所述的隔振風扇，其中所述環形外壁具有多個斷口，多個所述卡勾設置在多個所述斷口中，所述卡勾包括支臂和勾部，所述支臂的一端與所述斷口處的底部連接，所述支臂的另一端與所述勾部連接，所述環形外壁圍繞所述馬達座以限位所述馬達座。
如請求項4所述的隔振風扇，其中所述斷口露出所述減震墊。
如請求項1所述的隔振風扇，其中所述框體還包括外框和連接件，所述外框具有容納所述扇葉的中空區域，所述中空區域的側壁透過所述連接件與所述安裝部連接，所述安裝部在所述中空區域居中設置。
如請求項1所述的隔振風扇，其中所述扇葉包括輪轂和轉軸，所述輪轂的中部上設有凹槽，所述轉軸的一端連接所述凹槽的中心，所述馬達包括磁圈套、磁鐵和定子，所述磁圈套套設在所述凹槽中，所述磁鐵套設在所述磁圈套中，所述定子位於所述磁鐵中，所述馬達座的中部設有連接套管，所述連接套管貫穿所述定子並與所述轉軸可轉動連接，所述連接套管的外壁設有所述定子。
如請求項7所述的隔振風扇，其中所述驅動組件還包括電路板，所述定子具有環形筒壁，所述電路板套設並焊接在所述定子上。
如請求項8所述的隔振風扇，其中所述風扇還包括多個燈珠，多個所述燈珠呈環形陣列在所述電路板上。
一種龍門加工機的橫樑結構，其包括： <br/> 一箱體，其內部中空、沿著一延伸方向延伸且包括有複數個第一校正組；該複數個第一校正組分別位於該箱體的相異側，各該第一校正組包括有沿著該延伸方向而間隔地排列的複數個第一校正結構，各該第一校正結構包括有一螺孔，各該螺孔設有一內螺紋； <br/> 複數個補強肋，該複數個補強肋固結設於該箱體的內部且沿著該延伸方向而間隔地排列； <br/> 一管體，其內部中空、設於該箱體的內部且固結於該複數個補強肋；該管體沿著該延伸方向而穿過該複數個補強肋；以及 <br/> 複數個第二校正組，該複數個第二校正組分別設於該複數個第一校正組；各該第二校正組包括有複數個校正螺栓，各該第二校正組的複數個校正螺栓分別螺鎖結合於相對應之一該第一校正組的複數個第一校正結構的複數個螺孔，各該第二校正組的各校正螺栓能抵靠於該管體。
如請求項1所述之龍門加工機的橫樑結構，其中該複數個第一校正組為兩該第一校正組；該複數個第二校正組為兩該第二校正組。
如請求項2所述之龍門加工機的橫樑結構，其中兩該第一校正組相差90˚。
如請求項3所述之龍門加工機的橫樑結構，其中所述管體包括有兩抵靠區；兩該抵靠區分別位於該管體的相異側且分別與兩該第一校正組的位置相對應而相差90˚；各該抵靠區包括有複數個凸塊，各該抵靠區的複數個凸塊分別被相對應之一該第二校正組的複數個校正螺栓所抵靠。
如請求項4所述之龍門加工機的橫樑結構，其中各該凸塊包括有平直的一抵靠面；各該凸塊的抵靠面被相對應之一該校正螺栓所抵靠。
如請求項5所述之龍門加工機的橫樑結構，其中各該第一校正結構包括有一沉頭孔，各該第一校正結構的螺孔同軸地與其沉頭孔相連通；各該第一校正結構的沉頭孔被相對應之一該校正螺栓所穿置，所述第一校正結構的螺孔被該校正螺栓螺鎖。
如請求項1至6中任一項所述之龍門加工機的橫樑結構，其中各該第一校正組包括有四個所述第一校正結構；各該抵靠區對應設有四個凸塊；各該第二校正組對應設有四個校正螺栓。
如請求項1所述之龍門加工機的橫樑結構，其中所述管體包括有複數個抵靠區；複數個該抵靠區分別位於該管體的相異側且分別與複數個該第一校正組的位置相對應；各該抵靠區包括有複數個凸塊，各該抵靠區的複數個凸塊分別被相對應之一該第二校正組的複數個校正螺栓所抵靠。
如請求項8所述之龍門加工機的橫樑結構，其中各該凸塊包括有平直的一抵靠面；各該凸塊的抵靠面被相對應之一該校正螺栓所抵靠。
如請求項9所述之龍門加工機的橫樑結構，其中各該第一校正結構包括有一沉頭孔，各該第一校正結構的螺孔同軸地與其沉頭孔相連通；各該第一校正結構的沉頭孔被相對應之一該校正螺栓所穿置，所述第一校正結構的螺孔被該校正螺栓螺鎖。
一種掌上型按摩槍，包括：<br/> 一機殼，該機殼上開設有一開口；<br/> 一馬達，設置在該機殼內；<br/> 一偏心輪，位於該機殼內，其中該馬達的輸出端連接該偏心輪，以驅動該偏心輪轉動；<br/> 一連桿，其一端連接於該偏心輪上的偏心軸；<br/> 一衝擊軸，其一端與該連桿的另一端連接，並活動貫穿該開口；以及<br/> 一按摩頭，該按摩頭與該衝擊軸的另一端可拆卸連接，藉由該偏心輪的轉動帶動該連桿，使該連桿帶動該衝擊軸及該按摩頭進行敲擊動作。
根據請求項1所述的掌上型按摩槍，其中該機殼包括第一弧形外殼和第二弧形外殼，兩者相互對稱設置，且相互連接，其中該第一弧形外殼包括第一弧形段與第二弧形段，該第一弧形段與該第二弧形段通過平滑曲線段連接，該第一弧形段位於開口正對按摩頭的連接端面下方，該第二弧形段與第一弧形段彎曲方向相同，且弧度小於該第一弧形段。
根據請求項2所述的掌上型按摩槍，其中該第一弧形段的弧形頂點與該連接端面之間的垂直距離為7.5mm至9.5mm。
根據請求項2所述的掌上型按摩槍，其中第一弧形外殼與第二弧形外殼沿其長度方向的直線距離為89.5 mm至92.5mm，沿弧線距離為105mm至117mm。
根據請求項4所述的掌上型按摩槍，其中該第一弧形段弧形頂點到該第二弧形段弧形頂點的直線距離為50.3 mm-52.3 mm，弧線距離為73 mm-75 mm。
根據請求項2所述的掌上型按摩槍，其中該第一弧形外殼的內側設有一螺紋柱，該第二弧形外殼設有一定位孔，該螺紋柱延伸穿過該定位孔，且一螺釘自該定位孔鎖固於該螺紋柱上；其中於該第一弧形外殼與該第二弧形外殼之至少一外側設有一可拆卸之蓋板，用以覆蓋該螺釘。
根據請求項1所述的掌上型按摩槍，其中該連桿一端沿垂直於其長度方向開設第一安裝孔和第二安裝孔，該衝擊軸沿其軸向開設通孔，且該連桿端部延伸進入通孔而不接觸其內壁；一連接軸插入該衝擊軸、該第一安裝孔及該第二安裝孔，以鉸接連桿與衝擊軸；於前述鉸接的位置設有一軟膠件。
根據請求項7所述的掌上型按摩槍，其中該軟膠件與該連接軸之間設有一耐磨件，該耐磨件的頂面和底面分別設有一墊片，且該耐磨件的外壁套設至少一O型圈。
根據請求項1所述的掌上型按摩槍，其中該機殼之頂部設有至少一燈光孔及一按鍵孔；該燈光孔內設有一導光柱，該導光柱對應設置於機殼內之一電路板上的指示燈之上方，且其外圍設有一遮光橡膠塊；該電路板之頂面設有一橡膠件，該橡膠件的頂面設置一按鍵，該按鍵可自該按鍵孔露出。
根據請求項1所述的掌上型按摩槍，其中該馬達固定於設置在該機殼中的一減震膠圈內；且該衝擊軸外表面設有一耐磨件及一減震膠圈。
一種營運狀態回報系統，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以輸入一訊息；<br/> 一處理器，包括：<br/> 一編碼模組，連接該輸入輸出裝置；<br/> 一代碼資料庫，連接該編碼模組，該代碼資料庫配置以儲存一代碼表，其中該代碼表包括複數個營運狀態及與該些營運狀態對應的一簡碼，該些營運狀態包括一天災和一人為災害，其中該編碼模組配置以接收該訊息，且根據該代碼表將該訊息轉換成一代碼；以及<br/> 一通訊模組，連接該編碼模組；以及<br/> 一銀行伺服器，包括：<br/> 一辨識模組，連接該通訊模組，其中該通訊模組配置以將該代碼傳送至該辨識模組，該辨識模組配置以接收該代碼且識別該代碼；以及<br/> 一彙整模組，連接該辨識模組，該彙整模組配置以接收經識別的該代碼且產生一彙整報表。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該天災包括颱風、地震、暴雨、乾旱、寒流、洪水、海嘯、土石流或瘟疫。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該人為災害包括火災、爆炸、交通事故或工地鄰損。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，進一步包括：<br/> 一電信伺服器，連接該銀行伺服器，該電信伺服器配置以提供註冊的簡訊簡碼。
如請求項4所述之營運狀態回報系統，其中該通訊模組配置以將該代碼傳送至該辨識模組包括：<br/> 以電子信件傳送；或<br/> 以簡訊傳送。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該編碼模組根據該代碼表將該訊息轉換成該代碼包括：<br/> 該編碼模組將該訊息中出現的有關於該些營運狀態的關鍵字，透過該代碼資料庫轉換成該代碼。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，進一步包括：<br/> 一識別訊息資料庫，連接該辨識模組與該彙整模組，其中該識別訊息資料庫配置以儲存經識別的該代碼的資料。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該彙整報表包括分公司及子公司在發生該天災或該人為災害時的營運狀態。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該簡碼是包括數字、英文、特殊字元或上述組合。
如請求項1所述之營運狀態回報系統，其中該代碼表具有權限限制，且經認證之使用者帳號能夠查看該代碼表。
一種自動櫃員機詐騙車手偵測系統，包括:<br/> 一攝影裝置，配置以接收一影像資料；以及<br/> 一處理器，與該攝影裝置耦接，且該處理器包括:<br/> 一交易資訊模組，配置以取得一交易資料；<br/> 一態樣分析模組，連接該交易資訊模組，配置以跟據該影像資料與該交易資料分析一或多個行為態樣；<br/> 一風險評估模組，連接該態樣分析模組，配置以根據該一或多個行為態樣產生一風險評分；以及<br/> 一通報處理模組，連接該風險評估模組，配置以根據該風險評分發送一通知、一帳戶處理或其組合。
如請求項1所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該些行為態樣包括重複更換卡片態樣、遮掩臉部態樣、東張西望態樣、使用手機態樣、提款次數與金額過大態樣、跨地點頻繁提款態樣、操作時間異常態樣或其組合。
如請求項1所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該交易資料包括提款次數資料、提款金額資料、提款地點資料、操作時間資料或其組合。
如請求項1所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該風險評估模組更配置以依據該一或多個行為態樣產生一或多個分數，並加總該一或多個分數，以產生該風險評分。
如請求項4所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該風險評估模組更配置以將該一或多個行為態樣依照嚴重程度分別產生該一或多個分數。
如請求項5所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該一或多個行為態樣包括一或多個對應標準分數，且該一或多個分數分別大於、小於或等於該一或多個對應標準分數。
如請求項6所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中當該一或多個分數為至少三個分數，該一或多個對應標準分數為至少三個對應標準分數，且該至少三個分數分別大於或等於該至少三個對應標準分數時，該風險評分更包括一權重分數。
如請求項1所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該通報處理模組包括:<br/> 一可疑程度比對組件，連接該風險評估模組，配置以根據該風險評分比對複數個可疑程度區間；<br/> 一通知組件，連接該可疑程度比對組件，配置以根據該些可疑程度區間發送該通知；以及<br/> 一帳戶處理組件，連接該可疑程度比對組件，配置以根據該些可疑程度區間發送該帳戶處理。
如請求項8所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該些可疑程度區間包括:<br/> 一正常交易區間，其中該通知組件無需發送該通知，且該帳戶處理組件無需發送該帳戶處理；<br/> 一輕度警示區間，其中該通知組件發送的該通知為一確認交易安全提示，且該帳戶處理組件發送的該帳戶處理為一延遲吐鈔處理；<br/> 一嚴重警示區間，其中該通知組件發送的該通知為一保全通報通知，且該帳戶處理組件發送的該帳戶處理為一限制提款處理；以及<br/> 一高度危險區間，其中該通知組件發送的該通知為一報警通知，且該帳戶處理組件發送的該帳戶處理為一停止交易處理。
如請求項1所述之自動櫃員機詐騙車手偵測系統，其中該風險評估模組為一人工智慧模組。
一種電鍍液製造機，其包含：<br/> 一槽體，其為矩形殼體，所述槽體的內部設置有四個直立擋板，四個直立擋板直立地設置於所述矩形殼體的四個邊角處，而所述槽體內部形成有一八角型容槽，所述八角型容槽用以容置一液體；所述矩形殼體的長度介於718～722公釐，所述矩形殼體的寬度介於710～714公釐，所述矩形殼體的高度介於710～714公釐，所述直立擋板的寬度介於263～268公釐，所述八角型容槽的其中四個邊長為四個所述直立擋板的寬度，所述八角型容槽的另外四個邊長介於292～296公釐；<br/> 一鈦板模組，其可抽換地設置於所述槽體，所述鈦板模組的一鈦板位於所述八角型容槽中；<br/> 一鈦籃模組，其可抽換地設置於所述槽體，且所述鈦籃模組的一鈦籃位於所述八角型容槽中；<br/> 一鈦板限位結構，其設置於所述槽體的底部，且位於所述八角型容槽中，所述鈦板限位結構用以容置所述鈦板的一部分，以限制所述鈦板的活動範圍；<br/> 一鈦籃限位結構，其設置於所述槽體的底部，且位於所述八角型容槽中，所述鈦籃限位結構用以容置所述鈦籃的一部分，以限制所述鈦籃的活動範圍；<br/> 一加熱模組，其用以提升所述八角型容槽中的液體的溫度；<br/> 一冷凝模組，其用以降低所述八角型容槽中的液體的溫度；<br/> 一攪拌模組，其包含一驅動器及一攪拌機構，所述驅動器連接所述攪拌機構，所述攪拌機構設置於所述八角型容槽中。
如請求項1所述的電鍍液製造機，其中，所述加熱模組包含多個加熱管路，多個所述加熱管路鄰近於所述鈦板模組設置；所述槽體中還設置有一網狀保護結構，所述網狀保護結構設置於所述加熱管路與所述鈦板之間，所述網狀保護結構圍繞多個所述加熱管路設置。
如請求項1所述的電鍍液製造機，其中，所述冷凝模組包含多個冷凝管路，多個所述冷凝管路鄰近於所述鈦籃模組設置。
如請求項1所述的電鍍液製造機，其中，所述攪拌機構包含一軸體及多個葉片，所述驅動器位於所述槽體的外側，所述軸體位於所述八角型容槽的中央位置，所述軸體的兩端分別連接所述驅動器及多個所述葉片，多個所述葉片位於所述八角型容槽中；所述槽體具有一內隔板，所述內隔板設置於所述槽體的底部，所述內隔板面對多個所述葉片設置。
如請求項1所述的電鍍液製造機，其中，所述電鍍液製造機還包含一取液模組，所述取液模組包含一取液箱、至少一取液管路及一取液閥，所述取液箱設置於所述槽體的外部，所述取液箱具有一承載部，所述承載部用以提供一容器置放，所述取液管路的一端位於所述取液箱，所述取液閥設置於位於所述取液箱的所述取液管路，所述取液管路的另一端連接至所述八角型容槽中。
如請求項5所述的電鍍液製造機，其中，所述電鍍液製造機還包含一液位管，其鄰近於所述取液模組設置，所述液位管用以顯示所述八角型容槽的液面高度。
如請求項6所述的電鍍液製造機，其中，所述電鍍液製造機還包含一微波液位量測模組，其包含一管路、一微波液位感測器、一探針，所述管路直立地設置於所述八角型容槽中，所述微波液位感測器設置於所述槽體的外側，所述微波液位感測器與所述探針連接，所述探針的一部分設置於所述管路中，所述管路與所述八角型容槽相互連通，所述微波液位量測模組用以顯示所述八角型容槽的液面高度。
如請求項1所述的電鍍液製造機，其中，所述鈦籃與所述鈦板彼此間的直線距離，介於422～426公釐。
如請求項8所述的電鍍液製造機，其中，所述鈦籃的寬度介於288～292公釐，所述鈦籃的長度介於598～602公釐。
如請求項8所述的電鍍液製造機，其中，所述鈦板的寬度介於288～292公釐，所述鈦板的長度介於408～412公釐。
一種咖啡濾杯，包含有：<br/>一杯體，係由具適當彈性之線材迴旋圈繞緊貼地而構成，包含一外殼，呈開口朝上之錐狀，一內殼，自該外殼之底端反折朝上而位於外殼之內部，該外殼與內殼之間係形成環狀之一容納空間，係容納咖啡粉：及<br/>若干支架，突出於該外殼外側。
如請求項1所述之咖啡濾杯，其中，該杯體與支架係以單一金屬線材迴旋圈繞並彎折而成。
如請求項1或2所述之咖啡濾杯，其中，該支架係自外殼之開口端端緣朝外延伸。
如請求項3所述之咖啡濾杯，其中，該支架係呈框狀。
如請求項1所述之咖啡濾杯，其中，該容納空間之縱向斷面呈倒錐狀。
如請求項1所述之咖啡濾杯，其中，該內殼之頂端係突出外殼之開口端。
一種虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，包括：<br/> 伺服器；以及<br/> 處理器，耦接該伺服器，並經配置以：<br/> 於預設結算時間自該伺服器取得第一虛擬資產商的多筆第一虛擬資產交易紀錄，並取得第二虛擬資產商的多筆第二虛擬資產交易紀錄；<br/> 於該預設結算時間自該伺服器取得第一金融機構的多筆第一金融交易紀錄，並取得第二金融機構的多筆第二金融交易紀錄，其中該些第一虛擬資產交易紀錄、該些第二虛擬資產交易紀錄、該些第一金融交易紀錄以及該些第二金融交易紀錄之間彼此相關；<br/> 計算該些第一虛擬資產交易紀錄以取得第一交易淨額，計算該些第二虛擬資產交易紀錄以取得第二交易淨額，計算該些第一金融交易紀錄以取得第三交易淨額，以及計算該些第二金融交易紀錄以取得第四交易淨額；以及<br/> 透過監管機構交易清算該第一交易淨額、該第二交易淨額、該第三交易淨額以及該第四交易淨額。
如請求項1所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該第一虛擬資產商對應第一保管銀行，該第二虛擬資產商對應第二保管銀行。
如請求項2所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 透過監管銀行將取得的該第一交易淨額、該第二交易淨額、該第三交易淨額、該第四交易淨額，分別對該第一保管銀行、該第二保管銀行、該第一金融機構以及該第二金融機構進行扣款或撥款。
如請求項3所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該第一交易淨額為正，向該第一保管銀行撥付對應該第一交易淨額的款項；以及<br/> 響應於該第一交易淨額為負，對該第一保管銀行扣除對應該第一交易淨額的款項。
如請求項1所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該第一虛擬資產商的第一用戶所使用的交割銀行為該第一金融機構。
如請求項5所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該第一用戶透過該第一虛擬資產商交易第一虛擬資產，取得第一交易紀錄，其中所述第一交易紀錄相關於該些第一虛擬資產交易紀錄以及該些第一金融交易紀錄。
如請求項6所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該第一交易為該第一用戶購買該第一虛擬資產，自該些第一虛擬資產交易紀錄新增一筆收款交易紀錄，並自該些第一金融交易紀錄新增一筆付款交易紀錄。
如請求項6所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 響應於該第一交易為該第一用戶賣出該第一虛擬資產，自該些第一虛擬資產交易紀錄新增一筆付款交易紀錄，並自該些第一金融交易紀錄新增一筆收款交易紀錄。
如請求項1所述的虛擬資產商與金融機構交易淨額結清算系統，其中該處理器更經配置以：<br/> 透過法定貨幣清算該第一交易淨額、該第二交易淨額、該第三交易淨額以及該第四交易淨額。
一種氣體處理裝置，包括：<br/> 一處理槽，包括一容置空間及分別連通該容置空間之一進氣口及一排氣口，該容置空間供容置一洗滌流體，該進氣口位於該處理槽之一底側，該排氣口位於該處理槽之一頂側，該頂側及該底側定義一高度方向；<br/> 一進氣歧管，設於該容置空間且氣體連通地連接於該進氣口；及<br/> 一細化單元，橫向於該高度方向地設於該容置空間中且位於該進氣歧管與該排氣口之間，包括複數可供一待處理氣體通過之孔隙。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該進氣歧管包括一主流管及複數連通該主流管之分流管，該主流管氣體連通地連接於該進氣口，各該分流管沿一長度方向穿設複數相互間隔之通氣孔。
如請求項2所述的氣體處理裝置，其中各該分流管之管徑小於該主流管之管徑，各該通氣孔之孔徑小於各該分流管之管徑。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該細化單元包括二層架及設有該複數孔隙之至少一多孔結構，該至少一多孔結構夾設於該二層架之間且橫向於該高度方向地佈滿該容置空間之一截面。
如請求項1所述的氣體處理裝置，另包括一連接於該排氣口之抽氣單元，其中該抽氣單元可對該容置空間抽氣而產生負壓。
如請求項1所述的氣體處理裝置，另包括一連接於該進氣口之進氣管，其中該進氣管設於該處理槽外且包括轉折連接之一第一管部及一第二管部，該第一管部連接於該進氣口與該第二管部之間，於該高度方向上，該第二管部遠離該第一管部之一端口高於該容置空間之一高度的至少2/3。
如請求項1所述的氣體處理裝置，其中該處理槽另包括一桶身及一桶蓋，該進氣口設於該桶身相對遠離該桶蓋之一側，該排氣口設於該桶蓋之一頂面，該桶蓋以複數扣接結構氣體密封地蓋設於該桶身。
如請求項1至7任一項所述的氣體處理裝置，包括複數該處理槽，其中各該處理槽設有一該進氣歧管及一該細化單元，其中一該處理槽之該排氣口與相鄰之一該處理槽之該進氣口之間以一連通管相連通地連接。
如請求項1至7任一項所述的氣體處理裝置，另包括該洗滌流體，其中該洗滌流體包括一石墨烯發酵粉及一三仙膠至少其中一者。
如請求項6所述的氣體處理裝置，其中該細化單元設於該容置空間相對靠近該進氣歧管之一側；該進氣歧管包括一主流管及複數連通該主流管之分流管，該主流管氣體連通地連接於該進氣口，各該分流管沿一長度方向穿設複數相互間隔之通氣孔；該複數分流管垂直於該主流管地連接於該主流管的相對二側，各該分流管遠離該主流管之一端抵接於該處理槽之內周壁；各該分流管之管徑小於該主流管之管徑，各該通氣孔之孔徑小於各該分流管之管徑；該細化單元包括二層架及設有該複數孔隙之至少一多孔結構，該至少一多孔結構夾設於該二層架之間且橫向於該高度方向地佈滿該容置空間之一截面；該至少一多孔結構於該高度方向上之一截面包括複數該孔隙；各該層架為一網架，該至少一多孔結構包括複數鋼絲球；該處理槽之內周壁設有一第一階部及一第二階部，該第一階部位於該第二階部與該進氣歧管之間，該二層架分別抵靠於該第一階部及該第二階部上；該氣體處理裝置另包括一連接於該排氣口之抽氣單元，該抽氣單元可對該容置空間抽氣而產生負壓；該處理槽另包括一桶身及一桶蓋，該進氣口設於該桶身相對遠離該桶蓋之一側，該排氣口設於該桶蓋之一頂面，該桶蓋以複數扣接結構氣體密封地蓋設於該桶身；該氣體處理裝置包括複數該處理槽，各該處理槽設有一該進氣歧管及一該細化單元，其中一該處理槽之該排氣口與相鄰之一該處理槽之該進氣口之間以一連通管相連通地連接；該處理槽另包括一設於該底側之排水閥；及該氣體處理裝置另包括該洗滌流體，該洗滌流體包括一石墨烯發酵粉、一三仙膠及水，該石墨烯發酵粉之重量百分濃度介於0.1％至0.5％之間，該三仙膠之重量百分濃度介於0.05％至1.25％之間。
一種掛件，包括：<br/> 一桿件，包括一頭部、一身部及一連接於該頭部與該身部之間的頸部，該頭部供插入一物件的一掛孔，該頸部供嵌入該掛孔使得該頭部可被該掛孔的孔壁軸向擋止；<br/> 一固緊件，可調整地連接該桿件，可改變與該頭部之間的距離以夾緊或鬆離該掛孔的孔壁；及<br/> 一磁吸座，連接該身部。
如請求項1所述的掛件，其中該身部包括一螺紋段，該固緊件螺鎖於該螺紋段。
如請求項2所述的掛件，其中該固緊件的軸向尺寸小於該螺紋段的軸向尺寸。
如請求項1所述的掛件，其中該磁吸座包括一接孔，該身部插接於該接孔。
如請求項4所述的掛件，其中該身部包括一螺紋段，該接孔包括一內螺紋，該螺紋段與該內螺紋相螺鎖。
如請求項5所述的掛件，其中該磁吸座另包括一磁吸本體及一嵌設於該磁吸本體的接套，該接套包括該接孔。
如請求項6所述的掛件，其中該接套包括該內螺紋。
如請求項7所述的掛件，其中該固緊件螺鎖於該螺紋段；該固緊件的軸向尺寸小於該螺紋段的軸向尺寸；該接套僅一端開放，該接孔包括一大徑段及一小徑段，該大徑段包括該內螺紋且朝該固緊件方向開放，該大徑段及該小徑段之間形成一肩部，該螺紋段的末端能擋止於該肩部。
如請求項1至8任一項所述的掛件，其中該桿件的一端設有一驅動結構，該驅動結構供一驅動工具組接。
如請求項9所述的掛件，其中該驅動結構為一非圓形孔。
一種可調整之定軸拉遠鏡，其包含：<br/> 一支架組，該支架組具有一基座及一臂組件，該臂組件以一端與該基座相連接，該臂組件的另一端與一定位件相連接；<br/> 一定位座，該定位座與該定位件相連接；<br/> 一分鏡組件，該分鏡組件樞組於該定位座，且該分鏡組件可相對該定位座樞擺，又，該分鏡組件與該定位座間具有複數阻尼件。
如請求項1所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該分鏡組件進一步具有一安裝座、一物鏡組及一目鏡組，該安裝座與該定位座相樞組，該物鏡組樞組於該安裝座，且該物鏡組可相對該安裝座樞轉，而該目鏡組組設於該安裝座，且與該物鏡組呈間隔設置。
如請求項2所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該定位座進一步具有一第一固定臂及二第一延伸臂，該安裝座進一步具有二安裝臂，該第一固定臂與該定位件相連接，該二第一延伸臂係分別自該第一固定臂的兩端延伸；該二安裝臂的同一側分別與該物鏡組相樞組，且該二安裝臂分別與對應之各第一延伸臂相樞組。
如請求項3所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二軸件，該二軸件分別以一端穿組於對應之各安裝臂，該二軸件的另一端則分別穿組於對應之各第一延伸臂，使該安裝座與該定位座相樞組，又，各阻尼件係分別套組於該二軸件。
如請求項3所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二軸件，該二軸件分別以一端穿組於對應之各安裝臂，該二軸件的另一端則分別穿過並外露於對應之各第一延伸臂，使該安裝座與該定位座相樞組，又，各阻尼件係分別套組於該二軸件。
如請求項5所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二操作件，該二操作件分別具有一組合部，該二組合部係分別活動與對應之各軸件相組設。
如請求項2所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該安裝座進一步具有一頭靠部及一固定架，該二安裝臂的一側分別與該固定架相連接，該二安裝臂的另一側分別與該頭靠部相連接，又該物鏡組係樞組於該頭靠部與二安裝臂相連接處，而該目鏡組係組設於該固定架。
如請求項1所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該臂組件進一步具有一第一臂件及一第二臂件，該第一臂件的一端與該基座相連接，該第一臂件的另一端與該第二臂件相樞組，該第二臂件的另一端與該定位件相連接，又，該第二臂件可相對該第一臂件及該基座樞擺。
如請求項1所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該基座進一步具有一外殼件及一吸盤組，該臂組件係與該外殼件的一側相組設，而該吸盤組係組設於該外殼組的另一側。
如請求項1所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該分鏡組件進一步具有一調整座及一鏡組件，該調整座樞組於該定位座，各阻尼件係設於該調整座與該定位座之間，又，該調整座可相對該定位座樞擺；該鏡組件活動與該調整座相連接，當該調整座相對該定位座樞擺，該調整座帶動該鏡組件位移。
如請求項10所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該定位座進一步具有一第一固定臂及二第一延伸臂，該調整座進一步具有一第二固定臂及二第二延伸臂，該第一固定臂與該定位件相連接，該二第一延伸臂係分別自該第一固定臂的兩端延伸；該二第二延伸臂的同一側分別與該第二固定臂相連接，該二第二延伸臂的另一端分別與對應之各第一延伸臂相樞組。
如請求項11所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二軸件，該二軸件分別以一端穿組於對應之各第二延伸臂，該二軸件的另一端則分別穿組於對應之各第一延伸臂，使該調整座與該定位座相樞組，又，各阻尼件係分別套組於該二軸件。
如請求項11所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二軸件，該二軸件分別以一端穿組於對應之各第二延伸臂，該二軸件的另一端則分別穿過並外露於對應之各第一延伸臂，使該調整座與該定位座相樞組，又，各阻尼件係分別套組於該二軸件。
如請求項13所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，另設有二操作件，該二操作件分別具有一組合部，該二組合部係分別活動與對應之各軸件相組設。
如請求項11所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該鏡組件進一步具有一安裝座、一物鏡組及一目鏡組，該安裝座活動與該調整座相連接，該物鏡組樞組於該安裝座，且該物鏡組可相對該安裝座樞轉，而該目鏡組組設於該安裝座，且與該物鏡組呈間隔設置。
如請求項15所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該二第二延伸臂分別進一步具有一滑槽，該安裝座進一步具有分別對應該二滑槽之二安裝臂，該二安裝臂活動與對應之各滑槽相組設，使該鏡組件與該調整座相連接。
如請求項15所述之可調整之定軸拉遠鏡，其中，該安裝座進一步具有一頭靠部及一固定架，該二安裝臂的一側分別與該固定架相連接，該二安裝臂的另一側分別與該頭靠部相連接，又該物鏡組係樞組於該頭靠部與二安裝臂相連接處，而該目鏡組係組設於該固定架。
一種鼻胃管之中繼連接套件，其至少包含：<br/>一第一連接件，其包括有一第一插管、一擋止部及一組接部，該擋止部設於該第一插管之外緣，該組接部設於該第一插管之一端；<br/>一第二連接件，其可移除地組合於該第一連接件，該第二連接件包括有一第二插管、一延伸管及一對接部，該延伸管連通該第二插管且可移除地插接組合於該第一插管，該對接部設於該第二插管且位於該延伸管之外緣，並該對接部可移除地組合於該組接部；以及<br/>一封閉件，其可移除地組合於該第一連接件，該封閉件包括有一蓋體及一塞體，該塞體設於該蓋體內，該蓋體可移除地組合於該組接部，並該塞體可移除地插接組合於該第一插管。
如請求項1所述之鼻胃管之中繼連接套件，其中該第一插管之另一端設有一第一導引部。
如請求項1所述之鼻胃管之中繼連接套件，其中該第二插管之另一端設有一第二導引部。
如請求項1所述之鼻胃管之中繼連接套件，其中該封閉件更包含有一連接部，該連接部之一端設有一第一套接部，該連接部之另一端設有一第二套接部，該第一套接部設於該第一插管且限位於該擋止部與該組接部之間，該第二套接部設於該蓋體之頂部。
如請求項4所述之鼻胃管之中繼連接套件，其中該蓋體之頂部設有一限位部，該第二套接部設於該限位部。
一種固定夾塊近接螺桿操作端之虎鉗，其包括：<br/> 一底座，其頂部形成有相互平行的二滑軌，及形成在該二滑軌之間的一凹槽，該二滑軌與該凹槽延伸到該底座的前後兩端；<br/> 一固定夾塊，組裝固定或一體成型在該底座前端的該二滑軌上面，該固定夾塊朝向該底座後面的一面作為工件基準面；<br/> 一活動夾塊，可前後滑動地設置在該底座後端的該二滑軌上面，在該活動夾塊與該固定夾塊之間形成一夾口；<br/> 一螺桿座，組裝固定或一體成型在該底座的前端，並相鄰於該固定夾塊；以及<br/> 一螺桿，可轉動地穿設在該螺桿座，其後端螺合在該活動夾塊，於轉動時帶動該活動夾塊前後滑動，其前端突出於該螺桿座的前面，並設有一螺桿操作部，使該螺桿操作部鄰近於該固定夾塊。
如請求項1所述固定夾塊近接螺桿操作端之虎鉗，更包括一螺桿滑台，可前後滑動地設置在該底座的凹槽中，並與該活動夾塊相固定結合；及該螺桿的後端螺合在該螺桿滑台，於轉動時帶動該螺桿滑台與該活動夾塊前後滑動。
如請求項1或2所述固定夾塊近接螺桿操作端之虎鉗，其中該螺桿操作部為一機械式結構，該機械式結構為一多邊形柱或一多邊形孔，用於可分離的組接一扭轉把手。
如請求項1或2所述固定夾塊近接螺桿操作端之虎鉗，其中該螺桿操作部為一油壓倍力裝置，用於帶動該螺桿產生倍力夾持。
如請求項1或2所述固定夾塊近接螺桿操作端之虎鉗，其中該螺桿操作部為一氣壓倍力裝置，用於帶動該螺桿產生倍力夾持。
一種光纖網路障礙定位系統，包含：<br/> 一網路連通資料單元，該網路連通資料單元具有光纖網路的所有節點的地理資訊；<br/> 一網路狀態擷取模組，連接該網路連通資料單元，該網路狀態擷取模組自該網路連通資料單元擷取發生網路障礙之複數個不連通區段，每一該不連通區段分別具有二節點；<br/> 一地理距離計算模組，連接該網路狀態擷取模組與網路連通資料單元，接收該複數個不連通區段，根據各該不連通區段之二節點的分別從網路連通資料單元擷取各自的地理資訊，並根據該二節點的地理資訊計算並產生一地理距離資訊；以及<br/> 一候選區段判定模組，連接該網路狀態擷取模組與該地理距離計算模組，並以該地理距離資訊選取該複數個不連通區段中距離最短者，作為一候選斷纜區段。
如請求項1所述之光纖網路障礙定位系統，其中還包括：<br/> 一光纖佈局資料單元，該光纖佈局資料單元具有所有該節點間的一光纖佈設路徑資訊；<br/> 一拓樸路徑模組，連接該網路狀態擷取模組與該光纖佈局資料單元，從該網路狀態擷取模組接收該複數個不連通區段，並根據該複數個不連通區段從該光纖佈局資料單元擷取該複數個不連通區段對應的光纖佈設路徑資訊，並在一數位地圖上進行套疊，以產生一拓樸路徑數位地圖；以及<br/> 一斷纜推定模組，連接該拓樸路徑模組，該斷纜推定模組接收該拓樸路徑數位地圖，並從該拓樸路徑數位地圖上取得一重疊路線區段，且將該重疊路線區段中距離最短者設定為一推定斷纜區段。
如請求項2所述之光纖網路障礙定位系統，尚包括：<br/> 一事件統計模組，連接該斷纜推定模組或該候選區段判定模組，該事件統計模組擷取與該候選斷纜區段或該推定斷纜區段之二節點相關之複數個服務指標與系統指標，並生成一受影響統計清單；以及<br/> 一視覺化呈現模組，連接該事件統計模組，該視覺化呈現模組輸出該受影響統計清單的視覺化界面。
如請求項1所述之光纖網路障礙定位系統，各該節點分別包括一光功率監測模組，該光功率監測模組連接該網路狀態擷取模組，任一該光功率監測模組對各自該節點設有告警功率閾值，各該光功率監測模組分別擷取各該節點之光功率，並於各該節點各自的該光功低於各自的該告警功率閾值時，觸發該網路狀態擷取模組自該網路連通資料單元擷取發生網路障礙之複數個不連通區段。
如請求項1所述之光纖網路障礙定位系統，其中該地理距離計算模組根據以下公式計算該二節點間的大圓弧距離，作為該地理距離資訊：<br/><img align="absmiddle" height="22px" width="169px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該二節點間的該大圓弧距離；<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為地球半徑；<img align="absmiddle" height="9px" width="20px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該二節點之緯度；<img align="absmiddle" height="9px" width="18px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為該二節點之經度。
如請求項2所述之光纖網路障礙定位系統，還包含一維修建議模組，該維修建議模組連接該候選區段判定模組與該斷纜推定模組，該維修建議模組接收該候選斷纜區段或該推定斷纜區段，以根據該候選斷纜區段或該推定斷纜區段產出產出一維修建議報告，並傳送至一維修端；<br/> 其中該維修建議報告包含相關於該候選斷纜區段或該推定斷纜區段的人手孔編號、光纖纜線編號及實際地點資訊。
一種骨灰箱之滑門裝置，包括：<br/> 一箱體，具有至少一開口；<br/> 一門框結構，設置於該箱體之該至少一開口上；以及<br/> 一滑門結構，設置於該門框結構上，係於該門框結構內滑動；<br/> 其中該門框結構包含至少一透明部分，其係以一預定大小設置，使該滑門結構之一大小對應該至少一透明部分之大小，以於該滑門結構滑動時，顯示該箱體之一內部空間，或者遮蔽該箱體之該內部空間。
如請求項1所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該門框結構包括門框、複數卡條及複數固定件，其中該些卡條分別包括一固定溝槽，該門框之周邊係分別卡固於該固定溝槽，該些固定件分別與該些卡條有對應的結合結構，以相互穩固連接。
如請求項2所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該些卡條分別更包括一滑動溝槽，該滑門結構包括門板，該門板係設置於該滑動溝槽中。
如請求項3所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該滑門結構更包括至少一滑動件，係設置於該卡條與該門板之間。
如請求項4所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該滑動件包括一卡件及一滾珠，該卡件及該滾珠係設置於該卡條與該門板之間。
如請求項5所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該卡件具有一內溝槽及一外溝槽，該內溝槽用於卡固該門板，該滾珠係設置於該外溝槽與該卡條之滑動溝槽之間。
如請求項2所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該透明部分佔該門框面積之三分之一。
如請求項2所述之骨灰箱之滑門裝置，其中該門框之非透明部分具有至少一裝飾花紋。
一種人體工學椅，包含：<br/> 一腳架；<br/> 一支撐架，設置於該腳架上端；及<br/> 一椅背，樞設於該支撐架上端，並包括一本體及兩個連接該本體的凸部，該本體具有一位於該支撐架上方的背靠部及一連接該背靠部下端的腰靠部，該等凸部自該腰靠部兩側凸出，該椅背可相對於該支撐架樞轉，使得該背靠部向後樞轉而該腰靠部向前樞轉。
如請求項1所述的人體工學椅，其中，該支撐架包括一架體及兩個樞設於該架體的擋止件，該等擋止件可在一初始位置及一解鎖位置之間移動，在該初始位置時，該等擋止件擋止該等凸部，防止該背靠部相對於該支撐架向後樞轉，該等擋止件可朝遠離該椅背的方向樞轉到達該解鎖位置，以解除該等擋止件與該等凸部的擋止關係，使該背靠部可相對於該支撐架向後樞轉而該腰靠部向前樞轉。
如請求項2所述的人體工學椅，其中，該架體呈U字形並具有一本體部及兩個自該本體部向上延伸的延伸部，該椅背樞設於該等延伸部上端，該等擋止件分別樞設於該等延伸部。
如請求項1所述的人體工學椅，其中，該腰靠部相對於該背靠部向前彎折呈弧狀凸出。
如請求項1所述的人體工學椅，還包含一設置於該腳架上端且位於該支撐架前方的座墊。
如請求項3所述的人體工學椅，還包含兩個分別樞設於該等延伸部上端及該椅背之間的扶手。
一種植物乳酸菌MetaPL62S的包埋結構，由外至內依序包含：一保護層、一支撐層、一緩釋層、及核心；該保護層係包覆於該支撐層上，該支撐層係包覆於該緩釋層上，且該核心係包埋於緩釋層中。
如申請專利範圍第1項所述之包埋結構，其中該保護層之成分包含明膠、甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羥丙基纖維素、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯酮、鄰苯二甲酸醋酸纖維素、鄰苯二甲酸羥丙基纖維素。
如申請專利範圍第1項所述之包埋結構，其中該支撐層之成分包含賦形劑、崩解劑、腸溶衣、黏合劑、稀釋劑、包覆劑、潤脹劑、潤滑劑、調味劑、甜味劑、增溶劑。
如申請專利範圍第1項所述之包埋結構，其中該緩釋層之成分包含纖維素、多醣體。
如申請專利範圍第1項所述之包埋結構，其中該核心包含植物乳酸菌MetaPL62S。
一種心率訊號延伸裝置，係專用以供連接於一使用者所佩戴既有之一心率訊號偵測器與一電路盒，該心率訊號偵測器包括一胸帶、設於該胸帶之導電感測片以及與該導電感測片對應連接之導電扣接座；該心率訊號延伸裝置包括具有電性連接功能之一延伸導線，該延伸導線包括呈相對遠離關係之一心率信號偵測端以及一電路盒連接端，其中該心率信號偵測端具有導電扣接頭，以供與該心率訊號偵測器之該導電扣接座相扣接達成組接定位與電性連接狀態；該電路盒連接端包括一貼付座，該貼付座具有一正面以及一背面，該正面包括一扣接部件以供該電路盒組接達成定位及電性連接狀態，該背面則設有一貼付構件，以供貼付定位於一使用者配載物件表面；藉此，該心率訊號偵測器得以透過該心率訊號延伸裝置與該電路盒電性連接，且使得該電路盒能夠偏移配置於該使用者身體的其他部位，以達到減降電磁波屏蔽效應之目的。
如請求項1所述之心率訊號延伸裝置，其中該使用者配載物件包括下列任其中一者：頭盔、安全帽、肩胛配件、頸部束套件、衣服或肩背帶。
如請求項1所述之心率訊號延伸裝置，其中該貼付構件包括下列任其中一者：公、母黏扣帶或公、母卡扣件。
如請求項1所述之心率訊號延伸裝置，其中該胸帶之該導電感測片、導電扣接座以及該心率信號偵測端之該導電扣接頭，係為複數成對配置型態者。
如請求項1所述之心率訊號延伸裝置，其中該延伸導線係設為兩段式組接型態而具有一組接部，該組接部係包括能夠相對插套達成電性連接之一公型端子以及一母型端子。
一種非分散式二氧化碳感測裝置，定義出一光路徑，且包含:<br/> 一光發射器；<br/> 一中紅外帶通濾光片，位於該光發射器的下游，且設置在該光路徑上，並包括至少一中紅外帶通濾光單元，其中，該至少一中紅外帶通濾光單元包括堆疊設置的一層氫化非晶矽層及一層氧化矽層，且該氧化矽層的材料選自一氧化矽或二氧化矽；及<br/> 一光檢測器，位於該中紅外帶通濾光片的下游，且設置在該光路徑上。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該光發射器為發射波長為200nm至20000nm的光波段的光發射器。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該氫化非晶矽層為折射率介於3.2至3.7的氫化非晶矽層。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該氧化矽層為折射率介於1.45至2的氧化矽層。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該氫化非晶矽層的物理厚度介於10nm至1000nm。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該氧化矽層的物理厚度介於100nm至1000nm。
如請求項1所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該中紅外帶通濾光片包括複數堆疊設置的中紅外帶通濾光單元。
如請求項7所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該中紅外帶通濾光片包括2至20個堆疊設置的中紅外帶通濾光單元。
如請求項8所述的非分散式二氧化碳感測裝置，其中，該等氫化非晶矽層與該等氧化矽層交替堆疊設置。
一種具有快拆保潔墊的床套裝置，適用於包覆一床墊，該具有快拆保潔墊的床套裝置包含：<br/> 一床套，適用於包覆該床墊，且包括數個加固區，及數個設置於該等加固區的第一連接件；及<br/> 一保潔墊，可拆卸地連接在該床套上，且包括一遠離該床套的上表面、一相反於該上表面且靠近該床套的下表面，及數個位於該下表面且能與該等第一連接件接合的第二連接件。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，每一該第一連接件是公扣或母扣的其中一者，每一該第二連接件是公扣或母扣的另一者。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，每一該加固區內具有多個該第一連接件。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該床套還包括一適用於包覆該床墊的床套本體，及多個設置在該床套本體內側的加固材料，該等加固材料分別位於該床套本體的四個角落，且與該床套本體相配合形成該等加固區。
如請求項4所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該等加固材料為聚酯纖維。
如請求項4所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該等加固材料為尼龍織物。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該床套還包括一能被開啟或關閉的拉鍊。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該保潔墊還包括一上層、一相反於該上層的下層，及一介於該上層及該下層之間的夾棉層，該夾棉層的厚度介於2mm~3mm之間。
如請求項4所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，其中，該等加固材料車縫在該床套本體以形成該等加固區。
如請求項1所述的具有快拆保潔墊的床套裝置，還包含一床包，該床包用來直接包覆該床墊，該床套套置在該床包外。
一種用以智能化ISO與國際認證管理平台，其包括：<br/> 至少一使用者終端；以及<br/> 至少一伺服器，與該使用者終端通訊連接，該伺服器包括：<br/> 至少一處理器；及<br/> 一記憶體，儲存可由該處理器執行之指令；<br/> 其中，當該指令由該處理器執行時，使該處理器執行下列動作：<br/> 在一標準資料庫中維護多個認證模型，該多個認證模型分別代表不同之認證標準，每一認證模型包括多條條文及其對應之管制作為要求；<br/> 在一文件資料庫中維護多個組織專用的管理文件，所述管理文件被分類為多個階層等級，並與中繼資料關聯，該中繼資料至少指示一文件類型及一發行組織單位；<br/> 維護對應紀錄，以連結所述管理文件中一或多階層等級之各管理文件與一或多認證標準之對應條文；<br/> 執行覆蓋檢查程序，對於一被選取之認證標準，根據所述對應紀錄判定該被選取之認證標準之各條文是否具有對應之管理文件，並產生缺漏覆蓋之指示；<br/> 管理稽核工作流程，包括針對至少一認證標準產生內部稽核及外部稽核計畫、登錄稽核結果與不符合事項，以及跨多個組織單位追蹤矯正措施及其對應狀態；<br/> 透過一使用者介面提供功能，以使具授權之使用者得以透過該使用者終端檢視所述覆蓋檢查程序之結果、設定及核准所述稽核工作流程，以及存取經由所述對應紀錄連結之管理文件與稽核紀錄；及<br/> 藉由一自然語言問答引擎回應與所述認證標準及所述管理文件相關之使用者查詢，所述自然語言問答引擎係藉由自所述標準資料庫、所述文件資料庫及所述稽核工作流程擷取與該使用者查詢相關之資訊，並連同用以產生該回應之底層文件之參照一併呈現該回應；<br/> 其中，上述認證標準包括ISO認證標準。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述階層等級至少包括：對應於政策或管理手冊之一第一階層、對應於程序書之一第二階層、對應於作業指導書之一第三階層，以及對應於紀錄之一第四階層，且所述覆蓋檢查程序進一步被構置為在各所述階層等級判定覆蓋缺漏。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述標準資料庫包括一共享核心模組，該共享核心模組儲存用於多個認證標準共用之績效指標、稽核角色及人員資格紀錄之資料結構，以及多個標準專屬延伸模組，該多個標準專屬延伸模組分別儲存對應各認證標準之獨有條文及管制作為要求。
如請求項3所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述文件資料庫中之一管理文件可經由所述對應紀錄連結至橫跨不同認證標準之多條條文，且所述覆蓋檢查程序被構置為根據所述對應紀錄判定該管理文件對所述不同認證標準所提供之共享覆蓋狀態。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述稽核工作流程包括多個角色專屬工作項目，該多個角色專屬工作項目至少包括：由廠級負責人建立內部稽核計畫、由管理階層核准該內部稽核計畫、由稽核員登錄稽核結果，以及由負責單位訂定矯正措施計畫。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，登錄所述稽核結果與不符合事項包括：對於每一不符合事項，儲存連結至對應認證標準之一條文及所述文件資料庫中至少一管理文件之連結，且所述自然語言問答引擎被構置為於使用者查詢涉及該條文或該管理文件時，利用該等連結擷取所述不符合事項。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述自然語言問答引擎包括：<br/> 一檢索元件，其被構置為索引所述管理文件及所述稽核紀錄之文本內容，包含以可攜式文件格式 (portable document format, PDF) 及表格式儲存之文件；以及<br/> 一回應生成元件，其被構置為針對一給定之使用者查詢以自然語言組合一答案，並輸出該答案以及用以產生該答案之一或多底層文件之引文。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述自然語言問答引擎進一步被構置為對下列至少之一進行自動翻譯：所述使用者查詢、所述回應及所述底層文件，將其翻譯為多個語言，並經由所述使用者介面提供該翻譯內容。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述使用者介面被構置為同時顯示：<br/> 一對話檢視，用以呈現所述使用者查詢及由所述自然語言問答引擎產生之回應；以及<br/> 一或多文件預覽面板，用以分別顯示於所述回應中被參照之至少一部分底層文件。
如請求項1所述之智能化ISO與國際認證管理平台，其中，所述稽核工作流程藉由賦予不同之核准路徑與負責角色，以區分內部稽核與外部稽核，並對外部稽核儲存由外部驗證機構或公司層級單位取得之稽核結果。
一種大型變壓器之氣密試驗裝置，可檢測該大型變壓器中氮氣的壓力及溫度，該氣密試驗裝置包括：<br/> 一壓力感測模組，連接該大型變壓器之一注油閥，用以測量該大型變壓器中氮氣的壓力產生一壓力數據；<br/> 複數熱電偶模組，連接複數熱電偶貼覆於該大型變壓器外緣表面，用以測量該大型變壓器的溫度產生一溫度數據；及<br/> 一微控制器，連接該壓力感測模組及該些熱電偶模組，用以採集該壓力數據及該溫度數據，進行軟體濾波處理及運算，若該壓力數據低於一測試壓力範圍後發出一壓力異常警示訊號至一異常警示模組發出壓力異常之聲光警示者。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其進一步包括：<br/> 一LCD顯示幕，連接於該微控制器，用以顯示當前該壓力數據、該些溫度數據及時間資訊；<br/> 一四位七段顯示器，連接於該微控制器，用以顯示當前該壓力數據；及<br/> 一LED作業燈，連接於該微控制器，當該壓力數據位於該測試壓力範圍時，該微控制器控制該LED作業燈亮。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該異常警示模組，包括一LED警示燈及一蜂鳴器，皆連接於該微控制器，當該壓力數據低於該測試壓力範圍時，該微控制器控制該LED警示燈亮，並觸發該蜂鳴器發出警示聲。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其進一步包括：<br/> 一儲存模組，連接於該微控制器，用以記錄該壓力數據、該溫度數據、時間及製造號碼等資訊。
如請求項4之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該儲存模組係為一SD卡。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其進一步包括：<br/> 一通訊模組，連接於該微控制器，用以傳送該壓力數據及該溫度數據至一遠端監控裝置。
如請求項6之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該通訊模組係為一WiFi模組，用以連接外部WiFi或建立AP模式熱點。
如請求項6之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該遠端監控裝置係為一HTTP伺服器，提供網頁介面，可分析該壓力數據及該溫度數據，並可透過瀏覽器查看該壓力數據及該溫度數據。
如請求項7之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該遠端監控裝置係為一手機，可無線連接該WiFi模組，用以顯示該壓力數據及該溫度數據。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該些熱電偶模組更連接一I2C(Inter-Integrated Circuit)多工器，連接於該微控制器與該些熱電偶模組之間，使該微控制器透過2條線連接該些熱電偶模組。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該壓力感測模組係具有一壓力感測器，該微控制器之濾波處理係多次取樣該壓力感測器的類比原始數據，經過多次取樣平均，以減少雜訊。
如請求項11之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該微控制器之濾波處理，更進一步平滑該壓力數據，以減少短期波動。
如請求項11之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該微控制器之濾波處理，更進一步對該壓力數據進行指數加權移動平均(Exponential Weighted Moving Average, EWMA)，可快速反應該壓力數據的最新變化。
如請求項1之大型變壓器之氣密試驗裝置，其中該大型變壓器分為傳統型及波浪型(500KVA以下及501KVA以上)，而該傳統型的該測試壓力範圍為0.50~0.55Kgf/cm<sup>2</sup>，該波浪型500KVA以下的該測試壓力範圍為0.20~0.25Kgf/cm<sup>2</sup>，該波浪型501KVA以上的該測試壓力範圍為0.15~0.20Kgf/cm<sup>2</sup>。
一種信用狀自動審查系統，包含： <br/> 一信用狀自動審查伺服器；以及<br/> 一信用狀法規儲存伺服器，連接於該信用狀自動審查伺服器，其中該信用狀自動審查伺服器，由該信用狀法規儲存伺服器讀取複數個信用狀相關法規，以產生一信用狀審查標準，進而審查一信用狀及相關單據內容是否正確。
如請求項1所述之信用狀自動審查系統，更包含：<br/> 一信用狀內容讀取裝置，連接於該信用狀自動審查伺服器，以讀取該信用狀及相關單據內容，並傳送至該信用狀自動審查伺服器進行審查。
如請求項2所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，包含：<br/> 一信用狀法規擷取模組，以接收來自於該信用狀法規儲存伺服器的該些信用狀相關法規。
如請求項3所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀法規處理模組，連接於該信用狀法規擷取模組，以利用生成式預訓練轉換模型處理該些信用狀相關法規。
如請求項4所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀審查標準生成模組，連接於該信用狀法規處理模組，以產生該信用狀審查標準。
如請求項5所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀內容擷取模組，連接於該信用狀審查標準生成模組，以經由該信用狀內容讀取裝置取得該信用狀及相關單據內容。
如請求項6所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀內容辨識模組，連接於該信用狀內容擷取模組，以辨識該信用狀及相關單據內容。
如請求項7所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀審查模組，連接於該信用狀內容辨識模組，以根據該信用狀審查標準，審查該信用狀及相關單據內容。
如請求項8所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀自動審查伺服器，更包含：<br/> 一信用狀審查結果輸出模組，連接於該信用狀審查結果輸出模組，以輸出一信用狀審查結果。
如請求項9所述之信用狀自動審查系統，其中該信用狀內容讀取裝置，包含一掃描器、一多功能事務機或一攝影裝置。
一種線上檢核表單系統，包含：<br/> 伺服器，包括：<br/> 表單資料庫，包含欄位問題資訊以及欄位填寫資訊；<br/> 管理單位端裝置，連接該伺服器，包含問題更新處理器，其中該問題更新處理器配置以上傳該欄位問題資訊至該表單資料庫；以及<br/> 營業單位端裝置，連接該伺服器，包含表單填寫處理器，其中該表單填寫處理器配置以上傳該欄位填寫資訊至該表單資料庫。
如請求項1所述之線上檢核表單系統，其中該欄位問題資訊包含問題內容資料。
如請求項2所述之線上檢核表單系統，其中該欄位問題資訊還包含附件資料，該附件資料為針對該問題內容資料所提供的參考文獻或是參考網址。
如請求項2所述之線上檢核表單系統，其中該問題內容資料包含第一問題內容資料、第二問題內容資料、或其組合，該欄位填寫資訊包含第一欄位填寫資料、第二欄位填寫資料、或其組合，其中該第一欄位填寫資料為對應於該第一問題內容資料的回覆，該第二欄位填寫資料為對應於該第二問題內容資料的回覆。
如請求項2所述之線上檢核表單系統，其中該欄位問題資訊還包含防錯資料，其中該防錯資料是針對該欄位填寫資訊所預先設定的回覆限制，以及該伺服器還包含防錯處理器，其中該防錯處理器連接該表單資料庫，配置以確保該欄位填寫資訊符合該防錯資料的該回覆限制。
如請求項5所述之線上檢核表單系統，其中當該欄位填寫資訊符合該防錯資料的該回覆限制時，該防錯處理器配置以將該欄位填寫資訊上傳至該表單資料庫，當該欄位填寫資訊不符合該防錯資料的該回覆限制時，該防錯處理器配置以傳送錯誤通知至該營業單位端裝置，並且禁止該欄位填寫資訊上傳至該表單資料庫。
如請求項5所述之線上檢核表單系統，其中該欄位填寫資訊包含第一欄位填寫資料、第二欄位填寫資料、或其組合，以及該防錯資料包含第一防錯資料、第二防錯資料、或其組合，並且該第一防錯資料是針對該第一欄位填寫資料所預先設定的第一回覆限制，以及該第二防錯資料是針對該第二欄位填寫資料所預先設定的第二回覆限制。
如請求項1所述之線上檢核表單系統，其中該伺服器還包含更新提醒處理器，其中該更新提醒處理器連接該表單資料庫，配置以當該問題更新處理器上傳該欄位問題資訊至該表單資料庫時，傳送更新提醒通知至該營業單位端裝置。
如請求項8所述之線上檢核表單系統，其中該更新提醒通知為簡訊、電子郵件、通訊軟體訊息、快顯通知、或其組合。
如請求項8所述之線上檢核表單系統，其中該更新提醒處理器配置以傳送該更新提醒通知至該表單填寫處理器。
一種充電插頭的清洗裝置，其包括：<br/> 一氣體儲存罐；<br/> 一水儲存罐；<br/> 一清潔模組，包括:<br/> 一清洗槽；<br/> 一第一上蓋，可拆卸地蓋設於所述清洗槽，所述第一上蓋具有一第一連接口；以及<br/> 一旋轉噴嘴，設置於所述清洗槽內；<br/> 一第一輸送管路，用於連接所述氣體儲存罐與所述水儲存罐；以及<br/> 一第二輸送管路，所述第二輸送管路的一端連接所述水儲存罐，所述第二輸送管路的另一端延伸至所述清洗槽內部而連接所述旋轉噴嘴。
如請求項1所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述清潔模組還包括一廢水儲存槽，設置於所述清洗槽下方。
如請求項2所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述第一輸送管路還包括一第一輸送管、一第二輸送管以及一第三輸送管；其中，所述第一輸送管包括一氣體輸入端口，且所述第一輸送管連接於所述氣體儲存罐；其中，所述第三輸送管包括一水輸入端口，且所述第三輸送管連接於所述水儲存罐；其中，所述第二輸送管連接於所述第一輸送管與所述第三輸送管之間。
如請求項3所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述第一輸送管設有一氣壓計，所述氣壓計被配置用於偵測所述氣體儲存罐內部的氣體壓力，以監控所述氣體儲存罐內部的氣體裝填量。
如請求項3所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述第二輸送管設有一第一閥件，所述第三輸送管設有一第二閥件，所述第二閥件設置於所述水輸入端口與所述第二輸送管之間。
如請求項1所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述清洗槽於拆卸所述第一上蓋後，可選擇性地外接一第二上蓋，所述第二上蓋設有與所述第一連接口不同形狀之一第二連接口。
如請求項6所述的充電插頭的清洗裝置，其中，所述第一連接口與所述第二連接口分別對應不同的充電插頭。
如請求項6所述的充電插頭的清洗裝置，其中，當所述充電插頭插設於所述第一連接口或所述第二連接口時，所述充電插頭位於所述第一連接口或所述第二連接口的正上方。
如請求項1所述的充電插頭的清洗裝置，還包括一推車架，所述氣體儲存罐、所述水儲存罐、所述清潔模組、所述第一輸送管路及所述第二輸送管路設置於所述推車架上。
如請求項1所述的充電插頭的清洗裝置，還包括一第三輸送管路，用於連接所述氣體儲存罐與所述清潔模組，所述第三輸送管路的一端連接於所述氣體儲存罐，所述第三輸送管路的另一端延伸至所述清洗槽內部而連接所述旋轉噴嘴。
一種虛擬現金提款券系統，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收一提款請求；<br/> 一第一銀行伺服器，配置以管理複數個帳戶；以及<br/> 一處理器，與該輸入輸出裝置耦接，並連接該第一銀行伺服器，其中該處理器包括：<br/> 一虛擬現金提款模組，配置以接收該輸入輸出裝置輸入的該提款請求並產生一提款請求訊號，其中該提款請求包括各該帳戶、一帳號、一提領金額或其組合；<br/> 一現金序號產生模組，訊號連接該虛擬現金提款模組，配置以根據該提款請求訊號於該第一銀行伺服器中建立一虛擬現金提款券帳簿並產生對應的一虛擬現金提款序號；<br/> 一序號密碼設定模組，訊號連接該現金序號產生模組，配置以接收該輸入輸出裝置輸入的一組密碼，並將該組密碼與該虛擬現金提款序號對應，以產生一虛擬現金提款券，其中該虛擬現金提款券包括該虛擬現金提款序號及該組密碼；以及<br/> 一現金序號提供模組，訊號連接該序號密碼設定模組，配置以提供該虛擬現金提款券。
如請求項1所述之虛擬現金提款券系統，其中該序號密碼設定模組更配置以將該組密碼作為一私鑰，結合該虛擬現金提款序號、該提領金額、一銀行代碼或其組合，利用一非對稱加密技術產生一數位簽章，並使該數位簽章與該虛擬現金提款序號對應，以形成該虛擬現金提款券。
如請求項1所述之虛擬現金提款券系統，其中該現金序號提供模組更配置以透過該輸入輸出裝置列印出一實體憑證。
如請求項3所述之虛擬現金提款券系統，其中該實體憑證包括一快速回應碼、一近場通訊感應碼、一無線射頻辨識碼、一條碼或其組合。
如請求項1所述之虛擬現金提款券系統，其中該現金序號提供模組更配置以發送一電子憑證至另一輸入輸出裝置中。
如請求項5所述之虛擬現金提款券系統，其中該電子憑證包括一快速回應碼、一近場通訊感應碼、一無線射頻辨識碼、一條碼或其組合。
如請求項1所述之虛擬現金提款券系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一現金提領處理模組，訊號連接該序號密碼設定模組，其中該現金提領處理模組配置以向該第一銀行伺服器查詢該虛擬現金提款序號的有效性、該組密碼的正確性、該虛擬現金提款券的該提領金額或其組合。
如請求項7所述之虛擬現金提款券系統，進一步包括：<br/> 一第二銀行伺服器，連接該第一銀行伺服器，配置以依據該虛擬現金提款券提領一現金，<br/> 其中該第一銀行伺服器確認該虛擬現金提款序號的有效性、該組密碼的正確性、該虛擬現金提款券的該提領金額或其組合後，該第一銀行伺服器更配置以自該虛擬現金提款券帳簿中扣除該提領金額的一面額，並傳送一現金給付授權訊號至該第二銀行伺服器。
如請求項8所述之虛擬現金提款券系統，其中該第二銀行伺服器接收到該第一銀行伺服器的該現金給付授權訊號後，該現金提領處理模組更配置以根據該現金給付授權訊號提供該提領金額。
如請求項9所述之虛擬現金提款券系統，其中完成該現金給付後，該第二銀行伺服器更配置以產生並發送一已提領訊號至該第一銀行伺服器，請求該第一銀行伺服器返還該第二銀行伺服器代墊的對應於該提領金額的該現金。
一種用於環球旅行的數位銀行系統，包含：<br/> 一通訊裝置；<br/> 一處理器，與該通訊裝置電性連接；以及<br/> 一儲存裝置，與該處理器電性連接，其中該儲存裝置包含：<br/> 一定位模組，配置為根據一使用者的從一行動裝置所發送的一登入資訊來定位該使用者的一登入地區；<br/> 一多幣別智慧帳戶模組，配置為將該使用者的一存款轉換成對應於一當地幣別的一金額並傳送至該行動裝置；<br/> 一匯率提醒模組，配置為提供該當地幣別的一較佳的外幣兌換匯率至該行動裝置；<br/> 一全球提款處理模組，配置為處理來自該行動裝置的一線上換匯要求並提供鄰近於該使用者的可取款地點的資訊至該行動裝置；和<br/> 一旅行財務助理模組，配置為整合該使用者的多個消費資訊，生成一支出紀錄檔並傳送至該行動裝置。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，還包含：一分帳處理模組，配置為處理來自該行動裝置的一分帳要求，使該使用者與至少一旅伴對一帳務項目進行分帳。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，還包含：一動態定位風險偵測模組，配置為根據該登入地區判斷一交易風險，並發送一高風險交易的一通知至該行動裝置。
如請求項3所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該動態定位風險偵測模組還配置為凍結該高風險交易。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，還包含：一旅行優惠信息推播模組，配置為發送一旅行優惠信息至該行動裝置。
如請求項5所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該旅行優惠信息包含：旅行平安險、旅行不便險、信用卡點數兌換飯店積分、信用卡點數兌換哩程、或其組合。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該登入資訊是一IP位址。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該匯率提醒模組還配置為經由該通訊裝置通訊連接至一外匯資訊伺服器，以得到即時公告匯率資訊。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該多幣別智慧帳戶模組還配置為提供一其他鄰近國家的幣別資訊和一轉換金額至該使用者的該行動裝置。
如請求項1所述之用於環球旅行的數位銀行系統，其中該全球提款處理模組還配置為經由該通訊裝置通訊連接至一銀行的一外幣提款伺服器，以執行該線上換匯要求。
一種快篩試劑貼合製具，其包含：<br/> 一底座，其上表面上左右兩側設有二個第一定位件，以限定出一第一通道；以及<br/> 一輔助貼合部，設置於該第一通道中，且該輔助貼合部具有一前側面；後側面；自該後側面向前延伸而連接該前側面之頂面；自該前側面向後延伸而連接該後側面之底面；及分別連接該頂面與該底面左右兩側之左側面與右側面，其中該頂面上左右兩側設有二個第二定位件，以限定出一第二通道，<br/> 其中該底面的寬度與該第一通道的寬度相同。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該輔助貼合部係設置於該第一通道中之前側或後側。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該二個第一定位件分別設置於該上表面之左右兩側的端部，以限定出該第一通道。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該二個第一定位件為自該上表面向上延伸的擋壁。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該第二定位件為自該頂面向上延伸的擋壁。
如請求項5所述的快篩試劑貼合製具，其中該擋壁之頂端設有突緣，用以產生一第二通道抵接面。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該頂面的寬度大於該第二通道的寬度。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該頂面為自後向前傾斜之傾斜面。
如請求項1所述的快篩試劑貼合製具，其中該第一通道的長度大於該第二通道的長度。
一種快篩試劑貼合製具，其包含：<br/> 一底座，其上表面上左右兩側設有二個第一定位件，以限定出一第一通道；以及<br/> 一輔助貼合部，設置於該第一通道中，且該輔助貼合部具有一後側面；自該後側面之頂端與底端向前延伸之頂面與底面；及分別連接該頂面與該底面左右兩側之左側面與右側面，其中該頂面為自後向前傾斜之傾斜面，以使該頂面與該底面於該輔助貼合部的前側連接，其中該頂面上左右兩側設有二個第二定位件，以限定出一第二通道，<br/> 其中該底面的寬度與該第一通道的寬度相同。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該輔助貼合部係設置於該第一通道中之前側或後側。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該二個第一定位件分別設置於該上表面之左右兩側的端部，以限定出該第一通道。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該二個第一定位件為自該上表面向上延伸的擋壁。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該第二定位件為自該頂面向上延伸的擋壁。
如請求項14所述的快篩試劑貼合製具，其中該擋壁之頂端設有突緣，用以產生一第二通道抵接面。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該頂面的寬度大於該第二通道的寬度。
如請求項10所述的快篩試劑貼合製具，其中該第一通道的長度大於該第二通道的長度。
一種伺服器硬碟托架結構，包括： <br/>一承載本體，包含一前框架、以及分別連接於該前框架二側並向後延伸的一第一側框與一第二側框，且該前框架設有至少一導光元件並由該前框架後側朝向該前框架前側延伸而出； <br/>一前蓋構件，至少具有一前蓋座並設於該前框架前緣外，該前蓋座內至少設有一通孔並供該導光元件通過該通孔；以及 <br/>一尺寸轉接件，組設於該第一側框與該第二側框之間並位於該前框架後側，且該尺寸轉接件包含一轉接本體與一導光延伸架，該導光延伸架對應該導光元件而設於該轉接本體內； <br/>其中，該轉接本體具有一填補部與一卡接部，且該填補部相對該第一側框作組接，而該卡接部則相對該第二側框並與該第二側框可撓性地作組接。
如請求項１所述之伺服器硬碟托架結構，其中該承載本體還包含一底板，該底板連接於該前框架、該第一側框與該第二側框之間。
如請求項１所述之伺服器硬碟托架結構，其中該前蓋構件還包含一拉柄，且該拉柄樞設於該前蓋座一側。
如請求項３所述之伺服器硬碟托架結構，其中該拉柄相對該通孔處設有至少一接續孔，並於該接續孔內設有透光元件。
如請求項１所述之伺服器硬碟托架結構，其中該填補部具有一頂面、一第一側緣、一第二側緣、一後緣與一前緣，以於該頂面下方構成一容區並供該導光延伸架設於該容區內。
如請求項５所述之伺服器硬碟托架結構，其中該第一側緣向外延伸一座板，該卡接部以一可撓部一體連接該座板並懸置於該座板上方處。
如請求項５所述之伺服器硬碟托架結構，其中該導光延伸架具有至少一導光條，並於該填補部的後緣上設有至少一後開孔，而於該填補部的前緣上則設有相對應的至少一前開孔，以供該導光條連通於該後開孔與該前開孔之間。
如請求項７所述之伺服器硬碟托架結構，其中該導光延伸架更具有至少一架體，該架體連接於複數的該導光條之間，並具有一結合部而組設於該填補部之頂面。
如請求項５所述之伺服器硬碟托架結構，其中該尺寸轉接件還包含一補強架並設於該填補部的後緣上。
如請求項５所述之伺服器硬碟托架結構，其中該填補部的頂面上設有一扳動孔，並於該卡接部上設有一扳動緣。
一種內置觸控筆的支架結構，其包括：<br/> 支架本體，沿自身延伸方向具有匹配於觸控筆的容置腔，所述容置腔沿所述支架本體延伸方向的兩端分別具有插入端和限位端，所述插入端用於所述觸控筆的插入，所述限位端用於限位所述觸控筆插入所述容置腔的深度；<br/> 外接部，與所述支架本體一體成型設置，所述外接部設置有連接孔。
如請求項1所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述支架本體包括相連接的第一連接部和第二連接部，所述第一連接部和所述第二連接 部朝向所述觸控筆的一側均具有圓弧結構，以形成所述容置腔。
如請求項2所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述第一連接部沿所述支架本體的延伸方向設置有多個間隔設置的通孔；所述第二連接部包括多組相對設置的兩個限位片，每組的兩個所述限位片之間間隔設置，且每組所述限位片位於一個所述通孔的相對側。
如請求項1所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述內置觸控筆的支架結構還包括與所述支架本體一體成型的第一安裝部，所述第一安裝部設置有第一安裝槽，所述第一安裝槽用於安裝檢測件。
如請求項4所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述第一安裝部位於所述支架本體靠近所述插入端的一側。
如請求項1所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述內置觸控筆的支架結構還包括與所述支架本體一體成型的第二安裝部，所述第二安裝部設置有第二安裝槽，所述第二安裝槽用於安裝磁吸件。
如請求項6所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述第二安裝部位於所述支架本體靠近所述插入端的一側，且所述第二安裝部設置有兩個，兩個所述第二安裝部位於所述觸控筆的相對兩側。
如請求項7所述的內置觸控筆的支架結構，其中，沿所述支架本體的延伸方向，兩個所述第二安裝部間隔設置。
如請求項1~8任一項所述的內置觸控筆的支架結構，其中，所述支架本體和所述外接部上設置有避讓孔，所述外接部還設置有定位孔。
一種電子設備，其包括：<br/> 電子設備本體；<br/> 觸控筆；<br/> 如請求項1~9任一項所述的內置觸控筆的支架結構，所述內置觸控筆的支架結構通過連接孔與所述電子設備本體連接，且所述內置觸控筆的支架結構的容置腔容納所述觸控筆。
一種電纜，包括：<br/>一導電體；及<br/>一熱固性樹脂絕緣層，包覆該導電體，且包括可降解的環氧樹脂。
如請求項1所述之電纜，其中該導電體包括複數條導電線。
如請求項2所述之電纜，其中該些導電線沿該電纜的長度方向相互螺旋纏繞。
如請求項2所述之電纜，其中該些導電線包括金屬線。
如請求項1所述之電纜，其中該熱固性樹脂絕緣層為一連續層。
如請求項1所述之電纜，其中該熱固性樹脂絕緣層包括複數條圓股線，且該些圓股線沿該電纜的長度方向以螺旋纏繞的方式包覆該導電體。
如請求項1所述之電纜，其中該熱固性樹脂絕緣層更包括回收纖維。
如請求項7所述之電纜，其中該可降解的環氧樹脂具有如式(1)至式(4)中任一者所示的結構：<br/>其中n為1至500的實數。
一種風力發電系統，包括：<br/>一風箏；<br/>一收電裝置；及<br/>一或多條如請求項1所述之電纜，連接該風箏與該收電裝置。
一種高壓電塔系統，包括：<br/>二個或以上的高壓電塔；及<br/>一或多條如請求項1所述之電纜，連接相鄰的該高壓電塔。
一種溫灸罐，其包含：<br/> 一罐體，該罐體內部具有一容置空間，該罐體的側壁面貫穿具有一固定孔，該罐體的兩端分別具有一通氣口、一透熱口，且該固定孔、該通氣口、該透熱口與該容置空間相通；<br/> 一固定針，該固定針活動裝設於該容置空間內，且該固定針具有相互連接之一鎖接部、一插接部，該鎖接部未連接該插接部的一端端面凸起一定位部並於該定位部凹有一鎖接孔，該鎖接孔與該固定孔相互對應，並以一鎖固件從該罐體外側穿入該固定孔再鎖組於該鎖接部，且該定位部貼抵於該罐體內壁面。
如請求項1所述之溫灸罐，其中環繞該通氣口具有一卡接部，另設一通氣蓋與該卡接部活動卡接並蓋設於該罐體。
如請求項2所述之溫灸罐，其中環繞該透熱口具有一鎖組部，另設一透熱蓋與該鎖組部活動鎖接。
如請求項3所述之溫灸罐，其中該透熱蓋的一端表面具有一外螺紋，該鎖組部內表面具有一內螺紋，當該透熱蓋鎖接於該鎖組部時，該外螺紋與該內螺紋相互螺接組合。
如請求項3所述之溫灸罐，其中該透熱蓋與該鎖組部活動鎖接的相反端具有一透熱部，該透熱部係以該透熱蓋之端面朝該容置空間的方向弧彎，該透熱部具有複數透熱孔，該複數透熱孔貫穿該透熱部之表面並與該容置空間相通。
如請求項2所述之溫灸罐，其中該罐體具有該通氣口的一端進一步具有一握持部，該握持部係於該罐體外表面之部分向內凹陷而成。
如請求項1所述之溫灸罐，其中該鎖接部與該插接部係一體成型。
一種定位式檢核系統，包括：<br/> 一雲端伺服器，存有預設定位資料；<br/> 一聯網定位裝置，用以產生包含待測定位資料之物理層訊號；以及<br/> 一可攜式智慧裝置，無線連接該雲端伺服器，其中在該可攜式智慧裝置接收該物理層訊號，以擷取該待測定位資料時，該可攜式智慧裝置傳送該待測定位資料給該雲端伺服器，在該雲端伺服器判斷該待測定位資料符合該預設定位資料時，該雲端伺服器通知該聯網定位裝置與該可攜式智慧裝置於第一時間點及其後的多個第二時間點進行監測模式，在該第一時間點，該聯網定位裝置掃描多個第一環境識別特徵，並將其透過該可攜式智慧裝置上傳至該雲端伺服器，且該可攜式智慧裝置掃描多個第二環境識別特徵，並將其上傳至該雲端伺服器，在該第二時間點，該聯網定位裝置掃描多個第三環境識別特徵，並將其透過該可攜式智慧裝置上傳至該雲端伺服器，且該可攜式智慧裝置掃描多個第四環境識別特徵，並將其上傳至該雲端伺服器，該雲端伺服器用以比對該多個第一環境識別特徵與該多個第三環境識別特徵，或比對該多個第二環境識別特徵與該多個第四環境識別特徵，以依序產生分別對應該多個第二時間點之多個比對結果，該雲端伺服器用以透過該可攜式智慧裝置向該聯網定位裝置傳送該多個比對結果，在該聯網定位裝置自接收到該比對結果後，在一預設時段內不再接收到另一該比對結果時，該聯網定位裝置產生一上鎖訊號。
如請求項1所述之定位式檢核系統，其中該雲端伺服器判斷該多個第一環境識別特徵相同於該多個第三環境識別特徵，該多個第二環境識別特徵相同於該多個第四環境識別特徵時，該聯網定位裝置產生一解鎖訊號。
如請求項2所述之定位式檢核系統，其中該聯網定位裝置耦接一電子鎖控裝置，該上鎖訊號上鎖該電子鎖控裝置，該解鎖訊號解鎖該電子鎖控裝置。
如請求項1所述之定位式檢核系統，其中該物理層訊號為超音波訊號、光學訊號或射頻訊號，該預設定位資料與該待測定位資料包含超音波之波長、條碼、QR碼、藍芽地址(Bluetooth Address)或服務集識別項(SSID)。
如請求項1所述之定位式檢核系統，其中該第一環境識別特徵、該第二環境識別特徵、該第三環境識別特徵與該第四環境識別特徵包含超音波之頻率或射頻小區識別碼(RF Cell ID)。
如請求項1所述之定位式檢核系統，其中該第一環境識別特徵、該第二環境識別特徵、該第三環境識別特徵與該第四環境識別特徵包含射頻小區識別碼(RF Cell ID)之訊號強度。
如請求項1所述之定位式檢核系統，其中該聯網定位裝置為電腦或監控攝像頭。
一種定位式檢核系統，包括：<br/> 一雲端伺服器，存有預設定位資料；<br/> 一聯網定位裝置，用以產生包含待測定位資料之物理層訊號；以及<br/> 一可攜式智慧裝置，無線連接該雲端伺服器，其中在該可攜式智慧裝置接收該物理層訊號，以擷取該待測定位資料時，該可攜式智慧裝置傳送該待測定位資料給該雲端伺服器，在該雲端伺服器判斷該待測定位資料符合該預設定位資料時，該雲端伺服器通知該聯網定位裝置與該可攜式智慧裝置於第一時間點及其後的多個第二時間點進行監測模式，在該第一時間點，該聯網定位裝置掃描多個第一環境識別特徵，並將其上傳至該可攜式智慧裝置，且該可攜式智慧裝置掃描多個第二環境識別特徵，在該第二時間點，該聯網定位裝置掃描多個第三環境識別特徵，並將其上傳至該可攜式智慧裝置，且該可攜式智慧裝置掃描多個第四環境識別特徵，該可攜式智慧裝置用以比對該多個第一環境識別特徵與該多個第三環境識別特徵，或比對該多個第二環境識別特徵與該多個第四環境識別特徵，以依序產生分別對應該多個第二時間點之多個比對結果，該可攜式智慧裝置用以向該聯網定位裝置傳送該多個比對結果，在該聯網定位裝置自該可攜式智慧裝置接收到該比對結果後，在一預設時段內不再接收到另一該比對結果時，該聯網定位裝置產生一上鎖訊號。
如請求項8所述之定位式檢核系統，其中該可攜式智慧裝置判斷該多個第一環境識別特徵相同於該多個第三環境識別特徵，該多個第二環境識別特徵相同於該多個第四環境識別特徵時，該聯網定位裝置產生一解鎖訊號。
如請求項9所述之定位式檢核系統，其中該聯網定位裝置耦接一電子鎖控裝置，該上鎖訊號上鎖該電子鎖控裝置，該解鎖訊號解鎖該電子鎖控裝置。
如請求項8所述之定位式檢核系統，其中該物理層訊號為超音波訊號、光學訊號或射頻訊號，該預設定位資料與該待測定位資料包含超音波之波長、條碼、QR碼、藍芽地址(Bluetooth Address)或服務集識別項(SSID)。
如請求項8所述之定位式檢核系統，其中該第一環境識別特徵、該第二環境識別特徵、該第三環境識別特徵與該第四環境識別特徵包含超音波之頻率或射頻小區識別碼(RF Cell ID)。
如請求項8所述之定位式檢核系統，其中該第一環境識別特徵、該第二環境識別特徵、該第三環境識別特徵與該第四環境識別特徵包含射頻小區識別碼(RF Cell ID)之訊號強度。
如請求項8所述之定位式檢核系統，其中該聯網定位裝置為電腦或監控攝像頭。
一種氮氧化物過濾裝置，其包括有：<br/> 一電控單元；及<br/> 至少一電漿臭氧單元，其電性連接該電控單元，該電漿臭氧單元有一進氣端及一出氣端。
如請求項1所述之氮氧化物過濾裝置，進一步有一箱體，該箱體設於該電漿臭氧單元之外側，該箱體有一安全排氣孔、至少一進氣孔及至少一出氣孔，該進氣孔連接該進氣端，該出氣孔連接該出氣端。
如請求項2所述之氮氧化物過濾裝置，其中該箱體內設有四個該電漿臭氧單元並有四個該出氣孔，各該電漿臭氧單元之該進氣端連接該進氣孔，各該電漿臭氧單元之出氣端分別連接各該出氣孔。
如請求項1所述之氮氧化物過濾裝置，其中該出氣端連接至一廢氣排放管。
如請求項4所述之氮氧化物過濾裝置，其中該廢氣排放管內設有氮氧化物轉化觸媒。
如請求項4所述之氮氧化物過濾裝置，其中該廢氣排放管內設有活性碳。
一種存款帳戶餘額時效管理系統，係運作於一運算平台上，該存款帳戶餘額時效管理系統包括：<br/> 一餘額設定模組，配置為接收並記錄一存款帳戶的一餘額設定及該餘額設定的一支付有效時間；<br/> 一時效驗證模組，耦接於該餘額設定模組，且配置為判斷發起一交易請求的時間是否位於該支付有效時間內，其中響應於發起該交易請求的時間位於該支付有效時間內時，產生一驗證成功訊號；以及<br/> 一交易授權模組，耦接於該餘額設定模組和該時效驗證模組，且配置為響應於從該時效驗證模組接收該驗證成功訊號時，根據該餘額設定授權從該存款帳戶授扣或提款該交易請求的一請求金額。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為響應於該請求金額大於該餘額設定的可用餘額時，拒絕從該存款帳戶授扣或提款該請求金額，並發出一交易失敗的訊息給該存款帳戶的一授權使用者所登記的一終端裝置。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該時效驗證模組還配置為響應於發起該交易請求的時間超過該支付有效時間時，產生一驗證失敗訊號給該交易授權模組。
如請求項3所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為響應於接收該驗證失敗訊號時，拒絕從該存款帳戶授扣或提款該請求金額，並發出一交易失敗的訊息給該存款帳戶的一授權使用者所登記的一終端裝置。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為該支付有效時間屆滿時自動進行一扣款作業，以從該存款帳戶扣除在該支付有效時間期間已授權的所有授扣或提款的該交易請求的一總支付金額。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該餘額設定模組還配置為該支付有效時間屆滿時，自動將該餘額設定的可用餘額予以解除圈存並歸還至該存款帳戶。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為該支付有效時間屆滿之前，響應於接收一解圈指令時進行一扣款作業，以從該存款帳戶扣除在該支付有效時間期間已授權的所有授扣或提款的該交易請求的一總支付金額。
如請求項7所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該餘額設定模組還配置為根據該解圈指令將該餘額設定的可用餘額予以解除圈存並歸還至該存款帳戶。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為響應於該交易請求為根據該餘額設定從該存款帳戶提款該請求金額時，發出一身分驗證的請求給該存款帳戶的一授權使用者所登記的一終端裝置，並且響應於該身分驗證成功時，授權從該存款帳戶提款該請求金額。
如請求項1所述的存款帳戶餘額時效管理系統，其中該交易授權模組還配置為響應於該交易請求被標註為一爭議交易時，不授權從該存款帳戶授扣或提款該請求金額，直到該爭議交易經審核為有效交易後，才授權從該存款帳戶授扣或提款該請求金額。
一種耦接組件，適於一盲插式流體耦接器並包含：<br/> 一殼體單元，具有一第一端以及一第二端，該殼體單元包含沿一軸向方向自該第一端延伸至該第二端的一貫通通道，且該殼體單元於該第一端具有一第一凹陷部；一滑動板，設置於該第一凹陷部，並用以相對該殼體單元沿一第一徑向方向移動，該第一徑向方向垂直於該軸向方向，該滑動板具有一開口；一滑動基座，具有一平坦部與一套筒部，該套筒部延伸穿過該滑動板之該開口，該滑動基座用以相對該滑動板沿一第二徑向方向移動，該第二徑向方向垂直於該軸向方向以及該第一徑向方向，其中該套筒部包含構造有朝向該平坦部的直徑漸窄之一錐形通道；以及一進液閥，至少部分設置於該滑動基座之該錐形通道，該進液閥用以沿該軸向方向移動，並用以於該錐形通道內進行角度樞轉。
如請求項1所述之耦接組件，其中該滑動板之該開口呈沿該第二徑向方向之一第一開口直徑大於沿該第一徑向方向之一第二開口直徑的橢圓形，以允許該滑動基座沿該第二徑向方向移動。
如請求項1所述之耦接組件，其中該滑動板的寬度等於該第一凹陷部的開口寬度，且該滑動板的長度小於該第一凹陷部的開口長度，以允許該滑動板沿該第一徑向方向移動。
如請求項1所述之耦接組件，更包含：<br/> 連接於該進液閥的一第一端的一出液閥，該出液閥在運作期間與該進液閥的一進液流道流體連通，其中該出液閥包含面向該進液閥的一法蘭結構。
如請求項4所述之耦接組件，更包含：<br/> 套設於該進液閥的一彈簧，其中該彈簧之一端設置於該滑動基座之該平坦部的凹弧面部，該彈簧之另一端抵靠於該進液閥之一第二端，該彈簧用以提供沿該軸向方向的軸向移動，並被限制於該滑動基座與該進液閥之間。
如請求項5所述之耦接組件，其中該滑動基座之該平坦部包含用以限制該彈簧之徑向移動的該凹弧面部。
如請求項1所述之耦接組件，更包含：<br/> 用以固定於該滑動基座之該套筒部的一螺帽，該螺帽包含設置於該殼體單元之一凹槽的一法蘭部，其中該法蘭部的直徑小於該殼體單元之該凹槽的開口尺寸，並大於該殼體單元之一中心部的開口尺寸。
如請求項7所述之耦接組件，更包含：<br/> 設置於該螺帽與該殼體單元之間的至少一O型環。
如請求項5所述之耦接組件，更包含：<br/> 連接於該進液閥之該第二端並用以卡合於自一配對連接器延伸之一導引銷以進行盲插式耦接的一導引結構。
如請求項9所述之耦接組件，其中該導引結構用以自該進液閥分離。
如請求項9所述之耦接組件，其中該導引結構與該進液閥一體成型。
如請求項1所述之耦接組件，更包含：<br/> 設置於該滑動基座的至少一凸出結構以及設置於該進液閥之一外表面的一凹槽，其中該至少一凸出結構卡合於該凹槽，以避免沿該軸向方向旋轉。
如請求項1所述之耦接組件，其中該錐形通道提供該進液閥2°或小於2°的角度樞轉。
如請求項5所述之耦接組件，其中該進液閥之該第二端包含用以將該彈簧維持於該進液閥的一法蘭結構。
如請求項5所述之耦接組件，更包含：<br/> 連接於該進液閥之該第二端的一快接接頭配件。
如請求項11所述之耦接組件，其中該滑動基座包含於該錐形通道之圓周周圍排列於多個角度位置之多個凸出結構。
一種耦接組件，適於一盲插式流體耦接器，並包含：<br/> 一殼體單元；一滑動板，設置於該殼體單元內，並用以沿一第一徑向方向移動，該滑動板包含一凹陷部以及一開口；一滑動基座，包含一滑動部以及一導引部，該滑動部設置於該滑動板之該凹陷部，並用以沿垂直於該第一徑向方向之一第二徑向方向移動，其中該導引部用以卡合於一配對連接器之一導引銷；以及一閥門，具有一第一端以及一第二端，該閥門延伸穿過該滑動板與該滑動基座之該開口，其中該閥門包含自該第一端延伸至該第二端之一流道。
如請求項17所述之耦接組件，其中該滑動板之該凹陷部用以限制該滑動基座沿該第一徑向方向的移動。
如請求項17所述之耦接組件，更包含：<br/> 設置於該殼體單元內側的一彈簧，其中該閥門穿過該彈簧。
如請求項19所述之耦接組件，更包含：<br/> 用以固定該閥門之該第一端於該殼體單元以避免該閥門自該殼體單元滑出之一夾具；以及連接於該閥門之該第二端的一快接接頭配件。
一種電子裝置，包含：<br/> 一電源供應器；至少一曝光燈泡，連接至該電源供應器；一電阻電容電路，連接至該電源供應器；一感測器，連接至該電阻電容電路；以及一處理器，連接至該至少一曝光燈泡及該感測器；其中，該處理器用於：控制該感測器量測該電阻電容電路於一固定時間內的一電壓變化值；判斷該電壓變化值是否符合一預設燈泡電壓變化值；當該電壓變化值不符合該預設燈泡電壓變化值時，使該至少一曝光燈泡減少亮度或呈關閉狀態；當該電壓變化值符合該預設燈泡電壓變化值時，使該至少一曝光燈泡呈開啟狀態。
如請求項1所述之電子裝置，其中該電阻電容電路包含：<br/> 至少一第一電阻，連接至該電源供應器；以及至少一第二電阻及至少一電容，其中該至少一第二電阻及至少一電容彼此並聯，並串聯至該至少一第一電阻，且該感測器連接至該至少一電容的兩端。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一第一電阻的等效電阻值為0.25歐姆，該至少一第二電阻的等效電阻值為33歐姆，且該至少一電容的等效電容值為0.6法拉。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一第一電阻的等效電阻值為0.33歐姆，該至少一第二電阻的等效電阻值為50歐姆，且該至少一電容的等效電容值為0.6法拉。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一第一電阻的等效電阻值為0.25歐姆，該至少一第二電阻的等效電阻值為50歐姆，且該至少一電容的等效電容值為0.6法拉。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一第一電阻的數量為多個，且該至少一第一電阻彼此並聯。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一第二電阻的數量為多個，且該至少一第二電阻彼此並聯。
如請求項2所述之電子裝置，其中該至少一電容的數量為多個，且該至少一電容彼此並聯。
如請求項1所述之電子裝置，其中該電源供應器提供一電流及一電壓，且該電流為0.52安培，該電壓為12伏特。
如請求項1所述之電子裝置，其中該至少一曝光燈泡的數量為多個，且該至少一曝光燈泡彼此以一陣列排列。
一種機車拉桿結構，其包含：<br/> 一本體部，其包含一本體件、一第一延伸件及一第二延伸件，該第一延伸件設置於該本體件的一側邊，該第二延伸件設置於該本體件的一邊角，該本體件在一第一方向上具有一固定孔及一傳動孔，在一第二方向上具有一彈簧孔，該第二延伸件在一第三方向上具有一抵靠孔；<br/> 一握把部，其包含一握把件及設置於該握把件一端的一連接件，該連接件設置於該傳動孔上，在該第一方向上具有對應該傳動孔的一穿孔，該握把件內部具有一彈簧腔；<br/> 一彈簧部，設置於該彈簧腔，該彈簧部的一端穿設於該彈簧孔；<br/> 一復位部，穿設於該傳動孔及該穿孔；以及<br/> 一抵靠部，穿設於該抵靠孔，該抵靠部的一端突出於該抵靠孔以止動該握把件。
如請求項1所述之機車拉桿結構，其中該握把件為中空ㄇ型長條結構，該握把件的尾端具有彎折結構。
如請求項1所述之機車拉桿結構，其中該握把部的轉動角度為6~7度，該握把件與該本體件之間的距離為0~1.9mm，該握把件的移動距離為14~15mm。
如請求項1所述之機車拉桿結構，其中該彈簧部包含一壓縮桿及一壓縮彈簧，該壓縮桿的一端抵靠於該彈簧腔的內壁，另一端設置該壓縮彈簧並穿設於該彈簧孔。
如請求項1所述之機車拉桿結構，其中該復位部包含一套筒、一傳動桿、一復位彈簧及一橫桿，該套筒套設於該傳動孔及該穿孔，該橫桿穿設於該傳動桿以帶動該傳動桿作動，該傳動桿於該套筒中的部位套設該復位彈簧，並通過該復位彈簧回復該傳動桿及該橫桿的設定位置。
如請求項5所述之機車拉桿結構，其中該橫桿寬度約為2mm，該傳動桿的移動行程為7~8mm。
如請求項1所述之機車拉桿結構，其中該抵靠部包含一轉動件及一螺桿，該轉動件包含一外部轉盤及一內部轉動環，該內部轉動環穿設於該抵靠孔，該外部轉盤設置於該抵靠孔的一端，該螺桿穿設於該內部轉動環內側的螺紋結構，該螺桿朝向該抵靠孔的另一端，該外部轉盤帶動該內部轉動環旋轉，使該螺桿突出該抵靠孔一預定高度。
如請求項7所述之機車拉桿結構，其中該抵靠部進一步包含一第一限位件及一第二限位件，該第一限位件連接該內部轉動環以固定該內部轉動環的位置，該第二限位件連接該外部轉盤以固定該外部轉盤的位置。
如請求項7所述之機車拉桿結構，其中該螺桿與該握把件之間的距離為0~2.5mm。
一種微機電半導體接觸探針，包含： <br/>一金屬主體(110)，具有一主要表面(112)，其中該金屬主體(110)係由電化學沉積製程而形成，且該金屬主體(110)用以進行表面精密研磨製程以使該金屬主體(110)的該主要表面(112)達到一要求厚度(T)； <br/>一電鍍金屬層(120)，形成於該金屬主體(110)上，其中該金屬主體(110)的材質不同於該電鍍金屬層(120)的材質。
如請求項1所述之微機電半導體接觸探針，其中該金屬主體(110)具有一第一延伸部(114)與相對於該第一延伸部(114)的一第二延伸部(116)，該第一延伸部(114)用以接觸一第一彈性體(220)，而該第二延伸部(116)用以接觸一第二彈性體(230)。
如請求項2所述之微機電半導體接觸探針，其中當該金屬主體(110)沿一垂直方向(V)被壓迫時，該第一彈性體(220)與該第二彈性體(230)用以接觸該金屬主體(110)，以使該金屬主體(110)在該垂直方向(V)上彈性位移。
如請求項1所述之微機電半導體接觸探針，其中該金屬主體(110)的一第一端用以接觸一半導體晶片(240)，而該金屬主體(110)相對於該第一端的一第二端用以電性連接一測試印刷電路板(250)。
一種智能櫃檯系統，包含： <br/> 一智能櫃檯伺服器；以及<br/> 一智能櫃檯輸出入裝置，連接於該智能櫃檯伺服器，以供一客戶選擇一待辦業務，提供該客戶預先填寫該待辦業務的資料表格，並進行檢核，同時引導該客戶辦理該待辦業務。
如請求項1所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，包含：<br/> 一待辦業務選擇模組，接收來自於該智能櫃檯輸出入裝置的一待辦業務選擇需求。
如請求項2所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一待辦業務文件資料顯示模組，連接於該待辦業務選擇模組，以在接收到該待辦業務選擇需求，提供該待辦業務的一待辦業務文件資料，並顯示在該智能櫃檯輸出入裝置。
如請求項3所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一待辦業務文件資料預填模組，連接於該待辦業務文件資料顯示模組，以預填該待辦業務文件資料。
如請求項4所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一文件上傳模組，連接於該待辦業務文件資料預填模組，以用來上傳該待辦業務文件資料以及相關文件。
如請求項5所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一反洗錢檢核模組，連接於該文件上傳模組，以檢核該待辦業務文件資料以及該些相關文件是否符合反洗錢法規的規定。
如請求項6所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一相關法規檢核模組，連接於該反洗錢檢核模組，以進一步檢核該待辦業務文件資料以及該些相關文件是否符合相關法規的規定。
如請求項7所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一智能列印模組，連接於該相關法規檢核模組，以列印該待辦業務文件資料，以供該客戶簽署。
如請求項8所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一文件補件模組，連接於該智能列印模組，以掃描待補充的文件以及簽名後的該待辦業務文件資料，並進行辨識。
如請求項9所述之智能櫃檯系統，其中該智能櫃檯伺服器，更包含：<br/> 一動態導引模組，連接於該文件補件模組，以根據上傳的資料，提供動態導引式操作介面以及語音協助。
一種倉儲物流運送之管控系統，包括：<br/> 網路錄像單元，安裝於可視區域，該可視區域放置運送物品，該運送物品設置編碼單元；<br/> 掃描單元，信號連接該網路錄像單元，該掃描單元在掃描該編碼單元的同時，連動該網路錄像單元進行錄像並生成與該編碼單元對應之錄像檔案； <br/> 網路監控單元，信號連接該網路錄像單元，該網路監控單元儲存該網路錄像單元之錄像檔案；<br/> 顯示單元，信號連接該網路監控單元，該顯示單元顯示該網路監控單元儲存之錄像檔案；<br/> 其中，該運送物品於該可視區域打包或拆包，該網路錄像單元對其打包或拆包過程進行錄像產生該錄像檔案，透過該編碼單元對該錄像檔案進行編碼，而該掃描單元則掃描該編碼單元進而對該錄像檔案進行解碼，以及該網路監控單元儲存解碼後的錄像檔案，並顯示於該顯示單元。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該編碼單元進一步具有與該運送物品對應之條碼單號，該條碼單號記錄有序列號、快遞單號及運送時間。
如請求項2所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該網路監控單元進一步具有查詢單元，該查詢單元具有輸入界面及顯示界面，該輸入界面用以輸入該條碼單號，該顯示界面用以顯示該序列號、快遞單號及運送時間。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該網路監控單元可為網路錄影主機(Network Video Recorder，NVR)。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該網路錄像單元可為監控攝像機。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該網路錄像單元係安裝錄像硬碟。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該掃描單元可為條碼掃描器。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該掃描單元進一步具有無線接收器，該網路錄像單元進一步具有USB接口，該無線接收器插入該USB接口，使該掃描單元與該網路錄像單元形成信號連接。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該網路錄像單元與該網路監控單元之間連接網際網路之網線，使該網路錄像單元與該網路監控單元形成信號連接。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該顯示單元可為螢幕。
如請求項1所述之倉儲物流運送之管控系統，其中該編碼單元可為一維條碼或二維條碼之格式。
一種人工智能遺產分配及遺囑生成系統，包括：<br/> 一制式遺囑資料庫伺服器裝置，用以蒐集各種制式草擬遺囑資料；<br/> 一遺囑相關法律資料伺服器裝置，用以蒐集遺囑相關法律條文資料；以及<br/> 一人工智能草擬遺囑伺服器裝置，通訊連接該遺囑相關法律資料伺服器裝置及該制式遺囑資料庫伺服器裝置，用以生成遺囑全文及提供注意事項。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該遺囑相關法律資料伺服器裝置包含一處理器用以過濾及分類所蒐集的遺囑相關法律條文資料。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該遺囑相關法律資料伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存所蒐集的遺囑相關法律條文資料。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該遺囑相關法律資料伺服器裝置包含一網路介面單元，用以通訊連接該人工智能草擬遺囑伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該人工智能草擬遺囑伺服器裝置包含一處理器，用以產生遺囑草擬前的相關問題。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該人工智能草擬遺囑伺服器裝置包含一處理器，用以生成遺囑全文及提供注意事項。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該制式遺囑資料庫伺服器裝置包含一網路介面單元用以通訊連接該人工智能草擬遺囑伺服器裝置。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該制式遺囑資料庫伺服器裝置包含一處理器，用以過濾及分類各種制式草擬遺囑資料。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該制式遺囑資料庫伺服器裝置包含一儲存單元，用以暫存已分類的各種制式草擬遺囑資料。
如請求項1所述之人工智能遺產分配及遺囑生成系統，其中該人工智能草擬遺囑伺服器裝置包含一儲存單元用以暫存已生成的遺囑全文及提供注意事項。
一種電連接器之結構改良，係包括絕緣座體、屏蔽殼體及複數端子，其中：<br/> 該絕緣座體係於一側延伸設有舌板、另側延伸設有連接部，並於該絕緣座體內部設有分別延伸至該舌板內部及該連接部內部之金屬屏蔽板；<br/> 該屏蔽殼體係罩覆於該絕緣座體外部，一側內部與該絕緣座體的該舌板之間形成對接空間、另側設有延伸至該連接部底部處之底殼板，則該底殼板二側分別彎折設有抵靠於該連接部二側壁處之翼板；<br/> 該複數端子係穿設於該絕緣座體處，且該複數端子一側分別設有延伸至露出於該舌板表面處之對接側、另側為分別設有延伸至露出於該連接部表面處之連接側，而該複數端子係包括至少一支以上與該金屬屏蔽板接觸之屏蔽接地端子。
如請求項1所述之電連接器之結構改良，其中該絕緣座體係於該金屬屏蔽板外部利用模內射出（Insert Molding）一體成型該絕緣座體及二側之該舌板、該連接部。
如請求項1所述之電連接器之結構改良，其中該絕緣座體的該金屬屏蔽板係包括延伸至該舌板內部之第一板體、自該第一板體一側彎折後延伸至該連接部內部之第二板體，且該第一板體表面設有至少一支以上與該複數端子的該至少之一支以上屏蔽接地端子一側所設第一對接側相互接觸之第一翼片，並於該第二板體表面設有至少一支以上與該至少一支以上屏蔽接地端子另側所設第一連接側相互接觸之第二翼片，而該絕緣座體內部穿設之該複數端子，係包括複數上排端子及複數下排端子。
如請求項3所述之電連接器之結構改良，其中該複數端子一側分別設有對接側延伸至該絕緣座體的一側該舌板表面，而相對該複數對接側於該複數端子另側分別設有延伸至該連接部表面之連接側，且該絕緣座體一側該連接部，係包括相對該舌板於該絕緣座體另側延伸之連接舌板。
如請求項4所述之電連接器之結構改良，其中各該上排端子一側分別設有延伸至該舌板的上表面處之上排對接側、另側分別設有延伸至該連接舌板上表面之上排連接側，各該下排端子一側分別設有延伸至該舌板的下表面處之下排對接側、另側分別設有延伸至該連接舌板外側邊表面之下排連接側。
如請求項1所述之電連接器之結構改良，其中該屏蔽殼體外部設有夾具，則該夾具係包括上夾持件、下夾持件，且該上夾持件與該下夾持件內部形成供夾固該屏蔽殼體之夾合空間，並於該上夾持件二側分別設有上組裝翼部、該下夾持件二側分別設有下組裝翼部。
如請求項1所述之電連接器之結構改良，其中該電連接器一側該連接部係供與相對之轉接電連接器電性插接，則該轉接電連接器係包括本體、穿設於該本體之複數對接端子及罩覆於該本體與該複數對接端子外部之屏蔽外殼，該複數對接端子一側分別設有與各該端子的各該連接側呈電性連接之複數銜接側、相對該複數銜接側於該複數對接端子另側設有露出該屏蔽外殼外部之複數焊接側。
如請求項7所述之電連接器之結構改良，其中該轉接電連接器之該本體係包括呈桿狀之基部、位於該基部二側之側肩部，該基部係供該複數對接端子穿設、外部則供該屏蔽外殼罩覆，以供該複數對接端子一側該複數銜接側分別延伸至該二側肩部相對內側之間、並配合該屏蔽外殼內部形成與該電連接器一側該連接部相對銜接、插拔之銜接空間。
如請求項8所述之電連接器之結構改良，其中該複數對接端子係包括複數上排對接端子、複數下排對接端子，該複數上排對接端子一側分別設有延伸至該銜接空間處之複數上排銜接側、另側分別設有延伸至該基部另側之複數上排焊接側，該複數下排對接端子一側即分別設有延伸至該銜接空間處往上彎折呈鉤狀之複數下排銜接側、另側分別設有延伸至該基部另側並與該複數上排焊接側呈共平面相鄰間隔排列之複數下排焊接側。
如請求項8所述之電連接器之結構改良，其中該本體於基部二側的縱向分別連設有該側肩部，且分別於該二側肩部的底部剖設有通道，而於該屏蔽外殼二側分別設有穿過各該通道、再分別延伸至該二側肩部相對內側呈斜向彎折之接地端子。
一種方向盤喇叭總成，包含：<br/> 一喇叭座，具有一容置部；<br/> 一喇叭鈕，係可位移地設置於該喇叭座之該容置部；<br/> 複數彈性件，係分別設於該喇叭鈕與該容置部之間；及<br/> 複數限位件，係分別穿設於該容置部，且以穿設之一端鎖設於該喇叭鈕，另一端抵設於該喇叭座。
如請求項1所述之方向盤喇叭總成，其中，該些彈性件間隔環設於該喇叭鈕與該喇叭座之間，該些彈性件之兩端分別相抵於該喇叭鈕底部與該喇叭座底部。
如請求項1所述之方向盤喇叭總成，其中，該些限位件各具有一鎖設深度，該些限位件之該鎖設深度界定該喇叭鈕相對於該喇叭座之一靜止高度。
如請求項1所述之方向盤喇叭總成，其中，該喇叭座環繞該容置部設有一組裝部，該組裝部設有複數第一螺孔，該組裝部組設於一方向盤底側，該方向盤具有一組裝孔與該容置部連通，該方向盤於該組裝孔周側設有一組合部，該組合部設有複數第二螺孔相對於該些第一螺孔，複數結合件鎖設該些第一螺孔與該些第二螺孔，使該喇叭鈕穿設於該組裝孔。
如請求項1所述之方向盤喇叭總成，還包含一電氣件，該電氣件組設於該喇叭座底部，該些限位件環繞該電氣件，且該些限位件間隔環設於該喇叭座底部。
如請求項5所述之方向盤喇叭總成，其中，該電氣件包含：<br/> 一基座，組設於該喇叭座底部；<br/> 一按鈕，係設於該基座，並位於該容置部內；及<br/> 一端子，係設於該基座，並位於該喇叭座外，該喇叭鈕位移而與該按鈕相抵，該按鈕與該端子連接。
如請求項1所述之方向盤喇叭總成，其中，該些彈性件套設於該些限位件上。
一種搪刀測量裝置，供設於一搪刀頭，該搪刀頭包括：一搪刀本體及可調整地設於該搪刀本體之一刀具，該搪刀測量裝置包括：<br/> 一本體；<br/> 一磁吸單元，設於該本體，供可拆卸地磁吸於該搪刀本體；及<br/> 一量測單元，設於該本體，包括一量錶及一量測頭，該量測頭可相對該量錶移動地設於該量錶且可供該刀具抵接。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該量錶根據該量測頭移動的距離測得的差值為刀具調校值。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該磁吸單元為一磁性座，該磁吸單元包括一磁吸基座及一設於該磁吸基座之開關單元，該開關單元可選擇地調整該磁吸基座呈一磁吸狀態或一解磁吸狀態。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該磁吸單元具有一磁吸部，該磁吸部供可磁吸於該搪刀本體，該磁吸部具有至少一卡接部，該至少一卡接部包括一第一槽段，該第一槽段包括一V形槽及斜向延伸之二斜面，該二斜面構成該V形槽，該V形槽供至少部分之該搪刀本體卡接於內。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該磁吸單元設有一鎖孔，該本體另設有一螺鎖件，該本體以該螺鎖件鎖設於該鎖孔而與該磁吸單元結合。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該本體構成一容置槽，該磁吸單元設於該容置槽，該磁吸單元具有一磁吸部，該磁吸部凸出該容置槽。
如請求項6所述的搪刀測量裝置，其中該本體包括一第一組接部及一第二組接部，該第一組接部構成該容置槽，該量測單元設於該第二組接部，該量測頭凸出該第二組接部之一第一側部，該磁吸部凸出該第一側部。
如請求項7所述的搪刀測量裝置，其中該量測單元具有一顯示部，該顯示部凸設於該第二組接部之相對該第一側部之一第二側部。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該本體另設有朝一側凸出之一握部。
如請求項1所述的搪刀測量裝置，其中該本體為一鋁製架體。
如請求項8所述的搪刀測量裝置，其中該量錶根據該量測頭移動的距離測得的差值為刀具調校值；該磁吸單元為一磁性座，該磁吸單元包括一磁吸基座及一設於該磁吸基座之開關單元，該開關單元可選擇地調整該磁吸基座呈一磁吸狀態或一解磁吸狀態；該磁吸單元具有一磁吸部，該磁吸部供可磁吸於該搪刀本體，該磁吸部具有至少一卡接部，該至少一卡接部包括一第一槽段，該第一槽段包括一V形槽及斜向延伸之二斜面，該二斜面構成該V形槽，該V形槽供至少部分之該搪刀本體卡接於內；該至少一卡接部另包括一第二槽段，該第一槽段朝該第二槽段之方向漸縮；該磁吸單元設有一鎖孔，該本體另設有一螺鎖件，該本體以該螺鎖件鎖設於該鎖孔而與該磁吸單元結合；該本體另設有朝一側凸出之一握部；該本體為一鋁製架體；該第一組接部呈L形狀，該第二組接部朝遠離該第一組接部之方向凸伸；該握部可拆卸地設於該第一組接部；該量錶為一指針式量錶或一電子式量錶。
一種用以將A型浪板安裝至C型鋼條的連接元件，包括:<br/> 主體部；<br/> 二個翼板，對稱地在該主體部的相對兩側形成為傾斜，該等翼板的上表面形成有複數個翼板凹槽；以及<br/> 底板，通過延伸板連接至該主體部的下方，使該底板的相對兩側與該主體部的下表面之間形成位於相對兩側的嵌合槽；<br/> 其中，該等翼板凹槽內填入黏著劑後用以將該翼板黏附於A型浪板的相對兩側的傾斜板下面；以及<br/> 其中，該嵌合槽用以可移動地嵌合於固定在建物結構體上的C型鋼條。
如請求項1所述之用以將A型浪板安裝至C型鋼條的連接元件，其中，該主體部的上表面形成有至少一個上凹槽，該上凹槽內填入黏著劑後用以將該主體部的上表面黏附於A型浪板的頂板下面。
如請求項2所述之用以將A型浪板安裝至C型鋼條的連接元件，其中，該主體部形成為中空結構。
如請求項3所述之用以將A型浪板安裝至C型鋼條的連接元件，其中，該主體部、該延伸板及該底板共同構成斷面呈Ｔ型的輪廓。
如請求項3所述之用以將A型浪板安裝至C型鋼條的連接元件，其中，該主體部及該二個翼板共同構成斷面呈Ａ型的輪廓。
一種調整座，包含：<br/> 一座本體，具有朝第一方向延伸的長度及朝第二方向延伸的寬度，該座本體上方係具有一槍管部，該槍管部朝第一方向延伸，該座本體具有一底座，該底座具有一第一結合部及一第二結合部，該第一結合部的開口朝向第一方向，該第二結合部為一孔，該第二結合部朝第二方向延伸；該底座具有一第一槽孔及一相鄰的端壁，該第一槽孔及該端壁朝第二方向延伸，該第一槽孔具有一孔底部，該第一槽孔用以容入一第一彈性元件，該端壁具有一槽道；及<br/> 一第一固定部，一抵塊位於該槽道移動，該抵塊另具有一抵接壁，該第一彈性元件的一端抵接該抵接壁，該第一彈性元件的另一端抵接該第一槽孔的孔底部。
如請求項1之調整座，其中，該抵塊具有一導塊，該槽道另具有一限制槽，該導塊位於該限制槽內移動。
一種調整座，包含：<br/> 一座本體，具有朝第一方向延伸的長度及朝第二方向延伸的寬度，該座本體上方係具有一槍管部，該槍管部朝第一方向延伸，該座本體具有一底座，該底座具有一第一結合部及一第二結合部，該第一結合部的開口朝向第一方向，該第二結合部為一孔，該第二結合部朝第二方向延伸；該底座具有一第一槽孔，該第一槽孔朝第二方向延伸，該第一槽孔具有一開口及孔底部形成一破口；及<br/> 一第一固定部，包括一球體及一第三彈性元件容置於該第一槽孔，一封閉件封閉該開口，該第三彈性元件用以頂推該封閉件，使該封閉件凸出於該破口。
如請求項3之調整座，其中，該破口的孔徑小於該第一槽孔的孔徑，以及該球體的直徑大於該破口的孔徑。
如請求項3之調整座，其中，該開口具有內螺紋，該封閉件為一螺件，該封閉件螺合於該內螺紋，以封閉該開口。
如請求項1或3之調整座，另具有一第二固定部，該第二固定部包括一球體、一第二彈性元件及以一封閉件，且該座本體係具有一第二槽孔，該第二槽孔朝第二方向延伸，該第二槽孔具有一開口及孔底部形成一破口，該第二槽孔用以容置該球體及該第二彈性元件且以該封閉件予以封閉該開口。
如請求項6之調整座，其中，該破口的孔徑小於該第二槽孔的孔徑，以及該球體的直徑大於該破口的孔徑。
一種玩具槍，包含：<br/> 一槍本體，具有一槽位於一第一側壁與一第二側壁之間，一組裝板連接在該第一側壁與一第二側壁之間並與該槽的底部成未連接的懸空，二組配孔成對應的在該第一側壁與一第二側壁，一定位件穿設於該二組配孔，一滑套可相對於該本體移動的結合於該槍本體；及<br/> 具有如請求項1至7中任一項之調整座，該底座置入在該槍本體的該槽，該底座的該第一結合部與該組裝板，該第二結合部對應在該槍本體的該二組配孔，該定位件通過該第二結合部。
一種帶貫流風機的電腦機箱，其特徵在於，所述的電腦機箱包括機殼和貫流風機，所述的貫流風機安裝在所述的機殼的內腔中，所述的機殼具有第一側板和與所述的第一側板相對的第二側板，所述的第一側板的內壁安裝主控制板，所述的第二側板設置缺口，所述的貫流風機的進風口對應所述的缺口安裝，使得所述的貫流風機從所述的缺口處進風，所述的貫流風機的出風風向與進風方向垂直，使得所述的貫流風機的出風方向與所述的主控制板平行。
如請求項1所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的貫流風機沿所述的機殼的高度方向豎直設置，所述的缺口設置防塵擋板。
如請求項2所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的防塵擋板為磁吸式防塵擋板。
如請求項1所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的機殼具有前面板，所述的第一側板通過所述的前面板與所述的第二側板相連接，所述的貫流風機通過固定支架可拆卸地安裝在所述的前面板上。
如請求項1至4中任一項所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的貫流風機包括扇葉、風道外殼、導流罩，所述的風道外殼圍繞所述的扇葉設置並在所述的風道外殼的內壁和所述的扇葉之間形成風道，所述的風道外殼的進風端與所述的導流罩的第一端相間隔形成進風口，所述的風道外殼的出風端與所述的導流罩的第二端之間相間隔形成出風口，所述的導流罩的第二端具有凸起部，所述的凸起部朝向所述的扇葉凸起。
如請求項5所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的凸起部呈U型，所述的進風口、出風口、凸起部均沿所述的貫流風機的軸向延伸。
如請求項5所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的風道外殼呈L型，所述的風道外殼具有第一殼體、第二殼體以及將所述的第一殼體和第二殼體相連接的弧形殼體，所述的風道外殼的進風端位於所述的第一殼體，所述的風道外殼的出風端位於所述的第二殼體，所述的貫流風機包括進風網格板，所述的進風網格板安裝在所述的進風口處，所述的進風網格板與所述的第二殼體平行設置，所述的進風網格板與所述的第一殼體、所述的導流罩均垂直設置。
如請求項7所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的凸起部具有第一端板、第二端板以及將所述的第一端板和第二端板相連接的連接部，所述的第二端板與所述的導流罩的主體相連接，所述的第一端板、第二端板均與所述的第二殼體相平行設置，所述的第一端板與所述的第二殼體之間相間隔形成所述的出風口，所述的導流罩的主體設置數個打孔。
如請求項5所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的貫流風機包括主體固定架，所述的風道外殼位於所述的主體固定架上並形成內腔，所述的扇葉安裝在所述的內腔中，所述的導流罩可拆卸地安裝在所述的主體固定架上，所述的主體固定架的內腔的下方設置用於容納電機的容納殼，所述的容納殼具有下蓋，所述的主體固定架的頂部設置上蓋。
如請求項9所述的帶貫流風機的電腦機箱，其中，所述的電機配置PWM調速電路模組。
一種電子式扭力扳手，其包含：<br/> 一本體，其具有相反設置之一第一端及一第二端，其中，該本體內具有一容置空間；<br/> 一扳動件，其樞設於該本體且能相對該本體產生樞擺動作，該扳動件具有一扳動部及一連接部，該扳動部露於該本體之該容置空間外，該連接部伸入於該本體之該容置空間且樞設於該第一端；<br/> 一握持件，其套設於該本體之該第二端；<br/> 一電磁裝置，其設置於該本體之該容置空間且連接該扳動件之該連接部，當該電磁裝置提供電磁作用時，能限制該扳動件相對該本體產生樞擺動作；以及<br/> 一扭力裝置，其具有一應變感應器、一控制器及一警示器，該應變感應器設置於該扳動件之該連接部，該應變感應器偵測該扳動件於扳轉作業時之一操作扭力值，該控制器及該警示器設於該本體，該控制器提供設定一預設扭力值，其中，該控制器能將該操作扭力值與該預設扭力值比對，當該扳動件於扳轉作業時，該控制器判斷該操作扭力值到達該預設扭力值時，該控制器產生一到達提醒訊號，該控制器操控該警示器發出該到達提醒訊號，該電磁裝置與該扳動件跳脫，使該扳動件能相對該本體產生樞擺動作。
如請求項1所述之電子式扭力扳手，其中，該連接部具有遠離該扳動部之一抵接端；當該電磁裝置提供電磁作用時，該電磁裝置能抵卡於該連接部之該抵接端。
如請求項2所述之電子式扭力扳手，其中，該電磁裝置具有一電磁鐵、一磁性件、一接觸件、一第一銜接件及一第二銜接件，該磁性件樞設於該本體且處於該電磁鐵與該第一銜接件之間，該第二銜接件樞設該本體且處於該第一銜接件與該接觸件之間，該接觸件樞設於該本體且處於該扳動部的該抵接端與該第二銜接件之間；當該電磁裝置提供電磁作用時，該電磁鐵磁吸該磁性件，令該磁性件、該第一銜接件、該第二銜接件及該接觸件依序樞擺抵推，由該接觸件抵卡於該連接部之該抵接端，以限制該扳動件相對該本體產生樞擺動作。
如請求項3所述之電子式扭力扳手，其中，該扭力裝置具有一電源，該電源與該應變感應器、該控制器、該警示器及該電磁裝置之該電磁鐵電連接，當該控制器控制該電源提供電力至該電磁鐵，該電磁鐵產生電磁性，以磁吸該磁性件。
如請求項3或4所述之電子式扭力扳手，其中，該磁性件具有一第一樞部、一受推部及一頂推部，該接觸件具有一第二樞部、一頂接部及一限制部，該第一樞部樞設於該本體，該受推部能被該電磁鐵頂推，該頂推部能頂扣該第一銜接件；該第二樞部樞設於該本體，該頂接部能被該第二銜接件頂推，該限制部能抵卡於該連接部之該抵接端。
如請求項5所述之電子式扭力扳手，其中，該第一銜接件具有一第一相接部、一第一扣部及一第一牽動部，該第二銜接件具有一第二相接部、一第二扣部及一第二牽動部，該第一相接部樞接於該本體，該第一扣部能與該頂推部連接，該第二相接部樞接於該本體，該第一牽動部能與該第二扣部連接，該第二牽動部能與該頂接部連接。
如請求項6所述之電子式扭力扳手，其中，該電磁裝置更具有兩彈簧，該第一銜接件之一側凹設有一第一凹槽，該第二銜接件之一側凹設有一第二凹槽，該兩彈簧分別設於該第一凹槽及該第二凹槽，該兩彈簧之兩端抵接於該本體與該第一凹槽及該第二凹槽之底部，當該電磁裝置提供電磁作用時，該兩彈簧受該第一銜接件及該第二銜接件樞擺而成壓縮狀態。
如請求項1至4中任一項所述之電子式扭力扳手，其中，該控制器判斷該操作扭力值接近該預設扭力值時，該控制器產生一接近提醒訊號，該控制器操控該警示器發出該接近提醒訊號。
如請求項8所述之電子式扭力扳手，其中，該警示器以燈光發出該到達提醒訊號與該接近提醒訊號，該到達提醒訊號之燈光顏色與該接近提醒訊號的燈光顏色不同。
如請求項9所述之電子式扭力扳手，其中，該警示器以聲音發出該到達提醒訊號與該接近提醒訊號，該到達提醒訊號之聲音與該接近提醒訊號的聲音長短及聲量不同。
一種網路銀行詐騙檢核系統，包含： <br/> 一網路銀行詐騙檢核伺服器；以及<br/> 一金融機構客戶電腦裝置，連接於該網路銀行詐騙檢核伺服器，當一客戶利用該金融機構客戶電腦裝置進行匯款時，該網路銀行詐騙檢核伺服器根據該金融機構客戶電腦裝置所傳送的一匯款原因，進行檢核，並將一檢核結果傳送至該金融機構客戶電腦裝置，並通知該客戶。
如請求項1所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，包含：<br/> 一網路銀行啟動模組，接收來自於該金融機構客戶電腦裝置的一網路銀行啟動需求。
如請求項2所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一身份識別模組，連接於該網路銀行啟動模組，以在接收到該網路銀行啟動需求，進行該客戶的一身份識別。
如請求項3所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一匯款功能啟動模組，連接於該身份識別模組，以啟動匯款功能。
如請求項4所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一轉出帳號選擇模組，連接於該匯款功能啟動模組，以選擇一轉出帳號。
如請求項5所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一轉帳金額輸入模組，連接於該轉出帳號選擇模組，以輸入一轉帳金額。
如請求項6所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一轉入帳號輸入模組，連接於該轉帳金額輸入模組，以輸入一轉入帳號。
如請求項7所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一匯款原因輸入模組，連接於該轉入帳號輸入模組，以輸入該匯款原因。
如請求項8所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一安全檢核模組，連接於該匯款原因輸入模組，以針對該匯款原因進行安全檢核。
如請求項9所述之網路銀行詐騙檢核系統，其中該網路銀行詐騙檢核伺服器，更包含：<br/> 一通知模組，連接於該安全檢核模組，以將該檢核結果傳送至該金融機構客戶電腦裝置。
一種機關車的傳動軸拆裝輔助工具，其能裝設在一機關車中，輔助支撐該機關車的一傳動軸進行拆裝作業，並包括： <br/>一支撐架，其包括兩縱向架桿以及連接於該兩縱向架桿之間且能上下調整位置的一橫向架桿；以及 <br/>複數可調式支撐部件，其係裝設在該橫向架桿上並能調整位置及間距，用以共同支撐該傳動軸，並使該傳動軸僅能在其支點位置上自由轉動。
如請求項1所述之機關車的傳動軸拆裝輔助工具，其中，該兩縱向架桿具有一螺紋段，該兩縱向架桿的螺紋段分別穿過該橫向架桿的兩端，該橫向架桿的底面各設有螺接所述螺紋段的一鎖固件，使該橫向架桿能上下調整位置地組設在該兩縱向架桿。
如請求項1或2所述之機關車的傳動軸拆裝輔助工具，其中，所述可調式支撐部件包括一支撐座、複數滾動元件以及一固定部件，所述支撐座係裝設在該橫向架桿上並能沿著該橫向架桿移動，該複數滾動元件裝設在所述支撐座上並能滾動，所述固定部件裝設在所述支撐座並能將所述支撐座鎖固在該橫向架桿上。
如請求項3所述之機關車的傳動軸拆裝輔助工具，其中，該橫向架桿為截面形狀非圓形的桿件，所述支撐座中具有對應於該橫向架桿截面形狀的穿孔，使所述支撐座僅能在該橫向架桿上直線移動。
一種客服轉接系統，適用於一第一使用者終端裝置及一第二使用者終端裝置，並包含：<br/> 一內部伺服器，包括一第一通訊單元、一第一儲存單元及一第一處理單元，該第一通訊單元用於提供連網功能，該第一儲存單元儲存一資料庫、多筆使用者識別資料及多個問答資料，每一該問答資料對應一背景序號，該資料庫具有一未解決問題表，該第一處理單元電連接該第一通訊單元及該第一儲存單元；及<br/> 一客服伺服器，通訊連接該內部伺服器，並包括一第二通訊單元及一第二處理單元，該第二通訊單元用於提供連網功能，該第二處理單元電連接該第二通訊單元；<br/> 其中，該第一處理單元經由該第一通訊單元與該第一使用者終端裝置建立連線，並接收來自該第一使用者終端裝置的一包含一登入資料的登入請求，且判斷該登入資料與該第一儲存單元所儲存的該等使用者識別資料其中之一者相符時，該第一處理單元提供一問答介面給該第一使用者終端裝置，並經由該問答介面接收來自該第一使用者終端裝置的一提問訊息，該登入資料包含一第一使用者識別碼；<br/> 該第一處理單元根據該提問訊息與該第一儲存單元所儲存的各該問答資料計算各該問答資料與該提問訊息之間的一匹配度，並將該等匹配度其中之一最高者所對應的該問答資料經由該問答介面提供給該第一使用者終端裝置；<br/> 該第一處理單元收到該第一使用者終端裝置透過該問答介面傳來的一協助請求時，根據該第一使用者識別碼、該最高者所對應的該問答資料所對應的該背景序號產生一關鍵碼，並提供給該第一使用者終端裝置，並產生一包含該第一使用者識別碼、該背景序號和該關鍵碼的未解決問題資訊，並記錄至該資料庫的該未解決問題表；<br/> 當該第二處理單元經由該第二通訊單元與該第一使用者終端裝置建立連線，並接收來自該第一使用者終端裝置的一待確認關鍵碼時，該第二處理單元根據該待確認關鍵碼，比對該內部伺服器的該資料庫的該未解決問題表其中包含的該關鍵碼，並產生一比對結果；<br/> 當該比對結果是該待確認關鍵碼相符於該關鍵碼時，該第二處理單元建立該第一使用者終端裝置與該第二使用者終端裝置之間的通話連線。
如請求項1所述的客服轉接系統，其中，當該比對結果是該待確認關鍵碼不相符於該資料庫其中包含的該關鍵碼時，該第二處理單元產生一語音訊息給該第一使用者終端裝置，該語音訊息相關於使用該問答介面的提示訊息。
如請求項1所述的客服轉接系統，其中，該第一儲存單元還儲存一預設排程、一閾值和一對應一業務主管單位人員的電子郵箱地址，該未解決問題表包含各該背景序號被記錄的一累計次數；該第一處理單元根據該預設排程判斷各該背景序號被記錄的該累計次數是否大於或等於該閾值，並在判斷出該等背景序號其中之一者的該累計次數大於或等於該閾值時，產生並傳送一包含該背景序號的報表至對應該業務主管單位人員的該電子郵箱地址。
如請求項1所述的客服轉接系統，其中，該第一儲存單元還儲存一預設排程和一對應一業務主管單位人員的電子郵箱地址，每一該使用者識別資料包含一使用者識別碼，每一該使用者識別碼包含一隸屬分行別，該未解決問題表包含各該隸屬分行別被記錄的一分行累計次數；該第一處理單元根據該預設排程取得該等分行累計次數，產生一相關於該等分行累計次數的分行順序，且產生並傳送一包含該分行順序的通知至對應該業務主管單位人員的該電子郵箱地址。
一種感測模組，包含：<br/> 一第一基板，具有一第一透光部；<br/> 一發射元件，位於該第一基板上；<br/> 一接收元件，位於該第一基板上；<br/> 一第二基板，具有一第二透光部，其中該第二透光部對應該發射元件以及該接收元件；<br/> 一第一反射元件，以一運動機構可運動地設置於該第二基板，使得該第一反射元件的一第一反射面可選擇地對應或不對應該發射元件以及該接收元件；以及<br/> 一第二反射元件，設置於該第二基板，其中該第二反射元件的一第二反射面對應該第一透光部以及該第一反射元件，以將來自該第一透光部的光線導引至該第一反射元件，並將來自該第一反射元件的光線導引至該第一透光部；其中，<br/> 當該第一反射面對應該發射元件以及該接收元件時，該第一反射面將來自該發射元件的光線導引至該第二反射面，並將來自該第二反射面的光線導引至該接收元件。
如請求項1所述的感測模組，其中該運動機構係一移動機構或一轉動機構。
如請求項1所述的感測模組，其中該運動機構包含一第一線圈、一第二線圈以及位於其間的一磁性件，該第一反射元件直接或間接設置於該磁性件，該第一線圈以及該第二線圈通電後產生的磁場驅動該磁性件位移，使得該第一反射面可選擇地對應或不對應該發射元件以及該接收元件。
如請求項3所述的感測模組，其中該第二反射元件直接或間接設置於該磁性件。
如請求項1所述的感測模組，其中該運動機構包含至少一電磁鐵以及一磁性件，該第一反射元件直接或間接設置於該磁性件，該至少一電磁鐵根據其通電狀態吸引或排斥該磁性件，使得該第一反射面可選擇地對應或不對應該發射元件以及該接收元件。
如請求項5所述的感測模組，其中該第二反射元件直接或間接設置於該磁性件。
如請求項1所述的感測模組，其中該運動機構包含一轉動件，該第一反射元件直接或間接設置於該轉動件，該轉動件驅動該第一反射元件轉動，使得該第一反射面可選擇地對應或不對應該發射元件以及該接收元件。
如請求項7所述的感測模組，其中該轉動件包含一電磁線圈或一齒輪傳動機構。
一種攝像模組，包含一第一鏡頭、一第二鏡頭以及請求項1至8中任一項所述的感測模組，其中該第一鏡頭對應該第一透光部，且該第二鏡頭對應該第二透光部。
一種電子裝置，包含一殼體、一第一鏡頭、一第二鏡頭以及請求項1至8中任一項所述的感測模組，其中該第一鏡頭設置於該殼體並對應該第一透光部，該第二鏡頭設置於該殼體並對應該第二透光部，且該感測模組位於該殼體內。
一種開關組合，其包含有： <br/>一罩體，該罩體用於罩設一電源開關，所述電源開關包含有至少一按鍵件，該罩體包含有對應該至少一按鍵件的位置的至少一開孔；以及 <br/>至少一造型鍵，該至少一造型鍵用於貼附於該至少一按鍵件，並且對應該罩體的該至少一開孔的位置。
如請求項1所述之開關組合，其中 <br/>所述電源開關包含有一面板； <br/>該罩體用於罩設於該面板的外圍。
如請求項2所述之開關組合，其中所述造型鍵具有一造型本體以及形成於該造型本體後側並且貼附於所述按鍵件的一凸緣部；該造型本體至少局部伸入所述開孔。
如請求項3所述之開關組合，其中所述造型鍵的凸緣部的面積小於所述按鍵件的面積。
如請求項1至4中任一項所述之開關組合，其中 <br/>所述電源開關包含有複數個所述按鍵件； <br/>該罩體包含有分別對應該複數個按鍵件位置的複數個所述開孔； <br/>該開關組合包含有用於分別貼附於該複數個按鍵件並且分別對應該複數個開孔位置的複數個所述造型鍵。
一種具高相容性的機器人，包含： <br/>一機身； <br/>一運動裝置，設置於該機身； <br/>一感測裝置，設置於該機身； <br/>一電源裝置，設置於該機身； <br/>一行動運算裝置，設置於該機身；以及 <br/>一通用序列匯流排集線器，設置於該機身且電性連接該運動裝置、該感測裝置、該電源裝置與該行動運算裝置，其中，該行動運算裝置透過通用序列匯流排人機介面裝置通訊協定與該運動裝置、該感測裝置和該電源裝置連線以進行資料傳輸。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，該機器人進一步包含一無線充電器，該無線充電器設置於該機身，該行動運算裝置位於該無線充電器的感應範圍內。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該運動裝置為受控於該行動運算裝置的滾輪、機械足或機械手臂。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該感測裝置包含測距模組或物件偵測模組。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該電源裝置包含一電池模組與電性連接該電池模組的一充電器。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該行動運算裝置為一智慧型手機。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該行動運算裝置為一智慧型手機，該機身具有供設置該智慧型手機的一容置空間。
如請求項7所述之具高相容性的機器人，其中，該機身包含一底座，該底座一側設有一固定框架，該容置空間位於該固定框架的兩側柱之間。
如請求項8所述之具高相容性的機器人，其中，該底座於該容置空間底側設有一連接器以連接該行動運算裝置。
如請求項1所述之具高相容性的機器人，其中，該機身的底部設有滾輪。
一種絕緣工具改良結構，包含有：<br/> 一握柄，其一端沿軸向內凹形成有一具有開口之容置空間，並於該容置空間內形成有一與該開口呈相對設置之底面；<br/> 一驅動桿，具有一穿設端、一與該穿設端相反之工作端及一連接於該穿設端與該工作端之間的驅動段，該穿設端穿設於該容置空間中並與該握柄相接，而該工作端則連同該驅動段伸出於該容置空間外；<br/> 一絕緣套，由絕緣材質製成，該絕緣套可滑動地套設於該驅動桿之外周上，該絕緣套具有一朝該穿設端延伸並同時伸入於該容置空間中之第一端部及一朝該工作端延伸之第二端部，並於該第一端部與該容置空間的底面之間形成有一退縮間距，以允許該絕緣套可相對該驅動桿而朝該容置空間的底面方向退縮。
如請求項1所述之絕緣工具改良結構，其中，該底面形成有一非圓形之卡掣孔，且於該穿設端之末端延伸形成有一與該卡掣孔之形狀相互對應的卡掣部，該穿設端用以穿設於該容置空間中並以其卡掣部相對插接於該底面之卡掣孔中。
如請求項1所述之絕緣工具改良結構，其中，該驅動桿之該驅動段與該工作端的交接處形成有一肩部，且於該絕緣套之第二端部內形成有一可相對抵接於該肩部上之擋面。
如請求項3所述之絕緣工具改良結構，其中，在該絕緣套之擋面相對抵接於該肩部上時，該工作端之前緣將有部分露出於該絕緣套外而形成有一外露部。
如請求項1所述之絕緣工具改良結構，其中，在位於該容置空間中之穿設端上套設有一彈性件，該彈性件之一端彈抵於該容置空間之底面上，該彈性件之另一端彈抵於該第一端部上，使該絕緣套在受外力推擠而朝該容置空間的底面方向退縮時可相對壓縮該彈性件，並進而產生一可帶動該絕緣套自動回彈復位之復歸彈力。
如請求項5所述之絕緣工具改良結構，其中，該驅動桿之該驅動段與該工作端的交接處形成有一肩部，使該彈性件相對彈抵於該絕緣套之第一端部上時，該彈性件可相對推動該絕緣套之第二端部內所形成的一擋面相對抵接於該肩部上，並使該工作端之前緣部分露出於該絕緣套外而形成有一外露部。
如請求項1所述之絕緣工具改良結構，其中，該工作端可成形為十字起子、一字起子、星型頭、外六角頭或套筒其中一種的起子頭形態。
如請求項1所述之絕緣工具改良結構，其中，該握柄係透過射出成型方式一體包覆成型於該驅動桿之穿設端上。
一種坩鍋組合，包括：<br/> 一坩鍋，具有一容置空間；<br/> 一鍋蓋，具有至少一開口，配置以覆蓋該容置空間；<br/> 一環形固定元件，在該鍋蓋的一下表面；及<br/> 一多孔石墨層，透過該環形固定元件設置於該鍋蓋下方且覆蓋該至少一開口，其中該多孔石墨層的一側壁與該坩鍋的一內壁彼此間隔開。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該至少一開口的數量是1個至3個，且該多孔石墨層覆蓋該至少一開口。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的該側壁與該坩鍋的該內壁彼此間隔開一距離，該距離是10 mm至15 mm。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該至少一開口是圓形。
如請求項4所述之坩鍋組合，其中該至少一開口的直徑是10 mm至15 mm。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的孔隙度是60%至70%。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的平均孔徑是5 μm至15 μm。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的厚度是20 mm至30 mm。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的純度大於4N5。
如請求項1所述之坩鍋組合，其中該多孔石墨層的厚度大於該環形固定元件的厚度。
一種人形機器人適用之快速運輸裝置組合，其為由自行車單元與第一磁力底座與第二磁力底座與活動式磁力元件所組成，該自行車單元可在複數種類地形道路快速運輸該活動式磁力元件，該自行車單元可在複數種類地形道路快速運輸該第一磁力底座，該自行車單元可在複數種類地形道路快速運輸該第二磁力底座，該活動式磁力元件可接收該第一磁力底座輸出之磁力，可使該人形機器人與該第一磁力底座之間產生安全連接力，該活動式磁力元件可接收該第二磁力底座輸出之磁力，可使該人形機器人與該第二磁力底座之間產生安全連接力，該第一磁力底座可接收該人形機器人垂直向下動態輸出之力，該第二磁力底座可接收該人形機器人垂直向下動態輸出之力，可使該自行車單元之後輪車體部位保持水平平衡，可降低該自行車單元水平不平衡傾倒所造成之快速運輸損壞之機率，可達到提高在複數種類地形道路快速運輸該人形機器人之操作安全機率之標的；其特徵在於： <br/>該活動式磁力元件之數量為複數個； <br/>該活動式磁力元件之向上正面連接於該人形機器人之下肢之底部； <br/>該活動式磁力元件之向下底面連接於該第一磁力底座； <br/>該活動式磁力元件之向下底面連接於該第二磁力底座； <br/>該自行車單元位於該第一磁力底座與該第二磁力底座之間； <br/>該第一磁力底座連接於該自行車單元之後輪車體部位之側邊； <br/>該第二磁力底座連接於該自行車單元之後輪車體部位之另一側邊。
如請求項1之人形機器人適用之快速運輸裝置組合，自行車單元具有吊桿。
如請求項2之人形機器人適用之快速運輸裝置組合，吊桿連接自行車單元之自行車座椅。
如請求項1之人形機器人適用之快速運輸裝置組合，活動式磁力元件與快速連接輔助元件連接。
一種個人專屬智慧會計師系統，包括：<br/> 一輸入輸出裝置，配置以接收一帳務數據操作；以及<br/> 一處理器，通訊連接該輸入輸出裝置，並與一客戶帳務系統串接，且該客戶帳務系統包括複數個帳務資料，其中該處理器包括：<br/> 一帳務資料整合模組，配置以整合該些帳務資料以產生一帳務金流資料；<br/> 一智慧金流分類模組，訊號連接該帳務資料整合模組，配置以利用一人工智慧模型自動判斷及對該帳務金流資料進行一資金分類，以產生一資金分類數據；以及<br/> 一財務報表產製模組，訊號連接該智慧金流分類模組，配置以利用該人工智慧模型並根據該資金分類數據產製一個人專屬財務報表，並提供至該輸入輸出裝置。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一智慧建議模組，訊號連接該智慧金流分類模組，配置以利用該人工智慧模型並分析該個人專屬財務報表，以產生一理財建議分析結果，並提供至該輸入輸出裝置。
如請求項2所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該理財建議分析結果包括一現金管理建議、一風險管理建議、一消費行為建議、一理財產品建議、一放款產品建議、一信用卡建議或其組合。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一客戶回饋模組，訊號連接該智慧金流分類模組，配置以接收該輸入輸出裝置提供的一分類修正操作，並根據該分類修正操作產生一修正訓練數據，以透過該修正訓練數據持續對該智慧金流分類模組進行個人化的學習。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該處理器進一步包括：<br/> 一帳務資料匯入模組，訊號連接該帳務資料整合模組，配置以自該客戶帳務系統匯入該些帳務資料。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該些帳務資料包括一存款金流資料、一證券資料、一信用卡消費資料、一基金資料、一放款與擔保資料或其組合。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該人工智慧模型包括一機器學習分類模型、一深度學習模型、一自然語言處理模型或其組合。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該人工智慧模型包括一自然語言處理模型、一預測分析模型或其組合。
如請求項1所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該個人專屬財務報表包括一個人專屬損益表、一個人專屬資產負債表或其組合。
如請求項9所述之個人專屬智慧會計師系統，其中該個人專屬損益表包括一存款金流資料、一信用卡消費資料或其組合，而該個人專屬資產負債表包括該存款金流資料、一證券資料、該信用卡消費資料、一基金資料、一放款與擔保資料或其組合。
一種金融報表整合分析系統，包含： <br/> 一金融報表整合分析伺服器；以及<br/> 一金融報表儲存伺服器，連接於該金融報表整合分析伺服器，其中該金融報表整合分析伺服器由該金融報表儲存伺服器取得複數個原始金融報表，進而分析該些原始金融報表，以產生一整合金融報表。
如請求項1所述之金融報表整合分析系統，更包含：<br/> 一報表使用單位電腦裝置，連接於該金融報表整合分析伺服器，以由該金融報表整合分析伺服器取得該整合金融報表。
如請求項2所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，包含：<br/> 一金融報表取得模組，由該金融報表儲存伺服器取得該些原始金融報表。
如請求項3所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一金融報表相似度計算模組，連接於該金融報表取得模組，以根據該些原始金融報表的表頭欄位計算出一相似度。
如請求項4所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一相似報表判斷模組，連接於該金融報表相似度計算模組，當該相似度大於一預定比例時，判斷該些原始金融報表為相似報表。
如請求項5所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一相似報表整合模組，連接於該相似報表判斷模組，當該相似度大於該預定比例時，整合該些原始金融報表，以形成該整合金融報表，其中該預定比例為0.9。
如請求項6所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一整合報表推薦模組，連接於該相似報表整合模組，以公布該整合金融報表。
如請求項7所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一無效報表刪除模組，連接於該整合報表推薦模組，刪除無效報表。
如請求項8所述之金融報表整合分析系統，其中該金融報表整合分析伺服器，更包含：<br/> 一報表使用單位回饋接收模組，連接於該無效報表刪除模組，以由該報表使用單位電腦裝置接收該整合金融報表的使用回饋。
如請求項9所述之金融報表整合分析系統，其中該報表使用單位電腦裝置，包含，一報表使用單位手機、一報表使用單位平板電腦或一報表使用單位筆電。
一種瀝水架，包括：<br/> 一基部，具有一置放架，該置放架固定有一抵靠板；<br/> 一活動部，具有一擠壓架，該擠壓架樞設於該置放架而可往該抵靠板偏擺，該擠壓架並固定有一握把；<br/> 至少一定置器，皆連接該置放架者。
如請求項1所述之瀝水架，其中，該擠壓架一端形成有兩套環，該擠壓架以兩該套環套設於該置放架的方式來樞設於該置放架者。
如請求項1所述之瀝水架，其中，該置放架設為L型架狀者。
如請求項1所述之瀝水架，其中，該擠壓架設為三角網柵狀者。
一種偵測裝置，包含：<br/> 一安裝座，界定出一容裝空間；<br/> 一感測器，用於安裝在該容裝空間內，並包括一感測封裝座，及一同體連接於該感測封裝座底部的承載座，該承載座界定出一承載空間，該承載空間具有一位於前側的開口；及<br/> 一蓄電器，自該開口進出該承載空間，並與該感測器電連接，該蓄電器包括一蓄電封裝座。
如請求項1所述的偵測裝置，其中，該承載座具有一間隔位於該感測封裝座下方的載板，及一由該載板邊緣連接至該感測封裝座的圍板，該載板與該圍板配合界定出該承載空間。
如請求項2所述的偵測裝置，其中，該承載座之該圍板具有數個角度間隔排列的欄杆，及數個位在該等欄杆之間的欄隙。
如請求項1、2或3所述的偵測裝置，其中，該感測器還包括一伸出該感測封裝座的第一電線，及一設置於該第一電線末端的第一接頭，該蓄電器還包括一伸出該蓄電封裝座的第二電線，及一設置於該第二電線末端的第二接頭，該第二接頭與該第一接頭可拆離地相連接。
如請求項4所述的偵測裝置，其中，該感測封裝座具有一鄰近該開口且凹設於底面的線槽，及一由該線槽底端橫向往前連通的卡槽，該第一電線能相對於該感測封裝座在一阻擋位置與一開放位置之間改變，該第一電線位在該阻擋位置時，直向往下伸出該線槽且阻擋在該蓄電封裝座前方，使該蓄電封裝座被限位在該承載空間內而不能向前脫離，該第一電線位在該開放位置時，橫向往前伸出該卡槽且不阻擋在該蓄電封裝座前方，使該蓄電器能向前脫離該承載空間。
如請求項5所述的偵測裝置，其中，該安裝座包括一底壁、一由該底壁周緣向上延伸的周壁，及一徑向突設於該周壁之內周面的內螺紋，該感測封裝座具有一設置於外周面且與該內螺紋相嚙合的外螺紋。
如請求項6所述的偵測裝置，其中，該安裝座還包括至少一軸向貫穿該內螺紋並截斷該內螺紋的穿槽，該至少一穿槽連通該容裝空間。
如請求項6所述的偵測裝置，其中，該感測封裝座具有數個角度間隔且設置於頂面的凹孔。
如請求項1所述的偵測裝置，其中，該感測封裝座的頂面與該安裝座的頂面齊平。
一種可掀式護罩，包含：<br/> 一第一支架單元，包括複數沿一第一方向間隔排列且沿一第二方向延伸的第一支撐片，該第二方向垂直於該第一方向，每一第一支撐片具有一位於頂側的第一頂部；<br/> 一第二支架單元，包括複數沿該第一方向間隔排列的第二支撐片，該等第二支撐片分別可轉動地樞接於該等第一支撐片沿該第二方向的其中一側，每一第二支撐片具有一相鄰於各自的該第一頂部的第二頂部；及<br/> 一遮擋單元，包括一設置於該等第一頂部並可沿該第一方向伸縮的第一遮擋部，及一設置於該等第二頂部並可沿該第一方向伸縮的第二遮擋部，該等第二支撐片相對該等第一支撐片轉動時，可連動使該第二遮擋部相對該第一遮擋部翻轉。
如請求項1所述的可掀式護罩，其中，每一第一遮擋部具有複數分別設置於該等第一頂部的第一脊區，及複數分別連接相鄰的兩個第一脊區間並相對該等第一脊區呈凹陷狀的第一谷區，每一第二遮擋部具有複數分別設置於該等第二頂部的第二脊區，及複數分別連接相鄰的兩個第二脊區間並相對該等第二脊區呈凹陷狀的第二谷區。
如請求項2所述的可掀式護罩，其中，每一第一遮擋部還具有複數分別設置於該等第一脊區且依序部分疊合的第一鱗片區，每一第一鱗片區自各自的該第一脊區沿該第一方向跨過相鄰的另一第一脊區，每一第二遮擋部還具有複數分別設置於該等第二脊區且依序部分疊合的第二鱗片區，每一第二鱗片區自各自的該第二脊區沿該第一方向跨過相鄰的另一第二脊區。
如請求項2或3所述的可掀式護罩，其中，該等第二支撐片可相對該等第一支撐片於一關閉位置及一開啟位置之間轉動，於該關閉位置時，該等第一脊區、該等第一谷區、該等第二脊區及該等第二谷區共同沿該第二方向延伸，該等第二脊區相鄰該等第一脊區的一側分別與該等第一脊區交疊，該等第二谷區相鄰該等第一谷區的一側分別與該等第一谷區交疊，於該開啟位置時，該等第一脊區不與該等第二脊區交疊，該等第一脊區與該等第二脊區夾一翻轉角度，該等第一谷區不與該等第二谷區交疊，該等第一谷區與該等第二谷區夾該翻轉角度。
如請求項2所述的可掀式護罩，其中，該第一支架單元還包括複數分別連接該等第一支撐片沿該第二方向相反該等第二支撐片的一側的第三支撐片，該第二支架單元還包括複數分別連接該等第二支撐片相反該等第一支撐片的一側並分別與該等第三支撐片相對的第四支撐片，該遮擋單元還包括一設置於該等第三支撐片並可沿該第一方向伸縮的第三遮擋部，及一設置於該等第四支撐片並可沿該第一方向伸縮的第四遮擋部。
如請求項5所述的可掀式護罩，其中，該等第一脊區分別可彎折地與該等第二脊區相連，該等第一谷區分別可彎折地與該等第二谷區相連，該等第二支撐片可相對該等第一支撐片於一關閉位置及一開啟位置之間轉動，於該關閉位置時，該等第一脊區、該等第一谷區、該等第二脊區及該等第二谷區共同沿該第二方向延伸，於該開啟位置時，該等第一脊區與該等第二脊區夾一翻轉角度，該等第一谷區與該等第二谷區夾該翻轉角度。
一種可掀式模組化護罩，包含：<br/> 一外框架單元，包括沿一第一方向延伸且沿一第二方向間隔設置的一第一邊架及一第二邊架，及二沿該第一方向間隔設置且兩端分別連接該第一邊架及該第二邊架的第三邊架，該第二方向垂直該第一方向，每一該第三邊架具有一連接該第一邊架的第一邊條，及一連接該第二邊架的第二邊條，該第一邊條可相對該第二邊條轉動；<br/> 一內框架單元，包括沿該第二方向間隔設置並位於該等第三邊架間的一第四邊架及一第五邊架，及二沿該第二方向延伸且兩端分別連接該第四邊架及該第五邊架間的第六邊架，該等第六邊架可沿該第二方向相對該等第三邊架移動；<br/> 一窗架單元，包括一可沿該第一方向移動地設置於該第四邊架及該第五邊架間的窗框，及一由該窗框圍繞界定的窗口；及<br/> 一防護單元，包括分別設置於該等第六邊架且連接該窗框的一第一遮擋組及一第二遮擋組、一設置於該第一邊架並樞接於該第四邊架的第三遮擋組，及一設置於該第二邊架及該第五邊架間的第四遮擋組，該第一遮擋組及該第二遮擋組可沿該第一方向伸展或收合，該等第三遮擋組及該等第四遮擋組可沿該第二方向伸展或收合。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，還包含一定位單元，該定位單元包括二可伸縮的推拉件，每一該推拉件的兩相反端分別可轉動地設置於各自的該第一邊條及各自的該第二邊條，該等推拉件伸長時，該等第一邊條分別與該等第二邊條沿該第二方向延展，該等推拉件縮短時，該等第一邊條分別相對該等第二邊條翻轉。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，還包含一定位單元，該定位單元包括二分別設置於該等第二邊條的擋件，當該等第一邊條分別相對該等第二邊條轉動時，該等擋件分別相反該等第二邊條的一側可分別抵於該等第一邊條以分別對該等第一邊條限位。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，每一該遮擋組具有複數間隔排列的支撐片，及一設置於該等支撐片的遮擋片，每一該支撐片具有一端緣，每一該遮擋片具有複數分別設置於該等端緣的脊區，及複數分別連接相鄰的兩個脊區並相對該等脊區呈凹陷狀的谷區。
如請求項4所述的可掀式模組化護罩，其中，每一遮擋組還具有複數分別設置於對應的該等脊區且依序部分疊合的鱗片，每一該鱗片自各自的該脊區跨過相鄰的另一脊區。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，該等第一邊條具有二相對設置的第一導槽，該等第二邊條具有二相對設置的第二導槽，該第三遮擋組沿該第一方向的兩相反側分別穿設於該等第一導槽，該第四遮擋組沿該第一方向的兩相反側分別穿設於該等第二導槽。
如請求項1所述的可掀式模組化護罩，其中，該第四邊架具有一朝內開放並沿該第一方向延伸的第三導槽，該第五邊架具有一朝內開放並沿該第一方向延伸的第四導槽，該窗框可沿該第一方向移動地穿設於該第三導槽及該第四導槽，該第二遮擋組可沿該第一方向移動地穿設於該第三導槽及該第四導槽。
一種晶圓片之電子端固定結構，其包括： <br/>一晶圓片，該晶圓片的一側面設有多個相間隔設置的凹槽； <br/>多個隔擋件，該些隔擋件固設在該晶圓片之該側面上，並且分別位置對應該些凹槽，每一所述隔擋件形成為U形而具有一開口，前述該晶圓片的每一所述凹槽位於相對應之所述隔擋件中；與 <br/>多個感測器，該些感測器分別設於該晶圓片之該些凹槽中，該些隔擋件所包圍的空間內填充有陶瓷膠，每一所述感測器的電連接線從相對應之所述隔擋件的該開口延伸而出。
如請求項1所述的晶圓片之電子端固定結構，其中，令該晶圓片之環周緣的其中一側為集線側，各所述隔擋件之該開口朝向該晶圓片之該集線側。
如請求項1所述的晶圓片之電子端固定結構，其中，該隔擋件為金屬材質，且以點焊方式固定在該晶圓片上。
如請求項2所述的晶圓片之電子端固定結構，其中，該隔擋件為金屬材質，且以點焊方式固定在該晶圓片上。
如請求項1至4中任一項所述的晶圓片之電子端固定結構，其中，該晶圓片之該些凹槽均勻配置在該晶圓片之該側面上。
如請求項1至4中任一項所述的晶圓片之電子端固定結構，其中，該晶圓片之該些凹槽集中設置在該晶圓片上的至少一個主要的位置處。
一種腳架組件，適於承載一電子裝置並放置於一直立狀態或一水平狀態，該電子裝置具有相對的一第一側及一第二側及相對的一第三側及一第四側，該腳架組件包括：<br/> 一第一腳架，包括一第一承靠部及分別連接於該第一承靠部的兩側的兩第一夾持部，該第一承靠部適於承靠該第三側，該兩第一夾持部適於分別夾持該第一側及該第二側；以及<br/> 一第二腳架，可拆卸地設置於該第一腳架且包括一第二承靠部及分別連接於該第二承靠部的兩側的兩第二夾持部，該第二承靠部適於承靠該第三側或該第四側，該兩第二夾持部適於分別夾持該第一側及該第二側，<br/> 其中當該第二腳架設置於該第一腳架時，該電子裝置適於被承載於該直立狀態，當該第二腳架分離於該第一腳架時，該電子裝置適於被承載於該水平狀態。
如請求項1所述的腳架組件，其中該兩第一夾持部分別具有一容置空間，當該第二腳架設置於該第一腳架時，該兩第二夾持部適於位於對應的該兩第一夾持部的該容置空間。
如請求項1所述的腳架組件，其中該第一腳架包括一第一彈性件，當該第二腳架設置於該第一腳架時，該第一彈性件位於該兩第一夾持部及對應的該兩第二夾持部之間。
如請求項3所述的腳架組件，其中該第二腳架包括一第二彈性件，當該兩第一夾持部及該兩第二夾持部夾持該電子裝置時，該第一彈性件及該第二彈性件分別抵接於該電子裝置。
如請求項1所述的腳架組件，其中該第一腳架及該第二腳架分別包括至少一第三彈性件，當該第二腳架分離於該第一腳架時，該至少一第三彈性件適於連接於一平面。
如請求項1所述的腳架組件，其中該第二腳架包括一第四彈性件，當該第二腳架設置於該第一腳架時，該第四彈性件位於該第一腳架及該第二腳架之間。
如請求項1所述的腳架組件，其中該第一腳架包括一第一連接部，該第二腳架包括一第二連接部，該第一連接部自該第一承靠部凸出，該第二連接部自該第二承靠部凸出，當該第二腳架分離於該第一腳架時，該第一連接部及該第二連接部適於連接於一平面。
如請求項1所述的腳架組件，其中當該腳架組件與電子裝置分離時，該兩第一夾持部遠離該第一承靠部的兩端的一距離及該兩第二夾持部遠離該第二承靠部的兩端的一距離小於該電子裝置的該第一側及該第二側之間的一距離，而使該兩第一夾持部以及該兩第二夾持部適於藉由彈力而夾持該電子裝置的該第一側及該第二側。
一種保溫餡料機，其包含：<br/> 一機座；<br/> 一電控機構，其設於該機座；<br/> 一驅動機構，其設於該機座之內部且電連接該電控機構；<br/> 一攪拌機構，其可移除地設於該機座之頂部且連接該驅動機構；<br/> 一容器，其可移除地設於該攪拌機構之頂部；以及<br/> 一保溫機構，其設於該容器之外側且電連接該電控機構。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該機座之頂部設有一置放部及一限位模組，該限位模組設於該置放部之外側，該攪拌機構可移除地設於該置放部，且該限位模組限制或釋放該攪拌機構與該容器。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該電控機構包括有一電力連接模組、一設定模組、一操控模組及一溫控模組，該設定模組電連接該電力連接模組，該操控模組與該溫控模組電連接該設定模組，並設定模組電連接該驅動機構，該溫控模組電連接保溫機構。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該驅動機構為馬達、伺服馬達或步進馬達。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該攪拌機構包括有一容置座、多數固定部、一封蓋、一入料口、一導引部、一出料口及二攪動輪，該等固定部設於該容置座之頂部，該封蓋可移除地設於該等固定部且位於該容置座之頂部，該入料口設於該封蓋且連通該容置座之內部，該導引部位於該容置座之內部之一側，該出料口連通設於該容置座之外部之一側，該等攪動輪相互嚙合且活動設於該容置座之內部，並該等攪動輪位於該導引部與該出料口之間。
如請求項5所述之保溫餡料機，其中該容器可移除地設於該等固定部，且該容器之一端對應連通該入料口。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該容器包括有一寬口容料部、一斜面容料部、一蓋體、一給料部及一組接部，該寬口容料部位於該容器之頂部，該斜面容料部位於該容器之底部，以使該容器呈向下漸縮之錐形，該蓋體可移除地設於該寬口容料部之頂部，該給料部設於該斜面容料部之底部，該組接部設於該給料部之外側，並該組接部可移除地設於該攪拌機構之頂部，該保溫機構設於該斜面容料部之外側。
如請求項1所述之保溫餡料機，其中該保溫機構為可撓式導熱板，且該保溫機構包覆於該容器之外側。
一種比流器之改良結構，係包括：<br/> 一外殼，該外殼之內部具有一容置空間，該外殼之底部具有一連通該容置空間之開口；<br/> 一次端線圈，係設置於該外殼之容置空間；<br/> 一次端接線端子，係電性連接該一次端線圈並露出該外殼；<br/> 二次端本體，係設置於該外殼之容置空間；<br/> 一支架，係設置於該外殼之容置空間，該支架具有複數支撐腿部，該些支撐腿部係朝向該外殼之底部之開口延伸，該些支撐腿部之底端係對應設置有複數鎖固部，該二次端本體係固定於該些支撐腿部頂端；以及<br/> 一樹脂密封體，係填充於該外殼之容置空間並密封該一次端線圈及二次端本體；<br/> 其中，該樹脂密封體係由該外殼之底部之開口向內凹陷形成一簍空部，該樹脂密封體形成複數對應該些鎖固部位置之通孔。
如請求項1所述之比流器之改良結構，其中該外殼之外表面形成複數傘裙部，各該傘裙部之上表面係由內而外向下傾斜。
如請求項1或2所述之比流器之改良結構，其中該樹脂密封體之材質為環氧樹脂。
如請求項2所述之比流器之改良結構，其中該支架進一步包括一弧形之承托部，該承托部設於該些支撐腿部頂端，該二次端本體係固定於該承托部。
一種具容置空間之內褲結構，其包括：<br/> 一褲體，該褲體係設置成可穿著於一人體之腹股溝部位，該褲體具有：<br/> 一外表面；<br/> 一內表面，該內表面係與該外表面互為反面，該內表面在該褲體穿著於該人體之腹股溝部位時朝向該人體；<br/> 一上開口，該上開口係供該人體軀幹穿過之；<br/> 一左開口及一右開口，該左開口及該右開口係分別供該人體之左腿及右腿穿過；以及<br/> 一內襯片，該內襯片係縫合對應於該人體腹部之內表面，並形成一容置空間，且設有至少一與該容置空間相連通之次開口。
如請求項1所述之具容置空間之內褲結構，其中該次開口之數量為二，且該次開口係分別相對於該容置空間之左上側與右上側。
如請求項2所述之具容置空間之內褲結構，其中該內襯片之材質係為聚酯纖維。
如請求項1至3中任一項所述之具容置空間之內褲結構，其中該褲體之材質係為棉、尼龍、蠶絲、莫代爾、聚酯纖維。
如請求項1至3中任一項所述之具容置空間之內褲結構，更包括一吸收墊體，該吸收墊體的縫合線條係沿係該褲體之檔部邊緣配置。
如請求項5所述之具容置空間之內褲結構，其中該吸收墊體係包括：<br/> 一親膚層，該親膚層係與該人體之皮膚接觸；<br/> 一吸收層，該吸收層係設置於該親膚層下方，用於吸收一液體；及<br/> 一防水層，該防水層係設置於該吸收層下方，並與該褲體之內表面相鄰接，用於防止該液體滲漏至該褲體。
如請求項6所述之具容置空間之內褲結構，其中該親膚層、該吸收層及該防水層係以疊層方式組成。
如請求項6所述之具容置空間之內褲結構，其中該親膚層包含棉質布料、竹纖維布或其他親膚性纖維材料。
如請求項6所述之具容置空間之內褲結構，其中該吸收層包含天然纖維、不織布或高分子吸收材料。
如請求項6所述之具容置空間之內褲結構，其中該防水層包含防水透氣膜或塗層布料。
一種縫紉機之針鎦裝置，係包括：<br/> 一本體，該本體之底部相對兩側分別橫向地設有一第一滑扣部，並自該本體的底端凹設有多數針穴；<br/> 一過線塊，其頂部相對兩側分別橫向地設有一第二滑扣部，並於該過線塊上穿設有至少一導針孔及多數過線孔，且於該過線塊上設有一定位穴，令該過線塊頂端兩側的該第二滑扣部可分別對應地滑扣該本體底部位於兩側之該第一滑扣部，使該過線塊結合在該本體的底部，且使該導針孔投影位於各該針穴的下方；以及<br/> 一定位片，其第一端是鎖固於該本體上，且令該定位片之第二端係伸入該過線塊之該定位穴中，以阻擋該過線塊與該本體產生橫向相對位移。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中各該第一滑扣部是分別為一橫向的槽；而該第二滑扣部是形成與該第一滑扣部對應橫向的凸部。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中各該第一滑扣部是分別為一橫向的凸部；而該第二滑扣部是形成與該第一滑扣部對應橫向的槽。
如請求項2或3所述縫紉機之針鎦裝置，其中該槽是指鳩尾槽、方口槽或弧形槽；該凸部是指鳩尾座、方形凸部或弧形凸部。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中該定位穴是自該過線塊之頂端向下凹設。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中該過線塊所穿設之各該過線孔係與該針穴呈一夾角，且各該過線孔之孔緣形成圓弧導角。
一種電流監控及過載警示電路構造，電性連接一交流電電路及一負載電路，該電流監控及過載警示電路構造包括：<br/> 一電流感測單元，電性連接一火線輸入端點及一火線輸出端點，該火線輸入端點電性連接該交流電電路的一火線，該火線輸出端點電性連接該負載電路的一火線負載，該電流感測單元感測該負載電路的一負載電流，並輸出對應該負載電流的一電壓訊號；<br/> 一微控制單元，訊號連接該電流感測單元，而接收該電壓訊號並轉換成一電流訊號，並比對當該電流訊號大於一過載閾值時，該微控制單元輸出一驅動訊號；<br/> 一警示單元，訊號連接該微控制單元，當該警示單元接收該驅動訊號後，該警示單元發出一警示；<br/> 一電源管理單元，電性連接該火線輸入端點，以及經由一中性線端點電性連接該交流電電路的一中性線，該中性線電性連接該負載電路的一中性線負載，該電源管理單元電性連接該電流感測單元、該微控制單元及該警示單元而提供一直流電。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該電流感測單元係一霍爾電流感測器。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該警示單元係一發聲元件，該微控制單元電性連接至少一發光元件；當該微控制單元輸出該驅動訊號時，該微控制單元同步改變前述發光元件的發光狀態。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該電源管理單元係一低壓差線性穩壓器。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該電流感測單元經由一電解電容而電性連接該中性線端點。
如請求項5所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該電解電容係貼片式電解電容，該電解電容的類型係下列之一：液態電容、固態電容或混合型電容。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，該過載閾值係介於15安培至16安培。
如請求項1所述之電流監控及過載警示電路構造，其中，當該電流訊號大於該過載閾值的時間達到一預設時間時，該微控制單元輸出該驅動訊號。
一種插頭，使用如請求項1至8任一項所述之電流監控及過載警示電路構造，該插頭包含：<br/> 一插頭本體，該電流監控及過載警示電路構造設置於該插頭本體；<br/> 一火線插腳，設置於該插頭本體，該火線插腳電性連接該火線輸入端點及該火線，該火線輸出端點電性連接該火線負載；<br/> 一中性線插腳，設置於該插頭本體，該中性線插腳電性連接及該中性線負載及該中性線，該中性線端點電性連接至該中性線插腳或該中性線負載的任一處。
一種插座，使用如請求項1至8任一項所述之電流監控及過載警示電路構造，該插座包含：<br/> 一插座本體，該電流監控及過載警示電路構造設置於該插座本體，在該插座本體設置有相連接的一火線銅片及至少一火線夾片，以及相連接的一中性線銅片及至少一中性線夾片，該火線銅片電性連接該火線輸出端點，前述火線夾片配合前述中性線夾片構成至少一子插座；<br/> 一插頭，電性連接該插座本體，該插頭有一火線插腳及一中性線插腳，該火線插腳電性連接該火線，該中性線插腳電性連接該中性線，該火線插腳經由一火線電線電性連接該火線輸入端點；該中性線插腳經由一中性線電線電性連接該中性線銅片，並使該中性線端點電性連接至該中性線插腳、該中性線電線、該中性線銅片及前述中性線夾片的任一處。
一種真空槽耐火磚檢修防護裝置，其包含： <br/>一套筒，其包含一筒體、一組合座及一蓋體，該組合座係設置於該筒體底部，該組合座上具有多數組設部，該多數組設部係環繞分布於該組合座，每一組設部具有一插孔及一導輪組，該蓋體係設置於該筒體頂部，並自該筒體朝外延伸；以及 <br/>多數擋板，其係分別能移動地插設於該組合座的組設部之插孔中，而所述導輪組能分別抵接所述擋板。
如請求項1所述之真空槽耐火磚檢修防護裝置，其中該多數擋板包含一板體及一操作把手，所述操作把手係設置於所述板體。
如請求項2所述之真空槽耐火磚檢修防護裝置，其中所述擋板包含複數定位柱，該複數定位柱係分別設置於所述板體端緣。
如請求項1至3中任一項所述之真空槽耐火磚檢修防護裝置，其中所述導輪組包含複數上導輪及複數下導輪，該複數下導輪係位於對應之插孔下方，且該複數上導輪係位於對應之插孔上方，該複數上導輪及該複數下導輪係分別夾持於所述擋板的上下二側面。
如請求項1至3中任一項所述之真空槽耐火磚檢修防護裝置，其中該套筒包含多數吊環，該多數吊環係分別設置於該蓋體的頂部。
如請求項4所述之真空槽耐火磚檢修防護裝置，其中該套筒包含多數吊環，該多數吊環係分別設置於該蓋體的頂部。
一種追蹤升降裝置，包含：<br/> 一支架，包括一腳座，及複數連接該腳座的腳管，該腳座界定出一沿一上下方向呈貫通狀的安裝孔；<br/> 一懸掛單元，包括一懸掛外殼，及一可移動地設置於該懸掛外殼的升降件組，該懸掛外殼具有一連接該腳座下端且界定出一連通該安裝孔的上腔室的套筒；<br/> 一傳動單元，位於該上腔室且與該升降件組呈傳動連接；及<br/> 一驅動單元，位於該套筒下方且與該傳動單元呈傳動連接，該驅動單元用以驅動該傳動單元帶動該升降件組沿該上下方向線性移動。
如請求項1所述的追蹤升降裝置，其中，該傳動單元包括位於該上腔室的一螺桿及一螺帽，該螺桿可轉動地插設於該套筒內，該螺帽界定出一對應於該螺桿的螺紋孔，且經由該螺紋孔與該螺桿相互螺接，該螺帽固接於該升降件組，該驅動單元固接於該螺桿下端，且用以驅動該螺桿轉動。
如請求項2所述的追蹤升降裝置，其中，該螺帽具有一固定插設於該升降件組下端的小徑段部，及一連接該小徑段部下端的大徑段部，該小徑段部及該大徑段部均與該螺紋孔共軸。
如請求項2所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛單元還包括一固接於該懸掛外殼內緣的軸承件，該升降件組具有一呈中空狀的內筒，及一連接該內筒且與該內筒共軸的外筒，該內筒與該外筒的其中一者固接於該螺帽上端，該螺桿可轉動地插設於該內筒內，以使該內筒沿自身徑向限位該螺桿，該螺桿下端插設於該軸承件。
如請求項4所述的追蹤升降裝置，其中，該外筒的外輪廓形狀對應於該安裝孔，該外筒經由該安裝孔限位而沿該上下方向可移動地設置於該支架。
如請求項4所述的追蹤升降裝置，其中，該升降件組還具有一固接於該內筒上端或該外筒上端的雲台。
如請求項4所述的追蹤升降裝置，其中，該支架還包括一設置於該安裝孔的導向器，該導向器沿該上下方向呈貫通狀且用以限制該外筒轉動，該外筒的外輪廓形狀對應於該導向器的內輪廓，且該外筒經由該導向器限位而沿該上下方向可移動地設置於該支架。
如請求項2所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛單元還包括至少一固接於該套筒內緣且位於該上腔室的導向件，該至少一導向件用以限制該螺帽轉動，該螺帽界定出一形狀對應於該至少一導向件的內輪廓的限位槽，該螺帽藉由該限位槽經由該至少一導向件限位而沿該上下方向可移動地設置於該套筒。
如請求項8所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛單元還包括複數圍繞該螺桿呈角度間隔設置且固接於該套筒內緣的導向件，該等導向件沿該上下方向延伸。
如請求項8所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛單元還包括複數導向件，每一導向件具有二相向設置且沿該上下方向延伸的擋板部，每一導向件的該等擋板部之間共同形成一通道，每一導向件的該等擋板部遠離該套筒一側共同形成一開口，每一通道與各別對應的該開口相互連通。
如請求項8所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛外殼還具有一連接該套筒的漸擴罩座，該漸擴罩座界定出一沿該上下方向位於該上腔室下方的下腔室，該驅動單元位於該下腔室。
如請求項11所述的追蹤升降裝置，其中，該懸掛外殼還具有一連接於該套筒與該漸擴罩座之間的對接筒，該套筒與該對接筒共同界定出該上腔室。
一種雷射追蹤測量系統，包含：<br/> 一如請求項1所述的追蹤升降裝置，還包含一通訊單元，及一訊號連接該驅動單元與該通訊單元的控制單元；<br/> 一雷射發射裝置，安裝於該升降件組上端，該雷射發射裝置用以發射雷射光束；及<br/> 一雷射接收裝置，包括一用以偵測該雷射發射裝置所發射的雷射光束的偵測單元、一訊號連接該通訊單元的外部通訊單元，及一訊號連接該外部通訊單元與該偵測單元的外部控制單元，該外部通訊單元用以發送一指示出該雷射發射裝置所發射的雷射光束之偵測情形的偵測訊號至該通訊單元。
一種行動化機構照顧系統，包含：<br/> 一控制裝置，包括一控制傳輸模組，及一與該控制傳輸模組連接之控制運算模組，該控制運算模組中設置有一照護對象操作單元，及一照護項目操作單元；<br/> 一儲存裝置，包括一與該控制傳輸模組資訊連接之儲存傳輸模組，及一與該儲存傳輸模組連接之資料儲存模組，該資料儲存模組中設置有一照護對象儲存單元，及一照護項目儲存單元；及<br/> 一操作裝置，包括一與該控制傳輸模組資訊連接之操作傳輸模組、一與該操作傳輸模組連接之操作運算模組，及一與該操作運算模組連接之顯示操作模組。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制裝置更包括一與該控制運算模組連接之資料顯示模組，該控制運算模組中還設置有一連結圖案生成單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該操作裝置更包括一與該操作運算模組連接之影像擷取模組，該操作運算模組中設置有一連結圖案分析單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該操作運算模組中設置有一影像製作單元，該資料儲存模組中還設置有一影像儲存單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制運算模組中還設置有一資料分享操作單元，該資料儲存模組中還設置有一分享對象儲存單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制運算模組中還設置有一照護員登入單元，該資料儲存模組中還設置有一照護員儲存單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制運算模組中還設置有一活動記錄操作單元，該資料儲存模組中還設置有一活動記錄儲存單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制運算模組中還設置有一生活排程操作單元，該資料儲存模組中還設置有一生活排程儲存單元。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該控制裝置為設置於網路上的伺服器，該儲存裝置為設置於網路上的資料庫。
如請求項1所述行動化機構照顧系統，其中，該操作裝置為智慧型手機裝置。
一種自動鉚釘裝置，其包含：<br/> 一機體，包含一第一工作台與一第二工作台，所述第一工作台與所述第二工作台用以承載待鉚合的一印刷電路板半成品；<br/> 一鉚合單元，設置於所述機體上且位於所述第一工作台與所述第二工作台之間，所述鉚合單元能對所述第一工作台、或所述第二工作台上的所述印刷電路板半成品執行多次鉚合動作；以及<br/> 一控制單元，電性連接至所述鉚合單元、所述第一工作台及所述第二工作台，所述控制單元能控制所述第一工作台與所述第二工作台交替地移入至所述鉚合單元的一鉚合位置以進行鉚合，並於完成後復位至一初始位置。
如請求項1所述的自動鉚釘裝置，其中，所述第一工作台及所述第二工作台各包含一雙向移動模組及設置於所述雙向移動模組上的一承載板，所述雙向移動模組能推動所述承載板移動至所述鉚合位置或所述初始位置。
如請求項2所述的自動鉚釘裝置，其中，所述第一工作台及所述第二工作台還各包含一升降模組，所述升降模組被設置於所述初始位置，當所述承載板由所述鉚合位置移動至所述初始位置時，所述升降模組抬升所述承載板，使所述承載板突出於所述雙向移動模組的一外置框。
如請求項2所述的自動鉚釘裝置，其中，當所述承載板由所述初始位置移動至所述鉚合位置時，所述承載板齊平於所述雙向移動模組的一外置框。
如請求項3或4所述的自動鉚釘裝置，其中，所述承載板被所述外置框圍繞。
如請求項1所述的自動鉚釘裝置，其中，所述鉚合單元包含一第一鉚合頭、一第二鉚合頭、及分別連接所述第一鉚合頭及所述第二鉚合頭的兩個移動模組，所述第一鉚合頭與所述第二鉚合頭被兩個所述移動模組驅動以交錯地對所述印刷電路板半成品執行多次所述鉚合動作。
如請求項6所述的自動鉚釘裝置，其中，所述第一鉚合頭與所述第二鉚合頭各執行六次所述鉚合動作，各所述鉚合動作的位置對應所述印刷電路板半成品的周緣。
如請求項7所述的自動鉚釘裝置，其中，多次所述鉚合動作的位置能形成一環形，所述環形包含彼此平行的一第一長形區域及一第二長形區域、分別垂直且連接所述第一長形區域與所述第二長形區域的一第三長形區域與一第四長形區域。
如請求項8所述的自動鉚釘裝置，其中，多個所述鉚合動作於所述第一長形區域包含鄰近所述第三長形區域的一第一右側工位、鄰近所述第四長形區域的一第一左側工位、以及位於所述第一右側工位及所述第一左側工位的一第一中間工位；多個所述鉚合動作於所述第二長形區域包含鄰近所述第三長形區域的一第二右側工位、鄰近所述第四長形區域的一第二左側工位、以及位於所述第二右側工位及所述第二左側工位的一第二中間工位；多個所述鉚合動作於各所述第三長形區域包含三個第三工位；多個所述鉚合動作於各所述第四長形區域包含三個第四工位；所述第一鉚合頭所執行的多個所述鉚合動作的位置對應三個所述第三工位、所述第一中間工位、所述第一右側工位、以及所述第二右側工位；所述第二鉚合頭所執行的多個所述鉚合動作的位置對應三個所述第四工位、所述第二中間工位、所述第二左側工位、以及所述第一左側工位。
一種液冷式散熱裝置，其包括：<br/> 一散熱基座，包含：<br/> 一導熱板，具有一導熱面，用以接觸於一熱源；及<br/> 多個導熱柱，形成於所述導熱板、並共同形成有一熱交換流道；及<br/> 一多層式蓋體，安裝於所述散熱基座，並且所述多層式蓋體包含：<br/> 一頂板，包含形成一冷液入口與一熱液出口；及<br/> 一冷液流入板與一熱液回流板，堆疊地設置於所述頂板與所述散熱基座之間；其中，所述冷液流入板具有連通於所述冷液入口與所述熱交換流道之間的一第一流道，並且所述熱液回流板具有連通於所述熱液出口與所述熱交換流道之間的一第二流道；<br/> 其中，所述液冷式散熱裝置能供一冷卻液自所述冷液入口注入並通過所述第一流道朝下分流進入所述熱交換流道、其後通過所述第二流道朝上匯流，以流向所述熱液出口而流出所述液冷式散熱裝置。
如請求項1所述的液冷式散熱裝置，其中，所述第一流道位於所述熱交換流道的上游，所述第二流道位於所述熱交換流道的下游，所述散熱基座能使位於所述第一流道與所述第二流道之內的所述冷卻液互不干擾。
如請求項1所述的液冷式散熱裝置，其中，所述第一流道包含：<br/> 一均流區域，連通於所述冷液入口；及<br/> 多個前分流通道，連通於所述均流區域；<br/> 其中，所述均流區域用以暫存所述冷卻液、並能使所述冷卻液擴散至多個所述前分流通道而流向所述熱交換流道。
如請求項3所述的液冷式散熱裝置，其中，所述第二流道包含：<br/> 多個後分流通道，其一端分別連通於多個所述前分流通道，並且多個所述後分流通道的另一端連通於所述熱交換流道；<br/> 其中，沿經任一個所述前分流通道的所述冷卻液，其能流過相對應所述後分流通道而進入所述熱交換流道。
如請求項4所述的液冷式散熱裝置，其中，任一個所述後分流通道正投影至所述導熱板所形成的一投影區域，其位於相鄰的兩個所述導熱柱之間。
如請求項4所述的液冷式散熱裝置，其中，所述第二流道包含：<br/> 多個回流通道，其一端連通於所述熱交換流道；及<br/> 一匯流區域，連通於多個所述回流通道的另一端、並連通於所述熱液出口；<br/> 其中，位於所述熱交換流道的所述冷卻液能通過多個所述回流通道而流動至所述匯流區域，進而由所述熱液出口流出所述液冷式散熱裝置。
如請求項6所述的液冷式散熱裝置，其中，所述匯流區域位於所述均流區域與所述熱交換流道之間。
如請求項6所述的液冷式散熱裝置，其中，任一個所述回流通道正投影至所述導熱板所形成的一投影區域，其局部重疊於相鄰的兩個所述導熱柱。
如請求項6所述的液冷式散熱裝置，其中，多個所述導熱柱頂抵於所述熱液回流板，並且多個所述導熱柱的數量至少兩倍於多個所述後分流通道的數量與多個所述回流通道的數量的總和。
如請求項1所述的液冷式散熱裝置，其中，所述熱交換流道定義有連通於所述第一流道的多個入口及連通於所述第二流道的多個出口，並且每個所述入口與相鄰所述出口之間相隔有一間距；其中，所述液冷式散熱裝置能使流過任一個所述入口的所述冷卻液，其於所述熱交換流道之內流動不大於兩個所述間距的距離、就由至少一個所述出口而沿所述第二流道進行匯流。
一種燙髮固定件，其至少一部分為可彈性變形，包括多個扣孔，該多個扣孔之間相間隔，該多個扣孔供勾套於一髮捲棒的至少二個相隔一距離的勾套部位。
如請求項1所述的燙髮固定件，其中該燙髮固定件另包括二端部及一連接於該二端部之間的身部，各該端部包括一該扣孔，至少一該端部或該身部為可彈性變形。
如請求項2所述的燙髮固定件，其中該身部包括至少一該扣孔。
如請求項3所述的燙髮固定件，其中該身部包括多個該扣孔，所述多個該扣孔具有至少二種不同形狀。
如請求項4所述的燙髮固定件，其中所述多個該扣孔包括二梯形孔及一位於該二梯形孔之間的三角孔，該二梯形孔分別鄰近於該二端部。
如請求項5所述的燙髮固定件，其中各該梯形孔的一斜邊平行於該三角孔的一邊。
如請求項2至6任一項所述的燙髮固定件，其中各該端部的相對二端側向朝外凸出。
如請求項7所述的燙髮固定件，其中在該燙髮固定件一寬度方向上，位於各該端部的扣孔之寬度大於位於該身部的扣孔之寬度。
如請求項6所述的燙髮固定件，其中各該端部的相對二端側向朝外凸出；在該燙髮固定件一寬度方向上，位於各該端部的扣孔之寬度大於位於該身部的扣孔之寬度；其中該燙髮固定件另包括多個彈性段，該多個彈性段相交之處形成一承力結構。
如請求項2所述的燙髮固定件，其中該身部包括一該扣孔，各該端部的相對二端與該身部齊平。
一種機車支撐裝置，其供組設於一車體，該車體包含有沿一第一方向呈間隔配置的二組接部，二貫孔分別沿該第一方向貫設該二組接部，該機車支撐裝置包括：<br/> 二軸套，各該軸套包含有一插接管與一抵靠部，該抵靠部橫向凸伸於該插接管，該二軸套之插接管供插接於該二貫孔，該二軸套之抵靠部供位於該二組接部相互面對側；<br/> 一支撐架，包含有至少一穿設部，該至少一穿設部沿該第一方向抵靠於該二軸套之抵靠部；及<br/> 至少一串接軸，沿該第一方向穿設過該二插接管與該至少一穿設部，以令該支撐架可擺動地連接於該車體。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該至少一穿設部於垂直該第一方向上未凸出於該抵靠部。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該插接管係沿一軸向延伸，該抵靠部係沿一徑向凸伸於該插接管，該插接管於該軸向上之最大尺寸定位為一第一尺寸，該抵靠部於該徑向上之最大尺寸定義為一第二尺寸，該第二尺寸小於該第一尺寸。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該插接管係沿一軸向延伸，該抵靠部係沿一徑向凸伸於該插接管，該插接管之最大管壁厚定義為一第三尺寸，該抵靠部於該徑向上凸出於該插接管的凸伸量定義為一第四尺寸，該第四尺寸大於該第三尺寸。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該插接管係沿一軸向延伸，該抵靠部係沿一徑向凸伸於該插接管，該插接管之最大管壁厚定義為一第三尺寸，該抵靠部於該軸向上的最大厚度定義為一第五尺寸，該第三尺寸大於該第五尺寸。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該插接管反向於該抵靠部之一側設有至少一第一導角部。
如請求項1所述的機車支撐裝置，其中該抵靠部之二側其中至少一者設有一第二導角部。
如請求項1至7其中任一項所述的機車支撐裝置，其中該至少一穿設部之數量為一，該穿設部呈中空管狀，該穿設部之二端分別壓抵於該二軸套之抵靠部；該至少一串接軸之數量為一，該串接軸穿設過該穿設部與該二軸套。
如請求項8所述的機車支撐裝置，其中該插接管之最大管壁厚不大於該穿設部之最大管壁厚。
如請求項2所述的機車支撐裝置，其中該插接管係沿一軸向延伸，該抵靠部係沿一徑向凸伸於該插接管，該插接管於該軸向上之最大尺寸定位為一第一尺寸，該抵靠部於該徑向上之最大尺寸定義為一第二尺寸，該第二尺寸小於該第一尺寸；該插接管之最大管壁厚定義為一第三尺寸，該抵靠部於該徑向上凸出於該插接管的凸伸量定義為一第四尺寸，該第四尺寸大於該第三尺寸；該抵靠部於該軸向上的最大厚度定義為一第五尺寸，該第三尺寸大於該第五尺寸；該插接管反向於該抵靠部之一側設有至少一第一導角部；該抵靠部之二側其中至少一者設有一第二導角部；該至少一穿設部之數量為一，該穿設部呈中空管狀，該穿設部之二端分別壓抵於該二軸套之抵靠部，該至少一串接軸之數量為一，該串接軸穿設過該穿設部與該二軸套；該插接管之最大管壁厚不大於該穿設部之最大管壁厚；各該軸套之材質為金屬；該至少一第一導角部之數量為二，二該第一導角部分設於該插接管之外周緣與內周緣，且二該第一導角部之角度相異；該抵靠部之二側皆設有該第二導角部，且二該第二導角部之角度相同。
一種玻璃裝飾裝置，包含：<br/> 一底座；及<br/> 一玻璃板，安裝於該底座，該玻璃板包括兩相間隔的外表面，及一位於該等外表面之間的雷雕圖案層。
如請求項1所述的玻璃裝飾裝置，還包含一發光組件，該發光組件安裝於該底座，並適用於發出光。
如請求項2所述的玻璃裝飾裝置，其中，該底座包括形成在表面且用於供該玻璃板及該發光組件安裝的凹槽。
如請求項3所述的玻璃裝飾裝置，其中，該發光組件安裝於該凹槽遠離該玻璃板的一側，使該發光組件發出的光能折射進入及離開該玻璃板。
如請求項1所述的玻璃裝飾裝置，其中，該雷雕圖案層距離其中一外表面的距離為1微米~20微米。
一種玻璃裝飾裝置的玻璃板，包含：<br/> 二外表面，彼此相間隔；及<br/> 一雷雕圖案層，位於在該等外表面之間。
如請求項6所述的玻璃板，其中，該雷雕圖案層距離其中一外表面的距離為1微米~20微米。
一種支撐裝置，用以承載一顯示器於一工作面，該支撐裝置包括：<br/>一底盤，設於該工作面，並包含一固定體及一容置空間，該容置空間由該固定體圍繞界定；<br/>一立柱，立設於該底盤，並包含可轉動地套設於該固定體的一旋轉體；以及一鎖定模組，能於一卡止狀態及一釋放狀態之間變換，並包含：<br/>一軸桿件，沿一第一軸線穿設該固定體及該旋轉體，並具有一穿孔，該穿孔沿垂直該第一軸線的一第二軸線貫設；及<br/>一作動件，穿設於該穿孔，並能沿該第二軸線自體旋轉，且具有二平面及二弧面，所述平面相間隔，所述弧面分別形成於所述平面之間並相間隔，且所述弧面之間的最大距離大於所述平面之間的距離；<br/>其中，當該鎖定模組在該釋放狀態時，所述平面沿該第一軸線上下排列並分別對應該軸桿件及該旋轉體，使該旋轉體能相對該固定體沿該第一軸線轉動，當該鎖定模組在該卡止狀態時，所述弧面沿該第一軸線上下排列並分別對應該軸桿件及該旋轉體，使該旋轉體無法相對該固定體沿該第一軸線轉動。
如請求項1所述之支撐裝置，更包括套設於該軸桿件並位於該容置空間的一彈性件及一摩擦件，該摩擦件位於該彈性件及該固定體之間，當該鎖定模組從該釋放狀態變換至該卡止狀態時，該軸桿件沿該第一軸線朝該旋轉體移動，該彈性件壓縮，藉此增加該摩擦件、該固定體及該旋轉體間的摩擦，當該鎖定模組從該卡止狀態變換至該釋放狀態時，該軸桿件沿該第一軸線遠離該旋轉體，該彈性件回彈，藉此減少該摩擦件、該固定體及該旋轉體間的摩擦。
如請求項2所述之支撐裝置，其中，該軸桿件更具有相連接的一頭部及一桿體，該穿孔貫設該頭部，該旋轉體具有一本體及一貫孔，該貫孔沿該第一軸線貫設該本體，該頭部容設於該貫孔，該穿孔部分外露於該本體，且外露的該穿孔在該卡止狀態的截面積大於在該釋放狀態的截面積。
如請求項3所述之支撐裝置，其中，該鎖定模組更包含一螺母，該螺母螺固於該桿體並抵接該彈性件，藉由調整該螺母，能改變該摩擦件、該固定體及該旋轉體間的預設迫緊度。
如請求項4所述之支撐裝置，其中，該摩擦件包含複數摩擦片及複數止動片，所述摩擦片套設於該桿體並與該桿體同動，所述止動片套設於該桿體並受該固定體限位，且所述摩擦片及所述止動片交替設置，該彈性件包含複數碗型華司，所述碗型華司套設於該桿體並恆提供一彈性力，該彈性力使該摩擦件、該固定體及該旋轉體間產生該預設迫緊度。
如請求項5所述之支撐裝置，更包括套設於該軸桿件並固接於該旋轉體及該固定體的一墊片件。
如請求項6所述之支撐裝置，更包括設於該固定體及該旋轉體之間的一套筒。
如請求項1至7中任一項所述之支撐裝置，更包括一操作件及一連接管，該連接管連接於該作動件，該操作件連接該連接管，且該操作件及該連接管與該作動件同動，藉此該操作件能控制該鎖定模組於該卡止狀態及該釋放狀態之間變換。
如請求項8所述之支撐裝置，其中，該立柱更包含一外殼、一滑車及一開口，該外殼固接該旋轉體，該滑車滑設於該外殼，該開口形成於該外殼並外露該滑車及該作動件。
如請求項9所述之支撐裝置，更包含一凸頸件及一承載件，該凸頸件固接於該滑車並凸伸出該外殼，該承載件連接於該凸頸件，並用以承載該顯示器。
一種端子組件，包括至少一對差分信號端子對，該差分信號端子對包括並排設置的兩個差分信號端子，兩個該差分信號端子均包括第一基部和第一異形部，該第一基部沿第一方向延伸，該第一異形部沿第二方向凸出設置於該第一基部的一側，該第一方向與該第二方向呈角度設置；<br/> 兩個該差分信號端子的該第一基部平行設置，兩個該差分信號端子的該第一異形部的凸出方向相同，在該第一方向上，兩個該差分信號端子之間形成有等寬的間隙。
如請求項1所述之端子組件，其中，該第一方向與該第二方向垂直。
如請求項1所述之端子組件，其中，該第一異形部的一側設有凹陷於該第一基部的凹槽。
如請求項1至3任意一項所述之端子組件，其中，該差分信號端子對的數量為多對，相鄰的兩對該差分信號端子對的第一異形部對稱設置，且其中一對該差分信號端子對中的該第一異形部的凸出方向背離另一對差分信號端子對。
如請求項1至3任意一項所述之端子組件，其中，該差分信號端子對的數量為多對，相鄰的兩對該差分信號端子對的第一異形部的凸出方向相同。
如請求項1至3任意一項所述之端子組件，其中，還包括功能端子，該差分信號端子對的數量為多對，該功能端子設置於相鄰的兩對該差分信號端子對之間。
如請求項6所述之端子組件，其中，該功能端子包括第二基部和第二異形部，該第二基部沿該第一方向延伸，該第二異形部沿該第二方向凸出設置於該第二基部的一側。
如請求項7所述之端子組件，其中，該第二異形部的寬度大於該第二基部的寬度。
如請求項6所述之端子組件，其中，該功能端子為接地端子、電源端子或保護端子。
一種端子模組，包括如請求項1至9任意一項所述之端子組件，還包括第一絕緣件，該第一絕緣件包括複數個沿第一方向延伸設置的安裝槽，該第一基部和該第一異形部嵌設於該安裝槽的內部，該安裝槽的一側設有與該第一異形部相匹配設置的限位部。
如請求項10所述之端子模組，其中，該限位部為沿第二方向凸出設置的限位板，該限位部的凸出方向與該第一異形部的凸出方向相反。
一種連接器，其中，包括如請求項10或11所述之端子模組，還包括第二絕緣件，該第一絕緣件嵌設於該第二絕緣件的內部。
一種轉接連接器，其包括：<br/> 一第一端子單元，該第一端子單元包括多個並排設置的第一端子（1），該第一端子（1）包括依次連接的一第一連接部（11）、一第一彎折部（12）和一第二連接部（13）；以及<br/> 一第二端子單元，該第二端子單元包括多個並排設置的第二端子（2），該第二端子（2）包括依次連接的一第三連接部（21）、一第二彎折部（22）和一第四連接部（23）；<br/> 該第一端子單元和該第二端子單元沿一第一方向依次設置，且該第一連接部（11）和該第三連接部（21）均沿該第一方向延伸設置，該第一彎折部（12）的一端與該第一連接部（11）遠離該第三連接部（21）的一端呈角度連接；該第二彎折部（22）的一端與該第三連接部（21）遠離該第一連接部（11）的一端呈角度連接，該第一彎折部（12）與該第二彎折部（22）之間形成有一防串擾空間（3）。
如請求項1所述的轉接連接器，其中，該第一彎折部（12）包括一第一平直段（121），該第一平直段（121）的一端與該第一連接部（11）遠離該第三連接部（21）的一端垂直連接；<br/> 該第二彎折部（22）包括一第二平直段（221），該第二平直段（221）的一端與該第三連接部（21）遠離該第一連接部（11）的一端垂直連接。
如請求項2所述的轉接連接器，其中，該第一平直段（121）與該第二平直段（221）平行設置，且該第一平直段（121）的長度大於該第二平直段（221）的長度；該第二彎折部（22）與該第四連接部（23）在該第一方向上的投影與該第一平直段（121）的投影重疊。
如請求項1所述的轉接連接器，其中，該第二連接部（13）和該第四連接部（23）共面設置。
如請求項1至4中任一項所述的轉接連接器，其中，該第一彎折部（12）為橫置的一L型結構，該第二彎折部（22）為橫置的一S型結構，該L型結構的開口方向朝向該第二彎折部（22）設置。
一種連接器組件，其包括如請求項1至5中任一項所述的轉接連接器，還包括一接口連接器，該接口連接器的尾端設有沿一第一方向依次設置的一第三端子單元和一第四端子單元；<br/> 該第三端子單元包括多個並排設置的第三端子（5），該第三端子（5）包括朝向該第一端子（1）設置的一第一彈性部（51），該第一彈性部（51）與該第一連接部（11）彈性抵接；<br/> 該第四端子單元包括多個並排設置的第四端子（6），該第四端子（6）包括朝向該第二端子（2）設置的一第二彈性部（61），該第二彈性部（61）與該第三連接部（21）彈性抵接。
如請求項6所述的連接器組件，其中，該轉接連接器包括一第一絕緣主體（4），該第一端子單元和該第二端子單元均嵌設於該第一絕緣主體（4）的內部；該接口連接器包括一第二絕緣主體（7），該第三端子單元和該第四端子單元均嵌設於該第二絕緣主體（7）的內部；<br/> 該第一絕緣主體（4）朝向該第二絕緣主體（7）的一側設有一第一卡接部（41），該第二絕緣主體（7）朝向該第一絕緣主體（4）的一側設有一第二卡接部（72），該第一卡接部（41）與該第二卡接部（72）相匹配設置。
如請求項7所述的連接器組件，其中，該第一卡接部（41）或該第二卡接部（72）為沿該第一方向延伸設置的滑槽。
如請求項7所述的連接器組件，其中，該第二絕緣主體（7）的尾端設有多個限位槽（71），多個該限位槽（71）分別與多個該第一彈性部（51）以及多個該第二彈性部（61）一一對應設置，該第一彈性部（51）和該第二彈性部（61）均凸出於該限位槽（71）設置。
如請求項6至9中任一項所述的連接器組件，其中，還包括一電路板（8），該第二連接部（13）和該第四連接部（23）均與該電路板（8）連接。
如請求項10所述的連接器組件，其中，該電路板（8）包括沿一第二方向依次設置的兩排導通區，每排該導通區均包括多個導通點，其中一排該導通區中的多個該導通點與多個該第二連接部（13）對應連接，另一排該導通區中的多個該導通點與多個該第四連接部（23）對應連接。
一種鉸鏈結構，其包括：<br/> 一下蓋（1），設有一第一插槽（11）；<br/> 一鉸鏈（2），包括一鉸鏈本體（21），以及與該鉸鏈本體（21）連接的一第一插塊（22），該鉸鏈本體（21）支撐於該下蓋（1）的上方，該第一插塊（22）沿一豎直方向插接於該第一插槽（11）內，且該第一插槽（11）的槽壁對該第一插塊（22）完全限位；<br/> 一上蓋（3），蓋設於該下蓋（1），且該上蓋（3）與該下蓋（1）圍設成一容納腔（5）；<br/> 一內框架（4），設置於該容納腔（5）內。
如請求項1所述的鉸鏈結構，其中，該第一插槽（11）的槽壁設有多個注膠槽，該注膠槽填充有一第一黏膠（61）；或者，<br/> 該第一插塊（22）與該第一插槽（11）間隙配合，且該第一插塊（22）與該第一插槽（11）的槽壁之間填充有該第一黏膠（61）。
如請求項2所述的鉸鏈結構，其中，在該第一插槽（11）的槽壁設有該注膠槽且該注膠槽填充有該第一黏膠（61）的情況下：<br/> 該第一插塊（22）的表面設有一第一凹槽（221），該注膠槽沿該豎直方向延伸，該第一凹槽（221）的延伸方向與該注膠槽的延伸方向垂直，該第一凹槽（221）與該注膠槽連通；和/或，<br/> 該下蓋（1）還包括間隔設置的多個連接筋（12），多個該連接筋（12）均位於該第一插槽（11）內，且每個該連接筋（12）的兩端分別與該第一插槽（11）的槽壁連接，該第一插塊（22）設置有多個避位槽（222），多個該連接筋（12）一一對應地插接於多個該避位槽（222）。
如請求項1所述的鉸鏈結構，其中，該內框架（4）設置有一第二插槽（41），該上蓋（3）包括一上蓋本體（31），以及與該上蓋本體（31）連接的一第二插塊（32），該第二插塊（32）沿該豎直方向插接於該第二插槽（41），且該第二插塊（32）和該第二插槽（41）的槽壁之間形成一第一注膠間隙（72），該第一注膠間隙（72）中填充有一第二黏膠（62）；和/或，<br/> 該內框架（4）具有一第一黏結面（42），該上蓋（3）具有一第二黏結面（312），該第一黏結面（42）和該第二黏結面（312）平行且間隔設置，該第一黏結面（42）和該第二黏結面（312）之間形成一第二注膠間隙（73），該第二注膠間隙（73）中填充有該第二黏膠（62）。
如請求項1至4中任一項所述的鉸鏈結構，其中，該上蓋（3）設置有一第三插槽（311），該鉸鏈（2）還包括與該鉸鏈本體（21）連接的一第三插塊（23），該第三插塊（23）沿一第一方向插接於該第三插槽（311），且該第三插塊（23）與該第三插槽（311）的槽壁之間形成一第三注膠間隙（74），該第三注膠間隙（74）中填充有一第三黏膠（63），該第一方向與該豎直方向垂直。
如請求項5所述的鉸鏈結構，其中，該第三插塊（23）的表面設置有多個第二凹槽（231），每個該第二凹槽（231）沿一第二方向延伸，且該第二凹槽（231）與該第三注膠間隙（74）連通，該第一方向、該第二方向和該豎直方向兩兩垂直。
如請求項5所述的鉸鏈結構，其中，該第三插塊（23）的表面設有多個第三凹槽（232），多個該第三凹槽（232）沿一第二方向間隔設置，該第三插槽（311）的槽壁凸設有多個凸塊（33），多個該凸塊（33）沿該第一方向一一對應地插接於多個該第三凹槽（232），且該凸塊（33）與該第三凹槽（232）的槽壁間隙配合，該第三凹槽（232）與該第三注膠間隙（74）連通，該第一方向、該第二方向和該豎直方向兩兩垂直。
如請求項5所述的鉸鏈結構，其中，該第一插塊（22）和該第三插塊（23）沿該第一方向間隔設置，且該第一插塊（22）和該第三插塊（23）之間形成一第四插槽（24），該下蓋（1）還包括一第四插塊（13），該第四插塊（13）沿該豎直方向插接於該第四插槽（24），且該第四插塊（13）和該第三插塊（23）之間形成一第四注膠間隙（75），該第四注膠間隙（75）填充有一密封膠（64）。
如請求項8所述的鉸鏈結構，其中，該上蓋（3）還包括一卡鉤（34），該卡鉤（34）位於該第三插槽（311）的下方，該下蓋（1）設置有一卡槽（14），該卡鉤（34）與該卡槽（14）卡接。
如請求項9所述的鉸鏈結構，其中，該卡鉤（34）與該卡槽（14）的槽壁之間形成一第五注膠間隙（76），該第五注膠間隙（76）與該第四注膠間隙（75）連通，且該第五注膠間隙（76）位於該第四注膠間隙（75）的下方，該第五注膠間隙（76）填充有該密封膠（64）。
一種三氯化硼的純化系統，包含：<br/> 一除水裝置，配置以移除粗三氯化硼中的水；<br/> 一穿透塔，包含多孔填充材料並配置以基於極性差異來分離光氣和三氯化硼；<br/> 一吸附塔，包含吸附材料並配置以吸附該三氯化硼；<br/> 一精餾塔，其中該除水裝置、該穿透塔、該吸附塔、和該精餾塔依序連接，該精餾塔配置以執行一精餾純化以得到高純度的三氯化硼；<br/> 一光氣抽氣槽，與該穿透塔連接並配置以移除該光氣；以及<br/> 一加熱惰氣槽，該加熱惰氣槽與該吸附塔連接並配置以提供一加熱的惰氣並使該加熱的惰氣通入至該吸附塔中，以使該吸附塔的該吸附材料再生並將包含該三氯化硼的一氣體導入至該精餾塔內。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，還包含一廢氣收集裝置，與該光氣抽氣槽、該吸附塔、和該精餾塔分別連接並配置以接收廢氣。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該除水裝置包含一全氟磺酸型離子交換膜。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該多孔填充材料是石英砂。
如請求項4所述之三氯化硼的純化系統，其中該石英砂的純度大於99 wt%。
如請求項4所述之三氯化硼的純化系統，其中該石英砂的粒徑為1至2毫米。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該穿透塔的一塔徑大於40毫米，該穿透塔的一填充長度大於800毫米。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該吸附塔的該吸附材料是氟化氧化鋁。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該加熱惰氣槽包含：<br/> 一惰氣儲存槽，配置以容納一惰氣；和<br/> 一加熱裝置，設置在鄰近於該惰氣儲存槽，並且配置以加熱該惰氣。
如請求項1所述之三氯化硼的純化系統，其中該精餾塔包含：<br/> 一外殼，由不鏽鋼所製成；<br/> 一內襯，設置在該外殼的內側，由聚四氟乙烯(PTFE)或鎳合金所製成；和<br/> 複數個塔板，設置在該內襯所圍繞的一空間中。
一種具有一對多級輸出的閘極驅動電路，適用於一陣列上閘極驅動裝置，該閘極驅動電路包含：<br/> 一預充電單元，接收一第一輸入信號、一第一時脈信號、一第二時脈信號及一高電壓，且耦接多個預充電節點，該預充電單元受該第一輸入信號、該第二時脈信號及該高電壓控制而根據該第一時脈信號的電位變化對該等預充電節點進行預充電；<br/> 一輸出單元，具有該等預充電節點及多個輸出節點，且接收一第三時脈信號至一第十時脈信號，該輸出單元根據該等預充電節點的電位及該第三時脈信號至該第十時脈信號，產生多個閘極驅動信號及多個級聯信號，該等閘極驅動信號及該等級聯信號各自經由該等輸出節點中的一者所輸出；<br/> 一抗雜訊單元，耦接該預充電單元及該輸出單元，且接收來自該輸出單元的該等級聯信號中的一者，並被配置為當該輸出單元處於一輸出操作期間，根據該等級聯信號中的該者，抑制來自該等預充電節點中的一對應者的一漏電流，且被配置為當該輸出單元完成輸出操作後，將該等輸出節點的電位下拉，以致該等閘極驅動信號及該等級聯信號各自具有一低電位；及<br/> 一下拉單元，耦接該預充電單元，且被配置為根據一第二輸入信號來決定是否將該等預充電節點的電位下拉至另一低電位。
如請求項1所述的閘極驅動電路，其中，該抗雜訊單元包括：<br/> 一抗雜訊電路，耦接該輸出單元及一下拉節點，且接收來自該輸出單元的該等級聯信號中的該者，當該輸出單元處於該輸出操作期間，該下拉節點的電壓位準具有一低電壓位準，以致該抗雜訊電路處於一非下拉工作狀態，該抗雜訊電路根據該等級聯信號中的該者，抑制來自該等預充電節點中的該對應者的該漏電流，當該輸出單元完成輸出操作後，該下拉節點的電壓位準具有一高電壓位準，以致該抗雜訊電路處於一下拉工作狀態，該抗雜訊電路將該等輸出節點的電位下拉，以致該等閘極驅動信號及該等級聯信號各自具有該低電位；及<br/> 一抗雜訊控制電路，耦接該預充電單元，且具有耦接該抗雜訊電路的該下拉節點，該抗雜訊控制電路被配置為根據該第二時脈信號及該等預充電節點的電壓位準，將該下拉節點的電壓位準調整為具有該低電壓位準或該高電壓位準。
如請求項2所述的閘極驅動電路，其中，該抗雜訊電路包括：<br/> 一防漏電電晶體，具有一耦接該輸出單元之該等預充電節點中的該對應者的第一端、一接收來自該輸出單元的該等級聯信號中的該者的第二端，及一耦接該下拉節點的控制端；及<br/> 一第一抗雜訊電晶體、一第二抗雜訊電晶體、一第三抗雜訊電晶體、一第四抗雜訊電晶體、一第五抗雜訊電晶體、一第六抗雜訊電晶體、一第七抗雜訊電晶體、一第八抗雜訊電晶體、一第九抗雜訊電晶體及一第十抗雜訊電晶體，該第一抗雜訊電晶體至該第十抗雜訊電晶體各自具有一第一端、一第二端，及一耦接該下拉節點的控制端；<br/> 其中，該第一抗雜訊電晶體至該第十抗雜訊電晶體的該等第一端分別耦接該輸出單元之該等輸出節點，且該第一抗雜訊電晶體至該第十抗雜訊電晶體的該等第二端各自接收一第一電壓或一第二電壓。
如請求項3所述的閘極驅動電路，其中，該第一電壓及該第二電壓各自為一低電壓，該第一電壓小於該第二電壓。
如請求項2所述的閘極驅動電路，其中，該抗雜訊控制電路包括：<br/> 一第一電晶體，具有一接收該高電壓的第一端、一作為該下拉節點的第二端，及一接收該第二時脈信號的控制端；<br/> 一第二電晶體，具有一耦接該第一電晶體的該第二端的第一端、一第二端，及一耦接該預充電單元以接收該等預充電節點的電壓位準的控制端；<br/> 一第三電晶體，具有一耦接該第二電晶體的該第二端的第一端、一接收一第一電壓的第二端，及一耦接該第二電晶體的該控制端的控制端；及<br/> 一第四電晶體，具有一耦接該第一電晶體的該第一端的第一端、一耦接該第二電晶體的該第二端的第二端，及一耦接該第一電晶體的該第二端的控制端。
如請求項1所述的閘極驅動電路，其中，該預充電單元包括：<br/> 一第一預充電電晶體、一第二預充電電晶體、一第三預充電電晶體、一第四預充電電晶體、一第五預充電電晶體、一第六預充電電晶體、一第七預充電電晶體、一第八預充電電晶體及一第九預充電電晶體，該第一預充電電晶體至該第九預充電電晶體各自具有一第一端、一第二端，及一控制端；<br/> 其中，該第一預充電電晶體的該第一端及該控制端分別接收該第一時脈信號及該第一輸入信號；<br/> 其中，該第二預充電電晶體的該第一端耦接該第一預充電電晶體的該第二端，該第二預充電電晶體的該控制端接收該高電壓；<br/> 其中，該第二預充電電晶體至該第九預充電電晶體的該等第二端分別耦接該等預充電節點；及<br/> 其中，該第三預充電電晶體至該第九預充電電晶體的該等第一端各自耦接該第二預充電電晶體的該第二端，且該第三預充電電晶體至該第九預充電電晶體的該等控制端各自接收該第二時脈信號。
如請求項1所述的閘極驅動電路，其中，該輸出單元包括：<br/> 一第一輸出電晶體、一第二輸出電晶體、一第三輸出電晶體、一第四輸出電晶體、一第五輸出電晶體、一第六輸出電晶體、一第七輸出電晶體、一第八輸出電晶體、一第九輸出電晶體及一第十輸出電晶體，該第一輸出電晶體至該第十輸出電晶體各自具有一第一端、一第二端，及一控制端；<br/> 其中，該第一輸出電晶體至該第十輸出電晶體的該等第一端各自接收該第三時脈信號至該第十時脈信號中的一者，該第一輸出電晶體至該第十輸出電晶體的該等第二端分別耦接該等輸出節點，且該第一輸出電晶體至該第十輸出電晶體的該等控制端各自耦接該等預充電節點中的一者。
如請求項7所述的閘極驅動電路，其中，該輸出單元還包括：<br/> 一第一電容至一第八電容，各自耦接在該第一輸出電晶體至該第八輸出電晶體中的一對應者的該控制端與該第二端之間。
如請求項7所述的閘極驅動電路，其中，該等閘極驅動信號包括一第一級閘極驅動信號、一第二級閘極驅動信號、一第三級閘極驅動信號、一第四級閘極驅動信號、一第五級閘極驅動信號、一第六級閘極驅動信號、一第七級閘極驅動信號及一第八級閘極驅動信號，該等級聯信號包括一第一級聯信號及一第二級聯信號，該第一級聯信號與該第二級閘極驅動信號於同一輸出時序期間被觸發，該第二級聯信號與該第六級閘極驅動信號於同一輸出時序期間被觸發。
如請求項1所述的閘極驅動電路，其中，該下拉單元包括：<br/> 一第一下拉電晶體，具有一耦接該預充電單元的第一端、一第二端，及一用以接收該第二輸入信號的控制端；<br/> 一第二下拉電晶體，具有一耦接該第一下拉電晶體的該第二端的第一端、一接收一第一電壓的第二端，及一耦接該第一下拉電晶體的該控制端的控制端；及<br/> 一第三下拉電晶體，具有一用於接收該高電壓的第一端、一耦接該第一下拉電晶體的該第二端的第二端，及一耦接該預充電單元的控制端。
一種負壓供氣鋼瓶，包括：<br/> 一鋼瓶，具有一開口和一內部空間，該內部空間配置以儲存一氣體；<br/> 一閥件，設置於該開口中；<br/> 一上蓋，設置於該鋼瓶上，且圍繞該閥件；<br/> 複數個柱狀活性碳，設置於該內部空間，且該些柱狀活性碳在該內部空間產生一間隙；<br/> 複數個活性碳顆粒，填充於該間隙中；以及<br/> 一緩衝層，設置於該內部空間且在該些柱狀活性碳和該些活性碳顆粒上方，其中該些柱狀活性碳的體積與該內部空間的體積的一比例是75%至80%。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳的直徑是5 mm至25 mm。
如請求項2所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳的直徑是不同。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳的長度是120 mm至440 mm。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳的數量是6根至60根。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該鋼瓶的該開口具有一第一直徑，各該柱狀活性碳具有一第二直徑，該第二直徑小於該第一直徑。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳的堆積密度是0.8 g/cm<sup>3</sup>至1.2 g/cm<sup>3</sup>，且該些活性碳顆粒的堆積密度是0.5 g/cm<sup>3</sup>至0.8 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些柱狀活性碳以至少一層的方式堆疊，其中該至少一層的數量是1至4。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，進一步包括：<br/> 一過濾器，設置於該閥件中，向下凸出於該閥件且進入至該內部空間中，其中該緩衝層進一步包括一通孔，該過濾器穿過該通孔至該緩衝層下方。
如請求項1所述之負壓供氣鋼瓶，其中該些活性碳顆粒的頂表面與該些柱狀活性碳的頂表面實質上齊平。
一種半導體前後段製程檢測系統，其包含：<br/> 一檢測主系統，架設於一檢測設備平臺上，該檢測主系統的兩側設置一檢測入口及一檢測出口，該檢測主系統的內部設置一檢測區以置放一待測件，該待測件包含半導體晶圓或封裝製程用材料；<br/> 一光源，架設於該檢測主系統的內部，該光源朝向該檢測區；<br/> 一影像擷取裝置，架設於該檢測主系統的內部，該影像擷取裝置朝向該檢測區，通過一線掃描程序拍攝該待測件的全表面的次微米氣泡、結粒、填充物分佈或上述影像的組合，獲得該待測件的一全表面應力分佈影像，該影像擷取裝置的解析度為微米級；<br/> 一檢測主機，連接該光源及該影像擷取裝置，該檢測主機控制該影像擷取裝置對該待測件執行該線掃描程序，獲得該全表面應力分佈影像；以及<br/> 一本地端資料主機，連接該影像擷取裝置以接收該全表面應力分佈影像，該本地端資料主機執行一影像分析程序以獲得該待測件的一檢測結果。
如請求項1所述之半導體前後段製程檢測系統，其中該檢測結果包含該待測件的內應力分佈、熱膨脹性、表面平滑性、膜厚分佈、翹曲、破裂或上述結果的組合。
如請求項1所述之半導體前後段製程檢測系統，其中該檢測主機包含一檢測主機螢幕，該本地端資料主機包含一本地端顯示螢幕，該檢測主機螢幕及該本地端顯示螢幕設置於該檢測主系統的側表面，該檢測主機螢幕顯示該光源及該影像擷取裝置的操作狀態，該本地端顯示螢幕顯示該全表面應力分佈影像及該檢測結果。
如請求項1所述之半導體前後段製程檢測系統，其中該本地端資料主機通過網路連接一資料庫，該資料庫儲存該全表面應力分佈影像及該檢測結果。
如請求項1所述之半導體前後段製程檢測系統，其中該本地端資料主機通過網路連接一生產管理主機，該生產管理主機根據該檢測結果調整一生產排程。
一種機車安全帽鎖具，由一第一扣掣部及一第二扣掣部組成，其中，該第一扣掣部由一第一前罩殼、一第一後基板及一鎖頭組成，該第一前罩殼成型有一朝向該第二扣掣部之第一扣合槽，該第一前罩殼上開設有一定位穿孔，該第一前罩殼於該定位穿孔的下方處開設有一鎖掣插槽，該第一前罩殼之後緣上開設有一通過槽，該第一前罩殼內部設有若干接合孔柱；該第一後基板完全對應貼置於該第一前罩殼後面，該第一後基板具有一與該第一扣合槽完全對應之第一扣合弧緣，同時該第一後基板貼附住該通過槽，該第一後基板上穿設有與該第一前罩殼之接合孔柱對應之接合孔；該鎖頭定位固設於該第一後基板上，且該鎖頭前端穿出該第一前罩殼的定位穿孔，該第一後基板正面上於該鎖頭的一側面成型有一導軌，該鎖頭的基座處留設有一通過槽道；組裝時，將該第一前罩殼向著該第一後基板罩蓋，使該第一後基板完全對應貼置於該第一前罩殼後面，並使該鎖頭的前端穿出該第一前罩殼的定位穿孔形成固定接合狀態，及使該第一扣合槽與該第一扣合弧緣併置，再將一接合件對應穿經該第一後基板之接合孔後與該第一前罩殼之接合孔柱接合；<br/> 該第二扣掣部由一第二前罩殼、一第二後基板及一齒板組成，該第二前罩殼成型有一朝向該第一扣掣部之第二扣合槽，該第二扣合槽的尾端外伸形成一插置端部，該第二前罩殼內部設有若干接合孔柱；該第二後基板完全對應貼置於該第二前罩殼後面，該第二後基板具有一與該第二扣合槽完全對應之第二扣合弧緣，該第二後基板上穿設有與該第二前罩殼之接合孔柱對應之接合孔；該齒板係長板狀物件，一側緣上設有一列呈棘齒排列之卡齒，該齒板一端頭固接於該第二後基板正面上，另一端頭穿伸通過該鎖頭之通過槽道，該齒板通出該通過槽道的部位受到該第一後基板上的導軌所導引，該齒板的尾端上設有一擋件；組裝時，將該第二前罩殼向著該第二後基板罩蓋，使該第二後基板完全對應貼置於該第二前罩殼後面，並使該第二扣合槽與該第二扣合弧緣併置，再將一接合件對應穿經該第二後基板之接合孔後與該第二前罩殼之接合孔柱接合。
如請求項1所述之機車安全帽鎖具，其中，將該第一扣掣部與該第二扣掣部相向推動時，該齒板的卡齒逐漸通過該鎖頭，且該卡齒阻擋該齒板無法退出。
如請求項1所述之機車安全帽鎖具，其中，將該第一扣掣部與該第二扣掣部相向推動至最終時，該第二扣掣部的插置端部插置進入該第一前罩殼的鎖掣插槽內停留，使得該第二扣掣部的第二扣合槽與該第二扣合弧緣二者併置的空間完全無出口。
一種晶圓劈裂裝置，係包括：<br/>底座；以及<br/>軟質平台，係設於該底座上，且包含透明載板以及置於該透明載板上之透光軟墊層。
如請求項1所述之晶圓劈裂裝置，其中，該軟質平台復包含形成於該透光軟墊層上之保護層。
如請求項2所述之晶圓劈裂裝置，其中，該軟質平台復包含形成於該透明載板與該透光軟墊層之間的第一透光黏著層以及形成於該透光軟墊層與該保護層之間的第二透光黏著層。
如請求項3所述之晶圓劈裂裝置，其中，該第一透光黏著層以及該第二透光黏著層為相同材質。
如請求項1所述之晶圓劈裂裝置，其中，該軟質平台之厚度為5至15毫米。
如請求項1所述之晶圓劈裂裝置，其中，該透明載板為玻璃或塑膠材質所製成。
如請求項1所述之晶圓劈裂裝置，其中，該透光軟墊層之硬度為30A。
一種氧化亞氮製備系統，包括： <br/> 複數個儲存單元，配置以儲存用於形成氧化亞氮的複數種原料；<br/> 一反應塔，耦接該些儲存單元，該反應塔配置以使該些原料反應以形成該氧化亞氮與一或多種副產物；<br/> 一或多個吸附塔，耦接該反應塔，該一或多個吸附塔配置以吸附該一或多種副產物，其中該一或多個吸附塔包括一金屬有機骨架材料；<br/> 一精餾塔，耦接該一或多個吸附塔，該精餾塔配置以純化含有該氧化亞氮的一混合物；以及<br/> 一壓縮裝置，耦接該精餾塔，且配置以液化該氧化亞氮；以及<br/> 一液態儲槽，耦接該精餾塔，該液態儲槽配置以儲存該氧化亞氮。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，其中該金屬有機骨架材料包括一含鉻金屬有機骨架材料。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，其中該反應塔包括一含鐵催化劑、一含銅催化劑或其組合。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，其中該一或多個吸附塔包括：<br/> 一第一吸附塔，耦接該反應塔，且配置以吸附水、一氮氣雜質或其組合；以及<br/> 一第二吸附塔，耦接該第一吸附塔，且配置以吸附氧氣、氮氣或其組合，其中該第二吸附塔包括該金屬有機骨架材料。
如請求項4所述之氧化亞氮製備系統，其中該第一吸附塔與該第二吸附塔獨立配置以在10 °C~40 °C操作。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，其中該些原料包括一氨原料與一一氧化氮原料。
如請求項6所述之氧化亞氮製備系統，其中該一氧化氮原料與該氨原料的一重量比值為0.8~1.2。
如請求項6或7所述之氧化亞氮製備系統，其中該一或多種副產物包括水、硝酸銨、一氧化氮、二氧化氮、氨氣、氮氣或其組合。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，更包括一預熱塔，該預熱塔耦接該些儲存單元與該反應塔，且配置以混合和加熱該些原料。
如請求項1所述之氧化亞氮製備系統，更包括一熱交換器，該熱交換器耦接該些儲存單元與該反應塔，且配置以汽化該些原料。
一種頭戴式裝置，包括：<br/> 一頭戴本體，包括一第一運算單元；以及<br/> 至少一外掛模組，外接於該頭戴本體，且可拆卸地與該頭戴本體連結，各該至少一外掛模組包括一第二運算單元，<br/> 其中，該第一運算單元與各該至少一外掛模組中的該第二運算單元並行運算。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該頭戴本體更包括：<br/> 多個電子配件，耦接該第一運算單元；以及<br/> 一第一傳輸介面，耦接該第一運算單元。
如請求項2所述的頭戴式裝置，其中該些電子配件包括至少一螢幕、至少一相機、至少一鏡頭及多個感測器。
如請求項3所述的頭戴式裝置，其中該些感測器包括一眼球感測器及一臉部感測器。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該頭戴本體更包括一電池，該電池耦接該第一運算單元。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該至少一外掛模組包括多個外掛模組，該些外掛模組以串列方式連接。
如請求項6所述的頭戴式裝置，其中各該些外掛模組更包括：<br/> 一第二傳輸介面，耦接對應的該第二運算單元；以及<br/> 一第三傳輸介面，耦接對應的該第二運算單元，<br/> 其中，第一級的外掛模組中的該第二傳輸介面經配置以與該頭戴本體中的一第一傳輸介面互相可拆卸地連接，除了第一級之外的外掛模組中的該第二傳輸介面經配置以與上一級的外掛模組中的該第三傳輸介面互相可拆卸地連接。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該至少一外掛模組包括多個外掛模組，該些外掛模組以並列方式連接。
如請求項8所述的頭戴式裝置，其中各該些外掛模組更包括：<br/> 一第二傳輸介面，耦接對應的該第二運算單元，<br/> 其中，各該些外掛模組中的該第二傳輸介面與該頭戴本體中的一第一傳輸介面互相可拆卸地連接。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該頭戴本體中的該第一運算單元與各該至少一外掛模組中的該第二運算單元之間互相協作。
一種手機號碼生命週期管理系統，設置在一銀行主機伺服器內，包括由電性連接之複數個硬體電路所組成的複數個硬體模組，該些硬體模組包括： <br/> 一通訊模組，通訊連接一內部資料庫、一外部系統及一外部裝置；<br/> 一偵測比對模組，通訊連接該通訊模組，透過一機器學習模型分析一客戶手機號碼資訊活躍度，以判斷該客戶手機號碼資訊是否發生異常，生成一偵測結果；以及<br/> 一驗證模組，通訊連接該通訊模組及該偵測比對模組，當接收到的該偵測結果為異常情形時，該驗證模組通過該通訊模組傳輸一驗證資訊至該外部裝置或該外部系統，以確認號碼持有者之身分。
如請求項1所述的手機號碼生命週期管理系統，其中該偵測比對模組還比對該內部資料庫中的該客戶手機號碼資訊與該外部裝置輸入的一新客戶手機號碼資訊，生成一檢測結果。
如請求項2所述的手機號碼生命週期管理系統，其中當該檢測結果為相同時，該驗證模組通過該通訊模組傳輸該驗證資訊至該外部裝置或該外部系統，以確認號碼持有者之身分。
如請求項1所述的手機號碼生命週期管理系統，其中該驗證模組係透過電子郵件、行動應用程式推播或簡訊方式傳輸該驗證資訊至該外部裝置。
如請求項1所述的手機號碼生命週期管理系統，其中該內部資料庫為銀行客戶資料庫。
如請求項1所述的手機號碼生命週期管理系統，其中該外部系統為電信業者系統。
如請求項1所述的手機號碼生命週期管理系統，其中該外部裝置包括行員裝置或客戶通訊裝置。
一種電子裝置，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一主機板，設置於該殼體內；<br/> 一第一擴充卡連接器，配置於該主機板上；<br/> 一第一擴充卡，插接於該第一擴充卡連接器以與該主機板電性連接，該第一擴充卡具有一PCIe訊號通道、一USB2.0訊號通道及一I2C訊號通道；<br/> 一控制器，裝設於該第一擴充卡上；以及 <br/> 一對第一子連接器，裝設於該第一擴充卡上，<br/> 其中該控制器控制該第一擴充卡的該PCIe訊號通道轉換為四個PCIe下行訊號通道，且兩個該些PCIe下行訊號通道對應其中一個該第一子連接器電性連接，而另外兩個該些PCIe下行訊號通道對應其中另一個該第一子連接器電性連接。
如請求項1所述的電子裝置，其中該第一擴充卡為M.2 KEY-E擴充卡。
如請求項1所述的電子裝置，還包括一第二擴充卡，設置於該主機板上，並與該第一擴充卡電性連接。
如請求項3所述的電子裝置，其中該第二擴充卡為PSE擴充卡。
如請求項4所述的電子裝置，其中該第二擴充卡上設置有一對第二子連接器。
如請求項5所述的電子裝置，其中該一對第一子連接器與該一對第二子連接器經由對應的一訊號纜線一對一地電性連接。
如請求項3所述的電子裝置，還包括一散熱組件，配置在該主機板及該殼體之間。
如請求項7所述的電子裝置，其中該散熱組件包括一底板以及一頂板，其中該第一擴充卡及該第二擴充卡分別設置在該底板的兩側，而該第二擴充卡夾置在該頂板與該底板之間，該頂板具有多個接觸端以對應接觸該第二擴充卡的多個熱源。
如請求項8所述的電子裝置，還包括一散熱鰭片，設置在該頂板上，其中該頂板貼合於該散熱鰭片。
如請求項9所述的電子裝置，其中該第二擴充卡還包括多個導熱凸塊，設置在該第二擴充卡的該些熱源上，其中該些導熱凸塊的其中之一與該散熱鰭片接觸，該些導熱凸塊的其中另一與該些接觸端中對應的一者接觸。
如請求項7所述的電子裝置，其中在該殼體內未設置有風扇。
一種電子設備之旋轉定位裝置，包括：<br/> 定位組件，具有定位件、定位片、第一組裝片及轉接件，該定位件設有卡掣件，該卡掣件內部容置彈性定位部，該定位片一側表面設有與該彈性定位部相互卡掣之卡掣槽，該第一組裝片鎖附於該定位片上方，該轉接件具有環凸部並鎖附於該第一組裝片，該環凸部剖設有環凹槽，該環凹槽設有第二止擋塊，其中，藉由該定位件之卡掣件與該定位片之卡掣槽作為旋轉後的定位；<br/> 旋轉組件，具有套筒、第二組裝片、止擋片、軸承及雙向止擋環，該套筒設有套軸，該第二組裝片及該止擋片依序套設於該套軸上且彼此相互鎖附，且該止擋片一側表面凸設有第一止擋塊，該軸承干涉固定於該套軸上，該轉接件干涉固定於該軸承外圍，該雙向止擋環具有環本體並活動容設於該環凹槽，該環本體上、下側分別設有弧狀之上擋環及下擋環，該上擋環及該下擋環彼此錯位設置，且該上擋環兩端部分別具有第一上擋部及第二上擋部，而該下擋環的兩端部分別具有第一下擋部及第二下擋部；<br/> 其中，藉由該止擋片之第一止擋塊及該轉接件之第二止擋塊，配合該雙向止擋環之上擋環及下擋環，使該旋轉組件順、逆時針旋轉時，實現止擋及定位之目的。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該定位件上、下表面分別設置組接部與鎖接環，該定位片及該第一組裝片依序活動套設於該組接部，該鎖接環之內環面設有內螺紋段，該套軸外環面設有與該鎖接環之內螺紋段相對應之外螺紋段。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該彈性定位部具有相連接之珠體與彈性件，該珠體部分面積凸露於該卡掣件的頂側外部。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該轉接件具有底盤，該底盤外緣凸設該環凸部，且該轉接件、該第一組裝片及該定位片相互鎖附並同步旋動。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該定位片一側表面設有限位軌道及定位圓孔，該限位軌道與該卡掣件相互抵觸，該定位圓孔與該卡掣件之珠體相互抵觸，藉由該限位軌道及該定位圓孔增加該定位片與該定位件旋轉時的穩定性。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中進一步安裝於支架組，該支架組具有分離的上支架及下支架，該上支架與該下支架之間形成空隙，該旋轉組件與該定位組件分別安裝於該上支架與該下支架內部，該上支架可相對該下支架旋轉並帶動該旋轉組件一併水平旋轉。
如請求項6所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該上支架連接螢幕，該下支架連接底座。
如請求項6所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該第二組裝片外緣設有組裝部，該組裝部固定於該上支架內部，該第一組裝片固定於該下支架內部。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該第一組裝片設有第一定位凸點，該轉接件對應該第一定位凸點設有第一定位凹槽。
如請求項1所述電子設備之旋轉定位裝置，其中該止擋片設有第二定位凸點，該第二組裝片對應該第二定位凸點設有第二定位凹槽。
一種管件截止組件，其包括：<br/> 一管件固定元件，其具有一第一本體以及一第二本體，該第一本體的其中一端連接於該第二本體的其中一端，該第一本體與該第二本體之間具有一容置空間，該第一本體具有貫穿本體的一穿孔，該第一本體的該其中一端朝外延伸形成多個固定部；以及<br/> 一阻斷元件，該阻斷元件的其中一端朝外延伸形成多個支撐部，每一該支撐部能活動地連接於其中一該固定部，該阻斷元件之其中一面向外凸出形成一阻壓部，該阻壓部被配置成用於能活動地穿設於該穿孔或遠離該穿孔。
如請求項1所述之管件截止組件，還包括一限位元件，其能活動地連接於該阻斷元件，該限位元件的其中一端朝外凸出形成一勾抵部，該勾抵部被配置成用於頂抵該第二本體的另外一端或定位於該第二本體的該另外一端。
如請求項2所述之管件截止組件，其中，該限位元件具有一支撐本體以及一活動本體，該支撐本體的其中一端具有該勾抵部，該支撐本體的另外一端連接於該活動本體，該活動本體能活動地連接於該阻斷元件，該活動本體的其中一面的兩側分別向外凸出形成一側擋部，多個該側擋部與該支撐本體界定出一連接空間，該連接空間被配置成用於容置該阻斷元件。
如請求項3所述之管件截止組件，其中，該支撐本體與該活動本體之間具有一預定角度，該預定角度介於75~90度。
如請求項3所述之管件截止組件，其中，該活動本體的該其中一面朝該連接空間凸出形成多個定位部，每一該側擋部具有對應於該連接空間之一內側面，每一該內側面連接於該活動本體的該其中一面與其中一該定位部，每一該內側面朝該連接空間凸出形成一止擋部以及一扣合部，每一該止擋部連接於該活動本體的該其中一面與其中一該扣合部，且每一該止擋部位於該活動本體的該其中一面與所對應之該扣合部之間；<br/> 其中，該阻斷元件的另外一端朝外延伸形成一延伸部，該延伸部之兩側分別朝外延伸形成一卡抵部，該卡抵部對應於該阻斷元件之另外一面之一面向內凹陷以使該卡抵部遠離該延伸部之一端形成一凸塊，該阻斷元件鄰近於該延伸部之兩側分別朝內凹陷以使其形成一止抵部，該阻斷元件之該另外一面鄰近於該延伸部之兩側分別朝內凹陷形成一暫容槽；<br/> 其中，當該阻斷元件位於該連接空間時，每一該定位部容置於所對應之該暫容槽且接觸於所對應之該凸塊，每一該止擋部接觸於所對應之該止抵部，且每一該扣合部接觸於該阻斷元件之該其中一面。
如請求項2所述之管件截止組件，其中，該第二本體之該其中一面朝內凹陷形成一導引槽，該導引槽位於該第二本體之該另外一端，該導引槽被配置成用於供該勾抵部頂抵；其中，該第二本體之另外一面朝外凸出形成一卡扣部，該卡扣部被配置成用於供該勾抵部定位。
如請求項6所述之管件截止組件，其中，該第二本體之其中一面朝該容置空間凸出形成一凸肋部，該凸肋部具有一直肋體以及一錐肋體，該直肋體之其中一端連接於該錐肋體，該直肋體之另外一端鄰近於該穿孔，該錐肋體具有對應於該第一本體之一斜面，該錐肋體連接該導引槽，該錐肋體之本體呈現由鄰近於該直肋體之一端朝鄰近於該第二本體之另外一端之另一端逐漸縮減。
如請求項1所述之管件截止組件，其中，該第二本體背對該第一本體之一面朝外凸出形成一樞轉部；其中，該管件截止組件還包括一扣夾元件，其能活動地連接於該樞轉部，該扣夾元件被配置成用於固定一物件上。
如請求項8所述之管件截止組件，其中，該樞轉部的截面呈一T形狀；其中，該扣夾元件的其中一端朝外彎曲延伸形成一夾扣部，該夾扣部與該扣夾元件的本體之間具有一夾物空間，該扣夾元件的另外一端朝外凸出形成一框架部，該框架部具有多個側支撐結構以及一平台結構，該多個側支撐結構相對設置且連接於該扣夾元件的該另外一端與該平台結構，該多個側支撐結構、該平台結構的其中一面以及該扣夾元件的該另外一端共同界定出一收置空間，該平台結構之其中一端朝該平台結構之另外一端凹陷形成一缺口結構，該缺口結構鄰近於該多個側支撐結構之多個側壁面分別朝該平台結構之中心處延伸形成一抵壓結構，該扣夾元件藉由該缺口結構與多個該抵壓結構頂抵該樞轉部，以活動地連接於該樞轉部。
如請求項9所述之管件截止組件，其中，該缺口結構呈一凸字形，該抵壓結構呈一波浪狀，該平台結構與該扣夾元件之該本體相互平行；其中，該夾扣部具有貫穿本體之一長形孔，該扣夾元件對應於該夾扣部之一面朝外凸出形成一頂肋部，該頂肋部位於該長形孔中。
一種滅煙器，其包含有： <br/>一混合器，該混合器包含有一混合室及與該混合室相連通的一入口端和一出口端； <br/>一連結管，該連結管連結於該混合器的入口端，並且包含有與該混合室相連通的一煙道接頭及一水道接頭；以及 <br/>一排出管，該排出管連結於該混合器的出口端，並且與該混合室相連通，該排出管設有至少一出水口。
如請求項1所述之滅煙器，其中該混合室內設有一多孔隙填充芯材。
如請求項2所述之滅煙器，其中該混合器包含設於該混合室內的一流入隔板，該流入隔板位於該多孔隙填充芯材與該連結管之間，該流入隔板上設有間隔排列的多數個流入孔。
如請求項3所述之滅煙器，其中該混合器包含有一導流件，該導流件結合於該流入隔板朝向該連結管的一側，該導流件朝該該流入隔板的一端的直徑大於朝該連結管一端的直徑，該多數個流入孔間隔排列的位於該導流件的外圍。
如請求項4所述之滅煙器，其中該混合室的內徑大於該連結管的內徑。
如請求項5所述之滅煙器，其中該混合器包含設於該混合室內的一流出隔板，該流出隔板位於該多孔隙填充芯材與該排出管之間，該流出隔板上設有間隔排列的多數個網孔。
如請求項1至6中任一項所述之滅煙器，其中該該排出管遠離該混合器的一端為封閉端，該至少一出水口形成於該排出管的周壁。
如請求項7所述之滅煙器，其中該連結管位於該混合器的上端，該排出管位於該混合器的下端。
一種全自動貼膜機，包括：<br/> 一基座，供一手機置放後進行貼膜作業，該基座一端活動連接有一蓋體；<br/> 一限位裝置，設於該基座上，用以夾持該手機；<br/> 一第一驅動裝置，設於該基座上，該第一驅動裝置係與該限位裝置電性連接，用以控制該限位裝置進行夾持或鬆釋該手機；<br/> 兩定位部，設於該基座上方與下方，用以分別供一含有貼膜之保護貼的外膜頂部與底部卡固於上，於該基座上方的定位部的上方設有一第一滾輪，於該基座下方的定位部的上方設有一第二滾輪，且該基座下方的定位部的下方則形成有一夾口，用以供該保護貼的底部穿入；<br/> 一第二驅動裝置，設於該基座上，該第二驅動裝置係與該第一滾輪與該第二滾輪電性連接，藉以使該第二驅動裝置先驅動該第二滾輪轉動時，可將該保護貼的底膜拉離，使該保護貼內的貼膜可覆蓋於該手機的螢幕上，而該第二驅動裝置再驅動該第一滾輪位移於該手機上來進行滾壓。
如請求項1所述之全自動貼膜機，其中該限位裝置係包含一上方定位塊、一左側定位塊與一右側定位塊，使該上方定位塊、左側定位塊與右側定位塊位移後，可夾持該手機。
如請求項1所述之全自動貼膜機，其中該兩定位部上係設有供該保護貼卡固於上之突塊。
如請求項1所述之全自動貼膜機，其中該基座兩側係設有供該第一滾輪可於該基座上來回位移之軌道。
一種鍋爐預熱器，係用以與一鍋爐相連結，該鍋爐預熱器包含有： <br/>一殼體； <br/>一熱氣入口，該熱氣入口與該殼體相連通，並且用以與該鍋爐相連結，使該鍋爐所排出的熱氣能經由該熱氣入口進入該殼體內； <br/>一排出通道，該排出通道與該殼體相連通； <br/>一爐水預熱模組，該爐水預熱模組設於該殼體內部，並且位於該熱氣入口與該排出通道之間，該爐水預熱模組包含有一爐水熱交換器、與該爐水熱交換器相連通的一爐水入水管，及與該爐水熱交換器相連通的一爐水出水管，且該爐水出水管用以與該鍋爐相連結；以及 <br/>至少一第一加熱模組，該至少一第一加熱模組設於該爐水預熱模組與該熱氣入口之間，各第一加熱單元包含有一第一熱交換器、與該第一熱交換器相連通的一第一入水管，及與該第一熱交換器相連通的一第一出水管。
如請求項1所述之鍋爐預熱器，其中 <br/>該爐水熱交換器包含多個爐水鰭片及通過該多個爐水鰭片的一爐水流通管道，該爐水入水管及該爐水出水管與該爐水流通管道相連通；以及 <br/>該第一熱交換器包含有多個第一鰭片及通過該多個第一鰭片的一第一流通管道，該第一入水管及該第一出水管與該第一流通管道相連通。
如請求項2所述之鍋爐預熱器，其中 <br/>該爐水流通管道包含有一第一流道及一第二流道； <br/>該第一流道通過該多個爐水鰭片； <br/>該第二流道通過該多個爐水鰭片，位於該第一流道與該熱氣入口之間，並且與該第一流道相連通； <br/>該爐水入水管與該第一流道相連通；以及 <br/>該爐水出水管與該第二流道相連通。
如請求項1至3中任一項所述之鍋爐預熱器，其中該鍋爐預熱器包含有至少一第二加熱模組，該至少一第二加熱模組設於該殼體的內部，位於該爐水預熱模組與該排出通道之間，各第二加熱模組包含有一第二熱交換器、與該第二熱交換器相連通的一第二入水管，以及與該第二熱交換器相連通的一第二出水管。
如請求項4所述之鍋爐預熱器，其中該第二熱交換器包含有多個第二鰭片及通過該多個第二鰭片的一第二流通管道，該第二入水管及該第二出水管與該第二流通管道相連通。
一種洗腎用約束固定裝置，包含： <br/>一透明套件，為弧形片體； <br/>一第一固定件，設於該透明套件之一端； <br/>一第二固定件，設於該透明套件之另一端，供與該第一固定件相互組合而使該透明套件形成套筒狀結構包覆於病人前臂或上臂之洗腎入針部位； <br/>複數防撞條，分別包覆設於該透明套件之各邊緣；及 <br/>一保暖件，為片狀結構，該保暖件頂端係與該透明套件底端連接設置，且該保暖件之相對兩側端係透過一拉鍊結構相互連接，以包覆該透明套件底端露出之肢體段。
如請求項1所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該第一固定件及該第二固定件為公母對應之魔鬼氈或扣環。
如請求項2所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該第一固定件及該第二固定件係分別位於該透明套件之中段位置。
如請求項3所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該透明套件係為聚對苯二甲酸乙二醇酯材料。
如請求項4所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該等防撞條分別為軟質矽膠、泡棉、熱塑性彈性體或軟質PVC材料。
如請求項5所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該保暖件係為彈性尼龍或尼龍混合彈性纖維材料。
如請求項1至6其中任一項所述之洗腎用約束固定裝置，其中，該透明套件係設有複數微孔。
一種交易提示系統，適用於與一使用者端裝置通訊，並包含：<br/> 一處理單元，電連接該使用者端裝置；及<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，儲存多筆對應於一使用者的歷史交易數據，每一歷史交易數據包括一交易時間、一交易金額、一交易帳號及一交易備註；<br/> 該處理單元將該等歷史交易數據輸入一交易行為預測模型以產生對應於該使用者的一筆或多筆交易行為預測資料，各該交易行為預測資料包含一預測交易時間、一預測交易金額、一預測交易帳號及一預測交易備註；<br/> 當該處理單元判斷當前時間符合其中一交易行為預測資料的預測交易時間或當前時間為其中一交易行為預測資料的預測交易時間之前N（N＞0）天時，將該交易行為預測資料作為一目標交易行為預測資料，並傳送一包含該目標交易行為預測資料的交易提示給該使用者端裝置；<br/> 當該處理單元自該使用者端裝置接收到一對應於該交易提示的交易資料填寫指令時，傳送一交易資料填寫頁面給該使用者端裝置，其中，該交易資料填寫頁面帶入該目標交易行為預測資料；<br/> 當該處理單元自該使用者端裝置接收到一對應於該交易資料填寫頁面的交易請求時，根據該交易資料填寫頁面包含的一欲交易資料執行一交易程序。
如請求項1所述的交易提示系統，其中，該交易資料填寫頁面包括一金額欄位、一帳號欄位及一備註欄位，該金額欄位帶入該目標交易行為預測資料的該預測交易金額，該帳號欄位帶入該目標交易行為預測資料的該預測交易帳號，該備註欄位帶入該目標交易行為預測資料的該預測交易備註；<br/> 該處理單元傳送的該交易資料填寫頁面包括的該金額欄位、該帳號欄位及該備註欄位可供該使用者端裝置修改該預測交易金額、該預測交易帳號及該預測交易備註。
如請求項1所述的交易提示系統，其中，當該處理單元判斷該欲交易資料與該目標交易行為預測資料不相符時，將該欲交易資料作為新的且對應於該使用者的一筆歷史交易數據；<br/> 該處理單元將新的該筆歷史交易數據以及該等歷史交易數據輸入該交易行為預測模型以重新產生對應於該使用者的一筆或多筆交易行為預測資料。
一種實木收納盒結構，包含有一盒體及一可蓋合於該盒體上之蓋體，其特徵在於：<br/> 該盒體具有一底板及一盒周壁，該盒周壁立設於該底板之周側上，使該底板與該盒周壁可相互圈圍出一頂部呈開放狀之容置空間，且該蓋體可分離地對應蓋合於該容置空間之頂部，而該盒周壁係由多片具有不同實木紋路之實木板片依序拼接構成，並藉此使該盒周壁之周面上形成有由多片實木板片依序拼接構成之紋路層。
如請求項1所述的實木收納盒結構，其中，該各實木板片係由實木製品在生產或製造過程中產生之餘料所加工製成。
如請求項1所述的實木收納盒結構，其中，該底板呈長矩形狀而具有四個周側邊，而該盒周壁由四個分別直立連接於該底板各周側邊上的側板所構成，且該各側板分別以其端側相互對接，使該底板與各側板可相互拼組成一矩形盒體狀。
如請求項3所述的實木收納盒結構，其中，該各側板分別由多片具有不同實木紋路之實木板片以上下拼接之方式相互膠合構成。
如請求項4所述的實木收納盒結構，其中，該各側板具有相同實木紋路之實木板片係位在同一水平高度且朝橫向延伸，使該盒周壁之周面上形成之各紋路層可分別呈橫向延伸狀。
如請求項3所述的實木收納盒結構，其中，該各側板於彼此對接處分別設有一呈內縮狀之第一嵌槽，使該各側板可分別透過以嵌槽卡合榫接方式相互對接。
如請求項3所述的實木收納盒結構，其中，該各側板用以與該底板連接之周面上分別設有一呈內縮狀之第二嵌槽，使該底板可透過以嵌槽卡合榫接方式與該各側板連接。
如請求項1所述的實木收納盒結構，其中，該蓋體上開設有一通孔，且在將該蓋體對應蓋合於該容置空間之頂部時，該容置空間可經由該通孔與外部相通，以構成一面紙盒結構。
如請求項1或8所述的實木收納盒結構，其中，該蓋體沿其外周緣間隔佈設有數個第一磁吸件，而該盒周壁於其頂部面向該容置空間之周壁上設有數個與該各第一磁吸件之位置相互對應的第二磁吸件，使該蓋體可透過磁吸方式自動對接並蓋合於該容置空間之頂部上。
如請求項9所述的實木收納盒結構，其中，該蓋體與該盒周壁上分別凹設有呈內縮狀以供該各第一磁吸件與該各第二磁吸件卡合組設之第三嵌槽。
一種加熱加濕保溫櫃，其具有： <br/>一外殼，其具有： <br/> 一第一隔間，其形成於該外殼內；該第一隔間具有： <br/> 一第一層板，其水平設置於該第一隔間內； <br/> 一第二層板，其水平設置於該第一隔間內，並間隔設置於該第一層板的下方； <br/> 一第一加熱裝置，其設置於該第一層板的下側； <br/> 一保溫裝置，其設置於該第二層板的下側； <br/> 一第一門板，其可轉動地設置於該第一隔間的外緣，以連通或阻隔該第一隔間及該外殼的外部； <br/> 一第二隔間，其形成於該外殼內，並位於該第一隔間的下方；該第二隔間具有： <br/> 一第二加熱裝置，其設置於該第二隔間的底部； <br/> 一抽屜，其可移動地設置於該第二隔間，並位於該第二加熱裝置的上方，並能移動至該第二隔間外；該抽屜能連通或阻隔該第二隔間及該外殼的外部； <br/> 一放置空間，其形成於該外殼內，並位於該第一隔間的下方，且相鄰於該第二隔間； <br/>一控制裝置，其訊號連接於該第一加熱裝置、該保溫裝置及該第二加熱裝置，並能使該第一加熱裝置、該保溫裝置及該第二加熱裝置各自運作；該控制裝置可拆卸地設置於該外殼的該放置空間中。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一隔間具有： <br/>一第一固定網，其設置於該第一層板的下側，並使該第一加熱裝置位於該第一層板及該第一固定網之間； <br/>一第二固定網，其設置於該第二層板的下側，並使該保溫裝置位於該第二層板及該第二固定網之間。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一隔間具有： <br/>至少一置物盤，其可拆卸地放置於該第一層板上，或可拆卸地放置於該第二層板上。
如請求項3所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一隔間具有： <br/>至少一置物網，其可拆卸地放置於該第一層板上，或可拆卸地放置於該第二層板上，或可拆卸地放置於該至少一置物盤中。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一隔間具有： <br/>一第一承接盤，其可拆卸地設置於該第一隔間的底部。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第二隔間具有： <br/>一第二承接盤，其可拆卸地設置於該第二隔間的底部，並位於該第二加熱裝置的下方。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第二隔間具有： <br/>二導軌，其分別設置於該第二隔間的側壁面，且位置上相對於彼此；該抽屜的兩側分別設置於該二導軌，且該抽屜能沿該二導軌移動。
如請求項7所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該抽屜具有： <br/>一第二門板，其能連通或阻隔該第二隔間及該外殼的外部； <br/>一延伸部，其形成於該第二門板，並沿該二導軌延伸設置；該延伸部能沿該二導軌移動； <br/>一置物籃，其可拆卸地設置於該延伸部，並位於該第二加熱裝置的上方。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一門板為透明。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第一隔間的壁面為透明。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中： <br/>該第一隔間具有： <br/> 複數穿孔，其形成於該第一隔間的內壁面，並沿鉛直方向間隔排列； <br/>該第一層板具有： <br/> 複數固定部，其形成於該第一層板的側緣；該等固定部能穿設於該等穿孔中，使該第一層板可拆卸地設置於該第一隔間中。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該保溫裝置為陶瓷加熱保溫裝置。
如請求項1所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該外殼具有： <br/>一看板架，其設置於該外殼的頂部，且該看板架內凹形成一溝槽。
如請求項1至13中任一項所述之加熱加濕保溫櫃，其中，該第二加熱裝置具有： <br/>一儲水部，其用以儲存水； <br/>一進水管，其用以將水輸入該儲水部； <br/>一水位計，其設置於該儲水部，並能感測該儲水部內的水位高度； <br/>一加熱部，其連通該儲水部，且該儲水部中的水能自該儲水部流入該加熱部；該加熱部用以對該加熱部內的水加熱；該加熱部具有： <br/> 一開口，其形成於該加熱部的頂部；該加熱部中的水加熱並轉變為水蒸氣時，該水蒸氣能自該開口逸散至該第二隔間中。
如請求項14所述之加熱加濕保溫櫃，其中： <br/>該第二隔間具有： <br/> 一第二承接盤，其可拆卸地設置於該第二隔間的底部，並位於該第二加熱裝置的下方； <br/> 二集水板，其分別固設於該第二隔間的二側的壁面，並朝該第二隔間的底部的該第二承接盤斜向延伸； <br/> 複數通氣孔，其貫穿形成於該外殼，並能連通該第二隔間及該外殼的外部。
一種貓抓板切割器，其包含： <br/>一本體，其底部形成有開口朝下且貫穿該本體之前後兩端的一配合槽，該本體之內部形成有彼此相對的二主組設空間，且該二主組設空間係分別位於該配合槽的二側並連通該配合槽；以及 <br/>二主刀片，其係分別能樞轉地設於該二主組設空間，且該二主刀片之側緣能伸入該配合槽中並上下疊合。
如請求項1所述之貓抓板切割器，其中，該本體包含一握持部、二連接部以及二蓋板部，該二連接部係分別設於該握持部之底部，且位於該配合槽的相對二側，並朝該握持部之相對兩側延伸，該二蓋板部分別能拆組地設於該二連接部之底部，並與該二連接部之間分別形成該二主組設空間，該二蓋板部以及該二連接部分別於該二主組設空間形成有相對凸伸的一主定位凸塊，每一蓋板部之主定位凸塊以及位置對應的所述連接部之主定位凸塊能共同夾持位置對應的所述主刀片。
如請求項2所述之貓抓板切割器，其中，該握持部之相對兩側分別形成有複數凸條。
如請求項2所述之貓抓板切割器，其中，該握持部之相對兩側分別形成有一弧形凹溝。
如請求項2至4中任一項所述之貓抓板切割器，其中，該本體之二連接部分別形成有至少一第一對位結構以及至少一第二對位結構，該二蓋板部之頂部分別形成有至少一第一接合結構以及至少一第二接合結構，該至少一第一接合結構及該至少一第一對位結構之形狀能相對應並且相互配合，該至少一第二接合結構及該至少一第二對位結構之形狀能相對應並且相互配合。
如請求項1所述之貓抓板切割器，其中，該本體之內部形成有彼此相對且分別連通該配合槽的二副組設空間，該二副組設空間係間隔相鄰於該二主組設空間，所述貓抓板切割器包含二副刀片，該二副刀片係分別能樞轉地設於該二副組設空間，且該二副刀片之側緣能伸入該配合槽中並間隔相鄰。
如請求項2至4中任一項所述之貓抓板切割器，其中，該本體之內部形成有彼此相對且分別連通該配合槽的二副組設空間，該二副組設空間係間隔相鄰於該二主組設空間，所述貓抓板切割器包含二副刀片，該二副刀片係分別能樞轉地設於該二副組設空間，且該二副刀片之側緣能伸入該配合槽中並間隔相鄰。
如請求項5所述之貓抓板切割器，其中，該本體之內部形成有彼此相對且分別連通該配合槽的二副組設空間，該二副組設空間係間隔相鄰於該二主組設空間，所述貓抓板切割器包含二副刀片，該二副刀片係分別能樞轉地設於該二副組設空間，且該二副刀片之側緣能伸入該配合槽中並間隔相鄰。
如請求項7所述之貓抓板切割器，其中，該二蓋板部與該二連接部之間分別形成該二副組設空間，該二蓋板部以及該二連接部分別於該二副組設空間形成有相對凸伸的一副定位凸塊，每一蓋板部之副定位凸塊以及位置對應的所述連接部之副定位凸塊能共同夾持位置對應的所述副刀片。
如請求項8所述之貓抓板切割器，其中，該二蓋板部與該二連接部之間分別形成該二副組設空間，該二蓋板部以及該二連接部分別於該二副組設空間形成有相對凸伸的一副定位凸塊，每一蓋板部之副定位凸塊以及位置對應的所述連接部之副定位凸塊能共同夾持位置對應的所述副刀片。
如請求項7所述之貓抓板切割器，其中，該本體包含一入口端，該入口端係鄰近該二副刀片，該本體於該入口端形成有一導引口，該導引口係連通該配合槽，並自該配合槽朝該入口端方向向該本體之相對兩側傾斜延伸。
如請求項8所述之貓抓板切割器，其中，該本體包含一入口端，該入口端係鄰近該二副刀片，該本體於該入口端形成有一導引口，該導引口係連通該配合槽，並自該配合槽朝該入口端方向向該本體之相對兩側傾斜延伸。
如請求項9所述之貓抓板切割器，其中，該本體包含一入口端，該入口端係鄰近該二副刀片，該本體於該入口端形成有一導引口，該導引口係連通該配合槽，並自該配合槽朝該入口端方向向該本體之相對兩側傾斜延伸。
如請求項10所述之貓抓板切割器，其中，該本體包含一入口端，該入口端係鄰近該二副刀片，該本體於該入口端形成有一導引口，該導引口係連通該配合槽，並自該配合槽朝該入口端方向向該本體之相對兩側傾斜延伸。
如請求項2至4中任一項所述之貓抓板切割器，其中，所述貓抓板切割器包含二潤滑件，該二潤滑件係分別穿設於該二主刀片，且每一所述潤滑件之上下兩端能分別抵接位置對應的所述蓋板部之主定位凸塊以及位置對應的所述連接部之主定位凸塊。
如請求項5所述之貓抓板切割器，其中，所述貓抓板切割器包含二潤滑件，該二潤滑件係分別穿設於該二主刀片，且每一所述潤滑件之上下兩端能分別抵接位置對應的所述蓋板部之主定位凸塊以及位置對應的所述連接部之主定位凸塊。
一種可調式霧化噴頭，其包含：<br/> 一噴頭本體，其包括有一組接部、一入口部、一出口部及一連通部，該組接部設於該噴頭本體之一側，該入口部位於該組接部中，該出口部設於該噴頭本體之底部，該連通部連通設於該入口部與該出口部之間；以及<br/> 一調壓機構，其活動設於該連通部，該調壓機構之周緣設有一螺旋通道部，該調壓機構之底部設有一錐形塞體，該螺旋通道部之一側對應該入口部，該錐形塞體位於該出口部。
如請求項1所述之可調式霧化噴頭，其中該入口部具有一第一入口及一第二入口，該第一入口大於該第二入口，該第二入口連通至該連通部。
如請求項1所述之可調式霧化噴頭，其中該出口部具有一導斜面及一出水口，該導斜面連通該連通部之底部與該出水口之頂部，且該導斜面往該出水口呈漸縮狀。
如請求項3所述之可調式霧化噴頭，其中該錐形塞體以適當之間距設於該導斜面，並該錐形塞體具有一凸出部，該凸出部以適當之間距設於該出水口。
如請求項1所述之可調式霧化噴頭，其中該連通部之頂部之內緣設有一內螺紋，該調壓機構鄰近頂部之周緣設有一外螺紋，該外螺紋活動限位於該內螺紋。
如請求項5所述之可調式霧化噴頭，其中該調壓機構於鄰近該外螺紋之位置設有一止水環，該連通部於鄰近該內螺紋之位置設有一凹環槽，該止水環卡接於該凹環槽。
如請求項1所述之可調式霧化噴頭，其中該調壓機構之頂面設有一操作部。
一種資料治理系統，適用於與一使用端電子裝置及一資料庫通訊，並包含： <br/> 一處理單元；<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，並儲存有一執行一語言處理模型的意圖處理模組、多個搜尋代理模組、一能力描述資料、及一執行另一語言處理模型的整合回覆模組，其中，該意圖處理模組用以將自然語言轉換為結構化的執行計畫，每一搜尋代理模組用以從該資料庫查詢數據且對應一第一可調用工具，該整合回覆模組用以將結構化數據轉換為文字形式的結果，該能力描述資料用以指示出每一搜尋代理模組所具備的任務處理能力及其執行所需的輸入參數；<br/> 該處理單元執行該意圖處理模組，以接收一來自該使用端電子裝置的查詢訊息，並利用該語言處理模型自該查詢訊息擷取至少一關鍵資訊以產生一關鍵資訊物件，該關鍵資訊物件包含一高階任務目標、一上下文資訊、一或多個輸入參數、及一或多個對應該(等)輸入參數的限制條件參數；<br/> 該處理單元執行該意圖處理模組，以根據該關鍵資訊物件及該能力描述資料，從該等搜尋代理模組中同時或依序調用一或多個目標搜尋代理模組；<br/> 對於各該目標搜尋代理模組，該處理單元執行該目標搜尋代理模組以根據該關鍵資訊物件，調用該目標搜尋代理模組對應的該第一可調用工具，以自該資料庫獲得一查詢結果；<br/> 該處理單元執行該意圖處理模組，根據該(等)查詢結果產生一第一結構化資料；<br/> 該處理單元執行該整合回覆模組，以根據該第一結構化資料，利用該另一語言處理模型，傳送一以自然語言形式呈現的資料優化建議內容至該使用端電子裝置。
如請求項1所述的資料治理系統，該儲存單元還儲存有多個任務代理模組，每一任務代理模組用以對由該資料庫獲得的查詢數據進行資料處理且對應一第二可調用工具，該能力描述資料還用以指示出每一任務代理模組所具備的任務處理能力及其執行所需的輸入參數；其中，<br/> 該處理單元執行該意圖處理模組，以根據該關鍵資訊物件及該能力描述資料，從該等任務代理模組中調用一目標任務代理模組；<br/> 該處理單元執行該目標任務代理模組以根據該關鍵資訊物件，自主規劃一包含一或多個操作任務的操作步驟；<br/> 該處理單元執行該目標任務代理模組以根據該操作步驟，調用該目標任務代理模組所對應的該第二可調用工具，對該第一結構化資料執行一資料處理程序；<br/> 該處理單元執行完該資料處理程序後，接收該目標任務代理模組回傳的一第二結構化資料，並執行該整合回覆模組以根據該第一結構化資料及該第二結構化資料，傳送該資料優化建議內容至該使用端電子裝置。
如請求項2所述的資料治理系統，該等第一可調用工具包含一資料庫搜尋工具、一查詢成本分析工具、一資料血緣查搜尋工具、及一日誌搜尋工具，該等第二可調用工具包含一個人識別資訊偵測工具、及一專案管理工具。
如請求項1所述的資料治理系統，該意圖處理模組為一代理程式(Agent)，每一搜尋代理模組為另一代理程式(Agent)，每一任務代理模組為再一代理程式(Agent)。
如請求項1所述的資料治理系統，該資料庫包含一技術元數據庫、一業務元數據庫、一資料血緣資料庫、一資料使用與查詢資料庫、一成本與計費資料庫、及一敏感資料庫。
一種測速警示裝置，適於設置於一車輛上，並包含：<br/> 一顯示單元；<br/> 一儲存單元，儲存分別對應於多個位於該車輛前方的測速照相設施的多筆測速照相設施偵測資料，各該測速照相設施偵測資料包含一指示出多個預定設施種類其中一者的設施種類及指示出該測速照相設施與該測速警示裝置之間的距離的一接近距離；及<br/> 一處理單元，電連接於該顯示單元及該儲存單元；<br/> 該處理單元將該等測速照相設施偵測資料當中該接近距離最小的一者當作一主要測速照相設施偵測資料，並控制該顯示單元顯示的一圖形化使用者介面指示出該主要測速照相設施偵測資料的該設施種類及該接近距離；<br/> 該處理單元將該等測速照相設施偵測資料當中除了該主要測速照相設施偵測資料以外該接近距離最小的N（N為大於零的整數）者分別當作一次要測速照相設施偵測資料，並控制該顯示單元顯示的該圖形化使用者介面指示出各該次要測速照相設施偵測資料的該設施種類。
如請求項1所述的測速警示裝置，其中，該儲存單元還儲存多個分別對應於該等預定設施種類的設施圖像，該處理單元透過控制該顯示單元顯示各該次要測速照相設施偵測資料的該設施種類所指示的該預定設施種類所對應的該設施圖像以指示出該設施種類。
如請求項2所述的測速警示裝置，其中，N為大於1的整數，該處理單元使該等次要測速照相設施偵測資料對應的該等設施圖像依照該等接近距離的大小排列。
如請求項2所述的測速警示裝置，其中，該處理單元透過控制該顯示單元顯示該主要測速照相設施偵測資料的該設施種類所指示的該預定設施種類所對應的該設施圖像以指示出該設施種類，且對應於該或該等次要測速照相設施偵測資料的設施圖像的顯示面積小於對應於該主要測速照相設施偵測資料的設施圖像的顯示面積。
一種可多角度調整的行動裝置支架，用以使行動裝置能在不同高度或不同角度下被穩定支撐，所述可多角度調整的行動裝置支架包含： <br/> 底座； <br/> 支撐柱，設置在所述底座上； <br/> 伸縮桿件，設置在所述支撐柱內，用以相對於所述支撐柱沿其軸向進行伸縮移動； <br/> 第一調整件，設置在所述伸縮桿件的上端； <br/> 連接件，具有相對的第一端與第二端，所述連接件的所述第一端透過所述第一調整件的第一接合部連接至所述第一調整件，並且所述連接件相對所述第一調整件的所述第一接合部具有可轉動性； <br/> 第二調整件，其中所述連接件設置在所述第一調整件與所述第二調整件之間，連接件的所述第二端透過所述第二調整件的第二接合部連接至所述第二調整件，並且所述連接件相對所述第二調整件的所述第二接合部具有可轉動性；以及 <br/> 裝置承載件，透過所述第二調整件的第三接合部連接至所述第二調整件，並且所述裝置承載件相對所述第二調整件的所述第三接合部具有可轉動性，其中所述裝置承載件包含磁吸操作部。
如請求項1所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述第二調整件的所述第二接合部與所述第三接合部分別位在所述第二調整件的相對兩端。
如請求項1所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述第一調整件相對所述伸縮桿件的軸向具有可旋轉性。
如請求項3所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述第一調整件與所述伸縮桿件之間設有止動件或定位件，以在旋轉時提供階段性的阻力或定位回饋。
如請求項1所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述連接件相對所述第一調整件的可轉動性允許所述連接件相對所述第一調整件具有第一動作範圍，且所述第一動作範圍至少涵蓋180度，並且所述連接件相對所述第一調整件的可轉動性允許所述連接件與所述第一調整件之間呈現90度或小於90度的夾角。
如請求項5所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述連接件相對所述第二調整件的可轉動性允許所述連接件相對所述第二調整件具有第二動作範圍，且所述第二動作範圍至少涵蓋180度，並且所述連接件相對所述第二調整件的可轉動性允許所述連接件與所述第二調整件之間呈現90度或小於90度的夾角。
如請求項6所述的可多角度調整的行動裝置支架，所述裝置承載件更包含頸部連接件，所述裝置承載件透過所述頸部連接件連接至所述第二調整件的所述第三接合部，並且所述磁吸操作部連接在所述頸部連接件的相對所述第二調整件之一端。
如請求項7所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述裝置承載件相對所述第二調整件的可轉動性允許所述裝置承載件的所述頸部連接件相對所述第二調整件具有第三動作範圍，且所述第三動作範圍至少涵蓋180度，並且所述裝置承載件相對所述第二調整件的可轉動性允許所述裝置承載件的所述頸部連接件與所述第二調整件之間呈現90度或小於90度的夾角。
如請求項7所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述磁吸操作部為圓盤狀結構，並且所述磁吸操作部相對所述頸部連接件的軸向具有可旋轉性。
如請求項1所述的可多角度調整的行動裝置支架，其中所述連接件具有左右對稱結構，所述連接件的所述第一端與所述第二端相對於所述連接件的幾何中心呈對稱配置。
一種多功能襪套，該多功能襪套包括：<br/> 一襪尖部；<br/> 一襪身底部，該襪尖部及該襪身底部以一織法縫合在一起而形成一足尖穿入結構；<br/> 二襪身側部，以該織法分別縫紉於該襪尖部及該襪身底部上，而分別位於該足尖穿入結構的左右兩側；<br/> 一襪身頂部，以該織法縫紉於該襪尖部上，而位於該足尖穿入結構的上側；<br/> 一襪後跟部，以該織法縫紉於該襪身底部及該二襪身側部上而形成一足跟置放空間；以及<br/> 一襪筒部，以該織法縫紉於該二襪身側部、該襪身頂部與該襪後跟部而形成一腳踝置放空間；又該襪尖部、該二襪身側部、該襪身底部及該襪後跟部分別包含一防割布料層，該防割布料層具有形成三明治結構的一克維拉纖維層、一氯丁橡膠層及一尼龍層，其中該克維拉纖維層位於外層，而該襪身頂部及該襪筒部分別包含一包覆布料層。
如請求項1所述之多功能襪套，其中該織法為四車六針法。
如請求項1所述之多功能襪套，其中該防割布料層的該克維拉纖維層、該氯丁橡膠層及該尼龍層為黏合在一起。
如請求項1所述之多功能襪套，其中該包覆布料層具有形成三明治結構的一第一尼龍層、一氯丁橡膠層及一第二尼龍層。
如請求項4所述之多功能襪套，其中該包覆布料層的該第一尼龍層、該氯丁橡膠層及該第二尼龍層為黏合在一起。
如請求項1所述之多功能襪套，其中該腳踝置放空間具有一開口，該襪身頂部與該襪筒部於該開口的邊緣處以人字縫法縫合一止滑皮。
一種動態保險系統，包含：<br/> 一伺服單元，儲存一對應一使用者的現有保險資料，該現有保險資料包含一現有保險種類及一對應該現有保險種類的現有保險額度；及<br/> 一使用端裝置，電連接該伺服單元；<br/> 該使用端裝置產生一相關於該使用者的當前狀態資料；<br/> 該使用端裝置根據該當前狀態資料計算出一即時風險值；<br/> 當該使用端裝置判斷該即時風險值滿足一預設門檻值，該使用端裝置或該伺服單元將該現有保險種類作為一待加保保險種類並根據該即時風險值計算出一對應該待加保保險種類的當下建議保險額度；<br/> 該伺服單元或該使用端裝置根據對應該待加保保險種類的該現有保險額度及該當下建議保險額度計算出一對應該待加保保險種類的建議加保額度。
如請求項1所述的動態保險系統，其中，該當前狀態資料包含一習慣風險值、一身體狀態風險值、一地點風險值、一時間風險值及一車況風險值的其中一種或多者。
如請求項2所述的動態保險系統，其中，該伺服單元儲存的該現有保險資料包含多個該現有保險種類及多個該現有保險額度，該當前狀態資料的該習慣風險值、該身體狀態風險值、該地點風險值、該時間風險值及該車況風險值各自對應到該等現有保險種類的至少一者；<br/> 該伺服單元或該使用端裝置根據該當前狀態資料的該習慣風險值、該身體狀態風險值、該地點風險值、該時間風險值及該車況風險值中具有較高風險的至少一者對應的該(等)現有保險種類作為該(等)待加保保險種類；<br/> 該伺服單元或該使用端裝置根據該即時風險值計算出對應該(等)待加保保險種類的該(等)當下建議保險額度；<br/> 該伺服單元或該使用端裝置根據對應該(等)待加保保險種類的該(等)現有保險額度及該(等)當下建議保險額度計算出對應該(等)待加保保險種類的該(等)建議加保額度。
如請求項1所述的動態保險系統，其中，該建議加保額度用於短期保險。
如請求項1所述的動態保險系統，其中，該當前狀態資料包含一習慣風險值，該使用端裝置儲存一使用者作息資料，<br/> 該使用端裝置根據該使用者作息資料及一當前時間資料計算出該習慣風險值，其中，該習慣風險值指示出該使用者作息資料及該當前時間資料的相符程度。
一種扶手椅，包括：<br/> 椅座；<br/> 椅背，一體成型地連接於該椅座的後側；<br/> 椅腳，一體成型地連接於該椅座下面；<br/> 扶手，一體成型地連接於該椅座的相對兩側；<br/> 其特徵在於：<br/> 該椅背的上邊形成有可供吊掛物品的凹槽。
如請求項1所述的扶手椅，其中，具有二個該凹槽，並且該二個凹槽對稱地配置於該椅背的中心軸線的兩側。
如請求項1所述的扶手椅，其中，具有三個以上的該凹槽，該三個以上的凹槽等距離地配置於該椅背的上邊。
如請求項1至3中任一項所述的扶手椅，其中，該凹槽為向下凹陷的半圓形槽、V形槽或U形槽。
如請求項4所述的扶手椅，其中，該椅背的上、下邊之間形成有通孔。
一種用於處理金融法規提問的運算裝置，藉由一通訊網路通訊連接一用戶裝置，該運算裝置包含：<br/> 一儲存單元，儲存有一語言模型；<br/> 一通訊單元，連接該通訊網路；及<br/> 一處理單元，電連接該通訊單元和該儲存單元；<br/> 其中，在該處理單元接收到至少一來自該用戶裝置且相關於金融法規的金融法規資料，以及一來自該用戶裝置且相關於金融法規業務的原始金融法規提問後，利用該語言模型，獲得多個金融法規知識片段和一金融法規提問，該處理單元將該等金融法規知識片段和該金融法規提問之每一者轉換為一對應的詞頻向量，該處理單元自該等金融法規知識片段獲得多個待使用金融法規知識片段，該處理單元根據該金融法規提問之詞頻向量和該等待使用金融法規知識片段之詞頻向量，利用一詞頻比對方法，自該等待使用金融法規知識片段中獲得多個對應該金融法規提問的候選知識片段，該處理單元利用另一不同於該詞頻比對方法的詞頻比對方法，自該等候選知識片段中獲得至少一對應該金融法規提問的目標知識片段，該處理單元根據該至少一目標知識片段，利用該語言模型獲得一對應該金融法規提問的金融法規回覆。
如請求項1所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該處理單元藉由該通訊單元將該金融法規回覆傳送至該用戶裝置。
如請求項1所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該儲存單元還儲存有一用於補充該原始金融法規提問的提問提示語句，該處理單元對該至少一金融法規資料進行資料格式處理，以獲得至少一處理後金融法規資料，該處理單元利用該語言模型，將該至少一處理後金融法規資料切分為該等金融法規知識片段，最後該處理單元根據該原始金融法規提問和該提問提示語句，利用該語言模型以獲得該金融法規提問。
如請求項3所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該處理單元係根據該至少一處理後金融法規資料的多個文字分隔符號將該至少一處理後金融法規資料切分，以獲得該等金融法規知識片段。
如請求項1所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該處理單元先利用該另一詞頻比對方法，根據該金融法規提問之詞頻向量和該等候選知識片段之詞頻向量，獲得多個詞頻匹配分數，其中，每一詞頻匹配分數指示出所對應之候選知識片段之詞頻向量與該金融法規提問之詞頻向量之間的匹配程度，該處理單元根據該等詞頻匹配分數以獲得該至少一目標知識片段。
如請求項1所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該處理單元藉由判定該等金融法規知識片段之數量是否大於一數量門檻值，當判定出該等金融法規知識片段之數量大於該數量門檻值時，根據該等金融法規知識片段之詞頻向量將該等金融法規知識片段劃分為多個分群，並獲得每一分群所對應的一分群詞頻向量，該處理單元根據該等分群詞頻向量和該金融法規提問之詞頻向量，自該等分群中獲得一匹配該金融法規提問的目標分群，且將屬於該目標分群的該等金融法規知識片段作為該等待使用金融法規知識片段，藉此以獲得該等待使用金融法規知識片段。
如請求項6所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，對於每一分群，該處理單元根據屬於該分群的金融法規知識片段之詞頻向量，獲得該分群詞頻向量。
如請求項6所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，當判定出該等金融法規知識片段之數量不大於該數量門檻值時，該處理單元將該等金融法規知識片段作為該等待使用金融法規知識片段，藉此以獲得該等待使用金融法規知識片段。
如請求項1所述的用於處理金融法規提問的運算裝置，其中，該儲存單元還儲存有多筆同義詞，該處理單元還根據該至少一目標知識片段獲得一原始輸出回覆，該處理單元根據該原始輸出回覆獲得多個關鍵字，對於每一關鍵字，該處理單元根據該關鍵字，自該等同義詞中獲得一與該關鍵字具有相同語意的目標同義詞，並將該關鍵字以該目標同義詞替換以獲得一替換後關鍵字，該處理單元根據該等替換後關鍵字和該原始輸出回覆，獲得該金融法規回覆。
一種情境模擬系統，包含：<br/> 一儲存器，被配置為儲存至少一原型虛擬實境場景，其中各該至少一原型虛擬實境場景係關於一公共場景；<br/> 一第一輸入輸出介面，被配置為接收至少一第一環境參數設定，其中該至少一第一環境參數設定包含一第一人數設定、一第一噪音等級設定以及一第一眼神交流設定的至少其中之一；<br/> 一處理器，電性連接至該儲存器及該第一輸入輸出介面，且被配置為根據該至少一第一環境參數設定調整該至少一原型虛擬實境場景其中之一以產生一客製化虛擬實境場景；以及<br/> 一第二輸入輸出介面，電性連接至該處理器及一虛擬實境頭戴式裝置，且被配置為傳送該客製化虛擬實境場景至該虛擬實境頭戴式裝置。
如請求項1所述的情境模擬系統，其中該第一眼神交流設定為眼神交會的一時間長度及一頻率的至少其中之一。
如請求項1所述的情境模擬系統，其中各該至少一原型虛擬實境場景其中之一係一部隊集結場景，且該客製化虛擬實境場景中包含以下複數個情況的至少其中之一：(a)複數個虛擬跑步士兵、(b)複數個逐漸靠近的士兵以及(c)具有一飛機升空音效。
如請求項1至3中任一項所述的情境模擬系統，其中該第一輸入輸出介面更被配置為在該第二輸入輸出介面傳送該客製化虛擬實境場景至該虛擬實境頭戴式裝置後接收至少一第二環境參數設定，該至少一第二環境參數設定包含一第二人數設定、一第二噪音等級設定以及一第二眼神交流設定的至少其中之一，<br/> 其中，該處理器更被配置為根據該至少一第二環境參數設定更新該客製化虛擬實境場景，且該第二輸入輸出介面更被配置為傳送更新後之該客製化虛擬實境場景至該虛擬實境頭戴式裝置。
如請求項1至3中任一項所述的情境模擬系統，其中該儲存器更被配置為儲存一使用者沉浸於該客製化虛擬實境場景時的複數個觀察數據，且該處理器更被配置為根據該等觀察數據產生一觀察報告。
如請求項5所述的情境模擬系統，其中該等觀察數據包含複數個生理感測數據，且各該生理感測數據係由該使用者所穿戴的至少一感測器其中之一產生。
如請求項5所述的情境模擬系統，其中該等觀察數據包含複數個定位數據，且各該定位數據係由一虛擬環境定位裝置產生。
如請求項1至3中任一項所述的情境模擬系統，更包含該虛擬實境頭戴式裝置。
一種多功能智慧藥盒，包含有：<br/> 一本體，內部具有一置藥空間及一取藥空間；該置藥空間具有一掉落開口連通於該取藥空間；<br/> 一驅動裝置，設於該本體，具有一驅動單元及一轉動件；該驅動單元連接於該轉動件，用以受控制以驅動該轉動件轉動；該轉動件以可轉動的方式設於該本體，具有複數個葉片將該置藥空間區分成複數個置藥區；<br/> 一感應裝置，具有一被感應單元，設於該本體內部，用以在一感應單元接近一預定距離時產生一感應訊號；以及<br/> 一控制裝置，設於該本體，具有一處理單元電性連接於該驅動裝置及該感應裝置；<br/> 其中，當一使用者手持該感應單元接近該被感應單元時，該被感應單元據以產生一感應訊號至該處理單元，該處理單元即控制該轉動件轉動一預定角度，以使其中一該置藥區中的藥物被移動至該取藥空間。
如請求項1所述之多功能智慧藥盒，其中該本體具有第一殼體；該第一殼體頂端具有一置藥開口，內部具有一置藥平台與該置藥開口相隔一定距離，且該置藥空間形成於該置藥開口與該置藥平台之間。
如請求項2所述之多功能智慧藥盒，其中該第一殼體側面更具有一取藥開口，連通於該取藥空間。
如請求項2所述之多功能智慧藥盒，其中該本體具有一第二殼體，連接於該第一殼體；該第二殼體具有一底座及二側壁，該二側壁一端連接於該底座，另一端朝垂直於該底座的方向延伸並連接於該置藥平台，其中該取藥空間形成於該二側壁之間。
如請求項4所述之多功能智慧藥盒，其中該第二殼體之該底座與該第一殼體之該置藥平台之間形成有一容置空間，供容置該驅動單元及該被感應單元。
如請求項1所述之多功能智慧藥盒，其中該被感應單元係為一RFID晶片，該感應單元係為具有對應RFID標籤的一磁扣。
如請求項1所述之多功能智慧藥盒，其中該控制裝置具有一用藥時間設定單元通訊連接於一外部裝置，用以於該外部裝置之一應用程式及/或軟體設定至少一用藥時間，並在該用藥時間到時發出一用藥訊號。
如請求項7所述之多功能智慧藥盒，其中該控制裝置更包含有一訊息發送單元通訊連接於該用藥時間設定單元及該外部裝置，用以在接收該用藥時間設定單元傳送之該用藥訊號後發送一用藥訊息至該外部裝置。
如請求項7所述之多功能智慧藥盒，其中該控制裝置更包含有一蜂鳴單元通訊連接於該用藥時間設定單元，用以在接收該用藥時間設定單元傳送之該用藥訊號後發出一警示音效。
如請求項1所述之多功能智慧藥盒，其中該本體對應該被感應單元之位置定義有一感應區域；該本體之外側面對應於該感應區域之位置更包含有一感應標誌，用以供使用者判別該感應單元應接近放置的位置。