一種式(I)所示的化合物，<figure><img align="absmiddle" height="168px" width="260px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽，其中，X為氨基；環A為具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-12元飽和或不飽和單環或多環雜環基；環B為<img align="absmiddle" height="52px" width="40px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>；W為-C(O)-；V為-NH-、-NH-C<sub>1-12</sub>亞烷基-、-NH-C(O)-或N-連接的吡咯烷基，其可被羥基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基或C<sub>1-12</sub>烷基-OH單取代或獨立地被其多取代；Y為氫、鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷醯基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、C<sub>1-12</sub>烷基-氰基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷基磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、3-12元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-12元飽和或不飽和雜環基，其可任選地被R<sub>3</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>1</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>1</sub>可任選地進一步被R<sub>4</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>2</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>2</sub>可任選地進一步被R<sub>5</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>3</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>3-12</sub>環烷基)氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基-OH)氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>3</sub>可任選地進一步被R<sub>6</sub>單取代或獨立地被其多取代；其中每個R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>或R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；m為0、1、2、3或4；n為0。
根據請求項1所述的化合物，其中環A選自：<figure><img align="absmiddle" height="196px" width="492px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>
根據請求項1所述的化合物，其中每個R<sub>1</sub>獨立地選自羥基、氟基、氯基、溴基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、二氟乙基、三氟乙基、甲氧基、乙氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、甲氨基、二甲氨基或乙氨基、羥甲基、羥乙基、環丙基、氧雜環戊烷基、氧雜環丁烷基或1,1-二氧代硫雜環丁烷基，其可任選地進一步經R<sub>4</sub>單取代或獨立地經其多取代，其中每個R<sub>4</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基。
根據請求項1所述的化合物，其中m為0、1或2。
根據請求項1所述的化合物，其中V為-NH-、-NH-C<sub>1-12</sub>亞烷基-或N-連接的吡咯烷基，其可經羥基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>烷基-OH單取代或獨立地經其多取代。
根據請求項1所述的化合物，其中Y為3-12元飽和或不飽和碳環基或3-12元飽和或不飽和雜環基，其選自：<figure><img align="absmiddle" height="295px" width="527px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>其可任選地經R<sub>3</sub>單取代或獨立地經其多取代。
根據請求項1所述的化合物，其中Y為氫、羥基、氨基、氰基、氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、C<sub>1-12</sub>烷氧基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、3-12元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-12元飽和或不飽和雜環基，其可任選地經R<sub>3</sub>單取代或獨立地經其多取代。
根據請求項1所述的化合物，其中每個R<sub>3</sub>獨立地選自C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基或C<sub>1-12</sub>烷基-OH。
根據請求項1所述的化合物，其中每個R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基。
根據請求項1所述的化合物，其具有式(Ia)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="168px" width="255px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽，其中，環A為6-10元飽和或不飽和單環或多環雜環基，其具有選自N、O或S的1、2或3個雜原子；環B為<img align="absmiddle" height="58px" width="40px" file="d10006.TIF" alt="其他非圖式ed10006.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10006.png"/>；Z為-C<sub>1-12</sub>亞烷基-或鍵；Y為氫、氨基、氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、C<sub>1-12</sub>烷基-氰基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷基磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-6元飽和或不飽和雜環基，其可任選地經R<sub>3</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>1</sub>獨立地選自羥基、氟基、氯基、溴基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、二氟乙基、三氟乙基、甲氧基、乙氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、甲氨基、二甲氨基或乙氨基、羥甲基、羥乙基、環丙基、氧雜環戊烷基、氧雜環丁烷基或1,1-二氧代硫雜環丁烷基，其可任選地進一步經R<sub>4</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>2</sub>獨立地為鹵素、羥基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷基，其中每個R<sub>2</sub>可任選地進一步經R<sub>5</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>3</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>3-12</sub>環烷基)氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基-OH)氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>3</sub>可任選地進一步經R<sub>6</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>4</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；每個R<sub>5</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；每個R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；m為0、1、2、3或4；並且n為0。
根據請求項10所述的化合物，其中Z為鍵，Y為經C<sub>1-12</sub>烷氧基單取代的環丁基。
根據請求項10所述的化合物，其中Z為鍵，Y為經甲氧基單取代的環丁基。
根據請求項10所述的化合物，其中Z為亞乙基，Y為甲氧基。
根據請求項1所述的化合物，其具有式(Ia-i)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="169px" width="329px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽，其中，環A為6-10元飽和或不飽和單環或多環雜環基，其具有選自N、O或S的1、2或3個雜原子；環B為<img align="absmiddle" height="53px" width="35px" file="d10008.TIF" alt="其他非圖式ed10008.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10008.png"/>；環Q為3-6元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-6元飽和或不飽和雜環基；R<sub>7</sub>為氫、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>烷基-OH；每個R<sub>1</sub>獨立地選自羥基、氟基、氯基、溴基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、二氟乙基、三氟乙基、甲氧基、乙氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、甲氨基、二甲氨基或乙氨基、羥甲基、羥乙基、環丙基、氧雜環戊烷基、氧雜環丁烷基或1,1-二氧代硫雜環丁烷基，其可任選地進一步經R<sub>4</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>2</sub>獨立地為鹵素、羥基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷基，其中每個R<sub>2</sub>可任選地進一步經R<sub>5</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>3</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>3-12</sub>環烷基)氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基-OH)氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>3</sub>可任選地進一步經R<sub>6</sub>單取代或獨立地經其多取代；每個R<sub>4</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；每個R<sub>5</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；每個R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；m為0、1、2、3或4；n為0；並且i為0、1、2、3或4。
根據請求項10或14所述的化合物，其中環A選自<figure><img align="absmiddle" height="162px" width="511px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>
根據請求項10或14所述的化合物，其中每個R<sub>1</sub>獨立地選自氟基、氯基、氨基、甲基、乙基、異丙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、羥乙基、羥丙基、甲氧基乙基、環丙基或氧雜環丁烷基。
根據請求項10或14所述的化合物，其中m為0、1或2。
根據請求項14所述的化合物，其中環Q選自：<figure><img align="absmiddle" height="124px" width="546px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>
根據請求項10或14所述的化合物，其中每個R<sub>3</sub>獨立地選自氟基、氯基、溴基、氰基、甲基、乙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、羥甲基、羥乙基、羥乙基氧基、甲氧基乙基氧基、氨基、甲氨基、二甲氨基、乙氨基、異丙基氨基、羥乙基氨基、甲氨基乙基氧基、二甲氨基乙基氧基、二甲基氧膦基-甲基、氨甲醯基、氨甲醯基甲氧基、氮雜環丁烷基、吡咯烷基、嗎啉基、吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10012.TIF" alt="其他非圖式ed10012.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10012.png"/>基、二甲氨基氮雜環丁烷基、1-甲基-吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10013.TIF" alt="其他非圖式ed10013.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10013.png"/>-4-基、3-甲基-3,8-二氮雜-雙環[3.2.1]辛烷-8-基、3-甲基-3,6-二氮雜-雙環[3.1.1]庚烷基、8-甲基-3,8-二氮雜-雙環[3.2.1]辛烷-3-基、6-甲基-2,6-二氮雜-螺環[3.4]辛烷-2-基或5-甲基-2,5-二氮雜-螺環[3.3]-庚烷-2-基。
根據請求項14所述的化合物，其中i=0、1、2或3。
根據請求項1所述的化合物，其具有式(Ia-ii)所示的結構：<figure><img align="absmiddle" height="193px" width="248px" file="d10011.TIF" alt="化學式ed10011.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10011.png"/></figure>或其藥學上可接受的鹽，其中，環A為6-10元飽和或不飽和單環或多環雜環基，其具有選自N、O或S的1、2或3個雜原子；Z為-C<sub>1-12</sub>亞烷基-或鍵；Y為氫、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、3-6元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-6元飽和或不飽和雜環基，其可任選地被R<sub>3</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>1</sub>獨立地選自羥基、氟基、氯基、溴基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、二氟乙基、三氟乙基、甲氧基、乙氧基、三氟甲氧基、三氟乙氧基、甲氨基、二甲氨基或乙氨基、羥甲基、羥乙基、環丙基、氧雜環戊烷基、氧雜環丁烷基或1,1-二氧代硫雜環丁烷基，其可任選地進一步被R<sub>4</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>3</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>3-12</sub>環烷基)氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、(C<sub>1-12</sub>烷基)磺醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基-OH)氨基、3-10元飽和或不飽和碳環基或具有選自N、O或S的1至3個雜原子之3-10元飽和或不飽和雜環基，其中每個R<sub>3</sub>可任選地進一步被R<sub>6</sub>單取代或獨立地被其多取代；每個R<sub>4</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；每個R<sub>6</sub>獨立地選自鹵素、羥基、氰基、氨基、氨甲醯基、脲基、氨基甲酸酯基、C<sub>1-12</sub>烷基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷基、C<sub>1-12</sub>烷氧基、C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基、C<sub>1-12</sub>烷基-OH、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨基、N-(C<sub>1-12</sub>烷基)氨甲醯基、N,N-(C<sub>1-12</sub>烷基)<sub>2</sub>氨甲醯基、C<sub>1-12</sub>烷醯氨基、或C<sub>1-12</sub>鹵代烷氧基；m為0、1、2、3或4。
根據請求項21所述的化合物，其中環A為吡啶酮基(pyridonyl)或氮雜吲哚<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10014.TIF" alt="其他非圖式ed10014.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10014.png"/>基(azaindolizinyl)。
根據請求項21所述的化合物，其中m為1，並且R<sub>1</sub>為C<sub>1-12</sub>烷基。
根據請求項23所述的化合物，其中R<sub>1</sub>為C<sub>1-3</sub>烷基。
根據請求項24所述的化合物，其中R<sub>1</sub>為甲基。
根據請求項21所述的化合物，其中Z為鍵，Y為被甲氧基單取代的環丁基。
根據請求項21所述的化合物，其中Z為亞乙基，Y為甲氧基。
根據請求項21所述的化合物，其中Z為亞甲基，Y為苯基、吡咯烷基或四氫呋喃基，其可任選地被R<sub>3</sub>單取代或獨立地被其多取代。
根據請求項28所述的化合物，其中R<sub>3</sub>為鹵素或C<sub>1-12</sub>烷基。
根據請求項28所述的化合物，其中R<sub>3</sub>為氟基或甲基。
一種化合物，其係選自由以下組成的組：3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10015.TIF" alt="其他非圖式ed10015.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10015.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10016.TIF" alt="其他非圖式ed10016.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10016.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(2,6-二甲基吡啶-4-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10017.TIF" alt="其他非圖式ed10017.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10017.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10018.TIF" alt="其他非圖式ed10018.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10018.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(2-甲基吡啶-4-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10019.TIF" alt="其他非圖式ed10019.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10019.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10020.TIF" alt="其他非圖式ed10020.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10020.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10021.TIF" alt="其他非圖式ed10021.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10021.png"/>唑-2-基)-N-((3-(三氟甲基)吡啶-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10022.TIF" alt="其他非圖式ed10022.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10022.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10023.TIF" alt="其他非圖式ed10023.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10023.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10024.TIF" alt="其他非圖式ed10024.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10024.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(二甲基氨基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10025.TIF" alt="其他非圖式ed10025.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10025.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10026.TIF" alt="其他非圖式ed10026.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10026.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(二甲基氨基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10027.TIF" alt="其他非圖式ed10027.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10027.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10028.TIF" alt="其他非圖式ed10028.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10028.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-甲氧基吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10029.TIF" alt="其他非圖式ed10029.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10029.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10030.TIF" alt="其他非圖式ed10030.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10030.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-((6-甲基吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10031.TIF" alt="其他非圖式ed10031.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10031.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10032.TIF" alt="其他非圖式ed10032.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10032.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-(二氟甲氧基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10033.TIF" alt="其他非圖式ed10033.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10033.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10034.TIF" alt="其他非圖式ed10034.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10034.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(1-(2,6-二氟苯基)乙基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10035.TIF" alt="其他非圖式ed10035.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10035.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10036.TIF" alt="其他非圖式ed10036.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10036.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-((5-甲基噻唑-4-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10037.TIF" alt="其他非圖式ed10037.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10037.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10038.TIF" alt="其他非圖式ed10038.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10038.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-((6-(甲氨基)吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10039.TIF" alt="其他非圖式ed10039.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10039.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10040.TIF" alt="其他非圖式ed10040.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10040.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-氨基吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10041.TIF" alt="其他非圖式ed10041.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10041.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10042.TIF" alt="其他非圖式ed10042.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10042.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((4-(二甲基氨基)嘧啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10043.TIF" alt="其他非圖式ed10043.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10043.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10044.TIF" alt="其他非圖式ed10044.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10044.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(氮雜環丁烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10045.TIF" alt="其他非圖式ed10045.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10045.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10046.TIF" alt="其他非圖式ed10046.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10046.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(5-(二甲基氨基)-2-氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10047.TIF" alt="其他非圖式ed10047.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10047.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10048.TIF" alt="其他非圖式ed10048.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10048.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10049.TIF" alt="其他非圖式ed10049.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10049.png"/>唑-2-基)-N-((6-(吡咯烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10050.TIF" alt="其他非圖式ed10050.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10050.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10051.TIF" alt="其他非圖式ed10051.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10051.png"/>唑-2-基)-N-((3-(三氟甲氧基)吡啶-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10052.TIF" alt="其他非圖式ed10052.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10052.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-(二氟甲基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10053.TIF" alt="其他非圖式ed10053.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10053.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10054.TIF" alt="其他非圖式ed10054.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10054.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10055.TIF" alt="其他非圖式ed10055.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10055.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10056.TIF" alt="其他非圖式ed10056.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10056.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-(二甲基氨基)-2-氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10057.TIF" alt="其他非圖式ed10057.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10057.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10058.TIF" alt="其他非圖式ed10058.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10058.png"/>-2-甲醯胺；6-([1,2,4]三唑並[4,3-a]吡啶-6-基)-3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10059.TIF" alt="其他非圖式ed10059.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10059.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10060.TIF" alt="其他非圖式ed10060.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10060.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-(羥甲基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10061.TIF" alt="其他非圖式ed10061.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10061.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10062.TIF" alt="其他非圖式ed10062.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10062.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫噠<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10063.TIF" alt="其他非圖式ed10063.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10063.png"/>-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10064.TIF" alt="其他非圖式ed10064.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10064.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10065.TIF" alt="其他非圖式ed10065.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10065.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-環丙基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-(2,6-二氟苯甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10066.TIF" alt="其他非圖式ed10066.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10066.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10067.TIF" alt="其他非圖式ed10067.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10067.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-氟-6-嗎啉基苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10068.TIF" alt="其他非圖式ed10068.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10068.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10069.TIF" alt="其他非圖式ed10069.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10069.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(1-(2,6-二氟苯基)乙基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10070.TIF" alt="其他非圖式ed10070.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10070.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10071.TIF" alt="其他非圖式ed10071.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10071.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-(2-羥乙基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10072.TIF" alt="其他非圖式ed10072.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10072.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10073.TIF" alt="其他非圖式ed10073.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10073.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10074.TIF" alt="其他非圖式ed10074.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10074.png"/>唑-2-基)-6-(1-(氧雜環丁烷-3-基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10075.TIF" alt="其他非圖式ed10075.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10075.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10076.TIF" alt="其他非圖式ed10076.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10076.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10077.TIF" alt="其他非圖式ed10077.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10077.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((2-甲基噻唑-4-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10078.TIF" alt="其他非圖式ed10078.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10078.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10079.TIF" alt="其他非圖式ed10079.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10079.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10083.TIF" alt="其他非圖式ed10083.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10083.png"/>唑-2-基)-N-(噻唑-4-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10084.TIF" alt="其他非圖式ed10084.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10084.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-N-((3-(甲氨基)吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10085.TIF" alt="其他非圖式ed10085.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10085.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10086.TIF" alt="其他非圖式ed10086.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10086.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(1H-苯並[d]咪唑-5-基)-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10087.TIF" alt="其他非圖式ed10087.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10087.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10088.TIF" alt="其他非圖式ed10088.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10088.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-氨基吡啶-2-基)甲基)-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10089.TIF" alt="其他非圖式ed10089.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10089.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10090.TIF" alt="其他非圖式ed10090.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10090.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-氨基-3-氟吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10091.TIF" alt="其他非圖式ed10091.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10091.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10092.TIF" alt="其他非圖式ed10092.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10092.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-氟-6-(甲氨基)吡啶-2-基)甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10093.TIF" alt="其他非圖式ed10093.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10093.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10094.TIF" alt="其他非圖式ed10094.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10094.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基-3H-苯並[d]咪唑-5-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10095.TIF" alt="其他非圖式ed10095.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10095.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10096.TIF" alt="其他非圖式ed10096.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10096.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((5-甲基噻唑-4-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10097.TIF" alt="其他非圖式ed10097.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10097.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10098.TIF" alt="其他非圖式ed10098.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10098.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((4-氨基嘧啶-2-基)甲基)-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10099.TIF" alt="其他非圖式ed10099.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10099.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10100.TIF" alt="其他非圖式ed10100.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10100.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-(二甲基磷醯基)-6-氟苯甲基)-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10101.TIF" alt="其他非圖式ed10101.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10101.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10080.TIF" alt="其他非圖式ed10080.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10080.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-(二甲基磷醯基)-6-氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10081.TIF" alt="其他非圖式ed10081.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10081.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10082.TIF" alt="其他非圖式ed10082.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10082.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(1-(2,6-二氟苯基)-2-羥乙基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10102.TIF" alt="其他非圖式ed10102.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10102.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10103.TIF" alt="其他非圖式ed10103.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10103.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((6-(甲氨基)吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10104.TIF" alt="其他非圖式ed10104.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10104.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10105.TIF" alt="其他非圖式ed10105.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10105.png"/>-2-甲醯胺；6-([1,2,4]三唑並[1,5-a]吡啶-6-基)-3-氨基-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10106.TIF" alt="其他非圖式ed10106.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10106.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10107.TIF" alt="其他非圖式ed10107.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10107.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10108.TIF" alt="其他非圖式ed10108.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10108.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10109.TIF" alt="其他非圖式ed10109.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10109.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-(3-羥丙基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10110.TIF" alt="其他非圖式ed10110.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10110.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10111.TIF" alt="其他非圖式ed10111.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10111.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-(2-甲氧基乙基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10112.TIF" alt="其他非圖式ed10112.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10112.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10113.TIF" alt="其他非圖式ed10113.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10113.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10114.TIF" alt="其他非圖式ed10114.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10114.png"/>唑-2-基)-6-(6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10115.TIF" alt="其他非圖式ed10115.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10115.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-(2-羥丙基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10116.TIF" alt="其他非圖式ed10116.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10116.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10117.TIF" alt="其他非圖式ed10117.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10117.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-(2-氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10118.TIF" alt="其他非圖式ed10118.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10118.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10119.TIF" alt="其他非圖式ed10119.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10119.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-氯-6-氟苯甲基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10120.TIF" alt="其他非圖式ed10120.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10120.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10121.TIF" alt="其他非圖式ed10121.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10121.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(3-(二甲基氨基)氮雜環丁烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10122.TIF" alt="其他非圖式ed10122.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10122.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10123.TIF" alt="其他非圖式ed10123.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10123.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((6-(4-甲基呱<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10124.TIF" alt="其他非圖式ed10124.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10124.png"/>-1-基)吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10125.TIF" alt="其他非圖式ed10125.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10125.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10126.TIF" alt="其他非圖式ed10126.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10126.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((4-(二甲基氨基)吡啶-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10127.TIF" alt="其他非圖式ed10127.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10127.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10128.TIF" alt="其他非圖式ed10128.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10128.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10129.TIF" alt="其他非圖式ed10129.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10129.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10130.TIF" alt="其他非圖式ed10130.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10130.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；(R)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10131.TIF" alt="其他非圖式ed10131.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10131.png"/>唑-2-基)-N-(吡咯烷-2-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10132.TIF" alt="其他非圖式ed10132.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10132.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10133.TIF" alt="其他非圖式ed10133.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10133.png"/>唑-2-基)-N-(吡咯烷-2-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10134.TIF" alt="其他非圖式ed10134.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10134.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基呱啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10135.TIF" alt="其他非圖式ed10135.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10135.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10136.TIF" alt="其他非圖式ed10136.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10136.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；(R)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10137.TIF" alt="其他非圖式ed10137.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10137.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10138.TIF" alt="其他非圖式ed10138.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10138.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10139.TIF" alt="其他非圖式ed10139.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10139.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10140.TIF" alt="其他非圖式ed10140.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10140.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-6-(3-乙基吡唑並[1,5-a]吡啶-5-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10141.TIF" alt="其他非圖式ed10141.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10141.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10142.TIF" alt="其他非圖式ed10142.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10142.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-乙基吡唑並[1,5-a]吡啶-5-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10143.TIF" alt="其他非圖式ed10143.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10143.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10144.TIF" alt="其他非圖式ed10144.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10144.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-乙基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10145.TIF" alt="其他非圖式ed10145.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10145.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10146.TIF" alt="其他非圖式ed10146.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10146.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-異丙基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10147.TIF" alt="其他非圖式ed10147.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10147.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10148.TIF" alt="其他非圖式ed10148.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10148.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10149.TIF" alt="其他非圖式ed10149.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10149.png"/>唑-2-基)-N-(氧雜環丁烷-2-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10150.TIF" alt="其他非圖式ed10150.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10150.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；(R)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10151.TIF" alt="其他非圖式ed10151.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10151.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-3-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10152.TIF" alt="其他非圖式ed10152.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10152.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10153.TIF" alt="其他非圖式ed10153.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10153.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-3-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10154.TIF" alt="其他非圖式ed10154.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10154.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-氰乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10155.TIF" alt="其他非圖式ed10155.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10155.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10156.TIF" alt="其他非圖式ed10156.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10156.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-(二甲基氨基)-3-氧代丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10157.TIF" alt="其他非圖式ed10157.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10157.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10158.TIF" alt="其他非圖式ed10158.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10158.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-(2-羥丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10159.TIF" alt="其他非圖式ed10159.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10159.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10160.TIF" alt="其他非圖式ed10160.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10160.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-(2-羥丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10161.TIF" alt="其他非圖式ed10161.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10161.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10162.TIF" alt="其他非圖式ed10162.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10162.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-甲氧基乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10163.TIF" alt="其他非圖式ed10163.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10163.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10164.TIF" alt="其他非圖式ed10164.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10164.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10165.TIF" alt="其他非圖式ed10165.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10165.png"/>唑-2-基)-N-(2-(三氟甲氧基)乙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10166.TIF" alt="其他非圖式ed10166.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10166.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-甲氧基丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10167.TIF" alt="其他非圖式ed10167.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10167.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10168.TIF" alt="其他非圖式ed10168.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10168.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1r,3r)-3-甲氧基環丁基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10169.TIF" alt="其他非圖式ed10169.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10169.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10170.TIF" alt="其他非圖式ed10170.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10170.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1s,3s)-3-甲氧基環丁基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10171.TIF" alt="其他非圖式ed10171.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10171.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10172.TIF" alt="其他非圖式ed10172.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10172.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-(二甲基氨基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10173.TIF" alt="其他非圖式ed10173.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10173.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10174.TIF" alt="其他非圖式ed10174.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10174.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(環丙基甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10175.TIF" alt="其他非圖式ed10175.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10175.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10176.TIF" alt="其他非圖式ed10176.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10176.png"/>-2-甲醯胺；N-(2-(1H-吡唑-1-基)乙基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10177.TIF" alt="其他非圖式ed10177.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10177.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10178.TIF" alt="其他非圖式ed10178.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10178.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-(1-甲氧基丙烷-2-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10179.TIF" alt="其他非圖式ed10179.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10179.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10180.TIF" alt="其他非圖式ed10180.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10180.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-(1-甲氧基丙烷-2-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10181.TIF" alt="其他非圖式ed10181.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10181.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10182.TIF" alt="其他非圖式ed10182.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10182.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-((4,4-二氟-1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10183.TIF" alt="其他非圖式ed10183.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10183.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10184.TIF" alt="其他非圖式ed10184.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10184.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-((4,4-二氟-1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10185.TIF" alt="其他非圖式ed10185.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10185.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10186.TIF" alt="其他非圖式ed10186.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10186.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10187.TIF" alt="其他非圖式ed10187.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10187.png"/>唑-2-基)-N-(四氫-2H-吡喃-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10188.TIF" alt="其他非圖式ed10188.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10188.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10189.TIF" alt="其他非圖式ed10189.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10189.png"/>唑-2-基)-N-((四氫-2H-吡喃-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10190.TIF" alt="其他非圖式ed10190.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10190.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10191.TIF" alt="其他非圖式ed10191.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10191.png"/>唑-2-基)-N-((四氫-2H-吡喃-3-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10192.TIF" alt="其他非圖式ed10192.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10192.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-((6-(1-甲基-1,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-6-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10193.TIF" alt="其他非圖式ed10193.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10193.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10194.TIF" alt="其他非圖式ed10194.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10194.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-((1R,5S)-3-甲基-3,8-二氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10195.TIF" alt="其他非圖式ed10195.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10195.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10196.TIF" alt="其他非圖式ed10196.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10196.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-((1R,5S)-8-甲基-3,8-二氮雜雙環[3.2.1]辛烷-3-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10197.TIF" alt="其他非圖式ed10197.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10197.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10198.TIF" alt="其他非圖式ed10198.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10198.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(3-甲基-3,6-二氮雜雙環[3.1.1]庚烷-6-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10199.TIF" alt="其他非圖式ed10199.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10199.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10200.TIF" alt="其他非圖式ed10200.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10200.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(6-甲基-2,6-二氮雜螺[3.4]辛烷-2-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10201.TIF" alt="其他非圖式ed10201.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10201.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10202.TIF" alt="其他非圖式ed10202.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10202.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((6-(1-甲基呱啶-4-基)吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10203.TIF" alt="其他非圖式ed10203.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10203.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10204.TIF" alt="其他非圖式ed10204.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10204.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(1-(2,6-二氟苯基)乙基)-6-(1-甲基-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10205.TIF" alt="其他非圖式ed10205.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10205.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10206.TIF" alt="其他非圖式ed10206.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10206.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2,6-二氟苯甲基)-6-(1-(2-羥丙基)-6-氧代-1,6-二氫吡啶-3-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10207.TIF" alt="其他非圖式ed10207.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10207.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10208.TIF" alt="其他非圖式ed10208.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10208.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10209.TIF" alt="其他非圖式ed10209.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10209.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10210.TIF" alt="其他非圖式ed10210.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10210.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10211.TIF" alt="其他非圖式ed10211.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10211.png"/>唑-2-基)-N-(吡咯烷-2-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10212.TIF" alt="其他非圖式ed10212.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10212.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基呱啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10213.TIF" alt="其他非圖式ed10213.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10213.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10214.TIF" alt="其他非圖式ed10214.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10214.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10215.TIF" alt="其他非圖式ed10215.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10215.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10216.TIF" alt="其他非圖式ed10216.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10216.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-乙基吡唑並[1,5-a]吡啶-5-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10217.TIF" alt="其他非圖式ed10217.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10217.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10218.TIF" alt="其他非圖式ed10218.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10218.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10219.TIF" alt="其他非圖式ed10219.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10219.png"/>唑-2-基)-N-(氧雜環丁烷-2-基甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10220.TIF" alt="其他非圖式ed10220.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10220.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10221.TIF" alt="其他非圖式ed10221.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10221.png"/>唑-2-基)-N-((四氫呋喃-3-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10222.TIF" alt="其他非圖式ed10222.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10222.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-羥丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10223.TIF" alt="其他非圖式ed10223.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10223.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10224.TIF" alt="其他非圖式ed10224.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10224.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1r,3r)-3-甲氧基環丁基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10225.TIF" alt="其他非圖式ed10225.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10225.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10226.TIF" alt="其他非圖式ed10226.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10226.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(1-甲氧基丙烷-2-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10227.TIF" alt="其他非圖式ed10227.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10227.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10228.TIF" alt="其他非圖式ed10228.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10228.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10229.TIF" alt="其他非圖式ed10229.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10229.png"/>唑-2-基)-N-(四氫-2H-吡喃-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10230.TIF" alt="其他非圖式ed10230.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10230.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10231.TIF" alt="其他非圖式ed10231.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10231.png"/>唑-2-基)-N-((四氫-2H-吡喃-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10232.TIF" alt="其他非圖式ed10232.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10232.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10233.TIF" alt="其他非圖式ed10233.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10233.png"/>唑-2-基)-N-((四氫-2H-吡喃-3-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10234.TIF" alt="其他非圖式ed10234.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10234.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-(氨甲基)咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((3-氟吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10235.TIF" alt="其他非圖式ed10235.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10235.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10236.TIF" alt="其他非圖式ed10236.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10236.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10237.TIF" alt="其他非圖式ed10237.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10237.png"/>唑-2-基)-6-(3-(三氟甲基)咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10238.TIF" alt="其他非圖式ed10238.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10238.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-(2-(1-甲基-1H-咪唑-2-基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10239.TIF" alt="其他非圖式ed10239.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10239.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10240.TIF" alt="其他非圖式ed10240.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10240.png"/>-2-甲醯胺；外消旋-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((4-甲基嗎啉-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10241.TIF" alt="其他非圖式ed10241.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10241.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10242.TIF" alt="其他非圖式ed10242.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10242.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10243.TIF" alt="其他非圖式ed10243.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10243.png"/>唑-2-基)-N-(2-(2-氧代吡咯烷-1-基)乙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10244.TIF" alt="其他非圖式ed10244.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10244.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-6-(3-氯咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10245.TIF" alt="其他非圖式ed10245.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10245.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10246.TIF" alt="其他非圖式ed10246.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10246.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-氯咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((1-甲基吡咯烷-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10247.TIF" alt="其他非圖式ed10247.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10247.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10248.TIF" alt="其他非圖式ed10248.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10248.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1-甲基-5-氧代吡咯烷-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10249.TIF" alt="其他非圖式ed10249.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10249.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10250.TIF" alt="其他非圖式ed10250.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10250.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；外消旋-N-((1,4-二氧雜環己烷-2-基)甲基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10251.TIF" alt="其他非圖式ed10251.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10251.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10252.TIF" alt="其他非圖式ed10252.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10252.png"/>-2-甲醯胺；外消旋-3-氨基-N-((1-甲基-5-氧代吡咯烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10253.TIF" alt="其他非圖式ed10253.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10253.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10254.TIF" alt="其他非圖式ed10254.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10254.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10255.TIF" alt="其他非圖式ed10255.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10255.png"/>唑-2-基)-N-(3-氧代-3-(呱啶-1-基)丙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10256.TIF" alt="其他非圖式ed10256.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10256.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1-甲基-2-氧代吡咯烷-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10257.TIF" alt="其他非圖式ed10257.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10257.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10258.TIF" alt="其他非圖式ed10258.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10258.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10259.TIF" alt="其他非圖式ed10259.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10259.png"/>唑-2-基)-N-(3-氧代-3-(吡咯烷-1-基)丙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10260.TIF" alt="其他非圖式ed10260.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10260.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-環丁基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10261.TIF" alt="其他非圖式ed10261.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10261.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10262.TIF" alt="其他非圖式ed10262.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10262.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-((1-(環丙烷羰基)吡咯烷-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10263.TIF" alt="其他非圖式ed10263.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10263.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10264.TIF" alt="其他非圖式ed10264.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10264.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-((1-(環丙烷羰基)吡咯烷-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10265.TIF" alt="其他非圖式ed10265.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10265.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10266.TIF" alt="其他非圖式ed10266.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10266.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(雙環[1.1.1]戊烷-1-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10267.TIF" alt="其他非圖式ed10267.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10267.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10268.TIF" alt="其他非圖式ed10268.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10268.png"/>-2-甲醯胺；順-3-氨基-N-((6-(3-(二甲基氨基)環丁基氨基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10269.TIF" alt="其他非圖式ed10269.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10269.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10270.TIF" alt="其他非圖式ed10270.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10270.png"/>-2-甲醯胺；反-3-氨基-N-((6-(3-(二甲基氨基)環丁基氨基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10271.TIF" alt="其他非圖式ed10271.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10271.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10272.TIF" alt="其他非圖式ed10272.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10272.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-(甲氨基)-3-氧代丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10273.TIF" alt="其他非圖式ed10273.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10273.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10274.TIF" alt="其他非圖式ed10274.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10274.png"/>-2-甲醯胺；外消旋-3-氨基-N-(2-甲氧基丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10275.TIF" alt="其他非圖式ed10275.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10275.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10276.TIF" alt="其他非圖式ed10276.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10276.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-甲氧基丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10277.TIF" alt="其他非圖式ed10277.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10277.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10278.TIF" alt="其他非圖式ed10278.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10278.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10279.TIF" alt="其他非圖式ed10279.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10279.png"/>唑-2-基)-N-((1,4,4-三甲基吡咯烷-2-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10280.TIF" alt="其他非圖式ed10280.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10280.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-((6-(3-(二甲基氨基)吡咯烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10281.TIF" alt="其他非圖式ed10281.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10281.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10282.TIF" alt="其他非圖式ed10282.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10282.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；外消旋-3-氨基-N-(2-(甲基(四氫呋喃-3-基)氨基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10283.TIF" alt="其他非圖式ed10283.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10283.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10284.TIF" alt="其他非圖式ed10284.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10284.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-(4-(二甲基氨基)-4-氧代丁烷-2-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10285.TIF" alt="其他非圖式ed10285.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10285.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10286.TIF" alt="其他非圖式ed10286.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10286.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-(4-(二甲基氨基)-4-氧代丁烷-2-基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10287.TIF" alt="其他非圖式ed10287.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10287.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10288.TIF" alt="其他非圖式ed10288.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10288.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10289.TIF" alt="其他非圖式ed10289.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10289.png"/>唑-2-基)-N-(2-(2-氧代吡啶-1(2H)-基)乙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10290.TIF" alt="其他非圖式ed10290.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10290.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10291.TIF" alt="其他非圖式ed10291.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10291.png"/>唑-2-基)-N-((四氫-2H-吡喃-4-基)甲基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10292.TIF" alt="其他非圖式ed10292.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10292.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-(甲基(吡啶-2-基)氨基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10293.TIF" alt="其他非圖式ed10293.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10293.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10294.TIF" alt="其他非圖式ed10294.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10294.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(2-(甲基(苯基)氨基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10295.TIF" alt="其他非圖式ed10295.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10295.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10296.TIF" alt="其他非圖式ed10296.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10296.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-環丙基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10297.TIF" alt="其他非圖式ed10297.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10297.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10298.TIF" alt="其他非圖式ed10298.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10298.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((1,2-二甲基吡咯烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10299.TIF" alt="其他非圖式ed10299.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10299.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10300.TIF" alt="其他非圖式ed10300.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10300.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-(4-甲氧基環己基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10301.TIF" alt="其他非圖式ed10301.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10301.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10302.TIF" alt="其他非圖式ed10302.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10302.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((3-甲基四氫呋喃-3-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10303.TIF" alt="其他非圖式ed10303.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10303.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10304.TIF" alt="其他非圖式ed10304.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10304.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-(2-環丙基-2-(二甲基氨基)乙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10305.TIF" alt="其他非圖式ed10305.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10305.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10306.TIF" alt="其他非圖式ed10306.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10306.png"/>-2-甲醯胺(異構體)；3-氨基-N-((1-甲基-2-氧代呱啶-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10307.TIF" alt="其他非圖式ed10307.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10307.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10308.TIF" alt="其他非圖式ed10308.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10308.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10309.TIF" alt="其他非圖式ed10309.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10309.png"/>唑-2-基)-N-(四氫呋喃-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10310.TIF" alt="其他非圖式ed10310.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10310.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10311.TIF" alt="其他非圖式ed10311.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10311.png"/>唑-2-基)-N-(四氫呋喃-3-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10312.TIF" alt="其他非圖式ed10312.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10312.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10313.TIF" alt="其他非圖式ed10313.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10313.png"/>唑-2-基)-N-(1-(四氫呋喃-2-基)乙基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10314.TIF" alt="其他非圖式ed10314.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10314.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((4,4-二甲基氧雜環丁烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10315.TIF" alt="其他非圖式ed10315.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10315.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10316.TIF" alt="其他非圖式ed10316.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10316.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(3-((二甲基氨基)甲基)氮雜環丁烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10317.TIF" alt="其他非圖式ed10317.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10317.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10318.TIF" alt="其他非圖式ed10318.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10318.png"/>-2-甲醯胺；順-3-氨基-N-(3-(二甲基氨基)環丁基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10319.TIF" alt="其他非圖式ed10319.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10319.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10320.TIF" alt="其他非圖式ed10320.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10320.png"/>-2-甲醯胺；反-3-氨基-N-(3-(二甲基氨基)環丁基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10321.TIF" alt="其他非圖式ed10321.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10321.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10322.TIF" alt="其他非圖式ed10322.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10322.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-((1-(二甲基氨甲醯基)吡咯烷-3-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10323.TIF" alt="其他非圖式ed10323.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10323.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10324.TIF" alt="其他非圖式ed10324.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10324.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-N-((6-嗎啉基吡啶-2-基)甲基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10325.TIF" alt="其他非圖式ed10325.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10325.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10326.TIF" alt="其他非圖式ed10326.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10326.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((-3-甲氧基四氫呋喃-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10327.TIF" alt="其他非圖式ed10327.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10327.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10328.TIF" alt="其他非圖式ed10328.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10328.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-(二甲基氨基)-2,2-二甲基-3-氧代丙基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10329.TIF" alt="其他非圖式ed10329.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10329.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10330.TIF" alt="其他非圖式ed10330.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10330.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-((1R,4R)-5-甲基-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10331.TIF" alt="其他非圖式ed10331.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10331.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10332.TIF" alt="其他非圖式ed10332.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10332.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-((1S,4S)-5-甲基-2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷-2-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10333.TIF" alt="其他非圖式ed10333.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10333.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10334.TIF" alt="其他非圖式ed10334.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10334.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(6-甲基-2,6-二氮雜螺[3.3]庚烷-2-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10335.TIF" alt="其他非圖式ed10335.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10335.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10336.TIF" alt="其他非圖式ed10336.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10336.png"/>-2-甲醯胺；(R)-3-氨基-N-((6-(3,4-二甲基呱<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10337.TIF" alt="其他非圖式ed10337.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10337.png"/>-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10338.TIF" alt="其他非圖式ed10338.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10338.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10339.TIF" alt="其他非圖式ed10339.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10339.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-((6-(3,4-二甲基呱<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10340.TIF" alt="其他非圖式ed10340.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10340.png"/>-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10341.TIF" alt="其他非圖式ed10341.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10341.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10342.TIF" alt="其他非圖式ed10342.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10342.png"/>-2-甲醯胺；(S)-3-氨基-N-((6-(2,4-二甲基呱<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10343.TIF" alt="其他非圖式ed10343.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10343.png"/>-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10344.TIF" alt="其他非圖式ed10344.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10344.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10345.TIF" alt="其他非圖式ed10345.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10345.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3,3-二甲基氧雜環丁烷-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10346.TIF" alt="其他非圖式ed10346.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10346.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10347.TIF" alt="其他非圖式ed10347.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10347.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-(3-甲氧基環己基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10348.TIF" alt="其他非圖式ed10348.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10348.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10349.TIF" alt="其他非圖式ed10349.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10349.png"/>-2-甲醯胺；(S)-N-(1-(1H-1,2,3-三唑-1-基)丙烷-2-基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10350.TIF" alt="其他非圖式ed10350.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10350.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10351.TIF" alt="其他非圖式ed10351.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10351.png"/>-2-甲醯胺；(S)-N-(1-(2H-1,2,3-三唑-2-基)丙烷-2-基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10352.TIF" alt="其他非圖式ed10352.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10352.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10353.TIF" alt="其他非圖式ed10353.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10353.png"/>-2-甲醯胺；(R)-N-(1-(2H-1,2,3-三唑-2-基)丙烷-2-基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10354.TIF" alt="其他非圖式ed10354.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10354.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10355.TIF" alt="其他非圖式ed10355.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10355.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-(2-羥基乙氧基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10356.TIF" alt="其他非圖式ed10356.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10356.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10357.TIF" alt="其他非圖式ed10357.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10357.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((3-(2-(甲氨基)乙氧基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10358.TIF" alt="其他非圖式ed10358.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10358.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10359.TIF" alt="其他非圖式ed10359.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10359.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(4-(二甲基氨基)呱啶-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10360.TIF" alt="其他非圖式ed10360.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10360.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10361.TIF" alt="其他非圖式ed10361.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10361.png"/>-2-甲醯胺；3-氨基-N-((6-(3-(甲氨基)氮雜環丁烷-1-基)吡啶-2-基)甲基)-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10362.TIF" alt="其他非圖式ed10362.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10362.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10363.TIF" alt="其他非圖式ed10363.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10363.png"/>-2-甲醯胺；外消旋-N-(1-(1H-1,2,4-三唑-1-基)丙烷-2-基)-3-氨基-6-(3-甲基咪唑並[1,2-a]吡啶-6-基)-5-(<img align="absmiddle" height="17px" width="18px" file="d10364.TIF" alt="其他非圖式ed10364.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10364.png"/>唑-2-基)吡<img align="absmiddle" height="18px" width="18px" file="d10365.TIF" alt="其他非圖式ed10365.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10365.png"/>-2-甲醯胺；或其藥學上可接受的鹽。
一種藥物組合物，其包含一種或多種根據請求項1到31中任一項所述的化合物和藥學上可接受的載體。
一種根據請求項1到31中任一項所述的化合物在製備用於治療腺苷受體相關疾病的藥物中的用途，其中所述腺苷受體相關疾病為癌症、帕金森病、癲癇、腦缺血和中風、抑鬱症、認知障礙、腺苷脫氨酶-重症聯合免疫缺陷(ADA-SCID)、急性心力衰竭或慢性心力衰竭。
根據請求項33所述的用途，其中所述癌症為非小細胞肺癌、腎細胞癌、前列腺癌或乳腺癌。
根據請求項33所述的用途，其中所述藥物與放射療法、化學療法或免疫療法組合使用。
一種根據請求項1-31中任一項所述的的化合物或其藥學上可接受的鹽與免疫治療劑或化學治療劑之組合。
根據請求項36所述的組合，其中所述免疫治療劑選自由以下組成的組：抗PD-1/PD-L1抗體、抗CTLA-4抗體、抗CD73抗體、抗CD39抗體、抗CCR2抗體和其任何組合。
根據請求項36所述的組合，其中所述化學治療劑選自由以下組成的組：基於鉑的化學治療劑、多西他賽(Docetaxel)、太平洋紫杉醇(Paclitaxel)、多柔比星(Doxorubicin)、依託泊苷(Etoposide)、米托蒽醌(Mitoxantrone)和其任何組合。
根據請求項38所述的組合，其中所述基於鉑的化學治療劑為順鉑(CISPLATIN)或奧沙利鉑(OXALIPLATION)。
一種用於擴增腫瘤浸潤性淋巴細胞(TIL)成治療性TIL族群之方法，其包含： <br/>(a) 藉由在包含IL-2、OKT-3及抗原呈現細胞(APC)之細胞培養基中培養第一TIL族群來執行預備性第一擴增以產生第二TIL族群，該第一TIL族群係藉由將獲自個體的腫瘤樣本處理成多個腫瘤片段而獲得來自該個體所切除的腫瘤之第一TIL族群，其中該預備性第一擴增在包含第一氣體可通透表面積的一個或多個容器中執行，其中該預備性第一擴增執行7至8天的第一期間以獲得該第二TIL族群，其中該第二TIL族群於數量上大於該第一TIL族群； <br/>(b) 藉由用額外的IL-2、OKT-3及APC補充該第二TIL族群之該細胞培養基來執行快速第二擴增以產生第三TIL族群，其中在該快速第二擴增中添加之APC數量係步驟(a)中添加之APC數量的至少兩倍，其中該快速第二擴增執行1至11天的第二期間以獲得該第三TIL族群，其中該第三TIL族群係治療性TIL族群，其中該快速第二擴增在包含第二氣體可通透表面積的一個或多個容器中執行，其中在該快速第二擴增步驟中3至4天之後，將該細胞培養基補充額外的IL-2；及 <br/>(c) 收集獲自步驟(b)之該治療性TIL族群，其中該預備性第一擴增至該收集該治療性TIL族群之步驟在一段14天至16天的期間內執行。
如請求項1之方法，其中該第二TIL族群中之TIL數量對該第一TIL族群中之TIL數量之比例係1.5:1至100:1。
如請求項1之方法，其中該第二TIL族群於數量上大於該第一TIL族群至少50倍。
如請求項1之方法，其中該方法包含在收集該治療性TIL族群之步驟之後，執行下列額外步驟： <br/>將該經收集之治療性TIL族群轉移至輸注袋。
如請求項4之方法，其中該輸注袋係含有HypoThermosol之輸注袋。
如請求項1之方法，其中該多個腫瘤片段係分布於複數個分開的容器中，在該分開的容器之各者中，該第二TIL族群係獲自該預備性第一擴增步驟中之該第一TIL族群，且該第三TIL族群係獲自該快速第二擴增步驟中之該第二TIL族群，且其中獲自該第三TIL族群之該治療性TIL族群係自該複數個容器之各者收集且合併以產生該經收集之TIL族群。
如請求項6之方法，其中該複數個分開的容器包含至少二個分開的容器。
如請求項1之方法，其中該多個腫瘤片段係分布於單一容器中。
如請求項1之方法，其中在該預備性第一擴增步驟中，該細胞培養基包含APC，且該APC係以3個細胞層至5個細胞層的厚度層疊在該第一氣體可通透表面積上。
如請求項1之方法，其中在該快速第二擴增步驟中，該APC係以3個細胞層至5個細胞層的平均厚度層疊在該第二氣體可通透表面積上。
如請求項1之方法，其中該預備性第一擴增係於各容器中的第一TIL族群上執行，該快速第二擴增係於相同容器中在產生自該第一TIL族群的該第二TIL族群上執行。
如請求項1之方法，其進一步包含使用冷凍保存過程冷凍保存在收集該治療性TIL族群之步驟中之該經收集之TIL族群。
如請求項4或5之方法，其進一步包含冷凍保存該輸注袋之步驟。
如請求項13之方法，其中冷凍保存包含冷凍保存培養基，該冷凍保存培養基包含7%至10% DMSO。
如請求項1之方法，其中該APC係周邊血液單核細胞(PBMC)，其中該PBMC經照射且為同種異體。
如請求項1之方法，其中在該預備性第一擴增步驟中，該細胞培養基包含周邊血液單核細胞(PBMC)，且其中在該預備性第一擴增步驟中添加至該細胞培養基之PBMC總數係2.5×10 <sup>8</sup>個。
如請求項1之方法，其中在該快速第二擴增步驟中，該細胞培養基中之該APC係周邊血液單核細胞(PBMC)，且其中在該快速第二擴增步驟中添加至該細胞培養基之PBMC總數係5×10 <sup>8</sup>個。
如請求項1之方法，其中該APC係人工APC。
如請求項1之方法，其中在收集該治療性TIL族群步驟中之該收集係使用基於膜之細胞處理系統執行。
如請求項1之方法，其中該預備性第一擴增步驟之該多個腫瘤片段包含每容器60個片段，其中各片段具有27 mm <sup>3</sup>之體積。
如請求項1之方法，其中該多個腫瘤片段包含30至60個片段，其總體積為1300 mm <sup>3</sup>至1500 mm <sup>3</sup>。
如請求項21之方法，其中該多個腫瘤片段包含50個片段，其總體積為1350 mm <sup>3</sup>。
如請求項1之方法，其中該多個腫瘤片段包含50個片段，其總質量為1克至1.5克。
如請求項1之方法，其中該細胞培養基提供於選自由GREX-10容器、GREX-100容器、及GREX-500容器及Xuri細胞袋所組成之群組之容器中。
如請求項1之方法，其中該IL-2濃度係10,000 IU/mL至5,000 IU/mL。
如請求項1之方法，其中該預備性第一擴增及該快速第二擴增各自個別地在一段5天、6天或7天的期間內執行。
如請求項1之方法，其中該快速第二擴增在一段7天、8天或9天的期間內執行。
如請求項1之方法，其中該預備性第一擴增至該收集該治療性TIL族群之步驟在一段16天的期間內執行。
如請求項1之方法，其進一步包含使用冷凍保存過程冷凍保存該經收集之治療性TIL族群之步驟，其中該預備性第一擴增至該收集該治療性TIL族群及冷凍保存之步驟係於16天或少於16天內執行。
如請求項1之方法，其中收集該治療性TIL族群之步驟所收集之該治療性TIL族群包含對治療有效劑量的該TIL為足夠的TIL，其中對治療有效劑量為足夠的TIL數量係2.3×10 <sup>10</sup>至13.7×10 <sup>10</sup>個。
如請求項1之方法，其中，相對於獲自該預備性第一擴增步驟中該第二TIL族群之效應T細胞，該快速第二擴增步驟中該第三TIL族群包含效應T細胞，其展現增加的CD8及CD28表現。
如請求項1之方法，其中，相對於獲自該預備性第一擴增步驟中該第二TIL族群之中央記憶T細胞，該快速第二擴增步驟中該第三TIL族群包含中央記憶T細胞，其展現增加的CD8及CD28表現。
一種包含經擴增的腫瘤浸潤性淋巴細胞(TIL)的組成物在用於製造供治療癌症個體的藥物之用途，該用途包含： <br/>(a) 藉由將獲自個體的腫瘤樣本處理成多個腫瘤片段而獲得及/或接受來自該個體所切除的腫瘤之第一TIL族群； <br/>(b) 藉由在包含IL-2、OKT-3及抗原呈現細胞(APC)之細胞培養基中培養該第一TIL族群來執行預備性第一擴增以產生第二TIL族群，其中該預備性第一擴增在包含第一氣體可通透表面積的容器中執行，其中該預備性第一擴增執行7至8天以獲得該第二TIL族群，其中該第二TIL族群於數量上大於該第一TIL族群至少50倍； <br/>(c) 藉由用額外的IL-2、OKT-3及APC補充該第二TIL族群之該細胞培養基來執行快速第二擴增以產生第三TIL族群，其中添加至該快速第二擴增之APC數量係步驟(b)中添加之APC數量的至少兩倍，其中該快速第二擴增執行1至11天以獲得該第三TIL族群，其中該第三TIL族群係治療性TIL族群，其中該快速第二擴增在包含第二氣體可通透表面積的容器中執行，其中在該快速第二擴增步驟中3至4天之後，將該細胞培養基補充額外的IL-2； <br/>(d) 收集獲自步驟(c)之該治療性TIL族群，其中該預備性第一擴增至該收集該治療性TIL族群之步驟在一段14天至16天的期間內執行； <br/>(e) 將來自步驟(d)之該經收集之TIL族群轉移至輸注袋；及 <br/>(f) 投予治療有效劑量的來自步驟(e)之該TIL至該個體。
如請求項33之用途，其中該APC係PBMC。
如請求項33之用途，其中步驟(f)進一步包含非骨髓清除式淋巴細胞耗盡方案，該非骨髓清除式淋巴細胞耗盡方案包含向該患者投予之治療有效劑量之該TIL之前投予劑量為60 mg/m <sup>2</sup>/天之環磷醯胺計二天且隨後投予劑量為25 mg/m <sup>2</sup>/天之氟達拉濱(fludarabine)計五天的步驟，其中在步驟(f)中該治療有效劑量的TIL數量係2.3× 10 <sup>10</sup>至13.7×10 <sup>10</sup>個。
如請求項33至35中任一項之用途，其進一步包含始於步驟(f)之投予該治療有效劑量的TIL至該患者之後當天使用高劑量IL-2方案治療該患者的步驟，其中該高劑量IL-2方案包含每八小時以15分鐘推注靜脈內輸液(bolus intravenous infusion)投予600,000或720,000 IU/kg的IL-2直到耐受為止。
如請求項33至35中任一項之用途，其中，相對於獲自步驟(b)之該第二TIL族群之效應T細胞，獲自步驟(c)之該第三TIL族群包含效應T細胞，其展現增加的CD8及CD28表現。
如請求項33至35中任一項之用途，其中，相對於獲自步驟(b)之該第二TIL族群之中央記憶T細胞，獲自步驟(c)之該第三TIL族群包含中央記憶T細胞，其展現增加的CD8及CD28表現。
如請求項33至35中任一項之用途，其中該癌症係實質腫瘤。
如請求項33至35中任一項之用途，其中該癌症係選自由黑色素瘤、卵巢癌、肺癌、膀胱癌、乳癌、由人乳突瘤病毒所造成的癌症、頭頸癌、神經膠質母細胞瘤、胃腸道癌、腎癌、及高突變癌症所組成之群組。
如請求項33至35中任一項之用途，其中該癌症係選自由子宮頸癌、非小細胞肺癌(NSCLC)、頭頸鱗狀細胞癌(HNSCC)、GBM、腎細胞癌、及小兒高突變癌症所組成之群組。
如請求項33至35中任一項之用途，其中該容器係密閉容器。
如請求項42之用途，其中該密閉容器包含G容器，其中該G容器係選自由GREX-10、GREX-100、及GREX-500所組成之群組。
一種由請求項1之方法所製造之治療性腫瘤浸潤性淋巴細胞(TIL)族群，其中該治療性TIL族群提供增加的療效、增加的干擾素-γ產生及/或增加的多株性。
一種腫瘤浸潤性淋巴細胞(TIL)組成物，其包含如請求項44之治療性TIL族群及醫藥上可接受之載劑。
如請求項45之組成物，其中該組成物進一步包含冷凍保存培養基，其中該冷凍保存培養基包含7至10% DMSO。
一種如請求項45或46之組成物用於製造供治療癌症的藥物之用途，其中該癌症係實質腫瘤癌症。
如請求項47之用途，其中該癌症係選自由黑色素瘤、卵巢癌、肺癌、膀胱癌、乳癌、由人乳突瘤病毒所造成的癌症、頭頸癌、神經膠質母細胞瘤、胃腸道癌、腎癌、腎細胞癌、及高突變癌症所組成之群組。
如請求項48之用途，其中該癌症係選自由子宮頸癌、非小細胞肺癌(NSCLC)、頭頸鱗狀細胞癌(HNSCC)、GBM、腎細胞癌、及小兒高突變癌症所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該腫瘤樣本係該個體之該腫瘤的一或多個小活體組織切片、粗針活體組織切片或細針活體組織切片。
一種組裝模組化組件之方法，該方法包含：將光連接器安裝到外殼上；在該外殼內安裝星型耦合器；在該外殼內安裝光電媒體轉換器；切割具有圓形圓柱形內表面且由阻燃材料製成之第一指定長度的套管以形成第一保護套管；切割具有圓形圓柱形內表面且由阻燃材料製成之第二指定長度之套管以形成第二保護套管；將該第一保護套管滑動至第一塑膠光纖電纜上，該第一塑膠光纖電纜包含單根塑膠光纖及包蓋該塑膠光纖之護套；將該第二保護套管滑動至第二塑膠光纖電纜上，該第二塑膠光纖電纜包含單根塑膠光纖及包蓋該塑膠光纖之護套；透過由該第一保護套管包蓋之該第一塑膠光纖電纜光學地耦接該光電媒體轉換器至該星型耦合器；以及透過由該第二保護套管包蓋之該第二塑膠光纖電纜光學地耦接該星形耦合器至該光連接器。
如請求項1所述之方法，其中光學地耦接該星形耦合器至該光連接器包含將該光連接器壓接至該塑膠光纖電纜之該一端上。
如請求項1所述之方法，其中光學地耦接該星形耦合器至該光連接器包含將該光連接器壓接至該第二保護套管上。
如請求項1所述之方法，其中光學地耦接該光電媒體轉換器至該星型耦合器包含使用環氧樹脂或室溫硫化黏著劑將該第一保護套管之一端黏結至該星形耦合器。
如請求項1所述之方法，其進一步包含：在將該光電媒體轉換器、該星形耦合器、該第一塑膠光纖電纜及該第二塑膠光纖電纜及該光連接器置放於內部之後，關閉該模組化單元之該外殼；及將該模組化單元安裝於飛機上之航空電子系統中。
一種模組化組件，其包含：外殼；附接至該外殼之光連接器；安裝在該外殼內之光電媒體轉換器，該光電媒體轉換器包含插座；安裝在該外殼內之星形耦合器；第一塑膠光纖電纜，其包含單根塑膠光纖及包蓋該塑膠光纖並具有一定外徑之護套，該第一塑膠光纖經連接以將該星形耦合器光學地耦接至該外殼內之光電媒體轉換器；第二塑膠光纖電纜，其包含單根塑膠光纖及包蓋該塑膠光纖並具有一定外徑之護套，該第二塑膠光纖經連接以將該星形耦合器光學地耦接至該光連接器；第一保護套管，其包蓋該第一塑膠光纖電纜之該護套，及第二保護套管，其包蓋該第二塑膠光纖電纜之該護套，其中該第一保護套管及該第二保護套管各自由阻燃材料製成、具有具一定內徑之圓形圓柱形內表面，該內徑大於該護套之外徑，及具有一端抵靠該星形耦合器。
如請求項6所述之模組化組件，其中該阻燃材料為聚醯亞胺。
如請求項6所述之模組化組件，其中該第一保護套管及該第二保護套管各自為可撓的且具有100至250微米之範圍內的壁厚。
如請求項6所述之模組化組件，其中該光連接器壓接至該第二塑膠光纖電纜。
如請求項6所述之模組化組件，其中該光連接器壓接至該護套上之該保護套管且該保護套管之一端黏結至該星形耦合器。
一種模組化組件，其包含：外殼；附接至該外殼之第一光連接器及第二光連接器；安裝在該外殼內之光電媒體轉換器；安裝在該外殼內之發射星形耦合器，其包含發射光學混合器；安裝在該外殼內之接收星形耦合器，其包含接收光學混合器；第一塑膠光纖電纜，其經連接以將該發射光學混合器光學地耦接至該光電媒體轉換器；第二塑膠光纖電纜，其經連接以將該接收光學混合器光學地耦接至該光電媒體轉換器；第三塑膠光纖電纜，其經連接以將該發射光學混合器光學地耦接至該第一光連接器；第四塑膠光纖電纜，其經連接以將該接收光學混合器光學地耦接至該第二光連接器，其中該第一塑膠光纖電纜至該第四塑膠光纖電纜各自安裝在該外殼內且包含單根塑膠光纖及包蓋該塑膠光纖並具有一定外徑之護套；第一保護套管至第四保護套管，其分別包蓋該第一塑膠光纖電纜至該第四塑膠光纖電纜之護套，其中該第一保護套管至該第四保護套管各自由阻燃材料製成且具有具一定內徑之圓形圓柱形內表面，該內徑大於該護套之外徑。
如請求項11所述之模組化組件，其中該保護套管各自為可撓的且具有100至250微米之範圍內的壁厚。
如請求項11所述之模組化組件，其中該阻燃材料為聚醯亞胺。
如請求項11所述之模組化組件，其中該第一光連接器壓接至該第三塑膠光纖電纜之一端且該第三保護套管之一端黏結至該發射光學混合器。
如請求項11所述之模組化組件，其中該第一光連接器壓接至該護套上之該第三保護套管。
如請求項11所述之模組化組件，其進一步包含電耦接至該光電媒體轉換器之線路可更換單元。
一種窗口製造方法，其中，包括：<br/> 提供一基礎玻璃的步驟；<br/> 向該基礎玻璃提供包含一第一強化熔融鹽及一添加劑的一混合熔融液而對該基礎玻璃進行強化的一第一強化步驟；及<br/> 向在該第一強化步驟中經強化的該基礎玻璃提供包含一第二強化熔融鹽而不包含該添加劑的一熔融液而進行強化處理的一第二強化步驟；<br/> 該添加劑包含Al<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>、Al(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、K<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>、Na<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>、KCl、Ca(NO<sub>3</sub>)及Mg(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>中的至少一種，以該混合熔融液全體重量為基準，該添加劑的含量為超過0wt%、10wt%以下，且<br/> 其中該第一強化熔融鹽為KNO<sub>3</sub>及NaNO<sub>3</sub>，且該第二強化熔融鹽為KNO<sub>3</sub>。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該添加劑為Al<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>或Al(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該基礎玻璃包含SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及Li<sub>2</sub>O。
根據申請專利範圍第4項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該基礎玻璃還包含P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>。
根據申請專利範圍第4項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該基礎玻璃包含50wt%以上、80wt%以下的SiO<sub>2</sub>，<br/> 10wt%以上、30wt%以下的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，以及<br/> 3wt%以上、20wt%以下的Li<sub>2</sub>O。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該基礎玻璃包含SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>，且不包含Li<sub>2</sub>O。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該第一強化步驟在一第一溫度下執行，<br/> 該第二強化步驟在低於該第一溫度的一第二溫度下執行。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該第一強化步驟在380℃至440℃下執行，<br/> 該第二強化步驟在380℃至410℃下執行。
根據申請專利範圍第1項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 進一步包括：在經過該第二強化步驟的該基礎玻璃的一上部面及一下部面中的至少一個面形成一印刷層的步驟。
一種窗口製造方法，其中，包括：<br/> 提供包含SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及Li<sub>2</sub>O的一基礎玻璃的步驟；<br/> 向該基礎玻璃提供包含一第一強化熔融鹽及一添加劑的一混合熔融液而對該基礎玻璃進行強化的一第一強化步驟；及<br/> 向在該第一強化步驟中經強化的該基礎玻璃提供包含一第二強化熔融鹽而不包含該添加劑的一熔融液而進行強化處理的一第二強化步驟；<br/> 其中該添加劑包含Al<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>、Al(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、K<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>、Na<sub>2</sub>SiO<sub>3</sub>、KCl、Ca(NO<sub>3</sub>)及Mg(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>中的至少一種，以該混合熔融液全體重量為基準，該添加劑的含量為超過0wt%、10wt%以下，且<br/> 其中該第一強化熔融鹽為KNO<sub>3</sub>及NaNO<sub>3</sub>，且該第二強化熔融鹽為KNO<sub>3</sub>。
根據申請專利範圍第11項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 該添加劑包含Al<sub>2</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>或Al(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。
根據申請專利範圍第11項所述的窗口製造方法，其中，<br/> 在該第二強化步驟之後，還包括：在經強化處理的該基礎玻璃的一上部面及一下部面中的至少一個面形成一印刷層的步驟；<br/> 在該第二強化步驟與形成該印刷層的步驟之間，不包括對該基礎玻璃的至少一面進行研磨的一研磨處理步驟。
一種保存液，其用以於0～40℃下將血小板或巨核細胞保存1～15天， <br/>該保存液包含120～1200 mg/L之菸酸或其鹽、及300～3000 mg/L之抗壞血酸或其鹽，且 <br/>不含維生素B2或其鹽。
如請求項1之保存液，其中血小板係藉由包括以下之(A)及(B)之方法所獲得之純化血小板： <br/>(A)對巨核細胞之培養物進行濃縮之濃縮步驟； <br/>(B)自所獲得之濃縮物將血小板離心分離之離心分離步驟。
如請求項1之保存液，其進而包含白蛋白。
如請求項3之保存液，其中白蛋白之濃度為1.25～10%(w/v)。
如請求項1之保存液，其進而包含糖。
如請求項5之保存液，其中糖為葡萄糖。
如請求項1之保存液，其用以將血小板或巨核細胞保存5～10天。
一種變體CD80多肽，其中，該變體CD80多肽與SEQ ID NO：1之野生型CD80多肽的胺基酸序列相比，該變體CD80多肽在SEQ ID NO：1的第131位存在如下突變：S131A、S131V、S131I、S131F、S131R、S131E、S131D或S131Q。
如請求項1之變體CD80多肽，其中，該變體CD80多肽包含的突變為：1)S131A、S156I及A165S，2)S131A及S156I，或者3)S131A及A165S。
如請求項1或2之變體CD80多肽，其中，該變體CD80多肽還進一步包含能夠二聚化之第二多肽，該第二多肽為免疫球蛋白的Fc結構域。
如請求項3之變體CD80多肽，其中，該免疫球蛋白的Fc結構域為：(1)人IgG1 Fc結構域、人IgG2 Fc結構域、人IgG3 Fc結構域、或人IgG4 Fc結構域；或(2)小鼠IgG1 Fc結構域、小鼠IgG2a Fc結構域、小鼠IgG2b Fc結構域、或小鼠gG3 Fc結構域。
如請求項1或2之變體CD80多肽，其中，該變體CD80多肽進一步包含治療活性部分。
一種編碼如請求項1至5中任一項之變體CD80多肽的多核苷酸，其中，該多核苷酸為合成的核酸。
如請求項6之多核苷酸，其中，該多核苷酸可操作地連接至轉錄控制元件，該轉錄控制元素為真核細胞啟動子。
一種包含如請求項1至5中任一項之變體CD80多肽的藥物組合物，其中，該藥物組合物還包含醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至5中任一項之變體CD80多肽或如請求項6或7之多核苷酸在製備藥物之用途，其中，該藥物調節免疫反應及/或治療如下疾病：感染、腫瘤或癌症、炎症或自體免疫性疾病。
如請求項9之用途，其中，該腫瘤或癌症選自：黑素瘤、肺癌、膀胱癌、血液惡性腫瘤、肝癌、腦癌、腎癌、乳癌、胰腺癌、結腸直腸癌、脾癌、前列腺癌、睾丸癌、卵巢癌、子宮癌、胃癌、肌肉骨骼癌、頭頸癌、胃腸道癌、生殖細胞癌或內分泌及神經內分泌癌；該炎症選自：抗中性粒細胞胞漿抗體(ANCA)相關的血管炎、血管炎、炎性胃腸疾病、炎性腸病、潰瘍性結腸炎、炎性眼病、炎性神經疾病、炎性肺疾病、炎性內分泌疾病；及該自體免疫性疾病選自：移植、克羅恩氏病、多發性硬化症、哮喘、類風濕性關節炎、自體免疫性皮膚病、風濕性疾病、自體免疫性血液病或牛皮癬。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽，<figure><img align="absmiddle" height="207px" width="311px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>其中：a係1至20之整數；b係1至20之整數；m係0、1、2、3或4；n係0或1；D-NH-係胺基取代之化合物之一部分，其中該胺基取代之化合物具有式D-NH<sub>2</sub>；其中D-NH<sub>2</sub>係STING調節劑，其中該STING調節劑係下式之環狀二核苷酸或環狀二核苷酸樣化合物：<figure><img align="absmiddle" height="233px" width="276px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>其中A’及A”各自獨立地係核苷或其合成類似物；且Q、Q’、Q<sup>2</sup>及Q<sup>2’</sup>中之每一者獨立地係氧或硫；每一R<sup>1</sup>係獨立地選自C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、O-C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基及鹵素；R<sup>2</sup>係選自C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基及-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>s</sub>-CH<sub>3</sub>；其中s係1至10之整數；R<sup>3</sup>及R<sup>3’</sup>係各自獨立地選自氫及C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>烷基；L係<figure><img align="absmiddle" height="84px" width="206px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>其中：<img align="absmiddle" height="24px" width="14px" file="d10011.TIF" alt="其他非圖式ed10011.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10011.png"/>係與氮原子之連接點；<img align="absmiddle" height="28px" width="23px" file="d10012.TIF" alt="其他非圖式ed10012.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10012.png"/>係與Ab之連接點；t係1及10之整數；W係不存在或選自<figure><img align="absmiddle" height="445px" width="694px" file="d10013.TIF" alt="化學式ed10013.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10013.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="171px" width="288px" file="d10016.TIF" alt="化學式ed10016.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10016.png"/></figure>其中：<img align="absmiddle" height="23px" width="15px" file="d10014.TIF" alt="其他非圖式ed10014.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10014.png"/>係與羰基之連接點；且<img align="absmiddle" height="31px" width="21px" file="d10015.TIF" alt="其他非圖式ed10015.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10015.png"/>係與Z之連接點；Z係不存在或2至5個胺基酸之肽；U及U’獨立地係不存在或選自<figure><img align="absmiddle" height="557px" width="699px" file="d10017.TIF" alt="化學式ed10017.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10017.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="114px" width="371px" file="d10022.TIF" alt="化學式ed10022.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10022.png"/></figure>其中：<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="d10018.TIF" alt="其他非圖式ed10018.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10018.png"/>係與Z之連接點；<img align="absmiddle" height="31px" width="22px" file="d10019.TIF" alt="其他非圖式ed10019.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10019.png"/>係與Q之連接點；p係1至6之整數；q係1至20之整數；X係O或-CH<sub>2</sub>-；且每一r獨立地係0或1；且Q係選自<figure><img align="absmiddle" height="331px" width="671px" file="d10023.TIF" alt="化學式ed10023.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10023.png"/></figure>其中：<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="d10020.TIF" alt="其他非圖式ed10020.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10020.png"/>係與U之連接點，或當U不存在時係與Z之連接點；且<img align="absmiddle" height="30px" width="24px" file="d10021.TIF" alt="其他非圖式ed10021.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10021.png"/>係與U’之連接點，或當U’不存在時係與Ab之連接點；條件係W及Z並非同時不存在；且Ab係抗體、抗體片段或抗原結合片段。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：a係1至4之整數；b係1至10之整數；且m係0。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：m係0；n係0；且R<sup>3</sup>及R<sup>3’</sup>各自係氫。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中：a)W係選自<img align="absmiddle" height="63px" width="155px" file="d10025.TIF" alt="其他非圖式ed10025.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10025.png"/>、<img align="absmiddle" height="157px" width="186px" file="d10026.TIF" alt="其他非圖式ed10026.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10026.png"/>及<img align="absmiddle" height="162px" width="186px" file="d10027.TIF" alt="其他非圖式ed10027.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10027.png"/>；及/或b)Z係選自Val-Cit、Cit-Val、Val-Ala、Ala-Val、Phe-Lys及Lys-Phe之二胺基酸肽；及/或c)U及U’係獨立地選自<figure><img align="absmiddle" height="274px" width="685px" file="d10024.TIF" alt="化學式ed10024.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10024.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="379px" width="712px" file="d10028.TIF" alt="化學式ed10028.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10028.png"/></figure>其中：<img align="absmiddle" height="25px" width="15px" file="d10029.TIF" alt="其他非圖式ed10029.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10029.png"/>係與Z之連接點；<img align="absmiddle" height="29px" width="23px" file="d10030.TIF" alt="其他非圖式ed10030.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10030.png"/>係與Q之連接點；p係1至6之整數；q係1至20之整數；X係O或-CH<sub>2</sub>-；且每一r獨立地係0或1。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中t係1；且Z係不存在或二胺基酸肽。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>係-CH<sub>3</sub>或-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>s</sub>-CH<sub>3</sub>且s係1至10之整數。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該環狀二核苷酸或環狀二核苷酸樣化合物係：a)式(II)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="214px" width="259px" file="d10031.TIF" alt="化學式ed10031.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10031.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽，其中：X<sup>10</sup>係SH或OH；X<sup>20</sup>係SH或OH；Y<sup>a</sup>係O、S或CH<sub>2</sub>；Y<sup>b</sup>係O、S、NH或NR<sup>a</sup>，其中R<sup>a</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基；R<sup>10</sup>係氫、氟、OH、NH<sub>2</sub>、OR<sup>b</sup>或NHR<sup>b</sup>；R<sup>20</sup>係氫或氟；R<sup>30</sup>係氫；R<sup>40</sup>係氫、氟、OH、NH<sub>2</sub>、OR<sup>b</sup>或NHR<sup>b</sup>；或R<sup>30</sup>及R<sup>40</sup>一起形成CH<sub>2</sub>O；R<sup>50</sup>係氫或氟；R<sup>b</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>)烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基；環A<sup>10</sup>係經取代或未經取代之含有1-4個選自N、O或S之雜原子之5員或6員單環雜芳基環，或經取代或未經取代之含有1-5個選自N、O或S之雜原子之9員或10員雙環雜芳基環；其中環A<sup>10</sup>在該環中包含至少一個N原子，且其中Y<sup>b</sup>連接至環A<sup>10</sup>之碳原子；且環B<sup>10</sup>係經取代或未經取代之含有2至5個選自N、O或S之雜原子之9員或10員雙環雜芳基環；其中環B<sup>10</sup>在該環中包含至少兩個N原子；條件係環A<sup>10</sup>或環B<sup>10</sup>經由-NH-基團連接至式(I)之羰基；或b)式(III)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="201px" width="199px" file="d10032.TIF" alt="化學式ed10032.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10032.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽；其中X<sup>10</sup>係SH或OH；X<sup>20</sup>係SH或OH；Y<sup>c</sup>係O、S或CH<sub>2</sub>；Y<sup>d</sup>係O、S或CH<sub>2</sub>；B<sup>100</sup>係由式(<b>B</b><sup><b>1</b></sup><b>-A</b>)或式(<b>B</b><sup><b>1</b></sup><b>-B</b>)表示之基團：<figure><img align="absmiddle" height="176px" width="521px" file="d10033.TIF" alt="化學式ed10033.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10033.png"/></figure>R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>各自獨立地係氫原子或取代基；R<sup>1000</sup>係氫或連接至式(I)之羰基的鍵；Y<sup>11</sup>、Y<sup>12</sup>、Y<sup>13</sup>、Y<sup>14</sup>、Y<sup>15</sup>及Y<sup>16</sup>各自獨立地係N或CR<sup>1a</sup>，其中R<sup>1a</sup>係氫或取代基；Z<sup>11</sup>、Z<sup>12</sup>、Z<sup>13</sup>、Z<sup>14</sup>、Z<sup>15</sup>及Z<sup>16</sup>各自獨立地係N或C；R<sup>105</sup>係氫原子或取代基；B<sup>200</sup>係由式(<b>B</b><sup><b>2</b></sup><b>-A</b>)或式(<b>B</b><sup><b>2</b></sup><b>-B</b>)表示之基團：<figure><img align="absmiddle" height="185px" width="545px" file="d10034.TIF" alt="化學式ed10034.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10034.png"/></figure>R<sup>23</sup>、R<sup>24</sup>、R<sup>25</sup>、R<sup>26</sup>及R<sup>27</sup>各自獨立地係氫原子或取代基；R<sup>100’</sup>係氫或連接至式(I)之羰基的鍵；Y<sup>21</sup>、Y<sup>22</sup>、Y<sup>23</sup>、Y<sup>24</sup>、Y<sup>25</sup>及Y<sup>26</sup>各自獨立地係N或CR<sup>2a</sup>，其中R<sup>2a</sup>係氫或取代基；Z<sup>21</sup>、Z<sup>22</sup>、Z<sup>23</sup>、Z<sup>24</sup>、Z<sup>25</sup>及Z<sup>26</sup>各自獨立地係N或C；且R<sup>205</sup>係氫原子或取代基；其中R<sup>105</sup>及R<sup>205</sup>各自獨立地連接至其分別連接之5員環之2位或3位；條件係：B<sup>100</sup>或B<sup>200</sup>中之一者經由-NH-基團連接至式(I)之羰基。
如請求項7之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該式(III)化合物或其醫藥學上可接受之鹽係式(IIIa)化合物：<figure><img align="absmiddle" height="189px" width="214px" file="d10035.TIF" alt="化學式ed10035.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10035.png"/></figure>或其醫藥學上可接受之鹽；其中B<sup>100</sup>係由式(<b>B</b><sup><b>1</b></sup><b>-A</b>)或式(<b>B</b><sup><b>1</b></sup><b>-B</b>)表示之基團：<figure><img align="absmiddle" height="184px" width="538px" file="d10036.TIF" alt="化學式ed10036.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10036.png"/></figure>R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>各自獨立地係氫原子或取代基；R<sup>1000</sup>係氫或連接至式(I)之羰基的鍵；Y<sup>11</sup>、Y<sup>12</sup>、Y<sup>13</sup>、Y<sup>14</sup>、Y<sup>15</sup>及Y<sup>16</sup>各自獨立地係N或CR<sup>1a</sup>，其中R<sup>1a</sup>係氫或取代基；Z<sup>11</sup>、Z<sup>12</sup>、Z<sup>13</sup>、Z<sup>14</sup>、Z<sup>15</sup>及Z<sup>16</sup>各自獨立地係N或C；R<sup>105</sup>係氫原子或取代基；B<sup>200</sup>係由式(<b>B</b><sup><b>2</b></sup><b>-A</b>)或式(<b>B</b><sup><b>2</b></sup><b>-B</b>)表示之基團：<figure><img align="absmiddle" height="189px" width="552px" file="d10037.TIF" alt="化學式ed10037.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10037.png"/></figure>R<sup>23</sup>、R<sup>24</sup>、R<sup>25</sup>、R<sup>26</sup>及R<sup>27</sup>各自獨立地係氫原子或取代基；R<sup>100’</sup>係氫或連接至式(I)之羰基的鍵；Y<sup>21</sup>、Y<sup>22</sup>、Y<sup>23</sup>、Y<sup>24</sup>、Y<sup>25</sup>及Y<sup>26</sup>各自獨立地係N或CR<sup>2a</sup>，其中R<sup>2a</sup>係氫或取代基；Z<sup>21</sup>、Z<sup>22</sup>、Z<sup>23</sup>、Z<sup>24</sup>、Z<sup>25</sup>及Z<sup>26</sup>各自獨立地係N或C；且R<sup>205</sup>係氫原子或取代基；其中R<sup>105</sup>及R<sup>205</sup>各自獨立地連接至其分別連接之5員環之2位或3位；條件係：B<sup>100</sup>或B<sup>200</sup>中之一者係：<figure><img align="absmiddle" height="97px" width="157px" file="d10038.TIF" alt="化學式ed10038.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10038.png"/></figure>其中：R<sup>18</sup>係氫或C<sub>1-6</sub>烷基；且R<sup>19</sup>係鹵素原子；且另一者經由-NH-基團連接至式(I)之羰基。
如請求項1或2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該環狀二核苷酸或環狀二核苷酸樣化合物係：<figure><img align="absmiddle" height="176px" width="536px" file="d10039.TIF" alt="化學式ed10039.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10039.png"/></figure>其中<img align="absmiddle" height="23px" width="13px" file="d10040.TIF" alt="其他非圖式ed10040.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10040.png"/>係與式(I)之羰基之連接點。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至9中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽及一或多種醫藥學上可接受之載劑。
一種如請求項1至9中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備治療有需要之個體之癌症之藥物。
一種如請求項1至9中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係用於製備刺激有需要之個體之免疫反應之藥物。
一種複合體，其係蛋白質與金屬觸媒之複合體， <br/>前述蛋白質為在其立體結構內具有疏水性位點之蛋白質， <br/>前述複合體係以前述觸媒未暴露或實質上未暴露於親水性環境之方式，將前述觸媒收容於前述疏水性位點內； <br/>前述蛋白質係人類血清白蛋白(HSA)； <br/>前述疏水性位點為白蛋白藥物結合位I(drug site I)； <br/>前述金屬觸媒係經由香豆素(coumarin)而結合至前述疏水性位點。
如請求項1之複合體，其中， <br/>前述金屬觸媒係選自由硼觸媒、鎂觸媒、鋁觸媒、矽觸媒、鈣觸媒、鈧觸媒、鈦觸媒、釩觸媒、鉻觸媒、錳觸媒、鐵觸媒、鈷觸媒、鎳觸媒、銅觸媒、鋅觸媒、釔觸媒、鋯觸媒、鈮觸媒、鉬觸媒、釕觸媒、銠觸媒、鈀觸媒、銀觸媒、銦觸媒、錫觸媒、鋇觸媒、鉿觸媒、鎢觸媒、錸觸媒、鋨觸媒、銥觸媒、鉑觸媒、金觸媒及鑭系路易士酸觸媒所組成之群組。
如請求項2之複合體，其中， <br/>前述鑭系路易士酸觸媒係選自由鐿觸媒、鑭觸媒、鈰觸媒、釤觸媒、銪觸媒、釓觸媒、鋱觸媒、銩觸媒及鎦觸媒所組成之群組。
如請求項1之複合體，其中， <br/>前述金屬觸媒為釕觸媒。
如請求項1之複合體，其中， <br/>前述金屬觸媒係經由結合至香豆素之連結子而結合至前述疏水性位點。
如請求項5之複合體，其中， <br/>前述連結子為在兩末端具有胺基及羧基之烷基鏈或聚乙二醇(PEG)鏈。
如請求項6之複合體，其中， <br/>前述連結子為C <sub>1</sub>～C <sub>3</sub>烷基。
如請求項1之複合體，其中， <br/>前述蛋白質的表面係以與生體內之標的部位發生相互作用之方式進行修飾。
如請求項8之複合體，其中， <br/>前述修飾為經由糖鏈之修飾。
如請求項1之複合體，其中， <br/>前述蛋白質進一步包含與生體內之標的部位發生相互作用之部分。
一種組成物，其包含請求項1之複合體。
如請求項11之組成物，其係進一步包含藥學上可容許的載體之醫藥組成物。
如請求項12之組成物，其係與可藉由前述複合體所活化之前藥組合使用。
如請求項12之組成物，其進一步包含可藉由前述複合體所活化之前藥。
如請求項12之組成物，其係用於選擇性地標記特定的細胞。
如請求項15之組成物，其係與標記至前述細胞之化學物質組合投予。
如請求項11之組成物，其係使用作為生物感測器。
如請求項11之組成物，其係使用作為用於檢測乙烯之生物感測器。
一種醫藥組成物，其包含前藥， <br/>前述前藥可藉由請求項1至10中任一項之複合體所活化， <br/>前述醫藥組成物係與請求項1至10中任一項之複合體組合使用。
一種組合醫藥，其包含： <br/>包含請求項1至10中任一項之複合體之第1藥劑，及 <br/>包含可藉由前述複合體所活化之前藥之第2藥劑。
一種操作一使用者裝備（UE）的方法，包括以下步驟：<br/> 接收指示一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源群的一空間關係的一控制訊息；<br/> 更新對該空間關係的一指示，<br/> 其中該控制訊息經由對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的辨識來隱式地辨識該PUCCH資源群，以及<br/> 其中該方法進一步包括以下步驟：基於該PUCCH資源識別符以及該PUCCH資源群與該PUCCH資源群之該PUCCH資源識別符之間的一關聯，來辨識該PUCCH資源群。
如請求項1之方法，其中由該控制訊息指示的該空間關係對於該PUCCH資源群之每一者PUCCH資源而言是共用的。
如請求項1之方法，<br/> 其中該控制訊息包括對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的一辨識，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 接收指示對該PUCCH資源識別符的該辨識是否是對該PUCCH資源群的一引用的資訊；並且<br/> 其中該資訊被包括在該控制訊息或單獨的一控制訊息中。
一種操作一基地台的方法，包括以下步驟：<br/> 決定一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源群的一空間關係；<br/> 傳送指示該空間關係的一控制訊息，其中該控制訊息經由對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的辨識以及該PUCCH資源群與該PUCCH資源群之該PUCCH資源識別符之間的一關聯，來隱式地辨識該PUCCH資源群。
如請求項4之方法，其中由該控制訊息指示的該空間關係對於該PUCCH資源群之每一者PUCCH資源而言是共用的。
如請求項4之方法，<br/> 其中該控制訊息包括對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的一辨識，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 傳送指示對該PUCCH資源識別符的該辨識是否是對該PUCCH資源群的一引用的資訊，且<br/> 其中該資訊被包括在該控制訊息或單獨的一控制訊息中。
一種使用者裝備（UE），包括：<br/> 用於接收指示一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源群的一空間關係的一控制訊息的手段，<br/> 用於更新對該空間關係的一指示的手段，<br/> 其中該控制訊息經由對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的辨識來隱式地辨識該PUCCH資源群，以及<br/> 其中該UE進一步包括：用於基於該PUCCH資源識別符以及該PUCCH資源群與該PUCCH資源群之該PUCCH資源識別符之間的一關聯，來辨識該PUCCH資源群的手段。
如請求項7之使用者裝備，其中由該控制訊息指示的該空間關係對於該PUCCH資源群之每一者PUCCH資源而言是共用的。
如請求項7之使用者裝備，<br/> 其中該控制訊息包括對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的一辨識，該UE進一步包括：<br/> 用於接收指示對該PUCCH資源識別符的該辨識是否是對該PUCCH資源群的一引用的資訊的手段；並且<br/> 其中該資訊被包括在該控制訊息或單獨的一控制訊息中。
一種基地台，包括：<br/> 用於決定一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）資源群的一空間關係的手段，以及<br/> 用於傳送指示該空間關係的一控制訊息的手段，其中該控制訊息經由對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的辨識以及該PUCCH資源群與該PUCCH資源群之該PUCCH資源識別符之間的一關聯，來隱式地辨識該PUCCH資源群。
如請求項10之基地台，其中由該控制訊息指示的該空間關係對於該PUCCH資源群之每一者PUCCH資源而言是共用的。
如請求項10之基地台，<br/> 其中該控制訊息包括對屬於該PUCCH資源群的一PUCCH資源識別符的一辨識，該基地台進一步包括：<br/> 用於傳送指示對該PUCCH資源識別符的該辨識是否是對該PUCCH資源群的一引用的資訊的手段，並且<br/> 其中該資訊被包括在該控制訊息或單獨的一控制訊息中。
一種包含多個指令的電腦程式，當該等多個指令由一電腦所執行時，使得該電腦執行執行如請求項1至3或4至6中之任一者所述之方法。
一種偏光板，具有以含碘之聚乙烯醇系樹脂薄膜構成的偏光膜、與設置於該偏光膜之至少一面之含氯的鄰接層，<br/> 該氯是源自氯化氫， <br/> 該鄰接層中之該氯之濃度為1.0重量%~10.0重量%，且<br/> 該鄰接層更包含聚乙烯醇系樹脂。
如請求項1之偏光板，其中前述鄰接層之前述氯濃度為1.2重量%~8.0 重量%。
如請求項1或2之偏光板，其中前述偏光膜之厚度為8µm以下。
如請求項1或2之偏光板，其中前述偏光膜中的碘濃度為3重量%以上。
如請求項1或2之偏光板，其中前述鄰接層中之鹼金屬及鹼土族金屬的含量為0.1重量%以下。
一種偏光板之製造方法，係製造如請求項1至5中任一項之偏光板之方法，該製造方法包含：<br/> 將含氯化氫之聚乙烯醇系樹脂水溶液塗佈於偏光膜之至少一面而形成鄰接層；且，<br/> 該含氯化氫之聚乙烯醇系樹脂水溶液之pH為2.0以下。
一種化合物I-1之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="66px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>I-1， <br/>其中該固體形式為非晶型。
一種化合物I-1之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="66px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>I-1， <br/>其特徵在於粉末X射線繞射圖案具有至少兩個角度2θ之特徵峰，各特徵峰選自由約24.6、約19.9及約16.0 2θ組成之群。
如請求項2之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其特徵在於粉末X射線繞射圖案具有至少兩個角度2θ之特徵峰，各特徵峰選自由約24.6 2θ、約19.9 2θ、約16.0 2θ、約6.7 2θ、約12.8 2θ、約13.4 2θ及約20.7 2θ組成之群。
如請求項2之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該固體形式之特徵在於如圖1A中繪示之XRPD圖案，或特徵在於粉末X射線繞射圖案具有以下之角度2θ之特徵峰：約24.6、約19.9、約16.0、約6.7、約12.8、約13.4及約20.7 2θ。
如請求項2至4中任一項之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其特徵在於微差掃描熱量法(DSC)曲線(profile)顯示起始溫度約196℃，及峰值約197℃之吸熱。
一種式(I)化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="92px" file="ed10043.jpg" alt="ed10043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(I)， <br/>其中， <br/>m為1至9； <br/>n為1至3；及 <br/>X係選自由以下組成之群：鹽酸、氫溴酸、硫酸、甲烷磺酸、磷酸、對甲苯磺酸、苯磺酸、草酸、L-天冬胺酸、馬來酸、丙二酸、L-酒石酸、富馬酸、檸檬酸、琥珀酸及戊二酸。
如請求項6之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下組成之群：(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之氫溴酸鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽、甲烷磺酸鹽、磷酸鹽、對甲苯磺酸鹽、苯磺酸鹽、草酸鹽、L-天冬胺酸鹽、馬來酸鹽、丙二酸鹽、L-酒石酸鹽、富馬酸鹽、檸檬酸鹽、琥珀酸鹽及戊二酸鹽。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為非晶型。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為結晶且其中該化合物係(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之氫溴酸鹽及特徵在於圖2A或圖2B中繪示之XRPD圖案。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為結晶且其中該化合物係(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之硫酸鹽及特徵在於圖4B中繪示之XRPD圖案。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為結晶且其中該化合物係(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之苯磺酸鹽及特徵在於圖8A中繪示之XRPD圖案。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為結晶且其中該化合物係(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之丙二酸鹽及特徵在於圖12B中繪示之XRPD圖案。
如請求項6或7之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，其中該化合物為結晶且其中該化合物係(R)-1'-(3-(3,4-二氫-1,5-萘啶-1(2H)-基)-1H-吡唑并[3,4-b]吡嗪-6-基)-3H-螺[苯并呋喃-2,4'-哌啶]-3-胺之戊二酸鹽及特徵在於圖17A、圖17C或圖17D中繪示之XRPD圖案。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至5中任一項之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽或如請求項6至13中任一項之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽，及醫藥上可接受之載劑。
一種套組，其包含如請求項1至5中任一項之固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽或如請求項6至13中任一項之化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽。
如請求項15之套組，其進一步包含描述使用自該固體形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽或自該化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽製備之醫藥組合物投與病患之書面說明書。
如請求項16之套組，其進一步包含描述如何向該病患投與所得組合物之書面說明書。
如請求項15之套組，其進一步包含醫藥上可接受之賦形劑。
一種用於製備如請求項2之結晶形式、其水合物或其醫藥上可接受之鹽之方法，其包括：a)製備化合物I-1於包含EtOH、ACN、MEK、EtOAc、IPAc、THF、MtBE、甲苯、1,4 -二噁烷及水中之至少一者之溶劑中之溶液；b)加熱該溶液至完全溶解化合物I-1；c)調節溫度使得固體自該溶液沈澱出來；及d)分離化合物I-1之結晶形式。
如請求項19之方法，其中該溶劑包含EtOH及水(9v/1v)。
如請求項19之方法，其中加熱該溶液包括將該溶液加熱至約50℃。
如請求項19之方法，其中調節該溫度包括將該溶液冷卻至約5℃。
一種用於製備式I-1化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽之方法，該方法包括用NaOH中和式I-3化合物，藉此形成式I-1化合物、其水合物或其醫藥上可接受之鹽之步驟： <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="335px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項23之方法，其進一步包含使式18化合物與HCl反應，藉此形成式I-3化合物之步驟： <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="175px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項23或24之方法，其進一步包含使式17化合物與式9化合物偶合，藉此形成式18化合物之步驟： <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="189px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種氣體注入系統，包括：<br/> 一第一氣體歧管，包括一第一氣體入口以及複數個第一氣體出口；<br/> 一第二氣體歧管，包括一第二氣體入口以及複數個第二氣體出口；<br/> 複數個第一氣體閥，其中該等第一氣體出口中之每一者耦接至該等第一氣體閥之至少一者；以及<br/> 複數個第二氣體閥，其中該等第二氣體出口中之每一者耦接至該等第二氣體閥之至少一者，<br/> 其中該第一氣體歧管及/或該第二氣體歧管包括一環構造，<br/> 其中該第一氣體入口接收一第一氣體，該第一氣體包括一第一前驅物、一摻雜劑源、以及可選地一蝕刻劑，<br/> 其中該第二氣體入口接收包括一第二前驅物及一蝕刻劑之一第二氣體，並且<br/> 其中，該第一氣體和該第二氣體包括一共同成分，<br/> 其中該第一前驅物係選自由三氯矽烷、二氯矽烷、矽烷、二矽烷、三矽烷、及四氯化矽所組成之群。
如請求項1之氣體注入系統，其中該第一前驅物與該第二前驅物相同。
如請求項1之氣體注入系統，其中該第一氣體中的該蝕刻劑與該第二氣體中的該蝕刻劑相同。
如請求項2之氣體注入系統，更包括耦接至一第一前驅物源及該第一氣體入口的一第一流量控制器以及耦接至該第一前驅物源及該第二氣體入口的一第二流量控制器。
如請求項1之氣體注入系統，其中該第一前驅物之一化學式及該第二前驅物之一化學式包括一或多種相同元素。
如請求項1之氣體注入系統，其中該摻雜劑係選自由鍺烷、二硼烷、膦、胂、及三氯化磷所組成之群。
如請求項1之氣體注入系統，其中該蝕刻劑包括氯化氫。
如請求項1之氣體注入系統，其中該第二氣體更包括一載體氣體。
如請求項1之氣體注入系統，其中該第一氣體更包括一載體氣體。
如請求項8之氣體注入系統，更包括用來控制該載體氣體之一流動速率的一流量控制器。
如請求項8之氣體注入系統，其中該載體氣體係選自由氮氣、氫氣、及氦氣所組成之群。
一種反應器系統，包括如請求項1之氣體注入系統。
如請求項12之反應器系統，更包括一基座，其中該基座在約每分鐘60轉至約每分鐘30轉、約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的一旋轉速度下旋轉。
一種將材料沉積於一反應室內之一基板表面上的方法，其使用如請求項1之氣體注入系統。
如請求項14之方法，更包括使一基座在約每分鐘60轉至約每分鐘30轉、約每分鐘30轉至約每分鐘15轉、或約每分鐘15轉至約每分鐘5轉的一旋轉速度下旋轉的一步驟。
如請求項14之方法，更包括一基座之一溫度係500攝氏度至約600攝氏度、約600攝氏度至約700攝氏度、或約700攝氏度至約800攝氏度。
如請求項14之方法，其中該反應室中之一壓力係介於約2毫托至約780托之間。
一種包括覆晶裝置的裝置，所述覆晶裝置包括： <br/>晶元，其具有多個底部凸塊金屬化（UBM）； <br/>封裝襯底，其具有多個接合墊；以及 <br/>多個焊點，其將所述晶元耦合到所述封裝襯底，其中，所述多個焊點由電鍍在所述多個UBM上的多個焊料凸塊形成，所述多個焊料凸塊直接連接到所述多個接合墊； <br/>其中，所述覆晶裝置具有0.33至0.38的接合層厚度與焊點直徑比，其中所述接合層厚度是在各別該焊點處所述晶元與所述封裝襯底之間的距離； <br/>其中所述多個UBM中的每個UBM在每個UBM下方的區域中具有最小金屬密度和最小通孔密度。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述接合層厚度約為35μm。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述多個焊點中的每一個焊點的焊點直徑約為95μm。
根據請求項1所述的覆晶裝置，還包括： <br/>所述封裝襯底的阻焊層，其具有在所述多個接合墊的每個接合墊上方的阻焊劑開口（SRO），其中，SRO與焊點直徑的比約為0.95。
根據請求項4所述的覆晶裝置，其中，每個接合墊上方的所述SRO約為35μm。
根據請求項4所述的覆晶裝置，其中，所述多個焊點中的每一個焊點的焊點直徑約為95μm。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述接合層厚度在約30μm至60μm的範圍內。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述多個焊點中的每一個焊點的焊點直徑在大約70μm到180μm的範圍內。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述多個焊點各自具有大致圓柱形或柱狀形狀。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述多個接合墊由銅形成。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述最小金屬密度為20%。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述最小通孔密度為0.1%。
根據請求項1所述的覆晶裝置，其中，所述UBM下方的所述區域被劃分為多個檢查窗口以檢查所述最小金屬密度和所述最小通孔密度。
根據請求項13所述的覆晶裝置，其中，每個檢查窗口在5μm×5μm到20μm×20μm的範圍內。
根據請求項1所述的裝置，其中，所述裝置選自由音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、行動設備、行動電話、智能電話、個人數位助理、固定位置終端、平板電腦、計算機、可穿戴設備、物聯網（IoT）設備、筆記型電腦、伺服務器和汽車中的設備組成的組。
一種用於製造覆晶裝置的方法，所述方法包括： <br/>提供具有多個焊料凸塊的晶元，所述多個焊料凸塊被電鍍在多個底部凸塊金屬化（UBM）上； <br/>提供具有多個接合墊的封裝襯底；以及 <br/>形成用於將所述晶元耦合到所述封裝襯底的多個焊點，其中，所述多個焊點由在回焊工藝期間直接連接到所述多個接合墊的所述多個焊料凸塊形成； <br/>其中，所述覆晶裝置具有0.33至0.38的接合層厚度與焊點直徑比，其中所述接合層厚度是在各別該焊點處所述晶元與所述封裝襯底之間的距離； <br/>其中所述多個UBM中的每個UBM在每個UBM下方的區域中具有最小金屬密度和最小通孔密度。
根據請求項16所述的方法，其中，所述接合層厚度約為35μm。
根據請求項16所述的方法，其中，所述多個焊點中的每一個焊點的焊點直徑約為95μm。
根據請求項16所述的方法，其中，所述封裝襯底包括阻焊層，所述阻焊層在所述多個接合墊中的每個接合墊上方具有阻焊劑開口（SRO），並且其中，SRO與焊點直徑的比約為0.95。
根據請求項19所述的方法，其中，每個接合墊上的所述SRO約為35μm。
根據請求項19所述的方法，其中，所述多個焊點中的每一個焊點的焊點直徑約為95μm。
根據請求項16所述的方法，其中，所述最小金屬密度為20%。
根據請求項16所述的方法，其中，所述最小通孔密度為0.1%。
根據請求項16所述的方法，其中，所述UBM下方的所述區域被劃分為多個檢查窗口以檢查所述最小金屬密度和所述最小通孔密度。
根據請求項24所述的方法，其中，每個檢查窗口在5μm×5μm到20μm×20μm的範圍內。
一種對一基板進行電漿蝕刻以形成一特徵之方法，該方法包括如下步驟： <br/>(a) 提供上面形成有一遮罩之該基板，該遮罩具有一開口，其中該基板由一複合半導體材料形成； <br/>(b) 執行一第一電漿蝕刻步驟以穿過該開口各向異性地蝕刻該基板以產生一特徵之一部分成型（partial form），該特徵具有包括一周邊區域之一底部表面；及 <br/>(c) 執行一第二電漿蝕刻步驟以穿過該開口各向異性地蝕刻該特徵之該部分成型之該底部表面，同時將一鈍化材料沈積至該遮罩上以便減小該開口之一尺寸，其中該第二電漿蝕刻步驟在該第二電漿蝕刻步驟期間使一參數斜變（ramping），其中該開口之該尺寸之該減小導致該周邊區域之蝕刻之一衰減，藉此產生該特徵一完全成型（full form），以致於該底部表面包含一中央區域及一邊緣區域，其中該中央區域比該特徵之該完全成型之該底部表面之該邊緣區域深，以及其中該參數包含一氣體混合組合物、一氣體比率、一流率、一處理時間、一蝕刻時間、一電漿源功率、一壓板功率（platen power）、施加至該基板之一偏壓功率、或經施加的功率之一頻率，其中以在該第二電漿蝕刻步驟期間非線性地增加之一沈積速率沈積該鈍化材料，其中在該第二電漿蝕刻步驟期間施加至該基板的該偏壓功率可以低於在該第一電漿蝕刻步驟期間施加至該基板的該偏壓功率。
如請求項1之方法，其中以一增加的改變速率使該參數斜變。
如請求項1之方法，其中使該參數斜變包括在該第二電漿蝕刻步驟期間使一鈍化材料前驅物之該流率斜變，以致於該鈍化材料前驅物之該流率在該第二電漿蝕刻步驟期間增加。
如請求項3之方法，其中該鈍化材料前驅物包括一含氧氣體。
如請求項1之方法，其中使該參數斜變包括在該第二電漿蝕刻步驟期間使施加至該基板之該偏壓功率斜變，以致於施加至該基板之該偏壓功率在該第二電漿蝕刻步驟期間減少。
如請求項1之方法，其中該鈍化材料包括氧化矽。
如請求項1之方法，其中該鈍化材料及該遮罩係由實質上相同之材料製成。
如請求項1之方法，其中該第二電漿蝕刻步驟包含使用包括一基於氯之蝕刻劑之一蝕刻配方。
如請求項8之方法，其中該基於氯之蝕刻劑包括Cl<sub>2</sub>及/或SiCl<sub>4</sub>。
如請求項1之方法，其中該特徵之該部分成型之該底部表面係實質上平坦的。
如請求項1之方法，其中該特徵係一溝槽。
如請求項1之方法，其中該特徵之該完全成型之該底部表面之該中央區域係實質上平坦的。
如請求項1之方法，其中該特徵之該完全成型之該底部表面之該邊緣區域包括一彎曲表面。
如請求項13之方法，其中該邊緣區域在該底部表面之該中央區域與該特徵之該完全成型之一側壁之間形成一修圓拐角。
如請求項1之方法，其中該複合半導體基板係一碳化矽(SiC)晶圓。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>(d) 藉由濕式蝕刻自該遮罩選擇性地移除該鈍化材料。
如請求項1之方法，其中使用一感應耦合電漿(ICP)蝕刻設備執行步驟(b)及(c)。
一種包括使用如請求項1之方法形成之一特徵之複合半導體基板，其中該特徵包括一底部表面，該底部表面包含一實質上平坦中央區域及一邊緣區域，其中該中央區域比該邊緣區域深。
如請求項18之複合半導體基板，其中該底部表面之該邊緣區域包括一彎曲表面。
一種用於使用如請求項1之方法對一基板進行電漿蝕刻以形成一特徵之電漿蝕刻設備，該設備包括： <br/>一室； <br/>一基板支撐件，其安置於該室內以將一基板支撐於其上； <br/>至少一個氣體入口，其用於以一流率將一氣體或氣體混合物引入至該室中； <br/>一電漿產生構件，其用於將一電漿維持在該室中； <br/>一電源供應器，其用於將一偏壓功率供應至該基板支撐件；及 <br/>一控制器，其經組態以自一第一組處理條件切換至一第二組處理條件，其中該第一組處理條件經組態以執行一第一電漿蝕刻步驟以穿過一遮罩中之一開口各向異性地蝕刻該基板從而產生具有包括一周邊區域之一底部表面之一經部分形成特徵，且該第二組處理條件經組態以執行一第二電漿蝕刻步驟以穿過該開口各向異性地蝕刻該經部分形成特徵之該底部表面同時將一鈍化材料沈積至該遮罩上以便減小該開口之一尺寸，其中該開口之該尺寸之該減小導致該周邊區域之蝕刻之一衰減，藉此產生具有包括一中央區域及一邊緣區域之一底部表面之一經完全形成特徵，其中該中央區域比該經完全形成特徵之該底部表面之該邊緣區域深。
一種具有下列結構之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，<figure><img align="absmiddle" height="221px" width="555px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>
一種具有下列結構之化合物，<figure><img align="absmiddle" height="216px" width="529px" file="d10008.TIF" alt="化學式ed10008.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10008.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含具有下列結構之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，<figure><img align="absmiddle" height="221px" width="526px" file="d10009.TIF" alt="化學式ed10009.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10009.png"/></figure>及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種醫藥組成物，其包含具有下列結構之之化合物，<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="526px" file="d10010.TIF" alt="化學式ed10010.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10010.png"/></figure>及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種處理方法，包括以下步驟：在一處理腔室中將一基板暴露於一遠端電漿以遠端地衝擊該基板，且將該基板暴露於一直接電漿以直接地衝擊該基板，其中先在一基座電極及一離子過濾器之間產生該直接電漿，且在產生該直接電漿之後，在該離子過濾器及一電感耦合電漿(ICP)線圈與一頂部電極之其中一者或更多者之間產生該遠端電漿。
如請求項1所述之處理方法，其中將該基板暴露於該遠端電漿及暴露於該直接電漿清潔或處理該基板。
如請求項1所述之處理方法，進一步包括以下步驟：將該基板暴露於至少一個前驅物以在該基板上形成一膜。
如請求項1所述之處理方法，其中該基板包括以下一者或更多者：一溝槽、一通孔、或一峰部。
如請求項4所述之處理方法，其中該基板包括以下一者或更多者：該基板上的一殘留物或一天然氧化物。
一種非暫態電腦可讀取媒體，包括指令以在由一處理腔室的一控制器執行時使該處理腔室執行以下操作：<br/>將基板暴露於一遠端電漿以遠端地衝擊該基板；及<br/>將該基板暴露於一直接電漿以直接地衝擊該基板；<br/>其中先在一基座電極及一離子過濾器之間產生該直接電漿，且在產生該直接電漿之後，在該離子過濾器及一電感耦合電漿(ICP)線圈與一頂部電極之其中一者或更多者之間產生該遠端電漿。
如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括指令以在由一處理腔室的一控制器執行時使該處理腔室執行以下操作：將該基板暴露於至少一個前驅物以在該基板上形成一膜。
如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中將該基板暴露於該遠端電漿及暴露於該直接電漿清潔或處理該基板。
如請求項6所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該基板包括以下一者或更多者：一溝槽、一通孔、或一峰部。
如請求項9所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該基板包括以下一者或更多者：該基板上的一殘留物或一天然氧化物。
一種用於抑制細胞中含類PATATIN磷脂酶結構域3(PNPLA3)的表達的雙股核糖核酸(dsRNA)劑或其鹽類，其中該dsRNA劑或其鹽類包括形成雙股區域的正義股和反義股，其中每股是獨立地為19至25個核苷酸的長度，其中該正義股包括與SEQ ID NO：1的核苷酸1214至1234的核苷酸序列中的至少19個接連的核苷酸，並且該反義股包括來自SEQ ID NO：2對應的核苷酸序列的至少19個接連的核苷酸，其中，該正義股的所有核苷酸和該反義股的所有核苷酸包括選自於由下述所組成之群組的核苷酸修飾：2'-O-甲基核苷酸修飾和2'-氟基核苷酸修飾，其中，該正義股和該反義股兩者獨立地包括至少一個硫代磷酸酯或甲基異亞磷酸酯核苷酸間鍵聯，以及其中，至少一股接合到配體。
如請求項1所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該雙股區域為19至25個核苷酸對的長度。
如請求項2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該雙股區域為19至23個核苷酸對的長度。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中每股是獨立地為21至23個核苷酸的長度。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股為21個核苷酸的長度和該反義股為23個核苷酸的長度。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中至少一股包括至少1個核苷酸的3'突出或至少一股包括至少2個核苷酸的3'突出。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該配體是接合到dsRNA劑之正義股的3'端。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該配體是N-乙醯半乳糖胺(GalNAc)衍生物。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該配體是藉由一價、二價或三價分枝鏈接子所附接的一個或多個GalNAc衍生物。
如請求項8所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該配體為<figure><img align="absmiddle" height="227px" width="387px" file="d10057.TIF" alt="化學式ed10057.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10057.png"/></figure>
如請求項10所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該dsRNA劑或其鹽類如以下方案所示被接合到配體<figure><img align="absmiddle" height="251px" width="398px" file="d10058.TIF" alt="化學式ed10058.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10058.png"/></figure>，其中X是O或S。
如請求項11所述之dsRNA劑或其鹽類，其中X是O。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該正義股包含位於5'-末端的2個硫代磷酸酯或甲基異亞磷酸酯核苷酸間鍵聯。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中該反義股包含位於5'-末端及3'-末端兩端的2個硫代磷酸酯或甲基異亞磷酸酯核苷酸間鍵聯。
如請求項1至3中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股包含位於5'-末端的2個硫代磷酸酯或甲基異亞磷酸酯核苷酸間鍵聯和該反義股包含位於5'-末端及3'-末端兩端的2個硫代磷酸酯或甲基異亞磷酸酯核苷酸間鍵聯。
如請求項1所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股包含5’-CAUUAGGAUAAUGUCUUAUGU-3’(SEQ ID NO：2480)的核苷酸序列和該反義股包含5’-ACAUAAGACAUUAUCCUAAUGGG-3’(SEQ ID NO：2564)的核苷酸序列。
如請求項1所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股由5’-CAUUAGGAUAAUGUCUUAUGU-3’(SEQ ID NO：2480)的核苷酸序列所組成和該反義股由5’-ACAUAAGACAUUAUCCUAAUGGG-3’(SEQ ID NO：2564)的核苷酸序列所組成。
如請求項1所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股與SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’相異不超過3個經修飾或未經修飾的核苷酸，並且其中，該反義股與SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’相異不超過3個經修飾或未經修飾的核苷酸，其中，a、c、g和u分別為2’-O-甲基(2’-OMe)A、C、G和U；Af、Cf、Gf和Uf分別為2’-氟A、C、G和U；和s為硫代磷酸酯鍵聯。
如請求項18所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股與SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’相異不超過2個經修飾或未經修飾的核苷酸，並且其中，該反義股與SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’相異不超過2個經修飾或未經修飾的核苷酸。
如請求項18所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股與SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’相異不超過1個經修飾或未經修飾的核苷酸，並且其中，該反義股與SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’相異不超過1個經修飾或未經修飾的核苷酸。
如請求項18所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股包含SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’，並且其中，該反義股包含SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’。
如請求項18所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股由SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’所組成，並且其中，該反義股由SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’所組成。
如請求項18至22中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該dsRNA劑或其鹽類如以下方案所示被接合到配體<img align="absmiddle" height="241px" width="386px" file="d10084.TIF" alt="其他非圖式ed10084.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10084.png"/>，其中，X是O。
一種用於抑制細胞中含類PATATIN磷脂酶結構域3(PNPLA3)的表達的雙股核糖核酸(dsRNA)劑或其鹽類，其中，該dsRNA劑或其鹽類包括形成雙股區域的正義股和反義股，其中，該正義股包含SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’，並且其中，該反義股包含SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’，其中，a、c、g和u分別為2’-O-甲基(2’-OMe)A、C、G和U；Af、Cf、Gf和Uf分別為2’-氟A、C、G和U；和s為硫代磷酸酯鍵聯。
如請求項24所述之dsRNA劑或其鹽類，進一步地包括配體。
如請求項25所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股的3'端如以下方案所示被接合到配體<img align="absmiddle" height="241px" width="367px" file="d10085.TIF" alt="其他非圖式ed10085.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10085.png"/>，其中，X是O。
一種用於抑制細胞中含類PATATIN磷脂酶結構域3(PNPLA3)的表達的雙股核糖核酸(dsRNA)劑或其鹽類，其中，該dsRNA劑或其鹽類包括形成雙股區域的正義股和反義股，其中，該正義股由SEQ ID NO：2648的核苷酸序列5’-csasuuagGfaUfAfAfugucuuaugu-3’所組成，並且其中，該反義股由SEQ ID NO：2732的核苷酸序列5’-asCfsauaAfgAfCfauuaUfcCfuaaugsgsg-3’所組成，其中，a、c、g和u分別為2’-O-甲基(2’-OMe)A、C、G和U；Af、Cf、Gf和Uf分別為2’-氟A、C、G和U；和s為硫代磷酸酯鍵聯，其中，該正義股的3'端如以下方案所示被接合到配體<img align="absmiddle" height="235px" width="363px" file="d10086.TIF" alt="其他非圖式ed10086.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10086.png"/>，其中，X是O。
一種含有如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類的經分離之肝細胞。
一種用於抑制編碼含類PATATIN磷脂酶結構域3(PNPLA3)基因之表達的醫藥組成物，其包括如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類。
一種體外抑制經分離之肝細胞中含類PATATIN磷脂酶結構域3(PNPLA3)基因表達的方法，該方法包括使該經分離之肝細胞與如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類或如請求項29所述之醫藥組成物接觸，從而抑制該經分離之肝細胞中PNPLA3基因的表達。
如請求項30所述之方法，其中使該經分離之肝細胞與dsRNA劑或其鹽類接觸係抑制PNPLA3表達的程度至少50%、60%、70%、80%、90%、或95%。
一種如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類或如請求項29所述之醫藥組成物於製備治療選自由脂肪肝(脂肪變性)、非酒精性脂肪性肝炎(NASH)、肝硬化、肝臟中脂肪累積、肝臟發炎、肝細胞的壞死、肝臟纖維化、肥胖症以及非酒精性脂肪肝疾病(NAFLD)所組成之PNPLA3相關病症的群組的受試者的藥物之用途。
如請求項32所述之用途，其中該PNPLA3相關病症是NAFLD。
如請求項32或33所述之用途，其中該受試者是人類。
如請求項32或33所述之用途，其中該dsRNA劑或其鹽類是以0.01mg/kg至50mg/kg的劑量施用給受試者。
如請求項32或33所述之用途，其中該dsRNA劑或其鹽類是以皮下注射施用給受試者。
如請求項32或33所述之用途，進一步包括給受試者施用額外的用於治療PNPLA3相關病症的治療劑。
一種包括如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類或如請求項29所述之醫藥組成物的試劑盒。
一種包括如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類或如請求項29所述之醫藥組成物的小瓶。
一種包括如請求項1至27中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類或如請求項29所述之醫藥組成物的針筒。
一種用於使一第一通訊設備決定與一主機通訊設備已失去聯絡的其它通訊設備的一大致數量的方法，包括：<br/> 使用一最後已知全域時間戳記來決定一共用未來時間窗口；<br/> 在該共用未來時間窗口內決定一傳輸時間；<br/> 在一預先定義的通訊通道上擷取在該共用未來時間窗口期間接收到的取樣；及<br/> 分析所接收到的該等取樣以估計與該主機通訊設備已失去聯絡的其它通訊設備的一總數量。
根據請求項1之方法，其中該傳輸時間均勻分佈以裝入該共用未來時間窗口內。
根據請求項1之方法，其中該傳輸時間被選擇以基於所接收到的該等取樣的一功率位準曲線來決定複數個斷開連接的通訊設備。
根據請求項3之方法，其中該複數個斷開連接的通訊設備表示斷開連接的大部分的通訊設備。
根據請求項1之方法，其中分析所接收到的該等取樣排除一通訊設備正在進行發送的一時間段。
根據請求項1之方法，其中分析所接收到的該等取樣包括決定一接收信號強度指示（RSSI）。
一種用於使一第一通訊設備決定與一主機無線電設備已失去聯絡的其它通訊設備的一大致數量的裝置，包括：<br/> 一處理器，其用於使用一最後已知全域時間戳記來決定一共用未來時間窗口；<br/> 一發射器和接收器，其用於在該共用未來時間窗口內決定一傳輸時間；<br/> 一處理器記憶體，其用於在一預先定義的通訊通道上擷取在該共用未來時間窗口期間接收到的取樣；及<br/> 一分析器，其用於分析所接收到的該等取樣以估計與該主機通訊設備已失去聯絡的其它通訊設備的一總數量。
根據請求項7之裝置，其中該傳輸時間均勻分佈以裝入該共用未來時間窗口內。
根據請求項8之裝置，其中該傳輸時間被選擇以基於所接收到的該等取樣的一功率位準曲線來決定複數個斷開連接的通訊設備。
根據請求項7之裝置，其中多個斷開連接的通訊設備表示斷開連接的大部分的無線電設備。
根據請求項7之裝置，其中分析所接收到的該等取樣排除一通訊設備正在進行發送的一時間段。
根據請求項7之裝置，其中分析所接收到的該等取樣包括決定一接收信號強度指示（RSSI）。
一種通訊設備，包括：<br/> 用於使用一最後已知全域時間戳記來決定一共用未來時間窗口的構件；<br/> 用於在該共用未來時間窗口內決定一傳輸時間的構件；<br/> 用於在一預先定義的通訊通道上擷取在該共用未來時間窗口期間接收到的取樣的構件；及<br/> 用於分析所接收到該等的取樣以估計與該主機通訊設備已失去聯絡的其它通訊設備的一總數量的構件。
一種其上記錄有電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該等電腦可執行指令被配置為使得具有一或多個處理器的一通訊設備進行以下操作：<br/> 使用一最後已知全域時間戳記來決定一共用未來時間窗口；<br/> 在該共用未來時間窗口內決定一傳輸時間；<br/> 在一預先定義的通訊通道上擷取在該共用未來時間窗口期間接收到的取樣；及<br/> 分析所接收到的該等取樣以估計與該主機通訊設備已失去聯絡的其它通訊設備的一總數量。
一種式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物， <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="96px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> I <br/>其中 <br/>R<sub>1</sub>係選自-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-炔基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>環烷基、-C(O)-Het<sub>2</sub>、-C(O)-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>、-Het<sub>1</sub>及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-Ph、-Het<sub>1</sub>、-Het<sub>2</sub>及-OH之取代基取代；該等-炔基中之每一者可選地經一個選自-C<sub>1-6</sub>烷基及-CH<sub>2</sub>-O-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>2</sub>及R<sub>10</sub>各自獨立地選自-H及-鹵基； <br/>R<sub>3</sub>、R<sub>3'</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>4'</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自獨立地選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基；其中該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可可選地經一或多個-O-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>其中當R<sub>3</sub>及/或R<sub>3'</sub>為-C<sub>1-6</sub>烷基時，R<sub>4</sub>及R<sub>4'</sub>各自為-H； <br/>其中當R<sub>4</sub>及/或R<sub>4'</sub>為-C<sub>1-6</sub>烷基時，R<sub>3</sub>及R<sub>3'</sub>各自為-H； <br/>R<sub>5</sub>係選自-OH、-NR<sub>c</sub>R<sub>c</sub><sub>'</sub><sub>、</sub>-NHC(O)R<sub>c</sub>、-NC(O)R<sub>c</sub>R<sub>c</sub><sub>'</sub>、-NC(O)OR<sub>c</sub>、-NHS(O<sub>2</sub>)R<sub>c</sub>、-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>3-5</sub>環烷基、-O-Het<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>烷基及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-OH、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-5</sub>環烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基及-Het<sub>2</sub>之取代基取代； <br/>R<sub>6</sub>係選自-H、-鹵基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-Het<sub>4</sub>及-Het<sub>3</sub>；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D及-O-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>9</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基及-C(O)-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>a</sub>係選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D及-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>b</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-C<sub>1-6</sub>烷基及-C<sub>3-5</sub>環烷基之取代基取代； <br/>R<sub>c</sub>及R<sub>c'</sub>各自獨立地選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D及-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>Het<sub>1</sub>及Het<sub>3</sub>各自獨立地選自具有1至3個選自O、N及S之雜原子的5員或6員芳族雜環，其中該等Het<sub>1</sub>或Het<sub>3</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代； <br/>Het<sub>2</sub>係選自具有1至3個選自O及N之雜原子的4員至6員飽和雜環；其中該等Het<sub>2</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代 <br/>Het<sub>4</sub>係選自具有1至3個選自O及N之雜原子的4員至10員飽和雜環；其中該等Het<sub>4</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代。
如請求項1之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其中； <br/>R<sub>1</sub>係選自-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-炔基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>環烷基、-C(O)-Het<sub>2</sub>、-C(O)-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>、-Het<sub>1</sub>及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-Ph、-Het<sub>1</sub>、-Het<sub>2</sub>及-OH之取代基取代； <br/>R<sub>2</sub>及R<sub>10</sub>各自獨立地選自-H及-鹵基； <br/>R<sub>3</sub>、R<sub>3'</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>4'</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自獨立地選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基；其中該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可可選地經一或多個-O-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>其中當R<sub>3</sub>及/或R<sub>3'</sub>為-C<sub>1-6</sub>烷基時，R<sub>4</sub>及R<sub>4'</sub>各自為-H； <br/>其中當R<sub>4</sub>及/或R<sub>4'</sub>為-C<sub>1-6</sub>烷基時，R<sub>3</sub>及R<sub>3'</sub>各自為-H； <br/>R<sub>5</sub>係選自-OH、-NR<sub>c</sub>R<sub>c</sub><sub>'</sub><sub>、</sub>-NHC(O)R<sub>c</sub>、-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>3-5</sub>環烷基、-O-Het<sub>2</sub>、-C<sub>1-6</sub>烷基及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-OH、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-5</sub>環烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基及-Het<sub>2</sub>之取代基取代； <br/>R<sub>6</sub>係選自-H、-鹵基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-Het<sub>4</sub>及-Het<sub>3</sub>；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D及-O-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>9</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基及-C(O)-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>a</sub>係選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>b</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>c</sub>及R<sub>c'</sub>各自獨立地選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>Het<sub>1</sub>及Het<sub>3</sub>各自獨立地選自具有1至3個選自O及N之雜原子的5員或6員芳族雜環，其中該等Het<sub>1</sub>或Het<sub>3</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>Het<sub>2</sub>係選自具有1至3個O原子之4員至6員飽和雜環 <br/>Het<sub>4</sub>係選自具有1至3個選自O及N之雜原子的4員至10員飽和雜環；其中該等Het<sub>4</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代。
如請求項1之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其中； <br/>R<sub>1</sub>係選自-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-炔基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>環烷基、-C(O)-Het<sub>2</sub>、-C(O)-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>、-Het<sub>1</sub>及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-Ph、-Het<sub>1</sub>、-Het<sub>2</sub>及-OH之取代基取代； <br/>R<sub>2</sub>及R<sub>10</sub>各自獨立地選自-H及-鹵基； <br/>R<sub>3</sub>、R<sub>3'</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>4'</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自為-H； <br/>R<sub>5</sub>係選自-OH、-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>3-5</sub>環烷基及-C<sub>1-6</sub>烷基；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-OH、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-5</sub>環烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>6</sub>係選自-H、-鹵基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-Het<sub>4</sub>及-Het<sub>3</sub>；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個-O-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>R<sub>9</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基及-C(O)-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>a</sub>係選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>b</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>Het<sub>1</sub>及Het<sub>3</sub>各自獨立地選自具有1至3個選自O及N之雜原子的5員或6員芳族雜環，其中該等Het<sub>1</sub>或Het<sub>3</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>Het<sub>2</sub>係選自具有1至3個O原子之4員至6員飽和雜環 <br/>Het<sub>4</sub>係選自具有1至3個選自O及N之雜原子的4員至10員飽和雜環；其中該等Het<sub>4</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代。
如請求項1至3中任一項之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其中； <br/>R<sub>1</sub>係選自-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-炔基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-6</sub>環烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-NR<sub>a</sub>R<sub>b</sub>、-Het<sub>1</sub>及-CN；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基及-O-C<sub>1-3</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>2</sub>係選自-H及-鹵基； <br/>R<sub>10</sub>為-H； <br/>R<sub>3</sub>、R<sub>3'</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>4'</sub>、R<sub>7</sub>及R<sub>8</sub>各自為-H <br/>R<sub>5</sub>係選自-OH、-鹵基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>3-5</sub>環烷基及-C<sub>1-6</sub>烷基；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-OH、-C<sub>1-6</sub>烷基、-C<sub>3-5</sub>環烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基之取代基取代； <br/>R<sub>6</sub>係選自-H、-鹵基、-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-C<sub>1-6</sub>烷基、-O-Het<sub>4</sub>及-Het<sub>3</sub>；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個-O-C<sub>1-6</sub>烷基取代； <br/>R<sub>9</sub>係-H； <br/>R<sub>a</sub>係選自-H及-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sub>b</sub>係選自-H、-C<sub>1-6</sub>烷基及-O-C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>Het<sub>1</sub>係具有1至3個選自O及N之雜原子的5員芳族雜環，其中該Het<sub>1</sub>可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代 <br/>Het<sub>4</sub>係選自具有1至3個選自O及N之雜原子的4員至10員飽和雜環；其中該等Het<sub>4</sub>中之每一者可選地經1至3個-C<sub>1-6</sub>烷基取代；該等-C<sub>1-6</sub>烷基中之每一者可選地經一或多個選自-D、-鹵基、-O-C<sub>1-3</sub>烷基及-OH之取代基取代。
如請求項1之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其選自包含以下者之清單： <br/>。
如請求項1之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其中帶有該R<sub>8</sub>取代基之碳原子呈S組態。
如請求項1之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物，其中帶有該R<sub>5</sub>取代基之碳原子呈R組態。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至7中任一項中之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物。
一種如請求項1至7中任一項中之式I化合物或其立體異構體、互變異構體、外消旋、鹽或水合物之用途，其係用於製備用於診斷、預防及/或治療RIP2-激酶相關疾病之人類或獸醫藥品。
一種如請求項8之醫藥組成物之用途，其係用於製備用於診斷、預防及/或治療RIP2-激酶相關疾病之人類或獸醫藥品。
如請求項9之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病為發炎病症。
如請求項9之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病係選自包含以下者之清單：克羅恩氏病（Crohn's disease）、腸病、類肉瘤病、牛皮癬、異位性皮膚炎、過敏性鼻炎、類風濕性關節炎、氣喘、胰島素抗性第2型糖尿病、肥胖症代謝症候群、心肥大、潰瘍性結腸炎、狼瘡、眼色素層炎、布勞氏症候群（Blau syndrome）、肉芽腫性發炎、白塞氏症（Behçet's disease）、免疫介導性結腸炎及多發性硬化症。
如請求項10之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病為發炎病症。
如請求項10之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病係選自包含以下者之清單：克羅恩氏病（Crohn's disease）、腸病、類肉瘤病、牛皮癬、異位性皮膚炎、過敏性鼻炎、類風濕性關節炎、氣喘、胰島素抗性第2型糖尿病、肥胖症代謝症候群、心肥大、潰瘍性結腸炎、狼瘡、眼色素層炎、布勞氏症候群（Blau syndrome）、肉芽腫性發炎、白塞氏症（Behçet's disease）、免疫介導性結腸炎及多發性硬化症。
如請求項9之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病為癌症。
如請求項9之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病係選自乳癌、頭頸癌及神經膠質瘤。
如請求項10之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病為癌症。
如請求項10之用途，其中該RIP2-激酶相關疾病係選自乳癌、頭頸癌及神經膠質瘤。
一種射頻濾波器，包括:一介電層；以及一第一電感器，包括一第一輸入，一第一線圈，直接設置於該介電層之一第一側上並連接至該第一輸入，一第二線圈，直接設置於該介電層之相對於該第一側的一第二側上，其中該第一線圈與該第二線圈為平面型，使得該第一線圈之繞組在一第一層，而該第二線圈之繞組在一第二層，其中該第一線圈與該第二線圈重疊且串聯連接，其中該第一線圈、該介電層及該第二線圈共同地提供該射頻濾波器之電容，一貫孔，延伸穿過該介電層的該第一側與該第二側，且在該介電層的該第一側與該第二側之間延伸，並連接至該第一線圈及該第二線圈，以及一第一輸出，連接至該第二線圈。
如請求項1所述之射頻濾波器，其中該射頻濾波器之該電容等於以下之乘積:(i)該介電層之一介電常數與(ii)該第一線圈與該第二線圈之間重疊面積除以該介電層之厚度。
如請求項1所述之射頻濾波器，其中:該第一線圈沿順時針方向或逆時針方向中之一者從該第一線圈之一輸入捲繞至該第一線圈之一輸出；以及該第二線圈沿該順時針方向或該逆時針方向中與該第一線圈相同者從該第二線圈之一輸入捲繞至該第二線圈之一輸出。
如請求項1所述之射頻濾波器，其中該第一輸入設置於該第一輸出對面並在該射頻濾波器之相對於該第一輸出的一端上。
如請求項1所述之射頻濾波器，其中該第一輸入設置於鄰近該第一輸出並與該第一輸出在該射頻濾波器之相同端上。
如請求項1所述之射頻濾波器，進一步包括:一第一電容貼片，連接至該第一線圈；以及一第二電容貼片，連接至該第二線圈，其中該第二電容貼片設置為相對於該第一電容貼片以增加該第一線圈與該第二線圈間之電容。
如請求項1所述之射頻濾波器，其中該貫孔是將該第一線圈連接至該第二線圈之唯一的貫孔。
如請求項6所述之射頻濾波器，其中：該第一電容貼片係設置在該第一線圈之中心；且該第二電容貼片係設置在該第二線圈之中心。
一種基板處理系統，包括:一基板支座，包括一加熱元件；如請求項1所述之該射頻濾波器，設置於該基板支座外側並透過一第一導電元件連接至該基板支座之一輸入或一輸出中的一者；以及一第二射頻濾波器，設置於該基板支座外側並透過一第二導電元件連接至該基板支座之該輸入或該輸出中的另一者。
如請求項9所述之基板處理系統，其中:該射頻濾波器的該介電層為一支撐層之一部分；以及該第二射頻濾波器之一電感器係實施於該介電層上。
如請求項9所述之基板處理系統，其中:該射頻濾波器的該介電層為一第一支撐層之一部分；以及該第二射頻濾波器之一電感器係實施於不同於該第一支撐層之一第二支撐層上。
如請求項9所述之基板處理系統，其中該第二射頻濾波器包括:一第三線圈，鄰近該第一線圈捲繞並設置於該介電層之該第一側上；以及一第四線圈，鄰近該第二線圈捲繞並設置於該介電層之該第二側上。
一種基板處理系統，包括:一基板支座，包括一加熱元件；如請求項1所述之該射頻濾波器，連接至該加熱元件之一輸入或一輸出中的一者，其中該介電層為該基板支座之一層，以及一第二射頻濾波器，連接至加熱元件之該輸入或該輸出中的另一者；以及一功率源，透過如請求項1所述之該射頻濾波器或該第二射頻濾波器中之一者將功率供應至該加熱元件之該輸入。
一種射頻濾波器組件，包括:如請求項1所述之該射頻濾波器；以及一第二射頻濾波器，包括一第二電感器，包括一第二輸入，一第三線圈，設置於該介電層之該第一側上並連接至該第二輸入，一第四線圈，設置於該介電層之相對於該第一側的該第二側上，其中該第三線圈與該第四線圈為平面型，使得該第三線圈之繞組在該第一層中，而該第四線圈之繞組在該第二層中，其中該第三線圈與該第四線圈重疊並串聯連接，且其中該第三線圈、該介電層與該第四線圈共同地提供該射頻濾波器之第二電容，另一貫孔，延伸穿過該介電層並連接至該第三線圈及該第四線圈，以及一第二輸出，連接至該第四線圈。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中該第三線圈及該第四線圈沿與該第一線圈及該第二線圈相同的方向捲繞。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中:該第一輸入鄰近於該第二輸入；以及該第一輸出鄰近於該第二輸出。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中該第一輸入及該第二輸入與該第一輸出及該第二輸出鄰近並在該射頻濾波器組件之相同端上。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，進一步包括:一第一電容貼片，連接至該第一線圈或該第三線圈並增加該第一線圈或該第三線圈之電容；以及一第二電容貼片，連接至該第二線圈或該第四線圈並增加該第二線圈或該第四線圈之電容，其中該第二電容貼片設置為相對於該第一電容貼片。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中:該第一線圈平行於該第三線圈而延伸；且該第二線圈平行於該第四線圈而延伸。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中:該第一線圈與該第三線圈在相同平面中捲繞；且該第二線圈與該第四線圈在相同平面中捲繞。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中:該第一線圈和該第三線圈之各者包含在一第一平面中捲繞的複數繞組；該第二線圈和該第四線圈之各者包含在一第二平面中捲繞的複數繞組；且該第二平面平行於該第一平面。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中:該第一線圈和該第三線圈從該第一線圈和該第三線圈的輸入向該第一線圈和該第三線圈的輸出沿相同方向捲繞；且該第二線圈和該第四線圈從該第二線圈和該第四線圈的輸入向該第二線圈和該第四線圈的輸出沿相同方向捲繞。
如請求項14所述之射頻濾波器組件，其中該另一貫孔是將該第三線圈連接至該第四線圈之唯一的貫孔。
一種基板處理系統，包括:一基板支座，包括一加熱元件；以及如請求項14所述之該射頻濾波器組件，設置於該基板支座外側並透過導電元件連接至該基板支座之一輸入及一輸出。
如請求項24所述之基板處理系統，其中該介電層為設置於該基板支座外側之一支撐層的至少一部份。
一種基板處理系統，包括:一基板支座，包括一加熱元件，以及如請求項14所述之該射頻濾波器組件，連接至該加熱元件之一輸入及一輸出，其中該介電層為該基板支座之一層；以及一功率源，透過該射頻濾波器或該第二射頻濾波器中之一者將功率供應至該加熱元件之該輸入。
一種光檢測裝置，其包含： <br/>光檢測基板，其包含具有互相對向之第一主面及第二主面之半導體基板，且具有設置有自與上述第一主面正交之方向觀察時二維排列之複數個像素之光檢測區域；及 <br/>電路基板，其於與上述第一主面正交之方向上與上述光檢測基板連接，且具有設置有處理自對應之上述像素輸出之檢測信號之複數個信號處理部的信號處理區域；且 <br/>上述光檢測基板於每一上述像素包含： <br/>複數個雪崩光電二極體，其等各自具有設置於上述半導體基板之受光區域，且以蓋革模式進行動作； <br/>複數個淬滅電阻，其等與對應之上述雪崩光電二極體電性串聯連接；及 <br/>焊墊電極，其連接有互相電性並聯之上述複數個淬滅電阻； <br/>上述複數個雪崩光電二極體之上述受光區域，於自與上述第一主面正交之方向觀察時，於每一上述像素二維排列， <br/>各上述信號處理部包含： <br/>信號取得部，其透過對應之上述焊墊電極取得上述檢測信號； <br/>時序測量部，其基於上述檢測信號，測量光入射至對應之上述像素之時序； <br/>能量測量部，其基於上述檢測信號，測量入射至對應之上述像素之光之能量；及 <br/>記憶部，其記憶上述時序測量部及上述能量測量部之測量結果； <br/>自與上述第一主面正交之方向觀察時，上述光檢測區域與上述信號處理區域係至少一部分重疊。
如請求項1之光檢測裝置，其中 <br/>於自與上述第一主面正交之方向觀察時，上述光檢測基板係被上述電路基板之邊緣包圍。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>上述光檢測區域於自與上述第一主面正交之方向觀察時，具有與上述信號處理區域重疊之第一部分、及不與上述信號處理區域重疊之第二部分； <br/>上述第一部分之面積大於上述第二部分之面積。
如請求項3之光檢測裝置，其中 <br/>上述信號處理區域於自與上述第一主面正交之方向觀察時，具有不與上述光檢測區域重疊之第三部分； <br/>上述第一部分之面積，大於上述第二部分之面積與上述第三部分之面積之合計。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>上述光檢測區域中設置有各上述像素之單位區域、與上述信號處理區域中設置有與該像素對應之上述信號處理部之單位區域，係於自與上述第一主面正交之方向觀察時，至少一部分重疊。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>於自與上述第一主面正交之方向觀察時，上述焊墊電極之重心，係自設置有與該焊墊電極連接之上述信號處理部之單位區域之重心，朝上述信號取得部偏移。
如請求項5之光檢測裝置，其中 <br/>上述光檢測區域中設置有各上述像素之單位區域、與上述信號處理區域中設置有與該像素對應之上述信號處理部之單位區域，係於自與上述第一主面正交之方向觀察時，具有於沿上述第一主面之方向上偏移而不互相重疊之部分。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>上述檢測信號為電流信號， <br/>上述各信號處理部之上述信號取得部包含：電流-電壓轉換電路，其將上述檢測信號轉換成電壓；及信號傳遞電路，其將自上述電流-電壓轉換電路輸出之電壓信號，輸入至上述能量測量部； <br/>上述信號傳遞電路包含密勒電容器，其與上述電流-電壓轉換電路並聯連接於上述能量測量部； <br/>上述能量測量部基於自上述信號傳遞電路輸入之信號之波形，測量入射至對應之上述像素之光之能量。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>藉由上述能量測量部測量自對應之上述信號取得部輸入之信號之波高為閾值以上之期間的時間，來測量入射至對應之上述像素之光之能量。
如請求項1或2之光檢測裝置，其中 <br/>上述各信號處理部之上述記憶部係包含複數個記憶區域，其等分別記憶於特定測量期間，上述時序測量部及上述能量測量部對於互不相同之時序入射至對應之上述像素之光的測量結果。
一種醫藥組成物之用途，係用於製備治療原發性腋窩多汗症之藥物；<br/>前述醫藥組成物含有溴化索吡咯銨作為有效成分，且相對於全製劑量含有0.015w／w%至0.075w／w%之檸檬酸酐，並且pH為5.2以下；<br/>前述醫藥組成物係於6星期至52星期之治療期間以1日1次塗抹於兩腋窩來進行投予；<br/>前述原發性腋窩多汗症為藉由治療前5分鐘之重量測定法所得之兩腋窩合計出汗重量為400mg以上之原發性腋窩多汗症。
如請求項1所述之用途，其中，在前述醫藥組成物中，溴化索吡咯銨之含量對於全製劑量為5w／w%至15w／w%。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，在前述醫藥組成物中，溴化索吡咯銨之含量對於全製劑量為5w／w%。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，於各腋窩投予之醫藥組成物之每次投予之平均量為0.5 mL至1.0 mL。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，每次投予之溴化索吡咯銨之平均量係每腋窩之身體表面1cm<sup>2</sup>為5.0μg至2000μg。
如請求項1或請求項2所述之用途，與治療前比較，具有於治療期間中或治療後將HDSS評分降低1以上之制汗作用。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，前述原發性腋窩多汗症為治療前之HDSS評分為3或4之重症原發性腋窩多汗症。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，前述原發性腋窩多汗症為治療前之HDSS評分為3或4之重症原發性腋窩多汗症，而治療完成時之HDSS評分改善為1或2。
如請求項1或請求項2所述之用途，其中，前述原發性腋窩多汗症為治療前之HDSS評分為3或4之重症原發性腋窩多汗症，而治療完成時之HDSS評分改善為1或2且治療完成時兩腋窩合計出汗重量與治療前兩腋窩合計出汗重量之比改善為0.5以下。
如請求項1或請求項2所述之用途，於治療期間中不實施交感神經遮斷術即可治療原發性腋窩多汗症。
一種醫藥組成物之用途，係用於製備治療原發性腋窩多汗症之藥物；<br/>前述醫藥組成物係相對於全製劑量含有5w／w％之溴化索吡咯銨作為有效成分，且相對於全製劑量含有0.015w／w%至0.075w／w%之檸檬酸酐，並且pH為5.2以下；<br/>前述醫藥組成物係於超過6星期至52星期之治療期間以1日1次塗抹於兩腋窩來進行投予；<br/>前述原發性腋窩多汗症為藉由治療前5分鐘之重量測定法所得之兩腋窩合計出汗重量為100mg以上之原發性腋窩多汗症。
如請求項1、請求項2及請求項11中任一項所述之用途，其中，前述醫藥組成物係由對於全製劑量為1.25w／w%之羥丙基纖維素、2.5w／w%之肉荳蔻酸異丙酯、0.05w／w%之檸檬酸酐、10w／w%之己二醇及殘餘成分為無水乙醇所構成。
一種操作可攜式電力站之方法，所述可攜式電力站包含複數個電池模組以及一可操作地連接至所述複數個電池模組的電池管理系統，所述方法包括： <br/>利用所述電池管理系統來供應所述複數個電池模組的至少一第一電池模組從市電產生的充電電流，所述市電是可操作地連接至所述可攜式電力站的AC輸入連接； <br/>利用所述電池管理系統來電連接所述複數個電池模組的至少一第二電池模組至負載，以供應所述負載操作電流；以及 <br/>利用所述電池管理系統以從所述充電電流以及所述負載電性斷連所述複數個電池模組的至少一第三電池模組，以熱管理所述至少一第三電池模組， <br/>其中所述至少一第一電池模組、所述至少一第二電池模組、以及所述至少一第三電池模組是位在所述可攜式電力站的殼體中， <br/>其中以下同時發生：(i)向所述至少一第一電池模組供應所述充電電流、(ii)從所述至少一第二電池模組向負載供應所述操作電流、以及(iii)從所述充電電流及所述負載電性斷連所述至少一第三電池模組，且 <br/>其中所述負載是所述可攜式電力站的所述殼體的外部。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>利用所述電池管理系統來監視所述複數個電池模組的溫度； <br/>判斷何時一被監測的電池模組具有超出預設溫度的溫度；以及 <br/>利用所述電池管理系統來從所述充電電流以及所述負載電性斷連具有所述溫度超過所述預設溫度的所述被監測的電池模組，以冷卻所述被監測的電池模組。
如請求項2之方法，其進一步包括： <br/>監視所述至少一第二電池模組的所述溫度； <br/>判斷所述至少一第二電池模組的所述溫度超出所述預設溫度； <br/>從所述負載電性斷連所述至少一第二電池模組，以冷卻所述至少一第二電池模組； <br/>電連接所述複數個電池模組的至少一第四電池模組至所述負載以供應所述負載所述操作電流， <br/>其中所述至少一第四電池模組具有低於所述預設溫度的溫度。
如請求項3之方法，其進一步包括： <br/>判斷所述至少一第二電池模組的溫度已經下降到低於所述預設溫度； <br/>從所述負載電性斷連所述至少一第四電池模組；以及 <br/>電連接所述被冷卻的至少一第二電池模組至所述負載以供應所述負載所述操作電流。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>從所述負載電性斷連所述複數個電池模組；以及 <br/>利用所述充電電流來充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至50%電量。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>在所述複數個電池模組的每一個電池模組被充電至50%電量之後，利用所述充電電流來充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至80%電量。
如請求項第6項之方法，其進一步包括： <br/>在所述複數個電池模組的每一個電池模組被充電至80%電量之後，利用所述充電電流來充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至100%電量。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>從所述負載電性斷連所述複數個電池模組的所述至少一第二電池模組；以及 <br/>供應所述負載從所述市電產生的另一操作電流。
如請求項8之方法，其進一步包括： <br/>利用所述電池管理系統以轉換所述市電成為適合用於產生所述另一操作電流的格式。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>利用所述電池管理系統來判斷每一個電池模組的最大功率輸出位準； <br/>利用所述電池管理系統來判斷所述負載的功率需求；以及 <br/>利用所述電池管理系統來決定一預設數目的所述電池模組以連接至所述負載，使得(i)連接至所述負載的每一個電池模組的功率需求是小於所述最大功率輸出位準，並且(ii)連接至所述負載的所述電池模組的總功率輸出位準是大於所述負載的所述功率需求。
如請求項10之方法，其中所述預設數目的電池模組是並聯電連接至所述負載。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>電連接所述至少一第二電池模組至所述負載持續一預設的時間期間； <br/>在所述預設的時間期間的期滿時，從所述負載電性斷連所述至少一第二電池模組；以及 <br/>在所述預設的時間期間的所述期滿時，電連接所述複數個電池模組的至少一其它電池模組至所述負載。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>利用所述電池管理系統來轉換所述至少一第二電池模組的DC電壓位準至第一增高的DC電壓位準； <br/>利用所述電池管理系統來轉換所述增高的DC電壓位準至第二增高的DC電壓位準；以及 <br/>供應所述負載所述第二增高的DC電壓位準， <br/>其中所述第一增高的DC電壓位準是大於所述DC電壓位準，以及 <br/>其中所述第二增高的DC電壓位準是大於所述第一增高的DC電壓位準。
一種操作包含複數個電池模組及可操作地連接至所述複數個電池模組之電池管理系統的可攜式電力站之方法，所述方法包括： <br/>利用所述電池管理系統來供應所述複數個電池模組的至少一第一電池模組從市電產生的充電電流，所述市電是可操作地連接至所述可攜式電力站的AC輸入連接； <br/>利用所述電池管理系統來電連接所述複數個電池模組的至少一第二電池模組至負載，以供應所述負載操作電流； <br/>利用所述電池管理系統從所述充電電流及所述負載電性斷連所述複數個電池模組之至少一第三電池模組； <br/>判斷所述複數個電池模組的健全狀態； <br/>識別所述複數個模組中的一不健全的電池模組，其是根據所述不健全的電池模組的健全狀態與預設的健全狀態相比較； <br/>從所述可攜式電力站移除所述不健全的電池模組之殼體；以及 <br/>插入一健全的電池模組到所述可攜式電力站中之所述殼體，以取代所述被移除的不健全的電池模組。
一種用於供應電能至負載之可攜式電力站，其包括： <br/>殼體，其具有AC輸入連接； <br/>複數個電池模組，其位在所述殼體之內；以及 <br/>電池管理系統，其是可操作地連接至所述複數個電池模組，所述電池管理系統是被配置以同時(i)電連接所述複數個電池模組的至少一第一電池模組至藉由所述電池管理系統從耦接至所述AC輸入連接的市電產生的充電電流、(ii)電連接所述複數個電池模組的至少一第二電池模組至所述負載以供應所述負載操作電流、以及(iii)從所述市電以及所述負載電性斷連所述複數個電池模組的至少一第三電池模組，以熱管理所述至少一第三電池模組， <br/>其中所述負載是所述可攜式電力站之所述殼體的外部。
如請求項15之可攜式電力站，其中所述電池管理系統是進一步被配置以(i)從所述負載電性斷連所述複數個電池模組、(ii)電連接所述複數個電池模組至所述充電電流以充電所述電池模組、以及(iii)充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至50%電量。
如請求項16之可攜式電力站，其中所述電池管理系統是進一步被配置以在所述複數個電池模組的每一個電池模組被充電至50%電量之後，充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至80%電量。
如請求項17之可攜式電力站，其中所述電池管理系統是進一步被配置以在所述複數個電池模組的每一個電池模組被充電至80%電量之後，充電所述複數個電池模組的每一個電池模組至100%電量。
如請求項15之可攜式電力站，其中所述電池管理系統是進一步被配置以(i)利用所述電池管理系統來監視所述複數個電池模組的溫度、(ii)判斷何時一被監測的電池模組具有超出預設溫度的溫度、以及(iii)利用所述電池管理系統來從所述充電電流以及所述負載電性斷連具有所述溫度超過所述預設溫度的所述被監測的電池模組，以冷卻所述被監測的電池模組。
如請求項19之可攜式電力站，其中：所述電池管理系統是進一步被配置以(i)監視所述至少一第二電池模組的所述溫度、(ii)判斷所述至少一第二電池模組的所述溫度超出所述預設溫度、(iii)從所述負載電性斷連所述至少一第二電池模組，以冷卻所述至少一第二電池模組、以及(iv)電連接所述複數個電池模組的至少一第四電池模組至所述負載以供應所述負載所述操作電流，以及 <br/>所述至少一第四電池模組具有低於所述預設溫度的溫度。
一種下述一般式(1)或(2)所示之鋅化合物； <br/><img align="absmiddle" height="246px" width="310px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，R<sup>1</sup>表示未取代之碳原子數1～5之烷基；R<sup>2</sup>及R<sup>5</sup>係各自獨立表示未取代之碳原子數1～5之烷基；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>係各自獨立表示未取代之碳原子數1～5之烷基； <br/><img align="absmiddle" height="281px" width="403px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(2)中，R<sup>10</sup>、R<sup>11</sup>、R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>係各自獨立表示未取代之碳原子數1～5之烷基；R<sup>9</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>13</sup>及R<sup>16</sup>係各自獨立表示未取代之碳原子數1～5之烷基、或氫原子之一部分或全部被氟原子取代之碳原子數1～5之烷基；但，R<sup>9</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>13</sup>及R<sup>16</sup>之中2個以上表示三氟甲基。
一種薄膜形成用原料，其係含有如請求項1之鋅化合物。
一種薄膜，其係使用如請求項2之薄膜形成用原料而成者。
一種製造薄膜之方法，其係使用如請求項1之鋅化合物作為前驅物，藉由化學蒸鍍法來製造含有鋅原子之薄膜。
一種薄膜之製造方法，其係包含：將原料氣體導入於設置有基體之成膜室內的步驟，及 <br/> 使前述原料氣體中之前述鋅化合物進行分解及/或化學反應而在前述基體表面形成含有鋅原子之薄膜的步驟； <br/> 其中該原料氣體係使如請求項2之薄膜形成用原料氣化而得者。
如請求項5之薄膜之製造方法，其中包含：使前述原料氣體中之前述鋅化合物吸附於前述基體表面而形成前驅物薄膜的步驟，及 <br/> 使前述前驅物薄膜與反應性氣體進行反應而在前述基體之表面形成含有鋅原子之薄膜的步驟。
如請求項6之薄膜之製造方法，其中前述反應性氣體為氧化性氣體，且前述薄膜為氧化鋅薄膜。
如請求項7之薄膜之製造方法，其中前述氧化性氣體為含有氧、臭氧或水蒸氣之氣體。
如請求項6～8中任一項之薄膜之製造方法，其係在100℃～400℃之範圍使前述前驅物薄膜與前述反應性氣體反應。
一種雙股核糖核酸(dsRNA)劑或其鹽類，其係用於抑制第2型嚴重急性呼吸道症候群冠狀病毒(SARS-CoV-2)基因組於細胞內之表現，其中，該dsRNA劑或其鹽類包含形成雙股區域之正義股及反義股，其中，每一股獨立地具有19至25個核苷酸的長度，其中，該正義股包含SEQ ID NO：5的核苷酸序列5’-UAACAAUGUUGCUUUUCAAAC-3’的至少19個接續核苷酸，且該反義股包含SEQ ID NO：6的核苷酸序列5’-GUUUGAAAAGCAACAUUGUUAGU-3’的至少19個接續核苷酸，其中，該正義股的所有核苷酸和該反義股的所有核苷酸包含核苷酸修飾，該核苷酸修飾選自由2’-O-甲基修飾、2’-去氧修飾和2’-氟修飾所組成群組，以及其中，一個或多個包含飽和或不飽和之C6-C18烴鏈的親脂性部分接合至一個或多個選自由從每一股之5’端起計數，該正義股上之位置4至8及13至18，以及該反義股上之位置6至10及15至18所組成群組的內部位置。
如請求項1所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一個或多個親脂性部分係獨立地經由鏈結子或載劑接合。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，復包含至少一個硫代磷酸酯類核苷酸間鏈結。
如請求項3所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該dsRNA劑或其鹽類包含6至8個硫代磷酸酯類核苷酸間鏈結。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，每一股之長度係獨立地為19至23個核苷酸。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，至少一股包含至少1個核苷酸的3’懸垂；或至少一股包含至少2個核苷酸的3’懸垂。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該雙股區域之長度係19至23個核苷酸對。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地含有選自由羥基、胺、羧酸、磺酸酯、磷酸酯、硫醇、疊氮化物及炔所組成之群組的官能基。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地含有飽和或不飽和之C16烴鏈。
如請求項9所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該飽和或不飽和之C16烴鏈接合至從正義股之5’端起計數之位置6。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由載劑接合，該載劑替換該內部位置或該雙股區域中之一個或多個核苷酸。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由鏈結子接合至該雙股iRNA劑，該鏈結子含有醚、硫醚、脲、碳酸酯、胺、醯胺、馬來醯亞胺-硫醚、二硫化物、磷酸二酯、磺醯胺鏈結、鍵擊反應之產物或胺基甲酸酯。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地接合至核酸鹼基、糖部分或核苷酸間鏈結。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由生物可裂解之鏈結子接合，該鏈結子係選自由DNA、RNA、二硫化物、醯胺、半乳糖胺、葡萄糖胺、葡萄糖、半乳糖、甘露糖的官能化之單醣或寡醣及其組合所組成群組。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股之3’端經由端帽保護，該端帽具有胺之環狀基團，所述環狀基團選自由吡咯啶基、吡唑啉基、吡唑啶基、咪唑啉基、咪唑啶基、哌啶基、哌嗪基、[1,3]二氧雜環戊烷基、唑啶基、異唑啶基、嗎啉基、噻唑啶基、異噻唑啶基、喹啉基、嗒酮基、四氫呋喃基及十氫萘基所組成群組。
如請求項1或2所述之dsRNA劑或其鹽類，其中，該正義股包含SEQ ID NO：5的核苷酸序列5’-UAACAAUGUUGCUUUUCAAAC-3’，並且該反義股包含SEQ ID NO：6的核苷酸序列5’-GUUUGAAAAGCAACAUUGUUAGU-3’。
如請求項1或2所述之dsRNA或其鹽類，其中，該正義股包含SEQ ID NO：9的正義股核苷酸序列5’-usasaca(Ahd)UfgUfUfGfcuuuucaasasa-3’，並且該反義股包含SEQ ID NO：10的核苷酸序列5’-VPusUfsuugAfaaagcaaCfaUfuguuasgsu-3’，其中，a、g、c及u係2’-O-甲基(2’-OMe)A、G、C及U；Af、Gf、Cf及Uf係2’-氟A、G、C及U；s係硫代磷酸酯鏈結；(Ahd)係2’-O-十六烷基-腺苷-3’-磷酸酯；並且VP係乙烯基-磷酸酯。
一種細胞，其含有如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類。
一種用於抑制冠狀病毒基因組之表現的藥物組成物，其包含如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類。
一種組成物，其包含a)用於抑制細胞中的第2型嚴重急性呼吸道症候群冠狀病毒(SARS-CoV-2)基因組表現的第一dsRNA劑或其鹽類和用於抑制細胞中的SARS-CoV-2基因組表現的第二dsRNA劑或其鹽類，其中，該第一dsRNA劑或其鹽類包含形成第一雙股區的第一正義股和第一反義股，以及該第二dsRNA劑或其鹽類包含形成第二雙股區的第二正義股和第二反義股，其中每一股獨立地具有19至25個核苷酸的長度，其中，該第一正義股包含SEQ ID NO：5的核苷酸序列5’-UAACAAUGUUGCUUUUCAAAC-3’的至少19個接續核苷酸，且該第一反義股包含SEQ ID NO：6的核苷酸序列5’-GUUUGAAAAGCAACAUUGUUAGU-3’的至少19個接續核苷酸，以及其中，該第二正義股包含SEQ ID NO：7的核苷酸序列5’-ACUGUACAGUCUAAAAUGUCA-3’的至少19個接續核苷酸，且該第二反義股包含SEQ ID NO：8的核苷酸序列5’-UGACAUUUUAGACUGUACAGUGG-3’的至少19個接續核苷酸，其中，該第一正義股、該第一反義股、該第二正義股和該第二反義股的所有核苷酸包含選自由2’-O-甲基修飾、2’-去氧修飾和2’-氟修飾所組成群組的核苷酸修飾，以及其中，一個或多個包含飽和或不飽和之C6-C18烴鏈的親脂性部分接合至至少一個該正義股或至少一個該反義股的一個或多個選自由從每一股之5’端起計數，該正義股上之位置4至8及13至18，以及該反義股上之位置6至10及15至18所組成群組的內部位置。
如請求項20所述之組成物，其中，該一個或多個親脂性部分係獨立地經由鏈結子或載劑接合。
如請求項20或21所述之組成物，其中，至少一dsRNA劑或其鹽類復包含至少一個硫代磷酸酯類核苷酸間鏈結。
如請求項22所述之組成物，其中，該dsRNA劑或其鹽類的至少一者包含6至8個硫代磷酸酯類核苷酸間鏈結。
如請求項20或21所述之組成物，其中，每一dsRNA劑或其鹽類之每一股係獨立為19至23個核苷酸之長度。
如請求項20或21所述之組成物，其中，至少一dsRNA劑或其鹽類之至少一股包含至少1個核苷酸的3’懸垂；或者至少一dsRNA劑或其鹽類之至少一股包含至少2個核苷酸的3’懸垂。
如請求項20或21所述之組成物，其中，每一dsRNA劑或其鹽類之雙股區域之長度獨立地為19至25個核苷酸對。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一或多個親脂性部分獨立地含有選自由羥基、胺、羧酸、磺酸酯、磷酸酯、硫醇、疊氮化物及炔所組成之群組的官能基。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地含有飽和或不飽和之C16烴鏈。
如請求項28所述之組成物，其中，該飽和或不飽和之C16烴鏈接合至從正義股之5’端起計數之位置6。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由載劑接合，該載劑替換該內部位置或該雙股區域中之一個或多個核苷酸。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由鏈結子接合至該雙股iRNA劑，該鏈結子含有醚、硫醚、脲、碳酸酯、胺、醯胺、馬來醯亞胺-硫醚、二硫化物、磷酸二酯、磺醯胺鏈結、鍵擊反應之產物或胺基甲酸酯。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地接合至核酸鹼基、糖部分或核苷酸間鏈結。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該一種或多種親脂性部分獨立地經由生物可裂解之鏈結子接合，該鏈結子係選自由DNA、RNA、二硫化物、醯胺、半乳糖胺、葡萄糖胺、葡萄糖、半乳糖、甘露糖的官能化之單醣或寡醣及其組合所組成群組。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該正義股之3’端經由端帽保護，該端帽具有胺之環狀基團，所述環狀基團選自由吡咯啶基、吡唑啉基、吡唑啶基、咪唑啉基、咪唑啶基、哌啶基、哌嗪基、[1,3]二氧雜環戊烷基、唑啶基、異唑啶基、嗎啉基、噻唑啶基、異噻唑啶基、喹啉基、嗒酮基、四氫呋喃基及十氫萘基所組成群組。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該組成物包含：第一dsRNA劑或其鹽類，其包含SEQ ID NO：5的正義股核苷酸序列5’-UAACAAUGUUGCUUUUCAAAC-3’及包含SEQ ID NO：6的核苷酸序列5’-GUUUGAAAAGCAACAUUGUUAGU-3’之反義股；以及第二dsRNA劑或其鹽類，其包含SEQ ID NO：7的正義股核苷酸序列5’-ACUGUACAGUCUAAAAUGUCA-3’及包含SEQ ID NO：8的核苷酸序列5’-UGACAUUUUAGACUGUACAGUGG-3’之反義股。
如請求項20或21所述之組成物，其中，該第一dsRNA劑或其鹽類之正義股包含SEQ ID NO：9的正義股核苷酸序列5’-usasaca(Ahd)UfgUfUfGfcuuuucaasasa-3’，並且該第一dsRNA劑或其鹽類之反義股包含SEQ ID NO：10的核苷酸序列5’-VPusUfsuugAfaaagcaaCfaUfuguuasgsu-3’；以及，該第二dsRNA劑或其鹽類之正義股包含SEQ ID NO：11的核苷酸序列5’-ascsugu(Ahd)CfaGfUfCfuaaaauguscsa-3’，並且該第二dsRNA劑或其鹽類之反義股包含SEQ ID NO：12的核苷酸序列5’-VPusGfsacaUfuuuagacUfgUfacagusgsg-3’，其中，a、g、c及u係2’-O-甲基(2’-OMe)A、G、C及U；Af、Gf、Cf及Uf係2’-氟A、G、C及U；s係硫代磷酸酯鏈結；(Ahd)係2’-O-十六烷基-腺苷-3’-磷酸酯；並且VP係乙烯基-磷酸酯。
一種細胞，其含有如請求項20至36中任一項所述之組成物。
一種用於抑制冠狀病毒基因組之表現的藥物組成物，包含如請求項20至36中任一項所述之組成物。
一種體外抑制冠狀病毒基因組在細胞中之表現的方法，該方法包括：(a)令該細胞與如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類、如請求項20至36中任一項所述之組成物、或如請求項19或38所述之藥物組成物接觸；以及(b)將步驟(a)中產生之細胞維持足以獲得冠狀病毒基因組退化的時間，從而抑制該冠狀病毒基因組在細胞中的表現。
如請求項39所述之方法，其中，該細胞係與兩種或更多種如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類接觸。
一種如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類、或如請求項20至36中任一項所述之組成物、或如請求項19或38所述之藥物組成物於製備用於治療患有冠狀病毒感染之受試者的藥物的用途。
如請求項41所述之用途，其中，該受試者係給藥兩種或更多種如請求項1至17中任一項所述之dsRNA劑或其鹽類。
如請求項41或42所述之用途，其中，該受試者係人。
如請求項41或42所述之用途，其中，該藥物之給藥係肺系統給藥。
如請求項44所述之用途，其中，該肺系統給藥係經由吸入或鼻腔內。
如請求項41或42所述之用途，其中，該藥物係皮下給藥。
一種達格列淨（dapagliflozin）之用途，其係用於製備治療具有進展風險之慢性腎臟病（CKD）之患者的藥物，該治療包括： <br/>以足以降低該患者之持續性估算腎絲球過濾率（eGFR）下降、終末期腎病（ESRD）、心血管（CV）死亡及因心臟衰竭住院之風險之劑量及持續時間，每天一次向該患者投與達格列淨； <br/>其中該患者未患有2型糖尿病；及 <br/>其中該持續時間為至少4個月。
如請求項1之用途，其中該eGFR持續下降 ≥ 50%。
如請求項1之用途，其中該終末期腎病（ESRD）包括持續eGFR ＜ 15 mL/min/1.73 m<sup>2</sup>、開始慢性透析治療及/或腎移植。
如請求項1之用途，其中在該投與之前，該患者具有(i) eGFR ≥ 25且 ≤ 75 mL/min/1.73 m<sup>2</sup>，及/或(ii) 尿白蛋白肌酐比[UACR] ≥ 200且 ≤ 5000 mg/g。
如請求項1之用途，其中(i)在該投與之前，該患者正接受血管張力素轉換酶抑制劑（ACE-I）或血管張力素受體阻滯劑（ARB），及/或(ii) 在該投與期間，該患者亦投與ACE-I或ARB。
如請求項5之用途，其中該血管張力素轉換酶抑制劑（ACE-I）係選自卡托普利（captopril）、依那普利（enalapril）和賴諾普利（lisinopril）。
如請求項5之用途，其中該血管張力素受體阻滯劑（ARB）係選自纈沙坦（valsartan）、氯沙坦（losartan）和厄貝沙坦（irbesartan）。
一種達格列淨（dapagliflozin）之用途，其係用於製備治療具有進展風險之慢性腎臟病之患者的藥物，該治療包括： <br/>以足以降低複合終點之發生率之風險的劑量及持續時間，每天一次向該患者投與達格列淨； <br/>其中該患者未患有2型糖尿病；其中該複合終點為~50%之估算腎絲球過濾率（eGFR）持續下降、進展到終末期腎病（ESRD）及CV死亡或腎死亡；且其中該持續時間為至少4個月。
如請求項8之用途，其中該終末期腎病（ESRD）包括持續eGFR ＜ 15 mL/min/1.73 m<sup>2</sup>、開始慢性透析治療及/或腎移植。
如請求項8之用途，其中在該投與之前，該患者具有(i) eGFR ≥ 25且 ≤ 75 mL/min/1.73 m<sup>2</sup>，及/或(ii) 尿白蛋白肌酐比[UACR] ≥ 200且 ≤ 5000 mg/g。
如請求項8之用途，其中(i)在該投與之前，該患者正接受血管張力素轉換酶抑制劑（ACE-I）或血管張力素受體阻滯劑（ARB），及/或(ii) 在該投與期間，該患者亦投與ACE-I或ARB。
如請求項11之用途，其中該血管張力素轉換酶抑制劑（ACE-I）係選自卡托普利（captopril）、依那普利（enalapril）和賴諾普利（lisinopril）。
如請求項11之用途，其中該血管張力素受體阻滯劑（ARB）係選自纈沙坦（valsartan）、氯沙坦（losartan）和厄貝沙坦（irbesartan）。
如請求項8之用途，其中該治療滿足以下條件之至少一者： <br/>a) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點中之第一個事件之時間之危險比小於1； <br/>b) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點中之第一個事件之時間之危險比在統計上名義上小於1； <br/>c) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點中之第一個事件之時間之危險比為約0.61； <br/>d) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點中之第一個事件之時間之危險比的95%置信區間為約0.51至0.72； <br/>e) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療在數字上降低該複合終點之絕對風險； <br/>f) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點之名義上顯著風險降低； <br/>g) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致該複合終點之數字上的減少； <br/>h) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致CV死亡及因心臟衰竭住院之複合終點中之第一個事件之時間的危險比為約0.71；及/或 <br/>i) 相對於未接受達格列淨之患者之投與方案，該治療導致全因死亡之時間之危險比為約0.69。
如請求項1或8之用途，其中該治療進一步包括向該患者投與包含治療有效量之AZD9977或其藥學上可接受的鹽之藥物組成物。
如請求項15之用途，其中該患者處於高鉀血症的高風險中。
如請求項15之用途，其中該AZD9977或其藥學上可接受的鹽之治療有效量為每日15-150 mg。
如請求項15之用途，其中達格列淨之治療有效量為每天一次口服投與10 mg。
如請求項1或8之用途，其中該患者未接受慢性透析。
一種式(II)之支架：A<sup>1’</sup>-(L<sup>C</sup>)<sub>1</sub>-D (II)或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>C</sup>係：<figure><img align="absmiddle" height="66px" width="182px" file="d10318.TIF" alt="化學式ed10318.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10318.png"/></figure>其中：#表示附著至A<sup>1’</sup>且##表示附著至D；M<sup>A</sup>係含有2至10個胺基酸之肽部份，該2至10個胺基酸選自甘胺酸、絲胺酸、麩胺酸、離胺酸、天冬胺酸、半胱胺酸及彼等之立體異構物和組合；T<sup>1</sup>係親水基；且L<sup>D</sup>係連接D至M<sup>A</sup>之二價連接子部份；A<sup>1’</sup>係單價連接子部份，其包含能夠與PBRM之官能基形成共價鍵之官能基，其中PBRM表示基於蛋白質之辨識分子；D係式(A)之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="283px" width="375px" file="d10319.TIF" alt="化學式ed10319.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10319.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或互變異構物，其中：Y<sub>1</sub>、Y<sub>2</sub>、Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>各自獨立地係O、S、C或N；X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、W<sub>1</sub>及W<sub>2</sub>各自獨立地係C或N；X<sub>3</sub>及X<sub>4</sub>各自獨立地係S或NR<sup>f</sup>；X<sub>5</sub>係N或CR<sup>A2</sup>；X<sub>6</sub>係N或CR<sup>A1</sup>；X<sub>7</sub>係N或CH；R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>各自獨立地係-CON(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)或-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)，或R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>中一者係-CON(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)或-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)且R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>中另一者係H、-COOH或-CO<sub>2</sub>(R<sup>C</sup>)；R<sup>c</sup>係H或C<sub>1-4</sub>烷基；R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>各自獨立地係H、鹵素、羥基、胺基、胺基(C<sub>1-4</sub>烷基)-、可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)或可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)氧基-，其中該可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)或可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)氧基-中之C<sub>1-6</sub>烷基係可選地經1至4個各自獨立地選自包含羥基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-N(R<sup>e</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CO<sub>2</sub>(R<sup>f</sup>)、-CON(R<sup>e</sup>)(R<sup>f</sup>)及-COOH之群組之取代基取代；各R<sup>d</sup>獨立地係H、羥基或C<sub>1-4</sub>烷基；各R<sup>e</sup>係選自H、(C<sub>1-4</sub>烷基)、-CO(C<sub>1-4</sub>烷基)、-OCO(C<sub>1-4</sub>烷基)及-CO<sub>2</sub>(C<sub>1-4</sub>烷基)；各R<sup>f</sup>獨立地係H、羥基或(C<sub>1-4</sub>烷基)；R<sup>14</sup>及R<sup>C2</sup>各自獨立地係不存在或C<sub>1-4</sub>烷基，其中C<sub>1-4</sub>烷基係可選地經選自鹵素、-OR<sup>c</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-CONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>及-OCONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>之取代基取代；R<sup>16</sup>及R<sup>C1</sup>各自獨立地係不存在、H或C<sub>1-4</sub>烷基；且R<sup>15</sup>、R<sup>17</sup>、R<sup>18</sup>或R<sup>19</sup>各自獨立地係不存在、H或C<sub>1-4</sub>烷基，其中C<sub>1-4</sub>烷基係可選地經1至4個選自鹵素、-OR<sup>c</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-CONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>及-OCONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>之取代基取代；其中：(i)R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>中至少一者係存在，且其中R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>中至少一者係經由R<sup>A2</sup>及/或R<sup>A1</sup>之至少一個官能基直接或間接連接至L<sup>C</sup>；或(ii)R<sup>C2</sup>及R<sup>C1</sup>中至少一者係存在，且其中R<sup>C2</sup>及R<sup>C1</sup>中至少一者係經由R<sup>C2</sup>及/或R<sup>C1</sup>之至少一個官能基直接或間接連接至L<sup>C</sup>；或D係選自：<figure><img align="absmiddle" height="226px" width="580px" file="d10320.TIF" alt="化學式ed10320.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10320.png"/></figure><img align="absmiddle" height="218px" width="217px" file="d10321.TIF" alt="其他非圖式ed10321.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10321.png"/>；<img align="absmiddle" height="218px" width="228px" file="d10322.TIF" alt="其他非圖式ed10322.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10322.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="198px" width="259px" file="d10323.TIF" alt="化學式ed10323.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10323.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>係不存在、-O-或-NR<sup>4</sup>-；R<sup>4</sup>係H或C<sub>1-3</sub>烷基；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10325.TIF" alt="其他非圖式ed10325.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10325.png"/>表示附著至該支架之其餘部分。
如請求項1之支架，其中該支架係：<figure><img align="absmiddle" height="374px" width="598px" file="d10324.TIF" alt="化學式ed10324.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10324.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物。
一種共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其包含如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物且進一步包含基於蛋白質之辨識分子(PBRM)，其中當該共軛體係如下式時：<figure><img align="absmiddle" height="283px" width="611px" file="d10326.TIF" alt="化學式ed10326.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10326.png"/></figure>其中d<sub>15</sub>係1至20的整數，該PBRM不為HER2抗體，該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中PBRM係抗體。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該共軛體係如下式(I)：PBRM-[A<sup>1</sup>-(L<sup>C</sup>)<sub>1</sub>-D]<sub>d15</sub> (I)其中：A<sup>1</sup>係連接該PBRM至L<sup>C</sup>之二價連接子部份；且d<sub>15</sub>係1至20的整數。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該PBRM係HER2抗體，該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中當PBRM係HER2抗體時，其中該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)，D不為<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="313px" file="d10327.TIF" alt="化學式ed10327.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10327.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>係-O-；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10328.TIF" alt="其他非圖式ed10328.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10328.png"/>表示附著至L<sup>C</sup>。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中當PBRM係HER2抗體時，其中該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)，各D獨立地係：<figure><img align="absmiddle" height="832px" width="585px" file="d10329.TIF" alt="化學式ed10329.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10329.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="882px" width="569px" file="d10330.TIF" alt="化學式ed10330.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10330.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="906px" width="571px" file="d10331.TIF" alt="化學式ed10331.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10331.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="879px" width="564px" file="d10332.TIF" alt="化學式ed10332.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10332.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="878px" width="580px" file="d10333.TIF" alt="化學式ed10333.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10333.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="877px" width="575px" file="d10334.TIF" alt="化學式ed10334.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10334.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="912px" width="589px" file="d10335.TIF" alt="化學式ed10335.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10335.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="862px" width="569px" file="d10336.TIF" alt="化學式ed10336.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10336.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="977px" width="564px" file="d10337.TIF" alt="化學式ed10337.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10337.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="850px" width="564px" file="d10338.TIF" alt="化學式ed10338.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10338.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="195px" width="580px" file="d10339.TIF" alt="化學式ed10339.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10339.png"/></figure>其中：R<sup>2</sup>係不存在、-O-或-NR<sup>4</sup>-；R<sup>4</sup>係H或C<sub>1-3</sub>烷基；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10340.TIF" alt="其他非圖式ed10340.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10340.png"/>表示附著至L<sup>C</sup>。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中當PBRM不為HER2抗體時，其中該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)，各D獨立地係：<figure><img align="absmiddle" height="837px" width="596px" file="d10341.TIF" alt="化學式ed10341.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10341.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="872px" width="582px" file="d10342.TIF" alt="化學式ed10342.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10342.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="895px" width="589px" file="d10343.TIF" alt="化學式ed10343.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10343.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="880px" width="604px" file="d10344.TIF" alt="化學式ed10344.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10344.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="906px" width="589px" file="d10345.TIF" alt="化學式ed10345.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10345.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="888px" width="593px" file="d10346.TIF" alt="化學式ed10346.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10346.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="917px" width="599px" file="d10347.TIF" alt="化學式ed10347.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10347.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="868px" width="569px" file="d10348.TIF" alt="化學式ed10348.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10348.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="987px" width="578px" file="d10349.TIF" alt="化學式ed10349.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10349.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="843px" width="583px" file="d10350.TIF" alt="化學式ed10350.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10350.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="191px" width="556px" file="d10351.TIF" alt="化學式ed10351.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10351.png"/></figure>其中：R<sup>2</sup>係不存在、-O-或-NR<sup>4</sup>-；R<sup>4</sup>係H或C<sub>1-3</sub>烷基；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10353.TIF" alt="其他非圖式ed10353.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10353.png"/>表示附著至L<sup>C</sup>。
如請求項5之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中各A<sup>1</sup>獨立地係：<figure><img align="absmiddle" height="206px" width="648px" file="d10352.TIF" alt="化學式ed10352.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10352.png"/></figure>其中：R<sup>7</sup>係-O-、-NR<sup>8</sup>、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-、-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-、-芳基-、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基)-、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-O-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-芳基-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-芳基-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-芳基-、-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-芳基-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-芳基-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-(C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-、-芳基-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-、-(3至8員雜環烷基)-、-(5至8員雜芳基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-(3至8員雜環烷基)-、-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-(5至8員雜芳基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-(3至8員雜環烷基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-(5至8員雜芳基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-(3至8員雜環烷基)-、-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-(5至8員雜芳基)-、-(3至8員雜環烷基)-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-(5至8員雜芳基)-(C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-(3至8員雜環烷基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-(5至8員雜芳基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基)-、-(5至8員雜芳基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烷基)-、-(5至8員雜芳基)-(C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基)-、-O-C(O)-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>r</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>r</sub>-或-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>r</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-，其中該烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、雜環烷基或雜芳基係可選地經取代；R<sup>8</sup>係H、羥基或C<sub>1-4</sub>烷基；r係範圍1至12的整數；且*表示附著至PBRM且**表示附著至L<sup>C</sup>。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中A<sup>1’</sup>係：<figure><img align="absmiddle" height="391px" width="673px" file="d10354.TIF" alt="化學式ed10354.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10354.png"/></figure>其中：R8係H、羥基或C<sub>1-4</sub>烷基；r係範圍4至6的整數；且**表示附著至L<sup>C</sup>。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中各L<sup>D</sup>獨立地係<img align="absmiddle" height="49px" width="139px" file="d10355.TIF" alt="其他非圖式ed10355.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10355.png"/>，其中：L<sup>E</sup>係-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-2</sub>]<sub>q</sub>-C(O)-、-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-O-C(O)-或-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-2</sub>]<sub>q</sub>-C(O)-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-O-C(O)-，其中p係範圍1至20的整數，且q係範圍1至10的整數；各W獨立地係天然或非天然胺基酸單元；w係範圍0至12的整數；***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中各L<sup>D</sup>獨立地係<img align="absmiddle" height="49px" width="140px" file="d10356.TIF" alt="其他非圖式ed10356.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10356.png"/>，其中：L<sup>E</sup>係-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-2</sub>]<sub>q</sub>-C(O)-、-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-O-C(O)-或-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>p</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>0-2</sub>]<sub>q</sub>-C(O)-NH-(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)-O-C(O)-，其中p係範圍1至20的整數，且q係範圍1至10的整數；各W獨立地係天然或非天然胺基酸單元；w係範圍0至12的整數；***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項12之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>E</sup>係-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-、-NH-CH<sub>2</sub>-CH(CH<sub>3</sub>)-O-C(O)-或-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>1-4</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-O-C(O)-。
如請求項13之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>E</sup>係-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-、-NH-CH<sub>2</sub>-CH(CH<sub>3</sub>)-O-C(O)-或-NH-[(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>1-4</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-NH-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-O-C(O)-。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中各L<sup>D</sup>獨立地係：<figure><img align="absmiddle" height="801px" width="627px" file="d10357.TIF" alt="化學式ed10357.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10357.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="955px" width="659px" file="d10358.TIF" alt="化學式ed10358.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10358.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="555px" width="673px" file="d10359.TIF" alt="化學式ed10359.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10359.png"/></figure>其中：***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中各L<sup>D</sup>獨立地係：<figure><img align="absmiddle" height="245px" width="615px" file="d10360.TIF" alt="化學式ed10360.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10360.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="857px" width="636px" file="d10361.TIF" alt="化學式ed10361.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10361.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="993px" width="668px" file="d10362.TIF" alt="化學式ed10362.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10362.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="229px" width="676px" file="d10363.TIF" alt="化學式ed10363.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10363.png"/></figure>其中：***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>D</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="74px" width="636px" file="d10364.TIF" alt="化學式ed10364.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10364.png"/></figure>其中：***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>D</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="73px" width="631px" file="d10365.TIF" alt="化學式ed10365.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10365.png"/></figure>其中：***表示附著至MA；且****表示附著至D。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中M<sup>A</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="96px" width="165px" file="d10366.TIF" alt="化學式ed10366.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10366.png"/></figure>其中：*指示附著至A1’；**指示附著至T<sup>1</sup>；且***指示附著至L<sup>D</sup>。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中M<sup>A</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="94px" width="180px" file="d10367.TIF" alt="化學式ed10367.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10367.png"/></figure>其中：*指示附著至A1’；**指示附著至T<sup>1</sup>；且***指示附著至L<sup>D</sup>。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係-OH或<img align="absmiddle" height="29px" width="200px" file="d10368.TIF" alt="其他非圖式ed10368.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10368.png"/>，其中：n1係0至6的整數；各R58獨立地係-H或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>60</sub>係鍵結、C<sub>1-6</sub>烷基連接子或-CHR<sub>59</sub>-，其中R<sub>59</sub>係-H、C<sub>1-8</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基烷基；R<sub>61</sub>係-CH<sub>2</sub>OR<sub>62</sub>、-COOR<sub>62</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COOR<sub>62</sub>、或經一或多個羥基取代之3至8員雜環烷基；R<sub>62</sub>係-H或C<sub>1-8</sub>烷基；且n2係1至5的整數。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係-OH或<img align="absmiddle" height="21px" width="194px" file="d10372.TIF" alt="其他非圖式ed10372.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10372.png"/>，其中：n1係0至6的整數；各R58獨立地係-H或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>60</sub>係鍵結、C<sub>1-6</sub>烷基連接子或-CHR<sub>59</sub>-，其中R<sub>59</sub>係-H、C<sub>1-8</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>芳基烷基；R<sub>61</sub>係-CH<sub>2</sub>OR<sub>62</sub>、-COOR<sub>62</sub>、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COOR<sub>62</sub>、或經一或多個羥基取代之3至8員雜環烷基；R<sub>62</sub>係-H或C<sub>1-8</sub>烷基；且n2係1至5的整數。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="111px" width="442px" file="d10369.TIF" alt="化學式ed10369.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10369.png"/></figure>
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係<figure><img align="absmiddle" height="112px" width="462px" file="d10370.TIF" alt="化學式ed10370.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10370.png"/></figure>
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="68px" width="210px" file="d10371.TIF" alt="其他非圖式ed10371.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10371.png"/>，其中：n4係1至25的整數；各R<sub>63</sub>獨立地係氫或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>64</sub>係鍵結或C<sub>1-8</sub>烷基連接子；R<sub>65</sub>係H、C<sub>1-8</sub>烷基、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COOR<sub>62</sub>或-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COR<sub>66</sub>；R<sub>62</sub>係H或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>66</sub>係H、<img align="absmiddle" height="72px" width="177px" file="d10373.TIF" alt="其他非圖式ed10373.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10373.png"/>、<img align="absmiddle" height="105px" width="199px" file="d10374.TIF" alt="其他非圖式ed10374.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10374.png"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="128px" file="d10375.TIF" alt="其他非圖式ed10375.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10375.png"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="285px" file="d10376.TIF" alt="其他非圖式ed10376.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10376.png"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="102px" file="d10377.TIF" alt="其他非圖式ed10377.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10377.png"/>或<img align="absmiddle" height="52px" width="142px" file="d10378.TIF" alt="其他非圖式ed10378.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10378.png"/>；且n2係1至5的整數。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="67px" width="209px" file="d10379.TIF" alt="其他非圖式ed10379.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10379.png"/>，其中：n4係1至25的整數；各R<sub>63</sub>獨立地係氫或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>64</sub>係鍵結或C<sub>1-8</sub>烷基連接子；R<sub>65</sub>係H、C<sub>1-8</sub>烷基、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COOR<sub>62</sub>或-(CH<sub>2</sub>)<sub>n2</sub>COR<sub>66</sub>；R<sub>62</sub>係H或C<sub>1-8</sub>烷基；R<sub>66</sub>係H、<img align="absmiddle" height="72px" width="177px" file="d10380.TIF" alt="其他非圖式ed10380.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10380.png"/>、<img align="absmiddle" height="110px" width="199px" file="d10381.TIF" alt="其他非圖式ed10381.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10381.png"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="125px" file="d10382.TIF" alt="其他非圖式ed10382.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10382.png"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="285px" file="d10383.TIF" alt="其他非圖式ed10383.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10383.png"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="102px" file="d10384.TIF" alt="其他非圖式ed10384.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10384.png"/>或<img align="absmiddle" height="53px" width="142px" file="d10385.TIF" alt="其他非圖式ed10385.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10385.png"/>；且n2係1至5的整數。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係：<figure><img align="absmiddle" height="76px" width="301px" file="d10386.TIF" alt="化學式ed10386.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10386.png"/></figure>其中R<sub>67</sub>係：(1)-OH；<figure><img align="absmiddle" height="290px" width="612px" file="d10387.TIF" alt="表格ed10387.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10387.png"/></figure>其中n<sub>4</sub>係2至20、4至16、6至12、或8至12的整數。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中T<sup>1</sup>係：<figure><img align="absmiddle" height="76px" width="303px" file="d10388.TIF" alt="化學式ed10388.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10388.png"/></figure>其中R<sub>67</sub>係：(1)-OH；<figure><img align="absmiddle" height="289px" width="610px" file="d10389.TIF" alt="表格ed10389.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10389.png"/></figure>其中n<sub>4</sub>係2至20、4至16、6至12、或8至12的整數。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中D係式(A-a)、(A-b)、(A-c)、(A-d)、(A-e)、(A-f)、(A-f1)、(A-f2)、(A-f3)、(A-f4)、(A-f5)、(A-g)、(A-g1)、(A-g2)、(A-g3)、(A-g4)、(A-g5)、(A-h)、(A-h1)、(A-h2)或(A-i)：<figure><img align="absmiddle" height="294px" width="591px" file="d10390.TIF" alt="表格ed10390.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10390.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="909px" width="595px" file="d10391.TIF" alt="表格ed10391.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10391.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="881px" width="596px" file="d10392.TIF" alt="表格ed10392.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10392.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="878px" width="594px" file="d10393.TIF" alt="表格ed10393.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10393.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="367px" width="595px" file="d10394.TIF" alt="表格ed10394.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10394.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或互變異構物。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中D係式(A-a)、(A-b)、(A-c)、(A-d)、(A-e)、(A-f)、(A-f1)、(A-f2)、(A-f3)、(A-f4)、(A-f5)、(A-g)、(A-g1)、(A-g2)、(A-g3)、(A-g4)、(A-g5)、(A-h)、(A-h1)、(A-h2)或(A-i)：<figure><img align="absmiddle" height="296px" width="590px" file="d10395.TIF" alt="表格ed10395.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10395.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="908px" width="597px" file="d10396.TIF" alt="表格ed10396.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10396.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="879px" width="598px" file="d10397.TIF" alt="表格ed10397.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10397.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="879px" width="596px" file="d10398.TIF" alt="表格ed10398.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10398.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="365px" width="596px" file="d10399.TIF" alt="表格ed10399.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10399.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或互變異構物。
如請求項1之支架，其中該支架係選自：<figure><img align="absmiddle" height="381px" width="591px" file="d10400.TIF" alt="化學式ed10400.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10400.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="333px" width="589px" file="d10401.TIF" alt="化學式ed10401.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10401.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="363px" width="605px" file="d10402.TIF" alt="化學式ed10402.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10402.png"/></figure><img align="absmiddle" height="313px" width="587px" file="d10403.TIF" alt="其他非圖式ed10403.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10403.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="268px" width="637px" file="d10404.TIF" alt="化學式ed10404.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10404.png"/></figure>及其醫藥上可接受之鹽及異構物。
如請求項1之支架，其中該支架係：<img align="absmiddle" height="274px" width="509px" file="d10405.TIF" alt="其他非圖式ed10405.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10405.png"/>或<figure><img align="absmiddle" height="254px" width="527px" file="d10406.TIF" alt="化學式ed10406.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10406.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物。
如請求項5之共軛體，其中該共軛體係選自：<figure><img align="absmiddle" height="302px" width="554px" file="d10407.TIF" alt="化學式ed10407.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10407.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="331px" width="630px" file="d10408.TIF" alt="化學式ed10408.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10408.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="287px" width="633px" file="d10409.TIF" alt="化學式ed10409.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10409.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="236px" width="630px" file="d10410.TIF" alt="化學式ed10410.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10410.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="313px" width="641px" file="d10411.TIF" alt="化學式ed10411.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10411.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="313px" width="635px" file="d10412.TIF" alt="化學式ed10412.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10412.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="338px" width="635px" file="d10413.TIF" alt="化學式ed10413.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10413.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="334px" width="627px" file="d10414.TIF" alt="化學式ed10414.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10414.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="332px" width="631px" file="d10415.TIF" alt="化學式ed10415.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10415.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="332px" width="620px" file="d10416.TIF" alt="化學式ed10416.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10416.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="328px" width="625px" file="d10417.TIF" alt="化學式ed10417.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10417.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="279px" width="633px" file="d10418.TIF" alt="化學式ed10418.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10418.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="334px" width="626px" file="d10419.TIF" alt="化學式ed10419.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10419.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="420px" width="635px" file="d10420.TIF" alt="化學式ed10420.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10420.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="378px" width="633px" file="d10421.TIF" alt="化學式ed10421.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10421.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="302px" width="627px" file="d10422.TIF" alt="化學式ed10422.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10422.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="390px" width="628px" file="d10423.TIF" alt="化學式ed10423.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10423.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="374px" width="641px" file="d10424.TIF" alt="化學式ed10424.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10424.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="452px" width="605px" file="d10425.TIF" alt="化學式ed10425.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10425.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="345px" width="653px" file="d10426.TIF" alt="化學式ed10426.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10426.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="348px" width="642px" file="d10427.TIF" alt="化學式ed10427.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10427.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="341px" width="649px" file="d10428.TIF" alt="化學式ed10428.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10428.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="277px" width="639px" file="d10429.TIF" alt="化學式ed10429.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10429.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="313px" width="631px" file="d10430.TIF" alt="化學式ed10430.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10430.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="225px" width="643px" file="d10431.TIF" alt="化學式ed10431.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10431.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="278px" width="643px" file="d10432.TIF" alt="化學式ed10432.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10432.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="290px" width="638px" file="d10433.TIF" alt="化學式ed10433.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10433.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="270px" width="629px" file="d10434.TIF" alt="化學式ed10434.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10434.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="255px" width="635px" file="d10435.TIF" alt="化學式ed10435.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10435.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="292px" width="633px" file="d10436.TIF" alt="化學式ed10436.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10436.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="287px" width="634px" file="d10437.TIF" alt="化學式ed10437.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10437.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="285px" width="626px" file="d10438.TIF" alt="化學式ed10438.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10438.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="298px" width="625px" file="d10439.TIF" alt="化學式ed10439.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10439.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="282px" width="634px" file="d10440.TIF" alt="化學式ed10440.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10440.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="284px" width="634px" file="d10441.TIF" alt="化學式ed10441.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10441.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="290px" width="636px" file="d10442.TIF" alt="化學式ed10442.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10442.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="290px" width="636px" file="d10443.TIF" alt="化學式ed10443.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10443.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="279px" width="638px" file="d10444.TIF" alt="化學式ed10444.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10444.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="285px" width="633px" file="d10445.TIF" alt="化學式ed10445.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10445.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="285px" width="633px" file="d10446.TIF" alt="化學式ed10446.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10446.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="281px" width="635px" file="d10447.TIF" alt="化學式ed10447.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10447.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="291px" width="638px" file="d10448.TIF" alt="化學式ed10448.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10448.png"/></figure><img align="absmiddle" height="270px" width="579px" file="d10449.TIF" alt="其他非圖式ed10449.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10449.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="276px" width="625px" file="d10450.TIF" alt="化學式ed10450.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10450.png"/></figure>及其醫藥上可接受之鹽及異構物。
如請求項5之共軛體，其中該共軛體係：<img align="absmiddle" height="333px" width="603px" file="d10451.TIF" alt="其他非圖式ed10451.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10451.png"/>或<figure><img align="absmiddle" height="330px" width="609px" file="d10452.TIF" alt="化學式ed10452.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10452.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物。
如請求項5之共軛體，其中該共軛體係：<figure><img align="absmiddle" height="330px" width="610px" file="d10453.TIF" alt="化學式ed10453.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10453.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="335px" width="604px" file="d10454.TIF" alt="化學式ed10454.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10454.png"/></figure><img align="absmiddle" height="326px" width="582px" file="d10455.TIF" alt="其他非圖式ed10455.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10455.png"/>；或<figure><img align="absmiddle" height="325px" width="602px" file="d10456.TIF" alt="化學式ed10456.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10456.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物。
如請求項1之支架，其中該支架係選自：<figure><img align="absmiddle" height="332px" width="562px" file="d10457.TIF" alt="化學式ed10457.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10457.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="349px" width="547px" file="d10458.TIF" alt="化學式ed10458.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10458.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="340px" width="558px" file="d10459.TIF" alt="化學式ed10459.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10459.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="261px" width="561px" file="d10460.TIF" alt="化學式ed10460.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10460.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="331px" width="558px" file="d10461.TIF" alt="化學式ed10461.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10461.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="331px" width="558px" file="d10462.TIF" alt="化學式ed10462.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10462.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="288px" width="557px" file="d10463.TIF" alt="化學式ed10463.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10463.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="340px" width="551px" file="d10464.TIF" alt="化學式ed10464.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10464.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="440px" width="553px" file="d10465.TIF" alt="化學式ed10465.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10465.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="395px" width="557px" file="d10466.TIF" alt="化學式ed10466.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10466.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="307px" width="545px" file="d10467.TIF" alt="化學式ed10467.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10467.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="279px" width="520px" file="d10468.TIF" alt="化學式ed10468.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10468.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="404px" width="549px" file="d10469.TIF" alt="化學式ed10469.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10469.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="379px" width="545px" file="d10470.TIF" alt="化學式ed10470.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10470.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="451px" width="385px" file="d10471.TIF" alt="化學式ed10471.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10471.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="343px" width="556px" file="d10472.TIF" alt="化學式ed10472.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10472.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="273px" width="551px" file="d10473.TIF" alt="化學式ed10473.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10473.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="253px" width="542px" file="d10474.TIF" alt="化學式ed10474.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10474.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="277px" width="540px" file="d10475.TIF" alt="化學式ed10475.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10475.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="300px" width="551px" file="d10476.TIF" alt="化學式ed10476.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10476.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="219px" width="542px" file="d10477.TIF" alt="化學式ed10477.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10477.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="289px" width="540px" file="d10478.TIF" alt="化學式ed10478.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10478.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="285px" width="552px" file="d10479.TIF" alt="化學式ed10479.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10479.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="265px" width="554px" file="d10480.TIF" alt="化學式ed10480.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10480.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="262px" width="555px" file="d10481.TIF" alt="化學式ed10481.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10481.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="275px" width="547px" file="d10482.TIF" alt="化學式ed10482.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10482.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="270px" width="549px" file="d10483.TIF" alt="化學式ed10483.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10483.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="284px" width="551px" file="d10484.TIF" alt="化學式ed10484.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10484.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="278px" width="551px" file="d10485.TIF" alt="化學式ed10485.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10485.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="274px" width="540px" file="d10486.TIF" alt="化學式ed10486.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10486.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="280px" width="535px" file="d10487.TIF" alt="化學式ed10487.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10487.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="279px" width="553px" file="d10488.TIF" alt="化學式ed10488.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10488.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="274px" width="554px" file="d10489.TIF" alt="化學式ed10489.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10489.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="284px" width="554px" file="d10490.TIF" alt="化學式ed10490.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10490.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="278px" width="561px" file="d10491.TIF" alt="化學式ed10491.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10491.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="272px" width="553px" file="d10492.TIF" alt="化學式ed10492.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10492.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="276px" width="552px" file="d10493.TIF" alt="化學式ed10493.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10493.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="276px" width="546px" file="d10494.TIF" alt="化學式ed10494.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10494.png"/></figure><img align="absmiddle" height="270px" width="513px" file="d10495.TIF" alt="其他非圖式ed10495.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10495.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="270px" width="537px" file="d10496.TIF" alt="化學式ed10496.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10496.png"/></figure>及其醫藥上可接受之鹽及異構物。
如請求項5之共軛體，其中該共軛體係選自：<figure><img align="absmiddle" height="303px" width="583px" file="d10497.TIF" alt="化學式ed10497.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10497.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="281px" width="600px" file="d10498.TIF" alt="化學式ed10498.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10498.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="304px" width="594px" file="d10499.TIF" alt="化學式ed10499.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10499.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="279px" width="582px" file="d10500.TIF" alt="化學式ed10500.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10500.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="250px" width="591px" file="d10501.TIF" alt="化學式ed10501.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10501.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="247px" width="590px" file="d10502.TIF" alt="化學式ed10502.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10502.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="267px" width="583px" file="d10503.TIF" alt="化學式ed10503.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10503.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="255px" width="584px" file="d10504.TIF" alt="化學式ed10504.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10504.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="265px" width="578px" file="d10505.TIF" alt="化學式ed10505.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10505.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="271px" width="582px" file="d10506.TIF" alt="化學式ed10506.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10506.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="236px" width="563px" file="d10507.TIF" alt="化學式ed10507.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10507.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="252px" width="550px" file="d10508.TIF" alt="化學式ed10508.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10508.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="262px" width="562px" file="d10509.TIF" alt="化學式ed10509.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10509.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="270px" width="564px" file="d10510.TIF" alt="化學式ed10510.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10510.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="291px" width="555px" file="d10511.TIF" alt="化學式ed10511.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10511.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="273px" width="577px" file="d10512.TIF" alt="化學式ed10512.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10512.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="245px" width="584px" file="d10513.TIF" alt="化學式ed10513.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10513.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="188px" width="575px" file="d10514.TIF" alt="化學式ed10514.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10514.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="250px" width="574px" file="d10515.TIF" alt="化學式ed10515.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10515.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="247px" width="593px" file="d10516.TIF" alt="化學式ed10516.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10516.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="226px" width="561px" file="d10517.TIF" alt="化學式ed10517.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10517.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="219px" width="554px" file="d10518.TIF" alt="化學式ed10518.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10518.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="225px" width="563px" file="d10519.TIF" alt="化學式ed10519.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10519.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="226px" width="558px" file="d10520.TIF" alt="化學式ed10520.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10520.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="241px" width="554px" file="d10521.TIF" alt="化學式ed10521.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10521.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="236px" width="554px" file="d10522.TIF" alt="化學式ed10522.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10522.png"/></figure><img align="absmiddle" height="225px" width="503px" file="d10523.TIF" alt="其他非圖式ed10523.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10523.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="253px" width="585px" file="d10524.TIF" alt="化學式ed10524.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10524.png"/></figure>及其醫藥上可接受之鹽及異構物。
如請求項1之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：A<sup>1’</sup>係<img align="absmiddle" height="93px" width="110px" file="d10525.TIF" alt="其他非圖式ed10525.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10525.png"/>，其中**表示附著至L<sup>C</sup>；M<sup>A</sup>係<img align="absmiddle" height="99px" width="119px" file="d10526.TIF" alt="其他非圖式ed10526.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10526.png"/>，其中*表示附著至A<sup>1’</sup>，**表示附著至T<sup>1</sup>，且***表示附著至L<sup>D</sup>；L<sup>D</sup>係***-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-(丙胺酸)-****，其中***表示附著至M<sup>A</sup>且****表示附著至D；且T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="130px" width="486px" file="d10527.TIF" alt="其他非圖式ed10527.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10527.png"/>。
如請求項5之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="80px" width="120px" file="d10528.TIF" alt="其他非圖式ed10528.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10528.png"/>，其中*表示附著至PBRM且**表示附著至M<sup>A</sup>；L<sup>C</sup>係<img align="absmiddle" height="79px" width="191px" file="d10529.TIF" alt="其他非圖式ed10529.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10529.png"/>，其中#表示附著至A<sup>1</sup>且##表示附著至D；M<sup>A</sup>係<img align="absmiddle" height="92px" width="122px" file="d10530.TIF" alt="其他非圖式ed10530.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10530.png"/>，其中*表示附著至A<sup>1</sup>，**表示附著至T<sup>1</sup>，且***表示附著至L<sup>D</sup>；L<sup>D</sup>係***-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-(丙胺酸)****，其中***表示附著至M<sup>A</sup>且****表示附著至D；T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="110px" width="373px" file="d10531.TIF" alt="其他非圖式ed10531.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10531.png"/>，其中n<sub>4</sub>係8；D係<img align="absmiddle" height="213px" width="218px" file="d10532.TIF" alt="其他非圖式ed10532.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10532.png"/>，其中R<sup>2</sup>係-O-；且d<sub>15</sub>係1至20的整數。
如請求項39之支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>D</sup>係<img align="absmiddle" height="72px" width="290px" file="d10535.TIF" alt="其他非圖式ed10535.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10535.png"/>或<figure><img align="absmiddle" height="75px" width="337px" file="d10533.TIF" alt="化學式ed10533.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10533.png"/></figure>其中：***表示附著至M<sup>A</sup>；且****表示附著至D。
如請求項40之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>D</sup>係<img align="absmiddle" height="68px" width="290px" file="d10536.TIF" alt="其他非圖式ed10536.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10536.png"/>或<figure><img align="absmiddle" height="74px" width="344px" file="d10534.TIF" alt="化學式ed10534.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10534.png"/></figure>其中：***表示附著至M<sup>A</sup>；且****表示附著至D。
如請求項5之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中d<sub>15</sub>係2至8的整數。
如請求項43之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中d<sub>15</sub>係6或8。
如請求項44之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中d<sub>15</sub>係8。
如請求項3之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該PBRM係NaPi2b抗體，該NaPi2b抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含SEQ ID NO：5，該CDRH2包含SEQ ID NO：6，該CDRH3包含SEQ ID NO：7，該CDRL1包含SEQ ID NO：8，該CDRL2包含SEQ ID NO：9且該CDRL3包含SEQ ID NO：10。
如請求項46之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該NaPi2b抗體包含可變輕鏈和可變重鏈，該可變輕鏈包含SEQ ID NO：4且該可變重鏈包含SEQ ID NO：3。
如請求項46之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該NaPi2b抗體包含輕鏈和重鏈，該輕鏈包含SEQ ID NO：2且該重鏈包含SEQ ID NO：1。
如請求項46之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該共軛體係<img align="absmiddle" height="240px" width="575px" file="d10537.TIF" alt="其他非圖式ed10537.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10537.png"/>或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中d<sub>15</sub>係2至14的整數。
一種如下式之抗體-藥物共軛體：<figure><img align="absmiddle" height="268px" width="610px" file="d10538.TIF" alt="化學式ed10538.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10538.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：d<sub>15</sub>係範圍1至20的整數；且該HER2抗體不包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
一種如下式之抗體-藥物共軛體：<figure><img align="absmiddle" height="276px" width="622px" file="d10539.TIF" alt="化學式ed10539.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10539.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：d<sub>15</sub>係範圍1至20的整數；且該HER2抗體不包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
一種下式(I)之抗體-藥物共軛體：PBRM-[A<sup>1</sup>-(L<sup>C</sup>)-D]<sub>d15</sub> (I)或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="90px" width="130px" file="d10540.TIF" alt="其他非圖式ed10540.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10540.png"/>，其中*表示附著至PBRM且**表示附著至L<sup>C</sup>；L<sup>C</sup>係<img align="absmiddle" height="81px" width="192px" file="d10541.TIF" alt="其他非圖式ed10541.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10541.png"/>，其中#表示附著至A<sup>1</sup>且##表示附著至D；M<sup>A</sup>係<img align="absmiddle" height="89px" width="120px" file="d10542.TIF" alt="其他非圖式ed10542.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10542.png"/>，其中*表示附著至A<sup>1</sup>，**表示附著至T<sup>1</sup>，且***表示附著至L<sup>D</sup>；L<sup>D</sup>係***-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-(丙胺酸)-****，其中***表示附著至M<sup>A</sup>且****表示附著至D；T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="112px" width="376px" file="d10543.TIF" alt="其他非圖式ed10543.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10543.png"/>，其中n<sub>4</sub>係8；D係<img align="absmiddle" height="211px" width="219px" file="d10544.TIF" alt="其他非圖式ed10544.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10544.png"/>，其中R<sup>2</sup>係-O-；PBRM係HER2抗體，其中該HER2抗體不包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)；且d<sub>15</sub>係範圍1至20的整數。
如請求項52之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中L<sup>D</sup>係<img align="absmiddle" height="65px" width="289px" file="d10547.TIF" alt="其他非圖式ed10547.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10547.png"/>或<figure><img align="absmiddle" height="68px" width="355px" file="d10545.TIF" alt="化學式ed10545.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10545.png"/></figure>其中***表示附著至M<sup>A</sup>；且****表示附著至D。
一種下式(I)之抗體-藥物共軛體：PBRM-[A<sup>1</sup>-(L<sup>C</sup>)-D]<sub>d15</sub> (I)或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：L<sup>C</sup>係<img align="absmiddle" height="79px" width="190px" file="d10546.TIF" alt="其他非圖式ed10546.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10546.png"/>，其中#表示附著至A<sup>1</sup>且##表示附著至D；A<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="76px" width="118px" file="d10548.TIF" alt="其他非圖式ed10548.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10548.png"/>；<img align="absmiddle" height="93px" width="102px" file="d10549.TIF" alt="其他非圖式ed10549.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10549.png"/>；<img align="absmiddle" height="78px" width="213px" file="d10550.TIF" alt="其他非圖式ed10550.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10550.png"/>；或<img align="absmiddle" height="93px" width="220px" file="d10551.TIF" alt="其他非圖式ed10551.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10551.png"/>，其中R<sup>8</sup>係H、羥基或C<sub>1-4</sub>烷基；r係範圍4至6的整數；且*表示附著至PBRM且**表示附著至L<sup>C</sup>；M<sup>A</sup>係<img align="absmiddle" height="90px" width="121px" file="d10552.TIF" alt="其他非圖式ed10552.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10552.png"/>，其中*表示附著至A<sup>1</sup>，**表示附著至T<sup>1</sup>，且***表示附著至L<sup>D</sup>；L<sup>D</sup>係***-NH-(CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-C(O)-(丙胺酸)-****，其中***表示附著至M<sup>A</sup>且****表示附著至D；T<sup>1</sup>係<img align="absmiddle" height="99px" width="323px" file="d10553.TIF" alt="其他非圖式ed10553.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10553.png"/>，其中n<sub>4</sub>係8；D係<img align="absmiddle" height="203px" width="209px" file="d10554.TIF" alt="其他非圖式ed10554.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10554.png"/>；<img align="absmiddle" height="212px" width="220px" file="d10555.TIF" alt="其他非圖式ed10555.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10555.png"/>；或<img align="absmiddle" height="205px" width="236px" file="d10556.TIF" alt="其他非圖式ed10556.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10556.png"/>，其中R<sup>2</sup>係不存在、-O-或-NR<sup>4</sup>-；R<sup>4</sup>係H或C<sub>1-3</sub>烷基；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10558.TIF" alt="其他非圖式ed10558.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10558.png"/>表示附著至L<sup>D</sup>；PBRM係HER2抗體；且d<sub>15</sub>係範圍1至20的整數；且當D係<img align="absmiddle" height="211px" width="233px" file="d10557.TIF" alt="其他非圖式ed10557.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10557.png"/>時，其中R<sup>2</sup>係-O-，PBRM不為HER2抗體，該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
如請求項54之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
一種醫藥組成物，其包含如請求項3至10、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、34至36、38、40及42至55中任一項之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物及一或多種醫藥上可接受之載劑或賦形劑。
如請求項56之醫藥組成物，其中該醫藥組成物係與至少一種免疫調節劑或至少一種免疫刺激劑組合投予。
如請求項3至10、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、34至36、38、40及42至55中任一項之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其係用於活化或增強干擾素基因之刺激因子(STING)在個體內的活性。
如請求項3至10、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、34至36、38、40及42至55中任一項之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其係用於治療個體的疾病或病症，其中該疾病或病症係與STING之促效作用相關聯。
一種如請求項3至10、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、34至36、38、40及42至55中任一項之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物於製造用於活化或增強干擾素基因之刺激因子(STING)在個體內的活性之藥物之用途。
一種如請求項3至10、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、34至36、38、40及42至55中任一項之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物於製造用於治療個體的疾病或病症之藥物之用途，其中該疾病或病症係與STING之促效作用相關聯。
如請求項59之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該疾病或病症係癌症。
如請求項59之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該疾病或病症係膀胱癌、乳癌、結直腸癌、子宮內膜癌、胃癌、頭頸鱗狀癌、黑色素瘤、肺癌、卵巢癌、食道癌、膽管癌、尿路癌、子宮頸癌、乳頭狀甲狀腺癌、膽道癌、唾腺管癌、腎癌或胰臟癌。
如請求項63之共軛體或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中該疾病或病症係乳頭狀腎細胞癌或結腸癌。
如請求項61之用途，其中該疾病或病症係癌症。
如請求項61之用途，其中該疾病或病症係膀胱癌、乳癌、結直腸癌、子宮內膜癌、胃癌、頭頸鱗狀癌、黑色素瘤、肺癌、卵巢癌、食道癌、膽管癌、尿路癌、子宮頸癌、乳頭狀甲狀腺癌、膽道癌、唾腺管癌、腎癌或胰臟癌。
如請求項66之用途，其中該疾病或病症係乳頭狀腎細胞癌或結腸癌。
如請求項56之醫藥組成物，其係用於活化或增強干擾素基因之刺激因子(STING)在個體內的活性。
如請求項56之醫藥組成物，其係用於治療個體的疾病或病症，其中該疾病或病症係與STING之促效作用相關聯。
一種如請求項56之醫藥組成物於製造用於活化或增強干擾素基因之刺激因子(STING)在個體內的活性之藥物之用途。
一種如請求項56之醫藥組成物於製造用於治療個體的疾病或病症之藥物之用途，其中該疾病或病症係與STING之促效作用相關聯。
如請求項69之醫藥組成物，其中該疾病或病症係癌症。
如請求項69之醫藥組成物，其中該疾病或病症係膀胱癌、乳癌、結直腸癌、子宮內膜癌、胃癌、頭頸鱗狀癌、黑色素瘤、肺癌、卵巢癌、食道癌、膽管癌、尿路癌、子宮頸癌、乳頭狀甲狀腺癌、膽道癌、唾腺管癌、腎癌或胰臟癌。
如請求項73之醫藥組成物，其中該疾病或病症係乳頭狀腎細胞癌或結腸癌。
如請求項71之用途，其中該疾病或病症係癌症。
如請求項71之用途，其中該疾病或病症係膀胱癌、乳癌、結直腸癌、子宮內膜癌、胃癌、頭頸鱗狀癌、黑色素瘤、肺癌、卵巢癌、食道癌、膽管癌、尿路癌、子宮頸癌、乳頭狀甲狀腺癌、膽道癌、唾腺管癌、腎癌或胰臟癌。
如請求項76之用途，其中該疾病或病症係乳頭狀腎細胞癌或結腸癌。
一種製造抗體-藥物共軛體之方法，該抗體-藥物共軛體係如式(I)：PBRM-[A<sup>1</sup>-(L<sup>C</sup>)<sub>1</sub>-D]<sub>d15</sub> (I)或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：A<sup>1</sup>係二價連接子部份，其連接該PBRM至L<sup>C</sup>；且d<sub>15</sub>係1至20的整數，該方法包含：(1)提供多聚體支架之溶液，該多聚體支架係如式(II)：A<sup>1’</sup>-(L<sup>C</sup>)<sub>1</sub>-D (II)或其醫藥上可接受之鹽或異構物，其中：L<sup>C</sup>係：<figure><img align="absmiddle" height="69px" width="211px" file="d10559.TIF" alt="化學式ed10559.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10559.png"/></figure>其中：#表示附著至A<sup>1’</sup>且##表示附著至D；M<sup>A</sup>係含有2至10個胺基酸之肽部份，該2至10個胺基酸選自甘胺酸、絲胺酸、麩胺酸、離胺酸、天冬胺酸、半胱胺酸及彼等之立體異構物和組合；T<sup>1</sup>係親水基；且L<sup>D</sup>係連接D至M<sup>A</sup>之二價連接子部份；A<sup>1’</sup>係單價連接子部份，其包含能夠與PBRM之官能基形成共價鍵之官能基，其中PBRM表示基於蛋白質之辨識分子；D係式(A)之化合物：<figure><img align="absmiddle" height="282px" width="357px" file="d10560.TIF" alt="化學式ed10560.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10560.png"/></figure>或其醫藥上可接受之鹽或互變異構物，其中：Y<sub>1</sub>、Y<sub>2</sub>、Z<sub>1</sub>及Z<sub>2</sub>各自獨立地係O、S、C或N；X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、W<sub>1</sub>及W<sub>2</sub>各自獨立地係C或N；X<sub>3</sub>及X<sub>4</sub>各自獨立地係S或NR<sup>f</sup>；X<sub>5</sub>係N或CR<sup>A2</sup>；X<sub>6</sub>係N或CR<sup>A1</sup>；X<sub>7</sub>係N或CH；R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>各自獨立地係-CON(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)或-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)，或R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>中一者係-CON(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)(R<sup>f</sup>)、-N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)或-CH<sub>2</sub>N(R<sup>d</sup>)CO(R<sup>f</sup>)且R<sup>3</sup>及R<sup>5</sup>中另一者係H、-COOH或-CO<sub>2</sub>(R<sup>C</sup>)；R<sup>c</sup>係H或C<sub>1-4</sub>烷基；R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>各自獨立地係H、鹵素、羥基、胺基、胺基(C<sub>1-4</sub>烷基)-、可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)或可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)氧基-，其中該可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)或可選地經取代之(C<sub>1-6</sub>烷基)氧基-中之C<sub>1-6</sub>烷基係可選地經1至4個各自獨立地選自包含羥基、C<sub>1-4</sub>烷氧基、-N(R<sup>e</sup>)(R<sup>f</sup>)、-CO<sub>2</sub>(R<sup>f</sup>)、-CON(R<sup>e</sup>)(R<sup>f</sup>)及-COOH之群組之取代基取代；各R<sup>d</sup>獨立地係H、羥基或C<sub>1-4</sub>烷基；各R<sup>e</sup>係選自H、(C<sub>1-4</sub>烷基)、-CO(C<sub>1-4</sub>烷基)、-OCO(C<sub>1-4</sub>烷基)及-CO<sub>2</sub>(C<sub>1-4</sub>烷基)；各R<sup>f</sup>獨立地係H、羥基或(C<sub>1-4</sub>烷基)；R<sup>14</sup>及R<sup>C2</sup>各自獨立地係不存在或C<sub>1-4</sub>烷基，其中C<sub>1-4</sub>烷基係可選地經選自鹵素、-OR<sup>c</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-CONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>及-OCONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>之取代基取代；R<sup>16</sup>及R<sup>C1</sup>各自獨立地係不存在、H或C<sub>1-4</sub>烷基；且R<sup>15</sup>、R<sup>17</sup>、R<sup>18</sup>或R<sup>19</sup>各自獨立地係不存在、H或C<sub>1-4</sub>烷基，其中C<sub>1-4</sub>烷基係可選地經1至4個選自鹵素、-OR<sup>c</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-CO<sub>2</sub>R<sup>c</sup>、-CONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SO<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>及-OCONR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>之取代基取代；其中：(i)R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>中至少一者係存在，且其中R<sup>A2</sup>及R<sup>A1</sup>中至少一者係經由R<sup>A2</sup>及/或R<sup>A1</sup>之至少一個官能基直接或間接連接至L<sup>C</sup>；或(ii)R<sup>C2</sup>及R<sup>C1</sup>中至少一者係存在，且其中R<sup>C2</sup>及R<sup>C1</sup>中至少一者係經由R<sup>C2</sup>及/或R<sup>C1</sup>之至少一個官能基直接或間接連接至L<sup>C</sup>；或D係選自：<figure><img align="absmiddle" height="224px" width="582px" file="d10561.TIF" alt="化學式ed10561.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10561.png"/></figure><img align="absmiddle" height="214px" width="218px" file="d10562.TIF" alt="其他非圖式ed10562.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10562.png"/>；<img align="absmiddle" height="215px" width="230px" file="d10563.TIF" alt="其他非圖式ed10563.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10563.png"/>；及<figure><img align="absmiddle" height="207px" width="277px" file="d10564.TIF" alt="化學式ed10564.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10564.png"/></figure>其中R<sup>2</sup>係不存在、-O-或-NR<sup>4</sup>-；R<sup>4</sup>係H或C<sub>1-3</sub>烷基；且<img align="absmiddle" height="14px" width="15px" file="d10566.TIF" alt="其他非圖式ed10566.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10566.png"/>表示附著至該支架之其餘部分；及(2)加入經活化之PBRM至包含該式(II)之多聚體支架或其醫藥上可接受之鹽或異構物之該溶液以形成該式(I)之抗體-藥物共軛體，其中當該共軛體係如下式時：<figure><img align="absmiddle" height="262px" width="615px" file="d10565.TIF" alt="化學式ed10565.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10565.png"/></figure>其中d<sub>15</sub>係1至20的整數，該PBRM不為HER2抗體，該HER2抗體包含可變重鏈互補決定區1(CDRH1)、可變重鏈互補決定區2(CDRH2)、可變重鏈互補決定區3(CDRH3)、可變輕鏈互補決定區1(CDRL1)、可變輕鏈互補決定區2(CDRL2)及可變輕鏈互補決定區3(CDRL3)，該CDRH1包含胺基酸序列FTFSSYSMN(SEQ ID NO：20)，該CDRH2包含胺基酸序列YISSSSSTIYYADSVKG(SEQ ID NO：21)，該CDRH3包含胺基酸序列GGHGYFDL(SEQ ID NO：22)，該CDRL1包含胺基酸序列RASQSVSSSYLA(SEQ ID NO：27)，該CDRL2包含胺基酸序列GASSRAT(SEQ ID NO：28)且該CDRL3包含胺基酸序列QQYHHSPLT(SEQ ID NO：29)。
一種用於一人力交通工具之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件； <br/>一操作構件，其可移動地耦合至該基座構件； <br/>一電開關，其經組態以回應於該操作構件之一移動而接收一使用者輸入以操作一額外裝置；及 <br/>一控制器，其經組態以回應於該使用者輸入而至少在以下模式之間改變該控制器之一模式 <br/>一第一模式，其中該控制器經組態以處於第一功率消耗下，及 <br/>一第二模式，其中該控制器經組態以處於不同於該第一功率消耗之第二功率消耗下。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以回應於輸入資訊而在該第一模式與該第二模式之間改變該模式。
如請求項2之操作裝置，其中 <br/>該第一功率消耗低於該第二功率消耗，且 <br/>該控制器經組態以回應於該輸入資訊而將該模式自該第一模式改變為該第二模式。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>若該控制器在該第二模式中在一判定時間內未偵測到輸入資訊，則該控制器經組態以將該模式自該第二模式改變為該第一模式。
如請求項2之操作裝置，其中 <br/>該輸入資訊包含由該電開關接收之該使用者輸入，且 <br/>該控制器經組態以回應於由該電開關接收之該使用者輸入而將該模式自該第一模式改變為該第二模式。
如請求項5之操作裝置，其中 <br/>若該控制器在該第二模式中在一判定時間內未偵測到該輸入資訊，則該控制器經組態以將該模式自該第二模式改變為該第一模式。
如請求項3之操作裝置，其中 <br/>該第二功率消耗包含等待功率消耗及高於該等待功率消耗之啟動功率消耗， <br/>該第一功率消耗低於該等待功率消耗及該啟動功率消耗， <br/>該第二模式包含 <br/>一等待模式，其中該操作裝置處於該等待功率消耗下，及 <br/>一啟動模式，其中該操作裝置處於該啟動功率消耗下。
如請求項7之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以回應於該輸入資訊而將該模式自該第一模式改變為該啟動模式。
如請求項8之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以在該啟動模式中產生一控制信號。
如請求項9之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以回應於將該模式改變為該啟動模式而產生該控制信號。
如請求項9之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以回應於產生該控制信號之完成而將該模式自該啟動模式改變為該等待模式。
如請求項7之操作裝置，其中 <br/>在該控制器在該第二模式中連續地偵測該輸入資訊的同時，該控制器經組態以依一恆定間隔在該啟動模式與該等待模式之間改變該模式。
如請求項7之操作裝置，其中 <br/>若該控制器在該第二模式中偵測到該輸入資訊之中斷，則該控制器經組態以將該模式自該等待模式改變為該啟動模式。
如請求項13之操作裝置，其中 <br/>該第二功率消耗包含高於該第一功率消耗之睡眠功率消耗，該睡眠功率消耗低於該啟動功率消耗及該等待功率消耗； <br/>該第二模式包含一睡眠模式，其中該操作裝置經組態以處於該睡眠功率消耗下，且 <br/>若繼該控制器在該第二模式中偵測到該輸入資訊之該中斷之後該控制器產生一控制信號，則該控制器經組態以將該模式自該啟動模式改變為該睡眠模式。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以回應於該輸入資訊而將該控制器之該模式自該睡眠模式改變為該啟動模式。
如請求項14之操作裝置，其中 <br/>若該控制器在該睡眠模式中在一判定時間內未偵測到該輸入資訊，則該控制器經組態以將該模式自該睡眠模式改變為該第一模式。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以停止在該第一模式中消耗電力。
如請求項1之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以基於輸入資訊而判定該額外裝置是否處於一預定模式中，且 <br/>若該控制器斷定該額外裝置處於該預定模式中，則該控制器經組態以將該模式自該第二模式改變為該第一模式。
如請求項18之操作裝置，其中 <br/>該控制器經組態以在該第二模式中產生一檢查信號以便判定該額外裝置是否處於該預定模式中，且 <br/>若該控制器斷定該額外裝置處於該預定模式中，則該控制器經組態以將該模式自該第二模式改變為該第一模式。
一種用於一人力交通工具之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件； <br/>一操作構件，其可移動地耦合至該基座構件； <br/>一電開關，其經組態以回應於該操作構件之一移動而接收一使用者輸入以操作一額外裝置；及 <br/>一控制器，其經組態以至少在以下模式之間改變該控制器之一模式 <br/>一第一模式，其中該控制器經組態以處於第一功率消耗下，及 <br/>一第二模式，其中該控制器經組態以處於不同於該第一功率消耗之第二功率消耗下， <br/>其中，若該控制器在該第二模式中在一判定時間內未偵測到該使用者輸入，則該控制器經組態以將該模式自該第二模式改變為該第一模式， <br/>該第二模式包括一等待模式及一啟動模式， <br/>該控制器經組態以在該啟動模式中傳輸信號至該額外裝置， <br/>該控制器經組態以在該等待模式中不傳輸信號至該額外裝置，且 <br/>在該控制器在該第二模式中連續地偵測該使用者輸入的同時，該控制器經組態以依一恆定間隔在該啟動模式與該等待模式之間改變該模式。
一種用於一人力交通工具之操作裝置，其包括： <br/>一基座構件； <br/>一操作構件，其可移動地耦合至該基座構件； <br/>一電開關，其經組態以回應於該操作構件之一移動而接收一使用者輸入以操作一額外裝置；及 <br/>一控制器，其經組態以至少在以下模式之間改變該控制器之一模式 <br/>一第一模式，其中該控制器經組態以處於第一功率消耗下，及 <br/>一第二模式，其中該控制器經組態以處於不同於該第一功率消耗之第二功率消耗下， <br/>其中該控制器經組態以回應於輸入資訊而在該第一模式與該第二模式之間改變該模式， <br/>該第一功率消耗低於該第二功率消耗，且該控制器經組態以回應於該輸入資訊而將該模式自該第一模式改變為該第二模式， <br/>該第二模式包括一等待模式及一啟動模式，且 <br/>若該控制器在該第二模式中偵測到該輸入資訊之中斷，則該控制器經組態以將該模式自該等待模式改變為該啟動模式。
一種中空構造體的製造方法，其是由凹部，與封堵該凹部的開口面的頂板部形成的中空構造體的製造方法，且具有下述步驟： <br/> 步驟(0)，準備在表面具有凹部的基板與感光性阻劑膜，該感光性阻劑膜具有：含有含環氧基的樹脂(A)及因曝光而產生酸的光起始劑(I)的負型感光性樹脂膜； <br/> 步驟(i)，以前述感光性阻劑膜的感光性樹脂膜表面封堵前述基板中的前述凹部的開口面的方式，配置前述感光性阻劑膜； <br/> 步驟(ii)，在前述步驟(i)後，將前述感光性樹脂膜曝光； <br/> 步驟(iii)，對所述步驟(ii)後的前述感光性樹脂膜進行加熱處理； <br/> 步驟(iv)，在所述步驟(iii)後，將前述感光性樹脂膜顯影，形成負型圖型；與 <br/> 步驟(v)，針對前述步驟(iv)後的前述負型圖型，進一步進行加熱處理，藉此使其硬化，得到前述頂板部係由前述感光性樹脂膜的硬化體形成的中空構造體； <br/> 其中，藉由照射紫外線後，於100℃以上的溫度進行加熱的操作(y)，來進行前述步驟(v)中的加熱處理； <br/> 前述含環氧基的樹脂(A)包含下述通式(A1)表示的樹脂(A1)， <br/> 前述光起始劑(I)包含選自由下述通式(I1)表示的化合物、及下述通式(I2)表示的化合物所成群的1種以上； <br/><img align="absmiddle" height="694px" width="905px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>p1</sup>及R<sup>p2</sup>各自獨立地為氫原子或碳原子數為1～5的烷基；複數個R<sup>p1</sup>相互可以相同也可以不同；複數個R<sup>p2</sup>相互可以相同也可以不同；n<sub>1</sub>為1～5的整數；R<sup>EP</sup>為含環氧基的基；複數個R<sup>EP</sup>相互可以相同也可以不同； <br/><img align="absmiddle" height="275px" width="1175px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>b01</sup>～R<sup>b04</sup>各自獨立地為可以具有取代基的芳基、或氟原子；R<sup>b05</sup>為可以具有取代基的氟化烷基、或氟原子；複數個R<sup>b05</sup>相互可以相同也可以不同；q為1以上的整數，Q<sup>q+</sup>各自獨立地為q價有機陽離子。
如請求項1之中空構造體的製造方法，其中，作為前述操作(y)，進行下述操作：照射1000～10000 mJ/cm<sup>2</sup>紫外線後，於160℃以上的溫度加熱30分鐘以上。
一種中空構造體的製造方法，其是由凹部，與封堵該凹部的開口面的頂板部形成的中空構造體的製造方法，且具有下述步驟： <br/> 步驟(0)，準備在表面具有凹部的基板與感光性阻劑膜，該感光性阻劑膜具有：含有含環氧基的樹脂(A)及因曝光而產生酸的光起始劑(I)的負型感光性樹脂膜； <br/> 步驟(i)，以前述感光性阻劑膜的感光性樹脂膜表面封堵前述基板中的前述凹部的開口面的方式，配置前述感光性阻劑膜； <br/> 步驟(ii)，在前述步驟(i)後，將前述感光性樹脂膜曝光； <br/> 步驟(iii)，對所述步驟(ii)後的前述感光性樹脂膜進行加熱處理； <br/> 步驟(iv)，在所述步驟(iii)後，將前述感光性樹脂膜顯影，形成負型圖型；與 <br/> 步驟(v)，針對前述步驟(iv)後的前述負型圖型，進一步進行加熱處理，藉此使其硬化，得到前述頂板部係由前述感光性樹脂膜的硬化體形成的中空構造體； <br/> 其中，藉由於50℃以上且125℃以下的溫度加熱10分鐘以上後，進一步於160℃以上的溫度加熱30分鐘以上的操作，來進行前述步驟(v)中的加熱處理； <br/> 前述含環氧基的樹脂(A)包含下述通式(A1)表示的樹脂(A1)， <br/> 前述光起始劑(I)包含選自由下述通式(I1)表示的化合物、及下述通式(I2)表示的化合物所成群的1種以上； <br/><img align="absmiddle" height="694px" width="905px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>p1</sup>及R<sup>p2</sup>各自獨立地為氫原子或碳原子數為1～5的烷基；複數個R<sup>p1</sup>相互可以相同也可以不同；複數個R<sup>p2</sup>相互可以相同也可以不同；n<sub>1</sub>為1～5的整數；R<sup>EP</sup>為含環氧基的基；複數個R<sup>EP</sup>相互可以相同也可以不同； <br/><img align="absmiddle" height="275px" width="1175px" file="ed10041.jpg" alt="ed10041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>b01</sup>～R<sup>b04</sup>各自獨立地為可以具有取代基的芳基、或氟原子；R<sup>b05</sup>為可以具有取代基的氟化烷基、或氟原子；複數個R<sup>b05</sup>相互可以相同也可以不同；q為1以上的整數，Q<sup>q+</sup>各自獨立地為q價有機陽離子。
一種中空封裝體的製造方法，其具有下述步驟：藉由密封材料將藉由如請求項1～3中任一項之製造方法所製造的中空構造體密封從而得到中空封裝體的步驟。
一種菸鹼乙醯膽鹼受體(nicotinic acetylcholine receptor；nAChR)促效劑或其醫藥學上可接受之鹽於製備藥劑之用途，其中該藥劑係用於抑制有需要個體中冠狀病毒感染，其中該nAChR促效劑為伐侖克林(varenicline)，其中該用途包含局部投與該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽至該有需要個體之呼吸道中，且進一步包含局部投與銅之醫藥學上可接受之鹽至該有需要個體之呼吸道中。
如請求項1之用途，其中該冠狀病毒為SARS-CoV-2或SARS-CoV-1。
如請求項1或2之用途，其中該局部投與係至上呼吸道。
如請求項3之用途，其中該局部投與係至鼻腔。
如請求項1或2之用途，其中該局部投與係至咽、支氣管、肺臟、口腔黏膜或前述之組合。
如請求項1或2之用途，其中該局部投與係至下呼吸道。
如請求項1或2之用途，其中該局部投與係至上呼吸道及下呼吸道兩者。
如請求項1或2之用途，其中投與至該鼻腔中係經由鼻用噴霧或鼻用噴霧器。
如請求項1或2之用途，其中局部投與係經由吸入器或噴霧器。
如請求項1或2之用途，其中係向該個體投與每劑量5至4000 μg該nAChR促效劑或其對應量的醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係以用於經鼻投與之醫藥調配物形式投與，該醫藥調配物包含介於1 mg/mL與40 mg/mL之間的nAChR促效劑或其對應量的醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的劑量係以用於局部呼吸道投與之醫藥調配物形式投與，且向該個體每劑量投與具有該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的醫藥調配物之總體積為50 μL至250 μL。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的劑量係以用於經鼻投與之醫藥調配物形式投與，且向該個體每鼻孔投與具有該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的醫藥調配物之總體積為50 μL至250 μL。
如請求項1或2之用途，其中每劑量該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係向兩個鼻孔投與。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係投與至少28天。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係投與至少3個月。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係向有需要受試者投與每日一至六次。
如請求項1或2之用途，其中所投與之nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的量不是全身性生物可利用性的。
如請求項1或2之用途，其中該用途不會導致不希望得到的全身性副作用。
如請求項1或2之用途，其中該用途不會導致不希望得到的精神性副作用。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係以醫藥調配物形式投與，其中該調配物為液體、懸浮液、氣溶膠、凝膠、軟膏、乾粉、乳霜、糊劑、香膏或鼻用噴霧。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽係以藉由注射器、滴管、瓶噴霧器、霧化泵、吸入器、粉末噴霧裝置、汽化器、貼片、藥棒、吸管、液體噴射器或鼻用噴霧瓶投與至鼻腔中之醫藥調配物形式投與。
如請求項1或2之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽的劑量係在可能暴露之時間段期間每2至5小時投與一次。
如請求項1之用途，其中該銅之醫藥學上可接受之鹽為氯化銅或硫酸銅。
如請求項24之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽及該銅之醫藥學上可接受之鹽係單獨地向該有需要個體投與。
如請求項24之用途，其中該nAChR促效劑或其醫藥學上可接受之鹽及該銅之醫藥學上可接受之鹽係以經組合之醫藥調配物形式向該有需要個體投與。
如請求項24或25之用途，其中該銅之醫藥學上可接受之鹽係以醫藥調配物形式向該有需要個體投與，該醫藥調配物包含濃度對應至0.001 μM與500 μM之間的該銅之醫藥學上可接受之鹽。
一種醫藥調配物，其包含菸鹼乙醯膽鹼受體(nAChR)促效劑或其醫藥學上可接受之鹽及銅之醫藥學上可接受之鹽，其中該nAChR促效劑為伐侖克林(varenicline)。
如請求項28之醫藥調配物，其包含氯化銅或硫酸銅。
如請求項28或29之醫藥調配物，其包含濃度對應至0.001 μM與500 μM之間的銅之醫藥學上可接受之鹽。
如請求項28或29之醫藥調配物，其每劑量包含5至4000 μg該nAChR促效劑或其對應量的醫藥學上可接受之鹽。
如請求項28或29之醫藥調配物，包含其中該nAChR促效劑濃度介於1 mg/mL與40 mg/mL之間或其對應量的醫藥學上可接受之鹽。
如請求項28或29之醫藥調配物，其中該醫藥調配物含於鼻用噴霧瓶或鼻用噴霧器中。
如請求項28或29之醫藥調配物，其中該醫藥調配物為液體。
如請求項28或29之醫藥調配物，其中該醫藥調配物不含防腐劑。
一種電子裝置，包括：由複數個外殼支撐的像素部；感測器部；以及識別部，其中，該像素部包括顯示元件和受光元件，該像素部包括第一區域，該像素部係配置成點亮該顯示元件，該顯示元件係設置在該第一區域，該像素部係配置成使用該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊，該感測器部包括第二區域，該感測器部係配置成拍攝接觸該第二區域的物件的影像而取得第二識別資訊，該識別部係配置成使用該第一識別資訊而進行第一識別處理，該識別部係配置成使用該第二識別資訊而進行第二識別處理，該第一區域係設置為不與該第二區域重疊，該感測器部為超聲波式感測器，以及其中，該像素部係配置成在第三區域和第四區域中彎曲。
一種電子裝置，包括：像素部；感測器部；以及識別部，其中，該像素部包括顯示元件和受光元件，該像素部包括第一區域，該像素部係配置成點亮該顯示元件，該顯示元件係設置在該第一區域，該像素部係配置成使用該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊，該感測器部包括第二區域，該感測器部係配置成拍攝接觸該第二區域的物件的影像而取得第二識別資訊，該識別部係配置成使用該第一識別資訊而進行第一識別處理，該識別部係配置成使用該第二識別資訊而進行第二識別處理，該第一區域係設置為不與該第二區域重疊，以及其中，該感測器部為超聲波式感測器。
一種電子裝置，包括：像素部；感測器部；以及識別部，其中，該像素部包括顯示元件和受光元件，該像素部包括第一區域，該像素部係配置成點亮該顯示元件，該顯示元件係設置在該第一區域，該像素部係配置成使用該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊，該感測器部包括第二區域，該感測器部係配置成拍攝接觸該第二區域的物件的影像而取得第二識別資訊，該識別部係配置成使用該第一識別資訊而進行第一識別處理，該識別部係配置成使用該第二識別資訊而進行第二識別處理，該第二區域與該像素部係設置在相同的面上，該第一區域係設置為不與該第二區域重疊，以及其中，該感測器部為超聲波式感測器。
一種電子裝置，包括：像素部；感測器部；以及識別部，其中，該像素部包括顯示元件和受光元件，該像素部包括第一區域，該像素部係配置成點亮該顯示元件，該顯示元件係設置在該第一區域，該像素部係配置成使用該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊，該感測器部包括第二區域，該感測器部係配置成拍攝接觸該第二區域的物件的影像而取得第二識別資訊，該識別部係配置成使用該第一識別資訊而進行第一識別處理，該識別部係配置成使用該第二識別資訊而進行第二識別處理，以及其中，在與該像素部相對的面上設置該第二區域。
一種電子裝置，包括：像素部；感測器部；以及識別部，其中，該像素部包括顯示元件和受光元件，該像素部包括第一區域，該像素部係配置成點亮該顯示元件，該顯示元件係設置在該第一區域，該像素部係配置成使用該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊，該感測器部包括第二區域，該感測器部係配置成拍攝接觸該第二區域的物件的影像而取得第二識別資訊，該識別部係配置成使用該第一識別資訊而進行第一識別處理，該識別部係配置成使用該第二識別資訊而進行第二識別處理，該第一區域具有與該第二區域重疊的區域，以及其中，該感測器部為超聲波式感測器。
一種電子裝置的識別方法，該電子裝置包括：像素部，其包括顯示元件和受光元件；感測器部；以及識別部，其中，該識別方法包括如下步驟：該像素部點亮設置在第一區域的該顯示元件的步驟；該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊的步驟；該識別部利用該第一識別資訊而進行第一識別處理的步驟；該感測器部拍攝接觸該感測器部的物件的影像而取得第二識別資訊的步驟；以及該識別部利用該第二識別資訊而進行第二識別處理的步驟，該感測器部係設置為不與該受光元件重疊，以及其中，該感測器部為超聲波式感測器。
一種電子裝置的識別方法，該電子裝置包括：像素部，其包括複數個顯示元件、受光元件以及觸控感測器；感測器部；以及識別部，其中，該識別方法包括如下步驟：該觸控感測器檢測接觸該像素部的物件的位置的步驟；該像素部點亮該位置及其附近的該複數個顯示元件中的第一顯示元件與該複數個顯示元件中的第二顯示元件的步驟；該受光元件拍攝接觸該像素部的物件的影像而取得第一識別資訊的步驟；該識別部利用該第一識別資訊而進行第一識別處理的步驟；該感測器部拍攝接觸該感測器部的物件的影像而取得第二識別資訊的步驟；以及該識別部利用該第二識別資訊而進行第二識別處理的步驟。
一種電子裝置的識別方法，該電子裝置包括：像素部，其包括顯示元件和受光元件；感測器部；以及識別部，其中，該識別方法包括如下步驟：該像素部點亮設置在第一區域的該顯示元件的步驟；該受光元件拍攝接觸該第一區域的物件的影像而取得第一識別資訊的步驟；該識別部利用該第一識別資訊而進行第一識別處理的步驟；該感測器部拍攝接觸該感測器部的物件的影像而取得第二識別資訊的步驟；以及該識別部利用該第二識別資訊而進行第二識別處理的步驟，該感測器部係設置為不與該受光元件重疊，以及其中，該感測器部為超聲波式感測器。
一種感光性組成物，包含聚合性化合物與光聚合起始劑， <br/>碳數2以上40以下，且係為醇化合物或苯酚化合物之羥基化合物之濃度為0.01ppm以上7000ppm以下， <br/>該聚合性化合物包括(甲基)丙烯酸酯化合物。
如請求項1之感光性組成物，其中，係為醇化合物或苯酚化合物之多羥基化合物之濃度為15ppm以上500ppm以下。
如請求項1或2之感光性組成物，其中，該聚合性化合物包括環氧化合物。
如請求項1或2之感光性組成物，其溶解氧濃度為0.1mg/L以上5mg/L以下。
如請求項1或2之感光性組成物，其水分濃度為1ppm以上50ppm以下。
如請求項1或2之感光性組成物，其黏度為3mPa・s以上50mPa・s以下。
如請求項1或2之感光性組成物，係有機電致發光元件密封用。
一種硬化物，係如請求項1至7中任一項之感光性組成物之硬化物。
一種有機電致發光顯示裝置，係利用如請求項8之硬化物將有機電致發光元件予以密封而成。
一種如請求項1至7中任一項之感光性組成物之製造方法， <br/>包括下列步驟： <br/>前處理步驟，將原料之聚合性化合物按以下(i)至(iii)中之至少任一的方法進行前處理；及， <br/>混合步驟，將經前處理步驟處理之聚合性化合物與光聚合起始劑混合； <br/>(i)將原料之聚合性化合物於10℃以上100℃以下、1000Pa以下之環境下進行10分鐘以上脫揮處理； <br/>(ii)將原料之聚合性化合物進行蒸餾； <br/>(iii)將原料之聚合性化合物以醯氯處理。
一種感光性組成物之製造方法，該感光性組成物包含聚合性化合物與光聚合起始劑， <br/>該感光性樹脂組成物中，碳數2以上40以下，且係為醇化合物或苯酚化合物之羥基化合物之濃度為0.01ppm以上12000ppm以下， <br/>包括下列步驟： <br/>前處理步驟，將原料之聚合性化合物按以下(iii)的方法進行前處理；及， <br/>混合步驟，將經前處理步驟處理之聚合性化合物與光聚合起始劑混合； <br/>(iii)將原料之聚合性化合物以醯氯處理。
一種先行投資型表演者支援系統，其係構成為可經由網路與視聽者終端進行通信者，且具備： <br/>現場直播部，其受限特定性配送表演； <br/>出資受理部，其於上述表演受限特定性配送之期間或上述受限特定性配送後之特定期間內，受理來自視聽了上述受限特定性配送之表演的視聽者之視聽者終端之如下申請，即，當上述受限特定性配送之表演之記錄資料之後以產生收益之態樣公開時對該收益之分紅權之購買申請； <br/>配送部，其預先將上述受限特定性配送之表演之記錄資料作為收益用內容而記錄於資料記憶部，自上述資料記憶部讀取上述收益用內容，並以產生收益之態樣於上述網路上公開；及 <br/>分紅決定部，其決定從藉由上述收益用內容公開而獲得之利益中對於分紅權之購買者之分紅；且 <br/>若存在複數個分紅權之購買者，上述分紅決定部基於各購買者之分紅權之持分比例而決定分紅； <br/>上述分紅權之持分比例係根據分紅權之購買代價而決定；其中 <br/>上述配送部收集對上述表演之評價用資料，於經過特定期間後，基於上述評價用資料，判斷上述表演是否滿足預先規定之評價基準，將未滿足評價基準之表演之記錄資料自上述資料記憶部刪除。
如請求項1之先行投資型表演者支援系統，其中上述收益為對於上述收益用內容公開之視聽費用或上述收益用內容公開時之廣告費用。
如請求項1之先行投資型表演者支援系統，其中上述分紅權為上述收益用內容之後以產生收益之態樣公開時賦予廣告之權利； <br/>若存在複數個分紅權之購買者，上述分紅決定部基於各購買者之分紅權之持分比例而決定廣告之出現頻率。
如請求項1至3中任一項之先行投資型表演者支援系統，其中表演由複數個表演者之群組發佈； <br/>上述出資受理部對群組內複數個表演者之各者個別地受理出資； <br/>上述分紅決定部基於對各個表演者之出資金額相對於對整個群組之出資總額之比例而決定分紅。
如請求項1至3中任一項之先行投資型表演者支援系統，其中上述出資受理部進行兩個階段拍賣而決定分紅權之購買者；且 <br/>上述兩個階段拍賣包含： <br/>第一階段拍賣，其自申請出資之視聽者中選擇第二階段拍賣之參加者；及 <br/>第二階段拍賣，其僅由第一階段拍賣中被選擇之參加者進行非公開拍賣而決定分紅權之購買者。
一種先行投資型表演者支援方法，其係藉由構成為可經由網路與視聽者終端進行通信之先行投資型表演者支援系統即電腦執行之方法，且包含如下步驟： <br/>受限特定性配送表演； <br/>於上述表演被受限特定性配送之期間或上述受限特定性配送後之特定期間內，受理來自視聽了上述受限特定性配送之表演的視聽者之視聽者終端之如下申請，即，當上述受限特定性配送之表演之記錄資料之後以產生收益之態樣公開時對該收益之分紅權之購買申請； <br/>預先將上述受限特定性配送之表演之記錄資料作為收益用內容而記錄於資料記憶部，自上述資料記憶部讀取上述收益用內容，並以產生收益之態樣於上述網路上公開； <br/>決定從藉由上述收益用內容公開而獲得之收益中對於分紅權之購買者之分紅；及 <br/>收集對上述表演之評價用資料，於經過特定期間後，基於上述評價用資料，判斷上述表演是否滿足預先規定之評價基準，將未滿足評價基準之表演之記錄資料自上述資料記憶部刪除；且 <br/>若存在複數個分紅權之購買者，基於各購買者之分紅權之持分比例而決定上述分紅； <br/>上述分紅權之持分比例係根據分紅權之購買代價而決定。
一種電腦可讀取之程式，其係用以使構成為可經由網路與視聽者終端進行通信之先行投資型表演者支援系統即電腦執行如下步驟之電腦可讀取之程式： <br/>受限特定性配送表演； <br/>於上述表演被受限特定性配送之期間或上述受限特定性配送後之特定期間內，受理來自視聽了上述受限特定性配送之表演的視聽者之視聽者終端之如下申請，即，當上述受限特定性配送之表演之記錄資料之後以產生收益之態樣公開時對該收益之分紅權之購買申請； <br/>預先將上述受限特定性配送之表演之記錄資料作為收益用內容而記錄於資料記憶部，自上述資料記憶部讀取上述收益用內容，並以產生收益之態樣於上述網路上公開； <br/>決定從藉由上述收益用內容公開而獲得之利益中對於分紅權之購買者之分紅；及 <br/>收集對上述表演之評價用資料，於經過特定期間後，基於上述評價用資料，判斷上述表演是否滿足預先規定之評價基準，將未滿足評價基準之表演之記錄資料自上述資料記憶部刪除；且 <br/>若存在複數個分紅權之購買者，基於各購買者之分紅權之持分比例而決定上述分紅； <br/>上述分紅權之持分比例係根據分紅權之購買代價而決定。
一種電腦可讀取之記憶媒體，其記憶有如請求項7之程式。
一種多元件模組（MCM），包括：<br/> 安裝在一基板的一頂表面上的一電子元件，該基板包括一接地層；及<br/> 一電磁干擾（EMI）遮罩件，其被佈置成毗鄰於該基板的該頂表面並且鄰近於該電子元件，該EMI遮罩件包括：<br/> 毗鄰於該電子元件的一第一側的一遮罩蓋；及<br/> 一側壁結構，其被佈置成至少毗鄰於該電子元件的一第二側，該側壁結構包括：<br/> 一壁媒體；及<br/> 一垂直導體，其被佈置在該壁媒體之上和之內中的至少一者，並且被配置成將該遮罩蓋電耦合至該基板的該接地層，<br/> 其中：<br/> 該遮罩蓋包括與該基板的該頂表面平行地延伸的一導電層，該導電層毗鄰於該電子元件和該側壁結構；<br/> 該側壁結構在與該基板的該頂表面正交的一方向上在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間延伸；<br/> 該壁媒體的在其上佈置有該導電材料的該表面包括一側壁的至少一半圓柱體表面，該至少一半圓柱體表面具有延伸穿過該壁媒體的一厚度的一縱軸；以及<br/> 佈置在該壁媒體上的該垂直導體進一步包括佈置在該半圓柱體表面上且在該表面與該電子元件之間的一半圓柱體導電層。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該垂直導體的一第一端部電耦合至該遮罩蓋；並且<br/> 該垂直導體的一第二端部電耦合至該基板的該接地層。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中該側壁結構在該電子元件的在一第一方向上延伸的該第一側以及該電子元件的在與該第一方向正交的一第二方向上延伸的該第二側連續延伸。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該側壁結構圍繞該電子元件延伸，以在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間形成一外殼；並且<br/> 該遮罩蓋進一步包括開口，一模製化合物能經由該等開口來佈置在該外殼中。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該側壁結構圍繞該電子元件延伸，以在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間形成一外殼；並且<br/> 該外殼在該電子元件周圍形成一空隙。
如請求項5之多元件模組(MCM)，其中該遮罩蓋的該導電層包括一第一導電層，並且該遮罩蓋進一步包括一第二導電層，該第二導電層在該第一導電層下方並且具有比該第一導電層高的一電導率。
如請求項5之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該遮罩蓋的該導電層是一第一導電層；<br/> 該遮罩蓋進一步包括在該電子元件上方的一散熱層；並且<br/> 該MCM進一步包括除空氣和一模製化合物之外的用於將該電子元件熱耦合至該散熱層的一物質。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中該遮罩蓋的該導電層是佈置在該MCM的一頂表面上的一金屬鈍化層。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該遮罩蓋的該導電層是一第一導電層；<br/> 該遮罩蓋進一步包括至少包含一第二導電層和一絕緣材料的一基板；並且<br/> 配置成電耦合該遮罩蓋的該垂直導體被電耦合至該第二導電層。
如請求項9之多元件模組(MCM)，進一步包括：一第二電子元件，其被佈置在該遮罩蓋的處於由該EMI遮罩件形成的一外殼內的一表面上。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該側壁結構的該壁媒體進一步包括一絕緣材料；並且<br/> 該側壁結構進一步包括被包圍在該絕緣材料內的一電感器和用於佈線的一導體跡線中的一者，並且被配置成電耦合至該MCM中的一電子元件。
如請求項1之多元件模組(MCM)，進一步包括：一第二電子元件和一第二側壁結構，該第二側壁結構被佈置成毗鄰於該第二電子元件。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該基板進一步包括：<br/> 與該頂表面相對的一底表面；及<br/> 在該底表面上的底部觸點，該等底部觸點被配置成將該MCM耦合至一外部電路；並且<br/> 該MCM進一步包括佈置在該基板的該底表面上的一壁結構，該壁結構包括：<br/> 一第二壁媒體；及<br/> 佈置在該第二壁媒體之上和之內中的至少一者的一垂直導體，該垂直導體電耦合至該等底部觸點。
如請求項13之多元件模組(MCM)，進一步包括安裝在該基板的該底表面上的一第二電子元件。
如請求項1之多元件模組(MCM)，其被整合到選自包括以下各項的一群組的一設備中：一機上盒、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一固定位置資料單元、一行動位置資料單元、一全球定位系統（GPS）設備、一行動電話、一蜂巢式電話、一智慧型電話、一通信期啟動協定（SIP）電話、一平板設備、一平板手機、一伺服器、一電腦、一可攜式電腦、一行動計算設備、一可穿戴計算設備、一桌上型電腦、一個人數位助理（PDA）、一監視器、一電腦監視器、一電視機、一調諧器、一無線電、一衛星無線電、一音樂播放機、一數位音樂播放機、一可攜式音樂播放機、一數位視訊播放機、一視訊播放機、一數位視訊光碟（DVD）播放機、一可攜式數位視訊播放機、一汽車、一車載元件、航空電子系統、一無人機，以及一多旋翼飛行器。
一種製造一多元件模組（MCM）的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 佈置毗鄰於一基板的一頂表面並且毗鄰於在該基板的該頂表面上的一電子元件的一遮罩結構，該遮罩結構包括一側壁結構，該側壁結構包括：<br/> 一壁媒體；及<br/> 佈置在該壁媒體之上和之內中的至少一者的一垂直導體，該垂直導體的一底端部被配置成電耦合至該基板中的一接地層；<br/> 在該基板的該頂表面上佈置一模製化合物；及<br/> 在該MCM的一頂表面上佈置一導電層，該導電層電耦合至該垂直導體的一頂端部以形成一電磁干擾（EMI）遮罩件的一遮罩蓋的至少一部分；<br/> 製造該側壁結構，製造該側壁結構之步驟包括以下步驟：<br/> 在一未整形壁媒體的一底表面上佈置與該側壁結構的一形狀相對應的一底部導電層；<br/> 根據該底部導電層的一形狀來對該未整形壁媒體進行整形以形成該側壁結構；<br/> 在該壁媒體之上和之內中的至少一者佈置該垂直導體，該垂直導體在與一長度方向和一寬度方向正交的一高度方向上在該壁媒體的一底表面上的該底部導電層與該壁媒體的一頂表面之間延伸以將該垂直導體電耦合至該底部導電層；<br/> 在該壁媒體的該高度方向上在該壁媒體中形成一孔；並且<br/> 在該壁媒體上佈置該垂直導體之步驟進一步包括以下步驟：在該壁媒體中的該孔的一側表面上佈置一導電材料以形成一半圓柱形導體。
如請求項16之方法，其中佈置毗鄰於該電子元件的該遮罩結構之步驟進一步包括以下步驟：將該側壁結構放置在該基板的該頂表面上以使得該壁媒體上的該底部導電層被佈置在電耦合至該接地層的一觸點上。
如請求項16之方法，進一步包括以下步驟：將該模製化合物的一厚度減小到高於該基板的該頂表面以形成包括該側壁結構的一頂表面的一平坦表面。
如請求項18之方法，其中在該基板的該頂表面上佈置該模製化合物之步驟進一步包括以下步驟：經由壓縮模製或轉移模製來佈置該模製化合物。
如請求項16之方法，該方法進一步包括以下步驟：在該基板與該頂表面相對的一底表面上佈置一壁結構，該壁結構包含：<br/> 一第二壁媒體；以及<br/> 佈置在該第二壁媒體之上和之內中的至少一者的一第二垂直導體，該第二垂直導體耦合至在該基板的該底表面上的一觸點並且被配置成將該MCM耦合至一外部電路。
如請求項20之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該基板的該底表面上佈置一第二電子元件。
一種製造一多元件模組（MCM）的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 佈置毗鄰於一基板的一頂表面並且毗鄰於在該基板的該頂表面上的一電子元件的一遮罩結構，該遮罩結構包括一側壁結構，該側壁結構包括：<br/> 一壁媒體；及<br/> 佈置在該壁媒體之上和之內中的至少一者的一垂直導體，該垂直導體的一底端部被配置成電耦合至該基板中的一接地層；<br/> 在該基板的該頂表面上佈置一模製化合物；及<br/> 在該MCM的一頂表面上佈置一導電層，該導電層電耦合至該垂直導體的一頂端部以形成一電磁干擾（EMI）遮罩件的一遮罩蓋的至少一部分；<br/> 製造該側壁結構，製造該側壁結構之步驟包括以下步驟：<br/> 在一未整形壁媒體的一底表面上佈置與該側壁結構的一形狀相對應的一底部導電層；<br/> 根據該底部導電層的一形狀來對該未整形壁媒體進行整形以形成該側壁結構；<br/> 在該壁媒體之上和之內中的至少一者佈置該垂直導體，該垂直導體在與一長度方向和一寬度方向正交的一高度方向上在該壁媒體的一底表面上的該底部導電層與該壁媒體的一頂表面之間延伸以將該垂直導體電耦合至該底部導電層；<br/> 形成該EMI遮罩件的該遮罩結構之步驟進一步包括以下步驟：形成一遮罩載體，以及將該壁媒體的該頂表面耦合至該遮罩載體；並且<br/> 對該未整形壁媒體進行整形之步驟進一步包括以下步驟：從該遮罩載體解耦該未整形壁媒體的未在其上佈置該底部導電層的各部分。
如請求項22之方法，其中佈置毗鄰於該基板的該頂表面並且毗鄰於該電子元件的該遮罩結構之步驟進一步包括以下步驟：在該基板的該頂表面上佈置該遮罩結構，該遮罩結構包括耦合至該遮罩載體的該側壁結構。
如請求項23之方法，進一步包括以下步驟：經由該遮罩載體中的開口來將該模製化合物佈置在該基板的該頂表面上。
如請求項24之方法，進一步包括以下步驟：經由該側壁結構中的開口來將該模製化合物佈置在該基板的該頂表面上。
如請求項22之方法，進一步包括以下步驟：在與該基板的該頂表面正交的一方向上將該遮罩載體的一厚度減薄。
如請求項26之方法，其中在與該基板的該頂表面正交的該方向上將該遮罩載體減薄之步驟進一步包括以下步驟：完全移除該遮罩載體。
如請求項26之方法，其中：<br/> 該遮罩載體包括具有一第一厚度的一導熱層，並包括佈置在該電子元件上方的具有比該第一厚度大的一第二厚度的一更厚區段；並且<br/> 將該遮罩載體減薄之步驟包括以下步驟：將該遮罩載體至少減薄該第一厚度，並留下該遮罩載體的包括佈置在該電子元件上方的該更厚區段的一部分，以提供用於該電子元件的一散熱器。
如請求項26之方法，其中：<br/> 該遮罩載體包括耦合至佈置在該電子元件上方的一散熱器的一基板；並且<br/> 將該遮罩載體減薄之步驟包括以下步驟：移除該基板，並留下佈置在該電子元件上方的該散熱器的至少一部分。
如請求項22之方法，其中該遮罩載體包括該遮罩蓋的在該MCM的該頂表面上的至少一部分。
如請求項30之方法，進一步包括以下步驟：在該基板的該頂表面上佈置該模製化合物，其中由該EMI遮罩件在該電子元件上方形成的一外殼防止將該模製化合物佈置在該外殼內。
如請求項30之方法，其中：<br/> 製造該MCM之步驟進一步包括以下步驟：在該遮罩載體的一底表面上將該遮罩蓋鐳射雕刻到與一鐳射停止層相對應的一最大深度。
如請求項30之方法，其中：<br/> 佈置毗鄰於該電子元件的該遮罩結構之步驟進一步包括以下步驟：在該電子元件上方佈置一上基板，該上基板包括至少一個導電層和一絕緣材料；及<br/> 將該遮罩蓋電耦合至該側壁結構中的該垂直導體的該頂端部之步驟進一步包括以下步驟：將該垂直導體的該頂端部電耦合至在該上基板的一表面上的一觸點。
如請求項22之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該電子元件上佈置一導熱材料以將該電子元件熱耦合至該遮罩載體。
一種多元件模組（MCM），包括：<br/> 安裝在一基板的一頂表面上的一電子元件，該基板包括一接地層；及<br/> 一電磁干擾（EMI）遮罩件，其被佈置成毗鄰於該基板的該頂表面並且鄰近於該電子元件，該EMI遮罩件包括：<br/> 毗鄰於該電子元件的一第一側的一遮罩蓋；及<br/> 一側壁結構，其被佈置成至少毗鄰於該電子元件的一第二側，該側壁結構包括：<br/> 一壁媒體；及<br/> 一垂直導體，其被佈置在該壁媒體之上和之內中的至少一者，並且被配置成將該遮罩蓋電耦合至該基板的該接地層，其中：<br/> 該遮罩蓋包括與該基板的該頂表面平行地延伸的一導電層，該導電層毗鄰於該電子元件和該側壁結構； <br/> 該側壁結構在與該基板的該頂表面正交的一方向上在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間延伸；<br/> 該側壁結構圍繞該電子元件延伸以在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間形成一外殼；以及<br/> 該外殼形成圍繞該電子元件的一空隙。
如請求項35之多元件模組(MCM)，其中該遮罩蓋的該導電層包括一第一導電層，並且該遮罩蓋進一步包括一第二導電層，該第二導電層在該第一導電層下方並且具有比該第一導電層高的一電導率。
如請求項35之多元件模組(MCM)，其中：<br/> 該遮罩蓋的該導電層是一第一導電層；<br/> 該遮罩蓋進一步包括在該電子元件上方的一散熱層；並且<br/> 該MCM進一步包括除空氣和一模製化合物之外的用於將該電子元件熱耦合至該散熱層的一物質。
一種多元件模組（MCM），包括：<br/> 安裝在一基板的一頂表面上的一電子元件，該基板包括一接地層；及<br/> 一電磁干擾（EMI）遮罩件，其被佈置成毗鄰於該基板的該頂表面並且鄰近於該電子元件，該EMI遮罩件包括：<br/> 毗鄰於該電子元件的一第一側的一遮罩蓋；及<br/> 一側壁結構，其被佈置成至少毗鄰於該電子元件的一第二側，該側壁結構包括：<br/> 一壁媒體；及<br/> 一垂直導體，其被佈置在該壁媒體之上和之內中的至少一者，並且被配置成將該遮罩蓋電耦合至該基板的該接地層，其中：<br/> 該遮罩蓋包括與該基板的該頂表面平行地延伸的一導電層，該導電層毗鄰於該電子元件和該側壁結構； <br/> 該側壁結構在與該基板的該頂表面正交的一方向上在該基板的該頂表面與該遮罩蓋之間延伸；<br/> 該遮罩蓋的的該導電層是一第一導電層；<br/> 該遮罩蓋進一步包含一基板，該基板包含至少一第二導電層與一絕緣材料；以及<br/> 該垂直導體經配置以將該遮罩蓋電耦合至該第二導電層。
一種真空系統(1)，其包括： <br/>一真空泵(3)； <br/>一熱交換器(7)，其用於接收一傳熱流體，該傳熱流體包括一氣體； <br/>一控制閥(9)，其用於控制該傳熱流體至該熱交換器(7)之供應；及 <br/>一閥控制器(31)，其用於控制該控制閥(9)之操作，該閥控制器(31)包括具有用於接收指示該真空泵(3)之一操作狀態之一信號之至少一輸入之至少一電子處理器， <br/>其中該熱交換器(7)熱耦合至該真空泵(3)且可操作以自該真空泵(3)吸收熱能， <br/>其中該控制閥(9)可操作以選擇性地旁通該熱交換器(7)， <br/>其中該閥控制器(31)經組態以選擇性地致動該控制閥(9)以減少該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應以減少自該真空泵(3)吸收之熱能。
如請求項1之真空系統(1)，其包括用於將該傳熱流體自該熱交換器(7)引入至該真空泵(3)及/或該真空泵(3)之一排氣裝置中之至少一端口(29)。
如請求項2之真空系統(1)，其包括用於加熱該傳熱流體之一氣體加熱器(11)，該氣體加熱器(11)安置於該熱交換器(7)與該端口(29)之間。
如請求項1之真空系統(1)，其中該閥控制器(31)經組態以選擇性地致動該控制閥(9)以取決於指示該真空泵(3)在一低負載條件下操作之該信號來減少該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應。
如請求項1之真空系統(1)，其中該閥控制器(31)經組態以選擇性地致動該控制閥(9)以增加該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應以增加自該真空泵(3)吸收之熱能。
如請求項1之真空系統(1)，其中該閥控制器(31)經組態以選擇性地致動該控制閥(9)以取決於指示該真空泵(3)在一高負載條件下操作之該信號來增加該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應。
如請求項1至3中任一項之真空系統(1)，其包括熱耦合至該熱交換器(7)且可選擇性地操作以自該熱交換器(7)吸收熱能之一冷卻塊(39)；該冷卻塊(39)經組態以接收一冷卻劑，其中該冷卻劑包括一液體。
如請求項7之真空系統(1)，其中該冷卻塊(39)具有用於輸送該冷卻劑之一入口及一出口。
如請求項7之真空系統(1)，其包括用於控制該冷卻劑至該冷卻塊(39)之一供應之一冷卻塊控制器(31)，該冷卻塊控制器(31)經組態以取決於該熱交換器(7)之該溫度大於或等於一預定溫度臨限值之一判定來供應冷卻劑。
如請求項7之真空系統(1)，其中該熱交換器(7)及該冷卻塊(39)可彼此獨立地操作。
一種操作一真空系統(1)之方法，該真空系統(1)包括一真空泵(3)、自該真空泵(3)吸收熱能之一熱交換器(7)、及一控制閥(9)，該熱交換器(7)經組態以接收一傳熱流體，及該控制閥(9)可操作以選擇性地旁通該熱交換器(7)以控制該傳熱流體至該熱交換器(7)之供應； <br/>其中該傳熱流體包括一沖洗氣體，且該方法包括選擇性地將該傳熱流體自該熱交換器(7)供應至該真空泵(3)或該真空泵(3)之一排氣裝置中，且該方法包括： <br/>接收指示該真空泵(3)之一操作狀態之一信號； <br/>選擇性地致動該控制閥(9)以減少該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應，以減少自該真空泵(3)吸收之熱能。
如請求項11之方法，其包括取決於該真空泵(3)之一或多個操作參數來控制該傳熱流體至該熱交換器(7)之該供應。
如請求項12之方法，其包括取決於該真空泵(3)具有大於或等於一預定臨限值之操作溫度之一判定而將該傳熱流體供應至該熱交換器(7)。
一種控制器(31)，其用於控制一真空系統(1)之操作，該控制器(31)包括至少一電子處理器(33)及一記憶體(35)，其中一組指令儲存於該記憶體(35)中；且，當執行時，該等指令引起該控制器(31)實施如請求項11至13中任一項之方法。
一種硬質表面用清潔劑組合物，其含有界面活性劑、金屬螯合劑及水，且 <br/>作為界面活性劑，含有(a)選自陽離子界面活性劑[以下稱為(a1)成分]及氧化胺型界面活性劑[以下稱為(a2)成分]中之1種以上之界面活性劑[以下稱為(a)成分]、及(b)聚氧伸烷基單烷基或烯基醚[以下稱為(b)成分]， <br/>(a)成分及(b)成分之合計含量相對於界面活性劑之合計含量之比率為50質量%以上， <br/>(a)成分之含量與(b)成分之含量之質量比(a)/(b)為0.2以上10以下， <br/>作為金屬螯合劑，含有(c)選自膦酸型金屬螯合劑及磷酸型金屬螯合劑中之1種以上之金屬螯合劑[以下稱為(c)成分]， <br/>該硬質表面用清潔劑組合物於25℃下之pH為5.5以上12以下。
如請求項1之硬質表面用清潔劑組合物，其中(a1)成分為下述通式(a1-1)所表示之化合物及下述通式(a1-2)所表示之化合物中之1種以上之陽離子界面活性劑， <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="302px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1a</sup>表示碳數8以上16以下之長鏈烷基、長鏈烯基或長鏈羥烷基，R<sup>2a</sup>、R<sup>3a</sup>及R<sup>4a</sup>相同或不同，分別表示碳數1以上3以下之烷基、碳數1以上3以下之羥烷基、或平均加成莫耳數10以下之聚氧伸乙基，Y<sup>-</sup>表示鹵素原子、或者碳數1以上5以下之磺酸酯或硫酸酯之陰離子殘基] <br/><img align="absmiddle" height="126px" width="382px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>5a</sup>表示碳數8以上16以下之長鏈烷基、長鏈烯基或長鏈羥烷基，R<sup>6a</sup>、R<sup>7a</sup>相同或不同，分別表示碳數1以上3以下之烷基、碳數1以上3以下之羥烷基、或平均加成莫耳數10以下之聚氧伸乙基，R<sup>8a</sup>表示碳數1以上3以下之伸烷基；Z<sup>-</sup>表示鹵素原子、或者碳數1以上5以下之磺酸酯或硫酸酯之陰離子殘基]。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其中作為界面活性劑，進而含有(d)兩性界面活性劑。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其中作為界面活性劑，任意含有(e)陰離子界面活性劑，且(e)陰離子界面活性劑之含量相對於(a)成分之含量為50質量%以下。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其進而含有(f)水溶性溶劑。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其進而含有(g)增黏劑。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其含有(a1)成分及(a2)成分作為(a)成分，且(a1)成分之含量與(a2)成分之含量之質量比即(a1)/(a2)為0.1以上10以下。
如請求項1或2之硬質表面用清潔劑組合物，其中硬質表面係瓷磚、玻璃、不鏽鋼、塑膠或陶瓷。
一種硬質表面之清潔方法，其使如請求項1至8中任一項之硬質表面用清潔劑組合物與硬質表面接觸規定時間，其後用水洗滌硬質表面。
如請求項9之硬質表面之清潔方法，其中規定時間為1分鐘以上。
如請求項9或10之硬質表面之清潔方法，其中硬質表面係附著有水垢污漬及肥皂渣污漬之硬質表面。
一種具有式I的化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式， <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="95px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I) <br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>1-4</sub>氟烷基和C<sub>1-4</sub>烷基氧基； <br/>R<sup>2</sup>獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-4</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>氟烷基；並且 <br/>R<sup>3</sup>係H或C<sub>1-4</sub>烷基； <br/>R<sup>4</sup>係鹵素或C<sub>1-4</sub>烷基。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>1</sup>選自甲基、乙基、異丙基、環丙基、1,1-二氟乙基、1-氟乙基、三氟甲基、二氟甲基和甲氧基中的任一個。
如請求項2之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>1</sup>係甲基或乙基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>2</sup>選自H、氯、氟、甲基和二氟甲基中的任一個。
如請求項4之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>2</sup>係氟或甲基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>3</sup>係甲基或乙基。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>4</sup>選自氯、氟和甲基中的任一個。
如請求項7之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>4</sup>係氟。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中 R<sup>1</sup>係C<sub>1-4</sub>烷基，R<sup>2</sup>係鹵素，R<sup>3</sup>係C<sub>1-4</sub>烷基，R<sup>4</sup>係鹵素或C<sub>1-4</sub>烷基，或其藥學上可接受的鹽。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其係選自： <br/>5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(5-氯-2-乙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺<b>，</b><b> </b><br/>5-[4-[(5-氯-2-乙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氯-2-乙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氯-2-乙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[[5-氟-2-[(1S和1R)-1-氟乙基]-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[[5-氟-2-[(1S和1R)-1-氟乙基]-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氯-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氯-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氯-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[[2-(1,1-二氟乙基)-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-(二氟甲基)-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-(二氟甲基)-5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[[2-(二氟甲基)-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-甲氧基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲氧基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-甲氧基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[(5-氟-2-甲氧基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-乙基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>N-乙基-6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]吡啶-2-甲醯胺， <br/>N-乙基-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[[5-氟-3-側氧基-2-(三氟甲基)-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[[5-氟-3-側氧基-2-(三氟甲基)-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氯-5-[4-[[5-氟-3-側氧基-2-(三氟甲基)-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[[5-氟-3-側氧基-2-(三氟甲基)-4H-喹㗁啉-6-基]甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-異丙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-異丙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(5-氟-2-異丙基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-環丙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-6-氟-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-環丙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-環丙基-5-氟-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>5-[4-[(2-甲氧基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N,6-二甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-氟-5-[4-[(2-甲氧基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>6-(二氟甲基)-5-[4-[(2-甲氧基-5-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺和 <br/>6-(二氟甲基)-5-[4-[(2,5-二甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺， <br/>或其藥學上可接受的鹽或水合形式。<b> </b>
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其係： <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺、或其藥學上可接受的鹽或水合形式。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其係： <br/>6-氟-5-[4-[(5-氟-2-甲基-3-側氧基-4H-喹㗁啉-6-基)甲基]哌𠯤-1-基]-N-甲基-吡啶-2-甲醯胺。
一種藥物組成物，該藥物組成物包含如請求項1至12中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，以及至少一種藥學上可接受的稀釋劑、賦形劑或惰性載體。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，用於用作藥物。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，用於在癌症的治療中使用。
如請求項15之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中所述癌症的HR依賴性DNA DSB修復途徑有缺陷。
如請求項15之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞相對於正常細胞具有降低的或消除的藉由HR修復DNA DSB的能力。
如請求項15之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞具有BRCA1或BRCA2缺陷表型。
如請求項18之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞的BRCA1或BRCA2有缺陷。
如請求項16之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中該化合物係用於投與個體，所述個體對於編碼HR依賴性DNA DSB修復途徑的組分的基因中的突變係雜合的。
如請求項20之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中該化合物係用於投與個體，所述個體對於<i>BRCA1</i>和/或<i>BRCA2</i>中的突變係雜合的。
如請求項15之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中該癌症選自乳癌、卵巢癌、胰臟癌、前列腺癌、血液癌、胃腸癌、肺癌和腦癌中的任一個。
一種如請求項1至12中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式之用途，其用於製備治療個體之癌症之藥物。
如請求項23之用途，其中所述癌症的HR依賴性DNA DSB修復途徑有缺陷。
如請求項23之用途，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞相對於正常細胞具有降低的或消除的藉由HR修復DNA DSB的能力。
如請求項24或25之用途，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞具有BRCA1或BRCA2缺陷表型。
如請求項26之用途，其中所述癌症包含一種或多種癌細胞，該等癌細胞的BRCA1或BRCA2有缺陷。
如請求項24或25之用途，其中所述個體對於編碼HR依賴性DNA DSB修復途徑的組分的基因中的突變係雜合的。
如請求項28之用途，其中所述個體對於BRCA1和/或BRCA2中的突變係雜合的。
如請求項23或24之用途，其中該癌症選自乳癌、卵巢癌、胰臟癌、前列腺癌、血液癌、胃腸癌、肺癌和腦癌中的任一個。
如請求項1至3中任一項之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，用於在治療或預防其中PARP1的抑制係有益的疾病和病症中使用。
如請求項31之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中該疾病或病症係癌症。
如請求項32之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中該癌症選自乳癌、卵巢癌、胰臟癌、前列腺癌、血液癌、胃腸癌、肺癌和腦癌中的任一個。
如請求項1之化合物或其藥學上可接受的鹽或水合形式，其中R<sup>1</sup>獨立地選自H、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>1-4</sub>氟烷基和C<sub>1-4</sub>烷基氧基。
一種用於將二維材料之2D薄片插入至多孔基材之孔隙中的方法，包含：<br/> 提供一具有多個開放孔隙的多孔基材，其中至少部分孔隙含有氣體；<br/> 施用二維材料之撓性2D薄片之液相分散液至該多孔基材；<br/> 使前述多孔基材及前述液相分散液受到一真空狀態，從而將氣體從該等孔隙排出；<br/> 使該液相分散液被導入至該等孔隙中；及<br/> 從該等孔隙移除液體，從而將該等2D薄片留在該等孔隙中。
如請求項1之方法，其中，施用液相分散液包含將該多孔基材至少部分浸入分散液中。
如請求項1或2之方法，進一步包含：<br/> 將該多孔基材及該液相分散液圍入一壓力室；及<br/> 藉由自該壓力室抽出氣體來提供該真空狀態。
如請求項3之方法，進一步包含將氣體注入至該壓力室，從而提高該壓力室中的壓力。
如請求項3之方法，進一步包含從該壓力室中排出任何多餘的液相分散液及/或乘載液。
如請求項1之方法，其中移除液體包含使該多孔基材受到高溫及/或低壓。
如請求項1之方法，其中該2D薄片材料包含選自於由下列所組成之群組之至少一材料：G、GO、CrPS<sub>4</sub>、CrGeTe<sub>3</sub>、CrSiTe<sub>3</sub>、MnPSe<sub>3</sub>、ReSe<sub>2</sub>、Ta<sub>2</sub>NiS<sub>5</sub>、Ta<sub>2</sub>NiSe<sub>5</sub>、Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>、BN、ReS<sub>2</sub>、FeSe、GaSe、hMoS<sub>2</sub>、MoSe<sub>2</sub>、WS<sub>2</sub>、WSe<sub>2</sub>、CdPS<sub>3</sub>、HfS<sub>2</sub>、HfSe<sub>2</sub>、InSe、PtSe<sub>2</sub>、TiS<sub>3</sub>、PtS<sub>2</sub>、SnS<sub>2</sub>、TaSe<sub>2</sub>、TiS<sub>2</sub>、ZrS<sub>2</sub>、ZrSe<sub>2</sub>、MoTe<sub>2</sub>、NiS<sub>2</sub>、NiSe<sub>2</sub>、WTe<sub>2</sub>、Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>、GaTe、MnPS<sub>3</sub>、BiI<sub>3</sub>、V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、PdSe<sub>2</sub>、ZnPS<sub>3</sub>、MoO<sub>3</sub>、HfTe<sub>3</sub>、RuCl<sub>3</sub>、SnO、P、SnSe、NiPS<sub>3</sub>、C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、FePS<sub>3</sub> Ca<sub>2</sub>N、WO<sub>3</sub>、MoS<sub>2</sub>、Ge及Si。
如請求項1之方法，其中多孔基材包含至少一種材料，該材料係選自於以下述方式形成孔隙的材料之群組：<br/> 以晶體結構的固有特徵形成孔隙；<br/> 以無機凝膠或陶瓷形成孔隙；<br/> 以孔隙布料，例如織布布料、不織布料、針織布料或編結布料(braided textile)形成孔隙；<br/> 以多孔金屬氧化物或多孔玻璃形成孔隙，或<br/> 藉由植物組織或動物組織形成孔隙。
如請求項1之方法，其中該2D薄片包含石墨烯、氧化石墨烯或其等之2D衍生物。
如請求項1之方法，其中該2D薄片材料呈現一0.3至100 nm之平均厚度。
如請求項1之方法，其中該2D薄片材料以相應於0.01至40 g/dm<sup>3</sup>的量存在於液相分散液中。
如請求項1之方法，其中該2D薄片呈現0.1至0.5 µm<sup>2</sup>或0.5至100 µm<sup>2</sup>的平均薄片尺寸，且其中95%的2D薄片具有與前述平均薄片尺寸相差小於20%的薄片尺寸。
一種多孔複合材料，包含：<br/> 一多孔基材，包含圍著多個開放孔隙的固態材料；<br/> 多個撓性2D材料之2D薄片，該等2D薄片係分布於該多孔基材中；<br/> 其中至少有部分孔隙具有開口，該開口提供一通往各孔隙之受限流動路徑，且<br/> 其中該等2D薄片的尺寸使得該等2D薄片會藉由該等開口而被保留在該等孔隙中。
一種複合材料，包含：<br/> 一呈布料形式的基材，包含多個交錯且選擇性結合的纖維及/或紗線，<br/> 其中該纖維或紗線係獨立地被撓性2D材料薄片包覆。
如請求項14之複合材料，其中該布料係選自於由以下所構成之群組：織布布料、不織布料、編結布料或針織布料。
如請求項14或15之複合材料，其中該撓性2D材料係一導電性材料。
一種有機發光二極體(「OLED」)之表面改質電子傳輸層(「ETL」)，該ETL包含該ETL之含氮雜環與選自由環氧乙烷基環、氮雜環丙烷基環及硫雜環丙烷基環組成之群的視情況經取代之三員環中之一或多者之間的開環反應產物。
如請求項1之ETL，其中該含氮雜環為咪唑或啡啉。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該開環產物包含該視情況經取代之三員環之單體。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該開環產物包含該視情況經取代之三員環之二聚體。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該開環產物包含該視情況經取代之三員環之三聚體。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該開環產物包含該視情況經取代之三員環之四聚體。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該ETL基本上不含該ETL之該含氮雜環與該視情況經取代之三員環之間的聚合產物。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該ETL包含：ETL表面層，其包含該開環反應產物之表面層；及ETL主體層，其基本上不含該開環反應產物。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該OLED包含與該ETL直接接觸之陰極層，該陰極層包含鍵結至該ETL之該開環反應產物之金屬原子。
如請求項9之ETL，其中該ETL包含：ETL表面層，其包含該開環反應產物之表面層或雙層；及ETL主體層，其基本上不含該開環反應產物及該陰極層之金屬原子。
如請求項10之ETL，其中該開環反應產物在該ETL之該含氮雜環與視情況經取代之環氧乙烷基環之間。
如請求項11之ETL，其中該金屬原子係選自由鎂、鈣、鋁、銀、銅及其組合組成之群。
如請求項10之ETL，其中該開環反應產物在該ETL之該含氮雜環與視情況經取代之氮雜環丙烷基環之間。
如請求項13之ETL，其中該金屬原子係選自由金、銀及其組合組成之群。
如請求項10之ETL，其中該開環反應產物在該ETL之該含氮雜環與視情況經取代之硫雜環丙烷基環之間。
如請求項15之ETL，其中該金屬原子係選自由金、銀及其組合組成之群。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該含氮雜環為咪唑。
如請求項17之ETL，其中該咪唑包含2,2',2"-(1,3,5苯三基)-參(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(「TPBi」)。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該含氮雜環為啡啉。
如請求項19之ETL，其中該啡啉包含浴銅靈(「BCP」)或紅菲咯啉(「BPhen」)。
如請求項8之ETL，其中該表面層為單層或雙層。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中該ETL為約2至50nm厚。
如請求項22之ETL，其中該ETL為約2至10nm厚。
如請求項1至2中任一項之ETL，其中：該OLED包含與該ETL直接接觸之陰極層，該陰極層包含鍵結至該ETL之該開環反應產物之金屬原子；該ETL包含ETL表面層，其包含該開環反應產物之表面層或雙層，及ETL主體層，其基本上不含該開環反應產物及該陰極層之金屬原子；該ETL為約2至50nm厚；當該開環反應產物在該ETL之該含氮雜環與視情況經取代之環氧乙烷基環之間時，該金屬原子係選自由鎂、鈣、鋁、銀、銅及其組合組成之群；及當該開環反應產物在該ETL之該含氮雜環與視情況經取代之氮雜環丙烷基環或視情況經取代之硫雜環丙烷基環之間時，該金屬原子係選自由金、銀及其組合組成之群。
如請求項24之ETL，其中：該含氮雜環係選自由2,2',2"-(1,3,5苯三基)-參(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(「TPBi」)、浴銅靈(「BCP」)及紅菲咯啉(「BPhen」)組成之群；及該ETL為約2至10nm厚。
一種製備如請求項1至25中任一項之表面改質ETL之方法，其包含在開環反應中使該ETL之含氮雜環與視情況經取代之環氧乙烷基環、視情況經取代之氮雜環丙烷基環或視情況經取代之硫雜環丙烷基環接觸以形成該表面改質ETL。
如請求項26之方法，其中該含氮雜環為咪唑。
如請求項27之方法，其中該咪唑包含2,2',2"-(1,3,5苯三基)-參(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(「TPBi」)。
如請求項26之方法，其中該含氮雜環為啡啉。
如請求項29之方法，其中該啡啉包含浴銅靈(「BCP」)或紅菲咯啉(「BPhen」)。
一種添加有食材之軟糖，係由食材、包含前述食材之中心質地部、及覆蓋前述中心質地部之外層質地部所構成；<br/>前述食材為固體或半固體，以下述食材測定方法所測定在品溫20℃的硬度為1050g以下；<br/>前述中心質地部及前述外層質地部為軟糖質地部；<br/>在品溫20℃之前述中心質地部的硬度相較於在品溫20℃之前述外層質地部的硬度相對較低；<br/>在品溫20℃，利用下述質地測定方法來測定之情形時，前述中心質地部的硬度為370g以下；在品溫20℃，前述外層質地部的硬度於利用下述質地測定方法來測定之情形時為150g至1100g；<br/>[食材測定方法]<br/>(1)將最長部分為10mm以下之粒狀、球狀或長方體狀，且每1個的質量為1g以下之測定試樣亦即食材固定於質構分析儀的試樣台，將前述品溫保持於20℃；<br/>(2)將測定對象之試樣中相對較平坦的面作為測定面，使前述質構分析儀的直徑0.9mm之圓柱狀的測定探針以1mm/sec之速度下降，使前述測定探針進入至前述食材的前述測定面之中心部附近的表面，於最大荷重5kg之範圍內測定荷重；<br/>(3)前述測定探針貫通前述食材的底面之後，使前述測定探針上升；<br/>[質地測定方法]<br/>(1)將成形為11mm之厚度且具有包含直徑11mm的圓之測定面的圓柱或長方體而成的成形物固定於質構分析儀的試樣台，將前述品溫保持於20℃；<br/>(2)使前述質構分析儀的直徑0.9mm之圓柱狀的測定探針以1mm/sec之速度下降，使前述測定探針進入至前述成形物的前述測定面之中心部附近的表面，於最大荷重5kg之範圍內測定荷重；<br/>(3)前述測定探針自前述成形物的前述表面進入14mm之後，使前述測定探針上升。
如請求項1所記載之添加有食材之軟糖，其中前述中心質地部的砂糖率較前述外層質地部的砂糖率高。
如請求項2所記載之添加有食材之軟糖，其中前述外層質地部的含水量較前述中心質地部的含水量多。
如請求項1或2所記載之添加有食材之軟糖，其中前述中心質地部的含水量相對於摒除前述食材以外之前述中心質地部整體為12質量%以下；<br/>前述中心質地部的水活性為0.7以下。
如請求項3所記載之添加有食材之軟糖，其中前述中心質地部的含水量相對於摒除前述食材以外之前述中心質地部整體為12質量%以下；<br/>前述中心質地部的水活性為0.7以下。
如請求項1或2所記載之添加有食材之軟糖，其中前述食材相對於前述中心質地部之含量為40質量%以下。
如請求項1或2所記載之添加有食材之軟糖，其中前述食材為凝膠狀食品組成物或乾燥果實。
一種儲存裝置，包括：<br/> 記憶體裝置，包括溫度感測器；以及<br/> 記憶體控制器：<br/> 從所述記憶體裝置獲取由所述溫度感測器在溫度管理週期感測的溫度資訊，<br/> 根據所述溫度資訊來執行性能限制操作，以降低所述儲存裝置的內部溫度，<br/> 推導出基於所述溫度資訊計算出的與每單位時間的溫度變化相對應的所述溫度管理週期，並且<br/> 透過使用當前溫度反映週期和歷史反映週期的算術平均值來更新所述溫度管理週期，<br/> 其中所述當前溫度反映週期是基於所述溫度資訊來確定，並且<br/> 其中所述歷史反映週期是基於從向所述儲存裝置施加電力之後執行所述性能限制操作的次數來確定。
如請求項1所述的儲存裝置，其中所述記憶體控制器包括：<br/> 週期計算器，透過使用每個溫度管理週期內的所述每單位時間的溫度變化和參考溫度管理週期來計算最小週期和最大週期；<br/> 週期確定器：<br/> 根據所述溫度資訊，將所述最小週期、所述最大週期以及所述最小週期和所述最大週期的算術平均值中的一個確定為所述當前溫度反映週期，並且<br/> 確定所述歷史反映週期；以及<br/> 週期更新器，透過使用所述當前溫度反映週期、所述歷史反映週期、所述最小週期和所述最大週期來更新所述溫度管理週期。
如請求項2所述的儲存裝置，其中當所述每單位時間的溫度變化增大時，所述週期計算器增大所述最小週期和所述最大週期。
如請求項2所述的儲存裝置，其中當所述每單位時間的溫度變化減小時，所述週期計算器減小所述最小週期和所述最大週期。
如請求項2所述的儲存裝置，<br/> 其中所述週期確定器根據與所述溫度資訊相對應的記憶體裝置的溫度是否屬於第一範圍、第二範圍和第三範圍中的一個來確定所述當前溫度反映週期，<br/> 其中所述第一範圍是高於第一溫度且低於或等於第二溫度的溫度範圍，<br/> 其中所述第二範圍是高於0℃且低於或等於所述第一溫度的溫度範圍和高於所述第二溫度且低於或等於第三溫度的溫度範圍中的一個或多個，並且<br/> 其中所述第三範圍是低於或等於0℃的溫度範圍和高於所述第三溫度的溫度範圍中的一個或多個。
如請求項5所述的儲存裝置，其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第一範圍時，所述週期確定器將所述最大週期確定為所述當前溫度反映週期。
如請求項5所述的儲存裝置，其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第二範圍時，所述週期確定器將所述最小週期和所述最大週期的算術平均值確定為所述當前溫度反映週期。
如請求項5所述的儲存裝置，其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第三範圍時，所述週期確定器將所述最小週期確定為所述當前溫度反映週期。
如請求項2所述的儲存裝置，其中所述記憶體控制器進一步包括：<br/> 溫度資訊儲存裝置，儲存所述溫度資訊；以及<br/> 歷史資訊儲存裝置，儲存從向所述儲存裝置施加電力之後執行所述性能限制操作的次數。
如請求項1所述的儲存裝置，其中當與所述溫度資訊相對應的記憶體裝置的溫度高於第三溫度時，所述記憶體控制器執行限制所述記憶體裝置的性能的所述性能限制操作。
一種操作儲存裝置的方法，所述儲存裝置包括溫度感測器，所述方法包括：<br/> 獲取由所述溫度感測器在溫度管理週期感測的溫度資訊；<br/> 根據所述溫度資訊來執行性能限制操作，以降低所述儲存裝置的內部溫度；<br/> 透過使用所述溫度資訊來計算所述溫度管理週期的最小週期和最大週期；並且<br/> 透過使用當前溫度反映週期和歷史反映週期的算術平均值來更新所述溫度管理週期，<br/> 其中所述當前溫度反映週期是基於所述溫度資訊來確定，並且<br/> 其中所述歷史反映週期是基於從向所述儲存裝置施加電力之後執行所述性能限制操作的次數來確定。
如請求項11所述的方法，其中透過使用在每個溫度管理週期內的每單位時間的溫度變化和參考溫度管理週期來計算所述最小週期和所述最大週期。
如請求項12所述的方法，進一步包括：<br/> 根據所述溫度資訊，將所述最小週期、所述最大週期以及所述最小週期和所述最大週期的算術平均值中的一個確定為所述當前溫度反映週期；並且<br/> 確定所述歷史反映週期。
如請求項12所述的方法，其中所述計算包括：<br/> 當所述每單位時間的溫度變化增大時，增大所述最小週期和所述最大週期，以及<br/> 當所述每單位時間的溫度變化減小時，減小所述最小週期和所述最大週期。
如請求項13所述的方法，<br/> 其中根據與所述溫度資訊相對應的記憶體裝置的溫度是否屬於第一範圍、第二範圍和第三範圍中的一個來確定所述當前溫度反映週期，<br/> 其中所述第一範圍是高於第一溫度且低於或等於第二溫度的溫度範圍，<br/> 其中所述第二範圍是高於0℃且低於或等於所述第一溫度的溫度範圍和高於所述第二溫度且低於或等於第三溫度的溫度範圍中的一個或多個，並且<br/> 其中所述第三範圍是低於或等於0℃的溫度範圍和高於所述第三溫度的溫度範圍中的一個或多個。
如請求項15所述的方法，<br/> 其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第一範圍時，將所述最大週期確定為所述當前溫度反映週期，<br/> 其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第二範圍時，將所述最小週期和所述最大週期的算術平均值確定為所述當前溫度反映週期，以及<br/> 其中當與所述溫度資訊相對應的所述記憶體裝置的溫度屬於所述第三範圍時，將所述最小週期確定為所述當前溫度反映週期。
如請求項11所述的方法，進一步包括儲存所述溫度資訊和從向所述儲存裝置施加電力之後執行所述性能限制操作的次數。
一種儲存裝置，包括：<br/> 記憶體裝置，包括溫度感測器；以及<br/> 記憶體控制器：<br/> 執行溫度管理操作，所述溫度管理操作包括從所述記憶體裝置獲取由所述溫度感測器感測的溫度資訊的溫度獲取操作，以及根據所述溫度資訊來執行性能限制操作，以降低所述記憶體裝置的內部溫度；<br/> 基於關於所述溫度管理操作的所述溫度資訊、關於在所述溫度管理操作之前執行的第一溫度管理操作的先前溫度資訊、以及在開始所述溫度管理操作的時間點與開始所述第一溫度管理操作的時間點之間的時間量，來計算每單位時間的溫度變化；<br/> 基於所述每單位時間的溫度變化，來計算開始待在所述溫度管理操作之後執行的第二溫度管理操作的第一時間點和第二時間點；並且<br/> 透過使用所述溫度資訊、執行所述性能限制操作的累計次數、所述第一時間點和所述第二時間點，來確定開始所述第二溫度管理操作的最終時間點。
一種在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，包括：<br/> a. 在處理腔室中接收該基板，該基板包括介電質材料，該介電質材料具有形成在該介電質材料中的複數凹陷特徵部，其中該內連件結構係待形成於該等凹陷特徵部中，其中該介電質材料係暴露於該等凹陷特徵部內；<br/> b. 將該基板暴露至電漿，以改質該介電質材料的頂表面；<br/> c. 在(b)過後，於該介電質材料的該經改質頂表面上形成金屬氧化物阻障物層，其中該金屬氧化物阻障物層係至少部份透過原子層沉積及/或化學氣相沉積而形成；以及<br/> d. 在(c)過後，將該基板暴露至由還原性氣體所產生的還原性電漿，以還原該金屬氧化物阻障物層的頂表面，並且在該金屬氧化物阻障物層上形成原位金屬襯墊。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中於(b)中將該基板暴露至電漿係使該介電質材料的該頂表面粗糙化。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中於(b)中將該基板暴露至電漿係促進(c)中的該金屬氧化物阻障物層的成核性，並且改善該介電質材料與該金屬氧化物阻障物層之間的附著性。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中於(b)中將該基板暴露至電漿係包括將該基板暴露至由處理氣體產生的電漿，該處理氣體係選自下列所構成的群組：H<sub>2</sub>、O<sub>2</sub>、NH<sub>3</sub>、CO<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>O、N<sub>2</sub>及其組合。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該金屬氧化物阻障物層包括從下列所構成的群組中選擇的材料：鋁氧化物、銅氧化物、銦氧化物、鎂氧化物、錳氧化物、釕氧化物、錫氧化物、鈦氧化物、鎢氧化物、鋅氧化物、鉬氧化物及其組合。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中形成該金屬氧化物阻障物層係包括(i)透過熱原子層沉積或熱化學氣相沉積形成該金屬氧化物阻障物層的第一部分，以及(ii)透過電漿增強原子層沉積或電漿增強化學氣相沉積形成該金屬氧化物阻障物層的第二部分，其中該金屬氧化物阻障物層的該第一部分係在該金屬氧化物阻障物層的該第二部分之前形成。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中係使用從下列所構成的群組中選擇的含金屬反應物而形成該金屬氧化物阻障物層：含鎂反應物、含鈦反應物、含鉬反應物、含鎢反應物、含釕反應物、含鈷反應物、含銅反應物、含鋅反應物、含鋁反應物、含銦反應物、含錫反應物、含錳反應物及其組合。
如請求項7之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該含金屬反應物係選自於下列所構成的群組：雙(1,4-二-三級丁基-二氮二烯)鎂、雙(乙基環戊二烯基)鎂、肆(二甲基醯胺基)鈦、六氟化鉬、五氯化鉬、二氯二氧化鉬、四氯氧化鉬、六羰基鉬、六氯化鎢、十二羰基三釕、八羰基二鈷、雙(二甲基胺基-2-丙氧基)銅、雙(二甲基胺基乙氧基)銅、雙(二乙基胺基-2-丙氧基)銅、雙(乙基甲基胺基-2-丙氧基)銅、雙(二甲基胺基-2-甲基-2-丁氧基)銅、雙(N,N’-二-二級丁基乙脒基)二銅、二甲基鋅、二乙基鋅、二烯丙基鋅、雙(2-甲基烯丙基)鋅、三甲基鋁、三甲基銦、肆(二甲基胺基)錫、氯化錫(IV)、氯化錫(IV)、溴化錫(IV)、錫烷、氯化三甲基錫、二氯二甲基錫、三氯甲基錫、四乙基錫、四甲基錫、二乙酸二丁基錫、(二甲基胺基)三甲基錫(IV)、雙[雙(三甲基矽基)胺基]錫(II)、二丁基二苯基錫、六苯基二錫(IV)、四烯丙基錫、肆(二乙基胺基)錫(IV)、四乙烯基錫、乙醯丙酮錫(II)、氫化三環己基錫、三甲基(苯基乙炔基)錫、三甲基(苯基)錫、肆(乙基甲基胺基)錫、(1,3-雙(1,1-二甲基乙基)-4,5-二甲基-(4R,5R)-1,3,2-二吖錫𠷬-2-亞基錫(II)、N<sup>2</sup>,N<sup>3</sup>-二-三級丁基-丁烷-2,4-二胺基-錫(II)、雙(環戊二烯基)錳、雙(乙基環戊二烯基)錳、雙(四甲基環戊二烯基)錳、雙(五甲基環戊二烯基)錳、雙(1,4-二-三級丁基-二氮二烯)錳、雙(雙(三甲基矽基醯胺基))錳、雙(雙(乙基二甲基矽基醯胺基))錳、雙(N,N’-二異丙基戊脒基)錳及其組合。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，<br/> 其中該金屬氧化物阻障物層係至少部份透過原子層沉積(ALD)及化學氣相沉積(CVD)其中至少一者而形成。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中將該基板暴露至該還原性氣體或該還原性電漿係改善後續沉積層的附著性。
如請求項10之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該後續沉積層為金屬晶種層或金屬氮化物晶種層前驅物。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該還原性氣體包括H<sub>2</sub>及/或包含氮及氫二者的分子。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，更包括：<br/> 在(c)過後，透過原子層沉積或化學氣相沉積在該基板上形成金屬晶種層或金屬氮化物晶種層前驅物。
如請求項13之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該金屬晶種層或該金屬氮化物晶種層前驅物包括從下列所構成的群組中選擇的金屬：銅、鈷、銥、鉬、鈀、釕、鎢及其組合。
如請求項13之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中係使用從下列所構成的群組中選擇的含金屬反應物以沉積該金屬晶種層或該金屬氮化物晶種層前驅物：含鉬反應物、含鎢反應物、含釕反應物、含鈷反應物、含銥反應物、含銅反應物、含鈀反應物及其組合。
如請求項15之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該含金屬反應物係選自於由下列所構成的群組：六氟化鉬、五氯化鉬、二氯二氧化鉬、四氯氧化鉬、六羰基鉬、六氟化鎢、六氯化鎢、五氯化鎢、雙(三級丁基亞胺基)雙(二甲基醯胺基)鎢、十二羰基三釕、(2,4-二甲基戊二烯基)乙基環戊二烯基釕、(1-乙基-1,4-環己二烯基)乙基苯釕、雙(乙基環戊二烯基)釕、四側氧基釕、八羰基二鈷、(2-三級丁基烯丙基)三羰基鈷、(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二鈷、環戊二烯基二羰基鈷、雙(1,4-二異丙基-二氮二烯)鈷、雙(1,4-二-三級丁基-二氮二烯)鈷、雙(N,N’-二異丙基乙脒基)鈷、雙(N-三級丁基-N’-乙基丙脒基)鈷、參(乙醯丙酮)銥、雙(二甲基胺基-2-丙氧基)銅、雙(二甲基胺基乙氧基)銅、雙(二乙基胺基-2-丙氧基)銅、雙(乙基甲基胺基-2-丙氧基)銅、雙(二甲基胺基-2-甲基-2-丁氧基)銅、雙(N,N’-二-二級丁基乙脒基)二銅、1-甲基烯丙基(六氟乙醯丙酮)-鈀(II)、雙(六氟乙醯丙酮)鈀及其組合。
如請求項13之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，更包括透過原子層沉積及/或化學氣相沉積在該金屬氧化物阻障物層上形成襯墊，其中該襯墊係在形成該金屬晶種層或該金屬氮化物晶種層前驅物之前形成。
如請求項13之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，更包括將該基板暴露至退火處理或電漿處理製程，以將該金屬氮化物晶種層前驅物轉化為該金屬晶種層。
如請求項18之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中該退火處理或該電漿處理製程將銅氮化物晶種層前驅物轉化為銅晶種層。
如請求項1之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，其中(c)中形成該金屬氧化物阻障物層係包括(i)形成阻障物層前驅物，該阻障物層前驅物包括從元素金屬、金屬碳化物及金屬氮化物所構成的群組中選擇的至少一材料，其中該阻障物層前驅物係透過原子層沉積及/或化學氣相沉積形成，以及(ii)將該阻障物層前驅物暴露至含氧大氣，以將該阻障物層前驅物轉化為該金屬氧化物阻障物層。
一種在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，包括：<br/> a. 第一處理腔室；<br/> b. 第二處理腔室；以及<br/> c. 控制器，具有至少一處理器及記憶體，其中該至少一處理器與該記憶體係彼此通信連接，且該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> i. 在該第一處理腔室中接收該基板，該基板包括介電質材料，該介電質材料具有形成在該介電質材料中的複數凹陷特徵部，其中該內連件結構係待形成於該等凹陷特徵部中，其中該介電質材料係暴露於該等凹陷特徵部內；<br/> ii. 將該基板暴露至該第一處理腔室中的電漿，以改質該介電質材料的頂表面；<br/> iii. 在(ii)過後，於該介電質材料的該經改質頂表面上形成金屬氧化物阻障物層，其中該金屬氧化物阻障物層係至少部份透過原子層沉積及/或化學氣相沉積而形成；<br/> iv. 將該基板從該第一處理腔室轉移至該第二處理腔室；以及<br/> v. 將該基板暴露至該第二處理腔室中的還原性氣體或還原性電漿，以還原該金屬氧化物阻障物層的上表面並形成原位金屬襯墊。
如請求項21之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> 在(v)過後，當該基板位於該第二處理腔室中時，透過原子層沉積及/或化學氣相沉積在該金屬氧化物阻障物層上形成金屬晶種層或金屬氮化物晶種層前驅物。
如請求項22之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，<br/> 其中該金屬晶種層或該金屬氮化物晶種層前驅物係形成在該原位金屬襯墊上。
如請求項23之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中在將該基板暴露至該還原性氣體或該還原性電漿與形成該金屬晶種層或該金屬氮化物晶種層前驅物之間並不使該基板暴露至大氣。
如請求項22之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> 將該基板暴露至退火處理或電漿處理製程，以將該金屬氮化物晶種層前驅物轉化為該金屬晶種層。
如請求項22之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該第一處理腔室及該第二處理腔室的至少一者係配置以在該金屬氧化物阻障物層上沉積襯墊，而該襯墊係透過原子層沉積及/或化學氣相沉積而加以沉積。
如請求項22之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該第一處理腔室係位於第一設備上，而該第二處理腔室係位於第二設備上。
如請求項27之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，更包括第三處理腔室，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> 將該基板從該第二處理腔室轉移至該第三處理腔室，且當該基板位於該第三處理腔室中時將金屬電鍍至該金屬晶種層上。
如請求項28之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該第二處理腔室及該第三處理腔室各自為該第二設備的一部分。
如請求項28或29之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> 在不將該基板暴露至大氣的情況下將該基板從該第二處理腔室轉移至該第三處理腔室。
如請求項26之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：在將該基板從該第一處理腔室轉移至該第二處理腔室時使該基板暴露至大氣。
如請求項21之在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，其中該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：透過下列步驟形成該金屬氧化物阻障物層：(i)形成阻障物層前驅物，該阻障物層前驅物包括從元素金屬、金屬碳化物及金屬氮化物所構成的群組中選擇的至少一材料，其中該阻障物層前驅物係透過原子層沉積及/或化學氣相沉積形成，以及(ii)將該阻障物層前驅物暴露至含氧大氣，以將該阻障物層前驅物轉化為該金屬氧化物阻障物層。
一種在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的方法，包括：<br/> a. 在處理腔室中接收該基板，該基板包括介電質材料，該介電質材料具有形成在該介電質材料中的複數凹陷特徵部，其中該內連件結構係待形成於該等凹陷特徵部中，且其中該介電質材料係暴露於該等凹陷特徵部內；<br/> b. 將該基板暴露至電漿，以改質該介電質材料的頂表面；<br/> c. 在(b)過後，於該介電質材料的該經改質頂表面上形成金屬氧化物阻障物層，其中該金屬氧化物阻障物層係至少部份透過原子層沉積及/或化學氣相沉積而形成，且其中在(c)中形成該金屬氧化物阻障物層包括：<br/> (i) 形成阻障物層前驅物，該阻障物層前驅物包括從元素金屬、金屬碳化物及金屬氮化物所構成的群組中選擇的至少一材料；以及<br/> (ii) 將該阻障物層前驅物暴露至含氧大氣，以將該阻障物層前驅物轉化為該金屬氧化物阻障物層。
一種在基板上形成內連件結構或該內連件結構的部分的系統，包括：<br/> a. 第一處理腔室；<br/> b. 控制器，具有至少一處理器及記憶體，其中該至少一處理器與該記憶體係彼此通信連接，且該記憶體儲存著複數電腦可執行指令，用以控制該至少一處理器進行：<br/> i. 在該第一處理腔室中接收該基板，該基板包括介電質材料，該介電質材料具有形成在該介電質材料中的複數凹陷特徵部，其中該內連件結構係待形成於該等凹陷特徵部中，其中該介電質材料係暴露於該等凹陷特徵部內；<br/> ii. 將該基板暴露至該第一處理腔室中的電漿，以改質該介電質材料的頂表面；以及<br/> iii. 在(ii)過後，於該介電質材料的該經改質頂表面上形成金屬氧化物阻障物層，其中該金屬氧化物阻障物層係至少部份透過原子層沉積及/或化學氣相沉積而形成，且其中在(iii)中形成該金屬氧化物阻障物層包括：<br/> (A) 形成阻障物層前驅物，該阻障物層前驅物包括從元素金屬、金屬碳化物及金屬氮化物所構成的群組中選擇的至少一材料；以及<br/> (B) 將該阻障物層前驅物暴露至含氧大氣，以將該阻障物層前驅物轉化為該金屬氧化物阻障物層。
一種聲場調整設備，包括：<br/> 一或多個處理器，其被配置為：<br/> 經由無線傳輸來從一重播設備接收第一資料與第二資料，該第一資料與該重播設備的一第一姿勢相關聯，該第二資料與該重播設備的一第二姿勢相關聯；<br/> 基於該第一資料來從一聲場的複數個表示中選擇該聲場的一特定表示，該聲場的每個相應表示與扇區的一集合中的一不同扇區相對應，其中一扇區表示與該重播設備的移動相關聯的一值範圍，其中所選擇的該表示對應於與一第一扇區相對應的該聲場的一第一表示；<br/> 基於該第二資料來從該聲場的該複數個表示中選擇該聲場的一第二表示，其中該聲場的所選擇的該第二表示對應於該聲場的一平移；<br/> 產生與該聲場的所選擇的該表示相對應的第一音訊資料；<br/> 產生與該聲場的該第二表示相對應的第二音訊資料；及<br/> 經由無線傳輸來將該第一音訊資料與該第二音訊資料作為流式資料發送給該重播設備。
根據請求項1之設備，其中該聲場的該複數個表示包括全景聲資料。
根據請求項1之設備，其中該聲場的該複數個表示包括經預旋轉的聲場。
根據請求項1之設備，其中該聲場的該複數個表示包括經預渲染的身歷聲資料。
根據請求項1之設備，其中該扇區的集合中的該等扇區包括與重疊的視口視野相對應的重疊扇區。
根據請求項1之設備，其中該扇區的集合中的該等扇區是非重疊扇區。
根據請求項1之設備，其中該第二扇區與該第一扇區部分地重疊。
根據請求項1之設備，其中該聲場的該平移與該重播設備在該第一姿勢與該第二姿勢之間的一平移相對應。
根據請求項1之設備，其中該聲場的該平移超過該重播設備在該第一姿勢與該第二姿勢之間的一平移。
根據請求項1之設備，進一步包括：一記憶體，其耦合到該一或多個處理器並且被配置為儲存該聲場的該複數個表示。
根據請求項1之設備，其中該一或多個處理器被集成在一可攜式電子設備中。
根據請求項1之設備，其中該一或多個處理器被集成在一伺服器中。
根據請求項1之設備，進一步包括：一數據機，其被配置為調制該音訊資料以用於傳輸給該重播設備。
根據請求項13之設備，進一步包括：一天線，其耦合到該數據機，並且被配置為向該重播設備發送該經調制的音訊資料。
一種聲場調整方法，包括以下步驟：<br/> 在一設備處經由無線傳輸來從一重播設備接收第一資料與第二資料，該第一資料與該重播設備的一第一姿勢相關聯，該第二資料與該重播設備的一第二姿勢相關聯；<br/> 基於該第一資料來從一聲場的複數個表示中選擇該聲場的一特定表示，該聲場的每個相應表示與扇區的一集合中的一不同扇區相對應，其中一扇區表示與該重播設備的移動相關聯的一值範圍，其中所選擇的該表示對應於與一第一扇區相對應的該聲場的一第一表示；<br/> 基於該第二資料來從該聲場的該複數個表示中選擇該聲場的一第二表示，其中該聲場的所選擇的該第二表示對應於該聲場的一平移；<br/> 在該設備處產生與該聲場的所選擇的該表示相對應的第一音訊資料；<br/> 在該設備處產生與該聲場的該第二表示相對應的第二音訊資料；及<br/> 經由無線傳輸來將該音訊資料作為流式資料從該設備發送給該重播設備。
根據請求項15之方法，其中該聲場的該複數個表示包括全景聲資料。
根據請求項15之方法，其中該聲場的該複數個表示包括經預旋轉的聲場。
根據請求項15之方法，其中該聲場的該複數個表示包括經預渲染的身歷聲資料。
一種儲存指令的非暫時性電腦可讀取儲存媒體，該等指令在被一或多個處理器執行時使得該一或多個處理器進行以下操作：<br/> 經由無線傳輸來從一重播設備接收第一資料與第二資料，該第一資料與該重播設備的一第一姿勢相關聯，該第二資料與該重播設備的一第二姿勢相關聯；<br/> 基於該第一資料來從一聲場的複數個表示中選擇該聲場的一特定表示，該聲場的每個相應表示與扇區的一集合中的一不同扇區相對應，其中一扇區表示與該重播設備的移動相關聯的一值範圍，其中所選擇的該表示對應於與一第一扇區相對應的該聲場的一第一表示；<br/> 基於該第二資料來從該聲場的該複數個表示中選擇該聲場的一第二表示，其中該聲場的所選擇的該第二表示對應於該聲場的一平移；<br/> 產生與該聲場的所選擇的該表示相對應的第一音訊資料；<br/> 產生與該聲場的該第二表示相對應的第二音訊資料；及<br/> 經由無線傳輸來將該第一音訊資料與該第二音訊資料作為流式資料發送給該重播設備。
一種聲場調整裝置，包括：<br/> 用於經由無線傳輸來從一重播設備接收第一資料與第二資料的構件，該第一資料與該重播設備的一姿勢相關聯，該第二資料與該重播設備的一第二姿勢相關聯；<br/> 用於基於該第一資料來從一聲場的複數個表示中選擇該聲場的一特定表示的構件，該聲場的每個相應表示與扇區的一集合中的一不同扇區相對應，其中一扇區表示與該重播設備的移動相關聯的一值範圍，其中所選擇的該表示對應於與一第一扇區相對應的該聲場的一第一表示；<br/> 用於基於該第二資料來從該聲場的該複數個表示中選擇該聲場的一第二表示的構件，其中該聲場的所選擇的該第二表示對應於該聲場的一平移；<br/> 用於產生與該聲場的所選擇的該表示相對應的第一音訊資料的構件；<br/> 用於產生與該聲場的該第二表示相對應的第二音訊資料的構件；及<br/> 用於經由無線傳輸來將該第一音訊資料與該第二音訊資料作為流式資料發送給該重播設備的構件。
一種分離的抗體或其抗原結合部分，該抗體或其抗原結合部分特異性結合至MIC，其中該抗體或其抗原結合部分包含重鏈可變(VH)區及輕鏈可變(VL)區，其中該VH區包含SEQ ID NO:1之胺基酸序列，及該VL區包含SEQ ID NO:2之胺基酸序列。
如請求項1之分離的抗體或其抗原結合部分，其係選自以下之抗原結合部分：Fab、Fab’、F(ab’)<sub>2</sub>、Fv、二硫鍵連接之Fv、及scFv。
如請求項1之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該抗體包含：包含該VH區及重鏈恆定區之重鏈，以及包含該VL區及輕鏈恆定區之輕鏈。
如請求項3之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區具有IgG同型(isotype)。
如請求項3之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區係IgGl恆定區或IgG4恆定區。
如請求項3之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區係Fc空。
如請求項5之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區係IgG1恆定區且包含至少一個降低結合至一或多個Fcγ受體之胺基酸修飾。
如請求項5之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區係IgG1恆定區且包含：(i) 降低Fc域對Fc受體之結合親和力的一或多個取代，其中根據Kabat編號之EU索引，至少一個取代選自E233P、L234V、L234A、L235A、L235E、G236A、G237A、E318A、K320A、K322A、A327G、A330S及P331S；及/或 (ii) 根據Kabat編號之EU索引，G237與G238之間之GGGS。
如請求項5之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈恆定區係IgG1恆定區，且根據Kabat編號之EU索引，包含L234A及L235A取代。
如請求項9之分離的抗體或其抗原結合部分，其中根據Kabat編號之EU索引，該重鏈恆定區包含P329之取代。
如請求項3之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該重鏈包含SEQ ID NO:3所示的胺基酸序列。
如請求項11之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該輕鏈包含SEQ ID NO:4所示的胺基酸序列。
如請求項10之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該輕鏈恆定區具有κ同型。
如請求項13之分離的抗體或其抗原結合部分，其中該輕鏈包含SEQ ID NO:4所示的胺基酸序列。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至14中任一項之分離的抗體或其抗原結合部分及醫藥上可接受之載劑。
一種編碼如請求項1至14中任一項之分離的抗體或其抗原結合部分的核酸。
一種包含如請求項16之核酸之載體。
一種包含如請求項16之核酸之細胞系。
一種表現如請求項1至14中任一項之抗體或其抗原結合部分之細胞系。
一種用於產生抗體或其抗原結合部分之方法，該方法包含如請求項19之細胞系在適合表現該抗體或其抗原結合部分之條件下培養，及自該培養物回收該抗體或其抗原結合部分。
一種如請求項1至14中任一項之抗體或其抗原結合部分之用途，其係用於製備治療個體中MIC+癌症之藥物。
如請求項21之用途，其中該癌症係黑色素瘤、前列腺癌、卵巢癌、子宮頸癌、乳癌、肺癌、結腸癌、腎癌、肉瘤、胰臟癌、膀胱癌、子宮內膜癌、腦癌、食道癌、胃癌、頭頸癌、淋巴瘤或多發性骨髓瘤。
一種如請求項1至14中任一項之抗體或其抗原結合部分之用途，其係用於製備治療個體中MIC+癌症之藥物，其中該治療包含： <br/>該抗體或其抗原結合部分；及 <br/>授受性細胞療法。
如請求項23之用途，其中該癌症係癌(carcinoma)、肉瘤、神經內分泌腫瘤或惡性血液病。
如請求項24之用途，其中該癌症係癌(carcinoma)。
如請求項25之用途，其中該癌症係實體腫瘤。
如請求項26之用途，其中該實體腫瘤係選自黑色素瘤、前列腺癌、卵巢癌、子宮頸癌、乳癌、肺癌、結腸癌、腎癌、肉瘤、胰臟癌、膀胱癌、子宮內膜癌、腦癌、食道癌、胃癌及頭頸癌。
如請求項24之用途，其中該癌症係惡性血液病。
如請求項28之用途，其中該惡性血液病係淋巴瘤或多發性骨髓瘤。
如請求項23之用途，其中該授受性細胞療法係選自自體NK細胞、同種異體NK細胞、自體T細胞、CAR修飾之T細胞及CAR修飾之NK細胞。
如請求項23之用途，其中在向該個體投與該抗體或其抗原結合部分之前不向該個體投與化學療法至少四週。
如請求項23之用途，其中該抗體或其抗原結合部分係經靜脈內向該個體投與。
一種如請求項1至14中任一項之抗體或其抗原結合部分之用途，其係用於製備用於改良接受針對MIC+癌症之授受性細胞療法的個體之治療結果之藥物， <br/>其中與單獨投與該授受性細胞療法相比，該個體之至少一種治療結果改良。
如請求項33之用途，其中至少一種改良之治療結果係選自穩定疾病、部分反應及完全反應之客觀反應。
如請求項33之用途，其中至少一種改良之治療結果係減少之腫瘤負荷。
如請求項33之用途，其中至少一種改良之治療結果係無進展存活期或無疾病存活期。
如請求項33之用途，其中該授受性細胞療法選自自體NK細胞、同種異體NK細胞、自體T細胞、CAR修飾之T細胞及CAR修飾之NK細胞。
如請求項33之用途，其中在向該個體投與該抗體或其抗原結合部分之前不向該個體投與化學療法至少四週。
如請求項33之用途，其中該抗體或其抗原結合部分係經靜脈內向該個體投與。
一種脂肪族二胺之異構化方法，具有異構化步驟， <br/>該異構化步驟係在藉由脂肪族二胺與醛及/或酮之脫水縮合而獲得之亞胺化合物、與選自由鹼金屬、含鹼金屬之化合物、鹼土金屬、及含鹼土金屬之化合物構成之群組中之1種以上的存在下，將脂肪族二胺予以異構化； <br/>鹼金屬、含鹼金屬之化合物、鹼土金屬、及含鹼土金屬之化合物之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為1.0mol%以上且4.0mol%以下； <br/>該脂肪族二胺係二甲基二胺基二環己基甲烷或甲基環己烷二胺。
一種脂肪族二胺之異構化方法，具有異構化步驟， <br/>該異構化步驟係在藉由脂肪族二胺與醛及/或酮之脫水縮合而獲得之亞胺化合物、與選自由鹼金屬、含鹼金屬之化合物、鹼土金屬、及含鹼土金屬之化合物構成之群組中之1種以上的存在下，將脂肪族二胺予以異構化； <br/>鹼金屬、含鹼金屬之化合物、鹼土金屬、及含鹼土金屬之化合物之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為2.7mol%以上且4.0mol%以下； <br/>該脂肪族二胺係二胺基二環己基甲烷。
如請求項1之脂肪族二胺之異構化方法，其中，醛及酮之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為3.5mol%以上且15.0mol%以下。
如請求項1之脂肪族二胺之異構化方法，其中，醛及酮之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為3.5mol%以上且10.0mol%以下。
如請求項2之脂肪族二胺之異構化方法，其中，醛及酮之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為3.5mol%以上且15.0mol%以下。
如請求項2之脂肪族二胺之異構化方法，其中，醛及酮之使用量之合計相對於該脂肪族二胺之使用量之合計的比，為3.5mol%以上且10.0mol%以下。
如請求項1至6中任一項之脂肪族二胺之異構化方法，其中，該異構化步驟係在該亞胺化合物、與選自由胺化鈉、金屬鈉、及氫化鈉構成之群組中之至少1種以上的存在下，將該脂肪族二胺予以異構化的步驟。
如請求項1至6中任一項之脂肪族二胺之異構化方法，其中，該亞胺化合物係藉由該脂肪族二胺、與具有芳香環之醛及/或具有芳香環之酮之脫水縮合而獲得的亞胺化合物。
一種二異氰酸酯之製造方法，包含下列步驟： <br/>利用如請求項1至8中任一項之脂肪族二胺之異構化方法將脂肪族二胺予以異構化；及 <br/>將該經異構化之脂肪族二胺作為原料而獲得二異氰酸酯。
一種聚胺甲酸酯之製造方法，包含下列步驟： <br/>利用如請求項1至8中任一項之脂肪族二胺之異構化方法將脂肪族二胺予以異構化； <br/>將該經異構化之脂肪族二胺作為原料而獲得二異氰酸酯；及 <br/>使藉由前述步驟獲得之二異氰酸酯與多元醇反應而獲得聚胺甲酸酯。
一種聚胺甲酸酯，含有來自利用如請求項9之二異氰酸酯之製造方法製得之二異氰酸酯的結構。
一種水龍頭總成，其包括：<br/>一出水口，其經構形以接收一水流，該出水口包含：<br/>一本體，其界定一內腔；<br/>一中心軸線，其沿該本體之一長度延伸於該本體之一近端與一遠端之間；<br/>一槽，其位於該本體之該近端與該遠端之間；及<br/>一出口，其位於該本體之該遠端處；及<br/>一轉向器，其至少部分收容於該出水口之該內腔內部，該轉向器包含：<br/>一外殼，其具有界定一內部開口之一前端及相對之一後端，其中該外殼之該內部開口係與該出水口之該出口間隔開並與其流體連通，該外殼界定具有與該出水口之該本體上之該槽對準之一開口之一隔室，且界定該出水口之該內腔內部之一或多個通道，該一或多個通道圍繞該隔室定位以允許該水流經由該外殼流向該出水口之該出口；<br/>一致動器，其包含延伸穿過該出水口之該槽且進入由該轉向器之該外殼界定之該隔室之一軸及連接至該軸之一柱塞，該柱塞經構形以在平行於該中心軸線之一第一方向上自一靜止位置滑動至一轉向位置，且經構形以在平行於該中心軸線之一第二方向上自該轉向位置滑動至該靜止位置，該第一方向及該第二方向係相反方向，且該柱塞經構形以密封該外殼之該內部開口以阻止水流向該出水口之該出口，並在處於該轉向位置中時使該水流轉向遠離該出水口；及<br/>一彈簧，其收容於該隔室內部，其中該彈簧經構形以在該水流關閉時使該柱塞在該第二方向上自該轉向位置移動至該靜止位置。
如請求項1之水龍頭總成，其中該柱塞包含在一遠端處經構形以阻止該水流自由該轉向器之該外殼界定之一或多個通道流通過至該出水口之該出口之一插塞。
如請求項1之水龍頭總成，其中該轉向器之該外殼保護該彈簧免受該水流。
如請求項1之水龍頭總成，其中該軸在一第一端處螺紋連接至該柱塞，且該軸在一第二端處螺紋連接至一手柄，且該手柄經構形以由一使用者抓握以在該靜止位置與該轉向位置之間滑動該柱塞。
如請求項4之水龍頭總成，其中該手柄經塑形及設定大小以在該致動器處於該靜止位置及該轉向位置兩者中時覆蓋該出水口之該本體上之該槽及該轉向器外殼中之該隔室之該開口兩者。
如請求項1之水龍頭總成，其中該彈簧圍繞該柱塞定位且定位於該隔室與該軸之間，且該彈簧在柱塞滑入至該轉向位置中時壓縮。
如請求項6之水龍頭總成，其中該彈簧經構形以歸因於自該水流施加於該柱塞上之一壓力而保持一壓縮狀態。
如請求項7之水龍頭總成，其中該彈簧經構形以在該水流關閉時自該壓縮狀態擴張以引起該柱塞在該第二方向上自該轉向位置滑動至該靜止位置。
如請求項1之水龍頭總成，其中該隔室具有一排水孔以排出透過該隔室之該開口進入之水。
一種用於一出水口之轉向器，該轉向器包括：<br/>一外殼，其具有界定一內部開口之一前端及相對之一後端，該外殼界定具有一開口之一隔室及圍繞該隔室定位以允許一水流自該後端流向該外殼之該前端之通道；及<br/>一致動器，其包含延伸至該隔室之該開口中之一軸及依一實質上正交配置連接至該軸且收容於該隔室內部之一柱塞，該致動器可在一第一方向上自一靜止位置滑動至一轉向位置及在一第二方向上自該轉向位置滑動至該靜止位置，該第一方向及該第二方向係平行於該出水口之一中心軸線之相反方向，且該柱塞經構形以在該致動器處於該轉向位置中時密封該外殼之該內部開口以阻止該水流流出該外殼之該前端。
如請求項10之轉向器，其進一步包括收容於該隔室內部之一彈簧，其中當該水流關閉時，該彈簧使該致動器自該轉向位置返回至該靜止位置。
如請求項10之轉向器，其中該柱塞經構形以在該該第一方向及該第二方向上滑動於該靜止位置與該轉向位置之間。
如請求項10之轉向器，其中該柱塞包含在一遠端處經構形以阻止該水流自該一或多個通道通過之一插塞。
如請求項10之轉向器，其中一彈簧圍繞該柱塞定位且定位於該隔室與該軸之間，且當該柱塞滑入至該轉向位置中時，該彈簧自一鬆弛狀態壓縮至一壓縮狀態。
如請求項14之轉向器，其中該彈簧經構形以歸因於來自該水流之一壓力而保持該壓縮狀態。
如請求項14之轉向器，其中當該水流關閉時，該彈簧自該壓縮狀態擴張至該鬆弛狀態以引起該柱塞在該第二方向上自該轉向位置滑動至該靜止位置。
如請求項10之轉向器，其進一步包括連接至該軸且經構形以由一使用者抓握以使該柱塞在該第一方向及該第二方向上滑動於該靜止位置與該轉向位置之間的一手柄。
如請求項17之轉向器，其中該手柄經塑形及設定大小以在該致動器處於該靜止位置及該轉向位置中時覆蓋該隔室之該開口，且其中一彈簧係收容於該隔室內部，且該隔室保護該彈簧免受該水流。
如請求項10之轉向器，其中該隔室具有一排水孔以排出透過該隔室之該開口進入之水。
一種用於電沈積包括銅與錳的合金之電解質，該電解質在水溶液中包括: <br/>銅(II)離子，其莫耳濃度係介於1 mM與120 mM之間； <br/>銅(II)離子錯合劑，其選自具有2個至4個胺基之脂肪族多胺，銅(II)離子錯合劑之莫耳濃度使得錯合劑之該莫耳濃度與銅(II)離子之該莫耳濃度之間的比率介於自1:1至3:1之範圍內； <br/>錳離子，其莫耳濃度使得銅離子之該莫耳濃度與錳離子之該莫耳濃度之間的比率介於自1:10至10:1之範圍內； <br/>該電解質具有介於6.5與7.5之間的pH，及 <br/>該電解質不含氯離子。
如請求項1之電解質，其中該pH係介於6.8與7.2之間。
如請求項1之電解質，其中錯合劑之該莫耳濃度與銅離子之該莫耳濃度之間的該比率係介於1.8與2.2之間。
如請求項1之電解質，其中該脂肪族多胺係選自由乙二胺、二乙烯二胺、三乙烯四胺、二丙烯三胺及其組合組成之群。
如請求項4之電解質，其中該脂肪族多胺中之至少一者為乙二胺。
如請求項1之電解質，其中該脂肪族多胺包含選自由乙二胺、二乙烯二胺、三乙烯四胺及二丙烯三胺組成之群的一或多種化合物。
如請求項6之電解質，其中該一或多種化合物之一者為乙二胺。
如請求項1之電解質，其中該電解質至少實質上不包括表面活性劑。
一種用於沈積銅與錳之方法，該方法包括以下步驟序列: <br/>使導電表面與如請求項1至8中任一項之電解質發生接觸之步驟， <br/>在足以達成該銅及該錳之同時沈積之時間內將該導電表面極化之步驟，該銅及該錳係呈合金之形式，以及 <br/>對在該極化步驟結束時獲得之該合金進行退火之步驟，該退火係在允許該錳與該銅之分離的溫度下藉由將該錳朝向該導電表面遷移而執行。
如請求項9之方法，其中該導電表面係具有介於自1奈米至10奈米之範圍內之厚度的金屬層之第一表面，該金屬層具有與絕緣介電材料接觸之第二表面。
如請求項10之方法，其中該金屬層包括選自由以下各項組成之群組之至少一種材料:鈷、銅、鎢、鈦、鉭、釕、鎳、氮化鈦及氮化鉭。
如請求項9之方法，其中該導電表面係空腔之導電表面。
如請求項9之方法，其中該導電表面係填充空腔的銅沈積物之表面。
如請求項12之方法，其中該等空腔具有介於15 nm與100 nm之間的平均寬度以及介於50 nm與250 nm之間的平均深度。
一種第2積層體之製造方法，其係使用積層第1高耐熱薄膜及無機基板而成之第1積層體的第2積層體之製造方法，該第1高耐熱薄膜與該無機基板之間有矽烷偶合劑，且並未使用接著劑，該第1積層體具有以下要件(1)~(4)：(1)第1高耐熱薄膜之拉伸模數為4GPa以上(2)第1高耐熱薄膜與無機基板之接著強度為0.3N/cm以下(3)第1高耐熱薄膜之與無機基板接觸之面的表面粗糙度Ra為5nm以下(4)從第1積層體剝離第1高耐熱薄膜後之無機基板表面的表面粗糙度Ra為3nm以下；該第2積層體之製造方法具有(a)從該第1積層體剝離第1高耐熱薄膜而獲得無機基板的步驟、(b)在該無機基板之曾積層該第1高耐熱薄膜之面上積層第2高耐熱薄膜而獲得第2積層體的步驟，且具有以下要件(6)~(9)：(6)第2高耐熱薄膜之拉伸模數為4GPa以上(7)第2高耐熱薄膜與無機基板之接著強度為0.3N/cm以下(8)第2高耐熱薄膜之與無機基板接觸之面的表面粗糙度Ra為5nm以下(9)從第2積層體剝離第2高耐熱薄膜後之無機基板表面的表面粗糙度Ra為3nm以下；其中，(X)該要件(2)及該要件(7)之接著強度為大氣環境下、100℃下進行熱處理10分鐘後的90°剝離強度，測定條件如下所述，<90°剝離強度之測定條件>相對於無機基板，以90°之角度拉扯掉第1高耐熱薄膜或第2高耐熱薄膜，進行5次測定，將平均值當作測定值，測定裝置：島津製作所公司製AUTOGRAPH AG-IS測定溫度：25℃剝離速度：100mm/min環境：大氣測定樣本寬度：2.5cm(Y)該要件(3)之表面粗糙度Ra、及該要件(8)之表面粗糙度Ra係使用原子間力顯微鏡(AFM)，將第1高耐熱薄膜或第2高耐熱薄膜固定在觀察平台上，測定5μm見方之區域內的面粗糙度，且該測定係在與無機基板接觸的地方，測定中心點、各4個角落之總計5處，而使用其平均值，(Z)該要件(4)之表面粗糙度Ra、及該要件(9)之表面粗糙度Ra係使用原子間力顯微鏡(AFM)，將無機基板固定在觀察平台上，測定5μm見方之區域內的面粗糙度，且該測定係在與第1高耐熱薄膜或第2高耐熱薄膜接觸的地方，測定中心點、各4個角落之總計5處，而使用其平均值。
如請求項1之第2積層體之製造方法，其進一步具有以下要件(5)：(5)該無機基板之與該第1高耐熱薄膜貼合之面的氮元素成分比為0.2原子%以上12原子%以下。
如請求項1或2之第2積層體之製造方法，其中，該第1高耐熱薄膜之CTE為50ppm/K以下。
如請求項1或2之第2積層體之製造方法，其進一步具有以下要件(10)：(10)該無機基板之與該第2高耐熱薄膜貼合之面的氮元素成分比為0.2原子%以上12原子%以下。
如請求項1或2之第2積層體之製造方法，其中，該第2高耐熱薄膜之CTE為50ppm/K以下。
一種可撓性電子裝置之製造方法，其特徵為獲得如請求項1至5中任一項之第2積層體之後，具有(c)於第2高耐熱薄膜表面形成電子元件或配線，接著剝離無機基板的步驟。
一種具有式(I)之化合物或其醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="106px" width="316px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/><img align="absmiddle" height="11px" width="69px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示呈Z或E構型之雙鍵； <br/>R<sup>1</sup>選自氫或鹵素； <br/>R<sup>2</sup>為-C(O)R<sup>b</sup>； <br/>R<sup>3</sup>選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>L為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>W選自： <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="134px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="73px" width="114px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中W之*端連接至L； <br/>R<sup>4</sup>選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>b</sup>為-OR<sup>e</sup>； <br/>R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>中之各者獨立地選自氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>R<sup>e</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>n為0、1或2。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中： <br/>R<sup>1</sup>為鹵素。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為氯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>為-C(O)OCH<sub>3</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為氫、甲基、乙基或丙基。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4</sup>為氫、-CH<sub>3</sub>、-CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-CH(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>或-C(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為1。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其具有選自下列之式： <br/><img align="absmiddle" height="141px" width="495px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <br/><img align="absmiddle" height="136px" width="472px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其具有選自下列之式： <br/><img align="absmiddle" height="150px" width="448px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <br/><br/><img align="absmiddle" height="153px" width="414px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>為鹵素且n為1。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，該化合物具有選自由下列組成之群之式： <br/><br/><img align="absmiddle" height="746px" width="679px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及<img align="absmiddle" height="22px" width="31px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及醫藥學上可接受之載劑。
如請求項12之醫藥組合物，其被配製成用於經口服投與或注射投與。
一種如請求項1至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項12至13中任一項之醫藥組合物之用途，其係用於製造治療血管疾病之藥物。
如請求項14之用途，其中該血管疾病係選自動脈粥樣硬化血栓形成、缺血、腦卒中、腦血栓形成、動脈血栓形成、血栓性腦血管疾病及心血管疾病。
如請求項14之用途，其中該血管疾病係血栓。
一種如請求項1至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽或如請求項12至13中任一項之醫藥組合物之用途，其係用於製造抑制血小板凝集之藥物。
一種化合物，其具有下式： <br/><img align="absmiddle" height="64px" width="63px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="64px" width="52px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種化學強化玻璃，其包含： <br/>經歷雙離子交換過程之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃；以及 <br/>該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該雙離子交換過程之壓縮應力-層深度(CS-DOL)分佈，該CS-DOL分佈包含： <br/>第一曲線a<sub>1</sub>，其定義該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之第一步離子交換； <br/>第二曲線a<sub>2</sub>，其定義該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之第二步離子交換，其中該第一曲線a<sub>1</sub>及該第二曲線a<sub>2</sub>在該CS-DOL分佈中之拐點(DOL_TP, CS_TP)處相交，其中該第一曲線a<sub>1</sub>自壓縮深度點(DOL_ZERO, 0)延伸至該拐點，其中該第二曲線a<sub>2</sub>自最大壓縮應力點(0, CS)延伸至該拐點，且其中該第一曲線a<sub>1</sub>外推至第一直線a<sub>11</sub>且該第二曲線a<sub>2</sub>外推至第二直線a<sub>22</sub>； <br/>該第一直線a<sub>11</sub>下之第一區域，其定義該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換之第一壓縮應力面積A，其中該第一壓縮應力面積A為如由以下表達式定義之第一梯形面積： <br/>A = (CS_TP x (DOL_ZERO - DOL_TP) x 0.5) + (CS_TP x DOL_TP)，其中DOL_ZERO及DOL_TP以微米(μm)表示，CS_TP以MPa表示，且DOL_ZERO＞DOL_TP；以及 <br/>該第二直線a<sub>22</sub>下之第二區域，其定義該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換之第二壓縮應力面積B，其中該第二壓縮應力面積B為如由以下表達式定義之第二梯形面積： <br/>B = ((CS - CS_TP) x DOL_TP x 0.5) + (CS_TP x DOL_TP)，其中CS及CS_TP以MPa表示，DOL_TP以微米(μm)表示，且CS＞CS_TP， <br/>其中該第一壓縮應力面積及該第二壓縮應力面積A及B之比率在如由以下表達式定義之範圍內： <br/>0.1≦ |(A/B)|^0.5 ≦1.3， <br/>該CS-DOL分佈進一步包含： <br/>在自該壓縮深度點延伸至該最大壓縮應力點之直線a<sub>33</sub>與該第一直線a<sub>11</sub>及該第二直線a<sub>22</sub>之間的第三區域，其定義第三壓縮應力面積C，其中該第三壓縮應力面積C由以下表達式定義： <br/>C = (CS x DOL_ZERO x 0.5) - (CS_TP x (DOL_ZERO - DOL_TP) x 0.5 + CS_TP x DOL_TP + (CS - CS_TP) x DOL_TP x 0.5)，其中CS及CS_TP以MPa表示且DOL_ZERO及DOL_TP以微米(μm)表示；以及 <br/>在該第一直線a<sub>11</sub>及該第二直線a<sub>22</sub>下之第四區域，其定義第四壓縮應力面積D，其中該第四壓縮應力面積D由以下表達式定義： <br/>D = (CS_TP x (DOL_ZERO - DOL_TP) x 0.5 + CS_TP x DOL_TP + (CS - CS_TP) x DOL_TP x 0.5)，其中CS及CS_TP以MPa表示且DOL_ZERO及DOL_TP以微米(μm)表示， <br/>其中該第三壓縮應力面積及該第四壓縮應力面積C及D之比率在如由以下表達式定義之範圍內： <br/>1.4 ≦ |(C/D) |^0.5 ≦ 6，且 <br/>其中該第三壓縮應力面積及該第四壓縮應力面積C及D之比率與該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換及該第二步離子交換之反應溫度及持續時間成反比， <br/>其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃浸沒於具有5-95重量% NaNO<sub>3</sub>及5-95重量% KNO<sub>3</sub>之鹽浴中， <br/>其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃浸沒於具有0-50%重量% NaNO<sub>3</sub>及50-100重量% KNO<sub>3</sub>之鹽浴中，且 <br/>其中該化學強化玻璃具有含量如下之組成： <br/>50莫耳%至75莫耳%之SiO<sub>2</sub>； <br/>5莫耳%至25莫耳%之Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>； <br/>0莫耳%至10莫耳%之B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>； <br/>0莫耳%至15莫耳%之Na<sub>2</sub>O； <br/>5莫耳%至17莫耳%之Li<sub>2</sub>O； <br/>0莫耳%至2莫耳%之K<sub>2</sub>O； <br/>0莫耳%至7莫耳%之MgO； <br/>0莫耳%至3莫耳%之CaO； <br/>0莫耳%至7莫耳%之ZnO； <br/>0莫耳%至7莫耳%之ZrO<sub>2</sub>； <br/>0莫耳%至2.5莫耳%之Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>； <br/>0莫耳%至2莫耳%之TiO<sub>2</sub>； <br/>0莫耳%至2莫耳%之CeO<sub>2</sub>； <br/>0莫耳%至7莫耳%之P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>；及 <br/>0莫耳%至2.5莫耳%之SnO<sub>2</sub>。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換中，該化學強化玻璃之該壓縮應力在60 MPa至650 MPa範圍內。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換中，該化學強化玻璃之該壓縮應力在130 MPa至1400 MPa範圍內。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換中，該化學強化玻璃之該層深度在45 μm至210 μm範圍內。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換中，該化學強化玻璃之該層深度為小於60 μm。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃在大於300℃之溫度下浸沒於該鹽浴中。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第一步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃持續至少0.25小時之持續時間浸沒於該鹽浴中。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃在大於300℃之溫度下浸沒於該鹽浴中。
如請求項1之化學強化玻璃，其中在該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該第二步離子交換中，該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃持續0.1小時至6.5小時之持續時間浸沒於該鹽浴中。
如請求項1之化學強化玻璃，該CS-DOL分佈包含： <br/>自線性點(DOL_Linear, CS_Linear)延伸至該最大壓縮應力點之第三直線a<sub>3</sub>； <br/>由該第三直線a<sub>3</sub>在該線性點處相對於該DOL之軸線形成之角度E，其中該角度E由以下表達式定義： <br/>E = Arc Tangent ((CS- CS_Linear)/(DOL_Linear))；以及 <br/>由自該拐點延伸至該最大壓縮應力點之該第二直線a<sub>22</sub>在該拐點處相對於該DOL之軸線形成之角度F，且其中該角度F由以下表達式定義： <br/>F= Arc Tangent ((CS - CS_TP)/(DOL_TP))， <br/>其中該等角度E及F之範圍由以下表達式定義： <br/>|(E/F) -(E-F)|^0.5 ≦ 4， <br/>其中該等角度E及F之範圍與該鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃之該雙離子交換過程之處理時間成正比。
一種用於供暖、通風、空調和製冷（HVAC&R）系統的壓縮機，該壓縮機包括：<br/> 葉輪，該葉輪包括：<br/> 輪轂，該輪轂限定葉輪尖端；<br/> 多個輪葉，該多個輪葉聯接到該輪轂，其中，該多個輪葉限定被構型成引導工作流體的主要流通過其中的多個流動路徑；以及<br/> 護罩，該護罩聯接到該多個輪葉，其中，該護罩包括徑向護罩尖端，該徑向護罩尖端相對於通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的流動方向設置在該葉輪尖端的上游；以及<br/> 設置在該徑向護罩尖端的上游的葉片，其中，該葉片被構型成導引一蒸氣工作流體流動進入該多個流動路徑，且該葉片與該多個輪葉分離。
如請求項1所述之壓縮機，包括第一板和第二板，該第一板和該第二板協同地在其間限定通道，其中，該通道在該護罩的外部並且被構型成將該蒸氣工作流體引導到該多個流動路徑中。
如請求項2所述之壓縮機，其中，該通道被構型成從該HVAC&R系統的節能器接收該蒸氣工作流體。
如請求項2所述之壓縮機，其中，該通道包括出口端口，該出口端口被構型成相對於通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的流動方向在該葉輪尖端的上游將該蒸氣工作流體引導到該多個流動路徑中。
如請求項2所述之壓縮機，其中，該第一板包括延伸部，該延伸部被構型成阻擋該蒸氣工作流體流入在該第一板與該護罩之間形成的腔室中。
如請求項2所述之壓縮機，其中，該通道包括環形通道。
如請求項2所述之壓縮機，其中該葉片包括靜葉片，該靜葉片設置在該通道中。
一種用於供暖、通風、空調和製冷（HVAC&R）系統的壓縮機，該壓縮機包括：<br/> 葉輪，該葉輪包括：<br/> 輪轂，該輪轂包括第一徑向尖端；<br/> 多個輪葉，該多個輪葉從該輪轂延伸並且限定被構型成引導工作流體的主要流通過其中的多個流動路徑；以及<br/> 護罩，該護罩聯接到該多個輪葉並且包括第二徑向尖端，該第二徑向尖端相對於通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的第一流動方向設置在該輪轂的第一徑向尖端的上游；<br/> 壓縮機殼體，其中，該葉輪設置在該壓縮機殼體內，並且該壓縮機殼體包括工作流體流動路徑，該工作流體流動路徑延伸通過該壓縮機殼體並且被構型成從節能器接收蒸氣工作流體並將該蒸氣工作流體引導到該多個流動路徑中；以及<br/> 多個葉片，該多個葉片與該多個輪葉分離，設置在該工作流體流動路徑內，其中，該多個葉片被構型成調整通過該工作流體流動路徑的該蒸氣工作流體的第二流動方向。
如請求項8所述之壓縮機，其中，該多個葉片被構型成調整該蒸氣工作流體的第二流動方向，以接近該工作流體的主要流的第一流動方向。
如請求項8所述之壓縮機，其中，該多個輪葉相對於該葉輪的旋轉軸線軸向地包含在該護罩內。
如請求項8所述之壓縮機，其中，該多個葉片中的每個葉片鄰近該護罩的第二徑向尖端設置。
如請求項11所述之壓縮機，其中，該多個葉片包括多個靜葉片，並且該葉輪被構型成在該壓縮機的運行期間相對於該多個葉片旋轉。
如請求項11所述之壓縮機，其中，該多個葉片中的每個葉片包括彎曲表面，該彎曲表面被構型成調整通過該工作流體流動路徑的該蒸氣工作流體的第二流動方向。
一種用於供暖、通風、空調和製冷（HVAC&R）系統的壓縮機，該壓縮機包括：<br/> 殼體，該殼體包括延伸通過其中的蒸氣工作流體流動路徑，其中，該蒸氣工作流體流動路徑被構型成從該HVAC&R系統的節能器接收蒸氣工作流體；<br/> 葉輪，該葉輪設置在該殼體內，其中，該葉輪包括：<br/> 多個輪葉，該多個輪葉限定被構型成引導工作流體的主要流通過其中的多個流動路徑，其中，該多個輪葉中的每個輪葉包括第一尖端；以及<br/> 護罩，該護罩聯接到該多個輪葉並且包括第二尖端，該第二尖端相對於通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的流動方向設置在該多個輪葉中的每個輪葉的該第一尖端的上游；以及<br/> 靜葉片，該靜葉片設置在該蒸氣工作流體流動路徑內並且被構型成調整該蒸氣工作流體在該護罩的第二尖端的上游的流動方向，並且在該護罩的第二尖端的下游和該多個輪葉中的每個輪葉的該第一尖端的上游將該蒸氣工作流體引導到該多個流動路徑中。
如請求項14所述之壓縮機，其中，該靜葉片被構型成調整該蒸氣工作流體的流動方向，以接近通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的流動方向。
如請求項14所述之壓縮機，其中，該壓縮機被構型成從該HVAC&R系統的蒸發器接收該工作流體的主要流。
如請求項14所述之壓縮機，包括擴散器通道，該擴散器通道形成在該殼體內，其中，該多個輪葉中的每個輪葉的該第一尖端相對於通過該多個流動路徑的該工作流體的主要流的流動方向設置在該擴散器通道的上游。
如請求項14所述之壓縮機，其中，該蒸氣工作流體流動路徑包括圍繞該葉輪延伸的環形通道。
如請求項14所述之壓縮機，其中，該靜葉片包括彎曲表面，該彎曲表面被構型成將該蒸氣工作流體導引到該多個流動路徑中，以調整該蒸氣工作流體的流動方向。
如請求項14所述之壓縮機，其中，該蒸氣工作流體流動路徑包括鄰近該護罩的第二尖端設置的出口端口。
一種聚碳酸酯系樹脂組合物，其包含：聚碳酸酯系樹脂(S)，其包含聚碳酸酯-聚有機矽氧烷共聚物(A)，該聚碳酸酯-聚有機矽氧烷共聚物(A)包含含有下述通式(I)所表示之重複單元之聚碳酸酯嵌段(A-1)、及含有下述通式(II)所表示之重複單元之聚有機矽氧烷嵌段(A-2)，上述聚有機矽氧烷嵌段(A-2)之平均鏈長為20以上100以下；以及共聚物(B)，其具有下述通式(X1)所表示之結構單元(b-1)、下述通式(X2)所表示之結構單元(b-2)、及下述通式(X3)所表示之結構單元(b-3)； <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="194px" width="417px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="299px" width="275px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>[式中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地表示鹵素原子、碳數1～6之烷基或碳數1～6之烷氧基；X表示單鍵、碳數1～8之伸烷基、碳數2～8之亞烷基、碳數5～15之伸環烷基、碳數5～15之亞環烷基、茀二基、碳數7～15之芳基伸烷基、碳數7～15之芳基亞烷基、-S-、-SO-、-SO<sub>2</sub>-、-O-或-CO-；R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分別獨立地表示氫、鹵素原子、碳數1～6之烷基、碳數1～6之烷氧基或碳數6～12之芳基；a及b分別獨立地表示0～4之整數； <br/>R<sup>31</sup>獨立地表示鹵素原子或碳數1～10之烷基；c表示0～5之整數]。
如請求項1之聚碳酸酯系樹脂組合物，其中上述通式(X1)所表示之結構單元(b-1)構成上述共聚物(B)之側鏈。
如請求項1或2之聚碳酸酯系樹脂組合物，其中上述通式(X2)所表示之結構單元(b-2)及通式(X3)所表示之結構單元(b-3)構成上述共聚物(B)之主鏈。
如請求項1或2之聚碳酸酯系樹脂組合物，其中相對於上述聚碳酸酯系樹脂(S)100質量份，上述共聚物(B)之含量為0.5質量份以上20質量份以下。
如請求項1或2之聚碳酸酯系樹脂組合物，其進而包含脫模劑(C)。
如請求項5之聚碳酸酯系樹脂組合物，其中上述脫模劑(C)係脂肪酸酯。
如請求項1或2之聚碳酸酯系樹脂組合物，其中上述聚碳酸酯-聚有機矽氧烷共聚物(A)中之聚有機矽氧烷嵌段(A-2)之平均鏈長為50以上。
一種成形體，其係使如請求項1至7中任一項之聚碳酸酯系樹脂組合物成形而成。
一種動態地適配線性諧振致動器(linear resonant actuator, LRA)控制訊號的驅動工作週期的方法，所述方法包括： <br/>生成具有週期的線性諧振致動器控制訊號，所述週期根據所述工作週期具有有效部分和高Z部分，其中所述LRA在所述週期的所述有效部分被驅動或制動，且在所述高Z部分期間被設置為高阻抗以允許測量反電動勢(back electromotive force, BEMF)； <br/>在所述週期的所述高Z部分期間檢測BEMF過臨限值電壓時間和BEMF過零電壓時間，其中所述BEMF過臨限值電壓時間是當所述BEMF電壓改變極性之前，所述BEMF電壓越過所述BEMF臨限值電壓振幅的時間； <br/>基於所述BEMF過零電壓時間計算週期； <br/>基於所述BEMF過臨限值電壓時間和所述BEMF過零電壓時間，計算反電動勢測量窗口； <br/>計算目標工作週期作為所述週期、所述BEMF測量窗口和餘量時間的函數；以及 <br/>將所述線性諧振致動器控制訊號的所述工作週期朝所述目標工作週期調整。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>調整所述線性諧振致動器控制訊號的訊號振幅。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>在繼續生成所述線性諧振致動器控制訊號的同時重複所述方法。
如請求項1所述的方法，進一步包括： <br/>在生成所述線性諧振致動器控制訊號之前，將所述週期設為初始週期，並且將所述工作週期設為初始工作週期。
如請求項4所述的方法，進一步包括： <br/>在生成所述線性諧振致動器控制訊號之後，將所述週期的當前值儲存為所述初始週期。
如請求項1所述的方法，其中所述週期= 2 x ((半循環的反電動勢過零電壓時間) – (所述半循環的有效部分的開始時間))。
如請求項1所述的方法，其中所述目標工作週期= (週期/2 – 反電動勢測量窗口 – 餘量時間)。
如請求項1所述的方法，其中所述目標工作週期= (週期/2 – 反電動勢測量窗口 – 餘量時間)/(週期/2)。
如請求項1所述的方法，其中將所述工作週期朝所述目標工作週期調整包括將所述工作週期設為等於所述目標工作週期。
如請求項1所述的方法，其中將所述工作週期朝所述目標工作週期調整包括將所述工作週期朝所述目標工作週期調整不超過最大步長。
如請求項1所述的方法，其中，當所述線性諧振致動器控制訊號是驅動訊號時，所述線性諧振致動器控制訊號具有第一極性，而當所述線性諧振致動器控制訊號是制動訊號時，所述線性諧振致動器控制訊號具有不同於所述第一極性的第二極性。
如請求項11所述的方法，其中所述第二極性是所述第一極性的相反極性。
一種用於動態地適配線性諧振致動器(linear resonant actuator, LRA)控制訊號的驅動工作週期的裝置，所述裝置包括： <br/>記憶體；以及 <br/>通訊地耦合到所述記憶體的至少一個處理器，所述至少一個處理器被配置成： <br/>生成具有週期的線性諧振致動器控制訊號，所述週期根據所述工作週期具有有效部分和高Z部分，其中所述LRA在所述週期的所述有效部分被驅動或制動，且在所述高Z部分期間被設置為高阻抗以允許測量反電動勢(back electromotive force, BEMF)； <br/>在所述週期的所述高Z部分期間檢測BEMF過臨限值電壓時間和BEMF過零電壓時間，其中所述BEMF過臨限值電壓時間是當所述BEMF電壓改變極性之前，所述BEMF電壓越過所述BEMF臨限值電壓振幅的時間； <br/>基於所述BEMF過零電壓時間計算週期； <br/>基於所述BEMF過臨限值電壓時間和所述BEMF過零電壓時間，計算BEMF測量窗口； <br/>計算目標工作週期作為所述週期、所述BEMF測量窗口和餘量時間的函數；以及 <br/>將所述線性諧振致動器控制訊號的所述工作週期朝所述目標工作週期調整。
如請求項13所述的裝置，其中所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>調整所述線性諧振致動器控制訊號的振幅。
如請求項13所述的裝置，其中所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>在繼續生成所述線性諧振致動器控制訊號的同時重複所述生成、檢測、計算和調整操作。
如請求項13所述的裝置，其中所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>在生成所述線性諧振致動器控制訊號之前，將所述週期設為初始週期，並且將所述工作週期設為初始工作週期。
如請求項16所述的裝置，其中所述至少一個處理器被進一步配置成： <br/>在生成所述線性諧振致動器控制訊號之後，將所述週期的當前值儲存為所述初始週期。
如請求項13所述的裝置，其中所述週期= 2 x ((半循環的反電動勢過零電壓時間) – (所述半循環的有效部分的開始時間))。
如請求項13所述的裝置，其中所述目標工作週期= (週期/2 – 反電動勢測量窗口 – 餘量時間)。
如請求項13所述的裝置，其中所述目標工作週期= (週期/2 – 反電動勢測量窗口 – 餘量時間)/(週期/2)。
如請求項13所述的裝置，其中將所述工作週期朝所述目標工作週期調整包括將所述工作週期設為等於所述目標工作週期。
如請求項13所述的裝置，其中將所述工作週期朝所述目標工作週期調整包括將所述工作週期朝所述目標工作週期調整不超過最大步長。
如請求項13所述的裝置，其中，當所述線性諧振致動器控制訊號是驅動訊號時，所述線性諧振致動器控制訊號具有第一極性，而當所述線性諧振致動器控制訊號是制動訊號時，所述線性諧振致動器控制訊號具有不同於所述第一極性的第二極性。
如請求項23所述的裝置，其中所述第二極性是所述第一極性的相反極性。
一種用於操作線性諧振致動器(linear resonant actuator, LRA)的裝置，所述裝備包括： <br/>用於生成具有週期的線性諧振致動器控制訊號的裝置，所述週期根據工作週期具有有效部分和高Z部分，其中所述LRA在所述週期的所述有效部分被驅動或制動，且在所述高Z部分期間被設置為高阻抗以允許測量反電動勢(back electromotive force, BEMF)； <br/>用於在所述週期的所述高Z部分期間檢測BEMF過臨限值電壓時間和過零電壓時間的裝置，其中所述BEMF過臨限值電壓時間是當所述BEMF電壓改變極性之前，所述BEMF電壓越過所述BEMF臨限值電壓振幅的時間； <br/>用於基於所述BEMF過零電壓時間計算週期的裝置； <br/>用於基於所述BEMF過臨限值電壓時間和所述BEMF過零電壓時間計算BEMF測量窗口的裝置； <br/>用於計算目標工作週期作為所述週期、所述BEMF測量窗口和餘量時間的函數的裝置；以及 <br/>用於將所述工作週期朝所述目標工作週期調整的裝置。
一種儲存電腦可執行指令的非暫時性電腦可讀取媒體，所述電腦可執行指令包括： <br/>指令一裝置生成具有週期的線性諧振致動器(linear resonant actuator, LRA)控制訊號的至少一條指令，所述週期根據工作週期具有有效部分和高Z部分，其中所述LRA在所述週期的所述有效部分被驅動或制動，且在所述高Z部分期間被設置為高阻抗以允許測量反電動勢(back electromotive force, BEMF)； <br/>指令所述裝置在所述週期的所述高Z部分期間檢測BEMF過臨限值電壓時間和過零電壓時間的至少一條指令，其中所述BEMF過臨限值電壓時間是當所述BEMF電壓改變極性之前，所述BEMF電壓越過所述BEMF臨限值電壓振幅的時間； <br/>指令所述裝置基於所述BEMF過零電壓時間計算週期的至少一條指令； <br/>指令所述裝置基於所述BEMF過臨限值電壓時間和所述BEMF過零電壓時間計算BEMF測量窗口的至少一條指令； <br/>指令所述裝置計算目標工作週期作為所述週期、所述BEMF測量窗口和餘量時間的函數的至少一條指令；以及 <br/>指令所述裝置將所述工作週期朝所述目標工作週期調整的至少一條指令。
一種偏光板，包含偏光件、透過接著層貼合於該偏光件之一側表面的保護層、及配置在該偏光件另一側之黏著劑層； <br/>該接著層之厚度為0.5µm以下； <br/>該保護層依循JIS Z 0208之透濕度為330g/m <sup>2</sup>・24h以上，且每單位面積之碘吸附量為0.01mg/cm <sup>2</sup>以下； <br/>該偏光件之厚度為8µm以下，碘濃度為4重量%~10重量%，硼酸濃度為16重量%~26重量%，在波長550nm下之正交吸光度A <sub>550</sub>與在波長210nm下之正交吸光度A <sub>210</sub>之比(A <sub>550</sub>/A <sub>210</sub>)為1.4以上，在波長470nm下之正交吸光度A <sub>470</sub>與在波長600nm下之正交吸光度A <sub>600</sub>之比(A <sub>470</sub>/A <sub>600</sub>)為0.7以上，且正交b值大於-10； <br/>該偏光板在60℃之環境下暴露於氨蒸氣中2小時後之偏光度變化的絕對值｜ΔP｜為14.9%以下； <br/>該碘濃度是利用X射線螢光分析之檢量曲線法來算出； <br/>該硼酸濃度則是如下算出：從硼酸峰強度及參考峰強度利用下述式算出硼酸量指數，再從算出之硼酸量指數利用下述式算出硼酸濃度： <br/>(硼酸量指數)=(硼酸峰665cm <sup>-1</sup>之強度)/(參考峰2941cm <sup>-1</sup>之強度) <br/>(硼酸濃度)=(硼酸量指數)×6.61+0.47。
如請求項1之偏光板，其中前述接著層係以水系接著劑構成。
如請求項2之偏光板，其中前述水系接著劑包含聚乙烯醇系樹脂。
一種附相位差層之偏光板，具有如請求項1至3中任一項之偏光板與相位差層。
一種有機電致發光顯示裝置，具備如請求項1至3中任一項之偏光板或如請求項4之附相位差層之偏光板。
一種通式(I)之擬肽物之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物， <br/>P<sup>1</sup>-P<sup>2</sup>-P<sup>3</sup>-P<sup>4</sup>-P<sup>5</sup>-P<sup>6</sup>-P<sup>7</sup>-P<sup>8</sup>-P<sup>9</sup>-P<sup>10</sup>-P<sup>11</sup>-P<sup>12</sup>-P<sup>13</sup>-P<sup>14</sup>-P<sup>15</sup>-P<sup>16</sup><br/>(I) <br/>其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 2OHVal、Val、NMeVal、Abu、tBuGly； <br/>其中P<sup>1</sup>的胺基如上所定義，或被胍基(Gua)基團或四甲基胍基(TMG)基團取代； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)F、Pro(4R)OMe、Pro(4R)OPhe、Pro(3,4去氫)、Pr(4,4F<sub>2</sub>)、Pic； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Pro((4R)胍)、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Pro((4S)NH<sub>2</sub>)、Arg、NMeLys； <br/>Hyp、N<i>allo</i>Thr； <br/>P<sup>3 </sup>為 Hle、Ile、Leu、Nle、Cpg； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys、Lys(Me)； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl、Val(3OH)； <br/>P<sup>5 </sup>為 Phe、His、Trp、Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Pra、Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>Dab、Dap； <br/>Cys、Hcy、NMeCys、Pen； <br/>Asp、Glu、HgI； <br/>P<sup>7 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>8 </sup>為 Agb、Har、Arg、Lys、Orn； <br/>P<sup>9 </sup>為 Dab、Dap、Har、Lys、Orn、Arg、Dab(iPr)； <br/>Cit； <br/>P<sup>10 </sup>為 alloThr、Hse、Ser、Thr、Hyp、Gln、Asn、Glu、Asp； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dap、<sup>D</sup>Lys、<sup>D</sup>Orn、<sup>D</sup>Arg、<sup> D</sup>Dab(iPr)； <br/>P<sup>12 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>13 </sup>為 Pra、Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>Dab、Dap； <br/>Cys、Hcy、NMeCys、Pen； <br/>Asp、Glu、HgI； <br/>P<sup>14 </sup>為 Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)；Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>15 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>16 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為選自Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys的鹼性胺基酸殘基。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys、Hcy、NMeCys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys、Hcy、NMeCys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Dab或Dap，以及若P<sup>13</sup>中存在Asp、Glu或HgI，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp、Glu或HgI，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab或Dap，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Pra，以及若P<sup>13</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，以及若P<sup>13</sup>中存在Pra，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 2OHVal、Val、NMeVal、Abu、tBuGly； <br/>其中P<sup>1</sup>的胺基如上所定義，或被胍基(Gua)基團或四甲基胍基(TMG)基團取代； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)F、Pro(4R)OMe、Pro(4R)OPhe、Pro(3,4去氫)、Pr(4,4F<sub>2</sub>)、Pic； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Pro((4R)胍)、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Pro((4S)NH<sub>2</sub>)、Arg、NMeLys； <br/>Hyp、N<i>allo</i>Thr； <br/>P<sup>3 </sup>為 Ile； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys、Lys(Me)； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl、Val(3OH)； <br/>P<sup>5 </sup>為 Phe、His、Trp、Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Dab、Dap； <br/>Cys、Pen； <br/>Asp、Glu； <br/>P<sup>7 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>8 </sup>為 Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Dab、Dap、Har、Lys、Orn、Arg、Dab(iPr)； <br/>Cit； <br/>P<sup>10 </sup>為 alloThr、Hse、Ser、Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dap、<sup>D</sup>Lys、<sup>D</sup>Orn、<sup>D</sup>Arg、<sup> D</sup>Dab(iPr)； <br/>P<sup>12 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>13 </sup>為 Dab、Dap； <br/>Cys、Pen； <br/>Asp、Glu； <br/>P<sup>14 </sup>為 Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)；Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu，或Hgl； <br/>P<sup>15 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu，或Hgl； <br/>P<sup>16 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cha、Cpa、Cpg、Cyg、Dea、Hle、Ile、Leu、Met、Nle、OctGly、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Phe(4OCF<sub>3</sub>)、Trp(6Cl)、Tyr(3Cl)、Tyr(3F)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為選自Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys的鹼性胺基酸殘基。
如請求項3之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Dab或Dap，以及若P<sup>13</sup>中存在Asp或Glu，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp或Glu，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab或Dap，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 2OHVal、Val、NMeVal、Abu、tBuGly； <br/>其中P<sup>1</sup>的胺基如上所定義，或被胍基(Gua)基團或四甲基胍基(TMG)基團取代； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)F、Pro(4R)OMe、Pro(4R)OPhe、Pro(3,4去氫)、Pr(4,4F<sub>2</sub>)、Pic； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Arg、NMeLys； <br/>Hyp、N<i>allo</i>Thr； <br/>P<sup>3 </sup>為 <i>Hle</i>、Ile、Leu、Nle； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys、Lys(Me)； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl、Val(3OH)； <br/>P<sup>5 </sup>為 Phe、His、Trp、Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Pra、Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>Dab、Dap； <br/>Cys、Hcy、NMeCys、Pen； <br/>Asp、Glu、HgI； <br/>P<sup>7 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>8 </sup>為 Agb、Har、Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Dab、Dap、Har、Lys、Orn、Arg、Dab(iPr)； <br/>Cit； <br/>P<sup>10 </sup>為 alloThr、Hse、Ser、Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dap、<sup>D</sup>Lys、<sup>D</sup>Orn、<sup>D</sup>Arg、<sup>D</sup>Dab(iPr)； <br/>P<sup>12 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>13 </sup>為 Pra、Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>Dab、Dap； <br/>Cys、Hcy、NMeCys、Pen； <br/>Asp、Glu、HgI； <br/>P<sup>14 </sup>為 Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)；Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>15 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>16 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為選自Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys的鹼性胺基酸殘基。
如請求項5之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys、Hcy、NMeCys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys、Hcy、NMeCys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Dab或Dap，以及若P<sup>13</sup>中存在Asp、Glu或HgI，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp、Glu或HgI，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab或Dap，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間地形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Pra，以及若P<sup>13</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，以及若P<sup>13</sup>中存在Pra，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 2OHVal、Val、NMeVal、Abu、tBuGly； <br/>其中P<sup>1</sup>的胺基如上所定義，或被胍基(Gua)基團或四甲基胍基(TMG)基團取代； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)F、Pro(4R)OMe、Pro(4R)OPhe、Pro(3,4去氫)、Pr(4,4F<sub>2</sub>)、Pic； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Arg、NMeLys； <br/>Hyp、N<i>allo</i>Thr； <br/>P<sup>3 </sup>為 Ile； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys、Lys(Me)； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl、Val(3OH)； <br/>P<sup>5 </sup>為 Phe、His、Trp、Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Dab、Dap； <br/>Cys、Pen； <br/>Asp、Glu； <br/>P<sup>7 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Har、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>8 </sup>為 Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Dab、Dap、Har、Lys、Orn、Arg、Dab(iPr)； <br/>Cit； <br/>P<sup>10 </sup>為 alloThr、Hse、Ser、Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dap、<sup>D</sup>Lys、<sup>D</sup>Orn、<sup>D</sup>Arg、<sup>D</sup>Dab(iPr)； <br/>P<sup>12 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Tyr(苯基)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>13 </sup>為 Dab、Dap； <br/>Cys、Pen； <br/>Asp、Glu； <br/>P<sup>14 </sup>為 Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)；Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu，或Hgl； <br/>P<sup>15 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys； <br/>alloThr、Cit、Hgn、Hse、Leu((3R)OH)、Asn、Gln、Ser、Thr、Asp、Glu、Hgl； <br/>P<sup>16 </sup>為 Ala、Ala(cPr)、Ala(四氫吡喃4基)、Abu、alloIle、Cyg、Dea、Ile、Leu、Nle、tBuGly、tBuAla、Val、NMeAla、NMeVal、Nva； <br/>Phe、His、Phe(3OH)、Phe(4F)、Trp(6Cl)、Trp、Tyr、4Thz、Phe(4(4羥基苯氧基))、Phe(4NH<sub>2</sub>)、Tyr(Me)、Ntyr、Nphe； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為選自Agb、Agp、Dab、Dab(iPr)、Dap、Dap(iPr)、Lys、Lys(iPr)、Narg、Ndab、Nlys、Norn、Orn、Orn(iPr)、Arg、NMeLys的鹼性胺基酸殘基。
如請求項7之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Dab或Dap，以及若P<sup>13</sup>中存在Asp或Glu，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp或Glu，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab或Dap，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 Val、2OHVal、NMeVal、Gua-Val、TMG-Val、Abu，或tBuGly； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)F、Pro(4R)OMe、Pro(4R)OPhe、Pro(3,4去氫)、Pr(4,4F<sub>2</sub>)、Pic、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Ndab、N<i>allo</i>Thr，或Hyp； <br/>P<sup>3 </sup>為 Ile； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ile、Thr、Phe、Dab、Orn、Arg、 Tyr、Leu、Asn、Lys、Lys(Me)、Dap、Val(3OH)，或alloThr； <br/>P<sup>5 </sup>為 Trp或Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Cys、Pen、Asp，或Pra； <br/>P<sup>7 </sup>為 Asn、Ala、Leu、 Ile、Ser、Thr、Lys、Dap、Glu，或His； <br/>P<sup>8 </sup>為 Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Arg、Dab、Dab(iPr)、Lys，或Cit； <br/>P<sup>10 </sup>為 Ser或Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dap、<sup>D</sup>Orn、<sup>D</sup>Lys、<sup>D</sup>Arg，或<sup>D</sup>Dab(iPr)； <br/>P<sup>12 </sup>為 Lys、Ile、Ser、Tyr、Trp、Asn、Dab、Orn，或Cit； <br/>P<sup>13 </sup>為 Cys、Pen、Dab，或Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>P<sup>14 </sup>為 Dab、Dab(iPr)、Lys、Gln、Ser，或Tyr； <br/>P<sup>15 </sup>為 Arg、Thr、Leu、Ser、Dab、Lys、Orn，或Orn(iPr)；以及 <br/>P<sup>16 </sup>為 Nle、Cha，或Tyr； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為在P<sup>9</sup>上選自Dab、Lys、Arg，或Dab(iPr)，在P<sup>12</sup>上選自Lys、Dab，或Orn，在P<sup>14</sup>上選自Dab、Dab(iPr)，或<i>Lys</i>，以及在P<sup>15</sup>上選自Arg、Dab、Lys、Orn，或Orn(iPr)的鹼性胺基酸殘基。
如請求項9之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Pra，以及若P<sup>13</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 Val、NMeVal、Gua-Val、TMG-Val，或Abu； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro(4R)OMe、Pro(3,4去氫)、Pic、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)、Ndab、N<i>allo</i>Thr，或Hyp； <br/>P<sup>3 </sup>為 Ile； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ile、Thr、Phe、Dab、Arg、Val(3OH)，或Tyr； <br/>P<sup>5 </sup>為 Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Cys、Pen，或Asp； <br/>P<sup>7 </sup>為 Asn、Leu、 Ile、Ser、Dap，或His； <br/>P<sup>8 </sup>為 Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Arg、Lys、Dab，或Dab(iPr)； <br/>P<sup>10 </sup>為 Ser或Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dab(iPr)，或<sup>D</sup>Arg； <br/>P<sup>12 </sup>為 Lys、Ile、Ser、Dab、Orn，或<i>Cit</i>； <br/>P<sup>13 </sup>為 Cys、Pen，或Dab； <br/>P<sup>14 </sup>為 Dab、Dab(iPr)、Lys、Gln、Ser，或Tyr； <br/>P<sup>15 </sup>為 Arg、Dab、Orn、Orn(iPr)、Ser，或Thr； <br/>P<sup>16 </sup>為 Nle、Cha，或Tyr； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為在P<sup>9</sup>上選自Dab、Lys、Arg，或Dab(iPr)，在P<sup>12</sup>上選自Lys、Orn，或Dab，在P<sup>14</sup>上選自Lys、Dab，或Dab(iPr)，以及在P<sup>15</sup>上選自Arg、Dab、Orn，或Orn(iPr)的鹼性胺基酸殘基。
如請求項11之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>P<sup>1 </sup>為 2OHVal、Gua-Val，或TMG-Val； <br/>P<sup>2 </sup>為 Pro、Pro((4R)NH<sub>2</sub>)，或Hyp； <br/>P<sup>3 </sup>為 Ile； <br/>P<sup>4 </sup>為 Ile、Thr、Dab，或Orn； <br/>P<sup>5 </sup>為 Tyr； <br/>P<sup>6 </sup>為 Cys、Pen、Asp，或Pra； <br/>P<sup>7 </sup>為 Ile、Asn，或Thr； <br/>P<sup>8 </sup>為 Arg； <br/>P<sup>9 </sup>為 Lys、Arg、Dab，或Dab(iPr)； <br/>P<sup>10 </sup>為 Ser或Thr； <br/>P<sup>11 </sup>為 <sup>D</sup>Dab、<sup>D</sup>Dab(iPr)，或<sup>D</sup>Dap； <br/>P<sup>12 </sup>為 Lys、Ile、Asn、Ser、Tyr、Orn，或Cit； <br/>P<sup>13 </sup>為 Cys、Dab，或Abu(4N<sub>3</sub>)； <br/>P<sup>14 </sup>為 Dab、Dab(iPr)、Lys，或Ser； <br/>P<sup>15 </sup>為 Arg、Dab、Orn、Orn(iPr)、Ser，或Thr； <br/>P<sup>16 </sup>為 Nle或Tyr； <br/>條件為P<sup>9</sup>、P<sup>12</sup>、P<sup>14</sup>以及P<sup>15</sup>位置上的四個胺基酸殘基中至少三個胺基酸殘基為在P<sup>9</sup>上選自Dab、Lys、Arg，或Dab(iPr)，在P<sup>12</sup>上選自Lys或Orn，在P<sup>14</sup>上選自Lys、Dab，或Dab(iPr)，以及在P<sup>15</sup>上選自Arg、Dab、Orn，或Orn(iPr)的鹼性胺基酸殘基。
如請求項13之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Pra，以及若P<sup>13</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中該化合物係選自由下列所組成之群組： <br/>Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Arg-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Nle； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Arg-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Nle； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Nle； <br/>Val-Ndab-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Nle； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Nle； <br/>Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Cha； <br/>Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Pen-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro-Ile-Thr-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro-Ile-Phe-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>2OHVal-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dap-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-DOrn-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-DLys-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-DArg-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Arg-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Tyr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Leu-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Asn-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Lys-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Trp-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ala-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Leu-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ser-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Thr-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Lys-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Lys-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Arg-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ser-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Tyr-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Trp-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Asn-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Va-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Dab-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Leu-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Lys-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>NMeVal-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Dap-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dap-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Arg-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Tyr-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Tyr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Gln-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Glu-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-His-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Dab-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Tyr-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Tyr-Arg-Tyr； <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-alloThr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Tyr-Arg-Tyr； <br/>TMG-Val-Pro-Ile-Ile-Tyr-Cys-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>TMG-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pra-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Abu(4N<sub>3</sub>)-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Asp-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Dab-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Cit-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Orn-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Abu-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Lys-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Lys-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Dab-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Orn-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>tBuGly-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Orn-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ser-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Ser-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Ser-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Dab-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>tBuGly-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Cit-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Ser-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Ser-Thr-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)NH<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Orn-Thr-<sup>D</sup>Dab-Ile-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Orn-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Thr-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Orn-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Ile-Tyr-Pen-Asn-Arg-Cit-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Lys(Me)-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Hyp-Ile-Val(3OH)-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro(4,4F<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro(3,4去氫)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro(4,4F<sub>2</sub>)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)OPh)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pro((4R)F)-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-Pic-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Val-NalloThr-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr； <br/>Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab(iPr)-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn(iPr)-Tyr； <br/>Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab(iPr)-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab(iPr)-Arg-Tyr； <br/>Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn(iPr)-Tyr； <br/>Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Ile-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Orn(iPr)-Tyr；及 <br/>Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab(iPr)-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr。
如請求項15之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Cys或Pen，以及若P<sup>13</sup>中存在Cys或Pen，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Asp，以及若P<sup>13</sup>中存在Dab，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成內醯胺橋；或其中 <br/>若P<sup>6</sup>中存在Pra，以及若P<sup>13</sup>中存在Abu(4N<sub>3</sub>)，則在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成1,2,3-三唑橋。
如請求項1之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中該化合物為 <br/>Gua-Val-Hyp-Ile-Thr-Tyr-Pen-Asn-Arg-Dab-Thr-<sup>D</sup>Dab-Lys-Cys-Dab-Arg-Tyr。
如請求項17之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，其中P<sup>6</sup>中之Pen，以及P<sup>13</sup>中之Cys，在P<sup>6</sup>及P<sup>13</sup>之間形成雙硫鍵。
一種藥物組合物，其包含如請求項1至18中任一項之式(I)化合物或式(I)化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物之混合物、以及至少一種藥學惰性載體。
如請求項19之藥物組合物，其中該藥物組合物為適合用於口服、局部、經皮、注射、口腔、經黏膜、直腸、肺部或吸入施用的形式。
如請求項19之藥物組合物，其中該藥物組合物為片劑、糖衣錠、膠囊、溶液、液體、凝膠、硬膏劑、乳膏劑、軟膏劑、糖漿劑、漿劑、混懸劑、噴霧劑、霧化劑、氣霧劑，或栓劑的形式。
如請求項1至18中任一項之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物，係作為針對革蘭氏陰性菌具有抗生素活性的藥物活性物質。
一種如請求項1至18中任一項之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物的用途，其係用於製備用於治療或預防由革蘭氏陰性菌引起之感染或與此類感染相關的疾病的藥物。
如請求項23之用途，其中該感染為與呼吸系統疾病或皮膚或軟組織疾病或胃腸道疾病或眼部疾病或耳部疾病或中樞神經系統疾病或骨骼疾病或心血管疾病或泌尿生殖系統疾病相關的感染，或院內感染，或導管相關以及非導管相關的感染，或尿道感染，或血液感染；或感染引起的敗血症。
如請求項23之用途，其中該疾病係選自呼吸器相關性肺炎(ventilator-associated pneumonia, VAP)、呼吸器相關性細菌性肺炎(ventilator-associated bacterial pneumonia, VABP)、院內感染肺炎(hospital-acquired pneumonia, HAP)、院內感染細菌性肺炎(hospital-acquired bacterial pneumonia, HABP)、醫療照護相關性肺炎(healthcare-associated pneumonia, HCAP)、囊腫纖維化、肺氣腫、氣喘、肺炎、流行性腹瀉、壞死性小腸結腸炎、盲腸炎、胃腸炎、胰腺炎、角膜炎、眼內炎、耳炎、腦膿瘍、腦膜炎、腦炎、骨軟骨炎、心包膜炎、附睾炎、前列腺炎、尿道炎、敗血症、手術傷口、外傷、及燒傷。
一種如請求項1至18中任一項之化合物、互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物的用途，其係用於製備針對革蘭氏陰性菌之消毒劑，或用於食品、化妝品、藥物及/或其他含有營養之物質之針對革蘭氏陰性菌的防腐劑。
一種如請求項1至18中任一項之化合物、其互變異構物、旋轉異構物、鹽類、水合物或溶劑化物的用途，其係用於製備針對革蘭氏陰性菌具有抗生素活性的藥物活性物質。
一種金屬填充微細結構體的製造方法，其具有：預備結構體之準備步驟，前述結構體具有絕緣膜及沿厚度方向貫通絕緣膜且以彼此電絕緣之狀態設置之複數個導體，前述導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上的至少一方的面突出，前述結構體具有覆蓋前述導體所突出之前述絕緣膜的前述面之樹脂層；在氧分壓為10000Pa以下的氣氛下，至少對前述樹脂層進行加熱之加熱步驟；及從前述絕緣膜去除藉由前述加熱步驟加熱之前述樹脂層之去除步驟，前述樹脂層包含熱剝離性接著劑，前述加熱步驟中的加熱條件為80~350℃。
如請求項1所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中在前述加熱步驟中，前述氣氛的前述氧分壓為1.0Pa以下。
如請求項1所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中在前述加熱步驟中，前述氣氛的非活性氣體的分壓為前述氣氛的總壓的85%以上。
如請求項2所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中在前述加熱步驟中，前述氣氛的非活性氣體的分壓為前述氣氛的總壓的85%以上。
如請求項1或請求項2所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中在前述加熱步驟中，前述氣氛的還原性氣體的分壓為前述氣氛的總壓的85%以上。
如請求項1至請求項4之任一項所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中在前述加熱步驟中，前述氣氛的總壓為5.0Pa以下。
如請求項1至請求項4之任一項所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中前述導體包含卑金屬。
如請求項1至請求項4之任一項所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中複數個前述導體具有相對前述導體的長度方向垂直之截面上的截面積為20μm<sup>2</sup>以下的導體。
如請求項1至請求項4之任一項所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中前述導體從前述絕緣膜的前述厚度方向上的兩面分別突出，前述樹脂層分別設置於前述絕緣膜的前述厚度方向上的兩面。
如請求項1至請求項4之任一項所述之金屬填充微細結構體的製造方法，其中前述絕緣膜為陽極氧化膜。
一種半導體裝置的製造方法，其中，具有第1連接部之第1構件及具有第2連接部之第2構件經由膠黏層連接，且前述第1連接部及前述第2連接部電連接，前述半導體裝置的製造方法包括：<br/> 暫時壓接步驟，前述第1構件及前述第2構件，經由用於形成前述膠黏層之熱固化性膠黏劑使前述第1連接部與前述第2連接部相對配置之狀態下進行暫時壓接而獲得暫時壓接體；<br/> 暫時壓接體加壓步驟，在加壓環境下對前述暫時壓接體加壓，而獲得完成加壓的暫時壓接體；及<br/> 正式壓接步驟，對前述完成加壓的暫時壓接體，由利用一對正式壓接用構件夾著之熱壓一邊加熱一邊加壓，使前述第1構件及前述第2構件壓接，由此連接前述第1連接部與前述第2連接部而獲得壓接體，<br/> 在前述暫時壓接步驟中，在低於前述第1連接部的熔點及前述第2連接部的熔點的溫度下進行前述第1構件及前述第2構件的暫時壓接，<br/> 在前述暫時壓接體加壓步驟中，在低於前述第1連接部的熔點及前述第2連接部的熔點之溫度下進行前述暫時壓接體的加壓，<br/> 在前述正式壓接步驟中，在前述第1連接部及前述第2連接部中的至少一者的熔點以上的溫度下進行前述完成加壓的暫時壓接體的加熱。
如請求項1所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 在前述暫時壓接步驟中，在低於前述膠黏劑的反應開始溫度的溫度下進行前述暫時壓接體的加壓。
如請求項1或請求項2所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 在前述暫時壓接體加壓步驟中，以0.05～0.8MPa的壓力進行前述暫時壓接體的加壓。
如請求項1或請求項2所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 在前述暫時壓接體加壓步驟中，在前述膠黏劑的反應開始溫度以上的溫度下進行前述暫時壓接體的加壓。
如請求項1或請求項2所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 前述膠黏劑含有環氧樹脂、固化劑及助焊劑，顯示1500Pa・s以下的最低熔融黏度，且在150℃下顯示35秒以上且80秒以下的凝膠時間。
如請求項5所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 前述膠黏劑所含有之前述環氧樹脂的重量平均分子量為小於10000。
如請求項5所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 前述膠黏劑還含有高分子成分，<br/> 前述高分子成分的重量平均分子量為10000以上。
如請求項7所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 前述高分子成分的重量平均分子量為30000以上，前述高分子成分的玻璃化轉變溫度為200℃以下。
如請求項1或請求項2所述之半導體裝置的製造方法，其中<br/> 前述膠黏劑為膜狀膠黏劑。
一種熱固化性膠黏劑，其係在請求項1至請求項4之任一項所述之半導體裝置的製造方法中用於膠黏前述第1構件與前述第2構件。
如請求項10所述之膠黏劑，其係含有環氧樹脂、固化劑及助焊劑，<br/> 顯示1500Pa・s以下的最低熔融黏度，且在150℃下顯示35秒以上且80秒以下的凝膠時間。
如請求項11所述之膠黏劑，其中<br/> 前述環氧樹脂的重量平均分子量為小於10000。
如請求項11或請求項12所述之膠黏劑，其係還含有高分子成分，<br/> 前述高分子成分的重量平均分子量為10000以上。
如請求項13所述之膠黏劑，其中<br/> 前述高分子成分的重量平均分子量為30000以上，前述高分子成分的玻璃化轉變溫度為200℃以下。
一種人力驅動車用煞車控制裝置，具備有：設置煞車控制部的主體、及將上述主體安裝於上述人力驅動車的安裝部；上述安裝部可安裝於瓶架安裝孔，上述瓶架安裝孔設置於上述人力驅動車用的框架，上述煞車控制部，控制將上述人力驅動車的煞車操作裝置與上述人力驅動車的煞車動作裝置連接的流路的流路壓力，上述煞車控制部具備有連接於上述流路的通口，上述通口設置在上述主體，且在上述框架的延伸方向開口。
如請求項1的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述安裝部具備有：第1安裝部與第2安裝部；上述第1安裝部與上述第2安裝部的間隔實質為64mm。
如請求項2的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述安裝部，具備有：插入於上述瓶架安裝孔的軸構件，上述軸構件包含公螺紋部。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述安裝部，可將上述主體安裝於上述框架的外面部。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，進一步具備有：用來將上述主體與上述安裝部連接的轉接器。
如請求項5的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述主體安裝成可對上述轉接器進行裝卸。
如請求項6的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述主體及上述轉接器的其中一方具備有凸部，上述主體及上述轉接器的另一方具備有用來與上述凸部卡合的凹部。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，當從與上述瓶架安裝孔的延伸方向平行的方向觀察時，上述主體安裝於上述框架，且在與上述框架的延伸方向正交的方向讓上述主體相對於上述瓶架安裝孔偏置。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述主體在安裝於上述框架的狀態，是讓上述主體在上述框架安裝成覆蓋上述瓶架安裝孔。
如請求項1至3中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述流路具備有：連接於上述煞車操作裝置的第1流路、及連接於上述煞車動作裝置的第2流路；上述通口具備有：連接於上述第1流路的第1通口、及連接於上述第2流路的第2通口。
如請求項10的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述主體中的長邊方向上的一端部，連接有上述第1流路、上述第2流路及電纜線，上述電纜線將上述煞車控制裝置與將電力供給到上述煞車控制裝置的電池連接。
如請求項10或11的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述煞車控制部具備有閥部，上述閥部用來變更上述第1通口與上述第2通口之間的流體的流通狀態。
如請求項12的人力驅動車用煞車控制裝置，其中，上述煞車控制部具備有用來驅動上述閥部的致動器。
一種人力驅動車，具備有：如請求項13的人力驅動車用煞車控制裝置、及上述人力驅動車用框架；其中，上述致動器，與設置在上述框架的內部空間的電池電連接。
如請求項14的人力驅動車，其中，上述電池，與用來輔助上述人力驅動車的推進的馬達電連接。
一種人力驅動車，具備有：請求項1至9中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置、與上述人力驅動車用的框架。
如請求項16的人力驅動車，其中，上述框架包含：下管、座管、及上管；上述安裝部作成可將上述主體安裝於：上述下管的上方的外面部、上述座管的前方的外面部、或上述上管的下方的外面部。
一種人力驅動車，具備有：如請求項1至9中任一項的人力驅動車用煞車控制裝置、上述人力驅動車用的框架、及流路；上述流路用來連接：上述煞車控制裝置、與上述煞車操作裝置及上述煞車動作裝置的至少一個；上述框架具備有：內部空間、及與上述內部空間連通的連通部；上述流路的至少局部經由上述連通部配置於上述內部空間。
如請求項18的人力驅動車，其中，上述連通部設置在上述框架之中的上述瓶架安裝孔的附近。
如請求項18或19的人力驅動車，其中，上述連通部包含孔部，上述孔部的內徑大於上述瓶架安裝孔的內徑。
如請求項18或19的人力驅動車，其中，上述連通部具備有第1連通部及第2連通部，上述第1連通部及上述第2連通部，設置在上述框架，且在上述框架的延伸方向相對於上述瓶架安裝孔位在互相相反的位置。
一種提供在機器上之運動之競爭表現之排名列表之方法，其包括： <br/>在具有一預定範圍且由一主體競爭者在一第一靜態運動機器上執行之一運動活動之一當前例項期間，基於以下兩者之間的一相對排名來運算一第二競爭者：(i)在該運動活動之該當前例項中，在比該預定範圍之一較小範圍之該主體競爭者之一表現之一當前表現度量，以及(ii)在一第二靜態運動機器上執行之該運動活動之一先前例項中，在該較小範圍之該第二競爭者一歷史表現之一第一歷史表現度量； <br/>運算該主體競爭者在該預定範圍之一預估表現度量，其中該預估表現度量包括一持續時間或一距離，且 <br/>其中該預估表現度量係基於在該較小範圍內之該主體競爭者之該表現之該當前表現度量，並基於在該運動活動之該先前例項中，在該預定範圍之該第二競爭者之該歷史表現之一第二歷史表現度量來運算；及 <br/>呈現該比較資料給該主體競爭者，其中該比較資料係基於該預估表現度量。
如請求項1之方法，其中該運動活動包括划船。
如請求項1之方法，其中該距離包括經預測將在該運動活動之該預定範圍期間完成之一距離。
如請求項1之方法，其中該持續時間包含經預測將在該運動活動之該預定範圍內經過之一時間。
如請求項1之方法，其中該當前表現度量包含截至一當前運動時刻之一平均速度。
如請求項1之方法，其中該第一歷史表現度量包括距離資料。
如請求項1之方法，其中該較小範圍之該主體競爭者之該表現包括比該預定範圍之一持續時間短之一持續時間內之該主體競爭者之一表現。
如請求項1之方法，其中該當前表現度量包括該較小範圍之該主體競爭者之該表現之一持續時間或一距離。
如請求項1之方法，其中該主體競爭者之該預估表現度量係基於該第一歷史表現度量。
如請求項1之方法，其中該主體競爭者之該預估表現度量係基於由該較小範圍代表之該預定範圍之一比例來運算。
如請求項1之方法，其中呈現該比較資料包括在該主體競爭者可存取之一互動式使用者介面中顯示該比較資料。
如請求項1之方法，包括於該第一靜態運動機器接收該運動活動之該當前例項中之一實況競爭者之表現資料。
如請求項1之方法，包括將一直線預估應用於該第一歷史表現度量以使該較小範圍預估預測該運動活動之該預定範圍之該當前表現度量。
一種提供在機器上之運動之競爭表現之排名列表之系統，其包括： <br/>一實體儲存器，其儲存指令，當其由一運算裝置執行時，致使該運算裝置： <br/>自一第一運動機器接收執行具有一預定範圍之一運動活動之一較小範圍之一當前例項之一主體競爭者之當前表現資料，其中該當前例項係在該第一運動機器上執行； <br/>接收各自歷史表現資料，該各自歷史表現資料代表該較小範圍及該預定範圍之由各自運動機器上之至少一其他競爭者在該運動活動之先前例項期間之各自歷史表現， <br/>基於以下兩者之間的一相對排名來確認至少一其他競爭者之一第二競爭者：(i)該當前表現資料，以及(ii)在一第二運動機器上執行之該運動活動之一對應先前例項中，在該較小範圍之該第二競爭者之第一歷史表現資料； <br/>基於該當前表現資料，並基於該運動活動之該對應先前例項中，在該預定範圍之該第二競爭者之第二歷史表現資料，運算在該預定範圍之該主體競爭者之一預估表現度量，其中該預估表現度量包括一持續時間或一距離；及 <br/>傳輸該預估表現度量給一使用者裝置。
如請求項14之系統，其中該距離包括經預測將在該運動活動之該預定範圍期間完成之一距離。
如請求項14之系統，其中該當前表現資料及該第一歷史表現資料包括距離資料。
如請求項14之系統，其中該主體競爭者之該預估表現度量係基於至少一其他競爭者之該較小範圍之該歷史表現之一實際值。
如請求項14之系統，其中該主體競爭者之該預估表現度量係基於由該較小範圍代表之該預定範圍之一比例。
如請求項14之系統，其包括呈現該預估表現度量。
如請求項14之系統，其包括呈現該第一歷史表現資料。
一種護理點藥物遞送設備，包括： <br/>中央介面構件，所述中央介面構件包括由外壁圍繞的腔，穿過所述外壁的相應表面形成有多個接入點； <br/>輸注口，所述輸注口包括第一端部和第二端部，所述輸注口的所述第一端部連接至所述多個接入點中的第一接入點； <br/>生理鹽水口，所述生理鹽水口包括第一端部和第二端部，所述生理鹽水口的所述第二端部連接至所述多個接入點中的第二接入點，使得穿過所述中央介面構件的所述腔在所述生理鹽水口與所述輸注口之間形成第一通路；以及 <br/>藥品口，所述藥品口包括第一端部和第二端部，所述藥品口的所述第二端部連接至所述多個接入點中的第三接入點，使得穿過所述中央介面構件的所述腔在所述藥品口與所述輸注口之間形成第二通路； <br/>沖洗口，所述沖洗口包括第一端部和第二端部，所述沖洗口的所述第二端部連接至所述中央介面構件的所述多個接入點中的第四接入點；及 <br/>可移動導管，所述可移動導管容納在所述中央介面構件的所述腔內，所述可移動導管構造成與所述多個接入點接合以在所述多個接入點之間形成多個通路， <br/>其中，所述可移動導管構造成在至少第一位置與第二位置之間移動，其中，在所述第二位置中，所述可移動導管與所述多個接入點接合，使得第三通路限定在所述第二接入點與所述第四接入點之間，以提供所述生理鹽水口與所述沖洗口之間的流體連接， <br/>其中，所述沖洗口的所述第一端部構造成連接至藥品源，使得生理鹽水透過所述第三通路流動至所述藥品源。
如請求項1之設備，其中，所述中央介面構件、所述輸注口、所述生理鹽水口和所述藥品口包括單個模制部件。
如請求項1之設備，其中，所述輸注口的所述第二端部構造成連接至靜脈施藥裝置。
如請求項3之設備，其中，所述輸注口構造成經由所述靜脈施藥裝置向病患遞送生理鹽水和藥品。
如請求項1之設備，其中，所述生理鹽水口的所述第一端部構造成連接至生理鹽水源，其中，所述生理鹽水口構造成透過所述中央介面構件的所述腔將生理鹽水從所述生理鹽水源遞送至所述輸注口。
如請求項5之設備，其中，所述生理鹽水口以尖狀件終止。
如請求項1之設備，其中，所述藥品口的所述第一端部構造成連接至藥品源，其中，所述藥品口構造成透過所述中央介面構件的所述腔將藥品從所述藥品源遞送至所述輸注口。
如請求項1之設備，還包括： <br/>第二中央介面構件，所述第二中央介面構件包括由第二外壁圍繞的第二腔，穿過所述第二外壁的相應表面形成有多個第二接入點； <br/>第二輸注口，所述第二輸注口包括第一端部和第二端部，所述第二輸注口的所述第一端部連接至所述多個第二接入點中的第一接入點； <br/>第二生理鹽水口，所述第二生理鹽水口包括第一端部和第二端部，所述第二生理鹽水口的所述第二端部連接至所述多個第二接入點中的第二接入點，所述第二生理鹽水口的所述第一端部連接至所述輸注口的所述第二端部，以流體連接所述輸注口和所述第二生理鹽水口；以及 <br/>第二藥品口，所述第二藥品口包括第一端部和第二端部，所述第二藥品口的所述第二端部連接至所述多個第二接入點中的第三接入點，以透過所述第二中央介面構件的所述第二腔流體連接所述第二藥品口和所述第二輸注口。
如請求項7之設備，其中，所述藥品源包括注射器。
如請求項7之設備，其中，所述藥品源包括至少一個瓶，其中，所述藥品口的所述第一端部包括至少一個瓶轉接件，所述至少一個瓶轉接件構造成與所述至少一個瓶中的相應一個瓶接合，其中，所述藥品從所述至少一個瓶和所述至少一個瓶轉接件流動到所述中央介面構件的所述腔中。
如請求項1之設備，其中，所述中央介面構件包括可膨脹室。
如請求項1之設備，其中，在所述第一位置中，所述可移動導管與所述多個接入點接合，使得所述第一通路限定在所述第二接入點與所述第一接入點之間，以提供所述生理鹽水口與所述輸注口之間的流體連接，並且其中，在所述第二位置中，所述可移動導管與所述多個接入點接合，使得所述第二通路限定在所述第三接入點與所述第一接入點之間，以提供所述藥品口與所述輸注口之間的流體連接。
如請求項12之設備，還包括控制構件，所述控制構件連接至所述可移動導管並且構造成使所述可移動導管在所述第一位置與所述第二位置之間旋轉。
如請求項12之設備，其中，所述生理鹽水口構造成透過所述第一通路將生理鹽水從生理鹽水源遞送至所述輸注口。
如請求項12之設備，其中，所述藥品源包括瓶，其中，所述藥品口的所述第一端部包括瓶轉接件，所述瓶轉接件構造成與所述瓶接合使得所述藥品透過所述第二通路流動至所述輸注口。
如請求項12之設備，其中，所述藥品源包括室，在所述室中容納有輸注體積的藥品。
如請求項16之設備，其中，所述沖洗口的所述第一端部連接至所述室的上部部分，其中，所述藥品口的所述第一端部連接至所述室的下部部分。
如請求項16之設備，其中，所述室構造成連接至瓶，所述室從所述瓶接納所述輸注體積的所述藥品。
如請求項18之設備，其中，所述室包括注射器、柔性室或具有延伸構件的室，所述延伸構件構造成從所述瓶抽取所述輸注體積的所述藥品。
如請求項19之設備，其中，所述延伸構件包括柱塞，所述柱塞連接至所述室並且構造成以所述室的一定體積拉動，使得所述輸注體積的所述藥品從所述瓶抽取到所述室中。
如請求項18之設備，其中，所述室經由雙管腔尖狀件連接至所述瓶，所述雙管腔尖狀件包括第一管腔和第二管腔，其中，所述第一管腔和所述第二管腔與所述瓶和所述室接合。
如請求項21之設備，其中，所述雙管腔尖狀件構造成使得所述輸注體積的所述藥品透過所述第一管腔從所述瓶流動到所述室中，其中，空氣從所述室和／或周圍大氣透過所述第二管腔流動到所述瓶中。
如請求項1至22中任一項之設備，其中，所述藥品口和所述輸注口沿著所述中央介面構件的縱向軸線對準；並且其中，所述生理鹽水口的至少一部分沿著所述中央介面構件的橫向軸線對準，所述橫向軸線與所述縱向軸線垂直。
如請求項23之設備，其中，所述藥品口和所述輸注口沿著所述縱向軸線豎向地對準。
如請求項23之設備，其中，所述生理鹽水口包括第一生理鹽水通路和第二生理鹽水通路；其中，所述第一生理鹽水通路相對於所述第二生理鹽水通路垂直定位；並且其中，所述第二生理鹽水通路沿著所述橫向軸線延伸。
如請求項1至22中任一項之設備，其中，所述生理鹽水口和所述輸注口沿著所述中央介面構件的縱向軸線對準；並且其中，所述藥品口的至少一部分沿著所述中央介面構件的橫向軸線對準，所述橫向軸線與所述縱向軸線垂直。
如請求項26之設備，其中，所述生理鹽水口和所述輸注口沿著所述縱向軸線豎向地對準。
如請求項26之設備，其中，所述藥品口包括第一藥品通路和第二藥品通路；其中，所述第一藥品通路相對於所述第二藥品通路垂直定位；並且其中，所述第二藥品通路沿著所述橫向軸線延伸。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式I-a-4： <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="47px" file="ed11669.jpg" alt="ed11669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><b>I-a-4 </b><br/>其中： <br/>環A係具有1至4個獨立地選自氮、氧、磷及硫之雜原子的5至6員雜芳基環； <br/>R<sup>2</sup>係選自<img align="absmiddle" height="26px" width="40px" file="ed11670.jpg" alt="ed11670.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="45px" file="ed11671.jpg" alt="ed11671.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed11672.jpg" alt="ed11672.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed11673.jpg" alt="ed11673.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="29px" file="ed11674.jpg" alt="ed11674.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img 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file="ed11840.jpg" alt="ed11840.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="24px" width="54px" file="ed11841.jpg" alt="ed11841.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="64px" file="ed11842.jpg" alt="ed11842.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="34px" width="64px" file="ed11843.jpg" alt="ed11843.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="68px" file="ed11844.jpg" alt="ed11844.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="68px" file="ed11845.jpg" alt="ed11845.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="73px" file="ed11846.jpg" alt="ed11846.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="41px" width="73px" file="ed11847.jpg" alt="ed11847.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="78px" file="ed11848.jpg" alt="ed11848.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="78px" file="ed11849.jpg" alt="ed11849.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="43px" width="77px" file="ed11850.jpg" alt="ed11850.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="77px" file="ed11851.jpg" alt="ed11851.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="77px" file="ed11852.jpg" alt="ed11852.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="66px" file="ed11853.jpg" alt="ed11853.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="66px" file="ed11854.jpg" alt="ed11854.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="79px" file="ed11855.jpg" alt="ed11855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="49px" file="ed11856.jpg" alt="ed11856.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="49px" file="ed11857.jpg" alt="ed11857.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="53px" file="ed11858.jpg" alt="ed11858.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="52px" file="ed11859.jpg" alt="ed11859.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="52px" file="ed11860.jpg" alt="ed11860.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="55px" file="ed11861.jpg" alt="ed11861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="38px" width="79px" file="ed11862.jpg" alt="ed11862.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="74px" file="ed11863.jpg" alt="ed11863.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="76px" file="ed11864.jpg" alt="ed11864.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、及 <img align="absmiddle" height="32px" width="28px" file="ed11865.jpg" alt="ed11865.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>每個R<sup>3</sup>獨立地係鹵素、-OMe、-OEt、或苯基，其中至少一個出現之R<sup>3</sup>係鹵素；且 <br/>n係1、2、3或4。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A係咪唑。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A係吡唑。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個出現之R<sup>3</sup>係氯。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個出現之R<sup>3</sup>係氯。
如請求項3之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中至少一個出現之R<sup>3</sup>係氯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n係2且兩個R<sup>3</sup>均為氯。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n係2且相對於喹啉環位在7-及8-位置之R<sup>3</sup>係氯。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>係選自<img align="absmiddle" height="30px" width="45px" file="ed11677.jpg" alt="ed11677.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="45px" file="ed11678.jpg" alt="ed11678.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="36px" file="ed11679.jpg" alt="ed11679.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="31px" width="36px" file="ed11680.jpg" alt="ed11680.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed11682.jpg" alt="ed11682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="37px" file="ed11683.jpg" alt="ed11683.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="31px" file="ed11685.jpg" alt="ed11685.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="40px" file="ed11686.jpg" alt="ed11686.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="28px" file="ed11687.jpg" alt="ed11687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="28px" file="ed11688.jpg" alt="ed11688.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="39px" width="39px" file="ed11689.jpg" alt="ed11689.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="39px" width="49px" file="ed11690.jpg" alt="ed11690.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="54px" file="ed11691.jpg" alt="ed11691.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="52px" file="ed11692.jpg" alt="ed11692.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="39px" file="ed11693.jpg" alt="ed11693.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="32px" file="ed11694.jpg" alt="ed11694.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="50px" file="ed11695.jpg" alt="ed11695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="35px" file="ed11696.jpg" alt="ed11696.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="28px" file="ed11697.jpg" alt="ed11697.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="32px" file="ed11698.jpg" alt="ed11698.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="50px" file="ed11699.jpg" alt="ed11699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="41px" file="ed11700.jpg" alt="ed11700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="43px" file="ed11702.jpg" alt="ed11702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="43px" file="ed11704.jpg" alt="ed11704.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="49px" file="ed11705.jpg" alt="ed11705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="54px" file="ed11708.jpg" alt="ed11708.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="60px" file="ed11710.jpg" alt="ed11710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="61px" file="ed11711.jpg" 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file="ed11719.jpg" alt="ed11719.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="50px" file="ed11729.jpg" alt="ed11729.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="46px" file="ed11730.jpg" alt="ed11730.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="34px" file="ed11738.jpg" alt="ed11738.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="40px" file="ed11739.jpg" alt="ed11739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="49px" file="ed11741.jpg" alt="ed11741.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="28px" width="49px" file="ed11742.jpg" alt="ed11742.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" 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width="75px" file="ed11806.jpg" alt="ed11806.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="59px" width="90px" file="ed11807.jpg" alt="ed11807.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="49px" width="81px" file="ed11808.jpg" alt="ed11808.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="33px" width="75px" file="ed11809.jpg" alt="ed11809.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="33px" width="80px" file="ed11810.jpg" alt="ed11810.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="39px" width="75px" file="ed11811.jpg" alt="ed11811.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="39px" width="80px" file="ed11812.jpg" alt="ed11812.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="37px" width="75px" file="ed11813.jpg" alt="ed11813.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="37px" width="75px" file="ed11814.jpg" alt="ed11814.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="34px" width="79px" file="ed11815.jpg" alt="ed11815.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="84px" file="ed11816.jpg" alt="ed11816.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="84px" file="ed11817.jpg" alt="ed11817.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="37px" width="75px" file="ed11818.jpg" alt="ed11818.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="37px" width="75px" file="ed11819.jpg" alt="ed11819.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="58px" width="50px" file="ed11820.jpg" alt="ed11820.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="58px" width="71px" file="ed11821.jpg" alt="ed11821.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="67px" file="ed11822.jpg" alt="ed11822.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="80px" file="ed11823.jpg" alt="ed11823.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="58px" width="71px" file="ed11824.jpg" alt="ed11824.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="69px" file="ed11825.jpg" alt="ed11825.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="82px" file="ed11826.jpg" alt="ed11826.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="81px" file="ed11827.jpg" alt="ed11827.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="76px" file="ed11828.jpg" alt="ed11828.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="91px" file="ed11829.jpg" alt="ed11829.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="35px" width="88px" file="ed11830.jpg" alt="ed11830.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="69px" file="ed11831.jpg" alt="ed11831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="65px" file="ed11832.jpg" alt="ed11832.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="38px" width="75px" file="ed11833.jpg" alt="ed11833.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="80px" file="ed11834.jpg" alt="ed11834.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="75px" file="ed11835.jpg" alt="ed11835.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="39px" width="80px" file="ed11836.jpg" alt="ed11836.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="77px" file="ed11837.jpg" alt="ed11837.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="64px" file="ed11842.jpg" alt="ed11842.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="34px" width="64px" file="ed11843.jpg" alt="ed11843.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="68px" file="ed11844.jpg" alt="ed11844.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="68px" file="ed11845.jpg" alt="ed11845.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="73px" file="ed11846.jpg" alt="ed11846.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="41px" width="73px" file="ed11847.jpg" alt="ed11847.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="78px" file="ed11848.jpg" alt="ed11848.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="78px" file="ed11849.jpg" alt="ed11849.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="43px" width="77px" file="ed11850.jpg" alt="ed11850.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="77px" file="ed11851.jpg" alt="ed11851.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="77px" file="ed11852.jpg" alt="ed11852.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="66px" file="ed11853.jpg" alt="ed11853.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="66px" file="ed11854.jpg" alt="ed11854.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="79px" file="ed11855.jpg" alt="ed11855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="49px" file="ed11856.jpg" alt="ed11856.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="42px" width="49px" file="ed11857.jpg" alt="ed11857.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="53px" file="ed11858.jpg" alt="ed11858.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="52px" file="ed11859.jpg" alt="ed11859.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="52px" file="ed11860.jpg" alt="ed11860.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="55px" file="ed11861.jpg" alt="ed11861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="38px" width="79px" file="ed11862.jpg" alt="ed11862.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="74px" file="ed11863.jpg" alt="ed11863.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="76px" file="ed11864.jpg" alt="ed11864.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、及<img align="absmiddle" height="32px" width="28px" file="ed11865.jpg" alt="ed11865.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>係<img align="absmiddle" height="25px" width="40px" file="ed11682.jpg" alt="ed11682.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1至8中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>係<img align="absmiddle" height="33px" width="75px" file="ed11757.jpg" alt="ed11757.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自： <br/>
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽以及醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至11中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽用於製備藥物之用途，其中該藥物係用於拮抗有需要患者體內之環狀GMP-AMP合成酶(cGAS)。
一種自行車踏板，包含：踏板軸桿，其具有第一端部分、第二端部分、及接觸部分，該第一端部分被建構成被附接於自行車曲柄，該第二端部分相對於該踏板軸桿的旋轉中心軸線在軸向方向上位於該第一端部分的相反側上，該接觸部分在該軸向方向上位於該第一端部分和該第二端部分之間；及踏板本體，其具有本體部件及負載接收部件，該本體部件以可旋轉的方式被該踏板軸桿支撐，該負載接收部件沿著該旋轉中心軸線位在對應於該踏板軸桿的該接觸部分之位置處，該負載接收部件被建構成接收來自該踏板軸桿的該接觸部分之負載，其中該負載接收部件具有一部分，其在未受負載狀況下與該接觸部分至少部分地隔開且在來自騎士的負載被施加於該踏板本體之情形下接觸該接觸部分。
如請求項1之自行車踏板，其中該負載接收部件包括負載接收接觸部分，該負載接收接觸部分在來自該騎士的該負載被施加於該踏板本體之情形下接觸該踏板軸桿的該接觸部分，且該負載接收部件的該負載接收接觸部分及該踏板軸桿的該接觸部分中之至少一者包括樹脂材料。
如請求項2之自行車踏板，其中該負載接收部件還包括支撐該負載接收接觸部分之支撐部分，且該支撐部分包括金屬材料。
如請求項1之自行車踏板，其中該負載接收部件在該未受負載狀況下與該接觸部分至少部分地隔開一距離，且該距離的範圍係從0.2mm至0.8mm。
如請求項1之自行車踏板，其中該接觸部分具有大於該第二端部分的第二最外側直徑之第一最外側直徑。
如請求項1之自行車踏板，其中該負載接收部件包括被附接於該本體部件之支撐部分。
如請求項6之自行車踏板，其中該負載接收部件的該支撐部分藉由至少一個緊固件而被附接於該本體部件。
如請求項1之自行車踏板，其中該本體部件包括踏板軸桿接收內孔，該踏板軸桿接收內孔被建構成至少接收該踏板軸桿的該第二端部分。
如請求項8之自行車踏板，其中該負載接收部件沿著該踏板軸桿的該旋轉中心軸線與該踏板軸桿接收內孔的進入開口軸向地隔開。
如請求項9之自行車踏板，其中該踏板軸桿具有露出部分，該露出部分在該負載接收部件和該踏板軸桿接收內孔的該進入開口之間被設置於該踏板本體的外面。
如請求項1之自行車踏板，其中該負載接收部件吸收在與該踏板軸桿的該旋轉中心軸線垂直的方向上被施加於該踏板本體的力的至少一部分。
如請求項1之自行車踏板，其中該負載接收部件包括圍繞該踏板軸桿的該接觸部分之踏板軸桿接收孔口。
如請求項1之自行車踏板，其中該本體部件以可旋轉的方式被至少一個滑動軸承支撐，該至少一個滑動軸承至少被設置在該踏板軸桿的該第二端部分上。
如請求項13之自行車踏板，其中該至少一個滑動軸承包括第一滑動軸承及第二滑動軸承，該第一滑動軸承被設置在該踏板軸桿的該第二端部分上，該第二滑動軸承被設置在該第一滑動軸承和該接觸部分之間。
一種聚合物泡沫製品，其具有貫穿該製品之整體之界定複數個氣囊之連續熱塑性聚合物基質，另外其中各自具有20cm之直徑的兩個球體將裝入該製品內而各球體不自該製品之表面凸起，另外其中該製品之總體積為16,000cm<sup>3</sup>或更大。
如請求項1之聚合物泡沫製品，其中自該製品之表面延伸500微米之表面區域包括貫穿其整體之壓縮氣囊。
如請求項2之聚合物泡沫製品，其中該製品進一步包括距其表面超過500微米之壓縮氣囊。
如請求項1之聚合物泡沫製品，其進一步包含一或多個位置，在該一或多個位置中，直徑為2cm之球體將不能裝入該聚合物泡沫製品內且將自該製品之表面凸起。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該聚合物泡沫製品之總體積為16,000cm<sup>3</sup>至50,000cm<sup>3</sup>。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該聚合物泡沫製品之總體積大於50,000cm<sup>3</sup>。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中直徑為2cm之三個球體將裝入該製品內而不自其表面凸起。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中各自具有20cm之直徑的四個球體將裝入該製品內而不自該表面凸起。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中各自具有20cm之直徑的多於四個球體將裝入該製品內而不自該表面凸起。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該熱塑性聚合物係選自：聚烯烴、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚碳酸酯、聚(乳酸)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、四氟乙烯之共聚物、聚醚碸、聚縮醛、芳族聚醯胺、聚伸苯醚、聚丁烯、聚丁二烯、聚丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯、離子聚合物、聚醚-醯胺嵌段共聚物、聚芳醚酮、聚碸、聚苯硫醚、聚醯胺-醯亞胺共聚物、聚丁二酸丁二醇酯、纖維素材料或多醣，或其任何共聚物、複合物、混雜物或摻合物。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該連續熱塑性聚合物基質包括聚烯烴、聚醯胺、離子官能化烯烴共聚物或聚醚-醯胺嵌段共聚物。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該連續熱塑性聚合物基質進一步包括一或多種選自著色劑、穩定劑、光亮劑、成核劑、纖維、顆粒及填充劑之額外材料。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其中該連續熱塑性聚合物基質進一步包括滑石、著色劑或滑石及著色劑兩者。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項5之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項6之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項7之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項8之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項9之聚合物泡沫製品，其包括以不包括氣囊、氣生成物或氣生成物源之同一聚合物製品之質量計30%至85%之密度降低。
如請求項1至4中任一項之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
如請求項5之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
如請求項6之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
如請求項7之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
如請求項8之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
如請求項9之聚合物泡沫製品，其包括70%至85%之空隙分數。
一種形成熔融聚合物泡沫製品之方法，該方法包括：加熱且混合熱塑性聚合物與氣生成物源以形成熔融含氣混合物，其中該熔融含氣混合物之溫度超過該氣生成物源在大氣壓下產生氣生成物之溫度，且其中施加至該熔融含氣混合物之壓力足以實質上防止形成氣囊；在收集區域中收集經選擇之量之該熔融含氣混合物；在接近該熔融含氣混合物之該收集區域中界定膨脹體積，該收集區域以0.01GPa/s至5GPa/s之速率產生壓降；自該收集區域分配熔融聚合物泡沫；及形成聚合物泡沫製品，其具有貫穿該製品之整體之界定複數個氣囊之連續熱塑性聚合物基質，另外其中各自具有20cm之直徑的兩個球體將裝入該製品內而各球體不自該製品之表面凸起，另外其中該製品之總體積為16,000cm<sup>3</sup>或更大。
如請求項26之方法，其中該方法使用注射模製機進行，另外其中背壓設置為500kPa至25MPa。
如請求項26或27之方法，其中該方法進一步包括允許在該界定之後與在該分配之前經過0秒至5秒，其中允許該熔融含氣混合物在該收集區域中靜置而實質上不受干擾。
如請求項26或27之方法，其中該方法進一步包括允許在該界定之後與在該分配之前經過600秒至2000秒，其中允許該熔融含氣混合物在該收集區域中靜置而實質上不受干擾。
一種用於形成聚合物泡沫製品之穩定熔融聚合物泡沫，其藉由包括以下之方法形成：加熱且混合熱塑性聚合物與氣生成物源以形成熔融含氣混合物，其中該熔融含氣混合物之溫度超過該氣生成物源在大氣壓下產生氣生成物之溫度，且其中施加至該熔融含氣混合物之壓力足以實質上防止形成氣囊；在收集區域中收集經選擇之量之該熔融含氣混合物；在接近該熔融含氣混合物之該收集區域中界定膨脹體積，該收集區域以0.01GPa/s至5GPa/s之速率產生壓降，進而形成該穩定熔融聚合物泡沫；及形成聚合物泡沫製品，其具有貫穿該製品之整體之界定複數個氣囊之連續熱塑性聚合物基質，另外其中各自具有20cm之直徑的兩個球體將裝入該製品內而各球體不自該製品之表面凸起，另外其中該製品之總體積為16,000cm<sup>3</sup>或更大。
如請求項30之穩定熔融聚合物泡沫，另外其中在該膨脹體積之界定期間之背壓為500kPa至25MPa。
一種葉輪，其設置在由磁性軸承通過磁性力非接觸地支承的圓筒狀的轉子本體的軸方向上的一端側，並且與所述轉子本體一起構成轉子，其特徵在於，具備：<br/>葉輪基部，設置在所述轉子本體的所述軸方向上的一端側並且具有葉片支承面；<br/>多個葉片，以從所述葉片支承面的徑方向上的內側開始到外側沿著與所述轉子的旋轉方向相反的方向呈曲線狀地延伸的方式，設置在所述葉輪基部的所述葉片支承面上；<br/>圓環板狀的前護罩，設置在所述多個葉片的與所述葉輪基部在所述軸方向上相反的那一側，所述圓環板狀的前護罩對所述多個葉片的外周側的部分進行覆蓋並且中央形成有孔部，所述多個葉片的內周側的部分露出於所述孔部，其中<br/>所述前護罩的所述孔部的內徑大於所述葉輪基部的外徑；<br/>所述葉輪為半開放形式，所述多個葉片露出於所述前護罩於所述葉片支承面的那一側；<br/>所述葉輪基部形成爲圓筒狀，並且所述葉輪基部在所述葉片支承面的附近位置具有多個橫孔部，所述多個橫孔部在所述徑方向上呈放射狀地將內周部與外周部連通，以從所述內周部向所述外周部輸送流體。
如請求項1所述的葉輪，其中，所述前護罩的孔部的內徑，是所述葉輪基部的外徑的110%～135%。
如請求項1或2所述的葉輪，其中，所述葉輪基部，在所述葉片支承面側的外周緣部具有圓角面。
如請求項1或2所述的葉輪，其中，所述多個葉片，在配置於所述前護罩的所述孔部的內側的部分的、與所述葉片支承面相反的那一側的面上，具有朝向所述旋轉方向進行傾斜的第1錐面部。
如請求項4所述的葉輪，其中，所述多個葉片，在所述葉片支承面那一側的面上，具有朝向與所述旋轉方向相反的一側進行傾斜的第2錐面部。
一種泵，具備：<br/>轉子，包括：圓筒狀轉子本體，以及設置在該轉子本體的軸方向上的一端側的葉輪；<br/>磁性軸承，通過磁性力支承所述轉子；<br/>驅動機構，對所述轉子進行旋轉驅動；以及<br/>包括所述葉輪的泵機構，<br/>其中，<br/>所述泵機構具備殼體，該殼體具有形成對所述轉子本體進行收納的收納空間的後殼，以及形成與對所述葉輪進行收納的收納空間的前殼，<br/>所述葉輪，具備：<br/>葉輪基部，設置在所述轉子本體的所述軸方向上的一端側並且具有葉片支承面；<br/>多個葉片，以從所述葉片支承面的徑方向上的內側開始到外側沿著與所述轉子的旋轉方向相反的方向呈曲線狀地延伸的方式，設置在所述葉輪基部的所述葉片支承面上；<br/>圓環板狀的前護罩，設置在所述多個葉片的與所述葉輪基部在所述軸方向上相反的那一側，所述圓環板狀的前護罩對所述多個葉片的外周側的部分進行覆蓋並且中央形成有孔部，所述多個葉片的內周側的部分露出於所述孔部，其中<br/>所述前護罩的所述孔部的內徑大於所述葉輪基部的外徑；<br/>所述多個葉片直接面對所述後殼；<br/>所述轉子本體的內周側與所述後殼之間具有內周側間隙；<br/>所述轉子本體的外周側與所述後殼之間具有外周側間隙，所述外周側間隙連通所述前護罩與所述後殼之間的空間；<br/>所述轉子本體的所述軸方向上的另一端側與所述後殼的底面之間具有圓筒狀空間，所述圓筒狀空間連通所述內周側間隙與所述外周側間隙；<br/>所述葉輪基部形成爲圓筒狀且其內側空間與所述內周側間隙連通，並且所述葉輪基部在所述葉片支承面的附近位置具有多個橫孔部，所述多個橫孔部在所述徑方向上呈放射狀地將內周部與外周部連通，以從所述內周部向所述外周部輸送流體。
如請求項6所述的泵，其中，所述前護罩的孔部的內徑，是所述葉輪基部的外徑的110%～135%。
如請求項6或7所述的泵，其中，所述葉輪基部，在所述葉片支承面側的外周緣部具有圓角面。
如請求項6或7所述的泵，其中，所述多個葉片，在配置於所述前護罩的所述孔部的內側的部分的、與所述葉片支承面相反的那一側的面上，具有朝向所述旋轉方向進行傾斜的第1錐面部。
如請求項9所述的泵，其中，所述多個葉片，在所述葉片支承面那一側的面上，具有朝向與所述旋轉方向相反的一側進行傾斜的第2錐面部。
一種式(I)的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，<figure><img align="absmiddle" height="125px" width="278px" file="d10078.TIF" alt="化學式ed10078.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10078.png"/></figure>其中：R<sub>1</sub>選自：<img align="absmiddle" height="122px" width="88px" file="d10138.TIF" alt="其他非圖式ed10138.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10138.png"/>、<img align="absmiddle" height="124px" width="91px" file="d10139.TIF" alt="其他非圖式ed10139.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10139.png"/>、<img align="absmiddle" height="97px" width="88px" file="d10140.TIF" alt="其他非圖式ed10140.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10140.png"/>、<img align="absmiddle" height="120px" width="87px" file="d10141.TIF" alt="其他非圖式ed10141.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10141.png"/>和<img align="absmiddle" height="123px" width="68px" file="d10136.TIF" alt="其他非圖式ed10136.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10136.png"/>；<img align="absmiddle" height="46px" width="49px" file="d10137.TIF" alt="其他非圖式ed10137.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10137.png"/>選自苯基和5-6員雜芳基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH；R<sub>1</sub>’選自H、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)、C<sub>3-8</sub>環烷基、4-8員雜環基和NR<sub>4</sub>R<sub>5</sub>；R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>分別獨立地選自H、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH和-O(C<sub>1-6</sub>烷基)；或者R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和與它們相連的N原子一起形成4-8員的雜環；X為O或CR<sub>6</sub>R<sub>7</sub>；R<sub>6</sub>、R<sub>7</sub>分別獨立地選自H、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；Y為N或CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>分別獨立地選自H、鹵素、-CN、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；n為0、1、2、3或4；R<sub>2</sub>為苯基或5-10員雜芳基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、C<sub>3-8</sub>環烷基、4-8員雜環基和5-6員雜芳基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基、4-8員雜環基或5-6員雜芳基各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH；或者，當Y為CR<sub>3</sub>且n不是0時，R<sub>3</sub>和一個R<sub>a</sub>與它們相連的碳原子以及該碳原子之間的原子一起形成4-8員的雜環。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>1</sub>選自：<img align="absmiddle" height="120px" width="91px" file="d10142.TIF" alt="其他非圖式ed10142.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10142.png"/>。
如請求項2所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>1</sub>’選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基和NR<sub>4</sub>R<sub>5</sub>；R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>均為H；或者R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和與它們相連的N原子一起形成4-8員的雜環。
如請求項2所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>1</sub>’選自H和C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>1</sub>選自<img align="absmiddle" height="123px" width="73px" file="d10143.TIF" alt="其他非圖式ed10143.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10143.png"/>；<img align="absmiddle" height="52px" width="53px" file="d10144.TIF" alt="其他非圖式ed10144.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10144.png"/>為5-6員雜芳基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH。
如請求項5所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="47px" width="46px" file="d10145.TIF" alt="其他非圖式ed10145.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10145.png"/>為吡唑基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH。
如請求項6所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="48px" width="44px" file="d10146.TIF" alt="其他非圖式ed10146.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10146.png"/>為吡唑基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至7中任一項所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，X為O或CH<sub>2</sub>。
如請求項8所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，X為O。
如請求項8所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，Y為N或CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)。
如請求項10所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，Y為CR<sub>3</sub>，R<sub>3</sub>選自H、-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)或-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)。
如請求項11所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>3</sub>為-O(C<sub>1-6</sub>烷基)。
如請求項12所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>3</sub>為-O(C<sub>1-3</sub>烷基)。
如請求項10所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H，且n為0、1或2。
如請求項14所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H，且n為1。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>2</sub>為苯基或5-6員雜芳基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>炔基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、C<sub>3-8</sub>環烷基和5-6員雜芳基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基或5-6員雜芳基各自視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項10所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>2</sub>為苯基或吡啶基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-1a)結構：<figure><img align="absmiddle" height="214px" width="362px" file="d10079.TIF" alt="化學式ed10079.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10079.png"/></figure>其中R<sub>1</sub>’選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-8</sub>環烷基和NR<sub>4</sub>R<sub>5</sub>；R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>均為H；或者R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和與它們相連的N原子一起形成4-8員的雜環；X為O或CH<sub>2</sub>；Y為N或CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為0、1或2；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>2-6</sub>炔基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-CN、-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH、C<sub>3-8</sub>環烷基和5-6員雜芳基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基或5-6員雜芳基各自視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項18所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和與它們相連的N原子一起形成除與R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>相連的N原子之外還含有0、1或2個獨立地選自N、O或S的雜原子的5或6員雜環。
如請求項19所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>和與它們相連的N原子一起形成嗎啉環。
如請求項18所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>1</sub>’選自H和C<sub>1-6</sub>烷基；X為O；Y為CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、-CN、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為1；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-1b)結構：<figure><img align="absmiddle" height="214px" width="358px" file="d10080.TIF" alt="化學式ed10080.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10080.png"/></figure>其中R<sub>1</sub>’選自H和C<sub>1-6</sub>烷基；X為O；Y為CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為1或2；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-1c)結構：<figure><img align="absmiddle" height="183px" width="371px" file="d10081.TIF" alt="化學式ed10081.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10081.png"/></figure>其中X為O；Y為CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為1或2；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-1d)結構：<figure><img align="absmiddle" height="210px" width="393px" file="d10082.TIF" alt="化學式ed10082.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10082.png"/></figure>其中X為O；Y為CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為1或2；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-1e)結構：<figure><img align="absmiddle" height="209px" width="344px" file="d10083.TIF" alt="化學式ed10083.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10083.png"/></figure>其中<img align="absmiddle" height="51px" width="46px" file="d10147.TIF" alt="其他非圖式ed10147.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10147.png"/>為5-6員雜芳基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基；X為O或CH<sub>2</sub>；Y為CR<sub>3</sub>；R<sub>3</sub>選自H、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和-O(C<sub>1-6</sub>鹵烷基)；R<sub>a</sub>和R<sub>b</sub>均為H；n為1或2；R<sub>2</sub>為苯基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項25所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="48px" width="47px" file="d10148.TIF" alt="其他非圖式ed10148.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10148.png"/>為吡唑基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，當Y為CR<sub>3</sub>且n不是0時，R<sub>3</sub>和一個R<sub>a</sub>與它們相連的碳原子以及該碳原子之間的原子一起形成5-6員的雜環。
如請求項27所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-2)或式(I-3)結構：<figure><img align="absmiddle" height="153px" width="619px" file="d10084.TIF" alt="化學式ed10084.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10084.png"/></figure>其中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>和X如請求項1中所定義。
如請求項28所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-2)結構。
如請求項28所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-2a)結構：<figure><img align="absmiddle" height="218px" width="377px" file="d10085.TIF" alt="化學式ed10085.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10085.png"/></figure>其中R<sub>1</sub>’選自H和C<sub>1-6</sub>烷基；X為O；R<sub>2</sub>為苯基或5-6員雜芳基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項30所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>2</sub>為苯基或吡啶基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基。
如請求項28所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，該化合物具有式(I-2b)結構：<figure><img align="absmiddle" height="210px" width="342px" file="d10086.TIF" alt="化學式ed10086.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10086.png"/></figure>其中<img align="absmiddle" height="48px" width="52px" file="d10149.TIF" alt="其他非圖式ed10149.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10149.png"/>為5-6員雜芳基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH；X為O；R<sub>2</sub>為苯基或5-6員雜芳基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基；其中，作為R<sub>2</sub>的取代基的C<sub>3-8</sub>環烷基視需要地被一個或多個鹵素取代。
如請求項32所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="47px" width="47px" file="d10150.TIF" alt="其他非圖式ed10150.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10150.png"/>為吡唑基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基和-C<sub>1-6</sub>伸烷基-OH。
如請求項33所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，<img align="absmiddle" height="48px" width="44px" file="d10151.TIF" alt="其他非圖式ed10151.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10151.png"/>為吡唑基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項33所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>2</sub>為苯基或吡啶基，其各自視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基。
如請求項34所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其中，R<sub>2</sub>為吡啶基，其視需要地被一個或多個獨立地選自以下的基團所取代：-O(C<sub>1-6</sub>烷基)和C<sub>3-8</sub>環烷基。
如請求項1所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，其選自以下化合物或其藥學上可接受的鹽<figure><img align="absmiddle" height="603px" width="646px" file="d10087.TIF" alt="化學式ed10087.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10087.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="831px" width="667px" file="d10088.TIF" alt="化學式ed10088.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10088.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="903px" width="660px" file="d10089.TIF" alt="化學式ed10089.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10089.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="756px" width="669px" file="d10090.TIF" alt="化學式ed10090.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10090.png"/></figure>
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至37中任意一項所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，並且視需要地包含藥學上可接受的賦形劑。
一種如請求項1至37中任意一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽在製備藥物中的用途，該藥物用於治療個體的由CSF-1R介導或至少部分由CSF-1R介導的疾病。
如請求項39所述的用途，其中，該疾病是自身免疫性疾病、炎症性疾病、神經變性疾病、癌症、代謝性疾病、肥胖或肥胖相關性疾病。
如請求項40所述的用途，其中，該自身免疫性疾病或炎症性疾病選自類風濕性關節炎、膠原誘導性關節炎、骨關節炎、色素絨毛結節性滑膜炎(PVNS)、系統性紅斑狼瘡、多發性硬化、全身性硬皮病、自身免疫性腎炎、炎性腸病、克羅恩病、潰瘍性結腸炎、銀屑病、特應性皮炎、哮喘、慢性阻塞性肺疾病、貝赫切特病、特發性血小板減少性紫癜、脊柱關節炎、全身型幼年特發性關節炎(SoJIA)、胰腺炎、實質器官的缺血再灌注損傷、器官的移植排斥、敗血症、全身性炎症反應綜合症和化療藥物引起的臟器損傷；該神經變性疾病選自帕金森病(PD)、多系統萎縮、阿爾茨海默病(AD)、額顳葉癡呆、亨廷頓舞蹈病(HD)、皮質基底節變性、脊髓小腦共濟失調、肌萎縮側索硬化(ALS)、脊髓性肌萎縮(SMA)和遺傳性運動感覺性神經病(CMT)；該癌症是實體瘤或血液系統惡性腫瘤，例如卵巢癌、肺癌(包括非小細胞肺癌)、腦瘤(包括成膠質細胞瘤(GBM))、腱鞘巨細胞瘤、胃腸道間質腫瘤(GIST)、胃癌、食道癌、結腸癌、結腸直腸癌、胰腺癌、前列腺癌、乳腺癌、宮頸癌、黑色素瘤、間皮瘤、間皮內膜癌、腎癌、肝癌、甲狀腺癌、頭頸癌、尿路上皮癌、膀胱癌、子宮內膜癌、絨毛膜癌、腎上腺癌、肉瘤、白血病、淋巴瘤或骨髓瘤。
一種藥物組合產品，其包含如請求項1至37中任意一項所述的化合物、或其藥學上可接受的鹽、或者它們的溶劑合物、外消旋混合物、對映異構體、非對映異構體或互變異構體，以及至少一種另外的治療劑。
如請求項42所述的藥物組合產品，其中，該另外的治療劑是抗炎劑或抗腫瘤劑。
如請求項43所述的藥物組合產品，其中，該抗腫瘤劑選自放療劑、化療劑、免疫檢查點抑制劑或激動劑、以及靶向治療劑。
一種調配物，其包含：a)50mg/mL至175mg/mL之帕博利珠單抗(pembrolizumab)；b)0.0009-0.05mg/ml之PH20變異體片段，該PH20變異體片段由SEQ ID NO：23所示胺基酸序列所組成；c)5mM至20mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；及d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖。
如請求項1之調配物，其包含：a)50mg/mL至175mg/mL之帕博利珠單抗；b)0.0009-0.05mg/ml之PH20變異體片段，該PH20變異體片段由SEQ ID NO：23所示胺基酸序列所組成；c)5mM至20mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖；及e)1mM至30mM之甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)5mM至20mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；及d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)5mM至20mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖；及e)1mM至30mM之甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)5mM至20mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖；e)1mM至30mM之甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽；及f)0.005-0.10% w/v之聚山梨醇酯。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)8mM至12mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)3%至10%重量/體積(w/v)之海藻糖或蔗糖；e)0.005-0.10% w/v之聚山梨醇酯；及f)1mM至30mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)8mM至12mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)3%至10%重量/體積(w/v)之蔗糖；e)0.005-0.10% w/v之聚山梨醇酯；及f)1mM至30mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)8mM至12mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)6%至8% w/v之蔗糖；e)0.01-0.04% w/v之聚山梨醇酯80；及f)5mM至20mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)1000U/mL至6000U/mL之PH20變異體片段；c)10mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)7% w/v之蔗糖；及e)0.02% w/v之聚山梨醇酯80。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)2000U/mL之PH20變異體片段；c)10mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.5；d)10mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽；及e)7% w/v之蔗糖。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)2000U/mL之PH20變異體片段；c)10mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.5；d)7% w/v之蔗糖；及e)0.02% w/v之聚山梨醇酯80。
如請求項1之調配物，其包含：a)165mg/mL之帕博利珠單抗；b)2000U/mL或0.012mg/mL之PH20變異體片段；c)10mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.5；d)10mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽；e)7% w/v之蔗糖；及f)0.02% w/v之聚山梨醇酯80。
如請求項1或2之調配物，其中帕博利珠單抗係75-175mg/mL。
如請求項1之調配物，其包含：a)130mg/mL之帕博利珠單抗；b)2000U/mL或0.012mg/mL之PH20變異體片段；c)10mM之組胺酸緩衝劑，其pH為5.0至6.0；d)10mM之L-甲硫胺酸或其醫藥學上可接受之鹽；e)7% w/v之蔗糖；及f)0.02% w/v之聚山梨醇酯80。
如請求項1至9中任一項之調配物，其中該PH20變異體片段為2000U/ml。
如請求項1至12及14中任一項之調配物，其係液體。
如請求項1至12及14中任一項之調配物，其中該調配物係供皮下投與。
如請求項1至12及14中任一項之調配物，其中該帕博利珠單抗具以下特性之一或多者：在該調配物在5℃下儲存3個月之後，如藉由HP-SEC所量測之高分子量物種(HMW)%小於2%；在該調配物在2-8℃下儲存3或6個月之後，如藉由HP-SEC所量測之高分子量物種%係<img align="absmiddle" height="16px" width="11px" file="d10001.TIF" alt="其他非圖式ed10001.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10001.png"/>1%；在該調配物在25℃下儲存6、3或1個月之後，如藉由HP-SEC所量測之高分子量物種%係<img align="absmiddle" height="17px" width="12px" file="d10003.TIF" alt="其他非圖式ed10003.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10003.png"/>2%；在該調配物在40℃下儲存3個月之後，如藉由HP-SEC所量測之高分子量物種%係<img align="absmiddle" height="17px" width="12px" file="d10004.TIF" alt="其他非圖式ed10004.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10004.png"/>5.0%；該調配物在5℃下儲存1、3或6個月之後，如藉由HP-SEC所量測之單體%為<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10005.TIF" alt="其他非圖式ed10005.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10005.png"/>99.5%；該調配物在25℃下儲存1、3或6個月之後，如藉由HP-SEC所量測之單體%為<img align="absmiddle" height="16px" width="11px" file="d10006.TIF" alt="其他非圖式ed10006.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10006.png"/>98%；及該調配物在40℃下儲存3個月之後，如藉由HP-SEC所量測之單體%為<img align="absmiddle" height="17px" width="12px" file="d10007.TIF" alt="其他非圖式ed10007.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10007.png"/>95%。
如請求項1至12及14中任一項之調配物，其中該帕博利珠單抗具以下特性之一或多者：該調配物在5℃下儲存1或3個月之後，如藉由IEX所量測之酸性變異體%為<img align="absmiddle" height="15px" width="12px" file="d10008.TIF" alt="其他非圖式ed10008.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10008.png"/>20%；該調配物在25℃下儲存3個月之後，如藉由IEX所量測之酸性變異體%為<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10009.TIF" alt="其他非圖式ed10009.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10009.png"/>25%；及該調配物在40℃下儲存3個月之後，如藉由IEX所量測之酸性變異體%為<img align="absmiddle" height="17px" width="11px" file="d10002.TIF" alt="其他非圖式ed10002.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10002.png"/>55%。
一種用於推測漏洞的動態緩解的設備，包含：混合金鑰產生器，包括用於接收第一公共金鑰的第一輸入、用於接收一或多個第一複數個處理識別符的第二輸入，以及用於將該第一公共金鑰與該一或多個第一複數個處理識別符組合以產生第一混合金鑰的電路，該第一複數個處理識別符中的每一個對應到記憶體中的一或多個第一複數個記憶體空間；及記憶體保護硬體，使用該第一混合金鑰來保護該第一複數個記憶體空間。
如請求項1之設備，其中該第一公共金鑰將從第一網站或該第一網站的第一認證中獲得。
如請求項2之設備，其中該第一複數個處理識別符中的至少一個是用來識別第一網頁瀏覽器處理，其中該第一網站是透過該第一網頁瀏覽器處理來存取的。
如請求項2或3之設備，其中該第一複數個處理識別符中的每一個是用來識別複數個網頁瀏覽器處理中的一個，其中該第一網站是透過所有該複數個網頁瀏覽器處理來存取的。
如請求項3之設備，其中該第一複數個記憶體空間中的至少一個是透過第一記憶體存取結構來存取的，該第一記憶體存取結構用以基於該第一混合金鑰來控制存取。
如請求項1、2、或3中任一項之設備，其中由該記憶體保護硬體使用的該第一混合金鑰包括將該第一混合金鑰與第一複數個記憶體存取結構中的每一個相關聯。
如請求項5之設備，其中由該記憶體保護硬體使用的該第一混合金鑰包括允許從第一複數個處理對該第一複數個記憶體空間的存取及防止從第二處理對該第一複數個記憶體空間的存取，該第一複數個處理包括該第一網頁瀏覽器處理。
如請求項7之設備，其中該第二處理是第二網頁瀏覽器處理，用以存取第二網站。
如請求項8之設備，其中該記憶體保護硬體還使用第二混合金鑰來保護對應到該第二網頁瀏覽器處理的第二記憶體空間。
如請求項9之設備，其中該第二記憶體空間是透過第二記憶體存取結構來存取的，該第二記憶體存取結構用以基於該第二混合金鑰來控制存取。
如請求項10之設備，其中由該記憶體保護硬體對該第一複數個記憶體空間及該第二記憶體空間的保護包括將該第二混合金鑰與該第二記憶體存取結構相關聯。
如請求項11之設備，其中：該混合金鑰產生器還基於第二公共金鑰及第二複數個處理識別符來產生該第二混合金鑰，第二複數個處理識別符中的每一個都對應到第二複數個記憶體空間的其中一個，該第二複數個記憶體空間包括該第二記憶體空間。
如請求項12之設備，其中該第二公共金鑰將從第二網站獲得。
如請求項1、2、或3中任一項之設備，其中該第一複數個處理識別符中的第一個是用來識別將網頁內容儲存到該第一複數個記憶體空間中相對應的一個中的處理。
一種在部件之側壁上形成氮化矽的方法，該方法包含下列步驟：<br/>提供一基板，該基板包括一部件，該部件包括一側壁表面及一與側壁表面相鄰的表面；<br/>形成上覆於該側壁表面及該與該側壁表面相鄰的表面的一氧化矽層；<br/>使用一循環沉積製程，沉積上覆於該氧化矽層的一氮化矽層；以及<br/>使該氮化矽層暴露至生成自一含氫氣體的活化物種。
如請求項1所述之方法，進一步包括一選擇性移除相對於上覆於該側壁表面之該氮化矽層的一部分之上覆於該與側壁表面相鄰的表面之該氮化矽層的一部份之步驟。
如請求項1或2所述之方法，其中該循環沉積製程包括：<br/>提供一矽前驅物；以及<br/>提供一氮反應物。
如請求項3所述之方法，其中該矽前驅物包括烷基胺基矽烷、胺基矽烷、鹵代矽烷之一或多者。
如請求項3所述之方法， 其中該矽前驅物包括下列的一或多者：雙二乙胺基矽烷（bisdiethylaminosilane; BDEAS）、雙二甲基胺基矽烷（bisdimethylaminosilane; BDMAS）、己基乙基胺基矽烷（hexylethylaminosilane ; HEAD）、四乙基胺基矽烷（tetraethylaminosilane; TEAS）、三級丁基胺基矽烷（tert-butylaminosilane; TBAS）、雙三級丁基胺基矽烷（bistert-butylaminosilane ; BTBAS）、雙二甲基胺基二甲胺基矽烷（bisdimethylaminodimethylaminosilane ; BDMADMS）、庚甲基二矽氮烷（heptamethyldisilazane; HMDS）、三甲基矽基二乙胺（trimethysylydiethylamine; TMSDEA）、三甲基矽基二甲胺（trimethylsyledimethlamine; TMSDMA）、三甲基三乙烯基環三矽氮烷（trimethyltoribinylcycletrisilazane ; TMTVCTS）、三三甲基羥胺（tristrimethylhydroxyamine; TTMSHA）、雙二甲基胺基甲矽烷 （bisdimethylaminomethysilane; BDMAMS）、二甲基矽基二甲基胺（dimethylsilylydimethylaminedimetyhlsilyldimethlamine; DMSDMA）、矽烷、SiXH<sub>3</sub>或SiX<sub>2</sub>H<sub>2</sub>或SiX<sub>3</sub>H或SiX<sub>4</sub>，其中X為Cl、Br、I之一者、XH<sub>2</sub>Si-SiXH<sub>2</sub>或X<sub>2</sub>HSi-SiX<sub>2</sub>H或X<sub>3</sub>Si-SiX<sub>3</sub>，其中X為Cl、Br、I之一者。
如請求項3所述之方法，其中該氮反應物包括氮與氨之一或多者。
如請求項3所述之方法，其中一反應物氣體包括該氮反應物與一包括氬與氦之一或多者的惰性氣體。
如請求項1或2所述之方法，其中該循環沉積製程包括一電漿增強型循環沉積製程。
如請求項1或2所述之方法，其中該含氫氣體包括氫與一包括氮、氬與氦之一或多者的惰性氣體。
如請求項2所述之方法，其中該選擇性移除之步驟包括使用一濕式蝕刻製程。
如請求項2所述之方法，其中該選擇性移除之步驟包括使用一乾式蝕刻製程。
如請求項1所述之方法，其中該氧化矽層之厚度大於1.5 nm及小於50 nm。
如請求項1所述之方法，其中該基板包括矽。
如請求項1所述之方法，其中該使該氮化矽層暴露至活化物種之步驟包括使用一直接電漿。
如請求項14所述之方法，其中一提供以產生該直接電漿的功率係介於約500 W與約2000 W之間。
如請求項8所述之方法，其中在該使用一循環沉積製程之步驟期間，一提供以產生一電漿的功率係介於約300 W與約2000 W。
如請求項1所述之方法，其中在該使用一循環沈積製程之步驟期間的一溫度係介於約200 °C與約600 °C之間。
如請求項1所述之方法，其中在該使用一循環沉積製程之步驟期間的一壓力係介於約200 Pa與約6000 Pa之間。
如請求項1所述之方法，其中在該使該氮化矽層暴露至活化物種之步驟期間的一壓力係介於約100 Pa與約500 Pa之間。
如請求項1所述之方法，進一步包括一穩定時段。
一種在部件的側壁表面上包括氮化矽的結構，係根據如請求項1至20中任一項所述之方法而形成，該結構包括：<br/>包括該部件之該基板；以及<br/>該部件之該側壁上的該氮化矽。
如請求項21所述之結構，其中該氮化矽之厚度係介於約2 nm與約30 nm之間。
一種在部件的側壁上形成氮化矽的系統，包括：<br/>一或多個反應室；<br/>一前驅物源；<br/>一氮反應物源；<br/>一含氫氣體源；<br/>一電漿功率源；<br/>一排氣源；以及<br/>一控制器，<br/>其中，該控制器係配置成控制一矽前驅物與一氮反應物進入該一或多個反應室之至少一者中的氣流，以形成上覆於一氧化矽層的一氮化矽層，以及<br/>其中該控制器係進一步配置以提供生成自一含氫氣體的活化物種至該氮化矽層。
一種毛髮用清潔劑組合物，其含有下述成分(A)及(B)： <br/>(A)將平均雙鍵位置為4.0位以上4.3位以下之碳數16之原料烯烴磺化而成之碳數16之內部烯烴磺酸或其鹽 <br/>(B)選自磺酸鹽、胺基酸鹽、磺基琥珀酸鹽、硫酸酯鹽、及羧酸鹽之1種或2種以上之陰離子界面活性劑， <br/>成分(A)之含量與成分(B)之含量之質量比((A)/(B))為0.1以上10以下。
如請求項1之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於1位以上4位以下之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為40質量%以上75質量%以下。
如請求項1之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於2位之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為10質量%以上35質量%以下。
如請求項1之毛髮用清潔劑組合物，其中磺酸基存在於3位之內部烯烴磺酸或其鹽之含量於成分(A)中為5質量%以上30質量%以下。
如請求項1至4中任一項之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(A)之含量為0.01質量%以上30質量%以下。
如請求項1至4中任一項之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(A)中，內部烯烴磺酸或其鹽之羥基體之含量與內部烯烴磺酸或其鹽之烯烴體之含量的質量比(羥基體/烯烴體)為50/50～100/0。
如請求項1至4中任一項之毛髮用清潔劑組合物，其中成分(B)之含量為0.01質量%以上30質量%以下。
一種控制裝置，其係人力驅動車之控制裝置，其包含 <br/>控制部，其構成為控制對上述人力驅動車賦予推進力之馬達， <br/>上述控制部構成為根據設置於操作裝置之第1操作部之操作，變更上述馬達之控制狀態， <br/>上述控制狀態包含： <br/>第1控制狀態； <br/>第2控制狀態，其根據輸入至上述人力驅動車之人力驅動力驅動上述馬達，與上述第1控制狀態不同；及 <br/>第3控制狀態，其根據輸入至上述人力驅動車之上述人力驅動力驅動上述馬達，與上述第1控制狀態及上述第2控制狀態不同； <br/>上述控制部 <br/>於上述第1控制狀態下，藉由第1操作方法操作上述第1操作部之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第2控制狀態， <br/>於上述第1控制狀態下，藉由與上述第1操作方法不同之第2操作方法操作上述第1操作部之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態， <br/>其中上述控制部 <br/>根據上述控制狀態，變更上述馬達之輔助位準、上述馬達之輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之至少一者，且 <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助位準大於上述第2控制狀態之上述輔助位準之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助力之最大值之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助力之最大值大於上述第2控制狀態之上述輔助力之最大值之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述馬達之輸出變動之抑制位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準大於上述第2控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準之方式，控制上述馬達。
如請求項1之控制裝置，其中上述第3控制狀態包含上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者互不相同之複數個控制狀態， <br/>於上述第1控制狀態下，藉由上述第2操作方法操作上述第1操作部之情形時，上述控制部將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之一個控制狀態。
如請求項2之控制裝置，其中上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態，係自上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中預先選擇。
如請求項2之控制裝置，其中上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者為最大之控制狀態。
如請求項1之控制裝置，其中上述控制部 <br/>根據上述控制狀態，變更上述馬達之輔助位準、上述馬達之輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之至少一者， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助位準小於上述第2控制狀態之上述輔助位準之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助力之最大值之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助力之最大值小於上述第2控制狀態之上述輔助力之最大值之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述馬達之輸出變動之抑制位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準小於上述第2控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準之方式，控制上述馬達。
如請求項5之控制裝置，其中上述第3控制狀態包含上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者互不相同之複數個控制狀態， <br/>於上述第1控制狀態下，藉由上述第2操作方法操作上述第1操作部之情形時，上述控制部將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之一個控制狀態。
如請求項6之控制裝置，其中上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態，係自上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中預先選擇。
如請求項6之控制裝置，其中上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者為最小之控制狀態。
如請求項1至8中任一項之控制裝置，其中上述第1操作方法包含上述第1操作部之1次操作時間為預先設定之第1時間以內之操作， <br/>上述第2操作方法包含以下至少一者： <br/>上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作； <br/>預先設定之第2時間內之上述第1操作部之操作次數為複數次之操作；及 <br/>於預先設定之第3時間內進行之如下操作：上述第1操作部之1次操作時間為上述預先設定之第1時間以內之操作、及上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作。
如請求項2至4中任一項之控制裝置，其中上述第1操作方法包含上述第1操作部之1次操作時間為預先設定之第1時間以內之操作， <br/>上述第2操作方法包含以下至少一者： <br/>上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作； <br/>預先設定之第2時間內之上述第1操作部之操作次數為複數次之操作；及 <br/>於預先設定之第3時間內進行之如下操作：上述第1操作部之1次操作時間為上述預先設定之第1時間以內之操作、及上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作。
如請求項10之控制裝置，其中上述控制部 <br/>根據上述第2操作方法所包含之1個操作，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態， <br/>根據上述第2操作方法所包含之另一個操作，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之另一個控制狀態。
如請求項10之控制裝置，其中上述控制部 <br/>於上述第1控制狀態下，上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最小之控制狀態， <br/>設為上述第3控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最小之控制狀態後，繼續操作上述第1操作部之情形時，進而每經過預先設定之第4時間，以上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者階段性變大之方式，將上述複數個控制狀態之一者變更為上述複數個控制狀態之另一者。
如請求項6至8中任一項之控制裝置，其中上述第1操作方法包含上述第1操作部之1次操作時間為預先設定之第1時間以內之操作， <br/>上述第2操作方法包含以下至少一者： <br/>上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作； <br/>預先設定之第2時間內之上述第1操作部之操作次數為複數次之操作；及 <br/>於預先設定之第3時間內進行之如下操作：上述第1操作部之1次操作時間為上述預先設定之第1時間以內之操作、及上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之操作。
如請求項13之控制裝置，其中上述控制部 <br/>根據上述第2操作方法所包含之1個操作，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態， <br/>根據上述第2操作方法所包含之另一個操作，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之另一個控制狀態。
如請求項13之控制裝置，其中上述第3控制狀態所包含之上述複數個控制狀態下，上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者互不相同， <br/>上述控制部 <br/>於上述第1控制狀態下，上述第1操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第1時間之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最大之控制狀態， <br/>變更為上述第3控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最大之控制狀態後，繼續操作上述第1操作部之情形時，進而每經過預先設定之第4時間，以上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及個控上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者階段性變小之方式，將上述複數制狀態之一者變更為上述複數個控制狀態之另一者。
如請求項1至4中任一項之控制裝置，其中上述操作裝置包含與上述第1操作部不同之第2操作部， <br/>上述控制部構成為根據上述第2操作部之操作，變更上述馬達之控制狀態， <br/>上述控制狀態至少包含： <br/>根據上述人力驅動力驅動上述馬達之第4控制狀態； <br/>根據上述人力驅動力驅動上述馬達，與上述第4控制狀態不同之第5控制狀態；及 <br/>與上述第4控制狀態及上述第5控制狀態不同之第6控制狀態； <br/>上述控制部 <br/>於上述第4控制狀態下，藉由第3操作方法操作上述第2操作部之情形時，將上述第4控制狀態變更為上述第5控制狀態， <br/>於上述第4控制狀態下，藉由與上述第3操作方法不同之第4操作方法操作上述第2操作部之情形時，將上述第4控制狀態變更為上述第6控制狀態。
如請求項16之控制裝置，其中上述控制部 <br/>根據上述控制狀態，變更上述馬達之輔助位準、上述馬達之輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之至少一者， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助位準之情形時，以上述第6控制狀態之上述輔助位準小於上述第5控制狀態之上述輔助位準之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助力之最大值之情形時，以上述第6控制狀態之上述輔助力之最大值小於上述第5控制狀態之上述輔助力之最大值之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述馬達之輸出變動之抑制位準之情形時，以上述第6控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準小於上述第5控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準之方式，控制上述馬達。
如請求項17之控制裝置，其中上述第6控制狀態包含上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者互不相同之複數個控制狀態， <br/>於上述第4控制狀態下，藉由上述第3操作方法操作上述第2操作部之情形時，上述控制部將上述第4控制狀態變更為上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之一個控制狀態。
如請求項18之控制裝置，其中上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態，係自上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中預先選擇。
如請求項18之控制裝置，其中上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態為上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者為最小之控制狀態。
如請求項16之控制裝置，其中上述第3操作方法包含上述第2操作部之1次操作時間為預先設定之第5時間以內之操作， <br/>上述第4操作方法包含以下至少一者： <br/>上述第2操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第5時間之操作； <br/>預先設定之第6時間內之上述第2操作部之操作次數為複數次之操作；及 <br/>於預先設定之第7時間內進行之如下操作：上述第2操作部之1次操作時間為上述預先設定之第5時間以內之操作、及上述第2操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第5時間之操作。
如請求項18之控制裝置，其中上述第3操作方法包含上述第2操作部之1次操作時間為預先設定之第5時間以內之操作， <br/>上述第4操作方法包含以下至少一者： <br/>上述第2操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第5時間之操作； <br/>預先設定之第6時間內之上述第2操作部之操作次數為複數次之操作；及 <br/>於預先設定之第7時間內進行之如下操作：上述第2操作部之1次操作時間為上述預先設定之第5時間以內之操作、及上述第2操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第5時間之操作。
如請求項22之控制裝置，其中上述控制部 <br/>根據上述第4操作方法所包含之1個操作，將上述第4控制狀態變更為上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之上述1個控制狀態， <br/>根據上述第4操作方法所包含之另一個操作，將上述第4控制狀態變更為上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態中之另一個控制狀態。
如請求項22之控制裝置，其中上述第6控制狀態所包含之上述複數個控制狀態下，上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之上述至少一者互不相同， <br/>上述控制部 <br/>於上述第4控制狀態下，上述第2操作部之1次操作時間超出上述預先設定之第5時間之情形時，將上述第4控制狀態變更為上述第6控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最大之控制狀態， <br/>變更為上述第4控制狀態中之上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者為最大之控制狀態後，繼續操作上述第2操作部之情形時，進而每經過預先設定之第8時間，以上述輔助位準、上述輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動抑制位準之上述至少一者階段性變小之方式，將上述複數個控制狀態之一者變更為上述複數個控制狀態之另一者。
一種控制裝置，其係人力驅動車之控制裝置，其包含 <br/>控制部，其構成為控制對上述人力驅動車賦予推進力之馬達， <br/>上述控制部構成為根據設置於操作裝置之第1操作部之操作，變更上述馬達之控制狀態， <br/>上述控制狀態包含： <br/>第1控制狀態； <br/>第2控制狀態，其根據輸入至上述人力驅動車之人力驅動力驅動上述馬達，與上述第1控制狀態不同；及 <br/>第3控制狀態，其根據輸入至上述人力驅動車之上述人力驅動力驅動上述馬達，與上述第1控制狀態及上述第2控制狀態不同； <br/>上述控制部 <br/>於上述第1控制狀態下，藉由第1操作方法操作上述第1操作部之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第2控制狀態， <br/>於上述第1控制狀態下，藉由與上述第1操作方法不同之第2操作方法操作上述第1操作部之情形時，將上述第1控制狀態變更為上述第3控制狀態，其中上述控制部 <br/>根據上述控制狀態，變更上述馬達之輔助位準、上述馬達之輔助力之最大值、及上述馬達之輸出變動之抑制位準之至少一者， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助位準小於上述第2控制狀態之上述輔助位準之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述輔助力之最大值之情形時，以上述第3控制狀態之上述輔助力之最大值小於上述第2控制狀態之上述輔助力之最大值之方式，控制上述馬達， <br/>於根據上述控制狀態變更上述馬達之輸出變動之抑制位準之情形時，以上述第3控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準小於上述第2控制狀態之上述馬達之輸出變動之抑制位準之方式，控制上述馬達。
一種匯流排配電單元，包括：<br/> 一外殼；<br/> 一電源輸入，與該外殼耦合，並可連接到一電氣匯流排；<br/> 一固定機構，可移動地連接到該外殼，並且被構造成將該匯流排配電單元固定到該電氣匯流排；以及<br/> 至少一插座模組，其中至少部分位於該外殼內且該插座模組包括：<br/> 至少一插座芯，具有一芯外表面，該芯外表面被配置為在一第一連接器類型內配合；<br/> 其中，該至少一插座芯包括複數個電端子，每個該電端子都耦合到該電源輸入並且被配置為連接對應該第一連接器類型以及不同於該第一連接器類型的一第二連接器類型兩者的配合端子；以及<br/> 一可移除的護罩圍繞該至少一插座芯定位，其中該護罩包括構造成接收該第一連接器類型的一護罩內表面。
如請求項1之匯流排配電單元，其中該第一連接器類型是IEC C14連接器並且該第二連接器類型是IEC C20連接器。
如請求項1之匯流排配電單元，其中，該至少一插座芯包括複數個孔，每個該孔被配置為接收對應於該第一連接器類型以及該第二連接器類型兩者的配合端子。
如請求項3之匯流排配電單元，其中該複數個孔各自具有一T形構造。
如請求項1之匯流排配電單元，其中該電源輸入包括一分接頭構件，該分接頭構件具有從其表面橫向延伸的複數個劍部。
一種匯流排配電單元，包括：<br/> 一外殼；<br/> 一電源輸入，與該外殼耦合，並可連接到一電氣匯流排；<br/> 一固定機構，可移動地連接到該外殼，並且被構造成將該匯流排配電單元固定到該電氣匯流排；以及<br/> 至少一插座模組，其中至少部分位於該外殼內且該插座模組包括：<br/> 複數個插座芯，每個該插座芯具有一芯外表面，該芯外表面被配置為在一第一連接器類型內配合，在至少兩個相鄰的該插座芯之間存在一無障礙空間。
如請求項6之匯流排配電單元，其中，該複數個插座芯中的至少一個包括複數個電端子，每個該電端子耦合到該電源輸入並且被配置為連接對應該第一連接器類型以及不同於該第一連接器類型的一第二連接器類型兩者的配合端子。
如請求項7之匯流排配電單元，還包括一可移除的護罩，其圍繞該複數個插座芯中的至少一個定位，其中該護罩包括構造成接收該第一連接器類型的一護罩內表面。
一種加熱烹調器，其中，包括：<br/>加熱室；<br/>讀取裝置，其讀取食物的資訊碼；<br/>加熱資訊變更部，其在通過該讀取裝置讀取到的該食物的資訊碼存在多個的情況下，根據多個資訊碼的組合，變更為與該多個資訊碼對應的任一個加熱資訊都不同的加熱資訊；以及<br/>控制部，其使用通過該加熱資訊變更部變更後的加熱資訊，控制該加熱室內的該食物的加熱烹調，<br/>該資訊碼包含該食物的序列號，<br/>若該多個資訊碼中包含的序列號相同，則該控制部使用與該資訊碼對應的加熱資訊，控制該加熱室內的該食物的加熱烹調。
如請求項1所述之加熱烹調器，其中， 該加熱烹調器還包括加熱資訊變更表，該加熱資訊變更表針對多個資訊碼的組合每一個登記有變更後的加熱資訊，<br/>該加熱資訊變更部參照該加熱資訊變更表變更加熱資訊。
如請求項1或2所述之加熱烹調器，其中，<br/>該控制部在通過該讀取裝置讀取到的該食物的資訊碼存在多個的情況下，若該多個資訊碼的組合是不滿足預先設定的條件的組合，則向用戶輸出警告。
如請求項2所述之加熱烹調器，其中，<br/>該控制部在通過該讀取裝置讀取到的該食物的資訊碼存在多個的情況下，若該多個資訊碼的組合不在該加熱資訊變更表中，則向用戶輸出警告。
一種加熱烹調器的控制方法，是包括加熱室和讀取食物的資訊碼的讀取裝置的加熱烹調器的控制方法，其包括如下步驟:<br/>在通過該讀取裝置讀取到的該食物的資訊碼存在多個的情況下，根據多個資訊碼的組合，變更為與該多個資訊碼對應的任一個加熱資訊都不同的加熱資訊；以及<br/>使用該變更後的加熱資訊，控制該加熱室內的該食物的加熱烹調，<br/>該資訊碼包含該食物的序列號，<br/>控制該加热烹调的步驟中，若該多個資訊碼中包含的序列號相同，則使用與該資訊碼對應的加熱資訊，控制該加熱室內的該食物的加熱烹調。
一種用於訓練強化學習模型（130）以為高爐熱控制提供操作指令的計算機實施的方法（1000），所述方法包括： <br/>通過遷移學習訓練的域自適應機器學習模型（110）處理，作為多變量時間序列獲取並反映多個域的相應高爐（BF1至BFn）的熱狀態的歷史操作數據（21），以生成（1100）第一域不變數據集（22），所述第一域不變數據集（22）表徵所述高爐（BF1至BFn）中的任何高爐的所述熱狀態，而與所述域無關； <br/>通過使用通用高爐過程的瞬態模型（121），生成（1200）人工操作數據（24a）作為就特定熱控制動作（26a）反映所述通用高爐（BFg）的熱狀態的多變量時間序列，其中所述瞬態模型（121）反映所述通用高爐相應物理、化學、熱和流動條件並包括多個計算單元，並且在交換熱、質量和動量遷移的同時，所述多個計算單元以數值求解表徵在所述通用高爐中結構的向上氣體流動和固體層的向下移動之方程； <br/>在所述歷史操作數據（21）的多變量時間序列上訓練的生成式深度學習網絡（122）處理所述人工操作數據（24a），以通過將從所述歷史操作數據（21）學習的特性遷移到所述人工操作數據（24a）生成（1300）第二域不變數據集（23a）； <br/>所述強化學習模型（130）通過處理組合的第一和第二域不變數據集（22、23a）基於給定目標函數為所述特定熱控制動作（26a）確定（1400）獎勵（131）；以及 <br/>取決於所述獎勵（131），基於修改的參數（123-2）重新生成（1300）所述第二域不變數據集，其中，遺傳搜索和/或貝葉斯優化算法（123-1）指導對用於進一步熱控制動作之所述修改的參數的搜索，所述進一步熱控制動作係基於所述強化學習模型（130）的當前環境（25a）和當前學習步驟之所述熱控制動作（26a）的輸出而定，並且重複所述確定（1400）步驟以學習用於優化熱控制動作的優化操作指令，以應用於一個或多個高爐的相應操作狀態。
如請求項1所述之方法，還包括： <br/>所述強化學習模型（130）基於特定高爐的當前操作狀態數據，預測（1700）用於生產中的所述特定高爐的至少一個執行器的優化操作指令； <br/>在根據所述優化操作指令將熱控制動作應用到所述至少一個執行器之後，基於在執行所述熱控制動作之後的所述特定高爐的新狀態確定（1400）獎勵；並且 <br/>如果所述獎勵低於預定義的閾值，則通過所述瞬態模型重新生成用於一個或多個替代操作指令的所述第二域不變數據，用於重新訓練所述強化學習模型。
如請求項1所述之方法，其中，所述域自適應機器學習模型（110）由具有卷積和/或循環層的生成式深度學習神經網絡實施，所述生成式深度學習神經網絡訓練為從所述歷史操作數據（21）提取域不變特性作為所述第一域不變數據集。
如請求項1所述之方法，其中，所述域自適應機器學習模型（110）已經訓練為學習來自所述多個高爐（BF1至BFn）的對應原始數據到參考高爐（BFr）的多個映射，其中每個映射是所述相應高爐到所述參考高爐的轉換的表徵，並且所述多個映射對應於所述第一域不變數據集。
如請求項4所述之方法，其中，所述域自適應機器學習模型（110）由基於CycleGAN架構的生成式深度學習架構實施。
如請求項1至5中任一項所述之方法，其中，所述強化學習模型訓練為學習所述優化操作指令，使得相關聯的目標測量值位於對應的多維目標函數的柏拉圖前沿的預定義距離範圍內。
如請求項1所述之方法，其中，所述瞬態模型（121）包括所述多個計算單元，其中每個單元表徵由原材料的一個裝料組成的所述通用高爐的相應層；其中在每個迭代時間間隔內，每個計算單元以迭代順序的方式求解氣相方程以滿足相對氣相參數容差；並且當所述氣相參數收斂到預定義的容差值時，在相同的所述迭代時間間隔內順序地求解固相方程。
如請求項7所述之方法，其中，迭代求解氣相方程包括就壓力-速度校正循環的每次迭代： <br/>計算（3300）氣體、固體和液體性質； <br/>計算（3400）反應速率和傳熱係數； <br/>計算（3500）氣體溫度、種類、速度和壓降；並且 <br/>其中，順序地求解固相方程包括： <br/>計算（3600）固體溫度和種類； <br/>計算（3700）液體溫度和種類；以及 <br/>計算（3800）固體速度。
如請求項1、7或8所述之方法，其中，所述瞬態模型（121）接收以下輸入參數中的一個或多個：爐料量和化學分析、溫度、壓力、PCI流量、和富氧；通過能量方程以預測鐵水溫度，一個或多個種類方程以計算所述鐵水化學成分，以及一個或多個氣相方程以預測爐頂煤氣溫度、效率（Eta CO）和壓力。
如請求項1所述之方法，其中，所述強化學習模型由循環神經網絡實施。
如請求項1所述之方法，還包括： <br/>通過使用一個或多個相應訓練的相關聯的機器學習模型（ML1至MLn）以便與未來時間點相關的未來多變量時間序列數據補充歷史操作數據（21），基於所述歷史操作數據（21）和/或與所述高爐的所述環境相關的進一步測量的環境數據，預測有關特定高爐狀態的未來熱演化的訊息；並且 <br/>所述域自適應機器學習模型（110）處理所述未來多變量時間序列，以便與未來時間點相關的數據增強所述第一域不變數據集（22）。
如請求項11所述之方法，其中，訓練相關聯的機器學習模型（ML1至MLn）中的特定一個（MLT）包括： <br/>使用一個或多個機器學習算法以操作數據（701）和/或環境數據（702）的不同選擇訓練（703）多個基礎模型，以提供基礎模型具體未來多變量時間序列數據作為所述機器學習模型的所述特定一個的訓練輸入； <br/>以所述基礎模型具體未來多變量時間序列數據訓練（706）所述相關聯的機器學習模型中的所述特定一個，以學習基礎模型的哪個組合最適合所述高爐的哪個狀態。
如請求項12所述之方法，其中，所述機器學習模型（ML1至MLn）中的所述特定一個訓練以預測未來時間點處的以下參數中的一個：所述高爐過程中的異常、所述高爐的熱狀態和鐵水生產KPI、裝料矩陣優化、基於風口相機過程檢查的高爐現象、用於優化操作的出鐵口開口機建議、基於TMT SOMA的現象和KPI、基於過程規則的現象標籤的現象。
一種計算機程序產品，當所述計算機程序產品加載到計算機系統的存儲器中並由所述計算機系統的至少一個處理器執行時，所述計算機程序產品進行根據前述請求項1至13中任一項的計算機實施的方法的步驟。
一種包括多個功能模組的計算機系統（100），當所述計算機系統執行所述功能模組時，所述功能模組進行根據請求項1至13中任一項所述的計算機實施的方法的步驟。
一種親代α/β水解酶的變體，所述變體包括對應於如下位置的二個或多個位置處的置換：SEQ ID NO: 1之167、168、174、218、155、175、179、182、183、186、187、268、306、10、17、28、39、47、50、57、58、59、63、65、69、126、139、225、230、245、251、281、287、289、293和304，使用SEQ ID NO: 1的編號，其中所述變體具有α/β水解酶活性，並且，其中所述變體是與SEQ ID NO: 1的多肽具有至少90%，但小於100%序列同一性的多肽，其中，所述變體具有水解酶EC: 3.1.1.-活性，其中所述變體能夠四聚體化，以及<br/> 其中，所述變體包括選自(1)至(29)所組成之群之置換組合：<br/> 。
根據請求項1所述的變體，其中所述變體選自SEQ ID NOs: 2-35構成的組。
一種獲得親代α/β水解酶的變體的方法，所述方法包括：使用SEQ ID NO: 1的編號，在與SEQ ID NO: 1的位置167、168、174、218、155、175、179、182、183、186、187、268、306、10、17、28、39、47、50、57、58、59、63、65、69、126、139、225、230、245、251、281、287、289、293和304對應的二個或多個位置處向所述親代α/β水解酶引入置換，其中所述變體具有α/β水解酶活性且能夠四聚體化；和，回收所述變體，其中所述變體是與SEQ ID NO: 1的多肽具有至少90%，但小於100%序列同一性的多肽，且其中，所述變體包括選自(1)至(29)所組成之群之一置換組合：<br/> 。
一種編碼請求項1或2所述變體的多核苷酸。
一種包括請求項4所述多核苷酸的核酸構建體。
一種包括請求項4所述多核苷酸和/或請求項5所述核酸構建體的表現載體。
一種重組宿主細胞，包括如下至少一種：<br/> i) 請求項1或2所述的變體；<br/> ii) 請求項4所述的多核苷酸；<br/> iii)請求項5所述的核酸構建體；和/或<br/> iv)請求項6所述的表現載體。
一種試劑盒，其包括如下的一種或多種：<br/> i) 請求項1或2所述的變體；<br/> ii) 請求項4所述的多核苷酸；<br/> iii) 請求項5所述的核酸構建體；<br/> iv) 請求項6所述的表現載體；和/或<br/> v) 請求項7所述的重組宿主細胞。
一種組合物，包括如下的一種或多種：<br/> i) 請求項1或2所述的變體；<br/> ii) 請求項4所述的多核苷酸；<br/> iii) 請求項5所述的核酸構建體；<br/> iv) 請求項6所述的表現載體；和/或<br/> v) 請求項7所述的重組宿主細胞。
根據請求項9所述的組合物，其中該組合物為食品、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、青儲飼料接種菌、解毒藥、獸用組合物、或藥物組合物。
根據請求項9或10所述的組合物，進一步包括營養學上可接受的載體和/或親代α/β水解酶，其中，所述親代α/β水解酶與SEQ ID NO: 1的多肽具有至少95%的序列同一性。
一種請求項1或2所述的變體、請求項4所述的多核苷酸、請求項5所述的核酸構建體、請求項6所述的表現載體、請求項7所述的重組宿主細胞、請求項8所述的試劑盒、請求項9、10或11所述的組合物之用途，用於製造預防或治療黴菌中毒之藥物。
一種請求項1或2所述的變體、請求項4所述的多核苷酸、請求項5所述的核酸構建體、請求項6所述的表現載體、請求項7所述的重組宿主細胞、請求項8所述的試劑盒、請求項9、10或11所述的組合物在如下一種或多種中的用途：<br/> i) 用於製造供玉米赤黴烯酮和/或其衍生物的降解之藥物；<br/> ii) 用於如下一種或多種的製造或生產：食品、草料、飼料、添加劑、解毒劑、營養補充劑、益生元、青儲飼料接種菌；解毒藥；獸用組合物；或藥物組合物；<br/> iii) 用於青儲飼料、沼氣、生物乙醇或糖的製造或生產；<br/> iv) 用於製造用於黴菌中毒的預防或治療之藥物。
一種降解玉米赤黴烯酮和/或其衍生物的方法，包括：<br/> a) 提供如下的一種或多種物質：<br/> i)請求項1或2所述的變體；<br/> ii)請求項7所述的重組宿主細胞；<br/> iii)轉基因植物，其包括如下的一或多個：請求項1或2所述的變體；請求項4所述的多核苷酸；請求項5所述的核酸構建體；請求項6所述的表現載體；和/或請求項7所述的重組宿主細胞；<br/> iv)請求項8所述的試劑盒；和/或<br/> v)請求項9、10或11所述的組合物；<br/> b)使來自(a)的一種或多種物質接觸玉米赤黴烯酮和/或其衍生物。
一種互連模組，其包含： <br/>一矩形基板；及 <br/>一外殼，其具有安裝至該基板之四個側面，其中該外殼具有配置於該外殼之兩側上的兩列電接點，且該外殼比該基板窄。
一種互連模組，其包含一套管配合件。
如請求項2之互連模組，其中該套管配合件界定一第一側、一第二側、一第三側、一第四側、一第一端及一第二端。
如請求項3之互連模組，其中該第一側包含至少一個第一凹槽。
如請求項3或4之互連模組，其中該第一側界定定位於該至少一個第一凹槽中之至少一個第一聚焦透鏡及/或至少一個準直透鏡。
如請求項3或4之互連模組，其中該第一側界定定位於該至少一個第一凹槽中的至少一個第二聚焦透鏡及/或至少一個準直透鏡。
如請求項3或4之互連模組，其中該第一側界定鄰近於該至少一個第一凹槽而定位的至少一個第二凹槽或與該至少一個第一凹槽間隔開的至少一個第二凹槽。
如請求項4之互連模組，其進一步包含鄰近於該至少一個第一凹槽而定位的至少一個間距參考件。
如請求項3或4之互連模組，其中該第二側界定至少一個第三凹槽。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含鄰近於該第一側而定位的一光學透明板。
如請求項10之互連模組，其中該光學透明板為一玻璃板。
如請求項5之互連模組，其進一步包含一光學透明板，該光學透明板鄰近於該第一側而定位且界定在該光學透明板與該第一聚焦透鏡或該第一準直透鏡之間的一第一間隙。
如請求項8之互連模組，其中該間距參考件產生至少一個第二凹槽。
如請求項7之互連模組，其進一步包含鄰近於該第一側而定位之一光學透明板及在該光學透明板與該第一側之間定位於該第二凹槽中的一第一密封件。
如請求項3或4之互連模組，其中該第三側界定至少一個反射表面。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其中該套管配合件由一光學透明材料製成。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一反射表面蓋板。
如請求項15之互連模組，其進一步包含定位於該至少一個反射表面上方的一反射表面蓋板。
如請求項18之互連模組，其進一步包含界定於該反射表面與該反射表面蓋板之間的一第二經密封間隙。
如請求項15之互連模組，其中該反射表面係藉由雷射切除有意地降級。
如請求項17之互連模組，其中該反射表面係在該反射表面蓋板鄰近於第三表面而定位之後藉由雷射切除有意地降級。
如請求項17之互連模組，其中該反射表面蓋板為透光的。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一蓋。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含鄰近於第二表面而定位之一蓋。
如請求項24之互連模組，其中該蓋界定一蓋空腔或通孔。
如請求項9之互連模組，其進一步包含一蓋，該蓋界定與該至少第三凹槽光通信之一蓋板空腔或通孔。
如請求項2之互連模組，其進一步包含一蓋，其中該套管配合件係由該蓋攜載。
如請求項23之互連模組，其中該套管配合件係藉由一套管配合件密封件密封至該蓋。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一光學區塊。
如請求項25之互連模組，其進一步包含一光學區塊，該光學區塊定位於該蓋空腔中或至少部分地重疊或突出該蓋空腔之一邊界。
如請求項9之互連模組，其進一步包含定位於該至少一個第三凹槽中或在該第三凹槽下方的一光學區塊。
如請求項29之互連模組，其中該光學區塊由一光學透明材料製成。
如請求項29之互連模組，其中該光學區塊進一步包含至少一個第一準直透鏡及/或至少一個第一聚焦透鏡。
如請求項29之互連模組，其中該光學區塊進一步包含至少一個第二準直透鏡及/或至少一個第二聚焦透鏡。
如請求項29之互連模組，其中該光學區塊進一步包含一第一表面及一第二表面。
如請求項6之互連模組，其進一步包含一光學區塊，其中該光學區塊進一步包含一第一表面及一第二表面，其中該第一表面面向該套管配合件中之該第三凹槽，其中第一準直及/或聚焦透鏡及第二準直及/或聚焦透鏡係在該第二表面上。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含至少一個垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）。
如請求項37之互連模組，其進一步包含引線接合至該VCSEL之一VCSEL驅動器。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含至少一個光電二極體。
如請求項39之互連模組，其進一步包含引線接合至該光電二極體之一跨阻抗放大器（TIA）。
如請求項29之互連模組，其進一步包含鄰近於該光學區塊之一第二表面而定位的一VCSEL。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含一光學區塊，其中一第三間隙界定於該光學區塊之一第一表面與該套管配合件之第二側之間。
如請求項42之互連模組，其中該第三間隙係藉由一套管配合件密封件來密封。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一模組基板。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一模組基板及由該模組基板攜載之一VCSEL驅動器。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一模組基板及由該模組基板攜載之一TIA。
如請求項44之互連模組，其中該模組基板進一步界定一立管空腔。
如請求項47之互連模組，其進一步包含延伸至該立管空腔中之一立管。
如請求項48之互連模組，其中一VCSEL係由該立管攜載，且該立管耗散來自該VCSEL之非所需熱量。
如請求項38之互連模組，其中該至少一個光電二極體係由該立管攜載。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其中該互連模組經組態以與一套管配接。
如請求項51之互連模組，其中該套管包含至少一根光纖。
如請求項10之互連模組，其中該互連模組進一步經組態以接納攜載至少一根光纖之一套管，且當該套管與該互連模組配接時，該至少一根光纖之一纖芯與該光學透明板實體接觸。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一外殼。
如請求項54之互連模組，其中該外殼經組態以接納一套管。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一閂鎖。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含一閂鎖，該閂鎖可旋轉且經組態以在一套管配接至該收發器且該閂鎖處於一接合位置時，經由施加至該套管之一背面及施加至該套管配合件之該第四側的一相反力，將該套管與該套管配合件壓縮在一起。
如請求項56之互連模組，其中該閂鎖浮動於該互連模組，但仍被拴在該互連模組內。
如請求項3之互連模組，其進一步包含一襯套及一閂鎖，其中該襯套定位於一第一閂鎖端及該套管配合件之該第四側附近。
如請求項56之互連模組，其中該閂鎖進一步包含一輪軸。
如請求項60之互連模組，其進一步包含具有一輪軸之一閂鎖，其中該輪軸經組態以由該外殼界定之一對應導引孔接納，且相對於該導引孔可旋轉地固定。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其進一步包含一襯套，該襯套緊靠該套管配合件。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含緊靠該套管配合件之該第四側之一襯套。
如請求項3之互連模組，其進一步包含一襯套，其中該襯套經組態以實體地接觸該套管配合件之該第四側。
如請求項60之互連模組，其進一步包含一襯套，該襯套界定一襯套凹槽，且該襯套凹槽接納該輪軸。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含一閂鎖、藉由該閂鎖移動之一可移動或浮動襯套、及光學耦接至該套管配合件之該第一側之一套管，其中在該閂鎖處於一閉合位置時，該可移動或浮動襯套對該套管配合件之該第四側施加一力，且該閂鎖對該套管施加一相反的力，此又迫使一光纖之一纖芯抵靠該光學透明板。
如請求項3或4之互連模組，其進一步包含一閂鎖、藉由該閂鎖移動之一可移動或浮動襯套、及光學耦接至該套管配合件之該第一側之一套管，其中在該閂鎖處於一打開位置時，該可移動或浮動襯套並不對該套管配合件之該第四側施加一力，且該閂鎖並不對該套管施加一相反的力。
如請求項2至4中任一項之互連模組，其中該互連模組僅為一傳輸器或僅為一接收器、或為一傳輸器及一接收器兩者。
一種電連接器，其包含： <br/>一外殼；及 <br/>至少兩個線性陣列之導電接點，該些導電接點中之每一者具有一各別第一接點端、一各別第二接點端及一各別水平區段， <br/>其中該至少兩個線性陣列之導電接點之一第三線性陣列中的該些各別第二接點端及該至少兩個線性陣列之導電接點之一第四線性陣列中的該些各別第二接點端彼此為相對於一共同中心線之鏡像。
如請求項69之電連接器，其中至少三個依序電接點之各別水平區段各自保持在一非導電材料中，各自朝向該共同中心線延伸，且各自正交於該中心線而定位。
如請求項69或70之電連接器，其中導電接點之該第三線性陣列中的該些各別第二接點端及導電接點之該第四線性陣列中的該些各別第二接點端皆在朝向一共同中心線之一方向上延伸。
一種互連模組，其經組態以接納一非MT定製套管。
如請求項72之互連模組，其中該定製套管具有小於一MT套管之一高度的一外殼高度。
如請求項72或73之互連模組，其中該定製套管具有小於一MT套管之一外殼寬度。
如請求項72或73之互連模組，其中該定製套管具有小於一MT套管之一長度。
如請求項72或73之互連模組，其中該定製套管具有定位於該定製套管而非一套管配合件上之第一透鏡及第二透鏡。
如請求項76之互連模組，其中該第一透鏡及該第二透鏡中的每一者相對於其各別光波導或光纖而固定。
如請求項72或73之互連模組，其中在該定製套管與一套管配合件之間的一界面可易於密封。
如請求項72或73之互連模組，其中該定製套管可永久附接至一套管配合件。
如請求項72或73之互連模組，其中該定製套管可反覆地與一套管配合件分離。
如請求項72或73之互連模組，其中在光波導或光纖之列或線性陣列之鄰近平行中心線之間的一距離可減小。
如請求項72或73之互連模組，其進一步包含一波導陣列，該波導陣列包括光電二極體及VCSEL陣列之作用區域或該些光電二極體及VCSEL陣列之中心，及沿著一共同直線或平行於一共同直線以一單列對準的對應光束。
如請求項82之互連模組，其中八個通道由一1×8光纖陣列攜載，或由具有四個未使用或暗光纖之一1×12光纖陣列攜載。
如請求項82之互連模組，其中十六個通道由具有八個未使用或暗光纖之一2×12光纖陣列攜載。
如請求項82之互連模組，其中十六個通道由不具有未使用或暗光纖之一1×16光纖陣列攜載。
一種互連模組，其包含： <br/>一模組連接器外殼；及 <br/>一蓋，其藉由該模組連接器外殼之至少一部分支撐。
如請求項86之互連模組，其中該模組連接器外殼之該至少一部分為一凸耳。
如請求項86或87之互連模組，其進一步包含一模組基板。
如請求項88之互連模組，其進一步包含由該模組基板攜載之一互連模組外殼。
如請求項89之互連模組，其進一步包含一閂鎖，其可旋轉但不可自該互連模組外殼移除。
如請求項86或87之互連模組，其進一步包含一熱散播器。
如請求項86或87之互連模組，其進一步包含一光引擎。
一種互連模組，其包含界定一熱散播器空腔之一熱散播器，該熱散播器空腔經組態以接納電組件、光學組件或兩者。
一種互連模組，其包含： <br/>一套管配合件，其界定一成角度或傾斜反射表面；及 <br/>一靜態閂鎖框架，其界定一成角度或傾斜閂鎖框架表面以防止用以有意地、選擇性地及部分地破壞該反射表面之一雷射光束受到截割。
如請求項94之互連模組，其中該靜態閂鎖框架之該成角度或傾斜表面及該成角度或傾斜反射表面各自位於兩個會聚平面中的對應一者中。
如請求項94或95之互連模組，其進一步包含一反射位置蓋板，該反射位置蓋板定位於該成角度或傾斜反射表面上方，並諸如以相對於一蓋成四十五度角之一角度定位於該套管配合件上。
一種用於製造互連模組之方法，該方法包含以下步驟，該些步驟依次為： <br/>提供一反射表面； <br/>將一反射位置蓋板定位於該反射表面上方；及 <br/>用諸如一雷射之一切除器有意地降級該反射表面。
一種互連模組，其包含： <br/>一模組基板； <br/>一模組連接器外殼，其附接至該模組基板； <br/>一閂鎖，其附接至該模組連接器外殼；及 <br/>一熱散播器，其附接至該模組基板， <br/>其中該熱散播器界定經組態以接納光學組件或電組件之一熱散播器空腔。
一種互連模組，其包含： <br/>一蓋； <br/>一靜態閂鎖框架，其附接至該蓋； <br/>一閂鎖，其附接至該靜態閂鎖框架； <br/>一模組基板，其附接至該蓋；及 <br/>一熱散播器，其附接至該模組基板， <br/>其中該熱散播器界定經組態以接納光學組件或電組件之一熱散播器空腔。
如請求項98或99之互連模組，其中該熱散播器界定一立管，且一TIA、光電二極體、VCSEL驅動器及VCSEL中的至少一者定位於該立管上。
如請求項99之互連模組，其進一步包含附接至該蓋之一非MT套管。
如請求項101之互連模組，其中該蓋進一步包含一光學區塊板。
如請求項99之互連模組，其進一步包含附接至該蓋之一套管配合件。
一種經組態以與環形連接器配合之互連模組，該互連模組包含： <br/>一模組連接器外殼，其安裝至一模組基板，該模組連接器外殼具有四個側面，其中該模組連接器外殼具有配置於該模組連接器外殼之該四個側面中的兩個側面上的兩列電接點，且該兩列電接點經組態以與該環形連接器之導電環形接點配接； <br/>一互連模組外殼，其由該模組基板攜載； <br/>一光引擎，其包括一套管配合件；及 <br/>一可旋轉閂鎖，其安裝至該互連模組外殼，該可旋轉閂鎖經組態以可拆卸的方式將用於接納光纖的一光連接器壓縮抵靠於該套管配合件，使得該套管配合件將光耦合在該光引擎的光學組件和該些光纖之間。
如請求項104之互連模組，其中該套管配合件界定一第一側、一第二側、一第三側、及一第四側。
如請求項105之互連模組，其中該第一側包含至少一個第一凹槽。
如請求項106之互連模組，其中該第一側界定定位於該至少一個第一凹槽中之：(1)至少一個第一聚焦透鏡；及(2)至少一個準直透鏡之中的至少一者。
如請求項107之互連模組，其中該第一側界定定位於該至少一個第一凹槽中之：(1)至少一個第二聚焦透鏡；及(2)至少一個準直透鏡之中的至少一者。
如請求項106之互連模組，其中該第一側界定：(1)鄰近於該至少一個第一凹槽而定位的至少一個第二凹槽；及(2)與該至少一個第一凹槽間隔開的至少一個第二凹槽之中的一者。
如請求項106之互連模組，其進一步包含鄰近於該至少一個第一凹槽而定位的至少一個間距參考件。
如請求項107之互連模組，其進一步包含一光學透明板，該光學透明板鄰近於該第一側而定位且界定在該光學透明板與該第一聚焦透鏡或該第一準直透鏡之間的一第一經密封間隙。
如請求項105之互連模組，其中該第二側界定至少一個第三凹槽。
如請求項105之互連模組，其中該第三側界定至少一個反射表面。
如請求項113之互連模組，其中該反射表面係藉由雷射切除有意地降級。
如請求項113之互連模組，其進一步包含定位於該至少一個反射表面上方的一反射表面蓋板。
如請求項115之互連模組，其進一步包含界定於該反射表面與該反射表面蓋板之間的一第二經密封間隙。
如請求項115之互連模組，其中該反射表面係在該反射表面蓋板鄰近於第三表面而定位之後藉由雷射切除有意地降級。
如請求項105之互連模組，其中： <br/>該光連接器包含一套管，且 <br/>在該光連接器配接至該互連模組且該可旋轉閂鎖處於一接合位置時，經由施加至該套管之一背面及施加至該套管配合件之該第四側的一相反力，使得該可旋轉閂鎖將該套管與該套管配合件壓縮在一起。
如請求項104之互連模組，其中該可旋轉閂鎖浮動於該互連模組外殼，但仍被拴在該互連模組外殼內。
如請求項104之互連模組，其中該互連模組外殼包含一蓋，該蓋攜載該套管配合件，其中在該可旋轉閂鎖閉合時，在該套管配合件與該蓋之間的一相交區不會經受剪應力。
如請求項120之互連模組，其中該蓋係光學透明的。
如請求項121之互連模組，其中一電光元件覆晶安裝至該蓋。
如請求項122之互連模組，其進一步包含一熱散播器，該熱散播器包含一立管，該立管經組態以將來自該電光元件之非所需熱量傳導至該熱散播器。
一種垂直互連模組，其包含： <br/>一互連模組基板，其具有一主要頂部表面及在一向下方向上之與該主要頂部表面對立的一主要底部表面，該互連模組基板具有沿著垂直於該向下方向之一縱向方向的一長度，且該互連模組基板具有沿著垂直於該向下方向及該縱向方向中之每一者的一側向方向之一寬度； <br/>一光引擎，其安裝至該互連模組基板之該主要底部表面，其中當一光纜實質上沿著由該縱向方向及該側向方向界定之一平面自該互連模組基板延伸出來時，該光引擎經組態以將光引導至該光纜且自該光纜接收光；及 <br/>一模組電連接器，其由該互連模組基板之該主要底部表面支撐，其中該模組電連接器包括一電絕緣連接器外殼及由該電絕緣連接器外殼支撐之複數個電接點，其中當該模組電連接器在該向下方向上與一互補電連接器配合時，所述電接點經組態以沿著一橫向方向摩擦該互補電連接器之互補電接點， <br/>其中該橫向方向包括該向下方向及與該向下方向對立之一向上方向，且 <br/>其中該垂直互連模組不含一插卡，該插卡將該光引擎置放成與一互補電連接器電通信。
如請求項1之垂直互連模組，其中該光引擎經組態以當該光纜實質上沿著該縱向方向自該互連模組延伸出來時，置放成與該光纜光學通信。
如請求項1至2中任一項之垂直互連模組，其進一步包含一互連模組外殼，其中該互連模組外殼及該模組電連接器彼此鄰近地安置在該互連模組基板之該底部表面上，且該模組電連接器實質上延伸橫跨該互連模組基板之該寬度之一全部、及不到該互連模組基板之該長度之一全部。
如請求項1至2中任一項之垂直互連模組，其進一步包含一互連模組外殼，該互連模組外殼安裝至該互連模組基板之該底部表面，其中該互連模組外殼實質上包封該光引擎。
如請求項4之垂直互連模組，其中該互連模組外殼界定收納該光引擎之一空腔，及經組態以收納該光纜之至該空腔的一開口。
如請求項1至2中任一項之垂直互連模組，其中該連接器外殼包含一底座，該底座安裝至該互連模組基板之該底部表面，且第一肋狀件及第二肋狀件在該向下方向上自該底座突出，其中該第一肋狀件及該第二肋狀件中之每一者攜載電接點之一各別列，所述電接點經組態以當該模組電連接器在該向下方向上與該互補電連接器配合時與所述互補電接點配合。
如請求項6之垂直互連模組，其中所述電接點之第一列及第二列沿著該第一肋狀件配置，且所述電接點之一第三列沿著該第二肋狀件配置。
如請求項7之垂直互連模組，其中： <br/>該第一肋狀件界定一第一接觸支撐表面及與該第一接觸支撐表面對立之一第二接觸支撐表面，所述電接點之該第一列沿著該第一接觸支撐表面配置，且所述電接點之該第二列沿著該第二接觸支撐表面配置，且 <br/>該第二肋狀件界定面向該第二接觸支撐表面之一第三接觸支撐表面，且所述電接點之一第三列沿著該第三接觸支撐表面配置。
如請求項1至2中任一項之垂直互連模組，其中所述電接點係由一金屬片衝壓而成。
一種垂直互連系統，其包含： <br/>如請求項1至9中任一項之垂直互連模組；及 <br/>一主機模組，其包括經組態以安裝至一主機基板之該互補電連接器，其中當該模組電連接器與該互補電連接器配合時，該光引擎經置放成與該主機基板電通信。
一種垂直互連系統，其包含： <br/>如請求項6至8中任一項之垂直互連模組；及 <br/>一主機模組，其包括經組態以安裝至主機基板之一主要頂部表面的該互補電連接器，其中該互補電連接器包括一電絕緣主機連接器外殼、及由該電絕緣主機插座連接器外殼支撐之複數個主機連接器電接點， <br/>其中該電絕緣主機連接器外殼界定收納該第一肋狀件之一第一狹槽及收納該第二肋狀件之一第二狹槽，以便使互連模組電連接器之所述電接點與該複數個主機連接器電接點配合。
如請求項11之垂直互連系統，其中： <br/>該電絕緣主機連接器外殼界定對立的一第一內表面及一第二內表面，及界定分別沿著對立的該第一內表面及該第二內表面配置的該複數個主機連接器電接點之第一列主機連接器電接點及第二列主機連接器電接點，對立的該第一內表面及該第二內表面界定該第一狹槽，且 <br/>該電絕緣主機連接器外殼界定一第三內表面，及沿著該第三內表面配置的該複數個主機連接器電接點之一第三列主機連接器電接點，該第三內表面部分地界定該第二狹槽， <br/>其中該第一列主機連接器電接點、該第二列主機連接器電接點及該第三列主機連接器電接點與該模組電連接器之所述電接點之該第一列主機連接器電接點、該第二列主機連接器電接點及該第三列主機連接器電接點配合。
如請求項12之垂直互連系統，其中該第二內表面及該第三內表面係由該電絕緣主機連接器外殼之一共同壁界定。
如請求項12至13中任一項之垂直互連系統，其中該第一列主機連接器電接點及該第二列主機連接器電接點界定在該第一狹槽中凹陷之配合端部，且該第三列主機連接器電接點界定在該狹槽中凹陷之配合端部。
如請求項12至13中任一項之垂直互連系統，其中當該互補電連接器安裝至該主機基板時，所述主機連接器電接點沿著垂直於該主機基板之該主要頂部表面之一方向與該模組電連接器之所述電接點配合。
如請求項11至13中任一項之垂直互連系統，其進一步包含可在脫離位置與一接合位置之間移動的一閂鎖件，其中該接合位置中之該閂鎖件防止該模組電連接器與主機電連接器解除配合，且該脫離位置中之該閂鎖件使該模組電連接器與該主機電連接器解除配合。
如請求項16之垂直互連系統，其中該閂鎖件可沿著一水平平面在該接合位置與該脫離位置之間滑動。
如請求項16之垂直互連系統，其中該閂鎖件可圍繞一樞軸在該接合位置與該脫離位置之間樞轉。
如請求項11至13中任一項之垂直互連系統，其進一步包含經組態以安裝至該主機基板之一框架，其中當該垂直互連模組與該主機模組配合時，該框架引導且收納該垂直互連模組。
如請求項19之垂直互連系統，其中該框架為一金屬框架。
如請求項19之垂直互連系統，其中該框架為一塑膠框架。
如請求項19之垂直互連系統，其中該框架包含： <br/>一第一端壁，其沿著該互連模組外殼延伸； <br/>一第二端壁，其沿著該電絕緣連接器外殼延伸； <br/>一第一側壁，其自該第一端壁延伸至該第二端壁，該第一側壁沿著該互連模組外殼及電絕緣連接器外殼中之每一者延伸；及 <br/>一第二側壁，其與該第一側壁對立、自該第一端壁延伸至該第二端壁，且沿著該互連模組外殼及電絕緣連接器外殼中之每一者延伸。
如請求項11至13中任一項之垂直互連系統，其中所述主機連接器電接點係由一金屬片衝壓而成。
如請求項11至13中任一項之垂直互連系統，其中該主機模組進一步包含該主機基板。
一種主機模組，其包含： <br/>一主機電連接器，其包括一電絕緣主機連接器外殼及由電絕緣插座連接器外殼支撐之複數個主機連接器電接點，其中該主機電連接器經組態以安裝至一主機基板之一主表面，且該主機電連接器經組態以沿著垂直於該主表面之一配合方向與一互補電連接器配合； <br/>一閂鎖件，其可在一接合位置與一脫離位置之間移動，其中該接合位置中之該閂鎖件防止該互補電連接器與該主機電連接器解除配合，且該脫離位置中之該閂鎖件允許該互補電連接器與該主機電連接器解除配合；及 <br/>一框架，其經組態以安裝至該主機基板之該主表面，其中當該主機模組與一互連模組配合時，該框架經組態以引導且環繞該互連模組之一互連模組總成，該互連模組總成包括該互補電連接器及一互連模組外殼， <br/>其中該閂鎖件可沿著垂直於該配合方向之一平面在該接合位置與該脫離位置之間滑動，且 <br/>其中該閂鎖件具有兩個可撓性臂。
如請求項25之主機模組，其中該主機連接器外殼界定經組態以收納該互補電連接器之一第一肋狀件之一第一狹槽、及經組態以收納該互補電連接器之第二肋狀件之一第二狹槽，以便使互連模組電連接器之電接點與該複數個主機連接器電接點配合。
如請求項26之主機模組，其中： <br/>該主機連接器外殼界定對立的一第一內表面及一第二內表面，及分別沿著對立的該第一內表面及該第二內表面配置的所述主機連接器電接點之第一列及第二列，對立的該第一內表面及該第二內表面界定該第一狹槽，且 <br/>該主機連接器外殼界定一第三內表面，及沿著該第三內表面配置的所述主機連接器電接點之一第三列，該第三內表面部分地界定該第二狹槽， <br/>其中所述主機連接器電接點之該第一列、該第二列及該第三列與該模組電連接器之所述電接點之第一列、第二列及第三列配合。
如請求項27之主機模組，其中該第二內表面及該第三內表面係由該主機連接器外殼之一共同壁界定。
如請求項27至28中任一項之主機模組，其中主機連接器電接點之該第一列及該第二列界定在該第一狹槽中凹陷之配合端部，且主機連接器電接點之該第三列界定在該狹槽中凹陷之配合端部。
如請求項25至28中任一項之主機模組，其中該閂鎖件可圍繞一樞軸在該接合位置與該脫離位置之間樞轉。
如請求項25至28中任一項之主機模組，其中該框架為一金屬框架。
如請求項25至28中任一項之主機模組，其中該框架為一塑膠框架。
如請求項25之垂直互連系統，其中該框架包含： <br/>一第一端壁，其經組態以沿著一互連模組外殼延伸； <br/>一第二端壁，其經組態以沿著該互補電連接器之一外殼延伸； <br/>一第一側壁，其自該第一端壁延伸至該第二端壁，該第一側壁沿著該互連模組外殼及該互補電連接器之該外殼中之每一者延伸；及 <br/>一第二側壁，其與該第一側壁對立、自該第一端壁延伸至該第二端壁，且沿著該互連模組外殼及該互補電連接器之該外殼中之每一者延伸。
如請求項25至28中任一項之主機模組，其中所述主機連接器電接點係由一金屬片衝壓而成。
一種主機電連接器，其包含： <br/>一電絕緣主機連接器外殼； <br/>由該電絕緣主機連接器外殼支撐的複數個主機連接器電接點，其中該主機電連接器經組態以安裝至一主機基板之一主表面，且當該主機電連接器安裝至該主表面時，該主機電連接器經組態以沿著垂直於該主表面之一配合方向與一垂直互連模組配合；以及 <br/>一閂鎖件，該閂鎖件可沿著垂直於該配合方向之一平面在該接合位置與該脫離位置之間滑動，同時該主機電連接器與該垂直互連模組配合，從而在該接合位置中之該閂鎖件防止該垂直互連模組與該主機電連接器解除配合，並且在該脫離位置中之該閂鎖件允許該垂直互連模組與該主機電連接器解除配合， <br/>其中該閂鎖件具有兩個可撓性臂。
如請求項35之主機電連接器，其中該電絕緣主機連接器外殼界定經組態以收納該垂直互連模組之一第一肋狀件之一第一狹槽、及經組態以收納該垂直互連模組之第二肋狀件之一第二狹槽，以便使該垂直互連模組之電接點與該主機連接器電接點配合。
如請求項36之主機電連接器，其中: <br/>該電絕緣主機連接器外殼界定對立的一第一內表面及一第二內表面，及分別沿著對立的該第一內表面及該第二內表面配置的該些主機連接器電接點之第一列及第二列，對立的該第一內表面及該第二內表面界定該第一狹槽，且 <br/>該電絕緣主機連接器外殼界定一第三內表面，及沿著該第三內表面配置的該些主機連接器電接點之一第三列，該第三內表面部分地界定該第二狹槽， <br/>其中所述主機連接器電接點之該第一列、該第二列及該第三列與該垂直互連模組之所述電接點之第一列、第二列及第三列配合。
如請求項37之主機電連接器，其中該第二內表面及該第三內表面是由該電絕緣主機連接器外殼之一共同壁界定。
如請求項37之主機電連接器，其中所述主機連接器電接點之該第一列及該第二列界定在該第一狹槽中凹陷之配合端部，且主機連接器電接點之該第三列界定在該第二狹槽中凹陷之配合端部。
如請求項35之主機電連接器，其中該閂鎖件是由經切割且彎曲的薄片金屬形成。
如請求項35之主機電連接器，其中該閂鎖件具有一突片。
如請求項35之主機電連接器，其中該閂鎖件具有底座，該底座沿著一平面延伸，且該兩個可撓性臂在該底座的該平面中。
一種垂直互連系統，其包括： <br/>一垂直互連模組，該垂直互連模組包括光引擎；以及 <br/>一插座連接器，該插座連接器包括可滑動式閂鎖件，該可滑動式閂鎖件經組態以將該垂直互連模組固定至該插座連接器， <br/>其中該插座連接器包括插座連接器外殼，該插座連接器外殼引導該可滑動式閂鎖件於一接合位置和一脫離位置之間的滑動。
如請求項43之垂直互連系統，其中該可滑動式閂鎖件在與該垂直互連模組至該插座連接器的配合方向之正交的相應方向上在一接合位置和一脫離位置之間滑動。
如請求項43之垂直互連系統，其中該插座連接器外殼包括兩個棘爪，該兩個棘爪與該可滑動式閂鎖件接合。
如請求項45之垂直互連系統，其中該兩個棘爪與該可滑動式閂鎖件的接合經配置以將該可滑動式閂鎖件分別固定在該接合位置和該脫離位置。
如請求項45之垂直互連系統，其中該可滑動式閂鎖件在該接合位置和該脫離位置之間是可滑動的，且該垂直互連模組包括互連模組外殼，該互連模組外殼具有保持特徵，當該可滑動式閂鎖件在該接合位置時，該保持特徵可由該可滑動式閂鎖件捕獲。
如請求項47之垂直互連系統，其中該保持特徵包括至少一個突片。
如請求項43之垂直互連系統，其中該垂直互連模組經配置以透過光連接器沿著光連接器插入方向而與可拆卸光學波導配合。
如請求項49之垂直互連系統，其中該可滑動式閂鎖件沿著在一接合位置和一脫離位置之間的滑動方向上是可滑動的，且該光連接器插入方向平行於該可滑動式閂鎖件的該滑動方向。
一種光學裝置計量系統，包括：<br/> 一載物臺，經配置以沿一載物臺路徑移動一托盤；<br/> 一光引擎，安裝在該載物臺路徑上方且經配置以將光束導向該載物臺路徑；<br/> 一經圖案化基板，定位在該載物臺路徑下方，該經圖案化基板包括形成於其上之一圖案設計；<br/> 一偵測器，安裝在該載物臺路徑上方且經配置以接收自該載物臺路徑投射之投射光束；以及<br/> 一控制器，與該載物臺、該光引擎及該偵測器通訊，該控制器包括指令，當被執行時，該等指令導致：<br/> 該載物臺將一光學裝置定位在該偵測器下方以使該光學裝置與該偵測器對準；<br/> 該載物臺將該光學裝置以距該經圖案化基板一距離定位在該經圖案化基板上方；<br/> 該偵測器在該經圖案化基板至少部分地與該偵測器對準時擷取自該光學裝置投射之投射光束的複數個第一影像，且該複數個第一影像擷取該等投射光束之一紅色光譜、一綠色光譜及一藍色光譜；以及<br/> 處理該複數個第一影像以決定該光學裝置之複數個透視指標，該複數個透視指標包括一透視眩光指標、一透視失真指標、一透視穿透率指標及一透視重影指標。
如請求項1所述之光學裝置計量系統，其中當被執行時，該等指令進一步導致：<br/> 該載物臺將該光學裝置定位在該光引擎下方以使該光學裝置與該光引擎對準；以及<br/> 該光引擎自該光引擎引導第一光束並導向該光學裝置，該等投射光束包括來自該光引擎之該等第一光束及自該經圖案化基板反射之第二光束。
如請求項1所述之光學裝置計量系統，其中該等投射光束包括自該經圖案化基板反射之第一光束，且當被執行時，該等指令進一步導致：<br/> 該載物臺將該光學裝置定位成遠離該偵測器以使該光學裝置不與該偵測器及該經圖案化基板對準；以及<br/> 該偵測器在該經圖案化基板至少部分地與該偵測器對準時擷取自該經圖案化基板反射之反射光束的複數個第二影像，該複數個第二影像擷取該紅色光譜、該綠色光譜及該藍色光譜。
如請求項3所述之光學裝置計量系統，其中該對該複數個第一影像之處理包括比較該複數個第二影像與該複數個第一影像。
如請求項4所述之光學裝置計量系統，其中該對該複數個第一影像之處理包括決定該複數個第二影像與該複數個第一影像之間的一偏移量。
一種光學裝置計量系統，包括：<br/> 一載物臺，經配置以沿一載物臺路徑移動一托盤；<br/> 一光引擎，安裝在該載物臺路徑上方且經配置以將光束導向該載物臺路徑；<br/> 一經圖案化基板，定位在該載物臺路徑下方，該經圖案化基板包括形成於其上之一圖案設計；以及<br/> 一偵測器，安裝在該載物臺路徑上方且經配置以接收自該載物臺路徑投射之投射光束。
如請求項6所述之光學裝置計量系統，進一步包括具有一第一開口及一第二開口之一主體以允許該載物臺移動經過該第一開口及該第二開口。
如請求項7所述之光學裝置計量系統，其中該光引擎、該經圖案化基板及該偵測器中之每一者定位在該主體內。
如請求項8所述之光學裝置計量系統，其中該光引擎包括一照明器及定位在該照明器與該載物臺路徑之間的一第一透鏡，該照明器包括一光源及一投射結構。
如請求項9所述之光學裝置計量系統，其中該投射結構包括一微顯示器、一空間光調變器(SLM)或一主光罩中之一或更多者。
如請求項10所述之光學裝置計量系統，其中該偵測器包括一照相機及定位在該照相機與該載物臺路徑之間的一第二透鏡。
如請求項11所述之光學裝置計量系統，其中該經圖案化基板至少部分地在該偵測器下方對準，且該經圖案化基板至少部分地未對準該光引擎。
如請求項6所述之光學裝置計量系統，進一步包括與該光引擎及該偵測器通訊之一控制器，該控制器包括指令，當被執行時，該等指令決定一透視穿透率指標、一透視失真指標、一透視眩光指標或一透視重影指標中之一或更多者。
一種分析光學裝置之方法，包括以下步驟：<br/> 將一光學裝置定位在一偵測器下方以使該光學裝置與該偵測器對準；<br/> 將該光學裝置以距一經圖案化基板一距離定位在該經圖案化基板上方，該經圖案化基板包括形成於其上之一圖案設計；<br/> 在該經圖案化基板至少部分地與一偵測器對準時使用該偵測器擷取自該光學裝置投射之投射光束的複數個第一影像，且該複數個第一影像擷取該等投射光束之一紅色光譜、一綠色光譜及一藍色光譜；以及<br/> 處理該複數個第一影像以決定該光學裝置之一或更多個透視指標。
如請求項14所述之方法，其中該經圖案化基板包括形成該圖案設計之複數個突起或複數個凹槽中的一或更多者。
如請求項14所述之方法，其中該一或更多個透視指標包括一透視眩光指標，且該方法進一步包括以下步驟：<br/> 將該光學裝置定位在一光引擎下方以使該光學裝置與該光引擎對準；以及<br/> 自該光引擎引導第一光束並導向該光學裝置，該等投射光束包括來自該光引擎之該等第一光束及自該經圖案化基板反射之第二光束。
如請求項16所述之方法，其中該等第一光束係以與該經圖案化基板之該圖案設計不同的一光圖案設計發射。
如請求項14所述之方法，其中該一或更多個透視指標包括一透視失真指標或一透視穿透率指標中之一或更多者，該等投射光束包括自該經圖案化基板反射之第一光束，且該方法進一步包括以下步驟：<br/> 將該光學裝置定位成遠離該偵測器以使該光學裝置不與該偵測器及該經圖案化基板對準；以及<br/> 使用該偵測器擷取自該經圖案化基板反射之反射光束的複數個第二影像，該經圖案化基板至少部分地與該偵測器對準，且該複數個第二影像在該紅色光譜、該綠色光譜及該藍色光譜中擷取該等反射光束。
如請求項18所述之方法，其中該對該複數個第一影像之該處理的步驟包括以下步驟：比較該複數個第二影像與該複數個第一影像。
如請求項14所述之方法，其中該一或更多個透視指標包括一透視重影指標，且該方法進一步包括以下步驟：<br/> 將該光學裝置定位成遠離該偵測器以使該光學裝置不與該偵測器及該經圖案化基板對準；以及<br/> 使用該偵測器擷取自該經圖案化基板反射之反射光束的複數個第二影像，該經圖案化基板至少部分地與該偵測器對準，且該複數個第二影像在該紅色光譜、該綠色光譜及該藍色光譜中擷取該等反射光束，該對該複數個第一影像之該處理的步驟包括以下步驟：決定該複數個第二影像與該複數個第一影像之間的一偏移量。
一種用於自行車的飛輪輪轂(10)，所述飛輪輪轂包括：<br/> 輪轂軸(12)、<br/> 可旋轉地支承在所述輪轂軸(12)上的輪轂套筒(14)、<br/> 可旋轉地支承在所述輪轂軸(12)上的可以與至少一個小齒輪配置連接的傳動裝置(16)、<br/> 佈置在所述輪轂套筒(14)與所述傳動裝置(16)之間的飛輪裝置(18)，所述飛輪裝置包括：<br/> 可以以傳遞轉矩的方式與所述輪轂套筒(14)耦合或已以傳遞轉矩的方式與所述輪轂套筒耦合的第一聯接環(24)，<br/> 可以以傳遞轉矩的方式與所述傳動裝置(16)耦合或已以傳遞轉矩的方式與所述傳動裝置耦合的第二聯接環(26)，<br/> 其中所述第一聯接環(24)、所述第二聯接環(26)具有朝向彼此的軸向齒(24z, 26z)，<br/> 預緊裝置(28)，其被構建和佈置成將所述第一聯接環(24)、所述第二聯接環(26)在軸向上相對彼此預張緊，其中所述預緊裝置(28)具有包含至少一個彈簧元件(32)的彈簧配置(30)，及<br/> 所述彈簧元件(32)由具有多孔結構的塑膠形成，<br/> 其特徵在於，所述彈簧元件(32)或所述彈簧元件(32)中的每個均具有一個弧形區段(32b)，所述弧形區段的凸側(32bk)適於沿軸向壓向所述第一聯接環(24)和所述第二聯接環(26)中的一個，以將所述第一聯接環(24)與所述第二聯接環(26)相對彼此預張緊，<br/> 其中多個同類型且獨立構建的彈簧元件(32)共同形成所述彈簧配置(30)。
如請求項1所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，<br/> 其特徵在於，所述彈簧元件(32)包括聚氨酯基塑膠或由聚氨酯基塑膠形成。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，<br/> 其特徵在於，所述彈簧配置(30)包括多個彈簧元件(32)，所述彈簧元件圍繞所述輪轂軸(12)的周邊分佈。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，<br/> 其特徵在於，所述彈簧配置(30)包括多個同類型的彈簧元件(32)，所述彈簧元件圍繞所述輪轂軸(12)的周邊分佈。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述弧形區段(32b)構建為具有大體恒定的寬度(b)和厚度(d)的條帶區段。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述彈簧配置(30)如此地設計，使得在將0.2 N至0.5 N的壓緊力沿軸向施加至所述彈簧配置(30)時，所述彈簧配置(30)雖然會發生變形，但塑膠的所述多孔結構不會被壓縮。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，每個彈簧元件(32)均構建為D型環(33)或具有彎折的縱向末端的弧形。
如請求項1或2所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述彈簧元件(32)被插入相應的凹部，所述凹部構建在所述輪轂套筒(14)的軸向表面或所述傳動裝置的軸向表面內。
一種用於自行車的飛輪輪轂(10)，所述飛輪輪轂包括：<br/> 輪轂軸(12)、<br/> 可旋轉地支承在所述輪轂軸(12)上的輪轂套筒(14)、<br/> 可旋轉地支承在所述輪轂軸(12)上的可以與至少一個小齒輪配置連接的傳動裝置(16)、<br/> 佈置在所述輪轂套筒(14)與所述傳動裝置(16)之間的飛輪裝置(18)，所述飛輪裝置包括：<br/> 可以以傳遞轉矩的方式與所述輪轂套筒(14)耦合或已以傳遞轉矩的方式與所述輪轂套筒耦合的第一聯接環(24)，<br/> 可以以傳遞轉矩的方式與所述傳動裝置(16)耦合或已以傳遞轉矩的方式與所述傳動裝置耦合的第二聯接環(26)，<br/> 其中所述第一聯接環(24)、所述第二聯接環(26)具有朝向彼此的軸向齒(24z, 26z)，<br/> 預緊裝置(28)，其被構建和佈置成將所述第一聯接環(24)、所述第二聯接環(26)在軸向上相對彼此預張緊，其中所述預緊裝置(28)具有包含至少一個彈簧元件(32)的彈簧配置(30)，及<br/> 所述彈簧元件(32)由具有多孔結構的塑膠形成，<br/> 其特徵在於，所述彈簧元件(32)或所述彈簧元件(32)中的每個均具有一個弧形區段(32b)，所述弧形區段的凸側(32bk)適於沿軸向壓向所述第一聯接環(24)和所述第二聯接環(26)中的一個，以將所述第一聯接環(24)與所述第二聯接環(26)相對彼此預張緊，<br/> 其中多個同類型的彈簧元件(32)一體式地相連從而形成所述彈簧配置(30)。
如請求項9所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述彈簧元件(32)以掛連的條帶(34)的形式相連。
如請求項9或10所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述彈簧元件(32)在周向上圍繞所述輪轂軸(12)分佈，所述預緊裝置(28)還具有保持環(40)，所述保持環適於使得各彈簧元件(32)的位置彼此相對固定。
如請求項11所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述保持環(40)包括環形的基座(42)以及圍繞所述基座(42)的周邊分佈且徑向突出於所述基座的多個保持元件(44)，所述保持元件在一側局部地軸向覆蓋所述彈簧配置(30)。
如請求項11所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述保持環(40)包括環形的基座(42)以及圍繞所述基座(42)的周邊分佈且徑向突出於所述基座的多個保持元件(44)，所述保持元件在一側局部地軸向覆蓋所述彈簧配置(30)，並且徑向地從內部和外部環扣所述彈簧配置。
如請求項11所述的用於自行車的飛輪輪轂(10)，其特徵在於，所述預緊裝置(28)還包括蓋環(46)，所述蓋環可以如此地安裝在所述保持環(40)上，使得所述彈簧配置(30)至少局部地被容置在所述保持環(40)與所述蓋環(46)之間，並且與所述保持環和(40)所述蓋環(46)一起形成牢固掛連的模組(48)。
一種結構(I)之化合物，其中 <br/>R<sub>2</sub>為H、鹵基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="226px" file="ed10044.jpg" alt="ed10044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之化合物，其中 <br/>R<sub>2</sub>為H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團。
如請求項1或2之化合物，其中該化合物具有結構(Ia)，其中<i> </i><br/>R<sub>2</sub>為H或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="142px" width="232px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種結構(Ib)之化合物，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>為C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="235px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種結構(Id)之化合物，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/> <img align="absmiddle" height="121px" width="216px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種結構(II)之聚合物，其中 <br/>R<sub>1</sub>為H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、芳基或伸烷基芳基； <br/>R<sub>2</sub>為H、鹵基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/>B為直接價鍵或亞甲基間隔基團(-CH<sub>2</sub>-)； <br/>A為苯乙烯聚合物鏈或丙烯酸聚合物鏈；及 <br/>該聚合物之多分散性在1至1.1範圍內； <br/><img align="absmiddle" height="153px" width="272px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6之聚合物，其中 <br/>R<sub>1</sub>為H； <br/>R<sub>2</sub>為H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團；及 <br/>A為苯乙烯聚合物鏈。
如請求項6或7之聚合物，其具有結構(IIa)，其中 <br/>R<sub>2</sub>為H或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="265px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6或7之聚合物，其具有結構(IIb)； <br/><img align="absmiddle" height="159px" width="226px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6或7之聚合物，其中其具有結構(IIc)，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="122px" width="270px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6或7之聚合物，其具有結構(IId)； <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="257px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6之聚合物，其中 <br/>R<sub>1</sub>為C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基或C-3至C-8環狀烷基、芳基、伸烷基芳基； <br/>R<sub>2</sub>為H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團；及 <br/>A為丙烯酸聚合物鏈。
如請求項6或12之聚合物，其中其具有結構(IIf)，其中 <br/>R<sub>alk</sub>為C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基； <br/>R<sub>2</sub>為H或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="185px" width="230px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13之聚合物，其具有結構(IIg)； <br/><img align="absmiddle" height="197px" width="207px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6或12之聚合物，其中其具有結構(IIh)，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="156px" width="238px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項15之聚合物，其中L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>均為直接價鍵且該結構(II)之聚合物具有結構(IIi)； <br/><img align="absmiddle" height="146px" width="208px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項7之聚合物，其中該聚合物為具有結構(III)之苯乙烯聚合物，其中 <br/>R<sub>e1</sub>為H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、芳基或伸烷基芳基； <br/>R<sub>2</sub>為H、鹵基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/>R<sub>5</sub>為H、C-1至C-4直鏈烷基；R<sub>6</sub>為H、鹵基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；n為重複單元之數目；及 <br/>該苯乙烯聚合物之多分散性在1至1.1範圍內； <br/><img align="absmiddle" height="198px" width="398px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17之聚合物，其中其具有結構(IIIa)，其中 <br/>R<sub>2</sub>為H或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="196px" width="407px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18之聚合物，其具有結構(IIIb)； <br/><img align="absmiddle" height="196px" width="381px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17或18之聚合物，其中其具有結構(IIIc)，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="165px" width="410px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項17或18之聚合物，其中L<sub>1</sub>為直接價鍵，且該聚合物具有結構(IIId)； <br/><img align="absmiddle" height="166px" width="389px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項6或12之聚合物，其中該聚合物為具有結構(IV)之丙烯酸聚合物，其中 <br/>R<sub>alk</sub>為C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基或C-3至C-8環狀烷基； <br/>R<sub>2</sub>為H、鹵基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基、C-3至C-8環狀烷氧基或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基； <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/>R<sub>7</sub>為H或C-1至C-4直鏈烷基； <br/>R<sub>8</sub>為C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基或C-3至C-8環狀烷基； <br/>R<sub>e2</sub>為選自以下之端基：H、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基或C-3至C-8環狀烷基； <br/>n1為該結構(IV)之丙烯酸酯聚合物中之重複單元之數目；且該丙烯酸聚合物之多分散性在1至1.1範圍內； <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="352px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項22之聚合物，其中其具有結構(IVa)，其中 <br/>R<sub>alk</sub>為C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基； <br/>R<sub>2</sub>為H或-P(=O)(R<sub>3</sub>)(R<sub>4</sub>)； <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>及L<sub>2</sub>獨立地為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="226px" width="357px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項23之聚合物，其具有結構(IVb)； <br/><img align="absmiddle" height="235px" width="330px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項22之聚合物，其中其具有結構(IVc)，其中 <br/>R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>獨立地為芳基、伸烷基芳基、C-2至C-8伸烷基氧基烷基、C-2至C-8鹵烷基、C-1至C-8直鏈烷基、C-3至C-8分支鏈烷基、C-3至C-8環狀烷基、C-1至C-8直鏈烷氧基、C-3至C-8分支鏈烷氧基或C-3至C-8環狀烷氧基；及 <br/>L<sub>1</sub>為直接價鍵或C-1至C-8伸烷基間隔基團； <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="362px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項22至25中任一項之聚合物，其中L<sub>1</sub>為直接價鍵且該聚合物具有結構(IVd)； <br/><img align="absmiddle" height="232px" width="319px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種用於形成釘紮層之組合物，其包含如請求項6至26中任一項之聚合物及旋轉澆鑄溶劑。
一種在包含金屬表面區域及非金屬表面區域之基板上選擇性地形成釘紮層刷之方法，其包含以下步驟： <br/>i) 在該基板上塗佈如請求項27之組合物，從而形成膜， <br/>ii) 在約120℃至約250℃之溫度下烘烤該膜約1分鐘至約1小時，從而形成烘烤膜， <br/>iii) 用溶劑洗滌該烘烤膜以移除未接枝聚合物，從而形成僅在該基板之該等金屬表面區域上之釘紮層刷。
一種用於形成定向自組裝膜之方法，其包含以下步驟： <br/>ia) 將如請求項27之組合物塗佈於包含金屬表面區域及非金屬表面區域之基板上，從而形成膜， <br/>iia) 在約120℃至約250℃之溫度下烘烤該膜約1分鐘至約1小時，從而形成烘烤膜， <br/>iiia) 用溶劑洗滌該烘烤膜以移除未接枝聚合物，從而形成接枝基板，其中釘紮層刷僅存在於該基板之該等金屬表面區域上， <br/>iva) 用中性層組合物塗佈該接枝基板，從而形成中性層塗層， <br/>va) 固化該中性層塗層， <br/>via) 用溶劑洗掉未固化之中性層，從而在該基板之該等非金屬區域中留下中性定向刷，在該基板上形成化學磊晶定向層， <br/>viia) 用嵌段共聚物溶液塗佈該化學磊晶定向層，從而形成嵌段共聚物之塗層， <br/>viiia) 對嵌段共聚物之該塗層進行退火，從而在該化學磊晶定向層上形成該嵌段共聚物之定向自組裝膜。
一種一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 辨識在至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個上行鏈路傳輸中的至少一個上行鏈路傳輸包括被排程用於跨越至少一第一時槽和一第二時槽的重複傳輸的一低優先順序上行鏈路傳輸，並且亦包括在該第一時槽中排程的一或多個高優先順序上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸包括多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸；<br/> 在該第一時槽中執行一或多個衝突解決程序，以經由取消在該第一時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸來解決該低優先順序上行鏈路傳輸與在該第一時槽中排程的該一或多個高優先順序上行鏈路傳輸的一衝突，其中執行該一或多個衝突解決程序之步驟亦包括以下步驟：<br/> 決定該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的任何低優先順序排程的上行鏈路傳輸是否對應於一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）上的一重複的上行鏈路傳輸；<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，對該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸進行多工處理；<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，使用針對上行鏈路傳輸的一優先順序層次來取消該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸，直到該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸在該至少一個時槽中的任何時槽中重疊為止；及<br/> 回應於該低優先順序上行鏈路傳輸與在該至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸中的任何傳輸皆不重疊，傳輸在該第二時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸。
根據請求項1之方法，其中該優先順序層次指示與以一降冪優先順序次序的每個上行鏈路傳輸類型相關聯的一優先順序，該降冪優先順序次序包括一混合存取請求（HARQ）認可（ACK）、排程請求（SR）、高優先順序的通道狀態資訊（CSI）、低優先順序的CSI以及實體上行鏈路共享通道（PUSCH）。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一收發機；<br/> 一記憶體；及<br/> 一或多個處理器，其與該收發機和該記憶體耦合，其中該一或多個處理器和該記憶體被配置為進行以下操作：<br/> 辨識在至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個上行鏈路傳輸中的至少一個上行鏈路傳輸包括被排程用於跨越至少一第一時槽和一第二時槽的重複傳輸的一低優先順序上行鏈路傳輸，並且亦包括在該第一時槽中排程的一或多個高優先順序上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸包括多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸；<br/> 在該第一時槽中的至少一項中執行一或多個衝突解決程序，以經由取消在該第一時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸來解決該低優先順序上行鏈路傳輸與在該第一時槽中排程的該一或多個高優先順序上行鏈路傳輸的一衝突，其中被配置為執行該一或多個衝突解決程序的該一或多個處理器亦被配置為進行以下操作：<br/> 決定該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的任何低優先順序排程的上行鏈路傳輸是否對應於一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）上的一重複的上行鏈路傳輸；<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，對該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸進行多工處理；及<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，使用針對上行鏈路傳輸的一優先順序層次來取消該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸，直到該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸在該至少一個時槽中的任何時槽中重疊為止；及<br/> 回應於該低優先順序上行鏈路傳輸與在該至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸中的任何傳輸皆不重疊，傳輸在該第二時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸。
根據請求項3之裝置，其中該優先順序層次指示與以一降冪優先順序次序的每個上行鏈路傳輸類型相關聯的一優先順序，該降冪優先順序次序包括一混合存取請求（HARQ）認可（ACK）、排程請求（SR）、高優先順序的通道狀態資訊（CSI）、低優先順序的CSI以及實體上行鏈路共享通道（PUSCH）。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 用於辨識在至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸的構件，其中該兩個或更多個上行鏈路傳輸中的至少一個上行鏈路傳輸包括被排程用於跨越至少一第一時槽和一第二時槽的重複傳輸的一低優先順序上行鏈路傳輸，並且亦包括在該第一時槽中排程的一或多個高優先順序上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸包括多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸；<br/> 用於在該第一時槽中的至少一項中執行一或多個衝突解決程序，以經由取消在該第一時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸來解決該低優先順序上行鏈路傳輸與在該第一時槽中排程的該一或多個高優先順序上行鏈路傳輸的一衝突的構件，並且其中用於執行該一或多個衝突解決程序的構件亦包括：<br/> 用於決定該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的任何低優先順序排程的上行鏈路傳輸是否對應於一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）上的一重複的上行鏈路傳輸的構件；<br/> 用於基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，對該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸進行多工處理的構件；<br/> 用於基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，使用針對上行鏈路傳輸的一優先順序層次來取消該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸，直到該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸在該至少一個時槽中的任何時槽中重疊為止的構件；及<br/> 用於回應於該低優先順序上行鏈路傳輸與在該至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸中的任何傳輸皆不重疊，傳輸在該第二時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸的構件。
根據請求項5之裝置，其中該優先順序層次指示與以一降冪優先順序次序的每個上行鏈路傳輸類型相關聯的一優先順序，該降冪優先順序次序包括一混合存取請求（HARQ）認可（ACK）、排程請求（SR）、高優先順序的通道狀態資訊（CSI）、低優先順序的CSI以及實體上行鏈路共享通道（PUSCH）。
一種一使用者設備（UE）處的非暫時性電腦可讀取媒體，包括可由一或多個處理器執行以進行以下操作的代碼：<br/> 辨識在至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個上行鏈路傳輸中的至少一個上行鏈路傳輸包括被排程用於跨越至少一第一時槽和一第二時槽的重複傳輸的一低優先順序上行鏈路傳輸，並且亦包括在該第一時槽中排程的一或多個高優先順序上行鏈路傳輸，其中該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸包括多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸；<br/> 在該第一時槽中的至少一項中執行一或多個衝突解決程序，以經由取消在該第一時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸來解決該低優先順序上行鏈路傳輸與在該第一時槽中排程的該一或多個高優先順序上行鏈路傳輸的一衝突，並進一步經由：<br/> 決定該多個低優先順序排程上行鏈路傳輸中的任何低優先順序排程上行鏈路傳輸是否對應於一實體上行鏈路控制通道（PUCCH）上的一重複的上行鏈路傳輸；<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，對該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸進行多工處理；<br/> 基於關於該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸對應於該PUCCH上的該重複的上行鏈路傳輸的該決定，使用針對上行鏈路傳輸的一優先順序層次來取消該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中的至少一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸，直到該多個低優先順序排程的上行鏈路傳輸中沒有一個低優先順序排程的上行鏈路傳輸在該至少一個時槽中的任何時槽中重疊為止；及<br/> 回應於該低優先順序上行鏈路傳輸與在該至少一個時槽中重疊的具有不同優先順序的該兩個或更多個排程的上行鏈路傳輸中的任何傳輸皆不重疊，傳輸在該第二時槽中排程的該低優先順序上行鏈路傳輸。
根據請求項7之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該優先順序層次指示與以一降冪優先順序次序的每個上行鏈路傳輸類型相關聯的一優先順序，該降冪優先順序次序包括一混合存取請求（HARQ）認可（ACK）、排程請求（SR）、高優先順序的通道狀態資訊（CSI）、低優先順序的CSI以及實體上行鏈路共享通道（PUSCH）。
一種生物降解性樹脂之生物降解性促進方法，其係使用生物降解性樹脂之生物降解性促進劑來促進生物降解性樹脂之生物降解的方法，且 <br/>上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑係含有再生纖維素且不含生物降解性樹脂的生物降解性樹脂之生物降解性促進劑， <br/>上述再生纖維素選自纖維、包含膜之成形體、粉末、絮凝物及成形中間物中， <br/>與不使用上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑之情況相比，可促進上述生物降解性樹脂之生物降解性速度； <br/>上述生物降解性樹脂之生物降解性促進方法係以如下方式進行製備之方法：於含有上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑與生物降解性樹脂之生物降解性樹脂組成物或其成形體中，上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑之含有比率以再生纖維素計為0.1至80質量%， <br/>上述生物降解性樹脂係選自丙酸纖維素、丁酸纖維素、乙酸丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚己內酯接枝化乙酸纖維素、乙醯甲基纖維素、乙醯乙基纖維素、乙醯丙基纖維素、乙醯羥乙基纖維素、乙醯羥丙基纖維素中之纖維素酯。
一種生物降解性樹脂組成物，其含有生物降解性樹脂之生物降解性促進劑與生物降解性樹脂， <br/>上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑係含有再生纖維素且不含生物降解性樹脂的生物降解性樹脂之生物降解性促進劑， <br/>上述再生纖維素選自纖維、包含膜之成形體、粉末、絮凝物及成形中間物中， <br/>與不使用上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑之情況相比，可促進上述生物降解性樹脂之生物降解性速度； <br/>上述生物降解性樹脂組成物中之上述生物降解性樹脂之生物降解性促進劑之含有比率以再生纖維素計為0.1至80質量%，<br/>上述生物降解性樹脂係選自丙酸纖維素、丁酸纖維素、乙酸丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚己內酯接枝化乙酸纖維素、乙醯甲基纖維素、乙醯乙基纖維素、乙醯丙基纖維素、乙醯羥乙基纖維素、乙醯羥丙基纖維素中之纖維素酯。
一種生物降解性樹脂成形體，其係由如請求項2所述之生物降解性樹脂組成物形成。
如請求項3所述之生物降解性樹脂成形體，其於海水中、淡水中及土壤中具有生物降解性。
如請求項3所述之生物降解性樹脂成形體，其係在漁業所使用之包含漁具、裝捕獲海產之容器之物品。
一種陶瓷接合體，包括： <br/>一對陶瓷板；以及 <br/>電極層，介於所述一對陶瓷板之間， <br/>所述電極層埋設於所述一對陶瓷板中的至少一者， <br/>於所述電極層的外緣，所述一對陶瓷板中的至少一者與所述電極層的接合面相對於所述一對陶瓷板及所述電極層的厚度方向具有傾斜度， <br/>所述電極層的外緣的相對密度較所述電極層的中心的相對密度而言為低密度。
一種陶瓷接合體，包括： <br/>一對陶瓷板； <br/>電極層，介於所述一對陶瓷板之間；以及 <br/>絕緣層，於所述一對陶瓷板之間，配置於所述電極層的周圍， <br/>於所述電極層的外緣，所述電極層與所述絕緣層的接合面相對於所述一對陶瓷板、所述電極層及所述絕緣層的厚度方向具有傾斜度， <br/>所述電極層的外緣的相對密度較所述電極層的中心的相對密度而言為低密度。
如請求項1或請求項2所述的陶瓷接合體，其中所述電極層包含絕緣性陶瓷與導電性陶瓷。
如請求項3所述的陶瓷接合體，其中所述絕緣性陶瓷是選自由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、AlN、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、YAG、SmAlO<sub>3</sub>、MgO及SiO<sub>2</sub>所組成的群組中的至少一種。
如請求項3所述的陶瓷接合體，其中所述導電性陶瓷是選自由SiC、TiO<sub>2</sub>、TiN、TiC、W、WC、Mo、Mo<sub>2</sub>C及C所組成的群組中的至少一種。
如請求項1或請求項2所述的陶瓷接合體，其中所述一對陶瓷板的材料彼此相同。
如請求項1或請求項2所述的陶瓷接合體，其中所述接合面的長度L與所述電極層的厚度T的比（L/T）為1.7以上且6.5以下。
一種靜電卡盤裝置，是將包含陶瓷的靜電卡盤構件與包含金屬的溫度調整用基底構件經由接著劑層接合而成， <br/>所述靜電卡盤構件包含如請求項1至請求項7中任一項所述的陶瓷接合體。
一種陶瓷接合體的製造方法，包括： <br/>對於一對陶瓷板中的至少一者，於所述一對陶瓷板重疊的面，形成具有相對於所述一對陶瓷板的厚度方向傾斜的傾斜面的凹部的步驟； <br/>於所述凹部塗佈電極層形成用膏而形成電極層塗膜的步驟； <br/>以形成有所述電極層塗膜的面成為內側的方式積層所述一對陶瓷板的步驟；以及 <br/>一面對包含所述一對陶瓷板及所述電極層塗膜的積層體進行加熱，一面於厚度方向上進行加壓的步驟， <br/>由所述電極層塗膜得到的電極層的外緣的相對密度較所述電極層的中心的相對密度而言為低密度。
如請求項9所述的陶瓷接合體的製造方法，其中所述傾斜面的長度L與所述電極層塗膜的厚度T的比（L/T）為1.7以上且6.5以下。
一種陶瓷接合體的製造方法，包括： <br/>對於一對陶瓷板中的至少一者，於所述一對陶瓷板重疊的面，塗佈電極層形成用膏而形成電極層塗膜，並且以包圍所述電極層塗膜的周圍的方式塗佈絕緣層形成用膏而形成絕緣層塗膜的步驟； <br/>以形成有所述電極層塗膜及所述絕緣層塗膜的面成為內側的方式積層所述一對陶瓷板的步驟；以及 <br/>一面對包含所述一對陶瓷板、所述電極層塗膜及所述絕緣層塗膜的積層體進行加熱，一面於厚度方向上進行加壓的步驟， <br/>於形成所述絕緣層塗膜的步驟中，所述電極層塗膜的外緣與所述絕緣層塗膜的內緣重疊，所述電極層塗膜與所述絕緣層塗膜的接觸面相對於所述一對陶瓷板的厚度方向具有傾斜度， <br/>由所述電極層塗膜得到的電極層的外緣的相對密度較所述電極層的中心的相對密度而言為低密度。
如請求項11所述的陶瓷接合體的製造方法，其中所述接觸面的長度L與所述電極層塗膜的厚度T的比（L/T）為1.7以上且6.5以下。
一種馬達，係具備：殼體，具有殼體本體、和閉塞該殼體本體的開口部之蓋子；心軸，具有從前述蓋子突出的端部；轉子，其固定於前述心軸；定子，其與前述轉子相面對地配置；複數條供電線，其等將電力從外部供給到前述定子；及保持構件，其保持前述複數條供電線，前述定子具有絕緣件，位在前述蓋子與前述絕緣件之間的前述保持構件，係具備具有保持槽的部分，該保持槽係保持前述複數條供電線中的第1供電線，具有前述保持槽的部分係在徑向延伸，前述第1供電線係藉由複數條導線、附有被覆的電線、及將前述複數條導線與前述附有被覆的電線予以電性連接的套筒部所形成，前述附有被覆的電線的最大寬度係大於前述保持槽的寬度，前述套筒部的最大寬度係大於前述保持槽之開口的寬度，在圓周方向上，前述套筒部與具有前述保持槽的部分係相面對。
如請求項1之馬達，其中，前述套筒部具有形成為扁平狀的扁平部分。
一種馬達，係具備：心軸；轉子，其固定於前述心軸；定子，其具有：具有壁部的絕緣構件；及捲繞於前述絕緣構件的線圈；殼體，其收容前述轉子及前述定子，且具有開口部；蓋子，其將前述開口部的至少一部分閉塞；供電線，其將電力從外部供給到前述定子；及保持構件，其保持前述供電線，在徑向上，於前述絕緣構件的壁部的內側配置有前述線圈，前述保持構件係在軸向上，藉前述蓋子與前述定子加以挾持，前述保持構件具有大圓環部、和小於前述大圓環部的小圓環部、和連結前述大圓環部和前述小圓環部之連結部，設置於前述壁部的前述大圓環部，係具有朝前述軸向突出的複數個突出部。
如請求項3之馬達，其中，前述開口部係設在前述殼體之前述軸向的端部。
如請求項3或4之馬達，其中，前述保持構件係在前述軸向上，藉前述蓋子與前述絕緣構件加以挾持。
如請求項3或4之馬達，其中，前述保持構件的彈性模量係小於前述蓋子的彈性模量。
如請求項3或4之馬達，其中，前述突出部係設在前述小圓環部。
如請求項3或4之馬達，其具備電路基板，前述保持構件係保持前述電路基板。
如請求項5之馬達，其具有將前述保持構件及前述絕緣構件固定的固定構件；前述保持構件具有固定前述固定構件的孔。
一種馬達，係具備：心軸；轉子，其固定於前述心軸；定子芯，其與前述轉子相面對；絕緣構件，其裝設於前述定子芯；及線圈，其捲繞於前述絕緣構件，在前述絕緣構件的徑向外側，連接於前述線圈的捲繞終點的跨接線係朝圓周方向延伸配置，前述絕緣構件在徑向外側具有：凸部，其在軸向上從前述跨接線延伸之位置朝徑向內側突出；及凹部，其從前述跨接線延伸的位置凹陷，連接於前述線圈之捲繞開始點的引線係配置在前述凹部，配置於前述凹部之前述跨接線的一部分，係在徑向內側後退，在徑向上，前述引線係通過前述後退的跨接線之一部分的徑向外側，在徑向上，前述後退的跨接線的一部分係配置在前述凸部的內側。
如請求項10之馬達，其中，前述引線係在前述凹部中配置於前述絕緣構件與前述跨接線之間。
如請求項10或11之馬達，其中，前述絕緣構件係在徑向外側具有於軸向突出且延伸於圓周方向的壁部，在前述壁部之徑向外側具有延伸於圓周方向的1道或複數道槽部，前述跨接線係配置在前述槽部。
如請求項10或11之馬達，其中，前述凹部與前述凸部係在圓周方向相鄰接。
如請求項10或11之馬達，其中，連接於前述線圈之捲繞開始點的前述引線係在前述凹部中朝向徑向外側延伸，且朝偏離軸向的前述凹部之方向豎起。
一種注射筒，用於給予藥劑，包括： <br/>一圓筒，由具有一前端部以及一尾端部的筒狀構造所形成，包括用於將收納在內部的藥劑注出於外部的一注出孔，該注出孔設置在該前端部； <br/>一過濾層，配置在該圓筒內部相較該注出孔更偏向尾端側的位置；以及 <br/>一維持部件，維持配置於該圓筒內部的該過濾層，且具有配置在相較該過濾層更偏向尾端側的一尾端側部分； <br/>其中，該尾端側部分包括安裝著該過濾層的一安裝部位，以及從該安裝部位延伸的一腳部位； <br/>該安裝部位的外周面具有比該腳部位的外周面更小的外徑； <br/>該腳部位的外周面與該圓筒的內周面為面接觸； <br/>該安裝部位具有一安裝外周部，以及較該安裝外周部位置更靠徑內側並且較該安裝外周部之前端面更靠近尾端側的一安裝內周部； <br/>該維持部件的該尾端側部分設有使藥劑從尾端側朝前端側流通的一管道； <br/>該過濾層的尾端側設有讓從該管道流通的藥劑流入的一尾端側空間； <br/>該過濾層的前端側設有讓從該尾端側空間透過該過濾層的藥劑流入的一前端側空間； <br/>由該圓筒的軸心方向觀測的場合，該注出孔的面積小於該尾端側空間的面積，亦小於該前端側空間的面積，且亦小於該管道的面積。
如請求項1所述的注射筒，其中，由該圓筒的軸心方向觀測的場合，位於該維持部件的該管道面積小於該前端側空間的面積。
如請求項1或2所述的注射筒，其中，該維持部件的該尾端側部分包括一接觸面作為尾端側端面，該接觸面可與從尾端側插入該圓筒內的一活塞接觸，該接觸面設為可與該活塞的前端面以涵蓋該圓筒的圓周方向整圈進行面接觸。
一種第一及第二可交聯實體之用途，其係用於製備於皮內靶位點建立交聯物質以治療皮膚疾病、疾患或病症之藥物，該治療包括以下步驟： <br/>(i)將該第一及第二可交聯實體施加至皮膚位置，該等實體反應形成交聯物質；及 <br/>(ii)在施加該等可交聯實體中之至少一者後對該皮膚位置進行微針刺， <br/>使得該交聯物質存在於皮內靶位點， <br/>其中該第一及第二可交聯實體係於約3至約5之範圍內之pH，且進一步其中該第一可交聯實體包含經由甘胺酸連接子結合至氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分之玻尿酸(HA)聚合物，且該第二可交聯實體包含至少一種結合至聚合物之半胱胺酸交聯部分。
一種第一及第二可交聯實體之用途，其係用於製備於皮內靶位點建立交聯物質以治療皮膚疾病、疾患或病症之藥物，該治療包括以下步驟： <br/>(i)於約3至約5之範圍內之pH將該第一及第二可交聯實體施加至皮膚位置；及 <br/>(ii)對該皮膚位置進行微針刺， <br/>使得該交聯物質存在於皮內靶位點，視情況 <br/>其中該微針刺係在該施加步驟之前及/或之後進行，且進一步其中該第一可交聯實體包含經由甘胺酸連接子結合至氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分之玻尿酸(HA)聚合物，且該第二可交聯實體包含至少一種結合至聚合物之半胱胺酸交聯部分。
如請求項1或2之用途，其中該交聯物質之存在可於該皮內靶位點確定。
如請求項1或2之用途，其中該交聯物質於1分鐘至1小時之時段內存在。
如請求項1或2之用途，其中該第一可交聯實體之該玻尿酸(HA)聚合物包含在該施加步驟前之重量平均分子量係於1 kDa至500 kDa之範圍內。
如請求項5之用途，其中在該施加步驟前之重量平均分子量係於5至20 kDa之範圍內。
如請求項1或2之用途，其中：(a)該第一及第二可交聯實體係同時施加；或(b)該第二可交聯實體係在該第一可交聯實體後施加。
如請求項7之用途，其中該治療在同時施加該第一及第二可交聯實體前，進一步包括混合該第一及第二可交聯實體。
如請求項8之用途，其中該混合係在該施加步驟前0至30分鐘。
如請求項1或2之用途，其中該微針刺係用具有微針之微針裝置進行。
如請求項10之用途，其中該微針裝置具有微針密度於約20至150個微針/cm<sup>2</sup>之範圍內。
如請求項10之用途，其中：(a)該微針裝置具有1至100000個微針；及/或(b)該等微針具有介於約100 μm及約1000 μm之間的長度；及/或(c)該微針裝置係黛歐樂微針滾輪(dermaroller)。
如請求項1或2之用途，其中該皮內位點係表皮或真皮。
如請求項1或2之用途，其中該第一可交聯實體之濃度係於0.1至100 mg/mL之範圍內。
如請求項1或2之用途，其中：(a)該第二可交聯實體係選自由以下組成之群：半胱胺酸-乙二胺-半胱胺酸(CEC)、半胱胺酸-離胺酸-半胱胺酸(CKC)、半胱胺酸-PEG-半胱胺酸，及其組合；及/或(b)該第二可交聯實體之濃度係於0.1至100 mg/mL之範圍內；及/或(c)該結合至該甘胺酸連接子之氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分與該至少一種半胱胺酸交聯部分之分子比率係於1:1至5:1之範圍內；及/或(d)1至20莫耳%之該第一可交聯實體包含該結合至該甘胺酸連接子之氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分；及/或(e)該交聯物質之特徵在於該交聯物質於該皮內靶位點之重量平均分子量係大於該第一可交聯實體之重量平均分子量。
如請求項15之用途，其中該交聯物質之特徵在於該交聯物質於該皮內靶位點之重量平均分子量係二、三、四、五、六、七、八、九或十倍大於該第一可交聯實體之重量平均分子量。
一種第一及第二可交聯實體之用途，其係用於製備藉由局部施加該第一及第二可交聯實體於皮內位點建立交聯物質以治療皮膚疾病、疾患或病症之藥物，且進一步其中該第一可交聯實體包含經由甘胺酸連接子結合至氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分之玻尿酸(HA)聚合物，且該第二可交聯實體包含至少一種結合至聚合物之半胱胺酸交聯部分，該治療包括： <br/>使該第一及第二可交聯實體彼此於約3至約5之範圍內之pH接觸且對皮膚位置進行微針刺。
一種第一及第二可交聯實體之用途，其係用於製備藉由施加該第一及第二可交聯實體於皮內位點建立交聯物質，該等實體中之至少一者局部施加至皮膚位置，以治療皮膚疾病、疾患或病症之藥物，且進一步其中該第一可交聯實體包含經由甘胺酸連接子結合至氰基苯并噻唑(CBT)交聯部分之玻尿酸(HA)聚合物，且該第二可交聯實體包含至少一種結合至聚合物之半胱胺酸交聯部分，該治療包括： <br/>使該第一及第二可交聯實體彼此於約3至約5之範圍內之pH接觸且在局部施加該等可交聯實體中之至少一者後對該皮膚位置進行微針刺。
一種抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之用途，其係用於製備用於治療具有 CD20 陽性 B 細胞增生性失調的個體之藥物，其中該治療包含以至少包含第一給藥週期及第二給藥週期之給藥方案投予該個體抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體，其中：(a) 該第一給藥週期包含該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之第一劑量 (C1D1) 及第二劑量 (C1D2)，其中該 C1D1 為 2.5 mg，且該 C1D2 為 10 mg；以及 (b) 該第二給藥週期包含 16 或 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量 (C2D1)，且其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個與 CD20 特異性結合之抗原結合域及至少一個與 CD3 特異性結合之抗原結合域， <br/>該與 CD20 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 1 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 2 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 3 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 4 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 5 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 6 之胺基酸序列；以及 <br/>該與 CD3 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含： <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 9 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 10 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 11 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 12 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 13 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 14 之胺基酸序列。
如請求項 1 之用途，其中該第二給藥週期之該單一劑量包含 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體。
如請求項 1 或 2 之用途，其中在該第一給藥週期的第 1 天投予該第一劑量 (C1D1) 以及在該第一給藥週期的第 8 天投予該第二劑量 (C1D2)。
如請求項 1 或 2 之用途，其中在該第二給藥週期的第 1 天投予該第二給藥週期之該單一劑量 (C2D1)。
如請求項 1 或 2 之用途，其中該治療包含 1 至 10 個額外給藥週期（C3D1 至 C12D1）。
如請求項 5 之用途，其中該 1 至 10 個額外給藥週期包含 16 或 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量（C3D1 至 C12D1）。
如請求項 5 之用途，其中該等額外給藥週期之該單一劑量（C3D1 至 C12D1）包含 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體。
如請求項 5 之用途，其中在各個額外給藥週期的第一天投予該等額外給藥週期之該單一劑量（C3D1 至 C12D1）。
如請求項 1 或 2 之用途，其中該治療包含總共 12 個給藥週期。
如請求項 1 或 2 之用途，其中一個給藥週期包含 14 天或 21 天。
如請求項 10 之用途，其中一個給藥週期包含 21 天。
如請求項 1 或 2 之用途，其中該 CD20 陽性 B 細胞增生性失調為非何杰金氏淋巴瘤 (NHL)。
如請求項 12 之用途，其中該 B 細胞增生性失調為復發性或難治性 NHL。
如請求項 12 之用途，其中該 NHL 為和緩性 NHL (iNHL) 或侵襲性 NHL (aNHL)。
如請求項 12 之用途，其中該 NHL 為瀰漫性大 B 細胞淋巴瘤 (DLBCL)、高惡性度 B 細胞淋巴瘤 (HGBCL)、原發性縱膈腔大 B 細胞淋巴瘤 (PMBCL) 或邊緣區淋巴瘤 (MZL)。
如請求項 15 之用途，其中該 DLBCL 為里希特氏轉化 (Richter's transformation)。
如請求項 12 之用途，其中該 NHL 為被套細胞淋巴瘤 (MCL)。
如請求項 17 之用途，其中該 MCL 為復發性或難治性 (R/R) MCL。
如請求項 17 之用途，其中該個體已接受至少一個包含布魯頓酪胺酸激酶抑制劑 (BTKi) 之在先全身性治療方案。
如請求項 19 之用途，其中該 BTKi 包含依魯替尼 (ibrutinib)、阿卡拉布替尼 (acalabrutinib) 或澤佈替尼 (zanubrutinib)。
如請求項 12 之用途，其中該 NHL 為濾泡性淋巴瘤 (FL)。
如請求項 21 之用途，其中該 FL 為 1、2 或 3a 級 FL。
如請求項 21 之用途，其中該 FL 為轉化 FL。
如請求項 21 之用途，其中該 FL 為復發性或難治性 (R/R) FL。
如請求項 21 之用途，其中該個體為高風險個體，其： <br/>(a) 在至少兩個在先療法後已復發或對於該至少兩個在先療法為難治的； <br/>(b) 在磷脂肌醇 3-激酶 (PI3K) 抑制劑治療後已復發或對於該 PI3K 抑制劑治療為難治的； <br/>(c) 在前線治療的 24 個月內經歷疾病進展；及/或 <br/>(d) 具有病灶，其中該病灶直徑之乘積的總和為 ≧ 3,000 mm<sup>2</sup>。
如請求項 1 或 2 之用途，其中具有該 CD20 陽性 B 細胞增生性失調的個體群體在投予該雙特異性抗體後表現出細胞激素釋放症候群，且其中 3 或更高級別（如美國移植與細胞療法學會，2019；ASTCT 所定義）的該細胞激素釋放症候群的比率小於或 5%。
如請求項 1 或 2 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 70% 的完全反應率。
如請求項 14 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體在患有 iNHL 的該等個體中產生至少 70% 的完全反應率。
如請求項 14 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體在患有 aNHL 的該等個體中產生至少 70% 的完全反應率。
如請求項 17 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 80% 的總反應率 (overall response rate)。
如請求項 17 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 65% 的完全反應率。
如請求項 21 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 80% 的總反應率。
如請求項 25 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 40% 的完全代謝反應率。
一種抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之用途，其係用於製備用於治療具有濾泡性淋巴瘤 (FL) 的個體之藥物，其中該治療包含以至少包含第一給藥週期、第二給藥週期及第三給藥週期之給藥方案投予該個體抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體，其中： <br/>(i) 該第一給藥週期包含該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之第一劑量 (C1D1) 及第二劑量 (C1D2)，其中該 C1D1 為 0.5 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體，且該 C1D2 為 2.5 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體， <br/>(ii) 該第二給藥週期包含 10 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量 (C2D1)，以及 <br/>(iii) 該第三給藥週期包含 16 或 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量 (C3D1)， <br/>且其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個與 CD20 特異性結合之抗原結合域及至少一個與 CD3 特異性結合之抗原結合域， <br/>該與 CD20 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 1 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 2 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 3 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 4 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 5 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 6 之胺基酸序列；以及 <br/>該與 CD3 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含： <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 9 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 10 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 11 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 12 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 13 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 14 之胺基酸序列。
如請求項 34 之用途，其中該第三給藥週期之該單一劑量 (C3D1) 包含 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體。
如請求項 34 或 35 之用途，其中在該第一給藥週期的第 1 天投予該第一劑量 (C1D1) 以及在該第一給藥週期的第 8 天投予該第二劑量 (C1D2)。
如請求項 34 或 35 之用途，其中在該第二給藥週期的第 1 天投予該第二給藥週期之該單一劑量 (C2D1)。
如請求項 34 或 35 之用途，其中在該第三給藥週期的第 1 天投予該第三給藥週期之該單一劑量 (C3D1)。
如請求項 34 或 35 之用途，其中該治療包含 1 至 9 個額外給藥週期（C4D1 至 C12D1）。
如請求項 39 之用途，其中該 1 至 9 個額外給藥週期包含 16 或 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量（C4D1 至 C12D1）。
如請求項 39 之用途，其中該等額外給藥週期之該單一劑量（C4D1 至 C12D1）包含 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體。
如請求項 39 之用途，其中在各個額外給藥週期的第一天投予該等額外給藥週期之該單一劑量（C4D1 至 C12D1）。
如請求項 34 或 35 之用途，其中該治療包含總共 12 個給藥週期。
如請求項 34 或 35 之用途，其中一個給藥週期包含 14 天或 21 天。
如請求項 44 之用途，其中一個給藥週期包含 21 天。
如請求項 34或 35 之用途，其中該 FL 為 1、2 或 3a 級 FL。
如請求項 34或 35 之用途，其中該 FL 為轉化 FL。
如請求項 34 或 35 之用途，其中該 FL 為復發性或難治性 (R/R) FL。
如請求項 48 之用途，其中該個體為高風險個體，其： <br/>(a) 在至少兩個在先療法後已復發或對於該至少兩個在先療法為難治的； <br/>(b) 在磷脂肌醇 3-激酶 (PI3K) 抑制劑治療後已復發或對於該 PI3K 抑制劑治療為難治的； <br/>(c) 在前線治療的 24 個月內經歷疾病進展；及/或 <br/>(d) 具有病灶，其中該病灶直徑之乘積的總和為 ≧ 3,000 mm<sup>2</sup>。
如請求項 34 或 35 之用途，其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 80% 的總反應率。
如請求項 49 之用途，其中該等個體為具有 R/R FL 的高風險個體，且其中向複數個個體投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體產生至少 40% 的完全反應率。
如請求項 34 或 35 之用途，其中該具有 FL 的個體群體在投予該雙特異性抗體後表現出細胞激素釋放症候群，且其中 3 或更高級別（如美國移植與細胞療法學會，2019；ASTCT 所定義）的該細胞激素釋放症候群的比率為 3%。
如請求項1、2、34及35中任一項之用途，其中該治療結合投予奧比妥珠單抗 (obinutuzumab) 或利妥昔單抗 (rituximab)。
如請求項 53 之用途，其中奧比妥珠單抗在該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體的該第一劑量 (C1D1) 之前的 7 天投予。
如請求項 54 之用途，其中奧比妥珠單抗以 1000 mg 之一個單一劑量投予。
如請求項 54 之用途，其中奧比妥珠單抗以各 1000 mg 奧比妥珠單抗之第一及第二劑量投予。
如請求項 56 之用途，其中奧比妥珠單抗之該第一及第二劑量在同一天投予。
如請求項 56 之用途，其中該個體患有 MCL 且已接受至少兩個在先全身性療法。
如請求項 53 之用途，其中在該第二週期 (C2D1) 的第一天及在任一其後週期的第一天投予奧比妥珠單抗或利妥昔單抗。
如請求項 59 之用途，其中在該第二週期 (C2D1) 的第一天及在該第三週期 (C3D1) 至第十二週期 (C12D1) 的第一天投予奧比妥珠單抗或利妥昔單抗。
如請求項 58之用途，其中奧比妥珠單抗以 1000 mg 之劑量投予。
如請求項1、2、34及35中任一項之用途，其中該患者在該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之前接受皮質類固醇前置用藥。
如請求項 62 之用途，其中該皮質類固醇前置用藥包含培尼皮質醇 (prednisolone) 及甲基培尼皮質醇 (methylprednisolone)，及/或地塞米松 (dexamethasone)。
如請求項 62 之用途，其中該皮質類固醇前置用藥在該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之該第一劑量 (C1D1) 之前給予。
如請求項 1 、2、34及35中任一項之用途，其中在全部 12 個給藥週期之後停止該治療。
如請求項 65 之用途，其中若復發發生及/或若疾病進展，則以如請求項 1 至 64 中任一項之用途中所定義之該治療再治療該患者。
一種抗 CD20 抗體之用途，其係用於製備用於治療具有 CD20 陽性細胞增生性失調的個體之藥物，其中該治療包含投予該個體該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體，其中該抗 CD20抗體為利妥昔單抗且該皮質類固醇為強體松，且其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個與 CD20 特異性結合之抗原結合域及至少一個與 CD3 特異性結合之抗原結合域， <br/>該與 CD20 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 1 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 2 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 3 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 4 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 5 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 6 之胺基酸序列；以及 <br/>該與 CD3 特異性結合之抗原結合域包含 <br/>重鏈可變區，其包含： <br/>(i) HVR-H1，其包含 SEQ ID NO: 9 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-H2，其包含 SEQ ID NO: 10 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-H3，其包含 SEQ ID NO: 11 之胺基酸序列；以及 <br/>輕鏈可變區，其包含 <br/>(i) HVR-L1，其包含 SEQ ID NO: 12 之胺基酸序列； <br/>(ii) HVR-L2，其包含 SEQ ID NO: 13 之胺基酸序列；及 <br/>(iii) HVR-L3，其包含 SEQ ID NO: 14 之胺基酸序列。
如請求項 67 之用途，其中向複數個人投予該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體在以該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體治療後之該複數個人中產生至少 60%、至少 70% 或至少 80% 的完全反應。 <u> </u>
如請求項 67 或 68 之用途，其中向複數個人投予該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體在以該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體治療後之該複數個人中產生至少 80%、至少 85% 或至少 90% 的總反應。 <u> </u>
如請求項 67 或 68之用途，其中向該人投予該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇及抗 CD20/抗 CD3雙特異性抗體不會導致 2 級或更高級別的細胞激素釋放症候群 (CRS)。
如請求項 67或 68 之用途，其中該治療包含至少包含第一給藥週期、第二給藥週期及第三給藥週期之給藥方案，其中： <br/>(a) 該第一給藥週期包含該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素及皮質類固醇之第一劑量 (C1D1)，且該雙特異性抗體沒有劑量； <br/>(b) 該第二給藥週期包含該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素及皮質類固醇之第二劑量 (C2D1) 以及該雙特異性抗體之第一劑量 (C2D8) 及第二劑量 (C2D15)，其中該雙特異性抗體之該 C2D8 為 2.5 mg 且該 C2D15 為 10 mg； <br/>(c) 該第三給藥週期包含該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素及皮質類固醇之第三劑量 (C3D1) 以及該雙特異性抗體之第三劑量 (C3D8)，其中該雙特異性抗體之該 C3D8 為 30 mg。
如請求項 71 之用途，其中在每個給藥週期的第 1 天投予該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素及皮質類固醇。
如請求項 71 之用途，其中在該第二給藥週期的第 8 天投予該雙特異性抗體之該第一劑量 (C2D8) 以及在該第二給藥週期的第 15 天投予該第二劑量 (C2D15)。
如請求項 71 之用途，其中在該第三給藥週期的第 8 天投予該雙特異性抗體之該第三劑量 (C3D8)。
如請求項 71 之用途，其中該治療包含 1 至 5 個（C4 至 C8）額外給藥週期。
如請求項 75 之用途，其中該 1 至 5 個額外給藥週期（C4 至 C8）包含抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素、皮質類固醇之單一劑量以及 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量。
如請求項 75 之用途，其中在第 1 天投予該抗 CD20 抗體、環磷醯胺、阿黴素及皮質類固醇之該單一劑量以及在各個額外給藥週期（C4 至 C8）的第 8 天投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之該單一劑量。
如請求項 67 或 68 之用途，其中該治療包含至少包含第一給藥週期、第二給藥週期及第三給藥週期之給藥方案，其中： <br/>(a) 該第一給藥週期包含該利妥昔單抗、環磷醯胺、阿黴素、長春新鹼及強體松 (R-CHOP) 之第一劑量 (C1D1)，且該雙特異性抗體沒有劑量； <br/>(b) 該第二給藥週期包含該 R-CHOP 之第二劑量 (C2D1) 以及該雙特異性抗體之第一劑量 (C2D8) 及第二劑量 (C2D15)，其中該雙特異性抗體之該 C2D8 為 2.5 mg 且該 C2D15 為 10 mg； <br/>(c) 該第三給藥週期包含該 R-CHOP 之第三劑量 (C3D1) 以及該雙特異性抗體之第三劑量 (C3D8)，其中該雙特異性抗體之該 C3D8 為 30 mg。
如請求項 78 之用途，其中在每個給藥週期的第 1 天投予 該 R-CHOP。
如請求項 78 之用途，其中在該第二給藥週期的第 8 天投予該雙特異性抗體之該第一劑量 (C2D8) 以及在該第二給藥週期的第 15 天投予該第二劑量 (C2D15)。
如請求項 78 之用途，其中在該第三給藥週期的第 8 天投予該雙特異性抗體之該第三劑量 (C3D8)。
如請求項 78 之用途，其中該治療包含 1 至 5 個額外給藥週期（C4 至 C8）。
如請求項 82 之用途，其中該 1 至 5 個額外給藥週期（C4 至 C8）包含 R-CHOP 之單一劑量及 30 mg 的該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之單一劑量。
如請求項 83 之用途，其中在第 1 天投予該 R-CHOP 之該單一劑量以及在該各個額外給藥週期（C4 至 C8）的第 8 天投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體之該單一劑量。
如請求項 78 之用途，其中在該第一給藥週期中，利妥昔單抗被替換成奧比妥珠單抗。
如請求項 71 之用途，其中該治療包含總共 6 個給藥週期。
如請求項 71 之用途，其中一個給藥週期包含 14 天或 21 天。
如請求項 87 之用途，其中一個給藥週期包含 21 天。
如請求項 67 或 68 之用途，其中該 CD20 陽性 B 細胞增生性失調為先前未經治療的 DLBCL。
如請求項 89 之用途，其中待治療之該個體具有國際預後指標 [IPI] 2-5。
如請求項 1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中靜脈內投予該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體。
如請求項 1 、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該個體為人。
如請求項 92 之用途，其中該人為高風險個體。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個與 CD20 特異性結合之抗原結合域，該抗原結合域包含含有 SEQ ID NO: 7 之胺基酸序列的 VH 域及含有 SEQ ID NO: 8 之胺基酸序列的 VL 域。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個與 CD3 特異性結合之抗原結合域，該抗原結合域包含含有 SEQ ID NO: 15 之胺基酸序列的 VH 域及含有 SEQ ID NO: 16 之胺基酸序列的 VL 域。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含與 CD3 特異性結合之抗原結合域，該抗原結合域為交叉 Fab 分子，其中 Fab 重鏈及輕鏈之可變域或恆定域被交換。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含含有一個或多個降低對 Fc 受體之結合及/或效應子功能之胺基酸取代的 IgG1 Fc 域。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含含有胺基酸取代 L234A、L235A 及 P329G (根據 Kabat EU 索引編號) 的 IgG1 Fc 域。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含至少一個包含與 CD20 特異性結合之抗原結合域的 Fab 分子，其中在該 Fab 分子的恆定域 CL 中，位置 124 的胺基酸被離胺酸 (K) 取代（根據 Kabat 編號）且位置 123 的胺基酸被精胺酸 (R) 或離胺酸 (K) 取代（根據 Kabat 編號），並且其中在該 Fab 分子的恆定域 CH1 中，位置 147 的胺基酸被麩胺酸 (E) 取代（根據 Kabat EU 索引編號）且位置 213 的胺基酸被麩胺酸 (E) 取代（根據 Kabat EU 索引編號）。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含兩個與 CD20 特異性結合之抗原結合域及一個與 CD3 特異性結合之抗原結合域。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體對 CD20 為雙價及對 CD3 為單價。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體包含 <br/>(i) 與 CD3 特異性結合之抗原結合域，其在 Fab 重鏈的 C 端融合至 Fc 域的第一次單元的 N 端， <br/>(ii) 與 CD20 特異性結合之第一抗原結合域，其在 Fab 重鏈的 C 端融合至該與 CD3 特異性結合之抗原結合域的 Fab 重鏈之 N 端， <br/>(iii) 與 CD20 特異性結合之第二抗原結合域，其在 Fab 重鏈的 C 端融合至 Fc 域的第二次單元的 N 端。
如請求項1、2、34、35、67 及 68中任一項之用途，其中該抗 CD20/抗 CD3 雙特異性抗體為格菲妥單抗 (Glofitamab)。
一種偏光板，具有使聚乙烯醇系樹脂層吸附配向有二色性色素而成的偏光元件、及積層於前述偏光元件之至少一面的透明保護膜，其中， <br/>前述偏光元件與前述透明保護膜係由含有第1化合物及第2化合物的接著劑所形成之接著劑層所貼合， <br/>前述第1化合物係選自由脲衍生物及硫脲衍生物所成群組中的至少1種， <br/>前述脲衍生物係選自由甲基脲、乙基脲、丙基脲、丁基脲、異丁基脲、N-十八基脲、2-羥乙基脲、羥基脲、乙醯基脲、烯丙基脲、2-丙炔基脲、環己基脲、苯基脲、3-羥基苯基脲、(4-甲氧基苯基)脲、苄基脲、苯甲醯基脲、鄰甲苯基脲、對甲苯基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1-二乙基脲、1,3-二乙基脲、1,3-雙(羥基甲基)脲、1,3-第三丁基脲、1,3-二環己基脲、1,3-二苯基脲、1,3-雙(4-甲氧基苯基)脲、1-乙醯基-3-甲基脲、四甲基脲、1,1,3,3-四乙基脲、1,1,3,3-四丁基脲及1,3-二甲氧基-1,3-二甲基脲所構成之群組中至少一種的脲系化合物， <br/>前述第2化合物係具有氮氧自由基或氮氧基的化合物。
如請求項1所述之偏光板，其中前述第2化合物為N-氧基化合物。
如請求項1所述之偏光板，其中前述接著劑包含聚乙烯醇系樹脂。
如請求項3所述之偏光板，其中前述接著劑中，前述第1化合物的含量相對於前述聚乙烯醇系樹脂100質量份為0.1質量份以上400質量份以下。
如請求項3所述之偏光板，其中前述接著劑中，前述第2化合物的含量相對於前述聚乙烯醇系樹脂100質量份為0.1質量份以上400質量份以下。
如請求項1至5中任一項所述之偏光板，其中前述接著劑層的厚度為0.01μm以上7μm以下。
如請求項1至5中任一項所述之偏光板，其中前述偏光板係用於圖像顯示裝置， <br/>前述圖像顯示裝置中，前述偏光板的兩面相接設置有固體層。
一種圖像顯示裝置，具有：圖像顯示單元；第1黏著劑層，其積層於前述圖像顯示單元的視認側表面；及如請求項1至7中任一項所述之偏光板，其積層於前述第1黏著劑層的視認側表面。
如請求項8所述之圖像顯示裝置，其更具有：第2黏著劑層，其積層於前述偏光板的視認側表面；及透明構件，其積層於前述第2黏著劑層的視認側表面。
如請求項9所述之圖像顯示裝置，其中前述透明構件為玻璃板或透明樹脂板。
如請求項9所述之圖像顯示裝置，其中前述透明構件為觸控面板。
一種形成多色發光陣列的方法，該方法包括： <br/>提供一第一發光裝置、一第二發光裝置以及一第三發光裝置，其中該第一發光裝置被配置為發射具有一第一主峰值波長的光，該第二發光裝置被配置為發射具有該第一主峰值波長的光，並且該第三發光裝置被配置為發射具有該第一主峰值波長的光； <br/>在該第一發光裝置、該第二發光裝置以及該第三發光裝置上形成一色彩轉換區域，其中，該色彩轉換區域被配置為吸收具有該第一主峰值波長的光，並且發射具有較該第一主峰值波長較長的一第二主峰值波長的光； <br/>遮蔽在該第三發光裝置上的該色彩轉換區域的一部分，以及光漂白該第一發光裝置和該第二發光裝置上的該色彩轉換區域的一部分，使得該第一發光裝置和該第二發光裝置上的該色彩轉換區域對具有該第一主峰值波長的光至少部分地透明； <br/>接著在該色彩轉換區域上再形成一另外的色彩轉換區域，其中該另外的色彩轉換區域對具有該第二主峰值波長的光至少部分地透明，並且被配置為吸收具有該第一主峰值波長的光以及發射具有較該第一主峰值波長較長、較該第二主峰值波長較短的一第三主峰值波長的光； <br/>遮蔽在該第二發光裝置和該第三發光裝置上的該色彩轉換區域的該部分上的該另外的色彩轉換區域的一部分，以及光漂白該第一發光裝置上的該色彩轉換區域的該部分上的該另外的色彩轉換區域的一部分，使得該第一發光裝置上的該色彩轉換區域的該部分上的該另外的色彩轉換區域對具有該第一主峰值波長的光透明，從而使得具有該第一主峰值波長的光由與該第一發光裝置相關聯的一第一像素發射，具有該第三主峰值波長的光由與該第二發光裝置相關聯的一第二像素發射，並且具有該第二主峰值波長的光由與該第三發光裝置相關聯的一第三像素發射。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，光漂白包括：以波長為340nm 和 460nm 之間且輻照度至少為10W/cm <sup>2</sup>的光照射該色彩轉換區域和/或該另外的色彩轉換區域，其中，該色彩轉換區域和/或該另外的色彩轉換區域的溫度在50 ℃ 和110 ℃ 之間。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該發光裝置形成一高解析度單塊陣列的一部分。
如請求項3所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該高解析度單塊陣列包括複數個磊晶晶體半導體層。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該色彩轉換區域和/或該另外的色彩轉換區域包括有機半導體，其被配置為吸收具有該第一主峰波長的光並重新發射具有不同主峰值波長的光。
如請求項5所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該有機半導體為共軛有機半導體。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該色彩轉換區域被配置為發射具有一主峰值波長與紅光對應的光。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該另外的色彩轉換區域被配置為發射具有一主峰值波長與綠光對應的光。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，該色彩轉換區域及/或該另外的色彩轉換區域為厚度小於或等於500奈米(nm)一層。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，形成該色彩轉換區域和/或該另外的色彩轉換區域包括在一溶劑中沉積有機半導體，其中，該溶劑中的有機半導體的濃度的重量百分率為2.5％。
如請求項1所述之形成多色發光陣列的方法，其中，形成該色彩轉換區域和/或該另外的色彩轉換區域包括旋轉塗佈或狹縫塗佈。
一種發光裝置，其具備： <br/>第1基板； <br/>發光元件，其設置於上述第1基板之下表面； <br/>透鏡，其設置於上述第1基板之上表面； <br/>第1凸部，其設置於上述第1基板之上表面；及 <br/>第1膜，其設置於上述第1基板之上表面，且包含配置於上述透鏡上或形成上述透鏡之第1部分、與配置於上述第1凸部上或形成上述第1凸部之第2部分；且 <br/>上述第1部分之最上部之高度為上述第2部分之最上部之高度以下。
如請求項1之發光裝置，其中上述透鏡為凸透鏡、凹透鏡、菲涅耳透鏡、二元透鏡、或平面透鏡。
如請求項1之發光裝置，其中於上述第1基板之下表面，設置有1個以上之上述發光元件， <br/>於上述第1基板之上表面，設置有1個以上之上述透鏡， <br/>上述發光元件與上述透鏡以1：1、N：1、或1：N對應(N為2以上之整數)。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1凸部具有環狀包圍上述透鏡之形狀。
如請求項1之發光裝置，其具備設置於上述第1基板之上表面之複數個角或邊之複數個第1凸部，作為上述第1凸部。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1凸部具有沿上述第1基板之上表面之1條邊延伸之線狀形狀。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1凸部具有沿上述第1基板之上表面之2條邊延伸之L字形之形狀。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1凸部包含虛設透鏡。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1膜包含設置於上述透鏡上之防反射膜。
如請求項9之發光裝置，其中上述第1膜進而包含光吸收膜、無機膜、或有機膜。
如請求項10之發光裝置，其中上述光吸收膜、上述無機膜、或上述有機膜設置於上述防反射膜上。
如請求項1之發光裝置，其進而具備設置於上述第1基板之下表面之第2凸部， <br/>上述發光元件之最下部之高度為上述第2凸部之最下部之高度以上。
如請求項12之發光裝置，其中上述第2凸部具有環狀包圍上述發光元件之形狀。
如請求項12之發光裝置，其具備設置於上述第1基板之下表面之複數個角或邊之複數個第2凸部，作為上述第2凸部。
如請求項12之發光裝置，其中上述第2凸部具有沿上述第1基板之下表面之1條邊延伸之線狀形狀。
如請求項12之發光裝置，其中上述第2凸部包含虛設發光元件。
如請求項12之發光裝置，其進而具備設置於上述第1基板之下表面、形成上述第2凸部之第2膜。
如請求項17之發光裝置，其中上述第2膜包含光吸收膜、無機膜、或有機膜。
如請求項1之發光裝置，其中上述第1基板係包含鎵(Ga)及砷(As)之半導體基板。
如請求項1之發光裝置，其中自上述發光元件出射之光自上述第1基板之下表面往上表面透過上述第1基板內，入射至上述透鏡。
如請求項1之發光裝置，其進而具備介隔上述發光元件搭載上述第1基板之第2基板。
如請求項21之發光裝置，其中上述第2基板係包含矽(Si)之半導體基板。
一種發光裝置之製造方法，其包含： <br/>於第1基板之下表面形成發光元件； <br/>於上述第1基板之上表面形成透鏡； <br/>於上述第1基板之上表面形成第1凸部；及 <br/>於上述第1基板之上表面，形成包含第1部分與第2部分之第1膜；且 <br/>上述第1膜以上述第1部分配置於上述透鏡上或形成上述透鏡、上述第2部分配置於上述第1凸部上或形成上述第1凸部之方式形成； <br/>上述第1膜以上述第1部分之最上部之高度為上述第2部分之最上部之高度以下之方式形成。
如請求項23之發光裝置之製造方法，其進而包含於形成上述透鏡、上述第1凸部、及上述第1膜之後，將上述第1基板切割為複數個晶片。
如請求項24之發光裝置之製造方法，其中上述第1凸部之一部分形成於上述第1基板之切割區域內。
如請求項24之發光裝置之製造方法，其上述第1凸部之至少一部分形成於上述第1基板之切割區域以外之區域內。
如請求項24之發光裝置之製造方法，其進而包含： <br/>於切割上述第1基板後使第1基板保持裝置與上述第1膜接觸，而藉由上述第1基板保持裝置保持上述第1基板；及 <br/>將藉由上述第1基板保持裝置保持之上述第1基板介隔上述發光元件搭載於第2基板上。
如請求項27之發光裝置之製造方法，其中上述第1基板保持裝置以與上述第2部分接觸而不與上述第1部分接觸之方式保持上述第1基板。
如請求項23之發光裝置之製造方法，其進而包含： <br/>於上述第1基板之下表面形成第2凸部，且 <br/>上述發光元件及上述第2凸部以上述發光元件之最下部之高度為上述第2凸部之最下部之高度以上之方式形成。
如請求項29之發光裝置之製造方法，其中上述第2凸部以包含形成於上述第1基板之下表面之第2膜之方式形成。
如請求項29之發光裝置之製造方法，其進而包含於形成上述發光元件、上述透鏡、上述第1凸部、上述第1膜、及上述第2凸部之後，將上述第1基板切割為複數個晶片。
如請求項31之發光裝置之製造方法，其進而包含： <br/>於切割上述第1基板之後使第2基板保持裝置與上述第2凸部接觸，而藉由上述第2基板保持裝置保持上述第1基板；及 <br/>將藉由上述第2基板保持裝置保持之上述第1基板介隔上述發光元件搭載於第2基板上。
如請求項32之發光裝置之製造方法，其中上述第2基板保持裝置以與上述第2凸部接觸而不與上述發光元件接觸之方式保持上述第1基板。
一種包絡追蹤(ET)積體電路(ETIC)，其包括： <br/>至少兩個主要電壓輸出，其等各經耦合至各具有一第一等效電容之至少兩個低帶寬功率放大器電路中之一各自者； <br/>至少兩個輔助電壓輸出，其等經耦合至具有低於該第一等效電容之一第二等效電容及比該至少兩個低帶寬功率放大器電路中之各者更高之一阻抗諧振頻率之一高帶寬功率放大器電路； <br/>一第一ET電壓電路，其經組態以基於一第一目標電壓來產生一第一ET電壓； <br/>一第二ET電壓電路，其經組態以基於一第二目標電壓來產生一第二ET電壓；及 <br/>一控制電路，其經組態以： <br/>判定該ETIC是否需要用一高調變帶寬或一低調變帶寬操作； <br/>回應於判定該ETIC需要用該高調變帶寬操作而將該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路之各者耦合至該至少兩個輔助電壓輸出之一各自者且使該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路與該至少兩個主要電壓輸出解耦合；及 <br/>回應於判定該ETIC需要用該低調變帶寬操作而將該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路之各者耦合至該至少兩個主要電壓輸出中之一各自者且使該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路與該至少兩個輔助電壓輸出解耦合。
如請求項1之ETIC，其中該控制電路經進一步組態以基於該第一目標電壓及該第二目標電壓之任一者來判定該ETIC是否需要用該高調變帶寬或該低調變帶寬操作。
如請求項2之ETIC，其中該控制電路經進一步組態以基於該第一目標電壓及該第二目標電壓之一較高者來判定該ETIC是否需要用該高調變帶寬或該低調變帶寬操作。
如請求項1之ETIC，進一步包括： <br/>一第一電壓均衡器電路，其經耦合至該第一ET電壓電路且經組態以基於一第一轉換函數來均衡該第一目標電壓；及 <br/>一第二電壓均衡器電路，其經耦合至該第二ET電壓電路且經組態以基於一第二轉換函數來均衡該第二目標電壓。
一種包絡追蹤(ET)電源管理電路，其包括： <br/>至少兩個低帶寬功率放大器電路，其等各具有一第一等效電容； <br/>一高帶寬功率放大器電路，其具有低於該第一等效電容之一第二等效電容；及 <br/>一ET積體電路(ETIC)，其包括： <br/>至少兩個主要電壓輸出，其等各經耦合至該至少兩個低帶寬功率放大器電路之一各自者； <br/>至少兩個輔助電壓輸出，其等經耦合至該高帶寬功率放大器電路，其具有比該至少兩個低帶寬功率放大器電路中之各者更高之一阻抗諧振頻率； <br/>一第一ET電壓電路，其經組態以基於一第一目標電壓來產生一第一ET電壓； <br/>一第二ET電壓電路，其經組態以基於一第二目標電壓來產生一第二ET電壓；及 <br/>一控制電路，其經組態以： <br/>判定該ETIC是否需要用一高調變帶寬或一低調變帶寬操作； <br/>回應於判定該ETIC需要用該高調變帶寬操作而將該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路之各者耦合至該至少兩個輔助電壓輸出中之一各自者且使該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路與該至少兩個主要電壓輸出解耦合；及 <br/>回應於判定該ETIC需要用該低調變帶寬操作而將該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路之各者耦合至該至少兩個主要電壓輸出中之一各自者且使該第一ET電壓電路及該第二ET電壓電路與該至少兩個輔助電壓輸出解耦合。
如請求項5之ET電源管理電路，其中該控制電路經進一步組態以基於該第一目標電壓及該第二目標電壓之任一者來判定該ETIC是否需要用該高調變帶寬或該低調變帶寬操作。
如請求項6之ET電源管理電路，其中該控制電路經進一步組態以基於該第一目標電壓及該第二目標電壓之一較高者來判定該ETIC是否需要用該高調變帶寬或該低調變帶寬操作。
如請求項5之ET電源管理電路，進一步包括： <br/>一第一電壓均衡器電路，其經耦合至該第一ET電壓電路且經組態以基於一第一轉換函數來均衡該第一目標電壓；及 <br/>一第二電壓均衡器電路，其經耦合至該第二ET電壓電路且經組態以基於一第二轉換函數來均衡該第二目標電壓。
如請求項8之ET電源管理電路，其中該第一轉換函數及該第二轉換函數各經判定以抵消由該高帶寬功率放大器電路及該至少兩個低帶寬功率放大器電路之任一者引起之一電壓擾動。
如請求項5之ET電源管理電路，其中該高帶寬功率放大器電路包括： <br/>一正輸入級及一正輸出級，其等各經耦合至該至少兩個輔助電壓輸出之一第一者；及 <br/>一負輸入級及一負輸出級，其等各經耦合至該至少兩個輔助電壓輸出之一第二者。
如請求項10之ET電源管理電路，其中該正輸出級及該負輸出級分別經耦合至一正負載電容器及一負負載電容器。
如請求項11之ET電源管理電路，其中該至少兩個低帶寬功率放大器電路各包括經耦合至該至少兩個主要電壓輸出之一各自者之一輸入級及一輸出級。
如請求項12之ET電源管理電路，其中該輸出級係耦合至一負載電容器。
如請求項13之ET電源管理電路，其中該正負載電容器及該負負載電容器經組態以各具有低於該負載電容器之一電容，以藉此引起該第二等效電容低於該第一等效電容。
一種短褲（1），包含：一第二褲襠部（3），配置於一短褲本體（2）之一褲襠部（23）的內側，從該褲襠部（23）之一前端跨越到一後端，並在周圍可套設具有一黏合面（C3）之一吸收性襯墊（C），其中，該第二褲襠部（3）是從內側依序配置有一吸水層（31）及一防水層（33）的多層構造的吸收性構件，該第二褲襠部（3）還配置有可貼附於該吸收性襯墊（C）之該黏合面（C3）之一襯墊保持層（34）以作為該第二褲襠部（3）的最外層，及相較於該防水層（33），該襯墊保持層（34）是與該黏合面（C3）的黏著性較低且易於從該吸收性襯墊（C）取下的素材。
如請求項1之短褲（1），還包含：防水膠帶（51、52）配置於該第二褲襠部（3）的外周，並覆蓋該第二褲襠部（3）的端面，其中該防水膠帶（51、52）與該第二褲襠部（3）是以一防水線縫合。
如請求項2之短褲（1），其中，該防水膠帶（51、52）還配置於該褲襠部（23）之該前端及該後端，並覆蓋該前端及該後端的端面，及該防水膠帶（51、52）、該第二褲襠部（3）與該褲襠部（23）是以該防水線縫合。
如請求項1之短褲（1），其中，該吸水層（31）透過防水線在該第二褲襠部（3）的外周靠近一中央側環狀地縫合。
如請求項4之短褲（1），其中，該吸水層（31）與該防水層（33）之間配置一保水層（32），該保水層（32）的區域比該第二褲襠部（3）整個區域還小，並配置在該第二褲襠部（3）之該中央側，及該吸水層（31）及該保水層（32）沿著該保水層（32）的外周以該防水線環狀地縫合。
如請求項4或5之短褲（1），其中，該吸水層（31）在以該防水線縫合的環狀的內部或外部的區域，還以一個或複數防水線進行縫合。
一種用於評估個體在結腸直腸癌或腺瘤切除後結腸直腸腺瘤復發的風險之方法，包含以下步驟：(a)在切除結腸直腸癌或腺瘤之前，從個體採集的第一糞便樣品中獲得攜帶基因標誌物<i>m3</i>的毛梭菌屬(<i>Lachnoclostridium</i>)菌種(<i>m3</i>)的基線水準；(b)在切除結腸直腸癌或腺瘤後，從該個體採集的第二糞便樣品中獲得<i>m3</i>的追蹤水準；(c)根據<i>m3</i>的該基線水準和該追蹤水準計算綜合評分；以及(d)檢測到該值高於標準對照值，確定該個體具有增加的結腸直腸腺瘤復發的風險。
如請求項1之方法，其中，<i>m3</i>的該基線和追蹤水準的該綜合評分係藉由I<sub>5</sub>+(β<sub>iii</sub>*<i>m3</i><sub>追蹤</sub>-β<sub>iv</sub>*<i>m3</i><sub>基線</sub>)來計算。
如請求項1之方法，其中，<i>m3</i>的基因體包含SEQ ID NO：19的核苷酸序列。
如請求項1之方法，其中，該個體藉由息肉切除術切除結腸直腸腺瘤。
如請求項1之方法，其中，步驟(a)和(b)各自包含獲得<i>m3</i>所特有的DNA、RNA或蛋白質的水準。
如請求項1之方法，其中，步驟(a)和(b)各自包含聚合酶連鎖反應(PCR)，其用於測定<i>m3</i>的該水準。
如請求項6之方法，其中，該PCR是定量聚合酶連鎖反應(qPCR)或反轉錄-聚合酶連鎖反應(RT-PCR)。
如請求項1之方法，其中，該第二糞便樣品是在該切除結腸直腸癌或腺瘤後一年至五年從該個體採集的。
如請求項8之方法，其中，該第二糞便樣品是在該切除結腸直腸癌或腺瘤後約一年從該個體採集的。
一種用於評估個體在結腸直腸癌或腺瘤切除後結腸直腸腺瘤復發的風險之方法，包含以下步驟：(a)在切除結腸直腸癌或腺瘤後，從該個體採集的糞便樣品中獲得以下值：攜帶基因標誌物<i>m3</i>的毛梭菌屬菌種(<i>m3</i>)的水準；以及(b)檢測到該值高於標準對照值，確定該個體具有增加的結腸直腸腺瘤復發的風險。
如請求項10之方法，其中，<i>m3</i>的基因體包含SEQ ID NO：19的核苷酸序列。
如請求項10之方法，其中，該個體藉由息肉切除術切除結腸直腸腺瘤。
如請求項10之方法，其中，步驟(a)包含獲得<i>m3</i>所特有的DNA、RNA或蛋白質的水準。
如請求項10之方法，其中，步驟(a)包含聚合酶連鎖反應(PCR)，其用於測定該菌種的該水準。
如請求項14之方法，其中，該PCR是定量聚合酶連鎖反應(qPCR)或反轉錄-聚合酶連鎖反應(RT-PCR)。
如請求項10之方法，其中，該糞便樣品是在切除結腸直腸癌或腺瘤後一年至五年從該個體採集。
如請求項10之方法，其中，該糞便樣品是在切除結腸直腸癌或腺瘤後約一年從該個體採集。
一種用於評估個體在結腸直腸癌或腺瘤切除後結腸直腸腺瘤復發的風險之套組，包含：(1)第一容器，其含有用於測定菌種<i>Fn</i>的水準的試劑；(2)第二容器，其含有用於測定菌種<i>m3</i>的水準的試劑；及第三容器，其含有一種或多種用於測定菌種<i>Bc</i>或<i>Ch</i>的水準的試劑。
如請求項18之套組，其包含第三容器，其含有一種或多種用於測定菌種Bc的水準的試劑。
如請求項18之套組，其包含第三容器，其含有一種或多種用於測定菌種<i>Ch</i>的水準的試劑。
如請求項18之套組，其中每一個該容器中的該試劑是用於聚合酶連鎖反應(PCR)的試劑。
如請求項21之套組，其中該PCR是qPCR或RT-PCR。
如請求項18之套組，其中每一個該容器中的該試劑是用於檢測該菌種特有的蛋白質的試劑。
一種阻劑組成物，其係藉由曝光而產生酸，藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的阻劑組成物，其含有藉由酸的作用而對顯影液之溶解性會變化的樹脂成分(A1)，與控制藉由曝光所產生的酸之擴散的光崩解性鹼(D0)，且前述樹脂成分(A1)，具有下述通式(a0-1)表示之構成單位(a0)，前述光崩解性鹼(D0)，具有陰離子部與陽離子部，前述陰離子部，為選自由下述通式(d0-an1)及下述通式(d0-an3)表示之陰離子所成之群的1種以上之陰離子，前述陽離子部，為選自由下述化學式(ca-1-2)~(ca-1-61)及下述化學式(ca-3-1)~(ca-3-6)表示之有機陽離子所成之群的1種以上之有機陽離子，前述陽離子部之LUMO的能量為-4.70eV以下；<figure><img align="absmiddle" height="268px" width="413px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>[式中，R<sup>01</sup>為氫原子或碳數1~5之烷基，Ya<sup>01</sup>為單鍵或2價之連結基，Ar為苯環或萘環，m01為0~6之整數，n01在原子價容許的範圍內，為1~4之整數]；<figure><img align="absmiddle" height="109px" width="504px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>[式中，Rd<sup>1</sup>、Rd<sup>3</sup>及Rd<sup>4</sup>係分別獨立地為可具有取代基之環式基、可具有取代基之鏈狀之烷基，或可具有取代基之鏈狀之烯基；Yd<sup>1</sup>為單鍵或2價之連結基]；<figure><img align="absmiddle" height="441px" width="631px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="931px" width="665px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>[式中，R”<sup>201</sup>為氫原子]；<figure><img align="absmiddle" height="636px" width="636px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="949px" width="652px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="253px" width="626px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>
如請求項1之阻劑組成物，其中前述光崩解性鹼(D0)中之前述陽離子部之LUMO之能量，為-5.20eV以下。
一種阻劑圖型形成方法，其具有使用如請求項1之阻劑組成物，於支持體上形成阻劑膜之步驟、使前述阻劑膜曝光之步驟，及將前述曝光後之阻劑膜顯影而形成阻劑圖型之步驟。
如請求項3之阻劑圖型形成方法，其中於前述使阻劑膜曝光之步驟中，係將EUV(極紫外線)或EB(電子束)對前述阻劑膜曝光。
一種用於一人力車輛之組件總成，該組件總成包括： <br/>一構件，其包含一壁，該壁具有一第一表面、與該第一表面相對之一第二表面及一開口；以及 <br/>一線棒，其通過該構件之該壁中之該開口， <br/>該線棒包含位於該壁之第一表面側上之一第一部分及位於該壁之第二表面側上之一第二部分， <br/>該第一部分包含一鄰接部分，該鄰接部分毗鄰該壁中之該開口接觸該第一表面，以抑制該線棒之該第一部分相對於關於該壁中之該開口之一中心軸線之一軸向方向穿過該壁中之該開口的軸向移動， <br/>該鄰接部分包含一線圈形狀，該線圈形狀之一外徑大於該開口之一直徑。
如請求項1之組件總成，其進一步包括 <br/>一固定材料，其將該鄰接部分耦接至該壁之該第一表面。
如請求項2之組件總成，其中 <br/>該固定材料包含至少部分地密封該壁中之該開口之一密封材料。
如請求項2之組件總成，其中 <br/>該固定材料包含至少部分地覆蓋該壁之該第一表面及該鄰接部分之一樹脂材料。
如請求項2之組件總成，其中 <br/>該第一表面具有經構形以環繞該開口之一邊界部分，且 <br/>該固定材料安置於該邊界部分中。
如請求項1之組件總成，其中 <br/>該線棒之該第二部分包含一絕緣外殼體。<b> </b>
一種輪轂總成，其包括如請求項1之組件總成，該輪轂總成進一步包括： <br/>一輪轂輪軸；及 <br/>一輪轂主體，其以可旋轉方式安裝於該輪轂輪軸上以圍繞該輪轂總成之一旋轉中心軸線旋轉，其中 <br/>構件係以不可旋轉方式耦接至該輪轂輪軸。
如請求項7之輪轂總成，其進一步包括 <br/>一電組件，其包含一外殼，該外殼包含具有帶有該開口之該壁之該構件，且其中 <br/>該線棒係具有電連接至該電組件之一第一端之一電纜。
如請求項8之輪轂總成，其中 <br/>該電組件包含一電路板，且 <br/>該電纜之該第一端電連接至該電路板。
如請求項7之輪轂總成，其進一步包括 <br/>一鏈輪支撐結構，其圍繞該旋轉中心軸線以可旋轉方式安置，以在圍繞該旋轉中心軸線沿一驅動旋轉方向旋轉之同時將一驅動力傳輸至該輪轂主體。
一種用於流體控制裝置(80)之控制單元(1)，其中該控制單元(1)包括 <br/>壓力單元(2)，其用來提供正壓及／或負壓， <br/>至少一個第一控制單元出口(3)，其可流體連接至包括至少一個用來接收流體樣本(26)(5)之容器(20)的加工裝置(4)， <br/>至少一個第二控制單元出口(7)，其可流體連接至具有用來接收該加工裝置(4)之腔室(32)的處理裝置(30)，及 <br/>連接單元(8)，其用來使該壓力單元(2)可與該第一控制單元出口(3)及／或與該第二控制單元出口(7)流體連接或與其等流體連接，其中 <br/>該控制單元(1)係經調適以經由藉由該連接單元(8)向該第一控制單元出口(3)施加由該壓力單元(2)所提供之正壓或負壓來控制該加工裝置(4)中之該流體樣本(26)的加工及控制該處理裝置(4)之該腔室(32)中的物理狀態。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該控制單元(1)係經調適以經由藉由該連接單元(8)使該壓力單元(2)與該第二控制單元出口(7)流體連接或分離來控制該處理裝置之該腔室(32)中的物理狀態。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該壓力單元(2)包含具有正壓的加壓氣槽(42)，其中該加壓氣槽(42)可與該第一控制單元出口(3)及／或該第二控制單元出口(7)流體連接或係與其等流體連接。
如請求項3之控制單元(1)，其中，該壓力單元包含具有負壓的真空氣槽(44)，其中該真空氣槽(44)可與該第一控制單元出口(3)及／或該第二控制單元出口(7)流體連接或係與其等流體連接。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該壓力單元(2)包含氣體混合器(60)，其 <br/>a. 係設置於該加壓氣槽(42)之上游及／或其 <br/>b. 包含至少兩個用於氣體進入的入口(10)及／或 <br/>c. 包含一用於釋放混合氣體的出口(9)。
如請求項3之控制單元(1)，其中，該壓力單元(2)包含 <br/>a. 泵(46)，其設置於該加壓氣槽(42)之上游及／或其經調適以提高該加壓氣槽(42)中之壓力及／或 <br/>b. 氣體過濾器(54)，其設置於該加壓氣槽(42)之上游用於過濾氣體。
如請求項6之控制單元(1)，其中，該壓力單元(2)包含 <br/>a. 另一泵(48)，其設置於該真空氣槽(44)之下游及／或經調適以降低該真空氣槽(44)中之壓力及／或 <br/>b. 另一氣體過濾器(56)，其設置於該真空氣槽(44)之下游。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該壓力單元(2)包含止回閥(58)，該止回閥(58)流體設置於該加壓氣槽(42)與該第一控制單元出口(3)及／或第二控制單元出口(7)之間。
如請求項1之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制單元(2)經調適以將相同氣體供應至該處理裝置(30)及至該加工裝置(4)及／或其中 <br/>b. 該加壓氣槽(42)將相同氣體供應至該第一控制單元出口(3)及該第二控制單元出口(7)。
如請求項3之控制單元(1)，其中，該連接單元包含至少一個閥(34)，其用於選擇性地使該加壓氣槽(42)或該真空氣槽(44)與該第一控制單元出口(3)流體連接。
如請求項10之控制單元(1)，其中，該連接單元(8)包含至少一個另一閥(62)，其在第一位置中使該加壓氣槽(42)與該處理裝置(30)流體連接，及在第二位置中使該加壓氣槽(42)與該處理裝置(30)之間的流體連接分離。
如請求項10或11之控制單元(1)，其中，該控制單元(1)包含用於控制該閥(34)及／或該另一閥(62)之至少一個控制器。
如請求項12之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制器基於流動通過該第一控制單元出口(3)之氣體流量控制該閥(34)及／或其中 <br/>b. 該控制器基於該處理裝置(30)中之物理狀態，特定而言壓力，及基於該加工裝置(4)之物理狀態，特定而言壓力，控制該閥(34)。
如請求項10之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制器基於流動通過該第一控制單元出口(9)之氣體流量控制該閥(34)之出口之開度及／或其中 <br/>b. 該控制器基於該處理裝置(30)之物理狀態及基於該加工裝置之物理狀態控制該閥(34)是否使該第一控制單元出口(3)與該加壓氣槽(42)或該真空氣槽(44)流體連接。
如請求項12之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制器基於該處理裝置(30)之該腔室(32)之物理狀態，特定而言氣體組成，及／或位於該加工裝置(4)中之該流體樣本(26)之物理狀態控制該另一閥(62)及／或其中 <br/>b. 該控制器基於該處理裝置(30)之該腔室(32)之物理狀態，特定而言氣體組成，及／或位於該加工裝置(4)中之該流體樣本(26)之物理狀態控制該氣體混合器(60)。
如請求項12之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制器經調適以控制設置於該處理裝置(30)之該腔室中的增濕器(66)或其中 <br/>b. 該控制器經調適以經由控制設置於該處理裝置(30)之該腔室(32)中之增濕器(66)來控制該腔室(32)中之物理狀態。
如請求項12之控制單元(1)，其中，該控制器包含 <br/>a. 第一子控制器，其用來控制該閥(34)是否使該第一控制單元出口(3)與該加壓氣槽(42)或與該真空氣槽(44)流體連接及／或 <br/>b. 第二子控制器，其用來控制該閥(34)出口開口之開度及／或 <br/>c. 第三子控制器，其用來控制該另一閥(62)及／或該氣體混合器(60)及／或 <br/>d.第四子控制器，其用來控制該增濕器。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該控制單元包含外殼，其環繞其中設置有該加壓氣槽(42)及／或該真空氣槽(44)及／或該泵(46)及／或該另一泵(48)及／或該氣體混合器(60)及／或該閥(32)及／或該另一閥(62)及／或該止回閥(58)的內部空間。
如請求項18之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該外殼(77)具有用來接收該處理裝置(30)之流體連接器(71)的至少一個貫穿孔及／或用來接收該加工裝置(4)之另一流體連接器(72)的另一貫穿孔及／或其中 <br/>b. 該外殼(77)可與該處理裝置(30)機械連接。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該控制單元包含 <br/>a. 複數個第一控制單元出口(3)，其中該複數個第一控制單元出口(3)中之各者可與一個加工裝置(4)流體連接及／或 <br/>b. 複數個第二控制單元出口(7)，其中該複數個第二控制單元出口(7)中之各者可與一個處理裝置(30)流體連接。
如請求項20之控制單元(1)，其中， <br/>a. 該控制單元(1)僅包含一個壓力單元(2)及／或其中 <br/>b. 該控制單元(1)包含數個連接單元(8)及／或其中 <br/>c. 該加壓氣槽(42)可與該複數個第一控制單元出口(3)中之各者及／或與該複數個第二控制單元出口(7)中之各者連接或係與其等連接及／或其中 <br/>d. 該真空氣槽(44)可與該複數個第一控制單元出口(3)中之各者連接或係與其等連接。
如請求項20之控制單元(1)，其中，該控制單元包含 <br/>a. 複數個閥(34)，其中該等閥(34)中之各者係與該複數個第一控制單元出口(3)中之一者及與該加壓氣槽(42)及該真空氣槽(44)流體連接及／或 <br/>b. 複數個閥(34)，其中該等閥(34)中之各者係與該複數個第二控制單元出口(7)中之一者及與該加壓氣槽(42)流體連接。
如請求項1之控制單元(1)，其中，該控制單元包含擷取單元，特定而言光學成像設備(82)，其用來獲取關於該加工裝置(4)中之該流體樣本(26)之資訊。
如請求項23之控制單元(1)，其中，該擷取單元基於所獲取的資訊來確定位於該加工裝置(4)中之該流體樣本(26)的物理狀態。
一種流體控制裝置(80)，其包含請求項1至24中任一項之控制單元(1)、至少一個處理裝置(30)及設置於該處理裝置(30)之腔室(32)中之至少一個加工裝置(4)，其中該加工裝置(4)係與該第一控制單元出口(3)流體連接及該處理裝置(30)係與該第二控制單元出口(7)流體連接。
如請求項25之流體控制裝置(80)，其中， <br/>a. 該加工裝置(4)包含用來接收該流體樣本(26)之至少一個容器(20)及覆蓋該容器(20)之蓋(14)或其中 <br/>b. 該加工裝置(4)包含用來接收該流體樣本(26)之至少一個容器(20)及覆蓋該容器(20)之蓋(14)，其中該蓋(14)包含延伸至該容器(20)中且與該第一控制單元出口(3)流體連接之至少一個延伸管(24)。
如請求項25或26之流體控制裝置(80)，其中，該控制器控制閥(34)，使得通過該蓋(14)於該容器(20)中施加由加壓氣槽(42)所提供之正壓或通過該蓋(14)於該容器(20)中施加由真空氣槽(44)所提供之負壓。
如請求項27之流體控制裝置(80)，其中，該控制器控制另一閥(62)，使得於該處理裝置(30)之腔室(32)中達成預定物理狀態。
如請求項25或26之流體控制裝置(80)，其中，該處理裝置包含藉由該控制單元(1)之控制器控制的增濕器(66)。
如請求項25或26之流體控制裝置，其中， <br/>a. 該處理裝置包含用來加熱該加工裝置(4)及／或該處理裝置(30)之腔室(32)的加熱單元及／或其中 <br/>b. 該控制單元(1)經調適以經由控制該加熱單元來控制該處理裝置(30)之該腔室(32)中之物理狀態。
如請求項25或26之流體控制裝置(80)，其中， <br/>a. 該處理裝置(30)包含環繞其中設置有該加工裝置(4)之腔室(32)的外殼(76)及／或其中 <br/>b. 該處理裝置(30)包含能使該擷取單元獲取關於位於該加工裝置(4)中之流體樣本(26)之資訊的透明外殼部分。
一種氧化物固體電解質，其由下述通式（I）表示， <br/>A<sub>a</sub>B<sub>b</sub>O<sub>c</sub>X<sub>d</sub> （I） <br/>通式（I）中，A表示選自包括Li及Na之群組中的至少一種， <br/>X表示選自包括F、Cl、Br、I、S、N、H、Se、Te、C、P、Si、Al、Ga、In、Ge、As、Sb及Sn之群組中的至少一種， <br/>a表示由A表示之各個元素的莫耳數，為1.75＜a＜2.45， <br/>b為3.75＜b＜4.25， <br/>c為6.50＜c＜10.00， <br/>d表示由X表示之元素的莫耳數的合計，為0＜d＜0.50。
如請求項1所述之氧化物固體電解質，其滿足以下要件1-1及要件1-2， <br/>要件1-1：從在前述氧化物固體電解質的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，存在頂峰位於r為1.43±0.2Å的範圍內之第1峰及頂峰位於r為2.40±0.2Å的範圍內之第2峰，前述第1峰的頂峰的G（r）及前述第2峰的頂峰的G（r）表示大於1.0， <br/>要件1-2：從在前述氧化物固體電解質的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，r大於5Å且10Å以下的範圍內，G（r）的絕對值小於1.0。
一種氧化物固體電解質，其包含Li、B、O及X，並且滿足以下要件A-1及要件A-2， <br/>X表示選自包括F、Cl、Br、I、S、N、H、Se、Te、C、P、Si、Al、Ga、In、Ge、As、Sb及Sn之群組中的至少一種元素， <br/>要件A-1：從在前述氧化物固體電解質的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，存在頂峰位於r為1.43±0.2Å的範圍內之第1峰及頂峰位於r為2.40±0.2Å的範圍內之第2峰，前述第1峰的頂峰的G（r）及前述第2峰的頂峰的G（r）表示大於1.0， <br/>要件A-2：從在前述氧化物固體電解質的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，r大於5Å且10Å以下的範圍內，G（r）的絕對值小於1.0。
如請求項1或請求項3所述之氧化物固體電解質，其中 <br/>在120℃下進行了固體<sup>7</sup>Li-NMR的測量時所獲得之光譜中化學位移出現在-100～+100ppm的範圍內之峰的半峰全寬與在20℃下進行了固體<sup>7</sup>Li-NMR的測量時所獲得之光譜中化學位移出現在-100～+100ppm的範圍內之峰的半峰全寬之比例為70%以下。
如請求項1或請求項3所述之氧化物固體電解質，其中 <br/>拉曼光譜的600～850cm<sup>-1</sup>的波數域內的基於最小二乘法進行線性回歸分析而獲得之確定係數為0.9400以上。
如請求項1或請求項3所述之氧化物固體電解質，其中 <br/>藉由超聲波衰減法測量之體積彈性模數為45GPa以下。
如請求項1或請求項3所述之氧化物固體電解質，其中 <br/>前述X包含選自包括F、Cl、Br、I、Se、Te及H之群組中的至少一種及選自包括C、P、S及N之群組中的至少一種。
一種黏結劑，其由下述通式（I）表示， <br/>A<sub>a</sub>B<sub>b</sub>O<sub>c</sub>X<sub>d</sub> （I） <br/>通式（I）中，A表示選自包括Li及Na之群組中的至少一種， <br/>X表示選自包括F、Cl、Br、I、S、N、H、Se、Te、C、P、Si、Al、Ga、In、Ge、As、Sb及Sn之群組中的至少一種， <br/>a表示由A表示之各個元素的莫耳數，為1.75＜a＜2.45， <br/>b為3.75＜b＜4.25， <br/>c為6.50＜c＜10.00， <br/>d表示由X表示之元素的莫耳數的合計，為0＜d＜0.50。
如請求項8所述之黏結劑，其滿足以下要件1-1及要件1-2， <br/>要件1-1：在從前述黏結劑的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，存在頂峰位於r為1.43±0.2Å的範圍內之第1峰及頂峰位於r為2.40±0.2Å的範圍內之第2峰，前述第1峰的頂峰的G（r）及前述第2峰的頂峰的G（r）表示大於1.0，r大於5Å且10Å以下的範圍內，G（r）的絕對值小於1.0， <br/>要件1-2：在從前述黏結劑的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，r大於5Å且10Å以下的範圍內，存在G（r）的絕對值小於1.0。
一種黏結劑，其包含Li、B、O及X，並且滿足以下要件A-1及A-2， <br/>X表示選自包括F、Cl、Br、I、S、N、H、Se、Te、C、P、Si、Al、Ga、In、Ge、As、Sb及Sn之群組中的至少一種元素， <br/>要件A-1：在從前述黏結劑的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，存在頂峰位於r為1.43±0.2Å的範圍內之第1峰及頂峰位於r為2.40±0.2Å的範圍內之第2峰，前述第1峰的頂峰的G（r）及前述第2峰的頂峰的G（r）表示大於1.0， <br/>要件A-2：在從前述黏結劑的X射線全散射測量中所獲得之還原二體分佈函數G（r）中，r大於5Å且10Å以下的範圍內，G（r）的絕對值小於1.0。
如請求項8或請求項10所述之黏結劑，其中 <br/>在120℃下進行了固體<sup>7</sup>Li-NMR的測量時所獲得之光譜中化學位移出現在-100～+100ppm的範圍內之峰的半峰全寬與在20℃下進行了固體<sup>7</sup>Li-NMR的測量時所獲得之光譜中化學位移出現在-100～+100ppm的範圍內之峰的半峰全寬之比例為70%以下。
如請求項8或請求項10所述之黏結劑，其中 <br/>在拉曼光譜的600～850cm<sup>-1</sup>的波數域內的基於最小二乘法進行線性回歸分析而獲得之確定係數為0.9400以上。
如請求項8或請求項10所述之黏結劑，其中 <br/>藉由超聲波衰減法測量之體積彈性模數為45GPa以下。
如請求項10所述之黏結劑，其中 <br/>前述X包含選自包括F、Cl、Br、I、Se、Te及H之群組中的至少一種及選自包括C、P、S及N之群組中的至少一種。
一種固體電解質層，其位於正極與負極之間，且包含請求項1至請求項7之任一項所述之氧化物固體電解質。
一種活性物質，其係全固體二次電池用活性物質，其中 <br/>前述活性物質的表面的至少一部分被包含請求項1至請求項7之任一項所述之氧化物固體電解質之包覆層包覆。
一種全固體二次電池用電極，其具有： <br/>活性物質層，其包含活性物質以及選自包括請求項1至請求項7之任一項所述之氧化物固體電解質及請求項8至請求項14之任一項所述之黏結劑之群組中的至少一個；及 <br/>集電體。
一種全固體二次電池用電極，其具有包含請求項16所述之活性物質之活性物質層及集電體。
一種全固體二次電池，其具備正極、負極及位於前述正極與前述負極之間之固體電解質層， <br/>前述正極、前述負極及前述固體電解質層中的至少一個包含選自包括請求項1至請求項7之任一項所述之氧化物固體電解質及請求項8至請求項14之任一項所述之黏結劑之群組中的至少一個。
如請求項19所述之全固體二次電池，其中 <br/>前述固體電解質層係請求項15所述之固體電解質層。
如請求項19或請求項20所述之全固體二次電池，其中 <br/>前述正極及前述負極中的至少一者係請求項17或請求項18所述之全固體二次電池用電極。
一種可聚合的LC材料，其包含一或多種反應性液晶原化合物、一或多種對掌性化合物及嵌段共聚物，該嵌段共聚物包含經鍵結至聚醚嵌段之至少一個聚氟氧雜環丁烷嵌段，其中該聚氟氧雜環丁烷嵌段具有下式之一或多個重複單元 <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="66px" file="ed10163.jpg" alt="ed10163.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="52px" width="67px" file="ed10164.jpg" alt="ed10164.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中各 <br/>n及m 各自且獨立地為1至6之整數， <br/>R 為氫或具有1至6個碳原子之烷基， <br/>R<sub>f</sub>及R<sub>f* </sub>各自且獨立地為1至約20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，其中該R<sub>f</sub>或R<sub>f*</sub>烷基之氫原子中最少50%係經F置換，且視需要至多所有剩餘H原子係經I、Cl或Br置換， <br/>DP 為2至約100， <br/>其中該一或多種反應性液晶原化合物係選自式RMT之反應性液晶原， <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="260px" file="ed10166.jpg" alt="ed10166.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>P 為可聚合的基團， <br/>Sp 為間隔基團或單鍵， <br/>r2及r3 彼此獨立地為0、1、2、3或4， <br/>R<sup>11</sup> 為P-Sp-、烷基、烷氧基、硫基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基， <br/>A及B 在多次出現的情況下彼此獨立地表示芳族或脂環族基團，其視需要含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且係視需要經L單-或多取代， <br/>L 為P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO<sub>2</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-C(=O)OR<sup>x</sup>、-C(=O)R<sup>x</sup>、-NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-OH、-SF<sub>5</sub>、或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子係視需要經F或Cl、-CN或1至6個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基置換， <br/>R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup> 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， <br/>Z<sup>11</sup>及Z<sup>12</sup> 在多次出現的情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR<sup>00</sup>-、-NR<sup>00</sup>-CO-、-NR<sup>00</sup>-CO-NR<sup>000</sup>、-NR<sup>00</sup>-CO-O-、-O-CO-NR<sup>00</sup>-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-SCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>S-、-SCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n1</sub>、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR<sup>00</sup>-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， <br/>R<sup>00</sup>及R<sup>000</sup> 彼此獨立地表示具有1或多個C原子之烷基、烷氧基、硫基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基或表示Y<sup>0</sup>或P-(CH<sub>2</sub>)<sub>y</sub>-(O)<sub>z</sub>-， <br/>Y<sup>0</sup> 為F、Cl、CN、NO<sub>2</sub>、OCH<sub>3</sub>、OCN、SCN、SF<sub>5</sub>、或具有1至4個C原子之單-、寡-或多氟化烷基或烷氧基， <br/>y 為0、或1至12之整數， <br/>z 為0或1，其中若相鄰y為0，則z為0， <br/>Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup> 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN， <br/>n 為1、2、3或4， <br/>m 為0、1、2、3或4， <br/>n1 為1至10之整數。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該嵌段共聚物之濃度為0.01%至1%。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中式RMT之化合物之濃度為40%至99%。
如請求項1之可聚合的LC材料，其包含一或多種選自式DRM之二-或多反應性反應性液晶原， <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="185px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>P<sup>1</sup>及P<sup>2</sup> 彼此獨立地表示可聚合的基團， <br/>Sp<sup>1</sup>及Sp<sup>2</sup> 彼此獨立地為間隔基團或單鍵，且 <br/>MG 為桿狀液晶原基，其具有式MG <br/>-(A<sup>1</sup>-Z<sup>1</sup>)<sub>n</sub>-A<sup>2</sup>- MG <br/>其中 <br/>A<sup>1</sup>及A<sup>2</sup> 在多次出現的情況下彼此獨立地表示芳族或脂環族基團，其視需要含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且係視需要經L單-或多取代， <br/>L 為P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO<sub>2</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-C(=O)OR<sup>x</sup>、-C(=O)R<sup>x</sup>、-NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-OH、-SF<sub>5</sub>、視需要經取代之具有1至12個C原子之矽基、芳基或雜芳基、及具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子係視需要經F或Cl置換， <br/>R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup> 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， <br/>Z<sup>1</sup> 在多次出現的情況下彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR<sup>x</sup>-、-NR<sup>x</sup>-CO-、-NR<sup>x</sup>-CO-NR<sup>y</sup>、-NR<sup>x</sup>-CO-O-、-O-CO-NR<sup>x</sup>-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-SCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>S-、-SCF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>n1</sub>、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR<sup>x</sup>-、-CY<sup>1</sup>=CY<sup>2</sup>-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， <br/>Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup> 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN， <br/>n 為1、2、3或4， <br/>n1 為1至10之整數， <br/>然而，條件為，式DRM之化合物不包括式RMT之化合物。
如請求項4之可聚合的LC材料，其中該二-或多反應性反應性液晶原之濃度為1%至60%。
如請求項1之可聚合的LC材料，其包含一或多種選自式MRM之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="199px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b> </b><br/>其中 <br/>P<sup>1</sup>、Sp<sup>1</sup>及MG具有式DRM中給出的含義， <br/>R 表示P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO<sub>2</sub>、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-C(=O)X、-C(=O)OR<sup>x</sup>、-C(=O)R<sup>y</sup>、-NR<sup>x</sup>R<sup>y</sup>、-OH、-SF<sub>5</sub>、視需要經取代之具有1至12個C原子之矽基、直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子係視需要經F或Cl置換， <br/>X 為鹵素，且 <br/>R<sup>x</sup>及R<sup>y</sup> 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基， <br/>然而，條件為，式MRM之化合物不包括式RMT之化合物。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該對掌性化合物包含一或多種選自式CRMa至CRMc之化合物之反應性對掌性化合物， <br/><img align="absmiddle" height="87px" width="257px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="170px" width="262px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中 <br/>P<sup>0*</sup> 表示可聚合的基團P <br/>Sp* 表示間隔基Sp <br/>A<sup>0</sup>及B<sup>0</sup> 在多次出現的情況下彼此獨立地為未經取代或經1、2、3或4個如上文所定義的基團L取代之1,4-伸苯基、或反式-1,4-伸環己基， <br/>X<sup>1</sup>及X<sup>2</sup> 彼此獨立地為-O-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-或單鍵， <br/>Z<sup>0*</sup>及Z<sup>0</sup> 在彼此獨立地多次出現的情況下彼此獨立地為-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-CF<sub>2</sub>O-、-OCF<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-C≡C-、-CH=CH-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， <br/>t 彼此獨立地為0、1、2或3， <br/>a 為0、1或2， <br/>b 為0、或1至12之整數， <br/>z 為0或1， <br/>且其中式CRMa中之該等萘環可另外經一或多個相同或不同基團L取代 <br/>其中 <br/>L 彼此獨立地為F、Cl、CN、具有1至5個C原子之鹵化烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基。
如請求項1之可聚合的LC材料，其中該可聚合的LC材料中對掌性化合物之濃度量為1至20%。
如請求項1至8中任一項之可聚合的LC材料，其包含一或多種選自由其他表面活性劑、光引發劑、穩定劑、觸媒、敏化劑、抑制劑、鏈轉移劑、共反應單體、反應性稀釋劑(thinner)、表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改良劑、除氣或消泡劑、除氧劑、稀釋劑、染料、顏料及奈米粒子(nanoparticle)組成之群之添加劑。
一種用於製備如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料之方法，該方法包括將一或多種如請求項1中所定義的嵌段共聚物與一或多種反應性液晶原化合物及一或多種對掌性化合物混合之步驟。
一種用於製備聚合物膜之方法，該方法藉由以下達成 <br/>提供如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料之層至基板上， <br/>使該可聚合的LC材料光聚合，及 <br/>視需要將該經聚合的LC材料自該基板移除及/或視需要將其提供至另一基板上。
一種可藉由一種方法自如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料獲得的聚合物膜，該方法包括以下步驟 <br/>提供該可聚合的LC材料之層至基板上， <br/>使該LC材料光聚合，及 <br/>視需要，將該經聚合的LC材料自該基板移除及/或視需要將其提供至另一基板上。
一種如請求項12之一或多個聚合物膜或如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料於光學組件之用途。
一種光學組件，其包括如請求項12之一或多個聚合物膜或如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料。
一種如請求項14之光學組件於電光裝置中之用途。
一種電光裝置，其包括如請求項14之光學組件或如請求項12之一或多個聚合物膜或如請求項1至9中任一項之可聚合的LC材料。
一種硬質表面用之液體清潔劑組合物，其含有(a1)羧酸與醇之酯化合物且碳數為6以上20以下[以下，稱為(a1)成分]、(b)界面活性劑[以下，稱為(b)成分]、(c)烷醇基之碳數為2或3之烷基單烷醇胺或烷基二烷醇胺[以下，稱為(c)成分]、及水，(a1)成分之含量與(b)成分之含量之質量比(a1)/(b)為0.01以上0.55以下，且清潔劑組合物於25℃下之pH值超過9且未達12， <br/>上述組合物中，(a1)成分之含量為0.1質量%以上2.0質量%以下，(b)成分之含量為3.5質量%以上8質量%以下，(c)成分之含量為0.1質量%以上1質量%以下， <br/>(b)成分包含(b1)陰離子界面活性劑[以下，稱為(b1)成分]，且 <br/>(b1)成分之含量為(b)成分中之20質量%、或(b)成分中之25質量%以上。
如請求項1之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其中(a1)成分為自乙酸異丁酯(碳數6)、己酸乙酯(碳數8)、辛酸乙酯(碳數10)、苯甲酸己酯(碳數13)、己二酸二異丙酯(碳數14)、肉豆蔻酸異丙酯(碳數17)、及油酸乙酯(碳數20)所選1種以上之酯化合物。
如請求項1或2之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其中(c)成分為選自單乙醇胺、二乙醇胺、及1-胺基-2-丙醇之1種以上。
如請求項1或2之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其中(a1)成分為自辛酸乙酯(碳數10)、肉豆蔻酸異丙酯(碳數17)、及油酸乙酯(碳數20)所選1種以上之酯化合物。
如請求項1或2之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其中(a1)成分之含量與(c)成分之含量之質量比(a1)/(c)為0.1以上4以下。
如請求項1或2之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其進而含有胺基羧酸型金屬螯合劑作為(d1)成分。
如請求項6之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其中(d1)成分為乙二胺四乙酸或其鹽。
如請求項1或2之硬質表面用之液體清潔劑組合物，其用於浴室。
一種脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其使如請求項1至8中任一項之硬質表面用之液體清潔劑組合物與附著有脂質/蛋白質複合污漬之硬質表面接觸。
如請求項9之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其將與上述硬質表面用之液體清潔劑組合物接觸之上述硬質表面於不施加外力之情況下進行放置後，用水進行洗濯。
一種向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其含有(a)溶解度參數δ為17.0以上18.1以下之化合物[以下，稱為(a)成分]、(b)界面活性劑[以下，稱為(b)成分]、(e)二醇系溶劑[以下，稱為(e)成分]、及水，其中(a)成分為羧酸與醇之酯化合物且碳數為6以上20以下(但限於溶解度參數δ符合上述範圍者)，(b)成分為自(b1)陰離子界面活性劑(以下，亦稱為(b1)成分)、(b3)非離子界面活性劑(以下，亦稱為(b3)成分)、及(b4)兩性界面活性劑(以下，亦稱為(b4)成分)所選之1種以上，上述組合物中，含有0.2質量%以上1.8質量%以下之(a)成分、2.5質量%以上10質量%以下之(b)成分、2質量%以上之(e)成分、60質量%以上95質量%以下之水，(a)成分之含量與(b)成分之含量之質量比(a)/(b)為0.03以上0.55以下，且清潔劑組合物於25℃下之pH值為10以上且未達12。
如請求項11之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其中(a)成分為自乙酸異丁酯、己酸乙酯、辛酸乙酯、肉豆蔻酸異丙酯、棕櫚酸異丙酯、硬脂酸異丙酯、及油酸乙酯所選之1種以上。
如請求項11或12之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其中(b)成分中(b1)成分之含量為25質量%以上100質量%以下。
如請求項11或12之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其中(b)成分之含量與(e)成分之含量之質量比(b)/(e)為0.5以上10以下。
如請求項11或12之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其中(a)成分之含量與(e)成分之含量之質量比(a)/(e)為0.01以上0.39以下。
如請求項11或12之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其進而含有烷醇胺作為(c)成分。
如請求項11或12之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，其進而含有胺基羧酸型金屬螯合劑作為(d1)成分。
如請求項11或12之向硬質表面之噴霧用液體清潔劑組合物，其用於浴室。
一種脂質污漬之清潔方法，其藉由具備泡沫形成機構之觸發式噴霧器，對附著有脂質污漬之硬質表面噴霧如請求項11至18中任一項之向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物，放置後，用水進行洗濯。
如請求項19之清潔方法，其中在對清潔對象物噴霧上述向硬質表面噴霧用之液體清潔劑組合物後，於不施加機械力，用水進行洗濯。
一種硬質表面用液體清潔劑組合物，其含有(a)溶解度參數δ為16.9以上18.9以下之化合物[以下，稱為(a)成分]、(d)金屬螯合劑[以下，稱為(d)成分]、(b)界面活性劑[以下，稱為(b)成分]、及水， <br/>(a)成分為羧酸與醇之酯化合物且碳數為6以上20以下(但限於溶解度參數δ符合上述範圍者)， <br/>(d)成分為胺基羧酸型金屬螯合劑， <br/>(b)成分包含(b1)陰離子界面活性劑[以下，稱為(b1)成分]，(b1)成分之含量為(b)成分中之20質量%以上100質量%以下， <br/>(a)成分之含量與(d)成分之含量之質量比(a)/(d)為0.01以上且未達1.6， <br/>(b)成分之含量與(a)成分及(d)成分之合計含量的質量比(b)/[(a)＋(d)]為0.08以上且未達7，且清潔劑組合物於25℃下之pH值超過9且為12以下， <br/>上述組合物中，(a)成分之含量為0.05質量%以上1.8質量%以下，(d)成分之含量為1質量%以上10質量%以下，(b)成分之含量為0.5質量%以上8質量%以下。
如請求項21之硬質表面用液體清潔劑組合物，其中(a)成分為自乙酸異丁酯、己酸乙酯、異丁酸異丁酯、辛酸乙酯、苯甲酸己酯、己二酸二異丁酯、肉豆蔻酸異丙酯、及油酸乙酯所選之1種以上。
如請求項21或22之硬質表面用液體清潔劑組合物，其中(d)成分為自乙二胺四乙酸(EDTA)、氮基三乙酸(NTA)、亞胺基二乙酸、二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)、N-羥乙基-乙二胺三乙酸(HEDTA)、甲基甘胺酸二乙酸(MGDA)、二羥基乙基甘胺酸(DHEG)、羥基伸乙基亞胺基二乙酸(HIDA)、天冬胺酸二乙酸(ASDA)、麩胺酸二乙酸(GLDA)及其等之鹽所選之1種以上。
如請求項21或22之硬質表面用液體清潔劑組合物，其進而含有烷醇胺作為(c)成分。
如請求項21或22之硬質表面用液體清潔劑組合物，其用於浴室。
一種脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其使如請求項21至25中任一項之硬質表面用液體清潔劑組合物與附著有脂質/蛋白質複合污漬之硬質表面接觸。
如請求項26之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其將與上述硬質表面用液體清潔劑組合物接觸之上述硬質表面於不施加外力之情況下進行放置後，用水進行洗濯。
一種脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其係使液體清潔劑組合物與附著有脂質/蛋白質複合污漬之硬質表面接觸，將與上述清潔劑組合物接觸之上述硬質表面於不施加外力之情況下進行放置後，用水進行洗濯，上述液體清潔劑組合物含有(a)溶解度參數δ為17.0以上18.1以下之化合物[以下，稱為(a)成分]、(g)藉由下述方法所測得之蛋白質膨潤率為101%以上之界面活性劑[以下，稱為(g)成分]、及水，(a)成分為羧酸與醇之酯化合物其碳數為6以上20以下(但限於溶解度參數δ符合上述範圍者)，(g)成分為具有1個以上之烴基、及自由磺酸基、硫酸酯基及羧酸基所組成之群中所選之基之1種以上的陰離子界面活性劑，上述液體清潔劑組合物中，(a)成分之含量為0.1質量%以上1.9質量%以下、(g)成分之含量為1質量%以上8質量%以下、水之含量為50質量%以上，所包含之界面活性劑之全部中(g)成分之含量為20質量%以上100質量%以下，(a)成分之含量與(g)成分之含量之質量比(a)/(g)超過0.01且為0.55以下，且清潔劑組合物pH值超過9且為12以下； <br/>＜蛋白質膨潤率測定方法＞ <br/>將20 mg之角蛋白(東京化成工業股份有限公司製造，製品碼K0044)放入至NMR管(東京化成工業股份有限公司製造，外徑5 mm，高度203 mm)中，測定角蛋白之高度(處理前)，加入包含1質量%之各界面活性劑之水溶液或離子交換水500 mg，放置24小時後，測定角蛋白之高度(處理後)，將離子交換水處理時之膨潤率設為基準(100%)，根據下述式計算各界面活性劑水溶液處理後之膨潤率： <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="410px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項28之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其中上述液體清潔劑組合物進而含有烷醇胺作為(c)成分。
如請求項28或29之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其中上述液體清潔劑組合物進而含有金屬螯合劑胺作為(d)成分。
如請求項28或29之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其中上述硬質表面係對水之接觸角為30°以上120°以下之材質者。
如請求項28或29之脂質/蛋白質複合污漬清潔方法，其中上述硬質表面為浴槽之硬質表面。
一種多特異性抗體，其包含至少兩個抗原結合域，其中一個抗原結合域結合於IL13(IL13結合域)且第二抗原結合域結合於IL22(IL22結合域)，(i)其中該IL22結合域包含：(a)包含互補決定區(CDR)-L1、CDR-L2及CDR-L3之輕鏈可變區及包含CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之重鏈可變區，該CDR-L1包含SEQ ID NO：8，該CDR-L2包含SEQ ID NO：9，該CDR-L3包含SEQ ID NO：10，該CDR-H1包含SEQ ID NO：11，該CDR-H2包含SEQ ID NO：12，且該CDR-H3包含SEQ ID NO：13；或(b)包含互補決定區(CDR)-L1、CDR-L2及CDR-L3之輕鏈可變區及包含CDR-H1、CDR-H2及CDR-H3之重鏈可變區，該CDR-L1包含SEQ ID NO：70，該CDR-L2包含SEQ ID NO：71，該CDR-L3包含SEQ ID NO：72，該CDR-H1包含SEQ ID NO：73，該CDR-H2包含SEQ ID NO：74，且該CDR-H3包含SEQ ID NO：75；及(ii)其中該IL13結合域包含輕鏈可變區及重鏈可變區，該輕鏈可變區包含：包含SEQ ID NO：22之CDR-L1、包含SEQ ID NO：23之CDR-L2及包含SEQ ID NO：24之CDR-L3；及該重鏈可變區包含：包含SEQ ID NO：25之CDR-H1、包含SEQ ID NO：26之CDR-H2及包含SEQ ID NO：27之CDR-H3。
如請求項1之多特異性抗體，其中IL13為人類及/或食蟹獼猴IL13，且IL22為人類及/或食蟹獼猴IL22。
如請求項1之多特異性抗體，其中該IL13結合域及該IL22結合域係獨立地選自Fab、scFv、Fv、dsFv及dsscFv。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該多特異性抗體中和一或多種IL13及/或IL22活性。
如請求項4之多特異性抗體，其中該抗體能夠抑制或減弱IL22與IL22受體1(IL22R1)之結合，及/或該抗體結合於IL22上之一個區域，使得該結合在空間上阻斷IL22與IL22R1之間的相互作用，及/或該抗體能夠抑制或減弱IL22與IL22結合蛋白質(IL22RA2)之結合，及/或該抗體能夠抑制或減弱IL13與IL13Rα1之結合。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該結合於IL22之抗原結合域針對人類IL22之解離平衡常數(KD)小於100pM。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該結合於IL13之抗原結合域針對人類IL13之解離平衡常數(KD)小於100pM。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL22結合域結合於IL22上之抗原決定基，該抗原決定基包含對應於由SEQ ID NO：1定義之IL22之胺基酸序列之殘基72-85的多肽VRLIGEKLFHGVSM(SEQ ID NO：155)內之5個或更多個殘基，或其中該IL22結合域特異性結合於該多肽VRLIGEKLFHGVSM(SEQ ID NO：155)，或其中該IL22結合域結合於人類IL22之抗原決定基，該抗原決定基包含選自以下之5個或更多個殘基：人類IL22(SEQ ID NO：1)之Lys44、Phe47、Gln48、Ile75、Gly76、Glu77、Phe80、His81、Gly82、Val83、Ser84、Met85、Ser86、Arg88、Leu169、Met172、Ser173、Arg175、Asn176及Ile179，如以該抗體與IL22之間小於5A接觸距離之距離測定。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其額外包含結合於血清白蛋白之第三抗原結合域(白蛋白結合域)，其中該白蛋白結合域包含輕鏈可變區及重鏈可變區，該輕鏈可變區包含：包含SEQ ID NO：40之CDR-L1、包含SEQ ID NO：41之CDR-L2及包含SEQ ID NO：42之CDR-L3，及該重鏈可變區包含：包含SEQ ID NO：43之CDR-H1、包含SEQ ID NO：44之CDR-H2及包含SEQ ID NO：45之CDR-H3。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL22結合域的該CDR-L3包含至多三個胺基酸取代，其中此類胺基酸取代為保守性的，且其中該胺基酸取代係選自殘基91、95及96組成之群。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL22結合域包含有包含SEQ ID NO：14中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：16中所提供之序列之重鏈可變區，或其中該IL22結合域為Fab，該Fab包含有包含SEQ ID NO：18中所提供之序列之輕鏈及包含SEQ ID NO：20中所提供之序列之重鏈。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL13結合域包含有包含SEQ ID NO：28中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：29中所提供之序列之重鏈可變區，或其中該IL13結合域包含有包含SEQ ID NO：32中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：33中所提供之序列之重鏈可變區。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL13結合域之輕鏈可變區及重鏈可變區係由連接子連接，該連接子包含SEQ ID NO：67中所提供之序列，及/或其中該IL13結合域為包含SEQ ID NO：36中所提供之序列之scFv或包含SEQ ID NO：38中所提供之序列之dsscFv。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中該IL22結合域包含包含SEQ ID NO：14中所提供之序列之輕鏈可變區，及包含SEQ ID NO：16中所提供之序列之重鏈可變區；且該IL13結合域包含包含SEQ ID NO：28中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：29中所提供之序列之重鏈可變區；或包含SEQ ID NO：32中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：33中所提供之序列之重鏈可變區。
如請求項1至3中任一項之多特異性抗體，其中(i)該IL22結合域為Fab，該Fab包含有包含SEQ ID NO：18中所提供之序列之輕鏈及包含SEQ ID NO：20中所提供之序列之重鏈；且(ii)該IL13結合域為包含SEQ ID NO：36中所提供之序列之scFv或包含SEQ ID NO：38中所提供之序列之dsscFv。
如請求項9之多特異性抗體，其中該白蛋白結合域包含有包含SEQ ID NO：46中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：47中所提供之序列之重鏈可變區，或其中該白蛋白結合域包含有包含SEQ ID NO：50中所提供之序列之輕鏈可變區及包含SEQ ID NO：51中所提供之序列之重鏈可變區，或其中該白蛋白結合域之輕鏈可變區及重鏈可變區係由連接子連接，該連接子包含SEQ ID NO：69中所提供之序列，或其中該白蛋白結合域為包含SEQ ID NO：54中所提供之序列之scFv或包含SEQ ID NO：56中所提供之序列之dsscFv。
如請求項9之多特異性抗體，其包含SEQ ID NO：58中所提供之序列且包含SEQ ID NO：62中所提供之序列，或其包含SEQ ID NO：60中所提供之序列且包含SEQ ID NO：64中所提供之序列。
一種經分離之多核苷酸，其編碼如請求項1至17中任一項之多特異性抗體。
一種表現載體，其攜帶如請求項18之多核苷酸。
一種宿主細胞，其包含如請求項19之載體。
一種用於製備如請求項1至17中任一項之多特異性抗體之方法，其包含在允許製備該抗體之條件下培養如請求項20之宿主細胞，及回收所製備之抗體。
一種醫藥組合物，其包含如請求項1至17中任一項之多特異性抗體及醫藥學上可接受之佐劑及/或載劑。
一種如請求項1至17中任一項之多特異性抗體或如請求項22之醫藥組合物之用途，其係用於製備用於治療或預防發炎性皮膚病狀之藥物。
如請求項23之用途，其中該發炎性皮膚病狀為牛皮癬、牛皮癬性關節炎、接觸性皮炎、慢性手部濕疹或異位性皮炎。
一種半導體裝置，包括：位於基底上的閘極結構，包含閘極電極；位於所述基底上的源極/汲極圖案，安置於所述閘極電極的側表面上；位於所述閘極結構上的第一層間絕緣層；第一通孔插塞，安置於所述第一層間絕緣層中且連接至所述源極/汲極圖案；位於所述第一層間絕緣層上的蝕刻終止結構層，包含依序堆疊的第一蝕刻終止層、第二蝕刻終止層及第三蝕刻終止層，使得所述第二蝕刻終止層介於所述第一蝕刻終止層與所述第三蝕刻終止層之間；位於所述蝕刻終止結構層上的第二層間絕緣層，接觸所述蝕刻終止結構層，使得所述蝕刻終止結構層介於所述第一層間絕緣層與所述第二層間絕緣層之間；以及配線，安置於所述第二層間絕緣層中且接觸所述第一通孔插塞，其中所述第一蝕刻終止層接觸所述第一層間絕緣層的頂部表面，其中所述第三蝕刻終止層為連續形成的層，所述第三蝕刻終止層包含沿所述第一層間絕緣層的所述頂部表面延伸的第一水平部分及在所述基底的厚度方向上自所述第三蝕刻終止層的所述第一水平部分突出的第一垂直部分，以及其中所述第一蝕刻終止層的垂直部分位於比所述第二蝕刻終止層的水平部分更高的垂直水平高度處、及/或所述第二蝕刻終止層的垂直部分位於比所述第三蝕刻終止層的水平部分更高的垂直水平高度處。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一通孔插塞包含自所述第一層間絕緣層的所述頂部表面突出的突起，以及所述第一通孔插塞的所述突起接觸所述第一蝕刻終止層。
如請求項2所述的半導體裝置，其中所述第三蝕刻終止層的所述第一水平部分的頂部表面高於所述第一通孔插塞的頂部表面。
如請求項2所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層為連續形成的層，所述第一蝕刻終止層包含沿所述第一層間絕緣層的所述頂部表面延伸的第二水平部分及在所述基底的所述厚度方向上自所述第一蝕刻終止層的第二水平部分突出的第二垂直部分。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層及所述第三蝕刻終止層各自包含金屬氧化物。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第三蝕刻終止層接觸所述第二層間絕緣層。
如請求項1所述的半導體裝置，更包括：閘極觸點，連接至所述閘極電極；以及第二通孔插塞，安置於所述第一層間絕緣層中且連接至所述閘極觸點，其中所述第一通孔插塞具有單導電層結構，以及所述第二通孔插塞具有導電多層結構。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述第二通孔插塞包含插塞導電層及沿所述插塞導電層的側壁及底部表面延伸的障壁導電層，以及所述插塞導電層包含與所述第一通孔插塞相同的材料。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述第二通孔插塞包含自所述第一層間絕緣層的所述頂部表面突出的突起，以及所述第一蝕刻終止層接觸所述第二通孔插塞的所述突起。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一通孔插塞的頂部表面在遠離所述基底的頂部表面的方向上凸出。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述配線包含與所述第一通孔插塞的頂部表面垂直交疊的第一部分及不與所述第一通孔插塞的所述頂部表面垂直交疊的第二部分，以及所述配線的所述第二部分的底部表面低於所述第一通孔插塞的所述頂部表面，且接觸所述第一層間絕緣層。
一種半導體裝置，包括：位於基底上的閘極結構，包含在第一方向上延伸的閘極電極；位於所述基底上的源極/汲極圖案，安置於所述閘極電極的側表面上；位於所述閘極結構上的第一層間絕緣層；第一通孔插塞，安置於所述第一層間絕緣層中且具有單導電層結構，所述第一通孔插塞連接至所述源極/汲極圖案且包含自所述第一層間絕緣層的頂部表面突出的第一突起；第二通孔插塞，安置於所述第一層間絕緣層中，連接至所述閘極電極，且具有導電多層結構；蝕刻終止結構層，接觸所述第一層間絕緣層的所述頂部表面且包含多個層；第二層間絕緣層，位於所述蝕刻終止結構層上且接觸所述蝕刻終止結構層；以及配線，安置於所述第二層間絕緣層中，且接觸所述第一通孔插塞及所述第一層間絕緣層，其中所述第一通孔插塞包含第一側壁及在垂直於所述第一方向的第二方向上與所述第一側壁相對的第二側壁，所述第一側壁延伸至所述第一通孔插塞的所述第一突起上且在所述第一通孔插塞的所述第一突起處接觸所述蝕刻終止結構層，以及所述第二側壁延伸至所述第一通孔插塞的所述第一突起上且在所述第一通孔插塞的所述第一突起處接觸所述配線。
如請求項12所述的半導體裝置，其中所述蝕刻終止結構層包含依序堆疊於所述第一層間絕緣層上的第一蝕刻終止層、第二蝕刻終止層及第三蝕刻終止層，使得所述第二蝕刻終止層介於所述第一蝕刻終止層與所述第三蝕刻終止層之間，以及所述第一蝕刻終止層及所述第三蝕刻終止層含有相同材料。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層及所述第三蝕刻終止層各自包含氧化鋁。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層包含沿所述第一層間絕緣層的所述頂部表面延伸的水平部分及在所述基底的厚度方向上自所述第一蝕刻終止層的所述水平部分突出的垂直部分。
如請求項12所述的半導體裝置，其中所述第二通孔插塞包含自所述第一層間絕緣層的所述頂部表面突出的第二突起。
如請求項12所述的半導體裝置，其中所述蝕刻終止結構層包含接觸所述第一層間絕緣層的第一蝕刻終止層，及在所述第一蝕刻終止層與所述第二層間絕緣層之間的第二蝕刻終止層，以及所述第一蝕刻終止層由金屬氧化物形成。
一種半導體裝置，包括：位於基底上的主動圖案；閘極結構，安置於所述主動圖案上且包含閘極電極及閘極覆蓋圖案，所述閘極覆蓋圖案安置於所述閘極電極上；位於所述主動圖案上的源極/汲極圖案，安置於所述閘極結構的側表面上；位於所述閘極覆蓋圖案上的第一層間絕緣層；第一通孔插塞，連接至所述源極/汲極圖案且包含自所述第一層間絕緣層的頂部表面突出的第一突起；第二通孔插塞，連接至所述閘極電極且包含自所述第一層間絕緣層的所述頂部表面突出的第二突起；蝕刻終止結構層，包含依序堆疊的第一蝕刻終止層、第二蝕刻終止層及第三蝕刻終止層，使得所述第二蝕刻終止層介於所述第一蝕刻終止層與所述第三蝕刻終止層之間，所述蝕刻終止結構層位於所述第一層間絕緣層上；位於所述蝕刻終止結構層上的第二層間絕緣層，接觸所述蝕刻終止結構層；以及配線，安置於所述第二層間絕緣層中且接觸所述第一通孔插塞，其中所述第一通孔插塞的所述第一突起的側壁及所述第二通孔插塞的所述第二突起的側壁接觸所述第一蝕刻終止層，其中所述第一通孔插塞具有單導電層結構，其中所述第二通孔插塞包含插塞導電層及沿所述插塞導電層的底部表面及側壁延伸的障壁導電層，以及其中所述第一通孔插塞及所述插塞導電層由鎢(W)形成。
如請求項18所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層及所述第三蝕刻終止層包含氧化鋁。
如請求項18所述的半導體裝置，其中所述第一蝕刻終止層包含連續形成的材料，所述第一蝕刻終止層包含沿所述第一層間絕緣層的所述頂部表面延伸的水平部分及在所述基底的厚度方向上自所述第一蝕刻終止層的所述水平部分突出的垂直部分。
一種基板處理系統，其具備： <br/>真空搬送模組； <br/>基板處理模組，其連接於上述真空搬送模組，構成為於減壓環境下對基板進行處理； <br/>常壓搬送室； <br/>加載互鎖(load-lock)模組，其連接於上述真空搬送模組與上述常壓搬送室； <br/>至少1個基板冷卻平台，其配置於上述加載互鎖模組內； <br/>至少1個基板搬送機械手，其配置於上述真空搬送模組內，包含至少1個末端效應器；及 <br/>控制部，其構成為控制微粒去除動作；且 <br/>上述微粒去除動作包括： <br/>(a)步驟，其係將載置於上述加載互鎖模組內之上述至少1個基板冷卻平台上之至少1個虛設基板冷卻至第1溫度，上述第1溫度為5～20℃；及 <br/>(b)步驟，其係在將經冷卻之至少1個虛設基板載置於上述至少1個末端效應器上之狀態下，於第1期間內將上述至少1個末端效應器維持於上述真空搬送模組內之複數個位置中之任一位置，上述第1期間為30秒以上； <br/>其中上述控制部於執行上述(a)後執行上述(b)，且 <br/>於上述(b)之期間，上述真空搬送模組內之微粒附著於上述經冷卻之至少1個虛設基板。
如請求項1之基板處理系統，其中 <br/>上述第1溫度為10～15℃。
如請求項1或2之基板處理系統，其中 <br/>上述第1期間為60秒以上。
如請求項1或2之基板處理系統，其中 <br/>上述(a)及上述(b)交替地反覆實施複數次。
如請求項1或2之基板處理系統，其中 <br/>上述(a)及上述(b)交替地反覆實施5次以上。
如請求項1或2之基板處理系統，其具備： <br/>加熱器；其中 <br/>上述控制部係藉由於上述(a)之前，控制上述加熱器加熱上述基板處理模組或上述真空搬送模組3小時以上，來執行上述微粒去除動作。
如請求項1或2之基板處理系統，其進而具備： <br/>配置於第2加載互鎖模組內之第2基板冷卻平台； <br/>上述至少1個末端效應器具有第1末端效應器及第2末端效應器，且 <br/>上述微粒去除動作包括： <br/>(a)步驟，其係將分別載置於上述至少1個基板冷卻平台及上述第2基板冷卻平台上之第1虛設基板及第2虛設基板冷卻至上述第1溫度；及 <br/>(b)步驟，其係在將經冷卻之第1虛設基板及第2虛設基板分別載置於上述第1末端效應器及上述第2末端效應器上之狀態下，於上述第1期間內將上述第1末端效應器維持於上述複數個位置中之第1位置，於上述第1期間內將上述第2末端效應器維持於上述複數個位置中之第2位置。
如請求項1之基板處理系統，其中由上述微粒去除動作去除的微粒包含因水分凝結而產生之微粒。
如請求項1之基板處理系統，其中於上述真空搬送模組向大氣開放且隨後抽真空後進行上述微粒去除動作。
如請求項1之基板處理系統，其中上述微粒去除動作中所使用之上述至少1個虛設基板在連接於上述真空搬送模組之清潔腔室中加熱至50℃或以上而去除微粒。
如請求項1之基板處理系統，其中藉由在連接於上述真空搬送模組之清潔腔室中產生高頻電漿，以自上述微粒去除動作中所使用之上述至少1個虛設基板去除微粒。
如請求項1之基板處理系統，其中 <br/>上述控制部藉由於上述(a)之前，控制加熱器加熱上述基板處理模組或上述真空搬送模組3小時或以上，來執行上述微粒去除動作。
如請求項1之基板處理系統，其中於上述(a)，上述至少1個虛設基板於大氣環境(atmospheric atmosphere)下冷卻。
如請求項1之基板處理系統，其中上述真空搬送模組中之上述複數個位置中之一個位於上述真空搬送模組中相對於上述基板處理模組之搬入搬出口附近。
如請求項4之基板處理系統，其中 <br/>上述基板系統具備複數個基板處理模組，包含上述基板處理模組，且 <br/>在反覆上述(a)及上述(b)之各迭代(iteration)中，將載置於上述至少1個末端效應器上之上述經冷卻之至少1個虛設基板依序搬送至上述真空搬送模組中相對於上述複數個基板處理模組中之各別基板處理模組的複數個搬入搬出口附近的不同位置，並維持特定時間或以上。
如請求項5之基板處理系統，其中 <br/>上述基板系統具備複數個基板處理模組，包含上述基板處理模組，且 <br/>在反覆上述(a)及上述(b)之各迭代中，將載置於上述至少1個末端效應器上之上述經冷卻之至少1個虛設基板依序搬送至上述真空搬送模組中相對於上述複數個基板處理模組中之各別基板處理模組的複數個搬入搬出口附近的不同位置，並維持特定時間或以上。
如請求項7之基板處理系統，其中上述第1位置位於上述真空搬送模組中相對於上述基板處理模組之搬入搬出口附近，且上述第2位置位於上述真空搬送模組中之中央附近。
如請求項7之基板處理系統，其中上述(a)及上述(b)交替地反覆多次。
如請求項7之基板處理系統，其中上述(a)及上述(b)交替地反覆5次或以上。
如請求項7之基板處理系統，其中上述微粒去除動作包括：於上述(a)之前，將上述基板處理模組或上述真空搬送模組加熱3小時或以上。
一種基板處理系統，其具備： <br/>真空搬送模組； <br/>基板處理模組，其連接於上述真空搬送模組，構成為於減壓環境下對基板進行處理； <br/>基板平台，其配置於上述基板處理模組，包含複數個升降銷，上述複數個升降銷構成為在上側位置與下側位置之間縱向移動； <br/>常壓搬送室； <br/>加載互鎖模組，其連接於上述真空搬送模組與上述常壓搬送室； <br/>至少1個基板冷卻平台，其配置於上述加載互鎖模組內； <br/>至少1個基板搬送機械手，其配置於上述真空搬送模組內，包含至少1個末端效應器；及 <br/>控制部，其構成為控制微粒去除動作；且 <br/>上述微粒去除動作包括： <br/>(a)步驟，其係將載置於上述加載互鎖模組內之上述至少1個基板冷卻平台上之至少1個虛設基板冷卻至第1溫度，上述第1溫度為5～20℃； <br/>(b)步驟，其係將經冷卻之至少1個虛設基板載置於位於上述上側位置之上述複數個升降銷上；及 <br/>(c)步驟，其係於第1期間內維持上述經冷卻之至少1個虛設基板載置於位於上述上側位置之上述複數個升降銷上之狀態，上述第1期間為30秒以上； <br/>其中上述控制部於執行上述(a)後執行上述(b)與上述(c)，且 <br/>於上述(c)之期間，上述基板處理模組內之微粒附著於上述經冷卻之至少1個虛設基板。
如請求項21之基板處理系統，其中於上述(a)，上述至少1個虛設基板於大氣環境下冷卻。
一種微粒去除方法，其係如請求項1至20中任一項之基板處理系統之微粒去除方法，該微粒去除方法包括： <br/>(a)步驟，其係將載置於上述至少1個基板冷卻平台上之至少1個虛設基板冷卻至第1溫度，上述第1溫度為5～20℃；及 <br/>(b)步驟，其係在將經冷卻之至少1個虛設基板載置於上述至少1個末端效應器上之狀態下，於第1期間內將上述至少1個末端效應器維持於上述真空搬送模組內或上述基板處理模組內之複數個位置中之任一位置，上述第1期間為30秒以上。
一種微粒去除方法，其係如請求項21或22之基板處理系統之微粒去除方法，該微粒去除方法包括： <br/>(a)步驟，其係將載置於上述至少1個基板冷卻平台上之至少1個虛設基板冷卻至第1溫度，上述第1溫度為5～20℃； <br/>(b)步驟，其係將經冷卻之至少1個虛設基板載置於位於上述上側位置之上述複數個升降銷上；及 <br/>(c)步驟，其係於第1期間內維持上述經冷卻之至少1個虛設基板載置於位於上述上側位置之上述複數個升降銷上之狀態，上述第1期間為30秒以上。
一種巨噬細胞活化劑，包括未附加N-乙醯半乳胺糖的Gc蛋白， <br/>其中未附加N-乙醯半乳胺糖的胺基酸為序列識別號1中的第418位或第420位的蘇胺酸。
如請求項1所述之巨噬細胞活化劑，其中該Gc蛋白是來自人、牛、山羊、或小鼠的血清或乳汁之純化物。
一種醫藥組成物，包括如請求項1或2所述之巨噬細胞活化劑，且用於抗癌、抗感染症、抗自體免疫疾病、抗自閉症、抗發炎性疾病、抗腦・神經變性疾病、改善皮膚、或治療心臟病。
一種如請求項1或2所述之巨噬細胞活化劑的製造方法，包括使Gc蛋白與N-乙醯半乳胺糖酶接觸的步驟。
如請求項4所述之巨噬細胞活化劑的製造方法，在與N-乙醯半乳胺糖酶接觸的步驟之前，包括使Gc蛋白與神經胺糖酸苷酶接觸的步驟。
一種用於玻璃填料之移除的水性鹼性清潔溶液，其包含： <br/>(a)至少一種選自由飽和分支鏈或非分支鏈C5至C12羧酸或其鹽組成之群的界面活性劑，其中該(a)至少一種界面活性劑之濃度為0.9至1.7 g/L； <br/>(b)至少一種選自由以下組成之群的界面活性劑：具有選自硫酸根、亞硫酸根、磺酸根、磷酸根、亞磷酸根及碳酸根之帶負電基團的飽和分支鏈或非分支鏈C5至C12烷基，及飽和C3-C8烷胺基羧酸鹽； <br/>(c)至少一種具有至少一個羥基及至少一個C-O-C基團之化合物，其選自由以下組成之群：烷氧基化C5-C12烷醇及醣苷C5-C12烷醇；及 <br/>(d)鹼金屬氫氧化物，其中該(d)鹼金屬氫氧化物之濃度為65至200 g/L。
如請求項1之水性鹼性清潔溶液，其中該(a)至少一種界面活性劑之濃度為1.0 g/L至1.5 g/L。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該(b)至少一種界面活性劑之濃度為0.5 g/L至10 g/L。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該(c)至少一種化合物之濃度為0.6 g/L至1.3 g/L。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該(d)鹼金屬氫氧化物之濃度為70 g/L至100 g/L。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該(a)至少一種界面活性劑係選自由以下組成之群：飽和分支鏈C6至C10羧酸或鹽。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該(b)至少一種界面活性劑係選自由以下組成之群：具有硫酸根、磷酸根及碳酸根之帶負電基團的飽和分支鏈或非分支鏈C5至C8烷基，及飽和C5-C8烷基胺羧酸鹽。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該烷氧基化C5-C12烷醇具有式(I) <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="228px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中p為1至2之整數，o為4至10之整數且m為4至9之整數， <br/>且其中該醣苷C5-C12烷醇具有式(II) <br/><img align="absmiddle" height="149px" width="328px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中n為1至5之整數且m為4至9之整數。
如請求項1或2之水性鹼性清潔溶液，其中該溶液包含(e)至少一種水溶性烷醇胺，其選自由以下組成之群：單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)及三乙醇胺(TEA)。
如請求項9之水性鹼性清潔溶液，其中該(e)至少一種水溶性烷醇胺之濃度為6.5 g/L至9.0 g/L。
一種對經去污處理之基板進行玻璃填料移除處理之方法，該基板包含基於有機聚合物與玻璃填料之複合物的非導電層及附著至該非導電層之銅層，用於製造具有積體電路之製品，其中該非導電層在該非導電層之表面內具有至少一個盲微孔，其中該至少一個盲微孔之底部由該附著之銅層建構，其中未附著至該銅層之該非導電層之該表面及該至少一個盲微孔之壁暴露經去污處理之有機聚合物及玻璃填料，其中該方法包含按以下次序之步驟： <br/>(i)提供該經去污處理之基板； <br/>(ii)提供如請求項1至10中任一項之水性鹼性清潔溶液； <br/>(iii)藉由使該基板與該水性鹼性清潔溶液接觸以用該水性鹼性清潔溶液處理該基板，以便自該有機聚合物移除玻璃填料。
如請求項11之方法，其中該(iii)處理係在55℃至65℃下進行3分鐘至7分鐘。
如請求項11或12之方法，其中該方法進一步包含以下步驟： <br/>(iv)在步驟(iii)之該經處理基板之該非導電層的該等表面上用活化溶液處理步驟(iii)之該基板，以用於後續金屬化。
如請求項11或12之方法，其中附著至該非導電層之該銅層進一步附著至核心層。
一種如請求項1至10中任一項之水性鹼性清潔溶液之用途，其用於對經去污處理之基板進行玻璃填料移除處理，該基板包含基於有機聚合物與玻璃填料之複合物的非導電層及附著至該非導電層之銅層，用於製造具有積體電路之製品，其中該非導電層在該非導電層之表面內具有至少一個盲微孔，其中該至少一個盲微孔之底部由該附著之銅層建構，其中未附著至該銅層之該非導電層之該表面及該至少一個盲微孔之壁暴露經去污處理之有機聚合物及玻璃填料。
一種IL-17RB抑制胜肽之用途，其係用於製備治療細胞激素-17B（interleukin-17B，IL-17B）/細胞激素-17受體B（interleukin-17 receptor B，IL-17RB）活化引起的增殖病症之藥物，其中該IL-17RB抑制胜肽靶向IL-17RB與混合譜系激酶4（mixed-lineage kinase 4，MLK4）之間的相互作用，其中該IL-17RB抑制胜肽包含第一區段，該第一區段包含VCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 14）的胺基酸序列，該第一區段具有至少14個胺基酸以及少於80個胺基酸的長度，以及該第一區段融合至包含細胞穿透胜肽序列的第二區段。
如請求項1之用途，其中該IL-17RB抑制胜肽抑制IL-17RB的Y447磷酸化或K470泛素化，其中Y447及K470係對應於SEQ ID NO: 1之胺基酸位點。
如請求項1之用途，其中該IL-17RB抑制胜肽不抑制細胞激素-17E（IL-17E）/IL-17RB調節的第2型免疫。
如請求項1之用途，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於70個胺基酸的長度。
如請求項1之用途，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於60個胺基酸的長度。
如請求項1之用途，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於50個胺基酸的長度。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該第一區段係由VCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 14）的胺基酸序列所組成。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該細胞穿透胜肽序列選自由下列所組成之群組：<br/> RKKRRQRRR（SEQ ID NO: 21）、<br/> RQIKIWFQNRRMKWKK（SEQ ID NO: 22）、<br/> VRLPPPVRLPPPVRLPPP（SEQ ID NO: 23）、<br/> TRQARRNRRRWRERQR（SEQ ID NO: 24）、<br/> RRRNRTRRNRRRVR（SEQ ID NO: 25）、<br/> TRRQRTRRARRNR（SEQ ID NO: 26）、<br/> KRPAAIKKAGQAKKKK（SEQ ID NO: 27）、<br/> GWTLNSAGYLLGKINLKALAALAKKIL（SEQ ID NO: 28），以及<br/> LLIILRRRIRKQAHAHSK（SEQ ID NO: 29）。
如請求項7之用途，其中該細胞穿透胜肽序列選自由下列所組成之群組：<br/> RKKRRQRRR（SEQ ID NO: 21）、<br/> RQIKIWFQNRRMKWKK（SEQ ID NO: 22）、<br/> VRLPPPVRLPPPVRLPPP（SEQ ID NO: 23）、<br/> TRQARRNRRRWRERQR（SEQ ID NO: 24）、<br/> RRRNRTRRNRRRVR（SEQ ID NO: 25）、<br/> TRRQRTRRARRNR（SEQ ID NO: 26）、<br/> KRPAAIKKAGQAKKKK（SEQ ID NO: 27）、<br/> GWTLNSAGYLLGKINLKALAALAKKIL（SEQ ID NO: 28），以及<br/> LLIILRRRIRKQAHAHSK（SEQ ID NO: 29）。
如請求項9之用途，其中該IL-17RB抑制胜肽包含或由如RKKRRQRRRVCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 30）所示之胺基酸序列所組成。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該IL-17RB抑制胜肽為環狀胜肽。
如請求項1至6中任一項之用途，其中該增殖病症為癌症及其轉移。
如請求項12之用途，其中該癌症係選自由下列所組成之群組：肺癌、胰臟癌、乳癌、大腸直腸癌、肝癌、腎癌、頭頸癌、食道癌、胃癌、膽道癌、膽囊及膽管癌、乳腺癌、卵巢癌、子宮頸癌、子宮體癌、膀胱癌、前列腺癌、睾丸腫瘤、成骨及軟組織肉瘤、血癌、惡性淋巴瘤、多發性骨髓瘤、皮膚癌、腦瘤，以及惡性胸膜間皮瘤。
如請求項13之用途，其中該癌症為乳癌。
如請求項13之用途，其中該癌症為胰臟癌。
一種IL-17RB抑制胜肽，其包含第一區段，該第一區段包含VCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 14）的胺基酸序列，其中該IL-17RB抑制胜肽靶向IL-17RB與混合譜系激酶4（mixed-lineage kinase 4，MLK4）之間的相互作用，該第一區段具有至少14個胺基酸以及少於80個胺基酸的長度，以及該第一區段融合至包含細胞穿透胜肽序列的第二區段。
如請求項16之IL-17RB抑制胜肽，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於70個胺基酸的長度。
如請求項16之IL-17RB抑制胜肽，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於60個胺基酸的長度。
如請求項16之IL-17RB抑制胜肽，其中該第一區段具有至少14個胺基酸及小於50個胺基酸的長度。
如請求項16至19中任一項之IL-17RB抑制胜肽，其中該第一區段係由VCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 14）的胺基酸序列所組成。
如請求項16至19中任一項之IL-17RB抑制胜肽，其中該細胞穿透胜肽序列選自由下列所組成之群組：<br/> RKKRRQRRR（SEQ IDNO: 21）、<br/> RQIKIWFQNRRMKWKK（SEQ ID NO: 22）、<br/> VRLPPPVRLPPPVRLPPP（SEQ ID NO: 23）、<br/> TRQARRNRRRWRERQR（SEQ ID NO: 24）、<br/> RRRNRTRRNRRRVR（SEQ ID NO: 25）、<br/> TRRQRTRRARRNR（SEQ ID NO: 26）、<br/> KRPAAIKKAGQAKKKK（SEQ ID NO: 27）、<br/> GWTLNSAGYLLGKINLKALAALAKKIL（SEQ ID NO: 28），以及<br/> LLIILRRRIRKQAHAHSK（SEQ ID NO: 29）。
如請求項21之IL-17RB抑制胜肽，其中該IL-17RB抑制胜肽包含或由如RKKRRQRRRVCDGTCGKSEGSPS（SEQ ID NO: 30）所示之胺基酸序列所組成。
如請求項16至19中任一項之IL-17RB抑制胜肽，其中該IL-17RB抑制胜肽為環狀胜肽。
一種重組核酸，包含編碼如請求項16至23中任一項之IL-17RB抑制胜肽的核苷酸序列。
如請求項24之重組核酸，其為一載體。
一種醫藥組合物，包含如請求項16至23中任一項之IL-17RB抑制胜肽或如請求項24或25之重組核酸，以及生理學上可接受的載體。
一種用於獲得結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之方法，其包含步驟（a）至（d）， <br/>（a） 提供包含二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）及至少一種結晶溶劑之饋料，且加熱該饋料以獲得溶液， <br/>其中該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）具有 <br/>i）鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）（II）含量，其在5000 ppm至30000 ppm範圍內； <br/>ii）若丹明（III）含量，其在500 ppm至10000 ppm範圍內；及 <br/>iii）若丹明己酯（IV）含量，其在500 ppm至10000 ppm範圍內；各自按二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計；且 <br/>其中按該饋料之總重量計，該饋料中之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之量在15.0 wt%與65.0 wt%範圍內， <br/>（b） 將步驟（a）之該溶液冷卻至一溫度，使得在該溫度下，已溶解二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之濃度c與二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之平衡溶解度c*之比c:c*在1.1:1.0至9.0:1.0範圍內以獲得二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之過飽和溶液； <br/>（c） 用二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之晶種接種在步驟（b）中所獲得之該過飽和溶液，繼之以攪拌包含晶種之該過飽和溶液1小時至8小時； <br/>其中按二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）在該溶液中之重量計，該等晶種之量在0.1 wt%至15.0 wt%範圍內；及 <br/>（d） 將在步驟（c）中所獲得之該溶液冷卻至在-10℃至15℃範圍內之溫度以獲得包含結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之溶液；繼之以分離結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）；及 <br/>（e） 視情況再結晶在步驟（d）中所獲得之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）涉及將在步驟（d）中所獲得之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）與如在步驟（a）中所使用的該至少一種結晶溶劑混合以獲得饋料、加熱該饋料以獲得溶液，及使用方法步驟（b）至（d）。
一種用於獲得結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之方法，其包含步驟（a）至（d）， <br/>（a） 提供包含二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）及至少一種結晶溶劑之饋料，且加熱該饋料以獲得溶液， <br/>其中該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）具有 <br/>i）鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）（II）含量，其在5000 ppm至30000 ppm範圍內； <br/>ii）若丹明（III）含量，其在500 ppm至10000 ppm範圍內；及 <br/>iii）若丹明己酯（IV）含量，其在500 ppm至10000 ppm範圍內；各自按二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計；且 <br/>其中按該饋料之總重量計，該饋料中之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之量在15.0 wt%至65.0 wt%範圍內； <br/>（b） 冷卻在步驟（a）中所獲得之該溶液以獲得二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之過飽和溶液； <br/>（c） 用二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之晶種接種在步驟（b）中所獲得之該過飽和溶液，繼之以攪拌包含晶種之該過飽和溶液1小時至8小時； <br/>其中按二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）在該溶液中之重量計，該等晶種之量在0.1 wt%至15.0 wt%範圍內；及 <br/>（d） 將在步驟（c）中所獲得之該溶液冷卻至在-10℃至15℃範圍內之溫度以獲得包含結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之溶液；繼之以分離結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）；及 <br/>（e） 視情況再結晶在步驟（d）中所獲得之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）涉及將在步驟（d）中所獲得之該二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）與如在步驟（a）中所使用的該至少一種結晶溶劑混合以獲得饋料、加熱該饋料以獲得溶液，及使用方法步驟（b）至（d）。
如請求項1或2之方法，其中該結晶溶劑為選自由以下組成之群組的至少一者：C<sub>4</sub>-C<sub>8</sub>醇。
如請求項1或2之方法，其中該結晶溶劑為1-己醇。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（a）中，將該饋料加熱至在25℃至80℃範圍內之溫度。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（a）中，將該饋料加熱至在35℃至80℃範圍內之溫度。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（b）中，將該溶液冷卻至在20℃至35℃範圍內之溫度。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（c）中，該接種係在20℃至35℃範圍內之溫度下進行。
如請求項1或2之方法，其中二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之該等晶種在步驟（c）中以選自固體結晶物質及溶劑中之懸浮液的至少一種形式採用。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以1℃至15℃/小時（h）之冷卻速率冷卻。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以線性方式冷卻。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以分段線性冷卻曲線冷卻。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以具有增大之冷卻速率的拋物線冷卻曲線冷卻。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以動態冷卻曲線冷卻以維持結晶器中之相對恆定過飽和。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，該溶液以真空冷卻方法冷卻。
如請求項1或2之方法，其中在步驟（d）中，晶體之該分離係藉由過濾進行，同時將該溶液之該溫度維持在該溶液在步驟（d）中冷卻至之該溫度之±5℃內。
如請求項1或2之方法，其中步驟（d）進一步包含用洗滌溶劑洗滌分離之結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）的步驟。
如請求項17之方法，其中該洗滌該分離之結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）係用具有在步驟（d）中該溶液冷卻至之該溫度之±5℃內之溫度的洗滌溶劑進行。
如請求項17之方法，其中該洗滌溶劑為選自在步驟（a）中使用之該結晶溶劑、該饋料及在步驟（a）中使用之該結晶溶劑中之（I）的飽和溶液的至少一者。
如請求項1或2之方法，其進一步包含以下步驟， <br/>i. 在選自甲苯及環己烷之純化溶劑中溶解在步驟（d）或步驟（e）中所獲得之該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）； <br/>ii. 使在步驟（i）中所獲得之該溶液與選自矽石及木炭之吸附劑接觸；及 <br/>iii. 自在步驟（ii）中所獲得之該溶液移除溶劑以獲得結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）。
如請求項1或2之方法，其中該結晶係在選自以下之結晶器中進行：具有擋板之攪拌容器、動力循環結晶器、導流管結晶器、導流管擋板結晶器及奧斯陸（Oslo）型結晶器。
如請求項1或2之方法，其中該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）具有 <br/>i）鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）（II）含量，其在1 ppm至250 ppm範圍內； <br/>ii）若丹明（III）含量，其在1 ppm至100 ppm範圍內；及 <br/>iii）若丹明己酯（IV）含量，其在1 ppm至120 ppm範圍內； <br/>各自按該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計。
一種結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I），其具有按該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計在1 ppm至50 ppm範圍內的鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）含量。
一種結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I），其具有 <br/>i）鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）（II）含量，其在1 ppm至50 ppm範圍內； <br/>ii）若丹明（III）含量，其在1 ppm至100 ppm範圍內；及 <br/>iii）若丹明己酯（IV）含量，其在1 ppm至120 ppm範圍內； <br/>各自按該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計。
一種化妝品組合物，其包含結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）及載劑，其中該結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）具有 i）鄰苯二甲酸二己酯（PSDHE）（II）含量，其在1 ppm至50 ppm範圍內； <br/>ii）若丹明（III）含量，其在1 ppm至100 ppm範圍內；及 <br/>iii）若丹明己酯（IV）含量，其在1 ppm至120 ppm範圍內， <br/>各自按結晶二乙胺基羥苯甲醯基苯甲酸己酯（I）之重量計。
一種顯示裝置，其包括： <br/>一發射區域及該發射區域周圍之一非發射區域； <br/>一第一圖案和一第二圖案，位於在該發射區域中且彼此間隔開； <br/>一第一發光元件，位於該第一圖案與該第二圖案之間； <br/>一第一配向電極，位於該第一圖案上，該第一配向電極具有與該第一發光元件的一第一端部相對的一第一斜面； <br/>一第一連接電極，與該第一配向電極位於同一層上； <br/>一第一電極，電連接至該第一發光元件的該第一端部； <br/>一第二電極，電連接至該第一發光元件的一第二端部；以及 <br/>一堤壁，位於該非發射區域，該堤壁界定該發射區域， <br/>其中該第一配向電極和該第一連接電極分別包括依次層疊的一第一電極層和一第二電極層， <br/>其中暴露該第一電極層之一接觸孔是位於該第一連接電極的該第二電極層中，以及 <br/>其中該第一電極通過該接觸孔與該第一連接電極的該第一電極層和該第一連接電極的該第二電極層的一側表面接觸。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電極通過該第一連接電極電連接到一電晶體或一電源線。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電極層的一反射率高於該第二電極層的一反射率，以及 <br/>其中該第二電極層的一電導率高於該第一電極層的一電導率。
如請求項3所述之顯示裝置，其中該第一電極層包括鋁，並且該第二電極層包括鉬。
如請求項3所述之顯示裝置，其中在該第一配向電極的該第一斜面上，該第二電極層暴露該第一電極層。
如請求項5所述之顯示裝置，其進一步包括一第一絕緣層，該第一絕緣層位於該顯示裝置的一圖像顯示方向上與該第一發光元件重疊的一位置處的該第一配向電極和該第一電極之間， <br/>其中在該第一圖案上，該第一絕緣層的一側表面與該第一配向電極的該第二電極層的一側表面位於同一平面。
如請求項3所述之顯示裝置，其進一步包括一第二配向電極，該第二配向電極位於該第二圖案上，該第二配向電極具有與該第一發光元件的該第二端部相對的一第二傾斜表面。
如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包括一分離區域，該分離區域與該發射區域隔開，並且該非發射區域插置於該分離區域與該發射區域之間， <br/>其中該分離區域由該堤壁所界定，以及 <br/>其中該第一連接電極位於該分離區域。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二電極設置在與該第一電極不同的層上，而一絕緣層插置於該第二電極與該第一電極之間。
如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包括： <br/>一第二發光元件，位於該第一圖案與該第二圖案之間； <br/>一第三電極，位於該第一電極與該第二電極之間，該第三電極通過該第一發光元件和該第二發光元件電連接在該第一電極與該第二電極之間；以及 <br/>一第三配向電極，與該第二圖案的一區域重疊。
如請求項10所述之顯示裝置，其進一步包括： <br/>一第三圖案，與該第一圖案相對設置，而該第二圖案插置於該第三圖案與該第一圖案之間； <br/>一第四配向電極，位於該第三圖案上； <br/>一第三發光元件及一第四發光元件，該第三發光元件及該第四發光元件分別位於該第二圖案與該第三圖案之間； <br/>一第四電極，電連接在該第二電極和該第三電極之間；以及 <br/>一第五電極，電連接在該第二電極和該第四電極之間。
如請求項1所述之顯示裝置，其進一步包括： <br/>一顯示區域及該顯示區域周圍之一非顯示區域；以及 <br/>一焊墊，位於該非顯示區域， <br/>其中該顯示區域包括該發射區域和該非發射區域， <br/>其中該焊墊包括一第三連接電極及一焊墊電極，該第三連接電極通過與該第一配向電極相同的一製程形成，該焊墊電極通過與該第一電極相同的製程形成， <br/>其中暴露該第三連接電極的一第一電極層之一開口是位於該第三連接電極的一第二電極層，以及 <br/>其中該焊墊電極通過該開口與該第三連接電極的該第一電極層和該第三連接電極的該第二電極層的一側表面接觸。
如請求項1所述之顯示裝置，其中該第二電極層的一反射率高於該第一電極層的一反射率，以及 <br/>其中該第一電極層的一電導率高於該第二電極層的一電導率。
如請求項13所述之顯示裝置，其中該第二電極層包括鋁，並且該第一電極層包括鉬。
一種製造顯示裝置的方法，該方法包括： <br/>在一基底層上形成一第一圖案和一第二圖案； <br/>形成與該第一圖案重疊的一第一配向電極、與該第二圖案重疊的一第二配向電極以及一第一連接電極，其中該第一配向電極、該第二配向電極和該第一連接電極各包括一第一電極層及形成在該第一電極層上之一第二電極層； <br/>在該第一配向電極、該第二配向電極和該第一連接電極上形成一第一絕緣層； <br/>將一第一發光元件對準在該第一圖案與該第二圖案之間的該第一絕緣層上； <br/>形成與該第一發光元件部分地重疊的一第二絕緣圖案； <br/>形成與該第一發光元件的一第一端部電連接的一第一電極；以及 <br/>形成與該第一發光元件的一第二端部電連接的一第二電極， <br/>其中形成該第二絕緣圖案包括： <br/>形成一第二絕緣層；以及 <br/>通過部分蝕刻該第二絕緣層和該第一連接電極的該第二電極層，形成該第二絕緣圖案和該第二電極層的一接觸孔，以及 <br/>其中該第一電極通過該接觸孔與該第一連接電極的該第一電極層和該第一連接電極的該第二電極層的一側表面接觸。
如請求項15所述之方法，其中該第一電極層的一反射率高於該第二電極層的一反射率，以及 <br/>其中該第二電極層的一電導率高於該第一電極層的一電導率。
如請求項16所述之方法，其中該第一電極層包括鋁，並且該第二電極層包括鉬。
如請求項16所述之方法，其中形成該第二絕緣圖案進一步包括： <br/>形成覆蓋該第一發光元件的該第二絕緣層；以及 <br/>共同蝕刻該第一絕緣層、該第二絕緣層和該第一配向電極的該第二電極層。
如請求項18所述之方法，其中在與該第一發光元件的該第一端部相對的該第一配向電極的一第一傾斜表面處，該第二電極層暴露該第一電極層。
一種製造顯示裝置的方法，其包括： <br/>在一基底層上形成一第一圖案和一第二圖案； <br/>形成與該第一圖案重疊的一第一配向電極、與該第二圖案重疊的一第二配向電極及一第一連接電極，其中該第一配向電極、該第二配向電極和該第一連接電極各包括一第一電極層及在該第一電極層上之一第二電極層； <br/>在該第一配向電極與該第二配向電極之間形成一第一絕緣圖案； <br/>將一第一發光元件對準在該第一圖案與該第二圖案之間的該第一絕緣圖案上； <br/>形成與該第一發光元件部分地重疊的一第二絕緣圖案； <br/>形成與該第一發光元件的一第二端部電連接的一第二電極；以及 <br/>形成與該第一發光元件的一第一端部電連接的一第一電極， <br/>其中形成該第二電極包括： <br/>形成一電極層；以及 <br/>通過部分蝕刻該電極層和該第一連接電極的該第二電極層，形成該第二電極和該第二電極層的一接觸孔，以及 <br/>其中該第一電極通過該接觸孔與該第一連接電極的該第一電極層和該第一連接電極的該第二電極層的一側表面接觸。
一種抗EphA4抗體之用途，其係用於製造肌肉萎縮性側索硬化症（ALS）治療用之醫藥組合物， <br/>上述抗EphA4抗體包含重鏈及輕鏈，上述重鏈包括： <br/>（a）由序列編號44所示之胺基酸序列所組成之重鏈CDR1； <br/>（b）由序列編號27所示之胺基酸序列所組成之重鏈CDR2；及 <br/>（c）由序列編號28所示之胺基酸序列所組成之重鏈CDR3； <br/>上述輕鏈包括： <br/>（d）由序列編號29所示之胺基酸序列所組成之輕鏈CDR1； <br/>（e）由序列編號30所示之胺基酸序列所組成之輕鏈CDR2；及 <br/>（f）由序列編號31所示之胺基酸序列所組成之輕鏈CDR3。
如請求項1之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述抗EphA4抗體被人源化。
如請求項1或2之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述抗EphA4抗體與EphA4特異性地結合，促進EphA4之切斷。
如請求項1或2之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述抗EphA4抗體與EphA4特異性地結合，抑制EphA4與肝配蛋白(ephrin)之結合。
如請求項1或2之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述重鏈包括：由序列編號45所示之胺基酸序列所組成之可變區， <br/>上述輕鏈包括：由序列編號46所示之胺基酸序列所組成之可變區。
如請求項1或2之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述重鏈之恆定區及上述輕鏈之恆定區包含源自人類抗體之胺基酸序列。
如請求項6之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述重鏈之恆定區為人類IgG之恆定區。
如請求項7之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述人類IgG之恆定區為人類IgG<sub>2</sub>之恆定區。
如請求項8之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述人類IgG<sub>2</sub>之恆定區包含序列編號47所示之胺基酸序列。
如請求項6之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述輕鏈之恆定區為人類Igκ之恆定區。
如請求項10之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述人類Igκ之恆定區包含序列編號48所示之胺基酸序列。
一種抗EphA4抗體之用途，其係用於製造肌肉萎縮性側索硬化症（ALS）治療用之醫藥組合物， <br/>上述抗EphA4抗體包含重鏈及輕鏈，且 <br/>i）上述重鏈包含序列編號59所示之胺基酸序列，上述輕鏈包含序列編號60所示之胺基酸序列，或 <br/>ii）上述重鏈包含序列編號59所示之胺基酸序列之C末端離胺酸缺失之胺基酸序列，上述輕鏈包含序列編號60所示之胺基酸序列。
如請求項12之抗EphA4抗體之用途，其中 <br/>上述重鏈包含序列編號59所示之胺基酸序列之C末端離胺酸缺失之胺基酸序列，上述輕鏈包含序列編號60所示之胺基酸序列。
一種抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其包含：-抗IL-4R抗體或其抗原結合片段、以及-一個或多個毒素分子；該毒素分子選自假單胞菌外毒素；該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段與該毒素分子共價或非共價連接；該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含選自以下(I)至(IV)中的任一項：(I)重鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：3、SEQ ID NO：4和SEQ ID NO：5所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3；和輕鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：38、SEQ ID NO：7和SEQ ID NO：40所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3；(II)重鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：11、SEQ ID NO：12和SEQ ID NO：13所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3；和輕鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：14、SEQ ID NO：15和SEQ ID NO：16所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3；(III)重鏈可變區，其包含胺基酸序列分別如SEQ ID NO：3、SEQ ID NO：4和SEQ ID NO：5所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3；和輕鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：6、SEQ ID NO：7和SEQ ID NO：8所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3；(IV)重鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：3、SEQ ID NO：4和SEQ ID NO：5所示的HCDR1、HCDR2和HCDR3；和輕鏈可變區，其包含胺基酸序列分别如SEQ ID NO：42、SEQ ID NO：39和SEQ ID NO：8所示的LCDR1、LCDR2和LCDR3。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中該抗IL-4R抗體選自以下的任一項：鼠源抗體、嵌合抗體、全人抗體、人源化抗體。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含來源於人種系輕鏈IGKV3-11*01的FR或與其有至少95%序列同一性FR；和/或該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含來源於人種系重鏈IGHV3-48*01的FR或與其有至少95%序列同一性的FR。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含來源於人種系輕鏈IGKV2D-29*01的FR或與其有至少95%序列同一性的FR；和/或該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含來源於人種系重鏈IGHV1-2*02的FR或與其有至少95%序列同一性的FR。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含重鏈恆定區，該重鏈恆定區為人源IgG1、IgG2、IgG3或IgG4的重鏈恆定區、或其變體；和/或該抗原結合片段為Fab、Fv、scFv、F(ab’)2、dsfv或ScdsFv。
如請求項5所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該scFv自N端至C端依次包含重鏈可變區、連接肽和輕鏈可變區，或者該scFv自N端至C端依次包含輕鏈可變區、連接肽和重鏈可變區；該連接肽選自以下任一項或其組合：(GxS)<sub>n</sub>、(SxG)<sub>n</sub>、(GGGGS)<sub>n</sub>、(G)<sub>n</sub>，其中x是1-6的任一整數，且n是1-30的任一整數；或該連接肽選自以下任一項或其組合：GKSSGSGSESKS、EGKSSGSGSESKEF、GSTSGSGKSSEGKG、GSTSGSGKSSEGSGSTKG、GSTSGSGKPGSGEGSTKG、SRSSG和SGSSC。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其包含選自以下(I)至(V)中的任一項：(I)重鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：43所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：43具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：37所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：37具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；(II)重鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：9所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：9具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：10所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：10具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；(III)重鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：1所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：1具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：2所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：2具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；(IV)重鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：43所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：43具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：41所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：41具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；(V)重鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：47所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：47具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈可變區，其包含如SEQ ID NO：48所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：48具有至少90%、95%、98%、99%同一性的胺基酸序列。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，重鏈可變區包含如SEQ ID NO：25-27之一所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：25-27之一具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；輕鏈可變區包含如SEQ ID NO：28-30之一所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：28-30之一具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；或者重鏈可變區包含如SEQ ID NO：31-33之一所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：31-33之一具有至少90%、95%、98%、或99%同一性的胺基酸序列；輕鏈可變區包含如SEQ ID NO：34-36之一所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：34-36之一具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列。
如請求項8所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，重鏈可變區和/或輕鏈可變區包含用於穩定結構的突變；重鏈可變區第44位的胺基酸殘基突變成半胱胺酸殘基，輕鏈可變區第100位的胺基酸殘基突變成半胱胺酸殘基。
如請求項1所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段包含選自(I)至(IV)中的任一項：(I)重鏈，其包含如SEQ ID NO：44所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：44具有至少90%、95%、98%、或99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈，其包含如SEQ ID NO：45所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：45具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；(II)重鏈，其包含如SEQ ID NO：19所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：19具有至少90%、95%、98%、或99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈，其包含如SEQ ID NO：20所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：20具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；(III)重鏈，其包含如SEQ ID NO：17所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：17具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈，其包含如SEQ ID NO：18所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：18具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列；(IV)重鏈，其包含如SEQ ID NO：44所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：44具有至少90%、95%、98%、或99%同一性的胺基酸序列；和輕鏈，其包含如SEQ ID NO：46所示的胺基酸序列或與SEQ ID NO：46具有至少90%、95%、98%或99%同一性的胺基酸序列。
如請求項1至10中任一項所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段藉由接頭連接至該毒素分子；該接頭為蛋白性或非蛋白性的接頭。
如請求項11所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中，該複合物為融合蛋白。
如請求項10所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，該接頭選自以下任一項或其組合：ASGGPE、VM、AM、AM(G<sub>2-4</sub>S)<sub>p</sub>AM、ASGCGPE、ASGCCGPE、ASGCGSCPE、ASCGTTGCPE、KASGKKYGCKKGPE、KGGGCAGGPE；其中p是1-10的任一整數。
如請求項12所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其中該毒素選自以下任一項或其組合：PE-LR、PE-LO10R456A、PE-T20、PE-T20-KDEL、PE4E、PE40、PE38、PE24、PE25、PE38QQR、PE35、PE38KDEL、PE38DKEL、PE38RDEL、PE38KNEL。
如請求項1至10中任一項所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，其包含如SEQ ID NO：52或SEQ ID NO：53所示的序列。
一種多核苷酸，其編碼如請求項1至15中任一項所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物。
一種載體，其含有如請求項16所述的多核苷酸，其為真核表達載體、原核表達載體或病毒載體。
一種宿主細胞，其包含如請求項17所述的載體。
如請求項18所述的宿主細胞，該宿主細胞為大腸桿菌、畢赤酵母、中國倉鼠卵巢細胞或人胚腎293細胞。
一種醫藥組成物，其含有：如請求項1至15中任一項所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，以及視需要地，可藥用的賦形劑、稀釋劑或載體。
一種如請求項1至15中任一項所述的抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物、如請求項16所述的多核苷酸、或如請求項20所述的醫藥組成物在製備治療和/或預防癌症或腫瘤的藥物中的用途，其中，該癌症或腫瘤選自以下任一項或其組合：前列腺癌、卵巢癌、乳腺癌、子宮內膜癌、多發性骨髓瘤、黑色素瘤、淋巴瘤、肺癌、腎癌、肝癌、大腸癌(例如結腸癌)、胰腺癌、胃癌、白血病和中樞神經系統腫瘤。
如請求項21所述的用途，其中，該中樞神經系統腫瘤選自以下任一項或其組合：神經膠質瘤、神經膠質母細胞瘤、神經母細胞瘤、星形細胞瘤、髓母細胞瘤、顱咽管瘤、室管膜瘤、松果體瘤、血管母細胞瘤、聽神經瘤、少突膠質瘤、血管瘤、腦膜瘤、視網膜母細胞瘤。
如請求項21所述的用途，該中樞神經系統腫瘤為復發性或難治性膠質母細胞瘤、或O6-甲基鳥嘌呤-DNA甲基轉移酶表達陽性或陰性的神經膠質母細胞瘤。
一種用於製備抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物的方法，包括如下步驟：在如請求項18或19所述的宿主細胞中表達抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物，以及從該宿主細胞中分離該抗IL-4R抗體或其抗原結合片段的複合物。
一種刷型共聚物組成物，其包含共聚體主鏈和共聚體刷臂，其中： <br/> 該共聚體刷臂包含式(1)和(2)之至少二種不同的醯化聚(伸烷基胺)的單體重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="233px" width="651px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>5</sup>單獨為氫或直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；各R<sup>6</sup>儘管具有相同或更多於各R<sup>5</sup>的碳數但與各R<sup>5</sup>不同，且單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；y和z各為1或2；及m+n之和為該共聚體刷臂的平均聚合度的90 mol%至100 mol%；以及， <br/> 該共聚體主鏈包含式(3)和(4)之至少二種不同的丙烯酸酯單體的單體重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="318px" width="656px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫、直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基部分、或其混合物；各R<sup>2</sup>單獨為共價連接的共聚體刷臂、殘留的氫、殘留的經三取代的矽基(其中該等取代各單獨為直鏈、支鏈、和/或環狀C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分)、殘留的直鏈、環狀、或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>醯基部分、殘留的直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分、或殘留的一價相對離子；各R<sup>4</sup>單獨為直鏈、支鏈、和/或環狀C<sub>8</sub>-C<sub>30</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分；及a+b之和為該共聚體主鏈的平均聚合度的90 mol%至100 mol%。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，該刷型共聚物組成物在具有100℃(KV100)下的動黏度為4 cSt的第III類基礎油料中於濃度為5 mg/mL下展現高臨界溶解溫度(UCST)行為。
如請求項2所述之刷型共聚物組成物，其中，該UCST行為表現為示差掃描量熱儀(DSC)中的主要放熱轉變，其具有在迭代加熱和冷卻循環的第二或第三冷卻部分期間於1℃/min的冷卻速率下之中心在低於80.0℃的峰。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，該共聚體刷臂在具有100℃(KV100)下的動黏度為4 cSt的第III類基礎油料中於濃度為5 mg/mL下展現高臨界溶解溫度(UCST)行為。
如請求項4所述之刷型共聚物組成物，其中，該UCST行為表現為示差掃描量熱儀(DSC)中的主要放熱轉變，其具有在迭代加熱和冷卻循環的第二或第三冷卻部分期間於1℃/min的冷卻速率下之中心在低於80.0℃的峰。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%三乙胺(TEA)的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該刷型共聚物組成物的多分散性為小於1.60。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%三乙胺(TEA)的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該共聚體主鏈、該共聚體刷臂、或二者的多分散性為小於1.60。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%TEA的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該刷型共聚物組成物的數目平均分子量為30,000 g/mol至100,000 g/mol。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中： <br/> 各R<sup>5</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>2</sub>-C<sub>18</sub>烷基部分； <br/> 各R<sup>6</sup>單獨為直鏈C<sub>8</sub>-C<sub>20</sub>烷基部分； <br/> 各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫或甲基； <br/> 各R<sup>2</sup>單獨為共價連接的共聚體刷臂、殘留的氫、或殘留的直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分； <br/> 各R<sup>4</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；及 <br/> y和z各為1。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，至少50 mol%的R<sup>2</sup>基為共價連接的共聚體刷臂。
如請求項1所述之刷型共聚物組成物，其中，滿足以下中的一或多項： <br/> a:b的比為1:14至1:2； <br/> m:n的比為1:25至2:1； <br/> 該a+b之和為250或更小；及 <br/> 該m+n之和為75或更小。
一種刷型共聚物組成物，其包含共聚體主鏈和共聚體刷臂，其中： <br/> 該共聚體刷臂在具有100℃(KV100)下的動黏度為4 cSt的第III類基礎油料中於濃度為5 mg/mL下展現高臨界溶解溫度(UCST)行為，且包含式(1)和(2)之至少二種不同的醯化聚(伸烷基胺)的單體重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="238px" width="646px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>5</sup>單獨為氫或直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；各R<sup>6</sup>儘管具有相同或更多於各R<sup>5</sup>的碳數但與各R<sup>5</sup>不同，且單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；及y和z各為1或2；且m+n之和為該共聚體刷臂的平均聚合度的90 mol%至100 mol%；及 <br/> 該共聚體主鏈包含式(3)和(4)之至少二種不同的丙烯酸酯單體的單體重複單元： <br/><img align="absmiddle" height="300px" width="654px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫、直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基部分、或其混合物；各R<sup>2</sup>單獨為共價連接的共聚體刷臂、殘留的氫、殘留的經三取代的矽基(其中該等取代各單獨為直鏈、支鏈、和/或環狀C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分)、殘留的直鏈、環狀、或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>醯基部分、殘留的直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分、或殘留的一價相對離子；及各R<sup>4</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>30</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分，且a+b之和為該共聚體主鏈的平均聚合度的90 mol%至100 mol%， <br/> 其中該刷型共聚物組成物在具有100℃(KV100)下的動黏度為4 cSt的第III類基礎油料中於濃度為5 mg/mL下亦展現高臨界溶解溫度(UCST)行為。
如請求項12所述之刷型共聚物組成物，其中，該共聚體刷臂和該刷型共聚物組成物中任一者或二者的該UCST行為表現為示差掃描量熱儀(DSC)中的主要放熱轉變，其具有在迭代加熱和冷卻循環的第二或第三冷卻部分期間於1℃/min的冷卻速率下之中心在低於80.0℃的峰。
如請求項12所述之刷型共聚物組成物，其中，滿足以下中的五或更多項： <br/> 當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%TEA的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該刷型共聚物組成物的數目平均分子量為30,000 g/mol至100,000 g/mol； <br/> 各R<sup>5</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>2</sub>-C<sub>18</sub>烷基部分；各R<sup>6</sup>單獨為直鏈C<sub>8</sub>-C<sub>20</sub>烷基部分；各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫或甲基；各R<sup>4</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；及y和z各為1； <br/> 各R<sup>2</sup>單獨為共價連接的共聚體刷臂、殘留的氫、或殘留的直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分，且至少70 mol%的R<sup>2</sup>基為共價連接的共聚體刷臂； <br/> m:n的比為1:25至2:1； <br/> a:b的比為1:14至1:2； <br/> 該a+b之和為250或更小；及 <br/> 該m+n之和為75或更小。
一種製作包含共聚體主鏈和共聚體刷臂的刷型共聚物組成物之方法，該方法包含： <br/> 提供包含式(3)和(4)之至少二種不同的丙烯酸酯單體的單體重複單元之共聚體主鏈： <br/><img align="absmiddle" height="306px" width="661px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫、直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基部分、或其混合物；各R<sup>2</sup>單獨為氫、經三取代的矽基(其中該等取代各單獨為直鏈、支鏈、和/或環狀C<sub>1</sub>-C<sub>8</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分)、直鏈、環狀、或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>7</sub>醯基部分、直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分、或一價相對離子；及各R<sup>4</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>30</sub>烷基、芳基、烷芳基、或芳烷基部分；且a+b之和為該共聚體主鏈的平均聚合度的90 mol%至100 mol%；及 <br/> 提供包含式(1)和(2)之至少二種不同的醯化聚(伸烷基胺)的單體重複單元之共聚體刷臂： <br/><img align="absmiddle" height="240px" width="666px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中各R<sup>5</sup>單獨為氫或直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；各R<sup>6</sup>儘管具有相同或更多於各R<sup>5</sup>的碳數但與各R<sup>5</sup>不同，且單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；及y和z各為1或2；且m+n之和為該共聚體刷臂的平均聚合度的90 mol%至100 mol%； <br/> 其中該共聚體刷臂通過使用含有氮和氧原子的雜環狀單體之陽離子性開環聚合(CROP)程序製作，其中加成性鏈端係以經穩定雜環狀陽離子封端；及 <br/> 藉由下述將該共聚體刷臂接枝到該共聚體主鏈上： <br/> 藉由移除R<sup>2</sup>和/或形成羧酸根陰離子來活化該共聚體主鏈中之該式(3)的丙烯酸酯單體重複單元；及 <br/> 將該共聚體刷臂中的該經穩定雜環狀陽離子偶合至該經活化之式(3)的重複單元，從而有效地將該共聚物刷臂接枝到該共聚體主鏈上，並從而形成該刷型共聚物組成物。
如請求項15所述之方法，其中，該共聚體主鏈通過可逆去活化自由基聚合(RDRP)程序製作。
如請求項15所述之方法，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%TEA的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該刷型共聚物組成物的多分散性為小於1.60。
如請求項15所述之方法，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%TEA的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該共聚體主鏈、該共聚體刷臂、或二者的多分散性為小於1.60。
如請求項15所述之方法，其中，當在40℃下相對於聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)標準品使用以含有2%TEA的四氫呋喃(THF)作為溶析液之凝膠滲透層析術(GPC)測量時，該刷型共聚物組成物的數目平均分子量為30,000 g/mol至100,000 g/mol。
如請求項15所述之方法，其中： <br/> 各R<sup>5</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>2</sub>-C<sub>18</sub>烷基部分； <br/> 各R<sup>6</sup>單獨為直鏈C<sub>8</sub>-C<sub>20</sub>烷基部分； <br/> 各R<sup>1</sup>和R<sup>3</sup>單獨為氫或甲基； <br/> 各R<sup>2</sup>單獨為共價連接的共聚體刷臂、殘留的氫、或殘留的直鏈或支鏈C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>羥基烷基部分； <br/> 各R<sup>4</sup>單獨為直鏈或支鏈C<sub>8</sub>-C<sub>24</sub>烷基部分；及 <br/> y和z各為1。
如請求項15所述之方法，其中，該接枝步驟經控制而使得至少60 mol%的R<sup>2</sup>基為共價連接的共聚體刷臂。
如請求項15所述之方法，其中，滿足以下中的一或多項： <br/> m:n的比為1:25至2:1； <br/> a:b的比為1:14至1:2； <br/> 該a+b之和為250或更小；及 <br/> 該m+n之和為75或更小。
一種潤滑劑組成物，其包含： <br/> 至少70 wt%的一或多種潤滑油基礎油料； <br/> 至多25 wt%的至少一種潤滑劑添加劑，其包含抗氧化劑、腐蝕抑制劑、抗磨損添加劑、摩擦改質劑、分散劑、清潔劑、消泡劑、極壓添加劑、傾點下降劑、密封膨脹控制劑、或其組合；及 <br/> 0.5 wt%至12 wt%之如請求項1之刷型共聚物組成物。
一種潤滑劑組成物，其包含： <br/> 至少70 wt%的一或多種潤滑油基礎油料； <br/> 至多25 wt%的至少一種潤滑劑添加劑，其包含抗氧化劑、腐蝕抑制劑、抗磨損添加劑、摩擦改質劑、分散劑、清潔劑、消泡劑、極壓添加劑、傾點下降劑、密封膨脹控制劑、或其組合；及 <br/> 0.5 wt%至12 wt%之如請求項12之刷型共聚物組成物。
一種潤滑劑組成物，其包含： <br/> 至少70 wt%的一或多種潤滑油基礎油料； <br/> 至多25 wt%的至少一種潤滑劑添加劑，其包含抗氧化劑、腐蝕抑制劑、抗磨損添加劑、摩擦改質劑、分散劑、清潔劑、消泡劑、極壓添加劑、傾點下降劑、密封膨脹控制劑、或其組合；及 <br/> 0.5 wt%至12 wt%之如請求項15之方法製作之刷型共聚物組成物，且該刷型共聚物組成物在具有100℃(KV100)下的動黏度為4 cSt的第III類基礎油料中於濃度為5 mg/mL下展現高臨界溶解溫度(UCST)行為。
如請求項25所述之潤滑劑組成物，其中該刷型共聚物組成物的UCST行為表現為示差掃描量熱儀(DSC)中的主要放熱轉變，其具有在迭代加熱和冷卻循環的第二或第三冷卻部分期間於1℃/min的冷卻速率下之中心在低於85.0℃的峰。
一種豆類蛋白質組合物，其具有以下特徵： <br/>以乾物質計至少60重量%之蛋白質含量， <br/>在4.5至5.5範圍內之pH值下至多20%之氮溶解指數且在3.5之pH值下至少20%之氮溶解指數， <br/>藉由差示掃描熱量測定(Differential scanning calorimetry；DSC)所量測至少4.5 (ΔH J/g)之焓。
如請求項1之豆類蛋白質組合物，其在至少7之pH值下具有至少70%之氮溶解指數。
如請求項1或2之豆類蛋白質組合物，其在pH 6.5下具有低於2000 cP之黏度。
如請求項1或2之豆類蛋白質組合物，其中該豆類蛋白質組合物具有至少600 g油/g蛋白質之乳化能力。
如請求項1或2之豆類蛋白質組合物，其中該豆類蛋白質組合物具有至多150 g之凝膠強度。
一種用於萃取如請求項1至5中任一項之豆類蛋白質組合物之方法，該方法包含以下步驟： <br/>(a)粗碾磨乾豆類，以便獲得經粗碾磨之豆類； <br/>(b)使經粗碾磨之豆類與水溶液接觸，以便形成包含經粗碾磨之豆類的水性組合物； <br/>(c)使該等經粗碾磨之豆類在該水性組合物中進行水合，由此獲得經水合的經粗碾磨之豆類； <br/>(d)自包含經水合的經粗碾磨之豆類的該水性組合物移除水溶液； <br/>(e)濕式研磨該等經水合的經粗碾磨之豆類；由此獲得經研磨之豆類； <br/>(f)對該等經研磨之豆類進行分級分離以獲得豆類蛋白質組合物， <br/>其中 <br/>步驟(a)中至多25%之經粗碾磨之豆類的直徑等於或小於500 µm； <br/>步驟(a)中10%至50%之經粗碾磨之豆類的直徑等於或大於2 mm。
如請求項6之方法，其中步驟(c)包含使該等經粗碾磨之豆類在4至7的該水溶液之pH值下進行水合。
如請求項6之方法，其中步驟(c)包含使該等經粗碾磨之豆類進行水合至少5分鐘及至多5小時。
如請求項6之方法，其中在步驟(f)中對該等經研磨之豆類進行分級分離包含對該等經研磨之豆類進行一或多個分離步驟。
如請求項6之方法，其中在步驟(c)期間，該等豆類經歷醱酵。
一種藉由如請求項6至10中任一項之方法可獲得之豆類蛋白質組合物。
一種可食用組合物，其包含如請求項1至5中任一項或請求項11之豆類蛋白質組合物。
一種如請求項1至5中任一項或請求項11之豆類蛋白質組合物在食品產品中之用途。
一種感測器驅動裝置，其包含：一固定部分，包括一第一基板，該第一基板包括一第一引線圖案部分，以及安置在該第一基板上的一第一線圈部分；一移動部分，其與該固定部分間隔開；及一導線部分，其安置於該固定部分與該移動部分之間；其中該移動部分包括一第二固持器，其內設有一磁體部分；一第三固持器，其位於該第二固持器內，並包含一第二線圈部分；一影像感測器模組，其位於該第三固持器內並與該第三固持器耦合；一第一彈性部件，其位於該第二固持器和該第三固持器上，用於彈性支撐該第二固持器和該第三固持器；以及一第二彈性部件，其設置在該第二固持器和該第三固持器下方，用於彈性支撐該第二固持器和該第三固持器；其中該第二彈性部件包括：一絕緣部分，其包括一第一絕緣部分及與該第一絕緣部分間隔開之一第二絕緣部分；以及一第二引線圖案部分，其安置於該絕緣部分上；其中該第二引線圖案部分包括：一第二之一引線圖案部分，其連接至該影像感測器並安置於該第一絕緣部分上；一第二之二引線圖案部分，其連接至該導線部分並安置於該第二絕緣部分上；及一連接圖案部分，其彈性地連接於該第二之一引線圖案部分與該第二之二引線圖案部分之間，並且設置在該第一絕緣部分和該第二絕緣部分之間的一隔開空間(separation space)內；其中該導線部分的一端連接到該固定部分的該第一引線圖案部分，該導線部分的另一端連接到該第二引線圖案部分，以彈性支撐該移動部分；以及其中該連接圖案部分的一端連接到該第二之第一引線圖案部分，該連接圖案部分的另一端連接到該第二之第二引線圖案部分，以彈性支撐安置在該第一絕緣部分上的該影像感測器模組。
如請求項1之感測器驅動裝置，其中該第一基板透過該導線部分和該第二引線圖案部分與該影像感測器模組電連接。
如請求項1之感測器驅動裝置，其中該第二固持器、該第三固持器和該影像感測器模組相對於該固定部分沿著x軸方向移動、沿y軸方向移動，並繞z軸轉動，這是由於該第一線圈部分和該磁鐵部分之間的電磁相互作用所致。
如請求項3之感測器驅動裝置，其中該第三固持器和該影像感測器模組相對於該第二固持器沿著z軸方向移動，這是由於該第二線圈部分和該磁鐵部分之間的電磁相互作用造成的。
如請求項4之感測器驅動裝置，其中當該第三固持器和該影像感測器模組沿著z軸方向移動時，該第二固持器是固定的。
如請求項5之感測器驅動裝置，其中該第一線圈部分安置於該第一基板之一下部表面上以面向該磁體部分之一上部表面，且其中該第二線圈部分安置於該第三固持器之一外表面上以面向該磁體部分之一內表面。
如請求項5之感測器驅動裝置，其中該導線部分包括複數個導線，其中該複數個導線中之至少一者電連接至該第二線圈部分。
如請求項5之感測器驅動裝置，其中該移動部分之該影像感測器模組包括：一感測器基板，其安置於該第三固持器之一開口中，該影像感測器安裝於該感測器基板上且連接至該第二之一引線圖案部分之一端子部分形成於該感測器基板上。
如請求項2之感測器驅動裝置，其中該第二引線圖案部分包括複數個彈性連接線，其中該複數個彈性連接線之至少一個第二之一引線圖案部分安置於該第一絕緣部分的一第一側區上，且其中連接至安置於該第一側區上的該第二之一引線圖案部分的一第二之二引線圖案部分安置於該第二絕緣部分的並不對應於該第一側區之一第二側區上。
如請求項9之感測器驅動裝置，其中該連接圖案部分至少彎曲兩次。
如請求項1之感測器驅動裝置，其中該第二之二引線圖案部分包括：一主體部分；一耦接部分，其耦接至該導線部分之該另一端；及一連接部分，其連接該主體部分與該耦接部分。
如請求項10之感測器驅動裝置，其中該第二之二引線圖案部分的該連接部分包括一彎曲區。
如請求項1之感測器驅動裝置，其中該第一引線圖案部分包括複數個第一引線圖案，其中該第二引線圖案部分包括複數個第二引線圖案，其中該導線部分包括複數個導線，且其中該複數個導線之一數目等於或小於該複數個第一引線圖案及該複數個第二引線圖案中之每一者的一數目。
如請求項13之感測器驅動裝置，其中該第二引線圖案部分包括沿一光軸方向與該第一絕緣部分發生重疊的重疊部分；以及從該重疊部分延伸且沿該光軸方向不與該第一絕緣部分發生重疊的非重疊部分。
如請求項5之感測器驅動裝置，其中該第二固持器包括一第四凹部，該第三固持器包括與該第四凹部對應的一第一突出部，其中，當該第三固持器向上移動至最大高度時，該第一突出部與該第一基板直接接觸，並且其中，當該第三固持器向下移動至最大高度時，該第一突出部與該第四凹部的一底面直接接觸。
一種包含一二極體之微電子裝置，其包括：<br/>一基板；<br/>該基板上之一第一傳導性類型之一半導體材料；<br/>在該半導體材料中之該二極體之一第一端子，該第一端子具有該第一傳導性類型；<br/>在該半導體材料中之該二極體之一第二端子，該第二端子具有一第二傳導性類型；<br/>在該半導體材料中之該二極體之一防護結構，該防護結構具有該第二傳導性類型，其中該防護結構與該第二端子橫向分離，且該防護結構係在該第一端子與該第二端子之間；<br/>至該第二端子之一第一傳導連接；及<br/>該二極體之該第一端子與該防護結構之間的一第二傳導連接。
如請求項1之微電子裝置，其中該第一傳導性類型係n型且該第二傳導性類型係p型，且該第一端子係一陰極且該第二端子係一陽極。
如請求項1之微電子裝置，其中該第一傳導性類型係p型且該第二傳導性類型係n型，且該第一端子係一陽極且該第二端子係一陰極。
如請求項1之微電子裝置，其中該微電子裝置包含在該基板上方在該防護結構與該第二端子之間的矽化物阻擋層。
如請求項4之微電子裝置，其中該矽化物阻擋層包含選自由二氧化矽、氮化矽及氮氧化矽組成之群組之一材料。
如請求項4之微電子裝置，其中該矽化物阻擋層包含具有一介電質側壁之多晶矽。
如請求項1之微電子裝置，其中矽化物係用作該第一端子與該防護結構之間的一傳導連接。
如請求項1之微電子裝置，其中一互連件係用作該第一端子與該防護結構之間的該第二傳導連接。
如請求項1之微電子裝置，其中在該第一端子與該防護結構之間的該第二傳導連接中存在一切換元件。
如請求項1之微電子裝置，其中接觸該基板之一深溝槽將該二極體與該微電子裝置之其他元件分離。
如請求項1之微電子裝置，其中該第二傳導性類型之一摻雜區域將該二極體與該微電子裝置之其他元件分離。
如請求項1之微電子裝置，其中該防護結構圍繞該第一端子。
如請求項1之微電子裝置，其中該第二端子圍繞該防護結構。
如請求項1之微電子裝置，其中該第二端子在該防護結構周圍係不連續的。
如請求項1之微電子裝置，其中該防護結構係不連續的，其中在該第二端子與該第一端子之間不具有直接路徑。
一種形成包含一二極體之一微電子裝置之方法，其包括：<br/>在一基板上之一半導體材料中形成該二極體之具有一第一傳導性類型之一第一端子，該半導體材料具有該第一傳導性類型；<br/>在該半導體材料中形成該二極體之具有一第二傳導性類型之一第二端子；<br/>在該半導體材料中形成具有該第二傳導性類型之一防護結構，其中該防護結構與該第二端子橫向分離，且該防護結構係在該第一端子與該第二端子之間；<br/>形成至該第二端子之一第一傳導連接；及<br/>形成該第一端子與該防護結構之間的一第二傳導連接。
如請求項16之方法，其中該第一傳導性類型係n型且該第二傳導性類型係p型，且該第一端子係一陰極且該第二端子係一陽極。
如請求項16之方法，其中該第一傳導性類型係p型且該第二傳導性類型係n型，且該第一端子係一陽極且該第二端子係一陰極。
如請求項16之方法，其中該微電子裝置包含在該基板上方在該防護結構與該第二端子之間的矽化物阻擋層。
如請求項16之方法，其中矽化物係用作該第一端子與該防護結構之間的一傳導連接。
如請求項16之方法，其中一互連件係用作該第一端子與該防護結構之間的該第二傳導連接。
如請求項19之方法，其中該矽化物阻擋層包含具有一介電質側壁之多晶矽。
如請求項16之方法，其中在該第一端子與該防護結構之間的該第二傳導連接中存在一切換元件。
如請求項16之方法，其中接觸該基板之一深溝槽將該二極體與該微電子裝置之其他元件分離。
如請求項16之方法，其中具有該第二傳導性類型之一摻雜區域將該二極體與該微電子裝置之其他元件分離。
一種用於對包括點雲資料的位元流進行解碼的設備，所述設備包括： <br/>用於儲存所述點雲資料的記憶體；以及 <br/>耦合到所述記憶體並且在電路中實現的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>確定定義包含點雲的空間的基於八叉樹的拆分的八叉樹，其中，所述八叉樹的葉節點包含所述點雲的一個或多個點； <br/>在包括所述點雲的位元流中接收指定所述葉節點的體積的八叉樹葉體積，其中在所述葉節點內使用預測對在所述葉節點中的一個或多個點中的每個點的位置進行編碼係針對所述體積；以及 <br/>對在所述葉節點中的所述一個或多個點中的每個點的位置進行解碼，其中，為了對在所述葉節點中的所述一個或多個點中的每個點的所述位置進行解碼，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>生成所述一個或多個點的預測；以及 <br/>基於所述預測來確定所述一個或多個點。
根據請求項1所述的設備，其中，為了直接對在所述葉節點中的所述一個或多個點中的每個點的所述位置進行解碼，所述一個或多個處理器還被配置為： <br/>接收標誌，其中，所述標誌的第一值指示所述一個或多個點的所述預測是通過幀內預測而生成的，並且所述標誌的第二值指示所述一個或多個點的所述預測是通過幀間預測而生成的；以及 <br/>基於所述標誌的值，使用幀內預測或幀間預測來對所述一個或多個點進行解碼。
根據請求項1所述的設備，其中： <br/>為了生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為使用幀內預測來生成所述一個或多個點的所述預測，並且 <br/>為了使用幀內預測來生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為確定用於所述一個或多個點的局部預測樹。
根據請求項1所述的設備，其中，為了基於所述預測來確定所述一個或多個點，所述一個或多個處理器還被配置為：在包括所述點雲的所述位元流中接收用於所述一個或多個點中的每個點的預測模式、主殘差和次殘差中的至少一項。
根據請求項1所述的設備，其中： <br/>為了生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為使用幀間預測來生成所述一個或多個點的所述預測，並且 <br/>為了使用幀間預測來生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為利用所述一個或多個點來執行運動估計，以確定在參考點雲幀中的類似點集合。
根據請求項1所述的設備，其中： <br/>為了生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為使用幀間預測來生成所述一個或多個點的所述預測，並且 <br/>為了使用幀間預測來生成所述一個或多個點的所述預測，所述一個或多個處理器還被配置為基於在參考點雲幀中的點集合來執行運動補償以預測所述一個或多個點， <br/>其中，為了執行運動補償，所述一個或多個處理器可選地還被配置為：將運動向量應用於在所述參考點雲幀中的所述點集合，以確定所述一個或多個點的預測，並且 <br/>其中，所述一個或多個處理器可選地還被配置為：基於時空相鄰八叉樹葉間的運動向量來預測所述運動向量。
根據請求項1所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為：從所述點雲資料重建所述點雲。
根據請求項7所述的設備，其中，所述一個或多個處理器被配置為：作為重建所述點雲的一部分，基於在所述葉節點中的一個或多個點中的每個點的經直接解碼的位置來確定所述點雲的一個或多個點的位置。
根據請求項8所述的設備，其中，所述一個或多個處理器還被配置為：基於所述點雲來生成建築物的內部的地圖； <br/>基於所述點雲來執行自主導航操作； <br/>基於所述點雲來生成電腦圖形；或 <br/>基於所述點雲來確定虛擬對象的位置以及生成延展實境（XR）可視化，在其中，所述虛擬對象位於所述虛擬對象的所確定的位置處。
根據請求項8所述的設備，還包括：顯示器，其用於基於所述點雲來呈現影像。
根據請求項1所述的設備，其中，所述設備是行動電話或平板電腦。
根據請求項1所述的設備，其中，所述設備是車輛。
根據請求項1所述的設備，其中，所述設備是延展實境設備。
一種對點雲資料進行解碼的方法，所述方法包括： <br/>確定定義包含所述點雲的空間的基於八叉樹的拆分的八叉樹，其中，所述八叉樹的葉節點包含所述點雲的一個或多個點； <br/>在包括所述點雲的位元流中接收指定所述葉節點的體積的八叉樹葉體積，其中在所述葉節點內使用預測對在所述葉節點中的一個或多個點中的每個點的位置進行編碼係針對所述體積； <br/>對在所述葉節點中的所述一個或多個點中的每個點的位置進行解碼，其中，對在所述葉節點中的所述一個或多個點中的每個點的所述位置進行解碼包括： <br/>生成所述一個或多個點的預測；以及 <br/>基於所述預測來確定所述一個或多個點。
一種儲存指令的電腦可讀儲存媒體，所述指令在由一個或多個處理器執行時使得所述一個或多個處理器進行根據請求項14的方法。
一種基板處理裝置，係包含：<br/> 工作台，其係用於支撐基板；<br/> 墊固持器，其係用於保持用於研磨被前述工作台所支撐之基板的研磨墊；<br/> 噴嘴，其係用於供給研磨液至前述墊固持器之周圍；及<br/> 墊旋轉機構，其係用於使前述墊固持器旋轉；<br/> 前述墊固持器具有：排出孔，其係形成於保持前述研磨墊之保持面的中央部；及排出路，其係從前述排出孔連通至前述墊固持器之外部；<br/> 其中，前述排出路係以連通前述排出孔與前述墊固持器之側面的方式而形成於前述墊固持器，且<br/> 前述排出路係以從前述排出孔放射狀地延伸通過前述墊固持器之內部，並在前述墊固持器之側面的複數處開口之方式而形成於前述墊固持器。
如請求項1之基板處理裝置，其中前述排出孔係圓孔，<br/> 前述排出路係以平面觀看前述墊固持器時，從前述排出孔在前述排出孔之切線方向延伸，並在前述墊固持器之側面的複數處開口之方式而形成於前述墊固持器。
如請求項1之基板處理裝置，其中前述墊固持器係以保持在與被前述工作台支撐之基板接觸的研磨面中形成有與前述排出孔連通之貫穿孔的研磨墊，且係將連通前述貫穿孔與前述研磨墊之側面的溝形成於前述研磨面之研磨墊的方式而構成。
如請求項3之基板處理裝置，其中前述溝包含連通前述貫穿孔與前述研磨墊之側面的螺旋狀之溝。
如請求項1之基板處理裝置，其中進一步包含：<br/> 擺動機構，其係用於使前述墊固持器在前述基板之徑方向擺動；及<br/> 支撐構件，其係用於支撐藉由前述擺動機構而向前述工作台之外側擺動的研磨墊。
如請求項5之基板處理裝置，其中前述噴嘴包含：第一噴嘴，其係配置於前述墊固持器之擺動路徑；及第二噴嘴，其係夾著前述墊固持器而配置於與前述第一噴嘴相反側之前述墊固持器的擺動路徑。
如請求項5之基板處理裝置，其中前述支撐構件包含：第一支撐構件，其係配置於前述工作台外側之前述墊固持器的擺動路徑；及第二支撐構件，其係夾著前述工作台而配置於與前述第一支撐構件相反側之前述墊固持器的擺動路徑。
如請求項1之基板處理裝置，其中包含研磨液回收構件，其係用於回收從前述排出路所排出之研磨液，<br/> 前述研磨液回收構件包含環狀構件，其係以包圍前述墊固持器之方式而配置。
一種基板處理方法，係包含：<br/> 設置步驟，其係在工作台上設置基板；<br/> 供給步驟，其係從配置於墊固持器周圍之噴嘴供給研磨液，前述墊固持器係用於保持研磨墊，且具有：排出孔，其係形成於用於保持前述研磨墊之保持面的中央部；及排出路，其係從前述排出孔連通至前述墊固持器的外部；<br/> 旋轉步驟，其係使前述墊固持器旋轉；及<br/> 按壓步驟，其係將保持於前述墊固持器之研磨墊按壓於前述基板，<br/> 其中，前述排出路係以連通前述排出孔與前述墊固持器之側面的方式而形成於前述墊固持器，且<br/> 前述排出路係以從前述排出孔放射狀地延伸通過前述墊固持器之內部，並在前述墊固持器之側面的複數處開口之方式而形成於前述墊固持器。
如請求項9之基板處理方法，其中進一步包含安裝步驟，其係將研磨墊安裝於前述墊固持器，該研磨墊係在與設置於前述工作台之基板接觸的研磨面中形成有與前述排出孔連通之貫穿孔，且將連通前述貫穿孔與前述研磨墊之側面的溝形成於前述研磨面。
如請求項10之基板處理方法，其中前述溝包含連通前述貫穿孔與前述研磨墊之側面的螺旋狀之溝。
如請求項9之基板處理方法，其中進一步包含擺動步驟，其係使前述研磨墊在前述基板之徑方向擺動，<br/> 前述供給步驟包含在前述墊固持器之擺動路徑上供給研磨液的步驟。
如請求項12之基板處理方法，其中前述供給步驟係以藉由前述擺動步驟而向前述工作台之外側擺動的研磨墊，被配置於前述工作台之周圍的支撐構件支撐時，供給研磨液之方式而構成。
如請求項9之基板處理方法，其中包含回收步驟，其係藉由包含以包圍前述墊固持器之方式而配置的環狀構件之研磨液回收構件，回收從前述排出路所排出之研磨液。
一種光學計量工具，其包括： <br/>一或多個照射源，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生一短波紅外線(SWIR)光譜範圍中之照射，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生該SWIR光譜範圍外之照射； <br/>一或多個照射光學器件，其經組態以將照射自該一或多個照射源引導至一樣本； <br/>一第一成像通道，其包含經組態以基於具有一第一波長範圍之照射而將該樣本成像之一第一偵測器，其中該第一波長範圍包含該SWIR光譜範圍中來自該一或多個照射源之至少某些波長； <br/>一第二成像通道，其包含經組態以基於具有不同於該第一波長範圍的一第二波長範圍之照射而將該樣本成像之一第二偵測器，其中該第二波長範圍包含該SWIR光譜範圍外來自該一或多個照射源之至少某些波長，其中該第一波長範圍及該第二波長範圍係非重疊的並藉由一截止波長分離，其中該第一波長範圍包含該截止波長以上之波長，其中該第二波長範圍包含該截止波長以下之波長，其中該截止波長對應於使得該第一偵測器之一量子效率與該第二偵測器之一量子效率相等之一波長；以及 <br/>一控制器，其通信地耦合至該第一偵測器及該第二偵測器，該控制器包含一或多個處理器，其經組態以執行程式指令從而致使該一或多個處理器進行以下操作： <br/>自該第一偵測器接收該樣本之一或多個第一影像；<br/>自該第二偵測器接收該樣本之一或多個第二影像；及 <br/>基於該一或多個第一影像及該一或多個第二影像而產生該樣本之一或多個光學計量量測。
如請求項1之光學計量工具，其中該第二波長範圍包含可見光波長或紫外線波長中之至少一者。
如請求項1之光學計量工具，其中該光學計量量測包括： <br/>一疊對計量量測或一光學臨界尺寸計量量測中之至少一者。
如請求項1之光學計量工具，其中該一或多個光學計量量測包括： <br/>基於該一或多個第一影像之一或多個第一光學計量量測；及 <br/>基於該一或多個第二影像之一或多個第二光學計量量測。
如請求項1之光學計量工具，其中該截止波長係在700 nm至1100 nm之範圍中。
如請求項1之光學計量工具，其中該一或多個照射源包括： <br/>一第一照射源，其經組態以產生該第一波長範圍中之照射；及 <br/>一第二照射源，其經組態以產生該第二波長範圍中之照射。
如請求項1之光學計量工具，其中該一或多個照射源包括： <br/>一單個照射源，其經組態以產生該第一波長範圍及該第二波長範圍中之照射。
如請求項1之光學計量工具，其中該一或多個照射源包括： <br/>一電漿源、一窄頻帶雷射源或一超連續光譜雷射源中之至少一者。
如請求項1之光學計量工具，其進一步包括： <br/>一或多個分束器，其將該第一波長範圍中之光自該樣本引導至該第一成像通道並將該第二波長範圍中之光自該樣本引導至該第二成像通道。
如請求項1之光學計量工具，其中該一或多個光學計量量測中之至少一者包括基於該一或多個第一影像中之至少一者及該一或多個第二影像中之至少一者的一合成光學計量量測，其中在產生該合成光學計量量測之前將該一或多個第一影像中之該至少一者與該一或多個第二影像中之該至少一者組合成一合成影像。
如請求項1之光學計量工具，其中來自該第一偵測器之該一或多個第一影像包含來自該樣本之一第一層之一光角度分佈之光瞳平面影像，其中來自該第二偵測器之該一或多個第二影像包含來自該樣本之一第二層之一光角度分佈之光瞳平面影像。
如請求項11之光學計量工具，其中該一或多個第一影像或者該一或多個第二影像中之至少一者包含一計量目標之影像，其中該計量目標包括： <br/>一散射測量目標。
如請求項1之光學計量工具，其中該第一偵測器包括： <br/>一銦鎵砷(InGaAs)偵測器或一碲鎘汞(HgCdTe)偵測器中之至少一者。
如請求項13之光學計量工具，其中該第二偵測器包括： <br/>一矽偵測器或一砷化鎵(GaAs)偵測器中之至少一者。
如請求項13之光學計量工具，其中該第二偵測器包括： <br/>一InGaAs偵測器或一HgCdTe偵測器中之至少一者。
如請求項1之光學計量工具，其中來自該第一偵測器之該一或多個第一影像包含該樣本之一第一層上的特徵之場平面影像，其中來自該第二偵測器之該一或多個第二影像包含該樣本之一第二層上的特徵之場平面影像。
如請求項16之光學計量工具，其中該樣本之該第一層與該樣本之該第二層相同。
如請求項16之光學計量工具，其中該一或多個第一影像或者該一或多個第二影像中之至少一者包含一計量目標之影像。
如請求項18之光學計量工具，其中該計量目標包括： <br/>一成像光學目標。
如請求項19之光學計量工具，其中該成像光學目標包括： <br/>一進階成像計量(AIM)疊對目標。
如請求項16之光學計量工具，其中該樣本之該第一層係在該樣本之該第二層下方。
如請求項21之光學計量工具，其中該第二層吸收該第二波長範圍中之至少某些波長並透射該第一波長範圍中之至少某些波長。
如請求項21之光學計量工具，其中該樣本之該第一層包括： <br/>一製程層，其由與該第一層上之裝置特徵共同之一或多種材料形成。
如請求項23之光學計量工具，其中該樣本之該第二層包括： <br/>一抗蝕劑層。
如請求項23之光學計量工具，其中該樣本之該第二層包括： <br/>一額外製程層，其由與該第二層上之裝置特徵共同之一或多種材料形成。
一種光學計量工具，其包括： <br/>一或多個照射源，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生一短波紅外線(SWIR)光譜範圍中之照射，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生該SWIR光譜範圍外之照射； <br/>一或多個照射光學器件，其經組態以將照射自該一或多個照射源引導至一樣本； <br/>一第一成像通道，該第一成像通道包含經組態以基於具有一第一波長範圍之照射而將該樣本成像之一第一偵測器，其中該第一波長範圍包含該SWIR光譜範圍中來自該一或多個照射源之至少某些波長，該第一成像通道進一步包含經組態以基於具有不同於該第一波長範圍的一第二波長範圍之照射而將該樣本成像之一第二偵測器，其中該第二波長範圍包含該SWIR光譜範圍外來自該一或多個照射源之至少某些波長，其中該第一偵測器及該第二偵測器安裝在一相機變換器上以將該第一偵測器或該第二偵測器選擇性地定位在一集光路徑中以便將該樣本成像，其中該第一波長範圍及該第二波長範圍係非重疊的並藉由一截止波長分離，其中該第一波長範圍包含該截止波長以上之波長，其中該第二波長範圍包含該截止波長以下之波長，其中該截止波長對應於使得該第一偵測器之一量子效率與該第二偵測器之一量子效率相等之一波長； <br/>一第二成像通道，其包含經組態以基於具有不同於該第一波長範圍的一第三波長範圍之照射而將該樣本成像之一第三偵測器，其中該第三波長範圍包含該SWIR光譜範圍外來自該一或多個照射源之至少某些波長；以及 <br/>一控制器，其通信地耦合至該第一偵測器及該第二偵測器，該控制器包含一或多個處理器，其經組態以執行程式指令從而致使該一或多個處理器進行以下操作： <br/>自該第一偵測器接收該樣本之一或多個第一影像；<br/>自該第二偵測器接收該樣本之一或多個第二影像；<br/>自該第三偵測器接收該樣本之一或多個第三影像；及<br/>基於該一或多個第一影像、該一或多個第二影像及該一或多個第三影像而產生該樣本之一或多個光學計量量測。
如請求項26之光學計量工具，其中該第二波長範圍或該第三波長範圍中之至少一者包含可見光波長或紫外線波長中之至少一者。
如請求項26之光學計量工具，其中該一或多個光學計量量測包括： <br/>一疊對計量量測或一光學臨界尺寸計量量測中之至少一者。
如請求項26之光學計量工具，其中來自該第一偵測器之該一或多個第一影像包含該樣本之一第一層上的特徵之影像，其中來自該第二偵測器之該一或多個第二影像或者來自該第三偵測器之該一或多個第三影像中之至少一者包含該樣本之一第二層上的特徵之影像。
如請求項26之光學計量工具，其中該第一偵測器包括： <br/>一InGaAs偵測器或一碲鎘汞偵測器中之至少一者。
如請求項30之光學計量工具，其中該第二偵測器包括： <br/>一矽偵測器或一GaAs偵測器中之至少一者。
如請求項26之光學計量工具，其中該截止波長係在700 nm至1100 nm之一範圍中。
一種光學計量工具，其包括： <br/>一或多個照射源，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生一短波紅外線(SWIR)光譜範圍中之照射，其中該一或多個照射源中之至少一者經組態以產生該SWIR光譜範圍外之照射； <br/>一或多個照射光學器件，其經組態以將來自該一或多個照射源之照射引導至一樣本； <br/>一第一偵測器，其對在一第一波長範圍內之照射敏感，該第一波長範圍包含該SWIR光譜範圍中由該一或多個照射源產生之至少某些波長，及 <br/>一第二偵測器，其對在一第二波長範圍內之照射敏感，該第二波長範圍包含該SWIR光譜範圍外由該一或多個照射源產生之至少某些波長，其中該第一波長範圍及該第二波長範圍係非重疊的並藉由一截止波長分離，其中該第一波長範圍包含該截止波長以上之波長，其中該第二波長範圍包含該截止波長以下之波長，其中該截止波長對應於使得該第一偵測器之一量子效率與該第二偵測器之一量子效率相等之一波長； <br/>一控制器，其通信地耦合至該第一偵測器及該第二偵測器，該控制器包含一或多個處理器，其經組態以執行程式指令從而致使該一或多個處理器進行以下操作： <br/>基於具有該SWIR光譜範圍中由該一或多個照射源產生之該至少某些波長之照射而自該第一偵測器接收該樣本之一或多個第一影像； <br/>基於具有該SWIR光譜範圍外由該一或多個照射源產生之該至少某些波長之照射而自該第二偵測器接收該樣本之一或多個第二影像；及 <br/>基於該一或多個第一影像及該一或多個第二影像而產生該樣本之一或多個光學計量量測。
如請求項33之光學計量工具，其中該第一偵測器對大於700 nm之波長敏感。
如請求項33之光學計量工具，其中該一或多個光學計量量測中之至少一者包括基於該一或多個第一影像中之至少一者及該一或多個第二影像中之至少一者的一合成光學計量量測，其中在產生該合成光學計量量測之前將該一或多個第一影像中之該至少一者與該一或多個第二影像中之該至少一者組合成一合成影像。
如請求項33之光學計量工具，其中來自該第一偵測器之該一或多個第一影像包含該樣本之一第一層上的特徵之場平面影像，其中來自該第二偵測器之該一或多個第二影像包含該樣本之一第二層上的特徵之場平面影像，其中該樣本之該第一層係在該樣本之該第二層下方，其中該第二層吸收該SWIR光譜範圍外之該等波長中之至少某些波長。
如請求項36之光學計量工具，其中該樣本之該第一層包括： <br/>一製程層，其由與該第一層上之裝置特徵共同之一或多種材料形成，其中該樣本之該第二層包括： <br/>一抗蝕劑層。
一種量測系統，包括： <br/>一工作臺，該工作臺具有一基板支撐表面，該工作臺耦接至一工作臺致動器，該工作臺致動器被配置為在一掃描路徑中移動該工作臺並使該工作臺繞一軸線旋轉；以及 <br/>一光學臂，該光學臂耦接至一臂致動器，該臂致動器被配置為掃描該光學臂並使該光學臂繞該軸線旋轉，該光學臂具有： <br/>一光源，該光源發射一光路，該光路可操作以投射到設置在該基板支撐表面上的一基板； <br/>一第一分束器和一第二分束器，該第一分束器和該第二分束器定位在該光路中； <br/>一第一達夫稜鏡； <br/>一第一透鏡和一第二透鏡，其中該第一分束器被配置為引導該光路穿過該第一透鏡，並且該第二分束器被配置為引導該光路穿過該第一達夫稜鏡和該第二透鏡； <br/>第一偵測器，該第一偵測器可操作來偵測來自該第一透鏡的該光路； <br/>第二偵測器，該第二偵測器可操作來偵測來自該第二透鏡的該光路；和 <br/>一控制器，該控制器被配置為與該第一偵測器及該第二偵測器通訊，使得在操作中，當該控制器與該第一偵測器及該第二偵測器通訊時，該控制器組合由第一偵測器偵測到的一第一圖像與由該第二偵測器偵測到的一第二圖像以形成一對稱射束輪廓。
如請求項1所述之系統，進一步包括： <br/>額外第二分束器，該等額外第二分束器引導該光路穿過額外第一達夫稜鏡和額外第二透鏡；和 <br/>額外第二偵測器，每個第二偵測器可操作來偵測從該等額外第二透鏡中的每個額外第二透鏡投射的該光路，該等額外第二偵測器各自被配置為偵測從該等額外第二透鏡中的每個額外第二透鏡投射的一第二圖像。
如請求項2所述之系統，進一步包括一第二達夫稜鏡，該第二達夫稜鏡定位在該第一透鏡與該第一偵測器之間的該光路中。
如請求項3所述之系統，其中該第二達夫稜鏡被配置為旋轉投射到該第一偵測器的一第一圖像，其中該第一圖像被旋轉到與該等第二圖像中的每個第二圖像不同的一角度。
如請求項1所述之系統，其中該第一偵測器被配置為偵測從該第一透鏡投射的一第一圖像。
如請求項5所述之系統，其中該第二偵測器被配置為偵測從該第二透鏡投射的一第二圖像。
如請求項6所述之系統，其中該第一達夫稜鏡被配置為旋轉投射到該第二偵測器的該第二圖像，其中該第二圖像被旋轉到不同於該第一圖像的一角度。
如請求項7所述之系統，其中該第二圖像相對於該第一圖像旋轉180°。
如請求項1所述之系統，進一步包括一偵測器臂，該偵測器臂耦接至一偵測器臂致動器，該偵測器臂致動器被配置為掃描該偵測器臂並使該偵測器臂繞該軸線旋轉，該偵測器臂具有： <br/>一第三分束器和一第四分束器，該第三分束器和該第四分束器定位在該光路中，該第三分束器引導該光路穿過一第三透鏡，該第四分束器引導該光路穿過一第二達夫稜鏡和一第四透鏡； <br/>一第三偵測器，該第三偵測器可操作來偵測來自該第三透鏡的該光路；和 <br/>一第四偵測器，該第四偵測器可操作來偵測來自該第四透鏡的該光路。
如請求項1所述之系統，其中該第一偵測器和該第二偵測器是一橫向感測器、一象限偵測器或一圖像感測器陣列中的一者。
一種量測系統，包括： <br/>一工作臺，該工作臺具有一基板支撐表面，該工作臺耦接至一工作臺致動器，該工作臺致動器被配置為在一掃描路徑中移動該工作臺並使該工作臺繞一軸線旋轉； <br/>一光學臂，該光學臂耦接至一臂致動器，該臂致動器被配置為掃描該光學臂並使該光學臂繞該軸線旋轉，該光學臂具有： <br/>一光源，該光源發射一光路，該光路可操作以投射到設置在該基板支撐表面上的一基板； <br/>一第一分束器及一第二分束器，該第一分束器及該第二分束器定位在該光路中； <br/>一第一達夫稜鏡； <br/>一第一透鏡及一第二透鏡，其中該第一分束器被配置為引導該光路穿過該第一透鏡，且該第二分束器被配置為引導該光路穿過該第一達夫稜鏡及該第二透鏡；和 <br/>一第一偵測器，該第一偵測器可操作來偵測來自該第一透鏡的該光路，該第一偵測器被配置為偵測來自該第一透鏡的一第一圖像； <br/>一第二偵測器，該第二偵測器可操作來偵測來自該第二透鏡的該光路，該第二偵測器被配置為從該第二透鏡偵測一第二圖像；和 <br/>一控制器，該控制器被配置為與該第一偵測器及該第二偵測器通訊，使得在操作中，當該控制器與該第一偵測器及該第二偵測器通訊時，該控制器組合由第一偵測器偵測到的一第一圖像與由該第二偵測器偵測到的一第二圖像以形成一對稱射束輪廓，其中該控制器被配置為執行一圖像處理軟體以確定該對稱射束輪廓的一中心。
一種量測系統，包括： <br/>一工作臺，該工作臺具有一基板支撐表面，該工作臺耦接至一工作臺致動器，該工作臺致動器被配置為在一掃描路徑中移動該工作臺並使該工作臺繞一軸線旋轉； <br/>一光學臂，該光學臂耦接至一臂致動器，該臂致動器被配置為掃描該光學臂並使該光學臂繞該軸線旋轉，該光學臂具有： <br/>一光源，該光源發射一光路，該光路可操作以投射到設置在該基板支撐表面上的一基板； <br/>一達夫稜鏡，該達夫稜鏡定位在該光源與該基板支撐表面之間的該光路中，該達夫稜鏡被配置為旋轉以將一第一圖像及一第二圖像投射至一第一偵測器； <br/>一第一分束器，該第一分束器定位在該光路中； <br/>一第一透鏡，其中該第一分束器被配置為引導該光路穿過該第一透鏡；和 <br/>該第一偵測器，該第一偵測器可操作以偵測來自該第一透鏡的該光路；和 <br/>一控制器，該控制器被配置為與具有該達夫稜鏡的光學臂及該第一偵測器通訊，使得在操作中，該控制器組合該第一圖像和該第二圖像以形成一對稱射束輪廓。
如請求項12所述之系統，其中該達夫稜鏡耦接至一致動器，該致動器被配置為旋轉該達夫稜鏡。
如請求項13所述之系統，其中該第一偵測器被配置為偵測從該第一透鏡投射的一第一圖像和複數個第二圖像。
如請求項14所述之系統，其中該達夫稜鏡被配置為旋轉，使得投射到該第一偵測器的該複數個第二圖像被各自旋轉到不同於該第一圖像的一角度。
如請求項12所述之系統，其中該第一偵測器是一橫向感測器、一象限偵測器或一圖像感測器陣列中的一者。
一種用於量測的方法，包括以下步驟： <br/>確定一光源的一固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>和一基板的光學元件結構的一第一區域的一初始取向角ϕ<i><sub>初始</sub></i>； <br/>旋轉該基板以將該初始取向角ϕ<i><sub>初始</sub></i>定位成垂直於要以該固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>投射到該基板的該第一區域的一光路； <br/>以該固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>將具有一波長（λ<i><sub>雷射</sub></i>）的該光路投射到該基板的該第一區域，該光路從該光學元件結構繞射到一分束器，該分束器將該光路的一第一部分引導到一第一偵測器並將該光路的一第二部分引導到一第二偵測器； <br/>用該第一偵測器偵測來自該光路的該第一部分的一第一圖像；以及 <br/>用該第二偵測器偵測來自該光路的該第二部分的一第二圖像，其中該第二圖像被旋轉到不同於該第一圖像的一角度，其中一對稱射束輪廓由組合該第一圖像與該第二圖像而獲得。
一種用於量測的方法，包括以下步驟： <br/>確定一光源的一固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>和一基板的光學元件結構的一第一區域的一初始取向角ϕ<i><sub>初始</sub></i>； <br/>旋轉該基板，以將該初始取向角ϕ<i><sub>初始</sub></i>定位成垂直於要以該固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>投射到該基板的該第一區域的一光路； <br/>以該固定射束角<i>ϑ<sub>0</sub></i>將具有一波長（λ<i><sub>雷射</sub></i>）的該光路投射到該基板的該第一區域，該光路從該光學元件結構繞射到一分束器，該分束器將該光路的一第一部分引導到一第一偵測器並將該光路的一第二部分引導到一第二偵測器； <br/>用該第一偵測器偵測來自該光路的該第一部分的一第一圖像；以及 <br/>用該第二偵測器偵測來自該光路的該第二部分的一第二圖像，其中該第二圖像被旋轉到不同於該第一圖像的一角度；和 <br/>量測由該基板反射的該光路的一反射射束角<i>ϑ</i><i><sub>反射</sub></i>，該反射射束角<i>ϑ</i><i><sub>反射</sub></i>係從一對稱射束輪廓的一中心導出，該對稱射束輪廓係藉由組合由該基板反射的該光路的一第一圖像和一第二圖像而獲得，該第二圖像被以不同於該第一圖像的一旋轉角度旋轉。
如請求項18所述之方法，進一步包括以下步驟：藉由一節距等式<i>P</i>=λ<sub>雷射</sub>/(sin<i>ϑ<sub>0</sub></i>+sin<i>ϑ</i><i><sub>反射</sub></i>)來確定該光學元件結構的一節距<i>P</i>。
如請求項19所述之方法，進一步包括以下步驟：偵測投射到該第二偵測器的額外第二圖像。
一種第一無線傳輸/接收單元(WTRU)，該第一WTRU包括：<br/> 一處理器，被配置以：<br/> 從一第二WTRU接收一第一訊息，其中該第一訊息表明針對與一資料網路相關聯的一協定資料單元(PDU)對話的一請求；<br/> 基於針對該PDU對話的該請求，確定該第二WTRU經受一網路認證及一次級認證；<br/> 如果與該第二WTRU相關聯的該網路認證成功，則向該第二WTRU發送一第二訊息，其中該第二訊息表明與該第二WTRU相關聯的該次級認證是未決的；<br/> 從一網路節點接收一第三訊息，其中該第三訊息包括該次級認證成功的一指示；<br/> 基於該次級認證成功的該指示，確定該第二WTRU已被准予存取該PDU對話；以及<br/> 如果該第二WTRU已被准予存取該PDU對話，向該第二WTRU發送一第四訊息，其中該第四訊息與該PDU對話相關聯。
如請求項1所述的WTRU，其中該第一訊息還表明該第一WTRU的一識別碼或與一認證服務相關聯的一能力中的至少一者。
如請求項1所述的WTRU，其中該第二訊息表明一認證服務或與該認證服務相關聯的一識別碼中的至少一者。
如請求項1所述的WTRU，其中該第三訊息還表明一使用者識別、與一認證協定相關聯的一資料或針對該PDU對話的一認證資訊中的至少一者。
如請求項1所述的WTRU，其中該第四訊息還表明一服務識別。
如請求項1所述的WTRU，其中該處理器更被配置以向該第二WTRU發送第五訊息，該第五訊息指示針對該第二WTRU執行與該網路認證相關聯的程序的請求。
如請求項1所述的WTRU，其中該處理器還被配置以向該第二WTRU發送一第六訊息，其中該第六訊息表明針對該第二WTRU執行與該次級認證相關聯的一程序的一請求。
如請求項6所述的WTRU，其中該處理器更被配置以向該網路節點發送一認證資料，其中該認證資料是回應於該第六訊息而從該第二WTRU被接收。
一種由一第一無線傳輸/接收單元(WTRU)執行用於認證一第二WTRU的方法，該方法包括：<br/> 從該第二WTRU接收一第一訊息，其中該第一訊息表明針對與一資料網路相關聯的一協定資料單元(PDU)對話的一請求；<br/> 基於針對該PDU對話的該請求，確定該第二WTRU經受一網路認證及一次級認證；<br/> 如果與該第二WTRU相關聯的該網路認證成功，則向該第二WTRU發送一第二訊息，其中該第二訊息表明與該第二WTRU相關聯的該次級認證是未決的；<br/> 從一網路節點接收一第三訊息，其中該第三訊息包括該次級認證成功的一指示；<br/> 基於該次級認證成功的該指示，確定該第二WTRU已被准予存取該PDU對話；以及 <br/> 如果該第二WTRU已被准予存取該PDU對話，向該第二WTRU發送一第四訊息，其中該第四訊息與該PDU對話相關聯。
如請求項9所述的方法，其中該第一訊息還表明該第一WTRU的一識別碼或與一認證服務相關聯的一能力中的至少一者。
如請求項9所述的方法，其中該第二訊息表明一認證服務或與該認證服務相關聯的一識別碼中的至少一者。
如請求項9所述的方法，其中該第三訊息還表明一使用者識別、與一認證協定相關聯的一資料或針對該PDU對話的一認證資訊中的至少一者。
如請求項9所述的方法，其中該第四訊息還表明一服務識別。
如請求項9所述的方法，其中該方法更包括向該第二WTRU發送一第五訊息，其中該第五訊息表明針對該第二WTRU執行與該網路認證相關聯的一程序的一請求。
如請求項9所述的方法，其中該方法更包括向該第二WTRU發送一第六訊息，其中該第六訊息表明針對該第二WTRU執行與該次級認證相關聯的一程序的一請求。
如請求項9所述的方法，其中該方法更包括向該網路節點發送一認證資料，其中該認證資料是回應於該第六訊息而從該第二WTRU被接收。
一種用於對分布式設備進行定位的方法，所述方法由發起方用戶設備（UE）執行並且包括： <br/>向多個響應方用戶設備（UE）廣播識別第一廣播順序的第一定位參考信號（PRS）訊息，其中所述第一廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第一定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序； <br/>從所述多個響應方UE接收所述第一定位會話的多個PRS後訊息； <br/>基於從所述多個響應方UE的第一響應方UE接收的所述PRS後訊息來確定所述第一響應方UE在所述第一定位會話中的PRS傳輸的一個或多個特性； <br/>基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的干擾； <br/>響應於識別所述干擾來定義所述多個響應方UE在第二定位會話中的第二廣播順序，所述第一響應方UE在所述第二廣播順序中的位置不同於所述第一響應方UE在所述第一廣播順序中的位置，其中所述第二廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第二定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序；以及 <br/>向所述響應方UE廣播第二PRS訊息，其中，所述第二PRS訊息識別所述響應方UE在所述第二定位會話中的所述第二廣播順序。
根據請求項1所述的方法，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括至少部分地通過由所述第一響應方UE在指定時間幀上廣播的PRS數量來定義的PRS廣播速率。
根據請求項2所述的方法，其中，基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：確定所述PRS廣播速率越過閾值。
根據請求項1所述的方法，其中，基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：確定由所述第一響應方UE進行的PRS傳輸的阻塞數量越過閾值。
根據請求項1所述的方法，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性是通過從所述第一響應方UE接收的PRS後訊息指示的，並且所述一個或多個特性包括：先聽後說（LBT）錯誤、空閒通道評估（CCA）錯誤、或不傳輸PRS訊息、或其組合。
根據請求項1所述的方法，其中，所述第一PRS訊息和所述第二PRS訊息是PRS前訊息。
根據請求項1所述的方法，其中，定義所述響應方UE的所述第二廣播順序包括：將所述第一響應方UE移動到所述第二廣播順序中比所述第一廣播順序中更早的位置；將所述第一響應方UE的位置與在所述第一廣播順序中在所述第一響應方UE之前的第二響應方UE的位置交換；從所述第二廣播順序中移除所述第一響應方UE；在所述第二廣播順序中將所述第一響應方UE靜音；從所述第二廣播順序中移除所述第二響應方UE；或者在所述第二廣播順序中將所述第二響應方UE靜音；或其組合。
一種用於無線通信的發起方UE，所述發起方UE包括： <br/>一個或多個收發機； <br/>記憶體；以及 <br/>與所述記憶體和所述一個或多個收發機通信地耦合的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>向多個響應方UE廣播識別第一廣播順序的第一PRS訊息，其中所述第一廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第一定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序， <br/>從所述多個響應方UE接收所述第一定位會話的多個PRS後訊息； <br/>基於從所述多個響應方UE的第一響應方UE接收的所述PRS後訊息來確定所述第一響應方UE在所述第一定位會話中的PRS傳輸的一個或多個特性， <br/>基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的干擾， <br/>響應於識別所述干擾來定義所述多個響應方UE在第二定位會話中的第二廣播順序，所述第一響應方UE在所述第二廣播順序中的位置不同於所述第一響應方UE在所述第一廣播順序中的位置，其中所述第二廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第二定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序；以及 <br/>向所述響應方UE廣播第二PRS訊息，其中，所述第二PRS訊息識別所述響應方UE在所述第二定位會話中的所述第二廣播順序。
根據請求項8所述的發起方UE，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括至少部分地通過由所述第一響應方UE在指定時間幀上廣播的PRS數量來定義的PRS廣播速率。
根據請求項9所述的發起方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：所述一個或多個處理器被配置為確定所述PRS廣播速率越過閾值。
根據請求項8所述的發起方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：所述一個或多個處理器被配置為確定對由所述第一響應方UE進行的PRS傳輸的阻塞數量越過閾值。
根據請求項8所述的發起方UE，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性是通過從所述第一響應方UE接收的PRS後訊息指示的，並且所述一個或多個特性包括：LBT錯誤、CCA錯誤、或不傳輸PRS訊息、或其組合。
根據請求項8所述的發起方UE，其中，所述第一PRS訊息和所述第二PRS訊息是PRS前訊息。
根據請求項8所述的發起方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為定義所述響應方UE的所述第二廣播順序包括所述一個或多個處理器被配置為：將所述第一響應方UE移動到所述第二廣播順序中比所述第一廣播順序中更早的位置；將所述第一響應方UE的位置與在所述第一廣播順序中在所述第一響應方UE之前的第二響應方UE的位置交換；從所述第二廣播順序中移除所述第一響應方UE；在所述第二廣播順序中將所述第一響應方UE靜音；從所述第二廣播順序中移除所述第二響應方UE；或者在所述第二廣播順序中將所述第二響應方UE靜音；或其組合。
一種用於對分布式設備進行定位的方法，所述方法由第一響應方UE執行並且包括： <br/>從發起方UE接收識別第一廣播順序的第一PRS訊息，其中所述第一廣播順序識別了所述發起方UE和/或包括所述第一響應方UE的多個響應方UE在第一定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序； <br/>確定在所述第一定位會話中與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的一個或多個特性； <br/>基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的干擾；以及 <br/>向所述發起方UE並且響應於識別所述干擾，來發送PRS後訊息，所述PRS後訊息指示對所述干擾的識別，所述PRS後訊息被配置為被處理以定義所述多個響應方UE在第二定位會話中的第二廣播順序，其中所述第一響應方UE在所述第二廣播順序中的位置不同於所述第一響應方UE在所述第一廣播順序中的位置，其中所述第二廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第二定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序。
根據請求項15所述的方法，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括至少部分地通過由所述第一響應方UE在指定時間幀上廣播的PRS數量來定義的PRS廣播速率。
根據請求項16所述的方法，其中，基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：確定所述PRS廣播速率越過閾值。
根據請求項15所述的方法，其中，基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：確定對由所述第一響應方UE進行的PRS傳輸的阻塞數量越過閾值。
根據請求項15所述的方法，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括：LBT錯誤、CCA錯誤、或不傳輸PRS訊息、或其組合。
根據請求項15所述的方法，其中，所述第一PRS訊息和所述第二PRS訊息是PRS前訊息。
根據請求項15所述的方法，其中，定義所述響應方UE的所述第二廣播順序包括：將所述第一響應方UE移動到所述第二廣播順序中比所述第一廣播順序中更早的位置；將所述第一響應方UE的位置與在所述第一廣播順序中在所述第一響應方UE之前的第二響應方UE的位置交換；從所述第二廣播順序中移除所述第一響應方UE；在所述第二廣播順序中將所述第一響應方UE靜音；從所述第二廣播順序中移除所述第二響應方UE；或者在所述第二廣播順序中將所述第二響應方UE靜音；或其組合。
一種用於無線通信的第一響應方UE，所述第一響應方UE包括： <br/>收發機； <br/>記憶體；以及 <br/>與所述記憶體和所述收發機通信地耦合的一個或多個處理器，所述一個或多個處理器被配置為： <br/>從發起方UE接收識別第一廣播順序的第一PRS訊息，其中所述第一廣播順序識別了所述發起方UE和/或包括所述第一響應方UE的多個響應方UE在第一定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序； <br/>確定在所述第一定位會話中與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的一個或多個特性， <br/>基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的干擾，以及 <br/>向所述發起方UE並且響應於識別所述干擾，來發送PRS後訊息，所述PRS後訊息指示對所述干擾的識別，所述PRS後訊息被配置為被處理以定義所述多個響應方UE在第二定位會話中的第二廣播順序，其中所述第一響應方UE在所述第二廣播順序中的位置不同於所述第一響應方UE在所述第一廣播順序中的位置，其中所述第二廣播順序識別了所述發起方UE和/或所述多個響應方UE在第二定位會話中廣播PRS和/或與所述PRS相關聯的定位資訊的順序。<b> </b>
根據請求項22所述的第一響應方UE，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括至少部分地通過由所述第一響應方UE在指定時間幀上廣播的PRS數量來定義的PRS廣播速率。
根據請求項23所述的第一響應方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：所述一個或多個處理器被配置為確定所述PRS廣播速率越過閾值。
根據請求項22所述的第一響應方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為基於所確定的一個或多個特性來識別與所述第一響應方UE的所述干擾包括：所述一個或多個處理器被配置為確定對由所述第一響應方UE進行的PRS傳輸的阻塞數量越過閾值。
根據請求項22所述的第一響應方UE，其中，與所述第一響應方UE相關聯的PRS傳輸的所述一個或多個特性包括：LBT錯誤、CCA錯誤、或不傳輸PRS訊息、或其組合。
根據請求項22所述的第一響應方UE，其中，所述第一PRS訊息和所述第二PRS訊息是PRS前訊息。
根據請求項22所述的第一響應方UE，其中，所述一個或多個處理器被配置為定義所述響應方UE的所述第二廣播順序包括所述一個或多個處理器被配置為：將所述第一響應方UE移動到所述第二廣播順序中比所述第一廣播順序中更早的位置；將所述第一響應方UE的位置與在所述第一廣播順序中在所述第一響應方UE之前的第二響應方UE的位置交換；從所述第二廣播順序中移除所述第一響應方UE；在所述第二廣播順序中將所述第一響應方UE靜音；從所述第二廣播順序中移除所述第二響應方UE；或者在所述第二廣播順序中將所述第二響應方UE靜音；或其組合。
一種熱硬化性樹脂組成物，含有熱硬化性樹脂、硬化劑及無機填充材， <br/>藉由雷射散射繞射法粒度分佈測定裝置對所述無機填充材進行測定而測得之在體積基準的粒度分佈中自小徑側起的累積成為90%時的粒子徑為25 μm以下， <br/>180℃下的圓板流動超過110 mm， <br/>所述無機填充材的體積平均粒子徑為11μm～15 μm。
如請求項1所述的熱硬化性樹脂組成物，其中，所述無機填充材的含有率為熱硬化性樹脂組成物的固體成分整體的60體積%以上。
如請求項1或請求項2所述的熱硬化性樹脂組成物，其中，所述熱硬化性樹脂包含環氧樹脂，所述硬化劑包含酚系硬化劑，所述熱硬化性樹脂組成物更含有硬化促進劑。
如請求項1或請求項2所述的熱硬化性樹脂組成物，更含有溶劑，所述溶劑的含有率為熱硬化性樹脂組成物整體的0.1質量%～2質量%。
一種電子零件裝置，包括由如請求項1至請求項4中任一項所述的熱硬化性樹脂組成物密封的元件。
一種用於時鐘信號產生的電路，包括： <br/>複數個時鐘產生電路，其被配置為根據一時鐘信號來產生複數個時鐘信號； <br/>一電源電路，其具有耦合到該複數個時鐘產生電路的電源輸入的一輸出；及 <br/>一電容器陣列，其耦合到該電源電路的該輸出並且包括複數個電容元件，該電容器陣列被配置為基於該複數個時鐘產生電路中的一或多個活動時鐘產生電路的一數量，選擇性地將該複數個電容元件之每一者電容元件耦合到該電源電路的該輸出。
根據請求項1之電路，其中該電容器陣列被配置為使得耦合到該電源電路的該輸出的該複數個電容元件的一數量與該一或多個活動時鐘產生電路的該數量相對應。
根據請求項1之電路，其中該複數個時鐘產生電路之每一者時鐘產生電路皆包括一時鐘緩衝器。
根據請求項1之電路，其中該電源電路包括一低壓差（LDO）調節器。
根據請求項1之電路，其中該電容器陣列包括耦合在該複數個電容元件之每一者電容元件與該電源電路的該輸出之間的一開關。
根據請求項5之電路，其中該複數個電容元件中的至少一個電容元件包括一電晶體，該電晶體具有耦合到該等開關中的一相應一個開關的一閘極，該電晶體的一汲極和一源極耦合到一參考電位節點。
根據請求項5之電路，其中該複數個電容元件中的至少一個電容元件包括耦合在該等開關中的一相應一個開關與一參考電位節點之間的一電容器。
根據請求項6之電路，其中該電晶體包括一n型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體。
根據請求項5之電路，亦包括：與該等開關中的至少一個開關並聯地耦合的一電阻元件。
根據請求項9之電路，其中該電阻元件的一電阻被配置為使得經由該電阻元件的一電流與在該開關開啟時該電容元件的一洩漏電流相對應。
根據請求項10之電路，其中該電阻元件是一電晶體，該電晶體具有耦合到該輸出的一源極、耦合到該電容元件的一汲極，以及被偏置以實現該電阻的一閘極。
根據請求項5之電路，其中該等開關中的至少一個開關包括一p型金屬氧化物半導體（PMOS）電晶體。
根據請求項5之電路，其中該複數個時鐘產生電路之每一者時鐘產生電路被配置為接收一啟用信號，該啟用信號被配置為啟用該時鐘產生電路，該開關被配置為基於該等啟用信號中的一相應一個啟用信號而被控制。
根據請求項13之電路，其中該啟用信號是由一控制器提供的，其中該控制器被配置為控制對該複數個時鐘產生電路中的何者時鐘產生電路進行啟用。
根據請求項1之電路，其中該複數個時鐘產生電路中的至少一個時鐘產生電路被配置為將該複數個時鐘信號中的一相應一個時鐘信號提供給一射頻（RF）前端（RFFE）電路。
根據請求項1之電路，亦包括一振盪器，其中該複數個時鐘產生電路的輸入耦合到該振盪器的一輸出。
一種用於時鐘信號產生的方法，包括以下步驟： <br/>啟用複數個時鐘產生電路中的一或多個時鐘產生電路； <br/>經由該一或多個活動時鐘產生電路，根據一時鐘信號來產生一或多個時鐘信號； <br/>經由一電源電路，在耦合到該複數個時鐘產生電路的電源輸入的該電源電路的一輸出處產生一電源電壓；及 <br/>基於該一或多個活動時鐘產生電路的一數量，選擇性地將複數個電容元件之每一者電容元件耦合到該電源電路的該輸出。
根據請求項17之方法，其中耦合到該電源電路的該輸出的該複數個電容元件的一數量與該一或多個活動時鐘產生電路的該數量相對應。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟： <br/>改變該一或多個活動時鐘產生電路的該數量；及 <br/>基於該一或多個活動時鐘產生電路的該經改變的數量，改變耦合到該電源電路的該輸出的該複數個電容元件的該數量。
根據請求項19之方法，其中改變該一或多個活動時鐘產生電路的該數量是由向該等時鐘產生電路提供啟用信號的一控制器來執行的。
根據請求項19之方法，其中改變該複數個電容元件的該數量是由向耦合到該複數個電容元件中的該相應一個電容元件的每個開關提供啟用信號的一控制器來執行的。
根據請求項19之方法，其中該複數個電容元件的該數量被改變為使得與該電源電壓相關聯的一下沖在改變該一或多個活動時鐘產生電路的該數量之前和之後是相同的。
根據請求項17之方法，其中該複數個時鐘產生電路之每一者時鐘產生電路包括一時鐘緩衝器。
根據請求項17之方法，其中選擇性地耦合該複數個電容元件之每一者電容元件之步驟包括以下步驟：控制耦合在該複數個電容元件之每一者電容元件與該電源電路的該輸出之間的一開關。
根據請求項24之方法，其中該複數個電容元件中的至少一個電容元件包括一電晶體，該電晶體具有耦合到該等開關中的一相應一個開關的一閘極，該電晶體的一汲極和一源極耦合到一參考電位節點。
根據請求項24之方法，其中一電阻元件與該等開關中的至少一個開關並聯地耦合。
根據請求項26之方法，其中該電阻元件的一電阻被配置為使得經由該電阻元件的一電流與在該開關開啟時該電容元件的一洩漏電流相對應。
根據請求項20之方法，亦包括以下步驟：經由該複數個時鐘產生電路之每一者時鐘產生電路來接收被配置為啟用該時鐘產生電路的一啟用信號，該開關是基於該等啟用信號中的一相應一個啟用信號而被控制的。
一種用於時鐘信號產生的裝置，包括： <br/>用於啟用的構件，其用於啟用複數個時鐘產生電路中的一或多個時鐘產生電路，該一或多個活動時鐘產生電路被配置為根據一時鐘信號來產生一或多個時鐘信號； <br/>用於產生的構件，其用於在耦合到該複數個時鐘產生電路的電源輸入的該用於產生的構件的一輸出處產生一電源電壓；及 <br/>用於選擇性耦合的構件，其用於基於該一或多個活動時鐘產生電路的一數量，選擇性地將複數個電容元件之每一者電容元件耦合到該用於產生的構件的該輸出。
一種電腦可讀取媒體，其具有儲存在其上的使得一處理器執行以下操作的指令： <br/>啟用複數個時鐘產生電路中的一或多個時鐘產生電路，該一或多個活動時鐘產生電路被配置為根據一時鐘信號來產生一或多個時鐘信號；及 <br/>基於該一或多個活動時鐘產生電路的一數量，選擇性地將複數個電容元件之每一者電容元件耦合到一電源電路的一輸出，該電源電路被配置為在耦合到該複數個時鐘產生電路的電源輸入的該電源電路的該輸出處產生一電源電壓。
一種解耦組件，具有 在操作或運輸過程中在至少一負載方向上受到機械應力的一元件；以及 用於機械地安裝該元件的一解耦接頭，其中該解耦接頭在該負載方向上實現至少部分的解耦； 其中該解耦接頭由複數個單獨的接頭段構成；以及 其特徵在於，在該解耦接頭的設定中，關於該等接頭段存在一階梯式配置，使得該等接頭段的其中至少兩個在該負載方向上關於彼此具有一相對移動。
如請求項1所述之解耦組件，其中該元件為具有一光學使用區域的一光學元件。
如請求項2所述之解耦組件，其中該等接頭段的幾何配置適用於該光學使用區域的一外輪廓。
如請求項2或3所述之解耦組件，其中該負載方向相對於該光學使用區域的一中心點徑向地延伸。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中不同接頭段的多個接合點佈置在多個同心圓上。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該等接頭段各自相對於該負載方向以一角度配置，其中各該角度具有範圍在85°到95°的一數值。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該等接頭段中至少兩個在同一解耦自由度中所提供的接頭剛度方面係彼此不同。
如請求項7所述之解耦組件，其中在該至少兩個接頭段中，受到相對較大機械應力的接頭段的具有比另一個接頭段更低的接頭剛度。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該機械應力包含該元件在操作期間的一熱致膨脹。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該機械應力包含該元件在運輸過程中的一衝擊負載。
如請求項1到2的其中一項所述之解耦組件，其中該元件為一透鏡元件。
如請求項1到2的其中一項所述之解耦組件，其中該元件為一反射鏡。
如請求項1到2的其中一項所述之解耦組件，其中該元件為一反射鏡陣列，特別是具有複數個反射鏡琢面的一琢面反射鏡。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該光學元件係設計用於小於250 nm、特別是小於200 nm的一操作波長。
如請求項1或2所述之解耦組件，其中該光學元件係設計用於小於30 nm、特別是小於15 nm的一操作波長。
一種用於一微影投射曝光裝置的光學系統，其中該光學系統具有根據請求項的1至15其中一項所述的至少一解耦組件。
一種鋪裝用混合物，其係包含骨料與結合材之鋪裝用混合物，其特徵為： <br/> 前述結合材係包含與二價以上之金屬離子接觸而形成凝膠的多醣類， <br/> 前述多醣類係選自海藻酸、低甲氧基化果膠、結蘭膠及該等之衍生物的1種或2種以上。
如請求項1之鋪裝用混合物，其中前述多醣類相對於前述骨料100質量份的含量為0.125質量份以上。
如請求項1或2之鋪裝用混合物，其中前述多醣類係以水溶液之形態含有。
如請求項3之鋪裝用混合物，其中前述水溶液相對於前述骨料100質量份的含量，以前述水溶液的含水量換算為20質量份以下。
一種鋪裝用結合材，其係使用於鋪裝用混合物之鋪裝用結合材，其特徵為包含與二價以上之金屬離子接觸而形成凝膠的多醣類， <br/> 前述多醣類係選自海藻酸、低甲氧基化果膠、結蘭膠及該等之衍生物的1種或2種以上。
如請求項5之鋪裝用結合材，其係以前述多醣類相對於前述骨料100質量份的摻混量為0.125質量份以上的方式使用。
如請求項5或6之鋪裝用結合材，其中前述多醣類係以水溶液之形態含有。
如請求項5或6之鋪裝用結合材，其係以前述水溶液相對於前述骨料100質量份的摻混量，以前述水溶液的含水量換算為20質量份以下的方式使用。
如請求項7之鋪裝用結合材，其係以前述水溶液相對於前述骨料100質量份的摻混量，以前述水溶液的含水量換算為20質量份以下的方式使用。
一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，包含： <br/>（A）樹脂，具有包含芳香環的重複單元，所述芳香環含有具有鹵素原子的有機基、及不含有鹵素原子的取代基；以及 <br/>（Y）離子性化合物，在陽離子部具有鹵素原子， <br/>所述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中，相對於所述組成物的全部固體成分，所述離子性化合物（Y）的含量為5.0質量%以上，且所述樹脂（A）的含量為30.0質量%～99.9質量%。
如請求項1所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中所述組成物還含有（Z）離子性化合物，所述（Z）離子性化合物在陽離子部具有酸分解性基。
如請求項1或請求項2所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中所述樹脂（A）包含具有內酯結構的重複單元。
如請求項1或請求項2所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中所述樹脂（A）包含具有多環式的內酯結構的重複單元。
如請求項1或請求項2所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中所述樹脂（A）具有下述式（4）所表示的重複單元， <br/><br/><br/><img align="absmiddle" height="114px" width="153px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>式（4）中， <br/>X<sub>11</sub>表示氫原子、鹵素原子、羥基、或有機基， <br/>R<sub>1</sub><sub>1</sub>分別獨立地表示烷基，兩個R<sub>1</sub><sub>1</sub>可鍵結而形成環。
如請求項1或請求項2所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，其中，相對於所述組成物的全部固體成分，所述離子性化合物（Y）的含量為10.0質量%以上。
一種感光化射線性或感放射線性膜，由如請求項1至請求項6中任一項所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物形成。
一種圖案形成方法，包括： <br/>使用如請求項1至請求項6中任一項所述的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，在基板上形成感光化射線性或感放射線性膜的步驟； <br/>對所述感光化射線性或感放射線性膜進行曝光的步驟；以及 <br/>使用顯影液對所述經曝光的感光化射線性或感放射線性膜進行顯影來形成圖案的步驟。
一種電子元件的製造方法，包括如請求項8所述的圖案形成方法。
一種感光化射線性或感放射線性樹脂組成物，包含： <br/>（A）樹脂，具有包含芳香環的重複單元，所述芳香環含有鹵素原子或具有鹵素原子的有機基、及不含有鹵素原子的取代基；以及 <br/>（Y）離子性化合物，在陽離子部具有鹵素原子， <br/>（Z）離子性化合物，所述（Z）離子性化合物在陽離子部具有酸分解性基， <br/>所述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中，相對於所述組成物的全部固體成分，所述離子性化合物（Y）的含量為5.0質量%以上， <br/>相對於所述感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的全部固體成分，所述樹脂（A）的含量為30.0質量%～99.9質量%， <br/>所述酸分解性基具有式(Y1)、(Y2)或(Y4)的結構， <br/>式（Y1）：-C(Rx<sub>1</sub>)(Rx<sub>2</sub>)(Rx<sub>3</sub>) <br/>式（Y2）：-C(=O)OC(Rx<sub>1</sub>)(Rx<sub>2</sub>)(Rx<sub>3</sub>) <br/>式（Y4）：-C(Rn)(H)(Ar) <br/>式（Y1）及式（Y2）中，Rx<sub>1</sub>～Rx<sub>3</sub>分別獨立地表示烷基、烯基、環烷基或者芳基， <br/>式（Y4）中，Ar表示芳香環基，Rn表示烷基、環烷基或芳基，Rn與Ar可彼此鍵結而形成非芳香族環。
一種結合補體組分5a受體1 (C5aR1)之抗體或其抗原結合片段，其包含重鏈可變區(VH)，其中該VH包含三個重鏈互補決定區(HCDR)，其中HCDR1、HCDR2及HCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 6、7及8之胺基酸序列；及輕鏈可變區(VL)，其中該VL包含三個輕鏈互補決定區(LCDR)，其中LCDR1、LCDR2及LCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 9、10及11之胺基酸序列。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其中該VH包含與胺基酸序列SEQ ID NO: 14具有至少90%一致性之胺基酸序列，且其中該VL包含與胺基酸序列SEQ ID NO: 25具有至少90%一致性之胺基酸序列。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或抗原結合片段進一步包含Fc區。
如請求項3之抗體或其抗原結合片段，其中該Fc域獨立地選自IgG1、IgG2、IgG3及IgG4。
如請求項1至4中任一項之抗體或其抗原結合片段，其中結合於C5aR1之該抗體： <br/>i. 抑制補體組分5a (C5a)與C5aR1之相互作用； <br/>ii. 不結合於C5aR2； <br/>iii. 抑制嗜中性白血球趨化性； <br/>iv. 抑制C5a介導之C5aR1 Gα傳訊； <br/>v. 抑制鈣傳訊； <br/>vi. 抑制CD11b表現； <br/>vii. 抑制嗜中性白血球減少症； <br/>viii. 抑制β-抑制蛋白傳訊；及/或 <br/>ix. 抑制嗜中性白血球中之ROS產生。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或抗原結合片段為人源化的。
如請求項2之抗體或其抗原結合片段，其中該VH或該VL已經修飾以增強分子之穩定性，視情況其中該VL在SEQ ID NO: 5或SEQ ID NO: 25之位置96處包含絲胺酸或酪胺酸。
如請求項1之抗體或其抗原結合片段，其中該抗體以10 pM至50 nM之間的親和力結合C5aR1，視情況其中該抗體以0.16 nM或更低之親和力結合C5aR1。
一種結合補體組分5a受體1 (C5aR1)之抗體或其抗原結合片段，其包含重鏈及輕鏈，其中該重鏈包含SEQ ID NO: 69之胺基酸序列，及其中該輕鏈包含SEQ ID NO: 70之胺基酸序列。
一種雙互補位抗體或其抗原結合片段，其包含： <br/>(i) 第一抗原結合域，其包含結合C5aR1之VH1及VL1，其中該VH1包含HCDR1序列、HCDR2序列及HCDR3序列，該HCDR1序列、該HCDR2序列及該HCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 6、7及8之胺基酸序列；及其中該VL1包含LCDR1序列、LCDR2序列及LCDR3序列，該LCDR1序列、該LCDR2序列及該LCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 9、10及21之胺基酸序列；及 <br/>(ii) 第二抗原結合域，其包含結合C5aR1之VH2及VL2，其中該VH2包含HCDR1序列、HCDR2序列及HCDR3序列，該HCDR1序列、該HCDR2序列及該HCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 18、19及20之胺基酸序列；及其中該VL2包含LCDR1序列、LCDR2序列及LCDR3序列，該LCDR1序列、該LCDR2序列及該LCDR3序列分別包含SEQ ID NO: 22、23及24之胺基酸序列。<b> </b>
如請求項10之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該VH1包含SEQ ID NO: 14之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 14之胺基酸序列至少90%一致；且該VL1包含SEQ ID NO: 15之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 15之胺基酸序列至少90%一致。<b> </b>
如請求項10之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該VH2包含SEQ ID NO: 16之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 16之胺基酸序列至少90%一致；且該VL2包含SEQ ID NO: 17之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 17之胺基酸序列至少90%一致。<b> </b>
如請求項10之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其包含SEQ ID NO: 12或與SEQ ID NO: 12之胺基酸序列至少90%一致的重鏈，且進一步包含SEQ ID NO: 13或與SEQ ID NO: 13之胺基酸序列至少90%一致的輕鏈。<b> </b>
如請求項10至13中任一項之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該重鏈包含連接至Fc域之該VH1。<b> </b>
如請求項14之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該Fc域進一步連接至scFv，其包含：VH2，其包含SEQ ID NO: 16之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 16之胺基酸序列至少90%一致的胺基酸序列，及/或VL2，其包含SEQ ID NO: 17之胺基酸序列或與SEQ ID NO: 17之胺基酸序列至少90%一致的胺基酸序列。<b> </b>
如請求項14之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該Fc域獨立地選自IgG1、IgG2、IgG3及IgG4。
如請求項16之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該scFv經由連接子連接至該Fc域；視情況其中該連接子包含至少5個胺基酸，該至少5個胺基酸包含具有SEQ ID NO: 26-37中之任一者的胺基酸序列。
如請求項15之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中包含SEQ ID NO: 16之該VH2及包含SEQ ID NO: 17之該VL2經由連接子彼此連接；視情況其中該連接子包含SEQ ID NO: 31之1至10個重複。
如請求項15之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該VH2及該VL2進一步包含一或多個突變以改善該雙互補位抗體之熱穩定性；視情況其中該突變包含在SEQ ID NO: 12之位置559處且在SEQ ID NO: 12之位置630處併入半胱胺酸。
一種雙互補位抗體或其抗原結合片段，其包含第一抗原結合域，該第一抗原結合域包含結合C5aR1之重鏈及輕鏈，其中該重鏈包含SEQ ID NO: 71之胺基酸序列，及其中該輕鏈包含SEQ ID NO: 72之胺基酸序列。
如請求項10之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中結合於C5aR1之該抗體： <br/>i. 抑制補體組分5a (C5a)與人類C5aR1之相互作用； <br/>ii. 不結合於C5aR2； <br/>iii. 抑制嗜中性白血球趨化性； <br/>iv. 抑制C5a介導之C5aR1 Gα傳訊； <br/>v. 抑制鈣傳訊； <br/>vi. 抑制CD11b表現； <br/>vii. 抑制嗜中性白血球減少症； <br/>viii. 抑制β-抑制蛋白傳訊；及/或 <br/>ix. 抑制嗜中性白血球中之ROS產生。
如請求項10之雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該抗體或抗原結合片段為人源化的。
如請求項1或10之抗體或雙互補位抗體或其抗原結合片段，其中該抗體在一次凍融循環下在4℃下穩定至多2週。<b> </b>
一種核酸，其編碼如請求項1或10之抗體或雙互補位抗體。
一種細胞，其包含如請求項24之核酸。
一種製造如請求項1或10之抗體或雙互補位抗體或其抗原結合片段的方法，該方法包含培養包含編碼該抗體或其抗原結合片段之核酸的宿主細胞，且在允許產生該抗體或其抗原結合片段之條件下培養該細胞。
一種如請求項1或10之抗體或雙互補位抗體之用途，其係用於製備治療自體免疫疾病之藥物。
如請求項27之用途，其中該自體免疫疾病為ANCA血管炎、狼瘡、類風濕性關節炎、腎臟病症或中風。
如請求項1或10之抗體或雙互補位抗體，其中該抗體包含經修飾之IgG4 Fc域。
如請求項29之抗體或雙互補位抗體，其中該經修飾之IgG4 Fc域包含： <br/>(i) 選自由以下組成之群中的一或多個突變：S228P、L234V、L235A、G237A、D265G、A330S、P331S、L328R、H268A及N297Q突變； <br/>(ii) F234V、L235E及D265G突變；或 <br/>(iii) F234V、L235E、D265G及S228P突變。
如請求項30之抗體或雙互補位C5aR1抗體，其中該抗體包含經修飾之IgG4恆定域，該經修飾之IgG4恆定域包含F234V、L235E及D265G取代之組合。
一種用於人力驅動車（2）之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其包含： <br/>一第一構件（14），其沿著一縱向延伸； <br/>一第二構件（16），其構造成可相對於該第一構件（14）沿著該縱向移動； <br/>複數個偵測物件（G），其配置在該第一構件（14）和該第二構件（16）之一者處，該等複數個偵測物件（G）以一第一間距沿著該縱向配置；及 <br/>複數個偵測器（H），其構造成偵測該等複數個偵測物件（G），以獲得該第二構件（16）相對於該第一構件（14）的位置，該等複數個偵測器（H）配置在該第一構件（14）和該第二構件（16）之另一者處，該等複數個偵測器（H）以不同於該第一間距的一第二間距沿著該縱向配置。
如請求項1之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該第一間距小於該第二間距。
如請求項1或2之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該第一間距與該第二間距之間的一關係取決於該等複數個偵測物件（G）的一第一總數。
如請求項3之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該第一間距與該第二間距的關係利用Pm = Ps × (N-1)/N表示，其中Pm代表該第一間距，Ps代表該第二間距，且N代表該第一總數。
如請求項3之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該等複數個偵測器（H）的一第二總數大於該第一總數。
如請求項3之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該第一總數等於或大於二。
如請求項1或2之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該等複數個偵測物件（G）的每一偵測物件（G）具有沿著該縱向的一第一中心線； <br/>該第一間距界定於該等複數個偵測物件（G）的相鄰兩偵測物件（Gn，Gn+1）之該等第一中心線之間； <br/>該等複數個偵測器（H）的每一偵測器（H）具有沿著該縱向的一第二中心線；及 <br/>該第二間距界定於該等複數個偵測器（H）的相鄰兩偵測器（Hn，Hn+1）之該等第二中心線之間。
如請求項1或2之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該等複數個偵測物件（G）之每一偵測物件（G）包括構造成產生一磁場的一磁鐵（K1、K2、K3）。
如請求項8之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該等複數個偵測物件（G）的該等複數個磁鐵（K1、K2、K3）之每一磁鐵（K1、K2、K3）包括一北極和一南極； <br/>該等複數個磁鐵（K1、K2、K3）中的相鄰兩磁鐵（K1、K2；K2、K3）之一者的該北極比該等相鄰兩磁鐵（K1、K2；K2、K3）之一者的該南極更靠近該等複數個偵測器（H）；及 <br/>該等相鄰兩磁鐵（K1、K2；K2、K3）之另一者的該南極比該等相鄰兩磁鐵（K1、K2；K2、K3）之另一者的該南極更靠近該等複數個偵測器（H）。
如請求項1之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其更包含： <br/>一控制器（52），其構造成根據該等複數個偵測器（H）的複數個偵測結果，獲得該第二構件（16）相對於該第一構件（14）的一絕對位置。
一種用於人力驅動車（2）之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其包含： <br/>一第一構件（14），其沿著一縱向延伸； <br/>一第二構件（16），其構造成可相對於該第一構件（14）沿著該縱向移動； <br/>複數個偵測物件（G），其配置於該第一構件（14）與該第二構件（16）之一者處； <br/>複數個偵測器（H），其構造成偵測該等複數個偵測物件（G），以獲得該第二構件（16）相對於該第一構件（14）的位置，該等複數個偵測器（H）配置在該第一構件（14）和該第二構件（16）之另一者處；及 <br/>一控制器（52），其構造成根據該等複數個偵測器（H）的複數個偵測結果，獲得該第二構件（16）相對於該第一構件（14）的一絕對位置。
如請求項10或11之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）根據該等複數個偵測器（H）的該等複數個偵測結果，從該等複數個偵測器（H）中確定一參考偵測器。
如請求項12之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）構造成選擇一偵測器（H），其輸出在該等複數個偵測器（H）的該等偵測結果中具有一最大絕對值的一偵測結果，作為來自該等複數個偵測器（H）中該參考偵測器。
如請求項13之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）構造成根據該參考偵測器的該偵測結果，從該等複數個偵測物件（G）中選擇一參考偵測物件。
如請求項14之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）構造成根據該參考偵測器的該偵測結果，確定該參考偵測器的一中心線沿著該縱向從該參考偵測物件的一中心線偏移之一偏移方向。
如請求項15之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）構造成根據該參考偵測器的該偵測結果與該偏移方向之至少一者，計算界定在該參考偵測器的該中心線與該參考偵測物件的該中心線之間沿著該縱向之一偏移距離。
如請求項16之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>該控制器（52）構造成根據該偏移方向、該偏移距離、該等複數個偵測器（H）之間的該參考偵測器的一位置、及該等複數個偵測物件（G）之間的該參考偵測物件的一位置之至少一者，以計算該第二構件（16）相對於該第一構件（14）的一目前絕對位置。
如請求項1或11之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其更包含： <br/>一座墊安裝結構（MS），其構造成將一座墊固定安裝到該第一構件（14）和該第二構件（16）之一者。
如請求項1或11之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其更包含： <br/>一阻尼器（266），其構造成衰減傳遞到該第一構件（14）和該第二構件（16）之至少一者的衝擊及/或振動。
如請求項11之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>界定於所述複數個偵測器（H）之間的一距離係大於設置於所述複數個偵測器（H）之該第一構件（14）或該第二構件（16）其中一者的一圓柱壁厚度。
如請求項11之騎乘者姿勢改變裝置（12；212），其中： <br/>每一個該偵測物件（G）係相同。
一種積體電路單元的結構，包括： <br/>基底； <br/>第一井區，位於所述基底之中： <br/>第二井區，位於所述第一井區中； <br/>第一電晶體，設置於所述第二井區中，並且包括第一源極/汲極（S/D）區； <br/>第三井區，位於所述基底中，所述第三井區與所述第一井區相鄰； <br/>第二電晶體，設置於所述第三井區中，並且包括第二S/D區，其中所述第一S/D區和第二S/D區之間的間距約小於3µm；以及 <br/>接觸區，位於所述第一井區中，並且位於所述第二井區和所述第三井區之間，所述接觸區透過多個內連結構垂直連接至最頂部內連線以連接至參考接地電壓源。
如請求項1所述的積體電路單元的結構，其中所述接觸區包括N型井區。
如請求項1所述的積體電路單元的結構，其中： <br/>所述第二井區還包括第三S/D區和第一閘極結構；以及 <br/>所述第三井區還包括第四S/D區和第二閘極結構； <br/>其中所述第一井區、所述第二井區、所述第一S/D區、所述第三S/D區和所述第一閘極結構形成所述第一電晶體的一部分；並且其中所述第三井區、所述第二S/D區、所述第四S/D區和所述第二閘極結構形成所述第二電晶體的一部分。
如請求項1所述的積體電路單元的結構，其中所述第一井區包括深N型井區。
如請求項1所述的積體電路單元的結構，其中所述第二井區包括P型井區。
如請求項1所述的積體電路單元的結構，其中所述第三井區包括P型井區。
一種積體電路單元的結構，包括： <br/>基底，電性連接至參考接地電壓源； <br/>第一井區，位於所述基底之中； <br/>第二井區，位於所述第一井區中，並且所述第二井區包括第一源極/汲極（S/D）區和第二S/D區； <br/>閘極結構，位於所述第二井區上方，並且所述閘極結構位於所述第一S/D區和所述第二S/D區之間； <br/>接觸區，位於所述第一井區並且鄰近於所述第二井區；以及 <br/>內連結構，設置於所述接觸區上方並電性耦合到所述接觸區，其中所述內連結構包括多個金屬化層和所述多個金屬化層中的每一層之間的至少一個通孔，並且其中所述多個金屬化層和所述至少一個通孔電性耦合到最頂部內連線以接收所述參考接地電壓源。
如請求項7所述的積體電路單元的結構，還包括： <br/>第三井區，與所述第一井區相鄰，並且包括第三S/D區，其中所述第三S/D區與所述第一S/D區和第二S/D區中最近的一個間距的距離約小於3µm。
如請求項7所述的積體電路單元的結構，其中所述第一井區、所述第二井區、所述第一S/D區、所述第二S/D區以及所述閘極結構形成了P型電晶體的一部分。
一種積體電路單元的結構的佈局方法，包括： <br/>在基底中形成電路的第一部分，其中形成所述第一部分包括： <br/>在所述基底中形成第一井區； <br/>在所述第一井區中形成第二井區；以及 <br/>在所述第二井區中形成第一源極/汲極（S/D）區和第二S/D區； <br/>在所述基底中形成所述電路的第二部分，其中形成所述第二部分包括： <br/>在所述基底中形成與所述第一井區相鄰的第三井區；以及 <br/>在所述第三井區中形成第三S/D區和第四S/D區，其中最接近的所述第三S/D區或所述第四S/D區與最近的所述第一S/D區或所述第二S/D區之間的間距約小於3µm；以及 <br/>在所述第二井區與所述第三井區之間形成接觸區，所述接觸區透過上方的多個內連結構連接至最頂部內連線以接收參考接地電壓源。
一種剪切加工用包覆模具，在模具基材的表面具有包含AlCrSi的氮化物的硬質皮膜，且所述剪切加工用包覆模具中， <br/>所述硬質皮膜的膜厚為0.3 μm～2.0 μm， <br/>所述包覆模具的邊緣部的硬質皮膜的膜厚相對於所述包覆模具的平面部的硬質皮膜的膜厚的比率為0.60～1.40。
一種剪切加工用包覆模具的製造方法，在模具基材的表面包覆包含AlCrSi的氮化物的硬質皮膜，且所述剪切加工用包覆模具的製造方法中， <br/>使用高輸出脈衝濺鍍法將所述硬質皮膜以0.3 μm～2.0 μm的膜厚包覆在模具基材上， <br/>在所述高輸出脈衝濺鍍時使用N <sub>2</sub>與Ar的混合氣體， <br/>N <sub>2</sub>氣體流量相對於Ar氣體流量之比為0.65～1.60。
如請求項2所述的剪切加工用包覆模具的製造方法，其中所述高輸出脈衝濺鍍的硬質皮膜包覆時的最大功率為50 kW～130 kW。
一種用於產生一圖框的方法，包括：<br/> 接收指示儲存在一顯示處理器單元（DPU）緩衝區中的一第一圖框已經被一硬體元件消耗的一第一柵欄；<br/> 回應於接收到該第一柵欄，從一應用緩衝區中提取複數個層，該複數個層對應於一第二圖框；<br/> 決定使用一DPU和一圖形處理單元（GPU）兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成；<br/> 基於使用該DPU和該GPU來處理該複數個層的該決定：<br/> 從該DPU緩衝區中提取該第一柵欄；及<br/> 產生一第二柵欄；<br/> 啟動用於從該複數個層的子集中合成一或多個層的一GPU程序，該GPU程序回應於產生該第二柵欄而被啟動；<br/> 啟動用於合成該複數個層中的剩餘層和經合成的該一或多個層以產生該第二圖框的一DPU程序，該DPU程序回應於提取到該第一柵欄而被啟動；<br/> 接收指示經合成的該一或多個層的完成的一第三柵欄；<br/> 回應於接收到該第三柵欄：<br/> 由該DPU程序提取經合成的該一或多個層；及<br/> 由DPU程序基於經合成的該一或多個層和該剩餘層來產生該第二圖框；及<br/> 向該硬體元件提供該第二圖框。
根據請求項1之方法，其中啟動該GPU程序包括在該GPU程序之前配置用於合成該一或多個層的GPU參數，並且其中啟動該DPU程序包括在該DPU程序之前配置用於合成該複數個層中的該剩餘層和經合成的該一或多個層的DPU參數。
根據請求項1之方法，其中該第二柵欄包括一持續時間，該持續時間指示在其期間該一或多個層的合成待定的一時段，並且其中該第三柵欄被配置為中斷該時段並啟動該一或多個層的合成。
根據請求項1之方法，其中決定使用該DPU和該GPU兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成進一步包括決定該複數個層中的哪些層形成該複數個層的該子集。
根據請求項1之方法，其中產生該第二圖框進一步包括：<br/> 將該第二圖框儲存在該DPU緩衝區中；及<br/> 設置指示由該DPU釋放該第二圖框的一第四柵欄。
根據請求項1之方法，其中該第一柵欄是由該DPU設置的指示由該DPU釋放該第一圖框的一記憶體值。
根據請求項1之方法，其中該第三柵欄是在啟動該DPU程序期間接收到的。
根據請求項1之方法，其中接收指示經合成的該一或多個層的完成的該第三柵欄進一步包括接收包含經合成的該一或多個層的一或多個GPU緩衝區的一指示，並且其中提取經合成的該一或多個層進一步包括從該一或多個GPU緩衝區中提取經合成的該一或多個層。
一種被配置用於產生一圖框的裝置，該裝置包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 與該記憶體耦合的一處理器，該處理器和該記憶體被配置為：<br/> 接收指示儲存在一顯示處理器單元（DPU）緩衝區中的一第一圖框已經被一硬體元件消耗的一第一柵欄；<br/> 回應於接收到該第一柵欄，從一應用緩衝區中提取複數個層，該複數個層對應於一第二圖框；<br/> 決定使用一DPU和一圖形處理單元（GPU）兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成；<br/> 基於使用該DPU和該GPU來處理該複數個層的該決定：<br/> 從該DPU緩衝區中提取該第一柵欄；及<br/> 產生一第二柵欄；<br/> 啟動用於從該複數個層的子集中合成一或多個層的一GPU程序，該GPU程序回應於產生該第二柵欄而被啟動；<br/> 啟動用於合成該複數個層中的剩餘層和經合成的該一或多個層以產生該第二圖框的一DPU程序，該DPU程序回應於提取到該第一柵欄而被啟動；及<br/> 接收指示經合成的該一或多個層的完成的一第三柵欄；<br/> 回應於接收到該第三柵欄：<br/> 由該DPU程序提取經合成的該一或多個層；及<br/> 由DPU程序基於經合成的該一或多個層和該剩餘層來產生該第二圖框；及<br/> 向該硬體元件提供該第二圖框。
根據請求項9之裝置，<br/> 其中被配置為啟動該GPU程序的該處理器和該記憶體被進一步配置為決定在該GPU程序之前用於合成該一或多個層的GPU參數，並且<br/> 其中被配置為啟動該DPU程序的該處理器和該記憶體被進一步配置為決定在該DPU程序之前用於合成該複數個層中的該剩餘層和經合成的該一或多個層的DPU參數。
根據請求項9之裝置，其中該第二柵欄包括一持續時間，該持續時間指示在其期間該一或多個層的合成待定的一時段，並且其中該第三柵欄被配置為中斷該時段並啟動該一或多個層的合成。
根據請求項9之裝置，其中被配置為決定使用該DPU和該GPU兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成的該處理器和該記憶體被進一步配置為決定該複數個層中的哪些層形成該複數個層的該子集。
根據請求項9之裝置，其中被配置為產生該第二圖框的該處理器和該記憶體被進一步配置為：<br/> 將該第二圖框儲存在該DPU緩衝區中；及<br/> 設置指示由該DPU釋放該第二圖框的一第四柵欄。
根據請求項9之裝置，其中該第一柵欄是由該DPU設置的指示由該DPU釋放該第一圖框的記憶體值。
根據請求項9之裝置，其中該第三柵欄是在啟動該DPU程序期間接收到的。
根據請求項9之裝置，<br/> 其中被配置為接收指示經合成的該一或多個層的完成的該第三柵欄的該處理器和該記憶體被進一步配置為接收包含經合成的該一或多個層的一或多個GPU緩衝區的一指示，並且<br/> 其中被配置為提取經合成的該一或多個層的該處理器和該記憶體被進一步配置為從該一或多個GPU緩衝區中提取經合成的該一或多個層。
一種用於產生一圖框的裝置，該裝置包括：<br/> 用於接收指示儲存在一顯示處理器單元（DPU）緩衝區中的一第一圖框已經被一硬體元件消耗的一第一柵欄的構件；<br/> 用於回應於接收到該第一柵欄而從一應用緩衝區中提取複數個層的構件，該複數個層對應於一第二圖框；<br/> 用於決定使用一DPU和一圖形處理單元（GPU）兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成的構件；<br/> 用於基於使用該DPU和該GPU來處理該複數個層的該決定以從該DPU緩衝區中提取該第一柵欄的構件；<br/> 用於基於使用該DPU和該GPU來處理該複數個層的該決定以產生一第二柵欄的構件；<br/> 用於回應於產生該第二柵欄而啟動用於從該複數個層的子集中合成一或多個層的一GPU程序的構件；<br/> 用於啟動用於合成該複數個層中的剩餘層和經合成的該一或多個層以產生該第二圖框的一DPU程序的構件，該DPU程序回應於提取到該第一柵欄而被啟動；<br/> 用於接收指示經合成的該一或多個層的完成的一第三柵欄的構件；<br/> 用於回應於接收到該第三柵欄而由該DPU程序提取經合成的該一或多個層的構件；<br/> 用於回應於接收到該第三柵欄而由DPU程序基於經合成的該一或多個層和該剩餘層來產生該第二圖框的構件；及<br/> 用於向該硬體元件提供該第二圖框的構件。
根據請求項17之裝置，<br/> 其中用於啟動該GPU程序的該構件包括用於在該GPU程序之前配置用於合成該一或多個層的GPU參數的構件，並且<br/> 其中用於啟動該DPU程序的該構件包括用於在該DPU程序之前配置用於合成該複數個層中的該剩餘層和經合成的該一或多個層的DPU參數的構件。
根據請求項17之裝置，其中該第二柵欄包括一持續時間，該持續時間指示在其期間該一或多個層的合成待定的一時段，並且其中該第三柵欄被配置為中斷該時段並啟動該一或多個層的合成。
根據請求項17之裝置，其中用於決定使用該DPU和該GPU兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成的該構件進一步包括用於決定該複數個層中的哪些層形成該複數個層的該子集的構件。
根據請求項17之裝置，其中用於產生該第二圖框的該構件進一步包括：<br/> 用於將該第二圖框儲存在該DPU緩衝區中的構件；及<br/> 用於設置指示由該DPU釋放該第二圖框的一第四柵欄的構件。
根據請求項17之裝置，其中該第一柵欄是由該DPU設置的指示由該DPU釋放該第一圖框的一記憶體值。
根據請求項17之裝置，進一步包括用於在啟用該DPU程序期間接收該第三柵欄的構件。
根據請求項17之裝置，<br/> 其中用於接收指示經合成的該一或多個層的完成的該第三柵欄的該構件進一步包括用於接收包含經合成的該一或多個層的一或多個GPU緩衝區的指示的構件，並且<br/> 其中用於提取經合成的該一或多個層的該構件進一步包括用於從該一或多個GPU緩衝區中提取經合成的該一或多個層的構件。
一種非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其上儲存有用於執行用於產生一圖框的一方法的指令，該方法包括：<br/> 接收指示儲存在一顯示處理器單元（DPU）緩衝區中的一第一圖框已經被一硬體元件消耗的一第一柵欄；<br/> 回應於接收到該第一柵欄，從一應用緩衝區中提取複數個層，該複數個層對應於一第二圖框；<br/> 決定使用一DPU和一圖形處理單元（GPU）兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成；<br/> 基於使用該DPU和該GPU來處理該複數個層的該決定：<br/> 從該DPU緩衝區中提取該第一柵欄；及<br/> 產生一第二柵欄；<br/> 啟動用於從該複數個層的一子集中合成一或多個層的一GPU程序，該GPU程序回應於產生該第二柵欄而被啟動；<br/> 啟動用於合成該複數個層中的剩餘層和經合成的該一或多個層以產生該第二圖框的一DPU程序，該DPU程序回應於提取到該第一柵欄而被啟動；<br/> 接收指示經合成的該一或多個層的完成的一第三柵欄；<br/> 回應於接收到該第三柵欄：<br/> 由該DPU程序提取經合成的該一或多個層；及<br/> 由DPU程序基於經合成的該一或多個層和該剩餘層來產生該第二圖框；及<br/> 向該硬體元件提供該第二圖框。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中啟動該GPU程序包括在該GPU程序之前配置用於合成該一或多個層的GPU參數，並且其中啟動該DPU程序包括在該DPU程序之前配置用於合成該複數個層中的該剩餘層和經合成的該一或多個層的DPU參數。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中該第二柵欄包括一持續時間，該持續時間指示在其期間該一或多個層的合成待定的一時段，並且其中該第三柵欄被配置為中斷該時段並啟動該一或多個層的合成。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中決定使用該DPU和該GPU兩者來處理該複數個層以用於該第二圖框的合成進一步包括決定該複數個層中的哪些層形成該複數個層的該子集。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中產生該第二圖框進一步包括：<br/> 將該第二圖框儲存在該DPU緩衝區中；及<br/> 設置指示由該DPU釋放該第二圖框的一第四柵欄。
根據請求項25之非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其中該第一柵欄是由該DPU設置的指示由該DPU釋放該第一圖框的一記憶體值。
一種反應器，包括：<br/> 一上部體，包括一氣體供應單元及一排氣單元；<br/> 一基板支持裝置；<br/> 一內環，環繞該基板支持裝置，並且配置在該基板支持裝置與該反應器的一側壁之間；以及<br/> 一反應空間，形成於該氣體供應單元與該基板支持裝置之間，<br/> 其中該排氣單元包括：<br/> 一排氣埠，定位於該反應器之一第一側上；<br/> 一排氣管，配置以在其中提供一排氣空間；<br/> 一排氣孔，連接該排氣管之該排氣空間至該排氣埠，並且配置在該上部體內；以及<br/> 一排氣通道，從該反應空間延伸通過該排氣管之内部空間及該排氣孔到該排氣埠，<br/> 其中朝向該反應空間之一第一台階形成於該上部體下方，<br/> 該內環經安置於該第一台階上，<br/> 在該第一側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離大於在一第二側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離，並且<br/> 該第二側係相對於該上部體的中心與該第一側對立，<br/> 其中，<br/> 一外環經安置於該上部體下方的一第一台階上，<br/> 朝向該反應空間之一第二台階形成於該外環中，及<br/> 該內環經安置於該外環之該第二台階上。
如請求項1之反應器，其中該第一側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離係大於該基板支持裝置與該氣體供應單元之間的一垂直距離。
如請求項1之反應器，其中該第二側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離係大於該基板支持裝置與該氣體供應單元之間的一垂直距離。
如請求項1之反應器，其中該第二側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離係小於該基板支持裝置與該氣體供應單元之間的一垂直距離。
如請求項1之反應器，其中在一排氣操作期間，在該第一側處的一氣體排氣流動係快於該第二側處的一氣體排氣流動。
如請求項1之反應器，其中在一排氣操作期間，一排氣壓力梯度在該反應空間中係從該第二側至該第一側增强。
如請求項1之反應器，其中一氣體排氣流動速率之調整係藉由調整該第一側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離、以及該第二側上該排氣管與該內環之間的一垂直距離中之至少一者。
如請求項7之反應器，其中於一基板上沉積的一薄膜之厚度的一致性或對稱性之控制，係藉由調整該第一側上該排氣管與該內環之間的該垂直距離、以及該第二側上該排氣管與該內環之間的該垂直距離中之至少一者。
如請求項1之反應器，其中<br/> 該內環之一上表面係傾斜以在該第二側處高於該第一側處，及<br/> 一氣體排氣流動速率之調整係藉由調整該內環之該上表面之一傾斜度。
如請求項1之反應器，其中該第二側處該排氣管與該外環之間的一垂直距離係大於該第二側處該排氣管與該內環之間的一垂直距離。
如請求項1之反應器，其中該第一側處該排氣管與該外環之間的一垂直距離係大於該第一側處該排氣管與該內環之間的一垂直距離。
如請求項1之反應器，其中該上部體內的一排氣通道經形成以環繞該反應空間。
如請求項12之反應器，其中該排氣通道在該第一側處具有的寬度大於該排氣通道在該第二側處具有的寬度。
一種氣體流動控制環，<br/> 其中該氣體流動控制環之一上表面配置以自一第二側朝向一第一側傾斜，使得該上表面在該第二側處高於該第一側處，並且<br/> 該第二側相對於該氣體流動控制環之中心與該第一側對立，<br/> 其中該氣體流動控制環係安置於一反應器中，以便環繞一基板支持裝置，並且<br/> 該反應器中之一氣體排氣流動速率係根據該氣體流動控制環之該上表面之一傾斜度而調整。
一種基板處理設備，包括：<br/> 一外室，提供一内部空間；<br/> 至少一如請求項1至13之反應器，配置於該内部空間；<br/> 一沉積氣體源，配置以將一沉積氣體供應至該至少一反應器；<br/> 一反應性氣體源，配置以將一反應性氣體供應至該至少一反應器；以及<br/> 至少一排氣泵，藉由一排氣管線連接至該至少一反應器的一排氣埠。
一種深沖壓罐之製造方法，係將至少在成為罐內表面之面具有內表面塗膜之塗裝金屬板予以深沖壓加工而成的深沖壓罐之製造方法，其特徵在於： <br/>該內表面塗膜含有聚酯樹脂，且該聚酯樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)為55℃以上； <br/>該深沖壓加工中之引縮率為40%以上； <br/>該深沖壓加工中之引縮加工時之加工速度為2000mm/sec以上。
如請求項1之深沖壓罐之製造方法，其中，該內表面塗膜之玻璃轉移溫度為55℃以上。
如請求項1或2之深沖壓罐之製造方法，其中，該內表面塗膜更含有硬化劑，且該硬化劑為甲階型酚醛樹脂及/或胺基樹脂。
如請求項1或2之深沖壓罐之製造方法，其中，該塗裝金屬板係進一步在成為罐外表面之面具有外表面塗膜，且該外表面塗膜含有聚酯樹脂。
如請求項1或2之深沖壓罐之製造方法，其中，該深沖壓罐之該內表面塗膜之被覆度以ERV換算係200mA以下。
如請求項1或2之深沖壓罐之製造方法，其中，在該深沖壓加工後，以55℃以上的溫度施行熱處理。
一種深沖壓罐，係至少在罐內表面側具有內表面塗膜，其特徵在於：該內表面塗膜含有作為主成分之聚酯樹脂，該內表面塗膜之玻璃轉移溫度(Tg)為55℃以上，且該內表面塗膜之被覆度以ERV換算為200mA以下， <br/>罐身中央部的該內表面塗膜之以下式表示之熱收縮率係30%以下； <br/>熱收縮率(%)=(ΔL<sub>1</sub>/L<sub>0</sub>)×100 <br/>L<sub>0</sub>：自罐身中央部分離出之塗膜的高度方向的初始長度 <br/>ΔL<sub>1</sub>：邊施加每單位面積5.20×10<sup>5</sup>N/m<sup>2</sup>的負荷邊以升溫速度5℃/min自30℃升溫至200℃時，L<sub>0</sub>於該當部分之塗膜之高度方向的最大收縮長度。
如請求項7之深沖壓罐，其中，該內表面塗膜更含有硬化劑，且該硬化劑為甲階型酚醛樹脂及/或胺基樹脂。
如請求項7之深沖壓罐，其中，該內表面塗膜不含有硬化劑。
如請求項7至9中任一項之深沖壓罐，其進一步在罐外表面側具有外表面塗膜，且該外表面塗膜含有聚酯樹脂。
如請求項7至9中任一項之深沖壓罐，其中，罐身中央部之厚度係罐底中央部之厚度的60%以下之厚度。
如請求項7至9中任一項之深沖壓罐，其中，罐身中央部之該內表面塗膜之厚度係罐底中央部的該內表面塗膜之厚度的60%以下之厚度。
如請求項7至9中任一項之深沖壓罐，其中，該內表面塗膜與金屬基體之厚度比(該內表面塗膜之厚度/金屬基體之厚度)於罐底部及罐身部係大致相同。
如請求項7至9中任一項之深沖壓罐，其中，罐底部之該內表面塗膜於60℃的試驗條件下之伸長率係未達200%。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 從一基地台接收辨識一排程配置的控制訊號傳遞，該排程配置指示用於排程在一被排程分量載波上的通訊的一排程分量載波的一第一搜尋空間集和一第二搜尋空間集，該被排程分量載波不同於該排程分量載波；<br/> 至少部分地基於該排程配置，來辨識用於該被排程分量載波的複數個搜尋空間集的一搜尋空間集連結配置；<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置，來辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集內的一解碼候選集合，該解碼候選集合被分配用於對該被排程分量載波的跨載波排程；<br/> 從該基地台並且在該解碼候選集合中的至少一個解碼候選內，經由該排程分量載波接收至少一個控制訊息，該至少一個控制訊息排程在該基地台和該UE之間經由該被排程分量載波進行的一通訊；及<br/> 至少部分地基於該至少一個控制訊息，來經由該被排程分量載波發送或接收與該基地台的該通訊。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集與第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相關聯，該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引分別與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相同。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結；及<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來辨識該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項1所述的裝置，其中該解碼候選集合中的該至少一個解碼候選包括一解碼候選對，並且該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該解碼候選對對應於一相同的載波指示符欄位、一相同的候選索引和一相同的聚合水平，來辨識該解碼候選對針對控制通道重複被連結。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於接收辨識該排程配置的該控制訊號傳遞的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集相關聯的一第一搜尋空間集索引和與該排程分量載波的該第二搜尋空間集相關聯的一第二搜尋空間集索引。
如請求項6所述的裝置，其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集分別與該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引相關聯，並且其中該搜尋空間集連結配置至少部分地基於該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結來指示該第三搜尋空間集和該第四搜尋空間集針對控制通道重複被連結或未被連結。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 從該基地台接收指示該搜尋空間集連結配置的額外控制訊號傳遞。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於指示該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結的該排程配置，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結。
如請求項9所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來針對該控制訊息的一重複在該第一搜尋空間集內監測一第一解碼候選並且針對該控制訊息的一重複在該第二搜尋空間集內監測一第二解碼候選，該第二解碼候選被連結到該第一解碼候選。
如請求項9所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集內的一第三監測時機集合和在該排程分量載波的該第二搜尋空間集內的一第四監測時機集合針對控制通道重複未被連結以用於載波內排程。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結。
如請求項12所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結，來針對該控制訊息監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選並且針對與該控制訊息不同的一第二控制訊息來監測該第二搜尋空間集的一第二解碼候選。
如請求項12所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複未被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項14所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第三解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第四解碼候選，以用於在該排程分量載波上的載波內排程。
如請求項1所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示用於該第一搜尋空間集的一或多個監測時機的一第一集合和用於該第二搜尋空間集的一或多個監測時機的一第二集合。
如請求項1所述的裝置，其中該等用於接收辨識該排程配置的該控制訊號傳遞的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集被配置在該被排程分量載波的一第一頻寬部分內、以及該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集被配置在該排程分量載波的一第二頻寬部分內。
如請求項1所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集相關聯的一第一頻寬部分是活動的、以及與該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集相關聯的一第二頻寬部分是活動的；及<br/> 至少部分地基於該第一頻寬部分和該第二頻寬部分是活動的，來針對該控制訊息的一或多個重複監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選。
如請求項1所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該第一搜尋空間集針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集以用於在該排程分量載波上的載波內排程，來針對一第二控制訊息監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選並且針對該第二控制訊息的一重複來監測該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，其中該第二控制訊息排程在該UE和該基地台之間經由該排程分量載波的一第二通訊。
如請求項1所述的裝置，<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選與對應於該排程分量載波的一第一載波指示符欄位值相關聯，並且<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第三解碼候選和該第二搜尋空間集的一第四解碼候選與對應於該被排程分量載波的一第二載波指示符欄位值相關聯，該第二載波指示符欄位值不同於該第一載波指示符欄位值。
如請求項1所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 從該基地台接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項1所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 從該基地台接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於在該排程分量載波上經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項1所述的裝置，<br/> 其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集包括一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集，<br/> 其中該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該被排程分量載波的該第三搜尋空間集與一第一搜尋空間集索引相關聯，並且<br/> 其中該排程分量載波的該第二搜尋空間集和該被排程分量載波的該第四搜尋空間集與不同於該第一搜尋空間集索引的一第二搜尋空間集索引相關聯。
一種用於一基地台處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 向一使用者設備（UE）發送辨識一排程配置的控制訊號傳遞，該排程配置指示用於排程在一被排程分量載波上的通訊的一排程分量載波的一第一搜尋空間集和一第二搜尋空間集，該被排程分量載波不同於該排程分量載波；<br/> 至少部分地基於該排程配置，來辨識用於該被排程分量載波的複數個搜尋空間集的一搜尋空間集連結配置；<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置，來辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集內的一解碼候選集合，該解碼候選集合被分配用於對該被排程分量載波的跨載波排程；<br/> 向該UE並且在該解碼候選集合中的至少一個解碼候選內，經由該排程分量載波發送至少一個控制訊息，該至少一個控制訊息排程在該基地台和該UE之間經由該被排程分量載波進行的一通訊；及<br/> 至少部分地基於該至少一個控制訊息，來經由該被排程分量載波發送或接收與該UE的該通訊。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集與第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相關聯，該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引分別與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相同。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結；及<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來辨識該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於跨越用於兩個監測時機的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的每對解碼候選針對控制通道重複被連結，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，針對控制通道重複被連結的每對該等解碼候選對應於一相同的載波指示符欄位、一相同的候選索引和一相同的聚合水平。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於發送辨識該排程配置的該控制訊號傳遞的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集相關聯的一第一搜尋空間集索引和與該排程分量載波的該第二搜尋空間集相關聯的一第二搜尋空間集索引。
如請求項29所述的裝置，其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集分別與該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引相關聯，並且其中該搜尋空間集連結配置至少部分地基於該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結來指示該第三搜尋空間集和該第四搜尋空間集針對控制通道重複被連結或未被連結。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 向該UE發送指示該搜尋空間集連結配置的額外控制訊號傳遞。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於指示該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結的該排程配置，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結。
如請求項24所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集內的一第三監測時機集合和在該排程分量載波的該第二搜尋空間集內的一第四監測時機集合針對控制通道重複未被連結以用於載波內排程。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結。
如請求項34所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複未被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項35所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第三解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第四解碼候選，以用於在該排程分量載波上的載波內排程。
如請求項24所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示用於該第一搜尋空間集的一或多個監測時機的一第一集合和用於該第二搜尋空間集的一或多個監測時機的一第二集合。
如請求項24所述的裝置，其中該等用於發送辨識該排程配置的該控制訊號傳遞的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集被配置在該被排程分量載波的一第一頻寬部分內、以及該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集被配置在該排程分量載波的一第二頻寬部分內。
如請求項24所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集相關聯的一第一頻寬部分是活動的、以及與該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集相關聯的一第二頻寬部分是活動的，其中發送該至少一個控制訊息是至少部分地基於該第一頻寬部分和該第二頻寬部分是活動的。
如請求項24所述的裝置，<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選與對應於該排程分量載波的一第一載波指示符欄位值相關聯，並且<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第三解碼候選和該第二搜尋空間集的一第四解碼候選與對應於該被排程分量載波的一第二載波指示符欄位值相關聯，該第二載波指示符欄位值不同於該第一載波指示符欄位值。
如請求項24所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 向該UE發送額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項24所述的裝置，其中該等指令進一步可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 向該UE發送額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於在該排程分量載波上經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項24所述的裝置，<br/> 其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集包括一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集，<br/> 其中該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該被排程分量載波的該第三搜尋空間集與一第一搜尋空間集索引相關聯，並且<br/> 其中該排程分量載波的該第二搜尋空間集和該被排程分量載波的該第四搜尋空間集與不同於該第一搜尋空間集索引的一第二搜尋空間集索引相關聯。
一種用於一使用者設備（UE）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一基地台接收辨識一排程配置的控制訊號傳遞，該排程配置指示用於排程在一被排程分量載波上的通訊的一排程分量載波的一第一搜尋空間集和一第二搜尋空間集，該被排程分量載波不同於該排程分量載波；<br/> 至少部分地基於該排程配置，來辨識用於該被排程分量載波的複數個搜尋空間集的一搜尋空間集連結配置；<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置，來辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集內的一解碼候選集合，該解碼候選集合被分配用於對該被排程分量載波的跨載波排程；<br/> 從該基地台並且在該解碼候選集合中的至少一個解碼候選內，經由該排程分量載波接收至少一個控制訊息，該至少一個控制訊息排程在該基地台和該UE之間經由該被排程分量載波進行的一通訊；及<br/> 至少部分地基於該至少一個控制訊息，來經由該被排程分量載波發送或接收與該基地台的該通訊。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集與第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相關聯，該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引分別與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相同。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結；及<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來辨識該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項44所述的方法，其中該解碼候選集合中的該至少一個解碼候選包括一解碼候選對，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該解碼候選對對應於一相同的載波指示符欄位、一相同的候選索引和一相同的聚合水平，來辨識該解碼候選對針對控制通道重複被連結。
如請求項44所述的方法，其中接收辨識該排程配置的該控制訊號傳遞包括以下步驟：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集相關聯的一第一搜尋空間集索引和與該排程分量載波的該第二搜尋空間集相關聯的一第二搜尋空間集索引。
如請求項49所述的方法，其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集分別與該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引相關聯，並且其中該搜尋空間集連結配置至少部分地基於該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結來指示該第三搜尋空間集和該第四搜尋空間集針對控制通道重複被連結或未被連結。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 從該基地台接收指示該搜尋空間集連結配置的額外控制訊號傳遞。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於指示該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結的該排程配置，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結。
如請求項52所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來針對該控制訊息的一重複在該第一搜尋空間集內監測一第一解碼候選並且針對該控制訊息的一重複在該第二搜尋空間集內監測一第二解碼候選，該第二解碼候選被連結到該第一解碼候選。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集內的一第三監測時機集合和在該排程分量載波的該第二搜尋空間集內的一第四監測時機集合針對控制通道重複未被連結以用於載波內排程。
如請求項44所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結。
如請求項55所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結，來針對該控制訊息監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選並且針對與該控制訊息不同的一第二控制訊息來監測該第二搜尋空間集的一第二解碼候選。
如請求項55所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複未被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項57所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第三解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第四解碼候選，以用於在該排程分量載波上的載波內排程。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示用於該第一搜尋空間集的一或多個監測時機的一第一集合和用於該第二搜尋空間集的一或多個監測時機的一第二集合。
如請求項44所述的方法，其中接收辨識該排程配置的該控制訊號傳遞包括以下步驟：<br/> 接收該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集被配置在該被排程分量載波的一第一頻寬部分內、以及該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集被配置在該排程分量載波的一第二頻寬部分內。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集相關聯的一第一頻寬部分是活動的、以及與該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集相關聯的一第二頻寬部分是活動的；及<br/> 至少部分地基於該第一頻寬部分和該第二頻寬部分是活動的，來針對該控制訊息的一或多個重複監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該第一搜尋空間集針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集以用於在該排程分量載波上的載波內排程，來針對一第二控制訊息監測該第一搜尋空間集的一第一解碼候選並且針對該第二控制訊息的一重複來監測該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，其中該第二控制訊息排程在該UE和該基地台之間經由該排程分量載波的一第二通訊。
如請求項44所述的方法，<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選與對應於該排程分量載波的一第一載波指示符欄位值相關聯，並且<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第三解碼候選和該第二搜尋空間集的一第四解碼候選與對應於該被排程分量載波的一第二載波指示符欄位值相關聯，該第二載波指示符欄位值不同於該第一載波指示符欄位值。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 從該基地台接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項44所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 從該基地台接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於在該排程分量載波上經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項44所述的方法，<br/> 其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集包括一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集，<br/> 其中該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該被排程分量載波的該第三搜尋空間集與一第一搜尋空間集索引相關聯，並且<br/> 其中該排程分量載波的該第二搜尋空間集和該被排程分量載波的該第四搜尋空間集與不同於該第一搜尋空間集索引的一第二搜尋空間集索引相關聯。
一種用於一基地台處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 向一使用者設備（UE）發送辨識一排程配置的控制訊號傳遞，該排程配置指示用於排程在一被排程分量載波上的通訊的一排程分量載波的一第一搜尋空間集和一第二搜尋空間集，該被排程分量載波不同於該排程分量載波；<br/> 至少部分地基於該排程配置，來辨識用於該被排程分量載波的複數個搜尋空間集的一搜尋空間集連結配置；<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置，來辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集內的一解碼候選集合，該解碼候選集合被分配用於對該被排程分量載波的跨載波排程；<br/> 向該UE並且在該解碼候選集合中的至少一個解碼候選內，經由該排程分量載波發送至少一個控制訊息，該至少一個控制訊息排程在該基地台和該UE之間經由該被排程分量載波進行的一通訊；及<br/> 至少部分地基於該至少一個控制訊息，來經由該被排程分量載波發送或接收與該UE的該通訊。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集與第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相關聯，該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引分別與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的第一搜尋空間集索引和第二搜尋空間集索引相同。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下項來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結：該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項67所述的方法，其中該等用於辨識該搜尋空間集連結配置的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結；及<br/> 至少部分地基於該等至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，來辨識該等至少兩個搜尋空間集每聚合水平被配置有一相同數量的解碼候選。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於跨越用於兩個監測時機的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集的每對解碼候選針對控制通道重複被連結，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結，針對控制通道重複被連結的每對該等解碼候選對應於一相同的載波指示符欄位、一相同的候選索引和一相同的聚合水平。
如請求項67所述的方法，其中發送辨識該排程配置的該控制訊號傳遞包括以下步驟：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集相關聯的一第一搜尋空間集索引和與該排程分量載波的該第二搜尋空間集相關聯的一第二搜尋空間集索引。
如請求項72所述的方法，其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集分別與該第一搜尋空間集索引和該第二搜尋空間集索引相關聯，並且其中該搜尋空間集連結配置至少部分地基於該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結來指示該第三搜尋空間集和該第四搜尋空間集針對控制通道重複被連結或未被連結。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 向該UE發送指示該搜尋空間集連結配置的額外控制訊號傳遞。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於指示該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集針對控制通道重複被連結的該排程配置，來辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複被連結。
如請求項67所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 辨識在該排程分量載波的該第一搜尋空間集內的一第三監測時機集合和在該排程分量載波的該第二搜尋空間集內的一第四監測時機集合針對控制通道重複未被連結以用於載波內排程。
如請求項67所述的方法，其中辨識該搜尋空間集連結配置包括以下步驟：<br/> 辨識該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集針對控制通道重複未被連結。
如請求項77所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複未被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項78所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於該搜尋空間集連結配置來辨識該第一搜尋空間集的一第三解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第四解碼候選，以用於在該排程分量載波上的載波內排程。
如請求項67所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示用於該第一搜尋空間集的一或多個監測時機的一第一集合和用於該第二搜尋空間集的一或多個監測時機的一第二集合。
如請求項67所述的方法，其中發送辨識該排程配置的該控制訊號傳遞包括以下步驟：<br/> 發送該控制訊號傳遞，該控制訊號傳遞指示該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集中的至少兩個搜尋空間集被配置在該被排程分量載波的一第一頻寬部分內、以及該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集被配置在該排程分量載波的一第二頻寬部分內。
如請求項67所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 接收額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示與該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該第二搜尋空間集相關聯的一第一頻寬部分是活動的、以及與該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集相關聯的一第二頻寬部分是活動的，其中發送該至少一個控制訊息是至少部分地基於該第一頻寬部分和該第二頻寬部分是活動的。
如請求項67所述的方法，<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第一解碼候選和該第二搜尋空間集的一第二解碼候選與對應於該排程分量載波的一第一載波指示符欄位值相關聯，並且<br/> 其中該第一搜尋空間集的一第三解碼候選和該第二搜尋空間集的一第四解碼候選與對應於該被排程分量載波的一第二載波指示符欄位值相關聯，該第二載波指示符欄位值不同於該第一載波指示符欄位值。
如請求項67所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 向該UE發送額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項67所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 向該UE發送額外控制訊號傳遞，該額外控制訊號傳遞指示包括該被排程分量載波的複數個分量載波，該被排程分量載波被配置用於在該排程分量載波上經由控制通道重複的跨載波排程；及<br/> 至少部分地基於對該複數個分量載波的該指示來辨識該第一搜尋空間集的一第一解碼候選針對控制通道重複被連結到該第二搜尋空間集的一第二解碼候選，以用於在該被排程分量載波上的跨載波排程。
如請求項67所述的方法，<br/> 其中該被排程分量載波的該複數個搜尋空間集包括一第三搜尋空間集和一第四搜尋空間集，<br/> 其中該排程分量載波的該第一搜尋空間集和該被排程分量載波的該第三搜尋空間集與一第一搜尋空間集索引相關聯，並且<br/> 其中該排程分量載波的該第二搜尋空間集和該被排程分量載波的該第四搜尋空間集與不同於該第一搜尋空間集索引的一第二搜尋空間集索引相關聯。
一種機器人系統，具備： <br/> 機器人裝置，用來對工具機供給工件； <br/> 工件夾取機構，安裝於前述機器人裝置的臂前端； <br/> 力量感測器，用來偵測作用於前述工件夾取機構的外力； <br/> 控制裝置，控制前述機器人裝置， <br/> 前述控制裝置具有： <br/> 控制部，為了修正前述工件夾取機構相對於前述工具機的位置與姿勢，而依據前述力量感測器的輸出，控制前述機器人裝置； <br/> 記憶部，記憶與經前述修正之前述工件夾取機構的位置與姿勢相關的資料；以及 <br/> 進場位置姿勢計算部，依據與前述所記憶之前述工件夾取機構的位置及姿勢相關的資料，計算前述工件夾取機構對前述工具機的進場位置與進場姿勢， <br/> 前述控制部，是在前述工件之後續其他工件的批號相對於前述工件的批號相同時，控制前述機器人裝置，將前述所記憶的進場位置與進場姿勢應用於前述其他工件，當前述其他工件的批號相對於前述工件的批號不同時，則不將前述所記憶的進場位置與進場姿勢應用於前述其他工件，並控制前述機器人裝置依據前述力量感測器的輸出再次修正前述工件夾取機構的位置與姿勢。
如請求項1所記載的機器人系統，其中前述控制部，依據前述力量感測器的輸出而控制前述機器人裝置，使前述工件夾取機構平行於前述工具機的夾頭機構之夾頭面的垂直中心線而移動，並以特定的力將前述工件壓附於前述夾頭面，同時為了減少作用在正交於前述垂直中心線之方向的力，而修正前述工件夾取機構的姿勢，並且為了減少伴隨著前述夾頭機構的關閉動作而作用在正交於前述垂直中心線之方向的力，而沿著正交於前述垂直中心線的方向，修正前述工件夾取機構的位置。
一種工件供給方法，是藉由如請求項1所記載的機器人系統對工具機供給工件用的工件供給方法， <br/> 該工件供給方法具備： <br/> 前述控制裝置依據前述力量感測器的輸出而控制前述機器人裝置，使前述工件夾取機構平行於前述工具機的夾頭機構之夾頭面的垂直中心線而移動，並以特定的力將前述工件壓附於前述夾頭面的步驟； <br/> 前述控制裝置依據前述力量感測器的輸出而控制前述機器人裝置，將前述工件壓附於前述夾頭面，同時為了減少作用在正交於前述垂直中心線之方向的力，而修正前述工件夾取機構之姿勢的步驟； <br/> 前述控制裝置依據前述力量感測器的輸出而控制前述機器人裝置，為了減少伴隨著前述夾頭機構的關閉動作而作用在正交於前述垂直中心線之方向的力，而沿著正交於前述垂直中心線的方向，修正前述工件夾取機構之位置的步驟。
如請求項3所記載的工件供給方法，其中更進一步具備： <br/> 前述控制裝置依據前述所修正之前述工件夾取機構的位置與姿勢，計算前述工件夾取機構相對於前述工具機的進場位置與進場姿勢的步驟； <br/> 前述控制裝置控制前述機器人裝置，將前述所計算的進場位置與進場姿勢，應用於前述工件之後續其它工件的步驟。
一種由一使用者設備（UE）執行的無線定位的方法，包括以下步驟：<br/> 向與至少一個基地站相關聯的一第一可重配置智慧表面（RIS）傳輸一上行鏈路參考信號；<br/> 從該第一RIS接收該上行鏈路參考信號的一反射，其中該反射的至少一個傳輸參數將該反射辨識為該上行鏈路參考信號的該反射；<br/> 使該UE與該第一RIS之間的一距離能夠至少部分地基於針對該UE的一傳輸到接收（Tx-Rx）時間差量測被計算，該Tx-Rx時間差量測表示該上行鏈路參考信號從該UE到該第一RIS的一傳輸時間與在該UE處對來自該第一RIS的該上行鏈路參考信號的該反射的一接收時間之間的一差；及<br/> 接收與該第一RIS相關的輔助資料，其中該輔助資料包括由該至少一個基地站支援的一細胞中的所有RIS的辨識符。
根據請求項1之方法，其中該輔助資料包括：<br/> 該第一RIS的一辨識符，<br/> 該第一RIS的一位置，<br/> 該第一RIS的一操作模式，<br/> 該第一RIS與在其上傳輸該上行鏈路參考信號的上行鏈路資源之間的一映射，<br/> 該至少一個傳輸參數，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項1之方法，其中該輔助資料亦包括：<br/> 指示該第一RIS能夠執行往返時間（RTT）定位的一索引值。
根據請求項2之方法，其中在其上傳輸該上行鏈路參考信號的該等上行鏈路資源被映射至包括該第一RIS的複數個RIS。
根據請求項4之方法，其中該輔助資料亦包括：<br/> 該複數個RIS中的每一個的辨識符，<br/> 該複數個RIS中的每一個的位置，<br/> 該複數個RIS中的每一個的操作模式，<br/> 該複數個RIS中的每一個的一預配置的時間延遲，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項5之方法，其中該複數個RIS中的每一個的該預配置的時間延遲不同於該複數個RIS中的其他RIS的其他預配置的時間延遲。
根據請求項1之方法，其中該輔助資料是從一位置伺服器接收的。
根據請求項7之方法，其中該輔助資料是在一或多個長期進化（LTE）定位協定（LPP）訊息中從該位置伺服器接收的。
根據請求項1之方法，其中該輔助資料是從該至少一個基地站接收的。
根據請求項9之方法，其中該輔助資料是在由該至少一個基地站在一或多個系統資訊區塊（SIB）中廣播的系統資訊中從該至少一個基地站接收的。
根據請求項1之方法，其中該至少一個傳輸參數包括：<br/> 該第一RIS的一預配置的時間延遲，<br/> 應用於該反射的一或多個反射權重，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項1之方法，其中：<br/> 該上行鏈路參考信號是在一上行鏈路傳輸波束上傳輸的，<br/> 該上行鏈路參考信號的該反射是在一下行鏈路接收波束上接收的，並且<br/> 該上行鏈路傳輸波束和該下行鏈路接收波束在該相同方向上。
根據請求項1之方法，其中該上行鏈路參考信號是全向傳輸的。
根據請求項1之方法，其中該UE與該RIS之間的該距離被計算為：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="73px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中c為該光速，<img align="absmiddle" height="16px" width="22px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該Tx-Rx時間差量測，並且∆t是該第一RIS的一預配置的時間延遲。
根據請求項1之方法，其中使該UE與該第一RIS之間的該距離能夠被計算之步驟包括以下步驟：計算該UE與該第一RIS之間的該距離。
根據請求項1之方法，其中使該UE與該第一RIS之間的該距離能夠被計算之步驟包括以下步驟：將該Tx-Rx時間差量測傳輸至一位置伺服器。
根據請求項1之方法，其中該上行鏈路參考信號包括一探測參考信號（SRS）。
根據請求項1之方法，其中該至少一個基地站是該UE的一相鄰基地站。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 一記憶體；<br/> 一通訊介面；及<br/> 至少一個處理器，通訊地耦接至該記憶體和該通訊介面，該至少一個處理器被配置為：<br/> 使該通訊介面向與至少一個基地站相關聯的一第一可重配置智慧表面（RIS）傳輸一上行鏈路參考信號；<br/> 經由該通訊介面從該第一RIS接收該上行鏈路參考信號的一反射，其中該反射的至少一個傳輸參數將該反射辨識為該上行鏈路參考信號的該反射；<br/> 使該UE與該第一RIS之間的一距離能夠至少部分地基於針對該UE的一傳輸到接收（Tx-Rx）時間差量測被計算，該Tx-Rx時間差量測表示該上行鏈路參考信號從該UE到該第一RIS的一傳輸時間與在該UE處對來自該第一RIS的該上行鏈路參考信號的該反射的一接收時間之間的一差；及<br/> 經由該通訊介面接收與該第一RIS相關的輔助資料，其中該輔助資料包括：由該至少一個基地站支援的一細胞中的所有RIS的辨識符。
根據請求項19之UE，其中該輔助資料包括：<br/> 該第一RIS的一辨識符，<br/> 該第一RIS的一位置，<br/> 該第一RIS的一操作模式，<br/> 該第一RIS與在其上傳輸該上行鏈路參考信號的上行鏈路資源之間的一映射，<br/> 該至少一個傳輸參數，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項19之UE，其中該輔助資料亦包括：<br/> 指示該第一RIS能夠執行往返時間（RTT）定位的一索引值。
根據請求項20之UE，其中在其上傳輸該上行鏈路參考信號的該等上行鏈路資源被映射至包括該第一RIS的複數個RIS。
根據請求項22之UE，其中該輔助資料亦包括：<br/> 該複數個RIS中的每一個的辨識符，<br/> 該複數個RIS中的每一個的位置，<br/> 該複數個RIS中的每一個的操作模式，<br/> 該複數個RIS中的每一個的一預配置的時間延遲，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項23之UE，其中該複數個RIS中的每一個的該預配置的時間延遲不同於該複數個RIS中的其他RIS的其他預配置的時間延遲。
根據請求項19之UE，其中該輔助資料是從一位置伺服器接收的。
根據請求項25之UE，其中該輔助資料是在一或多個長期進化（LTE）定位協定（LPP）訊息中從該位置伺服器接收的。
根據請求項19之UE，其中該輔助資料是從該至少一個基地站接收的。
根據請求項27之UE，其中該輔助資料是在由該至少一個基地站在一或多個系統資訊區塊（SIB）中廣播的系統資訊中從該至少一個基地站接收的。
根據請求項19之UE，其中該至少一個傳輸參數包括：<br/> 該第一RIS的一預配置的時間延遲，<br/> 應用於該反射的一或多個反射權重，或者<br/> 其任何組合。
根據請求項19之UE，其中：<br/> 該上行鏈路參考信號是在一上行鏈路傳輸波束上傳輸的，<br/> 該上行鏈路參考信號的該反射是在一下行鏈路接收波束上傳輸的，並且<br/> 該上行鏈路傳輸波束和該下行鏈路接收波束在該相同方向上。
根據請求項19之UE，其中該上行鏈路參考信號是全向傳輸的。
根據請求項19之UE，其中該UE與該RIS之間的該距離被計算為：<br/><img align="absmiddle" height="17px" width="73px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中c為該光速，<img align="absmiddle" height="16px" width="22px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該Tx-Rx時間差量測，並且∆t是該第一RIS的一預配置的時間延遲。
根據請求項19之UE，其中該至少一個處理器被配置為使該UE與該第一RIS之間的該距離能夠被計算包括：該至少一個處理器被配置為計算該UE與該第一RIS之間的該距離。
根據請求項19之UE，其中該至少一個處理器被配置為使該UE與該第一RIS之間的該距離能夠被計算包括：該至少一個處理器被配置為將該Tx-Rx時間差量測傳輸至一位置伺服器。
根據請求項19之UE，其中該上行鏈路參考信號包括一探測參考信號（SRS）。
根據請求項19之UE，其中該至少一個基地站是該UE的一相鄰基地站。
一種使用者設備（UE），包括：<br/> 用於向與至少一個基地站相關聯的一第一可重配置智慧表面（RIS）傳輸一上行鏈路參考信號的構件；<br/> 用於從該第一RIS接收該上行鏈路參考信號的一反射的構件，其中該反射的至少一個傳輸參數將該反射辨識為該上行鏈路參考信號的該反射；<br/> 用於使該UE與該第一RIS之間的一距離能夠至少部分地基於針對該UE的一傳輸到接收（Tx-Rx）時間差量測被計算的構件，該Tx-Rx時間差量測表示該上行鏈路參考信號從該UE到該第一RIS的一傳輸時間與在該UE處對來自該第一RIS的該上行鏈路參考信號的該反射的一接收時間之間的一差；及<br/> 用於接收與該第一RIS相關的輔助資料的構件，其中該輔助資料包括由該至少一個基地站支援的一細胞中的所有RIS的辨識符。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存電腦可執行指令，當該等電腦可執行指令被一使用者設備（UE）執行時，使該UE：<br/> 向與至少一個基地站相關聯的一第一可重配置智慧表面（RIS）傳輸一上行鏈路參考信號；<br/> 從該第一RIS接收該上行鏈路參考信號的一反射，其中該反射的至少一個傳輸參數將該反射辨識為該上行鏈路參考信號的該反射；<br/> 使該UE與該第一RIS之間的一距離能夠至少部分地基於針對該UE的一傳輸到接收（Tx-Rx）時間差量測被計算，該Tx-Rx時間差量測表示該上行鏈路參考信號從該UE到該第一RIS的一傳輸時間與在該UE處對來自該第一RIS的該上行鏈路參考信號的該反射的一接收時間之間的一差；及<br/> 接收與該第一RIS相關的輔助資料，其中該輔助資料包括由該至少一個基地站支援的一細胞中的所有RIS的辨識符。
一種用於測定遠焦光學系統（105）的調制轉換函數（MTF）的量測設備（100），其中所述量測設備（100）具有以下特徵： <br/>固定裝置（110），用於將所述遠焦光學系統（105）固定在固定平面（140）上； <br/>備光裝置（115），其包含寬帶光源及由所述寬帶光源照明的十字形測試結構，用於提供光源（145）從第一面（150）爲所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）照明； <br/>攝像機（120），用於從與所述第一面（150）相對的第二面（155）觀察所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）並生成攝像機圖像（160），其中在所述量測設備（100）的準備運行狀態中，所述備光裝置（115）、所述遠焦光學系統（105）以及所述攝像機（120）同軸佈置於測定軸（162）上，或它們的量測軸與所述測定軸平行佈置，所述測定軸與所述固定平面（140）垂直； <br/>至少一個另外的備光裝置（125），其包含另外的寬帶光源及由所述另外的寬帶光源照明之另外的十字形測試結構，用於提供另外的光源（165）從所述第一面（150）爲所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）照明，而所述備光裝置及所述另外的備光裝置配置設計用於同時提供光以及提供另外的光用以照明所述遠焦光學系統； <br/>至少一臺另外的攝像機（130），用於從所述第二面（155）觀察所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）並生成另外的攝像機圖像（170）；其中在所述準備運行狀態中，所述另外的備光裝置（125）、所述遠焦光學系統（105）以及所述另外的攝像機（130）同軸佈置於斜測定軸（175）上，或它們的量測軸與所述斜測定軸平行佈置，所述斜測定軸與所述測定軸（162）和/或所述固定平面（140）傾斜，而所述攝像機及所述另外的攝像機設計用於同時生成所述攝像機圖像以及生成所述另外的攝像機圖像；以及 <br/>傳輸介面（135），用於將所述攝像機圖像（160）以及所述另外的攝像機圖像（170）傳輸至分析單元（180），所述分析單元設計用於透過使用至少所述攝像機圖像（160）和/或所述另外的攝像機圖像（170）來辨識所述遠焦光學系統（105）的所述調制轉換函數（MTF）。
如請求項1所述之量測設備（100），在所述量測設備中，所述備光裝置（115）配備可聚焦的或不可聚焦的準直儀（500），所述準直儀設計用於提供所述光源（145）作為準直光源。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備至少一臺第三攝像機（200），用於從所述第二面（155）觀察所述固定裝置（110）中的所述光學系統（105），用於生成第三攝像機圖像，並且配備至少一個第三備光裝置（205），用於提供第三光源從所述第一面（150）爲所述固定裝置（110）中的所述光學系統（105）照明，其中在所述量測設備（100）的所述準備運行狀態中，所述第三備光裝置（205）、所述光學系統（105）以及所述第三攝像機（200）同軸佈置於另外的斜測定軸上，或它們的量測軸與所述另外的斜測定軸平行佈置，所述另外的斜測定軸與所述測定軸（162）和/或所述固定平面（140）和/或所述斜測定軸（175）傾斜。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備至少一個光學濾波器，所述光學濾波器設計用於改變聚焦在所述光學濾波器上的具有第一波長範圍的所述光源（145），用以提供從所述光學濾波器中輻射出的具有經過變更的第二波長範圍的所述光源（145），並且/亦或設計用於改變聚焦在所述光學濾波器上的具有第一偏光的所述光源（145），用以提供從所述光學濾波器輻射出的具有經過變更的第二偏光的所述光源（145）。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備攝像機支架裝置（210），所述攝像機支架裝置配備用於固定所述攝像機（120, 130, 200）的固定單元（215）。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備備光支架裝置（220），所述備光支架裝置配備用於固定所述備光裝置（115, 125, 205）的固定單元（225）。
如請求項6所述之量測設備（100），在所述量測設備中，所述攝像機支架裝置（210）佈置為朝着所述備光支架裝置（220）可傾斜或傾斜的，亦或所述備光支架裝置（220）可佈置為朝着所述攝像機支架裝置（210）可傾斜或傾斜的。
如請求項6所述之量測設備（100），在所述量測設備中，所述攝像機支架裝置（210）和/或所述備光支架裝置（220）佈置爲可橫向移動的。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備移動裝置（190），所述移動裝置設計用於將所述固定裝置（110）橫向移動至所述測定軸（162）。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備至少一個光圈（192）用於所述光源（145）和/或所述另外的光源（165）。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備所述分析單元（180），所述分析單元設計用於透過使用所述攝像機圖像（160）和/或所述另外的攝像機圖像（170）來辨識所述調制轉換函數（MTF）中的容差，並透過使用所述容差來確定校正值或校正矩陣，用於校正所述調制轉換函數（MTF）以及提高所述光學系統（105）的成像品質。
如請求項1或2所述之量測設備（100），在所述量測設備中，所述攝像機（120）和/或所述另外的攝像機（130）配有固定的或可調的聚焦位置。
如請求項1或2所述之量測設備（100），所述量測設備配備面向所述第二面（155）的結構辨識攝像機（197），所述結構辨識攝像機設計用於在所述固定平面（140）上或在所述固定平面（140）周圍的定義區域內辨識預定義的結構，其中所述分析單元設計用於透過使用辨識出的預定義的結構來確定所述光學系統（105）的橫向位置。
如請求項1或2所述之量測設備（100），在所述量測設備中，所述光學系統（105）形成爲出射窗、顯示熒幕、波導器、光學濾波器、攝像機鏡頭或望遠鏡。
一種用於測定遠焦光學系統（105）的調制轉換函數（MTF）的方法（1000），其中所述方法（1000）包括以下步驟： <br/>透過使用包含寬帶光源及由所述寬帶光源照明的十字形測試結構的備光裝置（115）提供（1005）光源（145）從第一面（150）爲固定在固定裝置（110）中的固定平面（140）上的所述遠焦光學系統（105）照明； <br/>透過使用包含另外的寬帶光源及由所述另外的寬帶光源照明之另外的十字形測試結構之另外的備光裝置（125）提供（1010）另外的光源（165）從所述第一面（150）爲固定在所述固定裝置（110）中的所述固定平面（140）上的所述遠焦光學系統（105）照明，而所述提供光及提供另外的光的步驟為同時進行； <br/>透過使用攝像機（120）從與所述第一面（150）相對的第二面（155）生成（1015）分度線板（185）在所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）上的攝像機圖像（160），其中所述備光裝置（115）、所述遠焦光學系統（105）以及所述攝像機（120）同軸佈置於測定軸（162）上，或它們的量測軸與所述測定軸平行佈置，所述測定軸與所述固定平面（140）垂直； <br/>透過使用另外的攝像機（130）從所述第二面（155）生成（1020）另外的分度線板（185）在所述固定裝置（110）中的所述遠焦光學系統（105）上的另外的攝像機圖像（170），其中所述另外的備光裝置（125）、所述遠焦光學系統（105）以及所述另外的攝像機（130）同軸佈置於斜測定軸（175）上，或它們的量測軸與所述斜測定軸平行佈置，所述斜測定軸與所述測定軸（162）和/或所述固定平面（140）傾斜，而所述生成攝像機圖像及生成另外的攝像機圖像的步驟為同時進行；並且 <br/>透過使用所述攝像機圖像（160）和/或所述另外的攝像機圖像（170）來辨識（1025）或計算所述遠焦光學系統（105）的所述調制轉換函數（MTF）。
一種細胞培養裝置，其包括： <br/>基部； <br/>轉檯，其附接到該基部上並能圍繞第一軸旋轉； <br/>容器保持構件，其附接到該轉檯上並能圍繞第二軸旋轉，該容器保持構件能被作為保持細胞培養容器；以及 <br/>驅動機構，其被作為圍繞該第一軸旋轉地驅動該轉檯並圍繞該第二軸旋轉地驅動該容器保持構件， <br/>其中，在該細胞培養容器的外周表面上設置有與液體管連接的液體埠， <br/>其中，與連接至該液體埠的連接部分間隔開預定長度的該液體管的第一預定部分通過第一定位構件被定位在該容器保持構件上， <br/>其中，與該第一預定部分相比與該連接部分間隔更遠的該液體管的第二預定部分通過第二定位構件被定位在該轉檯上，並且 <br/>其中，該第一定位構件被可旋轉地附接到該容器保持構件上，並與該第二軸間隔開。
如請求項1之細胞培養裝置，其中，與該第一預定部分相比更靠近該連接部分的該液體管的第三預定部分通過第三定位構件被定位在該容器保持構件上。
如請求項2之細胞培養裝置，其中，該第一預定部分和該第三預定部分相對於該容器保持構件被定位在同一平面上。
如請求項1至3中任一項之細胞培養裝置，其中，該驅動機構被作為旋轉地驅動該轉檯和該容器保持構件，使得在用於從該細胞培養容器中排出試劑的液體排出操作中從該液體埠流出進入到該液體管中的試劑在該試劑上的重力作用下在遠離該液體埠的方向上在該液體管中流動。
如請求項1之細胞培養裝置，其中，隨著該容器保持構件進行旋轉，該第一定位構件與該第二定位構件之間的距離發生變化。
如請求項5之細胞培養裝置，其中，隨著該距離發生變化，該第一定位構件可以相對於該容器保持構件旋轉。
一種驗證一行動設備的方法，包括以下步驟：<br/> 決定該行動設備相對於一參考點的一定位量測；<br/> 使用至少一第一收發器獲得一量測距離；<br/> 至少部分地基於該行動設備的該定位量測來獲得一校準距離；<br/> 至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離；<br/> 至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備；<br/> 決定與該行動設備相關聯的一上下文；及<br/> 基於該上下文來決定該閾值。
根據請求項1之方法，其中該參考點和該第一收發器在一車輛內。
根據請求項1之方法，其中該參考點和該第一收發器在一固定結構內。
根據請求項1之方法，其中該定位量測指示與該行動設備的一角度。
根據請求項4之方法，其中決定與該行動設備的該角度之步驟包括以下步驟：決定由該行動設備發送的一訊號的一到達角。
根據請求項5之方法，其中由該行動設備發送的該訊號由該第一收發器接收。
根據請求項4之方法，其中決定與該行動設備的該角度之步驟包括以下步驟：決定該行動設備靠近一第二收發器，其中該第二收發器設置在相對於該參考點的一已知位置。
根據請求項7之方法，亦包括以下步驟：決定由該行動設備發送並由該第二收發器接收的一或多個訊號的一接收訊號強度。
根據請求項8之方法，其中該第二收發器被配置為利用比該第一收發器更小的一頻寬。
根據請求項4之方法，其中獲得該校準距離之步驟包括以下步驟：基於該角度查詢一資料結構。
根據請求項1之方法，其中獲得到該行動設備的該量測距離之步驟包括以下步驟：決定在該行動設備與該第一收發器之間傳輸的訊號的一飛行時間。
根據請求項1之方法，其中該定位量測指示由至少一個第二收發器量測的到該行動設備的一距離。
根據請求項12之方法，其中到該行動設備的該距離係基於一接收訊號強度指示量測或一飛行時間量測中的至少一個。
根據請求項12之方法，其中獲得該校準距離之步驟包括以下步驟：基於與該至少一個第二收發器相關聯的一標識值來查詢一資料結構。
一種驗證一行動設備的方法，包括以下步驟：<br/> 使用至少一第一無線電收發器決定相對於一參考點的與該行動設備的一角度；<br/> 使用至少一第二無線電收發器獲得到該行動設備的一量測距離；<br/> 至少部分地基於與該行動設備的該角度來獲得一校準距離；<br/> 至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離；及<br/> 至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備，<br/> 其中該第一無線電收發器和該第二無線電收發器設置在一車輛中，並且該閾值係基於該車輛的一上下文。
根據請求項15之方法，其中決定與該行動設備的該角度之步驟包括以下步驟：決定該行動設備位於一預定義的角度段內。
根據請求項15之方法，其中該第二無線電收發器被配置為利用比該第一無線電收發器更寬的一頻寬。
根據請求項15之方法，其中獲得該校準距離之步驟包括以下步驟：至少部分地基於與該行動設備的該角度來從一資料結構獲得該校準距離。
根據請求項15之方法，其中該校準距離係基於該第二無線電收發器與該車輛的一外緣之間的一距離。
根據請求項15之方法，其中該校準距離係基於該參考點與該車輛的一外緣之間的一距離。
根據請求項15之方法，其中該第一無線電收發器靠近一固定結構的一入口，並且該第二無線電收發器是該固定結構內的一無線電存取點。
根據請求項15之方法，其中獲得該量測距離之步驟包括以下步驟：決定該第二無線電收發器與該行動設備之間的一往返時間。
一種用於驗證一行動設備的裝置，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 至少一個收發器；<br/> 至少一個處理器，通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器，並且被配置為：<br/> 決定該行動設備相對於一參考點的一定位量測；<br/> 使用至少一第一收發器獲得一量測距離；<br/> 至少部分地基於該行動設備的該定位量測來獲得一校準距離；<br/> 至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離；<br/> 至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備；<br/> 決定與該行動設備相關聯的一上下文；及<br/> 基於該上下文來決定該閾值。
根據請求項23之裝置，其中該參考點和該第一收發器在一車輛內。
根據請求項23之裝置，其中該參考點和該第一收發器在一固定結構內。
根據請求項23之裝置，其中該定位量測指示與該行動設備的一角度。
根據請求項26之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定由該行動設備發送的一訊號的一到達角。
根據請求項27之裝置，其中由該行動設備發送的該訊號由該第一收發器接收。
根據請求項27之裝置，亦包括一第二收發器，該第二收發器設置在相對於該參考點的一已知位置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該行動設備靠近該第二收發器。
根據請求項29之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定由該行動設備發送並由該第二收發器接收的一或多個訊號的一接收訊號強度。
根據請求項30之裝置，其中該第二收發器被配置為利用比該第一收發器更小的一頻寬。
根據請求項26之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為基於該角度來查詢儲存在該記憶體中的一資料結構。
根據請求項23之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定在該行動設備與該第一收發器之間傳輸的訊號的一飛行時間。
根據請求項23之裝置，其中該定位量測指示由至少一個第二收發器量測的到該行動設備的一距離。
根據請求項34之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為基於一接收訊號強度指示量測或一飛行時間量測中的至少一個來計算到該行動設備的距離。
根據請求項34之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為基於與該至少一個第二收發器相關聯的一標識值來查詢儲存在該記憶體中的一資料結構。
一種用於驗證一行動設備的裝置，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 至少一個收發器；<br/> 至少一個處理器，通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器，並且被配置為：<br/> 使用至少一第一無線電收發器決定相對於一參考點的與該行動設備的一角度；<br/> 使用至少一第二無線電收發器獲得到該行動設備的一量測距離；<br/> 至少部分地基於與該行動設備的一角度來獲得一校準距離；<br/> 至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離；及<br/> 至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備，<br/> 其中該第一無線電收發器和該第二無線電收發器設置在一車輛中，並且該閾值係基於該車輛的一上下文。
根據請求項37之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該行動設備位於一預定義的一角度段內。
根據請求項37之裝置，其中該第二無線電收發器被配置為利用比該第一無線電收發器更寬的一頻寬。
根據請求項37之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為至少部分地基於與該行動設備的該角度來從儲存在該記憶體中的一資料結構獲得該校準距離。
根據請求項37之裝置，其中該校準距離係基於該第二無線電收發器與該車輛的一外緣之間的一距離。
根據請求項37之裝置，其中該校準距離係基於該參考點與該車輛的一外緣之間的一距離。
根據請求項37之裝置，其中該第一無線電收發器靠近一固定結構的一入口，並且該第二無線電收發器是該固定結構內的一無線電存取點。
根據請求項37之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該第二無線電收發器與該行動設備之間的一往返時間。
一種用於驗證一行動設備的裝置，包括：<br/> 用於決定該行動設備相對於一參考點的一定位量測的部件；<br/> 用於使用至少一第一收發器獲得一量測距離的部件；<br/> 用於至少部分地基於該行動設備的該定位量測來獲得一校準距離的部件；<br/> 用於至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離的部件；<br/> 用於至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備的部件；<br/> 用於決定與該行動設備相關聯的一上下文的部件；及<br/> 用於基於該上下文來決定該閾值的部件。
一種用於驗一證行動設備的裝置，包括：<br/> 用於使用至少一第一無線電收發器決定相對於一參考點的與該行動設備的一角度的部件；<br/> 用於使用至少一第二無線電收發器獲得到該行動設備的一量測距離的部件；<br/> 用於至少部分地基於與該行動設備的該角度來獲得一校準距離的部件；<br/> 用於至少部分地基於該量測距離與該校準距離之間的一差來計算一驗證距離的部件；及<br/> 用於至少部分地基於該驗證距離與一閾值的一比較來驗證該行動設備的部件，<br/> 其中該第一無線電收發器和該第二無線電收發器設置在一車輛中，並且該閾值係基於該車輛的一上下文。
一種無酒精啤酒風味飲料，其包含香氣組合物及脫醇麥芽汁醱酵液，該香氣組合物含有： <br/>0.050～1.0 ppb之月桂油烯、 <br/>0.005～0.010 ppb之β-紫羅蘭酮、 <br/>8.0～71.33 bbp之沉香醇、 <br/>0.7025～10.0 ppb之香茅醇、 <br/>0.115～1.4 ppb之香葉草醇、及 <br/>0.1～1.1 ppb之α-桉葉醇。
如請求項1之無酒精啤酒風味飲料，其中上述香氣組合物之香氣成分來源於麥芽汁醱酵液。
如請求項1或2之無酒精啤酒風味飲料，其中上述麥芽汁醱酵液為麥芽汁底層醱酵液。
如請求項1或2之無酒精啤酒風味飲料，其中上述麥芽汁醱酵液具有50%以上之麥芽使用比率。
一種無酒精啤酒風味飲料之製造方法，其包括以下步驟： <br/>將麥芽汁醱酵液之二氧化碳壓力調整至0.05～0.25 MPa； <br/>藉由在減壓下將麥芽汁醱酵液噴霧，而自麥芽汁醱酵液使二氧化碳及香氣成分氣化； <br/>使氣化後之香氣成分凝結而獲得香氣組合物；及 <br/>將所獲得之香氣組合物添加至無酒精啤酒風味飲料中； <br/>其中待添加香氣組合物之上述無酒精啤酒風味飲料係對麥芽汁醱酵液進行脫醇處理而獲得者， <br/>上述香氣組合物含有： <br/>0.050～1.0 ppb之月桂油烯、 <br/>0.005～0.010 ppb之β-紫羅蘭酮、 <br/>8.0～71.33 bbp之沉香醇、 <br/>0.7025～10.0 ppb之香茅醇、 <br/>0.115～1.4 ppb之香葉草醇、及 <br/>0.1～1.1 ppb之α-桉葉醇。
一種增強無酒精啤酒風味飲料之類似啤酒之香味、及源自釀造之複雜味道之方法，其包括以下步驟： <br/>將麥芽汁醱酵液之二氧化碳壓力調整至0.05～0.25 MPa； <br/>藉由在減壓下將麥芽汁醱酵液噴霧，而自麥芽汁醱酵液使二氧化碳及香氣成分氣化； <br/>使氣化後之香氣成分凝結而獲得香氣組合物；及 <br/>將所獲得之香氣組合物添加至無酒精啤酒風味飲料中； <br/>其中待添加香氣組合物之上述無酒精啤酒風味飲料係對麥芽汁醱酵液進行脫醇處理而獲得者， <br/>上述香氣組合物含有： <br/>0.050～1.0 ppb之月桂油烯、 <br/>0.005～0.010 ppb之β-紫羅蘭酮、 <br/>8.0～71.33 bbp之沉香醇、 <br/>0.7025～10.0 ppb之香茅醇、 <br/>0.115～1.4 ppb之香葉草醇、及 <br/>0.1～1.1 ppb之α-桉葉醇。
式I化合物或其藥學上可接受的鹽：<img align="absmiddle" height="98px" width="69px" file="ed10625.jpg" alt="ed10625.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>其中， X選自N或CH； 每一個R<sup>1</sup>分別獨立地選自鹵素； q選自0、1或2； 每一個R<sup>2</sup>分別獨立地選自鹵素、羥基、胺基、氰基或硝基； n選自0、1或2； T<sup>1</sup>、T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>或T<sup>5</sup>分別獨立地選自CH或N，其中至少1個選自CH； 環A選自C<sub>3-10</sub>環烷基、3-10員雜環基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-10員雜芳基； 每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-8</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、3-10員雜環烷基、5-10員雜芳基、C<sub>6-10</sub>芳基或C<sub>1-8</sub>烷氧基，所述C<sub>1-8</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、3-10員雜環烷基、5-10員雜芳基、C<sub>6-10</sub>芳基或C<sub>1-8</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； m選自0、1、2、3或4； 每一個R<sup>a</sup>分別獨立地選自鹵素、羥基、胺基或氰基。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述X為N； 或者，所述X為CH。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述每一個R<sup>1</sup>分別獨立地選自氟或氯； 或者，所述每一個R<sup>1</sup>分別獨立地為氟。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述q選自0或1； 或者，所述q為0。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述每一個R<sup>2</sup>分別獨立地選自氟、氯或溴； 或者，所述每一個R<sup>2</sup>分別獨立地選自氟或氯； 或者，所述每一個R<sup>2</sup>分別獨立地為氟。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述n選自0或1； 或者，所述n為0。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述T<sup>1</sup>、T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>或T<sup>5</sup>分別獨立地選自CH或N，其中3個選自N，2個選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>、T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>或T<sup>5</sup>分別獨立地選自CH或N，其中2個選自N，3個選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>、T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>或T<sup>5</sup>分別獨立地選自CH或N，其中1個選自N，4個選自CH； 任選地，所述T<sup>1</sup>、T<sup>3</sup>及T<sup>5</sup>選自N，T<sup>2</sup>及T<sup>4</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>及T<sup>3</sup>選自N，T<sup>2</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>及T<sup>5</sup>選自N，T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>及T<sup>4</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>2</sup>及T<sup>4</sup>選自N，T<sup>1</sup>、T<sup>3</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>及T<sup>2</sup>選自N，T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>2</sup>及T<sup>3</sup>選自N，T<sup>1</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>及T<sup>4</sup>選自N，T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>2</sup>及T<sup>3</sup>選自N，T<sup>1</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>1</sup>選自N，T<sup>2</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>2</sup>選自N，T<sup>1</sup>、T<sup>3</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH； 或者，所述T<sup>3</sup>選自N，T<sup>1</sup>、T<sup>2</sup>、T<sup>4</sup>及T<sup>5</sup>選自CH。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述環A選自C<sub>3-8</sub>環烷基、3-8員雜環基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-8員雜芳基； 或者，所述環A選自C<sub>3-6</sub>環烷基、4-6員雜環基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-6員雜芳基； 或者，所述環A選自C<sub>3-6</sub>環烷基，含有1個、2個或3個選自N、O或S的4-6員雜環基，C<sub>6-10</sub>芳基，或含有1個、2個或3個選自N、O或S的5-6員雜芳基； 或者，所述環A選自C<sub>3-8</sub>環烷基、3-8員雜環烷基、3-8員雜環烯基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-8員雜芳基； 或者，所述環A選自C<sub>3-8</sub>環烷基、4-6員雜環烷基、4-6員雜環烯基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-8員雜芳基； 任選地，所述環A選自C<sub>3-6</sub>環烷基，含有1個、2個或3個選自N、O或S的4-6員雜環烷基，含有1個、2個或3個選自N、O或S的4-6員雜環烯基，C<sub>6-10</sub>芳基，或含有1個、2個或3個選自N、O或S的5-6員雜芳基； 或者，所述環A選自含有1個、2個或3個選自N、O或S的4-6員雜環烷基，含有1個、2個或3個選自N、O或S的4-6員雜環烯基，或含有1個、2個或3個選自N、O或S的5-6員雜芳基； 或者，所述環A選自氧雜環丁基、氮雜環丁基、𠰌啉基、二氧六環基、二氫吡啶基、吡啶基、嘧啶基、嗒𠯤基、四氫吡咯基、三氮唑基、四氮唑基、吡唑基、呋喃基、噻吩基、二氫嘧啶基、㗁唑基、異㗁唑基或咪唑基； 或者，所述環A選自氧雜環丁基、氮雜環丁基、𠰌啉基、二氫吡啶基、吡啶基、嘧啶基、四氫吡咯基、三氮唑基、吡唑基、呋喃基、二氫嘧啶基、異㗁唑基或咪唑基； 或者，所述環A選自氧雜環丁基、𠰌啉基、二氫吡啶基、吡啶基、嘧啶基、四氫吡咯基、三氮唑基、吡唑基、呋喃基、二氫嘧啶基、異㗁唑基或咪唑基； 或者，所述環A選自<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="17px" file="ed10627.jpg" alt="ed10627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="13px" file="ed10628.jpg" alt="ed10628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10629.jpg" alt="ed10629.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="13px" file="ed10630.jpg" alt="ed10630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="15px" file="ed10631.jpg" alt="ed10631.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="ed10632.jpg" alt="ed10632.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="ed10710.jpg" alt="ed10710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10633.jpg" alt="ed10633.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="16px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="ed10635.jpg" alt="ed10635.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="15px" file="ed10636.jpg" alt="ed10636.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="18px" file="ed10638.jpg" alt="ed10638.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="ed10639.jpg" alt="ed10639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="15px" file="ed10640.jpg" alt="ed10640.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10641.jpg" alt="ed10641.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="ed10642.jpg" alt="ed10642.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="15px" file="ed10643.jpg" alt="ed10643.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，所述環A選自含有1個或2個選自N或O的4-6員雜環基或含有1個或2個選自N的6員雜芳基； 或者，所述環A選自含有1個或2個選自N或O的4-6員雜環烷基、含有1個或2個選自N的4-6員雜環烯基或含有1個或2個選自N的6員雜芳基； 或者，所述環A選自氧雜環丁基、𠰌啉基、1,2-二氫吡啶基、吡啶基或嘧啶基。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中， 所述m選自0、1、2或3； 任選地，所述m選自0、1或2。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、5-6員雜芳基、C<sub>6-10</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>烷氧基，所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、5-6員雜芳基、C<sub>6-10</sub>芳基或C<sub>1-6</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基或C<sub>1-4</sub>烷氧基，所述C<sub>1-4</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基或C<sub>1-4</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>3-4</sub>環烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基，所述C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>3-4</sub>環烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、氟、氯、羥基、胺基、氰基、環丙基或任選地被一個或多個氟取代的C<sub>1-3</sub>烷基； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、氟、羥基、胺基、氰基、甲基、三氟甲基或環丙基； 任選地，每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-8</sub>烷基或C<sub>1-8</sub>烷氧基，所述C<sub>1-8</sub>烷基或C<sub>1-8</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基，所述C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、鹵素、羥基、胺基、氰基、硝基、C<sub>1-3</sub>烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基，所述C<sub>1-3</sub>烷基或C<sub>1-3</sub>烷氧基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、氟、氯、溴或C<sub>1-3</sub>烷基，所述C<sub>1-3</sub>烷基任選地被一個或多個R<sup>a</sup>取代； 或者，所述每一個R<sup>3</sup>分別獨立地選自=O、氟或甲基，所述甲基任選地被一個或多個氟取代。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述每一個R<sup>a</sup>分別獨立地選自鹵素或氰基； 或者，所述每一個R<sup>a</sup>分別獨立地選自氟、氯或溴； 或者，所述每一個R<sup>a</sup>分別獨立地為氟。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10645.jpg" alt="ed10645.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="18px" file="ed10651.jpg" alt="ed10651.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="33px" file="ed10662.jpg" alt="ed10662.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="25px" file="ed10673.jpg" alt="ed10673.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="35px" file="ed10684.jpg" alt="ed10684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="28px" file="ed10695.jpg" alt="ed10695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="23px" file="ed10699.jpg" alt="ed10699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="22px" file="ed10700.jpg" alt="ed10700.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="23px" file="ed10701.jpg" alt="ed10701.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="23px" file="ed10702.jpg" alt="ed10702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="34px" file="ed10703.jpg" alt="ed10703.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="22px" file="ed10704.jpg" alt="ed10704.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="18px" file="ed10705.jpg" alt="ed10705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10706.jpg" alt="ed10706.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="25px" width="28px" file="ed10707.jpg" alt="ed10707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10708.jpg" alt="ed10708.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10709.jpg" alt="ed10709.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="24px" file="ed10711.jpg" alt="ed10711.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="28px" file="ed10712.jpg" alt="ed10712.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="21px" file="ed10714.jpg" alt="ed10714.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="24px" file="ed10716.jpg" alt="ed10716.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="24px" file="ed10719.jpg" alt="ed10719.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="18px" file="ed10720.jpg" alt="ed10720.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="22px" file="ed10721.jpg" alt="ed10721.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="20px" file="ed10713.jpg" alt="ed10713.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="21px" file="ed10722.jpg" alt="ed10722.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="20px" file="ed10723.jpg" alt="ed10723.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="21px" file="ed10724.jpg" alt="ed10724.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="24px" file="ed10725.jpg" alt="ed10725.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="30px" file="ed10726.jpg" alt="ed10726.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="22px" file="ed10727.jpg" alt="ed10727.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="23px" file="ed10728.jpg" alt="ed10728.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="28px" width="16px" file="ed10729.jpg" alt="ed10729.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="17px" file="ed10730.jpg" alt="ed10730.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="14px" file="ed10731.jpg" alt="ed10731.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="21px" file="ed10732.jpg" alt="ed10732.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="22px" file="ed10733.jpg" alt="ed10733.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10715.jpg" alt="ed10715.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10735.jpg" alt="ed10735.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="13px" file="ed10736.jpg" alt="ed10736.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="22px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="23px" file="ed10738.jpg" alt="ed10738.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="23px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="20px" file="ed10740.jpg" alt="ed10740.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10741.jpg" alt="ed10741.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="16px" file="ed10742.jpg" alt="ed10742.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="23px" file="ed10743.jpg" alt="ed10743.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="15px" file="ed10744.jpg" alt="ed10744.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="15px" file="ed10745.jpg" alt="ed10745.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="16px" file="ed10746.jpg" alt="ed10746.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="25px" file="ed10747.jpg" alt="ed10747.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="25px" file="ed10717.jpg" alt="ed10717.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="ed10748.jpg" alt="ed10748.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="18px" file="ed10749.jpg" alt="ed10749.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="31px" file="ed10750.jpg" alt="ed10750.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="15px" file="ed10751.jpg" alt="ed10751.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="24px" file="ed10752.jpg" alt="ed10752.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="17px" file="ed10753.jpg" alt="ed10753.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="26px" file="ed10754.jpg" alt="ed10754.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="15px" file="ed10755.jpg" alt="ed10755.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="26px" file="ed10718.jpg" alt="ed10718.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10756.jpg" alt="ed10756.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="26px" file="ed10757.jpg" alt="ed10757.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="15px" file="ed10758.jpg" alt="ed10758.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="12px" file="ed10759.jpg" alt="ed10759.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="26px" file="ed10760.jpg" alt="ed10760.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="ed10761.jpg" alt="ed10761.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="20px" file="ed10762.jpg" alt="ed10762.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="22px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="24px" file="ed10764.jpg" alt="ed10764.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10765.jpg" alt="ed10765.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="20px" width="22px" file="ed10766.jpg" alt="ed10766.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="22px" width="30px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="21px" width="14px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="17px" file="ed10627.jpg" alt="ed10627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="14px" file="ed10767.jpg" alt="ed10767.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="21px" file="ed10768.jpg" alt="ed10768.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="24px" file="ed10770.jpg" alt="ed10770.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="14px" file="ed10810.jpg" alt="ed10810.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10771.jpg" alt="ed10771.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10734.jpg" alt="ed10734.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10629.jpg" alt="ed10629.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="13px" file="ed10630.jpg" alt="ed10630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="20px" file="ed10772.jpg" alt="ed10772.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="25px" file="ed10773.jpg" alt="ed10773.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="20px" file="ed10774.jpg" alt="ed10774.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="23px" file="ed10775.jpg" alt="ed10775.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="17px" file="ed10776.jpg" alt="ed10776.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10777.jpg" alt="ed10777.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="15px" file="ed10778.jpg" alt="ed10778.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="23px" file="ed10779.jpg" alt="ed10779.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="15px" file="ed10780.jpg" alt="ed10780.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="15px" file="ed10781.jpg" alt="ed10781.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="15px" file="ed10782.jpg" alt="ed10782.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="15px" file="ed10783.jpg" alt="ed10783.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="15px" file="ed10784.jpg" alt="ed10784.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10785.jpg" alt="ed10785.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10786.jpg" alt="ed10786.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="18px" file="ed10787.jpg" alt="ed10787.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="16px" file="ed10788.jpg" alt="ed10788.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="14px" file="ed10789.jpg" alt="ed10789.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="16px" file="ed10790.jpg" alt="ed10790.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="29px" file="ed10791.jpg" alt="ed10791.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="13px" file="ed10792.jpg" alt="ed10792.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="18px" file="ed10793.jpg" alt="ed10793.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="13px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="20px" file="ed10795.jpg" alt="ed10795.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="15px" file="ed10796.jpg" alt="ed10796.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="19px" file="ed10797.jpg" alt="ed10797.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="12px" file="ed10798.jpg" alt="ed10798.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="25px" file="ed10799.jpg" alt="ed10799.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="12px" width="15px" file="ed10758.jpg" alt="ed10758.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="12px" file="ed10759.jpg" alt="ed10759.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="22px" file="ed10800.jpg" alt="ed10800.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="20px" file="ed10801.jpg" alt="ed10801.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="20px" file="ed10802.jpg" alt="ed10802.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="20px" file="ed10803.jpg" alt="ed10803.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="20px" file="ed10804.jpg" alt="ed10804.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="22px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="25px" file="ed10805.jpg" alt="ed10805.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="25px" file="ed10806.jpg" alt="ed10806.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="20px" file="ed10807.jpg" alt="ed10807.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="18px" file="ed10808.jpg" alt="ed10808.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="20px" width="24px" file="ed10809.jpg" alt="ed10809.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10811.jpg" alt="ed10811.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="40px" width="39px" file="ed10812.jpg" alt="ed10812.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="34px" file="ed10813.jpg" alt="ed10813.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="39px" file="ed10814.jpg" alt="ed10814.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="39px" file="ed10815.jpg" alt="ed10815.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="39px" file="ed10816.jpg" alt="ed10816.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="35px" file="ed10817.jpg" alt="ed10817.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="31px" file="ed10818.jpg" alt="ed10818.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="30px" file="ed10819.jpg" alt="ed10819.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="37px" file="ed10820.jpg" alt="ed10820.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="30px" file="ed10821.jpg" alt="ed10821.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="31px" file="ed10822.jpg" alt="ed10822.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="29px" file="ed10823.jpg" alt="ed10823.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="28px" file="ed10824.jpg" alt="ed10824.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="29px" file="ed10825.jpg" alt="ed10825.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="31px" file="ed10826.jpg" alt="ed10826.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="37px" file="ed10827.jpg" alt="ed10827.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="27px" file="ed10828.jpg" alt="ed10828.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="35px" file="ed10829.jpg" alt="ed10829.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="44px" width="39px" file="ed10830.jpg" alt="ed10830.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10831.jpg" alt="ed10831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="37px" width="36px" file="ed10832.jpg" alt="ed10832.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="33px" file="ed10833.jpg" alt="ed10833.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="34px" file="ed10834.jpg" alt="ed10834.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="35px" file="ed10835.jpg" alt="ed10835.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="35px" file="ed10836.jpg" alt="ed10836.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="35px" file="ed10837.jpg" alt="ed10837.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="33px" file="ed10838.jpg" alt="ed10838.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="35px" file="ed10839.jpg" alt="ed10839.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="34px" file="ed10840.jpg" alt="ed10840.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="37px" width="35px" file="ed10841.jpg" alt="ed10841.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10831.jpg" alt="ed10831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="34px" width="30px" file="ed10842.jpg" alt="ed10842.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="35px" file="ed10843.jpg" alt="ed10843.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="36px" file="ed10844.jpg" alt="ed10844.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="39px" file="ed10845.jpg" alt="ed10845.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="30px" file="ed10846.jpg" alt="ed10846.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="33px" file="ed10847.jpg" alt="ed10847.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="29px" file="ed10848.jpg" alt="ed10848.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="27px" file="ed10849.jpg" alt="ed10849.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="24px" file="ed10850.jpg" alt="ed10850.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="28px" file="ed10851.jpg" alt="ed10851.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="28px" file="ed10852.jpg" alt="ed10852.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="23px" file="ed10853.jpg" alt="ed10853.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="25px" file="ed10854.jpg" alt="ed10854.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="27px" file="ed10855.jpg" alt="ed10855.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="24px" file="ed10856.jpg" alt="ed10856.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="25px" file="ed10857.jpg" alt="ed10857.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="24px" file="ed10858.jpg" alt="ed10858.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="31px" file="ed10859.jpg" alt="ed10859.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="29px" file="ed10860.jpg" alt="ed10860.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="33px" file="ed10861.jpg" alt="ed10861.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="23px" file="ed10862.jpg" alt="ed10862.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="33px" file="ed10863.jpg" alt="ed10863.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="40px" width="37px" file="ed10864.jpg" alt="ed10864.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10831.jpg" alt="ed10831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10865.jpg" alt="ed10865.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="44px" file="ed10866.jpg" alt="ed10866.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10867.jpg" alt="ed10867.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="32px" file="ed10868.jpg" alt="ed10868.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="33px" file="ed10869.jpg" alt="ed10869.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="30px" file="ed10870.jpg" alt="ed10870.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="31px" file="ed10871.jpg" alt="ed10871.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="22px" file="ed10872.jpg" alt="ed10872.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10873.jpg" alt="ed10873.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="29px" file="ed10874.jpg" alt="ed10874.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="17px" file="ed10875.jpg" alt="ed10875.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="34px" file="ed10876.jpg" alt="ed10876.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="30px" file="ed10877.jpg" alt="ed10877.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="35px" file="ed10878.jpg" alt="ed10878.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="18px" file="ed10879.jpg" alt="ed10879.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="42px" file="ed10880.jpg" alt="ed10880.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="21px" file="ed10881.jpg" alt="ed10881.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="16px" file="ed10882.jpg" alt="ed10882.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="30px" file="ed10883.jpg" alt="ed10883.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="31px" file="ed10884.jpg" alt="ed10884.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="17px" file="ed10885.jpg" alt="ed10885.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="29px" file="ed10886.jpg" alt="ed10886.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="19px" file="ed10887.jpg" alt="ed10887.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="26px" file="ed10888.jpg" alt="ed10888.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="42px" width="31px" file="ed10889.jpg" alt="ed10889.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10831.jpg" alt="ed10831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="40px" width="16px" file="ed10890.jpg" alt="ed10890.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10891.jpg" alt="ed10891.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="16px" file="ed10892.jpg" alt="ed10892.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="22px" file="ed10893.jpg" alt="ed10893.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="26px" file="ed10894.jpg" alt="ed10894.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="21px" file="ed10895.jpg" alt="ed10895.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10896.jpg" alt="ed10896.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="33px" file="ed10897.jpg" alt="ed10897.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="26px" file="ed10898.jpg" alt="ed10898.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="23px" file="ed10899.jpg" alt="ed10899.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="22px" file="ed10900.jpg" alt="ed10900.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="21px" file="ed10901.jpg" alt="ed10901.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="19px" file="ed10902.jpg" alt="ed10902.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="22px" file="ed10903.jpg" alt="ed10903.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10904.jpg" alt="ed10904.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="21px" file="ed10905.jpg" alt="ed10905.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="19px" file="ed10906.jpg" alt="ed10906.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed10907.jpg" alt="ed10907.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10908.jpg" alt="ed10908.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="19px" file="ed10909.jpg" alt="ed10909.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="31px" file="ed10910.jpg" alt="ed10910.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="21px" file="ed10911.jpg" alt="ed10911.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="23px" file="ed10912.jpg" alt="ed10912.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10913.jpg" alt="ed10913.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10914.jpg" alt="ed10914.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="25px" file="ed10915.jpg" alt="ed10915.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="19px" file="ed10916.jpg" alt="ed10916.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="23px" file="ed10917.jpg" alt="ed10917.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="19px" file="ed10918.jpg" alt="ed10918.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="23px" file="ed10919.jpg" alt="ed10919.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="19px" file="ed10920.jpg" alt="ed10920.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10921.jpg" alt="ed10921.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="23px" file="ed10922.jpg" alt="ed10922.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="16px" file="ed10923.jpg" alt="ed10923.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10924.jpg" alt="ed10924.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="23px" file="ed10925.jpg" alt="ed10925.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="19px" file="ed10926.jpg" alt="ed10926.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="16px" file="ed10927.jpg" alt="ed10927.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="17px" file="ed10928.jpg" alt="ed10928.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="27px" file="ed10929.jpg" alt="ed10929.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="22px" file="ed10930.jpg" alt="ed10930.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="22px" file="ed10931.jpg" alt="ed10931.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="16px" file="ed10932.jpg" alt="ed10932.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="16px" file="ed10933.jpg" alt="ed10933.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="23px" file="ed10934.jpg" alt="ed10934.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="39px" width="23px" file="ed10935.jpg" alt="ed10935.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 或者，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="50px" file="ed10831.jpg" alt="ed10831.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10936.jpg" alt="ed10936.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="27px" width="29px" file="ed10891.jpg" alt="ed10891.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="16px" file="ed10937.jpg" alt="ed10937.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="21px" file="ed10938.jpg" alt="ed10938.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="21px" file="ed10939.jpg" alt="ed10939.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="26px" file="ed10940.jpg" alt="ed10940.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="16px" file="ed10941.jpg" alt="ed10941.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="26px" file="ed10942.jpg" alt="ed10942.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="21px" file="ed10895.jpg" alt="ed10895.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10943.jpg" alt="ed10943.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="29px" width="33px" file="ed10897.jpg" alt="ed10897.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="21px" file="ed10944.jpg" alt="ed10944.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="21px" file="ed10945.jpg" alt="ed10945.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="26px" file="ed10946.jpg" alt="ed10946.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="22px" file="ed10947.jpg" alt="ed10947.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="21px" file="ed10948.jpg" alt="ed10948.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="19px" file="ed10949.jpg" alt="ed10949.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="22px" file="ed10950.jpg" alt="ed10950.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10951.jpg" alt="ed10951.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="21px" file="ed10952.jpg" alt="ed10952.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="21px" file="ed10953.jpg" alt="ed10953.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="21px" file="ed10954.jpg" alt="ed10954.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="21px" file="ed10955.jpg" alt="ed10955.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="35px" file="ed10956.jpg" alt="ed10956.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10957.jpg" alt="ed10957.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="16px" file="ed10958.jpg" alt="ed10958.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="33px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="33px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="33px" file="ed10961.jpg" alt="ed10961.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="25px" file="ed10962.jpg" alt="ed10962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="21px" file="ed10963.jpg" alt="ed10963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="20px" file="ed10964.jpg" alt="ed10964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="22px" file="ed10965.jpg" alt="ed10965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10967.jpg" alt="ed10967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="26px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="16px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="20px" file="ed10970.jpg" alt="ed10970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="16px" file="ed10971.jpg" alt="ed10971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="20px" file="ed10972.jpg" alt="ed10972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="22px" file="ed10973.jpg" alt="ed10973.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="16px" file="ed10974.jpg" alt="ed10974.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="20px" file="ed10975.jpg" alt="ed10975.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="16px" file="ed10976.jpg" alt="ed10976.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="17px" file="ed10924.jpg" alt="ed10924.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="26px" file="ed10977.jpg" alt="ed10977.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="20px" file="ed10978.jpg" alt="ed10978.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="20px" file="ed10979.jpg" alt="ed10979.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="21px" file="ed10980.jpg" alt="ed10980.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="16px" file="ed10927.jpg" alt="ed10927.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="17px" file="ed10928.jpg" alt="ed10928.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="22px" file="ed10981.jpg" alt="ed10981.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="22px" file="ed10982.jpg" alt="ed10982.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="22px" file="ed10983.jpg" alt="ed10983.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="22px" file="ed10984.jpg" alt="ed10984.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="22px" file="ed10985.jpg" alt="ed10985.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="16px" file="ed10932.jpg" alt="ed10932.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="16px" file="ed10986.jpg" alt="ed10986.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="20px" file="ed10987.jpg" alt="ed10987.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="20px" file="ed10988.jpg" alt="ed10988.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="20px" file="ed10989.jpg" alt="ed10989.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="39px" width="26px" file="ed10990.jpg" alt="ed10990.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1-3任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，選自式I-1化合物、式I-2化合物、式I-3化合物、式I-4化合物、式I-5化合物、式I-6化合物、式I-7化合物或其藥學上可接受的鹽<img align="absmiddle" height="95px" width="61px" file="ed10991.jpg" alt="ed10991.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="61px" file="ed10992.jpg" alt="ed10992.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="61px" file="ed10993.jpg" alt="ed10993.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="95px" width="61px" file="ed10994.jpg" alt="ed10994.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="61px" file="ed10995.jpg" alt="ed10995.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="106px" width="61px" file="ed10996.jpg" alt="ed10996.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="119px" width="61px" file="ed10997.jpg" alt="ed10997.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， 其中，T<sup>6</sup>選自CH或N； T<sup>7</sup>、T<sup>8</sup>、T<sup>9</sup>、T<sup>10</sup>、T<sup>11</sup>、T<sup>12</sup>各自獨立地選自CH、C、NH、N、O或鍵，<img align="absmiddle" height="6px" width="8px" file="ed10998.jpg" alt="ed10998.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示單鍵或雙鍵； 或者，T<sup>7</sup>、T<sup>8</sup>、T<sup>9</sup>、T<sup>10</sup>、T<sup>11</sup>、T<sup>12</sup>各自獨立地選自CH、C、NH、N、O或鍵，其中一個或兩個選自NH或N； 或者，T<sup>7</sup>、T<sup>8</sup>、T<sup>9</sup>、T<sup>10</sup>、T<sup>11</sup>、T<sup>12</sup>各自獨立地選自CH、C、NH、N、O或鍵，其中有一個或兩個選自NH或N，一個選自鍵； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="37px" width="35px" file="ed10836.jpg" alt="ed10836.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="43px" width="28px" file="ed10999.jpg" alt="ed10999.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="38px" width="40px" file="ed11000.jpg" alt="ed11000.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="48px" width="44px" file="ed11001.jpg" alt="ed11001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="52px" width="35px" file="ed11002.jpg" alt="ed11002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="47px" width="43px" file="ed11003.jpg" alt="ed11003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="52px" width="35px" file="ed11004.jpg" alt="ed11004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="47px" width="34px" file="ed11005.jpg" alt="ed11005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="47px" width="43px" file="ed11006.jpg" alt="ed11006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="43px" width="54px" file="ed11007.jpg" alt="ed11007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="48px" file="ed11008.jpg" alt="ed11008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="69px" width="34px" file="ed11009.jpg" alt="ed11009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="48px" file="ed11008.jpg" alt="ed11008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="69px" width="34px" file="ed11010.jpg" alt="ed11010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="34px" file="ed11011.jpg" alt="ed11011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="34px" file="ed11012.jpg" alt="ed11012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="69px" width="34px" file="ed11013.jpg" alt="ed11013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="48px" file="ed11008.jpg" alt="ed11008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="69px" width="31px" file="ed11014.jpg" alt="ed11014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="69px" width="31px" file="ed11015.jpg" alt="ed11015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed11016.jpg" alt="ed11016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="68px" width="33px" file="ed11017.jpg" alt="ed11017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed11016.jpg" alt="ed11016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="68px" width="33px" file="ed11018.jpg" alt="ed11018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="33px" file="ed11019.jpg" alt="ed11019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="68px" width="33px" file="ed11020.jpg" alt="ed11020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； 任選地，結構單元<img align="absmiddle" height="58px" width="53px" file="ed11016.jpg" alt="ed11016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>選自<img align="absmiddle" height="40px" width="28px" file="ed11021.jpg" alt="ed11021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="30px" file="ed11022.jpg" alt="ed11022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="30px" file="ed11023.jpg" alt="ed11023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="27px" file="ed11024.jpg" alt="ed11024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="40px" width="27px" file="ed11025.jpg" alt="ed11025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種具有以下化學式的化合物或其藥學上可接受的鹽：<img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11026.jpg" alt="ed11026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="64px" width="63px" file="ed11027.jpg" alt="ed11027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="60px" file="ed11028.jpg" alt="ed11028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="79px" width="60px" file="ed11029.jpg" alt="ed11029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11030.jpg" alt="ed11030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11031.jpg" alt="ed11031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="60px" file="ed11032.jpg" alt="ed11032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="79px" width="60px" file="ed11033.jpg" alt="ed11033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11034.jpg" alt="ed11034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11035.jpg" alt="ed11035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="85px" width="60px" file="ed11037.jpg" alt="ed11037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="67px" width="60px" file="ed11036.jpg" alt="ed11036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="60px" file="ed11038.jpg" alt="ed11038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="78px" width="60px" file="ed11039.jpg" alt="ed11039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11040.jpg" alt="ed11040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="83px" width="59px" file="ed11041.jpg" alt="ed11041.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="59px" file="ed11042.jpg" alt="ed11042.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="86px" width="59px" file="ed11043.jpg" alt="ed11043.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="75px" width="60px" file="ed11044.jpg" alt="ed11044.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="76px" width="60px" file="ed11045.jpg" alt="ed11045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="60px" file="ed11046.jpg" alt="ed11046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="60px" file="ed11047.jpg" alt="ed11047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="60px" file="ed10646.jpg" alt="ed10646.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="81px" width="60px" file="ed10647.jpg" alt="ed10647.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="65px" width="68px" file="ed10648.jpg" alt="ed10648.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="77px" width="59px" file="ed10649.jpg" alt="ed10649.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="80px" width="59px" file="ed10650.jpg" alt="ed10650.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="60px" width="67px" file="ed10652.jpg" alt="ed10652.jpg" img-content="jpg" 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orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包含請求項1-15任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽。
一種請求項1-15任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、或請求項16所述的藥物組合物在製備用於治療或預防TYK2相關各種疾病的藥物中的用途。
如請求項17所述的用途，其中，所述TYK2相關各種疾病選自自身免疫性疾病。
一種雙軸配向聚酯薄膜，其係由包含50重量%以上的聚酯樹脂且包含粒子的聚酯樹脂組成物所構成之雙軸配向聚酯薄膜，該聚酯樹脂係由源自生質的乙二醇與源自化石燃料的二羧酸單元所構成，至少一面滿足下述要件(1)～(3)全部； <br/>(1)每4×10 <sup>-12</sup>m <sup>2</sup>面積中的高度小於3nm的微細突起數為250個以上600個以下； <br/>(2)每4×10 <sup>-12</sup>m <sup>2</sup>面積中的高度3nm以上的微細突起數為300個以上600個以下； <br/>(3)算術平均高度Sa為0.010μm以上0.025μm以下。
如請求項1之雙軸配向聚酯薄膜，其中相對於構成該雙軸配向聚酯薄膜的聚酯樹脂組成物中之總碳量，放射性碳(C14)測定的源自生質的碳之含量為10～18%。
如請求項1之雙軸配向聚酯薄膜，其中該雙軸配向聚酯薄膜的滿足該要件(1)～(3)全部之面與其相反面的動摩擦係數為0.20以上0.60以下。
如請求項1之雙軸配向聚酯薄膜，其中該雙軸配向聚酯薄膜的滿足該要件(1)～(3)全部之面的潤濕張力為50mN/m以上。
如請求項1至4中任一項之雙軸配向聚酯薄膜，其中該雙軸配向聚酯薄膜的外部霧度為1.8%以下，內部霧度為2.0%以下。
一種雙軸配向聚酯薄膜卷筒，其係將如請求項1至5中任一項之雙軸配向聚酯薄膜捲取成卷筒狀而成之薄膜卷筒，其特徵為： <br/>在薄膜長度方向，從薄膜卷筒的表層到卷芯為止每1000m取樣時的每4×10 <sup>-12</sup>m <sup>2</sup>面積中的高度小於3nm的微細突起數及每4×10 <sup>-12</sup>m <sup>2</sup>面積中的高度3nm以上的微細突起數之偏差皆為40%以下； <br/>(偏差係將最大值設為Xmax，將最小值設為Xmin，將平均值設為Xave時，以下述式[1]表示， <br/>偏差(%)=100×(Xmax-Xmin)/Xave・・・[1])。
如請求項6之雙軸配向聚酯薄膜卷筒，其中在薄膜長度方向，從薄膜卷筒的表層到卷芯為止每1000m取樣時的算術平均高度Sa之偏差為40%以下； <br/>(偏差係將算術平均高度Sa的最大值設為Xmax，將最小值設為Xmin，將平均值設為Xave時，以下述式[2]表示， <br/>偏差(%)=100×(Xmax-Xmin)/Xave・・・[2])。
一種如請求項1至5中任一項之聚酯薄膜之製造方法，其係雙軸配向聚酯薄膜之製造方法，其特徵為包含聚酯原料樹脂的熔融擠出步驟及雙軸延伸步驟而成，於該聚酯原料樹脂的熔融擠出步驟中具有：從上方將使用該源自生質的乙二醇之碳中和聚酯樹脂的原料樹脂碎片供給至料斗，同時通過位於料斗內且在擠壓機正上方具有出口的配管，供給該包含粒子的聚酯樹脂組成物的原料樹脂碎片，混合兩碎片，進行熔融擠出之步驟。
一種如請求項6或7中任一項之雙軸配向聚酯薄膜卷筒之製造方法，其係雙軸配向聚酯薄膜卷筒之製造方法，其特徵為包含聚酯原料樹脂的熔融擠出步驟、雙軸延伸步驟及將雙軸延伸後的薄膜捲取成卷筒狀的步驟而成，於該聚酯原料樹脂的熔融擠出步驟中具有：從上方將使用該源自生質的乙二醇之碳中和聚酯樹脂的原料樹脂碎片供給至料斗，同時通過位於料斗內且在擠壓機正上方具有出口的配管，供給該包含粒子的聚酯樹脂組成物的原料樹脂碎片，混合兩碎片，進行熔融擠出之步驟。
一種細胞培養用微載體，其具備： <br/>基材粒子、及 <br/>被覆上述基材粒子之外表面之被覆層，且 <br/>上述被覆層包含含肽樹脂， <br/>上述含肽樹脂具有聚乙烯醇衍生物骨架或聚(甲基)丙烯酸酯骨架、以及肽部， <br/>上述細胞培養用微載體之比重為1.10 g/cm<sup>3</sup>以上。
如請求項1之細胞培養用微載體，其中上述含肽樹脂具有上述聚乙烯醇衍生物骨架及上述肽部。
如請求項2之細胞培養用微載體，其中上述含肽樹脂具有連接部， <br/>上述含肽樹脂中，上述聚乙烯醇衍生物骨架與上述肽部經由上述連接部而鍵結在一起。
如請求項2或3之細胞培養用微載體，其中上述聚乙烯醇衍生物骨架為聚乙烯醇縮醛骨架。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其吸水率為10重量%以下。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其中上述基材粒子為樹脂粒子。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其中上述基材粒子包含具有乙烯性不飽和基之單體之聚合物。
如請求項7之細胞培養用微載體，其中上述具有乙烯性不飽和基之單體之聚合物為丙烯酸系樹脂、二乙烯苯聚合物、或二乙烯苯共聚物。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其平均粒徑為100 μm以上1500 μm以下。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其平均粒徑為250 μm以上。
如請求項1至3中任一項之細胞培養用微載體，其粒徑之CV值為10%以下。
一種細胞培養方法，其包括下述步驟： <br/>使細胞黏著於如請求項1至11中任一項之細胞培養用微載體； <br/>使黏著有細胞之上述細胞培養用微載體沈降；及 <br/>更換培養基。
一種由一基地站執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 決定一可重配智慧表面的一能力；<br/> 決定一定位參考信號的配置資訊，其中該配置資訊至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力；和<br/> 在該可重配智慧表面的一方向上基於該配置資訊傳輸一定位信號，<br/> 其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：向一網路伺服器提供該可重配智慧表面的該能力。
根據請求項1之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該可重配智慧表面的一相移控制的一精度。
根據請求項1之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定從該可重配智慧表面反射的一波束的一波束形狀。
根據請求項4之方法，其中從該可重配智慧表面反射的該波束的該波束形狀基於一3 dB波束寬度。
根據請求項1之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定從該可重配智慧表面反射的一波束的一功率損耗或一功率增益。
根據請求項1之方法，其中該決定該定位參考信號的配置資訊之步驟包括以下步驟：決定要在一定位參考信號波束掃瞄中傳輸的定位參考信號的一數量。
根據請求項1之方法，其中該決定該定位參考信號的配置資訊之步驟包括以下步驟：決定傳輸兩個或更多個定位參考信號之間的一時間間隙。
根據請求項1之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：從一網路伺服器接收能力資訊。
根據請求項1之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：從該可重配智慧表面接收能力資訊。
一種由一使用者設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從一網路接收定位輔助資料；<br/> 基於該定位輔助資料決定一可重配智慧表面的一能力；<br/> 接收來自該可重配智慧表面的一參考信號；和<br/> 至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力獲得該參考信號的一量測值，<br/> 其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度。
根據請求項11之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該可重配智慧表面的一相移控制的一精度。
根據請求項11之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該參考信號的一波束形狀。
根據請求項13之方法，其中該參考信號的該波束形狀基於一3 dB波束寬度。
根據請求項11之方法，其中該決定該可重配智慧表面的該能力之步驟包括以下步驟：決定該參考信號的一功率損耗或一功率增益。
根據請求項15之方法，亦包括以下步驟：至少部分地基於該參考信號的該功率損耗或該功率增益來決定一上行鏈路參考信號的一傳輸功率。
根據請求項11之方法，其中該獲得該參考信號的該量測值之步驟包括以下步驟：決定該參考信號的一離開角。
根據請求項11之方法，其中該獲得該參考信號的該量測值之步驟包括以下步驟：決定該參考信號的一波束寬度的一不確定性。
根據請求項11之方法，其中該獲得該參考信號的該量測值之步驟包括以下步驟：決定該參考信號的一到達時間。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 至少一個收發器；<br/> 至少一個處理器，其通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器，並且被配置為：<br/> 決定一可重配智慧表面的一能力；<br/> 決定一定位參考信號的配置資訊，其中該配置資訊至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力；和<br/> 在該可重配智慧表面的一方向上基於該配置資訊傳輸一定位信號，<br/> 其中該至少一個處理器亦被配置為決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為向一網路伺服器提供該可重配智慧表面的該能力。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該可重配智慧表面的一相移控制的一精度。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定從該可重配智慧表面反射的一波束的一波束形狀。
根據請求項23之裝置，其中從該可重配智慧表面反射的該波束的該波束形狀基於一3 dB波束寬度。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定從該可重配智慧表面反射的一波束的一功率損耗或一功率增益。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定要在一定位參考信號波束掃瞄中傳輸的定位參考信號的一數量。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定傳輸兩個或更多個定位參考信號之間的一時間間隙。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為從一網路伺服器接收能力資訊。
根據請求項20之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為從該可重配智慧表面接收能力資訊。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 一記憶體；<br/> 至少一個收發器；<br/> 至少一個處理器，其通訊地耦合到該記憶體和該至少一個收發器，並且被配置為：<br/> 從一網路接收定位輔助資料；<br/> 基於該定位輔助資料決定一可重配智慧表面的一能力；<br/> 接收來自該可重配智慧表面的一參考信號；和<br/> 至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力獲得該參考信號的一量測值，<br/> 其中該至少一個處理器亦被配置為決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該可重配智慧表面的一相移控制的一精度。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該參考信號的一波束形狀。
根據請求項32之裝置，其中該參考信號的該波束形狀基於一3 dB波束寬度。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該參考信號的一功率損耗或一功率增益。
根據請求項34之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為至少部分地基於該參考信號的該功率損耗或該功率增益來決定一上行鏈路參考信號的一傳輸功率。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該參考信號的一離開角。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該參考信號的一波束寬度的一不確定性。
根據請求項30之裝置，其中該至少一個處理器亦被配置為決定該參考信號的一到達時間。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 用於決定一可重配智慧表面的一能力的構件；<br/> 用於決定一定位參考信號的配置資訊的構件，其中該配置資訊至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力；和<br/> 用於在該可重配智慧表面的一方向上基於該配置資訊傳輸一定位信號的構件，<br/> 其中用於決定該可重配智慧表面的該能力的該構件包括：用於決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度的構件。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 用於從一網路接收定位輔助資料的構件；<br/> 用於基於該定位輔助資料決定一可重配智慧表面的一能力的構件；<br/> 用於接收來自該可重配智慧表面的一參考信號的構件；和<br/> 用於至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力來獲得該參考信號的一量測值的構件，<br/> 其中用於決定該可重配智慧表面的該能力的該構件包括：用於決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度的構件。
一種非暫時性處理器可讀取儲存媒體，包括使一或多個處理器傳輸一定位信號的處理器可讀取指令，包括：<br/> 用於決定一可重配智慧表面的一能力的代碼；<br/> 用於決定一定位參考信號的配置資訊的代碼，其中該配置資訊至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力；和<br/> 用於在該可重配智慧表面的一方向上基於該配置資訊傳輸該定位信號的代碼，<br/> 其中用於決定該可重配智慧表面的該能力的該代碼包括：用於決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度的代碼。
一種非暫時性處理器可讀取儲存媒體，包括使一或多個處理器量測一參考信號的處理器可讀取指令，包括：<br/> 用於從一網路接收定位輔助資料的代碼；<br/> 用於基於該定位輔助資料決定一可重配智慧表面的一能力的代碼；<br/> 用於接收來自該可重配智慧表面的該參考信號的代碼；和<br/> 用於至少部分地基於該可重配智慧表面的該能力來獲得該參考信號的一量測值的代碼，<br/> 其中用於決定該可重配智慧表面的該能力的該代碼包括：用於決定該可重配智慧表面的一相移控制的一速度的代碼。
一種作業性優異的穀類加工食品用鬆散劑的製造方法，對包含水溶性大豆多糖類的溶液進行蛋白酶處理，製造利用凝膠過濾來分析時的於波長220nm下所檢測的分子量3000~15000的級分的波峰面積相對於整體的波峰面積的比例為30%以下的水溶性大豆多糖類，將所述水溶性大豆多糖類的粉體與以下的(A)及(B)用作原料，並進行造粒；(A)包含每單位固體成分為0.1重量%~50重量%的磷脂質的含磷脂質的組成物；(B)甘油三酸酯的構成脂肪酸的33重量%~100重量%為碳數6~10的中鏈脂肪酸的食用油脂。
如請求項1所述的作業性優異的穀類加工食品用鬆散劑的製造方法，其中，於(A)中，含磷脂質的組成物包含每單位固體成分為0.1重量%~45重量%的磷脂質。
一種穀類加工食品的製造方法，將藉由如請求項1或請求項2所述的作業性優異的穀類加工食品用鬆散劑的製造方法而製造的鬆散劑添加於穀類加工食品中。
一種穀類加工食品的鬆散改良方法，將藉由如請求項1或請求項2所述的作業性優異的穀類加工食品用鬆散劑的製造方法而製造的鬆散劑添加於穀類加工食品中。
一種作業性優異的穀類加工食品用鬆散劑，包含含有以下的(a)~(c)的造粒物；(a)利用凝膠過濾來分析時的於波長220nm下所檢測的分子量3000~15000的級分的波峰面積相對於整體的波峰面積的比例為30%以下的水溶性大豆多糖類；(b)包含每單位固體成分為0.1重量%~50重量%的磷脂質的含磷脂質的組成物；(c)甘油三酸酯的構成脂肪酸的33重量%~100重量%為碳數6~10的中鏈脂肪酸的食用油脂。
一種陶瓷電子零件，其特徵在於：具備複數個介電層與複數個內部電極層交替地積層而成之積層結構， <br/>上述介電層之主成分係具有於A位至少含有Ba之鈣鈦礦結構，且A/B比為0.940以上0.980以下之陶瓷， <br/>上述內部電極層含有5質量%以上10質量%以下之共材， <br/>上述共材所含之金屬元素之莫耳比中，Ti、Zr、Hf之合計為90%以上，Ba為10%以下。
如請求項1之陶瓷電子零件，其中上述內部電極層之連續率為80%以上。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述共材含有HfO<sub>2</sub>。
如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中上述共材為TiO<sub>2</sub>、ZrO<sub>2</sub>或HfO<sub>2</sub>。
一種陶瓷電子零件之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： <br/>藉由積層複數個積層單元來獲得積層體之步驟，上述積層單元係於介電材料之介電坯片上印刷有金屬導電膏之圖案，上述介電材料包含具有於A位至少含有Ba之鈣鈦礦結構且A/B比為0.940以上0.980以下之陶瓷材料粉末，上述金屬導電膏包含金屬元素之莫耳比中Ti、Zr、Hf之合計為90%以上且Ba為10%以下之共材5質量%以上10質量%以下；及 <br/>焙燒上述積層體之步驟。
如請求項5之陶瓷電子零件之製造方法，其中上述共材含有HfO<sub>2</sub>。
如請求項5或6之陶瓷電子零件之製造方法，其中上述共材為TiO<sub>2</sub>、ZrO<sub>2</sub>或HfO<sub>2</sub>。
一種馬達的電樞構造，係構成自利用複數個繞線體、具有複數個繞線芯的電樞芯、以及結構骨架所構成之電樞； <br/> 前述結構骨架包含：各自沿著旋轉軸方向延伸且作為絕緣構件至少具有一個境界部之複數個定位部；該定位部之前述至少一個境界部朝與往前述馬達的軸的方向為相反側的方向突出； <br/> 前述複數個繞線體係分別藉由前述複數個定位部被保持成，利用相鄰接的前述繞線體之間的至少一個前述境界部而讓前述相鄰接的繞線體彼此不接近； <br/> 前述電樞芯係利用已被模塑好的磁性體混合材所構成。
如請求項1的馬達的電樞構造，其中， <br/> 前述結構骨架係利用在前述電樞的旋轉軸線上之相互遠離的位置所設之2個端板所構成。
如請求項1或是2的馬達的電樞構造，其中， <br/> 前述結構骨架的至少一部分係延伸成，劃定出配置前述繞線體的前述繞線芯之空間。
如請求項1或是2的馬達的電樞構造，其中， <br/> 前述結構骨架的至少一部分，係覆蓋前述繞線體的外周圍側。
如請求項1或是2的馬達的電樞構造，其中， <br/> 前述結構骨架的至少一部分，係在前述繞線體與前述繞線芯之間，形成絕緣部。
一種馬達的電樞的製造方法，係構成有： <br/> 準備捲繞在作為繞線芯所位置的空間的空芯的周圍之複數個繞線體之工序； <br/> 準備結構骨架之工序，其中該結構骨架包含各自沿著旋轉軸方向延伸且作為絕緣構件至少具有一個境界部之複數個定位部； <br/> 在前述結構骨架配置前述複數個繞線體之工序，其中該定位部之前述至少一個境界部朝與往前述馬達的軸的方向為相反側的方向突出，利用相鄰接的前述複數個繞線體之間的前述至少一個境界部而讓相鄰接的前述繞線體彼此不接近；以及 <br/> 在前述空芯、前述繞線體、及前述結構骨架，模塑利用樹脂黏結劑與軟磁性粉之混合物所製成之具有流動性之磁性體混合材之工序。
如請求項6的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 於前述繞線體，預先模塑有前述磁性體混合材來製成。
如請求項6或是7的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 前述磁性體混合材，係利用流動材或是液材所製成。
如請求項6或是7的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 前述磁性體混合材，係利用粉粒體或是粒塊所製成。
如請求項6或是7的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 前述磁性體混合材，係藉由3D印表機來形成。
如請求項10的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 前述結構骨架與前述磁性體混合材同時三維形成。
如請求項6或是7的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 至少一部分的工序中，使用芯型骨、內側金屬模具、或是外側金屬模具。
如請求項12的馬達的電樞的製造方法，其中， <br/> 在把前述複數個繞線體配置到前述結構骨架之際，使用前述芯型骨或是前述內側金屬模具，來定位前述結構骨架。
一種馬達控制裝置，具有： <br/> 轉換器部，其係與可以連接到電源之輸入切換器部相連接，把來自前述電源的電力輸出作為直流電力； <br/> 電容器部，其係保持前述直流電力；以及 <br/> 逆變器部，其係把前述直流電力變換成交流電力，並且，驅動馬達； <br/> 前述輸入切換器部、前述轉換器部、前述電容器部、及前述逆變器部係依該順序被連接； <br/> 更具有： <br/> 湧入電流防止迴路部，其係具備在前述轉換器部與前述電容器部之間，具有抑制前述電容器部的充電中的湧入電流之湧入防止電阻器及湧入防止切換器；以及 <br/> 湧入防止電阻保護部，其係保護前述湧入防止電阻器； <br/> 前述湧入防止電阻保護部係計算通過前述湧入防止電阻器的電力，計算規定時間內的短時間電力量，並且，根據前述規定時間內的前述短時間電力量，來產生前述湧入防止電阻器的劣化量的資訊，把前述劣化量報知到外部。
如請求項1的馬達控制裝置，其中， <br/> 前述湧入防止電阻保護部係經由在電壓施加到前述湧入防止電阻器時累計電力、及在不施加電壓到前述湧入防止電阻器時從累計出的電力減掉基於與前述湧入防止電阻器的規範相應的容許重覆時間之減算量，計算前述湧入防止電阻器的警報電力量，在前述警報電力量達到了規定的閾值之情況下，停止前述逆變器部的驅動，並且，關閉前述輸入切換器部。
如請求項1或是2的馬達控制裝置，其中， <br/> 前述湧入防止電阻保護部係從前述短時間電力量，根據前述湧入防止電阻器的規範，計算與前述短時間電力量相應的耐久次數，經由計算與前述短時間電力量相應的耐久次數的倒數來計算劣化量加算值，藉由把該劣化量加算值加到前次的劣化量，來求出新的劣化量。
如請求項1或是2的馬達控制裝置，其中， <br/> 前述湧入防止電阻保護部係經由累計從對前述湧入防止電阻器的施加電壓開始一直到經過恆定時間為止之施加電壓到前述湧入防止電阻器時的電力，來計算前述湧入防止電阻器的前述短時間電力量。
如請求項2的馬達控制裝置，其中， <br/> 前述湧入防止電阻保護部係在前述警報電力量達到前述規定的閾值的情況下，停止前述逆變器的驅動，並且，把前述湧入防止電阻器的過負載異常的資訊報知到外部。
如請求項1或是2的馬達控制裝置，其中， <br/> 通過前述湧入電流防止迴路部的前述湧入防止電阻器之前述電力，係根據可以計算出前述電力的電壓或是電流來計算出。
如請求項1或是2的馬達控制裝置，其中， <br/> 通過前述湧入電流防止迴路部的前述湧入防止電阻器之前述電力係根據前述電容器部的電壓、前述轉換器部的輸出電壓、以及前述湧入防止電阻器的阻抗值來計算出。
一種用於將一黏著劑層壓至一組件的系統，該系統包含：一襯墊，其包含面向該組件的一第一主表面及與該第一主表面相對的一第二主表面；一黏著劑，其設置於該襯墊的該第一主表面上並與該第一主表面接觸，該黏著劑經組態以經層壓至該組件；及一支撐墊，其接合該襯墊的該第二主表面以用於將該黏著劑層壓至該組件，其中該支撐墊及該襯墊之各者在該支撐墊與該襯墊接合後經歷變形，該支撐墊包含：一本體，其係由一彈性墊材料製成，該本體包含：一上表面，其面向該組件；一下表面，其係與該上表面相對；及一側向表面，其係設置於該上表面與該下表面之間；其中該襯墊包含一可適形襯墊材料，該可適形襯墊材料具有自約5MPa至約650MPa的一襯墊彈性模數。
如請求項1之系統，其中該襯墊材料包含聚胺甲酸酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯、及聚乙烯丁基(polyvinyl butyl)中之至少一者。
如請求項1之系統，其中該襯墊材料的一降伏應力係自約10MPa至約100MPa。
如請求項3之系統，其中該襯墊材料的一襯墊正切模數在降伏後係自約1MPa至約1.5MPa。
如請求項1之系統，其中：該側向表面包含一彎曲部分，該彎曲部分係自該上表面延伸，該彎曲部分定義一平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該本體之一未變形狀態中的一原始平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該本體之一變形狀態中的一變形平均隅角半徑；且該彈性墊材料具有自約1MPa至約35Mpa之墊彈性模數，使得該變形平均隅角半徑與該原始平均隅角半徑之間的一差值係小於或等於該原始平均隅角半徑之25%。
如請求項1之系統，其中：該側向表面包含一彎曲部分，該彎曲部分係自該上表面延伸，該彎曲部分定義一平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該本體之一未變形狀態中的一原始平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該本體之一變形狀態中的一變形平均隅角半徑；且該襯墊彈性模數係約5MPa，使得該變形平均隅角半徑與該原始平均隅角半徑之間的一差值係小於或等於該原始平均隅角半徑之10%。
如請求項5之系統，其中：該側向表面定義一最大半徑；且該最大半徑係等於該本體之該未變形狀態中的一原始最大半徑，使得該最大半徑在該本體之該變形狀態與該未變形狀態之間的一改變係小於該原始最大半徑之5%。
如請求項1之系統，其中該本體定義自該上表面至該下表面的一高度，且其中該高度係自約5mm至約20mm。
如請求項8之系統，其中：該上表面定義一接觸半徑；該接觸半徑係等於該本體之一未變形狀態中的一原始接觸半徑；且該高度係約15mm，使得該接觸半徑在該本體之一變形狀態與該未變形狀態之間的一改變係小於該原始接觸半徑之5%。
如請求項9之系統，其中該襯墊彈性模數係約5MPa，使得該接觸半徑在該本體之該變形狀態與該未變形狀態之間的該改變係小於該原始接觸半徑之2%。
如請求項6之系統，其中該襯墊的該第二主表面在該黏著劑層壓至該組件的期間接合該側向表面，使得在該襯墊與一縱向方向之間定義一離開角度，且其中該離開角度係約90度。
如請求項1之系統，其中該彈性墊材料的一墊彈性模數係自約1MPa至約35MPa。
一種將一黏著劑層壓至一組件的方法，該方法包含：提供包含一第一主表面及一第二主表面之一襯墊、及一黏著劑，該黏著劑係設置於該襯墊的該第一主表面上並與該第一主表面接觸；將該襯墊的該第二主表面壓於一支撐墊的一上表面上，使得該襯墊的該第二主表面接合該支撐墊的一側向表面，且該支撐墊變形；及移動該支撐墊抵靠該組件，使得該黏著劑層壓至該組件；其中：該支撐墊係由一彈性墊材料製成；且該襯墊包含一可適形襯墊材料，該可適形襯墊材料具有自約5MPa至約650MPa的一襯墊彈性模數。
如請求項13之方法，其中該襯墊材料包含聚胺甲酸酯、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯、及聚乙烯丁基中之至少一者。
如請求項13之方法，其中該襯墊材料的一降伏應力係自約10MPa至約100MPa。
如請求項15之方法，其中該襯墊材料的一襯墊正切模數在降伏後係自約1MPa至1.5MPa。
如請求項13之方法，其中：該側向表面包含一彎曲部分，該彎曲部分係自該上表面延伸，該彎曲部分定義一平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該支撐墊之一未變形狀態中的一原始平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該支撐墊之一變形狀態中的一變形平均隅角半徑；且該彈性墊材料具有自約1MPa至約35MPa之墊彈性模數，使得該變形平均隅角半徑與該原始平均隅角半徑之間的一差值係小於或等於該原始平均隅角半徑之25%。
如請求項13之方法，其中：該側向表面包含一彎曲部分，該彎曲部分係自該上表面延伸，該彎曲部分定義一平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該支撐墊之一未變形狀態中的一原始平均隅角半徑；該平均隅角半徑係等於該支撐墊之一變形狀態中的一變形平均隅角半徑；且該襯墊彈性模數係約5MPa，使得該變形平均隅角半徑與該原始平均隅角半徑之間的一差值係小於或等於該原始平均隅角半徑之10%。
如請求項13之方法，其中移動該支撐墊抵靠該組件進一步包含施加一壓力於該支撐墊上，且其中該壓力係自約500kPa至約800kPa。
如請求項13之方法，其中將該襯墊的該第二主表面壓於該支撐墊的該上表面上進一步包含在一垂直方向上拉伸該襯墊一垂直距離，且其中該垂直距離係自約4mm至約10mm。
如請求項13之方法，其進一步包含與該襯墊相對地自該黏著劑移除一頂部襯墊。
如請求項13之方法，其進一步包含在移動該支撐墊抵靠該組件之前，移動該組件抵靠該支撐墊。
如請求項13之方法，其中該支撐墊定義自該支撐墊之該上表面至一下表面的一高度，且其中該高度係自約5mm至約20mm。
如請求項23之方法，其中：該上表面定義一接觸半徑；該接觸半徑係等於該支撐墊之該未變形狀態中的一原始接觸半徑；且該支撐墊的該高度係約15mm，使得該接觸半徑在該支撐墊之變形狀態與未變形狀態之間的一改變係小於該原始接觸半徑之5%。
如請求項24之方法，其中該襯墊彈性模數係約5MPa，使得該接觸半徑在該支撐墊之該變形狀態與該未變形狀態之間的該改變係小於該原始接觸半徑之2%。
如請求項17之方法，其中：該側向表面定義一最大半徑；且該最大半徑係等於該支撐墊之一未變形狀態中的一原始最大半徑，使得該最大半徑在該支撐墊之一變形狀態與該未變形狀態之間的一改變係小於該原始最大半徑之5%。
如請求項18之方法，其中該襯墊的該第二主表面在該黏著劑層壓至該組件的期間接合該側向表面，使得在該襯墊與一縱向方向之間定義一離開角度，且其中該離開角度係約90度。
如請求項13之方法，其中該支撐墊的該上表面係實質上平坦的。
如請求項13之方法，其進一步包含移動該支撐墊遠離該組件。
一種膠片，其特徵係具備包含含有B之Si層之邊框、 <br/> 和形成於前述Si層之一方之主面側之膠片膜， <br/> 前述Si層之電阻率為較0為大，0.02Ω･cm以下。
如請求項1記載之膠片，其中，前述膠片膜係具有10nm以上50nm以下之厚度。
如請求項1記載之膠片，其中，前述膠片膜係由SiC所成。
一種膠片之製造方法，其特徵係具備:準備含有B之Si層之工程、 <br/> 和於前述Si層之一方之主面側，形成膠片膜之工程， <br/> 前述Si層之電阻率為較0為大，0.02Ω･cm以下。
一種功率遞送系統，其包括： <br/>至少一調變電源，其被配置以提供功率至電漿負載，其中所述至少一調變電源對電漿性質進行調變，其中所述電漿性質的所述調變具有重複週期T； <br/>匹配網路，其被配置以阻抗匹配所述至少一調變電源的輸出至所述電漿負載； <br/>第一感測器，其被配置以量測在所述至少一調變電源的所述輸出的所述功率的至少一參數，並且被配置以產生對應的量測參數信號；以及 <br/>控制器，其被配置以： <br/>從所述第一感測器接收所述量測參數信號； <br/>接收使用者功率遞送要求； <br/>分析所述量測參數信號以及所述使用者功率遞送要求中的至少一個； <br/>指示所述至少一調變電源或是所述匹配網路中的一或多個以調整一或多個操作參數，以便於符合所述使用者功率遞送需求；以及 <br/>傳送具有T的整數倍數的同步信號重複週期的同步信號到經連接至所述電漿系統的至少一件設備，以同步化所述至少一調變電源以及所述至少一件設備。
如請求項1之系統，其中所述至少一調變電源包括源產生器或是偏壓電源中的至少一個。
如請求項1之系統，其中所述一或多個操作參數包括調變電源頻率、偏壓電源波形、或是匹配網路阻抗。
如請求項1之系統，其中所述感測器被配置以獲得從所述至少一調變電源輸出的所述功率以及所述至少一調變電源所看到的阻抗的指示。
如請求項1之系統，其中所述控制器是本地控制器，其被配置在所述至少一調變電源的殼體之內。
如請求項1之系統，其中所述控制器是本地控制器，其被配置在所述匹配網路之內。
如請求項1之系統，其進一步包括和所述控制器通訊的第二感測器，所述第二感測器被配置以量測在所述匹配網路及所述電漿負載之間的電壓、電流、相位、阻抗或是功率中的至少一個、或是電漿室的非電性特徵、或是所述電漿負載的非電性特徵。
如請求項1之系統，其中所述控制器是本地控制器，其被配置為用於使用者和所述功率遞送系統的構件互動的唯一管道。
一種被編碼有指令的非暫態實體處理器可讀取儲存媒體，其包括指令以： <br/>監測對電漿性質進行調變的調變電源的功率輸出的電性特徵，其中所述電漿性質的所述調變具有重複週期T； <br/>提供所述功率輸出的所述電性特徵至控制器； <br/>分析所述功率輸出的所述電性特徵； <br/>傳遞具有所述重複週期T的特徵化波形的特徵到經連接至電漿處理系統的至少一件設備，以致能經連接至所述電漿處理系統的多件設備的同步；以及 <br/>根據所述電性特徵的所述分析來中繼所述指令至所述調變電源以及匹配網路，其致能所述調變電源以及所述匹配網路的同時調諧。
如請求項9之非暫態實體處理器可讀取儲存媒體，其中所述同時調諧包括調諧所述調變電源的頻率以及所述匹配網路的阻抗。
如請求項9之非暫態實體處理器可讀取儲存媒體，其中所述指令包括用以識別所述調變電源、所述匹配網路、或是經連接至所述電漿處理系統的其它設備中的至少一個的指令。
一種功率遞送系統之功率控制系統，其包括： <br/>第一感測器，其被配置以監測調變電源的功率輸出以及所述調變電源所看到的阻抗，其中所述調變電源被配置以經由匹配網路來提供功率至電漿，所述匹配網路在重複週期T下調變所述電漿；以及 <br/>控制器，其和所述第一感測器通訊並且被配置以： <br/>管理所述調變電源以及所述匹配網路的調諧，其中所述調諧考量所述調變電源的所述功率輸出以及所述調變電源所看到的所述阻抗； <br/>特徵化具有所述重複週期T的波形以產生波形資料組，其包含有關所述電漿的所述調變、或是經連接至電漿處理系統的一件設備的所要波形的資訊中的至少一個；以及 <br/>傳送所述波形資料組到經連接至所述電漿處理系統的至少一件設備。
如請求項12之功率控制系統，其中所述控制器是軟體或韌體，其被配置以在所述調變電源或所述匹配網路的處理器及記憶體上操作。
如請求項12之功率控制系統，其中所述控制器是處理器，其具有操作於所述處理器上並且被配置以用於加入現有功率遞送系統的軟體或韌體。
如請求項12之功率控制系統，其中所述調諧是根據所述第一感測器的身分、所述調變電源的身分、以及所述匹配網路的身分。
如請求項12之功率控制系統，其進一步包括第二感測器，其被配置以特徵化所述匹配網路的功率輸出並且予以遞送至電漿負載。
如請求項16之功率控制系統，其中所述第二感測器被配置以監測電漿室的特徵，其中所述電漿藉由從所述功率遞送系統所遞送的功率來維持。
如請求項12之功率控制系統，其中所述控制器被配置以管理所述調變電源的頻率以及所述匹配網路的阻抗的同時調諧。
如請求項12之功率控制系統，其中所述控制器被配置以介接往返於所述第一感測器、所述調變電源、以及所述匹配網路的使用者輸入與輸出。
如請求項19之功率控制系統，其中所述控制器被配置以和外部控制器通訊，而使用者經由所述部控制器來和所述功率遞送系統介接。
如請求項19之功率控制系統，其中所述控制器被配置以： <br/>接收使用者功率遞送需求； <br/>產生用於所述調變電源以及所述匹配網路的指令以達成所述使用者功率遞送需求；以及 <br/>傳遞所述指令至所述調變電源以及所述匹配網路。
一種包含經黏合之非織造纖網之棉絮，該棉絮具有平行於第二表面之第一表面，並且該經黏合之非織造纖網包含纖維混合物，該纖維混合物含有以纖維混合物之總重量計之下列者： <br/>（a）20至55 wt%之經矽化之纖維，其具有1.5至10.0之丹尼及51 mm至84 mm之長度； <br/>（b）10至45 wt%之中空複合纖維，其具有螺旋狀捲曲，以及具有1.5至10.0之丹尼及51至84 mm之長度； <br/>（c）10至45 wt%之第一組黏合纖維，該第一組黏合纖維為彈性共聚酯黏合纖維，其具有1.5至8.0之丹尼、51至84 mm之長度及110°C至180°C之黏合溫度；及 <br/>（d）1至20 wt%之不同於該第一組黏合纖維之第二組黏合纖維，該第二組黏合纖維具有1.5至6.0之丹尼，51 mm至84 mm之長度及80°C至135°C之黏合溫度； <br/>其中該纖維混合物中之纖維經均勻混合。
如請求項1之棉絮，其中該第一表面及該第二表面包含樹脂。
如請求項2之棉絮，其包含以該棉絮之總重量計4至15 wt%之樹脂。
如請求項3之棉絮，其包含以該棉絮之總重量計6至10 wt%之樹脂。
如請求項1之棉絮，其中該纖維混合物包含以纖維混合物之總重量計之下列者： <br/>（a）20至40 wt%之該經矽化之纖維；及/或 <br/>（b）20至40 wt%之該中空複合纖維；及/或 <br/>（c）20至40 wt%之該第一組黏合纖維；及/或 <br/>（d）5至15 wt%之該第二組黏合纖維。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（a）該經矽化之纖維具有3.0至10.0之丹尼；及/或 <br/>（b）該中空複合纖維具有3.0至10.0之丹尼；及/或 <br/>（c）該第一組黏合纖維具有3.0至8.0之丹尼；及/或 <br/>（d）該第二組黏合纖維具有1.5至4.0之丹尼。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（a）該經矽化之纖維為中空的。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（b）該中空複合纖維為乾燥纖維。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（a）該經矽化之纖維為聚酯纖維。
如請求項9之棉絮，其中： <br/>（a）該經矽化之纖維為包含回收聚酯之聚酯纖維。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（b）該中空複合纖維為聚酯纖維。
如請求項11之棉絮，其中： <br/>（b）該中空複合纖維為包含回收聚酯之聚酯纖維。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其中： <br/>（c）該第二組黏合纖維包含聚酯。
如請求項13之棉絮，其中： <br/>（c）該第二組黏合纖維中之聚酯包含回收聚酯。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其具有25至60 g/m <sup>2</sup>之面積重量及11至15 kg/m <sup>3</sup>之密度。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其具有30至40 g/m <sup>2</sup>之面積重量及13至14 kg/m <sup>3</sup>之密度。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其具有根據ISO11092大於0.012 clo/g/m <sup>2</sup>之保暖性/重量之熱性能。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其具有小於150 wt%之吸水率性質。
如請求項18之棉絮，其具有小於100 wt%之吸水率性質。
如請求項1至5中任一項之棉絮，其當根據INS-17纖維遷移測試進行測試時具有小於20根纖維之抗纖維遷移性。
一種包含如請求項1至5中任一項之棉絮之製品。
如請求項21之製品，其中該製品選自由以下組成之群：外衣產品、服裝、睡袋及床上用品。
一種製造如請求項1至5中任一項之棉絮之方法，該方法包含以下： <br/>- 藉由混合以下製備該纖維混合物： <br/>（a）20至55 wt%之經矽化之纖維，其具有1.5至10.0之丹尼及51 mm至84 mm之長度； <br/>（b）10至45 wt%之中空複合纖維，其具有螺旋狀捲曲，以及具有1.5至10.0之丹尼及51至84 mm之長度； <br/>（c）10至45 wt%之第一組黏合纖維，該第一組黏合纖維為彈性共聚酯黏合纖維，其具有1.5至8.0之丹尼、51至84 mm之長度及110°C至180°C之黏合溫度；及 <br/>（d）1至20 wt%之不同於該第一組黏合纖維之第二組黏合纖維，該第二組黏合纖維具有1.5至6.0之丹尼，51 mm至84 mm之長度及80°C至135°C之黏合溫度； <br/>- 由該纖維混合物形成非織造纖網； <br/>- 提供該非織造纖網，或視需要將由該纖維混合物所形成之該非織造纖網與一或多個額外的非織造纖網疊層； <br/>- 將該非織造纖網加熱至或超過最高黏合纖維黏合溫度，從而形成包含一或多個非織造纖網之棉絮或棉絮中間體，其至少包括包含該纖維混合物之經黏合之非織造纖網，該棉絮或棉絮中間體具有平行於第二表面之第一表面； <br/>- 視需要將樹脂溶液施加到該棉絮中間體之第一及第二表面； <br/>- 視需要將該棉絮中間體加熱至超過該樹脂溶液中該樹脂之玻璃轉化溫度之溫度；及 <br/>- 視需要壓延該棉絮中間體之一或多個表面， <br/>從而形成該棉絮。
如請求項23之方法，其中該提供該非織造纖網或視需要將由該纖維混合物所形成之該非織造纖網與一或多個額外的非織造纖網疊層形成棉絮中間體，且其中該方法包含將該棉絮中間體經受針刺製程。
一種醫藥組合物用於製備治療1型神經纖維瘤病之藥劑的用途，其中該醫藥組合物包含： <br/>(a) 0.1 mg至20 mg之式(I)之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺<b> </b><br/><img align="absmiddle" height="53px" width="100px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)， <br/>對應0.1 wt/wt%至7 wt/wt%之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺； <br/>(b) 50 wt/wt%至98 wt/wt%之一或多種稀釋劑； <br/>(c) 1 wt/wt%至10 wt/wt%之一或多種崩解劑； <br/>(d) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種調味劑； <br/>(e) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種甜味劑；及 <br/>(f) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種潤滑劑， <br/>其中該醫藥組合物與可飲用液體組合後，在10分鐘內崩解或溶解。
如請求項1之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺為結晶的。
如請求項2之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式選自由以下組成之群： <br/>a) N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式，其特徵在於XRPD圖案具有在4.6 ± 0.2、7.3 ± 0.2及14.6 ± 0.2度2θ處之峰； <br/>b) N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式，其特徵在於XRPD圖案具有在10.6 ± 0.2、13.7 ± 0.2、19.0 ± 0.2及23.7 ± 0.2度2θ中之一或多者處之峰；及 <br/>c) N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式，其特徵在於XRPD圖案具有在5.5 ± 0.2及19.6 ± 0.2度2θ中之一或多者處之峰。
如請求項2之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式之特徵在於以下中之一者或多者： <br/>a) 實質上如圖1A中所示之XRPD圖案(使用Cu Kα輻射量測)； <br/>b) 實質上如圖1B中所示之TGA曲線； <br/>c) 實質上如圖1B中所示之DSC曲線；及 <br/>d) 不包括在約117℃開始之吸熱之DSC曲線。
如請求項2或3之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之結晶形式不含任何量之能藉由XRPD及/或DSC偵測到之形式I或形式II， <br/>其中形式I之特徵在於XRPD含有在10.6、13.7、19.0及23.7度2θ中之一或多者處之峰； <br/>其中形式I之特徵在於藉由DSC所測定之熔點為約117℃-118℃， <br/>其中形式II之特徵在於XRPD含有在5.5及/或19.6度2θ處之峰，及 <br/>其中形式II之特徵在於藉由DSC所測定之熔點為約89℃-90℃。
如請求項2至4中任一項之用途，其中該結晶形式係無水的。
如請求項1至4中任一項之用途，其中該醫藥組合物為可口腔分散的。<b> </b>
如請求項1至4中任一項之用途，其中該醫藥組合物為錠劑、粉末、顆粒、微錠劑或小丸。<b> </b>
如請求項7之用途，其中該醫藥組合物係呈粉末形式。
如請求項9之用途，其中該粉末為可分散粉末。
如請求項7之用途，其中該醫藥組合物係呈顆粒形式。
如請求項11之用途，其中該等顆粒為可分散顆粒。
如請求項7之用途，其中該醫藥組合物係呈微錠劑形式。
如請求項13之用途，其中該等微錠劑為可分散微錠劑。
如請求項7之用途，其中該醫藥組合物係呈小丸形式。
如請求項15之用途，其中該等小丸為可分散小丸。
如請求項7之用途，其中該醫藥組合物係呈錠劑形式。
如請求項17之用途，其中該錠劑為可分散錠劑。<b> </b>
如請求項1至4中任一項之用途，該醫藥組合物包含：<b> </b><br/>a. 約0.5 wt/wt%至約1.2 wt/wt%之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺； <br/>b. 約85 wt/wt%至約95 wt/wt%之一或多種稀釋劑； <br/>c. 約3.5 wt/wt%至約6 wt/wt%之一或多種崩解劑； <br/>d. 0 wt/wt%至約2.5 wt/wt%之一或多種調味劑； <br/>e. 0 wt/wt%至約2 wt/wt%之一或多種甜味劑；及 <br/>f. 約0.5 wt/wt%至約2 wt/wt%之一或多種潤滑劑。<b> </b>
如請求項19之用途，其中該醫藥組合物包含(i) 0.5 mg、(ii) 1 mg、(iii) 2 mg、(iv) 3 mg、或(v) 4 mg之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺。<b> </b>
如請求項1至4中任一項之用途，其中該醫藥組合物用於治療與1型神經纖維瘤病腫瘤相關之神經纖維瘤。
如請求項21之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以28天投藥週期投與，該投藥週期包含： <br/>(i) (a) 21天投與總日劑量；及(b) 7天不投與N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺，或 <br/>(ii) (a)三個7天週期，每週期包含(i) 連續5天投與總日劑量及(ii) 連續2天不投與N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺；及(b) 連續7天不投與N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺。<b> </b>
如請求項22之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以28天投藥週期投與，該投藥週期包含28天投與總日劑量。<b> </b>
如請求項23之用途，其中重複該28天投藥週期，直多總計24個連續28天投藥週期。<b> </b>
如請求項21之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之總日劑量係以每天兩次來投與。<b> </b>
如請求項25之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之總日劑量係以每天兩次來投與，每次劑量為約0.1 mg至約10 mg。
如請求項25之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之總日劑量係以每天兩次來投與，每次劑量為(i) 0.25 mg、(ii) 0.5 mg、(iii) 1 mg、(iv) 2 mg、(v) 4 mg、(vi) 5 mg或(vii) 10 mg。
如請求項21之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之總日劑量係以每天一次來投與。
如請求項28之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺之總日劑量係以每天一次來投與，劑量為(i) 0.5 mg、(ii) 1 mg、(iii) 2 mg、(iv) 4 mg、(v) 8 mg、(vi) 10 mg或(vii) 20 mg。
如請求項22之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過20 mg之總日劑量投與。
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過10 mg之總日劑量投與。
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過8 mg之總日劑量投與。
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過6 mg之總日劑量投與。<b> </b>
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過4 mg之總日劑量投與。<b> </b>
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過2 mg之總日劑量投與。<b> </b>
如請求項30之用途，其中該N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺係以不超過1 mg之總日劑量投與。
一種醫藥組合物用於製備治療1型神經纖維瘤病之藥劑的用途，其中該醫藥組合物包含：<b> </b><br/>(a) 0.1 mg至20 mg之式(I) 之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺<img align="absmiddle" height="56px" width="106px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)；對應於0.1 wt/wt%至7 wt/wt%之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺； <br/>(b) 50 wt/wt%至98 wt/wt%之稀釋劑，其中該稀釋劑為微晶纖維素； <br/>(c) 1 wt/wt%至10 wt/wt%之崩解劑，其中該崩解劑為交聯羧甲基纖維素鈉； <br/>(d) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種調味劑； <br/>(e) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種甜味劑；及 <br/>(f) 0 wt/wt%至5 wt/wt%之一或多種潤滑劑， <br/>其中該醫藥組合物與可飲用液體組合後，在10分鐘內崩解或溶解。<b> </b>
一種錠劑用於製備治療1型神經纖維瘤病之藥劑的用途，其中該錠劑包含：<b> </b><br/>(a) 0.5 mg或1.0 mg之式(I)之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺，對應0.75 wt/wt%之N-((R)-2,3-二羥基丙氧基)-3,4-二氟-2-(2-氟-4-碘-苯基胺基)-苯甲醯胺 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="107px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)； <br/>(b) 90.52 wt/wt%之微晶纖維素； <br/>(c) 4.85 wt/wt%之交聯羧甲基纖維素鈉； <br/>(d) 1.94 wt/wt%之葡萄調味劑； <br/>(e) 0.97 wt/wt%之蔗糖素；及 <br/>(e) 0.97 wt/wt%之硬脂酸鎂； <br/>其中該錠劑與可飲用液體組合後，在10分鐘內崩解或溶解。
一種網路收發器裝置，該網路收發器裝置包含：<br/> 複數個可變增益放大器（VGA），該複數個VGA經配置為放大接收信號；<br/> 至少兩組類比數位轉換器（ADC），每組包括耦合至該複數個VGA中之一對應一者之一各自輸出的複數個ADC，其中該至少兩組ADC中之一第一組被佈置在至少一第一VGA特定通道中及該至少兩組ADC中之一第二組被佈置在至少一第二VGA特定通道中；以及<br/> 複數個前饋等化器（FFE），每個FFE經耦合以接收在該第一VGA特定通道或該第二VGA特定通道中之該至少兩組ADC中之一對應ADC的一各自輸出，每個FFE經配置為利用複數個等化係數來適應性地等化自該對應ADC接收的該輸出，該複數個等化係數包括具有所有FFE共有之係數值的一第一等化係數子集，以及通道特定的且具有用於該第一VGA特定通道之一第一組係數值及用於該第二VGA特定通道之一第二組係數值的一第二等化係數子集，該第一組係數值及該第二組係數值彼此獨立地計算。
如請求項1所述之網路收發器裝置，該網路收發器裝置包含：<br/> 一連續時間線性等化器（CTLE），該CTLE耦合在該複數個VGA的一輸入側。
如請求項1所述之網路收發器裝置，該網路收發器裝置包含：<br/> 複數個判定反饋等化器（DFE），每個DFE經耦合以接收該第一VGA特定通道或該第二VGA特定通道中之該複數個FFE中之一對應一者的一各自輸出。
如請求項1所述之網路收發器裝置，該網路收發器裝置包含：<br/> 一時脈資料回復（CDR）電路，該CDR電路耦合在該複數個ADC的一輸入側及一輸出側，其中該CDR電路經配置為自每個ADC的該輸出接收一ADC取樣信號，且響應於此，產生一通道時序信號及一ADC時序信號，該通道時序信號在該第一VGA特定通道與該第二VGA特定通道之間交替，且該ADC時序信號包括經由該至少兩組ADC中之該複數個ADC中的每一者增加的脈衝。
如請求項4所述之網路收發器裝置，其中該CDR電路包括一相位偵測器，該相位偵測器經配置為偵測自該複數個ADC中的每一者接收到之一信號的一相位，其中該CDR電路的該相位偵測器經配置為利用至少兩個前游標係數、一主係數及至少兩個後游標係數來確定來自該複數個ADC中之每個ADC之該接收信號中之一脈衝響應的一時序。
如請求項3所述之網路收發器裝置，該網路收發器裝置包含：<br/> 一最大似然序列估計（MLSE）等化器，該MLSE等化器耦合在該複數個DFE的一輸出側，該MLSE等化器經配置為校正該複數個DFE中之每一個中的DFE突發錯誤。
如請求項1所述之網路收發器裝置，<br/> 其中，該網路收發器裝置經配置為作為一四階脈衝振幅調變（PAM-4）收發器操作。
如請求項1所述之網路收發器裝置，<br/> 其中該第一組係數值及第二組係數值的值彼此不同。
如請求項1所述之網路收發器裝置，<br/> 其中計算該第一及第二組係數值以最小化與一類比輸入信號的一ADC樣本相關聯的一平方誤差。
如請求項1所述之網路收發器裝置，<br/> 其中該至少兩組ADC包括四組ADC，該四組中的每組包括16個ADC。
一種信號處理方法，該方法包含以下步驟：<br/> 在複數個可變增益放大器（VGA）處放大接收信號；<br/> 在至少兩組類比數位轉換器（ADC）中之每組處自該複數個VGA接收放大信號，每組包括耦合至該複數個VGA中之一對應一者之一各自輸出的複數個ADC，其中該至少兩組ADC中之一第一組被佈置在至少一第一VGA特定通道中及該至少兩組ADC中之一第二組被佈置在至少一第二VGA特定通道中；<br/> 在該第一VGA特定通道或該第二VGA特定通道中的複數個前饋等化器（FFE）處自該至少兩組ADC中之每組中之該複數個ADC接收信號；以及<br/> 利用複數個等化係數來適應性地等化在每個FFE處自該至少兩組ADC中的一對應ADC接收的一輸出，該複數個等化係數包括具有所有FFE共有之係數值的一第一等化係數子集，以及通道特定的且具有用於該第一VGA特定通道之一第一組係數值及用於該第二VGA特定通道之一第二組係數值的一第二等化係數子集，該第一組係數值及該第二組係數值彼此獨立地計算。
如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在複數個判定反饋等化器（DFE）處自該複數個FFE接收信號；以及<br/> 在每個DFE處等化該第一VGA特定通道或該第二VGA特定通道中之該複數個FFE中之一對應一者的一各自輸出。
如請求項11所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：<br/> 在一時脈資料回復（CDR）電路處自該至少兩組ADC中的每個ADC的該輸出接收一取樣信號；<br/> 經由該CDR電路產生一通道時序信號及一ADC時序信號，該通道時序信號在該第一VGA特定通道及該第二VGA特定通道之間交替，且該ADC時序信號包括經由該至少兩組ADC中之每組中之該複數個ADC中的每個ADC增加的脈衝；以及<br/> 使用該通道時序信號及該ADC時序信號來驅動該至少兩組ADC中之每組中的該複數個ADC。
如請求項13所述之方法，其中該CDR電路包括一相位偵測器，該相位偵測器經配置為偵測自該至少兩組ADC中的每個ADC接收到之一信號的一相位，其中該CDR電路的該相位偵測器經配置為利用至少兩個前游標係數、一主係數及至少兩個後游標係數來確定來自每個ADC之該接收取樣信號中之一脈衝響應的一時序。
如請求項11所述之方法，其中該信號處理方法在一四階脈衝振幅調變（PAM-4）收發器中執行。
如請求項11所述之方法，其中該第一組係數值及該第二組係數值的值彼此不同。
如請求項11所述之方法，其中計算該第一組係數值及該第二組係數值以最小化與類比輸入信號之一ADC樣本相關的一平方誤差。
一種高溫爐管，包括：<br/> 工藝管，工藝管的頂端設置有頂蓋，頂蓋上設置有通孔；<br/> 供氣管，與工藝管頂蓋上的通孔連通，工藝氣體通過供氣管和工藝管頂蓋上的通孔通入工藝管內部；<br/> 晶舟，設置於工藝管內部，包括支撐架和支撐平板，支撐平板沿支撐架的長度方向分佈有多層，用於支撐多片基板，每片基板放置於每層支撐平板上，每層支撐平板托住每片基板的整個底部；<br/> 其中，所述每層支撐平板上設置有三個導槽，用於取放基板的機械手上設置有三個吸盤，所述三個導槽與機械手上的三個吸盤相對應，三個吸盤插入三個導槽內，從所述支撐平板上取走基板或將基板放置於所述支撐平板上；或者<br/> 所述每層支撐平板上設置有兩個導槽，用於取放基板的機械手上設置有三個吸盤，其中兩個吸盤與一導槽相對應，剩餘一個吸盤與另一導槽相對應，三個吸盤插入兩個導槽內，從所述支撐平板上取走基板或將基板放置於所述支撐平板上。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述機械手上的三個吸盤均為真空吸盤，用以吸住基板。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述機械手上的三個吸盤均為固體吸盤，且每個固體吸盤上設置有一個密封圈，所述固體吸盤通過密封圈的摩擦力托住基板。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述每層支撐平板的外周設置有至少兩個卡槽，所述支撐架與每層支撐平板對應的位置上設置有至少兩個卡塊，至少兩個卡塊與至少兩個卡槽一一對應，每層支撐平板通過卡槽卡在支撐架的卡塊上。
如請求項4所述的高溫爐管，其中，所述卡槽為四個，所述卡塊對應為四個，四個卡塊對稱設置在每層支撐平板的周向兩側。
如請求項4所述的高溫爐管，其中，所述卡槽為三個，三個卡槽均勻分佈在每層支撐平板的外周，相鄰兩個卡槽之間的角度成120°，所述卡塊為三個，三個卡塊與三個卡槽一一對應。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述支撐平板與所述支撐架的材料不同。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述支撐平板與所述支撐架的材料相同，且所述支撐平板與所述支撐架為一體成型。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述支撐平板的材料為石英、碳化矽、金剛石、石墨、石墨烯中的任意一種。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述支撐架的材料為石英、碳化矽、矽中的任意一種。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述每層支撐平板與基板底部接觸的一面上設置有多個凸起或者多個凹槽。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述工藝管的頂蓋為包括頂層和底層的雙層結構，所述頂蓋的頂層和底層均為拱形結構。
如請求項12所述的高溫爐管，其中，所述頂蓋的頂層和底層之間設置有加強筋，加強筋連接頂蓋的頂層和底層。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述頂蓋為包括頂層和底層的雙層結構，所述頂蓋的頂層為拱形結構，所述頂蓋的底層為平面結構，所述頂蓋的頂層和底層之間設置有加強筋，加強筋連接頂蓋的頂層和底層。
如請求項1所述的高溫爐管，其中，所述工藝管的材料為石英或碳化矽。
如請求項1所述的高溫爐管，進一步包括：<br/> 襯管，套設於工藝管的外周；以及<br/> 加熱組件，套設於襯管的外周。
如請求項16所述的高溫爐管，其中，所述襯管的材料為石英或碳化矽。
一種半導體裝置，包括：<br/> 重佈線結構；<br/> 積體電路封裝，貼合到所述重佈線結構的第一側；<br/> 芯體基底，利用第一導電連接件及第二導電連接件耦合到所述重佈線結構的第二側，所述第二側與所述第一側相對，所述芯體基底的頂部層包含介電材料；<br/> 晶片，設置在所述重佈線結構與所述芯體基底之間，所述晶片夾置在所述介電材料的側壁之間；以及<br/> 包封體，所述包封體覆蓋所述芯體基底的側壁、所述晶片的側壁、以及所述晶片的與所述重佈線結構相對的底表面。
如請求項1所述的半導體裝置，還包括：<br/> 介電層，位於所述重佈線結構的所述第二側上；以及<br/> 第一通孔、第二通孔及第三通孔，延伸穿過所述介電層。
如請求項2所述的半導體裝置，還包括：<br/> 第一凸塊下金屬，位於所述介電層上，所述第一凸塊下金屬實體耦合及電耦合到所述第二通孔，所述第一導電連接件實體耦合及電耦合到所述第一凸塊下金屬；以及<br/> 第二凸塊下金屬，位於所述介電層上，所述第二凸塊下金屬實體耦合及電耦合到所述第三通孔，所述第二導電連接件實體耦合及電耦合到所述第二凸塊下金屬。
一種半導體裝置，包括：<br/> 第一通孔及第二通孔，從重佈線結構的第一側延伸，凸塊下金屬與所述重佈線結構相對地位於所述第二通孔上；<br/> 電壓調節器，實體耦合及電耦合到所述第一通孔；<br/> 積體電路封裝，透過所述重佈線結構耦合到所述電壓調節器，所述積體電路封裝位於所述重佈線結構的與所述第一側相對的第二側上； <br/> 芯體基底，利用導電連接件貼合到所述凸塊下金屬，所述芯體基底上的介電材料夾置在所述導電連接件與所述電壓調節器之間；以及<br/> 底部填充膠，所述底部填充膠夾置在所述電壓調節器與所述重佈線結構之間，其中所述底部填充膠覆蓋所述芯體基底的側壁、所述電壓調節器的側壁、以及所述電壓調節器的與所述重佈線結構相對的底表面。
如請求項4所述的半導體裝置，所述介電材料與所述電壓調節器之間的寬度介於5 μm到200 μm的範圍內。
一種半導體裝置，包括：<br/> 重佈線結構；<br/> 芯體基底，設置在所述重佈線結構的第一側上，其中所述重佈線結構透過導電連接件耦合至所述芯體基底，其中所述導電連接件延伸局部穿過所述芯體基底的介電層；<br/> 晶片，耦合至所述重佈線結構的所述第一側上，其中所述晶片設置在所述重佈線結構與所述芯體基底之間，且所述晶片的底表面低於所述芯體基底的所述介電層的頂表面；<br/> 積體電路封裝，設置在所述重佈線結構的與所述第一側相對的第二側上；以及<br/> 包封體，所述包封體覆蓋所述芯體基底的側壁、所述晶片的側壁、以及所述晶片的與所述重佈線結構相對的底表面。
一種形成半導體裝置的方法，所述方法包括：<br/> 在第一基底上形成重佈線結構；<br/> 將晶片貼合到所述重佈線結構的第一側；<br/> 在芯體基底中形成開口；<br/> 將所述芯體基底貼合到所述重佈線結構的所述第一側，所述晶片夾置在所述開口的側壁之間；<br/> 利用包封體包封所述芯體基底，其中所述包封體沿著所述芯體基底的側壁延伸，其中所述包封體進一步包封所述芯體基底的側壁、所述晶片的側壁、以及所述晶片的與所述重佈線結構相對的底表面；<br/> 從所述第一基底移除所述重佈線結構；以及<br/> 將積體電路封裝貼合到所述重佈線結構的第二側，所述第二側與所述第一側相對。
如請求項7所述的方法，還包括：在所述重佈線結構上安裝保護環，所述保護環圍繞所述積體電路封裝。
一種形成半導體裝置的方法，所述方法包括：<br/> 安裝電壓調節器至重佈線結構的第一側；<br/> 接合芯體基底至所述重佈線結構的所述第一側，所述芯體基底具有開口，所述電壓調節器安置於所述開口內；<br/> 利用包封體包封所述芯體基底及所述電壓調節器，所述包封體覆蓋所述芯體基底的側壁、所述電壓調節器的側壁、以及所述電壓調節器的與所述重佈線結構相對的底表面；以及<br/> 將積體電路封裝貼合到所述重佈線結構的第二側，所述第二側與所述第一側相對。
一種形成半導體裝置的方法，所述方法包括：<br/> 在芯體基底的阻焊劑內形成開口；<br/> 在載體基底上形成重佈線結構；<br/> 將電壓調節器貼合到所述重佈線結構的第一側；<br/> 形成底部填充膠於所述重佈線結構與所述電壓調節器之間；<br/> 將所述芯體基底接合至所述重佈線結構的所述第一側，其中在所述接合之後，所述電壓調節器夾置在所述開口的側壁之間，所述底部填充膠夾置在所述電壓調節器與所述重佈線結構之間，其中所述底部填充膠覆蓋所述芯體基底的側壁、所述電壓調節器的側壁、以及所述電壓調節器的與所述重佈線結構相對的底表面；<br/> 將所述載體基底從所述重佈線結構上移除；以及<br/> 將積體電路封裝貼合到所述重佈線結構的第二側，所述第二側與所述第一側相對。
一種燃燒器用耐火物，其特徵在於具備複數個貫通孔，且各個貫通孔係由複數個無機纖維壓縮成型體形成；且 <br/>前述無機纖維壓縮成型體之壓縮方向，與在前述燃燒器用耐火物中前述複數個貫通孔排列之方向為相同之方向。
如請求項1之燃燒器用耐火物，其中形成前述無機纖維壓縮成型體之無機纖維集合體之墊之寬度為50 mm以上。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其中在前述無機纖維壓縮成型體之固定於爐殼之側之面之大致中央部安裝有固定金屬件。
如請求項3之燃燒器用耐火物，其中前述固定金屬件在前述無機纖維壓縮成型體之壓縮方向上為長尺寸。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其中在前述複數個貫通孔中之供燃燒空氣出入之貫通孔內部，具備將無機纖維製板體以板面相對於孔呈大致放射狀積層而成之筒狀成型體，該貫通孔之爐殼側之剖面積大於爐內側之剖面積。
如請求項5之燃燒器用耐火物，其中前述筒狀成型體具有可更換之構造。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其中前述無機纖維壓縮成型體具備至少1個形成前述貫通孔之缺口構造。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其中爐內側之面積為0.5 m<sup>2</sup>以上。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其安裝於殼體。
如請求項1或2之燃燒器用耐火物，其安裝於天花板。
一種燃燒器用耐火物之製造方法，其係用於製造具備複數個貫通孔且各個貫通孔係由複數個無機纖維壓縮成型體形成之燃燒器用耐火物者，該燃燒器用耐火物之製造方法包含如下步驟： <br/>以將複數個無機纖維壓縮成型體之壓縮方向設為與形成之複數個貫通孔排列之方向相同之方向、且組合複數個無機纖維壓縮成型體所具備之缺口構造而形成貫通孔之方式，配置前述複數個無機纖維壓縮成型體。
一種無機纖維壓縮成型體，其構成如請求項1至10中任一項之燃燒器用耐火物。
一種蓄熱式燃燒器，其具備如請求項1至10中任一項之燃燒器用耐火物。
一種工業爐，其具備如請求項13之蓄熱式燃燒器。
一種積層體，其依序具有表面保護膜、包含偏光元件與保護層之偏光板、相位差層、黏著劑層、及剝離膜，且 <br/>上述偏光板之厚度為40 μm以下， <br/>自上述偏光板至上述黏著劑層之積層部分之厚度為25 μm以上70 μm以下，上述積層部分係自偏光板之表面保護膜側的面至黏著劑層之剝離膜側的面之積層部分， <br/>上述剝離膜之厚度為50 μm以上80 μm以下， <br/>上述剝離膜對於上述黏著劑層之剝離力Fr為0.005 N/25 mm以上0.04 N/25 mm以下， <br/>上述表面保護膜對於上述偏光板之剝離力Fp大於上述Fr且為0.05 N/25 mm以下。
如請求項1之積層體，其中上述表面保護膜之厚度為60 μm以上。
如請求項1或2之積層體，其中上述表面保護膜之厚度大於上述積層部分之厚度。
如請求項1或2之積層體，其中上述偏光板僅於上述偏光元件之未配置上述相位差層之側配置有保護層。
如請求項1或2之積層體，其中上述偏光元件之厚度為8 μm以下。
如請求項1或2之積層體，其中上述相位差層為液晶化合物之配向固化層。
如請求項1或2之積層體，其翹曲為5%以下。
一種圖像顯示面板之製造方法，其依序包括： <br/>準備如請求項1至7中任一項之積層體； <br/>將自上述黏著劑層剝下上述剝離膜後之上述積層體貼合至圖像顯示面板本體；及 <br/>自上述偏光板剝下上述表面保護膜。
一種兩部分可固化組成物，其包含：a)第一部分，其包含具有至少兩個-NH<sub>2</sub>基團之含草醯胺基化合物，該含草醯胺基化合物包含至少一個式(I)之基團及至少一個式(II)之基團*-(CO)-(CO)-NH-R<sup>1</sup>-NH-* (I) *-(CO)-(CO)-NH-R<sup>2</sup>-NH-* (II)其中R<sup>1</sup>係式H<sub>2</sub>N-R<sup>1</sup>-NH<sub>2</sub>之第一多胺減去兩個-NH<sub>2</sub>基團之殘基，其中在式(I)中，R<sup>1</sup>係(雜)伸烴基，其具有鍵結至第一-NH基團之第一碳原子及鍵結至第二-NH-基團之第二碳原子，其中該第一碳原子及該第二碳原子各獨立地係三級碳原子或四級碳原子；R<sup>2</sup>係第二多胺H<sub>2</sub>N-R<sup>2</sup>-NH<sub>2</sub>減去兩個-NH<sub>2</sub>基團之殘基，其中該第二多胺不同於該第一多胺，且其中式(I)中之R<sup>2</sup>係(雜)伸烴基，其具有鍵結至第一-NH-基團之第一碳原子及鍵結至第二-NH-基團之第二碳原子，其中該第一碳原子及該第二碳原子各自係二級碳原子；星號(*)指示與該含草醯胺基化合物中另一基團之附接位點；及b)第二部分，其包含環氧樹脂。
如請求項1之兩部分可固化組成物，其中該第一多胺具有在大於225至5000克/莫耳之範圍內的重量平均分子量，且該第二多胺具有在60至225克/莫耳之範圍內的重量平均分子量。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中該含草醯胺基化合物具有式-NH-R<sup>2</sup>-NH<sub>2</sub>之末端基團。
如請求項3之兩部分可固化組成物，其中該一或多種式(II)之化合物平均具有2至7個草醯胺基團。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中胺氫(-NH<sub>2</sub>)當量係在300至10,000g/當量之範圍內。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中存在包含複數個不同R<sup>1</sup>基團及/或複數個不同R<sup>2</sup>基團的含草醯胺基化合物。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中該含草醯胺基化合物進一步包含至少一個式(VII)之基團*-(CO)-(CO)-NH-R<sup>3</sup>-NH-* (VII)其中R<sup>3</sup>係式H<sub>2</sub>N-R<sup>3</sup>-NH<sub>2</sub>之第三多胺減去兩個-NH<sub>2</sub>基團之殘基，其中式(VII)中之R<sup>3</sup>係(雜)伸烴基，其具有第一碳原子，該第一碳原子係鍵結至第一-NH-基團之二級碳原子；及第二碳原子，該第二碳原子係鍵結至第二-NH-基團之二級或三級碳原子；及當該第二碳原子係二級碳原子時，該第三多胺具有大於225至750克/莫耳之重量平均分子量，且當該第二碳原子係三級碳原子時，該第三多胺具有大於100至750克/莫耳之重量平均分子量。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中該第一部分進一步包含具有至少兩個-NH<sub>2</sub>基團之第四多胺，該第四多胺不含-(CO)-(CO)-基團。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中以該第一部分中可固化組分之總重量計，該第一部分包含35至100重量百分比的該含草醯胺基化合物及0至65重量百分比的該第四多胺。
如請求項1或2之兩部分可固化組成物，其中該第一部分中之活性胺氫之莫耳數與該第二部分中之環氧基團之莫耳數的比率係在2：1至1：2之範圍內。
一種經固化組成物，其包含如請求項1至10中任一項之兩部分可固化組成物之反應產物。
如請求項11之經固化組成物，其中該經固化組成物係結構性黏著劑。
如請求項12之經固化組成物，其中該結構性黏著劑具有大於1000psi(6.895MPa)之重疊剪切強度。
如請求項12或13之經固化組成物，其中拉伸伸長率係至少40百分比。
一種矽晶圓的洗淨方法，其將矽晶圓進行粗糙化，該洗淨方法的特徵在於： <br/> 利用SC1洗淨、SC2洗淨或臭氧水洗淨，於前述矽晶圓形成氧化膜， <br/> 並利用水溶液將形成有前述氧化膜之矽晶圓進行洗淨，藉此將前述矽晶圓的正反面進行粗糙化，該水溶液是選自下述任一種： <br/> 氫氧化銨稀釋水溶液，其氫氧化銨濃度為0.051質量%以下；或， <br/> 包含氫氧化銨與過氧化氫水之稀釋水溶液，其氫氧化銨濃度為0.051質量%以下，過氧化氫濃度為0.2質量%以下且為前述氫氧化銨濃度的4倍以下；及， <br/> 預先針對前述每種氧化膜的形成方法，求出前述氫氧化銨濃度或前述氫氧化銨濃度與前述過氧化氫濃度、洗淨溫度及洗淨時間與前述洗淨後的表面粗糙度的關係， <br/> 並基於所求出的關係，選擇出前述氫氧化銨濃度或前述氫氧化銨濃度與前述過氧化氫濃度、洗淨溫度及洗淨時間，來實施洗淨。
一種矽晶圓的製造方法，其特徵在於：對藉由請求項1所述之矽晶圓的洗淨方法所洗淨的矽晶圓的其中一面實施CMP研磨，來獲得一種矽晶圓，其選擇性地僅在與前述其中一面為相反側的面受到粗糙化。
一種矽晶圓的洗淨方法，其將矽晶圓進行粗糙化，該洗淨方法的特徵在於包含以下步驟： <br/> 第一洗淨步驟，其利用SC1洗淨、SC2洗淨或臭氧水洗淨，於前述矽晶圓形成氧化膜；及， <br/> 第二洗淨步驟，其利用水溶液將形成有前述氧化膜之矽晶圓進行洗淨，藉此將前述矽晶圓的正反面或反面進行粗糙化，該水溶液是選自下述任一種：包含氫氧化銨之水溶液、或包含氫氧化銨與過氧化氫水之水溶液； <br/> 作為用於前述第二洗淨步驟的水溶液，使用Si相對於SiO<sub>2</sub>的蝕刻選擇比為95以上者；並且， <br/> 針對前述第一洗淨步驟中的前述每種氧化膜形成方法，預先求出前述Si相對於SiO<sub>2</sub>的蝕刻選擇比及洗淨時間與表面粗糙度的關係， <br/> 並基於所求出的關係，選擇前述Si相對於SiO<sub>2</sub>的蝕刻選擇比、洗淨時間，來實施第二洗淨步驟。
如請求項3所述之矽晶圓的洗淨方法，其中，針對用於前述第二洗淨步驟的前述水溶液，由(Si的蝕刻量/SiO<sub>2</sub>的蝕刻量)求出其中的前述Si相對於SiO<sub>2</sub>的蝕刻選擇比， <br/> 作為前述Si的蝕刻量的計算用晶圓，使用不具自然氧化膜而露出接合面之矽晶圓、磊晶晶圓或SOI晶圓中的任一種，並且， <br/> 作為前述SiO<sub>2</sub>的蝕刻量的計算用晶圓，使用膜厚3nm以上的附矽氧化膜之晶圓。
如請求項3所述之矽晶圓的洗淨方法，其中，預先針對前述第一洗淨步驟中的前述每種氧化膜的形成方法，計算出用以在前述第二洗淨步驟中進行粗糙化所需的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量作為粗糙化蝕刻量， <br/> 並以在前述第二洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量成為前述粗糙化蝕刻量以上的方式，來選擇出前述第二洗淨步驟的洗淨時間；及/或， <br/> 在前述第二洗淨步驟之前，追加使前述氧化膜變薄的追加洗淨步驟，而使在前述第一洗淨步驟中所形成的前述氧化膜的一部分殘留，並且調整洗淨時間，以使在該追加洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量與在前述第二洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量的合計成為前述粗糙化蝕刻量以上。
如請求項4所述之矽晶圓的洗淨方法，其中，預先針對前述第一洗淨步驟中的前述每種氧化膜的形成方法，計算出用以在前述第二洗淨步驟中進行粗糙化所需的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量作為粗糙化蝕刻量， <br/> 並以在前述第二洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量成為前述粗糙化蝕刻量以上的方式，來選擇出前述第二洗淨步驟的洗淨時間；及/或， <br/> 在前述第二洗淨步驟之前，追加使前述氧化膜變薄的追加洗淨步驟，而使在前述第一洗淨步驟中所形成的前述氧化膜的一部分殘留，並且調整洗淨時間，以使在該追加洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量與在前述第二洗淨步驟中的SiO<sub>2</sub>的蝕刻量的合計成為前述粗糙化蝕刻量以上。
一種矽晶圓的製造方法，其特徵在於：對藉由請求項3～6中任一項所述之矽晶圓的洗淨方法所洗淨並且正反面經粗糙化的矽晶圓的其中一面實施CMP研磨，來獲得一種矽晶圓，其選擇性地僅在與前述其中一面為相反側的面受到粗糙化。
如請求項7所述之矽晶圓的製造方法，其中，將前述CMP研磨的加工餘量設定為前述第二洗淨步驟中的Si的蝕刻量以上。
如請求項7所述之矽晶圓的製造方法，其中，將前述第二洗淨步驟中的Si的蝕刻量設定為前述CMP研磨的加工餘量以下。
一種用於在一基材上形成一包含一金屬氮化物的層之方法，該方法包含：<br/> 在一反應室中提供該基材； <br/> 藉由一原子層沉積製程於該基材上沉積一金屬氧化物，其中在該基材上沉積該金屬氧化物包含執行複數個沉積循環，各沉積循環包含一金屬前驅物脈衝及一氧反應物脈衝，其中該金屬前驅物脈衝包含使該基材暴露至一金屬前驅物，且其中該氧反應物脈衝包含使該基材暴露至一氧反應物；及，<br/> 使該基材暴露至一含氮反應物，藉此將該金屬氧化物轉化為一金屬氮化物，<br/> 其中在沉積該金屬氧化物的期間，該含氮反應物持續地提供至該反應室。
如請求項1之方法，其中該氧反應物係選自O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O、及H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>。
如請求項1或2之方法，其中該金屬氮化物包含一過渡金屬氮化物，且其中該金屬氧化物包含一過渡金屬氧化物。
如請求項1或2之方法，其中該金屬氮化物包含氮化釩，且其中該金屬氧化物包含氧化釩。
如請求項1或2之方法，其中該金屬前驅物包含一過渡金屬前驅物。
如請求項1或2之方法，其中該金屬前驅物係選自一鹵化物、一氧鹵化物、及一有機金屬化合物。
如請求項5之方法，其中該金屬前驅物包含一釩前驅物。
如請求項7之方法，其中該釩前驅物包含一鹵化釩。
如請求項8之方法，其中該鹵化釩包含氯化釩。
如請求項7之方法，其中該金屬前驅物包含一β-二酮基釩。
如請求項1或2之方法，其中該金屬前驅物脈衝與該氧反應物脈衝係被一沉積循環內沖洗分開。
如請求項1或2之方法，其包含複數個超循環，一超循環包含於該基材上沉積該金屬氧化物、以及使該基材暴露至該含氮反應物。
如請求項12之方法，其中後續的超循環被一超循環間沖洗分開。
如請求項1或2之方法，其中使該基材暴露至該含氮反應物包含提供一氮反應物至該反應室，該氮反應物係選自NH<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>H<sub>2</sub>、及N<sub>2</sub>。
如請求項1或2之方法，其中使該基材暴露至該含氮反應物包含在該反應室中生成一含氮電漿，其中在該反應室中生成該含氮電漿包含提供一含氮電漿氣體至該反應室，且其中該含氮電漿氣體包含選自NH<sub>3</sub>、N<sub>2</sub>、及N<sub>2</sub>H<sub>2</sub>的至少一含氮氣體。
如請求項1或2之方法，其中該氧反應物包含H<sub>2</sub>O。
一種功能性水溶液供給裝置，將清洗水供給至使用點，所述清洗水是對原料水添加選自導電性賦予物質、氧化還原電位調整物質及pH調整物質中的一種以上的功能性成分而成，且所述功能性水溶液供給裝置包括： <br/>補給水製造部，製造所述清洗水； <br/>蓄積槽，供給、補給並蓄積所述補給水製造部中製造的清洗水； <br/>循環式的清洗水供給管，自所述蓄積槽向所述使用點供給清洗水； <br/>送回管，將於所述使用點未使用的清洗水送回至所述循環式的清洗水供給管；以及 <br/>控制機構，基於所述使用點的所述清洗水的預定使用資訊，來控制自所述補給水製造部供給至所述蓄積槽的清洗水的補給量， <br/>所述控制機構預先取得所述使用點的運行資訊，基於所述運行資訊預測所述使用點的所述清洗水的使用量，並基於所預測的所述清洗水的使用量調整所述補給水製造部中製造的所述清洗水的量，藉此控制自所述補給水製造部供給至所述蓄積槽的所述清洗水的補給量。
如請求項1所述的功能性水溶液供給裝置，其中所述使用點具有多個清洗機。
如請求項1或請求項2所述的功能性水溶液供給裝置，其中所述導電性賦予物質為氨或碳酸。
如請求項1或請求項2所述的功能性水溶液供給裝置，其中所述氧化還原電位調整物質為過氧化氫、O<sub>3</sub>或H<sub>2</sub>。
一種由一計算設備的一處理器執行的用於在一虛擬會議中的一化身上呈現一面部表情的方法，包括以下步驟：<br/> 基於從該計算設備的一感測器接收到的資訊來偵測一使用者的一使用者面部表情；<br/> 決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 在該虛擬會議中呈現所產生的該化身。
如請求項1之方法，其中回應於決定所偵測到的該使用者面部表情未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的該化身之步驟包含以下步驟：繼續呈現一當前呈現的化身。
如請求項1之方法，其中回應於決定所偵測到的該使用者面部表情未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身之步驟包含以下步驟：產生展現出被批准呈現的一新近表情的一化身。
如請求項1之方法，其中基於從該計算設備的一感測器接收到的資訊來偵測一使用者面部表情之步驟包含以下步驟：基於從該計算設備的一圖像感測器接收到的資訊來偵測該使用者面部表情。
如請求項1之方法，進一步包含以下步驟：決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上，包括以下步驟：<br/> 在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一輸入而決定所偵測到的該使用者面部表情被批准。
如請求項5之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 在一閾值時間段內沒有對該使用者介面的一回應性輸入的情況下，決定所偵測到的該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上。
如請求項1之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示所偵測到的該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的一輸入，而在一記憶體中儲存關於展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一指示。
如請求項1之方法，其中決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上之步驟包含以下步驟：<br/> 決定所偵測到的該使用者面部表情在一預設列表中被儲存為被批准還是未被批准；<br/> 在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 回應於接收到與該預設列表不同的指示該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上的一輸入而更新該預設列表。
如請求項1之方法，進一步包含以下步驟：決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上之步驟，包含以下步驟：基於該使用者的一表達性聲音來決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在該虛擬會議中的該化身上。
如請求項1之方法，其中在該虛擬會議中呈現所產生的該化身之步驟包含以下步驟：與在該虛擬會議中呈現所產生的該化身相結合地在該虛擬會議中顯現該使用者的一表達性聲音的一表示。
一種計算設備，包含：<br/> 一感測器，其被配置成偵測該計算設備的一使用者的面部表情；及<br/> 一處理器，該處理器耦合到該感測器並被配置有用於以下操作的處理器可執行指令：<br/> 基於從該感測器接收到的資訊來偵測一使用者面部表情；<br/> 決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 在該虛擬會議中呈現所產生的該化身。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：藉由繼續呈現一當前呈現的化身，回應於決定所偵測到的該使用者面部表情未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：產生展現出被批准呈現的一新近表情的一化身。
如請求項11之計算設備，其中該感測器是一圖像感測器。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：<br/> 在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一輸入而決定所偵測到的該使用者面部表情被批准。
如請求項15之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：<br/> 在一閾值時間段內沒有對該使用者介面的一回應性輸入的情況下，決定所偵測到的該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：<br/> 回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示所偵測到的該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的一輸入而在一記憶體中儲存關於展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一指示。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：<br/> 決定所偵測到的該使用者面部表情在一預設列表中被儲存為被批准還是未被批准；<br/> 在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 回應於接收到與該預設列表不同的指示該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上的一輸入而更新該預設列表。
如請求項11之計算設備，進一步包含耦合到該處理器的一話筒，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：基於由該話筒偵測到的該使用者的一表達性聲音來決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在該虛擬會議中的該化身上。
如請求項11之計算設備，其中該處理器被進一步配置有用於以下操作的處理器可執行指令：與在該虛擬會議中呈現所產生的該化身相結合地在該虛擬會議中顯現該使用者的一表達性聲音的一表示。
一種計算設備，包含：<br/> 用於基於從該計算設備的一感測器接收到的資訊來偵測一使用者的一使用者面部表情的構件；<br/> 用於決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的構件；<br/> 用於回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身的構件；<br/> 用於回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身的構件；及<br/> 用於在該虛擬會議中呈現所產生的該化身的構件。
如請求項21之計算設備，其中用於回應於決定所偵測到的該使用者面部表情未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身的構件包含：用於繼續呈現一當前呈現的化身的構件。
如請求項21之計算設備，其中用於回應於決定所偵測到的該使用者面部表情未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身的構件包含：用於產生展現出被批准呈現的一新近表情的一化身的構件。
如請求項21之計算設備，其中用於基於從該計算設備的一感測器接收到的資訊來偵測一使用者面部表情的構件包含：用於基於從該計算設備的一圖像感測器接收到的資訊來偵測該使用者面部表情的構件。
如請求項21之計算設備，進一步包含：用於決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的構件，包括：<br/> 用於在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身的構件；及<br/> 用於回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一輸入而決定所偵測到的該使用者面部表情被批准的構件。
如請求項25之計算設備，進一步包含：<br/> 用於在一閾值時間段內沒有對該使用者介面的一回應性輸入的情況下，決定所偵測到的該使用者面部表情被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上的構件。
如請求項21之計算設備，進一步包含：<br/> 用於回應於在該計算設備的一使用者介面上接收到指示所偵測到的該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的一輸入而在一記憶體中儲存關於展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一指示的構件。
如請求項21之計算設備，其中用於決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的構件包括：<br/> 用於決定所偵測到的該使用者面部表情在一預設列表中被儲存為被批准還是未被批准的構件；<br/> 用於在被配置成接收該使用者的一批准或拒絕的一使用者介面上顯現展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身的構件；及<br/> 用於回應於接收到與該預設列表不同的指示該使用者面部表情被批准或未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上的一輸入而更新該預設列表的構件。
如請求項21之計算設備，進一步包含：用於決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上的構件包括：用於基於該使用者的一表達性聲音來決定所偵測到的該使用者面部表情是否被批准呈現在該虛擬會議中的該化身上的構件。
如請求項21之計算設備，其中用於在該虛擬會議中呈現所產生的該化身的構件包括：用於與在該虛擬會議中呈現所產生的該化身相結合地在該虛擬會議中顯現該使用者的一表達性聲音的一表示的構件。
一種其上儲存有處理器可執行指令的非暫時性處理器可讀取媒體，該處理器可執行指令被配置成使一計算設備中的一計算設備的一處理器執行操作，該等操作包含：<br/> 基於從該計算設備的一感測器接收到的資訊來偵測一使用者的一面部表情；<br/> 決定所偵測到的該使用者面部表情是否先前被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前未被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出被批准呈現在一虛擬會議中的一化身上但與所偵測到的該使用者面部表情不同的一面部表情的一化身；<br/> 回應於決定所偵測到的該使用者面部表情先前被批准呈現在該虛擬會議中的一化身上，而產生展現出與所偵測到的該使用者面部表情一致的一面部表情的一化身；及<br/> 在該虛擬會議中呈現所產生的該化身。
一種微機電系統（MEMS）開關，其包含： <br/>一輸入端子電極； <br/>一輸出端子電極； <br/>一下拉電極，其定位在該輸入端子電極與該輸出端子電極之間； <br/>一可移動橫樑，其接近該輸入端子電極及該輸出端子電極定位，該可移動橫樑包含： <br/>一上部導電層； <br/>一下部導電層，其具有一第一導電性； <br/>併入該下部導電層之一接觸件，其中： <br/>該接觸件具有大於該第一導電性之一第二導電性；及 <br/>關於該輸入端子電極及該輸出端子電極，該接觸件經組態以限制在該輸入端子電極與該輸出端子電極之間之接通狀態電阻；以及 <br/>將該上部導電層與該下部導電層接合之通孔陣列；及 <br/>該可移動橫樑經組態以在以下之間移動： <br/>一接通狀態，其將該可移動橫樑之該接觸件與該輸入端子電極及該輸出端子電極電耦接；及 <br/>一斷開狀態，其將該可移動橫樑之該接觸件與該輸入端子電極及該輸出端子電極電隔離。
如請求項1之MEMS開關，其中該輸入端子電極包含一輸入射頻(RF)電極，且該輸出端子電極包含一輸出RF電極。
如請求項1之MEMS開關，其中該可移動橫樑耦接至一射頻(RF)節點。
如請求項1之MEMS開關，其中該上部導電層包含TiAl或TiAlN中之至少一者；及 <br/>該下部導電層包含TiAl或TiAlN中之至少一者。
如請求項1之MEMS開關，其中該接觸件包含釕、氧化釕、鉑或金中之至少一者。
如請求項1之MEMS開關，其中該接觸件具有介於約30至80 nm之間的一厚度。
如請求項1之MEMS開關，其中該接觸件之一長度比該輸入端子電極與該輸出端子電極之間的一長度長1%至50%之間。
如請求項1之MEMS開關，其中該接觸件之末端部分寬於該接觸件之一中間部分。
如請求項1之MEMS開關，其中該接觸件界定一孔徑。
如請求項1之MEMS開關，其中： <br/>該輸入端子電極包含複數個輸入端子電極； <br/>該輸出端子電極包含複數個輸出端子電極；且 <br/>其中該接觸件在該複數個輸入端子電極及該複數個輸出端子電極中之每一者上方連續延伸。
如請求項1之MEMS開關，其中該可移動橫樑以機械方式朝向該斷開狀態偏置。
如請求項1之MEMS開關，其進一步包含經組態以使該可移動橫樑朝向該斷開狀態電偏置之一上拉電極。
如請求項1之MEMS開關， <br/>其進一步包含一基板； <br/>其中該輸入端子電極、該輸出端子電極及該下拉電極安裝在該基板上；及 <br/>其中該可移動橫樑之末端安裝至該基板使得該可移動橫樑懸置在處於該斷開狀態之該輸入端子電極、該輸出端子電極及該下拉電極上方。
如請求項13之MEMS開關， <br/>其進一步包含一罩蓋，該罩蓋安裝至該基板且界定該罩蓋與該基板之間的一空腔；及 <br/>其中該可移動橫樑定位在該空腔內。
一種微機電系統（MEMS）裝置，其包含： <br/>複數個MEMS開關，每一開關包含： <br/>一輸入端子電極； <br/>一輸出端子電極； <br/>一下拉電極，其定位在該輸入端子電極與該輸出端子電極之間； <br/>一可移動橫樑，其接近該輸入端子電極及該輸出端子電極定位，該可移動橫樑包含： <br/>一上部導電層；一下部導電層，其具有一第一導電性； <br/>將該上部導電層與該下部導電層接合之通孔陣列；及 <br/>併入該下部導電層之一接觸件，該接觸件具有大於該第一導電性之一第二導電性，該接觸件接近該輸入端子電極及該輸出端子電極且在該輸入端子電極與該輸出端子電極之間延伸以限制其間的接通狀態電阻；及 <br/>該可移動橫樑經組態以在以下之間移動： <br/>一接通狀態，其將該可移動橫樑之該接觸件與該輸入端子電極及該輸出端子電極電耦接；及 <br/>一斷開狀態，其將該可移動橫樑之該接觸件與該輸入端子電極及該輸出端子電極電隔離。
如請求項15之MEMS裝置，其中對於每一MEMS開關，該上部導電層包含TiAl或TiAlN中之至少一者，該下部導電層包含TiAl或TiAlN中之至少一者，且該接觸件包含釕、氧化釕、鉑或金中之至少一者。
如請求項15之MEMS裝置，其中對於每一MEMS開關，該接觸件具有介於約30至80 nm之間的一厚度。
如請求項15之MEMS裝置，其中對於每一MEMS開關，該接觸件之一長度比該輸入端子電極與該輸出端子電極之間的一長度長1%至50%之間。
如請求項15之MEMS裝置，其中對於每一MEMS開關，該接觸件之末端部分寬於該接觸件之一中間部分。
如請求項15之MEMS裝置，其中對於每一MEMS開關，該接觸件界定一孔徑。
一種由一基地台的一處理器執行的用於管理一無人機（UAV）身份的方法，包括以下步驟：<br/> 從該UAV接收關於該UAV有權以匿名方式執行操作的一斷言；<br/> 向一網路計算設備發送對於認證該UAV的一請求，其中該請求包括該斷言和在該斷言上執行的一數位簽章；<br/> 從該網路計算設備接收指示該UAV是否有權以匿名方式執行操作的一回應；<br/> 基於從該網路計算設備接收的該回應，決定該UAV是否有權以匿名方式執行操作；<br/> 接收對該UAV的一身份的一請求；<br/> 基於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，配置不包括該UAV的基於一數位憑證的身份的一回應訊息；及<br/> 回應於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，而廣播被配置不具有該UAV的身份資訊的關於該UAV的資訊。
根據請求項1之方法，其中該斷言包括一匿名符記或數位憑證，用於指示該UAV有權以匿名方式執行操作。
根據請求項2之方法，其中該匿名符記包括關於該匿名符記是與該UAV的一數位憑證相關聯的一以加密方式可驗證的指示。
根據請求項3之方法，其中該數位憑證對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊進行編碼。
根據請求項1之方法，其中該斷言包括如下中的一項：<br/> 一訊息和一匿名符記，其中在該訊息和該匿名符記上執行該數位簽章；<br/> 或針對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊的一屬性或一資料結構指標。
根據請求項1之方法，其中該斷言包括一匿名符記，該匿名符記是一加密程序的一產物，並且是明確地從與該UAV相關聯的一數位憑證匯出的。
根據請求項1之方法，其中回應於決定該UAV有權以匿名方式執行操作而廣播被配置不具有該UAV的身份資訊的關於該UAV的資訊包括：廣播與該匿名符記相關聯的一或多個化名證書。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 接收對於認證一UAV訊息的一請求，其中該請求包括與該UAV相關聯的一匿名符記和與該UAV訊息相關聯的一數位簽章；<br/> 向一網路計算設備發送對於認證該UAV訊息的一請求，其中該請求包括該匿名符記和該數位簽章；<br/> 從該網路計算設備接收指示該UAV訊息是否被認證了的一回應；及<br/> 回應於從該網路計算設備接收到指示該UAV訊息被認證了的一回應，發送關於該UAV訊息被認證了的一指示。
根據請求項8之方法，其中該數位簽章的一結構包括UAV訊息資料，並且其中該數位簽章是已使用該UAV的一私密金鑰在該UAV訊息上產生的。
一種基地台，包括：<br/> 被配置有用於如下操作的處理器可執行指令的一處理器：<br/> 從一無人機（UAV）接收關於該UAV有權以匿名方式執行操作的一斷言；<br/> 向一網路計算設備發送對於認證該UAV的一請求，其中該請求包括該斷言和在該斷言上執行的一數位簽章；<br/> 從該網路計算設備接收指示該UAV是否有權以匿名方式執行操作的一回應；<br/> 基於從該網路計算設備接收的該回應，決定該UAV是否有權以匿名方式執行操作；<br/> 接收對該UAV的一身份的一請求；<br/> 基於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，配置不包括該UAV的基於一數位憑證的身份的一回應訊息；及<br/> 回應於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，而廣播被配置不具有該UAV的身份資訊的關於該UAV的資訊。
根據請求項10之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該斷言包括一匿名符記或數位憑證，用於指示該UAV有權以匿名方式執行操作。
根據請求項11之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該匿名符記包括關於該匿名符記是與該UAV的一數位憑證相關聯的一以加密方式可驗證的指示。
根據請求項12之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該數位憑證對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊進行編碼。
根據請求項10之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該斷言包括以下中的一項：<br/> 一訊息和一匿名符記，其中在該訊息和該匿名符記上執行該數位簽章；或<br/> 針對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊的一屬性或一資料結構指標。
根據請求項10之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該斷言包括匿名符記，該匿名符記是一加密程序一的產物，並且是明確地從與該UAV相關聯的一數位憑證匯出的。
根據請求項10之基地台，其中該處理器進一步被配置有用於如下操作的處理器可執行指令：廣播與該匿名符記相關聯的一或多個化名證書。
根據請求項10之基地台，其中該處理器進一步被配置有用於如下操作的處理器可執行指令：<br/> 接收對於認證一UAV訊息的一請求，其中該請求包括與該UAV相關聯的一匿名符記和與該UAV訊息相關聯的一數位簽章；<br/> 向一網路計算設備發送對於認證該UAV訊息的一請求，其中該請求包括該匿名符記和該數位簽章；<br/> 從該網路計算設備接收指示該UAV訊息是否被認證了的一回應；及<br/> 回應於從該網路計算設備接收到指示該UAV訊息被認證了的一回應，發送關於該UAV訊息被認證了的一指示。
根據請求項17之基地台，其中該處理器進一步被配置有處理器可執行指令，使得該數位簽章的一結構包括UAV訊息資料，並且其中該數位簽章是已使用該UAV的一私密金鑰在該UAV訊息上產生的。
一種基地台，包括：<br/> 用於從一無人機（UAV）接收關於該UAV有權以匿名方式執行操作的一斷言的單元；<br/> 用於向一網路計算設備發送對於認證該UAV的一請求的單元，其中該請求包括該斷言和在該斷言上執行的一數位簽章；<br/> 用於從該網路計算設備接收指示該UAV是否有權以匿名方式執行操作的一回應的單元；<br/> 用於基於從該網路計算設備接收的該回應，決定該UAV是否有權以匿名方式執行操作的單元；<br/> 用於接收對該UAV的一身份的一請求的單元；<br/> 用於基於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，配置不包括該UAV的基於一數位憑證的身份的一回應訊息的單元；及<br/> 用於回應於決定該UAV有權以匿名方式執行操作，廣播關於該UAV的資訊的單元，該資訊被配置不具有該UAV的身份資訊。
根據請求項19之基地台，其中該斷言包括一匿名符記或數位憑證，用於指示該UAV有權以匿名方式執行操作。
根據請求項20之基地台，其中該匿名符記包括關於該匿名符記是與該UAV的一數位憑證相關聯的一以加密方式可驗證的指示。
根據請求項21之基地台，其中該數位憑證對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊進行編碼。
根據請求項19之基地台，其中該斷言包括如下中的一項：<br/> 一訊息和一匿名符記，其中在該訊息和該匿名符記上執行該數位簽章；或<br/> 針對指示該UAV有權以匿名方式執行操作的資訊的一屬性或一資料結構指標。
根據請求項19之基地台，其中該斷言包括一匿名符記，該匿名符記是一加密程序的一產物，並且是明確地從與該UAV相關聯的一數位憑證匯出的。
根據請求項19之基地台，其中用於回應於決定該UAV有權以匿名方式執行操作而廣播被配置不具有該UAV的身份資訊的關於該UAV的資訊的單元包括：用於廣播與該匿名符記相關聯的一或多個化名證書的單元。
根據請求項19之基地台，亦包括：<br/> 用於接收對於認證一UAV訊息的一請求的單元，其中該請求包括與該UAV相關聯的一匿名符記和與該UAV訊息相關聯的一數位簽章；<br/> 用於向一網路計算設備發送對於認證該UAV訊息的一請求的單元，其中該請求包括該匿名符記和該數位簽章；<br/> 用於從該網路計算設備接收指示該UAV訊息是否被認證了的一回應的單元；及<br/> 用於回應於從該網路計算設備接收到指示該UAV訊息被認證了的一回應，發送關於該UAV訊息被認證了的一指示的單元。
根據請求項26之基地台，其中該數位簽章的一結構包括UAV訊息資料，並且其中該數位簽章是已使用該UAV的一私密金鑰在該UAV訊息上產生的。
一種黏著膜，具備：基材、以及積層於前述基材之單面的黏著層；<br/> 前述基材係由含有矽烷偶合劑之聚胺甲酸乙酯樹脂所構成；<br/> 前述基材中之前述矽烷偶合劑之含量相對於前述聚胺甲酸乙酯樹脂100重量份為0.1重量份至2重量份；<br/> 前述矽烷偶合劑係包含具有環氧基作為有機官能基之第一矽烷偶合劑、以及具有丙烯酸基作為有機官能基之第二矽烷偶合劑中的至少一種；<br/> 前述基材之與前述黏著層為相反側之面為可以進行印刷的裝飾面，並且設置有以可剝離的方式覆蓋前述裝飾面的覆蓋膜。
如請求項1所記載之黏著膜，其中前述聚胺甲酸乙酯樹脂由交聯劑交聯著。
如請求項1或2所記載之黏著膜，其中前述聚胺甲酸乙酯樹脂為聚碳酸酯系聚胺甲酸乙酯。
如請求項1或2所記載之黏著膜，其中前述矽烷偶合劑係包含前述第一矽烷偶合劑、以及前述第二矽烷偶合劑，前述第一矽烷偶合劑與前述第二矽烷偶合劑之重量比係0.5：1至1：0.5。
如請求項2所記載之黏著膜，其中前述聚胺甲酸乙酯樹脂由相對於前述聚胺甲酸乙酯樹脂100重量份為5重量份至20重量份的前述交聯劑交聯著。
如請求項1或2所記載之黏著膜，其中在前述黏著層之與前述基材為相反側之面具有剝離膜。
如請求項1或2所記載之黏著膜，其中在前述黏著層之與前述基材為相反側之面貼合有被黏著體之玻璃。
一種光學系統，包括：<br/> （a）光導光學元件（LOE），其由透明材料形成，並且具有相互平行的第一主外表面和第二主外表面，以用於通過內反射引導光；<br/> （b）投影儀，其被配置成從孔徑投射與準直圖像對應的照明，所述照明以限定所述投影儀的光軸的主光線並且以圍繞所述主光線的角場離開所述孔徑；<br/> （c）耦合稜鏡，其附接至所述LOE的所述第一主外表面，所述耦合稜鏡提供與所述主外表面成傾斜角度的圖像注入表面的一部分，所述投影儀與所述圖像注入表面相關聯，並且被定向成使得所述主光線和圍繞所述主光線的角場以相對於所述主外表面的入射角度、通過所述圖像注入表面被注入，所述入射角度大於所述主外表面處的內反射的臨界角度；以及<br/> （d）反射偏振分束器，其與所述主外表面平行地被部署在所述主外表面與所述耦合稜鏡之間的分介面處，所述照明的一部分以第一偏振入射至所述反射偏振分束器上，並且由所述反射偏振分束器從所述耦合稜鏡透射至所述LOE中，與所述準直圖像的共軛圖像對應並且具有從所述LOE內入射至所述反射偏振分束器上的第二偏振的光從所述反射偏振分束器被反射，以便通過內反射在所述LOE內傳播。
如請求項1所述的光學系統，還包括：波片，其被部署在所述照明的一部分的路徑中，以將所述照明在所述第一偏振與所述第二偏振之間轉換。
如請求項2所述的光學系統，其中，所述波片是與所述LOE的所述第二主外表面的至少一部分相關聯的四分之一波片。
如請求項2所述的光學系統，其中，所述波片是半波片，所述半波片被部署成與所述孔徑的第一部分成交疊關係，而與所述孔徑的第二部分不交疊。
如請求項4所述的光學系統，其中，所述孔徑的所述第一部分通過所述圖像注入表面的下述部分投射照明：光從所述圖像注入表面的所述部分進入所述LOE中而不穿過所述反射偏振分束器。
如請求項4所述的光學系統，其中，所述投影儀被配置成投射所述第二偏振的照明，其中，所述孔徑的所述第一部分通過所述圖像注入表面的下述部分投射照明：光從所述圖像注入表面的所述部分通過所述反射偏振分束器，所述半波片將所述第二偏振的照明轉換為所述第一偏振的照明。
如請求項1所述的光學系統，其中，所述圖像注入表面部分地由所述耦合稜鏡提供，並且部分地由所述LOE的表面提供。
一種油性墨水組成物，其係含有丙二醇單甲醚、樹脂、沸點為150℃以上的羥基酸酯、助溶劑及浮型蒸鍍鋁顏料之油性墨水組成物，其特徵係 <br/> 前述樹脂為選自由酮樹脂、馬來酸樹脂、萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、酯膠、醇酸樹脂、酚樹脂、松香、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、二甲苯樹脂、磺胺樹脂、硝基纖維素系樹脂、尿素樹脂及此等的衍生物所成群組的至少1種樹脂， <br/> 前述助溶劑可溶解前述樹脂，其沸點係高於前述羥基酸酯，且為3-甲氧基-1-丁醇、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、苯甲醇、苯基丙二醇、二乙二醇單苯基醚、2-苯氧基乙醇、苯甲基二醇， <br/> 前述浮型蒸鍍鋁顏料為平均粒徑100nm以上7μm以下。
如請求項1之油性墨水組成物，其中前述羥基酸酯為乳酸酯。
如請求項2之油性墨水組成物，其中前述乳酸酯為乳酸乙酯。
如請求項1～3中任一項之油性墨水組成物，其進一步含有沸點未達100℃的醇。
如請求項1～3中任一項之油性墨水組成物，其中前述樹脂為選自由松香、酮樹脂所成群組的至少1種樹脂。
如請求項1～3中任一項之油性墨水組成物，其中前述助溶劑為苯甲醇。
一種書寫用具，其係填充有如請求項1～6中任一項之油性墨水組成物。
一種氣刷單元，其係 <br/> 具有如請求項7之書寫用具及氣刷， <br/> 可經由從前述氣刷中噴出之空氣，使前述書寫用具之前述油性墨水組成物飛散。
一種單相感應馬達之控制方法，其特徵在於：該單相感應馬達具備：主線圈、輔助線圈、電容器及驅動電路，且將電流自單相交流電源經由前述驅動電路通電至前述主線圈，且在前述主線圈之負載電流大時將電流自前述單相交流電源經由前述驅動電路且經由前述電容器供給至前述輔助線圈，在供給至前述主線圈之電力超過對該電力設置之特定之過負載判定臨限值時判定為過負載，並且與該單相感應馬達之控制方法併用而採用下述(1)至(3)中記載之任一種或任兩種以上之過負載判定方法： <br/>(1)對通電至前述輔助線圈之通電時間相對於前述單相感應馬達之運轉時間之比例，設定第1過負載判定臨限值，在通電至前述輔助線圈之通電時間之比例超過相對於該通電時間之比例設定之前述第1過負載判定臨限值時，判定為過負載， <br/>(2)對在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之比例，設定第2過負載判定臨限值，於在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之比例，超過相對於該通電時間之比例而設定之前述第2過負載判定臨限值時，判定為過負載， <br/>(3)對在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之累加值，設定第3過負載判定臨限值，於在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之累加值，超過相對於該通電時間之累加值而設定之前述第3過負載判定臨限值時，判定為過負載。
一種單相感應馬達之控制裝置，其特徵在於：該單相感應馬達具備：主線圈、輔助線圈、電容器及驅動電路，且構成為將電流自單相交流電源經由前述驅動電路通電至前述主線圈，且在前述主線圈之負載電流大時將電流自前述單相交流電源經由前述驅動電路且經由前述電容器供給至前述輔助線圈，且具備：在供給至前述主線圈之電力超過對該電力設置之特定之過負載判定臨限值時判定為過負載之過負載判定機構，並且 <br/>該單相感應馬達之控制裝置更具備藉由下述(1)至(3)中記載之任一種或任兩種以上之方法進行過負載判定之過負載判定機構， <br/>(1)對通電至前述輔助線圈之通電時間相對於前述單相感應馬達之運轉時間之比例，設定第1過負載判定臨限值，在通電至前述輔助線圈之通電時間之比例超過相對於該通電時間之比例設定之前述第1過負載判定臨限值時，判定為過負載， <br/>(2)對在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之比例，設定第2過負載判定臨限值，於在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之比例，超過相對於該通電時間之比例而設定之前述第2過負載判定臨限值時，判定為過負載， <br/>(3)對在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之累加值，設定第3過負載判定臨限值，於在特定時間內通電至前述輔助線圈之通電時間之累加值，超過相對於該通電時間之累加值而設定之前述第3過負載判定臨限值時，判定為過負載。
一種電動鏈吊車，其特徵在於具備供載重鏈卡合之載重滑車、及轉動該載重滑車之單相感應馬達，且 <br/>具備請求項2之單相感應馬達之控制裝置。
一種用於製作用於人體之一支撐元件(1)之方法，該支撐元件(1)諸如一自行車或一般車輛之一鞍座、一自行車或一般車輛之一車把之一把手(100)、用於該人體之一鞍座或座椅之一減震或懸吊元件(200)，其中該支撐元件(1)包括一第一組件或支撐組件(2、102、202)及被約束至該第一組件或支撐組件(2、102、202)之一第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，其中該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)包括包含複數個胞元(10)之一蜂巢式結構，各個胞元(10)包括分支或區段(11)及頂點(12)，該方法包括以下步驟： <br/>提供用於偵測由一使用者之該人體之至少一個解剖結構部分施加在一測試元件上之壓力的構件，該等偵測構件經設計以產生複數個輸出信號， <br/>憑藉該等壓力偵測構件憑藉一壓力映射步驟偵測由一使用者之該人體之該至少一個解剖結構部分施加在該測試元件上之該壓力， <br/>自該偵測步驟獲得呈壓力值之形式的該複數個輸出信號， <br/>提供用於處理該複數個信號及/或將其等轉譯成定義由該使用者之該人體之該至少一個解剖結構部分施加在該測試元件上之該壓力相關聯的一壓力圖之一第一資料系列的構件，其中該第一資料系列包括對應於增加之壓力值之一色彩陰影系列，自白色及/或灰色至黑色； <br/>將該複數個信號處理及/或轉譯成該第一資料系列， <br/>提供用於將該第一資料系列變換成一第二資料系列以獲得該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之一三維數位檔案的構件； <br/>將該第一資料系列變換成該第二資料系列，其中該第二資料系列包括關於該複數個胞元(10)之各胞元(10)之位置、密度及/或構形，及/或該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之各胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)之厚度，及/或該支撐元件(1、100、200)之類型及/或構形的資訊，及/或該第二資料系列定義該複數個胞元(10)之各胞元(10)之位置、密度及/或構形，及/或該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之各胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)之厚度，及/或該支撐元件(1、100、200)之類型及/或構形，及獲得該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之該三維數位檔案， <br/>提供用於三維列印該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，及 <br/>憑藉一三維列印技術基於存在於該三維數位檔案中之資訊列印包括該蜂巢式結構之該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)， <br/>其中該列印步驟包括提供及列印構成該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)及該複數個胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)之一材料之一步驟，其中該材料係一塑膠或聚合材料，且其中憑藉該三維列印技術之該列印步驟包括列印具有一多面體或平行四邊形形狀的該複數個胞元(10)之各個胞元， <br/>比較該第一資料系列與包含於一特用資料庫，諸如一雲端儲存系統，中之其他使用者之資料以便為該第一資料系列賦予一特定含義，其中該含義包含該使用者之一類別之定義，其中該類別包含對該第一資料系列呈現一相似或類似回應之其他使用者之資料及/或檔案。
如請求項1之方法，其包括以下步驟： <br/>提供該第一組件或支撐組件(2、102、202)， <br/>使該第一組件或支撐組件(2、102、202)與該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)接觸及約束其等或引起其等之黏合。
如請求項1之方法，其中該偵測步驟包括： <br/>憑藉該壓力映射步驟及憑藉該等偵測構件偵測由坐在配備有壓力感測器及對應於該第二組件或襯墊料組件(3)之一比較座椅表面之一測試鞍座上的一使用者施加的該壓力，或 <br/>憑藉該壓力映射步驟及憑藉該等偵測構件偵測由擱置於配備有一測試把手之一自行車或一車輛之一車把上的一使用者的一手或軀幹或手臂之一上部分施加之該壓力，該測試把手配備有壓力感測器及對應於該把手(100)之該第二組件或襯墊料組件(103)之一比較表面，或 <br/>憑藉該壓力映射步驟及憑藉該等偵測構件偵測由坐在一測試鞍座上的一使用者施加的該壓力及由配備有壓力感測器且對應於該減震或懸吊元件(200)之一測試減震元件施加之懸吊及/或緩衝。
如請求項1-3中任一項之方法，其包括以下步驟：提供用於獲取使用者資料之一裝置，諸如個人資料、年齡、性別、體重、身高、體格、姿勢，及/或與進行運動之模態/偏好或踩踏示意動作有關之資料，諸如踩踏方式、跑步方式、在該自行車或車輛上之姿勢、待進行之表現類型；以及將該資料輸入至該獲取裝置中以便將該經輸入資料轉譯成該第一資料系列。
如請求項1-3中任一項之方法，其包括以下步驟之至少一者： <br/>提供一軟體及/或一應用程式，諸如用於一行動裝置之一應用程式，以及介於偵測裝置、該軟體與可能該雲端之間的一介面系統以用於收集及處理資料， <br/>處理該第一資料系列及歸屬於該使用者之該類別以便獲得該第二資料系列， <br/>將該三維數位檔案或數位模型提供至一3D列印機以用於憑藉一三維列印技術進行列印之該步驟。
如請求項1-3中任一項之方法，其中該塑膠或聚合材料係一熱固性或熱塑性材料，或包括聚氨酯(PU)、一熱塑性聚氨酯(TPU)、一熱塑性樹脂、該熱塑性塑膠系列之至少一種組分、其他聚合物之至少一者的一材料，及/或其中該方法包括提供及模製構成該第一組件或支撐組件(2、102、202)之一材料之一步驟，其中該材料係一熱固性材料或一熱塑性材料或一經負載及/或包含強化顆粒材料。
如請求項1-3中任一項之方法，其中憑藉一三維列印技術進行列印之該步驟包括：「Digital Light Synthesis」或DLS類型、或DLP或「數位光處理」類型或FDM或「熔融沈積模製」類型或MJF或「多射流熔融」類型或SLS或「選擇性雷射燒結」類型之一三維列印步驟。
如請求項1-3中任一項之方法，其中憑藉一三維列印技術進行列印之該步驟包括列印該複數個胞元(10)之各胞元，該複數個胞元(10)之各胞元包括具有一實質上平行六面體或一三角形、正方形或矩形、六邊形、五邊形、八邊形之多邊形構形的至少一個面，或針對該至少一個面或針對該至少一個胞元(10)列印實質上線性之該等分支或區段(11)之至少三者，該至少三個分支或區段(11)在該等頂點(12)之至少三者處接合在一起。
如請求項1-3中任一項之方法，其中憑藉一三維列印技術進行列印之該步驟包括：列印包括基於該使用者之解剖結構或體重及/或所要需求在該第一組件或支撐組件(2、102、202)及/或該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之胞元之間或區域之間具有不同構形及/或大小及/或密度及/或硬度之複數個胞元(10)的該蜂巢式結構；及/或以相對於彼此實質上共面之一方式列印該複數個胞元(10)之外部面以便構成該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之一外表面(108、208)。
如請求項1-3中任一項之方法，其包括以下之一步驟：提供呈由一塑膠材料或一天然材料組成之一膜或薄層之形式的一覆蓋元件，及將該覆蓋元件放置於該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)上方及/或覆蓋該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)。
如請求項1-3中任一項之方法，其中該列印步驟包括：針對該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，列印以一實質上環形方式展開之經調適以構成該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之最外周邊之一實質上連續終端邊緣(13)。
如請求項1-3中任一項之方法，其包括以下之一步驟：以至少兩個部分，及/或在其中該支撐元件(1)係一自行車或車輛鞍座之情況下，以一右側部分(3a)及一左側部分(3b)，提供該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，該右側部分(3a)及該左側部分(3b)配備有朝向該鞍座之一前部(F)的具有一細長構形之一第一部分(14)，及在該鞍座之一後部(R)處的具有一擴大構形之一第二部分(15)，或其中該右側部分(3a)藉由自該鞍座之該前部(F)至該後部(R)實質上縱向展開之一空間(16)與該左側部分(3b)分離。
一種用於製作用於人體之一支撐元件(1)之設備，該支撐元件(1)諸如一自行車或一般車輛之一鞍座、一自行車或一般車輛之一車把之一把手(100)、用於該人體之一鞍座或座椅之一減震或懸吊元件(200)，其中該支撐元件(1)包括一第一組件或支撐組件(2、102、202)及被約束至該第一組件或支撐組件(2、102、202)之一第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，其中該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)包括包含複數個胞元(10)之一蜂巢式結構，各個胞元(10)包括分支或區段(11)及頂點(12)，其中該複數胞元(10)之各個具有一多面體或平行四邊形形狀，該設備包括： <br/>用於偵測由一使用者之該人體之至少一個解剖結構部分施加在一測試元件上之壓力的構件，該等偵測構件經設計以產生複數個輸出信號； <br/>用於處理該複數個信號及/或將其等轉譯成定義由該使用者之該人體之該至少一個解剖結構部分施加在該測試元件上之該壓力相關聯的一壓力圖之一第一資料系列的構件，其中該第一資料系列包括對應於增加之壓力值之一色彩陰影系列，自白色及/或灰色至黑色； <br/>用於將該第一資料系列變換成一第二資料系列以獲得該支撐元件(1、100、200)之一三維數位檔案的構件，其中該第二資料系列包括關於該複數個胞元(10)之各胞元(10)之位置、密度及/或構形，及/或關於該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之各胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)之厚度，及/或該支撐元件(1、100、200)之類型及/或形狀的資訊，及/或該第二資料系列定義該複數個胞元(10)之各胞元(10)之位置、密度及/或構形，及/或該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之各胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)之厚度，及/或該支撐元件(1、100、200)之類型及/或形狀； <br/>用於基於存在於該三維數位檔案中之資訊三維列印該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)的構件，其中該等三維列印構件包括「Digital Light Synthesis」或DLS類型、或DLP或「數位光處理」類型或FDM或「熔融沈積模製」類型或MJF或「多射流熔融」類型或SLS或「選擇性雷射燒結」類型之一三維列印， <br/>經設計以獲取或儲存其他使用者之資料的構件，及 <br/>比較該第一資料系列與包含於一特用資料庫，諸如一雲端儲存系統，中之該其他使用者之資料以便為該第一資料系列賦予一特定含義，其中該含義包含該使用者之一類別之定義，其中該類別包含對該第一資料系列呈現一相似或類似回應之其他使用者之資料及/或檔案。
如請求項13之設備，其中該等偵測構件包括定位於該測試元件上之複數個壓力感測器或其中該等處理及/或轉譯構件包括具有經組態以處理及/或轉譯由該等偵測構件獲得之該複數個信號以便產生該第一資料系列之至少一第一電腦程式或軟體的一第一電腦化邏輯單元， <br/>及/或其中該變換構件包括具有經組態以將該第一資料集轉譯成該第二資料集之至少一個第二電腦程式或軟體之一第二電腦化邏輯單元。
如請求項13之設備，其中其他使用者之該資料係個人資料，諸如年齡、性別、體重、身高、體格、姿勢，及與進行運動之模態/偏好或踩踏示意動作有關之資料，諸如踩踏方式、跑步方式、在該自行車或車輛上之姿勢、待進行之表現類型， <br/>及/或其中該比較構件包括儲存於該第一或第二電腦化邏輯單元中之至少一第三電腦程式或軟體，該第三電腦程式或軟體經組態以將該第一資料系列與對該第一資料系列呈現一相似或類似回應之其他使用者之該資料及/或該等檔案相關聯或耦合。
一種可用如請求項1至12中任一項之用於製作用於人體之一支撐元件(1)之方法獲得之用於人體之支撐元件，諸如一自行車或一般車輛之一鞍座、一自行車或一般車輛之一車把之一把手(100)、用於該人體之一鞍座或座椅之一減震或懸吊元件(200)，其中該支撐元件(1、100、200)包括一第一組件或支撐組件(2、102、202)及被約束至該第一組件或支撐組件(2、102、202)之一第二組件或襯墊料組件(3、103、203)，該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)包括包含含有分支或區段(11)及頂點(12)之複數個胞元(10)之一蜂巢式結構且係由三維列印製成，其中該複數個胞元(10)之各個胞元具有一多面體或平行四邊形形狀，及在於該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)及該複數個胞元(10)之該等分支或區段(11)及頂點(12)係由一塑膠或聚合材料製成， <br/>其特徵在於該第一組件或支撐組件(2、102、202)包括一第一表面(4、104、204)、與該第一表面(4、104、204)相對之一第二表面(5、105、205)及藉由該第一表面(4、104、204)與該第二表面(5、105、205)之間的距離給出之一厚度(6、106、206)，而該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)包括能夠接觸及被約束至該第一組件或支撐組件(2、102、202)之該第一表面(4、104、204)之一內表面(7、107、207)、與該內表面(7、107、207)相對之一外表面(108、208)及藉由內表面(7、107、207)與外表面(108、208)之間的距離給出之一厚度(9、109、209)，其中該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)構成該支撐元件(1、100、200)之一彈性及/或減震及/或舒適部分，而該第一組件或支撐組件(2、102、202)構成該支撐元件(1)之一剛性位置以支撐該使用者之該體重及保證該支撐元件(1、100、200)之一剛性結構。
如請求項16之支撐元件，其中該第一組件或支撐組件(2、102、202)係藉由係憑藉三維列印製成或其中被約束至該第一組件或支撐組件(2、102、202)之該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)被固定或黏合至該第一組件或支撐組件(2、102、202)。
如請求項16或17之設備，其中該複數個胞元(10)之各個胞元包含具有一實質上平行六面體或一三角形、正方形或矩形、六邊形、五邊形、八邊形之多邊形構形的至少一個面，及/或其中該蜂巢式結構包括具有基於該使用者之解剖結構及/或體重及/或所要需求在該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之胞元之間或區域之間具有不同構形及/或大小及/或密度及/或硬度之複數個胞元(10)。
如請求項16或17之支撐元件，其中該複數個胞元(10)之該等外部面實質上彼此共面以便構成該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之該外表面(108、208)及其中該至少一個面或該至少一個胞元(10)包括實質上線性之該等分支或區段(11)之至少三者，該至少三個分支或區段(11)在該等頂點(12)之至少三者處接合在一起。
如請求項16或17之支撐元件，其中該支撐元件(1、100、200)包括呈由一塑膠材料或一天然材料製成之一膜或薄層之形式，放置於該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)上方或覆蓋該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之一覆蓋元件，及/或其中該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)包括構成該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)之最外周邊且以一實質上環形方式延伸之一實質上連續終端邊緣(13)。
如請求項16或17之支撐元件，其中該第二組件或襯墊料組件(3、103、203)係由至少兩個部分組成，及在其中該支撐元件係一自行車或車輛鞍座(1)之情況下，該第二組件或襯墊料組件(3)包括一右側部分(3a)及一左側部分(3b)，該右側部分(3a)及該左側部分(3b)配備有朝向該鞍座之一前部(F)的具有一細長構形之一第一部分(14)，及在該鞍座之一後部(R)處的具有一擴大構形之一第二部分(15)，或其中該右側部分(3a)藉由自該鞍座之該前部(F)至該後部(R)實質上縱向展開之一空間(16)與該左側部分(3b)分離。
如請求項16或17之支撐元件(1)，其中該支撐元件係呈一車把之一把手(100)之形式，其中該第一組件或支撐組件(102)具有擁有一實質上圓形橫截面之一實質上管狀形狀，其中該第一表面(104)經調適以接觸及定位或約束至一自行車或一車輛之一車把之一端，而該第二表面(105)經調適以與該第二組件或襯墊料組件(103)接觸，其中該第二組件或襯墊料組件(103)具有擁有實質上圓形或環形橫截面之一管狀構形且配備有能夠接觸及/或約束至該第一組件或支撐組件(102)之該內表面(107)且該外表面(108)在使用中能夠放置成與一使用者之一手接觸或由一覆蓋元件覆蓋。
如請求項16或17之支撐元件，其中該支撐元件係呈用於該人體之一鞍座或座椅之一減震元件(200)之形式，其中該第一組件或支撐組件(202)包括能夠接觸及相關聯或約束至該第二組件(203)之一第一盤狀基底(202a)、及與該盤狀基底(202a)相對之一第二環形基底(202b)，其中該盤狀基底(202a)與該第二環形基底(202b)係由一實質上管狀壁(202c)連接，該第二環形基底(202b)包括具有一實質上圓形截面之一貫穿開口(202d)，該貫穿開口(202d)之延伸至少涉及該環形基底(202b)，其中該壁(202c)相對於該環形基底(202b)及/或該盤狀基底(202a)構成經調適以在使用中容置一自行車鞍座之一叉之一後部分的一凹入區域，及/或其中該第二組件(203)具有一實質上半球形構形，設置有一半球形帽蓋(203a)及一平坦基底(203b)。
一種光學積層體，其具備： <br/>具有第1慢軸的λ/2部，以及 <br/>具有第2慢軸之λ/4部，該λ/4部係以前述第2慢軸係相對於前述第1慢軸成為約60°的範圍之方式積層在前述λ/2部， <br/>前述λ/2部具有2個第1慢相器元件與2個第2慢相器元件， <br/>前述2個第1慢相器元件及前述2個第2慢相器元件係依第1慢相器元件、第2慢相器元件、第2慢相器元件及第1慢相器元件的順序積層， <br/>前述λ/4部具有第1慢相器元件， <br/>前述λ/2部具有的前述2個第1慢相器元件及前述λ/4部具有的前述第1慢相器元件，係具有逆分散性且為賦予約λ/4的相位差之元件， <br/>前述λ/2部具有的前述2個第2慢相器元件係正C板， <br/>前述λ/2部具有的前述2個第1慢相器元件各別的慢軸之方向，係與前述第1慢軸的方向大約一致， <br/>前述λ/4部具有的前述第1慢相器元件之慢軸的方向係與前述第2慢軸的方向大約一致， <br/>前述λ/2部的N<sub>Z</sub>係數約為0.5， <br/>前述λ/4部的N<sub>Z</sub>係數係0.3以上0.7以下。
如請求項1所述之光學積層體，其中， <br/>前述λ/4部具有第2慢相器元件， <br/>前述λ/4部具有的前述第2慢相器元件，係正C板， <br/>前述λ/4部具有的前述第1慢相器元件及前述第2慢相器元件，係從前述λ/2部側依第1慢相器元件及第2慢相器元件的順序積層。
一種橢圓偏光板，其具備： <br/>偏光片，以及 <br/>積層在前述偏光片的請求項1或2所述之光學積層體， <br/>前述偏光片、前述λ/2部及前述λ/4部係依前述偏光片、前述λ/2部及前述λ/4部的順序配置。
一種晶圓的製造方法，其特徵在於，包含以下步驟：<br/> 準備具有第一主面和位於前述第一主面相反側的第二主面之晶圓；<br/> 利用保持手段保持前述晶圓的前述第二主面；<br/> 以與前述晶圓的前述第一主面相對的方式配置可塑狀態的樹脂；<br/> 利用前述保持手段按壓前述晶圓，來使前述晶圓的前述第一主面接觸前述樹脂；<br/> 一面在前述晶圓的前述第一主面上將前述樹脂壓開，一面從前述保持手段對該保持手段與前述第二主面之間實行噴射空氣，藉此在將由前述保持手段對於前述晶圓的前述第二主面的保持予以釋放的狀態下，於前述晶圓的前述第一主面上將前述樹脂壓開；<br/> 一面實行前述噴射空氣，一面在前述晶圓與前述保持手段形成間隙，來使前述晶圓與前述保持手段分開；<br/> 在前述晶圓與前述保持手段的前述分開後，使前述樹脂硬化來製成平坦化樹脂層，而獲得包含前述晶圓和與前述晶圓的前述第一主面接觸的平坦化樹脂層之複合體；<br/> 以前述平坦化樹脂層作為基準面來吸附並保持前述複合體，在該狀態下磨削或研磨前述晶圓的第二主面；<br/> 從前述晶圓去除前述平坦化樹脂層；及，<br/> 吸附並保持前述晶圓的前述第二主面，在該狀態下磨削或研磨前述晶圓的前述第一主面。
如請求項1所述之晶圓的製造方法，其中，在前述晶圓與前述保持手段的前述分開時，利用前述保持手段的退開來形成前述晶圓與前述保持手段之間的前述間隙。
一種埋入方法，係具有： <br/> 準備基板的工程，該基板具有：形成有凹部的絕緣膜；及以從前述凹部的底部露出的方式設置的金屬膜； <br/> 在將前述基板加熱至第一溫度的同時，藉由使用了含釕氣體的CVD將第一釕膜從前述凹部的前述底部埋入到前述凹部的中途的工程；及 <br/> 在將前述基板加熱至低於前述第一溫度的第二溫度的同時，藉由使用了含釕氣體的CVD將第二釕膜埋入前述凹部的前述第一釕膜之上的工程； <br/> 將埋入前述第一釕膜時的壓力設為第一壓力時，將埋入前述第二釕膜時的壓力設為高於前述第一壓力的第二壓力。
如請求項1之埋入方法，其中， <br/> 在埋入前述第一釕膜時，前述第一釕膜係在前述凹部中以從前述底部的前述金屬膜自下而上的方式被埋入，在埋入前述第二釕膜時，前述第二釕膜係在前述凹部中保形地被埋入。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 使用具有在前述第一溫度下進行前述第一釕膜的埋入的第一埋入裝置、和在前述第二溫度下進行前述第二釕膜的埋入的第二埋入裝置的處理系統，將前述基板搬送至前述第一埋入裝置進行前述第一釕膜的埋入，接著將前述基板搬送至前述第二埋入裝置進行前述第二釕膜的埋入。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 在埋入前述第一釕膜及前述第二釕膜時使用的前述含釕氣體為羰基釕氣體。
如請求項4之埋入方法，其中， <br/> 前述第一溫度為150~190℃，前述第二溫度為100~140℃。
如請求項4之埋入方法，其中， <br/> 埋入前述第一釕膜時的壓力為0.6~2.2Pa，埋入前述第二釕膜時的壓力為13.3~20Pa。
如請求項4之埋入方法，其中 <br/> 前述羰基釕氣體係使固體狀的羰基釕昇華並以CO氣體為載氣而進行供給，在埋入前述第一釕膜時的前述載氣的流量為100~500sccm，在埋入前述第二釕膜時的前述載氣的流量為10~90sccm。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 還具有：在埋入前述第二釕膜的工程之後埋入前述第一釕膜的工程。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 在埋入前述第二釕膜的工程之後，實施1次或多次埋入前述第一釕膜的工程、和埋入前述第二釕膜的工程。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 還具有：在將第一釕膜從前述凹部的前述底部埋入到前述凹部的中途的工程之前先被進行的除去形成在前述金屬膜表面的自然氧化膜的工程。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 前述絕緣膜為含矽膜。
如請求項1或2之埋入方法，其中 <br/> 前述金屬膜為鎢膜、鈷膜、鈦膜中的任一種。
一種處理系統，係在基板中對凹部進行釕膜之埋入的處理系統，該基板具有：形成有前述凹部的絕緣膜、和以從前述凹部的底部露出的方式設置的金屬膜； <br/> 該處理系統具有： <br/> 第一埋入裝置，其藉由使用了含釕氣體的CVD進行前述凹部的埋入； <br/> 第二埋入裝置，其藉由使用了含釕氣體的CVD進行前述凹部的埋入； <br/> 真空搬送室，其與前述第一埋入裝置和前述第二埋入裝置連接，並且在內部設置有搬送基板的搬送機構；及 <br/> 控制部； <br/> 前述控制部對前述第一埋入裝置、前述第二埋入裝置、及前述搬送機構進行控制，使得將前述基板搬送至前述第一埋入裝置，並藉由前述第一埋入裝置將前述基板加熱至第一溫度的同時，將第一釕膜從前述凹部的前述底部埋入到前述凹部的中途為止之後，將前述基板搬送至前述第二埋入裝置，並藉由前述第二埋入裝置，將前述基板加熱至低於前述第一溫度的第二溫度的同時，將第二釕膜埋入前述凹部的前述第一釕膜之上； <br/> 前述控制部，對前述第一埋入裝置及前述第二埋入裝置進行控制，將由前述第一埋入裝置進行埋入時的壓力設為第一壓力，並將由前述第二埋入裝置進行埋入時的壓力設為高於前述第一壓力的第二壓力。
如請求項13之處理系統，其中， <br/> 前述第一埋入裝置和前述第二埋入裝置，係使用羰基釕氣體作為前述含釕氣體。
如請求項14之處理系統，其中， <br/> 前述控制部對前述第一埋入裝置和前述第二埋入裝置進行控制，使得前述第一溫度成為150~190℃，並且前述第二溫度成為100~140℃。
如請求項14或15之處理系統，其中， <br/> 前述控制部對前述第一埋入裝置和前述第二埋入裝置進行控制，使得由前述第一埋入裝置進行埋入時的壓力成為0.6~2.2Pa，並且由前述第二埋入裝置進行埋入時的壓力成為13.3~20Pa。
如請求項13至15之中任一項之處理系統，其中 <br/> 還具有：前清洗裝置，其連接到前述真空搬送室， <br/> 前述控制部進行控制，使得在前述釕膜的埋入之前，藉由前述前清洗裝置除去形成在前述金屬膜表面的自然氧化膜。
一種包含聚酯之摻合物的塗層組成物，該摻合物包含：<br/> - 0.1至99.9重量%的一或多種飽和聚酯(A)；及<br/> - 99.9至0.1重量%的一或多種不飽和聚酯(B)；<br/> 以該聚酯(A)及(B)之總重量為基準；<br/> 該一或多種(A)及該一或多種(B)具有重量平均分子量(Mw)至少15,000克/莫耳，如藉由凝膠滲透層析術使用四氫呋喃作為溶劑測量；及玻璃轉換溫度至少60 ℃，如根據DIN EN 61006，方法A，藉由示差掃描卡計測量。
如請求項1之塗層組成物，其中該一或多種(A)及/或該一或多種(B)包含一或多個脂肪族環基團。
如請求項1之塗層組成物，其中該一或多種(A)及/或該一或多種(B)包含脂肪族多環基團。
如請求項1之塗層組成物，其中該一或多種(A)及該一或多種(B)具有重量平均分子量(Mw)包含在20,000至50,000克/莫耳間，及/或玻璃轉換溫度包含在80至120℃間。
如請求項1之塗層組成物，<br/> 其中該一或多種(B)係下列之反應產物：<br/> - 酸組分，其包含50至90莫耳百分比的對酞酸及/或異酞酸、10至50莫耳百分比的一或多種不飽和二酸或其酐、及0至30莫耳百分比的一或多種飽和脂肪族、飽和環脂族或芳香族二酸或其酐；及<br/> - 二醇組分，其包含5至30莫耳百分比的一或多種脂肪族及/或環脂族二醇，及70至95莫耳百分比的一或多種脂肪族多環二醇；及/或<br/> 其中該一或多種(A)係下列之反應產物：<br/> - 酸組分，其包含50至100莫耳百分比的對酞酸及/或異酞酸、及0至50莫耳百分比的一或多種飽和脂肪族、飽和環脂族或芳香族二酸或其酐；及<br/> - 二醇組分，其包含5至30莫耳百分比的一或多種脂肪族及/或環脂族二醇，及70至95莫耳百分比的一或多種脂肪族多環二醇。
如請求項5之塗層組成物，其中該一或多種(A)及/或該一或多種(B)的一或多種脂肪族多環二醇包含選自於由雙環二醇及三環二醇及其混合物所組成之群組的二醇。
如請求項5之塗層組成物，其中該一或多種(A)及/或該一或多種(B)之一或多種脂肪族多環二醇包含雜-雙環二醇，該雜-雙環二醇具有雙環脂肪族環，其中在該環中的一或多個烴係由雜原子置換，及該雜-雙環二醇係選自於由異山梨醇、異甘露糖醇(isomannide)、異艾杜醇(isoidide)及其衍生物所組成之群組。
如請求項5之塗層組成物，其中該一或多種(A)及/或該一或多種(B)的一或多種脂肪族多環二醇包含選自於由下列所組成之群組的三環二醇：3,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、4,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、及5,8-雙-(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、及其混合物。
如請求項5之塗層組成物，其中該一或多種(B)之一或多種不飽和二酸或酐係選自於由下列所組成之群組：α,β-不飽和二羧酸、α,β-不飽和酸酐、包含孤立的乙烯性不飽和雙鍵之不飽和二酸、包含孤立的乙烯性不飽和雙鍵之不飽和酸酐、及其混合物。
如請求項5之塗層組成物，其中該一或多種(B)之一或多種不飽和二酸或酐係選自於由下列所組成之群組：馬來酸、反丁烯二酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、四氫酞酸、納狄克酸(nadic acid)、甲基納狄克酸、或其酐、及其混合物。
如請求項1至10中之任何一項的塗層組成物，其中該一或多種(B)具有不飽和當量包含在300至6,000克/當量間。
如請求項1至10中任何一項之塗層組成物，其中該一或多種(A)係下列之反應產物：對酞酸、1,4-丁二醇；及3,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、4,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、與5,8-雙-(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷之混合物。
如請求項1至10中任何一項之塗層組成物，其中該一或多種(B)係下列之反應產物：對酞酸、馬來酸酐及/或反丁烯二酸、1,4-丁二醇；及3,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、4,8-雙(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷、與5,8-雙-(羥甲基)-三環[5.2.1.0<sup>2,6</sup>]癸烷之混合物。
如請求項1至10中任何一項之塗層組成物，其包含在35至50重量%間之包含一或多種(A)及一或多種(B)的摻合物，及在50至65重量%間之一或多種選自於由下列所組成之群組的有機溶劑：脂肪烴、芳香烴、醇、酮、酯、二醇、二醇醚、及二醇酯、及其混合物。
如請求項1至10中任何一項之塗層組成物，其包含一或多種選自於由下列所組成之群組的添加劑：載劑、金屬粉末或糊、填充劑、抗漂移助劑、抗微生物劑、增效劑、潤滑劑、聚結劑、潤溼劑、滅菌劑、塑化劑、交聯劑、交聯觸媒、抗發泡劑、著色劑、蠟、抗氧化劑、防腐蝕劑、流動控制劑、觸變劑、黏著促進劑、UV安定劑及清除劑。
如請求項15之塗層組成物，其中該載劑為乳化劑及/或分散劑。
如請求項15之塗層組成物，其中該著色劑為顏料。
如請求項15之塗層組成物，其包含在0.05%至1.5重量%間之黏著促進劑，以在該塗層組成物中的非揮發性材料之重量為基準。
如請求項18之塗層組成物，其中該黏著促進劑為鈦酸四烷酯。
如請求項19之塗層組成物，其中該鈦酸四烷酯為鈦酸四丁酯。
如請求項1至10中任何一項之塗層組成物，其包含少於10,000 ppm之選自於由下列所組成之群組的組分：非故意的雙酚-A、甲醛、及異氰酸鹽、及其混合物。
一種不飽和聚酯(B)，其係下列之反應產物：<br/> - 酸組分，其包含50至90莫耳百分比的對酞酸及/或異酞酸、10至50莫耳百分比的一或多種不飽和二酸或其酐、及0至30莫耳百分比的一或多種飽和脂肪族、飽和環脂族或芳香族二酸或其酐；及<br/> - 二醇組分，包含5至30莫耳百分比的一或多種脂肪族及/或一或多種環脂族二醇，及70至95莫耳百分比的一或多種脂肪族多環二醇；<br/> 及具有<br/> - 重量平均分子量至少15,000克/莫耳，如藉由凝膠滲透層析術使用四氫呋喃作為溶劑測量；<br/> - 玻璃轉換溫度至少60 ℃，如根據DIN EN 61006，方法A，藉由示差掃描卡計測量；及<br/> - 不飽和當量包含在300至6,000克/當量間。
一種選自於由下列所組成之群組的基材：金屬、玻璃、聚合物、複合物、陶瓷及工程設計木，其係塗布如請求項1至21中任何一項之塗層組成物。
如請求項23之基材，其中該基材為金屬基材。
如請求項23之基材，其中該複合物為混凝土。
如請求項23之基材，其中該金屬基材係金屬捲材或罐頭。
如請求項26之基材，其中該罐頭係用於食物及飲料應用。
一種製造經塗布的金屬基材之方法，其包括下列步驟：<br/> - 將如請求項1至21中任何一項之塗層組成物以一塗層厚度施加在該金屬基材之至少一側上，其中該金屬基材選擇性經預處理及/或包含底塗，其中該塗層厚度係經調整以獲得少於60微米的乾塗層厚度；<br/> - 在溫度至少150℃下烘乾所施加的塗層組成物至少20秒之時期，以形成塗布交聯塗層之金屬基材。
一種製造經塗布的罐身及罐蓋之方法，其包括下列步驟：<br/> - 將由如請求項28之方法所獲得的經塗布的金屬基材切割成想要的尺寸及形狀之金屬片，以形成準備好進行組裝的罐身及罐蓋；或<br/> - 將由如請求項28之方法所獲得的經塗布的金屬基材切割成想要的尺寸及形狀之金屬片，及將金屬片壓凸成罐身，及將該罐蓋切割成準備好進行組裝之想要的形狀。
一種如請求項1至21中任何一項之塗層組成物之用途，其係用於塗布金屬基材。
一種顯示裝置用積層體，其具有基材層與功能層，且 <br/>該功能層含有樹脂、有機系紫外線吸收劑及無機系紫外線吸收劑， <br/>以藉由未使用積分球之測色方法所測定的透射黃度作為第1透射黃度，以藉由使用積分球之測色方法所測定的透射黃度作為第2透射黃度時，從該顯示裝置用積層體的第1透射黃度減去該顯示裝置用積層體的第2透射黃度所得之值為0.4以上， <br/>該無機系紫外線吸收劑之平均粒徑為10nm以上且100nm以下。
如請求項1之顯示裝置用積層體，其中，該無機系紫外線吸收劑局部存在於該功能層之與該基材層相反側之面。
如請求項2之顯示裝置用積層體，其中，使該功能層中之該無機系紫外線吸收劑的含量為100質量%時，從該功能層之與該基材層相反側之面至該功能層厚度一半之位置的部分所含之該無機系紫外線吸收劑的含量為50質量%以上。
如請求項2之顯示裝置用積層體，其中，該有機系紫外線吸收劑均勻地分散於該功能層中。
一種顯示裝置，其具備： <br/>顯示面板，及 <br/>配置於該顯示面板之觀察者側的請求項1之顯示裝置用積層體。
一種水處理系統，包括： <br/>多個水處理單元； <br/>個別控制器，設於各水處理單元；以及 <br/>綜合控制盤，與各個別控制器通訊， <br/>各個別控制器彼此及個別控制器與綜合控制盤能夠藉由近距離無線通訊進行通訊， <br/>所述水處理單元具有泵、前處理裝置、活性碳過濾器、逆滲透裝置及去離子裝置中的至少一個， <br/>自所述綜合控制盤所發送的發送訊號，包含確定應給予訊號的水處理單元的單元識別資訊， <br/>接收到自所述綜合控制盤所發送的訊號的所述個別控制器，在接收訊號所包含的所述單元識別資訊並非指定該水處理單元的情況下，將接收到的訊號向其他個別控制器發送。
如請求項1所述的水處理系統，其中水處理單元為標準品。
如請求項1所述的水處理系統，其中所述近距離無線通訊為紫蜂（ZigBee，註冊商標）。
如請求項1所述的水處理系統，其中所述個別控制器及綜合控制盤使用阿都伊諾（Arduino，註冊商標）或樹莓派（Raspberry Pi，註冊商標）來作為微處理器。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 從該無線通訊設備接收請求一基於觸發的（TB）實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框包括一使用者資訊欄位，該使用者資訊欄位攜帶指示針對該TB PPDU分配的複數個音調的資源元素（RU）分配資訊並且攜帶指示是否允許縮減該複數個音調的縮減資訊，該複數個音調表示與一無線媒體相關聯的一第一RU或一第一多資源元素（MRU）；<br/> 接收RU保證資訊，該RU保證資訊包括一位元集合以指示該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的一或多個音調；<br/> 決定該複數個音調中的一或多個音調是不可用的，該一或多個不可用音調與該無線媒體的在其中存在干擾的一部分相關聯；及<br/> 基於該縮減資訊來在該複數個音調的一音調子集上選擇性地發送該TB PPDU，該音調子集表示比該第一RU或該第一MRU小的一第二RU或一第二MRU，且該音調子集至少包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項1所述的方法，其中該縮減資訊是藉由該使用者資訊欄位中的一縮減位元的一值來指示的。
如請求項1所述的方法，其中該RU分配資訊和該縮減資訊是藉由該使用者資訊欄位的一RU分配子欄位的一值來共同指示的。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：<br/> 選擇該音調子集以排除該一或多個不可用音調並且包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊是在該觸發訊框中的該使用者資訊欄位之前的一公共資訊欄位中攜帶的，該公共資訊欄位攜帶對於與該觸發訊框相關聯的每個使用者而言公共的資訊。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊是在該觸發訊框的一特殊使用者資訊欄位中攜帶的，該特殊使用者資訊欄位是藉由未被指派給與跟該無線通訊設備相同的一基本服務集（BSS）相關聯的任何無線通訊設備的一關聯辨識符（AID）值來標識的。
如請求項1所述的方法，其中對該RU保證資訊的該接收包括以下步驟：<br/> 在對該觸發訊框的接收之前接收攜帶該RU保證資訊的一管理訊框。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊包括一位元映像，該位元映像的每個位元指示一無線通道的一相應子通道是否與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該位元映像。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊包括一或多個位元對，該一或多個位元對中的每一個位元對指示一相應的80 MHz通道的哪個20 MHz子通道與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該一或多個位元對。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊包括一或多個位元對，該一或多個位元對中的每一個位元對指示一相應的160 MHz通道的哪個40 MHz子通道與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該一或多個位元對。
如請求項1所述的方法，其中該RU保證資訊映射到一查閱資料表（LUT）中的複數個條目中的一個條目，該LUT中的每一個條目指示一無線通道的與該一或多個保證的音調相關聯的一或多個子通道的一相應組合。
如請求項1所述的方法，其中該TB PPDU包括具有一通用信號欄位（U-SIG）的一實體層前序信號，該U-SIG攜帶指示該音調子集的縮減的訊號傳遞資訊。
如請求項12所述的方法，其中該縮減的訊號傳遞資訊映射到一LUT中的複數個條目中的一個條目，該LUT中的每一個條目指示一相應的RU或MRU。
如請求項12所述的方法，其中該縮減的訊號傳遞資訊指示該複數個音調中的未被包括在該子集中的剩餘音調，該等剩餘音調表示一第三RU或一第三MRU。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊地耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼的至少一個記憶體，該處理器可讀取代碼當由該至少一個處理器結合該至少一個數據機個別地或共同地執行時，被配置為：<br/> 從該無線通訊設備接收請求一基於觸發的（TB）實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框包括一使用者資訊欄位，該使用者資訊欄位攜帶指示針對該TB PPDU分配的複數個音調的資源元素（RU）分配資訊並且攜帶指示是否允許縮減該複數個音調的縮減資訊，該複數個音調表示與一無線媒體相關聯的一第一RU或一第一多資源元素（MRU）；<br/> 接收RU保證資訊，該RU保證資訊包括一位元集合以指示該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的一或多個音調；<br/> 決定該複數個音調中的一或多個音調是不可用的，該一或多個不可用音調與該無線媒體的在其中存在干擾的一部分相關聯；及<br/> 基於該縮減資訊來在該複數個音調的一音調子集上選擇性地發送該TB PPDU，該音調子集表示比該第一RU或該第一MRU小的一第二RU或一第二MRU，且該音調子集至少包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項15所述的無線通訊設備，其中該處理器可讀取代碼當由該至少一個處理器結合該至少一個數據機個別地或共同地執行時，進一步被配置為：<br/> 選擇該音調子集以排除該一或多個不可用音調並且包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項15所述的無線通訊設備，其中該TB PPDU包括具有一通用信號欄位（U-SIG）的一實體層前序信號，該U-SIG攜帶指示該音調子集的縮減的訊號傳遞資訊。
一種用於由一無線通訊設備執行的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 發送請求一基於觸發的（TB）實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框包括一使用者資訊欄位，該使用者資訊欄位攜帶指示針對該TB PPDU分配的複數個音調的資源元素（RU）分配資訊並且攜帶指示允許縮減該複數個音調的縮減資訊，該複數個音調表示一第一RU或一第一多資源元素（MRU）；<br/> 發送RU保證資訊，該RU保證資訊包括一位元集合以指示該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的一或多個音調；及<br/> 回應於該觸發訊框來在該複數個音調的一音調子集上接收該TB PPDU，該音調子集表示比該第一RU或該第一MRU小的一第二RU或一第二MRU，且該音調子集至少包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項18所述的方法，其中該縮減資訊是藉由該使用者資訊欄位中的一縮減位元的一值來指示的。
如請求項18所述的方法，其中該RU分配資訊和該縮減資訊是藉由該使用者資訊欄位的一RU分配子欄位的一值來共同指示的。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊是在該觸發訊框中的該使用者資訊欄位之前的一公共資訊欄位中攜帶的，該公共資訊欄位攜帶對於與該觸發訊框相關聯的每個使用者而言公共的資訊。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊是在該觸發訊框的一特殊使用者資訊欄位中攜帶的，該特殊使用者資訊欄位是藉由未被指派給與該無線通訊設備相關聯的任何無線通訊設備的一關聯辨識符（AID）值來標識的。
如請求項18所述的方法，其中對該RU分配資訊的該發送包括以下步驟：<br/> 在對該觸發訊框的發送之前發送攜帶該RU保證資訊的一管理訊框。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊包括一位元映像，該位元映像的每個位元指示一無線通道的一相應子通道是否與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該位元映像。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊包括一或多個位元對，該一或多個位元對中的每一個位元對指示一相應的80 MHz通道的哪個20 MHz子通道與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該一或多個位元對。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊包括一或多個位元對，該一或多個位元對中的每一個位元對指示一相應的160 MHz通道的哪個40 MHz子通道與該一或多個保證的音調相關聯，該位元集合包括該一或多個位元對。
如請求項18所述的方法，其中該RU保證資訊映射到一查閱資料表（LUT）中的複數個條目中的一個條目，該LUT中的每一個條目指示一無線通道的與該一或多個保證的音調相關聯的一或多個子通道的一相應組合。
如請求項18所述的方法，其中該TB PPDU包括具有一通用信號欄位（U-SIG）的一實體層前序信號，該U-SIG攜帶指示該音調子集的縮減的訊號傳遞資訊。
如請求項28所述的方法，其中該縮減的訊號傳遞資訊映射到一LUT中的複數個條目中的一個條目，該LUT中的每一個條目指示一相應的RU或MRU。
如請求項28所述的方法，其中該縮減的訊號傳遞資訊指示該複數個音調中的未被包括在該子集中的剩餘音調，該等剩餘音調表示一第三RU或一第三MRU。
一種無線通訊設備，包括：<br/> 至少一個數據機；<br/> 與該至少一個數據機通訊地耦合的至少一個處理器；及<br/> 與該至少一個處理器通訊地耦合並且儲存處理器可讀取代碼的至少一個記憶體，該處理器可讀取代碼當由該至少一個處理器結合該至少一個數據機個別地或共同地執行時，被配置為：<br/> 發送請求一基於觸發的（TB）實體層彙聚協定（PLCP）協定資料單元（PPDU）的一觸發訊框，該觸發訊框包括一使用者資訊欄位，該使用者資訊欄位攜帶指示針對該TB PPDU分配的複數個音調的資源元素（RU）分配資訊和指示允許縮減該複數個音調的縮減資訊，該複數個音調表示一第一RU或一第一多資源元素（MRU）；<br/> 發送RU保證資訊，該RU保證資訊包括一位元集合以指示該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的一或多個音調；及<br/> 回應於該觸發訊框來在該複數個音調的一音調子集上接收該TB PPDU，其中該音調子集表示比該第一RU或該第一MRU小的一第二RU或一第二MRU，且該音調子集至少包括該複數個音調中的被保證與該TB PPDU相關聯的該一或多個音調。
如請求項31所述的無線通訊設備，其中該TB PPDU包括具有一通用信號欄位（U-SIG）的一實體層前序信號，該U-SIG攜帶指示該音調子集的縮減的訊號傳遞資訊。
一種組成物，其包含滿足下述條件（a）～（d）之第1有機化合物、作為延遲螢光材料之第2有機化合物及作為螢光材料之第3有機化合物， <br/>條件（a） E<sub>S1</sub>（1）＞E<sub>S1</sub>（2）＞E<sub>S1</sub>（3） <br/>條件（b） λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）＜λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）-10nm <br/>條件（c） λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）＜λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2） <br/>條件（d） λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）＜480nm <br/>(在上式中， <br/>E<sub>S1</sub>（1）表示前述第1有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>E<sub>S1</sub>（2）表示前述第2有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>E<sub>S1</sub>（3）表示前述第3有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）表示前述第2有機化合物的短波長側的發射波長（單位為nm）， <br/>λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）表示前述第3有機化合物的吸收光譜的最長波長側的峰頂波長（單位為nm）， <br/>λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2）表示前述第2有機化合物的發射光譜的峰頂波長， <br/>λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）表示前述第3有機化合物的發射光譜的峰頂波長)， <br/>前述第2有機化合物為下述通式（1a）或（2a）所表示之化合物， <br/>通式（1a） <br/><img align="absmiddle" height="130px" width="118px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(在通式（1a）中，D<sup>1</sup>表示經取代或未經取代的咔唑-9-基，4個D<sup>1</sup>的化學結構都相互相同，Ph表示可以被選自由烷基、芳基及該等連結而成之基團所組成的群組中之至少1個基團取代之苯基)， <br/>通式（2a） <br/><img align="absmiddle" height="125px" width="130px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(在通式（2a）中，D<sup>1</sup>表示經取代或未經取代的咔唑-9-基，D<sup>2</sup>表示與D<sup>1</sup>不同的經取代或未經取代的咔唑-9-基，2個D<sup>2</sup>的化學結構相互相同，2個Ph各自獨立地表示可以被選自由烷基、芳基及該等連結而成之基團所組成的群組中之至少1個基團取代之苯基)， <br/>前述第3有機化合物係在選自由氮原子、氧原子及硫原子所組成的群組中之1種以上的原子與硼原子之間進行多重共振之化合物。
如請求項1所述之組成物，其係滿足下述條件（e）， <br/>條件（e） FW<sub>0.3M</sub>＜40nm <br/>(在上式中，FW<sub>0.3M</sub>表示前述組成物的發射光譜相對於發射峰之相對強度為30%時之光譜寬)。
如請求項2所述之組成物，其係滿足下述條件（e1）， <br/>條件（e1） FW<sub>0.3M</sub>＜32nm。
如請求項1所述之組成物，其係滿足下述條件（f）及（g）， <br/>條件（f） LUMO（2）≤LUMO（3） <br/>條件（g） HOMO（2）≤HOMO（3） <br/>(在上式中， <br/>LUMO（2）表示前述第2有機化合物的LUMO的能量， <br/>LUMO（3）表示前述第3有機化合物的LUMO的能量， <br/>HOMO（2）表示前述第2有機化合物的HOMO的能量， <br/>HOMO（3）表示前述第3有機化合物的HOMO的能量)。
如請求項1至請求項4之任一項所述之組成物，其係滿足下述條件（h）， <br/>條件（h） R<sub>0</sub>（2-3）＞6.5nm <br/>(在上式中，R<sub>0</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特半徑)。
如請求項1至請求項4之任一項所述之組成物，其係滿足下述條件（i）， <br/>條件（i） r（2-3）＜3.91nm <br/>(在上式中，r（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的分子間距離)。
如請求項1至請求項4之任一項所述之組成物，其係滿足下述條件（j）， <br/>條件（j） k<sub>FRET</sub>（2-3）＞1.5×10<sup>9</sup>s<sup>-1</sup><br/>(在上式中，k<sub>FRET</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特能量轉移速率常數)。
如請求項1至請求項4之任一項所述之組成物，其係滿足下述條件（h1）、（i1）及（j1）， <br/>條件（h1） R<sub>0</sub>（2-3）≥7.3nm <br/>條件（i1） r（2-3）≤3.71nm <br/>條件（j1） k<sub>FRET</sub>（2-3）≥6.1×10<sup>9</sup>s<sup>-1</sup><br/>(在上式中， <br/>R<sub>0</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特半徑， <br/>r（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的分子間距離， <br/>k<sub>FRET</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特能量轉移速率常數)。
如請求項1至請求項4之任一項所述之組成物，其中 <br/>D<sup>1</sup>及D<sup>2</sup>各自獨立地具有下述D1～D37中的任一個所表示之結構， <br/>[化學式5] <br/><img align="absmiddle" height="465px" width="392px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="577px" width="419px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種將請求項1至請求項9之任一項所述之組成物作為有機發光元件用之發光組成物之用途。
一種厚度10～100nm之膜，其係包含請求項1至請求項9之任一項所述之組成物的發光組成物。
一種將請求項11所述之膜作為發光膜之用途。
一種有機電場發光元件，其係具有至少一層包括陽極、陰極及前述陽極與前述陰極之間的發光層之有機層，前述有機電場發光元件中 <br/>前述發光層包含請求項1至請求項9之任一項所述之組成物， <br/>來自前述有機電場發光元件的發光的最大成分為來自前述第3有機化合物的螢光。
如請求項13所述之有機電場發光元件，其係頂部發光型。
一種組成物之設計方法，其係包含第1有機化合物、第2有機化合物及第3有機化合物之組成物之設計方法，其包括如下步驟： <br/>參閱儲存了可用作第1有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（1）之資料庫、儲存了可用作第2有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（2）、λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）及λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2）之資料庫、儲存了可用作第3有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（3）、λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）及λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）之資料庫，使用電腦選擇滿足下述條件（a）～（d）之第1有機化合物、第2有機化合物及第3有機化合物的組合， <br/>條件（a） E<sub>S1</sub>（1）＞E<sub>S1</sub>（2）＞E<sub>S1</sub>（3） <br/>條件（b） λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）＜λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）-10nm <br/>條件（c） λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）＜λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2） <br/>條件（d） λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）＜480nm <br/>(在上式中， <br/>E<sub>S1</sub>（1）表示前述第1有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>E<sub>S1</sub>（2）表示前述第2有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>E<sub>S1</sub>（3）表示前述第3有機化合物的最低激發單重態能量， <br/>λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）表示前述第2有機化合物的短波長側的發射波長（單位為nm）， <br/>λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）表示前述第3有機化合物的吸收光譜的最長波長側的峰頂波長（單位為nm）， <br/>λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2）表示前述第2有機化合物的發射光譜的峰頂波長， <br/>λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）表示前述第3有機化合物的發射光譜的峰頂波長)。
如請求項15所述之組成物之設計方法，其中 <br/>以還滿足下述條件（f）及（g）之方式進行前述選擇， <br/>條件（f） LUMO（2）≤LUMO（3） <br/>條件（g） HOMO（2）≤HOMO（3） <br/>(在上式中， <br/>LUMO（2）表示前述第2有機化合物的LUMO的能量， <br/>LUMO（3）表示前述第3有機化合物的LUMO的能量， <br/>HOMO（2）表示前述第2有機化合物的HOMO的能量， <br/>HOMO（3）表示前述第3有機化合物的HOMO的能量)。
如請求項15或請求項16所述之組成物之設計方法，其中 <br/>以還滿足下述條件（h）之方式進行前述選擇， <br/>條件（h） R<sub>0</sub>（2-3）＞6.5nm <br/>(在上式中，R<sub>0</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特半徑)。
如請求項15或請求項16所述之組成物之設計方法，其中 <br/>以還滿足下述條件（i）之方式進行前述選擇， <br/>條件（i） r（2-3）＜3.91nm <br/>(在上式中，r（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的分子間距離)。
如請求項15或請求項16所述之組成物之設計方法，其中 <br/>以還滿足下述條件（j）之方式進行前述選擇， <br/>條件（j） k<sub>FRET</sub>（2-3）＞1.5×10<sup>9</sup>s<sup>-1</sup><br/>(在上式中，k<sub>FRET</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特能量轉移速率常數)。
如請求項15所述之組成物之設計方法，其中 <br/>以還滿足下述條件（h1）、（i1）及（j1）之方式進行前述選擇， <br/>條件（h1） R<sub>0</sub>（2-3）≥7.3nm <br/>條件（i1） r（2-3）≤3.71nm <br/>條件（j1） k<sub>FRET</sub>（2-3）≥6.1×10<sup>9</sup>s<sup>-1</sup><br/>(在上式中， <br/>R<sub>0</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特半徑， <br/>r（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的分子間距離， <br/>k<sub>FRET</sub>（2-3）表示前述第2有機化合物與前述第3有機化合物之間的福斯特能量轉移速率常數)。
一種用以實施設計方法之程式，該設計方法係如請求項15所述之組成物之設計方法，前述程式具有如下步驟： <br/>參閱儲存了可用作第1有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（1）之資料庫、儲存了可用作第2有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（2）、λ<sup>E</sup><sub>EM</sub>（2）及λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（2）之資料庫、儲存了可用作第3有機化合物之化合物群的E<sub>S1</sub>（3）、λ<sup>P</sup><sub>AB</sub>（3）及λ<sup>P</sup><sub>EM</sub>（3）之資料庫，選擇滿足前述條件（a）～（d）之第1有機化合物、第2有機化合物及第3有機化合物的組合。
一種廢料排放裝置，其排放半導體材料切割時產生的廢料，所述廢料排放裝置包括：<br/> 半導體材料切割部，其切割吸附在卡盤工作台的上部的半導體材料；<br/> 導向管，其引導投放並排放在所述半導體材料切割部產生的廢料；<br/> 第一噴射單元，其配置在所述導向管的一側，向所述導向管的另一側噴射用於排放所述廢料的流體；以及<br/> 廢料收集部，其配置在所述導向管的另一側，用於收集經排放的廢料；<br/> 所述導向管是彎曲梯形的板材來一體形成，所述導向管的底面呈曲面，向所述廢料收集部側向下傾斜形成，所述導向管的上部構成為曲率較小，以確保供流入的洗滌水和廢料穩定流入的空間，並且所述導向管的下部的曲率大於上部的曲率，使得細長棒形狀的廢料與所述曲面線接觸而不是以面接觸狀態緊貼在所述導向管的內周面，從而所述廢料與通過所述第一噴射單元噴射的流體一起，沿著所述導向管的傾斜面排放至所述廢料收集部。
根據請求項1所述的廢料排放裝置，其中，<br/> 所述導向管在前方具備供廢料流入的廢料流入部，在後方具備在所述廢料向所述廢料流入部流入的過程中用於防止廢料迸濺的廢料阻隔部。
根據請求項2所述的廢料排放裝置，其中，<br/> 所述導向管是彎曲梯形的板材來一體形成所述廢料流入部以及所述廢料阻隔部，<br/> 在所述梯形中，在平行的兩邊中短邊成為所述導向管的上部，長邊成為所述導向管的下部。
根據請求項2所述的廢料排放裝置，其中，還包括一個以上的第二噴射單元，其設於所述廢料流入部的一側，向下部側噴射流體用於向所述導向管的下部排放所述廢料。
根據請求項2所述的廢料排放裝置，其中，<br/> 所述半導體材料切割部還包括：<br/> 框架，其可移動地設置所述卡盤工作台；<br/> 廢料托架，其設於所述卡盤工作台和所述框架之間，用於向所述導向管搬運所述廢料；以及<br/> 基底部，其在上面具備所述框架，<br/> 所述廢料流入部向長度方向彎曲，而結合為使得彎曲的上面與所述基底部的一側下面相接，<br/> 所述廢料阻隔部在所述導向管的寬度方向上向上方彎曲，且彎曲的高度從所述導向管的上部向下部逐漸增加。
根據請求項5所述的廢料排放裝置，其中，<br/> 所述廢料托架設置為與所述卡盤工作台一起可以向前後方方向移動，<br/> 所述廢料托架的後方具備開放的開口部以能夠向所述導向管排放在半導體材料切割部產生的廢料，<br/> 在與所述開口部相鄰的兩側邊設有分隔部件，<br/> 在所述分隔部件中與所述導向管的上部相鄰的分隔部件具備向所述導向管的下部側向下傾斜的廢料導向部用於向所述導向管的下部引導所述廢料。
根據請求項1所述的廢料排放裝置，其中，<br/> 所述廢料收集部還具備：<br/> 廢料盒，收集所述廢料，在一側設有手柄；以及<br/> 支架，支承所述廢料盒的下端，形成有引導所述廢料盒的導向部，<br/> 所述廢料盒是從所述支架向上下方向分離以及安裝。
一種DCR氣體用吸光分析裝置，其中對由作為載氣的CO氣體與作為組分氣體的DCR（Ru<sub>3</sub>(CO)<sub>12</sub>）氣體構成的混合氣體中的DCR氣體的量進行測定，<br/> 該DCR氣體用吸光分析裝置具備：<br/> DCR用濾光器，其使包含該DCR氣體的吸收峰的第一波數範圍的光透過；<br/> CO用濾光器，其使處於該CO氣體的吸收波數範圍且與該第一波數範圍不同的第二波數範圍的光透過；以及<br/> DCR氣體量計算器，其基於第一吸光度和第二吸光度而計算出該DCR氣體的量，該第一吸光度是利用透過了該DCR用濾光器的光而測定的吸光度，該第二吸光度是利用透過了該CO用濾光器的光而測定的吸光度，<br/> 該DCR氣體量計算器具備：<br/> 干擾影響推定部，其基於該第二吸光度來推定該第一波數範圍中的作為該CO氣體的吸光度的干擾影響吸光度；<br/> 吸光度校正部，其從該第一吸光度減去該干擾影響吸光度，將該第一吸光度校正為該DCR氣體的吸光度；以及<br/> 換算部，其基於由該吸光度校正部校正後的該DCR氣體的吸光度，將其換算為混合氣體中所包括的該DCR氣體的量，<br/> 該第一波數範圍包含2067/cm的波數，該第二波數範圍包含2165/cm的波數。
如請求項1所述的DCR氣體用吸光分析裝置，其中該干擾影響推定部將該第二吸光度乘以預定的係數而計算出該干擾影響吸光度。
一種DCR氣體用吸光分析方法，其中對由作為載氣的CO氣體與作為組分氣體的DCR（Ru<sub>3</sub>(CO)<sub>12</sub>）氣體構成的混合氣體中的DCR氣體的量進行測定，<br/> 該DCR氣體用吸光分析方法具備：<br/> 以使包含該DCR氣體的吸收峰的第一波數範圍的光透過的方式設置DCR用濾光器的步驟；<br/> 以使處於該CO氣體的吸收波數範圍且與該第一波數範圍不同的第二波數範圍的光透過的方式設置CO用濾光器的步驟；以及<br/> 基於利用透過了該DCR用濾光器的光而測定的第一吸光度、以及利用透過了該CO用濾光器的光而測定的第二吸光度，計算出該DCR氣體的量的步驟，<br/> 在該DCR氣體的量的計算中包括：<br/> 基於該第二吸光度來推定該第一波數範圍中的作為該CO氣體的吸光度的干擾影響吸光度的步驟；<br/> 從該第一吸光度減去該干擾影響吸光度而將該第一吸光度校正為該DCR氣體的吸光度的步驟；以及<br/> 基於校正出的該DCR氣體的吸光度，將其換算為混合氣體中所包括的該DCR氣體的量的步驟，<br/> 該第一波數範圍包含2067/cm的波數，該第二波數範圍包含2165/cm的波數。
一種存儲有DCR氣體用吸光分析程序的程序存儲介質，其中存儲有用於DCR氣體用吸光分析裝置的DCR氣體用吸光分析程序，該DCR氣體用吸光分析裝置對由作為載氣的CO氣體與作為組分氣體的DCR（Ru<sub>3</sub>(CO)<sub>12</sub>）氣體構成的混合氣體中的DCR氣體的量進行測定，並且具備：DCR用濾光器，其使包含該DCR氣體的吸收峰的第一波數範圍的光透過；CO用濾光器，其使處於該CO氣體的吸收波數範圍且與該第一波數範圍不同的第二波數範圍的光透過，<br/> 該DCR氣體用吸光分析程序使計算機發揮作為DCR氣體量計算器的功能，該DCR氣體量計算器基於利用透過了該DCR用濾光器的光而測定的第一吸光度、以及利用透過了該CO用濾光器的光而測定的第二吸光度，計算出該DCR氣體的量，<br/> 該DCR氣體量計算器具備：<br/> 干擾影響推定部，其基於該第二吸光度來推定該第一波數範圍中的作為該CO氣體的吸光度的干擾影響吸光度；<br/> 吸光度校正部，其從該第一吸光度減去該干擾影響吸光度而將該第一吸光度校正為該DCR氣體的吸光度；以及<br/> 換算部，其基於由該吸光度校正部校正出的該DCR氣體的吸光度，將其換算為混合氣體中所包括的該DCR氣體的量，<br/> 該第一波數範圍包含2067/cm的波數，該第二波數範圍包含2165/cm的波數。
一種抗硬骨抑素構建體，包括特異性識別硬骨抑素的抗體部分，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分是來源於包含重鏈可變區（V<sub>H</sub>）和輕鏈可變區（V<sub>L</sub>）的抗硬骨抑素抗體的人源化抗體部分，其中： <br/>a）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 9的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 15的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>b）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 6的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 10的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 15的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>c）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 2的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 7的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 10的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 15的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>d）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 3的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 6的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 10的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 15的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>e）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 199的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 10的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 16的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>f）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 3的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 200的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 10的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 15的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>g）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 9的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 85的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3；或者 <br/>h）所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 9的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 86的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項1所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H</sub>包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 9的胺基酸序列的HC-CDR3；所述VL包括：包含SEQ ID NO: 85的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項1所述的抗硬骨抑素構建體，其中： <br/>a）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 22的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 23的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>b）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 24的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 25的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>c）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 26的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 27的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>d）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 28的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 29的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>e）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 30的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 31的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>f）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 32的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 33的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>g）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 34的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 35的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>h）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 36的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 37的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>i）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 38的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 39的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>j）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 87的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 88的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體； <br/>k）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 87的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 89的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；或者 <br/>l）所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 87的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 90的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體。
如請求項1所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 87的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 89的胺基酸序列，或包含具有至少約80%序列一致性的胺基酸序列的變體。
如請求項1或2所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分是一種抗體或其抗原結合片段，選自全長抗體、雙特異性抗體、單鏈Fv（scFv）片段、Fab片段、Fab'片段、F(ab')<sub>2</sub>、Fv片段、二硫鍵穩定性Fv片段（dsFv）、二硫鍵穩定性scFv（dsscFv）、(dsFv)<sub>2</sub>、Fv-Fc融合、scFv-Fc融合、scFv-Fv融合、diabody、tribody和tetrabody。
如請求項1或2所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗硬骨抑素構建體是包含Fc片段的全長抗體。
如請求項5所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分是scFv片段。
如請求項1或2所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述硬骨抑素是人硬骨抑素。
如請求項1所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗硬骨抑素構建體還包括第二部分，所述第二部分包括特異性識別抗原DKK1或抗原RANKL的第二抗體部分。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分包括第二重鏈可變區（V<sub>H-2</sub>）和輕鏈可變區（V<sub>L-2</sub>）。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述DKK1是人DKK1。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中，第二抗體部分與第三抗體部分競爭DKK1的結合表位，所述第三抗體部分包含第三重鏈可變區（V<sub>H-3</sub>）和第三輕鏈可變區（V<sub>L-3</sub>），其中： <br/>a）所述V<sub>H-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 42的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 43的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 44的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 45的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 46的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 47的胺基酸序列的LC-CDR3； <br/>b）所述V<sub>H-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 48的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 49的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 50的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 51的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 52的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 53的胺基酸序列的LC-CDR3；或者 <br/>c）所述V<sub>H-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 54的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 55的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 56的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 57的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 58的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 59的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項12所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 42的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 43的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 44的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 45的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 46的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 47的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項12所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 48的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 49的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 50的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 51的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 52的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 53的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項12所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 54的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 55的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 56的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 57的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 58的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 59的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗原是人RANKL。
如請求項16所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分與第三抗體部分競爭RANKL的結合表位，所述第三抗體部分包含第三重鏈可變區（V<sub>H-3</sub>）和第三輕鏈可變區（V<sub>L-3</sub>），其中所述V<sub>H-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 66的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 67的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 68的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-3</sub>包括：包含SEQ ID NO: 69的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 70的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 71的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項16所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 66的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 67的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 68的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 69的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 70的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 71的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分是全長抗體、Fab、Fab'、(Fab')<sub>2</sub>、Fv、單鏈Fv（scFv）片段、scFv-scFv、微型抗體、diabody或sdAb。
如請求項19所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分是包含兩條重鏈、兩條輕鏈和Fc片段的全長抗體，所述抗硬骨抑素抗體部分是包含與V<sub>L</sub>融合的V<sub>H</sub>的單鏈Fv（scFv）片段。
如請求項20所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分與所述全長抗體的一條或兩條重鏈融合。
如請求項20所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分與所述全長抗體的一條或兩條輕鏈融合。
如請求項21所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分與全長抗體的一條或兩條重鏈或輕鏈的N端融合。
如請求項21所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分與所述全長抗體的一條或兩條重鏈或輕鏈的C端融合。
如請求項21所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分通過第一連接子與所述全長抗體融合。
如請求項21所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分不通過連接子與所述全長抗體融合。
如請求項25所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第一連接子是選自SEQ ID NO: 74-84的GS連接子。
如請求項20所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H</sub>通過第二連接子與所述V<sub>L</sub>融合。
如請求項28所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述scFv片段從N端到C端包括：V<sub>H</sub>、第二連接子和V<sub>L</sub>。
如請求項28所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述scFv片段N端到C端包括：V<sub>L</sub>、第二連接子和V<sub>H</sub>以及可選的C端丙胺酸殘基。
如請求項28、29或30所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二連接子包含SEQ ID NO: 76或77的胺基酸序列。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分是包含V<sub>H-2</sub>和V<sub>L-2</sub>的scFv片段，所述特異性識別硬骨抑素的抗體部分是包含兩條重鏈、兩條輕鏈和Fc片段的全長抗體。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分與所述全長抗體的兩條重鏈融合。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二抗體部分與所述全長抗體的兩條輕鏈融合。
如請求項33或34所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗體部分與所述全長抗體的兩條重鏈或輕鏈的N端融合。
如請求項33或34所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗體部分與所述全長抗體的兩條重鏈或輕鏈的C端融合。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗體部分通過第一連接子與所述全長抗體融合。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述抗體部分不通過連接子與所述全長抗體融合。
如請求項37所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第一連接子是選自SEQ ID NO: 74-84的GS第一連接子。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>通過第二連接子與所述V<sub>L-2</sub>融合。
如請求項32所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H-2</sub>不通過連接子與所述V<sub>L-2</sub>融合。
如請求項40所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述scFv片段從N端到C端包括：V<sub>H-2</sub>、第二連接子和V<sub>L-2</sub>。
如請求項40所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述scFv片段從N端到C端包括：V<sub>L-2</sub>、第二連接子和V<sub>H-2</sub>，以及可選的C端丙胺酸殘基。
如請求項40、42或43所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二連接子包含SEQ ID NO: 76或77的胺基酸序列。
如請求項20所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述scFv是二硫鍵穩定性scFv（“dsscFv”）。
如請求項45所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述dsscFv包括：a）如SEQ ID NO: 60的編號的V<sub>H</sub>或V<sub>H-2</sub>中的G44C突變，和b）如SEQ ID NO: 61的編號的V<sub>L</sub>或V<sub>L-2</sub>中的G100C突變。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述分子包括： <br/>a）包含第一輕鏈的第一多肽，所述第一輕鏈從N端到C端包括：i）V<sub>L</sub>，ii）第一輕鏈恒定結構域（“第一CL結構域”）； <br/>b）包含第一重鏈的第二多肽，所述第一重鏈從N端到C端包括：i）V<sub>H</sub>，ii）第一重鏈恒定結構域（“第一CH1結構域”），和iii）第一Fc結構域； <br/>c）包含第二重鏈的第三多肽，所述第二重鏈從N端到C端包括：i）V<sub>H-2</sub>，ii）第二重鏈恒定結構域（“第二CH1結構域”），和iii）第二Fc結構域；以及 <br/>d）包含第二輕鏈的第四多肽，所述第二輕鏈從N端到C端包括：i）V<sub>L-2</sub>，ii）第二輕鏈恒定結構域（“第二CL結構域”）， <br/>其中第一Fc結構域和第二Fc結構域形成Fc片段。
如請求項47所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H</sub> 包括：包含SEQ ID NO: 1的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 5的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 9的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L</sub> 包括：包含SEQ ID NO: 85的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 18的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 20的胺基酸序列的LC-CDR3, 所述V<sub>H-2</sub>包括：包含SEQ ID NO: 42的胺基酸序列的HC-CDR1、包含SEQ ID NO: 43的胺基酸序列的HC-CDR2和包含SEQ ID NO: 44的胺基酸序列的HC-CDR3；所述V<sub>L-2</sub> 包括：包含SEQ ID NO: 45的胺基酸序列的LC-CDR1、包含SEQ ID NO: 46的胺基酸序列的LC-CDR2和包含SEQ ID NO: 47的胺基酸序列的LC-CDR3。
如請求項47所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述V<sub>H</sub>包括SEQ ID NO: 87的胺基酸序列；所述V<sub>L</sub>包括SEQ ID NO: 89的胺基酸序列, 所述V<sub>H-2</sub>包括 SEQ ID NO: 60的胺基酸序列；所述V<sub>L-2</sub>包括SEQ ID NO: 61的胺基酸序列。
如請求項47所述的抗硬骨抑素構建體，其中第一Fc結構域和第二Fc結構域中的一個包含T366W突變和可選的S354C突變，另一個Fc結構域包括T366S突變、L368A突變、Y407V突變和可選的Y349C突變，其中編號基於EU索引。
如請求項47所述的抗硬骨抑素構建體，其中：i）第一CH1結構域和第一CL結構域，或ii）第二CH1結構域和第二CL結構域均選自： <br/>a）CH1結構域，其中141位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中116位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>b）CH1結構域，其中168位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中164位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>c）CH1結構域，其中126位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中121位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>d）CH1結構域，其中128位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中118位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>e）CH1結構域，其中170位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換非為半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中176位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>f）CH1結構域，其中171位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中162位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>g）CH1結構域，其中173位元的胺基酸置換為半胱胺酸，131位元或220位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸；以及CL結構域，其中160位元的胺基酸置換為半胱胺酸，214位元的半胱胺酸置換為非半胱胺酸胺基酸； <br/>其中編號基於EU索引。
如請求項47-51中任一項所述的抗硬骨抑素構建體，其中： <br/>a) 第一重鏈之 Fc 域包含 S228P、T366S、L368A、Y407V、H435R 及 Y436F 之突變； <br/>b) 第二重鏈之 CH1 域包含 C131S 與 V173C 之突變； <br/>c) 第二重鏈之 Fc 域包含 S228P 與 T366W 之突變；以及 <br/>d) 第二輕鏈之 CL 域包含 Q160C 與 C214S 之突變； <br/>其中編號基於EU索引。
如請求項47-51中任一項所述的抗硬骨抑素構建體，其中： <br/>a) 第一重鏈之 Fc 域包含 S228P、T366S、L368A、Y407V、H435R 及 Y436F 之突變； <br/>b) 第二重鏈之 CH1 域包含 C131S 與 L128C 之突變； <br/>c) 第二重鏈之 Fc 域包含 S228P 與 T366W 之突變；以及 <br/>d) 第二輕鏈之 CL 域包含F118C 與 C214S 之突變； <br/>其中編號基於EU索引。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二部分包括半衰期延長部分，所述半衰期延長部分是Fc片段。
如請求項54所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述Fc片段選自IgG、IgA、IgD、IgE、IgM的Fc片段及其組合和雜交中的一種。
如請求項55所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述Fc片段選自IgG1、IgG2、IgG3、IgG4的Fc片段及其組合和雜交中的一種。
如請求項55所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述Fc片段包括H435R突變和Y436F突變。
如請求項55所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述Fc片段具有與相應野生型Fc片段相比增強的效應子功能。
如請求項55所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述Fc片段具有： <br/>a）與相應野生型Fc片段相比增強的效應子功能，以及/或者 <br/>b）與相應野生型Fc片段相比增強的FcRn結合親和力。
如請求項9所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述分子是抗體藥物偶聯物或抗體融合蛋白。
如請求項60所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述第二部分包含藥劑，選自甲狀旁腺激素（PTH）、選擇性雌激素受體調節劑（SERM）、雙膦酸鹽、前列腺素E（PGE）受體激動劑、VEGF、TGFβ、生長因數（肌生長抑制素）、降鈣素及其組合中的一種或幾種。
如請求項61所述的抗硬骨抑素構建體，其中所述生長因數包含VEGF、TGFβ、肌生長抑制素及其組合中的一種或幾種。
一種藥物組合物，包括請求項1-62中任一項所述的抗硬骨抑素構建體和藥學上可接受的載體。
如請求項63所述的藥物組合物，其中所述組合物還包含藥劑，選自甲狀旁腺激素（PTH）、選擇性雌激素受體調節劑（SERM）、生長因數、降鈣素及其組合中的一種或幾種。
如請求項64所述的藥物組合物，其中所述生長因數包含VEGF、TGFβ、肌生長抑制素及其組合中的一種或幾種。
一種分離的核酸分子，編碼請求項1-62中任一項所述的抗硬骨抑素構建體。
一種載體，包括請求項66所述的分離的核酸分子。
一種分離宿主細胞，包括請求項66所述的分離的核酸分子或請求項67所述的載體。
一種製備抗硬骨抑素構建體的方法，包括： <br/>a）在有效表達抗硬骨抑素構建體或其一部分的條件下培養請求項68所述的分離宿主細胞；以及 <br/>b）從宿主細胞獲得表達的抗硬骨抑素構建體或其一部分。
一種使用有效量的請求項1-62中任一項所述的抗硬骨抑素構建體和/或請求項63、64或65所述的藥物組合物於製造供治療和/或預防個體的疾病或病症藥物的用途， <br/>其中所述疾病或病症是骨相關疾病或軟骨相關病症、骨髓或血液學疾病、骨骼肌肉系統罕見病、肌肉相關疾病或癌症。
如請求項70所述的用途，其中所述骨相關疾病包括成骨不全、骨質疏鬆症或骨質減少症（男性和/或女性）、骨壞死、骨延遲癒合、骨折不癒合、多發性骨髓瘤、多發性骨髓瘤相關骨病症、原發性骨腫瘤、惡性腫瘤的骨轉移、炎性或感染性骨病、骨軟化症、高鈣血症、佩吉特病、不活動引起的骨丟失、糖皮質激素誘導的骨丟失、炎症性骨丟失，包括關節炎誘導的骨丟失、宇航員骨質疏鬆症/骨質減少症和失重引起的骨丟失，或者與a）骨量或骨質丟失或兩者丟失和/或b）骨結構和骨質異常相關的其他疾病或病症。
如請求項71所述的用途，其中所述骨相關疾病是指骨質疏鬆症或骨質減少症。
如請求項71所述的用途，其中所述骨相關疾病是指成骨不全。
如請求項71所述的用途，其中所述骨相關疾病是指多發性骨髓瘤和多發性骨髓瘤相關骨病症。
如請求項70所述的用途，其中所述軟骨相關病症包括軟骨瘤病、軟骨發育不良、軟骨發育不全、骨骺發育不良、軟骨營養不良性肌強直、皮質旁軟骨瘤、膝關節軟骨撕裂、骨纖維發育不良、骨關節炎、成骨不全、低磷酸鹽性佝僂病或骨軟骨營養不良。
如請求項70所述的用途，其中所述肌肉相關疾病是指肌肉減少症和癌症相關的肌肉減少症。
一種使用有效量的請求項1-62中任一項所述的抗硬骨抑素構建體和/或請求項63、64或65所述的藥物組合物於製造供促進個體骨骼或關節手術後癒合藥物的用途。
如請求項70-77中任一項所述的用途，其中製造所述藥物還包括使用第二種藥物，所述第二種藥物包括抗DKK1抗體或抗RANKL抗體。
如請求項78所述的用途，其中所述第二種藥物或療法包含藥劑，選自甲狀旁腺激素（PTH）、選擇性雌激素受體調節劑（SERM）、雙膦酸鹽、前列腺素E（PGE）受體激動劑、生長因數和降鈣素中的一種。
如請求項79所述的用途，其中所述生長因數包含VEGF、TGFβ、肌生長抑制素及其組合中的一種或幾種。
如請求項70-79中任一項所述的用途，其中所述個體是指人。
一種時鐘恢復電路，其包含： <br/>一數據限幅器，係配置以基於一輸入訊號輸出多個輸出數據值； <br/>一第一誤差塊； <br/>一相位調整迴路，其包含： <br/>一第一誤差限幅器，係配置以基於一閾值電壓和一輸入電壓的一比較產生一第一誤差訊號，其中該第一誤差塊係配置以接收該第一誤差訊號及該多個輸出數據值，而檢測並響應於該多個輸出數據值中的一第一模式選擇性地輸出該第一誤差訊號； <br/>一第二誤差塊，係配置以接收該第一誤差訊號及該多個輸出數據值，而檢測並響應於該多個輸出數據值中的一第二模式選擇性地輸出該第一誤差訊號；及 <br/>一電壓閾值修改電路，係配置以基於該第二誤差塊的輸出來調整該閾值電壓； <br/>一壓控振盪器，其中該數據限幅器和該第一誤差限幅器係基於該壓控振盪器的一輸出來計時；及 <br/>一迴路濾波器，係配置以基於該第一誤差塊的輸出來控制該壓控振盪器的一頻率； <br/>其中該第一誤差限幅器的該輸入電壓是該壓控振盪器的該輸出。
如請求項1所述的時鐘恢復電路，其中該第一誤差訊號為一正值以響應於該輸入電壓大於該閾值電壓，或其中該第一誤差訊號為一負值以響應於該輸入電壓相等或小於該閾值電壓。
如請求項2所述的時鐘恢復電路，其中該電壓閾值修改電路包含一狀態機，該狀態機係配置以響應於該第一誤差限幅器的該輸入電壓大於該閾值電壓而選擇性地增加該閾值電壓。
如請求項1所述的時鐘恢復電路，其中該閾值電壓是最初基於該輸入訊號的一峰值而設置的。
如請求項1所述的時鐘恢復電路，其中該第一模式和該第二模式是不同的模式。
如請求項5所述的時鐘恢復電路，其中該第一模式和該第二模式各包含3位元的該輸出數據值。
如請求項1所述的時鐘恢復電路，其中該迴路濾波器是一低通濾波器，該低通濾波器係配置以從一輸出訊號中濾除雜訊。
如請求項1所述的時鐘恢復電路，其中該相位調整迴路進一步包含一第二誤差限幅器，該第二誤差限幅器係配置以基於該閾值電壓的一負值與該輸入電壓的比較來產生一第二誤差訊號。
如請求項8所述的時鐘恢復電路，其中該第一誤差塊進一步配置以響應於該多個輸出數據值中的一第三模式選擇性地輸出一反相的第二誤差訊號，其中該第三模式是該第一模式的一補數。
如請求項9所述的時鐘恢復電路，其中該第二誤差塊進一步配置以響應於該多個輸出數據值中的一第四模式選擇性地輸出該第二誤差訊號，其中該第四模式是該第二模式的一補數。
一種時鐘恢復方法，其包含： <br/>通過一數據限幅器根據一輸入訊號產生多個輸出數據值； <br/>通過一第一誤差限幅器基於一閾值電壓與一輸入電壓的一比較產生一第一誤差訊號； <br/>通過一第一誤差塊接收該第一誤差訊號及該多個輸出數據值，而檢測並響應於該多個輸出數據值中的一第一模式以選擇性地輸出該第一誤差訊號； <br/>通過一第二誤差塊接收該第一誤差訊號及該多個輸出數據值，而檢測並響應於該多個輸出數據值中的一第二模式以選擇性地輸出該第一誤差訊號； <br/>基於該第二誤差塊的輸出，通過一電壓閾值修改電路調整該閾值電壓； <br/>通過一壓控振盪器對該數據限幅器和該第一誤差限幅器進行計時；及 <br/>基於該第一誤差塊的輸出，通過一迴路濾波器控制該壓控振盪器的一頻率； <br/>其中該第一誤差限幅器的該輸入電壓是該壓控振盪器的一輸出。
如請求項11所述的方法，其中該第一誤差訊號是響應於該輸入電壓大於該閾值電壓的一正值，或其中該第一誤差訊號是響應於該輸入電壓等於或小於該閾值電壓的一負值。
如請求項12所述的方法，其中該調整該閾值電壓包含響應於該第一誤差限幅器的該輸入電壓大於該閾值電壓而選擇性地增加該閾值電壓。
如請求項11所述的方法，其進一步包含最初基於該輸入訊號的一峰值設置該閾值電壓。
如請求項11所述的方法，其中該第一模式和該第二模式各包含3位元的該多個輸出數據值。
如請求項11所述的方法，其進一步包含通過一第二誤差限幅器基於對該閾值電壓的一負值與該輸入訊號的一比較來生成一第二誤差訊號。
如請求項16所述的方法，其進一步包含響應於該多個輸出數據值中的一第三模式，通過該第一誤差塊選擇性地輸出一反相的第二誤差訊號，其中該第三模式是該第一模式的補數。
如請求項17所述的方法，其進一步包含由該第二誤差塊響應於該多個輸出數據值中的一第四模式選擇性地輸出該第二誤差訊號，其中該第四模式是該第二模式的一補數。
一種上部電極組件，使用於電漿處理裝置中，包含： <br/>電極板； <br/>金屬板；以及 <br/>傳熱片，配置在該電極板與該金屬板之間，具有垂直定向部分，且該垂直定向部分具有沿著垂直方向定向的複數個垂直定向石墨烯構造； <br/>該金屬板，於內部具有：至少1個冷媒流通管路、至少1個氣體擴散空間、以及至少1個加熱模組； <br/>該至少1個加熱模組，係配置成與該至少1個冷媒流通管路在縱方向上不重疊。
如請求項1之上部電極組件，其中， <br/>該垂直定向部分，具有沿著垂直方向定向的複數個垂直定向奈米碳管，且該複數個垂直定向奈米碳管，各自具有該複數個垂直定向石墨烯構造。
如請求項1之上部電極組件，其中， <br/>該垂直定向部分，具有沿著水平方向堆疊的複數個垂直定向石墨片，且該複數個垂直定向石墨片，各自具有該複數個垂直定向石墨烯構造。
如請求項1至3中任一項之上部電極組件，其中， <br/>該傳熱片，具有水平定向部分，該水平定向部分具有沿著水平方向定向的複數個水平定向石墨烯構造； <br/>該垂直定向部分與該水平定向部分，沿著垂直方向堆疊。
如請求項1至3中任一項之上部電極組件，其中， <br/>該傳熱片包含水平定向部分，該水平定向部分具有沿著水平方向定向的複數個水平定向石墨烯構造； <br/>該垂直定向部分與該水平定向部分，係沿著水平方向配置。
如請求項4之上部電極組件，其中， <br/>該水平定向部分，具有沿著水平方向定向的複數個水平定向奈米碳管，且該複數個水平定向奈米碳管，各自具有該複數個水平定向石墨烯構造。
如請求項4之上部電極組件，其中， <br/>該水平定向部分，具有沿著垂直方向堆疊的複數個水平定向石墨片，且該複數個水平定向石墨片，各自具有該複數個水平定向石墨烯構造。
一種上部電極組件，使用於電漿處理裝置中，包含： <br/>電極板； <br/>金屬板； <br/>傳熱片，配置在該電極板與該金屬板之間，具有垂直定向部分，且該垂直定向部分具有沿著垂直方向定向的複數個垂直定向石墨烯構造； <br/>另一金屬板；以及 <br/>另一傳熱片，其配置在該金屬板與該另一金屬板之間，具有另一垂直定向部分，且該另一垂直定向部分，具有沿著垂直方向定向的複數個另一垂直定向石墨烯構造； <br/>該金屬板，於內部具有至少1個氣體擴散空間； <br/>該另一金屬板，於內部具有至少1個冷媒流通管路； <br/>該金屬板或該另一金屬板的其中至少任一方，於內部具有至少1個加熱模組。
如請求項8之上部電極組件，其中， <br/>該至少1個加熱模組，係配置成與該至少1個冷媒流通管路在縱方向上不重疊。
如請求項8或9之上部電極組件，其中， <br/>該另一傳熱片，具有另一水平定向部分，該另一水平定向部分具有沿著水平方向定向的複數個另一水平定向石墨烯構造； <br/>該另一垂直定向部分與該另一水平定向部分，係沿著垂直方向堆疊。
如請求項8或9之上部電極組件，其中， <br/>該另一傳熱片，具有另一水平定向部分，該另一水平定向部分具有沿著水平方向定向的複數個另一水平定向石墨烯構造； <br/>該另一垂直定向部分與該另一水平定向部分，係沿著水平方向配置。
如請求項10之上部電極組件，其中， <br/>該另一水平定向部分，具有沿著水平方向定向的複數個另一水平定向奈米碳管，且該複數個另一水平定向奈米碳管，各自具有該複數個另一水平定向石墨烯構造。
如請求項10之上部電極組件，其中， <br/>該另一水平定向部分，具有沿著垂直方向堆疊的複數個另一水平定向石墨片，且該複數個另一水平定向石墨片，各自具有該複數個另一水平定向石墨烯構造。
一種熱處理設備，包括：<br/>一豎長的製程腔室；<br/>一加熱器，配置成加熱該製程腔室；以及<br/>一冷卻器，配置成冷卻該製程腔室，其中該冷卻器包括：<br/>複數排放孔，該複數排放孔沿該製程腔室的一縱向間隔式設置，以將冷卻流體朝向該製程腔室排放；以及<br/>複數擋片，該複數擋片設置成對應於該複數排放孔，且<br/>其中，該複數擋片中位於一頂部處的至少一擋片係配置成獨立於其他擋片移動至一打開位置。
如請求項1之熱處理設備，其中該加熱器包括沿該製程腔室的該縱向間隔式設置的複數加熱元件。
如請求項2之熱處理設備，其中該複數擋片的每一者設置成具有該複數加熱元件中一對應的加熱元件。
如請求項1至3任一項之熱處理設備，其中該複數擋片的每一者包括一狹縫，該冷卻流體穿過該狹縫。
一種熱處理設備，包括：<br/>一豎長的製程腔室；<br/>一加熱器，配置成加熱該製程腔室；以及<br/>一冷卻器，配置成冷卻該製程腔室，<br/>其中該冷卻器包括：<br/>複數排放孔，該複數排放孔沿該製程腔室的一縱向間隔式設置，以將冷卻流體朝向該製程腔室排放；以及<br/>複數擋片，該複數擋片設置成對應於該複數排放孔，且<br/>其中該複數擋片的每一者配置成獨立於其他擋片移動到一打開位置。
如請求項1或5之熱處理設備，其中該複數擋片的每一者配置成用於該複數排放孔的一對應的排放孔。
如請求項1或5之熱處理設備，其中該冷卻器包括複數打開調節閥，該複數打開調節閥的每一者設置成用於該複數排放孔的一對應的排放孔。
如請求項1或5之熱處理設備，其中該冷卻器包括一吹送機，該吹送機配置成將該冷卻流體傳送至該複數排放孔的每一者。
如請求項1或5之熱處理設備，其中該冷卻器包括一排熱埠，該排熱埠配置成將從該複數排放孔排放的該冷卻流體從位於一頂部處的一排放孔上方排放。
如請求項1或5之熱處理設備，其中該製程腔室沿一縱向間隔式容納複數基板。
一種如請求項1至10任一項之熱處理設備的熱處理方法，該熱處理方法包括：<br/>於以下狀態下在該製程腔室中執行一熱處理：該複數擋片中位於一頂部處的至少一擋片被移動至一打開位置，且該複數擋片的其他者被移動到一閉合位置。
一種在一基板的一表面上形成一氮化矽層之方法，該方法包括下列步驟：<br/> 提供該基板於一反應室內；<br/> 形成覆蓋於該基板之一沉積氮化矽層，其中形成該沉積氮化矽層之步驟包括：<br/> 提供一矽前驅物至該反應室進行一矽前驅物脈衝時段；<br/> 提供一氮反應物至該反應室進行一氮反應物脈衝時段；及<br/> 施加具有一第一頻率的一沉積電漿功率進行一第一電漿功率時段 ，以形成來自該氮反應物之激發態形式，進而形成該沉積氮化矽層；以及<br/> 透過施加具有第二頻率的一處理電漿功率之一處理電漿以處理該沉積氮化矽層而進行一處理電漿功率時段，<br/> 其中該氮反應物係在形成該沉積氮化矽層及處理該沉積氮化矽層的期間被提供至該反應室。
如請求項1之方法，其中該第一頻率及該第二頻率係約相同。
如請求項1之方法，其中該第一頻率係高於該第二頻率。
如請求項1之方法，其中該第一頻率係介於約13MHz與約14MHz，或約26MHz與約28MHz之間。
如請求項1之方法，其中該第二頻率係介於約300kHz與約500kHz之間。
如請求項1之方法，其中形成該沉積氮化矽層更包括重複進行提供該矽前驅物、提供該氮反應物、及施加該沉積電漿功率之步驟一次或多次，且其中在形成該沉積氮化矽層之後執行處理該沉積氮化矽層。
如請求項6之方法，其中重複進行形成該沉積氮化矽層及處理該沉積氮化矽層一次或多次。
如請求項1之方法，其中該矽前驅物脈衝時段與該第一電漿功率時段及該處理電漿功率時段中的一或多者不相互重疊。
如請求項1至8中任一項之方法，其更包含提供一氫反應物至該反應室的一步驟，其中該氫反應物包括氫氣(H<sub>2</sub>)或烴。
如請求項9之方法，其中該氫反應物係在形成該沉積氮化矽層之步驟的期間被持續提供至該反應室。
如請求項9之方法，其中在處理該沉積氮化矽層的步驟之期間，該氫反應物並未被提供至該反應室。
如請求項1至8中任一項之方法，其中在形成該沉積氮化矽層的期間將該基板加熱至介於約50℃與約300℃之間的一溫度。
如請求項1至8中任一項之方法，其中該氮化矽層填充該基板之一表面上所形成的一凹槽。
如請求項1至8中任一項之方法，其中該矽前驅物包含胺基矽烷、鹵化矽烷、單矽烷及二矽烷中的一或多者。
如請求項1至8中任一項之方法，其中該氮反應物包括氮氣(N<sub>2</sub>)與NH<sub>3</sub>中的一或多者。
如請求項9之方法，其中該氫反應物包括氫氣(H<sub>2</sub>)。
如請求項1至8中任一項之方法，其中該第一電漿功率時段與該處理電漿功率時段在時間上或在空間上不相互重疊。
如請求項1至8中任一項之方法，其中處理該沉積氮化矽層的步驟包括使用具有該第二頻率及一第三頻率之該處理電漿功率。
如請求項18之方法，其中該第一頻率及該第三頻率係大約相同。
一種裝置結構，其係根據如請求項1至19中任一項之方法所形成。
一種在一基板的一表面上形成一氮化矽層之系統，其包括：<br/> 一反應室；<br/> 一矽前驅物源管線；<br/> 一反應物源管線；<br/> 一電漿功率源，其具有一第一頻率及一第二頻率；<br/> 一排氣源；以及<br/> 一控制器，<br/> 其中該控制器係被配置以：<br/> 控制一矽前驅物及一氮反應物進入該反應室之氣體流動；<br/> 於一第一電漿功率時段施加具有該第一頻率之一沉積電漿功率，以形成來自該氮反應物之激發態形式；及<br/> 於一第二電漿功率時段施加具有一處理電漿功率和該第二頻率之一處理電漿，<br/> 其中該氮反應物係在施加該沉積電漿功率及施加該處理電漿功率之步驟的期間流動至該反應室。
一種半導體晶片，包括： <br/>基板，包括裝置區及邊緣區； <br/>裝置層與配線層，依序堆疊於所述基板上； <br/>輔助圖案，在所述邊緣區上的所述配線層上； <br/>第一頂蓋層，覆蓋所述輔助圖案的側壁、所述配線層的頂表面及所述配線層的側壁，所述第一頂蓋層包括上部外側壁及下部外側壁，所述下部外側壁與所述上部外側壁偏置開；以及 <br/>埋入式介電圖案，與所述第一頂蓋層的所述下部外側壁接觸且與所述第一頂蓋層的所述上部外側壁間隔開，其中所述埋入式介電圖案的頂表面與所述上部外側壁的底端的頂表面共平面。
如請求項1所述的半導體晶片，其中： <br/>所述配線層包括依序堆疊的下部介電堆疊與上部介電堆疊， <br/>所述下部介電堆疊包括下部介電層， <br/>所述上部介電堆疊包括上部介電層， <br/>各所述下部介電層包含具有較氧化矽的介電常數小的介電常數的介電材料，且 <br/>各所述上部介電層包括具有較各所述下部介電層中包含的所述介電材料的所述介電常數大的介電常數的介電材料。
如請求項2所述的半導體晶片，其中： <br/>所述下部介電堆疊包括： <br/>主下部介電堆疊，覆蓋所述裝置區及所述邊緣區的與所述裝置區相鄰的一部分；以及 <br/>邊緣下部介電堆疊，在所述邊緣區上且與所述主下部介電堆疊間隔開，且 <br/>所述上部介電堆疊包括： <br/>主上部介電堆疊，在所述主下部介電堆疊上；以及 <br/>邊緣上部介電堆疊，在所述邊緣下部介電堆疊上且與所述主上部介電堆疊間隔開。
如請求項3所述的半導體晶片，更包括在所述邊緣區上的在所述主下部介電堆疊中的防護環結構， <br/>其中，當在平面圖中觀察時，所述防護環結構環繞所述裝置區。
如請求項3所述的半導體晶片，更包括在所述主下部介電堆疊與所述邊緣下部介電堆疊之間以及在所述主上部介電堆疊與所述邊緣上部介電堆疊之間的分隔介電圖案， <br/>其中所述分隔介電圖案包含具有較各所述下部介電層中包含的所述介電材料的所述介電常數大的介電常數的介電材料。
如請求項1所述的半導體晶片，其中所述第一頂蓋層包含具有較所述埋入式介電圖案中包含的材料的密度大的密度的材料。
一種半導體晶片，包括： <br/>基板，包括裝置區及邊緣區； <br/>裝置層與配線層，依序堆疊於所述基板上； <br/>分隔介電圖案，在與所述裝置區和所述邊緣區之間的邊界相鄰的同時穿過所述配線層； <br/>輔助圖案，在所述邊緣區上的所述配線層上； <br/>接墊圖案，在所述裝置區上的所述配線層上； <br/>鈍化層，覆蓋所述接墊圖案及所述輔助圖案； <br/>第一頂蓋層，覆蓋所述輔助圖案的側壁及所述配線層的側壁；以及 <br/>埋入式介電圖案，與所述第一頂蓋層的下部外側壁接觸， <br/>其中： <br/>所述埋入式介電圖案的頂表面形成自所述鈍化層的頂表面延伸的階狀區， <br/>所述配線層包括依序堆疊的下部介電堆疊與上部介電堆疊， <br/>所述下部介電堆疊中包含的介電材料具有較所述上部介電堆疊中包含的介電材料的介電常數小的介電常數， <br/>所述輔助圖案包括測試圖案或對準標記，且 <br/>所述第一頂蓋層的密度大於所述埋入式介電圖案的密度。
如請求項7所述的半導體晶片，更包括在所述分隔介電圖案與所述配線層之間以及在所述分隔介電圖案與所述裝置層之間的第二頂蓋層， <br/>其中所述第二頂蓋層包含與所述第一頂蓋層的材料相同的材料且具有與所述第一頂蓋層的厚度相同的厚度。
一種半導體封裝，包括： <br/>第一半導體晶片； <br/>第二半導體晶片，堆疊於所述第一半導體晶片上；以及 <br/>模具層，覆蓋所述第二半導體晶片的側向表面及所述第一半導體晶片的頂表面， <br/>其中： <br/>所述第二半導體晶片中的每一者包括第二基板及在所述第二基板下方的電路結構， <br/>所述第二基板包括裝置區及環繞所述裝置區的邊緣區， <br/>所述電路結構包括： <br/>裝置層與配線層，依序堆疊於所述第二基板下方； <br/>輔助圖案，在所述邊緣區上的所述配線層下方； <br/>接墊圖案，在所述裝置區上的所述配線層下方； <br/>鈍化層，覆蓋所述接墊圖案的底表面及所述輔助圖案的底表面； <br/>第一頂蓋層，覆蓋所述輔助圖案的側壁及所述配線層的側壁；以及 <br/>埋入式介電圖案，與所述第一頂蓋層的上部外側壁接觸， <br/>所述埋入式介電圖案的底表面形成自所述鈍化層的底表面延伸的階狀區，且 <br/>所述模具層對所述階狀區進行填充。
一種切割裝置（1），其用於在一封閉膠囊（2）之容器上形成至少一個連接帶（27、28）以使該膠囊（2）在打開之後保持附接至容器，該切割裝置（1）包含經建構以對該膠囊（2）執行至少一個切割之至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）；在執行具有一切割開始及一切割結束之該至少一個切割期間，該膠囊（2）在該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）上滾動，以形成該至少一個連接帶（27、28）的至少一部分；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）具備一膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''），在該膠囊入口處該膠囊（2）與該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）相遇以開始該至少一個切割，且具備一膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''），在該膠囊出口處該膠囊（2）離開該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）以結束該至少一個切割；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）包括至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''），該至少一個過渡切割部分配置於該膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''）上及/或該膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''）上以在該切割開始處及/或該切割結束處形成至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）；該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''）相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之一剩餘部分向後配置，以便相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之該剩餘部分較少穿透該膠囊（2）之一厚度，以降低應力集中且防止在該至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）中之引發一斷裂，其特徵在於，該至少一個過渡切割部分（32'）相對於該至少一個切割邊緣（31'）之該剩餘部分縮回以提供在該至少一個過渡切割部分（32'）與該至少一個切割邊緣（31'）之該剩餘部分之間的一步階。
如請求項1之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''）鄰接於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之該剩餘部分，由此該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）連續執行該至少一個切割。
如請求項1或2之切割裝置（1），其包含一分層結構，其中至少兩個板體（30、30'、30''、30'''）堆疊於彼此頂部上以形成切割邊緣之一配置，該等切割邊緣經建構以切割該膠囊（2）以形成該至少一個帶（27、28）。
如請求項1之切割裝置，其中該至少一個切割邊緣（31、31'、31''）之該剩餘部分之一橫截面等於該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''）之一橫截面，該等橫截面位於垂直於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''）之剖切平面上。
如請求項1之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32）相對於該切割邊緣（31）之該剩餘部分傾斜，使得該過渡切割部分（32）與該至少一個切割邊緣（31）之該剩餘部分之間的一角度（α）為鈍角；該至少一個過渡切割部分（32）包含一直線部分。
如請求項1之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32''）接合至該至少一個切割邊緣（31''）之該剩餘部分，該至少一個過渡切割部分（32''）為彎曲的；該至少一個切割過渡部分（32''）尤其包含一圓周弧形。
如請求項1之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32'）包含一筆直部分。
如請求項1或2之切割裝置（1），其進一步包含用於對該膠囊（2）執行一另外切割之至少一個另外切割邊緣（35'），該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）藉由一非切割凹槽（34'）與該至少一個另外切割邊緣（35'）間隔開，使得該至少一個切割不同於該另外切割。
如請求項8之切割裝置（1），其包含由一另外凹槽（34''、34'''）分隔開以形成該至少一個帶（27、28）之兩個尖頭形末端區（24a、24b）的兩個過渡切割部分（32''、32'''）。
如請求項1之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''）及該切割邊緣（31、31'、31''）之該剩餘部分位於一個相同平面上。
一種切割裝置（1），其用於在一封閉膠囊（2）之容器上形成至少一個連接帶（27、28）以使該膠囊（2）在打開之後保持附接至容器，該切割裝置（1）包含經建構以對該膠囊（2）執行至少一個切割之至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）；在執行具有一切割開始及一切割結束之該至少一個切割期間，該膠囊（2）在該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）上滾動，以形成該至少一個連接帶（27、28）的至少一部分；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）具備一膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''），在該膠囊入口處該膠囊（2）與該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）相遇以開始該至少一個切割，且具備一膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''），在該膠囊出口處該膠囊（2）離開該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）以結束該至少一個切割；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）包括至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''），該至少一個過渡切割部分配置於該膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''）上及/或該膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''）上以在該切割開始處及/或該切割結束處形成至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）；該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''）相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之一剩餘部分向後配置，以便相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之該剩餘部分較少穿透該膠囊（2）之一厚度，以降低應力集中且防止在該至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）中引發一斷裂； <br/>其中該至少一個過渡切割部分（32'''）為圓形的，該至少一個過渡切割部分（32'''）包含經建構以在該切割開始及/或該切割結束處切割該膠囊（2）之至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''），該至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''）在橫切於該至少一個切割邊緣（31'''）之中間平面（M'''）之至少一個方向上彎曲，沿著該中間平面執行該至少一個切割，尤其該至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''）為錐形的。
如請求項11之切割裝置（1），其中該錐形之峰端（H）在該至少一個切割邊緣（31'''）之該剩餘部分處獲得。
如請求項11或12之切割裝置（1），其中提供經建構以將該至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''）連接至該至少一個切割邊緣（31'''）之一基底的至少一個基底表面（32c'''、32d'''）；且其中該至少一個切割邊緣（31'''）在一板體（30'''）之一周邊邊緣上獲得，該板體（30'''）具備彼此相對之一上部面（30c'''）及一下部面（30d'''）；且其中至少一個上部基底表面（32c'''）將該至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''）連接至該上部面（30c'''），且至少一個下部基底表面（32d'''）將該至少一個彎曲表面（32a'''、32b'''）連接至該下部面（30d'''）。
如請求項11之切割裝置（1），其中該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''）鄰接於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之該剩餘部分，由此該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）連續執行該至少一個切割；及/或其中該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''）及該切割邊緣（31、31'、31''）之該剩餘部分位於一個相同平面上。
如請求項11之切割裝置（1），其包含一分層結構，其中至少兩個板體（30、30'、30''、30'''）堆疊於彼此頂部上以形成切割邊緣之一配置，該等切割邊緣經建構以切割該膠囊（2）以形成該至少一個帶（27、28）。
一種切割裝置（1），其用於在一封閉膠囊（2）之容器上形成至少一個連接帶（27、28）以使該膠囊（2）在打開之後保持附接至容器，該切割裝置（1）包含經建構以對該膠囊（2）執行至少一個切割之至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）；在執行具有一切割開始及一切割結束之該至少一個切割期間，該膠囊（2）在該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）上滾動，以形成該至少一個連接帶（27、28）的至少一部分；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）具備一膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''），在該膠囊入口處該膠囊（2）與該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）相遇以開始該至少一個切割，且具備一膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''），在該膠囊出口處該膠囊（2）離開該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）以結束該至少一個切割；該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）包括至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''），該至少一個過渡切割部分配置於該膠囊入口（30a、30a'、30a''、30a'''）上及/或該膠囊出口（30b、30b'、30b''、30b'''）上以在該切割開始處及/或該切割結束處形成至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）；該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''、32'''）相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之一剩餘部分向後配置，以便相對於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''、31'''）之該剩餘部分較少穿透該膠囊（2）之一厚度，以降低應力集中且防止在該至少一個尖頭形末端區（24a、24b、24c、24d）中引發一斷裂； <br/>其中該至少一個切割邊緣（31、31'、31''）之該剩餘部分之一橫截面等於該至少一個過渡切割部分（32、32'、32''）之一橫截面，該等橫截面位於垂直於該至少一個切割邊緣（31、31'、31''）之剖切平面上；及/或其中該至少一個過渡切割部分（32）相對於該切割邊緣（31）之該剩餘部分傾斜，使得該過渡切割部分（32）與該至少一個切割邊緣（31）之該剩餘部分之間的一角度（α）為鈍角；該至少一個過渡切割部分（32）包含一直線部分；及/或其中該至少一個過渡切割部分（32''）接合至該至少一個切割邊緣（31''）之該剩餘部分，該至少一個過渡切割部分（32''）為彎曲的；該至少一個切割過渡部分（32''）尤其包含一圓周弧形；及/或其中該至少一個過渡切割部分（32'）相對於該至少一個切割邊緣（31'）之該剩餘部分縮回以提供在該至少一個過渡切割部分（32'）與該至少一個切割邊緣（31'）之該剩餘部分之間的一步階，該至少一個過渡切割部分（32'）包含一筆直部分。
如請求項11之切割裝置（1），其進一步包含用於對該膠囊（2）執行一另外切割之至少一個另外切割邊緣（35'），該至少一個切割邊緣（31、31'、31''）藉由一非切割凹槽（34'）與該至少一個另外切割邊緣（35'）間隔開，使得該至少一個切割不同於該另外切割；及/或其包含由一另外凹槽（34''、34'''）分隔開以形成該至少一個帶（27、28）之兩個尖頭形末端區（24a、24b）的兩個過渡切割部分（32''、32'''）。
一種切割設備（100），其用於在用於封閉一容器之一膠囊（2）上形成至少一個連接帶（27、28）以使該膠囊（2）在打開之後保持附接至該容器，該切割設備（100）包含： <br/>一進料區（40），待切割之該膠囊（2）進料至該進料區中； <br/>一切割區（50），其位於該進料區（40）下游，在該切割區中該膠囊（2）經切割，其中「下游」意欲參考該膠囊之一前進路徑； <br/>一卸載區（60），其位於該切割區（50）下游，在該卸載區中該膠囊（2）經卸載或傳送至一後續處理區； <br/>如請求項1及/或如請求項11及/或如請求項16之一或多個切割裝置（1），其配置於該切割區（50）中以在該膠囊（2）上形成至少一個帶（27、28）； <br/>用於膠囊之一旋轉料架（70），其包含成角度間隔開地安裝於該旋轉料架（70）之一周邊上之複數個心軸（71），每一心軸（71）經建構以與一膠囊（2）嚙合，以使該膠囊（2）自身旋轉，且沿著該前進路徑經由該進料區（40）、該切割區（50）及該卸載區（60）輸送該膠囊（2）。
一種可重新換配鑰匙之鎖芯，其包括： <br/>一芯本體，其具有一縱軸且經形成以界定一溝槽； <br/>一插塞總成，其安置於該芯本體中且可圍繞該縱軸旋轉； <br/>一鎖桿，其可在一鎖定位置與一解鎖位置之間移動，其中當處於該鎖定位置中時，該鎖桿定位於該芯本體之該溝槽內以阻擋該插塞總成相對於該芯本體旋轉，且其中當處於該解鎖位置中時，該鎖桿與該芯本體之該溝槽隔開以允許該插塞總成相對於該芯本體旋轉； <br/>一鑰匙從動件，其安置於該插塞總成中，該鑰匙從動件包含一齒條嚙合特徵，該鑰匙從動件之該齒條嚙合特徵係一支柱；及 <br/>一齒條，其安置於該插塞總成中，該齒條包含一鑰匙從動件嚙合特徵，該齒條之該鑰匙從動件嚙合特徵係一狹槽，其中該鑰匙從動件之該齒條嚙合特徵及該齒條之該鑰匙從動件嚙合特徵嚙合以促進該鑰匙從動件及該齒條之同時移動，其中該齒條控制該鎖桿在該鎖定位置與該解鎖位置之間的移動，及其中當在平行於該插塞總成之該縱軸之一方向上移動時，該齒條可選擇性地自該鑰匙從動件脫離； <br/>該齒條之該狹槽至少部分地延伸穿過該齒條且由該齒條定界，該狹槽具有沿該齒條之長度之一部分彼此平行延伸之一第一側及一第二側； <br/>該狹槽具有: <br/>一系列嚙合溝槽，其沿該狹槽之該第一側配置；及 <br/>一線性孔徑，其緊鄰於該系列嚙合溝槽而沿該狹槽之該第二側配置； <br/>該鑰匙從動件之該支柱具有： <br/>一突出物，其當該支柱接納於該狹槽中時可與該狹槽之該系列嚙合溝槽之至少一者嚙合；及 <br/>一鰭片，其當該支柱接納於該狹槽中時可與該狹槽之該線性孔徑嚙合。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該鑰匙從動件安置於該插塞總成之一鑰匙從動件凹槽內，且其中該插塞總成之該鑰匙從動件凹槽具有一矩形橫截面。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該鑰匙從動件安置於該插塞總成之一鑰匙從動件凹槽內，且其中該插塞總成之該鑰匙從動件凹槽具有一圓形橫截面。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該支柱包含各界定與該狹槽之該系列嚙合溝槽之一者之輪廓相匹配之一輪廓之至少兩個突出物。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該齒條及該鑰匙從動件具有該齒條及該鑰匙從動件沿其彼此嚙合及脫離之一介接路徑，其中該介接路徑與該芯本體之該縱軸平行且該支柱之該鰭片在該齒條之該移動方向上延伸。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中當該支柱接納於該狹槽中時，該支柱之該鰭片延伸穿過該狹槽之該線性孔徑且通過該線性孔徑。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中當該支柱接納於該狹槽中時，該鰭片比該突出物延伸穿過該狹槽更遠。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該突出物定位於該鰭片上。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該狹槽之該第一側具有平行於該芯本體之該縱軸量測之一第一深度且該狹槽之該第二側具有平行於該芯本體之該縱軸量測之一第二深度，其中該第一深度大於該第二深度。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該鑰匙從動件之該齒條嚙合特徵及該齒條之該鑰匙從動件嚙合特徵允許該鑰匙從動件相對於該齒條之至少七個不同位置。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該系列嚙合溝槽係半圓柱形。
如請求項1之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該線性孔徑部分係矩形。
一種可重新換配鑰匙之鎖芯，其包括： <br/>一芯本體，其具有一縱軸且經形成以界定一溝槽； <br/>一插塞總成，其安置於該芯本體中且可圍繞該縱軸旋轉，該插塞總成具有沿該縱軸對準之複數個鑰匙從動件凹槽，其中該插塞總成之該複數個鑰匙從動件凹槽各具有一矩形橫截面； <br/>複數個鑰匙從動件，其等各具有定位於該插塞總成之該複數個鑰匙從動件凹槽之各者內之一部分，該複數個鑰匙從動件之各者與一齒條相對應，其中各齒條可選擇性地自該對應鑰匙從動件脫離以促進不同鑰匙之間的重新換配鑰匙，且其中定位於該複數個鑰匙從動件凹槽之各者內之複數個鑰匙從動件之各者之該部分具有一矩形橫截面； <br/>一鎖桿，其可在與該芯本體之該溝槽嚙合以阻擋該插塞總成相對於該芯本體之旋轉之一鎖定位置與與該芯本體之該溝槽隔開以允許該插塞總成相對於該芯本體之旋轉之一解鎖位置之間移動， <br/>其中各齒條控制該鎖桿在該鎖定位置與該解鎖位置之間的移動，該複數個鑰匙從動件之各者經形成以界定一支柱，各齒條經形成以包含至少部分地延伸穿過該齒條且由該齒條定界之一狹槽，且該支柱接納於該狹槽中使得該支柱及該狹槽之互補嚙合面彼此嚙合以阻擋該複數個鑰匙從動件相對於該齒條之移動；及 <br/>其中各齒條之該狹槽包括一第一側及相對之一第二側，該第一側具有平行於該芯本體之該縱軸量測之一第一深度，及該第二側具有平行於該芯本體之該縱軸量測之一第二深度，其中該第一深度大於該第二深度。
如請求項13之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該複數個鑰匙從動件之該支柱及該等齒條之該狹槽允許各鑰匙從動件相對於各齒條之至少七個不同位置。
如請求項13之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該狹槽之該第一側及該第二側沿各齒條之一長度的一部分相互平行延伸，該狹槽包含： <br/>一系列嚙合溝槽，其等沿該狹槽之該第一側配置；及 <br/>一線性孔徑，其沿該狹槽之該第二側配置，緊鄰於該系列嚙合溝槽；且 <br/>該複數個鑰匙從動件之各支柱包含： <br/>一突出物，其當該支柱接納於該狹槽中時可與該狹槽之該系列嚙合溝槽之至少一者嚙合；及 <br/>一鰭片，其當該支柱接納於該狹槽中時可與該狹槽之該線性孔徑嚙合。
一種可重新換配鑰匙之鎖芯，其包括： <br/>一芯本體，其具有一縱軸且經形成以界定一溝槽； <br/>一插塞總成，其安置於該芯本體中且可圍繞該縱軸旋轉； <br/>一鑰匙從動件及安置於該插塞總成中之一對應齒條，其中該齒條可選擇性地自該鑰匙從動件脫離以促進不同鑰匙之間的重新換配鑰匙，且其中該鑰匙從動件經形成以界定具有一第一突出物及一第二突出物之一支柱，該第一及第二突出物彼此垂直隔開且垂直於該芯本體之該縱軸，該第一突出物及第二突出物分別具有一第一長度及一第二長度，該第一及第二長度平行於該芯本體之該縱軸，其中該第一長度大於該第二長度；及 <br/>一鎖桿，其可在與該芯本體之該溝槽嚙合以阻擋該插塞總成相對於該芯本體之旋轉之一鎖定位置與與該芯本體之該溝槽隔開以允許該插塞總成相對於該芯本體之旋轉之一解鎖位置之間移動， <br/>其中該齒條控制鎖桿在鎖定及解鎖位置之間的移動，該齒條具有複數個鑰匙從動件支柱凹槽，其中該鑰匙從動件之該支柱之該第一突出物及第二突出物接納於該齒條之一對該複數個鑰匙從動件支柱凹槽中以阻擋該鑰匙從動件相對於該齒條之移動。
如請求項16之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該複數個鑰匙從動件支柱凹槽在鄰近於該鑰匙從動件之一垂直側打開，其中該垂直側垂直於該插塞總成之該縱軸。
如請求項16之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該鑰匙從動件之該支柱及該齒條之該複數個鑰匙從動件支柱凹槽允許該鑰匙從動件相對於該齒條之至少七個不同位置。
如請求項16之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該第一及第二突出物之至少一者係楔形。
如請求項16之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該鑰匙從動件安置於該插塞總成之一鑰匙從動件凹槽內，且其中該插塞總成之該鑰匙從動件凹槽具有一矩形橫截面。
如請求項16之可重新換配鑰匙之鎖芯，其中該複數個鑰匙從動件支柱凹槽之各者經設定大小及塑形以接納該支柱之該第一突出物或該第二突出物。
一種低酒精啤酒風味飲料，其包含10 μg/L以上且未達40 μg/L之沉香醇、超過30 mg/L且未達170 mg/L之乙酸、及來自麥汁醱酵液之成分，且具有3 v/v%以下之酒精濃度。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其中上述沉香醇之濃度為10～35 μg/L。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其中上述乙酸之濃度為110～160 mg/L。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其中低酒精啤酒風味飲料中之乙酸濃度B[mg/L]相對於沉香醇濃度A[μg/L]之比B/A為1.14～32。
如請求項4之低酒精啤酒風味飲料，其中上述比B/A為4～12。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其具有10～50 BU之苦味值。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其具有1～10 w/v%之表觀萃取物。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其中上述麥汁醱酵液為麥汁底層醱酵液。
如請求項1之低酒精啤酒風味飲料，其中上述麥汁醱酵液具有50 w/w%以上之麥芽使用比率。
如請求項1至9中任一項之低酒精啤酒風味飲料，其中上述麥汁醱酵液為脫酒精麥汁醱酵液。
一種低酒精啤酒風味飲料之製造方法，其包括：將低酒精啤酒風味飲料之沉香醇濃度調節至10 μg/L以上且未達40 μg/L；將低酒精啤酒風味飲料之乙酸濃度調節至超過30 mg/L且未達170 mg/L；及使低酒精啤酒風味飲料含有來自麥汁醱酵液之成分；該低酒精啤酒風味飲料具有3 v/v%以下之酒精濃度。
一種用於化學機械拋光的拋光墊，其具有包含聚合物基質和用於提高拋光速率的層狀顆粒的拋光部分，該等層狀顆粒包括具有式M(HYO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>n(H<sub>2</sub>O)的材料，其中M係Zr<sup>+4</sup>、Ti<sup>+4</sup>或Ce<sup>+4</sup>，Y係P或As，並且n係0、1或2，其中，該等層狀顆粒具有分裂成薄片的交替晶體結構。
如請求項1所述之拋光墊，其中，該等層狀顆粒係磷酸氫鋯顆粒。
如請求項1所述之拋光墊，其中，該聚合物基質包括聚烯烴、聚酯、聚醚、聚乙烯醇、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚酮、聚碸和氟聚合物、其共聚物、或它們的混合物。
如請求項1所述之拋光墊，其中，該聚合物基質包括聚胺酯、聚乙烯、聚丙烯、尼龍、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚丙烯醯胺、其共聚物、或它們的混合物。
如請求項1所述之拋光墊，其中，該等層狀顆粒的量係基於拋光墊的總重量1至20重量百分比。
如請求項1所述之拋光墊，其中，該等層狀顆粒係呈具有0.5至20微米平均長度的薄片形式。
如請求項1所述之拋光墊，其具有至多50體積百分比的孔隙率。
一種用於提高拋光速率的方法，其包括提供襯底；提供如請求項1所述之拋光墊；在該拋光墊與該襯底之間提供漿料，其中該漿料包含顆粒；在其中該漿料中的該顆粒的至少一部分具有正電荷的pH下用該墊和漿料拋光該襯底。
如請求項8所述之方法，其中，該顆粒包括氧化鈰顆粒並且pH小於6.5。
一種由一無線傳輸/接收單元(wireless transmit/receive unit; WTRU)執行之方法，該方法包含： <br/>接收經組態授權(configured grant; CG)資訊，其包括：一經組態授權週期、用於透過多個槽之傳輸區塊(Transport Block over Multiple Slots; TBoMS)之一槽數目的一指示、及停用或啟用解調變參考信號(Demodulation Reference Signal; DMRS)附隨(bundling)的一指示； <br/>基於停用或啟用DMRS附隨的該指示判定一映射圖案； <br/>基於該CG週期中可用的UL槽及用於該TBoMS之該槽數目而針對該CG週期判定用於一傳輸區塊(transport block; TB)的一重複數目；及 <br/>基於該重複數目大於1根據該經判定之映射圖案而針對該經判定的重複數目之各重複來在時域雙工(time domain duplex; TDD)中傳輸該TB的區段。
如請求項1之方法，其中與停用DMRS相關聯的該映射圖案包括一交錯圖案，其中基於在該CG週期內的可用上行鏈路槽，各TB區段與一或多個其他TB區段交錯。
如請求項1之方法，其進一步包含：若啟用DMRS附隨，則用該經判定的重複數目傳輸該TB，其中該TB的該等區段係針對各重複來循序地傳輸。
如請求項1之方法，其進一步包含：若該重複數目係1，則用該經判定的重複數目傳輸該TB，其中該TB的該等區段係循序地傳輸。
如請求項1之方法，其中該CG資訊進一步包括用以執行TBoMS重複之一指示。
如請求項1之方法，其中該CG資訊進一步包括停用DMRS附隨之一指示。
如請求項6之方法，其中DMRS附隨係基於該CG週期期間發生之一停用事件而停用。
如請求項7之方法，其中該停用事件包括：使用一槽格式，其包括用於上行鏈路傳輸之非連續槽。
一種無線傳輸接收單元(WTRU)，其包含： <br/>一傳輸器； <br/>一接收器；及 <br/>一處理器； <br/>其中該接收器經組態以接收經組態授權(CG)資訊，其包括：一經組態授權週期、用於透過多個槽之傳輸區塊(TBoMS)之一槽數目的一指示、及停用或啟用DMRS附隨的一指示； <br/>其中該處理器經組態以基於停用或啟用DMRS附隨的該指示判定一映射圖案； <br/>其中該處理器進一步經組態以基於該CG週期中可用的UL槽及用於該TBoMS之該槽數目而針對該CG週期判定用於一傳輸區塊(TB)的一重複數目；及 <br/>其中，該傳輸器經組態以基於該重複數目大於1根據該經判定之映射圖案而針對該經判定的重複數目之各重複來在時域雙工(TDD)中傳輸該TB的區段。
如請求項9之WTRU，其中與停用DMRS相關聯的該映射圖案包括一交錯圖案，其中基於在該CG週期內的可用上行鏈路槽，各TB區段與一或多個其他TB區段交錯。
如請求項9之WTRU，其中，若啟用DMRS附隨，則該傳輸器經組態以用該經判定的重複數目傳輸該TB，其中該TB的該等區段係針對各重複來循序地傳輸。
如請求項9之WTRU，其中若該重複數目係1，則該傳輸器經組態以用該經判定的重複數目傳輸該TB，其中該TB的該等區段係循序地傳輸。
如請求項9之WTRU，其中該CG資訊進一步包括用以執行TBoMS重複之一指示。
如請求項9之WTRU，其中該CG資訊進一步包括停用DMRS附隨之一指示。
如請求項14之WTRU，其中DMRS附隨係基於該CG週期期間發生之一停用事件而停用。
如請求項15之WTRU，其中該停用事件包括：使用一槽格式，其包括用於上行鏈路傳輸之非連續槽。
一種由一無線傳輸/接收單元(WTRU)執行之方法，該方法包含： <br/>接收經組態授權(CG)資訊，其包括：一經組態授權週期、用於透過多個槽之傳輸區塊(TBoMS)之一槽數目的一指示、及停用或啟用DMRS附隨的一指示； <br/>基於停用或啟用DMRS附隨的該指示判定一映射圖案； <br/>基於該CG週期中可用的UL槽及用於TBoMS之該槽數目而針對該CG週期判定用於一傳輸區塊(TB)的一重複數目；及 <br/>基於該重複數目大於1根據該經判定之映射圖案而針對該經判定的重複數目之各重複來在時域雙工(TDD)中傳輸該TB的區段。
如請求項17之方法，其中該映射圖案係一交錯圖案。
如請求項17之方法，其中該CG資訊進一步包括用以執行TBoMS重複之一指示。
一種輻射硬化性黏著劑片，具有藉由輻射照射而硬化之黏著劑層；<br/> 該輻射硬化性黏著劑片之特徵在於：<br/> 前述黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為黏著劑基底材料；<br/> 前述黏著劑層係由含有第1光聚合引發劑、及第1交聯劑之黏著劑組成物所形成；<br/> 藉由前述第1光聚合引發劑與前述第1交聯劑之反應而光硬化之黏著劑層，包含第2光聚合引發劑與第2交聯劑；<br/> 前述輻射照射所引起之硬化係藉由前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑之反應而進行硬化者；<br/> 將前述黏著劑層在50℃下保管4週後，以下述式表示之殘存應力(N/cm<sup>2</sup>)的變化率為70%以下；<br/> 前述黏著劑層中滿足下述(i)及/或(ii)；<br/> 殘存應力變化率(%)=(50℃保管4週後之殘存應力-初始殘存應力)/(初始殘存應力)×100；<br/> (i)前述第2光聚合引發劑之pKa為5~12.7；<br/> (ii)含有pKa為5~12.7之受阻胺系光穩定劑。
如請求項1之輻射硬化性黏著劑片，其中<br/> 前述第2光聚合引發劑之pKa為5~12.7。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑已溶解於前述黏著劑層中。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述第2光聚合引發劑係與前述第1光聚合引發劑相同。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述黏著劑層為具有相對向之2個主面的單一層；<br/> 將前述單一層之黏著劑層沿厚度方向等分分成2等分時，<br/> 前述2個主面之一第1主面所屬之區域的前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度、與另一第2主面所屬之區域的前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度不同。
如請求項5之輻射硬化性黏著劑片，其中前述單一層之黏著劑層於厚度方向上具有前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑之濃度梯度。
如請求項1或2之輻射硬化性黏著劑片，其中前述黏著劑層之厚度為5~500µm。
一種輻射硬化性黏著劑片之製造方法，係如請求項1至7中任一項之輻射硬化性黏著劑片之製造方法；<br/> 該製造方法之特徵在於包含以下步驟：<br/> 於支持體上形成由黏著劑基底材料形成之黏著劑層；<br/> 使前述黏著劑層硬化；<br/> 準備第2光聚合引發劑及第2交聯劑之溶液；<br/> 於前述已硬化之黏著劑層之一面塗佈前述溶液；<br/> 使該溶液所含之前述第2光聚合引發劑及前述第2交聯劑從前述黏著劑層之前述一面往厚度方向滲透；<br/> 使前述黏著劑層乾燥。
如請求項8之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其中包含前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑之溶液係已使前述第2光聚合引發劑與前述第2交聯劑溶解於溶劑之溶液；<br/> 該製造方法包含藉由使前述黏著劑層乾燥來使前述溶液之溶劑蒸發之步驟。
如請求項8或9之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其中前述支持體為剝離片。
如請求項8或9之輻射硬化性黏著劑片之製造方法，其更包含於前述黏著劑層之與前述支持體相反側之表面貼合剝離片之步驟。
一種光學構件積層體，係包含由光學構件構成之基板與黏著劑層者；<br/> 該光學構件積層體係於由前述光學構件構成之基板之主面積層有黏著劑層；<br/> 前述黏著劑層係如請求項1至7中任一項之輻射硬化性黏著劑片之黏著劑層的硬化物。
如請求項12之光學構件積層體，其中前述由光學構件構成之基板的主面具有印刷層；<br/> 前述黏著劑層係以填埋前述由光學構件構成之基板的主面與前述印刷層之間的高低差之方式積層。
如請求項12或13之光學構件積層體，其中前述硬化物係藉由前述聚合引發劑與交聯劑之反應所得之硬化物。
一種複合銅構件的製造系統，該複合銅構件係於銅構件的至少一部分之表面形成包含銅氧化物之層，該複合銅構件具備用於使包含銅氧化物之層所包含的金屬轉移至樹脂基材的構造，該製造系統具有第一裝置及第二裝置，該第一裝置用於以矽烷耦合劑或防鏽劑將銅構件之表面作部分塗覆，該第二裝置用於將經該部分塗覆之該表面氧化處理以形成包含銅氧化物之層。
如請求項1之複合銅構件的製造系統，其中，該氧化處理係藉由氧化劑進行。
如請求項1或2之複合銅構件的製造系統，其中，該矽烷耦合劑係選自由矽烷、四有機基-矽烷、胺基乙基-胺基丙基-三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]尿素)、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基矽基)丙基甲基丙烯酸酯、乙基三乙醯氧基矽烷、三乙氧基(異丁基)矽烷、三乙氧基(辛基)矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)矽烷、氯三甲基矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷及乙烯基-三甲氧基矽烷所組成之群組。
如請求項2之複合銅構件的製造系統，其中，該防鏽劑係選自由1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5-胺基-1H-苯并三唑、2-巰基苯并噻唑、1,3-二甲基-5-吡唑啉酮、吡咯、3-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2-乙基吡咯、吡唑、3-胺基吡唑、4-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、噻唑、2-胺基噻唑、2-甲基噻唑、2-胺基-5-甲基噻唑、2-乙基噻唑、苯并噻唑、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丁基咪唑、5-胺基咪唑、6-胺基咪唑、苯并咪唑、2-(甲基硫)苯并咪唑所組成之群組。
如請求項1或2之複合銅構件的製造系統，另具有第三裝置，該第三裝置用於在經該氧化處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層。
如請求項5之複合銅構件的製造系統，其中，該第三裝置具有通電部，該通電部的寬度相對於該銅構件的寬度之比例為0.8以上。
如請求項5之複合銅構件的製造系統，其中，該銅以外之金屬為鎳。
如請求項1或2之複合銅構件的製造系統，另具有第七裝置及第八裝置，該第七裝置用於在該銅構件的該包含銅氧化物之層上熱壓接樹脂基材，該第八裝置用於由該樹脂基材剝離該銅構件，得到具有形成該包含銅氧化物之層的金屬之一部分或全部之該樹脂基材。
如請求項5之複合銅構件的製造系統，另具有第九裝置及第十裝置，該第九裝置用於在該銅構件的該包含銅以外之金屬的層上熱壓接樹脂基材，該第十裝置用於由該樹脂基材剝離該銅構件，得到具有形成該包含銅氧化物之層的金屬之一部分或全部之該樹脂基材。
如請求項8之複合銅構件的製造系統，其中，該樹脂基材含有選自由聚苯醚、環氧樹脂、聚氧二甲苯、聚苯噁唑、聚四氟乙烯、液晶聚合物、或熱塑性聚醯亞胺、氟樹脂、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚環烯烴、雙馬來醯亞胺樹脂、低介電係數聚醯亞胺及氰酸樹脂所組成之群組的至少一個絕緣性樹脂。
如請求項8之複合銅構件的製造系統，其中，該複合銅構件係於50 ℃～400 ℃之溫度、0～20 MPa之壓力及1分鐘～5小時之時間的範圍內被熱壓接於該樹脂基材。
如請求項11之複合銅構件的製造系統，另具有第十五裝置，該第十五裝置用於在該樹脂基材的表面進行銅鍍處理，該樹脂基材具有形成該包含銅氧化物之層的金屬之一部分或全部。
一種複合銅構件的製造系統，該複合銅構件係於銅構件的至少一部分之表面形成包含銅氧化物之層，該複合銅構件具備用於使包含銅氧化物之層所包含的金屬轉移至樹脂基材的構造，該製造系統具有第四裝置及第五裝置，該第四裝置用於藉由將銅構件之表面氧化處理，以形成包含銅氧化物之層，該第五裝置用於將經該氧化處理之該表面以溶解劑處理。
如請求項13之複合銅構件的製造系統，其中，該溶解劑係選自由氯化鎳、氯化鋅、氯化鐵、氯化鉻、檸檬酸銨、氯化鉀、硫酸銨、氯化銨及硫酸鎳銨所組成之群組。
如請求項13或14之複合銅構件的製造系統，另具有第六裝置，該第六裝置用於在經該溶解劑處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層。
如請求項15之複合銅構件的製造系統，其中，該第六裝置具有通電部，該通電部的寬度相對於該銅構件的寬度之比例為0.8以上。
如請求項15之複合銅構件的製造系統，其中，該銅以外之金屬為鎳。
如請求項13之複合銅構件的製造系統，另具有第十一裝置及第十二裝置，該第十一裝置用於在該銅構件的經該溶解劑處理之該表面上熱壓接樹脂基材，該第十二裝置用於由該樹脂基材剝離該銅構件，得到具有形成該包含銅氧化物之層的金屬之一部分或全部之該樹脂基材。
如請求項15之複合銅構件的製造系統，另具有第十三裝置及第十四裝置，該第十三裝置用於在該銅構件的該包含銅以外之金屬的層上熱壓接樹脂基材，該第十四裝置用於由該樹脂基材剝離該銅構件，得到具有形成該包含銅氧化物之層的金屬之一部分或全部之該樹脂基材。
一種銅構件，係至少一部分之表面形成有包含銅氧化物之層，將該銅構件熱壓接於樹脂基材後，由該樹脂基材剝離時，藉由衰減全反射傅立葉轉換紅外線光譜法得到的該銅構件之表面的對應於來自樹脂基材之物質的波峰的S/N比，於波長範圍700～4000 cm<sup>-1</sup>中為10以下，以能量散射X射線能譜法元素分析得到之該樹脂基材之表面的金屬合計／（碳＋氧）之成分比例為0.4以上，於該樹脂基材形成之晶種層的厚度為0.1 μm以上且2.0 μm以下。
如請求項1之銅構件，其中，該波峰的S/N比為7以下。
一種銅構件，係在該銅構件的至少一部分之表面形成有包含銅氧化物之層，將該銅構件熱壓接於樹脂基材後，由該樹脂基材剝離時，藉由X射線光電子能譜法之測量光譜分析，在剝離該銅構件後之該樹脂基材的表面偵測到該包含銅氧化物之層所包含的金屬原子，以能量散射X射線能譜法元素分析得到之該樹脂基材之表面的金屬合計／（碳＋氧）之成分比例為0.4以上，於該樹脂基材形成之晶種層的厚度為0.1 μm以上且2.0 μm以下。
如請求項3之銅構件，其中，由該銅構件剝離後之該樹脂基材的表面偵測到的金屬元素之主峰的強度合計為比C1s的波峰強度大。
如請求項4之銅構件，其中，由該X射線光電子能譜法算出之［金屬元素之表面原子組成百分率（atom%）的合計］／［C1s的表面原子組成百分率（atom%）］為0.010以上。
如請求項4之銅構件，其中，該測量光譜分析偵測到的Cu2p3及Ni2p3之表面原子組成百分率的合計為1.5atom%以上。
如請求項4之銅構件，其中，該測量光譜分析偵測到的Cu2p3之表面原子組成百分率為1.0atom%以上。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，形成有該包含銅氧化物之層的表面的Ra為0.04 μm以上，由該樹脂基材剝離之該銅構件的表面的Ra相對於前述Ra的比例為未滿100%。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，由該樹脂基材剝離之該銅構件之表面積相對於形成有該包含銅氧化物之層的表面積的比例，為未滿100%。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，形成有該包含銅氧化物之層的表面與由該樹脂基材剝離之該銅構件的表面的色差（ΔE*ab）為15以上。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，該樹脂基材含有選自由聚苯醚、環氧樹脂、聚氧二甲苯、聚苯噁唑、聚四氟乙烯、液晶聚合物、熱塑性聚醯亞胺、氟樹脂、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚環烯烴、雙馬來醯亞胺樹脂、低電容率聚醯亞胺及氰酸樹脂所組成之群組的至少一個絕緣性樹脂。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，該銅構件係於50 ℃～400 ℃之溫度、0～20 MPa之壓力及1分鐘～5小時之時間的條件被熱壓接於該樹脂基材。
如請求項1至7中任一項之銅構件，其中，該包含銅氧化物之層包含銅以外之金屬。
如請求項13之銅構件，其中，該銅以外之金屬為鎳。
一種選擇方法，係至少一部分之表面形成有包含銅氧化物之層的銅構件的選擇方法，包含：<br/> 將該銅構件熱壓接於樹脂基材後由該樹脂基材剝離的步驟；<br/> 以衰減全反射傅立葉轉換紅外線光譜法分析由該樹脂基材被剝離之該銅構件的表面的步驟；<br/> 對剝離該銅構件後之該樹脂基材的表面進行能量散射X射線能譜法元素分析的步驟；<br/> 測定在剝離該銅構件後之該樹脂基材形成之晶種層的厚度的步驟；及<br/> 選擇銅構件的步驟，該銅構件係藉由衰減全反射傅立葉轉換紅外線光譜法得到之銅構件表面的對應於來自該樹脂基材的有機物之S/N比，在波長範圍700～4000 cm<sup>-1</sup>中為10以下，以能量散射X射線能譜法元素分析得到之該樹脂基材表面的金屬合計／（碳＋氧）之成分比例為0.4以上，晶種層的厚度為0.1 μm以上且2.0 μm以下。
一種選擇方法，係至少一部分之表面形成有包含銅氧化物之層的銅構件的選擇方法，包含：<br/> 將該銅構件熱壓接於樹脂基材後由該樹脂基材剝離的步驟；<br/> 對由該樹脂基材被剝離之該銅構件的表面進行X射線光電子能譜法之測量光譜分析的步驟；<br/> 對剝離該銅構件後之該樹脂基材的表面進行能量散射X射線能譜法元素分析的步驟；<br/> 測定在剝離該銅構件後之該樹脂基材形成之晶種層的厚度的步驟；及<br/> 選擇銅構件的步驟，該銅構件係在剝離該銅構件後之樹脂基材的表面偵測到包含銅氧化物之層所包含的金屬原子，以能量散射X射線能譜法元素分析得到之該樹脂基材表面的金屬合計／（碳＋氧）之成分比例為0.4以上，晶種層的厚度為0.1 μm以上且2.0 μm以下。
如請求項16之選擇方法，另包含：<br/> 以矽烷耦合劑或防鏽劑將該銅構件的表面作部分塗覆的步驟；及<br/> 藉由將經該部分塗覆之該表面作氧化處理，形成該包含銅氧化物之層的步驟。
如請求項17之選擇方法，其中，該銅構件的該表面係藉由氧化劑而被氧化處理。
如請求項17或18之選擇方法，其中，該矽烷耦合劑係選自由矽烷、四有機基-矽烷、胺基乙基-胺基丙基-三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]尿素)、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基矽基)丙基甲基丙烯酸酯、乙基三乙醯氧基矽烷、三乙氧基(異丁基)矽烷、三乙氧基(辛基)矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)矽烷、氯三甲基矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷及乙烯基-三甲氧基矽烷所組成之群組。
如請求項17或18之選擇方法，其中，該防鏽劑係選自由1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5-胺基-1H-苯并三唑、2-巰基苯并噻唑、1,3-二甲基-5-吡唑啉酮、吡咯、3-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2-乙基吡咯、吡唑、3-胺基吡唑、4-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、噻唑、2-胺基噻唑、2-甲基噻唑、2-胺基-5-甲基噻唑、2-乙基噻唑、苯并噻唑、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丁基咪唑、5-胺基咪唑、6-胺基咪唑、苯并咪唑、2-(甲基硫)苯并咪唑所組成之群組。
如請求項17或18之選擇方法，另包含：於經該氧化處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層的步驟。
如請求項21之選擇方法，其中，該銅以外之金屬為鎳。
如請求項16之選擇方法，另包含：<br/> 將該銅構件的該表面作氧化處理的步驟；及<br/> 將經該氧化處理之該表面以溶解劑處理，以形成該包含銅氧化物之層的步驟。
如請求項23之選擇方法，其中，該銅構件的該表面係藉由氧化劑而被氧化處理。
如請求項23之選擇方法，其中，該溶解劑為選自由氯化鉀、氯化鎳、氯化鋅、氯化鐵、氯化鉻、檸檬酸銨、氯化銨、硫酸銨、硫酸鎳銨、乙二胺四乙酸、二羥乙基甘胺酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、乙二胺-N,N’-二琥珀酸、3-羥基-2,2’-亞胺基二琥珀酸鈉、甲基甘胺酸二乙酸三鈉、天門冬胺酸二乙酸四鈉、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸二鈉及葡萄糖酸鈉所組成之群組。
如請求項23至25中任一項之選擇方法，另包含：於經該溶解劑處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層的步驟。
如請求項26之選擇方法，其中，該銅以外之金屬為鎳。
一種銅構件的製造方法，係如請求項1至14中任一項之銅構件的製造方法，包含：<br/> 1）以矽烷耦合劑或防鏽劑將該銅構件的該表面作部分塗覆的步驟；及<br/> 2）藉由將經該部分塗覆之該表面作氧化處理，形成該包含銅氧化物之層的步驟，該矽烷耦合劑係選自由矽烷、四有機基-矽烷、胺基乙基-胺基丙基-三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]尿素)、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基矽基)丙基甲基丙烯酸酯、乙基三乙醯氧基矽烷、三乙氧基(異丁基)矽烷、三乙氧基(辛基)矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)矽烷、氯三甲基矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷及乙烯基-三甲氧基矽烷所組成之群組，該防鏽劑係選自由1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5-胺基-1H-苯并三唑、2-巰基苯并噻唑、1,3-二甲基-5-吡唑啉酮、吡咯、3-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2-乙基吡咯、吡唑、3-胺基吡唑、4-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、噻唑、2-胺基噻唑、2-甲基噻唑、2-胺基-5-甲基噻唑、2-乙基噻唑、苯并噻唑、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丁基咪唑、5-胺基咪唑、6-胺基咪唑、苯并咪唑、2-(甲基硫)苯并咪唑所組成之群組。
一種銅構件的製造方法，係如請求項13或14中任一項之銅構件的製造方法，包含：<br/> 1）以矽烷耦合劑或防鏽劑將該銅構件的該表面作部分塗覆的步驟；及<br/> 2）藉由將經該部分塗覆之該表面作氧化處理，形成該包含銅氧化物之層的步驟；及<br/> 3）於經該氧化處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層的步驟，該矽烷耦合劑係選自由矽烷、四有機基-矽烷、胺基乙基-胺基丙基-三甲氧基矽烷、(3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(1-[3-(三甲氧基矽基)丙基]尿素)、(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷、(3-環氧丙基氧丙基)三甲氧基矽烷、(3-氯丙基)三甲氧基矽烷、二甲基二氯矽烷、3-(三甲氧基矽基)丙基甲基丙烯酸酯、乙基三乙醯氧基矽烷、三乙氧基(異丁基)矽烷、三乙氧基(辛基)矽烷、參(2-甲氧基乙氧基)(乙烯基)矽烷、氯三甲基矽烷、甲基三氯矽烷、四氯化矽、四乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、氯三乙氧基矽烷及乙烯基-三甲氧基矽烷所組成之群組，該防鏽劑係選自由1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5-胺基-1H-苯并三唑、2-巰基苯并噻唑、1,3-二甲基-5-吡唑啉酮、吡咯、3-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2-乙基吡咯、吡唑、3-胺基吡唑、4-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、噻唑、2-胺基噻唑、2-甲基噻唑、2-胺基-5-甲基噻唑、2-乙基噻唑、苯并噻唑、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丁基咪唑、5-胺基咪唑、6-胺基咪唑、苯并咪唑、2-(甲基硫)苯并咪唑所組成之群組。
一種銅構件的製造方法，係如請求項1至14中任一項之銅構件的製造方法，包含：<br/> 1）藉由將經該部分塗覆之該表面作氧化處理，形成該包含銅氧化物之層的步驟；及<br/> 2）將經該氧化處理之該表面以溶解劑處理的步驟，該溶解劑為選自由氯化鉀、氯化鎳、氯化鋅、氯化鐵、氯化鉻、檸檬酸銨、氯化銨、硫酸銨、硫酸鎳銨、乙二胺四乙酸、二羥乙基甘胺酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、乙二胺-N,N’-二琥珀酸、3-羥基-2,2’-亞胺基二琥珀酸鈉、甲基甘胺酸二乙酸三鈉、天門冬胺酸二乙酸四鈉、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸二鈉及葡萄糖酸鈉所組成之群組。
一種銅構件的製造方法，係如請求項13或14中任一項之銅構件的製造方法，包含：<br/> 1）將該銅構件的該表面作氧化處理，形成該包含銅氧化物之層的步驟；<br/> 2）將經該氧化處理之該表面以溶解劑處理的步驟；及<br/> 3）於經該溶解劑處理之該表面形成包含銅以外之金屬的層的步驟，該溶解劑包含溶解該銅氧化物之成分，該溶解劑為選自由氯化鉀、氯化鎳、氯化鋅、氯化鐵、氯化鉻、檸檬酸銨、氯化銨、硫酸銨、硫酸鎳銨、乙二胺四乙酸、二羥乙基甘胺酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、乙二胺-N,N’-二琥珀酸、3-羥基-2,2’-亞胺基二琥珀酸鈉、甲基甘胺酸二乙酸三鈉、天門冬胺酸二乙酸四鈉、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸二鈉及葡萄糖酸鈉所組成之群組。
如請求項30或31之銅構件的製造方法，其中，該溶解劑包含選自由氯化鎳、氯化鋅、氯化鐵、氯化鉻、檸檬酸銨、氯化鉀、硫酸銨、氯化銨、硫酸鎳銨、乙二胺四乙酸、二羥乙基甘胺酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、乙二胺-N,N’-二琥珀酸、3-羥基-2,2’-亞胺基二琥珀酸鈉、甲基甘胺酸二乙酸三鈉、天門冬胺酸二乙酸四鈉、N-(2-羥基乙基)亞胺基二乙酸二鈉、葡萄糖酸鈉、氯化錫(II)及檸檬酸所組成之群組的化合物。
如請求項29或31之銅構件的製造方法，其中，該銅以外之金屬為鎳。
一種硬化性接著劑組成物，係含有下述(A)成分及下述(B)成分，相對於硬化性接著劑組成物之有效成分之總量，前述(B)成分之含量為0.1質量%以上至4質量%以下，前述有效成分係指溶媒以外之成分；<br/> 並且，前述硬化性接著劑組成物藉由進行硬化，而供應於23℃、頻率1GHz之介電正切未達0.0050之硬化物；<br/> (A)成分：具有反應性官能基之酸改質聚烯烴系樹脂；<br/> (B)成分：可與前述(A)成分反應之分子量為1000以下之交聯劑。
如請求項1所記載之硬化性接著劑組成物，係進而含有下述(C)成分；<br/> (C)成分：於25℃為液體的非芳香族之硬化性化合物，前述硬化性化合物包含以下述式(1) 所表示之化合物；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="111px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立表示於末端具雙鍵之烴基，R<sup>3</sup>表示碳數1至15之飽和烴基、碳數1至15之烷氧基取代烷基。
如請求項1或2所記載之硬化性接著劑組成物，其中前述(B)成分為具有異氰脲酸酯骨架之化合物。
如請求項1或2所記載之硬化性接著劑組成物，其中前述(B)成分為具有兩個以上之異氰酸酯基之化合物。
如請求項1所記載之硬化性接著劑組成物，係進而含有下述(C)成分；<br/> (C)成分：於25℃為液體的非芳香族之硬化性化合物。
如請求項5所記載之硬化性接著劑組成物，其中前述(C)成分為具有兩個以上之於末端具雙鍵之烴基的化合物。
如請求項1或2所記載之硬化性接著劑組成物，係進而含有下述(D)成分；<br/> (D)成分：具有反應性官能基之聚苯醚樹脂。
如請求項1或2所記載之硬化性接著劑組成物，係進而含有下述(E)成分；<br/> (E)成分：陽離子聚合起始劑。
如請求項1或2所記載之硬化性接著劑組成物，其中前述硬化性接著劑組成物藉由進行硬化，而供應於23℃、頻率1GHz之介電常數為3.00以下之硬化物。
一種硬化物，係使如請求項1至9中任一項所記載之硬化性接著劑組成物進行硬化而成。
如請求項10所記載之硬化物，其中前述硬化物具有熱硬化性。
如請求項10或11所記載之硬化物，其中前述硬化物具有片狀之形狀。
如請求項10或11所記載之硬化物，其中前述硬化物為電子元件用之片狀接著劑。
如請求項10或11所記載之硬化物，其中前述硬化物為蓋層膜用之片狀接著劑。
一種接著片，係具有硬化性接著劑層；<br/> 前述硬化性接著劑層之原料組成物含有下述(A)成分及(B)成分，且相對於前述原料組成物之有效成分之總量係含有0.1質量%以上至4質量%以下之(B)成分；<br/> 前述硬化性接著劑層之凝膠分率為10質量%以上；<br/> (A)成分：具有反應性官能基之黏合劑樹脂；<br/> (B)成分：可與前述(A)成分反應之交聯劑。
如請求項1所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層為由進而含有下述(C)成分之原料組成物所形成之層；<br/> (C)成分：於25℃為液體的非芳香族之硬化性化合物，前述硬化性化合物係包含下述式(1)所表示之化合物；<br/><img align="absmiddle" height="383px" width="549px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>分別獨立表示於末端具雙鍵之烴基，R<sup>3</sup>表示碳數1至碳數15之飽和烴基、碳數1至碳數15之經烷氧基取代之烷基。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述(A)成分為聚烯烴系樹脂。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述(A)成分為酸改質樹脂。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述(B)成分為具有異氰脲酸酯骨架之化合物。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述(B)成分為具有兩個以上之異氰酸酯基之化合物。
如請求項1所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層為由進而含有下述(C)成分之原料組成物所形成之層；<br/> (C)成分：於25℃為液體的非芳香族之硬化性化合物。
如請求項7所記載之接著片，其中前述(C)成分為具有兩個以上之於末端具雙鍵之烴基的化合物。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層為由進而含有下述(D)成分之原料組成物所形成之層；<br/> (D)成分：具有反應性官能基之聚苯醚樹脂。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層為由進而含有下述(E)成分之原料組成物所形成之層；<br/> (E)成分：陽離子聚合起始劑。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層於23℃、頻率1GHz之介電正切未達0.005。
如請求項1或2所記載之接著片，其中前述硬化性接著劑層於23℃、頻率1GHz之相對介電常數為3.00以下。
如請求項1或2所記載之接著片，其中使前述硬化性接著劑層以160℃、1小時之條件硬化後，形成凝膠分率為50質量%以上之硬化物。
如請求項1或2所記載之接著片，係用於電子元件。
如請求項1或2所記載之接著片，係用於覆蓋層膜。
一種薄片剝離裝置，具備： <br/> 剝離手段，其將貼附於被黏體的黏貼薄片予以保持來從該被黏體剝離，將剝離後之前述黏貼薄片的保持予以解除來使該黏貼薄片自由落下； <br/> 回收手段，其將從前述剝離手段自由落下的前述黏貼薄片予以回收；以及 <br/> 回收位置變更手段，其變更前述黏貼薄片在前述回收手段內的回收位置。
如請求項1所述之薄片剝離裝置，其中，前述回收位置變更手段，具備將自由落下之前述黏貼薄片的軌道予以變更的軌道變更手段。
如請求項1或2所述之薄片剝離裝置，其中，前述回收位置變更手段具備相對位置調整手段，其將以前述剝離手段解除前述黏貼薄片之保持的位置與前述回收手段的位置予以互相變更。
一種薄片剝離方法，實施以下工程： <br/> 剝離工程，其將貼附於被黏體的黏貼薄片予以保持來從該被黏體剝離，將剝離後之前述黏貼薄片的保持予以解除來使該黏貼薄片自由落下； <br/> 回收工程，其將從前述剝離工程自由落下的前述黏貼薄片以回收手段來回收；以及 <br/> 回收位置變更工程，其變更前述黏貼薄片在前述回收手段內的回收位置。
一種診斷系統，具備： <br/>一振動診斷裝置，基於來自一外部的一輸入訊號對一診斷對象的振動進行診斷，該振動診斷裝置具有： <br/>一振動感測器，用以檢測該診斷對象的振動； <br/>一濾波處理單元，用以從由該振動感測器檢測出的訊號的波形中提取規定的頻帶；以及 <br/>一運算處理單元，用以對由該濾波處理單元得到的濾波處理後的波形進行頻率分析，生成一頻譜資料；以及 <br/>一資訊終端裝置，具備： <br/>一通訊單元，用以在該資訊終端裝置與該振動診斷裝置之間收發訊號； <br/>一診斷單元，用以將從該振動診斷裝置發送來的該頻譜資料中包含的頻率成分與由該診斷對象的損傷所致的損傷頻率做比較，對該診斷對象的異常進行診斷；以及 <br/>一輸出單元，用以輸出該診斷單元所診斷出的診斷結果； <br/>其中，該運算處理單元在沒有基於該輸入訊號生成該頻譜資料的情況下，算出從由該振動感測器檢測出的訊號的波形中得到的至少一個振動的基本統計量，診斷該診斷對象有無異常； <br/>其中，該資訊終端裝置在該診斷單元診斷該診斷對象的異常的情況下，對該振動診斷裝置的該運算處理單元發送用於進行不讓該運算處理單元診斷該診斷對象有無異常的設定的輸入訊號。
如請求項1所述之診斷系統，其中，該振動診斷裝置具有無線通訊單元，該外部是具有無線通訊功能的資訊終端裝置。
如請求項1或2所述之診斷系統，其中，該診斷對象是機械部件。
如請求項1所述之診斷系統，其中，該資訊終端裝置具備資料庫，該資料庫將由該診斷對象的損傷所致的脈衝頻率保存為以該診斷對象的規定的旋轉速度為基礎換算出的損傷頻率，該損傷頻率是透過使用該診斷對象的實際的旋轉速度來計算該資料庫的脈衝頻率而給出的。
如請求項4所述之診斷系統，其中，該診斷對象是軸承，該資料庫將由該軸承的內圈、外圈、轉動體的損傷所致的振動脈衝頻率保存為以該軸承的規定的旋轉速度為基礎換算出的軸承損傷頻率，該脈衝頻率是透過使用該診斷對象的實際的旋轉速度來計算該資料庫的損傷頻率而給出的。
如請求項5所述之診斷系統，其中，該診斷單元基於透過由該振動診斷裝置的該運算處理單元進行的包絡處理而得到的快速傅立葉變換(FFT)頻譜，變更軸承標稱編號、旋轉圈的轉速、診斷軸承損傷的判定級別來進行重新診斷。
如請求項6所述之診斷系統，其中，該資訊終端裝置具有儲存單元，透過由該振動診斷裝置的運算處理單元進行的包絡處理而得到的FFT頻譜保存在該儲存單元中。
如請求項6所述之診斷系統，其中，該診斷系統能夠將保存在該振動診斷裝置的內部記憶體中的對由振動感測器取得的振動訊號進行類比數位(AD)轉換後的資料調出，並應用於變更濾波處理或解析處理或者變更這兩個處理而算出的包絡處理後的FFT頻譜。
如請求項1至8中任一項所述之診斷系統，其中，該輸出單元包含圖像顯示單元和聲音輸出單元中的至少一方。
如請求項9所述之診斷系統，其中，該診斷系統是對分別設置於多個設備的該診斷對象進行診斷的系統，該診斷對象是軸承，該診斷系統還具有安裝有管理軟體的一外部終端裝置，該外部終端裝置能夠從該資訊終端裝置取得該波形的訊號、該頻譜資料、上述運算處理單元的診斷結果以及上述診斷單元的診斷結果，並 <br/>按該些設備中的每一個設備來管理該振動的隨時間推移的一趨勢； <br/>顯示該頻譜資料和該波形的訊號； <br/>顯示該診斷單元的診斷結果； <br/>顯示由該運算處理單元診斷出的異常的有無； <br/>變更該軸承的軸承標稱編號和旋轉圈的轉速，並且變更該診斷單元的軸承損傷診斷級別，讓該診斷單元重新診斷； <br/>進行診斷該些設備時的巡迴路線的設定；以及 <br/>自動創建該趨勢的管理、該波形的訊號的顯示、該診斷結果的顯示、該異常的有無的顯示、該軸承標稱編號、旋轉圈的轉速、異常診斷級別以及巡迴路線的報告。
一種用於無線通訊的一設備的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 被耦合到該記憶體的一或多個處理器，其被配置為：<br/> 經由一廣播發送指示一設備憑證或一有效載荷中的一者或多者的一第一訊框；<br/> 從一存取點接收指示該有效載荷或一存取點憑證中的一者或多者的一第二訊框；<br/> 至少部分地基於一雲端計算系統憑證來從該第二訊框中檢索該存取點憑證，其中該第二訊框中的內容來自一雲端計算系統並且受到端到端保護，並且其中使用非對稱金鑰對該第二訊框中的該內容進行端到端保護；<br/> 至少部分地基於該存取點憑證與該存取點進行關聯；及<br/> 在該設備已經與該存取點進行關聯之後，經由該存取點執行與該雲端計算系統的一通訊。
根據請求項1之裝置，其中：<br/> 該設備憑證由該雲端計算系統進行簽名；<br/> 該有效載荷包括一設備辨識符、與該設備相關聯的安全憑證或服務特定資訊中的一項或多項；及<br/> 該第一訊框指示以下各項中的一項或多項：與該第一訊框相關聯並且至少部分地基於該設備憑證匯出的一訊框簽名、或者與一目的地相關聯的一統一資源辨識項，其中該目的地與該雲端計算系統相關聯。
根據請求項2之裝置，其中：<br/> 該設備憑證是在製造該設備或者在該設備上安裝一特定應用時提供的一設備證書；<br/> 使用該設備和該雲端計算系統之間的一非對稱金鑰來對該有效載荷進行端到端保護；<br/> 該有效載荷中與該設備相關聯的該安全憑證是該設備憑證；及<br/> 該服務特定資訊指示以下各項中的一項或多項：要上傳到一伺服器的一資料數量、或與一使用者相關聯的一期望目的地，並且其中至少部分地基於該服務特定資訊從該雲端計算系統向該存取點指示用於指示一通信期的一持續時間或該通訊期允許的一資料數量的額外資訊。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：至少部分地基於滿足一條件來發送該第一訊框，其中至少部分地基於在該設備上啟動一應用來滿足該條件，並且其中至少部分地基於該設備執行一任務來滿足該條件。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為以一週期性方式發送該第一訊框。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 經由一單播傳輸來接收該第二訊框；或者<br/> 經由一廣播傳輸來接收該第二訊框，其中該第二訊框指示與該設備相關聯的一設備辨識符和該存取點憑證。
根據請求項6之裝置，其中；<br/> 該第二訊框是從該存取點廣播的一信標訊框；及<br/> 該設備辨識符是與該設備相關聯的一媒體存取控制位址，或者是與該設備相關聯的該媒體存取控制位址的一雜湊。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：至少部分地基於該雲端計算系統憑證來驗證該有效載荷和該存取點憑證。
根據請求項1之裝置，其中為了與該存取點進行關聯，該一或多個處理器被配置為：<br/> 向該存取點發送指示該設備憑證的一關聯請求；<br/> 從該存取點接收指示該存取點憑證的一關聯回應；及<br/> 利用如該第二訊框中所指示的該存取點憑證來驗證如該關聯回應中所指示的該存取點憑證。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：至少部分地根據基於一公共金鑰的認證來與該存取點進行關聯。
根據請求項1之裝置，其中該存取點憑證是附加到該有效載荷以使該設備能夠與該存取點相關聯的一臨時金鑰。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：從該存取點接收與對於該設備可存取的該雲端計算系統相關聯的一位址列表，其中該位址列表中未指示的位址對於該設備是不可存取的。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：從該存取點接收用於限制與該雲端計算系統通訊的一有效載荷大小或者允許代表該設備在一段時間內從該存取點向該雲端計算系統中繼的一請求數量的一指令，其中該有效載荷大小和該請求數量是至少部分地基於該存取點處的一本端策略的或者是至少部分地基於該存取點和該雲端計算系統之間的一關係的。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：從該存取點接收用於限制該設備與該存取點之間的一關聯的一持續時間的一指令，其中該存取點被配置為：至少部分地基於來自該雲端計算系統的該等指令來在一定時間段後與該設備解除關聯。
根據請求項1之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：從該存取點接收用於在該設備處於一預關聯狀態時限制對該設備的有效載荷的中繼的一數量或頻率的一指令，其中該設備在與該存取點關聯之前處於該預關聯狀態。
一種用於無線通訊的一存取點的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 被耦合到該記憶體的一或多個處理器，其被配置為：<br/> 經由一廣播從一設備接收指示一設備憑證和一有效載荷的一第一訊框；<br/> 將具有一存取點憑證的該有效載荷中繼到一雲端計算系統；<br/> 至少部分地基於該有效載荷和該存取點憑證的一驗證來從該雲端計算系統接收該有效載荷和該存取點憑證；及<br/> 至少部分地基於該存取點憑證與該設備進行關聯，以使能夠經由該存取點進行該設備與該雲端計算系統之間的通訊。
根據請求項16之裝置，其中：<br/> 在與該存取點相關聯的一代理實體處執行以下各項中的一項或多項：評估標準、維護或者管理與該雲端計算系統的一關係、將額外資訊附加到該有效載荷、或者限制代表該設備中繼的該有效載荷的一大小，其中該代理實體並置在該存取點內或者該代理實體在與該存取點相關聯的一區域網路中；<br/> 使用傳輸層安全或網際網路協定安全來保護該存取點和該雲端計算系統之間的一鏈路，其中使用該存取點或者使用與該存取點相關聯的該代理實體來使該鏈路是安全的；或者<br/> 使用該存取點和該雲端計算系統之間的一非對稱金鑰來保護在該存取點和該雲端計算系統之間交換的內容。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 向該設備發送指示該有效載荷和該存取點憑證的一第二訊框；或者<br/> 至少部分地基於先前安裝在該存取點上的一雲端計算系統憑證來驗證如該第一訊框中所指示的該設備憑證，其中中繼具有該存取點憑證的該有效載荷是至少部分地基於驗證該設備憑證的。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 至少部分地基於該設備憑證來驗證該設備被授權向該雲端計算系統發送該有效載荷，其中該設備憑證由該雲端計算系統進行簽名，並且其中至少部分地基於該雲端計算系統憑證來驗證該設備；<br/> 當在該第一訊框中存在一設備證書子欄位並且滿足以下各項中的一項或多項時，丟棄該第一訊框：未安裝該雲端計算系統憑證或對該設備憑證進行簽名的一中央機構的一憑證、使用與該雲端計算系統相關聯的一目的地的一已安裝憑證或該中央機構的該憑證來驗證該設備憑證失敗、或者一訊框簽名類型子欄位與一更高層認證不相關聯並且使用該設備憑證對與該第一訊框相關聯的訊框簽名的一驗證失敗；或者<br/> 當在該第一訊框中存在一重放保護子欄位並且滿足以下各項中的一項或多項時，丟棄該第一訊框：一時間子欄位被設置為一非零值並且該非零值與接收到該第一訊框的時間之間的一差滿足一閥值、一訊框計數子欄位為非零並且小於或等於一先前接收的第一訊框中的一值、或者該訊框計數子欄位為零並且該先前接收的第一訊框中的該值滿足一閥值。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 維持一訊框計數值的滑動訊窗以處理封包丟失和一訊框計數子欄位的回繞，其中當一鄰域中的存取點已經丟失包括具有一特定訊框計數的一訊框的多個訊框時，該訊框計數子欄位回繞；<br/> 在該有效載荷和該存取點憑證被中繼到該雲端計算系統之後，停止維護與該設備相關聯的狀態資訊；或者<br/> 當一區域中的多個存取點經由一區域網路中的與一或多個雲端計算系統維持關係的一代理實體連接到該雲端計算系統時，經由該區域網路中的該代理實體與該雲端計算系統進行通訊，其中該區域網路中的該代理實體包括一網路控制器，其中該代理實體常駐在該區域網路中包括的一公共實體中，並且其中一或多個存取點連接到該代理實體常駐在其上的該區域網路中的該公共實體。
根據請求項16之裝置，其中：<br/> 該存取點憑證是附加到該有效載荷以使該設備能夠與該存取點相關聯的一臨時金鑰；或者<br/> 至少部分地基於該存取點和該雲端計算系統之間的一協定來將與該設備相關聯的一位置的一指示附加到該有效載荷。
根據請求項16之裝置，其中為了與該設備進行關聯，該一或多個處理器被配置為：<br/> 從該設備接收指示該設備憑證的一關聯請求；及<br/> 向該設備發送指示該存取點憑證的一關聯回應。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 向該設備發送與對於該設備可存取的該雲端計算系統相關聯的一位址列表，其中該位址列表中未指示的位址對於該設備是不可存取的；或者<br/> 向該設備發送用於限制該設備與該雲端計算系統之間的通訊的一有效載荷大小或者允許代表該設備在一段時間內從該存取點向該雲端計算系統中繼的一請求數量的一指令，其中該有效載荷大小和該請求數量是至少部分地基於該存取點處的一本端策略的或者是至少部分地基於該存取點和該雲端計算系統之間的一關係的。
根據請求項16之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：<br/> 向該設備發送用於限制該設備與該存取點之間的一關聯的一持續時間的一指令，其中該存取點被配置為：至少部分地基於來自該雲端計算系統的該等指令來在一定時間段後與該設備解除關聯；或者<br/> 向該設備發送用於在該設備處於一預關聯狀態時限制對該設備的有效載荷的中繼的一數量或頻率的一指令，其中該設備在與該存取點關聯之前處於該預關聯狀態。
根據請求項16之裝置，其中該存取點與一增強型廣播服務代理共置。
一種用於無線通訊的一雲端計算系統的裝置，包括：<br/> 一記憶體；及<br/> 被耦合到該記憶體的一或多個處理器，其被配置為：<br/> 從一存取點接收對與一設備相關聯的一有效載荷和一存取點憑證的一指示；<br/> 驗證如該指示中所指示的該有效載荷和該存取點憑證；<br/> 至少部分地基於該有效載荷和該存取點憑證的該驗證來向該存取點發送該有效載荷和該存取點憑證；及<br/> 至少部分地基於該設備和該存取點之間的一關聯來經由該存取點與該設備進行通訊，其中該關聯是至少部分地基於該存取點憑證的。
根據請求項26之裝置，其中：<br/> 該雲端計算系統和該存取點之間的訊號傳遞是在該雲端計算系統和與該存取點相關聯的一代理實體之間的，其中該代理實體並置在該存取點內或者該代理實體在與該存取點相關聯的一區域網路中；<br/> 使用傳輸層安全或網際網路協定安全來使該存取點和該雲端計算系統之間的一鏈路是安全的；<br/> 使用該存取點和該雲端計算系統之間的一非對稱金鑰來保護在該存取點和該雲端計算系統之間交換的內容；或者<br/> 傳輸到該存取點的該有效載荷和該存取點憑證意欲針對該設備。
根據請求項26之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：至少部分地基於一設備憑證來驗證該有效載荷。
根據請求項26之裝置，其中該一或多個處理器被配置為：至少部分地基於該存取點憑證來驗證從該存取點接收的該指示來自一可信存取點。
一種機器人控制裝置，控制具備點熔接槍之機器人的動作，前述點熔接槍具有相向而配置之一對電極，前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部會讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更至表面粗化位置，以在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面，使用與研磨時相同的前述刀刃部做出傷痕來進行表面粗化。
如請求項1之機器人控制裝置，其中前述機器人動作控制部以一邊改變和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置一邊在前述一對電極的表面做出傷痕的方式，使配置在前述表面粗化位置的前述一對電極移動。
如請求項1或2之機器人控制裝置，其中前述機器人動作控制部在對配置在前述表面粗化位置的前述一對電極的表面做出傷痕時，會進行前述一對電極的軸方向的移動、與正交於前述軸方向之方向的移動。
如請求項1或2之機器人控制裝置，其中前述機器人動作控制部在對配置在前述表面粗化位置的前述一對電極的表面做出傷痕時，以使前述一對電極的表面接觸於前述刀刃部的角部之方式，來使前述一對電極移動。
一種機器人控制裝置，控制具備點熔接槍之機器人的動作，前述點熔接槍具有相向而配置之一對電極，前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部以一邊改變和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置一邊在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面做出傷痕的方式，使前述一對電極移動，而讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更。
一種機器人控制裝置，控制具備點熔接槍之機器人的動作，前述點熔接槍具有相向而配置之一對電極，前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部會讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更，以在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面做出傷痕，並以使前述一對電極的表面接觸於前述刀刃部的角部之方式，來使前述一對電極移動。
一種點熔接系統，具備：<br/> 點熔接槍，具有相向而配置之一對電極；<br/> 機器人，使前述點熔接槍移動；<br/> 電極研磨裝置，藉由旋轉的刀刃部來研磨前述一對電極的表面；及<br/> 機器人控制裝置，控制前述機器人及前述電極研磨裝置的動作，<br/> 前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至前述電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部會讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更至表面粗化位置，以在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面，使用與研磨時相同的前述刀刃部做出傷痕來進行表面粗化。
一種點熔接系統，具備：<br/> 點熔接槍，具有相向而配置之一對電極；<br/> 機器人，使前述點熔接槍移動；<br/> 電極研磨裝置，藉由旋轉的刀刃部來研磨前述一對電極的表面；及<br/> 機器人控制裝置，控制前述機器人及前述電極研磨裝置的動作，<br/> 前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至前述電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部以一邊改變和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置一邊在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面做出傷痕的方式，使前述一對電極移動，而讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更。
一種點熔接系統，具備：<br/> 點熔接槍，具有相向而配置之一對電極；<br/> 機器人，使前述點熔接槍移動；<br/> 電極研磨裝置，藉由旋轉的刀刃部來研磨前述一對電極的表面；及<br/> 機器人控制裝置，控制前述機器人及前述電極研磨裝置的動作，<br/> 前述機器人控制裝置具有：<br/> 機器人動作控制部，使前述點熔接槍的前述一對電極移動至前述電極研磨裝置的刀刃部之研磨位置，以藉由旋轉的前述刀刃部來研磨前述一對電極的表面，<br/> 前述機器人動作控制部會讓和前述刀刃部相接之前述一對電極的位置從前述研磨位置變更，以在藉由前述刀刃部進行研磨後的前述一對電極的表面做出傷痕，並以使前述一對電極的表面接觸於前述刀刃部的角部之方式，來使前述一對電極移動。
一種自異丙醇除去二氧化矽微粒子的方法，包括使微粒子吸附材與異丙醇接觸，使所述異丙醇中的粒徑為30 nm以下的二氧化矽微粒子吸附於所述微粒子吸附材而自所述異丙醇中除去， <br/>其中所述微粒子吸附材由在吸附材表面具有H型、Na型或K型的磺酸基的接枝鏈的高分子材料構成，且所述高分子材料為脂肪族烴。
如請求項1所述的自異丙醇除去二氧化矽微粒子的方法，其中所述微粒子吸附材具有膜、過濾器或纖維的形狀。
一種用於懸浮熱噴塗之懸浮液，其包含： <br/> a. 平均粒徑為2 μm或更小之固體陶瓷顆粒，其中該平均粒徑係指由體積基(volume based)粒徑分佈所測得之d50值，而該體積基粒徑分佈係以雷射繞射顆粒分析法所量得；和 <br/> b. 包含有機溶劑之液相， <br/> 其特徵在於該懸浮液的閃點為至少60℃，並且至多400℃，該閃點係根據DIN EN ISO 2719以Pensky-Martens閉杯裝置所測得， <br/> 其中該懸浮液的黏度係低於20 mPa*s，該黏度係根據說明書所量得， <br/> 其中該固體陶瓷顆粒在該懸浮液中的濃度範圍係從5 wt%至95 wt%， <br/> 其中該固體陶瓷顆粒係選自由下列所組成之群組：經釔穩定之氧化鋯(YSZ)、氧化鋯(ZrO<sub>2</sub>)、氧化釔(Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、鋯酸釓(Gd<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)、氧化鉻(III)(Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、氧化鋁(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)、矽酸鋁、氧化鈦(TiO<sub>x</sub>，其中x的範圍係從1.6至2)，以及其混合物及/或複合物，並且 <br/> 其中該有機溶劑包含或由下列組成：C<sub>6</sub>-C<sub>15</sub>一元醇、二醇、二醇醚或其任何組合。
根據請求項1之懸浮液，其中該懸浮液的黏度為16 mPa*s或更低，該黏度係根據說明書所量得。
根據請求項1之懸浮液，其中該有機溶劑包含或由C<sub>6</sub>-C<sub>15</sub>一元醇組成。
根據請求項1之懸浮液，其中該有機溶劑包含或由二醇或二醇醚組成。
根據請求項4之懸浮液，其中該二醇係選自由乙二醇所組成之群組。
根據請求項4之懸浮液，其中該二醇醚係選自由下列所組成之群組：二乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚、乙二醇一丁基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇二乙基醚、二丙二醇一甲基醚、丙二醇甲基醚、丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚及其任何組合。
根據請求項1之懸浮液，其中該有機溶劑包含或由下列兩種或多種之混合物組成： <br/> - C<sub>6</sub>-C<sub>15</sub>一元醇， <br/> - 二醇， <br/> - 二醇醚。
根據請求項7之懸浮液，其中該C<sub>6</sub>-C<sub>15</sub>一元醇為1-己醇，並且該二醇為乙二醇。
根據請求項7或8之懸浮液，其中該C<sub>6</sub>-C<sub>15</sub>一元醇相對於該二醇之重量比範圍係從1:1 w/w至40:1 w/w。
根據請求項1之懸浮液，其中該固體陶瓷顆粒在該懸浮液中的濃度範圍係從20 wt%至70 wt%。
根據請求項1之懸浮液，其另外包含分散劑。
根據請求項1之懸浮液，其中該固體陶瓷顆粒的平均粒徑為1 μm或更小。
根據請求項1之懸浮液，其中該懸浮液的黏度係低於10 mPa*s，該黏度係根據說明書所量得。
一種根據請求項1至13中任一項之懸浮液用於懸浮熱噴塗之用途。
根據請求項14之用途，其係用於在基材上產生熱障塗層，其中該基材係選自由金屬、陶瓷、聚合物、陶瓷基質複合物、金屬合金和其混合物及/或複合物所組成之群組。
一種半導體裝置的信號處理方法，所述信號處理方法包括： <br/>接收第一數位信號的第一數位碼； <br/>產生約束向量，其中所述約束向量是基於將所述第一數位碼的至少一個最低有效位元（LSB）與第二數位碼進行比較以指示最大轉換碼能夠出現在所述第一數位碼中的位置的信號，所述第二數位碼相對於所述第一數位碼為先前數位碼； <br/>藉由基於所述約束向量的傳輸遮罩來遮蔽所述第一數位碼；以及 <br/>輸出經遮蔽的所述第一數位碼及所述遮罩的資料匯流排倒置（DBI）位元。
如請求項1所述的信號處理方法，其中所述第一數位碼基於四級或大於四級的脈波振幅調變的格雷編碼。
如請求項1所述的信號處理方法，其中所述傳輸遮罩包含對應於所述第一數位碼的位元數目的多個傳輸遮罩。
如請求項3所述的信號處理方法，其中遮蔽所述第一數位碼的所述傳輸遮罩是在所述多個傳輸遮罩中對應於所述約束向量及所述第一數位碼而計算的位元計數的總和最大的遮罩。
如請求項4所述的信號處理方法，其中所述位元計數是最大轉換碼能夠出現在所述第一數位碼中的位置的數目。
如請求項3所述的信號處理方法，其中所述DBI位元是對應於所述多個傳輸遮罩中的每一者的數位碼。
如請求項1所述的信號處理方法，其中所述傳輸遮罩包含多個傳輸遮罩簿，每一傳輸遮罩簿包含對應於所述第一數位碼的位元數目的多個傳輸遮罩。
如請求項1所述的信號處理方法，其中與傳輸半導體裝置通信的接收半導體裝置接收經遮蔽的所述第一數位碼及所述DBI位元； <br/>選擇對應於所述DBI位元的接收遮罩；以及 <br/>藉由所選擇的所述接收遮罩對經遮蔽的所述第一數位碼進行解遮蔽。
如請求項8所述的信號處理方法，其中基於所述DBI位元及自相對於所述第一數位碼為先前數位碼的第二數位碼產生的另一約束向量，自多個接收遮罩中選擇所述接收遮罩。
一種半導體裝置，包括： <br/>處理單元，輸出第一數位碼； <br/>編碼器，藉由基於約束向量的傳輸遮罩來遮蔽所述第一數位碼，其中所述約束向量是基於將所述第一數位碼的至少一個最低有效位元（LSB）與所述第二數位碼進行比較以指示最大轉換碼能夠出現在所述第一數位碼中的位置的信號；以及 <br/>傳輸電路，傳輸經遮蔽的所述第一數位碼及所述傳輸遮罩的資料匯流排倒置（DBI）位元， <br/>其中所述約束向量基於相對於所述第一數位碼為先前數位碼的第二數位碼。
如請求項10所述的半導體裝置，其中所述編碼器包括： <br/>暫存器，儲存所述第二數位碼； <br/>約束向量計算器，基於所述第二數位碼而產生所述約束向量； <br/>遮罩選擇器，儲存多個傳輸遮罩且輸出對應於所述約束向量的所述傳輸遮罩；以及 <br/>操作單元，藉由自所述遮罩選擇器輸出的所述傳輸遮罩來遮蔽所述第一數位碼。
如請求項11所述的半導體裝置，其中所述DBI位元具有對應於所述多個傳輸遮罩中的每一者的多個碼值。
如請求項11所述的半導體裝置，更包括： <br/>遮罩簿選擇器，儲存多個傳輸遮罩簿且選擇對應於所述約束向量的任一個傳輸遮罩簿。
如請求項13所述的半導體裝置，其中所述多個傳輸遮罩簿包含所述多個傳輸遮罩，且 <br/>所述遮罩簿選擇器自經選擇為對應於所述約束向量的所述傳輸遮罩簿中輸出任一個傳輸遮罩。
如請求項11所述的半導體裝置，其中由所述遮罩選擇器輸出的所述傳輸遮罩是在所述多個傳輸遮罩中對應於所述約束向量及所述第一數位碼而計算的位元計數的總和最大的遮罩。
一種半導體裝置，包括： <br/>接收電路，接收第一數位碼及資料匯流排倒置（DBI）位元；以及 <br/>解碼器，藉由基於所述DBI位元的接收遮罩而對所述第一數位碼進行解遮蔽， <br/>其中所述接收遮罩對應於基於第二數位碼而產生的約束向量，所述第二數位碼相對於所述第一數位碼為先前數位碼， <br/>其中所述解碼器包含： <br/>接收遮罩簿選擇器，儲存多個接收遮罩簿且選擇對應於所述約束向量的任一個接收遮罩簿， <br/>其中遮罩選擇器輸出對應於所選擇的所述接收遮罩簿中的所述DBI位元的所述接收遮罩。
如請求項16所述的半導體裝置，其中所述解碼器包含： <br/>暫存器，儲存所述第二數位碼； <br/>約束向量計算器，基於所述第二數位碼而產生所述約束向量； <br/>所述遮罩選擇器，儲存多個接收遮罩且輸出對應於所述DBI位元的所述接收遮罩；以及 <br/>操作單元，藉由自所述遮罩選擇器輸出的所述接收遮罩而對所述第一數位碼進行解遮蔽。
一種製備通式(<b>I</b>)之氯苯甲醛肟的方法 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="47px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(<b>I</b>)， <br/> 其中 <br/> X<sup>2</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/> X<sup>3</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、氯、CN， <br/> X<sup>4</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/> X<sup>5</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、氯、CN， <br/> X<sup>6</sup>為H、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>氟烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷氧基、氟、CN， <br/> 其特徵在於通式(<b>II</b>)之化合物 <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="47px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><b>(II)</b><br/> 其中 <br/> X<sup>2</sup>至X<sup>6</sup>具有上述含義， <br/> 係於三氯異三聚氰酸(trichloroisocyanuric acid，TCCA)與二丁基甲醯胺(dibutylformamide，DBF)之協助下轉化為通式(<b>I</b>)之化合物。
如請求項1之方法，其中通式(<b>I</b>)與(<b>II</b>)之基團的定義如下： <br/> X<sup>2</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN， <br/> X<sup>3</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/> X<sup>4</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN， <br/> X<sup>5</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/> X<sup>6</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、氟、甲氧基、CN。
如請求項1之方法，其中通式(<b>I</b>)與(<b>II</b>)之基團的定義如下： <br/> X<sup>2</sup>為H， <br/> X<sup>3</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/> X<sup>4</sup>為氟、H， <br/> X<sup>5</sup>為H、甲基、三氟甲基、二氟甲基、氟、氯、甲氧基、CN， <br/> X<sup>6</sup>為H。
如請求項1之方法，其中通式(<b>I</b>)與(<b>II</b>)之基團的定義如下： <br/> X<sup>2</sup>為H， <br/> X<sup>3</sup>為H、氟， <br/> X<sup>4</sup>為H、氟， <br/> X<sup>5</sup>為H、氟， <br/> X<sup>6</sup>為H。
如請求項1之方法，其中通式(<b>I</b>)與(<b>II</b>)之基團的定義如下： <br/> X<sup>2</sup>為H， <br/> X<sup>3</sup>為氟， <br/> X<sup>4</sup>為H， <br/> X<sup>5</sup>為氟， <br/> X<sup>6</sup>為H。
如請求項1至5中任一項之方法，其特徵在於該反應係於-10℃至40℃下進行。
如請求項1至5中任一項之方法，其特徵在於該反應係於-5℃至10℃下進行。
如請求項1至5中任一項之方法，其特徵在於使用0.5至2當量之醯胺鹼，以苯甲醛肟(<b>II</b>)為基準。
如請求項1至5中任一項之方法，其特徵在於使用0.3至0.4當量之TCCA，以苯甲醛肟(<b>II</b>)為基準。
一種半導體封裝，包括： <br/>第一結構，包括第一絕緣層及穿透所述第一絕緣層的第一結合墊；以及 <br/>第二結構，位於所述第一結構上，所述第二結構包括： <br/>第二絕緣層，結合至所述第一絕緣層， <br/>結合墊結構，穿透所述第二絕緣層，所述結合墊結構結合至所述第一結合墊，以及 <br/>測試墊結構，穿透所述第二絕緣層，所述測試墊結構包括： <br/>測試墊，位於穿透所述第二絕緣層的開口中，所述測試墊具有帶有平整表面的突出部，以及 <br/>結合層，對所述開口進行填充且覆蓋所述測試墊及所述突出部的所述平整表面，所述測試墊的所述突出部自與所述結合層接觸的表面延伸，且所述突出部的所述平整表面位於所述開口內且與所述結合層和所述第一絕緣層之間的介面間隔開。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述結合層包含與所述第一絕緣層的材料相同的材料。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一結構更包括與所述結合墊結構交疊的虛設結合墊，所述虛設結合墊穿透所述第一絕緣層且包含與所述第一結合墊的材料相同的材料。
如請求項3所述的半導體封裝，其中所述虛設結合墊包含與所述結合層的材料相同的材料，所述虛設結合墊結合至所述結合層。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述測試墊包含與所述結合層的材料不同的材料，所述測試墊包含鋁。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述結合墊結構更包括： <br/>第二結合墊，連接至所述第一結合墊；以及 <br/>連接墊，位於所述第二結合墊上，所述第二結合墊位於所述連接墊與所述第一結合墊之間。
如請求項6所述的半導體封裝，其中所述連接墊包含與所述測試墊的材料相同的材料。
如請求項6所述的半導體封裝，其中所述測試墊的寬度大於所述連接墊的寬度。
如請求項6所述的半導體封裝，其中相對於所述結合層與所述第一絕緣層之間的所述介面而言，所述突出部的所述平整表面具有較所述連接墊的下表面的水平高度低的水平高度。
如請求項1所述的半導體封裝，其中： <br/>所述測試墊被配置成與在所述第二結構的電性晶粒分類測試中供應電流的探針接觸，且 <br/>所述突出部被配置為所述測試墊的包括藉由與所述探針接觸而堆積的堆積材料的區域。
如請求項1所述的半導體封裝，其中： <br/>所述第二結構更包括半導體本體及位於所述半導體本體下方的半導體內部電路區，且 <br/>所述第二絕緣層、所述結合墊結構及所述測試墊結構位於所述半導體內部電路區下方。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第二結構更包括半導體本體及穿透所述半導體本體且電性連接至所述第一結合墊的貫穿電極。
如請求項12所述的半導體封裝，其中所述半導體本體是矽基板。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述結合層的下表面與所述第二絕緣層的下表面共面。
如請求項1所述的半導體封裝，更包括覆蓋所述第二絕緣層的下表面的保護層，所述保護層的下表面與所述結合層的下表面共面。
一種半導體封裝，包括： <br/>下部結構，包括上部絕緣層及穿透所述上部絕緣層的上部結合墊；以及 <br/>上部結構，包括結合至所述上部絕緣層的下部絕緣層、穿透所述下部絕緣層且結合至所述上部結合墊的結合墊結構、以及穿透所述下部絕緣層且結合至所述上部絕緣層的上表面的測試墊結構， <br/>其中所述測試墊結構包括： <br/>測試墊，位於穿透所述下部絕緣層的開口的表面上，以及 <br/>結合層，對所述開口進行填充且覆蓋所述測試墊，且 <br/>其中所述測試墊具有較所述下部絕緣層的總厚度小的總厚度，且相對於所述下部結構的底部而言，所述測試墊具有位於較所述下部絕緣層的下表面的水平高度高的水平高度處的最下表面。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述測試墊包括朝向所述下部絕緣層的所述下表面突出的突出部，所述突出部在其端部處具有平整表面。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述測試墊包括面對所述下部絕緣層的所述下表面的凹槽，所述凹槽具有自所述下部絕緣層的所述開口的側壁延伸的側壁。
如請求項16所述的半導體封裝，其中所述測試墊包括自所述下部絕緣層的所述開口的側壁延伸的凹槽，所述凹槽是自所述開口的所述側壁在側向上被蝕刻出且面對所述下部絕緣層的所述下表面。
一種半導體封裝，包括： <br/>下部結構；以及 <br/>多個半導體晶片，位於所述下部結構上，所述多個半導體晶片包括彼此進行直接接觸的第一半導體晶片與第二半導體晶片， <br/>其中所述第一半導體晶片包括第一表面，在所述第一表面上設置有第一絕緣層及穿透所述第一絕緣層的第一結合墊， <br/>其中所述第一半導體晶片包括位於所述第一絕緣層上的第二絕緣層、穿透所述第二絕緣層且結合至所述第一結合墊的結合墊結構、以及穿透所述第二絕緣層且結合至所述第一表面的測試墊結構， <br/>其中所述測試墊結構包括位於穿透所述第二絕緣層的開口的表面上的測試墊以及對所述開口進行填充且覆蓋所述測試墊的結合層，且 <br/>其中所述測試墊具有較所述第二絕緣層的總厚度小的總厚度，且相對於所述下部結構的底部而言，所述測試墊具有位於較所述第二絕緣層的下表面的水平高度高的水平高度處的最下表面。
一種用於一人力驅動車之操作裝置，包括： <br/>一基座結構，設置成固接至該人力驅動車； <br/>一開關單元，設置成啟動以回應一使用者輸入，該開關單元包括一基座構件；以及 <br/>一額外開關單元，設置成啟動以回應一額外使用者輸入，該額外開關單元包括一額外基座構件； <br/>該基座構件和該額外基座構件都在一附接軸線處連結至該基座結構；以及 <br/>該開關單元包括一開關，設置成啟動以回應該使用者輸入並固接至該基座構件，使得該基座構件和該開關皆連結至該基座結構於該附接軸線處。
一種用於一人力驅動車之操作裝置，包括： <br/>一基座結構，設置成固接至該人力驅動車； <br/>一開關單元，設置成啟動以回應一使用者輸入，該開關單元包括一基座構件；以及 <br/>一額外開關單元，設置成啟動以回應一額外使用者輸入，該額外開關單元包括一額外基座構件；其中 <br/>該開關單元和該額外開關單元係連結至該基座結構，使得至少該開關單元和該額外開關單元之一者可繞一附接軸線調整； <br/>該開關單元包括一開關，設置成啟動以回應該使用者輸入並固接至該基座構件； <br/>該額外開關單元包括一額外開關，設置成啟動以回應該額外使用者輸入並固接至該額外基座構件； <br/>該開關單元包括一開關基座，繞著一樞轉軸線以樞轉方式連結至該基座構件； <br/>該開關固接至該開關基座； <br/>該額外開關單元包括一額外開關基座，繞著一額外樞轉軸線以樞轉方式連結至該額外基座構件； <br/>該額外開關固接至該額外開關基座；以及 <br/>該樞轉軸線和該額外樞轉軸線都設置成可相對於彼此調整。
如請求項2所述之操作裝置，其中： <br/>該基座構件和該額外基座構件都在該附接軸線處連結至該基座結構。
如請求項1所述之操作裝置，其中： <br/>該額外開關單元包括一額外開關，設置成啟動以回應該額外使用者輸入並固接至該額外基座構件。
如請求項4所述之操作裝置，其中： <br/>該開關單元包括一開關基座，繞著一樞轉軸線以樞轉方式連結至該基座構件， <br/>該開關固接至該開關基座， <br/>該額外開關單元包括一額外開關基座，繞著一額外樞轉軸線以樞轉方式連結至該額外基座構件， <br/>該額外開關固接至該額外開關基座，以及 <br/>該樞轉軸線和該額外樞轉軸線都設置成可相對於彼此調整。
如請求項5所述之操作裝置，其中： <br/>該樞轉軸線和該額外樞轉軸線界定一參考平面，以及 <br/>至少該基座構件和該額外基座構件之一者以可調整方式連結至該基座結構，使得在該樞轉軸線與該額外樞轉軸線之間界定的一第一角度在該參考平面上是可變的。
如請求項6所述之操作裝置，其中： <br/>從該附接軸線看過去，該第一角度的範圍從30度至90度。
如請求項7所述之操作裝置，其中： <br/>該基座結構設置成固接至該人力驅動車的一管狀部件，該管狀部件具有一縱向中心軸線， <br/>一第二角度界定在該參考平面與該管狀部件的該縱向中心軸線之間，以及 <br/>該第二角度的範圍從10度至30度。
如請求項8所述之操作裝置，另包括 <br/>一固接結構，包括至少一固接構件與一調整構件之一者。
如請求項5所述之操作裝置，其中： <br/>該樞轉軸線和該額外樞轉軸線彼此交叉。
如請求項6所述之操作裝置，其中： <br/>該參考平面與該附接軸線交叉。
如請求項1所述之操作裝置，另包括 <br/>一扣件，設置成將至少該基座構件和該額外基座構件之一者緊扣至該基座結構，其中 <br/>該扣件界定該附接軸線。
如請求項12所述之操作裝置，其中： <br/>該扣件設置成將該開關單元和該額外開關單元緊扣至該基座結構，使得至少該開關單元和該額外開關單元之一者繞著該附接軸線相對於該基座結構以可調整方式連結。
如請求項12所述之操作裝置，其中： <br/>該基座構件包括一第一開口， <br/>該額外基座構件包括一第二開口，以及 <br/>在該扣件將該基座構件和該額外基座構件緊扣到該基座結構的一緊扣狀態下，該扣件延伸穿過該第一開口和該第二開口。
如請求項14所述之操作裝置，其中： <br/>在該緊扣狀態下，該基座構件和該額外基座構件之一者維持在該基座結構與該基座構件和該額外基座構件另一者之間。
如請求項5所述之操作裝置，其中： <br/>該開關單元包括一開關蓋，其設置成附接至該開關基座，以在該開關基座與該開關蓋之間界定一內部空間，以及 <br/>該開關配置在該內部空間內。
如請求項5所述之操作裝置，其中： <br/>該額外開關單元包括一額外開關蓋，其設置成附接至該額外開關基座，以在該額外開關基座與該額外開關蓋之間界定一額外內部空間，以及 <br/>該額外開關配置在該額外內部空間內。
一種層積晶圓的研削方法，其特徵在於，在該層積晶圓中，將第一晶圓的第一面與第二晶圓的第三面以互相面對之狀態貼合，該第一晶圓具有該第一面與位於該第一面的相反側之第二面，且該第一面側及該第二面側的外周部已分別進行倒角，該第二晶圓具有該第三面與位於該第三面的相反側之第四面，且該第三面側及該第四面側之外周部已分別進行倒角， <br/>該層積晶圓的研削方法具備： <br/>改質層形成步驟，其沿著設定於該第一晶圓的較外周緣更內側之環狀的第一加工預定線，對該第一晶圓照射具有會穿透該第一晶圓之波長的雷射光束，而在該第一晶圓的內部形成環狀的第一改質層，且沿著設定於從該第一加工預定線起至該第一晶圓的該外周緣為止的環狀區域之一條以上的第二加工預定線，對該第一晶圓照射雷射光束，而形成在俯視該第一面之情形中將該環狀區域劃分成兩個以上之第二改質層； <br/>修整步驟，其在該改質層形成步驟之後，使切割刀片從該第二面切入該環狀區域直至該第一晶圓的厚度方向的預定深度為止，且沿著該外周緣使該層積晶圓與該切割刀片相對地移動，藉此切割該環狀區域；以及 <br/>研削步驟，其在該修整步驟之後，研削該第一晶圓的該第二面側並進行薄化直至完工厚度為止，且去除該環狀區域。
如請求項1之層積晶圓的研削方法，其中， <br/>在該修整步驟中，在已將該切割刀片所切入之預定深度定位於較該第一改質層及該第二改質層更下方之狀態下，切割該環狀區域。
一種層積晶圓的研削方法，其特徵在於，在該層積晶圓中，將第一晶圓的第一面與第二晶圓的第三面以互相面對之狀態貼合，該第一晶圓具有該第一面與位於該第一面的相反側之第二面，且該第一面側及該第二面側的外周部已分別進行倒角，該第二晶圓具有該第三面與位於該第三面的相反側之第四面，且該第三面側及該第四面側的外周部已分別進行倒角， <br/>該層積晶圓的研削方法具備： <br/>雷射加工槽形成步驟，其從該層積晶圓的上方往該第一晶圓的該第二面，沿著設定於該第一晶圓的較外周緣更內側之環狀的第一加工預定線，照射具有會被該第一晶圓吸收之波長的雷射光束，而形成在該第一晶圓的厚度方向貫通該第一晶圓之環狀的第一雷射加工槽，且沿著設定於從該第一加工預定線起至該第一晶圓的該外周緣為止的環狀區域之一條以上的第三加工預定線，從該層積晶圓的上方往該第二面照射雷射光束，而形成在俯視該第一面之情形中將該環狀區域劃分成兩個以上且在該第一晶圓的厚度方向貫通該第一晶圓之一條以上的第二雷射加工槽； <br/>修整步驟，其在該雷射加工槽形成步驟之後，使切割刀片從該第二面切入該環狀區域直至該第一晶圓的厚度方向的預定深度為止，且沿著該外周緣使該層積晶圓與該切割刀片相對地移動，藉此切割該環狀區域；以及 <br/>研削步驟，其在該修整步驟之後，研削該第一晶圓的該第二面側並進行薄化直至完工厚度為止，且去除該環狀區域。
一種形成一裝置的方法，包含以下步驟： <br/>在一基板上形成一膜堆疊，其中該膜堆疊包含複數個氧化物層與氮化物層的交替層且具有一堆疊厚度； <br/>蝕刻該膜堆疊至一第一深度以在複數個結構之間形成複數個開口，其中每個結構具有一側壁及每個開口具有一底部，其中該第一深度小於該堆疊厚度，及其中每個開口具有相對於該第一深度的大於50的一深寬比； <br/>在該等側壁與該等底部上沉積包含非晶矽的一蝕刻保護襯墊； <br/>至少從該等開口的該等底部移除該蝕刻保護襯墊； <br/>藉由蝕刻該等開口中的該膜堆疊而形成複數個孔洞，以進一步將該等開口的每個底部延伸至該孔洞的一第二深度；及 <br/>從該等側壁移除該蝕刻保護襯墊。
如請求項1所述之方法，其中每個開口具有相對於該第一深度的大於100至約500的一深寬比。
如請求項1所述之方法，其中沉積在該等開口的該等底部上的該蝕刻保護襯墊的一厚度小於沉積在該等結構的該等側壁上的該蝕刻保護襯墊的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中藉由一熱化學氣相沉積(CVD)製程沉積該蝕刻保護襯墊。
如請求項4所述之方法，其中該熱CVD製程包含將該等側壁與該等底部暴露至一製程氣體，該製程氣體包含一矽前驅物，該矽前驅物選自由矽烷、二矽烷、三矽烷、四矽烷、及前述物的任何組合所組成的群組。
如請求項1所述之方法，其中該蝕刻保護襯墊具有約1 nm至約50 nm的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中該蝕刻保護襯墊具有約2 nm至約10 nm的一厚度。
如請求項1所述之方法，其中該堆疊厚度在約1 µM至約10 µM的一範圍中。
如請求項1所述之方法，其中該複數個氧化物層與氮化物層的交替層包含約20對至約200對的氧化物層與氮化物層。
如請求項1所述之方法，其中該等開口的每一者與該等孔洞的每一者獨立地具有一寬度為約1 nm至約3,000 nm。
如請求項1所述之方法，其中該第二深度在約1 µM至約10 µM的一範圍中。
如請求項1所述之方法，其中該等孔洞的每一者是一記憶體孔洞或一字元線狹縫。
一種形成一裝置的方法，包含以下步驟： <br/>在一基板上形成一膜堆疊，其中該膜堆疊包含複數個氧化物層與氮化物層的交替層且具有一堆疊厚度； <br/>在該膜堆疊上形成一圖案化硬遮罩； <br/>蝕刻該膜堆疊至一第一深度以在複數個結構之間形成複數個開口，其中每個結構具有一側壁及每個開口具有一底部，其中該第一深度小於該堆疊厚度，及其中每個開口具有相對於該第一深度的大於100的一深寬比； <br/>藉由一熱化學氣相沉積(CVD)製程，在該等側壁與該等底部上沉積包含非晶矽的一蝕刻保護襯墊，其中該蝕刻保護襯墊具有約1 nm至約50 nm的一厚度； <br/>至少從該等開口的該等底部移除該蝕刻保護襯墊； <br/>藉由蝕刻該等開口中的該膜堆疊而形成複數個孔洞，以進一步將該等開口的每個底部延伸至該孔洞的一第二深度；及 <br/>從該等側壁移除該蝕刻保護襯墊。
如請求項13所述之方法，其中每個開口具有相對於該第一深度的約120至約500的一深寬比。
如請求項13所述之方法，其中沉積在該等開口的該等底部上的該蝕刻保護襯墊的一厚度小於沉積在該等結構的該等側壁上的該蝕刻保護襯墊的一厚度。
如請求項13所述之方法，其中該熱CVD製程包含將該等側壁與該等底部暴露至一製程氣體，該製程氣體包含一矽前驅物，該矽前驅物選自由矽烷、二矽烷、三矽烷、四矽烷、及前述物的任何組合所組成的群組。
如請求項13所述之方法，其中該蝕刻保護襯墊具有約2 nm至約20 nm的一厚度。
如請求項13所述之方法，其中該等開口的每一者與該等孔洞的每一者獨立地具有一寬度為約1 nm至約3,000 nm。
如請求項13所述之方法，其中該第二深度在約1 µM至約10 µM的一範圍中。
一種微電子裝置，包含： <br/>一膜堆疊，安置在一基板上，其中該膜堆疊包含複數個氧化物層與氮化物層的交替層且具有一堆疊厚度； <br/>一圖案化硬遮罩，安置在該膜堆疊的一上表面上； <br/>複數個開口，具有一第一深度，安置在複數個結構之間，其中每個結構具有一側壁及每個開口具有一底部，其中該第一深度小於該堆疊厚度，及其中每個開口具有相對於該第一深度的大於100的一深寬比；及 <br/>一蝕刻保護襯墊，包含非晶矽且安置在該圖案化硬遮罩、該等側壁、及該等底部上，其中該蝕刻保護襯墊具有約1 nm至約50 nm的一厚度。
一種物品搬送裝置，具備：<br/> 行走台車，行走在沿著容置複數個物品的容置架的正面而設定的行走路徑；<br/> 桅桿，以沿著上下方向的方式固定於前述行走台車；<br/> 升降體，沿著前述桅桿升降；及<br/> 移載機，搭載於前述升降體，<br/> 前述物品搬送裝置具有以下特徵：<br/> 前述移載機具備：<br/> 保持部，保持前述物品；及<br/> 移動機構，使前述物品移動，<br/> 前述移動機構使前述物品在保持位置與移交位置之間移動，進行前述物品在前述保持部與前述容置架之間的移載，前述保持位置是在前述行走台車的行走中及前述升降體的升降中保持前述物品的位置，前述移交位置是將前述物品移交至前述容置架時的前述物品的位置，<br/> 前述物品搬送裝置更具備：<br/> 承接部，被前述升降體所支撐，並且承接從前述物品滴下之液體；<br/> 收集部，收集藉由前述承接部所承接到之前述液體；及<br/> 液體檢測部，檢測已收集至前述收集部之前述液體的量，<br/> 前述承接部是配置成從下側覆蓋位於前述保持位置的前述物品的底面整體，<br/> 前述收集部連接於前述承接部，並且形成為具有開口部的有底筒狀，<br/> 前述承接部中的朝向上側的承接面整體是傾斜成隨著朝向前述收集部而逐漸朝向下側，<br/> 前述開口部是配置成在前述承接面的最下部開口。
一種物品搬送裝置，具備：<br/> 行走台車，行走在沿著容置複數個物品的容置架的正面而設定的行走路徑；<br/> 桅桿，以沿著上下方向的方式固定於前述行走台車；<br/> 升降體，沿著前述桅桿升降；及<br/> 移載機，搭載於前述升降體，<br/> 前述物品搬送裝置具有以下特徵：<br/> 前述移載機具備：<br/> 保持部，保持前述物品；及<br/> 移動機構，使前述物品移動，<br/> 前述移動機構使前述物品在保持位置與移交位置之間移動，進行前述物品在前述保持部與前述容置架之間的移載，前述保持位置是在前述行走台車的行走中及前述升降體的升降中保持前述物品的位置，前述移交位置是將前述物品移交至前述容置架時的前述物品的位置，<br/> 前述物品搬送裝置更具備：<br/> 承接部，被前述升降體所支撐，並且承接從前述物品滴下之液體；<br/> 收集部，收集藉由前述承接部所承接到之前述液體；及<br/> 液體檢測部，檢測已收集至前述收集部之前述液體的量，<br/> 前述承接部是配置成從下側覆蓋位於前述保持位置的前述物品的底面整體，<br/> 前述收集部連接於前述承接部，並且具備：<br/> 排出孔，用於將已收集至內部之前述液體排出；<br/> 開閉閥，開閉前述排出孔；及<br/> 閥驅動部，開閉驅動前述開閉閥，<br/> 前述承接部中的朝向上側的承接面整體是傾斜成隨著朝向前述收集部而逐漸朝向下側，<br/> 前述物品搬送裝置更具備：<br/> 控制部，控制前述行走台車、前述升降體及前述閥驅動部；及<br/> 回收部，回收從前述排出孔排出之前述液體，<br/> 前述回收部是在相對於前述容置架的位置已固定的狀態下，相鄰於前述行走路徑而配置，<br/> 前述控制部在藉由前述液體檢測部檢測出事先決定的量以上之前述液體的情況下，控制前述行走台車及前述升降體來使前述升降體移動，以使前述排出孔配置在與前述回收部對應的位置，並且在前述排出孔已配置在與前述回收部對應的位置的狀態下，執行控制前述閥驅動部來開放前述開閉閥的排出控制。
如請求項1或2之物品搬送裝置，其中前述升降體具備從下側支撐前述移載機的支撐部，<br/> 前述承接部配置在比前述支撐部更下側，而且被前述支撐部所支撐。
如請求項1之物品搬送裝置，其中前述收集部配置於前述行走路徑的側方。
如請求項2之物品搬送裝置，其中前述收集部具備作為前述開閉閥之閥體而發揮功能的底部，<br/> 前述液體檢測部構成為檢測從前述底部到前述液面的距離即液面高度，<br/> 將前述收集部已積存了事先決定的量之前述液體的狀態下的從前述底部到前述液面的距離設為設定高度，<br/> 前述控制部在藉由前述液體檢測部檢測出前述設定高度以上之前述液體高度的情況下，則執行前述排出控制。
一種末端執行器交換裝置，是具備第1轉接器(12)與第2轉接器(34)，並將前述第1轉接器及前述第2轉接器的其中一個安裝於機械手臂(46)或者搬送裝置，並在另一個安裝有末端執行器(48)的末端執行器交換裝置(10、50)，其中 <br/> 將前述第1轉接器的滑動部(18)嵌合於前述第2轉換器的溝槽(42)，並在前述滑動部所支承的凸輪構件(22)、與構成前述溝槽的開口緣部(36b)之間，配置滾珠(32)，藉由前述凸輪構件的移動，前述滾珠能朝向前述開口緣部的卡合溝(44、52)前進或者後退，藉由執行與前述凸輪構件一體之解除按鈕(24)的操作，並使前述第1轉接器與前述第2轉接器相對地滑動，使前述滾珠後退，進而使前述第1轉接器與前述第2轉接器分離， <br/>前述凸輪構件連結於：被支承成可移動於前述滑動部之長度方向的導引桿(20)。
如請求項1所記載的末端執行器交換裝置，其中具有T字型剖面的前述滑動部，嵌合於T字型的前述溝槽。
如請求項1所記載的末端執行器交換裝置，其中前述凸輪構件具備凸輪部(22a)及滾珠接收溝(22b)， <br/> 前述凸輪部是由以下所形成：傾斜部(22a1)，相對於前述導引桿的移動方向形成傾斜；平行部(22a2)，平行於前述導引桿的移動方向， <br/> 前述平行部位在前述傾斜部與前述滾珠接收溝之間。
如請求項1所記載的末端執行器交換裝置，其中前述卡合溝的壁面形狀，是將切除了特定中心角範圍的兩個圓筒面，在各自的母線處接合，而使該接合而成的線成為谷線。
如請求項1所記載的末端執行器交換裝置，其中前述卡合溝的壁面形狀，是使兩個平面形成交叉，並對其交叉部實施圓角處理。
如請求項4或請求項5所記載的末端執行器交換裝置，其中前述卡合溝的谷線，對滾珠的前進、後退方向形成傾斜。
一種影像感測器，包括：<br/> 不同的第一聚焦像素及第二聚焦像素，位於基底中；<br/> 第一鄰近像素，位於所述基底中且在第一方向的正向上鄰近於所述第一聚焦像素，所述第一聚焦像素與所述第一鄰近像素之間不存在像素；<br/> 第一微透鏡，覆蓋所述第一鄰近像素；<br/> 第二鄰近像素，位於所述基底中且在所述第一方向的正向上鄰近於所述第二聚焦像素，所述第二聚焦像素與所述第二鄰近像素之間不存在像素；以及<br/> 第二微透鏡，覆蓋所述第二鄰近像素且在形狀或大小中的至少一者中所述第一微透鏡的區域不同於所述第二微透鏡的區域。
如請求項1所述的影像感測器，其中<br/> 所述第一微透鏡在所述第一方向上的最大寬度為第一寬度，<br/> 所述第二微透鏡在所述第一方向上的最大寬度為第二寬度，且<br/> 所述第一寬度不同於所述第二寬度。
如請求項1所述的影像感測器，其中<br/> 所述第一微透鏡在與所述第一方向相交的第二方向上的最大寬度為第三寬度，<br/> 所述第二微透鏡在所述第二方向上的最大寬度為第四寬度，且<br/> 所述第三寬度不同於所述第四寬度。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括<br/> 第一正常像素，位於所述基底中，所述第一正常像素在與所述第一方向相交的第二方向上鄰近於所述第一鄰近像素，且不在所述第一方向及所述第二方向上鄰近於所述第一聚焦像素；<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第一正常像素，<br/> 其中<br/> 所述第一微透鏡在所述第一方向上的最大寬度為第一開始點與第一結束點之間的間隔，<br/> 所述第三微透鏡在所述第一方向上的最大寬度為第二開始點與第二結束點之間的間隔，<br/> 所述第一結束點與所述第一聚焦像素相對，<br/> 所述第二開始點在所述第二方向上與所述第一開始點相對，且位於自所述第一開始點在所述第二方向上延伸的第一延伸線上，且<br/> 所述第二結束點在所述第二方向上與所述第一結束點相對，且不位於自所述第一結束點在所述第二方向上延伸的第二延伸線上。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第三鄰近像素，位於所述基底中且在與所述第一方向相交的第二方向的正向上鄰近於所述第一聚焦像素；<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第三鄰近像素；<br/> 第四鄰近像素，位於所述基底中且在所述第二方向的正向上鄰近於所述第二聚焦像素；以及<br/> 第四微透鏡，覆蓋所述第四鄰近像素，<br/> 其中<br/> 所述第一聚焦像素與所述第三鄰近像素之間不存在像素，<br/> 所述第二聚焦像素與所述第四鄰近像素之間不存在像素，且<br/> 所述第三微透鏡的區域不同於所述第四微透鏡的區域。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第一正常像素，位於所述基底中且在與所述第一方向相交的第二方向上經由所述第一鄰近像素與所述第一聚焦像素間隔開；以及<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第一正常像素，<br/> 其中所述第一微透鏡的所述區域等於所述第三微透鏡的區域。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第一正常像素，位於所述基底中且在與所述第一方向相交的第二方向上藉由所述第一鄰近像素與所述第一聚焦像素間隔開；以及<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第一正常像素，<br/> 其中所述第一微透鏡的所述區域大於所述第三微透鏡的區域。
如請求項1所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第一正常像素，位於所述基底中且在與所述第一方向相交的第二方向上藉由所述第一鄰近像素與所述第一聚焦像素間隔開；以及<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第一正常像素，<br/> 其中所述第一微透鏡的所述區域小於所述第三微透鏡的區域。
如請求項1所述的影像感測器，其中<br/> 所述第一聚焦像素包含彼此鄰近的第一個第一聚焦像素及第一個第二聚焦像素，<br/> 所述第二聚焦像素包含彼此鄰近的第二個第一聚焦像素及第二個第二聚焦像素，<br/> 所述第一個第一聚焦像素與所述第一個第二聚焦像素之間及所述第二個第一聚焦像素與所述第二個第二聚焦像素之間不存在像素，<br/> 所述影像感測器更包括柵格圖案，<br/> 所述柵格圖案在所述基底上以及所述第一鄰近像素與所述第一聚焦像素之間及所述第二鄰近像素與所述第二聚焦像素之間，且<br/> 所述柵格圖案不在所述基底上以及所述第一個第一聚焦像素與所述第一個第二聚焦像素之間及所述第二個第一聚焦像素與所述第二個第二聚焦像素之間。
如請求項5所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第五微透鏡，覆蓋所述第一聚焦像素；<br/> 第六微透鏡，覆蓋所述第二聚焦像素；<br/> 彩色濾光片層，位於所述第一鄰近像素、所述第二鄰近像素、所述第一聚焦像素以及所述第二聚焦像素上；以及<br/> 平坦化膜，位於所述彩色濾光片層與所述第一微透鏡、所述第二微透鏡、所述第五微透鏡以及所述第六微透鏡之間，<br/> 其中所述第一微透鏡與所述第五微透鏡不在所述平坦化膜上彼此接觸。
如請求項10所述的影像感測器，其中經由所述第一微透鏡與所述第二微透鏡之間的空間暴露的所述平坦化膜的至少一部分凹陷至所述平坦化膜中。
一種影像感測器，包括：<br/> 基底，包含在其上入射光的第一表面，以及與所述第一表面相對的第二表面；<br/> 第一聚焦像素及第一鄰近像素，位於所述基底中，所述第一聚焦像素及所述第一鄰近像素經由像素分離圖案彼此分離，且在第一方向的正向上且彼此鄰近地依序配置，所述第一聚焦像素與所述第一鄰近像素之間不存在像素；<br/> 第二聚焦像素及第二鄰近像素，位於所述基底中，所述第二聚焦像素及所述第二鄰近像素經由所述像素分離圖案彼此分離，且在所述第一方向的正向上且彼此鄰近地依序配置，所述第二聚焦像素與所述第二鄰近像素之間不存在像素；<br/> 第一微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第一鄰近像素；<br/> 第二微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第二鄰近像素；<br/> 第三微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第一聚焦像素；以及<br/> 第四微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第二聚焦像素，<br/> 所述第一微透鏡與所述第三微透鏡之間在所述第一方向上的最小間隔不同於所述第二微透鏡與所述第四微透鏡之間在所述第一方向上的最小間隔。
如請求項12所述的影像感測器，其中所述第一微透鏡的區域不同於所述第二微透鏡的區域。
如請求項12所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 彩色濾光片層，位於所述第一鄰近像素及所述第二鄰近像素以及所述第一聚焦像素及所述第二聚焦像素上；<br/> 平坦化膜，位於所述彩色濾光片層與所述第一微透鏡至所述第四微透鏡之間；以及<br/> 保護層，沿所述第一微透鏡至所述第四微透鏡中的每一者的表面、所述第一微透鏡與所述第三微透鏡之間的所述平坦化膜的一部分的頂部表面以及所述第二微透鏡與所述第四微透鏡之間的所述平坦化膜的一部分的頂部表面延伸。
如請求項14所述的影像感測器，其中所述第一微透鏡與所述第三微透鏡之間的所述平坦化膜的所述一部分的所述頂部表面的至少一部分或所述第二微透鏡與所述第四微透鏡之間的所述平坦化膜的所述一部分的所述頂部表面的至少一部分凹陷至所述平坦化膜中。
如請求項12所述的影像感測器，其中所述影像感測器更包括：<br/> 第三聚焦像素及第三鄰近像素，位於所述基底中，其中所述第三聚焦像素及所述第三鄰近像素經由所述像素分離圖案彼此分離，且在所述第一方向的正向上且彼此鄰近地依序配置；<br/> 第五微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第三鄰近像素；以及<br/> 第六微透鏡，位於所述基底的所述第一表面上，且覆蓋所述第三聚焦像素，<br/> 其中所述第三聚焦像素與所述第三鄰近像素之間不存在像素，且<br/> 其中所述第一微透鏡與所述第三微透鏡之間在所述第一方向上的最小間隔不同於所述第三微透鏡與所述第五微透鏡之間在所述第一方向上的最小間隔。
一種影像感測器，包括：<br/> 不同的第一聚焦像素、第二聚焦像素及第三聚焦像素，位於基底中；<br/> 第一鄰近像素，位於所述基底中且在第一方向的正向上鄰近於所述第一聚焦像素，所述第一聚焦像素與所述第一鄰近像素之間不存在像素；<br/> 第二鄰近像素，位於所述基底中且在所述第一方向的正向上鄰近於所述第二聚焦像素，所述第二聚焦像素與所述第二鄰近像素之間不存在像素；<br/> 第三鄰近像素，位於所述基底中且在所述第一方向的正向上鄰近於所述第三聚焦像素，所述第三聚焦像素與所述第三鄰近像素之間不存在像素；<br/> 正常像素，位於所述基底中且不鄰近於所述第一聚焦像素、所述第二聚焦像素以及所述第三聚焦像素；<br/> 第一微透鏡，覆蓋所述第一鄰近像素；<br/> 第二微透鏡，覆蓋所述第二鄰近像素；<br/> 第三微透鏡，覆蓋所述第三鄰近像素；以及<br/> 第四微透鏡，覆蓋所述正常像素，在形狀或大小中的至少一者中，所述第一微透鏡的區域不同於所述第二微透鏡的區域、所述第三微透鏡的區域以及所述第四微透鏡的區域中的每一者。
如請求項17所述的影像感測器，其中所述第一微透鏡的所述區域、所述第二微透鏡的所述區域以及所述第三微透鏡的所述區域中的至少一者大於所述第四微透鏡的所述區域。
如請求項17所述的影像感測器，其中所述第一微透鏡的所述區域、所述第二微透鏡的所述區域以及所述第三微透鏡的所述區域中的至少一者小於所述第四微透鏡的所述區域。
如請求項17所述的影像感測器，其中所述第一微透鏡的所述區域大於所述第二微透鏡的所述區域且小於所述第三微透鏡的所述區域。
一種物品搬送設備，具備有：複數台物品搬送車，沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品；及控制裝置，控制前述物品搬送車， <br/>前述物品搬送設備具有以下之特徵： <br/>前述可行走路徑分別具備複數個節點與複數個連結路，前述節點是路徑分歧或合流之地點，前述連結路是連接一對前述節點之路徑部分， <br/>前述控制裝置執行路徑設定控制，前述路徑設定控制依據設定於前述連結路的每一個的前述連結路成本，來設定用於使複數台前述物品搬送車之中的1台即設定車行走至前述可行走路徑上的目的地之路徑即設定路徑， <br/>在前述連結路成本中包含有基準成本與變動成本， <br/>將通過前述連結路的任一台前述物品搬送車設為對象車，將前述對象車所通過之前述連結路設為對象連結路，將前述對象車以外的前述物品搬送車設為其他車， <br/>前述基準成本是依據基準通過時間而設定之值，前述基準通過時間是在前述對象連結路不存在前述其他車的狀態下，前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間， <br/>將執行前述路徑設定控制之時間點設為設定時間點， <br/>將存在於前述對象連結路之前述其他車的每1台之因應於前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間的增加量而設定之值設為其他車成本， <br/>將視為存在於前述對象連結路之前述其他車設為對象其他車， <br/>將因應於前述物品搬送車的行走目的而設定，且設定成隨著早點到達前述目的地之優先等級變低而連續地或分階段地變大之值，當作優先等級調整值， <br/>前述控制裝置在前述路徑設定控制中進行以下控制： <br/>依據前述對象其他車的數量與前述其他車成本，來求出前述變動成本； <br/>求出使用和前述設定車的前述行走目的相應之前述優先等級調整值調整了前述變動成本之調整變動成本； <br/>依據前述調整變動成本與前述基準成本，來決定候選路徑中的前述連結路的每一個的前述連結路成本，前述候選路徑是前述設定車之從前述設定時間點的位置起到前述目的地之前述設定路徑的候選之路徑； <br/>依據前述連結路成本來求出前述候選路徑的成本即路徑成本；及 <br/>依據前述候選路徑的每一個的前述路徑成本來設定前述設定路徑。
如請求項1之物品搬送設備，其中在前述行走目的中包含： <br/>搬送關連行走，朝向為了接收前述物品或移交前述物品而設定之前述目的地行走；及 <br/>退避行走，朝向為了將路徑讓給其他的前述物品搬送車而設定之前述目的地行走， <br/>關於前述退避行走之前述優先等級調整值設定得比關於前述搬送關連行走之前述優先等級調整值更大。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中在前述行走目的中包含：前述目的地為前述物品的使用場所之第1搬送關連行走、及前述目的地為前述物品的保管場所之第2搬送關連行走， <br/>關於前述第2搬送關連行走之前述優先等級調整值設定得比關於前述第1搬送關連行走之前述優先等級調整值更大。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中在前述行走目的中包含： <br/>第1移交行走，為了移交前述物品而將前述物品的使用場所作為前述目的地來行走； <br/>第1接收行走，為了接收前述物品而將前述物品的使用場所作為前述目的地來行走； <br/>第2移交行走，為了移交前述物品而將前述物品的保管場所作為前述目的地來行走； <br/>第2接收行走，為了接收前述物品而將前述物品的保管場所作為前述目的地來行走；及 <br/>退避行走，朝向為了將路徑讓給其他的前述物品搬送車而設定之前述目的地行走， <br/>前述優先等級調整值是設定成記載的順序越後面就越大。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中前述控制裝置將通過前述對象連結路之已設定有前述設定路徑之前述其他車設為前述對象其他車。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中前述控制裝置依據基於從前述設定車之前述設定時間點的位置起到前述對象連結路之路徑而推測之前述設定車到前述對象連結路之到達時刻、與基於從前述其他車之前述設定時間點的位置起到前述對象連結路之路徑而推測之前述其他車到前述對象連結路之到達時刻，來將和前述設定車在相同時期且相對於前述設定車而行走於前方之前述其他車設為前述對象其他車。
如請求項1或2之物品搬送設備，其中前述控制裝置將前述對象其他車的數量除以可存在於前述對象連結路內之前述物品搬送車的台數的最大值後之值，作為密度值來求出，並求出使用和前述設定車的前述行走目的相應之前述優先等級調整值調整了前述密度值之調整密度值，且在前述路徑設定控制中，以前述連結路成本隨著前述密度值變高而變高的方式來補正前述連結路成本。
如請求項1或2之物品搬送設備，其構成為： <br/>沿著前述可行走路徑設置有用於對前述物品搬送車供給電力之供電線， <br/>且可以按照已將前述可行走路徑複數個地區分之供電區來設定區內上限台數，而在前述供電區的每一個中對前述區內上限台數以下之前述物品搬送車供給電力， <br/>前述控制裝置將複數個前述供電區的1個設為對象供電區，且在視為存在於前述對象供電區的前述其他車的台數已成為該對象供電區的前述區內上限台數以上的情況下，會在前述路徑設定控制中執行供電區補正處理，前述供電區補正處理是將包含於前述對象供電區之前述連結路的前述連結路成本，補正成變得比未包含於前述對象供電區之前述連結路的前述連結路成本更高。
一種路徑設定方法，在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，使前述控制裝置執行路徑設定控制，來設定用於使複數台前述物品搬送車之中的1台即設定車行走至前述可行走路徑上的目的地之路徑即設定路徑， <br/>前述路徑設定方法具有以下之特徵： <br/>前述可行走路徑分別具備複數個節點與複數個連結路，前述節點是路徑分歧或合流之地點，前述連結路是連接一對前述節點之路徑部分， <br/>在已設定於前述連結路的每一個的連結路成本中包含基準成本與變動成本， <br/>將通過前述連結路之任一台前述物品搬送車設為對象車，並將前述對象車所通過之前述連結路設為對象連結路，將前述對象車以外的前述物品搬送車設為其他車， <br/>前述基準成本是依據基準通過時間而設定之值，前述基準通過時間是在前述對象連結路不存在前述其他車的狀態下，前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間， <br/>將執行前述路徑設定控制之時間點設為設定時間點， <br/>將存在於前述對象連結路之前述其他車的每1台之因應於前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間的增加量而設定之值設為其他車成本， <br/>將視為存在於前述對象連結路之前述其他車設為對象其他車， <br/>將因應於前述物品搬送車的行走目的而設定，且設定成隨著早點到達前述目的地之優先等級變低而連續地或分階段地變大之值，當作優先等級調整值， <br/>前述路徑設定方法具備以下步驟： <br/>依據前述對象其他車的數量與前述其他車成本，來求出前述變動成本； <br/>求出使用和前述設定車的前述行走目的相應之前述優先等級調整值調整了前述變動成本之調整變動成本； <br/>依據前述調整變動成本與前述基準成本，來決定候選路徑中的前述連結路的每一個的前述連結路成本，前述候選路徑是前述設定車之從前述設定時間點的位置起到前述目的地之前述設定路徑的候選之路徑； <br/>依據前述連結路成本來求出前述候選路徑的成本即路徑成本；及 <br/>依據前述候選路徑的每一個的前述路徑成本來設定前述設定路徑。
一種路徑設定程式，在具備有沿著規定的可行走路徑來行走並搬送物品的複數台物品搬送車、與控制前述物品搬送車的控制裝置之物品搬送設備中，使前述控制裝置執行路徑設定控制，而使前述控制裝置實現以下功能：設定用於使複數台前述物品搬送車之中的1台即設定車行走至前述可行走路徑上的目的地之路徑即設定路徑， <br/>前述路徑設定程式具有以下之特徵： <br/>前述可行走路徑分別具備複數個節點與複數個連結路，前述節點是路徑分歧或合流之地點，前述連結路是連接一對前述節點之路徑部分， <br/>在已設定於前述連結路的每一個的連結路成本中包含基準成本與變動成本， <br/>將通過前述連結路之任一台前述物品搬送車設為對象車，並將前述對象車所通過之前述連結路設為對象連結路，將前述對象車以外的前述物品搬送車設為其他車， <br/>前述基準成本是依據基準通過時間而設定之值，前述基準通過時間是在前述對象連結路不存在前述其他車的狀態下，前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間， <br/>將執行前述路徑設定控制之時間點設為設定時間點， <br/>將存在於前述對象連結路之前述其他車的每1台之因應於前述對象車通過前述對象連結路所需要的時間的增加量而設定之值設為其他車成本， <br/>將視為存在於前述對象連結路之前述其他車設為對象其他車， <br/>將因應於前述物品搬送車的行走目的而設定，且設定成隨著早點到達前述目的地之優先等級變低而連續地或分階段地變大之值，當作優先等級調整值， <br/>前述路徑設定程式使前述控制裝置實現以下功能： <br/>依據前述對象其他車的數量與前述其他車成本，來求出前述變動成本； <br/>求出使用和前述設定車的前述行走目的相應之前述優先等級調整值調整了前述變動成本之調整變動成本； <br/>依據前述調整變動成本與前述基準成本，來決定候選路徑中的前述連結路的每一個的前述連結路成本，前述候選路徑是前述設定車之從前述設定時間點的位置起到前述目的地之前述設定路徑的候選之路徑； <br/>依據前述連結路成本來求出前述候選路徑的成本即路徑成本；及 <br/>依據前述候選路徑的每一個的前述路徑成本來設定前述設定路徑。
一種膜狀接著劑，其係含有環氧樹脂（A）、環氧樹脂硬化劑（B）及苯氧基樹脂（C）者， <br/>上述膜狀接著劑中，上述環氧樹脂硬化劑（B）之含量為0.30～12.0質量%， <br/>上述環氧樹脂硬化劑（B）為累積分佈頻度90%時之粒徑（d90）為10.0 μm以下之粉體， <br/>上述膜狀接著劑之波長400 nm之光透射率T1為90%以下，使上述膜狀接著劑熱硬化而成之硬化物之波長400 nm之光透射率T2為85%以上，並且滿足T1＜T2。
如請求項1之膜狀接著劑，其中，上述環氧樹脂硬化劑（B）分散於上述膜狀接著劑中。
如請求項1或2之膜狀接著劑，其中，上述膜狀接著劑之厚度為1～20 μm。
如請求項1或2之膜狀接著劑，其中，上述膜狀接著劑不含著色劑。
如請求項1或2之膜狀接著劑，其中，上述膜狀接著劑不含無機填充材料。
一種積層膜，其包含請求項1至5中任一項之膜狀接著劑與切晶膜（dicing film）之積層體。
一種電子零件之製造方法，其包括下述步驟： <br/>第1步驟，其獲得透明膜狀構件、請求項1至5中任一項之膜狀接著劑及切晶膜依序積層而成之積層體； <br/>第2步驟，其藉由將上述透明膜狀構件及上述膜狀接著劑一體切割，而於切晶膜上獲得附接著劑層之透明膜狀晶片； <br/>第3步驟，其自上述接著劑層移除上述切晶膜，經由上述接著劑層將上述附接著劑層之透明膜狀晶片與構成電子零件之其他構件熱壓接；及 <br/>第4步驟，其使上述接著劑層熱硬化。
一種電子零件，其包含透明膜狀晶片經由請求項1至5中任一項之膜狀接著劑之熱硬化體而組裝於電子零件中之構造部。
如請求項8之電子零件，其中，上述電子零件為影像感測器。
如請求項9之電子零件，其中，上述透明膜狀晶片係作為光電二極體之保護膜而被組裝。
一種防水風扇，係具備： <br/> 具有可以旋轉軸線為中心進行旋轉的旋轉葉片之轉子； <br/> 具有相對於前述旋轉軸線往徑向延伸之複數個定子鐵芯以及捲繞在各個前述定子鐵芯上的繞線之定子； <br/> 具有開口於前述旋轉軸線的其中一側的收容空間之框體； <br/> 與前述繞線電性相連接且被收容在前述收容空間內之電路基板； <br/> 覆蓋著前述定子和前述電路基板，且將前述收容空間的開口予以封塞之防水樹脂部；以及 <br/> 被設在前述收容空間內，且用來將前述電路基板定位在與前述收容空間的內壁分開的位置上之定位構件； <br/> 前述收容空間是在前述旋轉軸線的另一側具有底面， <br/> 前述定位構件係具有：與前述收容空間的前述底面接觸的基底部、以及從前述基底部往前述旋轉軸線的其中一側延伸的突出部， <br/> 前述突出部係接觸於前述電路基板。
如請求項1所述之防水風扇，其中，前述定位構件係含有：與前述防水樹脂部含有的樹脂不同的樹脂。
如請求項1所述之防水風扇，其中，前述定位構件係將設在前述定位構件的嵌合部與設在前述電路基板的外緣之被嵌合部進行嵌合，藉以將前述電路基板進行定位。
一種防水風扇，係具備： <br/> 具有可以旋轉軸線為中心進行旋轉的旋轉葉片之轉子； <br/> 具有相對於前述旋轉軸線往徑向延伸之複數個定子鐵芯以及捲繞在各個前述定子鐵芯上的繞線之定子； <br/> 具有開口於前述旋轉軸線的其中一側的收容空間之框體； <br/> 與前述繞線電性相連接且被收容在前述收容空間內之電路基板； <br/> 覆蓋著前述定子和前述電路基板，且將前述收容空間的開口予以封塞之防水樹脂部；以及 <br/> 被設在前述收容空間內，且用來將前述電路基板定位在與前述收容空間的內壁分開的位置上之定位構件； <br/> 前述轉子係具有：被軸承所支承的旋轉軸部， <br/> 前述框體係具有：用來支承前述軸承之內筒部、較諸前述內筒部更大徑之外筒部、以及位於前述旋轉軸線的另一方側，用來連接前述內筒部與前述外筒部，且構成前述收容空間的底面之底部， <br/> 前述外筒部，係從前述底部的徑向端部往前述旋轉軸線的其中一側延伸， <br/> 利用前述內筒部的外周面、前述底部之前述旋轉軸線的其中一側的面、以及前述外筒部的內周面來構成前述收容空間。
如請求項4所述之防水風扇，其中，前述內筒部係具有：可供前述定子穿插的小徑部、以及較諸前述小徑部更大徑，且較諸前述小徑部更位於前述旋轉軸線的另一側的大徑部， <br/> 前述電路基板，係利用位於前述小徑部與前述大徑部之間的台階部，而在前述旋轉軸線的方向上被定位，並且利用前述定位構件，而在前述旋轉軸線的外周方向上被定位。
一種用於將一分流器植入於冠狀竇與左心房之間的一導引線輸送導管，該導管包括一固定機構，其包含：<br/> 一可移開式蓋體，其耦接至一線材；以及<br/> 一擴展構件，其藉由該可移開式蓋體之移開來被促動，該可移開式蓋體經組配來由該線材拉動以暴露該擴展構件，致使該擴展構件自該導管擴展出來，以將該導管之一遠端固定在該冠狀竇中的適當位置處；<br/> 其中該輸送導管包括一針埠；以及<br/> 其中該擴展構件位設於該導管之相對於該針埠的一側，其用於在以一針穿刺通過血管壁時提供壁並置。
如請求項1之導管，其中該擴展構件包含一網狀結構。
如請求項1之導管，其中該擴展構件包含一順應的線材材料。
如請求項1之導管，其中該擴展構件包含一自我擴展的泡體。
如請求項1之導管，其中該擴展構件包含一簧壓式泡體。
如請求項5之導管，其中彈簧係藉由該蓋體來保持在一壓縮狀態下，且該蓋體之移開係允許該彈簧解壓縮，藉此使該簧壓式泡體擴展以形成一圓頂形狀。
如請求項1之導管，其中該擴展構件經組配成藉由將該擴展構件上方之該可移開式蓋體再推進來縮回。
如請求項1之導管，其中該擴展構件之促動係致使該擴展構件壓抵一血管壁來提供壁並置，供該導管利於穿刺該血管壁。
如請求項1之導管，其中該線材包含一海波管。
如請求項1之導管，其中該擴展構件並非透過使用液體或氣體的充灌來被促動。
一種電感耦合電漿炬(torch)，其包括： <br/>一管狀樣本注射器，其經組態以在由該管狀樣本注射器之壁界定之一內部中接收一霧化樣本(aerosolized sample)； <br/>一內管，其環繞該管狀樣本注射器之至少一部分以在該內管與該管狀樣本注射器之該等壁之間形成一第一環形空間，該內管界定用於將一輔助氣體(auxiliary gas)引入至該第一環形空間中的複數個入口埠，該等入口埠經線性對準且經配置切向(tangent)於該內管之該內表面以提供在該第一環形空間內之該輔助氣體之層流(laminar flow)；及 <br/>一外管，其環繞該內管之至少一部分以形成一第二環形空間，該外管界定用於將一冷卻氣體引入至該第二環形空間中的複數個入口埠，該等入口埠經線性對準以促進層流條件下之切向流(tangential flow)，該外管在該外管之一出口處具有一擴張式區域(flared region)。
如請求項1之電感耦合電漿炬，其中該擴張式區域係定位於該內管之一出口端下游，該內管之該出口端係定位於該外管內。
如請求項2之電感耦合電漿炬，其中該外管之寬度自一第一管寬度增大至該外管之該出口處之該擴張式區域中之一第二管寬度。
如請求項3之電感耦合電漿炬，其中自該第一管寬度至該第二管寬度之該寬度增大係一恆定增大。
如請求項3之電感耦合電漿炬，其中自該第一管寬度至該第二管寬度之該寬度增大係一非線性增大。
如請求項3之電感耦合電漿炬，其中該擴張式區域包含該第一管寬度與該第二管寬度之間之恆定寬度的一或多個區域。
如請求項3之電感耦合電漿炬，其中該第二管寬度比該第一管寬度大約10%至約20%。
如請求項1之電感耦合電漿炬，其中該擴張式區域係該外管之一長度的約4%至約10%。
一種電感耦合電漿炬，其包括： <br/>一內管，其經組態以接收一管狀樣本注射器的至少一部分；及 <br/>一外管，其環繞該內管之至少一部分以形成一環形空間，該外管界定用於將一冷卻氣體引入至該環形空間中的複數個入口埠，該等入口埠經線性對準以促進層流條件下之切向流，該外管在該外管之一出口處具有一擴張式區域，其中該擴張式區域係定位於該內管之一出口端下游，該內管之該出口端係定位於該外管內。
如請求項9之電感耦合電漿炬，其中該外管之寬度自一第一管寬度增大至該外管之該出口處之該擴張式區域中之一第二管寬度。
如請求項10之電感耦合電漿炬，其中自該第一管寬度至該第二管寬度之該寬度增大係一恆定增大。
如請求項10之電感耦合電漿炬，其中自該第一管寬度至該第二管寬度之該寬度增大係一非線性增大。
如請求項10之電感耦合電漿炬，其中該擴張式區域包含該第一管寬度與該第二管寬度之間之恆定寬度的一或多個區域。
如請求項10之電感耦合電漿炬，其中該第二管寬度比該第一管寬度大約10%至約20%。
如請求項9之電感耦合電漿炬，其中該擴張式區域係該外管之一長度的約4%至約10%。
一種操作一電感耦合電漿炬之方法，其包括： <br/>將一霧化樣本引入至一電感耦合電漿炬之一管狀樣本注射器之一內部，該電感耦合電漿炬包含 <br/>一內管，其環繞該管狀樣本注射器之至少一部分以在該內管與該管狀樣本注射器之壁之間形成一第一環形空間，該內管界定用於將一輔助氣體引入至該第一環形空間中的複數個入口埠，該等入口埠經線性對準且經配置切向於該內管之該內表面以提供在該第一環形空間內之該輔助氣體之層流，及 <br/>一外管，其環繞該內管之至少一部分以形成一第二環形空間，該外管界定用於將一冷卻氣體引入至該第二環形空間中的複數個入口埠，該等入口埠經線性對準以促進層流條件下之切向流，該外管在該外管之一出口處具有一擴張式區域； <br/>經由該內管之該複數個入口埠將該輔助氣體引入至該電感耦合電漿炬之該第一環形空間中；及 <br/>經由該外管之該複數個入口埠將該冷卻氣體依小於12 L/min之一流速引入至該電感耦合電漿炬之該第二環形空間中。
如請求項16之方法，其中該擴張式區域係定位於該內管之一出口端下游，該內管之該出口端係定位於該外管內。
如請求項17之方法，其中該外管之寬度自一第一管寬度增大至該外管之該出口處之該擴張式區域中之一第二管寬度。
如請求項18之方法，其中該第二管寬度比該第一管寬度大約10%至約20%。
如請求項17之方法，其中該擴張式區域係該外管之一長度的約4%至約10%。
一種環氧樹脂硬化性組成物，其係含有：1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂、1分子中具有2個以上硫醇基之硫醇化合物、具有一級胺基及/或二級胺基之胺化合物A、及具有三級胺基之胺化合物B之環氧樹脂硬化性組成物，其中將該環氧樹脂硬化性組成物所含之前述環氧基的莫耳數設為Me，將一級胺基及二級胺基的莫耳數的合計設為M<sub>1+2</sub>，將三級胺基的莫耳數設為M<sub>3</sub>時，莫耳比M<sub>1+2</sub>/Me為0.11～0.5，且莫耳比M<sub>3</sub>/Me為0.005～0.1。
如請求項1之環氧樹脂硬化性組成物，其中，前述三級胺基的莫耳數M<sub>3</sub>相對於前述一級胺基及二級胺基的莫耳數的合計M<sub>1+2</sub>之莫耳比M<sub>3</sub>/M<sub>1+2</sub>為0.04～0.7。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，將前述環氧樹脂硬化性組成物所含之前述硫醇基的莫耳數設為Mt時，與前述環氧基的莫耳數Me的莫耳比Mt/Me為0.1～0.9。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，前述硫醇化合物不具有羰基。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，硬化物的L*a*b*表色系之色度係a*為-10～+10，b*為-20～+20。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，使用10g的前述環氧樹脂硬化性組成物，在23℃、50%RH硬化時的硬化時間為1～15分鐘。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，將前述環氧樹脂硬化性組成物塗布成6.0mm厚以上，在23℃、50%RH硬化時，硬化開始3小時後依據JIS K7215之蕭氏D硬度為75以上，硬化開始24小時後依據JIS K7215之蕭氏D硬度為75以上。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其係接著劑用。
一種含有如請求項1至8中任一項之環氧樹脂硬化性組成物的接著劑。
一種環氧樹脂硬化性組成物，其係含有：1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂、1分子中具有2個以上硫醇基之硫醇化合物A、具有一級胺基及/或二級胺基且不具有三級胺基之胺化合物、及以下述通式(1)～(3)中任一者表示之硫醇化合物B之環氧樹脂硬化性組成物，其中該硫醇化合物A及硫醇化合物B相異，將該環氧樹脂硬化性組成物所含之該環氧基的莫耳數設為Me，將該硫醇化合物A具有之硫醇基的莫耳數設為M<sub>A</sub>，將該硫醇化合物B具有之硫醇基的莫耳數設為M<sub>B</sub>時，莫耳比M<sub>A</sub>/Me為0.29～0.80，且莫耳比M<sub>B</sub>/Me為0.02～0.4，該硫醇化合物B具有之硫醇基的莫耳數M<sub>B</sub>相對於該硫醇化合物A具有之硫醇基的莫耳數M<sub>A</sub>的莫耳比M<sub>B</sub>/M<sub>A</sub>為0.04～0.5；<br/> (R<sup>2</sup>)<sub>n</sub>-C-(R<sup>3</sup>-O-CO-R<sup>1</sup>-SH)<sub>4-n</sub> (1)<br/> (通式(1)中，R<sup>1</sup>互相獨立地表示碳數1～10的伸烷基，R<sup>2</sup>表示氫原子、碳數1～10的烷基或碳數1～3的羥基烷基，R<sup>3</sup>互相獨立地表示碳數1～3的伸烷基，n表示0～2的整數，-SH與R<sup>1</sup>的任意碳原子鍵結)；<br/><img align="absmiddle" height="209px" width="534px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (R<sup>2</sup>)<sub>n</sub>-C-(R<sup>3</sup>-O-R<sup>1</sup>-SH)<sub>4-n</sub> (3)<br/> (通式(3)中，R<sup>1</sup>互相獨立地表示碳數1～10的伸烷基，R<sup>2</sup>表示氫原子、碳數1～10的烷基或碳數1～3的羥基烷基，R<sup>3</sup>互相獨立地表示碳數1～3的伸烷基，n表示0～2的整數，-SH與R<sup>1</sup>的任意碳原子鍵結)。
如請求項1之環氧樹脂硬化性組成物，其中，該硫醇化合物A不具有羰基。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，硬化物的L*a*b表色系之色度係a*為-10～+10，b*為-15～+15。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，使用10g的該環氧樹脂硬化性組成物，在23℃、50%RH硬化時的硬化時間為1～15分鐘。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其中，將該環氧樹脂硬化性組成物塗布成6.0mm厚以上，在23℃、50%RH硬化時，硬化開始3小時後依據JIS K7215之蕭氏D硬度為70以上，硬化開始24小時後依據JIS K7215之蕭氏D硬度為75以上。
如請求項1或2之環氧樹脂硬化性組成物，其係接著劑用。
一種接著劑，其含有如請求項1至6中任一項之環氧樹脂硬化性組成物。
一種注射筒，用於給予藥劑，包括： <br/>一圓筒，由具有前端部以及尾端部的筒狀構造所形成，包括用於將收納在內部的藥劑注出於外部的一注出孔，該注出孔設置在該前端部；以及 <br/>一分隔手段，將該圓筒內部的空間分隔為尾端側空間以及前端側空間； <br/>該分隔手段包括： <br/>一外殼，設置為與該圓筒內側液密接觸；以及 <br/>一中栓部，設置為可開關該外殼內部的尾端側空間與該外殼內部的前端側空間，使透過該外殼的內部讓該圓筒內部的尾端側空間與該圓筒內部的前端側空間連通或不連通； <br/>該外殼具有一接合部，將該外殼內部的尾端側空間與該外殼內部的前端側空間在不連通狀態時與該中栓部接合； <br/>該中栓部具有一個以上之被接合部，將該外殼內部的尾端側空間與該外殼內部的前端側空間在不連通狀態時與該接合部從尾端側接合； <br/>該分隔手段設為當由從尾端側插入該圓筒內部的活塞從尾端側施予推壓力時，該接合部與該被接合部其中一邊偏離對於另一邊的相對位置以跨越另一邊，該接合部與該被接合部之間的接合被解除，該中栓部連通該外殼內部的尾端側空間與該外殼內部的前端側空間，使該圓筒內部的尾端側空間與該圓筒內部的前端側空間連通； <br/>該外殼內部的尾端側空間與該外殼內部的前端側空間在不連通狀態時，該被接合部位於比該接合部朝向尾端側的端面更靠近尾端側的位置。
如請求項1所述的注射筒，其中，該接合部與該被接合部其中一邊相對於另一邊，分別配置於前端側與尾端側。
如請求項1或2所述的注射筒，其中，在該圓筒內部，設有配置於該外殼前端側端面的過濾層。
如請求項3所述的注射筒，其中，該分隔手段配置於該圓筒的前端部。
如請求項1所述的注射筒，其中，該中栓部包括一蓋部位，設為使該被接合部在其外周面並使該外殼的液體管道可開闔且略圓盤狀；以及複數腳部位，從該蓋部位的外周部的尾端側的端部，在周方向等間隔排列並往尾端側延伸。
一種形成一金屬閘極堆疊的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 在一基板的一表面上形成一介面層；<br/> 在該介面層上沉積一高K金屬氧化物層；<br/> 在該高K金屬氧化物層上形成一偶極膜；<br/> 在該基板上沉積一第一封蓋層；<br/> 在該第一封蓋層上形成一犧牲密封層；<br/> 在至少700℃的一溫度下對該基板進行一熱處理，以將該偶極膜驅至該高K金屬氧化物層中，並形成一偶極區域於該金屬閘極堆疊上，其中該金屬閘極堆疊的一等效氧化物厚度(EOT)相較於其上沒有犧牲密封層的一金屬閘極堆疊的該等效氧化物厚度增加量小於或等於0.2埃；及<br/> 移除該犧牲密封層。
如請求項1所述的方法，其中該犧牲密封層包括非晶矽(a-Si)。
如請求項1所述的方法，其中該犧牲密封層的一厚度在5埃至50埃的一範圍內。
如請求項1所述的方法，其中該偶極膜包括一偶極金屬的一氮化物、一碳化物、一氧化物、一碳氮化物或其組合。
如請求項4所述的方法，其中該偶極金屬包括鋅(Zn)、釩(V)、鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鈮(Nb)或上述各者的混合物。
如請求項1所述的方法，進一步包括以下步驟：移除該偶極膜的任何剩餘部分及該第一封蓋層。
如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一第二封蓋層。
如請求項1所述的方法，其中該第一封蓋層包括氮化鈦(TiN)或氮化鈦矽(TiSiN)。
如請求項1所述的方法，其中該高K金屬氧化物層包括氧化鉿(HfO<sub>2</sub>)、氮氧化鉿(HfON)、氧化鋯鉿(HfZrO)、氮氧化鋯鉿(HfZrON)、氧化矽鉿(HfSiO)及氮氧化矽鉿(HfSiON)中的一或更多種。
如請求項1所述的方法，其中該介面層包括二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、矽鍺氧化物(SiGeO<sub>x</sub>)、鍺氧化物(GeO<sub>x</sub>)或氮氧化矽(SiON)中的一或更多種。
如請求項7所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一PMOS功函數材料。
如請求項11所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一閘極材料。
一種從一金屬閘極堆疊清除氧化劑的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 在該金屬閘極堆疊上形成一犧牲密封層，該金屬閘極堆疊包括在一基板的一表面上的一介面層上的高K金屬氧化物層上的一偶極膜上的一第一封蓋層；<br/> 在至少700℃的一溫度下對該金屬閘極堆疊進行一熱處理，以將該偶極膜驅至該高K金屬氧化物層中，並形成一偶極區域，其中該金屬閘極堆疊的一等效氧化物厚度(EOT)相較於其上沒有犧牲密封層的一金屬閘極堆疊的該等效氧化物厚度增加量小於或等於0.2埃；及<br/> 移除該犧牲密封層。
如請求項13所述的方法，其中該犧牲密封層包括非晶矽(a-Si)。
如請求項13所述的方法，其中該犧牲密封層的一厚度在5埃至50埃的一範圍內。
如請求項13所述的方法，進一步包括以下步驟：移除該偶極膜的任何剩餘部分及該第一封蓋層。
如請求項13所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一第二封蓋層。
如請求項17所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一PMOS功函數材料。
如請求項18所述的方法，進一步包括以下步驟：在該基板上沉積一閘極材料。
一種工具機，其具備固持工件且能以主軸中心線為中心旋轉之主軸、及刀架，其特徵在於， 上述刀架具有：第1迴旋支架，其形成有供對上述工件進行加工之工具安裝之第1工具安裝部，以與上述主軸中心線正交之第1迴旋軸線為迴旋中心迴旋，從而調整工具相對於上述工件之方向；及第2迴旋支架，其形成有供對該工件進行加工之工具安裝之第2工具安裝部，以與該主軸中心線正交且與該第1迴旋軸線不同之第2迴旋軸線為迴旋中心迴旋，從而調整工具相對於上述工件之方向；且 上述工具機具備使上述第1迴旋支架及上述第2迴旋支架迴旋之共通之馬達。
如請求項1之工具機，其具備將上述馬達之驅動力由上述第1迴旋支架之上端部向上述第2迴旋支架之上端部傳遞之迴旋驅動傳遞機構。
如請求項1或2之工具機，其具備將以特定之迴旋角度停止之上述第2迴旋支架保持為該迴旋角度之制動機構。
如請求項1或2之工具機，其中上述第1迴旋支架及上述第2迴旋支架之各者均能安裝螺紋旋切工具。
如請求項3之工具機，其中上述第1迴旋支架及上述第2迴旋支架之各者均能安裝螺紋旋切工具。
一種具有若干個獨特齒輪比之踏板推進式車輛多速齒輪系統，包括： <br/>一主軸件(5)，以及 <br/>一周轉齒輪區段(10)，產生扭矩之輸入及輸出，其中，該周轉齒輪區段(10)係同軸地配置在該主軸件(5)上，而其中，該周轉齒輪區段(10)包括互連的一第一及一第二周轉齒輪組(11、12)； <br/>其中，該第一周轉齒輪組(11)包括一第一太陽齒輪(111)、多個第一行星齒輪(112)及一第一環形齒輪(113)，以及，該第二周轉齒輪組(12)包括一第二太陽齒輪(121)、多個第二行星齒輪(122)及一第二環形齒輪(123)； <br/>其中，該主軸件(5)包括向外延伸的一支撐突出部(131)； <br/>其中，該第二太陽齒輪(121)係被構形成為滑動地配置在該主軸件(5)上，且在一軸向的方向(D)上由該支撐突出部(131)軸向地支撐；以及 <br/>其中，此多速齒輪系統(1)包括固持該等第二行星齒輪(122)的一第一載架(101)，而其中，該第一載架係被構形成為在其軸向的方向(D)上滑動地配置在該主軸件上，直至被該第二太陽齒輪(121)軸向地支撐。
如請求項1之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，此多速齒輪系統(1)包括固持該等第一行星齒輪(112)的一第二載架(102)，而其中，該第二載架(102)係被構形成為在該軸向的方向(D)上滑動地配置在該主軸件(5)上，直至被該第一載架(101)軸向地支撐。
如請求項2之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，此多速齒輪系統(1)包括一內部配置的第一環形齒輪(113)，而其中，一外環(103)被構形成為在該軸向的方向(D)上滑動地配置在該主軸件上，直至該第一環形齒輪(113)由該第二載架(102)軸向地支撐。
如請求項3之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，此多速齒輪系統(1)包括一第一止推環(134)，其係被構形成為在該軸向的方向(D)上滑動地配置在該主軸件(5)上，直至被該外環(103)軸向地支撐。
如請求項4之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中包括：一第一殼體(170)，其係被構形成為在該軸向的方向(D)上滑動地配置在該主軸件(5)上，直至被該第一止推環(134)軸向地支撐。
如請求項1至5中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該第二太陽齒輪(121)係配置在該主軸件(5)上，且其中，該第二周轉齒輪組(12)係由該主軸件(5)徑向地支撐；其中，該第一太陽齒輪(111)係配置在該第一載架(101)上；且其中，此多速齒輪系統(1)包括配置在該主軸件(5)與該第一載架(101)之間的一內支撐環(132)；其中，該第一周轉齒輪組(11)係由該內支撐環(132)徑向地支撐。
如請求項6之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該外環(103)包括該第一環形齒輪(113)，而其中，該外環(103)係由該第一環形齒輪(113)徑向地支撐，且其中，此多速齒輪系統(1)進一步包括配置在該第二載架(102)與該外環(103)之間的一中間支撐環(133)，而其中，該外環(103)係由該中間支撐環(133)徑向地支撐。
如請求項7之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中包括：一第一殼體(170)，以及，配置在該殼體與該外環(103)之間的軸向間隔開的一第一及一第二外支撐環(135、136)，其中，該外環(103)係由該第一殼體(170)被該第一及第二外支撐環(135、136)徑向地支撐。
如請求項1至5中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該第一太陽齒輪(111)與該第一環形齒輪(113)之間的齒數比為0.7 +/-0.1，而且，該第二太陽齒輪(121)與該第二環形齒輪(123)之間的齒數比為0.6 +/-0.1。
如請求項9之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該第二環形齒輪(123)與該第一環形齒輪(113)之間的齒數比為0.82 +/- 0.15。
如請求項1至5中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該等第一及第二行星齒輪(112、122)具有相同數目的齒。
如請求項1至5中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該主軸件(5)係在該周轉齒輪區段(10)以及第一及第二離合器組(35、45)內側具有一均勻的內徑。
如請求項12之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該主軸件(5)包括縱向的多個花鍵(137)，其係被構形成為將諸太陽齒輪中之任一者旋轉地鎖定至該主軸件(5)。
如請求項13之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該主軸件(5)包括一支撐突出部(131)，其係在諸花鍵(137)外側徑向地延伸，以在一個軸向方向上鎖定諸太陽齒輪中之一者。
如請求項13之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該等花鍵(137)可被構形成為旋轉地固持以下各項目中之任一者： <br/>彈性手段(240)，被構形成為將第一及第二分度手段彈性地徑向推動至該主軸件(5)中之諸孔中， <br/>一軸件端套筒，被構形成為旋轉地固定至車輛之車架，以及 <br/>第一及第二動態換檔環(341、441)。
如請求項12之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該主軸件(5)包括一或多個貫穿孔(313、413)，用於使一或多個換檔滾珠(312、412)被配置成為相對於一或多個孔而徑向地移動。
如請求項1至5中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中包括： <br/>一殼體(170、1170)， <br/>一第一密封件(51)， <br/>一第一軸(200)，延伸穿過該第一密封件(51)及該殼體(170、1170)之壁，其中，該第一軸(200)係被構形成為相對於該殼體(170、1170)旋轉，以及 <br/>一通氣通道，被構形成為在此多速齒輪系統(1)之任何三維旋轉位置中釋放該殼體(170、1170)之內側與外側之間的壓力差。
如請求項17之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該換檔軸(200)係被構形成為在諸多分度位置(P)之間旋轉，其中，每個分度位置係對應於此多速齒輪系統(1)之一獨特齒輪比，以及 <br/>其中，此踏板推進式車輛多速齒輪系統進一步包括： <br/>一分度系統，被構形成為使該換檔軸旋轉至在旋轉上最近的分度位置，且進一步被構形成為在一第一方向(D)上提供該換檔軸之連續的軸向推動。
如請求項18之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該分度系統(210)包括： <br/>第一分度手段(220)，相對於該換檔軸被旋轉地固定， <br/>第二分度手段(230)，相對於此多速齒輪系統被旋轉地固定，及 <br/>彈性手段(240)，被構形成為將該等第一及第二分度手段彈性地推在一起。
如請求項19之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該第一分度手段(220)可被構形成為：當該換檔軸(200)在第一剖面中處於扭矩平衡中時，在具有第一半徑的一第一相互作用點中與該第二分度手段(230)相互作用，而且，當該換檔軸(200)在第二剖面中處於扭矩平衡中時，在具有第二半徑的一第二相互作用點中與該第二分度手段(230)相互作用，其中，該第二剖面係相對於該第一剖面位在第一方向(D)上，且該第二半徑系大於該第一半徑，而該第一剖面與該第二剖面係以大於零的距離分離。
如請求項20之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，該換檔軸(200)係被構形成為在一下部的分度位置與一上部的分度位置之間旋轉，其中，在該下部的分度位置與該上部的分度位置之間，該第一分度手段(220)之周界之任何點之半徑在第一方向(D)上增加。
如請求項21之踏板推進式車輛多速齒輪系統，其中，此多速齒輪系統包括若干個獨特齒輪比，且其中，該第二分度手段(230)包括由第一數目之分度位置(P)所分離的多個第一及第二分度元件(231、232)，該第一數目則等於其獨特齒輪比之數目。
一種用於製造請求項1至22中任一項之踏板推進式車輛多速齒輪系統的方法，其中，該多速齒輪系統(1)包括一第二向外離合器元件(72)及一殼體蓋(180)，而其中，該第二向外離合器元件(72)係被構形成為利用匹配的卡爪以驅動該殼體蓋(180)，而且，該殼體蓋(180)包括分別配置在諸卡爪之下方及其上方的內部一第一及一第二支撐圓柱形表面(181、182)，此方法包括： <br/>鑄造或鍛造該殼體蓋(180)，使該第一支撐圓柱形表面(181)及該等卡爪延伸得足夠高，以輕易地自模具移除該殼體蓋(180)；以及 <br/>車床加工該等卡爪之上部，以產生該第二支撐圓柱形表面(182)。
一種用於進行基板處理的製程腔室，該製程腔室包括：<br/> 一上部燈模組；<br/> 一下部燈模組；<br/> 一基板支撐件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間；<br/> 一上部窗口，設置在該上部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一下部窗口，設置在該下部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一腔室主體組件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間，並且形成一製程容積的一部分，該腔室主體組件包括：<br/> 一基部環，包括：<br/> 一基板傳輸通道，通過該基部環設置；<br/> 一下部腔室排氣通道，與該基板傳輸通道相對地設置，並且通過該基部環設置；<br/> 一個或多個上部腔室排氣通道，該一個或多個上部腔室排氣通道中的每一者具有設置在該下部腔室排氣通道上方且通過該基部環的一頂表面設置的一上部腔室排氣通道開口；以及 <br/> 一噴射環，設置在該基部環的頂部上且包括：<br/> 一個或多個噴射器通道，通過該噴射環設置，並且設置在該基板傳輸通道上方；以及<br/> 一個或多個凹痕，形成在一內部噴射環表面與一底部噴射環表面之間，該一個或多個凹痕設置在該一個或多個上部腔室排氣通道開口上方且與該一個或多個上部腔室排氣通道開口對準。
如請求項1所述的製程腔室，進一步包括：一個或多個氣體噴射器，設置在該一個或多個噴射器通道內，該一個或多個氣體噴射器中的每一者的一個或多個氣體出口相對於一水平面以大於5度的一角度設置。
如請求項1所述的製程腔室，其中該一個或多個上部腔室排氣通道開口與該一個或多個上部腔室排氣通道流體耦接。
如請求項3所述的製程腔室，其中該一個或多個上部腔室排氣通道包括兩個上部腔室排氣通道。
如請求項4所述的製程腔室，其中該兩個上部腔室排氣通道設置在該下部腔室排氣通道的相對側。
如請求項5所述的製程腔室，進一步包括：<br/> 一上部襯墊，設置在該噴射環內部和附近；以及<br/> 一下部襯墊，設置在該基部環內部和附近。
如請求項6所述的製程腔室，其中一下部加熱器設置在該下部襯墊與該內部基部環表面之間。
如請求項3所述的製程腔室，進一步包括：<br/> 一上部冷卻環，與該噴射環分開且設置在該噴射環上方且包括通過該上部冷卻環設置的一第一冷卻劑通道；以及<br/> 一下部冷卻環，與該基部環分開且設置在該基部環下方且包括通過該下部冷卻環設置的一第二冷卻劑通道。
一種用於進行基板處理的製程腔室，該製程腔室包括：<br/> 一上部燈模組，包括：<br/> 一上部模組主體，包括一頂表面和一底表面；以及<br/> 複數個燈孔，從該底表面設置到該頂表面；<br/> 一下部燈模組；<br/> 一基板支撐件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間；<br/> 一上部窗口，設置在該上部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一下部窗口，設置在該下部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一腔室主體組件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間，並且形成一製程容積的一部分，該腔室主體組件包括：<br/> 一基部環，包括：<br/> 一基板傳輸通道，通過該基部環設置；<br/> 一下部腔室排氣通道，與該基板傳輸通道相對地設置且通過該基部環設置；以及<br/> 一個或多個上部腔室排氣通道，通過該基部環設置，該一個或多個上部腔室排氣通道中的每一者具有一上部腔室排氣通道開口；以及<br/> 一噴射環，包括：<br/> 一個或多個噴射器通道，通過該噴射環設置；以及<br/> 一個或多個凹痕，形成在一內部噴射環表面與一底部噴射環表面之間，該一個或多個凹痕設置在該一個或多個上部腔室排氣通道開口上方且與該一個或多個上部腔室排氣通道開口對準。
如請求項9所述的製程腔室，其中該下部燈模組包括一升降臂組件，該升降臂組件包括：<br/> 一臂組件，通過該下部腔室排氣通道設置；<br/> 複數個升降銷，與該升降臂組件耦接；以及 <br/> 一對準感測器。
如請求項10所述的製程腔室，其中該基板支撐件進一步包括：一鐵磁性軸承，被配置為使該基板支撐件能夠圍繞一軸線旋轉。
如請求項9所述的製程腔室，其中該上部燈模組進一步包括：複數個燈泡開口，通過該頂表面設置，並且其中該複數個燈孔具有在該頂表面與該底表面之間延伸的一內壁，該內壁在該上部燈模組的該底表面處具有一圓形或橢圓形的橫截面並且是由一反射材料形成的，該反射材料的一反射率對於700 nm至15000 nm的一波長而言大於90%。
如請求項9所述的製程腔室，其中該上部腔室排氣通道開口圍繞該腔室主體組件的周邊的一部分設置，每個上部腔室排氣通道圍繞該腔室主體組件的25度至60度而延伸。
如請求項9所述的製程腔室，其中該複數個燈孔設置在三個相異的區中，每個區包括5至10個燈孔。
如請求項9所述的製程腔室，其中圍繞該內部噴射環表面的大於50%的周邊設置一凹槽，並且該等凹痕中的每一者位於該凹槽內且與該凹槽相比延伸至該噴射環的一主體中更深的位置。
如請求項15所述的製程腔室，其中該一個或多個上部腔室排氣通道包括在該下部腔室排氣通道的相對側的兩個上部腔室排氣通道。
一種用於進行基板處理的製程腔室，該製程腔室包括：<br/> 一上部燈模組，包括：<br/> 一上部模組主體，包括一頂表面和一底表面；以及<br/> 複數個燈孔，從該底表面朝向該頂表面設置；<br/> 一下部燈模組；<br/> 一基板支撐件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間；<br/> 一上部窗口，設置在該上部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一下部窗口，設置在該下部燈模組與該基板支撐件之間；<br/> 一腔室主體組件，設置在該上部燈模組與該下部燈模組之間，並且形成一製程容積的一部分，該腔室主體組件包括：<br/> 一基部環，包括：<br/> 一基板傳輸通道，通過該基部環設置；<br/> 一個或多個上部腔室排氣通道，通過該基部環設置，該一個或多個上部腔室排氣通道中的每一者具有與該製程容積流體連通的一上部腔室排氣通道開口；以及<br/> 一下部腔室排氣通道，通過該基部環設置，並且設置在該等上部腔室排氣通道開口下方；以及<br/> 一噴射環，設置在該基部環上且包括：<br/> 一個或多個噴射器支撐表面，沿著一外部噴射環表面設置；<br/> 一個或多個噴射器通道，設置在該基板傳輸通道上方且從該一個或多個噴射器支撐表面設置至一內部噴射環表面<br/> 一凹槽，圍繞該內部噴射環表面的大於50%的周邊設置；以及<br/> 一個或多個凹痕，形成在該凹槽內，該一個或多個凹痕設置在該一個或多個上部腔室排氣通道開口上方且與該一個或多個上部腔室排氣通道開口對準且與該凹槽相比更進一步延伸至該噴射環中。
如請求項17所述的製程腔室，其中一升降臂組件通過該下部腔室排氣通道設置，並且包括設置在該製程容積內的複數個臂。
如請求項18所述的製程腔室，其中該升降臂組件進一步包括：一升降銷，從該複數個臂中的每個臂向上延伸；以及一對準感測器，與該等升降銷中的一者耦接，並且被配置為偵測該基板支撐件內的一升降銷孔。
如請求項17所述的製程腔室，<br/> 進一步包括：<br/> 一上部冷卻環，與該噴射環分開且設置在該噴射環上方且包括通過該上部冷卻環設置的一第一冷卻通道；<br/> 一下部冷卻環，與該基部環分開且設置在該基部環下方且包括通過該下部冷卻環設置的一第二冷卻通道；<br/> 一上部加熱器，設置在該凹槽內；以及<br/> 一下部加熱器，設置在一內部基部環表面的徑向內側且設置在該上部加熱器下方。
一種配製物，其包含 <br/>(a) 索托拉西布(sotorasib)； <br/>(b) 40%-95%（w/w）的量的稀釋劑， <br/>(c) 0.5%-5%（w/w）的量的崩散劑，和 <br/>(d) 0.25%-5%（w/w）的量的潤滑劑，其中該稀釋劑包含塑性稀釋劑和視需要的脆性稀釋劑，並且其中 <br/>(i) 如果存在該脆性稀釋劑，則該配製物的特徵在於 <br/>(1) 按重量計該塑性稀釋劑比該脆性稀釋劑的第一比率大於或等於2.5 : 1；以及 <br/>(2) 按重量計該塑性稀釋劑比索托拉西布和該脆性稀釋劑合計的第二比率大於或等於1.2 : 1且小於該第一比率；或 <br/>(ii) 如果不存在該脆性稀釋劑，則該配製物的特徵在於按重量計該塑性稀釋劑比索托拉西布的比率大於或等於1.2 : 1且小於3.5 : 1。
如請求項1之配製物，其中該稀釋劑包含塑性稀釋劑和脆性稀釋劑，並且其中該第一比率大於或等於3 : 1，並且該第二比率大於或等於1.4 : 1且小於3 : 1。
如請求項1之配製物，其中該稀釋劑包含塑性稀釋劑且不含脆性稀釋劑，並且其中按重量計該塑性稀釋劑比索托拉西布的比率大於或等於1.4 : 1且小於3 : 1。
如請求項1之配製物，其包含1%-20%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含20%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項2之配製物，其包含1%-20%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項2之配製物，其包含20%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含20%-45%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含32%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項3之配製物，其包含20%-45%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項3之配製物，其包含32%（w/w）的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其中該稀釋劑包含乳糖、磷酸氫鈣（DCP）、甘露醇、山梨糖醇、木糖醇、碳酸鈣、碳酸鎂、磷酸三鈣、海藻糖、微晶纖維素和澱粉中的一或多種。
如請求項1之配製物，其中該稀釋劑包含乳糖、磷酸氫鈣（DCP）、甘露醇、微晶纖維素和澱粉中的一或多種。
如請求項1之配製物，其中該稀釋劑包含乳糖和微晶纖維素中的一或多種。
如請求項14之配製物，其中該乳糖為乳糖一水合物。
如請求項1之配製物，其中該塑性稀釋劑包含微晶纖維素和澱粉中的一或多種。
如請求項1之配製物，其中該塑性稀釋劑係微晶纖維素。
如請求項1之配製物，其中該脆性稀釋劑包含乳糖、磷酸氫鈣（DCP）、甘露醇、山梨糖醇、木糖醇、碳酸鈣、碳酸鎂、磷酸三鈣和海藻糖中的一或多種。
如請求項1之配製物，其中該脆性稀釋劑係乳糖。
如請求項1之配製物，其中該脆性稀釋劑係乳糖一水合物。
如請求項1之配製物，其中該脆性稀釋劑具有等於或大於125 MPa的平均Heckel屈服壓力且其中該塑性稀釋劑具有小於125 MPa的平均Heckel屈服壓力。
如請求項1之配製物，其包含2%-4%（w/w）的量的崩散劑。
如請求項1之配製物，其中該崩散劑包含交聯的羧基甲基纖維素鈉（交聯羧甲基纖維素鈉）、交聯聚乙烯吡咯啶酮（交聚維酮）、羧基乙酸澱粉鈉、預糊化澱粉、羧甲基纖維素鈣、低取代羥丙基纖維素、和矽酸鋁鎂中的一或多種。<b> </b>
如請求項1之配製物，其中該崩散劑包含交聯羧甲基纖維素鈉或羧基乙酸澱粉鈉中的一或多種。
如請求項1之配製物，其中該崩散劑係交聯羧甲基纖維素鈉。
如請求項1之配製物，其包含0.5%-1.5%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其中該潤滑劑包含硬脂酸鎂、硬脂酸鈣、油酸、辛酸、硬脂酸、異戊酸鎂、月桂酸鈣、棕櫚酸鎂、二十二酸、二十二酸甘油酯、硬脂酸甘油酯、硬脂醯富馬酸鈉、硬脂醯富馬酸鉀、硬脂酸鋅、油酸鈉、硬脂酸鈉、苯甲酸鈉、乙酸鈉、氯化鈉、滑石、聚乙二醇和氫化植物油中的一或多種。<b> </b>
如請求項1之配製物，其中該潤滑劑係硬脂酸鎂。
如請求項1之配製物，其包含120 mg的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含240 mg的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含320 mg的量的索托拉西布。
如請求項1之配製物，其包含16%-24%（w/w）的量的索托拉西布、61%-80%（w/w）的量的稀釋劑、2.4%-3.6%（w/w）的量的崩散劑和0.8%-1.2%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其包含18%-22%（w/w）的量的索托拉西布、68%-78%（w/w）的量的稀釋劑、2.7%-3.3%（w/w）的量的崩散劑和0.9%-1.1%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其包含20%（w/w）的量的索托拉西布、76%（w/w）的量的稀釋劑、3%（w/w）的量的崩散劑和1%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其包含26%-38%（w/w）的量的索托拉西布、51%-70%（w/w）的量的稀釋劑、2.4%-3.6%（w/w）的量的崩散劑和0.8%-1.2%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其包含29%-35%（w/w）的量的索托拉西布、58%-67%（w/w）的量的稀釋劑、2.7%-3.3%（w/w）的量的崩散劑和0.9%-1.1%（w/w）的量的潤滑劑。
如請求項1之配製物，其包含32%（w/w）的量的索托拉西布、64%（w/w）的量的稀釋劑、3%（w/w）的量的崩散劑和1%（w/w）的量的潤滑劑。
一種配製物，其包含20%（w/w）的量的索托拉西布、57%（w/w）的量的微晶纖維素、19%（w/w）的量的乳糖一水合物、3%（w/w）的量的交聯羧甲基纖維素鈉和1%（w/w）的量的硬脂酸鎂。
一種配製物，其包含120 mg的量的索托拉西布、342 mg的量的微晶纖維素、114 mg的量的乳糖一水合物、18 mg的量的交聯羧甲基纖維素鈉和6 mg的量的硬脂酸鎂。
一種配製物，其包含32%（w/w）的量的索托拉西布、57%（w/w）的量的微晶纖維素、7%（w/w）的量的乳糖一水合物、3%（w/w）的量的交聯羧甲基纖維素鈉和1%（w/w）的量的硬脂酸鎂。
一種配製物，其包含240 mg的量的索托拉西布、427.5 mg的量的微晶纖維素、52.5 mg的量的乳糖一水合物、22.5 mg的量的交聯羧甲基纖維素鈉和7.5 mg的量的硬脂酸鎂。
一種配製物，其包含320 mg的量的索托拉西布、570 mg的量的微晶纖維素、70 mg的量的乳糖一水合物、30 mg的量的交聯羧甲基纖維素鈉和10 mg的量的硬脂酸鎂。
如請求項1-42中任一項之配製物，其中該配製物係用包衣組成物包衣的片劑，其中該包衣組成物包含聚乙烯醇及二氧化鈦、聚乙二醇、滑石和著色劑中的一或多種。
如請求項1-42中任一項之配製物，其中該配製物中至少50%的索托拉西布在30分鐘內釋放，其藉由溶解試驗使用USP ＜711＞ 裝置2以75 rpm槳速在37°C在包含50 mM磷酸鈉和0.2%-0.6%（w/v）十二烷基硫酸鈉（SDS）的900 ml水的pH 6.7溶解介質中測量。
如請求項44之配製物，其中該配製物中至少80%的索托拉西布在30分鐘內釋放。
如請求項44之配製物，其中該配製物中至少85%的索托拉西布在15分鐘內釋放。
一種如請求項1至46中任一項之配製物之用途，其係用於製備治療癌症之藥物。
一種如請求項1至46中任一項之配製物之用途，其係用於製備治療癌症之藥物，其中該癌症之一或多個細胞表現KRAS G12C突變蛋白。
如請求項48之用途，其中該癌症係非小細胞肺癌、小腸癌、闌尾癌、結直腸癌、原發灶不明癌、子宮內膜癌、混合癌症類型、胰臟癌、肝膽管癌、小細胞肺癌、子宮頸癌、生殖細胞癌、卵巢癌、胃腸神經內分泌癌、膀胱癌、骨髓化生不良/骨髓增生性腫瘤、頭頸癌、食道胃癌、軟組織肉瘤、間皮瘤、甲狀腺癌、白血病或黑色素瘤。
如請求項48之用途，其中該癌症係非小細胞肺癌、結直腸癌、胰臟癌、闌尾癌、子宮內膜癌、原發灶不明癌、壺腹癌、胃癌、小腸癌、鼻竇癌、膽管癌或黑色素瘤。
如請求項48之用途，其中該癌症係非小細胞肺癌。
如請求項48之用途，其中該癌症係結直腸癌。
如請求項48之用途，其中該癌症係胰臟癌。
如請求項48至53中任一項之用途，其中該藥物係用於在投與給患者之前藉由攪拌將作為一或多個劑量單位提供的治療有效量的索托拉西布分散在水中。
如請求項54之用途，其中該水係非碳酸的。
如請求項54之用途，其中該水具有室溫。
如請求項54之用途，其中該水具有120 mL的體積。
如請求項54之用途，其中在投與給該患者之前立即或2小時內將該治療有效量分散在水中。
如請求項54之用途，其中該患者難以吞咽固體。
一種積體電路，包括實行相同功能的多個標準單元， <br/>其中所述多個標準單元包括第一標準單元及第二標準單元，且 <br/>所述第一標準單元與所述第二標準單元就內部導電圖案佈置而言彼此相同且就形成於用於輸入輸入訊號的位於第一金屬層與閘極線之間的通孔的位置而言彼此不同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元與所述第二標準單元就形成於所述閘極線之上的閘極接觸件的位置而言彼此不同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元與所述第二標準單元就形成於所述閘極線之上的閘極接觸件的位置而言彼此相同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元的將輸出訊號輸出至所述第一標準單元的外部的輸出接腳被形成為在所述閘極線之上形成的第一金屬層的圖案。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元的將輸出訊號輸出至所述第一標準單元的外部的輸出接腳被形成為與形成於所述第一標準單元的主動區中的源極/汲極區接觸的主動接觸件。
如請求項5所述的積體電路，其中所述第一標準單元與所述第二標準單元就被佈置成輸出所述輸出訊號且形成於所述主動接觸件之上的通孔的位置而言彼此不同。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一標準單元包括用於輸入所述輸入訊號的多條閘極線。
一種積體電路，包括： <br/>多個標準單元；以及 <br/>第一金屬層及第二金屬層，所述第二金屬層形成於所述第一金屬層之上，所述第一金屬層及所述第二金屬層用於對所述多個標準單元進行內連， <br/>其中所述第一金屬層的圖案在第一水平方向上延伸， <br/>所述第二金屬層的圖案在第二水平方向上延伸，且 <br/>所述多個標準單元之中的至少一個標準單元包括閘極線作為輸入接腳，所述閘極線在所述第二水平方向上延伸且用於接收輸入訊號。
如請求項8所述的積體電路，其中所述至少一個標準單元包括用於輸入所述輸入訊號的多條閘極線作為所述輸入接腳，且 <br/>所述第一金屬層包括位於所述多條閘極線之上且將所述多條閘極線電性連接至彼此的佈線走線。
如請求項8所述的積體電路，其中，在所述至少一個標準單元中界定有非佈線區，在所述非佈線區中禁止在所述閘極線與所述第一金屬層之間形成將所述閘極線與所述第一金屬層連接至彼此的閘極通孔。
如請求項8所述的積體電路，其中所述至少一個標準單元包括輸出接腳，所述輸出接腳被佈置成將輸出訊號輸出至所述至少一個標準單元的外部且被形成為所述第一金屬層的所述圖案。
如請求項8所述的積體電路，其中所述至少一個標準單元包括： <br/>主動區，在所述第一水平方向上延伸；以及 <br/>輸出接腳，被佈置成將輸出訊號輸出至外部且被形成為與形成於所述主動區中的源極/汲極區接觸的主動接觸件。
如請求項8所述的積體電路，其中所述至少一個標準單元包括在所述第一水平方向上延伸的主動區，且 <br/>在所述主動區中形成有被形成為由所述閘極線環繞的奈米片材。
一種積體電路，包括： <br/>多個標準單元；以及 <br/>第一金屬層及第二金屬層，所述第二金屬層形成於所述第一金屬層之上，所述第一金屬層及所述第二金屬層用於對所述多個標準單元進行內連， <br/>其中所述第一金屬層的圖案在第一水平方向上延伸， <br/>所述第二金屬層的圖案在第二水平方向上延伸，且 <br/>所述多個標準單元之中的第一標準單元包括第一閘極接觸件作為輸入接腳，所述第一閘極接觸件與第一閘極線接觸、在所述第二水平方向上延伸且用於接收輸入訊號。
如請求項14所述的積體電路，其中所述第一標準單元更包括第二閘極線及第二閘極接觸件，所述第二閘極接觸件與所述第二閘極線接觸且被形成為所述輸入接腳，且 <br/>所述第一金屬層包括將所述第一閘極接觸件與所述第二閘極接觸件電性連接至彼此的佈線走線。
如請求項14所述的積體電路，其中所述第一標準單元更包括與所述第一閘極線接觸的第三閘極接觸件，且 <br/>所述第三閘極接觸件包括與所述第一金屬層的所述圖案電性隔離的虛設接觸件。
如請求項14所述的積體電路，其中所述第一標準單元更包括與所述第一閘極線接觸的第四閘極接觸件，且 <br/>在所述第一標準單元中界定有非佈線區，在所述非佈線區中禁止在所述第四閘極接觸件與所述第一金屬層之間形成將所述第四閘極接觸件與所述第一金屬層連接至彼此的閘極通孔。
如請求項14所述的積體電路，其中所述第一標準單元包括輸出接腳，所述輸出接腳被佈置成將輸出訊號輸出至所述第一標準單元的外部且被形成為所述第一金屬層的所述圖案。
如請求項14所述的積體電路，其中所述第一標準單元包括： <br/>主動區，在所述第一水平方向上延伸；以及 <br/>輸出接腳，被佈置成將輸出訊號輸出至所述第一標準單元的外部且被形成為與形成於所述主動區中的源極/汲極區接觸的主動接觸件。
如請求項14所述的積體電路，其中所述多個標準單元包括實行與所述第一標準單元相同的功能的第二標準單元， <br/>所述第二標準單元包括用於接收所述輸入訊號且在所述第二水平方向上延伸的閘極線以及與所述閘極線接觸的閘極接觸件，且 <br/>除所述第一標準單元的所述第一閘極接觸件及所述第二標準單元的所述閘極接觸件之外，所述第一標準單元與所述第二標準單元就內部導電圖案佈置而言彼此相同。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽： <br/><img align="absmiddle" height="157px" width="323px" file="ed10959.jpg" alt="ed10959.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(I)， <br/>其中： <br/>環A為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、雜芳基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基或雜環烷基； <br/>各R<sup>1</sup>獨立地為氘、鹵素、-CN、側氧基(oxo)、-NO<sub>2</sub>、-OH、-OR<sup>a</sup>、-OC(=O)R<sup>a</sup>、-OC(=O)OR<sup>b</sup>、-OC(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SH、-SR<sup>a</sup>、-S(=O)R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)R<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-C(=O)R<sup>a</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-P(O)(R<sup>a</sup>)<sub>2</sub>、-P(O)<sub>2</sub>(R<sup>a</sup>)<sub>2</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，或雜芳基；其中該等C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及雜芳基各視情況且獨立地經一或多個R<sup>1a</sup>取代； <br/>或相鄰原子上之兩個R<sup>1</sup>一起形成C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基或雜環烷基；各自視情況經一或多個R<sup>1b</sup>取代； <br/>各R<sup>1a</sup>獨立地為氘、鹵素、-CN、-NO<sub>2</sub>、-OH、-OR<sup>a</sup>、-OC(=O)R<sup>a</sup>、-OC(=O)OR<sup>b</sup>、-OC(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SH、-SR<sup>a</sup>、-S(=O)R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)R<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-C(=O)R<sup>a</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，或雜芳基； <br/>或同一原子上之兩個R<sup>1a</sup>一起形成側氧基； <br/>各R<sup>1b</sup>獨立地為氘、鹵素、-CN、-NO<sub>2</sub>、-OH、-OR<sup>a</sup>、-OC(=O)R<sup>a</sup>、-OC(=O)OR<sup>b</sup>、-OC(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SH、-SR<sup>a</sup>、-S(=O)R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)R<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-C(=O)R<sup>a</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，或雜芳基； <br/>或同一原子上之兩個R<sup>1b</sup>一起形成側氧基； <br/>n為0、1、2、3、4、5、6、7或8； <br/>R<sup>2</sup>為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基； <br/>R<sup>3</sup>為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基； <br/>R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>及R<sup>4c</sup>各獨立地為氫、氘、鹵素、-CN、-NO<sub>2</sub>、-OH、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-C(=O)R<sup>a</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基； <br/>R<sup>5</sup>為氫、氘、鹵素、-CN、-OH、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基； <br/>各R<sup>6</sup>獨立地為氫、氘、鹵素、-CN、-OH、-OR<sup>a</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基； <br/>R<sup>7</sup>為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基； <br/>R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>、R<sup>8c</sup>及R<sup>8d</sup>各獨立地為氫、氘、鹵素、-CN、-NO<sub>2</sub>、-OH、-OR<sup>a</sup>、-OC(=O)R<sup>a</sup>、-OC(=O)OR<sup>b</sup>、-OC(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-SH、-SR<sup>a</sup>、-S(=O)R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-S(=O)<sub>2</sub>NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)R<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>C(=O)OR<sup>a</sup>、-NR<sup>b</sup>S(=O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、-C(=O)R<sup>a</sup>、-C(=O)OR<sup>b</sup>、-C(=O)NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，或雜芳基； <br/>各R<sup>a</sup>獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、雜芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基)或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜芳基)；其中該等C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及雜芳基各獨立地視情況經一或多個側氧基、氘、鹵素、-CN、-OH、-OCH<sub>3</sub>、-S(=O)CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NHCH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-NHCH<sub>3</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(=O)CH<sub>3</sub>、-C(=O)OH、-C(=O)OCH<sub>3</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基取代； <br/>各R<sup>b</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、雜芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基)或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜芳基)；其中該等C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及雜芳基各獨立地視情況經一或多個側氧基、氘、鹵素、-CN、-OH、-OCH<sub>3</sub>、-S(=O)CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NHCH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-NHCH<sub>3</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(=O)CH<sub>3</sub>、-C(=O)OH、-C(=O)OCH<sub>3</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基取代；及 <br/>各R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷胺基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基、雜芳基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜環烷基)、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基)或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基(雜芳基)；其中該等C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及雜芳基各獨立地視情況經一或多個側氧基、氘、鹵素、-CN、-OH、-OCH<sub>3</sub>、-S(=O)CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NHCH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-NHCH<sub>3</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(=O)CH<sub>3</sub>、-C(=O)OH、-C(=O)OCH<sub>3</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基取代； <br/>或R<sup>c</sup>及R<sup>d</sup>與其所連接之原子一起形成雜環烷基，其視情況經一或多個側氧基、氘、鹵素、-CN、-OH、-OCH<sub>3</sub>、-S(=O)CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>NHCH<sub>3</sub>、-S(=O)<sub>2</sub>N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-NH<sub>2</sub>、-NHCH<sub>3</sub>、-N(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、-C(=O)CH<sub>3</sub>、-C(=O)OH、-C(=O)OCH<sub>3</sub>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基取代； <br/>其中： <br/>「雜芳基」指包含1至13個碳原子及1至6個選自硼、氮、氧、磷及硫之雜原子及至少一個芳環的5員至14員環基團； <br/>「雜環烷基」指包含2至23個碳原子及1至8個選自硼、氮、氧、磷及硫之雜原子的3員至24員部分或完全飽和的環基團；及 <br/>「雜烷基」係包含1至6個碳原子及一或多個選自氧、氮、硫及其組合之原子。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基或雜芳基。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A為C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基。
如請求項2之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A為雜芳基。
如請求項4之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中環A為呋喃基、吡咯基、噻吩基、㗁唑基、咪唑基、噻唑基、吡唑基、異㗁唑基、異噻唑基、三唑基、吡啶基、吡𠯤基、嘧啶基或嗒𠯤基。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>1</sup>獨立地為鹵素、-CN、-OH、-OR<sup>a</sup>、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、-OC<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>鹵烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>羥烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>胺基烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>雜烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基，或雜芳基；其中該等C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基、雜環烷基、C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基及雜芳基各視情況且獨立地經一或多個R<sup>1a</sup>取代。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中n為1、2或3。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>2</sup>為氫。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為氫。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>4a</sup>、R<sup>4b</sup>及R<sup>4c</sup>為氫。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>5</sup>為氫。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中各R<sup>6</sup>為氫。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>7</sup>為氫或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1至5中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>8a</sup>、R<sup>8b</sup>及R<sup>8d</sup>各為氫且R<sup>8c</sup>為氫、鹵素或-OR<sup>a</sup>。
如請求項14之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>8c</sup>為鹵素或-OR<sup>a</sup>。
如請求項15之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>8c</sup>為-OR<sup>a</sup>。
如請求項16之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>8c</sup>為-O(C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基)。
如請求項17之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>8c</sup>為-OCH<sub>3</sub>。
如請求項1之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="93px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="85px" file="ed10961.jpg" alt="ed10961.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="98px" file="ed10962.jpg" alt="ed10962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="99px" file="ed10963.jpg" alt="ed10963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="85px" file="ed10964.jpg" alt="ed10964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="85px" file="ed10965.jpg" alt="ed10965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="93px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="71px" width="88px" file="ed10967.jpg" alt="ed10967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="61px" width="91px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="84px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="56px" width="85px" file="ed10970.jpg" alt="ed10970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="86px" file="ed10971.jpg" alt="ed10971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="70px" width="92px" file="ed10972.jpg" alt="ed10972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="88px" file="ed10973.jpg" alt="ed10973.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="58px" width="91px" file="ed10974.jpg" alt="ed10974.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="104px" file="ed10975.jpg" alt="ed10975.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="55px" width="72px" file="ed10976.jpg" alt="ed10976.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="100px" file="ed10977.jpg" alt="ed10977.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>及 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="104px" file="ed10978.jpg" alt="ed10978.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="93px" file="ed10960.jpg" alt="ed10960.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="85px" file="ed10961.jpg" alt="ed10961.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="98px" file="ed10962.jpg" alt="ed10962.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="72px" width="99px" file="ed10963.jpg" alt="ed10963.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="85px" file="ed10964.jpg" alt="ed10964.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="85px" file="ed10965.jpg" alt="ed10965.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="93px" file="ed10966.jpg" alt="ed10966.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="88px" file="ed10967.jpg" alt="ed10967.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="91px" file="ed10968.jpg" alt="ed10968.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="84px" file="ed10969.jpg" alt="ed10969.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="85px" file="ed10970.jpg" alt="ed10970.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="86px" file="ed10971.jpg" alt="ed10971.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="92px" file="ed10972.jpg" alt="ed10972.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="88px" file="ed10973.jpg" alt="ed10973.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="91px" file="ed10974.jpg" alt="ed10974.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="104px" file="ed10975.jpg" alt="ed10975.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="72px" file="ed10976.jpg" alt="ed10976.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="100px" file="ed10977.jpg" alt="ed10977.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項19之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物為 <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="104px" file="ed10978.jpg" alt="ed10978.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其包含一定量的如請求項1至38中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽，及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至38中任一項之化合物或其醫藥學上可接受之鹽的用途，其係用於製備用於治療有需要個體之癌症之藥物，其中該個體之該癌症為神經母細胞瘤或乳癌。
如請求項40之用途，其中該個體之該癌症為神經母細胞瘤。
如請求項40之用途，其中該個體之該癌症為乳癌。
一種線型頭模組，具有： <br/>具有在推力方向移動的輸出構件之複數個線型單元；以及 <br/>保持複數個前述線型單元之殼體； <br/>其中， <br/>前述線型單元，具有： <br/>具有在前述推力方向延伸的前述輸出構件及磁體之可動件；以及 <br/>具有沿前述輸出構件延伸的背襯軛及線圈之固定件； <br/>前述固定件，具有： <br/>設在前述背襯軛的輸出側端部並包含把前述輸出構件支撐成可移動在前述推力方向的軸承之輸出側軸承支撐器；以及 <br/>設在前述背襯軛的反輸出側端部並包含把前述輸出構件支撐成可移動在前述推力方向的軸承之反輸出側軸承支撐器； <br/>前述殼體，具有： <br/>主體部，其係整體性具備輸出側面部、反輸出側面部、以及連結部，該輸出側面部具有被各個前述輸出側軸承支撐器插通之複數個第一貫通孔，該反輸出側面部具有被各個前述反輸出側軸承支撐器插通之複數個第二貫通孔，連結部連結前述輸出側面部與前述反輸出側面部； <br/>凸緣，其係與前述輸出側面部面對面，並支撐各個前述輸出側軸承支撐器的輸出側端部； <br/>支架，其係與前述反輸出側面部面對面，並支撐各個前述反輸出側軸承支撐器的反輸出側端部。
如請求項1的線型頭模組，其中， <br/>在前述凸緣設有：被前述輸出構件插通之第一插通孔、以及與前述輸出側軸承支撐器之輸出側的端面抵接之抵接部。
如請求項1的線型頭模組，其中， <br/>前述輸出側軸承支撐器，具有：設在輸出側之第一大徑部、及設在反輸出側之第一小徑部； <br/>前述第一大徑部插入到前述輸出側面部的前述第一貫通孔； <br/>前述第一小徑部與前述背襯軛的輸出側端部嵌合。
如請求項1的線型頭模組，其中， <br/>前述反輸出側軸承支撐器，具有： <br/>設在輸出側並與前述背襯軛結合之背襯軛結合部； <br/>設在反輸出側並與前述支架嵌合之第二小徑部；以及 <br/>設在前述背襯軛結合部與前述第二小徑部之間並且比起前述第二小徑部還要大口徑之第二大徑部。
如請求項4的線型頭模組，其中， <br/>在前述支架設有，前述輸出構件所貫通之第二插通孔； <br/>在成為前述第二插通孔的壁面之徑方向內側端部，設有往輸出側延伸之嵌合部； <br/>前述嵌合部與貫通前述第二貫通孔並延伸到反輸出側之前述第二小徑部之反輸出側端部嵌合。
如請求項1的線型頭模組，其中， <br/>前述固定件，具有：前述線圈、對前述線圈供給電力並控制前述線圈之基板、收容前述線圈在內部之圓筒狀的前述背襯軛、以及設在圓筒狀的前述背襯軛之外周圍側並收容前述基板之板狀的蓋殼； <br/>前述輸出側面部的前述第一貫通孔係具有被圓筒狀的前述背襯軛插通之圓形； <br/>前述反輸出側面部的前述第二貫通孔係具有被前述背襯軛及前述蓋殼插通之形狀。
一種記憶裝置，其包含：複數個磁性記憶體元件；及 <br/>選擇電路，其自前述複數個磁性記憶體元件選擇所期望之磁性記憶體元件；且 <br/>前述複數個磁性記憶體元件包含： <br/>第1磁性記憶體元件，其具有相應於環境值而變化之特性；及 <br/>第2磁性記憶體元件，其具有與前述第1磁性記憶體元件不同之特性；並且 <br/>前述選擇電路基於環境值之檢測結果，排他性地選擇前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件。
如請求項1之記憶裝置，其中前述第2磁性記憶體元件與前述第1磁性記憶體元件相比，材料、加工條件及尺寸之至少1者相異。
如請求項1之記憶裝置，其中前述環境值包含表示溫度之值、表示磁場之值、表示光之值及表示衝擊之值中之至少1者。
如請求項1之記憶裝置，其中前述選擇電路在前述環境值為特定值以下時，選擇前述第1磁性記憶體元件，在前述環境值大於前述特定值時，選擇前述第2磁性記憶體元件。
如請求項4之記憶裝置，其中在前述環境值為前述特定值以下時用於將資訊寫入前述第1磁性記憶體元件之動作條件，與在前述環境值大於前述特定值時用於將資訊寫入前述第2磁性記憶體元件之動作條件相同。
如請求項1之記憶裝置，其中前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件，設置於不同之配線層間。
如請求項1之記憶裝置，其中前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件，設置於相同之配線層間。
如請求項1之記憶裝置，其進一步包含：複數條位元線，其等自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路； <br/>複數條感測線，其等自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路； <br/>複數條字元線，其等與前述複數條位元線交叉，且自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路；及 <br/>複數個選擇電晶體，其等各自與1個前述磁性記憶體元件對應地設置；且 <br/>前述複數個磁性記憶體元件各者，係和前述複數條位元線與前述複數條字元線之交點建立對應關係地配置， <br/>對應之前述磁性記憶體元件及前述選擇電晶體，係連接於對應之前述位元線與前述感測線之間， <br/>前述選擇電晶體之閘極電極，連接於對應之前述字元線， <br/>前述複數條字元線各者係排他性地連接於連接有前述第1磁性記憶體元件之前述選擇電晶體之閘極電極、及連接有前述第2磁性記憶體元件之前述選擇電晶體之閘極電極。
如請求項1之記憶裝置，其進一步包含：複數條位元線，其等自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路； <br/>複數條感測線，其等自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路； <br/>複數條字元線，其等與前述複數條位元線交叉，且自前述複數個磁性記憶體元件延伸至前述選擇電路；及 <br/>複數個選擇電晶體，其等各自與1個前述磁性記憶體元件對應地設置；且 <br/>前述複數個磁性記憶體元件各者，係和前述複數條位元線與前述複數條字元線之交點建立對應關係地配置， <br/>對應之前述磁性記憶體元件及前述選擇電晶體，係連接於對應之前述位元線與前述感測線之間， <br/>前述選擇電晶體之閘極電極，連接於對應之前述字元線， <br/>前述複數條位元線各者，排他性地連接於前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件。
如請求項1之記憶裝置，其中前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件，配置於不同之記憶胞陣列。
一種記憶胞陣列，其包含：第1磁性記憶體元件，其具有相應於環境值而變化之特性； <br/>第2磁性記憶體元件，其具有與前述第1磁性記憶體元件不同之特性；及 <br/>配線，其可排他性地選擇前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件。
一種記憶胞陣列之製造方法，其包含：形成具有相應於環境值而變化之特性之第1磁性記憶體元件； <br/>形成具有與前述第1磁性記憶體元件不同之特性之第2磁性記憶體元件；及 <br/>形成可排他性地選擇前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件之配線。
一種磁頭，其包含：第1磁性記憶體元件，其具有相應於環境值而變化之特性； <br/>第2磁性記憶體元件，其具有與前述第1磁性記憶體元件不同之特性；且 <br/>構成為可排他性地選擇前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件。
一種電子機器，其搭載有記憶裝置；且 <br/>前述記憶裝置包含： <br/>複數個磁性記憶體元件；及 <br/>選擇電路，其自前述複數個磁性記憶體元件選擇所期望之磁性記憶體元件；且 <br/>前述複數個磁性記憶體元件包含： <br/>第1磁性記憶體元件，其具有相應於環境值而變化之特性；及 <br/>第2磁性記憶體元件，其具有與前述第1磁性記憶體元件不同之特性；並且 <br/>前述選擇電路基於環境值之檢測結果，排他性地選擇前述第1磁性記憶體元件及前述第2磁性記憶體元件。
一種環氧樹脂，其具有以下述通式(1-1)所表示之重複單元，且兩末端為以下述通式(1-2)所表示之結構，<br/><img align="absmiddle" height="86px" width="244px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 該通式(1-1)及(1-2)中，<br/> R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>及R<sup>15</sup>係各自獨立地為碳原子數1～6之伸烷基，<br/> R<sup>21</sup>係氫原子或碳原子數1～5之烷基，<br/> R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>係各自獨立地為碳原子數1～6之伸烷基，<br/> X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>係各自獨立地為烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或鹵素原子，<br/> a、b及c係各自獨立地為0～4之整數。
如請求項1之環氧樹脂，其中以該通式(1-2)所表示之結構係以下述通式(1-3)所表示之結構，<br/><img align="absmiddle" height="352px" width="548px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 該通式(1-3)中，<br/> R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>、R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>係與該通式(1-2)相同。
一種環氧樹脂之製造方法，其係如請求項1或2之環氧樹脂之製造方法，該製造方法係在鹼性觸媒存在下使二羥萘化合物與醛化合物反應而製備二羥萘樹脂，並使該二羥萘樹脂與環氧鹵丙烷反應，<br/> 其中相對於1莫耳的該二羥萘化合物係使用0.9～5莫耳的該鹼性觸媒。
如請求項3之環氧樹脂之製造方法，其中相對於1莫耳的該二羥萘化合物係使用0.5～4莫耳的該醛化合物。
如請求項1或2之環氧樹脂，其重量平均分子量為500～5,000。
一種環氧組成物，其係包含如請求項1或2之環氧樹脂及以下述通式(2)所表示之環氧化合物，<br/><img align="absmiddle" height="233px" width="355px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 該通式(2)中，<br/> R<sup>14</sup>、R<sup>15</sup>、R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>係各自獨立地為碳原子數1～6之伸烷基，<br/> R<sup>22</sup>、R<sup>23</sup>、R<sup>24</sup>及R<sup>25</sup>係各自獨立地為碳原子數1～6之伸烷基，<br/> X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>及X<sup>4</sup>係各自獨立地為烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或鹵素原子，<br/> b、c及d係各自獨立地為0～4之整數。
一種感光性樹脂組成物，其係包含如請求項1或2之環氧樹脂或如請求項6之環氧組成物、及感光劑。
一種光阻膜，其係使用如請求項7之感光性樹脂組成物。
一種硬化性組成物，其係包含如請求項1或2之環氧樹脂或如請求項6之環氧組成物、及硬化劑。
一種如請求項9之硬化性組成物的硬化膜。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、鏡像異構物、外消旋物、水合物之用途，其用於製造用於治療突觸核蛋白病之藥劑， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="211px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I<br/>其中 <br/>R<sup>3'</sup>為H；且 <br/>Y<sub>1</sub>為CH<sub>2</sub>或<img align="absmiddle" height="37px" width="38px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>L<sub>1</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基； <br/>L<sub>2</sub>為經取代或未經取代之C<sub>1-50</sub>烴鏈，其中該烴鏈之一或多個鏈原子獨立地未經置換或經-C(=O)-、-O-、-NR<sup>a1</sup>-、-S-或環狀部分置換，其中R<sup>a1</sup>獨立地為氫、經取代或未經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或氮保護基； <br/>Z為C或N；U為O、S或CH；T為CH；Z及U不同時為獨立地選自N、O或S之雜原子； <br/>K為CH或N；Q為CH或N；其中K及Q不同時為N； <br/>R'''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>1-6</sub>烷氧基及鹵素；k為0、1、2或3； <br/>R'在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵素、OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基；m為0、1、2、3或4； <br/>R''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵基、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷基及含有至少一個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的C<sub>3-6</sub>雜環烷基；n為0、1或2； <br/>J為CR<sup>6</sup>或N；X為CR<sup>6</sup>或N；Y為CR<sup>6</sup>或N；其中J、X及Y中之至少一者為N，但J及Y不同時為N，X及Y不同時為N； <br/>R<sup>6</sup>獨立地選自由以下組成之群：H、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基，其中NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基未經取代或經C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基及/或鹵基中之1至3者取代；且 <br/>L<sub>3</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基。
如請求項1之用途，其中該突觸核蛋白病為帕金森氏病(Parkinson's Disease；PD)、路易體失智症(dementia with Lewy bodies；DLB)、多發性系統萎縮症(MSA)或其兩者或更多者之組合。
如請求項1之用途，其中L<sub>2</sub>為未經取代或經取代之C<sub>1-45</sub>烴鏈，其中該烴鏈之一或多個鏈原子獨立地未經置換或經-C(=O)-、-O-、-NR<sup>a1</sup>-、-S-或環狀部分置換，其中R<sup>a1</sup>獨立地為氫、經取代或未經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或氮保護基。
如請求項1之用途，其中L<sub>2</sub>係選自由以下組成之群：經取代或未經取代之伸碳環基、經取代或未經取代之伸雜環基、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之伸雜芳基、或經取代或未經取代之伸雜烷基，及其組合。
如請求項3之用途，其中L<sub>2</sub>包含至少一個選自由以下組成之群的實例：經取代或未經取代之亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸正丁基、伸正戊基、伸正己基、 -(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-O(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>O-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>O-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>O-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>O-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>5</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>5</sub>O-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>6</sub>-、-O(CH<sub>2</sub>)<sub>6</sub>O-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-NH-C(=O)-及-C(=O)NH-。
如請求項3之用途，其中L<sub>2</sub>之該烴鏈之至少一個鏈原子獨立地經具有1至3個選自由氮及氧組成之群的環雜原子的6員雜環基置換。
如請求項3之用途，其中L<sub>2</sub>為未經取代之烴鏈，其中該烴鏈之一或多個鏈原子獨立地未經置換或經-NR<sup>a1</sup>-置換，且R<sup>a1</sup>之各實例獨立地為氫、經取代或未經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或氮保護基，或R<sup>a1</sup>中之兩個實例與其插入原子一起形成經取代或未經取代之雜環或經取代或未經取代之雜芳基環。
如請求項1之用途，其中L<sub>2</sub>為<img align="absmiddle" height="37px" width="82px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中g為1、2、3、4、5或6。
如請求項1之用途，其中L<sub>2</sub>包括部分-O-、<img align="absmiddle" height="36px" width="36px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-NHC(=O)-或-NH-。
如請求項1之用途，其中L<sub>2</sub>係選自由以下組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="81px" width="639px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="684px" width="644px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="25px" width="84px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中各g獨立地為1、2、3、4、5或6；f為1、2、3、4、5或6，且h為1、2、3、4、5或6。
如請求項1之用途，其中該式I化合物具有式I-1； <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="496px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>或其醫藥學上可接受之鹽、鏡像異構物、外消旋物或水合物。
如請求項1之用途，其中該化合物係選自： <br/>或其醫藥學上可接受之鹽、鏡像異構物、外消旋物或水合物。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、鏡像異構物、外消旋物、水合物之用途，其用於製造用於減少α-突觸核蛋白聚集之藥劑， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="211px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I<br/>其中 <br/>R<sup>3'</sup>為H； <br/>Y<sub>1</sub>為CH<sub>2</sub>或<img align="absmiddle" height="36px" width="37px" file="ed10642.jpg" alt="ed10642.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>L<sub>1</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基； <br/>L<sub>2</sub>為經取代或未經取代之C<sub>1-50</sub>烴鏈，其中該烴鏈之一或多個鏈原子獨立地未經置換或經-C(=O)-、-O-、-NR<sup>a1</sup>-、-S-或環狀部分置換，其中R<sup>a1</sup>獨立地為氫、經取代或未經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或氮保護基； <br/>Z為C或N；U為O、S或CH；V為N；T為CH；Z及U不同時為獨立地選自N、O或S之雜原子； <br/>K為CH或N；Q為CH或N；其中K及Q不同時為N； <br/>R'''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>1-6</sub>烷氧基及鹵素；k為0、1、2或3； <br/>R'在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵素、OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基；m為0、1、2、3或4； <br/>R''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵基、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷基及含有至少一個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的C<sub>3-6</sub>雜環烷基；n為0、1或2； <br/>J為CR<sup>6</sup>或N；X為CR<sup>6</sup>或N；Y為CR<sup>6</sup>或N；其中J、X及Y中之至少一者為N，但J及Y不同時為N，X及Y不同時為N；且 <br/>R<sup>6</sup>獨立地選自由以下組成之群：H、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基，其中NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基未經取代或經C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基及/或鹵基中之1至3者取代；且 <br/>L<sub>3</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基。
一種式I化合物或其醫藥學上可接受之鹽、鏡像異構物、外消旋物、水合物之用途，其用於製造用於減少路易體之藥劑， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="211px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>I<br/>其中 <br/>R<sup>3'</sup>為H； <br/>Y<sub>1</sub>為CH<sub>2</sub>或<img align="absmiddle" height="38px" width="39px" file="ed10643.jpg" alt="ed10643.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>L<sub>1</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基； <br/>L<sub>2</sub>為經取代或未經取代之C<sub>1-50</sub>烴鏈，其中該烴鏈之一或多個鏈原子獨立地未經置換或經-C(=O)-、-O-、-NR<sup>a1</sup>-、-S-或環狀部分置換，其中R<sup>a1</sup>獨立地為氫、經取代或未經取代之C<sub>1-6</sub>烷基或氮保護基； <br/>Z為C或N；U為O、S或CH；V為N；T為CH；Z及U不同時為獨立地選自N、O或S之雜原子； <br/>K為CH或N；Q為CH或N；其中K及Q不同時為N； <br/>R'''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>1-6</sub>烷氧基及鹵素；k為0、1、2或3； <br/>R'在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵素、OH、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基；m為0、1、2、3或4； <br/>R''在每次出現時獨立地選自由以下組成之群：H、鹵基、OH、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷胺基、C<sub>3-6</sub>環烷基及含有至少一個獨立地選自氮、氧及硫之雜原子的C<sub>3-6</sub>雜環烷基；n為0、1或2； <br/>J為CR<sup>6</sup>或N；X為CR<sup>6</sup>或N；Y為CR<sup>6</sup>或N；其中J、X及Y中之至少一者為N，但J及Y不同時為N，X及Y不同時為N；且 <br/>R<sup>6</sup>獨立地選自由以下組成之群：H、NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基及C<sub>1-6</sub>烷氧基，其中NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>烷氧基未經取代或經C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基及/或鹵基中之1至3者取代；且 <br/>L<sub>3</sub>為一鍵、-NR-、-O-或-S-，其中R為氫、未經取代或經取代之醯基、未經取代或經取代之烷基或氮保護基。
一種玻璃，其特徵在於： <br/>以莫耳%計，含有55%～80%的SiO<sub>2</sub>、12%～30%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0～3%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、0～3%的Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O、7%～17%的MgO+CaO+SrO+BaO、0.04%～1%的SnO<sub>2</sub>、以及4%～15%的BaO作為玻璃組成，且應變點高於750℃，其中CaO為2%～7.5%。
如申請專利範圍請求項1所述的玻璃，其中 <br/>B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量不足1莫耳%。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O的含量為0.2莫耳%以下。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>莫耳比（MgO+CaO+SrO+BaO）/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.5～5。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>莫耳比MgO/（MgO+CaO+SrO+BaO）不足0.5。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>30℃～380℃的溫度範圍內的熱膨脹係數為40×10<sup>-7</sup>/℃以上。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>應變點為800℃以上。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>（在高溫黏度10<sup>2.5</sup> dPa·s時的溫度-應變點）為900℃以下。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>在高溫黏度10<sup>2.5</sup> dPa·s的黏度時的溫度為1750℃以下。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>所述玻璃為平板形狀。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>所述玻璃用作用以製作半導體結晶的基板。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>莫耳比BaO/CaO為0.7以上。
如請求項1或請求項2所述的玻璃，其中 <br/>SnO<sub>2</sub>的含量為0.1～1莫耳%。
一種用於使用一硬體積體電路來處理一輸入影像之方法，該硬體積體電路經組態以實施包括複數個神經網路層之一卷積神經網路，該複數個神經網路層包括一分組卷積層，該方法包括：<br/>識別沿著一輸入特徵圖譜之一通道維度定義複數個分區之一控制參數；<br/>判定該複數個分區至該積體電路之一運算單元中之複數個乘法累加胞元(MAC)之一映射；<br/>針對該分組卷積層將一分組卷積應用於該輸入特徵圖譜，其包括針對該複數個分區之各者：<br/>基於該所判定映射將該分組卷積層之權重提供至該複數個MAC之一子集；<br/>經由該積體電路之一輸入匯流排將該輸入特徵圖譜之一各自輸入提供至該子集中之各MAC；及<br/>在該子集中之各MAC處使用該各自輸入及該分組卷積層之一對應權重來運算一乘積；及<br/>基於乘積之一累加產生該分組卷積層之一輸出特徵圖譜。
如請求項1之方法，其中判定該複數個分區至該複數個乘法累加胞元之一映射包括：<br/>基於該複數個分區之各者中之通道之一數目來判定該映射。
如請求項2之方法，其中：<br/>該複數個分區之各分區包括對應於該分區之一各自大小之各自數量之輸入通道。
如請求項3之方法，其中產生該輸出特徵圖譜包括：<br/>基於各分區之該各自大小產生該輸出特徵圖譜。
如請求項3之方法，其進一步包括：<br/>存取描述該運算單元之一硬體組態之資訊；及<br/>基於該運算單元之該硬體組態來判定各分區之該各自大小。
如請求項1之方法，其中該輸入匯流排包含一廣播功能，且該方法進一步包括：<br/>經由該輸入匯流排且針對各分區將該輸入特徵圖譜之多個輸入廣播至該積體電路之該運算單元。
如請求項6之方法，其進一步包括：<br/>經由該輸入匯流排且針對該輸入特徵圖譜之一第一分區將該第一分區之第一輸入廣播至該子集中之各MAC；<br/>其中在針對該分組卷積層之運算期間重用所廣播之該等第一輸入。
如請求項7之方法，其中：<br/>該輸入特徵圖譜之該第一分區對應於該輸出特徵圖譜之一第一分區；且<br/>該等第一輸入重用該輸出特徵圖譜之該第一分區之輸出。
如請求項1之方法，其中產生該輸出特徵圖譜包括：<br/>使用該複數個MAC之該子集來運算複數個乘積；及<br/>從該複數個乘積產生乘積之該累加。
一種用於處理一輸入影像之系統，該系統包括：<br/>一處理器；<br/>一硬體積體電路，其經組態以實施包括包含一分組卷積層之複數個神經網路層之一卷積神經網路；及<br/>一非暫時性機器可讀儲存裝置，其儲存可由該處理器執行以導致執行操作之指令，該等操作包括：<br/>識別沿著一輸入特徵圖譜之一通道維度定義複數個分區之一控制參數；<br/>判定該複數個分區至該積體電路之一運算單元中之複數個乘法累加胞元(MAC)之一映射；<br/>針對該分組卷積層將一分組卷積應用於該輸入特徵圖譜，其包括針對該複數個分區之各者：<br/>基於該所判定映射將該分組卷積層之權重提供至該複數個MAC之一子集；<br/>經由該積體電路之一輸入匯流排將該輸入特徵圖譜之一各自輸入提供至該子集中之各MAC；及<br/>在該子集中之各MAC處使用該各自輸入及該分組卷積層之一對應權重來運算一乘積；及<br/>基於乘積之一累加產生該分組卷積層之一輸出特徵圖譜。
如請求項10之系統，其中判定該複數個分區至該複數個乘法累加胞元之一映射包括：<br/>基於該複數個分區之各者中之通道之一數目來判定該映射。
如請求項11之系統，其中：<br/>該複數個分區之各分區包括對應於該分區之一各自大小之各自數量之輸入通道。
如請求項12之系統，其中產生該輸出特徵圖譜包括：<br/>基於各分區之該各自大小產生該輸出特徵圖譜。
如請求項12之系統，其中該等操作進一步包括：<br/>存取描述該運算單元之一硬體組態之資訊；及<br/>基於該運算單元之該硬體組態來判定各分區之該各自大小。
如請求項10之系統，其中該輸入匯流排包含一廣播功能，且該等操作進一步包括：<br/>經由該輸入匯流排且針對各分區將該輸入特徵圖譜之多個輸入廣播至該積體電路之該運算單元。
如請求項15之系統，其中該等操作進一步包括：<br/>經由該輸入匯流排且針對該輸入特徵圖譜之一第一分區將該第一分區之第一輸入廣播至該子集中之各MAC；<br/>其中在針對該分組卷積層之運算期間重用所廣播之該等第一輸入。
如請求項16之系統，其中：<br/>該輸入特徵圖譜之該第一分區對應於該輸出特徵圖譜之一第一分區；且<br/>該等第一輸入重用該輸出特徵圖譜之該第一分區之輸出。
如請求項10之系統，其中產生該輸出特徵圖譜包括：<br/>使用該複數個MAC之該子集來運算複數個乘積；及<br/>從該複數個乘積產生乘積之該累加。
一種非暫時性機器可讀儲存裝置，其儲存用於使用一硬體積體電路來處理一輸入影像之指令，該硬體積體電路經組態以實施包括包含一分組卷積層之複數個神經網路層之一卷積神經網路，該等指令可由一處理器執行以導致執行操作，該等操作包括：<br/>識別沿著一輸入特徵圖譜之一通道維度定義複數個分區之一控制參數；<br/>判定該複數個分區至該積體電路之一運算單元中之複數個乘法累加胞元(MAC)之一映射；<br/>針對該分組卷積層將一分組卷積應用於該輸入特徵圖譜，其包括針對該複數個分區之各者：<br/>基於該所判定映射將該分組卷積層之權重提供至該複數個MAC之一子集；<br/>經由該積體電路之一輸入匯流排將該輸入特徵圖譜之一各自輸入提供至該子集中之各MAC；及<br/>在該子集中之各MAC處使用該各自輸入及該分組卷積層之一對應權重來運算一乘積；及<br/>基於乘積之一累加產生該分組卷積層之一輸出特徵圖譜。
如請求項19之非暫時性機器可讀儲存裝置，其中：<br/>該複數個分區之各分區包括對應於該分區之一各自大小之各自數量之輸入通道。
一種氣體系統，其包含：一包殼；一製程氣體計量閥，其經配置在該包殼內並經組態以將一製程氣體流動至一半導體處理系統之一製程室；一關斷閥，其連接至該製程氣體計量閥，且經組態以流體分離該製程氣體計量閥與一製程氣體源；及一流動開關，其可操作地連接至該關斷閥，且經組態以根據橫穿該流動開關之一氣體之一流動使用該關斷閥來終止該製程氣體至該半導體處理系統之該製程室之該流動。
如請求項1之氣體系統，其中該關斷閥及該流動開關中之至少一者經配置在該包殼之外。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關係流體耦接至該關斷閥及該製程氣體計量閥。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關與該關斷閥係流體隔離。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關具有一關斷觸發，其中該製程氣體計量閥具有一流動額定，且其中該流動開關的該關斷觸發小於該製程氣體計量閥的該流動額定。
如請求項1之氣體系統，其進一步包含將該流動開關連接至該關斷閥之一繼電器。
如請求項1之氣體系統，其進一步包含將該流動開關連接至該關斷閥之一控制器。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關係連接至該關斷閥之一製程氣體流動開關，該氣體系統進一步包含：一製程氣體源，其包含連接至該製程氣體流動開關之一含矽氣體；及該製程室，其連接至該製程氣體計量閥，其中該製程氣體流動開關將該製程氣體源流體耦接至該製程室。
如請求項8之氣體系統，其中該製程氣體源係一第一製程氣體源，該製程氣體流動開關係一第一製程氣體流動開關，且該關斷閥係一第一關斷閥，該氣體系統進一步包含：一第二製程氣體源；一第二製程氣體流動開關，其連接至該第二製程氣體源；及一第二關斷閥，其連接至該第二製程氣體流動開關，且將該第二製程氣體源流體耦接至該製程室，其中該第二製程氣體流動開關可操作地連接至該第二關斷閥。
如請求項9之氣體系統，其進一步包含：連接至該製程室之一前管線；連接至該前管線之一真空泵；連接至該真空泵之一惰性氣體流動開關；及連接至該惰性氣體流動開關並通過其流體耦接至該真空泵之一惰性氣體源，其中該惰性氣體流動開關係可操作地連接至該關斷閥。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關係一惰性氣體流動開關，該氣體系統進一步包含：連接至該關斷閥之一製程氣體源；連接至該製程氣體計量閥並通過其流體耦接至該製程氣體源之該製程室；連接至該製程室之一真空泵；及連接至該惰性氣體流動開關並通過其流體耦接至該真空泵之一惰性氣體源。
如請求項11之氣體系統，其中該惰性氣體流動開關具有一惰性氣體關斷觸發，且其中該惰性氣體流動開關經組態以在當從該惰性氣體源到該真空泵之一惰性氣體之一流動小於該惰性氣體關斷觸發時，關閉該關斷閥。
如請求項1之氣體系統，其中該流動開關係一製程氣體流動開關，該氣體系統進一步包含：流體耦接至該製程氣體計量閥的一前管線；連接至該前管線之一真空泵；及流體耦接至該真空泵並通過其流體耦接至該前管線之一惰性氣體流動開關，其中該惰性氣體開關係可操作地連接至該關斷閥。
如請求項13之氣體系統，其中該惰性氣體流動開關具有一惰性氣體關斷觸發，且其中該惰性氣體流動開關經組態以在當橫穿該惰性氣體流動開關之該惰性氣體之一流動小於該惰性氣體關斷觸發時，關閉該關斷閥。
如請求項13之氣體系統，其中該惰性氣體流動開關係一第一惰性氣體流動開關，該氣體系統進一步包含：連接至該真空泵之一排氣導管；及流體耦接至該排氣導管並通過其流體耦接至該真空泵之一第二惰性氣體流動開關，其中該第二惰性氣體流動開關係可操作地連接至該流動開關。
一種半導體處理系統，其包含：如請求項1所述之一氣體系統，其中該流動開關係具有一製程氣體關斷觸發的一製程氣體流動開關，其中該製程氣體計量閥具有一流動額定，且其中該製程氣體流動開關之該製程氣體關斷觸發小於該製程氣體計量閥的該流動額定；一製程氣體源，其連接至該製程氣體流動開關；一製程室，其藉由該製程氣體計量閥及該關斷閥流體耦接至該流動開關；及一基材支撐件，其經配置在該製程室內，並經組態以在使用由該製程氣體源所提供的一製程氣體將一膜沉積至一基材上的期間，將該基材安置於其上。
一種氣體流動控制方法，其包含：在一氣體系統處，包括一包殼、配置在該包殼內之一製程氣體計量閥、連接至該製程氣體計量閥之一關斷閥、及可操作地連接至該關斷閥之一流動開關，提供一製程氣體至該流動開關；比較該製程氣體之一流動與該流動開關之一關斷觸發；當該製程氣體之該流動小於該流動開關的該關斷觸發時，使該製程氣體流動通過該關斷閥至該製程氣體計量閥，且通過其至一半導體處理系統之一製程室；及當該製程氣體之該流動大於該流動開關的該關斷觸發時，終止通過該關斷閥且通過其至該半導體處理系統之該製程室的該製程氣體之該流動。
如請求項17之方法，其中使該製程氣體流動通過該關斷閥進一步包含使用該製程氣體將一膜沉積至一基材上；且其中終止該製程氣體之該流動包含終止將該膜沉積至該基材上。
一種氣體流動控制方法，其包含：在一氣體系統處，包括一包殼、配置在該包殼內之一製程氣體計量閥、連接至該製程氣體計量閥之一關斷閥、及可操作地連接至該關斷閥之一流動開關，提供一惰性氣體至該流動開關；比較該惰性氣體之一流動與該流動開關之一關斷觸發；當該惰性氣體之該流動大於該流動開關的該關斷觸發時，使一製程氣體流動通過該關斷閥至該製程氣體計量閥，且通過其至一半導體處理系統的一製程室；及當該惰性氣體之該流動小於該流動開關之該關斷觸發時，終止通過該關斷閥之該製程氣體之一流動。
如請求項19之氣體控制方法，其中該流動開關係一惰性氣體流動開關，且該氣體系統進一步包含一製程氣體流動開關，該方法進一步包含：提供該製程氣體至該製程氣體流動開關；比較該製程氣體之該流動與該製程氣體流動開關之一製程氣體關斷觸發；當該製程氣體之該流動小於該製程氣體流動開關之該製程氣體關斷觸發時，使該製程氣體流動通過該關斷閥至該製程氣體計量閥；及當該製程氣體之該流動大於該製程氣體流動開關之該製程氣體關斷觸發時，終止通過該關斷閥之該製程氣體之該流動。
一種用於互連協定的同步電路，該同步電路包括：<br/> 一第一同步電路模組，被配置為將一第一時脈域的第一控制資訊轉換為一第二時脈域的第二控制資訊，其中該第一控制資訊由一第一裝置的一資料鏈路層接收器輸出；以及<br/> 一第二同步電路模組，耦接該第一同步電路模組，被配置為將該第二時脈域的該第二控制資訊轉換為一第三時脈域的第三控制資訊以輸出該第三時脈域的該第三控制資訊至該第一裝置的一資料鏈路層發送器，其中該第二控制資訊由該第一同步電路模組輸出；<br/> 其中該資料鏈路層接收器輸出的該第一控制資訊係該第一時脈域的至少一訊號；<br/> 其中該第二同步電路模組輸出的該第三控制資訊係該第三時脈域的至少一訊號；以及<br/> 其中該第一時脈域、該第二時脈域、該第三時脈域是非同步的。
如請求項1所述之同步電路，其中當該資料鏈路層接收器的一訊框接收處理單元完成一資料訊框的處理並成功傳送至上層時，該訊框接收處理單元所輸出的該第一時脈域的該第一控制資訊透過該同步電路的該第一同步電路模組及該第二同步電路模組被轉換為該第三時脈域的該第三控制資訊以輸出至該資料鏈路層發送器。
如請求項1所述之同步電路，其中當該資料鏈路層接收器的一訊框接收處理單元正確地接收到一控制訊框後，該資料鏈路層接收器所輸出的該第一時脈域的該第一控制資訊透過該同步電路的該第一同步電路模組及該第二同步電路模組被轉換為該第三時脈域的該第三控制資訊以輸出至該資料鏈路層發送器。
如請求項1所述之同步電路，其中該同步電路更包括：<br/> 一第三同步電路模組，被配置為將該第三時脈域的第四控制資訊轉換並輸出為該第二時脈域的第五控制資訊輸出，其中該第四控制資訊由該資料鏈路層發送器輸出；<br/> 一第四同步電路模組，耦接該第三同步電路模組，被配置為將該第二時脈域的該第五控制資訊轉換為該第一時脈域的第六控制資訊以輸出該第一時脈域的該第六控制資訊至該資料鏈路層接收器，其中該第五控制資訊由該第三同步電路模組輸出，<br/> 其中該資料鏈路層發送器輸出的該第四控制資訊係該第三時脈域的至少另一訊號，該第四同步電路模組輸出的該第六控制資訊係該第一時脈域的至少另一訊號。
如請求項4所述之同步電路，其中當該資料鏈路層發送器完成發送一資料訊框後，該資料鏈路層發送器所輸出的該第三時脈域的該第四控制資訊透過該同步電路的該第三同步電路模組及該第四同步電路模組被轉換為該第一時脈域的該第六控制資訊以輸出至該資料鏈路層接收器。
如請求項1所述之同步電路，其中該第一同步電路模組被配置為於該資料鏈路層接收器所輸出的該第一控制資訊與先前控制資訊有差異時才進行交換資訊。
如請求項6所述之同步電路，其中該第一同步電路模組被配置為於進行該交換資訊時，於該第一時脈域中鎖存該第一控制資訊，且經過該第一時脈域的一第一數目的週期及經過該第二時脈域的一第二數目的週期後於該第二時脈域中鎖存該第一控制資訊，並將於該第二時脈域中鎖存的該第一控制資訊輸出為該第二控制資訊。
如請求項7所述之同步電路，其中該第一同步電路模組被配置為當該第一數目等於或大於該第二數目時進行該交換資訊。
如請求項1所述之同步電路，其中該資料鏈路層發送器利用該第三控制資訊開始發送下一個資料訊框。
一種控制器，該控制器包括：<br/> 一控制器模組，耦接到一介面電路且實現一互連協定的一鏈接層，該控制器模組包括：<br/> 一資料鏈路層接收器；<br/> 一資料鏈路層發送器；以及<br/> 一同步電路，耦接於該資料鏈路層接收器及該資料鏈路層發送器之間，該同步電路包括：<br/> 一第一同步電路模組，被配置為將一第一時脈域的第一控制資訊轉換為一第二時脈域的第二控制資訊，其中該第一控制資訊由一第一裝置的該資料鏈路層接收器輸出；以及<br/> 一第二同步電路模組，耦接該第一同步電路模組，被配置為將該第二時脈域的該第二控制資訊轉換為一第三時脈域的第三控制資訊以輸出該第三時脈域的該第三控制資訊至該資料鏈路層發送器，其中該第二控制資訊由該第一同步電路模組輸出；<br/> 其中該資料鏈路層接收器輸出的該第一控制資訊係該第一時脈域的至少一訊號；<br/> 其中該第二同步電路模組輸出的該第三控制資訊係該第三時脈域的至少一訊號；以及<br/> 其中該第一時脈域、該第二時脈域、該第三時脈域是非同步的。
如請求項10所述之控制器，其中當該資料鏈路層接收器的一訊框接收處理單元完成一資料訊框的處理並成功傳送至上層時，該訊框接收處理單元所輸出的該第一時脈域的該第一控制資訊透過該同步電路的該第一同步電路模組及該第二同步電路模組被轉換為該第三時脈域的該第三控制資訊以輸出至該資料鏈路層發送器。
如請求項10所述之控制器，其中當該資料鏈路層接收器的一訊框接收處理單元正確地接收到一控制訊框後，該資料鏈路層接收器所輸出的該第一時脈域的該第一控制資訊透過該同步電路的該第一同步電路模組及該第二同步電路模組被轉換為該第三時脈域的該第三控制資訊以輸出至該資料鏈路層發送器。
如請求項10所述之控制器，其中該同步電路更包括：<br/> 一第三同步電路模組，被配置為將該第三時脈域的第四控制資訊轉換並輸出為該第二時脈域的第五控制資訊輸出，其中該第四控制資訊由該資料鏈路層發送器輸出；以及<br/> 一第四同步電路模組，耦接該第三同步電路模組，被配置為將該第二時脈域的該第五控制資訊轉換為該第一時脈域的第六控制資訊以輸出該第一時脈域的該第六控制資訊至該資料鏈路層接收器，其中該第五控制資訊由該第三同步電路模組輸出，<br/> 其中該資料鏈路層發送器輸出的該第四控制資訊係該第三時脈域的至少另一訊號，該第四同步電路模組輸出的該第六控制資訊係該第一時脈域的至少另一訊號。
如請求項13所述之控制器，其中當該資料鏈路層發送器完成發送一資料訊框後，該資料鏈路層發送器所輸出的該第三時脈域的該第四控制資訊透過該同步電路的該第三同步電路模組及該第四同步電路模組被轉換為該第一時脈域的該第六控制資訊以輸出至該資料鏈路層接收器。
如請求項10所述之控制器，其中該第一同步電路模組被配置為於該資料鏈路層接收器所輸出的該第一控制資訊與先前控制資訊有差異時才進行交換資訊。
如請求項15所述之控制器，其中該第一同步電路模組被配置為於進行該交換資訊時，於該第一時脈域中鎖存該第一控制資訊，且經過該第一時脈域的一第一數目的週期及經過該第二時脈域的一第二數目的週期後於該第二時脈域中鎖存該第一控制資訊，並將於該第二時脈域中鎖存的該第一控制資訊輸出為該第二控制資訊。
如請求項16所述之控制器，其中該第一同步電路模組被配置為當該第一數目等於或大於該第二數目時進行該交換資訊。
如請求項10所述之控制器，其中該資料鏈路層發送器利用該第三控制資訊開始發送下一個資料訊框。
一種儲存裝置，包括：<br/> 一儲存模組；<br/> 一介面電路，實現一互連協定的一實體層以鏈接一主機；以及<br/> 一控制器模組，耦接到該介面電路和該儲存模組，且用於實現該互連協定的一鏈接層，該控制器模組包括：<br/> 一資料鏈路層接收器；<br/> 一資料鏈路層發送器；以及<br/> 一同步電路，耦接於該資料鏈路層接收器及該資料鏈路層發送器之間，該同步電路包括：<br/> 一第一同步電路模組，被配置為將一第一時脈域的第一控制資訊轉換為一第二時脈域的第二控制資訊並輸出，其中該第一控制資訊由該資料鏈路層接收器輸出；以及<br/> 一第二同步電路模組，耦接該第一同步電路模組，被配置為將該第二時脈域的該第二控制資訊轉換為一第三時脈域的第三控制資訊以輸出該第三時脈域的該第三控制資訊至該資料鏈路層發送器，其中該第二控制資訊由該第一同步電路模組輸出，<br/> 其中該資料鏈路層接收器輸出的該第一控制資訊係該第一時脈域的至少一訊號；<br/> 其中該第二同步電路模組輸出的該第三控制資訊係該第三時脈域的至少一訊號；以及<br/> 其中該第一時脈域、該第二時脈域、該第三時脈域是非同步的。
如請求項19所述之儲存裝置，其中該資料鏈路層發送器利用該第三控制資訊開始發送下一個資料訊框。
一種具有式（I）結構的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物：<br/><img align="absmiddle" height="68px" width="50px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （I）<br/> 其中，<br/> n選自0、1、2和3；<br/> X<sub>1</sub>選自N和CH；X<sub>2</sub>選自N和CR<sup>8</sup>；X<sub>3</sub>選自N和CR<sup>8</sup>；X<sub>4</sub>選自N和CR<sup>8</sup>；<br/> 環A選自C<sub>6-10</sub>芳基和5至10員雜芳基；<br/> R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基和NH(C<sub>1-6</sub>烷基)，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基和NH(C<sub>1-6</sub>烷基)各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基和C<sub>1-3</sub>烷基中的一個或多個取代基所取代；其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基和C<sub>3-6</sub>環烷基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基和C<sub>1-3</sub>烷基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>2</sup>選自烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基、雜芳基、NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、C(O)OR<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>C(O)R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和NR<sup>d</sup>C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、取代或未被取代的環烷基、取代或未被取代的雜環烷基、取代或未被取代的芳基和取代或未被取代的雜芳基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>3</sup>選自氫、鹵素、羥基、胺基、巰基、硝基、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C(O)NH<sub>2</sub>、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、O(C<sub>1-6</sub>氘代烷基)、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、O(C<sub>1-6</sub>氘代烷基)、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基和C<sub>1-3</sub>烷基中的一個或多個取代基所取代；<br/> 若存在，每一個R<sup>4</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、羥基、胺基、氰基、三氟甲基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基，所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基和羥基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>各自獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基和C<sub>3-6</sub>環烷基，所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基和C<sub>3-6</sub>環烷基被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基和羥基中的一個或多個取代基所取代；或者R<sup>5</sup>和R<sup>6</sup>與它們相連的磷原子一起形成5至6員雜環烷基，所述5至6員雜環烷基被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基和羥基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>7</sup>選自氫、氘、鹵素、羥基、胺基、氰基、三氟甲基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基，所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基和羥基中的一個或多個取代基所取代；<br/> 若存在，每一個R<sup>8</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、羥基、胺基、氰基、三氟甲基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、NH(C<sub>1-6</sub>烷基)、N(C<sub>1-6</sub>烷基)<sub>2</sub>、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基，所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-6</sub>環烷基、C<sub>2-6</sub>烯基和C<sub>2-6</sub>炔基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基和羥基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基，其中所述烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、取代或未被取代的環烷基、取代或未被取代的雜環烷基、取代或未被取代的芳基和取代或未被取代的雜芳基中的一個或多個取代基所取代；或者任意兩個相鄰或不相鄰的R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>連接成一個環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基，其中所述環烷基、雜環烷基、芳基或雜芳基被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、烷基、氘代烷基、鹵代烷基、烷氧基、鹵代烷氧基、烯基、炔基、環烷基、雜環烷基、芳基和雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/> R<sup>2</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、5-10員雜芳基、NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、C(O)OR<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>C(O)R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、NR<sup>d</sup>S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和NR<sup>d</sup>C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-3</sub>烯基、C<sub>2-3</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；或者，任意兩個相鄰或不相鄰的R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>連接成一個C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-10員雜芳基，其中所述C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基或5-10員雜芳基被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
根據請求項1或2所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/> 環A選自苯基和5至6員雜芳基；<br/> R<sup>1</sup>選自C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、NH(C<sub>1-3</sub>氘代烷基)和NH(C<sub>1-6</sub>烷基)；<br/> R<sup>3</sup>選自氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、O(C<sub>1-6</sub>烷基)、O(C<sub>1-6</sub>氘代烷基)、C<sub>3-6</sub>環烷基和C(O)NH<sub>2</sub>；<br/> R<sup>5</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>3-6</sub>環烷基；<br/> R<sup>6</sup>為C<sub>1-6</sub>烷基和C<sub>3-6</sub>環烷基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（II）結構：<br/><img align="absmiddle" height="103px" width="82px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （II）<br/> 其中，X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>2</sup>、R<sup>4</sup>和n如請求項1所述。
根據請求項4所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/><img align="absmiddle" height="44px" width="41px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為被1-3個R<sup>10</sup>取代或未被取代的下列基團：<br/><img align="absmiddle" height="210px" width="324px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 若存在，每一個R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基和C<sub>1-3</sub>烷氧基。
根據請求項4或5所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/> R<sup>2</sup>為被1-3個R<sup>11</sup>取代或未被取代的下列基團：<br/><img align="absmiddle" height="257px" width="344px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 若存在，每一個R<sup>11</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基和C<sub>1-3</sub>烷氧基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（III）結構：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="54px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （III）<br/> 其中，X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>4</sup>和n如請求項1所述；<br/> R<sup>9</sup>選自C<sub>6-10</sub>芳基、5-10員雜芳基、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-3</sub>烯基和C<sub>2-3</sub>炔基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>和R<sup>c</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（IV）結構：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="54px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （IV）<br/> 其中，X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>4</sup>和n如請求項1所述；<br/> R<sup>9</sup>選自C<sub>6-10</sub>芳基、5-10員雜芳基、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-3</sub>烯基和C<sub>2-3</sub>炔基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>和R<sup>c</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（V）結構：<br/><img align="absmiddle" height="69px" width="51px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （V）<br/> 其中，X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>7</sup>和n如請求項1所述。
根據請求項9所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="33px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為被1-3個R<sup>10</sup>取代或未被取代的下列基團：<br/><img align="absmiddle" height="203px" width="372px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 若存在，每一個R<sup>10</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基和C<sub>1-3</sub>烷氧基。
根據請求項9或10所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於：<br/> R<sup>2</sup>為被1-3個R<sup>11</sup>取代或未被取代的下列基團：<br/><img align="absmiddle" height="257px" width="344px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 若存在，每一個R<sup>11</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基和C<sub>1-3</sub>烷氧基。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（VI）結構：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="54px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （VI）<br/> 其中，X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>4</sup>和n如請求項1所述；<br/> R<sup>9</sup>選自C<sub>6-10</sub>芳基、5-10員雜芳基、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-3</sub>烯基和C<sub>2-3</sub>炔基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>和R<sup>c</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
根據請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，其特徵在於，所述化合物具有式（VII）結構：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="56px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （VII）<br/> 其中，X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、環A、R<sup>4</sup>和n如請求項1所述；<br/> R<sup>9</sup>選自C<sub>6-10</sub>芳基、5-10員雜芳基、C(O)R<sup>a</sup>、C(O)NR<sup>c</sup>R<sup>b</sup>、S(O)R<sup>a</sup>、S(O)<sub>2</sub>R<sup>a</sup>、S(O)NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>、S(O)<sub>2</sub>NR<sup>b</sup>R<sup>c</sup>和C(O)OR<sup>a</sup>，其中所述C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-3</sub>烷基、C<sub>1-3</sub>氘代烷基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷基、C<sub>1-3</sub>烷氧基、C<sub>1-3</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-3</sub>烯基和C<sub>2-3</sub>炔基中的一個或多個取代基所取代；<br/> R<sup>12</sup>選自被1-3個氘取代或未被取代的甲基；<br/> R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>和R<sup>c</sup>各自獨立地選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基，其中所述C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、C<sub>3-6</sub>環烷基、3-6員雜環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基和5-10員雜芳基各自獨立地被選自氫、氘、鹵素、胺基、硝基、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>氘代烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷氧基、C<sub>2-6</sub>烯基、C<sub>2-6</sub>炔基、取代或未被取代的C<sub>3-6</sub>環烷基、取代或未被取代的3-6員雜環烷基、取代或未被取代的C<sub>6-10</sub>芳基和取代或未被取代的5-10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代。
一種下列化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物：<br/><img align="absmiddle" height="429px" width="341px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="90px" width="340px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="345px" width="341px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>
一種藥物組合物，其包含根據請求項1-14中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物。
一種組合物，其包含根據請求項1-14中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，或者根據請求項15所述的藥物組合物以及抗自身免疫性/炎症疾病藥物、抗腫瘤/癌症藥物、抗過敏藥物、抗移植排斥性藥物、抗神經退化性疾病藥物、抗哮喘和其他阻塞性氣道疾病藥物中的一種或幾種。
一種根據請求項1-14中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽、酯或同位素標記物，或者根據請求項15或16所述的組合物在製備通過抑制TYK2治療疾病和/或病症的藥物中的應用，其中所述疾病和/或病症包括自身免疫性疾病或炎性疾病，癌症/腫瘤，過敏，移植排斥，神經退化性疾病，哮喘和其他阻塞性氣道疾病；<br/> 所述自身免疫性疾病或炎性疾病包括腸炎，皮膚病，眼疾，關節炎，橋本氏甲狀腺炎，自身免疫性溶血性貧血，自身免疫性萎縮性胃炎，自身免疫性腦脊髓炎，Goodpasture病，自身免疫性血小板減少症，交感性眼肌炎，肌炎，原發性膽汁性肝硬化，肝炎，原發性硬化性膽管炎，慢性浸潤性肝炎，非酒精性脂肪肝疾病，非酒精性脂肪性肝炎，潰瘍性結腸炎，膜性腎小球病，系統性紅斑狼瘡，類風濕性關節炎，銀屑病關節炎，多發性關節炎皮肌炎，I型干擾素疾病（包括愛卡迪爾-古特雷斯綜合症）和其它過度表達I型干擾素引起的全身性硬化症，孟德爾病，結節性多發性動脈炎，多發性硬化症，復發性多發性硬化症，原發性進行性多發性硬化，繼發性進行性多發性硬化和大皰性天皰瘡，科根氏綜合症，強直性脊柱炎，韋格納肉芽腫病，自身免疫性脫髮，糖尿病和甲狀腺炎；<br/> 所述腸炎包括克羅恩氏病，潰瘍性結腸炎，炎性腸病，乳糜瀉，直腸炎，嗜酸性腸胃炎和肥大細胞增多症；<br/> 所述皮膚病包括特應性皮炎，濕疹，銀屑病，硬皮病，瘙癢或其他瘙癢症狀，白癜風和脫髮；<br/> 所述眼疾包括角膜結膜炎，葡萄膜炎（包括與白塞氏病相關的葡萄膜炎和由晶狀體引起的葡萄膜炎），角膜炎，皰疹性角膜炎，圓錐角膜，肌營養不良性上皮角膜炎，角膜白細胞減少症，前葡萄膜炎，鞏膜炎，Mooren's Graves眼病，Vogt-Koyanagi-Harada綜合症，乾燥性角膜結膜炎，水泡，虹膜睫狀體虹膜結節病，內分泌性眼病，交感性眼炎，過敏性結膜炎和眼新血管形成；<br/> 所述糖尿病包括I型糖尿病和糖尿病併發症；<br/> 所述癌症/腫瘤包括消化道/胃腸道癌，結腸癌症，肝癌，皮膚癌（包括肥大細胞瘤和鱗狀細胞癌），乳腺癌，卵巢癌，前列腺癌，淋巴瘤，白血病（包括急性髓樣白血病和慢性粒細胞性白血病），腎癌，肺癌，肌肉癌，骨癌，膀胱癌，腦癌，黑色素瘤（包括口腔和轉移性黑色素瘤），卡波濟肉瘤（包括多發性骨髓瘤），骨髓增生疾病，增生性糖尿病視網膜病變和與血管增生相關的疾病/腫瘤；<br/> 所述神經退化性疾病包括運動神經元疾病，阿茨海默氏病，帕金森氏病，肌萎縮性側索硬化症，亨廷頓氏病，腦缺血；由外傷，損傷，麩胺酸神經毒性或缺氧引起的神經退化性疾病；中風，心肌缺血，腎缺血，心臟病，心臟肥大，動脈粥樣硬化和動脈硬化，器官缺氧或血小板聚集的缺血/再灌注損傷；<br/> 所述過敏包括哺乳動物的變應性皮炎（包括馬的過敏性疾病），夏季濕疹，馬蹄鐵發癢，痙攣，氣道發炎，反復氣道阻塞，氣道高反應性和慢性阻塞性肺疾病；<br/> 所述哮喘和其他阻塞性氣道疾病包括慢性或過度哮喘，延遲性哮喘，支氣管炎，支氣管哮喘，過敏性哮喘，內源性哮喘，外源性哮喘和多灰塵的哮喘；<br/> 所述移植排斥包括胰島移植排斥，骨髓移植排斥反應，移植物抗宿主疾病，器官和細胞移植排斥反應（該器官和細胞為骨髓，軟骨，角膜，心臟，椎間盤，胰島，腎臟，四肢，肝臟，肺，肌肉，成肌細胞，神經，胰腺，皮膚，小腸或氣管）以及異種移植。
一種用於將式(1)之5-(2-甲基巰基乙基)乙內醯脲(5-(2-methylmercaptoethyl)hydantoin)或其硒化等價物5-(2-甲基硒基乙基)乙內醯脲相應地鹼水解為甲硫胺酸鹽或硒甲硫胺酸鹽之方法，<figure><img align="absmiddle" height="282px" width="528px" file="ed10018.JPG" alt="化學式ed10018.JPG" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>其中，該方法係於鹼性水介質中，在一反應性汽提填料塔柱中，接著在選自反應性汽提層板塔柱的至少一反應器中實行。
如請求項1之方法，其中，該反應性汽提填料塔柱包含一或多種選自結構化填料及無規填料中的填料。
如請求項1或2之方法，其中，該反應性汽提填料塔柱之該(等)填料由一或數種選自下者中的材料製成：金屬及不銹和耐腐蝕金屬合金；塑膠；氟聚合物；陶瓷。
如請求項1之方法，其中，該方法進一步於一或其他反應器中實行。
如請求項4之方法，其中，該反應器或該等反應器係選自反應性汽提塔柱。
如請求項5之方法，其中，該(等)反應器係選自反應性汽提填料塔柱、反應性汽提層板塔柱及反應性汽提氣泡塔柱。
如請求項4之方法，其中，該(等)反應器係選自連續攪拌槽反應器(CSTR)及塞狀流反應器(PFR)。
如請求項1之方法，其中，該鹼性水介質包含一鹼水解試劑，其選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬氫氧化物及該等碳酸鹽與氫氧化物之任何混合物。
如請求項8之方法，其中，該鹼水解試劑選自碳酸鉀、碳酸氫鉀、氫氧化鈉、氫氧化鉀及其等之混合物。
如請求項1之方法，其中，5-(2-甲基巰基乙基)乙內醯脲以進一步包含一或數種化合物的流體形式供應，該(等)化合物選自5-(2-甲基巰基乙基)乙內醯脲之前驅物、甲硫胺酸、鹽及胜肽。
如請求項1之方法，其中，該方法在160至200℃的溫度下實行。
如請求項1之方法，其中，該方法在170至190℃的溫度下實行。
如請求項1之方法，其中，該方法在7至15巴的壓力下實行。
如請求項1之方法，其中，該方法在8至12巴的壓力下實行。
如請求項1之方法，其中，液體反應流體在該反應性汽提填料塔柱中的停留時間至少為1分鐘。
如請求項1之方法，其中，液體反應流體在該反應性汽提填料塔柱中的停留時間為1至3分鐘。
如請求項1之方法，其中，液體反應流體在該反應性汽提填料塔柱及該(等)反應器之整體總成中的停留時間在6至10分鐘間變化。
一種用於自式(1)之5-(2-甲基巰基乙基)乙內醯脲生產甲硫胺酸或自5-(2-甲基硒基乙基)乙內醯脲生產硒甲硫胺酸的方法，[化學式1]<figure><img align="absmiddle" height="245px" width="341px" file="ed10019.JPG" alt="化學式ed10019.JPG" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></figure>其中，該方法包含如請求項1至17中任一項所界定之用於水解5-(2-甲基巰基乙基)乙內醯脲或5-(2-甲基硒基乙基)乙內醯脲的方法。
如請求項18之方法，其中，該方法包含將甲硫胺酸鹽中和成甲硫胺酸或將硒甲硫胺酸鹽中和成硒甲硫胺酸。
如請求項19之方法，其中，甲硫胺酸鹽或硒甲硫胺酸鹽之中和是在CO<sub>2</sub>存在下執行。
一種固體攝像元件，其具備： <br/>半導體層，其具有矩陣狀配置之複數個光電轉換部；及 <br/>分離區域，其將前述半導體層中相鄰之前述光電轉換部彼此分離；且 <br/>前述分離區域具有： <br/>壁狀電極，其配置為壁狀，且被施加負的偏壓電壓；及<br/>低吸收構件，其配置於較前述壁狀電極靠光入射側，且光吸收率小於前述壁狀電極；其中<br/>前述固體攝像元件進一步具備複數個晶載透鏡，該等複數個晶載透鏡使光入射至對應之前述光電轉換部；且 <br/>前述分離區域具有： <br/>第1分離區域，其將經由不同之前述晶載透鏡入射光之複數個前述光電轉換部分離；及 <br/>第2分離區域，其將經由相同之前述晶載透鏡入射光之複數個前述光電轉換部分離；並且 <br/>位於前述第2分離區域之前述低吸收構件配置至較位於前述第1分離區域之前述低吸收構件更深之位置。
如請求項1之固體攝像元件，其中前述光電轉換部具有：與前述壁狀電極相鄰之第1區域、及與前述低吸收構件相鄰之第2區域；且 <br/>前述第2區域之雜質濃度小於前述第1區域之雜質濃度。
如請求項1之固體攝像元件，其中前述低吸收構件自前述半導體層之光入射側之面配置至800(nm)以上之深度。
如請求項1之固體攝像元件，其中前述壁狀電極以選自多晶矽、鎢、鋁之1種為主成分而構成。
如請求項1之固體攝像元件，其中前述低吸收構件以選自氧化矽、氧化鉿、氧化鋁及氧化鈦之1種為主成分而構成。
一種固體攝像元件之製造方法，其包含下述步序： <br/>於半導體基板形成半導體區域； <br/>於前述半導體基板之與光入射側為相反側之面形成溝渠； <br/>自前述溝渠之底部至給定之深度以低吸收構件進行填埋； <br/>於前述溝渠之自前述給定之深度至開口部之側面形成絕緣膜； <br/>將前述溝渠之其餘之部位以導電性之壁狀電極進行填埋；及 <br/>於前述半導體基板之光入射側之面形成配線層；且 <br/>形成於前述配線層之配線連接於前述壁狀電極； <br/>前述低吸收構件之光吸收率小於前述壁狀電極； <br/>藉由以前述低吸收構件、前述絕緣膜及前述壁狀電極將前述溝渠填埋，而形成分離區域； <br/>藉由前述分離區域，將前述半導體區域劃分為複數個光電轉換部； <br/>前述固體攝像元件之製造方法進一步包含以下步序：形成複數個晶載透鏡，該等複數個晶載透鏡使光入射至對應之前述光電轉換部；且 <br/>前述分離區域具有： <br/>第1分離區域，其將經由不同之前述晶載透鏡入射光之複數個前述光電轉換部分離；及 <br/>第2分離區域，其將經由相同之前述晶載透鏡入射光之複數個前述光電轉換部分離；並且 <br/>位於前述第2分離區域之前述低吸收構件配置至較位於前述第1分離區域之前述低吸收構件更深之位置。
如請求項6之固體攝像元件之製造方法，其進一步包含以下步序：使自與前述溝渠之底部對應之深度至前述給定之深度之區域之雜質濃度小於自前述給定之深度至前述半導體基板之與光入射側為相反側之面之區域。
一種電子機器，其具備： <br/>如請求項1~5任一項記載之固體攝像元件； <br/>光學系統，其擷取入來自被攝體之入射光並成像於前述固體攝像元件之攝像面上；及 <br/>信號處理電路，其對來自前述固體攝像元件之輸出信號進行處理。
一種通式(III-1)所示的化合物或其可藥用的鹽，<figure><img align="absmiddle" height="152px" width="280px" file="d10064.TIF" alt="化學式ed10064.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10064.png"/></figure>其中，m1為0或1；R<sup>1</sup>和R<sup>6</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、氰基、-NR<sup>7a</sup>R<sup>7b</sup>、羥基、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-C(O)NR<sup>7a</sup>R<sup>7b</sup>、-S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基各自獨立地視需要被選自鹵素、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、氰基、-NR<sup>9a</sup>R<sup>9b</sup>、羥基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；R<sup>7a</sup>、R<sup>7b</sup>、R<sup>9a</sup>和R<sup>9b</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基各自獨立地視需要被選自鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基中的一個或多個取代基所取代；或者R<sup>7a</sup>和R<sup>7b</sup>與相連的氮原子一起形成3至8員雜環基，R<sup>9a</sup>和R<sup>9b</sup>與相連的氮原子一起形成3至8員雜環基，形成的該3至8員雜環基視需要被選自鹵素、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、氰基、胺基、硝基、羥基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；R<sup>8</sup>選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基各自獨立地視需要被選自鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基中的一個或多個取代基所取代；p為0、1或2；n為0、1、2、3或4；條件是不為：<figure><img align="absmiddle" height="115px" width="567px" file="d10065.TIF" alt="化學式ed10065.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10065.png"/></figure>
如請求項1所述的通式(III-1)所示的化合物或其可藥用的鹽，其為通式(III-1-A)所示的化合物或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="172px" width="298px" file="d10066.TIF" alt="化學式ed10066.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10066.png"/></figure>其中，m1、R<sup>1</sup>、R<sup>6</sup>、R<sup>7a</sup>、R<sup>7b</sup>和n如請求項1中所定義。
一種通式(III-2)所示的化合物或其可藥用的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="151px" width="364px" file="d10067.TIF" alt="化學式ed10067.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10067.png"/></figure>其中，X為CH<sub>2</sub>或C(O)；R<sup>5</sup>為氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基；R<sup>1</sup>和R<sup>6</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、氰基、-NR<sup>7a</sup>R<sup>7b</sup>、羥基、-C(O)R<sup>8</sup>、-C(O)OR<sup>8</sup>、-C(O)NR<sup>7a</sup>R<sup>7b</sup>、-S(O)<sub>p</sub>R<sup>8</sup>、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基各自獨立地視需要被選自鹵素、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、氰基、-NR<sup>9a</sup>R<sup>9b</sup>、羥基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；R<sup>7a</sup>、R<sup>7b</sup>、R<sup>9a</sup>和R<sup>9b</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基各自獨立地視需要被選自鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基中的一個或多個取代基所取代；或者R<sup>7a</sup>和R<sup>7b</sup>與相連的氮原子一起形成3至8員雜環基，R<sup>9a</sup>和R<sup>9b</sup>與相連的氮原子一起形成3至8員雜環基，形成的該3至8員雜環基視需要被選自鹵素、側氧基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基、氰基、胺基、硝基、羥基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基、3至8員雜環基、6至10員芳基和5至10員雜芳基中的一個或多個取代基所取代；R<sup>8</sup>選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基，其中該C<sub>1-6</sub>烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基各自獨立地視需要被選自鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基和C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基中的一個或多個取代基所取代；p為0、1或2。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基和C<sub>1-6</sub>羥烷基。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>1</sup>選自C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>6</sup>選自氫原子、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>1-6</sub>鹵烷基、C<sub>1-6</sub>鹵烷氧基和C<sub>1-6</sub>羥烷基。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>6</sup>選自氫原子。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>7a</sup>和R<sup>7b</sup>相同或不同，且各自獨立地選自氫原子、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>羥烷基、3至8員環烷基和3至8員雜環基。
如請求項1至3中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，其中R<sup>7a</sup>和R<sup>7b</sup>相同或不同，且各自獨立地為氫原子或C<sub>1-6</sub>烷基。
一種化合物或其可藥用的鹽，其選自以下任一化合物：<figure><img align="absmiddle" height="642px" width="647px" file="d10068.TIF" alt="化學式ed10068.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10068.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="794px" width="632px" file="d10069.TIF" alt="化學式ed10069.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10069.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="276px" width="587px" file="d10071.TIF" alt="化學式ed10071.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10071.png"/></figure>
一種通式(III-1a)、(III-1-Aa)或(III-2a)所示的化合物或其鹽，<figure><img align="absmiddle" height="179px" width="512px" file="d10070.TIF" alt="化學式ed10070.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10070.png"/></figure>其中，R<sup>7a</sup>、R<sup>7b</sup>、n和m1如請求項1中所定義，X、R<sup>5</sup>如請求項3中所定義。
一種化合物或其鹽，其選自：<figure><img align="absmiddle" height="256px" width="617px" file="d10072.TIF" alt="化學式ed10072.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10072.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="793px" width="612px" file="d10073.TIF" alt="化學式ed10073.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10073.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="281px" width="590px" file="d10074.TIF" alt="化學式ed10074.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10074.png"/></figure>
一種製備如請求項1所述的通式(III-1)或如請求項2所述的(III-1-A)所示的化合物或其可藥用的鹽的方法，該方法包括：<figure><img align="absmiddle" height="347px" width="662px" file="d10075.TIF" alt="化學式ed10075.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10075.png"/></figure>通式(III-1a)的化合物或其鹽與通式(VI)的化合物發生親核取代反應，得到通式(III-1)的化合物或其可藥用的鹽；或通式(III-1-Aa)的化合物或其鹽與通式(VI)的化合物發生親核取代反應，得到通式(III-1-A)的化合物或其可藥用的鹽；其中，L為鹵素；R<sup>1a</sup>、R<sup>7b</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>6</sup>、m1、n如請求項1中所定義。
一種製備如請求項3所述的通式(III-2)所示的化合物或其可藥用的鹽的方法，該方法包括：<figure><img align="absmiddle" height="129px" width="647px" file="d10076.TIF" alt="化學式ed10076.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10076.png"/></figure>通式(III-2a)的化合物或其鹽與通式(VI)的化合物發生親核取代反應，得到通式(III-2)的化合物或其可藥用的鹽；其中，L為鹵素；X、R<sup>5</sup>、R<sup>7a</sup>、R<sup>7b</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>6</sup>如請求項3中所定義。
如請求項13或14所述的方法，其中，通式(III-1a)的鹽、通式(III-1-Aa)的鹽、通式(III-2a)的鹽為鹽酸鹽。
如請求項13或14所述的方法，其中，L為氯原子。
一種醫藥組成物，該醫藥組成物含有如請求項1至10中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽，以及一種或多種藥學上可接受的載體、稀釋劑或賦形劑。
一種如請求項1至10中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽或如請求項17所述的醫藥組成物在製備PARP1抑制劑中的用途。
一種如請求項1至10中任一項所述的通式化合物或其可藥用的鹽或如請求項17所述的醫藥組成物在製備用於治療和/或預防癌症的藥物中的用途。
如請求項19所述的用途，其中該癌症選自乳腺癌、卵巢癌、胰腺癌、前列腺癌、胃癌、結直腸癌、肺癌、腎癌、肝癌、宮頸癌、子宮內膜癌、骨髓瘤、白血病、淋巴瘤、聽神經瘤、基底細胞癌、膽管癌、膀胱癌、腦癌、支氣管癌、肉瘤、脊索瘤、絨毛膜癌、顱咽管瘤、囊腺癌、胚胎癌、血管內皮細胞瘤、室管膜瘤、上皮癌、食管癌、原發性血小板增多症、尤文氏瘤、睾丸癌、膠質瘤、重鏈病、成血管細胞瘤、髓樣癌、髓母細胞瘤、黑色素瘤、腦膜瘤、間皮瘤、成神經細胞瘤、NUT中線癌、神經膠質瘤、骨癌、鼻咽癌、口腔癌、甲狀腺癌、松果體瘤、真性紅細胞增多症、成視網膜細胞瘤、皮脂腺癌、精原細胞瘤、皮膚癌、鱗狀細胞癌、滑膜瘤、汗腺癌、瓦爾登斯特倫巨球蛋白血症和維爾姆斯瘤。
如請求項19所述的用途，其中，該癌症選自乳腺癌、卵巢癌、胰腺癌、前列腺癌、胃癌、結直腸癌和肺癌。
一種光阻組合物，其包含： <br/>非化學增幅型抗蝕劑材料、及 <br/>增感劑前驅物，且 <br/>上述增感劑前驅物係藉由照射游離輻射、或具有300 nm以下之波長之非游離輻射而生成增感劑之化合物，該增感劑吸收具有超過300 nm之波長之非游離輻射， <br/>上述非化學增幅型抗蝕劑材料為金屬氧化物光阻材料，上述金屬氧化物光阻材料包含金屬氧化物及有機金屬化合物。
如請求項1之光阻組合物，其中上述增感劑前驅物包含生成具有羰基之上述增感劑的選自由縮醛化合物、縮酮化合物、硫縮醛化合物、醇化合物、硫醇化合物、及原酸酯化合物所組成之群中之至少一種化合物。
如請求項1或2之光阻組合物，其進而包含溶劑。
一種形成抗蝕劑圖案之方法，其依序包括： <br/>對包含非化學增幅型抗蝕劑材料及增感劑前驅物之抗蝕劑膜之一部分照射第一輻射； <br/>對上述抗蝕劑膜中包含經上述第一輻射照射之部分、及除此以外之部分的整個區域統一照射第二輻射；以及 <br/>藉由顯影將上述抗蝕劑膜之一部分去除，藉此形成抗蝕劑圖案；且 <br/>上述第一輻射為游離輻射或非游離輻射，上述第二輻射為非游離輻射，於上述第一輻射為非游離輻射時，上述第二輻射為波長較上述第一輻射之波長更長之非游離輻射， <br/>上述增感劑前驅物係藉由上述第一輻射之照射而生成吸收上述第二輻射之增感劑的化合物， <br/>上述非化學增幅型抗蝕劑材料為金屬氧化物光阻材料，上述金屬氧化物光阻材料包含金屬氧化物及有機金屬化合物。
如請求項4之方法，其中上述增感劑前驅物包含生成具有羰基之上述增感劑的選自由縮醛化合物、縮酮化合物、硫縮醛化合物、醇化合物、硫醇化合物、及原酸酯化合物所組成之群中之至少一種化合物。
如請求項4或5之方法，其中上述第一輻射為游離輻射、或具有300 nm以下之波長之非游離輻射，且 <br/>上述第二輻射為具有超過300 nm之波長之非游離輻射。
如請求項4或5之方法，其中該方法進而包括於上述第一輻射之照射與上述第二輻射之照射之間、上述第二輻射之照射後、或此兩個時間段烘烤上述抗蝕劑膜。
一種製造具有經圖案化之膜之半導體裝置之方法，該方法包括： <br/>藉由如請求項4至7中任一項之方法，於被蝕刻膜上形成具有供上述被蝕刻膜露出之溝槽之抗蝕劑圖案；以及 <br/>對上述溝槽內所露出之上述被蝕刻膜進行蝕刻，藉此將上述被蝕刻膜圖案化。
一種基板處理裝置，其具備： <br/>膜形成單元，其於具有被蝕刻膜之工件上，形成包含非化學增幅型抗蝕劑材料及增感劑前驅物之抗蝕劑膜； <br/>曝光單元，其對具有經第一輻射照射之部分之上述抗蝕劑膜照射第二輻射； <br/>顯影單元，其藉由顯影將上述抗蝕劑膜之一部分去除，藉此形成抗蝕劑圖案；及 <br/>控制單元，其以關於上述第二輻射，對上述抗蝕劑膜中包含經上述第一輻射照射之部分、及除此以外之部分的整個區域統一照射上述第二輻射之方式控制上述曝光單元；且 <br/>上述第一輻射為游離輻射或非游離輻射，上述第二輻射為非游離輻射，於上述第一輻射為非游離輻射時，上述第二輻射為波長較上述第一輻射之波長更長之非游離輻射， <br/>上述非化學增幅型抗蝕劑材料為金屬氧化物光阻材料，上述金屬氧化物光阻材料包含金屬氧化物及有機金屬化合物。
如請求項9之基板處理裝置，其中該基板處理裝置具備： <br/>處理區塊，其包含上述膜形成單元、上述曝光單元、及上述顯影單元；及 <br/>介面區塊，其包含搬送單元，該搬送單元於上述處理區塊與對上述抗蝕劑膜之一部分照射上述第一輻射之曝光裝置之間交接具有上述抗蝕劑膜之工件；且 <br/>上述控制單元以將具有在上述曝光裝置中經上述第一輻射照射之上述抗蝕劑膜之上述工件搬送至上述曝光單元之方式控制上述搬送單元。
如請求項9或10之基板處理裝置，其中上述膜形成單元包含塗佈單元，該塗佈單元將包含上述非化學增幅型抗蝕劑材料及上述增感劑前驅物之光阻組合物塗佈於上述工件上。
如請求項11之基板處理裝置，其中上述膜形成單元進而包含熱處理單元，該熱處理單元烘烤所塗佈之上述光阻組合物之膜，從而於上述被蝕刻膜上形成包含上述非化學增幅型抗蝕劑材料及上述增感劑前驅物之抗蝕劑膜。
一種基板處理裝置，具備： <br/> 使用藥品處理基板的複數處理部； <br/> 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路； <br/> 設於前述排氣經路，將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置； <br/> 控制前述複數處理部及前述氣體處理裝置的控制部； <br/> 其中， <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 在內部具有氣體通過的流路的導管； <br/> 將前述流路區隔成複數空間，以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板； <br/> 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部； <br/> 儲留從前述區隔板落下的前述溶解液的儲留槽； <br/> 其中， <br/> 前述控制部， <br/> 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量； <br/> 前述液供應部，具有： <br/> 將從溶解液供應源供應的前述溶解液供應至前述區隔板的第1液供應部； <br/> 將儲留於前述儲留槽的前述溶解液經由循環經路循環得到的循環液供應至前述區隔板的第2液供應部； <br/> 前述控制部，因應前述運轉資訊，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量； <br/> 前述運轉資訊為包含在每個時間帶應運轉的前述處理部之數的配方資訊； <br/> 前述控制部， <br/> 基於前述配方資訊中包含的前述處理部之數，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述控制部， <br/> 在對前述複數處理部之中最先運轉的處理部發送使前述藥品的供應開始的信號的時點，使來自前述液供應部的前述溶解液的供應開始。
如請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述控制部， <br/> 在從全部的前述處理部接收到表示前述基板的處理結束的信號的時點，停止來自前述液供應部的前述溶解液的供應。
如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體處理裝置，具備： <br/> 複數前述導管； <br/> 複數前述導管，包含： <br/> 在內部具有前述氣體從上方向下方通過的第1流路的第1導管； <br/> 在內部具有前述氣體從下方向上方通過的第2流路的第2導管； <br/> 其中， <br/> 前述區隔板，分別配置於前述第1流路及前述第2流路，將前述第1流路及前述第2流路分別區隔成複數空間； <br/> 前述儲留槽，連接前述第1流路的下游側與前述第2流路的上游側。
一種基板處理裝置，具備： <br/> 使用藥品處理基板的複數處理部； <br/> 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路； <br/> 設於前述排氣經路，將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置； <br/> 控制前述複數處理部及前述氣體處理裝置的控制部； <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 在內部具有前述氣體通過的流路的導管； <br/> 將前述流路區隔成複數空間，以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板； <br/> 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部； <br/> 前述控制部， <br/> 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量； <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 複數前述導管； <br/> 複數前述導管，包含： <br/> 在內部具有前述氣體從上方向下方通過的第1流路的第1導管； <br/> 在內部具有前述氣體從下方向上方通過的第2流路的第2導管； <br/> 前述區隔板，分別配置於前述第1流路及前述第2流路，將前述第1流路及前述第2流路分別區隔成複數空間； <br/> 前述氣體處理裝置，更具備： <br/> 連接前述第1流路的下游側與前述第2流路的上游側，儲留從前述區隔板落下的前述溶解液的儲留槽； <br/> 前述液供應部，具有： <br/> 將從溶解液供應源供應的前述溶解液供應至前述區隔板的第1液供應部； <br/> 將儲留於前述儲留槽的前述溶解液經由循環經路循環得到的循環液供應至前述區隔板的第2液供應部； <br/> 前述控制部，因應前述運轉資訊，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量； <br/> 前述氣體處理裝置，更具備： <br/> 檢出前述氣體中包含的對象成份的濃度的濃度檢出部； <br/> 前述控制部， <br/> 將前述濃度檢出部的檢出結果作為前述運轉資訊監視，基於前述濃度檢出部的檢出結果，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量； <br/> 前述控制部， <br/> 判定由前述濃度檢出部檢出的濃度是否超過比預先設定的上限值還大的閾值，判定成由前述濃度檢出部檢出的濃度超過前述閾值的情形，進行使從前述複數處理部排出的氣體的流量減少的控制。
一種基板處理裝置，具備： <br/> 使用藥品處理基板的複數處理部； <br/> 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路； <br/> 設於前述排氣經路，將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置； <br/> 控制前述複數處理部及前述氣體處理裝置的控制部； <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 在內部具有前述氣體通過的流路的導管； <br/> 將前述流路區隔成複數空間，以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板； <br/> 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部； <br/> 前述控制部， <br/> 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量； <br/> 前述運轉資訊為包含在每個時間帶從前述複數處理部排出的氣體中包含的對象成份之量或濃度的配方資訊； <br/> 前述控制部， <br/> 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份之量或濃度，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量。
如請求項6記載的基板處理裝置，其中，前述配方資訊，更包含前述對象成份的種類； <br/> 前述控制部， <br/> 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份的種類，變更應從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的種類。
如請求項7記載的基板處理裝置，其中，前述控制部， <br/> 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份的種類，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的溫度。
一種基板處理裝置，具備： <br/> 使用藥品處理基板的複數處理部； <br/> 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路； <br/> 設於前述排氣經路，將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置； <br/> 控制前述複數處理部及前述氣體處理裝置的控制部； <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 在內部具有前述氣體通過的流路的導管； <br/> 將前述流路區隔成複數空間，以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板； <br/> 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部； <br/> 前述控制部， <br/> 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量； <br/> 前述液供應部，在各前述空間至少配置一個； <br/> 前述控制部， <br/> 因應前述運轉資訊，增減在複數前述液供應部之中進行向前述區隔板的前述溶解液的供應的液供應部之數。
一種基板處理裝置的控制方法，前述基板處理裝置具備： <br/> 使用藥品處理基板的複數處理部； <br/> 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路； <br/> 設於前述排氣經路，將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置； <br/> 其中， <br/> 前述氣體處理裝置，具備： <br/> 在內部具有氣體通過的流路的導管； <br/> 將前述流路區隔成複數空間，以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板； <br/> 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部； <br/> 儲留從前述區隔板落下的前述溶解液的儲留槽； <br/> 其中，該基板處理裝置的控制方法，包含： <br/> 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊，調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量的步驟； <br/> 前述液供應部，具有： <br/> 將從溶解液供應源供應的前述溶解液供應至前述區隔板的第1液供應部； <br/> 將儲留於前述儲留槽的前述溶解液經由循環經路循環得到的循環液供應至前述區隔板的第2液供應部； <br/> 前述控制部，因應前述運轉資訊，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量； <br/> 前述運轉資訊為包含在每個時間帶應運轉的前述處理部之數的配方資訊； <br/> 調整前述溶解液的流量的步驟， <br/> 基於前述配方資訊中包含的前述處理部之數，調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量。
一種管理裝置，其管理機器人的動作程式，前述管理裝置具備：<br/> 資料取得部，其取得變更資訊及執行資訊，前述變更資訊表示對前述動作程式施加的變更，前述執行資訊表示為了使前述機器人動作而執行了前述動作程式；<br/> 輸入受理部，其受理用以承認前述資料取得部所取得之前述變更資訊的輸入；<br/> 承認判定部，其在前述資料取得部取得前述執行資訊時，判定執行的前述動作程式的前述變更資訊是否已被承認；及<br/> 程序執行部，其在由前述承認判定部判定為前述變更資訊未被承認時，執行預先決定的事故防止程序。
如請求項1之管理裝置，其中前述程序執行部以生成警報訊號作為前述事故防止程序。
如請求項1或2之管理裝置，其進一步具備：記憶部，其將前述變更被重複施加的每一次由前述資料取得部所取得之複數個前述變更資訊，作為變更履歷資料來記憶；及<br/> 程式復原部，其根據前述變更履歷資料，來復原在比第1前述變更還要之前所進行之第2前述變更後的前述動作程式。
如請求項3之管理裝置，其中前述輸入受理部進一步受理從前述變更履歷資料中選擇表示前述第2變更之前述變更資訊的輸入，<br/> 前述程式復原部因應前述輸入受理部所受理之前述選擇的輸入，來復原前述第2變更後的前述動作程式。
一種網路系統，其具備：如請求項1至4中任一項之管理裝置；<br/> 前述機器人；及<br/> 通訊機器，其可通訊地連接於前述機器人及前述管理裝置，記憶前述動作程式，並且將前述變更資訊及前述執行資訊供給至前述管理裝置。
如請求項5之網路系統，其中前述通訊機器具有：<br/> 控制裝置，其按照前述動作程式來使前述機器人動作，並將前述執行資訊供給至前述管理裝置；及<br/> 教示裝置，其受理前述變更的輸入，對前述動作程式施加該變更，藉此教示前述機器人的動作，並將前述變更資訊供給至前述管理裝置。
一種管理方法，是管理機器人的動作程式的管理方法，<br/> 前述管理方法是：<br/> 取得變更資訊及執行資訊，前述變更資訊表示對前述動作程式施加的變更，前述執行資訊表示為了使前述機器人動作而執行了前述動作程式，<br/> 受理用以承認已取得之前述變更資訊的輸入，<br/> 在取得前述執行資訊時，判定執行的前述動作程式的前述變更資訊是否已被承認，<br/> 在判定為前述變更資訊未被承認時，執行預先決定的事故防止程序。
一種三環癸烷二甲醇組成物，其包含<br/> 20重量份至35重量份之由下式1-1所表示的一第一結構異構物，<br/> 27重量份至42重量份之由下式1-2所表示的一第二結構異構物，以及<br/> 27重量份至42重量份之由下式1-3所表示的一第三結構異構物：<br/> [式1-1]<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式1-2]<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式1-3]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="65px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之三環癸烷二甲醇組成物，其基於100重量份的該組成物，包含22重量份至30重量份的該第一結構異構物、30重量份至36重量份的該第二結構異構物，以及32重量份至40重量份的該第三結構異構物。
一種製備三環癸烷二甲醇組成物的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 藉由在75°C至85°C的溫度下逐滴添加二環戊二烯，同時將氫氣與一氧化碳的一混合氣體維持在20巴(bar)至150巴的壓力下，並且在一催化劑組成物以及一親二烯物的存在下進行氫甲醯化作用反應，所述催化劑組成物包括一含銠催化劑化合物以及每1莫耳的銠為5莫耳至200莫耳的一有機磷化合物；以及<br/> 在氫化作用催化劑的存在下進行三環癸烷二醛的氫化作用反應，所述三環癸烷二醛係藉由該氫甲醯化作用反應所獲得，<br/> 其中該三環癸烷二甲醇組成物基於100重量份的該組成物包括20重量份至35重量份之由下式1-1所表示的一第一結構異構物、27重量份至42重量份之由下式1-2所表示的一第二結構異構物，以及27重量份至42重量份之由下式1-3所表示的一第三結構異構物：<br/> [式1-1]<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式1-2]<br/><img align="absmiddle" height="29px" width="58px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [式1-3]<br/><img align="absmiddle" height="19px" width="65px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項3之方法，其中該有機磷化合物係以每1莫耳的銠為10莫耳至100莫耳的量被包括。
如請求項3之方法，其中在該氫甲醯化作用反應步驟中進行二環戊二烯的逐滴添加，使得每分鐘所添加之二環戊二烯的莫耳數相對於在該催化劑組成物中的1 mmol的該銠元素係10 mmol至10,000 mmol。
如請求項3之方法，其中該親二烯物係選自於由以下所構成之群組中的一或多者：順丁烯二酸酐、四氰基乙烯、順丁烯二酸、順丁烯二腈、2-亞甲基丙二腈、2-亞甲基丙二酸二烷基酯、2-亞甲基丙二酸、2-亞甲基丙二醛、3-亞甲基戊烷-2,4-二酮、富馬醛(fumaraldehyde)、乙烯-1,1,2,2-四卡巴醛(ethene-1,1,2,2-tetracarbaldehyde)、1,4-苯醌，以及順丁烯二酸二烷基酯。
如請求項3之方法，其中該親二烯物的使用量基於100重量份的該二環戊二烯係0.001重量份至1.0重量份。
如請求項3之方法，其中該氫化作用催化劑係一Ru/C催化劑。
如請求項3之方法，其中該氫化作用反應係在80 °C至250 °C的溫度及20巴至200巴的壓力下進行。
一種三環癸烷二甲醇組成物，其包含<br/> A) 八氫-4,7-橋亞甲基(methano)-1H-茚-1<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；<br/> B) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-3<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；<br/> C) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-2<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；以及<br/> D) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-2<sub>ax</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇，其中(A+B+C)/D的重量比率係10至200。
如請求項1之三環癸烷二甲醇組成物，其進一步包含E)八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-2<sub>ax</sub>,6<sub>ax</sub>-二甲醇，其中(A+B+C)/E的重量比率係10至200。
如請求項1之三環癸烷二甲醇組成物，其中該(A+B+C)/D的重量比率係15至140。
如請求項2之三環癸烷二甲醇組成物，其中該(A+B+C)/E的重量比率係15至160。
一種製備三環癸烷二甲醇組成物之方法，該三環癸烷二甲醇組成物包含<br/> A) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-1<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；<br/> B) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-3<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；<br/> C) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-2<sub>eq</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇；以及<br/> D) 八氫-4,7-橋亞甲基-1H-茚-2<sub>ax</sub>,6<sub>eq</sub>-二甲醇，<br/> 其中一(A+B+C)/D的重量比率係10至200，<br/> 該方法包含以下步驟：<br/> 在一包括一撐體及一撐載在該撐體上之催化劑金屬的氫化催化劑的存在下進行三環癸烷二醛的氫化反應，<br/> 其中該氫化催化劑係Ru/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pt/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pd/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Pd/BaSO<sub>3</sub>、Pd/CaCO<sub>3</sub>、Pd/BaCO<sub>3</sub>或Cu/Cr。
如請求項5之方法，其中該催化劑金屬的撐載量基於該氫化催化劑的總重量係0.01重量%至10重量%。
如請求項5之方法，其中該氫化催化劑的使用量係三環癸烷二醛的總重量的50 ppm至10,000 ppm(基於該催化劑金屬)。
如請求項5之方法，其中該氫化反應係在80 ℃至250 ℃的溫度及20 bar至200 bar的壓力下進行。
如請求項5之方法，其中該三環癸烷二醛係藉由一包括以下步驟之製備方法來製備：藉由將一包括一含銠催化劑化合物及一有機磷化合物的催化劑組成物引入至一反應器中並且逐滴添加二環戊二烯，在氫氣與一氧化碳的一混合氣體下進行氫甲醯化反應；以及在氫化催化劑的存在下進行藉由該氫甲醯化反應所獲得之三環癸烷二醛的氫化作用。
一種電漿處理裝置，包括：<br/> 電漿處理腔室，具有上壁部、側壁部、以及下壁部，並於內部具有電漿處理空間；以及<br/> 磁屏蔽，設置於該側壁部的外側之周圍，並於上側具有開口；<br/> 將通過該上壁部之該電漿處理空間側的內面之中心點、並連結該開口的端點而成的線，與該內面所夾的角度設為θ［°］，將構成該磁屏蔽的磁性材料之初始相對導磁係數設為μi、厚度設為t［m］、兩者的積μi×t設為Pmc［m］，則角度θ［°］滿足下式，<br/> θ＞764×Pmc<sup>－</sup><sup>2</sup>＋179×Pmc<sup>－</sup><sup>1</sup>＋21.3。
一種電漿處理裝置，包括：<br/> 電漿處理腔室，具有上壁部、側壁部、以及下壁部，並於內部具有電漿處理空間；以及<br/> 磁屏蔽，設置於該側壁部的外側之周圍，並於上側具有開口；<br/> 將通過該上壁部之該電漿處理空間側的內面之中心點、並連結該開口的端點而成的線，與該內面所夾的角度設為θ［°］，將構成該磁屏蔽的磁性材料之初始相對導磁係數設為μi、厚度設為t［m］、兩者的積μi×t設為Pmc［m］，則角度θ［°］滿足下式，<br/> θ＞4200×Pmc<sup>－</sup><sup>2</sup>－96×Pmc<sup>－</sup><sup>1</sup>－3.8。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中，<br/> 該磁屏蔽為圓筒形。
一種電漿處理裝置，包括：<br/> 電漿處理腔室，具有上壁部、側壁部、以及下壁部，並於內部具有電漿處理空間；以及<br/> 第1磁屏蔽及第2磁屏蔽，設置於該側壁部的外側之周圍，該第1磁屏蔽設置於下側，該第2磁屏蔽設置於上側；<br/> 將通過該側壁部的內側面之中間點、並連結該第1磁屏蔽之上端部之端點而成的線設為第1線，將通過該中間點並連結該第2磁屏蔽之下端部之端點而成的線設為第2線；<br/> 該第1線相對於通過該中間點並與該上壁部之該電漿處理空間側之內面呈平行的面所夾的角度θ［°］，相等於該第2線相對於該平行的面所夾的角度；<br/> 若將構成該第1磁屏蔽及該第2磁屏蔽這兩者的磁性材料之初始相對導磁係數設為μi、厚度設為t［m］、兩者的積μi×t設為 Pmc［m］，則角度θ［°］滿足下式，<br/> θ＜25.4－0.265×p＋8.35×10<sup>－</sup><sup>2</sup>×Pmc＋（－1.58）×p<sup>2</sup>＋5.87×10<sup>－</sup><sup>3</sup>×p×Pmc＋（－5.17）×10<sup>－</sup><sup>4</sup>×Pmc<sup>2</sup>。
一種電漿處理裝置，包括：<br/> 電漿處理腔室，具有上壁部、側壁部、以及下壁部，並於內部具有電漿處理空間；以及<br/> 第1磁屏蔽及第2磁屏蔽，設置於該側壁部的外側之周圍，該第1磁屏蔽設置於下側，該第2磁屏蔽設置於上側；<br/> 將通過該側壁部的內側面之中間點、並連結該第1磁屏蔽之上端部之端點而成的線設為第1線，將通過該中間點並連結該第2磁屏蔽之下端部之端點而成的線設為第2線；<br/> 該第1線相對於通過該中間點並與該上壁部之該電漿處理空間側之內面呈平行的面所夾的角度θ［°］，相等於該第2線相對該平行的面所夾的角度；<br/> 若將構成該第1磁屏蔽及該第2磁屏蔽這兩者的磁性材料之初始相對導磁係數設為μi、厚度設為t［m］、兩者的積μi×t設為Pmc［m］，則角度θ［°］滿足下式，<br/> θ＜53.2－0.208×p＋1.87×10<sup>－</sup><sup>2</sup>×Pmc＋（－0.855）×p<sup>2</sup>＋1.75×10<sup>－</sup><sup>3</sup>×p×Pmc＋（－1.19）×10<sup>－</sup><sup>4</sup>×Pmc<sup>2</sup>。
如請求項4或5之電漿處理裝置，其中，<br/> 該第1磁屏蔽及該第2磁屏蔽，分別為圓筒形。
如請求項1、2、4、5中任一項之電漿處理裝置，其中，<br/> 該側壁部為圓筒形。
如請求項1、2、4、5中任一項之電漿處理裝置，其中，<br/> 該Pmc［m］，係20［m］以上、100［m］以下。
一種多層管狀成形體，包含：一內層、一外層、以及設於該內層與該外層之間並將該等接著的一中間層，其中，<br/>該內層係含有聚烯烴作為主成分；<br/>該外層係含有熱塑性聚胺酯作為主成分；<br/>該中間層係含有接著性聚烯烴作為主成分；<br/>該外層的厚度為1~1.5mm；<br/>該外層的厚度與該中間層的厚度之合計，相對於該多層管狀成形體的厚度之比例為0.7～0.88；<br/>該熱塑性聚胺酯的軟化溫度為135～200℃。
如請求項1所述之多層管狀成形體，其中，該中間層的厚度，相對於該內層的厚度之比例為0.1以上且未達2。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該內層的厚度，相對於該多層管狀成形體的厚度之比例為0.06～0.25。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該內層中之該聚烯烴的含有量為75質量％以上。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該聚烯烴的軟化溫度為95～190℃。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該聚烯烴係包含高密度聚乙烯、對排聚丙烯、同排聚丙烯及聚甲基戊烯中之至少一種。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該內層的厚度為0.05～2.5mm。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該外層中之該熱塑性聚胺酯的含有量為75重量％以上。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該熱塑性聚胺酯係包含己二酸酯系熱塑性聚胺酯、醚系熱塑性聚胺酯、己內酯系熱塑性聚胺酯及聚碳酸酯系熱塑性聚胺酯中之至少一種。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該中間層中之該接著性聚烯烴的含有量為75質量％以上。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該接著性聚烯烴的軟化溫度為120～185℃。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該接著性聚烯烴係包含在側鏈具有芳香族環的聚烯烴。
如請求項12所述之多層管狀成形體，其中，該接著性聚烯烴係包含苯乙烯接枝聚烯烴及聚苯乙烯。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該接著性聚烯烴係在側鏈包含含酯基團。
如請求項14所述之多層管狀成形體，其中，該接著性聚烯烴係包含順丁烯二酐改質乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該中間層的厚度為0.01～1.5mm。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該多層管狀成形體之壓縮彎曲試驗（跨度：200mm）中的最大荷重為19N以下。
如請求項1或2所述之多層管狀成形體，其中，該多層管狀成形體之撓曲量測定試驗（溫度：100℃）中的撓曲量為未達40mm。
一種用以處理一射頻系統中之數位訊號處理中的參數配置的方法，該射頻系統是一射頻功率遞送系統，該方法包括：<br/> 提供(101)至少一輸入訊號(210)，與該射頻系統(1) 的一射頻訊號相關，<br/> 執行(102)一處理程序(310)，其中該至少一輸入訊號(210)藉由一可程式電路(10)利用處理之至少一可配置的參數重複地處理，其中該至少一參數的一配置針對該至少一輸入訊號(210)的各該處理改變，以取得複數個個別之處理結果(220)，<br/> 基於該些處理結果(220)決定(103)針對該配置之一最佳化的至少一參數結果(240)， <br/> 提供(104)該至少一決定之參數結果來用於改善該射頻系統中之該數位訊號處理，<br/> 利用該至少一決定之參數結果參數化(105)該相同或另一可程式電路(10)，<br/> 感測(106)該射頻系統(1)之該射頻訊號，<br/> 至少部分地藉由該參數化之可程式電路(10)利用該感測之射頻訊號之一處理執行(107)該數位訊號處理，以及<br/> 藉由重複地執行(102)該感測(106)及該數位訊號處理來監控該射頻訊號，<br/> 其中該處理程序(310)係做為一訓練程序，用以利用該輸入訊號(210)做為一預存在之訓練輸入訊號(210)於該處理的一訓練模式中執行該可程式電路(10)的該參數化(105)，而該監控係在該處理之一即時模式中執行，在該處理之該即時模式中該射頻訊號係感測及處理來做為一即時輸入訊號(230)。
如請求項1所述之方法，其中該可程式電路(10)係設置成一可程式積體電路(10)，為一數位訊號處理器(digital signal processor，DSP)、一複雜可程式邏輯裝置(complex programmable logic device，CPLD)或一現場可程式邏輯閘陣列(field programmable gate array，FPGA)。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中在該處理程序(310)中處理的該至少一輸入訊號(210)係設置成至少一訓練輸入訊號(210)，及該方法更包括：<br/> 藉由利用該至少一決定之參數結果配置該至少一參數來完成該可程式電路(10)之該參數化(105)，其中該配置係依序地固定，<br/> 從一訓練模式切換該處理成一即時模式，其中於該即時模式中，一即時輸入訊號係藉由該可程式電路(10)利用該固定之配置即時處理，用於該即時輸入訊號之一濾波，其中該即時輸入訊號係配置成從至少一類比數位轉換器(30)接收之一實際測量訊號，該至少一類比數位轉換器係轉換藉由至少一感測器(20)感測之該射頻訊號成該至少一即時輸入訊號，以及<br/> 從該即時模式切換該處理成該訓練模式，其中在該訓練模式中，藉由利用至少一額外的訓練輸入訊號(210)為該訓練輸入訊號(210)來再度執行該處理程序(310)，該存在及預先固定之配置係進一步最佳化，以新決定該至少一參數結果，其中，根據該新決定的參數結果與該預先決定的參數結果之一比較，該可程式電路(10)之一再參數化係藉由利用該新決定之參數結果配置該至少一參數來執行。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該至少一輸入訊號(210)的該重複地處理係藉由執行複數個重複的處理步驟，其中針對各該處理步驟，當利用該至少一參數之該些改變的配置時，該相同之至少一輸入訊號(210)係藉由該相同的可程式電路(10)處理，使得該個別之處理結果(220)係用於分派給該些改變的配置，及其中<br/> 該至少一輸入訊號(210)係提供做為一或複數個預定之參考輸入訊號(257)，針對各該預定之參考輸入訊號，一參考結果係提供來表示該對應之輸入訊號(210)之該處理的一所需結果，及基於該些處理結果(220)用於該配置之該最佳化的該至少一參數結果之該決定(103)包括：<br/> 藉由比較用於該至少一參考輸入訊號(257)之各該取得之處理結果(220)與該對應的參考結果來評估該些改變的配置，其中該評估係根據該處理結果(220)與該參考結果之匹配。
如請求項4所述之方法，其中基於該些處理結果(220)用於最佳化該配置之該至少一參數結果的該決定(103)包括：<br/> 選擇具有最高的評估之該至少一配置做為該至少一決定之參數結果，<br/> 及該提供(104)該至少一決定之參數結果來用於該改善之數位訊號處理包括： <br/> 利用該至少一選擇之配置來參數化(105)該相同或另一可程式電路(10)，<br/> 其中該至少一預定之參考輸入訊號(257)及該些對應之參考結果包括用於該數位訊號處理之複數個不同應用的複數個預定之參考輸入訊號(257)及複數個對應之參考結果，使得基於該些處理結果(220)決定用以最佳化該配置之該至少一參數結果係針對各該應用分開地執行，及該提供(104)該至少一決定之參數結果包括儲存該些選擇之配置於一記憶體(70)中，其中該參數化該相同或另一可程式電路(10)包括根據該應用從該些儲存之配置選擇使用的該配置。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該至少一輸入訊號(210)係設置為複數個預存在之輸入訊號(210)，其中該處理程序(310)包括複數個重複的處理步驟，其中各該處理步驟包括：<br/> 一個接著一個處理該些相同的輸入訊號(210)，及<br/> 藉由一控制電路(80)在該處理步驟中設定該使用之至少一參數的該配置，<br/> 該方法更包括：<br/> 在各該處理步驟之後，藉由該控制電路(80)評估該處理結果(220)與一預定參考結果的一偏差，及<br/> 在各該評估之後，基於該評估調整該使用之至少一參數的該配置來用於下個處理步驟，<br/> 其中該控制電路(80)係電性連接於該可程式電路(10)及與該可程式電路(10)分開地配置，及<br/> 其中該使用之至少一參數的該配置係針對該些不同之處理步驟改變，以疊代地最佳化該配置來用於該改善之數位訊號處理。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中針對該射頻系統(1)之應用中的複數個不同特定情況，該處理程序(310)設置成用於在一疊代法中最佳化該配置的一訓練程序，使得決定而用於該些不同特定情況之該些參數結果係設置成針對該些不同特定情況的複數個不同之最佳化的參數組。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該至少一輸入訊號(210)包括一時間訊號走勢，為瞬時及歷史值，且為該些射頻訊號之複數個測量值，及該處理結果係藉由處理該時間訊號走勢取得，以表示偵測該時間訊號走勢中之一特定圖形的一機率。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中一電子介面係提供以上傳該至少一輸入訊號(210)至該可程式電路(10)，其中該至少一輸入訊號(210)係配置成上傳後儲存於一記憶體(70)中的複數個輸入訊號(210)。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該至少一輸入訊號(210)係設置成至少一千或至少一百萬個不同之輸入訊號(210)，其中各該輸入訊號表示與該射頻訊號相關的至少一波形，其中該處理係根據參數配置評估該波形，藉此該個別的處理結果(220)包括該評估的一結果。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該可程式電路(10)包括複數個邏輯元件，用以利用一演算法分解該輸入訊號(210)成振幅及相位，其中該演算法藉由該些改變的配置參數化。
如前述之請求項1或2所述之方法，其中該些改變的配置的一評估係藉由比較有關於該些改變的配置的各該處理結果(220)與一預定參考結果來執行，其中該預定參考結果包括藉由該可程式電路(10)執行的一演算法的一預定理想結果。
如前述之請求項1或2所述之方法，更包括：<br/> 經由一電子介面(90)上傳一預存在配置到該可程式電路(10)中或到一控制電路(80)中或到一記憶體(70)中，以及<br/> 利用該預存在配置參數化(105)該可程式電路(10)。
如請求項13所述之方法，其中該上傳之預存在配置係儲存於該相同之該記憶體(70)或於一不同的記憶體中，該上傳之預存在配置係覆寫如請求項1-12之任一者的該些配置的任一者。
一種用於一射頻系統的一RF測量系統，該射頻系統為一射頻功率遞送系統或一射頻產生器或一射頻電漿系統，該系統包括：<br/> 至少一感測器(20)，係一定向耦合器或一電流電壓感測器或一電漿感測器，用以感測該射頻系統(1)的一射頻訊號，<br/> 至少一類比數位轉換器(30)，用以轉換該至少一感測之射頻訊號成一至少一輸入訊號(210,230)，以及<br/> 一電路(10)，用於該至少一輸入訊號(210,230)的一數位訊號處理，<br/> 該系統之特徵在於該電路(10)根據請求項1至14中任一項的方法所決定之該至少一參數結果參數化。
如請求項15所述之系統，其中該系統更包括一電子介面(90)，用以上傳一預存在配置到該電路(10)中或到一控制單元(80)中或一記憶體(70)中來用於最佳化該電路(10)。
如請求項16所述之系統，其中該電子介面(90)電性連接於該控制單元(80)或該記憶體(70)或該電路(10)，用以利用一直接資料傳送來執行該上傳。
一資料載波訊號，傳載根據請求項1至14中任一項的方法或請求項15至17中任一項的RF測量系統所決定的該至少一參數結果。
一種樹脂組成物，含有（A）式（1）所表示的樹脂與（B）式（2）所表示的樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="194px" width="788px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，X分別獨立地表示聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯並噁唑或該些的前驅物的重複結構單元，R<sup>1</sup>為式（3）或式（4）所表示的一價基；R<sup>a</sup>表示選自由R<sup>1</sup>、氫原子、及碳數1～20的一價有機基所組成的群組中的基；n<sub>1</sub>為2～200的整數， <br/><br/><img align="absmiddle" height="194px" width="787px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（2）中，Y分別獨立地表示聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯並噁唑或該些的前驅物的重複結構單元，R<sup>2</sup>為式（5）所表示的一價基；R<sup>b</sup>表示選自由R<sup>2</sup>、氫原子、及碳數1～20的一價有機基所組成的群組中的基；n<sub>2</sub>為2～200的整數， <br/><br/><img align="absmiddle" height="265px" width="787px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（3）中，*表示鍵結部， <br/><br/><img align="absmiddle" height="281px" width="788px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（4）中，R<sup>3</sup>為氫原子、碳數1～6的一價烴基；*表示鍵結部， <br/><br/><img align="absmiddle" height="187px" width="788px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（5）中，*表示鍵結部。
如請求項1所述的樹脂組成物，其中將所述（A）成分及所述（B）成分於<sup>1</sup>H-核磁共振光譜中的9 ppm至11 ppm出現的源自醯胺鍵的氫原子的訊號的總積分值設為100時將源自（A）成分的末端基R<sup>1</sup>的氫原子的訊號的總積分值設為r<sub>1</sub>及將源自（B）成分的末端基R<sup>2</sup>的氫原子的訊號的總積分值設為r<sub>2</sub>，被定義為M=3r<sub>1</sub>/2r<sub>2</sub>的M為0.25以上且4以下。
如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，其中樹脂組成物的重量平均分子量為5,000以上且35,000以下。
如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，其中聚醯亞胺的重複結構單元為式（6）所表示的重複結構單元， <br/>聚醯胺、聚醯亞胺前驅物或聚苯並噁唑前驅物的重複結構單元為式（7）所表示的重複結構單元，以及 <br/>聚苯並噁唑的重複結構單元為式（8）所表示的重複結構單元， <br/><br/><img align="absmiddle" height="323px" width="787px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（6）中，R<sup>4</sup>表示碳數4～40的四價有機基；R<sup>5</sup>表示碳數4～40的二價有機基，<sup> </sup><br/><br/><img align="absmiddle" height="377px" width="787px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（7）中，R<sup>6</sup>表示碳數4～40的二價～八價的有機基；R<sup>7</sup>表示碳數4～40的二價～四價的有機基；R<sup>8</sup>表示氫原子或碳數1～20的一價有機基；q及r表示於0≦q≦4、0≦r≦4的範圍內且滿足0≦q+r≦6的整數；s表示0～2的整數， <br/><br/><img align="absmiddle" height="242px" width="869px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（8）中，R<sup>9</sup>表示碳數4～40的二價有機基；R<sup>10</sup>表示碳數4～40的二價有機基。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中式（6）中的R<sup>4</sup>及式（7）中的R<sup>6</sup>為式（9）所表示的結構， <br/>式（6）中的R<sup>5</sup>及式（7）中的R<sup>7</sup>為式（10）所表示的結構， <br/><br/><img align="absmiddle" height="242px" width="869px" file="ed10036.jpg" alt="ed10036.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（9）中，R<sup>11</sup>表示單鍵、-O-、-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或式（11）所表示的結構；*表示鍵結部， <br/><br/><img align="absmiddle" height="258px" width="869px" file="ed10037.jpg" alt="ed10037.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（10）中，R<sup>12</sup>表示單鍵、-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-所表示的結構，R<sup>13</sup>分別獨立地表示氫原子或碳數1～20的一價有機基；t及u分別獨立地表示0～4的整數，滿足t+u=4；*表示鍵結部， <br/><br/><img align="absmiddle" height="229px" width="869px" file="ed10038.jpg" alt="ed10038.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（11）中，R<sup>14</sup>表示單鍵、-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-所表示的結構；*表示鍵結部。
如請求項4所述的樹脂組成物，其中式（8）的R<sup>9</sup>為單鍵、碳數1～6的二價烴基、或碳數1～6的氟伸烷基所表示的結構，R<sup>10</sup>為式（12）所表示的結構， <br/><br/><img align="absmiddle" height="229px" width="869px" file="ed10039.jpg" alt="ed10039.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（12）中，R<sup>15</sup>表示單鍵、-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-所表示的結構；*表示化學鍵。
如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，更含有光酸產生劑。
如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，更含有光聚合起始劑、與光聚合性化合物。
如請求項1或請求項2所述的樹脂組成物，更包含（G）式（13）所表示的化合物， <br/><br/><img align="absmiddle" height="322px" width="869px" file="ed10040.jpg" alt="ed10040.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（13）中，L<sup>1</sup>表示碳數1～8的伸烷基所表示的結構。
一種硬化物，是將如請求項1至請求項9中任一項所述的樹脂組成物硬化而成。
一種硬化物的製造方法，包括：塗佈如請求項7至請求項9中任一項所述的樹脂組成物的步驟；經過紫外線照射步驟與顯影步驟而形成圖案的步驟；以及進行加熱而形成硬化物的凹凸圖案層的步驟。
一種太陽能電池（1a；1b），其包含多孔層（3-6）之堆疊（12）、用於支撐該堆疊之支撐基板（2）及穿透該堆疊之電荷傳導介質（7），其中該堆疊（12）包含： <br/>多孔光吸收層（3）， <br/>多孔第一導電層（4），其包括用於自該光吸收層萃取光生電子之導電材料， <br/>多孔相對電極（6），其包括導電材料，及 <br/>分離層（5），其由多孔電絕緣材料製成且經配置於該第一導電層（4）與該相對電極（6）之間，且其中該第一導電層（4）經配置成比該相對電極（6）更接近該光吸收層（3）， <br/>其中這些多孔層（3-6）之該堆疊經配置於該支撐基板之頂部上，該支撐基板（2）係多孔的，且該電荷傳導介質（7）穿透該支撐基板（2）。
如請求項1之太陽能電池，其中該電荷傳導介質（7）整體地定位於這些多孔層（3-6）之孔隙及該支撐基板（2）之孔隙中，且這些多孔層（3-6）之這些孔隙之平均大小小於該支撐基板（2）之這些孔隙之平均大小，使得這些多孔層之這些孔隙中之毛細管力比該支撐基板之這些孔隙中之毛細管力強。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中這些多孔層（3-6）中之這些孔隙中之至少80%的大小小於3 µm。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）中之這些孔隙中之至少80%的大小大於3 µm。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）之孔隙率為至少50%。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）之孔隙率為至少80%。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）之厚度為至少20 µm。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）之厚度為至少50 µm。
如請求項1之太陽能電池，其中該支撐基板（2）包含微細纖維。
如請求項9之太陽能電池，其中該支撐基板（2）包含具有在0.2 µm與10 µm之間的直徑之微細纖維。
如請求項9之太陽能電池，其中該支撐基板（2）包含具有在0.2 µm與1 µm之間的直徑之微細纖維。
如請求項1之太陽能電池，其中該支撐基板（2）包含編織微細纖維及非編織微細纖維。
如請求項12之太陽能電池，其中該支撐基板（2）包含編織微細纖維層（2a）及經配置於該編織微細纖維層（2a）上之非編織微細纖維層（2b）。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該支撐基板（2）係可撓的。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該分離層（5）之厚度係介於3 µm與50 µm之間。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該分離層（5）之厚度係介於3 4 µm與20 µm之間。
如請求項1至2中任一項之太陽能電池，其中該電荷傳導介質（7）為液態電解質。
一種用於製造如請求項1之太陽能電池之方法，其中該方法包含： <br/>提供多孔支撐基板（2）（S1）， <br/>將多孔相對電極（6）沈積在該多孔支撐基板（2）上（S2）， <br/>將多孔分離層（5）沈積在該相對電極（6）上（S3）， <br/>將多孔第一導電層（4）沈積在該分離層（5）上（S4）， <br/>將多孔光吸收層（3）沈積在該導電層（4）上（S5）， <br/>將電荷傳導介質（7）引入至該堆疊（12）及該支撐基板（2）中，直至該電荷傳導介質（7）穿透該支撐基板（2）及該堆疊（12）（S6）， <br/>密封該太陽能電池（S7）。
如請求項18之方法，其中沈積該多孔相對電極（6）（S2）包含沈積多孔第二導電層（6a）及在該第二導電層（6a）之頂部上之多孔催化層（6b）。
一種有機膜研磨組合物，其包括：<br/> 一研磨粒子；<br/> 一研磨促進劑；以及，<br/> 一溶劑；<br/> 該研磨促進劑包含一親水基團以及碳原子數量為5至30的一疏水基團，<br/> 該研磨粒子的一表面電荷與該研磨促進劑的該親水基團的電荷彼此相反，<br/> 該研磨粒子為該有機膜研磨組合物的整體重量的1至20重量%，且<br/> 該研磨粒子包含氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯或二氧化矽。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子包含二氧化矽。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子是對表面進行改性的研磨粒子。
如請求項3所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的該表面包含鋁。
如請求項4所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子在該表面塗佈有鋁簇。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨促進劑的該疏水基團包含碳原子數量為7至28的碳主鏈（Carbon backbone）。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的表面為正電荷，該研磨促進劑的該親水基團為負電荷。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的表面為負電荷，該研磨粒子的該親水基團為正電荷。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨促進劑的含量為5至200 ppm。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其pH為3至7。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的電動電位（Zeta Potential）為10至80 mV。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其還包含抗微生物劑（Biocide）。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該有機膜研磨組合物係用於研磨聚合物膜（Polymer Layer）。
如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該有機膜研磨組合物係用於研磨非晶碳層（Amorphous Carbon Layer）。
一種研磨方法，其使用如請求項1至請求項14中的任一項所述之有機膜研磨組合物。
一種噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其包含：合計具有2個以上(甲基)丙烯醯基及乙烯基且不具有環狀醚基之光硬化性化合物、 <br/>具有環狀醚基之熱硬化性化合物、 <br/>光聚合起始劑、 <br/>熱硬化劑、以及 <br/>紅外光遮蔽劑，且 <br/>上述熱硬化劑包含芳香族胺化合物， <br/>上述紅外光遮蔽劑包含碳黑。
如請求項1之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述碳黑之平均一次粒徑為20 nm以上100 nm以下。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述熱硬化性化合物包含具有2個以上環狀醚基之熱硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述光硬化性化合物包含具有二環戊二烯骨架之光硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述熱硬化性化合物包含具有(甲基)丙烯醯基之光及熱硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述光硬化性化合物包含合計具有3個以上(甲基)丙烯醯基及乙烯基之光硬化性化合物。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述光硬化性化合物之含量為10重量%以上75重量%以下。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述芳香族胺化合物包含1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯或雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸。
如請求項1或2之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其進而包含分散劑。
如請求項9之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物，其中上述分散劑之酸值為10 mgKOH/g以上100 mgKOH/g以下，且 <br/>上述分散劑之胺值為10 mgKOH/g以上100 mgKOH/g以下。
一種發光裝置，其具備第1構件、 <br/>配置於上述第1構件之第1表面上之發光構件、及 <br/>配置於上述第1構件之上述第1表面上之阻隔壁，且 <br/>上述阻隔壁為如請求項1至10中任一項之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物之硬化物。
如請求項11之發光裝置，其具備第2構件， <br/>上述發光構件為可照射紅外光之發光構件， <br/>上述阻隔壁以圍繞上述發光構件之方式配置於上述第1構件之上述第1表面上，且 <br/>上述阻隔壁將上述第1構件與上述第2構件接著。
一種發光裝置之製造方法，其包括如下步驟：塗佈步驟，其係使用噴墨裝置，將如請求項1至10中任一項之噴墨用及阻隔壁形成用硬化性組合物塗佈於配置有發光構件之第1構件之第1表面上，形成硬化性組合物層；及 <br/>光硬化步驟，其係藉由光照射使上述硬化性組合物層進行硬化，形成B階段化物層。
如請求項13之發光裝置之製造方法，其包括如下步驟：配置步驟，其係於上述B階段化物層之與上述第1構件側相反之表面上配置第2構件；及 <br/>熱硬化步驟，其係藉由加熱而使上述B階段化物層熱硬化，且 <br/>於上述配置步驟中，於以圍繞上述發光構件之方式配置之上述B階段化物層之表面上配置上述第2構件。
一種零件交換裝置， <br/> 是用於將藉由螺栓被結合的被交換零件交換，具備： <br/> 筒狀構件、及 <br/> 將前述筒狀構件沿著中心軸方向可移動自如地支撐的筒狀構件支架、及 <br/> 與前述筒狀構件獨立地可軸旋轉自如地插入前述筒狀構件中的螺絲起子鑽頭， <br/> 在前述筒狀構件的內周面及前述螺絲起子鑽頭的外周面之間設有間隙作為空氣導通路， <br/> 前述螺絲起子鑽頭的前端，從前述筒狀構件的前端的筒口突出， <br/> 為了在前述筒狀構件的前述筒口的內周面及前述螺絲起子鑽頭的外周面之間確保間隙，吸附前述被交換零件，而使前述筒狀構件的前述筒口的內徑比前述螺絲起子鑽頭的外徑更長， <br/> 為了吸附前述螺栓，在前述螺絲起子鑽頭中從前端至規定距離後方為止開口有軸心孔，前述軸心孔與前述空氣導通路連通。
如請求項1的零件交換裝置，其中， <br/> 進一步具備推迫構件，其可將前述筒狀構件朝前端方向推迫。
如請求項1或2的零件交換裝置，其中， <br/> 前述空氣導通路，是被設於從前述筒狀構件的前述筒口至前述筒狀構件中的從前述筒狀構件支架的下表面突出的位置之前為止的範圍。
如請求項3的零件交換裝置，其中， <br/> O形環是位於比前述空氣導通路更後方的位置且位於前述筒狀構件及前述螺絲起子鑽頭之間。
如請求項1或2的零件交換裝置，其中， <br/> 進一步具備：與前述筒狀構件支架連結的螺帽鎖緊機支架、及可裝卸自如地被保持在前述螺帽鎖緊機支架並將前述螺絲起子鑽頭軸旋轉驅動用的螺帽鎖緊機。
如請求項1或2的零件交換裝置，其中， <br/> 在前述筒狀構件的側壁中設有與前述空氣導通路連通的開口，在前述開口中透過空氣軟管連接有空氣泵裝置。
如請求項6的零件交換裝置，其中， <br/> 進一步具備切換部，其位於前述開口及前述空氣泵裝置之間，將空氣的吸引及供給切換。
如請求項1或2的零件交換裝置，其中， <br/> 前述筒狀構件，是對於前述筒狀構件支架可裝卸自如。
如請求項1或2的零件交換裝置，其中， <br/> 前述筒狀構件，是由：筒狀構件本體、及對於前述筒狀構件本體可裝卸自如的尖端部所構成。
一種零件交換系統， <br/> 具有：如請求項1至9中任一項的前述零件交換裝置、及將前述零件交換裝置裝備在臂前端的機械手臂。
一種干涉儀系統（1），用於偵測在一流體樣本中的多個分析物，該系統包含：多個馬赫-陳爾德干涉儀（20）的一矩陣陣列，旨在一方面耦接到至少一雷射光源（2）及另一方面耦接到多個光偵測器（6），其中該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的每一者包含形成該馬赫-陳爾德干涉儀的多個臂（22）的兩個波導器，該些臂（22）以長寬比等於1呈螺旋形及/或蛇形，該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）被週期性地及矩形地佈置，及沿通過每個馬赫-陳爾德干涉儀（20）的臂（22）之間的縱軸（Z）成行對齊，以及沿與縱軸（Z）正交的橫軸（Y）成列對齊；多個感測區域（30）的一矩陣陣列，該些感測區域（30）的每一者由受體形成，其中該些分析物能夠透過吸收/解吸與所述受體交互作用，該些感測區域（30）的每一者覆蓋該馬赫-陳爾德干涉儀（20）的該些臂（22）其中一者的至少一部分以形成一感測臂（22s），及不覆蓋該些臂（22）的另一者以形成一參考臂（22r）；其特徵在於：該些感測區域（30）被週期性地及六邊形地佈置，使相對於一給定行的該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的一給定列的該些感測區域（30）的每一者位於與通過該馬赫-陳爾德干涉儀（20）的臂（22）之間的縱軸（Z）同一側，該側是該些感測區域（30）所位於的一側，接著從一列交替到下一列。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），其中一給定六邊形的該些感測區域（30）包含沿該橫軸（Y）對齊的三個感測區域（30）。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），其中一些的感測區域（30）包含受體，所述受體的化學及/或物理親和力不同於與其相臨的感測區域的受體的化學及/或物理親和力。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），包含多個輸入波導器（4）及多個輸出波導器（5），該些輸入波導器（4）將該雷射光源（2）耦接至該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的每一者，該些輸出波導器（5）將該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的每一者耦接至該些光偵測器（6），該些輸入波導器（4）及該些輸出波導器（5）沿在該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的每一列之間的該橫軸（Y）延伸。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），其中一給定列的該些臂（22）透過一縱向間隔（e <sub>l</sub>）與一或多個相鄰列的臂間隔開，及一給定行的該些臂（22）透過一橫向間隔（e <sub>t</sub>）與一或多個相鄰列的臂間隔開，其中該縱向間隔（e <sub>l</sub>）在列與列之間保持不變，該橫向間隔e <sub>t</sub>在列與列之間保持不變。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），其中該些臂（22）是基於矽製成，且被由一氧化物製成的一包覆層圍繞，其中該包覆層的折射率相對低於該些臂（22）折射率。
如請求項1所述的干涉儀系統（1），其中該些臂（22）的一包覆層是由一下層與一上層形成，該上層在每個感測臂（22s）包含一凹處。
如請求項7所述的干涉儀系統（1），其中該些臂（22）是由氮化矽製成，且被一薄氧化物黏附層（14）覆蓋，該薄氧化物黏附層（14）位於該凹處中，其中該些受體固定於該薄氧化物黏附層（14）。
如請求項8所述的干涉儀系統（1），包含有機矽烷，所述有機矽烷移植至該薄氧化物黏附層（14），及形成受體結合的多個反應基。
一種用於製造如請求項1所述的干涉儀系統（1）的方法，包含沉積含有受體的多個微滴的步驟，其中：經沉積的該些微滴面對旨在形成該些感測臂（22s）的該些臂（22），經沉積的該些微滴在平行於該些馬赫-陳爾德干涉儀（20）的該矩陣陣列的一平面具有一尺寸（d <sub>g</sub>）；該些微滴的沉積在定位（Δp <sub>g</sub>）中存在非零不確定性，該些臂（22）旨在成為該些感測臂（22s）接著成對地隔開一距離，其中該距離至少等於d <sub>g</sub>+2×Δp <sub>g</sub>。
一種用於疊對計量之目標，其包括： <br/>一第一週期性結構，其形成於一半導體裝置之一第一層上，其中該第一週期性結構中之複數個光柵之各者具有沿一第一軸線之一第一寬度及沿一第二軸線之一第一高度，其中該第一週期性結構具有一第一節距；及 <br/>一第二週期性結構，其形成於該半導體裝置之一第二層上，其中該第二週期性結構中之複數個光柵之各者具有沿該第一軸線之一第二寬度及沿該第二軸線之一第二高度，其中該第二寬度窄於該第一寬度，其中該第二週期性結構具有小於該第一節距之一第二節距，且其中該第一週期性結構之該等光柵經定位以與該第二週期性結構之該等光柵重疊； <br/>其中該第一週期性結構及該第二週期性結構提供電子束疊對量測及散射量測疊對量測，其中該第二週期性結構沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構。
如請求項1之目標，其中該第一高度長於該第二高度，其中該第二週期性結構經組態成兩個陣列，且其中該第一週期性結構之該等光柵在該第二週期性結構之該等陣列之各者上方沿該第二軸線延伸。
如請求項1之目標，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構在一第一陣列中，進一步包括該第一週期性結構之一第二陣列及該第二週期性結構之一第二陣列，其中該第二陣列中之該第二週期性結構在自該第一陣列之方向沿該第二軸線之一方向上延伸超出該第一週期性結構。
如請求項3之目標，其進一步包括該第一週期性結構之一第三陣列及該第二週期性結構之一第三陣列及一第四陣列，其中該第一高度長於該第二高度，且其中該第三陣列中之該第一週期性結構之該等光柵在該第二週期性結構之該第三陣列及該第四陣列上方沿該第二軸線延伸。
如請求項1之目標，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構之四個陣列安置成使得該四個陣列之兩者垂直於該四個陣列之另兩者定向。
如請求項5之目標，其中該第二週期性結構沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構。
如請求項5之目標，其中該等第一週期性結構中之該等光柵之各者界定沿該第二軸線之一間隙，其中該第二週期性結構透過該間隙暴露，且其中該第一週期性結構沿該第二軸線延伸超出該第二週期性結構。
一種用於疊對計量之目標，其包括： <br/>一第一週期性結構，其形成於一半導體裝置之一第一層上，其中該第一週期性結構中之複數個光柵之各者具有沿一第一軸線之一第一寬度及沿一第二軸線之一第一高度，其中該第一週期性結構具有一第一節距；及 <br/>一第二週期性結構，其形成於該半導體裝置之一第二層上，其中該第二週期性結構中之複數個光柵之各者具有一第二寬度及一第二高度，其中該第二寬度等於該第一寬度，其中該第二週期性結構具有等於該第一節距之一第二節距，且其中該第一週期性結構之該等光柵安置於該第二週期性結構之該等光柵之間； <br/>其中該第一週期性結構及該第二週期性結構提供電子束疊對量測及散射量測疊對量測，其中該第二週期性結構沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構。
如請求項8之目標，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構之四個陣列經安置成使得該四個陣列之兩者垂直於該四個陣列之另兩者定向。
如請求項9之目標，其中該第二週期性結構在該等陣列之各者之一側處沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構，且其中該第一週期性結構在該等陣列之各者之一相對側處沿該第二軸線延伸超出該第二週期性結構。
如請求項9之目標，其中該等第一週期性結構中之該等光柵之各者界定沿該第二軸線之一間隙，且其中該第二週期性結構在該等陣列之各者中沿該第二軸線在該間隙中延伸超出該第一週期性結構。
一種用於疊對計量之方法，其包括： <br/>提供一目標，其包含： <br/>一第一週期性結構，其形成於一半導體裝置之一第一層上，其中該第一週期性結構中之複數個光柵之各者具有沿一第一軸線之一第一寬度及沿一第二軸線之一第一高度，其中該第一週期性結構具有一第一節距；及 <br/>一第二週期性結構，其形成於該半導體裝置之一第二層上，其中該第二週期性結構中之複數個光柵之各者具有一第二寬度及一第二高度，其中該第二週期性結構沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構；及 <br/>使用至少一個半導體計量工具對該目標執行電子束疊對量測及散射量測疊對量測。
如請求項12之方法，其中該第二寬度窄於該第一寬度，其中該第二週期性結構具有小於該第一節距之一第二節距，且其中該第一週期性結構之該等光柵定位於該第二週期性結構之該等光柵上方。
如請求項13之方法，其中該第一高度長於該第二高度，其中該第二週期性結構經組態成兩個陣列，且其中該第一週期性結構之該等光柵沿該第二軸線在該第二週期性結構之該等陣列之各者上方延伸。
如請求項13之方法，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構在一第一陣列中，進一步包括該第一週期性結構之一第二陣列及該第二週期性結構之一第二陣列，其中該第二陣列中之該第二週期性結構在自該第一陣列之方向沿該第二軸線之一方向上延伸超出該第一週期性結構。
如請求項13之方法，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構之四個陣列經安置成使得該四個陣列之兩者垂直於該四個陣列之另兩者定向，且其中以下之一者： <br/>該第二週期性結構在該等陣列之各者之一側處沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構，且其中該第一週期性結構在該等陣列之各者之一相對側處沿該第二軸線延伸超出該第二週期性結構；或 <br/>其中該等第一週期性結構中之該等光柵之各者界定沿該第二軸線之一間隙，且其中該第一週期性結構在該等陣列之各者中沿該第二軸線延伸超出該第二週期性結構。
如請求項12之方法，其中該第二寬度等於該第一寬度，其中該第二週期性結構具有等於該第一節距之一第二節距，且其中該第一週期性結構之該等光柵定位於該第二週期性結構之該等光柵之間。
如請求項17之方法，其中該第一週期性結構及該第二週期性結構之四個陣列經安置成使得該四個陣列之兩者垂直於該四個陣列之另兩者定向，且其中以下之一者： <br/>該第二週期性結構在該等陣列之各者之一側處沿該第二軸線延伸超出該第一週期性結構，且其中該第一週期性結構在該等陣列之各者之一相對側處沿該第二軸線延伸超出該第二週期性結構；或 <br/>該等第一週期性結構中之該等光柵之各者界定沿該第二軸線之一間隙，且其中該第二週期性結構在該等陣列之各者中沿該第二軸線在該間隙中延伸超出該第一週期性結構。
一種半導體計量工具，其經組態以對如請求項12之方法之目標執行疊對量測。
一種電子元件的製造方法，包括： <br/>準備步驟，準備依序包括第一支撐體、第一玻璃膜、電子元件部件、第二玻璃膜、以及第二支撐體的帶支撐體的電子元件； <br/>第一剝離步驟，自所述帶支撐體的電子元件剝離所述第一支撐體；以及 <br/>第二剝離步驟，自所述帶支撐體的電子元件剝離所述第二支撐體，所述電子元件的製造方法的特徵在於： <br/>於在所述準備步驟中準備的所述帶支撐體的電子元件中，所述第一支撐體具有自所述第一玻璃膜、所述電子元件部件以及所述第二玻璃膜伸出的第一端緣部，所述第二支撐體具有自所述第一玻璃膜、所述電子元件部件以及所述第二玻璃膜伸出的第二端緣部，所述第一端緣部具有自所述第二支撐體伸出的伸出部， <br/>於所述第一剝離步驟中，對所述伸出部賦予外力，於所述第一支撐體與所述第一玻璃膜之間形成剝離起點部。
如請求項1所述的電子元件的製造方法，其中所述第二支撐體於其端緣部具有切口部， <br/>所述伸出部藉由所述第一支撐體自所述切口部伸出而形成。
如請求項2所述的電子元件的製造方法，其中所述第一支撐體及所述第二支撐體分別為矩形形狀， <br/>所述切口部形成於所述第一支撐體的至少一個拐角部， <br/>所述伸出部藉由所述第二支撐體的對應的拐角部自所述切口部伸出而形成。
如請求項3所述的電子元件的製造方法，其中所述切口部的形狀為直線狀。
如請求項1所述的電子元件的製造方法，其中所述第一支撐體及所述第二支撐體分別為矩形形狀， <br/>所述伸出部藉由所述第一支撐體的至少一邊自所述第二支撐體的對應的邊伸出而形成。
如請求項5所述的電子元件的製造方法，其中所述伸出部藉由所述第一支撐體的至少交叉的兩邊自所述第二支撐體的對應的邊伸出而形成。
如請求項1至請求項6中任一項所述的電子元件的製造方法，其中所述第一支撐體及所述第二支撐體為玻璃製。
一種帶支撐體的電子元件，依序包括第一支撐體、電子元件、以及第二支撐體，所述帶支撐體的電子元件的特徵在於： <br/>所述電子元件依序包括第一玻璃膜、電子元件部件、以及第二玻璃膜， <br/>所述第一支撐體配置於所述電子元件的所述第一玻璃膜側， <br/>所述第二支撐體配置於所述電子元件的所述第二玻璃膜側， <br/>所述第一支撐體具有自所述電子元件伸出的第一端緣部， <br/>所述第二支撐體具有自所述電子元件伸出的第二端緣部， <br/>所述第一端緣部具有自所述第二支撐體伸出的伸出部。
一種流體輸送系統，其包含： <br/>在第一及第二電位之間延伸的一流體輸送導管，其中該流體輸送導管形成為一傾斜螺旋，使得流過該流體輸送導管之一流體經由該流體輸送導管之每一繞組經歷一電場反轉，且其中，在該傾斜螺旋中，該流體沿著向前及向後行進(progressions)前進橫越(across)等位線(equipotential lines)，進而產生該電場反轉。
如請求項1之流體輸送系統，其進一步包括在第一及第二電極之間延伸的一心軸，其中該流體輸送導管圍繞該心軸纏繞，並且其中該等第一及第二電極處於該等第一及第二電位。
如請求項2之流體輸送系統，其中該心軸為棒狀的。
如請求項2之流體輸送系統，其中凹槽形成在該心軸中，該等凹槽經佈置以使得該流體輸送導管裝配在該等凹槽內。
如請求項1之流體輸送系統，其中該第一電位為一低電壓，並且該第二電位為一高電壓。
如請求項5之流體輸送系統，其中該低電壓接地，並且該高電壓在10 kV至50 kV之範圍內。
如請求項1之流體輸送系統，其進一步包括在第一及第二電極之間延伸的一錐形支撐結構，其中該流體輸送導管圍繞該錐形支撐結構纏繞。
如請求項1之流體輸送系統，其中該等等位線建立在該等第一及第二電位之間，並且其中該流體輸送導管之每一繞組前進通過至少兩個等位線且藉由至少一個等位線返回。
如請求項8之流體輸送系統，其中該等等位線建立在該等第一及第二電位之間，並且其中該流體輸送導管之每一繞組前進通過至少兩個等位線且藉由經由自適應形式沿著任何形狀之等位線行進之至少一個等位線返回。
如請求項1之流體輸送系統，其中該流體輸送導管安置在一帶電粒子柱中。
如請求項10之流體輸送系統，其中該帶電粒子柱為一電漿聚焦離子束柱。
一種顯微鏡系統，其包含： <br/>一聚焦離子束柱，該聚焦離子束柱經耦合以接收一氣體且藉由或自該氣體產生一聚焦離子束，其中該聚焦離子束柱接收處於一第二電位之該氣體；以及 <br/>一氣體輸送系統，該氣體輸送系統經耦合以將該氣體提供至該聚焦離子束柱，該氣體在一第一位置處處於一第一電位，該氣體輸送系統包括： <br/>在該等第一及第二電位之間延伸的一流體輸送導管，其中該流體輸送導管形成為一傾斜螺旋，使得流過該流體輸送導管之一流體經由該流體輸送導管之每一繞組經歷一電場反轉，且其中，在該傾斜螺旋中，該流體沿著向前及向後行進前進橫越等位線，進而產生該電場反轉。
如請求項12之顯微鏡系統，其中該氣體輸送系統進一步包括在第一及第二電極之間延伸的一心軸，其中該流體輸送導管圍繞該心軸纏繞，並且其中該等第一及第二電極處於該等第一及第二電位。
如請求項13之顯微鏡系統，其中凹槽形成在該心軸中，該等凹槽經佈置以使得該流體輸送導管裝配在該等凹槽內。
如請求項12之顯微鏡系統，其中該第一電位為一低電壓，並且該第二電位為一高電壓。
如請求項15之顯微鏡系統，其中該低電壓接地，並且該高電壓在10 kV至50 kV之範圍內。
如請求項12之顯微鏡系統，其中該氣體輸送系統進一步包括在第一及第二電極之間延伸的一錐形支撐結構，其中該流體輸送導管圍繞該錐形支撐結構纏繞。
如請求項12之顯微鏡系統，其中該等等位線建立在該等第一及第二電位之間，並且其中該流體輸送導管之每一繞組前進通過至少兩個等位線且藉由經由自適應形式沿著任何形狀之等位線行進之至少一個等位線返回。
如請求項12之顯微鏡系統，其中該聚焦離子束柱為一雙束帶電粒子顯微鏡之部分。
如請求項12之顯微鏡系統，其進一步包括耦合至該氣體輸送系統之一氣體容器，該氣體容器儲存該氣體。
一種用於一建築結構之一覆蓋物的操作系統，該操作系統包含：<br/> 一操作繩索，該操作繩索包括一繩索環圈區，該繩索環圈區包括自該繩索環圈區之一環形末端延伸的第一繩索段及第二繩索段；及<br/> 一繩索罩棒，該繩索罩棒經構形來提供對該繩索環圈區的選擇性接取，該繩索罩棒包含：<br/> 一繩索殼體，該繩索殼體經構形來容納該繩索環圈區之該環形末端；<br/> 一繩索套筒，該第一繩索段及該第二繩索段穿過該繩索套筒，該繩索套筒包含第一套筒區及第二套筒區，該第二套筒區能夠相對於該第一套筒區及該繩索殼體在一伸展位置與一縮回位置之間移動；及<br/> 一固定的脊，其至少部分地延伸穿過該第二套筒區且提供該繩索殼體與該第一套筒區之間的一連接；<br/> 其中：<br/> 該第一繩索段及該第二繩索段之縱向區在該第一套筒區與該繩索殼體之間延伸；<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區在該第一套筒區與該繩索殼體之間延伸且完全裝入該第一繩索段及該第二繩索段之縱向部分；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區與該繩索殼體間隔開，使得在該繩索殼體與該第二套筒區之間界定一縱向間隙，該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區的部分沿著該縱向間隙至少部分地曝露。
如請求項1之操作系統，其中：<br/> 該繩索套筒包含一套疊式繩索套筒；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區以一套疊式配置與該第一套筒區重疊。
如請求項1之操作系統，其中：<br/> 該第二套筒區在該第二套筒區之一頂部末端與一底部末端之間在該繩索罩棒之一縱向方向上延伸；<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區之該底部末端定位於與該繩索殼體相鄰處，且該第二套筒區之該頂部末端與該第一套筒區之一部分重疊，使得該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向部分在該繩索殼體與該第一套筒區之間由該第二套筒區完全裝入。
如請求項1之操作系統，其中：<br/> 該繩索罩棒在該繩索罩棒之一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該繩索殼體包含定位於該繩索罩棒之該底部末端處的一下部繩索殼體；且<br/> 該繩索罩棒進一步包含定位於該繩索罩棒之該頂部末端處的一上部繩索殼體。
如請求項4之操作系統，其中該繩索套筒在該上部繩索殼體與該下部繩索殼體之間在該縱向方向上延伸。
如請求項4之操作系統，其中在該第二套筒區處於該伸展位置的情況下，該操作繩索完全裝入於該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間。
如請求項1之操作系統，其中：<br/> 該脊在一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該脊之該頂部末端耦接至該第一套筒區；且<br/> 該脊之該底部末端耦接至該繩索殼體。
如請求項7之操作系統，其中該第一套筒區在一頂部末端與一底部末端之間在該縱向方向上延伸，且該脊之該頂部末端在與該第一套筒區之該頂部末端相鄰處耦接至該第一套筒區。
如請求項7之操作系統，其中該第一套筒區在一頂部末端與一底部末端之間在該縱向方向上延伸，且該脊之該頂部末端在與該第一套筒區之該底部末端相鄰處耦接至該第一套筒區。
如請求項1之操作系統，其中一導引表面提供於該繩索殼體內，該導引表面嚙合或接觸該操作繩索之該環形末端。
如請求項1之操作系統，其進一步包含：一可旋轉的棒軸桿，可旋轉的該棒軸桿至少部分地延伸穿過該繩索罩棒。
如請求項11之操作系統，其中該繩索殼體包括一可旋轉殼體部分，該可旋轉殼體部分耦接至該棒軸桿，使得該可旋轉殼體部分之旋轉旋轉地驅動該棒軸桿。
如請求項11之操作系統，其中該棒軸桿在該繩索罩棒之一縱向方向上延伸穿過該繩索套筒及該脊兩者。
如請求項11之操作系統，其進一步包含：一傾斜桿，該傾斜桿與該繩索罩棒分離且相對於該繩索罩棒延伸；<br/> 其中該棒軸桿耦接至該傾斜桿，使得該棒軸桿之旋轉旋轉地驅動該傾斜桿。
如請求項14之操作系統，其中該棒軸桿經由容納於該繩索罩棒內的一傳動總成耦接至該傾斜桿。
如請求項15之操作系統，其中：<br/> 該繩索罩棒在該繩索罩棒之一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該繩索殼體包含定位於該繩索罩棒之該底部末端處的一下部繩索殼體；<br/> 該繩索罩棒進一步包含定位於該繩索罩棒之該頂部末端處的一上部繩索殼體；且<br/> 該傳動總成容納於該上部繩索殼體內。
如請求項16之操作系統，其中該下部繩索殼體包括一可旋轉殼體部分，該可旋轉殼體部分耦接至該棒軸桿，使得該可旋轉殼體部分之旋轉旋轉地驅動該棒軸桿。
如請求項14之操作系統，其進一步包含：一軌條，該軌條在一平移方向上自該繩索罩棒向外延伸；<br/> 其中該傾斜桿沿著該軌條在該平移方向上延伸。
如請求項1之操作系統，其中：<br/> 該操作繩索形成一連續環圈；且<br/> 該繩索罩棒經由該操作繩索懸掛下來。
如請求項19之操作系統，其中該操作系統進一步包含一連續繩索環圈離合器，該操作繩索與該離合器操作性相關聯地提供。
如請求項1之操作系統，其進一步包含：一軌條及一托架，該托架經構形成沿著該軌條平移；<br/> 其中：<br/> 該操作繩索包括耦接至該托架的第一末端及第二末端；<br/> 該第一繩索段在該操作繩索之該第一末端與該操作繩索之該環形末端之間縱向延伸，且該第二繩索段在該操作繩索之該第二末端與該操作繩索之該環形末端之間縱向延伸；且<br/> 該第一繩索段或該第二繩索段中之一者之操縱導致該托架沿著該軌條平移。
一種用於一建築結構之一覆蓋物的操作系統，該操作系統包含：<br/> 一操作繩索，該操作繩索包括一繩索環圈區，該繩索環圈區包括自該繩索環圈區之一環形末端延伸的第一繩索段及第二繩索段；及<br/> 一繩索罩棒，該繩索罩棒經構形來提供對該繩索環圈區的選擇性接取，該繩索罩棒包含：<br/> 一繩索殼體，該繩索殼體經構形來容納該繩索環圈區之該環形末端；<br/> 一繩索套筒，該第一繩索段及該第二繩索段穿過該繩索套筒，該繩索套筒包含第一套筒區及第二套筒區，該第二套筒區能夠相對於該第一套筒區及該繩索殼體在一伸展位置與一縮回位置之間移動；及<br/> 一可旋轉的棒軸桿，可旋轉的該棒軸桿延伸穿過該繩索套筒；<br/> 其中：<br/> 該第一繩索段及該第二繩索段之縱向區在該第一套筒區與該繩索殼體之間延伸；<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區在該第一套筒區與該繩索殼體之間延伸且完全裝入該第一繩索段及該第二繩索段之縱向部分；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區與該繩索殼體間隔開，使得在該繩索殼體與該第二套筒區之間界定一縱向間隙，該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區的部分沿著該縱向間隙曝露。
如請求項22之操作系統，其中：<br/> 該繩索套筒包含一套疊式繩索套筒；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區以一套疊式配置與該第一套筒區重疊。
如請求項22之操作系統，其中：<br/> 該第二套筒區在該第二套筒區之一頂部末端與一底部末端之間在該繩索罩棒之一縱向方向上延伸；<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區之該底部末端定位於與該繩索殼體相鄰處，且該第二套筒區之該頂部末端與該第一套筒區之一部分重疊，使得該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向部分在該繩索殼體與該第一套筒區之間由該第二套筒區完全裝入。
如請求項22之操作系統，其中：<br/> 該繩索罩棒在該繩索罩棒之一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該繩索殼體包含定位於該繩索罩棒之該底部末端處的一下部繩索殼體；且<br/> 該繩索罩棒進一步包含定位於該繩索罩棒之該頂部末端處的一上部繩索殼體。
如請求項25之操作系統，其中該繩索套筒在該上部繩索殼體與該下部繩索殼體之間在該縱向方向上延伸。
如請求項25之操作系統，其中在該第二套筒區處於該伸展位置的情況下，該操作繩索完全裝入於該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間。
如請求項21之操作系統，其進一步包含：一固定的脊，其至少部分地延伸穿過該第二套筒區且提供該繩索殼體與該第一套筒區之間的一連接。
如請求項28之操作系統，其中：<br/> 該脊在一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該脊之該頂部末端耦接至該第一套筒區；且<br/> 該脊之該底部末端耦接至該繩索殼體。
如請求項29之操作系統，其中該第一套筒區在一頂部末端與一底部末端之間在該縱向方向上延伸，且該脊之該頂部末端在與該第一套筒區之該底部末端相鄰處耦接至該第一套筒區。
如請求項28之操作系統，其中該棒軸桿延伸穿過該繩索套筒及該脊兩者。
如請求項22之操作系統，其中一導引表面提供於該繩索殼體內，該導引表面嚙合或接觸該操作繩索之該環形末端。
如請求項22之操作系統，其中該繩索殼體包括一可旋轉殼體部分，該可旋轉殼體部分耦接至該棒軸桿，使得該可旋轉殼體部分之旋轉旋轉地驅動該棒軸桿。
如請求項22之操作系統，其進一步包含：一傾斜桿，該傾斜桿與該繩索罩棒分離且相對於該繩索罩棒延伸；<br/> 其中該棒軸桿耦接至該傾斜桿，使得該棒軸桿之旋轉旋轉地驅動該傾斜桿。
如請求項34之操作系統，其中該棒軸桿經由容納於該繩索罩棒內的一傳動總成耦接至該傾斜桿。
如請求項35之操作系統，其中：<br/> 該繩索罩棒在該繩索罩棒之一頂部末端與一底部末端之間在一縱向方向上延伸；<br/> 該繩索殼體包含定位於該繩索罩棒之該底部末端處的一下部繩索殼體；<br/> 該繩索罩棒進一步包含定位於該繩索罩棒之該頂部末端處的一上部繩索殼體；且<br/> 該傳動總成容納於該上部繩索殼體內。
如請求項36之操作系統，其中該下部繩索殼體包括一可旋轉殼體部分，該可旋轉殼體部分耦接至該棒軸桿，使得該可旋轉殼體部分之旋轉旋轉地驅動該棒軸桿。
如請求項34之操作系統，其進一步包含：一軌條，該軌條在一平移方向上自該繩索罩棒向外延伸；<br/> 其中該傾斜桿沿著該軌條在該平移方向上延伸。
如請求項22之操作系統，其進一步包含：一軌條及一托架，該托架經構形成沿著該軌條平移；<br/> 其中：<br/> 該操作繩索包括耦接至該托架的第一末端及第二末端；<br/> 該第一繩索段在該操作繩索之該第一末端與該操作繩索之該環形末端之間縱向延伸，且該第二繩索段在該操作繩索之該第二末端與該操作繩索之該環形末端之間縱向延伸；且<br/> 該第一繩索段或該第二繩索段中之一者之操縱導致該托架沿著該軌條平移。
如請求項39之操作系統，其進一步包含：一傾斜桿，該傾斜桿沿著該軌條之一長度延伸；<br/> 其中該棒軸桿耦接至該傾斜桿，使得該棒軸桿之旋轉旋轉地驅動該傾斜桿。
一種用於一建築結構之一覆蓋物的操作系統，該操作系統包含：<br/> 一操作繩索，該操作繩索在該操作繩索之第一末端與第二末端之間縱向延伸，該操作繩索包括分別自該第一末端及該第二末端延伸至該操作繩索之一環形末端的第一繩索段及第二繩索段；<br/> 一軌條；<br/> 一托架，該托架耦接至該操作繩索之該第一末端及該第二末端，使得該第一繩索段之操縱導致該托架沿著該軌條在一第一方向上平移，且該第二繩索段之操縱導致該托架沿著該軌條在與該第一方向相反的一第二方向上平移；及<br/> 一繩索罩棒，該繩索罩棒在該繩索罩棒之一頂部末端與一底部末端之間延伸且經構形來提供對該操作繩索之該第一繩索段及該第二繩索段的選擇性接取，該繩索罩棒包含一繩索套筒，該第一繩索段及該第二繩索段穿過該繩索套筒，該繩索套筒包含在該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間延伸的第一套筒區及第二套筒區，該第二套筒區能夠相對於該第一套筒區在一伸展位置與一縮回位置之間移動；<br/> 其中：<br/> 該操作繩索之該第一繩索段及該第二繩索段的縱向區在該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間延伸；<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區相對於該第一套筒區定位成使得該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區完全裝入於該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區相對於該第一套筒區定位成使得該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區沿著該繩索罩棒的界定於該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間的一縱向區至少部分地曝露。
如請求項41之操作系統，其中該繩索罩棒進一步包含：一固定的脊，其至少部分地延伸穿過該第二套筒區且提供繩索殼體與該第一套筒區之間的一連接。
如請求項41之操作系統，其中該繩索罩棒進一步包含：一可旋轉的棒軸桿，可旋轉的該棒軸桿延伸穿過該繩索套筒。
如請求項41之操作系統，其中該繩索罩棒進一步包含一繩索殼體，該繩索殼體經構形來容納該操作繩索之該環形末端；<br/> 其中：<br/> 在該伸展位置中，該第二套筒區在該第一套筒區與該繩索殼體之間延伸，使得該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區完全裝入於該繩索罩棒之該頂部末端與該底部末端之間；且<br/> 在該縮回位置中，該第二套筒區與該繩索殼體間隔開，使得在該繩索殼體與該第二套筒區之間界定一縱向間隙，該第一繩索段及該第二繩索段之該等縱向區沿著該縱向間隙至少部分地曝露。
一種攝像器件，其具備： <br/>像素，其包含： <br/>光電二極體； <br/>第1傳送電晶體，其耦合於上述光電二極體； <br/>第1浮動擴散部，其耦合於上述第1傳送電晶體； <br/>第2傳送電晶體，其耦合於上述第1浮動擴散部； <br/>第2浮動擴散部，其耦合於述第2傳送電晶體； <br/>第3傳送電晶體，其耦合於上述第2浮動擴散部； <br/>第3浮動擴散部，其耦合於上述第3傳送電晶體； <br/>重設電晶體，其耦合於上述第3浮動擴散部； <br/>電容器，其耦合於上述第3浮動擴散部； <br/>放大電晶體，其耦合於上述第1浮動擴散部；及 <br/>選擇電晶體，其耦合於上述放大電晶體。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述第1浮動擴散部之轉換效率與上述第2浮動擴散部之轉換效率不同。
如請求項2之攝像器件，其中 <br/>上述第3浮動擴散部之轉換效率與上述第1浮動擴散部之上述轉換效率不同，且與上述第2浮動擴散部之上述轉換效率不同。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>高轉換效率由上述第1浮動擴散部構成，中轉換效率由上述第2浮動擴散部構成，低轉換效率由上述第3浮動擴散部構成。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述攝像器件可於複數個轉換效率模式動作。
如請求項5之攝像器件，其中 <br/>於第1轉換效率模式，來自上述光電二極體之電荷儲存於上述第1浮動擴散部。
如請求項5之攝像器件，其中 <br/>於第2轉換效率模式，來自上述光電二極體之電荷儲存於上述第1浮動擴散部及上述第2浮動擴散部。
如請求項5之攝像器件，其中 <br/>於第3轉換效率模式，來自上述光電二極體之電荷儲存於上述第1浮動擴散部、上述第2浮動擴散部及上述第3浮動擴散部。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述光電二極體將入射光轉換為電荷，且上述第1傳送電晶體構成為自上述光電二極體傳送電荷至上述第1浮動擴散部。
如請求項9之攝像器件，其中 <br/>上述第2傳送電晶體構成為自上述第1浮動擴散部傳送電荷至上述第2浮動擴散部。
如請求項10之攝像器件，其中 <br/>上述第3傳送電晶體構成為自上述第2浮動擴散部傳送電荷至上述第3浮動擴散部。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述第1、第2及第3浮動擴散部構成為儲存自上述光電二極體溢流之電荷。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述電容器係MIM(Metal-Insulator-Metal)電容元件。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述電容器之儲存電荷能力大於上述第2浮動擴散部之電容。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述電容器直接耦合於上述第3浮動擴散部。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述電容器之電容大於上述第1浮動擴散部之電容，上述電容器之電容大於上述第2浮動擴散部之電容，且上述電容器之電容大於上述第3浮動擴散部之電容。
如請求項1之攝像器件，其中 <br/>上述第1傳送電晶體導通時，自上述光電二極體傳送電荷至上述第1浮動擴散部。
如請求項17之攝像器件，其中 <br/>上述第2傳送電晶體導通時，自上述第1浮動擴散部傳送電荷至上述第2浮動擴散部。
如請求項18之攝像器件，其中 <br/>上述第3傳送電晶體導通時，自上述第2浮動擴散部傳送電荷至上述第3浮動擴散部。
一種電子機器，其具備： <br/>攝像器件，其包含： <br/>複數個像素，每個像素包含： <br/>光電二極體； <br/>第1傳送電晶體，其耦合於上述光電二極體； <br/>第1浮動擴散部，其耦合於上述第1傳送電晶體； <br/>第2傳送電晶體，其耦合於上述第1浮動擴散部； <br/>第2浮動擴散部，其耦合於述第2傳送電晶體； <br/>第3傳送電晶體，其耦合於上述第2浮動擴散部； <br/>第3浮動擴散部，其耦合於上述第3傳送電晶體； <br/>重設電晶體，其耦合於上述第3浮動擴散部； <br/>電容器，其耦合於上述第3浮動擴散部； <br/>放大電晶體，其耦合於上述第1浮動擴散部；及 <br/>選擇電晶體，其耦合於上述放大電晶體。
一種板狀構件之製造方法，其包括如下步驟： <br/>藉由於母材之表面，沿著曲率半徑為100 mm以上之第1軌跡照射經脈衝振盪之雷射光，而於上述母材之表面形成沿著上述第1軌跡之複數個開口； <br/>藉由於上述母材之表面，沿著與上述第1軌跡連續且曲率半徑未達100 mm之第2軌跡照射上述雷射光，而於上述母材之表面形成沿著上述第2軌跡之複數個開口；及 <br/>藉由以沿著上述第1軌跡及上述第2軌跡之開口為起點使上述母材斷裂，而從上述母材切出板狀構件；且 <br/>上述第1軌跡上之上述雷射光之照射間距為9 μm以下，上述第2軌跡上之上述雷射光之照射間距較上述第1軌跡上之上述雷射光之照射間距短。
如請求項1之板狀構件之製造方法，其中上述母材為玻璃。
如請求項2之板狀構件之製造方法，其中上述母材為鹼玻璃。
如請求項1之板狀構件之製造方法，其中上述第1軌跡上之上述雷射光之照射間距相對於上述雷射光之點徑為120%以上180%以下，上述第2軌跡上之上述雷射光之照射間距相對於上述雷射光之點徑為140%以下。
如請求項1至4中任一項之板狀構件之製造方法，其中上述第2軌跡上之上述雷射光之照射間距為7 μm以下。
如請求項1至4中任一項之板狀構件之製造方法，其中上述第2軌跡上之上述雷射光之照射間距為5 μm以上。
如請求項1至4中任一項之板狀構件之製造方法，其中上述第1軌跡之曲率半徑為1000 mm以上，上述第2軌跡之曲率半徑為2 mm以上10 mm以下。
如請求項1至4中任一項之板狀構件之製造方法，其中上述母材之上述表面係曲率半徑為10000 mm以下之曲面狀。
一種板狀構件，其具有從厚度方向觀察時之曲率半徑為100 mm以上之第1端面、及與上述第1端面連接且從厚度方向觀察時之曲率半徑未達100 mm之第2端面， <br/>於上述第1端面，以9 μm以下之間距形成有複數個沿上述板狀構件之厚度方向延伸之線狀損傷部， <br/>於上述第2端面，以較上述第1端面之損傷部之間距短之間距形成有複數個沿上述板狀構件之厚度方向延伸之線狀損傷部。
如請求項9之板狀構件，其中上述板狀構件為玻璃。
如請求項10之板狀構件，其中上述板狀構件於表面具有壓縮應力層。
如請求項9至11中任一項之板狀構件，其中上述第1端面之損傷部之間距相對於上述第1端面之損傷部之寬度為600%以下，上述第2端面之損傷部之間距相對於上述第2端面之損傷部之寬度為450%以下。
如請求項9至11中任一項之板狀構件，其中上述第2端面之損傷部之間距為7 μm以下。
如請求項9至11中任一項之板狀構件，其中從厚度方向觀察時之上述第1端面之曲率半徑為1000 mm以上，從厚度方向觀察時之上述第2端面之曲率半徑為2 mm以上10 mm以下。
如請求項9至11中任一項之板狀構件，其中上述板狀構件之表面係曲率半徑為10000 mm以下之曲面狀。
如請求項9至11中任一項之板狀構件，其被用作車載用顯示裝置之覆蓋材。
一種發送增強現實（AR）媒體資料的方法，該方法包括以下步驟：<br/> 由一客戶端設備參與一語音撥叫通信期，其中該語音撥叫通信期包括經由IP多媒體子系統（IMS）的一多媒體電話（MTSI）撥叫；<br/> 由該客戶端設備與一資料通道伺服器設備建立一IMS資料通道控制連線；<br/> 在該語音撥叫通信期期間，該客戶端設備經由該IMS資料通道控制連線從該資料通道伺服器設備接收針對一AR通信期的一AR場景的一場景描述，該場景描述對應於該AR通信期的一進入點，且該場景描述包括描述該AR場景之階層式結構的資料，該資料包括代表將在該AR通信期期間呈現的一或多個AR物件的資料；<br/> 由該客戶端設備發起該AR通信期，包括發起一或多個傳送通信期，該一或多個傳送通信期獨立於該MTSI撥叫，並用於接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；及<br/> 由該客戶端設備在該語音撥叫通信期期間使用該場景描述參與該AR通信期，其中參與該AR通信期包括：由該客戶端設備經由該一或多個傳送通信期接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；<br/> 及由該客戶端設備呈現該AR媒體資料。
根據請求項1之方法，其中參與該AR通信期包括以下步驟：<br/> 接收該語音撥叫通信期的語音資料；<br/> 接收該AR通信期的輸入AR資料；及<br/> 將該語音資料與該輸入AR資料一起呈現。
根據請求項1之方法，其中該進入點包括一與該場景描述關聯的統一資源定位符（URL）。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 由該客戶端設備剖析該場景描述；及<br/> 由該客戶端設備基於該場景描述設置該AR場景。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：<br/> 配置用於該AR通信期的服務品質（QoS）。
根據請求項1之方法，其中參與該語音撥叫通信期包括：<br/> 執行一被配置為參與該語音撥叫通信期的MTSI應用；且<br/> 其中參與該AR通信期包括：與該MTSI應用同時執行一AR應用，該AR應用獨立於該MTSI應用且被配置為參與該AR通信期。
根據請求項1之方法，其中該語音撥叫通信期包括一視訊和語音通信期，該方法亦包括以下步驟：<br/> 經由該視訊和語音通信期，接收視訊資料；<br/> 經由該AR通信期，接收輸入AR資料；及<br/> 由該客戶端設備使用該輸入AR資料來渲染該視訊資料。
一種用於發送一增強現實（AR）媒體資料的客戶端設備，該客戶端設備包括：<br/> 一記憶體，被配置為儲存包括語音資料和增強現實（AR）資料的媒體資料；及<br/> 一處理系統，其包括在電路中實現的一或多個處理器，該處理系統被配置為：<br/> 參與一語音撥叫通信期，其中該語音撥叫通信期包括經由IP多媒體子系統（IMS）的一多媒體電話（MTSI）撥叫；<br/> 與一資料通道伺服器設備建立一IMS資料通道控制連線；<br/> 在該語音撥叫通信期期間，經由該IMS資料通道控制連線從該資料通道伺服器設備接收針對一AR通信期的一AR場景的一場景描述，該場景描述對應於該AR通信期的一進入點，且該場景描述包括描述該AR場景之階層式結構的資料，該資料包括代表將在該AR通信期期間呈現的一或多個AR物件的資料；<br/> 發起該AR通信期，其中該處理系統被配置為發起一或多個傳送通信期，該一或多個傳送通信期獨立於該MTSI撥叫，並用於接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；及<br/> 在該語音撥叫通信期期間使用該場景描述參與該AR通信期，其中為了參與該AR通信期，該處理系統被配置為經由該一或多個傳送通信期接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；<br/> 並呈現該AR媒體資料。
根據請求項8之客戶端設備，其中為了參與該AR通信期，該處理系統被配置為：<br/> 接收該語音撥叫通信期的語音資料；<br/> 接收該AR通信期的輸入AR資料；及<br/> 將該語音資料與該輸入AR資料一起呈現。
根據請求項8之客戶端設備，其中該進入點包括一與該場景描述關聯的統一資源定位符（URL）。
根據請求項8之客戶端設備，其中該處理系統亦被配置為：<br/> 剖析該場景描述；及<br/> 基於該場景描述設置該AR場景。
根據請求項8之客戶端設備，其中該處理系統亦被配置為：<br/> 配置用於該AR通信期的服務品質（QoS）。
根據請求項8之設備，其中為了參與該語音撥叫通信期，該處理系統被配置為執行一被配置為參與該語音撥叫通信期的MTSI應用；且<br/> 其中為了參與該AR通信期，該處理系統被配置為與該MTSI應用同時執行一AR應用，該AR應用獨立於該MTSI應用且被配置為參與該AR通信期。
根據請求項8之客戶端設備，其中該語音撥叫通信期包括一視訊和語音通信期，並且其中該處理系統亦被配置為：<br/> 經由該視訊和語音通信期，接收視訊資料；<br/> 經由該AR通信期，接收輸入AR資料；及<br/> 使用該輸入AR資料，來渲染該視訊資料。
根據請求項8之客戶端設備，其中該設備包括以下各項中的至少一項：<br/> 一積體電路；<br/> 一微處理器；或者<br/> 一無線通訊設備。
一種其上儲存有複數個指令的電腦可讀取儲存媒體，該等指令在被執行時使客戶端設備的一處理器用於：<br/> 參與一語音撥叫通信期，其中該語音撥叫通信期包括經由IP多媒體子系統（IMS）的一多媒體電話（MTSI）撥叫；<br/> 與一資料通道伺服器設備建立一IMS資料通道控制連線；<br/> 在該語音撥叫通信期期間，經由該IMS資料通道控制連線從該資料通道伺服器設備接收針對一AR通信期的一AR場景的一場景描述，該場景描述對應於該AR通信期的一進入點，且該場景描述包括描述該AR場景之階層式結構的資料，該資料包括代表將在該AR通信期期間呈現的一或多個AR物件的資料；<br/> 發起該AR通信期，包括發起一或多個傳送通信期，該一或多個傳送通信期獨立於該MTSI撥叫，並用於接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；及<br/> 在該語音撥叫通信期期間使用該場景描述參與該AR通信期，其中使該處理器參與該AR通信期的該等指令包括使該處理器執行以下操作的指令：經由該一或多個傳送通信期接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；<br/> 及呈現該AR媒體資料。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，其中使該處理器參與該AR通信期的該等指令包括使該處理器執行以下操作的指令：<br/> 接收該語音撥叫通信期的語音資料；<br/> 接收該AR通信期的輸入AR資料；及<br/> 將該語音資料與該輸入AR資料一起呈現。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，其中該進入點包括一與該場景描述關聯的統一資源定位符（URL）。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，亦包括使該處理器執行以下操作的指令：：剖析該場景描述；及基於該場景描述設置該AR場景。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，亦包括使該處理器執行以下操作的指令：<br/> 為該AR通信期配置服務品質（QoS）。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，其中<br/> 使該處理器參與該語音撥叫通信期的該等指令包括使該處理器執行一被配置為參與該語音撥叫通信期的MTSI應用的指令；且<br/> 其中使該處理器參與該AR通信期的該等指令包括使該處理器與該MTSI應用同時執行一AR應用的指令，該AR應用獨立於該MTSI應用且被配置為參與該AR通信期。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，其中該語音撥叫通信期包括一視訊和語音通信期，亦包括使該處理器執行以下操作的指令：<br/> 經由該視訊和語音通信期，接收視訊資料；<br/> 經由該AR通信期，接收輸入AR資料；及<br/> 使用該輸入AR資料來渲染該視訊資料。
一種用於發送增強現實（AR）媒體資料的客戶端設備，該客戶端設備包括：<br/> 用於參與一語音撥叫通信期的單元，其中該語音撥叫通信期包括經由IP多媒體子系統（IMS）的一多媒體電話（MTSI）撥叫；<br/> 用於與一資料通道伺服器設備建立一IMS資料通道控制連線的單元；<br/> 用於在該語音撥叫通信期期間經由該IMS資料通道控制連線從該資料通道伺服器設備接收針對一AR通信期的一AR場景的一場景描述的單元，該場景描述對應於該AR通信期的一進入點，且該場景描述包括描述該AR場景之階層式結構的資料，該資料包括代表將在該AR通信期期間呈現的一或多個AR物件的資料；<br/> 用於發起該AR通信期的單元，包括用於發起一或多個傳送通信期的單元，該一或多個傳送通信期獨立於該MTSI撥叫，並用於接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料；及<br/> 用於在該語音撥叫通信期期間使用該場景描述參與該AR通信期的單元，其中用於參與該AR通信期的該單元包括：用於經由該一或多個傳送通信期接收針對該一或多個AR物件的AR媒體資料的單元；<br/> 以及用於呈現該AR媒體資料的單元。
根據請求項23之設備，其中該進入點包括一與該場景描述關聯的統一資源定位符（URL）。
根據請求項23之設備，亦包括：<br/> 用於剖析該場景描述的單元；<br/> 及用於基於該場景描述設置該AR場景的單元。
根據請求項23之設備，其中該語音撥叫通信期包括一視訊和語音通信期，該設備亦包括：<br/> 用於經由該視訊和語音通信期接收視訊資料的單元；<br/> 用於經由該AR通信期接收輸入AR資料的單元；<br/> 以及用於使用該輸入AR資料來渲染該視訊資料的單元。
根據請求項1之方法，其中接收該場景描述包括執行一啟動程序以接收該場景描述。
根據請求項8之設備，其中為了接收該場景描述，該處理系統被配置為執行一啟動程序以接收該場景描述。
根據請求項16之電腦可讀取儲存媒體，其中使該處理器接收該場景描述的該等指令包括使該處理器執行一啟動程序以接收該場景描述的指令。
一種液晶顯示元件用密封劑，其係含有硬化性樹脂及光聚合起始劑者，且特徵在於： <br/>上述硬化性樹脂包含：具有芳香環及聚合性官能基且該芳香環之含有比率為50%以上之化合物， <br/>上述芳香環為苯環， <br/>上述光聚合起始劑包含1個分子中具有1個以上光聚合起始基及3個以上雜環之化合物， <br/>上述1個分子中具有1個以上光聚合起始基及3個以上雜環之化合物具有噻吩環及咔唑環作為該雜環，且 <br/>上述硬化性樹脂整體與上述1個分子中具有1個以上光聚合起始基及3個以上雜環之化合物的溶解度參數之差為2.0以下。
如請求項1之液晶顯示元件用密封劑，其中，於上述硬化性樹脂整體100重量份中，上述具有芳香環及聚合性官能基且該芳香環之含有比率為50%以上之化合物之含量為15重量份以上。
如請求項1或2之液晶顯示元件用密封劑，其硬化物之玻璃轉移溫度為85℃以上。
一種液晶顯示元件，其包含請求項1、2或3之液晶顯示元件用密封劑之硬化物。
一種保護元件，係具備： <br/>基板； <br/>一對連接用膜電極，係設置於前述基板的單面上； <br/>保險絲元件，係涵蓋連接於前述一對連接用膜電極； <br/>一對導線導體，係連接至相互不同的前述連接用膜電極之上； <br/>遮斷障壁，係設置於前述連接用膜電極之連接前述保險絲元件之處與連接前述導線導體之處之間；及 <br/>護蓋，係至少被覆從前述保險絲元件到前述一對導線導體之連接於前述連接用膜電極之處為止的區域； <br/>其特徵為更具備： <br/>伸長部，係綿延於前述遮斷障壁，至少延伸至前述連接用膜電極的緣部為止。
如請求項1所記載之保護元件，其中， <br/>前述一對連接用膜電極個別之從連接前述保險絲元件之處朝向連接前述導線導體之處的方向，交叉於前述保險絲元件從前述一對連接用膜電極的一方朝向另一方的方向； <br/>前述一對連接用膜電極以相互對向之方式設置； <br/>前述一對連接用膜電極個別的緣部具有以相沿之方式延伸成直線狀的區間； <br/>前述伸長部，係具有綿延於前述遮斷障壁，延伸超過前述連接用膜電極的緣部中延伸成前述直線狀的區間的對向區間部。
如請求項2所記載之保護元件，其中， <br/>前述伸長部，係除了前述對向區間部外，具有綿延於前述遮斷障壁，延伸至少超過前述連接用膜電極的緣部中從前述一對連接用膜電極的一方觀察之前述一對連接用膜電極的另一方側相反側的區間的相反側區間部。
如請求項1所記載之保護元件，其中， <br/>前述伸長部，係具有： <br/>側邊形成部，係沿著前述連接用膜電極的緣部擴大；及 <br/>閉塞部，係閉塞前述側邊形成部與前述遮斷障壁之間。
如請求項4所記載之保護元件，其中， <br/>前述連接用膜電極的緣部具有延伸成直線狀的區間； <br/>前述側邊形成部沿著前述連接用膜電極的緣部之延伸成前述直線狀的區間擴大。
如請求項1所記載之保護元件，其中， <br/>前述一對連接用膜電極個別之從連接前述保險絲元件之處朝向連接前述導線導體之處的方向，交叉於前述保險絲元件從前述一對連接用膜電極的一方朝向另一方的方向； <br/>前述一對連接用膜電極以相互對向之方式設置； <br/>前述一對連接用膜電極個別的緣部具有以相沿之方式延伸成直線狀的區間； <br/>前述遮斷障壁設置於前述一對連接用膜電極個別； <br/>前述伸長部綿延於前述一對遮斷障壁個別； <br/>綿延於前述一對遮斷障壁個別的前述伸長部隔開間隔而相互對向。
一種纖維構造體，其係至少包含互相具有熱交聯反應性之熱塑性樹脂A及B、 <br/> 前述熱塑性樹脂A為非晶性環氧系樹脂，且包含複折射值為0.005以下之非晶性環氧系纖維， <br/> 前述熱塑性樹脂A及B至少一者具有纖維形狀。
如請求項1之纖維構造體，其中前述熱塑性樹脂A及B兩者具有纖維形狀。
如請求項1或2之纖維構造體，其中前述熱塑性樹脂A與前述熱塑性樹脂B的含有比，以重量比計，為30/70～90/10。
如請求項1或2之纖維構造體，其係不織布。
如請求項1或2之纖維構造體，其中前述熱塑性樹脂A的玻璃轉移溫度低於前述熱塑性樹脂B的軟化點，其溫度差為40℃以上。
如請求項1或2之纖維構造體，其中前述熱塑性樹脂B係由聚碳酸酯系樹脂所構成。
如請求項1或2之纖維構造體，其中進一步包含強化纖維。
如請求項7之纖維構造體，其中前述熱塑性樹脂A和前述熱塑性樹脂B的總量與前述強化纖維的重量比為70/30～25/75。
如請求項7之纖維構造體，其中在將前述纖維構造體中的前述強化纖維的纖維徑定為100的情況，由熱塑性樹脂A及B至少一者所形成的纖維的纖維徑為5～3500。
如請求項1或2之纖維構造體，其伸度為1%以上。
一種交聯成形體的製造方法，其係至少具備： <br/> 準備如請求項1～10中任一項之纖維構造體之準備步驟；及 <br/> 將一枚或多枚前述纖維構造體重疊，在熱塑性樹脂A及B的流動起始溫度以上加熱之加熱成形步驟。
如請求項11之交聯成形體的製造方法，其中加熱成形步驟係使用具有三維形狀的金屬模具來進行。
如請求項11或12之交聯成形體的製造方法，其中加熱成形步驟係藉由300℃以下的加熱處理來進行。
如請求項13之交聯成形體的製造方法，其係在相對於加熱成形步驟的加熱溫度HT低0～80℃的溫度之(HT-80)～(HT-0)℃進行冷卻步驟。
一種如請求項1～10中任一項之纖維構造體之交聯成形體，其中交聯成形體的荷重變形溫度為250℃以上。
如請求項15之交聯成形體，其係具有複雜形狀區域。
一種經圖案化流通槽，其包含： <br/>一基材； <br/>複數個樣本位點，其等在該基材之一非基準區域中，其中該複數個樣本位點依一週期性圖案配置； <br/>複數個粗略對準之基準，其等與該複數個樣本位點分開地形成於該基材上； <br/>複數個線性基準，其等形成於該基材上，其中各線性基準包含根據該週期性圖案配置的樣本位點及空白，其中各空白對應於該週期性圖案中一井應定位於其但未定位於其、或一空樣本井定位於其的一位置， <br/>其中該週期性圖案包含一六邊形或一正交直線圖案。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中該粗略對準之基準包含靶心圖案。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中該複數個線性基準之一子集形成於該基材上在成對之粗略對準之基準之間。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中該複數個粗略對準之基準係呈相對於該複數個線性基準的一垂直偏移圖案。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中該複數個線性基準之該等線性基準形成於一x維度，該x維度對應於在成像該經圖案化流通槽時像素列被掃描的一方向。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中各列之各線性基準包含一或多個空白。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中各線性基準包含無空白的一或多個列，各者側接具有一或多個空白的列。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中各線性基準包含三、四或五列的該週期性圖案。
如請求項1之經圖案化流通槽，其中各線性基準包含一或多個列，該一或多個列包含具有樣本位點及空白之一交替圖案。
一種經圖案化流通槽，其包含： <br/>一基材； <br/>複數個樣本位點，其等在該基材之一非基準區域中，其中該複數個樣本位點依一週期性圖案配置； <br/>複數個粗略對準之基準，其等與該複數個樣本位點分開地形成於該基材上； <br/>複數個線性基準，其等形成於該基材上，其中各線性基準包含線性特徵，該等線性特徵包含細長樣本位點，其中各線性特徵跨越對應於二或更多個樣本位點的一區域。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中各線性基準進一步包含一或多個空白，其中各空白對應於該週期性圖案中一井應定位於其但未定位於其、或一空樣本井定位於其的一位置。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中各線性基準包含： <br/>二或更多個列，其等對應於該週期性圖案且包含： <br/>樣本位點或空白之一或兩者；及 <br/>複數個線性特徵，該複數個線性特徵與該各別線性基準之該等樣本位點或空白交替，其中各線性特徵跨越多個列的該週期性圖案。
如請求項12之經圖案化流通槽，其中各空白於若存在的情況下對應於該週期性圖案中一井應定位於其但未定位於其、或一空樣本井定位於其的一位置。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中各線性基準包含： <br/>一中心列，其包含具有線性特徵及空白之一交替圖案；及 <br/>一對側接列，其包含所有空白。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中該等線性特徵經水平定向，使得在定向上對應於該週期性圖案之列，其中該週期性圖案係一六邊形圖案。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中該等線性特徵經垂直定向，使得在定向上垂直於該週期性圖案之列，其中該週期性圖案係一六邊形圖案。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中該等線性特徵經間隔開達一間距距離，該間距距離係在該週期性圖案中之樣本位點之間的一距離之一非整數倍數。
如請求項10之經圖案化流通槽，其中該等線性特徵經間隔開達交替的第一間距距離及第二間距距離。
一種用於校正來自一成像操作中之一線性掃描路徑之偏差的方法，其包含： <br/>使經受一成像操作的一經圖案化表面沿一線性掃描路徑行進； <br/>使該經圖案化表面隨著其沿該線性掃描路徑行進而成像，其中該經圖案化表面包含複數個線性基準； <br/>使用該複數個線性基準偵測來自該線性掃描路徑之偏差；及 <br/>當該經圖案化表面被成像時，校正來自線性掃描路徑之該等偏差。
如請求項19之方法，其中在該成像期間即時偵測來自該線性掃描路徑之該等偏差。
如請求項19之方法，其中成像該經圖案化表面包含對該經圖案化表面執行共焦線掃描。
如請求項19之方法，其進一步包含： <br/>在成像該經圖案化表面之前，使用複數個粗略對準之基準來對準一偵測裝置與該經圖案化表面。
如請求項19之方法，其中各線性基準包含根據該經圖案化表面之一週期性圖案配置的樣本位點及空白，其中各空白對應於該週期性圖案中一樣本位點應定位於其但未定位於其、或一空樣本位點定位於其的一位置。
如請求項19之方法，其中各線性基準包含線性特徵，該等線性特徵包含細長樣本位點且以對應於該線性掃描路徑之一方向來定向。
如請求項19之方法，其中偵測來自該線性掃描路徑之偏差包含在各像素列上執行一一維(1-D)快速傅立葉變換。
一種定序儀器，其包含： <br/>一樣本載台，其經組態以支撐一樣本容器； <br/>一物鏡、一光偵測器、及一光源，其等經組態以當該樣本容器存在於該樣本載台上時組合地操作以成像該樣本容器；及 <br/>一控制器，其經組態以執行包含下列之操作： <br/>使經受一成像操作的該樣本容器沿一線性掃描路徑行進； <br/>使該樣本容器之一經圖案化表面隨著其沿該線性掃描路徑行進而成像，其中該經圖案化表面包含複數個線性基準； <br/>使用該複數個線性基準偵測來自該線性掃描路徑之偏差；及 <br/>當該經圖案化表面由該定序儀器成像時，校正來自該線性掃描路徑之該等偏差。
如請求項26之定序儀器，其中該控制器經組態以在該成像期間即時偵測來自該線性掃描路徑之偏差。
如請求項26之定序儀器，其中該控制器進一步經組態以執行包含下列之操作： <br/>在成像該經圖案化表面之前，使用複數個粗略對準之基準來對準該物鏡與該經圖案化表面。
如請求項26之定序儀器，其中該控制器經組態以藉由在該經圖案化表面之各像素列上執行一一維(1-D)快速傅立葉變換來偵測來自該線性掃描路徑之偏差。
一種黏著帶，其具有含丙烯酸共聚物之黏著劑層，且特徵在於： <br/>上述丙烯酸共聚物含有來自（甲基）丙烯酸烷基酯的構成單元，該（甲基）丙烯酸烷基酯含有源自生物之碳， <br/>上述黏著劑層中，具有下述通式（A）所表示之結構之化合物及具有下述通式（B）所表示之結構之化合物的合計含量為2重量%以下， <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="175px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>通式（A）及（B）中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>表示碳數4～12之烷基。
如請求項1之黏著帶，其中，上述黏著劑層中，上述具有通式（A）所表示之結構之化合物、上述具有通式（B）所表示之結構之化合物、及具有下述通式（C）所表示之結構之化合物的合計含量為2重量%以下， <br/><img align="absmiddle" height="35px" width="158px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>通式（C）中，R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>表示碳數4～12之烷基。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層中，上述具有通式（A）所表示之結構之化合物之含量為未達1重量%。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述具有通式（A）所表示之結構之化合物係具有下述式（a1）所表示之結構之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="270px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層中，上述具有通式（B）所表示之結構之化合物之含量為未達1重量%。
如請求項2之黏著帶，其中，上述黏著劑層中，上述具有通式（C）所表示之結構之化合物之含量為未達1重量%。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述具有通式（B）所表示之結構之化合物係具有下述式（b1）所表示之結構之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="299px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2之黏著帶，其中，上述具有通式（C）所表示之結構之化合物係具有下述式（c1）所表示之結構之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="296px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述含有源自生物之碳之（甲基）丙烯酸烷基酯含有（甲基）丙烯酸正庚酯。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述丙烯酸共聚物中，上述來自含有源自生物之碳之（甲基）丙烯酸烷基酯的構成單元之含量為85重量%以上。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層進而含有賦黏樹脂。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述黏著劑層中，源自生物之碳之含有率為10重量%以上。
如請求項1或2之黏著帶，其用於電子機器零件或車載零件之固定。
如請求項1或2之黏著帶，其中，上述R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>表示碳數7～12之烷基。
一種研磨刷用線狀研磨材，係具備無機長纖維以及含浸於前述無機長纖維並硬化之樹脂， <br/>前述無機長纖維係具備氧化鋁成分80至90重量%以及二氧化矽成分20至10重量%， <br/>前述無機長纖維的結晶結構係具備中間氧化鋁， <br/>前述二氧化矽成分為非結晶狀態， <br/>前述無機長纖維的BET比表面積為30m <sup>2</sup>/g以下。
如請求項1所述之研磨刷用線狀研磨材，其中前述無機長纖維的BET比表面積為15m <sup>2</sup>/g以下。
如請求項1所述之研磨刷用線狀研磨材，其中前述無機長纖維的氧化鋁成分為85重量%以上。
如請求項1所述之研磨刷用線狀研磨材，其中前述樹脂為環氧樹脂。
一種研磨刷，係具有：並聯地配置之複數條線狀研磨材、以及保持各線狀研磨材之一方的端部分之研磨材保持器； <br/>各線狀研磨材為如請求項1所述之研磨刷用線狀研磨材。
一種聚醯胺酸，含有自酸二酐成分衍生的酸二酐殘基及自二胺成分衍生的二胺殘基，所述聚醯胺酸的特徵在於，滿足下述條件（i）～條件（iii）； <br/>條件（i）： <br/>含有相對於全部酸二酐殘基而為25 mol%以上的自下述式（1）所表示的酸二酐衍生的酸二酐殘基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="187px" width="804px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>條件（ii）： <br/>含有相對於全部二胺殘基而為50 mol%以上的自下述通式（2）所表示的二胺化合物衍生的二胺殘基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="149px" width="804px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在式（2）中，Y獨立地表示碳數1～3的一價烴基或烷氧基，p及q獨立地表示0～4的整數； <br/>條件（iii）： <br/>相對於自全部單體成分衍生的全部單體殘基，具有聯苯骨架的單體殘基的比例為65 mol%以上。
如請求項1所述的聚醯胺酸，其中，含有相對於全部二胺殘基而為1 mol%～50 mol%的範圍內的自下述通式（3）～通式（6）所表示的二胺化合物衍生的二胺殘基， <br/><br/><img align="absmiddle" height="477px" width="808px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在式（3）～式（6）中，R獨立地表示碳數1～6的一價烴基、烷氧基或烷基硫基，連結基A獨立地表示選自-O-、-SO<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-或-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-中的二價基，連結基X獨立地表示-CH<sub>2</sub>-、-O-CH<sub>2</sub>-O-、-O-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>-O-、-O-C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>-O-、-O-C<sub>4</sub>H<sub>8</sub>-O-、-O-C<sub>5</sub>H<sub>10</sub>-O-、-O-CH<sub>2</sub>-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-O-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或-SO<sub>2</sub>-，m獨立地表示1～4的整數，n獨立地表示0～4的整數，但在式（5）中，在連結基A不包含-CH<sub>2</sub>-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-或-SO<sub>2</sub>-的情況下，n的任一者為1以上。
一種聚醯亞胺，將如請求項1或請求項2所述的聚醯胺酸加以醯亞胺化而成。
一種聚醯亞胺膜，包含單層或多層的聚醯亞胺層，其中， <br/>所述聚醯亞胺層的至少一層含有如請求項3所述的聚醯亞胺作為樹脂成分的主成分。
一種聚醯亞胺膜，包含：聚醯亞胺層（A），含有第一聚醯亞胺作為樹脂成分的主成分；以及聚醯亞胺層（B），積層於所述聚醯亞胺層（A），且含有與所述第一聚醯亞胺不同的第二聚醯亞胺作為樹脂成分的主成分，所述聚醯亞胺膜的特徵在於， <br/>所述第一聚醯亞胺是含有自酸二酐成分衍生的酸二酐殘基及自二胺成分衍生的二胺殘基的聚醯亞胺，且 <br/>在全部酸二酐殘基中，含有5 mol%以上且90 mol%以下的自均苯四甲酸二酐衍生的殘基、10 mol%以上且95 mol%以下的自分子內具有酮基的酸二酐衍生的殘基，且以合計為80 mol%以上的比例含有自均苯四甲酸二酐衍生的殘基與自分子內具有酮基的酸二酐衍生的殘基， <br/>在全部二胺殘基中，以5 mol%以上且90 mol%以下的比例含有自下述通式（A1）所表示的二胺化合物衍生的殘基， <br/>所述聚醯亞胺使用動態黏彈性測定裝置測定的300℃下的存儲彈性模量E'為1.0×10<sup>8</sup> Pa以上且350℃下的存儲彈性模量E'為1.0×10<sup>7</sup> Pa以上， <br/>所述第二聚醯亞胺是如請求項3所述的聚醯亞胺， <br/><br/><img align="absmiddle" height="163px" width="807px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/>在式（A1）中，連結基X1表示選自單鍵或-CONH-的二價基，Y獨立地表示碳數1～3的一價烴基或烷氧基，n1表示0～2的整數，p及q獨立地表示0～4的整數。
如請求項4或請求項5所述的聚醯亞胺膜，其中，在溫度24℃～26℃、濕度45%～55%的環境下利用分離柱電介質諧振器進行測定時的10 GHz下的介電損耗角正切小於0.003，熱膨脹係數小於25 ppm/K。
一種金屬包覆積層板，包括絕緣樹脂層、以及設置於所述絕緣樹脂層的至少一個面的金屬層，所述金屬包覆積層板的特徵在於， <br/>所述絕緣樹脂層包含如請求項4至請求項6中任一項所述的聚醯亞胺膜。
一種電路基板，包括絕緣樹脂層、以及設置於所述絕緣樹脂層的至少一個面的配線層，所述電路基板的特徵在於， <br/>所述絕緣樹脂層包含如請求項4至請求項6中任一項所述的聚醯亞胺膜。
一種樹脂組成物，其包含： <br/> (A-1)溫度20℃時呈液態的環氧樹脂、 <br/> (A-2)溫度20℃時呈固態的環氧樹脂、 <br/> (B)無機填充材料、及 <br/> (C)具有將萘骨架及聯苯骨架以亞甲基鏈鍵結而成的骨架的活性酯化合物；其中， <br/> 將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A-1)成分的含量為1質量%以上， <br/> 將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A-2)成分的含量為1質量%以上， <br/> (A-1)成分與(A-2)成分的量比以質量比計為1：0.1～1：10， <br/> 將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(B)成分的含量為70質量%以上90質量%以下， <br/> 將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(C)成分的含量為1質量%以上20質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)成分具有下述式(C-1)表示的結構； <br/><img align="absmiddle" height="45px" width="212px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(C-1)中，R<sup>11</sup>、R<sup>13</sup>和R<sup>14</sup>分別獨立表示脂肪族烴基、烷氧基、鹵素原子、芳基或芳烷基，R<sup>12</sup>表示來源於芳香族多元羧酸或其酸鹵化物的基，m1、m2和m3分別獨立表示0或1～4的整數。
如請求項1之樹脂組成物，其進一步包含(D)熱硬化性樹脂。
如請求項1之樹脂組成物，其進一步包含(E)硬化劑。
如請求項1之樹脂組成物，其係用於形成絕緣層。
如請求項1之樹脂組成物，其用於形成絕緣層，該絕緣層係用以形成導體層。
一種樹脂片材，其包含： <br/> 支撐體，與 <br/> 設置於該支撐體上的包含如請求項1～6中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。
一種印刷配線板，其包含藉由如請求項1～6中任一項之樹脂組成物的硬化物形成的絕緣層。
一種半導體裝置，其包含如請求項8之印刷配線板。
一種聚馬來醯亞胺化合物，其係以具有1個以上3個以下的烷基的芳香族胺化合物(A)、具有2個乙烯基(ethenyl group)的芳香族二乙烯基化合物(aromatic divinyl compound)(B1)與馬來酸酐作為反應原料(1)。
如請求項1之聚馬來醯亞胺化合物，其中以該芳香族胺化合物(A)彼此通過該芳香族二乙烯基化合物(B1)連接成的中間體胺化合物(C)與該馬來酸酐作為反應原料(3)。
如請求項1或2之聚馬來醯亞胺化合物，其中該反應原料(1)進一步包含具有1個乙烯基的芳香族單乙烯基化合物(B2)。
如請求項1或2之聚馬來醯亞胺化合物，其具有以下之通式(1)所示的結構單元；<br/><img align="absmiddle" height="325px" width="887px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (上述通式(1)中，R<sup>1</sup>各自獨立，表示該烷基，<br/> R<sup>2</sup>各自獨立，表示碳原子數1～10的烷基、烷氧基或烷硫基；碳原子數6～10的芳基、芳氧基或芳硫基；碳原子數3～10的環烷基；鹵素原子；羥基；或巰基；<br/> R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立，表示氫原子或甲基，且R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>之一者為氫原子，另一者為甲基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>之一者為氫原子，另一者為甲基；<br/> X<sup>1</sup>表示以下之通式(x)所示的取代基；<br/><img align="absmiddle" height="286px" width="887px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (通式(x)中，R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>各自獨立，表示氫原子或甲基，且R<sup>7</sup>及R<sup>8</sup>之一者為氫原子，另一者為甲基，R<sup>9</sup>各自獨立，表示碳原子數1～10的烷基、烷氧基或烷硫基；碳原子數6～10的芳基、芳氧基或芳硫基；碳原子數3～10的環烷基；鹵素原子；羥基；或巰基；t表示0～4之整數)；<br/> r為每1個鍵結有X<sup>1</sup>的苯環的X<sup>1</sup>之取代數的平均值，表示0～4之數，p表示1～3之整數，q表示0～4之整數，k表示1～100之整數)。
如請求項2之聚馬來醯亞胺化合物，其中該中間體胺化合物(C)之胺當量為172～400g/當量之範圍。
一種硬化性組成物，其含有如請求項1至5中任一項之聚馬來醯亞胺化合物。
一種硬化物，其係如請求項6之硬化性組成物的硬化物。
一種預浸漬物，其具有補強基材及含浸於該補強基材的如請求項6之硬化性組成物的半硬化物。
一種電路基板，其係積層如請求項8之預浸漬物及銅箔，進行加熱壓接成型者。
一種增層薄膜，其含有如請求項6之硬化性組成物。
一種半導體封裝材料，其含有如請求項6之硬化性組成物。
一種半導體裝置，其包含如請求項11之半導體封裝材料的硬化物。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在一通道的複數個次載波上接收一空資料封包；<br/> 針對該通道的該複數個次載波之每一者次載波產生一通道狀態資訊矩陣；<br/> 使用至少部分地基於該通道狀態資訊矩陣中的一決定值的一二次冪值來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放，其中該通道狀態資訊矩陣之每一者值被縮放，使得該通道狀態資訊矩陣的每個經縮放的值的一實部和一虛部小於具有針對該通道狀態資訊矩陣配置的一字大小的一二進位字的一最大正值並且大於該二進位字的該最大正值的一半；及<br/> 向一第二設備傳輸包括該通道狀態資訊矩陣的該等經縮放的值的一通道狀態資訊報告。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：至少部分地基於針對該通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值的一實部和一虛部進行量化，其中傳輸該通道狀態資訊報告之步驟包括以下步驟：傳輸包括該通道狀態資訊矩陣之每一者值的該經量化的實部和虛部的該通道狀態資訊報告。
根據請求項2之方法，亦包括以下步驟：接收對針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小的一指示，其中對該通道狀態資訊矩陣之每一者值的該實部和該虛部進行量化是至少部分地基於接收對該字大小的該指示的。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：向該第二設備傳輸對供該第二設備用於將所傳輸的該通道狀態資訊矩陣轉換為所產生的該通道狀態資訊矩陣的一值的一指示。
根據請求項4之方法，其中供該第二設備用於將所傳輸的該通道狀態資訊矩陣轉換為所產生的該通道狀態資訊矩陣的該值是至少部分地基於以下各項的：針對該通道狀態資訊矩陣配置的一字大小、針對該通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小，以及用於對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放的該二次冪值，其中該第二設備包括另一STA或一存取點。
根據請求項1之方法，其中使用該二次冪值來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放之步驟包括以下步驟：將該通道狀態資訊矩陣之每一者值的一實部和一虛部移位該二次冪值。
根據請求項1之方法，其中該通道狀態資訊矩陣之每一者值包括一實部和一虛部，並且該通道狀態資訊矩陣中的該決定值包括該通道狀態資訊矩陣中的值的實部或虛部的一最大值。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 傳輸對針對一通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小的一指示，其中一第一通道狀態資訊矩陣之每一者值是至少部分地基於針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小來量化的；<br/> 在該通道狀態資訊報告中接收用於一通道的複數個次載波之每一者次載波的該第一通道狀態資訊矩陣；<br/> 至少部分地基於對該第一通道狀態資訊矩陣之每一者值進行一二次冪值縮放來將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為一第二通道狀態資訊矩陣；及<br/> 至少部分地基於該第二通道狀態資訊矩陣來執行射頻感測。
根據請求項8之方法，亦包括以下步驟：接收對用於將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為該第二通道狀態資訊矩陣的一值的一指示，其中該轉換是至少部分地基於接收用於轉換的該值的。
根據請求項9之方法，其中用於將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為該第二通道狀態資訊矩陣的該值包括二的一指數，該二的指數是至少部分地基於以下各項的：針對該第二通道狀態資訊矩陣配置的一字大小、針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小，以及用於對該第一通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放的該二次冪值。
根據請求項8之方法，其中該第一通道狀態資訊矩陣和該第二通道狀態資訊矩陣之每一者值包括一同相值和一正交值。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在該STA處的一或多個接收天線處接收一空資料封包；<br/> 量測在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的一信號強度；<br/> 接收針對在一通道狀態資訊報告中傳輸一接收信號強度指示符的一請求；及<br/> 至少部分地基於接收該請求來向一第二設備傳輸該通道狀態資訊報告，該通道狀態資訊報告包括用於該一或多個接收天線之每一者接收天線的該接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示所量測的一相應接收天線處的該空資料封包的該信號強度。
根據請求項12之方法，亦包括以下步驟：<br/> 量測該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益，該方法亦包括以下步驟：<br/> 在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益。
根據請求項13之方法，亦包括以下步驟：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於接收該請求的。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 傳輸針對一站（STA）在一通道狀態資訊報告中包括一接收信號強度指示符的一請求；<br/> 至少部分地基於傳輸該請求來接收包括該接收信號強度指示符的該通道狀態資訊報告，該接收信號強度指示符指示用於該STA處的一或多個接收天線之每一者接收天線的一空資料封包的一接收信號強度；及<br/> 至少部分地基於該通道狀態資訊報告中的該接收信號強度指示符來執行射頻感測。
根據請求項15之方法，亦包括以下步驟：在該通道狀態資訊報告中接收該STA處的該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益。
根據請求項16之方法，亦包括以下步驟：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中接收每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於傳輸該請求的。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 在該STA處的一或多個接收天線處接收一空資料封包；<br/> 量測該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益；及<br/> 向一第二設備傳輸包括該一或多個接收天線之每一者接收天線處的該總增益的一通道狀態資訊報告。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於接收該請求的。
根據請求項18之方法，亦包括以下步驟：<br/> 量測在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的一接收信號強度，該方法亦包括以下步驟：<br/> 在該通道狀態資訊報告中傳輸一接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的該接收信號強度。
根據請求項20之方法，亦包括以下步驟：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸該接收信號強度指示符的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸該接收信號強度指示符是至少部分地基於接收該請求的。
一種用於無線通訊的方法，包括以下步驟：<br/> 接收一通道狀態資訊報告，該通道狀態資訊報告包括一站（STA）處的一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益，該總增益是至少部分地基於一空資料封包來量測的；及<br/> 至少部分地基於該通道狀態資訊報告之每一者接收天線處的該總增益來執行射頻感測。
根據請求項22之方法，亦包括以下步驟：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括每個接收天線處的該總增益的一請求，其中接收包括該總增益的該通道狀態資訊報告是至少部分地基於傳輸該請求的。
根據請求項22之方法，其中接收該通道狀態資訊報告之步驟包括以下步驟：在該通道狀態資訊報告中接收一接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示該STA處的該一或多個接收天線之每一者接收天線處的該空資料封包的一接收信號強度。
根據請求項24之方法，亦包括以下步驟：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括該接收信號強度指示符的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中接收該接收信號強度指示符是至少部分地基於傳輸該請求的。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 在一通道的複數個次載波上接收一空資料封包；<br/> 針對該通道的該複數個次載波之每一者次載波產生一通道狀態資訊矩陣；<br/> 使用至少部分地基於該通道狀態資訊矩陣中的一決定值的一二次冪值來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放，其中該通道狀態資訊矩陣之每一者值被縮放，使得該通道狀態資訊矩陣的每個經縮放的值的一實部和一虛部小於具有針對該通道狀態資訊矩陣配置的一字大小的一二進位字的一最大正值並且大於該二進位字的該最大正值的一半；及<br/> 向一第二設備傳輸包括該通道狀態資訊矩陣的該等經縮放的值的一通道狀態資訊報告。
根據請求項26之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 至少部分地基於針對該通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值的一實部和一虛部進行量化，其中該等用於傳輸該通道狀態資訊報告的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 傳輸包括該通道狀態資訊矩陣之每一者值的該經量化的實部和虛部的該通道狀態資訊報告。
根據請求項27之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：接收對針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小的一指示，其中對該通道狀態資訊矩陣之每一者值的該實部和該虛部進行量化是至少部分地基於接收對該字大小的該指示的。
根據請求項26之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：向該第二設備傳輸對供該第二設備用於將所傳輸的該通道狀態資訊矩陣轉換為所產生的該通道狀態資訊矩陣的一值的一指示。
根據請求項29之裝置，其中供該第二設備用於將所傳輸的該通道狀態資訊矩陣轉換為所產生的該通道狀態資訊矩陣的該值是至少部分地基於以下各項的：針對該通道狀態資訊矩陣配置的一字大小、針對該通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小，以及用於對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放的該二次冪值，其中該第二設備包括另一STA或一存取點。
根據請求項26之裝置，其中該等用於使用該二次冪值來對該通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：將該通道狀態資訊矩陣之每一者值的一實部和一虛部移位該二次冪值。
根據請求項26之裝置，其中該通道狀態資訊矩陣之每一者值包括一實部和一虛部，並且該通道狀態資訊矩陣中的該決定值包括該通道狀態資訊矩陣中的值的實部或虛部的一最大值。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 傳輸對針對一通道狀態資訊報告的一格式配置的一字大小的一指示，其中一第一通道狀態資訊矩陣之每一者值是至少部分地基於針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小來量化的；<br/> 在該通道狀態資訊報告中接收用於一通道的複數個次載波之每一者次載波的該第一通道狀態資訊矩陣；<br/> 至少部分地基於對該第一通道狀態資訊矩陣之每一者值進行一二次冪值縮放來將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為一第二通道狀態資訊矩陣；及<br/> 至少部分地基於該第二通道狀態資訊矩陣來執行射頻感測。
根據請求項33之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：接收對用於將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為該第二通道狀態資訊矩陣的一值的一指示，其中該轉換是至少部分地基於接收用於轉換的該值的。
根據請求項34之裝置，其中用於將該第一通道狀態資訊矩陣轉換為該第二通道狀態資訊矩陣的該值包括二的一指數，該二的指數是至少部分地基於以下各項的：針對該第二通道狀態資訊矩陣配置的一字大小、針對該通道狀態資訊報告的該格式配置的該字大小，以及用於對該第一通道狀態資訊矩陣之每一者值進行縮放的該二次冪值。
根據請求項33之裝置，其中該第一通道狀態資訊矩陣和該第二通道狀態資訊矩陣之每一者值包括一同相值和一正交值。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 在該STA處的一或多個接收天線處接收一空資料封包；<br/> 量測在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的一信號強度；<br/> 接收針對在一通道狀態資訊報告中傳輸一接收信號強度指示符的一請求；及<br/> 至少部分地基於接收該請求來向一第二設備傳輸該通道狀態資訊報告，該通道狀態資訊報告包括用於該一或多個接收天線之每一者接收天線的該接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示所量測的一相應接收天線處的該空資料封包的該信號強度。
根據請求項37之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 量測該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益，其中該等指令亦可由該處理器執行以進行以下操作：<br/> 在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益。
根據請求項38之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於接收該請求的。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 傳輸針對一站（STA）在一通道狀態資訊報告中包括一接收信號強度指示符的一請求；<br/> 至少部分地基於傳輸該請求來接收包括該接收信號強度指示符的該通道狀態資訊報告，該接收信號強度指示符指示用於該STA處的一或多個接收天線之每一者接收天線的一空資料封包的一接收信號強度；及<br/> 至少部分地基於該通道狀態資訊報告中的該接收信號強度指示符來執行射頻感測。
根據請求項40之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：在該通道狀態資訊報告中接收該STA處的該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益。
根據請求項41之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中接收每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於傳輸該請求的。
一種用於一站（STA）處的無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 在該STA的一或多個接收天線處接收一空資料封包；<br/> 量測該一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益；及<br/> 向一第二設備傳輸包括該一或多個接收天線之每一者接收天線處的該總增益的一通道狀態資訊報告。
根據請求項43之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸每個接收天線處的該總增益是至少部分地基於接收該請求的。
根據請求項43之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 量測在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的一接收信號強度，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 在該通道狀態資訊報告中傳輸一接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示在該一或多個接收天線之每一者接收天線處接收的該空資料封包的該接收信號強度。
根據請求項45之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：接收針對在該通道狀態資訊報告中傳輸該接收信號強度指示符的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中傳輸該接收信號強度指示符是至少部分地基於接收該請求的。
一種用於無線通訊的裝置，包括：<br/> 一處理器；<br/> 與該處理器耦合的記憶體；及<br/> 指令，其被儲存在該記憶體中並且可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：<br/> 接收一通道狀態資訊報告，該通道狀態資訊報告包括一站（STA）處的一或多個接收天線之每一者接收天線處的一或多個電路的一總增益，該總增益是至少部分地基於一空資料封包來量測的；及<br/> 至少部分地基於該通道狀態資訊報告之每一者接收天線處的該總增益來執行射頻感測。
根據請求項47之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括每個接收天線處的該總增益的一請求，其中接收包括該總增益的該通道狀態資訊報告是至少部分地基於傳輸該請求的。
根據請求項47之裝置，其中該等用於接收該通道狀態資訊報告的指令可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：在該通道狀態資訊報告中接收一接收信號強度指示符，該接收信號強度指示符指示該STA處的該一或多個接收天線之每一者接收天線處的該空資料封包的一接收信號強度。
根據請求項49之裝置，其中該等指令亦可由該處理器執行以使得該裝置進行以下操作：傳輸針對該STA在該通道狀態資訊報告中包括該接收信號強度指示符的一請求，其中在該通道狀態資訊報告中接收該接收信號強度指示符是至少部分地基於傳輸該請求的。
一種整合元件，包括：<br/> 一晶粒部分，包括：<br/> 複數個焊盤；及<br/> 耦合到該複數個焊盤的複數個凸塊下金屬化互連；及<br/> 耦合到該複數個凸塊下金屬化互連的複數個焊柱互連，其中該複數個焊柱互連包含一第一焊柱互連，該第一焊柱互連包含：<br/> 一第一腔，該第一腔具有一半球或是一溝槽的一形狀；<br/> 一第一焊柱互連部分，包含該第一焊柱互連部分的最靠近該晶粒部分的最底部的一第一寬度；以及<br/> 一第二焊柱互連部分，包含比該第一寬度小的一第二寬度，該第一腔位於該第二焊柱互連部分中。
如請求項1之整合元件，進一步包括耦合到該複數個焊柱互連的複數個焊料互連。
如請求項2之整合元件，其中該複數個焊料互連包括位於該第一焊柱互連的該第一腔中的一第一焊料互連。
如請求項1之整合元件，其中穿過該第一焊柱互連的該第一腔延伸的一平面橫截面包括一O形。
如請求項1之整合元件，其中該第一腔部分地穿過該第一焊柱互連的一高度延伸。
如請求項1之整合元件，其中該第一焊柱互連包括一禮帽的一形狀。
如請求項1之整合元件，其中該整合元件包括一倒裝晶片。
如請求項1之整合元件，其中該晶粒部分包括：<br/> 一晶粒基板；及<br/> 被形成在該晶粒基板中及/或之上的複數個電晶體。
一種封裝，包括：<br/> 一基板；及<br/> 經由複數個焊柱互連和複數個焊料互連耦合到該基板的一整合元件，其中該複數個焊柱互連包含一第一焊柱互連，該第一焊柱互連包含：<br/> 一第一腔，該第一腔具有一半球或是一溝槽的一形狀；<br/> 一第一焊柱互連部分，包含該第一焊柱互連部分的最靠近該晶粒部分的最底部的一第一寬度；以及<br/> 一第二焊柱互連部分，包含比該第一寬度小的一第二寬度，該第一腔位於該第二焊柱互連部分中。
如請求項9之封裝，其中該複數個焊料互連包括位於該第一焊柱互連的該第一腔中的一第一焊料互連。
如請求項10之封裝，其中該第一焊料互連包括一金屬間化合物（IMC）。
如請求項9之封裝，其中穿過該第一焊柱互連的該第一腔延伸的一平面橫截面包括一O形。
如請求項9之封裝，其中該複數個焊柱互連是該整合元件的一部分。
如請求項9之封裝，其中該第一焊柱互連包括一禮帽的一形狀。
如請求項9之封裝，其中該封裝是從由以下各項組成的一群組中選擇的一設備的一部分：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航設備、一通訊設備、一行動設備、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴設備、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路（IoT）設備，以及一機動交通工具中的一設備。
一種用於製造一整合元件的方法，包括以下步驟：<br/> 提供一晶粒部分，該晶粒部分包括：<br/> 複數個焊盤；及<br/> 耦合到該複數個焊盤的複數個凸塊下金屬化互連；及<br/> 在該複數個凸塊下金屬化互連之上形成複數個焊柱互連，其中形成該複數個焊柱互連包含形成一第一焊柱互連，該第一焊柱互連包含：<br/> 一第一腔，該第一腔具有一半球或是一溝槽的一形狀；<br/> 一第一焊柱互連部分，包含該第一焊柱互連部分的最靠近該晶粒部分的最底部的一第一寬度；以及<br/> 一第二焊柱互連部分，包含比該第一寬度小的一第二寬度，該第一腔位於該第二焊柱互連部分中。
如請求項16之方法，其中形成該複數個焊柱互連之步驟包括以下步驟：<br/> 在該晶粒部分之上形成並圖案化一第一光阻層；<br/> 形成該第一焊柱互連部分；<br/> 移除該第一光阻層；<br/> 在該晶粒部分之上形成並圖案化一第二光阻層；及<br/> 在該第一焊柱互連部分之上形成該第二焊柱互連部分。
如請求項17之方法，其中形成該複數個焊柱互連之步驟進一步包括以下步驟：在該第一焊柱互連的該第一腔之上形成一第一焊料互連。
如請求項18之方法，其中該第一焊料互連至少部分地位於該第一焊柱互連的該第一腔中。
如請求項16之方法，其中該第一腔部分地穿過該第一焊柱互連的一高度延伸。
如請求項16之方法，其中穿過該第一焊柱互連的該第一腔延伸的一平面橫截面包括一O形。
一種下述通式(1)表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="325px" width="604px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，R<sup>1</sup>~R<sup>4</sup>各自獨立表示氫原子或碳原子數1~5之烷基，R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>各自獨立表示碳原子數1~5之烷基，A表示碳原子數1~5之烷二基，L表示下述通式(L-1)或(L-2)表示之基，M表示鉿原子、鋯原子或鈦原子，惟，在R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>為甲基、A為碳原子數2之烷二基、M為鈦原子之化合物的情況下，L表示下述通式(L-2)表示之基) <br/><img align="absmiddle" height="230px" width="515px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，R<sup>7</sup>~R<sup>9</sup>各自獨立表示碳原子數1~5之烷基，＊表示鍵結鍵，惟，在通式(1)中R<sup>5</sup>及R<sup>6</sup>為甲基、A為碳原子數2之烷二基、M為鋯原子之化合物的情況下，R<sup>7</sup>表示甲基或乙基)。
一種薄膜形成用原料，其含有如請求項1之通式(1)表示之化合物。
一種薄膜之製造方法，其使用如請求項2之薄膜形成用原料，於基體之表面形成含有選自由鉿原子、鋯原子及鈦原子所成群組中之至少1種金屬原子之薄膜。
如請求項3之薄膜之製造方法，其包含： <br/> 原料氣體導入步驟，將氣化前述薄膜形成用原料而獲得之原料氣體，導入設置有基體的成膜腔室內；與 <br/> 薄膜形成步驟，使前述原料氣體所包含的通式(1)表示之化合物分解及/或進行化學反應，於前述基體之表面形成含有選自由鉿原子、鋯原子及鈦原子所成群組中之至少1種金屬原子之薄膜。
如請求項4之薄膜之製造方法，其中於前述原料氣體導入步驟及前述薄膜形成步驟之間，包含使前述原料氣體所包含的通式(1)表示之化合物沉積於前述基體之表面而形成前驅物薄膜之前驅物薄膜形成步驟， <br/> 前述薄膜形成步驟為使前述前驅物薄膜與反應性氣體進行化學反應，於前述基體之表面形成含有選自由鉿原子、鋯原子及鈦原子所成群組中之至少1種金屬原子的薄膜之步驟。
一種非侵入性地測量一個體之組織血紅素的方法，其包含： <br/>使用一近紅外光譜光度(NIRS)感測裝置非侵入性地感測一個體之組織，且基於該非侵入性感測，判定至少一NIRS組織THb值； <br/>判定在用該NIRS感測裝置進行非侵入性組織感測期間是否存在至少一Hb干擾因素；及 <br/>基於在用該NIRS感測裝置進行非侵入性組織感測期間存在該至少一Hb干擾因素，判定該NIRS組織THb值之一NIRS循環THb部分。
如請求項1之方法，其中判定在用該NIRS感測裝置進行非侵入性組織感測期間是否存在至少一Hb干擾因素的步驟，係包括在當該NIRS感測裝置被使用來非侵入性地感測該個體之組織的大約一相同時段，使用一血液動力測量裝置來測量該個體之一血液動力參數。
如請求項2之方法，其中該血液動力參數為該個體之一心率。
如請求項2之方法，其中該血液動力參數為該個體之一心輸出。
如請求項2之方法，其中該血液動力參數為該個體之一血管反應性位準。
如請求項2之方法，其中該血液動力參數為該個體內之一血液二氧化碳位準。
如請求項2之方法，其中該血液動力參數為該個體之一血壓位準。
如請求項1之方法，其中判定該NIRS組織THb值之一NIRS循環THb部分的步驟，係包括判定該NIRS組織THb值可歸因於該Hb干擾因素的一部分，且考量該NIRS組織THb值可歸因於該Hb干擾因素的該部分。
如請求項1之方法，其中使用一NIRS感測裝置非侵入性地感測該個體之組織的步驟、以及判定在該非侵入性組織感測期間是否存在所述至少一Hb干擾因素的步驟，二者皆係使用該NIRS感測裝置來執行。
如請求項1之方法，其中使用一NIRS感測裝置非侵入性地感測該個體之組織的步驟係使用一經利用至少一血液循環THb值校正過的NIRS感測裝置來執行。
如請求項1之方法，其中使用一NIRS感測裝置非侵入性地感測該個體之組織的步驟係使用一經利用包括血液循環THb值之經驗數據校正過的NIRS感測裝置來執行。
一種用以非侵入性地測量一個體之組織血紅素的系統，其包含： <br/>一血液動力測量裝置，其組配來感測一血液動力參數以及產生代表該血液動力參數的信號數據；以及 <br/>一近紅外光譜光度(NIRS)感測裝置，其具有至少一轉換器及一控制器，該轉換器具有至少一光源及至少一光偵測器，該控制器具有與該至少一轉換器及一具有儲存指令的記憶體裝置連通的至少一處理器，其等指令當行使時，致使該處理器： <br/>控制該NIRS感測裝置非侵入性地感測一個體之組織，且基於該非侵入性感測，判定至少一NIRS組織THb值； <br/>使用由該血液動力測量裝置產生的信號數據，判定在該非侵入性組織感測期間是否存在至少一Hb干擾因素；及 <br/>判定該NIRS組織THb值之一NIRS循環THb部分，該判定考量在用該NIRS感測裝置進行該非侵入性組織感測期間之該至少一Hb干擾因素的存在。
如請求項12之系統，其中該系統係組配成致使該血液動力測量裝置在當該NIRS感測裝置被使用來非侵入性地感測該個體之組織的大約一相同時段感測該血液動力參數。
如請求項13之系統，其中該血液動力測量裝置係組配來感測該個體之一心率作為一血液動力參數。
如請求項13之系統，其中該血液動力測量裝置係組配來感測該個體之一心輸出作為一血液動力參數。
如請求項13之系統，其中該血液動力測量裝置係組配來感測該個體之一血管反應性位準作為一血液動力參數。
如請求項13之系統，其中該血液動力測量裝置係組配來感測該個體之一血液二氧化碳位準作為一血液動力參數。
如請求項13之系統，其中該血液動力測量裝置係組配來感測該個體之一血壓位準作為一血液動力參數。
如請求項12之系統，其中致使該處理器判定該NIRS組織THb值之該NIRS循環THb部分的該等指令，亦致使該處理器判定該NIRS組織THb值可歸因於該Hb干擾因素之一部分。
如請求項12之系統，其中該NIRS感測裝置係使用至少一血液循環THb值來校正。
如請求項12之系統，其中該NIRS感測裝置係使用包括血液循環THb值的經驗數據來校正。
一種用以非侵入性地測量一個體之組織血紅素的系統，其包含： <br/>一血液動力測量裝置，其經組配來感測一血液動力參數以及產生代表該血液動力參數的HP信號數據； <br/>一近紅外光譜光度(NIRS)感測裝置，其具有至少一轉換器及一控制器，該轉換器具有至少一光源及至少一光偵測器，該控制器具有與該至少一轉換器及一具有儲存NIRS指令的NIRS記憶體裝置連通的至少一NIRS處理器，其等NIRS指令當行使時，致使該NIRS處理器控制該NIRS感測裝置來非侵入性地感測一個體之組織，且產生代表至少一NIRS組織THb值的NIRS信號數據；以及 <br/>一系統控制器，其具有與該血液動力測量裝置、該NIRS感測裝置及一具有儲存SC指令的SC記憶體裝置連通的至少一SC處理器，其等SC指令當行使時，致使該SC處理器： <br/>判定在使用HP信號數據進行該非侵入性組織感測期間是否存在至少一Hb干擾因素；及 <br/>基於該NIRS信號數據以及該至少一Hb干擾因素之存在，判定一NIRS循環THb值。
一種用以非侵入性地測量一個體之組織血紅素的系統，其包含： <br/>一近紅外光譜光度(NIRS)感測裝置，其具有至少一轉換器及一控制器，該轉換器具有至少一光源及至少一光偵測器，該控制器具有與該至少一轉換器及一具有儲存指令的記憶體裝置連通的至少一處理器，其等指令當行使時，致使該處理器： <br/>控制該NIRS感測裝置來非侵入性地感測一個體之組織以及產生代表至少一NIRS組織THb值的NIRS信號數據； <br/>控制該NIRS感測裝置來判定一血液動力參數以及產生代表該血液動力參數的HP信號數據； <br/>判定在使用HP信號數據進行該非侵入性組織感測期間是否存在至少一Hb干擾因素；及 <br/>基於該NIRS信號數據及該至少一Hb干擾因素之存在，判定一NIRS循環THb值。
一種電晶體結構，包括：<br/> 基底；<br/> 第一閘極與第二閘極，位於所述基底上；<br/> 第一閘介電層，位於所述第一閘極與所述基底之間，且具有單一厚度；以及<br/> 第二閘介電層，位於所述第二閘極與所述基底之間，且具有多種厚度，其中<br/> 所述第一閘介電層的最大厚度相同於所述第二閘介電層的最大厚度，<br/> 所述第二閘介電層包括至少一個突出部，且<br/> 整個所述突出部重疊於所述第二閘極。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述突出部具有頂面與側壁，且所述側壁連接於所述頂面。
如請求項2所述的電晶體結構，其中所述側壁不垂直於所述頂面。
如請求項2所述的電晶體結構，其中所述側壁垂直於所述頂面。
如請求項1所述的電晶體結構，更包括：<br/> 第三閘極，位於所述基底上；以及<br/> 第三閘介電層，位於所述第三閘極與所述基底之間，且具有單一厚度。
如請求項5所述的電晶體結構，其中所述第二閘介電層的最大厚度大於所述第三閘介電層的最大厚度。
如請求項5所述的電晶體結構，其中所述第二閘介電層的最小厚度等於所述第三閘介電層的最大厚度。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第一閘極與所述第二閘極彼此分離。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第一閘介電層與所述第二閘介電層彼此分離。
一種電晶體結構的製造方法，包括：<br/> 提供基底；<br/> 在所述基底上形成閘介電材料層；<br/> 在所述閘介電材料層上形成第一圖案化光阻層，其中所述第一圖案化光阻層暴露出部分所述閘介電材料層；<br/> 降低由所述第一圖案化光阻層所暴露出的部分所述閘介電材料層的高度；<br/> 移除所述第一圖案化光阻層；<br/> 在所述閘介電材料層上形成第一閘極與第二閘極；以及<br/> 對所述閘介電材料層進行圖案化，而形成位於所述第一閘極與所述基底之間的第一閘介電層以及位於所述第二閘極與所述基底之間的第二閘介電層，其中<br/> 所述第一閘介電層具有單一厚度，且所述第二閘介電層具有多種厚度。
如請求項10所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第一閘介電層的最大厚度相同於所述第二閘介電層的最大厚度。
如請求項10所述的電晶體結構的製造方法，更包括：<br/> 在所述閘介電材料層上形成第三閘極。
如請求項12所述的電晶體結構的製造方法，其中對所述閘介電材料層進行圖案化更包括形成位於所述第三閘極與所述基底之間的第三閘介電層，且所述第三閘介電層具有單一厚度。
如請求項13所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第二閘介電層的最大厚度大於所述第三閘介電層的最大厚度。
如請求項13所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第二閘介電層的最小厚度等於所述第三閘介電層的最大厚度。
如請求項10所述的電晶體結構的製造方法，更包括：<br/> 在移除所述第一圖案化光阻層之後，在所述閘介電材料層上形成第二圖案化光阻層，其中所述第二圖案化光阻層暴露出部分所述閘介電材料層；以及<br/> 降低由所述第二圖案化光阻層所暴露出的部分所述閘介電材料層的高度。
如請求項10所述的電晶體結構的製造方法，其中降低由所述第一圖案化光阻層所暴露出的部分所述閘介電材料層的高度的方法包括蝕刻法。
如請求項17所述的電晶體結構的製造方法，其中所述蝕刻法包括濕式蝕刻法。
如請求項17所述的電晶體結構的製造方法，其中所述蝕刻法包括乾式蝕刻法。
一種表面保護膜，係具備：<br/> 基材膜，由具有透明性之樹脂所構成；<br/> 黏著劑層，形成於前述基材膜之一面；以及<br/> 剝離膜，形成於前述黏著劑層中與前述基材膜相反之側；<br/> 並且，前述黏著劑層係由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、抗靜電劑、聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑及交聯劑之黏著劑所形成；<br/> 前述交聯劑使前述(甲基)丙烯酸酯共聚物交聯；<br/> 前述黏著劑中之前述聚矽氧系界面活性劑與前述氟系界面活性劑之添加比率、亦即聚矽氧系界面活性劑／氟系界面活性劑以固形物換算計為質量比20／80至90／10；<br/> 前述抗靜電劑為鹼金屬鹽、或離子性化合物；<br/> 前述鹼金屬鹽為LiBr、LiI、LiBF<sub>4</sub>、LiPF<sub>6</sub>、LiSCN、LiClO<sub>4</sub>、LiCF<sub>3</sub>SO<sub>3</sub>、Li(CF<sub>3</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N、Li(C<sub>2</sub>F<sub>5</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N、或Li(CF<sub>3</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>3</sub>C；<br/> 前述離子性化合物係具有陽離子及陰離子，前述陽離子為咪唑鎓離子、吡啶鎓離子、銨離子、鋶離子、鏻離子、或三正丁基甲基銨離子；前述陰離子為C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>COO<sup>-</sup>、C<sub>n</sub>F<sub>2n+1</sub>COO<sup>-</sup>、NO<sub>3</sub><sup>-</sup>、C<sub>n</sub>F<sub>2n+1</sub>SO<sub>3</sub><sup>-</sup>、(C<sub>n</sub>F<sub>2n+1</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>N<sup>-</sup>、(C<sub>n</sub>F<sub>2n+1</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>3</sub>C<sup>-</sup>、PO<sub>4</sub><sup>3-</sup>、AlCl<sub>4</sub><sup>-</sup>、Al<sub>2</sub>Cl<sub>7</sub><sup>-</sup>、ClO<sub>4</sub><sup>-</sup>、BF<sub>4</sub><sup>-</sup>、PF<sub>6</sub><sup>-</sup>、AsF<sub>6</sub><sup>-</sup>、或SbF<sub>6</sub><sup>-</sup>。
如請求項1所記載之表面保護膜，其中前述(甲基)丙烯酸酯共聚物為包含具有烷基之丙烯酸酯、具有氧化烯烴基之丙烯酸酯及具有羥基之丙烯酸酯中的一種以上之共聚物。
如請求項1或2所記載之表面保護膜，其中在相對於低反射處理偏光板(LR偏光板)之剝離速度0.3m/min時之低速黏著力為0.2N/25mm以下，剝離速度30m/min時之高速黏著力為0.8N/25mm以下；<br/> 剝離時之剝離帶電壓為-0.7kV至+0.7kV以下。
一種光學零件，係貼合有自如請求項1或2所記載之表面保護膜剝下剝離膜之膜本體，前述膜本體係由基材膜及黏著劑層所構成。
一種磁穿隧接面（MTJ）元件的製造方法，其特徵在於包括：<br/> 形成第一介層窗於第一介電層中；<br/> 形成第一電極層於所述第一介電層與所述第一介層窗上；<br/> 形成MTJ堆疊層於所述第一電極層上；<br/> 形成圖案化的第二電極層於所述MTJ堆疊層上；<br/> 以所述圖案化的第二電極層為罩幕，進行第一離子束蝕刻製程，以蝕刻圖案化的第二電極層並圖案化所述MTJ堆疊層以及所述第一電極層以形成第二電極、MTJ堆疊結構與第一電極；<br/> 形成第一保護層，覆蓋所述第二電極的頂面與側壁以及所述MTJ堆疊結構的側壁；以及<br/> 以所述保護層為罩幕，進行第二離子束蝕刻製程，以移除至少部分的所述MTJ堆疊結構與至少部分的所述第一電極，<br/> 其中在進行所述第二離子束蝕刻製程期間，所述第一電極的下部以及所述MTJ堆疊結構的下部被修整的幅度較大，而所述第一電極的上部以及所述MTJ堆疊結構的上部被修整幅度較少。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一保護層還覆蓋所述第一電極的側壁以及所述第一介電層的頂面。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一保護層被形成為具有懸突。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一保護層被形成為在所述第二電極上側壁的厚度大於在所述第二電極下側壁的厚度。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一保護層包括介電材料。
如請求項1所述的磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一離子束蝕刻製程與所述第二離子束蝕刻製程包括RIE蝕刻製程。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中所述第一電極的下寬度與上寬度的差小於所述第二電極的下寬度與上寬度的差。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，其中在進行所述第一離子束蝕刻製程時，所述圖案化的第二電極層的頂角被削角。
如請求項1所述的磁穿隧接面元件的製造方法，更包括形成第二保護層於所述第一保護層以及所述第一介電層上。
如請求項9所述磁穿隧接面元件的製造方法，更包括：<br/> 形成第二介電層於所述第二保護層上；<br/> 平坦化所述第二介電層；<br/> 形成第三介電層於所述第二介電層上；以及<br/> 形成第二介層窗於所述第三介電層中，其中所述第二介層窗電性連接所述第二電極。
如請求項1所述磁穿隧接面元件的製造方法，更包括：<br/> 重複進行至少一次所述形成第一保護層以及所述第二離子束蝕刻製程。
一種紡車式捲線器，其具備： <br/>捲線器本體； <br/>捲線筒軸，其相對於上述捲線器本體可於前後方向往復移動地受支持；及 <br/>捲線筒，其具有於外周供釣線捲繞之捲線胴部、及自上述捲線胴部之前端向徑向外側延伸之前凸緣，且連結於上述捲線筒軸；且 <br/>上述前凸緣之外徑未達60 mm； <br/>上述捲線筒軸之行程量除以上述釣線之捲取間距得到之值為20以上； <br/>對上述值乘以單位為mm之上述前凸緣之外徑得到之值為950以上且1500以下。
如請求項1之紡車式捲線器，其中 <br/>上述值為30以下。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其中 <br/>上述捲取間距為1.0 mm以下。
如請求項1或2之紡車式捲線器，其進而具備： <br/>手柄，其可旋轉地由上述捲線器本體支持； <br/>小齒輪，其可旋轉地由上述捲線器本體支持，並被傳遞上述手柄之旋轉； <br/>第1中間齒輪，其具有嚙合於上述小齒輪之第1大徑齒輪、及較上述第1大徑齒輪小徑且與上述第1大徑齒輪一體旋轉之第1小徑齒輪，且設置為可繞與上述捲線筒軸平行之第1軸旋轉； <br/>第2中間齒輪，其具有嚙合於上述第1小徑齒輪之第2大徑齒輪、及較上述第2大徑齒輪小徑且與上述第2大徑齒輪一體旋轉之第2小徑齒輪，且設置為可繞與上述第1軸平行之第2軸旋轉；及 <br/>往復移動機構，其具有嚙合於上述第2小徑齒輪之從動齒輪、及與上述從動齒輪一體旋轉之蝸桿軸，且使上述捲線筒軸於上述前後方向往復移動。
一種化學機械研磨用組成物，含有： <br/>研磨粒（A）； <br/>包含選自由過碘酸根離子IO<sub>4</sub><sup>-</sup>、次氯酸根離子ClO<sup>-</sup>、亞氯酸根離子ClO<sub>2</sub><sup>-</sup>及次溴酸根離子BrO<sup>-</sup>所組成的群組中的至少一種陰離子的酸或其鹽（B）；以及 <br/>化合物（D），選自由N-(膦醯基甲基)亞胺基二乙酸、羥乙基亞胺基二乙酸、N-(2-羧乙基)亞胺基二乙酸、L-麩胺酸二乙酸四鈉、甘胺酸-N,N-雙(亞甲基膦酸)、3,3',3''-氮基三丙酸、羥乙基乙二胺三乙酸、三伸乙基四胺六乙酸及二羥乙基甘胺酸所組成的群組中至少一種， <br/>在將所述酸或其鹽（B）的含量設為MB質量%，將所述化合物（D）的含量設為MD質量%的情況下，MB/MD=0.25～4。
如請求項1所述的化學機械研磨用組成物，其中所述研磨粒（A）具有下述通式（1）或下述通式（2）所表示的官能基， <br/><br/>-SO<sub>3</sub><sup>-</sup>M<sup>+</sup> ・・・・・（1） <br/>-COO<sup>-</sup>M<sup>+</sup> ・・・・・（2） <br/>M<sup>+</sup>表示一價陽離子。
如請求項1所述的化學機械研磨用組成物，其中所述研磨粒（A）具有下述通式（3）或下述通式（4）所表示的官能基， <br/><br/>-NR<sup>1</sup>R<sup>2</sup> ・・・・・（3） <br/>-N<sup>+</sup>R<sup>1</sup>R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>M<sup>-</sup> ・・・・・（4） <br/><br/>所述式（3）及所述式（4）中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>分別獨立地表示氫原子、或經取代或者未經取代的烴基，M<sup>-</sup>表示陰離子。
如請求項1至請求項3中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其中化學機械研磨用組成物中的所述研磨粒（A）的仄他電位的絕對值為10 mV以上。
如請求項1至請求項3中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其中所述MD質量%為0.05質量%～5質量%。
如請求項4所述的化學機械研磨用組成物，其中所述MD質量%為0.05質量%～5質量%。
如請求項1至請求項3中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其中pH為6以上且12以下。
如請求項4所述的化學機械研磨用組成物，其中pH為6以上且12以下。
一種研磨方法，包括使用如請求項1至請求項8中任一項所述的化學機械研磨用組成物對半導體基板進行研磨的步驟。
如請求項9所述的研磨方法，其中所述半導體基板包括由選自由釕及釕合金所組成的群組中的至少一種構成的部位。
一種晶片之製造方法，從具有結晶構造之基板來製造所期望形狀之晶片，前述晶片之製造方法具備以下步驟：<br/> 分割預定線設定步驟，在該基板設定應製造之晶片的輪廓、與和該晶片的輪廓相接且輔助該基板的分割之直線狀的分割輔助線；<br/> 分割起點形成步驟，在實施該分割預定線設定步驟之後，將對該基板具有穿透性之波長的雷射光束之聚光點從該基板的上表面定位至內部的預定位置，並沿著該晶片的輪廓以及該分割輔助線照射，藉此在該基板的內部形成分割起點；及<br/> 分割步驟，藉由對形成有分割起點之該基板賦與外力來分割該基板，<br/> 所有該分割輔助線的每一條都是：在該基板的上表面中，和構成該結晶構造之單位晶格當中該分割輔助線所通過之單位晶格的全部的邊相交且和該應製造之晶片的輪廓相接之切線。
如請求項1之晶片之製造方法，其中該分割輔助線設定成：在該基板的上表面，相對於構成該基板的結晶構造之單位晶格的一個方向的邊呈垂直地相交。
如請求項1之晶片之製造方法，其中該基板為SiC基板。
一種張線器，係包括捲筒、線狀構件、反轉防止機構、把手以及反向捲繞防止構件；<br/> 前述捲筒能夠旋轉；<br/> 前述線狀構件的端部固定在前述捲筒，藉由前述捲筒向第一方向旋轉而捲繞在前述捲筒上；<br/> 前述反轉防止機構能夠阻止前述捲筒向作為與前述第一方向相反的方向的第二方向旋轉；<br/> 前述把手為了使前述捲筒向前述第一方向以及前述第二方向旋轉而被操作；<br/> 前述反向捲繞防止構件在前述線狀構件完全從前述捲筒捲出的狀態下，藉由接觸到前述線狀構件或前述捲筒來阻止前述捲筒向前述第二方向旋轉。
如請求項1所記載之張線器，其中前述反向捲繞防止構件被支撐為能夠在制動前述線狀構件的制動姿勢與解除前述制動的開放姿勢之間變更；<br/> 當在前述線狀構件完全從前述捲筒捲出的狀態下，前述捲筒向前述第二方向旋轉時，前述反向捲繞防止構件被前述線狀構件推動而旋轉，從而成為前述制動姿勢。
如請求項2所記載之張線器，其中前述張線器包括引導構件，前述引導構件引導前述線狀構件，以使前述線狀構件大致沿著前述捲筒向前述第一方向旋轉時的捲繞切線方向；<br/> 前述反向捲繞防止構件安裝在前述引導構件。
如請求項1所記載之張線器，其中當從前述線狀構件完全從前述捲筒捲出的狀態開始，前述捲筒向前述第二方向旋轉時，前述反向捲繞防止構件藉由卡在前述捲筒與前述線狀構件的固定之處或前述捲筒，來阻止前述捲筒的旋轉；<br/> 當從前述線狀構件完全從前述捲筒捲出的狀態開始，前述捲筒向前述第一方向旋轉時，前述反向捲繞防止構件藉由隨著前述線狀構件被捲繞在前述捲筒上而使直徑增大，被推向外周，來允許前述捲筒的旋轉。
一種研磨液，其用於研磨包含鎢材料之被研磨面，<br/> 該研磨液含有磨粒、含鐵化合物及氧化劑，<br/> 前述磨粒包含二氧化矽粒子，<br/> 前述磨粒的平均粒徑為40～140nm，<br/> 前述二氧化矽粒子的矽烷醇基密度為8.0個/nm<sup>2</sup>以下，<br/> 以前述研磨液的總質量為基準，鋁原子的含量小於0.000006質量%。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述磨粒的平均粒徑為40～85nm。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述二氧化矽粒子的矽烷醇基密度為2.5個/nm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述二氧化矽粒子的矽烷醇基密度小於2.0個/nm<sup>2</sup>。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述研磨液中的前述二氧化矽粒子的界達電位超過-10mV。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述含鐵化合物包含選自由硝酸鐵及其水合物組成的組中之至少一種。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 以前述研磨液的總質量為基準，前述含鐵化合物的含量為0.0001～0.1質量%。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> 前述氧化劑包含過氧化氫。
如請求項1所述之研磨液，其還含有有機酸成分。
如請求項9所述之研磨液，其中<br/> 前述有機酸成分作為不含有碳-碳不飽和鍵之有機酸成分，包含選自由2價有機酸成分及3價有機酸成分組成的組中之至少一種。
如請求項9所述之研磨液，其中<br/> 前述有機酸成分包含選自由丙二酸、琥珀酸、己二酸、戊二酸、蘋果酸、檸檬酸及該等的鹽組成的組中之至少一種。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> pH為2.0～4.0。
如請求項1所述之研磨液，其中<br/> pH為2.5～3.5。
一種研磨方法，其使用請求項1至請求項13之任一項所述之研磨液研磨包含鎢材料之被研磨面。
一種凝血調控材料，其包括氧化蠶絲蛋白，其中該氧化蠶絲蛋白與一或多種多價金屬離子錯合成帶正電荷結構，以及其中該多價金屬離子係選自鈣、鋅、鎂、鐵及其組合； <br/>其中該多價金屬離子為鈣離子、鋅離子或其組合時，該凝血調控材料具有快速凝血特性；其中該多價金屬離子為鎂離子、鐵離子或其組合時，該凝血調控材料具抗凝血特性。
如請求項1之凝血調控材料，其中該凝血調控材料的氧化度為超過5%。
一種用於離子植入系統之離子源，所述離子源包含： <br/>電弧室，其具有第一端與第二端； <br/>第一陰極，其關聯於所述電弧室的所述第一端，所述第一陰極包含第一陰極本體與配置在所述第一陰極本體內的第一燈絲； <br/>第二陰極，其關聯於所述電弧室的所述第二端，所述第二陰極包含第二陰極本體與配置在所述第二陰極本體內的第二燈絲； <br/>燈絲電源供應器； <br/>燈絲開關，其裝配以基於所述燈絲開關的位置而分別將所述燈絲電源供應器選擇性電氣耦合到所述第一燈絲與所述第二燈絲的各者；及 <br/>控制器，其裝配以控制所述燈絲開關的所述位置而基於一個或多個預定準則在複數個切換週期使所述燈絲電源供應器的所述電氣耦合交替在所述第一燈絲與所述第二燈絲之間。
如請求項1之離子源，其中所述一個或多個預定準則包含關聯於各個各別切換週期的第一預定期間與第二預定期間，其中所述燈絲電源供應器在所述各別切換週期中的所述第一預定期間被電氣耦合到所述第一燈絲，且其中所述燈絲電源供應器在所述各別切換週期中的所述第二預定期間被電氣耦合到所述第二燈絲。
如請求項2之離子源，其中所述一個或多個預定準則更包含所述燈絲電源供應器在所述複數個切換週期被電氣耦合到所述第一燈絲之第一總時間與所述燈絲電源供應器在所述複數個切換週期被電氣耦合到所述第二燈絲之第二總時間。
如請求項3之離子源，其中所述第一總時間與所述第二總時間為大約相等。
如請求項2之離子源，其中所述第一預定期間與所述第二預定期間在所述複數個切換週期的至少一者為彼此不同。
如請求項1之離子源，其中所述一個或多個預定準則包含所述第一陰極本體與所述第二陰極本體的一個或多個各別壁之預定厚度。
如請求項1之離子源，其中所述第一陰極本體與所述第二陰極本體為相同。
如請求項1之離子源，其中所述第一陰極本體包含面對所述電弧室的所述第二端之第一端壁，其中所述第二陰極本體包含面對所述電弧室的所述第一端之第二端壁，其中所述第一端壁具有第一壁厚度，其中所述第二端壁具有第二壁厚度，且其中所述第二壁厚度大於所述第一壁厚度。
如請求項1之離子源，其中所述燈絲開關包含電驛，其中所述控制器被裝配以經由所述電驛之控制使所述燈絲電源供應器的所述電氣耦合交替在所述第一燈絲與所述第二燈絲之間。
如請求項1之離子源，其更包含： <br/>陰極電源供應器；及 <br/>陰極開關，其裝配以基於所述陰極開關的位置而分別將所述陰極電源供應器選擇性電氣耦合到所述第一陰極與所述第二陰極的各者，且其中所述控制器被進而裝配以至少部分基於所述燈絲開關的所述位置來控制所述陰極開關的所述位置。
一種用於離子植入系統之離子源，所述離子源包含： <br/>電弧室，其具有第一端與相對所述第一端的第二端； <br/>第一陰極，其定位為鄰近於所述電弧室的所述第一端，其中所述第一陰極包含： <br/>第一陰極本體，其具有面對所述電弧室的所述第二端之第一端壁；及 <br/>第一燈絲，其配置在所述第一陰極本體內； <br/>第二陰極，其定位為鄰近於所述電弧室的所述第二端，其中所述第二陰極包含： <br/>第二陰極本體，其具有面對所述電弧室的所述第一端之第二端壁；及 <br/>第二燈絲，其配置在所述第二陰極本體內； <br/>燈絲電源供應器； <br/>燈絲開關，其裝配以基於所述燈絲開關的位置而分別將所述燈絲電源供應器選擇性電氣耦合到所述第一燈絲與所述第二燈絲的各者；及 <br/>控制器，其裝配以控制所述燈絲開關的所述位置而基於一個或多個預定準則在複數個切換週期使所述燈絲電源供應器的所述電氣耦合交替在所述第一燈絲與所述第二燈絲之間。
如請求項11之離子源，其中所述一個或多個預定準則包含所述燈絲電源供應器在所述複數個切換週期被電氣耦合到所述第一燈絲之第一總時間與所述燈絲電源供應器在所述複數個切換週期被電氣耦合到所述第二燈絲之第二總時間，其中所述第一總時間與所述第二總時間為大約相等。
如請求項11之離子源，其中所述一個或多個預定準則包含各別在所述複數個切換週期的至少一者之所述第一燈絲的第一預定操作期間與在所述複數個切換週期的所述至少一者之所述第二燈絲的第二預定操作期間，其中所述第一燈絲的所述第一預定操作期間與所述第二燈絲的所述第二預定操作期間為彼此不同。
如請求項11之離子源，其中所述一個或多個預定準則包含所述第一端壁與所述第二端壁的一者或多者之預定厚度。
如請求項11之離子源，其中所述第一端壁具有第一壁厚度，其中所述第二端壁具有第二壁厚度，且其中所述第二壁厚度大於所述第一壁厚度。
如請求項11之離子源，其更包含： <br/>陰極電源供應器；及 <br/>陰極開關，其裝配以至少部分基於所述燈絲開關的位置而分別將所述陰極電源供應器選擇性電氣耦合到所述第一陰極與所述第二陰極的各者。
一種用於增加離子源的使用壽命之方法，所述方法包含下列動作： <br/>(a)將源材料提供到電弧室； <br/>(b)將燈絲電源供應器電氣耦合到配置在所述電弧室內之第一間接加熱陰極的第一燈絲； <br/>(c)經由所述燈絲電源供應器來通電所述第一燈絲，因而加熱所述第一間接加熱陰極以助於從所述源材料在所述電弧室內形成電漿； <br/>(d)將所述燈絲電源供應器從所述第一燈絲電氣解耦合且將所述燈絲電源供應器電氣耦合到配置在所述電弧室內之第二間接加熱陰極的第二燈絲； <br/>(e)經由所述燈絲電源供應器來通電所述第二燈絲，因而加熱所述第二間接加熱陰極以助於在所述電弧室內形成所述電漿； <br/>(f)將所述燈絲電源供應器從所述第二燈絲電氣解耦合；及 <br/>(g)重複動作(b)到(f)而直到一個或多個預定準則為滿足。
如請求項17之方法，其中動作(c)被實行在第一預定期間，且其中動作(e)被實行在第二預定期間，其中所述第一預定期間與所述第二預定期間基於在動作(g)所實行之重複而選擇性可變。
如請求項18之方法，其中所述一個或多個預定準則包含所述燈絲電源供應器被電氣耦合到所述第一燈絲之第一總時間與所述燈絲電源供應器被電氣耦合到所述第二燈絲之第二總時間的一者或多者。
如請求項19之方法，其中所述第一總時間與所述第二總時間為大約相等。
一種用於人力驅動車之電動零件的電源供應控制裝置，該電動零件非為一燈，該電源供應控制裝置包含：<br/> 一容納結構，配置成容納並電連接到至少一個電源供應，該電動零件經由該容納結構電連接到該電源供應；<br/> 一調節電路，電連接到該電源供應和該電動零件，該調節電路係配置成以一恆定位準調節從該電源供應供應給該電動零件的電流，該調節電路包括一恆定電流電路，該恆定電流電路係配置不論該電源供應之電壓及/或施加到該電源供應之負載電阻，生成一恆定電流值；以及<br/> 一控制器，電連接該電動零件。
一種用於人力驅動車之電動零件的電源供應控制裝置，該電動零件非為一燈，該電源供應控制裝置包含：<br/> 一容納結構，配置成容納並電連接到至少一個電源供應，該電源供應包括兩個鈕扣電池，該電動零件經由該容納結構電連接到該電源供應；<br/> 一降壓電路，電連接到該電源供應和該電動零件，該降壓電路係配置成降低從該電源供應供應給該電動零件的電壓；以及<br/> 一控制器，電連接該電動零件。
如請求項1或2所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該電動零件包括至少一個發光裝置。
如請求項3所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該至少一個發光裝置包括一第一發光裝置和一第二發光裝置。
如請求項4所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該第一發光裝置係配置成生成一第一色光，且該第二發光裝置係配置成生成與該第一色光一不同顏色的一第二色光。
如請求項1或2所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該電動零件包括一無線通訊器。
如請求項1所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該電源供應包括至少一個一次（primary）電池。
如請求項7所述之電源供應控制裝置，其中：<br/> 該至少一個一次電池包括兩個鈕扣電池。
如請求項1或2所述之電源供應控制裝置，更包含：<br/> 一低壓差調節器，電連接到該電源供應和該電動零件，以將該電源供應所供應的一第一輸入電壓轉換成供應於該電動零件的一預定供應電壓。
如請求項2所述之電源供應控制裝置，更包含：<br/> 一調節電路，其電連接到該電源供應、該降壓電路、和該電動零件，該調節電路係配置成以一恆定位準調節從該電源供應供應至該電動零件的電流。
一種操作裝置，包含如請求項1~10任一者所述之電源供應控制裝置，並更包含：<br/> 一基座構件；以及<br/> 一操作構件，可移動耦合到該基座構件。
如請求項11所述之操作裝置，其中：<br/> 該基座構件包括：<br/> 一第一端部部位，具有配置為耦合到一車把的一耦合部位；<br/> 一第二端部部位，具有一圓頭部位；以及<br/> 一握把部位，提供在該第一端部部位與該第二端部部位之間。
如請求項11或12所述之操作裝置，其中：<br/> 該操作構件包括一可樞轉安裝在該基座構件上的桿。
如請求項11或12所述之操作裝置，其中：<br/> 該電源供應係提供給該基座構件和該操作構件中至少一者。
一種控制系統，包含如請求項11~14任一者所述之操作裝置，並更包含：<br/> 至少一個零件，係控制以回應該操作構件之操作。
一種用於將患者識別為在細胞療法之後可能或不可能經歷毒性的方法，其包含：在該患者之血液樣本中測量IL-15(介白素-15)及MCP-1(單核球趨化蛋白-1)的水平；測量該細胞療法中使用之細胞的活力(viability)；及當該IL-15及MCP-1水平高於對應的參考水平且該細胞活力大於參考細胞活力時，將該患者識別為在該細胞療法之後可能經歷毒性，或當該IL-15及MCP-1水平低於對應的參考水平且該細胞活力小於參考細胞活力時，將該患者識別為在該細胞療法之後不可能經歷毒性，其中該細胞療法包含免疫細胞的投予。
如請求項1之方法，其進一步包含在醫療機構中監測該患者之毒性及決定該患者是否接受該毒性之治療或預防或離開該醫療機構。
如請求項2之方法，其中該治療或預防包含投予選自由以下所組成之群組的藥劑：抗組織胺、皮質類固醇、抗低血壓劑、IL-6抑制劑、GM-CSF抑制劑、及非類固醇消炎藥物。
如請求項3之方法，其中該治療或預防包含投予選自由以下所組成之群組的藥劑：托珠單抗(tocilizumab)、地塞米松(dexamethasone)、左乙拉西坦(levetiracetam)、朗齊魯單抗(lenzilumab)、甲基潑尼松龍(methylprednisolone)、阿那白滯素(anakinra)、西妥昔單抗(siltuximab)、盧佐替尼(ruxolitinib)、環磷醯胺、IVIG(靜脈內免疫球蛋白)、及ATG(抗胸腺細胞球蛋白)。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該等免疫細胞包含經工程改造以表現嵌合抗原受體(chimeric antigen receptor,CAR)之T細胞。
如請求項5之方法，其中該CAR具有對CD19(分化簇19)蛋白之結合特異性。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該血液樣本係在該細胞療法之前獲自該患者之血清樣本。
如請求項7之方法，其中該血液樣本係在該患者之預調理治療之後獲得。
如請求項8之方法，其中該預調理治療減少該患者之淋巴球。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該毒性係選自由以下所組成之群組：細胞介素釋放症候群(cytokine release syndrome,CRS)、神經性事件(neurologic event,NE)、及其組合。
如請求項10之方法，其中該毒性係早發性毒性。
如請求項11之方法，其中該早發性毒性在該細胞療法之後的四天內發生。
如請求項1至4中任一項之方法，其中IL-15或MCP-1之該參考水平係從在該細胞療法之後經歷該毒性的患者及在該細胞療法之後未經歷該毒性的患者來判定。
如請求項1至4中任一項之方法，其進一步包含：獲得該患者之基線血紅素、基線腫瘤負荷量、基線LDH、基線肌酸酐、及基線鈣的一或多個水平。
一種可用於將患者識別為在細胞療法之後可能經歷毒性的套組或封裝，其包含用於在生物樣本中測量IL-15及MCP-1之表現水平的多核苷酸引子或探針或抗體，及用於測量細胞之活力的試劑。
一種近紅外線吸收玻璃，係包括：10至40重量%的磷；5至35重量%的鐵；3至20重量%的鋁；0.1至10重量%的矽；0至10重量%的鹼金屬；以及合計0.1至20重量%的鹼土金屬與其他二價元素，其中，該近紅外線吸收玻璃之磷鐵莫耳比(P/Fe)係介於1.75至5之間，該近紅外線吸收玻璃對波長介於930nm至950nm光線之平均穿透率小於10%，且該近紅外線吸收玻璃之厚度為0.3mm以下。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃之厚度為0.2mm以下。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃對波長介於420nm至650nm光線之平均穿透率大於80%。
如請求項2所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃對波長介於420nm至650nm光線之平均穿透率大於85%。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該磷鐵莫耳比(P/Fe)係介於2至4之間。
如請求項5所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該磷鐵莫耳比(P/Fe)係介於2.5至3.5之間。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃係包括10至25重量%之鐵。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃之半穿透波長(T50%)係700nm以上。
如請求項8所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該近紅外線吸收玻璃之半穿透波長(T50%)係介於730nm至800nm之間。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該鹼土金屬及其他二價元素係選自鎂、鈣、鍶、鋇及鋅所組成群組之至少一者。
如請求項1所述之近紅外線吸收玻璃，其中，該鹼土金屬係鎂及鈣，且該其他二價元素係鋅。
一種近紅外線截止濾光片，係包括如請求項1所述之該近紅外線吸收玻璃以及多層膜結構，其中，該多層膜結構係選自近紅外線吸收膜、吸收染料層、抗反射膜以及紅外線反射膜所組成群組之至少一者，且該近紅外線截止濾光片之厚度為0.3mm以下。
如請求項12所述之近紅外線截止濾光片，其中，該近紅外線截止濾光片之厚度為0.2mm以下。
如請求項12所述之近紅外線截止濾光片，其半穿透波長(T50%)係630nm以上。
如請求項14所述之近紅外線截止濾光片，其半穿透波長(T50%)係介於640nm至660nm之間。
如請求項12所述之近紅外線截止濾光片，其對波長940nm光線之阻光密度值(OD)係大於5。
如請求項12所述之近紅外線截止濾光片，其對波長700nm光線之穿透率係小於5%。
如請求項12所述之近紅外線截止濾光片，其對波長420nm至650nm光線之平均穿透率係大於85%。
一種聚烯烴調配物，其包含(A)聚烯烴聚合物及(B)式(I)之克羅托酮(crotophenone)化合物：<img align="absmiddle" height="39px" width="81px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (I)，其中Ar為苯基、烷基苯基、1-萘基、或2-萘基；且R為(C<sub>1</sub>-C<sub>5</sub>)烷基、(C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>)烷基、(C<sub>11</sub>-C<sub>20</sub>)烷基、或(C<sub>21</sub>-C<sub>40</sub>)烷基。
如請求項1之聚烯烴調配物，其中該Ar選自由以下所組成之群組：(i)苯基；(ii)烷基苯基；(iii) 1-萘基；(iv) 2-萘基；(v) (i)及(ii)二者；(vi) (i)及(iii)二者；(vii) (i)及(iv)二者；(viii) (ii)及(iii)二者；(ix) (ii)及(iv)二者；(x) (iii)及(iv)二者；及(xi) (i)、(ii)、(iii)及(iv)中之任何三者的組合。
如請求項1至2中任一項之聚烯烴調配物，其中該R為甲基或(C<sub>2</sub>-C<sub>5</sub>)烷基。
如請求項1至2中任一項之聚烯烴調配物，其中該(A)聚烯烴聚合物選自由以下所組成之群組：低密度聚乙烯聚合物、乙烯/(C<sub>4</sub>-C<sub>20</sub>)α-烯烴共聚物、乙烯/(不飽和羧酸酯)共聚物、乙烯/(單環有機矽氧烷)共聚物、乙烯/丙烯共聚物、乙烯/丙烯/(二烯單體)三聚物及丙烯均聚物。
如請求項1至2中任一項之聚烯烴調配物，其包含50.0至99.8重量百分比(wt%)之該(A)聚烯烴聚合物；0.1至10.0 wt%之該(B)克羅托酮化合物；及總共0.1至40 wt%之至少一種添加劑，其中該至少一種添加劑中之各者不同於組分(A)及(B)，且獨立地選自由以下所組成之群組：(C)有機過氧化物；(D)抗焦化劑；(E)抗氧化劑；(F)填料；(G)阻燃劑；(H)受阻胺穩定劑；(I)抗樹劑；(J)甲基自由基清除劑；(K)交聯助劑；(L)加工助劑；(M)著色劑；及添加劑(C)至(M)中之任何二或更多者的組合。
如請求項5之聚烯烴調配物，其包含85至99.5重量百分比(wt%)之該(A)聚烯烴聚合物，該聚烯烴聚合物為低密度聚乙烯聚合物；0.4至1.4 wt%之該(B)克羅托酮化合物，其為式(I)化合物，其中Ar為苯基且R為甲基；及0.1至1.5 wt%之至少一種(E)抗氧化劑。
如請求項1至2中任一項之聚烯烴調配物，其中相對於不含該(B)克羅托酮化合物之比較調配物，該聚烯烴調配物之電擊穿強度值伊塔(eta) η具有至少+10.0百分比(%)之改良（增加）；其中該電擊穿強度值伊塔η係根據說明書中所述之電擊穿強度測試方法及韋伯統計方法，使用韋伯統計針對63.2%之失效機率值判定。
一種製造如請求項1至7中任一項之聚烯烴調配物的方法，該方法包含將該(A)聚烯烴聚合物與該(B)克羅托酮化合物及可選的至少一種添加劑混合，以此方式製造該調配物。
一種製造交聯聚烯烴產物之方法，該方法包含使如請求項1至7中任一項之聚烯烴調配物經受固化條件，以此方式使該(A)聚烯烴聚合物交聯，由此製造該交聯聚烯烴產物。
一種交聯聚烯烴產物，其係藉由如請求項9之方法製造。
一種包含聚烯烴調配物、交聯聚烯烴產物、或其組合之物品，該聚烯烴調配物係如請求項1至7中任一項之聚烯烴調配物，該交聯聚烯烴產物係如請求項10之交聯聚烯烴產物。
一種經塗佈之導體，其包含導電芯及至少部分地覆蓋該導電芯之絕緣層，其中該絕緣層包含如請求項10之交聯聚烯烴產物。
一種傳輸電之方法，該方法包含在如請求項12之經塗佈之導體之該導電芯上施加電壓，以產生通過該導電芯之電流。
一種切削刀具部件(22)，其經構形用於圍繞一刀具部件縱軸(B)旋轉，該刀具部件縱軸(B)界定相反之向前及向後方向(D<sub>F</sub>、D<sub>R</sub>)，及相反之旋轉前導及後繼方向(D<sub>P</sub>、D<sub>S</sub>)，其中該旋轉前導方向(D<sub>P</sub>)為切削方向，該切削刀具部件(22)包括： <br/>一刀具部件前端表面(28)、一刀具部件後端表面(30)及在其等之間延伸之一刀具部件周邊表面(36)，該刀具部件周邊表面(36)圍繞該刀具部件縱軸(B)延伸； <br/>一增材製造之切削部分(38)，其包括一切削部分材料且定位於該切削刀具部件(22)之一前端(32)處，該切削部分(38)包括由該刀具部件周邊表面(36)形成之一切削部分周邊表面(40)； <br/>一柄部分(46)，其從該切削部分(38)向後延伸；及 <br/>複數個增材製造之導向墊(56)，各導向墊包括一導向墊材料且從該切削部分周邊表面(40)突出；其中： <br/>該複數個導向墊(56)與該切削部分以單一的單塊式構造一體成型。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該切削部分材料及該導向墊材料係相同的。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該切削部分材料及該導向墊材料係不同的。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該切削部分材料及/或該導向墊材料非硬質合金或金屬陶瓷。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該導向墊材料為鋼。
如請求項1之切削刀具部件(22)，進一步包括經形成在至少該複數個導向墊(56)上之一塗層(68)。
如請求項6之切削刀具部件(22)，其中該塗層(68)係一PVD塗層。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該切削部分(38)包括： <br/>複數個成角度間隔開之凹槽(44)，其等凹入於該切削部分周邊表面(40)中；及 <br/>複數個成角度間隔開之凸台(50)，各凸台(50)在一相關聯之旋轉前導凹槽(44P)與一相關聯之旋轉後繼凹槽(44S)之間延伸，該相關聯的旋轉前導凹槽(44P)係在該相關聯之旋轉後繼凹槽(44S)的旋轉前部；其中： <br/>各凸台(50)具有經形成在其上之一各自導向墊(56)；及 <br/>對於任何給定凸台(50a)，該各自導向墊(56)係與該給定凸台之相關聯的旋轉前導凹槽(44P)間隔開。
如請求項8之切削刀具部件(22)，其中該各自導向墊(56)係與該給定凸台之相關聯的旋轉後繼凹槽(44S)間隔開。
如請求項8之切削刀具部件(22)，其中各凸台(50)具有經形成於其上之一單一各自導向墊(56)。
如請求項8之切削刀具部件(22)，其中： <br/>在各凸台(50)處之該切削部分周邊表面(40)包括： <br/>一凸台隆起表面(52)，其沿著該相關聯之旋轉前導凹槽(44P)延伸；及 <br/>一凸台間隙表面(54)，其相對於該凸台隆起表面(52)凹入且從該凸台隆起表面(52)延伸至該相關聯之旋轉後繼凹槽(44S)；及 <br/>該各自導向墊(56)係形成於該給定凸台的凸台間隙表面(54)上。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中該複數個導向墊(56)圍繞該刀具部件縱軸(B)螺旋延伸。
如請求項12之切削刀具部件(22)，其中： <br/>該切削部分(38)包括凹入於該切削部分周邊表面(40)中之複數個成角度間隔開的凹槽(44)，該複數個導向墊(56)圍繞該刀具部件縱軸(B)螺旋延伸；及 <br/>該複數個導向墊(56)在與該複數個成角度間隔開之螺旋延伸凹槽(44)相同的意義上圍繞該刀具部件縱軸(B)螺旋延伸。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中各導向墊(56)沿一墊縱軸(C)伸長，且具有兩個相對的墊端(58)及在其等之間延伸之一伸長的墊中間部分(60)。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其中各導向墊(56)包括： <br/>一中心徑向面向外之墊接觸表面(62)； <br/>兩個相對之墊端表面(64)，其等在該導向墊(56)之相對軸向端處從該墊接觸表面(62)延伸至該切削部分周邊表面(40)；及 <br/>兩個相對之墊側表面(66)，其等在該導向墊(56)之相對旋轉側處從該墊接觸表面(62)延伸至該切削部分周邊表面(40)。
如請求項15之切削刀具部件(22)，其中該墊接觸表面(62)係倒錐型。
如請求項15之切削刀具部件(22)，其中在該切削刀具部件(22)之一俯視圖中： <br/>該墊接觸表面(62)具有在該導向墊(56)之一墊縱軸(C)之一方向上量測之一墊接觸長度(L)及在垂直於該墊接觸長度(L)之一方向上量測之一墊接觸寬度(W)；及 <br/>該墊接觸寬度(W)小於該墊接觸長度(L)之一半。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其包括與該切削部分(38)一體成型之一切削刃(26)。
如請求項1之切削刀具部件(22)，其包括一嵌件凹穴(42)。
一種旋轉切削刀具(20)，其包括： <br/>如請求項19之一切削刀具部件(22)；及 <br/>一切削嵌件(24)，其具有一切削刃(26)，該切削嵌件(24)係可釋放地保持在嵌件凹穴(42)中。
如請求項20之切削刀具(20)，其中： <br/>該切削嵌件(24)包括一切削嵌件材料；及 <br/>該切削嵌件材料不同於切削部分材料及/或導向墊材料，該切削嵌件材料比該切削部分材料及/或該導向墊材料更硬。
一種製造請求項1之切削刀具部件(22)之方法，其包括以下步驟： <br/>藉由使用一第一增材製造程序來製造切削部分(38)；及 <br/>在該製造切削部分(38)之步驟期間或之後，藉由使用一第二增材製造程序來製造複數個導向墊(56)。
一種加熱炊具，能夠藉由將被蓋部密閉的內鍋進行加熱來烹調前述內鍋內的食材，前述加熱炊具具備：<br/> 加熱部，其將前述內鍋進行加熱；<br/> 壓力探測部，其探測前述內鍋內的內部壓力；以及<br/> 控制部，其根據前述壓力探測部探測到的內部壓力來控制前述加熱部的動作，<br/> 其中，前述控制部構成為執行以下工序：<br/> 第一工序，控制前述加熱部來將被密閉的前述內鍋進行加熱，從而使前述內鍋內的內部壓力上升到第一壓力值；<br/> 第二工序，在前述內部壓力上升到前述第一壓力值之後，控制前述加熱部對前述內鍋的加熱，以使前述內部壓力維持在前述第一壓力值；<br/> 第三工序，在規定期間實施前述第二工序之後，使前述內部壓力減少；以及<br/> 第四工序，在前述內鍋內的溫度由於前述內部壓力的減少而下降到規定溫度的情況下，控制前述加熱部來將前述內鍋進行加熱，從而維持前述規定溫度，<br/> 其中，在前述第二工序中，重複執行包括以下工序的工序：<br/> 判定前述壓力探測部探測到的內部壓力是否從前述第一壓力值下降了第一規定值；<br/> 在前述壓力探測部探測到的內部壓力從前述第一壓力值下降了前述第一規定值的情況下，控制前述加熱部以進行針對前述內鍋的重新加熱；<br/> 判定在前述重新加熱後由前述壓力探測部探測到的內部壓力是否從前述第一壓力值上升了第二規定值，前述第二規定值是與前述第一工序中的前述內部壓力的上升速度相應的規定值，其中前述內部壓力的上升速度越快，則前述第二規定值的值越小；以及<br/> 在前述壓力探測部探測到的內部壓力從前述第一壓力值上升了前述第二規定值的情況下，控制前述加熱部以停止針對前述內鍋的重新加熱。
如請求項1之加熱炊具，其中，<br/> 前述第二規定值具有與前述第一工序中的前述內部壓力的上升速度相應的不同的值。
如請求項1或2之加熱炊具，其中，<br/> 前述第一工序中的、前述內部壓力從第二壓力值起至成為比前述第二壓力值大的第三壓力值為止的經過時間越短，則前述第二規定值的值越小。
如請求項3之加熱炊具，其中，<br/> 前述第三壓力值是比作為前述第一壓力值所能夠設定的最小值更小的值。
如請求項3之加熱炊具，其中， <br/> 前述第二壓力值為20kPa，前述第三壓力值為40kPa。
如請求項3之加熱炊具，其中，<br/> 在前述經過時間為規定的時間閾值以上的情況下，前述第二規定值具有第一值，<br/> 在前述經過時間小於規定的時間閾值的情況下，前述第二規定值具有比前述第一值小的第二值。
如請求項6之加熱炊具，其中，<br/> 前述第一值為2kPa，前述第二值為1kPa。
如請求項6之加熱炊具，其中，<br/> 前述規定的時間閾值為15秒。
如請求項7之加熱炊具，其中，<br/> 前述規定的時間閾值為15秒。
如請求項1或2之加熱炊具，其中，<br/> 前述壓力探測部探測的壓力是在規定期間探測到的壓力值的平均值。
一種程式，用於使電腦作為如請求項1至10中任一項之加熱炊具的控制部進行動作。
一種發泡性樹脂組成物，用於成形出聚羥基胺甲酸酯樹脂系發泡體，包含： <br/>含有胺化合物(a1)與二氧化碳之反應產物(a2)的發泡性硬化劑(A)、以及具有2個以上之環狀碳酸酯基的環狀碳酸酯化合物(B)； <br/>該胺化合物(a1)之胺基數為2以上且6以下， <br/>該反應產物(a2)係選自於碳酸鹽、及碳酸氫鹽中之至少一種， <br/>該環狀碳酸酯化合物(B)為下式(2)表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="491px" width="1545px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式(2)中之Z為以下所示之結構中之任意者； <br/><img align="absmiddle" height="1116px" width="1725px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中之X為氫原子或甲基。
如請求項1之發泡性樹脂組成物，其中，將該胺化合物(a1)於23℃、50%RH之空氣環境下靜置1週後之由下式算出之該胺化合物(a1)的質量增加率為10質量%以上且50質量%以下； <br/>胺化合物(a1)的質量增加率[質量%]＝100×胺化合物(a1)的質量增加量(g)/(胺化合物(a1)的質量(g)+胺化合物(a1)的質量增加量(g))。
如請求項1或2之發泡性樹脂組成物，其中，該胺化合物(a1)包含具有環狀結構之環式胺化合物(a11)。
如請求項3之發泡性樹脂組成物，其中，該環式胺化合物(a11)具有鍵於一級碳原子的胺基。
如請求項3之發泡性樹脂組成物，其中，該環式胺化合物(a11)的環狀結構包含選自於5員環及6員環中之至少一種。
如請求項1或2之發泡性樹脂組成物，其中，該發泡性樹脂組成物中之該發泡性硬化劑(A)以外之發泡劑的含量為5質量%以下。
如請求項1或2之發泡性樹脂組成物，其中，該胺化合物(a1)包含選自由鄰苯二甲胺及其衍生物、間苯二甲胺及其衍生物、對苯二甲胺及其衍生物、雙(胺甲基)環己烷及其衍生物、檸檬烯二胺及其衍生物、以及異佛酮二胺及其衍生物構成之群組中之至少一種。
如請求項1或2之發泡性樹脂組成物，其中，該發泡性樹脂組成物中之該發泡性硬化劑(A)的含量，以該發泡性硬化劑(A)中之胺基數相對於該環狀碳酸酯化合物(B)中之該環狀碳酸酯基數的比(該胺基數/該環狀碳酸酯基數)計，為0.5以上且1.5以下的量。
一種聚羥基胺甲酸酯樹脂系發泡體，係將如請求項1至8中任一項之發泡性樹脂組成物予以發泡成形而成。
一種聚羥基胺甲酸酯樹脂系發泡體之製造方法，包括將如請求項1至8中任一項之發泡性樹脂組成物予以發泡成形的步驟。
一種發泡性硬化劑，係用於將聚羥基胺甲酸酯樹脂系發泡體成形， <br/>包含胺化合物(a1)與二氧化碳的反應產物(a2)， <br/>該胺化合物(a1)之胺基數為2以上且6以下， <br/>該反應產物(a2)係選自於碳酸鹽、及碳酸氫鹽中之至少一種。
如請求項11之發泡性硬化劑，其中，將該胺化合物(a1)在23℃、50%RH之空氣環境下靜置1週後之由下式算出之該胺化合物(a1)的質量增加率為10質量%以上且50質量%以下； <br/>胺化合物(a1)的質量增加率[質量%]＝100×胺化合物(a1)的質量增加量(g)/(胺化合物(a1)的質量(g)+胺化合物(a1)的質量增加量(g))。
如請求項11或12之發泡性硬化劑，其中，該胺化合物(a1)包含具有環狀結構之環式胺化合物(a11)。
如請求項13之發泡性硬化劑，其中，該環式胺化合物(a11)具有鍵於一級碳原子的胺基。
如請求項13之發泡性硬化劑，其中，該環式胺化合物(a11)的環狀結構包含選自5員環及6員環中之至少一種。
如請求項11或12之發泡性硬化劑，其中，該胺化合物(a1)包含選自由鄰苯二甲胺及其衍生物、間苯二甲胺及其衍生物、對苯二甲胺及其衍生物、雙(胺甲基)環己烷及其衍生物、檸檬烯二胺及其衍生物、以及異佛酮二胺及其衍生物構成之群組中之至少一種。
一種半導體裝置，其包含： <br/>電熔絲元件，其具有第一部分、佈置於上述第一部分之一端的第二部分、及佈置於上述第一部分之另一端的第三部分； <br/>層間電介質層，其覆蓋上述電熔絲元件；及 <br/>上述層間電介質層上之電阻層，其由矽金屬形成且佈置於上述電熔絲元件正上方； <br/>其中上述第二部分之佈線寬度及上述第三部分之佈線寬度分別大於上述第一部分之佈線寬度，且 <br/>其中上述矽金屬係矽鉻或摻雜碳之矽鉻。
如請求項1之半導體裝置，其進一步包含： <br/>金屬層，其佈置於上述電阻層正上方。
如請求項1之半導體裝置， <br/>其中上述電阻層包含由矽金屬形成之複數個電阻部分，且 <br/>其中上述複數個電阻部分係串聯或並聯電性連接。
如請求項3之半導體裝置，其中上述複數個電阻部分之各個係串聯電性連接，使得上述電阻層中之電流路徑於平面圖(plan view)中曲折行進。
如請求項1之半導體裝置，其進一步包含： <br/>熱傳遞主體，其佈置於上述電熔絲元件與上述電阻層之間，且具有較上述層間電介質層高之熱導率。
如請求項5之半導體裝置， <br/>其中上述熱傳遞主體藉由單個層(single layer)而配置。
如請求項5之半導體裝置， <br/>其中上述熱傳遞主體包含彼此層疊之複數個熱傳遞層。
如請求項7之半導體裝置，其中上述熱傳遞主體包含： <br/>連接部分，其將上述複數個熱傳遞層之各個彼此連接。
如請求項8之半導體裝置，其中於平面圖中上述複數個熱傳遞層中之至少一個熱傳遞層之平面面積(plane area)大於上述電阻層之平面面積。
如請求項8之半導體裝置，其中上述複數個熱傳遞層之佈線寬度隨著熱傳遞層越接近上述電熔絲元件而越小。
如請求項1之半導體裝置，其進一步包含： <br/>半導體基板； <br/>溝槽，其形成於上述半導體基板之表面；及 <br/>電介質層，其嵌入於上述溝槽中， <br/>其中上述電熔絲元件佈置於上述電介質層上。
如請求項1之半導體裝置， <br/>其中上述第二部分於平面圖中具有第二錐形部分及第二墊(pad)部分， <br/>其中上述第二錐形部分係連接至上述第一部分，且佈置於上述第一部分與上述第二墊部分之間， <br/>其中上述第二錐形部分構成為使得於平面圖中上述第二錐形部分之佈線寬度自上述第一部分向上述第二墊部分逐漸增大， <br/>其中於平面圖中上述第三部分具有第三錐形部分及第三墊部分， <br/>其中上述第三錐形部分連接至上述第一部分，且佈置於上述第一部分與上述第三墊部分之間，且 <br/>其中上述第三錐形部分構成為使得於平面圖中上述第三錐形部分之佈線寬度自上述第一部分向上述第三墊部分逐漸增大。
如請求項12之半導體裝置，其進一步包含： <br/>第二佈線層及第三佈線層，其各自佈置於上述電熔絲元件上方， <br/>其中上述第二墊部分經由第二通孔導電層而電性連接至上述第二佈線層，且 <br/>其中上述第三墊部分經由第三通孔導電層而電性連接至上述第三佈線層。
如請求項13之半導體裝置，其中上述電阻層佈置於上述第二佈線層及上述第三佈線層上方。
如請求項1之半導體裝置，其中於平面圖中上述電阻層與整個上述電熔絲元件重疊。
如請求項1之半導體裝置，其中上述電阻層之佈線寬度大於上述第一部分之上述佈線寬度。
如請求項16之半導體裝置，其中上述電阻層之上述佈線寬度大於上述第二部分之上述佈線寬度與上述第三部分之上述佈線寬度。
一種形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，包含：<br/> 將一第一晶圓接合至一第二晶圓，其中該第一晶圓包含一第一矽基底和一第一元件結構，該第一元件結構設置於該第一矽基底上，該第二晶圓包含一第二矽基底和一第二元件結構，該第二元件結構設置於該第二矽基底上；<br/> 進行一第一研磨(grind)製程，該第一研磨製程包含沿著縱向薄化該第一矽基底的一背面：<br/> 進行該第一研磨製程之後，進行一第一修整(trim)製程，該第一修整製程包含沿著橫向薄化該第一晶圓的一邊緣和該第二元件結構的一邊緣；<br/> 在該第一修整製程之後，形成一保護層，該保護層覆蓋該第二矽基底的一背面；以及<br/> 在形成該保護層之後，進行一矽移除製程，該矽移除製程包含僅移除該第一矽基底，其中該矽移除製程係利用氫氧化四甲基銨(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)作為蝕刻劑以移除該第一矽基底。
如請求項1所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，另包含：<br/> 在該第一修整製程之後，形成一氧化矽層覆蓋該第一晶圓、該第二矽基底的一正面和該第二元件結構的該邊緣；以及<br/> 在形成該氧化矽層後，進行一第二研磨製程，該第二研磨製程包含移除位在該第一矽基底的一背面的該氧化矽層以及沿著縱向薄化該第一矽基底的該背面。
如請求項2所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中在進行該第一修整製程之後並且在形成該氧化矽層之前，形成該保護層。
如請求項2所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中在形成該氧化矽層之後並且在該第二研磨製程之前，形成該保護層。
如請求項2所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中在該第二研磨製程之後並且在該矽移除製程之前，形成該保護層。
如請求項1所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中該保護層包含氧化矽或氮化矽。
如請求項1所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中當該保護層是氧化矽時，該保護層之厚度介於300至400埃之間。
如請求項1所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，其中當該保護層是氮化矽時，該保護層之厚度介於400至700埃之間。
如請求項1所述之形成用於矽移除製程的保護層的製作方法，另包含：<br/> 在該矽移除製程之後，形成一介電層覆蓋該第一元件結構；<br/> 形成一穿孔插塞設置於該介電層中；以及<br/> 形成一導電墊設置於該介電層上，並且該導電墊接觸該穿孔插塞。
一種品質管理系統，具有： <br/>取得部，取得濃縮期間資訊，該濃縮期間資訊顯示令濃縮手段將用以清洗對象物之清洗液中所含有之雜質加以濃縮的期間； <br/>資料庫，使得被獨特地賦予該對象物之對象物識別資訊、與顯示清洗該對象物之期間之清洗期間資訊相對應，儲存為相對應資訊；及 <br/>識別部，依據該取得部所取得之濃縮期間資訊、從取得該濃縮期間資訊之位置到清洗該對象物之位置為止的配管距離及配管內的流速，計算出清洗期間，並依據顯示計算出之該清洗期間之清洗期間資訊、及儲存於該資料庫之相對應資訊，識別出使用與在該濃縮期間資訊所示之濃縮期間對該濃縮手段供給之清洗液相對應的清洗液所清洗之對象物。
如請求項1之品質管理系統，更具有： <br/>液體品質測定部，對該濃縮手段所濃縮之雜質的量進行測定； <br/>該識別部，依據該液體品質測定部所測定到之結果，開始識別該對象物。
如請求項1或2之品質管理系統，其中， <br/>該濃縮手段，供流通過設置於該清洗液之流道上的非再生型離子交換裝置之清洗液流通過其中。
如請求項1或2之品質管理系統，其中， <br/>該濃縮手段濃縮該雜質亦即金屬雜質。
如請求項4之品質管理系統，其中， <br/>該濃縮手段為獨塊狀有機多孔質體。
一種對象物管理系統，具有： <br/>液體品質測定部，對用以清洗對象物之清洗液之液體品質進行測定； <br/>調整閥，設置於對清洗槽供給該清洗液之流道上；及 <br/>開閉控制部，依據該液體品質測定部所測定到之液體品質，控制該調整閥之開閉。
如請求項6之對象物管理系統，其中， <br/>該液體品質測定部，對通過於設置在該清洗液之流道上的非再生型離子交換裝置之清洗液之液體品質進行測定。
如請求項6或7之對象物管理系統，其中， <br/>該開閉控制部，在該液體品質測定部所測定到之液體品質達到基準值時，將該調整閥設定成打開狀態；而在該液體品質測定部所測定到之液體品質未達基準值時，將該調整閥設定成關閉狀態。
一種對象物管理方法，依據用以清洗對象物之清洗液之液體品質，利用設置於對清洗槽供給該清洗液之流道上的調整閥，控制該清洗液對於清洗該對象物之清洗槽之供給。
一種碳化矽(SiC)基板製造方法，包含：準備一基底；在該基底上形成一N型(n-type)碳化矽薄膜或一P型(p-type)碳化矽薄膜中的任一碳化矽薄膜；並且將該碳化矽薄膜從該基底分離，其中該碳化矽薄膜的形成包含：將含有矽(Si)的一來源氣體噴射至該基底上；在該來源氣體的噴射停止後進行噴射一吹除氣體的一主吹除(primary purge)；在該主吹除停止後噴射含有碳(C)的一反應氣體；並且在該反應氣體的噴射停止後進行噴射該吹除氣體的一次吹除(secondary purge)，其中該碳化矽薄膜的形成包含噴射一摻雜氣體，並且在該來源氣體的噴射期間或在該來源氣體的噴射停止後及進行該主吹除之前噴射該摻雜氣體，其中該摻雜氣體包含含有氮(N)或磷(P)中至少一者的一氣體，或含有鋁(Al)、硼(B)或鎵(Ga)中至少一者的一氣體，其中該反應氣體的噴射包含產生一電漿。
如請求項1所述之碳化矽基板製造方法，其中該來源氣體包含矽烷(SiH<sub>4</sub>)或二矽烷(Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>)中至少一者。
如請求項1所述之碳化矽基板製造方法，其中該反應氣體包含丙烷(C<sub>3</sub>H<sub>8</sub>)或甲基矽烷(SiH<sub>3</sub>CH<sub>3</sub>)中至少一者。
如請求項1所述之碳化矽基板製造方法，其中該電漿的產生包含噴射一氫氣氣體。
如請求項1至4中任一項所述之碳化矽基板製造方法，其中該碳化矽薄膜的形成包含重複進行一製程循環，於該製程循環中係依序進行該來源氣體的噴射、該主吹除的進行、該反應氣體的噴射以及該次吹除的進行。
如請求項1至4中任一項所述之碳化矽基板製造方法，其中該基底是由包含石墨(graphite)、矽(Si)、鎵(Ga)以及玻璃中任一者的材料所製成。
一種深溝槽電容器，包含：<br/> 至少一個深溝槽，自一基板的一頂表面向下延伸；<br/> 一層堆疊，包括至少三個金屬電極層，該些至少三個金屬電極層與至少兩個節點介電層交錯，且在該基板的該頂表面上方連續地延伸且延伸至該至少一個深溝槽中的每一者中；及<br/> 一介電填充材料層，包含一介電填充材料且包括覆蓋該層堆疊的一最頂表面的一水平延伸部分及自該水平延伸部分向下延伸至該至少一個深溝槽中的一相應深溝槽的一中心區中的至少一個垂直延伸部分，其中該至少一個垂直延伸部分包封一相應空隙，該相應空隙的一整體容積不含任何固相材料，使得在該介電填充材料層內的每一該空隙的所有表面為該介電填充材料層的複數個表面。
如請求項1所述之深溝槽電容器，其中該介電填充材料層的該至少一個垂直延伸部分中的每一者由該些至少三個金屬電極層及該些至少兩個節點介電層的多個垂直延伸部分橫向包圍。
一種半導體結構，包含一第一半導體晶粒，其中：<br/> 該第一半導體晶粒包含一半導體基板及嵌入在該半導體基板內的一深溝槽電容器；及<br/> 該深溝槽電容器包含：<br/> 至少一個深溝槽，自該半導體基板的一頂表面向下延伸；<br/> 一層堆疊，包括至少三個金屬電極層，該些至少三個金屬電極層與該些至少兩個節點介電層交錯，且在該半導體基板的該頂表面上方連續地延伸且延伸至該至少一個深溝槽中的每一者中；及<br/> 一介電填充材料層，包括一垂直延伸部分，該垂直延伸部分位於該至少一個深溝槽中的一者內，由該層堆疊橫向包圍，且包封一空隙，該空隙的一整體容積不含任何固相材料，使得在該介電填充材料層內的該空隙的所有表面為該介電填充材料層的複數個表面。
如請求項3所述之半導體結構，進一步包含接合至該第一半導體晶粒且其中包含多個半導體裝置的一第二半導體晶粒，其中該深溝槽電容器經由多個焊墊或多個焊料材料部分電連接至該些半導體裝置。
一種形成包括一深溝槽電容器的一半導體結構的方法，包含：<br/> 在一基板中形成一深溝槽；<br/> 在該基板上方形成包括與至少兩個節點介電層交錯的至少三個金屬電極層的一層堆疊，其中該層堆疊連續地延伸至該深溝槽中，且在該深溝槽的一未填充容積中存在一空腔；及<br/> 在該空腔中及該基板上方沈積包含一介電填充材料的一介電填充材料層，其中該介電填充材料層包封不含任何固相且在該空腔的一容積內形成的一空隙，使得在該介電填充材料層內的每一該空隙的所有表面為該介電填充材料層的複數個表面。
如請求項5所述之方法，其中該介電填充材料層由一非保形沈積製程沈積，該非保形沈積製程在該深溝槽的一開口處以比在該深溝槽的一底部部分處更高的沈積速率沈積該介電填充材料。
一種裝置結構，包含：<br/> 複數個第一深溝槽，沿一第一水平方向延伸且從一基板的一頂面垂直向下延伸至該基板內；<br/> 複數個第二深溝槽，沿一第二水平方向延伸且從該基板的該頂面垂直向下延伸至該基板內；<br/> 一層堆疊，包含與至少兩個節點介電層交錯的至少三個金屬電極層，該層堆疊連續地在該基板的該頂面延伸且延伸至該些第一深溝槽與該些第二深溝槽的每一者中；以及<br/> 一介電填充材料層，包含一介電填充材料且包括覆蓋該層堆疊的一最頂表面的一水平延伸部分及自該水平延伸部分向下延伸至該些第一深溝槽與該些第二深溝槽中相應一者的一中心區中的複數個垂直延伸部分，其中該些垂直延伸部分包封一相應空隙，該相應空隙的一整體容積不含任何固相材料，使得在該介電填充材料層內的每一該空隙的所有表面為該介電填充材料層的複數個表面。
如請求項7所述之裝置結構，其中該第二水平方向垂直該第一水平方向。
一種形成一半導體結構的方法，包含：<br/> 在一基板的一上部內形成至少一個深溝槽；<br/> 在該至少一深溝槽內形成包括與至少兩個節點介電層交錯的至少三個金屬電極層的一層堆疊，其中該層堆疊連續地在該基板的該頂面延伸且延伸至該至少一深溝槽中的每一者；以及<br/> 形成包含一介電填充材料的一介電填充材料層，該介電填充材料層包括覆蓋該層堆疊的一最頂表面的一水平延伸部分及自該水平延伸部分向下延伸至該至少一個深溝槽中的一相應深溝槽的一中心區中的至少一個垂直延伸部分，其中該至少一個垂直延伸部分包含不含任何固相材料的一空隙，使得在該介電填充材料層內的每一該空隙的所有表面是該介電填充材料層的複數個表面。
一種形成一半導體結構的方法，包含：<br/> 形成從一半導體基板的一頂面向下延伸的至少一深溝槽；<br/> 形成包括與至少兩個節點介電層交錯的至少三個金屬電極層的一層堆疊，該層堆疊連續地在該半導體基板的該頂面延伸且延伸至該至少一深溝槽中的每一者；以及<br/> 形成一介電填充材料層，其中該介電填充材料層包括一空隙，該空隙在該層堆疊上方不含任何固相材料，使得在該介電填充材料層內的每一該空隙的所有表面是該介電填充材料層的複數個表面。
一種積體電路結構，其包含：在子鰭片上方的多個奈米線；在該子鰭片與該多個奈米線上方的閘極堆疊；在該多個奈米線相對端部上的磊晶源極或汲極結構，該磊晶源極或汲極結構包含：鍺和硼的第一PMOS磊晶(pEPI)區，在接點位置處該第一pEPI區上的矽、鍺和硼的第二pEPI區，其中該第二pEPI區厚度為6-10nm，以及在該第二pEPI區上方的包含矽的覆蓋層；以及在該覆蓋層上包含矽化鈦的導電接點材料，其中使用該第二pEPI區與該覆蓋層導致1×10<sup>-9</sup>Ohm cm<sup>2</sup>的接觸電阻率。
如請求項1之積體電路結構，其中該第二pEPI區包含原子百分比為60%至低於100%的鍺與為1×10<sup>21</sup>/cm<sup>3</sup>的化學濃度的硼。
如請求項1之積體電路結構，其中該導電接點材料之該矽化鈦擴散到該第二pEPI區中小於2nm。
如請求項1之積體電路結構，其中該覆蓋層包含80%至100%的矽原子百分比。
如請求項1之積體電路結構，其中該覆蓋層更包含鍺與硼，其中鍺之原子百分比高達20%，以及硼的化學濃度為9×10<sup>20</sup>/cm<sup>3</sup>。
如請求項4之積體電路結構，更包含B<sub>11</sub>，位於該磊晶源極或汲極結構與該導電接點材料的邊界處。
如請求項1之積體電路結構，其中該第一pEPI區中該鍺之原子百分比為50-55%。
一種計算裝置，包含：板體；以及耦合至該板體的組件，該組件包括積體電路結構，其包含：在子鰭片上方的多個奈米線；在該子鰭片與該多個奈米線上方的閘極堆疊；在該多個奈米線相對端部上的磊晶源極或汲極結構，該磊晶源極或汲極結構包含：鍺和硼的第一PMOS磊晶(pEPI)區，在接點位置處該第一pEPI區上的矽、鍺和硼的第二pEPI區，其中該第二pEPI區厚度為6-10nm，以及在該第二pEPI區上方的包含矽的覆蓋層；以及在該覆蓋層上包含矽化鈦的導電接點材料，其中使用該第二pEPI區與該覆蓋層導致1×10<sup>-9</sup>Ohm cm<sup>2</sup>的接觸電阻率。
如請求項8之計算裝置，更包含：記憶體，耦合至該板體。
如請求項8之計算裝置，更包含：通訊晶片，耦合至該板體。
如請求項8之計算裝置，更包含：電池，耦合至該板體。
如請求項8之計算裝置，其中該組件是封裝積體電路晶粒。
一種積體電路結構，其包含：在PMOS區中子鰭片上方的多個奈米線；在該子鰭片與該多個奈米線上方的閘極堆疊；以及在該多個奈米線相對端部上的磊晶源極或汲極結構，該磊晶源極或汲極結構包含：鍺和硼的第一PMOS磊晶(pEPI)區，在接點位置處該第一pEPI區上的矽、鍺和硼的第二pEPI區，其中該第二pEPI區厚度為6-10nm，以及在該第二pEPI區上方的包含矽的覆蓋層；以及在該覆蓋層上包含矽化鈦的導電接點材料，其中使用該第二pEPI區與該覆蓋層導致1×10<sup>-9</sup>Ohm cm<sup>2</sup>的接觸電阻率。
如請求項13之積體電路結構，其中該第二pEPI區包含原子百分比為60%至低於100%的鍺與為1×10<sup>21</sup>/cm<sup>3</sup>的化學濃度的硼。
如請求項13之積體電路結構，其中該覆蓋層包含80%至100%的矽原子百分比，並且使得該導電接點材料之該矽化鈦擴散到該第二pEPI區中小於2nm。
一種計算裝置，包含：板體；以及耦合至該板體的組件，該組件包括積體電路結構，其包含：PMOS區，包含；在子鰭片上方的多個奈米線；在該子鰭片與該多個奈米線上方的閘極堆疊；以及在該多個奈米線相對端部上的磊晶源極或汲極結構，該磊晶源極或汲極結構包含：鍺和硼的第一PMOS磊晶(pEPI)區，在接點位置處該第一pEPI區上的矽、鍺和硼的第二pEPI區，其中該第二pEPI區厚度為6-10nm，以及在該第二pEPI區上方的包含矽的覆蓋層；以及在該覆蓋層上包含矽化鈦的導電接點材料，其中使用該第二pEPI區與該覆蓋層導致1×10<sup>-9</sup>Ohm cm<sup>2</sup>的接觸電阻率。
如請求項16之計算裝置，更包含：記憶體，耦合至該板體。
一種下線捲繞裝置，將下線自動地捲繞於線軸，具備有： <br/>線軸殼，具備： <br/>狹縫，從周壁部之端部切入； <br/>送線孔，設置於前述周壁部並且連通於前述狹縫；與 <br/>夾線彈簧，沿著前述周壁部之周圍彎曲並且安裝於周壁部而塞住前述送線孔， <br/>線軸，用於捲繞下線並且容置於前述線軸殼； <br/>供給機構，往前述線軸殼內之前述線軸送入下線並且可相對於線軸殼接近及離開移動； <br/>捲繞機構，使前述線軸旋轉以捲繞前述下線； <br/>線軸殼把持機構，把持前述線軸殼，並且在把持前述線軸殼的狀態下使其沿著前述線軸的旋轉軸移動； <br/>卡合機構，具備有勾線旋動板，前述勾線旋動板是可旋動地設置於前述線軸殼的周圍，且具有可與從前述線軸殼拉出之前述下線卡合的卡合溝部； <br/>線保持板，可相對於線軸殼接近及離開移動，且接近時，藉由保持溝部來限制從線軸殼拉出之前述下線的移動；及 <br/>控制部，控制前述供給機構、前述捲繞機構、前述線軸殼把持機構、前述卡合機構及前述線保持板之各自的驅動， <br/>在前述捲繞機構進行之前述下線往前述線軸的捲繞後，將從前述線軸拉出之下線，從前述線軸殼的前述狹縫導引至前述送線孔，並且可在前述下線夾持於前述周壁部與前述夾線彈簧之間的狀態下為已往前述線軸殼之外側拉出的狀態， <br/>前述下線捲繞裝置之特徵在於： <br/>前述線軸殼具備角部，前述角部具有：使下線插通的線插通孔與連通於前述線插通孔的插通路， <br/>前述控制部將前述供給機構相對於線軸殼離開移動，而令往前述線軸殼的外側拉出而往前述供給機構連接的前述下線為拉緊的狀態，並且使前述勾線旋動板旋動而使前述卡合溝部與前述下線卡合，並且藉由前述線軸殼把持機構使前述線軸殼移動， <br/>藉此使前述下線進入前述角部的前述插通路而往前述線插通孔插通。
如請求項1之下線捲繞裝置，其具備可擺動地設置有線保持板的保持機構，前述線保持板具有可保持前述下線的保持溝部， <br/>前述控制部在藉由前述卡合機構之前述勾線旋動板的前述卡合溝部使前述下線卡合時，控制前述保持機構的驅動，使前述線保持板擺動，並使前述下線從與前述卡合溝部相反的相反側保持於前述保持溝部。
如請求項1之下線捲繞裝置，其中前述線軸殼是半迴轉釜式縫紉機用。
如請求項2之下線捲繞裝置，其中前述線軸殼是半迴轉釜式縫紉機用。
如請求項1至4中任一項之下線捲繞裝置，其中於前述角部，藉由以將前端變圓的方式折返而與根部對接，形成前述線插通孔，且於前述根部與折返部分的抵接處設置有前述插通路。
如請求項1至4中任一項之下線捲繞裝置，其中前述線軸殼具備具有前述插通路的前述角部，前述插通路是由互相插入的凹部與凸部的間隙構成。
如請求項1至4中任一項之下線捲繞裝置，其中前述線軸殼具備可擺動的可動桿，且具有藉由前述可動桿擺動來開閉前述插通路的角部。
如請求項1至4中任一項之下線捲繞裝置，更具備固定刀部，前述固定刀部是藉由設置於旋動之前述勾線旋動板的活動刀部相接，切斷通過與前述活動刀部之間的前述下線， <br/>於前述勾線旋動板，在與旋動方向中設置有前述卡合溝部之側相反的相反側，形成有第1勾線V溝與第2勾線V溝，前述第1勾線V溝是形成於前述下線插通於前述線軸殼之前述角部之前述插通路時前述下線會通過的位置，前述第2勾線V溝是形成於前述下線未插通於前述線軸殼之前述角部之前述插通路時前述下線會通過的位置，前述活動刀部是設置於前述第1勾線V溝的前端， <br/>當前述下線插通於前述線軸殼之前述角部的前述插通路時，前述下線藉由前述第1勾線V溝被導引往前述活動刀部，藉由該活動刀部與前述固定刀部切斷， <br/>當前述下線未插通於前述線軸殼之前述角部的前述插通路時，前述下線被前述第2勾線V溝導引往前述勾線旋動板中與前述活動刀部不同的位置，而無法被該活動刀部與前述固定刀部切斷。
如請求項8之下線捲繞裝置，其中前述供給機構具備監視前述下線之供給的感測器，當藉由前述感測器檢出了前述下線未被插通於前述線軸殼的前述角部時，則再度將使前述下線插入前述角部之前述插通路而往前述線插通孔插通，實施切線。
一種感光性樹脂組合物，其包含含有由以下式（I）至式（VI）所表示之重複單元之至少一者的鹼溶性樹脂、咔哚系（cardo-based）光聚合性化合物、多官能丙烯酸酯光聚合性化合物、光聚合起始劑以及溶劑，<br/> 其中，以感光性樹脂組合物中的總固含量為100重量%計，該鹼溶性樹脂的含量為10至70重量%，該咔哚系光聚合性化合物的含量為5至50重量%，該多官能丙烯酸酯光聚合性化合物的含量為5至80重量%，且該光聚合起始劑的含量為1至15重量%，<br/> 其中，以100重量份之該鹼溶性樹脂計，該咔哚系光聚合性化合物的含量為30至70重量份，且該多官能丙烯酸酯光聚合性化合物的含量為30至120重量份，<br/> 其中，由該感光性樹脂組合物所獲得的固化塗布膜（cured coating film）在550奈米的波長下表現出1.60或更高的折射率：<br/><img align="absmiddle" height="85px" width="421px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（I）<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="385px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（II）<br/><img align="absmiddle" height="77px" width="387px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（III）<br/><img align="absmiddle" height="76px" width="380px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（IV）<br/><img align="absmiddle" height="45px" width="186px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（V）<br/><img align="absmiddle" height="60px" width="186px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>（VI）<br/> 其中，<br/> X及X'各自獨立為單鍵、-CO-、-SO<sub>2</sub>-、-C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-CH<sub>2</sub>-、-C(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-、-O-、<img align="absmiddle" height="60px" width="92px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="60px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="67px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="65px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="75px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="65px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="94px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="33px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="39px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="39px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="39px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="40px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 或<img align="absmiddle" height="51px" width="75px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> Y係酸酐的殘基；<br/> Z係酸二酐的殘基；<br/> R'係氫原子、乙基、苯基、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>Cl、-C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>OH或-CH<sub>2</sub>CH=CH<sub>2</sub>，<br/> R1、R1'、R2、R2'、R3、R3'、R4、R4'、R5、R5'、R6及R6'各自獨立為氫原子或甲基；<br/> R7、R7'、R8及R8'各自獨立為C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>的伸烷基，其中該伸烷基係插入有酯鍵、C<sub>6</sub>至C<sub>14</sub>的伸環烷基、及伸芳基之至少一者或沒有插入；<br/> R9、R9'、R10、R10'、R11、R11'、R12及R12'各自獨立為氫原子、鹵素原子或C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>的烷基；<br/> m及n各自獨立為1至30的整數；<br/> t及u各自獨立為0至1的整數；<br/> P各自獨立為<img align="absmiddle" height="40px" width="50px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="59px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="50px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="50px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="38px" width="55px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R13及R14各自獨立為氫原子、羥基、硫醇基、胺基、硝基或鹵素原子；<br/> Ar1各自獨立為芳基；<br/> Y'係酸酐的殘基；<br/> Z'係酸二酐的殘基；<br/> A係O、S、NR'、Si(R')<sub>2</sub>或Se；<br/> a及b各自獨立為1至6的整數；以及<br/> p及q各自獨立為1至30的整數。
如請求項1所述之感光性樹脂組合物，其中，該酸酐係選自以下群組：順丁烯二酸酐、琥珀酸酐、伊康酸酐、酞酸酐、四氫酞酸酐（tetrahydrophthalic anhydride）、六氫酞酸酐、甲基內亞甲基四氫酞酸酐（methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride）、氯橋酐及甲基四氫酞酸酐。
如請求項1所述之感光性樹脂組合物，其中，該酸二酐係選自以下群組：焦蜜石酸二酐、二苯基酮四羧酸二酐（benzophenonetetracarboxylic dianhydride）、聯苯四羧酸二酐以及聯苯醚四羧酸二酐（biphenylethertetracarboxylic dianhydride）。
如請求項1所述之感光性樹脂組合物，其中，該咔哚系光聚合性化合物包含由以下式（VII）至式（IX）中任一者所表示的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="108px" width="166px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （VII）<br/><img align="absmiddle" height="148px" width="276px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （VIII）<br/><img align="absmiddle" height="95px" width="161px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （IX）<br/> 其中，R15及R16各自獨立為氫原子、羥基、硫醇基、胺基、硝基、鹵素原子或具有不飽和雙鍵的2至20個碳的聚合性官能基，並且R15及R16之至少一者係具有不飽和雙鍵的2至20個碳的聚合性官能基。
如請求項4所述之感光性樹脂組合物，其中R15及R16各自獨立為氫原子、羥基、硫醇基、胺基、硝基、鹵素原子或<img align="absmiddle" height="28px" width="93px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，並且R15及R16之至少一者係<img align="absmiddle" height="28px" width="93px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> R17係C<sub>1</sub>至C<sub>6</sub>的伸烷基，並且該伸烷基係插入有酯鍵、C<sub>6</sub>至C<sub>14</sub>的伸環烷基、及伸芳基之至少一者或沒有插入；以及<br/> R18係氫原子或甲基。
如請求項1所述之感光性樹脂組合物，其進一步包含多官能硫醇化合物。
如請求項1所述之感光性樹脂組合物，其不包含無機粒子。
一種利用如請求項1至7中任一項所述之感光性樹脂組合物所形成之突出圖案（protrusion pattern）。
一種包含如請求項8所述之突出圖案的顯示裝置。
一種光伏燒結爐（100），包括：<br/> 爐帶（10），所述爐帶（10）用於傳輸被加工工件，所述爐帶（10）在移動中會增加長度，所述爐帶（10）的長度的增加會改變所述爐帶（10）的張緊度，<br/> 傳動裝置（1），所述傳動裝置（1）被配置為支承所述爐帶（10）並且驅動所述爐帶（10）行進以傳輸所述被加工工件，<br/> 其中所述光伏燒結爐（100）包括：<br/> 調節輪（2），所述調節輪（2）和所述爐帶（10）接觸，所述調節輪（2）被配置為可移動以調節所述爐帶（10）的張緊度，<br/> 調節裝置（3），所述調節裝置（3）用於調節所述調節輪（2）的位置，<br/> 第一感測器（501），所述第一感測器（501）被配置為檢測所述爐帶（10）的長度變化，所述爐帶（10）的長度變化會導致所述爐帶（10）的張緊度變化，<br/> 第二感測器（502），所述第二感測器（502）被配置為檢測所述爐帶（10）的行進速度。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述光伏燒結爐（100）還包括阻止裝置（301），所述阻止裝置（301）與所述調節輪（2）接觸，所述阻止裝置（301）被配置為在固定所述調節輪（2）的緊韌體（1003a，1003b）鬆掉後，所述調節輪（2）也不會向放鬆所述爐帶（10）的方向運動，<br/> 所述阻止裝置（301）被配置為可移動，以使得所述調節輪（2）隨著所述阻止裝置（301）的移動而移動，所述阻止裝置（301）使得所述調節輪（2）只能向張緊所述爐帶（10）的方向移動，而不能向放鬆所述爐帶（10）的方向運動。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述第一感測器（501）和所述第二感測器（502）的輸出信號用於指示需要調節所述爐帶（10）的張緊度。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述光伏燒結爐（100）還包括警報裝置（6），所述警報裝置（6）被配置為根據所述第一感測器（501）的輸出信號及/或所述第二感測器（502）的輸出信號發出警報。
如請求項4之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述光伏燒結爐（100）還包括顯示器（7）和控制器（8），<br/> 所述控制器（8）與所述第一感測器（501）和所述第二感測器（502）相連，所述控制器（8）還與所述警報裝置（6）和所述顯示器（7）相連，<br/> 其中所述控制器（8）被配置為根據所述第一感測器（501）的輸出信號及/或所述第二感測器（502）的輸出信號，產生控制信號以控制所述警報裝置（6）發出警報，提示操作員調節所述爐帶（10）的張緊度，<br/> 所述控制器（8）被配置為根據所述第一感測器（501）的輸出信號及/或所述第二感測器（502）的輸出信號，控制所述顯示器（7）顯示資訊以指示是否需要調節所述爐帶（10）的張緊度。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述爐帶（10）具有預定的張緊度，<br/> 所述調節輪（2）將所述爐帶（10）調節到所述預定的張緊度。
如請求項2之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述調節輪（2）包括兩個相對設置的端部，所述調節輪（2）被配置為可移動以使所述爐帶（10）被張緊，<br/> 所述調節裝置（3）包括一對調節螺栓（301a，301b）和一對固定的調節螺栓配合件（302a，302b），所述調節螺栓配合件（302a，302b）具有與所述調節螺栓（301a，301b）配合連接的螺紋，所述一對調節螺栓（301a，301b）之每一者調節螺栓可旋入所述一對調節螺栓配合件（302a，302b）中的相應一個調節螺栓配合件中以進行移動，其中所述阻止裝置（301）是所述調節螺栓，<br/> 所述一對調節螺栓（301a，301b）中的每一個調節螺栓被配置為分別抵靠所述調節輪（2）的所述兩個端部中的一個相應端部，並且所述一對調節螺栓（301a，301b）被配置為可移動以使所述調節輪（2）的端部移動，進而使得所述調節輪（2）移動。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述調節裝置（3）還包括一對刻度尺（303a，303b），所述一對刻度尺（303a，303b）用於標識所述調節輪（2）的兩個端部的調節位置。
如請求項8之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述一對刻度尺（303a，303b）位於相同的高度且取向相同，所述一對刻度尺（303a，303b）中的每一個分別靠近所述調節輪（2）的兩個端部中的相應一個，所述一對刻度尺（303a，303b）中的每一個都包括刻度線，用於分別指示所述調節輪（2）的相應端部所在的位置，從而可以指示所述調節輪（2）是否保持水平。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述傳動裝置（1）還包括壓緊輪（4），所述壓緊輪（4）與所述爐帶（10）接觸，所述壓緊輪（4）被配置為隨著所述爐帶（10）的長度變化而移動，<br/> 所述第一感測器（501）被配置為檢測所述壓緊輪（4）的位置變化。
如請求項10之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述第一感測器（501）包括位置感測器，並且所述第一感測器（501）被配置為檢測所述壓緊輪（4）的位置變化以判斷所述爐帶（10）的長度變化。
如請求項10之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述第一感測器（501）還被配置為檢測所述壓緊輪（4）的位置以指示所述調節輪（2）是否移動到合適位置以使所述爐帶（10）被恰當地張緊。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述被加工工件包括晶片。
如請求項1之光伏燒結爐（100），其中：<br/> 所述爐帶（10）是網帶，所述爐帶（10）是不銹鋼爐帶，<br/> 所述光伏燒結爐（100）通過移動所述調節輪（2）來調節所述爐帶（10）的張緊度，從而能夠通過不剪爐帶（10）來實現所述爐帶（10）的張緊度的調節。
一種用於調節光伏燒結爐（100）的爐帶（10）的方法，包括在爐帶（10）變長時使用如請求項1-14之光伏燒結爐（100）來調節爐帶（10）。
一種液體供應裝置，具有： <br/>一泵單元，設置有多個泵構件，該等泵構件分別使一泵室膨脹和收縮； <br/>一殼體，組裝有多個驅動桿，該等驅動桿以不同的時機驅動該等泵構件； <br/>一驅動滾輪，設置在該等驅動桿上，該驅動滾輪以相對於該等驅動桿作往復運動方向為橫向的旋轉中心軸為中心進行旋轉； <br/>一凸輪構件，與該驅動滾輪接觸的一凸輪面設置在一端面上，該凸輪構件被一旋轉驅動源驅動，以與該等驅動桿作往復運動方向平行的旋轉中心軸為中心進行旋轉； <br/>一磁鐵，設置於該凸輪構件的外周部；以及 <br/>一磁傳感器，設置於該殼體，該磁傳感器感應於該磁鐵的磁力而輸出旋轉信號。
如請求項1所述的液體供應裝置，其中， <br/>在該殼體上設置有一觀察窗，用於從該殼體的外部觀察確認設置有該磁鐵的該凸輪構件的該外周部。
如請求項1所述的液體供應裝置，其中， <br/>該凸輪構件由一磁性材料製成， <br/>具有用於覆蓋該磁鐵並且由非磁性材料製成的一磁鐵保持架，該磁鐵形成的磁場穿過該磁鐵保持架而施加到該磁傳感器。
如請求項1所述的液體供應裝置，其中， <br/>該殼體具有兩個該驅動桿，在各個該驅動桿上設置的該驅動滾輪的旋轉中心軸為同軸， <br/>該凸輪面具有：朝向該殼體突出的一突出面、從該突出面沿旋轉方向偏離180度且相對於該突出面退避的位置上的一退避面、以及位於該突出面與該退避面之間的一傾斜面， <br/>在設置有該突出面的該凸輪構件的一厚壁部中配置有該磁鐵。
如請求項1所述的液體供應裝置，其中， <br/>該泵構件是在與該殼體上所形成的凹面之間形成該泵室的一波紋管，該波紋管具有：夾持在該泵單元與該殼體之間的一環狀基部、安裝該等驅動桿且能往復運動的一頭部、以及位於該環狀基部與該頭部之間的一蛇腹部。
如請求項1所述的液體供應裝置，其中， <br/>在該殼體上安裝有用於引導該等驅動桿自如地往復運動的一引導氣缸， <br/>在設置有該驅動滾輪的支撐軸的兩端設置有一引導滾輪， <br/>在該引導氣缸上設置有用於引導該引導滾輪的一引導槽。
一種物品容置設備，其具有以下特徵： <br/>具備： <br/>容置架，具備複數個容置物品的容置部； <br/>入庫部，從外部搬送裝置接收前述物品，並保持複數個前述物品； <br/>第1內部搬送裝置，沿著沿前述容置架的前面設定的搬送路徑移動，在包含前述入庫部與前述容置架的至少一部分的前述容置部的第1搬送範圍內進行前述物品的搬送； <br/>第2內部搬送裝置，沿著前述搬送路徑移動，在第2搬送範圍內進行前述物品的搬送，前述第2搬送範圍包含前述容置架的至少一部分的前述容置部，並且不包含前述入庫部；及 <br/>控制系統，控制前述第1內部搬送裝置及前述第2內部搬送裝置， <br/>前述第1搬送範圍的一部分與前述第2搬送範圍的一部分是設定為重疊， <br/>前述控制系統是進行範圍調整處理，前述範圍調整處理是隨著基準物品數變多而縮小前述第1搬送範圍，前述基準物品數是依據正保持在前述入庫部的前述物品的個數即保持物品數來決定。
如請求項1之物品容置設備，其中前述控制系統是在前述範圍調整處理中，因應於縮小前述第1搬送範圍而加大前述第2搬送範圍。
如請求項1或2之物品容置設備，其中將前述入庫部可保持的前述物品的最大個數設為保持上限數， <br/>前述控制系統可以將前述第1搬送範圍設定變更為通常的大小的通常範圍與比前述通常範圍更小的限制範圍，在前述範圍調整處理中，在前述基準物品數小於前述保持上限數的情況下，將前述第1搬送範圍設定為前述通常範圍，在前述基準物品數為前述保持上限數以上的情況下，將前述第1搬送範圍設定為前述限制範圍。
如請求項1或2之物品容置設備，其中前述基準物品數為前述保持物品數。
如請求項1或2之物品容置設備，其中將前述外部搬送裝置所進行之往前述入庫部搬送中的前述物品的個數即搬送中物品數加上前述保持物品數的數量，設為保持預定物品數， <br/>前述基準物品數為前述保持預定物品數。
如請求項1或2之物品容置設備，其中前述控制系統是對前述第1內部搬送裝置及前述第2內部搬送裝置的每一個分配前述物品的搬送指令，以1個前述搬送指令來搬送1個前述物品，在已分配給前述第2內部搬送裝置的前述搬送指令的個數為規定的閾值以上的情況下，則不進行前述範圍調整處理。
如請求項1或2之物品容置設備，其中在相鄰於前述搬送路徑的位置上配置有移交部， <br/>前述移交部是使用於在進行對前述物品之處理的處理裝置、以及前述第1內部搬送裝置或前述第2內部搬送裝置之間的前述物品的移交， <br/>前述第2搬送範圍是設定為包含前述移交部。
如請求項1或2之物品容置設備，其更具備出庫部，前述出庫部是保持已從前述第1內部搬送裝置接收到的前述物品，並將該物品交付至前述外部搬送裝置， <br/>將前述入庫部可保持的前述物品的最大個數設為保持上限數， <br/>前述控制系統是在前述基準物品數為前述保持上限數以上的情況下，相較於前述物品從前述容置部往前述出庫部的搬送處理、及前述物品從前述容置部往其他前述容置部的搬送處理，使前述第1內部搬送裝置更優先進行前述物品從前述入庫部往前述容置部的搬送處理。
一種半導體器件，包括：<br/> 基底，具有第一導電型；<br/> 第一重摻雜區，位於所述基底中並且具有第二導電型；<br/> 第二重摻雜區，位於所述基底中，與所述第一重摻雜區隔開並且具有所述第二導電型；<br/> 通道區，位於所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之間的所述基底中；<br/> 閘極，設置於所述通道區上；<br/> 硬遮罩層，覆蓋所述閘極的頂面和側壁，其中，所述閘極是多晶矽閘極，且所述硬遮罩層與所述多晶矽閘極直接接觸，其中，所述硬遮罩層是雙層結構，包含氮化矽下層和氧化矽上層，且所述氮化矽下層的側壁與所述氧化矽上層的側壁是齊平的；以及<br/> 側壁子，設置於所述硬遮罩層的側壁上，其中，所述側壁子直接接觸所述氮化矽下層的側壁和所述氧化矽上層的側壁。
根據請求項1所述的半導體器件，其中，所述氮化矽下層的厚度為200埃。
根據請求項2所述的半導體器件，其中，所述氧化矽上層的厚度為700埃。
根據請求項1所述的半導體器件，其中，所述側壁子包括氮化矽側壁子。
根據請求項4所述的半導體器件，其中，所述側壁子還包括氧化矽側壁子。
根據請求項1所述的半導體器件，其中，還包括：<br/> 井，位於所述基底中並且具有所述第一導電型；<br/> 第一漂移區，設置於所述井中並且具有所述第二導電型，其中，所述第一重摻雜區設置於所述第一漂移區中並且鄰近所述側壁子；以及<br/> 第二漂移區，設置於所述井中並且具有所述第二導電型，其中，所述第二重摻雜區設置於所述第二漂移區內並且鄰近所述側壁子。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型。
一種製作半導體器件的方法，包括：<br/> 提供具有第一導電型的基底；<br/> 於所述基底中形成具有第二導電型的第一重摻雜區；<br/> 於所述基底中形成具有所述第二導電型的第二重摻雜區，並且所述第二重摻雜區與所述第一重摻雜區隔開；<br/> 於所述第一重摻雜區和所述第二重摻雜區之間的所述基底中形成通道區；<br/> 於所述通道區上形成閘極；<br/> 形成硬遮罩層，覆蓋所述閘極的頂面和側壁，其中，所述閘極是多晶矽閘極，且所述硬遮罩層與所述多晶矽閘極直接接觸，其中，所述硬遮罩層是雙層結構，包含氮化矽下層和氧化矽上層，且所述氮化矽下層的側壁與所述氧化矽上層的側壁是齊平的；以及<br/> 於所述硬遮罩層的側壁上形成側壁子，其中，所述側壁子直接接觸所述氮化矽下層的側壁和所述氧化矽上層的側壁。
根據請求項8所述的方法，其中，所述氮化矽下層的厚度為200埃。
根據請求項9所述的方法，其中，所述氧化矽上層的厚度為700埃。
根據請求項8所述的方法，其中，所述側壁子包括氮化矽側壁子。
根據請求項11所述的方法，其中，所述側壁子還包括氧化矽側壁子。
根據請求項8所述的方法，其中，還包括：<br/> 於所述基底中形成具有所述第一導電型的井；<br/> 於所述井中形成具有所述第二導電型的第一漂移區，其中，所述第一重摻雜區設置於所述第一漂移區中並且鄰近所述側壁子；以及<br/> 於所述井中形成具有所述第二導電型的第二漂移區，其中，所述第二重摻雜區設置於所述第二漂移區內並且鄰近所述側壁子。
根據請求項8所述的方法，其中，所述第一導電型為P型，所述第二導電型為N型。
一種光學玻璃，其組分以重量百分比表示，含有：P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：10～30%；Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：16～35%；Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：20～40%；WO<sub>3</sub>：5～20%；TiO<sub>2</sub>：0～10%；Na<sub>2</sub>O：0～10%；Li<sub>2</sub>O：0～10%；K<sub>2</sub>O：0～10%，其中，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>為0.5～1.5，TiO<sub>2</sub>/（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）為0～0.38，所述光學玻璃的折射率n<sub>d</sub>為1.88～1.96；阿貝數ν<sub>d</sub>為25以下。
如請求項1所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，還含有：B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～8%；或RO：0～10%；或SiO<sub>2</sub>：0～5%；或ZrO<sub>2</sub>：0～5%；或Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～5%；或Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～8%；或GeO<sub>2</sub>：0～5%；或澄清劑：0～1%，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種，Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一種或多種，澄清劑為Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SnO<sub>2</sub>、SnO、CeO<sub>2</sub>中的一種或多種。
一種光學玻璃，其含有P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、WO<sub>3</sub>和Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>作為必要組分，其組分以重量百分比表示，其中，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>為0.5～1.5，TiO<sub>2</sub>/（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）為0～0.38，所述光學玻璃的折射率n<sub>d</sub>為1.88～1.96，阿貝數ν<sub>d</sub>為25以下，熱膨脹係數α<sub>-30/70</sub><sub>℃</sub>為100×10<sup>-7</sup>/K以下。
如請求項3所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，含有：P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：10～30%；或Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：16～35%；或Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：20～40%；或WO<sub>3</sub>：5～20%；或TiO<sub>2</sub>：0～10%；或B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～8%；或Li<sub>2</sub>O：0～10%；或Na<sub>2</sub>O：0～10%；或K<sub>2</sub>O：0～10%；或RO：0～10%；或SiO<sub>2</sub>：0～5%；或ZrO<sub>2</sub>：0～5%；或Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～5%；或Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～8%；或GeO<sub>2</sub>：0～5%；或澄清劑：0～1%，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種，Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一種或多種，澄清劑為Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SnO<sub>2</sub>、SnO、CeO<sub>2</sub>中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，滿足以下8種情形中的一種或多種：<br/> 1）Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>為0.6～1.2；<br/> 2）（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）/（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）為0.4～1.5；<br/> 3）（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）為0.4～1.5；<br/> 4）WO<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.2～1.0；<br/> 5）P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）為0.3～1.2；<br/> 6）（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.05～1.0；<br/> 7）RO/Li<sub>2</sub>O為1.0以下；<br/> 8）（Na<sub>2</sub>O+TiO<sub>2</sub>）/WO<sub>3</sub>為0.1～2.0；<br/> 所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，滿足以下9種情形中的一種或多種：<br/> 1）Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>為0.65～1.15；<br/> 2）（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）/（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）為0.6～1.2；<br/> 3）（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）為0.5～1.2；<br/> 4）WO<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.25～0.8；<br/> 5）P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）為0.4～1.0；<br/> 6）（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.1～0.8；<br/> 7）TiO<sub>2</sub>/（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）為0.02～0.38；<br/> 8）RO/Li<sub>2</sub>O為0.7以下；<br/> 9）（Na<sub>2</sub>O+TiO<sub>2</sub>）/WO<sub>3</sub>為0.2～1.5，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，滿足以下9種情形中的一種或多種：<br/> 1）Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>為0.7～1.1；<br/> 2）（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）/（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）為0.72～1.0；<br/> 3）（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）為0.6～1.0；<br/> 4）WO<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.3～0.6；<br/> 5）P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）為0.45～0.9；<br/> 6）（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.15～0.6；<br/> 7）TiO<sub>2</sub>/（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）為0.05～0.38；<br/> 8）RO/Li<sub>2</sub>O為0.5以下；<br/> 9）（Na<sub>2</sub>O+TiO<sub>2</sub>）/WO<sub>3</sub>為0.3～1.2，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，滿足以下8種情形中的一種或多種：<br/> 1）（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）/（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）為0.75～0.92；<br/> 2）（WO<sub>3</sub>+Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>）為0.7～1.0；<br/> 3）WO<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.35～0.46；<br/> 4）P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/（Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>+TiO<sub>2</sub>）為0.5～0.8；<br/> 5）（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）/Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為0.2～0.5；<br/> 6）TiO<sub>2</sub>/（Li<sub>2</sub>O+Na<sub>2</sub>O+K<sub>2</sub>O）為0.1～0.38；<br/> 7）RO/Li<sub>2</sub>O為0.4以下；<br/> 8）（Na<sub>2</sub>O+TiO<sub>2</sub>）/WO<sub>3</sub>為0.4～1.0，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，含有：P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：15～25%；或Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：18～32%；或Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：25～35%；或WO<sub>3</sub>：7～17%；或TiO<sub>2</sub>：0.5～8%；或B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～5%；或Li<sub>2</sub>O：0.5～8%；或Na<sub>2</sub>O：1～8%；或K<sub>2</sub>O：0～8%；或RO：0～8%；或SiO<sub>2</sub>：0～3%；或ZrO<sub>2</sub>：0～3%；或Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～3%；或Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～5%；或GeO<sub>2</sub>：0～3%；或澄清劑：0～0.5%，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種，Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一種或多種，澄清劑為Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SnO<sub>2</sub>、SnO、CeO<sub>2</sub>中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，其組分以重量百分比表示，含有：P<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：17～23%；或Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：22～29.5%；或Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>：27～33%；或WO<sub>3</sub>：9～15%；或TiO<sub>2</sub>：1～5%；或B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～3%；或Li<sub>2</sub>O：1～5%；或Na<sub>2</sub>O：2～7%；或K<sub>2</sub>O：0～5%；或RO：0～4%；或SiO<sub>2</sub>：0～2%；或ZrO<sub>2</sub>：0～2%；或Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～2%；或Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>：0～3%；或GeO<sub>2</sub>：0～2%；或澄清劑：0～0.2%，所述RO為MgO、CaO、SrO、BaO、ZnO中的一種或多種，Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>為La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一種或多種，澄清劑為Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、SnO<sub>2</sub>、SnO、CeO<sub>2</sub>中的一種或多種。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，所述光學玻璃的阿貝數ν<sub>d</sub>為15～25。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，所述光學玻璃的折射率n<sub>d</sub>為1.91～1.94；阿貝數ν<sub>d</sub>為18～22。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，所述光學玻璃的耐酸作用穩定性D<sub>A</sub>為2類以上；或耐水作用穩定性D<sub>W</sub>為2類以上；或熱膨脹係數α<sub>-30/70</sub><sub>℃</sub>為100×10<sup>-7</sup>/K以下；或轉變溫度T<sub>g</sub>為500℃以下；或磨耗度F<sub>A</sub>為310～400；或λ<sub>70</sub>為480nm以下；或λ<sub>5</sub>為410nm以下；或楊氏模量E為8000×10<sup>7</sup>/Pa以上；或密度ρ為4.70g/cm<sup>3</sup>以下；或析晶上限溫度為1000℃以下。
如請求項1至4中任一項所述的光學玻璃，其中，所述光學玻璃的耐酸作用穩定性D<sub>A</sub>為1類；或耐水作用穩定性D<sub>W</sub>為1類；或熱膨脹係數α<sub>-30/70</sub><sub>℃</sub>為90×10<sup>-7</sup>/K以下；或轉變溫度T<sub>g</sub>為480℃以下；或磨耗度F<sub>A</sub>為340～370；或λ<sub>70</sub>為460nm以下；或λ<sub>5</sub>為395nm以下；或楊氏模量E為8700×10<sup>7</sup>/Pa～9500×10<sup>7</sup>/Pa；或密度ρ為4.50g/cm<sup>3</sup>以下；或析晶上限溫度為950℃以下。
一種玻璃預製件，其採用如請求項1至14中任一項所述的光學玻璃製成。
一種光學元件，其採用如請求項1至14中任一項所述的光學玻璃或如請求項15所述的玻璃預製件製成。
一種光學儀器，其含有如請求項1至14中任一項所述的光學玻璃，和/或含有如請求項16所述的光學元件。
一種電漿處理裝置，具備：電漿處理室；基板支持部，配置在該電漿處理室內；及偏壓產生部； <br/>該基板支持部，包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置在該基座上，具有基板支持面及環支持面，並具有：複數之第一縱孔，分別從該基板支持面朝下方在縱向延伸；及複數之第二縱孔，分別從該環支持面朝下方在縱向延伸； <br/>至少一環狀構件，以包圍該基板支持面上之基板的方式，配置在該環支持面上； <br/>靜電電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該基板支持面之下方； <br/>第一及第二中央偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該靜電電極層之下方；該第二中央偏壓電極層配置在該第一中央偏壓電極層之下方； <br/>複數之第一縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該第一縱孔之方式，於該第一縱孔之附近在縱向延伸，各該第一縱連接件分別電性連接該第一中央偏壓電極層與該第二中央偏壓電極層； <br/>第一及第二環狀偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該環支持面之下方；該第一環狀偏壓電極層電性連接於該第二中央偏壓電極層；該第二環狀偏壓電極層配置在該第一環狀偏壓電極層之下方；及 <br/>複數之第二縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該第二縱孔之方式，於該第二縱孔之附近在縱向延伸，分別電性連接該第一環狀偏壓電極層與該第二環狀偏壓電極層； <br/>該偏壓產生部，電性連接於該第二環狀偏壓電極層，產生偏壓信號。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該第一縱連接件與該第一縱孔之間的距離，為0.2～20mm。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該第二環狀偏壓電極層與該陶瓷構件之底面之間的距離，在1.5mm以下。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該第一環狀偏壓電極層，藉由在縱向延伸之至少一第三縱連接件，而電性連接於該第二中央偏壓電極層。
如請求項4之電漿處理裝置，其中， <br/>該第三縱連接件，電性連接該第一中央偏壓電極層、該第二中央偏壓電極層、與該第一環狀偏壓電極層。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數之第一縱連接件及該複數之第二縱連接件，分別具有複數之配線構件，該複數之配線構件以包圍該第一縱孔或該第二縱孔之周面之方式均等配置。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數之第一縱連接件及該複數之第二縱連接件，分別具有複數之圓弧狀構件，該複數之圓弧狀構件以包圍該第一縱孔或該第二縱孔之周面之方式均等配置。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數之第一縱連接件及該複數之第二縱連接件，分別形成圓筒狀，該圓筒狀以包圍該第一縱孔或該第二縱孔之周面之方式構成。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持面位在高於該環支持面之位置，該第一環狀偏壓電極層配置在低於該第二中央偏壓電極層之位置。
如請求項9之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持部包含：至少一中央加熱器電極層，其埋設於該陶瓷構件內，配置在該基板支持面之下方； <br/>該至少一中央加熱器電極層，配置在低於該第一環狀偏壓電極層且高於該第二環狀偏壓電極層之位置。
如請求項9之電漿處理裝置，其中， <br/>該基板支持部包含：至少一環狀加熱器電極層，其埋設於該陶瓷構件內，配置在該環支持面之下方； <br/>該至少一環狀加熱器電極層，配置在低於該第一環狀偏壓電極層且高於該第二環狀偏壓電極層之位置。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該複數之第一縱孔，從該基板支持面延伸至該陶瓷構件之底面為止。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該陶瓷構件具有： <br/>氣體分配空間，形成於較該第二中央偏壓電極層更低之位置；及 <br/>氣體入口，從該陶瓷構件之底面延伸至該氣體分配空間為止； <br/>該複數之第一縱孔，從該基板支持面延伸至該氣體分配空間為止。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該偏壓產生部，產生具有1.2MHz以下之頻率的偏壓射頻信號。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該偏壓產生部，產生具有100kHz～500kHz之頻率的偏壓射頻信號。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中， <br/>該偏壓產生部，產生基於直流的電壓脈衝。
如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其更具備： <br/>追加之中央偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在較該第一中央偏壓電極層更上方； <br/>該追加之中央偏壓電極層，藉由該第一縱連接件，而電性連接於該第一中央偏壓電極層。
如請求項17之電漿處理裝置，其中， <br/>該追加之中央偏壓電極層，位在和該靜電電極層相同之高度，並與該靜電電極層電性分離。
一種電漿處理裝置，具備：電漿處理室；基板支持部，配置在該電漿處理室內；及偏壓產生部； <br/>該基板支持部，包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置在該基座上，具有基板支持面，並具有從該基板支持面朝下方在縱向延伸的複數之縱孔； <br/>靜電電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該基板支持面之下方； <br/>第一及第二偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該靜電電極層之下方；該第二偏壓電極層配置在該第一偏壓電極層之下方；及 <br/>複數之縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該縱孔之方式，於該縱孔之附近在縱向延伸，各該縱連接件電性連接該第一偏壓電極層與該第二偏壓電極層； <br/>該偏壓產生部，電性連接於該第二偏壓電極層，產生偏壓信號。
一種電漿處理裝置，具備：電漿處理室；基板支持部，配置在該電漿處理室內；及至少一電源； <br/>電漿處理室； <br/>該基板支持部，包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置在該基座上，具有基板支持面，並具有從該基板支持面朝下方在縱向延伸的複數之縱孔； <br/>第一電極層，埋設於該陶瓷構件內； <br/>第二電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該第一電極層之下方；及 <br/>複數之縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該縱孔之方式， <br/>於該縱孔之附近在縱向延伸，各該縱連接件電性連接該第一電極層與該第二電極層；及 <br/>該至少一電源，電性連接於該第二電極層。
如請求項20之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一電源，包含射頻電源及直流電源其中至少一者。
如請求項20之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一電源，包含射頻電源及直流電源。
一種電漿處理裝置，具備：電漿處理室；基板支持部，配置在該電漿處理室內；及偏壓產生部； <br/>該基板支持部，包含： <br/>基座； <br/>陶瓷構件，配置在該基座上，具有基板支持面及環支持面，並具有： <br/>複數之第一縱孔，分別從該基板支持面朝下方在縱向延伸；及 <br/>複數之第二縱孔，分別從該環支持面朝下方在縱向延伸； <br/>至少一環狀構件， 以包圍該基板支持面上之基板的方式，配置在該環支持面上； <br/>靜電電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該基板支持面之下方； <br/>第一及第二圓形偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該靜電電極層之下方；該第二圓形偏壓電極層配置在該第一圓形偏壓電極層之下方； <br/>複數之第一縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該第一縱孔之方式，於該第一縱孔之附近在縱向延伸，各該第一縱連接件電性連接該第一圓形偏壓電極層與該第二圓形偏壓電極層； <br/>第三圓形偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該第二圓形偏壓電極層之下方；該第三圓形偏壓電極層之中央區域，和該第二圓形偏壓電極層在縱向重疊，該第三圓形偏壓電極層之外側區域，和該環支持面在縱向重疊；該第三圓形偏壓電極層電性連接於該第二圓形偏壓電極層； <br/>環狀偏壓電極層，埋設於該陶瓷構件內，配置在該第三圓形偏壓電極層之下方；及 <br/>複數之第二縱連接件，埋設於該陶瓷構件內，以俯視觀察時包圍該第二縱孔之方式，於該第二縱孔之附近在縱向延伸，各該第二縱連接件電性連接該第三圓形偏壓電極層與該環狀偏壓電極層； <br/>該偏壓產生部，電性連接於該環狀偏壓電極層，產生偏壓信號。
一種雙面金屬氧化物半導體（MOS）積體電路（IC），其包括：<br/> 一隔離層（502），該隔離層沿一第一方向和一第二方向延伸，並且將該MOS IC分隔成一MOS IC正面和一MOS IC背面，該MOS IC具有在該第一方向上彼此相鄰的一第一子部分（374，1A）和一第二子部分（376，2A），該第一子部分和該第二子部分在沿該第二方向和一第三方向穿過該MOS IC延伸的一假想平面（304，1012）處分隔，其中該第一方向、該第二方向和該第三方向各自彼此正交；及<br/> 一MOS 電晶體，該MOS 電晶體在該MOS IC上，該MOS電晶體包括：<br/> 沿該第二方向延伸在該MOS IC正面上的複數個MOS閘極（308）；<br/> 該MOS IC正面的該第一子部分中的、平行於該MOS閘極和該隔離層延伸的一第一源極連接（380）；<br/> 該MOS IC 背面的該第二子部分中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第二源極連接（386），該第一源極連接（380）和該第二源極連接（386）經由沿該第三方向穿過該隔離層延伸的一第一正面到背面連接（360）電耦合在一起；<br/> 該MOS IC背面的該第一子部分中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第一汲極連接（382）；及<br/> 該MOS IC正面的該第二子部分中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第二汲極連接（384），該第一汲極連接（382）和該第二汲極連接（384）經由在該第三方向上穿過該隔離層延伸的一第二正面到背面連接（370）電耦合在一起；<br/> 其中該第一源極連接耦合到該MOS IC正面上的一第一源極擴散區（312），該第一汲極連接耦合到該MOS IC正面上的一第一汲極擴散區（312），該第二汲極連接耦合到該MOS IC正面上的一第二汲極擴散區（332），並且該第二源極連接耦合到該MOS IC正面上的一第二源極擴散區（332）；<br/> 其中該第一正面到背面連接和該第二正面到背面連接相對於該假想平面彼此對稱；<br/> 其中該第一源極連接和該第二汲極連接相對於該假想平面彼此對稱，並且該第一汲極連接和該第二源極連接相對於該假想平面彼此對稱。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該第一源極連接、該第二源極連接、該第一汲極連接和該第二汲極連接各包括在該第二方向上延伸的複數個指狀物。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該第一正面到背面連接和該第二正面到背面連接從該假想平面偏移。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該第一正面到背面連接和該第二正面到背面連接與該假想平面對準。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該MOS IC具有在該第一方向上與該第一子部分（374）相鄰的一第三子部分（702），該第一子部分和該第三子部分在沿該第二方向和該第三方向穿過該MOS IC延伸的一第二假想平面（704）處分隔，並且其中該MOS電晶體還包括：<br/> 該MOS IC正面的該第三子部分（702）中的、平行於該等MOS閘極（308）和該隔離層延伸的一第三汲極連接（720），該第一汲極連接（382）和該第三汲極連接（720）經由在該第三方向穿過該隔離層延伸的一第三正面到背面連接（724）電耦合在一起；<br/> 該MOS IC背面的該第三子部分（702）中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第三源極連接（722），該第一源極連接（380）和該第三源極連接（722）經由在該第三方向穿過該隔離層延伸的一第四正面到背面連接（726）電耦合在一起，且<br/> 其中該第一源極連接（380）和該第三汲極連接（720）相對於該第二假想平面彼此對稱，並且該第一汲極連接（382）和該第三源極連接（722）相對於該第二假想平面（704）彼此對稱。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該MOS IC具有在該第一方向上與該第二子部分相鄰的一第三子部分，該第二子部分和該第三子部分在沿該第二方向和該第三方向穿過該MOS IC延伸的一第二假想平面處分隔，並且其中該MOS電晶體還包括：<br/> 該MOS IC正面的該第三子部分中的、平行於該MOS閘極和該隔離層延伸的一第三源極連接，該第二源極連接和該第三源極連接經由在該第三方向穿過該隔離層延伸的一第三正面到背面連接電耦合在一起；<br/> 該MOS IC背面的該第三子部分中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第三汲極連接，該第二汲極連接和該第三汲極連接經由在該第三方向上穿過該隔離層延伸的一第四正面到背面連接電耦合在一起；及<br/> 其中該第二源極連接和該第三汲極連接相對於該第二假想平面彼此對稱，並且該第二汲極連接和該第三源極連接相對於該第二假想平面彼此對稱。
如請求項1之雙面MOS IC，還包括：<br/> 在該MOS IC正面或該MOS IC背面中的一者上的一第一信號匯流排，該第一信號匯流排耦合到該第一源極連接或該第二源極連接中的一者；及<br/> 在該MOS IC正面或該MOS IC背面中的另一者上的一第二信號匯流排，該第二信號匯流排耦合到該第一汲極連接或該第二汲極連接中的一者。
如請求項1之雙面MOS IC，還包括：<br/> 在該MOS IC正面和該MOS IC背面交替延伸的一第一信號匯流排，該第一信號匯流排耦合到該第一源極連接和該第二源極連接兩者；<br/> 在該MOS IC正面和該MOS IC背面交替延伸的一第二信號匯流排，該第二信號匯流排在該 MOS IC 正面和該MOS IC背面兩者上與該第一信號匯流排交錯，該第二信號匯流排耦合到該第一汲極連接和該第二汲極連接兩者；及<br/> 其中該第一信號匯流排在比該MOS IC正面上的該第一源極連接和該MOS IC背面上的該第二源極連接更高的一層上延伸，並且該第二信號匯流排在比該MOS IC背面上的該第一汲極連接和該MOS IC正面上的該第二汲極連接更高的一層上延伸。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該MOS IC具有在該第一方向上彼此相鄰的一第三子部分（1B）和一第四子部分（2B），該第三子部分和該第四子部分在該假想平面（1012）處分隔，該第一子部分（1A）和該第三子部分（1B）在該第二方向上彼此相鄰，該第二子部分（2A）和該第四子部分（2B）在該第二方向上彼此相鄰，該第一子部分和該第三子部分在沿該第一方向和該第三方向穿過該MOS IC延伸的一第二假想平面（1002）處分隔，該第二子部分和該第四子部分在該第二假想平面處分隔；並且其中該MOS電晶體還包括：<br/> 該MOS IC正面的該第三子部分中的、平行於該等MOS閘極和該隔離層延伸的一第三源極連接；<br/> 該MOS IC背面的該第四子部分中的、平行於該等MOS 閘極和該隔離層延伸的一第四源極連接，該第三源極連接和該第四源極連接經由沿該第三方向穿過該隔離層延伸的一第三正面到背面連接電耦合在一起，該第三源極連接和該第四源極連接耦合到該第一源極連接和該第二源極連接；<br/> 該MOS IC背面的該第三子部分中的、平行於該MOS閘極和該隔離層延伸的一第三汲極連接；及<br/> 該MOS IC正面的該第四子部分中的、平行於該等MOS 閘極和該隔離層延伸的一第四汲極連接，該第三汲極連接和該第四汲極連接經由沿該第三方向穿過該隔離層延伸的一第四正面到背面連接電耦合在一起，該第三汲極連接和該第四汲極連接耦合到該第一汲極連接和該第二汲極連接；及<br/> 其中該第一源極連接和該第二汲極連接相對於該假想平面彼此對稱，該第一汲極連接和該第二源極連接相對於該假想平面彼此對稱，該第三源極連接和該第四汲極連接相對於該假想平面彼此對稱，該第三汲極連接和該第四源極連接相對於該假想平面彼此對稱，該第一源極連接和該第三源極連接相對於該第二假想平面彼此對稱，該第一汲極連接和該第三汲極連接相對於該第二假想平面彼此對稱，該第二源極連接和該第四源極連接相對於該第二假想平面彼此對稱，該第二汲極連接和該第四汲極連接相對於該第二假想平面彼此對稱。
如請求項 9之雙面 MOS IC，<br/> 其中該第一正面到背面連接和該第三正面到背面連接是同一正面到背面連接，該第三源極連接和該第四源極連接在該同一正面到背面連接處耦合到該第一源極連接和該第二源極連接，並且該第二正面到背面連接和該第四正面到背面連接是耦合在一起的不同的正面到背面連接；或<br/> 其中該第一正面到背面連接和該第三正面到背面連接是耦合在一起的不同的正面到背面連接，該第二正面到背面連接和該第四正面到背面連接是同一正面到背面連接，並且該第三汲極連接和該第四汲極連接在該同一正面到背面連接處耦合到該第一汲極連接和該第二汲極連接；或<br/> 該雙面 MOS IC還包括：<br/> 在該MOS IC正面或該MOS IC 背面中的一者上的一第一信號匯流排，該第一信號匯流排耦合到該第一源極連接和該第三源極連接中的一者，或者該第二源極連接和該第四源極連接中的一者；及<br/> 在該MOS IC正面或該MOS IC背面中的另一者上的一第二信號匯流排，該第二信號匯流排耦合到該第二汲極連接和該第四汲極連接中的一者，或者該第一汲極連接和該第三汲極連接中的一者。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該隔離層是一掩埋氧化物（BOX）層；或其中該第一正面到背面連接和該第二正面到背面連接各包括至少一個通孔。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該第一源極擴散區和該第一汲極擴散區共用一第一連續擴散區，並且該第二源極擴散區和該第二汲極擴散區共用一第二連續擴散區，其中該第一連續擴散區和該第二連續擴散區彼此分隔；或<br/> 其中該第一源極連接包括至少一第一複數個金屬x（M<sub>x</sub>）層互連，該第一汲極連接包括至少一第二複數個M<sub>x</sub>層互連，該第二源極連接包括至少一第三複數個M<sub>x</sub>層互連，並且該第二汲極連接包括至少一第四複數個M<sub>x</sub>層互連，且<br/> 其中該第一源極連接還包括耦合到該第一複數個M<sub>x</sub>層互連的一第一複數個金屬x+y（M<sub>x+y</sub>）層互連，該第一汲極連接還包括耦合到該第二複數個M<sub>x</sub>層互連的一第二複數個M<sub>x+y</sub>層互連，該第二源極連接還包括耦合到該第三複數個M<sub>x</sub>層互連的一第三複數個M<sub>x+y</sub>層互連，並且該第二汲極連接還包括耦合到該第四複數個M<sub>x</sub>層互連的一第四複數個M<sub>x+y</sub>層互連。
如請求項1之雙面MOS IC，其中該MOS閘極、該第一源極連接、該第二源極連接、該第一汲極連接、該第二汲極連接、該第一正面到背面連接、以及該第二正面到背面連接具有一旋轉對稱性；或<br/> 其中該MOS電晶體被配置為一射頻（RF）開關。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>腔室； <br/>基板支持體，配置於該腔室內，該基板支持體包括下部電極、用於支持基板的基板支持面、及邊緣環，配置為包圍該基板支持面所支持之該基板； <br/>上部電極，配置於該下部電極之上方； <br/>電源部，供給頻率不同之兩種以上的電力，該電源部，包括可將由該腔室內之氣體生成電漿用的來源電力供給予該上部電極或該下部電極之來源電源、及可將一種或頻率不同之兩種以上的偏壓電力供給予該下部電極之至少一偏壓電源； <br/>至少一可變被動元件，其與該邊緣環電性連接；以及 <br/>至少一旁通電路，將該電源部與該邊緣環電性連接，用以對該邊緣環供給從由該來源電力及至少一種該偏壓電力所組成之群組中選出的至少一種電力之一部分。
如請求項1之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一旁通電路，用以對該邊緣環供給依頻率而選擇的該至少一種電力之一部分。
如請求項2之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一旁通電路，包含對各種頻率獨立設置之旁通電路、與對複數種頻率共通設置之旁通電路的組合。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一旁通電路，用以控制對該邊緣環供給的該至少一種電力之大小。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/>該來源電源，用以供給來源射頻電力，作為該來源電力； <br/>該至少一偏壓電源，用以施加頻率不同的至少一種偏壓射頻電力、或頻率不同的至少一種負極性的脈衝電壓，作為該偏壓電力。
如請求項5之電漿處理裝置，更包含： <br/>匹配器，其具備第1匹配電路及至少一第2匹配電路； <br/>該至少一偏壓電源，用以供給頻率不同的至少一種偏壓射頻電力，作為該偏壓電力； <br/>該來源電源，經由該第1匹配電路而連接至該上部電極或該下部電極； <br/>該至少一偏壓電源，經由該至少一第2匹配電路而連接至該下部電極。
如請求項6之電漿處理裝置，其中， <br/>該旁通電路配置於第1路徑；該第1路徑，將該匹配器、或該匹配器與該上部電極或者該下部電極之間的路徑，和該可變被動元件、或該可變被動元件與該邊緣環之間的路徑連接。
如請求項5之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一偏壓電源，用以施加頻率不同的至少一種負極性的脈衝電壓，作為該偏壓電力； <br/>該至少一偏壓電源，經由至少一第1射頻濾波器而分別連接至該下部電極。
如請求項8之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一偏壓電源，經由第2射頻濾波器而連接至該邊緣環。
如請求項9之電漿處理裝置，其中， <br/>該旁通電路配置於第2路徑；該第2路徑，將匹配器、或該匹配器與該上部電極或者該下部電極之間的路徑，和該第2射頻濾波器、或該第2射頻濾波器與該邊緣環之間的路徑連接。
如請求項10之電漿處理裝置，其中， <br/>該第2射頻濾波器，包含該至少一可變被動元件。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/>該電源部，更包含用以對該邊緣環施加負極性的直流電壓之直流電源，該直流電源經由至少一第3射頻濾波器而連接至該邊緣環。
如請求項12之電漿處理裝置，其中， <br/>該旁通電路配置於第3路徑；該第3路徑，將匹配器、或該匹配器與該上部電極或者該下部電極之間的路徑，和該直流電源、或該直流電源與該邊緣環之間的路徑連接。
如請求項13之電漿處理裝置，其中， <br/>該第3射頻濾波器，包含該至少一可變被動元件。
如請求項12之電漿處理裝置，更包含： <br/>升降裝置，用以使該邊緣環升降。
如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， <br/>該來源電源，用以施加負極性的第1脈衝電壓，作為該來源電力； <br/>該至少一偏壓電源，用以施加至少一種負極性的第2脈衝電壓，作為該偏壓電力； <br/>該第1脈衝電壓之頻率與該第2脈衝電壓之頻率不同。
如請求項16之電漿處理裝置，其中， <br/>該至少一偏壓電源，經由第4射頻濾波器而連接至該下部電極，並經由第5射頻濾波器而連接至該邊緣環； <br/>該旁通電路配置於第4路徑；該第4路徑，將該第4射頻濾波器、或該第4射頻濾波器與該下部電極之間的路徑，和該第5射頻濾波器、或該第5射頻濾波器與該邊緣環之間的路徑連接。
一種電漿處理裝置，包含： <br/>腔室； <br/>基板支持體，配置於該腔室內，該基板支持體包括下部電極、用以支持基板的基板支持面、及邊緣環，配置為包圍該基板支持面所支持之該基板； <br/>上部電極，配置於該下部電極之上方； <br/>電源部，供給頻率不同之兩種以上的電力，該電源部，包括可將由該腔室內之氣體生成電漿用的來源電力供給予該上部電極或該下部電極之來源電源、及可將一種或頻率不同之兩種以上的偏壓電力供給予該下部電極之至少一偏壓電源； <br/>升降裝置，用以使該邊緣環升降；以及 <br/>至少一旁通電路，將該電源部與該邊緣環電性連接，用以對該邊緣環供給從由該來源電力及至少一種該偏壓電力所組成之群組中選出的至少一種電力之一部分。
如請求項18之電漿處理裝置，其中， <br/>該旁通電路配置於第5路徑；該第5路徑，將匹配電路、或該匹配電路與該上部電極或者該下部電極之間的路徑，和與該邊緣環之間的路徑連接。
一種蝕刻方法，利用電漿處理裝置； <br/>該電漿處理裝置，包含： <br/>腔室； <br/>基板支持體，配置於該腔室內，該基板支持體包括下部電極、用於支持基板的基板支持面、及邊緣環，配置為包圍該基板支持面所支持之該基板； <br/>上部電極，配置於該下部電極之上方； <br/>電源部，供給頻率不同之兩種以上的電力，該電源部，包括可將由該腔室內之氣體生成電漿用的來源電力供給予該上部電極或該下部電極之來源電源、及可將一種或頻率不同之兩種以上的偏壓電力供給予該下部電極之至少一偏壓電源； <br/>至少一可變被動元件，其與該邊緣環電性連接；以及 <br/>至少一旁通電路，將該電源部與該邊緣環電性連接，用以對該邊緣環供給從由該來源電力及至少一種該偏壓電力所組成之群組中選出的至少一種電力之一部分； <br/>該蝕刻方法包含如下步驟： <br/>（a）將基板載置於該基板支持面上； <br/>（b）由該腔室內之氣體生成電漿； <br/>（c）藉由生成的電漿蝕刻該基板；以及 <br/>（d）藉由該旁通電路，控制對於該邊緣環之電力供給量，調整該電漿中的離子對於該基板的邊緣區域之入射角度。
一種用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，包括以下步驟：<br/> 通過一計算機化數據處理單元來識別該網路中的一個或多個資產；<br/> 通過該計算機化數據處理單元來識別在數個資產屬性的一預定義集合中列出的被識別的每個該資產的所有的數個資產屬性及數個相關的資產屬性值；<br/> 在可操作地連接到該數據處理單元的永久類型的一儲存單元中來儲存用於該網路的被識別的該資產、被識別的該資產屬性及該資產屬性值；<br/> 其中該用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法還包括以下步驟：對於被識別的該資產中的每一者：<br/> 從數個臨界值的一預定義集合中來分配一臨界值；<br/> 該臨界值與所述一個或多個資產的重要性相關；<br/> 考量網路安全從數個彈性值的一預定義集合中來分配一彈性值；<br/> 從數個粒度值的一預定義集合中來將一粒度值分配給被識別的該數個資產屬性的每一者，該粒度值表示被識別的該數個資產屬性的詳細程度；<br/> 從數個置信值的一預定義集合中將一置信值分配給被識別的該資產屬性的每一者，該置信值與數個指標相關；<br/> 從數個新鮮度值的一預定義集合中來將一新鮮度值分配給被識別的該資產屬性的每一者，該新鮮度值與被識別的該數個資產屬性相關；<br/> 通過該計算機化數據處理單元來計算該資產屬性的每一者的質量分數，以作為該臨界值、彈性值、粒度值、置信值及新鮮度值的組合；<br/> 通過該計算機化數據處理單元來計算該資產的總體質量分數，以作為該資產屬性的質量分數的和；<br/> 其中該用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法還包括以下步驟：通過更新具有低於一預定質量分數閾值的一質量分數的該資產屬性中的一個或多個來優化該資產中的至少一個的該質量分數，以及<br/> 其中該更新的步驟是通過對該資產的一個或多個直接請求及/或手動檢查來進行的。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該臨界值是在0及1之間的範圍內的十進制數，其中值0表示低臨界，而值1表示高臨界。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該彈性值是在0及1之間的範圍內的十進制數，其中值0表示低彈性，而值1表示高彈性。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該粒度值是在0及1之間範圍內的十進制數，其中值0表示低粒度，而值1表示高粒度。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該置信值是在0及1之間的範圍內的十進制數，其中值0表示低置信度，而值1表示高置信度。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該新鮮度值是在0及1之間的範圍內的十進制數，其中值0表示低新鮮度，而值1表示高新鮮度。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該資產屬性的每一者的該質量分數被計算為該臨界值、該彈性值的互補值、該粒度值、該置信值及該新鮮度值之間的乘積。
如請求項1所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中該優化的步驟遵循一迭代過程，以將檢查的該數個請求定義為一預定義的最大請求數量，其中在每次迭代中，該迭代過程包括以下步驟：<br/> 選擇與該最大請求數量相等的該資產屬性的數量，其中選擇的該資產屬性具有較低的質量分數；<br/> 通過定義了數個資產屬性組的數量的相關該資產來對所選擇的該資產屬性進行分組；<br/> 用更多的資產屬性迭代該選擇的步驟及該分組的步驟，直到該資產屬性組的該數量等於該預定義的最大請求數量；<br/> 在相應的數個深度數據包檢查請求中轉換該資產屬性組中的每一者。
如請求項8所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中在每次該迭代中，重複該計算該資產屬性的每一者的該質量分數的步驟及該計算該資產的該質量分數的步驟。
如請求項9所述之用於在網路中自動檢索及管理資產資訊的方法，其中在該迭代中的每一者之間比較該總體質量分數，以及<br/> 其中當該總體質量分數降低時，該預定義的最大請求數量增加。
一種夾具，用於教導半導體處理系統中之基板搬運，包含：<br/> 一盤體，具有一第一表面、相對的一第二表面及分開該第一表面與該第二表面的一厚度，該盤體界定：<br/> 一固定孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面；<br/> 一驗證孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面，該固定孔在該驗證孔的徑向外側；<br/> 一減輕孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面；<br/> 一固定銷，其被配置成可滑動地收容在該固定孔中，以將該盤體固定至該半導體處理系統中的一末端執行器；及<br/> 一驗證銷，其被配置成可滑動地收容在該驗證孔中，且由該盤體所支撐，以指示該盤體與該半導體處理系統中的一預載室之間的對位失準，且<br/> 其中該減輕孔係徑向位於該盤體之該驗證孔與該固定孔之間。
如請求項1所述之夾具，其中該固定孔具有一固定孔徑寬度，其中該驗證孔具有一驗證孔徑寬度，且其中該驗證孔徑寬度實質上相等於該固定孔徑寬度。
如請求項1所述之夾具，其中該固定孔是一第一固定孔，且其中該盤體具有至少一個第二固定孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，且將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面，該第二固定孔係位於該第一固定孔之徑向外側。
一種夾具，用於教導半導體處理系統中之基板搬運，包含：<br/> 一盤體，具有一第一表面、相對的一第二表面及分開該第一表面與該第二表面的一厚度，該盤體界定：<br/> 一固定孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面；<br/> 一驗證孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面，該固定孔在該驗證孔的徑向外側；<br/> 一減輕孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面；<br/> 一固定銷，其被配置成可滑動地收容在該固定孔中，以將該盤體固定至該半導體處理系統中的一末端執行器；及<br/> 一驗證銷，其被配置成可滑動地收容在該驗證孔中，且由該盤體所支撐，以指示該盤體與該半導體處理系統中的一預載室之間的對位失準，且其中該減輕孔係以該盤體之該驗證孔為中心周向地錯開該固定孔。
如請求項1或請求項4所述之夾具，其中該減輕孔是一第一減輕孔，其中該盤體界定至少一個第二減輕孔，其延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面。
如請求項5所述之夾具，其中該至少一個第二減輕孔與該第一減輕孔徑向錯開，其中該至少一個第二減輕孔以該驗證孔為中心周向地錯開該第一減輕孔。
如請求項5所述之夾具，其中該第一減輕孔具有一第一減輕孔徑寬度，其中該至少一個第二減輕孔具有一第二減輕孔徑寬度，且其中該第二減輕孔徑寬度係小於該第一減輕孔徑寬度。
如請求項1或請求項4所述之夾具，其中該盤體具有一厚部及一薄部，其中該盤體之該薄部作為該盤體之該厚部之邊界。
如請求項8所述之夾具，其中該盤體之該厚部係徑向延伸於該驗證孔與該盤體之一外周邊之間。
如請求項8所述之夾具，其中該盤體之該厚部係以該盤體之該驗證孔為中心周向延伸。
如請求項8所述之夾具，其中該盤體之該薄部僅部分地延伸圍繞該盤體之該厚部，該盤體之該厚部係徑向地中斷該盤體之該薄部。
如請求項8所述之夾具，其中該厚部作為該驗證孔之邊界，其中該厚部作為該固定孔的邊界，且其中該厚部連續地延伸於該盤體之該驗證孔與該盤體之該固定孔之間。
如請求項1或請求項4所述之夾具，其中該盤體是由碳纖維材料製成。
如請求項1或請求項4所述之夾具，其中該盤體具有一中心及一重心，且其中該重心係徑向錯開該盤體之該中心。
一種半導體處理系統，其包含：<br/> 一預載室，其具有一驗證銷座；<br/> 一基板置中感測器，其係相應於該預載室被固定，其中該基板置中感測器具有一視野；<br/> 一前端傳遞機械手，其係被支撐而用以相對於該預載室移動，其中該前端傳遞機械手具有一夾鉗式末端執行器；<br/> 一後端傳遞機械手，其係被支撐以相對於該預載室移動，其中該後端傳遞機械手具有一刀片式末端執行器；以及<br/> 如請求項1或請求項4所述之一夾具，其中該盤體是：支撐該驗證銷，且被夾在該刀片式末端執行器內；支撐該驗證銷，且藉由該固定銷被固定在該刀片式末端執行器上；或藉由該固定銷被固定在該刀片式末端執行器上，且落在該基板置中感測器之視野中。
一種教導半導體處理系統中的基板搬運之方法，該方法包含：<br/> 在一夾具，該夾具包括：一盤體，其具有一第一表面、相對的一第二表面、及分開該第一表面與該第二表面的一厚度，該盤體界定一固定孔，該固定孔延伸穿過該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面，該盤體更界定一驗證孔，該驗證孔延伸穿過位於該驗證孔的徑向外側的該盤體之該厚度，並將該盤體之該第一表面連接至該盤體之該第二表面；一固定銷；及一驗證銷；<br/> 透過以下方式，將一前端傳遞機械手至預載室遞送位置教導給該半導體處理系統中的一前端傳遞機械手：<br/> 將該盤體夾在該半導體處理系統中的一前端傳遞機械手的一夾鉗式末端執行器中；<br/> 使用該前端傳遞機械手將該盤體對準位於該半導體處理系統中的一冷卻板；<br/> 將該驗證銷插入該盤體中，並將該驗證銷推入該冷卻板的一表面；<br/> 使用該驗證銷指示該盤體與該冷卻板之間的對位失準；<br/> 當該盤體與該冷卻板之間對位失準阻止該驗證銷插入界定於該冷卻板中的一驗證銷座時，使用該前端傳遞機械手調整該盤體之位置；及<br/> 當該盤體對準至該冷卻板使得該驗證銷能被往前推入該冷卻板時，將該前端傳遞機械手之位置寫入作為該前端傳遞機械手至預載室遞送位置；<br/> 透過以下方式，將一後端傳遞機械手至預載室遞送位置教導給該半導體處理系統中的一後端傳遞機械手：<br/> 使用該固定銷，將該盤體固定在該半導體處理系統中的一後端傳遞機械手的一刀片式末端執行器上；<br/> 使用該後端傳遞機械手將該盤體對準該冷卻板；<br/> 將該驗證銷插入該盤體，並將該驗證銷推入該冷卻板的表面；<br/> 使用該驗證銷指示該盤體與該冷卻板之間的對位失準；<br/> 當該盤體與該冷卻板之間的對位失準使該驗證銷未插入該冷卻板時，使用該後端傳遞機械手調整該盤體之位置；及<br/> 當該盤體對準至該冷卻板使得該驗證銷能夠被往前推入該冷卻板時，將該後端傳遞機械手之位置寫入作為該後端傳遞機械手至預載室遞送位置；及<br/> 透過以下方式，將一基板置中位置教導給該半導體處理系統中的一基板置中感測器：<br/> 當該盤體被固定在該刀片式末端執行器上時，運送該盤體於該預載室與該半導體處理系統的一處理模組之間；<br/> 在該預載室與該處理模組之間的運送期間，利用該基板置中感測器擷取該刀片式末端執行器上之該盤體之置中；<br/> 使用由該基板置中感測器所擷取之該盤體之置中來判定一基板置中；及<br/> 將該基板置中寫入軟體作為該基板置中位置。
如請求項16所述之方法，其中教導該後端傳遞機械手至預載室遞送位置是在教導該前端傳遞機械手至預載室遞送位置之後，其中教導該基板置中位置是在教導該後端傳遞機械手至預載室遞送位置之後。
如請求項17所述之方法，更包含：<br/> 在教導該後端傳遞機械手至預載室遞送位置之前，從該驗證銷座及該盤體移除該驗證銷；<br/> 在教導該基板置中位置之前，從該驗證銷座及該盤體上移除該驗證銷；<br/> 其中教導該前端傳遞機械手至預載室遞送位置更包含：透過延伸該盤體之該厚度的一減輕孔，觀察該驗證銷之一座部抵靠該冷卻板之表面之位置；及<br/> 其中教導該後端傳遞機械手至預載室遞送位置更包含：透過延伸該盤體之該厚度的該減輕孔，觀察該驗證銷之該座部抵靠該冷卻板之表面之位置。
一種層積元件晶片的製造方法，其使用在藉由交叉之多條分割預定線所劃分之正面的多個區域中分別形成有元件之晶圓，而製造重疊有多個元件晶片之層積元件晶片，且具備： <br/>第一槽形成步驟，其沿著第一晶圓的多條分割預定線，從該第一晶圓的正面形成超過第一元件晶片的完工厚度之深度的第一槽； <br/>固定步驟，其將該第一晶圓的正面側固定於支撐體； <br/>第一晶圓研削步驟，其從背面側研削被固定於該支撐體之該第一晶圓，使該第一槽在該第一晶圓的背面側露出； <br/>第一樹脂層形成步驟，其在該第一晶圓的該第一槽形成第一樹脂層； <br/>第一晶圓研磨步驟，其同時研磨被固定於該支撐體之該第一晶圓與該第一樹脂層，將該第一晶圓薄化直至相當於該第一元件晶片的完工厚度之厚度，使設於該第一槽之該第一樹脂層在該第一晶圓的背面側露出； <br/>第二槽形成步驟，其沿著與該第一晶圓相同構成的第二晶圓的多條分割預定線，從該第二晶圓的正面形成超過第二元件晶片的完工厚度之深度的第二槽，成為該第二槽的寬度在該第二晶圓的正面側比該第一槽的寬度更寬且在槽底側比正面側的寬度更窄之槽； <br/>貼合步驟，其使經研磨之該第一晶圓的背面與該第二晶圓的正面面對，以將從該第一晶圓的背面突出之該第一樹脂層容納於該第二晶圓的該第二槽之方式將該第二晶圓與該第一晶圓貼合； <br/>第二晶圓研削步驟，其從背面側研削已與該第一晶圓貼合之該第二晶圓，使該第二槽在該第二晶圓的背面側露出； <br/>第二樹脂層形成步驟，其在該第二晶圓的該第二槽形成第二樹脂層；以及 <br/>分割步驟，其沿著該第一槽與該第二槽切斷該第一樹脂層與該第二樹脂層，製造層積元件晶片。
如請求項1之層積元件晶片的製造方法，其中，在該第二槽形成步驟中，以使用電漿狀的氣體之電漿蝕刻加工、使用切割刀片之切削加工或使用雷射光線之雷射加工而形成該第二槽。
如請求項1之層積元件晶片的製造方法，其中，在實施該第二樹脂層形成步驟後且在該分割步驟之前，進一步具備： <br/>第二晶圓研磨步驟，其同時研磨被固定於該第一晶圓之該第二晶圓與該第二樹脂層，將該第二晶圓薄化直至相當於該第二元件晶片的完工厚度之厚度。
一種觸摸鍵，其中，<br/> 靜電電容型的所述觸摸鍵包括：<br/> 至少兩個電極部；<br/> 靜電電容檢測部，其檢測所述至少兩個電極部各自的靜電電容值；<br/> 至少兩個佈線，其將所述至少兩個電極部的各個與所述靜電電容檢測部連接；以及<br/> 蓋部，其覆蓋所述至少兩個電極部，<br/> 所述至少兩個電極部包括第一電極部和第二電極部，<br/> 所述至少兩個佈線包括連接所述第一電極部和所述靜電電容檢測部的第一佈線、及連接所述第二電極部和所述靜電電容檢測部的第二佈線，<br/> 所述第一佈線的佈線長度長於所述第二佈線的佈線長度，<br/> 所述蓋部中，與所述第一電極部相對的第一區域的厚度薄於與所述第二電極部相對的第二區域的厚度。
根據請求項1所述的觸摸鍵，其中，所述蓋部的所述第一區域通過外表面側凹陷來使厚度變薄。
根據請求項1或2所述的觸摸鍵，其中，所述蓋部的所述第一區域，從所述第一區域的周緣朝向內側厚度變薄。
根據請求項1或2所述的觸摸鍵，其中，所述第一佈線的寬度，大於所述第二佈線的寬度。
一種觸摸鍵，其中，<br/> 靜電電容型的所述觸摸鍵包括：<br/> 至少兩個電極部；<br/> 靜電電容檢測部，其檢測所述至少兩個電極部各自的靜電電容值；<br/> 至少兩個佈線，其將所述至少兩個電極部的各個與所述靜電電容檢測部連接；以及<br/> 蓋部，其覆蓋所述至少兩個電極部，<br/> 所述至少兩個電極部包括第一電極部和第二電極部，<br/> 所述至少兩個佈線包括連接所述第一電極部和所述靜電電容檢測部的第一佈線、及連接所述第二電極部和所述靜電電容檢測部的第二佈線，<br/> 所述第一電極的面積小於所述第二電極的面積，<br/> 所述第一佈線的寬度大於所述第二佈線的寬度。
根據請求項5所述的觸摸鍵，其中，所述蓋部中，與所述第一電極部相對的第一區域的厚度薄於與所述第二電極部相對的第二區域的厚度。
一種電子設備，其中，<br/> 具備請求項1~6中任一項所述的觸摸鍵作為輸入部。
一種空氣淨化器，其中，<br/> 具備請求項1~6中任一項所述的觸摸鍵作為操作面板。
一種檢查方法，係以橢圓偏光板作為檢查對象而進行檢查的方法，該檢查方法具備選擇測定波長的步驟、決定線性關係式的步驟、測定步驟和決定軸方向的步驟，其中， <br/>該橢圓偏光板依序積層有用以消除線性偏光的線性偏光消除膜、線性偏光片及λ／4板，前述線性偏光片的吸收軸和前述λ／4板的慢軸之間的相對角係45°±5°； <br/>該選擇測定波長的步驟係選擇 n個（n係2至6）測定波長λi（i＝1至n）； <br/>該決定線性關係式的步驟係將依序積層有線性偏光片和λ／4板的積層體所具有的線性偏光片之吸收軸或透射軸的相對於前述積層體之基準邊之角度設為X，並決定呈示從前述積層體所具有的λ／4板發射之橢圓偏光對於前述n個測定波長λi之方位角Ψ（λi）和前述X的線性關係之式（1）； <br/>該測定步驟係使光從前述檢查對象所具有的線性偏光消除膜側入射，並測定從前述檢查對象所具有的λ／4板發射之橢圓偏光的對於前述n個測定波長λi各者之方位角Ψ（λi）， <br/>當以前述積層體所具有之λ／4板的慢軸或快軸作為基準軸時，前述n個測定波長λi係前述積層體所具有的線性偏光片之吸收軸或透射軸和前述基準軸之間的相對角、與從前述積層體所具有的λ／4板發射之橢圓偏光之方位角，在前述積層體所具有的λ／4板之慢軸和前述線性偏光片之吸收軸之間的相對角為45°±5°的範圍內滿足線性關係之波長； <br/>該決定軸方向的步驟係依據前述式（1）、及前述測定步驟中的對於前述檢查對象之方位角Ψ（λi）的測定結果，而求出前述檢查對象所具有的線性偏光片之吸收軸或透射軸的方向， <br/>在前述決定軸方向的步驟中，係依據前述測定結果和前述式（1），而求出前述檢查對象所具有的線性偏光片之吸收軸或透射軸的方向， <br/><img align="absmiddle" height="77px" width="779px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式（1）中，ai及b係由擬合而決定的常數）。
如請求項1所述之檢查方法，其中，在前述決定線性關係式的步驟中，係準備對應於前述積層體的多個積層體樣品，其中各積層體樣品中的前述吸收軸或透射軸和前述基準軸之間的相對角不同；並依據前述多個積層體樣品各別的前述X和對於前述n個測定波長的前述方位角Ψ（λi）之測定結果，而決定前述式（1）， <br/>前述多個積層體樣品為可將線性偏光轉換成橢圓偏光並且可將橢圓偏光轉換成線性偏光的橢圓偏光板。
如請求項1或2所述之檢查方法，其中，前述n係2。
如請求項1或2所述之檢查方法，其中，前述n個測定波長λi係包含波長548nm和波長629nm。
一種橢圓偏光板的製造方法，其包括請求項1或2所述之檢查方法。
一種器件晶片之製造方法，對在正面側具備積層體之被加工物進行分割來製造器件晶片，前述積層體構成器件，前述器件設置在藉由複數條交叉之分割預定線所區劃出的複數個區域，前述器件晶片之製造方法的特徵在於包含以下步驟：<br/> 加工溝形成步驟，從該被加工物的正面側沿著該分割預定線照射對該積層體具有吸收性之波長的雷射光束，而沿著該分割預定線形成將該積層體斷開之加工溝；<br/> 樹脂層形成步驟，在該加工溝形成步驟之後，在該被加工物的正面側形成樹脂層；及<br/> 分割步驟，在該樹脂層形成步驟之後，沿著該分割預定線來分割該被加工物以及該樹脂層。
一種器件晶片之製造方法，對在正面側具備積層體之被加工物進行分割來製造器件晶片，前述積層體構成器件，前述器件設置在藉由複數條交叉之分割預定線所區劃出的複數個區域，前述器件晶片之製造方法的特徵在於包含以下步驟：<br/> 加工溝形成步驟，從該被加工物的正面側沿著該分割預定線照射對該積層體具有吸收性之波長的雷射光束，而沿著該分割預定線形成將該積層體斷開之加工溝；<br/> 支撐構件固定步驟，在該加工溝形成步驟之後，在該被加工物的正面側固定支撐構件；<br/> 背面磨削步驟，在該支撐構件固定步驟之後，磨削該被加工物的背面側；<br/> 支撐構件去除步驟，在該背面磨削步驟之後，從該被加工物的正面側去除該支撐構件；<br/> 樹脂層形成步驟，在該支撐構件去除步驟之後，在該被加工物的正面側形成樹脂層；及<br/> 分割步驟，在該樹脂層形成步驟之後，沿著該分割預定線來分割該被加工物以及該樹脂層。
如請求項2之器件晶片之製造方法，其更包含背面型樣形成步驟，前述背面型樣形成步驟是在該背面磨削步驟之後，在該被加工物的背面側形成型樣。
如請求項1至3中任一項之器件晶片之製造方法，其更包含保護膜形成步驟，前述保護膜形成步驟是在該加工溝形成步驟之前，在該被加工物的正面側形成保護膜。
如請求項1至3中任一項之器件晶片之製造方法，其更包含電漿蝕刻步驟，前述電漿蝕刻步驟是在該加工溝形成步驟之後，從該被加工物的正面側供給電漿狀態的蝕刻氣體，來去除殘留在該被加工物或該積層體之加工應變或異物。
如請求項1至3中任一項之器件晶片之製造方法，其中在該分割步驟中，是以切削刀片沿著該分割預定線切斷該被加工物以及該樹脂層。
如請求項1至3中任一項之器件晶片之製造方法，其更包含擴展片貼附步驟，前述擴展片貼附步驟是在該分割步驟之前，將具有伸長性之擴展片貼附於該被加工物，<br/> 該分割步驟包含：<br/> 改質層形成步驟，使對該被加工物具有穿透性之波長的雷射光束在該被加工物的內部定位該雷射光束的聚光點來進行照射，藉此在該被加工物沿著該分割預定線形成改質層；及<br/> 擴張步驟，在該改質層形成步驟之後，擴張該擴展片。
一種調節一電池充電電路內之電流之方法，該方法包括： <br/>將一第一電流感測電阻器定位於一電池充電電路內，其中該第一電流感測電阻器經組態以感測一第一埠處之一第一電流值； <br/>將一第二電流感測電阻器定位於該電池充電電路內，其中該第二電流感測電阻器經組態以感測自一電池輸出之一電池放電電流值； <br/>回應於該第一電流感測電阻器處之一短路或故障，使用該電池放電電流值來判定一輸出電流極限；及 <br/>根據該輸出電流極限來限制該第一埠處之該第一電流。
如請求項1之方法，其中使用該電池放電電流值來判定該輸出電流極限進一步包括使用該電池放電電流來判定該第一埠處之該第一電流值。
如請求項1之方法，其進一步包括使用與該第一電流感測電阻器串聯之一第一電池充電器在該第一埠處施加該電流輸出極限。
如請求項3之方法，其進一步包括將一第一降升壓轉換器連接至該第一電池充電器。
如請求項4之方法，其中該第一降升壓轉換器依逆向模式運轉。
如請求項1之方法，其進一步包括偵測該第一電流感測電阻器處之該短路或故障。
如請求項1之方法，其進一步包括組態該第一電流感測電阻器操作為一逆向輸出電流感測電阻器。
如請求項1之方法，其中該第一埠係複數個埠之一者，該方法進一步包括判定一外部裝置已連接於該第一埠處。
如請求項8之方法，其進一步包括將指令自一嵌入式控制器發送至與該第一埠相關聯之一第一電池充電器，其中該第一電池充電器係各與該電路中之至少一個各自埠相關聯之複數個電池充電器之一者。
如請求項1之方法，其進一步包括連續監測該第二電流感測電阻器處之該電池放電電流值。
如請求項1之方法，其中根據該輸出電流極限來限制該第一埠處之該電流進一步包括設定一恆定電流數位/類比轉換器(CCDAC)值以調節該第一埠處之該電流。
一種用以調節電流之設備，其包括： <br/>一第一電流感測電阻器，其經組態以感測一第一埠處之一第一電流值； <br/>一第二電流感測電阻器，其經組態以感測自一電池輸出之一電池放電電流值；及 <br/>一處理器，其經組態以回應於該第一電流感測電阻器處之一短路或故障而使用該電池放電電流值來判定一輸出電流極限且根據該輸出電流極限限制該第一埠處之該電流。
如請求項12之設備，其中該處理器經進一步組態以使用該電池放電電流來判定該第一埠處之該第一電流值。
如請求項12之設備，其中在該第二電流感測電阻器處連續監測該電池放電電流值。
如請求項12之設備，其中第一電池充電器與該第二電流感測電阻器電通信。
如請求項12之設備，其中該第一電流感測電阻器操作為一逆向輸出電流感測電阻器。
如請求項12之設備，其中該處理器經進一步組態以將指令發送至與該第一埠相關聯之一第一電池充電器，其中該第一電池充電器係各與電路中之至少一個各自埠相關聯之複數個電池充電器之一者。
如請求項12之設備，其中該處理器經進一步組態以藉由設定一恆定電流數位/類比轉換器(CCDAC)值以調節該第一埠處之該電流來限制該第一埠處之該電流。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包括用於控制一設備之指令，該設備具有經組態以感測一第一埠處之一第一電流值之一第一電流感測電阻器及經組態以感測自一電池輸出之一電池放電電流值之一第二電流感測電阻器，其中該指令回應於由一處理器執行而引起該處理器執行以下操作： <br/>回應於該第一電流感測電阻器處之一短路或故障，使用該電池放電電流來判定一輸出電流極限；及 <br/>根據該輸出電流極限來限制該第一埠處之該電流。
一種用於測量包括至少兩個介面的光學元件(1000)的待測量的介面(103)的一項幾何資訊之測量方法(10)，所述測量方法(10)藉由測量裝置來實施，所述測量裝置包括具有至少一光學感測器(403、602)以及低同調性光源(402、612)的干涉測量裝置(4000、6000)，其被配置以導引測量射束(106、606)朝向所述光學元件(1000)以便於通過所述至少兩個介面中的至少一個，並且將被待測量的所述介面(103)反射以及產生反射測量射束，並且選擇性地偵測產生自所述反射測量射束以及參考射束(616)之間的干涉的干涉信號，所述測量裝置亦包括定位裝置(608、611)以及數位處理裝置， <br/>其特徵在於所述測量方法(10)包括以下步驟： <br/>藉由所述定位裝置(608、611)以將所述干涉測量裝置的相干區域相對定位(12)在待測量的所述介面(103)； <br/>藉由所述干涉測量裝置來測量(14)所述介面(103)，以便於產生對應於在所述介面(103)上的複數個測量點的複數個干涉信號；以及 <br/>藉由所述數位處理裝置以處理(16)所述複數個干涉信號，所述處理包括以下步驟： <br/>根據針對於所述介面(103)的所述干涉信號的至少一子集合來建構(17)數學介面， <br/>根據所述數學介面以及所述介面(103)的至少一第一區段的預期形狀(104a、104b)來判斷(18)待測量的所述介面的所述一項幾何資訊，判斷所述幾何資訊的所述步驟(18)藉由以下步驟來執行： <br/>推斷所述介面(103)的所述第一區段的模型或是分析公式的參數； <br/>根據所推斷的所述參數來模型化待測量的所述介面(103)的第二區段的形狀，所述介面的所述第二區段等於或不同於所述介面的所述第一區段。
如請求項1之測量方法(10)，其中所述介面的所述第一區段包括至少一表面元件。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中建構所述數學介面的所述步驟(17)針對於所述干涉信號的所述子集合的每一個干涉信號，藉由產生包含所述介面的一項相對位置資訊的測量、及/或所述干涉信號的振幅的測量來加以執行。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中所述介面的所述預期形狀(104a、104b)包括用於內插所述複數個測量點的內插函數。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中所述介面的所述預期形狀(104a、104b)包括所述介面的至少所述第一區段的理論輪廓。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中其亦包括藉由利用所述一項幾何資訊來分析所述介面的步驟(20)，以便於產生以下資訊項目中的至少一個： <br/>所述介面的偏心及/或傾斜； <br/>所述介面相對另一介面的相對位置、偏心及/或傾斜； <br/>在所述介面和所述另一介面的特徵點之間的距離。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中至少定位所述相干區域的所述步驟(12)以及測量的所述步驟(14)依序地被實施以用於測量待測量的不同介面的所述一項幾何資訊。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中處理所述干涉信號的所述步驟(16)亦包括考量所述反射測量射束所通過的所述介面的所述一項幾何資訊以便於獲得待測量的所述介面(103)的所述一項幾何資訊的校正步驟(19)。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中其亦包括校正所述光學元件的光學軸相對測量軸的角度的步驟(22)。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中處理所述干涉信號的所述步驟(16)實施藉由數位全像術進行的計算方法。
如請求項1或2之測量方法(10)，其中所述測量方法被實施以測量具有例如智慧型手機物鏡的透鏡的光學組件的形式的所述光學元件的所述介面的形狀及/或位置，所述介面包括所述透鏡的表面。
一種用於測量包括至少兩個介面的光學元件(1000)的待測量的介面(103)的一項幾何資訊之測量裝置，所述測量裝置包括： <br/>干涉測量裝置(4000、6000)，其包括至少一低同調性光源(402、612)以及至少一光學感測器(403、602)，其被配置以： <br/>形成至少一測量射束(106、606)以及至少一參考射束(616)， <br/>導引所述測量射束(106、606)朝向所述光學元件，以便於通過所述至少兩個介面中的至少一個，並且被待測量的所述介面(103)反射以及產生反射測量射束， <br/>針對於在所述介面(103)上的複數個測量點，選擇性地偵測產生自所述反射測量射束以及所述參考射束(616)之間的干涉的複數個干涉信號； <br/>定位裝置(608、611)，其被配置以將所述干涉測量裝置的相干區域相對地定位在所述待測量的介面；以及 <br/>數位處理裝置，其被配置以： <br/>根據針對於所述介面的所述複數個干涉信號的至少一子集合來建構數學介面， <br/>根據所述數學介面以及所述介面的至少一第一區段的預期形狀來判斷所述待測量的介面(103)的所述一項幾何資訊，所述數位處理裝置被配置以： <br/>推斷所述介面(103)的所述第一區段的模型或是分析公式的參數； <br/>根據所推斷的所述參數來模型化待測量的所述介面(103)的第二區段的形狀，所述介面的所述第二區段等於或不同於所述介面的所述第一區段。
如請求項12之測量裝置，其中所述干涉測量裝置(4000)包括被稱為點模式干涉感測器的干涉感測器，其被配置以偵測在視野的一點的點干涉信號。
如請求項12或13之測量裝置，其中所述干涉測量裝置(6000)包括被稱為全域干涉感測器的干涉感測器，其被配置以偵測在視野中的全域干涉信號。
如請求項12或13之測量裝置，其中所述定位裝置(608、611)被配置以將所述相干區域連續地定位在所述光學元件的不同的介面。
如請求項12或13之測量裝置，其中其亦包括位移裝置，其被配置以在垂直於測量軸的平面中相對所述反射測量射束來位移所述光學元件。
如請求項12或13之測量裝置，其中其亦包括角度位移裝置，其被配置以相對測量軸來位移所述光學元件的光學軸。
一種肌肉塊，其特徵在於，具備： <br/>複數個第一層，其中所述複數個第一層的每個第一層包括由在平面內於二維重複的第一單位單元所限定的填充材料之排列； <br/>複數個第二層，其中所述複數個第二層的每個第二層包括由在平面內於二維重複的第二單位單元所限定的填充材料之排列； <br/>其中所述第一單位單元包括填充材料的雙週期或三週期排列；且 <br/>所述第二單位單元包括填充材料的雙週期或三週期排列。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述第一單位單元包括填充材料的三週期排列，所述三週期排列包括螺旋二十四面體形狀。
如請求項2記載的肌肉塊，其中所述第二單位單元與所述第一單位單元相同。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述肌肉塊具有包括半圓柱體的一般幾何形狀。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述填充材料包括聚乳酸、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、丙烯腈－丁二烯－苯乙烯聚合物、丙烯酸－苯乙烯－丙烯腈聚合物、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚甲醛、聚醚醯亞胺、一種或多種其他熱塑性聚合物、或其他能夠用於增材印刷應用的材料。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述填充材料的蕭氏硬度為大約70A至大約90A。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述肌肉塊的平均密度為大約10%填入至大約25%填入。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述第一單位單元為立方體單位單元且長度為大約4 mm至大約12 mm。
如請求項1記載的肌肉塊，其中所述肌肉塊包括最小直徑為大約2 mm至大約8 mm的小管。
一種注射訓練器，其特徵在於，包括： <br/>肌肉塊；以及 <br/>所述肌肉塊上方的一個或多個覆蓋層； <br/>其中所述肌肉塊的區域包括由在三維重複的單位單元所限定的填充材料之排列。
如請求項10記載的注射訓練器，其中所述一個或多個覆蓋層被設計為允許使用者模擬皮膚捏合。
如請求項10記載的注射訓練器，其中所述一個或多個覆蓋層包括中間層及表面層。
如請求項12記載的注射訓練器，其中所述中間層包括泡沫橡膠、聚胺甲酸酯或海綿。
如請求項12記載的注射訓練器，其中所述表面層包括矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟橡膠、烯烴系橡膠、乳膠橡膠、腈橡膠或丁基橡膠。
如請求項10記載的注射訓練器，其中所述填充材料包括聚乳酸、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、丙烯腈－丁二烯－苯乙烯聚合物、丙烯酸－苯乙烯－丙烯腈聚合物、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚甲醛、聚醚醯亞胺、一種或多種其他熱塑性聚合物、或其他能夠用於增材印刷應用的材料，且蕭氏硬度為大約 70A 至大約 90A。
如請求項10記載的注射訓練器，其中所述肌肉塊的所述區域包括所述肌肉塊之總體積的至少80%。
一種注射訓練器，其特徵在於，包括 <br/>肌肉塊，其包括蕭氏硬度為大約70A至大約90A的材料； <br/>表面層，其包括矽氧橡膠、乙烯丙烯橡膠、氟橡膠、烯烴系橡膠、乳膠橡膠、腈橡膠或丁基橡膠；以及 <br/>中間層，其介於所述肌肉塊與所述表面層之間； <br/>其中所述肌肉塊包括一個區域，所述區域包括由在三維重複的第一單位單元所限定的填充材料之排列，且其中所述單位單元的密度為至少大約10%填充。
如請求項17記載的注射訓練器，其中所述中間層與所述肌肉塊及所述表面層接觸，且所述中間層包括泡沫橡膠、聚胺甲酸酯或海綿。
如請求項17記載的注射訓練器，其中所述表面層及所述中間層的組合厚度小於或等於所述肌肉塊的高度。
如請求項17記載的注射訓練器，進一步包括被配置為與基板接合的槽。
一種洗滌物處理裝置，其具備有： <br/>電動馬達(7)； <br/>滾筒(5)，其在內部收納洗滌物(C1)並可旋轉； <br/>處理裝置(9)，其可旋轉以便對上述洗滌物(C1)進行處理； <br/>驅動滑輪(11A、11B)，其藉由上述電動馬達(7)被旋轉驅動； <br/>從動滑輪(13、14)，其與上述滾筒(5)及上述處理裝置(9)的至少一者即旋轉體(9)相連接，且可與上述旋轉體(9)一起旋轉； <br/>滑輪帶(15B)，其被繞掛於上述驅動滑輪(11A、11B)和上述從動滑輪(13、14)，且將上述驅動滑輪(11A、11B)的動力傳遞至上述從動滑輪(13、14)；以及 <br/>殼體(3)，其收納上述電動馬達(7)、上述滾筒(5)、上述處理裝置(9)、上述驅動滑輪(11A、11B)、上述從動滑輪(13、14)及上述滑輪帶(15B)； <br/>上述驅動滑輪(11A、11B)及上述從動滑輪(13、14)的至少一者被設為特定滑輪(13、14)， <br/>上述特定滑輪(13、14)具有繞軸心(O1)所形成的帶槽(70、76)， <br/>上述帶槽(70、76)具有：底面(70A)，其與上述滑輪帶(15B)抵接；第1面(70B)，其在與上述軸心(O1)平行的寬度方向的一側與上述底面(70A)以連續之方式所形成，且與上述軸心(O1)以分離的方式延伸；以及第2面(70C、70F)，其在上述寬度方向的另一側與上述底面(70A)以連續之方式所形成，且與上述軸心(O1)以分離的方式延伸，並且與上述底面(70A)及上述第1面(70B)一起對上述滑輪帶(15B)進行收納， <br/>該滌物處理裝置之特徵在於，上述帶槽(70、76)更進一步具有： <br/>中間面(70D、70G)，其形成為與上述第1面(70B)及上述第2面(70C、70F)的至少一者相連接，且與被上述第1面(70B)及上述第2面(70C、70F)所收納的上述滑輪帶(15B)以分離的方式沿上述寬度方向延伸並繞上述軸心(O1)延伸；以及 <br/>第3面(70E)，其在上述底面(70A)的相反側並與上述中間面(70D、70G)連續，且與上述軸心(O1)以分離的方式延伸，以防止上述滑輪帶(15B)的脫落。
如請求項1之洗滌物處理裝置，其中， <br/>假定被收納於上述底面(70A)、上述第1面(70B)及上述第2面(70C、70F)的上述滑輪帶(15B)於包含上述軸心(O1)之面的剖面圖，並規定，在上述剖面圖中包含上述滑輪帶(15B)之中心點(X1)並沿上述寬度方向延伸的中心線(X2)、包含在上述剖面圖中自上述軸心(O1)最為分離的上述滑輪帶(15B)之外周點(X3)且沿上述寬度方向延伸的外周線(X4)、以及位於上述中心線(X2)與上述外周線(X4)之間並沿上述寬度方向延伸的中間線(X5)時， <br/>上述中間面(70D、70G)包含上述中間線(X5)。
如請求項1之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)係以上述底面(70A)側接近至上述軸心(O1)的方式傾斜。
如請求項2之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)係以上述底面(70A)側接近至上述軸心(O1)的方式傾斜。
如請求項1之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)的上述寬度方向的長度係比上述滑輪帶(15B)的上述寬度方向的最大長度的一半的長度為小。
如請求項2之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)的上述寬度方向的長度係比上述滑輪帶(15B)的上述寬度方向的最大長度的一半的長度為小。
如請求項3之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)的上述寬度方向的長度係比上述滑輪帶(15B)的上述寬度方向的最大長度的一半的長度為小。
如請求項4之洗滌物處理裝置，其中， <br/>上述中間面(70D、70G)的上述寬度方向的長度係比上述滑輪帶(15B)的上述寬度方向的最大長度的一半的長度為小。
如請求項1至8中任一項之洗滌物處理裝置，其中， <br/>該洗滌物處理裝置更進一步具備有： <br/>記憶部(17)，其記憶有對上述洗滌物(C1)執行不同處理的複數個運轉模式、以及與各上述運轉模式相對應而分別被設定的上述電動馬達(7)之設定轉速；以及 <br/>控制部(19)，其進行上述電動馬達(7)的動作控制，並且執行從所有上述運轉模式所選擇的1個上述運轉模式作為特定運轉模式； <br/>上述控制部(19)在使上述電動馬達(7)以小於上述特定運轉模式之上述設定轉速的轉速啟動之後，使上述轉速階段式地增加，直至到達上述設定轉速為止。
一種附相位差層之偏光板，其具有： <br/>偏光板，其包含厚度為12 μm以上之偏光元件； <br/>第1相位差層，其係液晶化合物之配向固化層；及 <br/>第2相位差層，其由包含顯示負雙折射之聚合物之樹脂膜所構成；其中 <br/>上述第2相位差層為正C板， <br/>上述第2相位差層之厚度為3 μm～8 μm。
如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述第2相位差層與上述第1相位差層鄰接。
如請求項1或2之附相位差層之偏光板，其中上述顯示負雙折射之聚合物為選自由丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂所組成之群中之至少一種。
如請求項1或2之附相位差層之偏光板，其中上述第1相位差層之面內相位差為100 nm＜Re(550)＜160 nm，且滿足Re(450)/Re(550)＜1、及Re(650)/Re(550)＞1。
如請求項4之附相位差層之偏光板，其中上述第1相位差層之慢軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為40°～50°。
如請求項1或2之附相位差層之偏光板，其中上述第1相位差層具有液晶化合物之配向固化層A與液晶化合物之配向固化層B之積層構造，且 <br/>該配向固化層A作為λ/2板發揮功能，該配向固化層B作為λ/4板發揮功能。
如請求項6之附相位差層之偏光板，其中上述液晶化合物之配向固化層A之慢軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為70°～80°，且上述液晶化合物之配向固化層B之慢軸與上述偏光元件之吸收軸所成之角度為10°～20°。
一種圖像顯示裝置，其包含如請求項1至7中任一項之附相位差層之偏光板。
一種補強半導體晶片之製造方法，其具備在單層或多層半導體晶片的表面上配置至少具有熱固化性樹脂層之膜之步驟，該製造方法中， <br/>前述膜係多層膜， <br/>前述多層膜係依序具有第1熱固化性樹脂層、剛性材料層及第2熱固化性樹脂層之膜， <br/>前述剛性材料層具有高於前述第1熱固化性樹脂層及前述第2熱固化性樹脂層之剛性。
如請求項1所述之補強半導體晶片之製造方法，其中 <br/>前述剛性材料層係聚醯亞胺樹脂層。
如請求項1或請求項2所述之補強半導體晶片之製造方法，其中 <br/>前述膜的總厚度為5～180μm。
一種附有膜之半導體晶片，其具備： <br/>單層或多層半導體晶片；及 <br/>膜，配置於前述半導體晶片的表面，且至少具有熱固化性樹脂層，該附有膜之半導體晶片中， <br/>前述膜係多層膜， <br/>前述多層膜係依序具有第1熱固化性樹脂層、剛性材料層及第2熱固化性樹脂層之膜， <br/>前述剛性材料層具有高於前述第1熱固化性樹脂層及前述第2熱固化性樹脂層之剛性。
一種半導體晶片之補強方法，其具備在單層或多層半導體晶片的表面上配置至少具有熱固化性樹脂層之膜之步驟，該半導體晶片之補強方法中， <br/>前述膜係多層膜， <br/>前述多層膜係依序具有第1熱固化性樹脂層、剛性材料層及第2熱固化性樹脂層之膜， <br/>前述剛性材料層具有高於前述第1熱固化性樹脂層及前述第2熱固化性樹脂層之剛性。
一種補強用膜，其係配置於單層或多層半導體晶片的表面來補強半導體晶片之補強用膜，其中 <br/>前述補強用膜係依序具有第1熱固化性樹脂層、剛性材料層及第2熱固化性樹脂層之多層膜， <br/>前述剛性材料層具有高於前述第1熱固化性樹脂層及前述第2熱固化性樹脂層之剛性。
一種半導體裝置，其具備： <br/>基板； <br/>單層或多層半導體晶片，配置於前述基板上；及 <br/>膜的固化物，配置於前述半導體晶片的表面，且至少具有熱固化性樹脂層，該半導體裝置中， <br/>前述膜係多層膜， <br/>前述多層膜係依序具有第1熱固化性樹脂層、剛性材料層及第2熱固化性樹脂層之膜， <br/>前述剛性材料層具有高於前述第1熱固化性樹脂層及前述第2熱固化性樹脂層之剛性。
如請求項7所述之半導體裝置，其中 <br/>前述剛性材料層係聚醯亞胺樹脂層。
一種高結晶度炭黑，其中，微晶尺寸Lc為4.0nm以上，比表面積（BET）為50m<sup>2</sup>/g～150m<sup>2</sup>/g，且吸油值（OAN）為150ml/100g以上，其中，通過X射線衍射數據計算的平均晶格空間d-spacing（002）值為0.350nm以下， <br/>其中，所述高結晶度炭黑由以下步驟製備： <br/>步驟（a），製備微晶尺寸Lc為1.0nm～2.0nm、比表面積為50m<sup>2</sup>/g～150m<sup>2</sup>/g、吸油值為150ml/100g以上的爐法炭黑（furnace black）；以及 <br/>步驟（b），在1800℃以上的溫度下高溫熱處理所述爐法炭黑來獲得所述高結晶度炭黑， <br/>其中所述步驟（a）的所述爐法炭黑在炭黑製備裝置中製備，所述炭黑製備裝置包括： <br/>（i）至少一個供應部，具有空氣供應部及燃料供應部； <br/>（ii）反應部，使得通過所述供應部投入的高溫燃燒氣體流入； <br/>（iii）排出部（throat），從所述反應部延伸而成，直徑比所述反應部小； <br/>（iv）頸部，從所述排出部延伸而成，直徑比所述排出部大；以及 <br/>（v）套管（casing），從所述頸部延伸，直徑比所述頸部大， <br/>所述炭黑製備裝置滿足以下條件（1）及條件（2）， <br/>條件（1）：[（頸部的長度L）/（頸部的直徑D）]＞3， <br/>條件（2）：[（排出部的直徑D'）/（頸部的直徑D）]＜0.6。
如請求項1所述的高結晶度炭黑，其中所述微晶尺寸Lc為5.0nm以上且10nm以下。
如請求項1所述的高結晶度炭黑，其中所述比表面積為70m<sup>2</sup>/g～100m<sup>2</sup>/g。
如請求項1所述的高結晶度炭黑，其中所述吸油值為180ml/100g以上。
如請求項1所述的高結晶度炭黑，其中所述步驟（b）的所述高溫熱處理在2000℃以上的溫度下進行。
如請求項1所述的高結晶度炭黑，其中所述步驟（a）在1500℃～1800℃的溫度及不完全燃燒的條件下進行。
一種膜電極組件，包括： <br/>電極，包含由請求項1至4中任一項所述的高結晶度炭黑形成的催化劑載體及所述催化劑載體中擔載的催化劑；以及 <br/>電解質膜。
一種用於控制裝載有自動體外心臟電擊去顫器的電梯的系統，係包括：自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置，係設置於該電梯之外並於被觸發時發出呼叫訊號；以及電梯控制裝置，係響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置之該呼叫訊號，判斷該電梯是否處於行進狀態，其中，當判斷該電梯非處於行進狀態時，該電梯控制裝置發出直接抵達指令至該電梯，以使該電梯執行該直接抵達指令而移動至發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層，及其中，當判斷該電梯處於行進狀態時，該電梯控制裝置發出優先抵達指令至該電梯，以使該電梯執行該優先抵達指令而先停靠在預設樓層，在電梯門不開啟的情況下再移動至發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層，令該優先抵達指令在維持原運行狀態下執行，以避免急煞造成該電梯的設備損害及該電梯內部乘客不適，其中，響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置將該電梯停靠於電梯停靠順序的排程中的預訂順序樓層並判斷為該預設樓層或將最接近於該電梯所在位置的樓層判斷為該預設樓層。
如請求項1所述的系統，更包括設置於該電梯之外的電梯呼叫裝置及設置於該電梯之內的樓層指定裝置的至少其中一者，其中，於該電梯執行該直接抵達指令或該優先抵達指令期間，該電梯不執行該電梯呼叫裝置之呼叫指令或該樓層指定裝置之指定指令，以及其中，當該電梯執行完成該直接抵達指令或該優先抵達指令，且該電梯控制裝置接收到表示該自動體外心臟電擊去顫器離開原始位置的自動體外心臟電擊去顫器偵測訊號後，再執行該電梯呼叫裝置之該呼叫指令或該樓層指定裝置之該指定指令，以及於該自動體外心臟電擊去顫器未離開該原始位置下，該電梯不進行移動。
如請求項2所述的系統，其中，該電梯控制裝置根據該電梯呼叫裝置的該呼叫指令及該樓層指定裝置的該指定指令的至少其中一者產生該電梯停靠順序的排程。
如請求項1所述的系統，更包括控制中心，其中，響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置通知該控制中心發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層。
如請求項1所述之系統，更包括電性連接該電梯控制裝置的提示裝置，係安裝於該電梯之內，其中，響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置通知該提示裝置產生該電梯將直接抵達或優先抵達的提示。
如請求項1所述的系統，更包括電性連接該電梯控制裝置的電子紙，係安裝於該電梯之外，其中，該電梯控制裝置通知該電子紙顯示該電梯所處的樓層，且該電子紙在無電源供應下，仍能顯示該電梯所停止的樓層位置。
如請求項1所述的系統，更包括：電性連接該電梯控制裝置的控制中心；自動體外心臟電擊去顫器偵測裝置，係電性連接該自動體外心臟電擊去顫器和該電梯控制裝置，其中，該自動體外心臟電擊去顫器偵測裝置設置為偵測該自動體外心臟電擊去顫器的位置狀態，以於偵測到該自動體外心臟電擊去顫器離開原始位置時發出自動體外心臟電擊去顫器偵測訊號；以及警示裝置，係響應於來自該自動體外心臟電擊去顫器偵測裝置的該自動體外心臟電擊去顫器偵測訊號，該警示裝置發出警報，及/或該電梯控制裝置發出通知至該控制中心。
如請求項1所述的系統，更包括：自動體外心臟電擊去顫器收納裝置，係設置在該電梯之內，並包含：收納裝置本體，係供收納該自動體外心臟電擊去顫器，且具有可開啟或關閉的開口；固定件，係將該自動體外心臟電擊去顫器固定於該收納裝置本體中；附接件，係設置於該收納裝置本體之該開口之處，以使該開口能夠關閉；支撐件，係設置於該收納裝置本體中，以於該開口開啟時，支撐該自動體外心臟電擊去顫器免於滑落；及拉把，係供開啟該開口。
如請求項1所述的系統，更包括：充電裝置，係電性連接該自動體外心臟電擊去顫器的電池，以對該電池進行充電；以及電池偵測裝置，係電性連接該自動體外心臟電擊去顫器的該電池，以偵測該電池的電量。
一種用於控制裝載有自動體外心臟電擊去顫器的電梯的方法，係包括：響應於自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置被觸發後所發出的呼叫訊號，電梯控制裝置判斷電梯是否處於行進狀態；以及當判斷該電梯非處於行進狀態時，該電梯控制裝置發出直接抵達指令至該電梯，以使該電梯執行該直接抵達指令而移動至發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層；且當判斷該電梯處於行進狀態時，該電梯控制裝置發出優先抵達指令至該電梯，以使該電梯執行該優先抵達指令而先停靠在預設樓層，在電梯門不開啟的情況下再移動至發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層，令該優先抵達指令在維持原運行狀態下執行，以避免急煞造成該電梯的設備損害及該電梯內部乘客不適，其中，響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置將該電梯停靠於電梯停靠順序的排程中的預訂順序樓層並判斷為該預設樓層或將最接近於該電梯所在位置的樓層判斷為該預設樓層。
如請求項10所述的方法，更包括：於該電梯執行該直接抵達指令或該優先抵達指令的期間，不執行設置於該電梯之外的電梯呼叫裝置的呼叫指令或設置於該電梯之內的樓層指定裝置的指定指令；以及於該電梯執行完成該直接抵達指令或該優先抵達指令，且該電梯控制裝置接收到表示該自動體外心臟電擊去顫器離開原始位置的自動體外心臟電擊去顫器偵測訊號之後，執行該電梯呼叫裝置的呼叫指令或該樓層指定裝置的指定指令，以及於該自動體外心臟電擊去顫器未離開該原始位置下，該電梯不進行移動。
如請求項11所述的方法，更包括該電梯控制裝置根據該電梯呼叫裝置的該呼叫指令及該樓層指定裝置的該指定指令的至少其中一者產生該電梯停靠順序的排程。
如請求項10所述的方法，更包括響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置通知控制中心發出該呼叫訊號的該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置所處的樓層。
如請求項10所述的方法，更包括響應於該自動體外心臟電擊去顫器呼叫裝置的該呼叫訊號，該電梯控制裝置通知設置於該電梯之內的提示裝置產生該電梯將直接抵達或優先抵達的提示。
如請求項10所述的方法，更包括該電梯控制裝置通知設置於該電梯之外的電子紙顯示該電梯所處的樓層，且該電子紙在無電源供應下，仍能顯示該電梯所停止的樓層位置。
如請求項10所述的方法，更包括響應於表示該自動體外心臟電擊去顫器離開原始位置時的自動體外心臟電擊去顫器偵測訊號，警示裝置發出警報，及/或該電梯控制裝置發出通知至控制中心。
一種盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置，包含：一盤體；該盤體的內部形成安裝凹槽；至少一紫外線殺菌燈，安裝在該安裝凹槽內；該紫外線殺菌燈用於對外部照射紫外線；以及其中該盤體用於以可拆裝的方式安裝到一空調裝置的出風口處，而與該出風口處形成可分離式的結合；藉由該至少一紫外線殺菌燈對該出風口的空氣照射紫外線，而對由該出風口輸出的空氣進行殺菌，使得該空調裝置可以輸出乾淨的空氣；至少一LED燈，安裝在該安裝凹槽內，用於發出光線以作為照明之用；其中該空調裝置為一中央空調系統；其中該至少一紫外線殺菌燈為多排配置的多個紫外線殺菌燈；該盤體包含一中空之外框及一位在該外框之外背側的安裝板，該外框的中空空間周圍形成內圍環狀壁，該內圍環狀壁及該安裝板的板面之間形成該安裝凹槽；該內圍環狀壁的型態適配於該安裝板的外圍，該內圍環狀壁環繞連接該安裝板的外周圍；該至少一紫外線殺菌燈安裝在該安裝板的板面上；該安裝板背對其板面的另一外背側用於以可拆裝的方式連接到所欲安裝的空調裝置的出風口處，以將該盤體固定在該出風口處；其中該安裝板與該外框的該內圍環狀壁形成可分離式的結合；該安裝板中央具有一穿孔，該穿孔用於組接到該出風口處；其中該外框的該內圍環狀壁的內徑大於該安裝凹槽的開口口徑，該內圍環狀壁的內周圍、該安裝板的板面、及該安裝凹槽的開口周緣之間形成一環狀內溝槽，該環狀內溝槽內配置軟性材質；該安裝板的外背側形成內凹面。
如申請專利範圍第1項所述之盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置，其中該至少一LED燈為多排配置的多個LED燈。
如申請專利範圍第1項所述之盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置，其中該至少一紫外線殺菌燈及該至少一LED燈形成交錯的排列配置。
如申請專利範圍第1項所述之盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置，其中該盤體為矩形、圓形、橢圓形或多邊形。
一種具有可拆裝式殺菌機構的空調機構，包含：一申請專利範圍第1項中所述之盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置；以及一空調裝置，其為一中央空調系統，具有多個出風口用於輸出空氣；該多個出風口中的至少一出風口安裝一對應的盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置；各該盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置的該盤體與對應的出風口形成可分離式的結合；對於安裝有該盤體的出風口，該出風口的內側中央處安裝有一對應的盤體；當該空調裝置將空氣經由該出風口向外輸出時，該至少一盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置的該紫外線殺菌燈用於對該出風口內部照射紫外線以進行殺菌。
如申請專利範圍第5項所述之具有可拆裝式殺菌機構的空調機構，其中各該盤體的該安裝板應用貼合、螺接、卡合或扣合的方式結合到對應的出風口的內側，該盤體的該至少一紫外線殺菌燈的紫外線發射方向朝向該出風口內部。
如申請專利範圍第5項所述之具有可拆裝式殺菌機構的空調機構，其中各該盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置尚包含至少一LED燈，安裝在對應的該安裝凹槽內，用於發出光線以作為照明之用。
如申請專利範圍第5項所述之具有可拆裝式殺菌機構的空調機構，其中各該盤狀可拆裝式風口紫外線殺菌裝置的該盤體為矩形、圓形、橢圓形或多邊形。
一種組成物，其包含分散於基質材料中之填料粒子，其中該基質材料包含： <br/>(a) 0.01至1.50重量百分比的第一聚有機矽氧烷，其中第一聚有機矽氧烷係每分子具有平均2或更多個羧酸基的線性聚有機矽氧烷；及 <br/>(b) 5至30重量百分比的不含羧酸基之第二聚有機矽氧烷，其中該第二聚有機矽氧烷在25攝氏度及101千帕斯卡壓力下為液體； <br/>其中該等填料粒子以在以組成物體積計15至小於78體積百分比範圍內之濃度存在，且重量百分比值係相對於該組成物之重量，且其中該組成物不含脂族二醇及聚矽氧聚醚中之至少一者。
如請求項1之組成物，其中該第一聚有機矽氧烷具有平均化學結構(I)： <br/><br/>HOOC-R'-R<sub>2</sub>SiO-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>n</sub>-SiR<sub>2</sub>-R'-COOH (I) <br/><br/>其中R'在每次出現時獨立地選自具有一至12個碳原子之二價烴之群組，R在每次出現時獨立地選自具有一至八個碳原子之烴基之群組，且下標n係在5至150範圍內之值。
如請求項2之組成物，其中各R'係-[CH<sub>2</sub>]<sub>9</sub>-，各R係甲基，且下標n係在8至130範圍內之值。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該第二聚有機矽氧烷具有平均化學結構(II)： <br/><br/>R<sup>a</sup>R''<sub>2</sub>SiO-[R<sub>2</sub>SiO]<sub>m</sub>-OR''<sub>2</sub>R<sup>a</sup> (II) <br/><br/>其中各R''及R<sup>a</sup>在每次出現時獨立地選自具有一至八個碳原子之烴基的群組，且下標m係在40至800範圍內之值。
如請求項4之組成物，其中該基質材料進一步包含包括二或更多個氫化矽烷基團之第三聚矽氧烷。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該等填料粒子包含濃度在以組成物體積計40至74體積百分比範圍內之導熱填料粒子，且其中： <br/>i. 當該導熱填料以在以組成物體積計40至70體積百分比範圍內之濃度存在時，則該第一聚有機矽氧烷以在相對於組成物重量0.01重量百分比至小於1.5重量百分比範圍內之濃度存在；且 <br/>ii. 當該導熱填料以組成物體積計大於70且同時74體積百分比之濃度存在時，則該第一聚有機矽氧烷以在相對於組成物重量0.01重量百分比至0.5重量百分比範圍內之濃度存在。
如請求項6之組成物，其中該組成物進一步包含選自三烷氧基官能聚矽氧及矽烷之填料處理劑。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該等填料粒子包含以在以組成物體積計5至55體積百分比範圍內之濃度存在的導電填料粒子，且其中該第一聚有機矽氧烷以在相對於組成物重量0.1至1.5重量百分比範圍內之濃度存在。
如請求項8之組成物，其中該第二聚有機矽氧烷包含每分子至少兩個乙烯基，且其中該組成物進一步包含氫化矽烷基官能聚二甲基矽氧烷交聯劑及基於鉑之矽氫化催化劑。
如請求項1至3中任一項之組成物，其中該組成物不含下列任一者或超過一者之任何組合：脂族二醇、聚矽氧聚醚、及Si-OH末端聚矽氧烷。
一種延伸多孔性薄膜，其特徵為： <br/>由含有聚乙烯系樹脂100質量份、及利用雷射繞射光散射法測定之平均粒徑為10μm以下的無機填充劑80~200質量份之樹脂組成物構成，縱方向之熱收縮率為1.2%以下、透濕度為2000g/m<sup>2</sup>・24h以上， <br/>該聚乙烯系樹脂含有密度0.931~0.940g/cm<sup>3</sup>之線形低密度聚乙烯20~70質量%、密度0.901~0.940g/cm<sup>3</sup>之分支狀低密度聚乙烯8~20質量%、及其他樹脂，且密度0.900g/cm<sup>3</sup>以下之樹脂為0.5質量%以下。
如請求項1之延伸多孔性薄膜，其中，該聚乙烯系樹脂含有密度0.901~0.930g/cm<sup>3</sup>之線形低密度聚乙烯22~67質量%作為該其他樹脂。
如請求項1之延伸多孔性薄膜，其中，該聚乙烯系樹脂含有密度0.941~0.975g/cm<sup>3</sup>之高密度聚乙烯22~67質量%作為該其他樹脂。
如請求項1至3中任一項之延伸多孔性薄膜，其中，該無機填充劑為碳酸鈣。
一種如請求項1至4中任一項之延伸多孔性薄膜之製造方法， <br/>係將使樹脂組成物成形而成的薄膜沿縱方向進行1.8~3.5倍延伸，然後在維持縱方向之收縮率為3~20%之狀態，於超過95℃且為120℃以下之溫度範圍內進行至少0.2秒熱固定， <br/>該樹脂組成物，含有聚乙烯系樹脂100質量份、及無機填充劑80~200質量份，該聚乙烯系樹脂含有密度0.931~0.940g/cm<sup>3</sup>之線形低密度聚乙烯20~70質量%、密度0.901~0.940g/cm<sup>3</sup>之分支狀低密度聚乙烯8~20質量%、及其他樹脂，且密度0.900g/cm<sup>3</sup>以下之樹脂為0.5質量%以下。
一種硬化性組成物，其中包含以下的成分(1)～(5)： <br/> (1)具有(甲基)丙烯醯基的化合物、 <br/> (2)聚硫醇化合物、 <br/> (3)選自由結晶性雙酚型環氧樹脂和結晶性二苯硫醚型環氧樹脂所成群中至少一種、 <br/> (4)光自由基產生劑，以及 <br/> (5)潛在性硬化劑； <br/> 成分(1)中的丙烯醯基和甲基丙烯醯基以及硬化性組成物中所含的環氧樹脂中的環氧基的合計與成分(2)中的巰基的莫耳比(成分(1)中的丙烯醯基和甲基丙烯醯基以及硬化性組成物中所含的環氧樹脂中的環氧基的合計/成分(2)中的巰基)為0.5～2.0，且 <br/> 相對於硬化性組成物全體，成分(3)之量為1～50質量%。
如請求項1之硬化性組成物，其中，相對於硬化性組成物全體，成分(1)之量為20～60質量%。
如請求項1之硬化性組成物，其中，成分(2)包含在1分子中具有2～6個巰基的聚硫醇化合物。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中成分(3)包含選自由下述環氧樹脂所成群的至少一種： <br/> 以式(3a)表示的環氧樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="268px" width="1165px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3a)中，n表示0以上的數； <br/> 以式(3b)表示的環氧樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="848px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3b)中，Me表示甲基，且t-Bu表示第三丁基；以及 <br/> 以式(3c)表示的環氧樹脂， <br/><img align="absmiddle" height="190px" width="831px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(3c)中，Me表示甲基。
如請求項1或2之硬化性組成物，其中成分(5)包含選自由胺-環氧加成物類化合物及胺-異氰酸酯加成物類化合物所成群中至少一種。
一種黏接劑，其中包含如請求項1～5中任一項之硬化性組成物。
如請求項6之黏接劑，其中該黏接劑用於相機模組的構成零件之間的黏接。
一種密封劑，其中包含如請求項1～5中任一項之硬化性組成物。
一種塗布劑，其中包含如請求項1～5中任一項之硬化性組成物。
一種相機模組的製造方法，其中包含以下的步驟(I)～(III)： <br/> (I)進行塗布有如請求項1～5中任一項之硬化性組成物的第一黏接零件與第二黏接零件的定位的步驟； <br/> (II)通過光照射使前述硬化性組成物硬化，進而使第一黏接零件與第二黏接零件之間進行臨時固定的步驟；以及 <br/> (III)通過加熱使前述硬化性組成物硬化，進而使第一黏接零件與第二黏接零件之間進行正式固定的步驟。
一種在基板上共形地形成膜之方法，包括：<br/> 將一基板裝載至一反應器的一反應室內；<br/> 在一第一氣體脈衝週期內在該反應室內提供一第一氣體，該第一氣體包括一載體氣體；<br/> 在該反應室內提供一第二氣體，該第二氣體由該載體氣體及一含氮反應物組成；<br/> 使用一第一電漿條件，使用該第二氣體形成第一活化種類，藉以形成一沉積材料之一層；<br/> 使用一第二電漿條件，使用該第二氣體形成第二活化種類，以處理該沉積材料，而形成一處理層；及<br/> 使用一第三電漿條件，使用一第三氣體形成活化種類，藉以形成一表面改質層，<br/> 其中形成該處理層實質上由使用該第二氣體形成該第二活化種類組成，<br/> 其中該第一電漿條件與該第二電漿條件不同，<br/> 其中該第三氣體由該載體氣體、該含氮反應物及一含氫反應物組成，且<br/> 其中該第一電漿條件係以一第一電漿功率施行，其中該第二電漿條件係以一第二電漿功率施行，其中該第三電漿條件係以一第三電漿功率施行，其中該第二電漿功率大於該第一電漿功率，且其中該第三電漿功率大於該第一電漿功率並小於該第二電漿功率。
如請求項1之方法，其中該膜的一階梯覆蓋率大於80%。
如請求項1之方法，其中該基板被加熱至介於100℃與500℃之間的一溫度。
如請求項1之方法，其進一步包括重複以下步驟：<br/> 在該反應室內提供該第一氣體；<br/> 使用該第一電漿條件，使用該第二氣體形成該第一活化種類，藉以形成該沉積材料之另一層；<br/> 使用該第二電漿條件，使用該第二氣體形成該第二活化種類；及<br/> 使用該第三電漿條件，使用該第三氣體形成該活化種類，藉以形成另一表面改質層。
如請求項1之方法，其中該第一電漿條件在該基板的一邊緣展現一降低電場，相對於使用該第二電漿條件形成於該邊緣的一電場而言。
如請求項1之方法，其中該第二電漿條件增加該沉積材料之該層的一硬度。
如請求項1之方法，其中該沉積材料之該層包括氮化矽，且其中該第一氣體不包括該含氫反應物。
如請求項1之方法，其中該第三電漿條件在該處理層上產生複數個成膜促進位點。
如請求項1之方法，其中該第一氣體包括一含矽前驅物。
如請求項9之方法，其中該含矽前驅物包括一矽烷前驅物。
如請求項9之方法，其中該含矽前驅物包括一鹵素。
如請求項9之方法，其中該 含矽前驅物包括一胺。
如請求項9之方法，其中該含矽前驅物包括TSA，(SiH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>N；DSO，(SiH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>；DSMA，(SiH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>NMe；DSEA，(SiH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>NEt；DSIPA，(SiH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>N(iPr)；DSTBA，(SiH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>N(tBu)；DEAS，SiH<sub>3</sub>NEt<sub>2</sub>；DTBAS，SiH<sub>3</sub>N(tBu)<sub>2</sub>；BDEAS，SiH<sub>2</sub>(NEt<sub>2</sub>)<sub>2</sub>；BDMAS，SiH<sub>2</sub>(NMe<sub>2</sub>)<sub>2</sub>；BTBAS，SiH<sub>2</sub>(NHtBu)<sub>2</sub>；TEOS，Si(OEt)<sub>4</sub>；SiCl<sub>4</sub>；HCD，Si<sub>2</sub>Cl<sub>6</sub>；DCS，SiH<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>；3DMAS，SiH(N(Me)<sub>2</sub>)<sub>3</sub>；BEMAS，SiH<sub>2</sub>[N(Et)(Me)]<sub>2</sub>；AHEAD，Si<sub>2</sub>(NHEt)<sub>6</sub>；TEAS，Si(NHEt)<sub>4</sub>；或Si<sub>3</sub>H<sub>8</sub>或其任何組合中之至少一者，其中Me代表一甲基，Et代表一乙基，iPr代表一異丙基，及tBu代表一三級丁基。
如請求項1之方法，其中該第一電漿功率係介於約100 W與約800 W之間。
如請求項1之方法，其中該第二電漿功率係介於約600 W與約1500 W之間。
如請求項1之方法，其中該第三電漿功率係介於約300 W與約1000 W之間。
如請求項1之方法，其中該第三電漿功率係介於約500 W與約800 W之間，該第二電漿功率係介於約800 W與約1200 W之間，且該第一電漿功率係介於約300 W與約600 W之間。
一種在基板上共形地形成膜之方法，包括：<br/> 將一基板裝載至一反應器的一反應室內；<br/> 在一第一氣體脈衝週期內在該反應室內提供一第一氣體，該第一氣體包括一載體氣體；<br/> 在該反應室內提供一第二氣體，該第二氣體由該載體氣體及一含氮反應物組成；<br/> 使用一第一電漿條件，使用該第二氣體形成第一活化種類，藉以形成一沉積材料之一層；<br/> 使用一第二電漿條件，使用該第二氣體形成第二活化種類，以處理該沉積材料，而形成一處理層；及<br/> 使用一第三電漿條件，使用一第三氣體形成活化種類，藉以形成一表面改質層，<br/> 其中形成該處理層實質上由使用該第二氣體形成該第二活化種類組成，<br/> 其中該第一電漿條件與該第二電漿條件不同，<br/> 其中該第三氣體由該載體氣體、該含氮反應物及一含氫反應物組成，且<br/> 其中該第二電漿條件降低該沉積材料之該層的一濕蝕刻速率不均勻性。
一種在基板上共形地形成膜之方法，包括：<br/> 將一基板裝載至一反應器的一反應室內；<br/> 在一第一氣體脈衝週期內在該反應室內提供一第一氣體，該第一氣體包括一載體氣體；<br/> 在該反應室內提供一第二氣體，該第二氣體由該載體氣體及一含氮反應物組成；<br/> 使用一第一電漿條件，使用該第二氣體形成第一活化種類，藉以形成一沉積材料之一層；<br/> 使用一第二電漿條件，使用該第二氣體形成第二活化種類，以處理該沉積材料，而形成一處理層；及<br/> 使用一第三電漿條件，使用一第三氣體形成活化種類，藉以形成一表面改質層，<br/> 其中形成該處理層實質上由使用該第二氣體形成該第二活化種類組成，<br/> 其中該第一氣體包括一含矽前驅物，且<br/> 其中該含氮反應物包括N<sub>2</sub>O及NO<sub>2</sub>中之一或多者中的單獨者或任一組合。
一種在基板上共形地形成膜之方法，包括：<br/> 將一基板裝載至一反應器的一反應室內；<br/> 在一第一氣體脈衝週期內在該反應室內提供一第一氣體，該第一氣體包括一載體氣體；<br/> 在該反應室內提供一第二氣體，該第二氣體由該載體氣體及一含氮反應物組成；<br/> 使用一第一電漿條件，使用該第二氣體形成第一活化種類，藉以形成一沉積材料之一層；<br/> 使用一第二電漿條件，使用該第二氣體形成第二活化種類，以處理該沉積材料，而形成一處理層；及<br/> 使用一第三電漿條件，使用一第三氣體形成活化種類，藉以形成一表面改質層，<br/> 其中形成該處理層實質上由使用該第二氣體形成該第二活化種類組成，<br/> 其中該第一電漿條件與該第二電漿條件不同，<br/> 其中該第三氣體由該載體氣體、該含氮反應物及一含氫反應物組成，且<br/> 其中在提供該第一氣體之步驟、提供該第二氣體之步驟及使用該第三氣體之步驟的期間持續提供該第二氣體。
一種在基板上共形地形成膜之方法，包括：<br/> 將一基板裝載至一反應器的一反應室內；<br/> 在一第一氣體脈衝週期內在該反應室內提供一第一氣體，該第一氣體包括一載體氣體；<br/> 在該反應室內提供一第二氣體，該第二氣體由該載體氣體及一含氮反應物組成；<br/> 使用一第一電漿條件，使用該第二氣體形成第一活化種類，藉以形成一沉積材料之一層；<br/> 使用一第二電漿條件，使用該第二氣體形成第二活化種類，以處理該沉積材料，而形成一處理層；及<br/> 使用一第三電漿條件，使用一第三氣體形成活化種類，藉以形成一表面改質層，<br/> 其中形成該處理層實質上由使用該第二氣體形成該第二活化種類組成，<br/> 其中該第一電漿條件與該第二電漿條件不同，<br/> 其中該第三氣體由該載體氣體、該含氮反應物及一含氫反應物組成，且<br/> 其中形成該第一活化種類之步驟的期間的一電極間距與形成該第二活化種類之步驟的期間的一電極間距不同。
一種半導體結構，係根據請求項1至21中任一項之方法所形成。
一種真空泵，其特徵在於： <br/>具備加熱功能或冷卻功能中之至少一者，且 <br/>被加熱或冷卻之被調溫零件至少包含螺紋槽泵機構；且 <br/>該真空泵具備： <br/>絕熱部，其於上述螺紋槽泵機構與基座之間配設於軸向，呈中空構造，該中空構造係於周向上重複設置沿上述軸向或半徑方向形成之複數個空腔而成；且 <br/>上述複數個空腔中之沿上述軸向形成之上述空腔之至少一部分形成為自開口方向觀察向上述周向傾斜之平行四邊形狀。
如請求項1之真空泵，其中 <br/>上述空腔之至少一部分形成為自開口方向觀察大致三角形狀。
如請求項1或2之真空泵，其中 <br/>上述空腔之至少一部分經閉塞。
如請求項1或2之真空泵，其進而具備 <br/>渦輪分子泵機構，其具備：旋轉體，其具有多段狀排列於軸向之複數片旋轉翼；及複數片固定翼，其等配設於上述複數片旋轉翼之間；且 <br/>上述被調溫零件為上述複數片固定翼中之至少1片固定翼； <br/>上述絕熱部配設於上述固定翼之支持部。
如請求項1或2之真空泵，其進而具備 <br/>於半徑方向上相互對向之旋轉圓筒之外周面與固定圓筒之內周面之至少一面形成有螺紋槽之霍爾偉克(Holweck)型泵機構， <br/>上述被調溫零件為上述固定圓筒， <br/>上述絕熱部配設於上述固定圓筒之支持部。
如請求項1或2之真空泵，其進而具備 <br/>西格巴恩(Siegbahn)型泵機構，其具有軸向上相互對向之旋轉圓板與固定圓板，於與上述旋轉圓板對向之上述固定圓板之至少一面形成有具有渦卷狀山部與渦卷狀谷部之渦卷狀槽， <br/>上述被調溫零件為上述固定圓板， <br/>上述絕熱部配設於上述固定圓板之支持部。
一種絕熱構件，其特徵在於使用於具備加熱功能或冷卻功能之至少一者之真空泵，且 <br/>被加熱或冷卻之被調溫零件至少包含螺紋槽泵機構；且 <br/>該絕熱構件於上述螺紋槽泵機構與基座之間配設於軸向，呈中空構造，該中空構造係於周向上重複設置沿上述軸向或半徑方向形成之複數個空腔而成；且 <br/>上述複數個空腔中之沿上述軸向形成之上述空腔之至少一部分形成為自開口方向觀察向上述周向傾斜之平行四邊形狀。
一種樹脂組合物，其包含聚醯亞胺及丙烯酸系樹脂， <br/>上述聚醯亞胺含有含氟之芳香族四羧酸二酐及不含氟之芳香族四羧酸二酐作為四羧酸二酐成分，並且含有氟烷基取代聯苯胺作為二胺成分， <br/>相對於上述聚醯亞胺之四羧酸二酐成分總量，含氟之芳香族四羧酸二酐之量為35～90莫耳%，不含氟之芳香族四羧酸二酐之量為10～65莫耳%， <br/>相對於上述聚醯亞胺之二胺成分總量，氟烷基取代聯苯胺之量為40莫耳%以上， <br/>上述丙烯酸系樹脂中，相對於單體成分總量，甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸甲酯之改性結構之合計量為60重量%以上。
如請求項1之樹脂組合物，其中上述不含氟之四羧酸二酐包含選自由均苯四甲酸二酐、1,2,3,5-苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4'-(4,4'-亞異丙基二苯氧基)二鄰苯二甲酸酐、9,9-雙(3,4-二羧基苯基)茀二酸酐、及雙(偏苯三甲酸酐)酯所組成之群中之1種以上。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述含氟之芳香族四羧酸二酐為4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述氟烷基取代聯苯胺為2,2'-雙(三氟甲基)聯苯胺。
如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度為90℃以上。
如請求項1或2之樹脂組合物，其以98：2～2：98之範圍之重量比包含上述聚醯亞胺及上述丙烯酸系樹脂。
一種成形體，其包含如請求項1至6中任一項之樹脂組合物。
一種膜，其包含如請求項1至6中任一項之樹脂組合物。
如請求項8之膜，其厚度為5 μm以上300 μm以下，全光線透過率為85%以上，霧度為10%以下，黃度為3.0以下，拉伸彈性模數為3.0 GPa以上，鉛筆硬度為F以上。
一種填塞物珠粒，係緩衝材用填塞物珠粒，特徵在於：<br/> 前述填塞物珠粒為聚烯烴系樹脂發泡粒子，係以聚烯烴系樹脂作為基材樹脂之發泡粒子本體被包含脂肪酸金屬鹽之被覆劑被覆者，且前述發泡粒子本體含有脂肪酸醯胺；<br/> 前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之脂肪酸金屬鹽之被覆量，相對於聚烯烴系樹脂發泡粒子100重量%為0.05重量%以上且1重量%以下；<br/> 前述脂肪酸醯胺與前述脂肪酸金屬鹽之重量比為1：0.5~1：20。
如請求項1之填塞物珠粒，其中前述聚烯烴系樹脂發泡粒子中脂肪酸醯胺之含量為0.01重量%以上且1重量%以下。
如請求項1或2之填塞物珠粒，其中前述脂肪酸醯胺包含芥酸醯胺。
如請求項1或2之填塞物珠粒，其中前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之平均體積為0.5mm<sup>3</sup>/個以上且1000mm<sup>3</sup>/個以下，並且，前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之前述脂肪酸金屬鹽被覆量之平均值為前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之平均體積每1mm<sup>3</sup>為0.01μg以上且0.3μg以下。
如請求項1或2之填塞物珠粒，其中前述脂肪酸金屬鹽包含硬脂酸鋅。
如請求項1或2之填塞物珠粒，其中前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之形狀略呈圓柱狀，並且平均L/D為0.8以上且1.3以下。
如請求項1或2之填塞物珠粒，其中前述聚烯烴系樹脂發泡粒子之體密度為5kg/m<sup>3</sup>以上且200kg/m<sup>3</sup>以下。
一種如請求項1至7中任一項之填塞物珠粒之製造方法，係製造緩衝材用填塞物珠粒之方法，該製造方法係以包含脂肪酸金屬鹽之被覆劑被覆發泡粒子本體而製得前述填塞物珠粒，前述發泡粒子本體係以聚烯烴系樹脂作為基材樹脂且含有脂肪酸醯胺。
一種真空泵，其特徵在於： <br/>具備控制機構，上述控制機構控制真空泵中所包含之各部之動作； <br/>上述控制機構具備：從屬電路，其與上述各部連接且控制該各部之動作；主控電路，其與上述從屬電路連接且控制該從屬電路；及記憶體，其與上述主控電路連接； <br/>上述主控電路定期地與上述從屬電路進行通信，取得該通信中之通信狀態之歷程， <br/>上述記憶體記憶上述通信狀態之歷程， <br/>上述通信狀態之歷程包含：通信錯誤之種類別之次數，且 <br/>上述真空泵構成為：將比最近已產生之上述通信狀態之歷程更之前由上述記憶體所記憶之包含上述通信錯誤之種類別之次數的上述通信狀態之歷程，自上述記憶體刪除。
如請求項1之真空泵，其中基於上述通信狀態之歷程，向外部發出警報。
如請求項2之真空泵，其中上述警報基於特定期間內之上述通信錯誤之總次數而發出。
如請求項2之真空泵，其中上述警報基於特定期間內之上述通信錯誤之發生比例而發出。
如請求項2之真空泵，其中上述警報基於連續複數次之上述通信錯誤而發出。
如請求項1之真空泵，其中上述通信狀態之歷程包含最近產生之上述通信錯誤中之資料之請求內容、資料之應答內容、錯誤之種類、及時刻之至少一者。
一種控制裝置，其特徵在於，其係控制真空泵中所包含之各部之動作之控制裝置，且具備： <br/>從屬電路，其與上述各部連接且控制該各部之動作；主控電路，其與上述從屬電路連接且控制該從屬電路；及記憶體，其與上述主控電路連接； <br/>上述主控電路定期地與上述從屬電路進行通信，取得該通信中之通信狀態之歷程， <br/>上述記憶體記憶上述通信狀態之歷程， <br/>上述通信狀態之歷程包含：通信錯誤之種類別之次數，且 <br/>上述控制裝置構成為：將比最近已產生之上述通信狀態之歷程更之前由上述記憶體所記憶之包含上述通信錯誤之種類別之次數的上述通信狀態之歷程，自上述記憶體刪除。
一種正型工作化學放大光敏組合物，其包含： <br/>組分a)至少一種具有結構(A)之無規共聚物，其中 <br/>結構(I)重複單元在17莫耳%至70莫耳%之範圍內， <br/>結構(II)重複單元在0至70莫耳%之範圍內， <br/>結構(III)重複單元在0至70莫耳%之範圍內， <br/>該等結構(II)及(III)重複單元之總和在30莫耳%至70莫耳%之範圍內， <br/>結構(IV)重複單元在0莫耳%至35莫耳%之範圍內，其中結構(I)、(II)、(III)及(IV)重複單元之莫耳%之總和不超過100莫耳%，或若不存在其他類型之重複單元，則等於100莫耳%，Ri<sub>1</sub>、Ri<sub>2</sub>、Ri<sub>14</sub>及Ri<sub>13</sub>係個別地選自H或C-1至C-4烷基，Ri<sub>3</sub>、Ri<sub>4</sub>、Ri<sub>5</sub>、Ri<sub>6</sub>、R<sub>i7</sub>、<sub/>Ri<sub>8</sub>、Ri<sub>9</sub>、Ri<sub>10</sub>、Ri<sub>11</sub>及Ri<sub>12</sub>係個別地選自H、C-1至C-8烷基、C-1至C-4烷氧基、苯基、經取代之苯基及其混合物，Li<sub>1</sub>係C-2至C-6伸烷基部分，ni、mi、oi及pi分別係結構(I)、(II)、(III)及(IV)重複單元之數量，且進一步其中， <br/>該結構(A)共聚物在23℃下於0.26 N四甲基氫氧化銨中具有500 Å/sec之最小溶解速率，且不包含任何具有酸可裂解基團之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="212px" width="243px" file="ed10125.jpg" alt="ed10125.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A)， <br/>組分b)至少一種包含選自具有結構(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)及(7)者之重複單元之結構(B)丙烯酸系共聚物組分：其中 <br/>R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>係個別地選自H、F、C-1至C-4全氟烷基或C-1至C-4烷基， <br/>R<sub>8</sub>及R<sub>9</sub>係個別地選自H、C-1至C-4烷基、C-1至C-4烷氧烷基及鹵素， <br/>R<sub>10</sub>係選自由以下組成之群：C-1至C-8一級烷基、C-3至C-8二級烷基、C-3至C-8環形二級烷基及C-7至C-14二級脂環族烷基， <br/>R<sub>11</sub>係C-2至C-8 (羥基)伸烷基部分， <br/>R<sub>12</sub>係三級烷基酸可裂解基團，及 <br/>R<sub>13</sub>係C-3至C-12 (烷氧基)伸烷基部分；且進一步 <br/>此等重複單元總計構成該官能化丙烯酸系共聚物中之重複單元之100莫耳%，其中， <br/>結構(1)重複單元在該丙烯酸系共聚物之0莫耳%至20莫耳%之範圍內， <br/>結構(2)重複單元在該丙烯酸系共聚物之0莫耳%至20莫耳%之範圍內， <br/>其中結構(3)重複單元在該丙烯酸系共聚物之5莫耳%至55莫耳%之範圍內， <br/>其中結構(4)重複單元在該丙烯酸系共聚物之0莫耳%至30莫耳%之範圍內， <br/>結構(5)重複單元在該丙烯酸系共聚物之15莫耳%至55莫耳%之範圍內， <br/>結構(6)重複單元在該丙烯酸系共聚物之18莫耳%至40莫耳%之範圍內， <br/>結構(7)重複單元在該丙烯酸系共聚物之0莫耳%至40莫耳%之範圍內， <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="29px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(1) <img align="absmiddle" height="40px" width="28px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(2) <img align="absmiddle" height="62px" width="29px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(3) <img align="absmiddle" height="40px" width="26px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(4) <br/><img align="absmiddle" height="41px" width="27px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5) <img align="absmiddle" height="43px" width="28px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6) <img align="absmiddle" height="43px" width="28px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(7)， (B) <br/>組分c)至少一種酚醛(Novolak)聚合物， <br/>組分d)至少一種光酸產生劑(PAG)， <br/>組分e)至少一種鹼添加劑， <br/>組分f)至少一種雜環硫醇化合物， <br/>組分g)有機旋鑄溶劑。
如請求項1之組合物，其中組分a)係選自由結構(I)及(II)重複單元構成之共聚物，由結構(I)及(III)重複單元構成之共聚物，由結構(I)、(II)及(III)重複單元構成之共聚物，由結構(I)、(II)及(IV)重複單元構成之共聚物，由結構(I)、(III)及(IV)重複單元構成之共聚物，及由結構(I)、(II)、(III)及(IV)重複單元構成之共聚物。
如請求項1或2之組合物，其中該等結構(I)重複單元在該共聚物中之總重複單元之20莫耳%至65莫耳%之範圍內。
如請求項1或2之組合物，其中組分a)具有選自由結構(A-1)、結構(A-2)、結構(A-3)、結構(A-4)、結構(A-5)、結構(A-6)、結構(A-7)、結構(A-8)及結構(A-9)所構成群組之結構： <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="121px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-1)、 <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="85px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-2)、 <br/><img align="absmiddle" height="73px" width="78px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-3)、 <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="160px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-4)、 <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="128px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-5)、 <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="167px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-6)、 <br/><img align="absmiddle" height="113px" width="135px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-7)、 <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="119px" file="ed10105.jpg" alt="ed10105.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-8)、 <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="126px" file="ed10106.jpg" alt="ed10106.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (A-9)。
如請求項1或2之組合物，其中組分a)在總固體組分之10重量%至25重量%之範圍內。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)在總固體組分之20重量%至65重量%之範圍內。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其包含5莫耳%至20莫耳%之結構(1)重複單元，及/或5莫耳%至20莫耳%之結構(7)重複單元。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(3)重複單元、35莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元及25莫耳%至35莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其由5莫耳%至10莫耳%之結構(1)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(3)重複單元、45莫耳%至55莫耳%之結構(5)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至10莫耳%之結構(1)重複單元、12莫耳%至22莫耳%之結構(3)重複單元、20莫耳%至35莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至40莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由12莫耳%至22莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至40莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至8莫耳%之結構(1)重複單元、10莫耳%至17莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至40莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至7.5莫耳%之結構(1)重複單元、10莫耳%至17莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至40莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、5莫耳%至15莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至40莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、20莫耳%至35莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由5莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、20莫耳%至30莫耳%之結構(3)重複單元、35莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至18莫耳%之結構(1)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(3)重複單元、25莫耳%至35莫耳%之結構(5)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(6)重複單元及5莫耳%至15莫耳%之結構(7)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、25莫耳%至35莫耳%之結構(3)重複單元、25莫耳%至35莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至35莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、27莫耳%至45莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至40莫耳%之結構(5)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、15莫耳%至25莫耳%之結構(3)重複單元、35莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元、25莫耳%至35莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、20莫耳%至37莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元、20莫耳%至30莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由7莫耳%至15莫耳%之結構(1)重複單元、20莫耳%至30莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元、20莫耳%至35莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中組分b)包含至少一種結構(B)共聚物，其中至少一種該共聚物由10莫耳%至20莫耳%之結構(1)重複單元、20莫耳%至30莫耳%之結構(3)重複單元、30莫耳%至45莫耳%之結構(5)重複單元、20莫耳%至35莫耳%之結構(6)重複單元構成。
如請求項1或2之組合物，其中： <br/>該結構(1)重複單元若存在則具有結構(1a)或(1b)， <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="31px" file="ed10107.jpg" alt="ed10107.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1a) <img align="absmiddle" height="34px" width="31px" file="ed10108.jpg" alt="ed10108.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (1b)， <br/>該結構(3)重複單元具有結構(3a)或(3b)， <br/><img align="absmiddle" height="55px" width="29px" file="ed10109.jpg" alt="ed10109.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(3a) <img align="absmiddle" height="55px" width="29px" file="ed10110.jpg" alt="ed10110.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(3b)， <br/>該結構(5)重複單元具有結構(5a)或(5b)， <br/><img align="absmiddle" height="56px" width="35px" file="ed10111.jpg" alt="ed10111.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5a) <img align="absmiddle" height="56px" width="35px" file="ed10112.jpg" alt="ed10112.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5b)， <br/>該結構(7)重複單元若存在則具有結構(7a)或(7b)， <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="28px" file="ed10113.jpg" alt="ed10113.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(7a) <img align="absmiddle" height="69px" width="28px" file="ed10114.jpg" alt="ed10114.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(7b)， <br/>該結構(6)重複單元具有結構(6a)、(6b)、(6c)或(6d) <br/><img align="absmiddle" height="48px" width="34px" file="ed10115.jpg" alt="ed10115.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6a)、<img align="absmiddle" height="46px" width="28px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6b) <img align="absmiddle" height="48px" width="34px" file="ed10117.jpg" alt="ed10117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6c)、<img align="absmiddle" height="46px" width="28px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(6d)。
如請求項1或2之組合物，其中，組分d)光酸產生劑(PAG)係有機磺酸之芳族醯亞胺N-氧基磺酸鹽衍生物、有機磺酸之芳族鋶鹽、三鹵三嗪衍生物或其混合物。
如請求項1或2之組合物，其中，組分f)該雜環硫醇係選自通式： <br/><img align="absmiddle" height="23px" width="42px" file="ed10126.jpg" alt="ed10126.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(H1) <img align="absmiddle" height="23px" width="42px" file="ed10127.jpg" alt="ed10127.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(H2) <img align="absmiddle" height="22px" width="44px" file="ed10128.jpg" alt="ed10128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> (H3) <br/>於該結構(H1)中，Xt係選自由以下組成之群：N(Rt<sub>3</sub>)、C(Rt<sub>1</sub>)(Rt<sub>2</sub>)、O、S、Se及Te； <br/>於該結構(H2)中，Y係選自由以下組成之群：C(Rt<sub>3</sub>)及N； <br/>於該結構(H3)中，Z係選自由以下組成之群：C(Rt<sub>3</sub>)及N；及 <br/>Rt<sub>1</sub>、Rt<sub>2</sub>及Rt<sub>3</sub>係獨立地選自由以下組成之群：H、具有1至8個碳原子之經取代之烷基、具有1至8個碳原子之未經取代之烷基、具有2至8個碳原子之經取代之烯基、具有2至8個碳原子之未經取代之烯基、具有2至8個碳原子之經取代之炔基、具有2至8個碳原子之未經取代之炔基、具有6至20個碳原子之經取代之芳族基團、具有3至20個碳原子之經取代之雜芳族基團、具有6至20個碳原子之未經取代之芳族基團及具有3至20個碳原子之未經取代之雜芳族基團。
一種用於使光阻成像之方法，其包括以下步驟； <br/>i)將如請求項1至26中任一項之組合物塗佈至基板上以形成光阻膜； <br/>ii)使用遮罩使該光阻膜選擇性地曝光於UV光以形成經選擇性曝光之光阻膜； <br/>iii)使該經選擇性曝光之膜顯影以於該基板上形成正像光阻膜。
一種用於使光阻成像之方法，其包括以下步驟； <br/>ia)將如請求項1至26中任一項之組合物塗佈至基板上以形成光阻膜； <br/>iia)使用遮罩使該光阻膜選擇性地曝光於UV光以形成經選擇性曝光之光阻膜； <br/>iiia)烘烤該經選擇性曝光之光阻膜以形成經烘烤經選擇性曝光之光阻膜； <br/>iva)使該經選擇性曝光及烘烤之光阻膜顯影以於該基板上形成正像光阻膜。
一種如請求項1至26中任一項之組合物之用途，其用於形成光阻。
一種製作攝影機（700）之方法（100），其包含以下步驟： <br/>將電路載體（201）與在該電路載體（201）之用以承載影像感測器（205）之表面上的金屬框架（204）接合在一起（101）以提供電路載體配置（200）； <br/>光學量測（102）該電路載體配置（200）以判定該電路載體（201）上之該影像感測器（205）的位置； <br/>將具有物鏡外殼（302）之物鏡（301）引入（103）至攝影機外殼（304）中，該攝影機外殼（304）具有攝影機外殼套環（305），該攝影機外殼套環（305）延伸至該攝影機外殼（304）之內部中且具有配置於面向該影像感測器（205）之一側上的壓縮元件，且將該物鏡外殼（302）緊固（104）至該攝影機外殼（304）； <br/>對被緊固至該攝影機外殼（304）之該物鏡（301）進行光學量測（105）以判定該物鏡（301）之焦點及影像平面傾斜； <br/>取決於該電路載體配置（200）之該光學量測（102）及被緊固至該攝影機外殼（304）之該物鏡（301）的該光學量測（105）而壓縮（106）該壓縮元件，以沿著第一座標軸（Z）及沿著兩個旋轉軸（rotX，rotY）設定該物鏡（301）相對於待配置於該攝影機外殼（304）上之該電路載體配置（200）之對準； <br/>在該攝影機外殼（304）上配置（107）該電路載體配置（200）且將該電路載體配置（200）沿著另外兩個座標軸（X,Y）及另一個旋轉軸（rotZ）進行對準（108）；以及 <br/>連接（109）該電路載體配置（200）及該攝影機外殼（304）。
如請求項1之方法（100），其中，在進行該電路載體配置（200）之該光學量測（102）中，判定該影像感測器（205）之靈敏表面相距該電路載體（201）之該表面的距離及/或該影像感測器（205）之表面法線。
如請求項1或2之方法（100），其中，在該壓縮（106）之步驟中，在三個不同點處壓縮該壓縮元件，且其中在該三個不同點處以相同壓力及/或不同壓力或以相同移位及/或不同移位進行壓縮。
如請求項1或2之方法（100），其中以該攝影機外殼（304）之對稱軸與該物鏡（301）之光軸重合之方式將該物鏡（301）引入至該攝影機外殼（304）中。
如請求項1或2之方法（100），其中藉助於雷射焊接或藉助於旋擰連接將該物鏡外殼（302）緊固（104）至該攝影機外殼（304）。
如請求項1或2之方法（100），其中藉由鉚接或旋擰將該電路載體（201）與該金屬框架（204）接合在一起（101）。
一種電腦程式，其經設計以執行如請求項1至6中任一項之方法（100）的所有步驟。
一種攝影機（700），其以請求項1至6中任一項之方法而製作，該攝影機包含： <br/>攝影機外殼（304），其具有延伸至該攝影機外殼（304）之內部中之攝影機外殼套環（305），壓縮元件經配置於該攝影機外殼套環（305）之面向影像感測器（205）的一側上； <br/>物鏡（301），其經引入至該攝影機外殼（304）中，該物鏡（301）之物鏡外殼（302）緊固至該攝影機外殼（304）；以及 <br/>電路載體配置（200），其具有電路載體（201）、該影像感測器（205）及配置於該電路載體（201）之用以承載該影像感測器（205）之表面上的金屬框架（204），且該電路載體配置（200）及該攝影機外殼（304）藉助於雷射焊接連接（701-1，702-2）彼此連接。
如請求項8之攝影機，其中該金屬框架（204）由鋁形成。
如請求項8或9之攝影機，其中該壓縮元件形成為圍繞該物鏡外殼（302）行進之可壓縮或經壓縮腹板，或其中該壓縮元件具有圍繞該物鏡外殼（302）所配置之三個可壓縮或經壓縮螺柱。
一種從半導體基板蝕刻可蝕刻材料的方法，其中所述方法包括<br/> 在一反應室中提供包含上述可蝕刻材料的一半導體基板；以及 <br/> 在上述反應室中以氣相提供鹵代烷基胺以蝕刻上述可蝕刻材料，其中 <br/> 上述鹵代烷基胺包含與氮原子和至少一個鹵素原子鍵合的碳原子，且係選自由N,N-二乙基-1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙胺、2,2-二氟-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氯-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二乙基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二異丙基咪唑烷、2,2-二氟-咪唑烷、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二甲基胺、1,1,2,2,-四氯乙基-N,N-二甲基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二乙基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二異丙基胺、和2-氯-N,N-二乙基-1,1,2-三氟乙胺所組成之群組，<br/> 或上述鹵代烷基胺係2,2,-二氟乙基-N,N-二甲基胺。
如請求項1所述的方法，其中上述碳原子與兩個鹵素原子鍵結，且上述鹵代烷基胺係選自由2,2-二氟-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氯-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二乙基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二異丙基咪唑烷、和2,2-二氟-咪唑烷所組成之群組。
如請求項1所述的方法，其中上述至少一個鹵素原子為氯，且上述鹵代烷基胺係選自由2,2-二氯-1,3,-二甲基咪唑烷、和1,1,2,2,-四氯乙基-N,N-二甲基胺所組成之群組。
如請求項1所述的方法，其中上述鹵素原子為氟，且上述鹵代烷基胺係選自由N,N-二乙基-1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙胺、2,2-二氟-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二乙基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二異丙基咪唑烷、2,2-二氟-咪唑烷、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二甲基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二乙基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二異丙基胺、2,2,-二氟乙基-N,N-二甲基胺、和2-氯-N,N-二乙基-1,1,2-三氟乙胺所組成之群組。
如請求項1所述的方法，其中上述碳原子與兩個氟原子鍵合，且上述鹵代烷基胺係選自由2,2-二氟-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二乙基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二異丙基咪唑烷、和2,2-二氟-咪唑烷所組成之群組。
如請求項1所述的方法，其中上述方法包括在上述反應室中提供一第二反應物。
如請求項6所述的方法，其中上述第二反應物為選自由O<sub>2</sub>、O<sub>3</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和羧酸所組成的群組的含氧反應物。
如請求項6所述的方法，其中上述第二反應物為鹵化物。
如請求項8所述的方法，其中上述鹵化物選自由BCl<sub>3</sub>、SiCl<sub>4</sub>和TiCl<sub>4</sub>所組成的群組。
如請求項6所述的方法，其中上述第二反應物為有機金屬化合物。
如請求項6所述的方法，其中在上述反應室中提供上述鹵代烷基胺和上述第二反應物交錯地及依序地進行。
如請求項1所述的方法，其中上述方法為循環蝕刻方法。
如請求項1所述的方法，其中上述方法為自限制製程。
如請求項1所述的方法，其中上述可蝕刻材料包含矽或鍺。
如請求項1所述的方法，其中上述半導體基板包括一第一表面和一第二表面，並且上述第一表面相對於上述第二表面被選擇性地蝕刻。
一種從半導體基板蝕刻可蝕刻材料的原子層蝕刻方法，上述方法包括<br/> 在一反應室中提供包含上述可蝕刻材料的一半導體基板；<br/> 在上述反應室中以氣相提供鹵代烷基胺；<br/> 在上述反應室中以氣相提供一第二反應物以從上述半導體基板蝕刻約單層的上述可蝕刻材料；<br/> 其中上述鹵代烷基胺包含與氮原子和至少一個鹵素原子鍵合的碳原子，且係選自由N,N-二乙基-1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙胺、2,2-二氟-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氯-1,3,-二甲基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二乙基咪唑烷、2,2-二氟-1,3,-二異丙基咪唑烷、2,2-二氟-咪唑烷、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二甲基胺、1,1,2,2,-四氯乙基-N,N-二甲基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二乙基胺、1,1,2,2,-四氟乙基-N,N-二異丙基胺、和2-氯-N,N-二乙基-1,1,2-三氟乙胺所組成之群組，<br/> 或上述鹵代烷基胺係2,2,-二氟乙基-N,N-二甲基胺。
如請求項16所述的方法，其中上述方法為自限制製程。
一種從半導體基板蝕刻可蝕刻材料的方法，其中上述方法包括<br/> 在一反應室中提供包含上述可蝕刻材料的一半導體基板；以及 <br/> 在上述反應室中以氣相提供鹵代烷基胺以蝕刻上述可蝕刻材料，其中上述鹵代烷基胺包含與氮原子鍵合的碳原子並且上述氮原子與至少一個鹵素原子鍵合，且係選自由N-氟-N-(1-甲基乙基)-2-丙胺、N-氟-N-甲基甲胺、N-氟-N-乙基乙胺、N-氟-N-丙基-1-丙胺、N,N-二氟甲胺、N,N-二氟乙胺、和N,N-二氟-1-丙胺所組成之群組。
如請求項18所述的方法，其中上述鹵代烷基胺係選自由N-氟-N-(1-甲基乙基)-2-丙胺。
一種式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="94px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、Z<sup>4</sup>和Z<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> Z<sup>1</sup>和Z<sup>4</sup>各自獨立地為N；<br/> Z<sup>2</sup>和Z<sup>3</sup>各自獨立地為CH或C；<br/> Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>或CH；<br/> R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基，<br/> 或者，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成3-8元雜環烷基；其中，所述3-8元雜環烷基中的雜原子為N、O或S中的一種或多種，個數為1、2、3或4個，進一步被0個、1個或多個R<sup>1-1</sup>所取代；當取代基為多個時，所述的取代基相同或不同；<br/> 各R<sup>1-1</sup>各自獨立地為鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> R<sup>a</sup>和R<sup>b</sup>各自獨立地為鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；<br/> m和n各自獨立地為0、1、2或3；<br/> X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>、X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地為N、CH<sub>2</sub>、CH或C；<br/> X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>和X<sup>3</sup>各自獨立地為N、CH或C；<br/> X<sup>4</sup>與X<sup>5</sup>之間所連接的鍵為單鍵或雙鍵；<br/> R<sup>3</sup>為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>所連接形成的基團片段<img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中，A為不存在，或者A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成3-7元雜環烷基、5元雜芳環或6元雜芳環；雜原子獨立地選自N、O和S中的一種或多種；<br/> 當A不存在時，X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地被R<sup>4</sup>或R<sup>5</sup>所取代；<br/> 當A存在時，所述A進一步被R<sup>3-1</sup>所取代；所述的R<sup>3-1</sup>取代為一個或多個取代，當取代基為多個時，所述的取代基相同或不同；<br/> R<sup>4</sup>和R<sup>3-1</sup>各自獨立地為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> R<sup>5</sup>為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個R<sup>5-1</sup>取代的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> 所述各R<sup>5-1</sup>各自獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足如下1個或多個條件：<br/> (1) 所述R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成3-8元雜環烷基中的雜環烷基為單環的雜環烷基、橋環的二環的雜環烷基或螺環的二環的雜環烷基；<br/> (2) R<sup>1-1</sup>中，所述鹵素和所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的鹵素各自獨立地為F、Cl或Br；<br/> (3) R<sup>1-1</sup>中，所述C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基；<br/> (4) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中，所述鹵素各自獨立地為F、Cl或Br；<br/> (5) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中，所述任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基；<br/> (6) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成3-7元雜環烷基中的雜環烷基為單環的雜環烷基或螺環的二環的雜環烷基；<br/> (7) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成5元雜芳環或6元雜芳環中的雜原子的個數為1、2、3或4個；<br/> (8) 當A存在時，所述的A進一步被R<sup>3-1</sup>所取代時，所述的R<sup>3-1</sup>個數為2個；<br/> (9) R<sup>3-1</sup>中，所述的鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的鹵素為F、Cl或Br；<br/> (10) R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、所述的鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和所述的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基中的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基或叔丁基；<br/> (11) R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基中環烷基為單環的環烷基；<br/> 。
如請求項2所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足如下1個或多個條件：<br/> (1) R<sup>1-1</sup>中，所述鹵素和所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的鹵素各自獨立地為F；<br/> (2) R<sup>1-1</sup>中，所述C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基；<br/> (3) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中，所述鹵素各自獨立地為F；<br/> (4) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中，所述任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團中C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基；<br/> (5) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成3-7元雜環烷基中的雜環烷基中的雜原子的個數為1、2、3或4個；<br/> (6) R<sup>3-1</sup>中，所述的鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基中的鹵素為F；<br/> (7) R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、所述的鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基和所述的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基中的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基各自獨立地為甲基或乙基；<br/> (8) R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基中環烷基為環丙烷基、環丁烷基、環戊烷基或環己烷基。
如請求項2所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足如下1個或多個條件：<br/> (1) 所述3-8元雜環烷基為單環的3-6元雜環烷基、橋環二環的6-8元雜環烷基或螺環的二環的8元雜環烷基，雜原子為N和/或O，個數為1或2個；<br/> (2) 所述3-8元雜環烷基進一步被鹵素和/或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基所取代；<br/> (3) R<sup>1-1</sup>中，所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基為三氟甲基、二氟甲基或單氟甲基；<br/> (4) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>中，所述任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團各自獨立地為<img align="absmiddle" height="17px" width="20px" file="ed10227.jpg" alt="ed10227.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> (5) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成3-7元雜環烷基中的3-7元雜環烷基為單環的3-6元雜環烷基或螺環的二環的7元雜環烷基，雜原子獨立地為N和/或O，個數為1、2或3個；<br/> (6) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成5元雜芳環或6元雜芳環中的雜原子為N，個數為1、2或3個；<br/> (7) R<sup>3-1</sup>中，所述的鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基為<img align="absmiddle" height="18px" width="21px" file="ed10303.jpg" alt="ed10303.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> (8) R<sup>3-1</sup>中，所述的C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基為-CD<sub>3</sub>；<br/> (9) <img align="absmiddle" height="31px" width="29px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10196.jpg" alt="ed10196.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>所在環連接形成<img align="absmiddle" height="43px" width="43px" file="ed10202.jpg" alt="ed10202.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="41px" width="43px" file="ed10203.jpg" alt="ed10203.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足如下1個或多個條件：<br/> (1) 所述3-8元雜環烷基為氮雜環丁烷基、吡咯烷基、呱啶基、嗎啡啉基、吡咯烷基并環丙基、氮氧雜螺環[2.5]辛烷基、氮雜螺環[2.5]辛烷基或八氫環戊并[c]吡咯烷基；<br/> (2) R<sup>1-1</sup>中，所述鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基為<img align="absmiddle" height="9px" width="16px" file="ed10209.jpg" alt="ed10209.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="9px" width="16px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> (3) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成3-7元雜環烷基中的3-7元雜環烷基為吡咯烷基或氮雜螺環[2.4]庚烷基；<br/> (4) 所述的A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成5元雜芳環或6元雜芳環為吡啶環、嘧啶環或三氮唑環。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足(1)和/或(2)：<br/> (1) R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成如下基團：<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="38px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="30px" file="ed10212.jpg" alt="ed10212.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="32px" file="ed10213.jpg" alt="ed10213.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="38px" file="ed10214.jpg" alt="ed10214.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="25px" file="ed10215.jpg" alt="ed10215.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="31px" file="ed10305.jpg" alt="ed10305.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="28px" file="ed10216.jpg" alt="ed10216.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="50px" file="ed10217.jpg" alt="ed10217.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="46px" file="ed10218.jpg" alt="ed10218.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="39px" file="ed10219.jpg" alt="ed10219.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="30px" width="37px" file="ed10220.jpg" alt="ed10220.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="37px" file="ed10221.jpg" alt="ed10221.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="32px" file="ed10222.jpg" alt="ed10222.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="26px" file="ed10223.jpg" alt="ed10223.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="38px" file="ed10224.jpg" alt="ed10224.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="39px" file="ed10225.jpg" alt="ed10225.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="31px" file="ed10226.jpg" alt="ed10226.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="27px" width="30px" file="ed10307.jpg" alt="ed10307.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> (2) <img align="absmiddle" height="32px" width="44px" file="ed10228.jpg" alt="ed10228.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="42px" width="23px" file="ed10229.jpg" alt="ed10229.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="30px" file="ed10230.jpg" alt="ed10230.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="31px" file="ed10231.jpg" alt="ed10231.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="27px" file="ed10232.jpg" alt="ed10232.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="25px" file="ed10233.jpg" alt="ed10233.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="27px" file="ed10234.jpg" alt="ed10234.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="25px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="27px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="27px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="32px" file="ed10238.jpg" alt="ed10238.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="25px" file="ed10239.jpg" alt="ed10239.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="24px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="30px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="24px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="26px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="31px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="24px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="24px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="25px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="37px" width="16px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的式I所示雜環類化合物滿足如下1個或多個條件：<br/> (1) R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成3-8元雜環烷基；其中，所述3-8元雜環烷基進一步被0個、1個或多個R<sup>1-1</sup>所取代；<br/> (2) R<sup>1-1</sup>為鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；<br/> (3) R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>獨立為鹵素、氰基或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團；<br/> (4) R<sup>3-1</sup>獨立地為氧代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基；<br/> (5) 所述的式I所示的雜環類化合物具有式I-1所示結構或式I-2所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="71px" width="94px" file="ed10207.jpg" alt="ed10207.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="71px" width="94px" file="ed10208.jpg" alt="ed10208.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，<br/> 所述的式I所示雜環類化合物為式I'所示化合物：<br/><img align="absmiddle" height="42px" width="71px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式I'中，Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、Z<sup>4</sup>和Z<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> Z<sup>1</sup>和Z<sup>4</sup>各自獨立地為N；<br/> Z<sup>2</sup>和Z<sup>3</sup>各自獨立地為CH或C；<br/> Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>或CH；<br/> R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基；<br/> 或者，R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成3-8元雜環烷基；其中，所述3-8元雜環烷基進一步被R<sup>1-1</sup>所取代；<br/> 各R<sup>1-1</sup>各自獨立地為鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> R<sup>a</sup>和R<sup>b</sup>各自獨立地為鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；<br/> m和n各自獨立地為0、1、2或3；<br/> X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>、X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> X<sup>1</sup>、X<sup>2</sup>、X<sup>3</sup>、X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地為N或C；<br/> R<sup>3</sup>為鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>所連接形成的基團片段<img align="absmiddle" height="30px" width="28px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中，A不存在，或者A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>環原子一起形成 3-7元雜環烷基、5元雜芳環或6元雜芳環；雜原子選自N、O、S中的一種或多種；<br/> 當A不存在時，X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地被R<sup>4</sup>或R<sup>5</sup>所取代；<br/> 當A存在時，所述A進一步被R<sup>3-1</sup>所取代；所述的R<sup>3-1</sup>取代為一個或多個取代，當取代基為多個時，所述的取代基相同或不同；<br/> R<sup>4</sup>、R<sup>5</sup>和R<sup>3-1</sup>各自獨立地為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，<br/> 所述的式I所示雜環類化合物中：<br/> Z<sup>1</sup>為N；<br/> Z<sup>2</sup>和Z<sup>3</sup>為C；<br/> Z<sup>4</sup>為N；<br/> Z<sup>5</sup>為CH<sub>2</sub>或CH；<br/> R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>與其所連接到的N原子一起形成3-8元雜環烷基；其中，所述3-8元雜環烷基進一步被0個、1個或多個R<sup>1-1</sup>所取代；<br/> R<sup>1-1</sup>為鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；<br/> m和n為0；<br/> R<sup>3</sup>為氫；<br/> R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>獨立為鹵素、氰基或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團；<br/> R<sup>3-1</sup>獨立地為氧代、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>所連接形成的基團片段<img align="absmiddle" height="52px" width="48px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的定義如請求項1所述。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，<br/> 所述的如式I所示的雜環類化合物為如下如式II-1、式II-2、式IV-1或式IV-2所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="107px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="82px" width="104px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10261.jpg" alt="ed10261.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="68px" width="106px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 式II-1中各基團的定義為如下：<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地為C；A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>一起形成3-7元雜環烷基，所述3-7元雜環烷基進一步被R<sup>3-1</sup>所取代；所述的R<sup>3-1</sup>取代為一個或多個取代，當取代基為多個時，所述的取代基相同或不同；<br/> 各R<sup>3-1</sup>各自獨立地為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、m和n的定義如請求項1所述；<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為N或CH；<br/> X<sup>3</sup>為C；<br/> 式II-2中各基團的定義為如下：<br/> R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地選自氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團和任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、m和n的定義如請求項1所述；<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為N或CH；<br/> X<sup>3</sup>為C；<br/> 式IV-1中各基團的定義為如下：<br/> R<sup>5-1</sup>為氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；<br/> Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、m和n的定義如請求項1所述；<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為N或CH；<br/> X<sup>3</sup>為C；<br/> 式IV-2中各基團的定義為如下：<br/> R<sup>5-1</sup>為氫、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基；<br/> Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、m和n的定義如請求項1所述；R<sup>4</sup>不存在<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為N或CH；<br/> X<sup>3</sup>為C。
如請求項10所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，<br/> 在式II-1中：<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地表示環原子；<br/> X<sup>4</sup>和X<sup>5</sup>各自獨立地為C；A與X<sup>4</sup>、X<sup>5</sup>一起形成3-7元雜環烷基，所述3-7元雜環烷基進一步被R<sup>3-1</sup>所取代；所述的R<sup>3-1</sup>取代為一個或多個取代，當取代基為多個時，所述的取代基相同或不同；<br/> 各R<sup>3-1</sup>各自獨立地為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基；<br/> 在式II-2中：<br/> R<sup>3</sup>為H、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基或鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基；<br/> R<sup>4</sup>和R<sup>5</sup>各自獨立地為氫、鹵素、羥基、胺基、硝基、氰基、羰基、氧代、羧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>氘代烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>炔基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、羥基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、鹵代C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基羰氧基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧羰基C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷基羰基、C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>環烷氧基、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基羰基基團、C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>烷基磺醯基基團、任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基磺醯基、C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基磺醯基胺基基團或任選具有1或2個C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基基團的胺基。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，<br/> 所述的如式I所示的雜環類化合物為如下如式III-1、III-2、III-3、III-4、III-5、III-6、III-7、III-8或III-9所示結構：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="126px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="126px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="128px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="110px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="108px" file="ed10258.jpg" alt="ed10258.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="126px" file="ed10259.jpg" alt="ed10259.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="82px" width="126px" file="ed10260.jpg" alt="ed10260.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，Z<sup>1</sup>、Z<sup>2</sup>、Z<sup>3</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>3-1</sup>、R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>、m和n的定義如請求項1所述；<br/> X<sup>1</sup>和X<sup>2</sup>各自獨立地為N或CH；<br/> X<sup>3</sup>為C。
如請求項1所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的如式I所示的雜環類化合物選自下列任一化合物：<br/><img align="absmiddle" height="88px" width="96px" file="ed10262.jpg" alt="ed10262.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="96px" file="ed10263.jpg" alt="ed10263.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="87px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="99px" width="87px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="88px" width="105px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="105px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="101px" width="86px" file="ed10268.jpg" alt="ed10268.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="97px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="92px" width="96px" file="ed10270.jpg" alt="ed10270.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="95px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="81px" width="86px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="94px" width="95px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="87px" width="91px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="91px" file="ed10275.jpg" alt="ed10275.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="91px" file="ed10276.jpg" alt="ed10276.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="96px" file="ed10277.jpg" alt="ed10277.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="77px" width="89px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="83px" width="88px" file="ed10279.jpg" alt="ed10279.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="96px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="53px" file="ed10281.jpg" alt="ed10281.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="72px" file="ed10283.jpg" alt="ed10283.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="92px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="81px" file="ed10285.jpg" alt="ed10285.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="92px" width="87px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="87px" file="ed10287.jpg" alt="ed10287.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10289.jpg" alt="ed10289.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="84px" width="73px" file="ed10290.jpg" alt="ed10290.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10291.jpg" alt="ed10291.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="79px" file="ed10292.jpg" alt="ed10292.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="97px" width="86px" file="ed10293.jpg" alt="ed10293.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項13所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽，其特徵在於，所述的如式I所示的雜環類化合物選自下列任一化合物：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="80px" file="ed10294.jpg" alt="ed10294.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="82px" width="80px" file="ed10295.jpg" alt="ed10295.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="88px" file="ed10296.jpg" alt="ed10296.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="87px" width="88px" file="ed10297.jpg" alt="ed10297.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="53px" file="ed10298.jpg" alt="ed10298.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="57px" width="54px" file="ed10299.jpg" alt="ed10299.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 或者，所述的如式I所示的雜環類化合物選自下列任一化合物：<br/> 在下述SFC條件下滯留時間為0.743 min的<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AD-3 50×4.6mm I.D.，3 μm，流動相: 流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；<br/> 等梯度洗提：50體積%的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>，流速：3 mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar；<br/> 在下述SFC條件下滯留時間為1.670 min的<img align="absmiddle" height="55px" width="53px" file="ed10300.jpg" alt="ed10300.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AD-3 50×4.6 mm I.D.，3 μm，流動相：流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；<br/> 等梯度洗提：50體積% 的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>，流速：3 mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar；<br/> 在下述SFC條件下滯留時間為0.816 min的<img align="absmiddle" height="58px" width="58px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AS-3 50×4.6mm I.D.，3 μm；流動相：流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；等梯度洗提：40體積%的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>中；流速：3 mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar；<br/> 在下述SFC條件下滯留時間為1.477 min的<img align="absmiddle" height="58px" width="58px" file="ed10301.jpg" alt="ed10301.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AS-3 50×4.6 mm I.D.，3μm；流動相：流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；等梯度洗提：40體積%的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>中；流速：3 mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar；<br/> 在下述SFC條件下滯留時間為0.764 min的<img align="absmiddle" height="57px" width="53px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AD-3 50×4.6 mm I.D.，3 μm，流動相：流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；等梯度洗提：50體積%的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>中，流速：3mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar；<br/> 和，在下述SFC條件下滯留時間為1.702 min的<img align="absmiddle" height="57px" width="53px" file="ed10302.jpg" alt="ed10302.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> 層析管柱：Chiralpak AD-3 50×4.6 mm I.D.，3 μm，流動相：流動相A：CO<sub>2</sub>，流動相B：含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液；等梯度洗提：50體積%的含有0.05體積%的二乙胺的異丙醇和乙腈的溶液在CO<sub>2</sub>中，流速：3 mL/min；檢測器：PDA，柱溫：35℃；柱壓：100 Bar。
一種藥物組成物，其特徵在於，所述藥物組成物包括：如請求項1-14中任一所述的式I所示雜環類化合物或其藥學上可接受的鹽；和藥學上可接受的載劑。
一種物質的用途，其特徵在於，所述的物質為如請求項1-14中任一所述的式I所示雜環類化合物、其藥學上可接受的鹽或請求項15所述的藥物組成物；<br/> 所述的用途為製備15‑PGDH抑制劑或製備治療與15‑PGDH相關的疾病的藥物。
如請求項16所述的用途，其特徵在於，所述的與15‑PGDH相關的疾病為纖維化疾病、發炎性疾病、心血管疾病、創傷、自體免疫性疾病、移植物抗宿主疾病、骨質疏鬆症、耳病、眼病、嗜中性白血球減少、糖尿病、膀胱活動低下症、在幹細胞或骨髓移植或器官移植中的植入物促進、神經發生和神經細胞死亡、組織損傷、子宮頸疾病或腎病中的一種、兩種或更多種。
一種物質的用途，其特徵在於，所述的物質為如請求項1-14中任一所述的式I所示雜環類化合物、其藥學上可接受的鹽或請求項15所述的藥物組成物；<br/> 所述的用途為製備15‑PGDH抑制劑或製備治療與15‑PGDH相關的毛髮生長或血細胞重建的藥物。
如請求項17所述的用途，其特徵在於，所述的纖維化疾病為肺纖維化、肝纖維化、腎纖維化、心肌纖維化、硬皮病或骨髓纖維化中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的發炎性疾病為慢性阻塞性肺病、急性肺損傷、膿毒症、哮喘和肺病的惡化、發炎性腸病、消化性潰瘍、自體發炎性疾病、血管炎症候群、急性肝損傷、急性腎損傷、非酒精性脂肪肝、異位性皮膚炎、牛皮癬、間質性膀胱炎或前列腺炎症候群中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的心血管疾病為肺動脈高壓、心絞痛、心肌梗塞、心力衰竭、缺血性心臟病、腦中風或周邊血管循環失調中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的創傷為糖尿病性潰瘍、燒傷、壓迫性潰瘍、急性黏膜損傷、黏膜損傷、抗癌化療劑有關的損傷、抗代謝物、細胞或體液免疫療法或放射線有關的損傷中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的自體免疫性疾病為多發性硬化和/或類風濕性關節炎；<br/> 和/或，所述的耳病為聽力損失、耳鳴、眩暈或平衡失調中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的眼病為青光眼和/或乾眼；<br/> 和/或，所述的神經發生和神經細胞死亡為精神神經疾病、神經病、神經毒性疾病、神經性疼痛或神經變性疾病中的一種或多種；<br/> 和/或，所述的組織損傷為肝損傷和/或肌肉損傷；<br/> 和/或，所述的腎病為慢性腎病和/或腎衰竭。
如請求項19所述的用途，其特徵在於，<br/> 所述的肺纖維化為特發性肺纖維化；<br/> 所述的發炎性腸病為潰瘍性結腸炎和/或克羅恩氏病；<br/> 所述的消化性潰瘍為NSAID誘導的潰瘍；<br/> 所述的自體發炎性疾病為貝切特氏病；<br/> 所述的前列腺炎症候群為慢性前列腺炎和/或慢性骨盆疼痛症候群；<br/> 所述的急性黏膜損傷為斯-約二氏症候群；<br/> 所述的抗癌化療劑為烷化劑、DNA合成抑制劑或DNA回旋酶抑制劑中的一種或多種；<br/> 所述肌肉損傷為肌肉萎縮和/或肌營養不良。
如請求項16所述的用途，其特徵在於，所述的治療與15‑PGDH相關的疾病為治療肝臟再生。
一種如請求項1-14中任一所述的式I所示雜環類化合物、其藥學上可接受的鹽或請求項15所述的藥物組成物的用途，其特徵在於，所述的用途為用於製備治療疾病的藥物；所述的疾病為纖維化疾病、發炎性疾病或組織損傷中的一種或多種。
一種真空泵，其包括： <br/>旋轉翼，其將自吸氣口吸引之氣體向排氣口輸送； <br/>馬達，其旋轉驅動該旋轉翼； <br/>旋轉速度量測機構，其量測前述旋轉翼之旋轉速度；及 <br/>電流量測機構，其量測在前述馬達流動之電流；且 <br/>該真空泵包括： <br/>第1區域，其相當於蓄熱區域，該蓄熱區域定義為由前述電流量測機構量測出之電流量測值為電流規定值以上、且由前述旋轉速度量測機構量測出之旋轉速度量測值在旋轉速度規定值以上； <br/>第2區域，其相當於散熱區域，該散熱區域定義為前述電流量測值未達前述電流規定值、或前述旋轉速度量測值未達前述旋轉速度規定值； <br/>區域判斷機構，其判斷前述旋轉速度量測值與前述電流量測值屬前述第1區域與前述第2區域之哪一區域；及 <br/>運算機構，其基於該區域判斷機構之判斷結果，隨著時間之經過而運算伴隨前述真空泵之蓄熱狀態之故障之危險度。
如請求項1之真空泵，其包括：危險度臨限值，其對於由前述運算機構運算出之前述危險度而設定； <br/>異常通知機構，其在超過該臨限值時通知前述真空泵之異常；及 <br/>停止機構，其在由該異常通知機構通知前述真空泵之異常時停止前述真空泵之作動。
如請求項1或2之真空泵，其中前述運算機構在由前述電流量測機構量測出之前述電流量測值與由前述旋轉速度量測機構量測出之前述旋轉速度量測值皆處於前述第1區域時，在前述旋轉速度量測值自預先設定之第1轉速以上較該第1轉速降低時，判斷為前述真空泵之故障之危險度為過大。
如請求項1或2之真空泵，其中前述運算機構包括：時間量測機構，其在由前述電流量測機構量測出之前述電流量測值與由前述旋轉速度量測機構量測出之前述旋轉速度量測值皆處於前述第2區域時，量測前述旋轉速度量測值以預先設定之第2轉速以下持續旋轉驅動時之時間；且 <br/>在由該時間量測機構量測出之時間為預先設定之第1時間以上時，判斷為前述真空泵之故障之危險度為過大。
如請求項1或2之真空泵，其中前述運算機構具備將前述真空泵之故障之危險度數值化之計數器；且 <br/>對於該計數器，基於前述區域判斷機構之判斷結果，就每一第2時間進行如下處理：在前述旋轉速度量測值與前述電流量測值屬前述第1區域時使前述計數器之計數上升，另一方面，在屬前述第2區域時使前述計數器之前述計數降低。
如請求項5之真空泵，其中在前述計數器之前述計數之值超過預先設定之故障基準值時，判斷為前述真空泵之故障之危險度為過大。
如請求項5之真空泵，其中前述計數器之前述計數之值不會小於零。
如請求項5之真空泵，其中前述第2時間為1秒。
如請求項5之真空泵，其中在對前述馬達供給之電源被切斷時，藉由前述馬達之旋轉進行再生制動，且 <br/>在該再生制動中持續進行前述計數器之前述計數。
如請求項5之真空泵，其中在對前述馬達供給之電源被切斷、且藉由前述馬達之旋轉而產生之再生制動結束時，前述計數器之前述計數之值重置為零。
一種控制裝置，其控制真空泵，該真空泵包括： <br/>旋轉翼，其將自吸氣口吸引之氣體向排氣口輸送； <br/>馬達，其旋轉驅動該旋轉翼； <br/>旋轉速度量測機構，其量測前述旋轉翼之旋轉速度；及 <br/>電流量測機構，其量測在前述馬達流動之電流；且 <br/>該控制裝置包括： <br/>第1區域，其相當於蓄熱區域，該蓄熱區域定義為由前述電流量測機構量測出之電流量測值為電流規定值以上、且由前述旋轉速度量測機構量測出之旋轉速度量測值在旋轉速度規定值以上； <br/>第2區域，其相當於散熱區域，該散熱區域定義為前述電流量測值未達前述電流規定值、或前述旋轉速度量測值未達前述旋轉速度規定值； <br/>區域判斷機構，其判斷前述旋轉速度量測值與前述電流量測值屬前述第1區域與前述第2區域之哪一區域；及 <br/>運算機構，其基於該區域判斷機構之判斷結果，隨著時間之經過而運算伴隨前述真空泵之蓄熱狀態之故障之危險度。
一種用於再訓練一預訓練物件分類器之方法，該方法係由一系統執行，該系統包括處理電路系統，該方法包括： <br/>獲得一場景之一影像圖框串流，其中該等影像圖框之各者描繪一經追蹤物件之一例項(instance)，及其中該經追蹤物件係當在該場景中移動時被追蹤的同一個物件； <br/>以一可信度位準將該經追蹤物件之各例項分類為屬於一物件類別； <br/>驗證該經追蹤物件之該等例項中之至少一者及僅一個物件類別之該可信度位準高於一臨限可信度值，以藉此確保以高可信度將該經追蹤物件之該等例項中之該至少一者分類至該僅一個物件類別： <br/>將該影像圖框串流中之該經追蹤物件之全部例項註解為屬於具有高可信度之該僅一個物件類別，從而產生該經追蹤物件之經註解例項；及 <br/>使用該經追蹤物件之該等經註解例項中之至少一些來再訓練該預訓練物件分類器。
如請求項1之方法，其中將該經追蹤物件之該等例項中之至少一些分類為亦屬於具有一進一步可信度位準之一進一步物件類別，且其中該方法進一步包括： <br/>驗證該進一步可信度位準低於該經追蹤物件之該等例項中之該至少一些的該臨限可信度值。
如請求項1之方法，其中該方法進一步包括： <br/>驗證該經追蹤物件之該等例項中之該物件類別在該影像圖框串流內未改變。
如請求項1之方法，其中該經追蹤物件在該影像圖框串流中沿著一路徑移動，且其中在追蹤該經追蹤物件時追蹤該路徑。
如請求項4之方法，其中以一準確度位準來追蹤該路徑，且其中該方法進一步包括： <br/>驗證該準確度位準高於一臨限準確度值。
如請求項4之方法，其中該方法進一步包括： <br/>驗證在該影像圖框串流內該路徑未被分裂成至少兩個路徑，亦未自至少兩個路徑合併。
如請求項1之方法，其中該經追蹤物件在該等影像圖框中具有一大小，且其中該方法進一步包括： <br/>驗證該經追蹤物件之該大小在該影像圖框串流內未改變多於一臨限大小值。
如請求項7之方法，其中當驗證該經追蹤物件之該大小在該影像圖框串流內未改變多於該臨限大小值時，藉由依據該經追蹤物件與已擷取該場景之該影像圖框串流之一攝影機裝置之間之距離所判定的距離相依補償因數來調整該經追蹤物件之該大小。
如請求項1之方法，其中僅使用其之該可信度位準被驗證為不高於該臨限可信度值之該經追蹤物件的該等經註解例項來再訓練該預訓練物件分類器。
如請求項1之方法，其中為該經追蹤物件之該等經註解例項之各者指派當再訓練該預訓練物件分類器時，對該經追蹤物件之該等經註解例項加權所根據之一各自加權值，且其中其之該可信度位準被驗證為高於該臨限可信度值之該經追蹤物件之該等經註解例項中的該加權值低於其之該可信度位準被驗證為不高於該臨限可信度值之該經追蹤物件之該等經註解例項中的該加權值。
如請求項1之方法，其中該方法進一步包括： <br/>將該經追蹤物件之該等經註解例項提供至一資料集及/或一進一步裝置。
如請求項1之方法，其中該影像圖框串流源自於已藉由至少兩個攝影機裝置擷取之影像圖框。
如請求項1之方法，其中該分類係在一第一實體處執行，且該再訓練係在與該第一實體實體上分離之一第二實體處執行。
一種用於再訓練一預訓練物件分類器之系統，該系統包括處理電路系統，該處理電路系統經組態以引起該系統： <br/>獲得一場景之一影像圖框串流，其中該等影像圖框之各者描繪一經追蹤物件之一例項，及其中該經追蹤物件係當在該場景中移動時被追蹤的同一個物件； <br/>以一可信度位準將該經追蹤物件之各例項分類為屬於一物件類別； <br/>驗證該經追蹤物件之該等例項中之至少一者及僅一個物件類別之該可信度位準高於一臨限可信度值，以藉此確保以高可信度將該經追蹤物件之該等例項中之該至少一者分類至該僅一個物件類別： <br/>將該影像圖框串流中之該經追蹤物件之全部例項註解為屬於具有高可信度之該僅一個物件類別，從而產生該經追蹤物件之經註解例項；及 <br/>使用該經追蹤物件之該等經註解例項中之至少一些癌再訓練該預訓練物件分類器。
一種用於再訓練一預訓練物件分類器之一電腦程式，該電腦程式包括電腦程式碼，當該電腦程式碼在一系統之處理電路系統上運行時，引起該系統： <br/>獲得一場景之一影像圖框串流，其中該等影像圖框之各者描繪一經追蹤物件之一例項，及其中該經追蹤物件係當在該場景中移動時被追蹤的同一個物件； <br/>以一可信度位準將該經追蹤物件之各例項分類為屬於一物件類別； <br/>驗證該經追蹤物件之該等例項中之至少一者及僅一個物件類別之該可信度位準高於一臨限可信度值，以藉此確保以高可信度將該經追蹤物件之該等例項中之該至少一者分類至該僅一個物件類別： <br/>將該影像圖框串流中之該經追蹤物件之全部例項註解為屬於具有高可信度之該僅一個物件類別，從而產生該經追蹤物件之經註解例項；及 <br/>使用該經追蹤物件之該等經註解例項中之至少一些來再訓練該預訓練物件分類器。
一種脫氣模組，其具備：管體，其形成具有液體供給口及液體排出口之管體內流道，並且形成有將前述管體內流道開放之複數個孔；中空絲膜組，其以覆蓋前述複數個孔的方式於前述管體的外周側配置複數個中空絲膜而成；外殼，其與前述管體的外周面連接以收容前述中空絲膜組；分隔部，其將前述外殼內之區域分隔為內部區域及外部區域，該內部區域包含前述複數個中空絲膜之各內周側空間，該外部區域包含前述複數個中空絲膜之間的膜間空間；前述外殼的吸氣口，其連通於前述內部區域；擋板，其於前述管體之延伸方向將前述管體內流道及前述膜間空間分隔；及支撐部，其配置於前述延伸方向之前述擋板之前述液體排出口側，且將前述複數個中空絲膜的至少一部分支撐於前述管體，在前述延伸方向上與前述支撐部相同的位置，前述管體內流道沒有沿著前述延伸方向被分隔。
如請求項1之脫氣模組，其中前述支撐部，係將前述複數個中空絲膜全部支撐於前述管體。
如請求項1之脫氣模組，其中前述支撐部，係與前述外殼分離。
如請求項1之脫氣模組，其中前述擋板，係與前述外殼分離。
如請求項1之脫氣模組，其中前述擋板，係於前述延伸方向將所有前述膜間空間分隔。
如請求項1之脫氣模組，其中於前述中空絲膜組與前述外殼之間形成可供液體流通的液體流通空間。
如請求項6之脫氣模組，其中前述支撐部不配置於前述液體流通空間。
如請求項1之脫氣模組，其中前述擋板具有：內側擋板，其配置於前述管體的內周側，且於前述延伸方向將前述管體內流道分隔；及外側擋板，其配置於前述管體的外周側，且於前述延伸方向將前述膜間空間分隔。
如請求項1之脫氣模組，其中前述分隔部係具有：第一密封部，其配置於前述延伸方向之前述中空絲膜組的一側的第一端部；及第二密封部，其配置於前述延伸方向之前述中空絲膜組的另一側的第二端部，前述第一密封部及前述第二密封部，分別於與前述延伸方向正交的正交截面中，裝填於前述管體與外殼之間的除了前述複數個中空絲膜以外的整個區域，前述管體的前述複數個孔，係形成於前述延伸方向上的前述第一密封部與前述第二密封部之間。
如請求項9之脫氣模組，其中前述吸氣口具有：第一吸氣口，其形成於前述延伸方向之前述第一密封部的與前述第二密封部相反側；及第二吸氣口，其形成於前述延伸方向之前述第二密封部的與前述第一密封部相反側。
如請求項9之脫氣模組，其中構成前述中空絲膜組的前述複數個中空絲膜，分別從前述第一密封部延伸到前述第二密封部。
如請求項11之脫氣模組，其中前述支撐部配置在前述擋板與前述第二密封部之間。
一種液體的脫氣方法，係於請求項1至12中任一項之脫氣模組中，自前述吸氣口對前述內部區域進行吸氣，並且自前述液體供給口朝前述管體內流道供給液體。
一種化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物之用途，其係用以製備治療有需要之患者之化膿性汗腺炎的藥物，其中該化合物為： <br/>魯索利替尼(ruxolitinib)或其醫藥學上可接受之鹽或水合物。
如請求項1之用途，其中相比於JAK3及TYK2，該化合物、鹽或水合物對JAK1及JAK2具選擇性。
如請求項1之用途，其中該鹽為魯索利替尼磷酸鹽。
如請求項1至3中任一項之用途，其中該治療進一步包括投與其他治療劑。
如請求項4之用途，其中該其他治療劑為皮質類固醇。
如請求項5之用途，其中該皮質類固醇為去炎松(triamcinolone)、地塞米松(dexamethasone)、氟輕鬆(fluocinolone)、可體松(cortisone)、潑尼松(prednisone)、潑尼松龍(prednisolone)或氟米龍(flumetholone)。
如請求項1之用途，其中該藥物係局部投與至該患者。
如請求項1之用途，其中該藥物係經口投與至該患者。
如請求項7或8之用途，其中該藥物之投與使HiSCR (化膿性汗腺炎臨床反應)提高10%、20%、30%、40%或50%。
如請求項1至3、7及8中任一項之用途，其中該藥物係以適於局部投與之醫藥組合物的形式進行投與。
如請求項1、2、7及8中任一項之用途，其中該化合物為魯索利替尼游離鹼。
如請求項1至3、7及8中任一項之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係以按游離鹼計15、30、60或90 mg之劑量投與。
如請求項1至3、7及8中任一項之用途，其中該化合物或其醫藥學上可接受之鹽或水合物係以按游離鹼計約1 mg至約100 mg之劑量投與。
如請求項1至3、7及8中任一項之用途，其中該治療化膿性汗腺炎包含治療化膿性汗腺炎造成之膿腫、發炎結節或其兩者。
一種檢測一處理腔室中的腔室部件的條件的方法，包括以下步驟：<br/> 根據一配方來處理一基板處理系統的一處理腔室中的一第一基板，其中該第一基板在該處理之後包括一膜或一特徵之其中至少一者；<br/> 使用該基板處理系統的一基板測量系統來在該第一基板上產生該膜或該特徵之其中至少一者的一剖面圖；<br/> 使用一第一模型來處理來自該剖面圖的資料，其中該第一模型輸出以下至少一者：用於該處理腔室的一基板支撐件的一估計的檯面條件、該基板支撐件的一估計的升降銷位置條件、該基板支撐件的一估計的密封帶條件、或用於該處理腔室的用於一處理套件環的一估計的處理套件環條件；<br/> 進行以下至少一者：a)基於該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、或該估計的密封帶條件之其中至少一者來決定該基板支撐件的一品質，或者b)基於該估計的處理套件環條件來決定該處理套件環的一品質；<br/> 輸出該基板支撐件的以下至少一者的一通知以作為該處理的一結果：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的處理套件環條件、或該估計的密封帶條件；及<br/> 進行以下至少一者：a)至少部分地基於該基板支撐件的該品質，致使在該基板支撐件上執行維護，或者b) 至少部分地基於該處理套件環的該品質，致使在該處理套件環上執行維護。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下至少一者來決定是否在該基板支撐件上執行維護：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、或該估計的密封帶條件。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型輸出該估計的檯面條件，且其中該估計的檯面條件包括以下至少一者：用於該基板支撐件的一個或更多個檯面的一侵蝕量的一估計、缺失檯面的一估計、一檯面圖案的一估計、或該估計的檯面圖案偏離一目標檯面圖案的一程度的一估計。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型輸出該估計的密封帶條件，且其中該估計的密封帶條件包括以下至少一者：用於該基板支撐件的一密封帶的一個或更多個部分的侵蝕的一估計、或該密封帶的一同心度的一估計。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型輸出該估計的升降銷位置條件，且其中該估計的升降銷位置條件包括以下至少一者：在該基板支撐件的一個或更多個位置處的熱點的一估計、升降銷位置的一估計、或該等估計的升降銷位置與目標升降銷位置的一偏離的一估計。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型輸出用於該處理套件環的該估計的處理套件環條件，該處理套件環為以下至少一者：a)圍繞該基板支撐件，或b)在該基板支撐件底下，其中該估計的處理套件環條件包括以下至少一者：用於該處理套件環的侵蝕的一估計、該處理套件環中的一缺陷的一估計、或一缺失處理套件環的一估計。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 處理該處理腔室中的一第二基板，其中該第二基板在該處理之後包括一第二膜或一第二特徵之其中至少一者；<br/> 使用該基板處理系統的該基板測量系統來在該第二基板上產生該第二膜或該第二特徵之其中至少一者的一第二剖面圖；<br/> 使用該第一模型來處理來自該第二剖面圖的資料，其中該第一模型輸出以下至少一者：該基板支撐件的一第二估計的檯面條件、該基板支撐件的一第二估計的升降銷位置條件、該基板支撐件的一第二估計的密封帶條件、或該處理套件環的一第二估計的處理套件環條件；及<br/> 比較以下至少一者：a)該第二估計的檯面條件與該估計的檯面條件，b)該第二估計的升降銷位置條件與該估計的升降銷位置條件，c)該第二估計的密封帶條件與該估計的密封帶條件，或d)該第二估計的處理套件環條件與該估計的處理套件環條件。
如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該比較的一結果針對以下至少一者來決定一侵蝕率：a)該基板支撐件的一個或更多個檯面，b)該基板支撐件的一個或更多個升降銷位置，c)該基板支撐件的一個或更多個密封帶部分，或d)該處理套件環。
如請求項7所述之方法，進一步包括以下步驟：基於該比較的一結果來決定以下至少一者：<br/> a)是否是更換該處理腔室的一腔室部件的時機；<br/> b)該腔室部件的一剩餘壽命；或<br/> c)從該第二基板生產的一裝置的一預期良率效能。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於該估計的檯面條件來決定一個或更多個檯面損壞、缺失、或被不適當地定位；及<br/> 根據損壞、缺失、或被不適當地定位的該一個或更多個檯面，決定該基板支撐件無法通過一品質測試。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 進行以下至少一者：a)基於該估計的處理套件環條件來決定何時更換該處理套件環，或b)決定該基板支撐件周圍該處理套件環的一放置位置。
如請求項1所述之方法，其中該基板支撐件包括一第一部件、一第二部件、及該第一部件及該第二部件之間的一接合，且其中該第一模型或一第二模型進一步輸出用於該接合的一接合條件估計，以指示該接合的失效的一程度及是否發生該第二部件從該第一部件分層。
如請求項1所述之方法，其中該膜的該剖面圖包括該膜的一厚度剖面圖。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 基於以下至少一者來決定該基板支撐件將造成產品品質上的一減低的一機率：該基板支撐件的該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、或該估計的密封帶條件；及<br/> 基於該基板支撐件將造成該產品品質上的該減低的該機率，來決定是否在該基板支撐件上執行維護。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 至少部分地基於以下至少一者來估計該基板支撐件的一失效時間：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的密封帶條件、或該估計的處理套件環條件；及<br/> 基於該估計的失效時間來決定何時在該基板支撐件或該處理套件環之其中至少一者上執行維護。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型為一第一訓練的機器學習模型，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 訓練一第一機器學習模型以生產該第一訓練的機器學習模型，其中使用來自共享一共同處理腔室類型的複數個處理腔室的資料來訓練該第一機器學習模型。
如請求項1所述之方法，其中該第一模型為一第一訓練的機器學習模型，該方法進一步包括以下步驟：<br/> 在處理來自該剖面圖的該資料之前，使用來自該處理腔室的額外資料來調諧該第一訓練的機器學習模型。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 使用一成像裝置來產生該第一基板的一個或更多個圖像；及<br/> 將該一個或更多個圖像以及該剖面圖輸入進入該第一模型。
如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：<br/> 決定對一處理配方或工具參數設定之其中至少一者的一個或更多個調整，以補償以下至少一者：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的密封帶條件、或該估計的處理套件環條件。
如請求項1所述之方法，其中該基板支撐件或該處理套件環之其中至少一者為未曾使用以處理生產基板的一新的部件。
一種非軌跡的電腦可讀取媒體，包括指令，在由一處理裝置執行時，使該處理裝置執行以下操作：<br/> 在一第一基板上接收一膜或一特徵之其中至少一者的一剖面圖，在一處理腔室中處理該第一基板之後使用一基板測量系統來測量該第一基板；<br/> 使用一第一訓練的機器學習模型來處理來自該剖面圖的資料，其中該第一訓練的機器學習模型輸出以下至少一者：用於該處理腔室的一基板支撐件的一估計的檯面條件、該基板支撐件的一估計的升降銷位置條件、該基板支撐件的一估計的密封帶條件、或用於該處理腔室的用於一處理套件環的一估計的處理套件環條件；<br/> 進行以下至少一者：a)基於該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、或該估計的密封帶條件之其中至少一者來決定該基板支撐件的一品質，或者b)基於該估計的處理套件環條件來決定該處理套件環的一品質；<br/> 輸出該基板支撐件的以下至少一者的一通知以作為該處理的一結果：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的處理套件環條件、或該估計的密封帶條件；及<br/> 進行以下至少一者：a)至少部分地基於該基板支撐件的該品質，致使在該基板支撐件上執行維護，或者b) 至少部分地基於該處理套件環的該品質，致使在該處理套件環上執行維護。
如請求項21所述之非軌跡的電腦可讀取媒體，該等操作進一步包括以下操作：<br/> 至少部分地基於以下至少一者來決定是否在該基板支撐件上執行維護：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的密封帶條件、或該估計的處理套件環條件。
如請求項21所述之非軌跡的電腦可讀取媒體，該等操作進一步包括以下操作：<br/> 決定對一處理配方的一個或更多個調整，以補償以下至少一者：該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、該估計的密封帶條件、或該估計的處理套件環條件。
一種非軌跡的電腦可讀取媒體，包括指令，在由一處理裝置執行時，使該處理裝置執行以下操作：<br/> 在一第一基板上接收一膜或一特徵之其中至少一者的一第一剖面圖，在根據一配方在一第一時間由一處理腔室處理該第一基板之後由一基板測量系統來產生該第一剖面圖；<br/> 在一第二基板上接收一膜或一特徵之其中至少一者的一第二剖面圖，在根據該配方在一第二時間由該處理腔室處理該第二基板之後由該基板測量系統來產生該第二剖面圖；<br/> 比較該第二剖面圖與該第一剖面圖；<br/> 基於該比較的一結果，決定以下至少一者：a)用於該處理腔室中的一基板支撐件的一個或更多個檯面的一估計的檯面條件，b)該基板支撐件的一個或更多個升降銷的一估計的升降銷位置條件，或c)該基板支撐件的一密封帶的一估計的密封帶條件；<br/> 基於該估計的檯面條件、該估計的升降銷位置條件、或該估計的密封帶條件之其中至少一者，來決定該基板支撐件的一品質；及<br/> 至少部分地基於該基板支撐件的該品質，致使在該基板支撐件上執行維護。
一種電子零件用膏，其包含無機物粒子、分散劑、黏合劑及有機溶劑， <br/>上述黏合劑包含吸附於上述無機物粒子表面之第1黏合劑、及未吸附於上述無機物粒子表面之第2黏合劑， <br/>至少上述第1黏合劑為具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素衍生物。
如請求項1之電子零件用膏，其中上述第2黏合劑為具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素衍生物。
如請求項1之電子零件用膏，其中上述第2黏合劑為不具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素衍生物。
如請求項1之電子零件用膏，其中上述第2黏合劑為具有纖維素衍生物部之共聚物或包含纖維素衍生物之複數高分子混合物。
如請求項1之電子零件用膏，其中作為上述第1黏合劑之上述具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素衍生物相對於上述無機物粒子之總表面積，吸附有1.0 mg/m<sup>2</sup>以上且5.0 mg/m<sup>2</sup>以下。
如請求項1至5中任一項之電子零件用膏，其中上述無機物粒子包含陶瓷粒子及金屬粒子之至少一者。
如請求項6之電子零件用膏，其中上述陶瓷粒子包含選自Ba、Ti、Ca、Zr及Sr中之至少一種元素。
如請求項6之電子零件用膏，其中上述金屬粒子包含選自Cu、Ni、Au及Ag中之至少一種金屬。
如請求項1至5中任一項之電子零件用膏，其中上述具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素衍生物為具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素醚。
如請求項9之電子零件用膏，其中上述具有單末端羧基或單末端羧酸鹽之纖維素醚為選自甲基纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、乙基羥乙基纖維素及羥丙基甲基纖維素中之至少一種。
如請求項1至5中任一項之電子零件用膏，其中上述分散劑為高分子分散劑。
如請求項11之電子零件用膏，其中上述高分子分散劑為聚羧酸系分散劑。
一種樹脂組成物，其包含式（1）所表示之化合物和樹脂； <br/><img align="absmiddle" height="117px" width="414px" file="ed10115.jpg" alt="ed10115.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，Q<sup>1</sup>表示式（Q-1）所表示之基團； <br/>Q<sup>2</sup>表示=CR<sup>q2</sup>R<sup>q3</sup>，其中，=CR<sup>q2</sup>R<sup>q3</sup>中的＝為式（1）中的Q<sup>2</sup>與環連接的雙鍵，R<sup>q2</sup>～R<sup>q3</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q2</sup>與R<sup>q3</sup>不相互鍵結形成環； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>、-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基； <br/>X<sup>1</sup>～X<sup>4</sup>各自獨立地表示-S-、-NR<sup>X1</sup>-或-SO<sub>2</sub>-，R<sup>X1</sup>表示氫原子或烷基； <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="404px" file="ed10116.jpg" alt="ed10116.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（Q-1）中，*表示鍵結鍵，R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，其中，式（Q-1）中的*＝為式（1）中的Q<sup>1</sup>與環連接的雙鍵； <br/>其中，R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
如請求項1所述之樹脂組成物，其中 <br/>R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基或雜環基。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述式（1）所表示之化合物為式（3）所表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="124px" width="403px" file="ed10117.jpg" alt="ed10117.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（3）中，Q<sup>3</sup>表示前述式（Q-1）所表示之基團，其中，式（Q-1）中的*＝為式（3）中的Q<sup>3</sup>與環連接的雙鍵； <br/>Q<sup>4</sup>表示=CR<sup>q12</sup>R<sup>q13</sup>，其中，=CR<sup>q12</sup>R<sup>q13</sup>中的＝為式（3）中的Q<sup>4</sup>與環連接的雙鍵，R<sup>q12</sup>～R<sup>q13</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q12</sup>與R<sup>q13</sup>不相互鍵結形成環； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>、-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基。
如請求項3所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述式（3）的R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>或-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基。
如請求項3所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述式（3）的R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、Q<sup>3</sup>及Q<sup>4</sup>中的至少一個含有包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
如請求項1或請求項2所述之樹脂組成物，其中 <br/>前述樹脂為選自（甲基）丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、硫胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、苯二甲酸酯樹脂、醯化纖維素樹脂及環狀烯烴樹脂中的至少一種。
一種硬化物，其使用請求項1至請求項6之任一項所述之樹脂組成物而獲得。
一種光學構件，其包含請求項7所述之硬化物。
一種紫外線吸收劑，其包含式（1）所表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="118px" width="411px" file="ed10118.jpg" alt="ed10118.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（1）中，Q<sup>1</sup>表示式（Q-1）所表示之基團； <br/>Q<sup>2</sup>表示=CR<sup>q2</sup>R<sup>q3</sup>，其中，=CR<sup>q2</sup>R<sup>q3</sup>中的＝為式（1）中的Q<sup>2</sup>與環連接的雙鍵，R<sup>q2</sup>～R<sup>q3</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q2</sup>與R<sup>q3</sup>不相互鍵結形成環； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>、-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基； <br/>X<sup>1</sup>～X<sup>4</sup>各自獨立地表示-S-、-NR<sup>X1</sup>-或-SO<sub>2</sub>-，R<sup>X1</sup>表示氫原子或烷基； <br/><img align="absmiddle" height="116px" width="395px" file="ed10119.jpg" alt="ed10119.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（Q-1）中，*表示鍵結鍵，R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，其中，式（Q-1）中的*＝為式（1）中的Q<sup>1</sup>與環連接的雙鍵； <br/>其中，R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
如請求項9所述之紫外線吸收劑，其中 <br/>R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基或雜環基。
一種化合物，其由式（3）表示； <br/><img align="absmiddle" height="123px" width="400px" file="ed10120.jpg" alt="ed10120.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（3）中，Q<sup>3</sup>表示式（Q-1）所表示之基團； <br/>Q<sup>4</sup>表示=CR<sup>q12</sup>R<sup>q13</sup>，其中，=CR<sup>q12</sup>R<sup>q13</sup>中的＝為式（3）中的Q<sup>4</sup>與環連接的雙鍵，R<sup>q12</sup>～R<sup>q13</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q12</sup>與R<sup>q13</sup>不相互鍵結形成環； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>、-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基； <br/><img align="absmiddle" height="115px" width="393px" file="ed10121.jpg" alt="ed10121.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（Q-1）中，*表示鍵結鍵，R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，其中，式（Q-1）中的*＝為式（3）中的Q<sup>3</sup>與環連接的雙鍵； <br/>其中，R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
如請求項11所述之化合物，其中 <br/>前述式（3）的R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地表示-OH、-O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>11</sup>、-OC（=O）NR<sup>y11</sup>-Y<sup>11</sup>或-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>11</sup>，R<sup>y11</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>11</sup>表示烷基、芳烷基或芳基， <br/>R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基或雜環基。
如請求項11所述之化合物，其中 <br/>前述式（3）的R<sup>11</sup>、R<sup>12</sup>、Q<sup>3</sup>及Q<sup>4</sup>中的至少一個含有包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
一種化合物的製造方法，其使式（4）所表示之化合物與式（5）所表示之化合物反應來製造式（6）所表示之化合物； <br/><img align="absmiddle" height="110px" width="419px" file="ed10122.jpg" alt="ed10122.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（4）中，Q<sup>5</sup>表示式（Q-1）所表示之基團， <br/>Q<sup>6</sup>表示=CR<sup>q22</sup>R<sup>q23</sup>，其中，=CR<sup>q22</sup>R<sup>q23</sup>中的＝為式（4）中的Q<sup>6</sup>與環連接的雙鍵， <br/>R<sup>q22</sup>～R<sup>q23</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q22</sup>與R<sup>q23</sup>不相互鍵結形成環； <br/>式（5）中，E<sup>51</sup>表示-COCl、-O（C=O）Cl、-NR<sup>e51</sup>（C=O）Cl、-NCO、-Cl、-Br、-I或-SO<sub>2</sub>R<sup>e52</sup>， <br/>R<sup>e51</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基， <br/>R<sup>e52</sup>表示-Cl或烷氧基， <br/>Y<sup>51</sup>表示烷基、芳烷基或芳基； <br/>式（6）中，Q<sup>5</sup>表示式（Q-1）所表示之基團， <br/>Q<sup>6</sup>表示=CR<sup>q22</sup>R<sup>q23</sup>，其中，=CR<sup>q22</sup>R<sup>q23</sup>中的＝為式（6）中的Q<sup>6</sup>與環連接的雙鍵， <br/>R<sup>q22</sup>～R<sup>q23</sup>各自獨立地表示氫原子、氰基、胺甲醯基、胺磺醯基、硝基、醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，R<sup>q22</sup>與R<sup>q23</sup>不相互鍵結形成環； <br/>R<sup>61</sup>及R<sup>62</sup>各自獨立地表示-O-Y<sup>61</sup>、-OC（=O）-Y<sup>61</sup>、-OC（=O）O-Y<sup>61</sup>、-OC（=O）NR<sup>y61</sup>-Y<sup>61</sup>或-OSO<sub>2</sub>-Y<sup>61</sup>，R<sup>y61</sup>表示氫原子、烷基、芳烷基或芳基，Y<sup>61</sup>表示烷基、芳烷基或芳基； <br/><img align="absmiddle" height="118px" width="401px" file="ed10123.jpg" alt="ed10123.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式（Q-1）中，*表示鍵結鍵，R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團，其中，式（Q-1）中的*＝為式（4）中的Q<sup>5</sup>與環連接的雙鍵，或是式（Q-1）中的*＝為式（6）中的Q<sup>5</sup>與環連接的雙鍵； <br/>其中，R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基、雜環基或包含具有乙烯性不飽和鍵之聚合性基之基團。
如請求項14所述之化合物的製造方法，其中 <br/>R<sup>101</sup>及R<sup>102</sup>各自獨立地表示氫原子、烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為氫原子時，另一者表示烷基、芳烷基、芳基、雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為甲基時，另一者表示氫原子、碳數2以上的烷基、芳烷基、芳基或雜環基， <br/>R<sup>101</sup>或R<sup>102</sup>中的任一者為苯基時，另一者表示氫原子、烷基、芳烷基、具有取代基之芳基或雜環基。
一種聚合物，其包含來自於請求項13所述之化合物的結構。
一種積層體，係依序包含：屬於聚合性液晶化合物的硬化物層之第1液晶硬化層、接著劑層、以及屬於聚合性液晶化合物的硬化物層之第2液晶硬化層，其中， <br/>前述接著劑層為含有硬化性成分及光聚合起始劑之接著劑組成物的硬化物層， <br/>前述硬化性成分係含有脂環式環氧化合物、第1氧呾化合物及第2氧呾化合物， <br/>前述第1氧呾化合物於分子內所具有之氧呾基為1個， <br/>前述第2氧呾化合物於分子內所具有之氧呾基為2個以上。
如請求項1所述之積層體，其中，相對於前述第1氧呾化合物與前述第2氧呾化合物之合計量100質量份，前述接著劑組成物中之前述第1氧呾化合物的含量為10質量份以上90質量份以下。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述第1氧呾化合物含有芳香環。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述第2氧呾化合物為脂肪族化合物。
如請求項1或2所述之積層體，其中，前述第1液晶硬化層為λ/2相位差層， <br/>前述第2液晶硬化層為λ/4相位差層。
如請求項5所述之積層體，係更包含：積層於前述第1液晶硬化層之與前述接著劑層側為相反側的直線偏光層。
如請求項1或2所述之積層體，係更包含：積層於前述第2液晶硬化層之與前述接著劑層側為相反側的金屬層。
一種被加工物的研削方法，其包含： 保持步驟，其以卡盤台的保持面保持被加工物； <br/>配置步驟，其將裝設於主軸的前端且環狀地排列有研削磨石之研削輪配置於該卡盤台的上方； <br/>第一移動步驟，其在不使該卡盤台旋轉而使該研削輪旋轉之狀態下，一邊在該被加工物的上表面形成由流動的研削液所致之膜，一邊使該卡盤台與該研削輪以接近至第一距離為止之方式相對地以第一速度移動；以及 <br/>第二移動步驟，其在該第一移動步驟之後，在使該卡盤台與該研削輪分別旋轉之狀態下，使該卡盤台與該研削輪以接近至小於該被加工物的厚度之第二距離為止之方式相對地以第二速度移動而研削該被加工物， <br/>其中，呈旋轉狀態的該研削輪接觸由流經該被加工物的上表面之該研削液所致之該膜，將該研削輪的旋轉的負載變動成大於閾值之時間點的該卡盤台與該研削輪的距離作為該第一距離，而結束該第一移動步驟。
如請求項1之被加工物的研削方法，其中，該第二速度小於該第一速度。
如請求項1或2之被加工物的研削方法，其中，在該第一移動步驟之後且該第二移動步驟之前，進一步包含分離步驟，該分離步驟係使該卡盤台與該研削輪以分離之方式相對地移動。
如請求項1或2之被加工物的研削方法，其中，在該配置步驟之後且該第一移動步驟之前，進一步包含準備移動步驟，該準備移動步驟係使該卡盤台與該研削輪以接近至大於該第一距離之第一移動步驟開始距離為止之方式，以大於該第一速度之準備速度相對地移動。
如請求項3之被加工物的研削方法，其中，在該配置步驟之後且該第一移動步驟之前，進一步包含準備移動步驟，該準備移動步驟係使該卡盤台與該研削輪以接近至大於該第一距離之第一移動步驟開始距離為止之方式，以大於該第一速度之準備速度相對地移動。
一種廢棄物焚化設備，包括： <br/>焚化爐，將廢棄物焚化； <br/>廢棄物坑，貯存投入所述焚化爐前的廢棄物； <br/>廢氣流路，供自所述焚化爐排出的廢氣流通； <br/>集塵器，設置於所述廢氣流路； <br/>二氧化碳回收裝置，在所述廢氣流路中設置於所述集塵器的下游側，自所述廢氣中回收二氧化碳； <br/>已處理氣體線，將通過所述二氧化碳回收裝置的所述廢氣的至少一部分作為已處理氣體向所述廢棄物坑供給；及 <br/>抽出氣體線，抽出所述廢棄物坑內的氣體作為抽出氣體並將其供給至所述焚化爐內。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>氧氣混合部，對在所述抽出氣體線中流通的所述抽出氣體混合氧濃度高於空氣的氣體。
一種廢棄物焚化設備，包括： <br/>焚化爐，將廢棄物焚化； <br/>廢棄物坑，貯存投入所述焚化爐前的廢棄物； <br/>廢氣流路，供自所述焚化爐排出的廢氣流通； <br/>集塵器，設置於所述廢氣流路； <br/>二氧化碳回收裝置，在所述廢氣流路中設置於所述集塵器的下游側，自所述廢氣中回收二氧化碳； <br/>已處理氣體線，將通過所述二氧化碳回收裝置的所述廢氣的至少一部分作為已處理氣體向所述廢棄物坑供給； <br/>所述已處理氣體線向所述廢棄物坑的下部供給所述已處理氣體，並將通過所述廢棄物坑內的廢棄物的沈積層的所述已處理氣體供給至所述焚化爐內。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，其中在連接於所述廢棄物坑的平台中設置雙層門結構。
如請求項1所述的廢棄物焚化設備，進而包括： <br/>分離膜，在所述已處理氣體線中從所述已處理氣體中去除水。
如請求項1至請求項5中任一項所述的廢棄物焚化設備，其中所述已處理氣體線將通過所述二氧化碳回收裝置的所述廢氣全部作為所述已處理氣體向所述廢棄物坑供給。
一種治具，其在加工裝置中在將安裝件裝設於加工工具之際能利用，該加工裝置具備：卡盤台，其具有保持被加工物之保持面；主軸，其配置於比該保持面更上方，且在前端部固定有裝設該加工工具之該安裝件；以及台座部，其配置於該卡盤台的周圍， <br/>該治具的特徵在於，具備： <br/>第一支撐部，其能支撐該加工工具； <br/>第二支撐部，其位於比該第一支撐部更下方，且被該台座部支撐；以及 <br/>本體部，其配置於該第一支撐部與該第二支撐部之間， <br/>該本體部具有： <br/>氣囊部，其藉由氣體的注入而膨脹，並藉由該氣體的排出而收縮； <br/>注入口，其將該氣體注入至該氣囊部；以及 <br/>排出口，其從該氣囊部排出該氣體， <br/>在以該第一支撐部支撐該加工工具之狀態下藉由使該氣囊部膨脹，而使該加工工具以接近該安裝件之方式移動。
如請求項1之治具，其中，該氣囊部具有多個氣囊，該多個氣囊在從該第二支撐部朝向該第一支撐部之方向上連結。
如請求項1或2之治具，其中，該加工工具具有基台以及固定於該基台之磨石部或襯墊部， <br/>該第一支撐部具有基台接觸區域，該基台接觸區域不與該磨石部或該襯墊部接觸，而能與該基台接觸。
如請求項1或2之治具，其中，該第二支撐部具有： <br/>腳部，其被該台座部支撐；以及 <br/>支撐台，其固定於該腳部的上端部，且位於比該卡盤台更上方， <br/>該氣囊部的下表面與該支撐台的上表面接觸。
一種裝設方法，其在加工裝置中利用治具而將加工工具裝設於安裝件，該加工裝置具備：卡盤台，其具有保持被加工物之保持面；主軸，其配置於比該保持面更上方，且在前端部固定有裝設該加工工具之該安裝件；以及台座部，其配置於該卡盤台的周圍，該裝設方法的特徵在於， <br/>該治具具備： <br/>第一支撐部，其支撐該加工工具； <br/>第二支撐部，其位於比該第一支撐部更下方，且被該台座部支撐；以及 <br/>本體部，其配置於該第一支撐部與該第二支撐部之間， <br/>該本體部具有： <br/>氣囊部，其藉由氣體的注入而膨脹，並藉由該氣體的排出而收縮； <br/>注入口，其將該氣體注入至該氣囊部；以及 <br/>排出口，其從該氣囊部排出該氣體， <br/>該裝設方法具備： <br/>配置步驟，其將該加工工具配置於該第一支撐部上； <br/>上升步驟，其在該配置步驟之後，藉由將該氣體注入至該氣囊部使該氣囊部膨脹，而使該加工工具以接近該安裝件之方式上升；以及 <br/>固定步驟，其在該上升步驟之後，在該加工工具的基台與該安裝件接觸之狀態下，固定該安裝件與該基台。
一種卸除方法，其在加工裝置中利用治具而從安裝件卸除加工工具，該加工裝置具備：卡盤台，其具有保持被加工物之保持面；主軸，其配置於比該保持面更上方，且在前端部固定有裝設該加工工具之該安裝件；以及台座部，其配置於該卡盤台的周圍，該卸除方法的特徵在於， <br/>該治具具備： <br/>第一支撐部，其支撐該加工工具； <br/>第二支撐部，其位於比該第一支撐部更下方，且被該台座部支撐；以及 <br/>本體部，其配置於該第一支撐部與該第二支撐部之間， <br/>該本體部具有： <br/>氣囊部，其藉由氣體的注入而膨脹，並藉由該氣體的排出而收縮； <br/>注入口，其將該氣體注入至該氣囊部；以及 <br/>排出口，其從該氣囊部排出該氣體， <br/>該卸除方法具備： <br/>接觸步驟，其藉由將該氣體注入至該氣囊部使該氣囊部膨脹，而使該第一支撐部與該加工工具接觸； <br/>解除步驟，其在該接觸步驟之後，解除該安裝件與該加工工具的基台的固定；以及 <br/>下降步驟，其在該解除步驟之後，藉由使該氣體從該氣囊部排出並使該氣囊部收縮，而使該加工工具以接近該第二支撐部之方式下降。
一種感放射線性組成物，含有： <br/>（A）聚合體；以及 <br/>（B）感放射線性酸產生體，包含具有選自由氟烷基及氟基（其中，氟烷基中的氟基除外）所組成的群組中的至少一種基Rf<sup>1</sup>的鎓陽離子、與具有四個以上碘原子的羧酸鹽陰離子。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述（B）感放射線性酸產生體是與所述（A）聚合體不同的化合物。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述羧酸鹽陰離子具有於同一芳香環上鍵結有四個以上的碘原子的結構，或者具有含有兩個以上鍵結有碘原子的芳香環且與芳香環鍵結的碘原子的合計數為四個以上的結構。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述（B）感放射線性酸產生體是藉由曝光而於組成物中產生羧酸的化合物。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述鎓陽離子具有鋶陽離子結構或錪陽離子結構。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述鎓陽離子具有含有與鋶陽離子或錪陽離子鍵結的芳香環Ar<sup>1</sup>且所述基Rf<sup>1</sup>與所述芳香環Ar<sup>1</sup>鍵結的結構。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述羧酸鹽陰離子具有於同一芳香環上鍵結有四個以上的碘原子的結構，或者具有含有兩個以上鍵結有碘原子的芳香環且與芳香環鍵結的碘原子的合計數為四個以上的結構， <br/>所述鎓陽離子具有含有與鋶陽離子或錪陽離子鍵結的芳香環Ar<sup>1</sup>且所述基Rf<sup>1</sup>與所述芳香環Ar<sup>1</sup>鍵結的結構。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述（A）聚合體包含具有酸解離性基的結構單元。
如請求項1所述的感放射線性組成物，其中所述（A）聚合體包含具有與芳香環鍵結的羥基的結構單元。
如請求項1所述的感放射線性組成物，用於藉由極紫外線的曝光而形成抗蝕劑圖案。
如請求項1所述的感放射線性組成物，更含有伴隨曝光而於組成物中產生較所述（B）感放射線性酸產生體更弱的酸的化合物。
如請求項1所述的感放射線性組成物，更含有伴隨曝光而於組成物中產生較所述（B）感放射線性酸產生體更強的酸的化合物。
一種抗蝕劑圖案形成方法，包括： <br/>使用如請求項1至12中任一項所述的感放射線性組成物而於基板上形成抗蝕劑膜的步驟； <br/>對所述抗蝕劑膜進行曝光的步驟；以及 <br/>對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
如請求項13所述的抗蝕劑圖案形成方法，使用極紫外線對所述抗蝕劑膜進行曝光。
一種半導體結構，包括： <br/>一半導體元件，具有一電極墊，該電極墊包括一第一金屬材料；以及 <br/>一重分佈結構，與該半導體元件電性連接，該重分佈結構包括： <br/>一第一連接層，與該電極墊直接接觸並包括一第二金屬材料；及 <br/>一第一線路層，與該第一連接層堆疊並包括一第三金屬材料； <br/>其中該第一金屬材料、該第二金屬材料與該第三金屬材料彼此不同，該第一金屬材料與該第三金屬材料具有一第一晶體結構，該第二金屬材料具有與該第一晶體結構不同的一第二晶體結構，該第二晶體結構為六方最密堆積結構，且該第三金屬材料之密度與該第二金屬材料之密度的比值落在0.99至1.01之範圍內。
如請求項1之半導體結構，其中該第一晶體結構為面心立方結構。
如請求項1之半導體結構，其中該第一連接層之厚度小於該第一線路層之厚度。
如請求項1之半導體結構，其中該第一金屬材料包括金。
如請求項1之半導體結構，其中該第一線路層與該第一連接層直接接觸。
如請求項1之半導體結構，其中該重分佈結構更包括： <br/>一第二線路層，設置於該基底與該第一線路層之間並包括該第三金屬材料； <br/>一第二連接層，設置於第二線路層的底表面與側壁並包括該第二金屬材料。
如請求項1之半導體結構，其中該重分佈結構具有一第一側及相對於該第一側的一第二側，該半導體元件設置於該第一側，且該半導體結構更包括一基底，該基底設置於該第二側。
如請求項7之半導體結構，更包括： <br/>一黏接層，設置於該基底與該重分佈結構之間。
如請求項1之半導體結構，更包括一基底，其中該半導體元件設置於該重分佈結構與該基底之間。
如請求項1之半導體結構，其中該半導體元件包括發光二極體晶片。
一種刷簇絨裝置，具有：<br/> 至少一個庫，在至少一個所述庫中，彼此緊鄰直立地彼此鄰接的刷毛在出口區域的方向上預張緊；束分離器，所述束分離器以外邊緣沿著至少一個所述庫的所述出口區域掃掠，並且在所述外邊緣中具有用於至少一個待分離的束的至少一個接納開口，<br/> 簇絨工具，所述簇絨工具接受來自所述束分離器的經分離的束，並且所述簇絨工具能夠在簇絨位置與裝載位置之間來回移動，<br/> 驅動系統，所述驅動系統使所述束分離器相對於至少一個所述庫從刷毛從所述庫中壓出到所述接納開口中的後死點移動至所述束沿所述接納開口的方向分配的前死點，以及<br/> 控制裝置，所述控制裝置控制所述驅動系統，<br/> 其中，所述驅動系統形成為使得所述驅動系統能夠將從所述後死點到至少一個所述庫的相對位置調節成使得所述後死點能夠位於從中分離所述束的所述庫的所述出口區域的不同部段中，並且使得能夠從所述出口區域的這些不同部段中移除刷毛。
如請求項1所述的刷簇絨裝置，其中，設置有彼此緊鄰佈置的若干個可使用的庫，並且在每個庫被連接以用於分離所述束時，所述驅動系統能夠使所述每個庫相對於所述束分離器的相對位置移動至所述後死點中的所述接納開口的區域中，並且所述驅動系統能夠將所述相對位置調整成使得所述後死點能夠位於連接的庫的所述出口區域的不同部段中，並且能夠從所述出口區域的這些不同部段中移除所述刷毛。
如請求項2所述的刷簇絨裝置，其中，各個庫之間的所述刷毛是不同的。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述驅動系統使從中分離所述束的所述庫移動，或者對所述後死點進行調節。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，不同位置一起覆蓋至少一個所述庫的所述出口區域的至少50%，在若干個所述庫的情況下，不同位置一起覆蓋若干個所述庫的所述出口區域的至少50%，以及/或者所述出口區域的每個外三分之一中的不同位置一起覆蓋所述出口區域的至少50%。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得所述控制裝置在對若干個刷進行簇絨的若干個連續過程中均勻地使用一個所述庫的不同的相對位置。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得所述控制裝置在對若干個刷進行簇絨的若干個連續過程中均勻地使用若干個所述庫中的每個庫的不同的相對位置。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得所述控制裝置在對若干個刷進行簇絨的若干個連續過程中，與中間的相對位置相比，更多地使用至少一個所述庫的所述出口區域的端部部段處的相對位置。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得在重新連接所述庫的情況下，所述控制裝置對到與先前連接的情況下所述庫的最後一個相對位置相比的另一相對位置的運動進行控制。
如請求項9所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得在重新連接所述庫的情況下，所述控制裝置對到相鄰位置的運動進行控制。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，設置有彼此緊鄰定位的若干個庫，若干個所述庫能夠被連接以用於分配所述束，並且所述控制裝置形成為使得所述控制裝置存儲所述庫的相對位置在簇絨過程期間的預定義順序，並且在連接另一個庫並返回至先前使用的庫之後，將除了在先前使用的庫的情況下最後移動至的相對位置之外的相對位置致動、特別是將所述預定義順序中的下一個位置致動。
如請求項11所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得所述控制裝置存儲所述庫的相對位置在簇絨過程期間的預定義順序，並且在連接另一個庫並返回至先前使用的庫之後，將所述預定義順序中的下一個位置致動。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得彼此緊鄰定位的相對位置被連續地移開，除了在對一個刷或若干個刷進行簇絨期間單次使用的至少一個所述庫。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得連續移動至下述相對位置：所述相對位置之間具有至多兩個中間位置。
如請求項14所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得連續移動至下述相對位置：所述相對位置之間具有至多兩個中間位置，即除了在對一個刷或若干個刷進行簇絨期間單次使用的至少一個所述庫。
如請求項14所述的刷簇絨裝置，其中，所述控制裝置形成為使得連續移動至下述相對位置：所述相對位置作為整體從所述出口區域的第一端部部段開始延伸到所述出口區域的相反的第二端部部段，並且在已經到達所述相反的端部部段之後，在隨後的簇絨過程期間，或者再次開始於所述第一端部部段的區域中的來自所述庫的束或者開始於所述第二端部部段的區域中的束，並且然後開始於更靠近所述第一端部部段的作為整體的束。
如請求項1至3中的一項所述的刷簇絨裝置，其中，設置有下述相對位置：在所述相對位置，接納開口位於所述出口區域的側向端部處。
一種保護膜形成膜，根據下述式(1)所算出之壓縮變形率為5.0%以下： <br/>壓縮變形率(%)＝｛(初始位移－壓縮位移)／初始位移｝×100…(1) <br/>式(1)中，「初始位移」係將前述保護膜形成膜挾持於黏彈性測定裝置的壓縮測定用治具間時，在進行壓縮之前之前述壓縮測定用治具間的間距，「壓縮位移」係在之後將前述保護膜形成膜使用前述黏彈性測定裝置以23℃、0.1MPa經600秒鐘壓縮之後之前述壓縮測定用治具間的間距。
如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中前述保護膜形成膜含有不具有能量線硬化性基之丙烯酸樹脂(b)，前述丙烯酸樹脂(b)係具有衍生自4-(甲基)丙烯醯基嗎啉之構成單元。
如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中不含在25℃為液狀之紫外線吸收劑。
如請求項1所記載之保護膜形成膜，係熱硬化性或能量線硬化性。
如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中含有在25℃為固體之紫外線吸收劑、或不含紫外線吸收劑。
一種輥體，係積層有長形的剝離膜、以及長形的保護膜形成膜，前述長形的剝離膜、以及前述長形的保護膜形成膜被捲取成輥狀； <br/>前述保護膜形成膜係如請求項1至5中任一項所記載之保護膜形成膜。
一種保護膜形成膜之使用，係用以在半導體晶圓或半導體晶片中之與電路面為相反側的面形成保護膜； <br/>前述保護膜形成膜係如請求項1至5中任一項所記載之保護膜形成膜。
一種在基板之表面上形成碳氧化矽層的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 於一反應器的一反應室內提供一基板；<br/> 提供一無氧反應物至該反應室；及<br/> 執行一或多個沉積循環，其中各沉積循環包含：<br/> 提供一矽前驅物至該反應室，持續一矽前驅物脈衝週期，該矽前驅物每分子包含至少一個氧原子；及<br/> 提供一脈衝電漿功率至一電極，持續一電漿功率週期，以在該電漿功率週期期間在該反應器內形成一電漿，<br/> 其中在該電漿功率週期期間的一電漿脈衝週期在約0.01毫秒與0.2毫秒之間，<br/> 其中相較於未提供該脈衝電漿功率而向該電極提供相同電漿功率所形成的電漿，提供該脈衝電漿功率產生的電漿具有較低的電漿電位，<br/> 其中該碳氧化矽層之一介電常數小於4.5，且<br/> 其中在0.5%稀氫氟酸中該碳氧化矽層之一濕式蝕刻速率小於1奈米/分鐘。
如請求項1之方法，其中該無氧反應物包含氬氣（Ar）及氫氣（H<sub>2</sub>）中之一或多者。
如請求項1之方法，其中該無氧反應物包含100至約90體積百分比之氬氣（Ar）。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該無氧反應物包含0至約10體積百分比之氫氣（H<sub>2</sub>）。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該無氧反應物包含一混合物，該混合物包含氬氣（Ar）及氫氣（H<sub>2</sub>）。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該電漿功率週期之持續時間介於0.01秒與5.0秒之間。
如請求項1至3中任一項之方法，其中電漿功率接通時間工作循環大於0且小於75%。
如請求項1至3中任一項之方法，其中電漿功率接通時間工作循環介於約10%與約50%之間。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該分子包含一或多個Si-C鍵。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該矽前驅物由下式表示：(R<sup>i</sup>)<sub>4-x</sub> Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>，其中x介於1與3之間；(R<sup>i</sup>-O-R<sup>ii</sup>)<sub>4-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>，其中x介於1與3之間；及(R<sup>i</sup><sub>3-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>)-R<sup>ii</sup>-(R<sup>i</sup><sub>3-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>)，其中x介於1與3之間；其中R<sup>i</sup>為獨立選擇之烷基且R<sup>ii</sup>為獨立選擇之烴。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該矽前驅物包含1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（BTESE）、二甲氧基甲基乙烯基矽烷（DMOMVS）、1,2-雙(甲基二乙氧基矽烷基)乙烷（BMDESE）及(3-甲氧基丙基)三甲氧基矽烷（MPTMS）中之一或多者。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該碳氧化矽層形成一間隔物。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該碳氧化矽層之該介電常數小於4.25。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在0.5%稀氫氟酸中，該碳氧化矽層之該濕式蝕刻速率小於0.8奈米/分鐘。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該反應物在該一或多個沉積循環之一沉積循環期間連續地提供至該反應室。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該反應物在兩個或更多個沉積循環期間連續地提供至該反應室。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該矽前驅物脈衝週期在該電漿功率週期之前停止。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該矽前驅物脈衝週期之持續時間介於約0.1秒與約2.0秒之間。
如請求項1至3中任一項之方法，其中該基板之溫度介於約100℃與約550℃之間。
如請求項1至3中任一項之方法，其中在該沉積循環期間該反應室內之壓力介於約200 Pa與約3000 Pa之間。
一種包含碳氧化矽層之結構，包括：<br/> 一基板；以及<br/> 一碳氧化矽層，在該基板上，該碳氧化矽層由以下所形成：<br/> 於一反應器的一反應室內提供該基板；<br/> 提供一無氧反應物至該反應室；以及<br/> 執行一或多個沉積循環，其中各沉積循環包含：<br/> 提供一矽前驅物至該反應室，持續一矽前驅物脈衝週期，該矽前驅物每分子包含至少一個氧原子；以及<br/> 提供一脈衝電漿功率至一電極，持續一電漿功率週期，以在該電漿功率週期期間在該反應器內形成一電漿，<br/> 其中在該電漿功率週期期間的一電漿脈衝週期在約0.01毫秒與0.2毫秒之間，<br/> 其中相較於未提供該脈衝電漿功率而向該電極提供相同電漿功率所形成的電漿，提供該脈衝電漿功率產生的電漿具有較低的電漿電位，<br/> 其中該碳氧化矽層之一介電常數小於4.5，且<br/> 其中在0.5%稀氫氟酸中該碳氧化矽層之一濕式蝕刻速率小於1奈米/分鐘。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，更包括一特徵，在該基板上。
如請求項22之包含碳氧化矽層之結構，其中該特徵包括一光阻特徵或一圖案化特徵。
如請求項23之包含碳氧化矽層之結構，其中該圖案化特徵包括一金屬圖案化特徵、一半導電圖案化特徵或一介電圖案化特徵的其中一者。
如請求項22之包含碳氧化矽層之結構，其中該特徵包括一凹部或一凸部的其中一者。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，更包括一間隔物。
如請求項26之包含碳氧化矽層之結構，其中該碳氧化矽層用於形成該間隔物。
如請求項26之包含碳氧化矽層之結構，其中該間隔物關於一特徵。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該碳氧化矽層之該介電常數小於4.25。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該碳氧化矽層之該介電常數介於3.5與4.25之間。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中在0.5%稀氫氟酸中該碳氧化矽層之該濕式蝕刻速率小於0.8奈米/分鐘。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中在0.5%稀氫氟酸中該碳氧化矽層之該濕式蝕刻速率介於0.4奈米/分鐘與0.9奈米/分鐘之間。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該矽前驅物由下式表示：(R<sup>i</sup>)<sub>4-x</sub> Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>，其中x介於1與3之間；(R<sup>i</sup>-O-R<sup>ii</sup>)<sub>4-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>，其中x介於1與3之間；或(R<sup>i</sup><sub>3-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>)-R<sup>ii</sup>-(R<sup>i</sup><sub>3-x</sub>Si(O-R<sup>i</sup>)<sub>x</sub>)，其中x介於1與3之間。
如請求項33之包含碳氧化矽層之結構，其中R<sup>i</sup>為獨立選擇之烷基且R<sup>ii</sup>為獨立選擇之烴。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該矽前驅物包含1,2-雙(三乙氧基矽烷基)乙烷（BTESE）、二甲氧基甲基乙烯基矽烷（DMOMVS）、1,2-雙(甲基二乙氧基矽烷基)乙烷（BMDESE）及(3-甲氧基丙基)三甲氧基矽烷（MPTMS）中之一或多者。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該電漿功率週期之持續時間介於0.01秒與5.0秒之間。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中電漿功率接通時間工作循環大於0且小於75%。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中電漿功率接通時間工作循環介於約10%與約50%之間。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該矽前驅物脈衝週期之持續時間介於約0.1秒與約2.0秒之間。
如請求項21之包含碳氧化矽層之結構，其中該無氧反應物包含氬氣（Ar）及氫氣（H<sub>2</sub>）中之一或多者。
一種確定標記的位置的方法，所述標記包括配置在基板的第一層中的第一圖案和配置在所述基板的第二層中的第二圖案，所述第二層配置在所述第一層上，所述方法包括如下步驟： <br/> 基於所述標記的影像，確定關於所述標記的臨時位置資訊，包括所述第一圖案的位置資訊及所述第二圖案的位置資訊； <br/> 獲取步驟，獲取指示所述第一圖案與所述第二圖案之間的層疊位置偏移量的相對位置資訊；以及 <br/> 透過基於所述相對位置資訊透過校正所述臨時位置資訊，確定所述標記的位置。
根據請求項1所述的方法，其中， <br/> 所述第一層包括多個第一圖案，並且所述第二層包括多個第二圖案， <br/> 所述方法還包括如下步驟： <br/> 測量步驟，在所述基板上形成所述第一層和所述第二層之後且在確定所述臨時位置資訊的步驟之前，測量從所述多個第一圖案中選擇的第一圖案與所述多個第二圖案當中的、與所選擇的第一圖案相對應的第二圖案之間的相對位置，並且 <br/> 在所述獲取步驟中，基於所述測量步驟的結果來獲取所述相對位置資訊。
根據請求項1所述的方法，其中，在確定所述標記的位置的步驟中， <br/> 基於所述相對位置資訊，進行如下轉換處理：將在確定所述臨時位置資訊的步驟中確定的所述第二圖案的位置轉換為，在形成與所述第一圖案沒有任何層疊偏移的所述第二圖案的情況下的所述第二圖案的位置，並且 <br/> 基於在確定所述臨時位置資訊的步驟中確定的所述第一圖案的位置和經過所述轉換處理的所述第二圖案的位置，來確定所述標記的位置。
根據請求項3所述的方法，其中，基於用於校正以下項目中的至少一者的偏差值，來進行所述轉換處理： <br/> 工具導致偏移，其是用於測量所述標記的測量裝置的測量誤差； <br/> 晶圓導致偏移，其是處理所述基板的處理的測量誤差；以及 <br/> 由在所述工具導致偏移與所述晶圓導致偏移之間的相互作用引起的誤差。
根據請求項3所述的方法，其中，當基於在確定所述臨時位置資訊的步驟中確定的所述第一圖案的位置和經過所述轉換處理的所述第二圖案的位置確定所述標記的位置時，對在確定所述臨時位置資訊的步驟中確定的所述第一圖案的位置和經過所述轉換處理的所述第二圖案的位置進行加權。
根據請求項1所述的方法，其中，在確定所述臨時位置資訊的步驟中確定的所述臨時位置資訊是指示基於所述第一圖案和所述第二圖案二者的影像，透過處理與所述第一圖案對應的影像訊號及與所述第二圖案對應的影像訊號而獲得的所述標記的所述臨時位置的資訊。
根據請求項1所述的方法，其中， <br/> 在確定所述臨時位置資訊的步驟中，藉由標記檢測模組對由所述第一圖案和所述第二圖案的影像形成的標記影像進行處理，來確定所述臨時位置資訊，並且 <br/> 所述標記檢測模組是被構造為基於提供的影像來檢測標記的所述臨時位置的模組。
根據請求項6所述的方法，其中，在確定所述標記的位置的步驟中，基於用於校正以下項目中的至少一者的偏差值，來最終確定所述標記的位置： <br/> 工具導致偏移，其是用於測量所述標記的測量裝置的測量誤差； <br/> 晶圓導致偏移，其是處理所述基板的處理的測量誤差；以及 <br/> 由在所述工具導致偏移與所述晶圓導致偏移之間的相互作用引起的誤差。
根據請求項1至8中的任一項所述的方法，其中，所述第一圖案和所述第二圖案對應於用於測量所述第一層與所述第二層之間的層疊誤差的標記。
根據請求項9所述的方法，其中，在所述標記中，所述第二圖案落在與所述第一圖案外接的矩形區域內。
根據請求項9所述的方法，其中， <br/> 所述第一圖案包括多個第一部分圖案，並且所述第二圖案包括多個第二部分圖案，並且 <br/> 在所述標記中，所述多個第二部分圖案中的至少一者的至少一部分配置在所述多個第一部分圖案當中的至少兩個第一部分圖案之間。
一種微影蝕刻方法，其將原版圖案轉印到基板上，所述基板包括具有第一圖案的第一層和具有第二圖案的第二層，所述微影蝕刻方法包括如下步驟： <br/> 確定步驟，根據請求項1至8中的任一項所限定的確定標記的位置的方法，來確定包括所述第一圖案和所述第二圖案的標記的位置；以及 <br/> 轉印步驟，藉由基於在所述確定步驟中確定的所述標記的位置將所述原版圖案與所述第一層對準，來將所述原版圖案轉印到所述基板上。
根據請求項12所述的微影蝕刻方法，其中， <br/> 所述基板包括多個拍攝區域，並且 <br/> 在確定所述標記的位置的步驟中，藉由在所述多個拍攝區域當中的多個樣品拍攝區域中測量所述第一圖案與所述第二圖案之間的相對位置，來獲取相對位置資訊。
根據請求項13所述的微影蝕刻方法，所述微影蝕刻方法還包括如下步驟：基於所述多個樣品拍攝區域中的各者中的所述標記的位置，確定所述多個拍攝區域的位置， <br/> 其中，所述轉印步驟包括基於確定所述多個拍攝區域的位置的步驟的結果，來曝光所述多個拍攝區域。
根據請求項12所述的微影蝕刻方法，其中， <br/> 確定所述標記的位置的步驟包括如下步驟： <br/> 獲取步驟，藉由拍攝由基板載台保持的所述基板上的所述標記來獲取所述標記的影像，並且 <br/> 在確定所述標記的位置的步驟中，基於在進行所述獲取步驟時的所述標記的位置以及所述基板載台的位置，來確定所述標記在所述基板載台的座標系中的位置。
一種曝光裝置，其將原版圖案轉印到基板上，所述基板包括具有第一圖案的第一層和具有第二圖案的第二層，所述曝光裝置包括： <br/> 影像擷取單元，其被構造為，拍攝包括所述第一圖案和所述第二圖案的標記的影像；以及 <br/> 控制器，其被構造為，基於由所述影像擷取單元拍攝的所述標記的所述影像，確定關於所述標記的臨時位置資訊，包括所述第一圖案的位置資訊及所述第二圖案的位置資訊，透過基於指示所述第一圖案與所述第二圖案之間的層疊偏移量的相對位置資訊，校正所述臨時位置資訊來確定所述標記的位置，並且基於所述標記的位置來控制對所述基板的拍攝區域的曝光處理。
一種物品製造方法，其包括： <br/> 根據請求項12所述微影蝕刻方法，在基板上形成光阻圖案；以及 <br/> 藉由處理形成有所述圖案的所述基板，來獲得物品。
一種如式A所示化合物的晶型I，其中，使用Cu靶的Kα譜線的X-射線粉末繞射譜圖，以2θ表示，其在8.3±0.2°、11.2±0.2°、12.2±0.2°、12.8±0.2°、13.4±0.2°、17.5±0.2°、17.9±0.2°、20.8±0.2°、22.4±0.2°和23.3±0.2°處有繞射峰； <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="72px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種如請求項1所述的如式A所示化合物的晶型I的製備方法，其中，其為方案一或方案二： <br/>方案一：60~75℃下，將如式A所示化合物、THF和不良溶劑的混合物冷卻，析晶，過濾即可；所述的不良溶劑為甲醇和/或水； <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="72px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述的THF與如式A所示化合物的體積質量比為3.0~30.0mL/g； <br/>當所述的不良溶劑為甲醇時，所述的THF與所述的不良溶劑的體積比為0.5:1~2:1；當所述的不良溶劑為水時，所述的THF與所述的不良溶劑的體積比為0.5:1~5:1； <br/>所述的冷卻的溫度為-20~20℃； <br/>方案二：60~70℃下，將如式A所示化合物的晶型III和/或Ⅵ與溶劑形成的溶液降溫，析出固體過濾即可；所述的溶劑為THF和異丙醇的混合溶劑； <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="72px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>所述的如式A所示化合物的晶型III，使用Cu靶的Kα譜線的X-射線粉末繞射譜圖，以2θ表示，其在6.7±0.2°、13.6±0.2°、14.5±0.2°、15.3±0.2°、15.8±0.2°、16.1±0.2°、16.8±0.2°、17.1±0.2°、19.0±0.2°、19.6±0.2°、20.3±0.2°和22.6±0.2°處有繞射峰；所述的如式A所示化合物的晶型VI，使用Cu靶的Kα譜線的X-射線粉末繞射譜圖，以2θ表示，其在6.3±0.2°、12.7±0.2°、14.1±0.2°、14.6±0.2°、17.3±0.2°、17.8±0.2°、19.1±0.2°、19.5±0.2°、22.4±0.2°、24.6±0.2°和25.2±0.2°處有繞射峰； <br/>所述的降溫的溫度為-20~20℃； <br/>所述的混合溶劑中，所述的THF和異丙醇的體積比為0.5:1~2:1。
如請求項2所述的如式A所示化合物的晶型I的製備方法，其中， <br/>方案一中，所述的混合物通過將如式A所示化合物加入到THF和不良溶劑的混合溶劑中得到，或者，將如式A所示化合物溶解於THF後，滴加所述的不良溶劑得到； <br/>方案一中，所述的冷卻的速率為5 ~30℃/h； <br/>方案一中，所述的過濾為減壓抽濾； <br/>方案一中，所述的過濾後還包括乾燥的操作； <br/>方案二中，所述的降溫的速率為5 ~30℃/h； <br/>方案二中，所述的過濾為減壓抽濾； <br/>方案二中，所述的過濾後還包括乾燥的操作； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型III採用包括如下步驟的製備方法得到，將如式A所示化合物的四氫呋喃溶液除去溶劑即可； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型VI採用包括如下步驟的製備方法得到，將如式A所示化合物與1,4-二<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10005.TIF" alt="ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/>烷形成的溶液降溫至-10~-20℃，過濾，乾燥即可。
如請求項3所述的如式A所示化合物的晶型I的製備方法，其中， <br/>方案一中，所述的冷卻還包括將所述的混合物和異丙醇混合，再冷卻； <br/>方案一中，所述的乾燥為65℃減壓乾燥，所述乾燥的時間為1小時~3天； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型III的製備方法中，所述的除去溶劑為通過蒸餾的方式； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型III的製備方法中，所述的除去溶劑之前還包括將如式A所示化合物的四氫呋喃溶液進行過濾的操作； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型VI的製備方法中，所述的如式A所示化合物與1,4-二<img align="absmiddle" height="25px" width="20px" file="d10005.TIF" alt="ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/>烷形成的溶液的溫度為40~120℃； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型VI的製備方法中，所述的降溫為迅速降溫； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型VI的製備方法中，所述的過濾為減壓抽濾； <br/>方案二中，所述的如式A所示化合物的晶型VI的製備方法中，所述的乾燥為減壓乾燥。
一種如請求項1所述的如式A所示化合物的晶型I在製備用於治療高尿酸血症的藥物中的應用。
一種藥物組合物，其含有治療有效量的如請求項1所述的如式A所示化合物的晶型I，及其藥學上可接受的一種或多種載體。
一種提供視訊串流服務之系統，該系統包含： <br/>記憶體，組態以儲存來自複數個攝影機之影像資料，該影像資料包含來自該複數個攝影機中各者在同時間點記錄的影像； <br/>處理器，耦合至該記憶體；以及 <br/>輸出介面，耦合至該處理器； <br/>其中，該處理器組態以： <br/>從該記憶體存取該影像資料； <br/>透過將來自該複數個攝影機同時間點記錄之各個影像結合成一陣列之影像資料，產生影像牆，其中在該影像牆中該影像各者定位於至少一其他影像旁； <br/>壓縮該影像牆；以及 <br/>產生與影像牆相關的元資料，該元資料包括映射，其對於影像牆內的各個影像，將該影像牆內的影像之位置與記錄該影像的複數個攝影機中的攝影機綁定； <br/>其中，該輸出介面組態以傳輸壓縮的該影像牆與該相關元資料至客戶端裝置； <br/>其中，該處理器更組態以分割該影像牆成複數個巨集區塊視窗，該各個巨集區塊視窗包含該影像牆內二或更多個影像的影像資料；以及 <br/>其中，壓縮該影像牆包含針對該影像牆的各個像素運用與該像素定位所在的該巨集區塊視窗相等的壓縮搜尋視窗。
如請求項1之系統，其中該複數個攝影機的各者在記錄共同事件或場景時以不同的攝影機角度定位，以及該影像資料的各影像包含以不同的該攝影機角度記錄之該共同事件或場景的視圖。
如請求項1之系統，其中該影像牆包含矩形陣列之影像像素。
如請求項1之系統，其中該複數個攝影機包含至少十六個攝影機，以及該影像資料包含同時間點記錄之至少十六個影像。
如請求項1之系統，其中該處理器更組態以運用運動估計向量以編碼該影像牆。
如請求項1之系統，其中該處理器更組態以運用基於像素的殘差以編碼該影像牆。
如請求項1之系統，其中該處理器更組態以透過使用來自該複數個攝影機記錄的影像資料串流，產生影像牆串流；以及該輸出介面組態以傳輸該影像牆串流至該客戶端裝置。
一種提供視訊串流服務之方法，該方法包含： <br/>存取來自複數個攝影機之影像資料，該影像資料包含來自該複數個攝影機中各者在同時間點記錄的影像； <br/>透過將來自該複數個攝影機同時間點記錄之各個影像結合成一陣列之影像資料，產生影像牆，其中在該影像牆中該影像各者定位於該至少一其他影像旁； <br/>壓縮該影像牆； <br/>產生與該影像牆相關的元資料，該元資料包括映射，其對於該影像牆內的各個影像，將該影像牆內的該影像之位置與記錄該影像的該複數個攝影機中的攝影機綁定； <br/>傳輸壓縮的該影像牆與該相關元資料至客戶端裝置； <br/>分割該影像牆成複數個巨集區塊視窗，該各個巨集區塊視窗包含該影像牆內二或更多個影像的影像資料；以及 <br/>其中，壓縮該影像牆包含針對該影像牆的各個像素運用與該像素定位所在的該巨集區塊視窗相等的壓縮搜尋視窗。
如請求項8之方法，其中該複數個攝影機的各者在記錄共同事件或場景時以不同的攝影機角度定位，以及該影像資料的各影像包含以不同的該攝影機角度記錄之該共同事件或場景的視圖。
如請求項8之方法，其中該影像牆包含矩形陣列之影像像素。
如請求項8之方法，其中該複數個攝影機包含至少十六個攝影機，以及該影像資料包含同時間點記錄之至少十六個影像。
如請求項8之方法，更包含運用運動估計向量以編碼該影像牆。
如請求項8之方法，更包含運用基於像素的殘差以編碼該影像牆。
如請求項8之方法，更包含： <br/>透過使用來自該複數個攝影機記錄的影像資料串流，產生影像牆串流；以及 <br/>傳輸該影像牆串流至該客戶端裝置。
一種用於觀看與複數個攝影機角度相關的視訊串流之系統，該系統包含： <br/>一種記憶體，組態以： <br/>儲存影像牆串流，其中各個影像牆包含同時間點從該複數個攝影機角度記錄的影像資料；以及 <br/>儲存與該影像牆串流相關的元資料，該元資料包括映射，其對於該影像牆串流的影像牆內的每個影像，將該影像牆內的該影像之位置與記錄該影像的複數個攝影機角度的該攝影機角度綁定；以及 <br/>處理器，耦合至該記憶體； <br/>其中，該處理器組態以： <br/>存取該影像牆串流； <br/>解壓縮該影像牆串流中的各個影像牆； <br/>存取使用者選擇的攝影機角度； <br/>透過運用儲存的該元資料內的該映射，在該影像牆串流內定位與該使用者選擇的攝影機角度相關的影像串流；以及 <br/>導致顯示與該使用者選擇的攝影機角度相關的該影像串流。
如請求項15之系統，其中該使用者選擇的攝影機角度是第一使用者選擇的攝影機角度，以及與該攝影機角度相關的該影像串流是與第一攝影機角度相關的第一影像串流； <br/>其中，該處理器更組態以： <br/>存取第二使用者選擇的攝影機角度； <br/>透過運用儲存的該元資料內的該映射，在該影像牆串流內定位與該第二使用者選擇的攝影機角度相關的第二影像串流；以及 <br/>導致顯示從與該第一使用者選擇的攝影機角度相關的該第一影像串流切換到顯示與該第二使用者選擇的攝影機角度相關的該第二影像串流。
如請求項15之系統，其中該處理器更組態以導致回播該影像牆串流中的至少若干該影像。
如請求項15之系統，其中該處理器更組態以： <br/>存取使用者指定程式，以根據時間變化攝影機角度；以及 <br/>導致顯示來自該影像牆串流的該影像串流，其對應於根據時間變化的該攝影機角度。
一種自動平衡器，係具備：<br/> 平衡頭，係以旋轉體的旋轉軸為中心而與前述旋轉體一體地旋轉，並具有：修正前述旋轉體的不平衡的電動型的平衡修正機構、及有平行於前述旋轉軸的筒狀的外周面且收納前述平衡修正機構的殼體；<br/> 定子，係與前述平衡頭個別設置，在對前述外周面隔有間隙的狀態下具有沿著前述外周面的周向之形狀，電性連接到前述平衡頭的控制器；及<br/> 轉子部，在前述外周面上設在與前述定子相對向的位置且與前述平衡頭一體地旋轉，並具有沿著前述外周面的周向之形狀且電性連接到前述平衡修正機構；<br/> 能夠在前述定子與前述轉子部之間進行無線傳輸，<br/> 前述定子及前述轉子部係在前述旋轉軸軸向彼此相對向。
如請求項1之自動平衡器，其中前述定子係沿著前述外周面的周向形成為圓環狀，對前述外周面鬆嵌。
如請求項1或2之自動平衡器，其中前述轉子部係沿著前述外周面的周向形成為圓環狀。
如請求項1或2之自動平衡器，其中前述定子係將從前述控制器輸出的前述平衡頭的驅動電力及驅動指令無線傳輸給前述轉子部；<br/> 前述轉子部係從前述定子接收前述驅動電力及前述驅動指令；<br/> 前述平衡修正機構係根據前述轉子部所接收到的前述驅動電力及前述驅動指令而作動。
如請求項1或2之自動平衡器，其具備偵測感測器，該偵測感測器係設在前述殼體，偵測被接觸物對前述旋轉體的接觸；<br/> 前述轉子部係將前述偵測感測器的檢測信號無線傳輸給前述定子；<br/> 前述定子係將從前述轉子部接收到的前述檢測信號輸入至前述控制器。
一種(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽或(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽，上述(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽由下述式(II)表示，上述(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽由下述式(III)表示， <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="331px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="193px" width="321px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽或(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，上述(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽由下述式(II)表示，上述(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽由下述式(III)表示， <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="330px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="189px" width="329px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，具有選自由繞射角度（2θ±0.2°）4.1°、12.8°、16.1°、20.0°及23.3°所組成之群中之1個以上之繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="331px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，在繞射角度（2θ±0.2°）4.1°處具有繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="330px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，在繞射角度（2θ±0.2°）4.1°、12.8°及23.3°處具有繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="194px" width="331px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射分析中，具有與圖4中所示之粉末X射線繞射圖案實質上相同之粉末X射線繞射圖案， <br/><img align="absmiddle" height="197px" width="332px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，在化學位移（δ±0.5 ppm）73.8 ppm處具有峰， <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="340px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，在化學位移（δ±0.5 ppm）71.6 ppm、73.8 ppm及179.3 ppm處具有峰， <br/><img align="absmiddle" height="196px" width="333px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(II)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，具有與圖8中所示之<sup>13</sup>C固態NMR圖譜實質上相同之<sup>13</sup>C固態NMR圖譜， <br/><img align="absmiddle" height="195px" width="338px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，具有選自由繞射角度（2θ±0.2°）5.0°、5.8°、10.0°、13.2°及14.3°所組成之群中之1個以上之繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="321px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，在繞射角度（2θ±0.2°）10.0°處具有繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="317px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射中，在繞射角度（2θ±0.2°）5.8°、10.0°及14.3°處具有繞射峰， <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="320px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於粉末X射線繞射分析中，具有與圖5中所示之粉末X射線繞射圖案實質上相同之粉末X射線繞射圖案， <br/><img align="absmiddle" height="192px" width="321px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，在化學位移（δ±0.5 ppm）44.1 ppm處具有峰， <br/><img align="absmiddle" height="193px" width="319px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，在化學位移（δ±0.5 ppm）27.3 ppm、44.1 ppm及62.4 ppm處具有峰， <br/><img align="absmiddle" height="190px" width="320px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種下述式(III)所表示之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽之結晶，其於<sup>13</sup>C固態NMR圖譜中，具有與圖9所示之<sup>13</sup>C固態NMR圖譜實質上相同之<sup>13</sup>C固態NMR圖譜， <br/><img align="absmiddle" height="191px" width="321px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組合物，其含有如請求項1所述之(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之單D-酒石酸鹽或(2R)-2-環丙基-2-{(1R,3S,5S)-3-[(3S,4R)-1-(5-氟嘧啶-2-基)-3-甲氧基哌啶-4-基]-8-氮雜雙環[3.2.1]辛烷-8-基}乙醯胺之半草酸鹽。
一種醫藥組合物，其含有如請求項2至16中任一項所述之結晶。
一種聚醯胺複絲，係單絲纖度2.2dtex以下、每10000m的毛球鬆垮個數在1個以下、絲-金屬間的動摩擦係數在0.8μd以下，且醯胺鍵間具有碳數C7以上的脂肪族烴鏈。
如請求項1之聚醯胺複絲，其中，含有無機粒子0.01~5.0質量%。
如請求項1或2之聚醯胺複絲，其中，儲存彈性模數50°C為2.9GPa以上，且儲存彈性模數80°C為1.9GPa以上。
一種織物，係其中一部分含有請求項1或2之聚醯胺複絲。
一種聚醯胺複絲的製造方法，其係製造請求項1所記載之聚醯胺複絲的製造方法，其包含： <br/>將已熔融之聚醯胺聚合物從紡絲吐絲口紡出， <br/>使紡出絲線於冷卻裝置藉由冷卻風吹送而冷卻固化至室溫， <br/>接著利用供油裝置進行供油而將絲線集束， <br/>再利用流體交絡噴嘴裝置進行交絡， <br/>然後通過牽引滾筒與延伸滾筒並進行捲取；且 <br/>牽引滾筒圓周速度除以紡絲吐絲口之吐出線速度的數值即牽伸比係設為100~300。
一種硬化性樹脂薄膜，其係用於在具有具備凸塊之凸塊形成面之半導體晶片的前述凸塊形成面形成作為保護膜之硬化樹脂膜之硬化性樹脂薄膜， <br/>且滿足下述要件(1)， <br/>･要件(1)：以130℃、0.5MPa，240分鐘的條件，進行熱硬化處理後之940nm的近紅外線穿透率未達13%。
如請求項1之硬化性樹脂薄膜，其係含有黑色顏料。
如請求項2之硬化性樹脂薄膜，其中黑色顏料之含量以硬化性樹脂薄膜之全量為基準計，超過0.5質量%。
如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜，其中厚度為1μm以上。
如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜，其係用於在前述半導體晶片之前述凸塊形成面及側面均形成作為前述保護膜之前述硬化樹脂膜。
一種複合薄片，其係具有將如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜與剝離薄片積層而得到的積層構造。
如請求項6之複合薄片，其中前述剝離薄片具有基材與剝離層，前述剝離層面向前述硬化性樹脂薄膜。
如請求項7之複合薄片，其中前述剝離薄片於前述基材與前述剝離層之間，進而具有中間層。
如請求項7之複合薄片，其中前述剝離層為由包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之組成物所形成的層。
一種半導體晶片之製造方法，其依序包含下述步驟(V1)~(V4)， <br/>步驟(V1)：準備具有具備凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的步驟 <br/>步驟(V2)：在前述半導體晶圓之前述凸塊形成面，按壓並黏貼於如請求項1或2之硬化性樹脂薄膜，以前述硬化性樹脂薄膜被覆前述半導體晶圓之前述凸塊形成面的步驟 <br/>步驟(V3)：使前述硬化性樹脂薄膜硬化，得到附硬化樹脂膜之半導體晶圓的步驟 <br/>步驟(V4)：將前述附硬化樹脂膜之半導體晶圓進行單片化，得到前述凸塊形成面由前述硬化樹脂膜被覆之半導體晶片的步驟。
一種半導體晶片之製造方法，其係依序包含下述步驟(S1)、(S2)、(S3)及(S4)， <br/>步驟(S1)：準備半導體晶片製作用晶圓的步驟，該半導體晶片製作用晶圓係於具有具備凸塊之凸塊形成面之半導體晶圓的前述凸塊形成面上，以未到達背面的方式形成有作為分割預定線之溝部； <br/>步驟(S2)：將請求項5之硬化性樹脂薄膜按壓並黏貼於前述半導體晶片製作用晶圓之前述凸塊形成面，並且，將以前述硬化性樹脂薄膜被覆前述半導體晶片製作用晶圓之前述凸塊形成面，並且，埋入前述硬化性樹脂薄膜至形成於前述半導體晶片製作用晶圓上之前述溝部的步驟； <br/>步驟(S3)：使前述硬化性樹脂薄膜進行硬化，得到附硬化樹脂膜之半導體晶片製作用晶圓的步驟； <br/>步驟(S4)：沿著前述分割預定線，將前述附硬化樹脂膜之半導體晶片製作用晶圓進行單片化，得到至少前述凸塊形成面及側面被前述硬化樹脂膜被覆之半導體晶片的步驟； <br/>進一步，在前述步驟(S2)之後，且在前述步驟(S3)之前，在前述步驟(S3)之後，且在前述步驟(S4)之前，或前述步驟(S4)中，包含下述步驟(S-BG)， <br/>步驟(S-BG)：將前述半導體晶片製作用晶圓之前述背面進行研削的步驟。
如請求項10之半導體晶片之製造方法，進一步，包含下述步驟(TA)， <br/>步驟(TA)：在前述半導體晶圓之前述背面形成背面保護膜的步驟。
如請求項11之半導體晶片之製造方法，其中進一步，包含下述步驟(TB)， <br/>步驟(TB)：在前述半導體晶片製作用晶圓之前述背面形成背面保護層的步驟。
一種半導體晶片，其係於具有具備凸塊之凸塊形成面之半導體晶片之前述凸塊形成面具有使如請求項1之硬化性樹脂薄膜進行硬化而成之硬化樹脂膜，並被賦予了近紅外線遮蔽機能。
一種半導體晶片，其係於具有具備凸塊之凸塊形成面之半導體晶片之前述凸塊形成面及側面均使具有如請求項5之硬化性樹脂薄膜進行硬化而成之硬化樹脂膜，並被賦予了近紅外線遮蔽機能。
如請求項14或15之半導體晶片，其中在前述半導體晶片之背面進一步具有背面保護膜。
一種界達電位測量用治具組，具有框體和固定在該框體上的測量用治具，而用於測量電泳遷移率，其中：<br/> 該框體具有：<br/> 第1保持壁及第2保持壁，分別在對應的位置具有朝向試料照射的照射光及該照射光被該試料散射後的散射光通過的開口，且相互對向配置；<br/> 底壁，連接該第1保持壁及該第2保持壁的各下端並具有陽極板及陰極板；及<br/> 第1鎖固部，<br/> 該測量用治具具有：<br/> 下段模塊，在底部具有該陽極板及該陰極板所在的陽極孔部及陰極孔部，並配置在該底壁上；<br/> 槽 (cell)，具有配置該試料的凹部、和在該凹部的底面上分別與該陽極孔部及該陰極孔部連通的槽連通孔，由透射該照射光及該散射光的材料所形成，並配置在該下段模塊上；<br/> 中段模塊，具有在平面圖中圍繞該凹部的框狀的形狀，並配置在該槽的上側；<br/> 上部構件，配置在該中段模塊上並封閉該凹部的上表面；及<br/> 第2鎖固部，將該上部構件往該底壁側推壓，並使該框體、該下段模塊、該槽、該中段模塊、該上部構件為一體化，<br/> 該第1鎖固部以彈性方式將該中段模塊往該底壁側推壓，使該框體、該下段模塊、該槽和該中段模塊為一體化；<br/> 其中，該第1鎖固部是臂 (arm)，該臂的一方的端部具有嵌合部，該嵌合部在鎖定位置與設於該中段模塊的上表面的第1被嵌合部以彈性方式嵌合，而另一方的端部在鎖定位置和解鎖位置以可轉動方式軸支承於該第1保持壁及該第2保持壁的端部。
如請求項1之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該下段模塊具有：<br/> 第1密封件，在與該底壁接觸的表面上，圍繞該陽極孔部及該陰極孔部的周圍；及<br/> 第2密封件，在與該槽接觸的表面上，圍繞該陽極孔部及該陰極孔部的周圍，<br/> 該中段模塊具有：<br/> 第3密封件，在與該槽接觸的表面上，圍繞該凹部；及<br/> 第4密封件，在與該上部構件相接的表面上所設置。
如請求項1或2之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該第2鎖固部具有長軸方向和短軸方向，且具有從中心往端部厚度變化的形狀，<br/> 該第1保持壁及該第2保持壁分別具有與該第2鎖固部的端部卡合的卡合孔，<br/> 該第2鎖固部能夠往該底壁的面內方向上旋轉，利用端部與該卡合孔卡合而將該上部構件往該底壁側推壓。
如請求項2之界達電位測量用治具組，其中，該上部構件具有：<br/> 槽上面壓制部，配置在該槽上並將該槽的上面往該底壁側推壓；及<br/> 上段模塊，配置在該中段模塊的上方，並將該中段模塊及設置在該中段模塊上的該第4密封件往該底壁側推壓。
如請求項4之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該上段模塊在該槽的上方具有沿上下方向貫通的貫通孔，<br/> 該測量用治具還具有配置在該貫通孔並將該槽上面壓制部往該槽推壓的推壓部。
如請求項1或2之界達電位測量用治具組，其中，該下段模塊具有往該陽極孔部及該陰極孔部供給該試料的供給流道。
一種界達電位測量用治具組，是用於具有框體和固定在該框體上的測量用治具和固定在該框體上的電鍍用治具，而用於測量電泳遷移率，其中：<br/> 該框體具有：<br/> 第1保持壁及第2保持壁，分別在對應的位置具有朝向試料照射的照射光及該照射光被該試料散射後的散射光通過的開口，且相互對向配置；<br/> 底壁，連接該第1保持壁及該第2保持壁的各下端並具有陽極板及陰極板；及<br/> 臂狀的第1鎖固部，一方的端部具有嵌合部，而另一方的端部在鎖定位置和解鎖位置以可轉動方式樞轉支撐於該第1保持壁及該第2保持壁的端部，<br/> 該測量用治具具有：<br/> 槽，在被該照射光照射的位置上具有配置試料的凹部；及<br/> 第1被嵌合部，當該第1鎖固部位於該鎖定位置時，與該嵌合部以彈性方式嵌合，<br/> 該電鍍用治具具有：<br/> 凹部，配置有對該陽極板及該陰極板進行電鍍的電鍍液；<br/> 電鍍液保持件，具有第2被嵌合部，當該第1鎖固部處於該鎖定位置時，該第2被嵌合部與該嵌合部以彈性方式嵌合，<br/> 該測量用治具和該電鍍用治具相對於該框體被選擇性地交換安裝。
如請求項7之界達電位測量用治具組，其中，該測量用治具具有：<br/> 下段模塊，在底部具有該陽極板及該陰極板所在的陽極孔部及陰極孔部，並配置在該底壁上；<br/> 槽，具有配置該試料的凹部、和在該凹部的底面上分別與該陽極孔部及該陰極孔部連通的槽連通孔，由透射該照射光及該散射光的材料所形成，並配置在該下段模塊上；<br/> 中段模塊，具有在平面圖中圍繞該凹部的框狀的形狀，並配置在該槽的上側；<br/> 上部構件，配置在該中段模塊上並封閉該凹部的上表面；及<br/> 第2鎖固部，將該上部構件往該底壁側推壓，並使該框體、該下段模塊、該槽、該中段模塊、該上部構件為一體化。
如請求項8之界達電位測量用治具組，其中，該電鍍液保持件在配置有該電鍍液的凹部的底面上具有分別與該陽極孔部及該陰極孔部連通的電鍍液連通孔。
如請求項8之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該下段模塊具有：<br/> 第1密封件，在與該底壁接觸的表面上，圍繞該陽極孔部及該陰極孔部的周圍；及<br/> 第2密封件，在與該槽接觸的表面上，圍繞該陽極孔部及該陰極孔部的周圍，<br/> 該中段模塊具有：<br/> 第3密封件，在與該槽接觸的表面上，圍繞該凹部；及<br/> 第4密封件，在與該上部構件相接的表面上所設置。
如請求項8之界達電位測量用治具組，其中，該第1鎖固部以彈性方式將該中段模塊往該底壁側推壓，使該框體、該下段模塊、該槽和該中段模塊為一體化。
如請求項10之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該第2鎖固部具有長軸方向和短軸方向，且具有從中心往端部厚度變化的形狀，<br/> 該第1保持壁及該第2保持壁分別具有與該第2鎖固部的端部卡合的卡合孔，<br/> 該第2鎖固部能夠往該底壁的面內方向上旋轉，利用端部與該卡合孔卡合而將該上部構件往該底壁側推壓。
如請求項10之界達電位測量用治具組，其中，該上部構件具有：<br/> 槽上面壓制部，配置在該槽上並將該槽的上面往該底壁側推壓；及<br/> 上段模塊，配置在該中段模塊的上方，並將該中段模塊及設置在該中段模塊上的該第4密封件往該底壁側推壓。
如請求項13之界達電位測量用治具組，其中：<br/> 該上段模塊在該槽的上方具有沿上下方向貫通的貫通孔，<br/> 該測量用治具還具有配置在該貫通孔並將該槽上面壓制部往該槽推壓的推壓部。
如請求項8之界達電位測量用治具組，其中，<br/> 該下段模塊具有往該陽極孔部及該陰極孔部供給該試料的供給流道。
如請求項7或8之界達電位測量用治具組，其中，該電鍍用治具還具有封蓋，其嵌合在配置有電鍍液的凹部並覆蓋該凹部的上表面，該封蓋具有連通該配置有電鍍液的凹部和上面的泄壓孔。
一種用於製作一雙重絕緣體上半導體結構之方法，該雙重絕緣體上半導體結構從背面到正面依序包括：一操作底材(1)，一第一電絕緣層(1b)，一第一單晶半導體層(2)，一第二電絕緣層(2b)，以及一第二單晶半導體層(3)，該方法之特徵在於其包括：<br/> 在該操作底材(1)之正背兩面形成一氧化物層之第一步驟，以在該操作底材(1)之正面形成該第一電絕緣層(1b)並在該操作底材(1)之背面形成一氧化物層(1a)，<br/> 層移轉之第一步驟，將該第一單晶半導體層(2)從一第一供體底材移轉到該第一電絕緣層(1b)，以形成一第一絕緣體上半導體底材，<br/> 在該第一絕緣體上半導體底材的正面形成一氧化物層之第二步驟，以形成該第二電絕緣層(2b)，<br/> 層移轉之第二步驟，將該第二單晶半導體層(3)從一第二供體底材移轉到該第二電絕緣層(2b)，以形成該雙重絕緣體上半導體結構。
如請求項1之方法，其中該第一電絕緣層(1b)的厚度在100 nm至3000 nm之間。
如請求項1或2之方法，在所獲得之最終該雙重絕緣體上半導體結構中，該第一單晶半導體層(2)的厚度在50 nm至500 nm之間。
如請求項1之方法，在所獲得之最終該雙重絕緣體上半導體結構中，該第二電絕緣層(2b)的厚度在100 nm至1100 nm之間。
如請求項1之方法，在所獲得之最終該雙重絕緣體上半導體結構中，該第二單晶半導體層(3)的厚度在50 nm至500 nm之間。
如請求項1之方法，其中將該第一單晶半導體層(2)從一第一供體底材移轉到該第一電絕緣層(1b)之步驟係應用一製程而進行，該製程依序包括植入原子物種以在該第一供體底材內部產生界定出該第一單晶半導體層(2)之一弱化區，將該第一供體底材的第一單晶半導體層(2)經歷植入的那一側鍵合至該第一電絕緣層(1b)，並沿着該弱化區分離該第一供體底材。
如請求項6之方法，其中該第一供體底材在分離後的剩餘部被用於形成該第二供體底材。
如請求項6之方法，其中將該第一單晶半導體層(2)從一第一供體底材移轉到該第一電絕緣層(1b)之製程更包括，在將原子物種植入該第一供體底材內部之前，氧化該第一供體底材之表面，從而形成一第一保護氧化物層，以使原子物種穿過該第一保護氧化物層而植入。
如請求項8之方法，其中形成在該第一供體底材表面上之該第一保護氧化物層，係在原子物種已被植入之後，且在該第一供體底材被鍵合至該第一電絕緣層(1b)之前被移除。
如請求項1之方法，其中將該第二單晶半導體層(3)從一第二供體底材移轉到該第二電絕緣層(2b)之步驟係應用一製程而進行，該製程依序包括植入原子物種以在該第二供體底材內部產生界定出該第二單晶半導體層(3)之一弱化區，將該第二供體底材的第二單晶半導體層(3)經歷植入的那一側鍵合至該第二電絕緣層(2b)，並沿着該弱化區分離該第二供體底材。
如請求項10之方法，其中將該第二單晶半導體層(3)從一第二供體底材移轉到該第二電絕緣層(2b)之製程更包括，在將原子物種植入該第二供體底材內部之前，氧化該第二供體底材之表面，從而形成一第二保護氧化物層，以使原子物種穿過該第二保護氧化物層而植入。
如請求項11之方法，其中形成在該第二供體底材表面上之該第二保護氧化物層，係在原子物種已被植入之後，且在該第二供體底材被鍵合至該第二電絕緣層(2b)之前被移除。
如請求項1之方法，其更包括在該第一絕緣體上半導體底材表面上形成一氧化物層之第二步驟之前，對該第一絕緣體上半導體底材進行表面處理製程之一步驟，該表面處理製程之特徵在於：<br/> 快速熱回火之第一步驟，<br/> 熱氧化接着脫氧處理之第二步驟，<br/> 長時間熱處理或快速熱回火之第三步驟，該長時間熱處理及該快速熱回火係在非氧化性氣氛中，在1000℃以上的溫度下進行，<br/> 化學機械研磨之第四步驟。
如請求項1之方法，其中該操作底材及各個供體底材爲直徑300 mm之晶圓形式。
一種樹脂遮罩之剝離方法，其包括使用清潔劑組合物將樹脂遮罩自具有樹脂遮罩之基板剝離之步驟， <br/>樹脂遮罩之厚度為100 μm以上， <br/>上述清潔劑組合物為含有下述成分A、下述成分B、下述成分C及下述成分D之水系清潔劑，且 <br/>上述清潔劑組合物中之成分D之含量為60質量%以上， <br/>成分A：四級銨氫氧化物 <br/>成分B：羥胺 <br/>成分C：氫氧化鉀 <br/>成分D：水。
如請求項1之剝離方法，其中樹脂遮罩為經硬化之阻劑膜。
如請求項1之剝離方法，其中樹脂遮罩為丙烯酸系聚合物膜。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之成分B之含量為3質量%以上20質量%以下。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之成分A之含量為0.5質量%以上10質量%以下。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之成分C之含量為0.8質量%以上8質量%以下。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之成分A與成分C之合計含量為3質量%以上15質量%以下。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之成分C之含量相對於成分A之含量之質量比(C/A)為0.3以上8以下。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物中之水(成分D)之含量與有機溶劑(成分F)之含量之質量比(D/F)為100/0～80/20。
如請求項1之剝離方法，其中上述清潔劑組合物進而包含由R-O-(EO)<sub>n</sub>-H(其中，R表示碳數8以上22以下之烴基，EO表示伸乙氧基，n為EO之平均加成莫耳數，且為12以上35以下之數)所表示之界面活性劑(成分E)。
如請求項1之剝離方法，其中具有樹脂遮罩之基板為進而具有鈍化膜之基板。
如請求項1之剝離方法，其中樹脂遮罩為負型樹脂遮罩。
如請求項1之剝離方法，其中樹脂遮罩為經顯影處理後不經過乾式蝕刻步驟或乾式灰化步驟者。
如請求項1之剝離方法，其中樹脂遮罩之厚度為500 μm以下。
一種電子零件之製造方法，其包括使用如請求項1至14中任一項之剝離方法，將樹脂遮罩自具有樹脂遮罩之基板剝離之步驟。
一種用於如請求項1至14中任一項之剝離方法之套組，其係如下之2液型清潔劑組合物：於第1液與第2液不相互混合之狀態下包含第1液與第2液，成分A、成分B及成分C分別包含於第1液及第2液中之任一者或兩者中，第1液及第2液中之至少一者進而含有成分D之一部分或全部，且於使用時將第1液與第2液混合者。
一種用於如請求項15之電子零件之製造方法的套組，其係如下之2液型清潔劑組合物：於第1液與第2液不相互混合之狀態下包含第1液與第2液，成分A、成分B及成分C分別包含於第1液及第2液中之任一者或兩者中，第1液及第2液中之至少一者進而含有成分D之一部分或全部，且於使用時將第1液與第2液混合者。
一種熱傳導性聚矽氧組成物，其係含有： <br/> (A)聚矽氧凝膠交聯物、 <br/> (B)由下述(B-1)及(B-2)所構成，分別未含有脂肪族不飽和鍵及SiH基之聚矽氧油：(A)、(B)成分的合計中，為30~90質量%、 <br/> (B-1)由下述通式(1)表示之單末端水解性有機聚矽氧烷所構成之聚矽氧油、 <br/><img align="absmiddle" height="266px" width="988px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>1</sup>分別獨立表示碳數1~6之烷基，R<sup>2</sup>表示選自碳數1~18之不具有脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基的群組中之1種或是2種以上之基，a為5~120之整數) <br/>(B-2)下述平均組成式(6)表示，在25℃之動黏度為10~500,000mm<sup>2</sup>/s之無官能性液狀聚矽氧油、 <br/><img align="absmiddle" height="76px" width="564px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>7</sup>分別獨立為碳數1~18之不具有脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基；g為1.8~2.2的範圍之數) <br/> (C)平均粒徑0.01~100μm之熱傳導性填充劑：相對於(A)、(B)成分的合計100質量份，為10~2,000質量份，及 <br/> (D)熔點為-20~100℃之鎵或鎵合金：相對於(A)、(B)成分的合計100質量份，為1,000~10,000質量份。
如請求項1之熱傳導性聚矽氧組成物，其中相對於(A)、(B)成分的合計100質量份，進一步含有(E)揮發性溶劑1~500質量份。
如請求項1或2之熱傳導性聚矽氧組成物，其中(B-2)成分為下述式(7)表示之直鏈狀有機聚矽氧烷， <br/><img align="absmiddle" height="242px" width="972px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式中，R<sup>8</sup>為甲基，h係該有機聚矽氧烷在25℃之動黏度成為10~500,000mm<sup>2</sup>/s之數)。
如請求項3之熱傳導性聚矽氧組成物，其中(B-1)成分的量係(B)成分中，為30～90質量%，(B-2)成分的量係(B)成分中，為10～70質量%。
如請求項1或2之熱傳導性聚矽氧組成物，其中，(A)成分為於下述(H)成分的存在下之(F)成分與(G)成分的加成反應物， <br/> (F)於1分子中至少具有1個與下述平均組成式(2)表示之鍵結矽原子之烯基的有機聚矽氧烷、 <br/><img align="absmiddle" height="68px" width="638px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，R<sup>3</sup>表示烯基，R<sup>4</sup>表示不具有脂肪族不飽和鍵之非取代或取代之1價烴基，b為0.0001~0.2之數，c為1.7~2.2之數，惟，b+c為滿足1.9~2.4之數) <br/> (G)於1分子中至少具有4個於分子鏈非末端與矽原子鍵結之氫原子，並滿足下述式(3)之有機氫聚矽氧烷、 <br/><img align="absmiddle" height="93px" width="509px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (式中，α表示與分子鏈非末端的矽原子鍵結之氫原子之數，β表示(G)成分中之全矽原子數) <br/> (H)鉑系觸媒。
如請求項2之熱傳導性聚矽氧組成物，其中，(E)成分係沸點80~360℃之異烷烴系溶劑。
一種製造如請求項1之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係具有混合(B)、(C)及(D)成分之步驟。
一種製造如請求項5之熱傳導性聚矽氧組成物之製造方法，其係具有混合(F)、(G)及(H)成分、與(B)、(C)及(D)成分之步驟、加熱所得之混合物，使(F)成分與(G)成分加成反應之步驟。
一種磁性吸附裝置，備有：在磁性塊體內部具有斷面為圓形的收容部，其中設置多數個分隔體，形成多數個磁氣回路在磁性塊體中，跨過每一分隔體的對面，形成與磁性部件相吸附之吸附部的裝置本體，該裝置本體的收容部可以蓋部開放，且有一基部，所述裝置本體之收容部中收容以稀土類磁性塊體為中心而被磁化之一對磁軛乃為與在所述磁性塊體之收容部內面個別對向而可旋轉地支撐的永久磁性轉子；與所述永久磁性轉子的縱向一端側的軸部相連結，並與從所述蓋部露出的操作部組裝成一體之把手部；藉由轉動把手部，使所述永久磁性轉子以相對於中心角小於90°的預定角度轉動，從而形成多數個磁氣回路，用以將磁力線從裝置本體洩漏到所述多數個分隔體外部；由多數個分隔體隔開的多數個磁氣回路分別形成為在所述基部被吸附到與所述吸附部對向之磁性部件的第一位置，以及，所述裝置本體和永久磁性轉子之間，以所述多數個分隔體分開的多數個磁氣閉合回路各別形成之所述基部與所述吸附部希對向之磁性部件的吸附予以解除之切換的第二位置。
如申請專利範圍第1項之磁性吸附裝置，其中所述之一對磁軛中的每一個具有倒角部，該倒角部藉由對面向磁性外殼之收容部的內表面的圓弧表面進行倒角而形成，所述把手部在第一位置時，稀土類磁性塊體之磁化境界部乃與設置於所述吸附部的第一分隔體對向配置，並且倒角部中的任一個與第二分隔體相對配置，以形成多數個磁氣回路，以將磁力線洩漏到裝置本體的外部。
如申請專利範圍第2項之磁性吸附裝置，其中，當把手部在第二位置時，所述之一對磁軛的圓弧面分別與設置於磁性外殼之第一分隔體或第二分隔體相對，從而使磁性外殼與永久磁性轉子之間各別形成磁力線不洩漏之多數個磁氣閉合回路。
如申請專利範圍第2項或第3項之磁性吸附裝置，其中所述磁性外殼的相鄰側面形成有板厚度較薄的薄壁部，而將所述磁性外殼作磁性分隔的第一分隔體及第二分隔體以中心角小於180°的預定角度設置。
如申請專利範圍第4項之磁性吸附裝置，其中，形成所述薄壁部之間隙，係兼作為供封閉所述裝置本體的收容部開口之蓋體的凸台部插入之定位孔。
如申請專利範圍第4項之磁性吸附裝置，其中，所述磁性外殼的側面與形成所述第二分隔體的所述薄壁部形成連續曲面。
如申請專利範圍第2項或第3項之磁性吸附裝置，其中將磁性外殼作磁性分隔的第一分隔體及第二分隔體以中心角小於180°的預定角度設置，並以非磁性材料設置於磁性外殼的相鄰側面。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之磁性吸附裝置，其中，與所述永久磁性轉子連結的所述把手部設置成可在60°至70°的中心角範圍內旋轉。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之磁性吸附裝置，其中，所述基部具有形成在所述裝置本體之一面上的吸附部，以吸附磁性部件，所述吸附部相對面作為被安裝部件的安裝面。
如申請專利範圍第1項之磁性吸附裝置，所述一對磁軛中的每一個係，分別具有藉由倒角形成的倒角部，該倒角部藉由對與磁性筒體收容部之內面相對的圓弧形表面進行倒角而形成，所述把手部在第一位置時，稀土類磁性塊體之磁化境界部乃與設置於所述吸附部的第一分隔體對向配置，並且倒角部中的任一個與第二分隔體相對配置，以形成多數個磁氣回路，以將磁力線洩漏到裝置本體的外部。
如申請專利範圍第10項之磁性吸附裝置，其中，當把手部在第二位置時，所述之一對磁軛的圓弧面分別與設置於磁性外殼之第一分隔體或第二分隔體相對，從而使磁性外殼與永久磁性轉子之間各別形成磁力線不洩漏之多數個磁氣閉合回路。
如申請專利範圍第10項或第11項之磁性吸附裝置，其中，所述永久磁性轉子之長度方向的一端側的軸部與一轉動板連結，並可旋轉地設置在所述磁性筒體的一端，所述轉動板重疊的蓋部乃與磁性筒體的端部連結。
如申請專利範圍第12項之磁性吸附裝置，其中所述蓋部配置於與所述磁性筒體他端側吸附部的相反面，作為所述被安裝部件的安裝面。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之磁性吸附裝置，其中所述永久磁性轉子係，藉由介入在所述裝置本體之收容部內至少一端側所設的軸承而可轉動地支撐。
一種編碼包含一覆蓋之一視訊串流的方法，其包括： <br/>a)擷取一場景(scene)之一第一影像； <br/>b)在一第一位置處向該第一影像添加一覆蓋(overlay)，且將該第一影像編碼為一編碼視訊串流之一第一圖框之部分； <br/>c)擷取該場景之一第二影像； <br/>d)基於以下之至少一者來計算該第二影像中該覆蓋之一期望位置與該第一影像中該覆蓋之位置之間之該覆蓋的一期望位置變化(desired change in position)：i)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機視場(field-of-view)之一已知變化的資訊、ii)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機位置之一已知變化的資訊，及iii)使用一物件偵測及/或追蹤演算法在擷取該第一影像與該第二影像之間之該場景中與該覆蓋相關聯之一物件之位置中之一已知變化； <br/>e)將該第二影像編碼為該視訊串流之一第二圖框之部分，包含將該第二圖框標記為一非顯示圖框；及 <br/>f)產生且編碼該視訊串流之一第三圖框，包含在該覆蓋之該期望位置處之該第三圖框之一或多個巨集區塊為參考該第一圖框之時間預測巨集區塊，包含在該覆蓋之該期望位置之外之該第三圖框的一或多個巨集區塊為參考該視訊串流之該第二圖框之跳過巨集區塊，且包含基於該覆蓋之該期望位置變化來計算該一或多個時間預測巨集區塊(macroblocks)之運動向量。
如請求項1之方法，該第三圖框為在該編碼視訊串流中之該第二圖框之後插入的一預測圖框、P圖框或雙向預測圖框、B圖框。
如請求項1之方法，該第三圖框為在該編碼視訊串流中之該第二圖框之前插入的一雙向預測圖框、B圖框。
如請求項1之方法，其包含使用同一攝影機擷取該第一影像及該第二影像。
如請求項1之方法，該方法在用於擷取該第一影像及/或該第二影像之一攝影機中執行。
如請求項1之方法，該覆蓋相對於該場景為固定的。
如請求項1之方法，其進一步包括估計將該覆蓋生成及編碼為該第二影像及該第二圖框之部分所需的一計算時間，且若判定該估計之計算時間低於一臨限值，則執行步驟a)至d)，但不執行步驟e)及f)，且代替性地，在步驟d)之後執行： <br/>e')在該期望位置處將該覆蓋添加至該第二影像，且將該第二影像編碼為該視訊串流之一第二圖框之部分。
一種用於編碼包含一覆蓋之一視訊串流的器件，其包括： <br/>一處理器，及 <br/>儲存指令之一記憶體，當藉由該處理器執行該等指令時，引起該器件： <br/>擷取一場景之一第一影像； <br/>在一第一位置處向該第一影像添加一覆蓋，且將該第一影像編碼為一編碼視訊串流之一第一圖框之部分； <br/>擷取該場景之一第二影像； <br/>基於以下之至少一者來計算該第二影像中該覆蓋之一期望位置與該第一影像中該覆蓋之位置之間之該覆蓋的一期望位置變化：i)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機視場之一已知變化的資訊、ii)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機位置之一已知變化的資訊，及iii)使用一物件偵測及/或追蹤演算法在擷取該第一影像與該第二影像之間之該場景中與該覆蓋相關聯之一物件之位置中之一已知變化； <br/>將該第二影像編碼為該視訊串流之一第二圖框之部分，包含將該第二圖框標記為一非顯示圖框，及 <br/>產生且編碼該視訊串流之一第三圖框，其中，在該覆蓋之該期望位置處之該第三圖框之一或多個巨集區塊為參考該第一圖框之時間預測巨集區塊，且其中，在該覆蓋之該期望位置之外之該第三圖框的一或多個巨集區塊為參考該視訊串流之該第二圖框之跳過巨集區塊，包含基於該覆蓋之該期望位置變化來計算該一或多個時間預測巨集區塊之運動向量。
如請求項8之器件，其中，該器件為經組態以擷取該第一影像及該第二影像之至少一者之一監控攝影機。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其上儲存有用於編碼包含一覆蓋之一視訊串流之電腦程式，該電腦程式經組態為當藉由一器件之一處理器執行時，引起該器件： <br/>擷取一場景之一第一影像； <br/>在一第一位置處向該第一影像添加一覆蓋，且將該第一影像編碼為一編碼視訊串流之一第一圖框之部分； <br/>擷取該場景之一第二影像； <br/>基於以下之至少一者來計算該第二影像中該覆蓋之一期望位置與該第一影像中該覆蓋之位置之間之該覆蓋之一期望位置變化：i)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機視場之一已知變化的資訊、ii)關於在擷取該第一影像與該第二影像之間之一攝影機位置之一已知變化的資訊，及iii)使用一物件偵測及/或追蹤演算法在擷取該第一影像與該第二影像之該場景中與該覆蓋相關聯之一物件之位置中之一已知變化； <br/>將該第二影像編碼為該視訊串流之一第二圖框之部分，包含將該第二圖框標記為一非顯示圖框；及 <br/>產生且編碼該視訊串流之一第三圖框，其中，在該覆蓋之該期望位置處之該第三圖框之一或多個巨集區塊為參考該第一圖框之時間預測巨集區塊，且其中，在該覆蓋之該期望位置之外之該第三圖框的一或多個巨集區塊為參考該視訊串流之該第二圖框之跳過巨集區塊，包含基於該覆蓋之該期望位置變化來計算該一或多個時間預測巨集區塊之運動向量。
一種積層型電子零組件，其特徵在於，其具備有： <br/>積層體，其包含所被積層的複數個介電體層，且具有與被安裝體相對向的第一面及與上述第一面相反側的第二面； <br/>第一接地用導體層及第二接地用導體層，其分別與上述積層體形成為一體化且與接地(GND)連接； <br/>第一濾波器，其在上述積層體內被配置在上述第一面與上述第一接地用導體層之間； <br/>第二濾波器，其在上述積層體內被配置在上述第一面與上述第二接地用導體層之間；及 <br/>與上述接地連接的端子； <br/>於自與上述複數個介電體層之積層方向平行的一個方向觀察時，上述第一接地用導體層與上述第二接地用導體層係於與上述積層方向正交之方向排列， <br/>上述第一接地用導體層與上述第二接地用導體層相互地分離， <br/>上述第一接地用導體層至上述端子之距離係較上述第一接地用導體層至上述第一濾波器之距離更大， <br/>上述第二接地用導體層至上述端子之距離係較上述第二接地用導體層至上述第二濾波器之距離更大。
如請求項1之積層型電子零組件，其中，上述第一接地用導體層及上述第二接地用導體層在上述積層體內被配置在較上述第一面靠近上述第二面的位置。
如請求項1之積層型電子零組件，其中，更進一步具備：<u> </u><br/>複數個第一通孔，其電性連接上述第一接地用導體層與上述接地；及<u> </u><br/>複數個第二通孔，其電性連接上述第二接地用導體層與上述接地。<u> </u>
如請求項1之積層型電子零組件，其中，更進一步具備： <br/>第三接地用導體層，其在上述積層體內被配置在較上述第二面靠近上述第一面的位置且與上述接地連接， <br/>上述第一接地用導體層與上述第二接地用導體層，經由上述第三接地用導體層相互被電性連接。
如請求項1之積層型電子零組件，其中， <br/>上述端子被配置在上述第一面， <br/>上述第一接地用導體層及上述第二接地用導體層，分別電性連接於上述端子。
如請求項1之積層型電子零組件，其中， <br/>當自與上述積層方向平行的一個方向觀察時，上述第一接地用導體層與位於較上述積層體中之上述複數個介電體層之積層方向之中央靠近上述第二面側的上述第一濾波器之複數個構成要件相重疊， <br/>當自與上述積層方向平行的一個方向觀察時，上述第二接地用導體層與位於較上述積層體中之上述複數個介電體層之積層方向之中央靠近上述第二面側的上述第二濾波器之複數個構成要件相重疊。
如請求項1之積層型電子零組件，其中，上述第一濾波器及上述第二濾波器分別為LC濾波器，該LC濾波器使用至少一個電感器及至少一個電容器來構成， <br/>當自與上述積層方向平行的一個方向觀察時，上述第一接地用導體層與構成上述第一濾波器的上述至少一個電感器相重疊， <br/>當自與上述積層方向平行的一個方向觀察時，上述第二接地用導體層與構成上述第二濾波器的上述至少一個電感器相重疊。
如請求項1之積層型電子零組件，其中， <br/>上述第一濾波器選擇性地使第一通帶內之頻率之信號通過， <br/>上述第二濾波器選擇性地使與上述第一通帶不同的第二通帶內之頻率之信號通過。
一種光檢測器，其係檢測沿特定方向經分光之被測定光中之特定次數之光者，且包含： <br/>封裝體，其具有開口； <br/>窗部，其將前述開口封蓋，且使前述特定次數之光透過；及 <br/>光檢測元件，其配置於前述封裝體內，具有與前述窗部對向之受光區域，且檢測前述特定次數之光；且 <br/>前述受光區域包含排列於前述特定方向之複數個光檢測通道； <br/>前述窗部包含： <br/>光透過構件，其具有光入射面及光出射面；及 <br/>線性可變濾波器塗層，其形成於前述光入射面，且透過波長沿前述特定方向變化；且 <br/>前述光透過構件之前述光出射面係與前述封裝體之前述開口之周圍部分接合。
如請求項1之光檢測器，其中前述特定次數之光係一次光。
如請求項1之光檢測器，其中前述線性可變濾波器塗層係透過率達50%之波長沿前述特定方向變化之線性可變長通濾波器塗層、或透過波長範圍沿前述特定方向變化之線性可變帶通濾波器塗層。
如請求項1之光檢測器，其中前述窗部進一步包含形成於前述光入射面及前述光出射面之另一者之反射降低層。
一種分光測定裝置，其包含： <br/>光入射部，其使被測定光入射； <br/>繞射光柵，其將自前述光入射部入射之前述被測定光分光； <br/>解析部，其產生前述被測定光之光譜資料；及 <br/>如請求項1至4中任一項之光檢測器。
一種觸控裝置，包括：<br/> 顯示面板，包括第一基板、第二基板、顯示介質層以及彩色濾光層，其中所述顯示介質層設置在所述第一基板與所述第二基板之間，所述彩色濾光層設置在所述第一基板與所述顯示介質層之間；<br/> 導電層，設置在所述第一基板的第一表面上，其中所述彩色濾光層設置在所述第一基板的第二表面上，且所述第一表面與所述第二表面相對；<br/> 第一觸控基板，設置在所述導電層上且包括第三基板以及設置在所述第三基板上的第一觸控電極；<br/> 第二觸控基板，設置在所述第一觸控基板上且包括第四基板以及設置在所述第四基板上的第二觸控電極；<br/> 第一光學膠，設置在所述第一觸控電極與所述第二觸控電極之間；<br/> 蓋板，設置在所述第二觸控基板上；以及<br/> 第二光學膠，設置在所述蓋板與所述第二觸控基板的所述第四基板之間。
如請求項1所述的觸控裝置，其中：<br/> 所述第一觸控電極設置在所述第三基板的第三表面上，<br/> 所述第三表面為所述第三基板遠離所述顯示面板的表面。
如請求項2所述的觸控裝置，其中：<br/> 所述第二觸控電極設置在所述第四基板的第四表面上，<br/> 所述第四表面為所述第四基板面向所述顯示面板的表面。
如請求項1所述的觸控裝置，還包括：<br/> 偏光片，設置在所述導電層以及所述第一觸控基板之間。
如請求項4所述的觸控裝置，還包括：<br/> 第三光學膠，設置在所述偏光片以及所述第一觸控基板之間。
如請求項1所述的觸控裝置，還包括：<br/> 觸控元件，設置在所述第一觸控基板、所述第二觸控基板或所述顯示面板內，所述觸控元件包括第三觸控電極以及第四觸控電極；以及<br/> 控制元件，用於提供第一訊號至所述第三觸控電極以及提供第二訊號至所述第四觸控電極，<br/> 其中所述第三觸控電極與所述控制元件之間的距離為第一距離，所述第四觸控電極與所述控制元件之間的距離為第二距離，所述第二距離大於所述第一距離，<br/> 其中所述第四觸控電極的寬度大於所述第三觸控電極的寬度。
如請求項6所述的觸控裝置，其中所述第一訊號為第一脈衝訊號，所述第二訊號為第二脈衝訊號，所述第一脈衝訊號和所述第二脈衝訊號不同。
如請求項7所述的觸控裝置，其中所述第二脈衝訊號的時間大於所述第一脈衝訊號的時間。
如請求項7所述的觸控裝置，其中所述第二脈衝訊號的數量大於所述第一脈衝訊號的數量。
如請求項7所述的觸控裝置，其中所述第二脈衝訊號的電壓大於所述第一脈衝訊號的電壓。
一種用於附接至一沈浸式冷卻系統之門架起重機，該門架起重機包含： <br/>導軌，其可附接至一貯槽； <br/>一可折疊框架，其經組態以沿著該等導軌行進； <br/>一連接器，其適於連接至一電腦硬體部件；以及 <br/>一絞盤，其安裝至該可折疊框架並且經組態以升高及降低該連接器， <br/>其中該可折疊框架包含兩個支撐件、一上樑及一下樑，該兩個支撐件連接至該上樑且沿著一第一縱向軸線延伸，該下樑自該上樑懸掛，該下樑沿著一第二縱向軸線於一第一端與一第二端之間延伸，該第二縱向軸線平行於該第一縱向軸線， <br/>其中該絞盤經組態以相對於該上樑升高及降低該下樑，及 <br/>其中該連接器經組態以沿著該第二縱向軸線在該第一端與該第二端之間沿著該下樑移動。。
如請求項1之門架起重機，其中該連接器係一托架。
如請求項1之門架起重機，其中該連接器係一對夾爪。
如請求項1之門架起重機，其中該等導軌可延伸。
如請求項1之門架起重機，其中該等導軌中之各者皆包括一固定軌道，並且該可折疊框架包括用於各固定軌道之一可移動軌道，並且各可移動軌道以可移動方式連接至一各別固定軌道。
一種用於附接至一沈浸式冷卻系統之門架起重機，該門架起重機包含： <br/>導軌，其可附接至一貯槽； <br/>一可折疊框架，其經組態以沿著該等導軌行進； <br/>一連接器，其適於連接至一電腦硬體部件；以及 <br/>一絞盤，其安裝至該可折疊框架並且經組態以升高及降低該連接器， <br/>其中該可折疊框架包括：一第一支撐件、一第二支撐件、一第一鉸鏈、一第二鉸鏈及一橋部，該第一支撐件包含一第一下端且該第二支撐件包含一第二下端，以及 <br/>其中該第一支撐件係經由該第一鉸鏈以可樞轉方式直接地連接至該橋部，且該第二支撐件係在一不同位置處經由該第二鉸鏈以可樞轉方式直接地連接至該橋部，使得該第一下端及該第二下端之至少一者經組態以經旋轉而更接近該橋部，並且該連接器直接地自該橋部懸掛。
如請求項6之門架起重機，其中該連接器可沿著該橋部移動。
如請求項7之門架起重機，其中該連接器可沿著該橋部在一第一方向上移動，該第一方向垂直於一第二方向，該可折疊框架可沿著該等導軌在該第二方向上行進。
如請求項7之門架起重機，其中該連接器連接至該下樑。
如請求項6之門架起重機，其中該兩個支撐件各自包括一第一端及一第二端，該第一端以可樞轉方式連接至該橋部，該第二端與該第一端相反並且經組態以沿著該等導軌中之一者行進。
如請求項10之門架起重機，其中各第二端皆連接至該等導軌中之一各別者。
如請求項6之門架起重機，其進一步包含在該橋部與該兩個支撐件中之一者之間延伸的一桿。
如請求項12之門架起重機，其中該桿可折疊。
一種用於產生一偽聚焦影像於具有一三維體積之一標的物之一數位影像之方法，其包括： <br/>存取：(1)具有一三維體積之一標的物之一經合併影像，該經合併影像包括自選自形成一跨焦影像堆疊之該標的物之複數個影像之最佳聚焦像素產生的一影像，該等最佳聚焦像素源自在該標的物之不同各自深度處之不同各自影像平面，各影像平面係堆疊以形成該標的物之至少一部分深度之複數個影像平面之一者；及(2)一像素深度圖，其將各最佳聚焦像素與對應於各最佳聚焦像素在該標的物內所源自之一深度值之一各自影像平面關聯； <br/>自該複數個影像平面選擇一第一所關注平面(POI)； <br/>計算等於該第一POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一第一像素聚焦偏移； <br/>基於該各自第一像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第一模糊聚焦值；及 <br/>產生由各最佳聚焦像素之該等第一模糊聚焦值構成之該第一POI之該經合併影像的一第一偽聚焦影像。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>將該第一偽聚焦影像顯示於一顯示裝置上。
如請求項2之方法，其中該顯示裝置選自由以下組成之群組：一LCD顯示器；一LED顯示器；一OLED顯示器；及一電腦監視器。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>自該複數個影像平面選擇不同於該第一POI的一第二POI； <br/>計算等於該第二POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一第二像素聚焦偏移； <br/>基於該各自第二像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第二模糊聚焦值；及 <br/>產生由各最佳聚焦像素之該等第二模糊聚焦值構成之該第二POI之該經合併影像的一第二偽聚焦影像。
如請求項4之方法，其進一步包括： <br/>將該第二偽聚焦影像顯示於一顯示裝置上。
如請求項1之方法，其中使用具有正交於該標的物所貼附至之一載玻片表面之一光軸之一相機擷取用於產生該經合併影像之該標的物之該複數個影像。
如請求項1之方法，其中使用一二維高斯模糊函數產生各最佳聚焦像素之該第一模糊聚焦值。
如請求項7之方法，其中二維高斯模糊函數利用基於用於獲得該標的物之該複數個影像的一相機系統之一景深之一高斯模糊半徑。
如請求項8之方法，其中該高斯模糊半徑亦係基於該相機系統之一有效數值孔徑。
如請求項9之方法，其中基於該各自像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之該第一模糊聚焦值包括： <br/>產生具有等於該第一POI之該深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之該差的各最佳聚焦像素之一像素聚焦偏移的一像素聚焦偏移陣列，該像素聚焦偏移陣列定義在其內定義複數個聚焦偏移值之一像素聚焦偏移範圍。
如請求項10之方法，其中基於該各自像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第一模糊聚焦值包括： <br/>藉由以下產生對應於該像素聚焦偏移陣列之範圍內之各第一聚焦偏移之複數個聚焦偏移影像：(1)針對該等聚焦偏移值之各者產生一模糊聚焦值，且(2)針對各聚焦偏移值，將一各自模糊聚焦值應用至該經合併影像。
如請求項11之方法，其中產生由各最佳聚焦像素之該等第一模糊聚焦值構成之該第一POI之該經合併影像的一第一偽聚焦影像包括： <br/>產生各影像平面之一聚焦遮罩，其中各聚焦遮罩含有與該各自影像平面相關聯之該等最佳聚焦像素之全部；及 <br/>針對該複數個影像平面之各影像平面，加總以下之乘積(1)一各自影像平面之該聚焦遮罩，與(2)具有對應於該各自影像平面之該聚焦偏移值之該聚焦偏移影像。
如請求項1之方法，其中該經合併影像係一RGB數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於RGB數位影像檔案之一通道中。
如請求項1之方法，其中將該經合併影像儲存為一數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於與該數位影像檔案分開之一檔案中。
一種用於產生一偽聚焦影像於具有一三維體積之一標的物之一數位影像之方法，其包括： <br/>利用一數位相機系統擷取一標的物之複數個影像，該等影像係遍歷該標的物之一深度範圍聚焦，且一起形成包括在該標的物之不同深度值下之複數個影像平面之一跨焦影像群組，使得存在來自一經合併影像之各像素之不同影像平面之多個像素； <br/>自該經合併影像中之各像素之該跨焦影像群組判定最佳聚焦像素； <br/>產生由該經合併影像中之各像素之該等最佳聚焦像素構成之該複數個影像之該經合併影像； <br/>產生由該經合併影像內之各最佳聚焦像素之一深度值構成之一像素深度圖； <br/>自該複數個影像平面選擇一第一所關注平面(POI)； <br/>計算等於該POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一第一像素聚焦偏移； <br/>基於該各自像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第一模糊聚焦值；及 <br/>產生由各最佳聚焦像素之該等第一模糊聚焦值構成之該POI之該經合併影像的一第一偽聚焦影像。
如請求項15之方法，其進一步包括： <br/>將該第一偽聚焦影像顯示於一顯示裝置上。
如請求項16之方法，其中該顯示裝置選自由以下組成之群組：一LCD顯示器；一LED顯示器；一OLED顯示器；一電腦監視器。
如請求項15之方法，其進一步包括： <br/>自該複數個影像平面選擇不同於該第一POI的一第二POI； <br/>計算等於該第二POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一第二像素聚焦偏移； <br/>基於該各自第二像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第二模糊聚焦值；及 <br/>產生由各最佳聚焦像素之該等第二模糊聚焦值構成之該第二POI之該經合併影像的一第二偽聚焦影像。
如請求項18之方法，其進一步包括： <br/>將該第二偽聚焦影像顯示於一顯示裝置上。
如請求項15之方法，其中使用具有非正交於該標的物所貼附至之一試樣載玻片之一主平面之一光軸的一相機系統擷取用於產生該經合併影像之該標的物之該複數個影像。
如請求項15之方法，其中使用一二維高斯模糊函數產生各最佳聚焦像素之該第一模糊聚焦值。
如請求項21之方法，其中二維高斯模糊函數利用基於用於獲得該標的物之該複數個影像的一相機系統之一景深之一高斯模糊半徑。
如請求項22之方法，其中該高斯模糊半徑亦係基於該相機系統之一有效數值孔徑。
如請求項23之方法，其中基於該各自像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一第一模糊聚焦值包括： <br/>產生具有等於該第一POI之該深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之該差的各最佳聚焦像素之一像素聚焦偏移的一像素聚焦偏移陣列，該像素聚焦偏移陣列定義在其內定義複數個聚焦偏移值之一像素聚焦偏移範圍。
如請求項24之方法，其中基於該各自像素聚焦偏移產生各最佳聚焦像素之一模糊聚焦值包括： <br/>藉由以下產生對應於該像素聚焦偏移陣列之範圍內之各聚焦偏移值之複數個聚焦偏移影像：(1)針對該等聚焦偏移值之各者產生一第一模糊聚焦值，且(2)針對各聚焦偏移值，將一各自模糊聚焦值應用至經合併影像。
如請求項25之方法，其中產生由各最佳聚焦像素之該等模糊聚焦值構成之該第一POI之該經合併影像的一第一偽聚焦影像包括： <br/>產生各影像平面之一聚焦遮罩，其中各聚焦遮罩含有與該各自影像平面相關聯之該等最佳聚焦像素之全部；及 <br/>針對該複數個影像平面之各影像平面，加總以下之乘積(1)一各自影像平面之該聚焦遮罩，與(2)具有對應於該各自影像平面之該聚焦偏移值之該聚焦偏移影像。
如請求項15之方法，其中將該經合併影像格式化為一RGB數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於RGB數位影像檔案之一通道中。
如請求項15之方法，其中將該經合併影像儲存為一數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於與該數位影像檔案分開之一檔案中。
一種用於具有一三維體積之一標的物之一數位影像之多平面觀察之方法，其包括： <br/>獲得具有一三維體積之一標的物之一經合併影像，該經合併影像包括自來自具有源自該標的物內之不同各自深度處的最佳聚焦像素之該標的物之複數個影像之像素產生的一經合併影像，及將各最佳聚焦像素與對應於各最佳聚焦像素在該標的物內所源自之一深度值之一各自影像平面關聯之一像素深度圖，各影像平面係堆疊以形成該標的物之至少一部分深度之複數個影像平面之一者； <br/>自該複數個影像平面選擇一第一所關注平面(POI)； <br/>藉由計算等於該第一POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一像素聚焦偏移而產生一像素聚焦偏移陣列，該像素聚焦偏移陣列定義在其內定義複數個聚焦偏移值之一第一像素聚焦偏移範圍； <br/>藉由以下產生對應於該像素聚焦偏移陣列之範圍內之各聚焦偏移值之複數個聚焦偏移影像：(1)針對該等聚焦偏移值之各者產生一模糊聚焦值，且(2)針對各聚焦偏移值，將一各自模糊聚焦值應用至該經合併影像； <br/>產生各影像平面之一聚焦遮罩，其中各聚焦遮罩含有與該各自影像平面相關聯之該等最佳聚焦像素之全部； <br/>藉由針對該複數個影像平面之各影像平面，加總(1)一各自影像平面之該聚焦遮罩，與(2)具有對應於該各自影像平面之該聚焦偏移值之該聚焦偏移影像之乘積而產生該第一POI之該經合併影像的一第一偽聚焦影像； <br/>自該複數個影像平面選擇不同於該第一POI的一第二POI； <br/>藉由計算等於該第二POI之深度值與各最佳聚焦像素之該各自深度值之間之差的各最佳聚焦像素之一像素聚焦偏移而產生一第二像素聚焦偏移陣列，該第二像素聚焦偏移陣列定義在其內定義複數個聚焦偏移值之一第二像素聚焦偏移範圍； <br/>僅針對非針對該第一POI產生的此等聚焦偏移值產生對應於該第二像素聚焦偏移範圍內之各聚焦偏移值之額外聚焦偏移影像，各額外聚焦偏移影像藉由以下產生：(1)針對該等聚焦偏移值之各者產生一模糊聚焦值，且(2)針對各聚焦偏移值，將一各自模糊聚焦值應用至該經合併影像；及 <br/>藉由針對該複數個影像平面之各影像平面，加總(1)一各自影像平面之該聚焦遮罩，與(2)具有對應於該各自影像平面之該聚焦偏移值之該聚焦偏移影像之乘積而產生該第二POI之該經合併影像的一第二偽聚焦影像。
如請求項29之方法，其進一步包括： <br/>將該第一偽聚焦影像顯示於一顯示裝置上；及 <br/>將該第二偽聚焦影像顯示於該顯示裝置上。
如請求項30之方法，其中該顯示裝置選自由以下組成之群組：一LCD顯示器；一LED顯示器；一OLED顯示器；一電腦監視器。
如請求項29之方法，其進一步包括： <br/>將該等經產生聚焦偏移影像之各者儲存於一緩衝器中；及 <br/>在由一使用者向上及向下捲動該選定POI遍歷複數個該等影像平面時利用該等經儲存聚焦偏移影像以產生在連續影像平面處之該經合併影像之一序列偽聚焦影像；及 <br/>在向上及向下捲動該選定POI遍歷複數個該等影像平面時將在連續影像平面處之該經合併影像之該序列偽聚焦影像顯示於一顯示器上。
如請求項32之方法，其中在由一使用者向上及向下捲動該選定POI時實質上即時顯示該經合併影像之該序列偽聚焦影像。
如請求項29之方法，其中使用具有非正交於該標的物所貼附至之一載玻片表面之一光軸的一相機系統擷取用於產生該經合併影像之該標的物之該複數個影像。
如請求項29之方法，其中使用一二維高斯模糊函數產生針對各聚焦偏移值之該等聚焦偏移影像。
如請求項35之方法，其中二維高斯模糊函數利用基於用於獲得該標的物之該複數個影像的一相機系統之一景深之一高斯模糊半徑。
如請求項36之方法，其中該高斯模糊半徑亦係基於該相機系統之一有效數值孔徑。
如請求項29之方法，其中將該經合併影像格式化為一RGB數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於RGB數位影像檔案之一通道中。
如請求項29之方法，其中將該經合併影像儲存為一數位影像檔案且將該像素深度圖儲存於與該數位影像檔案分開之一檔案中。
一種結合物，其包含β-葡聚糖與B細胞及T細胞抗原決定基多肽，該β-葡聚糖共價結合於該B細胞及T細胞抗原決定基多肽以形成該β-葡聚糖與該B細胞及T細胞抗原決定基多肽之結合物，該β-葡聚糖為主要呈線性的β-(1,6)-葡聚糖，其(1,6)偶合之單醣部分與非β-(1,6)偶合之單醣部分之比率為至少1：1。
如請求項1之結合物，其中，該β-葡聚糖為主要呈線性的β-(1,6)-葡聚糖，其(1,6)偶合之單醣部分與非β-(1,6)偶合之單醣部分之比率為至少2：1。
如請求項1之結合物，其中，該β-葡聚糖為r呈線性的β-(1,6)-葡聚糖，其(1,6)偶合之單醣部分與非β-(1,6)偶合之單醣部分之比率為至少5：1。
如請求項1之結合物，其中，該β-葡聚糖為主要呈線性的β-(1,6)-葡聚糖，其(1,6)偶合之單醣部分與非β-(1,6)偶合之單醣部分之比率為至少10：1。
如請求項1之結合物，其中，該β-葡聚糖為石耳多醣（pustulan）。
如請求項1之結合物，其中，該結合物中的β-葡聚糖與B細胞及T細胞抗原決定基多肽之比率為10：1（w/w）至1：1（w/w）。
如請求項6之結合物，其中，該結合物中的β-葡聚糖與B細胞及T細胞抗原決定基多肽之比率為8：1（w/w）至2：1（w/w）。
如請求項6之結合物，其中，該結合物中的β-葡聚糖與B細胞及T細胞抗原決定基多肽之比率是4：1（w/w）。
如請求項1之結合物，其中，B細胞抗原決定基及泛特異性/混雜T細胞抗原決定基獨立地與該β-葡聚糖結合。
如請求項1之結合物，其中，該B細胞抗原決定基多肽之長度為5至20個胺基酸殘基。
如請求項10之結合物，其中，該B細胞抗原決定基多肽之長度為6至19個胺基酸殘基。
如請求項10之結合物，其中，該B細胞抗原決定基多肽之長度是7至15個胺基酸殘基。
如請求項1之結合物，其中，該T細胞抗原決定基多肽之長度為8至30個胺基酸殘基。
如請求項13之結合物，其中，該T細胞抗原決定基多肽之長度為13至29個胺基酸殘基。
如請求項13之結合物，其中，該T細胞抗原決定基多肽之長度是13至28個胺基酸殘基。
如請求項1之結合物，其中，該結合物另包含載體蛋白。
如請求項16之結合物，其中，該載體蛋白係選自白喉毒素之無毒交叉反應物質、匙孔螺血氰蛋白、白喉類毒素、破傷風類毒素、流感嗜血桿菌（ <i>Haemophilus</i><i>influenzae</i>）蛋白D及腦膜炎球菌血清群B之外膜蛋白質複合體、銅綠假單胞菌（ <i>Pseudomonas</i><i>aeruginosa</i>）外毒素A之重組無毒形式、鞭毛蛋白、大腸桿菌熱不穩定腸毒素、霍亂毒素、突變毒素、病毒樣顆粒、白蛋白結合蛋白、牛血清白蛋白、卵白蛋白、合成肽樹枝狀聚合物、多抗原肽，其限制條件為若結合物包含載體蛋白，則結合物包含另一經獨立結合之T細胞或B細胞抗原決定基多肽。
如請求項1之結合物，其中，該多肽為B細胞及T細胞抗原決定基或包含B細胞及T細胞抗原決定基。
一種用於產生如請求項1之結合物的方法，其中，該β-葡聚糖藉由氧化活化且使該活化β-葡聚糖與該B細胞及T細胞抗原決定基多肽接觸，由此獲得該β-葡聚糖與該B細胞及該T細胞抗原決定基多肽之結合物。
如請求項19之方法，其中，該β-葡聚糖係藉由鄰位羥基處之過碘酸鹽氧化、還原胺化或羥基之氰基化獲得。
如請求項19之方法，其中，該β-葡聚糖被氧化至如下氧化度，該氧化度被界定為與席夫品紅試劑（Schiff's fuchsin-reagent）之反應度，其相當於以0.2～2.6之莫耳比用過碘酸鹽氧化等量的石耳多醣的氧化度。
如請求項19之方法，其中，該β-葡聚糖被氧化至如下氧化度，該氧化度被界定為與席夫品紅試劑之反應度，其相當於以0.6～1.4之莫耳比用過碘酸鹽氧化等量的石耳多醣的氧化度。
如請求項19之方法，其中，該β-葡聚糖被氧化至如下氧化度，該氧化度被界定為與席夫品紅試劑之反應度，其相當於以0.7～1之莫耳比用過碘酸鹽氧化等量的石耳多醣的氧化度。
一種用無成核劑之非晶聚對苯二甲酸乙二醇酯製造熱成型且完全按種類可循環之塑料部件之方法，其特徵在於，在送料步驟中，首先將具有規定半成品寬度之半成品（1）沿平行於半成品縱向之機器方向（MD）送入包括熱成型工具之熱成型裝置的加工區段（3），隨後在此處在至少一個加熱步驟中將該半成品加熱至90-180℃之拉伸溫度以及在至少一個拉伸步驟中根據該所設拉伸溫度在1.2-5.0的拉伸度下沿機器方向（MD）進行主動拉伸，其中該至少一個加熱步驟在該至少一個拉伸步驟同時或在此之前實施，而後在成型步驟中，藉由該冷卻之熱成型工具對在該加工區段（3）中被拉伸之該半成品（1）進行成型，並且在此過程中將其淬火至低於該所用聚對苯二甲酸乙二醇酯之玻璃轉化溫度至少30℃的溫度。
如請求項1之方法，其特徵在於，緊接著該至少一個拉伸步驟實施該成型步驟。
如請求項1之方法，其特徵在於，在該至少一個拉伸步驟與該成型步驟之間實施收縮步驟，其中該半成品（1）沿機器方向（MD）發生最大20%的收縮。
如請求項3之方法，其特徵在於，該收縮步驟在120-200℃的溫度條件下實施。
如請求項1至4中任一項之方法，其特徵在於，在該半成品（1）在該加工區段（3）中就該半成品寬度而言被固定期間，在該加工區段（3）中僅沿機器方向（MD）對該半成品（1）進行主動拉伸。
如請求項5之方法，其特徵在於，在該拉伸步驟中，在該加工區段（3）中將該半成品（1）固定在沿橫向於該機器方向（MD）延伸之橫向（TD）相對佈置的半成品邊緣上。
如請求項5之方法，其特徵在於，在該加工區段（3）中將該等半成品邊緣固設在可解除保持元件上並進行強制導引，以及，透過該等保持元件將用於沿機器方向（MD）進行主動拉伸的拉伸力引入該半成品（1）。
如請求項1至4中任一項之方法，其特徵在於，在該拉伸步驟中，在每秒50-400%的拉伸速率下沿機器方向（MD）對該半成品（1）進行主動拉伸。
一種熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其包含：開裂(cracking)填充步驟，其係於開裂間隙經打開之狀態的成形模之成形模腔內，填充具備發泡層之熱塑性樹脂發泡粒子後，將前述成形模完全閉合， <br/> 及模內成形步驟，其係於前述開裂填充步驟完成之後，將加熱介質供給至前述成形模腔內，使前述發泡粒子彼此相互融接，藉此製作具有10kg/m<sup>3</sup>以上150kg/m<sup>3</sup>以下之成形體密度之熱塑性樹脂發泡粒子成形體； <br/> 前述發泡層由結晶性熱塑性樹脂所構成， <br/> 於前述成形模完全閉合之狀態下，前述成形模腔具有：於前述成形模之開閉方向的長度比以下述式(1)表示之平均長度L<sub>A</sub>長之第一部分與於前述成形模之開閉方向的長度比前述平均長度L<sub>A</sub>短之第二部分， <br/> 前述開裂填充步驟中之以下述式(2)表示之前述第一部分之壓縮率的最小值P1<sub>min</sub>與以下述式(3)表示之前述第二部分之壓縮率的最大值P2<sub>max</sub>之差P2<sub>max</sub>-P1<sub>min</sub>為5%以上100%以下， <br/> 前述成形模腔之開閉方向的平均長度L<sub>A</sub>為10mm以上， <br/> 前述發泡粒子具有柱狀形狀，同時具有1個以上之選自由於軸向貫通前述發泡粒子之內部的貫通孔及於前述發泡粒子之側周面沿軸向延伸之溝槽所成之群之1種或2種的缺陷部， <br/> 前述發泡粒子於軸向的中央之中，於垂直於軸向之面切斷所得之切斷面中之前述缺陷部每1個的平均剖面積Ca相對於前述發泡粒子之平均剖面積A之比Ca/A為0.01以上0.20以下，且前述缺陷部之合計剖面積Ct相對於前述發泡粒子之平均剖面積A之比Ct/A為0.02以上0.20以下， <br/> <img align="absmiddle" height="214px" width="768px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> (但，前述式(1)中之V係前述成形模完全閉合之狀態下之前述成形模腔之容積(單位：mm<sup>3</sup>)，S係將前述成形模腔於前述成形模之開閉方向投影時之投影面積(單位：mm<sup>2</sup>)，前述式(2)及式(3)中之δ係前述開裂填充步驟中之前述開裂間隙的大小(單位：mm)，前述式(2)中之L1<sub>max</sub>係前述成形模完全閉合之狀態下測定之於前述開閉方向之前述第一部分的長度之最大值(單位：mm)，前述式(3)中之L2<sub>min</sub>係前述成形模完全閉合之狀態下測定之於前述開閉方向之前述第二部分的長度之最小值(單位：mm))。
如請求項1之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述發泡粒子之表觀密度相對於前述發泡粒子之總體密度之比超過1.6且未達2.0以下。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述開裂填充步驟中之前述第二部分之壓縮率的最大值P2<sub>max</sub>為25%以上150%以下。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述成形模之開閉方向之前述第一部分之長度的最大值L1<sub>max</sub>為55mm以上。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中與藉由前述製造方法所得之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之前述第一部分對應之部分的融接率為70%以上。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中藉由前述製造方法所得之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之空隙率為4%以上12%以下。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述發泡粒子具有1個以上之前述貫通孔作為前述缺陷部。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述發泡粒子具有發泡層與被覆前述發泡層之融接性改善層，前述發泡層之基材樹脂為第1結晶性熱塑性樹脂，前述融接性改善層之基材樹脂係第2熱塑性樹脂。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中構成前述發泡層之結晶性熱塑性樹脂為聚烯烴系樹脂。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中構成前述發泡層之結晶性熱塑性樹脂係乙烯成分含量為0.5質量%以上3.5質量%以下之乙烯-丙烯無規共聚物。
如請求項1或2之熱塑性樹脂發泡粒子成形體之製造方法，其中前述發泡粒子之總體密度為10kg/m<sup>3</sup>以上50kg/m<sup>3</sup>以下。
一種建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置，其特徵在於，包括安裝板、外殼、霧化噴淋機構、點射噴淋機構、直射噴淋機構和晶圓承載平臺元件，所述安裝板上設有所述外殼，所述外殼的內部為清洗腔，所述清洗腔中設有所述晶圓承載平臺元件，所述安裝板上位於所述外殼的外周設有所述霧化噴淋機構、所述點射噴淋機構和所述直射噴淋機構，其中，所述晶圓承載平臺元件包括平臺本體以及均勻的開設在所述平臺本體外緣的安裝孔，其中，所述建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置還包括彈性噴頭元件，每一所述安裝孔內各設有一所述彈性噴頭元件，其中，每一所述彈性噴頭元件均包括底座、圓筒、彈簧和第三噴頭，所述底座與所述圓筒均安裝在所述安裝孔內，所述彈簧設於所述圓筒內，所述第三噴頭部分與所述圓筒內壁過盈配合並與所述彈簧連接。
如請求項1所述的建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置，其中，所述霧化噴淋機構包括第一支撐座、第一連接桿和霧化噴頭，所述第一支撐座設於所述安裝板上，所述第一支撐座的上端可轉動地設有所述第一連接桿，所述第一連接桿的上端設有所述霧化噴頭，所述霧化噴頭的噴液口指向所述清洗腔。
如請求項1所述的建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置，其中，所述點射噴淋機構包括第二支撐座、第二連接桿和第一噴頭元件，所述第二支撐座設於所述安裝板的上端，且所述第二支撐座的上端可轉動地設有所述第二連接桿，所述第二連接桿上設有所述第一噴頭元件。
如請求項3所述的建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置，其中，所述第一噴頭元件包括連接座與可旋轉地設於所述連接座底部的噴頭，所述連接座的一端表面呈弧形面，且所述連接座的一端設有弧形擺動槽，且所述噴頭與所述弧形擺動槽連接並可在所述弧形擺動槽內滑動。
如請求項1所述的建立梯度結構蝕刻的噴淋系統與顆粒控制的控制裝置，其中，所述直射噴淋機構包括第三支撐座、第三連接桿和第二噴頭，所述第三支撐座設於所述安裝板上，且所述第三支撐座的上端設有所述第三連接桿，所述第三連接桿上設有所述第二噴頭。
一種電子裝置，包括：<br/> 一第一絕緣層，具有一側表面以及鄰近該側表面的至少一凹槽；<br/> 一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層上且填入該至少一凹槽中；<br/> 一突出結構，設置於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，其中該突出結構不與該至少一凹槽重疊；<br/> 一黏著層，設置於該第二絕緣層上；以及<br/> 一功能層，設置於該黏著層上；<br/> 其中，於該電子裝置的一剖面圖中，該第二絕緣層於一第一位置具有一厚度，且該黏著層對應該第一位置的一厚度大於該第二絕緣層的該厚度。
如請求項1所述之電子裝置，其中該第二絕緣層於該第一位置具有一最大厚度。
如請求項1所述之電子裝置，其中該黏著層的該厚度與該第二絕緣層的該厚度的一比值大於1且小於或等於5。
如請求項3所述之電子裝置，其中該比值大於或等於2且小於或等於3。
如請求項1所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層具有鄰近該側表面的一第一端以及遠離該側表面的一第二端，該第一端具有一第一厚度，該第二端具有一第二厚度，且該第二厚度與該第一厚度的一比值大於或等於0.8且小於或等於1.2。
如請求項1所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層具有鄰近該側表面的一第一端，且該第一絕緣層具有鄰近該側表面的一第三端，該第一端具有一第一厚度，該第三端具有一第三厚度，且該第三厚度與該第一厚度的一比值大於或等於0.8且小於或等於1.2。
如請求項1所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層具有鄰近該側表面的一第一端，該第一端具有一第一厚度，該突出結構具有一第四厚度，且該第四厚度與該第一厚度的一比值大於或等於0.8且小於或等於1.2。
如請求項1所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層具有鄰近該側表面的一第一端，該第一端具有一第一厚度，該突出結構具有一第四厚度，該至少一凹槽具有一第一深度，且該第一厚度大於該第一深度且小於該第四厚度。
如請求項1所述之電子裝置，更包括：<br/> 一有機層，設置於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間，其中該有機層與該突出結構的至少一部分重疊且不與該至少一凹槽重疊。
如請求項9所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層於與該第一絕緣層的法線方向垂直的一方向上具有一第一長度，該第二絕緣層具有與該有機層重疊的一第一部分，該第一部分於該方向上具有一第二長度，且該第二長度與該第一長度的一比值大於或等於0.3且小於或等於0.6。
如請求項9所述之電子裝置，其中該第二絕緣層具有與該有機層重疊的一第一部分，該第一部分於與該第一絕緣層的法線方向垂直的一方向上具有一第二長度，且該第二長度大於或等於50微米且小於或等於300微米。
如請求項1所述之電子裝置，更包括：<br/> 一第一無機層以及一第二無機層，其中該第二絕緣層設置於該第一無機層與該第二無機層之間，且該第二絕緣層包括有機材料。
如請求項1所述之電子裝置，其中該側表面環繞以形成一通孔。
如請求項13所述之電子裝置，其中，於該電子裝置的該剖面圖中，該第二絕緣層於與該第一絕緣層的法線方向垂直的一方向上具有第一長度L1，該通孔於該方向上具有一第三長度L3，且該第一長度L1以及該第三長度L3滿足以下關係式：<br/> 1.05 ≦ (2*L1+L3)/L3 ≦ 1.5。
如請求項13所述之電子裝置，更包括一光學感測器，對應於該通孔設置。
如請求項1所述之電子裝置，其為一顯示裝置。
如請求項16所述之電子裝置，其中該功能層包括抗反射層。
一種半導體結構，包括：<br/> 一基板，包含形成於其上的一電路元件；<br/> 一第一金屬化層，設置於該基板上方且包括：<br/> 一第一金屬線，電連接至該電路元件；及<br/> 複數個第一虛設金屬線，沿著一第一方向延伸且與該第一金屬線電隔離，該些第一虛設金屬線包圍該第一金屬線外圍的至少三個細長邊；及<br/> 一第二金屬化層，直接設置於該第一金屬化層上方且包括：<br/> 一第二金屬線，電連接至該第一金屬線；及<br/> 複數個第二虛設金屬線，沿著一第二方向延伸且與該第一金屬線、該第二金屬線及該些第一虛設金屬線電隔離，其中該第二方向與該第一方向垂直，該些第二虛設金屬線包圍該第二金屬線外圍的至少三個細長邊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一金屬線的一細長邊沿著該第一方向延伸，且該第二金屬線的一細長邊沿著該第二方向延伸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該些第一虛設金屬線中的一虛設金屬線及一另一虛設金屬線沿著該第一方向相對於彼此具有一偏移。
如請求項3所述之半導體結構，其中該偏移小於該虛設金屬線沿著該第一方向的一長度。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一方向位於沿著相對於一水平方向的一非零角度的一方向上。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一金屬線的一細長邊沿著該第二方向延伸，且該第二金屬線的一細長邊沿著該第一方向延伸。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一金屬化層進一步包括沿著該第二方向延伸的另外複數個第一虛設金屬線。
如請求項1所述之半導體結構，其中該些第一虛設金屬線中的一虛設金屬線與該些第一虛設金屬線中的另一虛設金屬線具有多種不同寬度。
一種半導體結構，包括：<br/> 一基板，包含形成於其上的一電路元件；<br/> 一第一金屬化層，設置於該基板上方且包括：<br/> 一第一金屬線，電連接至該電路元件；及<br/> 複數個第一虛設金屬線，沿著一第一方向延伸且與該第一金屬線電隔離，其中該些第一虛設金屬線中的一或多者包括一凹形部分、一孔隙結構或其多個組合，該些第一虛設金屬線中的該凹形部分的細長邊或該孔隙結構的細長邊與該第一金屬線的大多數細長邊沿相同方向延伸；及<br/> 一第二金屬化層，直接設置於該第一金屬化層上方且包括：<br/> 一第二金屬線，電連接至該第一金屬線；及<br/> 複數個第二虛設金屬線，沿著一第二方向延伸且與該第二金屬線電隔離，其中該些第二虛設金屬線中的一或多者包括該凹形部分、該孔隙結構或其多個組合，且其中該第二方向與該第一方向垂直，該些第二虛設金屬線中的該凹形部分的細長邊或該孔隙結構的細長邊與該第二金屬線的大多數細長邊沿相同方向延伸。
一種半導體結構的形成方法，包括以下步驟：<br/> 在一基板上形成一電路元件；<br/> 在該基板上方形成多個第一金屬線，且該些第一金屬線電連接至該電路元件；<br/> 直接在該些第一金屬線上方形成多個第二金屬線，且該些第二金屬線電連接至該些第一金屬線；<br/> 在該些第一金屬線之間形成沿著一第一方向延伸的複數個第一虛設金屬線，其中該些第一虛設金屬線與該些第一金屬線的相鄰者之間的間距寬度小於該些第一虛設金屬線的寬度；及<br/> 在該些第二金屬線之間形成沿著與該第一方向垂直的一第二方向延伸的複數個第二虛設金屬線，其中該些第二虛設金屬線與該些第二金屬線的相鄰者之間的間距寬度小於該些第二虛設金屬線的寬度。
一種檢查方法，係將檢查光入射至具備第一偏光板、及具有第一λ／2相位差層與第一λ／4相位差層的第一相位差層的膜狀的被檢查物，而判斷前述第一相位差層有無部分產生的缺陷； <br/>前述被檢查物以及具備第二偏光板、以及具有第二λ／2相位差層與第二λ／4相位差層的第二相位差層的相位差濾光片係配置成前述被檢查物的第一相位差層側朝向前述相位差濾光片側，前述相位差濾光片的第二相位差層側朝向前述被檢查物側，且沿著前述檢查光的光路方向觀看時，前述第一λ／4相位差層的遲相軸與前述第二λ／4相位差層的遲相軸所成的角度成為15°～75°，並且滿足下述兩個條件中的至少一方； <br/>條件1：以波長550nm的光測得的前述第一λ／4相位差層的面內相位差值與以波長550nm的光測得的前述第二λ／4相位差層的面內相位差值係彼此不同； <br/>條件2：以波長550nm的光測得的前述第一λ／2相位差層的面內相位差值與以波長550nm的光測得的前述第二λ／2相位差層的面內相位差值係彼此不同；並且 <br/>從前述被檢查物的前述第一偏光板側或前述相位差濾光片的前述第二偏光板側的其中任一側入射前述檢查光，使前述光路通過前述被檢查物上的預定的檢查區域，而從前述被檢查物的前述第一偏光板側或前述相位差濾光片的前述第二偏光板側的另一側觀察前述第二偏光板或前述第一偏光板，判斷有無前述缺陷， <br/>藉此不僅檢測相位差偏移所致的缺陷，亦檢測前述第一λ／2相位差層及前述第一λ／4相位差層的遲相軸相對於前述第一偏光板的吸收軸的分別的設計軸角度的偏移所致的缺陷。
如請求項1所述之檢查方法，係滿足下述兩個條件中的至少一方： <br/>條件3：以波長550nm的光測得的前述第二λ／4相位差層的面內相位差值與以波長550nm的光測得的前述第一λ／4相位差層的面內相位差值的差異於±20nm的範圍內； <br/>條件4：以波長550nm的光測得的前述第二λ／2相位差層的面內相位差值與以波長550nm的光測得的前述第一λ／2相位差層的面內相位差值的差異於±20nm的範圍內。
如請求項1或2所述之檢查方法，其中，選擇以波長550nm的光測得的前述第二λ／4相位差層及前述第二λ／2相位差層的面內相位差值，以使前述被檢查物中無缺陷的部分與前述相位差濾光片的合計的前述檢查光的穿透率成為0.1％至5％。
如請求項1或2所述之檢查方法，其中，前述第一λ／4相位差層及第一λ／2相位差層的至少一方係包含聚合性液晶化合物的硬化物。
如請求項1所述之檢查方法，其中，前述檢查光為非單波長的可視光。
如請求項3所述之檢查方法，其中，前述檢查光為非單波長的可視光。
一種玻璃板包裝體，包括： <br/>玻璃板積層體，包含玻璃板以及包裝緩衝片；以及 <br/>托盤，具有對所述玻璃板積層體的背面進行支撐的格子狀的背面支撐部、配置於所述玻璃板積層體與所述背面支撐部之間的剛性板、對所述背面支撐部進行支撐的基台部、以及為了將所述玻璃板積層體按壓於所述背面支撐部而配置於所述玻璃板積層體的前表面側的固定構件， <br/>其中所述固定構件構成為，在所述背面支撐部的與格子對應的位置施加於所述玻璃板積層體的最前表面的壓力較在所述格子的與開口部對應的位置施加於所述玻璃板積層體的最前表面的壓力小。
一種玻璃板包裝體，包括： <br/>玻璃板積層體，包含玻璃板以及包裝緩衝片；以及 <br/>托盤，具有對所述玻璃板積層體的背面進行支撐的格子狀的背面支撐部、配置於所述玻璃板積層體與所述背面支撐部之間的剛性板、對所述背面支撐部進行支撐的基台部、以及為了將所述玻璃板積層體按壓於所述背面支撐部而配置於所述玻璃板積層體的前表面側的固定構件， <br/>其中所述固定構件僅在所述背面支撐部的格子的與開口部對應的位置和所述玻璃板積層體接觸。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述托盤包括介隔存在於所述固定構件與所述玻璃板積層體之間的保護板。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述固定構件包括配置於與所述玻璃板積層體相向的面的多個凸部， <br/>所述凸部配置於所述背面支撐部的格子的與開口部對應的位置。
如請求項4所述的玻璃板包裝體，其中，所述固定構件包括：按壓構件，構成所述多個凸部；以及支撐構件，用來安裝所述按壓構件。
如請求項5所述的玻璃板包裝體，其中，所述支撐構件構成為格子狀或梯子狀。
如請求項4所述的玻璃板包裝體，其中，所述凸部在面接觸的狀態下將所述玻璃板積層體按壓於所述剛性板。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述托盤以所述玻璃板的主表面與水平面所成的角為0°以上且10°以下的姿勢對所述玻璃板積層體進行支撐。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述托盤以所述玻璃板的主表面與水平面所成的角為30°以上且80°以下的姿勢對所述玻璃板積層體進行支撐。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述玻璃板為矩形形狀或正方形形狀，至少一邊的長度為2250 mm以上。
如請求項1或2所述的玻璃板包裝體，其中，所述玻璃板是顯示器用玻璃板。
一種裝飾片之製造方法，其係具有與圖樣同調的壓紋形狀的裝飾片之製造方法，其具備下述步驟：<br/> 在著色樹脂層之一面依序積層圖樣層、透明樹脂層、及表面保護層的步驟；<br/> 在上述著色樹脂層之另一面，利用比上述著色樹脂層還對預定波長的光具有光吸收性之預定材料來形成與上述圖樣同調的圖案層的步驟；<br/> 在較上述積層步驟及上述圖案層形成步驟之後，進行上述預定波長的光的功率高於其它波長的光的功率之照射光的照射的步驟；以及<br/> 在上述照射光的照射步驟後，將上述壓紋形狀形成用的壓紋版按壓在上述表面保護層的步驟。
一種裝飾片，其係具有圖樣層之裝飾片，其具備：<br/> 依序積層在著色樹脂層之一面的圖樣層與透明樹脂層與表面保護層、及積層在上述著色樹脂層之另一面且比上述著色樹脂層還對預定波長的光具有光吸收性之預定材料被配置成與上述圖樣層的圖樣同調的圖案層，<br/> 上述表面保護層在俯視時與由上述預定材料形成的部分重疊的位置係形成有壓紋部。
一種研磨用組成物，其包含： <br/> 包含經表面修飾之陰離子性氧化矽粒子之磨粒，及界面活性劑； <br/> 前述界面活性劑包含以下之式(I)所示之化合物； <br/> <img align="absmiddle" height="88px" width="579px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，尾部為烯基或烷基芳基，該烯基之碳數為2~24，該烷基芳基之烷基碳數為1~24， <br/> A為氧伸烷基，該伸烷基之碳數為1、2或3， <br/> n為1~20， <br/> m、q、r係各自為1、3、2；2、2、1；或3、1、0； <br/> 且，前述組成物更包含以下①～④之至少一個要件： <br/> ①前述研磨用組成物包含多醣、 <br/> ②前述研磨用組成物之pH為7~10、 <br/> ③前述研磨用組成物係經設計成銅之研磨速度(Å/min)對鈷之研磨速度(Å/min)為0.3~5，鉭之研磨速度(Å/min)對鈷之研磨速度(Å/min)為10以上、 <br/> ④前述研磨用組成物更包含聚伸烷二醇單烷基醚。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述氧化矽粒子具有30nm以下之平均一次粒徑。
如請求項1之研磨用組成物，其中更包含金屬腐蝕防止劑。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述烷基芳基之芳基為苯基。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述經表面修飾之陰離子性氧化矽粒子為表面經固定化有機酸之膠質狀氧化矽。
如請求項3之研磨用組成物，其中前述金屬腐蝕防止劑包含苯並三唑。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述多醣為葡聚醣。
如請求項7之研磨用組成物，其中前述葡聚醣為α葡聚醣。
如請求項1之研磨用組成物，其中包含具有1個以上之羥基及2個以上之羧基之有機酸。
如請求項1之研磨用組成物，其中前述界面活性劑係以0.01重量%~0.3重量%之濃度存在於前述研磨用組成物中。
如請求項1之研磨用組成物，其係將研磨對象物予以研磨用者，且該研磨對象物含有鈷及銅之至少一者，與鉭。
一種研磨用組成物，其包含： <br/> 包含經表面修飾之陰離子性氧化矽粒子之磨粒、 <br/> 界面活性劑、 <br/> 多醣，及 <br/> 具有1個以上之羥基及2個以上之羧基之有機酸， <br/> 且組成物之pH為7~10； <br/> 前述界面活性劑包含以下之式(I)所示之化合物； <br/> <img align="absmiddle" height="93px" width="560px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，尾部為烯基或烷基芳基，該烯基之碳數為2~24，該烷基芳基之烷基碳數為1~24， <br/> A為氧伸烷基，該伸烷基之碳數為1、2或3， <br/> n為1~20， <br/> m、q、r係各自為1、3、2；2、2、1；或3、1、0。
一種蒸氣腔用之芯片材，該蒸氣腔封入有作動流體，且該蒸氣腔由複數個片材構成，具備供上述作動流體之蒸氣通過之蒸氣流路部、及供上述作動流體之液體通過之液體流路部，且上述蒸氣腔用之芯片材具備：<br/>第1面； 第2面，其位於與上述第1面相反之側； 空間部，其自上述第1面向上述第2面延伸，構成上述蒸氣流路部； 複數個第1岸台部，上述空間部位於其周圍，該等複數個第1岸台部於俯視下呈細長狀延伸，且自上述第1面向上述第2面延伸； 岸台連接體，其自上述第1面向上述第2面延伸，且連接於複數個上述第1岸台部； 第1主流槽，其位於上述第1岸台部之上述第1面，沿著上述第1岸台部延伸，且構成上述液體流路部； 複數個貫通孔，其將上述岸台連接體自上述第1面貫通至上述第2面側；及 複數個槽，其位於上述岸台連接體之上述第1面，與上述第1主流槽連通。
如請求項1之蒸氣腔用之芯片材，其更具備： 岸台連接空間，其位於上述岸台連接體之上述第2面側；及 複數個柱部，其自上述岸台連接體延伸至上述第2面；且 上述貫通孔連通於上述岸台連接空間。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述槽連接於上述貫通孔。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 複數個上述槽至少部分形成為格子狀。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 複數個上述貫通孔至少部分配置為格子狀。
如請求項2之蒸氣腔用之芯片材，其中 於俯視下，複數個上述貫通孔中之至少一部分之上述貫通孔之平面面積小於上述柱部之平面面積。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述貫通孔於俯視下具有凸部與凹部沿著圓周方向排列之形狀。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述岸台連接體包含第1孔區域及第2孔區域，上述第1孔區域包含以第1單位周長形成之複數個上述貫通孔，上述第2孔區域包含以第2單位周長形成之複數個上述貫通孔； 上述第1單位周長為位於上述第1孔區域之上述貫通孔之周長的每單位面積之合計值， 上述第2單位周長為位於上述第2孔區域之上述貫通孔之周長的每單位面積之合計值， 上述第2單位周長大於上述第1單位周長。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 複數個上述槽連接於1個上述貫通孔， 1個上述貫通孔之平面面積為連接於該貫通孔之複數個上述槽之流路截面面積之合計值以上。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述貫通孔之平面面積之合計值為上述岸台連接體之平面面積之3%～30%。
如請求項1或2之蒸氣腔用之芯片材，其中 與上述蒸氣腔之冷卻對象即元件所接觸之區域重疊的上述貫通孔之平面面積之合計值，為上述元件所接觸之區域之平面面積之3%～30%。
一種蒸氣腔用之芯片材，該蒸氣腔封入有作動流體，且該蒸氣腔由複數個片材構成，具備供上述作動流體之蒸氣通過之蒸氣流路部、及供上述作動流體之液體通過之液體流路部，且上述蒸氣腔用之芯片材具備： 第1面； 第2面，其位於與上述第1面相反之側； 空間部，其自上述第1面向上述第2面延伸，構成上述蒸氣流路部； 第1岸台部，上述空間部位於其周圍，該第1岸台部於俯視下呈細長狀延伸，且自上述第1面向上述第2面延伸； 岸台連接區域，其連接於上述第1岸台部；及 槽，其位於上述第1岸台部之上述第1面，於俯視下沿上述第1岸台部延伸，構成上述液體流路部；且 上述岸台連接區域包含： 複數個第1交點岸台部，其自上述第1面向上述第2面延伸，並且於俯視下沿著第1方向延伸； 複數個第1主流槽，其設於上述第1交點岸台部之上述第1面，沿著上述第1方向延伸； 複數個第2交點岸台部，其自上述第1面向上述第2面延伸，並且於俯視下沿著與上述第1方向不同之第2方向延伸； 複數個第2主流槽，其設於上述第2交點岸台部之上述第1面，沿著上述第2方向延伸；及 複數個岸台交點部，其係上述第1交點岸台部與上述第2交點岸台部相交之處；且 複數個上述第1交點岸台部中至少1個上述第1交點岸台部連接於上述第1岸台部， 位於上述第1岸台部之上述槽與上述第1主流槽連通， 上述第1主流槽與上述第2主流槽於上述岸台交點部相互連通。
如請求項12之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述第1交點岸台部之寬度小於上述第1岸台部之寬度。
一種蒸氣腔用之芯片材，該蒸氣腔封入有作動流體，且該蒸氣腔由複數個片材構成，具備供上述作動流體之蒸氣通過之蒸氣流路部、及供上述作動流體之液體通過之液體流路部，且上述蒸氣腔用之芯片材具備： 第1面； 第2面，其位於與上述第1面相反之側； 空間部，其自上述第1面向上述第2面延伸，構成上述蒸氣流路部； 複數個第1岸台部，上述空間部位於其周圍，該等複數個第1岸台部於俯視下沿著第1方向延伸，且自上述第1面向上述第2面延伸； 第1主流槽，其位於上述第1岸台部之上述第1面，沿著上述第1方向延伸，且構成上述液體流路部； 複數個第2岸台部，上述空間部位於其周圍，該等複數個第2岸台部於俯視下沿著與上述第1方向不同之第2方向延伸，且自上述第1面向上述第2面延伸； 第2主流槽，其位於上述第2岸台部之上述第1面，沿著上述第2方向延伸，且構成上述液體流路部；及 岸台連接體，其自上述第1面向上述第2面延伸，且與複數個上述第1岸台部及複數個上述第2岸台部連接；且 連接於上述第1主流槽且連接於上述第2主流槽之槽連接部，位於上述岸台連接體之上述第1面。
如請求項14之蒸氣腔用之芯片材，其中 上述槽連接部包含至少部分配置為格子狀之槽。
一種蒸氣腔用之芯片材，該蒸氣腔封入有作動流體，且該蒸氣腔由複數個片材構成，具備供上述作動流體之蒸氣通過之蒸氣流路部、及供上述作動流體之液體通過之液體流路部，且上述蒸氣腔用之芯片材具備： 第1面； 第2面，其位於與上述第1面相反之側； 空間部，其自上述第1面向上述第2面延伸，構成上述蒸氣流路部； 複數個第1岸台部，上述空間部位於其周圍，該等複數個第1岸台部於俯視下沿著第1方向延伸，且自上述第1面向上述第2面延伸； 第1主流槽，其位於上述第1岸台部之上述第1面，沿著上述第1方向延伸，且構成上述液體流路部； 岸台連接區域，其連接於複數個上述第1岸台部； 複數個空間貫通部，其將上述岸台連接區域自上述第1面貫通至上述第2面側，且該等複數個空間貫通部連通於上述空間部； 上述複數個空間貫通部係以如下方式形成：於俯視下該空間貫通部之輪廓具有向上述空間貫通部之內側突出之凸部、以及向上述空間貫通部之外側凹陷之凹部沿著圓周方向排列之形狀。
一種蒸氣腔，其具備： 複數個片材，其包含請求項1、12、14及16中任一項之蒸氣腔用之芯片材。
一種電子機器，其具備： 如請求項17之蒸氣腔。
一種下述式（1）所表示之化合物， <br/><img align="absmiddle" height="275px" width="856px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>（式中，R <sup>1</sup>、R <sup>2</sup>為相同或不同，且表示可具有取代基之烴基；R <sup>3</sup>表示氫原子或OR <sup>13</sup>或R <sup>13</sup>，上述R <sup>13</sup>係可具有取代基之烴基；R <sup>4</sup>表示氫原子或R <sup>14</sup>，上述R <sup>14</sup>係可具有取代基之烴基；其中，不包含R <sup>3</sup>及R <sup>4</sup>同時表示氫原子之情形）。
如請求項1之化合物，其i線之莫耳吸光係數為100～5000（L/mol･cm）。
如請求項1或2之化合物，其於25℃之對於丙二醇單甲醚乙酸酯之溶解度為5重量%以上。
一種酸產生劑，其含有請求項1或2之化合物。
如請求項4之酸產生劑，其係i線用酸產生劑。
一種光阻劑，其含有請求項4之酸產生劑及感光性樹脂。
如請求項6之光阻劑，其係為了形成15μm以上之厚膜光阻劑層所使用之厚膜用光阻劑。
一種電子裝置之製造方法，其包含藉由使用了請求項6之光阻劑之光蝕刻法來進行圖案形成之步驟。
一種電子裝置之製造方法，其包含以下步驟，該步驟係將請求項6之光阻劑塗布、乾燥，並形成15μm以上之厚膜光阻劑層，且於所形成之厚膜光阻劑層，藉由光蝕刻法來進行圖案形成。
一種轉移裝置，包括： <br/>基板； <br/>多個取放模組，設置於該基板上，用以轉移多個電子元件至該基板，該些取放模組中的至少一個包括： <br/> 旋轉手臂，相對於該基板垂直旋轉；以及 <br/>龍門結構，對應該基板設置，且該些取放模組設置於該龍門結構上，其中該龍門結構包括第一部分、第二部分以及第三部分，該第二部分設置於該第一部分與該第三部分之間，而該些取放模組設置於該第二部分上，設置於該第二部分上的該些取放模組沿第一方向移動，對應該基板設置的該龍門結構沿移動方向移動，其中該移動方向垂直於該基板的法線方向及該第一方向。
如請求項1所述的轉移裝置，其中該第一部分及該第三部分設置於該基板的對應兩側，且該第二部分平行於該基板。
如請求項1所述的轉移裝置，更包括： <br/> 噴錫模組及助焊模組至少其中一者，其中該噴錫模組及該助焊模組至少其中一者設置於該第二部分上。
如請求項1所述的轉移裝置，其中該旋轉手臂包括： <br/> 旋轉部； <br/> 多個支臂部，連接於該旋轉部；以及 <br/> 多個拾取部，設置於該些支臂部上。
如請求項4所述的轉移裝置，其中該些取放模組中的該至少一個還包括： <br/> 旋轉馬達，設置於該旋轉手臂的該些支臂部的端部，且相對於該基板水平旋轉。
如請求項1所述的轉移裝置，其中該轉移裝置或該些取放模組中的該至少一個還包括： <br/> 離型膜，該些電子元件設置在該離型膜的第一側上。
如請求項6所述的轉移裝置，其中該轉移裝置或該些取放模組中的該至少一個還包括： <br/> 至少一頂針，位於該離型膜相對於該第一側的第二側。
一種陽極氧化輔助研削裝置，係包括：<br/> 澆注單元，係將電解液澆注至至少陰極與被加工物之間；<br/> 直流電源，係經由前述電解液在陽極及前述陰極與前述被加工物之間流通直流電流，以使陽極氧化皮膜生成於前述被加工物的表面；以及<br/> 研削磨石，係研削前述被加工物的前述陽極氧化皮膜；<br/> 將前述研削磨石作為前述陽極而從前述研削磨石施加正電位至前述被加工物；<br/> 將前述陰極配置成與構成前述陽極的前述研削磨石相同地相對於前述被加工物是對向於被加工面。
如請求項1所記載之陽極氧化輔助研削裝置，其中前述電解液係從前述陽極側或前述陰極側澆注。
如請求項1或2所記載之陽極氧化輔助研削裝置，其中前述陽極係直接或經由前述電解液而間接地施加正電位至前述被加工物。
如請求項1或2所記載之陽極氧化輔助研削裝置，其中前述陽極與前述陰極係相對於前述被加工物相對地振盪動作。
一種陽極氧化輔助研削方法，係包括：<br/> 將電解液澆注至至少陰極與被加工物之間的步驟；<br/> 經由前述電解液在陽極及前述陰極與前述被加工物之間流通直流電流，以使陽極氧化皮膜生成於前述被加工物的表面的步驟；以及<br/> 藉由研削磨石研削前述被加工物的前述陽極氧化皮膜的步驟；<br/> 將前述研削磨石作為前述陽極而從前述研削磨石施加正電位至前述被加工物，前述研削磨石係配置成與前述陰極相同地是對向於前述被加工物的被加工面。
一種演算裝置，其為演算裝置(110)，用於演算工具(CI)的第1位置(C)，工具(CI)以給定的加工寬度(W)切削稜線(RL)，該稜線(RL)係由周壁面(SW)及下述圓筒周面所形成，其中，周壁面(SW)形成如下的貫通孔(HE)：以外周面(ST)及內周面(SN)中的至少一者形成為圓筒周面(SS)的加工對象物(CP、MB)之該外周面及該內周面的一方朝向另一方，以圓柱(CS、CS1、CS2、CS10、CS20、CS30、CS40)或者在角落分別包含平行的多個該圓柱之柱體(CB1、CB2)的形狀，貫通該加工對象物而形成該貫通孔(HE)； <br/>該演算裝置(110)具備：取得部(210)；及第1演算部(230)； <br/>該取得部(210)取得加工對象資料及該工具的第3半徑(D)； <br/>該加工對象資料包含：該加工對象物的第2位置；該貫通孔的第3位置；該加工對象物之該圓筒周面的第1半徑(R1)；該圓柱的第2半徑(R2)；該加工對象物的第1中心軸線(A1)延伸的第1方向；及沿著垂直於該第1方向的第2方向延伸的該圓柱之第2中心軸線(A2、A21、A22、A210、A220、A230、A240)偏離該第1中心軸線的偏心距離(f)； <br/>該第1演算部(230)基於第2切線(B2)、第3切線(B3)、該給定的加工寬度、及該工具的該第3半徑，算出切削包含下述加工對象點(P)在內的該稜線之該工具的該第1位置； <br/>其中，第2切線(B2)係由平面(VP)與該圓筒周面形成之第1橢圓(E1)在該加工對象點(P)的切線，而該平面(VP)係與在該加工對象點(P)處的該該稜線的第1切線(B1)垂直、且包含該加工對象點(P)、並基於該該加工對象點的第4位置及該加工對象資料所決定的平面；且 <br/>其中，第3切線(B3)係由該圓柱及該平面所形成的第2橢圓(E2)在該加工對象點處的切線。
如請求項1的演算裝置，更具備： <br/>決定部(220)，當該工具一邊沿著對應到該稜線的加工路徑(RP)移動一邊切削該稜線時一旦該加工路徑相關的公差量(TA)由使用者指定，該決定部(220)即基於該公差量而決定該稜線上的多個該加工對象點， <br/>該第1演算部算出與多個該加工對象點各自對應的該工具之該第1位置。
如請求項1的演算裝置，其中 <br/>該第1演算部為如下的演算裝置： <br/>將以該加工對象點作為起始點、並且將由該第2切線及該第3切線所形成的角予以二等分的二等分線(DL)，基於該加工對象資料而算出， <br/>連結該第2切線上的第1端點(G1)與該第3切線上的第2端點(G2)、且該第1端點與該第2端點之間的第1距離等同於該給定的加工寬度之線段(SL)，其正交於該二等分線所成的交點(M)、與該加工對象點之間的第2距離(L)，再基於該角的第1角度(β)及該給定的加工寬度而算出， <br/>基於該二等分線、該第2距離、該工具的該第3半徑、及該給定的加工寬度，而算出該工具的該第1位置。
如請求項1的演算裝置，更具備： <br/>第2演算部(440)，將在該平面上以該加工對象點作為起始點並且垂直於該第2中心軸線的第1基底向量(e1)、及在該平面上以該加工對象點作為起始點並且垂直於該第1基底向量的第2基底向量(e2)，基於該加工對象資料而算出， <br/>將該第1方向設為Y軸的方向，且 <br/>將該第2方向設為垂直於該Y軸的方向之Z軸的方向，並 <br/>將與該Y軸及該Z軸均垂直的第3方向設為X軸的方向時， <br/>該第1演算部採用如下的演算方式： <br/>基於使用該加工對象物的該第1半徑R1、該圓柱的該第2半徑R2、及該偏心距離f的下式(1)，而將在該平面上該第2切線相對於該第1基底向量所成的第2角度α，對應到從該加工對象點朝向該第2中心軸線的垂線相對於該X軸所成的第3角度φ而算出， <br/>基於使用該第2角度α的下式(2)，而算出方向向量u，其中，該方向向量u係在該平面上以該加工對象點作為起始點、並且沿著將由該第2切線及該第3切線所形成的角予以二等分的二等分線(DL)延伸的第4方向， <br/>基於使用該第2角度α、及該給定的加工寬度√2・Q之下式(3)，而算出第2距離L，其中，該第2距離L係為在該平面上，連結該第2切線上的第1端點(G1)、與該第3切線上的第2端點(G2)、且在該第1端點與該第2端點之間的第1距離等同於該給定的加工寬度之線段(SL)正交於該二等分線所成的交點(M)、與該加工對象點之間的距離， <br/>基於使用該方向向量u、該第2距離L、該工具的該第3半徑D、及該給定的加工寬度√2・Q之下式(4)，而算出在該平面上表示該工具的該第1位置之座標值(Sc、Tc)，及 <br/>基於該座標值、該第1基底向量及該第2基底向量，而在由該X軸、該Y軸及該Z軸所定義的座標空間，算出該工具的該第1位置； <br/><img align="absmiddle" height="25px" width="186px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="45px" width="132px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="27px" width="101px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="33px" width="165px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1～4中任一項的演算裝置，其中 <br/>該貫通孔以該圓柱的形狀，貫通該加工對象物， <br/>從該貫通孔的正上方觀看該貫通孔時的該貫通孔，為對應到該圓柱的圓形。
如請求項1～4中任一項的演算裝置，其中 <br/>該貫通孔係以在兩個角落分別包含平行的2個該圓柱之該柱體的形狀，貫通該加工對象物， <br/>從該貫通孔的正上方觀看該貫通孔時的該貫通孔，為對應到該柱體的長孔形狀， <br/>從該貫通孔的正上方觀看該貫通孔時的該貫通孔之該稜線，包含：分別對應到2個該圓柱的2個圓弧狀之區間(RL1、RL3)；及平行於該第1方向的2個直線狀之區間(RL2、RL4)， <br/>該第1演算部基於該第2切線、該第3切線、該給定的加工寬度、及該工具的該第3半徑，而算出該稜線之中的該2個圓弧狀之區間的對應於該加工對象點之該工具之該第1位置， <br/>該第1演算部基於該2個圓弧狀之區間的該工具之該第1位置、及該加工對象資料，而算出該稜線之中的該2個直線狀之區間的對應於該加工對象點之該工具之該第1位置。
如請求項1～4中任一項的演算裝置，其中 <br/>該貫通孔係以在四個角落分別包含平行的4個該圓柱之該柱體的形狀，貫通該加工對象物， <br/>從該貫通孔的正上方觀看該貫通孔時的該貫通孔，係呈對應到該柱體的圓角四方形的形狀， <br/>從該貫通孔的正上方觀看該貫通孔時的該貫通孔之該稜線，包含：分別對應於4個該圓柱的4個圓弧狀之區間(RL10、RL30、RL50、RL70)；平行於該第1方向的2個直線狀之區間(RL40、RL80)；及與垂直於該第1方向及該第2方向的方向平行的其他2個直線狀之區間(RL20、RL60)， <br/>該第1演算部基於該第2切線、該第3切線、該給定的加工寬度、及該工具的該第3半徑，而算出該稜線之中的該4個圓弧狀之區間的對應於該加工對象點之該工具之該第1位置， <br/>該第1演算部基於該4個圓弧狀之區間的該工具之該第1位置、及該加工對象資料，而算出該稜線之中的平行於該第1方向的該2個直線狀之區間及該其他2個直線狀之區間的對應於該加工對象點之該工具之該第1位置。
如請求項1的演算裝置，其中 <br/>該取得部基於使用者輸入而取得該給定的加工寬度。
如請求項1的演算裝置，其中 <br/>基於表示將巨集程式(MP)從記憶裝置(120)呼叫之用的命令之G編碼、並且為將該給定的加工寬度、該加工對象資料、及對於該工具建立對應的編號之中的至少一者設為引數的該G編碼，該取得部取得該加工對象資料、該給定的加工寬度、及該工具的該第3半徑， <br/>該第1演算部基於該G編碼而從該記憶裝置讀取該巨集程式， <br/>該第1演算部藉由執行該巨集程式而演算該工具的該第1位置。
一種工作機械(10)，具備： <br/>如請求項1的演算裝置； <br/>該工具；及 <br/>加工控制部(250)，使該工具移動到該第1位置，而使該工具切削該稜線。
一種工作機械(10)的控制裝置(30)，具備： <br/>如請求項1的演算裝置；及 <br/>加工控制部(250)，使該工具移動到該第1位置，而使該工具切削該稜線。
一種演算程式，其使演算裝置(110)所具有之處理電路執行取得程序及演算程序，該演算裝置(110)用於演算工具(CI)的第1位置(C)，工具(CI)以給定的加工寬度(W)切削稜線(RL)，該稜線(RL)係由周壁面(SW)及下述圓筒周面所形成，其中，周壁面(SW)形成如下的貫通孔(HE)：以外周面(ST)及內周面(SN)中的至少一者形成為圓筒周面(SS)的加工對象物(CP、MB)之該外周面及該內周面的一方朝向另一方，以圓柱(CS、CS1、CS2、CS10、CS20、CS30、CS40)或者在角落分別包含平行的多個該圓柱之柱體(CB1、CB2)的形狀，貫通該加工對象物而形成該貫通孔(HE)； <br/>該取得程序取得加工對象資料及該工具的第3半徑(D)， <br/>該加工對象資料包含：該加工對象物的第2位置；該貫通孔的第3位置；該加工對象物之該圓筒周面的第1半徑(R1)；該圓柱的第2半徑(R2)；該加工對象物的第1中心軸線(A1)延伸的第1方向；及沿著垂直於該第1方向的第2方向延伸的該圓柱之第2中心軸線(A2、A21、A22、A210、A220、A230、A240)偏離該第1中心軸線的偏心距離(f)； <br/>該演算程序基於第2切線(B2)、第3切線(B3)、該給定的加工寬度、及該工具的該第3半徑，算出切削包含下述加工對象點(P)在內的該稜線之該工具的該第1位置； <br/>其中，第2切線(B2)係由平面(VP)與該圓筒周面形成之第1橢圓(E1)在該加工對象點(P)的切線，而該平面(VP)係與在該加工對象點(P)處的該該稜線的第1切線(B1)垂直、且包含該加工對象點(P)、並基於該該加工對象點的第4位置及該加工對象資料所決定的平面；且 <br/>其中，第3切線(B3)係由該圓柱及該平面所形成的第2橢圓(E2)在該加工對象點處的切線。
一種高架搬送車，其係沿著軌道移行且搬送物品者；其具備有： <br/>移載部，其在與裝置所具有之裝載埠之間移載上述物品； <br/>複數個感測器，其等在利用上述移載部移載上述物品時，朝向下方射出檢測波而偵測有無障礙物，且具有互不相同之偵測範圍；及 <br/>控制部，其控制上述高架搬送車； <br/>上述移載部包含有抓持上述物品之抓持部、使上述抓持部以沿著鉛直方向之旋轉軸為基軸旋轉之旋轉部、及使上述抓持部升降之升降部； <br/>上述控制部當利用上述移載部移載上述物品時，根據向上述裝載埠上進出之方向來控制上述旋轉部，以使按規定之朝向移載上述物品，並且使複數個上述感測器中根據相對於上述裝載埠之位置關係而對上述偵測範圍包含上述裝置之1個或複數個感測器不進行檢測處理。
如請求項1之高架搬送車，其中， <br/>上述升降部使上述旋轉部與上述抓持部一起升降， <br/>上述旋轉部僅使上述抓持部旋轉。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述旋轉部使上述抓持部旋轉，以使上述抓持部之圍繞上述旋轉軸的旋轉位置至少於第1位置、相對於上述第1位置相差+90°的第2位置、相對於上述第1位置相差-90°的第3位置之間切換。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述感測器至少將俯視時上述高架搬送車之行進方向的前方、後方及一側方的三個方向設為上述偵測範圍。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述移載部包含有調整部，該調整部使上述抓持部及上述旋轉部、並且使上述升降部一起以上述旋轉軸為基軸旋轉，來調整上述抓持部、上述旋轉部及上述升降部之圍繞上述旋轉軸的旋轉位置。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述控制部預先記憶有使用感測器資訊，該使用感測器資訊係將上述抓持部之圍繞上述旋轉軸的旋轉位置、與複數個上述感測器中使用之1個或複數個感測器建立關聯之資訊， <br/>上述控制部於利用上述移載部移載上述物品時，根據上述使用感測器資訊與上述抓持部之圍繞上述旋轉軸的旋轉位置，以決定要設為無效之1個或複數個上述感測器。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述軌道包含有通過軌道，該通過軌道通過上述裝置上，且沿著該裝載埠的前後方向通過該裝置所具有之上述裝載埠上。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述控制部於使複數個上述感測器中對偵測範圍包含上述裝置之1個或複數個感測器不進行檢測處理時，以不射出檢測波之方式進行控制。
如請求項1或2之高架搬送車，其中， <br/>上述控制部於自上述裝載埠向上述抓持部移載上述物品時，控制上述旋轉部，以使上述物品相對於上述抓持部按規定之朝向被抓持。
一種像素單元，其包括： <br/>一光電感測器，其經組態以回應於入射光而光生影像電荷； <br/>一浮動擴散(FD)，其用於自該光電感測器接收該影像電荷； <br/>一轉移(TX)電晶體，其耦合於該FD與該光電感測器之間以將該影像電荷轉移至該FD； <br/>一第一重設(RST1)電晶體，其耦合於該FD與一電壓供應器之間； <br/>一電容器，其具有兩個端，該電容器之一第一端耦合至該FD； <br/>一雙浮動擴散(DFD)電晶體耦合於該電容器的該第一端及該FD之間；以及 <br/>一第二重設(RST2)電晶體，其耦合於該電容器之一第二端與該電壓供應器之間。
如請求項1之像素單元，其中該電容器之該第二端進一步耦合至一列驅動器。
如請求項2之像素單元，其中該電容器之該第二端經由一啟用(EN)電晶體選擇性地耦合至該列驅動器，且其中該EN電晶體及該RST2電晶體經組態使得該EN電晶體及該RST2電晶體從不同時活動。
如請求項1之像素單元，其中該RST2電晶體進一步耦合至一不同像素單元之另一電容器。
如請求項1之像素單元，其進一步包括： <br/>一源極隨耦器(SF)電晶體，其耦合至該電壓供應器且具有耦合至該FD之一閘極；及 <br/>一列選擇(RS)電晶體，其耦合至該SF電晶體及一位元線，其中該SF電晶體經耦合以回應於該FD中之該影像電荷而將一類比影像電荷資料信號輸出至該位元線。
如請求項1之像素單元，其中該電容器係一橫向溢出整合電容器(LOFIC)。
如請求項6之像素單元，其中該LOFIC係具有在二個金屬端之間的一絕緣體材料之一金屬-絕緣體-金屬(MIM)型。
如請求項1之像素單元，其中該像素單元係被包含在一像素陣列之像素單元之複數個列之一列中，且其中該RST2電晶體在同時讀取之該複數個列之間共用。
如請求項1之像素單元，其進一步包括將該光電感測器耦合至該電容器之該第一端之一電晶體，其中該電晶體包含連接至一參考電壓之一閘極。
如請求項1之像素單元，其中該RST1電晶體、該RST2電晶體及該DFD電晶體係經安置使得當該RST1電晶體、該RST2電晶體及該DFD電晶體同時處於一啟動狀態時，該電容器之該兩個端短路在一起。
如請求項2之像素單元，其中該電容器之該第二端經組態以透過該列驅動器被下拉。
如請求項11之像素單元，其中該電容器之該第二端經組態以透過該RST2電晶體被上拉。
如請求項7之像素單元，其中該絕緣體材料係一高κ型。
一種像素單元，其包括： <br/>一光電感測器，其經組態以回應於入射光而光生影像電荷； <br/>一浮動擴散(FD)，其用於自該光電感測器接收該影像電荷； <br/>一電容器，其具有兩個端，該電容器經組態以當由該光電感測器產生之該影像電荷超過一臨限值量時自該光電感測器接收一溢出電荷；以及 <br/>電路，其接收一或多個控制信號並回應於該一或多個控制信號而選擇性地形成連接該電容器之該兩個端之一電迴路， <br/>其中該電路包含： <br/>一第一重設(RST1)電晶體，其耦合於該FD與一電壓供應器之間； <br/>一第二重設(RST2)電晶體，其耦合於該電容器之一第一端與該電壓供應器之間；及 <br/>一雙浮動擴散(DFD)電晶體，其耦合於該FD與該電容器的一第二端之間。
如請求項14之像素單元，其中該RST2電晶體進一步耦合至一不同像素單元之另一電容器。
如請求項14之像素單元，其中該像素單元被包含在一像素陣列之像素單元之複數個列之一列中，且其中該RST2電晶體在同時讀取之該複數個列之一預定數量之列之間共用。
如請求項14之像素單元，其中該一或多個控制信號由耦合至該像素單元之控制電路產生，且其中，回應於該一或多個控制信號，該電路在該像素單元之一預充電操作及/或一電容器讀出操作期間之選擇時刻期間形成該電迴路。
如請求項17之像素單元，其中該像素單元選擇性地耦合至一列驅動器，且其中當該電路形成該電迴路時，該像素單元與該列驅動器解耦。
如請求項14之像素單元，其中該電容器耦合至一下拉列驅動器，但不耦合至一上拉列驅動器。
如請求項14之像素單元，其中該電容器係一橫向溢出整合電容器(LOFIC)。
如請求項14之像素單元，其進一步包括將該電容器之該兩個端之一端耦合至該光電感測器之一電晶體，其中該電晶體包含連接至一參考電壓之一閘極。
如請求項14之像素單元，其中該電容器之該第一端經組態以透過該RST2電晶體被上拉。
如請求項18之像素單元，其中該電容器之該兩個端之一端經組態以透過該列驅動器被下拉。
如請求項18之像素單元，其進一步包括一源極隨耦器電晶體，其具有耦合至該FD之一閘極。
如請求項14之像素單元，其進一步包括一轉移(TX)電晶體，其耦合於該FD與該光電感測器之間以將該影像電荷轉移至該FD。
一種成像系統，其包括： <br/>一列像素單元，其中該列之各像素單元包含： <br/>(a)一光電感測器，其經組態以回應於入射光而光生影像電荷； <br/>(b)一電容器，其具有兩個端，該電容器經組態以當自該光電感測器產生之該影像電荷超過一臨限值量時自該光電感測器接收一溢出電荷； <br/>(c)一第一重設(RST1)電晶體及一第二重設(RST2)電晶體，其中該RST1電晶體耦合於一浮動擴散(FD)與一電壓供應器之間，其中該RST2電晶體耦合於該電容器與該電壓供應器之間； <br/>(d)一雙浮動擴散(DFD)電晶體，其耦合於該FD及該電容器之間；及 <br/>控制電路，其耦合至該列像素單元，其中該控制電路經組態以產生一或多個控制信號以選擇性地引起該電容器之該兩個端之間的一電短路。
如請求項26之成像系統，其中該控制電路回應於接通該RST1電晶體及該RST2電晶體而選擇性地引起該電短路。
如請求項26之成像系統，其中該控制電路回應於接通該RST1電晶體、該RST2電晶體及該DFD電晶體而引起該電短路。
如請求項26之成像系統，其中該成像系統進一步包括一列驅動器，該列驅動器透過一啟用(EN)電晶體耦合至該列像素單元，且其中該控制電路經進一步組態以控制該RST2電晶體及該EN電晶體，使得當該EN電晶體接通時該RST2電晶體從不接通。
如請求項29之成像系統，其中該列驅動器係一下拉驅動器。
如請求項30之成像系統，其中一上拉列驅動器不耦合至該列像素單元之各像素單元之該電容器。
如請求項26之成像系統，其中該控制電路經組態以在一預充電階段及/或一電容器讀出階段期間選擇性地引起該電短路。
如請求項26之成像系統，其中該列之各像素單元進一步包含一轉移電晶體，其耦合於該FD與該光電感測器之間。
如請求項26之成像系統，其中該列之各像素單元進一步包含一源極隨耦器電晶體，其具有耦合至該FD之一閘極。
一種捲筒廚房紙，是對於將1層的基重為15.0～23.0g/m <sup>2</sup>的片材加以積層為2層且具有由壓紋加工產生的凹凸的廚房紙，進行捲繞後的捲筒廚房紙，其特徵在於： <br/>捲繞長度為22～32m(間距×撕取組數)，紙厚為1.5mm/5張～2.2mm/5張， <br/>壓紋為使各前述片材的凸部的頂部彼此相向的頂端對頂端的形態， <br/>捲取外面側的凹部的壓紋深度(D表面)與捲取內面側的凹部的壓紋深度(D背面)的比率(D表面/D背面)的值為1.2～1.7。
一種安裝裝置，其特徵在於包括：<br/>保持頭，具有保持電子零件的保持工具、以及對所述保持工具進行加熱的加熱工具；<br/>驅動機構，使所述保持頭向接近/遠離安裝對象的方向移動；<br/>空氣供給部，供給冷卻用空氣；<br/>多個罐，供所述冷卻用空氣填充；<br/>升壓部，對來自所述空氣供給部的所述冷卻用空氣進行升壓並填充至所述罐；<br/>切換部，對從哪一個所述罐向所述保持頭供給所述冷卻用空氣進行切換；以及<br/>控制裝置，通過控制所述驅動機構而使所述保持工具所保持的所述電子零件與所述安裝對象接觸，通過控制所述加熱工具而經由所述保持工具對所述電子零件進行加熱，通過控制所述切換部而從任一個所述罐向所述保持頭供給所述冷卻用空氣，所述控制裝置通過控制所述升壓部，而將所述冷卻用空氣填充至向所述保持頭供給所述冷卻用空氣的所述罐以外的所述罐。
如請求項1所述的安裝裝置，其特徵在於，各所述罐的容量為所述電子零件的一次安裝所需的所述冷卻用空氣的供給量以上的容量，且為安裝一個所述電子零件時完成填充的所述冷卻用空氣的容量。
如請求項1所述的安裝裝置，其特徵在於，所述控制裝置通過控制所述切換部，而在利用所述加熱工具進行加熱後、且在從所述罐向所述保持頭供給所述冷卻用空氣之前，從所述空氣供給部不經由所述罐向所述保持頭供給所述冷卻用空氣。
如請求項3所述的安裝裝置，其特徵在於，所述控制裝置通過控制所述切換部，而在從所述空氣供給部向所述保持頭不經由所述罐供給所述冷卻用空氣之後、且所述加熱工具的溫度成為規定的溫度時，從所述罐向所述保持頭供給所述冷卻用空氣。
如請求項3所述的安裝裝置，其特徵在於，所述控制裝置通過控制所述切換部，而在從所述空氣供給部向所述保持頭不經由所述罐供給所述冷卻用空氣之後、且經過規定的時間時，從所述罐供給所述冷卻用空氣。
如請求項1至請求項5中任一項所述的安裝裝置，其特徵在於，所述控制裝置通過控制所述切換部，而在每一次安裝所述電子零件時，對向所述保持頭供給所述冷卻用空氣的所述罐進行切換。
如請求項1至請求項5中任一項所述的安裝裝置，其特徵在於，具有對所述罐的壓力進行檢測的檢測部，<br/>所述控制裝置在由所述檢測部檢測到的壓力成為規定的閾值以下時，對向所述保持頭供給所述冷卻用空氣的所述罐進行切換。
一種安裝方法，其特徵在於包括：<br/>接觸步驟，驅動機構使保持工具所保持的電子零件與安裝對象接觸；<br/>加熱步驟，加熱工具經由所述保持工具對所述電子零件進行加熱；<br/>冷卻步驟，切換部從多個罐中對從空氣供給部供給的冷卻用空氣進行升壓後的任一個所述罐向具有所述保持工具及所述加熱工具的保持頭供給所述冷卻用空氣；以及<br/>升壓步驟，升壓部對所述冷卻用空氣進行升壓並填充至向所述保持頭供給所述冷卻用空氣的所述罐以外的所述罐。
如請求項8所述的安裝方法，其特徵在於包括：初期冷卻步驟，在所述加熱步驟之後、且所述冷卻步驟之前，將來自所述空氣供給部的所述冷卻用空氣不經由所述罐向所述保持頭供給。
一種曝光裝置，一邊相對於狹縫光掃描基板，一邊對所述基板上的多個拍攝區域進行掃描曝光，其特徵在於，該曝光裝置具備： <br/> 載置台，保持並移動所述基板； <br/> 遮光構件，被插拔於所述狹縫光的光路；以及 <br/> 控制部，基於驅動曲線控制所述載置台的驅動，並且控制所述遮光構件向所述狹縫光的光路的插拔， <br/> 所述驅動曲線所包含的曲線，是在所述掃描曝光的初期使所述載置台加速， <br/> 所述多個拍攝區域包含第1拍攝區域與第2拍攝區域， <br/> 所述控制部是， <br/> 在所述掃描曝光的初期從所述狹縫光的光路拔出所述遮光構件時，追隨所述驅動曲線中的所述載置台的加速地對所述遮光構件進行加速驅動，以防止所述狹縫光向所述拍攝區域的外側的照射， <br/> 在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，以比所述遮光構件的加速度追隨所述載置台的加速度時的追隨加速度大的加速度使所述遮光構件加速。
如請求項1所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述驅動曲線所包含的曲線，是在所述掃描曝光的末期使所述載置台減速， <br/> 所述控制部在所述掃描曝光的末期向所述狹縫光的光路插入所述遮光構件時，追隨所述驅動曲線中的所述載置台的減速地對所述遮光構件進行減速驅動，以防止所述狹縫光向所述拍攝區域的外側的照射。
如請求項2所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部以在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光的末期向所述狹縫光的光路插入所述遮光構件，在針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光的初期從所述狹縫光的光路拔出所述遮光構件的方式，控制所述遮光構件的驅動。
如請求項3所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，以所述遮光構件的停止期間比所述載置台的停止期間長的方式控制所述遮光構件的驅動。
如請求項1所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，在以比追隨所述載置台的減速度時的追隨減速度大的減速度使所述遮光構件減速而使所述遮光構件停止之後，以比所述遮光構件的加速度追隨所述載置台的加速度時的追隨加速度大的加速度使所述遮光構件加速。
如請求項3所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光的開始時所述遮光構件停止的情況下，以能夠追隨該掃描曝光的末期的所述載置台的減速地對所述遮光構件進行減速驅動的方式，控制所述遮光構件的驅動。
如請求項3所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部在針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光的初期從所述狹縫光的光路拔出了所述遮光構件的情況下，在該掃描曝光結束之前使所述遮光構件停止。
如請求項3所述的曝光裝置，其中還具備： <br/> 第2遮光構件，被插拔於所述狹縫光的光路， <br/> 所述控制部以在針對第1拍攝區域的所述掃描曝光的初期從所述狹縫光的光路拔出所述第2遮光構件，在針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光的末期向所述狹縫光的光路插入所述第2遮光構件的方式，控制所述第2遮光構件的驅動。
一種曝光裝置，一邊相對於狹縫光掃描基板，一邊對所述基板上的多個拍攝區域進行掃描曝光，其特徵在於，該曝光裝置具備： <br/> 載置台，保持並移動所述基板； <br/> 遮光構件，被插拔於所述狹縫光的光路；以及 <br/> 控制部，基於驅動曲線控制所述載置台的驅動，並且控制所述遮光構件向所述狹縫光的光路的插拔， <br/> 所述驅動曲線所包含的曲線，是被構成為在所述掃描曝光的末期使所述載置台減速， <br/> 所述多個拍攝區域包含第1拍攝區域與第2拍攝區域， <br/> 所述控制部是， <br/> 在所述掃描曝光的末期向所述狹縫光的光路插入所述遮光構件時，追隨所述驅動曲線中的所述載置台的減速地對所述遮光構件進行減速驅動，以防止所述狹縫光向所述拍攝區域的外側的照射， <br/> 在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，以比所述遮光構件的加速度追隨所述載置台的加速度時的追隨加速度大的加速度使所述遮光構件加速。
如請求項9所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述控制部在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，在以比追隨所述載置台的減速度時的追隨減速度大的減速度使所述遮光構件減速而使所述遮光構件停止之後，以比所述遮光構件的加速度追隨所述載置台的加速度時的追隨加速度大的加速度使所述遮光構件加速。
如請求項1～10中任一項所述的曝光裝置，其中， <br/> 所述驅動曲線中的至少所述掃描曝光中的區間，包含正弦波狀的曲線。
如請求項1～10中任一項所述的曝光裝置，其中還具備：生成部，使用來自光源的光生成所述狹縫光。
一種曝光方法，一邊相對於狹縫光掃描基板，一邊對所述基板上的多個拍攝區域進行掃描曝光，其特徵在於，該曝光方法包括： <br/> 驅動步驟，基於驅動曲線，驅動保持所述基板的載置台；以及 <br/> 控制步驟，與所述驅動步驟並行地控制遮光構件向所述狹縫光的光路的插拔， <br/> 所述驅動曲線所包含的曲線，是在所述掃描曝光的初期使所述載置台加速， <br/> 所述多個拍攝區域包含第1拍攝區域與第2拍攝區域， <br/> 在所述控制步驟中， <br/> 在所述掃描曝光的初期從所述狹縫光的光路拔出所述遮光構件時，追隨所述驅動曲線中的所述載置台的加速地對所述遮光構件進行加速驅動，以防止所述狹縫光向所述拍攝區域的外側的照射， <br/> 在針對所述第1拍攝區域的所述掃描曝光與針對所述第2拍攝區域的所述掃描曝光之間，以比所述遮光構件的加速度追隨所述載置台的加速度時的追隨加速度大的加速度使所述遮光構件加速。
一種物品的製造方法，其特徵在於，該物品的製造方法包括： <br/> 曝光步驟，使用如請求項13所述的曝光方法曝光基板； <br/> 加工步驟，對在所述曝光步驟中曝光後的所述基板進行加工；以及 <br/> 製造步驟，從在所述加工步驟中加工出的所述基板製造物品。
一種鎓鹽化合物，係由具有聚合性不飽和鍵與經至少1個碘原子取代之芳香族基介隔碳數2以上之碳鏈鍵結之結構的磺酸根陰離子、以及鋶陽離子或錪陽離子所構成，<br/> 且係以下式(1b’)表示；<br/><img align="absmiddle" height="161px" width="256px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，p為1～4之整數；q為0～3之整數；惟1≦q+p≦4；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子或甲基；<br/> R<sup>3</sup>為羥基、氟原子、胺基、磺酸基或碳數1～15之烴基，該烴基中之氫原子的一部分或全部，亦可被包含雜原子之基取代，該烴基中之-CH<sub>2</sub>-的一部分，亦可被-O-、-C(=O)-或-N(R<sup>N</sup>)-取代；R<sup>N</sup>為氫原子或碳數1～10之烴基，該烴基中之氫原子的一部分或全部，亦可被包含雜原子之基取代，該烴基中之-CH<sub>2</sub>-的一部分，亦可被-O-、-C(=O)-或-S(=O)<sub>2</sub>-取代；<br/> R<sup>4</sup>係氫原子或三氟甲基；<br/> X<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵或碳酸酯鍵，X<sup>2</sup>為單鍵、或醚鍵；<br/> L<sup>1</sup>為碳數2～15之伸烴基；<br/> Za<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項1之鎓鹽化合物，其中，Za<sup>+</sup>係以下式(Z-1)或(Z-2)表示之陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="122px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>5</sup>、R<sup>6</sup>及R<sup>7</sup>各自獨立地為鹵素原子、羥基或碳數1～15之烴基，該烴基中之氫原子的一部分或全部，亦可被包含雜原子之基取代，該烴基中之-CH<sub>2</sub>-的一部分，亦可被-O-、-C(=O)-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)<sub>2</sub>-或-N(R<sup>N</sup>)-取代；<br/> L<sup>3</sup>為單鍵、-CH<sub>2</sub>-、-O-、-C(=O)-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)<sub>2</sub>-或-N(R<sup>N</sup>)-；<br/> R<sup>N</sup>為氫原子或碳數1～10之烴基，該烴基中之氫原子的一部分或全部，亦可被包含雜原子之基取代，該烴基中之-CH<sub>2</sub>-的一部分亦可被-O-、-C(=O)-或-S(=O)<sub>2</sub>-取代；<br/> x、y及z各自獨立地為0～5之整數；x為2以上時，各個R<sup>5</sup>可互相相同亦可相異，2個R<sup>5</sup>亦可互相鍵結而與它們鍵結之苯環上的碳原子一起形成環，y為2以上時，各個R<sup>6</sup>可互相相同亦可相異，2個R<sup>6</sup>亦可互相鍵結而與它們鍵結之苯環上的碳原子一起形成環；z為2以上時，各個R<sup>7</sup>可互相相同亦可相異，2個R<sup>7</sup>亦可互相鍵結而與它們鍵結之苯環上的碳原子一起形成環。
一種聚合物，包含來自如請求項1或2之鎓鹽化合物的重複單元。
一種阻劑組成物，包含含有如請求項3之聚合物的基礎聚合物以及有機溶劑。
如請求項4之阻劑組成物，其中，該聚合物更包含下式(b1)或(b2)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="65px" width="94px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>係與前述相同；<br/> Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或包含選自於酯鍵及內酯環中之至少1種之碳數1～12的連接基；<br/> Y<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵；<br/> Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵；<br/> R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>各自獨立地為酸不穩定基；<br/> R<sup>13</sup>為氟原子、三氟甲基、氰基或碳數1～6之飽和烴基；<br/> R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1～6之烷二基，該烷二基之-CH<sub>2</sub>-的一部分亦可被醚鍵或酯鍵取代；<br/> a為1或2；b為0～4之整數；惟1≦a+b≦5。
如請求項4之阻劑組成物，其中，該聚合物更包含下式(c)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="55px" width="92px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>係與前述相同；<br/> Z<sup>1</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵或碳酸酯鍵；<br/> R<sup>31</sup>為氟原子、碘原子或碳數1～10之烴基，該烴基中之-CH<sub>2</sub>-的一部分，亦可被-O-或-C(=O)-取代；<br/> R<sup>32</sup>為單鍵或碳數1～15之伸烴基；<br/> f為滿足0≦f≦5+2h-g之整數；g為1～3之整數；h為0～2之整數。
如請求項4之阻劑組成物，更包含淬滅劑。
如請求項4之阻劑組成物，更包含光酸產生劑。
如請求項4之阻劑組成物，更包含界面活性劑。
一種圖案形成方法，包括下列步驟：<br/> 使用如請求項4之阻劑組成物在基板上形成阻劑膜，<br/> 以高能射線對該阻劑膜進行曝光，<br/> 對該曝光後之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項10之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種滑動式等速萬向接頭，包含：外側接頭構件，在圓筒狀內周面沿著軸向形成有直線狀的多個軌道槽；內側接頭構件，在球狀外周面沿著軸向形成有與所述外側接頭構件的直線狀的多個軌道槽相向的直線狀的多個軌道槽；多個扭矩傳遞球，被裝入所述外側接頭構件的直線狀的多個軌道槽與所述內側接頭構件的直線狀的多個軌道槽間；以及球籠，將所述扭矩傳遞球收容至袋體內，且具有受所述外側接頭構件的圓筒狀內周面與所述內側接頭構件的球狀外周面接觸導引的球狀外周面與球狀內周面，所述球籠的球狀外周面的曲率中心與球狀內周面的曲率中心相對於接頭中心朝軸向的相反側偏置，所述滑動式等速萬向接頭的特徵在於， <br/>將相對於所述外側接頭構件的軌道槽的接頭軸向的滑動範圍中央部而朝裏側為10 mm至朝開口側為10 mm的範圍設為中央範圍，在所述中央範圍，形成所述外側接頭構件的軌道槽的節圓直徑成為最小的部位， <br/>將所述中央範圍內的軌道槽的節圓直徑間隙的最小值設為0.010 mm～0.100 mm，並且 <br/>將所述中央範圍內的所述外側接頭構件的軌道槽的節圓直徑相互差設為0.150 mm以下。
如請求項1所述的滑動式等速萬向接頭，其中 <br/>將除了所述中央範圍以外的區域內的各軌道槽的節圓直徑相互差設為0.170 mm以下。
如請求項1或請求項2所述的滑動式等速萬向接頭，其中 <br/>所述軌道槽為利用塑性加工而成形的表面。
如請求項1或請求項2所述的滑動式等速萬向接頭，其中 <br/>所述外側接頭構件的軌道槽和所述內側接頭構件的軌道槽的各者與所述扭矩傳遞球設為斜角接觸。
如請求項1或請求項2所述的滑動式等速萬向接頭，其中 <br/>將所述多個扭矩傳遞球的個數設為六個至八個。
一種淋巴系統檢查裝置，其具備： <br/>本體部，其具有供淋巴系統中注入有螢光色素之受試者站立之載置部，使上述受試者之下半身位於上述載置部上之攝像區域； <br/>照明部，其對上述下半身照射激發光；及 <br/>攝像部，其檢測根據上述激發光之照射自上述下半身發出之螢光；且 <br/>上述照明部及上述攝像部相對於上述攝像區域配置於第1水平方向之一側， <br/>上述照明部具有於與上述第1水平方向垂直之第2水平方向上以互相分開之狀態排列之第1發光區域及第2發光區域， <br/>上述第1發光區域及上述第2發光區域之各者以與上述攝像區域對向之狀態於鉛直方向延伸， <br/>上述攝像部介隔上述第1發光區域與上述第2發光區域間之區域與上述攝像區域對向。
如請求項1之淋巴系統檢查裝置，其中上述攝像部於自上述第1水平方向觀察之情形時，位於上述攝像區域之中心。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其中上述照明部於上述第1水平方向上，位於上述攝像區域與上述攝像部之間。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其中上述第1發光區域包含複數個第1發光部分， <br/>上述第2發光區域包含複數個第2發光部分， <br/>上述照明部具有調整複數個第1發光部分之各者之發光強度及複數個第2發光部分之各者之發光強度的功能。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其中上述第1發光區域及上述第2發光區域以於上述第1水平方向上愈靠近上述攝像區域，於上述第2水平方向上愈互相遠離之方式配置。
一種淋巴系統檢查裝置，其具備： <br/>本體部，其具有供淋巴系統中注入有螢光色素之受試者站立之載置部，使上述受試者之下半身位於上述載置部上之攝像區域； <br/>照明部，其對上述下半身照射激發光；及 <br/>攝像部，其檢測根據上述激發光之照射自上述下半身發出之螢光； <br/>上述照明部及上述攝像部相對於上述攝像區域配置於第1水平方向之一側， <br/>上述本體部進而具有規制部， <br/>上述規制部沿上述攝像區域之上端部配置，規制上述受試者向上述第1水平方向之上述一側移動。
如請求項1之淋巴系統檢查裝置，其進而具備：亮度校正用之第1板，其配置於在與上述第1水平方向垂直之第2水平方向延伸之上述規制部之上述攝像部側之表面。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其進而具備：量尺，其配置於在與上述第1水平方向垂直之第2水平方向延伸之上述規制部之上述攝像部側之表面。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其進而具備可相對於上述本體部裝卸之亮度校正用之第2板， <br/>上述第2板以自上述攝像部之相反側與上述規制部接觸之狀態下位於上述攝像區域之方式配置於上述本體部。
如請求項1或2之淋巴系統檢查裝置，其進而具備：距離感測器，其相對於上述攝像區域配置於上述第1水平方向之上述一側，測定至位於上述攝像區域之上述下半身之距離。
一種半導體裝置的製造裝置，是自具有UV自剝離黏著層的切割膠帶拾取晶片並將其接合於接合對象來製造半導體裝置的製造裝置，<br/>所述半導體裝置的製造裝置的特徵在於，包括：<br/>晶圓保持部，對被黏著保持於所述切割膠帶的表面的一個以上的所述晶片連同所述切割膠帶一起進行保持；<br/>拾取頭，自所述一個以上的晶片中拾取作為拾取對象的晶片即對象晶片；<br/>能量照射部，自所述切割膠帶的背面側朝向所述對象晶片照射UV光即能量，以使所述切割膠帶的黏著力降低；<br/>溫度感測器，檢測所述能量的照射區域中的溫度；以及<br/>控制器，<br/>所述控制器基於所述溫度感測器中的檢測溫度，對所述能量照射部的驅動進行控制。
如請求項1所述的半導體裝置的製造裝置，其中，<br/>所述控制器對所述能量的強度進行回饋控制，以使所述檢測溫度成為規定的目標溫度，<br/>所述目標溫度低於所述晶片及所述切割膠帶各自的耐熱溫度。
如請求項1所述的半導體裝置的製造裝置，其中，<br/>所述控制器在所述檢測溫度到達規定的目標溫度後，為了抑制溫度上升而降低所述能量的照射強度的狀態，所述檢測溫度急遽上升情況下，判斷為所述對象晶片已自所述切割膠帶剝離，並使所述能量照射部更降低能量的照射強度，同時使所述拾取頭拾取對象晶片。
如請求項1所述的半導體裝置的製造裝置，其中，<br/>所述能量照射部包括多個光源，<br/>所述溫度感測器針對將所述對象晶片加以分區而得的每個照射區域進行溫度檢測，<br/>所述控制器基於與所述照射區域對應的溫度，對所述多個光源相互獨立地進行控制。
一種半導體裝置的製造方法，是自具有UV自剝離黏著層的切割膠帶拾取晶片並將其接合於接合對象以製造半導體裝置的製造方法，<br/>所述半導體裝置的製造方法的特徵在於，所述方法為：<br/>在所述晶片被黏著保持於切割膠帶的表面的狀態下，自所述切割膠帶的背面側朝向作為拾取對象的晶片即對象晶片照射UV光即能量，以降低所述切割膠帶的黏著力，<br/>在隨著所述能量的照射而所述切割膠帶的黏著層的黏著力降低後，利用拾取頭拾取所述對象晶片，<br/>進而，<br/>與所述能量的照射並行地檢測所述照射區域中的溫度，<br/>基於檢測出的溫度，對能量的照射強度進行調整。
一種纖維機械，係具備有對沿著既定的絲線通道行進的絲線賦予油劑的供油裝置， <br/> 該供油裝置具備： <br/> 支架，安裝於機體； <br/> 供油導件，具有吐出油劑的吐出口、以及在與絲線行進的絲線行進方向正交的方向上分別配置在吐出口的兩側並引導絲線的一對導絲構件，並且能夠相對於上述支架裝卸； <br/> 固定構件，將上述供油導件固定於上述支架；以及 <br/> 密封件，配置在上述支架與上述供油導件之間， <br/> 在上述供油導件和上述支架的任一個設置有筒狀的流路部，在該流路部的內部形成有使油劑朝向上述吐出口流動的油劑流路， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的與設置有上述流路部的一方不同的另一方設置有筒狀的覆蓋部，該覆蓋部是與上述流路部配置在同軸上且能夠覆蓋上述流路部的外周面， <br/> 在上述支架設置有能夠與上述固定構件接觸的第1接觸面， <br/> 在上述供油導件設置有能夠與上述固定構件接觸的第2接觸面， <br/> 上述第1接觸面是藉由與上述固定構件接觸而固定上述固定構件在上述流路部的周向上的位置的面， <br/> 上述第2接觸面是與藉由上述第1接觸面而使上述周向上的位置被固定的狀態的上述固定構件接觸，藉此固定上述供油導件在上述周向上的位置的面。
如請求項1所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架的任一個設置有在上述流路部的延伸方向上凹陷的凹部， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的與設置有上述凹部的一方不同的另一方設置有能夠嵌入上述凹部的突起。
如請求項1所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述第1接觸面和上述第2接觸面中，設置在上述供油導件和上述支架中的設置有上述流路部的一方的流路部側接觸面，在與上述流路部的延伸方向正交的正交方向上，隔著上述油劑流路分別配置在上述油劑流路的兩側。
如請求項2所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述第1接觸面和上述第2接觸面中，設置在上述供油導件和上述支架中的設置有上述流路部的一方的流路部側接觸面，在與上述流路部的延伸方向正交的正交方向上，隔著上述油劑流路分別配置在上述油劑流路的兩側。
如請求項1所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面設置有至少兩個， <br/> 上述至少兩個第1接觸面從上述周向的兩側夾持上述固定構件。
如請求項2所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面設置有至少兩個， <br/> 上述至少兩個第1接觸面從上述周向的兩側夾持上述固定構件。
如請求項1所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第2接觸面設置有至少兩個， <br/> 上述至少兩個第2接觸面從上述周向的兩側夾持上述固定構件。
如請求項2所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第2接觸面設置有至少兩個， <br/> 上述至少兩個第2接觸面從上述周向的兩側夾持上述固定構件。
如請求項1所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項2所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項3所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項4所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項5所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項6所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項7所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項8所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面形成於上述流路部和上述覆蓋部的任一個， <br/> 上述第2接觸面形成在上述流路部和上述覆蓋部中的與形成有上述第1接觸面的一方不同的另一方， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面能夠配置在同一平面上， <br/> 上述固定構件具有與配置在同一平面上的上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的平面。
如請求項9所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項10所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項11所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項12所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項13所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項14所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項15所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項16所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述供油導件和上述支架中的設置有上述覆蓋部的一方設置有連接部，在該連接部形成有與上述油劑流路的一端部連接的連接流路， <br/> 在上述覆蓋部設置有第1正交面，該第1正交面是與上述流路部的延伸方向正交的面並朝向上述連接部側， <br/> 在上述流路部設置有第2正交面，該第2正交面是與上述延伸方向正交的面並朝向與上述連接部相反的一側， <br/> 上述密封件配置在上述流路部中的使上述油劑流路的上述一端部開口的端面與上述連接部中的使上述連接流路開口的連接面之間，能夠向使上述第1正交面與上述第2正交面接近的方向對上述供油導件施力， <br/> 當上述固定構件的上述平面與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸時，藉由上述第1正交面和上述第2正交面在上述延伸方向上夾持上述固定構件。
如請求項9所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項10所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項11所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項12所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項13所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項14所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項15所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項16所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述支架設置有兩個第3正交面，上述兩個第3正交面是分別設置在上述第1接觸面中的上述流路部的延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 在上述供油導件設置有兩個第4正交面，上述兩個第4正交面是分別設置在上述第2接觸面中的上述延伸方向的兩端部並與上述延伸方向正交的面，且在上述延伸方向上對置， <br/> 上述兩個第3正交面間的距離、上述兩個第4正交面間的距離以及上述固定構件的上述延伸方向上的長度均相等。
如請求項25所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項26所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項27所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項28所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項29所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項30所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項31所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項32所述的纖維機械，其中， <br/> 在上述覆蓋部的內側面形成有溝槽， <br/> 上述密封件配置於上述溝槽。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 能夠在與上述流路部的延伸方向正交的正交方向上在上述覆蓋部的中心軸的一側配置上述第1接觸面和上述第2接觸面中的至少一方，且在上述正交方向上在上述中心軸的另一側配置上述第1接觸面和上述第2接觸面中的至少一方， <br/> 上述固定構件是由具有彈力的材料形成，藉由與在上述正交方向上配置在上述中心軸的兩側的上述第1接觸面和上述第2接觸面中的至少一方分別接觸，利用彈力從上述正交方向的兩側夾持上述流路部。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 上述固定構件是由形成有與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的部分的第1部分、以及與上述第1部分相鄰的第2部分構成，且形成有橫跨上述第1部分與上述第2部分的開口， <br/> 上述開口中的形成於上述第2部分的部分比上述覆蓋部的外形大， <br/> 上述固定構件能夠處於：上述覆蓋部插穿於上述開口中的形成於上述第1部分的部分而與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的第1位置、以及上述覆蓋部插穿於上述開口中的形成於上述第2部分的部分而不與上述第1接觸面和上述第2接觸面接觸的第2位置。
如請求項42所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1位置在鉛垂方向上比上述第2位置靠下側。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 上述第1接觸面和上述第2接觸面是平面。
如請求項44所述的纖維機械，其中， <br/> 上述供油導件為陶瓷製。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 上述密封件為環狀。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 上述供油裝置對在假撚加工機中行進的絲線賦予油劑。
如請求項1至40中任一項所述的纖維機械，其中， <br/> 上述供油裝置進一步具備：在上述絲線行進方向上分離的兩個絲線限制導絲器， <br/> 上述支架位於上述兩個絲線限制導絲器之間。
一種結構，其包含：<br/>一半導體基材；<br/>一第一晶粒的一第一前段製程(FEOL)晶粒區域，該第一前段製程(FEOL)晶粒區域經圖案化至該半導體基材中；<br/>一第二晶粒的一第二FEOL晶粒區域，該第二FEOL晶粒區域經圖案化至該半導體基材中；及<br/>一後段製程(BEOL)增層(build-up)結構，其包括：<br/>一第一金屬密封件，其環繞該第一FEOL晶粒區域，<br/>一第二金屬密封件，其環繞該第二FEOL晶粒區域，<br/>一或多個鈍化層，其跨越該第一FEOL晶粒區域、該第二FEOL晶粒區域、該第一金屬密封件及該第二金屬密封件，以在該第一晶粒區域上提供一第一密封盒結構且在該第二晶粒區域上提供一第二密封盒結構；及<br/>一光通訊路徑，其跨越該第一密封盒結構及該第二密封盒結構以將該第一晶粒區域連接至該第二晶粒區域。
如請求項1之結構，其中該光通訊路徑包含一波導。
如請求項2之結構，其中該光通訊路徑包含一光子打線接合。
如請求項1之結構，其進一步包含在該第一密封盒結構內的該BEOL增層結構中的一電磁場通訊接收器。
如請求項4之結構，其進一步包含在該第二密封盒結構內的該BEOL增層結構中的一電磁場通訊收發器。
如請求項4之結構，其進一步包含：<br/>一第二電磁場通訊接收器，其位於該一或多個鈍化層正上方且該電磁場通訊收發器位於該第一密封盒結構內；<br/>一第二電磁場通訊收發器，其位於該一或多個鈍化層正上方且該電磁場通訊接收器位於該第二密封盒結構內；<br/>其中該光通訊路徑耦接於該第二電磁場通訊接收器與該第二電磁場通訊收發器之間。
如請求項4之結構，其進一步包含光學通孔，以便通過該一或多個鈍化層進行垂直光子通訊。
如請求項4之結構，其中該光通訊路徑進一步包含小平面反射鏡(faceted mirrors)。
如請求項4之結構，其進一步包含沿著該光通訊路徑的一或多個中繼器(repeaters)。
如請求項4之結構，其中該電磁場通訊收發器為一光學收發器，且該電磁場通訊接收器為一光學接收器。
如請求項4之結構，其中該電磁場通訊收發器包含一第一線圈或第一電容器板，且該電磁場通訊接收器包含一第二線圈或第二電容器板。
一種結構，其包含：<br/>一半導體基材；<br/>一第一晶粒的一第一前段製程(FEOL)晶粒區域，該第一前段製程(FEOL)晶粒區域經圖案化至該半導體基材中；<br/>一第二晶粒的一第二FEOL晶粒區域，該第二FEOL晶粒區域經圖案化至該半導體基材中；及<br/>一後段製程(BEOL)增層(build-up)結構，其包括：<br/>一第一金屬密封件，其環繞該第一FEOL晶粒區域，<br/>一第二金屬密封件，其環繞該第二FEOL晶粒區域，<br/>一或多個波導，其蜿蜒通過(meander through)該第一金屬密封件與該第二金屬密封件。
如請求項12之結構，其進一步包含在該第一金屬密封件內的該BEOL增層結構中的一光學收發器。
如請求項13之結構，其進一步包含在該第二金屬密封件內的該BEOL增層結構中的一光學接收器。
如請求項13之結構，其進一步包含沿著該第一金屬密封件與該第二金屬密封件之間的該波導的一或多個中繼器。
如請求項12之結構，其進一步包含：<br/>位於該第一金屬密封件的橫向相對側上的一第一光學收發器及一第一光學接收器；及<br/>位於該第二金屬密封件的橫向相對側上的一第二光學收發器及一第二光學接收器。
一種用於局部注射的脂質奈米顆粒，其包括如下莫耳百分比的組分：可電離脂質35mol%-65mol%；結構性脂質30mol%-60mol%；永久性陽離子脂質1mol%-25mol%；聚合物共軛脂質0.5mol%-3mol%；其中，所述脂質奈米顆粒在注射部位發揮作用；所述局部注射的部位為肌肉；所述結構性脂質為類固醇；所述聚合物共軛脂質為PEG脂質；所述永久性陽離子脂質含有季銨結構；所述永久性陽離子脂質選自式(I)化合物的藥學上可接受的鹽或式(II)化合物的藥學上可接受的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="124px" width="299px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>其中，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>獨立地選自C<sub>6-30</sub>烷基、C<sub>6-30</sub>烯基或C<sub>6-30</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-30</sub>烷基、C<sub>1-30</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-30</sub>烷基、-S-C<sub>1-30</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-30</sub>烷基和-N(C<sub>1-30</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>和R<sub>15</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；或者他們中任兩個以及他們連接的N原子一起形成4-8元雜環；n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>獨立地選自0或1；<figure><img align="absmiddle" height="135px" width="393px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>其中，R<sub>21</sub>和R<sub>22</sub>獨立地選自C<sub>6-30</sub>烷基、C<sub>6-30</sub>烯基或C<sub>6-30</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-30</sub>烷基、C<sub>1-30</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-30</sub>烷基、-S-C<sub>1-30</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-30</sub>烷基和-N(C<sub>1-30</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>23</sub>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基，其任選地被1、2或3個R<sub>23s</sub>取代；R<sub>23s</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、-OC(O)R<sub>2a</sub>或-C(O)OR<sub>2a</sub>；R<sub>2a</sub>獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基；R<sub>24</sub>、R<sub>25</sub>和R<sub>26</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；或者他們中任兩個以及他們連接的N原子一起形成4-8元雜環。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，包括任選地中性磷脂。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，式(I)化合物中，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>獨立地選自C<sub>10-25</sub>烷基、C<sub>10-25</sub>烯基或C<sub>10-25</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-25</sub>烷基、C<sub>1-25</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-25</sub>烷基、-S-C<sub>1-25</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-25</sub>烷基和-N(C<sub>1-25</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>和R<sub>15</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；或者他們中任兩個以及他們連接的N原子一起形成5-6元雜環；n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>獨立地選自0或1。
如請求項3所述的脂質奈米顆粒，其中，式(I)化合物中，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>獨立地選自C<sub>13-20</sub>烷基、C<sub>13-20</sub>烯基或C<sub>13-20</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>1-20</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-20</sub>烷基、-S-C<sub>1-20</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-20</sub>烷基和-N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>和R<sub>15</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>獨立地選自0或1。
如請求項3所述的脂質奈米顆粒，其中，式(I)化合物中，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>獨立地選自C<sub>15-18</sub>烷基、C<sub>15-18</sub>烯基或C<sub>15-18</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-18</sub>烷基、C<sub>1-18</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-18</sub>烷基、-S-C<sub>1-18</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-18</sub>烷基和-N(C<sub>1-18</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>和R<sub>15</sub>獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基；n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>獨立地選自0或1。
如請求項3所述的脂質奈米顆粒，其中，式(I)化合物中，R<sub>11</sub>和R<sub>12</sub>獨立地選自C<sub>17-18</sub>烷基、C<sub>17-18</sub>烯基或C<sub>17-18</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-18</sub>烷基、C<sub>1-18</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-18</sub>烷基、-S-C<sub>1-18</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-18</sub>烷基和-N(C<sub>1-18</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>和R<sub>15</sub>為Me；n<sub>1</sub>和n<sub>2</sub>獨立地選自0或1。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，式(II)化合物中，R<sub>21</sub>和R<sub>22</sub>獨立地選自C<sub>10-25</sub>烷基、C<sub>10-25</sub>烯基或C<sub>10-25</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-25</sub>烷基、C<sub>1-25</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-25</sub>烷基、-S-C<sub>1-25</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-25</sub>烷基和-N(C<sub>1-25</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>23</sub>選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基，其任選地被1、2或3個R<sub>23s</sub>取代；R<sub>23s</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、-OC(O)R<sub>2a</sub>或-C(O)OR<sub>2a</sub>；R<sub>2a</sub>獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基；R<sub>24</sub>、R<sub>25</sub>和R<sub>26</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；或者他們中任兩個以及他們連接的N原子一起形成5-6元雜環。
如請求項7所述的脂質奈米顆粒，其中，式(II)化合物中，R<sub>21</sub>和R<sub>22</sub>獨立地選自C<sub>13-20</sub>烷基、C<sub>13-20</sub>烯基或C<sub>13-20</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>1-20</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-20</sub>烷基、-S-C<sub>1-20</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-20</sub>烷基和-N(C<sub>1-20</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>23</sub>選自C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基，其任選地被1、2或3個R<sub>23s</sub>取代；R<sub>23s</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、-OC(O)R<sub>2a</sub>或-C(O)OR<sub>2a</sub>；R<sub>2a</sub>獨立地選自H、C<sub>1-6</sub>烷基或C<sub>1-6</sub>鹵代烷基；R<sub>24</sub>、R<sub>25</sub>和R<sub>26</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基、C<sub>2-6</sub>烯基或C<sub>2-6</sub>炔基；或者他們中任兩個以及他們連接的N原子一起形成5-6元雜環。
如請求項7所述的脂質奈米顆粒，其中，式(II)化合物中，R<sub>21</sub>和R<sub>22</sub>獨立地選自C<sub>13-17</sub>烷基、C<sub>13-17</sub>烯基或C<sub>13-17</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-17</sub>烷基、C<sub>1-17</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-17</sub>烷基、-S-C<sub>1-17</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-17</sub>烷基和-N(C<sub>1-17</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>23</sub>為C<sub>1-6</sub>烷基，其任選地被1、2或3個R<sub>23s</sub>取代；R<sub>23s</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>鹵代烷基或-C(O)OR<sub>2a</sub>；R<sub>2a</sub>獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基；R<sub>24</sub>、R<sub>25</sub>和R<sub>26</sub>獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項7所述的脂質奈米顆粒，其中，式(II)化合物中，R<sub>21</sub>和R<sub>22</sub>獨立地選自C<sub>13-17</sub>烷基、C<sub>13-17</sub>烯基或C<sub>13-17</sub>炔基，其任選地被1、2、3、4或5個選自如下的取代基取代：-OH、鹵素、氰基、C<sub>1-17</sub>烷基、C<sub>1-17</sub>鹵代烷基、-O-C<sub>1-17</sub>烷基、-S-C<sub>1-17</sub>烷基、胺基、-NH-C<sub>1-17</sub>烷基和-N(C<sub>1-17</sub>烷基)<sub>2</sub>；R<sub>23</sub>為Me或Et，其任選地被1、2或3個R<sub>23s</sub>取代；R<sub>23s</sub>獨立地選自C<sub>1-6</sub>烷基或-C(O)OR<sub>2a</sub>；R<sub>2a</sub>為Et；R<sub>24</sub>、R<sub>25</sub>和R<sub>26</sub>為Me。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，所述永久性陽離子脂質選自如下化合物的藥學上可接受的鹽：<figure><img align="absmiddle" height="702px" width="689px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，所述永久性陽離子脂質選自以下一種或多種：氯化N-[1-(2,3-二油基氧基)丙基]-N,N,N-三甲基銨(DOTMA)、氯化N-[1-(2,3-二油醯基氧基)丙基]-N,N,N-三甲基銨(DOTAP)、乙基磷脂醯膽鹼(EPC)及其衍生物、N1-[2-((1S)-1-[(3-胺基丙基)胺基]-4-[二(3-胺基-丙基)胺基]丁基甲醯胺基)乙基]-3,4-二[油基氧基]-苯甲醯胺(MVL5)、雙十八烷基醯胺基-甘氨醯基精四胺(DOGS)、3b-[N-(N<i>'</i>,N<i>'</i>-二甲基胺基乙基)氨甲醯基]膽固醇(DC-Chol)和溴化雙十八烷基二甲基銨(DDAB)中的一種或多種。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，所述永久性陽離子脂質選自氯化N-[1-(2,3-二油基氧基)丙基]-N,N,N三甲基銨(DOTMA)、氯化N-[1-(2,3-二油醯基氧基)丙基]-N,N,N-三甲基銨(DOTAP)或乙基磷脂醯膽鹼(EPC)及其衍生物中的一種或多種。
如請求項1所述的脂質奈米顆粒，其中，所述永久性陽離子脂質為乙基磷脂醯膽鹼(EPC)和/或氯化N-[1-(2,3-二油醯基氧基)丙基]-N,N,N-三甲基銨(DOTAP)。
一種脂質奈米顆粒，其包括如下莫耳百分比的組分：可電離脂質35mol%-65mol%；結構性脂質30mol%-60mol%；永久性陽離子脂質1mol%-25mol%；聚合物共軛脂質0.5mol%-3mol%；並且不含中性磷脂；其中，所述結構性脂質為類固醇；所述聚合物共軛脂質為PEG脂質；所述永久性陽離子脂質如請求項1、3至14中任一項所述。
如請求項1至15中任一項所述的脂質奈米顆粒，其包括如下莫耳百分比的組分：可電離脂質40mol%-50mol%；結構性脂質38.5mol%-53.5mol%；永久性陽離子脂質2.5mol%-20mol%；聚合物共軛脂質1.5mol%-2mol%。
如請求項16所述的脂質奈米顆粒，其中，所述永久性陽離子脂質含量為10mol%-20mol%；所述結構性脂質脂質含量為38.5mol%-48.5mol%。
一種脂質奈米顆粒組合物，其包括請求項1至17中任一項的脂質奈米顆粒和荷載，所述荷載為核酸。
一種藥物組合物，其包括如請求項18的脂質奈米顆粒組合物，以及藥物上可接受的輔料。
一種如請求項18所述的脂質奈米顆粒組合物，或如請求項19所述的藥物組合物在製備遞送荷載的藥物中的用途，所述荷載為核酸。
如請求項20所述的用途，其中，是在製備在肌肉中遞送荷載的藥物中的用途。
一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層所含之氟樹脂為可熔融加工之氟樹脂，並且特徵在於： <br/>上述氟樹脂之熔體流動速率（MFR）為10～80 g/10分鐘； <br/>在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之平均縱橫比為1.9以下。
一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層所含之氟樹脂為可熔融加工之氟樹脂，並且特徵在於： <br/>上述氟樹脂之熔體流動速率（MFR）為10～80 g/10分鐘； <br/>在與長度方向平行之截面觀察中，縱橫比為3以上之氣泡之存在比率相對於在與長度方向平行之截面觀察中所測得之氣泡總量為13%以下。
一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層所含之氟樹脂為可熔融加工之氟樹脂，並且特徵在於： <br/>上述氟樹脂之熔體流動速率（MFR）為10～80 g/10分鐘； <br/>在與長度方向平行之截面觀察中，氣泡之縱橫比之標準偏差為1.3以下。
一種發泡電線，其具有芯線及被覆於上述芯線之氟樹脂層或氟樹脂組成物層，且上述氟樹脂層或上述氟樹脂組成物層具有氣泡，並且特徵在於： <br/>發泡率為35%以上且未達80%，表面粗糙度為9.0 μm以下。
如請求項1至4中任一項之發泡電線，其中，在與長度方向垂直之截面觀察中，氣泡之平均泡徑為40 μm以下。
一種漏電流阻擋結構的製造方法，包含： <br/>形成一第一導電性類型的一第一井在一第二導電性類型的一第二井中，該第一井接觸一淺溝槽隔離（STI）結構的一側壁； <br/>沉積一保護結構重疊該第一井以及該STI結構的一上表面；以及 <br/>形成一第一矽化物在該第一井以及該第二井之上，該第一矽化物對應至一肖特基能障二極體（SBD）的一第一接點，該第一矽化物被該保護結構而與該STI結構分開。
如請求項1的方法，進一步包含： <br/>先於沉積該保護結構，沉積一蓋結構在該STI結構的一部分之上，該保護結構延伸在至少該蓋結構、該STI結構、以及該第一井的一部分之上； <br/>運作該SBD在一反向偏壓狀況中，藉由該保護結構抑制電流流動；以及 <br/>形成一埋層在該第二井下方，該埋層植入有該第二導電性類型。
如請求項1的方法，進一步包含： <br/>形成一第三井在該第一井的一上表面，該第三井較該第一井具有一較高的摻雜物雜質濃度，其中該第三井具有該第二導電性類型，其中該第三井具有被該第一井所圍繞的側壁；以及 <br/>運作該SBD在一反向偏壓狀況中，該三井抑制電流通過該第一井流至該第二井。
如請求項1的方法，進一步包含： <br/>形成一第四井在該第二井中，在從該第一井對向於該STI結構的一側，該第四井具有該第二導電性類型；以及 <br/>形成一第二矽化物在該第四井之上，該第二矽化物對應該SBD的一第二接點。
如請求項1的方法，其中該第一矽化物具有一寬度其係少於在該STI結構的一第一部分以及該STI結構的一第二部分之間的一距離，該第二部分相較該第一部分在該第一矽化物的一對向的側。
一種肖特基能障二極體（SBD）裝置，包含： <br/>一第一導電性類型的一第一井設置在一第二導電性類型的一深井中，該第一井設置在一淺溝槽隔離（STI）區域的二對面的部分之間； <br/>該第一導電性類型的一第二井設置在該深井中，該第二井平行於該第一井，該第二井接觸該STI區域； <br/>該第一導電性類型的一第一高劑量井設置在該第一井的一上表面，該第一高劑量井比該第一井具有一較高的該第一導電性類型的雜質的濃度； <br/>一第二高劑量井設置在該第二井的一上表面； <br/>該第二導電性類型的一第三井設置在該STI區域外部並且在該深井之中，該第三井比該深井具有一較大的該第二導電性類型的雜質的濃度；以及 <br/>一矽化物設置在該第一井之上並且在該深井之上在該STI區域的該二對面的部分之間。
如請求項6的SBD裝置，其中該第二高劑量井是該第一導電性類型的，其中該SBD裝置進一步包含： <br/>一保護結構重疊該STI區域以及該第二高劑量井，該矽化物的一側壁與該保護結構的一側壁同位；以及 <br/>一蓋結構設置在該STI區域之上，該保護結構進一步重疊該蓋結構； <br/>其中該蓋結構包含多晶矽。
一種漏電流阻擋結構，包含： <br/>一埋層，該埋層具有一x類型導電性，其中x是n或p任一者； <br/>一半導體層設置在該埋層之上； <br/>一深x井設置在該半導體層中； <br/>一組y井設置在該半導體層中在該深x井中，其中y是n或p任一者並且與x不同，該組y井的各y井含有一y+井在其上表面上； <br/>一淺溝槽隔離（STI）結構設置在該半導體層中在該深x井中，該組y井設置在該STI結構的一第一部分以及該STI結構的一第二部分之間，該STI結構的該第一部分以及該STI結構的該第二部分在該組y井的對面的側；以及 <br/>一電流限制特徵設置在該組y井以及該STI結構的該第一部分之間，該電流限制特徵抑制電流到達該STI結構的該第一部分。
如請求項8的結構，進一步包含： <br/>一第一y井設置在該半導體層中在該深x井中在該組y井以及該STI結構的該第一部分之間，該第一y井接觸該STI結構的該第一部分； <br/>其中該電流限制特徵包括一y+井設置在該第一y井的一上表面，在該y井之中。
如請求項8的結構，其中該電流限制特徵包括一保護結構重疊在該STI結構的該第一部分以及該半導體層之間的一介面，其中該結構進一步包含： <br/>一第一y井設置在該半導體層中在該深x井中在該組y井以及該STI結構的該第一部分之間；以及 <br/>一第一x+井設置在該第一y井中，該第一x+井接觸該STI結構的該第一部分。
一種偵測電路，包括：<br/> 一計數器電路，接收一第一初始值以及一第二初始值來執行一計數操作，並分別產生一第一計數值以及一第二計數值；<br/> 一感測電路，提供一第一感測通道以及一第二感測通道，以偵測一偵測電路所在的一系統的多個環境參數，或偵測上述偵測電路的多個內部溫度，並產生一第一感測信號以及一第二感測信號；<br/> 一監控電路，耦接該計數器電路，並接收該第一計數值以及該第二計數值來產生至少一控制信號，其中，該至少一控制信號包括一第一控制信號以及一第二控制信號；<br/> 一取樣電路，耦接該感測電路以及該監控電路，並接收該至少一控制信號來以輪詢方式對該第一感測通道的該第一感測信號以及該第二感測通道的該第二感測信號進行取樣，以分別獲得一第一感測取樣值以及一第二感測取樣值，其中該取樣電路包括：<br/> 一多工器，耦接該第一感測通道以及該第二感測通道，且受控制於該第一控制信號以選擇該第一感測信號以及該第二感測信號中之一者作為一輸出信號；<br/> 一類比數位轉換器，耦接該多工器，對該輸出信號執行一數位類比轉換操作以產生一取樣值；以及<br/> 一解多工器，耦接該類比數位轉換器，且包括複數輸出端；<br/> 其中，該解多工器受控制於該第二控制信號以將該取樣值傳送至該等輸出端中之一者；<br/> 其中，當該多工器根據該第一控制信號選擇該第一感測信號作為該輸出信號時，該取樣值作為該第一感測取樣值；以及<br/> 其中，當該多工器根據該第一控制信號選擇該第二感測信號作為該輸出信號時，該取樣值作為該第二感測取樣值；以及<br/> 一判斷電路，耦接該解多工器的該等輸出端以接收該第一感測取樣值以及該第二感測取樣值，且根據所接收的該第一感測取樣值以及該第二感測取樣值來判斷是否發生至少一保護啟動事件，藉以控制至少一保護操作。
如請求項1的偵測電路，其中，該計數器電路包括：<br/> 一第一計數器，被載入該第一初始值，且由該第一初始值開始執行一向下計數操作，以產生該第一計數值；以及<br/> 一第二計數器，被載入該初始值，且由該第二初始值開始執行該向下計數操作，以產生該第二計數值。
如請求項2的偵測電路，更包括：<br/> 一儲存器，儲存該第一初始值以及該第二初始值；以及<br/> 一重載控制電路，耦接該第一計數器以及該第二計數器，以分別接收該第一計數值以及該第二計數值；<br/> 其中，當對應該第一取樣期間的該第一計數值與該第二計數值皆等於零時，該重載控制電路控制該儲存器以將該第一初始值以及該第二初始值分別重新載入至該第一計數器以及該第二計數器。
如請求項2的偵測電路，其中，該監控電路透過該至少一控制信號，以根據該第一計數值控制該取樣電路對該第一感測信號進行取樣，且根據該第二計數值控制該取樣電路對該第二感測信號進行取樣。
如請求項2的偵測電路，其中，當該判斷電路根據該第一感測取樣值來判斷發生至少一保護啟動事件中的一第一保護啟動事件時，該監控電路控制該第一計數器值持續執行該向下計數操作，且控制該第二計數器值暫停執行該向下計數操作。
如請求項1的偵測電路，其中，該第一感測通道對應一電壓感測電路、一電流感測電路、以及一溫感測器中之一者，且該第二感測通道對應該電壓感測電路、一電流感測電路、以及一溫感測器中之另一者。
如請求項1的偵測電路，其中，該判斷電路包括：<br/> 一第一緩衝器，耦接該取樣電路，接收並儲存該第一感測取樣值；<br/> 一第一比較器，耦接該第一緩衝器以接收該第一感測取樣值，且對該第一感測取樣值與一第一臨界值進行比較以產生一第一比較信號；以及<br/> 一第一匹配計數器，耦接該第一比較器以接收該第一比較信號，其中，當該第一比較信號指示該第一感測取樣值與該第一臨界值之間的一第一特定關係時，該第一匹配計數器由一第一預設值開始執行一計數操作以產生一第一計數值；<br/> 其中，當該第一計數值到達一計數臨界值時，該判斷電路判斷發生該至少一保護啟動事件中的一第一保護啟動事件，且致能與該至少一保護操作中的一第一保護操作相關的一第一旗標信號。
如請求項1的偵測電路，其中，該判斷電路包括：<br/> 一第二緩衝器，耦接該取樣電路，接收並儲存該第二感測取樣值；<br/> 一第二比較器，耦接該第二緩衝器以接收該第二感測取樣值，且對該第二感測取樣值與一第二臨界值進行比較以產生一第二比較信號；<br/> 一第二匹配計數器，耦接該第二比較器以接收該第二比較信號，其中，當該第二比較信號指示該第二感測取樣值與該第二臨界值之間的一第二特定關係時，該第二匹配計數器由一第二預設值開始執行該計數操作以產生一第二計數值；<br/> 其中，當該第二計數值到達該計數臨界值時，該判斷電路判斷發生該至少一保護啟動事件中的一第二保護啟動事件，且致能與該至少一保護操作中的一第二保護操作相關的一第二旗標信號。
如請求項1的偵測電路，其中，當該判斷電路根據該第一感測取樣值來判斷發生至少一保護啟動事件中的一第一保護啟動事件時，該監控電路控制該計數電路的該計數操作，且透過該至少一控制信號控制該取樣電路連續對該第一感測信號進行取樣，且暫停對該第二感測信號進行取樣。
一種用於一自行車之一鏈環的蓋體，該蓋體包含：<br/> 一本體，其包括一圓周部分及至少一徑向部分，該至少一徑向部分相對於該圓周部分在徑向內部延伸；<br/> 一開口，其至少部分地延伸穿過該至少一徑向部分中之一徑向部分；<br/> 一升高表面，其至少部分地包圍該開口，該升高表面可定位在一鏈環之一空位內；以及<br/> 一螺紋插入件，其定位於該開口內，該螺紋插入件經組配來接收一緊固件。
如請求項1之蓋體，其中該螺紋插入件係由一金屬材料製成，且該本體係由一非金屬材料製成。
如請求項1之蓋體，其中該開口為一螺孔。
如請求項3之蓋體，其中該本體係由一金屬材料製成。
如請求項1之蓋體，其中該升高表面完全包圍該開口。
如請求項1之蓋體，其中該開口係一第一開口，且該徑向部分係一第一徑向部分，<br/> 其中該本體之該至少一徑向部分包括兩個徑向部分，<br/> 其中該蓋體進一步包含一第二開口，該第二開口至少部分地延伸穿過該等兩個徑向部分中之一第二徑向部分，<br/> 其中該本體之該第一徑向部分及該第二徑向部分相對於該圓周部分分別在該圓周部分之相對側處徑向地向內延伸。
如請求項1之蓋體，其中該本體具有一外板側及與該外板側相對的一內板側，當該蓋體附接至該鏈環時，該外板側相對於該自行車之一車架處於外側，且<br/> 其中該開口由該內板側部分地延伸進入該本體之該徑向部分。
如請求項7之蓋體，其中該本體亦具有在該外板側與該內板側之間延伸之一前側，<br/> 其中該本體之該圓周部分具有一徑向外側，且該本體之該徑向部分具有一徑向內側，該徑向部分之該徑向內側相對於該圓周部分之該徑向外側係在徑向內部，且<br/> 其中該蓋體進一步包含一倒角特徵，其在該本體之該外板側及該前側及該徑向部分之該徑向內側處。
如請求項8之蓋體，其中該倒角特徵為一第一倒角特徵，且<br/> 其中該蓋體進一步包含一第二倒角特徵，其在該本體之該內板側及該前側處及該圓周部分之該徑向外側處。
一種通訊裝置， <br/> 具有一發送手段，前述發送手段，發送包含L-SIG (Legacy-Signal Field：傳統訊號欄位)與U-SIG(Universal-Signal Field：通用訊號欄位)的MU(Multi User：多用戶)PPDU (Physical Layer Protocol Data Unit：實體層協定資料單元)， <br/> 發送頻寬比320Mhz大的MU PPDU的情況下，前述發送手段，發送在前述U-SIG之後包含第一RU配置(RU Allocation)子欄位、第二RU配置子欄位及第三RU配置子欄位的MU PPDU；發送頻寬為320Mhz的MU PPDU的情況下，前述發送手段，發送在前述U-SIG之後包含前述第一RU配置子欄位與前述第二RU配置子欄位惟不含前述第三RU配置的MU PPDU， <br/> 根據前述MU PPDU所含的複數個欄位的值所決定的既定的Multiple Resource Unit(MRU：多重資源單元)索引，和使用比320Mhz大的頻寬的MRU建立對應。
如請求項1的通訊裝置，其中， <br/> 前述第一RU配置子欄位，以對為了表示子帶中的RU的分配所需的既定的位元數乘上了N的位元數而構成， <br/> 是前述乘上的數之N，在頻寬為20MHz或40MHz的情況下為1，在頻寬為80MHz、160MHz、320MHz、480MHz、640MHz的情況下為2， <br/> 前述第二RU配置子欄位，以對前述既定的位元數乘上了M的位元數而構成，是前述乘上的數之M，在頻寬為160MHz的情況下為2，在頻寬為320MHz的情況下為6， <br/> 前述第三RU配置子欄位，在頻寬為480MHz的情況下為4，在頻寬為640MHz的情況下為8。
一種通訊裝置， <br/> 具有一發送手段，前述發送手段，發送包含L-SIG (Legacy-Signal Field：傳統訊號欄位)與U-SIG(Universal-Signal Field：通用訊號欄位)的MU(Multi User：多用戶)PPDU(Physical Layer Protocol Data Unit：實體層協定資料單元)， <br/> 發送頻寬為320Mhz的MU PPDU的情況下，前述發送手段，發送在前述U-SIG之後包含第一RU配置子欄位與以特定的位元數而構成的第二RU配置子欄位的MU PPDU；發送頻寬比320Mhz大的MU PPDU的情況下，前述發送手段，發送在前述U-SIG之後包含前述第一RU配置子欄位且包含以至少比前述特定的位元數大的位元數而構成的第二RU配置子欄位的MU PPDU， <br/> 根據前述MU PPDU所含的複數個欄位的值所決定的既定的Multiple Resource Unit(MRU：多重資源單元)索引，和使用比320Mhz大的頻寬的MRU建立對應。
如請求項1或3的通訊裝置，其中， <br/> 前述發送手段，包含用於前述MU PPDU的發送的天線。
如請求項1或3的通訊裝置，其中， <br/> 前述U-SIG之後所含的前述第一RU配置子欄位，含於是在前述U-SIG之後接續的符元的SIG(Signal Field：訊號欄位)的共同欄位(Common Field)。
如請求項1或3的通訊裝置，其中，前述通訊裝置為存取點。
如請求項3的通訊裝置，其中， <br/> 前述第一RU配置子欄位，以對為了表示子帶中的RU的分配所需的既定的位元數乘上了N的位元數而構成， <br/> 是前述乘上的數之N，在頻寬為20MHz或40MHz的情況下為1，在頻寬為80MHz、160MHz、320MHz、480MHz、640MHz的情況下為2， <br/> 前述第二RU配置子欄位，以對前述既定的位元數乘上了M的位元數而構成，是前述乘上的數之M，在頻寬為160MHz的情況下為2，在頻寬為320MHz的情況下為6，在頻寬為480MHz的情況下為10，在頻寬為640MHz時為14。
如請求項1或3的通訊裝置，其中， <br/> 在發送頻寬比40Mhz大的MU PPDU的情況下，前述發送手段，發送對於在用於前述MU PPDU的發送之第1子帶進行發送的HR-SIG予以包含了第1RU的分配資訊，且在第2子帶同時進行發送的SIG予以包含了和前述第1RU的分配資訊不同的第2RU的分配資訊的MU PPDU。
如請求項1或3的通訊裝置，其中， <br/> 前述通訊裝置具有網路儲存功能。
一種通訊裝置之控制方法， <br/> 具有一發送程序，於前述發送程序，發送包含L-SIG (Legacy-Signal Field：傳統訊號欄位)與U-SIG(Universal-Signal Field：通用訊號欄位)的MU(Multi User：多用戶)PPDU(Physical Layer Protocol Data Unit：實體層協定資料單元)， <br/> 發送頻寬比320Mhz大的MU PPDU的情況下，在前述發送程序，發送在前述U-SIG之後包含第一RU配置(RU Allocation)子欄位、第二RU配置子欄位及第三RU配置子欄位的MU PPDU；發送頻寬為320Mhz的MU PPDU的情況下，在前述發送程序，發送在前述U-SIG之後包含前述第一RU配置子欄位與前述第二RU配置子欄位惟不含前述第三RU配置的MU PPDU， <br/> 根據前述MU PPDU所含的複數個欄位的值所決定的既定的Multiple Resource Unit(MRU：多重資源單元)索引，和使用比320Mhz大的頻寬的MRU建立對應。
一種通訊裝置之控制方法， <br/> 具有一發送程序，在前述發送程序，發送包含L-SIG (Legacy-Signal Field：傳統訊號欄位)與U-SIG(Universal-Signal Field：通用訊號欄位)的MU(Multi User：多用戶)PPDU(Physical Layer Protocol Data Unit：實體層協定資料單元)， <br/> 發送頻寬為320Mhz的MU PPDU的情況下，在前述發送程序，發送在前述U-SIG之後包含第一RU配置子欄位與以特定的位元數而構成的第二RU配置子欄位的MU PPDU；發送頻寬比320Mhz大的MU PPDU的情況下，在前述發送程序，發送在前述U-SIG之後包含前述第一RU配置子欄位且包含以至少比前述特定的位元數大的位元數而構成的第二RU配置子欄位的MU PPDU， <br/> 根據前述MU PPDU所含的複數個欄位的值所決定的既定的Multiple Resource Unit(MRU：多重資源單元)索引，和使用比320Mhz大的頻寬的MRU建立對應。
一種電腦程式產品，用於使電腦執行如請求項10或11的通訊裝置之控制方法。
一種輕推提供方法，藉由計算系統執行，其包括如下步驟： 檢測與使用者在網頁上對至少一個特定商品的購買行為相關的事件；以及 <br/>響應於檢測到該事件，提供覆蓋在該網頁的部分區域上的使用者介面，其中，該使用者介面包括用於將該使用者引導至與該網頁對應的應用程式（app）的第一輕推（nudge）對象， <br/>響應於檢測到對於該第一輕推對象的使用者輸入，判斷是否安裝有該應用程式以及是否已登入該應用程式； <br/>當安裝有該應用程式且已登入該應用程式時，將與該網頁對應的應用程式頁面確定為該應用程式內的著陸（landing）頁面；及 <br/>當該著陸頁面確定為第一購物車頁面時，在該第一購物車頁面上顯示添加至購物車的商品，其中該至少一個特定商品顯示在其他商品上方。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>該使用者介面以底部動作條（Bottom Sheet）的形式提供。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>該使用者介面以模態（Modal）類型提供，及 <br/>其中當該使用者介面被顯示時，僅能藉由該使用者介面與該網頁交互。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>提供該使用者介面的步驟包括： <br/>在該第一輕推對象顯示高亮的步驟。
如請求項1之輕推提供方法，其中，該著陸頁面顯示該使用者在該網頁對於該至少一個特定商品指定的購買相關資訊。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>該使用者為未登入該網頁的狀態。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>該著陸頁面被確定為針對該至少一個特定商品的結帳頁面，且該著陸頁面顯示該使用者在該網頁對於該至少一個特定商品指定的購買相關資訊。
如請求項1之輕推提供方法，其中， <br/>該網頁為第二購物車頁面，該第二購物車頁面顯示該至少一個特定商品，且包括如下步驟： <br/>若未安裝有該應用程式，則在該網頁的部分區域提供用於引導該使用者在該網頁購買該特定商品的第二輕推對象。
一種輕推提供系統，其包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載（load）電腦程式；以及 <br/>處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括如下指令（instructions）： <br/>檢測與使用者在網頁上對至少一個特定商品的購買行為相關的事件； <br/>響應於檢測到該事件，提供覆蓋在該網頁的部分區域上的使用者介面，其中，該使用者介面包括用於將該使用者引導至與該網頁對應的應用程式的第一輕推對象； <br/>響應於檢測到對於該第一輕推對象的使用者輸入，判斷是否安裝有該應用程式以及是否已登入該應用程式； <br/>當安裝有該應用程式且已登入該應用程式時，將與該網頁對應的應用程式頁面確定為該應用程式內的著陸（landing）頁面；及 <br/>當該著陸頁面確定為第一購物車頁面時，在該第一購物車頁面上顯示添加至購物車的商品，其中該至少一個特定商品顯示在其他商品上方。
如請求項9之輕推提供系統，其中， <br/>該使用者介面以模態（Modal）類型提供，及 <br/>其中當該使用者介面被顯示時，僅能藉由該使用者介面與該網頁交互。
如請求項9之輕推提供系統，其中，該著陸頁面顯示該使用者在該網頁對於該至少一個特定商品指定的購買相關資訊。
如請求項9之輕推提供系統，其中， <br/>該網頁為購物車頁面，且包括如下指令： <br/>響應於檢測到對於該第一輕推對象的使用者輸入，判斷是否安裝有該應用程式； <br/>若未安裝有該應用程式，則在該網頁的部分區域提供用於引導該使用者在該網頁購買該特定商品的第二輕推對象。
一種玻璃陶瓷基板，含有玻璃、第一陶瓷填料、第二陶瓷填料以及結晶質，所述玻璃陶瓷基板中， <br/>所述第一陶瓷填料是氧化鋁，所述第二陶瓷填料是堇青石，且 <br/>所述結晶質是鈣長石， <br/>（所述鈣長石的（2-20）結晶面的X射線繞射峰強度）/（所述鈣長石的（2-20）結晶面的X射線繞射峰強度+所述氧化鋁的（104）結晶面的X射線繞射峰強度+所述堇青石的（100）結晶面的X射線繞射峰強度）為0.15以上。
如請求項1所述的玻璃陶瓷基板，其中，三點彎曲強度為250 MPa以上。
如請求項1或2所述的玻璃陶瓷基板，其中，-40℃至+125℃的溫度範圍的熱膨脹係數為4.0×10<sup>-6</sup>/℃以下。
如請求項1或2所述的玻璃陶瓷基板，其中，所述堇青石的最大粒徑較所述氧化鋁的最大粒徑大。
如請求項4所述的玻璃陶瓷基板，其中，將所述堇青石的最大粒徑除以所述氧化鋁的最大粒徑而得的值為1.5～10.0。
如請求項1或2所述的玻璃陶瓷基板，其中，所述堇青石的平均粒徑較所述氧化鋁的平均粒徑大。
如請求項6所述的玻璃陶瓷基板，其中，將所述堇青石的平均粒徑除以所述氧化鋁的平均粒徑而得的值為1.5～10.0。
如請求項1或2所述的玻璃陶瓷基板，其中，所述玻璃的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含量為1.0莫耳%以下。
如請求項1或2所述的玻璃陶瓷基板，其中，在所述玻璃中作為玻璃組成，以莫耳%計含有50%～80%的SiO<sub>2</sub>、5%～30%的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3%～25%的CaO。
一種製造半導體裝置的方法，包括：<br/> 形成一第一層於一基板上，該第一層包括一有機材料；<br/> 形成一第二層於該第一層上，其中該第二層包括一含矽聚合物，該含矽聚合物具有複數個側酸基或複數個側光致產酸劑基，其中形成該第二層包括：<br/> 形成一組合物層於第一層上，該組合物層包括一矽基聚合物和一含酸基或光致產酸劑基的材料；<br/> 漂浮該含酸基或光致產酸劑基的材料於該矽基聚合物上；以及<br/> 將該含酸基或光致產酸劑基的材料與該矽基聚合物反應，以形成一上第二層覆蓋一下第二層，該上第二層包括一矽基聚合物，該矽基聚合物具有複數個側酸基或複數個側光致產酸劑基，該下第二層包括該矽基聚合物；<br/> 形成一光敏層於該第二層上；以及<br/> 圖案化該光敏層。
如請求項1所述之方法，其中該上第二層的該矽基聚合物包括複數個側酸基，該些側酸基具有5至-8的pKa範圍。
如請求項1所述之方法，其中將該含酸基或光致產酸劑基的材料與該矽基聚合物反應是藉由一溶膠凝膠反應或一酯化反應。
一種製造半導體裝置的方法，包括：<br/> 形成一底部抗反射塗層於一基板上；<br/> 形成一中間層於該底部抗反射塗層上，其中該中間層包括一下中間層和位於該下中間層上方的一上中間層，<br/> 其中該下中間層包括一第一矽基聚合物，該上中間層包括一第二矽基聚合物，該第二矽基聚合物具有複數個側酸基或複數個側光致產酸劑基；以及<br/> 其中該第二矽基聚合物和該第一矽基聚合物具有不同組成；<br/> 形成一光敏層於該中間層上；<br/> 以光化輻射選擇性曝光該光敏層，以形成一潛伏圖案；以及<br/> 顯影選擇性曝光的該光敏層，以形成一圖案於該光敏層中。
如請求項4所述之方法，其中該第一矽基聚合物為一聚矽氧烷。
如請求項4所述之方法，其中該第二矽基聚合物包括複數個側光致產酸劑基，且該些側光致產酸劑基包括一鎓陽離子。
一種光阻組合物，包括：<br/> 一矽基聚合物；<br/> 一可漂浮材料，該可漂浮材料包括一具有酸基或光致產酸劑基的含矽化合物，該含矽化合物表示為(R3O)<sub>3</sub>Si-R2-A，其中：<br/> R3為被取代或未被取代的C1-C12烷基、C2-C12烯基、C1-C12羥烷基或C1-C12烷基氨基；<br/> R2為-C<sub>y</sub>X<sub>y+2</sub>，其中X為F、Cl、Br或I，且y為1至15，被1至5個鹵素或羥基取代的苯基、一維的C2-C40直鏈烷基、C2-C40烯基、C2-C40羥烷基、C2-C40烷基氨基、二維的C3-C40支鏈烷基或環烷基、C6-C40芳基、C7-C40芳烷基或三維的C7-C40烷基；以及<br/> A為一或多個羧基、磺酸基或光致產酸劑基。
如請求項7所述之光阻組合物，其中該矽基聚合物為一聚矽氧烷。
一種光阻組合物，包括：<br/> 一矽基聚合物；<br/> 一可漂浮材料；以及<br/> 一溶劑，該可漂浮材料包括具有複數個酸基或複數個光致產酸劑基的一含矽聚合物，且該含矽聚合物表示為<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="45px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/> 其中：<br/> n為10至1000；<br/> R2為-C<sub>y</sub>X<sub>y+2</sub>，其中X為F、Cl、Br或I，且y為1至15，被1至5個鹵素或羥基取代的苯基、一維的C2-C40直鏈烷基、C2-C40烯基、C2-C40羥烷基、C2-C40烷基氨基、二維的C3-C40支鏈烷基或環烷基、C6-C40芳基、C7-C40芳烷基或三維的C7-C40烷基；以及<br/> A為羧基、磺酸基或光致產酸劑基。
一種光阻組合物，包括：<br/> 一矽基聚合物；<br/> 一可漂浮材料；以及<br/> 一溶劑，該可漂浮材料包括具有酸基或光致產酸劑基的一有機物，且該有機物表示為HOOC-R2-A，其中：<br/> R2為-C<sub>y</sub>X<sub>y+2</sub>，其中X為F、Cl、Br或I，且y為1至15，被1至5個鹵素或羥基取代的苯基、一維的C2-C40直鏈烷基、C2-C40烯基、C2-C40羥烷基、C2-C40烷基氨基、二維的C3-C40支鏈烷基或環烷基、C6-C40芳基、C7-C40芳烷基或三維的C7-C40烷基；以及<br/> A為羧基、磺酸基或光致產酸劑基。
一種三維鐵電記憶體裝置，包括： <br/>基板； <br/>通道，在所述基板上，所述通道在與所述基板的上表面實質上垂直的垂直方向上延伸； <br/>閘極絕緣圖案及導電圖案，在與所述基板的所述上表面實質上平行的水平方向上堆疊於所述通道的側壁上且環繞所述通道的所述側壁； <br/>鐵電圖案，接觸所述導電圖案的外側壁的一部分； <br/>閘極電極，接觸所述鐵電圖案； <br/>第一源極/汲極圖案，接觸所述通道的下表面；以及 <br/>第二源極/汲極圖案，接觸所述通道的上表面， <br/>其中所述閘極絕緣圖案及所述導電圖案在所述垂直方向上延伸，且所述通道包括： <br/>第一通道，具有杯形狀；以及 <br/>第二通道，具有杯形狀，所述第二通道接觸所述第一通道的上表面， <br/>其中所述閘極絕緣圖案在所述通道與所述導電圖案之間，且 <br/>所述鐵電圖案在所述導電圖案與所述閘極電極之間。
如請求項1所述的三維鐵電記憶體裝置，其中所述導電圖案在所述垂直方向上的長度大於所述閘極電極在所述垂直方向上的長度。
如請求項1所述的三維鐵電記憶體裝置，更包括填充圖案，所述填充圖案的下表面及側壁被所述第一通道覆蓋，且所述填充圖案的上表面被所述第二通道覆蓋。
如請求項1所述的三維鐵電記憶體裝置，其中所述第一通道及所述第二通道中的每一者包含二維材料。
一種三維鐵電記憶體裝置，包括： <br/>基板； <br/>柱結構，包括： <br/>通道，在所述基板上，所述通道在與所述基板的上表面實質上垂直的垂直方向上延伸；以及 <br/>閘極絕緣圖案及導電圖案，在與所述基板的所述上表面實質上平行的水平方向上依序堆疊於所述通道的側壁上； <br/>鐵電圖案，接觸所述導電圖案的外側壁的第一部分； <br/>閘極電極，接觸所述鐵電圖案； <br/>絕緣層，設置在所述基板上並在第一方向上延伸，所述第一方向實質上平行於所述基板的所述上表面，所述絕緣層與所述鐵電圖案接觸，並且與所述導電圖案的外側壁的第二部分接觸； <br/>第一源極/汲極圖案，接觸所述通道的下表面；以及 <br/>第二源極/汲極圖案，接觸所述通道的上表面， <br/>其中所述閘極絕緣圖案的在所述通道與所述導電圖案之間且與所述通道及所述導電圖案接觸的部分的面積大於所述鐵電圖案的在所述導電圖案與所述閘極電極之間且與所述導電圖案及所述閘極電極接觸的部分的面積，且 <br/>其中所述柱結構包括第一部分與第二部分，所述第一部分在第二方向上與所述閘極電極交疊，所述第二方向與所述第一方向交叉且實質上平行於所述基板的所述上表面，所述第二部分在所述第二方向上與所述絕緣層交疊。
如請求項5所述的三維鐵電記憶體裝置，其中所述閘極絕緣圖案的所述部分在所述水平方向上的寬度大於所述鐵電圖案的所述部分在所述水平方向上的寬度。
一種三維鐵電記憶體裝置，包括： <br/>基板； <br/>位元線，在所述基板上，所述位元線在與所述基板的上表面實質上平行的第一方向上延伸； <br/>第一源極/汲極圖案，接觸所述位元線的上表面； <br/>柱結構，包括： <br/>通道，接觸所述第一源極/汲極圖案的上表面，所述通道在與所述基板的所述上表面實質上垂直的垂直方向上延伸；以及 <br/>閘極絕緣圖案及導電圖案，在與所述基板的所述上表面實質上平行的水平方向上堆疊於所述通道的側壁上且環繞所述通道的所述側壁； <br/>鐵電圖案，接觸所述導電圖案的外側壁的第一部分； <br/>絕緣層，設置在所述基板上並在所述第一方向上延伸，所述絕緣層與所述鐵電圖案接觸，並且與所述導電圖案的外側壁的第二部分接觸； <br/>字元線，接觸所述鐵電圖案，所述字元線在與所述基板的所述上表面實質上平行且與所述第一方向交叉的第二方向上延伸； <br/>第二源極/汲極圖案，接觸所述通道的上表面；以及 <br/>源極線，接觸所述第二源極/汲極圖案的上表面，所述源極線在所述第一方向上延伸， <br/>其中所述閘極絕緣圖案在所述通道與所述導電圖案之間， <br/>所述鐵電圖案在所述導電圖案與所述字元線之間，且 <br/>其中所述柱結構包括第一部分與第二部分，所述第一部分在所述第二方向上與所述字元線交疊，所述第二部分在所述第二方向上與所述絕緣層交疊。
一種觸發可控矽整流器的結構，包括：<br/>觸發元件，位於絕緣層上覆半導體（SOI）基板之內，所述觸發元件包括：該SOI基板的一埋入式絕緣層；該SOI基板的一半導體層；該半導體層位於具一第一極性類型的一第一凸起區域與具該第一極性類型的一第二凸起區域之間；一凸起的汲極區域位於該第一凸起區域上方；一凸起的源極區域位於該第二凸起區域上方；及一閘極介電材料位於該半導體層、該第一凸起區域和該第二凸起區域上方以及該凸起的汲極區域和該凸起的源極區域之間；以及<br/>可控矽整流器（SCR），位於該SOI基板的埋入式絕緣層下方，該觸發元件位於該SCR的陽極與陰極之間。
如請求項1所述之結構，其中該陽極連接至P+區域，該P+區域位於該埋入式絕緣層之下的N阱中。
如請求項1所述之結構，其中該陰極連接至N+區域，該N+區域位於該埋入式絕緣層之下的P阱中。
如請求項1所述之結構，其中該第一極性類型包括一第一磊晶凸起的第一N+區域位於該凸起的汲極區域下方和一磊晶凸起的第二N+區域位於該凸起的源極區域下方，該磊晶凸起的第一N+區域藉由該SOI基板與該磊晶凸起的第二N+區域分開，並且該陰極連接至該磊晶凸起的第二N+區域。
如請求項4所述之結構，其中該SCR位在高捕捉層之上。
如請求項4所述之結構，其中該凸起的源極區域的部分和該凸起的汲極區域為非矽化。
如請求項1所述之結構，進一步包括三個淺溝槽隔離（STI）結構，其位於該埋入式絕緣層之下的N阱的一側。
如請求項6所述之結構，進一步包括至少兩個淺溝槽隔離（STI）結構，其位於該埋入式絕緣層之下的P阱的一側。
如請求項6所述之結構，其中該凸起的源極區域和閘極電極材料連接至該埋入式絕緣層之下的P阱中的N+區域和P+區域。
如請求項1所述之結構，其中該觸發元件包括N+區域和P+區域，該N+區域位於該凸起的源極區域下方，該P+區域位於該凸起的汲極區域下方，並且該陰極連接至該P+區域。
一種觸發可控矽整流器電路，包括：<br/>可控矽整流器（SCR），其位於埋入式絕緣層之下；以及<br/>觸發元件，其包括位於該埋入式絕緣層上方的單晶半導體材料，且進一步包括包圍該單晶半導體材料的多個凸起的摻雜區域。
如請求項11所述之電路，其中該觸發元件位於該SCR的陽極和陰極之間。
如請求項12所述之電路，其中該陽極連接至位於該埋入式絕緣層之下的N阱中的P+區域。
如請求項12所述之電路，其中該陰極連接至該埋入式絕緣層之下的P阱中的N+區域。
如請求項12所述之電路，其中該等多個凸起的摻雜區域包括至少兩個磊晶凸起的N+區域。
如請求項15所述之電路，其中該等至少兩個磊晶凸起的N+區域的一第一磊晶凸起的N+區域利用該單晶半導體材料與該等至少兩個磊晶凸起的N+區域的第二N+區域分開，並且更包括一凸起的汲極區域位於該第一磊晶凸起的N+區域上方和一凸起的源極區域位於該第二磊晶凸起的N+區域上方。
如請求項15所述之電路，進一步包括阻擋層，其鄰近該觸發元件的汲極區域和源極區域。
如請求項11所述之電路，其中該觸發元件包括閘極電極材料、凸起的汲極區域和凸起的源極區域；該凸起的源極區和該凸起的汲極區位於包括多個凸起的摻雜區域的磊晶凸起的半導體層上方。
如請求項11所述之電路，其中該多個摻雜區域包括多個凸起的N+區域和多個凸起的P+區域，該等凸起的N+區域在一第一層級夾著該單晶半導體材料，而位於一第二層級上的該等凸起的P+區域則透過延伸到掩埋絕緣層下方的底層半導體基板的一淺溝槽隔離結構與該等凸起的N+區域隔離。
一種觸發可控矽整流器的製造方法，包括；<br/>在絕緣體上覆矽（SOI）基板內形成觸發元件，所述觸發元件包括：該SOI基板的一埋入式絕緣層；該SOI基板的一半導體層；該半導體層位於具一第一極性類型的一第一凸起區域與具該第一極性類型的一第二凸起區域之間；一凸起的汲極區域位於該第一凸起區域上方；一凸起的源極區域位於該第二凸起區域上方；及一閘極介電材料位於該半導體層、該第一凸起區域和該第二凸起區域上方以及該凸起的汲極區域和該凸起的源極區域之間；以及<br/>在埋入式氧化物（BOX）層下方形成可控矽整流器（SCR），<br/>其中該觸發元件位於該SCR的陽極和陰極之間。
一種資料統計資訊提供方法，其係藉由電子裝置進行者，其包括如下步驟： <br/>設定包括特徵事件資料格式及一個以上之特徵之特徵管理單元，該特徵事件資料格式用以將與於上述電子裝置提供之服務上確認之事件對應而獲得之事件資料加工成與特徵對應的特徵事件資料； <br/>根據上述特徵事件資料格式，設定將上述服務上之事件資料加工成與上述特徵管理單元中包括之各特徵對應之特徵事件資料並進行管理； <br/>對應於與資料統計相關之客戶之要求資訊，於上述特徵管理單元中確認與上述要求資訊中包括之第1特徵對應之第1特徵事件資料；及 <br/>基於上述第1特徵事件資料之運算，提供與上述要求資訊對應之資料統計資訊， <br/>自上述客戶獲得上述要求資訊， <br/>上述要求資訊包括特徵組之資訊，該特徵組包括用於上述客戶之複數個特徵， <br/>上述第1特徵包括於上述特徵組， <br/>基於上述特徵管理單元中包括上述複數個特徵，於上述特徵管理單元中與上述客戶對應而設定包括上述複數個特徵之客戶專用特徵管理單元， <br/>確認用於第1客戶之第1客戶專用特徵管理單元及用於第2客戶之第2客戶專用特徵管理單元； <br/>確認上述第1客戶專用特徵管理單元及上述第2客戶專用特徵管理單元中共通之特徵之個數；及 <br/>於上述共通之特徵之個數相對於上述第1客戶專用特徵管理單元中包括之特徵之個數之第1比率與上述共通之特徵之個數相對於上述第2客戶專用特徵管理單元中包括之特徵之個數之第2比率均為臨界比率以上的情形時，將上述第1客戶及上述第2客戶設定為相似客戶組。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中上述事件基於上述服務之用戶於上述服務上實行之操作而確認， <br/>上述事件資料包括與上述操作對應而於服務中產生之資料。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中上述特徵事件資料格式包括用於特徵事件資料之一個以上之欄位， <br/>上述一個以上之欄位基於事件資料中包括之至少一部分之欄位而設定。
如請求項3之資料統計資訊提供方法，其中上述至少一部分之欄位係於基於設定用於事件資料之欄位之輸入而確定之事件資料的欄位中而確認。
如請求項3之資料統計資訊提供方法，其中上述特徵管理單元中包括之各特徵係基於為了設定上述一個以上之欄位中包括之至少一個欄位之上述各特徵所進行之輸入而確定。
如請求項3之資料統計資訊提供方法，其中上述一個以上之欄位包括指定資料之主體之資料主體欄位及指定與上述資料之主體對應之資料值的資料主體值欄位。
如請求項3之資料統計資訊提供方法，其中上述一個以上之欄位包括指定資料之客體之資料客體欄位及指定與上述資料之客體對應之資料值的資料客體值欄位。
如請求項3之資料統計資訊提供方法，其中上述一個以上之欄位包括用於特徵之識別符之特徵識別欄位、設定用於資料之運算之運算子之運算子欄位、及用於在上述服務上獲得事件資料之時點之時點欄位。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中上述資料統計資訊提供方法進而包括如下步驟： <br/>確認上述事件資料中包括之一個事件資料； <br/>確認基於上述一個以上之特徵而加工上述一個事件資料之一個以上之特徵事件資料；及 <br/>設定用於上述一個事件資料及上述一個以上之特徵事件資料之映射關係之資訊。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中確認上述第1特徵事件資料之步驟包括如下步驟： <br/>確認用於上述第1特徵之資料之主體、用於上述第1特徵之資料之客體及用於上述第1特徵之運算子； <br/>確認將用於上述第1特徵之資料之主體指定為上述特徵事件資料格式上之資料主體欄位的複數個特徵事件資料；及 <br/>於上述複數個特徵事件資料中，確認基於用於上述第1特徵之資料之客體及用於上述第1特徵之運算子而篩選的第1特徵事件資料。
如請求項10之資料統計資訊提供方法，其中確認上述第1特徵事件資料之步驟包括如下步驟： <br/>設定與上述要求資訊對應之資料查詢時段；及 <br/>於上述複數個特徵事件資料中，確認基於上述資料查詢時段、用於上述第1特徵之資料之客體及用於上述第1特徵之運算子而篩選之上述第1特徵事件資料。
如請求項11之資料統計資訊提供方法，其中上述第1特徵事件資料包括如下特徵事件資料： <br/>於上述特徵事件資料格式上之資料客體欄位上指定了用於上述第1特徵之資料之客體，並於上述特徵事件資料格式上之運算子欄位上指定了用於上述第1特徵之運算子，並且於上述特徵事件資料格式上之時點欄位上指定之時點包括於上述資料查詢時段。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中上述資料統計資訊包括基於用於上述第1特徵之運算子而運算上述第1特徵事件資料之結果之資訊。
如請求項1之資料統計資訊提供方法，其中上述資料統計資訊提供方法進而包括如下步驟： <br/>於在上述特徵管理單元中未確認上述特徵組中包括之第2特徵之情形時，將上述第2特徵添加至上述特徵管理單元。
一種電子裝置，其係用以提供資料統計資訊者，其包括： <br/>儲存至少一個程式之記憶體；及 <br/>處理器，其執行如下操作： <br/>藉由執行上述至少一個程式，設定包括特徵事件資料格式及一個以上之特徵之特徵管理單元，該特徵事件資料格式用以將與於上述電子裝置提供之服務上確認之事件對應而獲得之事件資料加工成與特徵對應的特徵事件資料， <br/>根據上述特徵事件資料格式，設定將上述服務上之事件資料加工成與上述特徵管理單元中包括之各特徵對應之特徵事件資料並進行管理， <br/>對應於與資料統計相關之客戶之要求資訊，於上述特徵管理單元中確認與上述要求資訊中包括之第1特徵對應之第1特徵事件資料，及 <br/>基於上述第1特徵事件資料之運算，提供與上述要求資訊對應之資料統計資訊， <br/>自上述客戶獲得上述要求資訊， <br/>上述要求資訊包括特徵組之資訊，該特徵組包括用於上述客戶之複數個特徵， <br/>上述第1特徵包括於上述特徵組， <br/>基於上述特徵管理單元中包括上述複數個特徵，於上述特徵管理單元中與上述客戶對應而設定包括上述複數個特徵之客戶專用特徵管理單元， <br/>確認用於第1客戶之第1客戶專用特徵管理單元及用於第2客戶之第2客戶專用特徵管理單元； <br/>確認上述第1客戶專用特徵管理單元及上述第2客戶專用特徵管理單元中共通之特徵之個數；及 <br/>於上述共通之特徵之個數相對於上述第1客戶專用特徵管理單元中包括之特徵之個數之第1比率與上述共通之特徵之個數相對於上述第2客戶專用特徵管理單元中包括之特徵之個數之第2比率均為臨界比率以上的情形時，將上述第1客戶及上述第2客戶設定為相似客戶組。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用以於電腦中執行如請求項1之資料統計資訊提供方法之程式。
一種液體噴出裝置，其特徵在於， <br/>前述液體噴出裝置具備： <br/>噴出元件，噴出液體； <br/>驅動器，驅動前述噴出元件；以及 <br/>控制部，控制前述驅動器， <br/>前述驅動器構成為，準備多種具有按預定長度的時間區段頻率階段性地變低的脈衝型態的資料組，在此，在前述多種資料組之間，脈衝型態的頻率相互不同， <br/>前述控制部控制前述驅動器，以將前述多種資料組中的每一個從脈衝型態的最高頻率高的資料組起依次向前述噴出元件供給而進行預備噴出。
如請求項1所述的液體噴出裝置，其中， <br/>前述多種資料組包括： <br/>第一資料組，具有按前述預定長度的時間區段頻率階段性地變低的脈衝型態； <br/>第二資料組，具有按前述預定長度的時間區段頻率階段性地變低的脈衝型態，且在各時間區段中頻率低於前述第一資料組的頻率；以及 <br/>第三資料組，具有按前述預定長度的時間區段頻率階段性地變低的脈衝型態，且在各時間區段中頻率低於前述第二資料組的頻率。
如請求項1所述的液體噴出裝置，其中， <br/>前述脈衝型態包括： <br/>第一時間區段中之與前述噴出元件的重度噴出不良相對應的高頻率的第一脈衝列； <br/>接續於前述第一時間區段的第二時間區段中之與前述噴出元件的中度噴出不良相對應的中頻率的第二脈衝列；以及 <br/>接續於前述第二時間區段的第三時間區段中之與前述噴出元件的輕度噴出不良相對應的低頻率的第三脈衝列。
如請求項3所述的液體噴出裝置，其中， <br/>前述高頻率是10kHz~50kHz的範圍內的頻率，前述中頻率是1kHz~10kHz的範圍內的頻率，前述低頻率是100Hz~1kHz的範圍內的頻率。
如請求項1所述的液體噴出裝置，其中， <br/>前述噴出元件包括壓電元件， <br/>前述控制部，係 <br/>經由前述驅動器向前述壓電元件提供特定的脈衝信號而使前述壓電元件動作，檢測與由伴隨前述壓電元件的動作而產生的壓力波所產生的前述壓電元件的變形對應的電信號， <br/>在基於檢測出的前述電信號而判定為前述噴出元件為噴出不良的情況下，控制前述驅動器，以進行使用了前述多種資料組的預備噴出。
一種控制方法，是具備噴出液體的噴出元件的液體噴出裝置的控制方法，其特徵在於， <br/>前述控制方法具有： <br/>取得多種具有按預定長度的時間區段頻率階段性地變低的脈衝型態的資料組的工序，在此，在前述多種資料組之間，脈衝型態的頻率相互不同；以及 <br/>將前述多種資料組中的每一個從脈衝型態的最高頻率高的資料組起依次向前述噴出元件供給而進行預備噴出的工序。
一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特徵在於， <br/>前述基板處理裝置包括： <br/>載台，保持並移動前述基板；以及 <br/>如請求項1至5中任一項所述的液體噴出裝置，向由前述載台保持的前述基板之上噴出液體。
一種物品製造方法，其特徵在於， <br/>前述物品製造方法包括： <br/>使用如請求項7所述的基板處理裝置向基板之上噴出液體的工序；以及 <br/>對被噴出了前述液體的前述基板進行加工的工序， <br/>由加工後的前述基板製造物品。
一種供電系統，係具備第一供電裝置及一台以上的第二供電裝置，前述第一供電裝置係生成交流電流，前述第二供電裝置係生成讓相位與前述第一供電裝置的前述交流電流同步後之交流電流， <br/>前述第一供電裝置及前述第二供電裝置分別具備以既定週期進行計數之時間計數器，且根據前述時間計數器的計數值來生成前述交流電流， <br/>前述第一供電裝置，將在前述時間計數器之前述計數值小於閾值的情況為第一值且在前述計數值大於等於閾值的情況為第二值之矩形波發送到前述第二供電裝置， <br/>前述第二供電裝置，係在從前述第一供電裝置發送之前述矩形波的值改變的時機產生中斷處理，將在該時機之前述時間計數器的前述計數值與判定值做比較， <br/>當比較結果為前述計數值小於前述判定值的情況，使前述時間計數器的週期比前述既定週期短， <br/>當比較結果為前述計數值大於前述判定值的情況，使前述時間計數器的週期比前述既定週期長。
如請求項1之供電系統，其中， <br/>前述判定值係根據在前述第一供電裝置和前述第二供電裝置之間的通信所需的通信時間和前述閾值所設定的值。
如請求項1或2之供電系統，其中， <br/>前述第一值及前述第二值分別是1位元的資訊。
如請求項1或2之供電系統，其中， <br/>前述第二供電裝置， <br/>當前述比較結果為前述計數值小於前述判定值的情況，使前述時間計數器的前述週期比前述既定週期短既定量， <br/>當前述比較結果為前述計數值大於前述判定值的情況，使前述時間計數器的前述週期比前述既定週期長既定量， <br/>在將前述時間計數器的前述週期變更後，當前述比較結果為前述計數值與前述判定值同等的情況，使前述時間計數器的前述週期回到前述既定週期。
如請求項1或2之供電系統，其中， <br/>前述第一供電裝置及前述第二供電裝置分別以非接觸方式供應電力。
如請求項1或2之供電系統，其中， <br/>前述第一供電裝置及前述第二供電裝置各個，是藉由在複數個供電裝置各個中進行切換控制所設定的， <br/>對複數個前述供電裝置各個設定號碼， <br/>切換成前述第一供電裝置或前述第二供電裝置，係根據供電的有無及前述號碼來進行。
一種紙容器之製造方法，包括以下步驟：<br/>備一紙材；<br/>備一裁切單元；<br/>製作鏤空結構，以該裁切單元於該紙材上裁切出至少一鏤空結構，並於裁切過程中產生至少一廢料，該至少一廢料對應該至少一鏤空結構；及<br/>去除廢料，透過一除廢料單元產生氣流來將該至少一廢料自該至少一鏤空結構帶離；<br/>其中，該除廢料單元包括一吹氣單元，該吹氣單元將該至少一廢料吹離該至少一鏤空結構；<br/>其中，該除廢料單元包括一吸氣單元，該吸氣單元將該至少一廢料吸離該至少一鏤空結構；<br/>其中，該紙材朝一加工方向移動，該裁切單元及該除廢料單元依序朝該加工方向設置；<br/>其中，該吹氣單元與該吸氣單元設於該紙材的相對二側且分別對應該至少一鏤空結構；<br/>其中，該吸氣單元之一吸氣口及該吹氣單元之一吹氣口分別對應該至少一鏤空結構。
如請求項1所述的紙容器之製造方法，其中該吸氣單元及該吹氣單元分別與該裁切單元分離設置。
如請求項1所述的紙容器之製造方法，另包括覆設第一塑膠淋膜層，於該紙材的一側淋膜覆設一第一塑膠淋膜層，該第一塑膠淋膜層封閉各該鏤空結構；其中該第一塑膠淋膜層與該至少一鏤空結構於厚度方向上相互重疊共構至少一視窗。
如請求項3所述的紙容器之製造方法，其中於該去除廢料步驟及該覆設第一塑膠淋膜層步驟之間另包括步驟一收卷紙材，於該收卷紙材步驟中以一收卷單元捲收該紙材；於該覆設第一塑膠淋膜層步驟中，展開該收卷單元之該紙材，接著於該紙材的一側淋膜覆設一第一塑膠淋膜層。
如請求項1所述的紙容器之製造方法，其中於該製作鏤空結構之步驟中，該裁切單元包括一刀模，該刀模為可轉動之圓刀，該刀模設有至少一形狀對應各該鏤空結構之刀具單元，該刀模相對該紙材轉動以該至少一刀具單元於該紙材上進行裁切；於該製作鏤空結構之步驟中，另提供一可相對該刀模轉動之滾筒毛刷，以該滾筒毛刷之複數刷毛刷除卡設於該刀模上的該至少一廢料。
如請求項1所述的紙容器之製造方法，其中於該製作鏤空結構之步驟中，該裁切單元裁切該紙材以於該紙材上形成至少一圖案單元，該至少一圖案單元包括複數該鏤空結構及至少一強化結構，該至少一強化結構設於相鄰之該複數鏤空結構之間且橫斷相鄰之該複數鏤空結構。
如請求項1所述的紙容器之製造方法，另包括覆設第一塑膠淋膜層，於該紙材的一側淋膜覆設一第一塑膠淋膜層，該第一塑膠淋膜層封閉各該鏤空結構；於該覆設第一塑膠淋膜層的步驟中，以一淋膜單元加熱及押出一薄膜而形成該第一塑膠淋膜層；該裁切單元、該除廢料單元及該淋膜單元依序朝該加工方向設置；於該製作鏤空結構之步驟中，該裁切單元裁切該紙材以於該紙材上形成複數圖案單元，該各該圖案單元包括該複數鏤空結構及複數強化結構，各該強化結構設於相鄰之該複數鏤空結構之間且橫斷相鄰之該複數鏤空結構，該複數強化結構相互連接；該複數鏤空結構及該複數強化結構共構一文字；該紙材設有一非鏤空結構，該複數鏤空結構包圍該非鏤空結構，至少二該鏤空結構沿該非鏤空結構之周向延伸，該非鏤空結構連接該至少一強化結構；該裁切單元包括一刀模，該刀模的形狀對應各該鏤空結構；另包括覆設第二塑膠淋膜層，於該紙材的另一側淋膜覆設一第二塑膠淋膜層，該第二塑膠淋膜層封閉各該鏤空結構，該第一塑膠淋膜層及該第二塑膠淋膜層與該複數該鏤空結構於厚度方向上相互重疊共構複數視窗；各該第一塑膠淋膜層及各該第二塑膠淋膜層之間夾設有各該強化結構；於該至少一強化結構的延伸方向上，各該鏤空結構大於該至少一強化結構。
一種紙容器，其係用如請求項1至7其中任一項所述的紙容器之製造方法製造，該紙容器包括：一壁部；及一容室，該壁部圍構該容室，該壁部包括該紙材及設於該紙材上之各該鏤空結構。
一種半導體元件，包括： <br/>基板； <br/>位元線，在第一方向上在所述基板上延伸； <br/>主動圖案，位於所述位元線上； <br/>背面閘極電極，在垂直於所述第一方向的第二方向上在所述主動圖案的一側旁邊跨越所述位元線延伸；以及 <br/>字元線，在所述第二方向上在所述主動圖案的另一側旁邊延伸，其中所述主動圖案在所述第二方向上的長度大於所述位元線在所述第二方向上的長度。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述主動圖案包括面向所述背面閘極電極的第一表面及面向所述字元線的第二表面，且所述第二表面包括朝向所述第二表面在所述第二方向上的兩端變圓以逐漸更靠近所述背面閘極電極的部分。
如請求項1所述的半導體元件，其中： <br/>所述主動圖案包括面向所述背面閘極電極的第一表面及面向所述字元線的第二表面， <br/>所述第一表面是平整表面，且 <br/>所述第二表面是朝向所述字元線呈凸形的彎曲表面。
如請求項1所述的半導體元件，更包括： <br/>閘極絕緣圖案，環繞所述主動圖案的所述另一側；以及 <br/>一側，垂直於所述主動圖案的所述另一側，其中所述閘極絕緣圖案包含單層材料。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述字元線包括突出部，所述突出部自所述字元線的主體朝向所述背面閘極電極突出且環繞垂直於所述主動圖案的所述一側的一側。
如請求項5所述的半導體元件，其中所述突出部在所述第二方向上的長度遠離所述字元線的所述主體而減小。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述主動圖案包括多個層，且在所述多個層之中，與所述位元線相鄰的第一層具有較其他層小的能帶間隙。
如請求項1所述的半導體元件，更包括： <br/>背面閘極絕緣圖案，環繞所述背面閘極電極；以及 <br/>第一絕緣圖案，位於所述背面閘極絕緣圖案上，其中所述第一絕緣圖案在所述第一方向上的長度小於所述背面閘極絕緣圖案在所述第一方向上的長度。
如請求項1所述的半導體元件，更包括： <br/>第一間隔件及第二間隔件，在所述第一方向上延伸，其中所述位元線位於所述第一間隔件與所述第二間隔件之間，其中： <br/>所述主動圖案包括在所述第二方向上面向彼此的第三表面與第四表面， <br/>所述第一間隔件包括與所述主動圖案的所述第三表面共面的側表面，且 <br/>所述第二間隔件包括與所述主動圖案的所述第四表面共面的側表面。
如請求項9所述的半導體元件，其中所述第一間隔件、所述位元線及所述第二間隔件在所述第二方向上的長度之和等於所述主動圖案在所述第二方向上的所述長度。
一種行車記錄器，包括： <br/>一記錄器本體，具有用於拍攝車內影像的一攝像頭，其中該記錄器本體具有一本體殼體及一主機板，該本體殼體包括一金屬頂殼及一塑膠底殼，該塑膠底殼安裝至該金屬頂殼，且該主機板設置於該金屬頂殼與該塑膠底殼之間並可導熱地連接該金屬頂殼； <br/>一塑膠殼體，具有一黏貼面，並適於經由該黏貼面黏貼至車輛的擋風玻璃的內側； <br/>一天線模組，設置於該塑膠殼體內，並與該記錄器本體電連接；以及 <br/>一連接支架，連接在該塑膠殼體與該記錄器本體之間，其中該連接支架的材質為金屬，且該連接支架具有一固定部及一延伸部，該固定部安裝至該塑膠殼體，該延伸部具有一軸，而該延伸部從該固定部延伸至該記錄器本體並透過該軸連接至該記錄器本體。
如請求項1所述的行車記錄器，其中該連接支架可旋轉地連接至該記錄器本體。
如請求項1所述的行車記錄器，其中該天線模組具有一線路板及多個天線圖案，且該些天線圖案設置在該線路板上並連接該線路板的內部線路。
如請求項3所述的行車記錄器，更包括： <br/>一GPS模組，安裝在該線路板上。
如請求項4所述的行車記錄器，其中該些天線圖案包括一對天線圖案，且該對天線圖案分別位於該GPS模組的相對兩側。
如請求項3所述的行車記錄器，更包括： <br/>一第一傳輸埠，設置於該線路板上並連接該線路板的內部線路，以傳輸電力和信號； <br/>一第二傳輸埠，設置於該線路板上並連接該線路板的內部線路，以傳輸電力和信號；以及 <br/>一傳輸纜線，具有二連接端口，其中該些連接端口分別位於該傳輸纜線的兩端並分別連接該第二傳輸埠及該記錄器本體的一本體接口，使得該本體接口經由該傳輸纜線傳輸電力和信號。
如請求項6所述的行車記錄器，其中該本體接口設置在該主機板上，該連接支架具有一支架線孔，該本體殼體具有一本體線孔，且該傳輸纜線穿過該支架線孔及該本體線孔，使得該些連接端口分別位在該塑膠殼體內及該記錄器本體內。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一電平轉換電路，用以產生與一第一電壓域中的一輸入訊號對應的一第二電壓域中的一輸出電壓，其中該電平轉換電路包含至少一厚氧化物電晶體及一薄氧化物電晶體；以及<br/> 一偏壓產生電路，包含一電容器和一交叉耦接N型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體對，其中該電容器的一第一端耦接該交叉耦接NMOS電晶體對的一節點，該電容器的一第二端耦接該薄氧化物電晶體的一閘極，並且該偏壓產生電路有效地耦接至該電平轉換電路且用以：<br/> 在該電容器的該第一端產生一偏壓電壓，該偏壓電壓實質上高於該輸入訊號的一電壓；以及<br/> 提供該偏壓電壓至該厚氧化物電晶體的一閘極，從而使得該電平轉換電路產生該輸出電壓。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該薄氧化物電晶體的一第一端子電耦接至接地，且該薄氧化物電晶體的一第二端子電耦接至該厚氧化物電晶體的一第一端子。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該厚氧化物電晶體的該閘極及該薄氧化物電晶體的該閘極分別經由該電容器的該第一端和該電容器的該第二端電耦接至該偏壓產生電路。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該偏壓產生電路電耦接至該第一電壓域的一第一電壓源，且該電平轉換電路電耦接至該第二電壓域的一第二電壓源。
如請求項1所述之半導體裝置，其中：<br/> 該電平轉換電路進一步包含一第二厚氧化物電晶體及一第二薄氧化物電晶體；且<br/> 該偏壓產生電路產生一第二偏壓電壓。
一種半導體電路，包含：<br/> 一第一電容器，具有耦接至一第一訊號的一第一端子；<br/> 一第二電容器，具有耦接至該第一訊號的一邏輯反相訊號的一來源的一第一端子；<br/> 一第一N型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體及一第二NMOS電晶體，該第一NMOS電晶體的一閘極耦接至該第二NMOS電晶體的一源極電壓，該第二NMOS電晶體的一閘極耦接至該第一NMOS電晶體的一源極電壓，該第一NMOS電晶體的一汲極及該第二NMOS電晶體的一汲極耦接至一電源電壓；<br/> 一第三NMOS電晶體及一第四NMOS電晶體，該第三NMOS電晶體的一閘極、一汲極及該第四NMOS電晶體的一閘極、一汲極耦接至該電源電壓，該第一NMOS電晶體的一源極及該第三NMOS電晶體的一源極各自耦接至該第一電容器的一第二端子處的一電壓，該第二NMOS電晶體的一源極及該第四NMOS電晶體的一源極各自耦接至該第二電容器的一第二端子處的一電壓，<br/> 其中響應於該第一訊號處於一第一邏輯狀態，該半導體電路在該第二電容器的該第二端子處或該第一電容器的該第二端子處產生一偏壓輸出電壓；<br/> 一第一反相器及一第二反相器，該第一反相器用以接收一輸入訊號並產生該第一訊號，該第二反相器用以接收該第一訊號並產生該第一訊號的該邏輯反相訊號；以及<br/> 一電平轉換器，該電平轉換器包含：<br/> 一第一P型金屬氧化物半導體（PMOS）電晶體及一第二PMOS電晶體，該第一PMOS電晶體的一源極及該第二PMOS電晶體的一源極耦接至大於該電源電壓的一第二電源電壓，該第一PMOS電晶體的一閘極耦接至該第二PMOS電晶體的一汲極電壓，該第二PMOS電晶體的一閘極耦接至該第一PMOS電晶體的一汲極電壓。
如請求項6所述之半導體電路，其中該半導體電路在該第一電容器的該第二端子處產生一第二偏壓輸出電壓。
如請求項6所述之半導體電路，其中該電平轉換器更包含：<br/> 一第五NMOS電晶體，該第五NMOS電晶體的一汲極耦接至該第一PMOS電晶體的該汲極電壓；<br/> 一第六NMOS電晶體，該第六NMOS電晶體的一汲極耦接至該第五NMOS電晶體的一源極電壓，且該第六NMOS電晶體的一源極耦接至一接地電壓；<br/> 一第七NMOS電晶體，該第七NMOS電晶體的一汲極耦接至該第二PMOS電晶體的該汲極電壓；及<br/> 一第八NMOS電晶體，該第八NMOS電晶體的一汲極耦接至該第七NMOS電晶體的一源極電壓，且該第八NMOS電晶體的一源極耦接至該接地電壓。
如請求項8所述之半導體電路，其中：<br/> 該半導體電路在該第一電容器的該第二端子處產生該偏壓輸出電壓；<br/> 該第七NMOS電晶體的一閘極耦接至該第一電容器的該第二端子處的該偏壓輸出電壓；且<br/> 該第八NMOS電晶體的一閘極耦接至該第一訊號的一邏輯同相訊號。
一種操作方法，包含以下步驟：<br/> 接收對應於一第一電壓源的一輸入訊號；<br/> 基於該輸入訊號並使用該第一電壓源，在一電容器的一第一端，產生一偏壓電壓，其中該電容器的該第一端耦接至一交叉耦接N型金屬氧化物半導體（NMOS）電晶體對的節點；<br/> 提供該偏壓電壓至一電平轉換電路的一保護電晶體，該電平轉換電路電耦接至具有一第二電壓的一第二電壓源，該第二電壓大於該第一電壓源的一第一電壓，以及該偏壓電壓為該第一電壓的兩倍；<br/> 提供該輸入訊號至與該保護電晶體串聯的一電晶體，其中該電晶體耦接該電容器的一第二端；及<br/> 基於該偏壓電壓產生一輸出電壓，該輸出電壓為該第二電壓或一接地電壓。
一種批次工作執行方法，包括以一批次處理主機執行：<br/> 循序執行多個第一工作；<br/> 每當完成該些第一工作中的一者時，標示一完成旗標；<br/> 定期詢問多個閒置主機的多個狀態及該些閒置主機的多個硬體資源可用率，並將該些狀態及該些硬體資源可用率記錄於一硬體資源使用表；<br/> 在完成該些第一工作的至少一者後，依據該硬體資源使用表，從該些閒置主機中選擇一候選主機；<br/> 從多個第二工作中選擇一待辦工作，其中該些第二工作的每一者對應於被標示該完成旗標的該些第一工作中的一者，且該些第二工作的輸入為該些第一工作的輸出；以及<br/> 控制該候選主機執行該待辦工作。
如請求項1的批次工作執行方法，其中該批次處理主機選擇的該候選主機係對應於該些硬體資源可用率中的最大者。
如請求項1的批次工作執行方法，更包括以該批次處理主機執行：<br/> 在該候選主機執行該待辦工作時，將該硬體資源使用表中對應該候選主機的欄位標示為工作狀態；以及<br/> 在該候選主機完成該待辦工作後，將該硬體資源使用表中對應該候選主機的欄位標示為閒置狀態。
如請求項1的批次工作執行方法，其中該些硬體資源可用率的每一者係依據處理器使用率以及記憶體使用率中的至少一者計算得到。
如請求項1的批次工作執行方法，其中該些閒置主機各為虛擬機器主機。
一種批次工作執行系統，包括：<br/> 一批次處理主機，用於循序執行多個第一工作，每當完成該些第一工作中的一者時，標示一完成旗標；以及<br/> 多個閒置主機，通訊連接該批次處理主機；其中<br/> 該批次處理主機用於定期詢問多個閒置主機的多個狀態及該些閒置主機的多個硬體資源可用率，並將該些狀態及該些硬體資源可用率記錄於一硬體資源使用表；<br/> 在完成該些第一工作的至少一者後，依據該硬體資源使用表，從該些閒置主機中選擇一候選主機；<br/> 該批次處理主機用於從多個第二工作中選擇一待辦工作，其中該些第二工作的每一者對應於被標示該完成旗標的該些第一工作中的一者，且該些第二工作的輸入為該些第一工作的輸出；以及<br/> 該批次處理主機更用於控制該候選主機執行該待辦工作。
如請求項6的批次工作執行系統，其中該批次處理主機選擇的該候選主機係對應於該些硬體資源可用率中的最大者。
如請求項6的批次工作執行系統，該批次執行主機更用於：<br/> 在該候選主機執行該待辦工作時，將該硬體資源使用表中對應該候選主機的欄位標示為工作狀態；以及<br/> 在該候選主機完成該待辦工作後，將該硬體資源使用表中對應該候選主機的欄位標示為閒置狀態。
如請求項6的批次工作執行系統，其中該些硬體資源可用率的每一者係依據處理器使用率以及記憶體使用率中的至少一者計算得到。
如請求項6的批次工作執行系統，其中該些閒置主機各為虛擬機器主機。
一種致動器，其特徵為包含：<br/> 外殼，其支撐以上下方向作為軸線方向的輸出軸；<br/> 輸出齒輪，其與前述輸出軸一起旋轉；<br/> 固定齒輪，其固定在前述外殼且和前述輸出齒輪對向設置；<br/> 擺動齒輪，其配置在前述輸出齒輪與固定齒輪之間，設置在前述固定齒輪側之面的第1齒和固定齒輪嚙合，設置在前述輸出齒輪側之面的第2齒和輸出齒輪嚙合；<br/> 永久磁鐵，其在前述擺動齒輪的外周側相對於前述擺動齒輪呈同心圓狀固定，<br/> 複數個電磁鐵，其等以與前述輸出軸呈同心圓狀地固定於前述外殼，且不與藉前述擺動齒輪的擺動而擺動之前述永久磁鐵接觸之方式於前述永久磁鐵的上面和下面具有在上下方向分別對向之上側磁極片和下側磁極片，前述上側磁極片和下側磁極片與前述永久磁鐵的上面和下面係在上下方向形成磁隙，<br/> 前述上側磁極片和前述永久磁鐵的上面、及下側磁極片和前述永久磁鐵的下面，係以在第1位置作用於將前述擺動齒輪的第1齒推壓於前述固定齒輪的齒之方向，且在繞半周的第2位置作用於將前述擺動齒輪的第2齒推壓於前述輸出齒輪的齒之方向的方式控制前述電磁鐵。
如請求項1之致動器，其中<br/> 前述永久磁鐵係以上側成為一極性，下側成為另一極性的方式相對於前述擺動齒輪呈同心圓狀固定；<br/> 前述複數個電磁鐵藉由前述上側磁極片與下側磁極片具有相同磁極，且被包夾在其間的前述永久磁鐵在上面與下面具有不同極性而產生之磁力的吸引力，係在第1位置作用於將前述擺動齒輪的第1齒推壓於前述固定齒輪的齒之方向，且在繞半周的第2位置作用於將前述擺動齒輪的第2齒推壓於前述輸出齒輪的齒之方向。
如請求項1之致動器，其中<br/> 前述永久磁鐵係在前述擺動齒輪的外周側從前述擺動齒輪的中心點將一磁極朝向外周側配置；<br/> 前述複數個電磁鐵藉由前述上側磁極片與下側磁極片具有不同的磁極，且被包夾在其間的前述永久磁鐵具有前述一極性而產生的磁力之吸引力，係在第1位置作用於將前述擺動齒輪的第1齒推壓於前述固定齒輪的齒之方向，且在繞半周的第2位置作用於將前述擺動齒輪的第2齒推壓於前述輸出齒輪的齒之方向。
如請求項1之致動器，其中<br/> 前述擺動齒輪的第1齒、第2齒、前述固定齒輪的齒、和前述輸出齒輪的齒，係從各個前述齒輪的中心位置形成為放射狀，且形成為隨著遠離前述中心位置而變深。
如請求項1之致動器，其中<br/> 供給至前述致動器的電流，其大小與方向係隨著時間經過而以固定周期變化之正弦波的電流。
如請求項1之致動器，其中<br/> 供給至前述致動器的電流，其大小與方向係隨著時間經過而以固定周期變化之矩形波的電流。
如請求項1之致動器，其中<br/> 前述電磁鐵係在以前述軸線為中心的圓周上等間隔地配置有偶數個，俯視觀之，配置在呈180°對向的位置之前述電磁鐵係同相的電流，將彼此相反的極性朝向前述擺動齒輪。
如請求項2之致動器，其中<br/> 前述永久磁鐵係在以前述中心軸線為中心的圓周上等間隔地配置有偶數個。
如請求項8之致動器，其中<br/> 相鄰的前述永久磁鐵係以彼此成為相反的極性之方式配置，且前述擺動齒輪的第1齒的數量與前述固定齒輪的齒的數量設為相同。
如請求項1之致動器，其中在前述永久磁鐵的上下方向上側和下側分別配置有前述電磁鐵，各個電磁鐵的磁極片，係從形成圓環狀的基座部的上側面朝上方向呈凸極狀地突出而形成。
一種致動器，其特徵為包含：<br/> 外殼，其支撐以上下方向作為軸線方向的輸出軸；<br/> 輸出齒輪，其與前述輸出軸一起旋轉；<br/> 固定齒輪，其固定在前述外殼且和前述輸出齒輪對向設置；<br/> 擺動齒輪，其配置在前述輸出齒輪與固定齒輪之間，設置在前述固定齒輪側之面的第1齒與固定齒輪嚙合，設置在前述輸出齒輪側之面的第2齒與輸出齒輪嚙合；<br/> 永久磁鐵，其與前述輸出軸呈同心圓狀地包圍前述擺動齒輪的外周並固定於前述外殼，且在前述擺動齒輪的外周側以相對於前述擺動齒輪呈同心圓狀地，以一磁極成為上側，另一磁極成為下側之方式，使兩極性隔著間隔作固定；<br/> 複數個電磁鐵，其等在前述擺動齒輪的外周相對於前述擺動齒輪呈同心圓狀，且朝向前述永久磁鐵的一磁極被前述永久磁鐵的兩磁極包夾；<br/> 藉由具有各電磁鐵的前述一磁極，且其上下的前述永久磁鐵具有互異的磁極而產生之磁力的吸引力，係在第1位置作用於將前述擺動齒輪的第1齒推壓於前述固定齒輪的齒之方向，且在繞半周的第2位置作用於將前述擺動齒輪的第2齒推壓於前述輸出齒輪的齒之方向。
一種工件搬送機器人，其具備：<br/> 手臂體，其複數支手臂以各自的中心軸線為中心可旋轉地連結；<br/> 手指，其以可旋轉的方式安裝於前述手臂體的前端；及<br/> 如請求項1或11中任一項之致動器，其將前述複數支手臂及前述手指旋轉驅動。
一種產生與一第一服務提供者的一第一確認頁面（FCP）不同的一第二服務提供者的一第二確認頁面（SCP），以用於該第一服務提供者的一支付方與該第二服務提供者的一接收方之間、經由一橋接服務提供者所執行的一橋接交易的交易確認的方法，其包括：<br/> 在該橋接交易執行後，由該橋接服務提供者的一橋接系統，從該第一服務提供者的一第一管理系統接收包含一交易識別碼的一第二確認頁面（SCP）請求；<br/> 由該橋接系統在一交易資料庫中搜尋與該交易識別碼對應的一交易資訊；<br/> 由該橋接系統產生包含用於產生SCP的頁面佈局資訊的一SCP內容檔案；以及； <br/> 由該橋接系統向該第一管理系統提供該SCP內容檔案；<br/> 其中該第一服務提供者不同於該橋接服務提供者及該第二服務提供者，且該第一服務提供者及該第二服務提供者的支付碼格式不相通，需經由該橋接系統執行該橋接交易以及；<br/> 其中該第一確認頁面（FCP）係一個具有該第一服務提供者的格式、可由該第一管理系統產生之交易確認頁面，且該第二確認頁面（SCP）係一個具有該第二服務提供者的格式、無法由該第一管理系統產生之交易確認頁面。
如請求項1之方法，其中產生該SCP內容檔案包括以下步驟：<br/> 由該橋接服務提供者基於該交易資訊從多個收單方中識別該第二服務提供者；以及<br/> 由該橋接服務提供者產生該第二服務提供者的該SCP內容檔案。
如請求項2之方法，其中該SCP內容檔案包括一文字內容及一圖像指涉內容。
如請求項3之方法，在向該第一管理系統提供該SCP內容檔案之後更包括：<br/> 由該橋接服務提供者基於該SCP內容檔案從該支付方的一可攜式裝置接收對於一SCP圖像內容的一圖像請求；以及<br/> 由該橋接服務提供者向該支付方的該可攜式裝置提供該SCP圖像內容。
如請求項4之方法，其中該圖像指涉內容提供了存取該SCP圖像內容的一URL。
如請求項4之方法，其中該SCP圖像內容係由儲存多個收單方的圖像內容的一圖像資料庫所提供。
如請求項1之方法，其中該SCP內容檔案包括用於產生該SCP的一HTML檔案。
如請求項2之方法，其中該交易資料庫儲存該第一服務提供者與該多個收單方之間的交易的交易資訊。
如請求項1之方法，其中該交易識別碼係可被橋接系統識別的一識別碼，其唯一地標識該支付方與該接收方之間的交易。
如請求項1之方法，其中對應於該交易識別碼的該交易資訊包括一接收方名稱、一交易編號、一交易時間、一交易幣別以及一交易金額。
如請求項1之方法，其中所產生的該第二確認頁面（SCP）與該第一管理系統所產生的該第一確認頁面（FCP）一起顯示在該支付方的一可攜式裝置上，以形成雙重確認頁面（DCP）。
如請求項11之方法，其中該雙重確認頁面（DCP）具有用於在該第一確認頁面（FCP）與該第二確認頁面（SCP）之間切換的一標籤。
一種可以用於產生與一第一服務提供者的一第一確認頁面（FCP）不同的一第二服務提供者的一第二確認頁面（SCP），以用於該第一服務提供者的一支付方以及身為多個收單方其中之一的該第二服務提供者的一接收方之間的一橋接交易的交易確認的橋接系統，其包括：<br/> 一交易資料庫，被配置為儲存該第一服務提供者與該多個收單方之間的橋接交易的資訊；<br/> 一圖像資料庫，被配置為儲存該多個收單方的確認頁面的圖像內容；以及<br/> 一視圖製作器，其通訊連接至該交易資料庫，並被配置為通訊連接至該第一服務提供者的一第一管理系統；<br/> 其中該視圖製作器包括儲存在其上的指令，該指令被配置為響應於指令的執行而進行包括以下的操作：<br/> 在該橋接交易執行後，從該第一服務提供者的該第一管理系統接收包含一交易識別碼的一第二確認頁面（SCP）請求；<br/> 在該交易資料庫中搜尋與該交易識別碼相對應的一交易資訊；<br/> 基於該交易資訊產生包含用於產生SCP的頁面佈局資訊的一SCP內容檔案；以及<br/> 向該第一管理系統提供該SCP內容檔案；<br/> 並且其中該第一服務提供者不同於該第二服務提供者，且該第一服務提供者及該第二服務提供者的支付碼格式不相通，該第一管理系統係經由該橋接系統執行該橋接交易；以及<br/> 其中該第一確認頁面（FCP）係一個具有該第一服務提供者的格式、可由該第一管理系統產生之交易確認頁面，且該第二確認頁面（SCP）係一個具有該第二服務提供者的格式、無法由該第一管理系統產生之交易確認頁面。
如請求項13之橋接系統，其中該SCP內容檔案包括一文字內容及一圖像指涉內容。
如請求項14之橋接系統，其中該圖像指涉內容提供存取該SCP圖像內容的一URL。
如請求項13之橋接系統，其中該圖像資料庫被配置為：<br/> 基於一SCP內容檔案，從該第一管理系統接收對於一SCP圖像內容的一圖像請求；以及<br/> 向該第一管理系統提供該SCP圖像內容。
如請求項13之橋接系統，其中該SCP內容檔案包括用於產生該SCP的一HTML檔案。
如請求項13之橋接系統，其中該視圖製作器被配置為可通訊連接至多個發行方，且其中之一為該第一服務提供者的該第一管理系統。
如請求項13之橋接系統，其中該交易識別碼係該視圖製作器可識別的一標識碼，其唯一地標識該第一服務提供者的一支付方以及該第二服務提供者的一接收方之間的交易。
如請求項13之橋接系統，其中對應於該交易識別碼的該交易資訊包括一接收方名稱、一交易編號、一交易時間、一交易幣別以及一交易金額。
如請求項13之橋接系統，其中所產生的該第二確認頁面（SCP）與該第一管理系統所產生的該第一確認頁面（FCP）一起顯示在該支付方的一可攜式裝置上，以形成雙重確認頁面（DCP）。
如請求項21之橋接系統，其中該雙重確認頁面（DCP）具有用於在該第一確認頁面（FCP）與該第二確認頁面（SCP）之間切換的一標籤。
一種嵌埋器件封裝基板的製作方法，其特徵在於，所述製作方法包括：(a)準備線路板，所述線路板包括第一絕緣層和位於所述第一絕緣層上表面上的第一線路層；(b)在所述第一線路層上形成粘芯介質層，所述粘芯介質層包括具有粘性的感光型介質；(c)將器件的背面貼合在所述粘芯介質層上；(d)在所述粘芯介質層上層疊芯層，其中所述芯層包括預置開口以容納所述器件，所述芯層包括金屬材料；(e)在所述芯層上層疊封裝層以封裝所述器件；(f)形成連接所述器件的端子的第一導通柱和連接所述第一線路層的第二導通柱；(g)在所述封裝層上形成外線路層，其中所述外線路層與所述器件的端子通過所述第一導通柱導通連接，所述外線路層與所述第一線路層通過所述第二導通柱導通連接。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，所述封裝層包括無玻纖樹脂材料。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，所述芯層的預置開口包括第一開口和第二開口，所述第一開口用於嵌埋所述器件，所述第二開口用於形成所述第二導通柱。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，步驟(b)所述形成粘芯介質層的工藝選自印刷、壓合和塗覆。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，所述線路板還包括位於所述第一絕緣層下表面的第二線路層和導通連接所述第一線路層和所述第二線路層的第三導通柱。
一種聚醯亞胺膜，其中，前述聚醯亞胺膜藉由使包含二酐成分和二胺成分的聚醯胺酸溶液發生醯亞胺化反應而獲得，<br/> 其中，前述二酐成分包括聯苯四甲酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)和二苯酮四羧酸二酐(BTDA)，前述二胺成分包括對苯二胺(PPD)、間聯甲苯胺(m-tolidine)和二胺基二苯醚(ODA)，<br/> 其中，以前述二胺成分的總含量100莫耳%為基準，前述對苯二胺的含量為50莫耳%以上、60莫耳%以下，前述間聯甲苯胺的含量為10莫耳%以上、15莫耳%以下，前述二胺基二苯醚的含量為25莫耳%以上、35莫耳%以下，<br/> 其中，前述聚醯亞胺膜的屈服強度為138MPa以上，且<br/> 玻璃轉化溫度為370℃以上，<br/> 其中，以前述二酐成分的總含量100莫耳%為基準，前述聯苯四甲酸二酐的含量為15莫耳%以上、30莫耳%以下，前述均苯四甲酸二酐的含量為30莫耳%以上、50莫耳%以下，前述二苯酮四羧酸二酐的含量為25莫耳%以上、45莫耳%以下。
如請求項1所述之聚醯亞胺膜，其中，前述聚醯亞胺膜的屈服點為2.4%以上。
如請求項1所述之聚醯亞胺膜，其中，聚醯亞胺為包含第一嵌段的嵌段共聚物，前述第一嵌段是使包含前述聯苯四甲酸二酐的二酐成分與包含前述間聯甲苯胺的二胺成分發生醯亞胺化反應而獲得。
如請求項3所述之聚醯亞胺膜，其中，以前述聚醯亞胺的總含量100莫耳%為基準，前述第一嵌段的含量為10莫耳%以上、16莫耳%以下。
一種可撓性覆金屬箔層壓板，其包括如請求項1至4中任一項所述之聚醯亞胺膜和導電性金屬箔。
一種電子部件，其包括如請求項5所述之可撓性覆金屬箔層壓板。
一種封裝基板，係包括：核心板體，係具有相對之第一側與第二側、及複數連通該第一側與第二側之導電通孔，並於該核心板體之第一側及第二側上分別佈設一電性連接該複數導電通孔之線路層；複數導電柱，係設於該核心板體之第一側與第二側之線路層上以電性連接該線路層，其中，該複數導電柱之周身與底部係形成有種子層，其中，該種子層係為導電薄膜；以及絕緣層，係設於該核心板體之第一側與第二側上並包覆該複數導電柱，其中，該複數導電柱外露於該絕緣層之表面。
如請求項1所述之封裝基板，其中，該種子層係為金屬層。
如請求項1所述之封裝基板，其中，該複數導電柱之表面係齊平該絕緣層之表面。
如請求項1所述之封裝基板，其中，該複數導電柱之表面係低於該絕緣層之表面。
一種封裝基板之製法，係包括：提供一具有相對之第一側與第二側、及複數連通該第一側與第二側之導電通孔的核心板體，再於該核心板體之第一側及第二側上分別佈設一電性連接該複數導電通孔之線路層；形成複數導電柱於該核心板體之第一側與第二側之線路層上，並令該複數導電柱電性連接該線路層，其中，該複數導電柱之周身與底部係形成有種子層，其中，該種子層係為導電薄膜；以及形成絕緣層於該核心板體之第一側與第二側上，以令該絕緣層包覆該複數導電柱，其中，該複數導電柱外露於該絕緣層之表面。
如請求項5所述之封裝基板之製法，其中，該種子層係為金屬層。
如請求項5所述之封裝基板之製法，其中，該複數導電柱之表面係齊平該絕緣層之表面。
如請求項5所述之封裝基板之製法，其中，該複數導電柱之表面係低於該絕緣層之表面。
一種影像調整方法，包含： <br/>擷取複數個影像，其中該些影像包含一第一影像及一第二影像，其中該第一影像包含至少一目標物件，該第二影像包含該至少一目標物件，該第一影像之時序係早於該第二影像之時序； <br/>偵測該第一影像及該第二影像之一影像變化區域，以根據該影像變化區域以取得至少一目標區域，其中該至少一目標區域包含該至少一目標物件； <br/>判斷該影像變化區域中是否包含手部區域； <br/>若該影像變化區域中包含該手部區域，移除該影像變化區域中該手部區域，以取得該至少一目標區域； <br/>對該第一影像或該第二影像中的該至少一目標區域進行邊緣偵測以找出該至少一目標物件之一邊緣；以及 <br/>根據該至少一目標物件之該邊緣對該第一影像及該第二影像其中一者進行影像處理以輸出一處理後之影像。
如請求項1所述之影像調整方法，其中根據該第一影像及該第二影像以取得該至少一目標區域更包含: <br/>判斷該影像變化區域之一區域面積是否大於一預設面積；以及 <br/>若該區域面積大於該預設面積，依據該影像變化區域取得該至少一目標區域。
一種影像調整系統，包含： <br/>一影像擷取單元，用以擷取複數個影像，其中該些影像包含一第一影像及一第二影像，其中該第一影像包含至少一目標物件，該第二影像包含該至少一目標物件，該第一影像之時序係早於該第二影像之時序； <br/>一影像變化偵測單元，係與該影像擷取單元耦接，用以偵測該第一影像及該第二影像之一影像變化區域； <br/>一目標區域辨識單元，係與該影像擷取單元耦接，並用以根據該影像變化區域取得至少一目標區域，其中該至少一目標區域包含該至少一目標物件； <br/>一手部偵測單元，係與該影像變化偵測單元與該目標區域辨識單元耦接，用以判斷該影像變化區域是否包含一手部區域，其中若該影像變化區域中包含該手部區域，該目標區域辨識單元用以移除該影像變化區域中該手部區域，以取得該至少一目標區域； <br/>一邊緣偵測單元，係與該目標區域辨識單元耦接，用以對該第一影像或該第二影像中的該至少一目標區域進行邊緣偵測以找出該至少一目標物件之一邊緣；以及 <br/>一影像處理單元，係與該邊緣偵測單元耦接，用以根據該至少一目標物件之該邊緣對該第一影像或該第二影像其中一者進行影像處理以輸出一處理後之影像。
一種邊緣偵測方法，包含： <br/>擷取複數個影像，其中該些影像包含至少一目標物件； <br/>取得該些影像中的至少兩個目標影像； <br/>偵測該至少兩個目標影像之一影像變化區域； <br/>根據該影像變化區域以取得至少一目標區域，其中該至少一目標區域包含該至少一目標物件； <br/>判斷該影像變化區域中是否包含手部區域； <br/>若該影像變化區域中包含該手部區域，移除該影像變化區域中該手部區域，以取得該至少一目標區域；以及 <br/>對該至少兩個目標影像中的該至少一目標區域進行邊緣偵測以找出該至少一目標物件之一邊緣。
如請求項4所述之邊緣偵測方法，其中根據該至少兩個目標影像以取得該至少一目標區域包含： <br/><br/>判斷該影像變化區域之一區域面積是否大於一預設面積；以及 <br/>若該區域面積大於該預設面積，依據該影像變化區域取得該至少一目標區域。
如請求項4所述之邊緣偵測方法，其中根據該至少兩個目標影像以取得該至少一目標區域包含： <br/>對該至少兩個目標影像進行移動偵測、影像變化偵測、物件偵測、影像處理之任一或其組合，以決定出該至少兩個目標影像中的該至少一目標區域。
一種重組病毒載體，包含一AAV 5’反轉末端重複(inverted terminal repeat,ITR)序列、一AAV 3’ ITR序列以及一表現組，其中該表現組是位於該AAV 5’ ITR及3’ ITR序列之間，且包含序列編號：22的核苷酸序列。
如請求項1所述之重組病毒載體，其中該AAV 5’ ITR及3’ ITR序列是源自AAV血清型2(AAV2)。
如請求項2所述之重組病毒載體，其中該AAV 5’ ITR及3’ ITR序列分別包含序列編號：19及20的核苷酸序列。
一種重組腺相關病毒(AAV)，包含一AAV殼體，以及一包覆於該AAV殼體中之如請求項1所述的重組病毒載體。
如請求項4所述之重組AAV，其中該AAV殼體是源自AAV血清型9(AAV9)。
如請求項5所述之重組AAV，其中該AAV殼體包含序列編號：21的胺基酸序列。
一種藥學組合物，包含如請求項4所述之重組AAV以及一藥學上可接受的藥物載體。
一種如請求項4所述之重組AAV或如請求項7所述之藥學組合物於製備一藥物的用途，其中該藥物係用以治療一個體的治療涎酸酵素缺乏症。
如請求項8所述之用途，其中該藥物包含每公斤腦重約1×10<sup>13</sup>到1×10<sup>15</sup>基因體拷貝數的該重組AAV。
如請求項8所述之用途，其中該藥物包含每公斤體重約1×10<sup>13</sup>到1×10<sup>15</sup>基因體拷貝數的該重組AAV。
如請求項8所述之用途，其中該個體是人類。
一種半導體裝置，其特徵在於，其係具有IGBT區域與二極體區域者，且具備：<br/>第1導電型之半導體基板；<br/>背面側主電極；<br/>第2導電型之第1半導體層，其自上述IGBT區域延伸至上述二極體區域內而形成，與上述背面側主電極相接；<br/>第1導電型之第2半導體層，其形成於上述二極體區域，與上述背面側主電極相接；<br/>第1低壽命區域，其形成於上述半導體基板內之僅上述二極體區域中之上述第1半導體層及上述第2半導體層之上；及<br/>第2低壽命區域，其形成於上述半導體基板內之上述二極體區域中之正面側，並與上述第1低壽命區域相對向。
如請求項1之半導體裝置，其進而具備：<br/>第2導電型之第3半導體層，其形成為於上述二極體區域內不與上述第1半導體層相接，且與上述第2半導體層及上述背面側主電極相接。
如請求項1之半導體裝置，其中<br/>上述第2低壽命區域僅形成於上述二極體區域。
如請求項1之半導體裝置，其中<br/>上述第1低壽命區域係藉由注入輕離子而形成。
一種含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，包括以下步驟：<br/> 製備糖液；<br/> 加熱該糖液，使該糖液之溫度大於100℃；<br/> 混合蛋黃與所述經加熱之糖液，以製備蛋黃醬；以及<br/> 混合油脂與所述蛋黃醬，其中，包括混合調味品，以製得所述含有蛋黃醬之奶油餡，其中所述含有蛋黃醬之奶油餡的比重為0.45至0.65，且其中，該調味品的製造方法包括：<br/> 加熱水溶液；以及<br/> 混合調味粉末與所述經加熱之水溶液，以製得所述調味品。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述糖液為60 Bx至85 Bx之糖水溶液。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述經加熱之糖液的溫度為110℃至120℃。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述混合蛋黃與所述經加熱之糖液，以製備蛋黃醬的步驟中，該蛋黃與該經加熱之糖液以1：6至1：10之比例混合。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述混合蛋黃與所述經加熱之糖液的步驟中，係以所述經加熱之糖液加至所述蛋黃中，以製備所述蛋黃醬。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述混合蛋黃與所述經加熱之糖液，以製備蛋黃醬的步驟中，還包括攪拌該蛋黃或該經加熱之糖液，使所述蛋黃醬膨發。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述混合油脂與所述蛋黃醬的步驟中，該蛋黃醬與該油脂以1：1至1：6之比例混合。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述油脂為固態油脂。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中該調味品在所述含有蛋黃醬之奶油餡中的含量為10%至60% (w/w)。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述經加熱之水溶液之溫度為95℃至100℃。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，該調味粉末與該經加熱之水溶液以1：5至1：7之比例混合。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，該調味粉末為可可粉，該可可粉係含有10%至25% (w/w) 之可可脂。
如請求項1所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法，其中，所述混合調味品的步驟之前，還包括冷卻該調味品，使該調味品的溫度小於或等於40℃。
一種含有蛋黃醬之奶油餡，係利用如請求項1至13任一項所述之含有蛋黃醬之奶油餡之製造方法所製成。
一種端子模組，包含：<br/>複數金屬導體，每一該金屬導體具有一寬度，且每一該金屬導體上具有至少一第一導接端、一第二導接端及一延伸於該第一導接端與該第二導接端之間的連接段，每一該連接段上設置有至少一定位區，且該些金屬導體沿每一該金屬導體的寬度的延伸方向排列，並使每一該金屬導體之間的間距小於每一該金屬導體的寬度，而相鄰的每一該金屬導體上的該定位區沿著該連接段的延伸方向彼此錯位排列；以及<br/>一絕緣本體，包覆在該些金屬導體的該連接段上，使每一該第一導接端及該第二導接端分別暴露在該絕緣本體的二端，且該絕緣本體上相對於每一該定位區的位置處，分別形成有一貫穿該絕緣本體的通孔，使每一該定位區部分的暴露於每一該通孔中。
如請求項1所述的端子模組，其中，每一該通孔的中心假想線相連後概呈一”W”字狀。
如請求項1所述的端子模組，其中，每一該通孔的中心假想線相連後概呈一”M”字狀。
如請求項1所述的端子模組，其中，該每一該定位區上具有一定位孔，該定位孔與該通孔位於同一中心上。
如請求項4所述的端子模組，其中，該每一該定位區相對於每一該定位孔的位置處，朝向二側向外各凸設有一止檔部。
一種端子模組的製造方法，包含：<br/>提供複數金屬導體，每一該金屬導體具有一寬度，且每一該金屬導體上具有至少一第一導接端、一第二導接端及一延伸該第一導接端與該第二導接端之間的連接段，每一該連接段上設置有至少一定位區；<br/>提供一模具，該模具內具有一成型空間，且該模具上相對於每一該定位區的位置處，分別設置有一用以夾持該定位區的頂針，再將該些金屬導體置入於該模具內，使該些金屬導體在該模具中沿著每一該金屬導體的寬度方向排列，並使每一該金屬導體之間的間距小於每一該金屬導體的寬度，再通過該些頂針夾持於該些定位區上，以將該連接段固定於該模具內，並使相鄰的每一該金屬導體上的該定位區沿著該連接段的延伸方向彼此錯位排列；以及<br/>一射出成型步驟：於該成型空間中注入一絕緣材料，待其冷卻後形成一包覆在該些連接段上的絕緣本體，使該些第一導接端與該第二導接端暴露在該絕緣本體的二側，並於該絕緣本體上相對於每一該頂針的位置處形成有一通孔，以組構成一端子模組。
如請求項6所述的端子模組的製造方法，其中，每一該通孔的中心假想線相連後概呈一”W”字狀。
如請求項6所述的端子模組的製造方法，其中，每一該通孔的中心假想線相連後概呈一”M”字狀。
如請求項6所述的端子模組的製造方法，其中，該每一該定位區上具有一定位孔，該定位孔與該通孔位於同一中心上。
如請求項9所述的端子模組的製造方法，其中，每一該連接區段相對於每一該定位孔的位置處，朝向二側向外各凸設有一止檔塊。
一種包含至少80%之式(I)化合物或其鹽之組合物，<br/><br/><img align="absmiddle" height="50px" width="66px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(I)<br/><br/>其中：<br/>R<sup>1</sup>為C<sub>1-4</sub>烷基、CH<sub>2</sub>Cl、苯基或苯甲基，其中苯基及苯甲基中之每一者可獨立地經一個、兩個或三個選自甲基、甲氧基、硝基及鹵素之取代基取代；及<br/>R<sup>2</sup>為C<sub>1-4</sub>烷基；<br/>其中該組合物包含少於0.5%之式(5)化合物：<br/><img align="absmiddle" height="51px" width="56px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(5)。
如請求項1之組合物，其中式(1)之R<sup>1</sup>為第三丁基。
如請求項1之組合物，其中式(1)之R<sup>2</sup>為甲基。
如請求項1之組合物，其包含至少85%之式(I)化合物或其鹽。
如請求項1之組合物，其包含至少90%之式(I)化合物或其鹽。
如請求項1之組合物，其包含至少95%之式(I)化合物或其鹽。
如請求項1之組合物，其包含少於0.3%之該式(5)化合物。
如請求項1之組合物，其包含少於0.2%之該式(5)化合物。
如請求項1之組合物，其包含少於0.1%之該式(5)化合物。
如請求項1之組合物，其包含少於0.05%之該式(5)化合物。
如請求項1之組合物，其中該式(I)化合物或其鹽係經分離。
如請求項1至11中任一項之組合物，其中純度係藉由HPLC所量測。
一種紙容器，包括：<br/> 一紙層，包括一基礎圖案區域；<br/> 至少一第一圖案單元，該至少一第一圖案單元設於該基礎圖案區域內，該至少一第一圖案單元包括複數第一鏤空結構及至少一第一實體結構，該複數第一鏤空結構相鄰於該至少一第一實體結構，該至少一第一實體結構構成至少部分之一標誌；及<br/> 至少一防水透光層，該至少一防水透光層設於該紙層之至少一側且封閉該複數第一鏤空結構及該至少一第一實體結構，該複數第一鏤空結構及該至少一防水透光層於一厚度方向上相互重疊共構至少一視窗；<br/> 其中，該複數第一鏤空結構之至少部份圍繞該至少一第一實體結構；<br/> 其中，該複數第一鏤空結構圍構形成該至少一第一實體結構，該標誌為文字、完整圖形或前述組合，該複數第一鏤空結構及該至少一第一實體結構共同構成該文字、完整圖形或前述組合；<br/> 其中，該至少一第一圖案單元包括複數該第一實體結構，該紙層位於該基礎圖案區域外緣的部分環繞連接複數該第一實體結構的一端，複數該第一實體結構中的每一個之另一端與複數該第一實體結構中的其他二個之另一端相連接。
如請求項1所述的紙容器，其中該至少一第一實體結構之至少二端部連接於該紙層。
如請求項1所述的紙容器，其中該至少一第一圖案單元包括複數該第一實體結構，該複數第一實體結構構成該標誌，該複數第一鏤空結構圍構形成該複數第一實體結構。
如請求項3所述的紙容器，其中相鄰之二該第一實體結構相互連接。
如請求項1所述的紙容器，其中該至少一第一實體結構包括至少一寬段及至少一窄段，該至少一窄段連接於該紙層及該至少一寬段之間。
如請求項1所述的紙容器，其中該至少一第一圖案單元另包括至少一顏色塗層，該至少一顏色塗層設於該至少一第一實體結構。
如請求項1所述的紙容器，另包括至少一第二圖案單元，該至少一第二圖案單元包括至少一第二鏤空結構及至少一第二實體結構，該至少一第二實體結構圍構出該至少一第二鏤空結構；其中，該至少一第一實體結構相鄰該至少一第二鏤空結構且共構成該標誌。
如請求項1所述的紙容器，包括複數該第一圖案單元，該複數第一圖案單元設於該基礎圖案區域內，該複數第一圖案單元相鄰設置，該複數第一圖案單元之該至少一第一實體結構構成相異之複數該標誌。
如請求項8所述的紙容器，其中該至少一第一圖案單元包括複數該第一實體結構，該複數第一實體結構構成該標誌，至少二該第一鏤空結構設於至少一該第一實體結構之相對二側且不相互連通；相鄰之二該第一實體結構相互連接；各該第一實體結構包括複數寬段及複數窄段，各該窄段連接於該紙層及至少一該寬段之間；各該窄段之一寬度尺寸小於至少一該寬段之一寬度尺寸；該至少一第一圖案單元另包括至少一顏色塗層，該至少一顏色塗層設於該至少一第一實體結構；該至少一顏色塗層設於各該寬段，各該顏色塗層與各該窄段之顏色相異。
一種如請求項1至9其中任一項所述的紙容器的製造方法，包括下列步驟：<br/> 備一紙材，該紙材構成該紙層，該紙材定義該基礎圖案區域；<br/> 裁切鏤空結構，於該紙材上裁切出貫設該基礎圖案區域之該至少一第一鏤空結構以形成該至少一第一實體結構；<br/> 備該至少一防水透光層，該至少一防水透光層覆設於該紙層之至少一側且封閉該至少一第一鏤空結構及該至少一第一實體結構。
一種線端連接器，該線端連接器係搭配一板端連接器與一導電線材，該線端連接器係包括： <br/>一線端導電端子，該線端導電端子係具有一線端端子對接段與一線端端子搭接段； <br/>一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端膠芯對接埠與一線端膠芯搭接埠；該線端絕緣膠芯係接合該線端導電端子，使該線端端子對接段延伸至該線端膠芯對接埠，而可於該線端膠芯對接埠對接該板端連接器，且使該線端端子搭接段延伸至該線端膠芯搭接埠，而可於該線端膠芯搭接埠搭接該導電線材； <br/>一線端金屬扣接件，該線端金屬扣接件係接合該線端絕緣膠芯，且該線端金屬扣接件係具有一線端金屬扣接結構，該線端金屬扣接結構係可扣接該板端連接器以保持該線端端子對接段對接該板端連接器；以及 <br/>一線端接合膠體，該線端接合膠體係填入該線端膠芯搭接埠，而可接合該線端端子搭接段與該導電線材，以保持該線端端子搭接段搭接該導電線材。
如請求項1所述的線端連接器，其中，該線端絕緣膠芯還具有一第一線端膠芯短邊側與一第二線端膠芯短邊側，該第一線端膠芯短邊側與該第二線端膠芯短邊側係為該線端絕緣膠芯上相對的兩短邊側，該線端金屬扣接結構係具有一第一線端金屬短邊側扣接子結構與一第二線端金屬短邊側扣接子結構，該第一線端金屬短邊側扣接子結構與該第二線端金屬短邊側扣接子結構係分別於該第一線端膠芯短邊側與該第二線端膠芯短邊側扣接該板端連接器。
如請求項2所述的線端連接器，其中，該線端金屬扣接件還具有一第一線端金屬短邊側子扣接件與一第二線端金屬短邊側子扣接件，該第一線端金屬短邊側子扣接件與該第二線端金屬短邊側子扣接件係分別位於該第一線端膠芯短邊側與該第二線端膠芯短邊側，該第一線端金屬短邊側扣接子結構與該第二線端金屬短邊側扣接子結構係分別設置於該第一線端金屬短邊側子扣接件與該第二線端金屬短邊側子扣接件。
如請求項2所述的線端連接器，其中，該線端絕緣膠芯還具有一第一線端膠芯長邊側與一第二線端膠芯長邊側，該第一線端膠芯長邊側與該第二線端膠芯長邊側係為該線端絕緣膠芯上相對的兩長邊側，且該第一線端膠芯長邊側、該第二線端膠芯長邊側、該第一線端膠芯短邊側與該第二線端膠芯短邊側係實質不同，該線端金屬扣接結構還具有一第一線端金屬長邊側扣接子結構與一第二線端金屬長邊側扣接子結構，該第一線端金屬長邊側扣接子結構與該第二線端金屬長邊側扣接子結構係分別於該第一線端膠芯長邊側與該第二線端膠芯長邊側扣接該板端連接器。
如請求項1所述的線端連接器，其中，該線端膠芯搭接埠係為可提供填入該線端接合膠體的凹陷結構，該線端膠芯對接埠係為可提供對接該板端連接器的舌狀結構。
如請求項1所述的線端連接器，其中，該線端接合膠體係為膠黏體。
如請求項1所述的線端連接器，其中，該線端端子搭接段係於一縱向搭接該導電線材，且該線端端子對接段係於該縱向對接該板端連接器。
如請求項1所述的線端連接器，其中，該線端絕緣膠芯還具有一線端膠芯座，該線端膠芯對接埠與該線端膠芯搭接埠係分別設置於該線端膠芯座，其中，該線端膠芯座可進入該板端連接器，使該線端膠芯對接埠可對接該板端連接器。
如請求項8所述的線端連接器，其中，該線端膠芯座係具有一線端對接防呆結構，該線端對接防呆結構係可引導該線端膠芯對接埠以預定方向對接該板端連接器，而防止該線端膠芯對接埠反向對接該板端連接器。
一種板端連接器，該板端連接器係搭配請求項1所述的線端連接器，其中，該板端連接器係包括： <br/>一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端端子對接段； <br/>一板端絕緣膠芯，該板端絕緣膠芯係具有一板端膠芯對接埠；該板端絕緣膠芯係接合該板端導電端子，使該板端端子對接段延伸至該板端膠芯對接埠，而可於該板端膠芯對接埠對接該線端連接器；以及 <br/>一板端金屬扣接件，該板端金屬扣接件係接合該板端絕緣膠芯，且該板端金屬扣接件係具有一板端金屬扣接結構，該板端金屬扣接結構係可扣接該線端連接器以保持該板端端子對接段對接該線端連接器。
如請求項10所述的板端連接器，其中，該板端絕緣膠芯還具有一第一板端膠芯短邊側與一第二板端膠芯短邊側，該第一板端膠芯短邊側與該第二板端膠芯短邊側係為該板端絕緣膠芯上相對的兩短邊側，該板端金屬扣接結構係具有一第一板端金屬短邊側扣接子結構與一第二板端金屬短邊側扣接子結構，該第一板端金屬短邊側扣接子結構與該第二板端金屬短邊側扣接子結構係分別於該第一板端膠芯短邊側與該第二板端膠芯短邊側扣接該線端連接器。
如請求項11所述的板端連接器，其中，該板端金屬扣接件還具有一第一板端金屬短邊側子扣接件與一第二板端金屬短邊側子扣接件，該第一板端金屬短邊側子扣接件與該第二板端金屬短邊側子扣接件係分別位於該第一板端膠芯短邊側與該第二板端膠芯短邊側，該第一板端金屬短邊側扣接子結構與該第二板端金屬短邊側扣接子結構係分別設置於該第一板端金屬短邊側子扣接件與該第二板端金屬短邊側子扣接件。
如請求項11所述的板端連接器，其中，該板端絕緣膠芯還具有一第一板端膠芯長邊側與一第二板端膠芯長邊側，該第一板端膠芯長邊側與該第二板端膠芯長邊側係為該板端絕緣膠芯上相對的兩長邊側，且該第一板端膠芯長邊側、該第二板端膠芯長邊側、該第一板端膠芯短邊側與該第二板端膠芯短邊側係實質不同，該板端金屬扣接結構還具有一第一板端金屬長邊側扣接子結構與一第二板端金屬長邊側扣接子結構，該第一板端金屬長邊側扣接子結構與該第二板端金屬長邊側扣接子結構係分別於該第一板端膠芯長邊側與該第二板端膠芯長邊側扣接該線端連接器。
如請求項10所述的板端連接器，其中，該板端膠芯對接埠係為可提供對接該線端連接器的凹陷結構。
如請求項10所述的板端連接器，其中，該板端絕緣膠芯還具有一板端膠芯座，該板端膠芯對接埠係設置於該板端膠芯座，其中，該線端連接器可進入該板端膠芯座，使該板端膠芯對接埠可對接該線端連接器。
如請求項15所述的板端連接器，其中，該板端膠芯座係具有一板端對接防呆結構，該板端對接防呆結構係可引導該板端膠芯對接埠以預定方向對接該線端連接器，而防止該板端膠芯對接埠反向對接該線端連接器。
一種連接器總成，該連接器總成係搭配一導電線材，該連接器總成係包括： <br/>一線端連接器，該線端連接器係具有： <br/>一線端導電端子，該線端導電端子係具有一線端端子對接段與一線端端子搭接段； <br/>一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端膠芯對接埠與一線端膠芯搭接埠；該線端絕緣膠芯係接合該線端導電端子，使該線端端子對接段延伸至該線端膠芯對接埠，且使該線端端子搭接段延伸至該線端膠芯搭接埠，而可於該線端膠芯搭接埠搭接該導電線材； <br/>一線端金屬扣接件，該線端金屬扣接件係具有一線端金屬扣接結構；以及 <br/>一線端接合膠體，該線端接合膠體係填入該線端膠芯搭接埠，而可接合該線端端子搭接段與該導電線材，以保持該線端端子搭接段搭接該導電線材；以及 <br/>一板端連接器，該板端連接器係具有： <br/>一板端導電端子，該板端導電端子係具有一板端端子對接段； <br/>一板端絕緣膠芯，該板端絕緣膠芯係具有一板端膠芯對接埠；該板端絕緣膠芯係接合該板端導電端子，使該板端端子對接段延伸至該板端膠芯對接埠；以及 <br/>一板端金屬扣接件，該板端金屬扣接件係具有一板端金屬扣接結構；其中， <br/>該線端膠芯對接埠係可對接該板端膠芯對接埠，使該線端端子對接段可對接該板端端子對接段，而該線端金屬扣接結構係可扣接該板端金屬扣接結構以保持該線端端子對接段對接該板端端子對接段。
一種外部天線切換方法，適用於一電子裝置，該電子裝置包括一外部天線組、一偵測模組、一切換模組以及一處理模組，該外部天線組包括多個外部天線、以及多個電源迴路，該些外部天線包括：一射頻外部天線，用以接收一射頻訊號；一無線區域網路外部天線，用以接收一無線區域網路訊號；以及一衛星導航外部天線，用以接收一第一衛星訊號；該些電源迴路包括：一射頻電源迴路，連接該射頻外部天線，用以提供該射頻外部天線一射頻工作電壓；以及一無線區域網路電源迴路，用以提供該無線區域網路外部天線一無線區域網路工作電壓，該外部天線切換方法包括： <br/>由該偵測模組偵測該外部天線組中該射頻外部天線或該衛星導航外部天線的一致能訊號； <br/>當該偵測模組偵測到該致能訊號時，該處理模組根據該致能訊號將一切換訊號傳送至該切換模組，以使該切換模組根據該些電源迴路提供該射頻工作電壓時僅致能該射頻外部天線而不致能該衛星導航外部天線，且不提供該射頻工作電壓時僅致能該衛星導航外部天線而不致能該射頻外部天線；以及 <br/>該切換模組根據該射頻工作電壓、以及該無線區域網路工作電壓致能該無線區域網路外部天線。
如請求項1所述之外部天線切換方法，其中，該電子裝置包括一濾波模組，該外部天線切換方法包括： <br/>該濾波模組將該第一衛星訊號拆分為包括一L1頻段、一L2頻段、及一L5頻段中至少一者的一第二衛星訊號。
如請求項1所述之外部天線切換方法，其中，該些外部天線包括： <br/>一無線廣域網路外部天線，用以接收一無線廣域網路訊號； <br/>其中，該外部天線切換方法包括： <br/>該切換模組根據該射頻工作電壓、該無線區域網路工作電壓、以及該無線廣域網路訊號致能該無線廣域網路外部天線。
一種電子裝置，包括： <br/>一外部天線組，包括多個外部天線、以及多個電源迴路； <br/>一偵測模組，連接該外部天線組，用以偵測該外部天線組的一致能訊號； <br/>一切換模組，連接該外部天線組，用以致能該些外部天線；以及 <br/>一處理模組，連接該偵測模組、以及該切換模組，用以執行一外部天線切換方法； <br/>其中，該些外部天線包括： <br/>一射頻外部天線，用以接收一射頻訊號； <br/>一無線區域網路外部天線，用以接收一無線區域網路訊號；以及 <br/>一衛星導航外部天線，用以接收一第一衛星訊號； <br/>其中，該些電源迴路包括： <br/>一射頻電源迴路，連接該射頻外部天線，用以提供該射頻外部天線一射頻工作電壓；以及 <br/>一無線區域網路電源迴路，用以提供該無線區域網路外部天線一無線區域網路工作電壓； <br/>其中，該外部天線切換方法包括： <br/>由該偵測模組偵測該外部天線組中的該射頻外部天線或該衛星導航外部天線的一致能訊號； <br/>當該偵測模組偵測到該致能訊號時，該處理模組根據該致能訊號將一切換訊號傳送至該切換模組，以使該切換模組根據該些電源迴路提供該射頻工作電壓時僅致能該射頻外部天線而不致能該衛星導航外部天線，且不提供該射頻工作電壓時僅致能該衛星導航外部天線而不致能該射頻外部天線；以及 <br/>該切換模組根據該射頻工作電壓、以及該無線區域網路工作電壓致能該無線區域網路外部天線。
如請求項4所述之電子裝置，更包括一濾波模組，該濾波模組連接該衛星導航外部天線； <br/>其中，該外部天線切換方法包括： <br/>該濾波模組將該第一衛星訊號拆分為包括一L1頻段、一L2頻段、及一L5頻段中至少一者的一第二衛星訊號。
如請求項4所述之電子裝置，其中，該些外部天線包括： <br/>一無線廣域網路外部天線，用以接收一無線廣域網路訊號； <br/>其中，該外部天線切換方法包括： <br/>該切換模組根據該射頻工作電壓、該無線區域網路工作電壓、以及該無線廣域網路訊號致能該無線廣域網路外部天線。
一種用於一帶電粒子評估(assessment)工具之帶電粒子光學裝置，該裝置經組態以沿著初級射束路徑朝向一樣本投影帶電粒子之初級射束，該裝置包含： <br/>一物鏡陣列，其經組態以將該等初級射束投影至該樣本上以產生次級帶電粒子及反向散射帶電粒子，該物鏡陣列包含至少一個電極； <br/>一偵測器逆流(up-beam)方向陣列，其沿著該等初級射束路徑在該至少一個電極之逆流方向定位；及 <br/>一偵測器順流(down-beam)方向陣列，其在該物鏡陣列之該至少一個電極之順流方向定位，且在該偵測器逆流方向陣列之順流方向定位； <br/>其中該偵測器順流方向陣列之孔徑之一寬度及施加至該物鏡陣列之一電位差之至少一者經選擇以使該等次級帶電粒子到達該偵測器逆流方向陣列。
如請求項1之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器逆流方向陣列及該偵測器順流方向陣列面朝該樣本且經組態以分開地及同時地偵測該等次級帶電粒子及該等反向散射帶電粒子。
如請求項2之帶電粒子光學裝置，其中實質上所有該等反向散射帶電粒子係由該偵測器順流方向陣列所偵測。
如請求項1之帶電粒子光學裝置，其中該物鏡陣列包含一上部電極及一下部電極，且該偵測器逆流方向陣列定位於該上部電極及該下部電極之間。
如請求項4之帶電粒子光學裝置，其中該物鏡陣列經組態以將該等次級帶電粒子自該樣本向上加速以穿過該下部電極中之孔徑並到達在該上部電極之底部之該偵測器逆流方向陣列。
如請求項1之帶電粒子光學裝置，其中該物鏡陣列之一幾何形狀用於減速帶電粒子之該等初級射束，且一樣本場經選擇以使得沒有或非常少之該等次級帶電粒子到達該偵測器順流方向陣列。
如請求項1之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列之該等孔徑之該寬度經調整以使得照射於該偵測器順流方向陣列上之該等次級帶電粒子減少。
如請求項7之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列之該等孔徑之該寬度為大約50 µm。
如請求項1之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列與該樣本之間之一距離經選擇以控制到達不同偵測器陣列之該等帶電粒子。
如請求項1至9中任一項之帶電粒子光學裝置，其中該至少一個電極中之鄰近孔徑之間之一節距在大約50 µm與1 mm之間。
如請求項5之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列包含一偵測器表面，該偵測器表面沿著該等初級射束路徑之順流方向且定位為面向該樣本，以使得當該等次級帶電粒子中之一些次級帶電粒子照射於該偵測器順流方向陣列上時過濾該等次級帶電粒子中之該些次級帶電粒子。
如請求項1至9中任一項之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列包含電荷偵測器、PIN偵測器、或閃爍體偵測器。
如請求項12之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列包含PIN偵測器，其中該等PIN偵測器之一表面層厚度經調節以濾除該等次級帶電粒子。
如請求項12之帶電粒子光學裝置，其中該偵測器順流方向陣列包含閃爍體偵測器，該等閃爍體偵測器具有充當用於該等次級帶電粒子之吸收層之一導電塗層。
一種使用包含如請求項1至14中任一項之帶電粒子光學裝置之一多射束帶電粒子評估工具偵測自一樣本發射之帶電粒子的方法。
一種螢光體粉末，包含以通式M<sub>x</sub>(Si,Al)<sub>2</sub>(N,O)<sub>3±y</sub>表示且M的一部分被Ce元素取代的螢光體的粒子，惟，M係Li及一種以上之鹼土類金屬元素，0.52≦x≦0.90，0≦y≦0.36，<br/> 該螢光體的粒子的表面之一部分含有隆起的表面改質部。
如請求項1之螢光體粉末，其中，該表面改質部包含扁平狀結構。
如請求項1或2之螢光體粉末，其中，該表面改質部包含氧化物或氫氧化物。
如請求項1或2之螢光體粉末，其中，利用雷射繞射散射法測定的該螢光體粉末的體積頻度粒度分布中，令從小粒子側的累積體積成為50%之點的粒徑為D<sub>50</sub>時，D<sub>50</sub>為8μm以上25μm以下。
如請求項1或2之螢光體粉末，其中，該螢光體之構成係使M之2mol%以上5mol%以下為Ce。
一種螢光體，係如請求項1或2之螢光體粉末，其中，在500~850nm之波長範圍測定該螢光體的擴散反射率頻譜時，對於波長700nm之光的擴散反射率X1與對於照射455nm之激發光時的螢光峰波長之光的擴散反射率X2之差值X1-X2，為3.0%以下。
一種螢光體，係如請求項1或2之螢光體粉末，其中，對於照射455nm之激發光時的螢光峰波長之光的擴散反射率X2為88%以上97%以下。
一種螢光體，係如請求項1或2之螢光體粉末，其中，照射455nm之激發光時的螢光峰的波長為580nm以上610nm以下。
一種螢光體，係如請求項1或2之螢光體粉末，其中，照射455nm之激發光時的螢光峰的半高寬為130nm以上142nm以下。
一種發光裝置，具備如請求項1或2之螢光體粉末及發光光源。
一種螢光體粉末之製造方法，係製造如請求項1至9中任一項之螢光體粉末之方法，包含：<br/> 在含氫氣的還原性氣體環境下實施退火處理之退火處理步驟。
一種釋鎖機構，用於解除第一構件與第二構件之間的相對定位，所述釋鎖機構包括： <br/>鎖定件，設置成能夠在鎖定位置與釋鎖位置之間運動，在所述鎖定位置，所述鎖定件阻擋所述第一構件與所述第二構件之間的相對運動，在所述釋鎖位置，所述鎖定件允許所述第一構件與所述第二構件之間的相對運動； <br/>操作件，設置成在外力作用下能夠直接地或間接地驅使所述鎖定件朝向所述釋鎖位置運動； <br/>帶動件，所述帶動件的第一端連接到所述鎖定件，所述帶動件的第二端連接到所述操作件， <br/>其中，所述操作件被設置成在外力作用下能經由所述帶動件而帶動所述鎖定件朝向所述釋鎖位置運動。
根據請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述操作件被設置成使得對其施加的外力具有使得所述第一構件相對於所述第二構件運動的作用。
一種釋鎖機構，用於解除第一構件與第二構件之間的相對定位，所述釋鎖機構包括： <br/>鎖定件，設置成能夠在鎖定位置與釋鎖位置之間運動，在所述鎖定位置，所述鎖定件阻擋所述第一構件與所述第二構件之間的相對運動，在所述釋鎖位置，所述鎖定件允許所述第一構件與所述第二構件之間的相對運動； <br/>操作件，設置成在外力作用下能夠直接地或間接地驅使所述鎖定件朝向所述釋鎖位置運動； <br/>其中，所述操作件被設置成使得對其施加的外力具有使得所述第一構件相對於所述第二構件運動的作用； <br/>其中，所述操作件被設置成在外力的作用下能夠帶動所述鎖定件運動到所述釋鎖位置，而且在相同方向的外力作用下還能夠帶動所述第一構件相對於所述第二構件運動。
根據請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述操作件是能通過被拉拽來驅使所述帶動件運動的拉柄。
根據請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述操作件是通過在固定座上滑動來驅使所述帶動件運動的滑柄，所述固定座設置於所述第一構件上。
根據請求項5所述的釋鎖機構，其中，所述固定座的頂部具有水平延伸的平坦表面，所述滑柄具有水平延伸的操作件施力部。
根據請求項6所述的釋鎖機構，其中，所述固定座的頂部的平坦表面上設有固定座肋，所述滑柄的操作件施力部的下表面上設有滑柄肋。
根據請求項5所述的釋鎖機構，其中，所述固定座包括定位結構，所述定位結構設置成限制所述滑柄的滑動路徑。
根據請求項8所述的釋鎖機構，其中，所述定位結構是緊鄰所述滑柄的兩側的兩個定位凸起。
根據請求項5所述的釋鎖機構，其中，所述固定座與所述滑柄之間設有復位彈簧，所述復位彈簧被設置成驅使所述滑柄回到未驅動所述帶動件的初始位置。
根據請求項5所述的釋鎖機構，其中， <br/>所述第一構件與所述第二構件之間相對樞轉並通過設置於所述第一構件上的調整裝置來調整所述第一構件相對於所述第二構件樞轉的位置，所述釋鎖機構用於釋鎖所述調整裝置， <br/>所述固定座和所述調整裝置的殼體一體形成。
根據請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述操作件是通過沿著平行於所述第一構件的延伸方向進行滑動來驅使所述帶動件運動的推柄。
如請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述帶動件是撓性構件。
如請求項13所述的釋鎖機構，其中，所述帶動件繞過一引導件，所述引導件設置成引導所述帶動件帶動所述鎖定件朝向所述釋鎖位置運動，從而使得所述操作件能夠沿可操作的多個方向被拉拽。
如請求項12所述的釋鎖機構，其中，所述帶動件是剛性構件。
如請求項15所述的釋鎖機構，其中，所述帶動件設置於所述鎖定件，所述推柄與所述帶動件接合，使得所述推柄的滑動能夠帶動所述鎖定件朝向釋鎖位置運動。
如請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述鎖定件具有卡合部。
如請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述鎖定件的運動是樞轉運動、滑移運動、或兩者的合成運動。
如請求項1所述的釋鎖機構，其中，所述第一構件與所述第二構件之間相對樞轉並通過調整裝置來調整所述第一構件相對於所述第二構件樞轉的位置，所述釋鎖機構用於釋鎖所述調整裝置。
如請求項19所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構還包括設置在所述調整裝置上的滑輪，所述帶動件被設置成繞過所述滑輪。
如請求項20所述的釋鎖機構，其中，所述滑輪為圍繞一水平軸線能自由旋轉的柱形轉動體，所述帶動件從所述鎖定件起經由所述滑輪轉向後延伸出所述調整裝置。
如請求項1至21中任一項所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構用於調整一嬰兒車的座椅，所述第一構件是所述座椅的背靠，所述第二構件是所述座椅的座部。
如請求項22所述的釋鎖機構，其中， <br/>所述操作件被設置成當受到垂直於所述背靠的延伸方向或傾斜於所述背靠的延伸方向的外力時，所述操作件在該外力的作用下能夠帶動所述鎖定件運動到所述釋鎖位置，而且在相同方向的外力作用下還能夠帶動所述背靠相對於所述座部樞轉。
如請求項22所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構被設置在所述背靠的中部以上的位置。
如請求項1至21中任一項所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構用於調整一箱子的開合程度，所述第一構件是所述箱子的覆蓋件，所述第二構件是所述箱子的箱體，所述覆蓋件相對於所述箱體能夠運動。
如請求項25所述的釋鎖機構，其中，所述覆蓋件相對於所述箱體的運動是樞轉開合、滑動開合或轉動開合。
如請求項1至21中任一項所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構用於調整嬰兒背帶，所述嬰兒背帶包括能夠穿戴於用戶身上的背負組件以及用於承載嬰兒的支撐組件，所述支撐組件與所述背負組件連接成使得所述支撐組件相對於所述背負組件的角度能夠調整，所述第一構件是所述支撐組件，所述第二構件是所述背負組件。
一種調整裝置，設有如請求項1至21中任一項所述的釋鎖機構。
如請求項28所述的調整裝置，其中，所述調整裝置還包括： <br/>卷盤，設置成能夠旋轉，供束帶捲繞在其上，所述束帶的兩端伸出所述調整裝置的外部。
如請求項29所述的調整裝置，其中，所述卷盤包括第一盤和第二盤，所述第一盤和所述第二盤通過中間連接部連接，使得所述第一盤與所述第二盤之間形成捲繞槽。
如請求項30所述的調整裝置，其中，所述束帶設置為兩條，所述卷盤對應地設置有兩個所述捲繞槽。
如請求項30所述的調整裝置，其中，所述第一盤上設有兩個導向槽。
如請求項29所述的調整裝置，其中，所述釋鎖機構是僅對所述第一構件與所述第二構件之間的朝向一個方向的相對樞轉被阻擋的情況進行釋鎖的單向釋鎖機構。
如請求項33所述的調整裝置，其中，所述卷盤上設有同軸旋轉的單向的棘輪，所述鎖定件的卡合部與所述棘輪上的棘輪齒配合，使得所述棘輪沿退繞方向的旋轉能夠被所述鎖定件阻擋，造成所述卷盤不能沿所述退繞方向旋轉。
如請求項34所述的調整裝置，其中，所述卷盤上的棘輪是大齒棘輪，所述大齒棘輪的棘輪齒傾斜角爲20°至25°，棘輪齒的數量爲8個至15個。
如請求項35所述的調整裝置，其中，所述大齒棘輪的棘輪齒傾斜角爲21.5°，棘輪齒的數量爲12個。
如請求項34所述的調整裝置，其中，所述卷盤的供所述棘輪設置於其上的卷盤表面的邊緣設有引導所述鎖定件返回鎖定位置的導向部。
如請求項29所述的調整裝置，其中，所述釋鎖機構是對所述第一構件與所述第二構件之間的相對樞轉被阻擋的情況進行釋鎖的雙向釋鎖機構。
如請求項38所述的調整裝置，其中，所述卷盤上設有同軸旋轉的齒輪，所述鎖定件的卡合部與所述齒輪上的齒配合，使得所述齒輪的旋轉能夠被所述鎖定件阻擋，造成所述卷盤不能旋轉。
如請求項39所述的調整裝置，其中，所述操作件是與所述鎖定件形成爲一體的滑柄。
如請求項40所述的調整裝置，其中，所述調整裝置包括滑柄彈性件，所述滑柄彈性件被設置成驅使由所述滑柄和所述鎖定件形成的一體構件運動到阻擋所述齒輪的旋轉的鎖定位置。
如請求項38所述的調整裝置，其中，所述卷盤上設有同軸旋轉的帶倒鈎棘輪，所述帶倒鈎棘輪的每個棘輪齒均設有限位倒鈎，所述鎖定件的卡合部設有與所述限位倒鈎配合的限位凹部，使得所述帶倒鈎棘輪的雙向的旋轉都能夠被所述鎖定件阻擋。
如請求項29所述的調整裝置，其中，所述調整裝置還包括： <br/>一發條彈簧，定位於所述卷盤內的安置孔中並設置成驅動所述卷盤沿與退繞方向相反的捲繞方向旋轉，而且，在所述卷盤沿所述退繞方向旋轉時，所述發條彈簧被卷緊。
如請求項43所述的調整裝置，其中，在所述卷盤的安置孔的外側設有輔助盤，所述輔助盤設置成擋住所述發條彈簧。
如請求項44所述的調整裝置，其中，所述輔助盤包括本體以及從所述本體的外周向外延伸的第一限位片和第二限位片，所述第一限位片和所述第二限位片沿軸向間隔開，以形成供所述束帶經過的限位通道。
如請求項45所述的調整裝置，其中，所述第一限位片和所述第二限位片只設置在所述輔助盤的半個部分的外周處。
如請求項45所述的調整裝置，其中，所述第一限位片和所述第二限位片沿周向錯開。
如請求項29所述的調整裝置，其中，所述束帶設置為自身具有彈性的構件。
如請求項29至48中的任一項所述的調整裝置，其中，所述調整裝置還包括： <br/>一第二外蓋和一內蓋，所述卷盤設置在所述內蓋與所述第二外蓋之間，所述束帶的兩端伸出到所述內蓋的外部。
如請求項49所述的調整裝置，其中，所述內蓋的對應於所述鎖定件的位置處設有通孔，所述鎖定件設置在所述通孔中。
如請求項49所述的調整裝置，其中，所述調整裝置還包括：一第一外蓋，位於所述內蓋的外部。
如請求項51所述的調整裝置，其中，所述第一外蓋上設有供所述帶動件穿過其中的引導孔。
如請求項29至48中的任一項所述的調整裝置，其中，所述調整裝置還包括彈性件，所述彈性件被設置成驅動所述鎖定件朝向所述鎖定位置運動。
如請求項29所述的調整裝置，其中， <br/>所述調整裝置包括殼體，所述卷盤位於所述殼體的內部並設有同軸旋轉的棘輪或齒輪，所述鎖定件的卡合部能夠阻擋所述棘輪或所述齒輪的旋轉； <br/>所述殼體設有貫穿其的殼體通孔，使得一卷盤阻擋件能夠從所述調整裝置的外部穿過所述殼體通孔而阻擋所述棘輪或所述齒輪的旋轉。
如請求項54所述的調整裝置，其中，所述卷盤阻擋件是與所述殼體形成為一體的連接式卷盤阻擋件，所述連接式卷盤阻擋件包括： <br/>一連接式阻擋部，能夠穿過所述殼體通孔而與所述棘輪的棘輪齒或所述齒輪的齒接合， <br/>一連接式彎折部，所述連接式卷盤阻擋件經由所述連接式彎折部與所述殼體形成為一體，而且，所述連接式彎折部被設置成使得所述連接式阻擋部能夠與所述棘輪的棘輪齒或所述齒輪的齒在接合位置與脫離接合位置之間移動。
如請求項55所述的調整裝置，其中，所述連接式卷盤阻擋件被設置成能夠通過切斷所述連接式彎折部而與所述殼體分離。
如請求項54所述的調整裝置，其中，所述卷盤阻擋件是獨立於所述殼體的獨立式卷盤阻擋件，所述獨立式卷盤阻擋件包括獨立式阻擋部，所述獨立式阻擋部能夠與所述棘輪的棘輪齒或所述齒輪的齒接合。
如請求項57所述的調整裝置，其中， <br/>所述殼體包括位於所述殼體通孔的上方的殼體中部連接孔， <br/>所述獨立式卷盤阻擋件包括能夠與所述殼體中部連接孔連接的中部連接凸起。
如請求項57所述的調整裝置，其中， <br/>所述殼體包括位於所述殼體通孔的下方的殼體下部連接孔， <br/>所述獨立式卷盤阻擋件包括能夠與所述殼體下部連接孔連接的下部連接凸起。
一種調整裝置，設有如請求項19所述的釋鎖機構，其中，所述操作件是通過沿著平行於所述第一構件的延伸方向進行滑動來驅使所述帶動件運動的推柄，所述帶動件是剛性構件， <br/>所述帶動件設置於所述鎖定件，所述推柄與所述帶動件接合，使得所述推柄的滑動能夠帶動所述鎖定件朝向釋鎖位置運動。
一種卷盤驅動件，所述卷盤驅動件被設置成能夠驅動如請求項29至59中任一項所述的調整裝置中的卷盤進行旋轉。
如請求項61所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件包括： <br/>一卷盤驅動件本體； <br/>一卷盤驅動件接合部，所述卷盤驅動件接合部設置於所述卷盤驅動件本體，並能夠與設置於所述卷盤的卷盤接合部接合。
如請求項62所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件接合部和所述卷盤接合部中的一者是接合凸部，另一者是接合凹部。
如請求項62所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件本體呈圓柱體，並設置成能夠容置於所述卷盤內的安置孔中。
如請求項62所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件接合部是兩個，分別設置於從所述卷盤驅動件本體徑向向外延伸出的兩個延伸部，從而與設置於所述卷盤的兩個卷盤接合部分別接合。
如請求項65所述的卷盤驅動件，其中，兩個所述卷盤驅動件接合部被設置成相對於所述卷盤的旋轉中心對稱。
如請求項62所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件包括卷盤驅動件操作部，所述卷盤驅動件操作部被設置成在外力的作用下能夠驅動所述卷盤驅動件進行旋轉。
如請求項67所述的卷盤驅動件，其中，所述卷盤驅動件操作部是設置於從所述卷盤驅動件本體徑向向外延伸出的延伸部上的搖杆。
一種具有座椅的嬰兒車，所述嬰兒車上安裝有如請求項28至60中任一項所述的調整裝置和如請求項1至24中任一項所述的釋鎖機構，其中，所述釋鎖機構用於釋鎖所述調整裝置，所述第一構件是所述座椅的背靠，所述第二構件是所述座椅的座部。
如請求項69所述的嬰兒車，其中，所述背靠相對於所述座部能夠樞轉到的位置包括接觸位置、直立位置、平躺位置以及這三個位置中的任意兩個位置之間的其他合適的位置。
如請求項69所述的嬰兒車，其中，所述座椅的背靠通過防跳檔連接件與所述嬰兒車的位於所述背靠以下的部件連接。
如請求項71所述的嬰兒車，其中，所述防跳檔連接件的一端連接至設置於所述背靠的所述操作件，所述防跳檔連接件的另一端連接至所述嬰兒車的菜籃。
如請求項71所述的嬰兒車，其中，所述防跳檔連接件是具有彈性的鬆緊帶。
一種箱子，所述箱子設有如請求項25或26所述的釋鎖機構。
如請求項74所述的箱子，其中，所述箱子安裝有如請求項28至60中任一項所述的調整裝置，所述調整裝置用於調整所述覆蓋件相對於所述箱體的位置。
如請求項75所述的箱子，其中，所述箱子安裝有閂鎖機構，所述閂鎖機構包括與所述釋鎖機構的鎖定件配合的定位件，通過操作所述釋鎖機構使所述鎖定件相對於所述定位件進行接合或脫離接合，所述閂鎖機構被鎖定和釋鎖，從而實現所述覆蓋件相對於所述箱體能夠運動。
一種嬰兒背帶，所述嬰兒背帶安裝有如請求項28至60中任一項所述的調整裝置和如請求項27所述的釋鎖機構，其中，所述調整裝置安裝在所述支撐組件的內部，所述調整裝置的束帶連接於所述背負組件，所述調整裝置用於調整所述支撐組件相對於所述背負組件的角度。
一種樹脂成形品之製造方法，其包含如下步驟： <br/>步驟(A)，其係準備包含熱塑性樹脂及纖維素奈米纖維之樹脂組合物，且該樹脂組合物係藉由包含混練步驟之製造方法製造而成；及 <br/>步驟(B)，其係使上述樹脂組合物成形為樹脂成形品； <br/>該製造方法於上述步驟(B)之前進而包含使上述樹脂組合物乾燥之步驟(C)， <br/>進行上述步驟(C)使得上述樹脂組合物之含水率為240質量ppm以下， <br/>上述步驟(C)係於100℃以上之溫度下進行， <br/>上述步驟(C)係進行1小時以上，且 <br/>上述熱塑性樹脂為聚丙烯。
如請求項1之樹脂成形品之製造方法，其中上述步驟(A)中準備之樹脂組合物為顆粒狀。
如請求項1或2之樹脂成形品之製造方法，其中上述纖維素奈米纖維之平均纖維直徑為10 nm以上100 nm以下。
如請求項1或2之樹脂成形品之製造方法，其中纖維素奈米纖維之平均纖維長度為10 μm以上100 μm以下。
一種物品庫存管理方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>獲得包括複數個物品之可訂購數量及預計銷售數量之物品現狀資訊； <br/>基於上述物品現狀資訊而確定要入庫至第1分撥中心之物品中之要作為可優先訂購之物品進行管理之第1物品； <br/>於確認到上述第1物品入庫至上述第1分撥中心之情形時，於上述第1物品放置於上述第1分撥中心之規定之區域之前，將上述第1物品確認為可訂購之物品； <br/>對已確認為可訂購之物品之上述第1物品進行管理，使其陳列於規定之區域； <br/>基於上述物品現狀資訊而確定要入庫至第2分撥中心之物品中之作為可優先訂購之物品進行管理之第3物品； <br/>於確認到上述第3物品之入庫之情形時，將上述第3物品確認為可訂購之物品；及 <br/>對已確認為可訂購之物品之上述第3物品進行管理，使其陳列於規定之區域。
如請求項1之物品庫存管理方法，其進而包括如下步驟：於要入庫至上述第1分撥中心之物品中之除上述第1物品以外之第2物品陳列於規定之區域的情形時，將上述第2物品確認為可訂購之物品。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第1物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述物品現狀資訊，將複數個物品中之無可訂購數量之物品確定為上述第1物品。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第1物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述物品現狀資訊，將複數個物品中之可訂購數量比預計銷售數量少之物品確定為上述第1物品。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第1物品之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1分撥中心預定首次配送之物品確定為上述第1物品。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中獲得上述物品現狀資訊之步驟包括如下步驟： <br/>根據預定義之週期獲得上述物品現狀資訊。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第1物品之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述第1物品之可訂購數量、上述第1物品之預計銷售數量及上述第1分撥中心之可用數量而確定上述第1物品之第1數量；且 <br/>上述確認之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1數量之第1物品確認為可訂購之物品。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第1物品之步驟包括如下步驟： <br/>複數個物品中之無可訂購數量之物品之整體數量、複數個物品中之可訂購數量比預計銷售數量少之物品之整體數量、及第1分撥中心預定首次配送之物品之整體數量之和為第1分撥中心之可用數量即第1值以上之情形時，基於優先級而確定上述第1物品之第1數量；且 <br/>上述優先級係按複數個物品中之無可訂購數量之物品、複數個物品中之可訂購數量比預計銷售數量少之物品、第1分撥中心預定首次配送之物品之順序來設定， <br/>上述第1值係基於上述第1分撥中心之可作業人員現狀及上述第1物品所在之規定區域之可用空間現狀中之至少一者而確定。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中上述確認之步驟包括如下步驟： <br/>基於來自作業人員終端之請求，提供已確認入庫之物品集內存在上述第1物品之通知；及 <br/>提供上述第1物品之資訊與上述第1物品之入庫數量之資訊；且 <br/>上述作業人員終端自上述電子裝置接收上述已確認入庫之物品集內存在上述第1物品之通知、上述第1物品之資訊、及上述第1物品之入庫數量之資訊。
如請求項1之物品庫存管理方法，其進而包括如下步驟： <br/>將要配送上述第1物品之配送預定時點由第1時點變更為第2時點；及 <br/>提供上述第2時點之資訊；且 <br/>上述第2時點係晚於上述第1時點之時點。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中上述管理之步驟包括如下步驟： <br/>若在上述第1物品陳列於上述規定之區域之前受理了上述第1物品之訂單，則提供陳列上述第1物品之位置及數量之資訊。
如請求項1之物品庫存管理方法，其中確定上述第3物品之步驟進而包括如下步驟： <br/>基於第1分撥中心之可用數量即第1值及上述第2分撥中心之可用數量即第2值而確定上述第1物品之第1數量及上述第3物品之第3數量； <br/>上述確認之步驟包括如下步驟： <br/>將上述第1數量之第1物品及上述第3數量之第3物品確認為可訂購之物品；且 <br/>上述第1值係基於上述第1分撥中心之可作業人員現狀及上述第1物品所在之規定區域之可用空間現狀中之至少一者而確定， <br/>上述第2值係基於上述第2分撥中心之可作業人員現狀及上述第3物品所在之規定區域之可用空間現狀中之至少一者而確定， <br/>上述第1物品及上述第3物品具有彼此相同類型之物品資訊。
一種電子裝置，其包括： <br/>通訊部；及 <br/>控制部，其獲得包括複數個物品之可訂購數量及預計銷售數量之物品現狀資訊， <br/>基於上述物品現狀資訊而確定要入庫至第1分撥中心之物品中之要作為可優先訂購之物品進行管理之第1物品， <br/>於確認到上述第1物品入庫至上述第1分撥中心之情形時，於上述第1物品放置於上述第1分撥中心之規定之區域之前，將上述第1物品確認為可訂購之物品， <br/>對已確認為可訂購之物品之上述第1物品進行管理，使其陳列於規定之區域， <br/>基於上述物品現狀資訊而確定要入庫至第2分撥中心之物品中之作為可優先訂購之物品進行管理之第3物品； <br/>於確認到上述第3物品之入庫之情形時，將上述第3物品確認為可訂購之物品；及 <br/>對已確認為可訂購之物品之上述第3物品進行管理，使其陳列於規定之區域。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種製作一半導體裝置的方法，包含以下步驟：<br/>分別形成一n型源極/汲極磊晶層及一p型源極/汲極磊晶層；<br/>在該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層上方形成一介電層；<br/>在該介電層中形成一第一開口以暴露該n型源極/汲極磊晶層的一部分，及在該介電層中形成一第二開口以暴露該p型源極/汲極磊晶層的一部分；<br/>形成多個襯裡絕緣層於該第一開口及該第二開口以覆蓋該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層；<br/>蝕刻該些襯裡絕緣層以在該第一開口暴露該n型源極/汲極磊晶層的該部分及在該第二開口暴露該p型源極/汲極磊晶層的該部分；及<br/>分別使該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層凹入，<br/>其中該n型源極/汲極磊晶層之一凹入量不同於該p型源極/汲極磊晶層的一凹入量。
如請求項1所述之方法，其中該n型源極/汲極磊晶層之該凹入量大於該p型源極/汲極磊晶層的該凹入量。
如請求項2所述之方法，其中該n型源極/汲極磊晶層之該凹入量與該p型源極/汲極磊晶層的該凹入量之間的一差大於1 nm。
如請求項2所述之方法，其中該n型源極/汲極磊晶層的該凹入量係在11 nm至18 nm的一範圍內。
如請求項2所述之方法，其中該p型源極/汲極磊晶層的該凹入量係在7 nm至12 nm的一範圍內。
一種製作一半導體裝置的方法，包含以下步驟：<br/>在一或多個第一鰭片結構上方形成一n型源極/汲極磊晶層且在一或多個第二鰭片結構上方形成一p型源極/汲極磊晶層；<br/>在該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層上方形成一介電層；<br/>在該介電層中形成一第一開口以暴露該n型源極/汲極磊晶層的一部分，及在該介電層中形成一第二開口以暴露該p型源極/汲極磊晶層的一部分；<br/>形成多個襯裡絕緣層於該第一開口及該第二開口以覆蓋該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層；<br/>蝕刻該些襯裡絕緣層以在該第一開口暴露該n型源極/汲極磊晶層的該部分及在該第二開口暴露該p型源極/汲極磊晶層的該部分；<br/>分別使該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層凹入；及<br/>在該凹入n型源極/汲極磊晶層上方形成一第一源極/汲極觸點，及在該凹入p型源極/汲極磊晶層上方形成一第二源極/汲極觸點，<br/>其中在該凹入步驟之後，該n型源極/汲極磊晶層之一頂部低於該p型源極/汲極磊晶層的一頂部。
如請求項6所述之方法，進一步包含以下步驟：在形成該第一源極/汲極觸點及該第二源極/汲極觸點之前，在該凹入n型源極/汲極磊晶層上形成一第一矽化物層及在該凹入p型源極/汲極磊晶層上形成一第二矽化物層。
如請求項7所述之方法，其中：<br/>該n型源極/汲極磊晶層包括一SiP層，且該p型源極/汲極磊晶層包括一SiGe層，且<br/>該使該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層凹入的步驟包含同時使用一含硫氣體進行電漿蝕刻的步驟。
一種半導體裝置，包含：<br/>一n型場效電晶體，其包括一n型源極/汲極磊晶層；<br/>一p型場效電晶體，其包括一p型源極/汲極磊晶層；<br/>一介電層，在該n型場效電晶體與該p型場效電晶體上方；<br/>一源極/汲極觸點，在該介電層內且安置於該n型源極/汲極磊晶層及該p型源極/汲極磊晶層上方；及<br/>一襯裡絕緣層，在該源極/汲極觸點與該介電層之間，其中：<br/>該n型源極/汲極磊晶層與該p型源極/汲極磊晶層的一高度差大於1 nm。
如請求項9所述之半導體裝置，其中該源極/汲極觸點的一長度大於50 nm。
一種具有動態調整功能的文件掃描裝置，包含：<br/> 多個饋送滾輪，用於將一文件從上游饋送到下游；<br/> 一文件偵測器，位於該等饋送滾輪的上游，用於偵測該文件的穿透率，而輸出一穿透率信號；<br/> 一穿透光源，位於該文件偵測器的下游以及該等饋送滾輪之間，並輸出原始穿透光，該原始穿透光穿透該文件而變成待測穿透光；<br/> 一影像感測器，位於該文件偵測器的下游以及該等饋送滾輪之間，並接收該待測穿透光而產生一影像信號；<br/> 一可見光源，位於該文件偵測器的下游，其中該文件反射該可見光源所發出的可見光到達該影像感測器，使該影像感測器更產生一可見光信號；以及<br/> 一控制器，電連接至該文件偵測器、該穿透光源及該影像感測器，其中該控制器依據該穿透率信號控制該穿透光源輸出該原始穿透光的發光量，該控制器依據該可見光信號與該影像信號定義出該文件的邊緣、孔洞或輪廓，達成精準的邊界裁切效果。
如請求項1所述的文件掃描裝置，更包含：<br/> 一第二穿透光源，輸出第二原始穿透光，該第二原始穿透光穿透該文件而變成第二待測穿透光；以及<br/> 一第二影像感測器，接收該第二待測穿透光而產生一第二影像信號，其中該控制器更電連接至該第二穿透光源及該第二影像感測器，其中該控制器更依據該穿透率信號控制該第二穿透光源輸出該第二原始穿透光的發光量。
如請求項1所述的文件掃描裝置，其中該文件偵測器包含：<br/> 一光發射器，發出一第一穿透光，該第一穿透光穿透該文件而變成一第一待測光；以及<br/> 一光接收器，接收該第一待測光而產生該穿透率信號，其中該光發射器與該光接收器設置於該文件的兩相對側。
如請求項3所述的文件掃描裝置，其中該控制器以脈衝寬度調變的方式控制該文件偵測器輸出該第一穿透光，並控制該文件偵測器接收該第一待測光而產生一類比電壓信號，該控制器將該類比電壓信號轉換成代表該文件的該穿透率的該穿透率信號。
如請求項4所述的文件掃描裝置，其中該控制器更判斷該穿透率信號是否大於一預定位準；其中若該穿透率信號大於該預定位準，則該控制器以一第一電流控制該穿透光源輸出該原始穿透光；若該穿透率信號不大於該預定位準，則該控制器以一第二電流控制該穿透光源輸出該原始穿透光，其中該第二電流低於該第一電流。
如請求項1所述的文件掃描裝置，其中該文件偵測器包含：<br/> 一第一光收發器，發出一第一穿透光，該第一穿透光穿透該文件而變成一第一待測光；以及<br/> 一第二光收發器，發出一第二穿透光，該第二穿透光穿透該文件而變成一第二待測光，其中該第一光收發器接收該第二待測光而產生一第一子信號，該第二光收發器接收該第一待測光而產生一第二子信號，該穿透率信號包含該第一子信號與該第二子信號，其中該第一光收發器與該第二光收發器設置於該文件的兩相對側。
如請求項6所述的文件掃描裝置，其中該控制器取該第一子信號與該第二子信號所代表的一平均位準來控制該穿透光源。
如請求項6所述的文件掃描裝置，更包含：<br/> 一第二穿透光源，輸出第二原始穿透光，該第二原始穿透光穿透該文件而變成第二待測穿透光；以及<br/> 一第二影像感測器，接收該第二待測穿透光而產生一第二影像信號，其中該控制器更電連接至該第二穿透光源及該第二影像感測器，其中：<br/> 該控制器依據該第二子信號控制該穿透光源輸出該原始穿透光的該發光量；且<br/> 該控制器依據該第一子信號控制該第二穿透光源輸出該第二原始穿透光的發光量。
如請求項1所述的文件掃描裝置，其中該文件偵測器偵測該文件的多個區段的不同穿透率，輸出該穿透率信號，使得該原始穿透光對該文件輸出不同的發光量。
一種液晶組合物，其包含至少一種通式I的化合物、至少一種通式II的化合物和至少一種通式III的化合物： <br/> 該通式III化合物的含量为3-30%， <br/>其中，R<sub>1</sub>表示-H、含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的鹵代或未鹵代的支鏈烷基、含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的烷氧基、含有2-12個碳原子的鹵代或未鹵代的烯基、含有2-12個碳原子的鹵代或未鹵代的烯氧基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>R<sub>2</sub>~R<sub>5</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的支鏈烷基、含有1-12個碳原子的烷氧基、含有2-12個碳原子的烯基、含有2-12個碳原子的烯氧基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10312.jpg" alt="ed10312.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10313.jpg" alt="ed10313.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10314.jpg" alt="ed10314.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，一個或至少兩個環中單鍵可被雙鍵替代；<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10318.jpg" alt="ed10318.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-H可各自獨立地被-F、-Cl、-CN、-CH<sub>3</sub>或-OCH<sub>3</sub>替代，一個或至少兩個環中-CH=可被-N=替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，一個或至少兩個環中單鍵可被雙鍵替代，並且，至少一個環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個環中單鍵被雙鍵替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10322.jpg" alt="ed10322.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-H可各自獨立地被-F、-Cl、-CN、-CH<sub>3</sub>或-OCH<sub>3</sub>替代，一個或至少兩個環中-CH=可被-N=替代； <br/>L<sub>1</sub>-L<sub>6</sub>各自獨立地表示鹵素原子； <br/>X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>各自獨立地表示-O-或-S-； <br/>Z<sub>1</sub>表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-； <br/>n<sub>1</sub>表示0、1或2，當n<sub>1</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10315.jpg" alt="ed10315.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>1</sub>相同或不同； <br/>n<sub>2</sub>表示1或2，當n<sub>2</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10320.jpg" alt="ed10320.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同； <br/>n<sub>3</sub>表示0、1、2或3，n<sub>4</sub>表示0或1，且2≤n<sub>3</sub>+n<sub>4</sub>≤3；當n<sub>3</sub>表示2或3時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10321.jpg" alt="ed10321.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同；並且 <br/>該通式II的化合物為具有如下化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該通式I的化合物為具有如下結構的化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>其中，環<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10311.jpg" alt="ed10311.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、R<sub>1</sub>、X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、L<sub>1</sub>、L<sub>2</sub>、Z<sub>1</sub>具有與請求項1相同的保護範圍。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該通式III的化合物為具有如下結構的化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>其中，R<sub>4</sub>、R<sub>5</sub>、L<sub>5</sub>、L<sub>6</sub>具有與請求項1相同的保護範圍。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該液晶組合物中還包含至少一種通式N的化合物： <br/>其中，R<sub>N1</sub>和R<sub>N2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，含有1-12個碳原子的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的支鏈烷基中的一個或至少兩個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-可各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10368.jpg" alt="ed10368.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10316.jpg" alt="ed10316.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代；<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-H可各自獨立地被-F、-Cl或-CN替代，一個或至少兩個環中-CH=可被-N=替代； <br/>Z<sub>N1</sub>和Z<sub>N2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-； <br/>L<sub>N1</sub>和L<sub>N2</sub>各自獨立地表示-H、含有1-3個碳原子的烷基或鹵素原子； <br/>n<sub>N1</sub>表示0、1、2或3，n<sub>N2</sub>表示0或1，且0≤n<sub>N1</sub>+n<sub>N2</sub>≤3，其中當n<sub>N1</sub>表示2或3時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10367.jpg" alt="ed10367.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>N1</sub>相同或不同；並且 <br/>該通式N的化合物不含取代或未取代的三聯苯基結構，其中取代的取代基選自-F、-Cl或-CN。
如請求項4所述之液晶組合物，其中，該通式N的化合物為具有如下結構的化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>其中，R<sub>N1</sub>和R<sub>N2</sub>具有與請求項4相同的保護範圍。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該液晶組合物中還包含至少一種通式M的化合物： <br/>其中，R<sub>M1</sub>、R<sub>M2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10308.jpg" alt="ed10308.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10309.jpg" alt="ed10309.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10310.jpg" alt="ed10310.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，含有1-12個碳原子的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的支鏈烷基中的一個或至少兩個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-可各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10393.jpg" alt="ed10393.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10395.jpg" alt="ed10395.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10319.jpg" alt="ed10319.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，一個或至少兩個環中單鍵可被雙鍵替代；<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10317.jpg" alt="ed10317.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的至多一個-H能夠被鹵素原子替代； <br/>Z<sub>M1</sub>和Z<sub>M2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-C≡C-、-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-或-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-；並且 <br/>n<sub>M</sub>表示0、1或2，其中當n<sub>M</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10394.jpg" alt="ed10394.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>M2</sub>相同或不同； <br/>該通式M的化合物為具有如下結構的化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>
如請求項1所述之液晶組合物，其中，該液晶組合物中還包含至少一種通式B的化合物： <br/>其中，R<sub>B1</sub>和R<sub>B2</sub>各自獨立地表示鹵素原子、含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的鹵代或未鹵代的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="21px" file="ed10427.jpg" alt="ed10427.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；其中，含有1-12個碳原子的鹵代或未鹵代的直鏈烷基、含有3-12個碳原子的鹵代或未鹵代的支鏈烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10425.jpg" alt="ed10425.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10426.jpg" alt="ed10426.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或不相鄰的兩個以上的-CH<sub>2</sub>-可各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CF-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10430.jpg" alt="ed10430.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個不相鄰的-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，一個或至少兩個環中單鍵可被雙鍵替代；<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10431.jpg" alt="ed10431.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="15px" width="34px" file="ed10432.jpg" alt="ed10432.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或至少兩個-H可各自獨立地被-CN、-F或-Cl替代，一個或至少兩個環中-CH=可被-N=替代； <br/>X<sub>B</sub>表示-O-、-S-或-CO-； <br/>L<sub>B1</sub>和L<sub>B2</sub>各自獨立地表示-H、-F、-Cl、-CF<sub>3</sub>或-OCF<sub>3</sub>； <br/>Z<sub>B1</sub>和Z<sub>B2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>O-、-(CH<sub>2</sub>)n<sub>B4</sub>S-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-，其中n<sub>B4</sub>表示0-5的整數； <br/>n<sub>B1</sub>和n<sub>B2</sub>各自獨立地表示0、1或2，其中當n<sub>B1</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10428.jpg" alt="ed10428.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同；當n<sub>B2</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10429.jpg" alt="ed10429.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>B2</sub>相同或不同。
如請求項7所述之液晶組合物，其中，該通式B的化合物為具有如下結構的化合物中的任意一種或至少兩種的組合： <br/>其中，R<sub>B1</sub>′表示含有1-8個碳原子的烷基、含有1-8個碳原子的烷氧基、含有2-8個碳原子的烯基； <br/>X<sub>B1</sub>表示-O-或-CH<sub>2</sub>-； <br/>R<sub>B2</sub>、X<sub>B</sub>、Z<sub>B1</sub>具有與請求項7相同的保護範圍。
一種液晶顯示器件，其包括如請求項1-8任一項所述之液晶組合物。
一種電性耦合電路，係包含： <br/>一第一開關模組，係包括一第一主開關及一第一子開關，該第一主開關的兩端及該第一子開關的兩端分別與一電源的一第一電極連接及一負載的一第一輸入端連接； <br/>一第二開關模組，係包括一第二主開關及一第二子開關，該第二主開關的兩端及該第二子開關的兩端分別與該電源的一第二電極連接及該負載的一第二輸入端連接；上述 <br/>一儲能模組，其兩端分別與該第一輸入端及該第二輸入端連接；以及 <br/>一控制模組，係與該第一輸入端、該第一開關模組及該第二開關模組連接； <br/>其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並在該第一輸入端的電壓在一第一預設時間內無法達到一初始電壓值或在一第二預設時間內仍無法達到大於該初始電壓值的一預設電壓值時啟動備援機制以選擇性地切斷該第一子開關並導通該第一主開關，或切斷該第一子開關並導通該第一主開關且切斷該第二子開關並導通該第二主開關。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該第一開關模組更包括一第一電阻及一第一二極體，該第一子開關的一端通過該第一電阻及該第一二極體與該第一輸入端連接。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該第二開關模組更包括一第二電阻及一第二二極體，該第二子開關的一端通過該第二電阻及該第二二極體與該第二電極連接。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內達到該初始電壓值且在該第二預設時間內也達到大於該預設電壓值時導通該第一主開關及該第二主開關，並切斷該第一子開關及該第二子開關。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該初始電壓值且也達到該預設電壓值時導通該第二主開關再切斷該第二子開關，並產生一第一異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關，並在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該預設電壓值時產生一第一異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關，並在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第一主開關及該第二主開關，並產生一第二異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內達到該初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該預設電壓值時導通該第二主開關再切斷該第二子開關，並產生一第一異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關，並在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該預設電壓值時導通該第一主開關再切斷該第一子開關，並產生一第一異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該控制模組導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電，並於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內達到該初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關，該控制模組在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關，並在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第一主開關及該第二主開關，並產生一第二異常信號。
如請求項1所述之電性耦合電路，其中該儲能模組為電容。
一種電性耦合方法，係包含： <br/>通過相互並聯的一第一主開關及一第一子開關控制一電源的一第一電極與一儲能模組的一端的連接； <br/>通過相互並聯的一第二主開關及一第二子開關控制該電源的一第二電極與該儲能模組的另一端的連接，該儲能模組的兩端分別連接至一負載的一第一輸入端及一第二輸入端；以及 <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電；以及 <br/>在該第一輸入端的電壓在一第一預設時間內無法達到一初始電壓值或在一第二預設時間內仍無法達到大於該初始電壓值的一預設電壓值時啟動備援機制以選擇性地切斷該第一子開關並導通該第一主開關，或切斷該第一子開關並導通該第一主開關且切斷該第二子開關並導通該第二主開關。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電；以及 <br/>於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內達到該初始電壓值且在該第二預設時間內也達到該預設電壓值時導通該第一主開關及該第二主開關，並切斷該第一子開關及該第二子開關。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該初始電壓值且也達到該預設電壓值時導通該第二主開關再切斷該第二子開關；以及 <br/>產生一第一異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關；以及 <br/>在該第一輸入端的電壓達到該預設電壓值時產生一第一異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內無法達到該初始電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內仍無法達到該預設電壓值時切斷該第一主開關及該第二主開關；以及 <br/>產生一第二異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第一預設時間內達到該初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該預設電壓值時導通該第二主開關再切斷該第二子開關；以及 <br/>產生一第一異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到一初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內無法達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該預設電壓值時導通該第一主開關再切斷該第一子開關；以及 <br/>產生一第一異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，更包含： <br/>導通該第一子開關及該第二子開關以對該儲能模組充電； <br/>於該第一輸入端的電壓在該第二預設時間內達到該初始電壓值但無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一子開關並導通該第一主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第二子開關並導通該第二主開關； <br/>在該第一輸入端的電壓仍無法在該第二預設時間內達到該預設電壓值時切斷該第一主開關及該第二主開關；以及 <br/>產生一第二異常信號。
如請求項12所述之電性耦合方法，其中該第一子開關的一端通過一第一電阻及一第一二極體與該儲能模組的一端連接。
如請求項12所述之電性耦合方法，其中該第二子開關的一端通過一第二電阻及一第二二極體與該第二電極連接。
如請求項12所述之電性耦合方法，其中該儲能模組為電容。
一種連接子共軛化合物，其為下述式(1-2)至式(1-8)中任一者所示的化學結構：<figure><img align="absmiddle" height="114px" width="538px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="107px" width="540px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="111px" width="610px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="152px" width="597px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="132px" width="558px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="136px" width="556px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure><figure><img align="absmiddle" height="91px" width="538px" file="d10007.TIF" alt="化學式ed10007.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10007.png"/></figure>
一種位置量測編碼器設備，其包括： <br/>一標尺，其包括可由一讀取頭讀取之一系列位置特徵，該系列沿一量測維度延伸，且該系列位置特徵將光繞射成多個繞射階，包含至少一0繞射階及+/-1繞射階； <br/>一讀取頭，其包括用於照射該標尺之一光源及經組態以偵測由該標尺之系列位置特徵產生之該0及/或該+/-1繞射階在其處產生之一信號之至少一第一感測器，該信號可用於判定該標尺及讀取頭沿該量測維度之相對位置； <br/>其中該讀取頭進一步包括一繞射階編碼器，其使由該標尺之系列位置特徵產生之該0繞射階編碼有不同於由該標尺之系列位置特徵產生之該+/-1繞射階之光學狀態之一光學狀態。
如請求項1之位置量測編碼器設備，其中該繞射階編碼器使0繞射階編碼有不同於+/-1繞射階之一光學狀態。
如請求項1之位置量測編碼器設備，其包括基於至少一個繞射階之光學狀態來至少部分濾除該至少一個繞射階以至少部分衰減其對由該第一感測器感測之該信號之該產生之影響。
如請求項2或3之位置量測編碼器設備，其經組態以：i)實質上濾除該0繞射階，使得其實質上不影響由該第一感測器感測之該信號之該產生；或ii)實質上濾除該+/-1繞射階，使得其實質上不影響由該第一感測器感測之該信號之該產生。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其中該繞射階編碼器使該至少一個繞射階編碼有不同於至少一個其他繞射階之偏振態之一偏振態。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其經組態使得中繼至該至少第一感測器之該光之不同繞射階會聚至該標尺與該至少第一感測器之間的光路中之各自不同會聚點。
如請求項6之位置量測編碼器設備，其中該等會聚點定位於該光源之共軛面處。
如請求項6之位置量測編碼器設備，其中該繞射階編碼器定位於該等會聚點處。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其中該第一感測器包括經組態以感測一增量位置信號之一增量位置感測器。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其經組態使得大於該等+/-1繞射階之繞射階不由該至少第一感測器感測。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其進一步包括經組態以偵測來自該標尺之該等繞射階在其處產生之一信號之一第二感測器。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其包括經組態以在光落在該第一感測器上之前基於該光之光學狀態來過濾該光之一第一感測器濾波器。
如請求項11之位置量測編碼器設備，其包括經組態以在光落在該第二感測器上之前基於該光之光學狀態來過濾該光之一第二感測器濾波器，該第一感測器濾波器及第二感測器濾波器經組態以彼此不同地過濾光。
如請求項1至3中任一項之位置量測編碼器設備，其中該光學狀態包括一偏振態。
如請求項12之位置量測編碼器設備，其中該第一感測器濾波器及/或該第二感測器濾波器包括一偏振濾波器。
如請求項1之位置量測編碼器設備，其中在該至少第一感測器處產生的該信號包括一干涉條紋圖案。
如請求項16之位置量測編碼器設備，其中該條紋之週期係M.p/2，其中M係編碼器之光學系統之放大因數，且p係該標尺之週期。
如請求項1之位置量測編碼器設備，其中該標尺之系列位置特徵包括界定一增量標尺軌道之一系列週期性特徵。
如請求項18之位置量測編碼器設備，其中該標尺包括一或多個參考標記，該一或多個參考標記嵌入於該增量標尺軌道內及/或定位成相鄰於該增量標尺軌道。
如請求項11之位置量測編碼器設備，其中該第二感測器包括一絕對或參考標記感測器，該絕對或參考標記感測器經組態以感測一絕對或參考標記信號。
如請求項1之位置量測編碼器設備，其中該系列位置特徵包括界定一絕對標尺軌道之一系列特徵。
一種有效量的吸入性一氧化氮(iNO)製造一藥劑的用途，該藥劑用於治療與肺病相關的肺動脈高壓，該治療包括：<br/> 向有需要的患者投與有效量的吸入性一氧化氮(iNO)，其中該iNO以約30 mcg/kg IBW/hr的劑量投與至少4週。
如請求項1所述之用途，其中在吸氣的前半部分期間將該iNO投與該患者。
如請求項1或2所述之用途，其中該iNO與有效量的長期氧療(LTOT)組合投與。
如請求項1或2所述之用途，其中該iNO每天投與至少2小時。
如請求項1或2所述之用途，其中該iNO每天投與至少6小時。
如請求項1或2所述之用途，其中該iNO每天投與至少12小時。
如請求項1或2所述之用途，其中該患者患有與慢性阻塞性肺病相關的WHO組3肺動脈高壓(PH-COPD)。
如請求項1或2所述之用途，其中投與該iNO至少3個月。
如請求項1或2所述之用途，其中在iNO投與4週後，iNO的投與提供6分鐘步行測試(6MWT)期間SpO2最低點的增加。
如請求項1或2所述之用途，其中在iNO投與4週後，iNO的投與提供6分鐘步行測試(6MWT)期間平均SpO2的增加。
如請求項1或2所述之用途，藉由改良氧飽和度。
一種式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽之用途， <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="147px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其係用以製備用於與替莫唑胺(temozolomide)組合以治療神經膠瘤之藥物，該神經膠瘤之特徵在於存在IDH1突變或IDH2突變，其中該IDH1或IDH2突變使得R(-)-2-羥戊二酸酯在有需要的患者體內積聚；其中該藥物及替莫唑胺係以能有效治療神經膠瘤之量同時或依次投與至該患者。
如請求項1之用途，其中該替莫唑胺以基於該患者之身體表面積150-200 mg/m<sup>2</sup>之每日劑量投與。
如請求項1或2之用途，其中係以10至50毫克/天之該式(I)化合物或其醫藥學上可接受之鹽之量投與該組合。
如請求項1之用途，其中該IDH1突變為R132X突變。
如請求項4之用途，其中該IDH1突變為R132H或R132C突變。
如請求項1之用途，其中該IDH2突變為R140X或R172X突變。
如請求項6之用途，其中該IDH2突變為R140Q、R140W或R140L突變。
如請求項6之用途，其中該IDH2突變為R172K或R172G突變。
如請求項1之用途，其中該組合係額外與輻射療法投與。
如請求項1、2及4至9中任一項之用途，其中該式(I)化合物以非鹽形式投與。
一種電連接器，該電連接器的一側為一電連接器主側，該電連接器係包括：<br/> 一主側導電端子組，該主側導電端子組係位於該電連接器主側，且具有一主側第一接地導電端子、一主側第二接地導電端子、一主側第三接地導電端子、一主側第一非接地導電端子與一主側第二非接地導電端子；<br/> 一主側第一絕緣非接地端子座，該主側第一絕緣非接地端子座係具有一主側第一非接地端子設置結構，其中，該主側第一非接地端子設置結構係提供設置該主側第一非接地導電端子，以構成一主側第一非接地導電端子設置模組；<br/> 一主側第二絕緣非接地端子座，該主側第二絕緣非接地端子座係具有一主側第二非接地端子設置結構，其中，該主側第二非接地端子設置結構係提供設置該主側第二非接地導電端子，以構成一主側第二非接地導電端子設置模組；以及<br/> 一導電塑膠載座，該導電塑膠載座係提供承載該主側第一非接地導電端子設置模組與該主側第二非接地導電端子設置模組，以構成一主側接地導電端子設置模組，且該導電塑膠載座係具有一主側導電塑膠載座本體、一主側第一導電塑膠牆體結構、一主側第二導電塑膠牆體結構與一主側第三接地端子牆體結構，該主側導電塑膠載座本體係電性連接該主側第一導電塑膠牆體結構、該主側第二導電塑膠牆體結構與該主側第三接地端子牆體結構，該主側接地導電端子設置模組係具有一主側第一接地端子設置結構、一主側第二接地端子設置結構與一主側第三接地端子設置結構，其中，該主側第一接地端子設置結構、該主側第二接地端子設置結構與該主側第三接地端子設置結構係分別提供設置該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子，使該主側第一非接地導電端子位於該主側第一接地導電端子與該主側第二接地導電端子之間，且使該主側第二非接地導電端子位於該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子之間，於該主側接地導電端子設置模組中，該主側第一導電塑膠牆體結構、該主側第二導電塑膠牆體結構與該主側第三接地端子牆體結構係分別抵接該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子，以令該導電塑膠載座電性連接該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子，讓該主側導電塑膠載座本體、該主側第一導電塑膠牆體結構、該主側第二導電塑膠牆體結構、該主側第一接地導電端子與該主側第二接地導電端子構成一主側第一非接地端子屏蔽牆體，該主側第一非接地端子屏蔽牆體係具有U字形的截面，使該主側第一非接地端子屏蔽牆體可於該主側第一非接地導電端子的至少三邊提供屏蔽牆，還讓該主側導電塑膠載座本體、該主側第二導電塑膠牆體結構、該主側第三接地端子牆體結構、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子構成一主側第二非接地端子屏蔽牆體，該主側第二非接地端子屏蔽牆體係具有U字形的截面，使該主側第二非接地端子屏蔽牆體可於該主側第二非接地導電端子的至少三邊提供屏蔽牆；<br/> 其中，該電連接器的前端為一電連接器搭接前端，且該電連接器還包括一主側前端導電連接體，該主側前端導電連接體係於該電連接器搭接前端延伸而跨過該主側第一非接地導電端子與該次側第二非接地導電端子，且電性連接該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子，使該主側前端導電連接體可電性連接該主側第一非接地端子屏蔽牆體，而於該電連接器搭接前端為該主側第一非接地導電端子提供電性屏蔽，還使該主側前端導電連接體可電性連接該主側第二非接地端子屏蔽牆體，而於該電連接器搭接前端為該主側第二非接地導電端子提供電性屏蔽，其中，該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子、該主側第三接地導電端子、該主側第一非接地導電端子與該主側第二非接地導電端子係分別具有一主側第一接地端子前端搭接結構、一主側第二接地端子前端搭接結構、一主側第三接地端子前端搭接結構、一主側第一非接地端子前端搭接結構與一主側第二非接地端子前端搭接結構，該主側第一接地端子前端搭接結構、該主側第二接地端子前端搭接結構、該主側第三接地端子前端搭接結構、該主側第一非接地端子前端搭接結構與該主側第二非接地端子前端搭接結構係分別位於該電連接器搭接前端。
如請求項1所述的電連接器，其中，該主側前端導電連接體係具有一主側前端牆體屏蔽結構，該主側前端牆體屏蔽結構係於該電連接器搭接前端為該主側第一非接地導電端子或該主側第二非接地導電端子提供屏蔽牆。
如請求項1所述的電連接器，其中，該主側前端導電連接體係具有一主側前端連接體鏤空結構，該主側前端連接體鏤空結構係於該電連接器搭接前端鏤空而為該主側第一非接地導電端子或該主側第二非接地導電端子提供阻抗匹配。
如請求項1所述的電連接器，其中，該主側導電塑膠載座本體係於面對該主側第一非接地導電端子與該主側第二非接地導電端子的一邊延伸。
如請求項1所述的電連接器，其中，該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子係分別插接該主側第一導電塑膠牆體結構、該主側第二導電塑膠牆體結構與該主側第三接地端子牆體結構，俾令該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子電性連接該導電塑膠載座。
如請求項1所述的電連接器，其中，該主側第一導電塑膠牆體結構、該主側第二導電塑膠牆體結構與該主側第三接地端子牆體結構係以面接觸的方式分別抵接該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子，以分別對該主側第一接地導電端子、該主側第二接地導電端子與該主側第三接地導電端子提供結構支撐。
如請求項1所述的電連接器，該電連接器的另一側為一電連接器次側，其中，該導電塑膠載座還具有一次側導電塑膠載座本體、一次側第一導電塑膠牆體結構、一次側第二導電塑膠牆體結構與一次側第三接地端子牆體結構，該次側導電塑膠載座本體係電性連接該次側第一導電塑膠牆體結構、該次側第二導電塑膠牆體結構與該次側第三接地端子牆體結構，且該電連接器還包括：<br/> 一次側導電端子組，該次側導電端子組係位於該電連接器次側，且具有一次側第一接地導電端子、一次側第二接地導電端子、一次側第三接地導電端子、一次側第一非接地導電端子與一次側第二非接地導電端子；<br/> 一次側第一絕緣非接地端子座，該次側第一絕緣非接地端子座係具有一次側第一非接地端子設置結構，其中，該次側第一非接地端子設置結構係提供設置該次側第一非接地導電端子，以構成一次側第一非接地導電端子設置模組；<br/> 一次側第二絕緣非接地端子座，該次側第二絕緣非接地端子座係具有一次側第二非接地端子設置結構，其中，該次側第二非接地端子設置結構係提供設置該次側第二非接地導電端子，以構成一次側第二非接地導電端子設置模組；其中，<br/> 該導電塑膠載座係提供承載該次側第一非接地導電端子設置模組與該次側第二非接地導電端子設置模組，以構成一次側接地導電端子設置模組，該次側接地導電端子設置模組係具有一次側第一接地端子設置結構、一次側第二接地端子設置結構與一次側第三接地端子設置結構，其中，該次側第一接地端子設置結構、該次側第二接地端子設置結構與該次側第三接地端子設置結構係分別提供設置該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子，使該次側第一非接地導電端子位於該次側第一接地導電端子與該次側第二接地導電端子之間，且使該次側第二非接地導電端子位於該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子之間，於該次側接地導電端子設置模組中，該次側第一導電塑膠牆體結構、該次側第二導電塑膠牆體結構與該次側第三接地端子牆體結構係分別抵接該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子，以令該導電塑膠載座電性連接該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子，讓該次側導電塑膠載座本體、該次側第一導電塑膠牆體結構、該次側第二導電塑膠牆體結構、該次側第一接地導電端子與該次側第二接地導電端子構成一次側第一非接地端子屏蔽牆體，該次側第一非接地端子屏蔽牆體係具有U字形的截面，使該次側第一非接地端子屏蔽牆體可於該次側第一非接地導電端子的至少三邊提供屏蔽牆，還讓該次側導電塑膠載座本體、該次側第二導電塑膠牆體結構、該次側第三接地端子牆體結構、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子構成一次側第二非接地端子屏蔽牆體，該次側第二非接地端子屏蔽牆體係具有U字形的截面，使該次側第二非接地端子屏蔽牆體可於該次側第二非接地導電端子的至少三邊提供屏蔽牆；<br/> 其中，該電連接器的前端為一電連接器搭接前端，且該電連接器還包括一次側前端導電連接體，該次側前端導電連接體係於該電連接器搭接前端延伸而跨過該次側第一非接地導電端子與該次側第二非接地導電端子，且電性連接該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子，使該次側前端導電連接體可電性連接該次側第一非接地端子屏蔽牆體，而於該電連接器搭接前端為該次側第一非接地導電端子提供電性屏蔽，還使該次側前端導電連接體可電性連接該次側第二非接地端子屏蔽牆體，而於該電連接器搭接前端為該次側第二非接地導電端子提供電性屏蔽，其中，該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子、該次側第三接地導電端子、該次側第一非接地導電端子與該次側第二非接地導電端子係分別具有一次側第一接地端子前端搭接結構、一次側第二接地端子前端搭接結構、一次側第三接地端子前端搭接結構、一次側第一非接地端子前端搭接結構與一次側第二非接地端子前端搭接結構，該次側第一接地端子前端搭接結構、該次側第二接地端子前端搭接結構、該次側第三接地端子前端搭接結構、該次側第一非接地端子前端搭接結構與該次側第二非接地端子前端搭接結構係分別位於該電連接器搭接前端。
如請求項7所述的電連接器，其中，該次側前端導電連接體係具有一次側前端牆體屏蔽結構，該次側前端牆體屏蔽結構係於該電連接器搭接前端為該次側第一非接地導電端子或該次側第二非接地導電端子提供屏蔽牆。
如請求項8所述的電連接器，其中，該次側前端導電連接體係具有一次側前端連接體鏤空結構，該次側前端連接體鏤空結構係於該電連接器搭接前端鏤空而為該次側第一非接地導電端子或該次側第二非接地導電端子提供阻抗匹配。
如請求項7所述的電連接器，其中，該次側導電塑膠載座本體係於面對該次側第一非接地導電端子與該次側第二非接地導電端子的一邊延伸。
如請求項7所述的電連接器，其中，該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子係分別插接該次側第一導電塑膠牆體結構、該次側第二導電塑膠牆體結構與該次側第三接地端子牆體結構，俾令該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子電性連接該導電塑膠載座。
如請求項7所述的電連接器，其中，該次側第一導電塑膠牆體結構、該次側第二導電塑膠牆體結構與該次側第三接地端子牆體結構係以面接觸的方式分別抵接該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子，以分別對該次側第一接地導電端子、該次側第二接地導電端子與該次側第三接地導電端子提供結構支撐。
如請求項7所述的電連接器，其中，該主側導電塑膠載座本體與該次側導電塑膠載座本體係可分別成形或成形為一體。
一種使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，執行於一嵌入式系統中，其中該嵌入式系統運作採用一電源管理匯流排但沒有設置浮點運算單元而僅執行整數運算的一目標裝置，其中該使用整數運算執行編碼格式轉換的方法包括：<br/>輸入以浮點運算電機電子工程師學會754標準編碼的一浮點數值；<br/>取得原本編碼至該浮點數值中的一指數數值，以得出一新指數數值；<br/>根據該浮點數值、從該浮點數值取得的該指數數值以及該新指數數值計算一新尾數數值；以及<br/>結合該新指數數值與該新尾數數值以形成一新數值，其中該新數值為自該浮點數值轉換的一線性編碼格式數值。
如請求項1所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中，藉由從二進位表示的該浮點數值取得該指數數值以得出該浮點數值的一自然對數。
如請求項2所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中，以”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示該浮點數值為超過一可表示範圍的數字，執行以下判斷步驟：<br/>若”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於該可表示範圍，輸出該指數數值為零；<br/>若”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”大於該可表示範圍，其中，若輸入數值非數字，輸出該指數數值為零；若輸入數值為一正數，輸出該指數數值為一最大可表示數值；否則，輸出該指數數值為一最小可表示數值。
如請求項3所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中，若該浮點數值為一非數字數值、一無限值或在該可表示範圍之外的數字，輸出該線性編碼格式的新數值。
如請求項2所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中該新指數數值為”-16”到”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>-9”之間的最大值，其中”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示超過一可表示範圍的該浮點數值。
如請求項5所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中該新尾數數值為最接近”<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”的一整數，其中”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該新指數數值，”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該浮點數值；其中該新尾數數值”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”由以下方程式得出：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="151px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<br/>其中”&”表示運算子”AND”，”<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示位元位移到一最低有效位元，以及”<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該浮點數值的二進位數值。
如請求項6所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中該新尾數數值在-1024到1024之間。
如請求項7所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中，於該新尾數數值計算時，執行一控制流程偵測尾數溢出。
如請求項8所述的使用整數運算執行編碼格式轉換的方法，其中該新尾數數值以”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示，該新指數數值以”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示；在該控制流程中，若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於1024，該新數值為“<img align="absmiddle" height="7px" width="61px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”，其中”&”表示運算子”AND”；若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”等於1024以及”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於15，該新數值為“<img align="absmiddle" height="7px" width="33px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”；以及，若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”等於1024且”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”大於等於15，該新數值為一最大可表示數值。
一種執行一使用整數運算執行編碼格式轉換方法的系統，其中該系統包括：<br/>一沒有設置浮點運算單元而僅執行整數運算的目標裝置，其中該目標裝置設有一嵌入式系統，並包括通過一電源管理匯流排相互電性連接的一控制單元、一解編碼器以及一電源控制電路；<br/>其中該控制單元用於執行該用整數運算執行編碼格式轉換方法，包括：<br/>輸入以浮點運算電機電子工程師學會754標準編碼的一浮點數值；<br/>取得原本編碼至該浮點數值中的一指數數值，以得出一新指數數值；<br/>根據該浮點數值、從該浮點數值取得的該指數數值以及該新指數數值計算一新尾數數值；以及<br/>結合該新指數數值與該新尾數數值以形成一新數值，其中該新數值為自該浮點數值轉換的一線性編碼格式數值。
如請求項10所述的系統，其中該浮點數值為一二進位的浮點數運算編碼格式的數值，而該目標裝置中僅運行的一線性編碼格式為Linear11。
如請求項10所述的系統，其中該控制單元在該解編碼器中執行一線性編碼格式與一浮點數運算編碼格式之間的轉換。
如請求項10所述的系統，其中，藉由從二進位表示的該浮點數值取得該指數數值以得出該浮點數值的一自然對數。
如請求項13所述的系統，其中，於該用整數運算執行編碼格式轉換方法中，以”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示該浮點數值為超過一可表示範圍的數字，執行以下判斷步驟：<br/>若”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於該可表示範圍，輸出零；<br/>若”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”大於該可表示範圍，其中，若輸入數值非數字，輸出零；若輸入數值為一正數，輸出一最大可表示數值；否則，輸出一最小可表示數值。
如請求項14所述的系統，其中，若該浮點數值為一非數字數值、一無限值或在該可表示範圍之外的數字，輸出該線性編碼格式的新數值。
如請求項13所述的系統，其中該新指數數值為”-16”到”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>-9”之間的最大值，其中”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示超過一可表示範圍的該浮點數值。
如請求項16所述的系統，其中該新尾數數值為最接近”<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”的一整數，其中”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該新指數數值，”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該浮點數值；其中該新尾數數值”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”由以下方程式得出：<br/><img align="absmiddle" height="7px" width="151px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>;<br/>其中”&”表示運算子”AND”，”<img align="absmiddle" height="7px" width="7px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示位元位移到一最低有效位元，以及”<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”為該浮點數值的二進位數值。
如請求項17所述的系統，其中，於該用整數運算執行編碼格式轉換方法中，當計算出該新尾數數值在-1024到1024之間，執行一控制流程偵測尾數溢出；其中該新尾數數值以”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示，該新指數數值以”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”表示；在該控制流程中，若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於1024，該新數值為“<img align="absmiddle" height="7px" width="62px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”，其中”&”表示運算子”AND”；若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”等於1024以及”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”小於15，該新數值為“<img align="absmiddle" height="7px" width="34px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”；以及，若”<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”等於1024且”<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>”大於等於15，該新數值為一最大可表示數值。
一種基板處理方法，其具有藉由進行包括下述(a)及(b)之周期既定次數，而在基板的表面上形成膜的步驟： <br/>(a)對在表面具有凹部，且可吸附由原料生成的中間體但無法吸附上述原料的第1吸附位置位於上述凹部之底部側、可吸附上述原料和上述中間體的第2吸附位置位於上述凹部之上部側之基板供給抑制劑，使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置的步驟；及 <br/>(b)對使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置之後的上述基板供給上述原料，由上述原料生成上述中間體，使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑脫離，使上述原料和上述中間體吸附於上述第2吸附位置而形成第1層的步驟。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述中間體的分子大小小於上述原料的分子大小，且上述抑制劑的分子大小小於上述原料的分子大小。
如請求項1之基板處理方法，其中，上述中間體的分子大小小於上述原料的分子大小，且上述抑制劑的分子大小小於上述中間體的分子大小。
如請求項2之基板處理方法，其中，構成上述第2吸附位置之原子構成阻礙上述原料對上述第1吸附位置之吸附的立體障礙。
如請求項2之基板處理方法，其中，構成上述第2吸附位置之原子在至少一部分中間隔存在，間隔存在之原子間的距離比上述原料的分子的寬度短。
如請求項5之基板處理方法，其中，上述原子間的距離比上述中間體的分子的寬度長，且比上述抑制劑的分子的寬度長。
如請求項2之基板處理方法，其中，構成上述第2吸附位置之原子在至少一部分中間隔存在，間隔存在之原子間的距離為上述原料的分子無法通過之距離。
如請求項7之基板處理方法，其中，上述原子間的距離為上述中間體的分子及上述抑制劑的分子各自可通過的距離。
如請求項2之基板處理方法，其中，在(b)中，在可維持吸附於上述第1吸附位置之上述抑制劑之至少一部分、並使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑脫離的條件下，供給上述原料。
如請求項2之基板處理方法，其中，在(b)中，藉由維持吸附於上述第1吸附位置之上述抑制劑之至少一部分，進而抑制上述中間體吸附於上述第1吸附位置。
如請求項2之基板處理方法，其中，在(b)中，藉由維持吸附於上述第1吸附位置之上述抑制劑之至少一部分，進而使上述中間體對上述第2吸附位置的吸附量多於上述中間體對上述第1吸附位置的吸附量。
如請求項1之基板處理方法，其中，在(b)中，使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑與上述原料及上述中間體中之至少任一者反應而脫離，而使上述原料和上述中間體吸附於上述第2吸附位置。
如請求項1至12中任一項之基板處理方法，其中，上述周期還包括(c)對上述基板供給反應體，使上述第1層改質為第2層的步驟。
如請求項13之基板處理方法，其中，在(c)中使上述第1層改質為上述第2層時，將(b)中殘留於上述第1吸附位置之上述抑制劑去除。
如請求項13之基板處理方法，其中，上述周期包括依序進行(a)、(b)及(c)。
如請求項13之基板處理方法，其中，上述周期包括：進行(a)，與進行包含(b)與(c)的組合既定次數。
如請求項1至12中任一項之基板處理方法，其中，上述抑制劑包含鹵素，上述原料包含鹵素和構成上述膜之主元素。
如請求項13之基板處理方法，其中，上述抑制劑包含鹵素，上述原料包含鹵素和構成上述膜之主元素，且上述反應體包含氮及氧中之至少任一者。
一種半導體裝置之製造方法，其具有藉由進行包括下述(a)及(b)之周期既定次數，而在基板的表面上形成膜的步驟： <br/>(a)對在表面具有凹部，且可吸附由原料生成的中間體但無法吸附上述原料的第1吸附位置位於上述凹部之底部側、可吸附上述原料和上述中間體的第2吸附位置位於上述凹部之上部側之基板供給抑制劑，使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置的步驟；及 <br/>(b)對使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置及上述第2吸附位置之後的上述基板供給上述原料，由上述原料生成上述中間體，使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑脫離，使上述原料和上述中間體吸附於上述第2吸附位置而形成第1層的步驟。
一種基板處理裝置，其具有： <br/>對基板供給原料的原料供給系統； <br/>對基板供給抑制劑的抑制劑供給系統； <br/>對基板的溫度進行調整的溫度調整部；及 <br/>控制部，其構成為以藉由進行包括下述(a)和(b)之周期既定次數，而進行在上述基板的表面上形成膜的處理之方式，對上述原料供給系統、上述抑制劑供給系統、及上述溫度調整部進行控制： <br/>(a)對在表面具有凹部，且可吸附由上述原料生成的中間體但無法吸附上述原料的第1吸附位置位於上述凹部之底部側、可吸附上述原料和上述中間體的第2吸附位置位於上述凹部之上部側之基板供給上述抑制劑，使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置的處理；及 <br/>(b)對使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置之後的上述基板供給上述原料，由上述原料生成上述中間體，使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑脫離，使上述原料和上述中間體吸附於上述第2吸附位置而形成第1層的處理。
一種利用電腦使基板處理裝置執行程序的程式，其係執行藉由進行包括下述(a)及(b)之周期既定次數，而在基板的表面上形成膜的程序： <br/>(a)對在表面具有凹部，且可吸附由原料生成的中間體但無法吸附上述原料的第1吸附位置位於上述凹部之底部側、可吸附上述原料和上述中間體的第2吸附位置位於上述凹部之上部側之基板供給抑制劑，使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置的程序；及 <br/>(b)對使上述抑制劑吸附於上述第1吸附位置和上述第2吸附位置之後的上述基板供給上述原料，由上述原料生成上述中間體，使吸附於上述第2吸附位置之上述抑制劑脫離，使上述原料和上述中間體吸附於上述第2吸附位置而形成第1層的程序。
一種清漆，其特徵在於：其係包含聚苯醚、芳香族系溶劑及二級胺者， <br/>相對於上述聚苯醚、上述芳香族系溶劑及上述二級胺之合計100質量%，上述聚苯醚之含量為40.0～85.0質量%，上述芳香族系溶劑之含量為14.9～59.9質量%，上述二級胺之含量為0.10～3.00質量%， <br/>上述聚苯醚具有由下述式(1)之酚衍生之重複單元及由下述式(2)之酚衍生之重複單元， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="246px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>11</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～6之飽和烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子，R<sup>12</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之碳數1～6之烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子) <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="151px" width="235px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>{式(2)中，R<sup>22</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之碳數1～20之飽和或不飽和烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子，2個R<sup>22</sup>不同時為氫原子，R<sup>21</sup>為下述式(3)所表示之部分結構； <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="126px" width="381px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(3)中，R<sup>31</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～8之直鏈烷基、或2個R<sup>31</sup>鍵結而成碳數3～8之環狀烷基結構，R<sup>32</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～8之伸烷基，b分別獨立地為0或1，R<sup>33</sup>為氫原子、可經取代之碳數1～8之烷基或可經取代之苯基)} <br/>相對於由上述式(1)之酚衍生之重複單元與由上述式(2)之酚衍生之重複單元之合計100 mol%，由上述式(1)之酚衍生之重複單元之量為51～97 mol%，由上述式(2)之酚衍生之重複單元之量為3～49 mol%， <br/>上述聚苯醚於30℃下利用0.5 g/dL之濃度之氯仿溶液所測得之比濃黏度(ηsp/c)為0.10～0.8 dL/g。
如請求項1之清漆，其中上述式(3)所表示之部分結構為第三丁基。
如請求項1或2之清漆，其進而包含選自二氧化矽填料、阻燃劑、有機過氧化物、熱塑性樹脂及交聯劑中之至少一種添加劑。
如請求項1或2之清漆，其進而包含酮系溶劑。
如請求項4之清漆，其中上述清漆中所包含之芳香族系溶劑為甲苯，上述酮系溶劑為甲基乙基酮。
如請求項3之清漆，其進而包含酮系溶劑。
如請求項6之清漆，其中上述清漆中所包含之芳香族系溶劑為甲苯，上述酮系溶劑為甲基乙基酮。
一種清漆之製造方法，其特徵在於其係使用包含聚苯醚、芳香族系溶劑及二級胺之原料清漆的清漆之製造方法，其包括： <br/>向上述原料清漆中添加選自二氧化矽填料、阻燃劑、有機過氧化物、熱塑性樹脂及交聯劑中之至少一種添加劑之步驟，關於上述原料清漆， <br/>相對於上述聚苯醚、上述芳香族系溶劑及上述二級胺之合計100質量%，上述聚苯醚之含量為40.0～85.0質量%，上述芳香族系溶劑之含量為14.9～59.9質量%，上述二級胺之含量為0.10～3.00質量%， <br/>上述聚苯醚具有由下述式(1)之酚衍生之重複單元及由下述式(2)之酚衍生之重複單元， <br/>[化1] <br/><img align="absmiddle" height="158px" width="247px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(1)中，R<sup>11</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～6之飽和烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子，R<sup>12</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之碳數1～6之烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子) <br/>[化2] <br/><img align="absmiddle" height="153px" width="237px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>{式(2)中，R<sup>22</sup>分別獨立地為氫原子、可經取代之碳數1～20之飽和或不飽和烴基、可經取代之碳數6～12之芳基、或鹵素原子，2個R<sup>22</sup>不同時為氫原子，R<sup>21</sup>為下述式(3)所表示之部分結構； <br/>[化3] <br/><img align="absmiddle" height="126px" width="379px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>(式(3)中，R<sup>31</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～8之直鏈烷基、或2個R<sup>31</sup>鍵結而成碳數3～8之環狀烷基結構，R<sup>32</sup>分別獨立地為可經取代之碳數1～8之伸烷基，b分別獨立地為0或1，R<sup>33</sup>為氫原子、可經取代之碳數1～8之烷基或可經取代之苯基)} <br/>相對於由上述式(1)之酚衍生之重複單元與由上述式(2)之酚衍生之重複單元之合計100 mol%，由上述式(1)之酚衍生之重複單元之量為51～97 mol%，由上述式(2)之酚衍生之重複單元之量為3～49 mol%， <br/>上述聚苯醚於30℃下利用0.5 g/dL之濃度之氯仿溶液所測得之比濃黏度(ηsp/c)為0.10～0.8 dL/g。
如請求項8之清漆之製造方法，其進而包括向上述清漆原料中添加酮系溶劑之步驟。
如請求項9之清漆之製造方法，其中上述清漆中所包含之芳香族系溶劑為甲苯，上述酮系溶劑為甲基乙基酮。
如請求項8或9之清漆之製造方法，其中上述式(3)所表示之部分結構為第三丁基。
一種組成物，含有聚合性單體(A)、及彈性體(B)， <br/>該聚合性單體(A)係包含單官能(甲基)丙烯酸酯(A1)及高極性單體(A2)， <br/>將使該組成物於23℃硬化24小時而得之硬化物，使用動態黏彈性測定裝置以頻率1Hz、測定溫度範圍0℃至250℃、昇溫速度5℃/分、拉伸模式進行測定時之令於155℃之儲存彈性模數為E’<sub>155</sub>時，該E’<sub>155</sub>係150MPa以上， <br/>更包含多官能(甲基)丙烯酸酯(A3)， <br/>該多官能(甲基)丙烯酸酯(A3)包含選自於由具有脂環式結構之多官能(甲基)丙烯酸酯及具有脂肪族鏈式結構之多官能(甲基)丙烯酸酯構成之群組中之一種或二種以上。
如請求項1之組成物，其中，將該組成物於23℃使其硬化24小時而獲得之JIS K 7161-2:2014附錄A記載之1BA型啞鈴試驗片的依循JIS K 7161-2:2014以23℃、拉伸速度10mm/分之條件所測定之斷裂伸度為30%以上。
如請求項1或2之組成物，其中，該單官能(甲基)丙烯酸酯(A1)包含三環為脂環族的三環式單官能(甲基)丙烯酸酯。
如請求項3之組成物，其中，該三環式單官能(甲基)丙烯酸酯係含有選自於由具有含有二環戊烷骨架及連接該二環戊烷骨架之一環的結構的單官能(甲基)丙烯酸酯、及具有二環戊二烯骨架之單官能(甲基)丙烯酸酯構成之群組中之一種或二種以上。
如請求項1或2之組成物，其中，令該聚合性單體(A)及該彈性體(B)之合計含量為100質量份時，該單官能(甲基)丙烯酸酯(A1)之含量係1質量份以上50質量份以下。
如請求項1或2之組成物，其中，該多官能(甲基)丙烯酸酯(A3)含有2個以上6個以下之(甲基)丙烯醯基。
如請求項1或2之組成物，其中，令該聚合性單體(A)及該彈性體(B)之合計含量為100質量份時，該多官能(甲基)丙烯酸酯(A3)之含量係1質量份以上30質量份以下。
如請求項1或2之組成物，其中，該高極性單體(A2)包含(甲基)丙烯酸。
如請求項1或2之組成物，其中，令該聚合性單體(A)及該彈性體(B)之合計含量為100質量份時，該高極性單體(A2)之含量係15質量份以上40質量份以下。
如請求項1或2之組成物，其中，該彈性體(B)包含選自於由(甲基)丙烯腈･丁二烯橡膠、(甲基)丙烯酸甲酯･丁二烯･苯乙烯橡膠、及(甲基)丙烯酸甲酯･丁二烯･(甲基)丙烯腈･苯乙烯橡膠構成之群組中之一種或二種以上。
如請求項1或2之組成物，其中，令該聚合性單體(A)及該彈性體(B)之合計含量為100質量份時，該彈性體(B)之含量係20質量份以上70質量份以下。
如請求項1或2之組成物，其中，將使該組成物於23℃硬化24小時而得之硬化物，使用動態黏彈性測定裝置以頻率1Hz、測定溫度範圍0℃至250℃、昇溫速度5℃/分、拉伸模式進行測定時之令於23℃之儲存彈性模數為E’<sub>23</sub>時，該E’<sub>23</sub>為300MPa以上。
如請求項1或2之組成物，其中，將使該組成物於23℃硬化24小時而得之硬化物，使用動態黏彈性測定裝置以頻率1Hz、測定溫度範圍0℃至250℃、昇溫速度5℃/分、拉伸模式進行測定時之令於80℃之儲存彈性模數為E’<sub>80</sub>時，該E’<sub>80</sub>為150MPa以上。
如請求項1或2之組成物，其係黏接性組成物。
如請求項1或2之組成物，其係使用於馬達。
如請求項15之組成物，其係使用於該馬達中，用以固定磁鐵與轉子之間或磁鐵與定子之間。
一種馬達，係含有由如請求項1~16項中任一項之組成物構成之硬化物。
一種形成一層狀微孔膜之方法，該層狀微孔膜包含一第一微孔膜，該第一微孔膜在多個結合區域處結合至一第二微孔膜，該方法包含： <br/>使該第一微孔膜之一表面與該第二微孔膜之一表面接觸，以及 <br/>在多個結合區域處藉由將能量施加至該等結合區域而在該第一微孔膜之該表面與該第二微孔膜之該表面之間形成結合部， <br/>其中該等結合區域覆蓋該層狀微孔膜之區域的小於20%。
如請求項1之方法，其中形成一結合部包含在該等結合區域處將能量施加至該第一微孔膜及該第二微孔膜以升高該等結合區域之一溫度，且致使該第一微孔膜之一聚合物與該第二微孔膜之一聚合物在該等結合區域處融合。
如請求項2之方法，其包含： <br/>將該等結合區域處之一溫度升高至某一溫度，該溫度：高於該第一微孔膜之一熔融溫度、高於該第二微孔膜之一熔融溫度，或高於該第一微孔膜之一熔融溫度且高於該第二微孔膜之一熔融溫度，以及 <br/>允許該等結合區域之該溫度降低，其中該第一微孔膜在該結合區域處結合至該第二微孔膜。
如請求項1之方法，其中該第一微孔膜具有一第一微孔膜熔融點，該第二微孔膜具有一第二微孔膜熔融點，且該第一微孔膜熔融點與該第二微孔膜熔融點之間的一差為至少20攝氏度。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第一微孔膜或該第二微孔膜中之一者包含選自以下之一聚合物：超高分子量聚乙烯、聚碸、延展聚乙烯、延展聚丙烯、聚醯亞胺、聚醯胺及聚四氟乙烯。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該等第一及第二微孔膜中之一者包含聚乙烯，且該等第一及第二微孔膜中之一者包含聚丙烯。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在多個結合區域處在該第一微孔膜之該表面與該第二微孔膜之該表面之間形成該等結合部包含將超音波能量施加至該等結合區域以加熱該等結合區域。
如請求項1至4中任一項之方法，其中在多個結合區域處在該第一微孔膜之該表面與該第二微孔膜之該表面之間形成該等結合部包含：使用具有該等結合區域之一區域之一受熱表面，藉由將該等結合區域置放在該受熱表面與一輥之間而將熱施加至該等結合區域。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第一微孔膜係一篩分膜，其具有： <br/>至少150磅/平方吋(psi)之一初始泡點， <br/>小於55%之一孔隙度，以及 <br/>小於20微米之一厚度。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第二微孔膜具有20至200微米之一範圍內之一厚度。
如請求項10之方法，其中該第二微孔膜係一非篩分膜，其具有： <br/>小於150磅/平方吋(psi)之一初始泡點， <br/>大於40%之一孔隙度，以及 <br/>大於50微米之一厚度。
如請求項1至4中任一項之方法，其包含： <br/>使該第一微孔膜之一表面與一第三微孔膜之一表面接觸，以及 <br/>藉由以下操作在多個結合區域處將該第一微孔膜結合至該第二微孔膜及該第三微孔膜 <br/>將能量施加至結合區域以使該等結合區域處之一聚合物熔融，以及 <br/>允許該熔融聚合物凝固以形成該等結合區域。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第一微孔膜具有5至100微米之一範圍內之一厚度，且該第二微孔膜具有5至100微米之一範圍內之一厚度。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第一微孔膜具有5至100微米之一範圍內之一厚度，且該第二微孔膜具有大於100微米之一厚度。
如請求項1至4中任一項之方法，其中該第一微孔膜具有大於100微米之厚度，且該第二微孔膜具有大於100微米之一厚度。
一種層狀聚合微孔膜，其係根據如請求項1至4中任一項之方法製備。
一種層狀微孔膜，其包含： <br/>一第一微孔膜， <br/>一第二微孔膜，其在覆蓋該層狀微孔膜之區域的小於20%之結合區域處結合至該第一微孔膜。
如請求項17之膜，其中該等結合區域覆蓋該層狀微孔膜之區域的小於10%。
如請求項17之膜，其中該第一微孔膜具有一第一微孔膜熔融點，該第二微孔膜具有一第二微孔膜熔融點，且該第一微孔膜熔融點與該第二微孔膜熔融點之間的一差為至少20攝氏度。
如請求項17之膜，其中該第一微孔膜及該第二微孔膜中之至少一者包括一聚合物。
如請求項17至20中任一項之膜，其中該等第一及第二微孔膜中之一者包含聚乙烯，且該等第一及第二微孔膜中之一者包含聚丙烯。
如請求項17至20中任一項之膜，其中該第一微孔膜係一篩分膜，其具有： <br/>至少150磅/平方吋(psi)之一初始泡點， <br/>小於55%之一孔隙度，以及 <br/>小於20微米之一厚度。
如請求項17至19中任一項之膜，其中該第二微孔膜具有20至200微米之一範圍內之一厚度。
如請求項23之膜，其中該第二微孔膜係一非篩分膜，其具有： <br/>小於150磅/平方吋(psi)之一初始泡點， <br/>大於40%之一孔隙度，以及 <br/>大於50微米之一厚度。
如請求項17至20中任一項之膜，其包含在結合區域處結合至該第一微孔膜並結合至該第二微孔膜之一第三微孔膜。
如請求項17至20中任一項之膜，其中該第一微孔膜具有5至100微米之一範圍內之厚度，且該第二微孔膜具有5至100微米之一範圍內之一厚度。
如請求項17至20中任一項之膜，其中該第一微孔膜具有5至100微米之一範圍內之厚度，且該第二微孔膜具有大於100微米之一厚度。
如請求項17至20中任一項之膜，其中該第一微孔膜具有大於100微米之厚度，且該第二微孔膜具有大於100微米之一厚度。
一種過濾筒，其包含一如請求項17至20中任一項之膜，該過濾筒包含一過濾器殼體，該過濾器殼體包含一入口、一出口，且該膜支撐於該殼體內在該入口與該出口之間，使得進入該入口之液體在通過該出口之前通過該膜。
一種使用如請求項29之過濾筒之方法，該方法包含致使流體流入該入口，通過該膜，並離開該出口，其中該流體使用於一半導體製造程序。
一種能耗預測方法，其中，所述方法包括：<br/> 獲取目標設備在預設時間段對應的能效資料，包括：獲取所述目標設備在生產過程中的生產資料；對所述生產資料進行一階差分計算，得到所述能效資料；<br/> 基於預設的能效指標與特徵提取演算法，從所述能效資料中確定多個影響因數；<br/> 基於所述多個影響因數與所述能效指標，確定回歸預測模型；<br/> 將所述多個影響因數輸入所述回歸預測模型，生成所述預設時間段中每一時刻對應的第一預測值；<br/> 基於所述每一時刻對應的第一預測值，生成所述預設時間段對應的能耗趨勢圖。
根據請求項1所述的能耗預測方法，其中，所述方法還包括：<br/> 獲取歷史能效資料作為訓練資料；<br/> 基於預設的能效指標與所述特徵提取演算法，從所述訓練資料中提取多個特徵資料；<br/> 隨機將一個或多個特徵資料登錄線性回歸模型，構建一個或多個特徵資料對應的回歸預測子模型；<br/> 基於所述一個或多個特徵資料以及對應的回歸預測子模型，得到所述一個或多個特徵資料對應的第二預測值；<br/> 根據所述第二預測值與所述能效指標，計算每一個回歸預測子模型的評分值；<br/> 將所述評分值大於預設閥值的至少一個回歸預測子模型作為所述回歸預測模型。
根據請求項2所述的能耗預測方法，其中，所述方法還包括：<br/> 若不存在所述評分值大於所述預設閥值的回歸預測子模型，重新獲取更新的訓練資料，並利用所述更新的訓練資料重新訓練，得到更新的回歸預測子模型。
根據請求項3所述的能耗預測方法，其中，所述重新獲取更新的訓練資料，包括：<br/> 剔除所述歷史能效資料中不符合預設資料類型的資料，得到所述更新的訓練資料。
根據請求項1所述的能耗預測方法，其中，所述基於預設的能效指標與特徵提取演算法，從所述能效資料中確定多個影響因數，包括：<br/> 獲取與所述能效指標相關的多個耗能因數；<br/> 基於所述多個耗能因數與所述特徵提取演算法，從所述能效資料中確定多個目標資料；<br/> 獲取所述多個目標資料與所述多個耗能因數的相關度；<br/> 基於預設的數量，依據相關度的預設排序從所述多個目標資料中確定所述多個影響因數。
根據請求項1所述的能耗預測方法，其中，所述基於所述多個影響因數與所述能效指標，確定回歸預測模型，包括：<br/> 若接收到用戶的預測請求，基於所述預測請求從所述多個影響因數裡確定至少一個影響因數；根據所述至少一個影響因數與所述能效指標，確定包含所述至少一個影響因數的回歸預測子模型作為所述回歸預測模型；<br/> 若未接收到所述預測請求，基於所述多個影響因數與能效指標，確定包含所述多個影響因數的回歸預測子模型作為所述回歸預測模型。
根據請求項1所述的能耗預測方法，其中，所述能耗趨勢圖包括在預設時間段每一時刻的第一預測值形成的曲線以及所述能效指標形成的曲線。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括處理器和記憶體，所述處理器用於執行記憶體中存儲的電腦程式以實現如請求項1至7中任意一項所述的能耗預測方法。
一種電腦可讀存儲介質，其中，所述電腦可讀存儲介質存儲有至少一個指令，所述至少一個指令被處理器執行時實現如請求項1至7中任意一項所述的能耗預測方法。
一種碳化矽晶種，包括： <br/>第一碳化矽基板，具有相對的碳面與矽面； <br/>第二碳化矽基板，具有相對的碳面與矽面，其中所述第二碳化矽基板的所述碳面是長晶用的表面，其中所述第二碳化矽基板的雜質少於所述第一碳化矽基板的雜質，其中所述第二碳化矽基板的雜質小於1 ppm、微管密度（MPD）小於1 cm<sup>-2</sup>、基面差排（BPD）小於500 cm<sup>-2</sup>以及、貫穿式螺旋差排（TSD）小於100 cm<sup>-2</sup>； <br/>金屬層，位在所述第二碳化矽基板的所述矽面與所述第一碳化矽基板的所述矽面之間，其中所述金屬層的厚度小於100 nm，且所述金屬層的材料包括銀、鋁、金或其組合；以及 <br/>第一附著層，位在所述第一碳化矽基板的所述矽面與所述金屬層之間，其中所述第一附著層的厚度小於10 nm，且所述第一附著層的材料具有易於與矽形成矽化物的特性，包括鈦、鉭、鉻或其組合。
如請求項1所述的碳化矽晶種，其中所述第一附著層與所述第一碳化矽基板的所述矽面直接接觸。
如請求項1所述的碳化矽晶種，更包括第二附著層，位在所述第二碳化矽基板的所述矽面與所述金屬層之間，其中所述第二附著層的材料具有易於與矽形成矽化物的特性。
如請求項1所述的碳化矽晶種，其中所述碳化矽晶種的彎曲度（BOW）與翹曲量（Warp）均小於20 μm。
如請求項1所述的碳化矽晶種，其中所述碳化矽晶種的總厚度大於500 μm。
如請求項1所述的碳化矽晶種，其中所述金屬層的材料具有易於擴散與碳化矽反應的特性。
如請求項1所述的碳化矽晶種，更包括經高溫製程後形成於所述金屬層與所述第二碳化矽基板之間的合金層，其中所述合金層包含碳、矽與金屬。
如請求項1所述的碳化矽晶種，其中所述金屬層與所述第二碳化矽基板的所述矽面直接接觸。
一種顯示卡的自動生產方法，包括下列步驟：<br/> 一影像擷取模組擷取一第一顯示卡的影像；<br/> 一影像分析模組接收該第一顯示卡的影像，並且根據該第一顯示卡的影像分析該第一顯示卡的複數個零件的相對位置，以產生一第一零件位置資訊，其中，該第一零件位置資訊包括該等零件的名稱及其相對位置的細節；<br/> 一標準作業流程產生模組接收該第一零件位置資訊，並且根據該第一零件位置資訊的該等零件的名稱及其相對位置的細節判斷出客戶的機型和料號、需求工具/設備/治具的名稱/編號和參數扭力、作業重點/注意事項的動作位置和敘述、需求料件/耗材的料號和品名/規格、標準作業流程的版本、製作日期、發行日期和編號、組裝的當頁數和總頁數、站別的核准、審核和製作、作業要求的加工廠、發行編號/版本和發明日期以產生該第一顯示卡的一標準作業流程；<br/> 一組裝模組接收該第一顯示卡的該標準作業流程，並且根據該第一顯示卡的該標準作業流程組裝該第一顯示卡；<br/> 該影像擷取模組擷取一第二顯示卡的影像，其中，該第一顯示卡的零件數量大於該第二顯示卡的零件數量，使得該第一顯示卡被界定為高階顯示卡，且該第二顯示卡被界定為低階顯示卡；<br/> 該影像分析模組接收該第二顯示卡的影像，並且根據該第一顯示卡的影像與該第二顯示卡的影像判定該第二顯示卡較該第一顯示卡缺少至少一零件，以產生一第二零件位置資訊；<br/> 該標準作業流程產生模組接收該第二零件位置資訊，並且根據該第二零件位置資訊從該第一顯示卡的該標準作業流程中刪減至少一步驟，以產生該第二顯示卡的一標準作業流程；以及<br/> 該組裝模組接收該第二顯示卡的該標準作業流程，並且根據該第二顯示卡的該標準作業流程組裝該第二顯示卡。
如請求項1所述的顯示卡的自動生產方法，其中，產生該第一零件位置資訊的步驟進一步包括：該影像分析模組在該第一顯示卡的影像上標註該等零件，以產生該第一零件位置資訊，該第一零件位置資訊包含該等零件的一第一標註資訊；以及其中，產生該第一顯示卡的該標準作業流程的步驟進一步包括：該標準作業流程產生模組根據該等零件的該第一標註資訊產生該第一顯示卡的該標準作業流程。
如請求項2所述的顯示卡的自動生產方法，其中，產生該第二零件位置資訊的步驟進一步包括：該影像分析模組在該第二顯示卡的影像上標註該等零件，以產生該第二零件位置資訊，該第二零件位置資訊包含該等零件的一第二標註資訊；以及其中，產生該第二顯示卡的該標準作業流程的步驟進一步包括：該標準作業流程產生模組根據該等零件的該第二標註資訊產生該第二顯示卡的該標準作業流程。
如請求項2或3所述的顯示卡的自動生產方法，其中，該影像分析模組利用複數個標註框體框住該等零件並且以文字標註該等零件的名稱。
一種顯示卡的自動生產系統，包括：<br/> 一影像擷取模組，用以擷取一第一顯示卡的影像及一第二顯示卡的影像，其中，該第一顯示卡的零件數量大於一第二顯示卡的零件數量，使得該第一顯示卡被界定為高階顯示卡，該第二顯示卡被界定為低階顯示卡；<br/> 一影像分析模組，電性連接該影像擷取模組，用以接收該第一顯示卡的影像及該第二顯示卡的影像，根據該第一顯示卡的影像分析該第一顯示卡的複數個零件的相對位置，以產生一第一零件位置資訊，並且根據該第一顯示卡的影像與該第二顯示卡的影像判定該第二顯示卡較該第一顯示卡缺少至少一零件，以產生一第二零件位置資訊，其中，該第一零件位置資訊包括該等零件的名稱及其相對位置的細節；<br/> 一標準作業流程產生模組，電性連接該影像分析模組，用以接收該第一零件位置資訊和該第二零件位置資訊，根據該第一零件位置資訊的該等零件的名稱及其相對位置的細節判斷出客戶的機型和料號、需求工具/設備/治具的名稱/編號和參數扭力、作業重點/注意事項的動作位置和敘述、需求料件/耗材的料號和品名/規格、標準作業流程的版本、製作日期、發行日期和編號、組裝的當頁數和總頁數、站別的核准、審核和製作、作業要求的加工廠、發行編號/版本和發明日期以產生該第一顯示卡的一標準作業流程，並且根據該第二零件位置資訊從該第一顯示卡的該標準作業流程中刪減至少一步驟，以產生該第二顯示卡的一標準作業流程；以及<br/> 一組裝模組，電性連接該標準作業流程產生模組，用以接收該第一顯示卡的該標準作業流程和該第二顯示卡的該標準作業流程，根據該第一顯示卡的該標準作業流程組裝該第一顯示卡，並且根據該第二顯示卡的該標準作業流程組裝該第二顯示卡。
如請求項5所述的顯示卡的自動生產系統，其中，該影像分析模組在該第一顯示卡的影像上標註該等零件，以產生該第一零件位置資訊，該第一零件位置資訊包含該等零件的一第二標註資訊；以及其中，該標準作業流程產生模組根據該等零件的該第二標註資訊產生該第一顯示卡的該標準作業流程。
如請求項5所述的顯示卡的自動生產系統，其中，該影像分析模組在該第二顯示卡的影像上標註該等零件，以產生該第二零件位置資訊，該第二零件位置資訊包含該等零件的一第二標註資訊；以及其中，該標準作業流程產生模組根據該等零件的該第二標註資訊產生該第二顯示卡的該標準作業流程。
如請求項6或7所述的顯示卡的自動生產系統，其中，該影像分析模組利用複數個標註框體框住該等零件並且以文字標註該等零件的名稱。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底；以及 <br/>第一區塊，連接至所述襯墊，所述第一區塊的材料與所述襯墊的材料不同， <br/>其中所述襯墊的側表面與所述第一區塊的側表面在橫向上彼此面對。
如請求項1所述的襯墊結構，其中所述第一區塊的發射率與所述襯墊的發射率不同。
如請求項1所述的襯墊結構，其中該襯墊的上表面與該第一區塊的上表面彼此共平面。
如請求項1所述的襯墊結構，其中 <br/>所述襯墊包含所述襯墊的所述內側表面上的收納凹槽，以及 <br/>所述收納凹槽經組態以收納所述第一區塊。
如請求項4所述的襯墊結構，其中 <br/>所述收納凹槽包括具有相同大小的多個收納凹槽，以及 <br/>所述第一區塊位於所述多個收納凹槽中的至少一者中。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底；以及 <br/>第一區塊，連接至所述襯墊，所述第一區塊的材料與所述襯墊的材料不同， <br/>其中所述第一區塊具有最大徑向寬度，所述第一區塊的所述最大徑向寬度小於所述襯墊的最大徑向寬度。
如請求項6所述的襯墊結構，其中所述襯墊的側表面與所述第一區塊的側表面在橫向上彼此面對。
如請求項6所述的襯墊結構，其中所述第一區塊的發射率不同於所述襯墊的發射率。
如請求項6所述的襯墊結構，其中 <br/>所述襯墊包括所述襯墊的所述內側壁上的收納凹槽，且所述收納凹槽經組態以收納所述第一區塊， <br/>所述收容槽包括具有相同尺寸的多個收納凹槽，且所述第一區塊位於所述多個收納凹槽中的至少一者中。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底；以及 <br/>第一區塊，連接至所述襯墊，所述第一區塊的材料與所述襯墊的材料不同， <br/>其中所述襯墊的上表面與所述第一區塊的上表面彼此共平面。
如請求項10所述的襯墊結構，其中 <br/>所述襯墊包括所述襯墊的所述內側壁上的收納凹槽，且所述收納凹槽經組態以收納所述第一區塊， <br/>所述收納凹槽包含具有相同尺寸的多個收納凹槽，且所述第一區塊係位於所述多個收納凹槽中的至少一者中。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底；以及 <br/>第一區塊，連接至所述襯墊，所述第一區塊的發射率不同於所述襯墊的發射率。
如請求項12所述的襯墊結構，其中 <br/>所述第二區塊的材料與所述襯墊的所述材料及所述第一區塊的所述材料不同。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底，所述襯墊包含在所述襯墊的內側表面上的具有相同大小的多個收納凹槽，且所述襯墊包含絕緣材料；以及 <br/>第一區塊，可拆卸地收納於所述多個收納凹槽中的至少一者中，所述第一區塊的絕緣材料與所述襯墊的所述絕緣材料不同。
如請求項14所述的襯墊結構，其中所述第一區塊的發射率高於所述襯墊的發射率。
如請求項14所述的襯墊結構，更包括： <br/>第二區塊，可拆卸地收納於所述多個收納凹槽中的一或多者中，其中 <br/>所述第一區塊及所述第二區塊分別在所述多個收納凹槽當中的不同收納凹槽中。
一種襯墊結構，包括： <br/>襯墊，經組態以配置於反應腔室的內側壁上，所述反應腔室經組態以收納加熱器及基底，所述襯墊包含在所述襯墊的外側表面上的具有相同大小的多個收納凹槽，且所述襯墊包含絕緣材料；以及 <br/>第一區塊，可拆卸地收納於所述多個收納凹槽中的至少一者中，所述第一區塊包含導電材料。
如請求項17所述的襯墊結構，其中 <br/>所述襯墊的所述絕緣材料包括氧化鋁；以及 <br/>所述第一區塊的所述導電材料包括金屬。
如請求項17所述的襯墊結構，更包括： <br/>第二區塊，可拆卸地收納於所述多個收納凹槽中的至少一者中，其中 <br/>所述第一區塊及所述第二區塊分別在所述多個收納凹槽當中的不同收納凹槽中。
如請求項19所述的襯墊結構，其中所述第二區塊的所述絕緣材料包括與所述襯墊的所述絕緣材料相同的絕緣材料。
一種用於操作一光罩計量測量設備的方法，其中利用一第一影像感測器（20）記錄光罩（17）的一區段（26）的一影像，並且其中透過使用該第一影像感測器（20）獲得的該影像原始資料進行清晰標準化（45）來產生一空間影像，並且其中該空間影像進行非線性自適應，其包括下列步驟： <br/>a. 數學合併（47）該空間影像與一清晰影像（C<sub>T2T</sub>）以產生影像資料； <br/>b. 施加（48）一線性校正（P<sub>lin1</sub>）於步驟a中所產生的該影像資料，以校正該第一影像感測器（20）的一線性誤差，以產生線性校正影像資料； <br/>c. 施加（49）一非線性自適應（P<sup>-1</sup><sub>lin2</sub>）於步驟b中所獲得的該線性校正影像資料以產生線性自適應的影像資料，並且將未配置在該光罩計量測量設備的一射束路徑中的一第二影像感測器的一線性特徵標記在該線性自適應的影像資料上，其中該第二影像感測器已經被該第一影像感測器所替換使得該第二影像感測器並未配置在該射束路徑中； <br/>d. 施加（50）一清晰標準化於步驟c中所產生的該線性自適應的影像資料。
如請求項1所述的方法，其中將步驟a中的該空間影像逐像素地乘以該清晰影像。
如請求項1或2所述的方法，其中該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）是該第一影像感測器（20）所記錄的清晰影像。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）進行一非線性自適應使得線性自適應的一清晰影像（C<sub>T2T</sub>）產生，並且其中線性自適應的該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）用於步驟d中的該清晰標準化。
如請求項4所述的方法，其中該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）的非線性自適應包含一線性校正，以校正該第一影像感測器（20）的線性誤差。
如請求項4所述的方法，其中該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）的非線性自適應包含將該第二影像感測器的該線性特徵標記在該清晰影像（C<sub>T2T</sub>）上的非線性自適應。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中在前述一方法步驟中，進行一測量以確認該第一影像感測器（20）的該線性誤差。
如請求項7所述的方法，其中當該光罩計量測量設備的一能量監測器（40）提供恆定的多個測量值時進行該測量。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中該空間影像為一能量標準化空間影像。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中在步驟a之前計算適用於該第二影像感測器的一預設校正（P<sub>def</sub>）。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中該空間影像的該清晰標準化是基於一第一清晰影像及一第二清晰影像，其中在記錄該光罩（17）的該區段的該影像之前記錄該第一清晰影像，並在記錄該光罩（17）的該區段的該影像之後記錄該第二清晰影像。
如請求項11所述的方法，其中在該第一清晰影像的平均強度與該第二清晰影像的平均強度之間的時間上執行一線性內插。
如請求項1至2中任一項所述的方法，其中在該非線性自適應的脈絡下校正該第一影像感測器（20）的一點成像誤差並且將該第二影像感測器的一點成像誤差標記在該影像資料上。
一種光罩計量測量設備，包含用於記錄光罩（17）的一區段（20）的一影像之一第一影像感測器（20），包含一計算模組（23），用於透過使用該第一影像感測器（20）獲得的影像原始資料進行清晰標準化（45）以產生一空間影像，並包含一校正模組（57），其中該校正模組設計成對該空間影像進行非線性自適應，包含下列步驟： <br/>a. 數學合併（47）該空間影像與一清晰影像（C<sub>T2T</sub>）以產生影像資料； <br/>b. 施加（48）一線性校正（P<sub>lin1</sub>）於步驟a中所產生的該影像資料，以校正該第一影像感測器（20）的一線性誤差，以產生線性校正影像資料； <br/>c. 施加（49）一非線性自適應（P<sup>-1</sup><sub>lin2</sub>）於步驟b中所獲得的該線性校正影像資料以產生線性自適應的影像資料，並且將未配置在該光罩計量測量設備的一射束路徑中的一第二影像感測器的一線性特徵標記在該線性自適應的影像資料上，其中該第二影像感測器已經被該第一影像感測器所替換使得該第二影像感測器並未配置在該射束路徑中；; <br/>d. 施加（50）一清晰標準化於步驟c中所產生的該線性自適應的影像資料。
一種電腦程式產品或電腦程式產品集，其包含程式部分，當載入連接到根據請求項14所述的光罩計量測量設備的一電腦或多個連網的電腦時，其設計成執行根據請求項1至13中任一項所述的方法。
一種半導體結構，包括：<br/> 一隔絕層；<br/> 一介電層，設置於該隔絕層之上；<br/> 一導電層，設置於該介電層中；以及<br/> 至少一支撐柱，設置於該介電層中並位於該導電層的外圍，其中該支撐柱包含與該隔絕層相同的材料。
如請求項1所述之半導體結構，其中在一上視圖中，該支撐柱形成為一封閉的圖案。
如請求項1所述之半導體結構，其中在一上視圖中，該支撐柱形成為包括複數區段的不連續圖案。
如請求項1所述之半導體結構，更包括複數支撐柱，其中該些支撐柱是以該導電層為中心，依序地由內而外排列。
如請求項1所述之半導體結構，其中該支撐柱連接於該隔絕層。
如請求項1所述之半導體結構，其中該支撐柱與該隔絕層分離。
如請求項1所述之半導體結構，更包括：<br/> 一表面處理層，設置於該導電層與該支撐柱之間。
如請求項7所述之半導體結構，其中該表面處理層的材料移除速率大於該介電層的材料移除速率。
如請求項7所述之半導體結構，更包括：<br/> 一阻障層，設置於該導電層與該表面處理層之間。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 在一隔絕層之上形成一介電材料；<br/> 將該介電材料圖案化以形成至少一第一溝槽；<br/> 在該第一溝槽中形成支撐柱；<br/> 將部分該介電材料移除，以形成具有一第二溝槽的一介電層，其中該支撐柱設置於該第二溝槽的外圍；以及<br/> 在該第二溝槽中形成一導電層，<br/> 其中該支撐柱包含與該隔絕層相同的材料。
如請求項10所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在形成該第二溝槽之後，對該介電層進行一表面處理，以形成一表面處理層。
如請求項11所述之半導體結構的形成方法，其中該表面處理為一灰化製程。
如請求項11所述之半導體結構的形成方法，更包括：<br/> 在該表面處理層之上依序形成一阻障層及該導電層。
一種有機金屬化合物，由以下化學式1表示：<figure><img align="absmiddle" height="266px" width="457px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>其中，在該化學式1中，X表示O(氧)、S(硫)或Se(硒)中的一個，R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自獨立地表示單取代、雙取代、三取代或四取代形式，其中，雙取代、三取代或四取代形式中的每個R<sub>1</sub>可以彼此相同或不同，並且，雙取代、三取代或四取代形式中的每個R<sub>2</sub>可以彼此相同或不同；R<sub>3</sub>和R<sub>6</sub>各自獨立地表示單取代、雙取代或三取代形式，其中，雙取代或三取代形式中的每個R<sub>3</sub>可以彼此相同或不同，雙取代或三取代形式中的每個R<sub>4</sub>可以彼此相同或不同，雙取代或三取代形式中的每個R<sub>5</sub>可以彼此相同或不同，雙取代或三取代形式中的每個R<sub>6</sub>可以彼此相同或不同；R<sub>4</sub>表示單取代或雙取代形式，其中，雙取代形式中的每個R<sub>4</sub>可以彼此相同或不同；R<sub>5</sub>表示單取代、雙取代、三取代、四取代或五取代形式，其中，雙取代、三取代、四取代或五取代形式中的每個R<sub>5</sub>可以彼此相同或不同；R<sub>1</sub>各自獨立地表示選自由以下所組成的群組中的一種：氫、氘、鹵素、鹵化物、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、氫硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；R<sub>2</sub>至R<sub>6</sub>各自獨立地表示選自由以下所組成的群組中的一種：氫、氘、鹵素、鹵化物、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、氫硫基、亞磺醯基、磺醯基、膦基及其組合；R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>各自獨立地表示選自由氫、氘、C1至C6直鏈烷基、C3至C6支鏈烷基、以及C3至C6環烷基所組成的群組中的一種；可選地，被選為R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>中的每一個的該C1至C6直鏈烷基、該C3至C6支鏈烷基、以及該C3至C6環烷基中的每一個的至少一個氫獨立地被氘或鹵素取代；m為1至8的整數，而n為0至2的整數。
如請求項1所述的有機金屬化合物，其中，n為2。
如請求項1所述的有機金屬化合物，其中，n為1。
如請求項1所述的有機金屬化合物，其中，n為0。
如請求項1至4中任一項所述的有機金屬化合物，其中，X為O。
如請求項1至4中任一項所述的有機金屬化合物，其中，X為S。
如請求項1至4中任一項所述的有機金屬化合物，其中，R<sub>7</sub>至R<sub>8</sub>各自獨立地表示選自由氫、氘、C3至C6直鏈烷基、以及C3至C6支鏈烷基所組成的群組中的一種，其中，可選地，被選為R<sub>7</sub>和R<sub>8</sub>中的每一個的C3至C6直鏈烷基及C3至C6支鏈烷基中的每一個的至少一個氫獨立地被氘取代。
如請求項1至4中任一項所述的有機金屬化合物，其中，m為1至3的整數。
如請求項1所述的有機金屬化合物，其中，由該化學式1表示的該化合物包含選自由以下化合物1至化合物680所組成的群組中的一種： <br/><img align="absmiddle" height="751px" width="540px" file="ed10128.jpg" alt="ed10128.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="752px" width="540px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="764px" width="539px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="752px" width="539px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="770px" width="539px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="770px" width="539px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="770px" width="540px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="768px" width="543px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="773px" width="543px" file="ed10136.jpg" alt="ed10136.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="777px" width="543px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="780px" width="544px" file="ed10138.jpg" alt="ed10138.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="782px" width="545px" file="ed10139.jpg" alt="ed10139.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="799px" width="551px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="775px" width="551px" file="ed10141.jpg" alt="ed10141.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="775px" width="550px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="771px" width="538px" file="ed10143.jpg" alt="ed10143.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="774px" width="538px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="781px" width="538px" file="ed10145.jpg" alt="ed10145.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="800px" width="538px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="778px" width="539px" file="ed10147.jpg" alt="ed10147.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="773px" width="537px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="771px" width="537px" file="ed10149.jpg" alt="ed10149.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="771px" width="538px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="771px" width="538px" file="ed10151.jpg" alt="ed10151.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="780px" width="538px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="780px" width="552px" file="ed10153.jpg" alt="ed10153.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="796px" width="552px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="784px" width="552px" file="ed10155.jpg" alt="ed10155.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="774px" width="547px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><br/><img align="absmiddle" height="772px" width="548px" file="ed10157.jpg" alt="ed10157.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><br/><br/><img align="absmiddle" height="766px" width="549px" file="ed10158.jpg" alt="ed10158.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="772px" width="548px" file="ed10159.jpg" alt="ed10159.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="772px" width="559px" file="ed10160.jpg" alt="ed10160.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="775px" width="559px" file="ed10161.jpg" alt="ed10161.jpg" img-content="jpg" 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alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="783px" width="576px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="576px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="784px" width="577px" file="ed10178.jpg" alt="ed10178.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="790px" width="577px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="791px" width="578px" file="ed10180.jpg" alt="ed10180.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="577px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="800px" width="579px" file="ed10182.jpg" alt="ed10182.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="780px" width="578px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="779px" width="578px" file="ed10184.jpg" alt="ed10184.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="784px" width="578px" file="ed10185.jpg" alt="ed10185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="578px" file="ed10186.jpg" alt="ed10186.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="796px" width="578px" file="ed10187.jpg" alt="ed10187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="583px" file="ed10188.jpg" alt="ed10188.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="788px" width="583px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="790px" width="584px" file="ed10190.jpg" alt="ed10190.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="780px" width="582px" file="ed10191.jpg" alt="ed10191.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="785px" width="584px" file="ed10192.jpg" alt="ed10192.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="781px" width="583px" file="ed10193.jpg" alt="ed10193.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="787px" width="583px" file="ed10194.jpg" alt="ed10194.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="791px" width="583px" file="ed10195.jpg" alt="ed10195.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" 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inline="yes"/><img align="absmiddle" height="789px" width="620px" file="ed10210.jpg" alt="ed10210.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><img align="absmiddle" height="791px" width="619px" file="ed10211.jpg" alt="ed10211.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><figure><img align="absmiddle" height="788px" width="657px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>
如請求項1至4中任一項所述的有機金屬化合物，其中，由該化學式1表示的該化合物用作綠色磷光材料。
一種有機發光二極體(100)，包括：一第一電極(110)；一第二電極(120)，面向該第一電極(110)；以及一有機層(130)，設置在該第一電極(110)與該第二電極(120)之間， <br/>其中，該有機層（130）包含一發光層（160）， <br/>其中，該發光層（160）包含根據請求項1至10中任一項所述的有機金屬化合物。
如請求項11所述的有機發光二極體（100），其中，由該化學式1表示的該化合物用作綠色磷光材料。
如請求項11所述的有機發光二極體（100），其中，該有機層（130）進一步包含選自由一電洞注入層（140）、一電洞傳輸層（150）、一電子傳輸層（170）和一電子注入層（180）所組成的群組中的至少一個。
一種有機發光顯示裝置（3000），包括： <br/>一基板（3010）； <br/>一驅動元件（Td），位於該基板（3010）上；以及 <br/>根據請求項11至13中任一項所述的有機發光二極體（4000），設置在該基板（3010）上，並連接至該驅動元件（Td）。
一種電腦實施方法（14），用於包含多個積體電路圖案之一物件（116）的一成像資料集（10）中多個缺陷（12）的偵測，該方法包含： <br/>- 獲得該物件（116）的一成像資料集（10）； <br/>- 將一自動編碼器（24）神經網路應用於該成像資料集（10），以獲得該成像資料集（10）的一重建（26）； <br/>- 藉由將該成像資料集（10）與該成像資料集（10）的該重建（26）進行比較，以獲得一異常資料集（28）； <br/>- 將一缺陷識別方法（72）應用於該異常資料集（28），以透過一缺陷標準獲得多個缺陷偵測（73），其中該缺陷識別方法（72）包含產生一不規則光罩（90），其指出在該物件（116）的該等積體電圖案中的多個不規則圖案（104）。
如請求項1所述的方法，已訓練的該自動編碼器（24）神經網路包含下列步驟： <br/>- 從含有多個積體電圖案的多個物件（116）的多個成像資料集（10）產生自動編碼器訓練資料（66）； <br/>- 反複下列多個步驟： <br/> i. 根據一取樣策略針對一自動編碼器（24）神經網路的一或多個超參數，以選擇一或多個超參數值； <br/> ii. 基於所產生的該自動編碼器訓練資料（66）的多個子集及所選定的該一或多個超參數值，以訓練該自動編碼器（24）； <br/> iii. 藉由計算一目標函數的一關聯目標函數值以評估經過訓練的該自動編碼器（24）； <br/>- 基於該關聯目標函數值以選擇已訓練的該等自動編碼器（24）中之一者。
如請求項2所述的方法，其中所產生的該自動編碼器訓練資料（66）包含在含有該等積體電圖案之物件（116）的該等成像資料集（10）中缺陷（12）的多個專家註解。
如請求項3所述的方法，其中在該自動編碼器（24）的訓練期間，該等專家註解的一子集用作驗證資料。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含一分段度量項，其將該異常資料集（28）的一子集與該等缺陷（12）的該等專家註解的一子集進行比較。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含測量已訓練的該自動編碼器（24）中不同特性之至少兩項的一權重和。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含一<img align="absmiddle" height="10px" width="8px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>範數度量項，其中<img align="absmiddle" height="9px" width="20px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其測量該成像資料集（10）與該成像資料集（10）的該重建（26）之間的偏差。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含測量已訓練的該自動編碼器（24）的一正向傳遞的計算時間的一項(term)。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含測量已訓練的該自動編碼器（24）的複雜性的一項。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含測量已訓練的該自動編碼器（24）與一特定硬體的兼容性的一項。
如請求項3所述的方法，其中該目標函數包含一<img align="absmiddle" height="10px" width="8px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>範數度量項，其中<img align="absmiddle" height="9px" width="20px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其測量該成像資料集（10）與該成像資料集（10）的該重建（26）之間的偏差；一分段度量項，其將該異常資料集（28）的一子集與該等缺陷（12）的該等專家註解的一子集進行比較；以及測量已訓練的該自動編碼器（24）的複雜性的一項。
如請求項2至4中任一項所述的方法，其中該目標函數包含一品質項，其評估已訓練的該自動編碼器（24）的品質，並且其中一使用者介面（128）配置成向使用者呈現在已訓練的該自動編碼器（24）上的資訊並讓使用者指出該品質項的值。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中該缺陷識別方法（72）包含一缺陷分段方法。
如請求項13所述的方法，其中該缺陷分段方法包含將一區域成長演算法應用於一已平滑化的異常資料集。
如請求項13所述的方法，其中該缺陷分段方法包含將一機器學習分段模型，特別是一深度學習分段模型，應用於該異常資料集（28）。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中獲得該不規則光罩（90）包含將該物件（116）的一模型設計（82）與該物件（116）的一規則化模型設計（86）進行比較，其中藉由將多個不規則圖案取代成多個規則圖案，從該模型設計（82）獲得該規則化模型設計（86）。
如請求項16所述的方法，其中獲得該規則化模型設計（86）包含將一機器學習模型應用於該物件（116）的該模型設計（82），該機器學習模型經過訓練，以將多個不規則圖案取代成多個規則圖案。
如請求項16所述的方法，其中獲得該規則化模型設計（86）包含使用一使用者介面（128），其配置成讓使用者指出該模型設計（82）的多個已規則化圖案。
如請求項16所述的方法，其中獲得該規則化模型設計（86）包含從一資料庫（130）載入資料，或其中該已規則化模型設計（86）被納入該模型設計（82）。
如請求項16所述的方法，其中獲得該不規則光罩（90）包含將一邏輯XOR函數應用於該物件（116）的該模型設計（82）及該物件（116）的該規則化模型設計（86）。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中獲得該不規則光罩（90）包含將一機器學習模型應用於該物件（116）的該模型設計（82），該機器學習模型被訓練用來識別多個不規則圖案。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中獲得該不規則光罩（90）包含從一資料庫（130）載入資料，或其中該不規則光罩（90）被納入該模型設計（82）。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中獲得該不規則光罩（90）包含使用一使用者介面（128），其配置成讓使用者指出該模型設計（82）的多個不規則圖案。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中該缺陷識別方法（72）忽略該不規則光罩（90）所指出該等不規則圖案（104）內出現的多個缺陷（12）。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中該缺陷識別方法（72）包含用於偵測多個不規則圖案中缺陷（12）的一不規則缺陷偵測方法（103），其應用於由該不規則光罩（90）所指出的該等不規則圖案（104）。
如請求項25所述的方法，其中用於偵測多個不規則圖案中缺陷（12）的該不規則缺陷偵測方法（103）包含應用在含有多個不規則圖案的訓練資料上已訓練的一機器學習模型，特別是一第二自動編碼器（108）。
如請求項1至4中任一項所述的方法，其中使用模擬過的多個成像資料集（10）進行第一數量訓練週期及使用已取得的多個成像資料集（10）進行第二數量訓練週期以訓練該自動編碼器。
一種電腦可讀媒介，其具有儲存於其上的一電腦程式，可利用一計算裝置執行該電腦程式，該電腦程式包含用於執行如請求項1至27中任一項所述之方法的程式碼。
一種電腦程式產品，包含多個指令，當利用一電腦執行該程式時，該等指令使該電腦執行如請求項1至27中任一項所述之方法。
一種用於檢測一物件（116）以偵測多個缺陷（12）的系統（114），該物件包含多個積體電路圖案，該系統包含： <br/>- 一成像裝置（118），其調適成提供含有多個積體電圖案的一物件（116）的一成像資料集（10）； <br/>- 一或多個處理裝置（120）； <br/>- 一或多個機器可讀硬體儲存裝置，其包含多個指令，該等指令可由該一或多個處理裝置（120）執行以執行含有如請求項1至27中任一項所述之方法的多個操作。
一種電話行銷語音客訴處理方法，包括：當客戶來電時，建立該客戶與處理人員之通話，以接收該客戶之語音客訴；根據該通話取得該語音客訴所指之電銷活動的日期；利用該日期搜尋資料庫，以提供與該語音客訴相關之錄音檔列表；提供一操作介面，以在該操作介面中顯示該錄音檔列表，俾供該處理人員選取該錄音檔列表中之目標錄音檔；利用自動語音辨識，將該目標錄音檔轉譯為相應之文字檔；在該操作介面中顯示該文字檔，以供該處理人員選取該文字檔中之文字段落；以及在該通話中向該客戶播放該文字段落在該目標錄音檔中所對應之語音片段。
如請求項1所述之電話行銷語音客訴處理方法，其中，該錄音檔列表中之每一錄音檔均包括該客戶參與該電銷活動時與電銷人員之通話內容，且在該客戶來電之前，該電話行銷語音客訴處理方法復包括：將該電銷活動及該客戶之資訊與該錄音檔列表中之各該錄音檔儲存於該資料庫；以及建立該電銷活動及該客戶之資訊與各該錄音檔之資料連結。
如請求項1所述之電話行銷語音客訴處理方法，復包括：建立虛擬終端；產生對應該虛擬終端之通話路由；將該客戶之該通話轉導至該通話路由，以呼叫該虛擬終端；以及在該虛擬終端接聽後，通過該通話路由向該客戶播放該語音片段。
如請求項3所述之電話行銷語音客訴處理方法，復包括：將該處理人員之終端接入該通話路由，以供該客戶與該處理人員一同聽取該語音片段且討論該語音客訴之爭議內容。
如請求項1所述之電話行銷語音客訴處理方法，復包括：若該客戶所使用之終端為行動電話，則發送簡訊至該終端，其中，該簡訊包括該處理人員所選取之該文字段落。
如請求項5所述之電話行銷語音客訴處理方法，其中，該簡訊復包括用於顯示該文字段落之網頁的連結網址。
如請求項6所述之電話行銷語音客訴處理方法，復包括：每當該處理人員在該操作介面中選取該文字檔之一文字段落，則在該通話中向該客戶播放該文字段落在該目標錄音檔中所對應之語音片段，且在該網頁中同步顯示該文字段落。
一種電腦可讀取儲存媒體，係儲存有指令，該指令由處理單元、處理器、電腦或伺服器讀取以執行如請求項1至7之任一者所述之電話行銷語音客訴處理方法。
一種電話行銷語音客訴處理系統，包括：資料庫，用於儲存電銷活動與客戶之資訊及該客戶參與該電銷活動時與電銷人員之第一通話的錄音檔；交換機，用於在該客戶來電時建立該客戶與處理人員之第二通話，以接收該客戶之語音客訴；以及錄音調聽模組，用於執行下列操作：根據該第二通話取得該電銷活動之日期；利用該日期搜尋該資料庫，以提供與該語音客訴相關之錄音檔列表，其中，該錄音檔列表包括該第一通話之至少一錄音檔；提供一操作介面，以在該操作介面中顯示該錄音檔列表，俾供該處理人員選取該錄音檔列表中之目標錄音檔；利用自動語音辨識，將該目標錄音檔轉譯為相應之文字檔；在該操作介面中顯示該文字檔，以供該處理人員選取該文字檔中之文字段落；以及在該第二通話中向該客戶播放該文字段落在該目標錄音檔中所對應之語音片段。
一種用於通訊之設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該設備至少進行下列動作：<br/> 從一網路裝置，接收用於該設備之一或多個伺服小區之至少一個頻寬部分BWP的一或多個最大等級值，其中該一或多個最大等級值與一或多個實體上行鏈路共享通道PUSCH傳輸方案相關聯，且其中該一或多個PUSCH傳輸方案包含一單傳輸接收點TRP PUSCH傳輸，或一基於單下行鏈路控制資訊S-DCI之來自多個面板之同時傳輸STxMP PUSCH傳輸，或一基於多下行鏈路控制資訊M-DCI之STxMP PUSCH傳輸；<br/> 至少基於該一或多個最大等級值來確定用於有限緩衝速率匹配LBRM之一最大層數；以及<br/> 使用該最大層數來確定用於LBRM之一輸送塊尺寸TBS。
如請求項1之設備，其中該單TRP PUSCH傳輸包含下列至少一者：<br/> 當單TRP傳輸與基於S-DCI之STxMP PUSCH傳輸之間未組配動態切換時適用之單TRP PUSCH傳輸之一第一模式，或<br/> 當單TRP傳輸與基於S-DCI之STxMP PUSCH傳輸之間組配動態切換時適用之單TRP PUSCH傳輸之一第二模式。
如請求項1至2中任一項之設備，其中進一步致使該設備進行下列動作：<br/> 至少基於用於該至少一個BWP之一最大等級來確定用於LBRM之該最大層數。
如請求項3之設備，其中進一步致使該設備進行下列動作：<br/> 基於下列至少一者來確定用於該至少一個BWP之該最大等級：<br/> 該一或多個最大等級值中之至少一個最大等級值，或<br/> 該一或多個PUSCH傳輸方案中之至少一個PUSCH傳輸方案。
如請求項4之設備，其中該一或多個最大等級值包含下列至少一者：<br/> 一第一最大等級值，<br/> 一第二最大等級值，或<br/> 一第三最大等級值。
如請求項5之設備，其中該一或多個最大等級值包含該第一最大等級值及該第二最大等級值，並且其中進一步致使該設備進行下列動作：<br/> 將用於該至少一個BWP之該最大等級確定為下列至少一者：<br/> 該第一最大等級值及該第二最大等級值中之一最大值，或<br/> 該第一最大等級值與該第二最大等級值之一總和，或<br/> 該第一最大等級值及該第二最大等級值乘以2中之一最大值。
如請求項5之設備，其中該一或多個最大等級值包含該第一最大等級值、該第二最大等級值及該第三最大等級值，並且其中進一步致使該設備進行下列動作：<br/> 將用於該至少一個BWP之該最大等級確定為下列至少一者：<br/> 該第一最大等級值以及該第二最大等級值與該第三最大等級值之一總和中之一最大值，或<br/> 該第二最大等級值以及該第一最大等級值與該第三最大等級值之一總和中之一最大值，或<br/> 該第一最大等級值、該第二最大等級值及該第三最大等級值乘以2中之一最大值，或<br/> 該第一最大等級值、該第二最大等級值及該第三最大等級值中之一最大值。
如請求項5之設備，其中該一或多個最大等級值包含該第一最大等級值，並且其中進一步致使該設備進行下列動作：<br/> 將用於該至少一個BWP之該最大等級確定為：<br/> 該第一最大等級值乘以2。
如請求項1至2中任一項之設備，其中該一或多個最大等級值係包含於從該網路裝置接收之一PUSCH組態中。
一種用於通訊之設備，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令之至少一個記憶體，該等指令在藉由該至少一個處理器執行時，致使該設備至少進行下列動作：<br/> 向一終端裝置，傳送用於該終端裝置之一或多個伺服小區之至少一個頻寬部分BWP的一或多個最大等級值，其中該一或多個最大等級值與一或多個實體上行鏈路共享通道PUSCH傳輸方案相關聯，並且要用於供該終端裝置確定用於有限緩衝速率匹配LBRM之一最大層數，且其中該一或多個PUSCH傳輸方案包含一單傳輸接收點TRP PUSCH傳輸，或一基於單下行鏈路控制資訊S-DCI之來自多個面板之同時傳輸STxMP PUSCH傳輸，或一基於多下行鏈路控制資訊M-DCI之STxMP PUSCH傳輸。
如請求項10之設備，其中該單TRP PUSCH傳輸包含下列至少一者：<br/> 當單TRP傳輸與基於S-DCI之STxMP PUSCH傳輸之間未組配動態切換時適用之單TRP PUSCH傳輸之一第一模式，或<br/> 當單TRP傳輸與基於S-DCI之STxMP PUSCH傳輸之間組配動態切換時適用之單TRP PUSCH傳輸之一第二模式。
如請求項10至11中任一項之設備，其中該一或多個最大等級值係包含於向該終端裝置傳送之一PUSCH組態中。
一種用於通訊之方法，其包含：<br/> 藉由一終端裝置並且從一網路裝置，接收用於該終端裝置之一或多個伺服小區之至少一個頻寬部分BWP的一或多個最大等級值，其中該一或多個最大等級值與一或多個實體上行鏈路共享通道PUSCH傳輸方案相關聯，其中該一或多個PUSCH傳輸方案包含一單傳輸接收點TRP PUSCH傳輸，或一基於單下行鏈路控制資訊S-DCI之來自多個面板之同時傳輸STxMP PUSCH傳輸，或一基於多下行鏈路控制資訊M-DCI之STxMP PUSCH傳輸；<br/> 藉由該終端裝置，至少基於該一或多個最大等級值來確定用於有限緩衝速率匹配LBRM之一最大層數；以及<br/> 藉由該終端裝置，使用該最大層數來確定用於LBRM之一輸送塊尺寸TBS。
一種用於通訊之方法，其包含：<br/> 藉由一網路裝置並且向一終端裝置，傳送用於該終端裝置之一或多個伺服小區之至少一個頻寬部分BWP的一或多個最大等級值，其中該一或多個最大等級值與一或多個實體上行鏈路共享通道PUSCH傳輸方案相關聯，並且要用於供該終端裝置確定用於有限緩衝速率匹配LBRM之一最大層數，且其中該一或多個PUSCH傳輸方案包含一單傳輸接收點TRP PUSCH傳輸，或一基於單下行鏈路控制資訊S-DCI之來自多個面板之同時傳輸STxMP PUSCH傳輸，或一基於多下行鏈路控制資訊M-DCI之STxMP PUSCH傳輸。
一種包含程式指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等程式指令在由一設備執行時，致使該設備至少進行如請求項13之方法或如請求項14之方法。
一種Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，具備鋼構件與配置於前述鋼構件表面之熔融鍍敷層；<br/> 前述熔融鍍敷層之平均組成以質量%計含有：<br/> Al：4~22%、<br/> Mg：1.0~10.0%、<br/> Fe：0.0001~2%、<br/> Si：0~2%、<br/> Ni：0~2%、<br/> Ti：0~2%、<br/> Zr：0~2%、<br/> Sr：0~2%、<br/> Sb：0~2%、<br/> Pb：0~2%、<br/> Sn：0~2%、 <br/> Ca：0~2%、<br/> Co：0~2%、<br/> Mn：0~2%、<br/> P：0~2%、<br/> B：0~2%、<br/> Bi：0~2%、<br/> Cr：0~2%、<br/> Sc：0~2%、<br/> Y：0~2%、<br/> REM：0~2%、<br/> Hf：0~2%及<br/> C：0~2%，且<br/> 剩餘部分包含Zn及不純物；<br/> 以可見光作為光源拍攝前述熔融鍍敷層表面所得之影像資料的二值化影像資料中，白像素之合計面積率為30%以上且70%以下，<br/> 前述熔融鍍敷層之與前述白像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)為150以下；且<br/> 前述熔融鍍敷層之與黑像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)係前述熔融鍍敷層之與前述白像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)的1.5倍以上；<br/> 前述二值化影像資料可利用大津之二值化法將前述影像資料進行二值化處理而得，並且<br/> 前述影像資料係藉由與電腦連接之掃描器掃描前述熔融鍍敷層表面而得。
如請求項1之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其於前述熔融鍍敷層表面具有化學轉化處理層。
如請求項2之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述化學轉化處理層具有金屬外觀。
如請求項1之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述熔融鍍敷層之與前述白像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)為70以下；且<br/> 前述熔融鍍敷層之與黑像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)係前述熔融鍍敷層之與前述白像素之集合區域對應之表面的60度鏡面光澤Gs(60°)的1.5倍以上。
如請求項1至4中任一項之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述熔融鍍敷層之前述平均組成含有選自下述A群、下述B群或下述C群中之1種或2種以上；<br/> A群：Si：0.0001~2%；<br/> B群：Ni、Ti、Zr、Sr中之任1種或2種以上合計為0.0001~2%；<br/> C群：Sb、Pb、Sn、Ca、Co、Mn、P、B、Bi、Cr、Sc、Y、REM、Hf、C中之任1種或2種以上合計為0.0001~2%。
如請求項5之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述熔融鍍敷層之前述平均組成含有前述A群。
如請求項5之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述熔融鍍敷層之前述平均組成含有前述B群。
如請求項5之Zn-Al-Mg系熔融鍍敷鋼構件，其中前述熔融鍍敷層之前述平均組成含有前述C群。
一種發光模組，包括：<br/> 一基板；<br/> n個發光元件，設置於該基板上，並具有n-1個第一間隔，該n-1個第一間隔具有一第一標準差，其中，該n-1個第一間隔中之任一者為該n個發光元件中之兩相鄰發光元件間之水平距離，n大於或等於3；以及<br/> 一擋光結構，設置於該n個發光元件上，並具有n個出光孔，該n個出光孔分別對應該n個發光元件並具有n-1個第二間隔，該n-1個第二間隔有一第二標準差，其中，該n-1個第二間隔中之任一者為該n個出光孔中之兩相鄰出光孔間之水平距離，<br/> 其中，該第一標準差大於該第二標準差，並且其中該擋光結構包括：<br/> 一隔擋層，設置於該n個發光元件之間；以及<br/> 一擋光層，設置於該隔擋層之上，並且其中<br/> 該擋光結構更包括一中介層，設置於該隔擋層與該擋光層之間。
如請求項1之發光模組，其中該擋光結構具有一凹部，該凹部向下陷入該兩相鄰發光元件間。
如請求項1之發光模組，更包括一透明基材，設置於該擋光結構之上，其中該透明基材包括複數個光學微結構，設置於該n個發光元件之上。
如請求項1之發光模組，更包括一透明基材，設置於該擋光結構之上，其中，該透明基材包括一透鏡，位於該透明基材的一下表面下方並凸向該n個發光元件至少其一之中。
如請求項1之發光模組，更包括一波長轉換層，設置於該n個出光孔至少其一之中。
如請求項1之發光模組，更包括一保護層，設置於該擋光結構上方。
如請求項1之發光模組，其中，於一剖面圖中，該兩相鄰發光元件各自具有一條垂直中心線，該兩相鄰發光元件間之距離係該兩相鄰發光元件之兩垂直中心線之水平距離。
如請求項1之發光模組，該n個出光孔中任一者的寬度小於該n個發光元件中任一者的寬度。
一種光電半導體元件，包括：<br/>一半導體疊層，包括：<br/>一第一部分，其俯視輪廓呈一第一圖形具有一第一長邊及一第一短邊，且該第一圖形具有一寬度；及<br/>一第二部分位於該第一部分上，該第二部分包含一活性層且該第二部分的俯視輪廓呈一第二圖形；<br/>一第一電極，位於該半導體疊層上，且與該第一部分電性連接；以及<br/>一第二電極，位於該半導體疊層上，且該第一電極及該第二電極位於該半導體疊層的同一側；<br/>其中該第一長邊與該第二圖形之間具有一第一最短距離，該第一圖形的該寬度與該第一最短距離的比值為15~30。
如請求項1之光電半導體元件，更包含一第一金屬層，位於該第一部分上，且與該第一電極電性連接。
如請求項2之光電半導體元件，其中該第一金屬層之俯視輪廓呈一第三圖形，以及該第一圖形的多個對角線與該第三圖形不重疊。
如請求項2之光電半導體元件，其中該第一長邊與第三圖形之間具有一第二最短距離，該寬度與該第二最短距離的比值為2.5~30。
如請求項2之光電半導體元件，其中該第一金屬層之俯視輪廓呈一第三圖形，其中該第二圖形包含一第二長邊，該第二長邊的一延伸線與該第三圖形之間具有一第三最短距離，且該第三最短距離大於或等於該第一最短距離。
如請求項1之光電半導體元件，更包含一第二金屬層，位於該第二部分上，且與該第二電極電性連接。
如請求項6之光電半導體元件，其中該第二金屬層之俯視輪廓呈第四圖形，且第四圖形與第一圖形的面積比值範圍介於0.5%~10%。
如請求項1之光電半導體元件，其中該第一電極的頂表面及該第二電極的頂表面實質上等高。
如請求項1之光電半導體元件，其中該第一最短距離介於0.2 μm至5 μm。
如請求項1之光電半導體元件，其中該第一電極之俯視輪廓的面積小於該第二電極之俯視輪廓的面積。
一種氨氧化反應觸媒，其係包含載體、及擔載於上述載體之金屬氧化物者， <br/>上述載體包含二氧化矽， <br/>上述金屬氧化物由下述式(1)表示： <br/>Mo <sub>12-c</sub>Bi <sub>a</sub>Fe <sub>b</sub>W <sub>c</sub>Ce <sub>d</sub>X <sub>e</sub>Y <sub>f</sub>Z <sub>g</sub>Rb <sub>h</sub>O <sub>i</sub>･･･(1) <br/>(式(1)中， <br/>X係選自由鎳、鈷、鎂、鈣、鋅、鍶及鋇所組成之群中之1種以上之元素， <br/>Y係選自由鉻、鑭、釹、釔、鐠、釤、鋁、鎵及銦所組成之群中之1種以上之元素， <br/>Z係選自由鉀及銫所組成之群中之1種以上之元素， <br/>a～h滿足以下之關係： <br/>0.1≦a≦2.0， <br/>0.1≦b≦3.0， <br/>0.01≦c≦1.0， <br/>0＜d≦3.0， <br/>0≦e≦10.0， <br/>0≦f≦3.0， <br/>0≦g≦2.0， <br/>0.1≦h≦0.2， <br/>i係滿足存在之其他元素之原子價要求所需之氧之原子數)， <br/>以上述氨氧化反應觸媒之質量為基準，上述載體之量為46.0質量%以下， <br/>根據上述式(1)所記載之原子比算出之a＋c＋d之值為0.21以上1.82以下， <br/>根據上述式(1)所記載之原子比算出之d/(a＋d)之值為大於0.50且0.90以下。
如請求項1之氨氧化反應觸媒，其中根據上述式(1)所記載之原子比算出之c/d之值為0.0010以上0.75以下。
如請求項1或2之氨氧化反應觸媒，其中根據上述式(1)所記載之原子比算出之c/h之值為0.050以上3.5以下。
如請求項1之氨氧化反應觸媒，其中上述式(1)所記載之c為0.01以上0.55以下， <br/>根據上述式(1)所記載之原子比算出之a＋c＋d之值為0.30以上1.6以下， <br/>根據上述式(1)所記載之原子比算出之c/d之值為0.07以上0.75以下， <br/>根據上述式(1)所記載之原子比算出之c/h之值為0.05以上3.5以下， <br/>以上述氨氧化反應觸媒之質量為基準，上述載體之量為20.0質量%以上46.0質量%以下。
一種氨氧化反應觸媒之製造方法，其係製造如請求項1之氨氧化反應觸媒之方法，且包括： <br/>第1步驟，其係製備原料漿料； <br/>第2步驟，其係將該原料漿料噴霧乾燥而獲得乾燥粒子；及 <br/>第3步驟，其係將該乾燥粒子進行焙燒。
一種丙烯腈及/或乙腈之製造方法，其包括於如請求項1之氨氧化反應觸媒之存在下，使丙烯、分子態氧及氨發生反應之步驟。
一種(甲基)丙烯腈及/或乙腈之製造方法，其包括於如請求項1之氨氧化反應觸媒之存在下，使異丁烯或三級醇、分子態氧及氨發生反應之步驟。
一種在一掃描電子顯微鏡(27，27’)中用於平衡包含多個積體電路圖案之一物件(64)的一表面上(32)的多個電荷的方法(22)，該方法(22)包含：: <br/>利用具有一第一衝擊能量的一第一電子束掃描該物件(64)的該表面(32)上的一區域(34)一或多次，以根據每個停留點的發射電子量產生該區域(34)的一掃描電子顯微鏡影像，藉此在該物件(64)的該表面(32)上累積電荷；及 <br/>隨即以具有一第二衝擊能量的第二電子束掃描該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)一或多次，使得累積在該物件(64)的該表面(32)上的該等電荷至少部分平衡； <br/>其中根據該第一衝擊能量、該第一電子束的一射束電流、該第一電子束的每區域的一掃描時間及該第二電子束的該第二衝擊能量的一函數，選擇該第二電子束的一射束電流及/或該第二電子束的每區域的一掃描時間。
如請求項1所述的方法，其中該第一衝擊能量是被選擇以最佳化所產生的該掃描電子顯微鏡影像的品質。
如請求項2所述的方法，其中所產生的該掃描電子顯微鏡影像的品質是透過包含對比度、清晰度、失真、信號雜訊比、射束漂移、放大倍率變化的群組中之至少一影像品質度量來測量。
如請求項2或3所述的方法，其中該第一衝擊能量及/或該第一電子束的一射束電流及/或該第一電子束的每區域的一掃描時間係根據至少一影像品質度量來決定。
如請求項4所述的方法，其中最佳化該至少一影像品質度量。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該第一衝擊能量是被選擇以提升該物件(64)的電子發射產率。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該第一衝擊能量的一電子發射產率大於1且該第二衝擊能量的一電子發射產率小於1，或者該第一衝擊能量的一電子發射產率小於1且該第二衝擊能量的一電子發射產率大於1。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該掃描電子顯微鏡(27’)包含一射束柱(29)，且其中該第一電子束及該第二電子束兩者由該射束柱(29)產生。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)對應於該第一電子束的一掃描線。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中在利用該第一電子束掃描該區域(34)之後的射束返馳期間該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)以該第二電子束掃描。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)是以該第一電子束重複地掃描以及隨即使用該第二電子束掃描一次，其中調節該第二電子束以平衡利用該第一電子束重複掃描所累積的電荷。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)是以該第一電子束掃描一次以及隨即使用該第二電子束重複地掃描，其中調節該第二電子束以在利用該第二電子束重複掃描的期間平衡利用該第一電子束掃描所累積的電荷。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中在利用該第一電子束掃描該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)期間，由該第一電子束或該第二電子束在該物件(64)的該表面(32)上產生的電子束斑(36)的形狀係調整成該第一衝擊能量，並且在利用該第二電子束掃描該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)期間，該電子束斑的該形狀係不調整成該第二衝擊能量。
一種掃描電子顯微鏡(27)，為了檢驗包含多個積體電路圖案的一物件(64)，掃描電子顯微鏡(27)包含： <br/>一第一射束柱(28)，其配置成將具有一第一衝擊能量的一第一電子束導引至該物件(64)的該表面(32)上的一區域(34)，藉此在該物件(64)的該表面(32)上累積電荷； <br/>一第二射束柱(30)，其配置成將具有一第二衝擊能量的一第二電子束導引至該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)，使得在該物件(64)的該表面(32)上的所累積的該等電荷至少部分平衡；以及 <br/>一偵測器，其配置成在利用該第一電子束掃描該區域(34)期間偵測從該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)發射的電子。
一種掃描電子顯微鏡(27’)，為了檢驗包含多個積體電路圖案的一物件(64)，掃描電子顯微鏡(27’)包含： <br/>一射束柱(29)，其配置成將具有一第一衝擊能量的一第一電子束導引至該物件(64)的該表面(32)上的一區域(34)，藉此在該物件(64)的該表面(32)上累積電荷，以及隨後將具有一第二衝擊能量的一第二電子束導引至該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)，使得在該物件(64)的該表面(32)上的所累積的該等電荷至少部分平衡；以及 <br/>一偵測器，其配置成在利用該第一電子束掃描該區域(34)期間偵測從該物件(64)的該表面(32)上的該區域(34)發射的電子； <br/>其中該射束柱(29)包含提供一電磁場的多個單元(70)，用於選擇性導引該第一電子束及該第二電子束穿過不同的孔徑(72)，藉此界定出該第一電子束的射束電流及該第二電子束的射束電流。
如請求項15所述的掃描電子顯微鏡(27’)，其中該射束柱(29)具有一射束增強級(50)，其包含一高壓源(66)及已組合的一靜電電磁透鏡，該高壓源(66)配置用於加速該射束柱(29)內的該第一電子束或該第二電子束中的多個電子，且該靜電電磁透鏡配置用於在離開該射束柱(29)之前對該第一電子束或該第二電子束中的該等電子進行減速，而且其中該射束柱(29)的該射束增強級(50)配置用於控制該第一電子束的該第一衝擊能量及該第二電子束的該第二衝擊能量。
如請求項15至16中任一項所述的掃描電子顯微鏡(27’)，其配置成產生該第一電子束，其具有一直徑，其小於5 nm，較佳小於4 nm，更佳小於3 nm。
如請求項15至16中任一項所述的掃描電子顯微鏡(27’)，更包含一控制單元，用於控制根據請求項1至13中任一項用於平衡電荷的方法的該第一電子束與該第二電子束。
一種耳機，其包括： <br/>一手勢感應器，其經組態以偵測指示正由一使用者執行之一手勢之移動資料； <br/>一第一電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該使用者之一耳朵之一耳甲； <br/>一第二電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該耳朵之一耳屏； <br/>一第三電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該耳朵之一三角窩；及 <br/>一控制器，其耦合至該手勢感應器、該第一電極、該第二電極及該第三電極，該控制器經程式化以： <br/>自該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者接收一電生理量測，其中來自該第一電極之一第一電生理量測對應於指示正由該使用者執行之該手勢之一電生理信號，來自該第二電極之一第二電生理量測對應於一基線電生理信號，且來自該第三電極之一第三電生理量測對應於一共模信號； <br/>基於(i)指示該手勢之該電生理信號與該基線電生理信號及該共模信號之一比較，及(ii)來自該手勢感應器之該移動資料，來判定正由該使用者執行之該手勢；及 <br/>將該判定之手勢傳輸至一外部裝置用於控制該外部裝置。
如請求項1之耳機，其中該等電生理量測選自由心電圖(ECG)、一腦電圖(EEG)或一肌電圖(EMG)組成之群組。
如請求項1或請求項2之耳機，其中該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者包括自約5 mm至約6 mm之一大小。
如請求項1或請求項2之耳機，其中該外部裝置包括一虛擬實境頭戴式耳機。
如請求項1或請求項2之耳機，其中該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者包括一彈性體、聚矽氧、一金屬、一陶瓷、一碳奈米管材料、其複合物或其等之組合之至少一者。
如請求項1或請求項2之耳機，其中該手勢感應器包括以下之至少一者：一陀螺儀、一加速度計或經組態以偵測該使用者之一內耳壓力之一壓力感應器。
一種用於透過手勢而控制一裝置之系統，其包括： <br/>一耳機，其包括： <br/>一手勢感應器，其經組態以偵測指示正由一使用者執行之一手勢之移動資料； <br/>一第一電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該使用者之一耳朵之一耳甲， <br/>一第二電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該耳朵之一耳屏， <br/>一第三電極，其經定位以在該耳機由該使用者配戴時實體接觸該耳朵之一三角窩，及 <br/>一控制器，其耦合至該手勢感應器、該第一電極、該第二電極及該第三電極，該控制器經程式化以： <br/>自該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者接收一電生理量測，其中來自該第一電極之一第一電生理量測對應於指示正由該使用者執行之該手勢之一電生理信號，來自該第二電極之一第二電生理量測對應於一基線電生理信號，且來自該第三電極之一第三電生理量測對應於一共模信號；及 <br/>基於(i)指示該手勢之該電生理信號與該基線電生理信號及該共模信號之一比較，及(ii)來自該手勢感應器之該移動資料，來判定由該使用者執行之該手勢；及 <br/>一外部裝置，其通信耦合至該耳機，該外部裝置經程式化以： <br/>自該耳機之該控制器接收該判定之手勢，及 <br/>回應於該判定之手勢而執行一動作。
如請求項7之系統，其中該等電生理量測選自由心電圖(ECG)、一腦電圖(EEG)或一肌電圖(EMG)組成之群組。
如請求項7或請求項8之系統，其中該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者包括自約5 mm至約6 mm之一大小。
如請求項7或請求項8之系統，其中該外部裝置包括一虛擬實境頭戴式耳機。
如請求項10之系統，其中該動作包括改變該虛擬實境頭戴式耳機之一視場或改變該虛擬實境頭戴式耳機之一模式之至少一者。
如請求項7或請求項8之系統，其中該第一電極、該第二電極及該第三電極之各者包括一彈性體、聚矽氧、一金屬、一陶瓷、一碳奈米管材料、其複合物或其等之組合之至少一者。
如請求項7或請求項8之系統，其中該手勢感應器包括以下之至少一者：一陀螺儀、一加速度計或經組態以偵測該使用者之一內耳壓力之一壓力感應器。
一種黏著片材，其具備基材層及設置於上述基材層上之黏著劑層，且 <br/>上述黏著劑層由(甲基)丙烯酸系樹脂組合物形成， <br/>上述(甲基)丙烯酸系樹脂組合物包含(甲基)丙烯酸系樹脂， <br/>上述(甲基)丙烯酸系樹脂係包含(甲基)丙烯酸系化合物之原料混合物之聚合物， <br/>上述原料混合物包含2～40質量%之含有烯丙位氫之(甲基)丙烯酸酯， <br/>S1為0.5～1.8 N/20 mm， <br/>S2為0.5～3.9 N/20 mm， <br/>S3為0.5～3.9 N/20 mm， <br/>S1～S3分別為第1～第3接合體之180°剝離強度， <br/>第1接合體係將上述黏著片材貼合於鏡面拋光之半導體矽晶圓而獲得， <br/>第2接合體係藉由將上述黏著片材貼合於鏡面拋光之半導體矽晶圓後在75℃下加溫30秒後，冷卻至23℃而獲得， <br/>第3接合體係藉由將上述黏著片材貼合於鏡面拋光之半導體矽晶圓後在75℃下加溫30秒後，繼而在230℃下加溫5秒後，冷卻至23℃而獲得， <br/>上述180°剝離強度係依據JIS Z 0237(2009)之黏著力之測定方法(方法1：將帶及片材對於不鏽鋼試驗板呈180°剝離之試驗方法)於23℃濕度50%下測得。
如請求項1之黏著片材，其中 <br/>S3為2.5 N/20 mm以下。
如請求項1之黏著片材，其中 <br/>S3/S1為2.3以下。
如請求項1之黏著片材，其中 <br/>上述黏著片材係用於半導體加工用途。
一種半導體零件之製造方法，其 <br/>具備貼附步驟、加工步驟及剝離步驟， <br/>於上述貼附步驟中，將如請求項1至4中任一項之黏著片材貼附於被黏著體， <br/>於上述加工步驟中，在將上述黏著片材貼附於上述被黏著體之狀態下對上述被黏著體實施加工， <br/>於上述剝離步驟中，在上述加工步驟之後將上述黏著片材自上述被黏著體剝離， <br/>上述被黏著體為半導體晶圓、半導體基板、半導體裝置、或各種半導體封裝體。
一種用於製備具有低溶解度之活性藥物成分(active pharmaceutical ingredient，API)之一眼用組合物之方法，該方法包含：<br/>(a)溶解環糊精於pH值為約0-2.0的一酸性溶液中，以產生一酸化環糊精溶液；<br/>(b)混合並攪拌該API與步驟（a）的該酸化環糊精溶液直至形成一澄清溶液；以及<br/>(c)調節步驟（b）的該澄清溶液的pH值至一約3.0至8.0的值，從而產生該API之該眼用組合物，<br/>其中，<br/>該API為阿西替尼，<br/>該澄清溶液不含任何不溶性沉澱物，以及<br/>該方法的特徵在於不使用任何有機溶劑。
如請求項1所述之方法，其中該環糊精係選自由α-環糊精、β-環糊精、γ-環糊精及其組合所組成之群組。
如請求項2所述之方法，其中該β-環糊精係選自由羥丙基-β-環糊精（HPβCD）、甲基-β-環糊精（MβCD）、磺丁基醚-β-環糊精（SBE-β-CD）、隨機甲基化β-環糊精（RM-β-CD）、羧甲基-β-環糊精及其組合所組成之群組。
如請求項1所述之方法，其中該酸性溶液為約0.01-0.1 M的HCl溶液。
如請求項1所述之方法，更包含於步驟（c）的該澄清溶液中加入一增稠劑、一穩定劑、一防腐劑或其組合。
如請求項5所述之方法，其中該增稠劑係選自由羥丙基甲基纖維素(HPMC)、羧甲基纖維素鈉、卡波姆、聚碳芬鈣、聚乙二醇(PEG)和玻尿酸(HA)所組成之群組。
如請求項5所述之方法，其中該穩定劑是嘌呤、一嘌呤衍生物、或其組合。
如請求項7所述之方法，其中該嘌呤衍生物係選自咖啡因、可可豆鹼、異鳥嘌呤、黃嘌呤、次黃嘌呤和尿酸所組成之群組。
如請求項5所述之方法，其中該防腐劑係選自由氯化烷基二甲基苄基銨、對羥基苯甲酸酯和氯丁醇所組成之群組。
如請求項1所述之方法，其中該環糊精以一約20%至約60% (w/v)的量存在於步驟（b）的該澄清溶液。
如請求項1所述之方法，其中該API以一約為0.1%至約1.6% (w/v)的量存在於步驟（b）的該澄清溶液。
一種音頻傳輸方法，其特徵在於，應用於音頻發射設備，所述音頻傳輸方法，包括：<br/> 獲取音頻接收設備對應的音頻優化功能配置參數；<br/> 發送所述音頻優化功能配置參數至所述音頻接收設備，使得所述音頻接收設備根據所述音頻優化功能配置參數配置對應的音頻優化功能；<br/> 發送音頻數據至所述音頻接收設備，使得所述音頻接收設備基於所述音頻優化功能將所述音頻數據優化為與人耳聽力適配的優化音頻數據；<br/> 其中，所述獲取音頻接收設備對應的音頻優化功能配置參數，包括：<br/> 獲取所述音頻接收設備的設備標識；<br/> 根據所述設備標識，查找預設配置參數表，獲得對應的音頻優化功能配置參數，所述預設配置參數表用於表徵所述設備標識與所述音頻優化功能配置參數的對應關係；<br/> 其中，所述音頻發射設備預先存儲有所述預設配置參數表。
根據請求項1所述的音頻傳輸方法，其中所述發送所述音頻優化功能配置參數至所述音頻接收設備之前，所述音頻傳輸方法，還包括：<br/> 生成跳頻表，所述跳頻表包括所述音頻發射設備與所述音頻接收設備進行通信的可用通道；<br/> 基於所述可用通道，建立與所述音頻接收設備的跳頻通信連接；所述發送所述音頻優化功能配置參數至所述音頻接收設備，包括：<br/> 基於所述跳頻通信連接，發送所述音頻優化功能配置參數至所述音頻接收設備；<br/> 所述發送音頻數據至所述音頻接收設備，包括：<br/> 基於所述跳頻通信連接，發送所述音頻數據至所述音頻接收設備。
根據請求項2所述的音頻傳輸方法，其中所述生成跳頻表，包括：<br/> 獲取所述音頻發射設備和所述音頻接收設備所處環境的可用通道；根據預設規則及所述可用通道，生成對應的跳頻表。
根據請求項1所述的音頻傳輸方法，其中所述根據所述設備標識，查找預設配置參數表，獲得對應的音頻優化功能配置參數之前，所述音頻傳輸方法，還包括：<br/> 確定所述音頻接收設備是否為關聯設備；<br/> 所述根據所述設備標識，查找預設配置參數表，獲得對應的音頻優化功能配置參數，包括：<br/> 當確定所述音頻接收設備為關聯設備時，根據所述設備標識，查找預設配置參數表，獲得對應的音頻優化功能配置參數。
根據請求項4所述的音頻傳輸方法，其中所述確定所述音頻接收設備是否為關聯設備，包括：<br/> 匹配預設標識與所述設備標識，獲得對應的標識匹配度；<br/> 當所述標識匹配度大於或者等於預設匹配度閾值時，則確定所述音頻接收設備為關聯設備；<br/> 當所述標識匹配度小於所述預設匹配度閾值時，則確定所述音頻接收設備為非關聯設備。
一種音頻傳輸方法，其特徵在於，應用於音頻接收設備，所述音頻傳輸方法，包括：<br/> 接收音頻發射設備發送的所述音頻接收設備對應的音頻優化功能配置參數；<br/> 根據所述音頻優化功能配置參數配置對應的音頻優化功能；接收所述音頻發射設備發送的音頻數據；<br/> 基於所述音頻優化功能將所述音頻數據優化為與人耳聽力適配的優化音頻數據；<br/> 其中，所述音頻發射設備預先存儲有預設配置參數表，所述音頻發射設備用以獲取所述音頻接收設備的設備標識，並根據所述設備標識查找所述預設配置參數表以獲得對應的所述音頻優化功能配置參數。
一種音頻傳輸系統，其特徵在於，包括音頻發射設備以及音頻接收設備，所述音頻發射設備連接於所述音頻接收設備；<br/> 所述音頻發射設備，用於執行如請求項1至6中任一項所述的音頻傳輸方法；<br/> 所述音頻接收設備，用於執行如請求項7所述的音頻傳輸方法。
一種音頻傳輸裝置，其特徵在於，應用於音頻發射設備，所述音頻傳輸裝置，包括：<br/> 獲取模組，用於獲取音頻接收設備對應的音頻優化功能配置參數；<br/> 第一發送模組，用於發送所述音頻優化功能配置參數至所述音頻接收設備，使得所述音頻接收設備根據所述音頻優化功能配置參數配置對應的音頻優化功能；<br/> 第二發送模組，用於發送音頻數據至所述音頻接收設備，使得所述音頻接收設備基於所述音頻優化功能將所述音頻數據優化為與人耳聽力適配的優化音頻數據；<br/> 其中，所述音頻發射設備預先存儲有預設配置參數表，所述音頻發射設備用以獲取所述音頻接收設備的設備標識，並根據所述設備標識查找所述預設配置參數表以獲得對應的所述音頻優化功能配置參數。
一種音頻傳輸裝置，其特徵在於，應用於音頻接收設備，所述音頻傳輸裝置，包括：<br/> 第一接收模組，用於接收音頻發射設備發送的所述音頻接收設備對應的音頻優化功能配置參數；<br/> 配置模組，用於根據所述音頻優化功能配置參數配置對應的音頻優化功能；<br/> 第二接收模組，用於接收所述音頻發射設備發送的音頻數據；<br/> 優化模組，用於基於所述音頻優化功能將所述音頻數據優化為與人耳聽力適配的優化音頻數據；<br/> 其中，所述音頻發射設備預先存儲有預設配置參數表，所述音頻發射設備用以獲取所述音頻接收設備的設備標識，並根據所述設備標識查找所述預設配置參數表以獲得對應的所述音頻優化功能配置參數。
一種電子設備，其特徵在於，包括：<br/> 存儲器；<br/> 一個或者多個處理器，與所述存儲器耦接；<br/> 一個或者多個應用程式，其中，所述一個或者多個應用程式被存儲在所述存儲器中並被配置為由一個或者多個處理器執行，所述一個或者多個應用程式配置用於執行如請求項1至5中任一項或者請求項6所述的音頻傳輸方法。
一種計算機可讀取存儲介質，其特徵在於，所述計算機可讀取存儲介質中存儲有程式碼，所述程式碼可被處理器調用執行如請求項1至5中任一項或者請求項6所述的音頻傳輸方法。
一種處理與配送司機池之管理相關之資訊之電子裝置者，其包括： <br/>通訊電路，其與管理者終端及配送司機終端通訊； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有配送司機池之資訊、及藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器如下： <br/>向上述管理者終端提供第1頁面，該第1頁面係用於輸入與一個以上之目標策略之產生相關之資訊者； <br/>自上述管理者終端獲得與一個以上之目標策略之產生相關之上述資訊； <br/>基於獲得之與一個以上之目標策略之產生相關之上述資訊，產生一個以上之目標策略； <br/>向上述管理者終端提供第3頁面，上述第3頁面係用於接收對所產生之上述一個以上之目標策略中之將應用於特定配送業務或特定推廣之目標策略進行設定之輸入，上述第3頁面包括用於接收上述特定配送業務或上述特定推廣之資訊之區域、用於接收申請開始及申請截止時間以接收來自上述配送司機終端對上述特定配送業務或上述特定推廣之申請之區域，以及用於接收對將應用於上述特定配送業務或上述特定推廣之目標策略的選擇的區域； <br/>基於策略條件，並按照上述一個以上之目標策略之各者之預定之時間間隔，於上述配送司機池中，反覆確定與上述一個以上之目標策略之各者對應之候選配送司機； <br/>響應於與在上述第3頁面中用於接收對上述目標策略的選擇的上述區域對應之管理者輸入，向上述管理者終端提供第2頁面，上述第2頁面係顯示所產生之上述一個以上之目標策略之清單者，上述第2頁面包括顯示所產生之上述一個以上之目標策略之上述清單及按照上述預定之時間間隔而確定之針對上述一個以上之目標策略之各者之候選配送司機之數量之區域； <br/>響應於經由上述第2頁面自上述管理者終端接收之第1目標策略的選擇，向上述管理者終端提供顯示關於上述第1目標策略之產生的資訊的目標策略詳細資訊頁面，上述目標策略詳細資訊頁面顯示相關於上述第1目標策略之一或多個策略條件，並且包括用於獲得對應於上述第1目標策略之識別資訊的輸入介面； <br/>基於透過上述第2頁面接收的上述第1目標策略的選擇輸入，或透過上述目標策略詳細資訊頁面接收的對應於該第1目標策略之上述識別資訊，從上述管理者終端獲取將上述第1目標策略應用於上述特定配送任務或上述特定推廣的選擇；以及 <br/>響應於將上述第1目標策略應用於上述特定配送任務或上述特定推廣的選擇，將上述特定配送業務或上述特定推廣之資訊展露於與確定之上述候選配送司機對應之配送司機終端； <br/>其中上述一個以上之處理器係按照預定之週期來反覆於上述區域中更新根據上述一個以上之目標策略各者而確定之候選配送司機的人員數量。
如請求項1之電子裝置，其中上述一個以上之處理器向與確定之上述候選配送司機對應之配送司機終端提供上述特定推廣的通知訊息或推送通知。
如請求項1之電子裝置，其中與上述目標策略之產生相關之資訊包括第1條件，該第1條件係基於配送司機加入上述配送司機池之日期者。
如請求項3之電子裝置，其中上述第1頁面包括用於輸入上述第1條件之日期範圍之區域， <br/>上述一個以上之處理器產生包括上述第1條件之目標策略，該第1條件為如下者： <br/>於上述日期範圍內加入上述配送司機池之配送司機中，確定上述候選配送司機。
如請求項1之電子裝置，其中與上述目標策略之產生相關之資訊包括第2條件，該第2條件係基於配送司機之配送業務申請歷史或配送業務完成歷史者。
如請求項5之電子裝置，其中上述第1頁面包括用於輸入上述第2條件之日期範圍及次數範圍之區域， <br/>上述一個以上之處理器產生包括上述第2條件之目標策略，該第2條件為如下者： <br/>於上述日期範圍內具有上述次數範圍之配送業務申請歷史或配送業務完成歷史之配送司機中，確定上述候選配送司機。
如請求項5之電子裝置，其中上述第1頁面包括：用於輸入上述第2條件之日期範圍及次數範圍之區域；及用於輸入上述第2條件之特定地域集或特定營地集之區域；且 <br/>上述一個以上之處理器產生包括上述第2條件之目標策略，該第2條件為如下者： <br/>於上述日期範圍內具有上述次數範圍之包括於上述特定地域集中之地域、或包括於特定營地集中之營地中之配送業務申請歷史或配送業務完成歷史的配送司機中，確定上述候選配送司機。
如請求項5之電子裝置，其中上述第1頁面包括：用於輸入上述第2條件之日期範圍及次數範圍之區域；及用於輸入上述第2條件之特定星期集之區域；且 <br/>上述一個以上之處理器產生包括上述第2條件之目標策略，該第2條件為如下者： <br/>於包括於上述日期範圍內及上述特定星期集中之星期內具有上述次數範圍之配送業務申請歷史或配送業務完成歷史的配送司機中，確定上述候選配送司機。
如請求項5之電子裝置，其中上述第1頁面包括：用於輸入上述第2條件之日期範圍及次數範圍之區域；及用於輸入上述第2條件之特定配送業務類型集之區域；且 <br/>上述一個以上之處理器產生包括上述第2條件之目標策略，該第2條件為如下者： <br/>於上述日期範圍內具有上述次數範圍之包括於上述特定配送業務類型集中之配送業務類型之配送業務申請歷史或配送業務完成歷史的配送司機中，確定上述候選配送司機。
一種處理與配送司機池之管理相關之資訊之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下動作： <br/>向管理者終端提供第1頁面，該第1頁面係用於輸入與一個以上之目標策略之產生相關之資訊者； <br/>自上述管理者終端獲得與一個以上之目標策略之產生相關之上述資訊； <br/>基於獲得之與一個以上之目標策略之產生相關之上述資訊，產生一個以上之目標策略； <br/>向上述管理者終端提供第3頁面，上述第3頁面係用於接收對所產生之上述一個以上之目標策略中之將應用於特定配送業務或特定推廣之目標策略進行設定之輸入，上述第3頁面包括用於接收上述特定配送業務或上述特定推廣之資訊之區域、用於接收申請開始及申請截止時間以接收來自上述配送司機終端對上述特定配送業務或上述特定推廣之申請之區域，以及用於接收對將應用於上述特定配送業務或上述特定推廣之目標策略的選擇的區域；基於策略條件，並按照上述一個以上之目標策略之各者之預定之時間間隔，於配送司機池中，反覆確定與上述一個以上之目標策略之各者對應之候選配送司機； <br/>響應於與在上述第3頁面中用於接收對上述目標策略的選擇的上述區域對應之管理者輸入，向上述管理者終端提供第2頁面，上述第2頁面係顯示所產生之上述一個以上之目標策略之清單者，上述第2頁面包括顯示所產生之上述一個以上之目標策略之上述清單及按照上述預定之時間間隔而確定之針對上述一個以上之目標策略之各者之候選配送司機之數量之區域； <br/>響應於經由上述第2頁面自上述管理者終端接收之第1目標策略的選擇，向上述管理者終端提供顯示關於上述第1目標策略之產生的資訊的目標策略詳細資訊頁面，上述目標策略詳細資訊頁面顯示相關於上述第1目標策略之一或多個策略條件，並且包括用於獲得對應於上述第1目標策略之識別資訊的輸入介面； <br/>基於透過上述第2頁面接收的上述第1目標策略的選擇輸入，或透過上述目標策略詳細資訊頁面接收的對應於該第1目標策略之上述識別資訊，從上述管理者終端獲取將上述第1目標策略應用於上述特定配送任務或上述特定推廣的選擇；以及 <br/>響應於將上述第1目標策略應用於上述特定配送任務或上述特定推廣的選擇，將上述特定配送業務或上述特定推廣之資訊展露於與確定之上述候選配送司機對應之配送司機終端； <br/>其中上述電子裝置係按照預定之週期來反覆於上述區域中更新根據上述一個以上之目標策略各者而確定之候選配送司機的人員數量。
一種應用於空間音訊之聲波分析方法，步驟包含:<br/> 自一發射端發射一聲波訊號；<br/> 以一接收端接收該聲波訊號，並根據接收之該聲波訊號產生對應之一強度變化資訊，其中，該強度變化資訊係用以分析該發射端與該接收端之間的一距離值，當該發射端與該接收端之間的該距離值有所變化時，該聲波訊號之強度將會有所有不同；<br/> 以一演算法運算該強度變化資訊，產生一定位資訊；及<br/> 根據該定位資訊調整該聲波訊號，以生成一具有空間音訊之聲波訊號。
依據請求項1所述之應用於空間音訊之聲波分析方法，於自一發射端發射一聲波訊號之步驟中，偵測一光源，產生對應之一光源變化資訊，該發射端根據該光源變化資訊發射對應強度之該聲波訊號。
依據請求項1所述之應用於空間音訊之聲波分析方法，於以一演算法運算該強度變化資訊，產生一定位資訊之步驟中，該演算法係根據該強度變化資訊與該發射端與該接收端之間之該距離值呈現反比例關係進行運算，以產生該定位資訊，其中，該定位資訊包含一空間位置資訊及一移動變化資訊。
依據請求項1所述之應用於空間音訊之聲波分析方法，於根據該定位資訊調整該聲波訊號，以生成一具有空間音訊之聲波訊號之步驟中，根據該定位資訊之變化產生一頻率飄移資訊，並以一都卜勒定律(Doppler effect)運算該頻率飄移資訊，產生一加速度，分析該定位資訊與該加速度，產生一行為分析資訊，以根據該行為分析資訊調整該聲波訊號。
一種應用於空間音訊之聲波分析系統，包含:<br/> 一轉換單元，包含一發射端及一接收端，自該發射端發射一聲波訊號，並以該接收端接收該聲波訊號，並根據接收之該聲波訊號產生對應之一強度變化資訊，其中，該強度變化資訊係用以分析該發射端與該接收端之間的一距離值，當該發射端與該接收端之間的該距離值有所變化時，該聲波訊號之強度將會有所有不同； 及<br/> 一運算處理單元，與該轉換單元訊號連接，根據該強度變化資訊進行分析運算，以此調整該聲波訊號，生成一具有空間音訊之聲波訊號。
依據請求項5所述之應用於空間音訊之聲波分析系統，包含:一感測單元，與該轉換單元訊號連接，偵測一光源，產生並傳輸一光源變化資訊至該轉換單元，使該轉換單元接收並根據該光源變化資訊發射對應強度之該聲波訊號。
一種應用於空間音訊之聲波分析設備，包含:<br/> 一電子裝置，用以發射一聲波訊號；及<br/> 一輸出裝置，與該電子裝置訊號連接，用以接收該聲波訊號，以產生對應之一強度變化資訊並傳輸至該電子裝置，該電子裝置根據該強度變化資訊調整該聲波訊號，以生成一具有空間音訊之聲波訊號，使該輸出裝置輸出該具有空間音訊之聲波訊號；<br/> 其中，該強度變化資訊係用以分析該發射端與該接收端之間的一距離值，當該發射端與該接收端之間的該距離值有所變化時，該聲波訊號之強度將會有所有不同。
一種應用於空間音訊之聲波分析設備，包含:<br/> 一電子裝置，用以接收一聲波訊號，產生對應之一強度變化資訊，並根據該強度變化資訊調整該聲波訊號，以生成一具有空間音訊之聲波訊號；及<br/> 一輸出裝置，與該電子裝置訊號連接，用以發射該聲波訊號，並輸出該具有空間音訊之聲波訊號；<br/> 其中，該強度變化資訊係用以分析該發射端與該接收端之間的一距離值，當該發射端與該接收端之間的該距離值有所變化時，該聲波訊號之強度將會有所有不同。
依據請求項8所述之應用於空間音訊之聲波分析設備，其中，該輸出裝置包含一發射器，用以發射該聲波訊號。
依據請求項8所述之應用於空間音訊之聲波分析設備，包含一光感測器，與該輸出裝置訊號連接，用以偵測一光源，產生一光源變化資訊，使該輸出裝置根據該光源變化資訊發射對應強度之該聲波訊號。
一種上臂驅動電路，其特徵在於其係驅動電力轉換電路之上臂開關元件者，且包含： <br/>第1開關元件，其汲極電極連接於上述上臂開關元件之閘極電極，源極電極連接於成為上述上臂開關元件之基準電位側之一主電極； <br/>第2開關元件，其汲極電極連接於上述上臂開關元件之上述閘極電極； <br/>第1二極體及第2二極體，其等於上述第2開關元件之上述汲極電極與上述上臂開關元件之上述閘極電極之間，且上述第2開關元件之上述汲極電極與上述第1開關元件之上述汲極電極之間，陰極於上述第2開關元件側串聯配置，陽極於上述上臂開關元件側串聯配置；且 <br/>上述第2二極體之耐壓，低於上述第1二極體之耐壓， <br/>上述第2二極體之恢復電流，低於上述第1二極體之恢復電流， <br/>上述第1二極體之耐壓為60 V至100 V之範圍。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第2二極體之耐壓為3 V至20 V之範圍。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第2二極體之耐壓為10 V至20 V之範圍。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第2二極體為PN接合二極體。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第2二極體為肖特基障壁二極體。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第2開關元件之源極電極連接於接地電位。
如請求項1之上臂驅動電路，其中 <br/>上述第1開關元件與上述第2開關元件，以於上述上臂開關元件斷開時抽取上述上臂開關元件之閘極電荷之方式受控制。
一種電力轉換裝置，其包含：請求項1之上述上臂驅動電路； <br/>上臂開關元件，其藉由上述上臂驅動電路驅動；及 <br/>下臂開關元件，其串聯連接於上述上臂開關元件。
如請求項8之電力轉換裝置，其包含 <br/>相對於上述下臂開關元件反並聯連接之下臂回流二極體；且 <br/>上述第1二極體之耐壓，大於上述下臂回流二極體之回流中產生之電壓。
如請求項9之電力轉換裝置，其中 <br/>上述第2二極體之耐壓，小於上述下臂回流二極體之回流中產生之上述電壓。
如請求項9之電力轉換裝置，其中 <br/>上述第2二極體之耐壓，大於上述下臂回流二極體之回流中產生之上述電壓。
一種上臂驅動電路，其特徵在於其係驅動電力轉換電路之上臂開關元件者，且包含： <br/>第1開關元件，其汲極電極連接於上述上臂開關元件之閘極電極，源極電極連接於成為上述上臂開關元件之基準電位側之一主電極； <br/>第2開關元件，其汲極電極連接於上述上臂開關元件之上述閘極電極； <br/>二極體，其連接於上述第2開關元件之上述汲極電極與上述上臂開關元件之上述閘極電極之間，且上述第2開關元件之上述汲極電極與上述第1開關元件之上述汲極電極之間，陰極為上述第2開關元件側，陽極為上述上臂開關元件側；及 <br/>接合型場效電晶體，其汲極電極連接於上述第2開關元件之源極電極側；且 <br/>上述接合型場效電晶體係以於上述上臂開關元件之上述一主電極為0 V以上時接通，小於0 V時斷開之方式受控制。
一種多感測器的融合狀態估計系統，包括：<br/>一視覺慣性里程計，具有至少一影像產生單元以及一慣性量測單元；<br/>多個感測器，至少包括一超寬頻以及一全球導航系統；<br/>一預處理模組，與該視覺慣性里程計和該等感測器電性連接，該預處理模組經配置以對該視覺慣性里程計以及各該感測器的各數據進行一預處理步驟；<br/>一初始化模組，與該預處理模組電性連接，該初始化模組經配置以對完成該預處理步驟的各該數據進行一初始化步驟；以及<br/>一最佳化模組，與該初始化模組電性連接，該最佳化模組經配置以對完成該初始化步驟後的各該數據進行一最佳化步驟；<br/>其中，該慣性量測單元的一頻率高於該超寬頻以及該全球導航系統，透過一預積分操作以加快該預處理步驟的處理速度。
如請求項1所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，該影像產生單元為一相機，該影像處理單元的該數據為一影像，在進行該預處理步驟時，即對該影像進行特徵的擷取與追蹤。
如請求項1所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，該超寬頻的該數據透過接收的訊號強度指示的資訊來判斷該超寬頻的該數據的可信度。
如請求項1所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，該全球導航系統透過一衛星的一高度角、一偽距與一都卜勒頻差數值的一標準差、與該衛星被連續追蹤的次數來做為該全球導航系統的該數據的可信度依據。
如請求項1所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，該初始化模組包括一視覺慣性里程計初始化區塊、一超寬頻的基站位置初始化區塊、一經緯度錨點初始化區塊以及一航向角偏差初始化區塊；該視覺慣性里程計初始化區塊將該視覺慣性里程計該數據中的一部分純視覺的一運動恢復結構結果與該慣性量測單元的該數據對齊；在該視覺慣性里程計初始化區塊運作之後，若有收到該超寬頻的該數據者，則該超寬頻的基站位置初始化區塊對該超寬頻的該數據進行初始化，並使用短期準確的該視覺慣性里程計的該數據估計該視覺慣性里程計的一局部座標系下的該超寬頻的一錨點位置；在該視覺慣性里程計初始化區塊運作之後，若有收到該全球導航系統的該數據者，該經緯度錨點初始化區塊以及該航向角偏差初始化區塊亦同步進行起始位置的經緯度對齊及航向角的估計，該全球導航系統的該數據包括一全球定位系統訊號。
如請求項5所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，在收到該全球導航系統的該數據時，該航向角偏差初始化區塊先粗估一初始點，接著對路徑上航向角的偏移進行修正，最後再對該初始點進行細微修正。
如請求項6所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，該最佳化模組將一系統狀態定義為給定所有觀測值時的一最大化後驗狀態，並假設所有測量都互相獨立，每一次測量的噪聲都是一零平均高斯分布，該最大化後驗狀態的問題轉化為一最小化的問題。
如請求項6所述之多感測器的融合狀態估計系統，其中，細微修正後的該初始點的一局部座標與東北上座標的一航向角偏移量使用雜訊較小的一都卜勒頻差的數據來透過一最佳化問題進行估計。
一種多感測器的融合狀態估計方法，包括：<br/>一預處理步驟，對一影像進行特徵的擷取與追蹤，對一慣性測量單元的一數據透過一預積分操作來加快處理速度，對一超寬頻的一數據透過接收的訊號強度指示的資訊來判斷該超寬頻的該數據的可信度，對一全球導航系統的一數據透過一衛星的一高度角、一偽距與一都卜勒頻差數值的一標準差、與該衛星被連續追蹤的次數來做為該全球導航系統的該數據的可信度依據；<br/>一初始化步驟，分成一視覺慣性里程計初始化子步驟、一超寬頻的基站位置初始化子步驟、一經緯度錨點初始化子步驟以及一航向角偏差初始化子步驟，該視覺慣性里程計初始化子步驟將一視覺慣性里程計的一數據中的一部分純視覺的一運動恢復結構結果與該慣性量測單元的該數據對齊；在該視覺慣性里程計初始化子步驟運作之後，若有收到該超寬頻的該數據者，則對該超寬頻的該數據進行該超寬頻的基站位置初始化子步驟，並使用短期準確的該視覺慣性里程計的該數據執行該經緯度錨點初始化子步驟以估計該視覺慣性里程計的一局部座標系下的該超寬頻的一錨點位置；在執行該視覺慣性里程計初始化子步驟之後，若有收到一全球導航系統的一數據者，亦同步執行該航向角偏差初始化子步驟而進行起始位置的經緯度對齊及航向角的估計，該全球導航系統的該數據包括一全球定位系統訊號；以及<br/>一最佳化步驟，將一系統狀態定義為給定所有觀測值時的一最大化後驗狀態，並假設所有測量都互相獨立，每一次測量的噪聲都是一零平均高斯分布，該最大化後驗狀態的問題轉化為一最小化的問題。
如請求項9所述之多感測器的融合狀態估計方法，其中，在該初始化步驟中，估計該視覺慣性里程計的該局部座標系下的該超寬頻的該錨點位置之後，在一滑動窗口中建立一第一最佳化問題，該第一最佳化問題為：<br/><img align="absmiddle" height="11px" width="63px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指一超寬頻錨點在局部坐標系下之位置，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指距離因子的函數，<i>n</i>是指用來優化的滑窗個數，<img align="absmiddle" height="9px" width="11px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指在來自一超寬頻錨點的觀測數值，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係指所估計出的狀態數值。
如請求項9所述之多感測器的融合狀態估計方法，其中，在該初始化步驟中，在收到該全球導航系統的該數據時，該航向角偏差初始化子步驟先粗估一初始點，接著對路徑上航向角的偏移進行修正，最後再對該初始點進行細微修正。
如請求項11所述之多感測器的融合狀態估計方法，其中，細微修正後的該初始點的一局部座標與東北上座標(ENU)的一航向角偏移量使用雜訊較小的一都卜勒頻差的數據來透過一第二最佳化問題進行估計，該第二最佳化問題為：<img align="absmiddle" height="11px" width="72px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="8px" width="6px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為接收器的鐘時誤差的漂移量，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指局部座標及東北上座標(ENU)的一航向角偏移量，<i>n</i>是指用來優化的滑窗個數，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指在第 k 個滑窗中有被接收到的可用的衛星數據個數，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指都卜勒頻差因子的函數；<img align="absmiddle" height="11px" width="9px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指從第<i>j</i>個衛星與接收器<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在第<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個時間點接收到的觀測數值，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係指所估計出的狀態數值。
如請求項12所述之多感測器的融合狀態估計方法，其中，在估計出該航向角偏差後，會再透過下列一第三最佳化問題細化修正該起始位置，該第三最佳化問題為：<img align="absmiddle" height="11px" width="118px" file="ed10090.jpg" alt="ed10090.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10091.jpg" alt="ed10091.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為接收器的鐘時誤差，<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是起始點的經緯度座標估計，n 是指用來優化的滑窗個數，<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指在第 k 個滑窗中有被接收到的可用的衛星數據個數，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指偽距因子的函數，<img align="absmiddle" height="11px" width="9px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指從第<i>j</i>個衛星與接收器<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>在第<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個時間點接收到的觀測數值，<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是鐘時因子的函數；<img align="absmiddle" height="7px" width="11px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指從第<i>k</i>-1 時刻到第<i>k</i>時刻的數據，<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>係指所估計出的狀態數值。
如請求項13所述之多感測器的融合狀態估計方法，其中，在該最佳化步驟中，假設所有測量都互相獨立，每次測量的噪聲都是零平均高斯分布，該最大化後驗狀態的問題轉化為該最小化的問題為：<img align="absmiddle" height="9px" width="198px" file="ed10096.jpg" alt="ed10096.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>包含位置(P)、速度(V)、姿態(Q)、偏航角(<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)、特徵點的深度資訊、加速度偏差、陀螺儀偏差、鐘時偏差，而<img align="absmiddle" height="8px" width="5px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為先驗的因子殘差函數，其中<img align="absmiddle" height="7px" width="18px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>代表在所有感測器<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的觀測值條件底下，估計狀態<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>所發生的機率，<img align="absmiddle" height="7px" width="13px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為估計狀態<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>所發生的機率，<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為已知估計狀態<img align="absmiddle" height="7px" width="4px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的條件底下，感測器<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>的觀測值發生的機率，<img align="absmiddle" height="8px" width="5px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為先驗的因子殘差函數，<img align="absmiddle" height="8px" width="7px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是一海森矩陣，<img align="absmiddle" height="8px" width="42px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>是指各類因子計算出的誤差的總和。
一種半導體裝置總成，其包含： <br/>一基板； <br/>一第一半導體晶粒堆疊，其耦接至該基板，使得該第一半導體晶粒堆疊具有一第一佔據面積(footprint)； <br/>一第二半導體晶粒堆疊，其耦接至該基板，使得該第二半導體晶粒堆疊具有與該第一佔據面積部分地重疊之一第二佔據面積， <br/>其中該第一半導體晶粒堆疊與該第二半導體晶粒堆疊經配置成一交替圖案，使得該第一半導體晶粒堆疊中之第一半導體晶粒中之各者豎直地安裝至該第二半導體晶粒堆疊中之第二半導體晶粒中之一各別第二半導體晶粒並與該各別第二半導體晶粒直接接合，且 <br/>其中該第一半導體晶粒堆疊與該第二半導體晶粒堆疊交錯，使得該等第一半導體晶粒中之各者之一第一曝露部分曝露超出該第二佔據面積，且該等第二半導體晶粒中之各者之一第二曝露部分曝露超出該第一佔據面積； <br/>第一導電結構，其在該第一曝露部分處在相鄰對之該等第一半導體晶粒之間延伸，該等第一導電結構電耦接該第一半導體晶粒堆疊； <br/>第二導電結構，其在該第二曝露部分處在相鄰對之該等第二半導體晶粒之間延伸，該等第二導電結構電耦接該第二半導體晶粒堆疊； <br/>第三導電結構，其在該基板與該等第一半導體晶粒之一第一底部半導體晶粒之間延伸，該等第三導電結構電耦接該第一底部半導體晶粒與該基板；及 <br/>第四導電結構，其在該基板與該等第二半導體晶粒之一第二底部半導體晶粒之該第二曝露部分之間延伸，該等第四導電結構電耦接該第二底部半導體晶粒與該基板， <br/>其中： <br/>該第一曝露部分位於該等第一半導體晶粒之一第一邊緣處；且 <br/>該第二曝露部分位於該等第二半導體晶粒之一第二邊緣處，該第二邊緣平行於或垂直於該第一邊緣。
如請求項1之半導體裝置總成，其進一步包含： <br/>一第一導電材料，其至少部分地安置在該等第一半導體晶粒中之各者之一第一表面上方；及 <br/>一第二導電材料，其至少部分地安置在該等第二半導體晶粒中之各者之一第二表面上方， <br/>其中該等第一半導體晶粒中之各者透過該第一導電材料與該第二導電材料之間的一金屬-金屬接合而與該各別第二半導體晶粒直接接合。
如請求項1之半導體裝置總成，其進一步包含： <br/>一第一介電材料，其至少部分地安置在該等第一半導體晶粒中之各者之一第一表面上方；及 <br/>一第二介電材料，其至少部分地安置在該等第二半導體晶粒中之各者之一第二表面上方， <br/>其中該等第一半導體晶粒中之各者透過該第一介電材料與該第二介電材料之間的一熔融接合而與該各別第二半導體晶粒直接接合。
如請求項1之半導體裝置總成，其中： <br/>該第二邊緣平行於該第一邊緣； <br/>該第一曝露部分進一步位於該等第一半導體晶粒之一第三邊緣處，該第三邊緣垂直於該第一邊緣；且 <br/>該第二曝露部分進一步位於該等第二半導體晶粒之一第四邊緣處，該第四邊緣平行於該第三邊緣。
如請求項1之半導體裝置總成，其中： <br/>該第二邊緣垂直於該第一邊緣； <br/>該第一曝露部分進一步位於該等第一半導體晶粒之一第三邊緣處，該第三邊緣平行於該第一邊緣；且 <br/>該第二曝露部分進一步位於該等第二半導體晶粒之一第四邊緣處，該第四邊緣平行於該第二邊緣。
如請求項1之半導體裝置總成，其中該等第一導電結構或該等第二導電結構包含微凸塊。
如請求項1之半導體裝置總成，其進一步包含： <br/>一第一導電材料，其至少部分地安置在該基板上方；及 <br/>一第二導電材料，其至少部分地安置在該等第二半導體晶粒之一底部半導體晶粒之一第二表面上方， <br/>其中該基板與該底部半導體晶粒透過該第一導電材料與該第二導電材料之間的一金屬-金屬接合直接接合。
一種製造一半導體裝置總成之方法，其包含： <br/>將一第一半導體晶粒安裝至一基板，使得該第一半導體晶粒具有一第一佔據面積； <br/>形成電耦接該第一半導體晶粒與該基板之第一導電結構； <br/>將一第二半導體晶粒安裝至該第一半導體晶粒，使得該第二半導體晶粒具有與該第一佔據面積部分地重疊之一第二佔據面積，其中該第一半導體晶粒之一第一曝露部分曝露超出該第二佔據面積，且該第二半導體晶粒之一第二曝露部分曝露超出該第一佔據面積； <br/>形成電耦接該第二半導體晶粒與該基板之第二導電結構，該等第二導電結構在該第二曝露部分與該基板之間延伸； <br/>將一第三半導體晶粒安裝至該第二半導體晶粒，使得該第三半導體晶粒具有該第一佔據面積，其中該第三半導體晶粒之一第三曝露部分曝露超出該第二佔據面積； <br/>形成電耦接該第三半導體晶粒與該第一半導體晶粒之第三導電結構，該等第三導電結構在該第一曝露部分與該第三曝露部分之間延伸； <br/>將一第四半導體晶粒安裝至該第三半導體晶粒，使得該第四半導體晶粒具有該第二佔據面積，其中該第四半導體晶粒之一第四曝露部分曝露超出該第一佔據面積；及 <br/>形成電耦接該第四半導體晶粒與該第二半導體晶粒之第四導電結構，該等第四導電結構在該第二曝露部分與該第四曝露部分之間延伸， <br/>其中： <br/>該第一曝露部分位於該第一半導體晶粒之一第一邊緣處；且 <br/>該第二曝露部分位於該第二半導體晶粒之一第二邊緣處，該第二邊緣平行於或垂直於該第一邊緣。
如請求項8之方法，其進一步包含： <br/>將一第一導電材料至少部分地安置在該第一半導體晶粒上方；及 <br/>將一第二導電材料至少部分地安置在該第二半導體晶粒上方， <br/>其中將該第二半導體晶粒安裝至該第一半導體晶粒包括在該第一導電材料與該第二導電材料之間形成一金屬-金屬接合。
如請求項8之方法，其進一步包含： <br/>將一第一介電材料至少部分地安置在該第一半導體晶粒上方；及 <br/>將一第二介電材料至少部分地安置在該第二半導體晶粒上方， <br/>其中將該第二半導體晶粒安裝至該第一半導體晶粒包括在該第一介電材料與該第二介電材料之間形成一熔融接合。
如請求項8之方法，其進一步包含： <br/>將一黏合劑至少部分地安置在該第一半導體晶粒或該第二半導體晶粒上方， <br/>其中將該第二半導體晶粒安裝至該第一半導體晶粒包括透過該黏合劑將該第二半導體晶粒黏合至該第一半導體晶粒。
如請求項8之方法，其中該等第一導電結構在該第一曝露部分與該基板之間延伸。
如請求項8之方法，其中該等第一導電結構、該等第二導電結構、該等第三導電結構或該等第四導電結構包含微凸塊。
一種半導體裝置總成，其包含： <br/>一基板； <br/>一第一半導體晶粒，其耦接至該基板，使得該第一半導體晶粒具有一第一佔據面積； <br/>一第二半導體晶粒，其堆疊於該第一半導體晶粒上，使得該第二半導體晶粒具有不同於該第一佔據面積之一第二佔據面積， <br/>其中該第一半導體晶粒之一第一曝露部分曝露超出該第二佔據面積，且該第二半導體晶粒之一第二曝露部分曝露超出該第一佔據面積； <br/>一第三半導體晶粒，其堆疊於該第二半導體晶粒上，使得該第三半導體晶粒具有該第一佔據面積； <br/>一第四半導體晶粒，其堆疊於該第三半導體晶粒上，使得該第四半導體晶粒具有該第二佔據面積， <br/>其中該第三半導體晶粒之一第三曝露部分曝露超出該第二佔據面積，且該第四半導體晶粒之一第四曝露部分曝露超出該第一佔據面積； <br/>第一導電結構，其電耦接該第一半導體晶粒與該基板，該等第一導電結構在該第一半導體晶粒與該基板之間延伸； <br/>第二導電結構，其電耦接該第二半導體晶粒與該基板，該等第二導電結構在該第二曝露部分與該基板之間延伸； <br/>第三導電結構，其電耦接該第三半導體晶粒與該第一半導體晶粒，該等第三導電結構在該第三曝露部分與該第一曝露部分之間延伸；及 <br/>第四導電結構，其電耦接該第四半導體晶粒與該第二半導體晶粒，該等第四導電結構在該第四曝露部分與該第二曝露部分之間延伸， <br/>其中： <br/>該第一曝露部分位於該第一半導體晶粒之一第一邊緣處；且 <br/>該第二曝露部分位於該第二半導體晶粒之一第二邊緣處，該第二邊緣平行於或垂直於該第一邊緣。
如請求項14之半導體裝置總成，其進一步包含： <br/>一第一導電材料，其至少部分地安置在該第一半導體晶粒之一第一表面上方；及 <br/>一第二導電材料，其至少部分地安置在該第二半導體晶粒之一第二表面上方， <br/>其中該第一半導體晶粒透過該第一導電材料與該第二導電材料之間的一金屬-金屬接合而與該第二半導體晶粒直接接合。
如請求項14之半導體裝置總成，其進一步包含： <br/>一第一介電材料，其至少部分地安置在該第一半導體晶粒之一第一表面上方；及 <br/>一第二介電材料，其至少部分地安置在該第二半導體晶粒之一第二表面上方， <br/>其中該第一半導體晶粒透過該第一介電材料與該第二介電材料之間的一熔融接合而與該第二半導體晶粒直接接合。
如請求項14之半導體裝置總成，其中： <br/>該基板包含一記憶體控制器；且 <br/>該第一半導體晶粒包含一第一記憶體晶粒；且 <br/>該第二半導體晶粒包含一第二記憶體晶粒。
一種像素陣列，其包括： <br/>複數個2×2光電二極體分組，其位於一半導體層中以回應於入射光被引導穿過該半導體層之一後側而產生影像電荷； <br/>一個四倍拜耳彩色濾光片陣列(CFA)，其安置於該半導體層之該後側上該複數個2×2光電二極體分組上方，其中該四倍拜耳CFA包含複數個彩色濾光片，其中該複數個彩色濾光片包含紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片及藍色彩色濾光片，其中該四倍拜耳CFA中之每一彩色濾光片安置於該複數個2×2光電二極體分組中之一各別者上方；及 <br/>複數個溝槽平衡結構，其安置於該半導體層中，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者在該等光電二極體中之一者與該四倍拜耳CFA中之該等紅色彩色濾光片中之一各別者之間安置於該半導體層中，其中該複數個溝槽平衡結構皆不安置於該等光電二極體中之任一者與該四倍拜耳CFA中之各別綠色彩色濾光片或藍色彩色濾光片之間。
如請求項1之像素陣列，其進一步包括安置於該半導體層中且經配置以在該半導體層中形成一隔離柵格之複數個DTI柵格結構，其中該隔離柵格界定複數個開口，其中該等光電二極體中之每一者被隔離在由該隔離柵格界定之該複數個開口中之一各別者內。
如請求項2之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構包含自該隔離柵格中之一各別開口之一中心區域朝向一各別2×2光電二極體分組之一中心延伸之一溝槽平衡結構。
如請求項3之像素陣列，其中該溝槽平衡結構與DTI柵格結構在該各別2×2光電二極體分組之該中心處之一相交點分隔開一中心間隙距離。
如請求項4之像素陣列，其中該中心間隙距離為零。
如請求項2之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構包含具有與一第二端相對之一第一端之一溝槽平衡結構，其中該第一端自該隔離柵格中之一各別開口之一中心區域朝向該隔離柵格中之該各別開口之一第一側延伸，其中該第二端自該隔離柵格中之該各別開口之該中心區域朝向該隔離柵格中之該各別開口之一第二側延伸，其中該隔離柵格中之該各別開口之該第一側及該第二側與一各別2×2光電二極體分組之一中心相交。
如請求項6之像素陣列，其中該溝槽平衡結構之該第一端及該第二端與該隔離柵格中之該各別開口之該第一側及該第二側分隔開橫向間隙距離。
如請求項7之像素陣列，其中該等橫向間隙距離為零。
如請求項2之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構及該複數個DTI柵格結構包括： <br/>一填充材料，其安置於該半導體層中；及 <br/>一高k內襯材料，其安置於該填充材料與該半導體層之間。
如請求項2之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構之一平衡結構深度小於或等於該複數個DTI柵格結構之一柵格結構深度。
如請求項1之像素陣列，其進一步包括安置於該半導體層之該後側上該複數個2×2光電二極體分組上方之一微透鏡陣列，其中該微透鏡陣列中之每一微透鏡安置於該複數個2×2光電二極體分組中之一各別者上方。
如請求項1之像素陣列，其中無溝槽平衡結構安置於該像素陣列之一中心區域中。
如請求項12之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者安置於該像素陣列之一邊緣區域中。
如請求項1之像素陣列，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者在該複數個2×2光電二極體分組中之一者與該等紅色彩色濾光片中之該各別者之間安置於該半導體層中，該複數個2×2光電二極體分組中之該一者與該等2×2光電二極體分組中之安置於該像素陣列之同一列中之該等綠色彩色濾光片中之一者底下之另一光電二極體分組相鄰。
如請求項1之像素陣列，其中包含該複數個該等溝槽平衡結構中之每一者之寬度、長度、深度、中心間隙距離及橫向間隙距離中之一或多者之結構參數跨越該像素陣列而變化。
一種成像系統，其包括： <br/>一像素陣列，其包含： <br/>複數個2×2光電二極體分組，其位於一半導體層中以回應於入射光被引導穿過該半導體層之一後側而產生影像電荷； <br/>一個四倍拜耳彩色濾光片陣列(CFA)，其安置於該半導體層之該後側上該複數個2×2光電二極體分組上方，其中該四倍拜耳CFA包含複數個彩色濾光片，其中該複數個彩色濾光片包含紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片及藍色彩色濾光片，其中該四倍拜耳CFA中之每一彩色濾光片安置於該複數個2×2光電二極體分組中之一各別者上方；及 <br/>複數個溝槽平衡結構，其安置於該半導體層中，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者在該等光電二極體中之一者與該四倍拜耳CFA中之該等紅色彩色濾光片中之一各別者之間安置於該半導體層中，其中該複數個溝槽平衡結構皆不安置於該等光電二極體中之任一者與該四倍拜耳CFA中之各別綠色彩色濾光片或藍色彩色濾光片之間； <br/>控制電路系統，其耦合至該像素陣列以控制該像素陣列之操作；以及 <br/>讀出電路系統，其耦合至該像素陣列以自該像素陣列讀出影像資料。
如請求項16之成像系統，其進一步包括耦合至該讀出電路系統以儲存自該像素陣列讀出之該影像資料之功能邏輯。
如請求項16之成像系統，其中該像素陣列進一步包括安置於該半導體層中且經配置以在該半導體層中形成一隔離柵格之複數個DTI柵格結構，其中該隔離柵格界定複數個開口，其中該等光電二極體中之每一者被隔離在由該隔離柵格界定之該複數個開口中之一各別者內。
如請求項18之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構包含自該隔離柵格中之一各別開口之一中心區域朝向一各別2×2光電二極體分組之一中心延伸之一溝槽平衡結構。
如請求項19之成像系統，其中該溝槽平衡結構與DTI柵格結構在該各別2×2光電二極體分組之該中心處之一相交點分隔開一中心間隙距離。
如請求項20之成像系統，其中該中心間隙距離為零。
如請求項18之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構包含具有與一第二端相對之一第一端之一溝槽平衡結構，其中該第一端自該隔離柵格中之一各別開口之一中心區域朝向該隔離柵格中之該各別開口之一第一側延伸，其中該第二端自該隔離柵格中之該各別開口之該中心區域朝向該隔離柵格中之該各別開口之一第二側延伸，其中該隔離柵格中之該各別開口之該第一側及該第二側與一各別2×2光電二極體分組之一中心相交。
如請求項22之成像系統，其中該溝槽平衡結構之該第一端及該第二端與該隔離柵格中之該各別開口之該第一側及該第二側分隔開橫向間隙距離。
如請求項23之成像系統，其中該等橫向間隙距離為零。
如請求項18之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構及該複數個DTI柵格結構包括： <br/>一填充材料，其安置於該半導體層中；及 <br/>一高k內襯材料，其安置於該填充材料與該半導體層之間。
如請求項18之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構之一平衡結構深度小於或等於該複數個DTI柵格結構之一柵格結構深度。
如請求項16之成像系統，其中該像素陣列進一步包括安置於該半導體層之該後側上該複數個2×2光電二極體分組上方之一微透鏡陣列，其中該微透鏡陣列中之每一微透鏡安置於該複數個2×2光電二極體分組中之一各別者上方。
如請求項16之成像系統，其中無溝槽平衡結構安置於該像素陣列之一中心區域中。
如請求項28之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者安置於該像素陣列之一邊緣區域中，其中該邊緣區域環繞該中心區域。
如請求項16之成像系統，其中該複數個溝槽平衡結構中之每一者在該複數個2×2光電二極體分組中之一者與該等紅色彩色濾光片中之該各別者之間安置於該半導體層中，該複數個2×2光電二極體分組中之該一者與該等2×2光電二極體分組中之安置於該像素陣列之同一列中之該等綠色彩色濾光片中之一者底下之另一光電二極體分組相鄰。
一種控制裝置，包括：<br/> 控制部分，其經組配為確定跳頻中的多個通道中之通道選擇順序；<br/> 發射機，其經組配為以與基於所述選擇順序而選擇的所選通道相對應的頻率發送發送資料；以及<br/> 接收機，其經組配為回應於所述發送，以與所述所選通道相對應的頻率從通訊目標設備接收接收資料，<br/> 其中，所述接收資料包括關於測量目標的測量通道的無線電場強度資訊，所述測量目標的測量通道作為用於所述跳頻的通道，以及<br/> 所述發送資料包括針對所述多個通道中之各者的有效/無效資訊。
如請求項1所述的控制裝置，其中，由所述發射機發送的所述發送資料包括用於控制所述通訊目標設備的姿態或操作的控制資訊，並且<br/> 由所述接收機接收的所述接收資料包括關於所述通訊目標設備的遙測資訊和無線電場強度資訊。
如請求項1所述的控制裝置，其中，所述接收資料包括在與所述接收相對應的所述發送之後測量的無線電場強度資訊。
如請求項3所述的控制裝置，其中，所述測量通道是當前的所述所選通道。
如請求項3所述的控制裝置，其中，所述測量通道是除了當前的所述所選通道之外的通道。
如請求項5所述的控制裝置，其中，所述測量通道是在當前的所述所選通道之後要選擇的通道。
如請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制部分基於所述無線電場強度資訊確定是否使測量了所述無線電場強度資訊的所述測量通道無效，並且<br/> 選擇除了在所述所選通道的選擇中被確定為無效的無效通道之外的通道。
如請求項7所述的控制裝置，其中，當再次接收到包括關於所述無效通道的所述無線電場強度資訊的所述接收資料時，所述控制部分確定是否使所述無效通道有效。
如請求項1所述的控制裝置，還包括：<br/> 顯示部分，其經組配為呈現基於所述無線電場強度資訊的資訊。
如請求項1所述的控制裝置，其中，所述控制部分基於所述無線電場強度資訊計算所述測量通道的干擾波強度。
如請求項10所述的控制裝置，其中，所述控制部分根據計算的干擾程度執行警告處理。
如請求項11所述的控制裝置，其中，所述控制部分通過操縱部分的操縱來設置警告條件，並且<br/> 執行與所述警告條件相對應的所述警告處理。
如請求項11所述的控制裝置，其中，所述控制部分基於所述無線電場強度資訊確定是否使測量了所述無線電場強度資訊的所述測量通道無效，並且<br/> 當通過所述確定被確定為無效的無效通道的數量大於或等於預定數量時，執行所述警告處理。
如請求項1所述的控制裝置，其中，所述接收資料除了包括關於所述測量通道的所述無線電場強度資訊之外，還包括關於所述所選通道的資訊。
一種受控裝置，包括：<br/> 接收機，其經組配為以根據從用於跳頻的多個通道中選擇的所選通道的頻率執行接收資料的接收；<br/> 控制部分，其經組配為測量關於測量目標的測量通道的無線電場強度資訊，所述測量目標的測量通道作為用於所述跳頻的通道；以及<br/> 發射機，其經組配為回應於所述接收，以與在所述接收中使用的所述所選通道相對應的頻率向控制裝置執行發送資料的發送，<br/> 其中，所述發送資料包括在所述接收資料的所述接收和所述發送資料的所述發送之間由所述控制部分測量的所述無線電場強度資訊，以及<br/> 所述發送資料包括針對所述多個通道中之各者的有效/無效資訊。
一種通訊系統，包括控制裝置和受控裝置，<br/> 其中所述控制裝置包括：<br/> 控制部分，其經組配為確定跳頻中的多個通道中之通道選擇順序；以及<br/> 發射機，其經組配為以與基於所述選擇順序而選擇的所選通道相對應的頻率發送發送資料，並且<br/> 所述受控裝置包括：<br/> 接收機，其經組配為以根據所述所選通道的頻率接收所述發送資料；<br/> 控制部分，其經組配為測量關於測量目標的測量通道的無線電場強度資訊，所述測量目標的測量通道作為用於所述跳頻的通道；以及<br/> 發射機，其經組配為回應於所述接收，以與所述所選通道相對應的頻率向所述控制裝置執行包括所述無線電場強度資訊的返回資料的發送，<br/> 其中所述發送資料包括針對所述多個通道中之各者的有效/無效資訊。
一種入杯導引裝置，包含：<br/> 一輸送軌道，該輸送軌道的管壁面具有一開口；以及<br/> 一落杯結構，設於該輸送軌道下方，該落杯結構包含一導引管，該導引管與該輸送軌道相連接，而該導引管的管壁面具有一限位口，該開口與該限位口相連通形成一導引結構，其中，該導引管遠離該輸送軌道的管口延伸設有一抵擋件；<br/> 其中，該落杯結構的該導引管定義出一杯體的一落下方向，使該杯體從該限位口脫離該落杯結構，該抵擋件從鄰近該限位口的邊界沿著該落下方向凸出而形成。
如請求項1所述之入杯導引裝置，其中該抵擋件為一片狀體，該片狀體與該導引管為一體成型，該導引管的管壁面具有相面對的二側邊，該二側邊之間於該導引管的管壁面形成該限位口，且該抵擋件的一側邊與該導引管的其中一該側邊共平面。
如請求項1所述之入杯導引裝置，其中該輸送軌道還具有一連接件，該連接件具有一缺口，該缺口與該開口朝向同一方向。
如請求項1所述之入杯導引裝置，其中該導引管與該輸送軌道的連接處還具有一擋止件。
如請求項1所述之入杯導引裝置，其中該導引結構的寬度從該輸送軌道至該導引管逐漸減小。
如請求項1所述之入杯導引裝置，其中該落杯結構還包含：一底板垂直設於該導引管，該底板設有一定位孔使該導引管穿設。
如請求項6所述之入杯導引裝置，其中該導引管還具有複數個固定件，該些固定件間隔環設於該導引管的外管壁面且固定於該底板。
如請求項6所述之入杯導引裝置，其中該底板還設有複數個螺桿組件，該些螺桿組件圍繞該定位孔設置，該底板上還設有複數個圓孔供該些螺桿組件穿設。
如請求項8所述之入杯導引裝置，其中各該螺桿組件包含一下杯螺桿以及一驅動螺桿，該些驅動螺桿以及該些下杯螺桿分別位於該些底板的上方與下方，各該下杯螺桿連接於該些驅動螺桿的軸心。
如請求項9所述之入杯導引裝置，其中該抵擋件位於其中二該下杯螺桿之間。
一種可調節光吸收率和透光率的固晶裝置，包括： <br/>一第一固晶頭，可透光； <br/>一第二固晶頭，設置於該第一固晶頭的下方，並且可透光； <br/>複數個第一光柵，設置於該第一固晶頭的底部，並且彼此之間形成複數個縫隙；以及 <br/>複數個第二光柵，設置於該第二固晶頭的頂部，並且彼此之間形成複數個縫隙； <br/>其中，藉由移動該第一固晶頭及/或該第二固晶頭調整該等第一光柵與該等第二光柵的對齊程度，以調節該固晶裝置的光吸收率和透光率。
如請求項1所述的可調節光吸收率和透光率的固晶裝置，其中，當該等第一光柵與該等第二光柵完全對齊時，該等第一光柵彼此之間的該等縫隙完全對齊該等第二光柵彼此之間的該等縫隙。
如請求項1所述的可調節光吸收率和透光率的固晶裝置，其中，當該等第一光柵與該等第二光柵部分對齊時，該等第一光柵彼此之間的該等縫隙部分對齊該等第二光柵彼此之間的該等縫隙。
如請求項1所述的可調節光吸收率和透光率的固晶裝置，其中，該第一固晶頭與該第二固晶頭的材質為無鐵玻璃或石英。
一種可調節光吸收率和透光率的固晶方法，包括下列步驟： <br/>一固晶裝置吸取一晶粒並將該晶粒放置在一基板上； <br/>藉由移動該固晶裝置的一可透光的第一固晶頭及/或該固晶裝置的一可透光的第二固晶頭調整該第一固晶頭的底部的複數個第一光柵與該第二固晶頭的頂部的複數個第二光柵的對齊程度，以調節該固晶裝置的光吸收率和透光率；以及 <br/>一光源朝向該固晶裝置投射一光線，部分光線僅被該等第一光柵吸收或同時被該等第一光柵與該等第二光柵吸收，部分光線完全或部分穿透過該等第一光柵彼此之間的複數個縫隙與該等第二光柵彼此之間的複數個縫隙並照射在該晶粒上以對該晶粒加熱，使得該晶粒固定在該基板上。
如請求項5所述的可調節光吸收率和透光率的固晶方法，其中，調節該固晶裝置的光吸收率和透光率的步驟進一步包括：當該等第一光柵與該等第二光柵完全對齊時，該等第一光柵彼此之間的該等縫隙完全對齊該等第二光柵彼此之間的該等縫隙；其中，該晶粒固定在該基板上的步驟進一步包括：部分光線僅被該等第一光柵吸收，部分光線完全穿透過該等第一光柵彼此之間的該等縫隙與該等第二光柵彼此之間的該等縫隙。
如請求項5所述的可調節光吸收率和透光率的固晶方法，其中，調節該固晶裝置的光吸收率和透光率的步驟進一步包括：當該等第一光柵與該等第二光柵部分對齊時，該等第一光柵彼此之間的該等縫隙部分對齊該等第二光柵彼此之間的該等縫隙；其中，該晶粒固定在該基板上的步驟進一步包括：部分光線同時被該等第一光柵與該等第二光柵吸收，部分光線部分穿透過該等第一光柵彼此之間的該等縫隙與該等第二光柵彼此之間的該等縫隙。
如請求項5所述的可調節光吸收率和透光率的固晶方法，其中，該第一固晶頭與該第二固晶頭的材質為無鐵玻璃或石英。
一種資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>自前端伺服器接收包括表示欄位資訊之查詢資訊及對象識別資訊之請求資訊； <br/>基於上述請求資訊中之至少一部分，確認與欄位資訊對應之分解器； <br/>利用上述分解器，基於上述請求資訊中之至少一部分，獲得與上述欄位資訊對應之欄位值；及 <br/>將包括上述欄位值之響應資訊傳輸至上述前端伺服器，其中 <br/>上述欄位資訊包括： <br/>父欄位資訊、及上述父欄位之至少一個子欄位資訊， <br/>上述分解器包括： <br/>獲得上述父欄位所屬之客體之欄位值之父分解器、及獲得上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值之至少一個子分解器， <br/>上述所獲得之欄位值包括： <br/>利用上述父分解器而獲得之上述父欄位所屬之客體之欄位值、及利用上述至少一個子分解器而獲得之上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值，且其中 <br/>上述父欄位所屬之客體之欄位值包含一或多個值，且上述一或多個值包含上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值， <br/>其中上述響應資訊於與上述至少一個子分解器中之未呼叫之子分解器對應之欄位值中設定有虛擬值。
如請求項1之資訊提供方法，其中 <br/>上述響應資訊之結構係基於上述查詢資訊而確定。
如請求項1之資訊提供方法，其中 <br/>上述分解器係基於上述欄位資訊而被確認，上述分解器自與上述欄位資訊對應之資料源獲得與上述欄位資訊對應之欄位值。
如請求項3之資訊提供方法，其中 <br/>上述分解器基於上述對象識別資訊，自上述資料源獲得與上述欄位資訊對應之欄位值。
如請求項1之資訊提供方法，其中 <br/>上述欄位值包括上述分解器獲得之至少一個欄位值， <br/>上述響應資訊包括上述至少一個欄位值中之基於上述查詢資訊而選擇之欄位值。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述查詢資訊中所包括之欄位資訊，確認傳輸上述請求資訊之節點對與上述欄位資訊對應之值的訪問權限； <br/>於上述節點具有對與上述欄位資訊對應之值之訪問權限之情形時，上述響應資訊包括上述欄位值。
如請求項1之資訊提供方法，其中 <br/>上述查詢資訊係藉由提供與特定資訊對應之欄位資訊之程式而產生。
如請求項6之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述節點沒有對與上述欄位資訊對應之值之訪問權限之情形時，將包括訪問權限之資訊之訊息提供至上述前端伺服器。
一種電子裝置，其係用以提供資訊者，其包括： <br/>記憶體，其儲存有至少一個程式；及 <br/>處理器，其藉由執行上述至少一個程式，自前端伺服器接收包括表示欄位資訊之查詢資訊及對象識別資訊之請求資訊，基於上述請求資訊中之至少一部分，確認與欄位資訊對應之分解器，利用上述分解器，基於上述請求資訊中之至少一部分，獲得與上述欄位資訊對應之欄位值，將包括上述欄位值之響應資訊傳輸至上述前端伺服器，其中 <br/>上述欄位資訊包括： <br/>父欄位資訊、及上述父欄位之至少一個子欄位資訊， <br/>上述分解器包括： <br/>獲得上述父欄位所屬之客體之欄位值之父分解器、及獲得上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值之至少一個子分解器， <br/>上述所獲得之欄位值包括： <br/>利用上述父分解器而獲得之上述父欄位所屬之客體之欄位值、及利用上述至少一個子分解器而獲得之上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值，且其中 <br/>上述父欄位所屬之客體之欄位值包含一或多個值，且上述一或多個值包含上述至少一個子欄位所屬之客體之欄位值， <br/>其中上述響應資訊於與上述至少一個子分解器中之未呼叫之子分解器對應之欄位值中設定有虛擬值。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄用以於電腦中執行如請求項1之資訊提供方法之程式。
一種獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>獲得對特定屬性之複數個配送業務進行處理之歷史資訊； <br/>基於上述歷史資訊，確認與為了對上述複數個配送業務進行處理而需要之時間對應之複數個實際需要時間；及 <br/>基於上述複數個實際需要時間而獲得緩衝值，該緩衝值係用以更新用以對上述特定屬性之配送業務進行處理之預計需要時間者， <br/>其中獲得上述緩衝值之步驟包括如下步驟： <br/>確認一個以上之候補緩衝值；及 <br/>判斷上述一個以上之候補緩衝值中之滿足設定之條件之候補緩衝值， <br/>其中判斷滿足上述設定之條件之候補緩衝值之步驟包括如下步驟中之一者以上： <br/>按照上述一個以上之候補緩衝值，基於上述複數個實際需要時間是否超過應用各候補緩衝值之預計需要時間來獲得第1值；及 <br/>按照上述一個以上之候補緩衝值，基於上述複數個實際需要時間與應用各候補緩衝值之預計需要時間之間的差來獲得第2值。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中獲得上述第1值之步驟包括如下步驟： <br/>針對上述一個以上之候補緩衝值包括之第1候補緩衝值，獲得上述複數個實際需要時間中之不超過應用上述第1候補緩衝值之預計需要時間之比率之資訊。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中獲得上述第2值之步驟包括如下步驟： <br/>針對上述一個以上之候補緩衝值包括之第1候補緩衝值，確認上述複數個實際需要時間各者與應用上述第1候補緩衝值之預計需要時間之差；及 <br/>計算上述確認到之差之平均值。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中判斷滿足上述設定之條件之候補緩衝值之步驟進而包括如下步驟： <br/>確認與上述第1值對應之第1臨界條件；及 <br/>判斷使上述第1值滿足上述第1臨界條件且使上述第2值最小化之候補緩衝值。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中判斷滿足上述設定之條件之候補緩衝值之步驟進而包括如下步驟： <br/>確認與上述第2值對應之第2臨界條件；及 <br/>判斷使上述第2值滿足上述第2臨界條件且使上述第1值最大化之候補緩衝值。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中判斷滿足上述設定之條件之候補緩衝值之步驟進而包括如下步驟： <br/>確認針對上述第1值設定之第1加權值及針對上述第2值設定之第2加權值；及 <br/>考慮上述第1加權值及上述第2加權值而判斷最佳候補緩衝值。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其中上述電子裝置基於與配送業務相關之地區資訊及與配送業務相關之時間段資訊中之一者以上而判斷是否為上述特定屬性之配送業務。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其進而包括如下步驟：將包括應用上述緩衝值而更新之預計需要時間之資訊提供至顧客及配送員中之一者以上。
如請求項1之獲得用以處理配送業務之資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於應用上述緩衝值而更新之預計需要時間來處理配送業務； <br/>獲得處理上述配送業務之結果資訊；及 <br/>基於上述結果資訊，驗證上述緩衝值。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係獲得用以處理配送業務之資訊者，其包括儲存了命令之記憶體及處理器，且 <br/>上述處理器與上述記憶體連接， <br/>獲得對特定屬性之複數個配送業務進行處理之歷史資訊， <br/>基於上述歷史資訊，確認與為了對上述複數個配送業務進行處理而需要之時間對應之複數個實際需要時間， <br/>基於上述複數個實際需要時間而獲得緩衝值，該緩衝值係用以更新用以對上述特定屬性之配送業務進行處理之預計需要時間者， <br/>其中獲得上述緩衝值之步驟包括如下步驟： <br/>確認一個以上之候補緩衝值；及 <br/>判斷上述一個以上之候補緩衝值中之滿足設定之條件之候補緩衝值， <br/>其中判斷滿足上述設定之條件之候補緩衝值之步驟包括如下步驟中之一者以上： <br/>按照上述一個以上之候補緩衝值，基於上述複數個實際需要時間是否超過應用各候補緩衝值之預計需要時間來獲得第1值；及 <br/>按照上述一個以上之候補緩衝值，基於上述複數個實際需要時間與應用各候補緩衝值之預計需要時間之間的差來獲得第2值。
一種半導體裝置，包括： <br/> 電晶體，包括半導體層及源極或汲極電極； <br/> 該半導體層上的第一絕緣層； <br/> 該第一絕緣層上的第二絕緣層； <br/> 該第二絕緣層上的第三絕緣層； <br/> 該第二絕緣層及該第三絕緣層中的開口；以及 <br/> 電容器，包括： <br/> 透過該源極或汲極電極電連接至該半導體層的第一導體； <br/> 該第一導體上的第一絕緣體；以及 <br/> 該第一絕緣體上的第二導體， <br/> 其中該電容器與該電晶體彼此重疊， <br/> 其中該電容器位於該開口中， <br/> 其中該源極或汲極電極在高於該第二絕緣層的頂面的位置處包括凸彎曲面，並且 <br/> 其中該第一導體沿著該開口的側面及該凸彎曲面。
一種半導體裝置，包括： <br/> 電晶體，包括半導體層及源極或汲極電極； <br/> 該半導體層上的第一絕緣層； <br/> 該第一絕緣層上的第二絕緣層； <br/> 該第二絕緣層上的第三絕緣層； <br/> 該第二絕緣層及該第三絕緣層中的開口；以及 <br/> 電容器，包括： <br/> 透過該源極或汲極電極電連接至該半導體層的第一導體； <br/> 該第一導體上的第一絕緣體；以及 <br/> 該第一絕緣體上的第二導體， <br/> 其中該電容器與該電晶體彼此重疊， <br/> 其中該電容器位於該開口中， <br/> 其中該源極或汲極電極在高於該第二絕緣層的頂面的位置處包括凸彎曲面， <br/> 其中該第一導體沿著該開口的側面及該凸彎曲面，並且 <br/> 其中該第一導體包含氮化鈦。
一種半導體裝置，包括： <br/> 電晶體，包括半導體層及源極或汲極電極； <br/> 該半導體層上的第一絕緣層； <br/> 該第一絕緣層上的第二絕緣層； <br/> 該第二絕緣層上的第三絕緣層； <br/> 該第一絕緣層及該第二絕緣層中的第一開口； <br/> 該第二絕緣層及該第三絕緣層中的第二開口；以及 <br/> 電容器，包括： <br/> 透過該源極或汲極電極電連接至該半導體層的第一導體； <br/> 該第一導體上的第一絕緣體；以及 <br/> 該第一絕緣體上的第二導體， <br/> 其中該第二開口與該第一開口彼此重疊， <br/> 其中，該源極或汲極電極位於該第一開口中， <br/> 其中該電容器位於該第二開口中， <br/> 其中該源極或汲極電極在高於該第二絕緣層的頂面的位置處包括凸彎曲面，並且 <br/> 其中該第一導體沿著該第二開口的側面及該凸彎曲面。
如請求項1至3的任一項所述的半導體裝置，其中該第一絕緣層包含氧化矽。
如請求項1至3的任一項所述的半導體裝置，其中該第二絕緣層包含鋁及氧。
如請求項1至3的任一項所述的半導體裝置，其中該第三絕緣層包含氧化矽。
如請求項1至3的任一項所述的半導體裝置，其中該半導體層為氧化物半導體層。
如請求項1或2所述的半導體裝置，其中該第一絕緣體沿著該開口的該側面及該凸彎曲面，並且該第一導體介於其間。
如請求項3所述的半導體裝置，其中該第一絕緣體沿著該第二開口的該側面及該凸彎曲面，並且該第一導體介於其間。
一種用於製備具有複數個光電組件的裝置之方法，包括以下步驟：<br/> 提供複數個垂直光電組件至一載體基板上，該等垂直光電組件在與該載體基板相對的一頂面上具有一接觸區域，其中該載體基板包括相對於該複數個垂直光電組件的該頂面凹陷之一共同接觸元件；<br/> 將該複數個垂直光電組件嵌入一介電材料中，而該介電材料至少部分覆蓋該共同接觸元件；<br/> 沉積一光罩層在該介電材料上；<br/> 結構化該光罩層，以致於暴露與該共同接觸元件相鄰或在該共同接觸元件上方之該介電材料的一部分，而該光罩層與該介電材料的該部分之間的一接觸角小於90°且具體地在40°至55°的範圍內；<br/> 蝕刻一介電層的該暴露部分，以暴露該共同接觸元件，而與該介電材料相鄰之該光罩層的側壁之斜率至少部分地轉移至該介電材料的蝕刻側壁上；<br/> 沉積一導電透明層至該暴露共同接觸元件上且沿著該等側壁延伸，從而接觸在該頂面上之該等接觸區域中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該嵌入步驟包括以下步驟中之一：<br/> 旋轉塗佈該介電材料；<br/> 濺鍍該介電材料；<br/> 分配該介電材料，特別是分配至該複數個垂直光電組件的該頂面上；<br/> 噴射該介電材料，特別是噴射至該複數個垂直光電組件的該頂面上。
如請求項1之方法，其中該嵌入步驟包括以下步驟：<br/> 從該複數個垂直光電組件的該頂面移除該介電材料的部分，以至少暴露其該等接觸區域。
如請求項1之方法，其中該介電材料包含相對於該光罩層的材料之一親材料表面；
如請求項1項之方法，其中該光罩層與該介電材料的該部分之間的該接觸角取決於下列中之一：<br/> 該光罩層與該介電材料之間的表面張力；<br/> 該光罩層的材料之一溶劑
如請求項1之方法，其中沉積該光罩層在該介電材料上的該步驟包括：<br/> 分配該光罩材料至該等垂直光電組件上方的該介電材料上，使得該分配材料的一邊緣在該共同接觸元件上方；<br/> 噴射該光罩材料至該等垂直光電組件上方的該介電材料上，使得該噴射材料的一邊緣在該共同接觸元件上方。
如請求項1之方法，其中該蝕刻步驟導致與該共同接觸元件相鄰之該介電層的一側壁，該側壁至少部分包括與該光罩層和該介電層之間的該接觸角相同的接觸角。
如請求項1之方法，其中在該蝕刻步驟期間，該介電材料的該等蝕刻側壁遵循該光罩層的該等側壁之斜率。
如請求項1之方法，其中該介電材料係一光敏材料或一玻璃材料。
如請求項1之方法，其中沉積該導電透明層包括：<br/> 移除該光罩層並可選擇地露出該複數個垂直光電組件的該頂面上之該等接觸區域。
一種具有複數個光電組件的裝置，包括：<br/> 一載體基板，其包括複數個接觸引線及一共同接觸元件，該共同接觸元件相對於該複數個接觸引線係凹陷的；<br/> 複數個垂直光電組件，其配置在該載體基板上，使得該複數個垂直光電組件中之每一者的一第一接觸區域連接該複數個接觸引線中之一各別接觸引線，其中該複數個垂直光電組件中之每一者包括與該第一接觸區域相對的一第二接觸區域；<br/> 一介電材料，其嵌入有該複數個垂直光電組件，其中該介電材料延伸成與該共同接觸元件相鄰或部分延伸至該共同接觸元件上；<br/> 一導電透明層，其配置在嵌入有該複數個垂直光電組件的該介電材料上且在該介電材料的一側壁上延伸而接觸該共同接觸元件，其中該介電材料的該側壁相對於平行於該共同接觸元件的一平面具有小於60°且具體地在40°與55°之間的一接觸角；<br/> 該介電材料包含從鄰近該光電組件的頂面到該側壁的圓形過渡，及其中該導電透明層包括該共同接觸元件及該介電材料頂面之間的平滑且圓形的過渡。
如請求項11之裝置，其中該共同接觸元件與該複數個光電組件的該等頂面之間的距離至少為該等垂直光電組件的高度。
如請求項11之裝置，其中該介電材料包括一不活化光敏材料或一旋轉塗佈玻璃材料。
如請求項11之裝置，其中該導電透明層包括ITO，且可選擇地其中該導電透明層的厚度小於該共同接觸元件與該複數個光電組件的該等頂面之間的距離。
一種不溶性陽極用鍍敷裝置，係具備：開口部，其載置被鍍敷物；液供給管，其向被鍍敷物供給鍍敷液；及鍍敷槽，其具有以與被鍍敷物相對向的方式進行配置的不溶性陽極和用來將被鍍敷物與不溶性陽極隔離的隔膜，藉由在鍍敷槽內壁固定有隔膜外周端，並且將設在隔膜中央的貫通孔的孔周端固定在液供給管，以賦予從液供給管向外周方向上升的傾斜的方式進行配置， <br/> 液供給管對藉由隔膜和載置有被鍍敷物所形成的鍍敷槽內的上部隔離室，從儲藏有陰極用鍍敷液之管理槽供給陰極用鍍敷液， <br/> 對形成於隔膜的下側的鍍敷槽內的下部隔離室，從儲藏有陽極用溶液的陽極溶液槽供給陽極用溶液之不溶性陽極用鍍敷裝置，其特徵為具備： <br/> 氧化銅粉末供給手段，其用來將氧化銅粉末與載體氣體一同經由作成為不會產生靜電的供給用管供給至管理槽， <br/> 在管理槽的上部蓋體，設有靜電已去除的粉體供給筒體，該粉體供給筒體的前端，是為了使從該前端所供給的氧化銅粉末不會飛散到陰極用鍍敷液之液面的上部空間而配置於距離液面50~100mm的位置， <br/> 在粉體供給筒體連接有供給用管， <br/> 前述氧化銅粉末係為顆粒狀，平均粒徑25~40μm、固體堆積密度未滿1.7g/cm<sup>3</sup>，且使氧化銅粉末落下所形成的山狀的狀態之氧化銅粉末的塊體的休止角形成為10°~12.5°。
一種不溶性陽極用鍍敷裝置，係具備：開口部，其載置被鍍敷物；液供給管，其向被鍍敷物供給鍍敷液；及鍍敷槽，其具有以與被鍍敷物相對向的方式進行配置的不溶性陽極和用來將被鍍敷物與不溶性陽極隔離的隔膜，藉由在鍍敷槽內壁固定有隔膜外周端，並且將設在隔膜中央的貫通孔的孔周端固定在液供給管，以賦予從液供給管向外周方向上升的傾斜的方式進行配置， <br/> 液供給管對藉由隔膜和載置有被鍍敷物所形成的鍍敷槽內的上部隔離室，從儲藏有陰極用鍍敷液之管理槽經由液供給管供給陰極用鍍敷液， <br/> 對形成於隔膜的下側的鍍敷槽內的下部隔離室，從儲藏有陽極用溶液的陽極溶液槽供給陽極用溶液之不溶性陽極用鍍敷裝置，其特徵為具備： <br/> 銅濃度調整槽，其用來調整陰極用鍍敷液的銅濃度， <br/> 銅濃度調整槽具有氧化銅粉末供給裝置，該氧化銅粉末供給裝置將氧化銅粉末與載體氣體一同藉由作成為不會產生靜電的供給用管搬運氧化銅粉， <br/> 在銅濃度調整槽的上部蓋體，設有靜電已去除的粉體供給筒體，並且該粉體供給筒體的前端，是為了使從前端所供給的氧化銅粉末不會飛散到陰極用鍍敷液之液面的上部空間而配置於距離液面50~100mm的位置， <br/> 在銅濃度調整槽設有用來攪拌陰極用鍍敷液的攪拌手段， <br/> 供給用管連接於粉體供給筒體，藉由將氧化銅粉末供給至銅濃度調整槽，調整銅濃度調整槽的陰極用鍍敷液之銅濃度， <br/> 將調整了銅濃度的陰極用鍍敷液從銅濃度調整槽供給至管理槽， <br/> 前述氧化銅粉末為顆粒狀，平均粒徑25~40μm、固體堆積密度未滿1.7g/cm<sup>3</sup>，且使氧化銅粉末落下所形成的山狀的狀態之氧化銅粉末的塊體的休止角形成為10°~12.5°。
如請求項1或2所述的不溶性陽極用鍍敷裝置，其中，粉體供給筒體為以接地的鈦製材料所形成者，或連接有除電器者。
如請求項1或2所述的不溶性陽極用鍍敷裝置，其中，載體氣體為氮氣或氬氣。
如請求項1或2所述的不溶性陽極用鍍敷裝置，其中，在供給用管設有切換手段，其用來將供給載體氣體及氧化銅粉末的情況與僅供給載體氣體的情況進行切換。
如請求項1或2所述的不溶性陽極用鍍敷裝置，其中，在供給用管具有監視氧化銅粉末的供給狀態之粉體流量計，並設置用來控制進行氧化銅粉末的供給量的調整及供給的停止之粉體供給控制手段。
一種編碼裝置，使用一移動向量對一當前區塊進行編碼，前述編碼裝置包括： <br/>記憶體；及 <br/>一處理器，連接於前述記憶體，且配置成： <br/>導出一代表移動向量，前述代表移動向量顯示一代表位置， <br/>決定用於前述當前區塊之一第1參考圖片中之一第1移動估測區域，前述第1移動估測區域包含藉由前述代表移動向量顯示的前述代表位置， <br/>計算包含於前述第1移動估測區域之複數個候選區域的第1評價值，每個前述第1評價值是下述之差分：(i)前述複數個候選區域中的對應候選區域與(ii)一第2參考圖片中的一區域， <br/>決定包含於前述第1移動估測區域的一第1周邊區域，前述第1周邊區域包含一第1候選區域及前述第1候選區域的附近，前述第1候選區域是前述複數個候選區域之一，且是前述第1移動估測區域所包含的前述複數個候選區域當中，具有一最小的第1評價值之候選區域， <br/>使用前述第1周邊區域所包含之複數個區域中的一最小的第2評價值來決定前述當前區塊的前述移動向量， <br/>根據前述移動向量產生前述當前區塊的參考圖像。
一種解碼裝置，使用一移動向量對一當前區塊進行解碼，前述解碼裝置包括： <br/>一處理器；及 <br/>記憶體， <br/>其中，前述處理器使用前述記憶體， <br/>導出一代表移動向量，前述代表移動向量顯示來自一位元流的一代表位置， <br/>決定用於前述當前區塊之一第1參考圖片中之一第1移動估測區域，前述第1移動估測區域包含藉由前述代表移動向量顯示的前述代表位置， <br/>計算包含於前述第1移動估測區域之複數個候選區域的第1評價值，每個前述第1評價值是下述之差分：(i)前述複數個候選區域中的對應候選區域與(ii)一第2參考圖片中的一區域， <br/>決定包含於前述第1移動估測區域的一第1周邊區域，前述第1周邊區域包含一第1候選區域及前述第1候選區域的附近，前述第1候選區域是前述複數個候選區域之一，且是前述第1移動估測區域所包含的前述複數個候選區域當中，具有一最小的第1評價值之候選區域， <br/>使用前述第1周邊區域所包含之複數個區域中的一最小的第2評價值來決定前述當前區塊的前述移動向量， <br/>根據前述移動向量產生前述當前區塊的參考圖像。
一種用於電腦的非暫時性電腦可讀取媒體，前述非暫時性電腦可讀取媒體儲存有一程式，前述程式用於使前述電腦執行用以使用一移動向量來對一當前區塊進行解碼的解碼處理，前述解碼處理包含： <br/>導出一代表移動向量，前述代表移動向量顯示來自一位元流的一代表位置， <br/>決定用於前述當前區塊之一第1參考圖片中之一第1移動估測區域，前述第1移動估測區域包含藉由前述代表移動向量顯示的前述代表位置， <br/>計算包含於前述第1移動估測區域之複數個候選區域的第1評價值，每個前述第1評價值是下述之差分：(i)前述複數個候選區域中的對應候選區域與(ii)一第2參考圖片中的一區域， <br/>決定包含於前述第1移動估測區域的一第1周邊區域，前述第1周邊區域包含一第1候選區域及前述第1候選區域的附近，前述第1候選區域是前述複數個候選區域之一，且是前述第1移動估測區域所包含的前述複數個候選區域當中，具有一最小的第1評價值之候選區域， <br/>使用前述第1周邊區域所包含之複數個區域中的一最小的第2評價值來決定前述當前區塊的前述移動向量， <br/>根據前述移動向量產生前述當前區塊的參考圖像。
一種輔助供電電路，電性連接於一電子裝置的一系統負載，該輔助供電電路包含：<br/> 一減法器，用以將該系統負載的一負載電壓減去一參考電壓降，而產生一差值電壓；<br/> 一延遲電路，電性連接該減法器，並用以對該差值電壓進行延遲以產生一動態電壓；<br/> 一選擇電路，電性連接該延遲電路，並用以接收該動態電壓及一最低穩定電壓，並選擇該動態電壓或該最低穩定電壓的其中一者作為一輔助電壓輸出，藉以對該系統負載提供輔助供電；<br/> 一超級電容，用以儲存電能；以及<br/> 一升壓轉換器，電性連接該選擇電路、該超級電容及該系統負載，並用以根據該輔助電壓而抽取該超級電容的電能，以對該系統負載提供輔助供電。
如請求項1所述之輔助供電電路，更包含：<br/> 一負載電壓量測電路，電性連接該減法器及該升壓轉換器，並用以量測該負載電壓。
如請求項1所述之輔助供電電路，其中該選擇電路包含：<br/> 一比較器，用以比較該動態電壓及該最低穩定電壓的電壓大小而產生一比較輸出訊號；及<br/> 一類比開關電路，電性連接該比較器，並用以接收並根據該比較輸出訊號而輸出該輔助電壓；<br/> 其中，當該動態電壓大於該最低穩定電壓時，該比較輸出訊號為0，該類比開關電路選擇該動態電壓作為該輔助電壓輸出；<br/> 當該最低穩定電壓大於該動態電壓時，該比較輸出訊號為1，該類比開關電路選擇該最低穩定電壓作為該輔助電壓輸出。
如請求項1所述之輔助供電電路，其中該參考電壓降的電壓值大於該系統負載的一常態電壓降。
如請求項1所述之輔助供電電路，其中該最低穩定電壓的電壓值大於該電子裝置的一最低可工作電壓。
一種輔助供電方法，用以對一電子裝置的一系統負載提供輔助供電，該輔助供電方法包含以下步驟：<br/> 一減法步驟，包含驅動一減法器將該系統負載的一負載電壓減去一參考電壓降，而產生一差值電壓；<br/> 一延遲步驟，包含驅動一延遲電路對該差值電壓進行延遲以產生一動態電壓；<br/> 一選擇步驟，包含驅動一選擇電路接收該動態電壓及一最低穩定電壓，並選擇該動態電壓或該最低穩定電壓的其中一者作為一輔助電壓輸出；以及<br/> 一供電步驟，包含驅動一升壓轉換器根據該輔助電壓而抽取一超級電容的電能，以對該系統負載提供輔助供電。
如請求項6所述之輔助供電方法，更包含以下步驟：<br/> 一負載電壓量測步驟，包含驅動一負載電壓量測電路量測該負載電壓。
如請求項6所述之輔助供電方法，其中該選擇步驟更包含：<br/> 一比較步驟，包含驅動該選擇電路的一比較器比較該動態電壓及該最低穩定電壓的電壓大小而產生一比較輸出訊號；及<br/> 一輸出步驟，包含驅動該選擇電路的一類比開關電路接收並根據該比較輸出訊號而輸出該輔助電壓。
如請求項8所述之輔助供電方法，其中該比較步驟更包含：<br/> 當該動態電壓大於該最低穩定電壓時，驅動該比較器輸出該比較輸出訊號為0；及<br/> 當該最低穩定電壓大於該動態電壓時，驅動該比較器輸出該比較輸出訊號為1。
如請求項9所述之輔助供電方法，其中該輸出步驟更包含：<br/> 當該比較輸出訊號為0時，驅動該類比開關電路選擇該動態電壓作為該輔助電壓輸出；及<br/> 當該比較輸出訊號為1時，驅動該類比開關電路選擇該最低穩定電壓作為該輔助電壓輸出。
一種載子調節波導結構，包含：<br/> 一半導體偏壓單元，其包含一第一半導體層、一偏壓本質層與一第二半導體層，該第一半導體層之一側與該第二半導體層之一側連接該偏壓本質層之相對設置之二側；<br/> 一光吸收元件，設置於部分該第一半導體層、該偏壓本質層與部分該第二半導體層之一上方；以及<br/> 一傳導控制元件，包含一本體，該本體之一側平行設置於該光吸收元件之一側，該本體之另一側延伸設置複數個載子通道，該些個載子通道呈間隔設置，該些個載子通道與複數個光感測元件個別地相互耦接；<br/> 其中，該些個載子通道之一載子傳輸機率總和為1。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該第一半導體層與該第二半導體層之材料分別選自於一P型半導體材料與一N型半導體材料。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該光吸收元件之材料為選自於鍺。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該傳導控制元件之材料選自於P型矽材料。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該第一半導體層相對於該偏壓本質層更設置一第一凸部，該第二半導體層相對於該偏壓本質層更設置一第二凸部，該第一凸部與該第二凸部結合該偏壓本質層形成一堆疊平台，該光吸收元件更設置於該堆疊平台之一上方，該第一半導體層與該第二半導體層分別於外側連接一第一半導體摻雜層與一第二半導體摻雜層。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該些個光感測元件分別包含:<br/> 一第一電極；<br/> 一第一半導體偏壓層，設置於該第一電極之一側並耦接該第一電極；<br/> 一感測本質層，設置於該第一半導體偏壓層之一側並連接該第一半導體偏壓層；<br/> 一第二半導體偏壓層，設置於該感測本質層之一側並連接該感測本質層；以及<br/> 一第二電極，設置於該第二半導體偏壓層之一側並耦接該第二半導體偏壓層；<br/> 其中該些個光感測元件之該些個感測本質層連接該些個載子通道。
如請求項1所述之載子調節波導結構，更包含一閘極偏壓元件，其電性連接於該光吸收元件之一上方，並提供一閘極偏壓至該光吸收元件。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中當該些個光感測元件之一第一光感測元件從該傳導控制元件接收到該光吸收元件所吸收之一第一入射光子時，該第一光感測元件依據一第一死亡期間驅使該些個載子通道對應該第一光感測元件之一第一載子通道關閉並產生一光感測訊號。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中該些個光感測元件對該些個載子通道提供對應之複數個偏壓，該些個偏壓對應於該些個感測元件之偵測率。
如請求項1所述之載子調節波導結構，其中當該些個光感測元件之至少一光感測元件從該傳導控制元件接收到該光吸收元件所吸收之至少一入射光子時，該至少一光感測元件依據一第一死亡期間驅使該些個載子通道對應該至少一光感測元件之至少一載子通道關閉並依據該至少一入射光子產生一量子強度訊號，該至少一入射光子之數量決定該量子強度訊號之強度。
一種電空閥維修校正設備，包括：<br/> 一設備主體，有一氣體輸入接頭、一氣體輸出接頭及一訊號接頭；<br/> 一人機介面模組，設置在該設備主體上，該人機介面模組提供一設定電壓輸入欄位、一警示值設定欄位、一測試結果欄位、一單步測試選項及一流程測試選項；該單步測試選項提供相對應的一個設定電壓輸入欄位、一個警示值設定欄位、及一個測試結果欄位；該流程測試選項提供連續的多個執行步驟，每一個執行步驟皆有相對應的一個設定電壓輸入欄位、一個警示值設定欄位、及一個測試結果欄位；<br/> 當一待測電空閥維修更換一氣壓感測器後，將該待測電空閥連接該氣體輸入接頭、該氣體輸出接頭及該訊號接頭，並在該設定電壓輸入欄位輸入一設定電壓值，在該警示值設定欄位輸入一輸出氣壓上限值及一輸出氣壓下限值；<br/> 將該氣體輸入接頭連接一氣源，並根據該設定電壓值輸入工作電壓，該氣壓感測器會感測該氣體輸出接頭之一輸出氣壓值並提供一回授電壓值，該人機介面模組自該訊號接頭接收該輸出氣壓值及該回授電壓值；<br/> 當該輸出氣壓值落在該輸出氣壓上限值及該輸出氣壓下限值之間時，該測試結果欄位顯示一測試成功訊息，當該輸出氣壓值沒有落在該輸出氣壓上限值及該輸出氣壓下限值之間時，該測試結果欄位顯示一測試失敗訊息；<br/> 測試失敗時，在該設定電壓輸入欄位重新輸入設定電壓值，確保該測試結果欄位顯示該測試成功訊息，藉此校正該待測電空閥的工作電壓以維持輸出氣壓的穩定性；<br/> 或係透過連續多個執行步驟的測試，可校正該待測電空閥在每一個執行步驟的工作電壓以維持輸出氣壓呈穩定的線性輸出。
如請求項1所述之電空閥維修校正設備，其中，該人機介面模組提供一測試時間欄位供輸入一測試時間。
如請求項1所述之電空閥維修校正設備，其中，該人機介面模組提供一曲線圖選項，點選該曲線圖選項可由該人機介面模組輸出測試過程中，該設定電壓值、該輸出氣壓值、及該回授電壓值的曲線圖。
如請求項1所述之電空閥維修校正設備，其中，該設備主體上有一氣體輸出口，該氣體輸出口可連接一外部氣壓感測器而由該外部氣壓感測器感測該輸出氣壓值。
如請求項4所述之電空閥維修校正設備，其中，該設備主體上有一輸入氣壓調壓閥供調整該氣源之一輸入氣壓值。
如請求項5所述之電空閥維修校正設備，其中，該設備主體上有一輸入氣壓表及一輸出氣壓表，該輸入氣壓表可顯示該輸入氣壓值，該輸出氣壓表可顯示該輸出氣壓值。
如請求項6所述之電空閥維修校正設備，其中，該設備主體上根據不同型號的待測電空閥分別提供成組的所述氣體輸出口、所述輸入氣壓調壓閥、所述輸入氣壓表、及所述輸出氣壓表。
如請求項1所述之電空閥維修校正設備，其中，該測試結果欄位以綠色燈號顯示該測試成功訊息，並以紅色燈號顯示該測試失敗訊息。
一種用於感測流過一液體導管之液體中之空穴之裝置，該裝置包括： <br/>一超音波換能器系統，其包含一或多個超音波換能器，各超音波換能器經配置以與流過該導管之該液體聲學連通；及 <br/>控制電子器件，其連接至該超音波換能器系統，該控制電子器件經組態以驅動該超音波換能器系統透過流過該導管之液體發送一超音波信號，其中該超音波換能器系統接收該超音波信號且產生表示在由該超音波換能器系統接收時之該超音波信號之一強度之一電子空穴偵測信號； <br/>該控制電子器件經進一步組態以處理該空穴偵測信號以i)提供指示該超音波信號是否與流過該導管之液體中之一或多個空穴氣泡相互作用之一空穴量測信號，ii)評估該空穴量測信號以判定是否滿足一或多個空穴警報條件，及iii)當滿足該一或多個空穴警報條件之各者時輸出一警報信號； <br/>該裝置進一步包括連接至該控制電子器件之一使用者介面； <br/>其中該控制電子器件具有一空穴警報設定點，且該一或多個空穴警報條件包含當該空穴量測信號之一強度下降至該空穴警報設定點以下時滿足之一空穴發生條件；及 <br/>其中該控制電子器件具有一空穴錯誤計數設定，該控制電子器件經組態以記錄對應於已滿足該空穴發生條件之一連續次數之一空穴錯誤計數，且該一或多個空穴警報條件包含當該空穴錯誤計數等於該空穴錯誤計數設定時滿足之一空穴錯誤計數條件。
如請求項1之裝置，其進一步包括具有該導管之一外殼，其中該一或多個超音波換能器之各者附接至該外殼。
如請求項1之裝置，其中該超音波換能器系統之該一或多個超音波換能器包含一第一超音波換能器及跨該導管面向該第一超音波換能器之一第二超音波換能器，其中該控制電子器件經組態以驅動該第一超音波換能器透過流過該導管之液體發送該超音波信號，且其中該第二超音波換能器接收該超音波信號且產生該電子空穴偵測信號。
如請求項1之裝置，其中該超音波換能器系統之該一或多個超音波換能器包含一單一超音波換能器，其中該控制電子器件經組態以驅動該單一超音波換能器透過流過該導管之液體發送該超音波信號，使得該超音波信號由該外殼逆向反射回至該單一超音波換能器，且其中該單一超音波換能器接收該超音波信號且產生該電子空穴偵測信號。
如請求項1之裝置，其中該使用者介面經組態以顯示該空穴量測信號及/或表示該空穴量測信號之一瞬時強度之一值。
如請求項1之裝置，其中該使用者介面經組態以接收用於建立該空穴警報設定點之一第一可變使用者輸入。
如請求項1之裝置，其中該使用者介面經組態以接收用於建立該空穴錯誤計數設定之一第二可變使用者輸入。
如請求項1之裝置，其中該控制電子器件遠離該外殼定位。
如請求項1之裝置，其中該控制電子器件安裝於該外殼上。
如請求項1之裝置，其中該外殼選自由一管段、一泵外殼、一閥外殼及一減流器組成之一外殼群組。
一種用於感測流過一導管之液體中之空穴之方法，該方法包括以下步驟： <br/>配置與流過該導管之該液體聲學連通之一第一超音波換能器； <br/>配置與流過該導管之該液體聲學連通之一第二超音波換能器，其中該第二超音波換能器跨該導管面向該第一超音波換能器； <br/>驅動該第一超音波換能器透過流過該導管之液體發送一超音波信號； <br/>由該第二超音波換能器接收該超音波信號； <br/>由該第二超音波換能器產生表示在由該第二超音波換能器接收時之該超音波信號之一強度之一電子空穴偵測信號； <br/>處理該空穴偵測信號以提供指示該超音波信號是否與流過該導管之液體中之一或多個空穴氣泡相互作用之一空穴量測信號； <br/>評估該空穴量測信號以判定是否滿足一或多個空穴警報條件；及 <br/>當滿足該一或多個空穴警報條件之各者時輸出一警報信號； <br/>該方法進一步包括顯示該空穴量測信號及/或表示該空穴量測信號之一瞬時強度之一值之步驟； <br/>其中該一或多個空穴警報條件包含一空穴發生條件，且其中評估該空穴量測信號之該步驟包含將該空穴量測信號之一強度與一預定空穴警報設定點進行比較，且當該空穴量測信號之一強度下降至該空穴警報設定點以下時，判定滿足該空穴發生條件；及 <br/>其中該一或多個空穴警報條件包含一空穴錯誤計數條件，且其中評估該空穴量測信號之該步驟包含記錄對應於已滿足該空穴發生條件之一連續次數之一空穴錯誤計數，且當該空穴錯誤計數等於一預定空穴錯誤計數設定時，判定滿足該空穴錯誤計數條件。
一種氣體迴路控制裝置，設置於一微型倉儲系統，該微型倉儲系統包括多個料架，該些料架排列成多層，且每一層有多個所述料架，每一所述料架至少設有一具有獨立座標之儲格，每一所述儲格內各設置一承座，能用以放置載具，該承座各設有至少一進氣口及至少一排氣口，該氣體迴路控制裝置包括：<br/> 多個主進氣管路，該些主進氣管路直立的設置，能由該些主進氣管路的一端輸入氣體；<br/> 多個分支進氣管路，該些分支進氣管路的一端分別連接於該些主進氣管路，該些分支進氣管路的另一端分別連接於該些承座的進氣口，使氣體能依序通過該些主進氣管路及該些分支進氣管路輸送至該些儲格；<br/> 至少一串接管路，該串接管路連接於該些主進氣管路的另一端，使該些主進氣管路串接互通；以及<br/> 多個電子流量器，該些電子流量器分別設置於該些分支進氣管路上，該些電子流量器分別對應於該些儲格，每一所述電子流量器能調整控制所對應之所述儲格進入的氣體流量；<br/> 其中該串接管路連接於該些主進氣管路的上端，該些多個主進氣管路的下端連接於氣體源。
如請求項1所述的氣體迴路控制裝置，其中該微型倉儲系統的每一側各設置一所述串接管路，所述串接管路連接於該微型倉儲系統的同一側的多個所述主進氣管路的上端。
如請求項2所述的氣體迴路控制裝置，其中該些串接管路呈水平設置，且該些串接管路位於同一水平高度。
如請求項1所述的氣體迴路控制裝置，其中該些料架分布於該微型倉儲系統的四側，該些主進氣管路對應分布於該微型倉儲系統的四側，每一所述分支進氣管路的另一端形成兩進氣端，每一所述承座各設有兩進氣口，每一所述分支進氣管路的兩進氣端分別連接於每一所述承座的兩進氣口。
如請求項1所述的氣體迴路控制裝置，其中每一所述主進氣管路所連接的該些分支進氣管路排列成上下對齊的一列。
一種氣體迴路控制方法，應用於一微型倉儲系統，該微型倉儲系統包括多個料架，該些料架排列成多層，且每一層有多個所述料架，每一所述料架至少設有一具有獨立座標之儲格，每一所述儲格內各設置一承座，能用以放置載具，該承座各設有至少一進氣口及至少一排氣口，該氣體迴路控制方法包括步驟：<br/> 提供一氣體迴路控制裝置，包括多個主進氣管路，多個分支進氣管路、至少一串接管路及多個電子流量器，該些主進氣管路直立的設置，能由該些主進氣管路的一端輸入氣體，該些分支進氣管路的一端分別連接於該些主進氣管路，該些分支進氣管路的另一端分別連接於該些承座的進氣口，使氣體能依序通過該些主進氣管路及該些分支進氣管路輸送至該些儲格，該串接管路連接於該些主進氣管路的另一端，使該些主進氣管路串接互通，該些電子流量器分別設置於該些分支進氣管路上，該些電子流量器分別對應於該些儲格，每一所述電子流量器能調整控制所對應之所述儲格進入的氣體流量；<br/> 以該些電子流量器調整氣體流量，並設定欲監視之流量值範圍，並收集每一所述儲格之電子流量器的流量值；以及<br/> 判斷所述儲格之電子流量器的流量值是否超出設定範圍，若流量值沒有超出設定範圍，則回到收集每一所述儲格之電子流量器的流量值的操作；若流量值超出設定範圍，則送出流量異常的所述儲格的位置資訊及警告信號；<br/> 其中該串接管路連接於該些主進氣管路的上端，該些多個主進氣管路的下端連接於氣體源。
如請求項6所述的氣體迴路控制方法，其中該微型倉儲系統的每一側各設置一所述串接管路，所述串接管路連接於該微型倉儲系統的同一側的多個所述主進氣管路的上端，該些串接管路呈水平設置，且該些串接管路位於同一水平高度，每一所述主進氣管路所連接的該些分支進氣管路排列成上下對齊的一列。
如請求項6所述的氣體迴路控制方法，其中還包括設定具有三種情境，情境一，空的所述儲格偵測到流量異常，會鎖住異常的所述儲格，不讓所述載具搬入；情境二，所述載具正在搬送至所述儲格，判斷欲入倉之所述儲格，流量值是否異常，若是流量值沒有異常，將所述載具搬入所述儲格；若是流量值有異常，將所述載具搬入所述儲格後，再將其搬出轉倉，而後鎖住異常的所述儲格；情境三，所述儲格已存放所述載具，此時所述儲格偵測到流量異常，會自動將所述載具搬出轉倉，而後鎖住異常的所述儲格。
一種電子束描繪方法，係算出當對於會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形之試料照射前述電子束而描繪了圖案的情形下，藉由於描繪處理結束後的前述試料的不可逆變形而發生的前述圖案距設計上的位置之第1位置偏離量，基於前述第1位置偏離量，算出修正對前述試料照射前述電子束而形成前述圖案時的前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置的修正量，基於前述修正量，進行對前述試料描繪前述圖案之描繪處理。
如請求項1記載之電子束描繪方法，其中，算出於前述描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述圖案距設計上的位置之第2位置偏離量，基於前述第2位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，進行前述修正。
如請求項1記載之電子束描繪方法，其中，前述描繪處理，包含描繪第1晶片圖案之第1描繪處理、以及於前述第1描繪處理之後進行而以重疊至前述第1晶片圖案之方式描繪第2晶片圖案之第2描繪處理，前述第1位置偏離量，為前述第2描繪處理結束後的前述試料的不可逆變形而造成的前述圖案距設計上的位置之位置偏離量。
如請求項3記載之電子束描繪方法，其中，算出於前述第1描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的距設計上的位置的第2位置偏離量，算出於前述第2描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的距設計上的位置的第3位置偏離量，算出前述修正量，係基於前述第2位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，算出前述第1描繪處理中的第1修正量，基於前述第3位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，算出前述第2描繪處理中的第2修正量。
如請求項3記載之電子束描繪方法，其中，在前述試料事先形成校準用的標記，前述試料被載置於可移動的平台，於前述第1描繪處理之前測定前述標記的第1標記位置，算出前述第1描繪處理結束後的前述試料的不可逆變形所造成的距前述第1標記位置之標記位置的位置偏離量，在前述試料從前述平台暫且被搬出，而為了前述第2描繪處理重新被載置於前述平台的狀態下，於前述第2描繪處理開始前，測定前述標記的第2標記位置，於前述第2描繪處理開始前，算出從前述第2標記位置修正前述標記位置的位置偏離量份而成的第3標記位置，前述第1描繪處理時對前述試料描繪的前述第1晶片圖案的位置，是以前述第1標記位置為基準而被定義，前述第2描繪處理時對前述試料描繪的前述第2晶片圖案的位置，是以前述第3標記位置為基準而被定義。
一種電子束描繪裝置，具備：平台，載置會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形的試料；第1位置偏離量算出電路，算出當對前述試料運用電子束而描繪了圖案的情形下，藉由於描繪結束後的前述試料的不可逆變形而發生的前述圖案距設計上的位置之第1位置偏離量；修正量算出電路，基於前述第1位置偏離量，算出對前述試料照射電子束時的情形下用來進行前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置的修正之修正量；及描繪機構，基於前述修正量，對前述試料描繪前述圖案。
一種記錄了程式的非暫態有形可讀取記錄媒體，該程式用來令電腦執行：算出當對於會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形之試料照射前述電子束而描繪了圖案的情形下，藉由於描繪處理結束後的前述試料的不可逆變形而發生的前述圖案距設計上的位置之第1位置偏離量之機能；將前述第1位置偏離量記憶於記憶裝置之機能；及從前述記憶裝置讀出前述第1位置偏離量，基於前述第1位置偏離量，算出修正對前述試料照射前述電子束而形成前述圖案時的前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置的修正量並予以輸出之機能。
一種電子束描繪方法，係算出當對會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形之試料照射前述電子束而描繪了圖案的情形下，於描繪第1晶片圖案的第1描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第1晶片圖案距設計上的位置之第1位置偏離量，算出於以重疊至前述第1晶片圖案之方式描繪第2晶片圖案的第2描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第2晶片圖案距設計上的位置之第2位置偏離量，基於前述第2位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，算出修正於前述第2描繪處理中，對前述試料照射前述電子束而形成前述圖案時的前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置之修正量，進行對前述試料描繪前述第1晶片圖案的前述第1描繪處理以及基於前述修正量而對前述試料描繪前述第2晶片圖案的前述第2描繪處理。
如請求項8記載之電子束描繪方法，其中，在前述第2描繪處理中的前述電子束的照射時間點，對和前述第1描繪處理中的射束照射位置重疊的位置照射前述第2描繪處理中的前述電子束。
如請求項8記載之電子束描繪方法，其中，在維持前述第1描繪處理中的射束照射位置與前述第2描繪處理中的射束照射位置之相對位置關係的狀態下，於前述第2描繪處理中在前述第1晶片圖案重疊描繪前述第2晶片圖案。
一種電子束描繪裝置，具備：平台，載置會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形的試料；位置偏離量算出電路，算出當對前述試料以前述電子束描繪第1晶片圖案的第1描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第1晶片圖案距設計上的位置之第1位置偏離量，算出於以重疊至前述第1晶片圖案之方式描繪第2晶片圖案的第2描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第2晶片圖案距設計上的位置之第2位置偏離量；修正量算出電路，基於前述第2位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，算出修正於前述第2描繪處理中，對前述試料照射前述電子束而形成前述圖案時的前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置之修正量；及描繪機構，進行對前述試料描繪前述第1晶片圖案的前述第1描繪處理以及基於前述修正量而對前述試料描繪前述第2晶片圖案的前述第2描繪處理。
一種記錄了程式的非暫態有形可讀取記錄媒體，該程式用來令電腦執行：算出當對會和電子束的照射量分布相依而不可逆地變形之試料以前述電子束描繪第1晶片圖案的第1描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第1晶片圖案距設計上的位置之第1位置偏離量之機能；算出於以重疊至前述第1晶片圖案之方式描繪第2晶片圖案的第2描繪處理中，在前述電子束的照射時間點，藉由於比前述照射時間點之前照射至前述試料的前述電子束所造成的前述試料的不可逆變形而發生的前述第2晶片圖案距設計上的位置之第2位置偏離量之機能；將前述第1位置偏離量及前述第2位置偏離量記憶於記憶裝置之機能；及從前述記憶裝置讀出前述第1位置偏離量及前述第2位置偏離量，基於前述第2位置偏離量與前述第1位置偏離量之差分，算出修正於前述第2描繪處理中，對前述試料照射前述電子束而形成前述圖案時的前述圖案的位置或者前述電子束的照射位置之修正量並予以輸出之機能。
一種提供資訊之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟： <br/>獲得複數個配送員之位置資訊； <br/>獲得上述複數個配送員之上述位置資訊與複數個商店之位置資訊間之關係資訊； <br/>基於上述關係資訊而產生商店推薦資訊；及 <br/>向用戶提供上述商店推薦資訊， <br/>其中該獲得上述關係資訊之步驟包括如下步驟： <br/>確認複數個地理散列框； <br/>基於上述複數個地理散列框，產生一或多個之地理散列群組； <br/>確認上述一或多個之地理散列群組中之位於其內部之配送員滿足設定之條件的地理散列群組；及 <br/>確認位於上述地理散列群組之內部之商店，位於上述地理散列群組內部之該配送員滿足該設定之條件， <br/>其中產生上述一或多個之地理散列群組之步驟包括如下步驟： <br/>確認第1地理散列框； <br/>確認在與上述第1地理散列框之關係中滿足設定之條件之一或多個第2地理散列框；及 <br/>產生包括上述第1地理散列框及上述一或多個第2地理散列框之地理散列群組， <br/>其中確認位於其內部之該配送員滿足該設定之條件之上述地理散列群組之步驟包括如下步驟： <br/>針對包括於上述一或多個之地理散列群組中之上述第1地理散列群組，確認與包括於上述第1地理散列群組之一或多個地理散列框之各者相關聯之加權值資訊； <br/>基於上述加權值資訊，獲得與上述第1地理散列群組對應之分數資訊；及 <br/>確認上述分數資訊滿足預定條件，及 <br/>其中確認上述加權值資訊之步驟包括對上述第1地理散列框及上述一或多個第2地理散列框分別賦予不同之加權值。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>獲得上述用戶之位置資訊、與上述用戶對應之歷史資訊及上述用戶所持有之優惠資訊中之一者以上；且 <br/>上述電子裝置進而基於上述用戶之位置資訊、上述歷史資訊及上述優惠資訊中之一者以上，產生上述商店推薦資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>確認成為提供上述商店推薦資訊之對象之上述用戶。
如請求項3之提供資訊之方法，其中確認上述用戶之步驟包括如下步驟： <br/>確認自上述用戶接收到設定之類型之輸入；且 <br/>上述設定之類型之輸入包括如下輸入中之一或多者： <br/>請求執行應用程式之輸入； <br/>請求進入至用以提供服務之主畫面之輸入；及 <br/>用以檢索商店之關鍵詞之輸入。
如請求項1之提供資訊之方法，其中產生上述商店推薦資訊之步驟包括如下步驟： <br/>判斷上述複數個配送員是否足以處理訂單；及 <br/>基於上述判斷是否足夠之結果，確定於產生上述商店推薦資訊時考慮上述關係資訊之比率。
如請求項1之提供資訊之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述複數個配送員之位置資訊、上述複數個商店之位置資訊及上述用戶之位置資訊中之一或多者，確定於分配與特定之配送員、特定之商店及特定之用戶之組合相關聯之配送業務之情形時支付給該特定之配送員的費用資訊；且 <br/>上述電子裝置進而基於上述費用資訊而產生上述商店推薦資訊。
如請求項1之提供資訊之方法，其中上述電子裝置進而基於與上述複數個商店各者相關聯之物品之類型資訊，產生上述商店推薦資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1之方法之程式。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括收發器、儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下： <br/>與上述收發器及上述記憶體連接，從而 <br/>獲得複數個配送員之位置資訊； <br/>獲得上述複數個配送員之位置資訊與複數個商店之位置資訊間之關係資訊； <br/>基於上述關係資訊而產生商店推薦資訊； <br/>向用戶提供上述商店推薦資訊， <br/>其中該處理器經組態藉由如下以獲得上述關係資訊： <br/>確認複數個地理散列框； <br/>基於上述複數個地理散列框，產生一或多個之地理散列群組； <br/>確認上述一或多個之地理散列群組中之位於其內部之配送員滿足設定之條件的地理散列群組；及 <br/>確認位於上述地理散列群組之內部之商店，位於上述地理散列群組內部之該配送員滿足該設定之條件， <br/>其中上述處理器經組態藉由如下以產生上述一或多個之地理散列群組： <br/>確認第1地理散列框； <br/>確認在與上述第1地理散列框之關係中滿足設定之條件之一或多個第2地理散列框；及 <br/>產生包括上述第1地理散列框及上述一或多個第2地理散列框之地理散列群組， <br/>其中上述處理器經組態藉由如下以確認位於其內部之該配送員滿足該設定之條件之上述地理散列群組： <br/>針對包括於上述一或多個之地理散列群組中之上述第1地理散列群組，確認與包括於上述第1地理散列群組之一或多個地理散列框之各者相關聯之加權值資訊； <br/>基於上述加權值資訊，獲得與上述第1地理散列群組對應之分數資訊；及 <br/>確認上述分數資訊滿足預定條件，及 <br/>其中上述處理器經組態藉由對上述第1地理散列框及上述一或多個第2地理散列框分別賦予不同之加權值以確認上述加權值資訊。
一種低溫地上式液化氣體槽，係具備：<br/>側壁，係混擬土製且形成為圓筒狀；<br/>膜層，係金屬製，設於前述側壁的徑向內側且形成低溫液化氣體的儲藏空間；以及<br/>屋頂，係金屬製且覆於前述儲藏空間的上方；<br/>前述側壁的上端部係設有朝徑向內側突出的肩部；<br/>前述屋頂係固定於前述肩部的下表面側。
如請求項1所述之低溫地上式液化氣體槽，其中，前述屋頂係經由螺樁固定於前述肩部的下表面側。
如請求項2所述之低溫地上式液化氣體槽，其中，<br/>前述肩部係具備：<br/>支持板，係固定於前述側壁的內壁；<br/>固定板，係固定於前述支持板，且朝前述側壁的徑向內側傾斜向上延伸；<br/>前述螺樁，係設於前述固定板的上表面側；以及<br/>混擬土體，係澆築於前述固定板的上表面側，將前述螺樁埋設於其中；<br/>前述屋頂係固定於前述固定板。
一種低溫地上式液化氣體槽的構築方法，係包含如下步驟：<br/>將混擬土製的側壁形成為圓筒狀；<br/>於前述側壁的徑向內側，形成金屬製的膜層而形成低溫液化氣體的儲藏空間；<br/>於前述側壁的上端部形成朝徑向內側突出的肩部；以及<br/>將要覆於前述儲藏空間的上方的金屬製的屋頂固定於前述肩部的下表面側。
一種用於電漿腔室的基板支撐件，包含：<br/> 一第一層，該第一層具有一第一電性接點及一第二電性接點；<br/> 複數加熱部件，配置於該第一層中；及<br/> 複數二極體，配置於該第一層中，且分別連接至該複數加熱部件；<br/> 其中，該複數二極體的每一者包括沿著一平面配置於該第一層中的一晶片，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；且<br/> 其中，該複數二極體的每一者耦合至一對應導體，該對應導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端及連接至該第二電性接點的一第二端，且具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一角度偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點；<br/> 其中該對應導體具有一第二部分，該第二部分係延伸自該第一部分且以相對於該平面之一第二角度朝向該晶片偏轉；且<br/> 其中該對應導體具有一第三部分，該第三部分係延伸自該第二部分且以相對於該平面之一第三角度偏轉離開該晶片。
如請求項1之用於電漿腔室的基板支撐件，更包括一電路，設置以經由該第一層上之該第一及第二電性接點對該複數加熱部件的其中一者以及與該複數加熱部件的該其中一者串聯之該複數二極體的其中一者供電。
如請求項1之用於電漿腔室的基板支撐件，其中該對應導體包括：銅、鎢銅合金、或鎢鉬合金。
如請求項1之用於電漿腔室的基板支撐件，其中該晶片及該對應導體係封裝於聚矽氧或環氧樹脂中。
如請求項1之用於電漿腔室的基板支撐件，其中該第一層包括一電性絕緣材料，該電性絕緣材料包括一陶瓷材料，且其中該第一材料包括矽。
一種用於電漿腔室的基板支撐件，包含：<br/> 一第一層，該第一層具有一第一電性接點及一第二電性接點；<br/> 複數加熱部件，配置於該第一層中；及<br/> 複數二極體，配置於該第一層中，且分別連接至該複數加熱部件；<br/> 其中，該複數二極體的每一者包括沿著一平面配置於該第一層中的一晶片，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；且<br/> 其中，該複數二極體的每一者耦合至一對應導體，該對應導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端及連接至該第二電性接點的一第二端，且具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一角度偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點；且<br/> 其中該對應導體的一部分具有蛇行線形或波浪形，且其中該部分在距離該導體之該第一端一第一距離處以及在距離該導體之該第二端一第二距離處終端。
一種用於電漿腔室的基板支撐件，包括：<br/> 一第一層，配置成具有一第一電性接點及一第二電性接點；<br/> 複數加熱部件，配置於該第一層中；及<br/> 複數二極體，配置於該第一層中的對應空腔中，且分別連接至該複數加熱部件；<br/> 其中，該複數二極體的每一者包括沿著一平面配置於該第一層中的一晶片，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；<br/> 其中，對於該複數二極體的每一者，該對應空腔更包括一導體，該導體具有一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數，該導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端，該導體具有連接至該第二電性接點的一第二端；且<br/> 其中該導體包含一或更多狹縫，該一或更多狹縫沿該導體的一平坦區段延伸，該一或更多狹縫在距離該導體之該第一端一第一距離處以及在距離該導體之該第二端一第二距離處終端。
如請求項7之用於電漿腔室的基板支撐件，其中該導體具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一銳角偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點。
一種具有嵌入式二極體設計的設備，包括：<br/> 一層，具有一第一電性接點以及一第二電性接點，該第二電性接點位在與該第一電性接點相隔一距離處；<br/> 一晶片，沿著一平面配置於該層上，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；及<br/> 一導體，該導體具有一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數，該導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端，該導體具有連接至該第二電性接點的一第二端，且該導體具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一角度偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點；<br/> 其中該導體具有相鄰於該第一端的一第二部分，該第二部分係延伸自該第一部分且以相對於該平面之一第二角度朝向該晶片偏轉；且<br/> 其中該導體具有相鄰於該第一端的一第三部分，該第三部分係延伸自該第二部分且以相對於該平面之一第三角度偏轉離開該晶片。
如請求項9之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該導體包括：銅、鎢銅合金、或鎢鉬合金。
如請求項9之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該晶片及該導體係封裝於聚矽氧或環氧樹脂中。
如請求項9之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該層包括一電性絕緣材料，該電性絕緣材料包括一陶瓷材料，且其中該第一材料包括矽。
一種具有嵌入式二極體設計的設備，包括：<br/> 一層，具有一第一電性接點以及一第二電性接點，該第二電性接點位在與該第一電性接點相隔一距離處；<br/> 一晶片，沿著一平面配置於該層上，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；及<br/> 一導體，該導體具有一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數，該導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端，該導體具有連接至該第二電性接點的一第二端，且該導體具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一角度偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點；且<br/> 其中該導體的一部分具有蛇行線形或波浪形，且其中該部分在距離該導體之該第一端一第一距離處以及在距離該導體之該第二端一第二距離處終端。
一種具有嵌入式二極體設計的設備，包括：<br/> 一層，具有一第一電性接點以及一第二電性接點，該第二電性接點位在與該第一電性接點相隔一距離處；<br/> 一晶片，沿著一平面配置於該層上，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；及<br/> 一導體，該導體具有一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數，該導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端，該導體具有連接至該第二電性接點的一第二端；<br/> 其中該導體包括一或更多狹縫，該一或更多狹縫沿該導體的一平坦區段延伸，該一或更多狹縫在距離該導體之該第一端一第一距離處以及在距離該導體之該第二端一第二距離處終端。
如請求項14之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該導體具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一銳角偏轉離開該晶片。
一種具有嵌入式二極體設計的設備，包括：<br/> 一層，具有一第一電性接點以及一第二電性接點，該第二電性接點位在與該第一電性接點相隔一距離處；<br/> 一晶片，沿著一平面配置於該層上，該晶片包括具有一第一熱膨脹係數的一第一材料，該晶片具有連接至該第一電性接點的一第一端子，且具有一第二端子；及<br/> 一導體，該導體具有一第二熱膨脹係數，該第二熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數，該導體具有連接至該晶片之該第二端子的一第一端，該導體具有連接至該第二電性接點的一第二端；及 <br/> 一板，配置於該晶片與該導體之間，該板具有一第三熱膨脹係數，該第三熱膨脹係在該第一熱膨脹係數與該第二熱膨脹係數之間。
如請求項16之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該導體具有：相鄰於該第一端的一第一部分，該第一部分以相對於該平面之一銳角偏轉離開該晶片而朝向該第二電性接點。
如請求項16之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該板之一面積小於該晶片之一金屬化區域。
如請求項16之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該板包括一材料的鍍覆，該材料係適用於與焊接材料接合，該焊接材料用以將該板和該晶片及該導體接合。
如請求項16之具有嵌入式二極體設計的設備，其中該板及該晶片係預組裝的。
一種形成半導體結構的方法，包括：形成複數個半導體區域具有平行於一第一方向的第一縱向方向；形成複數個閘極堆疊具有平行於一第二方向的第二縱向方向，該第二方向垂直於該第一方向，其中，該等複數個閘極堆疊位於該等複數個半導體區域的第一部分上；蝕刻該等複數個閘極堆疊以形成複數個開口在該等複數個閘極堆疊中，其中，該等複數個開口包括：一第一開口，位於該等複數個閘極堆疊中的一第一閘極堆疊中；以及一第二開口，位於該等複數個閘極堆疊中的一第二閘極堆疊中，其中，該第一開口及該第二開口彼此直接相鄰並且具有一側向重疊，該側向重疊具有一重疊距離其等於或大於該等複數個半導體區域的一間距，並且其中，該重疊距離平行於該第二縱向方向；蝕刻藉由該等複數個開口所暴露的該等複數個半導體區域，以使該等複數個開口向下延伸到介電隔離區域之間；以及填充該等複數個開口以形成鰭隔離區域。
如請求項1所述之方法，其中，該重疊距離等於或大於該間距的兩倍。
如請求項1所述之方法，其中，蝕刻該等複數個閘極堆疊包括：蝕刻複數個虛設閘極堆疊，並且該方法還包括：在該等鰭隔離區域形成之後，用替代閘極堆疊替換該等虛設閘極堆疊的剩餘部分。
如請求項1所述之方法，其中，蝕刻該等複數個閘極堆疊包括：蝕刻複數個替代閘極堆疊。
如請求項1所述之方法，其中，該第一開口具有一第一長度及一第一寬度，並且該第二開口具有一第二長度及一第二寬度，並且其中，該第一長度大於該第二長度，並且該第一寬度小於該第二寬度。
如請求項5所述之方法，還包括：形成包括一第一額外開口及一第二額外開口的一圖案化的光阻，其中，藉由蝕刻該第一閘極堆疊位於該第一額外開口正下方的一第一部分來形成該第一開口，藉由蝕刻該第二閘極堆疊位於該第二額外開口正下方的一第二部分來形成該第二開口，並且其中：該第一額外開口具有一第三長度及一第三寬度，並且該第二額外開口具有一第四長度及一第四寬度，其中，該第三長度大於該第四長度，並且該第三寬度小於該第四寬度。
如請求項5所述之方法，其中，該第一開口的一第一端係與兩個第一相鄰源極/汲極區域的一中點未對準，並且該第二開口的一第二端係與兩個第二相鄰源極/汲極區域的一額外中點對準。
如請求項1所述之方法，包括：形成虛設鰭其與該等介電隔離區域重疊，其中，在該等複數個閘極堆疊被蝕刻之後，該等虛設鰭被暴露於該等複數個開口。
一種半導體結構，包括：複數個半導體區域；一第一閘極堆疊及一第二閘極堆疊，彼此直接相鄰；一第一鰭隔離區域，位於該第一閘極堆疊中；一第二鰭隔離區域，位於該第二閘極堆疊中，其中，該第一鰭隔離區域及該第二鰭隔離區域具有一側向重疊，該側向重疊具有一重疊距離其等於或大於該等複數個半導體區域的一間距，並且其中，該重疊距離在平行於該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊的縱向方向的一方向上被測量；以及複數個源極/汲極區域，位於該第一閘極堆疊及該第二閘極堆疊的相反側上以形成複數個電晶體。
一種半導體結構，包括：一細長半導體區域，包括複數個部分，其中，該細長半導體區域包括一第一半導體材料；一第一閘極堆疊及一第二閘極堆疊，彼此直接相鄰；一磊晶半導體區域，位於該細長半導體區域的一第一部分及一第二部分之間並與該細長半導體區域的第一部分及第二部分接觸，其中，該磊晶半導體區域包括不同於該第一半導體材料的一第二半導體材料；一第一介電隔離區域，位於該第一閘極堆疊中；以及一第二介電隔離區域，位於該第二閘極堆疊中，其中，該第一介電隔離區域及該第二介電隔離區域兩者與該細長半導體區域相交。
一種用於讀取複數個非揮發性記憶體單元的方法，包括：在第一時脈週期中：讀取第一組非揮發性記憶體單元的資料值；讀取第二組非揮發性記憶體單元的第二資料值，其中，該第二資料值是該資料值的副本；在該第一時脈啟動之後啟動的另一個時脈週期中：對該資料值和該第二資料值進行按位元邏輯運算，並生成邏輯輸出資料集；以及對該邏輯輸出資料集執行錯誤校正碼(ECC)演算法，並校正針對該邏輯輸出資料集所識別的位元錯誤。
如請求項1所述的方法，進一步包括：在該另一個時脈週期啟動之前且在該第一時脈啟動之後啟動的的第二時脈週期中：讀取第三組非揮發性記憶體單元的第三資料值；以及讀取第四組非揮發性記憶體單元的第四資料值，其中，該第四資料值是該第三資料值的副本；其中：該第一資料值以<b>A</b>表示，該第二資料值以<b>B</b>表示，該第三資料值以<b>C</b>表示，該第四資料值以<b>D</b>表示；該另一個時脈週期是該第二時脈週期啟動之後啟動的第三時脈週期；進行該邏輯運算還包括對<b>A</b>、<b>B</b>、<b>C</b>和<b>D</b>進行該邏輯運算；以及生成該邏輯輸出資料集還包括根據<b>A</b>、<b>B</b>、<b>C</b>和<b>D</b>的邏輯結果生成該邏輯輸出資料集。
如請求項2所述的方法，其中，該邏輯運算是AND-4按位元邏輯運算，其將該邏輯結果確定為以下的函數：<b>A</b> Λ <b>B</b> Λ <b>C</b> Λ <b>D</b>。
如請求項2所述的方法，其中，該邏輯運算是AND-3按位元邏輯運算，其將該邏輯結果確定為以下的函數：<b>A</b> Λ <b>B</b> Λ <b>C</b> Λ <b>D</b>+<b>A</b> Λ <b>B</b> Λ <b>C</b>+<b>A</b> Λ <b>B</b> Λ <b>D</b>+<b>A</b> Λ <b>C</b> Λ <b>D</b>+<b>B</b> Λ <b>C</b> Λ <b>D</b>。
如請求項1所述的方法，其中：該第一資料值以<b>A</b>表示，該第二資料值以<b>B</b>表示；以及該邏輯運算是AND-2按位元邏輯運算，其將該邏輯結果確定為以下的函數：<b>A</b> Λ <b>B</b>。
如請求項1所述的方法，其中：該第一資料值以<b>A</b>表示，該第二資料值以<b>B</b>表示；以及該邏輯運算是OR-2按位元邏輯運算，其將該邏輯結果確定為以下的函數：<b>A</b> v <b>B</b>。
如請求項1所述的方法，進一步包括：完成所述讀取該資料值和該第二資料值之後，進行該按位元邏輯運算，執行該錯誤校正碼(ECC)演算法並校正該位元錯誤：選擇與該按位元邏輯運算不同的第二按位元邏輯運算；在第三時脈週期中，在時間上晚於該另一個時脈週期：讀取該第一組非揮發性記憶體單元的第三資料值；讀取該第二組非揮發性記憶體單元的第四資料值，其中，該第四資料值是該第三資料值的副本；在第四時脈週期中：對該第三資料值和該第四資料值進行該第二按位元邏輯運算，並生成第二邏輯輸出資料集；以及對該第二邏輯輸出資料集執行該錯誤校正碼(ECC)演算法，並校正針對該第二邏輯輸出資料集所識別的位元錯誤。
如請求項7所述的方法，進一步包括：結合所述讀取該複數個非揮發性記憶體單元，確定該複數個非揮發性記憶體單元的“0”狀態單元的位元錯誤率(BER)(BER0值)和“1”狀態單元的位元錯誤率(BER1值)；以及在所述讀取該複數個非揮發性記憶體單元之後，確定該複數個非揮發性記憶體單元的第二BER0值和第二BER1值；其中，選擇該第二按位元邏輯函數係至少部分地基於該第二BER0值或該第二BER1值。
如請求項1所述的方法，進一步包括：完成所述讀取該複數個非揮發性記憶體單元，且在該另一個時脈週期完成之後，從該第一組非揮發性記憶體單元讀取附加資料並執行該錯誤校正碼(ECC)演算法，並輸出與由該錯誤校正碼(ECC)演算法所修改的該附加資料相對應的校正資料。
如請求項1所述的方法，其中，該第一組非揮發性記憶體單元和該第二組非揮發性記憶體單元位於該非揮發性記憶體單元的陣列的第一位址位置，並且第三組非揮發性記憶體單元和第四組非揮發性記憶體單元位於該陣列內不同於該第一位置的第二位址位置，所述方法進一步包括：在該另一個時脈週期啟動之後啟動的第三時脈週期中：讀取該第三組非揮發性記憶體單元的第三資料值；讀取該第四組非揮發性記憶體單元的第四資料值，其中，該第四資料值是該第三資料值的副本；在該第三時脈週期啟動之後啟動的第四時脈週期中：對該第三資料值和該第四資料值進行不同於該第一邏輯運算的第二邏輯運算，並生成第二邏輯輸出資料集，其中，該第二邏輯運算是針對該陣列內的該第二位址位置選擇的，並且該第二邏輯運算與針對該陣列的該第一位址位置選擇的該按位元邏輯運算不同；以及對該第二邏輯輸出資料集執行該錯誤校正碼(ECC)演算法，並校正針對該第二邏輯輸出資料集所識別的位元錯誤。
如請求項1所述的方法，其中，該第一組非揮發性記憶體單元和該第二組非揮發性記憶體單元是多次可編程(MTP)非揮發性記憶體單元，並且第三組非揮發性記憶體單元和第四組非揮發性記憶體單元是一次性可編程(OTP)非揮發性記憶體單元，所述方法進一步包括：在該另一個時脈週期啟動之後啟動的第三時脈週期中：讀取該第三組非揮發性記憶體單元的第三資料值；讀取該第四組非揮發性記憶體單元的第四資料值，其中，該第四資料值是該第三資料值的副本；在該第三時脈週期啟動之後啟動的第四時脈週期中：對該第三資料值和該第四資料值進行不同於該第一邏輯運算的第二邏輯運算，並生成第二邏輯輸出資料集；以及對該第二邏輯輸出資料集執行該錯誤校正碼(ECC)演算法，並校正針對該第二邏輯輸出資料集所識別的位元錯誤。
一種觸媒組合物，包含：<br/> 鉻化合物，選自於由乙醯丙酮鉻、溴化鉻、氟化鉻、氯化鉻、2-乙基己酸鉻、乙酸鉻、丁酸鉻、新戊酸鉻、月桂酸鉻、硬脂酸鉻、草酸鉻及吡咯化鉻所組成的群組中至少一者；<br/> 配位基，選自於由吡咯及2,5-二甲基吡咯所組成的群組中至少一者；<br/> 助觸媒，選自於由金屬烴基化合物及烴基硼化合物所組成的群組中至少一者，該金屬烴基化合物選自於由烴基鋁化合物、烴基鋁化合物的衍生物、烴基鎂化合物、烴基鋅化合物及烴基鋰化合物所組成的群組中至少一者，該烴基鋁化合物選自於由三乙基鋁、三丙基鋁及三丁基鋁所組成的群組中至少一者；及<br/> 添加劑，包括氨基鹽類化合物，該氨基鹽類化合物由式Ⅰ所示: <br/><img align="absmiddle" height="43px" width="69px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式Ⅰ<br/> 該式Ⅰ中，M選自於由鹼金族組成的群組，Y<sup>1</sup>及Y<sup>2</sup>各自獨立地選自於由F及CF<sub>3</sub>組成的群組。
如請求項1所述的觸媒組合物，該M為Li，該Y<sup>1</sup>及該Y<sup>2</sup>為CF<sub>3</sub>。
如請求項1所述的觸媒組合物，該添加劑還包括氯化烴基化合物及無機氯化合物中至少一者，該氯化烴基化合物由通式RCl<sub>z</sub>表示，R表示碳數為1至4的烴基，z表示1至6的整數。
如請求項1所述的觸媒組合物，其中，該觸媒組合物還包含溶劑，該溶劑選自於由鏈烷烴、環鏈烷烴及芳族烴所組成的群組中至少一者。
如請求項1所述的觸媒組合物，其中，在該觸媒組合物中該鉻化合物的濃度範圍為10<sup>-6</sup>莫耳/升至10<sup>-1</sup>莫耳/升，該添加劑的莫耳數與該鉻化合物的莫耳數的比例範圍為1:1至50:1。
一種乙烯寡聚製備線性α-烯烴的方法，包含在如請求項1至5中任一項所述的觸媒組合物的存在下，使乙烯進行寡聚反應而生成線性α-烯烴，該寡聚反應是三聚反應，所生成的該線性α-烯烴是1-己烯。
如請求項6所述的乙烯寡聚製備線性α-烯烴的方法，其中，該寡聚反應的反應溫度範圍為60℃至130℃，該寡聚反應的反應壓力範圍為300psi至1000psi。
一種殺菌劑之供給裝置，其包含： <br/>供給部，其包含在固定之位置於鉛直方向朝下供給殺菌劑之噴出管；及 <br/>搬送部，其包含：搬送體，其一面藉由保持具保持複數個殺菌對象物一面沿搬送路徑移動；及移動噴嘴，其與複數個保持具之各者對應地設置於上述搬送體，與對應之上述保持具同步移動；且 <br/>上述移動噴嘴包含： <br/>第1流路，其於上游接收上述殺菌劑，且於下游朝向上述殺菌對象物流通上述殺菌劑；且 <br/>上述第1流路中， <br/>上述上游側之開口面積大於上述下游側之開口面積； <br/>上述噴出管之噴出口之開口面積小於上述第1流路之上述上游側之開口面積。
如請求項1之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述搬送體包含： <br/>旋轉台，其由驅動源旋轉驅動；及 <br/>複數個上述保持具，其係於上述旋轉台之周向上排列且仿照上述搬送路徑設置；且 <br/>複數個上述移動噴嘴係與複數個上述保持具之各者對應，於上述旋轉台之徑向之相同位置排列於上述周向且可裝卸地安裝於上述旋轉台。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第1流路中， <br/>自上述上游側朝向上述下游側， <br/>上述周向之開口尺寸連續或斷續地變小；且 <br/>上述徑向之上述開口尺寸恆定、或變小。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第1流路中， <br/>上述周向之尺寸大於上述徑向之尺寸。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第1流路中， <br/>上述上游側之上述周向之開口尺寸，大於相鄰之上述第1流路之間隔之尺寸。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第1流路中， <br/>以平行於上述移動噴嘴之鉛直方向之軸線為基準，於上述周向呈對稱形狀或非對稱形狀。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述移動噴嘴包含： <br/>第1周向壁面與第2周向壁面，其等於上述周向劃分上述第1流路；且 <br/>上述第1周向壁面與上述第2周向壁面，向上述周向之相同朝向傾斜。
如請求項7之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第1周向壁面及上述第2周向壁面，朝向上述移動噴嘴之移動方向之前方傾斜。
如請求項7或請求項8之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述第2周向壁面配置於較上述第1周向壁面靠上述移動噴嘴之移動方向之後方；且 <br/>當將上述第1周向壁面及上述第2周向壁面中之相對於鉛直方向之傾角設為θ1、θ2時，θ1＞θ2成立。
如請求項2之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>上述移動噴嘴係 <br/>於上述第1流路之內部具備第2流路；且 <br/>上述第2流路係藉由於上述周向空出間隔而配置之一對導流葉片而自上述第1流路劃分。
如請求項10之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>一對上述導流葉片係 <br/>以平行於上述移動噴嘴之鉛直方向之軸線為基準，配置於對稱之位置或非對稱之位置，且上述間隔自上述上游朝向上述下游變窄。
如請求項1之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>於上述供給部與上述移動噴嘴之間，於鉛直方向設置有間隙。
如請求項1之殺菌劑之供給裝置，其中 <br/>於上述供給部設置有限制體，該限制體具有封塞上述第1流路之上述上游中之開口之平面部。
一種噴嘴，其係設置於噴出管與殺菌對象物之間，使自上述噴出管供給之殺菌劑朝向上述殺菌對象物流通者；且 <br/>上述噴嘴包含： <br/>第1流路，其於上游接收上述殺菌劑，且於下游朝向上述殺菌對象物流通上述殺菌劑； <br/>上述第1流路中， <br/>上述上游側之開口面積，大於上述下游側之開口面積； <br/>上述噴出管之噴出口之開口面積小於上述第1流路之上述上游側之開口面積。
如請求項14之噴嘴，其中 <br/>上述噴嘴包含： <br/>第1周向壁面與第2周向壁面，其等於第1方向劃分上述第1流路；且 <br/>上述第1周向壁面與上述第2周向壁面，向上述第1方向之相同朝向傾斜。
一種殺菌方法，其係藉由經由複數個噴嘴向分別與複數個上述噴嘴對應之複數個殺菌對象物供給自位置被固定之噴出管噴出之殺菌劑，而對上述殺菌對象物進行殺菌之方法；且 <br/>複數個上述噴嘴及複數個上述殺菌對象物依序通過上述噴出管之正下方； <br/>上述噴嘴包含： <br/>第1流路，其於上游接收上述殺菌劑，且於下游朝向上述殺菌對象物流通上述殺菌劑； <br/>上述第1流路中， <br/>上述上游側之開口面積，大於上述下游側之開口面積；且 <br/>自上述噴出管經由複數個上述噴嘴之各者依序向複數個上述殺菌對象物供給殺菌劑。
如請求項16之殺菌方法，其中 <br/>上述殺菌對象物係填充飲料之容器。
一種電感組件，其具有一導線繞組、導磁材料之一底板及至少兩個導電連接表面，該等表面在該底板之一底側上用於藉由SMT (表面安裝技術)組裝，該導線繞組形成為一平坦螺旋繞組，該導線繞組配置在該底板之一上側上，且兩個U形夾具具備兩個腳部及連接該等腳部之一基底，該等U形夾具配置在該底板上，使得一第一腳部分別配置在該底板之該上側上，且一第二腳部分別配置在該底板之該底側上，在各情況下，該第二腳部之至少一部分形成一連接表面，該導線繞組之一第一繞組端連接至該第一夾具之該第一腳部，且該導線繞組之一第二繞組端連接至該第二夾具之一第一腳部。
如請求項1之電感組件，其中該底板至少部分由鐵氧體形成。
如請求項1或2之電感組件，其中該底板具有一中央，特定言之圓形-圓柱形立面，該導線繞組圍繞在該立面。
如請求項3之電感組件，其中該底板具有一環形突起，該導線繞組配置在該環形突起內側。
如請求項4之電感組件，其中該導線繞組之一最內匝鄰近該中央立面配置，且該導線繞組之一最外匝鄰近該環形突起配置。
如請求項1或2之電感組件，其中在各情況下，該等夾具達到該底板之一周邊之部分周圍。
如請求項1或2之電感組件，其中該導線繞組黏性接合至該底板之該上側。
如請求項1或2之電感組件，其中該導線繞組嵌入一耐溫塑膠材料中，特定言之一黏合劑，特定言之一合成樹脂。
如請求項1或2之電感組件，其中該導線繞組配置在耐溫塑膠材料之一外殼中。
如請求項8之電感組件，其中嵌入該導線繞組或構成該外殼之該塑膠材料耐攝氏300度之溫度。
如請求項1之電感組件，其中該底板具有一環形突起，該導線繞組配置在該環形突起內側。
如請求項11之電感組件，其中該導線繞組之一最內匝鄰近一中央立面配置，且該導線繞組之一最外匝鄰近該環形突起配置，其中在各情況中，該等夾具達到該底板之一周邊之部分周圍。
如請求項1之電感組件，其中該底板具有一中央，特定言之圓形-圓柱形立面，該導線繞組圍繞該立面，其中該底板具有一環形突起，該導線繞組配置在該環形突起內側，其中該導線繞組之一最內匝鄰近該中央立面配置，且該導線繞組之一最外匝鄰近該環形突起配置，其中在各情況下，該等夾具達到該底板之一周邊之部分周圍，其中該導線繞組黏性接合至該底板之該上側，且其中該導線繞組嵌入一耐溫塑膠材料中，特定言之一黏合劑，特定言之一合成樹脂。
一種用於製造如請求項1至13中至少一項之一電感組件之方法，其特徵在於將形成為一平坦螺旋繞組之一導線繞組黏性接合至導磁材料之一底板之該上側，在該底板上配置導電材料之兩個U形夾具，該等U形夾具在各情況下具有一第一腳部、一第二腳部及連接該等腳部之一基底，使得該各自第一腳部抵靠該底板之一上側，且該各自第二腳部抵靠該底板之一底側，且將該導線繞組之一第一端與該第一夾具之該第一腳部導電連接及將該導線繞組之一第二端與該第二夾具之該第一腳部導電連接。
如請求項14之方法，其中配置該等夾具，使得在各情況下該等夾具之該基底抵靠該底板之一周邊。
如請求項14或15之方法，其中將該導線繞組嵌入一耐溫塑膠材料中，特定言之耐攝氏300度溫度之塑膠材料。
如請求項14或15之方法，其中將該導線繞組配置在耐溫塑膠材料之一外殼中。
一種混合動力機車，包含： <br/>一車體，包括一前車身、一位於該前車身後方的座墊，及一連接該前車身且向後朝該座墊下方延伸的跨腳部，該座墊界定出一置物箱，及一位於該置物箱前方的容置空間； <br/>一引擎，設置於該跨腳部後方； <br/>一馬達，設置於該跨腳部後方； <br/>一第一儲能元件，設置於該容置空間內且位於該引擎上方；及 <br/>一第二儲能元件，設置於該跨腳部下方。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該馬達位於該引擎的後方。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該第一儲能元件為油箱，該第二儲能元件為電池。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該第一儲能元件為電池，該第二儲能元件為油箱。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該馬達的重心位於該引擎的重心之下方。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該車體之座墊界定出一面向上方且前後延伸的乘坐面，該引擎、該馬達、該第一儲能元件，及該第二儲能元件的總重心位於該乘坐面之駕駛者乘坐區的下方。
如請求項1所述的混合動力機車，其中，該引擎、該馬達、該第一儲能元件，及該第二儲能元件的總重心位於該引擎的重心之前方。
如請求項3所述的混合動力機車，其中，該第二儲能元件為抽取式電池或固定式電池。
如請求項3所述的混合動力機車，其中，該車體還包括一沿前後方向位於該前車身及該座墊之間的充電座，該充電座與該第二儲能元件電性連接。
如請求項9所述的混合動力機車，其中，該車體之充電座設置於該跨腳部上。
一種基板支撐組件，其包括：<br/> 一靜電卡盤；<br/> 一冷卻基座，其具有一第一表面，該第一表面利用一金屬黏接材料黏接到該靜電卡盤的一第一表面，該冷卻基座包含：<br/> 一陶瓷主體，其具有與該靜電卡盤實質上相同的一熱膨脹係數；<br/> 一或多個冷卻通道，其形成在該陶瓷主體內；及<br/> 一或多個導體路徑，其自該第一表面延伸穿過該陶瓷主體到該冷卻基座的一相對側上的一第二表面；及<br/> 複數個流體通路，其形成一可變熱阻斷結構，每個流體通路對應於一特定區域，其中能夠個別控制每個區域以提供一特定程度的熱隔離。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該一或多個冷卻通道包含一第一冷卻通道及一第二冷卻通道，該第一冷卻通道定向成提供定向到該冷卻基座的該第一表面的一第一表面區域，該第二冷卻通道定位成與該第一冷卻通道相鄰且比該第一冷卻通道距離該第一表面更遠，其中將一冷媒流入提供到該第一冷卻通道，且自該第二冷卻通道提供一冷媒流出。
如請求項1所述之基板支撐組件，其還包含：<br/> 複數個升舉銷導件，其整合在該陶瓷主體內且延伸穿過該陶瓷主體，每個升舉銷導件經配置為接收一升舉銷。
如請求項1所述之基板支撐組件，其中該冷卻基座還包含在該陶瓷主體內界定一容積的一晶格填充區域。
一種體現在用於設計、製造或測試一設計的一機器可讀媒體中的一基板支撐件的基板支撐部件，該基板支撐部件包含：<br/> 一冷卻基座，其中該冷卻基座經配置為將一靜電卡盤支撐在該冷卻基座的一第一表面上；<br/> 一或多個冷卻通道，其嵌入該冷卻基座內且經配置為促進該冷卻基座內的冷媒流動；<br/> 一或多個第一氣體導管，其形成在該冷卻基座內且經配置為當該靜電卡盤由該第一表面支撐時促進氣體流過該冷卻基座且耦合到該靜電卡盤的一或多個第二氣體導管中；及<br/> 一或多個熱隔離結構，其整體形成在該冷卻基座內且定向成控制該冷卻基座上由流過該一或多個冷卻通道的該冷媒提供的熱均勻性，其中該一或多個熱隔離結構包含複數個獨立的流體通路，該等流體通路經配置為接收一受控量的氣流。
如請求項5所述之體現在該機器可讀媒體中的基板支撐部件，其中該冷卻基座的一第一表面經配置為保持一靜電卡盤，且該冷卻基座的一第二相對表面經配置為固定到該基板支撐件的一設施部件。
如請求項5所述之體現在該機器可讀媒體中的基板支撐部件，其還包含一或多個導體路徑，該一或多個導體路徑自該冷卻基座的該第一表面延伸到該冷卻基座的一第二相對表面，其中該一或多個導體路徑中的每一者係經由用一導電材料摻雜沉積在該冷卻基座的一各別層的一指定區域內的一材料而形成的。
如請求項5所述之體現在該機器可讀媒體中的基板支撐部件，其中該一或多個熱隔離結構相對於該冷卻基座佈置，以在該冷卻基座上提供一指定的橫向溫度均勻性。
如請求項5所述之體現在該機器可讀媒體中的基板支撐部件，其中該基板支撐部件作為用於佈局資料的一交換的一資料格式存在於儲存媒體上。
一種製造一基板支撐件的方法，該方法包含以下步驟：<br/> 由一積層製造系統形成複數個層，該些層包含：<br/> 一陶瓷主體；<br/> 一或多個冷卻通道，其形成在該陶瓷主體內且經配置為使一冷媒循環；<br/> 一或多個氣體導管，其形成在該陶瓷主體內且經配置為使一氣體通過該陶瓷主體；<br/> 一或多個導體路徑，其形成在該陶瓷主體內且自該基板支撐件的一第一表面延伸到該陶瓷主體的一第二相對表面；及<br/> 一或多個流體通路，其形成在該陶瓷主體內且經配置為當在該一或多個流體通路內提供一特定量的流體時提供一可變熱阻斷件。
如請求項10所述之方法，其中該一或多個導體路徑係藉由用一導電材料摻雜各別區域內的該些層而形成的。
如請求項10所述之方法，其中該些層還包含：<br/> 一或多個升舉銷導件，其形成在該陶瓷主體內，該一或多個升舉銷導件各自提供自該基板支撐件的一第一表面延伸到該陶瓷主體的一第二相對表面的一通孔。
如請求項10所述之方法，其中該些層還包含：<br/> 形成該陶瓷主體的一或多個區域作為陶瓷材料的一內部晶格結構。
一種提供配送訂單服務之廣告訊息之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>基於與廣告訊息中包括各變量之情形對應之廣告效率，確定推薦變量，其中與包括上述各變量之上述情形對應之上述廣告效率係基於以下而確定：對應於包含上述各變量之上述廣告訊息，用戶是否藉由上述廣告訊息中所包括之鏈接移動至登陸頁面，或是否完成對上述廣告訊息中所包括之賣場或配送訂單物品進行配送訂單； <br/>向廣告運營者之終端提供用以輸入與廣告訊息模板之產生相關之資訊的頁面；其中用以輸入與上述廣告訊息模板之產生相關之資訊之頁面包括用以輸入固定語句及上述推薦變量之資訊的UI要素； <br/>自上述廣告運營者之上述終端獲得與上述廣告訊息模板之產生相關之資訊的輸入； <br/>基於獲得之與上述廣告訊息模板之產生相關之上述資訊，產生上述廣告訊息模板； <br/>產生顯示廣告訊息模板清單之頁面，上述廣告訊息模板清單包括產生之上述廣告訊息模板； <br/>將顯示上述廣告訊息模板清單之上述頁面提供至上述廣告運營者之上述終端； <br/>獲得上述廣告訊息模板及特定用戶之資訊； <br/>基於上述特定用戶之資訊及變量資訊，確定與上述一個以上之變量對應之上述特定用戶之個性化資訊； <br/>針對上述特定用戶而產生個性化之廣告訊息，該廣告訊息包括顯示所確定之上述特定用戶之個性化資訊之個性化語句及上述固定語句；及 <br/>向上述特定用戶之終端提供針對上述特定用戶而個性化之廣告訊息。
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如請求項1之提供配送訂單服務之廣告訊息之方法，其中上述廣告訊息模板進而包括表示顯示條件之資訊， <br/>上述特定用戶之廣告訊息係在與上述顯示條件對應之時序提供。
如請求項7之提供配送訂單服務之廣告訊息之方法，其中上述顯示條件包括自發生預設之特定事件起經過按照各用戶而個性化之特定時間之條件。
如請求項1之提供配送訂單服務之廣告訊息之方法，其進而包括如下步驟： <br/>將與上述一個以上之變量對應之上述特定用戶之個性化資訊儲存至記憶體；及 <br/>對應於上述一個以上之變量各者，基於預設之更新週期而更新上述記憶體中儲存之與一個以上之變量對應之上述特定用戶的個性化資訊。
如請求項1之提供配送訂單服務之廣告訊息之方法，其中用以輸入與上述廣告訊息模板之產生相關之資訊之頁面進而包括顯示變量種類清單的UI要素。
一種電子裝置，其係提供配送訂單服務之廣告訊息者，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於藉由上述一個以上之處理器而執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器實行動作之命令者， <br/>上述命令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，應用於終端，該方法包括：<br/> 接收基地台發送的第一下行控制資訊DCI，第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 在確定該第一DCI支持觸發Type-3 混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，且該第一DCI中不包括增強型Type-3碼本索引指示域的情況下，根據該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引，其中，該參考小區為該目標小區集合中的至少一個小區。
如請求項1所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，更包括從該目標小區集合中確定至少一個參考小區，具體包括：<br/> 根據該第一DCI中的調度小區指示域，從該目標小區集合中確定被調度小區；將該被調度小區中的至少一個預設特定小區，確定為該參考小區；或者，<br/> 將該目標小區集合中的至少一個預設特定小區，確定為該參考小區；其中，該預設特定小區為以下其中之一：<br/> 預設小區索引值的小區；或者，<br/> 與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區；或者，<br/> 無PDSCH傳輸，且預設小區索引值的小區；或者，<br/> 無PDSCH傳輸，且與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區。
如請求項2所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該預設小區索引值的小區，包括：<br/> 小區索引值最大的小區；或者，<br/> 小區索引值最小的小區。
如請求項1所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，更包括從該目標小區集合中確定至少一個該參考小區，具體包括：<br/> 從該目標小區集合中確定無PDSCH傳輸的小區；將該無PDSCH傳輸的小區中小區索引最小的小區確定為參考小區。
如請求項2所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區，包括：<br/> 與該第一DCI中的第一個目標資訊指示域相對應的小區；或者，<br/> 與該第一DCI中的最後一個目標資訊指示域相對應的小區。
如請求項1或2所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該目標資訊指示域包括：頻域資源指示FDRA域和調製編碼方案MCS域；<br/> 該根據該第一DCI中的該參考小區的目標資訊指示域，確定增強型Type-3混合自動重傳請求HARQ碼本索引，包括：<br/> 根據該參考小區的該FDRA域，確定該參考小區是否存在PDSCH傳輸；<br/> 在確定該參考小區無PDSCH傳輸的情況下，根據該參考小區的該MCS域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引；<br/> 在確定該參考小區有PDSCH傳輸的情況下，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引值為預設預設值。
如請求項1所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，還包括：<br/> 接收該基地台發送的配置資訊；其中，每個小區集合對應一個該配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI是否支援觸發Type-3混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，和，該第一DCI是否包括增強型Type-3碼本索引指示域；<br/> 根據該配置資訊，確定該第一DCI是否支援觸發Type-3 HARQ碼本傳輸，和，該第一DCI是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項7所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該接收該基地台發送的配置資訊，包括：<br/> 接收該基地台通過一次性回饋指示欄位攜帶的配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括Type-3 HARQ應答碼本傳輸指示；以及，<br/> 接收該基地台通過增強型Type-3指示欄位攜帶的配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項8所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該增強型Type-3碼本索引指示域佔用的比特數為<img align="absmiddle" height="11px" width="45px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該基地台配置的增強型Type-3碼本索引的數量。
如請求項1所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該參考小區的目標資訊指示域包括MCS域；<br/> 該根據該第一DCI中的該參考小區的目標資訊指示域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引，包括：<br/> 根據多個該參考小區的該MCS域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引；其中，每個該參考小區對應一個該MCS域。
一種確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，應用於基地台，該方法包括：<br/> 向終端發送第一DCI，該第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 其中，該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域用於指示增強型Type-3 HARQ碼本索引，該參考小區為該目標小區集合中的無PDSCH傳輸且小區索引值最小的小區。
如請求項11所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，在該第一DCI中不包括調度小區指示域的情況下，該方法還包括以下其中一項：<br/> 將該目標小區集合中的所有小區均指示為無PDSCH傳輸，且所有小區的目標資訊指示域均用於指示相同的增強型Type-3 HARQ碼本索引；或者，<br/> 將該目標小區集合中的所有小區均指示為有PDSCH傳輸。
如請求項11所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，在該第一DCI中包括調度小區指示域的情況下，該方法還包括以下其中一項：<br/> 通過調度小區指示域指示被調度小區的個數限制為1；或者，<br/> 將該被調度小區均指示為無PDSCH傳輸，且所有小區的目標資訊指示域均用於指示相同的增強型Type-3 HARQ碼本索引；或者，<br/> 將該被調度小區均指示為有PDSCH傳輸。
如請求項11所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該目標資訊指示域包括：FDRA域和MCS域。
如請求項11所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，還包括：<br/> 向該終端發送配置資訊；其中，每個小區集合對應一個該配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI是否支援觸發Type-3混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，和，該第一DCI是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項15所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該向該終端發送配置資訊，包括：<br/> 通過一次性回饋指示欄位向該終端發送配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括Type-3 HARQ應答碼本傳輸指示；以及，<br/> 通過增強型Type-3指示欄位向該終端發送配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項15所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，其中，該增強型Type-3碼本索引指示域佔用的比特數為<img align="absmiddle" height="11px" width="45px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該基地台配置的增強型Type-3碼本索引的數量。
一種用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，包括：收發機、記憶體、處理器及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的電腦程式；其中，該處理器用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 接收基地台發送的第一下行控制資訊DCI，第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 在確定該第一DCI支持觸發Type-3混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，且該第一DCI中不包括增強型Type-3碼本索引指示域的情況下，根據該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引，其中，該參考小區為該目標小區集合中的至少一個小區。
如請求項18所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該處理器還用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 從該目標小區集合中確定至少一個該參考小區，具體包括：<br/> 根據該第一DCI中的調度小區指示域，從該目標小區集合中確定被調度小區；將該被調度小區中的至少一個預設特定小區，確定為該參考小區；或者，<br/> 將該目標小區集合中的至少一個預設特定小區，確定為該參考小區；<br/> 其中，該預設特定小區為以下其中之一：<br/> 預設小區索引值的小區；或者，<br/> 與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區；或者，<br/> 無PDSCH傳輸，且預設小區索引值的小區；或者，<br/> 無PDSCH傳輸，且與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區。
如請求項19所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該預設小區索引值的小區，包括：<br/> 小區索引值最大的小區；或者，<br/> 小區索引值最小的小區。
如請求項18所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中該處理器還用於讀取該記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 從該目標小區集合中確定至少一個該參考小區，具體包括：<br/> 從該目標小區集合中確定該無PDSCH傳輸的小區；將該無PDSCH傳輸的小區中小區索引最小的小區確定為參考小區。
如請求項19所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，與該第一DCI中的預設位置的目標資訊指示域相對應的小區，包括：<br/> 與該第一DCI中的第一個目標資訊指示域相對應的小區；或者，<br/> 與該第一DCI中的最後一個目標資訊指示域相對應的小區。
如請求項18或19所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該目標資訊指示域包括：頻域資源指示FDRA域和調製編碼方案MCS域；<br/> 該處理器還用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 根據該參考小區的該FDRA域，確定該參考小區是否存在PDSCH傳輸；<br/> 在確定該參考小區無PDSCH傳輸的情況下，根據該參考小區的該MCS域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引；<br/> 在確定該參考小區有PDSCH傳輸的情況下，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引值為預設預設值。
如請求項18所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該處理器還用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 接收該基地台發送的配置資訊；其中，每個小區集合對應一個該配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI是否支援觸發Type-3混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，和，該第一DCI是否包括增強型Type-3碼本索引指示域；<br/> 根據該配置資訊，確定該第一DCI是否支援觸發Type-3 HARQ碼本傳輸，和，該第一DCI是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項24所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該處理器還用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 接收該基地台通過一次性回饋指示欄位攜帶的配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括Type-3 HARQ應答碼本傳輸指示；以及，<br/> 接收該基地台通過增強型Type-3指示欄位攜帶的配置資訊，該配置資訊用於指示該第一DCI中是否包括增強型Type-3碼本索引指示域。
如請求項25所述的用於確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的終端，其中，該增強型Type-3碼本索引指示域佔用的比特數為<img align="absmiddle" height="11px" width="45px" file="ed10005.jpg" alt="ed10005.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中，<img align="absmiddle" height="11px" width="14px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為該基地台配置的增強型Type-3碼本索引的數量。
如請求項18所述的終端，其中，該參考小區的目標資訊指示域包括MCS域；<br/> 該處理器還用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 根據多個該參考小區的該MCS域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引；其中，每個該參考小區對應一個該MCS域。
一種基地台，包括：收發機、記憶體、處理器及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的電腦程式；其中，該處理器用於讀取記憶體中的程式，執行下列過程：<br/> 向終端發送第一DCI，該第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 其中，該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域用於指示增強型Type-3 HARQ碼本索引，該參考小區為該目標小區集合中的無PDSCH傳輸且小區索引值最小的小區。
一種確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的裝置，應用於終端，該裝置包括：<br/> 第一接收模組，用於接收基地台發送的第一下行控制資訊DCI，第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 第二確定模組，用於在確定該第一DCI支持觸發Type-3 混合自動重傳請求HARQ碼本傳輸，且該第一DCI中不包括增強型Type-3碼本索引指示域的情況下，根據該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域，確定增強型Type-3 HARQ碼本索引，其中，該參考小區為該目標小區集合中的至少一個小區。
一種確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的裝置，應用於基地台，該裝置包括：<br/> 第一發送模組，用於向終端發送第一DCI，該第一DCI用於調度目標小區集合中的至少一個下行小區；<br/> 其中，該第一DCI中的參考小區的目標資訊指示域用於指示增強型Type-3 HARQ碼本索引，該參考小區為該目標小區集合中的無PDSCH傳輸且小區索引值最小的小區。
一種處理器可讀存儲介質，該處理器可讀存儲介質存儲有電腦程式，該電腦程式用於使該處理器執行請求項1至10中任一項所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法，或者執行請求項11至17中任一項所述的確定增強型Type-3 HARQ碼本索引的方法。
一種訊息傳輸方法，由終端設備執行，該方法包括：<br/> 接收第一指示訊息，該第一指示訊息用於指示第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 其中，該小區目標傳輸包括以下至少一項：小區非連續接收DRX、小區非連續發送DTX；<br/> 其中，該第一指示訊息包括以下至少一項：開動和/或關停第一目標小區的小區目標傳輸的相關訊息；<br/> 第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關訊息。
如請求項1所述的訊息傳輸方法，其中，該開動和/或關停第一目標小區的小區目標傳輸的相關訊息，包括以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的載波訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的載波訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關訊息，包括以下至少一項：<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息。
如請求項1至2中任一項所述的訊息傳輸方法，其中，該接收第一指示訊息，包括：<br/> 接收第一信令，該第一信令中攜帶該第一指示訊息；<br/> 獲取該第一信令中的該第一指示訊息；<br/> 其中，該第一信令包括以下至少一項：<br/> 層一信令、媒體進接控制MAC層信令、無線資源控制RRC層信令。
如請求項3所述的訊息傳輸方法，其中，該第一信令屬於以下至少一項：<br/> 組公共信令、終端設備專屬信令。
如請求項4所述的訊息傳輸方法，其中，該組公共信令的層一信令的CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 系統訊息無線網路臨時標識SI-RNTI、尋呼無線網路臨時標識P-RNTI、尋呼提前指示無線網路臨時標識PEI-RNTI、省電無線網路臨時標識PS-RNTI、時槽格式指示無線網路臨時標識SFI-RNTI、小區無線網路臨時標識C-RNTI、調制與編碼策略小區無線網路臨時標識MCS-C-RNTI、配置調度無線網路臨時標識CS-RNTI；<br/> 和/或，<br/> 該終端設備專屬信令的層一信令的CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 小區無線網路臨時標識C-RNTI、調制與編碼策略小區無線網路臨時標識MCS-C-RNTI、配置調度無線網路臨時標識CS-RNTI。
如請求項3所述的訊息傳輸方法，其中，該層一信令包括以下至少一項：<br/> 網路節能專屬層一信令；<br/> 小區目標傳輸專屬層一信令。
如請求項3所述的訊息傳輸方法，其中，該層一信令的循環冗餘校驗CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 小區目標傳輸專屬的無線網路臨時標識RNTI；<br/> 網路節能專屬的RNTI。
如請求項3所述的訊息傳輸方法，其中，第一信令中包括第一指示訊息域，該第一指示訊息域用於承載該第一指示訊息；<br/> 該方法，還包括：<br/> 通過第一方式，獲取該第一指示訊息域在該第一信令中的位置；<br/> 其中，該第一方式包括以下至少一項：<br/> 高層信令配置；<br/> 廣播信令指示；<br/> 下行信令指示。
如請求項8所述的訊息傳輸方法，其中，在該第一信令屬於組公共信令的情况下，該第一指示訊息域包括以下至少一項：至少一個終端設備的公共訊息域、終端設備專屬訊息域。
如請求項9所述的訊息傳輸方法，其中，該至少一個終端設備的公共訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 終端設備專屬訊息域的用途指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該終端設備專屬訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息；<br/> 和/或，<br/> 在該第一信令屬於終端設備專屬信令的情况下，該第一指示訊息域包括以下至少一項：至少一個小區的公共訊息域、小區專屬訊息域。
如請求項10所述的訊息傳輸方法，其中，該終端設備專屬訊息域包括以下至少一項：至少一個小區的公共訊息域、小區專屬訊息域。
如請求項10所述的訊息傳輸方法，其中，該至少一個小區的公共訊息域承載以下至少一項：<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息；<br/> 小區專屬訊息域的用途指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該小區專屬訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息。
如請求項2所述的訊息傳輸方法，其中，該參數訊息包括以下至少一項：<br/> 傳輸周期、開動期的持續時間、非開動期的持續時間、開動期的起始時間、開動期的結束時間、非開動期的起始時間、非開動期的結束時間。
如請求項8所述的訊息傳輸方法，其中，該第一指示訊息域滿足以下至少一項：<br/> 為第一信令中新增加的訊息域；<br/> 為第一信令中對目標訊息域的重新定義。
如請求項1或2所述的訊息傳輸方法，其中，該接收第一信令，包括：<br/> 通過第二方式，獲取第一資源；<br/> 在該第一資源上，接收第一信令；<br/> 其中，該第二方式包括以下至少一項：<br/> 預配置、協議約定、下行信令指示。
如請求項15所述的訊息傳輸方法，其中，在該第二方式包括預配置的情况下，該第一資源預配置在第一接收小區上；其中，該第一接收小區包括以下至少一項：主小區；輔小區；<br/> 和/或，<br/> 在該第一資源基於頻寬部分BWP預配置的情况下，傳輸該第一指示訊息的BWP包括：小區支持的至少一個BWP。
如請求項16所述的訊息傳輸方法，其中，該第一接收小區屬於網路設備配置的小區組中的小區，該小區組包括以下至少一項：<br/> 終端設備的第一DRX組對應的小區組；<br/> 終端設備的第二DRX組對應的小區組；<br/> 小區目標傳輸對應的小區組；<br/> 網路節能對應的小區組；<br/> 休眠小區組；<br/> 和/或，<br/> 該至少一個BWP包括以下至少一項：<br/> 目標傳輸專屬的BWP；<br/> 網路節能專屬的BWP；<br/> 非初始BWP；<br/> 非休眠BWP；<br/> 配置小區下的除目標傳輸專屬的BWP、網路節能專屬的BWP、非初始BWP和非休眠BWP中任一項之外的其他BWP。
如請求項15所述的訊息傳輸方法，其中，在該第二方式包括協議約定的情况下，該第一資源滿足以下至少一項：位於終端設備的連接態非連續接收C-DRX的開動期內、位於終端設備的C-DRX的開動期外、位於小區目標傳輸的開動期內、位於小區目標傳輸的開動期外；<br/> 和/或，<br/> 在該第二方式包括預配置的情况下，該第一資源滿足以下至少一項：<br/> 與目標參考信號具有關聯關係、與目標數據傳輸通道具有關聯關係、與目標控制通道具有關聯關係；<br/> 和/或，<br/> 在該第二方式包括下行信令指示的情况下，該下行信令用於指示網路設備配置的多套資源參數配置中的一個或多個。
如請求項1所述的訊息傳輸方法，其中，該第一目標小區包括以下至少一項：<br/> 主小區；<br/> 至少一個目標輔小區；<br/> 至少一個目標小區組內的至少一個小區。
如請求項19所述的訊息傳輸方法，還包括：<br/> 通過第三方式，獲取第一目標小區；<br/> 其中，該第三方式包括以下至少一項：<br/> 協議約定；<br/> 預配置；<br/> 第一指示訊息指示。
如請求項1所述的訊息傳輸方法，還包括：<br/> 根據該第一指示訊息，執行第一操作；<br/> 該第一操作包括以下至少一項：<br/> 在目標時間開動第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間關停第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間調整第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間開始或結束第一目標小區的小區目標傳輸的開動期；<br/> 在目標時間開始或結束第一目標小區的小區目標傳輸的非開動期。
如請求項21所述的訊息傳輸方法，其中，該目標時間由以下至少一項確定：<br/> 第一指示訊息的接收時刻；<br/> 第一指示訊息的接收時刻加預設偏移值；<br/> 第一指示訊息的接收時刻以及第一目標小區的子載波間隔；<br/> 第一指示訊息對應的反饋訊息的發送時刻；<br/> 第一指示訊息對應的反饋訊息的發送時刻加預設偏移值；<br/> 第一指示訊息對應的反饋訊息的發送時刻以及第一目標小區的子載波間隔。
一種訊息傳輸方法，由網路設備執行，該方法包括：<br/> 發送第一指示訊息，該第一指示訊息用於指示第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 其中，該小區目標傳輸包括以下至少一項：小區非連續接收DRX、小區非連續發送DTX；<br/> 其中，該第一指示訊息包括以下至少一項：開動和/或關停第一目標小區的小區目標傳輸的相關訊息；<br/> 第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關訊息。
如請求項23所述的訊息傳輸方法，其中，該開動和/或關停第一目標小區的小區目標傳輸的相關訊息，包括以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的載波訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的載波訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關訊息，包括以下至少一項：<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息。
如請求項23至24中任一項所述的訊息傳輸方法，其中，該發送第一指示訊息，包括：<br/> 向終端設備發第一信令，該第一信令中攜帶該第一指示訊息；<br/> 其中，該第一信令包括以下至少一項：<br/> 層一信令、媒體進接控制MAC層信令、無線資源控制RRC層信令。
如請求項25所述的訊息傳輸方法，其中，該第一信令屬於以下至少一項：<br/> 組公共信令、終端設備專屬信令。
如請求項26所述的訊息傳輸方法，其中，該組公共信令的層一信令的CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 系統訊息無線網路臨時標識SI-RNTI、尋呼無線網路臨時標識P-RNTI、尋呼提前指示無線網路臨時標識PEI-RNTI、省電無線網路臨時標識PS-RNTI、時槽格式指示無線網路臨時標識SFI-RNTI、小區無線網路臨時標識C-RNTI、調制與編碼策略小區無線網路臨時標識MCS-C-RNTI、配置調度無線網路臨時標識CS-RNTI；<br/> 和/或，<br/> 該終端設備專屬信令的層一信令的CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 小區無線網路臨時標識C-RNTI、調制與編碼策略小區無線網路臨時標識MCS-C-RNTI、配置調度無線網路臨時標識CS-RNTI。
如請求項25所述的訊息傳輸方法，其中，該層一信令包括以下至少一項：<br/> 網路節能專屬層一信令；<br/> 小區目標傳輸專屬層一信令。
如請求項25所述的訊息傳輸方法，其中，該層一信令的循環冗餘校驗CRC的擾碼包括以下至少一項：<br/> 小區目標傳輸專屬的無線網路臨時標識RNTI；<br/> 網路節能專屬的RNTI。
如請求項25所述的訊息傳輸方法，其中，第一信令中包括第一指示訊息域，該第一指示訊息域用於承載該第一指示訊息；<br/> 該方法，還包括：<br/> 通過第一方式，向終端設備發送該第一指示訊息域在該第一信令中的位置；<br/> 其中，該第一方式包括以下至少一項：<br/> 高層信令配置；<br/> 廣播信令指示；<br/> 下行信令指示。
如請求項30所述的訊息傳輸方法，其中，在該第一信令屬於組公共信令的情况下，該第一指示訊息域包括以下至少一項：至少一個終端設備的公共訊息域、終端設備專屬訊息域。
如請求項31所述的訊息傳輸方法，其中，該至少一個終端設備的公共訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 終端設備專屬訊息域的用途指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該終端設備專屬訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息；<br/> 和/或，<br/> 在該第一信令屬於終端設備專屬信令的情况下，該第一指示訊息域包括以下至少一項：至少一個小區的公共訊息域、小區專屬訊息域。
如請求項32所述的訊息傳輸方法，其中，該終端設備專屬訊息域包括以下至少一項：至少一個小區的公共訊息域、小區專屬訊息域。
如請求項32所述的訊息傳輸方法，其中，該至少一個小區的公共訊息域承載以下至少一項：<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息；<br/> 小區專屬訊息域的用途指示訊息；<br/> 和/或，<br/> 該小區專屬訊息域承載以下至少一項：<br/> 開動小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 關停小區目標傳輸的指示訊息；<br/> 開動小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 關停小區目標傳輸對應的小區訊息；<br/> 小區目標傳輸的生效時間訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的開動期的終止時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的起始時間指示訊息；<br/> 小區目標傳輸的非開動期的終止時間指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的指示訊息；<br/> 與小區目標傳輸的配置相關的更新訊息；<br/> 與第一指示訊息的反饋訊息相關的訊息；<br/> 小區目標傳輸的配置對應的參數訊息。
如請求項24所述的訊息傳輸方法，其中，該參數訊息包括以下至少一項：<br/> 傳輸周期、開動期的持續時間、非開動期的持續時間、開動期的起始時間、開動期的結束時間、非開動期的起始時間、非開動期的結束時間。
如請求項30所述的訊息傳輸方法，其中，該第一指示訊息域滿足以下至少一項：<br/> 為第一信令中新增加的訊息域；<br/> 為第一信令中對目標訊息域的重新定義。
如請求項23或24所述的訊息傳輸方法，還包括：<br/> 通過第五方式，向終端設備指示發送第一信令的第一資源；<br/> 其中，該第五方式包括以下至少一項：<br/> 預配置、下行信令指示。
如請求項37所述的訊息傳輸方法，其中，在該第五方式包括預配置的情况下，該第一資源預配置在第一接收小區上；其中，該第一接收小區包括以下至少一項：主小區；輔小區；<br/> 和/或，<br/> 在該第一資源基於頻寬部分BWP預配置的情况下，傳輸該第一指示訊息的BWP包括：小區支持的至少一個BWP。
如請求項38所述的訊息傳輸方法，其中，該第一接收小區屬於網路設備配置的小區組中的小區。
如請求項39所述的訊息傳輸方法，其中，該小區組包括以下至少一項：<br/> 終端設備的第一DRX組對應的小區組；<br/> 終端設備的第二DRX組對應的小區組；<br/> 小區目標傳輸對應的小區組；<br/> 網路節能對應的小區組；<br/> 休眠小區組；<br/> 和/或，<br/> 該至少一個BWP包括以下至少一項：<br/> 目標傳輸專屬的BWP；<br/> 網路節能專屬的BWP；<br/> 非初始BWP；<br/> 非休眠BWP；<br/> 配置小區下的除目標傳輸專屬的BWP、網路節能專屬的BWP、非初始BWP和非休眠BWP中任一項之外的其他BWP。
如請求項37所述的訊息傳輸方法，其中，在該第五方式包括預配置的情况下，該第一資源滿足以下至少一項：<br/> 與目標參考信號具有關聯關係、與目標數據傳輸通道具有關聯關係、與目標控制通道具有關聯關係；<br/> 和/或，<br/> 在該第五方式包括下行信令指示的情况下，該下行信令用於指示網路設備配置的多套資源參數配置中的一個或多個。
如請求項23所述的訊息傳輸方法，其中，該第一目標小區包括以下至少一項：<br/> 主小區；<br/> 至少一個目標輔小區；<br/> 至少一個目標小區組內的至少一個小區。
如請求項42所述的訊息傳輸方法，還包括：<br/> 通過第六方式，向終端設備發送第一目標小區；<br/> 其中，該第六方式包括以下至少一項：<br/> 預配置；<br/> 第一指示訊息指示。
一種終端設備，包括儲存器，收發機，處理器：<br/> 儲存器，用於儲存電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；處理器，用於讀取該儲存器中的電腦程式並執行以下操作：<br/> 通過收發機接收第一指示訊息，該第一指示訊息用於指示第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 其中，該小區目標傳輸包括以下至少一項：小區非連續接收DRX、小區非連續發送DTX；<br/> 其中，該第一指示訊息包括以下至少一項：開動和/或關停第一目標小區的小區目標傳輸的相關訊息；<br/> 第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關訊息。
如請求項44所述的終端設備，其中，該處理器，用於讀取該儲存器中的電腦程式執行以下操作：<br/> 接收第一信令，該第一信令中攜帶該第一指示訊息；<br/> 獲取該第一信令中的該第一指示訊息；<br/> 其中，該第一信令包括以下至少一項：<br/> 層一信令、媒體進接控制MAC層信令、無線資源控制RRC層信令。
如請求項45所述的終端設備，其中，第一信令中包括第一指示訊息域，該第一指示訊息域用於承載該第一指示訊息；該處理器，用於讀取該儲存器中的電腦程式還執行以下操作：<br/> 通過第一方式，獲取該第一指示訊息域在該第一信令中的位置；<br/> 其中，該第一方式包括以下至少一項：<br/> 高層信令配置；<br/> 廣播信令指示；<br/> 下行信令指示。
如請求項44所述的終端設備，其中，該處理器，用於讀取該儲存器中的電腦程式還執行以下操作：<br/> 根據該第一指示訊息，執行第一操作；<br/> 該第一操作包括以下至少一項：<br/> 在目標時間開動第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間關停第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間調整第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 在目標時間開始或結束第一目標小區的小區目標傳輸的開動期；<br/> 在目標時間開始或結束第一目標小區的小區目標傳輸的非開動期。
一種網路設備，其中，包括儲存器，收發機，處理器：<br/> 儲存器，用於儲存電腦程式；收發機，用於在該處理器的控制下收發數據；處理器，用於讀取該儲存器中的電腦程式並執行以下操作：<br/> 通過收發機發送第一指示訊息，該第一指示訊息用於指示第一目標小區的小區目標傳輸；<br/> 其中，該小區目標傳輸包括以下至少一項：小區非連續接收DRX、小區非連續發送DTX；<br/> 其中，該第一指示訊息包括以下至少一項：<br/> 啟動和/或去啟動第一目標小區的小區目標傳輸的相關資訊；<br/> 第一目標小區的小區目標傳輸的傳輸相關資訊。
一種曝光用保護薄膜，包括碳奈米管膜，<br/>所述碳奈米管膜含有碳奈米管，<br/>所述碳奈米管膜於波長13.5 nm下的極紫外光的透過率為80%以上，<br/>所述碳奈米管膜的厚度為1 nm以上且50 nm以下，<br/>將所述碳奈米管膜配置於矽基板上，並對所配置的所述碳奈米管膜使用反射分光膜厚計於下述條件下測定反射率時，反射率的3σ為15%以下，<br/>藉由奈米壓痕試驗測定的斷裂負荷為3.1 μN/nm以上；<br/>＜條件＞<br/>測定點的直徑：20 μm<br/>基準測定波長：波長285 nm<br/>測定點數：121點<br/>鄰接的測定點的中心點間距離：40 μm。
如請求項1所述的曝光用保護薄膜，其中將所述碳奈米管膜配置於矽基板上，並對所配置的所述碳奈米管膜於彼此隔開距離為2 cm以上的多個測定位置的各位置中，使用反射分光膜厚計於下述條件下進行反射率的測定及平均反射率的計算時，<br/>自所述平均反射率的最大值減去所述平均反射率的最小值後的值為15%以下；<br/>＜條件＞<br/>測定點的直徑：20 μm<br/>基準測定波長：波長285 nm<br/>測定點數：121點<br/>鄰接的測定點的中心點間距離：40 μm。
如請求項1或請求項2所述的曝光用保護薄膜，其中所述碳奈米管的管徑為0.8 nm以上且6.0 nm以下。
如請求項1或請求項2所述的曝光用保護薄膜，進而包括以與所述碳奈米管膜相接的方式配置的保護層。
如請求項1或請求項2所述的曝光用保護薄膜，其中所述碳奈米管的有效長度為0.1 μm以上。
一種保護薄膜組件，包括：<br/>如請求項1至請求項5中任一項所述的曝光用保護薄膜；以及<br/>支撐所述曝光用保護薄膜的支撐框。
一種曝光原版，包括：原版；以及安裝於所述原版的具有圖案之側的面的如請求項6所述的保護薄膜組件。
一種曝光裝置，包括如請求項7所述的曝光原版。
一種曝光裝置，包括：放出曝光光的光源；如請求項7所述的曝光原版；以及將自所述光源放出的曝光光引導至所述曝光原版的光學系統，<br/>所述曝光原版以自所述光源放出的曝光光透過所述曝光用保護薄膜而照射至所述原版的方式配置。
如請求項9所述的曝光裝置，其中所述曝光光為極紫外光。
一種曝光用保護薄膜的製造方法，是製造如請求項1至請求項5中任一項所述的曝光用保護薄膜的方法，包括：<br/>準備包含凝聚體的粗碳奈米管的步驟；<br/>將所述粗碳奈米管及溶媒混合而獲得分散液的步驟；<br/>去除所述分散液中所含的所述凝聚體而獲得精製碳奈米管的步驟；以及<br/>將所述精製碳奈米管成膜為片狀而製造碳奈米管膜的步驟，<br/>於獲得所述精製碳奈米管的步驟中，進行平均相對離心力為3,000 xg以上的超離心處理。
一種由下式(I)表示之高熵氧化物：(FeNiCrMnMgCu)O (I)其中，該高熵氧化物包括尖晶石結構，且該尖晶石結構包括25至35%之氧空位濃度。
如請求項1所述之高熵氧化物，其中，該尖晶石結構係單相尖晶石結構。
如請求項1所述之高熵氧化物，其具有對紫外光、可見光、近紅外光中之至少一者的光吸收特性。
如請求項1所述之高熵氧化物，其具有介於310至1400nm之間的光吸收範圍。
一種如請求項1所述之高熵氧化物之製備方法，包括：使包含金屬鹽、界面活性劑、氧化劑及溶劑之反應溶液進行水熱反應，其中，該金屬鹽包含鐵鹽、鎳鹽、鉻鹽、錳鹽、鎂鹽及銅鹽；自經該水熱反應之該反應溶液中分離沉澱物；以及熱處理該沉澱物，獲得該高熵氧化物。
如請求項5所述之製備方法，其中，該金屬鹽係選自金屬硝酸鹽、金屬鹵化物、金屬醋酸鹽及金屬硫酸鹽所組成群組中之一種，該界面活性劑係選自溴化十六烷基三甲銨、氟化銨及檸檬酸所組成群組中之一種，且該氧化劑係選自尿素、氫氧化鈉、氫氧化鉀及氨水所組成群組中之一種。
如請求項5所述之製備方法，其中，該水熱反應係於120至180℃下進行2至8小時。
如請求項5所述之製備方法，其中，該熱處理係於700至1100℃處理該高熵氧化物1至5小時。
如請求項5所述之製備方法，其中，該氧化劑與該金屬鹽之總重的莫耳比2：1至8：1。
一種光感測器，係依序包括：基板；光吸收層，包含如請求項1所述之高熵氧化物，係接觸形成於該基板上；以及電極單元，係形成於該光吸收層上，使該光吸收層位於該基板和電極單元之間。
如請求項10所述之光感測器，其中，在波長為850nm的光照射下，該光吸收層之光電流密度為1.0至1.5mA/cm<sup>2</sup>，光響應度為3.0至4.0A/W，及外部量子效率為大於700%。
一種藉由電子裝置執行之內容提供服務的方法，其包括： <br/>獲得於一用戶之一用戶終端中顯示一個以上之運動內容之第1區域之展現時間的資訊， <br/>基於在上述用戶終端中顯示上述一個以上之運動內容之上述第1區域之上述展現時間的上述資訊與上述用戶之資訊，而確定是否顯示運動內容之步驟； <br/>基於上述用戶之資訊，確定複數個運動內容中之一個以上之特定運動內容及顯示方式之步驟，上述顯示方式包括能夠顯示所確定之上述一個以上之特定運動內容之第1區域； <br/>基於所確定之上述一個以上之特定運動內容及顯示方式，生成與上述內容提供服務之頁面相關之資訊的步驟；及 <br/>將與生成之上述頁面相關之資訊提供至上述用戶終端的步驟。
如請求項1之方法，其中生成與上述頁面相關之資訊之步驟包括以如下方式生成與上述頁面相關之資訊的步驟：不進行滾動即可於上述用戶終端中看到上述頁面之上述第1區域。
如請求項1之方法，其中上述第1區域包括指示移動至用以提供運動內容之頁面之第2區域，及 <br/>上述方法進而包括如下步驟：響應於獲得上述第2區域之輸入，向上述用戶終端提供與用以提供上述運動內容之頁面相關之資訊。
如請求項1之方法，其中上述第1區域包括指示移動至所確定之上述一個以上之特定運動內容之詳細頁面的第3區域，及 <br/>上述方法進而包括如下步驟：響應於獲得上述第3區域之輸入，向上述用戶終端提供與所確定之上述一個以上之特定運動內容之詳細頁面相關之資訊。
如請求項1之方法，其進而包括獲得上述用戶之內容觀看歷史之步驟， <br/>上述一個以上之特定運動內容係至少基於上述內容觀看歷史而確定。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟：基於上述用戶之上述內容提供服務帳戶，獲得上述用戶於電子商務服務中之購買歷史； <br/>上述一個以上之特定運動內容係至少基於上述購買歷史而確定。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>基於上述用戶之上述內容提供服務帳戶，獲得上述用戶於配送訂單服務中之配送訂單歷史； <br/>上述一個以上之特定運動內容係至少基於上述配送訂單歷史而確定。
如請求項1之方法，其進而包括獲得上述用戶連接至上述內容提供服務之頻率之步驟， <br/>上述一個以上之特定運動內容係至少基於連接至上述內容提供服務之頻率而確定。
如請求項4之方法，其中是否顯示上述運動內容係至少基於獲得上述第3區域之輸入之頻率而確定。
如請求項1之方法，其中是否顯示上述運動內容係至少基於上述用戶之運動內容觀看歷史而確定。
如請求項1之方法，其中是否顯示上述運動內容係基於上述用戶於內容提供服務中觀看運動內容之次數與觀看除運動內容以外之內容之次數的比率、及上述用戶於內容提供服務中觀看運動內容之時間與觀看除運動內容以外之內容之時間之比率中的至少任一者而確定。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>確定與上述一個以上之特定運動內容相對應之一個以上之屬性； <br/>於上述第1區域內顯示與上述一個以上之屬性相關之一個以上之標誌。
如請求項12之方法，其中上述第1區域進而包括指示移動至與提供運動內容相關之頁面之第2區域， <br/>上述一個以上之屬性係基於之前顯示之標誌及獲得上述第2區域輸入之歷史而確定。
如請求項12之方法，其中上述第1區域包括指示移動至所確定之上述一個以上之特定運動內容之詳細頁面的第3區域， <br/>上述一個以上之屬性係基於前顯示之標誌及獲得上述第3區域之輸入之歷史而確定。
如請求項12之方法，其中上述一個以上之屬性係基於之前顯示之標誌及上述第1區域之展現時間而確定。
如請求項12之方法，其中上述一個以上之屬性係基於之前顯示之標誌及觀看上述第1區域顯示之運動內容的歷史而確定。
一種電子裝置，其係處理與運動內容提供服務相關之資訊者，其包括： <br/>通信介面，其與用戶終端進行通信； <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之指令； <br/>上述一個以上之處理器以如下方式構成：於藉由上述一個以上之處理器而執行上述指令時，執行如請求項1至16中任一項之方法。
一種電腦可讀之非暫時性記錄媒體，其記錄有於藉由一個以上之處理器而執行時，使上述一個以上之處理器執行動作之指令， <br/>上述指令以如下方式構成：使上述一個以上之處理器執行如請求項1至16中任一項之方法。
一種無線射頻卡片，該無線射頻卡片包括：一金融模組，該金融模組係為近場通訊(NFC)晶片；一設於該金融模組一側且係為近場通訊(NFC)晶片之身分訊號收發模組，使該身分訊號收發模組與該金融模組彼此形成射頻干擾，且該身分訊號收發模組係資訊連結一為簽到裝置之身分讀取裝置，該身分讀取裝置內係設有一供儲存一身分資訊的儲存元件，並該身分讀取裝置內係設有一斷網模組，以當該身分讀取裝置處於一斷網環境而無法完成確認動作時，係於解除該斷網環境後，由該斷網模組啟動該身分讀取裝置將儲存於該儲存元件內之身分資訊進行傳遞發送，以完成身分確認程序；一設於該身分訊號收發模組一側之指紋辨識模組，係與該身分訊號收發模組資訊連結，以供產生一指紋訊息；一設於該指紋辨識模組一側且與該指紋辨識模組資訊連結之處理模組；一設於該處理模組一側且與該處理模組資訊連結之儲存模組，該儲存模組係為記憶體以供儲存一指紋資訊，以經由該處理模組將該指紋資訊與該指紋訊息進行比對，當比對符合時，該處理模組係關閉該金融模組之運行，且開啟該身分訊號收發模組之運行，若不符合時，則同時開啟該金融模組以及該身分訊號收發模組之運行以進行射頻干擾，又當僅使用該金融模組時，該處理模組係持續開啟該金融模組之運行，而不開啟該身分訊號收發模組之運行，使該金融模組於未有射頻干擾現象下，可進行運行；及一設於該指紋辨識模組一側且提供該指紋辨識模組電力之供電模組。
一種無線射頻卡片之使用方法，包括：將一無線射頻卡片置於一通電環境中，使一供電模組對該無線射頻卡片進行啟動；該供電模組供電給予一指紋辨識模組，使該指紋辨識模組可供使用者進行指紋辨識，以產生一指紋訊息；該指紋訊息係由一處理模組對一儲存於一為記憶體之儲存模組內的指紋資訊進行比對，當比對符合時，該處理模組係關閉一為NFC晶片的金融模組之運行，且開啟一為NFC晶片的身分訊號收發模組之運行，並該身分訊號收發模組發送一身分確認資訊，若比對不符合時，則持續開啟該金融模組之運行，且同時該身分訊號收發模組之運行以產生射頻干擾，再該身分訊號收發模組係資訊連結一為簽到裝置之身分讀取裝置，該身分讀取裝置內係設有一供儲存一身分資訊的儲存元件，且該身分讀取裝置內係設有一斷網模組，以當該身分讀取裝置處於一斷網環境而無法完成確認動作時，係於解除該斷網環境後，由該斷網模組啟動該身分讀取裝置將儲存於該儲存元件內之身分資訊進行傳遞發送，以完成身分確認程序；及於使用該金融模組之狀態下，該處理模組係持續開啟該金融模組，而不開啟該身分訊號收發模組，使該金融模組於未有射頻干擾現象下，得正常作動。
一種像素陣列，其包括： <br/>複數個像素胞元，其等配置成列及行，其中該等像素胞元之各者經組態以回應於入射光而產生一各自影像信號，其中該等像素胞元之各者包含： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於該入射光而光生影像電荷； <br/>一第一浮動擴散部(FD)，其經耦合以從該光電二極體接收該影像電荷； <br/>一重設電晶體，其耦合在一電壓源與該第一FD之間； <br/>一第二FD，其耦合在該第一FD與接地之間，其中該第二FD經由該第一FD及該重設電晶體選擇性地耦合至該電壓源；及 <br/>一第一雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第一與第二FD之間， <br/>其中該等像素胞元之一第一者之一第二FD耦合至該等像素胞元之一第二者之一第二FD，且 <br/>其中該等像素胞元之一第三者之一第二FD耦合至該等像素胞元之一第四者之一第二FD。
如請求項1之像素陣列，其進一步包括耦合至該等像素胞元之該等第一、第二、第三及第四者之該等第二FD之一第二雙浮動擴散電晶體。
如請求項1之像素陣列，其中該等像素胞元之各者進一步包含： <br/>一第三FD，其耦合在該第二FD與接地之間；及 <br/>一第二雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第二與第三FD之間， <br/>其中該等像素胞元之該第一者之一第三FD耦合至該等像素胞元之該第三者之一第三FD，且 <br/>其中該等像素胞元之該第二者之一第三FD耦合至該等像素胞元之該第四者之一第三FD。
如請求項3之像素陣列，其中該等像素胞元之各者之該等第一及第二雙浮動擴散電晶體經組態以在一高轉換增益(HCG)讀出期間關斷，其中該等像素胞元之各者之該第一雙浮動擴散電晶體經組態以在一中等轉換增益(MCG)讀出期間接通且該等像素胞元之各者之該第二雙浮動擴散電晶體經組態以在該MCG讀出期間關斷，且其中該等像素胞元之各者之該等第一及第二雙浮動擴散電晶體經組態以在一低轉換增益(LCG)讀出期間接通。
如請求項1之像素陣列，其中該等像素胞元之該第一者之該第二FD垂直耦合至該等像素胞元之該第二者之該第二FD，且其中該等像素胞元之該第三者之該第二FD垂直耦合至該等像素胞元之該第四者之該第二FD。
如請求項3之像素陣列，其中該等像素胞元之該第一者之該第三FD水平耦合至該等像素胞元之該第三者之該第三FD，且其中該等像素胞元之該第二者之該第三FD水平耦合至該等像素胞元之該第四者之該第三FD。
如請求項3之像素陣列，其中該等像素胞元之各者進一步包括： <br/>一第一電容器，其耦合在該第一FD與接地之間； <br/>一第二電容器，其耦合在該第二FD與接地之間；及 <br/>一第三電容器，其耦合在該第三FD與接地之間。
如請求項7之像素陣列，其中該第二電容器具有與該第一電容器相同之電容，且其中該第三電容器具有該第一電容器之兩倍電容。
如請求項7之像素陣列，其中該第二電容器具有該第一電容器之1.5倍電容，且其中該第三電容器具有該第一電容器之1.5倍電容。
如請求項7之像素陣列，其中該等第一、第二及第三電容器之各者係一水平金屬-絕緣體-金屬電容器。
一種像素陣列，其包括： <br/>複數個像素胞元，其等配置成列及行，其中該等像素胞元之各者經組態以回應於入射光而產生一各自影像信號，其中該等像素胞元之各者包含： <br/>一光電二極體，其經組態以回應於該入射光而光生影像電荷； <br/>一第一浮動擴散部(FD)，其經耦合以從該光電二極體接收該影像電荷； <br/>一重設電晶體，其耦合在一電壓源與該第一FD之間； <br/>一第二FD，其耦合在該第一FD與接地之間； <br/>一第一雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第一與第二FD之間，其中該第二FD經由該第一雙浮動擴散電晶體、該第一FD及該重設電晶體選擇性地耦合至該電壓源； <br/>一第三FD，其耦合在該第二FD與接地之間；及 <br/>一第二雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第二與第三FD之間， <br/>其中該等像素胞元之一第一者之一第三FD耦合至該等像素胞元之一第二者之一第三FD。
一種成像系統，其包括： <br/>一像素陣列，其包含： <br/>複數個像素胞元，其等配置成列及行，其中該等像素胞元之各者經組態以回應於入射光而產生一各自影像信號，其中該等像素胞元之各者包含： <br/>複數個光電二極體，其等經組態以回應於該入射光而光生影像電荷； <br/>一第一浮動擴散部(FD)，其經耦合以從該等光電二極體接收該影像電荷； <br/>一重設電晶體，其耦合在一電壓源與該第一FD之間； <br/>一第二FD，其耦合在該第一FD與接地之間； <br/>一第一雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第一與第二FD之間； <br/>一第三FD，其耦合在該第二FD與接地之間；及 <br/>一第二雙浮動擴散電晶體，其耦合在該等第二與第三FD之間， <br/>其中該等像素胞元之一第一者之一第二FD耦合至該等像素胞元之一第二者之一第二FD， <br/>其中該等像素胞元之一第三者之一第二FD耦合至該等像素胞元之一第四者之一第二FD， <br/>其中該等像素胞元之該第一者之一第三FD耦合至該等像素胞元之該第三者之一第三FD，且 <br/>其中該等像素胞元之該第二者之一第三FD耦合至該等像素胞元之該第四者之一第三FD； <br/>複數個位元線，其等耦合至該像素陣列； <br/>控制電路系統，其耦合至該像素陣列以控制該像素陣列之操作；及 <br/>讀出電路系統，其透過該等位元線耦合至該像素陣列以從該像素陣列讀出影像資料。
如請求項12之成像系統，其中該等像素胞元之各者之該等第一及第二雙浮動擴散電晶體經組態以在一高轉換增益(HCG)讀出期間關斷，其中該等像素胞元之各者之該第一雙浮動擴散電晶體經組態以在一中等轉換增益(MCG)讀出期間接通且該等像素胞元之各者之該第二雙浮動擴散電晶體經組態以在該MCG讀出期間關斷，且其中該等像素胞元之各者之該等第一及第二雙浮動擴散電晶體經組態以在一低轉換增益(LCG)讀出期間接通。
如請求項12之成像系統，其中該等像素胞元之該第一者之該第二FD垂直耦合至該等像素胞元之該第二者之該第二FD，且其中該等像素胞元之該第三者之該第二FD垂直耦合至該等像素胞元之該第四者之該第二FD。
如請求項12之成像系統，其中該等像素胞元之該第一者之該第三FD水平耦合至該等像素胞元之該第三者之該第三FD，且其中該等像素胞元之該第二者之該第三FD水平耦合至該等像素胞元之該第四者之該第三FD。
如請求項12之成像系統，其中該等像素胞元之該等第一及第二者與該等像素胞元之該等第三及第四者對稱配置。
如請求項12之成像系統，其中該等像素胞元之各者進一步包括： <br/>一第一電容器，其耦合在該第一FD與接地之間； <br/>一第二電容器，其耦合在該第二FD與接地之間；及 <br/>一第三電容器，其耦合在該第三FD與接地之間。
如請求項17之成像系統，其中該第二電容器具有與該第一電容器相同之電容，且其中該第三電容器具有該第一電容器之兩倍電容。
如請求項17之成像系統，其中該第二電容器具有該第一電容器之1.5倍電容，且其中該第三電容器具有該第一電容器之1.5倍電容。
如請求項17之成像系統，其中該等第一、第二及第三電容器之各者係一水平金屬-絕緣體-金屬電容器。
一種半導體裝置的製造方法，上述半導體裝置具備： <br/>絕緣構件； <br/>第1絕緣層，包含配置於上述絕緣構件之表面的氧化矽； <br/>電晶體，配置於上述第1絕緣層之一部分區域上； <br/>第2絕緣層，覆蓋上述第1絕緣層及上述電晶體；以及 <br/>第1配線，配置於上述第2絕緣層之上； <br/>上述半導體裝置的製造方法包含： <br/>準備表面具有上述第1絕緣層之暫時的支承基板之步驟； <br/>於上述第1絕緣層之上依序形成上述電晶體、上述第2絕緣層以及上述第1配線之步驟； <br/>利用酸或鹼系的至少一種蝕刻劑將上述暫時的支承基板蝕刻去除之步驟；以及 <br/>於藉由上述蝕刻去除而露出的上述第1絕緣層之表面貼附上述絕緣構件之步驟。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其進一步包含： <br/>形成貫通孔之步驟，上述貫通孔自上述第1配線的下表面貫通上述第2絕緣層及上述第1絕緣層並到達上述絕緣構件，上述貫通孔於俯視時其外緣的至少一部分與上述第1配線重疊； <br/>上述第1配線包含與上述第2絕緣層接觸的下部層，由Ta、W、Ta化合物或W化合物形成上述下部層。
如請求項2所述的半導體裝置的製造方法，其進一步包含： <br/>形成貫通上述第2絕緣層並連接於上述電晶體之接觸電極之步驟； <br/>作為上述第1配線的上述下部層的材料，選擇蝕刻耐性比上述接觸電極高者。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其進一步包含： <br/>形成貫通孔之步驟，上述貫通孔自上述第1配線的下表面貫通上述第2絕緣層及上述第1絕緣層並到達上述絕緣構件，上述貫通孔於俯視時其外緣的至少一部分與上述第1配線重疊；以及 <br/>於上述第2絕緣層及與上述第2絕緣層接觸的上述第1配線的上述下部層之上堆積第3絕緣層之步驟。
如請求項1至4中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其進一步包含： <br/>研磨上述暫時的支承基板之步驟，其先於上述蝕刻去除進行。
一種具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，包括：<br/> 一殼體，該殼體具有一安裝面及一發射面，該安裝面與該發射面之間具有一夾角，且該夾角介於50°~70°；<br/> 一天線單元，設置在該發射面，並輸出一偵測電波，用於進行物體偵測；<br/> 一屏蔽單元，設置於該殼體對應於該偵測電波反射的一鬼影回波的路徑上，屏蔽該鬼影回波；以及<br/> 其中，該天線單元與該屏蔽單元之間相隔一第一距離，以該天線單元最靠近該屏蔽單元的部分投影到該安裝面與該屏蔽單元的外側端或內側端之間的距離為該第一距離，且該第一距離不超過50 mm。
如請求項1所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該屏蔽單元為單層薄片。
如請求項1所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該屏蔽單元為多層薄片。
如請求項1所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該屏蔽單元為倒U型體。
如請求項1所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該屏蔽單元由一吸波材質製成。
如請求項5所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該吸波材質為一金屬材料的表面塗上一吸波塗料。
如請求項5所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該吸波材質為一非金屬材料的表面塗上一吸波塗料。
如請求項6或7所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該吸波塗料為金屬塗料、鐵氧體材料、碳基材料、導電聚合物、金屬薄膜、微波吸收塗層或磁性材料。
如請求項1所述的具有改善雷達多重路徑效應的結構之雷達裝置，其中該天線單元的視場範圍為4°~90°。
一種氮化鎵的粉末，是氧含量為0.5 at%以下的氮化鎵的粉末，並且將所述粉末8 g填充至10 mm×40 mm的長方體狀的模具中，在壓力100 MPa下進行單軸加壓成形時的電阻率為1.0×10<sup>7</sup> Ω·cm以下，其中所述氮化鎵為具有氮缺陷的氮化鎵。
如請求項1所述的粉末，其中，輕裝容積密度為1.00 g/mL以上且1.85 g/mL以下。
如請求項1所述的粉末，其中，平均粒徑為1 μm以上且150 μm以下。
如請求項1所述的粉末，其中，相對於面積90%直徑而言的面積10%直徑為0.01以上且0.45以下。
一種製造方法，製造如請求項1所述的粉末，所述製造方法具有將氮化鎵的粉末在僅有惰性氣體流通環境、900℃以上且1300℃以下進行熱處理的熱處理步驟。
如請求項5所述的製造方法，其中，所述氮化鎵的粉末為藉由金屬鎵的氮化處理而獲得的狀態的氮化鎵的粉末。
如請求項5或6所述的製造方法，其中，所述惰性氣體流通環境為流通有包含氬及氮中的至少任一種的氣體的環境。
如請求項5或6所述的製造方法，其中，惰性氣體的流通速度為500 mL/分鐘以上且5000 mL/分鐘以下。
一種氮化鎵的燒結體的製造方法，具有使如請求項1所述的粉末成形並獲得成形體的步驟、以及對成形體進行煆燒的煆燒步驟。
如請求項9所述的氮化鎵的燒結體的製造方法，其中經由所述氮化鎵的燒結體的製造方法獲得的所述成形體的密度為2.0g/cm³以上且5.0g/cm³以下，所述成形體的抗折強度為2.1MPa以上且10MPa以下。
一種八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，包含以下步驟：<br/> (A) 形成一初胚，該初胚呈徑向剖面為非圓形的柱狀體；<br/> (B) 對該初胚的端面進行一鍍膜作業，以在該端面上形成一鍍膜結構；<br/> (C) 對該初胚進行一切片作業，以獲得具有該鍍膜結構和完整的該初胚的端面的一半成品切片；以及<br/> (D) 對該半成品切片進行一邊緣修整作業，以形成一成品切片。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中該初胚的徑向剖面是多角形。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中該初胚的徑向剖面是不規則形狀。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中當該製造方法是用於製造該晶圓時，該初胚是半導體材料晶棒。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中當該製造方法是用於製造該光學基板時，該初胚是半導體材料晶棒。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中當該製造方法是用於製造該光學基板時，該初胚是玻璃棒。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中該步驟(B)至該步驟(D)被重複執行，直到剩餘的初胚在其延伸方向上的厚度小於一門檻值。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中在執行該步驟(B)之前，該製造方法還包含以下步驟：(E) 對該初胚的端面進行一表面平坦化作業。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中在執行該步驟(B)之前，該製造方法還包含以下步驟：(F) 對該初胚的端面進行一改質作業。
根據請求項1所述的八吋以上的晶圓或光學基板的製造方法，其中在執行該步驟(B)之後，該製造方法還包含以下步驟：(G) 對該端面上的該鍍膜結構進行一表面平坦化作業。
一種取像光學系統，包含一取像光學鏡頭與至少二開孔，分別對應一第一模式以及一第二模式；<br/> 其中，該取像光學鏡頭由物側至像側依序包含一物側透鏡群、一第一光路轉折元件與一共用透鏡群，其中該物側透鏡群為一第一模式物側透鏡群或是一第二模式物側透鏡群，該共用透鏡群依序包含一中間透鏡群與一最後透鏡群；<br/> 其中，該取像光學鏡頭在該第一模式時由該至少二開孔的一者收光，沿光路行徑方向依序包含該第一模式物側透鏡群、該第一光路轉折元件與該共用透鏡群；<br/> 該取像光學鏡頭在該第二模式時由該至少二開孔的另一者收光，沿光路行徑方向依序包含該第二模式物側透鏡群、該第一光路轉折元件與該共用透鏡群；<br/> 其中，該第一光路轉折元件沿光路移動，使該取像光學鏡頭在該第一模式和該第二模式之間進行切換；<br/> 其中，該第一模式物側透鏡群、該第二模式物側透鏡群、該中間透鏡群以及該最後透鏡群皆包含至少一透鏡，各該透鏡皆有一物側表面朝向物側及一像側表面朝向像側；<br/> 其中，該取像光學鏡頭中該些透鏡中的至少二者為塑膠。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該第一模式與該第二模式中至少一者具備複數拍攝狀態，該些拍攝狀態分別在物距1000 mm以上與物距350 mm以內進行拍攝，該取像光學鏡頭最靠近一成像面的該透鏡具有至少一反曲點。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該共用透鏡群與一成像面間無其他透鏡；當物距設定為無窮遠的一拍攝狀態時，該取像光學鏡頭在該第一模式以及該第二模式之間進行切換時，該第一光路轉折元件相對於該最後透鏡群沿光路的移動距離為TPM12，該第一光路轉折元件內沿著光軸的長度為CTP1，其滿足下列條件：<br/> 0.65 ＜ TPM12/CTP1 ＜ 2.70。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭在該第一模式時的最大像高為ImgH1，該取像光學鏡頭在該第二模式時的最大像高為ImgH2，其滿足下列條件：<br/> 1.50 ＜ ImgH1/ImgH2 ＜ 3.00。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該最後透鏡群與一成像面之間另有一第二光路轉折元件，該第一模式物側透鏡群的透鏡總數最多為二，該第二模式物側透鏡群的透鏡總數最多為三，該共用透鏡群的透鏡總數為六。
如請求項3所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭最靠近物側的該透鏡為一正透鏡，該共用透鏡群最靠近物側的該透鏡為一正透鏡，該第一模式與該第二模式的最大視場角至少差距2.0倍。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該第一模式物側透鏡群與該第二模式物側透鏡群皆相對於該最後透鏡群為固定不動，該中間透鏡群相對於該最後透鏡群沿光路移動。
如請求項1所述的取像光學系統，其中在該第一模式與該第二模式中，當物距設定為無窮遠的一拍攝狀態時，該取像光學鏡頭的整體焦距分別除以最靠近一成像面的三片該透鏡的焦距的值，該三個值的加總為ΣPGn，其滿足下列條件：<br/> -5.00 ＜ ΣPGn ＜ 1.80。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該第一模式與該第二模式共用相同的一電子感光元件，該取像光學鏡頭最靠近一成像面的該透鏡為一負透鏡。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭中至少一該透鏡具有至少一臨界點；該取像光學鏡頭在單一模式中，該物側透鏡群最靠近物側的透鏡表面至該物側透鏡群最靠近像側的透鏡表面於光軸上的距離為DGA，其滿足下列條件：<br/> DGA ＜ 4.50 mm。
如請求項1所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭中該些透鏡中的至少三者為塑膠；該取像光學鏡頭在所有模式中，最靠近物側的透鏡表面至一成像面於光軸上的距離的最大值為TLmax，在該取像光學鏡頭所有的該些透鏡的中心厚度中，最大的透鏡中心厚度值為CTmax，該取像光學鏡頭在所有模式中，最靠近物側的透鏡表面其光學有效半徑值的最小值為YGAR1min，其滿足下列條件：<br/> TLmax ＜ 80 mm；<br/> CTmax ＜ 3.0 mm；以及<br/> 3.80 mm ＜ YGAR1min。
如請求項5所述的取像光學系統，其中該第一光路轉折元件與該第二光路轉折元件皆為稜鏡，該取像光學鏡頭中相鄰的該些透鏡於光軸上皆具有空氣間距。
一種取像裝置，包含：<br/> 如請求項1所述的取像光學系統；以及<br/> 一電子感光元件，設置於該取像光學系統的一成像面。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項13所述的取像裝置。
一種取像光學系統，包含一取像光學鏡頭，分別對應一第一模式以及一第二模式；<br/> 其中，該取像光學鏡頭由物側至像側依序包含一物側透鏡群與一共用透鏡群，其中該物側透鏡群為一第一模式物側透鏡群或是一第二模式物側透鏡群，該共用透鏡群依序包含一中間透鏡群與一最後透鏡群；<br/> 其中，該取像光學鏡頭在該第一模式時，沿光路行徑方向依序為該第一模式物側透鏡群與該共用透鏡群；<br/> 該取像光學鏡頭在該第二模式時，沿光路行徑方向依序為該第二模式物側透鏡群與該共用透鏡群；<br/> 其中，該第一模式物側透鏡群、該第二模式物側透鏡群、該中間透鏡群以及該最後透鏡群皆包含至少一透鏡，各該透鏡皆有一物側表面朝向物側及一像側表面朝向像側；<br/> 其中，該取像光學鏡頭中該些透鏡中的至少二者為塑膠；<br/> 其中，該第一模式物側透鏡群的透鏡總數最多為二，該第二模式物側透鏡群的透鏡總數最多為二，該共用透鏡群的透鏡總數為六，該六片透鏡依序為一第一透鏡、一第二透鏡、一第三透鏡、一第四透鏡、一第五透鏡以及一第六透鏡；<br/> 其中，該第一透鏡的中心厚度為CT1，該第五透鏡的中心厚度為CT5，該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，其滿足下列條件：<br/> 1.60 ＜ (CT1+T12)/CT5 ＜ 11.0。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭最靠近物側的該透鏡為一正透鏡，該第四透鏡具有負屈折力，該第二透鏡像側表面為凹面。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭僅包含該物側透鏡群與該共用透鏡群；該取像光學鏡頭在單一模式中，該物側透鏡群最靠近像側的透鏡表面與該共用透鏡群最靠近物側的透鏡表面於光軸上的間隔距離為TGAB，該共用透鏡群中，最靠近物側的透鏡表面至最靠近像側的透鏡表面於光軸上的距離為DGB，其滿足下列條件：<br/> 0.75 ＜ TGAB/DGB ＜ 4.0。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第五透鏡於d-line的折射率為N5，該第一透鏡的焦距為f1，該第二透鏡的焦距為f2，該第四透鏡的焦距為f4，其滿足下列條件：<br/> 1.20 ≤ N5 ≤ 1.65；以及<br/> 0.80 ＜ (|f1|+|f2|)/|f4| ＜ 2.0。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第一透鏡的中心厚度為CT1，該第六透鏡的中心厚度為CT6，其滿足下列條件：<br/> 0.35 ＜ CT1/CT6 ＜ 2.20。
如請求項16所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭在單一模式中，該物側透鏡群最靠近物側的透鏡表面至該物側透鏡群最靠近像側的透鏡表面於光軸上的距離為DGA，在該第一模式與該第二模式中，該第一透鏡的中心厚度為CT1，其滿足下列條件：<br/> 0.90 ＜ DGA/CT1 ＜ 3.00。
如請求項16所述的取像光學系統，其中該取像光學鏡頭最靠近一成像面的該透鏡具有至少一反曲點，該中間透鏡群依序包含一片正透鏡、一片負透鏡與另一片正透鏡。
如請求項16所述的取像光學系統，其中該最後透鏡群依序包含一片負透鏡與另一片透鏡，且該最後透鏡群與一成像面間無其他透鏡；該第五透鏡具有至少一反曲點；該第一透鏡於d-line的折射率為N1，該第五透鏡於d-line的折射率為N5，該第一透鏡的阿貝數為V1，該第五透鏡的阿貝數為V5，其滿足下列條件：<br/> 0.20 ＜ 10×(N1/V1+N5/V5) ＜ 1.35。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該物側透鏡群與該共用透鏡群之間具有一第一光路轉折元件，該第一光路轉折元件以轉動的方式或以沿光路移動的方式，使鏡頭在該第一模式與該第二模式之間進行切換。
如請求項23所述的取像光學系統，其中該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該第一透鏡的焦距為f1，該第四透鏡的焦距為f4，其滿足下列條件：<br/> 0.08 ＜ |10×T12/f4| ＜ 1.50；以及<br/> -1.20 ＜ f1/f4 ＜ 0.00。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第一模式與該第二模式中至少一者具備複數拍攝狀態，該些拍攝狀態分別在物距1000 mm以上與物距250 mm以內進行拍攝。
如請求項25所述的取像光學系統，其中該第三透鏡像側表面為凸面；該第一模式物側透鏡群與該第二模式物側透鏡群皆相對於該最後透鏡群固定不動，該中間透鏡群相對於該最後透鏡群沿光路移動。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第一模式與該第二模式的最大視場角至少差距2.0倍。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第一透鏡的中心厚度為CT1，該第五透鏡的中心厚度為CT5，該第六透鏡的中心厚度為CT6，該第一透鏡與該第二透鏡於光軸上的間隔距離為T12，該取像光學鏡頭在單一模式中，該物側透鏡群最靠近像側的透鏡表面與該共用透鏡群最靠近物側的透鏡表面於光軸上的間隔距離為TGAB，該共用透鏡群中，最靠近物側的透鏡表面至最靠近像側的透鏡表面於光軸上的距離為DGB，該第一透鏡的焦距為f1，該第二透鏡的焦距為f2，該第四透鏡的焦距為f4，該第一透鏡於d-line的折射率為N1，該第五透鏡於d-line的折射率為N5，該第一透鏡的阿貝數為V1，該第五透鏡的阿貝數為V5，其滿足下列條件：<br/> 2.63 ≤ (CT1+T12)/CT5 ≤ 4.24；<br/> 0.96 ≤ TGAB/DGB ≤ 3.04；<br/> 0.90 ＜ (|f1|+|f2|)/|f4| ＜1.80；<br/> 0.86 ≤ CT1/CT6 ≤ 1.46；<br/> 0.15 ≤ |10×T12/f4| ≤ 0.30；<br/> -0.85 ≤ f1/f4 ≤ -0.67；以及<br/> 0.50 ＜ 10×(N1/V1+N5/V5) ＜ 1.20。
如請求項15所述的取像光學系統，其中該第一透鏡於d-line的折射率為N1，該第五透鏡於d-line的折射率為N5，該第一透鏡的阿貝數為V1，該第五透鏡的阿貝數為V5，該第一透鏡的焦距為f1，該第三透鏡的焦距為f3，該第四透鏡的焦距為f4，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ＜ 10×(N1/V1+N5/V5) ＜ 1.40；以及<br/> 0.60 ＜ |f1/f3|+|f1/f4| ＜ 3.00。
一種具有較佳靜電消除效能的光罩清洗設備，其包含有：<br/> 一水洗裝置；<br/> 一承載座，設置在該水洗裝置旁，用來承載一光罩；<br/> 一導流管，連通於該水洗裝置，該導流管係接收溶有二氧化碳的超純水，並將溶有該二氧化碳的該超純水提供給該水洗裝置以沖洗該光罩；<br/> 一排流管，連通於該水洗裝置，用來排除溶有該二氧化碳的該超純水以帶走自該光罩消除掉的殘留靜電；<br/> 一儲氣槽，用來儲存該二氧化碳；以及<br/> 一流量計，連通在該儲氣槽與該導流管之間，用來控制從該儲氣槽流向該導流管的該二氧化碳的流量。
如請求項1所述之光罩清洗設備，其中該光罩清洗設備另包含有一儲液槽，連通於該導流管，用來儲存溶有該超純水。
如請求項1所述之光罩清洗設備，其中該光罩清洗設備另包含有一液體阻值測試器，設置在該導流管與該水洗裝置之間，該液體阻值測試器係測試溶有該二氧化碳的該超純水之一電阻值是否符合一預定條件。
如請求項3所述之光罩清洗設備，其中該液體阻值測試器係在該電阻值符合該預定條件時，允許溶有該二氧化碳的該超純水流向該水洗裝置。
如請求項3所述之光罩清洗設備，其中該光罩清洗設備另包含有一警示器，電連接該液體阻值測試器，該警示器係在該電阻值不符該預定條件時輸出一警告訊號。
如請求項5所述之光罩清洗設備，其中該警示器係電連接該流量計，該流量計係在該電阻值不符該預定條件時，調整該儲氣槽排出該二氧化碳的該流量，以控制溶有該二氧化碳的該超純水的導電度。
如請求項1所述之光罩清洗設備，其中該超純水係指其比阻抗值在攝氏二十五度時達到18.2 MΩ.cm的液態水。
一種化合物於製備用於改善腸道菌群之組合物的用途，其中：<br/> 所述化合物係自一紅麴發酵產物萃取獲得之莫那辛諾(monascinol)，且該紅麴發酵產物為通過將一紅麴菌接種至一米基質並經過培養與乾燥製程而製得的一紅麴米；<br/> 所述紅麴菌為寄存於英國國家食品工業和海洋細菌中心(NCIMB Ltd)的<i>Monascus pilosus</i>，寄存日期為2023年1月12日，且寄存編號為NCIMB 44103；以及<br/> 包含成人劑量介於0.75 mg/day至12 mg/day之所述化合物的所述組合物具有以下功效： <br/> 有效調節腸道菌群組成，包括：<br/> (a) 降低 降低腸道中厚壁菌門(Firmicutes)與擬桿菌門(Bacteroidetes)之相對比例以改善由高脂飲食引起的菌群失衡；<br/> (b) 提高艾克曼嗜黏蛋白菌 (<i>Akkermansia muciniphila</i>)、雙歧桿菌目 (Bifidobacteriales)、擬桿菌屬(Bacteroides)中的氏他氏菌(<i>Bacteroides thetaiotaomicron</i>)、以及杜氏菌屬之紐約菌(<i>Dubosiella newyorkensis</i>)的菌群豐度；以及<br/> (c) 減少真桿菌目(Eubacteriales)的菌群豐度。
如請求項1所述之用途，其中，包含成人劑量介於0.75 mg/day至12 mg/day之所述化合物的所述組合物還具有以下功效： <br/> 降低因高油脂飲食所誘發之肝臟重量增加；<br/> 降低因高油脂飲食所誘發之肝臟脂質堆積，其中所述肝臟脂質包括總膽固醇與三酸甘油酯；<br/> 減少高油脂飲食誘發之白色脂肪組織堆積；以及<br/> 抑制腸道脂質吸收，並促進脂質經由糞便排出。
如請求項2所述之用途，其中，所述組合物為選自於由食品組合物、醫藥組合物、飼料組合物、營養補充組合物、膳食補充組合物、和食品添加劑組合物所組成群組之中的任一者。
一種半導體基底的製造方法，包括：<br/> 利用模擬軟體在4H碳化矽超晶胞中加入第一摻雜物以獲得n型4H碳化矽超晶胞；<br/> 利用所述模擬軟體在另一個4H碳化矽超晶胞中加入第二摻雜物以獲得半絕緣型4H碳化矽超晶胞；<br/> 利用所述模擬軟體進行所述n型4H碳化矽超晶胞的自由能結構優化模擬，以建立n型4H碳化矽標準模型；<br/> 利用所述模擬軟體進行所述半絕緣型4H碳化矽超晶胞的所述自由能結構優化模擬，以建立半絕緣型4H碳化矽標準模型；<br/> 利用所述模擬軟體將摻雜元素帶入所述n型4H碳化矽標準模型以及所述半絕緣型4H碳化矽標準模型中的至少一者以計算經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的模擬電阻率；以及<br/> 利用所述摻雜元素摻雜碳化矽基底以獲得經摻雜的碳化矽基底，其中所述自由能結構優化模擬包括使用GGA-PBE泛函執行基於第一原理的VASP計算程式，且所使用的平面波截止能量為200 eV至550 eV，k點間隔為0.1/Ang至0.5/Ang，自洽場能量收斂為10<sup>-5</sup>至10<sup>-7</sup>eV。
如請求項1所述的製造方法，其中利用所述模擬軟體將所述摻雜元素帶入所述n型4H碳化矽標準模型以及所述半絕緣型4H碳化矽標準模型中的至少一者以計算經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的所述模擬電阻率包括：<br/> 模擬計算所述n型4H碳化矽標準模型的第一費米能階；<br/> 模擬計算所述半絕緣型4H碳化矽標準模型的第二費米能階；<br/> 在所述模擬軟體中利用所述n型4H碳化矽標準模型計算經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的第一模擬電阻率；<br/> 在所述模擬軟體中利用所述半絕緣型4H碳化矽標準模型計算經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的第二模擬電阻率，其中：<br/> 所述第一模擬電阻率相符於經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的能帶圖以及所述第一費米能階，且所述第一模擬電阻率為所述模擬電阻率，或<br/> 所述第二模擬電阻率相符於經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的能帶圖以及所述第二費米能階，且所述第二模擬電阻率為所述模擬電阻率。
如請求項1所述的製造方法，其中利用所述模擬軟體進行所述n型4H碳化矽超晶胞的所述自由能結構優化模擬包括：<br/> 在所述模擬軟體中，利用實際量測的經所述第一摻雜物摻雜的n型4H碳化矽的能隙以及電阻率，搭配波茲曼傳輸方程式，獲得多個第一量子力學參數；以及<br/> 利用所述模擬軟體基於所述多個第一量子力學參數以及GGA-PBE泛函進行所述n型4H碳化矽超晶胞的所述自由能結構優化模擬。
如請求項3所述的製造方法，其中所述多個第一量子力學參數包括平面波截止能量、k點間隔以及自洽場能量收斂。
如請求項1所述的製造方法，其中利用所述模擬軟體進行所述半絕緣型4H碳化矽超晶胞的所述自由能結構優化模擬包括：<br/> 在所述模擬軟體中，利用實際量測的經所述第二摻雜物摻雜的半絕緣型4H碳化矽的能隙以及電阻率，搭配波茲曼傳輸方程式，獲得多個第二量子力學參數；以及<br/> 利用所述模擬軟體基於所述多個第二量子力學參數以及GGA-PBE泛函進行所述半絕緣型4H碳化矽超晶胞的所述自由能結構優化模擬。
如請求項5所述的製造方法，其中所述多個第二量子力學參數包括平面波截止能量、k點間隔以及自洽場能量收斂。
如請求項1所述的製造方法，更包括：<br/> 利用所述模擬軟體建立1×1×1的所述4H碳化矽單位晶胞；以及<br/> 重覆排列的所述4H碳化矽單位晶胞以獲得2×2×2的所述4H碳化矽超晶胞。
如請求項1所述的製造方法，更包括：<br/> 利用霍爾量測得知經所述摻雜元素摻雜的4H碳化矽的載子類型為電子或電洞；以及<br/> 基於所述載子類型決定所述摻雜元素摻雜適用於所述n型4H碳化矽標準模型或所述半絕緣型4H碳化矽標準模型。
如請求項1所述的製造方法，其中所述摻雜元素包括Ta、P、As、Sb、Bi、F、Cl、I、At、B、Al、Ga、In以及Tl中的一者。
如請求項1所述的製造方法，其中所述第一摻雜物包括氮，且所述第二摻雜物包括釩。
如請求項1所述的製造方法，其中所述第一費米能階位於高於價帶2.56 eV的位置，且所述第二費米能階位於高於價帶0.99 eV的位置。
一種半導體基底，包括：<br/> 碳化矽基底，所述碳化矽基底經Ta、Cl、I以及At中的至少一者摻雜，且經摻雜的所述碳化矽基底的電阻率為10<sup>-2</sup> ~ 10<sup>-3</sup> ohm-cm。
一種半導體基底，包括：<br/> 碳化矽基底，所述碳化矽基底經F摻雜，且經摻雜的所述碳化矽基底的電阻率大於10<sup>10</sup> ohm-cm。
一種保護片材，其係具備黏附於電子零件的保護對象面或連接有複數個該電子零件之電子零件連接體的保護對象面而使用之保護層； <br/>該保護層的黏度η在60℃下為2,000Pa･s以上45萬Pa･s以下； <br/>該保護層係含有第一水溶性高分子化合物及質量平均分子量大於該第一水溶性高分子化合物之第二水溶性高分子化合物作為水溶性高分子化合物； <br/>在基於凝膠滲透層析測定之質量分子量分布的波峰解析中，該第一水溶性高分子化合物的質量平均分子量峰頂存在於1000以上2萬以下的範圍內，該第二水溶性高分子化合物的質量平均分子量峰頂存在於10萬以上100萬以下的範圍內；且 <br/>該保護層係含有選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮及水溶性聚酯所成群中至少一種作為該第一水溶性高分子化合物、以及具有源自環氧乙烷之構成單元之聚合物作為該第二水溶性高分子化合物。
如請求項1所述之保護片材，其中具備： <br/>與該保護層之一側的面呈對向配置之基材層、及 <br/>配置於該保護層與該基材層之間之黏著劑層； <br/>該黏著劑層的兩面係可剝離地各別黏著於該保護層及該基材層。
一種預測系統，預測生產產品的一個以上的設施各自的電力需求，所述預測系統包括： <br/>算出部，針對所述一個以上的設施的每一個，基於消耗電力的實績資料以及所述產品的生產計劃，算出對象時段的電力使用預定量；以及 <br/>決定部，針對所述一個以上的設施的每一個，基於所述電力使用預定量以及所述對象時段的電力交易價格，決定所述對象時段的自電力系統的購電預定量。
如請求項1所述的預測系統，其中所述決定部基於所述電力使用預定量以及所述電力交易價格，進一步決定所述電力使用預定量中的由與所述電力系統不同的一個以上的電力供給源的每一個供應的分量，所述一個以上的電力供給源包括自發電裝置及蓄電裝置中的至少一個。
如請求項2所述的預測系統，其中所述一個以上的電力供給源包括太陽能發電裝置， <br/>所述決定部基於氣象預報資訊、所述電力使用預定量、以及所述電力交易價格，決定所述購電預定量與所述一個以上的電力供給源各自的所述分量。
如請求項2或3所述的預測系統，其中 <br/>所述決定部 <br/>針對對象期間所包括的多個時段的每一個，基於所述電力交易價格而設定優先級， <br/>自所述多個時段中按照所述優先級依次選擇所述對象時段， <br/>以不影響針對所述多個時段中所述優先級較所述對象時段高的時段決定的所述購電預定量與所述一個以上的電力供給源各自的所述分量的方式，針對所述對象時段決定所述購電預定量與所述一個以上的電力供給源各自的所述分量。
如請求項1所述的預測系統，更包括通知部，所述通知部向聚合器通知表示與所述購電預定量相關的資訊的通知資料。
如請求項2所述的預測系統，其中所述決定部基於所述生產計劃的第一可調節量以及自所述一個以上的電力供給源供給的電力的第二可調節量中的至少一個，進一步決定所述購電預定量的第三可調節量， <br/>所述預測系統更包括通知部， <br/>所述通知部向聚合器通知表示與所述購電預定量相關的資訊以及所述第三可調節量的通知資料。
如請求項5或6所述的預測系統，其中所述通知部基於所述電力交易價格，判斷是否將所述通知資料通知給所述聚合器。
如請求項6所述的預測系統，更包括輸出部，所述輸出部輸出與所述第三可調節量對應的電力成本。
如請求項2所述的預測系統，其中所述決定部基於根據最新的生產計劃而算出的所述電力使用預定量、最新的所述電力交易價格、以及所述一個以上的電力供給源的最新狀況，定期更新所述購電預定量。
如請求項1所述的預測系統，更包括調整部，所述調整部在響應來自聚合器的需量反應的請求的情況下，調整所述電力使用預定量以滿足所述請求。
如請求項1所述的預測系統，其中所述一個以上的設施包括多個設施， <br/>所述預測系統更包括調整部，所述調整部根據所述電力交易價格，調整所述多個設施的所述生產計劃。
一種聚合系統，與如請求項5或6所述的預測系統進行通訊，所述聚合系統包括判斷部， <br/>所述判斷部基於所述通知資料以及來自所述電力系統的電力供給預定量，判斷是否對所述一個以上的設施的每一個請求需量反應。
一種預測方法，預測生產產品的設施的電力需求，所述預測方法包括： <br/>處理器基於消耗電力的實績資料以及所述產品的生產計劃，針對所述設施算出對象時段的電力使用預定量；以及 <br/>所述處理器基於所述電力使用預定量以及所述對象時段的電力交易價格，針對所述設施決定所述對象時段的自電力系統的購電預定量。
一種電腦程式產品，是使電腦執行預測生產產品的設施的電力需求的方法的電腦程式產品，其中所述方法包括： <br/>基於消耗電力的實績資料以及所述產品的生產計劃，針對所述設施算出對象時段的電力使用預定量；以及 <br/>基於所述電力使用預定量以及所述對象時段的電力交易價格，針對所述設施決定所述對象時段的自電力系統的購電預定量。
一種全固態電池，係包含：<br/> 正極層，係含有NASICON型結構之磷酸鹽、導電物質及作為活性物質之NASICON型結構之磷酸鋰釩Li<sub>3</sub>V<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>； <br/> 負極層，係含有NASICON型結構之磷酸鹽、導電物質及作為活性物質之NASICON型結構之磷酸鋰釩Li<sub>3</sub>V<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>、磷酸鋰鈦LiTi<sub>2</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>或金屬鋰；及<br/> 固態電解質層，係含有NASICON型結構之磷酸鹽；<br/> 該負極層組成中該導電物質之添加量為5~10 wt%；<br/> 該正極層組成中該導電物質之添加量為5~10 wt%。
如請求項1所述之全固態電池，其中，該正極層與該負極層含有之該導電物質包含導電碳黑或活性碳或石墨。
如請求項1所述之全固態電池，其中，該正極層、該負極層及該固態電解質層之該NASICON型結構之磷酸鹽係相同材料。
如請求項3所述之全固態電池，其中，該相同材料為LiM1<sub>(x)</sub>M2<sub>(2-x)</sub>(M3O<sub>4</sub>)<sub>3</sub>，M1為Al、V或Cr元素，M2為Ti或Ge，M3為Si或P，0≦x≦2。
一種如請求項1所述之全固態電池之製備方法，係包含：<br/> (步驟1)製備含有NASICON型結構之磷酸鹽之正極生胚；<br/> (步驟2)製備含有NASICON型結構之磷酸鹽之負極生胚或金屬鋰；<br/> (步驟3)製備含有NASICON型結構之磷酸鹽之該固態電解質層，其包含：<br/> (步驟3-1)將NASICON型結構之磷酸鹽類之組成原料高溫熔融後淬冷為玻璃態後，細化並研磨為粉末；<br/> (步驟3-2)將該粉末製成生胚；<br/> (步驟3-3)將該生胚於700~1100℃燒結成緻密度為95%以上的電解質薄片； <br/> (步驟3-4)將該正極生胚置於燒結後之電解質薄片上，再經過700~1100℃熱處理；<br/> (步驟3-5)將該負極生胚置於經過步驟3-4處理之該電解質薄片之另一面，再經過700~1100℃熱處理，或以金屬鋰片作為負極。
如請求項5所述之製備方法，其中，該步驟3-3之燒結後之NASICON型結構之磷酸鹽類粉末係具有90%以上結晶質、且殘留玻璃值低於10%。
一種全固態電池組，係包含：<br/> 金屬集流層，係選自由鎳、銅、銀及鉑所成群中至少一種；<br/> 複數個如請求項1所述之全固態電池。
一種如請求項7所述之全固態電池組之製備方法，係包含：<br/> 使用該金屬集流層將該複數個如請求項1所述之全固態電池相互並聯，並匯集至左右兩側正極端與負極端，進而形成該全固態電池組。
一種用於水產之飼料添加物，包括：液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)及副乾酪乳桿菌(<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元； <br/> 其中，該副乾酪乳桿菌 (<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元為熱滅活狀態且包括熱滅活菌體、菌體片段、以及菌體在發酵培養過程所產生之代謝物；<br/> 其中，該液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)的菌數大於等於0.5x10<sup>9</sup> cfu/g；<br/> 其中，該副乾酪乳桿菌 (<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元的菌數大於等於0.5x10<sup>10</sup> cfu/g； <br/> 其中，該飼料添加物另包括一發酵豆粉；<br/> 其中，該液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)、副乾酪乳桿菌(<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元及該發酵豆粉之重量比為1:20:19~79。
如請求項1所述的用於水產之飼料添加物，其中該液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)與副乾酪乳桿菌 (<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元係以菌數比例為1:10相混合。
如請求項1所述的用於水產之飼料添加物，其中係用於甲殼類之飼料添加物。
如請求項1所述的用於水產之飼料添加物，其中其中，該液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)的菌數為4x10<sup>10</sup> cfu/g，該副乾酪乳桿菌 (<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元的菌數為2x10<sup>10</sup> cfu/g；該液化澱粉芽孢桿菌(<i>Bacillus amyloliquefaciens</i>)的菌數大於等於1.0x10<sup>9</sup> cfu/g；該副乾酪乳桿菌 (<i>Lacticaseibacillus paracasei</i>)後生元的菌數大於等於1.0x10<sup>10</sup> cfu/g。
如請求項4所述的用於水產之飼料添加物，其中該發酵豆粉為植物豆粉或經過微生物醱酵的植物豆粉；該用於水產之飼料添加物另包括一賦型劑；該用於水產之飼料添加物的組合物的型態可為粉劑或液劑；用於甲殼類之飼料添加物；該甲殼類為蝦。
一種如請求項1至4中任一項所述的用於水產之飼料添加物之用途，其用於提升飼料效率。
如請求項6所述的用於水產之飼料添加物之用途，其用於提升水產之生長性能、提升水產之存活率及弧菌清除率提升；該水產為蝦。
一種化學增幅負型阻劑組成物，包含：<br/> (A)由下式(A)表示之鎓鹽構成的光酸產生劑，及<br/> (B)基礎聚合物，含有含下式(B1)表示之重複單元之聚合物；<br/> 該(A)成分的含量相對於該(B)基礎聚合物80質量份，為0.001~50質量份；<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="119px" file="ed10168.jpg" alt="ed10168.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n1為0~2之整數；n2在n1=0時為2~5之整數，在n1=1時為2~7之整數，在n1=2時為2~9之整數；<br/> L為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵；<br/> R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為氫原子或也可含有雜原子之分支狀或環狀之碳數3~20之烴基，惟不會皆為氫原子；又，R<sup>1</sup>與R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環；<br/> R<sup>3</sup>分別獨立地為碘原子或也可含有雜原子之分支狀或環狀之碳數3~20之烴基，且至少1個R<sup>3</sup>係鍵結於和L所鍵結的碳原子相鄰之碳原子；<br/> Z<sup>+</sup>為鎓陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10169.jpg" alt="ed10169.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，a1為0或1；a2為0~2之整數；a3為符合0≦a3≦5+2(a2)-a4之整數；a4為1~3之整數；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基；<br/> A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(A)成分為下式(A1)表示之鎓鹽；<br/><img align="absmiddle" height="35px" width="103px" file="ed10170.jpg" alt="ed10170.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，L、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同；n3為1~4之整數。
如請求項2之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(A)成分為下式(A2)表示之鎓鹽；<br/><img align="absmiddle" height="35px" width="103px" file="ed10171.jpg" alt="ed10171.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n3、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="101px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有下式(B2)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="140px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，b1為0或1；b2為0~2之整數；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1~3之整數；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>12</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基；<br/> R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>分別獨立地為氫原子、也可被羥基或飽和烴基氧基取代之碳數1~15之飽和烴基、或也可具有取代基之芳基；惟，R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>不會同時為氫原子；又，R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環；<br/> A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代；<br/> W<sup>1</sup>為氫原子、碳數1~10之脂肪族烴基、或也可具有取代基之芳基。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B3)表示之重複單元、下式(B4)表示之重複單元及下式(B5)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="73px" width="152px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，c及d分別獨立地為0~4之整數；e1為0或1；e2為0~5之整數；e3為0~2之整數；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基；<br/> R<sup>23</sup>為碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴基氧基、碳數2~20之飽和烴基羰基氧基、碳數2~20之飽和烴基氧基烴基、碳數2~20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、氰基、碳數1~20之飽和烴基亞磺醯基或碳數1~20之飽和烴基磺醯基；<br/> A<sup>3</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被-O-取代。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B6)表示之重複單元、下式(B7)表示之重複單元、下式(B8)表示之重複單元、下式(B9)表示之重複單元、下式(B10)表示之重複單元、下式(B11)表示之重複單元、下式(B12)表示之重複單元及下式(B13)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> Y<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或*-O-Y<sup>11</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>11</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>11</sup>-，且Y<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> Y<sup>2</sup>為單鍵或**-Y<sup>21</sup>-C(=O)-O-，且Y<sup>21</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；<br/> Y<sup>3</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、*-O-Y<sup>31</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>31</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>31</sup>-；Y<sup>31</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基或將它們組合而得之碳數7~20之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> *為和主鏈之碳原子的原子鍵，**為和式中之氧原子的原子鍵；<br/> Y<sup>4</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~30之伸烴基；<br/> f1及f2分別獨立地為0或1，惟在Y<sup>4</sup>為單鍵時，f1及f2為0；<br/> R<sup>31</sup>~R<sup>48</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環，且R<sup>33</sup>及R<sup>34</sup>、R<sup>36</sup>及R<sup>37</sup>、或R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環；<br/> R<sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基；<br/> Xa<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項7之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B1-1)表示之重複單元、下式(B2-1)表示之重複單元或下式(B2-2)表示之重複單元、及下式(B7)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="60px" width="210px" file="ed10176.jpg" alt="ed10176.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，a4、b4、R<sup>A</sup>、R<sup>B</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>33</sup>、R<sup>34</sup>、R<sup>35</sup>及R<sup>HF</sup>和前述相同。
如請求項7之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(B)基礎聚合物更含有含式(B1)表示之重複單元及式(B2)表示之重複單元且不含式(B6)~(B13)表示之重複單元之聚合物。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該基礎聚合物所含的聚合物之全部重複單元中，具有芳香環骨架之重複單元的含有率為60莫耳%以上。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(C)交聯劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其不含交聯劑。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(D)含氟原子之聚合物，該(D)含氟原子之聚合物含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種，且含有或不含選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，x為1~3之整數；y為符合0≦y≦5+2z-x之整數；z為0或1；k為1~3之整數；<br/> R<sup>C</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>D</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> R<sup>101</sup>、R<sup>102</sup>、R<sup>104</sup>及R<sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基；<br/> R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不穩定基，且R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入有醚鍵或羰基；<br/> R<sup>109</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基；<br/> R<sup>110</sup>為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基；<br/> R<sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，且該飽和烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代；<br/> Z<sup>1</sup>為碳數1~20之(k+1)價之烴基或碳數1~20之(k+1)價之氟化烴基；<br/> Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-；*為和主鏈之碳原子的原子鍵；<br/> Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵；*為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(E)淬滅劑。
如請求項14之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(A)酸產生劑相對於(E)淬滅劑之含有比率以質量比計為未達6。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(F)有機溶劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟：使用如請求項1~16中任一項之化學增幅負型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜、使用高能射線對該阻劑膜照射圖案、及使用鹼顯影液將已照射該圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種的材料構成。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為透射型或反射型空白遮罩。
一種透射型或反射型空白遮罩，其係塗佈有如請求項1~16中任一項之化學增幅負型阻劑組成物。
一種曝光裝置，包括： <br/>光學系統，於對基板的第一區域照射光之後，對所述基板的第二區域照射光，所述第二區域包含與所述第一區域重複的重複區域且與所述第一區域不同；以及 <br/>控制部， <br/>所述第一區域的所述重複區域以外的非重複區域與所述第二區域的所述重複區域以外的非重複區域於第一方向上排列， <br/>所述控制部將所述重複區域的曝光量於所述第一方向上設為相對於所述重複區域的中心不對稱的分佈。
一種曝光裝置，其能夠一面使遮罩及基板於掃描方向上移動，一面將描繪於所述遮罩的圖案轉印至所述基板，包括： <br/>光學系統，於對所述基板的第一區域照射光之後，對所述基板的第二區域照射光，所述第二區域包含與所述第一區域重複的重複區域和所述重複區域以外的非重複區域且與所述第一區域不同；以及 <br/>控制部， <br/>所述光學系統在所述基板上形成的曝光視場包含中心區域與端區域， <br/>在所述端區域中，所述中心區域側的所述掃描方向的寬度，較與所述中心區域側相反側的所述掃描方向的寬度為大， <br/>所述光學系統包括： <br/>複眼透鏡，光的入射面位於與所述基板共軛的位置；以及 <br/>減光構件，位於所述複眼透鏡的所述入射面側，能夠變更和所述複眼透鏡的透鏡元件的與所述非重複區域對應的部分的重疊的大小， <br/>所述控制部使對所述第一區域照射所述光時的所述複眼透鏡與所述減光構件的間隔與和對所述第二區域照射所述光時的所述間隔相互不同。
如請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制部控制所述間隔，以抑制轉印至所述基板的所述重複區域的圖案的線寬自所述遮罩上的圖案的線寬發生變化。
如請求項2所述的曝光裝置，其中 <br/>所述複眼透鏡包括於第一方向上排列的多個透鏡元件， <br/>所述控制部藉由使所述減光構件於所述第一方向上移動而能夠變更與所述減光構件重疊的所述多個透鏡元件的數量。
一種曝光裝置，其能夠一面使遮罩及基板於掃描方向上移動，一面將描繪於所述遮罩的圖案轉印至所述基板，包括： <br/>光學系統，於對所述基板的第一區域照射光之後，對所述基板的第二區域照射光，所述第二區域包含與所述第一區域重複的重複區域和所述重複區域以外的非重複區域且與所述第一區域不同； <br/>能夠變形的視場光圈，位於與所述基板共軛的位置，並設定所述光對所述基板的照射區域；以及 <br/>控制部， <br/>所述光學系統在所述基板上形成的曝光視場包含中心區域與端區域， <br/>在所述端區域中，所述中心區域側的所述掃描方向的寬度，較與所述中心區域側相反側的所述掃描方向的寬度為大， <br/>所述控制部使對所述第一區域照射所述光時的所述視場光圈的形狀與對所述第二區域照射所述光時的所述視場光圈的形狀相互不同。
如請求項5所述的曝光裝置，其中所述視場光圈位於對遮罩照射光的照明光學系統內。
如請求項5所述的曝光裝置，其中 <br/>能夠將描繪於遮罩的圖案轉印至所述基板， <br/>所述控制部控制所述視場光圈，以抑制轉印至所述基板的所述重複區域的圖案的線寬自所述遮罩上的圖案的線寬發生變化。
一種曝光裝置，其能夠一面使遮罩及基板於掃描方向上移動，一面將描繪於所述遮罩的圖案轉印至所述基板，包括： <br/>光學系統，於對基板的第一區域照射光之後，對所述基板的第二區域照射光，所述第二區域包含與所述第一區域重複的重複區域和所述重複區域以外的非重複區域且與所述第一區域不同；以及 <br/>控制部， <br/>所述光學系統包括： <br/>輸入透鏡； <br/>複眼透鏡，來自所述輸入透鏡的光的入射面位於與所述基板共軛的位置；以及 <br/>減光構件，位於所述輸入透鏡與所述複眼透鏡之間，且能夠變更和所述複眼透鏡的透鏡元件的與所述非重複區域對應的部分的重疊的大小， <br/>所述光學系統在所述基板上形成的曝光視場包含中心區域與端區域， <br/>在所述端區域中，所述中心區域側的所述掃描方向的寬度，較與所述中心區域側相反側的所述掃描方向的寬度為大， <br/>所述控制部使對所述第一區域照射所述光時的入射至所述輸入透鏡的光的光量與對所述第二區域照射所述光時的入射至所述輸入透鏡的光的光量相互不同，並使對所述第一區域照射所述光時的所述重疊的大小與對所述第二區域照射所述光時的所述重疊的大小相互不同。
如請求項8所述的曝光裝置，其中 <br/>能夠將描繪於遮罩的圖案轉印至所述基板， <br/>所述控制部控制所述光量，以抑制轉印至所述基板的所述重複區域的圖案的線寬自所述遮罩上的圖案的線寬發生變化。
如請求項8所述的曝光裝置，其中 <br/>所述複眼透鏡包括於第一方向上排列的多個透鏡元件， <br/>所述控制部藉由使所述減光構件於所述第一方向上移動而能夠變更與所述減光構件重疊的所述多個透鏡元件的數量。
一種曝光裝置，其能夠一面使遮罩及基板於掃描方向上移動，一面將描繪於所述遮罩的圖案轉印至所述基板，包括： <br/>光學系統，於對基板的第一區域照射光之後，對所述基板的第二區域照射光，所述第二區域包含與所述第一區域重複的重複區域和所述重複區域以外的非重複區域且與所述第一區域不同； <br/>載台，使所述基板相對於所述光學系統於掃描方向上移動；以及 <br/>控制部， <br/>所述光學系統在所述基板上形成的曝光視場包含中心區域與端區域， <br/>在所述端區域中，所述中心區域側的所述掃描方向的寬度，較與所述中心區域側相反側的所述掃描方向的寬度為大， <br/>所述控制部使對所述第一區域照射所述光時的所述載台的掃描速度、與對所述第二區域照射所述光時的所述載台的掃描速度相互不同。
如請求項11所述的曝光裝置，其中 <br/>能夠將描繪於遮罩的圖案轉印至所述基板， <br/>所述控制部控制所述掃描速度，以抑制轉印至所述基板的所述重複區域的圖案的線寬自所述遮罩上的圖案的線寬發生變化。
如請求項8、9、11~12中任一項所述的曝光裝置，包括設定構件， <br/>所述設定構件設定所述非重複區域的曝光量相對於所述重複區域的曝光量的比率， <br/>所述控制部藉由控制所述設定構件而使對所述第一區域照射所述光時的所述比率與對所述第二區域照射所述光時的所述比率相互不同。
如請求項1至請求項12中任一項所述的曝光裝置，其中 <br/>所述光學系統包括對所述第一區域照射光的第一光學系統以及對所述第二區域照射光的第二光學系統。
如請求項1至請求項12中任一項所述的曝光裝置，其中 <br/>所述控制部使所述重複區域的曝光量多於所述非重複區域的曝光量。
一種吸入性醫藥製劑，其特徵係其包含： <br/>推進劑； <br/>至少兩種藥物活性成分；及 <br/>乳糖或其水合物； <br/>其中，該推進劑為1,1-二氟乙烷（HFA-152a）或HFO-1234ze(E)； <br/>該藥物活性成分選自以下至少任兩者之組合：皮質類固醇藥物 (Corticosteroid)、乙二型協同劑 (Beta-2 adrenergic agonists)、抗乙醯膽鹼藥物（anticholinergics）、抗過敏藥（antiallergics）、抗發炎藥（anti-inflammatories）、支氣管擴張藥 （bronchodilators）、支氣管收縮藥（bronchoconstrictors）、肺表面活性劑 （pulmonary lung surfactants）、抗生素（antibiotics）、白三烯抑制劑（leukotriene inhibitors）、白三烯拮抗劑 （leukotriene antagonists）、肥大細胞抑制劑 （mast cell inhibitors）及抗組織胺（antihistamines），以及其等之任何醫藥上可接受之鹽； <br/>該乳糖或其水合物之粒徑D<sub>90</sub>不大於150 µm，D<sub>50</sub>不大於75 µm，D<sub>10</sub>不大於10 µm。
如請求項1所述之吸入性醫藥製劑，其中， 該至少兩種藥物活性成分之濃度皆低於約0.3%(w/w)。
如請求項1所述之吸入性醫藥製劑，其中，該乳糖或其水合物在製劑中之含量為約0.1%(w/w)至約1.5%(w/w)。
如請求項1所述之吸入性醫藥製劑，其中，該乳糖或其水合物之粒徑D<sub>90</sub>不大於50 µm，D<sub>50</sub>不大於20 µm，D<sub>10</sub>不大於5 µm，且該乳糖或其水合物在製劑中之含量為約0.8%(w/w)至約1.2%(w/w)。
如請求項1所述之吸入性醫藥製劑，其中，該藥物活性成分係皮質類固醇藥物及短效乙二型協同劑之組合； <br/>其中該皮質類固醇藥物為倍氯米松 （Beclomethasone）、布地奈德 （Budesonide）、環索奈德 （Ciclesonide）、氟尼縮松 （Flunisolide）、氟替卡松 （Fluticasone）、甲基潑尼松龍 （Methyl-prednisolone）、莫米松 （Mometasone）、潑尼松 （Prednisone）、曲馬西龍 （Triamcinolone），或其等之任何醫藥上可接受之鹽； <br/>該短效乙二型協同劑為比托特羅 （Bitolterol）、卡布特羅（Carbuterol）、非諾特羅（Fenoterol）、己丙腎上腺素 （Hexoprenaline）、異丙腎上腺素（Isoprenaline or Isoproterenol）、左沙丁胺醇 （Levosalbutamol）、奧西那林（Orciprenaline or Metaproterenol）、吡布特羅 （Pirbuterol）、丙卡特羅 （Procaterol）、利米特羅 （Rimiterol）、沙丁胺醇（Salbutamol or albuterol）、特布他林 （Terbutaline）、妥洛特羅 （Tulobuterol）、瑞普特羅 （Reproterol）、異丙托銨 （Ipratropium）、腎上腺素 （Epinephrine），或其等之任何醫藥上可接受之鹽。
如請求項5所述之吸入性醫藥製劑，其中，該皮質類固醇藥物為布地奈德，在製劑中之含量為0.18%(w/w)至0.2%(w/w)； <br/>該短效乙二型協同劑為硫酸沙丁胺醇，在製劑中之含量為0.25%(w/w) 至0.28%(w/w)。
一種吸入性裝置，其特徵係該裝置包含： <br/>一致動器；及<br/>一氣霧罐，其係用於裝填如請求項1至6中任一項所述之吸入性醫藥製劑；<br/>該致動器包含一殼體及一定量分配閥門之噴嘴塊；<br/>該殼體之一端開口容納該氣霧罐，另一端開口為一氣流貫通之腔室，用於將該吸入性醫藥製劑引入患者之口腔及/或鼻腔中；<br/>該噴嘴塊具有一孔口通道，該孔口通道與該定量分配閥門連通並且用於將該吸入性醫藥製劑從該定量分配閥門引導至該腔室中。
一種請求項1至6中任一項所述之吸入性醫藥製劑用於製備藥物的用途，該藥物係用於治療肺部疾病。
如請求項8所述之用途，其中，該肺部疾病為氣喘。
如請求項8所述之用途，其中，該肺部疾病為慢性肺阻塞病狀。
一種含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)之廢氣的處理裝置，係具備：將含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)的廢氣(E)進行液洗的入口洗滌器(12)；將通過該入口洗滌器(12)的前述廢氣(E)進行加熱分解之氣體處理爐(14)；及將被該氣體處理爐(14)加熱分解的前述廢氣(E)進行液洗的出口洗滌器(16)，其特徵為： <br/> 前述氣體處理爐(14)具備：在內部形成有氣體處理空間(18a)的密閉筒狀的爐本體(18)，並且該爐本體(18)在底部穿設有氣體導入口(18b)及氣體排出口(18c)；其中以一端圍繞前述氣體導入口(18b)的方式安裝於前述爐本體(18)內的底部，以另一端開口並且橫切前述氣體處理空間(18a)，直到接近前述爐本體(18)的天頂面的位置的方式延伸設置之筒狀的電熱器(20)；及在前述氣體導入口(18b)的跟前，朝前述廢氣(E)供給預定量的還原性氣體(G)之還原性氣體供給手段(22)， <br/> 前述電熱器(20)係為將從由以碳系(石墨)、氧化鋯、碳化矽、矽化鉬及鉻酸鑭構成的群所選擇之至少一種的陶瓷所形成的發熱體儲存於陶瓷製的筒構件(20a)內而構成， <br/> 並且，藉由陶瓷構件(18d)被覆前述爐本體(18)的內表面， <br/> 前述氣體處理爐(14)還具備： <br/> 測量前述氣體導入口(18b)內附近的溫度之第1測溫手段(T1)； <br/> 測量前述氣體處理空間(18a)的上部的溫度之第2測溫手段(T2)； <br/> 測量前述氣體排出口(18c)內附近的溫度之第3測溫手段(T3)；及 <br/> 加熱器控制裝置(24)，其依據以前述第1測溫手段(T1)、第2測溫手段(T2)及第3測溫手段(T3)測量到的溫度資料，以前述氣體處理爐(14)內全體的溫度成為略均等的方式控制前述電熱器(20)的輸出。
一種含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)之廢氣的處理裝置，係具備：將含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)的廢氣(E)進行液洗的入口洗滌器(12)；將通過該入口洗滌器(12)的前述廢氣(E)進行加熱分解之氣體處理爐(14)；及將被該氣體處理爐(14)加熱分解的前述廢氣(E)進行液洗的出口洗滌器(16)，其特徵為： <br/> 前述氣體處理爐(14)具備：在內部形成有氣體處理空間(18a)的密閉筒狀的爐本體(18)，並且該爐本體(18)在底部穿設有氣體導入口(18b)及氣體排出口(18c)；其中以一端圍繞前述氣體導入口(18b)的方式安裝於前述爐本體(18)內的底部，以另一端開口並且橫切前述氣體處理空間(18a)，直到接近前述爐本體(18)的天頂面的位置的方式延伸設置之筒狀的電熱器(20)；及在前述氣體導入口(18b)的跟前，朝前述廢氣(E)供給預定量的還原性氣體(G)之還原性氣體供給手段(22)， <br/> 前述電熱器(20)係為將從由以碳系(石墨)、氧化鋯、碳化矽、矽化鉬及鉻酸鑭構成的群所選擇之至少一種的陶瓷所形成的發熱體儲存於陶瓷製的筒構件(20a)內而構成， <br/> 並且，藉由陶瓷構件(18d)被覆前述爐本體(18)的內表面， <br/> 在前述出口洗滌器(16)之出口裝設有氮氧化物(NOx)計(26)，並且， <br/> 還具備控制裝置，該控制裝置依據藉由該氮氧化物(NOx)計(26)所測量的廢氣(E)中的氮氧化物(NOx)濃度，控制從前述還原性氣體供給手段(22)朝前述廢氣(E)供給的還原性氣體(G)的量。
如請求項1或2所述的含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)之廢氣的處理裝置，其中， <br/> 前述還原性氣體(G)為氫。
如請求項1或2所述的含有一氧化二氮(N<sub>2</sub>O)之廢氣的處理裝置，其中， <br/> 被覆前述筒構件(20a)及前述爐本體(18)的內表面之陶瓷構件(18d)，係以從由氧化鋁、氧化鋯、碳化矽、氮化矽、矽化鉬及鉻酸鑭構成的群選擇的至少一種的陶瓷所構成。
一種地下循環取熱方法，其步驟包括有：1、設置一循環取熱裝置，該循環取熱裝置具有不相通之進水流道及迴水流道，其包括有：一外管，其內部設有一阻隔器，令該外管內部區分有不相通之第一空間及第二空間，該外管相對於該第一空間設有複數第一透孔並相對於該第二空間設有複數第二透孔，該外管於其頂部設有一頂蓋，且該外管相鄰該頂蓋下方位置延伸設有一連接管；一內管，係設置於該外管內並相對穿設該阻隔器與該頂蓋，令該內管其頂部所設之第一端口穿過該頂蓋而位於該外管外部，並令該內管其底部所設之第二端口穿過該阻隔器而位於該外管其第二空間；2、將該循環取熱裝置設置於一地層中，令該循環取熱裝置其頂端相對露出於地表外，令該循環取熱裝置其底端相對位於該地層之地熱水源；3、將該循環取熱裝置之進水流道連接相通至一預設地熱使用設施之進水端，並將該循環取熱裝置之迴水流道連接相通至該地熱使用設施之出水端；4、該地層之地熱水源其高溫的水經由該循環取熱裝置之進水流道而流至該地熱使用設施，已降溫的水再經由該循環取熱裝置之迴水流道而流至該地層之地熱水源，係以完成對該地層之地熱水源循環的取熱。
如請求項1所述之地下循環取熱方法，其中該內管之第一端口連接有一第一輸送管而與該地熱使用設施其輸入端相通連接，令該內管作為進水流道，該外管之連接管連接有一第二輸送管而與該地熱使用設施其輸出端相通連接，令該外管作為迴水流道。
如請求項1所述之地下循環取熱方法，其中該內管之第一端口連接有一第一輸送管而與該地熱使用設施其輸出端相通連接，令該內管作為迴水流道，該外管之連接管連接有一第二輸送管而與該地熱使用設施其輸入端相通連接，令該外管作為進水流道。
如請求項2所述之地下循環取熱方法，其中該第一輸送管連接有一抽水馬達。
如請求項2所述之地下循環取熱方法，其中該第二輸送管連接有一抽水馬達。
一種半導體結構，包含： <br/>一通道結構，在一基板上並且沿一第一方向延伸； <br/>一閘極結構，在該通道結構上並且沿與該第一方向不同的一第二方向延伸； <br/>一電介質框架結構，在該基板上並且與該通道結構平行，其中該電介質框架結構包含延伸穿過該閘極結構以將該閘極結構分成兩個部分的一電介質材料；以及 <br/>一隔離結構，與該閘極結構相鄰並且延伸穿過該通道結構到該基板中，其中該隔離結構的一端部與該電介質框架結構接觸； <br/>其中該閘極結構、該電介質框架結構和該隔離結構的一頂表面是基本上共面的。
如請求項1所述的半導體結構，其中該電介質材料具有大於75GPa的一楊氏模量。
如請求項1所述的半導體結構，其中該電介質框架結構在該閘極結構和該隔離結構之間。
如請求項1所述的半導體結構，其中該隔離結構包含與該電介質框架結構接觸的一襯裡和在該襯裡上的一電介質填充物。
如請求項1所述的半導體結構，其中該電介質框架結構的一底表面高於該隔離結構的一底表面。
如請求項1所述的半導體結構，更包含：一淺溝槽隔離（STI）區域，該STI區域在該基板上並且圍繞該通道結構，其中該電介質框架結構延伸穿過該閘極結構到該STI區域中。
如請求項6所述的半導體結構，其中該隔離結構延伸穿過該STI區域到該基板中。
如請求項6所述的半導體結構，其中該STI區域的一部分被該隔離結構和該基板圍繞。
一種半導體裝置，包含： <br/>一基板上的複數個通道結構； <br/>一閘極結構，在該基板和該複數個通道結構上； <br/>複數個電介質框架結構，包含一電介質材料並且延伸穿過該閘極結構以將該閘極結構分成複數個隔離的部分，其中該複數個通道結構和該複數個電介質框架結構以交替配置來布置；以及 <br/>一隔離結構，沿該閘極結構延伸並且穿過該複數個通道結構中的至少一個通道結構，其中該隔離結構與該複數個電介質框架結構中的至少一個電介質框架結構接觸； <br/>其中該閘極結構、該複數個電介質框架結構和該隔離結構的頂表面是基本上共面的。
一種製造半導體結構之方法，包含： <br/>在一基板上形成沿一第一方向延伸的一通道結構； <br/>在該通道結構上形成沿與該第一方向不同的一第二方向延伸的一閘極結構； <br/>在該閘極結構中形成一開口； <br/>用一電介質材料填充該開口以形成與該通道結構平行的一電介質框架結構，其中該電介質框架結構把該閘極結構分成兩個部分；以及 <br/>形成與該閘極結構相鄰並且延伸穿過該通道結構到該基板中的一隔離結構，其中該隔離結構的一端部與該電介質框架結構接觸； <br/>其中該閘極結構、該電介質框架結構和該隔離結構的一頂表面是基本上共面的。
一種用於近視眼的隱形眼鏡，所述隱形眼鏡的特徵在於包括前表面、後表面、光學中心、圍繞所述光學中心的光學區、混合區域和非光學週邊載體區，並且所述光學區包括配置有基本複曲面或散光的光度分佈的基本區域， <br/>其中所述基本複曲面或散光的光度分佈被配置為基本圍繞所述光學中心、至少部分地為所述近視眼提供子午向矯正（meridional correction）以及至少部分地引入子午向散光（meridional astigmatism），從而為所述近視眼產生停止信號； <br/>其中所述光度分佈採用cos <sup>2</sup>（mθ）的形式，其中m可以是介於1和6之間的整數；以及 <br/>其中所述非光學週邊載體區配置有厚度輪廓，所述厚度輪廓於所述光學中心旋轉對稱，以允許所述隱形眼鏡在近視眼上有基本自由旋轉，並且其中所述隱形眼鏡的所述基本自由旋轉可被測量，即所述隱形眼鏡每佩戴8小時至少旋轉三次180度，並且在佩戴1小時內至少旋轉15度。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，配置有所述基本複曲面或散光的光度分佈的所述基本區域的面積佔有所述光學區的至少60%，並且所述光學區的其餘部分配置有用於近視眼的球面矯正鏡。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中跨越所述光學區的所述基本複曲面或散光的光度的分佈產生至少+1.25DC的複曲面或散光效果。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，使用這方程式來表達：球鏡度+（柱鏡度/2）*（方位角分量）描述的光度分佈函數來表示跨越所述光學區的基本複曲面或散光的光度分佈，其中，所述球鏡度指矯正近視眼的遠用球面處方光度， 所述柱鏡度指產生散光或複曲面的大小，其中，將所述光度分佈函數的方位角分量描述為Ca*cos（mθ），其中，Ca是方位角係數，m是介於2和6之間的整數，並且Theta（θ）是所述光學區的既定點的方位角。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，使用這方程式表達：球鏡度+（柱鏡度/2）*（徑向分量）*（方位分量）所描述的冪分佈函數（power distribution function）來表示跨越所述光學區的所述基本複曲面或散光的光度分佈，其中，所述球鏡度是指矯正近視眼的遠用球面處方光度，所述柱鏡是指產生的散光或複曲面的大小，所述冪分佈函數的徑向分量被描述為Cr*ρ，其中，Cr是膨脹係數，Rho（ρ）是歸一化的徑向座標（ρ0/ρmax）； 並且其中所述光度分佈函數（power distribution function）的方位角分量被描述為Ca*cos（mθ），其中m可以是2和6之間的任何整數，並且Theta（θ）是方位角，其中Rho（ρ0）是在給定點處的徑向座標，其中ρmax是光學區的最大徑向座標或半直徑。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，基本跨越所述光學區的所述基本複曲面或散光的光度分佈使用光度分佈函數來表示，所述光度分佈函數至少部分地使用具有（n，m）的通用表達式的第一類貝塞爾圓函數（Bessel circular functions of the first kind）的至少一個或多個項來描述；其中當n取1、2、3的值並且m取±2的值時，獲得貝塞爾迴圈函數（Bessel Circular function）的至少一個或多個項。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，所述基本複曲面或散光的光度分佈結合有在整個光學區上定義的至少+1D的主球面像差。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中所述基本複曲面或散光的光度分佈結合有在整個光學區上定義的至少-1D的主球面像差。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，在任何子午線中所述非光學週邊載體區的基本旋轉對稱區域的厚度輪廓，與圍繞所述隱形眼鏡的光學中心所測量的非光外圍承載區的平均厚度輪廓的差值在6%之內。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，跨越任何所述子午線的所述非光學週邊載體區內的最厚點，是在任何其他子午線的最厚週邊點的最大30微米的變化範圍內。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中，所述隱形眼鏡被配置為在應用於所述近視眼時旋轉，由此所引入的子午向散光向所述近視眼提供時間和空間變化的光學信號。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中Sturm錐體的至少50%的比例落在視網膜前面，提供停止信號以減慢近視進展的速率；其中Sturm錐體的深度是矢狀圖像平面和切向圖像平面之間的距離。
根據請求項12所述的隱形眼鏡，其中所述Sturm錐體的深度被配置為在大約+0.5D到+3D之間。
根據請求項12所述的隱形眼鏡，其中所述Sturm錐體的深度被配置為在約0.6毫米至0毫米之間。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中所述隱形眼鏡能夠改變入射光，並且利用由引入的子午向散光提供的方向提示來減緩近視進展的速率。
根據請求項1所述的隱形眼鏡，其中所述隱形眼鏡能夠為近視眼的佩戴者提供足夠的視覺質量，所述視覺質量與戴用商用單光隱形眼鏡獲得的性能相當。
一種包括為進展性近視眼處方隱形眼鏡，或將隱形眼鏡應用於進展性近視眼的方法，其中所述隱形眼鏡是如請求項1至16中任一項所述的隱形眼鏡，並且其中所述進展性近視的眼具有小於1DC的散光。
一種背光模組，包含： <br/>一背板； <br/>一反射片，設置於該背板上； <br/>一導光板，設置於該反射片相反於該背板之一側；其中該導光板具有朝向該反射片之一底面，以及位於該底面一側之一入光端面，該底面鄰近該入光端面之一突出部分係伸出該反射片之端緣外； <br/>一背光源，沿該入光端面分佈，並產生光線進入該入光端面，該背光源係為一燈條，包含： <br/>一條狀基板，係沿該入光端面延伸，該條狀基板至少部分疊設於該導光板相反於該底面之一出光面接近該入光端面之部分；以及 <br/>複數光源，沿該入光端面彼此間隔地設置於該條狀基板上，每一該些光源在該入光端面延伸之方向上與相鄰的另一該些光源之間具有一間距； <br/>其中：該背板上突設有複數個支撐凸部，該些支撐凸部係沿該入光端面分佈且位於該導光板之該突出部分及該背板之間以支撐該突出部分；該些支撐凸部及該反射片在該導光板之該底面所在平面上之垂直投影範圍不重疊。
如請求項1所述的背光模組，其中該底面鄰接該入光端面之邊緣至少部分為該些支撐凸部所支撐。
如請求項1所述的背光模組，其中該支撐凸部在沿該入光端面延伸方向上配置於相鄰的兩光源之間。
如請求項1所述的背光模組，其中該光源在沿該入光端面延伸方向上配置於相鄰的兩支撐凸部之間。
如請求項1所述的背光模組，其中該支撐凸部具有相對的一頂部和一底部，該頂部朝向該反射片；在平行於該入光端面之方向上，該頂部之剖面寬度小於該底部之剖面寬度。
如請求項5所述的背光模組，在該導光板之底面所在平面上，該支撐凸部之該頂部的垂直投影與該導光板之該入光端面的垂直投影至少部分重疊。
如請求項1所述的背光模組，其中該支撐凸部係位於最接近之該光源之半輝度角照射範圍之外。
如請求項1所述的背光模組，其中該支撐凸部的楊氏係數至少大於或等於反射片的楊氏係數。
如請求項1所述的背光模組，其中該支撐凸部的該頂部與反射片之邊緣之間具有一距離，該距離大於該反射片的熱膨脹量加上組裝與裁切公差。
如請求項1所述的背光模組，該支撐凸部突起於該背板之高度不小於該反射片的厚度。
一種具有抗菌及發熱功能的複合纖維，包括高分子及均勻分散其中的金屬氧化物及奈米矽片，奈米矽片含量為0.1wt%~10wt%，金屬氧化物含量為10ppm~9000ppm；其中，<br/>該奈米矽片為各自獨立、完全脫層、有機物含量低於5wt%的矽酸黏土，片徑大小範圍為80×80×1nm<sup>3</sup>~300×300×10nm<sup>3</sup>；<br/>該金屬氧化物為氧化鋅或氧化銅；及<br/>該高分子為尼龍或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其遠紅外線(FIR)放射率範圍為70~95。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其遠紅外線(FIR)放射率範圍為80~99。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其抗菌活性依據ISO 20743範圍為3~6。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其抗菌活性依據ISO 20743範圍為4~5.5。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，奈米矽片含量為1wt%~6wt%。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，金屬氧化物含量為100ppm~900ppm。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該矽酸黏土為蒙脫土、高嶺土、雲母或滑石粉。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該金屬氧化物為氧化鋅。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該高分子為尼龍。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該高分子係選自脂肪族聚醯胺、芳香族聚醯胺及其混合物所組之群。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該高分子係選自尼龍6(PA6)、尼龍66(PA66)、尼龍612(PA612)、尼龍46(PA46)、尼龍6T/66(PA6T/66)、尼龍4T(PA4T)、尼龍6T(PA6T)、尼龍9T(PA9T)、尼龍10T(PA10T)及其混合物所組之群。
如請求項1之具有抗菌及發熱功能的複合纖維，其中，該高分子為尼龍6。
一種廢氣焚化爐之蓄熱槽，包括：<br/> 多層蓄熱磚；以及<br/> 多個氧化矽收集模組，緊密排列於所述蓄熱磚之上，各該氧化矽收集模組包括：<br/> 一框體，具有一上開口及一下開口；<br/> 一隔網，設於該框體內，該隔網將該框體分隔為一上方空間及一下方空間，該上方空間及該下方空間通過該隔網彼此連通，該上方空間連通該上開口，該下方空間連通該下開口；<br/> 多個蓄熱材，設於該上方空間中，該隔網承載該些蓄熱材的重量；以及<br/> 多個粉體收集槽，設於該下方空間中。
如請求項1所述的廢氣焚化爐之蓄熱槽，其中該氧化矽收集模組更包括多個補強肋設於該框體的所述上開口處。
如請求項1所述的廢氣焚化爐之蓄熱槽，其中該些蓄熱材為馬鞍形陶瓷環。
如請求項1所述的廢氣焚化爐之蓄熱槽，其中該下方空間中具有至少二行所述粉體收集槽，每一行中的所述粉體收集槽彼此平行且間隔設置。
如請求項4所述的廢氣焚化爐之蓄熱槽，其中至少一行的所述粉體收集槽與至少另一行的所述粉體收集槽的延伸方向彼此垂直。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054，其寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213。
一種含γ-胺基丁酸(GABA)粉末的製備方法，其中：該含γ-胺基丁酸粉末包含短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054，其寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213；其製作步驟包含：(a)取該乳酸菌的菌體接種於平板培養基進行固態培養以形成菌落(colony)；(b)將步驟(a)培養的該菌落接種於前培養基進行液態培養以得含菌體之液態培養液；(c)將步驟(b)該含菌體之液態培養液接種於含有複合培養基的發酵槽進行液態培養，且之後加入饋料培養基以獲得菌液；(d)將步驟(c)的該菌液進行滅菌；(e)將步驟(d)的該滅菌菌液混合賦形劑並乾燥作為菌粉；其中該前培養基包含25~50g/L碳源、10~20g/L酵母萃取物、10~20g/L氮源、1~3mL/L Tween 80、20~35g/L麩胺酸鈉(MSG)及0.005~0.01g/L無機鹽類，pH值為5.5~6.5；其中該複合培養基包含25~50g/L碳源、10~50g/L酵母萃取物、0~2g/L氮源、0.5~1.5mL/L Tween 80、30~50g/L麩胺酸鈉(MSG)及3~6g/L無機鹽類，pH值為5.5~6.5；及其中該饋料培養基包含50~170g/L碳源、30~130g/L酵母萃取物、0~5g/L氮源、1~3mL/L Tween 80、200~430g/L麩胺酸鈉(MSG)及4~16g/L無機鹽類，pH值為5.5~6.5。
如請求項2所述之方法，其中該前培養基包含前培養基I、前培養基II或其組合。
如請求項2所述之方法，其中該複合培養基包含複合培養基I、複合培養基II或其組合。
如請求項2所述之方法，其中該饋料培養基包含饋料培養基I、饋料培養基II、饋料培養基III或其組合。
如請求項2所述之方法，其培養基的組合包含該前培養基I、複合培養基I、該饋料培養基I及/或該饋料培養基II。
如請求項2所述之方法，其培養基的組合包含該前培養基II、複合培養基II及該饋料培養基III。
如請求項2所述之方法，其中該步驟(d)之乾燥包含噴霧乾燥、冷凍乾燥、滾筒乾燥、真空乾燥、泡沫乾燥、流動層乾燥。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054用於製備清除自由基之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213；其中該清除自由基係指清除DPPH自由基、ABTS‧+自由基或超氧陰離子自由基。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054用於製備抑制血管收縮素轉換酶I之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054製備抑制α-葡萄糖苷酶之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054用於製備促進膠原蛋白質產生之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213；其中該促進膠原蛋白質產生係指促進人類皮膚纖維母細胞CCD966SK產生膠原蛋白質。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054用於製備抗發炎之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213。
一種短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054用於製備抗過敏之組合物之用途，其中該短乳酸桿菌ATIT-054寄存於中華民國食品工業發展研究所生物資源保存及研究中心，寄存編號為BCRC 911213。
如請求項9至14中任一項所述之用途，其中該短乳酸桿菌(<i>Lactobacillus brevis</i>)ATIT-054係製成菌粉、液劑、錠劑、膠囊或果凍形式。
一種自助能源補充之系統，包括：<br/> 影像識別裝置，用以取得能源站的車道上之車輛的車輛入場資料及傳送該車輛入場資料；<br/> 終端電腦裝置，耦接該影像識別裝置，並用以接收來自該影像識別裝置之該車輛入場資料及傳送該車輛入場資料；<br/> 行動裝置，其包括應用程式，並用以處理交易資料及傳送該交易資料；<br/> 雲端伺服器裝置，耦接該行動裝置及該終端電腦裝置，並用以：<br/> 接收來自該行動裝置之該交易資料及來自該終端電腦裝置之該車輛入場資料；<br/> 依據該交易資料及該車輛入場資料驗證該行動裝置及該車輛以生成能源補充指令；及<br/> 傳送該能源補充指令；及<br/> 能源補充裝置，包括：<br/> 能源補充槍；<br/> 第二顯示單元；及<br/> 第三處理單元，耦接該雲端伺服器裝置、該影像識別裝置、該第二顯示單元及該能源補充槍，並用以：<br/> 於確認接收來自該雲端伺服器裝置之該能源補充指令時解鎖該能源補充槍；並<br/> 於接收來自該雲端伺服器裝置之該能源補充指令失敗時：<br/> 取得來自該影像識別裝置之該車輛入場資料，根據該車輛入場資料識別使用者車牌號碼，根據該使用者車牌號碼建立待選車牌清單，控制該第二顯示單元顯示該待選車牌清單，並判定該待選車牌清單的手動輸入車牌選項是否被選取；<br/> 判定該手動輸入車牌選項被選取時，接收該第二顯示單元產生的手動輸入車牌號碼，並判定該手動輸入車牌號碼是否屬於會員的車牌號碼；<br/> 判定該手動輸入車牌選項未被選取時，接收該第二顯示單元產生的選取車牌號碼，並判定該選取車牌號碼判斷是否屬於會員的車牌號碼；<br/> 當該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼屬於會員的車牌號碼時，控制該第二顯示單元顯示輸入密碼介面，接收該第二顯示單元產生的使用者密碼，並根據該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼判定該使用者密碼是否正確；<br/> 判定該使用者密碼正確時，控制該第二顯示單元顯示付款形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的選取付款形式，控制該第二顯示單元顯示收據形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的選取收據形式，控制該第二顯示單元顯示能源補充形式選取介面，並接收該第二顯示單元產生的選取能源補充形式；及<br/> 判定能源的補充完成時，根據該選取付款形式進行付款並根據該選取收據形式產生收據。
如請求項1所述之系統，其中，該第三處理單元另用以：<br/> 判定該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼屬於會員的車牌號碼時，判斷該會員是否為企業會員；<br/> 判定該會員為企業會員時，控制該第二顯示單元顯示該輸入密碼介面，接收該第二顯示單元產生的該使用者密碼，並根據該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼判斷該使用者密碼是否正確；<br/> 判定該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼屬於企業會員的車牌號碼且該使用者密碼正確時，控制該第二顯示單元顯示該能源補充形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的該選取能源補充形式，根據該選取能源補充形式控制該能源補充槍提供該能源，並在判定該能源補充完畢時控制該第二顯示單元顯示交易收據。
如請求項1所述之系統，其中，該第三處理單元另用以：<br/> 當該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼都不屬於會員的車牌號碼時，控制該第二顯示單元顯示付款形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的該選取付款形式，控制該第二顯示單元顯示該收據形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的該選取收據形式，控制該第二顯示單元顯示該能源補充形式選取介面，接收該第二顯示單元產生的該選取能源補充形式，根據該選取能源補充形式控制該能源補充槍提供該能源，並在判定該能源補充完畢時根據該選取付款形式進行支付及根據該選取收據形式產生該收據。
如請求項1所述之系統，其中：<br/> 該能源補充形式選取介面包含快速補充能源選項、設定補充能源總量選項及設定補充能源總額選項；且<br/> 該第三處理單元另用以：<br/> 判定該快速補充能源選項被選取時，設定該選取能源補充形式為快速能源補充形式，根據該快速能源補充形式控制該能源補充槍提供該能源，並判定該能源是否補充完畢；<br/> 判定該設定補充能源總量選項被選取時，設定該選取能源補充形式為定量能源補充形式，根據該定量能源補充形式控制該能源補充槍以定量方式提供該能源，並判定該能源是否補充完畢；及<br/> 判定該設定補充能源總額選項被選取時，設定該選取能源補充形式為定額能源補充形式，根據該定額能源補充形式控制該能源補充槍以定額方式提供該能源，並判斷該能源是否補充完畢。
如請求項1所述之系統，其中：<br/> 該付款形式選取介面包含儲值金付款選項、卡片付款選項以及感應付款選項；且<br/> 該第三處理單元另用以：<br/> 判定該儲值金付款選項被選取時，判定該手動輸入車牌號碼或該選取車牌號碼對應的會員儲值金餘額是否大於最低額度，並在該會員儲值金餘額大於該最低額度時設定該選取付款形式為儲值金付款形式；<br/> 判定該卡片付款選項被選取時，判定卡片餘額是否大於該最低額度，並在該卡片餘額大於該最低額度時設定該選取付款形式為卡片付款形式；及<br/> 判定該感應付款選項被選取時，通過該第二顯示單元接收支付資訊，根據該支付資訊申請付款授權，並設定該選取付款形式為感應付款形式。
如請求項1所述之系統，其中：<br/> 該收據形式選取介面包含載具選項、統一編號選項、捐贈選項及列印紙本選項；且<br/> 該第三處理單元另用以：<br/> 判定該載具選項被選取時，控制該第二顯示單元顯示掃描載具資訊並設定該選取收據形式為載具形式；<br/> 判定該統一編號選項被選取時，控制該第二顯示單元顯示統一編號資訊並設定該選取收據形式為統一編號形式；<br/> 判定該捐贈選項被選取時，控制該第二顯示單元顯示捐贈資訊並設定該選取收據形式為捐贈形式；及<br/> 判定該列印紙本選項被選取時，設定該選取收據形式為列印紙本形式。
如請求項1所述之系統，其中，該影像識別裝置包括：<br/> 影像資料擷取單元，用以擷取該車輛入場資料；<br/> 影像資料識別單元，耦接該影像資料擷取單元，並用以識別來自該影像資料擷取單元之該車輛入場資料，以作為能源補充流程資料之一部份；及<br/> 第一連線單元，耦接該影像資料識別單元，並用以提供網路連線及傳輸來自該影像資料識別單元之該車輛入場資料。
如請求項7所述之系統，其中，該車輛入場資料包括該使用者車牌號碼、該能源站之站名、該車道之車道編號及/或該車輛之入場時間。
如請求項1所述之系統，其中，該行動裝置另包括：<br/> 第一處理單元，用以擷取或生成該交易資料，以作為能源補充流程資料之一部份；<br/> 第一資料加/解密單元，耦接該第一處理單元，並用以執行該交易資料之加密或解密；<br/> 第二連線單元，耦接該第一資料加/解密單元，並用以提供網路連線以傳輸該交易資料；及<br/> 第一顯示單元，耦接該第二連線單元，並用以顯示該交易資料。
如請求項1所述之系統，其中，該交易資料包括使用者資料、該能源的所欲種類、該選取付款形式或該選取收據形式。
如請求項1所述之系統，其中，該終端電腦裝置包括：<br/> 第二處理單元，用以接收來自該影像識別裝置之該車輛入場資料；及<br/> 第四連線單元，耦接該第二處理單元，並用以提供網路連線以傳輸該車輛入場資料。
如請求項1所述之系統，其中，該雲端伺服器裝置包括：<br/> 資料擷取單元，用以擷取來自該行動裝置之該交易資料及來自該終端電腦裝置之該車輛入場資料，並傳送該交易資料及該車輛入場資料；<br/> 驗證單元，耦接該資料擷取單元，並用以根據該交易資料及該車輛入場資料對該行動裝置及該車輛進行驗證並生成該能源補充指令；<br/> 第二資料加/解密單元，耦接該驗證單元，並用以執行該交易資料或該能源補充指令之加密或解密；及<br/> 第三連線單元，耦接該第二資料加/解密單元，並用以提供網路連線以傳輸該能源補充指令。
如請求項12所述之系統，其中：<br/> 該雲端伺服器裝置另包括資料庫，用以儲存能源補充流程資料，該能源補充流程資料係以雜湊表之方式進行儲存，以供驗證該行動裝置及該車輛。
如請求項1所述之自助能源補充之系統，其中，該第三處理單元另用以：<br/> 接收來自該雲端伺服器裝置之該能源補充指令；<br/> 解鎖該能源補充槍；及<br/> 控制該第二顯示單元以顯示該能源補充指令。
一種連接器，其中，包括：<br/> 殼體，所述殼體設有第一空間、第一開口與第二開口，所述第一開口與所述第二開口均連通所述第一空間，所述第二開口設於所述殼體之沿第一方向之一側；<br/> 連接件，所述連接件包括相互連接之延伸部與連接部，所述延伸部穿設於所述第二開口，且所述延伸部與所述殼體間具有間隙，所述連接部收容於所述第一空間，所述連接部與所述殼體轉動連接，所述延伸部能夠以所述連接部為中心轉動，以與所述第一方向成夾角；所述連接件開設有貫通所述延伸部與所述連接部之流體通道，所述流體通道連通所述第一開口；所述延伸部用於連接外部元件，以連通所述流體通道與所述外部元件；所述殼體包括第一部分與第二部分，所述第一部分與所述第二部分可拆卸連接，所述第一部分與所述第二部分圍合形成所述第一空間。
如請求項1所述之連接器，其中，所述連接部與所述殼體密封連接。
如請求項2所述之連接器，其中，所述連接器包括第一密封圈，所述連接部或所述殼體開設有第一收容槽，所述第一密封圈設於所述第一收容槽，所述第一密封圈密封連接所述連接部與所述殼體。
如請求項1所述之連接器，其中，所述連接部之至少部分表面為球面。
如請求項1至4中任一項所述之連接器，其中，所述連接器還包括芯體、彈性件與滑動件，所述芯體設於所述流體通道並連接所述連接件，所述滑動件可滑動地套設於所述芯體，所述彈性件連接所述滑動件與所述芯體；<br/> 所述芯體包括第一尺寸段與第二尺寸段，所述第一尺寸段之沿所述第一方向之投影位於所述第二尺寸段之沿所述第一方向之投影內；<br/> 所述彈性件用於產生作用於所述滑動件之彈力，以將所述滑動件維持於接觸連接所述連接件與所述第二尺寸段之第一位置，使得所述滑動件與所述第二尺寸段共同封堵所述流體通道。
如請求項5所述之連接器，其中，所述連接器包括第二密封圈，所述延伸部開設有第二收容槽，所述第二收容槽連通所述流體通道，所述第二密封圈設於所述第二收容槽，當所述滑動件位於所述第一位置時，所述第二密封圈壓接所述滑動件。
如請求項5所述之連接器，其中，所述連接器包括第三密封圈，所述第二尺寸段設有第三收容槽，所述第三密封圈設於所述第三收容槽，當所述滑動件位於所述第一位置時，所述第三密封圈密封連接所述滑動件與所述第二尺寸段。
如請求項5所述之連接器，其中，所述芯體包括環狀部與連接筋，所述環狀部環繞所述第一尺寸段，且所述環狀部與所述第一尺寸段相離，所述連接筋連接所述第一尺寸段與所述環狀部，所述環狀部與所述第一尺寸段之間之間隙用於通過流體，所述環狀部連接所述連接件。
一種伺服器，其中，包括處理器、溫控元件、連接頭與如請求項1至8中任一項所述之連接器，所述處理器與所述溫控元件中之一個與所述連接器連接，另一個與所述連接頭連接，所述連接器與所述連接頭連接，流體能夠藉由所述連接器與所述連接頭流動於所述處理器與所述溫控元件之間。
一種電子級硫酸之製備方法，包括以下步驟：<br/> 提供硫磺；<br/> 以高純度氧氣燃燒該硫磺，得到二氧化硫氣體，其中，該高純度氧氣之氧氣體積百分比為95%以上；<br/> 冷卻該二氧化硫氣體，其中，冷卻前該二氧化硫氣體之溫度介於900℃至1100℃之間，冷卻後該二氧化硫氣體之溫度介於300℃至500℃之間；<br/> 將該二氧化硫氣體透過一轉化器轉化為三氧化硫氣體，其中，該轉化器包括一催化劑，且該催化劑為五氧化二釩或氧化鋁；<br/> 使用一第一吸收塔以一第一溶劑吸收該三氧化硫氣體，得到發煙硫酸及未完全吸收三氧化硫氣體；<br/> 將該發煙硫酸蒸發，得到蒸發後三氧化硫氣體，且該未完全吸收三氧化硫氣體經由一第二吸收塔吸收並儲存於一第一儲槽內；以及<br/> 使用一第二溶劑吸收該蒸發後三氧化硫氣體，得到電子級硫酸；<br/> 其中該第一溶劑係為硫酸，且該第二溶劑係為硫酸。
如請求項1所述之製備方法，其中該高純度氧氣幾乎或不含水分，故在該製備方法中，對於該高純度氧氣無須進行除水的步驟。
一種電子級硫酸之製程設備，其執行如請求項1～2之中任一項所述之電子級硫酸之製備方法。
一種電子級硫酸之製備方法，包括以下步驟：<br/> 提供含硫物質；<br/> 以空氣燃燒該含硫物質，得到二氧化硫氣體；<br/> 冷卻該二氧化硫氣體，其中，冷卻前二氧化硫氣體之溫度介於900℃至1100℃之間，冷卻後二氧化硫氣體之溫度介於300℃至500℃之間；<br/> 將該二氧化硫氣體轉化為三氧化硫氣體，其中，該二氧化硫氣體係透過一催化劑轉化為該三氧化硫氣體，該催化劑係為五氧化二釩或氧化鋁；<br/> 使用串聯複數冷凝裝置冷凝該三氧化硫氣體，得到三氧化硫液體；以及<br/> 將該三氧化硫液體蒸發，得到蒸發後三氧化硫氣體，並使用一第一溶劑吸收該蒸發後三氧化硫氣體，以得到電子級硫酸，其中，該第一溶劑係為硫酸。
如請求項1所述之製備方法，其中該空氣須進行除水的步驟。
一種提供與折扣商品頁面相關之頁面資訊之方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>對應於電子商務服務之特定用戶之賬戶，獲得由上述特定用戶登記為感興趣商品之一個以上之商品之資訊； <br/>檢測登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之與折扣相關的事件；及 <br/>產生指示折扣商品頁面之第1頁面資訊，該折扣商品頁面包括檢測到與上述折扣相關之事件之上述一個以上之商品的資訊， <br/>其中登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之資訊包括：曾於對應之商品登記為感興趣商品之時點對上述對應之商品應用過之折扣的程度， <br/>其中與上述折扣相關之事件包括如下之事件：應用比曾於對應之商品登記為感興趣商品之時點應用過之折扣大於預設之基準值以上之更大的折扣，及 <br/>其中該預設之基準值係基於該特定用戶之商品購買頻率、賬戶登錄頻率、或應用程式激活時間中之至少一者而確認。
如請求項1之方法，其中登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之資訊包括：是否於對應之商品登記為感興趣商品之時點應用上述對應之商品的折扣； <br/>與上述折扣相關之事件包括如下之事件：於對應之商品登記為感興趣商品後開始應用上述對應之商品之折扣。
如請求項1之方法，其中登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之資訊包括：曾於對應之商品登記為感興趣商品之時點對上述對應之商品應用過之折扣的程度； <br/>與上述折扣相關之事件包括如下之事件：應用比曾於上述對應之商品登記為感興趣商品之時點應用過之折扣更大的折扣。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述特定用戶之終端獲得請求連接至特定頁面之資訊，該特定頁面包括登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之資訊； <br/>產生指示上述特定頁面之第2頁面資訊，該特定頁面包括指示連接至上述折扣商品頁面之區域；及 <br/>將產生之上述第2頁面資訊提供至上述終端。
如請求項4之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述終端獲得對如下之區域進行之輸入，即，指示連接至上述特定頁面中包括之上述折扣商品頁面之區域；及 <br/>響應於上述輸入，將上述第1頁面資訊提供至上述終端。
如請求項4之方法，其中上述特定頁面包括購物車頁面、登記為感興趣商品之商品頁面、或通知中心頁面中之至少一者。
如請求項1之方法，其進而包括如下步驟： <br/>響應於發生登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之與折扣相關的事件而產生指示推送通知的推送通知資訊，該推送通知包括與上述事件之方式有關之資訊；及 <br/>將上述推送通知資訊提供至上述特定用戶之終端。
如請求項7之方法，其進而包括如下步驟： <br/>自上述終端獲得與上述推送通知對應之輸入；及 <br/>響應於上述輸入，將上述第1頁面資訊提供至上述終端。
如請求項7之方法，其中上述推送通知資訊以單位基準時間而向上述終端提供基準次數。
如請求項1之方法，其中登記為上述感興趣商品之一個以上之商品之資訊包括：曾於對應之商品登記為感興趣商品之時點對上述對應之商品應用過之折扣的程度； <br/>與上述折扣相關之事件包括如下之事件：於對應之商品登記為感興趣商品後，開始對上述對應之商品應用預設之基準值以上之折扣。
一種電子裝置，其包括： <br/>一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令； <br/>上述電子裝置以如下方式構成： <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以藉由一個以上之處理器而執行之命令， <br/>上述命令以如下方式構成：於執行上述命令時，使上述一個以上之處理器執行如請求項1至10中任一項之方法。
一種連續鑄造用模具粉，係具有由下述所構成的成分組成： <br/>骨材碳； <br/>Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>； <br/>選自由CaO、BaO、MgO、La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>及ZrO<sub>2</sub>所構成群之至少一種氧化物； <br/>氟化合物； <br/>Li<sub>2</sub>O；及 <br/>剩餘部分之不可避免之雜質； <br/>Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>含量：25~35質量%； <br/>Ca、Ba、Mg、La及Zr之氧化物換算計的合計含量：40~60質量%； <br/>F含量：3~10質量%； <br/>Li之Li<sub>2</sub>O換算計的含量：6~12質量%； <br/>上述不可避免之雜質之合計含量：0~2.0質量%； <br/>在將以質量%所示之上述骨材碳的含量設為(%C)時，由下式所示Y為5以上且35以下； <br/>Y=-12.7×(%C)+51.8。
如請求項1之連續鑄造用模具粉，其中，上述成分組成進一步含有：選自由Li、Ca、Ba、Mg、La及Zr所構成群之至少一種元素的碳酸鹽。
如請求項1或2之連續鑄造用模具粉，其中，上述模具粉之最大粒徑為250μm以下。
如請求項1或2之連續鑄造用模具粉，其中，上述模具粉中之30質量%以上為由預熔(pre-melt)原料所構成。
如請求項3之連續鑄造用模具粉，其中，上述模具粉中之30質量%以上為由預熔原料所構成。
一種鋼之製造方法，係使用請求項1至5中任一項之連續鑄造用模具粉，對含有Al 0.5質量%以上之鋼進行連續鑄造。
如請求項6之鋼之製造方法，其中，熔鋼每1 t之模具粉消耗量為0.4 kg以上。
一種商品檢索結果顯示方法，其為由計算系統執行的方法，其特徵在於， <br/>包括： <br/>從用戶終端中接收第1檢索語的步驟； <br/>基於已定義的詞典，確定該第1檢索語中包括的突出顯示目標關鍵字的步驟；以及 <br/>將用於構成包括與該第1檢索語對應的第1商品的商品名的第1介面的資料發送至該用戶終端的步驟， <br/>其中用於構成該第1介面的資料包括該第1檢索語中包括的突出顯示目標關鍵字的顯示區域分別適用不同突出顯示特效時相關的資訊， <br/>其中用於構成該第1介面的資料包括關鍵字的顯示區域適用突出顯示特效時相關的資訊，該關鍵字不包括在該第1檢索語，但以基準值以上包括在已接收的多個該第1商品相關的檢索語中。
根據申請專利範圍第1項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1檢索語包括主關鍵字（main keyword）及屬性關鍵字（property keyword）， <br/>該第1檢索語的主關鍵字為該第1檢索語中包括的商品的品牌名關鍵字， <br/>該第1檢索語的屬性關鍵字為與該第1檢索語中包括的商品的屬性對應的關鍵字， <br/>用於構成該第1介面的資料包括與在該第1檢索語的主關鍵字適用第1突出顯示特效，並在該第1檢索語的屬性關鍵字適用與該第1突出顯示特效不同的突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第2項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>用於構成該第1介面的資料包括該第1檢索語的屬性關鍵字為多個時，在第1類別的屬性關鍵字和第2類別的屬性關鍵字分別適用不同突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第3項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1類別的屬性關鍵字為與商品的規格資訊相關的關鍵字， <br/>該第2類別的屬性關鍵字為與商品的數量資訊相關的關鍵字。
根據申請專利範圍第2項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於，還包括： <br/>對該第1檢索語進行標記化（tokenizing），獲得第1令牌及第2令牌的步驟； <br/>當該第1令牌與該已定義的詞典中包括的品牌名對應時，將該第1令牌確定為該第1檢索語的該主關鍵字的步驟； <br/>獲得與該第1令牌相關的多個商品相關資訊的步驟；以及 <br/>當該第2令牌以基準值以上包括在與該第1令牌相關的多個商品相關資訊時，將該第2令牌確定為該第1檢索語的該屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第2項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於，還包括： <br/>對該第1檢索語進行標記化（tokenizing），獲得第1令牌及第2令牌的步驟； <br/>在已生成的知識圖譜中將該第1令牌識別為具有至少一個下部節點的節點的步驟； <br/>在該知識圖譜中將該第2令牌識別為該第1令牌的下部節點的步驟；以及 <br/>將該第1令牌確定為該第1檢索語的該主關鍵字，將該第2令牌確定為該第1檢索語的該屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第2項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於，還包括： <br/>對該第1檢索語執行語義分析的步驟； <br/>利用該語義分析的結果，將該第1檢索語中包括的商品的專有名詞確定為該第1檢索語的主關鍵字的步驟；以及 <br/>利用該語義分析的結果，將與該第1檢索語中包括的商品的屬性對應的關鍵字確定為該第1檢索語的屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第2項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>用於構成該第1介面的資料包括該第1商品的圖像，當該第1商品的圖像包括與該第1檢索語中包括的關鍵字相關的特徵（feature）時，包括在該第1商品的圖像的顯示區域適用與該第1突出顯示特效不同的突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第8項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>該第1介面包括在該第1商品的圖像的該第1檢索語中包括的關鍵字相關的對象的顯示區域適用與該第1突出顯示特效不同的突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第1項所述的商品檢索結果顯示方法，其特徵在於， <br/>還包括： <br/>從該用戶終端中接收該第1檢索語之後，接收第2檢索語的步驟； <br/>將用於構成包括與該第2檢索語對應的第2商品的商品名的第2介面的資料發送至該用戶終端的步驟， <br/>用於構成該第2介面的資料，當在該第2商品的商品名存在該第1檢索語中包括的第1關鍵字時，包括在該第1關鍵字顯示區域適用突出顯示特效時相關的資訊。
一種商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>包括： <br/>一個以上的處理器；以及 <br/>記憶體，存儲由該一個以上的處理器運行的電腦程式， <br/>該電腦程式包括供該處理器執行如下步驟的指令（instruction）： <br/>從用戶終端中接收第1檢索語的步驟； <br/>基於已定義的詞典，確定該第1檢索語中包括的突出顯示目標關鍵字的步驟；以及 <br/>將用於構成包括與該第1檢索語對應的第1商品的商品名的第1介面的資料發送至該用戶終端的步驟， <br/>其中用於構成該第1介面的資料包括在該第1檢索語中包括的突出顯示目標關鍵字的顯示區域分別適用不同突出顯示特效時相關的資訊， <br/>其中用於構成該第1介面的資料包括關鍵字的顯示區域適用突出顯示特效時相關的資訊，該關鍵字不包括在該第1檢索語，但以基準值以上包括在已接收的多個該第1商品相關的檢索語中。
根據申請專利範圍第11項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>該第1檢索語包括主關鍵字（main keyword）及屬性關鍵字（property keyword）， <br/>該第1檢索語的主關鍵字為該第1檢索語中包括的商品的品牌名關鍵字， <br/>該第1檢索語的屬性關鍵字為與該第1檢索語中包括的商品的屬性對應的關鍵字， <br/>用於構成該第1介面的資料包括在該第1檢索語的主關鍵字適用第1突出顯示特效，在該第1檢索語的屬性關鍵字適用與該第1突出顯示特效不同的突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第12項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於，用於構成該第1介面的資料在該第1檢索語的屬性關鍵字為多個時，包括在第1類別的屬性關鍵字和第2類別的屬性關鍵字分別適用不同突出顯示特效時相關的資訊。
根據申請專利範圍第12項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>該電腦程式還包括供該處理器執行如下步驟的指令： <br/>對該第1檢索語進行標記化（tokenizing），獲得第1令牌及第2令牌的步驟； <br/>當該第1令牌與該已定義的詞典中包括的品牌名對應時，將該第1令牌確定為該第1檢索語的該主關鍵字的步驟； <br/>獲得與該第1令牌相關的多個商品相關資訊的步驟；以及 <br/>當該第2令牌以基準值以上包括在與該第1令牌相關的多個商品相關資訊時，將該第2令牌確定為該第1檢索語的該屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第12項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>該電腦程式還包括供該處理器執行如下步驟的指令： <br/>對該第1檢索語進行標記化（tokenizing），獲得第1令牌及第2令牌的步驟； <br/>在已生成的知識圖譜中將該第1令牌識別為具有至少一個下部節點的節點的步驟； <br/>在該知識圖譜中將該第2令牌識別為該第1令牌的下部節點的步驟；以及 <br/>將該第1令牌確定為該第1檢索語的該主關鍵字，將該第2令牌確定為該第1檢索語的該屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第12項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>該電腦程式還包括供該處理器執行如下步驟的指令： <br/>對該第1檢索語執行語義分析的步驟； <br/>利用該語義分析的結果，將該第1檢索語中包括的商品的專有名詞確定為該第1檢索語的主關鍵字的步驟；以及 <br/>利用該語義分析的結果，將與該第1檢索語中包括的商品的屬性對應的關鍵字確定為該第1檢索語的屬性關鍵字的步驟。
根據申請專利範圍第12項所述的商品檢索結果提供系統，其特徵在於， <br/>用於構成該第1介面的資料包括該第1商品的圖像，當該第1商品的圖像包括與該第1檢索語中包括的關鍵字相關的特徵（feature）時，包括在該第1商品的圖像顯示區域適用與該第1突出顯示特效不同的突出顯示特效時相關的資訊。
一種具有散熱細微結構之金屬片，其具有透過一雷射模組所產生雷射光誘發而產生的一散熱細微結構，所述散熱細微結構具疏水性且包括多個呈現週期性排列的微結構體，多個所述微結構體各自具有0.1 µm至100 µm的深度，且兩個相鄰的所述微結構體的間距為10 µm至100 µm；<br/> 其中，當一工作流體流經所述散熱細微結構之前具有一第一速度，當所述工作流體流經所述散熱細微結構時具有一第二速度，當所述工作流體流經所述散熱細微結構之後具有一第三速度；<br/> 其中，所述第二速度大於所述第一速度與所述第三速度，所述第三速度大於所述第一速度。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述金屬片選自於由銅、鋅、鎂、鋁以及鎳所組成的群組。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述雷射光的脈衝寬度為50 fs至500 fs、所述雷射光的波長為257nm至1030nm、所述雷射光的聚焦光斑大小為10µm至100µm、所述雷射光的重複頻率為1 KHz至2000KHz及所述雷射光的掃描速度為1mm/s至1000mm/s。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述具有散熱細微結構之金屬片的粗糙度為10µm至100µm，所述具有散熱細微結構之金屬片與水的接觸角為110度至150度。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述雷射模組透過至少一光學元件以產生一線狀雷射光或一面形雷射光，所述線狀雷射光及所述面形雷射光兩者被擇一使用於粗略加工或精細加工或兩者相互配合以用於粗略加工或精細加工；其中，每一個所述微結構體包括多個精細微結構；<br/> 其中，多個所述微結構體設置在一密閉空間中，以作為熱管或均熱板的毛細結構。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述工作流體沿著一水平方向流動。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述工作流體沿著一水平方向流向所述具有散熱細微結構之金屬片，並在流經所述散熱細微結構之後沿著一垂直方向流動。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，所述工作流體沿著一垂直方向流向所述具有散熱細微結構之金屬片，並在流經所述散熱細微結構之後沿著一水平方向流動。
如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片，其中，當所述工作流體流經所述散熱細微結構之前具有一第一溫度，當所述工作流體流經所述散熱細微結構時具有一第二溫度，當所述工作流體流經所述散熱細微結構之後具有一第三溫度，其中，所述第二溫度大於所述第一溫度與所述第三溫度，且所述第三溫度大於所述第一溫度。
一種自發性循環散熱系統，其包括：<br/> 至少一晶片；以及<br/> 如請求項1所述的具有散熱細微結構之金屬片設置於所述至少一晶片上。
一種靜電放電箝制裝置，包括：<br/>放電裝置，連接到第一電網以及第二電網，並被配置為在靜電放電事件的期間，對靜電放電電流進行放電；<br/>靜電放電偵測電路，連接到所述放電裝置，並被配置為偵測所述靜電放電事件，且在所述靜電放電事件的期間，啟動所述放電裝置，以對所述靜電放電電流進行放電；以及<br/>鎖存器電路，包括輸入以及輸出，其中所述輸入被配置為在預充電階段的期間，接收預充電電壓，以鎖存所述鎖存器電路，並在電源電壓的斜坡上升階段的期間，追蹤所述第一電網上的第一電網電壓，所述輸出耦接到所述放電裝置，以在所述預充電階段的期間以及所述斜坡上升階段的期間，防止所述放電裝置的啟動。
如請求項1所述的靜電放電箝制裝置，其中所述放電裝置包括NMOS大電晶體。
如請求項1所述的靜電放電箝制裝置，其中所述靜電放電偵測電路包括電阻器-電容器（RC）網路以及反相器，所述反相器具有反相器輸入以及反相器輸出，所述RC網路連接到所述反相器輸入，且所述放電裝置連接到所述反相器輸出。
如請求項3所述的靜電放電箝制裝置，其中所述鎖存器電路的所述輸出連接到所述RC網路以及所述反相器輸入。
如請求項1所述的靜電放電箝制裝置，其中所述鎖存器電路包括具有第一汲極/源極路徑的第一PMOS電晶體，所述第一汲極/源極路徑連接到所述鎖存器電路的所述輸入以及連接到第二PMOS電晶體的第二汲極/源極路徑，所述第二PMOS電晶體的所述第二汲極/源極路徑連接到所述鎖存器電路的所述輸出。
如請求項5所述的靜電放電箝制裝置，更包括鎖存器反相器，所述鎖存器反相器具有鎖存器反相器輸入以及鎖存器反相器輸出，其中所述鎖存器電路的所述輸出連接到所述鎖存器反相器輸入，且所述第二PMOS電晶體的第二閘極連接到所述鎖存器反相器輸出。
如請求項6所述的靜電放電箝制裝置，其中所述鎖存器反相器包括第三PMOS電晶體以及第一NMOS電晶體，所述第三PMOS電晶體具有連接到所述第一電網的第三汲極/源極路徑以及連接到所述第一NMOS電晶體的第四汲極/源極路徑，所述第一NMOS電晶體的所述第四汲極/源極路徑連接到所述第二電網。
如請求項7所述的靜電放電箝制裝置，更包括第四PMOS電晶體，所述第四PMOS電晶體連接到所述第一汲極/源極路徑、所述第二汲極/源極路徑以及所述第一電網，其中所述第四PMOS電晶體的閘極連接到所述鎖存器反相器輸出。
一種靜電放電箝制裝置，包括：<br/>放電裝置，連接到第一電網以及第二電網，並被配置為在靜電放電事件的期間，對靜電放電電流進行放電；<br/>靜電放電偵測電路，連接到所述放電裝置，並被配置為偵測所述靜電放電事件，並在所述靜電放電事件的期間，啟動所述放電裝置，以對所述靜電放電電流進行放電；以及<br/>鎖存器電路，包括輸入以及輸出，所述輸入被配置為在預充電階段的期間，接收預充電電壓，以鎖存所述鎖存器電路，並在電源電壓的斜坡上升階段的期間，追蹤在所述輸出處的所述第一電網的第一電網電壓，所述輸出耦接到所述放電裝置，以在所述預充電階段的期間以及所述斜坡上升階段的期間，防止所述放電裝置的啟動，<br/>其中所述鎖存器電路包括：<br/>第一PMOS電晶體，具有連接到所述第一電網的第一閘極以及連接所述鎖存器電路的所述輸入的第一汲極/源極路徑；<br/>第二PMOS電晶體，具有第二閘極，且具有連接到所述第一汲極/源極路徑以及所述鎖存器電路的所述輸出的第二汲極/源極路徑；以及<br/>鎖存器反相器，具有鎖存器反相器輸入以及鎖存器反相器輸出，所述鎖存器反相器輸入連接到所述鎖存器電路的所述輸出，且所述鎖存器反相器輸出連接到所述第二PMOS電晶體的所述第二閘極。
一種操作靜電放電鉗制裝置的方法，所述方法包括：<br/>在預充電階段的期間，在鎖存器電路的輸入處，接收預充電電壓，以鎖存所述鎖存器電路；<br/>在電源電壓的斜坡上升階段的期間，在所述鎖存器電路的輸出處，追蹤第一電網的第一電網電壓；<br/>在所述預充電階段的期間以及所述斜坡上升階段的期間，防止放電裝置的啟動，其中所述放電裝置連接到第一電網以及第二電網；以及<br/>偵測靜電放電事件，且在所述靜電放電事件的期間，啟動所述放電裝置，以對靜電放電電流進行放電。
一種胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，包括：<br/> 介於20重量份至30重量份的一硫酸鈣(Calcium sulfate)；<br/> 介於15重量份至25重量份的一羧甲基纖維素鈣(Calcium CMC)或/及一羥丙基甲基纖維素(hydroxypropyl methylcellulose , HPMC)；<br/> 介於20重量份至30重量份的一瓜爾膠(Guar gum)；<br/> 介於5重量份至15重量份的一磷酸鈣(Calcium phosphate)；<br/> 介於5重量份至15重量份的一山梨醇(Sorbitol) <br/> 介於5重量份至15重量份的一麥芽糊精(Maltodextrin)；<br/> 介於5重量份至10重量份的一膨潤土(bentonite)；<br/> 潰瘍傷口大約直徑1公分至1.2公分之間的圓形潰瘍的面積大小，所使用的胃腸道潰瘍覆蓋粉末約為3克至4克之間，成膠而覆蓋潰瘍傷口的時間約為30秒。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有25重量份的硫酸鈣。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有20重量份的羧甲基纖維素鈣。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有25重量份的瓜爾膠。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有10重量份的磷酸鈣。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有10重量份的山梨醇。
如請求項1所述之胃腸道潰瘍覆蓋粉末的配方，其中，含有10重量份的麥芽糊精。
一種半導體結構，包括：<br/> 一第一半導體層，具有一凸部；<br/> 一支架，設置於該第一半導體層上，且包括：<br/> 一接合部，與該第一半導體層的該凸部連接；<br/> 一連接部，與該接合部連接；及<br/> 一承載部，包括一第一部分及一第二部分，其中該第二部分與該連接部連接，且該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度；及<br/> 一半導體元件，設置於該承載部的該第一部分上，且暴露該第二部分、該接合部與該連接部，<br/> 其中，該支架的該承載部與該第一半導體層之間具有一間隙；<br/> 其中，該半導體元件的側表面與該承載部的該第一部分的一側表面齊平。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第二部分環繞該第一部分。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一部分的該側表面連接該第二部分的一頂表面。
如請求項1所述之半導體結構，其中該第一部分於該第一半導體層上的垂直投影位於該半導體元件於該第一半導體層上的垂直投影範圍內。
如請求項1所述之半導體結構，其中該半導體元件包括一第二半導體層及一元件層，該第二半導體層設置於該承載部及該元件層之間，該第一半導體層與該第二半導體層具有相同材料。
如請求項1所述之半導體結構，其中於一俯視圖中，該連接部具有一凹部以及自該凹部凹陷形成的一凹點。
如請求項1所述之半導體結構，更包括：<br/> 一接觸墊，設置於該半導體元件上。
一種半導體單元，包括：<br/> 一支架，包括：<br/> 一連接部，具有一第一側表面；及<br/> 一承載部，包括一第一部分及一第二部分，其中該第二部分與該連接部連接，且該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度，其中該第二部分具有一第二側表面；及<br/> 一半導體元件，設置於該承載部的該第一部分上，且暴露該第二部分及該連接部，<br/> 其中，該第一側表面的粗糙度大於該第二側表面的粗糙度；<br/> 其中，該半導體元件具有一第三側表面，該承載部的該第一部分具有一第四側表面，該第三側表面與該第四側表面齊平。
如請求項8所述之半導體單元，該半導體元件包括：<br/> 一半導體層及一元件層，該半導體層設置於該承載部及該元件層之間，且該半導體層的側表面與該元件層的側表面齊平。
一種半導體結構的形成方法，包括：<br/> 提供一第一半導體層；<br/> 形成一絕緣層在該第一半導體層上；<br/> 形成一半導體元件於該絕緣層上；<br/> 圖案化該絕緣層，以形成一支架；及<br/> 移除該第一半導體層的一部分，以使該支架的底表面與該第一半導體層的頂表面之間具有一間隙；<br/> 其中形成該半導體元件更包括：<br/> 移除該絕緣層的一部分，以使該絕緣層包括一第一部分及一第二部分，形成的該半導體元件位於該第一部分上，且該第一部分的厚度大於該第二部分的厚度，其中形成的該半導體元件的側表面與該絕緣層的該第一部分的側表面齊平。
一種電池管理方法，適用於一電池組，該電池組係電性耦接於一系統，並由該系統產生一充電電流對一電池芯進行充電，該電池管理方法包含： <br/>設定對應於該電池芯之一電池放電臨界值，該電池放電臨界值係出廠時，該電池芯於一預設溫度，以一預設放電電流值放電至一預設電量所對應之電壓值，該預設電量為該電池芯之出廠電池容量之一預設放電臨界容量值； <br/>改變該電池芯取得之該充電電流，並量測相對應之一電壓變化值； <br/>利用該充電電流之一電流變化值以及該電壓變化值計算一內阻值；以及 <br/>利用該內阻值調整該電池放電臨界值， <br/>其中，該電池組設有一電量計，該電量計適於量測該電池芯之電量，該電池管理方法更包含： <br/>於放電過程中，量測該電池芯之一電壓值； <br/>當該電壓值降低至該電池放電臨界值，利用該電量計量測該電池芯之一電池容量讀值；以及 <br/>當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，提高該預設放電臨界容量值。
如請求項1所述之電池管理方法，其中，當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，提高該預設放電臨界容量值之步驟係以一預設間隔值，提高該預設放電臨界容量值。
如請求項1所述之電池管理方法，其中，改變該電池芯取得之該充電電流，並量測相對應之該電壓變化值之步驟係將該充電電流於一第一充電電流值與一第二充電電流值之間切換。
如請求項3所述之電池管理方法，其中，利用該充電電流之該電流變化值以及該電壓變化值計算該內阻值之步驟包含將該第一充電電流值與該第二充電電流值之一差值作為該電流變化值。
如請求項1所述之電池管理方法，其中，該電池放電臨界值係為該電池芯之一電池平衡基準電壓。
如請求項1所述之電池管理方法，其中，該電池組包含一電池管理裝置，該電池管理裝置包含一記憶單元，改變該電池芯取得之該充電電流之步驟包含： <br/>在該記憶單元之一特定位置寫入一判斷字元；以及 <br/>該系統監控該特定位置，並依據該判斷字元改變該充電電流之大小。
如請求項1所述之電池管理方法，其中，該電池組包含一電池管理裝置，改變該電池芯取得之該充電電流之步驟包含： <br/>由該電池管理裝置產生一命令至該系統；以及 <br/>該系統依據該命令改變該充電電流之大小。
一種電池管理方法，適用於一電池組，該電池組係電性耦接於一系統，並由該系統產生一充電電流對一電池芯進行充電，該電池管理方法包含： <br/>設定對應於該電池芯之一電池放電臨界值，該電池放電臨界值係出廠時，該電池芯於一預設溫度，以一預設放電電流值放電至一預設電量所對應之電壓值，該預設電量為該電池芯之出廠電池容量之一預設放電臨界容量值； <br/>改變該電池芯取得之該充電電流，並量測相對應之一電壓變化值； <br/>利用該充電電流之一電流變化值以及該電壓變化值計算一內阻值；以及 <br/>利用該內阻值調整該電池放電臨界值， <br/>其中，該電池組設有一電量計，該電量計適於量測該電池芯之電量，該電池管理方法更包含： <br/>於放電過程中，量測該電池芯之一電壓值； <br/>當該電壓值降低至該電池放電臨界值，利用該電量計量測該電池芯之一電池容量讀值；以及 <br/>當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，且當該電池容量讀值與該預設放電臨界容量值之差超過一誤差值，提高該預設放電臨界容量值。
一種電池管理方法，適用於一電池組，該電池組係電性耦接於一系統，並由該系統產生一充電電流對一電池芯進行充電，該電池管理方法包含： <br/>設定對應於該電池芯之一電池放電臨界值，該電池放電臨界值係出廠時，該電池芯於一預設溫度，以一預設放電電流值放電至一預設電量所對應之電壓值，該預設電量為該電池芯之出廠電池容量之一預設放電臨界容量值； <br/>改變該電池芯取得之該充電電流，並量測相對應之一電壓變化值； <br/>利用該充電電流之一電流變化值以及該電壓變化值計算一內阻值；以及 <br/>利用該內阻值調整該電池放電臨界值， <br/>其中，該電池組設有一電量計，該電量計適於量測該電池芯之電量，該電池管理方法更包含： <br/>於放電過程中，量測該電池芯之一電壓值； <br/>當該電壓值降低至該電池放電臨界值，利用該電量計量測該電池芯之一電池容量讀值；以及 <br/>當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，利用該預設放電臨界容量值以及該電量計量測之放電量調整該電池芯之滿電量。
一種電池管理方法，適用於一電池組，該電池組係電性耦接於一系統，並由該系統產生一充電電流對一電池芯進行充電，該電池管理方法包含： <br/>設定對應於該電池芯之一電池放電臨界值，該電池放電臨界值係出廠時，該電池芯於一預設溫度，以一預設放電電流值放電至一預設電量所對應之電壓值，該預設電量為該電池芯之出廠電池容量之一預設放電臨界容量值； <br/>改變該電池芯取得之該充電電流，並量測相對應之一電壓變化值； <br/>利用該充電電流之一電流變化值以及該電壓變化值計算一內阻值；以及 <br/>利用該內阻值調整該電池放電臨界值， <br/>其中，該電池組設有一電量計，該電量計適於量測該電池芯之電量，該電池管理方法更包含： <br/>於放電過程中，量測該電池芯之一電壓值； <br/>當該電壓值降低至該電池放電臨界值，利用該電量計量測該電池芯之一電池容量讀值；以及 <br/>當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，將該電池容量讀值減去一預設調整間隔值以更新該預設放電臨界容量值。
一種電池管理裝置，適用於一電池組，該電池組電性耦接於一系統，該系統適於產生一充電電流對一電池芯進行充電，該電池管理裝置包含： <br/>一電量計，該電量計包含一電池芯電壓偵測單元以及一電流偵測單元，該電池芯電壓偵測單元適於量測該電池芯之一電池電壓，該電流偵測單元適於偵測該充電電流； <br/>一記憶單元，適於儲存對應於該電池芯之一電池放電臨界值，該電池放電臨界值係係出廠時，該電池芯於一預設溫度，以一預設放電電流值放電至一預設電量所對應之電壓值，該預設電量為該電池芯之出廠電池容量之一預設放電臨界容量值；以及 <br/>一控制單元，用以： <br/>於該電池芯之充電過程中，通知該系統改變該充電電流之大小； <br/>透過該電量計量測該電池芯相對應於該充電電流之一電壓變化值，利用該充電電流之一電流變化值以及該電壓變化值計算一內阻值，並利用該內阻值調整該電池放電臨界值， <br/>其中，該電池管理方法更包含： <br/>於放電過程中， 當該電量計量測之該電池電壓降低至該電池放電臨界值，利用該電量計量測該電池芯之一電池容量讀值；以及 <br/>當該電池容量讀值大於該預設放電臨界容量值，提高該預設放電臨界容量值。
如請求項11所述之電池管理裝置，其中，該電池管理裝置係一電池電量監測晶片(gauge IC)。
如請求項11所述之電池管理裝置，其中，該控制單元適於產生一命令至該系統，該系統依據該命令改變該充電電流之大小。
如請求項11所述之電池管理裝置，其中，該控制單元適於在該記憶單元之一特定位置寫入一判斷字元，該系統適於監控該特定位置，並依據該判斷字元改變該充電電流之大小。
一種與 CD3 及 CD19 結合之抗體，其中該抗體包含 <br/>(a) 與 CD3 結合之第一抗原結合域，其包含 SEQ ID NO: 7 之重鏈可變區(VH)序列及 SEQ ID NO: 11 之輕鏈可變區(VL)序列； <br/>(b) 與 CD19 結合之第二抗原結合域及第三抗原結合域，其中該第二抗原結合域及該第三抗原結合域各包含VH及VL，該VH包含SEQ ID NO: 15之重鏈互補決定區(HCDR) 1、SEQ ID NO: 16之HCDR 2及SEQ ID NO: 17之HCDR3，以及該VL包含SEQ ID NO: 19之輕鏈互補決定區(LCDR) 1、SEQ ID NO: 20之LCDR2及SEQ ID NO: 21之LCDR 3；以及 <br/>(c) 由第一次單元及第二次單元構成之人IgG<sub>1</sub> Fc域，其中在該Fc域之第一次單元中，位置366的蘇胺酸殘基被色胺酸殘基替換(T366W)，且位置354的絲胺酸殘基被半胱胺酸殘基替換(S354C)，並且在該Fc域之第二次單元中，位置407的酪胺酸殘基被纈胺酸殘基替換(Y407V)、位置366的蘇胺酸殘基被絲胺酸殘基替換(T366S)、位置368的白胺酸殘基被丙胺酸殘基替換(L368A)以及位置349的酪胺酸殘基被半胱胺酸殘基替換(Y349C) (根據Kabat EU索引編號)，且其中進一步於該Fc域之第一次單元及第二次單元各者中，位置234的白胺酸殘基被丙胺酸殘基替換(L234A)、位置235的白胺酸殘基被丙胺酸殘基替換(L235A)以及位置329的脯胺酸殘基被甘胺酸殘基替換 (P329G) (根據 Kabat EU 索引編號)； <br/>其中該抗體包含：包含與SEQ ID NO: 39之序列至少95%、至少96%、至少97%、至少98%或至少99%相同之胺基酸序列的多肽、包含與SEQ ID NO: 24之序列至少95%、至少96%、至少97%、至少98%或至少99%相同之胺基酸序列的多肽、包含與SEQ ID NO: 25之序列至少95%、至少96%、至少97%、至少98%或至少99%相同之胺基酸序列的二個多肽、以及包含與SEQ ID NO: 27之序列至少95%、至少96%、至少97%、至少98%或至少99%相同之胺基酸序列的多肽。
如請求項1之抗體，其中在該第二抗原結合域及該第三抗原結合域之恆定域CL中，位置124的胺基酸經離胺酸(K)取代 (根據 Kabat 編號)，且位置123的胺基酸經精胺酸(R)取代 (根據 Kabat 編號)，且在該第二抗原結合域及該第三抗原結合域之恆定域CH1中，位置147的胺基酸經麩胺酸(E)取代 (根據 Kabat EU 索引編號)，且位置213的胺基酸經麩胺酸(E)取代 (根據 Kabat EU 索引編號)。
一種經分離之多核苷酸，其編碼如請求項1或2之抗體。
一種宿主細胞，其包含如請求項3之經分離之多核苷酸。
一種產生與 CD3 及 CD19 結合之抗體之方法，其包含如下步驟：(a) 在適於表現該抗體之條件下培養如請求項4之宿主細胞，及(b) 回收該抗體。
一種與 CD3 及 CD19 結合之抗體，其藉由如請求項5之方法產生。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1或2之抗體以及醫藥上可接受之載劑。
一種如請求項1或2之抗體或如請求項7之醫藥組成物之用途，其係用於製造用於治療癌症或自體免疫疾病之藥劑。
如請求項8之用途，其中該癌症為(i) 表現CD19之癌症，及/或(ii) B細胞癌症。
如請求項9之用途，其中該B細胞癌症為B細胞淋巴瘤或B細胞白血病。
如請求項10之用途，其中該B細胞癌症為非何杰金氏淋巴瘤或急性淋巴細胞白血病或慢性淋巴細胞白血病。
如請求項8之用途，其中該自體免疫疾病為狼瘡。
如請求項12之用途，其中該狼瘡為系統性紅斑性狼瘡(SLE)或狼瘡性腎炎(LN)。
一種含有銅的銀粉，所述含有銅的銀粉中， <br/>於藉由對所述含有銅的銀粉以10℃/min的升溫速度進行升溫的熱機械分析而獲得的100℃至600℃的熱機械分析曲線的微分曲線中， <br/>具有膨脹峰、並且於較所述膨脹峰而言為低溫側具有dTMA為-0.10%/min以下的第一收縮峰， <br/>所述含有銅的銀粉中的銅含量為10 ppm以上且10,000 ppm以下。
如請求項1所述的含有銅的銀粉，其中於所述微分曲線中，於所述膨脹峰的溫度至300℃之間，具有dTMA為-0.30%/min以下的第二收縮峰。
如請求項1或2所述的含有銅的銀粉，其中300℃至600℃之間的所述微分曲線蜿蜒。
一種導電性糊，包含：如請求項1或2所述的含有銅的銀粉、鋁、以及溶劑。
一種導電膜，使用如請求項4所述的導電性糊來形成。
一種太陽電池胞，包括如請求項5所述的導電膜。
一種金屬檸檬酸鹽，其化學式為：<br/> (A,B)M(C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>O<sub>7</sub>)，其中A為選自NH<sub>4</sub><sup>+</sup>及K<sup>+</sup>中的鹼金屬陽離子，B為選自NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>及Na<sup>+</sup>中的鹼金屬陽離子；或<br/> AMC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>O<sub>7</sub>，其中A為選自Ca<sup>2+</sup>、Mg<sup>2+</sup>及該等之混合物中的鹼土金屬陽離子；<br/> 且上述化學式中，M為具有+2氧化態的金屬並係選自Cu<sup>2+</sup>、Zn<sup>2+</sup>、Fe<sup>2+</sup>、Mn<sup>2+</sup>及該等之混合物。
如請求項1之金屬檸檬酸鹽，其中，該金屬檸檬酸鹽的化學式為(A,B)M(C<sub>6</sub>H<sub>4</sub>O<sub>7</sub>)，且A為選自NH<sub>4</sub><sup>+</sup>及K<sup>+</sup>中的鹼金屬陽離子，B為選自NH<sub>4</sub><sup>+</sup>及K<sup>+</sup>中的鹼金屬陽離子。
如請求項1或2之金屬檸檬酸鹽，其中，M係選自Cu<sup>2+</sup>、Zn<sup>2+</sup>及該等之混合物。
如請求項3之金屬檸檬酸鹽，其中，M為Cu<sup>2+</sup>。
如請求項4之金屬檸檬酸鹽，其中，該金屬檸檬酸鹽的化學式為K<sub>2</sub>CuC<sub>6</sub>H<sub>4</sub>O<sub>7</sub>。
如請求項1或2之金屬檸檬酸鹽，其中，該金屬檸檬酸鹽在20°C時的對水溶解度至少為500 g/L。
一種組合物，包含如請求項1至6中任一項之金屬檸檬酸鹽。
如請求項7之組合物，更包含至少一添加劑，該添加劑係選自由：pH調節劑、成膜劑、抗結劑、表面活性劑、潤濕劑、防泡劑、防飄移劑、黏著劑、增稠劑、起泡劑、固化劑、其他生物殺滅劑、肥料、植物營養劑、土壤營養劑及穩定劑構成之群組。
如請求項7或8之組合物，其中，該組合物為固體形式。
一種生物殺滅溶液，包含如請求項1至6中任一項之金屬檸檬酸鹽及水。
一種預防或防止活的病原生物生長於植物、植物產品、種子、塊莖及／或水果上的方法，包括將如請求項10之生物殺滅溶液施用於植物、植物產品、種子、塊莖及／或水果上的步驟。
如請求項11之預防或防止活的病原生物生長於植物、植物產品、種子、塊莖及／或水果上的方法，其中，該生物殺滅溶液中，金屬M的濃度為0.1 g/L至2 g/L。
如請求項11或12之預防或防止活的病原生物生長於植物、植物產品、種子、塊莖及／或水果上的方法，其中，將如請求項10之生物殺滅溶液施用於植物、植物產品、種子、塊莖及／或水果上的步驟，係藉由噴灑、噴粉、浸泡、灌溉或塗覆來進行。
一種金屬檸檬酸鹽作為生物殺滅劑的用途，係使用如請求項1至6中任一項之金屬檸檬酸鹽，該生物殺滅劑係應用於以下領域：<br/> （i）田間作物及園藝，作為收穫前及／或收穫後的處理；<br/> （ii）草坪及花園；<br/> （iii）林業。
如請求項14之金屬檸檬酸鹽作為生物殺滅劑的用途，其中，該生物殺滅劑為一殺真菌劑及／或一殺細菌劑。
一種包括一基板容器之總成，該基板容器包含： <br/>一孔隙，其形成在該基板容器中，該孔隙經構形以接納一模組； <br/>一或多個突片，該一或多個突片之各者在該孔隙之一周邊之一部分上方向內延伸至該孔隙中，該一或多個突片界定一或多個間隙； <br/>一模組；及 <br/>一模組保持器，其附接至該模組，該模組保持器包含一或多個接合特徵部，其中該等接合特徵部經構形以在處於一第一位置中時經插入穿過對應之一或多個間隙，且在處於一第二位置中時與該一或多個突片接合，該模組保持器經構形以在該模組保持器被插入至該孔隙中時可在該第一位置與該第二位置之間旋轉。
如請求項1之總成，其中該模組保持器包含一掣子，該掣子經構形以接觸該一或多個間隙之一者以抵抗該模組保持器從該第二位置至該第一位置之旋轉。
如請求項1之總成，其中該模組係選自由以下組成之群組：一沖洗模組、一通氣沖洗模組、一吸氣劑模組及一感測器模組。
如請求項1之總成，其中該一或多個突片包含至少三個突片，且該一或多個接合特徵部包含至少三個接合特徵部。
如請求項1之總成，其中該基板容器包含界定一內部空間之一殼體及一底板。
如請求項5之總成，其中該孔隙係形成在該殼體中。
如請求項5之總成，其中該孔隙係形成在該殼體及該底板兩者中。
如請求項7之總成，其中該一或多個突片係設置在該底板上。
如請求項1之總成，其中該模組保持器包含在該模組保持器之一面向外表面上之一或多個工具介面。
如請求項9之總成，其中該等工具介面係圍繞形成在該模組保持器之該面向外表面中之一中心開口分佈。
一種將一模組安裝至一基板容器中之方法，其包括： <br/>將包含一模組保持器之一模組插入至形成在該基板容器中之一孔隙中，其中該模組保持器處於一第一位置中，其中該模組保持器之接合特徵部可穿過向內延伸至該孔隙中之突片之間的間隙；及 <br/>使該模組保持器旋轉至一第二位置中，其中該模組保持器之該等接合特徵部與該等突片接合。
如請求項11之方法，其中該模組係選自由以下組成之群組：一通氣模組、一沖洗模組、一吸氣劑模組、一感測器模組及一介面模組。
如請求項11之方法，其進一步包括將該模組保持器附接至該模組。
如請求項13之方法，其中將該模組保持器附接至該模組包含：在設置在該模組保持器上之至少一個第一卡扣配合特徵部與設置在該模組之一主體上之至少一個第二卡扣配合特徵部之間形成一卡扣配合。
如請求項11之方法，其中該孔隙係形成在該基板容器之一殼體中。
如請求項11之方法，其中該孔隙係形成在該基板容器之一殼體及一底板中，且該等突片係設置在該底板上。
如請求項11之方法，其中使該模組保持器旋轉包含：將一工具插入至設置在該模組保持器中之一或多個工具介面中。
如請求項17之方法，其中該工具係自動化地操縱。
如請求項11之方法，其進一步包括使該模組保持器從該第二位置旋轉至該第一位置，及從該孔隙移除該模組。
如請求項11之方法，其中當該模組被安裝在該孔隙中且該模組保持器處於該第二位置中時，該孔隙被密封。
一種發光裝置，其包含： <br/> 陽極； <br/> 該陽極上方的電洞注入層，該電洞注入層包含第一有機化合物； <br/> 該電洞注入層上方的發光層； <br/> 該發光層上方的電子傳輸層，其包含第二有機化合物；及 <br/> 該發光層上方的陰極， <br/> 其中該第一有機化合物為具有-5.7eV以上且-5.4eV以下的HOMO能階的電洞傳輸材料， <br/> 該第二有機化合物由式(G1)表示： <br/><img align="absmiddle" height="383px" width="611px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="155px" width="356px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/> 其中，a及b分別獨立地表示經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的伸芳基， <br/> m及n分別獨立地為0、1或2， <br/> R<sup>1</sup>至R<sup>13</sup>分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代的形成環的碳原子數為3至7的環烷基和經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的芳基中的任一個， <br/> A由式(g1)表示， <br/> X<sup>1</sup>至X<sup>4</sup>分別獨立地表示N或CR<sup>14</sup>， <br/> 並且，R<sup>14</sup>表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代的形成環的碳原子數為3至7的環烷基和經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的芳基中的任一個。
如請求項1之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物由式(G2)表示， <br/><img align="absmiddle" height="373px" width="591px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="150px" width="353px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 並且，其中式(G2)中之R<sup>1</sup>至R<sup>13</sup>、A、X<sup>1</sup>至X<sup>4</sup>、a及m為請求項1式(G1)中所定義。
如請求項1之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物由式(G3)表示， <br/><img align="absmiddle" height="363px" width="603px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="148px" width="366px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 並且，其中式(G3)中之R<sup>1</sup>至R<sup>13</sup>、A、X<sup>1</sup>至X<sup>4</sup>、a、b及n為請求項1式(G1)中所定義。
如請求項1之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物由式(G3)表示， <br/><img align="absmiddle" height="368px" width="596px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="145px" width="378px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/> 其中，a及b分別表示經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的伸芳基， <br/> n表示0， <br/> R<sup>1</sup>至R<sup>13</sup>分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代的形成環的碳原子數為3至7的環烷基或者經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的芳基， <br/> A由式(g1)表示， <br/> X<sup>1</sup>至X<sup>4</sup>分別獨立地表示N或CR<sup>14</sup>， <br/> 並且，R<sup>14</sup>表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代的形成環的碳原子數為3至7的環烷基和經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的芳基中的任一個。
如請求項1或2之發光裝置， <br/> 其中m為2， <br/> 並且作為該兩個伸芳基的a相同。
如請求項1或3之發光裝置， <br/> 其中n為2， <br/> 並且作為該兩個伸芳基的b相同。
如請求項1至4中任一項之發光裝置， <br/> 其中a表示經取代或未經取代的伸苯基。
如請求項1至4中任一項之發光裝置， <br/> 其中式(g1)由式(g1-1)至式(g1-3)中的任一個表示： <br/><img align="absmiddle" height="271px" width="758px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/> 並且R<sup>21</sup>至R<sup>24</sup>、R<sup>31</sup>至R<sup>33</sup>、和R<sup>41</sup>至R<sup>43</sup>分別獨立地表示氫、碳原子數為1至6的烷基、經取代或未經取代的形成環的碳原子數為3至7的環烷基和經取代或未經取代的形成環的碳原子數為6至13的芳基中的任一個。
如請求項1至4中任一項之發光裝置， <br/> 其中式(g1)由式(g1-4)至式(g1-6)中的任一個表示： <br/><img align="absmiddle" height="205px" width="690px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之發光裝置， <br/> 其中該第二有機化合物由式(100)、(101)、(102)、(135)、(147)和(175)中的任一個表示： <br/><img align="absmiddle" height="946px" width="1000px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種發光設備，其包含： <br/> 如請求項1至4中任一項之發光裝置；以及 <br/> 電晶體及基板中的至少一個。
一種電子裝置，其包含： <br/> 如請求項11之發光設備；以及 <br/> 麥克風、相機、操作按鈕、外部連接部和揚聲器中的至少一個。
一種照明裝置，其包含： <br/> 如請求項1至4中任一項之發光裝置；以及 <br/> 外殼、覆蓋物和支架中的至少一個。
一種決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其步驟包含有：<br/> 根據一探針系統之一探測組件的一探針之型態，以及將要測試之一受測裝置的一接觸墊之型態，定義出一滑移距離對針測行程之關係資料組；<br/> 提供一滑移距離值及一針測行程值二者其中之一至一控制器，該滑移距離值為設定該探針的一探針尖端在接觸該受測裝置的接觸墊之後要在該接觸墊上滑移的距離，該針測行程值為設定在該探針的探針尖端接觸該受測裝置的接觸墊之後，該探測組件與該受測裝置要再相對移動的距離；<br/> 提供一探針目標位置及一探針當前位置二者其中之一至該控制器，該探針目標位置為該探針的探針尖端在該受測裝置的接觸墊上滑移之後預定要停止的位置，該探針當前位置為該探針的探針尖端當下的位置；以及<br/> 利用該控制器，並根據所述該滑移距離值及該針測行程值二者其中之一，以及該滑移距離對針測行程之關係資料組，得出該滑移距離值及該針測行程值二者其中之另一，且根據該滑移距離值，以及所述該探針目標位置及該探針當前位置二者其中之一，得出一用於將該探測組件與該受測裝置相互定位的位置。
如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其中該探針目標位置被提供至該控制器，所述用於將該探測組件與該受測裝置相互定位的位置為一探針接觸位置，該探針接觸位置為該探針的探針尖端預定要開始接觸該受測裝置的接觸墊之位置，用以將該探針的探針尖端定位於該探針接觸位置。
如請求項2所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其步驟更包含有：<br/> 確認該探針接觸位置及該探針目標位置皆位於對應該受測裝置之接觸墊的一可接受範圍內。
如請求項2所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其步驟更包含有：<br/> 利用該控制器產生一顯示該探針接觸位置的虛擬對準標記，用以將該探針的探針尖端對準於該虛擬對準標記。
如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其中該探針當前位置被提供至該控制器，所述用於將該探測組件與該受測裝置相互定位的位置為一相對目標位置，該相對目標位置與該探針當前位置的一相對距離等於該滑移距離值，用以藉由讓該相對目標位置與該探測組件同步地相對於該受測裝置移動，並將該相對目標位置相對移動至一對應該受測裝置之接觸墊的位置，而使該探測組件與該受測裝置相互定位。
如請求項5所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其步驟更包含有：<br/> 利用該控制器產生一顯示該相對目標位置的虛擬對準標記，用以將該虛擬對準標記相對移動至所述對應該受測裝置之接觸墊的位置，進而讓該相對目標位置相對移動至所述對應該受測裝置之接觸墊的位置。
如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法，其中該滑移距離對針測行程之關係資料組係利用該探針系統及一校準基板而建立，其步驟包含有：<br/> 使該探針的探針尖端接觸該校準基板；<br/> 使該探針與該校準基板在一垂直軸向上相對移動一針測行程，使得該探針尖端在該校準基板上滑移而產生一滑移距離，並且利用一光學成像裝置觀測出該滑移距離；以及<br/> 利用該控制器並且根據該滑移距離及該針測行程，產生該滑移距離對針測行程之關係資料組。
一種探針系統的運作方法，該探針系統包含有一探測組件及一控制器，該探測組件包含有一探針，該探針包含有一探針尖端，該探針尖端係用以點觸一受測裝置的一接觸墊；該探針系統的運作方法之步驟包含有：<br/> 利用該控制器執行如請求項2所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法；<br/> 利用該控制器將該探針的探針尖端定位於該探針接觸位置；以及<br/> 利用該控制器執行一針測行程工作程序，該針測行程工作程序係使該探測組件與該受測裝置相對移動該針測行程值，使得該探針之探針尖端產生偏斜而滑移至該探針目標位置而停止。
一種探針系統的運作方法，該探針系統包含有一探測組件及一控制器，該探測組件包含有一探針，該探針包含有一探針尖端，該探針尖端係用以點觸一受測裝置的一接觸墊；該探針系統的運作方法之步驟包含有：<br/> 利用該控制器執行如請求項5所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法；<br/> 利用該控制器將該相對目標位置相對移動至所述對應該受測裝置之接觸墊的位置；以及<br/> 利用該控制器執行一針測行程工作程序，該針測行程工作程序係使該探測組件與該受測裝置相對移動該針測行程值，使得該探針之探針尖端產生偏斜而滑移至所述對應該受測裝置之接觸墊的位置而停止。
一種探針系統，包含有：<br/> 一夾頭，包含有一配置來承載一基板的夾頭支承表面，該基板包含有一或多個受測裝置；<br/> 一探測組件，包含有一探針，該探針包含有一探針尖端，該探針被配置以測試該受測裝置；<br/> 一光學成像裝置，係配置來接收所述探針系統的至少一部分的光學影像，其中包含至少局部之該探測組件的影像；以及<br/> 一控制器，係被編程來執行如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法。
一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，包含有電腦可執行的指令，所述指令被執行時係指示一探針系統執行如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法。
一種未封裝半導體裝置測試方法，其步驟包含有：<br/> 提供至少一探測組件，該至少一探測組件包含有一探針，該探針包含有一探針尖端，該探針的探針尖端係配置來機械性地及電性地接觸一未封裝半導體裝置；<br/> 提供一控制器，該控制器係被編程來執行如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法並得到一結果；以及<br/> 根據該結果，利用該控制器並藉由該探針而對該未封裝半導體裝置進行測試。
一種製造經過測試之半導體裝置的方法，其步驟包含有：<br/> 提供至少一探測組件，該至少一探測組件包含有一探針，該探針包含有一探針尖端，該探針的探針尖端係配置來機械性地及電性地接觸一未封裝半導體裝置；<br/> 提供一控制器，該控制器係被編程來執行如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法並得到一結果；以及<br/> 根據該結果，利用該控制器並藉由該探針而對該未封裝半導體裝置進行測試。
一種經過測試之半導體裝置，包含有：<br/> 一未封裝半導體裝置，包含有複數接觸墊，該未封裝半導體裝置係經過一測試程序測試，該測試程序係先執行如請求項1所述之決定探針系統對受測裝置進行測試之針測參數的方法並得到一結果，再使該等接觸墊受到根據該結果所執行的機械性及電性接觸。
一種產生虛擬標記影像之方法，係用以產生代表一探針系統的一部分的一虛擬標記影像，該探針系統包含有一探針及一基板，該基板包含有一或多個受測裝置，該探針係被配置以測試該受測裝置；該方法之步驟包含有：<br/> 利用一光學成像裝置來得到該探針系統的至少一部分的一現有探針系統影像，該現有探針系統影像包含以下的一或兩者：<br/> 該探針的至少一部分的影像；以及<br/> 該基板的至少一部分的影像；<br/> 利用一控制器並且至少部分根據該現有探針系統影像，來產生該虛擬標記影像，其中該控制器根據一滑移距離值及一針測行程值二者其中之一，以及一滑移距離對針測行程之關係資料組，得出該滑移距離值及該針測行程值二者其中之另一；以及<br/> 利用一顯示器來呈現該虛擬標記影像；<br/> 其中該虛擬標記影像包含以下二者其中之一：<br/> 一探針接觸位置的表示，該探針接觸位置為該探針的一探針尖端預定要開始接觸該受測裝置的一接觸墊之位置；以及<br/> 一探針目標位置的表示，該探針目標位置為該探針的探針尖端在該接觸墊上滑移之後預定要停止的位置。
如請求項15所述之產生虛擬標記影像之方法，其中該控制器根據該滑移距離值及該探針目標位置，得出該探針接觸位置。
如請求項15所述之產生虛擬標記影像之方法，其中該控制器根據該滑移距離值及一探針當前位置，得出一相對目標位置，該探針當前位置為該探針的探針尖端當下的位置，該相對目標位置與該探針當前位置的一相對距離等於該滑移距離值。
如請求項15所述之產生虛擬標記影像之方法，其中該現有探針系統影像中該受測裝置相較於該探針之至少該探針尖端是清楚的，所述產生該虛擬標記影像是包含產生一虛擬對準標記，該虛擬對準標記顯示出該探針接觸位置。
如請求項15所述之產生虛擬標記影像之方法，其中該現有探針系統影像中該探針之至少該探針尖端相較於該受測裝置是清楚的，所述產生該虛擬標記影像是包含產生一虛擬對準標記，該虛擬對準標記顯示出一相對目標位置，該相對目標位置與該探針尖端當下的位置之相對關係是相同於該探針目標位置與該探針接觸位置之相對關係。
如請求項18或19所述之產生虛擬標記影像之方法，其中所述產生該虛擬對準標記是包含判斷該虛擬對準標記相對於該探針之探針尖端的位置，所述產生該虛擬標記影像是包含至少部分根據所判斷出之該虛擬對準標記相對於該探針尖端的位置，來修改該虛擬標記影像，以使得該虛擬標記影像包含該虛擬對準標記。
一種阻劑材料，含有：<br/> 淬滅劑，包含選自N-羰基三氟甲氧基苯磺醯胺、N-羰基二氟甲氧基苯磺醯胺、三氟甲氧基苯磺醯亞胺及二氟甲氧基苯磺醯亞胺中之1種以上之化合物之鋶鹽。
如請求項1之阻劑材料，其中，該鋶鹽為下式(1)表示者；<br/><img align="absmiddle" height="34px" width="114px" file="ed10133.jpg" alt="ed10133.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，m為1~5之整數，n為0；惟，1≦m+n≦5；<br/> X<sup>1</sup>為-C(=O)-或-S(=O)<sub>2</sub>-；<br/> R<sup>1</sup>為三氟甲基或二氟甲基；<br/> R<sup>2</sup>為碳數1~6之飽和烴基、碳數1~6之飽和烴基氧基、羥基、羧基、氰基、硝基或鹵素原子；<br/> R<sup>3</sup>為碳數1~26之烴基，且該烴基也可含有選自氧原子、硫原子、氮原子及鹵素原子中之至少1種；<br/> R<sup>4</sup>~R<sup>6</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
如請求項1之阻劑材料，更含有基礎聚合物。
如請求項3之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為含有下式(a1)表示之重複單元或下式(a2)表示之重複單元者；<br/><img align="absmiddle" height="61px" width="88px" file="ed10134.jpg" alt="ed10134.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種之碳數1~12之連結基；<br/> Y<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵；<br/> Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵；<br/> R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基；<br/> R<sup>13</sup>為氟原子、三氟甲基、氰基或碳數1~6之飽和烴基；<br/> R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1~6之烷二基，且該烷二基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被醚鍵或酯鍵取代；<br/> a為1或2；b為0~4之整數；惟，1≦a+b≦5。
如請求項4之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項3之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為不含酸不穩定基者。
如請求項6之阻劑材料，其係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項3之正型阻劑材料，其中，該基礎聚合物為含有選自下式(f1)表示之重複單元、下式(f2)表示之重複單元及下式(f3)表示之重複單元中之至少1種者；<br/><img align="absmiddle" height="63px" width="161px" file="ed10135.jpg" alt="ed10135.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> Z<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或-O-Z<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>11</sup>-；Z<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> Z<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵；<br/> Z<sup>3</sup>為單鍵、-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-、-Z<sup>31</sup>-O-或-Z<sup>31</sup>-O-C(=O)-；Z<sup>31</sup>為碳數1~12之伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、碘原子或溴原子；<br/> Z<sup>4</sup>為亞甲基、2,2,2-三氟-1,1-乙烷二基或羰基；<br/> Z<sup>5</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、-O-Z<sup>51</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或被三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、鹵素原子或羥基；<br/> R<sup>21</sup>~R<sup>28</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>23</sup>及R<sup>24</sup>或R<sup>26</sup>及R<sup>27</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環；<br/> M<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項1之阻劑材料，更含有產生強酸之酸產生劑。
如請求項9之阻劑材料，其中，該酸產生劑為產生磺酸、醯亞胺酸或甲基化酸者。
如請求項1之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟：<br/> 使用如請求項1至12中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜，<br/> 將該阻劑膜以高能射線進行曝光，及<br/> 使用顯影液將已曝光之阻劑膜進行顯影。
如請求項13之圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，包含： <br/>一水解爐，界定出一反應空間，及一連通該反應空間的排氣孔；及 <br/>一洩壓裝置，包括一沿一上下方向延伸且連通該排氣孔的洩壓管，及至少一設置於該洩壓管遠離該水解爐一側的輔助管，該洩壓管具有一設置於該水解爐頂側的小孔徑管部、一連接該小孔徑管部頂端的漸擴管部，及一連接該漸擴管部頂端的大孔徑管部，該漸擴管部自趨近該小孔徑管部一側朝趨近該大孔徑管部一側漸擴，且連通於該小孔徑管部與該大孔徑管部之間，該輔助管沿該洩壓管的徑向延伸並連通該排氣孔。
如請求項1所述的具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，其中，該洩壓裝置包括二設置於該洩壓管遠離該水解爐一側的輔助管，該等輔助管共同圍繞界定一實質垂直於該上下方向的軸線。
如請求項1所述的具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，其中，該水解爐包括一界定出該反應空間與該排氣孔的外殼，及一設置於該外殼內且位於該反應空間的攪拌模組。
如請求項3所述的具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，其中，該外殼具有一外殼本體，及二設置於該外殼本體底側的支撐件，該洩壓裝置沿該上下方向延伸界定出的管體長度不小於該外殼本體沿該上下方向延伸界定出的爐體高度。
如請求項4所述的具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，其中，該攪拌模組具有一固設於該外殼內且位於該反應空間的攪拌支架、一可轉動地設置於該攪拌支架的承載桿，及複數沿一左右方向間隔固設於該承載桿的攪拌桿。
如請求項5所述的具備洩壓裝置的高溫霧化水解系統，其中，每一攪拌桿具有一桿體，及二分別連接於該桿體兩端的板體，該桿體界定出一供該承載桿固定穿設的安裝孔。
一種螺母的防鬆裝置，是與螺栓緊固的螺母的防鬆裝置，具備有：外殼構件與緊固螺母構件；<br/>上述外殼構件具有：外嵌於上述螺母的筒狀部及與上述螺母的上面部卡合的凸緣部；<br/>上述緊固螺母構件，在較上述螺母更上方具有與上述螺栓的螺紋軸螺合的螺紋孔；<br/>在上述凸緣部設置有用來插通上述螺栓的貫穿孔；<br/>上述緊固螺母構件具有與上述貫穿孔嵌合的凸部；<br/>上述筒狀部是圓筒狀，其內徑稍大於上述螺母的最大徑部分；<br/>上述貫穿孔的內周面與上述筒狀部的內周面為同心，上述凸部的外周面相對於上述螺紋孔為偏心，藉此上述凸部相對於上述貫穿孔偏心，而在周方向的局部讓上述凸部的外周與上述貫穿孔的內周干涉而在上述螺母產生與軸方向正交的按壓力。
如請求項1的螺母的防鬆裝置，其中，上述緊固螺母構件的上述螺紋孔設置成下方開口狀，且上述緊固螺母具有將上述螺紋孔的上端封閉的頂部。
如請求項1的螺母的防鬆裝置，其中，上述緊固螺母構件的外周面是圓筒狀或截頂圓錐形狀。
如請求項1、2或3的螺母的防鬆裝置，其中，上述外殼構件的外周面是圓筒狀或截頂圓錐形狀。
如請求項1的螺母的防鬆裝置，其中，上述凸部的外周面及上述貫穿孔的內周面，為越向下方直徑漸漸變小的截頂圓錐形狀。
一種資料處理設備，其改良在於，所述資料處理設備包括：<br/> 頻譜提取電路，用於接收第一電極訊號，並獲取所述第一電極訊號中具有第一預設頻率之第一分量訊號；<br/> 幅度相位提取電路，電連接於所述頻譜提取電路，用於生成差分相移鍵控訊號，其中，所述差分相移鍵控訊號包括所述第一分量訊號之相位實部值及相位虛部值；<br/> 解調電路，電連接於所述幅度相位提取電路，用於根據相位角解調所述差分相移鍵控訊號，以獲取所述第一電極訊號中之資料訊息，其中，所述相位角為所述相位實部值與所述相位虛部值之比之反正切值。
如請求項1所述之資料處理設備，其中，所述資料處理設備為觸控設備，所述觸控設備藉由主動式觸控筆進行觸控，所述主動式觸控筆包括設置於筆尖之第一電極，所述第一電極向所述觸控設備發送所述第一電極訊號，所述第一電極訊號之資料訊息包括所述主動式觸控筆之壓感資料。
如請求項2所述之資料處理設備，其中，所述第一電極訊號之資料訊息還包括所述第一電極之位置訊息，所述幅度相位提取電路還用於獲取所述第一分量訊號之幅值；<br/> 所述資料處理設備還包括位置檢測電路，所述位置檢測電路電連接於所述幅度相位提取電路，所述位置檢測電路用於根據所述第一分量訊號之幅值獲取所述第一電極之位置。
如請求項3所述之資料處理設備，其中，所述觸控筆還包括第二電極，所述第一電極與所述第二電極間隔設置，所述第二電極向所述資料處理設備發射第二電極訊號，所述第一電極訊號與所述第二電極訊號之頻率不同；<br/> 所述頻譜提取電路還用於獲取所述第二電極訊號中具有第二預設頻率之第二分量訊號，其中，所述第二電極訊號包括所述第二電極之位置訊息；<br/> 所述幅度相位提取電路還用於獲取所述第二分量訊號之幅值；<br/> 所述位置檢測電路還用於根據所述第二分量訊號之幅值獲取所述第二電極之位置。
如請求項4所述之資料處理設備，其中，所述位置檢測電路還用於根據所述第一電極之位置與所述第二電極之位置獲取所述觸控筆之傾角。
如請求項4所述之資料處理設備，其中，所述頻譜提取電路包括第一加法器、第一延時器、第一放大器、第二加法器，所述第一加法器之輸出端藉由所述第一延時器、所述第一放大器及所述第二加法器連接到所述第一加法器之第一輸入端，所述第一加法器之第二輸入端接收所述第一電極訊號與/或所述第二電極訊號，所述第一加法器之輸出端對應輸出所述第一分量訊號與/或所述第二電極訊號。
如請求項6所述之資料處理設備，其中，所述第一放大器具有第一放大係數及第二放大係數，所述第一放大係數與所述第一預設頻率相關聯，所述第二放大係數與所述第二預設頻率相關聯。
如請求項6所述之資料處理設備，其中，所述幅度相位提取電路包括第三加法器、第三放大器、第四放大器以及邏輯運算器，所述第三加法器之第一輸入端連接所述第一加法器之輸出端，所述第三加法器之第二輸入端連接所述第三放大器之輸出端，所述第三加法器之輸出端連接所述邏輯運算器之第一輸入端，且所述第三加法器之輸出端用於輸出所述第一分量訊號之相位實部值，所述第三放大器之輸入端連接所述第四放大器之輸入端、所述第一放大器之輸入端，所述第四放大器之輸出端連接所述邏輯運算器之第二輸入端，且所述第四放大器之輸出端用於輸出所述第一分量訊號之相位虛部值，所述邏輯運算器之輸出端用於輸出所述第一分量訊號之幅值與/或所述第二分量訊號之幅值。
如請求項8所述之資料處理設備，其中，所述邏輯運算器用於根據所述第一分量訊號之相位實部值及所述相位虛部值獲取所述第一分量訊號之幅值，還用於根據所述第二分量訊號之相位實部值及所述相位虛部值獲取所述第二分量訊號之幅值。
一種資料處理系統，其改良在於，所述資料處理系統包括訊號源及如請求項1至9中任一項所述之資料處理設備，所述訊號源用於輸出所述第一電極訊號至所述資料處理設備。
一種半導體元件處理裝置，係為使DUT移動並且將前述DUT壓靠在接觸部的半導體元件處理裝置，包括： <br/>複數個移動裝置，包括分別使前述DUT相對於前述接觸部而相對移動的第一移動裝置以及第二移動裝置；以及 <br/>控制裝置，控制前述複數個移動裝置， <br/>其中當前述第一移動裝置將前述DUT壓靠在前述接觸部時，前述控制裝置控制前述第一移動裝置以及前述第二移動裝置，以將由前述第二移動裝置保持的另一前述DUT相對於前述接觸部而相對地定位， <br/>其中前述DUT是裸晶粒單體、將複數個裸晶粒排列於矽中介層上而配置的2.5D元件中間體、或將複數個裸晶粒相互堆疊的3D元件中間體， <br/>其中當前述第一移動裝置將前述DUT壓靠在前述接觸部時，與前述第一移動裝置未將前述DUT壓靠在前述接觸部時相比，前述控制裝置控制前述第二移動裝置，以使得前述第二移動裝置的加減速度的大小變小。
如請求項1所述的半導體元件處理裝置，其中前述控制裝置基於前述第一移動裝置是否將前述DUT壓靠在前述接觸部，而調整前述第二移動裝置的移動動作。
如請求項1或2所述的半導體元件處理裝置，更包括複數個DUT相機，分別拍攝由前述複數個移動裝置保持的前述DUT， <br/>其中前述複數個移動裝置中的每一個包括： <br/>保持部，保持前述DUT； <br/>移動機構，使前述保持部移動；以及 <br/>接觸相機，拍攝前述接觸部， <br/>其中前述控制裝置基於由前述DUT相機以及前述接觸相機拍攝的影像資訊，而檢測前述DUT相對於前述接觸部的相對位置， <br/>其中前述移動裝置基於前述相對位置，而相對於前述接觸部定位前述DUT。
如請求項3所述的半導體元件處理裝置，其中在前述移動機構使保持前述DUT的前述保持部移動的狀態下，前述DUT相機拍攝由前述保持部保持的前述DUT。
如請求項1或2所述的半導體元件處理裝置，其中前述複數個移動裝置中的每一個包括： <br/>保持部，保持前述DUT；以及 <br/>移動機構，使前述保持部移動， <br/>其中前述保持部包括平行度調整裝置，調整前述DUT相對於前述接觸部的平行度。
如請求項5所述的半導體元件處理裝置，其中前述平行度調整裝置包括： <br/>第一傾斜調整部，使前述DUT以第一軸為中心而傾斜；以及 <br/>第二傾斜調整部，使前述DUT以第二軸為中心而傾斜， <br/>其中前述第一軸為平行於前述接觸部的平面方向的軸， <br/>其中前述第二軸為平行於前述接觸部的平面方向，並且在將前述第二軸投影到前述接觸部的法線方向的情況下，相對於前述第一軸而正交的軸。
如請求項5所述的半導體元件處理裝置，更包括平行度檢測裝置，檢測前述DUT相對於前述接觸部的平行度， <br/>其中前述控制裝置基於由前述平行度檢測裝置檢測出的前述平行度，而控制前述平行度調整裝置。
如請求項7所述的半導體元件處理裝置，其中前述平行度檢測裝置包括： <br/>第一感測器，檢測前述接觸部的所定位置的高度； <br/>第二感測器，檢測前述DUT的所定位置的高度；以及 <br/>演算部，基於前述第一感測器以及前述第二感測器的檢測結果，而演算前述DUT相對於前述接觸部的平行度， <br/>其中前述控制裝置基於由前述演算部演算出的前述平行度，而控制前述平行度檢測裝置。
如請求項8所述的半導體元件處理裝置，其中前述保持部包括高度調整裝置，調整前述DUT相對於前述接觸部的高度， <br/>其中前述控制裝置基於前述第一感測器以及前述第二感測器的檢測結果，而控制前述高度調整裝置。
一種半導體元件測試裝置，係為測試DUT的半導體元件測試裝置，包括： <br/>如請求項1或2所述的半導體元件處理裝置；以及 <br/>測試器，電性連接於前述接觸部。
一種半導體裝置的製作方法，包括：<br/> 提供一襯底；<br/> 在所述襯底中形成多個沿第一方向延伸的第一閘極溝槽和第二閘極溝槽，多個所述第一閘極溝槽和多個所述第二閘極溝槽沿第二方向交替間隔排列；所述第二方向交叉於所述第一方向；<br/> 在所述第一閘極溝槽內形成第一閘極結構，並使所述第一閘極結構包括第一閘極線和第二閘極線，以及位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間的第一隔離結構；以及<br/> 在所述第二閘極溝槽內形成第二閘極結構，並使所述第二閘極結構包括第三閘極線和第四閘極線，以及位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間的第二隔離結構；<br/> 其中，沿所述第二方向上兩相鄰所述第一隔離結構和所述第二隔離結構相對設置，且所述第一隔離結構與第二隔離結構均位於所述第一方向上的同一側。
如請求項1所述的半導體裝置的製作方法，還包括：<br/> 使所述第一閘極結構還包括位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間，且位於所述第一方向上的另一側的第三隔離結構；以及，<br/> 使所述第二閘極結構還包括位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間，且位於所述第一方向上的另一側的第四隔離結構；<br/> 其中，沿所述第二方向上兩相鄰所述第三隔離結構和所述第四隔離結構相對設置。
如請求項2所述的半導體裝置的製作方法，還包括：<br/> 將同一所述第一閘極結構的所述第一隔離結構和所述第三隔離結構位於沿所述第二方向上的不同側；以及，<br/> 將同一所述第二閘極結構的所述第二隔離結構和所述第四隔離結構位於沿所述第二方向上的不同側。
如請求項3所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述形成第一閘極結構的步驟包括：<br/> 在形成所述第一閘極溝槽的內壁形成第一氧化層；<br/> 於所述第一氧化層的內壁形成第一導電層；<br/> 於所述第一導電層內形成第一間隔結構；<br/> 於所述第一導電層的第一端部的第一側形成所述第一隔離結構，並於所述第一導電層的第二端部的第二側形成所述第三隔離結構，而將所述第一導電層形成隔開的所述第一閘極線與所述第二閘極線，所述第一端部與所述第二端部為所述第一導電層在所述第一方向的相對兩端，所述第一側與所述第二側為所述第一導電層在所述第二方向的相對兩側。
如請求項1所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述製作方法還包括步驟：<br/> 在所述襯底中形成多個沿第一方向延伸的遮罩溝槽，沿第二方向所述遮罩溝槽位於相鄰的所述第一閘極溝槽和所述第二閘極溝槽之間；以及，<br/> 在所述遮罩溝槽內形成遮罩結構。
如請求項5所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述製作方法還包括：<br/> 形成第一閘極線引出結構和第二閘極線引出結構，並將所述第一閘極線引出結構在所述第一閘極結構沿所述第一方向上的第一端連接所述第一閘極線，將所述第二閘極線引出結構在所述第一閘極結構沿所述第一方向上的第二端連接所述第二閘極線；<br/> 形成第三閘極線引出結構和第四閘極線引出結構，並將所述第三閘極線引出結構在所述第二閘極結構沿所述第一方向上的第一端連接所述第三閘極線，將所述第四閘極線引出結構在所述第二閘極結構沿所述第一方向上的第二端連接所述第四閘極線；以及，<br/> 形成遮罩引出結構，並將所述遮罩引出結構連接所述遮罩結構沿所述第一方向的一端。
如請求項6所述的半導體裝置的製作方法，其中，多個所述遮罩結構包括沿所述第二方向交錯間隔排列的奇數行遮罩結構與偶數行遮罩結構，且所述形成遮罩引出結構的步驟包括：<br/> 將多個所述遮罩引出結構分別連接所述奇數行遮罩結構的第一端，以及所述偶數行遮罩結構的第二端，所述第一端和所述第二端為各所述遮罩結構沿所述第一方向上的相對兩端。
如請求項7所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述形成遮罩引出結構的步驟還包括：<br/> 在相鄰的所述第一隔離結構和所述第二隔離結構之間形成所述遮罩引出結構，或在相鄰的所述第三隔離結構和所述第四隔離結構之間形成所述遮罩引出結構。
如請求項8所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述製作方法還包括：<br/> 于所述襯底形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向間隔排列的分隔結構，使所述襯底在形成所述第一閘極溝槽和所述第二閘極溝槽後形成半導體柱陣列；所述半導體柱陣列包括沿第三方向延伸的半導體柱，所述第三方向交叉於所述第一方向和所述第二方向；<br/> 形成位於所述半導體柱沿所述第三方向的一側的電容結構，並將所述電容結構與所述半導體柱以及公共端連接，所述電容結構沿所述第三方向延伸；以及，<br/> 形成位於所述半導體柱沿所述第三方向的另一側的位元線，所述位元線沿所述第一方向延伸並與所述半導體柱連接。
如請求項9所述的半導體裝置的製作方法，其中，所述製作方法包括：<br/> 將所述第一閘極線引出結構和所述第二閘極線引出結構分別形成於所述第一閘極結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端，將所述第三閘極線引出結構和所述第四閘極線引出結構分別形成於所述第二閘極結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端；以及，<br/> 將所述遮罩引出結構形成於所述遮罩結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端；或將所述遮罩引出結構形成於所述遮罩結構沿所述第三方向靠近所述電容結構的一端。
一種半導體裝置，包括：<br/> 電晶體陣列，所述電晶體陣列包括多個沿第一方向延伸且沿第二方向交替間隔排列的第一閘極結構和第二閘極結構；所述第二方向交叉於所述第一方向；<br/> 所述第一閘極結構包括第一閘極線和第二閘極線，以及位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間的第一隔離結構；<br/> 所述第二閘極結構包括第三閘極線和第四閘極線，以及位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間的第二隔離結構；<br/> 其中，沿所述第二方向上兩相鄰所述第一隔離結構和所述第二隔離結構相對設置，且所述第一隔離結構與第二隔離結構均位於所述第一方向上的同一側。
如請求項11所述的半導體裝置，其中，<br/> 所述第一閘極結構還包括位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間，且位於所述第一方向上的另一側的第三隔離結構；<br/> 所述第二閘極結構還包括位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間，且位於所述第一方向上的另一側的第四隔離結構；<br/> 其中，沿所述第二方向上兩相鄰所述第三隔離結構和所述第四隔離結構相對設置。
如請求項12所述的半導體裝置，其中，同一所述第一閘極結構的所述第一隔離結構和所述第三隔離結構位於沿所述第二方向上的不同側，同一所述第二閘極結構的所述第二隔離結構和所述第四隔離結構位於沿所述第二方向上的不同側。
如請求項13所述的半導體裝置，其中，所述第一閘極結構還包括：位於所述第一閘極線與所述第二閘極線之間且沿所述第一方向延伸的第一間隔結構；以及，位於各所述第一閘極線與所述第二閘極線的相互遠離的外側的第一氧化層；<br/> 所述第二閘極結構還包括：位於所述第三閘極線與所述第四閘極線之間且沿所述第一方向延伸的第二間隔結構；以及，位於各所述第三閘極線與所述第四閘極線的相互遠離的外側的第二氧化層。
如請求項11所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置還包括：<br/> 多個沿第一方向延伸的遮罩結構，且沿第二方向所述遮罩結構位於相鄰的所述第一閘極結構和所述第二閘極結構之間。
一種半導體裝置，其中，所述半導體裝置包括：<br/> 電晶體陣列，所述電晶體陣列包括多個沿第一方向延伸且沿第二方向交替間隔排列的第一閘極結構和第二閘極結構；所述第二方向交叉於所述第一方向；其中，<br/> 所述第一閘極結構包括第一閘極線和第二閘極線，以及位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間的第一隔離結構；以及，<br/> 所述第二閘極結構包括第三閘極線和第四閘極線，以及位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間的第二隔離結構；<br/> 在所述第一閘極結構沿所述第一方向上的第一端且連接所述第一閘極線的第一閘極線引出結構，以及在所述第一閘極結構沿所述第一方向上的第二端連接所述第二閘極線的第二閘極線引出結構；以及，<br/> 在所述第二閘極結構沿所述第一方向上的第一端且連接所述第三閘極線的第三閘極線引出結構，以及在所述第二閘極結構沿所述第一方向上的第二端連接所述第四閘極線的第四閘極線引出結構；<br/> 其中，沿所述第二方向上兩相鄰所述第一隔離結構和所述第二隔離結構相對設置，且所述第一隔離結構與第二隔離結構均位於所述第一方向上的同一側。
如請求項16所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置還包括：<br/> 多個沿第一方向延伸的遮罩結構，且沿第二方向所述遮罩結構位於相鄰的所述第一閘極結構和所述第二閘極結構之間；以及，<br/> 連接所述遮罩結構沿所述第一方向的一端的遮罩引出結構。
如請求項17所述的半導體裝置，其中，多個所述遮罩結構包括沿所述第二方向交錯間隔排列的奇數行遮罩結構與偶數行遮罩結構，且多個所述遮罩引出結構分別連接所述奇數行遮罩結構的第一端，以及所述偶數行遮罩結構的第二端，所述第一端和所述第二端為各所述遮罩結構沿所述第一方向上的相對兩端。
如請求項18所述的半導體裝置，其中，所述遮罩引出結構位於相鄰所述第一隔離結構和所述第二隔離結構之間；或<br/> 所述第一閘極結構還包括位於所述第一閘極線和所述第二閘極線之間且位於所述第一方向上的另一側的第三隔離結構，以及所述第二閘極結構還包括位於所述第三閘極線和所述第四閘極線之間且位於所述第一方向上的另一側的第四隔離結構，所述遮罩引出結構位於相鄰所述第三隔離結構和所述第四隔離結構之間。
如請求項17所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置還包括：<br/> 半導體柱陣列；所述半導體柱陣列包括沿所述第一方向與所述第二方向陣列排列且沿第三方向延伸的多個半導體柱，所述第三方向交叉於所述第一方向和所述第二方向，且所述半導體柱位於相鄰的所述遮罩結構和所述第一閘極結構或所述第二閘極結構之間；<br/> 位於所述半導體柱沿所述第三方向的一側的電容結構，所述電容結構與所述半導體柱以及公共端連接，所述電容結構沿所述第三方向延伸；以及，<br/> 位於所述半導體柱沿所述第三方向的另一側的位元線，所述位元線沿所述第一方向延伸並與所述半導體柱連接；<br/> 其中，所述第一閘極線引出結構和所述第二閘極線引出結構位於所述第一閘極結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端，所述第三閘極線引出結構和所述第四閘極線引出結構位於所述第二閘極結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端，且所述遮罩引出結構位於所述遮罩結構沿所述第三方向遠離所述電容結構的一端；或，所述遮罩引出結構位於所述遮罩結構沿所述第三方向靠近所述電容結構的一端。
一種熱傳遞流體用組成物，係含有下式(I)至(III)所示六氟丙烯三聚物， <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="152px" file="ed10001.jpg" alt="ed10001.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="150px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="84px" width="148px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>相對於前述式(I)至(III)所示化合物之合計量，含有20質量%以上且未達85質量%之前述式(I)所示化合物， <br/>前述六氟丙烯三聚物之含量係77.3質量%以上， <br/>前述熱傳遞流體用組成物更包含氟化物離子、C<sub>m</sub>F<sub>2m</sub>及/或C<sub>n</sub>F<sub>(2n-2)</sub>、以及選自環氧系穩定劑、不飽和醇系穩定劑、硝基系穩定劑、及苯酚系穩定劑所成群組中之1種以上之穩定劑，或者不包含上述氟化物離子、C<sub>m</sub>F<sub>2m</sub>及/或C<sub>n</sub>F<sub>(2n-2)</sub>、及上述1種以上之穩定劑， <br/>氟化物離子之含量係5質量%以下， <br/>相對於前述六氟丙烯三聚物，C<sub>m</sub>F<sub>2m</sub>及/或C<sub>n</sub>F<sub>(2n-2)</sub>之含量係10質量%以下， <br/>選自環氧系穩定劑、不飽和醇系穩定劑、硝基系穩定劑、及苯酚系穩定劑所成群組中之1種以上之穩定劑之含量係10質量%以下。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其中，相對於前述式(I)至(III)所示化合物之合計量，含有30質量%以上且未達85質量%之前述式(I)所示化合物。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其中，相對於前述式(I)至(III)所示化合物之合計量，含有50質量%以上且未達60質量%之前述式(I)所示化合物。
如請求項1所述之熱傳遞流體用組成物，其係使用於半導體製造步驟中。
一種熱傳遞流體，係含有請求項1所述之熱傳遞流體用組成物。
如請求項5所述之熱傳遞流體，其更含有穩定劑。
如請求項5所述之熱傳遞流體，其係使用於半導體製造步驟中。
一種請求項1所述之熱傳遞流體用組成物之用途，係用於熱傳遞。
一種請求項5所述之熱傳遞流體之用途，係用於熱傳遞。
一種熱傳遞用裝置，係具備： <br/>元件，及 <br/>機構，其係含有請求項1所述之熱傳遞流體用組成物、或請求項5所述之熱傳遞流體，且用以將熱傳遞至前述元件或從前述元件傳遞熱。
如請求項10所述之熱傳遞用裝置，其中，前述元件係為了製造半導體所使用之晶圓。
一種半導體製造裝置，係具備請求項10所述之熱傳遞用裝置。
一種熱傳遞方法，係包括： <br/>準備元件之步驟； <br/>使用請求項1所述之熱傳遞流體用組成物、或請求項5所述之熱傳遞流體，而將熱傳遞至前述元件或從前述元件傳遞熱之步驟。
如請求項13所述之熱傳遞方法，其中，前述元件係為了製造半導體所使用之晶圓。
一種微型發光二極體之顯示器，其包含： 一面板，其設置一第一顯示區以及一第二顯示區，其中該第二顯示區包圍該第一顯示區，且相較於該第二顯示區，該第一顯示區經配置於該面板之實質上中央； <br/>至少一第一像素，其設置於該第一顯示區，該至少一第一像素個別包含一第一子像素以及一第一控制單元，該第一控制單元電性連接該第一子像素，且該第一控制單元傳輸一第一控制訊號至該第一子像素；以及 <br/>複數個第二像素，其設置於該第二顯示區，該複數個第二像素個別包含複數個第二子像素以及一第二控制單元，該第二控制單元電性連接該些個第二子像素，且該第二控制單元傳輸一第二控制訊號至該些個第二子像素； <br/>其中，該第一顯示區之該至少一第一像素具有一第一像素密度，該第二顯示區之該複數個第二像素具有一第二像素密度，該第一像素密度大於該第二像素密度。
如請求項1所述之微型發光二極體之顯示器，其中該面板更包含一行驅動電路以及一列驅動電路，該行驅動電路以及該列驅動電路電性連接該至少一第一像素個別包含之該第一子像素以及該複數個第二像素個別包含之該些個第二子像素，以傳輸該第一控制訊號以及該第二控制訊號。
如請求項1所述之微型發光二極體之顯示器，其中更包含一第三顯示區，該第三顯示區設置至少一第三像素，該至少一第三像素個別包含複數個第三子像素，該第三像素接收一第三控制訊號。
如請求項3所述之微型發光二極體之顯示器，其中該第一顯示區包圍該第三顯示區之一外側，俾使該第一顯示區對應視角之5°~30°，該第二顯示區對應視角之30°~60°，該第三顯示區對應視角之0°~5°。
如請求項4所述之微型發光二極體之顯示器，其中該第三顯示區的該至少一第三像素具有一第三像素密度，該第三像素密度大於該第二像素密度，該第一像素密度大於該第三像素密度。
如請求項4所述之微型發光二極體之顯示器，其中該面板設置一P型電極層以及一N型電極層，該P型電極層對應電性連接該第一子像素、該些個第二子像素以及該些個第三子像素，該N型電極層設置於該面板之一外緣，該N型電極層對應電性連接該第一子像素、該些個第二子像素以及該些個第三子像素，該N型電極層於一定位點電性連接另一面板之該N型電極層，該定位點設置於該面板之該外緣，該面板之該定位點之面積大於另一該面板之該定位點之面積。
一種顯示面板，其包含： <br/>一第一顯示區，包含有至少一第一像素，該第一顯示區的該至少一第一像素具有一第一像素密度，相較於該第二顯示區，該第一顯示區經配置於該顯示面板之實質上中央，該至少一第一像素之各者包含一第一子像素；及 <br/>一第二顯示區，包含有複數個第二像素，該第二顯示區的該複數個第二像素具有一第二像素密度，該第二顯示區包圍該第一顯示區，該複數個第二像素之各者包含複數個第二子像素； <br/>其中 <br/>該第一子像素及該複數個第二子像素中之各者個別包含微型發光二極體；及 <br/>該第一像素密度大於該第二像素密度。
如請求項7之顯示面板，其進一步包含： <br/>一第三顯示區，包含有具有一第三像素密度的至少一第三像素，該第三像素密度大於該第二像素密度，該第一像素密度大於該第三像素密度。
如請求項8之顯示面板，其中相較於該第一顯示區，該第三顯示區經設置於該顯示面板的實質上中央，且該第一顯示區包圍該第三顯示區。
如請求項8之顯示面板，其中該第一顯示區對應視角之5°~30°，該第二顯示區對應視角之30°~60°，該第三顯示區對應視角之0°~5°。
一種判讀腦動脈瘤之方法，其係由一判讀腦動脈瘤之系統所執行，該方法包括：<br/> （a）取得一第一影像，該第一影像為一待處理腦血管攝影三維影像；<br/> （b）對該第一影像進行血管增強，對一增強的第一影像進行閾值分割，得到一僅包含腦動脈血管的第二影像；<br/> （c）使用一第一階段偵測模型對該第二影像進行腦動脈瘤預測，並從中篩選出一疑似腦動脈瘤的第三影像；及<br/> （d）使用一第二階段分割模型對該第三影像進行腦動脈瘤區域分割，得到一包含腦動脈瘤區域的第四影像；<br/> 其中在使用該第一階段偵測模型對該第二影像進行腦動脈瘤預測之前，還包括：<br/> 建構該第一階段偵測模型與該第二階段分割模型；及<br/> 使用一一致性執行策略的半監督式學習方式對該第一階段偵測模型和該第二階段分割模型進行訓練；<br/> 其中使用該一致性執行策略的半監督式學習方式對該第一階段偵測模型和該第二階段分割模型進行訓練之步驟，還包括：<br/> 建構該第一階段偵測模型與該第二階段分割模型各自的教師－學生模型；及<br/> 使用已標註影像資料作為一訓練集，對一教師模型進行訓練，得到一教師標記損失；<br/> 使用該教師模型對未標註影像資料進行預測，取得預測結果，進一步地，在該未標註影像資料上增加標註，得到該預測結果的一可靠度；<br/> 將該可靠度較高的該預測結果作為一偽標籤加入該訓練集中，並且使用該訓練集，對一學生模型進行訓練，得到一學生未標記損失；及<br/> 將該教師標記損失與該學生未標記損失合併得到一總損失函數，進一步以該總損失函數更新該學生模型的權重，並使用該學生模型取代成為新的教師模型，繼續訓練直至模型收斂。
如請求項1該之方法，其中步驟（b）還包括：<br/> （b1）使用一二階海森矩陣對該第一影像進行特徵分析，得到該第一影像中每個像素點的一二階強度變化的特徵值；<br/> （b2）當一目標像素點的該特徵值滿足一閾值條件，則判定該目標像素點屬於一血管，進一步將屬於該血管的所有像素點合併，形成一血管路徑；及<br/> （b3）分割並保留該血管路徑上的一影像內容，去除該血管路徑以外的一影像內容，得到該僅包含腦動脈血管的第二個影像。
如請求項2該之方法，其中步驟（c）還包括：<br/> （c1）使用一滑動視窗切割法，將該第二影像沿該血管路徑進行劃分得到複數子影像；<br/> （c2）將該複數子影像批量送入該第一階段偵測模型，以對腦動脈瘤位置進行預測；<br/> （c3）對該預測結果進行處理後，再篩選出存在疑似腦動脈瘤的該第三影像。
如請求項1該之方法，其中該第一階段偵測模型為一3D CNN模型。
如請求項1該之方法，其中步驟（d）還包括：<br/> （d1）將該第三影像輸入該第二階段分割模型；<br/> （d2）使用該第二階段分割模型對該第三影像進行腦動脈瘤分割，得到腦動脈瘤區域的一遮罩圖；該遮罩圖用於展示該腦動脈瘤的邊界、位置、大小、形態；及<br/> （d3）將該遮罩圖或該遮罩圖的一輪廓疊加在該第三影像上，得到包含該腦動脈瘤區域的該第四影像。
如請求項1該之方法，其中該第二階段分割模型為一3D U-Net模型。
一種判讀腦動脈瘤之系統，其用於執行請求項1至6中任一項的該判讀腦動脈瘤之方法，包括：<br/> 一影像擷取模組，其用於取得一第一影像，該第一影像為一待處理的腦動脈瘤三維影像；<br/> 一血管分割模組，其用於使用一海森矩陣對該第一影像進行血管增強，對一增強後的第一影像進行閾值分割，得到僅包含腦動脈血管的一第二影像；<br/> 一模型建構模組，其用於建構一第一階段偵測模型和一第二階段分割模型；<br/> 一癌區篩選模組，其用於使用該第一階段偵測模型對該第二影像進行腦動脈瘤預測，並且從中篩選出疑似腦動脈瘤的一第三影像；<br/> 一癌區分割模組，其用於使用該第二階段分割模型對該第三影像進行腦動脈瘤區域分割，得到包含腦動脈瘤區域的一第四影像。
一種判讀腦動脈瘤之方法，其係由一判讀腦動脈瘤之系統所執行，該方法包括：<br/> （a）獲取第一影像，該第一影像為一包含一腦動脈瘤的三維影像；<br/> （b）產生一遮罩，並對該第一影像進行腦動脈血管分割，得到一腦動脈血管區域；<br/> （c）使用一分割模型，對該第一影像中該腦動脈血管區域進行腦動脈瘤分割，以產生一分割結果；及<br/> （d）使用一分類模型，對該分割結果進行腦動脈瘤與非腦動脈瘤之分類，並篩選出該分類結果中為一真陽性結果；<br/> 其中使用該分割模型，對該第一影像中該腦動脈血管區域進行腦動脈瘤分割，以產生該分割結果之前，還包括如下步驟：<br/> 構建該分割模型和該分類模型；及<br/> 使用一一致性執行策略的半監督式學習方式對該分割模型和該分類模型進行訓練；<br/> 其中該的使用該一致性執行策略的半監督式學習方式對該分割模型和該分類模型進行訓練，包括如下步驟：<br/> 構建該分割模型和該分類模型各自的教師－學生模型；使用已標注影像資料作為訓練集，對教師模型進行訓練，得到教師標記損失；<br/> 使用該教師模型對未標注影像資料進行預測，獲取預測結果；在該未標注影像資料上增加標注，得到該預測結果的置信度；<br/> 將該置信度較高的該預測結果作為偽標籤加入該訓練集中；使用該訓練集，對學生模型進行訓練，得到學生未標記損失；及<br/> 將該教師標記損失與該學生未標記損失合併得到總損失函數；以該總損失函數更新該學生模型的權重，並使用該學生模型取代成為新的教師模型；繼續訓練直至模型收斂。
如請求項8該之方法，其中步驟（b）包括：<br/> （b1）使用一二階海森矩陣對該第一影像進行特徵分析，得到該第一影像中每個像素點的二階強度變化的一特徵值；<br/> （b2）當目標像素點的該特徵值滿足一閾值條件，認為該目標像素點屬於血管，進一步將屬於血管的所有像素點進行合併，得到一初步血管分割；<br/> （b3）使用一大津演算法對該第一影像進行二元化分析，將該第一影像中每一像素分類為一腦動脈像素或一背景像素；<br/> （b4）以相連性將該腦動脈像素進行分群，篩選出一分群結果並取得一做為一腦動脈種子點；及<br/> （b5）合併該初步腦動脈分割與該腦動脈種子點，以得到該腦動脈血管區域。
如請求項9該之方法，其中篩選出的該分群結果為該腦動脈像素總數前15至30名，且每名像素超過100至300個。
如請求項8該之方法，其中步驟（c）包括：<br/> （c1）使用一滑動視窗切割法，將該第一影像中沿該腦動脈血管區域進行劃分得到複數子影像；及<br/> （c2）將該複數子影像批量送入該分割模型以進行腦動脈瘤分割，並產生該分割結果。
如請求項8該之方法，其中該分割模型為一3D U-Net模型。
如請求項8該之方法，其中步驟（d）包括：<br/> （d1）將該分割結果輸入該分類模型；<br/> （d2）使用該分類模型對該分割結果進行腦動脈瘤與非腦動脈瘤之分類，並排除該分類結果中一偽陽性結果；及<br/> （d3）依據該分類結果中剩餘該真陽性結果產生一腦動脈瘤遮罩圖。
如請求項13該之方法，其中該腦動脈瘤遮罩圖用於展示該腦動脈瘤的邊界、位置、大小、形態。
如請求項8該之方法，其中該分類模型為一3D CNN模型。
一種判讀腦動脈瘤之系統，其用於執行請求項8至15中任一項的該判讀腦動脈瘤之方法，包括：<br/> 一影像擷取模組，其用於取得該第一影像，該第一影像為該包含腦動脈瘤的三維影像；<br/> 一血管分割模組，其用於使用該海森矩陣對該第一影像進行初步血管分割，並使用大津演算法對該第一影像進行二元分類，得到該腦動脈種子點，合併該初步血管分割與該腦動脈種子點以得到該腦動脈血管區域；<br/> 一模型建構模組，其用於建構該分割模型和該分類模型；<br/> 一腦動脈瘤分割模組，其用於使用該分割模型對該第一影像中之腦動脈血管區域進行腦動脈瘤分割；及<br/> 一腦動脈瘤分類模組，其用於使用該分類模型對該腦動脈瘤分割結果進行分類，以篩選出該真陽性結果。
一種判讀腦動脈瘤之電腦可讀取紀錄媒體，包括電腦程式/指令，其中該電腦程式/指令被處理器執行時實現如請求項1至6、8至15中任一項該之方法。
一種耳罩式耳機，其適用於配戴在一使用者的頭部，該耳罩式耳機包含：<br/> 一頭帶；<br/> 二耳機罩體；以及<br/> 二夾力調整機構，用以將該二耳機罩體分別連接至該頭帶之二端部，每一夾力調整機構包含：<br/> 一樞軸座體，連接該頭帶之該端部，該樞軸座體之一第一側具有一第一調整孔結構；<br/> 一調整件，樞接於該樞軸座體且連接該耳機罩體；<br/> 一第一定位插銷結構，可伸縮地穿設於該調整件以可操作地卡合或退出該第一調整孔結構；以及<br/> 一第一按鈕件，可按壓地設置於該樞軸座體之該第一側且往該第一調整孔結構突出形成有一第一頂推凸部，其中當該第一按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部伸入該第一調整孔結構中頂推該第一定位插銷結構退出該第一調整孔結構，以允許該調整件可相對於該樞軸座體樞轉以調整該耳機罩體對該使用者的頭部所施加的夾持力；當該第一按鈕件被釋放時，該第一定位插銷結構回位卡合該第一調整孔結構，以固定該調整件相對於該樞軸座體之樞轉角度。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該調整件包含：<br/> 一操作塊，樞接於該樞軸座體，該第一定位插銷結構可伸縮地設置於該操作塊中；以及<br/> 一調整桿，具有一彎折桿段以及一長度調整桿段，該彎折桿段自該長度調整桿段相對於該頭帶向內彎折且連接於該耳機罩體，該長度調整桿段可滑動地穿設於該操作塊以調整該耳機罩體與該操作塊之相對距離。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一定位插銷結構包含：<br/> 一插銷，可伸縮地穿設於該調整件；以及<br/> 一彈性件，設置於該調整件內且連接該插銷以提供彈力驅動該插銷伸入該第一調整孔結構中。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一定位插銷結構包含：<br/> 一插銷，可伸縮地穿設於該調整件且具有一第一斜面端部；以及<br/> 一配重塊，可沿重力方向上下移動地設置於該調整件內且具有與該第一斜面端部滑動配合的一第二斜面端部；<br/> 其中當該第一按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部頂推該插銷退出該第一調整孔結構，且該第一斜面端部頂推該第二斜面端部向上滑動，使得該配重塊上移；<br/> 當該第一按鈕件被釋放時，該配重塊受重力下移以驅動該第二斜面端部下壓該第一斜面端部側向滑動，使得該插銷伸出卡合該第一調整孔結構。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一定位插銷結構包含：<br/> 一插銷，可伸縮地穿設於該調整件且具有一第一磁極端部；以及<br/> 一磁鐵，設置於該調整件內且具有與該第一磁極端部磁性互斥的一第二磁極端部；<br/> 其中當該第一按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部頂推該插銷退出該第一調整孔結構，且該第一磁極端部往該第二磁極端部接近；<br/> 當該第一按鈕件被釋放時，該第一磁極端部與該第二磁極端部之間的一磁斥力驅動該插銷伸出卡合該第一調整孔結構。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一定位插銷結構包含：<br/> 一插銷，可伸縮地穿設於該調整件；以及<br/> 一磁鐵，設置於該第一按鈕件內；<br/> 其中當該第一按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部頂推該插銷退出該第一調整孔結構；<br/> 當該第一按鈕件被釋放時，該磁鐵磁吸該插銷伸出卡合該第一調整孔結構。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一調整孔結構包含至少二卡合孔，該至少二卡合孔相對於該樞軸座體之中心樞軸沿周向排列；當該第一按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部頂推該第一定位插銷結構退出該第一調整孔結構，以允許該第一定位插銷結構可隨著該調整件之樞轉對準該至少二卡合孔之其中之一；當該第一按鈕件被釋放時，該第一定位插銷結構回位卡合該至少二卡合孔之該其中之一，以固定該調整件相對於該樞軸座體之樞轉角度。
如請求項7所述之耳罩式耳機，其中該至少二卡合孔彼此連通以形成一連續弧形孔。
如請求項7所述之耳罩式耳機，其中該至少二卡合孔沿周向彼此間隔排列而彼此不連通。
如請求項7所述之耳罩式耳機，其中該第一定位插銷結構具有至少一卡合凸塊，每一卡合孔內對應該至少一卡合凸塊之位置形成有至少一卡合凹槽，該至少一卡合凸塊與該至少一卡合凹槽凹凸配合，使得該第一定位插銷結構卡合於該第一調整孔結構。
如請求項10所述之耳罩式耳機，其中每一卡合孔之該至少一卡合凹槽呈齒狀，使得該第一調整孔結構呈弧形鋸齒槽狀。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該第一頂推凸部之結構輪廓與該第一調整孔結構至少局部疊合，以允許該第一頂推凸部伸入該第一調整孔結構中時可頂推該第一定位插銷結構退出該第一調整孔結構。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該樞軸座體對應該第一調整孔結構沿周向形成有至少二夾力調整刻度，該調整件對應至少二夾力調整刻度之位置具有一指示標記；當該調整件相對於該樞軸座體樞轉至該指示標記對齊該至少二夾力調整刻度之其中之一時，該第一定位插銷結構回位卡合該第一調整孔結構，以固定該調整件相對於該樞軸座體之樞轉角度。
如請求項1所述之耳罩式耳機，其中該樞軸座體相對該第一側的一第二側具有一第二調整孔結構，每一夾力調整機構包含：<br/> 一第二定位插銷結構，可伸縮地穿設於該調整件以可操作地卡合或退出該第二調整孔結構；以及<br/> 一第二按鈕件，可按壓地設置於該樞軸座體之該第二側且往該第二調整孔結構突出形成有一第二頂推凸部，其中當該第一按鈕件以及該第二按鈕件被按壓時，該第一頂推凸部伸入該第一調整孔結構頂推該第一定位插銷結構退出該第一調整孔結構，以及該第二頂推凸部伸入該第二調整孔結構頂推該第二定位插銷結構退出該第二調整孔結構，以允許該調整件可相對於該樞軸座體樞轉；當該第一按鈕件以及該第二按鈕件被釋放時，該第一定位插銷結構回位卡合該第一調整孔結構，以及該第二定位插銷結構回位卡合該第二調整孔結構。
一種模型確定方法，由一個或多個電子設備執行，其中，包括：<br/> 獲取M個訓練任務分別對應的多個訓練樣本，M爲整數，M≥2；針對所述M個訓練任務中第i個訓練任務，所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本對應於多個訓練數據集，所述多個訓練數據集與多個應用場景一一對應其中，i爲整數，M≥i≥1；<br/> 將所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本輸入初始多場景模型，通過所述初始多場景模型中的判別子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的數據集特徵；所述數據集特徵用於表示對應的訓練樣本與所述多個訓練數據集之間的相關性；<br/> 根據所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵，通過所述初始多場景模型中的預測子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果；<br/> 基於所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本的分別對應的預測結果和對應的樣本標簽之間的差異，生成第i個訓練任務對應的子模型損失函數；<br/> 通過所述M個訓練任務分別對應的子模型損失函數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環和外循環，得到多場景模型。
如請求項1所述的方法，其中，當所述預測子模型包括K個卷積層時，其中，K爲整數，K≥2，所述根據所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵，通過所述初始多場景模型中的預測子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果，包括：<br/> 針對所述K個卷積層中的第1個卷積層，將所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵輸入所述第1個卷積層，通過所述第1個卷積層，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的第1層預測子結果；<br/> 針對所述K個卷積層中的第k個卷積層，將所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的第k-1層預測子結果和所述多個樣本分別對應的數據集特徵輸入所述第k個卷積層，通過所述第k個卷積層，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的第k層預測子結果；其中，k爲整數，K≥k≥2；<br/> 將所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的第K層預測子結果作爲所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果。
如請求項1所述的方法，其中，所述判別子模型與所述預測子模型具有相同的模型架構。
如請求項1所述的方法，其中，所述根據所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵，通過所述初始多場景模型中的預測子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果，包括：<br/> 將所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵輸入所述初始多場景模型中的雙向長短期記憶網路，通過所述雙向長短期記憶網路，確定所述多個訓練樣本分別對應的記憶數據集特徵；所述記憶數據集特徵包括的訊息量大於對應的數據集特徵包括的訊息量；<br/> 根據所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的記憶數據集特徵，通過所述初始多場景模型中的預測子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果。
如請求項1所述的方法，其中，所述通過所述M個訓練任務分別對應的子模型損失函數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環和外循環，得到多場景模型，包括：<br/> 通過所述第i個訓練任務對應的子模型損失函數，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環，得到所述第i個訓練任務對應的模型更新參數；<br/> 根據所述M個訓練任務分別對應的模型更新參數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的外循環，得到多場景模型。
如請求項5所述的方法，其中，所述通過所述第i個訓練任務對應的子模型損失函數，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環，得到所述第i個訓練任務對應的模型更新參數，包括：<br/> 通過所述第i個訓練任務對應的子模型損失函數，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環，得到所述第i個訓練任務對應的多個模型更新子參數；所述第i個訓練任務對應的多個模型更新子參數與所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本一一對應；<br/> 所述根據所述M個訓練任務分別對應的模型更新參數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的外循環，得到多場景模型，包括：<br/> 根據所述M個訓練任務分別對應的多個模型更新子參數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的外循環，得到多場景模型。
如請求項6所述的方法，其中，在通過所述第i個訓練任務對應的子模型損失函數，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環時，所述方法還包括：<br/> 爲所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別配置對應的樣本權重。
如請求項7所述的方法，其中，所述爲所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別配置對應的樣本權重，包括：<br/> 在所述初始多場景模型的訓練的內循環開始階段，爲所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別配置對應的初始樣本權重；所述第i個訓練任務對應的多個初始樣本權重的數值相同；<br/> 在所述初始多場景模型的訓練的內循環過程中，對所述第i個訓練任務對應的多個初始樣本權重進行調整；其中，針對所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本中的開始訓練樣本，減小所述第i個訓練任務對應的開始訓練樣本對應的初始樣本權重，針對所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本中的後續訓練樣本，增加所述第i個訓練任務對應的後續訓練樣本對應的初始樣本權重。
如請求項1所述的方法，其中，所述方法還包括：<br/> 在所述初始多場景模型的訓練的外循環過程中，對所述外循環學習率進行退火；其中，所述外循環學習率隨著所述初始多場景模型的訓練的外循環過程變小。
一種模型確定裝置，其中，包括：<br/> 獲取單元，用於獲取M個訓練任務分別對應的多個訓練樣本，M爲整數，M≥2；針對所述M個訓練任務中第i個訓練任務，所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本對應於多個訓練數據集，所述多個訓練數據集與多個應用場景一一對應，其中，i爲整數，M≥i≥1；<br/> 第一確定單元，用於將所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本輸入初始多場景模型，通過所述初始多場景模型中的判別子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的數據集特徵；<br/> 所述數據集特徵用於表示對應的訓練樣本與所述多個訓練數據集之間的相關性；<br/> 第二確定單元，用於根據所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本和所述多個訓練樣本分別對應的數據集特徵，通過所述初始多場景模型中的預測子模型，確定所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本分別對應的預測結果；<br/> 生成單元，用於基於所述第i個訓練任務對應的多個訓練樣本的分別對應的預測結果和對應的樣本標簽之間的差異，生成第i個訓練任務對應的子模型損失函數；<br/> 訓練單元，用於通過所述M個訓練任務分別對應的子模型損失函數和外循環學習率，對所述初始多場景模型進行訓練的內循環和外循環，得到多場景模型。
一種模型確定裝置，其中，包括：<br/> 至少一個處理器；以及，與至少一個處理器通訊連接的記憶體；其中，記憶體儲存有可被至少一個處理器執行的指令，指令被至少一個處理器執行，以使至少一個處理器能夠執行：如請求項1至9中任一項所述的方法。
一種電腦可讀儲存媒體，其中，所述電腦可讀儲存媒體儲存有程式，當所述程式被多核處理器執行時，使得所述多核處理器執行如請求項1至9中任一項所述的方法。
一種健康照護預測警示系統的運作方法，運行於一中央伺服器中，包括：<br/> 建立與一終端裝置之間的一連線，其中該終端裝置本身為一感測裝置，或是用以連線一或多個感測器，該終端裝置用以取得生理數據；<br/> 通過該連線持續或定時接收該終端裝置傳送的該生理數據；<br/> 分析該生理數據，取得該生理數據的特徵，用以確認一被照護者的生理狀態，其中更根據該生理數據的特徵判斷是否符合該中央伺服器中設定的多個條件的其中之一條件；<br/> 其中，當根據該生理數據的特徵判斷需要額外數據時，產生要求額外數據的指令至該終端裝置，以使該終端裝置傳送額外數據至該中央伺服器，使該中央伺服器中運行的一照護警示預測模型或根據學習得出的多種預測指標有效判斷該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，於該中央伺服器中，根據該生理數據的特徵決定該被照護者的生理狀態所符合的該多個條件之一所要運行的流程，其中該多個條件至少包括：<br/> 條件一，根據該多種預測指標，或該照護警示預測模型分析比對所接收的該生理數據產生預測該被照護者生理狀態的結果，並輸出該結果；<br/> 條件二，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，該中央伺服器將要求該終端裝置傳送其他時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；以及<br/> 條件三，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，該中央伺服器要求該終端裝置傳送的生理數據包括指定該終端裝置所連線的該一或多個感測器的其中之一感測器傳送同時段的生理數據、或是相同感測器或所指定的該感測器傳送所述時段的前或後的另一時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，針對所述條件二或條件三中由該終端裝置傳送至該中央伺服器的額外數據，該中央伺服器同步註記前後取得的對應的連續性數據與非連續數據，或同步註記在同一時段或相關聯時段內取得的對應的連續性數據與非連續數據；並且，經過該中央伺服器註記的數據為針對該被照護者的個別化數據，再以一人工智能技術學習其中特徵後建立個別化的該照護警示預測模型或該多種預測指標。
如請求項1所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中該中央伺服器自該終端裝置持續接收的生理數據包含但不限於分階段或分時上傳的連續性生理數據與非連續性生理數據。
如請求項2所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中該終端裝置實現該健康照護預測警示系統的其中之一邊緣運算裝置，載入通過該中央伺服器學習得出的該多種預測指標或通過個別化的該照護警示預測模型，以初步判斷該被照護者的生理狀態。
如請求項2所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中，於該中央伺服器中，運行該照護警示預測模型以取得持續接收的該生理數據在每個時間點或時間段落的特徵，並運算各種健康風險的機率，用以判斷該被照護者的生理狀態。
如請求項1所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中，於該中央伺服器中，經應用該照護警示預測模型或該多種預測指標根據該生理數據與通過該終端裝置取得的環境數據判斷該被照護者的生理狀態後，產生一預測結果，並將該預測結果傳送至該終端裝置。
一種健康照護預測警示系統的運作方法，其中由一終端裝置實作該健康照護預測警示系統，於該終端裝置中，該運作方法包括：<br/> 持續或定時接收一或多個生理感測器傳送的生理數據；<br/> 通過運行於該終端裝置中的一照護警示預測模型或根據學習得出的多種預測指標，分析該生理數據，取得該生理數據的特徵，用以確認一被照護者的生理狀態；<br/> 根據該生理數據的特徵判斷是否符合要求該一或多個生理感測器提供額外數據，或是請求一中央伺服器提供額外數據的多個條件之一；<br/> 其中，當根據該生理數據的特徵判斷符合需要額外數據的該多個條件之一時，產生要求額外數據的指令至該一或多個生理感測器或該中央伺服器，以使該一或多個生理感測器或該中央伺服器傳送額外數據至該終端裝置，使該終端裝置運行的該照護警示預測模型或根據學習得出的該多種預測指標有效判斷該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，於該終端裝置中，根據該生理數據的特徵決定該被照護者的生理狀態所符合的該多個條件之一所要運行的流程，其中該多個條件至少包括：<br/> 條件一，根據該多種預測指標，或該照護警示預測模型分析比對所接收的該生理數據產生預測該被照護者生理狀態的結果，並輸出該結果；<br/> 條件二，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，要求連線該終端裝置的該一或多個生理感測器傳送其他時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；以及<br/> 條件三，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，該中央伺服器要求該終端裝置傳送的生理數據包括指定該終端裝置所連線的該一或多個感測器的其中之一感測器傳送同時段的生理數據、或是相同感測器或所指定的該感測器傳送所述時段的前或後的另一時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，針對所述條件二或條件三中由該終端裝置傳送至該中央伺服器的額外數據，該中央伺服器同步註記前後取得的對應的連續性數據與非連續數據，或同步註記在同一時段或相關聯時段內取得的對應的連續性數據與非連續數據；並且，經過該中央伺服器註記的數據為針對該被照護者的個別化數據，再以一人工智能技術學習其中特徵後建立個別化的該照護警示預測模型或該多種預測指標。
如請求項6所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中該終端裝置實現一邊緣運算裝置，自該中央伺服器載入學習得出的該多種預測指標或通過個別化的該照護警示預測模型，以初步判斷該被照護者的生理狀態。
如請求項7所述的健康照護預測警示系統的運作方法，其中，於該終端裝置中，根據該生理數據的特徵判斷符合要求該中央伺服器提供額外數據的條件，即要求該中央伺服器傳送自一或多個環境感測器於一特定時段取得的環境數據。
一種健康照護預測警示系統，包括：<br/> 一中央伺服器，其中運行一照護警示預測模型，並通過連線持續或定時接收自一終端裝置傳送的生理數據，其中設於一被照護者一端的該終端裝置為一感測裝置，或用以連接一或多個感測器；<br/> 其中，經分析該生理數據，取得該生理數據的特徵，確認該被照護者的生理狀態，更根據該生理數據的特徵判斷是否符合該中央伺服器中設定的多個條件的其中之一條件；其中，當根據該生理數據的特徵判斷需要額外數據時，產生要求額外數據的指令至該終端裝置，以使該終端裝置傳送額外數據至該中央伺服器，使該中央伺服器中運行的一照護警示預測模型或根據學習得出的多種預測指標有效判斷該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，於該中央伺服器中，根據該生理數據的特徵決定該被照護者的生理狀態所符合的該多個條件之一所要運行的流程，所述的多個條件至少包括：<br/> 條件一，根據該多種預測指標，或該照護警示預測模型分析比對接收的該生理數據產生預測該被照護者生理狀態的結果；<br/> 條件二，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，該中央伺服器將要求該終端裝置傳送其他時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；以及<br/> 條件三，根據該多種預測指標或該照護警示預測模型的輸出結果，該中央伺服器要求該終端裝置傳送的生理數據包括指定該終端裝置所連線的該一或多個感測器的其中之一感測器傳送同時段的生理數據、或是相同感測器或所指定的該感測器傳送所述時段的前或後的另一時段的生理數據，以能有效預測該被照護者的生理狀態；<br/> 其中，針對所述條件二或條件三中由該終端裝置傳送至該中央伺服器的額外數據，該中央伺服器同步註記前後取得的對應的連續性數據與非連續數據，或同步註記在同一時段或相關聯時段內取得的對應的連續性數據與非連續數據；並且，經過該中央伺服器註記的數據為針對該被照護者的個別化數據，再以一人工智能技術學習其中特徵後建立個別化的該照護警示預測模型或該多種預測指標。
如請求項9所述的健康照護預測警示系統，其中該終端裝置實現該健康照護預測警示系統的其中之一邊緣運算裝置，載入通過該中央伺服器學習得出的該多種預測指標或通過個別化的該照護警示預測模型，以初步判斷該被照護者的生理狀態或提供後續照護之建議。
如請求項9所述的健康照護預測警示系統，其中該終端裝置接收並儲存該感測裝置或該一或多個感測器產生的數據，包含但不限於分階段或分時上傳的連續性生理數據與非連續性生理數據。
如請求項11所述的健康照護預測警示系統，其中該感測裝置或任一感測器為單一感知能力的感測器，或為具有多模態感知能力的感測器，經該終端裝置中處理電路編碼、加密與格式轉換後產生傳送至該健康照護預測警示系統的該連續性數據或非連續性數據。
如請求項11所述的健康照護預測警示系統，其中，於該中央伺服器中，運行該照護警示預測模型以取得持續接收的該生理數據在每個時間點或時間段落的特徵，並運算各種健康風險的機率，用以判斷該被照護者的生理狀態。
一種有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，步驟包括：將水蒸氣作為電漿氣體並自一電漿產生器的一電漿源將水蒸氣輸入該電漿產生器中；該電漿產生器之一電極在一電弧區產生電弧放電而將水蒸氣在相鄰該電弧區之一噴嘴區分解產生一電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)；將一有害廢氣自該噴嘴區之一導入口導入該噴嘴區，使該有害廢氣混入該電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)一反應室連接該噴嘴區之一出口，該電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)混合該有害廢氣由該出口進入該反應室，該有害廢氣在該反應室中持續被該電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)的活性物種氧化分解；其中，該噴嘴區由相鄰該電弧區至該出口根據該電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)的溫度變化排列有複數導入口，根據該有害廢氣的反應溫度由不同的導入口將該有害廢氣導入該噴嘴區。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，該電漿源有一輸入口位於該電弧區之前，而在該電弧區之前將水蒸氣輸入該電漿產生器中。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，該有害廢氣之種類為全氟化物汙染物、氟氯碳化物汙染物、戴奧辛、或芳香烴汙染物之一。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，該電漿產生器之電極使用銅電極。
如請求項4所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，在該電極中設置一冷卻水流道，在該電極中輸入循環的冷卻水。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，水蒸氣使用常壓下的水蒸氣，且為過熱蒸氣。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，該電漿源中的電漿氣體可加入任意體積比例的空氣。
如請求項1所述之有害廢氣的水蒸氣電漿處理方法，其中，該電漿蕈狀團(電漿羽流，plasma plume)包含水蒸氣(H<sub>2</sub>O<sub>(g)</sub>)，水蒸氣(H<sub>2</sub>O<sub>(g)</sub>)扮演氣化劑的角色，提供化學能輔助分解有害的有機物廢氣。
一種光型偏置膜片，適用於一背光模組，該背光模組具有一光源模組，該光源模組具有一供該光型偏置膜片的出光側及複數呈陣列排列的發光單元，該光型偏置膜片包含： <br/>一基板，具有一第一側邊，該第一側邊與一第一方向相交而沿一第二方向延伸；以及 <br/>複數第一稜鏡柱設置於該基板，該些第一稜鏡柱係沿該第一方向排列，且分別沿該第二方向延伸，其中每一該第一稜鏡柱具有一第一主稜鏡面； <br/>其中，至少部分該些發光單元產生之發射光場經由該些第一稜鏡柱中至少部分產生在該第一方向上之偏置，且該些第一稜鏡柱中較遠離該第一側邊之至少部分對於該發射光場之偏置程度小於該些第一稜鏡柱中較靠近該第一側邊之至少部分對於該發射光場之偏置程度。
如請求項1所述之光型偏置膜片，其中該基板具有一中央部分、位於該中央部分與該第一側邊之間之一第一部分及位於該中央部分另一側之一第二部分；該些第一稜鏡柱係設置於該第一部分，該光型偏置膜片還包含： <br/>複數第二稜鏡柱，設置於該第二部分，該些第二稜鏡柱係沿該第一方向排列，且分別沿該第二方向延伸，其中每一該第二稜鏡柱具有一第二主稜鏡面； <br/>其中，較接近該第一部分之至少部分該些發光單元產生之發射光場經由該些第一稜鏡柱產生在該第一方向上之偏置與較接近該第二部分之至少部分該些發光單元產生之發射光場經由該些第二稜鏡柱產生在該第一方向上之偏置為相反的朝向。
如請求項2所述的光型偏置膜片，其中該些第一稜鏡柱中較靠近該中央部分之至少部分對於該發射光場之偏置程度小於該些第一稜鏡柱中較遠離該中央部分之至少部分對於該發射光場之偏置程度。
如請求項2所述的光型偏置膜片，其中該第一主稜鏡面在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上與該第一方向具有一第一主內夾角，至少部分較接近該中央部分之該些第一稜鏡柱之該第一主內夾角小於至少部分較遠離該中央部分之該些第一稜鏡柱之該第一主內夾角；該第二主稜鏡面在該虛擬截面上與該第一方向具有一第二主內夾角，至少部分較接近該中央部分之該些第二稜鏡柱之該第二主內夾角小於至少部分較遠離該中央部分之該些第二稜鏡柱之該第二主內夾角。
如請求項1所述的光型偏置膜片，其中該第一主稜鏡面在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上與該第一方向具有一第一主內夾角，至少部分較遠離該第一側邊之該些第一稜鏡柱之該第一主內夾角小於至少部分較靠近該第一側邊之該些第一稜鏡柱之該第一主內夾角。
如請求項2所述的光型偏置膜片，其中該第一主稜鏡面及該第二主稜鏡面分別位於該第一稜鏡柱及該第二稜鏡柱背向中央部分側之表面，至少部分該些發光單元產生之發射光場經由該些第一稜鏡柱中至少部分產生在該第一方向上朝向該中央部分之偏置。
如請求項2所述的光型偏置膜片，其中該第一主稜鏡面及該第二主稜鏡面分別為該第一稜鏡柱及該第二稜鏡柱朝向該中央部分側之表面，至少部分該些發光單元產生之發射光場經由該些第一稜鏡柱中至少部分產生在該第一方向上遠離該中央部分之偏置。
如請求項4或5所述的光型偏置膜片，其中該第一主內夾角或該第二主內夾角係大於0度而小於或等於30度。
如請求項4所述的光型偏置膜片，其中該第一主內夾角及第二主內夾角變化的變化率在較接近該中央部分時大於較遠離該中央部分時。
如請求項4或5所述的光型偏置膜片，其中每一該第一稜鏡柱具有與該第一主稜鏡面相對之一第一次稜鏡面，該第一次稜鏡面在該虛擬截面上與該第一方向具有一第一次內夾角，該第一次內夾角小於90度而大於該第一主內夾角。
如請求項1所述的光型偏置膜片，其中該第一主稜鏡面在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上具有一第一長度，至少部分較遠離該第一側邊之該些第一稜鏡柱之該第一長度小於至少部分較靠近該第一側邊之該些第一稜鏡柱之該第一長度。
如請求項11所述的光型偏置膜片，其中該些第一稜鏡柱彼此係間隔設置，其中，至少部分較遠離該第一側邊之該些第一稜鏡柱間之間隔距離大於至少部分較靠近該第一側邊之該些第一稜鏡柱間之間隔距離。
如請求項1所述的光型偏置膜片，其中該些發光單元於在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上之排列係形成一第二曲率，且朝向遠離該光型偏置膜片的方向凹陷，該些發光單元產生光線經過該光型偏置膜片而抵達一投屏面，該投屏面在該虛擬截面上具有一第一截面，該第一截面具有一第一曲率；其中該第一曲率大於該第二曲率。
如請求項1所述的光型偏置膜片，該背光模組更包含一增亮膜，該光型偏置膜片位於該增亮膜與該光源模組之間。
如請求項1所述的光型偏置膜片，該背光模組更包含： <br/>一第一稜鏡片，設置於該光型偏置膜片與該光源模組之間，且具有一第一稜鏡方向；以及 <br/>一第二稜鏡片，設置於該光型偏置膜片與該第一稜鏡片之間，且具有一第二稜鏡方向； <br/>其中，該第一稜鏡方向與該第二稜鏡方向相垂直。
一種顯示系統，包含： <br/>一投屏面， <br/>一顯示模組，包含一背光模組，該背光模組具有一光源模組，該光源模組具有一出光側及複數呈陣列排列的發光單元；以及 <br/>如請求項1至請求項15中任一所述之光型偏置膜片，設置於該出光側；以及 <br/>一虛擬眼區； <br/>其中該顯示模組相對於該投屏面設置且產生一影像光線經該投屏面反射而至少在該虛擬眼區上產生影像。
如請求項16所述的顯示系統，其中該虛擬眼區具有一第一直立中軸，該投屏面具有一第二直立中軸，該第一直立中軸與該第二直立中軸共同形成一虛擬立面，該虛擬立面與該顯示模組之一交會線具有一中點，該中點在垂直該第一方向且平行於該顯示模組之方向上延伸形成一對稱軸，該光型偏置膜片相對於該對稱軸為左右對稱。
如請求項16所述的顯示系統，其中該背光模組產生之光線中經該投屏面反射而進入該虛擬眼區者於離開該光型偏置膜片時在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上之最大出射角為θ，當該些發光單元之發射光場在該虛擬截面上視角為θ之強度低於最大強度之80%時，該第一主稜鏡面位於該第一稜鏡柱朝向該第一側邊之一側。
如請求項16所述的顯示系統，其中該背光模組產生之光線中經該投屏面反射而進入該虛擬眼區者於離開該光型偏置膜片時在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上之最大出射角為θ， 當該些發光單元之發射光場在該虛擬截面上視角為θ之強度高於最大強度之80%時，該第一主稜鏡面位於該第一稜鏡柱背向該第一側邊之一側。
如請求項16所述的顯示系統，其中該背光模組產生之光線中經該投屏面反射而進入該虛擬眼區者於離開該光型偏置膜片時在平行該第一方向且橫切該第二方向之一虛擬截面上之最大出射角為θ，每一該第一稜鏡柱具有與該第一主稜鏡面相對之一第一次稜鏡面，該第一次稜鏡面在該虛擬截面上與該第一方向具有一第一次內夾角，該第一次內夾角小於或等於最大出射角θ。
一種測量燃燒碳排量的方法，其包括：<br/> 步驟S1：以一煙霧影像處理模組自一待測煙霧取得一煙霧影像圖層，以邊緣檢測法分析該煙霧影像圖層，以識別並標定一煙霧邊界線，以區分出一煙霧區及一非煙霧區；<br/> 步驟S2：以一光學檢測模組設定一或多個碳排座標，並朝該待測煙霧對應於每一該碳排座標之方向發射至少一脈衝光，並檢測該脈衝光回波之強度；及<br/> 步驟S3：以一碳排計算模組基於該脈衝光回波之強度計算對應之一單位碳排數值C，於該煙霧影像圖層上對應該碳排座標之位置標定該單位碳排數值C，計算對應該碳排座標位於該煙霧區中的該單位碳排數值C之總值，以獲得一即時燃燒碳排量C<sub>i</sub>。
如請求項1所述之方法，其中，該單位碳排數值C是由一光學檢測儀所檢測計算而得，該光學檢測儀搭載於一無人飛行載具，其包括一脈衝光發射器及一脈衝光接收器。
如請求項2所述之方法，其中，該脈衝光發射器包括：<br/> 一LED光源，用以產生具有特定波長之一連續光，其中，該特定波長包括一吸收波長或一非吸收波長，其中，該吸收波長介於1至2奈米，該非吸收波長介於0至1奈米或大於2奈米；<br/> 一擴束鏡，設置於該LED光源之一側，用以收束該連續光以產生一光束上；及<br/> 一光斬波器，相對於該LED光源設置於該擴束鏡之一側，其位於該光束之路徑上，以一定頻率轉換該光束為該脈衝光。
如請求項1至3任一項所述之方法，其中，該脈衝光包括一吸收脈衝光及一非吸收脈衝光，該單位碳排數值C係由如下式(II)計算而得：<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…………(II)<br/> 其中， P<sub>on</sub>為該吸收脈衝光回波之強度，P<sub>off</sub>為該非吸收脈衝光回波之強度，σ為對應該碳排座標位置之吸收截面，L為該脈衝光之飛行距離。
如請求項1至3任一項所述之方法，其更包括：<br/> 步驟S4：於一碳排量測時間內的p個時間點t，分別於每一該時間點t重複該步驟S1至步驟S3，以取得p筆該即時燃燒碳排量C<sub>i</sub>及p筆即時煙霧擴散速率；及<br/> 步驟S5：依據一遞減系數模型計算該碳排量測時間內的總燃燒碳排量S<sub>p</sub>，其中，該總燃燒碳排量S<sub>p</sub>係由如下式(I)計算而得：<br/><img align="absmiddle" height="12px" width="96px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>)…(I)<br/> 其中，i為測量每一該即時燃燒碳排量C<sub>i</sub>之時間點，p為該即時燃燒碳排量C<sub>i</sub>之筆數，α為遞減係數，其中，該遞減係數是依據該p筆即時煙霧擴散速率計算而得。
如請求項1至3任一項所述之方法，其更包括：<br/> 步驟S6：依據一碳含量背景值C<sub>b</sub>比對該單位碳排數值C，若該單位碳排數值C大於該碳含量背景值C<sub>b</sub>，於該煙霧影像圖層上對應該單位碳排數值C之該碳排座標上標定一碳排標籤，若該單位碳排數值C小於或等於該碳含量背景值C<sub>b</sub>，於該煙霧影像圖層上對應該單位碳排數值C之該碳排座標上標定一背景標籤；<br/> 步驟S7：分析該煙霧影像圖層上之該碳排標籤及該背景標籤的相對分布位置，標定一碳排邊界線，以區分出一碳排區及一非碳排區，輸出一燃燒碳排圖層；及<br/> 步驟S8：基於該燃燒碳排圖層上該煙霧邊界線上任意一點與該碳排邊界線之直線距離，並輸出一碳排擴散距離值。
如請求項1所述之方法，其中，該脈衝光是由一無人飛行載具搭載之脈衝光發射器所產生，其中，該脈衝光發射器包括一吸收脈衝光發射器及一非吸收脈衝光發射器，該脈衝光包括一吸收脈衝光及一非吸收脈衝光，其分別由該吸收脈衝光發射器及該非吸收脈衝光發射器所發射，該吸收脈衝光具有一吸收波長介於1至2奈米，該非吸收脈衝光具有一非吸收波長介於0至1奈米或大於2奈米，其中，該單位碳排數值C係由如下式(II)計算而得：<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…………(II)<br/> 其中， P<sub>on</sub>為該吸收脈衝光回波之強度，P<sub>off</sub>為該非吸收脈衝光回波之強度，σ為對應該碳排座標位置之吸收截面，L為該脈衝光之飛行距離。
一種測量燃燒碳排量的系統，其包括：<br/> 一煙霧影像處理模組，其包含：<br/> 一影像擷取裝置，配置以自一待測煙霧取得一煙霧影像圖層；及<br/> 一煙霧邊界識別單元，與該影像擷取裝置訊號連接，配置以邊緣檢測法分析該煙霧影像圖層，以識別並標定一煙霧邊界線，以區分出一煙霧區及一非煙霧區；<br/> 一光學檢測模組，與該煙霧影像處理模組訊號連接，其包含：<br/> 一尋標單元，配置以設定一或多個碳排座標，並產生一發射指令；及<br/> 一光學檢測儀，訊號連接該尋標單元，配置以依據該發射指令朝該待測煙霧對應於每一該碳排座標之方向發射至少一脈衝光，並檢測該脈衝光回波；以及<br/> 一碳排計算模組，訊號連接該煙霧影像處理模組及該光學檢測模組，配置以基於該脈衝光回波之強度計算對應之一單位碳排數值C，於該煙霧影像圖層上對應該碳排座標之位置標定該單位碳排數值C，計算對應該碳排座標位於該煙霧區中的該單位碳排數值C之總值，以獲得一即時燃燒碳排量C<sub>i</sub>。
如請求項8所述之系統，該光學檢測儀包括一脈衝光發射器及一脈衝光接收器，其中，該脈衝光發射器配置以接收該發射指令，以產生該脈衝光，該脈衝光接收器配置以接收該脈衝光回波並產生對應之回波強度，其中，該脈衝光發射器包括：一LED光源，用以產生具有特定波長之一連續光，其中，該特定波長包括一吸收波長，其為1至2奈米；一擴束鏡，設置於該LED光源之一側，用以收束該連續光以產生一光束上；及一光斬波器，相對於該LED光源設置於該擴束鏡之一側，其位於該光束之路徑上，以一定頻率轉換該光束為該脈衝光。
如請求項9所述之系統，該光學檢測儀係發射一吸收脈衝光及一非吸收脈衝光，該碳排計算模組依據如下式(I)之關係式計算該單位碳排數值C：<br/><img align="absmiddle" height="23px" width="45px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>…………(I)<br/> 其中， P<sub>on</sub>為該吸收脈衝光回波之強度，P<sub>off</sub>為該非吸收脈衝光回波之強度，σ為對應該碳排座標位置之吸收截面，L為該脈衝光之飛行距離。
一種含氟共聚物，其含有：下述式(1)所表示之結構單元(A)、以及下述式(4)所表示之結構單元(D)；上述結構單元(D)之含量相對於上述含氟共聚物中之全部結構單元之合計為30~67莫耳%；且上述結構單元(D)含有下述式(6)所表示之結構單元；<figure><img align="absmiddle" height="174px" width="329px" file="d10001.TIF" alt="化學式ed10001.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10001.png"/></figure>(式(1)中，R<sub>ff</sub><sup>1</sup>~R<sub>ff</sub><sup>4</sup>各自獨立地表示氟原子、碳數1~7之全氟烷基、或碳數1~7之全氟烷基醚基；R<sub>ff</sub><sup>1</sup>及R<sub>ff</sub><sup>2</sup>可連結而形成環)<figure><img align="absmiddle" height="212px" width="394px" file="d10002.TIF" alt="化學式ed10002.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10002.png"/></figure>(式(4)中，Z表示氧原子、單鍵、或-OC(R<sup>19</sup>R<sup>20</sup>)O-，R<sup>9</sup>~R<sup>20</sup>各自獨立地表示氟原子、碳數1~5之全氟烷基、或碳數1~5之全氟烷氧基；氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子；全氟烷基中之氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子；全氟烷氧基中之氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子；s及t分別獨立地表示0~5且s+t為1~6之整數(其中，於Z為-OC(R<sup>19</sup>R<sup>20</sup>)O-之情形時，s+t可為0))<figure><img align="absmiddle" height="222px" width="390px" file="d10003.TIF" alt="化學式ed10003.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10003.png"/></figure>(式(6)中，R<sup>141</sup>、R<sup>142</sup>、R<sup>151</sup>及R<sup>152</sup>各自獨立地表示氟原子、碳數1~5之全氟烷基、或碳數1~5之全氟烷氧基；氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子；全氟烷基中之氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子；全氟烷氧基中之氟原子之一部分可被取代為氟原子以外之鹵素原子)。
如請求項1之含氟共聚物，其中上述結構單元(D)含有下述式(7)所表示之結構單元；<figure><img align="absmiddle" height="160px" width="355px" file="d10004.TIF" alt="化學式ed10004.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10004.png"/></figure>
如請求項1之含氟共聚物，其中上述結構單元(D)含有下述式(8)所表示之結構單元；<figure><img align="absmiddle" height="190px" width="330px" file="d10005.TIF" alt="化學式ed10005.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10005.png"/></figure>(式(8)中，R<sup>21</sup>表示碳數1~4之全氟烷基)。
如請求項1之含氟共聚物，其中上述結構單元(D)之含量相對於上述含氟共聚物中之全部結構單元之合計為35~60莫耳%。
如請求項1之含氟共聚物，其中上述結構單元(A)含有下述式(5)所表示之結構單元；<figure><img align="absmiddle" height="173px" width="316px" file="d10006.TIF" alt="化學式ed10006.png" img-content="tif" orientation="portrait" inline="yes" giffile="ed10006.png"/></figure>
一種光學用樹脂組合物，其含有如請求項1至5中任一項之含氟共聚物。
如請求項6之光學用樹脂組合物，其進而含有折射率調整劑。
一種光學用樹脂成形體，其含有如請求項6之光學用樹脂組合物。
如請求項8之光學用樹脂成形體，其係光傳輸體。
如請求項9之光學用樹脂成形體，其中上述光傳輸體係塑膠光纖。
一種供暖、通風、空氣調節及製冷（HVAC&R）系統，其包含： <br/>一工作流體迴路，其經組態以使一工作流體循環通過其中； <br/>一壓縮機，其沿著該工作流體迴路安置且經組態以對該工作流體加壓，其中該壓縮機包含一外殼，該外殼包含一葉輪空腔及一第一流動路徑，該葉輪空腔經組態以引導該工作流體通過其中，該第一流動路徑流體耦接至該葉輪空腔及該壓縮機周圍之一周圍環境；以及 <br/>一控制系統，其經組態以： <br/>在一待命模式下操作該壓縮機，其中在該待命模式下不存在對藉由該HVAC&R系統進行調節之一需求；以及 <br/>在該待命模式下操作該HVAC&R系統以增大該工作流體之一壓力，以達到或超過一臨限壓力值。
如請求項1之HVAC&R系統，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該壓縮機以增大該工作流體之該壓力。
如請求項1之HVAC&R系統，其中該臨限壓力值係基於該周圍環境之一壓力。
如請求項3之HVAC&R系統，其中該臨限壓力值大於該周圍環境之該壓力。
如請求項1之HVAC&R系統，其中該壓縮機包含： <br/>一葉輪，其安置於該葉輪空腔內；以及 <br/>一馬達，其經組態以驅動該葉輪之旋轉，其中該馬達包含一馬達空腔及一第二流動路徑，該馬達空腔經組態以引導一冷卻流體通過其中，該第二流動路徑流體耦接至該馬達空腔及該壓縮機周圍之該周圍環境。
如請求項5之HVAC&R系統，其中該第一流動路徑及該第二流動路徑在該外殼內流體耦接至彼此。
如請求項6之HVAC&R系統，其中該外殼包含： <br/>一排出口，其暴露於該壓縮機周圍之該周圍環境；以及 <br/>一第三流動路徑，其自該第一流動路徑及該第二流動路徑延伸至該排出口， <br/>其中該第一流動路徑及該第三流動路徑經組態以在該待命模式下操作期間將該工作流體的一部分自該葉輪空腔引導至該壓縮機周圍之該周圍環境。
如請求項5之HVAC&R系統，其中該馬達經組態以接收一氣流作為該冷卻流體，且引導該氣流通過該馬達空腔及該第二流動路徑。
如請求項7之HVAC&R系統，其中該壓縮機包含一密封系統，且該密封系統包含： <br/>一第一迷宮式密封件，其沿著該第一流動路徑安置；以及 <br/>一第二迷宮式密封件，其沿著該第二流動路徑安置。
如請求項1之HVAC&R系統，其包含耦接至該工作流體迴路且通信耦接至該控制系統的一供暖系統，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該供暖系統以增大該工作流體之該壓力，以達到或超過該臨限壓力值。
如請求項10之HVAC&R系統，其中該供暖系統包含一電加熱器。
如請求項1之HVAC&R系統，其包含一感測器，該感測器通信耦接至該控制系統且經組態以偵測該工作流體之一操作參數，其中該控制系統經組態以回應於該操作參數降至低於一臨限值的一判定，在該待命模式下操作該HVAC&R系統以增大該工作流體之該壓力。
如請求項1之HVAC&R系統，其中該壓縮機經組態以使水作為該工作流體循環通過該工作流體迴路。
一種供暖、通風、空氣調節及製冷（HVAC&R）系統，其包含： <br/>一壓縮機，其包含一葉輪空腔及安置於該葉輪空腔內之一葉輪，其中該壓縮機經組態以對該葉輪空腔內之一工作流體加壓； <br/>一馬達，其耦接至該壓縮機，其中該馬達經組態以驅動該葉輪之旋轉以對該工作流體加壓，且該馬達包含經組態以使一冷卻流體循環通過其中之一馬達空腔； <br/>一第一流動路徑，其在該葉輪空腔與該HVAC&R系統周圍之一周圍環境之間延伸； <br/>一第二流動路徑，其在該馬達空腔與該HVAC&R系統周圍之該周圍環境之間延伸；以及 <br/>一控制系統，其經組態以： <br/>回應於對供暖或冷卻之一需求，在一正常操作模式下操作該HVAC&R系統；以及 <br/>在不存在對供暖或冷卻之該需求的情況下在一待命模式下操作該HVAC&R系統，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該HVAC&R系統以增大該工作流體之一壓力。
如請求項14之HVAC&R系統，其中該第一流動路徑及該第二流動路徑各自至少部分地延伸通過該壓縮機之一外殼，該第一流動路徑及該第二流動路徑在該外殼內流體耦接至彼此，且該HVAC&R系統包含沿著該第一流動路徑、該第二流動路徑或兩者安置的一迷宮式密封系統。
如請求項14之HVAC&R系統，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該馬達以驅動該葉輪之旋轉，以增大該工作流體之該壓力。
如請求項14之HVAC&R系統，其包含耦接至該壓縮機、該HVAC&R系統之一熱交換器、該HVAC&R系統之一工作流體迴路或其一組合的一電加熱器，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該電加熱器以增大該工作流體之該壓力。
如請求項14之HVAC&R系統，其中該控制系統經組態以在該待命模式下操作該HVAC&R系統以增大該工作流體之該壓力，以達到或超過一臨限壓力值，其中該臨限壓力值係基於該HVAC&R系統周圍之該周圍環境的一壓力、該冷卻流體之一壓力或兩者。
一種一供暖、通風、空氣調節及製冷（HVAC&R）系統之控制系統，其中該控制系統經組態以： <br/>判定該HVAC&R系統之一供暖或冷卻需求不存在； <br/>基於該HVAC&R系統之該供暖或冷卻需求不存在之該判定，在一待命模式下操作該HVAC&R系統； <br/>在該待命模式下接收指示該HVAC&R系統之一工作流體的一偵測到的參數值的資料； <br/>在該待命模式下判定該偵測到的參數值低於一臨限值，其中該臨限值係基於該HVAC&R系統周圍之一周圍環境之一壓力；以及 <br/>回應於該偵測到的參數值低於該臨限值之該判定，在該待命模式下操作該HVAC&R系統以增大該工作流體之該偵測到的參數值。
如請求項18之控制系統，其中該偵測到的參數值係該工作流體之一偵測到的溫度值或該工作流體之一偵測到的壓力值，且該控制系統經組態以在該待命模式下操作該HVAC&R系統之一壓縮機以增大該工作流體之該偵測到的參數值、在該待命模式下激活該HVAC&R系統之一供暖系統以增大該工作流體之該偵測到的參數值或兩者。
一種光子裝置結構，包含： 一基板，包含形成於其上的一氧化物層；<br/> 一矽層，形成於該氧化物層上；及<br/> 複數個波導組件，形成於該矽層中，<br/> 其中：<br/> 該些波導組件的一第一波導組件具有至少一個第一接觸孔，該至少一個第一接觸孔具有一第一接觸孔深度，<br/> 該些波導組件的一第二波導組件具有至少一個第二接觸孔，該至少一個第二接觸孔具有一第二接觸孔深度，其中該第一接觸孔深度與該第二接觸孔深度不同，<br/> 該至少一個第一接觸孔的第一者包含一第一摻雜劑濃度N+，該至少一個第一接觸孔的第二者包含該第一摻雜劑濃度P+，<br/> 該至少一個第二接觸孔的第一者包含一第二摻雜劑濃度N+，該至少一個第二接觸孔的第二者包含該第二摻雜劑濃度P+，且該第一摻雜劑濃度不同於該第二摻雜劑濃度。
如請求項1所述之光子裝置結構，更包含：<br/> 一第一接觸蝕刻停止層，形成於該至少一個第一接觸孔中；及<br/> 一第二接觸蝕刻停止層，形成於該至少一個第二接觸孔中。
如請求項1所述之光子裝置結構，其中該第二摻雜劑濃度大於該第一摻雜劑濃度。
如請求項1所述之光子裝置結構，其中該第二摻雜劑濃度小於該第一摻雜劑濃度。
如請求項2所述之光子裝置結構，其中該第一接觸蝕刻停止層及該第二接觸蝕刻停止層選自由氧化物、氮化矽、未摻雜矽酸鹽玻璃、氟矽酸鹽玻璃或硼磷矽酸鹽玻璃組成的群。
如請求項2所述之光子裝置結構，其中該第一接觸蝕刻停止層的一深度為該第一接觸孔深度的5%或更大。
一種光子半導體裝置，包含：<br/> 一基板；<br/> 一氧化物層，形成於該基板上；<br/> 一矽層，形成於該氧化物層上，該矽層包含：<br/> 一條狀波導組件；<br/> 一肋狀至條狀波導組件；及<br/> 複數個肋狀波導組件，包含：<br/> 一第一肋狀波導組件，具有複數個第一接觸孔，其中該些第一接觸孔的至少第一者包含一第一摻雜劑濃度N+，且其中該些第一接觸孔的至少第二者包含該第一摻雜劑濃度P+；及<br/> 一第二肋狀波導組件，具有複數個第二接觸孔，其中該些第二接觸孔的至少第一者包含一第二摻雜劑濃度N+，該些第二接觸孔的至少第二者包含該第二摻雜劑濃度P+，且其中該第一摻雜劑濃度不同於該第二摻雜劑濃度；及<br/> 一刻面，與該矽層相鄰定位。
如請求項7所述之光子半導體裝置，更包含：<br/> 一分佈式布拉格反射器，形成於該矽層中；<br/> 一支柱；<br/> 一支柱腔，形成於該基板中，該支柱腔位於該支柱與該氧化物層之間；及<br/> 一光源，位於該支柱上且光耦合至該刻面。
如請求項7所述之光子半導體裝置，其中該些第一接觸孔具有一第一接觸孔深度，該些第二接觸孔具有一第二接觸孔深度，且其中該第一接觸孔深度與該第二接觸孔深度不同。
一種製造光子半導體裝置之方法，包含：<br/> 在一基板的一第一頂側氧化物層上形成一矽層；<br/> 在該矽層中形成一條狀波導、一肋狀至條狀波導及一分佈式布拉格反射器波導的至少一者；<br/> 在該矽層中形成一第一肋狀波導的複數個第一接觸孔，該些第一接觸孔的每一者具有一第一接觸孔深度；<br/> 在該矽層中形成一第二肋狀波導的複數個第二接觸孔，該些第二接觸孔的每一者具有一第二接觸孔深度，其中該第一接觸孔深度與該第二接觸孔深度不同；<br/> 將該些第一接觸孔的至少第一者摻雜至一第一摻雜劑濃度N+且將該些第一接觸孔的至少第二者摻雜至該第一摻雜劑濃度P+；<br/> 將該些第二接觸孔的至少第一者摻雜至一第二摻雜劑濃度N+且將該些第二接觸孔的至少第二者摻雜至該第二摻雜劑濃度P+，其中該第一摻雜劑濃度不同於該第二摻雜劑濃度；<br/> 在該些第一接觸孔的每一者中形成一第一接觸蝕刻停止層；及<br/> 在該些第二接觸孔的每一者中形成一第二接觸蝕刻停止層。
一種電池交換系統的電池提供方法，包括：<br/> 接收更換一目標數量的電池的一請求；<br/> 基於該目標數量將該電池交換系統中的複數個電池分為複數個電池組；<br/> 基於該複數個電池組中的每一者的該目標數量的電池的複數個權重及複數個特徵參數計算對應於該複數個電池組中的每一者的一電池組評分；及<br/> 基於該複數個電池組評分，選出該複數個電池組中具有一最佳評分的一最佳電池組，以使該最佳電池組的複數個電池間的電池特徵差異為最低，並以該最佳電池組提供該目標數量的電池，<br/> 其中該複數個電池組中的第N個電池組評分包括A<sub>N</sub>*W1<sub>N</sub>+B<sub>N</sub>*W2<sub>N</sub>+C<sub>N</sub>*W3<sub>N</sub>，N為正整數；其中A<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電池狀態參數，該電池狀態參數A<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的複數個電池是否可以更換；W1<sub>N</sub>為對應於該電池狀態參數A<sub>N</sub>的一電池狀態參數權重；B<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電池類型參數，該電池類型參數B<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的該複數個電池是否具有相同的電池類型；W2<sub>N</sub>為對應於該電池類型參數B<sub>N</sub>的一電池類型參數權重；C<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電量參數，該電量參數C<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的該複數個電池的充電狀態的差異性；W3<sub>N</sub>為對應於該電量參數C<sub>N</sub>的一電量參數權重。
如請求項1所述的方法，還包括：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
如請求項1所述的方法，其中該複數個電池組中的第N個電池組評分還包括<br/> D<sub>N</sub>*W4<sub>N</sub>；<br/> 其中D<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池健康參數，該電池健康參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的電池健康程度的差異性；W4<sub>N</sub>為對應於該電池健康參數D<sub>N</sub>的一電池健康參數權重。
如請求項3所述的方法，還包括：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；及<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高充電狀態總分，在該具備相同的最高充電狀態總分的電池組中，選出具備複數個電池的電池健康程度總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
如請求項1所述的方法，其中該複數個電池組中的第N個電池組評分還包括<br/> D<sub>N</sub>*W4<sub>N</sub>+E<sub>N</sub>*W5<sub>N</sub>；<br/> 其中D<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池健康參數，該電池健康參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的電池健康程度的差異性；W4<sub>N</sub>為對應於該電池健康參數D<sub>N</sub>的一電池健康參數權重；E<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池位置參數，該電池位置參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的一間距；W5<sub>N</sub>為對應於該電池位置參數E<sub>N</sub>的一電池位置參數權重。
如請求項5所述的方法，還包括：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高充電狀態總分，在該具備相同的最高充電狀態總分的電池組中，選出具備複數個電池的電池健康程度總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；及<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高健康程度總分，在該具備相同的最高健康程度總分的電池組中，選出具備複數個電池的間距總和最短的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
一種電池交換系統，包括：<br/> 一控制部件、一電力部件、一感測部件、一介面部件及複數個插槽，該控制部件電連接該電力部件、該感測部件及該介面部件，該介面部件電連接該電力部件，該複數個插槽分別容納一個或複數個電池；其中，<br/> 該介面部件接收更換一目標數量的電池的一請求；<br/> 該控制部件基於該目標數量將該複數個插槽中的複數個電池分為複數個電池組；<br/> 該控制部件基於該複數個電池組中的每一者的該目標數量的電池的複數個權重及複數個特徵參數計算對應於該複數個電池組中的每一者的一電池組評分；及<br/> 該控制部件基於該複數個電池組評分選出該複數個電池組中具有一最佳評分的一最佳電池組，以使該最佳電池組的複數個電池間的電池特徵差異為最低，並以該最佳電池組提供該目標數量的電池，<br/> 其中該複數個電池組中的第N個電池組評分包括A<sub>N</sub>*W1<sub>N</sub>+B<sub>N</sub>*W2<sub>N</sub>+C<sub>N</sub>*W3<sub>N</sub>，N為正整數；其中A<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電池狀態參數，該電池狀態參數A<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的複數個電池是否可以更換；W1<sub>N</sub>為對應於該電池狀態參數A<sub>N</sub>的一電池狀態參數權重；B<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電池類型參數，該電池類型參數B<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的該複數個電池是否具有相同的電池類型；W2<sub>N</sub>為對應於該電池類型參數B<sub>N</sub>的一電池類型參數權重；C<sub>N</sub>為該第N個電池組的該複數個特徵參數的一電量參數，該電量參數C<sub>N</sub>指示該第N個電池組中的該複數個電池的充電狀態的差異性；W3<sub>N</sub>為對應於該電量參數C<sub>N</sub>的一電量參數權重。
如請求項7所述的電池交換系統，其中該控制部件還配置成致使一處理器執行指令以進行：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
如請求項7所述的電池交換系統，其中該複數個電池組中的第N個電池組評分還包括<br/> D<sub>N</sub>*W4<sub>N</sub>；<br/> 其中D<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池健康參數，該電池健康參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的電池健康程度的差異性；W4<sub>N</sub>為對應於該電池健康參數D<sub>N</sub>的一電池健康參數權重。
如請求項9所述的電池交換系統，其中該控制部件還配置成致使一處理器執行指令以進行：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；及<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高充電狀態總分，在該具備相同的最高充電狀態總分的電池組中，選出具備複數個電池的電池健康程度總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
如請求項7所述的電池交換系統，其中該複數個電池組中的第N個電池組評分還包括<br/> D<sub>N</sub>*W4<sub>N</sub>+E<sub>N</sub>*W5<sub>N</sub>；<br/> 其中D<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池健康參數，該電池健康參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的電池健康程度的差異性；W4<sub>N</sub>為對應於該電池健康參數D<sub>N</sub>的一電池健康參數權重；E<sub>N</sub>為該第N個電池組的電池位置參數，該電池位置參數指示該第N個電池組中的該複數個電池的一間距；W5<sub>N</sub>為對應於該電池位置參數E<sub>N</sub>的一電池位置參數權重。
如請求項11所述的電池交換系統，其中該控制部件還配置成致使一處理器執行指令以進行：<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高評分，在該具備相同的最高評分的電池組中，選出具備複數個電池的充電狀態總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高充電狀態總分，在該具備相同的最高充電狀態總分的電池組中，選出具備複數個電池的電池健康程度總分最高的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池；及<br/> 響應於該複數個電池組中的兩個電池組或更多電池組具備相同的最高健康程度總分，在該具備相同的最高健康程度總分的電池組中，選出具備複數個電池的間距總和最短的一電池組為該最佳電池組，以該最佳電池組提供該目標數量的電池。
一種電量測裝置，其包括： <br/>電性訊號輸入，其設置在所述裝置的第一端上； <br/>第一顯示器，其在所述裝置的第二端面上，所述第二端面相對所述第一端； <br/>第二顯示器，其在所述裝置的前表面上； <br/>加速度計；以及 <br/>電子控制器，其經配置以： <br/>從所述加速度計接收輸出訊號； <br/>根據所述加速度計輸出訊號來判斷所述裝置的方位； <br/>根據所述電性訊號輸入來決定資訊輸出； <br/>根據所述裝置的所述方位來從複數個顯示器方位中選擇一顯示器方位； <br/>在所選的顯示器方位中的所述第一顯示器上輸出所述資訊輸出；以及 <br/>在所述第二顯示器上輸出所述資訊輸出，其中所述第二顯示器的方位並不根據所述裝置的所述方位而改變。
如請求項1之電量測裝置，其中所述前表面是垂直於所述第二端面。
如請求項2之電量測裝置，其進一步包括： <br/>複數個使用者可啟動的輸入機構，其設置在所述裝置的所述前表面上。
如請求項2之電量測裝置，其進一步包括： <br/>殼體，其界定所述端面以及所述前表面； <br/>其中所述加速度計以及所述電子控制器是內含在所述殼體之內。
如請求項1之電量測裝置，其中所述裝置是鉗錶。
如請求項1之電量測裝置，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少第一方位以及第二方位；以及 <br/>所述第一方位是從所述第二方位旋轉九十度。
如請求項1之電量測裝置，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少第一方位以及第二方位；以及 <br/>所述第一方位是從所述第二方位旋轉一百八十度。
如請求項1之電量測裝置，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少四個方位；以及 <br/>所述四個方位的每一個是從所述四個方位中的另兩個旋轉九十度。
一種由電量測裝置進行操作之方法，其包括： <br/>藉由包括在所述裝置的第一端上的電性訊號輸入、在相對所述第一端的所述裝置的第二端面上的第一顯示器、在所述裝置的前表面上的第二顯示器及加速度計的電量測裝置的電子控制器以從所述加速度計接收輸出訊號； <br/>藉由所述電子控制器根據所述加速度計輸出訊號來判斷所述裝置的方位； <br/>藉由所述電子控制器根據所述電性訊號輸入來決定資訊輸出； <br/>藉由所述電子控制器根據所述裝置的所述方位來從複數個顯示器方位中選擇顯示器方位； <br/>藉由所述電子控制器在所選的顯示器方位中的所述第一顯示器上輸出所述資訊輸出；以及 <br/>藉由所述電子控制器在所述第二顯示器上輸出所述資訊輸出，其中所述第二顯示器的方位並不根據所述裝置的所述方位而改變，其中所述電子控制器並不根據所述裝置的所述方位而改變所述第二顯示器的所述方位。
如請求項9之方法，其中所述電量測裝置是鉗錶。
如請求項9之方法，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少一第一方位以及第二方位；以及 <br/>所述第一方位是從所述第二方位旋轉九十度。
如請求項9之方法，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少一第一方位以及第二方位；以及 <br/>所述第一方位是從所述第二方位旋轉一百八十度。
如請求項9之方法，其中： <br/>所述複數個顯示器方位包括至少四個方位；以及 <br/>所述四個方位的每一個是從所述四個方位中的另兩個旋轉九十度。
一種電量測裝置，其包括： <br/>殼體； <br/>電性訊號輸入，其設置在所述殼體的第一端上； <br/>第一顯示器，其設置在所述殼體的第二端面上，所述第二端面相對所述第一端； <br/>加速度計，其設置在所述殼體中；以及 <br/>電子控制器，其設置在所述殼體中並且經配置以： <br/>從所述加速度計接收輸出訊號； <br/>根據所述加速度計輸出訊號來判斷所述裝置的方位； <br/>根據所述電性訊號輸入來決定資訊輸出； <br/>根據所述裝置的所述方位來從複數個顯示器方位中選擇顯示器方位； <br/>在所選的顯示器方位中的所述第一顯示器上輸出所述資訊輸出；以及 <br/>在所述第二顯示器上輸出所述資訊輸出，其中所述第二顯示器的方位並不根據所述裝置的所述方位而改變。
如請求項14之電量測裝置，其中所述電性訊號輸入包括夾箝。
如請求項14之電量測裝置，其進一步包括： <br/>複數個使用者可啟動的輸入機構，其設置在所述裝置的和所述第二顯示器相同的表面上。
一種金融商品下單介面之控制裝置，係包括：<br/> 一主控制箱，含有一第一功能區及一第二功能區，其中該第一功能區至少含有一市價買入鍵及一市價賣出鍵，該市價買入鍵之輸出訊號用以驅動一金融商品下單介面上的一市價買入指令，該市價賣出鍵之輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的一市價賣出指令；該第二功能區係至少含有一正價位調整鍵、一負價位調整鍵、一限價買入鍵及一限價賣出鍵，其中該正價位調整鍵每一次的輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的下單價格依市價向上調整一檔，該負價位調整鍵每一次輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的下單價格依市價向下調整一檔，該限價買入鍵之輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面依該正、負價位調整鍵買價調整後該下單價格發出限價買入指令，該限價賣出鍵之輸出訊號用以驅動一金融商品下單介面依該正、負價位調整鍵賣價調整後下單價格發出限價賣出指令，並於該主控制箱上設一切換器；以及<br/> 一遠端控制器，訊號連接該主控制箱，該遠端控制器上至少含有一買入鍵及一賣出鍵，令該切換器切換在第一位置時，該買入鍵是經由該主控制箱向該金融商品下單介面輸出一市價買入指令的訊號，該賣出鍵是經由該主控制箱向該金融商品下單介面輸出一市價賣出指令的訊號，令該切換器切換至第二位置時，該買入鍵是經由該主控制箱向該金融商品下單介面輸出一限價買入指令的訊號，該賣出鍵是經由該主控制箱向該金融商品下單介面輸出一限價賣出指令的訊號。
如請求項1所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該遠端控制器是以訊號線連接該主控制箱。
如請求項1所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該遠端控制器是以無線訊號連接該主控制箱。
一種金融商品下單介面之控制裝置，係包括：<br/> 一主控制箱，含有一第一功能區及一第二功能區，其中該第一功能區至少含有一市價買入鍵及一市價賣出鍵，該市價買入鍵之輸出訊號用以驅動一金融商品下單介面上的一市價買入指令，該市價賣出鍵之輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的一市價賣出指令；該第二功能區係至少含有一正價位調整鍵、一負價位調整鍵、一限價買入鍵及一限價賣出鍵，其中該正價位調整鍵每一次的輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的下單價格依市價向上調整一檔，該負價位調整鍵每一次輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面上的下單價格依市價向下調整一檔，該限價買入鍵之輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面依該正、負價位調整鍵買價調整後的下單價格發出限價買入指令，該限價賣出鍵之輸出訊號用以驅動該金融商品下單介面依該正、負價位調整鍵賣價調整後下單價格發出限價賣出指令；其中於該主控制箱進一步設有一計數顯示器，令該壓按該市價買入鍵、該限價買入鍵，使該金融商品下單介面進行買入一單位之操作時，計數為+1，令該壓按該市價賣出鍵、該限價賣出鍵，使該金融商品下單介面進行賣出一單位之操作時，計數為-1。
如請求項1所述金融商品下單介面之控制裝置，其中於該主控制箱進一步設有一計數顯示器，令該壓按該市價買入鍵、該限價買入鍵、該遠端控制器之買入鍵，使該金融商品下單介面進行買入一單位之操作時，計數為+1，令 該壓按該市價賣出鍵、該限價賣出鍵、該遠端控制器之賣入鍵，使該金融商品下單介面進行賣出一單位之操作時，計數為-1。
如請求項4或5所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該主控制箱進一步含有一歸零鍵，令壓按該歸零鍵後，該計數顯示器即歸零重新計算。
如請求項1或4所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該主控制箱進一步含有一清倉鍵，用以驅動該金融商品下單介面上的一清倉指令。
如請求項1或4所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該主控制箱進一步含有一全刪單鍵，用以驅動該金融商品下單介面上的一全數刪除下單委託書的指令。
如請求項1所述金融商品下單介面之控制裝置，其中該遠端控制器進一步含有一全刪單鍵，用以經該主控制箱驅動該金融商品下單介面上的一全數刪除下單委託書的指令。
一種用於產生渲染或串流傳輸3D模型所用的優化樹的方法，包括：<br/> 獲得3D模型的完整樹；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的節點的品質值；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的所述節點的可見度值；<br/> 基於所述完整樹、所述品質值以及所述可見度值，判定所述3D模型的優化樹；以及<br/> 基於所述優化樹，渲染所述3D模型。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 基於所述節點的三角形計數或紋素數量，判定所述品質值；以及<br/> 根據觀看點的位置，判定所述可見度值。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 基於所述節點的三角形計數或紋素數量相對於所述節點所表示的原始網格的三角形計數或紋素數量，來判定所述品質值。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 基於所述節點的表面積除以從觀看點的位置到所述節點的距離，來判定所述可見度值。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 將所述品質值除以所述可見度值，來判定分數；以及<br/> 基於所述分數，判定所述優化樹。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 響應於所述3D模型的樹狀結構的總三角形計數在三角形預算內，改進所述節點的品質。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 響應於所述優化樹被判定，從伺服器或記憶體請求關於所述優化樹的優化資料；<br/> 從所述伺服器或所述記憶體，接收所述優化資料；以及<br/> 基於所述優化樹以及所述優化資料，渲染所述3D模型。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 根據觀看點的位置，將渲染樹轉換為所述優化樹。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 在啟動時的初始載入過程中，渲染初始樹；以及<br/> 根據觀看點的位置，將所述初始樹轉換為所述優化樹。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 在運行期間，響應於觀看點的位置的變化，根據所述觀看點的所述位置，將渲染的優化樹轉換為目前的優化樹。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 響應於所述3D模型的所述節點被來自觀看點的射線擊中，增加所述節點的所述可見度值。
如請求項1所述的方法，更包括：<br/> 響應於所述3D模型的所述節點被隱藏，將所述節點的所述可見度值減少到零。
一種主機，包括：<br/> 儲存電路，被配置為儲存程式碼；以及<br/> 處理器，耦接到所述儲存電路，並被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 獲得3D模型的完整樹；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的節點的品質值；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的所述節點的可見度值；<br/> 基於所述完整樹、所述品質值以及所述可見度值，判定所述3D模型的優化樹；以及<br/> 基於所述優化樹，渲染所述3D模型。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 基於所述節點的三角形計數或紋素數量，判定所述品質值；以及<br/> 根據觀看點的位置，判定所述可見度值。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 基於所述節點的三角形計數或紋素數量相對於所述節點所表示的原始網格的三角形計數或紋素數量，來判定所述品質值。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 基於所述節點的表面積除以從觀看點的位置到所述節點的距離，來判定所述可見度值。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 將所述品質值除以所述可見度值，來判定分數；以及<br/> 根據所述分數，判定所述優化樹。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 響應於所述3D模型的樹狀結構的總三角形計數在三角形預算內，改進所述節點的品質。
如請求項13所述的主機，其中所述處理器更被配置為存取所述程式碼來執行：<br/> 響應於所述優化樹被判定，從伺服器或記憶體請求關於所述優化樹的優化資料；<br/> 從所述伺服器或所述記憶體，接收所述優化資料；以及<br/> 基於所述優化樹以及所述優化資料，渲染所述3D模型。
一種非暫時性儲存電路，被配置為儲存程式碼，所述程式碼被配置為使處理器執行：<br/> 獲得3D模型的完整樹；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的節點的品質值；<br/> 獲得所述3D模型的所述完整樹的所述節點的可見度值；<br/> 基於所述完整樹、所述品質值以及所述可見度值，判定所述3D模型的優化樹；以及<br/> 基於所述優化樹，渲染所述3D模型。
一種用於電子元件的處理機，其中<br/> 包括：<br/> 電子元件處理部，執行電子元件所需要的處理作業；<br/> 電子元件供應部，為所述電子元件處理部供應電子元件；及，<br/> 電子元件回收部，完成了針對透過所述電子元件供應部供應給所述電子元件處理部的電子元件的處理作業時把完成了處理作業的電子元件回收；<br/> 在配置於所述電子元件處理部、所述電子元件供應部及所述電子元件回收部而且和電子元件接觸的部件的金屬材質區表面的至少一部分塗裝了分佈著防靜電衝擊用物質的特定塗料，使得所述特定塗料設於所述電子元件與所述部件的所述金屬材質區表面之間，<br/> 在所述特定塗料還分佈著耐燃物質、非燃物質、耐化學性物質、耐熱物質及耐磨物質中的至少某一個。
如請求項1所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 所述部件構成驅使電子元件移動的移動要素，<br/> 所述特定塗料則塗裝在所述移動要素的金屬材質區的表面。
如請求項1所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 所述電子元件處理部所執行的處理作業是對電子元件的測試給予支援的作業，<br/> 電子元件在電子元件處理部以裝載於測試托盤的狀態和測試機進行電氣連接，<br/> 所述特定塗料還塗裝在配置於所述電子元件處理部、所述電子元件供應部及所述電子元件回收部中的某一個並移送測試托盤的移送要素上的金屬材質區的表面。
如請求項1所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 在所述特定塗料還分佈著耐燃物質、非燃物質、耐熱物質及耐磨物質中的至少某一個時，<br/> 在所述特定塗料還分佈著的耐燃物質、非燃物質、耐熱物質或耐磨物質的粒度大於所述防靜電衝擊用物質的粒度。
一種用於電子元件的處理機，其中<br/> 包括：<br/> 電子元件處理部，執行電子元件所需要的處理作業；<br/> 電子元件供應部，為所述電子元件處理部供應電子元件；及，<br/> 電子元件回收部，完成了針對透過所述電子元件供應部供應給所述電子元件處理部的電子元件的處理作業時把完成了處理作業的電子元件回收；<br/> 在配置於所述電子元件處理部、所述電子元件供應部及所述電子元件回收部而且和電子元件接觸的部件的金屬材質區表面的至少一部分塗裝了作為第一層的分佈著防靜電衝擊用物質的第一特定塗料，使得所述第一特定塗料與所述第二特定塗料設於所述電子元件與所述部件的所述金屬材質區表面之間，<br/> 在所述第一層的表面上塗裝了作為第二層的分佈著耐燃物質、非燃物質、耐化學性物質、耐熱物質及耐磨物質中至少某一個的第二特定塗料。
如請求項5所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 所述部件構成驅使電子元件移動的移動要素，<br/> 所述第一特定塗料與所述第二特定塗料塗裝在所述移動要素的金屬材質區的表面。
如請求項5所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 所述電子元件處理部所執行的處理作業是對電子元件的測試給予支援的作業，<br/> 電子元件在電子元件處理部以裝載於測試托盤的狀態和測試機進行電氣連接，<br/> 所述第一特定塗料與所述第二特定塗料還塗裝在配置於所述電子元件處理部、所述電子元件供應部及所述電子元件回收部中的某一個並移送測試托盤的移送要素上的金屬材質區的表面。
如請求項1或請求項5所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 所述部件是裝載電子元件的金屬材質裝載要素。
如請求項1或請求項5所述用於電子元件的處理機，其中<br/> 塗裝以浸漬方式實現。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>記憶胞陣列，其能夠記憶資料； <br/>資料保持部，其暫時保持自上述記憶胞陣列讀出之上述資料； <br/>第1端子，其用於對外部之記憶體控制器發送上述資料而設置； <br/>第2端子，其用於接收上述記憶體控制器發送之讀出控制信號而設置； <br/>第1電源電壓輸入端子，其用於接收第1電壓而設置； <br/>第2電源電壓輸入端子，其用於接收較上述第1電壓低之第2電壓而設置； <br/>資料傳輸電路，其設置於上述資料保持部與上述第1端子之間，將上述資料保持部中保持之上述資料傳輸至上述第1端子； <br/>開關元件，其能夠控制上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子之連接或切斷；及 <br/>控制部，其控制上述資料傳輸電路與上述開關元件；且 <br/>上述控制部， <br/>當自上述記憶體控制器指示第1動作時，使上述資料傳輸電路傳輸上述資料保持部中保持之上述資料， <br/>於上述資料傳輸電路傳輸上述資料後未從上述記憶體控制器接收上述讀出控制信號而經過預定時間時，藉由上述開關元件而將上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子切斷， <br/>上述預定時間能夠根據來自上述記憶體控制器之指示而變更。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述開關元件設置於上述資料傳輸電路與上述第2電源電壓輸入端子之間。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而具備儲存上述預定時間之設定值之暫存器， <br/>上述控制部自上述暫存器讀入上述預定時間之上述設定值。
如請求項3之半導體記憶裝置，其中上述暫存器中儲存之上述預定時間之上述設定值根據來自上述記憶體控制器之上述指示而更新。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述預定時間能夠於初始值與能夠由使用者設定之設定值之間變更。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而具備儲存上述預定時間之複數個設定值之暫存器， <br/>上述預定時間能夠從上述複數個設定值中選擇。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述控制部根據自上述記憶體控制器發送之預定指令來變更上述預定時間。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述資料傳輸電路包含輸入輸出電路， <br/>該輸入輸出電路能夠經由上述第1端子向上述記憶體控制器發送上述資料。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述資料傳輸電路包含FIFO電路， <br/>該FIFO電路根據自上述資料保持部傳輸之上述資料來進行先進先出之動作。
如請求項1之半導體記憶裝置，其進而具備監視上述資料傳輸電路之動作狀態之監視部， <br/>上述控制部根據上述資料傳輸電路之動作狀態來運算上述預定時間之推薦值。
如請求項10之半導體記憶裝置，其中上述控制部將上述推薦值輸出至上述記憶體控制器。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述第1動作係讀出動作， <br/>上述控制部， <br/>當自上述記憶體控制器指示上述讀出動作時，自上述記憶胞陣列讀出上述資料並使其保持在上述資料保持部中，又使上述資料傳輸電路傳輸上述資料保持部中保持之上述資料， <br/>於上述資料傳輸電路傳輸上述資料後未從上述記憶體控制器接收上述讀出控制信號而經過上述預定時間時，藉由上述開關元件而將上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子切斷。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中上述第1動作係資料輸出動作， <br/>上述控制部， <br/>當自上述記憶體控制器指示上述資料輸出動作時，使上述資料傳輸電路傳輸上述資料保持部中保持之上述資料， <br/>於上述資料傳輸電路傳輸上述資料後未從上述記憶體控制器接收上述讀出控制信號而經過上述預定時間時，藉由上述開關元件而將上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子切斷。
一種記憶體系統，其具備： <br/>如請求項11之半導體記憶裝置；及 <br/>記憶體控制器，其根據來自主機之要求來控制上述半導體記憶裝置； <br/>上述記憶體控制器將上述推薦值輸出至上述主機。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>記憶胞陣列，其能夠記憶資料； <br/>第1端子，其用於對外部之記憶體控制器發送上述資料而設置； <br/>第1電源電壓輸入端子，其用於接收第1電壓而設置； <br/>第2電源電壓輸入端子，其用於接收較上述第1電壓低之第2電壓而設置； <br/>資料傳輸電路，其設置於上述記憶胞陣列與上述第1端子之間，將上述資料傳輸至上述第1端子； <br/>開關元件，其能夠控制上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子之連接或切斷；及 <br/>控制部，其控制上述資料傳輸電路與上述開關元件； <br/>上述控制部， <br/>於將上述資料傳輸至上述資料傳輸電路之後，於預定時間，未從上述資料傳輸電路向上述記憶體控制器輸出上述資料時，藉由上述開關元件而將上述資料傳輸電路與上述第1電源電壓輸入端子或上述第2電源電壓輸入端子切斷， <br/>上述預定時間能夠根據來自上述記憶體控制器之指示而變更。
如請求項15之半導體記憶裝置，其進而具備儲存上述預定時間之設定值之暫存器， <br/>上述控制部從上述暫存器讀入上述預定時間之設定值， <br/>上述暫存器中儲存之上述預定時間之上述設定值根據來自上述記憶體控制器之上述指示而更新。
一種石墨減薄即時監控系統，其包括：<br/> 一控制模組；<br/> 一加工雷射模組，其與所述控制模組電性連接，所述加工雷射模組發射出一加工雷射以對放置在一載板上的一石墨材料層進行一減薄處理；<br/> 一光學模組，其與所述控制模組電性連接，所述光學模組包括一光發射部及一光接收部，在所述減薄處理的過程中，所述光發射部對所述石墨材料層發射一光源，且所述光源從所述石墨材料層反射而得到一第一光訊號，所述光接收部接收所述第一光訊號，並提供一光譜；以及<br/> 一影像分析模組，其與所述控制模組電性連接，所述影像分析模組分析所述光譜，並得到一光學結果；<br/> 其中，所述控制模組根據所述光學結果控制所述加工雷射模組；<br/> 其中，所述石墨減薄即時監控系統還進一步包括發出一烤乾雷射的一烤乾雷射模組。
如請求項1所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述光接收部包括一第一光接收單元及一第二光接收單元，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元分別設置在所述載板的上下兩側，所述第一光接收單元接收所述第一光訊號，所述第二光接收單元接收穿過所述石墨材料層的一第二光訊號。
如請求項1所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述光接收部接收光譜範圍為300 nm至2500 nm，其中，所述光譜為連續光譜。
如請求項2所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述光學結果為所述石墨材料層的圖案形狀、尺寸、厚度、組成、密度中的至少一者；<br/> 其中，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為光彈性感測器。
如請求項2所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述加工雷射模組還包括一加工雷射移動裝置，使所述加工雷射模組於一三維空間中移動，所述光學模組還包括一光發射部移動裝置及一光接收部移動裝置，所述光發射部移動裝置使所述光發射部於所述三維空間中移動，所述光接收部移動裝置使所述光接收部於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述光發射部發出雷射掃描脈衝，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為雷射測振儀。
如請求項2所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述加工雷射的波長為300至2000nm，所述加工雷射的脈衝寬度為50至500 fs，所述加工雷射的脈衝能量為10 nJ至1000 µJ；<br/> 其中，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為光波前感測器。
如請求項1所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述烤乾雷射的波長為800至1000nm，所述烤乾雷射的脈衝寬度為0.1至100 ns，所述烤乾雷射的脈衝能量為10 nJ至1000 µJ。
如請求項1所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述加工雷射模組與所述烤乾雷射模組兩者中的一個藉由至少一光學元件以產生一線狀雷射或一面形雷射，所述線狀雷射及所述面形雷射兩者被擇一使用於預熱、粗略加工或精細加工或兩者相互配合以用於預熱、粗略加工或精細加工。
如請求項1所述之石墨減薄即時監控系統，其中，所述烤乾雷射模組及所述加工雷射模組被配置以整合成單一加工與烤乾用雷射模組。
一種石墨減薄即時監控方法，其包括：<br/> 將一石墨材料層放置於一載板上；<br/> 提供一加工雷射模組，所述加工雷射模組發射出一加工雷射以對一石墨材料層進行一減薄處理；<br/> 提供一光學模組，所述光學模組的一光發射部對所述石墨材料層發射一光源，使得所述光源從所述石墨材料層反射而得到一第一光訊號，並利用一光接收部接收所述第一光訊號，以得到一光譜；<br/> 提供一影像分析模組，所述影像分析模組分析所述光譜，以得到一光學結果；以及<br/> 提供一控制模組，所述控制模組根據所述光學結果控制所述加工雷射模組；<br/> 其中，所述石墨減薄即時監控方法還進一步包括提供發出一烤乾雷射的一烤乾雷射模組。
如請求項10所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述提供所述光學模組包括：在所述載板的上下兩側提供一第一光接收單元及一第二光接收單元，所述第一光接收單元接收所述第一光訊號，所述第二光接收單元接收穿過所述石墨材料層的一第二光訊號。
如請求項10所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述光接收部接收光譜範圍為300 nm至2500 nm，其中，所述光譜為連續光譜。
如請求項11所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述光學結果為所述石墨材料層的圖案形狀、尺寸、厚度、組成、密度中的至少一者；<br/> 其中，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為光彈性感測器。
如請求項11所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述加工雷射模組還包括一加工雷射移動裝置，使所述加工雷射模組於一三維空間中移動，所述光學模組還包括一光發射部移動裝置及一光接收部移動裝置，所述光發射部移動裝置使所述光發射部於所述三維空間中移動，所述光接收部移動裝置使所述光接收部於所述三維空間中移動；<br/> 其中，所述光發射部發出雷射掃描脈衝，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為雷射測振儀。
如請求項11所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述加工雷射的波長為300至2000nm，所述加工雷射的脈衝寬度為50至500 fs，所述加工雷射的脈衝能量為10 nJ至1000 µJ；<br/> 其中，所述第一光接收單元及所述第二光接收單元為光波前感測器。
如請求項10所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述烤乾雷射的波長為800至1000nm，所述烤乾雷射的脈衝寬度為0.1至100 ns，所述烤乾雷射的脈衝能量為10 nJ至1000 µJ。
如請求項10所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述加工雷射模組與所述烤乾雷射模組兩者中的一個藉由至少一光學元件以產生一線狀雷射或一面形雷射，所述線狀雷射及所述面形雷射兩者被擇一使用於預熱、粗略加工或精細加工或兩者相互配合以用於預熱、粗略加工或精細加工。
如請求項10所述的石墨減薄即時監控方法，其中，所述烤乾雷射模組及所述加工雷射模組被配置以整合成單一加工與烤乾用雷射模組。
一種預測胰臟癌患者預後指標的方法，包括：<br/> 提供一樣本，其中該樣本為一周邊血；<br/> 分離該樣本以獲得一待檢測物，其中該待檢測物包括一蛋白質或一血球；<br/> 檢測該待檢測物中的一參考參數，用以估計一胰臟癌患者預後指標，其中該參考參數為一血球細胞數或一由該待檢測物中的一特定蛋白質表現程度獲得的一發炎指標表現量，其中該發炎指標表現量包括白蛋白、C反應蛋白(C-Reactive protein)、血小板、白血球(white blood cell)、癌症抗原199(CA199)的表現量的至少一種或其組合；以及<br/> 結合該參考參數和一臨床表現並利用一Cox比例風險模型評估該胰臟癌患者預後指標，其中該臨床表現包括是否接受手術、收縮壓、舒張壓、病人健康問卷(PHQ-9) 的至少一種或其組合。
如請求項1所述預測胰臟癌患者預後指標的方法，其中該模型還包括單變量分析(Univariable Analysis)、多變量分析(Multivariable Analysis)的至少一種或其組合。
一種預測胰臟癌患者預後指標的方法，包括：<br/> 提供一樣本，其中該樣本為一周邊血；<br/> 分離該樣本以獲得一待檢測物，其中該待檢測物包括一基因位點、一蛋白質或一血球；<br/> 檢測該待檢測物中的一參考參數，用以估計一胰臟癌患者預後指標；以及<br/> 利用一Cox比例風險模型評估該胰臟癌患者預後指標；<br/> 其中該參考參數包括該基因位點的一單核苷酸多態性、一血球細胞數或一由該待檢測物中的一特定蛋白質表現程度獲得的一發炎指標表現量及一臨床表現的組合；<br/> 其中該基因位點的該單核苷酸多態性為偵測一目標基因位點的單核苷酸多態性，其中該基因位點包括rs2071171、rs4806909、rs10421131、rs1921的至少一種或其組合；以及<br/> 其中該由該待檢測物中的該特定蛋白質表現程度獲得的該發炎指標表現量為由該待檢測物中偵測一血球細胞數或一特定蛋白質表現程度，其中該發炎指標表現量包括白蛋白、C反應蛋白(C-Reactive protein)、血小板、白血球(white blood cell)、癌症抗原199(CA199)的表現量的至少一種或其組合；<br/> 其中該臨床表現包括是否接受手術、收縮壓、舒張壓、病人健康問卷(PHQ-9) 的至少一種或其組合。
如請求項3所述預測胰臟癌患者預後指標的方法，其中該周邊血包括血球細胞和血漿。
如請求項3所述預測胰臟癌患者預後指標的方法，其中該模型還包括基因風險分數(Genetic Risk Score)、單變量分析(Univariable Analysis)、多變量分析(Multivariable Analysis)、顯性模型(Dominant Model)、Lasso正規化迴歸(Least Absolute Shrinkage and Selection Operator)、Kaplan-Meier曲線(Kaplan-Meier Curve)、赤池訊息量準則(Akaike Information Criterion)及貝葉斯信息量準則(Bayesian Information Criterion) 的至少一種或其組合。
一種記憶體系統，其能夠連接於主機，且具備： <br/>非揮發性記憶體；及 <br/>記憶體控制器，其控制上述非揮發性記憶體； <br/>上述非揮發性記憶體記憶複數個設定檔資訊， <br/>上述設定檔資訊中之第1設定檔資訊包含第1參數， <br/>上述記憶體控制器於啟動序列之第1期間， <br/>根據上述第1參數來控制上述非揮發性記憶體， <br/>上述記憶體控制器於上述第1期間之後之第2期間，根據上述複數個設定檔資訊中之與上述第1設定檔資訊不同之第2設定檔資訊中所包含之第2參數來控制上述非揮發性記憶體。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述第2設定檔資訊根據上述記憶體控制器自上述主機接收到之資訊而於上述第2期間之前記憶。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器於上述第2期間，自上述主機接收第2指令， <br/>於接收到上述第2指令之情形下，使上述記憶體系統初始化，然後根據上述第2設定檔資訊來控制上述非揮發性記憶體。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器於上述第1期間，將旗標設定於上述非揮發性記憶體，該旗標指定上述第2期間中所使用之上述第2設定檔資訊， <br/>於上述第2期間，確認上述旗標，根據上述第2設定檔資訊來控制上述非揮發性記憶體。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>於上述第1期間中，上述記憶體控制器能夠對記憶引導程式及上述複數個設定檔資訊之上述非揮發性記憶體之第1區域進行存取，但是無法對記憶操作系統之上述非揮發性記憶體之第2區域進行存取， <br/>於上述第2期間中，上述記憶體控制器能夠對上述非揮發性記憶體之上述第1區域與上述非揮發性記憶體之上述第2區域這兩者進行存取。
如請求項1之記憶體系統，其中 <br/>上述第1設定檔資訊係：表示於上述第1期間中，對上述主機之介面以第1速度運行之資訊， <br/>上述第2設定檔資訊係：表示於上述第2期間中，對上述主機之介面以較上述第1速度快之第2速度運行之資訊。
一種記憶體系統，其能夠連接於主機，且具備： <br/>非揮發性記憶體；及 <br/>記憶體控制器，其控制上述非揮發性記憶體； <br/>上述非揮發性記憶體記憶複數個設定檔資訊， <br/>上述設定檔資訊中之第1設定檔資訊包含第1參數， <br/>上述記憶體控制器於啟動序列之第1期間， <br/>根據上述第1參數來控制上述非揮發性記憶體， <br/>上述記憶體控制器於上述第1期間，自上述主機接收第1指令， <br/>於接收到上述第1指令之情形下，使上述記憶體系統初始化，然後根據上述第1設定檔資訊來控制上述非揮發性記憶體。
一種記憶體系統，其能夠連接於主機，且具備： <br/>非揮發性記憶體；及 <br/>記憶體控制器，其控制上述非揮發性記憶體； <br/>上述非揮發性記憶體記憶： <br/>旗標，其指定第1編號或第2編號之設定檔編號； <br/>第1設定檔資訊，其包含於啟動序列中之第1期間供上述記憶體控制器參照之參數，且被分配上述第1編號；以及 <br/>第2設定檔資訊，其包含於上述第1期間之後之上述啟動序列中之第2期間供上述記憶體控制器參照之參數，且被分配上述第2編號； <br/>上述記憶體控制器於上述第1期間，執行以下動作：若自上述主機接收第1指令則使上述記憶體系統初始化；參照指定上述第1編號之上述旗標；根據上述第1設定檔資訊來設定與上述記憶體系統之處理相關之參數；及將上述設定檔編號自上述第1編號變更為上述第2編號。
如請求項8之記憶體系統，其中 <br/>上述非揮發性記憶體還具備第3設定檔資訊，該第3設定檔資訊包含於上述啟動序列中之與第2期間不同之第3期間供上述記憶體控制器參照之參數，且被分配第3編號， <br/>上述旗標係指定上述第1編號、上述第2編號、或上述第3編號之旗標， <br/>上述第2期間接續於上述第1期間而開始， <br/>上述記憶體控制器於上述第2期間中，若自上述主機接收第2指令則使上述記憶體系統初始化，確認上述旗標，根據上述第2設定檔資訊來控制上述非揮發性記憶體，將上述旗標變更為上述第3編號。
如請求項8之記憶體系統，其中 <br/>上述第3期間接續於上述第2期間而開始， <br/>上述記憶體控制器於上述第3期間中，若自上述主機接收第3指令則使上述記憶體系統初始化，確認上述旗標，根據上述第3設定檔資訊來控制上述非揮發性記憶體，將上述旗標變更為上述第1編號。
一種記憶體系統，其能夠連接於主機，且具備： <br/>非揮發性記憶體；及 <br/>記憶體控制器，其控制上述非揮發性記憶體； <br/>上述非揮發性記憶體記憶用於上述記憶體系統之啟動序列之複數個設定檔資訊， <br/>上述記憶體控制器 <br/>於自上述主機接收到第1指令之情形下，根據上述複數個設定檔資訊中之第1設定檔資訊來進行第1處理， <br/>於自上述主機接收到第2指令之情形下，根據上述複數個設定檔資訊中之與上述第1設定檔資訊不同之第2設定檔資訊來進行第2處理， <br/>於自上述主機接收到第3指令之情形下，根據上述複數個設定檔資訊中之與上述第1及上述第2設定檔資訊不同之第3設定檔資訊來進行第3處理， <br/>於上述第1、第2及第3處理之後，結束上述啟動序列。
如請求項11之記憶體系統，其中 <br/>上述記憶體控制器 <br/>於上述第1指令之後接收上述第2指令， <br/>於上述第2指令之後接收上述第3指令。
如請求項11之記憶體系統，其中 <br/>上述主機 <br/>於啟動時，執行上述啟動序列， <br/>於執行上述啟動序列之期間中之第1期間，將上述第1指令發送至上述記憶體系統， <br/>於接續於上述第1期間之上述第2期間，將上述第2指令發送至上述記憶體系統， <br/>於接續於上述第2期間之上述第3期間，將上述第3指令發送至上述記憶體系統。
一種兒童約束系統，包括：<br/> 一座椅本體，其包括分別位於兩側的兩個側翼，每側的所述側翼設置有至少兩個第一定位部件；和<br/> 一衝擊護體，其包括一護體本體和連接至所述護體本體的至少一個帶，其中所述至少一個帶選擇性地與所述至少兩個第一定位部件中的一者聯接。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述至少兩個第一定位部件佈置於所述座椅本體的不同高度上。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述衝擊護體包括兩個帶，所述兩個帶分別設置有第二定位部件；所述第二定位部件配置為選擇性地與對應側翼上的所述第一定位部件中的一者接合；其中，所述兩個帶分別從所述護體本體的兩側向外延伸。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述至少兩個第一定位部件沿著對應側的所述側翼的延伸方向間隔佈置，所述至少兩個第一定位部件設置在對應側的所述側翼的邊緣處。
根據請求項3所述的兒童約束系統，其中，各個所述第一定位部件包括一凹部和安裝在所述凹部中的一連接銷；所述第二定位部件包括一連接鉤，所述連接鉤配置為選擇性地與所述連接銷接合。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述衝擊護體配置有設置於所述護體本體的一帶調整機構。
根據請求項6所述的兒童約束系統，其中，所述帶調整機構包括：一卷收器，其安裝於所述護體本體並與所述至少一個帶連接；所述卷收器配置為對所述至少一個帶施加卷收力，當所述至少一個帶受到外界拉力時，所述卷收器適於被所述至少一個帶拉動而釋放所述至少一個帶。
根據請求項7所述的兒童約束系統，其中，所述帶調整機構還包括一鎖定裝置，所述鎖定裝置具有一鎖定狀態和一釋鎖狀態；在所述鎖定狀態，當所述至少一個帶受到所述外界拉力時，所述鎖定裝置限制所述卷收器釋放所述至少一個帶；在所述釋鎖狀態，所述鎖定裝置允許所述卷收器釋放所述至少一個帶。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述至少一個帶從所述護體本體的兩側向外延伸，使得所述至少一個帶和所述護體本體限定出環形結構，所述至少一個帶配置為在所述座椅本體的頂部上滑動。
根據請求項9所述的兒童約束系統，其中，所述至少兩個第一定位部件設置在對應側的所述側翼的外表面，所述帶可滑動地與對應側翼上的所述第一定位部件中的一者聯接。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，所述護體本體包括一上端和一下端；所述上端具有一頭靠部和位於所述頭靠部的兩側的兩個扶手部，所述兩個扶手部各形成有一凹部。
根據請求項1所述的兒童約束系統，其中，<br/> 所述護體本體是由減震材料製成的一體式結構；<br/> 所述護體本體的一頂部位於乘坐在所述座椅本體中的兒童的胸部區域的前面。
根據請求項12所述的兒童約束系統，其中，所述護體本體包括一上端和一下端，所述上端形成有一傾斜部，所述傾斜部朝向所述座椅本體的一背靠部。
根據請求項13所述的兒童約束系統，其中，所述傾斜部的一頂面向內凹陷。
根據請求項13所述的兒童約束系統，其中，所述護體本體的所述下端形成有一突出部，所述突出部朝著所述座椅本體的所述背靠部延伸。
一種積體電路結構，包含：<br/> 一光學中介層，具有多個光波導；<br/> 複數個晶片堆疊，安置於該光學中介層上方，該些晶片堆疊中的各者包括一第一光子積體電路晶片及該第一光子積體電路晶片上方之一記憶體晶片；及<br/> 複數個第一雷射源晶片，分別與該些晶片堆疊相鄰安置，其中該光學中介層中之該些光波導經組態為一光學互連結構，以通過該第一光子積體電路晶片與該記憶體晶片耦接。
如請求項1所述之積體電路結構，其中該光學中介層進一步包括多個導電特徵，該些導電特徵經組態為一電互連結構以與該記憶體晶片電耦合。
如請求項2所述之積體電路結構，其中<br/> 該光學中介層包括一基板；<br/> 該些光波導形成於該基板上且由矽或氮化矽製成；且<br/> 該些導電特徵形成於該基板上且由一金屬、一金屬合金或其一組合製成，其中該些光波導及該些導電特徵交織且獨立地耦接至該記憶體晶片。
如請求項3所述之積體電路結構，其中該些光波導包括用以將光導引至該第一光子積體電路晶片的多個橫向波導及多個水平波導。
一種積體電路結構，包含：<br/> 一光學中介層，具有多個光波導；<br/> 複數個記憶體晶片堆疊，安置於該光學中介層上方，該些記憶體晶片堆疊中的各者包括一第一光子積體電路晶片及安置於該第一光子積體電路晶片上方且接合至該第一光子積體電路晶片的一記憶體晶片；<br/> 複數個第一雷射源晶片，分別與該些記憶體晶片堆疊相鄰安置；<br/> 一記憶體輸入/輸出晶片堆疊，安置於該光學中介層上方，其中該記憶體輸入/輸出晶片堆疊包括一第二光子積體電路晶片及安置於該第二光子積體電路晶片上方且接合至該第二光子積體電路晶片的一記憶體輸入/輸出晶片；及<br/> 一第二雷射源晶片，與該記憶體輸入/輸出晶片堆疊相鄰安置，其中該光學中介層中的該些光波導用以通過該第一光子積體電路晶片及該第二光子積體電路晶片將該記憶體晶片與該記憶體輸入/輸出晶片耦接。
如請求項5所述之積體電路結構，其中<br/> 該光學中介層中的該些光波導經組態為一光學互連結構，以將該些波導與該第一光子積體電路晶片耦接；且<br/> 該第一光子積體電路晶片電耦合至該記憶體晶片。
如請求項5所述之積體電路結構，其中該光學中介層進一步包括多個導電特徵，該些導電特徵經組態為一電互連結構以與該記憶體晶片及該第一光子積體電路晶片電耦合以向其提供電力。
如請求項5所述之積體電路結構，進一步包含一光纖陣列單元，該光纖陣列單元附接至該記憶體輸入/輸出晶片且用以在光模式下提供多個輸入及輸出信號。
一種積體電路結構的製作方法，包含以下步驟：<br/> 在一第一基板上形成多個光子積體電路結構；<br/> 將多個記憶體晶片接合至形成於該第一基板上的該些光子積體電路結構；<br/> 鋸切該第一基板，從而導致多個記憶體晶片堆疊各自包括該些光子積體電路結構中的一者及該些記憶體晶片中的一者；<br/> 形成一光學中介層；及<br/> 將該些記憶體晶片堆疊及多個雷射源晶片接合於該光學中介層上以使得該些雷射源晶片中的一者與該些記憶體晶片堆疊中的一者相鄰。
如請求項9所述之方法，進一步包含以下步驟：<br/> 以使得一第二雷射源晶片與一記憶體輸入/輸出晶片堆疊相鄰的一組態將該記憶體輸入/輸出晶片堆疊及該第二雷射源晶片接合於該光學中介層上，該記憶體輸入/輸出晶片堆疊包括一第二光子積體電路晶片及接合至該第二光子積體電路晶片的一記憶體輸入/輸出晶片；<br/> 在該鋸切該第一基板之前填充該些記憶體晶片之間的間隙；及<br/> 將一光纖陣列單元附接至該記憶體輸入/輸出晶片堆疊。
一種化學增幅負型阻劑組成物，含有：<br/> (A)由下式(A)表示之鎓鹽構成的光酸產生劑，及<br/> (B)包含含有下式(B1)表示之重複單元之聚合物的基礎聚合物，<br/> 該(A)光酸產生劑的含量相對於該(B)基礎聚合物80質量份，為0.1~40質量份；<br/><img align="absmiddle" height="40px" width="162px" file="ed10172.jpg" alt="ed10172.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n1及n2分別獨立地為0~2之整數；n3在n2=0時為1~4之整數，在n2=1時為1~6之整數，在n2=2時為1~8之整數；n4在n2=0時為0~3之整數，在n2=1時為0~5之整數，在n2=2時為0~7之整數；惟，n3+n4在n2=0時為1~4，在n2=1時為1~6，在n2=2時為1~8；n5在n1=0時為1~5之整數，在n1=1時為1~7之整數，在n1=2時為1~9之整數；<br/> R<sup>1</sup>為碘原子或也可含有雜原子之分支狀或環狀之碳數3~20之烴基，且至少1個R<sup>1</sup>鍵結於和L<sup>A</sup>所鍵結的碳原子相鄰之碳原子；又，n5為2以上時，多個R<sup>1</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環；<br/> R<sup>2</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之烴基，且n4為2以上時，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環；<br/> R<sup>F1</sup>為氟原子、碳數1~6之氟化烷基、碳數1~6之氟化烷氧基或碳數1~6之氟化硫代烷氧基；<br/> L<sup>A</sup>及L<sup>B</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵；<br/> X<sup>L</sup>為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~40之伸烴基；<br/> Z<sup>+</sup>為鎓陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="64px" width="120px" file="ed10173.jpg" alt="ed10173.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，a1為0或1；a2為0、1或2；a3為符合0≦a3≦5+2(a2)-a4之整數；a4為1、2或3；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>11</sup>為鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基；<br/> A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該鎓鹽為下式(A1)表示者；<br/><img align="absmiddle" height="34px" width="128px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n3~n5、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>F1</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>、X<sup>L</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項2之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該鎓鹽為下式(A2)表示者；<br/><img align="absmiddle" height="32px" width="132px" file="ed10177.jpg" alt="ed10177.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，n5、R<sup>1</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>、X<sup>L</sup>及Z<sup>+</sup>和前述相同。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子；<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="101px" file="ed10179.jpg" alt="ed10179.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B2)表示之重複單元及下式(B3)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="194px" file="ed10181.jpg" alt="ed10181.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，b1為0或1；b2為0、1或2；b3為符合0≦b3≦5+2(b2)-b4之整數；b4為1、2或3；b5為0、1或2；b6為1或2；<br/> R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>12</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；<br/> R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之飽和烴基或碳數6~15之芳基，且該烴基也可被羥基或碳數1~6之飽和烴基氧基取代，且該芳基也可具有取代基；惟，R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>不會同時為氫原子；又，R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環，且該環之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-或-S-取代；<br/> R<sup>15</sup>為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；<br/> R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之飽和烴基或碳數6~15之芳基，且該烴基也可被羥基或碳數1~6之飽和烴基氧基取代，且該芳基也可具有取代基；惟，R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>不會同時為氫原子；又，R<sup>16</sup>及R<sup>17</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的碳原子一起形成環，且該環之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-或-S-取代；<br/> A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代；<br/> W<sup>1</sup>及W<sup>2</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~10之脂肪族烴基、碳數2~10之脂肪族烴基羰基或碳數6~15之芳基，且該芳基也可具有取代基。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B4)表示之重複單元、下式(B5)表示之重複單元及下式(B6)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="91px" width="190px" file="ed10183.jpg" alt="ed10183.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，c及d分別獨立地為0~4之整數；e1為0或1；e2為0、1或2；e3為0~5之整數；<br/> R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為羥基、鹵素原子、也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基、也可被鹵素原子取代之碳數1~8之飽和烴基氧基或也可被鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴基羰基氧基；<br/> R<sup>23</sup>為碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴基氧基、碳數2~20之飽和烴基羰基氧基、碳數2~20之飽和烴基氧基烴基、碳數2~20之飽和烴基硫代烴基、鹵素原子、硝基、氰基、碳數1~20之飽和烴基亞磺醯基或碳數1~20之飽和烴基磺醯基；<br/> A<sup>3</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，且該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被-O-取代。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(B7)表示之重複單元、下式(B8)表示之重複單元、下式(B9)表示之重複單元、下式(B10)表示之重複單元、下式(B11)表示之重複單元、下式(B12)表示之重複單元、下式(B13)表示之重複單元及下式(B14)表示之重複單元中之至少1種；<br/><img align="absmiddle" height="158px" width="211px" file="ed10185.jpg" alt="ed10185.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> Y<sup>1</sup>分別獨立地為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得的碳數7~18之基、或*-O-Y<sup>11</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>11</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>11</sup>-，且Y<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得的碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> Y<sup>2</sup>分別獨立地為單鍵或**-Y<sup>21</sup>-C(=O)-O-，且Y<sup>21</sup>為也可含有雜原子之碳數1~20之伸烴基；<br/> Y<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基、*-O-Y<sup>31</sup>-、*-C(=O)-O-Y<sup>31</sup>-或*-C(=O)-NH-Y<sup>31</sup>-；Y<sup>31</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基、被三氟甲基取代之伸苯基或將它們組合而得的碳數7~20之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；<br/> *為和主鏈之碳原子的原子鍵，**為和式中之氧原子的原子鍵；<br/> Y<sup>4</sup>分別獨立地為單鍵或也可含有雜原子之碳數1~30之伸烴基；<br/> f1及f2分別獨立地為0或1，惟Y<sup>4</sup>為單鍵時，f1及f2為0；<br/> R<sup>31</sup>~R<sup>48</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，R<sup>31</sup>及R<sup>32</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環，且R<sup>33</sup>及R<sup>34</sup>、R<sup>36</sup>及R<sup>37</sup>、或R<sup>39</sup>及R<sup>40</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結的硫原子一起形成環；<br/> R<sup>HF</sup>為氫原子或三氟甲基；<br/> Xa<sup>-</sup>為非親核性相對離子。
如請求項7之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該聚合物含有下式(B1-1)表示之重複單元、及下式(B2-1)、(B2-2)或(B3-1)表示之重複單元、及下式(B8)表示之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="134px" width="183px" file="ed10187.jpg" alt="ed10187.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，a4、b4、b6、R<sup>A</sup>、R<sup>B</sup>、Y<sup>2</sup>、R<sup>13</sup>、R<sup>14</sup>、R<sup>16</sup>、R<sup>17</sup>、R<sup>33</sup>、R<sup>34</sup>、R<sup>35</sup>及R<sup>HF</sup>和前述相同。
如請求項7之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(B)基礎聚合物更包含含有式(B1)表示之重複單元及式(B2)或(B3)表示之重複單元，且不含式(B7)~(B14)表示之重複單元的聚合物。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，其中，該基礎聚合物所包含的聚合物之全部重複單元中，具有芳香環骨架之重複單元的含有率為60莫耳%以上。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(C)交聯劑。
如請求項5之化學增幅負型阻劑組成物，其不含交聯劑。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(D)含有選自下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1種，且也可更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1種的含氟原子之聚合物；<br/><img align="absmiddle" height="143px" width="199px" file="ed10189.jpg" alt="ed10189.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，x為1~3之整數；y為符合0≦y≦5+2z-x之整數；z為0或1；g為1~3之整數；<br/> R<sup>C</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基；<br/> R<sup>D</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；<br/> R<sup>101</sup>、R<sup>102</sup>、R<sup>104</sup>及R<sup>105</sup>分別獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基；<br/> R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>分別獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不穩定基，且R<sup>103</sup>、R<sup>106</sup>、R<sup>107</sup>及R<sup>108</sup>為烴基或氟化烴基時，也可在碳-碳鍵間插入醚鍵或羰基；<br/> R<sup>109</sup>為氫原子或也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基；<br/> R<sup>110</sup>為也可在碳-碳鍵間插入有含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基；<br/> R<sup>111</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，且該飽和烴基之-CH<sub>2</sub>-的一部分也可被酯鍵或醚鍵取代；<br/> Z<sup>1</sup>為碳數1~20之(g+1)價之烴基或碳數1~20之(g+1)價之氟化烴基；<br/> Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-NH-；*為和主鏈之碳原子的原子鍵；<br/> Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(=O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(=O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵；<br/> *為和主鏈之碳原子的原子鍵。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(E)淬滅劑。
如請求項14之化學增幅負型阻劑組成物，其中，(A)酸產生劑相對於(E)淬滅劑之含有比率，以質量比計未達6。
如請求項1之化學增幅負型阻劑組成物，更含有(F)有機溶劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟：<br/> 使用如請求項1~16中任一項之化學增幅負型阻劑組成物於基板上形成阻劑膜，<br/> 使用高能射線對該阻劑膜照射圖案，及<br/> 使用鹼顯影液將已照射該圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為極紫外線或電子束。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板的最表面係由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種的材料構成。
如請求項17之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為透射型或反射型空白遮罩。
一種透射型或反射型空白遮罩，係將如請求項1~16中任一項之化學增幅負型阻劑組成物予以塗佈而成。
一種成形模，包括：第一模，具有形成被填充樹脂材料的模腔的凹部；第二模，與所述第一模相向配置並和所述第一模一起合模；可動銷用板，相對於所述第一模而設置於與所述第二模相反的一側，且固定有能夠在所述凹部內進退移動的可動銷；多個連結桿，相對於所述可動銷用板而設置於與所述第一模相反的一側，且一端部固定於所述可動銷用板；以及板驅動部，經由所述多個連結桿使所述可動銷用板移動以使所述可動銷在所述凹部內進退移動，且具有連結固定有所述多個連結桿的另一端部的可動板，所述多個連結桿在自合模方向觀察時在由所述第一模及所述第二模形成的樹脂成形區域的外側連結固定於所述可動銷用板，所述成形模，更包括多個距離規定構件，所述多個距離規定構件設置於所述可動板與所述可動銷用板之間、與所述多個連結桿不同的位置，且對所述可動板與所述可動銷用板的距離進行規定，所述多個距離規定構件抑制使所述可動銷進入所述凹部內時的、所述可動銷用板向與所述第一模相反的一側的撓曲，且所述多個距離規定構件設置於在自合模方向觀察時較所述多個連結桿更靠內側處，且連結固定於所述可動板，而未連結固定於所述可動銷用板。
如請求項1所述的成形模，其中，所述可動銷用板在自合模方向觀察時呈矩形形狀，所述多個連結桿連結固定於所述可動銷用板的相互對應的兩邊部。
如請求項1或2所述的成形模，其中，藉由使所述可動板移動，經由所述多個連結桿使所述可動銷用板移動。
如請求項1或2所述的成形模，其中，所述第一模具有形成於所述樹脂成形區域的外側的貫通孔，所述連結桿的一端部藉由連結構件經由所述第一模的所述貫通孔而自所述第一模的與所述第二模相向的面側連結固定於所述可動銷用板。
一種樹脂成形裝置，包括：如請求項1至4中任一項所述的成形模；以及合模機構，將所述成形模合模。
一種樹脂成形品的製造方法，是使用如請求項1至4中任一項所述的成形模來製造樹脂成形品的方法，所述樹脂成形品的製造方法具有：合模步驟，將所述第一模及所述第二模合模；以及樹脂成形步驟，將所述可動銷自突出至所述凹部的狀態切換為拉回的狀態而對成形對象物進行樹脂成形。
一種支架結構，包含：<br/>一支架，包含一容置孔；<br/>一彈片，設置於該支架的該容置孔中，該彈片包含一固定部、一連接部與一活動部，該連接部設置於該固定部與該活動部之間，該固定部連接該支架，其中該活動部包含一第一部分、一第二部分與一第三部分，該第一部分連接於該第二部分與該連接部之間，該第二部分連接於該第一部分與該第三部分之間，該第一部分與該第二部分之間的一夾角小於180<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第二部分與該第三部分之間的一夾角小於180<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，<br/>其中該彈片包含設置於該連接部的一導引元件，該導引元件凸出於該容置孔。
如請求項1所述之支架結構，其中該活動部相對於該支架係可移動的。
如請求項1所述之支架結構，其中該第一部分與該第二部分之間的該夾角小於90<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，該第二部分與該第三部分之間的一夾角小於90<img align="absmiddle" height="9px" width="3px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之支架結構，其中該彈片包含分別設置在該連接部的相對兩側的二個該導引元件，該些導引元件的每一者包含朝向該活動部傾斜的一斜面。
如請求項4所述之支架結構，其中該些導引元件凸出於該連接部且朝向該支架結構的外側延伸。
如請求項1所述之支架結構，其中該支架包含一第一限位結構，該第一限位結構設置於該容置孔的一第一邊緣且覆蓋該彈片的該固定部。
如請求項6所述之支架結構，其中該支架結構更包含一鎖固元件，該彈片的該固定部通過該鎖固元件固定於該第一限位結構。
如請求項7所述之支架結構，其中該彈片包含一卡合元件，該卡合元件設置於該彈片的該固定部且凸出於該固定部，該卡合元件覆蓋該第一限位結構。
如請求項1所述之支架結構，其中該支架包含一第二限位結構，該第二限位結構設置於該容置孔的一第二邊緣且覆蓋該彈片的該活動部。
如請求項9所述之支架結構，其中該第一部分與該第二部分形成一第一彎曲結構，該第一彎曲結構背對該第二限位結構彎曲。
如請求項9所述之支架結構，其中該第二部分與該第三部分形成一第二彎曲結構，該第二彎曲結構朝向該第二限位結構彎曲。
如請求項9所述之支架結構，其中該支架包含一支撐板與二側板，該些側板分別連接該支撐板的相對兩側邊，該支撐板與該些側板定義出一容置空間，該容置孔貫穿該支撐板且連接該容置空間，該第二限位結構朝向背對該容置空間的一方向凸出。
如請求項1所述之支架結構，其中該第三部分包含一凹部，該凹部的開口朝向該支架結構的外側。
如請求項1所述之支架結構，其中該支架係一體成型。
如請求項1所述之支架結構，其中該支架包含一卡合結構、一支撐板、二側板與二設備固定結構，該些側板分別連接該支撐板的一第一側邊與一第二側邊，該些設備固定結構分別連接該支撐板的一第三側邊與一第四側邊，該第一側邊相對於該第二側邊，該第三側邊相對於該第四側邊，該第一側邊不同於該第三側邊，該支撐板、該些側板與該些設備固定結構定義出一容置空間，該容置孔貫穿該支撐板且連接該容置空間，該卡合結構設置於該支撐板上，該支架結構用於組裝一電子設備於一架體上，該電子設備連接該些設備固定結構並設置於該容置空間中，該卡合結構穿過該架體的一孔洞。
一種支架結構，用以將一電子設備組裝於一架體上，包含：<br/>一支架，包含一容置孔與一限位結構，該支架具有一第一側與相對於該第一側的一第二側，該電子設備設置於該支架的該第一側，該支架的該第二側面向該架體，該限位結構跨設於該容置孔上且朝向該支架的該第二側凸出；以及<br/>一彈片，設置於該支架的該容置孔中，該彈片包含一固定部、一連接部與一活動部，該連接部用以連接該固定部與該活動部，該固定部連接該支架，該活動部至少包含一第一彎曲結構與一第二彎曲結構，該第一彎曲結構連接該連接部與該第二彎曲結構，該第一彎曲結構與該第二彎曲結構之開口以相反方向設置，該限位結構覆蓋該第二部分與該第三部分之間的該夾角。
一種濾光片切換器，包括：<br/>一殼體，所述殼體的一側端部開設有一驅動腔室，所述殼體與所述驅動腔室相反的一側開設有一濾光腔室；所述驅動腔室通過開設於所述殼體的一傳動孔與所述濾光腔室連通；<br/>一驅動組件，裝設於所述驅動腔室內；所述驅動組件包括一U型鐵塊、一線架及一線圈，所述U型鐵塊裝設於所述驅動腔室內，所述線架固定於所述U型鐵塊的一側邊，所述線圈裝設於所述線架；<br/>一濾光組件，裝設於所述濾光腔室內；及<br/>一傳動組件，係穿設於所述傳動孔內，且所述傳動組件的一端與所述驅動組件連接，所述傳動組件的另一端與所述濾光組件連接；<br/>其中，所述驅動腔室設有一第一仿形限位件，所述第一仿形限位件設於所述傳動孔兩側，且其形狀與所述U型鐵塊的開口一端形狀相適配，用以限位所述U型鐵塊的開口一端位置。
如請求項1所述的濾光片切換器，其中所述第一仿形限位件係由兩個半圓形結構構成圓弧形限位件的形狀可與所述U型鐵塊的開口一端呈圓弧的形狀相適配，以使所述U型鐵塊的開口一端限位於所述第一仿形限位件。
如請求項2 所述的濾光片切換器，其中所述驅動腔室還設有一定位板，所述定位板與所述傳動孔相對，所述定位板朝向所述濾光腔室一側固定連接有一定位軸，所述定位軸穿設於所述傳動孔。
如請求項3所述的濾光片切換器，其中所述傳動組件係包括一搖臂、一連接筒和一磁石，所述搖臂裝設於所述濾光腔室內，所述連接筒連接於所述搖臂朝向所述驅動腔室的一側並穿設於所述定位軸，所述磁石固定套設於所述連接筒外側並穿設於所述傳動孔內；所述U型鐵塊的開口一端呈圓弧形並套設於所述磁石外側；所述搖臂的另一端與所述濾光組件活動連接。
如請求項4所述的濾光片切換器，其中所述濾光腔室與所述驅動腔室相對的一端開設有一搖臂槽，所述搖臂槽呈扇形並以所述傳動孔為圓心，所述搖臂位於所述搖臂槽內。
如請求項4所述的濾光片切換器，其中所述濾光組件包括一移動片、一第一濾光片和一第二濾光片，所述移動片滑動覆蓋於所述濾光腔室並與所述濾光腔室的側壁之間具有一間隙；所述移動片開設有兩個並列的濾光孔，所述第一濾光片和所述第二濾光片分別安裝於兩個所述濾光孔；所述移動片的一端開設有一連接孔，所述搖臂的端部設有一連接塊，所述連接塊穿設於所述連接孔並用於帶動所述移動片移動。
如請求項6所述的濾光片切換器，其中所述濾光腔室通過一濾光蓋板密封，所述濾光蓋板的相對兩側與所述殼體的相對兩外壁扣合連接；所述濾光蓋板與所述殼體對應於所述第一濾光片或所述第二濾光片開設有一透光孔。
如請求項1所述的濾光片切換器，其中所述驅動腔室通過一驅動蓋板密封，所述驅動蓋板內扣於所述驅動腔室內壁。
如請求項8所述的濾光片切換器，其中所述驅動蓋板朝向所述驅動組件的一側設有一第二仿形限位件，所述第二仿形限位件與所述U型鐵塊的開口一端相對並與其形狀相適配。
一種具有式(II)之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽， <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="66px" file="ed10888.jpg" alt="ed10888.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為C<sub>1-6</sub>直鏈烷基； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所鍵結之原子共同形成視情況含有雙鍵之具有5至7個環原子之環； <br/>或R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所鍵結之原子共同形成含有NR<sup>7</sup>部分之具有6至8個環原子之環； <br/>R<sup>3</sup>為經鹵素取代之苯基； <br/>R<sup>7</sup>係選自由以下組成之群：H、C<sub>1-6</sub>直鏈烷基、COR<sup>8</sup>及CO<sub>2</sub>R<sup>9</sup>； <br/>R<sup>8</sup>係選自由以下組成之群：H、C<sub>1-6</sub>直鏈烷基、C<sub>3-7</sub>分支鏈烷基及C<sub>3-7</sub>環烷基； <br/>R<sup>9</sup>係選自由以下組成之群：C<sub>1-6</sub>直鏈烷基、C<sub>3-7</sub>分支鏈烷基及C<sub>3-7</sub>環烷基；且 <br/>n為2。
如請求項1之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中 <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為C<sub>1-6</sub>直鏈烷基。
如請求項2之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自為乙基且R<sup>3</sup>為4-F-苯基。
如請求項1之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所鍵結之原子共同形成視情況含有雙鍵之具有5至7個環原子之環。
如請求項4之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式(X)： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="69px" file="ed10889.jpg" alt="ed10889.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基。
如請求項4之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式(XI)： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="69px" file="ed10890.jpg" alt="ed10890.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基。
如請求項4之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式(VIII)： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="67px" file="ed10892.jpg" alt="ed10892.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基。
如請求項4之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式(IX)： <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="43px" file="ed10985.jpg" alt="ed10985.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基。
如請求項1之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>與其所鍵結之原子共同形成含有NR<sup>7</sup>部分之具有6至8個環原子之環。
如請求項9之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該化合物具有式(XXII)： <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="78px" file="ed10894.jpg" alt="ed10894.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項10之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基且R<sup>7</sup>為COMe。
如請求項10之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為4-Cl-苯基且R<sup>7</sup>為COMe。
如請求項10之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基且R<sup>7</sup>為CO<sub>2</sub>Me。
如請求項10之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中R<sup>3</sup>為4-F-苯基且R<sup>7</sup>為CO<sub>2</sub>tBu。
如請求項1至14中任一項之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該內醯胺之立體中心為R構形。
如請求項1至14中任一項之化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或醫藥學上可接受之鹽，其中該內醯胺之立體中心為S構形。
一種醫藥組成物，其包含有效量之如請求項15之至少一種化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或其醫藥學上可接受之鹽，其進一步包含至少一種賦形劑。
一種醫藥組成物，其包含有效量之如請求項16之至少一種化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或其醫藥學上可接受之鹽，其進一步包含至少一種賦形劑。
一種如請求項15之至少一種化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係製備用於治療與5-羥基色胺受體7活性失調相關之疾病的藥劑。
一種如請求項16至少一種化合物或其水合物、對映異構體、非對映異構體、或其醫藥學上可接受之鹽之用途，其係製備用於治療與5-羥基色胺受體7活性失調相關之疾病的藥劑。
如請求項19或20之用途，其中，該與5-羥基色胺受體7活性失調相關之疾病係選自由以下組成之群：晝夜節律紊亂、抑鬱、精神分裂症、神經性發炎、高血壓、周邊血管疾病、偏頭痛、神經痛、周邊神經痛、異常疼痛(allodynia)、體溫調節障礙、學習障礙、記憶障礙、海馬信號傳導障礙、睡眠障礙、注意力不足/過動症、焦慮、回避型人格障礙、早洩、進食障礙、經前期綜合徵、經前發音困難病症、季節性情緒失調症、躁鬱症、發炎性腸病(IBD)、腸道發炎、癲癇症、癲癇(seizure disorders)、藥物成癮、酒精成癮、乳癌、肝纖維化、慢性肝損傷、肝細胞癌、小腸神經內分泌腫瘤及肺損傷。
一種基板處理裝置，其係處理基板者，其特徵在於包含： <br/>處理槽，其儲存處理液； <br/>腔室，其收容前述處理槽； <br/>減壓泵，其將前述腔室內減壓； <br/>升降機，其一面保持基板，一面於前述腔室內使前述基板升降；及 <br/>開閉閥，其自前述處理槽排出前述處理液； <br/>溶劑供給部，其設置於前述腔室內，且配置於較形成於前述處理槽之上表面之開口更高之位置，又，於俯視下，自前述處理槽之外側向前述處理槽之內側供給霧狀及液滴狀中至少一種之溶劑；及 <br/>控制部；且 <br/>前述控制部進行溶劑供給動作，該溶劑供給動作係於前述基板浸漬於前述處理液時，令前述減壓泵使前述腔室內減壓，且自前述溶劑供給部供給霧狀及液滴狀中至少一種之前述溶劑； <br/>前述控制部於使前述腔室內減壓、且供給前述溶劑之溶劑供給狀態時，使前述升降機自前述處理槽內之前述處理液中取出前述基板，之後，藉由打開前述開閉閥，而自前述處理槽排出前述處理液； <br/>前述控制部進行基板升降動作，該基板升降動作係於前述溶劑供給狀態時，令前述升降機使前述基板下降至未儲存前述處理液之前述處理槽內之位置，依預設之下待機時間，令前述升降機使前述基板於前述處理槽內之位置待機，之後，令前述升降機使前述基板上升，依預設之上待機時間，令前述升降機使前述基板於前述基板上升後之位置待機；且 <br/>前述下待機時間較前述上待機時間長。
如請求項1之基板處理裝置，其中 <br/>將前述基板升降動作進行複數次。
一種基板處理裝置，其係處理基板者，其特徵在於包含： <br/>處理槽，其儲存處理液； <br/>腔室，其收容前述處理槽； <br/>減壓泵，其將前述腔室內減壓； <br/>升降機，其一面保持基板，一面於前述腔室內使前述基板升降；及 <br/>開閉閥，其自前述處理槽排出前述處理液； <br/>溶劑供給部，其設置於前述腔室內，且配置於較形成於前述處理槽之上表面之開口更高之位置，又，於俯視下，自前述處理槽之外側向前述處理槽之內側供給霧狀及液滴狀中至少一種之溶劑； <br/>撥水劑噴嘴，朝前述腔室內供給撥水劑蒸氣；及 <br/>控制部；且 <br/>前述控制部進行溶劑供給動作，該溶劑供給動作係於前述基板浸漬於前述處理液時，令前述減壓泵使前述腔室內減壓，且自前述溶劑供給部供給霧狀及液滴狀中至少一種之前述溶劑； <br/>前述控制部於使前述腔室內減壓、且供給前述溶劑之溶劑供給狀態時，使前述升降機自前述處理槽內之前述處理液中取出前述基板，之後，藉由打開前述開閉閥，而自前述處理槽排出前述處理液； <br/>前述控制部進行基板升降動作，該基板升降動作係於前述溶劑供給狀態時，令前述升降機使前述基板下降至未儲存前述處理液之前述處理槽內之位置，之後，令前述升降機使前述基板上升； <br/>前述控制部於進行前述基板升降動作之後且停止供給前述溶劑之後，自前述撥水劑噴嘴朝前述基板供給前述撥水劑蒸氣。
如請求項3之基板處理裝置，其中 <br/>前述控制部進行第2溶劑供給動作，該第2溶劑供給動作係於停止供給前述撥水劑蒸氣之後，令前述減壓泵使前述腔室內減壓，且自前述溶劑供給部供給霧狀及液滴狀中至少一種之溶劑。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>前述第2溶劑供給動作係於前述升降機使前述基板於未儲存前述處理液之前述處理槽內之位置待機時進行。
如請求項4之基板處理裝置，其中 <br/>前述控制部於進行前述第2溶劑供給動作時，令前述升降機使前述基板下降至前述處理槽內之位置，依預設之第2下待機時間，令前述升降機使前述基板於前述處理槽內之位置待機，之後，令前述升降機使前述基板上升，依預設之第2上待機時間，令前述升降機使前述基板於前述基板上升後之位置待機；且 <br/>前述第2下待機時間較前述第2上待機時間長。
一種基板處理方法，其特徵在於，其係用於基板處理裝置者，該基板處理裝置包含： <br/>處理槽，其儲存處理液； <br/>腔室，其收容前述處理槽； <br/>減壓泵，其將前述腔室內減壓； <br/>升降機，其一面保持基板，一面於前述腔室內使前述基板升降；及 <br/>開閉閥，其自前述處理槽排出前述處理液；且該基板處理方法包含： <br/>溶劑供給工序，其於前述基板浸漬於前述處理液時，令前述減壓泵使前述腔室內減壓，且自溶劑供給部供給霧狀及液滴狀中至少一種之溶劑； <br/>基板取出工序，其於使前述腔室內減壓、且供給前述溶劑之溶劑供給狀態時，使前述升降機自前述處理槽內之前述處理液中取出前述基板； <br/>處理液排出工序，其於前述溶劑供給狀態時、且於進行前述基板取出工序之後，藉由打開前述開閉閥，而自前述處理槽排出前述處理液；及 <br/>基板升降工序，其於前述溶劑供給狀態時，令前述升降機使前述基板下降至未儲存前述處理液之前述處理槽內之位置，依預設之下待機時間，令前述升降機使前述基板於前述處理槽內之位置待機，之後，令前述升降機使前述基板上升，依預設之上待機時間，令前述升降機使前述基板於前述基板上升後之位置待機；且 <br/>前述溶劑供給部設置於前述腔室內； <br/>前述溶劑供給部配置於較形成於前述處理槽之上表面之開口更高之位置，又，於俯視下，自前述處理槽之外側向前述處理槽之內側供給霧狀及液滴狀中至少一種之前述溶劑； <br/>前述下待機時間較前述上待機時間長。
一種接收器，其構成為：接收從發射器發送的發送資料，上述發射器分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 各個上述發射器具備加速度感測器，上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度、及上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器具備接收控制部，<br/> 上述接收控制部構成為：<br/> 判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 將上述發射器當中，具備上述Y軸方向的加速度的絕對值較大者的上述加速度感測器的發射器判定為安裝在前輪上。
一種接收器，其構成為：接收從發射器發送的發送資料，上述發射器分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 各個上述發射器具備加速度感測器，上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度、及上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器具備接收控制部，<br/> 上述接收控制部構成為：<br/> 判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 將上述發射器當中，具備上述Y軸方向的加速度的絕對值為前輪判定閾值以上的上述加速度感測器的發射器判定為安裝在前輪上。
一種接收器，其構成為：接收從發射器發送的發送資料，上述發射器分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 上述二輪車具有第1檢測部及第2檢測部，<br/> 上述第1檢測部構成為：檢測前輪的旋轉角度，<br/> 上述第2檢測部構成為：檢測後輪的旋轉角度，<br/> 各個上述發射器具備加速度感測器，上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度，<br/> 上述接收器具備接收控制部，<br/> 上述接收控制部構成為：<br/> 判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Z軸方向的加速度，<br/> 上述二輪車停車後，從上述第1檢測部來取得上述前輪的旋轉角度，<br/> 上述二輪車停車後，從上述第2檢測部來取得上述後輪的旋轉角度，<br/> 從上述前輪的旋轉角度及上述後輪的旋轉角度與上述Z軸方向的加速度之間匹配的映射圖來取得對應上述前輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度及對應上述後輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度，<br/> 當從上述發送資料所取得的上述Z軸方向的加速度與對應上述前輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度之間的差小於從上述發送資料所取得的上述Z軸方向的加速度與對應上述後輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度之間的差時，判定發送上述發送資料的上述發射器是安裝在上述前輪上，<br/> 當從上述發送資料所取得的上述Z軸方向的加速度與對應上述後輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度之間的差小於從上述發送資料所取得的上述Z軸方向的加速度與對應上述前輪的旋轉角度的上述Z軸方向的加速度之間的差時，判定發送上述發送資料的上述發射器是安裝在上述後輪上。
一種發射器，其分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 上述發射器具備加速度感測器及發送控制部，<br/> 上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度、及上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度，<br/> 上述發送控制部構成為：<br/> 當上述Z軸方向的加速度低於閾值時，檢測上述Y軸方向的加速度，<br/> 將包含上述Y軸方向的加速度的發送資料發送至接收器，藉此使上述接收器使用上述Y軸方向的加速度來判定各個上述發射器是安裝在上述車輪的哪一個車輪上。
一種發射器，其分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 上述發射器具備加速度感測器及發送控制部，<br/> 上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度、及上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度，<br/> 上述發送控制部構成為：<br/> 從上述Z軸方向的加速度來判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述加速度感測器來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 藉由判定上述Y軸方向的加速度的絕對值是否為前輪判定閾值以上，從而判定自身安裝的上述車輪是前輪還是後輪，並且將判定結果發送至接收器。
一種發射接收系統，其具備發射器及接收器，<br/> 上述發射器分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 上述接收器構成為：接收從上述發射器發送的發送資料，<br/> 各個上述發射器具備加速度感測器，上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度、及上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器具備接收控制部，<br/> 上述接收控制部構成為：<br/> 判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 將上述發射器當中，具備上述Y軸方向的加速度的絕對值較大者的上述加速度感測器的發射器判定為安裝在前輪上。
一種發射接收系統，其具備發射器及接收器，<br/> 上述發射器分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上，<br/> 上述接收器構成為：接收從上述發射器發送的發送資料，<br/> 各個上述發射器具備加速度感測器，上述加速度感測器構成為：檢測上述車輪的離心方向之Z軸方向的加速度、及上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器具備接收控制部，<br/> 上述接收控制部構成為：<br/> 判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 將上述發射器當中，具備上述Y軸方向的加速度的絕對值為前輪判定閾值以上的上述加速度感測器的發射器判定為安裝在前輪上。
一種輪胎位置判定方法，其藉由接收器來判定分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上的發射器各是安裝在上述2個車輪的哪一個車輪上，<br/> 上述輪胎位置判定方法包含以下步驟：<br/> 各個上述發射器將包含上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度的發送資料進行發送，<br/> 上述接收器接收上述發送資料，<br/> 上述接收器判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，上述接收器從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器將上述發射器當中，發送上述Y軸方向的加速度的絕對值較大者的上述發送資料的發射器判定為安裝在前輪上。
一種輪胎位置判定方法，其藉由接收器來判定分別安裝在二輪車所具備的2個車輪上的發射器各是安裝在上述2個車輪的哪一個車輪上，<br/> 上述輪胎位置判定方法包含以下步驟：<br/> 各個上述發射器將包含上述車輪的軸方向之Y軸方向的加速度的發送資料進行發送，<br/> 上述接收器接收上述發送資料，<br/> 上述接收器判定上述二輪車停車，<br/> 上述二輪車停車後，上述接收器從上述接收器所接收到的上述發送資料來取得上述Y軸方向的加速度，<br/> 上述接收器將上述發射器當中，發送上述Y軸方向的加速度的絕對值為前輪判定閾值以上的上述發送資料的發射器判定為安裝在前輪上。
一種製造聚合物的方法，包含：<br/> (S1) 將含有選自由一醚類溶劑和一非極性溶劑組成的群組中的一或多種溶劑和一烷氧基苯乙烯單體的一第一溶液和含有該溶劑和一陰離子聚合引發劑的一第二溶液注入至一第一微流反應器中的操作；<br/> (S2) 在注入有該第一溶液和該第二溶液的該第一微流反應器中，透過將該烷氧基苯乙烯單體進行一陰離子聚合，製造含有一非質子性聚合物的一第三溶液的操作；<br/> (S3) 將含有一去保護劑的一第四溶液注入至一第二微流反應器的操作，該第二微流反應器連接至該第一微流反應器的一後端且向該第二微流反應器中注入該第三溶液；以及<br/> (S4) 在注入有該第三溶液和該第四溶液的該第二微流反應器中進行該非質子聚合物的一去保護反應，製造含有一具有酚羥基的重複單元的質子聚合物的一第五溶液的操作，其中該微流反應器包含：<br/> 一主體，設置有至少一個入口孔和一出口孔，透過該入口孔引入一流體，透過該出口孔排出該流體；<br/> 一微通道，形成在該主體中連接該入口孔和該出口孔的一流動路徑；<br/> 多個微腔室，沿著該微通道的一延伸方向排列，並形成與該流動路徑連通的一內部空間；以及<br/> 一碰撞介質，設置在該內部空間中以與在該內部空間中傳輸的一流體碰撞並轉換在該內部空間中的該流體的流動。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該陰離子聚合在該醚類溶劑和該非極性溶劑的一共溶劑中進行。
如請求項2所述之製造聚合物的方法，其中，該共溶劑具有16至20的漢森溶解度參數。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該陰離子聚合引發劑為有機鹼金屬化合物。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該第一溶液或該第二溶液更包含一有機金屬，該有機金屬包含鎂、鋁或鋅作為金屬種類。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，更包含：<br/> 在操作(S2)之後和操作(S3)之前，<br/> (S2.5) 透過添加一聚合終止劑來終止聚合的操作。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該去保護劑選自由氫氯酸(HCl)、氫溴酸(HBr)、硫酸、硝酸、三氟乙酸(TFA)、甲磺酸(MsOH)、對甲苯磺酸(pTSA)、三甲基氯矽烷(TMSCl)組成的群組中的至少一種。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該具有酚羥基的重複單元的質子聚合物的多分散性為1.1以下。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該流動路徑的溫度為-80至60°C。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，在該主體的沿該流動路徑延伸方向的一個平面上，<br/> 該微腔室的該內部空間形成為使得其寬度基於該流體的一流動方向從後到前逐漸增大，但是與一前側微通道連接的一前側連接部向內引出，且<br/> 該內部空間的一內表面為曲面。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該碰撞介質具有在該主體形成的一個平面上沿著與該流體的一流動方向垂直的方向延伸但是向後彎曲的長度，且該內部空間包含：<br/> 一分支部，在該分支部中，被該碰撞介質碰撞的該流體沿著該碰撞介質的長度方向的兩端部雙向流動；以及<br/> 一匯流部，在該匯流部中，在該碰撞介質的兩個方向流動的該流體再次朝一個方向流動。
如請求項11所述之製造聚合物的方法，其中，由該分支部形成的該流動路徑的直徑L<sub>1</sub>和由該匯流部形成的該流動路徑的直徑L<sub>2</sub>滿足以下方程式1，<br/> [方程式1]<br/> 1 ＜ (L<sub>2</sub>/L<sub>1</sub>) ＜ 3<br/> 其中，L<sub>1</sub>和L<sub>2</sub>是沿著連接相鄰該微通道中連接到一前側微通道的一前側連接部和一連接到後側微通道的一後側連接部的一虛擬中心線測量的。
如請求項11所述之製造聚合物的方法，其中，該微通道形成的該流動路徑的內徑R<sub>1</sub>和該碰撞介質的一縱向上的兩端部之間的最短距離D<sub>1</sub>滿足以下方程式2，<br/> [方程式2]<br/> 3 ＜ D<sub>1</sub>/R<sub>1</sub> ＜ 15。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該微通道包含：<br/> 一入口通道，連接設置在該流動路徑中該流體的一流動方向上最前端的該微腔室和該入口孔；<br/> 一連接通道，連接彼此相鄰的該微腔室；以及<br/> 一出口通道，連接設置在該流動路徑中該流體的該流動方向上最後端的該微腔室和該出口孔。
如請求項14所述之製造聚合物的方法，其中，該入口通道和該連接通道中的至少一個通道的後端處的流動路徑的內徑逐漸減少。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該流體的線速度為0.1m/s至1m/s。
如請求項1所述之製造聚合物的方法，其中，該非極性溶劑包含C5-C8烷烴基的溶劑。
一種鋼板的冷軋方法，使用預測冷軋機的工作輥與鋼板之間的摩擦係數的預測模型，對將鋼板冷軋時的所述冷軋機的機架中的輥周速進行控制，藉此將鋼板冷軋，所述鋼板的冷軋方法中， <br/>所述預測模型是將過去對鋼板進行冷軋時的軋製實績資料作為說明變數、將摩擦係數的推定值作為目的變數而生成， <br/>所述軋製實績資料中包含鋼板的變形阻力及工作輥直徑， <br/>所述鋼板的冷軋方法包括如下步驟：藉由將作為軋製對象的鋼板的軋製條件輸入至所述預測模型中而連續地預測冷軋機的工作輥與鋼板之間的摩擦係數，基於所預測的摩擦係數的變化，對所述冷軋機的輥周速進行控制， <br/>其中所述鋼板的板厚偏差在正負5 μm以內。
一種冷軋鋼板的製造方法，包括使用如請求項1所述的鋼板的冷軋方法將鋼板冷軋的步驟。
一種冷軋鋼板的製造設備，包括： <br/>冷軋機，將鋼板冷軋；以及 <br/>控制裝置，對所述冷軋機的輥周速的控制量進行控制， <br/>所述控制裝置使用預測冷軋機的工作輥與鋼板之間的摩擦係數的預測模型，對將鋼板冷軋時的所述冷軋機的機架中的輥周速進行控制， <br/>所述預測模型是將過去對鋼板進行冷軋時的軋製實績資料作為說明變數、將摩擦係數的推定值作為目的變數而生成， <br/>所述軋製實績資料中包含鋼板的變形阻力及工作輥直徑， <br/>所述控制裝置構成為：藉由將作為軋製對象的鋼板的軋製條件輸入至所述預測模型中而連續地預測冷軋機的工作輥與鋼板之間的摩擦係數，基於所預測的摩擦係數的變化，對所述冷軋機的輥周速進行控制， <br/>其中所述鋼板的板厚偏差在正負5 μm以內。
一種橋接式開關，包含： 一第一插設端，用以插設於一第一匯流排； <br/>一第二插設端，用以插設於一第二匯流排；以及 <br/>一開關構件，該開關構件的一第一側電性耦接至該第一插設端，且該開關構件的一第二側電性耦接至該第二插設端；其中該開關構件包括一開關單元，該開關單元用以控制該第一側及該第二側之間的電性導通； <br/>其中該開關單元根據一控制指令於一導通狀態或一不導通狀態之間切換，以控制該第一側及該第二側之間的電性導通。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該開關構件還包括一控制單元，該控制單元耦接該開關單元並用以提供該控制指令。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該開關構件還包括一通訊單元，該通訊單元耦接該開關單元並用以經由無線傳輸接收提供該控制指令的訊號。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該開關單元選自空氣斷路器或塑殼斷路器。
如請求項1所述之橋接式開關，還包含一殼體；該開關構件設置於該殼體內，該第一插設端與該第二插設端設置於該殼體外且於該殼體的一第一面上。
如請求項5所述之橋接式開關，其中該第一面上具有根據該第一匯流排或該第二匯流排的結構設置的至少一導引安裝結構。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該第一插設端具有一第一相電源端、一第二相電源端以及一第三相電源端；其中該第一相電源端經由一第一導體路徑耦接至該開關構件、該第二相電源端經由一第二導體路徑耦接至該開關構件以及該第三相電源端經由一第三導體路徑耦接至該開關構件。
如請求項1所述之橋接式開關，還包含耦接至該開關構件的一電表模組，該電表模組用以呈現通過該開關構件的電量數據。
如請求項1所述之橋接式開關，還包含耦接至該開關構件的至少一指示器模組，該至少一指示器模組用以指示該開關構件是否自該第一插設端接收來自該第一匯流排的電源。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該第一插設端與該開關構件的該第一側係經由至少一導體片電性耦接。
如請求項10所述之橋接式開關，還包含設置於該至少一導體片外的一密封殼。
如請求項11所述之橋接式開關，該密封殼與該至少一導體片之間設有一填充固化物。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該第一插設端進一步被設置為複數個第一插設端，該複數個第一插設端的每一者分別對應至該第一匯流排的複數插槽。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該第一插設端經配置以允許在該第一匯流排未斷電時插設於該第一匯流排，且該第二插設端經配置以允許在該第二匯流排未斷電時插設於該第二匯流排。
如請求項1所述之橋接式開關，其中該第一插設端具有一定磅螺絲，該定磅螺絲經配置以調整該第一插設端的導體片之間的間距。
一種遊戲裝置，以將一遊戲空間內的一獎品移動至一獎品取出空間，該遊戲裝置包括： <br/>一操作部，接收來自一玩家的一操作輸入； <br/>一遊戲區域，以放置該獎品；以及 <br/>一移動機構，具有一獎品握持部，用於握持該獎品，該移動機構根據該操作輸入移動該獎品握持部； <br/>其中，該遊戲區域，於指定的一觸發器被啟動時，使該遊戲空間與該獎品取出空間連通，且該獎品移動至該獎品取出空間。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，該移動機構設置於該遊戲區域的附近。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，該移動機構具有一驅動部、一支撐部及一可動部，該驅動部設置於該遊戲區域的附近，該支撐部與該驅動部連接，並沿一垂直方向設置，該可動部沿著該支撐部移動，自該支撐部凸出地設置。
如請求項3所述之遊戲裝置，其中，該可動部於與該垂直方向正交的一水平方向上延伸，並朝向該遊戲區域設置。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，該獎品握持部以與一垂直方向平行之軸為中心旋轉。
如請求項3所述之遊戲裝置，其中，該獎品握持部設置於該可動部的前端。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，該遊戲區域透過滑動形成一開口。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，該遊戲區域具有一輔助區域，沿著該遊戲區域的外緣設置。
如請求項8所述之遊戲裝置，其中，該輔助區域朝向該遊戲區域傾斜。
如請求項1所述之遊戲裝置，更包括一框體及一輸入部，該框體界定該遊戲空間及該獎品取出空間，該輸入部設置於該遊戲空間內的該框體的上表面，以接收來自該獎品握持部的輸入。
如請求項1所述之遊戲裝置，其中，指定之該觸發器，係為對該操作部的該操作輸入、於該獎品握持部抵達了指定的一位置時或，該獎品握持部對一輸入部的輸入。
一種遊戲裝置的動作控制方法，以將一遊戲空間內的一獎品移動至一獎品取出空間，該動作控制方法包括： <br/>一接收步驟，接收來自一玩家的一操作輸入； <br/>一下降步驟，根據該操作輸入將一獎品握持部下降； <br/>一握持步驟，透過該獎品握持部握持該獎品； <br/>一上升步驟，上升該獎品握持部； <br/>一連通步驟，當指定之一觸發器被啟動時，該遊戲空間與該獎品取出空間連通；以及 <br/>一解除步驟，透過該獎品握持部解除該獎品的握持。
一種遊戲程序，於一電腦執行將一遊戲空間內的一獎品移動至一獎品取出空間之一遊戲裝置的一動作控制方法，該遊戲程序包括： <br/>一操作輸入手段，接收來自一玩家的一操作輸入； <br/>一下降手段，根據該操作輸入將一獎品握持部下降； <br/>一握持手段，透過該獎品握持部握持該獎品； <br/>一上升手段，上升該獎品握持部； <br/>一連通手段，當指定之一觸發器被啟動時，該遊戲空間與該獎品取出空間連通；以及 <br/>一解除手段，透過該獎品握持部解除該獎品的握持。
一種握持裝置，用於握持一獎品，該握持裝置包括具有一第一驅動部的一本體及被設置於該本體下方的一旋轉體，其中： <br/>該本體，具有一滑環部，與該旋轉體連接； <br/>該旋轉體，具有一手臂單元，以握持該獎品； <br/>該旋轉體透過該第一驅動部的驅動，以該滑環部的一中心軸為中心旋轉。
如請求項1所述之握持裝置，其中，該旋轉體以該滑環部的一中心軸為中心360°旋轉。
如請求項1所述之握持裝置，其中，該手臂單元包含複數手臂單元，該複數手臂單元繞著該中心軸配置。
如請求項1所述之握持裝置，其中，該手臂單元包含一可動單元及一手臂部，該可動單元具有與該第一驅動部不同的一第二驅動部，該手臂部與該可動單元連接。
如請求項4所述之握持裝置，其中，該手臂部具有一照明裝置，該照明裝置自該手臂部之底端沿著前端配置。
如請求項4所述之握持裝置，其中，該手臂單元包含複數手臂單元，該複數手臂單元各自的該手臂部，透過該第二驅動部的驅動，以該手臂部的底端為中心獨立地旋轉。
一種移動機構，應用於一遊戲裝置，以將一遊戲空間內的一獎品經由一開口移動至一獎品取出空間，該移動機構包括： <br/>一驅動部； <br/>一支撐部，與該驅動部連接； <br/>一第一可動部，與該支撐部連接，並透過該驅動部的驅動可以沿著該支撐部移動；以及 <br/>一獎品握持部，設置於該第一可動部； <br/>其中，該支撐部沿著與該開口正交之一第一方向設置。
如請求項7所述之移動機構，其中，該移動機構設置於該開口的附近。
如請求項7所述之移動機構，其中，該第一可動部自該支撐部於與該第一方向正交之一第二方向上延伸。
如請求項7所述之移動機構，其中，該第一可動部具有一容納部，以用於容納該獎品握持部，該容納部位於該開口的正上方。
如請求項9所述之移動機構，更包括一第二可動部，與該支撐部連接，並可以沿著該支撐部移動，該第二可動部，在該第二方向上，於與該第一可動部相反之方向上延伸。
如請求項7所述之移動機構，其中，該獎品握持部係為如請求項1至6任一項所述之握持裝置。
一種半導體的微凸塊的高度量測方法，包括下列步驟： <br/>一參考物和一待測物設置於一工作平台上，該參考物和該待測物的形狀皆為球形，該參考物的高度為H <sub>S</sub>，該待測物的高度為H，該參考物和該待測物皆為半導體的微凸塊； <br/>一第一光源的光線和一第二光源的光線同時被該參考物的頂部反射，一第一影像擷取單元藉由該第一光源的反射光擷取該參考物的頂部的影像，且一第二影像擷取單元藉由該第二光源的反射光擷取該參考物的頂部的影像；該第一光源的光線與通過該參考物的頂部的一水平面之間具有一第一角度，該第一光源的反射光與通過該參考物的頂部的該水平面之間具有一第二角度，該第一角度等於該第二角度； <br/>移動該工作平台或移動該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元； <br/>該第一光源的光線被該待測物的頂部反射，該第一影像擷取單元藉由該第一光源的反射光擷取該待測物的頂部的影像，且一感測單元感測到該工作平台的一第一移動距離或該第一光源和該第一影像擷取單元的一第一移動距離，該第一移動距離為d； <br/>該第二光源的光線被該待測物的頂部反射，該第二影像擷取單元藉由該第二光源的反射光擷取該待測物的頂部的影像，且該感測單元感測到該工作平台的一第二移動距離或該第二光源和該第二影像擷取單元的一第二移動距離，該第二移動距離為D；以及 <br/>當該第一移動距離等於該第二移動距離時，一處理單元判定該待測物的高度等於該參考物的高度並判斷出該待測物為良品；當該第一移動距離大於該第二移動距離時，該處理單元判定該待測物的高度大於該參考物的高度並判斷出該待測物為瑕疵品，藉由下列公式計算出該待測物的高度： <img align="absmiddle" height="9px" width="77px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <img align="absmiddle" height="9px" width="44px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中， <img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>等於該第一角度；當該第一移動距離小於該第二移動距離時，該處理單元判定該待測物的高度小於該參考物的高度並判斷出該待測物為瑕疵品，藉由下列公式計算出該待測物的高度： <img align="absmiddle" height="9px" width="77px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <img align="absmiddle" height="9px" width="44px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中， <img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>等於該第一角度。
如請求項1所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該第一光源的光線和該第二光源的光線同時被該參考物的頂部反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線、該第二光源的反射光與該參考物的一軸線重疊；其中，該第二光源的光線被該待測物的頂部反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線、該第二光源的反射光與該待測物的一軸線重疊。
如請求項1所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該第一光源的光線和該第二光源的光線同時被該參考物的頂部反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線與通過該參考物的頂部的該水平面之間具有一第三角度，該第二光源的反射光與通過該參考物的頂部的該水平面之間具有一第四角度，該第三角度等於該第四角度。
如請求項1所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，移動該工作平台或移動該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元的步驟進一步包括：該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元等速移動或該工作平台等速移動。
如請求項1所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該半導體的微凸塊為焊墊、銅柱、金屬共晶或金屬接點。
一種半導體的微凸塊的高度量測方法，包括下列步驟： <br/>一參考物和一待測物設置於一工作平台上，該參考物和該待測物的形狀皆為矩形，該參考物的高度為H <sub>S</sub>，該待測物的高度為H，該參考物和該待測物皆為半導體的微凸塊； <br/>一第一光源的光線和一第二光源的光線同時被該參考物的頂面反射，一第一影像擷取單元藉由該第一光源的反射光擷取該參考物的頂面的一第一端和一第二端的影像，一第二影像擷取單元藉由該第二光源的反射光擷取該參考物的頂面的該第一端和該第二端的影像，且一處理單元根據該參考物的頂面的該第一端和該第二端的影像計算出該參考物的頂面的該第一端和該第二端的一中點位置；該第一光源的光線與該參考物的頂面之間具有一第一角度，該第一光源的反射光與該參考物的頂面之間具有一第二角度，該第一角度等於該第二角度； <br/>移動該工作平台或移動該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元； <br/>該第一光源的光線被該待測物的頂面反射，該第一影像擷取單元藉由該第一光源的反射光擷取該待測物的頂面的一第一端和一第二端的影像，該處理單元根據該待測物的頂面的該第一端和該第二端的影像計算出該待測物的頂面的該第一端和該第二端的一中點位置，且一感測單元感測到該工作平台的一第一移動距離或該第一光源和該第一影像擷取單元的一第一移動距離，該第一移動距離為d； <br/>該第二光源的光線被該待測物的頂面反射，該第二影像擷取單元藉由該第二光源的反射光擷取該待測物的頂面的該第一端和該第二端的影像，該處理單元根據該待測物的頂面的該第一端和該第二端的影像計算出該待測物的頂面的該第一端和該第二端的該中點位置，且該感測單元感測到該工作平台的一第二移動距離或該第二光源和該第二影像擷取單元的一第二移動距離，該第二移動距離為D；以及 <br/>當該第一移動距離等於該第二移動距離時，該處理單元判定該待測物的高度等於該參考物的高度並判斷出該待測物為良品；當該第一移動距離大於該第二移動距離時，該處理單元判定該待測物的高度大於該參考物的高度並判斷出該待測物為瑕疵品，藉由下列公式計算出該待測物的高度： <img align="absmiddle" height="9px" width="77px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <img align="absmiddle" height="9px" width="44px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中， <img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>等於該第一角度；當該第一移動距離小於該第二移動距離時，該處理單元判定該待測物的高度小於該參考物的高度並判斷出該待測物為瑕疵品，藉由下列公式計算出該待測物的高度： <img align="absmiddle" height="9px" width="77px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <img align="absmiddle" height="9px" width="44px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中， <img align="absmiddle" height="9px" width="4px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>等於該第一角度。
如請求項6所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該第一光源的光線和該第二光源的光線同時被該參考物的頂面反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線、該第二光源的反射光與該參考物的一軸線重疊；其中，該第二光源的光線被該待測物的頂面反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線、該第二光源的反射光與該待測物的一軸線重疊。
如請求項6所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該第一光源的光線和該第二光源的光線同時被該參考物的頂面反射的步驟進一步包括：該第二光源的光線與該參考物的頂面之間具有一第三角度，該第二光源的反射光與該參考物的頂面之間具有一第四角度，該第三角度等於該第四角度。
如請求項6所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，移動該工作平台或移動該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元的步驟進一步包括：該第一光源、該第二光源、該第一影像擷取單元和該第二影像擷取單元等速移動或該工作平台等速移動。
如請求項6所述的半導體的微凸塊的高度量測方法，其中，該半導體的微凸塊為焊墊、銅柱、金屬共晶或金屬接點。
一種用於乾燥壓縮氣體的乾燥設備，包括配備有乾燥劑(5)或除濕劑的乾燥器(4)，該乾燥器配備有乾燥部分(6)和再生部分(7)，該乾燥部分具有用於待乾燥的壓縮氣體的入口(11)和用於已乾燥的壓縮氣體的出口(12)，該再生部分具有用於再生氣體的入口(13)和出口(14)，其中再生管線(15)連接到再生部分(7)的入口(13)，其中在乾燥部分(6)的出口(12)處提供分支管線(17)，該分支管線連接到再生管線(15)，用於在乾燥部分(6)的出口(12)處分支出再生氣體，其中壓力管線(10)連接到乾燥部分(6)的入口(11)，其中依次結合第一冷卻器(18)和第二冷卻器(19)，其特徵在於，第一冷卻器(18)借助於可調速的風扇(20)進行冷卻，並且第二冷卻器(19)借助於製冷機(21)進行冷卻，其中當製冷機(21)關閉時，基於計算出的在乾燥部分(6)的入口(11)處的氣體的溫度T1來控制風扇(20)，並且其中基於在乾燥部分(6)的入口(11)處的壓縮氣體的實際溫度T2來控制製冷機(21)。
根據請求項1所述的乾燥設備，其特徵在於，乾燥設備(3)配備有用於風扇(20)和製冷機(21)的控制器(29)，其中控制器(29)將基於T1控制風扇(20)，其中風扇(20)的速度隨著T1的增加而增加，並且其中製冷機(21)基於T2進行控制，其中當T2高於閾值T2_max時，製冷機(21)開啟，其中製冷機(21)的冷卻能力被選擇為使得T2保持等於閾值T2_max。
根據請求項2所述的乾燥設備，其特徵在於，當T2高於閾值T2_max並且風扇(20)以其最大速度運行時，製冷機(21)開啟。
根據前述請求項2或3中的任一項所述的乾燥設備，其特徵在於，當T2降至低於T2_max時，控制器(29)將關閉製冷機(21)，並且其中當T1低於降低特定值的T2_max時，控制器(29)將降低風扇(20)的速度。
根據請求項1的乾燥設備，其特徵在於，在再生管線(15)中提供熱交換器(16)，用於加熱再生氣體。
根據請求項5所述的乾燥設備，其特徵在於，所述熱交換器(16)使用待乾燥的壓縮氣體的壓縮熱來加熱再生氣體。
根據請求項1所述的乾燥設備，其特徵在於，回流管線(23)連接到再生部分(7)的出口(14)，其將再生部分(7)的出口連接到第二冷卻器(19)下游的壓力管線(10)上的點。
根據請求項7所述的乾燥設備，其特徵在於，第三冷卻器(25)和可選的液體分離器(26)被結合到所述回流管線(23)中，其中第三冷卻器(25)由所述風扇(20)進行冷卻。
根據請求項7或8所述的乾燥設備，其特徵在於，回流管線(23)經由文丘裡管(24)連接到壓力管線(10)。
根據請求項5所述的乾燥設備，其特徵在於，在壓力管線(10)中在第一冷卻器(18)的上游提供熱交換器(16)。
根據請求項1所述的乾燥設備，其特徵在於，第一冷卻器(18)和/或第二冷卻器(19)配備有液體分離器(26)。
根據請求項1所述的乾燥設備，其特徵在於，乾燥器(4)配備有殼體(27)，乾燥部分(6)和再生部分(7)位於殼體(27)內，其中在殼體(27)內佈置包含乾燥劑(5)的滾筒(28)，該滾筒(28)連接到驅動部件，使得乾燥劑(5)能夠依次移動通過乾燥部分(6)和再生部分(7)。
根據請求項1所述的乾燥設備，其特徵在於，乾燥器(4)包括多個填充有乾燥劑(5)的容器，其中至少一個容器形成乾燥部分(6)，並且至少一個容器形成再生部分(7)，其中乾燥器(4)還包括閥門系統，該閥門系統將出口管線(9)、再生管線(15)和可選的回流管線(23)以及分支管線(17)與所述容器連接，其中所述閥門系統使得至少一個容器始終再生，而其他容器乾燥壓縮氣體，其中通過控制閥門系統使每個容器依次再生。
一種壓縮機裝置，包括壓縮機(2)和根據前述請求項中的任一項所述的乾燥設備(3)。
一種使用乾燥設備(3)乾燥壓縮氣體的方法，該乾燥設備包括配備有乾燥劑(5)或除濕劑的乾燥器(4)，該乾燥器配備有乾燥部分(6)和再生部分(7)，該乾燥部分具有用於待乾燥的壓縮氣體的入口(11)和用於已乾燥的壓縮氣體的出口(12)，該再生部分具有用於再生氣體的入口(13)和出口(14)，其中再生管線(15)連接到再生部分(7)的入口(13)，其中在乾燥部分(6)的出口(9)處提供分支管線(17)，該分支管線連接到再生管線(15)，用於在乾燥部分(6)的出口(9)處分支出再生氣體，其中壓力管線(10)連接到乾燥部分(6)的入口(11)，其中依次結合第一冷卻器(18)和第二冷卻器(19)，其中第一冷卻器(18)借助於可調速的風扇(20)進行冷卻，並且第二冷卻器(19)借助於製冷機(21)進行冷卻，其特徵在於，所述方法包括以下步驟： a)當製冷機(21)關閉時，基於計算出的在乾燥部分(6)的入口(11)處的氣體的溫度T1來控制風扇(20)；<br/> b)基於在乾燥部分(6)的入口(11)處的壓縮氣體的實際溫度T2來控制製冷機(21)。
根據請求項15所述的方法，其特徵在於，步驟a包括以下子步驟：<br/> a1)當乾燥設備(3)開啟時，開啟風扇(20)；<br/> a2)隨著T1的增加，增加風扇(20)的速度；<br/> 並且步驟b包括以下子步驟：<br/> b1)當T2高於閾值T2_max時，開啟製冷機(21)；<br/> b2)控制製冷機(21)的冷卻能力，使得T2保持等於閾值T2_max。
根據請求項16所述的方法，其特徵在於，當T2高於閾值T2_max並且風扇(20)以其最大速度運行時，製冷機(21)開啟。
根據前述請求項15至17中的任一項所述的方法，其特徵在於，當T2降至低於T2_max時，控制器(29)將關閉製冷機(21)，並且其中當T1低於降低特定值的T2_max時，控制器將降低風扇(20)的速度。
一種用以提供頁面資訊之裝置，其包括：一個以上之處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其儲存有藉由上述一個以上之處理器而執行之命令；且 <br/>於執行上述命令時，上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>獲得用戶對電子商務服務之網頁之連接請求， <br/>基於上述用戶對上述電子商務服務之活動歷史，確定上述用戶對一個以上之第1優惠各者之優惠利用量， <br/>基於對上述一個以上之第1優惠各者之優惠利用量，確定上述一個以上之第1優惠中之優惠利用量為各優惠之臨界值以上之一個以上之第2優惠， <br/>基於上述用戶之活動歷史，算出上述用戶對上述一個以上之第2優惠各者之優惠敏感度， <br/>基於對上述一個以上之第2優惠各者之上述優惠敏感度，確定上述一個以上之第2優惠各者之優先級，藉由： <br/>確認與和上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠敏感度相關之第1臨界值及第2臨界值，其中，上述第1臨界值具有大於上述第2臨界值之值，及 <br/>對於一第2優惠，於對應之上述優惠敏感度之值大於上述第1臨界值，則賦予較高之優先級，或小於上述第2臨界值，則賦予較高之優先級， <br/>產生網頁資訊，該網頁資訊係用於以使上述網頁包括與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠利用量基於上述優先級而列出並顯示之資訊之方式呈現上述網頁，及 <br/>將上述網頁資訊傳輸至上述用戶之終端。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述用戶之用戶資訊，確定上述用戶是否為加入上述電子商務服務之會員資格之用戶， <br/>隨著確定為上述用戶係加入上述會員資格之用戶，確定上述用戶對上述一個以上之第1優惠各者之上述優惠利用量。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述用戶對上述一個以上之第2優惠各者之優惠利用量，確定上述一個以上之第2優惠各者之優先級； <br/>上述網頁資訊以如下之方式產生： <br/>包括使與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠利用量基於上述優先級而列出並顯示之資訊。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠敏感度，算出與上述一個以上之第2優惠整體對應之整體敏感度， <br/>基於上述整體敏感度而算出上述第1臨界值及上述第2臨界值。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成：於算出對上述一個以上之第2優惠各者之上述優惠敏感度時， <br/>基於上述用戶之檢索活動、頁面訪問歷史或購買歷史中之至少一者，算出對上述一個以上之第2優惠各者之上述優惠敏感度。
如請求項5之裝置，其中上述用戶之檢索活動包括對包括上述一個以上之第2優惠之商品之檢索活動及對與上述一個以上之第2優惠相關之資訊之檢索活動。
如請求項5之裝置，其中上述頁面訪問歷史包括與對與上述一個以上之第2優惠對應之頁面或與包括上述一個以上之第2優惠之商品相關之頁面之訪問頻率及訪問時間中之至少一部分相關之歷史。
如請求項5之裝置，其中上述一個以上之處理器以如下之方式構成： <br/>基於上述購買歷史中之對包括上述一個以上之第2優惠之商品之購買歷史之頻率而確定與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠敏感度。
如請求項1之裝置，其以如下之方式構成：基於上述用戶之活動歷史而算出對上述一個以上之第2優惠各者之用戶活動關聯度， <br/>基於對上述一個以上之第2優惠各者之上述用戶活動關聯度而確定上述一個以上之第2優惠各者之優先級； <br/>上述網頁資訊以如下之方式產生： <br/>包括使與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠利用量基於上述優先級而列出並顯示之資訊。
如請求項1之裝置，其中上述一個以上之處理器 <br/>基於對上述一個以上之第1優惠各者之優惠利用量，確定上述一個以上之第1優惠中之優惠利用量為未達上述各優惠之臨界值的一個以上之第3優惠， <br/>上述網頁資訊以如下之方式產生： <br/>包括使引導上述用戶利用上述一個以上之第3優惠之引導資訊顯示於上述網頁之資訊。
如請求項10之裝置，其中上述引導資訊 <br/>包括指示要對應於上述第3優惠而應用之附加優惠之資訊。
如請求項11之裝置，其中上述引導資訊 <br/>進而包括指示與上述附加優惠對應之期限之資訊。
如請求項10之裝置，其中上述引導資訊 <br/>包括如下之資訊：於用戶利用上述第3優惠之情形時，指示用戶對上述第3優惠之利用已完成。
如請求項13之裝置，其中上述引導資訊 <br/>包括如下之資訊：於為了使用戶利用上述第3優惠而應實行之用戶行動為複數個之情形時，指示基於上述複數個用戶行動各者是否完成而確認之對上述第3優惠之利用的進行完成程度。
一種用以提供頁面資訊之方法，上述方法係於包括一個以上之處理器及儲存有用以藉由上述一個以上之處理器而執行之命令之一個以上之記憶體的裝置中實行者，上述方法包括如下步驟： <br/>上述一個以上之處理器 <br/>獲得用戶對電子商務服務之網頁之連接請求； <br/>基於上述用戶對上述電子商務服務之活動歷史，確定上述用戶對一個以上之第1優惠各者之優惠利用量； <br/>基於對上述一個以上之第1優惠各者之優惠利用量，選擇上述一個以上之第1優惠中之優惠利用量為各優惠之臨界值以上之一個以上之第2優惠； <br/>基於上述用戶之活動歷史，算出上述用戶對上述一個以上之第2優惠各者之優惠敏感度； <br/>基於對上述一個以上之第2優惠各者之上述優惠敏感度，確定上述一個以上之第2優惠各者之優先級，藉由： <br/>確認與和上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠敏感度相關之第1臨界值及第2臨界值，其中，上述第1臨界值具有大於上述第2臨界值之值；及 <br/>對於一第2優惠，於對應之上述優惠敏感度之值大於上述第1臨界值，則賦予較高之優先級，或小於上述第2臨界值，則賦予較高之優先級； <br/>產生網頁資訊，該網頁資訊係用於以使上述網頁包括與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠利用量基於上述優先級而列出並顯示之資訊之方式呈現上述網頁；及 <br/>將上述網頁資訊傳輸至上述用戶之終端。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其係記錄於藉由一個以上之處理器而執行時使上述一個以上之處理器實行動作之命令者，且 <br/>上述命令以使上述一個以上之處理器執行包括如下步驟之方法之方式構成： <br/>獲得用戶對電子商務服務之網頁之連接請求； <br/>基於上述用戶對上述電子商務服務之活動歷史，確定上述用戶對一個以上之第1優惠各者之優惠利用量； <br/>基於對上述一個以上之第1優惠各者之優惠利用量，選擇上述一個以上之第1優惠中之優惠利用量為各優惠之臨界值以上之一個以上之第2優惠； <br/>基於上述用戶之活動歷史，算出上述用戶對上述一個以上之第2優惠各者之優惠敏感度； <br/>基於對上述一個以上之第2優惠各者之上述優惠敏感度，確定上述一個以上之第2優惠各者之優先級，藉由： <br/>確認與和上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠敏感度相關之第1臨界值及第2臨界值，其中，上述第1臨界值具有大於上述第2臨界值之值；及 <br/>對於一第2優惠，於對應之上述優惠敏感度之值大於上述第1臨界值，則賦予較高之優先級，或小於上述第2臨界值，則賦予較高之優先級； <br/>產生網頁資訊，該網頁資訊係用於以使上述網頁包括與上述一個以上之第2優惠各者對應之優惠利用量基於上述優先級而列出並顯示之資訊之方式呈現上述網頁；及 <br/>將上述網頁資訊傳輸至上述用戶之終端。
一種電源供應器，包含： <br/>一電源轉換單元，用以基於一輸入電源進行電源轉換並產生一輸出電流；其中，該電源轉換單元具有一電源輸出端，且該電源轉換單元從該電源輸出端輸出該輸出電流； <br/>一電流取樣電路，電性連接該電源轉換單元的該電源輸出端，用以取樣該輸出電流的一暫態變化，並據以產生反應該暫態變化幅度的一輸出電壓差異信號；以及 <br/>一信號比較單元，電性連接該電流取樣電路，接收該輸出電壓差異信號，並以一預設電壓值比較該輸出電壓差異信號； <br/>其中當該輸出電壓差異信號大於等於該預設電壓值時，該信號比較單元產生一動態補償指令； <br/>一電壓信號轉換單元，電性連接該電源轉換單元的該電源輸出端，並轉換該輸出電流為一輸出電壓信號； <br/>一電壓信號放大單元，電性連接該電壓信號轉換單元，放大該輸出電壓信號，以產生一放大輸出電壓信號； <br/>一電壓信號處理單元，電性連接該電壓信號放大單元，延遲該放大輸出電壓信號之變化，以產生一落後輸出電壓信號； <br/>一信號差異單元，電性連接該電壓信號放大單元及該電壓信號處理單元，接收及比較該放大輸出電壓信號以及該落後輸出電壓信號，以產生該輸出電壓差異信號提供給該信號比較單元；以及 <br/>一記憶單元，儲存及平均該放大輸出電壓信號之複數個放大輸出電壓值，以根據平均的該複數個放大輸出電壓值產生該落後輸出電壓信號之一落後輸出電壓平均值； <br/>其中該信號差異單元接收及比較該放大輸出電壓信號及該落後輸出電壓信號之該落後輸出電壓平均值，以產生該輸出電壓差異信號。
如請求項1所述之電源供應器，其中該電壓信號轉換單元包含一分流器電阻(shunt)或一霍爾感測元件(Hall sensor)。
如請求項1所述之電源供應器，其中該電壓信號放大單元包含一差動放大器或一非反向放大器。
如請求項1所述之電源供應器，其中該電壓信號處理單元包含一低通濾波器、一主動濾波器、一電阻電容濾波器或一數位濾波器，過濾該放大輸出電壓信號，以產生該落後輸出電壓信號。
如請求項4所述之電源供應器，其中該數位濾波器透過過濾該放大輸出電壓信號，以產生該落後輸出電壓信號之一穩態平均值； <br/>其中該信號差異單元比較該放大輸出電壓信號及該落後輸出電壓信號之該穩態平均值，以產生該輸出電壓差異信號。
如請求項1所述之電源供應器，其中該信號差異單元包含一差動放大器、一類比比較器或一數位比較器。
如請求項1所述之電源供應器，其中該信號比較單元包含一類比比較器、一史密特磁滯電路或一數位比較器。
如請求項1所述之電源供應器，其中該記憶單元以一預設取樣頻率儲存該複數個放大輸出電壓值。
一種電源供應器的控制方法，包含下列步驟： 藉由一電源轉換單元基於一輸入電源進行電源轉換並產生一輸出電流； <br/>藉由一電流取樣電路取樣該輸出電流的一暫態變化，並據以產生反應該暫態變化幅度的一輸出電壓差異信號；以及 <br/>藉由一信號比較單元接收該輸出電壓差異信號，並以一預設電壓值比較該輸出電壓差異信號； <br/>其中當該輸出電壓差異信號大於等於該預設電壓值時，該信號比較單元產生一動態補償指令； <br/>藉由一電壓信號轉換單元轉換該輸出電流為一輸出電壓信號； <br/>藉由一電壓信號放大單元放大該輸出電壓信號，以產生一放大輸出電壓信號； <br/>藉由一電壓信號處理單元延遲該放大輸出電壓信號之變化，以產生一落後輸出電壓信號； <br/>藉由一信號差異單元接收及比較該放大輸出電壓信號以及該落後輸出電壓信號，以產生該輸出電壓差異信號提供給該信號比較單元；以及 <br/>藉由一記憶單元儲存及平均該放大輸出電壓信號之複數個放大輸出電壓值，以根據平均的該複數個放大輸出電壓值產生該落後輸出電壓信號之一落後輸出電壓平均值； <br/>其中該信號差異單元接收及比較該放大輸出電壓信號及該落後輸出電壓信號之該落後輸出電壓平均值，以產生該輸出電壓差異信號。
一種配送管理方法，透過計算裝置執行，其中，包括如下步驟： <br/>接收使用者訂單； <br/>判斷該訂單是否是海外直購(overseas direct purchase)訂單； <br/>若該訂單是海外直購訂單，則基於針對海外直購訂單預設的標誌（flag）來管理該訂單的配送， <br/>管理該配送的步驟包括如下步驟: <br/>基於與退回之該訂單對應的商品，將預設為第一值的碼垛（palletizing）欄位值變更為第二值， <br/>其中該第一值對應該商品的類型，及 <br/>其中該第二值預設為對應該海外直購訂單中所包含之退回商品，無論該退回商品的該類型如何。
如請求項1所述之配送管理方法，其中， <br/>管理該配送的步驟包括如下步驟： <br/>在用於設置配送平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌。
如請求項1所述之配送管理方法，其中， <br/>管理該配送的步驟進一步包括如下步驟： <br/>根據該訂單的退回原因判斷是否需要回收商品； <br/>若需要回收該商品，則在用於設置退回平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌；及 <br/>設置用於廢棄該訂單對應的該商品的標誌。
如請求項3所述之配送管理方法，其中， <br/>用於廢棄該商品的該標誌是設為該第二值的該碼垛（palletizing）欄位值。
如請求項1所述之配送管理方法，其中， <br/>管理該配送的步驟進一步包括如下步驟： <br/>根據該訂單的退回原因判斷是否需要對該訂單進行重新配送；及 <br/>若需要對該訂單進行重新配送，則在用於設置重新配送平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌。
一種配送管理系統，包括： <br/>至少一個處理器；及 <br/>至少一個記憶體，存儲有當由該至少一個處理器運行時使得該至少一個處理器執行多個操作的指令（instruction）， <br/>該多個操作包括如下操作： <br/>接收使用者訂單； <br/>判斷該訂單是否是海外直購(overseas direct purchase)訂單； <br/>若該訂單是海外直購訂單，則基於針對海外直購訂單預設的標誌（flag）來管理該訂單的配送， <br/>管理該配送的操作包括如下操作: <br/>基於與退回之該訂單對應的商品，將預設為第一值的碼垛（palletizing）欄位值變更為第二值， <br/>其中該第一值對應該商品的類型，及 <br/>其中該第二值預設為對應該海外直購訂單中所包含之退回商品，無論該退回商品的該類型如何。
如請求項6所述之配送管理系統，其中， <br/>管理該配送的操作包括如下操作： <br/>在用於設置配送平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌。
如請求項6所述之配送管理系統，其中， <br/>管理該配送的操作進一步包括如下操作： <br/>根據該訂單的退回原因判斷是否需要回收商品； <br/>若需要回收該商品，則在用於設置退回平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌；及 <br/>設置用於廢棄該訂單對應的該商品的標誌。
如請求項8所述之配送管理系統，其中， <br/>用於廢棄該商品的該標誌是設為該第二值的該碼垛（palletizing）欄位值。
如請求項6所述之配送管理系統，其中， <br/>管理該配送的操作進一步包括如下操作： <br/>根據該訂單的退回原因判斷是否需要對該訂單進行重新配送； <br/>若需要對該訂單進行重新配送，則在用於設置重新配送平臺的欄位中設置針對該海外直購訂單預設的配送平臺標誌。
一種拖車之煞車系統，該拖車具有車體結構和滑動型聯結裝置，其中，滑動型聯結裝置具有連結座、滑動軸和固定座；其中，連結座連接滑動軸，滑動軸連接固定座，固定座連接車體結構；該煞車系統具有碟盤、制動裝置、流體管路、制動源、制動控制裝置、感測器和倒車訊號源；其中，制動裝置連接流體管路，流體管路連接制動源，制動源連接制動控制裝置，制動控制裝置連接感測器和倒車訊號源；其中，當曳引車輛向前行進並且加速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向前移動，並且倒車訊號源未輸出訊號時，制動控制裝置未驅動制動源，制動裝置未對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向前行進並且減速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向後移動，並且倒車訊號源未輸出訊號時，制動控制裝置驅動制動源，制動源經由流體管路輸送液體至制動裝置，制動裝置對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向後行進並且加速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向後移動，並且倒車訊號源輸出訊號時，制動控制裝置未驅動液壓泵，制動裝置未對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向後行進並且減速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向前移動，並且倒車訊號源輸出訊號時，制動控制裝置驅動制動源，制動源經由流體管路輸送液體至制動裝置，制動裝置對碟盤施加制動力。
一種拖車之煞車系統，該拖車具有車體結構和滑動型聯結裝置，其中，滑動型聯結裝置具有連結座、滑動軸和固定座；其中，連結座連接滑動軸，滑動軸連接固定座，固定座連接車體結構；該煞車系統具有碟盤、制動裝置、鋼索、致動裝置、制動控制裝置、感測器、倒車訊號源；其中，制動裝置連接鋼索，鋼索連接致動裝置，致動裝置連接制動控制裝置，制動控制裝置連接感測器和倒車訊號源；其中，當曳引車輛向前行進並且加速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向前移動，並且倒車訊號源未輸出訊號時，制動控制裝置未驅動致動裝置，制動裝置未對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向前行進並且減速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向後移動，並且倒車訊號源未輸出訊號時，制動控制裝置驅動致動裝置，致動裝置拉動鋼索帶動制動裝置，制動裝置對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向後行進並且加速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向後移動，並且倒車訊號源輸出訊號時，制動控制裝置未驅動致動裝置，制動裝置未對碟盤施加制動力；其中，當曳引車輛向後行進並且減速時，尤指感測器偵測滑動軸相對固定座進行向前移動，並且倒車訊號源輸出訊號時，制動控制裝置驅動致動裝置，致動裝置拉動鋼索帶動制動裝置，制動裝置對碟盤施加制動力。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，制動裝置為液壓分泵和制動摩擦片之組合、氣壓分泵和制動摩擦片之組合或鋼索和轂式煞車片之組合。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，制動源為液壓源或氣壓源。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，流體管路為油壓管路或氣壓管路。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，致動裝置為電動馬達或線性致動器等。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，感測器為接觸式感測器或非接觸式感測器。
如申請專利範圍第1項或第2項所述之拖車之煞車系統，其中，倒車訊號源為倒車檔位訊號或倒車燈訊號。
一種半導體裝置，包含:<br/> 一半導體基板，該半導體基板包含一第一鰭片及一第二鰭片；<br/> 一第一阱，位於該半導體基板中，其中該第一鰭片在該第一阱中，該第一阱摻雜有具有一第一導電類型的一第一摻雜物；<br/> 一第二阱，位於該半導體基板中，其中該第二鰭片在該第二阱中，該第二阱摻雜有具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型的一第二摻雜物；<br/> 一對準記號，位於該半導體基板中，其中該對準記號包含由一第一材料形成的一下部及不同於該第一材料的一第二材料形成的一上部，其中該第一材料選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組，且該第二材料不同於該第一材料，並選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組；以及<br/> 一隔絕層，位於該第一鰭片、該第二鰭片、該半導體基板及該對準記號上方。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一材料摻雜該第一摻雜物及該第二摻雜物。
如請求項1所述之半導體裝置，更包含延伸於該第一鰭片上方的一半導體通道區堆疊。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該對準記號具有在該半導體基板的一主上表面下方的一頂面。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該隔絕層延伸於該半導體基板的該主上表面下方。
一種半導體裝置的製造方法，包含:<br/> 在一半導體基板中形成一溝槽；<br/> 在該半導體基板上方形成一第一圖案化罩幕，其中該第一圖案化罩幕包含填充該溝槽的一第一材料，其中該第一材料選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組；<br/> 透過該第一圖案化罩幕植入一第一摻雜物以在該半導體基板中形成一第一阱，該第一摻雜物具有一第一導電類型；<br/> 移除在該半導體基板的一主上表面上方的該第一圖案化罩幕並部分地移除該溝槽中的該第一材料；<br/> 在該半導體基板上方形成一第二圖案化罩幕，其中該第二圖案化罩幕包含填充該溝槽並覆蓋該第一材料的一第二材料，其中該第二材料不同於該第一材料，並選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組；<br/> 透過該第二圖案化罩幕植入一第二摻雜物以在該半導體基板中形成一第二阱，該第二摻雜物具有不同於該第一導電類型的一第二導電類型；<br/> 在該第二阱形成後，移除該半導體基板的該主上表面上方的該第二圖案化罩幕，其中在移除該第二圖案化罩幕後，該第二材料的至少一部分殘留在該溝槽中；<br/> 蝕刻該半導體基板以形成一第一鰭片及一第二鰭片，其中該第一鰭片位於該第一阱，且該第二鰭片位於該第二阱；以及<br/> 在該半導體基板上方形成一隔絕層，其中該隔絕層沿著該第一鰭片的一側壁及該第二鰭片的一側壁並覆蓋該溝槽中的該第二材料。
如請求項6所述之方法，其中蝕刻該半導體基板以形成該第一鰭片及該第二鰭片包含蝕刻在該溝槽內的該第二材料的至少一部分。
如請求項7所述之方法，其中該隔絕層填充該溝槽且接觸該第二材料。
一種半導體裝置的製造方法，包含:<br/> 在一基板內形成一溝槽；<br/> 在該基板的一主上表面上方及該溝槽內形成一第一硬罩幕，其中該第一硬罩幕包含使該基板的一第一區域裸露的一第一開口，其中該第一硬罩幕包含一第一材料，且該第一材料選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組；<br/> 透過該第一硬罩幕的該第一開口進行一第一植入製程以在該第一區域形成一第一阱；<br/> 蝕刻該第一硬罩幕，同時保留該第一硬罩幕的一部分；<br/> 在該基板的該主上表面上方及在該溝槽內的該第一硬罩幕的該部分上方形成一第二硬罩幕，其中該第二硬罩幕包含一第二開口以使得該基板的一第二部分裸露，其中該第二硬罩幕包含一第二材料，該第二材料不同於該第一材料，並選自於氮化矽、氮氧化矽、碳化矽及以上的組合所組成的群組；<br/> 透過該第二硬罩幕的該第二開口進行一第二植入製程以在該基板中形成一第二阱，其中該第二阱與該第一阱相鄰，且該第二阱與該第一阱具有不同的導電類型；<br/> 蝕刻該第二硬罩幕以至少移除該主上表面上方的該第二硬罩幕；<br/> 沉積一第一磊晶層及一第二磊晶層交替的一堆疊於該基板及該溝槽中的該第二硬罩幕上方；以及<br/> 蝕刻該堆疊及該基板以形成在該第一阱中的一第一鰭片、該第二阱中的一第二鰭片、該第一鰭片上方的一第一奈米結構堆疊及該第二鰭片上方的一第二奈米結構堆疊。
如請求項9所述之方法，其中在蝕刻該基板及該堆疊的同時，蝕刻該第二硬罩幕。
一種麥克風模組，包括：<br/> 一殼體，具有一凹陷；<br/> 一麥克風，設置於該殼體內，且對應於該凹陷；<br/> 一排水結構，設置於該殼體且包括連通的一第一通道及一第二通道，該第一通道的一第一音孔外露於該殼體，該第二通道的一第二音孔對應於該麥克風；<br/> 一防水膜，設置於該凹陷內且位於該麥克風與該第二音孔之間；以及<br/> 一限位件，設置於該凹陷內且位於該麥克風與該防水膜之間，<br/> 該第一通道包括一排水孔，該殼體包括多個外表面，該第一音孔位於該些外表面的其中之一，該排水孔位於該些外表面的其中之另一。
如請求項1所述的麥克風模組，其中該限位件與該防水膜之間具有一第一間隙，該第一間隙大於等於0.1毫米且小於等於1毫米。
如請求項1所述的麥克風模組，其中該限位件的剛性大於該防水膜的剛性，且該限位件的剛性大於50 MPa。
如請求項1所述的麥克風模組，其中該限位件的透氣率大於該防水膜的透氣率，且該限位件的透氣率大於100 mm/s。
如請求項1所述的麥克風模組，其中該第一音孔包括多個第一子音孔，且第二音孔包括多個第二子音孔。
如請求項5所述的麥克風模組，其中該些第二子音孔是形成在該凹陷的一底面上。
如請求項6所述的麥克風模組，其中該防水膜與該底面之間具有一第二間隙，該第二間隙大於等於0.1毫米且小於等於3毫米。
如請求項1所述的麥克風模組，其中該限位件的材質為一網布。
如請求項1所述的麥克風模組，更包括一多層膠體，該多層膠體設置於該殼體的該凹陷內。
如請求項9所述的麥克風模組，該防水膜及該限位件分別夾置在該多層膠體的任兩層之間，且透過該多層膠體連接於該殼體。
如請求項1所述的麥克風模組，更包括一線路組件及一電路板，該電路板設置於該殼體內，該線路組件至少部分設置於該殼體內，該麥克風連接於該電路板。
一種在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，該智慧微電網系統包括多個分佈式發電單元，且所述分佈式發電單元包括可再生能源和非再生能源，該方法包括以下由一計算裝置執行的步驟：<br/> 建立一低碳經濟調度模型，以在滿足運行約束下，使由分佈式發電單元之運行成本與維護成本及碳排放與碳交易成本所構成之目標值最小化；<br/> 在該低碳經濟調度模型中引入一碳交易機制，並對每一分佈式發電單元分配碳排放配額且允許依據運行資料動態調整該配額；<br/> 將該低碳經濟調度模型表述為馬爾科夫決策過程，其中狀態s至少包含負載需求、發電水平、旋轉備用狀態與碳排放水平，動作a至少包含調整分佈式發電單元之出力、設定旋轉備用容量、及碳交易決策，獎勵r反映調度成本與碳排放及碳交易效益；以及<br/> 以一雙延遲深度確定性策略梯度演算法訓練並執行一行動者網路與兩個評論者網路，以所述兩個評論者網路估計之Q值之較小者作為目標Q值，且使該行動者網路相對所述評論者網路延遲更新；<br/> 於運行時由行動者網路輸出前述動作a，並由微電網中央控制器據以調度分佈式發電單元與旋轉備用容量，並在所述碳交易機制中執行相應之碳交易。
如請求項1所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，更包括以下步驟：<br/> 管理該智慧微電網系統內的旋轉備用容量，以應對屬於可再生能源之分佈式發電單元的間歇性與不確定性，並維持該智慧微電網系統的穩定性和可靠性。
如請求項2所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，其中該旋轉備用容量係根據可再生能源發電量的預測進行調整。
如請求項2所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，進一步包括計算旋轉備用容量的成本，並將該旋轉備用容量的成本被整合到低碳經濟調度模型中，以優化智慧微電網系統的總發電成本。
如請求項1所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，其中所述分佈式發電單元包括以下至少其中之一：太陽能發電單元、風力發電單元、燃料電池發電單元、及微型燃氣輪機。
如請求項1所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，其中該碳交易機制包括：<br/> 針對每一分佈式發電單元計算運行期間的實際碳排放量；<br/> 將該實際碳排放量與該碳排放配額進行比較，以決定是否購買或出售碳信用額；以及<br/> 根據一碳交易市場中的碳信用額的成本和可用性，由該低碳經濟調度模型調整經濟調度決策。
如請求項1所述之在智慧微電網系統中優化低碳經濟調度的方法，進一步包括：<br/> 儲存該智慧微電網系統運行期間產生的歷史經驗資料；以及<br/> 在該雙延遲深度確定性策略梯度演算法的訓練過程中重播和採樣儲存的歷史經驗資料，以提高調度優化過程的效率和準確性。
一種智慧微電網系統，用在智慧微電網中優化低碳經濟調度，該智慧微電網系統包括：<br/> 多個分佈式發電單元，其中所述分佈式發電單元包括可再生能源和非再生能源；<br/> 一控制模組，耦接於所述分佈式發電單元並包括一微電網中央控制器，所述微電網中央控制器配置為依據調度決策調整分佈式發電單元之出力與旋轉備用容量，並在一碳交易機制中執行相應之碳交易操作；<br/> 一低碳經濟調度模型，包括：<br/> 所述碳交易機制，配置為對每一分佈式發電單元分配碳排放配額並允許依據該分佈式發電單元的運行資料動態調整該碳排放配額，並據以產生或消化碳信用額；<br/> 一旋轉備用容量管理模組，配置為管理上行備用容量與下行備用容量並將其成本納入調度以維持系統穩定性與可靠性；及 <br/> 一馬爾科夫決策過程，其中，狀態 s 至少包含負載需求、發電水平、旋轉備用狀態與碳排放水平，動作 a 至少包含調整分佈式發電單元之出力、設定旋轉備用容量、及碳交易決策，獎勵 r 反映調度成本與碳排放及碳交易效益；以及<br/> 一計算裝置，包括一處理器與一記憶體，該計算裝置配置為：<br/> 以雙延遲深度確定性策略梯度演算法訓練並執行一行動者網路與兩個評論者網路，並以所述兩個評論者網路估計之 Q 值 之較小者作為目標 Q 值，且使該行動者網路相對所述評論者網路延遲更新；及<br/> 於運行時輸出所述動作 a 至所述控制模組，使所述微電網中央控制器據以調度分佈式發電單元與旋轉備用容量並在所述碳交易機制中執行碳交易。
一種免安裝工具之過濾器，其包括：一濾蓋，具有相連結之第一、第二端部，第一端部設有相連通之進、出水孔，第二端部設有一以上之嵌溝；一濾瓶組件，包括一濾瓶，設置於濾蓋下方，可分離地與濾蓋組設，於上端外側設有一上下相鄰接之鎖合部及一抵撐擋塊，與第二端部相抵接，以及一切換件，設置於蓋第一端部，一端設具有一把手，另一端設具一貫通閥口之流通孔的控制軸桿，該把手與該控制軸桿同步連動，並且呈同一方向轉動；一快拆裝置，包括一以上之活動組件、一推抵件、一扣件，該活動組件與該濾蓋第二端部嵌溝對應設置，可彈性地容伸於該嵌溝往復作動，推抵件外側具有一擋部及一套合部之套環，內側具有一鎖結部與濾瓶鎖合部相對鎖設，該扣件可滑動地設置於推抵件外側套合部，與該擋部呈可間隔而設；其中，利用切換件轉動把手帶動控制軸桿連動切換水路流道進水模式呈濾水模式或拆換模式，使處於濾水模式，切換件控制軸桿之具貫通閥口的流通孔與濾芯流道及濾蓋進、出水孔道的水路流道相連通出水，使處於拆換模式，切換件控制軸桿之具貫通閥口的流通孔僅與濾蓋進、出水孔道的水路流道連通出水，令濾瓶處於可組裝及拆卸狀態，當操作濾瓶往上推移，推抵件抵入活動組件上方，令活動組件位於推抵件及扣件間呈卡合狀態，完成濾瓶鎖設：當操作濾瓶往上推至頂點，再迅速下拉，利用推動濾瓶上下位移作動，令扣件可移動地抵掣活動組件並與之呈上下交替錯位對置，由推抵件擋部帶動扣件同步下移，完成濾瓶拆卸，俾達一免安裝工具及便利性高可供快速鎖定或拆裝之過濾器。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該濾蓋第一端後側可連結一固定支架，用以懸掛過濾器。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該濾蓋第二端部面積係設呈大於第一端部面積之較大徑階之套蓋，外側設有一套合嵌槽供一護套嵌設。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該濾瓶組件之濾瓶內部設有間隔相平行之第一、第二定位板，形成一第一、第二容置空間，第一容置空間用以供一濾芯鎖設，底部設有一洩壓閥與第二容置空間相連通。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該濾蓋於第一、二端部間設有與濾瓶上端開口緣內側設缺口槽相對之壓桿，該壓桿恰位於切換件下方，用以供切換件把手轉動時受力可向下抵壓，用以形成一輔助拆卸向下作用力。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該切換件於遠離把手一側設有一具斜齒面之棘輪機構與一撥桿配合，形成單向步進，反向止動。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該切換件之控制軸桿，其呈貫通閥口之流通孔係設與切換件把手指示線呈同一水平方向相對，令流通孔及把手指示線呈縱向垂直方向，預設第一定位方向之濾水模式，令流通孔與把手指示線呈橫向水平方向預設第二定位方向之拆換模式。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該快拆裝置之活動組件包括一抵撐片、二彈簧、二鎖結元件，該抵撐片外側係設一平滑面片狀體，內側係設呈對應瓶口推抵件弧度之彎弧面，該彈簧係設置於抵撐片二側配合鎖結元件鎖設於濾蓋第二端部嵌溝定位，令抵撐片受彈簧之彈性作用可往復彈抵容伸於該嵌溝形成一彈性卡勾作用。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該快拆裝置之推抵件外側擋部係設呈倒斜錐面，套合部係設呈徑面小於擋部呈較小徑階之平滑環面，內側設與濾瓶外側鎖合部可相對鎖設之鎖結部。
如請求項1所述之免安裝工具之過濾器，其中該快拆裝置之扣件，該扣件上下二側設呈相對斜錐面，令扣件可移動地抵掣活動組件並與之呈可上下交替錯位。
一種阻劑材料，含有： <br/>酸產生劑，包含下式(1)表示之鎓鹽、及 <br/>基礎聚合物，包含下式(a1)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="54px" width="218px" file="ed10129.jpg" alt="ed10129.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m為1～5之整數，n為0～4之整數；惟，1≦m+n≦5；p為1～4之整數，q為0～3之整數；惟，1≦p+q≦4；r為0或1； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>分別獨立地為羥基、羧基、氟原子、氯原子、胺基、碳數1～20之烴基、碳數1～20之烴基氧基、碳數2～20之烴基氧基羰基、碳數2～20之烴基羰基氧基、-N(R<sup>a</sup>)-C(=O)-R<sup>b</sup>、-N(R<sup>a</sup>)-C(=O)-O-R<sup>b</sup>或-N(R<sup>a</sup>)-S(=O)<sub>2</sub>-R<sup>b</sup>，且該烴基、烴基氧基、烴基氧基羰基及烴基羰基氧基也可含有選自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基、胺基、酯鍵及醚鍵中之至少1種；R<sup>a</sup>為氫原子或碳數1～6之飽和烴基，且該飽和烴基也可含有鹵素原子、羥基、碳數1～6之飽和烴基氧基、碳數2～6之飽和烴基羰基或碳數2～6之飽和烴基羰基氧基；R<sup>b</sup>為碳數1～16之脂肪族烴基或碳數6～12之芳基，且也可含有鹵素原子、羥基、碳數1～6之飽和烴基氧基、碳數2～6之飽和烴基羰基或碳數2～6之飽和烴基羰基氧基； <br/>X<sup>1</sup>為單鍵或-X<sup>1A</sup>-R<sup>3</sup>-X<sup>1B</sup>-；X<sup>1A</sup>及X<sup>1B</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、胺甲酸酯鍵、脲鍵、碳酸酯鍵或碳數1～6之烷二基，且該烷二基也可含有選自醚鍵及酯鍵中之至少1種；R<sup>3</sup>為碳數1～28之伸烴基，且該伸烴基也可含有選自氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子中之至少1種； <br/>X<sup>2</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、碳數1～6之烷二基，且該烷二基也可含有選自醚鍵及酯鍵中之至少1種； <br/>Rf<sup>1</sup>～Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，惟它們中之至少1個為氟原子或三氟甲基；又，Rf<sup>1</sup>與Rf<sup>2</sup>也可合併形成羰基；<b> </b><br/>M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="88px" width="45px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種之碳數1～12之連結基； <br/>R<sup>11</sup>為酸不穩定基。
如請求項1之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有淬滅劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至5中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影。
如請求項6之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種高壓半導體結構，包含:<br/> 一基底，一鰭狀結構位於該基底上；<br/> 一閘極結構位於該基底上並且跨越該鰭狀結構；<br/> 一第一絕緣結構以及一第二絕緣結構跨越於該鰭狀結構上且位於部分該鰭狀結構內，該閘極結構位於該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構之間，其中該第一絕緣結構的一頂面、該第二絕緣結構的一頂面以及該閘極結構的一金屬層的一頂面相互齊平；<br/> 一第一摻雜區以及一第二摻雜區位於該鰭狀結構內並且位於該閘極結構的兩側，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區位於該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構之間；<br/> 一第三摻雜區，位於該鰭狀結構內，其中該第一絕緣結構位於該第一摻雜區以及該第三摻雜區之間；以及<br/> 一金屬連接層，電性連接該第一摻雜區以及該第三摻雜區，但不連接該第二摻雜區。
如申請專利範圍第1項所述的高壓半導體結構，其中該第二絕緣結構為一單擴散阻斷(Single Diffusion Break，SDB)。
如申請專利範圍第1項所述的高壓半導體結構，其中該第一摻雜區連接一源極端、該第三摻雜區連接一汲極端，而該第二摻雜區處於一浮接(floating)狀態。
如申請專利範圍第1項所述的高壓半導體結構，其中該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構均由一單層的絕緣層所構成。
如申請專利範圍第1項所述的高壓半導體結構，其中該第一絕緣結構的一底面寬度等於該第一絕緣結構的一頂面寬度。
如申請專利範圍第1項所述的高壓半導體結構，其中更包含有多個側壁子，位於該鰭狀結構上，且該多個側壁子分別位於該閘極結構的兩側壁上，以及位於該第一絕緣結構與該第二絕緣結構的部分側壁。
一種高壓半導體結構的製作方法，包含:<br/> 提供一基底；<br/> 形成一鰭狀結構位於該基底上；<br/> 形成一閘極結構位於該基底上並且跨越該鰭狀結構；<br/> 形成一第一絕緣結構以及一第二絕緣結構跨越於該鰭狀結構上且位於部分該鰭狀結構內，該閘極結構位於該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構之間，其中該第一絕緣結構的一頂面、該第二絕緣結構的一頂面以及該閘極結構的一金屬層的一頂面相互齊平； <br/> 形成一第一摻雜區以及一第二摻雜區位於該鰭狀結構內並且位於該閘極結構的兩側，其中該第一摻雜區以及該第二摻雜區位於該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構之間；<br/> 形成一第三摻雜區，位於該鰭狀結構內，其中該第一絕緣結構位於該第一摻雜區以及該第三摻雜區之間；以及<br/> 形成一金屬連接層，電性連接該第一摻雜區以及該第三摻雜區，但不連接該第二摻雜區。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中該第二絕緣結構為一單擴散阻斷(Single Diffusion Break，SDB)。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中該第一摻雜區、該第二摻雜區以及該第三摻雜區分別包含有一磊晶層。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中該第一摻雜區連接一源極端、該第三摻雜區連接一汲極端，而該第二摻雜區處於一浮接(floating)狀態。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構均由一單層的絕緣層所構成。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中該第一絕緣結構的一底面寬度等於該第一絕緣結構的一頂面寬度。
如申請專利範圍第7項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中形成該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構的步驟更包含:<br/> 在該鰭狀結構上形成該閘極結構、一第一犧牲閘極結構以及一第二犧牲閘極結構，該第一犧牲閘極結構與該第二犧牲閘極結構分別位於該閘極結構的兩側；<br/> 形成多個側壁子，該多個側壁子分別位於該閘極結構的兩側壁、以及位於該第一犧牲閘極結構、該第二犧牲閘極結構的兩側壁；以及<br/> 進行一蝕刻步驟，移除該第一犧牲閘極結構以及該第二犧牲閘極結構的一犧牲層，並且在該蝕刻步驟中，同時於該第一犧牲閘極結構以及該第二犧牲閘極結構的下方的該鰭狀結構中分別形成多個凹槽。
如申請專利範圍第13項所述的高壓半導體結構的製作方法，其中更包含填入一絕緣材料層至各該凹槽中，並且填滿各該凹槽，其中該絕緣材料層的一頂面與該側壁子的一頂面齊平，其中填滿各該凹槽的該絕緣材料層分別定義為該第一絕緣結構以及該第二絕緣結構。
一種半導體處理系統歧管，包括：<br/> 一歧管主體，該歧管主體具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面、及至少一個橫向表面，該歧管主體界定：<br/> 一內部區域，該內部區域具有延伸穿過該第二表面的一出口端部；<br/> 一外部區域，該外部區域具有延伸穿過該第二表面的一出口，其中該內部區域與該外部區域彼此流體隔離；<br/> 一凹陷通道，該凹陷通道延伸穿過該第二表面；<br/> 一第一通道，該第一通道延伸穿過該至少一個橫向表面並與該內部區域流體耦接；<br/> 一第二通道，該第二通道延伸穿過該至少一個橫向表面並與該內部區域流體耦接；及<br/> 一第三通道，該第三通道延伸穿過該至少一個橫向表面並與該凹陷通道流體耦接。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第二通道延伸到該內部區域。
如請求項2所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第一通道與該第二通道相交。
如請求項2所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第一通道與該第二通道之間的一相交形成一銳角。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該歧管主體進一步界定：<br/> 一第四通道，該第四通道延伸穿過該至少一個橫向表面並與該外部區域流體耦接。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該外部區域是環形的，並且該內部區域是圓形的。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該外部區域和該內部區域是同心的。
如請求項5所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第四通道的一直徑大於該第一通道、該第二通道及該第三通道的直徑。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該凹陷通道與該內部區域流體隔離。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第一通道和該第三通道延伸穿過該至少一個橫向表面的一相同橫向表面。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第二通道延伸穿過該至少一個橫向表面中的與該第一通道和該第三通道不同的一橫向表面。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第二通道的一直徑大於該第一通道和該第三通道的直徑。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該凹陷通道的一中心軸偏移該內部區域的一中心軸。
如請求項1所述之半導體處理系統歧管，其中：<br/> 該第二通道延伸穿過該至少一個橫向表面中的與該第一通道不同的一橫向表面。
一種顯示裝置，其包含： <br/>下電極，其配置於顯示圖像之顯示區域； <br/>肋層，其配置於上述顯示區域及上述顯示區域周圍之周邊區域，具有與上述下電極重疊之像素開口； <br/>第1隔牆，其於上述顯示區域中配置於上述肋層之上方； <br/>有機層，其通過上述像素開口與上述下電極接觸，按照電壓之施加而發光； <br/>上電極，其覆蓋上述有機層，與上述第1隔牆接觸；及 <br/>第2隔牆，其於上述周邊區域中配置於上述肋層之上方；且 <br/>上述第1隔牆及上述第2隔牆，各自包含配置於上述肋層之上方之下部、及具有自上述下部之側面突出之端部之上部， <br/>上述第2隔牆包含互相分開之複數個區段， <br/>上述複數個區段各自具有複數個開口。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>形成於上述複數個區段間之間隙之至少一部分，具有40 μm以下之寬度。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者，具有不同大小之複數個開口。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段包含： <br/>第1行，其包含排列於第1方向之複數個第1區段；及 <br/>第2行，其相對於上述第1行於與上述第1方向交叉之第2方向上相鄰，包含排列於上述第1方向之複數個第2區段；且 <br/>上述複數個第1區段與上述複數個第2區段，於上述第1方向上錯位。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者，為具有大於180°之內角之多邊形狀。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者為階梯狀。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者為十字型。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者包含第1臂部及第2臂部， <br/>於上述第1臂部與上述第2臂部之間，配置有另一上述區段之一部分。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者，具有於互不相同之方向延伸之複數個臂部。
如請求項1之顯示裝置，其中 <br/>形成於上述複數個區段間之間隙，包含T字型、L字型或U字型之部分。
一種顯示裝置用之母基板，其包含： <br/>複數個面板部，其等各自包含顯示區域、及上述顯示區域周圍之周邊區域； <br/>上述複數個面板部周圍之留白區域； <br/>下電極，其配置於上述顯示區域； <br/>肋層，其具有與上述下電極重疊之像素開口； <br/>第1隔牆，其於上述顯示區域中配置於上述肋層之上方； <br/>有機層，其通過上述像素開口與上述下電極接觸，按照電壓之施加而發光； <br/>上電極，其覆蓋上述有機層，與上述第1隔牆接觸；及 <br/>第2隔牆，其於上述周邊區域及上述留白區域之至少一者中，配置於上述肋層之上方；且 <br/>上述第1隔牆及上述第2隔牆，各自包含配置於上述肋層之上方之下部、及具有自上述下部之側面突出之端部之上部， <br/>上述第2隔牆包含互相分開之複數個區段， <br/>上述複數個區段各自具有複數個開口。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>形成於上述複數個區段間之間隙之至少一部分，具有40 μm以下之寬度。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者具有不同大小之複數個開口。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段包含： <br/>第1行，其包含排列於第1方向之複數個第1區段；及 <br/>第2行，其相對於上述第1行於與上述第1方向交叉之第2方向上相鄰，包含排列於上述第1方向之複數個第2區段；且 <br/>上述複數個第1區段與上述複數個第2區段於上述第1方向上錯位。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者，為具有大於180°之內角之多邊形狀。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者為階梯狀。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者為十字型。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者包含第1臂部及第2臂部， <br/>於上述第1臂部與上述第2臂部之間，配置有另一上述區段之一部分。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>上述複數個區段之至少一者，具有於不同方向延伸之複數個臂部。
如請求項11之顯示裝置用之母基板，其中 <br/>形成於上述複數個區段間之間隙包含T字型、L字型或U字型之部分。
一種光學成像系統，包括： <br/>固定焦距透鏡組及可變焦距透鏡組，自物體側以此次序設置， <br/>其中所述固定焦距透鏡組包括第一透鏡、第二透鏡及第三透鏡，所述第一透鏡、所述第二透鏡及所述第三透鏡自所述物體側以此次序設置， <br/>其中所述第一透鏡具有正的折射力， <br/>其中所述第二透鏡具有負的折射力與非球面表面，且 <br/>其中2.0 ＜ TTL/f1 ＜ 4.0，其中TTL是自所述第一透鏡的物體側表面至所述光學成像系統的成像平面的距離，f1是所述第一透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有凸的物體側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第二透鏡具有凹的影像側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，其中所述第三透鏡具有凸的物體側表面。
如請求項1所述的光學成像系統，更包括： <br/>光學路徑改變元件，設置於所述固定焦距透鏡組的所述物體側上或所述固定焦距透鏡組的透鏡之間。
如請求項1所述的光學成像系統，更包括： <br/>第四透鏡，設置於所述第三透鏡的影像側上。
如請求項6所述的光學成像系統，其中所述第四透鏡具有凹的影像側表面。
如請求項6所述的光學成像系統，更包括： <br/>第五透鏡，設置於所述第四透鏡的影像側上。
如請求項8所述的光學成像系統，更包括： <br/>第六透鏡，設置於所述第五透鏡的影像側上。
如請求項1所述的光學成像系統，其中 <br/>-5.0 ＜ TTL/f2 ＜ -0.2， <br/>其中f2是所述第二透鏡的焦距。
如請求項1所述的光學成像系統，其中滿足以下條件表達式： <br/>25 ＜ V1-V2， <br/>其中V1是所述第一透鏡的阿貝數，且V2是所述第二透鏡的阿貝數。
一種相機模組，包括： <br/>殼體；以及 <br/>如請求項1所述的光學成像系統，設置於所述殼體中。
一種光學成像系統，包括： <br/>固定焦距透鏡組；以及 <br/>可變焦距透鏡組，設置於所述固定焦距透鏡組的影像側上， <br/>其中所述固定焦距透鏡組包括第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡及第四透鏡，所述第一透鏡、所述第二透鏡、所述第三透鏡及所述第四透鏡自物體側以此次序設置， <br/>其中所述第二透鏡具有非球面表面，且 <br/>其中滿足以下條件表達式： <br/>0.8 ＜ TTL/f ＜ 1.0， <br/>其中TTL是自所述第一透鏡的物體側表面至所述光學成像系統的成像平面的距離，且f是所述光學成像系統的焦距。
如請求項13所述的光學成像系統，其中滿足以下條件表達式： <br/>28.0毫米＜ fA ＜ 36.0毫米， <br/>其中fA是所述固定焦距透鏡組的焦距。
如請求項13所述的光學成像系統，其中滿足以下條件表達式： <br/>-600毫米＜ fB ＜ 20.0毫米， <br/>其中fB是所述可變焦距透鏡組的焦距。
如請求項13所述的光學成像系統，更包括： <br/>光學路徑改變元件，設置於所述固定焦距透鏡組的所述物體側上或所述固定焦距透鏡組的透鏡之間。
一種相機模組，包括： <br/>殼體；以及 <br/>如請求項13所述的光學成像系統，設置於所述殼體中。
一種光學成像系統，包括： <br/>固定焦距透鏡組及可變焦距透鏡組，自物體側以此次序設置， <br/>其中所述固定焦距透鏡組包括第一透鏡、第二透鏡及第三透鏡，所述第一透鏡、所述第二透鏡及所述第三透鏡自所述物體側以此次序設置， <br/>其中所述第二透鏡具有非球面表面，且 <br/>其中滿足以下條件表達式中的至少一者： <br/>28.0毫米＜ fA ＜ 36.0毫米，以及 <br/>-600毫米＜ fB ＜ 20.0毫米， <br/>其中fA是所述固定焦距透鏡組的焦距，且fB是所述可變焦距透鏡組的焦距。
如請求項18所述的光學成像系統，其中所述第一透鏡具有正的折射力，且 <br/>其中所述第二透鏡具有負的折射力。
一種相機模組，包括： <br/>殼體； <br/>如請求項18所述的光學成像系統，設置於所述殼體中；以及 <br/>能量產生器，被配置成供應能量以對所述可變焦距透鏡組進行操作。
一種模塊化插座，具備： <br/>殼蓋，於前表面設置有可將模塊化插頭插入的插頭插入口；以及 <br/>基板，安裝有複數之第1接觸件； <br/>該複數之第1接觸件，在該模塊化插頭插入至該插頭插入口之狀態下，可與該模塊化插頭所具備的複數之第2接觸件分別接觸； <br/>該複數之第1接觸件，包含複數之第3接觸件與複數之第4接觸件； <br/>該複數之第3接觸件和該基板相連接之連接位置，與該複數之第4接觸件和該基板相連接之連接位置，於前後方向中為不同的位置； <br/>該複數之第4接觸件中之2根第4接觸件，於該複數之第1接觸件之排列方向中位於兩端； <br/>該複數之第4接觸件中之位於兩端的該2根第4接觸件之該連接位置，與該複數之第4接觸件中之位於兩端的該2根第4接觸件以外的第4接觸件之該連接位置，於前後方向中為不同的位置。
如請求項1之模塊化插座，其中， <br/>該複數之第4接觸件中之位於兩端的該2根第4接觸件之長度，較位於兩端的該2根第4接觸件以外的該第4接觸件之長度更長。
如請求項1之模塊化插座，其中， <br/>該複數之第1接觸件各自具有壓入部，該壓入部被壓入固定至設置於該基板的孔洞。
如請求項3之模塊化插座，其中， <br/>該複數之第1接觸件各自具有一對突出部，該一對突出部從該壓入部的基部起，沿著和壓入方向交叉之方向，朝向彼此相反方向突出； <br/>在該壓入部壓入被固定至該孔洞之狀態下，該一對突出部可與該基板之表面接觸。
如請求項3之模塊化插座，其中， <br/>該孔洞之形狀為長圓形。
如請求項1之模塊化插座，其中， <br/>該複數之第3接觸件，在相對於與該第2接觸件接觸之部位更接近該插頭插入口的該連接位置和該基板相連接； <br/>該複數之第4接觸件，在相對於與該第2接觸件接觸之部位，位在與該插頭插入口為相反側之該連接位置和該基板相連接。
如請求項6之模塊化插座，其中， <br/>該複數之第3接觸件與該複數之第4接觸件，在和前後方向交叉之方向中交互地並排。
如請求項1之模塊化插座，其中， <br/>具備配置在該複數之第1接觸件與該基板之間的台座； <br/>於該台座，設置有與該複數之第1接觸件以一對一方式對應的複數之溝部； <br/>於該複數之溝部，分別插入了該複數之第1接觸件中之對應的第1接觸件之一部分。
如請求項8之模塊化插座，其中， <br/>於該複數之溝部，分別插入了該複數之第1接觸件中之對應的第1接觸件中之與該第2接觸件接觸的部位和與該基板連接的部位之間的部位。
如請求項8之模塊化插座，其中， <br/>於該台座，在該複數之第1接觸件各自之前端部分所對向的部位，設置有將該台座貫通之貫通部。
一種配線器具，具備： <br/>如請求項1至10中任一項之模塊化插座；以及 <br/>轉接器，將該模塊化插座固持，可對於用來將配線器具安裝至施工面的安裝構件安裝。
一種定向耦合器（directional coupler），包括：<br/> 一主路徑，用以傳遞一第一射頻訊號；<br/> 一耦合路徑，至少部分地與該主路徑重疊，其中該耦合路徑包括一第一端、一第二端以及在該第一端和該第二端之間佈線的至少一繞線；<br/> 一第一埠，耦接於該耦合路徑的該第一端；以及<br/> 一第二埠，耦接於該耦合路徑的該第二端，其中該第一埠和該第二埠其中至少一者位於該至少一繞線的內側。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該第一埠位於該至少一繞線的內側，且該第二埠位於該至少一繞線的外側。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該第一埠或該第二埠為以下至少一者：銲墊(pad)、晶圓穿孔(through-wafer via)或矽穿孔(through silicon via)。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該第一埠或該第二埠另耦接於以下至少一者：一焊線(bonding wire)、一凸塊(bump)或一接地端。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該至少一繞線包括一最內側繞線，該最內側繞線包括一第一部分及一第二部分，且該第一部分比該第二部分更靠近該主路徑。
如請求項5所述的定向耦合器，其中該第一部分具有一第一寬度，該第二部分具有一第二寬度，且該第一寬度大於該第二寬度。
如請求項5所述的定向耦合器，其中該最內側繞線的該第一部分與該主路徑平行。
如請求項7所述的定向耦合器，另包含至少一被動元件，位於該最內側繞線的該第一部分處，且耦接於該耦合路徑與該第一埠之間。
如請求項8所述的定向耦合器，其中該至少一被動元件包括一電阻，該電阻的一第一端位於該最內側繞線的該第一部分處，且該電阻的一第二端耦接於該第一埠。
如請求項9所述的定向耦合器，其中該至少一被動元件另包括一電容，該電容的一第一端位於該最內側繞線的該第一部分處，且該電容的一第二端耦接於該第一埠。
如請求項5所述的定向耦合器，其中在該定向耦合器的一俯視圖中，該最內側繞線的該第一部分與該主路徑重疊，且該最內側繞線的該第二部分與該主路徑不重疊。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該至少一繞線包括一最外側繞線，該最外側繞線包括一第一部分及一第二部分，且該第一部分比該第二部分更靠近該主路徑。
如請求項12所述的定向耦合器，其中該最外側繞線的該第一部分與該主路徑平行。
如請求項13所述的定向耦合器，其中該第二埠位於該最外側繞線的該第二部分處。
如請求項12所述的定向耦合器，其中在該定向耦合器的一俯視圖中，該最外側繞線的該第一部分與該主路徑重疊，而該最外側繞線的該第二部分與該主路徑不重疊。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該主路徑形成於一第一層中，該耦合路徑形成於一第二層中，且該第二層不同於該第一層。
如請求項16所述的定向耦合器，其中一絕緣層形成於該第一層與該第二層之間。
如請求項1所述的定向耦合器，其中該耦合路徑具有一多邊形輪廓。
一種定向耦合器（directional coupler），包括：<br/> 一主路徑，用以傳遞一第一射頻訊號；<br/> 一耦合路徑，至少部分地與該主路徑重疊，其中該耦合路徑包括一第一端、一第二端以及在該第一端和該第二端之間佈線的至少一繞線，該至少一繞線包括一最內側繞線，該最內側繞線包括一第一部分及一第二部分，該第一部分比該第二部分更靠近該主路徑，且該最內側繞線的該第一部分與該主路徑平行；<br/> 一第一埠，耦接於該耦合路徑的該第一端；<br/> 一第二埠，耦接於該耦合路徑的該第二端；以及<br/> 至少一被動元件，位於該最內側繞線的該第一部分處。
如請求項19所述的定向耦合器，其中該第一埠位於該耦合路徑的至少一繞線的內側，且該第二埠位於該耦合路徑的該至少一繞線的外側。
一種用於伺服器的液冷裝置，包括： <br/> 一第一液冷模組，包括一第一管路及設置在該第一管路的一三通閥，該三通閥具有一第一通道、一第二通道及一第三通道； <br/> 一第二液冷模組，設置在該第一液冷模組的一側邊，該第二液冷模組包括一第二管路；以及 <br/> 一熱交換器，設置在該第一管路和該第二管路之間，並用以提供該第一管路和該第二管路的熱交換； <br/> 其中在一常態下，該第二通道連通該第一通道，在一非常態下，該第二通道和該第三通道同時連通該第一通道； <br/> 其中該第一管路和該第二管路在該常態時的熱交換量大於該第一管路和該第二管路在該非常態時的熱交換量； <br/> 其中該第一液冷模組的該第一管路和該第二液冷模組的該第二管路互不相通。
如請求項1所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第一管路包括一第一輸水段、一第二輸水段及一第三輸水段，該三通閥設置在該第一輸水段、該第二輸水段和該第三輸水段之間。
如請求項2所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第一通道具有一第一接口，該第二通道具有一第二接口，該第三通道具有一第三接口，該第一輸水段的一端連通該第一接口，另一端連通一進水端，該第二輸水段的一端連通該第二接口，另一端連通一出水端，該第三輸水段的一端連通該第三接口，另一端連通第二輸水段。
如請求項3所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第二輸水段具有一第一熱交換段，該第二管路包括一第二熱交換段，該熱交換器係跨設在該第一熱交換段和該第二熱交換段之間。
如請求項1所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第二液冷模組還包括一水泵組件，該第二管路包括一第一水管段，該水泵組件設置在該第一水管段上。
如請求項5所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該水泵組件包括一第一水泵、一第一單向閥、一第二水泵和一第二單向閥，該第一水管段包括一主管道和一次管道，該主管道依序連通該第一水泵和該第一單向閥，該次管道依序連通該第二水泵和該第二單向閥。
如請求項5所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第二液冷模組還包括一緩衝水箱，該緩衝水箱設置在該第一水管段上。
如請求項7所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第二液冷模組還包括一過濾器，該過濾器設置在該第一水管段上，該水泵組件介於該緩衝水箱和該過濾器之間。
如請求項1所述之用於伺服器的液冷裝置，其還包括一控制模組，該控制模組包括一控制器及複數溫度傳感器，各該溫度傳感器和該三通閥電性連接該控制器，各該溫度傳感器設置在該第二管路上。
如請求項9所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該控制模組還包括複數壓力傳感器，各該壓力傳感器電性連接該控制器，該第二管路包括一第一水管段和連通該第一水管段的一第二水管段，其中的一該壓力傳感器設置在該第一水管段上，另一該壓力傳感器設置在該第二水管段上。
如請求項10所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該控制模組還包括一溫濕度傳感器，該溫濕度傳感器電性連接該控制器，所述伺服器具有一機櫃，該溫濕度傳感器設置在所述機櫃內。
如請求項11所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該控制模組還包括一漏液檢測繩，該漏液檢測繩電性連接該控制器且設置在該第一管路和該第二管路上。
如請求項1所述之用於伺服器的液冷裝置，其還包括一控制模組，該控制模組包括一控制器及複數溫度傳感器，各該溫度傳感器和該三通閥電性連接，其中一部分的該溫度傳感器設置在該第一管路上，另一部分的該溫度傳感器設置在該第二管路上。
如請求項1所述之用於伺服器的液冷裝置，其中該第二管路包括一第一水管段、一第二水管段及一第二熱交換段，所述伺服器具有至少一水冷板，該第一水管段的一端連通所述水冷板的一端，另一端連通該第二熱交換段的一端，該第二水管段的一端連通所述水冷板的另一端，另一端連通第二熱交換段的另一端。
一種銅銀合金製之片材之製造方法，其特徵在於：銅銀合金由70～92質量%之銅、8～30質量%之銀、及0～1質量%之包含無法避免之雜質的剩餘部分所構成，且至少包含以下步驟： <br/>（a）藉由上述銅銀合金之連續鑄造，得到厚度或直徑為6～30 mm之基材的步驟； <br/>（b）對於上述基材，實施至少1次以上之壓延處理，得到厚度為0.01～0.10 mm之片材的步驟； <br/>（c）對上述片材實施退火處理的步驟；且 <br/>經過上述（c）之上述片材之導電率為38%IACS以上，且韋克斯硬度（Vickers hardness）為280 HV以上。
一種銅銀合金製之片材之製造方法，其特徵在於：銅銀合金由70～92質量%之銅、8～30質量%之銀、及0～1質量%之包含無法避免之雜質的剩餘部分所構成，且至少包含以下步驟： <br/>（a）藉由上述銅銀合金之連續鑄造，得到厚度或直徑為6～30 mm之基材的步驟； <br/>（b）對於上述基材，實施至少1次以上之壓延處理，得到厚度為0.01～0.10 mm之片材的步驟； <br/>（c）對上述片材實施退火處理的步驟；且 <br/>上述（a）之鑄造速度為50～1000 mm/分鐘， <br/>上述（c）之熱處理之加熱溫度為200～500℃，加熱時間為60～4500分鐘， <br/>經過上述（c）之上述片材之導電率為38%IACS以上，且韋克斯硬度為280 HV以上。
一種探針卡之電極用片之製造方法，其特徵在於：銅銀合金由70～92質量%之銅、8～30質量%之銀、及0～1質量%之包含無法避免之雜質的剩餘部分所構成，且至少包含以下步驟： <br/>（a）藉由上述銅銀合金之連續鑄造，得到厚度或直徑為6～30 mm之基材的步驟； <br/>（b）對於上述基材，實施至少1次以上之壓延處理，得到厚度為0.01～0.10 mm之片材的步驟； <br/>（c）對上述片材實施退火處理的步驟；且 <br/>由經過上述（c）之上述片材所構成之電極用片之導電率為38%IACS以上，且韋克斯硬度為280 HV以上。
一種探針卡之電極用片之製造方法，其特徵在於：銅銀合金由70～92質量%之銅、8～30質量%之銀、及0～1質量%之包含無法避免之雜質的剩餘部分所構成，且至少包含以下步驟： <br/>（a）藉由銅銀合金之連續鑄造，得到厚度或直徑為6～30 mm之基材的步驟； <br/>（b）對於上述基材，實施至少1次以上之壓延處理，得到厚度為0.01～0.10 mm之片材的步驟； <br/>（c）對上述片材實施退火處理的步驟；且 <br/>上述（a）之鑄造速度為50～1000 mm/分鐘， <br/>上述（c）之熱處理之加熱溫度為200～500℃，加熱時間為60～4500分鐘， <br/>由經過上述（c）之上述片材所構成之電極用片之導電率為38%IACS以上，且韋克斯硬度為280 HV以上。
如請求項1或2之銅銀合金製之片材之製造方法，其特徵在於：由經過上述（c）之上述片材之導電率為57.5%IACS以上。
如請求項3或4之探針卡之電極用片之製造方法，其特徵在於：由經過上述（c）之上述片材之導電率為57.5%IACS以上。
一種用於操作具有改善效能的一多粒子束系統之方法，該多粒子束系統利用複數個第一個別帶電粒子束進行操作，該複數個第一個別粒子束係以一光柵配置方式被成像在一物件上，並且透過配置在該等第一個別粒子束的一交叉區域中的一聚合掃描偏轉器被引導在該物件上方，該方法包括下列步驟： <br/>定義包含一第一束流(I_1)的該多粒子束系統的一第一操作點(A_1)； <br/>確定一最佳第一全域對焦(Fg_1)，藉此可在該第一操作點(A_1)處將該複數個第一個別粒子束成像在該物件上； <br/>基於該第一束流(I_1)，確定從該最佳第一全域對焦(Fg_1)的一第一全域偏移(d_1)； <br/>基於該第一全域偏移(d_1)，確定一第一全域失調對焦(F_detune_1)；及 <br/>為了提高效能，利用該第一全域失調對焦(F_detune_1)，在該第一操作點(A_1)處利用該複數個第一個別粒子束對該物件進行光柵掃描。
如請求項1所述的方法，包含： <br/>選擇一檢測任務或一工作任務；及 <br/>基於該檢測任務或基於該工作任務，確定該第一全域偏移(d_1)。
如請求項2所述的方法，其中該檢測任務是一尺寸測量，特別是一線寬測量或一解析度測量。
如請求項1至3中任一項所述的方法，其中該工作任務是一材料剝除，特別是透過多個離子進行微處理；或一目標材料增層，特別是透過使用多個電子束。
如請求項1至3中任一項所述的方法，更包括下列步驟： <br/>當光柵掃描該物件時，確定實際自動對焦資料；及 <br/>基於該實際自動對焦資料，動態校正該最佳第一全域最優對焦(Fg_1)；及 <br/>基於該最佳第一全域最優對焦(Fg_1)的動態校正，動態改變該第一全域失調對焦(F_detune_1)。
如請求項1至3中任一項所述的方法，更包括下列步驟： <br/>定義包含一第二束流(I_2)的該多粒子束系統的一第二操作點(A_2)； <br/>確定一最佳第二全域對焦(Fg_2)，藉此可在該第二操作點(A_2)處將該複數個第一個別粒子束成像在該物件上； <br/>基於該第二束流(I_2)，確定從該最佳第二全域對焦(Fg_2)的一第二全域偏移(d_2)； <br/>基於該第二全域偏移(d_2)，確定一第二全域失調對焦(F_detune_2)；及 <br/>為了提高效能，利用該第二全域失調對焦(F_detune_2)，在該第二操作點(A_2)處利用該複數個第一個別粒子束對該物件進行光柵掃描。
如請求項6所述的方法， <br/>其中該第一束流(I_1)與該第二束流(I_2)不同；以及 <br/>其中該第一全域偏移(d_1)與該第二全域偏移(d_2)不同。
如請求項1至3中任一項所述的方法，更包括下列步驟： <br/>當在該第二操作點(A_2)處光柵掃描該物件時，確定實際自動對焦資料；及 <br/>基於該實際自動對焦資料，動態校正該最佳第二全域最優對焦(Fg_2)；及 <br/>基於該最佳第二全域對焦(Fg_2)的動態校正，動態改變該第二全域失調對焦(F_detune_2)。
如請求項1至3中任一項所述的方法，更包括下列步驟： <br/>基於所確定的相關的該全域偏移(d_i)來校正在一操作點(A_i)處的一遠心誤差。
如請求項1至3中任一項所述的方法， <br/>其中一操作點(A_i)係由至少一另外參數所定義，特別是由一工作距離或由一衝擊能量所定義，且 <br/>其中基於該等另外參數中的至少一者來實施相關的該最佳全域對焦(Fg_i)的一全域偏移(d_i)的確定。
一種用於校準一多粒子束系統的方法，該多粒子束系統藉由複數N個第一個別帶電粒子束操作，該複數N個第一個別粒子束係配置在一第一光柵配置中並且成像在多個入射位置處而形成一第二光柵配置的一物件上，並透過一聚合掃描偏轉器被引導在該物件上方，該聚合掃描偏轉器係配置在該等第一個別粒子束的一交叉區域中，其中從該物件的該等入射位置射出的多個第二個別粒子束在每種情況下係由包含一粒子多偵測器的一偵測系統進行偵測並且其中該多粒子束系統包含一資料擷取和資料處理單元，該方法包括下列步驟： <br/>a) 利用一第一束流(I_1)設定該多粒子束系統的一第一操作點(A_1)； <br/>b) 在該第一操作點(A_1)處，使用該複數個第一個別粒子束以記錄一參考物件的一焦點系列，並透過該偵測系統及該資料擷取和資料處理單元以建立及儲存該焦點系列的多個數位影像； <br/>c) 使用一第一演算法以分析該等數位影像並確定一最佳全域焦點位置(Fg_11)； <br/>d) 使用一第二演算法以分析該等數位影像並確定一另外最佳全域焦點位置(Fg_12)； <br/>e) 確定該最佳全域焦點位置(Fg_11)與該另外最佳焦點位置(Fg_12)之間的一偏移(d_1)； <br/>f) 將有關於該第一束流(I_1)的該偏移(d_1)儲存在該資料擷取和處理單元中。
如請求項11所述的校準方法，更包括下列步驟： <br/>g) 利用一第二束流(I_2)設定該多粒子束系統的一第二操作點(A_2)； <br/>h) 在該第二操作點(A_2)處，使用該複數個第一個別粒子束以記錄一參考物件的一焦點系列，並透過該偵測系統及該資料擷取和資料處理單元以建立及儲存該焦點系列的多個數位影像； <br/>i) 使用該第一演算法以分析該等數位影像並確定一最佳全域焦點位置(Fg_21)； <br/>j) 使用該第二演算法以分析該等數位影像並確定一另外最佳全域焦點位置(Fg_22)； <br/>k) 確定該最佳全域焦點位置(Fg_21)與該另外最佳焦點位置(Fg_22)之間的一偏移(d_1)； <br/>l) 將有關於該第二束流(I_2)的該偏移(d_2)儲存在該資料擷取和處理單元中。
如請求項11與12中任一項所述的方法，其中該等方法步驟a)至f)係針對一另外操作點(A_i)或針對多個另外操作點(A_i)執行。
如請求項11至12中任一項所述的方法， <br/>其中該第一演算法組態成將該等第一個別粒子束的該焦點位置確定為具有最小束腰的多個位置；及/或 <br/>其中該第二演算法組態成基於該高斯平面確定該等第一個別粒子束的該焦點位置。
如請求項11至12中任一項所述的方法， <br/>其中該第一演算法係基於一影像清晰度標準進行操作；及 <br/>其中該第二演算法係基於一對比梯度法進行操作。
如請求項11至12中任一項所述的方法， <br/>其中對於複數M ≤ N個第一個別粒子束在一操作點(A_i)處的一最佳全域焦點(Fg_i)在每種情況下具有一個別最佳焦點(f_j)，其中j = 1, …, M，是確定為該個別焦點(f_j)的算術平均值。
如請求項11至12中任一項所述的方法， <br/>其中對於複數M ≤ N個第一個別粒子束在一操作點(A_i)處的一最佳全域焦點(Fg_i)在每種情況下具有一個別最佳焦點(f_j)，其中j = 1, …, M，是形成為該最大個別焦點(f_max)與該最小個別焦點(f_min)的算術平均值。
一種電腦程式產品，包含一程式碼，用於執行如請求項1至17中任一項所述的方法。
一種多粒子束系統，組態以執行如請求項1至17中任一項所述的方法。
一種用於晶圓檢測的多粒子束系統，其包含： <br/>一多束粒子產生器，其配置成產生複數個第一個別帶電粒子束的一第一場； <br/>一第一粒子光學單元，其具有一第一粒子光學束路徑並配置成將建立的該等第一個別帶電粒子束成像在一物件平面中的一晶圓表面上，使得該等第一個別帶電粒子束係入射在形成一第二場的多個入射位置處的該晶圓表面上； <br/>一偵測系統，其具有形成一第三場的複數個偵測區域； <br/>一第二粒子光學單元，其具有一第二粒子光學束路徑並配置成將從該第二場中的該等入射位置射出的多個第二個別帶電粒子束成像在該偵測系統的該等偵測區域的該第三場上； <br/>一磁性及/或靜電物鏡，其係由該等第一個別帶電粒子束及該等第二個別帶電粒子束兩者所穿過； <br/>一分束器，其係配置在該多束粒子產生器與該物鏡之間的該第一粒子光學束路徑中並且其配置在該物鏡與該偵測系統之間的該第二粒子光學束路徑中； <br/>該等第一個別帶電粒子束的一交叉區域，其位在該第一粒子光學束路徑中，其中一聚合第一掃描偏轉器用於聚合掃描配置在該交叉區域的區域中的該物件上方的該等第一個別帶電粒子束； <br/>一樣本平台，用於在該晶圓檢測期間固持及/或定位一晶圓； <br/>一自動聚焦測量元件，其配置成建立用於在該晶圓檢測期間確定實際自動聚焦資料的測量資料； <br/>至少一快速自動對焦校正透鏡；及 <br/>一控制器，其具有一資料處理和儲存單元； <br/>一自動聚焦校正模式選擇裝置，用於根據一自動聚焦校正以選擇不受束流影響的一第一自動聚焦校正模式及用於根據該自動聚焦校正以選擇取決於束流的一第二自動聚焦校正模式； <br/>其中該控制器配置成控制在該第一粒子光學束路徑及/或該第二粒子光學束路徑中的多個粒子光學分量， <br/>其中該控制器配置用於靜態或低頻調適對焦，以使用一束流(I_i)及一工作距離(WD_i)來至少控制在一操作點(A_i)處的該樣本平台的該物鏡及/或一致動器，如此該等第一個別帶電粒子束聚焦在位於該工作距離(WD_i)處的該晶圓表面上，且 <br/>其中該控制器配置用於在該第一自動聚焦校正模式下高頻調適對焦，以在該晶圓檢測過程中基於該操作點(A_i)處的該實際自動聚焦資料產生至少一自動聚焦校正透鏡控制訊號，以在該操作點(A_i)處進行該晶圓檢測時控制該至少一快速自動對焦校正透鏡， <br/>其中該控制器配置為在該第二自動聚焦校正模式下高頻調適對焦，以在該晶圓檢測期間基於該實際自動聚焦資料及基於該操作點(A_i)處的該束流(I_i)以產生至少一自動聚焦校正透鏡控制訊號，以在該操作點(A_i)處進行該晶圓檢測時以高頻方式控制該至少一快速自動對焦校正透鏡、及/或以在該操作點(A_i)處進行該晶圓檢測時以靜態或低頻方式控制該物鏡，如此該等第一個別帶電粒子束以失調方式聚焦在位於該工作距離(WD_i)處的該晶圓表面。
如請求項20所述的多粒子束系統， <br/>其中對於具有一束流(I_i)的複數個操作點(A_i)，分別相關的一偏移(d_i)的量值儲存在該資料處理和儲存單元中，且在該第二自動聚焦校正模式下基於所儲存的該偏移(d_i)以改變該至少一自動聚焦校正透鏡控制訊號。
如請求項20與21中任一項所述的多粒子束系統， <br/>其中該控制器更配置成在該對焦的高頻調適期間，同樣保持該等第一個別帶電粒子束在入射該晶圓上時的該衝擊角度和該光柵配置基本上為恆定。
如請求項20至21中任一項所述的多粒子束系統， <br/>其更包含一遠心校正構件， <br/>其中該控制器配置成基於該束流(I_i)使用一遠心校正構件控制訊號在該第二自動聚焦校正模式下控制該遠心校正構件。
一種面板級扇出封裝結構的製作方法，其特徵在於，包括：(a)準備具有第一介質層和被所述第一介質層圍繞的貫穿空腔的面板級框架；其中，所述框架包括第一表面和第二表面，以及貫穿所述第一介質層且暴露於所述第一表面的散熱銅柱；(b)將器件貼裝在所述貫穿空腔中，所述器件的端子面與所述第二表面平齊並且所述端子面包括第一端子和第二端子；在所述第一表面上形成覆蓋所述器件的第二介質層；(c)在所述第二表面上形成扇出所述第一端子的第一重佈線層；(d)在所述第一重佈線層上形成第三介質層，在所述第三介質層上形成扇出所述第二端子的第二重佈線層，所述第二重佈線層與所述第一重佈線層導通連接；(f)對所述第二介質層進行開窗外露所述散熱銅柱和所述器件的背面；(g)在所述第二介質層上形成包括散熱銅面的第四線路層；其中，所述散熱銅面導通連接所述散熱銅柱和所述器件的背面。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，所述框架還包括導通銅柱，所述導通銅柱的兩個端面分別外露於所述第一表面和所述第二表面；其中，所述製備方法還包括：(f’)對所述第二介質層進行開窗外露所述導通銅柱、所述散熱銅柱和所述器件的背面；(g’)在所述第二介質層上製作包括功能回路端子和散熱銅面的第四線路層；其中，所述功能回路端子導通連接所述導通銅柱，所述散熱銅面導通連接所述散熱銅柱和所述器件的背面。
如請求項2所述的製作方法，其特徵在於，所述導通銅柱還導通連接所述功能回路端子和所述第一重佈線層。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，步驟(a)包括如下子步驟：(a1)準備面板級承載板，在所述承載板上形成散熱銅柱和環狀犧牲銅柱；其中，所述散熱銅柱的高度小於所述犧牲銅柱的高度；(a2)在所述承載板上形成所述第一介質層，使得所述犧牲銅柱外露於所述第一介質層上；(a3)移除所述承載板；(a4)蝕刻移除所述犧牲銅柱，使得被所述犧牲銅柱環繞的第一介質層脫落形成具有散熱銅柱和貫穿空腔的框架；其中，所述框架包括第一表面和第二表面，所述散熱銅柱外露於所述第一表面。
如請求項2所述的製作方法，其特徵在於，步驟(a)包括如下子步驟：(a1’)準備面板級承載板，在所述承載板上形成導通銅柱、散熱銅柱和環狀犧牲銅柱；其中，所述散熱銅柱的高度小於所述犧牲銅柱和所述導通銅柱的高度；(a2’)在所述承載板上形成所述第一介質層，使得所述犧牲銅柱外露於所述第一介質層上；(a3’)移除所述承載板；(a4’)蝕刻移除所述犧牲銅柱，使得被所述犧牲銅柱環繞的第一介質層脫落形成具有導通銅柱、散熱銅柱和貫穿空腔的框架；其中，所述框架包括第一表面和第二表面，所述散熱銅柱外露於所述第一表面，所述導通銅柱外露於所述第一表面和所述第二表面。
如請求項4或5所述的製作方法，其特徵在於，所述散熱銅柱和所述犧牲銅柱的高度差為20~50μm。
如請求項5所述的製作方法，其特徵在於，所述犧牲銅柱與所述導通銅柱與所述第二表面齊平。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，步驟(d)包括如下子步驟：(d1)通過曝光顯影的方式對所述第三介質層開窗以暴露所述器件的第二端子和第一重佈線層；(d2)在所述第三介質層的表面形成第三金屬種子層；(d3)在所述第三金屬種子層上施加第三光刻膠層，圖案化所述第三光刻膠層形成第三特徵圖案；(d4)電鍍所述第三特徵圖案形成扇出所述第二端子並導通連接所述第一重佈線層的第二重佈線層；(d5)移除所述第三光刻膠層，並蝕刻暴露的第三金屬種子層。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，還包括：(e)在所述第二重佈線層上形成第四介質層，在所述第四介質層上製作第三重佈線層，所述第三重佈線層導通連接所述第二重佈線層。
如請求項1所述的製作方法，其特徵在於，所述散熱銅柱構成除所述貫穿空腔外的所有框架並與所述貫穿空腔由所述第一介質層隔開；所述散熱銅面覆蓋所述框架的第一表面。
如請求項2所述的製作方法，其特徵在於，所述散熱銅柱構成除所述貫穿空腔和所述導通銅柱外的所有框架並與所述貫穿空腔和所述導通銅柱由所述第一介質層隔開；所述散熱銅面覆蓋除所述功能回路端子外的所述第一表面。
一種打線接合裝置，包括: <br/>銲頭單元，具有銲頭，所述銲頭可拆卸地握持銲針並設有治具插入孔; <br/>治具，插入所述治具插入孔中，且用於解除所述銲頭對所述銲針的握持; <br/>相機單元，基於所述治具的拍攝影像來檢測所述治具的位置;以及 <br/>機械手臂用於交換所述銲頭所握持的所述銲針， <br/>其中所述銲頭單元將所述銲頭移動到由所述相機單元檢測到的所述治具與所述治具插入孔對準的插入位置，並藉由所述治具的動作解除所述銲頭對所述銲針的握持， <br/>所述機械手臂在所述銲針的握持被解除的狀態下，在所述插入位置中對所述銲針進行交換。
如請求項1所述的打線接合裝置，其中所述銲頭設有所述治具插入孔以及形成得比所述銲針小的銲針安裝孔， <br/>所述治具插入孔和所述銲針安裝孔是相互連通的， <br/>所述銲頭是藉由擴展所述銲針安裝孔，利用彈性力對插入所述銲針安裝孔的所述銲針進行握持， <br/>所述治具擴展所述治具插入孔且擴展所述銲針安裝孔，並解除對所述銲針的握持。
如請求項1所述的打線接合裝置，其中所述相機單元是基於所述治具的前端側的端面的所述拍攝影像來檢測所述治具的位置。
如請求項1所述的打線接合裝置，其中所述相機單元基於所述治具的所述拍攝影像，使拍攝所述治具的相機移動，以使所述拍攝影像中預先規定的影像基準點與所述治具中預先規定的治具基準點一致。
如請求項1所述的打線接合裝置，其中所述相機單元兼作為拍攝半導體晶片的打線接合用相機單元發揮功能，在對半導體晶片進行打線接合時，用於拍攝所述半導體晶片以對所述銲針進行定位。
如請求項5所述的打線接合裝置，其中所述治具的前端側的端面的高度位置，與對所述半導體晶片進行打線接合時的接合高度位置大致相同。
一種半導體處理設備零部件的老化處理方法，包含：<br/> 提供一半導體處理設備，包含：腔室和安裝於所述腔室內的待處理零部件；<br/> 老化處理步驟：向所述腔室內通入第一工藝氣體，以在所述待處理零部件表面沉積形成C-F老化層；<br/> 清洗步驟：向所述腔室內通入第二工藝氣體，去除所述C-F老化層表面的疏鬆層，保留緻密平滑的C-F老化層；<br/> 多次循環進行所述老化處理步驟及所述清洗步驟，以在所述待處理零部件表面形成具有目標厚度的緻密平滑的C-F老化層。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一工藝氣體包含C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>氣體，其中，x＞0，y≥0，z＞0。
如請求項2所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述含C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>氣體為CH<sub>3</sub>F、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、CHF<sub>3</sub>、CH<sub>2</sub>F<sub>2</sub>及CF<sub>4</sub>中的至少一種。
如請求項2所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一工藝氣體還包含O<sub>2</sub>。
如請求項2所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一工藝氣體還包含HBr及NF<sub>3</sub>中的至少一種。
如請求項2所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一工藝氣體還包含載氣，所述載氣為Ar或He中的至少一種。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二工藝氣體包含：含氧氣體。
如請求項7所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述含氧氣體為O<sub>2</sub>或O<sub>3</sub>。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二工藝氣體包含：含氟氣體。
如請求項9所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述含氟氣體為NF<sub>3</sub>。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二工藝氣體包含載氣，所述載氣為Ar或He中的至少一種。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述老化處理步驟中，工藝壓力為0mT ~300mT。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，在所述清洗步驟中，施加第一偏置射頻功率。
如請求項13所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一偏置射頻功率為50w ~300w。
如請求項13所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，在所述老化處理步驟與所述清洗步驟之間的工藝間隔階段包括第一過渡步驟，所述第一過渡步驟施加第二偏置射頻功率。
如請求項15所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一偏置射頻功率大於所述第二偏置射頻功率。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述老化處理步驟與清洗步驟的時間週期比為60~70:1。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述半導體處理設備還包括靜電吸盤；在所述老化處理步驟開始前，在所述靜電吸盤上覆蓋保護基片；在所述清洗步驟開始前，取出所述保護基片。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，使所述待處理零部件初始溫度低於腔室平均初始溫度。
如請求項15所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述老化處理步驟包括第一老化步驟和第二老化步驟，所述第一老化步驟和第二老化步驟之間還具有第二過渡步驟，所述第二過渡步驟施加第三偏置射頻功率，所述第三偏置射頻功率小於所述第二偏置射頻功率。
如請求項20所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一老化步驟通入氣體包括CH<sub>3</sub>F、C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>、NF<sub>3</sub>、He。
如請求項20所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二老化步驟通入氣體包括CHF<sub>3</sub>、Ar。
如請求項20所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一老化步驟的工藝時長小於第二老化步驟的工藝時長。
如請求項20所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二過渡步驟通入氣體包括HBr和NF<sub>3</sub>。
如請求項22所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一過渡步驟通入氣體包括CH<sub>3</sub>F、O<sub>2</sub>和He。
如請求項23所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第二過渡步驟的工藝時長小於第一老化步驟的工藝時長。
如請求項23所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述第一過渡步驟的工藝時長大於第二老化步驟的工藝時長。
如請求項6或11所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述載氣中Ar和He交替通入。
如請求項1所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，獲取目標腔室的老化層厚度參數，基於所述厚度參數確定所述目標厚度。
如請求項29所述的半導體處理設備零部件的老化處理方法，其中，所述厚度參數基於所述目標腔室的零部件上既有老化層厚度確定。
一種半導體處理設備，其包含至少一零部件，所述零部件上形成有由請求項1至30任一項所述的老化處理方法形成的C-F老化層。
一種選擇性沉積之方法，其包含： <br/>使基板暴露於抑制劑化合物，以在該基板之金屬表面上形成第一層， <br/>其中該抑制劑化合物包含經至少一個烷氧基官能化之炔烴化合物；及 <br/>使該基板暴露於前驅物蒸氣，以在該基板之非金屬表面上形成第二層。
如請求項1之方法，其中該抑制劑化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="269px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>包含C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基； <br/>R<sup>2</sup>包含氫、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該抑制劑化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="109px" width="364px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>各R<sup>1</sup>獨立地包含C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基。
如請求項1之方法，其中該抑制劑化合物包含以下化合物中之至少一者： <br/><img align="absmiddle" height="100px" width="617px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="98px" width="403px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1之方法，其中該基板之該金屬表面包含銅、鎢、鈷、釕或其任何組合中之至少一者。
如請求項1之方法，其中該基板之該非金屬表面包含介電材料。
如請求項1之方法，其中該非金屬表面包含二氧化矽(SiO<sub>2</sub>)、碳氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鉭、氮化鈦、氮化鋁或其任何組合中之至少一者。
一種選擇性沉積之方法，其包含： <br/>使基板暴露於抑制劑化合物，以在該基板之金屬表面上形成第一層， <br/>其中該抑制劑化合物選自由下列所組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="424px" width="461px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；及 <br/>使該基板暴露於前驅物蒸氣，以在該基板之非金屬表面上形成第二層。
一種組合物，其包含： <br/>抑制劑化合物， <br/>其中該抑制劑化合物包含經至少一個烷氧基官能化之炔烴化合物； <br/>其中該抑制劑化合物以至少95%之純度存在於該組合物中； <br/>其中該抑制劑化合物經組態以使前驅物蒸氣選擇性地沉積於基板之非金屬表面上。
如請求項9之組合物，其中該抑制劑化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="112px" width="268px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>R<sup>1</sup>包含C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基； <br/>R<sup>2</sup>包含氫、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基或其任何組合中之至少一者。
如請求項9之組合物，其中該抑制劑化合物係下式之化合物： <br/><img align="absmiddle" height="110px" width="366px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中： <br/>各R<sup>1</sup>獨立地包含C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基。
如請求項9之組合物，其中該抑制劑化合物包含以下化合物中之至少一者： <br/><img align="absmiddle" height="86px" width="627px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="95px" width="399px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種組合物，其包含： <br/>抑制劑化合物， <br/>其中該抑制劑化合物選自由下列所組成之群： <br/><img align="absmiddle" height="419px" width="462px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>其中該抑制劑化合物以至少95%之純度存在於該組合物中； <br/>其中該抑制劑化合物經組態以使前驅物蒸氣選擇性地沉積於基板之非金屬表面上。
一種用於選擇性地沉積抑制劑化合物之方法，該方法包含： <br/>獲得具有至少一個金屬表面及至少一個非金屬表面之基板； <br/>使該基板暴露於該抑制劑化合物，該抑制劑化合物包含經至少一個烷氧基官能化之炔烴化合物；及 <br/>使該抑制劑化合物沉積於該基板之該至少一個金屬表面上。
一種電漿處理裝置，其特徵在於具有： <br/>載台，供零件供給體及/或安裝有電子零件的安裝基板所載置，所述零件供給體於裝設於環的片貼附有經單片化為所述電子零件的晶圓； <br/>腔室，供所述載台設置，能夠對所述腔室的內部進行減壓； <br/>氣體導入口，向經減壓的所述腔室內導入反應氣體； <br/>電漿產生器，藉由使所述反應氣體電漿化而產生活性種； <br/>遮罩，設置於所述腔室內，使所述晶圓露出，並且於遠離所述片的狀態下覆蓋所述環與所述片的一部分； <br/>排氣口，自所述腔室內排出所述反應氣體；以及 <br/>活性種排除部，於所述活性種到達所述環與所述電子零件之間的區域之前，藉由負壓而將所述活性種排除。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述活性種排除部具有設置於所述遮罩的排出口。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述活性種排除部具有於所述遮罩的與所述片相向的面開口的排出口。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述活性種排除部具有設置於所述遮罩的排出口， <br/>所述排出口於與所述晶圓的中心相向的面開口。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述遮罩配置成包圍所述晶圓， <br/>所述活性種排除部具有設置於所述遮罩的排出口， <br/>所述排出口沿著所述晶圓的周圍設置。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述活性種排除部具有隔離壁，所述隔離壁介在於所述腔室內的所述氣體導入口與所述排氣口之間並沿著所述遮罩隔開間隙地近接配置。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述活性種排除部具有隔離壁，所述隔離壁介在於所述腔室內的所述氣體導入口與所述排氣口之間並沿著所述遮罩隔開間隙地近接配置且呈朝向所述載台之側開口的筒狀。
如請求項6所述的電漿處理裝置，其中，所述排氣口基於所述腔室及/或所述隔離壁的形狀而配設多個。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述排氣口沿所述載台的外周朝向外方側均等地配設多個。
如請求項6所述的電漿處理裝置，其中，所述排氣口沿著所述隔離壁的周圍設置有多個。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述載台設置成能夠選擇性載置所述零件供給體與供所述電子零件安裝的所述安裝基板。
如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述載台設置成能夠選擇性載置所述零件供給體與供所述電子零件安裝的所述安裝基板， <br/>於所述載台設置有擋件，所述擋件於載置有所述安裝基板時將所述遮罩的高度保持為與所述遮罩覆蓋所述零件供給體時相同的高度。
一種前處理裝置，其特徵在於具有： <br/>如請求項1至12中任一項所述的電漿處理裝置； <br/>裝載口，供收容有所述零件供給體的搬送容器搭載； <br/>供給體清洗部，對所述零件供給體進行清洗； <br/>安裝基板清洗部，對所述安裝基板進行清洗；以及 <br/>搬送部，對所述零件供給體進行搬送。
一種安裝系統，其特徵在於具有： <br/>如請求項13所述的前處理裝置；以及 <br/>接合部，使所述電子零件自由所述電漿處理裝置處理後的所述零件供給體脫離並搭載於所述安裝基板。
一種安裝系統，其特徵在於具有： <br/>如請求項1至12中任一項所述的電漿處理裝置；以及 <br/>接合部，使所述電子零件自由所述電漿處理裝置處理後的所述零件供給體脫離並搭載於所述安裝基板。
一種二氧化矽粉末，是由球狀二氧化矽顆粒形成的二氧化矽粉末，其中，<br/> 所述二氧化矽粉末經以下分散方法A分散後的分散液的由雷射衍射散射法測得的體積基準累積50%粒徑亦即D₅₀為0.05~2.00μm，且體積基準累積100%粒徑亦即D₁₀₀為5μm以下，<br/> 所述二氧化矽粉末經以下分散方法B分散後的分散液的由動態圖像分析法檢測到的粒徑超過5μm的顆粒量為100ppm以上，且粒徑超過5μm的獨立顆粒量小於100ppm，<br/> 分散方法A：<br/> 用頻率為20kHz的超聲波均質機將5質量%二氧化矽粉末的乙醇懸浮液分散5分鐘的方法；<br/> 分散方法B：<br/> 用頻率為40kHz的超聲波清洗機將0.1質量%二氧化矽粉末的水懸浮液分散30分鐘的方法。
如請求項1所述的二氧化矽粉末，其中，<br/> 所述球狀二氧化矽顆粒被矽烷偶聯劑進行了表面處理，且該矽烷偶聯劑的成分量為2.0~22.0個/nm<sup>2</sup>。
如請求項1或2所述的二氧化矽粉末，其中，<br/> 由雷射衍射散射法獲得的體積基準累積50%粒徑亦即D₅₀（μm）與體積基準累積100%粒徑亦即D₁₀₀（μm）的比值亦即D₁₀₀/D₅₀為1以上且5以下。
如請求項1或2所述的二氧化矽粉末，其中，<br/> 根據由雷射衍射散射法獲得的體積基準累積50%粒徑亦即D₅₀和體積基準累積90%粒徑亦即D₉₀，通過公式（1）計算得到的所述二氧化矽粉末的粗大顆粒的量亦即V₉₀為10以上且小於100，<br/> V₉₀={（D₉₀-D₅₀）/D₅₀}×100 （1）。
一種樹脂組合物，其中，所述樹脂組合物通過請求項1或2所述的二氧化矽粉末被分散在樹脂中而形成。
一種分散體，其中，所述分散體通過請求項1或2所述的二氧化矽粉末被分散在溶劑中而形成。
一種基板處理系統，其包含：<br/> 一第一邊緣環，佈置於一基板支撐組件周圍，該第一邊緣環係可相對於該基板支撐組件移動；<br/> 一第二邊緣環，佈置於該基板支撐組件周圍且位於該第一邊緣環下方，該第二邊緣環之內緣部分在佈置於該基板支撐組件上的一半導體基板之外緣下方延伸；以及<br/> 一控制器，其係配置用以基於該第一及第二邊緣環之侵蝕而補償該第一邊緣環之一高度。
如請求項1之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以基於該第一及第二邊緣環暴露在該半導體基板之處理期間所供應的RF功率下的時數來確定該第一及第二邊緣環之該侵蝕。
如請求項1之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以在該半導體基板之處理期間，基於所補償的該高度而使該第一邊緣環相對於該基板支撐組件移動。
如請求項1之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以：<br/> 確定該第一邊緣環暴露至該半導體基板之處理期間所供應之RF功率的一第一時數；<br/> 確定該第一邊緣環因該半導體基板之該處理而受到侵蝕的一第一速率；<br/> 確定該第二邊緣環暴露至該RF功率的一第二時數；<br/> 確定該第二邊緣環因該半導體基板之該處理以及因該第一邊緣環的移動而受到侵蝕的一第二速率；以及<br/> 基於該第一及第二時數以及該第一及第二速率來補償該第一邊緣環之該高度。
如請求項4之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以：<br/> 基於該第一時數以及該第一速率來確定補償該第一邊緣環之該高度的一第一數量；<br/> 基於該第二時數以及該第二速率來確定補償該第一邊緣環之該高度的一第二數量；以及<br/> 基於該第一及第二數量的總和來補償該第一邊緣環之該高度。
如請求項5之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以：<br/> 確定在該處理期間使用之一電漿可調式邊緣鞘層相對於前一第一邊緣環的一高度偏移；<br/> 基於該電漿可調式邊緣鞘層之該高度偏移以及基於用於補償該前一第一邊緣環之高度的前一數量，來確定用於補償該第一邊緣環之該高度的一調諧因子；<br/> 基於該第一時數、該第一速率以及該調諧因子來確定補償該第一邊緣環之該高度的該第一數量；<br/> 基於該第二時數、該第二速率以及該調諧因子來確定補償該第一邊緣環之該高度的該第二數量。
如請求項6之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以基於邊緣至中心之蝕刻速率的標準化比率或基於在該半導體基板上之臨界尺寸的一偏移，來確定該電漿可調式邊緣鞘層之該高度偏移。
如請求項6之基板處理系統，其中該調諧因子為該電漿可調式邊緣鞘層之該高度偏移比上用於補償該前一第一邊緣環之該高度的該前一數量的比率。
如請求項4之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以基於該半導體基板上相對於電漿啟用時間的處理效能來確定該第一速率。
如請求項4之基板處理系統，其中該控制器係進一步配置用以：<br/> 確定該第二邊緣環暴露至該RF功率的時數與該第二邊緣環之一侵蝕速率之間的關聯性；以及<br/> 基於該關聯性而確定該第二速率。
如請求項1之基板處理系統，其中支撐於該基板支撐組件上之該半導體基板的外徑小於該第一邊緣環的內徑。
一種用於基板處理系統的方法，該方法包含：<br/> 在該基板處理系統中之一基座周圍佈置一第一邊緣環，該第一邊緣環係可相對於該基座移動；<br/> 在該基座周圍且於該第一邊緣環下方佈置一第二邊緣環，該第二邊緣環之內緣部分在佈置於該基座上的一半導體基板之外緣下方延伸；以及<br/> 基於該第一及第二邊緣環之侵蝕而補償該第一邊緣環之一高度。
如請求項12之用於基板處理系統的方法，更包含基於該第一及第二邊緣環暴露至該半導體基板之處理期間所供應的RF功率的時數來確定該第一及第二邊緣環之該侵蝕。
如請求項12之用於基板處理系統的方法，更包含根據所補償的該高度而在該半導體基板之處理期間將該第一邊緣環相對於該基座移動。
如請求項12之用於基板處理系統的方法，更包含：<br/> 計數該第一邊緣環暴露至該半導體基板之處理期間所供應之RF功率的一第一時數；<br/> 確定該第一邊緣環因該半導體基板之該處理而受到侵蝕的一第一速率；<br/> 計數該第二邊緣環暴露至該RF功率的一第二時數；<br/> 確定該第二邊緣環因該處理以及因該第一邊緣環的移動而受到侵蝕的一第二速率；以及<br/> 基於該第一及第二時數以及該第一及第二速率來補償該第一邊緣環之該高度。
如請求項15之用於基板處理系統的方法，更包含：<br/> 基於該第一時數以及該第一速率來確定補償該第一邊緣環之該高度的一第一數量；<br/> 基於該第二時數以及該第二速率來確定補償該第一邊緣環之該高度的一第二數量；以及<br/> 基於該第一及第二數量的總和來補償該第一邊緣環之該高度。
如請求項16之用於基板處理系統的方法，更包含：<br/> 確定在該處理期間使用之一電漿可調式邊緣鞘層相對於一前一第一邊緣環的一高度偏移；<br/> 基於該電漿可調式邊緣鞘層之該高度偏移以及基於用於補償該前一第一邊緣環之高度的一前一數量，來確定補償該第一邊緣環之該高度的一調諧因子；<br/> 基於該第一時數、該第一速率以及該調諧因子來確定補償該第一邊緣環之該高度的該第一數量；<br/> 基於該第二時數、該第二速率以及該調諧因子來確定補償該第一邊緣環之該高度的該第二數量。
如請求項17之用於基板處理系統的方法，更包含基於邊緣至中心之蝕刻速率的標準化比率或基於在該半導體基板上之臨界尺寸的一偏移，來確定該電漿可調式邊緣鞘層的該高度偏移。
如請求項17之用於基板處理系統的方法，更包含確定該調諧因子為該電漿可調式邊緣鞘層之該高度偏移比上用於補償該前一第一邊緣環之該高度的該前一數量的比率。
如請求項15之用於基板處理系統的方法，更包含基於該半導體基板上相對於電漿啟用時間的處理效能來確定該第一速率。
如請求項15之用於基板處理系統的方法，更包含：<br/> 確定該第二邊緣環暴露至該RF功率的時數與該第二邊緣環之一侵蝕速率之間的關聯性；以及<br/> 基於該關聯性而確定該第二速率。
如請求項12之用於基板處理系統的方法，其中支撐於該基座上之該半導體基板的外徑小於該第一邊緣環的內徑。
一種可攜式裝置，包含有：<br/> 一整合電路，包含有一第一接收器引腳、一第一傳送器引腳、一第二接收器引腳以及一第二傳送器引腳，其中該第一接收器引腳與該第一傳送器引腳係位於該整合電路的一左側，以及該第二接收器引腳與該第二傳送器引較係位於該整合電路的一右側；<br/> 一觸控顯示面板，直接地連接至該整合電路，並包含有一電容式感測器陣列，其中該電容式感測器陣列包含有垂直排列的複數個傳送感測器元件以及水平排列的複數個接收感測器元件，其中該複數個傳送感測器元件之中的一部分的傳送感測器元件係耦接至該第一傳送器引腳，該複數個傳送感測器元件之中的另一部分的傳送感測器元件係耦接至該第二傳送器引腳，該複數個接收感測器元件之中的一部分的接收感測器元件係耦接至該第一接收器引腳，以及該複數個接收感測器元件之中的另一部分的接收感測器元件係耦接至該第二接收器引腳；<br/> 第一組線路，位於該觸控顯示面板的頂部、一第一垂直邊以及底部，並分別耦接於該複數個傳送感測器元件之中的每一個傳送感測器元件的頂部與底部之間；<br/> 第二組線路，分別耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該第一組線路與該整合電路之間；以及<br/> 第三組線路，位於相對於該第一垂直邊來說的該觸控顯示面板的一第二垂直邊上，並分別耦接於該複數個接收感測器元件與該整合電路之間；<br/> 其中該第一組線路之中的一第一線路係耦接於該電容式感測器陣列的一最左傳送感測器元件，並係位於該電容式感測器陣列的頂部中最靠近該電容式感測器陣列的位置、該第一垂直邊中最靠近該電容式感測器陣列的位置以及該電容式感測器陣列的底部中最遠離該電容式感測器陣列的位置；以及該第一組線路之中的一第二線路係耦接於該電容式感測器陣列的一最右傳送感測器元件，並係位於該電容式感測器陣列的頂部中最遠離該電容式感測器陣列的位置、該第一垂直邊中最遠離該電容式感測器陣列的位置以及該電容式感測器陣列的底部中最靠近該電容式感測器陣列的位置。
如申請專利範圍第1項所述之可攜式裝置，其中該第一組線路之中的一第三線路係耦接於該電容式感測器陣列的一中間偏左傳送感測器元件，並係位於該電容式感測器陣列的頂部中的該第一線路與該第二線路之間的位置、該第一垂直邊中的該第一線路與該第二線路之間的位置以及該電容式感測器陣列的底部中的該第一線路與該第二線路之間的位置；以及該第一組線路之中的一第四線路係耦接於該電容式感測器陣列的一中間偏右傳送感測器元件之間，並係位於該電容式感測器陣列的頂部中的該第二線路與該第三線路之間的位置、該第一垂直邊中的該第二線路與該第三線路之間的位置以及該電容式感測器陣列的底部中的該第二線路與該第三線路之間的位置。
如申請專利範圍第2項所述之可攜式裝置，其中該第二組線路之中的一第五線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該最左傳送感測器元件與該第一傳送器引腳之間；該第二組線路之中的一第六線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該中間偏左傳送感測器元件與該第一傳送器引腳之間；該第二組線路之中的一第七線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該中間偏右傳送感測器元件與該第二傳送器引腳之間；以及該第二組線路之中的一第八線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該最右傳送感測器元件與該第二傳送器引腳之間。
如申請專利範圍第1項所述之可攜式裝置，其中該第三組線路之中的一半的線路係分別耦接於該複數個接收感測器元件之中的一半的接收感測器元件與該第一接收器引腳之間，以及該第三組線路之中的另一半的線路係分別耦接於該複數個接收感測器元件之中的另一半的接收感測器元件與該第二接收器引腳之間。
如申請專利範圍第1項所述之可攜式裝置，其中該觸控顯示面板包含有一第一金屬層以及一第二金屬層，該第一金屬層與該第二金屬層在空間上彼此分離且彼此電隔離，該第二組線路係位於該觸控顯示面板的該第一金屬層中，該第三組線路係位於該觸控顯示面板的該第二金屬層中，以及該第一組線路係位於該觸控顯示面板的該第一金屬層與該第二金屬層中。
如申請專利範圍第1項所述之可攜式裝置，其中該觸控顯示面板係一觸控顯示驅動器整合面板。
如申請專利範圍第2項所述之可攜式裝置，其中該整合電路包含有：<br/> 一第一整合電路，包含有該第一傳送器引腳、該第一接收器引腳、一第三傳送器引腳與一第三接收器引腳；以及<br/> 一第二整合電路，包含有該第二傳送器引腳、該第二接收器引腳、一第四傳送器引腳與一第四接收器引腳。
如申請專利範圍第7項所述之可攜式裝置，其中該第二組線路之中的一第五線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該最左傳送感測器元件與該第一傳送器引腳之間；該第二組線路之中的一第六線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該中間偏左傳送感測器元件與該第三傳送器引腳之間；該第二組線路之中的一第七線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該中間偏右傳送感測器元件與該第四傳送器引腳之間；以及該第二組線路之中的一第八線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該最右傳送感測器元件與該第二傳送器引腳之間。
如申請專利範圍第8項所述之可攜式裝置，其中該第三組線路之中的一第九線路係耦接於一第一接收感測器元件與該第二接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十線路係耦接於一第二接收感測器元件與該第二接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十一線路係耦接於一第三接收感測器元件與該第四接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十二線路係耦接於一第四接收感測器元件與該第四接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十三線路係耦接於一第五接收感測器元件與該第三接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十四線路係耦接於一第六接收感測器元件與該第三接收器引腳之間；該第三組線路之中的一第十五線路係耦接於一第七接收感測器元件與該第一接收器引腳之間；以及該第三組線路之中的一第十六線路係耦接於一第八接收感測器元件與該第一接收器引腳之間；其中該第一接收感測器元件、該第二接收感測器元件、該第三接收感測器元件、該第四接收感測器元件、該第五接收感測器元件、該第六接收感測器元件、該第七接收感測器元件與該第八接收感測器元件係依序地自該電容式感測器陣列的頂部排列至該電容式感測器陣列的底部，以及該第三組線路係耦接於位於該電容式感測器陣列之底部的該第一組線路的下方。
一種觸控顯示器，包含有：<br/> 一觸控顯示面板，包含有一電容式感測器陣列，其中該電容式感測器陣列包含有複數個傳送電極與複數個接收電極，以及該複數個傳送電極與該複數個接收電極彼此成90度來排列；<br/> 多個觸控驅動器，分別耦接至該觸控顯示面板的一左側與一右側；以及<br/> 一整合電路，耦接於該觸控顯示面板，並包含有：<br/> 一第一類型的一第一引腳與一第二引腳，以供耦接至耦接於該電容式感測器陣列的該第一類型的複數個電子線路；以及<br/> 一第二類型的一第三引腳與一第四引腳，以供耦接至耦接於該電容式感測器陣列的該第二類型的複數個電子線路，其中該第三引腳與該第四引腳係位於該第一引腳與該第二引腳之間；<br/> 其中該第一類型的該第一引腳與該第二引腳係對應於該多個觸控驅動器，並且該第一類型的該複數個電子線路係於該觸控顯示面板的該左側與該右側來耦接至該整合電路；以及該第二類型的該複數個電子線路係於該觸控顯示面板的一底部來耦接至該整合電路；<br/> 其中該第一類型與該第二類型係根據該電容式感測器陣列中的該複數個傳送電極與該複數個接收電極的排列來擇取。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示器，其中當該複數個傳送電極被垂直地排列於該電容式感測器陣列中時，該第一類型被擇取以作為一傳送類型，並且該第二類型被擇取以作為一接收類型。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示器，其中當該複數個接收電極被垂直地排列於該電容式感測器陣列中時，該第一類型被擇取以作為一接收類型，並且該第二類型被擇取以作為一傳送類型。
如申請專利範圍第11項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有該第二類型的一第五引腳與一第六引腳，以及該第五引腳與該第六引腳係位於該第三引腳與該第四引腳之間。
如申請專利範圍第13項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有一第一源極焊墊、一第二源極焊墊與一第三源極焊墊，該第五引腳係位於該第一源極焊墊與該第二源極焊墊之間，以及該第六引腳係位於該第二源極焊墊與該第三源極焊墊之間。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有一第一顯示源極焊墊與一第二顯示源極焊墊，以及該第一引腳、該第二引腳、該第三引腳與該第四引腳係位於該第一顯示源極焊墊與該第二顯示源極焊墊之間。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有：<br/> 一第一控制電路，耦接於該第一引腳與該第三引腳，其中該第一控制電路適應性地擇取該第一類型與該第二類型；以及<br/> 一第二控制電路，耦接於該第二引腳與該第四引腳，其中該第二控制電路適應性地擇取該第一類型與該第二類型。
如申請專利範圍第12項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有該第二類型的一第五引腳與一第六引腳，以及該第五引腳與該第六引腳係位於該第三引腳與該第四引腳之間。
如申請專利範圍第17項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有一第一源極焊墊、一第二源極焊墊與一第三源極焊墊，該第五引腳係位於該第一源極焊墊與該第二源極焊墊之間，以及該第六引腳係位於該第二源極焊墊與該第三源極焊墊之間。
如申請專利範圍第15項所述之觸控顯示器，其中該整合電路另包含有一控制電路，該控制電路耦接於該第一引腳、該第二引腳、該第三引腳與該第四引腳，以及該控制電路適應性地擇取該第一類型與該第二類型。
一種無線電能傳輸線圈（1），其由一導線（10）沿一第一捲繞方向連續繞製而成，該無線電能傳輸線圈（1）具有沿周向設置的一第一區段（11）和一第二區段（12），該第一區段（11）具有一第一最大厚度，該第二區段（12）具有一第二最大厚度，該第一區段（11）從外緣到內緣具有一第一寬度（w1），該第二區段（12）從外緣到內緣具有一第二寬度（w2），該第二最大厚度大於該第一最大厚度且該第二寬度（w2）小於該第一寬度（w1）。
如請求項1所述的無線電能傳輸線圈，其中，在該導線（10）的一長度方向（SD）上，該導線（10）的垂直於該長度方向（SD）的截面尺寸恆定。
如請求項1所述的無線電能傳輸線圈，其中，該無線電能傳輸線圈（1）還具有一第一過渡區（13）和一第二過渡區（14），該第一區段（11）、該第一過渡區（13）、該第二區段（12）和該第二過渡區（14）沿該無線電能傳輸線圈（1）的周向首尾依次連接。
如請求項3所述的無線電能傳輸線圈，其中，該無線電能傳輸線圈（1）包括多個基礎匝（15）和多個跨層匝（16），至少一個該跨層匝（16）連接於沿該第一捲繞方向相鄰的兩個該基礎匝（15）之間，該無線電能傳輸線圈（1）具有一基礎層（17）和一疊加層（18），該疊加層（18）設於該基礎層（17）沿厚度方向的一側；<br/> 其中，該基礎匝（15）設於該基礎層（17）；<br/> 該跨層匝（16）在該第一區段（11）設於該基礎層（17），在該第二區段（12）至少設於該疊加層（18）；<br/> 該跨層匝（16）在該第一過渡區（13）沿著該第一捲繞方向從該基礎層（17）進入該疊加層（18），在該第二過渡區（14）沿著該第一捲繞方向從該疊加層（18）進入該基礎層（17）。
如請求項4所述的無線電能傳輸線圈，其中，該疊加層（18）包括至少兩個子疊加層（181），每個該子疊加層（181）具有單層該導線（10），該至少兩個子疊加層（181）在該基礎層（17）沿厚度方向的一側依次疊置，該無線電能傳輸線圈（1）具有至少兩個連續設置的該跨層匝（16），每個該跨層匝（16）在該第二區段（12）設於同一個子疊加層（181），連續設置且相鄰的兩個該跨層匝（16）在該第二區段（12）設置在相鄰的兩個該子疊加層（181）上。
如請求項4所述的無線電能傳輸線圈，其中，該基礎層（17）具有單層該導線（10）；或者<br/> 該基礎層（17）包括至少兩個子基礎層（171），每個該子基礎層（171）具有單層該導線（10），該至少兩個子基礎層（171）的形狀相同，該至少兩個子基礎層（171）沿該無線電能傳輸線圈（1）的厚度方向依次疊置，每個該基礎匝（15）設於同一個子基礎層（171）。
如請求項3所述的無線電能傳輸線圈，其中，該導線（10）垂直於一長度方向（SD）的截面具有一長邊和一短邊，該長邊垂直於該短邊，該無線電能傳輸線圈（1）包括至少一個扭轉匝（19），該扭轉匝（19）在該第一區段（11）處該長邊垂直於該無線電能傳輸線圈（1）的軸線，在該第二區段（12）處該短邊垂直於該無線電能傳輸線圈（1）的軸線；<br/> 該扭轉匝（19）的導線（10）在該第一過渡區（13）和該第二過渡區（14）發生扭轉。
如請求項7所述的無線電能傳輸線圈，其中，該無線電能傳輸線圈（1）還包括至少一個基礎匝（15），該扭轉匝（19）的長邊垂直於該無線電能傳輸線圈（1）的軸線。
如請求項1所述的無線電能傳輸線圈，其中，該導線（10）為一李茲線或一自黏線。
一種線圈組件，其包括：<br/> 一如請求項1至9中任一項所述的無線電能傳輸線圈（1），該無線電能傳輸線圈（1）的導線（10）具有一內端部（101）和一外端部（102）；以及<br/> 一連接電路板（3），設於該無線電能傳輸線圈（1）的一側並分別與該內端部（101）和該外端部（102）電連接。
如請求項10所述的線圈組件，其中，該連接電路板（3）具有一主體部（31）、一第一連接臂（32）和一第二連接臂（33），該第一連接臂（32）從該主體部（31）延伸至該內端部（101）並與該內端部（101）連接，該第二連接臂（33）從該主體部（31）延伸至該外端部（102）並與該外端部（102）連接。
如請求項11所述的線圈組件，其中，該內端部（101）和該外端部（102）設於該第一區段（11），該第一連接臂（32）和該第二連接臂（33）設於該第一區段（11）的一側並避讓該第二區段（12）。
如請求項10所述的線圈組件，其中，該連接電路板（3）為一硬質印刷電路板、一柔性印刷電路板或一軟硬結合板。
一種電子設備，其包括：<br/> 一設備主體（4），內部包括一線圈安裝空間；以及<br/> 一如請求項10至13中任一項所述的線圈組件，設於該線圈安裝空間內。
一種噴墨列印機，其包含：<br/>處理台；<br/>列印頭，其耦接至列印頭支撐件，該列印頭支撐件安置於該處理台上方；以<br/>及<br/>液滴布置分析器，其配有膜支撐件，該膜支撐件具有不透明的光學非干涉表面，該光學非干涉表面在其上安置有列印材料之液滴之膜直接接觸該膜支撐件時具有對該列印材料之該液滴進行拍照之特性，其中該光學非干涉表面之該特性基於被用來照明該列印材料之該液滴之光的特徵或該列印材料之該液滴的特徵或前述兩者來作選擇。
如請求項1之噴墨列印機，其中該光學非干涉表面具有鏡面拋光。
如請求項1之噴墨列印機，其中該光學非干涉表面包含反射塗層。
如請求項1之噴墨列印機，其中該光學非干涉表面為真空表面。
如請求項3之噴墨列印機，其中該膜支撐件包含玻璃體，且該反射塗層經塗覆至該玻璃體。
如請求項1之噴墨列印機，其中該光學非干涉表面為具有光反射率之反射插入體之表面。
如請求項1之噴墨列印機，其中該光學非干涉表面由可拆卸體提供。
如請求項1之噴墨列印機，其中該膜支撐件在該光學非干涉表面中具有與該膜支撐件內部之氣室流體連通的開口。
如請求項8之噴墨列印機，其中該膜支撐件包含界定該氣室之蓋板，以及附接至該蓋板之氣體配件。
一種用於噴墨列印機之液滴布置分析器，該液滴布置分析器包含具有不透明的光學非干涉真空表面的膜支撐件，以用於將膜直接接觸該光學非干涉真空表面上並且用於對安置於該膜上之列印材料之液滴進行拍照，其中該光學非干涉真空表面具有基於被用來拍照該列印材料之該液滴之光的特徵。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該光學非干涉表面具有鏡面拋光。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該光學非干涉表面包含反射塗層。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該光學非干涉表面為真空表面。
如請求項12之液滴布置分析器，其中該膜支撐件包含玻璃體，且該反射塗層經塗覆至該玻璃體。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該光學非干涉表面為具有光反射率之反射插入體之一表面。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該光學非干涉表面由可拆卸體提供。
如請求項10之液滴布置分析器，其中該膜支撐件在該光學非干涉表面中具有與該膜支撐件內部之氣室流體連通的開口。
如請求項17之液滴布置分析器，其中該膜支撐件包含界定該氣室之蓋板，以及附接至該蓋板之氣體配件。
一種處理基板之方法，其包含：<br/>提供具有平坦且不透明的光學非干涉表面之支撐體；<br/>將透明測試基板牢固地直接接觸該支撐體之該光學非干涉表面；<br/>將列印材料之液滴施配至該透明測試基板上；<br/>使用適合與該支撐體之該光學非干涉表面一起使用之光來照明該透明測試基板，並且基於該列印材料之該液滴的特徵，來最小化該光自該支撐體之該光學非干涉表面反射之雜訊及失真；以及<br/>對該透明測試基板上之該列印材料之該液滴進行拍照。
如請求項19之方法，其中該光學非干涉表面包含鏡面拋光、反射塗層、真空表面、具有光反射率之反射插入體、可拆卸體、與該支撐體內部之氣室流體連通之開口、或前述之組合。
一種波形產生器，包含： <br/>一第一電壓級，包含： <br/>一第一電壓源； <br/>一第一開關；以及 <br/>一第二開關，其中 <br/>該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子， <br/>該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子及該波形產生器的一輸出節點， <br/>該第二開關係設置在一第一節點與該第一電壓源的該第二端子之間，其中該第二開關的該第一端子和該第一電壓源的該第二端子係與該輸出節點連接， <br/>該第一開關的一第二端子耦合到該第一節點及該第二開關的一第二端子，並且 <br/>該輸出節點係配置以耦合到一負載；以及 <br/>一第二電壓級，耦合在該第一節點與一接地節點之間，其中該第一節點係設置在該第一開關與該第二開關的該些第二端子之間，該第二電壓級包含： <br/>一第二電壓源； <br/>一第三開關；以及 <br/>一第四開關，其中 <br/>該第二電壓源的一第一端子耦合到該第三開關的一第一端子， <br/>該第二電壓源的一第二端子耦合到該第四開關的一第一端子及該第一節點， <br/>該第四開關係設置在一第二節點與該第一節點之間，並且 <br/>該第二節點係耦合到該接地節點、該第三開關的一第二端子、及該第四開關的一第二端子。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第一電壓源包含一電容元件。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第一開關及該第二開關的每一者包含一電晶體。
如請求項1所述的波形產生器，進一步包含： <br/>一電流級耦合到該第二電壓級，該電流級包含： <br/>一電流源；及 <br/>一第五開關，耦合到該電流源，其中該電流源係與該第五開關並聯耦合。
如請求項4所述的波形產生器，進一步包含一二極體，該二極體耦合在該第五開關的一第一端子與一第二端子之間。
如請求項5所述的波形產生器，其中該二極體包含該第五開關的一主體二極體。
如請求項1所述的波形產生器，進一步包含耦合到該第二節點的一電流級，該第二節點設置在該第三開關與該第四開關的第二端子之間。
如請求項7所述的波形產生器，進一步包含一第三電壓級，該第三電壓級包含： <br/>一第三電壓源； <br/>一第五開關；以及 <br/>一第六開關，其中該第三電壓源的一第一端子耦合到該第五開關的一第一端子，其中該第三電壓源的一第二端子耦合到該第六開關的一第一端子，並且其中在該第五開關與該第六開關的第二端子之間的一第三節點耦合到該第一電壓級、該第二電壓級、或者該電流級。
如請求項8所述的波形產生器，其中： <br/>該第一電壓源包含一第一電容元件； <br/>該第二電壓源包含一第二電容元件； <br/>該第三電壓源包含一第三電容元件；以及 <br/>該波形產生器進一步包含經配置為充電該第一電容元件、該第二電容元件、及該第三電容元件的一或多個充電電路。
如請求項9所述的波形產生器，其中該一或多個充電電路經配置為將該第三電容元件充電到與該等第一及第二電容元件相比較低的一電壓。
如請求項1所述的波形產生器，其中該負載包含在一處理腔室內的一電漿。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第一電壓級與該第二電壓級係耦合在該輸出節點與接地之間。
如請求項1所述的波形產生器，進一步包含耦合在該第二電壓級與該接地節點之間的一第五開關。
如請求項13所述的波形產生器，其中該第五開關包含一電晶體。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第二電壓源包含一電容元件。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第三開關及該第四開關的每一者包含一電晶體。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第一節點係與該第四開關的該第一端子連接。
如請求項1所述的波形產生器，其中該第一電壓級係與該輸出節點連接，並且其中該第二電壓級係藉由該第一電壓級耦合至該輸出節點。
一種波形產生器，包含： <br/>一第一電壓級，具有： <br/>一第一電壓源； <br/>一第一開關；以及 <br/>一第二開關，其中該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子，該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子，其中該第二開關的該第一端子耦合到該波形產生器的一輸出節點，並且其中該波形產生器的該輸出節點耦合到一負載； <br/>一第二電壓級，耦合到設置在該第一開關與該第二開關的第二端子之間一第一節點；以及 <br/>一電流級，耦合到該第二電壓級，該電流級包含： <br/>一電流源，其中該電流源包含一電容元件；及 <br/>一感應元件，與該電容元件串聯耦合；以及 <br/>一第三開關，耦合到該電流源，其中該電流源係與該第三開關並聯耦合。
一種波形產生器，包含： <br/>一第一電壓級，包含： <br/>一第一電壓源； <br/>一第一開關；以及 <br/>一第二開關，其中 <br/>該第一電壓源的一第一端子耦合到該第一開關的一第一端子， <br/>該第一電壓源的一第二端子耦合到該第二開關的一第一端子及該波形產生器的一輸出節點， <br/>該第二開關係設置在一第一節點與該輸出節點之間， <br/>該第一開關的一第二端子耦合到該第一節點及該第二開關的一第二端子，並且 <br/>該輸出節點係配置以耦合到一負載；以及 <br/>一第二電壓級，耦合在該第一節點與一接地節點之間，其中該第一節點係設置在該第一開關與該第二開關的該些第二端子之間，其中該第一電壓級係與該輸出節點連接，並且其中該第二電壓級係藉由該第一電壓級耦合至該輸出節點，該第二電壓級包含： <br/>一第二電壓源； <br/>一第三開關；以及 <br/>一第四開關，其中 <br/>該第二電壓源的一第一端子耦合到該第三開關的一第一端子， <br/>該第二電壓源的一第二端子耦合到該第四開關的一第一端子及該第一節點， <br/>該第四開關係設置在一第二節點與該第一節點之間，並且 <br/>該第二節點係耦合到該接地節點、該第三開關的一第二端子、及該第四開關的一第二端子。
一種電晶體，包括： <br/>一基板； <br/>一堆疊結構，設置於該基板上，包括： <br/>一汲極電極； <br/>一源極電極，設置於該汲極電極上； <br/>一半導體層，設置於該汲極電極與該源極電極之間； <br/>一第一緩衝層，設置於該汲極電極與該半導體層之間；以及 <br/>一第二緩衝層，設置於該源極電極與該半導體層之間；以及 <br/>一閘極結構，設置於該基板上，其中該閘極結構在該基板的俯視方向上延伸且貫穿該堆疊結構，且該閘極結構包括： <br/>一閘極電極；以及 <br/>一閘介電層，設置於該閘極電極與該堆疊結構之間。
如請求項1所述的電晶體，其中該第一緩衝層的材料以及該第二緩衝層的材料包括一氧化物半導體，且該半導體層的材料包括一多晶矽。
如請求項1所述的電晶體，其中該第一緩衝層包括一第一摻雜區，該第二緩衝層包括一第二摻雜區，且該第一摻雜區以及該第二摻雜區各自與該半導體層以及該閘介電層接觸。
如請求項1所述的電晶體，其中該閘極結構在該基板的該俯視方向上具有一柱狀結構。
一種反相器，包括： <br/>一基板； <br/>一堆疊結構，設置於該基板上且包括一第一堆疊結構以及設置於該第一堆疊結構上的一第二堆疊結構，其中該第一堆疊結構包括： <br/>一第一源極電極； <br/>一第一汲極電極，設置於該第一源極電極上； <br/>一第一半導體層，設置於該第一源極電極與該第一汲極電極之間； <br/>一第一緩衝層，設置於該第一源極電極與該第一半導體層之間；以及 <br/>一第二緩衝層，設置於該第一汲極電極與該第一半導體層之間， <br/>其中該第二堆疊結構包括： <br/>一第二汲極電極； <br/>一第二源極電極，設置於該第二汲極電極上；以及 <br/>一絕緣層，設置於該第二汲極電極與該第二源極電極之間； <br/>一閘極結構，設置於該基板上，其中該閘極結構在該基板的一俯視方向上延伸且貫穿該堆疊結構，該閘極結構包括： <br/>一閘極電極；以及 <br/>一閘介電層，設置於該閘極電極與該堆疊結構之間；以及 <br/>一第二半導體層，設置於該閘極結構與該第二堆疊結構之間，其中該第二半導體層與該第二源極電極以及該第二汲極電極接觸。
如請求項5所述的反相器，其中被該第一半導體層環繞的該閘極結構的一寬度小於被該第二半導體層環繞的該閘極結構的一寬度。
如請求項5所述的反相器，其中被該第一半導體層環繞的該閘極結構的一寬度以及被該第二半導體層環繞的該閘極結構的一寬度為小於或等於5微米。
如請求項5所述的反相器，其中該第一緩衝層的材料以及該第二緩衝層的材料包括一氧化物半導體，且該第一半導體層的材料包括一多晶矽。
如請求項5所述的反相器，其中該第一緩衝層包括一第一摻雜區，該第二緩衝層包括一第二摻雜區，且該第一摻雜區以及該第二摻雜區各自與該半導體層以及該閘介電層接觸。
如請求項5所述的反相器，其中該第二半導體層的材料包括一氧化物半導體。
如請求項5所述的反相器，其中該閘極結構在該基板的該俯視方向上具有一柱狀結構。
如請求項5所述的反相器，還包括一內連線層，其中該內連線層包括： <br/>一第一內連線層，其中該閘極電極與該第一內連線層電性連接，且作為一輸入端； <br/>一第二內連線層，其中該第一源極電極與該第二內連線層電性連接，且作為一電源端； <br/>一第三內連線層，其中該第二源極電極與該第三內連線層電性連接，且作為一接地端；以及 <br/>一第四內連線層，其中該第一汲極電極以及該第二汲極電極與該第四內連線層電性連接，且作為一輸出端。
一種反相器的製作方法，包括： <br/>形成包括一第一半導體層的一第一堆疊結構材料層； <br/>形成一第二堆疊結構材料層於該第一堆疊結構材料層上； <br/>形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗，其中該第一接觸窗與該第一堆疊結構材料層中的一第一源極電極以及該第二堆疊結構材料層中的一第二源極電極電性連接，且該第二接觸窗與該第一堆疊結構材料層中的一第一汲極電極以及該第二堆疊結構材料層中的一第二汲極電極電性連接； <br/>移除一部分的該第二堆疊結構材料層以形成一第一溝渠，且形成一第二半導體層於該第一溝渠中，其中該第二半導體層與該第二源極電極以及該第二汲極電極接觸； <br/>通過該第一溝渠移除一部分的該第一堆疊結構材料層以形成一第二溝渠，且形成包括一第一堆疊結構以及設置於該第一堆疊結構上的一第二堆疊結構的一堆疊結構，其中該第二溝渠的一寬度小於該第一溝渠的一寬度；以及 <br/>形成填入該第一溝渠與該第二溝渠的一閘極結構， <br/>其中該閘極結構在該基板的俯視方向上延伸且貫穿該堆疊結構， <br/>其中該第一堆疊結構包括一第一緩衝層以及一第二緩衝層，該第一緩衝層設置於該第一源極電極與該第一半導體層之間，且該第二緩衝層設置於該第一汲極電極與該第一半導體層之間。
如請求項13所述的反相器的製作方法，其中該第一半導體層通過低溫多晶矽製程形成。
如請求項13所述的反相器的製作方法，其中該第二半導體層通過原子層沉積製程形成，且該第二半導體層的材料包括一氧化物半導體。
如請求項13所述的反相器的製作方法，其中該第一緩衝層包括一第一摻雜區，該第二緩衝層包括一第二摻雜區，且該第一摻雜區以及該第二摻雜區各自與該第一半導體層以及該閘極結構接觸。
如請求項16所述的反相器的製作方法，其中利用離子佈植製程形成該第一摻雜區以及該第二摻雜區。
一種記憶體單元，包括： <br/>交叉耦合的一第一反相器以及一第二反相器，其中該第一反相器與該第二反相器為如請求項5所述的反相器， <br/>其中該第一反相器與該第二反相器共用該第一源極電極以及該第一半導體層。
如請求項18所述的記憶體單元，其還包括一第一傳輸電晶體以及一第二傳輸電晶體，其中該第一傳輸電晶體與該第一反相器耦接，且該第二傳輸電晶體與該第二反相器耦接。
如請求項18所述的記憶體單元，其為一種靜態隨機存取記憶體。
一種微影方法，包含以下步驟：<br/> 在一半導體晶圓上形成一罩幕層；<br/> 形成一錫液滴，包括以下步驟：<br/> 將錫自一低壓儲液器供應至一高壓儲液器；<br/> 藉由附接至該高壓儲液器的至少兩個電極監測該高壓儲液器中的一錫液位，其中該至少兩個電極之至少一者位於該高壓儲液器的一側壁，該至少兩個電極之其餘者位於該高壓儲液器的該側壁或的一底座；<br/> 回應於該錫液位超過一閾值，將該錫自該高壓儲液器供應至一液滴產生器；及<br/> 藉由該液滴產生器使用該高壓儲液器供應的該錫形成該錫液滴；<br/> 藉由該錫液滴產生光；及<br/> 藉由該光對該罩幕層進行圖案化。
如請求項1所述之方法，其中監測該錫液位之步驟包括以下步驟：<br/> 藉由耦合至該至少兩個電極的一電錶量測一電容值。
如請求項2所述之方法，其中量測該電容值之步驟包括以下步驟：<br/> 向該至少兩個電極施加一交流電訊號，該交流電訊號的頻率在1千赫至1百萬赫的範圍內。
如請求項2所述之方法，其中監測該錫液位之步驟包括以下步驟：向該至少兩個電極施加一訊號，該至少兩個電極包括：<br/> 一第一電極，在一第一垂直液位附接至該高壓儲液器的該側壁；及<br/> 一第二電極，在偏離該第一垂直液位的一第二垂直液位附接至該側壁。
如請求項4所述之方法，其中該第一電極及該第二電極沿一水平方向位於該高壓儲液器的相對兩側。
如請求項2所述之方法，其中監測該錫液位之步驟包括以下步驟：向該至少兩個電極施加一訊號，該至少兩個電極包括：<br/> 一第一電極，沿該高壓儲液器的該側壁垂直延伸；及<br/> 一第二電極，沿該高壓儲液器的該底座水平延伸。
如請求項2所述之方法，其中監測該錫液位之步驟包括以下步驟：向該至少兩個電極施加一訊號，該至少兩個電極包括：<br/> 一第一電極，附接至該高壓儲液器的該底座；及<br/> 至少兩個第二電極，沿該高壓儲液器的該側壁垂直延伸。
如請求項7所述之方法，其中：<br/> 該第一電極包括一內部部分及自該內部部分向外延伸的至少兩個延伸部分；且<br/> 該至少兩個第二電極位於該至少兩個延伸部分之間的多個縫隙中。
一種微影方法，包含以下步驟：<br/> 形成一錫液滴，包括以下步驟：<br/> 藉由附接至一儲液器的至少兩個電極監測該儲液器中的一錫的液位，其中該至少兩個電極之至少一者位於該儲液器的一側壁，該至少兩個電極之其餘者位於該儲液器的該側壁或的一底座；<br/> 回應於該錫的液位超過一閾值，將該錫自該儲液器供應至一液滴產生器；及<br/> 藉由該液滴產生器使用該儲液器供應的該錫形成該錫液滴；及<br/> 藉由該錫液滴產生極紫外光。
一種微影系統，包含：<br/> 一光源，包括：<br/> 一液滴產生器；<br/> 一儲液器，與該液滴產生器流體連通；<br/> 一監測組件，在操作中量測與該儲液器中錫液位相關聯的電容，該監測組件具有連接至該儲液器外部的至少兩個電極，其中該至少兩個電極之至少一者位於該儲液器的一側壁，該至少兩個電極之其餘者位於該儲液器的該側壁或的一底座；及<br/> 一收集器，在操作中根據該液滴產生器形成的一錫液滴形成一光束；及<br/> 至少一個反射器，在操作中將該光束引導至一晶圓台。
一種機車發電負載調節系統，包含： <br/>一引擎轉速感測器，輸出一引擎轉速資訊； <br/>一油門感測器，輸出一油門開度資訊； <br/>一電瓶； <br/>一控制器，電性連接該引擎轉速感測器、該油門感測器與該電瓶；以及 <br/>一穩壓控制裝置，具有一通訊埠、一電源輸入埠與一電源輸出埠，該通訊埠電性連接該控制器，該電源輸入埠電性連接一發電機，該電源輸出埠電性連接該電瓶，該穩壓控制裝置透過該通訊埠接收該控制器所傳送的該引擎轉速資訊與該油門開度資訊，該穩壓控制裝置將該發電機所產生的一感應電源轉換為該電瓶的一充電電源，該充電電源對應一發電負載； <br/>其中，當該穩壓控制裝置判斷該引擎轉速資訊落入一轉速區間，且該油門開度資訊的一開啟速率大於或等於一門檻加速速率時，該穩壓控制裝置調降該充電電源以調降該發電負載； <br/>其中，該穩壓控制裝置透過該通訊埠接收該控制器所傳送的該電瓶的一電瓶電壓資訊；當該穩壓控制裝置判斷該引擎轉速資訊落入該轉速區間、該油門開度資訊的該開啟速率大於或等於該門檻加速速率、且該電瓶電壓資訊大於或等於一門檻電壓時，該穩壓控制裝置調降該發電負載； <br/>其中，當該穩壓控制裝置判斷該電瓶電壓資訊大於或等於一上限電壓時，該穩壓控制裝置控制該發電負載為最小發電負載；該上限電壓大於該門檻電壓； <br/>其中，當該穩壓控制裝置判斷執行該最小發電負載的持續時間大於或等於一門檻時間長度，該穩壓控制裝置控制該發電負載為最大發電負載；該門檻時間長度為1秒以上6秒以下。
如請求項1所述之機車發電負載調節系統，其中，當該穩壓控制裝置判斷該油門開度資訊的一關閉速率小於或等於一門檻減速速率時，該穩壓控制裝置控制該發電負載為最大發電負載。
如請求項2所述之機車發電負載調節系統，其中，該門檻加速速率為30度/300毫秒，該門檻減速速率為20度/300毫秒。
如請求項1所述之機車發電負載調節系統，其中，該轉速區間的一下限值為 1500 RPM(每分鐘轉速)，該轉速區間的一上限值為 8000 RPM。
如請求項1所述之機車發電負載調節系統，其中，該門檻電壓為13.0V以上，該上限電壓為13.6V以上。
如請求項5所述之機車發電負載調節系統，其中，當該穩壓控制裝置判斷該電瓶電壓資訊小於或等於該門檻電壓，該穩壓控制裝置控制該發電負載為最大發電負載。
如請求項1至5中任一項所述之機車發電負載調節系統，其中，該穩壓控制裝置的該通訊埠為控制器區域網路匯流排(CAN BUS)通訊埠，該穩壓控制裝置透過控制器區域網路與該控制器連線； <br/>該穩壓控制裝置包含矽控整流器，當該穩壓控制裝置判斷與該控制器的連線中斷，該穩壓控制裝置直接根據該感應電源透過矽控整流器進行電源調節以產生該充電電源。
一種通訊光連結裝置，其沿一XYZ三維空間中的X軸方向依序包含一波導陣列單元、一光主動元件陣列單元及一母載板單元，且各單元之間是相互校準定位並連結成一體，其中： <br/>該波導陣列單元包含至少一波導元件且各該波導元件是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，各該波導元件的光軸是平行於該X軸方向，其中各該波導元件面向且最接近該光主動元件陣列單元側之表面且最接近該光主動元件陣列單元側並垂直於該X軸方向的平面是界定為一第一YZ平面，即該第一YZ平面是垂直於該X軸方向及各該波導元件的各該光軸； <br/>該光主動元件陣列單元包含至少一光主動元件且各該光主動元件是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，各該光主動元件的光軸是平行於該X軸方向，其中各該光主動元件面向該波導陣列單元側之表面且最接近該波導陣列單元側並垂直於該X軸方向的平面是界定為一第二YZ平面，即該第二YZ平面是垂直於該X軸方向及各該光主動元件的各該光軸； <br/>該母載板單元包含至少一子載板且各該子載板是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該子載板設有一定位參考軸是平行於該X軸方向，且各該子載板沿該X軸方向分別具有一第一表面及一第二表面，其中各該子載板的各該第一表面是面向且靠近或連結至該光主動元件陣列單元中的各該光主動元件，而各該第二表面是位於各該第一表面沿X軸方向的相對側； <br/>其中該第一YZ平面是平行且貼近於該第二YZ平面，且該第一YZ平面與該第二YZ平面之間的任何空隙是利用一填充材料所填滿，藉此使該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元之間不存在任何空氣間隙或真空間隙； <br/>其中該波導陣列單元中各該波導元件的各該光軸是一對一耦合於該光主動元件陣列單元中各該光主動元件的各該光軸及該母載板單元中各該子載板的各該定位參考軸以使各該波導元件、各該光主動元件及各該子載板能沿該X軸方向依序連結形成一光通道，藉此使該通訊光連結裝置是包含至少一該光通道且各該光通道是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中各該光主動元件與各該子載板間的任何空隙是利用一填充材料所填滿，且該填充材料的屈光指數是大於空氣的屈光指數，藉此使各該光主動元件與各該子載板之間不存在任何空氣間隙或真空間隙間，以使各該波導元件、各該光主動元件及各該子載板能沿該X軸方向依序連結形成一不存在任何空氣間隙或真空間隙的光通道。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中該填充材料包括膠狀填充劑及液狀填充劑，且該填充材料的屈光指數是大於空氣的屈光指數。
如請求項3所述之通訊光連結裝置，其中該填充材料的屈光指數是介於各該波導元件的核心的屈光指數與各該光主動元件的光電轉換材料的屈光指數之間。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中當該填充材料是膠狀填充劑時，該膠狀填充劑得當作黏著劑使用以在固化後能使該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元相互定位並連結成一體。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中當該填充材料是液狀填充劑時，此時該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元之間的空隙的外圍是被一外殼體所密閉包覆住，使該液狀填充劑能在該外殼體的內部空間包含該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元之間的空隙之中自由流動。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中各該子載板的材料是包括半導體、玻璃、壓克力或透明陶瓷。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中各該子載板與各該光主動元件的材料是包括金剛石、氮化鋁、碳化矽、石墨或透明陶瓷。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中該母載板單元中各該子載板的各該第二表面是成型設有一反射鏡。
如請求項9所述之通訊光連結裝置，其中該反射鏡為聚焦反射鏡，包括凹面反射鏡、Fresnel 反射鏡或Grating反射鏡，其中各該聚焦反射鏡的光軸是耦合於各該子載板的各該定位參考軸、各該光主動元件的各該光軸及各該波導元件的各該光軸。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中相鄰接的二該波導元件之間設有由吸光材料構成的吸光體，藉此使各該吸光體能吸收來自鄰近光通道之光。
如請求項11所述之通訊光連結裝置，其中設在該波導陣列單元中相鄰接的二該波導元件之間且面向光主動元件陣列單元一端的吸光體的導熱材質包括金剛石、氮化鋁、碳化矽或石墨，藉此對各該光主動元件進行導熱。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中設在該波導陣列單元中相鄰接的二該波導元件之間且面向該主動元件陣列單元一端的吸光體為熱電降溫結構（Thermal Electric Cooler），藉此對各該主動元件進行溫度控制。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中相鄰接的二該光主動元件之間設有由吸光材料構成的吸光體，藉此使各該吸光體能吸收來自鄰近光通道之光。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中相鄰接的二該子載板之間設有由吸光材料構成的吸光體，藉此使各該吸光體能吸收來自鄰近光通道之光。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中當該光主動元件陣列單元中各該光主動元件是面射型光源（Surface Emitting Light Source）或檢光器時，該通訊光連結裝置是包含至少一該光通道且各該光通道是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一個二維陣列。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中當該光主動元件陣列單元中各該光主動元件是邊射型半導體光源（Edge Emitting Light Source）時，該通訊光連結裝置是包含至少一該光通道且各該光通道是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一個一維陣列。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中各該光主動元件的光電轉換材料的YZ截面徑寬是小於所對應的各該波導元件的核心的YZ截面徑寬，使各該光主動元件的光電轉換材料所發出之光能大部分都進入各該波導元件之核心傳遞。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中該波導陣列單元中各該波導元件是包括光纖、波導或波導形式的梯度折射率透鏡（Grin Lens）。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中該波導陣列單元在各該波導元件之區域外更向（Y，Z）方向延伸形成一第一延伸平面，且更將該第一延伸平面當作該第一YZ平面；其中該波導陣列單元中各該波導元件之區域的表面是較該第一延伸平面遠離各該光主動元件側一段距離。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中該光主動元件陣列單元在各該光主動元件之區域外更向（Y，Z）方向延伸形成一第二延伸平面，且更將該第二延伸平面當作該第二YZ平面；其中該光主動元件陣列單元中各該光主動元件之區域的表面是較該第二延伸平面遠離各該波導元件側一段距離。
如請求項1所述之通訊光連結裝置，其中在該波導陣列單元上所界定的該第一YZ平面更在各該波導元件之區域外向（Y，Z）方向延伸形成一第一延伸平面；其中在該光主動元件陣列單元上所界定的該第二YZ平面更在各該光主動元件之區域外向（Y，Z）方向延伸形成一第二延伸平面。
如請求項22所述之通訊光連結裝置，其中在該第一延伸平面上設置至少一對準標示，在該第二延伸平面上設置至少一對準標示；其中當該第二延伸平面上所設各該對準標示與該第一延伸平面上所設各該對準標示於（Y，Z）座標互相對齊吻合時，該波導陣列單元中各該波導元件的各該光軸即與該光主動元件陣列單元中各該光主動元件的各該光軸互相對齊吻合。
如請求項23所述之通訊光連結裝置，其中在該第一延伸平面及該第二延伸平面上所設的各對準標示為磁性材料，且該第一延伸平面上之磁性對準標示與所對應之該第二延伸平面上之磁性對準標示為互相吸引的相反磁極。
一種通訊光連結裝置的製造方法，其包含下列步驟： <br/>步驟S1：製作一波導陣列單元：該波導陣列單元包含至少一波導元件且各該波導元件是在一XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該波導元件的光軸是平行於XYZ三維空間中的X軸方向，且各該波導陣列單元面向一光主動元件陣列單元側的表面且最接近該光主動元件陣列單元側且垂直於該X軸方向的平面是界定為一第一YZ平面； <br/>步驟S2：製作一光主動元件陣列單元：該光主動元件陣列單元包含至少一光主動元件且各該光主動元件是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該光主動元件的光軸是平行於該X軸方向，且各該光主動元件陣列面向該波導陣列單元側之表面且最接近該波導陣列單元側且垂直於該X軸方向的平面是界定為一第二YZ平面； <br/>步驟S3：製作一母載板單元：該母載板單元包含至少一子載板且各該子載板是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該子載板設有一定位參考軸是平行於該X軸方向，其中各該子載板沿該X軸方向分別具有一第一表面及一第二表面，其中各該子載板的各該第一表面是面向該光主動元件陣列單元，而各該第二表面是位於各該第一表面沿X軸方向的相對側； <br/>步驟S4：沿著該XYZ三維空間中的X軸方向，將該波導陣列單元、該光主動元件陣列單元及該母載板單元相互之間進行校準定位並連結固定成一體：其中該第一YZ平面是平行且貼近於該第二YZ平面，且該第一YZ平面與該第二YZ平面之間的空隙是利用一填充材料來填滿，且該填充材料的屈光指數是大於空氣的屈光指數，藉此使該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元之間不存在任何空氣間隙或真空間隙；其中該波導陣列單元中各該波導元件的各該光軸是一對一耦合於該光主動元件陣列單元中各該光主動元件的各該光軸及該母載板單元中各該子載板的各該定位參考軸，以使各該波導元件、各該光主動元件及各該子載板能沿該X軸方向依序連結形成一光通道； <br/> 步驟S5：組裝完成該通訊光連結裝置，使該通訊光連結裝置是包含至少一該光通道且各該光通道是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列。
一種如請求項25所述之製造方法，其中該步驟S2更包含下列步驟： <br/> 步驟S2-1：提供一光主動元件磊晶載板； <br/> 步驟S2-2：利用半導體製程技藝以在該光主動元件磊晶載板上製作成型一光主動元件陣列單元：其中該光主動元件陣列單元包含至少一光主動元件且各該光主動元件是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該光主動元件的光軸是平行於該X軸方向。
一種如請求項25所述之製造方法，其中該步驟S3更包含下列步驟： <br/> 步驟S3-1：提供一母載板本體其是利用不吸光材料所製成：該母載板本體是在一XYZ三維空間中的Ｘ軸方向上具有一厚度，而在該厚度的兩側分別具有在YZ平面延伸的一第一表面及一第二表面相對於該第一表面； <br/>步驟S3-2：將該第二表面製作成型具有至少一凸曲面且各該凸曲面是在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列，其中各該凸曲面的光軸是平行於該X軸方向； <br/>步驟S3-3：將各該凸曲面製作成型為聚焦反射鏡，藉以使各該聚焦反射鏡得在該XYZ三維空間中的YZ平面上間隔排列以形成一陣列； <br/>步驟S3-4：在相鄰接的二該聚焦反射鏡之間加工成型具有一深度的第一凹槽； <br/>步驟S3-5：利用吸光材塗佈並填滿各該第一凹槽以構成一第一吸光體，使各該聚焦反射鏡得在該XYZ三維空間中的YZ平面上藉由各該第一吸光體而間隔排列以形成一陣列； <br/>步驟S3-6：在該母載板本體的該第一表面上並在其一對一對應於各該第一吸光體的位置處製作成型具有一深度的第二凹槽，但各該第二凹槽與其所一對一對應的各該第一凹槽之間保留有一段屬於母載板本體的連通體； <br/>步驟S3-7：利用吸光材塗佈並填滿各該第二凹槽以構成一第二吸光體，使該母載板本體的該第一表面上能保留並形成至少一子表面，並使介於各該子表面與其一對一對應的各該聚焦反射鏡之間的局部母載板本體即界定為一子載板，藉此使各該子載板得在該XYZ三維空間中的YZ平面上藉由各該第一吸光體及各該第二吸光體而間隔排列以形成一陣列。
如請求項27所述之製造方法，其中當該光主動元件陣列單元中各光主動元件是發光二極體、垂直腔面射型雷射或檢光器時，在該步驟S3-7之後更包含下列步驟： <br/>步驟S3-8：在該母載板本體的該第一表面上所保留並形成的各該子表面上進一步設置一第一導電連通面； <br/>步驟S3-9：在設有各該光主動元件的第一導電連通面以外的各該子表面上製作成型具有一深度的第三凹槽，並藉由各該第三凹槽而各形成一低階面，並再於各該低階面上進一步設置一第二導電連通面。
如請求項25所述之製造方法，其中該步驟S4更包含下列步驟： <br/>步驟S4-1：先將該光主動元件陣列單元與該母載板單元沿著該XYZ三維空間中的X軸方向相互校準定位並連結成一體：其中該光主動元件陣列單元中各該光主動元件的各該光軸是一對一耦合於該母載板單元中各該子載板的各該定位參考軸，且該光主動元件陣列單元中各該光主動元件與該母載板單元中各該子載板之間的空隙是利用一填充材料來填滿並當作黏著劑，且該填充材料的屈光指數是大於空氣的屈光指數，且該填充材料不吸收各該光通道之光訊號； <br/>步驟S4-2：待該填充材料固化之後，該光主動元件陣列單元與該母載板單元即藉由該填充材料而黏著連結成一結合體，且該光主動元件陣列單元與該母載板單元之間是不存在任何空氣間隙或真空間隙； <br/>步驟S4-3：再將該波導陣列單元來與該光主動元件陣列單元及該母載板單元的結合體沿著該XYZ三維空間中的X軸方向相互校準定位並連結成一體：其中該波導陣列單元中各該波導元件的各該光軸是一對一耦合於該光主動元件陣列單元中各該光主動元件的各該光軸；其中該第一YZ平面是平行且貼近於該第二YZ平面，且該第一YZ平面與該第二YZ平面之間的空隙是利用一填充材料來填滿，且該填充材料的屈光指數是大於空氣的屈光指數，且該填充材料不吸收各光通道之光訊號，藉此使該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元之間不存在任何空氣間隙或真空間隙； <br/>步驟S4-4：待該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元及該母載板單元的結合體連結成一體並固定之後，即組裝完成該通訊光連結裝置。
如請求項25所述之製造方法，其中該步驟S4更包含下列步驟： <br/> 步驟S4-5：採用一光軸對準機制供用來進行各該波導元件的各該光軸一對一耦合於各該光主動元件的各該光軸的校準定位作業； <br/>步驟S4-6：感測該波導陣列單元與該光主動元件陣列單元在校準定位作業中該第一YZ平面之法線與該第二YZ平面之法線之二法線間相互歪斜的方位； <br/>步驟S4-7：將該二法線間相互歪斜的方位的訊息回饋給該光軸對準機制，以使該第一YZ平面與該第二YZ平面能更為平行，並藉此使該第一YZ平面與該第二YZ平面能更為貼近。
一種電子門票的檢票方法，所述檢票方法由一處理器來執行，所述處理器用於執行以下步驟，包括： <br/>從一用戶終端接收一第一終端資訊和一出票請求訊號； <br/>生成與所述出票請求訊號對應的一門票資訊，並將與所述門票資訊對應的一電子門票發送至所述用戶終端； <br/>從一檢票裝置接收所述門票資訊和一第二終端資訊； <br/>識別與接收到的所述門票資訊對應的所述第一終端資訊； <br/>檢查所識別的所述第一終端資訊與從所述檢票裝置接收到的所述第二終端資訊是否相同； <br/>當確認所識別的所述第一終端資訊相同於所接收的所述第二終端資訊時，從與所述檢票裝置觸碰的所述用戶終端來請求一位置資訊； <br/>基於接收所觸碰的所述用戶終端的所述位置資訊，檢查所述檢票裝置的第一位置資訊是否被預先儲存； <br/>當確認所述檢票裝置的第一位置資訊被預先存儲時，基於所識別的所述第一終端資訊和所接收的所述第二終端資訊之間的相同性以及基於所觸碰的所述用戶終端的位置資訊和所確認的所述檢票裝置的第一位置資訊之間的鄰近性來認證所述電子門票；以及 <br/>當確認所述檢票裝置的所述第一位置資訊未被預先存儲時，基於所述門票資訊來識別觀看設施的第二位置資訊，並基於所識別的第一終端資訊和所接收的第二終端資訊之間的相同性以及基於所觸碰的所述用戶終端的所述位置資訊和所識別的所述第二位置資訊之間的鄰近性來認證所述電子門票。
如請求項1所述的電子門票的檢票方法，其中所述電子門票是條形碼、二維碼、近場通信NFC門票或非同質化通證NFT門票。
如請求項1的電子門票的檢票方法，其中接收所述第一終端資訊和所述出票請求訊號包括： <br/>從所述用戶終端接收所述出票請求訊號； <br/>向所述用戶終端發送一終端資訊請求訊號；以及 <br/>從所述用戶終端接收所述第一終端資訊。
如請求項1所述的電子門票的檢票方法，其中將所述電子門票發送至所述用戶終端包括： <br/>生成與所述出票請求訊號對應的所述門票資訊； <br/>將所生成的所述門票資訊和接收到的所述第一終端資訊一一對應地儲存到一資料庫；以及 <br/>生成包括所生成的所述門票資訊的所述電子門票並將所述電子門票發送至所述用戶終端。
如請求項1所述的電子門票的檢票方法，其中所述第一終端資訊和所述第二終端資訊包括針對每個用戶終端不同地設置的唯一ID。
如請求項5所述的電子門票的檢票方法，其中所述第一終端資訊和所述第二終端資訊包括MAC地址、國際移動設備識別碼IMEI、設備唯一標識符UDID、通用唯一識別碼UUID、廣告標識符ADID中的至少一個。
如請求項1所述的電子門票的檢票方法，更包括： <br/>從所述用戶終端接收所述電子門票的一重新出票請求訊號； <br/>響應于所述重新出票請求訊號，從一資料庫刪除與所述電子門票的門票資訊對應地儲存的所述第一終端資訊； <br/>從所述用戶終端重新接收所述第一終端資訊； <br/>將所述電子門票的門票資訊和重新接收的所述第一終端資訊一一對應地儲存到所述資料庫；以及 <br/>將所述電子門票發送至所述用戶終端。
一種電子門票的檢票系統，包括： <br/>一伺服器； <br/>一檢票裝置，用於將一觸碰資訊發送至所述伺服器； <br/>一出票目標終端，用於從所述伺服器接收一電子門票；以及 <br/>一檢票目標終端，用於將所述電子門票與所述檢票裝置觸碰， <br/>其中所述出票目標終端將一第一終端資訊和一出票請求訊號發送至所述伺服器； <br/>所述伺服器響應於所述出票請求訊號生成一門票資訊，並將與所述門票資訊對應的所述電子門票發送至所述出票目標終端； <br/>所述檢票裝置將透過與所述檢票目標終端的觸碰收集到的所述門票資訊和一第二終端資訊發送至所述伺服器； <br/>其中所述伺服器用於： <br/>識別與接收到的所述門票資訊對應的所述第一終端資訊； <br/>檢查所識別的所述第一終端資訊與從所述檢票裝置接收到的所述第二終端資訊是否相同； <br/>當確認所識別的所述第一終端資訊相同於所接收的所述第二終端資訊時，從與所述檢票裝置觸碰的所述用戶終端來請求一位置資訊； <br/>基於接收所觸碰的所述用戶終端的所述位置資訊，檢查所述檢票裝置的第一位置資訊是否被預先儲存； <br/>當確認所述檢票裝置的第一位置資訊被預先存儲時，基於所識別的所述第一終端資訊和所接收的所述第二終端資訊之間的相同性以及基於所觸碰的所述用戶終端的位置資訊和所確認的所述檢票裝置的第一位置資訊之間的鄰近性來認證所述電子門票；以及 <br/>當確認所述檢票裝置的所述第一位置資訊未被預先存儲時，基於所述門票資訊來識別觀看設施的第二位置資訊，並基於所識別的第一終端資訊和所接收的第二終端資訊之間的相同性以及基於所觸碰的所述用戶終端的所述位置資訊和所識別的所述第二位置資訊之間的鄰近性來認證所述電子門票。
一種電容器元件，包含有： <br/>一電容本體，具有一本體頂面及一本體底面； <br/>複數第一電容圖層，設置於該電容本體內，且彼此連接； <br/>複數第二電容圖層，設置於該電容本體內，且彼此連接，並與該些第一電容圖層交疊設置且相隔一間隙； <br/>一第一表面電極，設置於該電容本體的該本體底面，且連接該些第一電容圖層； <br/>一第二表面電極，設置於該電容本體的該本體底面，且連接該些第二電容圖層； <br/>複數第一電極薄帶基板，具有一第一電容通孔及一第一連接通孔，且具有一第一頂面及一第一底面；其中，該第一電容通孔及該第一連接通孔中分別填入有一第一導電膏；其中，該些第一電極薄帶基板的該些第一頂面上分別具有該第一電容圖層及一第一通孔圖層，且該些第一電容圖層分別設置於該些第一電容通孔上方，並連接該些第一電容通孔中的該些第一導電膏，而該些第一通孔圖層分別設置於該些第一連接通孔上方，並連接該些第一連接通孔中的該些第一導電膏； <br/>複數第二電極薄帶基板，具有一第二電容通孔及一第二連接通孔，且具有一第二頂面及一第二底面；其中，該第二電容通孔及該第二連接通孔中分別填入有一第二導電膏；其中，該些第二電極薄帶基板的該些第二頂面上分別具有該第二電容圖層及一第二通孔圖層，且該些第二電容圖層分別設置於該些第二電容通孔上方，並連接該些第二電容通孔中的該些第二導電膏，而該些第二通孔圖層分別設置於該些第二連接通孔上方，並連接該些第二連接通孔中的該些第二導電膏；其中，該些第一電極薄帶基板與該第二電極薄帶基板相互交疊設置而形成該電容本體； <br/>其中，該些第二電極薄帶基板的該些第二連接通孔中的該些第二導電膏及該些第二通孔圖層連接該些第一電極薄帶基板的該些第一電容通孔中的該些第一導電膏及該些第一電容圖層，且連接該第一表面電極； <br/>其中，該些第一電極薄帶基板的該些第一連接通孔中的該些第一導電膏及該些第一通孔圖層連接該些第二電極薄帶基板的該些第二電容通孔中的該些第二導電膏及該些第二電容圖層，且連接該第二表面電極。
如請求項1所述的電容器元件，其中，該電容本體進一步包含有： <br/>一表面電極薄帶基板，具有一第一電極通孔及一第二電極通孔，且設置於該電容本體之該本體底面；其中，該第一電極通孔及該第二電極通孔中分別填入有一電極導電膏； <br/>其中，該第一電極通孔中的該電極導電膏形成該第一表面電極，該第二電極通孔中的該電極導電膏形成該第二表面電極。
如請求項1所述的電容器元件，其中，該電容本體進一步包含有： <br/>一頂面薄帶基板，設置於該電容本體之該本體頂面。
如請求項1所述的電容器元件，其中，該些第一電容圖層及該些第二電容圖層具有相同數量。
一種電容器元件的製作方法，包含以下步驟： <br/>準備複數第一電極生胚薄帶及複數第二電極生胚薄帶； <br/>於該些第一電極生胚薄帶形成複數第一電容通孔及複數第一連接通孔，且於該些第二電極生胚薄帶形成複數第二電容通孔及複數第二連接通孔； <br/>於該些第一電極生胚薄帶的該些第一電容通孔及該些第一連接通孔中分別填入一第一導電膏，且於該些第二電極生胚薄帶的該些第二電容通孔及該些第二連接通孔中分別填入一第二導電膏； <br/>於該些第一電極生胚薄帶的複數第一頂面分別印刷一第一電容圖層及一第一通孔圖層，且於該些第二電極生胚薄帶的複數第二頂面分別印刷一第二電容圖層及一第二通孔圖層； <br/>依序相互交疊該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，並壓合相互交疊的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶； <br/>燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，形成一電容本體薄帶； <br/>切割該電容本體薄帶，形成複數電容器元件。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，在切割該電容本體薄帶，形成該些電容器元件的步驟中，還包含有以下子步驟： <br/>將該電容本體薄帶貼附於一藍膜； <br/>切割該電容本體薄帶，形成複數電容本體切塊； <br/>將貼附於該藍膜上的該電容本體切塊進行折粒； <br/>擴張折粒後的該電容本體切塊，形成該些電容器元件。
如請求項6所述的電容器元件的製作方法，其中，在將貼附於該藍膜上的該電容本體切塊進行折粒前，還包含有以下步驟： <br/>使用一探針卡測試該些電容本體切塊。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，在準備該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶的步驟中，係進一步包含有以下步驟： <br/> 準備一表面電極生胚薄帶； <br/>其中，在於該些第一電極生胚薄帶形成該些第一電容通孔及該些第一連接通孔的步驟中，係進一步包含有以下步驟： <br/> 於該表面電極生胚薄帶形成複數第一電極通孔及複數第二電極通孔； <br/>其中，在於該些第一電極生胚薄帶的該些第一電容通孔及該些第一連接通孔中分別填入該第一導電膏的步驟中，係進一步包含有以下步驟： <br/> 於該表面電極生胚薄帶的該些第一電極通孔及該些第二電極通孔中分別填入一電極導電膏； <br/>其中，在依序相互交疊該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，並壓合相互交疊的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶的步驟中，係依序交疊並壓合該表面電極生胚薄帶、該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶； <br/>其中，在燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，形成該電容本體薄帶的步驟中，係燒結壓合後的該表面電極生胚薄帶、該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，在準備該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶的步驟中，係進一步包含有以下步驟： <br/> 準備一頂面生胚薄帶； <br/>其中，在依序相互交疊該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，並壓合相互交疊的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶的步驟中，係依序交疊並壓合該些第一電極生胚薄帶、該些第二電極生胚薄帶及該頂面生胚薄帶； <br/>其中，在燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，形成該電容本體薄帶的步驟中，係燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶、該些第二電極生胚薄帶及該頂面生胚薄帶。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，該些第一電極生胚薄帶的該些第一電容通孔及該些第一連接通孔係通過機械打孔或雷射打孔形成； <br/>其中，該些第二電極生胚薄帶的該些第二電容通孔及該些第二連接通孔係通過機械打孔或雷射打孔形成。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，該些第一電容圖層及該些第一通孔圖層係通過網版印刷或噴墨印刷形成於該些第一電極生胚薄帶的該些第一頂面； <br/>其中，該些第二電容圖層及該些第二通孔圖層係通過網版印刷或噴墨印刷形成於該些第二電極生胚薄帶的該些第二頂面。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，於壓合相互交疊的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶的步驟中，係先壓合相互交疊的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，再通過水均壓壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶。
如請求項5所述的電容器元件的製作方法，其中，於燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶，形成一電容本體薄帶的步驟中，係排膠及燒結壓合後的該些第一電極生胚薄帶及該些第二電極生胚薄帶。
一種試驗裝置，具備：<br/> 電壓產生部，產生補償電壓；<br/> 控制部，控制前述補償電壓、及使前述補償電壓變化的時序；<br/> 信號增幅部，將自被試驗元件輸入的類比輸入信號與由前述控制部控制的前述補償電壓的差分加以增幅，並輸出類比增幅信號；<br/> 測定部，測定前述類比增幅信號；及，<br/> 復原部，使用前述補償電壓的電壓值，自藉由前述測定部測定的電壓值來復原前述類比輸入信號的電壓值；<br/> 並且，前述電壓產生部，以自前述被試驗元件輸入的前述類比輸入信號的電壓期待值被包含於預定的電壓範圍的測定窗的方式，使前述補償電壓變化。
如請求項1所述之試驗裝置，其中，<br/> 前述控制部，生成用以實行預定的試驗程式之測試圖案，且同步於前述測試圖案而控制使前述補償電壓變化的時序。
如請求項2所述之試驗裝置，具備記憶部，以記憶電壓表，該電壓表包含使用對應於前述試驗程式之前述類比輸入信號的前述電壓期待值而生成的時系列資料；<br/> 前述電壓產生部，基於前述電壓表，以前述電壓期待值被包含於前述測定窗的方式，使前述補償電壓變化。
如請求項3所述之試驗裝置，其中，前述電壓產生部，具有DA轉換器；<br/> 前述記憶部，可以記憶前述電壓表，該電壓表包含使用前述電壓期待值的時系列資料而生成的對應於前述DA轉換器的解析度的個數以下的電壓值的時系列資料。
如請求項3所述之試驗裝置，其中，前述電壓表，基於前述類比輸入信號的期待波形資料而生成。
如請求項1至5中任一項所述之試驗裝置，其中，前述信號增幅部，具有被設置於同一個機板的複數個信號增幅電路；<br/> 前述電壓產生部，具有被設置於前述同一個機板的DA轉換器，以在前述複數個信號增幅電路之中的至少2個以上的信號增幅電路輸入共通的補償電壓。
如請求項6所述之試驗裝置，其中，前述電壓產生部，具有1個DA轉換器以在前述複數個信號增幅電路輸入共通的補償電壓。
如請求項6所述之試驗裝置，其中，前述複數個信號增幅電路，被分類為複數個群組；<br/> 前述電壓產生部，具有複數個DA轉換器以各別地在各別的前述複數個群組輸入共通的補償電壓。
如請求項8所述之試驗裝置，其中，各別的前述複數個DA轉換器，以對應於各別的前述複數個群組的前述類比輸入信號的電壓期待值被包含於前述測定窗的方式，使前述共通的補償電壓變化。
如請求項1至5中任一項所述之試驗裝置，其中，前述信號增幅部，具有被設置於同一個機板的複數個信號增幅電路；<br/> 前述電壓產生部，具有被設置於前述同一個機板的複數個DA轉換器，以各別地在各別的前述複數個信號增幅電路輸入前述補償電壓。
如請求項1至5中任一項所述之試驗裝置，具備修正部，以使用預定的修正係數來修正在前述電壓產生部、前述信號增幅部或前述測定部產生的誤差。
一種試驗方法，具備：<br/> 產生補償電壓之階段；<br/> 將自被試驗元件輸入的類比輸入信號與前述補償電壓的差分加以增幅，並輸出類比增幅信號之階段；<br/> 測定前述類比增幅信號之階段；及，<br/> 使用前述補償電壓的電壓值，自在測定前述類比增幅信號之階段測定的電壓值來復原前述類比輸入信號的電壓值之階段；<br/> 並且，產生前述補償電壓之階段，具有以自前述被試驗元件輸入的前述類比輸入信號的電壓期待值被包含於預定的電壓範圍的測定窗的方式，使前述補償電壓變化之階段。
一種電腦可讀取媒體，藉由試驗裝置具備的電腦來實行，且記憶有程式用以使前述試驗裝置發揮下述機能：<br/> 電壓產生部，產生補償電壓；<br/> 控制部，控制前述補償電壓、及使前述補償電壓變化的時序；<br/> 信號增幅部，將自被試驗元件輸入的類比輸入信號與前述補償電壓的差分加以增幅，並輸出類比增幅信號；<br/> 測定部，測定前述類比增幅信號；及，<br/> 復原部，使用前述補償電壓的電壓值，自藉由前述測定部測定的電壓值來復原前述類比輸入信號的電壓值；<br/> 並且，前述電壓產生部，以自前述被試驗元件輸入的前述類比輸入信號的電壓期待值被包含於預定的電壓範圍的測定窗的方式，使前述補償電壓變化。
一種風機過濾裝置（Fan Filter Unit，FFU），包括：<br/>一風扇；以及<br/>一控制模組，包括：<br/>一邏輯判斷電路，連接於一半導體機台之一機台電源，該邏輯判斷電路用以判斷該機台電源是否跳脫；<br/>一風機電源；及<br/>一控制電路，連接於該風機電源及該邏輯判斷電路，若該機台電源跳脫，則該控制電路將該風扇之一供電路徑從該機台電源切換為該風機電源，在該機台電源未跳脫時，該機台電源對該半導體機台及該風扇供電，在該機台電源跳脫時，該風機電源僅對該風扇供電，該機台電源與該風機電源之供電對象不同。
如請求項1所述之風機過濾裝置，其中該控制模組更包括：<br/>一風機緊急斷電開關，該邏輯判斷電路判斷該風機緊急斷電開關是否被斷開，若該風機緊急斷電開關被斷開，則該控制電路斷開該風扇之該供電路徑。
如請求項2所述之風機過濾裝置，其中該風機緊急斷電開關設置於該風機過濾裝置上，一機台緊急斷電開關設置於該半導體機台上，該風機緊急斷電開關不同於該機台緊急斷電開關。
如請求項1所述之風機過濾裝置，其中該邏輯判斷電路更連接於一接地端。
如請求項1所述之風機過濾裝置，其中該控制模組更包括：<br/>一偵測電路，用以偵測該風機過濾裝置之一異常事件，並分析該風機過濾裝置之一健康指數；以及<br/>一通訊電路，用以傳遞該異常事件及該健康指數至一伺服器。
如請求項1所述之風機過濾裝置，其中該風機電源包括一交流電源連接埠及一充電電池。
如請求項6所述之風機過濾裝置，其中該風機電源提供24V電源，該機台電源提供24V電源。
一種風機過濾裝置之控制方法，包括：<br/>以一邏輯判斷電路判斷一機台電源是否跳脫；<br/>若該機台電源跳脫，則一控制電路將一風扇之一供電路徑從該機台電源切換為一風機電源，該風機電源僅對該風扇供電；以及<br/>若該機台電源未跳脫，則該機台電源對一半導體機台及該風扇供電，該機台電源與該風機電源之供電對象不同。
如請求項8所述之風機過濾裝置之控制方法，更包括：<br/>該邏輯判斷電路判斷一風機緊急斷電開關是否被斷開；以及<br/>若該風機緊急斷電開關被斷開，則該控制電路斷開該風扇之該供電路徑。
如請求項9所述之風機過濾裝置之控制方法，其中該風機緊急斷電開關連接於該風機過濾裝置，一機台緊急斷電開關連接於一半導體機台，該風機緊急斷電開關不同於該機台緊急斷電開關。
如請求項8所述之風機過濾裝置之控制方法，更包括：<br/>以一偵測電路偵測該風機過濾裝置之一異常事件；<br/>以該偵測電路分析該風機過濾裝置之一健康指數；以及<br/>以一通訊電路傳遞該異常事件及該健康指數至一伺服器。
一種風機過濾裝置之控制模組，連接於一風扇，該控制模組包括：<br/>一邏輯判斷電路，連接於一半導體機台之一機台電源，該邏輯判斷電路用以判斷該機台電源是否跳脫；<br/>一風機電源；以及<br/>一控制電路，連接於該風機電源及該邏輯判斷電路，若該機台電源跳脫，則該控制電路將該風扇之一供電路徑從該機台電源切換為該風機電源，在該機台電源未跳脫時，該機台電源對該半導體機台及該風扇供電，在該機台電源跳脫時，該風機電源僅對該風扇供電，該機台電源與該風機電源之供電對象不同。
一種阻抗調整電路，用以提供不同電容值，包括：<br/> 一輸入端；<br/> 一參考電壓端；以及<br/> 一阻抗調整子電路，該阻抗調整子電路包括：<br/> 一金氧半電晶體-電容，包括一第一端、一第二端、一控制端與一基極端，其中該第二端耦接該輸入端，該金氧半電晶體-電容的該控制端接收一控制信號；以及<br/> 一開關電路，該開關電路的一控制端接收一開關控制信號，該金氧半電晶體-電容的基極端通過該開關電路耦接至該參考電壓端，其中透過改變該開關控制信號以改變該阻抗調整子電路的電容值。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中透過改變該開關控制信號改變該開關電路的電容值。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中該金氧半電晶體-電容的該第一端耦接至該輸入端。
如請求項3所述的阻抗調整電路，還包括：<br/> 一另一阻抗調整子電路，該另一阻抗調整子電路包括： <br/> 一另一金氧半電晶體-電容，包括一第一端、一第二端、一控制端與一基極端，其中該第一端及該第二端耦接該輸入端，該另一金氧半電晶體-電容的該控制端接收所述控制信號；以及<br/> 一另一開關電路，該開關電路的一控制端接收一另一開關控制信號，其中透過改變該另一開關控制信號，該另一金氧半電晶體-電容的基極端選擇性地耦接至該參考電壓端。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中該金氧半電晶體-電容的該第一端耦接至該參考電壓端。
如請求項5所述的阻抗調整電路，還包括：<br/> 一另一阻抗調整子電路，該另一阻抗調整子電路包括：<br/> 一另一金氧半電晶體-電容，包括一第一端、一第二端一控制端與一基極端，其中該第一端耦接該參考電壓端，該第二端耦接至該輸入端，該另一金氧半電晶體-電容的該控制端接收所述控制信號；以及<br/> 一另一開關電路，該另一開關電路的一控制端接收一另一開關控制信號，該另一金氧半電晶體-電容的基極端通過該開關電路耦接至該參考電壓端，其中透過改變該另一開關控制信號以改變該阻抗調整子電路的電容值。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中該開關電路為離散電容。
如請求項7所述的阻抗調整電路，其中該開關電路包括：<br/> 一第一開關電晶體，其第一端耦接該金氧半電晶體-電容的該基極端，該第一開關電晶體的第二端耦接該參考電壓端，該第一開關電晶體的控制端耦接該開關控制信號。
如請求項7所述的阻抗調整電路，其中該開關電路包括：<br/> 一第一開關電晶體，其第一端耦接該金氧半電晶體-電容的該基極端，該第一開關電晶體的第二端耦接該參考電壓端，該第一開關電晶體的控制端耦接該開關控制信號；以及<br/> 一第二開關電晶體，其第一端耦接該參考電壓端，該第二開關電晶體的第二端耦接該金氧半電晶體-電容的該基極端，該第二開關電晶體的控制端耦接反相的該開關控制信號。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中該阻抗調整子電路還包括：<br/> 一匹配電容，其中該匹配電容耦接在該輸入端以及該金氧半電晶體-電容的該第一端以及該第二端的其中一者之間。
如請求項1所述的阻抗調整電路，其中該阻抗調整子電路還包括：<br/> 一偏壓電阻，其第一端耦接在該金氧半電晶體-電容的該第一端及該第二端的其中一者，且該偏壓電阻的第二端接收反相的該控制信號。
一種阻抗調整電路，用以提供不同電容值，包括：<br/> 一輸入端；<br/> 一參考電壓端；以及<br/> 一阻抗調整子電路，該阻抗調整子電路包括：<br/> 一金氧半電晶體-電容，包括一第一端、一第二端、一控制端與一基極端，其中該金氧半電晶體-電容的該控制端耦接該輸入端；以及<br/> 一開關電路，該開關電路的一控制端接收一開關控制信號，該金氧半電晶體-電容的基極端通過該開關電路耦接至該參考電壓端，其中透過改變該開關控制信號以改變該阻抗調整子電路的電容值。
如請求項12所述的阻抗調整電路，其中該金氧半電晶體-電容的該第一端耦接至該金氧半電晶體-電容的該第二端。
如請求項13所述的阻抗調整電路，其中該金氧半電晶體-電容的該第一端耦接至該金氧半電晶體-電容的該基極端。
一種放大器電路，包括：<br/> 一放大器；以及<br/> 一匹配電路，耦接該放大器，<br/> 其中該匹配電路包括如請求項第1項至第14項中任一項所述的阻抗調整電路。
光學成像裝置，其包括： <br/>七片式透鏡組，包括沿著光軸從物側至像側依序排列的第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡、第六透鏡和第七透鏡，所述第五透鏡具有正屈光度，所述第五透鏡的像側面為凸面； <br/>間隔件組，包括第四間隔件、第五間隔件和第六間隔件，所述第四間隔件置於所述第四透鏡的像側面且與所述第四透鏡的像側面接觸，所述第五間隔件置於所述第五透鏡的像側面且與所述第五透鏡的像側面接觸，所述第六間隔件置於所述第六透鏡的像側面且與所述第六透鏡的像側面接觸；以及 <br/>鏡筒，所述七片式透鏡組和所述間隔件組置於所述鏡筒中； <br/>其中，所述第五透鏡和所述第六透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T56)與所述第六透鏡和所述第七透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T67)滿足：1.60＜T67/T56＜2.30； <br/>所述第四透鏡和所述第五透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T45)、所述第五透鏡和所述第六透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T56)、所述第四間隔件和所述第五間隔件沿所述光軸的間隔(EP45)與所述第五間隔件和所述第六間隔件沿所述光軸的間隔(EP56)滿足：EP56/T56＞EP45/T45； <br/>所述鏡筒的像側端面的內徑(d0m)、所述第五間隔件的像側面的內徑(d5m)、所述第五間隔件和所述第六間隔件沿所述光軸的間隔(EP56)與所述第六透鏡在所述光軸上的中心厚度(CT6)滿足：6.00＜(d0m-d5m)/(EP56-CT6)＜14.00。
根據請求項1所述的光學成像裝置，其中所述第五透鏡和所述第六透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T56)與所述第五間隔件和所述第六間隔件沿所述光軸的間隔(EP56)滿足：2.40＜EP56/T56＜3.90；所述鏡筒的像側端面的內徑(d0m)、所述第六間隔件的像側面的內徑(d6m)、所述第五間隔件和所述第六間隔件沿所述光軸的間隔(EP56)與所述第六透鏡和所述第七透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T67)滿足：3.20＜(d0m-d6m)/(EP56-T67)＜9.70。
根據請求項1所述的光學成像裝置，其中所述第四透鏡的像側面的曲率半徑(R8)、所述第五透鏡的物側面的曲率半徑(R9)、所述第四間隔件的物側面的內徑(d4s)與所述第五間隔件的物側面的內徑(d5s)滿足：2.50＜|R9/R8|/(d5s/d4s)＜15.00。
根據請求項1所述的光學成像裝置，其中所述第六透鏡和所述第七透鏡的組合焦距(f67)、所述鏡筒在所述光軸所在方向的長度(L)與所述光學成像裝置的最大視場角(FOV)滿足：-4.50＜f67/(L×tan(FOV))＜-0.90。
根據請求項1所述的光學成像裝置，其中所述鏡筒在所述光軸所在方向的長度(L)、所述第六透鏡在所述光軸上的中心厚度(CT6)、所述第六透鏡和所述第七透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T67)與所述第七透鏡在所述光軸上的中心厚度(CT7)滿足：3.10＜L/(CT6+T67+CT7)＜3.40。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第一透鏡的像側面且與所述第一透鏡的像側面接觸的第一間隔件，其中，所述鏡筒的物側端面的內徑(d0s)與所述第一間隔件的物側面的內徑(d1s)滿足：1.20＜d0s/d1s＜1.70。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第二透鏡的像側面且與所述第二透鏡的像側面接觸的第二間隔件， <br/>其中，所述第一透鏡的等效焦距(f1)、所述第二透鏡的等效焦距(f2)、所述第二間隔件的像側面的內徑(d2m)與所述第二間隔件的像側面的外徑(D2m)滿足：3.50＜|f1×f2|/(d2m×D2m)＜10.50。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第一透鏡的像側面且與所述第一透鏡的像側面接觸的第一間隔件以及置於所述第二透鏡的像側面且與所述第二透鏡的像側面接觸的第二間隔件， <br/>其中，所述第一透鏡的等效焦距(f1)、所述第二透鏡的等效焦距(f2)、所述第一間隔件的物側面的內徑(d1s)與所述第二間隔件的物側面的外徑(D2s)滿足：0.40＜d1s/f1+D2s/f2＜1.00。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第三透鏡的像側面且與所述第三透鏡的像側面接觸的第三間隔件， <br/>其中，所述第三透鏡的等效焦距(f3)、所述第三間隔件的物側面的內徑(d3s)與所述第三間隔件的物側面的外徑(D3s)滿足：-0.10mm≤D3s×d3s/f3＜0.40mm。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第二透鏡的像側面且與所述第二透鏡的像側面接觸的第二間隔件以及置於所述第三透鏡的像側面且與所述第三透鏡的像側面接觸的第三間隔件， <br/>其中，所述第三透鏡的等效焦距(f3)、所述第三透鏡的像側面的曲率半徑(R6)、所述第三間隔件的像側面的內徑(d3m)與所述第二間隔件和所述第三間隔件沿所述光軸的間隔(EP23)滿足：-1.00＜(f3/R6)/(d3m/EP23)＜0.10。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第一透鏡的像側面且與所述第一透鏡的像側面接觸的第一間隔件、置於所述第二透鏡的像側面且與所述第二透鏡的像側面接觸的第二間隔件以及置於所述第三透鏡的像側面且與所述第三透鏡的像側面接觸的第三間隔件， <br/>其中，所述第一間隔件和所述第二間隔件沿所述光軸的間隔(EP12)、所述第二間隔件和所述第三間隔件沿所述光軸的間隔(EP23)與所述第二透鏡和所述第三透鏡在所述光軸上的空氣間隔(T23)滿足：0.20＜(EP12-EP23)/T23＜0.70。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第三透鏡的像側面且與所述第三透鏡的像側面接觸的第三間隔件， <br/>其中，所述第五透鏡的等效焦距(f5)、所述第五透鏡的折射率(N5)、所述第三間隔件的物側面的外徑(D3s)與所述第四間隔件的物側面的外徑(D4s)滿足：2.20＜(f5×N5)/(D4s+D3s)＜6.40。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第三透鏡的像側面且與所述第三透鏡的像側面接觸的第三間隔件， <br/>其中，所述第三間隔件和所述第四間隔件沿所述光軸的間隔(EP34)、所述第四間隔件和所述第五間隔件沿所述光軸的間隔(EP45)、所述第四透鏡在所述光軸上的中心厚度(CT4)與所述第五透鏡在所述光軸上的中心厚度(CT5)滿足：0.90＜(EP34+EP45)/(CT4+CT5)＜1.40。
根據請求項1-5中任一所述的光學成像裝置，其中所述間隔件組還包括置於所述第七透鏡的像側面且與所述第七透鏡的像側面接觸的第七間隔件， <br/>其中，所述第六間隔件的像側面的內徑(d6m)、所述第七間隔件的像側面的內徑(d7m)與所述第七透鏡的像側面的曲率半徑(R14)滿足：0.50＜(d7m-d6m)/R14＜1.10。
一種洗滌裝置，其中，<br/> 包括：<br/> 洗滌腔室，形成有洗滌空間，用於對氣體中所包含的雜質進行洗滌；<br/> 第一洗滌板，設置在上述洗滌腔室內；<br/> 多個第一洗滌孔，貫通形成在上述第一洗滌板；<br/> 第一洗滌壁，連接到上述第一洗滌板的一端，且從上述第一洗滌板的上表面與上述第一洗滌板的下表面突出；<br/> 第二洗滌板，設置在上述洗滌腔室內，設置在上述第一洗滌板上；<br/> 多個第二洗滌孔，貫通形成在上述第二洗滌板；<br/> 第一噴灑噴嘴，設置在上述第一洗滌板與上述第二洗滌板之間，向上述第一洗滌板的上述上表面供給第一洗滌溶液；以及<br/> 第二噴灑噴嘴，設置在上述第二洗滌板的上表面上，向上述第二洗滌板的上述上表面供給第二洗滌溶液，<br/> 上述氣體中所包含的雜質中的一部分上升穿過上述多個第一洗滌孔並溶解在上述第一洗滌溶液，<br/> 上述氣體中所包含的雜質中的另一部分上升穿過上述多個第二洗滌孔並溶解在上述第二洗滌溶液。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，上述多個第一洗滌孔的直徑大於上述多個第二洗滌孔的直徑。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，從平面角度來看，上述第一洗滌板與上述多個第一洗滌孔的面積之比小於上述第二洗滌板與上述多個第二洗滌孔的面積之比。
如請求項3所述之洗滌裝置，其中，上述多個第一洗滌孔的直徑與上述多個第二洗滌孔的直徑相同。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，上述多個第一洗滌孔的數量大於上述多個第二洗滌孔的數量。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 洗滌溶液儲存罐，設置在上述洗滌腔室的下部，用於儲存已溶解有上述雜質的洗滌溶液；以及<br/> 第一再循環配管，一端與上述洗滌溶液儲存罐相連接，另一端與上述第一噴灑噴嘴相連接，<br/> 上述第一噴灑噴嘴通過上述第一再循環配管向上述第一洗滌板的上述上表面提供儲存在上述洗滌溶液儲存罐內的已溶解有上述雜質的洗滌溶液。
如請求項6所述之洗滌裝置，其中，上述第二洗滌溶液為不包含上述雜質的水。
如請求項6所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第二再循環配管，一端與上述洗滌溶液儲存罐相連接，另一端與上述第二噴灑噴嘴相連接，<br/> 上述第二噴灑噴嘴通過上述第二再循環配管向上述第二洗滌板的上述上表面提供儲存在上述洗滌溶液儲存罐內的已溶解有上述雜質的洗滌溶液。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第三洗滌板，設置在上述洗滌腔室內，設置在上述第二洗滌板上；<br/> 多個第三洗滌孔，貫通形成在上述第三洗滌板；以及<br/> 第三噴灑噴嘴，設置在上述第三洗滌板的上表面上，向上述第三洗滌板的上述上表面供給第三洗滌溶液，<br/> 上述第三噴灑噴嘴通過噴灑方式提供上述第三洗滌溶液，<br/> 上述氣體中所包含的雜質中的剩餘部分上升穿過上述多個第三洗滌孔並溶解在上述第三洗滌溶液。
如請求項9所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述多個第二洗滌孔的直徑大於上述多個第三洗滌孔的直徑，<br/> 上述多個第一洗滌孔的直徑大於上述多個第二洗滌孔的直徑。
如請求項9所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述多個第二洗滌孔的直徑大於上述多個第三洗滌孔的直徑，<br/> 上述多個第一洗滌孔的直徑小於上述多個第二洗滌孔的直徑。
如請求項9所述之洗滌裝置，其中，上述第三洗滌溶液內的上述雜質的濃度小於上述第二洗滌溶液內的上述雜質的濃度。
如請求項12所述之洗滌裝置，其中，上述第一洗滌溶液與上述第二洗滌溶液相同。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中， <br/> 還包括：<br/> 第二洗滌壁，設置在上述第二洗滌板的一端，且從上述第二洗滌板的上述上表面與上述第二洗滌板的下表面部分地突出，<br/> 向上述第二洗滌板的上述上表面排出的上述第二洗滌溶液經過上述第二洗滌壁排出到上述第一洗滌板的上述上表面，<br/> 上述氣體中所包含的雜質中的剩餘部分上升穿過上述第一洗滌孔並溶解在經過上述第二洗滌壁的上述第二洗滌溶液。
如請求項1所述之洗滌裝置，其中，<br/> 上述第一噴灑噴嘴通過噴灑方式向上述第一洗滌板的上述上表面提供上述第一洗滌溶液，<br/> 上述第二噴灑噴嘴通過噴灑方式向上述第二洗滌板的上述上表面提供上述第二洗滌溶液。
一種光阻底層組成物，包括： <br/>一第一聚合物，包括一第一聚合物主鏈和經由一第一連接鏈共價鍵結至該第一聚合物主鏈的一耐蝕刻增強單元，其中該耐蝕刻增強單元包括含有複數個矽-氧鍵的一含矽單元或含有複數個金屬-氧鍵的一含金屬單元； <br/>一第二聚合物，包括一第二聚合物主鏈和經由一第二連接鏈共價鍵結至該第二聚合物主鏈的一交聯劑單元，其中該交聯劑單元包括一或多個可交聯基團； <br/>一酸產生劑；以及 <br/>一溶劑。
如請求項1所述之光阻底層組成物，其中該含矽單元衍生自一矽烷，其中該矽烷具有以下複數個結構中的一種： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="44px" width="36px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="48px" width="31px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <img align="absmiddle" height="30px" width="46px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中R和R’在每次出現時獨立地為環狀或非環狀、飽和或不飽和、經取代或未經取代或支鏈或非支鏈的複數個C1-C12脂肪族基團。
如請求項1所述之光阻底層組成物，其中該含矽單元衍生自一倍半矽氧烷，該倍半矽氧烷具有以下複數個結構中的一種： <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="114px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="130px" width="132px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="110px" width="116px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="89px" width="123px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <img align="absmiddle" height="103px" width="163px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中R在每次出現時獨立地為環狀或非環狀、飽和或不飽和、經取代或未經取代或支鏈或非支鏈的C1-C12脂肪族基團。
如請求項1所述之光阻底層組成物，其中該耐蝕刻增強單元衍生自具有以下結構之一有機金屬化合物： <br/>MR <sup>1</sup><sub>4-x</sub>(OR <sup>2</sup>) <sub>x</sub><br/>其中： <br/>M是一金屬，包括錫、鋅、鉿、鈦、鋯、鎢或鈧； <br/>R <sup>1</sup>和R <sup>2</sup>獨立地為C1-C12烷基；以及 <br/>x是從0至4的一整數。
一種光阻底層組成物，包括： <br/>一酸產生劑； <br/>一溶劑；以及 <br/>一共聚物，具有以下結構(III)： <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="100px" file="ed10137.jpg" alt="ed10137.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>(III) <br/>其中： <br/>L <sup>1</sup>和L <sup>2</sup>每次出現時獨立地為伸烷基、伸烯基、伸炔基、雜伸烷基、雜伸烯基、雜伸炔基、環伸烷基、雜環伸烷基、伸芳基、雜伸芳基或雜原子的複數個連接鏈； <br/>E在每次出現時獨立地為一耐蝕刻增強單元； <br/>C在每次出現時獨立地為包括一或多個可交聯基團的一交聯劑單元；以及 <br/>m、n和q獨立地為一或更大的一整數。
如請求項5所述之光阻底層組成物，其中E是衍生自一矽烷的一含矽單元，其中該矽烷具有以下複數個結構中的一種： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="44px" width="36px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="48px" width="31px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <img align="absmiddle" height="30px" width="46px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中R和R’在每次出現時獨立地為複數個C1-C12烷基或複數個C2-C12烯基，其中該些C1-C12烷基或該些C2-C12烯基為未經取代或經選自鹵素、—SH、—PH <sub>3</sub>、—PO <sub>2</sub>、—C(=O)SH、—C(=O)OH、—OH、—NH <sub>2</sub>、—C(=O)NH <sub>2</sub>、—SO <sub>2</sub>OH、—SO <sub>2</sub>SH、—SOH、—SO <sub>2</sub>、醚基、酮基、酯基、環氧基和苯基的一或多個取代基取代。
如請求項5所述之光阻底層組成物，其中E是一含金屬單元，衍生自具有以下結構之一有機金屬化合物： <br/>MR <sup>1</sup><sub>4-x</sub>(OR <sup>2</sup>) <sub>x</sub><br/>其中： <br/>M是一金屬，包括錫、鋅、鉿、鈦、鋯、鎢或鈧； <br/>R <sup>1</sup>和R <sup>2</sup>獨立地為C1-C12烷基；以及 <br/>x是0至4的一整數。
一種形成半導體裝置的方法，包括： <br/>形成一光阻底層在一基板上的一材料層上方，該光阻底層包括一第一聚合物、一第二聚合物及一酸產生劑，其中： <br/>該第一聚合物包括一第一聚合物主鏈與經由一第一連接鏈共價鍵結至該第一聚合物主鏈的一耐蝕刻增強單元，該耐蝕刻增強單元包括含有複數個矽-氧鍵的一含矽單元或含有複數個金屬-氧鍵的一含金屬單元； <br/>該第二聚合物包括一第二聚合物主鏈和經由一第二連接鏈共價鍵結至該第二聚合物主鏈的一交聯劑單元，其中該交聯劑單元包括一或多個可交聯基團； <br/>執行一烘烤製程，使複數個交聯基團引發一交聯反應，從而形成一交聯光阻底層； <br/>沉積一光阻層，包括在該交聯光阻底層上方的一金屬光阻； <br/>選擇性地將該光阻層暴露於一圖案化輻射； <br/>顯影經選擇性地曝光的該光阻層，以形成一圖案化光阻層； <br/>使用該圖案化光阻層作為一蝕刻光罩蝕刻該交聯光阻底層，以形成一圖案化交聯光阻底層；以及 <br/>使用該圖案化交聯光阻底層作為一蝕刻光罩蝕刻該材料層。
如請求項8所述之方法，其中該含矽單元衍生自一化合物，該化合物具有以下複數個結構中的一種： <br/><img align="absmiddle" height="47px" width="44px" file="ed10140.jpg" alt="ed10140.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="44px" width="36px" file="ed10142.jpg" alt="ed10142.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="48px" width="31px" file="ed10144.jpg" alt="ed10144.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="30px" width="46px" file="ed10146.jpg" alt="ed10146.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="114px" file="ed10148.jpg" alt="ed10148.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="130px" width="132px" file="ed10150.jpg" alt="ed10150.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="110px" width="116px" file="ed10152.jpg" alt="ed10152.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <img align="absmiddle" height="89px" width="123px" file="ed10154.jpg" alt="ed10154.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或 <img align="absmiddle" height="103px" width="163px" file="ed10156.jpg" alt="ed10156.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中R和R’在每次出現時獨立地為一C1-C12烷基或一C2-C12烯基，其中該C1-C12烷基或該C2-C12烯基為未經取代或經選自鹵素、—SH、—PH <sub>3</sub>、—PO <sub>2</sub>、—C(=O)SH、—C(=O)OH、—OH、—NH <sub>2</sub>、—C(=O)NH <sub>2</sub>、—SO <sub>2</sub>OH、—SO <sub>2</sub>SH、—SOH、—SO <sub>2</sub>、醚基、酮基、酯基、環氧基和苯基的一或多個取代基取代。
如請求項8所述之方法，其中該含金屬單元係衍生自具有以下結構之一有機金屬化合物： <br/>MR <sup>1</sup><sub>4-x</sub>(OR <sup>2</sup>) <sub>x</sub><br/>其中： <br/>M是一金屬，包括錫、鋅、鉿、鈦、鋯、鎢或鈧； <br/>R <sup>1</sup>和R <sup>2</sup>獨立地為C1-C12烷基；以及 <br/>x是從0至4的一整數。
一種無人氣瓶供應/移除裝置，包括： <br/>一儲存器，安裝在一存放室中，用以儲存至少一個或多個充滿氣體的氣瓶以及使用後之空的氣瓶； <br/>一安全蓋處置單元，設置在該儲存器中，用以將一安全蓋從氣瓶分離並儲存，或將該安全蓋緊固到該氣瓶上； <br/>一櫃體，安裝在該存放室中，用以透過一供氣管線從該氣瓶供應氣體； <br/>一自主移動機器人，用於在於該存放室內部移動的同時裝載和運送該氣瓶；以及 <br/>一整合管理系統，用於與該儲存器、該自主移動機器人和該櫃體進行通信，並對其等進行控制， <br/>其中，該安全蓋處置單元包含： <br/>一X軸導軌，沿水平方向安裝在該儲存器的上部上； <br/>一Z軸導軌，安裝在該X軸導軌上； <br/>一滑塊，安裝在該Z軸導軌上，以便上升及/或下降； <br/>一保持器，安裝在該滑塊上，用以包覆所述氣瓶的該安全蓋；以及 <br/>一傾斜裝置，設置在該保持器的一上部，用以微調該保持器在X-Y方向上的位置。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，一驅動引導裝置或一驅動裝置安裝在該存放室的地面上，其中，該驅動引導裝置用於引導該自主移動機器人的移動，該驅動裝置藉由透過使用雷射或攝影機的無線引導方法獲取位置資訊來移動，使得該自主移動機器人沿著該驅動引導裝置移動，或借助藉由透過使用雷射或攝影機的無線引導方法獲取位置資訊來移動的該驅動裝置移動。
如請求項2所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，在該驅動引導裝置的兩側對稱地佈置複數排櫃體，使得該自主移動機器人能在沿著該驅動引導裝置移動的同時更換該些櫃體內的氣瓶。
如請求項3所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，在該自主移動機器人根據該複數排櫃體的左端和右端的未安裝櫃體的空間中的該些櫃體的安裝情況而旋轉90°或180°的狀態下，該自主移動機器人沿著該驅動引導裝置移動，以向該些櫃體供應氣瓶或從該些櫃體移除氣瓶。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，該存放室內的該儲存器相對於該複數排櫃體以90°相位差放置。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，該自主移動機器人設置有用於處置氣瓶的一夾取單元，使得如果該夾取單元夾緊氣瓶接著向上-向後-向下移動，以將該氣瓶裝載到該自主移動機器人上，或者，如果該夾取單元夾緊該自主移動機器人上裝載的氣瓶接著向上-向前-向下移動，以將該氣瓶裝載到櫃體中，然後設置在該櫃體中的夾緊單元夾緊該氣瓶，則該自主移動機器人的該夾取單元釋放對該氣瓶的夾緊狀態，從而將該氣瓶安裝到該櫃體中。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，該儲存器設置以儲存複數個氣瓶，以便一次更換數個氣瓶。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，該儲存器具有一外門和一內門，該外門是工人或該自主移動機器人從該存放室的外部或向該存放室的外部供應或移除氣瓶的區域，該內門是該自主移動機器人從該存放室的內部或向該存放室的內部供應或移除氣瓶的區域。
如請求項1所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，該安全蓋處置單元進一步包含： <br/>一對夾具，安裝在該保持器的正下方，用以在根據一夾緊氣缸的操作移動的同時夾緊該安全蓋的下端；以及 <br/>一馬達，其安裝在該滑塊的上部上，並使該保持器旋轉以將該安全蓋從所述氣瓶分離，或將該安全蓋緊固到所述氣瓶上。
如請求項9所述之無人氣瓶供應/移除裝置，其中，各個氣瓶設置有條碼，該條碼含有關於各個氣瓶中儲存的氣體的資訊，並且該安全蓋處置單元設置有一讀取裝置，用於讀取黏貼在各個氣瓶上的該條碼的該資訊。
一種訓練一機器人裝置之方法，其包含： <br/>接收由用以執行一任務的一可穿戴裝置產生的資訊，該可穿戴裝置包括一感測器陣列之多個力感測器及多個慣性感測器，該資訊包括指示該可穿戴裝置之一運動的運動資料及指示施加至該可穿戴裝置的一力的力資料，其中該力資料是基於與一示範環境中的一物件的交互作用而產生的而從該可穿戴裝置的該感測器陣列的多個數位輸出獲得；及 <br/>控制該機器人裝置以基於該運動資料執行一機器人運動並基於該力資料施加一機器人力以重複該任務，該機器人裝置包括一感測器陣列之多個力感測器及多個慣性感測器，該等力感測器基於與一機器人環境中的一物件的交互作用而產生多個數位輸出，其中該等數位輸出用以使該機器人環境中施加的一力與該示範環境中施加的該力相匹配，以在該機器人環境中重複該任務。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列之感測器及該機器人裝置的該感測器陣列之感測器執行類比轉數位轉換以產生該等數位輸出。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列及該機器人裝置的該感測器陣列各自包括群組，該等群組包含針對一群組之感測器執行類比轉數位轉換的電路系統。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置係一感測手套，且其中該感測器陣列包括與該感測手套之區域耦接的感測器區段，該等區段產生多個數位輸出。
如請求項1之方法，其中用產生的該資訊來即時控制該機器人裝置以實現遙操作。
如請求項1之方法，其中基於該資訊控制該機器人裝置重複該任務複數次。
如請求項1之方法，其中該機器人裝置包括對應於該可穿戴裝置的一使用者的關節的複數個致動軸。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>從記錄在一庫中的複數個其他任務判定與該資訊相關聯的該任務，以供該機器人裝置重複。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>基於該可穿戴裝置執行該任務的一狀態與呈現給該機器人裝置的另一狀態之間的一差異施加一調整至該機器人運動或該機器人力中之至少一者。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>基於來自一機器學習模型的一輸出施加一調整至該機器人運動或該機器人力中之至少一者。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>接收從一攝影機判定的色彩資料及深度資料，該色彩資料指示由該可穿戴裝置操縱的一物件或該物件的一目標中之至少一者的一色彩，且該深度資料指示該物件或該目標中之至少一者的一空間定向。
如請求項1之方法，其進一步包含： <br/>結合從一攝影機判定的色彩資料及深度資料來控制該機器人裝置，該色彩資料指示由該機器人裝置操縱的一物件或該物件的一目標中之至少一者的一色彩，且該深度資料指示該物件或該目標中之至少一者的一空間定向。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列與該機器人裝置的該感測器陣列包含彼此對應的感測器。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列及該機器人裝置的該感測器陣列經組態用於多模態感測。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列及該機器人裝置的該感測器陣列包含微感測器。
如請求項1之方法，其中施加至該可穿戴裝置的該力及施加至該機器人裝置的該力包括一法向力。
如請求項1之方法，其中施加至該可穿戴裝置的該力及施加至該機器人裝置的該力包括一剪切力。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置包含一手套且該機器人裝置包含一機器人手。
如請求項1之方法，其中該可穿戴裝置包含一手套且該機器人裝置包含一機器人捏抓器。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其儲存可操作以導致一或多個處理器執行包含下列操作的指令： <br/>接收由用以執行一任務的一可穿戴裝置產生的資訊，該可穿戴裝置包括一感測器陣列之多個力感測器及多個慣性感測器，該資訊包括指示該可穿戴裝置之一運動的運動資料及指示施加至該可穿戴裝置的一力的力資料，其中該力資料是基於與一示範環境中的一物件的交互作用而產生的而從該可穿戴裝置的該感測器陣列的多個數位輸出獲得；及 <br/>控制一機器人裝置以基於該運動資料執行一機器人運動並基於該力資料施加一機器人力以重複該任務，該機器人裝置包括一感測器陣列之多個力感測器及多個慣性感測器，該等力感測器基於與一機器人環境中的一物件的交互作用而產生多個數位輸出，其中該等數位輸出用以使該機器人環境中施加的一力與該示範環境中施加的該力相匹配，以在該機器人環境中重複該任務。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，該等操作進一步包含： <br/>調用一機器學習模型來驗證由該機器人裝置對一物件的一抓握或判定該物件之一定向中之至少一者，以重複該任務。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該機器人裝置藉由執行複數個子任務來重複該任務，該複數個子任務包括：接近一物件、抓握該物件、定向該物件、攜帶該物件橫移、及插入該物件。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中控制該機器人裝置執行該機器人運動包括閉環控制以使該機器人裝置之一測量運動與該可穿戴裝置之一運動相匹配。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中控制該機器人裝置施加該機器人力包括閉環控制以使施加至該機器人裝置的該力與施加至該可穿戴裝置的該力相匹配。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該可穿戴裝置的該感測器陣列及該機器人裝置的該感測器陣列各自包括一法向力感測器、一剪切力感測器、一熱感測器、一近接感測器、或一影像感測器中之至少兩者。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中接收該資訊包括從連接至該可穿戴裝置的該感測器陣列之感測器的一群組的一控制器接收數位資料。
如請求項20之非暫時性電腦可讀取媒體，其中接收該資訊包括從與該可穿戴裝置耦接的一攝影機接收影像。
一種可穿戴裝置，其包含： <br/>一物品，其經組態以由一使用者穿戴；及 <br/>一感測器陣列，其與該物品耦接，該感測器陣列包括複數個區段，每一個區段被安排在該物品的一不同的區域中，每一個區段包括提供多模態感測的複數個感測器，該複數個感測器之每一個感測器包括類比轉數位轉換電路系統，以執行類比轉數位轉換，從而產生用以指示待傳送至一控制器的感測資料之一數位輸出，其中該感測器陣列獲得力資料並產生多個數位輸出以指示施加至該可穿戴裝置的一力。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列之感測器在與一覆蓋區相關聯的至少一個面內維度中係次毫米的。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列之感測器具有小於3毫米的一節距。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列之感測器係微感測器。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列之一第一感測器感測一第一條件，以及該感測器陣列之一第二感測器感測不同於該第一條件之一第二條件。
如請求項32之可穿戴裝置，其中該第一感測器感測一法向力，以及該第二感測器陣列感測一剪切力。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列中之至少一個感測器感測從1.5 mg/mm<sup>2</sup>至100 g/mm<sup>2</sup>的一壓力範圍。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該複數個區段之一第一區段與該第一區段之具有多個感測器之該物品的一第一區域耦接，其中該第一區段之該等感測器具有一較近間距，且 <br/>其中該複數個區段之一第二區段與該第二區段之具有多個感測器之該物品的一第二區域耦接，其中該第二區段之該等感測器具有一較遠間距。
如請求項28之可穿戴裝置，其進一步包含： <br/>一慣性感測器，其整合至該可穿戴裝置中，其中該慣性感測器經組態以獲得該可穿戴裝置的一定位、一定向、一速度、或一加速度中之至少一者。
如請求項28之可穿戴裝置，其進一步包含： <br/>一可撓性基材，其與該物品之一表面耦接，其中該感測器陣列與該可撓性基材耦接。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該感測器陣列連接至該物品之導電線。
如請求項28之可穿戴裝置，其中該物品包含一織物或一彈性體。
一種感測手套，其包含： <br/>一手套，其經組態以由一使用者佩戴；及 <br/>一感測器陣列，其與該手套之一外表面耦接，該感測器陣列包括耦接至該手套之一指尖之一區段，該區段包括提供多模態感測的複數個感測器，該複數個感測器之每一個感測器包括類比轉數位轉換電路系統，以執行類比轉數位轉換，從而產生用以指示待傳送至一控制器的感測資料之一數位輸出，其中該感測器陣列獲得力資料並產生多個數位輸出以指示施加至該手套的一力。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器在與一覆蓋區相關聯的至少一個面內維度中係次毫米的。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器具有小於3毫米的一節距。
如請求項40之感測手套，其中該外表面包括至少1,000個感測器。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之一第一感測器感測一第一條件，以及該感測器陣列之一第二感測器感測不同於該第一條件之一第二條件。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器包含壓電感測器。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列利用壓電感測器來進行近接感測。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器包含壓阻感測器。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器包含電容感測器。
如請求項40之感測手套，其中該感測器陣列之感測器包含金屬箔應變感測器。
如請求項40之感測手套，其進一步包含： <br/>一可撓性基材，其與該手套之該外表面耦接，該可撓性基材具有一切口，其中該感測器陣列與該可撓性基材耦接，且該切口使該手套能彎曲。
一種連接器，包括：<br/> 多個基板，位於接近於彼此，其中，所述多個基板中的至少一個包括：<br/> 一第一緣和與所述第一緣相反的一第二緣；<br/> 多個第一緣插針，位於接近所述第一緣，其中，一第一子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的一第一距離處，以及一第二子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的與所述第一距離不同的一第二距離處；以及<br/> 多個第二緣插針，位於接近所述第二緣，其中，一第一子組的第二緣插針位於與所述第二緣相距的一第一距離處，以及一第二子組的第二緣插針位於與所述第二緣相距的與所述第一距離不同的一第二距離處，<br/> 多個第一通孔，位於接近所述第一緣，具有一第一直徑，其中，所述第一子組的第一緣插針位於所述多個第一通孔內；以及<br/> 多個第二通孔，位於接近所述第一緣，具有與所述第一直徑不同的一第二直徑，其中，所述第二子組的第一緣插針位於所述多個第二通孔內。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/> 所述多個基板中的至少一個為一印刷電路板（PCB）。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/> 所述第一子組的第一緣插針中的各插針具有比所述第二子組的第一緣插針中的各插針的直徑小的一直徑。
根據請求項1或3所述的連接器，其中，<br/> 所述第一子組的第二緣插針中的各插針具有比所述第二子組的第二緣插針中的各插針的直徑大的一直徑。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/> 所述第一緣插針和所述第二緣插針中的各插針位於一通孔內。
根據請求項1所述的連接器，還包括：<br/> 多個第一通孔，位於接近所述第二緣，具有一第一直徑，其中，所述第一子組的第二緣插針位於所述多個第一通孔內；以及<br/> 多個第二通孔，位於接近所述第二緣，具有與所述第一直徑不同的一第二直徑，其中，所述第二子組的第二緣插針位於所述多個第二通孔內。
根據請求項1所述的連接器，還包括：<br/> 多個端口端子，連結於所述基板，配置成與一外部連接器的一殼體接合。
根據請求項7所述的連接器，其中，<br/> 所述多個基板中的每一個包括連結於所述多個端口端子中的一個端口端子的導電跡線，其中，所述第一緣插針和所述第二緣插針將所述導電跡線連結於下游的磁性元件。
根據請求項7所述的連接器，其中，<br/> 所述多個端口端子的數量為四個、六個或八個，以及<br/> 所述外部連接器為一RJ45連接器。
根據請求項1所述的連接器，其中，<br/> 所述第一子組的第一緣插針中的各插針相對所述第二子組的第一緣插針中的各插針具有一第一預定偏移，其中，所述第一預定偏移為選定用於最佳性能的一預定距離；以及<br/> 所述第一子組的第二緣插針中的各插針相對所述第二子組的第二緣插針中的各插針具有一第二預定偏移，其中，所述第二預定偏移為選定用於最佳性能的一預定距離。
一種連接器，包括：<br/> 多個基板，位於接近於彼此，其中，所述多個基板中的至少一個包括：<br/> 一第一緣和與所述第一緣相反的一第二緣；以及<br/> 多個第一緣插針，位於接近所述第一緣，其中，一第一子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的一第一距離處，以及一第二子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的與所述第一距離不同的一第二距離處，<br/> 多個第一通孔，位於接近所述第一緣，具有一第一直徑，其中，所述第一子組的第一緣插針位於所述多個第一通孔內；以及<br/> 多個第二通孔，位於接近所述第一緣，具有與所述第一直徑不同的一第二直徑，其中，所述第二子組的第一緣插針位於所述多個第二通孔內。
根據請求項11所述的連接器，還包括：<br/> 多個第二緣插針，位於接近所述第二緣，其中，一第一子組的第二緣插針位於與所述第二緣相距的一第一距離處，以及一第二子組的第二緣插針位於與所述第二緣相距的與所述第一距離不同的一第二距離處。
根據請求項11或12所述的連接器，其中，<br/> 所述多個基板中的至少一個為一印刷電路板（PCB）。
根據請求項11或12所述的連接器，其中，<br/> 所述第一子組的第一緣插針中的各插針具有比所述第二子組的第一緣插針中的各插針的直徑小的一直徑。
根據請求項14所述的連接器，其中，<br/> 所述第一子組的第二緣插針中的各插針具有比所述第二子組的第二緣插針中的各插針的直徑大的一直徑。
根據請求項12所述的連接器，其中，<br/> 所述第一緣插針和所述第二緣插針中的各插針位於一通孔內。
根據請求項11所述的連接器，還包括：<br/> 多個第一通孔，位於接近所述第二緣，具有一第一直徑，其中，所述第一子組的第二緣插針位於所述多個第一通孔內；以及<br/> 多個第二通孔，位於接近所述第二緣，具有與所述第一直徑不同的一第二直徑，其中，所述第二子組的第二緣插針位於所述多個第二通孔內。
根據請求項11所述的連接器，還包括：<br/> 多個端口端子，連結於所述基板，配置成與一外部連接器的一殼體接合。
根據請求項18所述的連接器，其中，<br/> 所述多個基板中的每一個包括連結於所述多個端口端子中的一個端口端子的導電跡線，其中，所述第一緣插針和位於接近所述第二緣的多個第二緣插針將所述導電跡線連結於下游的磁性元件。
根據請求項19所述的連接器，其中，<br/> 所述多個端口端子的數量為四個、六個或八個，以及<br/> 所述外部連接器為一RJ45連接器。
根據請求項12所述的連接器，其中：<br/> 所述第一子組的第一緣插針中的各插針相對所述第二子組的第一緣插針中的各插針具有一第一預定偏移，其中，所述第一預定偏移為選定用於最佳性能的一預定距離；以及<br/> 所述第一子組的第二緣插針中的各插針具有相對所述第二子組的第二緣插針中的各插針具有一第二預定偏移，其中，所述第二預定偏移為選定用於最佳性能的一預定距離。
一種連接器，包括一基板，所述基板包括：<br/> 多個第一緣插針，位於接近一第一緣，為一交錯佈置，其中，一第一子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的一第一距離處，以及一第二子組的第一緣插針位於與所述第一緣相距的與所述第一距離不同的一第二距離處，<br/> 多個第一通孔，位於接近所述第一緣，具有一第一直徑，其中，所述第一子組的第一緣插針位於所述多個第一通孔內；以及<br/> 多個第二通孔，位於接近所述第一緣，具有與所述第一直徑不同的一第二直徑，其中，所述第二子組的第一緣插針位於所述多個第二通孔內。
一種供給電力之配線器具，具備： <br/>殼體，用以收納電路及插座連接器； <br/>控制部；及 <br/>水分檢測部； <br/>該插座連接器具有：引導部，呈朝上開口之有底筒狀；及端子，配置於該引導部之內側而輸出電力； <br/>該電路具有：電壓轉換電路，以變壓器將一次側電壓轉換成二次側電壓；及電力輸出電路，藉開關之連接而將電壓轉換後之電壓施加於該端子側； <br/>該水分檢測部檢測存在於該引導部之內部與該殼體內之該引導部的外側部分其中至少一者之水分； <br/>於該插座連接器連接著插頭連接器時，該控制部連接於該開關，於從該水分檢測部輸入水分檢測信號時，該控制部將該開關及該變壓器控制成:遮斷該開關，並將對該二次側施加之電壓維持在預先設定之最低值電壓，或於從該水分檢測部輸入水分檢測信號時，該控制部將該開關及該變壓器控制成:在連接著該開關之狀態下將對該二次側施加之電壓維持在預先設定之最低值電壓。
如請求項1之供給電力之配線器具，其中， <br/>該端子具有電力傳送用接腳及不用於電力傳送之至少二個空接腳， <br/>該水分檢測部依據該二個空接腳間之電阻的變化，檢測水分之存在。
一種配線器具，具備： <br/>殼體，用以收納電路及插座連接器； <br/>控制部；及 <br/>水分檢測部； <br/>該插座連接器具有：引導部，呈朝上開口之有底筒狀；及端子，配置於該引導部之內側而輸出電力； <br/>該電路具有：電壓轉換電路，以變壓器將一次側電壓轉換成二次側電壓；及電力輸出電路，藉開關之連接而將電壓轉換後之電壓施加於該端子側； <br/>該水分檢測部檢測存在於該引導部之內部與該殼體內之該引導部的外側部分其中至少一者之水分； <br/>於該插座連接器連接著插頭連接器時，該控制部連接於該開關，於從該水分檢測部輸入水分檢測信號時，該控制部將該開關及該變壓器控制成:遮斷該開關，同時將該二次側電壓維持在低於正常時之既定電壓。
如請求項1之供給電力之配線器具，其係供給直流電力。
如請求項4之供給電力之配線器具，其為USB插座裝置。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基板； <br/>電性構件，其設置在所述基板的第一表面之上； <br/>第一密封劑，其沉積在所述電性構件之上； <br/>屏蔽層，其設置在所述第一密封劑之上；以及 <br/>天線插入件，其設置在所述基板的第二表面之上，所述第二表面相對於所述基板的所述第一表面，其中所述天線插入件為單一主體，其作為實質覆蓋所述基板的單一功能天線。
如請求項1之半導體裝置，其進一步包含沉積在所述天線插入件之上的第二密封劑。
如請求項2之半導體裝置，其中所述第二密封劑包括高介電常數在14至21的範圍中。
如請求項2之半導體裝置，其中所述第一密封劑包括小於所述第二密封劑之高介電常數的低介電常數。
如請求項2之半導體裝置，其進一步包含設置在所述第二密封劑之上的密封劑凸塊。
一種半導體裝置，其包括： <br/>基板； <br/>屏蔽層，其設置在所述基板之上；以及 <br/>天線插入件，其設置在所述基板的第一表面之上，其中所述天線插入件為單一主體，其作為實質覆蓋所述基板的單一功能天線。
如請求項6之半導體裝置，其進一步包含： <br/>電性構件，其設置在所述基板的第二表面之上，所述第二表面相對於所述基板的所述第一表面； <br/>第一密封劑，其沉積在所述電性構件之上；以及 <br/>第二密封劑，其沉積在所述天線插入件之上。
如請求項7之半導體裝置，其中所述第二密封劑包括高介電常數在14至21的範圍中。
如請求項7之半導體裝置，其中所述第一密封劑包括小於所述第二密封劑之高介電常數的低介電常數。
如請求項7之半導體裝置，其進一步包含設置在所述第二密封劑之上的密封劑凸塊。
一種製造半導體裝置之方法，其包括： <br/>提供基板； <br/>在所述基板的第一表面之上設置電性構件； <br/>在所述電性構件之上設置屏蔽層；以及 <br/>在所述基板的第二表面之上天線插入件，所述第二表面相對於所述基板的所述第一表面，其中所述天線插入件為單一主體，其作為實質覆蓋所述基板的單一功能天線。
如請求項11之方法，其進一步包含： <br/>在所述電性構件之上沉積第一密封劑；以及 <br/>在所述天線插入件之上沉積第二密封劑。
如請求項12之方法，其中所述第二密封劑包括高介電常數在14至21的範圍中。
如請求項12之方法，其中所述第一密封劑包括小於所述第二密封劑之高介電常數的低介電常數。
如請求項12之方法，其進一步包含在所述第二密封劑之上設置密封劑凸塊。
一種控制一快閃記憶體的方法，包含：<br/> 響應於一個或多個主機寫入命令，以一次性編程方式(one-shot programming)，在一特定寫入模式中，將與該一個或多個主機寫入命令相關聯的主機資料寫入至該快閃記憶體的一區域內的一目標區塊中； <br/> 對該目標區塊執行一區塊可靠性檢查，以產生一區塊可靠性指示；<br/> 根據該區塊可靠性指示，選擇一直接轉換模式與一基於垃圾回收操作的轉換模式中的一者；以及<br/> 根據所選擇的轉換模式對該目標區塊執行儲存單元階級重配置。
如請求項1所述的方法，其中根據所選擇的轉換模式對該目標區塊執行儲存單元階級重配置的步驟包含：<br/> 從該目標區塊讀取下頁(lower page)資料、中頁(middle page)資料和上頁(upper page)資料；<br/> 從與該快閃記憶體中不同於該目標區塊的一來源區塊讀取一有效頁資料；以及<br/> 若該直接轉換模式被選擇時，則在四階儲存單元(quad-level cell，QLC)寫入模式下，透過一次編程遍(one programming pass)，將該目標區塊中的下頁資料、中頁資料和上頁資料以及該來源區塊中的有效頁資料編程至該目標區塊中。
如請求項1所述的方法，其中根據所選擇的轉換模式對該目標區塊執行儲存單元階級重配置的步驟包含：<br/> 從該目標區塊讀取下頁資料、中頁資料和上頁資料；<br/> 從與該快閃記憶體中不同於該目標區塊的一來源區塊讀取一有效頁資料；以及<br/> 若該基於垃圾回收操作的轉換模式被選擇時，則在QLC寫入模式下，透過兩次編程遍(two programming pass)，將該目標區塊中的下頁資料、中頁資料和上頁資料以及該來源區塊中的有效頁資料編程至該快閃記憶體中不同於該目標區塊的一垃圾回收操作的目的區塊中。
如請求項1所述的方法，其中對該目標區塊執行該區塊可靠性檢查的步驟包含：<br/> 根據將資料寫入該目標區塊內時的一寫入溫度是否落於一預定溫度範圍內，產生該區塊可靠性指示；<br/> 根據該目標區塊內的資料被讀取的次數是否超過一預定讀取次數臨界值，產生該區塊可靠性指示；<br/> 根據自從該目標區塊被寫入資料之後所經歷的一區塊生命週期是否已超過一預定塊生命週期臨界值，產生該區塊可靠性指示； <br/> 根據在讀取該目標區塊內的資料的過程中是否曾啟動一軟解碼操作(soft decoding)，產生該區塊可靠性指示；以及/或<br/> 根據在讀取該目標區塊內的資料時發生的讀取重試操作的次數是否超過一預定讀取重試次數臨界值，產生該區塊可靠性指示。
如請求項1所述的方法，其中根據該區塊可靠性指示選擇該直接轉換模式與該基於垃圾回收操作的轉換模式中的一者的步驟包含：<br/> 若該區塊可靠性指示表明該目標區塊表現出較強的可靠性，則選擇該直接轉換模式；以及<br/> 若該區塊可靠性指示表明該目標區塊表現出較弱的可靠性，則選擇該基於垃圾回收操作的轉換模式。
如請求項1所述的方法，其中該快閃記憶體是QLC快閃記憶體，而該目標區塊是該QLC快閃記憶體內的一三階儲存單元(triple-level cell，TLC)區域中的一個TLC區塊；並且，在該TLC區域內，每個儲存單元被寫入3位元資料。
一種用於一快閃記憶體內的一記憶體控制器，包含：<br/> 一儲存單元，用於儲存一程式碼； <br/> 一處理單元，用於執行該程式碼，以對該快閃記憶體執行以下操作：<br/> 響應於一個或多個主機寫入命令，以一次性編程方式(one-shot programming)，在一特定寫入模式中，將與該一個或多個主機寫入命令相關聯的主機資料寫入至該快閃記憶體的一區域內的一目標區塊中； <br/> 對該目標區塊執行一區塊可靠性檢查，以產生一區塊可靠性指示；<br/> 根據該區塊可靠性指示，選擇一直接轉換模式與一基於垃圾回收操作的轉換模式中的一者；以及<br/> 根據所選擇的轉換模式對該目標區塊執行儲存單元階級重配置。
一種資料儲存裝置，包含如請求項7所述的記憶體控制器和一快閃記憶體。
一種控制一快閃記憶體的方法，包含：<br/> 選擇一第一策略來配置該快閃記憶體，並且根據該第一策略來控制該快閃記憶體；<br/> 決定相關於該快閃記憶體的一耗損狀態指示值是否超過一預定臨界值；以及<br/> 若該耗損狀態指示值超過該預定臨界值，則選擇一第二策略來配置該快閃記憶體，並且根據該第二策略來控制該快閃記憶體；<br/> 其中，在該第一策略中，一旦該快閃記憶體的一特定區域內的區塊的一可用數量低於一下限時，不會立即執行一垃圾回收操作；而在該第二策略中，一旦該快閃記憶體的該特定區域內的區塊的該可用數量低於該下限，將立即執行該垃圾回收操作。
如請求項9所述的方法，其中該第一策略是一性能導向策略，而該第二策略是一壽命導向策略。
如請求項10所述的方法，其中選擇該第一策略來配置該快閃記憶體的步驟包含：<br/> 將該快閃記憶體配置為至少包含：具備複數個第一類型區塊的一第一區域、具備複數個第一類型區塊的一第二區域、具備複數個第二類型區塊的一第三區域和具備複數個第三類型區塊的一第四區域；以及<br/> 若該第一類型區塊的一可用數量低於一下限，則以一次性編程方式，將資料寫入該第三區域中的該複數個第二類型區塊，而不執行該垃圾回收操作。
如請求項11所述的方法，其中該耗損狀態指示值由以下數值的一加權總合來決定：該第二區域內的第一類型區塊的一最大編程/擦除循環次數(program/erase cycles，P/E cycles)、該第三區域內的第二類型區塊的一最大P/E循環次數、以及該第四區域內的第三類型區塊的一最大P/E循環次數。
如請求項12所述的方法，其中該第二區域中的第一類型區塊是一動態式(dynamic)單階儲存單元(single-level cell，SLC)區域中的SLC區塊，該第三區域中的第二類型區塊是一TLC區域中的TLC區塊，而該第四區域中的第三類型區塊是一QLC區域中的QLC區塊。
如請求項10所述的方法，其中選擇該第二策略來配置該快閃記憶體的步驟包含：<br/> 將該快閃記憶體配置為至少包含：具備複數個第一類型區塊的一第一區域和具備複數個第二類型區塊的一第二區域；以及<br/> 若該第一類型區塊的一可用數量低於一下限，則在將資料寫入該第一區域中的第一類型區塊之前，先執行該垃圾回收操作，以將該第一區域內的第一類型區塊中的有效資料移動到該第二區域內的第二類型區塊中。
一種用於一快閃記憶體內的一記憶體控制器，包含：<br/> 一儲存單元，用於儲存一程式碼； <br/> 一處理單元，用於執行該程式碼，以對該快閃記憶體執行以下操作：<br/> 選擇一第一策略來配置該快閃記憶體，並且根據該第一策略來控制該快閃記憶體；<br/> 決定相關於該快閃記憶體的一耗損狀態指示值是否超過一預定臨界值；以及<br/> 若該耗損狀態指示值超過該預定臨界值，則選擇一第二策略來配置該快閃記憶體，並且根據該第二策略來控制該快閃記憶體；<br/> 其中，在該第一策略中，一旦該快閃記憶體的一特定區域內的區塊的一可用數量低於一下限時，不會立即執行一垃圾回收操作；而在該第二策略中，一旦該快閃記憶體的該特定區域內的區塊的該可用數量低於該下限，將立即執行該垃圾回收操作。
一種資料儲存裝置，包含如請求項15所述的記憶體控制器和一快閃記憶體。
一種影像感測器積體電路（integrated circuit, IC）裝置，包括：<br/> 積體電路層，包括多個像素胞群組，所述多個像素胞群組中的每一個包括：<br/> 多個像素胞在平面圖中以2乘2配置排列，所述多個像素胞中的每一個包括：<br/> 在所述積體電路層的基板中的光感測器；以及<br/> 傳輸電晶體，電性耦合到所述光感測器並經組態以將在所述光感測器跨所述基板的第一表面收集的電荷傳輸；以及<br/> 至少一個介電結構，從所述基板的所述第一表面延伸到所述基板的第二表面，並將所述多個像素胞中的每一個與所述多個像素胞中的鄰近像素胞分離，其中所述至少一個介電結構包括配置在所述多個像素胞的共同角落處的第一間隙，以及配置在所述多個像素胞中與所述共同角落相對的相對角落處的第二間隙，其中第一導電結構電性連接到所述多個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的一個，並配置在所述基板的所述第一表面上方的所述第一間隙中，第二導電結構電性連接到所述多個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的另一個，並配置在所述基板的所述第一表面上方的所述第二間隙中。
如請求項1所述的影像感測器IC裝置，其中所述多個像素胞中每一個的所述傳輸電晶體配置在靠近所述多個像素胞的所述共同角落處。
如請求項1所述的影像感測器IC裝置，其中所述多個像素胞中每一個的所述傳輸電晶體的閘極結構在所述平面圖中包括三角形形狀。
如請求項1所述的IC裝置，其中：<br/> 所述第一導電結構為所述多個像素胞中每個像素胞的所述傳輸電晶體提供浮動擴散連接；以及<br/> 所述第二導電結構為所述多個像素胞中每個所述光感測器提供接地連接。
如請求項1所述的影像感測器IC裝置，其中：<br/> 所述第一導電結構為所述多個像素胞中每個像素胞的所述光感測器提供接地連接；以及<br/> 所述第二導電結構為所述像素胞的所述傳輸電晶體提供浮動擴散連接。
如請求項4所述的影像感測器IC裝置，其中：<br/> 所述多個像素胞群組中的一個與所述多個像素胞群組中的另一個相鄰；以及<br/> 所述多個像素胞群組中的一個與所述多個像素胞群組中的另一個共享所述至少一個介電結構的所述第二間隙中的至少一個。
一種影像感測器積體電路（integrated circuit, IC）裝置，包括：<br/> 積體電路層，包括多個像素胞群組，所述多個像素胞群組中的每一個包括：<br/> 多個像素胞在平面圖中以2乘2配置排列，所述多個像素胞中的每一個包括：<br/> 位於所述積體電路層的基板中的光感測器；以及<br/> 傳輸電晶體，電性耦合至所述光感測器並經組態以將在所述光感測器跨所述基板的第一表面收集的電荷傳輸；以及<br/> 至少一個介電結構，從所述基板的所述第一表面延伸至所述基板的第二表面，並在所述平面圖中將所述多個像素胞中的每一個與所述多個像素胞中的鄰近像素胞分離，其中所述至少一個介電結構包括多個第一段，所述多個第一段中的每一個具有第一端和第二端，所述第一端位於所述2乘2配置的周邊，所述第二端位於所述2乘2配置的中央區域外部，其中所述至少一個介電結構包括配置在所述多個像素胞的共同角落處的第一間隙，以及配置在所述多個像素胞中與所述共同角落相對的相對角落處的第二間隙，其中第一導電結構電性連接至所述多個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的一個，並配置在所述中央區域中所述基板的所述第一表面上方的所述第一間隙中，第二導電結構電性連接到所述多個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的另一個，並配置在所述基板的所述第一表面上方的所述第二間隙中。
如請求項7所述的影像感測器IC裝置，其中所述至少一個介電結構還包括多個第二段，所述多個第二段中的每一個沿所述2乘2配置的周邊延伸，所述多個第二段中的每一個具有第一端，位於所述2乘2配置的多個角落區域中的一個外部，以及第二端，位於所述2乘2配置的所述多個角落區域中的另一個外部。
如請求項8所述的影像感測器IC裝置，其中：<br/> 所述第一導電結構為所述多個像素胞中每個像素胞的所述光感測器提供接地連接；以及<br/> 所述第二導電結構為所述像素胞的所述傳輸電晶體提供浮動擴散連接。
一種IC裝置的製造方法，包括：<br/> 在平面圖中以2乘2配置在基板中形成四個感光區域以創建四個光感測器，所述四個感光區域鄰近所述基板的第一表面；<br/> 形成至少一個溝槽延伸進入所述基板的所述第一表面，並在平面圖中將所述四個感光區域中的每一個與所述四個感光區域中的鄰近感光區域分離，以創建四個像素胞，其中所述至少一個溝槽包括配置在所述四個像素胞的共同角落處的第一間隙，以及配置在所述四個像素胞中與所述共同角落相對的相對角落處的第二間隙；<br/> 在所述至少一個溝槽中形成至少一個介電結構；<br/> 在所述基板的所述第一表面上，在所述四個像素胞中的每一個中，形成閘極結構以創建耦合到所述四個光感測器中的光感測器的傳輸電晶體；以及<br/> 在所述基板的所述第一表面上，在所述第一間隙處，形成第一導電結構，所述第一導電結構電性連接到所述四個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的一個，以及在所述第二間隙處，形成第二導電結構，所述第二導電結構電性連接到所述四個像素胞中每一個的所述光感測器和所述傳輸電晶體中的另一個。
一種半導體元件，包括：<br/> 阻抗層，在垂直方向介於閘極與第一金屬結構之間；以及<br/> 蓋層，位於所述阻抗層上，其中<br/> 所述第一金屬結構包括至少一個等電位第一金屬與至少一個非等電位第一金屬，其中所述等電位第一金屬與所述阻抗層等電位、所述非等電位第一金屬與所述阻抗層不等電位，且所述非等電位第一金屬與所述阻抗層在所述垂直方向不重疊，以及<br/> 最小距離，介於所述阻抗層的邊緣與所述非等電位第一金屬的邊緣的水平方向之間，所述最小距離大於隨機缺陷的尺寸，其中所述水平方向與所述垂直方向相互垂直。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述阻抗層包括TiN或TaN。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述等電位第一金屬在所述垂直方向與所述阻抗層在所述垂直方向重疊。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的最大尺寸。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的最大尺寸再加上一個或多個標準差尺寸。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的平均尺寸再加上一個或多個標準差尺寸。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述最小距離為100 nm至260 nm。
如請求項1所述的半導體元件，其中所述蓋層包括SiN或TiN。
一種半導體元件的形成方法，包括：<br/> 形成阻抗層於垂直方向介於閘極與第一金屬結構之間；以及<br/> 形成蓋層位於所述阻抗層上，其中<br/> 所述第一金屬結構包括至少一個等電位第一金屬與至少一個非等電位第一金屬，其中所述等電位第一金屬與所述阻抗層等電位、所述非等電位第一金屬與所述阻抗層不等電位，且所述非等電位第一金屬與所述阻抗層在所述垂直方向不重疊，以及<br/> 最小距離，介於所述阻抗層的邊緣與所述非等電位第一金屬的邊緣的水平方向之間，所述最小距離大於隨機缺陷的尺寸，其中所述水平方向與所述垂直方向相互垂直。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述阻抗層包括TiN或TaN。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述等電位第一金屬在所述垂直方向與所述阻抗層在所述垂直方向重疊。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的最大尺寸。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的最大尺寸再加上一個或多個標準差尺寸。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述最小距離大於所述隨機缺陷的平均尺寸再加上一個或多個標準差尺寸。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述最小距離為100 nm至260 nm。
如請求項9所述的半導體元件的形成方法，其中所述蓋層包括SiN或TiN。
一種半導體裝置，包括： <br/>第一源極/汲極區，位於基底中； <br/>第二源極/汲極區，位於所述基底中； <br/>閘極結構，位於所述基底之上以及所述第一源極/汲極區和所述第二源極/汲極區之間； <br/>介電層，位於所述基底之上以及所述閘極結構和所述第二源極/汲極區之間；以及 <br/>混合場板結構，沿著所述介電層的一部分延伸， <br/>其中所述混合場板結構包括： <br/>所述介電層上的第一含金屬層，包含第一材料；以及 <br/>所述第一含金屬層上的第二含金屬層，包含與所述第一材料不同的第二材料。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第一含金屬層包括金屬材料；以及 <br/>其中所述第二含金屬層包括金屬氮化物材料。
如請求項1所述的半導體裝置，其中所述第二含金屬層包括橫向向外延伸超出所述第一含金屬層的端部的延伸段。
一種半導體裝置的形成方法，包括： <br/>在半導體裝置的基底之上形成閘極結構； <br/>在所述基底中形成源極/汲極區； <br/>在所述閘極結構和所述源極/汲極區之間的所述基底之上形成介電層； <br/>在所述介電層之上形成第一含金屬層； <br/>在所述第一含金屬層之上形成第二含金屬層；以及 <br/>蝕刻所述第一含金屬層和所述第二含金屬層，以在所述介電層上形成混合場板結構。
如請求項4所述的半導體裝置的形成方法，其中蝕刻所述第一含金屬層和所述第二含金屬層包括： <br/>使用濕式蝕刻劑執行濕式蝕刻操作， <br/>其中所述濕式蝕刻劑對於所述第一含金屬層的第一蝕刻速率不同於所述濕式蝕刻劑對於所述第二含金屬層的第二蝕刻速率。
如請求項4所述的半導體裝置的形成方法，其中蝕刻所述第一含金屬層和所述第二含金屬層包括： <br/>在所述第二含金屬層的一部分之上形成罩幕層；以及 <br/>基於所述罩幕層中的圖案蝕刻所述第一含金屬層和所述第二含金屬層以形成所述混合場板結構。
一種半導體裝置，包括： <br/>第一源極/汲極區，位於基底中； <br/>第二源極/汲極區，位於所述基底中； <br/>閘極結構，位於所述基底之上以及所述第一源極/汲極區和所述第二源極/汲極區之間； <br/>介電層，位於所述基底之上以及所述閘極結構和所述第二源極/汲極區之間；以及 <br/>多層場板結構，沿著所述介電層的一部分延伸， <br/>其中，所述多層場板結構包括： <br/>第一含金屬層，位於所述介電層上；以及 <br/>第二含金屬層，位於所述第一含金屬層上， <br/>其中所述第一含金屬層的面向所述第二源極/汲極區的第一端部比所述第二含金屬層的面向所述第二源極/汲極區的第二端部更遠離所述第二源極/汲極區。
如請求項7所述的半導體裝置，更包括： <br/>介電緩衝區，垂直地位於所述介電層和所述多層場板結構的所述第二含金屬層之間。
如請求項7所述的半導體裝置，更包括： <br/>空氣間隙層，垂直地位於所述介電層和所述多層場板結構的所述第二含金屬層之間。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述第一含金屬層的面向所述閘極結構的第三端部比所述第二含金屬層的面向所述閘極結構的第四端部更遠離所述閘極結構。
一種電晶體結構，包括： <br/>閘介電層，設置於基底上； <br/>閘極，設置於所述閘介電層上； <br/>間隙壁結構，位於所述閘介電層上，且設置於所述閘極的側壁上； <br/>第一摻雜區，設置於所述閘極的兩側的所述基底中； <br/>第二摻雜區，設置於所述第一摻雜區中； <br/>第三摻雜區，設置於所述第二摻雜區中；以及 <br/>金屬矽化物層，設置於所述第三摻雜區的表面處， <br/>其中在所述電晶體結構的通道方向上， <br/>所述第一摻雜區延伸至所述閘極的下方以與所述閘極部分交疊， <br/>所述第二摻雜區延伸至所述間隙壁結構的下方以與所述間隙壁結構部分交疊，且 <br/>所述金屬矽化物層不延伸至所述閘極的下方， <br/>其中所述間隙壁結構包括依序位於所述閘極的所述側壁上的第一間隙壁、第二間隙壁與第三間隙壁。
如請求項1所述的電晶體結構，其中在所述通道方向上，所述金屬矽化物層不延伸超過所述第二摻雜區與所述第一摻雜區之間的邊界。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第一摻雜區、所述第二摻雜區以及所述第三摻雜區具有相同的導電型。
如請求項3所述的電晶體結構，其中所述第二摻雜區中的摻雜劑的原子尺寸大於所述第一摻雜區中的摻雜劑的原子尺寸。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第三摻雜區中的摻雜劑與所述第二摻雜區中的摻雜劑相同。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第三摻雜區的摻雜濃度大於所述第二摻雜區的摻雜濃度，且所述第二摻雜區的所述摻雜濃度大於所述第一摻雜區的摻雜濃度。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述閘介電層的厚度不小於160 Å。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第一間隙壁的材料與所述第三間隙壁的材料包括氮化矽，且所述第二間隙壁的材料包括氧化矽。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述閘介電層具有均一的厚度，所述第一間隙壁、所述第二間隙壁與所述第三間隙壁僅位於所述閘介電層上，且所述第二間隙壁延伸至所述第三間隙壁與所述閘介電層之間。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述閘介電層包括厚度較大的第一部分以及厚度較小的第二部分，所述閘極與所述第一間隙壁位於所述第一部分上，所述第二間隙壁與所述第三間隙壁位於所述第二部分上，且所述第二間隙壁延伸至所述第三間隙壁與所述第二部分之間。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第二摻雜區的鄰近所述閘極的邊界與所述第一間隙壁與所述第二間隙壁之間的邊界對準。
如請求項1所述的電晶體結構，其中所述第三摻雜區的鄰近所述閘極的邊界與所述間隙壁結構的外側壁對準。
如請求項1所述的電晶體結構，還包括接觸窗，在所述電晶體結構的通道區的正上方與所述閘極電性連接。
一種電晶體結構的製造方法，包括： <br/>於基底上形成閘介電層； <br/>於所述閘介電層上形成閘極； <br/>於所述閘極的側壁上形成間隙壁結構，其中所述間隙壁結構位於所述閘介電層上； <br/>於所述閘極的兩側的所述基底中形成第一摻雜區； <br/>於所述第一摻雜區中形成第二摻雜區； <br/>於所述第二摻雜區中形成第三摻雜區；以及 <br/>於所述第三摻雜區的表面處形成金屬矽化物層， <br/>其中在所述電晶體結構的通道方向上， <br/>所述第一摻雜區延伸至所述閘極的下方以與所述閘極部分交疊， <br/>所述第二摻雜區延伸至所述間隙壁結構的下方以與所述間隙壁結構部分交疊，且 <br/>所述金屬矽化物層不延伸至所述閘極的下方， <br/>其中所述間隙壁結構包括依序位於所述閘極的所述側壁上的第一間隙壁、第二間隙壁與第三間隙壁。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中在所述通道方向上，所述金屬矽化物層不延伸超過所述第二摻雜區與所述第一摻雜區之間的邊界。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第一摻雜區、所述第二摻雜區以及所述第三摻雜區具有相同的導電型。
如請求項16所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第二摻雜區中的摻雜劑的原子尺寸大於所述第一摻雜區中的摻雜劑的原子尺寸。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第三摻雜區中的摻雜劑與所述第二摻雜區中的摻雜劑相同。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中所述第三摻雜區的摻雜濃度大於所述第二摻雜區的摻雜濃度，且所述第二摻雜區的所述摻雜濃度大於所述第一摻雜區的摻雜濃度。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中所述閘介電層的厚度不小於160 Å。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中所述閘介電層、所述閘極、所述間隙壁結構、所述第二摻雜區與第三摻雜區的形成方法包括： <br/>於所述基底上依序形成閘介電材料層與閘極材料層，其中所述基底中形成有所述第一摻雜區； <br/>將所述閘極材料層圖案化以形成所述閘極； <br/>於所述基底上共形地形成第一間隙壁材料層； <br/>進行第一非等向性蝕刻製程，移除部分的所述第一間隙壁材料層，以形成所述第一間隙壁； <br/>移除所述閘極的兩側的部分的所述閘介電材料層； <br/>進行第一離子植入製程，以形成所述第二摻雜區； <br/>於所述基底上共形地形成第二間隙壁材料層； <br/>於所述第二間隙壁材料層上共形地形成第三間隙壁材料層； <br/>進行第二非等向性蝕刻製程，移除部分的所述第三間隙壁材料層，以形成所述第三間隙壁； <br/>進行第二離子植入製程，以形成所述第三摻雜區；以及 <br/>移除所述閘極的頂面上以及所述第三摻雜區上的閘介電材料層與第二間隙壁材料層，以形成位於所述第一間隙壁與所述第三間隙壁之間的所述第二間隙壁， <br/>其中所述第一間隙壁、所述第二間隙壁與所述第三間隙壁構成所述間隙壁結構。
如請求項21所述的電晶體結構的製造方法，其中在移除所述閘極的兩側的部分的所述閘介電材料層之後，所述閘介電材料層包括厚度較大的第一部分以及厚度較小的第二部分，且所述閘極與所述間隙壁結構位於所述第一部分上。
如請求項21所述的電晶體結構的製造方法，其中在移除所述閘極的兩側的部分的所述閘介電材料層之後，所述閘介電材料層包括厚度較大的第一部分以及厚度較小的第二部分，所述閘極與所述第一間隙壁位於所述第一部分上，且所述第二間隙壁與所述第三間隙壁位於所述第二部分上。
如請求項14所述的電晶體結構的製造方法，其中在形成所述金屬矽化物層之後，還包括形成在所述電晶體結構的通道區的正上方與所述閘極電性連接的接觸窗。
一種分隔件，是用於電解裝置的分隔件，係具備：分隔件本體，是矩形板狀，並具有朝向厚度方向一方側的第一面與朝向另一方側的第二面； <br/> 第一供給孔與第一排出孔，是形成於前述第一面中前述分隔件本體的一條對角線上，從前述第一面朝向前述第二面貫通前述分隔件本體； <br/> 多個第一溝部，是形成在前述第一供給孔與前述第一排出孔之間的區域，在前述分隔件本體的長邊方向上延伸，並且在正交於該長邊方向的寬度方向上，隔著間隔排列； <br/> 第一擴散流路，是分佈在前述第一供給孔至前述第一溝部之間，同時從前述第一面側朝向前述第二面側凹陷，並且從前述第一面側看去，是前述寬度方向之尺寸隨著從前述第一供給孔往前述第一溝部而逐漸擴大的梯形； <br/> 第一收斂流路，是分佈在前述第一溝部至前述第一排出孔之間，同時從前述第一面側朝向前述第二面側凹陷，並且從前述第一面側看去，是前述寬度方向之尺寸隨著從前述第一溝部往前述第一排出孔而逐漸縮小的梯形； <br/> 第一擴散導引部，是設置在前述第一擴散流路內，將流體從前述第一供給孔導引至前述第一溝部；以及 <br/> 第一收斂導引部，是設置在前述第一收斂流路內，將流體從前述第一溝部導引至前述第一排出孔。
如請求項1記載之分隔件，其中，前述第一擴散導引部，是以前述第一供給孔為中心來多個排列為輻射狀；前述第一收斂導引部，是以前述第一排出孔為中心來多個排列為輻射狀。
如請求項1或2記載之分隔件，其中，前述第一排出孔的徑尺寸比前述第一供給孔的徑尺寸更大。
如請求項1或2記載之分隔件，其中，更具備形成於前述第二面的第二溝部，該第二溝部在前述寬度方向上的尺寸，比前述第一溝部在前述寬度方向上的尺寸更大。
如請求項1或2記載之分隔件，其中，前述第一擴散流路中從前述寬度方向面對前述第一供給孔的斜邊，與前述寬度方向的夾角為24˚以上50˚以下。
如請求項1或2記載之分隔件，其中，前述第一排出孔的徑尺寸是前述第一供給孔的徑尺寸的1.4倍至5.5倍。
如請求項4記載之分隔件，其中，前述第一溝部在前述寬度方向上的尺寸，是前述第二溝部在前述寬度方向上的尺寸的1/2以下。
一種電解裝置，具備電解胞元堆； <br/> 電解液供給部，對前述電解胞元堆供給電解液；以及 <br/> 電源部，對前述電解胞元堆施加電壓， <br/> 前述電解胞元堆具有 <br/> 請求項1或2記載的分隔件，是在前述厚度方向上互相隔開間隔來排列；以及 <br/> 多個電解胞元，是在每2個相鄰的前述分隔件之間各配置1個。
一種著色感光性樹脂組合物，包含著色劑、鹼可溶性樹脂、光聚合性化合物、光引發劑（photoinitiator）及溶劑，其中，該鹼可溶性樹脂包含以下化學式1表示的第1重複單元和由下列化學式2表示的第2重複單元；<br/> 對於該著色感光性樹脂組合物中的總固體含量100重量％，該著色劑的含量為10重量％～70重量％，該鹼可溶性樹脂的含量為5重量％～80重量％，該光聚合性化合物的含量為0.5重量％～70重量％，該光引發劑的含量為0.01重量％～20重量％；<br/> 相對於構成該鹼可溶性樹脂的所有重複單元100 莫耳％，該第1重複單元的含量為10～80莫耳％，該第2重複單元的含量為10～70莫耳％：<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="80px" width="55px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="80px" width="38px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在上述的式子中，R<sup>1</sup>~R<sup>9</sup>各自獨立為氫、鹵素、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基，R<sup>10</sup>是氫或甲基，R<sup>11</sup>是氫或甲基，R<sup>12</sup>是C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>亞烷基，R<sup>13</sup>是C<sub>3</sub>-C<sub>7</sub>亞烷基，n是1～20的整數。
如請求項1所述之著色感光性樹脂組合物，其中，R<sup>1</sup>~R<sup>9</sup>是氫，R<sup>12</sup>是C<sub>1</sub>-C<sub>3</sub>亞烷基，R<sup>13</sup>是C<sub>3</sub>-C<sub>5</sub>亞烷基，n是1～5的整數。
一種著色圖案，使用請求項1或2所述之著色感光性樹脂組合物。
一種彩色濾光片，包含請求項3所述之著色圖案。
一種影像顯示裝置，具備請求項4所述之彩色濾光片。
一種固態成像元件（Image Sensor），具備請求項4所述之彩色濾光片。
如請求項6所述之固態成像元件，其中，包含CMOS 影像感測器（CMOS Image Sener: CIS） 。
一種對一視訊序列及一音訊序列進行數位簽署之方法，該音訊序列及該視訊序列被同時擷取，使得其等表示同一擷取場景，該視訊序列包括連續視訊部分，且該音訊序列包括連續音訊部分，該方法包括 <br/>藉由將一摘要演算法應用於該視訊序列之一第一視訊部分來產生一第一視訊摘要， <br/>藉由將一摘要演算法應用於該音訊序列之一第一音訊部分來產生一第一音訊摘要， <br/>藉由對該第一視訊摘要進行數位簽署來產生一第一視訊簽章， <br/>藉由對該第一音訊摘要進行數位簽署來產生一第一音訊簽章， <br/>將該第一視訊簽章插入於該音訊序列之一第一目標音訊部分中， <br/>將該第一音訊簽章插入於該視訊序列之一第一目標視訊部分中， <br/>藉由將一摘要演算法應用於包含該第一音訊簽章之該第一目標視訊部分來產生一第二視訊摘要， <br/>藉由將一摘要演算法應用於包含該第一視訊簽章之該第一目標音訊部分來產生一第二音訊摘要， <br/>藉由對該第二視訊摘要進行數位簽署來產生一第二視訊簽章，及 <br/>藉由對該第二音訊摘要進行數位簽署來產生一第二音訊簽章。
如請求項1之方法，其進一步包括： <br/>將該第二視訊簽章插入於該音訊序列之一第二目標音訊部分中，及 <br/>將該第二音訊簽章插入於視訊序列之一第二目標視訊部分中。
如請求項1之方法，其進一步包括 <br/>亦將該第一視訊簽章插入於該視訊序列之一視訊部分中，及 <br/>亦將該第一音訊簽章插入於該音訊序列之一音訊部分中。
如請求項2之方法，其進一步包括 <br/>亦將該第二視訊簽章插入於該視訊序列之一視訊部分中，及 <br/>亦將該第二音訊簽章插入於該音訊序列之一音訊部分中。
如請求項1之方法，其中該摘要演算法係一雜湊功能。
如請求項1之方法，其中各視訊部分係一圖片群組。
如請求項1之方法，其中各音訊部分係一音訊框或音訊封包。
如請求項1之方法，其中各音訊簽章被插入於該視訊序列之一各自SEI訊息或開放位元串流單元中。
如請求項1之方法，其中各視訊簽章被插入於該音訊序列之一各自資料串流元素或標頭中。
如請求項1之方法，其中已由包括一影像感測器及一麥克風之一單一裝置擷取該視訊序列及該音訊序列。
一種用於對一視訊序列及一音訊序列進行數位簽署之數位簽章系統，該音訊序列及該視訊序列被同時擷取，使得其等表示同一擷取場景，該系統包括經組態以執行以下功能之電路系統 <br/>一視訊輸入功能，其經配置以接收一視訊序列，該視訊序列包括連續視訊部分， <br/>一音訊輸入功能，其經配置以接收一音訊序列，該音訊序列包括連續音訊部分， <br/>一視訊摘要功能，其經配置以將一摘要演算法應用於該視訊序列之視訊部分，藉此產生視訊摘要， <br/>一音訊摘要功能，其經配置以將一摘要演算法應用於該音訊序列之音訊部分，藉此產生音訊摘要， <br/>一簽章功能，其經配置以藉由對視訊摘要進行數位簽署來產生視訊簽章且藉由對音訊摘要進行數位簽署來產生音訊簽章， <br/>一視訊簽章插入功能，其經配置以將視訊簽章插入於該音訊序列中，及 <br/>一音訊簽章插入功能，其經配置以將音訊簽章插入於該視訊序列中， <br/>其中 <br/>該視訊摘要功能經配置以藉由將一摘要演算法應用於該視訊序列之一第一視訊部分來產生一第一視訊摘要， <br/>該音訊摘要功能經配置以藉由將一摘要演算法應用於該音訊序列之一第一音訊部分來產生一第一音訊摘要， <br/>該簽章功能經配置以藉由對該第一視訊摘要進行數位簽署來產生一第一視訊簽章且藉由對該第一音訊摘要進行數位簽署來產生一第一音訊簽章， <br/>該視訊簽章插入功能經配置以將該第一視訊簽章插入於該音訊序列之一第一目標音訊部分中， <br/>該音訊簽章插入功能經配置以將該第一音訊簽章插入於該視訊序列之一第一目標視訊部分中， <br/>該視訊摘要功能經配置以藉由將一摘要演算法應用於包含該第一音訊簽章之該第一目標視訊部分來產生一第二視訊摘要， <br/>該音訊摘要功能經配置以藉由將一摘要演算法應用於包含該第一視訊簽章之該第一目標音訊部分來產生一第二音訊摘要， <br/>該簽章功能經配置以藉由對該第二視訊摘要進行數位簽署來產生一第二視訊簽章且藉由對該第二音訊摘要進行數位簽署來產生一第二音訊簽章。
如請求項11之數位簽章系統，其中 <br/>該視訊簽章插入功能經配置以將該第二視訊簽章插入於該音訊序列之一第二目標音訊部分中，且 <br/>該音訊簽章插入功能經配置以將該第二音訊簽章插入於該視訊序列之一第二目標視訊部分中。
一種視訊攝影機，其包括一影像感測器、一麥克風及如請求項11至12中任一者之數位簽章系統。
一種電腦可讀儲存媒體，其包括指令，該等指令在由具有處理能力之一裝置執行時導致該裝置實行如請求項1至10中任一者之方法。
一種晶片保持裝置，包括： <br/>保持座，具有以非接觸方式保持晶片的保持面以及振動源，所述振動源向所述保持面施加超音波振動而在所述保持面產生保持所述晶片的保持力； <br/>移動機構，使所述保持面在與重力方向相交的方向上進行橫向移動的；以及 <br/>搖動機構，根據所述保持面的橫向移動的加速度，將所述保持面傾斜。
如請求項1所述的晶片保持裝置，其特徵在於， <br/>所述搖動機構以由於所述保持面的橫向移動的加速而作用於所述晶片的慣性力與作用於所述晶片的重力的合成向量，成為相對於所述保持面的垂直方向且從所述晶片朝向所述保持面的方向的方式，將所述保持面傾斜。
如請求項2所述的晶片保持裝置，其特徵在於， <br/>更包括控制器， <br/>所述搖動機構具有輸出用於將所述保持面傾斜的動力的動力源， <br/>所述控制器預先記憶所述橫向移動的速度曲線，並基於所述曲線對所述動力源進行前饋控制。
如請求項2所述的晶片保持裝置，其特徵在於， <br/>所述搖動機構包含連結於所述保持座並與所述保持座一起傾斜的擺錘。
如請求項4所述的晶片保持裝置，其特徵在於， <br/>所述擺錘在末端具有錘， <br/>所述擺錘的重心隔著所述保持面的旋轉中心而位於所述保持面的相反側。
一種半導體裝置的製造裝置，包括如請求項1至5中任一項所述晶片保持裝置。
一種晶片保持方法，其特徵在於， <br/>在晶片保持座的保持面以非接觸方式保持晶片的狀態下，使所述晶片保持座在與重力方向相交的方向上進行橫向移動， <br/>在進行所述橫向移動時，以抑制由慣性力引起的所述晶片的相對於所述保持面的位置偏移的方式，而根據所述橫向移動的加速來將所述保持面傾斜。
一種非揮發性突觸記憶體裝置，包含： <br/>複數個輸入訊號線，包含並聯的一第一字元線、一第二字元線及一第三字元線； <br/>一對並聯的輸出訊號線，包含一第一位元線及一第二位元線； <br/>一對電晶體，包含一讀取電晶體及一寫入電晶體；以及 <br/>一浮接金屬，配置以保護儲存的電荷，其中，該浮接金屬是藉由複數個電容器加以絕緣的一金屬節點； <br/>其中，該複數個電容器中的一第一電容器和一第二電容器串聯連接，及該複數個電容器中的一第三電容器連接於該第一電容器和該第二電容器之間的該浮接金屬，該第一電容器相對大於該第二電容器及該第三電容器。
如請求項1所述之非揮發性突觸記憶體裝置，其中，該讀取電晶體及該寫入電晶體為N型金氧半導體電晶體。
如請求項1所述之非揮發性突觸記憶體裝置，其中，該第一電容器係連接至該第二字元線及該浮接金屬； <br/>該第二電容器係連接至該第三字元線和該浮接金屬；及 <br/>該第三電容器係連接至該浮接金屬及一閘極節點，該閘極節點連接至該寫入電晶體的一源區域和該讀取電晶體的一閘極。
如請求項3所述之非揮發性突觸記憶體裝置，其中，該寫入電晶體具有連接至該第一位元線的一汲極區域、連接至該閘極節點的一源極區域以及連接至該第一字元線的一閘極。
如請求項4所述之非揮發性突觸記憶體裝置，其中，該讀取電晶體具有連接至該第二位元線的一汲極區域、連接至地的一源極區域以及連接至該閘極節點的一閘極。
一種如請求項5所述之非揮發性突觸記憶體裝置之抹除方法，包含： <br/>將一接地電壓施加到該第一位元線； <br/>向該寫入電晶體的該閘極施加一電源供應電壓，以導通該讀取電晶體； <br/>將該接地電壓施加到該第二字元線以使在該浮接金屬中的電壓條件趨近於零電壓；以及 <br/>對該第三字元線施加一預設高電壓，以去除該浮接金屬中的電子。
一種如請求項5所述之非揮發性突觸記憶體裝置之編程方法，包含： <br/>將一接地電壓施加到該第一位元線； <br/>藉由向該寫入電晶體的一閘極施加一電源供應電壓來啟用該寫入電晶體，以將該閘極節點設置為零伏特；以及 <br/>對該第二字元線和該第三字元線施加一預設高電壓，俾藉由該閘極節點和該浮接金屬之間的強電場而使電子通過該第三電容器注入該浮接金屬，而使該浮接金屬的電壓條件趨近於該預設高電壓。
一種如請求項5所述之非揮發性突觸記憶體裝置之編程方法，包含： <br/>向該第一位元線施加一電源供應電壓； <br/>藉由向該寫入電晶體的一閘極施加該電源供應電壓來停用該寫入電晶體，以禁止電子從該閘極節點注入該浮接金屬；以及 <br/>在一第二字元線和一第三字元線上施加一預設高電壓，使該浮接金屬中的電壓條件趨近於該預設高電壓，並使該閘極節點的電壓條件趨近於該預設高電壓的一半。
一種如請求項5所述之非揮發性突觸記憶體裝置之讀取方法，包含： <br/>向該寫入電晶體的該閘極端子施加一接地電壓以停用該寫入電晶體； <br/>對該第二字元線和該第三字元線施加一預設讀取電壓；以及 <br/>測量流經該第二位元線的電流。
一種輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>氣門嘴柱體，其被構成為收容氣門嘴芯； <br/>彈性體製之壓入構件，其被構成為覆蓋上述氣門嘴柱體的外側面，且從輪緣的內面側壓入輪胎鋁圈的上述輪緣的氣門嘴安裝孔，而被安裝成貫通上述輪緣內外之狀態； <br/>剛性體製之覆蓋套筒，其被構成為從前端側嵌合於上述壓入構件的外側，且靠接於上述輪緣的外表面； <br/>第1防脫接合部，其被設於上述氣門嘴柱體中從上述壓入構件朝前方露出之部分及上述覆蓋套筒，以限制上述覆蓋套筒的軸向移動之方式相互接合；及 <br/>第2防脫接合部，其被設於上述壓入構件及上述覆蓋套筒，以限制上述覆蓋套筒的軸向移動之方式相互接合； <br/>上述壓入構件具有外側大徑部，該外側大徑部係在被安裝於上述氣門嘴安裝孔之狀態下外徑大於上述氣門嘴安裝孔，且包含有與上述輪緣的外表面對向之輪緣對向面， <br/>於上述覆蓋套筒設置有大徑收容部，該大徑收容部係收容上述外側大徑部，且至少一部分成為與上述輪緣對向面對向之縮徑部， <br/>上述輪緣對向面與上述縮徑部之相互對向部分成為上述第2防脫接合部。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其中， <br/>於上述外側大徑部，在與上述輪緣對向面之相反側具有錐形導引部，該錐形導引部係隨著遠離上述輪緣而縮徑。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述縮徑部呈隨著朝向上述輪緣而變窄之錐形形狀。
如請求項3之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述縮徑部的端部靠接於上述輪緣的外表面。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>延伸筒部，其從上述縮徑部延伸，且靠接於上述輪緣的外表面。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述覆蓋套筒的上述第1防脫接合部係形成於上述覆蓋套筒的內表面之母螺紋部， <br/>上述氣門嘴柱體的上述第1防脫接合部係與上述母螺紋部螺合之公螺紋部。
如請求項6之輪胎氣門嘴，其具備有: <br/>蓋，其用以封閉上述氣門嘴柱體的前端部，且於內表面設置有母螺紋部； <br/>上述氣門嘴柱體的上述公螺紋部被構成為，可與上述覆蓋套筒的上述母螺紋部螺合，並且可與上述蓋的上述母螺紋部螺合。
如請求項7之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述覆蓋套筒被構成為，一端有底且將上述氣門嘴柱體的前端部封閉。
如請求項6之輪胎氣門嘴，其中， <br/>於上述覆蓋套筒，具有從軸向觀察呈六角形狀之工具接合部。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>基端側露出部，其被設於上述氣門嘴柱體，且從上述壓入構件的基端面突出；及 <br/>狀態監視裝置，其用以監視輪胎內之狀態而安裝於上述基端側露出部。
一種覆蓋套筒，其被使用於請求項1至10中任一項之輪胎氣門嘴。
一種輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>氣門嘴柱體，其構成為收容氣門嘴芯； <br/>彈性體製之壓入構件，其構成為呈筒狀且黏著於上述氣門嘴柱體的外側面，從輪緣的內面側壓入輪胎鋁圈的上述輪緣的氣門嘴安裝孔，而成為於上述輪緣的內側及外側具有外徑較上述氣門嘴安裝孔大的凸緣部之形狀； <br/>公螺紋部，其被形成於上述氣門嘴柱體的外表面；及 <br/>傾動限制構件，其具有被設置於上述輪緣的內側且與上述公螺紋部相螺合之母螺紋部，以防脫狀態被固定於上述氣門嘴柱體而一部分重疊於上述輪緣的內表面； <br/>上述傾動限制構件被形成為將上述壓入構件中基端側的上述凸緣部即基端側凸緣部加以覆蓋之杯體形狀。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述傾動限制構件於該杯體形狀之底部的中央配置有上述母螺紋部。
如請求項2之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述傾動限制構件被構成為，與上述基端側凸緣部寬鬆卡合。
如請求項2之輪胎氣門嘴，其中， <br/>上述傾動限制構件被構成為，被上述基端側凸緣部壓入。
如請求項2之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>中央凹部，其使上述基端側凸緣部的基端面的中央部凹陷所成； <br/>上述傾動限制構件具備有中央突出部，該中央突出部從上述杯體形狀之底部朝向上述中央凹部內突出，且於中心部具有上述母螺紋部， <br/>貫通上述氣門嘴柱體內外之通氣孔的至少一部分被配置於面對上述中央突出部的內側面與上述氣門嘴柱體之間的間隙。
如請求項1之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>狀態監視裝置，其用以監視輪胎內之狀態而被安裝於上述氣門嘴柱體的基端部。
一種輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>氣門嘴柱體，其構成為收容氣門嘴芯； <br/>彈性體製之壓入構件，其構成為呈筒狀且黏著於上述氣門嘴柱體的外側面，從輪緣的內面側壓入輪胎鋁圈的上述輪緣的氣門嘴安裝孔，而成為於上述輪緣的內側及外側具有外徑較上述氣門嘴安裝孔大的凸緣部之形狀；及 <br/>傾動限制構件，其具有以防脫狀態被固定於上述氣門嘴柱體之防脫固定部，且一部分重疊於上述輪緣的內表面； <br/>上述傾動限制構件被形成為將上述壓入構件中基端側的上述凸緣部即基端側凸緣部加以覆蓋之杯體形狀而被上述基端側凸緣部壓入，且於該杯體形狀之底部的中央配置有上述防脫固定部。
如請求項7之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>中央凹部，其使上述基端側凸緣部的基端面的中央部凹陷所成； <br/>上述傾動限制構件具備有中央突出部，該中央突出部從上述杯體形狀之底部朝向上述中央凹部內突出，且於中心部具有上述防脫固定部， <br/>貫通上述氣門嘴柱體內外之通氣孔的至少一部分被配置於面對上述中央突出部的內側面與上述氣門嘴柱體之間的間隙。
如請求項7之輪胎氣門嘴，其具備有： <br/>狀態監視裝置，其用以監視輪胎內之狀態而被安裝於上述氣門嘴柱體的基端部。
一種傾動限制構件，其使用於請求項1至9中任一項之輪胎氣門嘴。
一種碳化矽晶球的製造方法，包括：<br/>提供包含碳元素以及矽元素的原料以及位於所述原料上方的晶種於長晶爐系統的爐體內，其中所述晶種的第一面朝向所述原料，其中所述長晶爐系統包括外部加熱模組，其中所述爐體可運動地設置於所述外部加熱模組之內；<br/>加熱所述原料，其中部分所述原料被氣化後傳輸至所述晶種的所述第一面以及所述晶種的側壁上並形成碳化矽材料於所述晶種上，以形成包含所述晶種以及所述碳化矽材料的成長體，其中所述成長體沿著垂直所述晶種的所述側壁的徑向以及垂直所述晶種的所述第一面的軸向生長，在所述成長體的生長過程中，所述成長體在所述軸向上具有軸向溫度梯度，且所述成長體在所述徑向上具有徑向溫度梯度，其中所述軸向溫度梯度與所述徑向溫度梯度的比值為0.3至0.8，且其中所述外部加熱模組的頂端與所述晶種的相反於所述第一面的第二面之間的距離小於80毫米；以及<br/>冷卻所述原料以獲得生長完的所述成長體，其中生長完的所述成長體為所述碳化矽晶球，其中所述碳化矽晶球包括朝向所述原料的平坦面、位於所述碳化矽晶球的側面的截頂圓錐面以及連接所述平坦面與所述截頂圓錐面的環形曲面，其中所述碳化矽晶球的寬度從所述截頂圓錐面連接所述環形曲面的第一端往相反於所述第一端的第二端漸縮，且所述第一端所在的平面與所述平坦面之間的垂直距離為1毫米至5毫米。
如請求項1所述的製造方法，其中所述外部加熱模組包括沿著垂直方向堆疊的多個加熱環，其中每一個加熱環分別位於不同的水平面。
如請求項2所述的製造方法，其中所述加熱環中的每一者皆為線圈，且所述線圈的線圈軸彼此平行。
如請求項1所述的製造方法，其中所述外部加熱模組包括沿著垂直方向堆疊的多個加熱環，其中位於所述加熱環中位於最頂部的一者的頂端與所述第二面之間的距離在該垂直方向上小於80毫米。
如請求項1所述的製造方法，其中所述第一端所在的所述平面與所述環形曲面之間的夾角為1度至8度。
如請求項1所述的製造方法，其中所述軸向溫度梯度與所述徑向溫度梯度的比值為0.3至0.6，且所述第一端所在的所述平面與所述平坦面之間的垂直距離為1毫米至4毫米。
一種彩色電光顯示器，其依序包含：<br/> 第一電極層，其包含光透射電極；<br/> 電光材料層，其包含電泳介質，該電泳介質被囊封於複數個微胞中或複數個微膠囊中，該電泳介質包含複數個第一類型之帶電顏料粒子、複數個第二類型之帶電顏料粒子、耐光性添加劑、及非極性液體，該耐光性添加劑為電子受體且以按電泳介質的重量計0.1重量百分比至6.0重量百分比的含量存在於該電泳介質中；<br/> 第二電極層，其包含複數個像素電極；<br/> 其中該耐光性添加劑為選自由經取代的1,4-苯醌、經取代的1,2-苯醌、經取代的萘醌、及經取代的蒽醌所組成的群組，其中該經取代的1,4-苯醌、該經取代的1,2-苯醌、該經取代的萘醌、及該經取代的蒽醌具有至少一個取代基，該取代基包含烷基、環烷基、或烯基，且其中該至少一個取代基具有10至120個碳原子。
如請求項1之彩色電光顯示器，其中該經取代的1,2-苯醌、經取代的1,4-苯醌、經取代的萘醌、及經取代的蒽醌具有至少一個取代基，該至少一個取代基以式I或式II表示，其中n為2至20之整數，且其中m為1至20之整數，<br/><img align="absmiddle" height="176px" width="629px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式I<br/><img align="absmiddle" height="196px" width="368px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式II。
如請求項1之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑為以式III表示的經取代的1,4-苯醌，<br/><img align="absmiddle" height="407px" width="401px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式III<br/> 其中R<sub>1</sub>以式I或式II表示，其中n為2至20之整數且m為1至20之整數，且其中R<sub>2</sub>至R<sub>4</sub>為獨立選自由氫、烷基、烯基、芳基、及含有週期表第V-VII族之雜原子的雜原子基所組成的群組。
如請求項3之彩色電光顯示器，其中R<sub>1</sub>以式II表示，該式II具有m為2至20之整數，且其中R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、及R<sub>4</sub>的每一個係獨立選自由氫、烷基、烯基、及烷氧基所組成的群組。
如請求項4之彩色電光顯示器，其中R<sub>2</sub>為甲基，且其中R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>為甲氧基。
如請求項4之彩色電光顯示器，其中R<sub>2</sub>為氫，且其中R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>為甲基。
如請求項6之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑以式IV或式V表示，<br/><img align="absmiddle" height="402px" width="635px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式IV<br/><img align="absmiddle" height="337px" width="596px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式V。
如請求項1之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑之分子結構為經取代的苯醌，該經取代的1,4-苯醌以式VI表示，<br/><img align="absmiddle" height="374px" width="751px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式VI，<br/> 其中R<sub>5</sub>、R<sub>6</sub>及R<sub>7</sub>的每一個可為獨立選自由氫、烷基、烯基、及烷氧基所組成的群組，且其中o為2至20之整數。
如請求項1之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑為經取代的萘醌，該經取代的萘醌以式VII表示，<br/><img align="absmiddle" height="419px" width="763px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式VII<br/> 其中R<sub>8</sub>、R<sub>9</sub>、R<sub>10</sub>、R<sub>11</sub>、及R<sub>12</sub>的每一個可為獨立選自由氫、烷基、烯基、及烷氧基所組成的群組，且其中p為2至20之整數。
如請求項1之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑為經取代的萘醌，該經取代的萘醌以式VIII表示，<br/><img align="absmiddle" height="394px" width="781px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式VIII<br/> 其中R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>、R<sub>15</sub>、R<sub>16</sub>、及R<sub>17</sub>的每一個可為獨立選自由氫、烷基、烯基、及烷氧基所組成的群組，且其中q為2至20之整數。
如請求項10之彩色電光顯示器，其中該耐光性添加劑之分子結構以式VIII表示，其中R<sub>13</sub>、R<sub>14</sub>、R<sub>15</sub>、R<sub>16</sub>為氫，且R<sub>17</sub>為甲基。
如請求項11之彩色電光顯示器，其中q為選自由3、4、7、及9所組成的群組。
如請求項1至12中任一項之彩色電光顯示器，其中該電泳介質進一步包含複數個第三類型之帶電顏料粒子及複數個第四類型之帶電顏料粒子。
如請求項13之彩色電光顯示器，其中該第一、第二、第三、及第四類型之帶電顏料粒子具有選自由白色、黑色、靛青色、洋紅色、黃色、藍色、綠色、及紅色所組成的群組之顏色。
如請求項13之彩色電光顯示器，其中該第一、第二、第三、及第四類型之帶電顏料粒子分別為白色、靛青色、洋紅色、及黃色。
如請求項1至12中任一項之彩色電光顯示器，其中該電光材料層包含：複數個微膠囊；及黏合劑。
如請求項16之彩色電光顯示器，其中該彩色電光顯示器進一步包含第一黏著層，該第一黏著層被配置在電光材料層與第二電極層之間。
如請求項17之彩色電光顯示器，其中該彩色電光顯示器進一步包含第二黏著層，該第二黏著層被配置於該電光材料層與該第一電極層之間。
如請求項1至12中任一項之彩色電光顯示器，其中該電光材料層包含複數個微胞以及跨越開口的密封層，其中複數個微胞之每個微胞具有微胞底部、多個分隔壁、及開口，且該密封層與該第二電極層相鄰。
一種智慧除塵系統，包含：至少一輸送處理台，具有複數個區域，用以對被輸送至該複數個區域之至少一物料進行至少一處理程序；一主吸力供應源，該主吸力供應源使用一變頻馬達帶動一扇葉運轉而產生一主吸力，且該主吸力供應源係經由一抽風管提供該主吸力；複數個集塵元件，包含複數個集塵罩、複數個歧管及複數個閥門，該複數個閥門設於該複數個歧管上，該複數個集塵罩係經由該複數個歧管共同連通至該主吸力供應源之該抽風管，藉以使得該主吸力於該複數個歧管之複數個吸氣口形成複數個副吸力，其中該複數個集塵元件之位置係對應於該輸送處理台之該複數個區域，用以對位於該複數個區域上之該物料進行一除塵步驟；複數個感測元件，用以即時偵測該輸送處理台之該複數個區域上之複數個粉塵數量；以及一控制元件，用以依據該複數個粉塵數量之一數值排序，對應地各自控制該複數個集塵元件之運作，其中該控制元件係依據該複數個粉塵數量之該數值排序，控制該複數個集塵元件中之至少一者，由該複數個區域中之一較低粉塵數量之區域移動至一較高粉塵數量之區域，藉以分享該複數個集塵元件之該至少一者之該副吸力給該較高粉塵數量之區域。
如請求項1所述之智慧除塵系統，更包含複數個振動元件設於該輸送處理台之該複數個區域上，用以振動被輸送至該複數個區域之該物料，該控制元件係依據該複數個粉塵數量之該數值排序對應地各自控制該複數個振動元件之運作。
如請求項2所述之智慧除塵系統，其中該控制元件係依據該複數個粉塵數量之該數值排序，移動且分享該複數個振動元件中對應於一最小值粉塵數量之一振動元件。
如請求項1所述之智慧除塵系統，更包含複數個風扇設於該輸送處理台之該複數個區域上，用以吹動被輸送至該複數個區域之該物料，該控制元件係依據該複數個粉塵數量之該數值排序對應地各自控制該複數個風扇之運作。
如請求項4所述之智慧除塵系統，其中該控制元件係依據該複數個粉塵數量之該數值排序，移動且分享該複數個風扇中對應一最小值粉塵數量之一風扇。
如請求項1所述之智慧除塵系統，其中該較低粉塵數量為一最小值粉塵數量，該較高粉塵數量為一最大值粉塵數量，其中該最小值粉塵數量係低於一預設值，該最大值粉塵數量係高於該預設值。
一種週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，適配以提醒約定週期轉帳的一用戶的一週期轉帳約定即將到期，且該週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統包括： 一輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶操作及控制；以及 一處理器，通訊連接該輸入輸出裝置，並與一金融帳務系統串接，其中該金融帳務系統包括一金融帳務資料庫，且該金融帳務資料庫包括該用戶的複數個約定資料，該些約定資料包括一帳戶名、一轉出帳戶、一轉入帳戶、一轉帳日期、一約定效期或其組合，及該處理器包括： 一約定資料訂閱模組，與該金融帳務資料庫串接，並通訊連接該輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶透過該輸入輸出裝置申請一週期轉帳通知服務，並產生一訂閱訊號，其中該週期轉帳通知服務包括一週期轉帳到期提醒服務及一續期約定服務； 一約定資料紀錄模組，與該金融帳務資料庫串接，訊號連接該約定資料訂閱模組，配置以連結該用戶的該訂閱訊號與該用戶的複數個金融身分認證資料以產生一用戶訂閱紀錄，並將該用戶訂閱紀錄儲存於該金融帳務資料庫中，其中該用戶訂閱紀錄包括該些約定資料； 一約定資料綁定模組，訊號連接該約定資料紀錄模組，並通訊連接該輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶透過該輸入輸出裝置進行一通訊用戶綁定作業； 一約定資料匯入模組，與該金融帳務資料庫串接，配置以自該金融帳務資料庫中匯入該用戶的該用戶訂閱紀錄；以及 一週期轉帳提醒模組，訊號連接該約定資料匯入模組，並通訊連接該輸入輸出裝置，配置以根據一提醒期間確認該用戶的該用戶訂閱紀錄是否到達該提醒期間，其中當該週期轉帳提醒模組判斷該用戶訂閱紀錄達到該提醒期間時，該週期轉帳提醒模組更配置以發出一系統提醒訊息，並傳輸至該輸入輸出裝置； 其中該週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統進一步包括： 一通訊軟體服務系統，通訊連接該輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶透過該輸入輸出裝置進行通訊，其中該通訊軟體服務系統包括： 一通訊軟體綁定模組，通訊連接該輸入輸出裝置，並與該約定資料綁定模組串接，配置以提供給該用戶透過該輸入輸出裝置進行該通訊用戶綁定作業， 其中於該通訊用戶綁定作業期間，該約定資料綁定模組更配置以發出一一次性密碼訊息，並透過該通訊軟體綁定模組將該一次性密碼訊息傳輸至該輸入輸出裝置的一通訊軟體應用程式中，及該用戶透過該輸入輸出裝置於該通訊軟體應用程式中輸入該一次性密碼後，且該通訊軟體綁定模組確認該一次性密碼正確，該通訊軟體綁定模組完成該通訊用戶綁定作業。
如請求項1所述之週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，其中該系統提醒訊息包括一週期轉帳到期日、該提醒期間、一請求續約訊息或其組合，及 該處理器進一步包括： 一週期轉帳續約模組，訊號連接該週期轉帳提醒模組，通訊連接該輸入輸出裝置，並與該金融帳務資料庫串接，配置以當該用戶透過該輸入輸出裝置確認該請求續約訊息後，為該用戶進行該續期約定服務。
如請求項2所述之週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，其中該週期轉帳續約模組更配置以請求該用戶進行一金融身分認證服務，且該金融身分認證服務包括一金融身分認證及一裝置認證，及 於該金融身分認證及該裝置認證成功後，該週期轉帳續約模組更配置以為該用戶的該用戶訂閱紀錄延長一續約效期，並產生一續期約定成功訊息。
如請求項3所述之週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，其中該處理器通訊連接一金融身分認證系統， 該金融身分認證系統配置通訊連接該輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶進行一金融身分註冊和該金融身分認證及一裝置綁定和該裝置認證，及 該金融身分認證系統包括： 一金融認證開通模組，通訊連接該約定資料紀錄模組及該輸入輸出裝置，並與該金融帳務資料庫串接，配置以提供該用戶透過該輸入輸出裝置開通該金融身分認證服務，其中當該金融認證開通模組透過該輸入輸出裝置提取該用戶的一生物辨識特徵，且該用戶確認該生物辨識特徵後，完成該用戶的該金融身分註冊；以及 一密鑰創建模組，訊號連接該金融認證開通模組，配置以請求該用戶確認一裝置認證協議，其中當該用戶透過該輸入輸出裝置確認該裝置認證協議後，該密鑰創建模組更配置以創建一對密鑰，其中該對密鑰包括一私鑰及一公鑰，且該私鑰透過該金融認證開通模組儲存於該用戶的該輸入輸出裝置上，而該公鑰儲存於該金融帳務資料庫中。
如請求項4所述之週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，其中該處理器進一步包括： 一網路銀行登入模組，與該金融帳務資料庫串接，訊號連接該約定資料訂閱模組，並通訊連接該輸入輸出裝置，配置以提供給該用戶透過該輸入輸出裝置輸入複數個登入資料以登入該用戶的一數位帳戶。
如請求項4所述之週期轉帳到期提醒暨續期約定管理系統，其中該通訊軟體服務系統進一步包括： 一通訊軟體存取模組，訊號連接該通訊軟體綁定模組，與該約定資料訂閱模組、該約定資料紀錄模組、該週期轉帳提醒模組及該週期轉帳續約模組，並通訊連接該輸入輸出裝置，配置以透過該通訊軟體應用程式傳輸該約定資料訂閱模組、該約定資料紀錄模組、該週期轉帳提醒模組及該週期轉帳續約模組與該用戶之間的至少一操作訊息，其中該至少一操作訊息包括該週期轉帳通知服務、該續期約定服務、該系統提醒訊息、該續期約定服務或其組合。
一種週期轉帳到期提醒暨續期約定管理方法，適配以提醒約定週期轉帳的一用戶的一週期轉帳約定即將到期，且該方法包括： 該用戶透過一輸入輸出裝置進入一約定資料訂閱模組申請一週期轉帳通知服務； 一約定資料紀錄模組判斷該用戶是否已開通一金融身分認證服務，其中當該約定資料紀錄模組判斷該用戶已開通該金融身分認證服務，該約定資料紀錄模組產生一用戶訂閱紀錄，其中該用戶訂閱紀錄包括複數個約定資料，且該些約定資料包括一帳戶名、一轉出帳戶、一轉入帳戶、一轉帳日期、一約定效期或其組合； 一約定資料綁定模組接收該用戶透過該輸入輸出裝置進行的一通訊用戶綁定作業； 該約定資料綁定模組更配置以發出一一次性密碼訊息； 一通訊軟體綁定模組將該一次性密碼訊息傳輸至該輸入輸出裝置的一通訊軟體應用程式中； 該通訊軟體綁定模組接收該用戶透過該輸入輸出裝置於該通訊軟體應用程式中輸入該一次性密碼； 當該通訊軟體綁定模組確認該一次性密碼正確時，該通訊軟體綁定模組完成該通訊用戶綁定作業；以及 一週期轉帳提醒模組判斷該用戶訂閱紀錄是否達到一提醒期間，其中當該週期轉帳提醒模組判斷該用戶訂閱紀錄達到該提醒期間，該週期轉帳提醒模組發出一系統提醒訊息，並傳輸至該用戶的該輸入輸出裝置。
如請求項7所述之方法，進一步包括： 當該約定資料紀錄模組判斷該用戶尚未開通該金融身分認證服務，該約定資料紀錄模組請求該用戶透過一金融身分認證系統開通該金融身分認證服務，且包括： 該輸入輸出裝置讀取該用戶的複數個基本資料； 自一金融帳務資料庫讀取出對應於該用戶的該些基本資料的複數個數位帳戶資料； 一金融認證開通模組請求該用戶透過該輸入輸出裝置提取及確認一生物辨識特徵； 該用戶提取並確認該生物辨識特徵後，該金融認證開通模組完成該用戶的一金融身分註冊； 一密鑰創建模組請求該用戶確認一裝置認證協議；以及 當該用戶透過該輸入輸出裝置確認該裝置認證協議後，該密鑰創建模組創建一對密鑰，其中該對密鑰包括一私鑰及一公鑰，且該私鑰儲存於該用戶的該輸入輸出裝置上，而該公鑰儲存於該金融帳務資料庫中，該密鑰創建模組完成該用戶的一裝置綁定。
如請求項8所述之方法，進一步包括： 一週期轉帳續約模組判斷該用戶是否申請一續期約定服務； 當該週期轉帳續約模組判斷該用戶申請該續期約定服務時，該週期轉帳續約模組請求該用戶進行該金融身分認證服務，其中該金融身分認證服務包括一金融身分認證及一裝置認證；以及 於該金融身分認證及該裝置認證成功後，該週期轉帳續約模組為該用戶的該用戶訂閱紀錄延長一續約效期。
一種積層陶瓷電容器，其包含： <br/>積層體，其包含積層之複數個介電質層，且包含：第1主面及第2主面，其等與上述複數個介電質層之積層方向相對；第1側面及第2側面，其等與正交於上述積層方向之寬度方向相對；及第1端面及第2端面，其等與正交於上述積層方向及上述寬度方向之長度方向相對； <br/>第1內部電極層，其配置於上述複數個介電質層上，露出於上述第1端面； <br/>第2內部電極層，其配置於上述複數個介電質層上，露出於上述第2端面； <br/>第1外部電極，其包含配置於上述第1端面上之基底電極層、及配置於上述基底電極層上之鍍敷層；及 <br/>第2外部電極，其包含配置於上述第2端面上之基底電極層、及配置於上述基底電極層上之鍍敷層；且 <br/>於上述介電質層，配置有介電質粒子； <br/>上述介電質粒子包含Mn及Zr； <br/>上述介電質粒子中，Mn相對於Zr之原子比例(Mn/Zr)為0.60以上0.80以下。
如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述介電質層中之上述介電質粒子係包含進而包含Ba、Sr、Zr、Ti、Hf，並任意包含Ca之鈣鈦礦型構造，且進而包含Mn及Si內之至少一者。
一種集裝袋的袋頸吸膜裝置的袋頸收束封口工序，該袋頸吸膜裝置安裝於一入料筒外部，該入料筒將一充填入料機的物料充填入一防潮集裝袋；該防潮集裝袋包括一袋本體和結合於該袋本體頂部的一管狀袋頸，該管狀袋頸包括一袋頸外層和一袋頸內層；該袋頸吸膜裝置包括：一約束環，用以約束於該入料筒的外部；數個吸附件，平均分佈固定於該約束環的一外部面；該吸附件連接於一真空產生裝置；該吸附件的頂端設一限位件，該限位件凸出於該吸附件的頂端以及與該頂端相鄰的一前部面；其特徵在於：該袋頸收束封口工序包括以下步驟：步驟S1，以一拉袋頸裝置將該管狀袋頸套在該入料筒的外部，並涵蓋住該袋頸吸膜裝置；步驟S3，該真空產生裝置啟動，該吸附件以真空抽吸力將該袋頸內層吸附定位於該入料筒外部，該袋頸內層和該袋頸外層分離；步驟S5，該拉袋頸裝置將該袋頸外層往下拉；步驟S7，該充填入料機通過該袋頸內層向該袋本體進行一入料步驟；步驟S9，該入料步驟完成，以一第一束口件將該袋頸內層收束封口；步驟S11，該真空產生裝置停止運作；步驟S13，該拉袋頸裝置將該袋頸外層往上拉，包住該袋頸內層；步驟S15，以一第二束口件將該袋頸外層收束封口。
如請求項1所述的袋頸收束封口工序，其中，步驟S5和步驟S7之間還包括步驟S6，一袋頸箍扣裝置施予該袋頸內層一夾制外力，將該袋頸內層輔助固定在該入料筒外部；以及，步驟S11和步驟S13之間還抱括步驟S12，該袋頸箍扣裝置離開該袋頸內層。
如請求項1所述的袋頸收束封口工序，其中，該步驟S15的該第二束口件同時收束封口該袋頸外層和該袋頸內層，該第二束口件的位置在該第一束口件的上方。
如請求項1所述的袋頸收束封口工序，其中，該步驟S13和該步驟S15之間還包括步驟S14，施予該袋頸內層一機械外力，將其下壓入該袋頸外層的深部。
一種冷量分配單元，配置為對一浸沒式液冷機櫃中的設備進行散熱，其中，前述冷量分配單元包括： <br/>一第一泵，前述第一泵設有一第一入口和一第一出口； <br/>一第二泵，前述第二泵設有一第二入口和一第二出口；前述第一泵與前述第二泵並聯佈置；前述第一泵和/或前述第二泵配置為抽出前述浸沒式液冷機櫃中的第一冷卻液； <br/>一泵入口管路，前述泵入口管路包括與前述第一泵的第一入口相連的一第一入口端止回閥、與前述第一入口端止回閥相連的一第一泵入口管、與前述第二泵的第二入口相連的一第二入口端止回閥、以及與前述第二入口端止回閥相連的一第二泵入口管； <br/>一泵出口管路，前述泵出口管路包括與前述第一泵的第一出口相連的一第一出口端止回閥、與前述第一出口端止回閥相連的一第一泵出口管、與前述第二泵的第二出口相連的一第二出口端止回閥、以及與前述第二出口端止回閥相連的一第二泵出口管； <br/>一熱交換器，前述熱交換器包括一第一熱交換器入口以及一第一熱交換器出口；前述第一泵出口管和/或前述第二泵出口管與前述第一熱交換器入口相連； <br/>一第一回流管路，前述第一回流管路的一端與前述第一熱交換器出口相連，前述第一回流管路的另一端配置為與前述浸沒式液冷機櫃相連；前述第一回流管路包括一第一主回流管、與前述第一主回流管相連的一第一分支回流管、與前述第一主回流管相連且與前述第一分支回流管並聯的一第二分支回流管、以及與前述第一分支回流管以及前述第二分支回流管相連的一第二主回流管。
如請求項1所述的冷量分配單元，其中：前述泵入口管路還包括用以檢測前述泵入口管路的至少一入口管路感測器，前述泵出口管路還包括用以檢測前述泵出口管路的至少一第一出口管路感測器。
如請求項1所述的冷量分配單元，其中：前述第一回流管路包括至少一回流管路感測器；前述第一分支回流管以及前述第二分支回流管均分別設有至少一控制閥。
如請求項2所述的冷量分配單元，其中：前述泵入口管路還包括連接前述第一泵入口管和前述第二泵入口管的一主入口管，前述主入口管配置為與前述浸沒式液冷機櫃中的第一冷卻液相連通。
如請求項4所述的冷量分配單元，其中：前述主入口管包括一第一主入口管以及與前述第一主入口管相連的一第二主入口管； <br/>前述入口管路感測器包括設於前述第一主入口管的一第一入口主管路感測器以及設於前述第二主入口管的一第二入口主管路感測器。
如請求項5所述的冷量分配單元，其中：前述主入口管還包括連接前述第一主入口管與前述第二主入口管的一第一旁通管以及與前述第一旁通管相連的一第一調節閥。
如請求項5所述的冷量分配單元，其中：前述第一主入口管上還連接有一第一手動蝶閥、一第二手動蝶閥以及連接在前述第一手動蝶閥與前述第二手動蝶閥之間的一第一篩檢程式。
如請求項2所述的冷量分配單元，其中：前述泵出口管路包括連接前述第一泵出口管和前述第二泵出口管的一主出口管；前述第一出口管路感測器與前述主出口管相連。
如請求項8所述的冷量分配單元，其中：前述泵出口管路還包括連接前述主出口管與前述第一熱交換器入口的一第二金屬波紋管。
如請求項1所述的冷量分配單元，其中：前述第一回流管路還包括與前述第一主回流管相連且靠近前述第一熱交換器出口的一第二調節閥以及與前述第二調節閥相連的一壓力調節裝置。
如請求項3所述的冷量分配單元，其中：前述第一主回流管還包括第三金屬波紋管以及連接在前述第三金屬波紋管的下游的一第一回流管路感測器，前述回流管路感測器包括前述第一回流管路感測器。
如請求項3所述的冷量分配單元，其中：前述第一分支回流管設有一第一控制閥、一第二控制閥以及連接在前述第一控制閥與前述第二控制閥之間的一第二篩檢程式；前述第一分支回流管的控制閥包括前述第一控制閥以及前述第二控制閥。
如請求項3所述的冷量分配單元，其中：前述第二分支回流管設有一第三控制閥以及一第四控制閥，前述第二分支回流管的控制閥包括前述第三控制閥以及前述第四控制閥。
如請求項3所述的冷量分配單元，其中：前述第二主回流管設有一第五控制閥、一第六控制閥、連接在前述第五控制閥與前述第六控制閥之間的一第一流量裝置、以及一第二回流管路感測器； <br/>前述回流管路感測器包括前述第二回流管路感測器。
如請求項1所述的冷量分配單元，其中：前述冷量分配單元包括一次側迴圈流路以及二次側迴圈流路； <br/>前述熱交換器包括一第二熱交換器入口以及一第二熱交換器出口； <br/>前述一次側迴圈流路包括與前述第二熱交換器入口相連的一出口管路以及與前述第二熱交換器出口相連的一第二回流管路； <br/>前述二次側迴圈流路包括前述第一泵和/或前述第二泵、前述泵入口管路、前述泵出口管路以及前述第一回流管路。
如請求項15所述的冷量分配單元，其中：前述出口管路包括一第一調控閥、連接在前述第一調控閥的下游的一第二出口管路感測器、連接在前述第二出口管路感測器的下游的一三通電動閥以及連接在前述三通電動閥與前述第二熱交換器入口之間的一第二流量裝置。
如請求項15所述的冷量分配單元，其中：前述第二回流管路包括一第三回流管路感測器、連接在前述第三回流管路感測器的下游的一第二單向閥以及連接在前述第二單向閥的下游的一第二調控閥。
如請求項16所述的冷量分配單元，其中：前述一次側迴圈流路還包括連接在前述三通電動閥與前述第二回流管路之間的一第二旁通管，前述三通電動閥能夠控制前述第二旁通管係否導通。
一種冷量控制櫃，其中，包括： <br/>一冷量分配單元，前述冷量分配單元為如請求項1至18中任意一項所述的冷量分配單元； <br/>一櫃體，前述櫃體包括一底板以及複數側板，前述第一泵以及前述第二泵安裝在前述底板上；以及 <br/>至少一行走輪，前述行走輪安裝在前述底板的底部。
一種具有影像旋轉功能的投影裝置，其包含有：<br/> 一投影模組，用來輸出一投射影像；<br/> 一偵測器，包含一偵測面，該偵測器用來取得一目標物件相對於該偵測面的位置資訊；以及<br/> 一運算控制器，電連接該投影模組與該偵測器，該運算控制器係根據該位置資訊計算該目標物件在一第一相對位置與一第二相對位置相對於該偵測面的一角度變化量，並產生一控制指令至該投影模組以在不改變該投影模組的一位置與一角度時利用該角度變化量調整該投射影像之一旋轉方位；<br/> 其中，該目標物件為該投影裝置之一使用者。
如請求項1所述之投影裝置，其中該角度變化量係為該目標物件之一結構縱向和該偵測面之一平面方向的一夾角於該目標物件在該第一相對位置與該第二相對位置之該夾角的角度差。
如請求項1所述之投影裝置，其中該投影模組之一投影光軸係相交於該偵測器之一偵測光軸。
如請求項1所述之投影裝置，其中該偵測器利用運動偵測技術分析該位置資訊是否發生變化，並根據其分析結果決定是否生成該控制指令。
如請求項1所述之投影裝置，其中該投影裝置還包含一角動量感測器，電連接該運算控制器，該運算控制器利用該角動量感測器判斷該投影裝置改變其擺放方位時會相應生成該控制指令。
如請求項1所述之投影裝置，其中該位置資訊包含該偵測器相對於該目標物件之至少兩端的二虛擬連接線之長度，及該二虛擬連接線之間的一第一夾角，當該目標物件由該第一相對位置改變至該第二相對位置時，該運算控制器分析該些長度和該第一夾角的變化計算出該角度變化量。
如請求項6所述之投影裝置，其中該運算控制器依據該些長度和該第一夾角取得該目標物件在該偵測器之一視野內的一物件長度，再依據該些長度、該第一夾角和該物件長度計算出該目標物件和該二虛擬連接線之其中一虛擬連接線的一第二夾角。
如請求項7所述之投影裝置，其中該運算控制器依據該物件長度、該第二夾角、該些長度之其中一長度計算出該其中一虛擬連接線和該偵測面的一第三夾角，從而利用該第二夾角與該第三夾角取得該目標物件在該第一相對位置與該第二相對位置之間的該角度變化量。
如請求項1所述之投影裝置，其中該運算控制器係找出該投射影像的一中心點或一邊角點，再基於該中心點或該邊角點以該角度變化量調整該投射影像的該旋轉方位。
光學攝影鏡頭，其包括： <br/>透鏡組，由六片具有屈光度的透鏡組成，沿著光軸由物側至像側依序包括具有屈光力的第一透鏡、第二透鏡、第三透鏡、第四透鏡、第五透鏡和第六透鏡； <br/>複數隔離件，包括： <br/>位於所述第一透鏡的像側且與所述第一透鏡的像側面部分接觸的第一隔離件； <br/>位於所述第二透鏡的像側且與所述第二透鏡的像側面部分接觸的第二隔離件； <br/>位於所述第三透鏡的像側且與所述第三透鏡的像側面部分接觸的第三隔離件； <br/>位於所述第四透鏡的像側且與所述第四透鏡的像側面部分接觸的第四隔離件； <br/>位於所述第五透鏡的像側且與所述第五透鏡的像側面部分接觸的第五隔離件；以及 <br/>鏡筒，用於容納所述透鏡組和複數所述隔離件； <br/>其中，所述光學攝影鏡頭滿足：10＜(EP45+CP5)/T56＜40.0、0＜d5s/f5＜1.0和0＜d5s/f6＜1.0，EP45是所述第四隔離件的像側面至所述第五隔離件的物側面在沿所述光軸的方向上的間隔距離，CP5是所述第五隔離件沿所述光軸的方向的最大厚度，T56是所述第五透鏡和所述第六透鏡在所述光軸上的空氣間隔，f5是所述第五透鏡的等效焦距，f6是所述第六透鏡的等效焦距，d5s是所述第五隔離件的物側面的內徑。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：0＜f2/f＜110和-1.0＜EP12/f2-EP12/R4＜0，其中，f2是所述第二透鏡的等效焦距，f是所述光學攝影鏡頭的總等效焦距，EP12是所述第一隔離件的像側面至所述第二隔離件的物側面在沿所述光軸的方向上的間隔距離，R4是所述第二透鏡的像側面的曲率半徑。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：-1.0＜f3/f4＜0和1.5＜d3s/f3-D3s/f4＜2.5，其中，f3是所述第三透鏡的等效焦距，f4是所述第四透鏡的等效焦距，d3s是所述第三隔離件的物側面的內徑，D3s是所述第三隔離件的物側面的外徑。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：-5.0＜f4/(EP34+CT4)＜-2.0，其中，f4是所述第四透鏡的等效焦距，EP34是所述第三隔離件的像側面至所述第四隔離件的物側面在沿所述光軸的方向上的間隔距離，CT4是所述第四透鏡在所述光軸上的中心厚度。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：1.62＜(N4+N5)/2＜1.80和0＜d4s/|(f4+f5)|＜1.0，其中，N4是所述第四透鏡的折射率，N5是所述第五透鏡的折射率，d4s是所述第四隔離件的物側面的內徑，f4是所述第四透鏡的等效焦距。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：3.0＜L/(CT5+T56+CT6)＜4.0，其中，L是所述鏡筒的物側端至所述鏡筒的像側端在沿所述光軸的方向上的間隔距離，CT5是所述第五透鏡在所述光軸上的中心厚度，CT6是所述第六透鏡在所述光軸上的中心厚度。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：5 mm＜D5s/|R8/R9|＜10.0 mm，其中，D5s是所述第五隔離件的物側面的外徑，R8是所述第四透鏡的像側面的曲率半徑，R9是所述第五透鏡的物側面的曲率半徑。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：-10.0＜R9/R12＜-1.0和4.0＜f56/(EP45+T56)＜10.0，其中，R9是所述第五透鏡的物側面的曲率半徑，R12是所述第六透鏡的像側面的曲率半徑，f56是所述第五透鏡和所述第六透鏡的組合焦距。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：-2.0＜d0s/R1＜-0.5，其中，R1是所述第一透鏡的物側面的曲率半徑，d0s是所述鏡筒的物側端的內徑。
根據請求項1所述的光學攝影鏡頭，其中所述光學攝影鏡頭滿足：110.0°＜FOV＜120.0°和0.3＜d0s/d0m＜0.7，其中，FOV是所述光學攝影鏡頭的最大視場角，d0s是所述鏡筒的物側端的內徑，d0m是所述鏡筒的像側端的內徑。
根據請求項1-10中任一項所述的光學攝影鏡頭，其中所述第一透鏡至所述第四透鏡中的任一透鏡的最大直徑均小於所述第五透鏡的最大直徑。
根據請求項1-10中任一項所述的光學攝影鏡頭，其中所述第一透鏡和/或所述第六透鏡的表面具有至少一個反曲點。
根據請求項12所述的光學攝影鏡頭，其中所述第一透鏡的表面具有至少一個反曲點，所述光學攝影鏡頭滿足：0＜(DT11-Yc11)/d1s＜0.6，其中，DT11是所述第一透鏡的物側面的最大有效半徑，Yc11是所述第一透鏡的物側面上的反曲點與所述第一透鏡的物側面和所述光軸的交點沿垂直於所述光軸的方向的距離，d1s是所述第一隔離件的物側面的內徑。
根據請求項12所述的光學攝影鏡頭，其中所述第六透鏡的表面具有至少一個反曲點，所述光學攝影鏡頭滿足：2.0＜d5s/Yc62＜3.0，其中，Yc62是所述第六透鏡的像側面上的反曲點與所述第六透鏡的像側面和所述光軸的交點沿垂直於所述光軸的方向的距離。
根據請求項1-10中任一項所述的光學攝影鏡頭，其中複數所述隔離件還包括位於所述第五隔離件的像側且與所述第五隔離件的像側面部分接觸的第五輔助隔離件；以及位於所述第五輔助隔離件的像側且與所述第五輔助隔離件的像側面部分接觸的第五次輔隔離件； <br/>所述光學攝影鏡頭滿足：0＜(d5bm+d5cm)/f6＜2.0，其中，d5bm是所述第五輔助隔離件的像側面的內徑，d5cm是所述第五次輔隔離件的像側面的內徑。
根據請求項1-10中任一項所述的光學攝影鏡頭，其中 <br/>所述第一透鏡的物側面為凹入面，像側面為凸出面； <br/>所述第二透鏡具有正屈光力，其物側面為凸出面，像側面為凹入面； <br/>所述第三透鏡具有正屈光力，物側面為凸出面，像側面為凸入面； <br/>所述第四透鏡具有負屈光力，物側面為凹入面，像側面為凸出面； <br/>所述第五透鏡具有正屈光力，物側面為凹入面，像側面為凸出面；以及 <br/>所述第六透鏡具有正屈光力，物側面為凸出面，像側面為凹入面。
一種藥劑揮發具，係具備有使揮發性藥劑揮發之藥劑揮發體、和收容前述藥劑揮發體之揮發容器， <br/> 前述揮發容器，係具備有： <br/> 通氣面部，係被形成有將該揮發容器之外部與內部作通連之通連開口部；和 <br/> 擴展部，係相對於前述通氣面部而朝向外側傾斜地擴張。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述揮發容器，係為具有相對向之面的柱狀體， <br/> 前述通氣面部，係分別被配置在前述相對向之面處。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 相對於前述通氣面部之前述擴展部的傾斜角度，係被設定為110~165度。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述擴展部，係具備有朝向內側而作了凹陷的凹彎曲狀傾斜面。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述擴展部，係在前述揮發容器之載置狀態下而至少被配設於下側之台座處。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述通連開口部，係以在前述揮發容器之載置狀態下而延伸存在於上下方向的方式，而被形成。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 在前述擴展部處，係被附隨設置有以會使空氣之流動朝向前述通連開口部的方式來進行整流之整流鰭。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述揮發容器，係具有有前述通氣面部的直方體狀的容器本體，前述擴展部一體性地設置於該容器本體處。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 前述揮發容器，係具有有前述通氣面部的容器本體， <br/> 前述容器本體係具有圓角長方形剖面之柱狀體， <br/> 前述擴展部一體性地設置於前述容器本體處。
如請求項1所記載之藥劑揮發具，其中， <br/> 作為前述揮散性藥劑，係使用常溫揮散性除蟲菊精系化合物，作為驅除或者是驅避飛行害蟲之目的來使用。
一種藥劑揮發裝置， <br/> 係構成為使如請求項1~10中之任一項所記載之藥劑揮發具被作複數連續設置。
如請求項11所記載之藥劑揮發裝置，其中， <br/> 複數之前述藥劑揮發具，係可經由連結手段而彼此轉動。
一種機車的擋風件結構，機車至少包括有車架單元，該車架單元外周罩設有車體蓋單元；該車體蓋單元至少具有前車體蓋與連結於該前車體蓋前端上的擋風件組；該擋風件組具有主擋風件與連結於該主擋風件下方二側上的副擋風件；該副擋風件的最外端相對於該主擋風件之最外端更遠離該機車的上下方向的車體中心線；該車架單元的前端設有連結支架；該連結支架具有鎖固部，該鎖固部具有鎖固孔；該車體蓋單元的該前車體蓋的前端設有連結部，該連結部設有穿孔；該連結部設有鎖設件，該鎖設件具有鎖設孔與連結鎖設孔；該擋風件組的該主擋風件設有連結鎖固部，該連結鎖固部上設有連結鎖孔；該副擋風件具有連結孔；該穿孔與該鎖固孔相對應設置；該連結孔與該連結鎖設孔相對應設置。
如請求項1所述之機車的擋風件結構，其中，該連結孔係為通孔；該連結鎖設孔係為凸設孔。
如請求項1所述之機車的擋風件結構，其中，該副擋風件具有第一連結面與第二連結面；該連結孔係設於該第一連結面上；該副擋風件以該第一連結面與該主擋風件的該連結鎖固部上下疊置的方式鎖固於該鎖設件上。
如請求項1所述之機車的擋風件結構，其中，該副擋風件具有第二連結面；該第二連結面具有傾斜面與延伸面；該傾斜面與該延伸面略成為L形設置；該前車體蓋的前端緣略成反L形；該前車體蓋的前端緣可嵌接於該傾斜面與該延伸面之間。
如請求項4所述之機車的擋風件結構，其中，該傾斜面具有鎖孔；該傾斜面藉由該鎖孔連結於前方向燈支撐座上。
如請求項4所述之機車的擋風件結構，其中，該延伸面具有鎖孔；該延伸面藉由該鎖孔連結於該前車體蓋上。
如請求項1所述之機車的擋風件結構，其中，該主擋風件與該副擋風件係共同連結於該前車體蓋的前端上。
一種機車的擋風件構造，機車至少包括有車架單元，該車架單元外周罩設有車體蓋單元；該車體蓋單元至少具有前車體蓋與連結於該前車體蓋前端上的擋風件組；該擋風件組具有主擋風件與連結於該主擋風件下方二側上的副擋風件；該機車於前方二側設有前方向燈；該前車體蓋設有鎖固座；該鎖固座鎖設有連結件，該連結件可供該前方向燈連結與可供該副擋風件的鎖設；該前方向燈的發光部至少有一部分露出於該副擋風件外，該副擋風件至少有一部分係可將該前方向燈與該連結件的連結處予以遮蔽。
如請求項1所述之機車的擋風件構造，其中，該車架單元的前端設有連結支架；該主擋風件與該副擋風件的一部分藉由鎖設件與該車體蓋單元的該前車體蓋的前端共同鎖固於該連結支架上。
如請求項1所述之機車的擋風件構造，其中，該連結件具有鎖固部與連結部；該鎖固部可供該副擋風件共同鎖設；該連結部可供該前方向燈連結。
如請求項1所述之機車的擋風件構造，其中，該副擋風件具有第二連結面；該第二連結面具有傾斜面與延伸面；該前方向燈係位於該傾斜面與該延伸面之間。
如請求項3所述之機車的擋風件構造，其中，該副擋風件具有第二連結面；該第二連結面具有傾斜面；該傾斜面可遮擋該連結件。
如請求項4所述之機車的擋風件構造，其中，該前方向燈的發光部係鄰近該傾斜面的後上方。
一種計算方法，包含以下步驟： 對於各自具有對應的一尾數、與該尾數相關聯的一正負號及一指數的多個二進位數，在一記憶體裝置中提供該多個尾數；<br/> 修改提供於該記憶體裝置中的該多個尾數中的至少一者，以獲得對應的多個經修改尾數，使得該多個二進位數的該多個指數相同，該多個經修改尾數中的每一者具有一預定數目個最高有效位元的一最高有效部分及一剩餘部分，並將該多個經修改尾數儲存於該記憶體裝置中；<br/> 至少部分地根據對應的該剩餘部分，對經儲存的該多個經修改尾數中的該每一者的該最高有效部分進行四捨五入，以產生一經截短尾數；以及<br/> 將該多個經截短尾數儲存於該記憶體裝置中，不儲存該多個剩餘部分，<br/> 其中進行四捨五入的步驟包含以下步驟：至少部分地基於對應的該剩餘部分的一最高有效位元，對經儲存的該多個經修改尾數中的該每一者的該最高有效部分進行四捨五入。
如請求項1所述之計算方法，其中在該記憶體裝置中提供該多個尾數的步驟包含以下步驟：將一第一組因數中的每一者與一第二組因數中的至少一者相乘，以產生該多個尾數中的對應一者。
如請求項1所述之計算方法，其中進行四捨五入的步驟包含以下步驟：產生經儲存的該多個經修改尾數中的該每一者的該最高有效部分與對應的該剩餘部分的該最高有效位元的一和。
如請求項1所述之計算方法，其中在該記憶體裝置中提供該多個尾數的步驟包含以下步驟：藉由使用一乘法電路，將一第一組因數中的每一者與一第二組因數中的至少一者相乘，以產生該多個尾數中的對應一者。
如請求項4所述之計算方法，其中該乘法電路包含：<br/> 一記憶體陣列；以及<br/> 一邏輯電路，耦接至該記憶體陣列，<br/> 其中將該第一組因數中的該每一者與該第二組因數中的該至少一者相乘的步驟包含以下步驟：將該第二組因數儲存於該記憶體陣列中，以及將多個訊號應用至該邏輯電路以產生多個輸出訊號，其中該多個訊號各自指示該第一組因數中的對應一者，該多個輸出訊號中的每一者基於指示該第一組因數的該多個訊號中的對應一者及經儲存的該第二組因數中的至少一者。
如請求項1所述之計算方法，其中修改經儲存的該多個尾數中的該至少一者的步驟包含以下步驟：至少部分地根據經儲存的該多個尾數中的該至少一者的該指數與經儲存的該多個尾數中的另一者的該指數之間的一差，使經儲存的該多個尾數中的該至少一者移位一數目個位元。
如請求項1所述之計算方法，進一步包含以下步驟：組合該多個經截短尾數，以產生一部分和尾數。
如請求項7所述之計算方法，其中組合該多個經截短尾數的步驟包含以下步驟：產生該多個經截短尾數的一代數和，該多個經截短尾數具有相關聯的該多個正負號。
一種計算方法，包含以下步驟：<br/> 對於各自具有對應的一尾數、與該尾數相關聯的一正負號及一指數的多個二進位數，在一記憶體裝置中提供該多個尾數；<br/> 修改提供於該記憶體裝置中的該多個尾數中的至少一者，以獲得對應的多個經修改尾數，使得該多個二進位數的該多個指數相同，該多個經修改尾數中的每一者具有一預定數目個最高位元的一最高有效部分及具有一最高有效位元的一剩餘部分；<br/> 組合該多個經修改尾數的該多個最高有效部分；<br/> 至少部分地根據該多個剩餘部分中的至少一者，修改該多個經修改尾數的該多個最高有效部分的一組合，以產生一經截短尾數；以及<br/> 將經修改的該組合儲存於該記憶體裝置中，<br/> 其中修改該多個經修改尾數的該多個最高有效部分的該組合的步驟包含以下步驟：至少部分地根據對應的該剩餘部分的一最高有效位元，對該多個經修改尾數中的該每一者的該最高有效部分進行四捨五入。
一種計算裝置，包含： 一或多個第一數位電路，用以接收多個數位輸入訊號，該多個數位輸入訊號指示一底數的對應的多個輸入數位數字，該一或多個第一數位電路中的每一者用以接收該多個數位輸入訊號中的對應的一或多者，並修改該多個數位輸入訊號中的該一或多者中的每一者，以產生指示一輸出數位數字的一對應輸出訊號，該輸出數位數字為該輸入數位數字乘以該底數的一整數次方；<br/> 一或多個第二數位電路，用以至少部分地依據該輸出數位數字的一剩餘部分的一最高有效位元，對來自該一或多個第一數位電路的每個輸出數位數字的複數個預定位元的一最高有效部分進行四捨五入，以產生指示經四捨五入的該最高有效部分且無對應的該剩餘部分的一輸出訊號；以及<br/> 一累加器，用以組合該一或多個第二數位電路的該多個輸出訊號。
一種電話隱碼與來電推播之系統，包括： <br/>一取號模組，訊號連接一會員資料庫，該會員資料庫儲存有複數求職者之複數履歷及複數求才者之資訊，當任一該履歷被存取時，該取號模組產生與被存取的該履歷相關聯之一電話代碼，其中，該電話代碼和被存取的該履歷中之一電話號碼被儲存於一隱碼平台，且該電話代碼和一固定代表號組成一組唯一號碼；以及 <br/>一推播模組，訊號連接一求職應用程式，該求職應用程式係安裝於每一該等求職者之一電子裝置上， <br/>其中，當該等求才者之任一者撥打該組唯一號碼時，該推播模組接收一來電通知，並產生推播訊息給該電話號碼所對應之該求職者的該求職應用程式，其中，該來電通知係由該隱碼平台傳送給該推播模組，該隱碼平台係根據該組唯一號碼中的該電話代碼查詢出對應之該電話號碼以傳送該來電通知，該推播訊息顯示該求才者的訊息。
如請求項1所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中該隱碼平台設於一電信業者伺服器。
如請求項1所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中該固定代表號為所有該等求職者通用。
如請求項1所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中每一該等求才者分別設定有一企業唯一代碼，每一該等求職者分別設定有一求職者唯一代碼，該電話代碼係利用該企業唯一代碼、該求職者唯一代碼及該取號模組產生該電話代碼當下的一時間戳，以雜湊函數計算產生。
如請求項4所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中該雜湊函數計算後先產生一組十六進位數字，將該組十六進位數字轉為十進位數字後取其中複數個數字做為該電話代碼。
如請求項4所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中該企業唯一代碼及該求職者唯一代碼分別為該求才者及該求職者在該會員資料庫中之會員編號。
如請求項1或4所述之電話隱碼與來電推播之系統，其中該電話代碼更包括一有效期限，當超過該有效期限時，該電話代碼失效。
一種電話隱碼與來電推播之方法，包括下列步驟： <br/>當儲存在一會員資料庫中的複數求職者的複數履歷的其中任一者被存取時，一取號模組自動產生與該被存取的該履歷相關聯之一電話代碼，其中，該電話代碼和該被存取的履歷中之一電話號碼被儲存於一隱碼平台，且該電話代碼和一固定代表號組成一組唯一號碼；以及 <br/>當一求才者撥打該組唯一號碼時，一推播模組接收一來電通知，並產生推播訊息給該電話號碼所對應之該求職者的一電子裝置，其中，該來電通知係由該隱碼平台傳送給該推播模組，該隱碼平台係根據該組唯一號碼中的該電話代碼查詢出對應之該電話號碼以傳送該來電通知該電子裝置，該推播訊息顯示該求才者的訊息。
如請求項8所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中該隱碼平台設於一電信業者伺服器。
如請求項8所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中該固定代表號為所有該等求職者通用。
如請求項8所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中每一該等求才者分別設定有一企業唯一代碼，每一該等求職者分別設定有一求職者唯一代碼，該電話代碼係利用該企業唯一代碼、該求職者唯一代碼及該取號模組產生該電話代碼當下的一時間戳，以雜湊函數計算產生。
如請求項11所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中該雜湊函數計算後先產生一組十六進位數字，將該組十六進位數字轉為十進位數字後取其中複數個數字做為該電話代碼。
如請求項11所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中該企業唯一代碼及該求職者唯一代碼分別為該求才者及該求職者在該會員資料庫中之會員編號。
如請求項8或11所述之電話隱碼與來電推播之方法，其中該電話代碼更包括一有效期限，當超過該有效期限時，該電話代碼失效。
一種電腦實施方法，其包含： <br/>藉由一磁帶機將資料軌寫入至一磁帶之一資料頻帶，該磁帶具有側接該資料頻帶之伺服頻帶，該寫入係使用並非針對該磁帶之一格式而設計之一磁頭執行， <br/>其中該寫入包括用該等資料軌覆寫該等伺服頻帶中之各者的一部分，以儲存比該格式允許的更多的資料。
如請求項1之電腦實施方法，其中該磁頭具有定位於一磁性寫入轉換器陣列之一側上的至少兩個伺服讀取器及定位於該磁性寫入轉換器陣列之一相對側上的至少兩個伺服讀取器，其中該磁帶機經組態以使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第一者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第一部分中且使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第二者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第二部分中。
如請求項1之電腦實施方法，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線為該等伺服頻帶之原始中心線。
如請求項3之電腦實施方法，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距匹配該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項1之電腦實施方法，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距匹配該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項1之電腦實施方法，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線自該等伺服頻帶之原始中心線偏移。
如請求項1之電腦實施方法，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距小於該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項1之電腦實施方法，其中該等伺服頻帶中之一者在該寫入期間被資料軌完全覆寫。
如請求項8之電腦實施方法，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距大於該磁帶上之兩個資料頻帶之一寬度。
如請求項8之電腦實施方法，其中該磁頭具有定位於一磁性寫入轉換器陣列之一側上的至少兩個伺服讀取器及定位於該磁性寫入轉換器陣列之一相對側上的至少兩個伺服讀取器，其中該磁帶機經組態以使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第一者寫入一第一組的該等資料軌且使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第二者寫入一第二組資料軌。
一種電腦設備，其包含： <br/>一驅動機構，其用於遍歷一磁頭傳送一磁帶；及 <br/>一控制器，其電耦接至該磁頭， <br/>該控制器經組態以： <br/>使得該磁頭將資料軌寫入至該磁帶之一資料頻帶， <br/>該磁帶具有側接該資料頻帶之伺服頻帶， <br/>其中該磁頭並非針對該磁帶之一格式而設計， <br/>其中該寫入包括用該等資料軌覆寫該等伺服頻帶中之各者的一部分，以儲存比該格式允許的更多的資料。
如請求項11之電腦設備，其中該磁頭具有定位於一磁性寫入轉換器陣列之一側上的至少兩個伺服讀取器及定位於該磁性寫入轉換器陣列之一相對側上的至少兩個伺服讀取器，其中該設備經組態以使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第一者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第一部分中且使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第二者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第二部分中。
如請求項11之電腦設備，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線為該等伺服頻帶之原始中心線。
如請求項13之電腦設備，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距匹配該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項11之電腦設備，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距匹配該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項11之電腦設備，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線自該等伺服頻帶之原始中心線偏移。
如請求項11之電腦設備，其中在該寫入期間同時使用之該磁頭之伺服讀取器之一有效節距小於該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格。
如請求項11之電腦設備，其中該等伺服頻帶中之一者在該寫入期間被資料軌完全覆寫。
如請求項18之電腦設備，其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距大於該磁帶上之該等資料頻帶中之兩者的一寬度。
如請求項18之電腦設備，其中該磁頭具有定位於一磁性寫入轉換器陣列之一側上的至少兩個伺服讀取器及定位於該磁性寫入轉換器陣列之一相對側上的至少兩個伺服讀取器，其中該設備經組態以使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第一者寫入一第一組的該等資料軌且使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第二者寫入一第二組資料軌。
一種電腦程式產品，其使得並非針對一磁帶之一格式而設計的一磁帶機能夠使用該磁帶，該電腦程式產品包含一電腦可讀儲存媒體，該電腦可讀儲存媒體具有與其一起體現的程式指令，該等程式指令可由該磁帶機執行以使得該磁帶機： <br/>藉由該磁帶機將資料軌寫入至該磁帶之一資料頻帶，該磁帶具有側接該資料頻帶之伺服頻帶， <br/>該寫入係使用並非針對該磁帶之一格式而設計之一磁頭執行， <br/>其中該寫入包括用該等資料軌覆寫該等伺服頻帶中之各者的一部分，以儲存比該格式允許的更多的資料。
如請求項21之電腦程式產品，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線為該等伺服頻帶之原始中心線。
如請求項21之電腦程式產品，其中在該寫入期間使用之該等伺服頻帶之該等部分的中心線自該等伺服頻帶之原始中心線偏移。
一種電腦實施方法，其包含： <br/>藉由一磁帶機將資料軌寫入至一磁帶之一資料頻帶，該磁帶具有側接該資料頻帶之伺服頻帶，該寫入係使用並非針對該磁帶之一格式而設計之一磁頭執行， <br/>其中在該寫入期間同時使用的該磁頭之伺服讀取器之一有效節距匹配該磁帶之該格式之一伺服讀取器節距規格，其中該磁頭之寫入轉換器之一平均有效節距大於該磁帶之該格式之一資料軌節距規格， <br/>其中該寫入包括用該等資料軌覆寫該等伺服頻帶中之各者的一部分，以儲存比該格式允許的更多的資料。
如請求項24之電腦實施方法，其中該磁頭具有定位於一磁性寫入轉換器陣列之一側上的該等伺服讀取器中之至少兩者及定位於該磁性寫入轉換器陣列之一相對側上的該等伺服讀取器中之至少兩者，其中該磁帶機經組態以使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第一者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第一部分中且使用定位於該陣列之各側上的該等伺服讀取器中之一第二者將資料軌寫入於該資料頻帶之一第二部分中。
一種車輛拖曳件之製程，包含以下步驟：<br/> 提供一框體，該框體包含有二擋止部與一連接部，該連接部連接於該二擋止部之間；<br/> 一彎折步驟，彎折該連接部以令二該擋止部相互靠攏，相互靠攏的二該擋止部共同形成一勾取部，該勾取部圍構出一勾設孔，彎折的該連接部形成一圍構出一穿孔之穿設部，該穿孔之開口方向橫向於該勾設孔之開口方向；<br/> 一限位步驟，以令二該擋止部保持不分離；<br/> 將一連接桿組穿設定位於該穿孔。
如請求項1所述的車輛拖曳件之製程，其中該限位步驟係令複數鉚釘沿該勾設孔之開口方向穿設連接二該擋止部。
一種單晶石英材料的加工方法，包括： <br/>決定該單晶石英材料易產生雙晶之一待加工區； <br/>使用一改質器對該單晶石英材料上的該待加工區進行改質，使該待加工區的加工難度下降，其中該加工難度下降至少包括蝕刻率提升；以及 <br/>使用一加工器在改質後的該待加工區對該單晶石英材料進行加工。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中該加工難度下降包括蝕刻率至少提升200%。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中該改質器包括加熱器、冷卻器、電漿機、離子轟擊機、離子注入機或雷射。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中該加工器包括電漿機、離子轟擊機、離子注入機或脈衝寬度小於1奈秒的超快雷射。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中該加工器包括乾蝕刻機或濕蝕刻機。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中使用該改質器對該單晶石英材料上的待加工區進行改質的步驟包括以下步驟： <br/>在該改質器對該單晶石英材料上的該待加工區進行改質的過程中，控制該改質器施加在該待加工區上的能量，使該待加工區的溫度梯度小於等於不轉變為雙晶的一溫度梯度上限。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中使用該改質器對該單晶石英材料上的待加工區進行改質的步驟包括以下步驟： <br/>在該改質器對該單晶石英材料上的該待加工區進行改質的過程中，控制該改質器施加在該待加工區上的累積能量，使該待加工區的溫度小於等於不轉變為雙晶的一溫度上限。
如請求項1所述的單晶石英材料的加工方法，其中使用該改質器對該單晶石英材料上的待加工區進行改質的步驟包括以下步驟： <br/>沿該單晶石英材料的晶體的特定角度及特定位置對該單晶石英材料進行改質。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括：<br/> 從一基板形成一鰭結構；<br/> 在該鰭結構周圍沉積一第一犧牲層；<br/> 在該第一犧牲層上沉積一第二犧牲層；<br/> 在該第二犧牲層上方沉積一第一遮罩層，其中該第一遮罩層具有一厚度介於約60奈米至約65奈米之間；<br/> 執行一第一蝕刻製程以去除該第一遮罩層的複數個部分；<br/> 執行複數個製程來去除該第二犧牲層的複數個部份，以形成二或更多犧牲閘極電極層，其中該些製程包括：<br/> 執行一主蝕刻製程；以及<br/> 執行一軟著陸製程，其中該軟著陸製程包括一電漿蝕刻製程，該電漿蝕刻製程包括具有一第一脈衝方案的一電漿功率，且該第一脈衝方案包括一時間區間內的一第一啟動期間及隨後的一第一關閉期間，其中該電漿功率在該第一啟動期間多次脈衝，並在該第一關閉期間關閉；<br/> 去除該鰭結構的一部分以暴露一基板部分；以及<br/> 在該基板部分上方形成一源極/汲極區。
如請求項1所述之方法，其中在該些製程之後，在該二或更多犧牲閘極電極層的角落中形成一殘留物。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括：<br/> 從一基板形成一鰭結構；<br/> 在該鰭結構周圍沉積一第一犧牲層；<br/> 在該第一犧牲層上沉積一第二犧牲層；以及<br/> 執行複數個製程來去除該第二犧牲層的複數個部分，以形成二或更多犧牲閘極電極層，包括：<br/> 執行一主蝕刻製程；以及<br/> 執行一軟著陸製程，其中該軟著陸製程包括一電漿蝕刻製程，該電漿蝕刻製程包括具有一第一脈衝方案的一電漿功率，且該第一脈衝方案包括一時間區間內的一第一啟動期間及隨後的一第一關閉期間，其中該電漿功率在該第一啟動期間多次脈衝，並在該第一關閉期間關閉。
如請求項3所述之方法，其中該第一啟動期間為該時間區間內的約80%至約90%，且該第一關閉期間為該時間區間內的約10%至約20%。
如請求項3所述之方法，其中該電漿蝕刻製程進一步包括：<br/> 具有一第二脈衝方案的一偏壓功率，且該第二脈衝方案包括在該時間區間內的一第二啟動期間及隨後的一第二關閉期間。
如請求項5所述之方法，其中該第二啟動期間為該時間區間內的約80%至約90%，且該第二關閉期間為該時間區間內的約10%至約20%。
如請求項3所述之方法，其中一真空幫浦在該第一關閉期間從一處理室移除副產物。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括：<br/> 從一基板形成一鰭結構；<br/> 在該鰭結構周圍沉積一第一犧牲層；<br/> 在該第一犧牲層上沉積一第二犧牲層；<br/> 執行複數個製程來去除該第二犧牲層的複數個部分，以形成二或更多犧牲閘極電極層，包括：<br/> 執行一主蝕刻製程；<br/> 執行一突破製程；<br/> 執行一第一軟著陸製程，其中該第一軟著陸製程包括一電漿蝕刻製程，該電漿蝕刻製程包括具有一第一脈衝方案的一電漿功率，且該第一脈衝方案包括一時間區間內的一第一啟動期間及隨後的一第一關閉期間，其中該電漿功率在該第一啟動期間多次脈衝，並在該第一關閉期間關閉；以及<br/> 執行一過蝕刻製程，其中該過蝕刻製程包括一電漿蝕刻製程，且在該電漿蝕刻製程期間施加一電漿功率、一第一偏壓功率及一第二偏壓功率；<br/> 去除該二或更多犧牲閘極電極層；以及<br/> 沉積一閘極電極層。
如請求項8所述之方法，進一步包括：<br/> 在該第一軟著陸製程之後，執行一鈍化製程。
如請求項9所述之方法，進一步包括：<br/> 在該鈍化製程之後，執行一第二軟著陸製程。
一種鋼捲表面粗糙度的控制方法，由一處理裝置執行且包含： 取得複數顆歷史鋼捲各自之一歷史基本資料及一歷史生產製程資料，以作為一模型訓練集，其中該歷史生產製程資料包含一軋延裝置對該些歷史鋼捲軋延時所應用的複數個軋延參數，其中該軋延裝置為單軋機；以及 運用一表面粗糙度演算法基於該模型訓練集訓練一人工智慧模型為一鋼捲表面粗糙度模型，使該鋼捲表面粗糙度模型依據至少一實際鋼捲之一實際基本資料及一實際生產製程資料計算該至少一實際鋼捲的一表面粗糙度；以及 取得該至少一實際鋼捲的該實際基本資料及該實際生產製程資料，以作為一模型驗證集； 將該模型驗證集輸入至該鋼捲表面粗糙度模型，以計算取得一性能指標；以及 當該性能指標大於一性能指標閥值時，以該模型驗證集取代該模型訓練集，並運用該表面粗糙度演算法基於該模型驗證集訓練該人工智慧模型為新的該鋼捲表面粗糙度模型。
一種鋼捲表面粗糙度的控制方法，由一處理裝置執行且包含： 取得複數顆歷史鋼捲各自之一歷史基本資料及一歷史生產製程資料，以作為一模型訓練集，其中該歷史生產製程資料包含一軋延裝置對該些歷史鋼捲軋延時所應用的複數個軋延參數，其中該軋延裝置為連軋機；以及 運用一表面粗糙度演算法基於該模型訓練集訓練一人工智慧模型為一鋼捲表面粗糙度模型，使該鋼捲表面粗糙度模型依據至少一實際鋼捲之一實際基本資料及一實際生產製程資料計算該至少一實際鋼捲的一表面粗糙度；以及 取得該至少一實際鋼捲的該實際基本資料及該實際生產製程資料，以作為一模型驗證集； 將該模型驗證集輸入至該鋼捲表面粗糙度模型，以計算取得一性能指標；以及 當該性能指標大於一性能指標閥值時，以該模型驗證集取代該模型訓練集，並運用該表面粗糙度演算法基於該模型驗證集訓練該人工智慧模型為新的該鋼捲表面粗糙度模型。
如請求項1或2所述之控制方法，其中該些軋延參數包含該軋延裝置的一累計軋延里程數、一累計軋延鋼捲數、一工作輥直徑、一工作輥粗糙度、一軋延力及一軋延張力中至少一者。
如請求項1或2所述之控制方法，其中該歷史生產製程資料還包含該些歷史鋼捲之一產出實際伸長率。
如請求項1或2所述之控制方法，其中該歷史基本資料包含該些歷史鋼捲之一產出寬度、一產出厚度、一物質含量、一鋼種代碼及一製程代碼中至少一者。
如請求項5所述之控制方法，其中該物質含量包含一碳含量、一矽含量、一錳含量、一鉻含量、一鉬含量及一鋁含量中至少一者。
如請求項1或2所述之控制方法，還包含： 藉由取得該至少一實際鋼捲的該表面粗糙度來建立該表面粗糙度的一下降趨勢；以及 依據該下降趨勢推算該軋延裝置之一工作輥的更換時機。
如請求項1或2所述之控制方法，還包含： 當該至少一實際鋼捲的該表面粗糙度高於或低於一粗糙度容許範圍時，產生一警示訊號至控制該軋延裝置的一控制系統。
如請求項1或2所述之控制方法，其中該表面粗糙度演算法透過一機器學習法來建立，該機器學習法包含一決策樹迴歸法、一隨機森林法、一線性迴歸法、一多項式迴歸法、一邏輯迴歸法、一支持向量機中至少一者。
一種抗反射薄膜，其係將硬塗層與低折射率層依照此順序積層於透明基材上而成者，其特徵為：<br/> 該低折射率層含有中空二氧化矽微粒子；<br/> 該中空二氧化矽微粒子在粒徑分布中具有兩個以上的峰值；<br/> 該低折射率層表面的最小反射率為0.5%以下；<br/> 在將該中空二氧化矽微粒子的峰值粒徑設為S1、S2、將該低折射率層的光學膜厚設為t且設R＝(S1-S2)/t時，S1＞S2，同時滿足下述條件(1-1)～(1-5)；<br/> 0.10≤R≤0.60 ･･･(1-1)<br/> 80nm≤S1≤150nm ･･･(1-2)<br/> 40nm≤S2≤100nm ･･･(1-3)<br/> 10nm≤S1-S2≤60nm ･･･(1-4)<br/> 100nm≤t≤150nm ･･･(1-5)。
一種抗反射薄膜，其係將硬塗層與低折射率層依照此順序積層於透明基材上而成者，其特徵為：<br/> 該低折射率層含有中空二氧化矽微粒子與實心微粒子；<br/> 該中空二氧化矽微粒子在粒徑分布中具有兩個以上的峰值；<br/> 該實心微粒子包含實心二氧化矽微粒子或實心氧化鋁微粒子；<br/> 該低折射率層表面的最小反射率為0.5%以下；<br/> 在將該中空二氧化矽微粒子的峰值粒徑設為S1、S2、將該實心微粒子的峰值粒徑設為S3、將該低折射率層的光學膜厚設為t並使用S’＝|S1-S2-S3|的值而設R’＝S’/t時，S1＞S2＞S3，同時滿足下述條件(2-1)～(2-5)；<br/> 0≤R’≤0.65 ･･･(2-1)<br/> 80nm≤S1≤150nm ･･･(2-2)<br/> 40nm≤S2≤100nm ･･･(2-3)<br/> 5nm≤S3≤60nm ･･･(2-4)<br/> 100nm≤t≤150nm ･･･(2-5)。
一種抗反射薄膜，其係將硬塗層與低折射率層依照此順序積層於透明基材上而成者，其特徵為：<br/> 該低折射率層含有中空二氧化矽微粒子與實心微粒子；<br/> 該實心微粒子包含實心二氧化矽微粒子或實心氧化鋁微粒子；<br/> 該低折射率層表面的最小反射率為0.5%以下；<br/> 在將該中空二氧化矽微粒子的峰值粒徑設為S1、將該實心微粒子的峰值粒徑設為S3、將該低折射率層的光學膜厚設為t並使用S”＝|S1-S3|的值而設R”＝S”/t時，S1＞S3，同時滿足下述條件(3-1)～(3-4)；<br/> 0.10≤R”≤0.65 ･･･(3-1)<br/> 80nm≤S1≤150nm ･･･(3-2)<br/> 5nm≤S3≤60nm ･･･(3-3)<br/> 100nm≤t≤150nm ･･･(3-4)。
如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜，其中硬塗層含有防眩性微粒子。
如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜，其中低折射率層含有矽倍半氧烷化合物。
如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜，其擴散反射率(L<sup>*</sup>值)為2.0%以下。
如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜，其霧度為50%以下。
一種偏光板，其具備如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜。
一種光學構件，其具備如請求項8之偏光板。
一種光學構件，其具備如請求項1至3中任一項之抗反射薄膜。
一種兒童乘載裝置，包括：<br/> 一車架；<br/> 一連接座，樞接於所述車架；以及<br/> 一連接座收合機構，連接於所述車架與所述連接座之間，且包括彼此樞接的一聯動件和一驅動件，以使得所述連接座隨所述車架的收合而收合，隨所述車架的展開而展開；<br/> 其中，<br/> 所述聯動件的第一端樞接於所述車架的一前腳組件，所述聯動件的第二端樞接於所述車架的一車手組件；<br/> 所述驅動件的第一端樞接於所述連接座，所述驅動件的第二端樞接於所述聯動件。
根據請求項1所述的兒童乘載裝置，其中，<br/> 所述聯動件的第一端樞接於所述車架的所述前腳組件，所述聯動件的第二端樞接於所述車架的所述車手組件；<br/> 所述驅動件的第一端樞接於所述連接座，所述驅動件的第二端樞接於所述前腳組件或所述車手組件。
根據請求項1所述的兒童乘載裝置，其中，所述車架包括：<br/> 所述車手組件，包括彼此樞接的一車手上部和一車手下部；<br/> 所述前腳組件，包括彼此樞接的一前腳上部和一前腳下部，所述前腳組件與所述車手組件彼此樞接；以及<br/> 一後腳，與所述車手組件和所述前腳組件均樞接，<br/> 其中，所述連接座收合機構的所述聯動件連接於所述前腳下部和所述車手下部之間。
根據請求項3所述的兒童乘載裝置，其中，所述車手上部和所述前腳上部樞接於一第一樞轉點，所述車手上部和所述車手下部樞接於一第二樞轉點，所述前腳上部、所述前腳下部和所述後腳三者樞接於一第三樞轉點，所述前腳下部和所述聯動件的第一端樞接於一第四樞轉點，所述車手下部與所述後腳樞接於一第五樞轉點，所述車手下部和所述聯動件的第二端樞接於一第六樞轉點，所述驅動件的所述第二端和所述聯動件樞接於一第七樞轉點，所述驅動件的所述第一端與所述連接座樞接於一第八樞轉點，所述車架收合時，所述第一樞轉點至所述第六樞轉點聯動收合，並藉由所述第七樞轉點和所述第八樞轉點帶動所述驅動件和所述連接座聯動收合。
根據請求項1所述的兒童乘載裝置，還包括一車架收合鎖定機構，其中，所述車架收合鎖定機構包括：<br/> 一固定座，位於所述兒童乘載裝置的所述車架的所述前腳組件和所述車手組件的其中之一上；<br/> 一收合鎖定件，樞接於所述前腳組件和所述車手組件的其中之另一上，且用於在所述車架收合時容置所述固定座；<br/> 一彈性件，用於使得所述收合鎖定件始終朝向所述固定座的方向樞轉以容置所述固定座。
根據請求項5所述的兒童乘載裝置，其中，所述收合鎖定件包括：<br/> 一卡合部，在所述車架收合時所述卡合部用於容置所述固定座；<br/> 一樞接部，所述卡合部和所述樞接部分設於所述收合鎖定件的兩相對端，所述收合鎖定件經由所述樞接部樞接於所述前腳組件和所述車手組件的其中之一上；<br/> 一施壓部，所述施壓部設於所述樞接部的外周處，所述施壓部在朝向所述固定座樞轉的方向上向下傾斜設置。
根據請求項1所述的兒童乘載裝置，還包括一車架收合鎖定機構，其中，所述車架收合鎖定機構包括：<br/> 一墊塊，位於兒童乘載裝置車架的前腳組件和車手組件的其中之一上，以及<br/> 一凹槽，位於兒童乘載裝置車架的前腳組件和車手組件的其中之另一上，且在所述車架收合時與所述墊塊相配合以鎖定所述車架的收合狀態。
根據請求項7所述的兒童乘載裝置，其中，<br/> 所述凹槽位於所述前腳組件的前腳上部的內側面，且設置有一第一止擋部，<br/> 所述墊塊位於所述車手組件的車手上部的外側面，且設置有一第二止擋部，<br/> 在所述車架收合時，所述第二止擋部越過所述第一止擋部後與所述第一止擋部卡合以鎖定所述車架的收合狀態。
根據請求項1所述的兒童乘載裝置，還包括：<br/> 一托盤，所述托盤位於所述車手組件的左右兩側桿件之間，並隨所述車架的收折而轉動；以及<br/> 一車架抓握機構，設置於所述托盤；<br/> 其中，所述車架具有一展開狀態和一收折狀態，所述車架抓握機構在所述車架的所述展開狀態下隱藏於所述托盤的一底側。
根據請求項9所述的兒童乘載裝置，其中，所述車架抓握機構包括沿所述車架的左右方向延伸的一主體部，所述主體部的兩端經由兩個連接部固定於所述托盤的所述底側。
一種多束帶電粒子束系統，其包含：<br/> 一物件照射單元(100)，其配置成在物件平面(101)中形成複數個一次帶電粒子小束(3)的複數個焦點(5)；<br/> 一樣本承載台(500)，其配置成將物件(7)的表面(25)配置在該物件平面(101)中；<br/> 一電壓供應單元(503)，用於向該物件(7)提供電壓VS，該電壓供應單元(503)配置成設定該等複數個一次帶電粒子小束(3)的一次帶電粒子的第一衝擊能量LE1；<br/> 一檢測單元(200)，其形成二次電子成像系統(250)的至少一部分，用於將複數個二次電子小束(9) 沿二次電子束路徑(13)成像到一檢測器(600)上，該等複數個二次電子小束是在該物件(7)的表面(25)上該等複數個焦點(5)處激發；<br/> 一分束器(400)，用於將該等複數個一次帶電粒子小束(3)與該等複數個二次電子小束(9)分離；<br/> 一第一電子光學元件，其配置在該二次電子成像系統(250)內的第一位置處，其在該第一衝擊能量LE1下具有單個二次電子小束(9)的束直徑(293)相對於的該等複數個二次電子小束(9)的直徑(295)的第一比率SAR1；<br/> 針對像差的一第一補償器(264.1、264.2、264.3)，其中像差係由該第一電子光學元件所引起，其中該第一補償器(264.1、264.2、264.3)係配置在該二次電子成像系統(250)內的第二位置處，其在該第一衝擊能量LE1下具有一第二比率SAR2，其中該第二比率SAR2係相同於所述第一比率SAR1或是與所述第一比率SAR1偏差不超過0.1。
如請求項1所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一電子光學元件為該分束器(400、400.2、400.3)的至少一部分。
如請求項1或2所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一補償器(264.1、264.2、264.3)為一多極元件或像差補償器。
如請求項1所述之多束帶電粒子束系統，其中該檢測單元(200)更包含一孔徑光闌(284)，其配置在該第一衝擊能量LE1下的該二次電子束路徑(13)的光瞳平面(258)處。
如請求項1所述之多束帶電粒子束系統，其更包含一針對像差的第二補償器(264.2、264.3、264.4)。
如請求項5所述之多束帶電粒子束系統，其中該第二補償器(264.1、264.2、264.3)係配置在該二次電子成像系統(250)內的第三位置處，其在該第一衝擊能量LE1下具有第三比率SAR3，其中該第三比率SAR3不同於該第二比率SAR2。
如請求項5或6所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一補償器（264.1、264.2或264.3 ）及該第二補償器（264.2、264.3或264.4）配置成共同補償該第一電子光學元件在該第一衝擊能量LE1下的像差。
如請求項5或6所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一補償器（264.1、264.2或264.3）及該第二補償器（264.2、264.3或264.4）配置成共同補償該第一電子光學元件在該一次帶電粒子的第二衝擊能量LE1下的像差，該第二衝擊能量LE2不同於該第一衝擊能量LE1。
如請求項5或6所述之多束帶電粒子束系統，其中該二次電子成像系統(250)內的該二次電子束路徑(13)更包含在該第一衝擊能量LE1下的中間影像平面(252、254)，並且其中該第一補償器(264.1、264.2、264.3)相對於二次電子的傳播方向配置在該中間影像平面(252、254)的上游，並且該第二補償器(264.2、264.3、264.4)配置在該中間影像平面(252、254)的下游。
如請求項5或6所述之多束帶電粒子束系統，其中該檢測單元(200)更包含一孔徑光闌(284)，其配置在該第一衝擊能量LE1下的該二次電子束路徑(13)的光瞳平面(258)處，以及該第一補償器(264.1、264.2、264.3)相對於該二次電子的傳播方向配置在該孔徑光闌(284)的上游，並且該第二補償器(264.2、264.3、264.4)配置在該孔徑光闌(284)的下游。
如請求項4所述之多束帶電粒子束系統，其更包含至少一校正透鏡(211.1、211.2)，其配置成在不同於該第一衝擊能量LE1的一第二衝擊能量LE2下調整該孔徑光闌(284)的一位置處的該光瞳平面(258)。
一種多束帶電粒子束系統，其包含：<br/> 一物件照射單元(100)，其配置成在物件平面(101)中形成複數個一次帶電粒子小束(3)的複數個焦點(5)；<br/> 一樣本承載台(500)，其配置成將一物件(7)的表面(25)配置在物件平面(101)中；<br/> 一電壓供應單元(503)，用於向該物件(7)提供電壓VS且該電壓供應單元(503)配置成將該等複數個一次帶電粒子小束(3)的一次帶電粒子的衝擊能量LE調整在100eV或更小及2keV或更大；<br/> 一檢測單元(200)，其形成二次電子成像系統(250)的至少一部分，用於將複數個二次電子小束(9) 沿二次電子束路徑(13)成像到一檢測器(600)，該等複數個二次電子小束是在該物件(7)的表面(25)上該等複數個焦點(5)處激發；<br/> 一分束器(400)，用於將該等複數個一次帶電粒子小束(3)與該等複數個二次電子小束(9)分離；<br/> 一第一補償器（264.1、264.2或264.3）及一第二補償器（264.2、264.3或264.4 ），其配置成在該等 二次電子小束(9)的二次電子動能範圍內將該二次電子成像系統(250)的電子光學元件的像差共同補償，而該等二次電子小束(9)的二次電子動能範圍係對應於該等一次帶電粒子的衝擊能量LE的範圍。
如請求項12所述之多束帶電粒子束系統，其更包含一孔徑光闌(284)；及至少一校正透鏡(211.1、211.2)，其配置成在該等一次帶電粒子小束(3)的該衝擊能量LE的範圍內調整該孔徑光闌(284)的一位置處的光瞳平面(256、258)。
如請求項12或13所述之多束帶電粒子束系統，其中該二次電子束路徑(13)在該等一次帶電粒子的該衝擊能量LE處依此順序包含一第一光瞳平面(256l、256h)、一中間影像平面(252、254)及一第二光瞳平面(258l、258h、258)。
如請求項14所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一補償器（264.1、264.2或264.3）配置在該第一光瞳平面(256l、256h)與該中間影像平面(252、254)之間的該二次電子束路徑(13)中，並且該第二補償器（264.2、264.3或264.4）配置在該中間影像平面(252、254)與該第二光瞳平面(258l、258h、258)之間的該二次電子束路徑(13)中。
如請求項15所述之多束帶電粒子束系統，其更包含一第三補償器（264.3或264.4）。
如請求項16所述之多束帶電粒子束系統，其中該第三補償器（264.3或264.4）配置在該第二光瞳平面(258l、258h、258)與該二次電子成像系統(250)的影像平面(225)之間。
如請求項14所述之多束帶電粒子束系統，其中該第一補償器（264.1、264.2或264.3）配置在該第一光瞳平面(256l、256h)與該第二光瞳平面(258l、258h、258)之間的該二次電子束路徑(13)中並且該第二補償器（264.2、264.3或264.4）配置在該第二光瞳平面(258l、258h、258)與該二次電子成像系統(250)的影像平面(225)之間的該二次電子束路徑(13)中。
如請求項12或13所述之多束帶電粒子束系統，其更包含：<br/> 一第一電子光學元件，其配置在該二次電子成像系統(250)內的第一位置處，其在一第一衝擊能量LE1下具有單個二次電子小束(9)的束直徑(291)相對於該等複數個二次電子小束(9)的直徑(293)的第一比率SAR1；及<br/> 其中該第一補償器(264.1、264.2、264.3)及該第二補償器(264.2、264.3、264.4)中的至少一者係配置在該二次電子成像系統(250)內第二位置處，其具有在該第一衝擊能量LE1下的第二比率SAR2，其中該第二比率SAR2相同於所述第一比率SAR1或者與所述第一比率SAR1偏差不超過0.1。
如請求項12或13所述之多束帶電粒子束系統，其中該等補償器(264.1至264.4)中的至少一者為一多極元件。
一種操作多束帶電粒子束系統的方法，其包含：<br/> 透過一晶圓承載台(500) 將晶圓(7)上一檢測點定位在多束帶電粒子束系統的視場中；<br/> 透過一電壓供應單元(503)向該晶圓(7)提供一樣本電壓VS，以將一次電子的選定衝擊能量LES調整在該衝擊能量範圍內；<br/> 確定該選定衝擊能量LES的至少第一補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的至少第一靈敏度矩陣S(LES;1)；<br/> 確定在該選定衝擊能量LES下的二次電子成像系統(250)的像差；<br/> 確定在該選定衝擊能量LES下的該至少第一補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的第一致動以補償像差；<br/> 施加該至少第一補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的該第一致動並執行該檢測任務。
如請求項21所述之方法，其中確定該像差包含透過一像差向量WR(LES)來描述像差，該像差向量WR(LES)包含選自由正規化像差向量分量的群組所組成的至少兩預選定像差向量分量，其包括軸向像散、光瞳變形、場變形、二次場畸變、線性場像散。
如請求項21至22中任一項所述之方法，其更包含確定用於該選定衝擊能量LES的第二補償器(264.2、264.3、264.4)的第二靈敏度矩陣S(LES;f=2)及確定在該選定衝擊能量LES下的該第二補償器(264.2、264.3、264.4)的第二致動。
如請求項23所述之方法，其中確定所述至少第一和第二補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的該第一致動及該第二致動包含確定每個補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的複數個正規化致動模式M(n)的至少一致動振幅C(n, f)。
如請求項24所述之方法，其中確定所述至少第一補償器和第二補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的該第一致動及該第二致動包含執行矩陣方程式|| WR(LES) – ∑<sub>n,f</sub> G(n;f) * C(n; f)*S(k,n; LES; f)||<sup>2</sup> -＞ min的優化，<br/> 其中像差向量WR(LES)；<br/> 每個補償器的該等複數個正規化致動模式M(n)的致動振幅C(n,f)，其中f=1...F (264.1、264.2、264.3、264.4)；<br/> 每個補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的靈敏度矩陣S(LES; f)；及<br/> 一組所預定第一加權函數G(n,f)。
如請求項24所述之方法，其中確定所述至少第一補償器和第二補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的該第一致動及該第二致動包含執行該矩陣方程式的優化，其包括降低每個補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的該等複數個正規化致動模式M(n)的致動振幅C(n,f)。
如請求項26所述之方法，其中該矩陣方程式的優化寫成：<br/> || WR(LES) – ∑<sub>n,f</sub> G(n,f) * C(n,f)*S(k,n; LES; f)||<sup>2</sup> + ||T(n;f) * C(n;f)||<sup>2</sup>-＞ min，<br/> 其中像差向量WR(LES)；<br/> 每個補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的等該複數個正規化致動模式M(n)的致動振幅C(n,f)；<br/> 每個補償器(264.1、264.2、264.3、264.4)的靈敏度矩陣S(LES; f)；<br/> 一組所預定第一加權函數G(n,f)；及<br/> 一第二組所預定第二加權函數(T(n,f)。
如請求項24所述之方法，其中對於第一選定衝擊能量LESl，該第一補償器(264.1、264.2或264.3)的第一加權函數G(n,f)係設定為值G(n,f)＞1，並且對於第二選定衝擊能量LES2，G(n,f)係設定為G(n,f)=0。
如請求項21或22所述之方法，其中確定該補償器(264.1、264.2、264.3或264.4)的靈敏度矩陣S(LES;f)包含根據從記憶體(890)接收的一組先前所確定靈敏度矩陣<u>S</u>(LE(q);f=1)以確定該靈敏度矩陣S(LES;f)。
如請求項21或22所述之方法，其中是由先前透過內插法所確定的至少兩不同衝擊能量LE(q1)和LE(q2)下的靈敏度矩陣<u>S</u>(LE(q); f)插值得到該補償器(264.1、264.2、264.3或264.4)的靈敏度矩陣<u>S</u>(LES;f)。
如請求項21或22所述之方法，其更包含藉由使用一監測系統(230)確定在該選定衝擊能量LES下的該二次電子成像系統(250)的像差。
如請求項21或22所述之方法，其包含根據從一記憶體(890)接收的至少兩先前所確定像差向量WR(Le(q))來確定在該選定衝擊能量LES下的該二次電子成像系統(250)的像差。
一種多束帶電粒子束系統，其包含：<br/> 一物件照射單元(100)，其配置成在物件平面(101)中形成複數個一次帶電粒子小束(3)的複數個焦點(5)；<br/> 一樣本承載台(500)，其配置成將物件(7)的表面(25)配置在物件平面(101)中；<br/> 一電壓供應單元(503)，其用於向該物件(7)提供電壓VS並且該電壓供應單元(503)配置成將該等複數個一次帶電粒子小束(3)的一次帶電粒子的選定衝擊能量LES設定在衝擊能量LE的範圍內；<br/> 一檢測單元(200)，其形成二次電子成像系統(250)的至少一部分，用於將複數個二次電子小束(9)沿二次電子束路徑(13)成像到一檢測器(600)上，該等複數個二次電子小束是在該物件(7)的表面(25)上該等複數個焦點(5)上激發；<br/> 一分束器(400)，用於將該複數個一次帶電粒子小束(3)與該複數個二次電子小束(9)分離；<br/> 一針對像差的至少一第一補償器(264.1、264.2、264.3)，其配置在該二次電子成像系統(250)內；<br/> 一控制單元(800)，其包含控制運算處理器單元(880)；及記憶體(890)，用於儲存多個軟體指令，當由該控制運算處理器單元(880)執行時，使該多束帶電粒子束系統執行如請求項21至32中任一項所述之方法。
如請求項33所述之多束帶電粒子束系統，其更包含一針對像差的第二補償器(264.2、264.3、264.4)，其配置在該二次電子成像系統(250)內。
如請求項34所述之多束帶電粒子束系統，其更包含一針對像差的第三補償器(264.3、264.4)，其配置在該二次電子成像系統(250)內。
一種氣管插管輔助裝置，其與一氣管內管搭配使用，用以即時輔助判斷該氣管內管之一位置正確性，該氣管插管輔助裝置包含： <br/>一紅外線溫度感測器，用以擷取一工作空間之一熱影像，其中該工作空間包含該氣管內管和一受試者；以及 <br/>一處理器，其係電性連接該紅外線溫度感測器，其中該處理器包含： <br/>一顯示模組，用以顯示該熱影像； <br/>一圈選模組，用以自該熱影像中選取一第一取樣區和一第二取樣區，其中該第一取樣區為該氣管內管，該第二取樣區為該受試者之一臉部； <br/>一比對模組，用以將該第一取樣區之一第一溫度區間與該第二取樣區之一第二溫度區間進行比對，以得到該位置正確性之一判斷結果；及 <br/>一提醒模組，用以發出一提醒訊號； <br/>其中當該第一溫度區間和該第二溫度區間相同，該判斷結果為正確，當該第一溫度區間小於該第二溫度區間，該判斷結果為錯誤。
如請求項1所述之氣管插管輔助裝置，其中該紅外線溫度感測器包含： <br/>一紅外線接收模組，用以接收該工作空間中之一紅外輻射光譜； <br/>一紅外線探測模組，用以將該紅外輻射光譜轉化為一電學訊號；以及 <br/>一訊號處理模組，用以接收該電學訊號並進行處理計算，以得到該工作空間之該熱影像。
如請求項1所述之氣管插管輔助裝置，其中該提醒訊號為一燈光訊號、一聲音訊號或一振動訊號。
如請求項1所述之氣管插管輔助裝置，其中該處理器更包含一無線傳輸模組，用以將該判斷結果傳送至一終端裝置。
一種即時判斷氣管內管位置正確性之方法，包含： <br/>提供一氣管插管輔助裝置，該氣管插管輔助裝置包含： <br/>一紅外線溫度感測器；及 <br/>一處理器，電性連接該紅外線溫度感測器，其中該處理器包含一顯示模組、一圈選模組及一比對模組； <br/>進行一影像擷取步驟，係以該紅外線溫度感測器擷取一工作空間之一熱影像，其中該工作空間包含一氣管內管及一受試者； <br/>進行一範圍選取步驟，係以該顯示模組顯示該熱影像，並以該圈選模組自該熱影像中選取一第一取樣區和一第二取樣區，其中該第一取樣區位於該氣管內管，該第二取樣區位於該受試者之一臉部；以及 <br/>進行一影像判讀步驟，係以該比對模組將該第一取樣區之一第一溫度區間與該第二取樣區之一第二溫度區間進行比對，以得到該氣管內管之一位置正確性之一判斷結果，當該第一溫度區間和該第二溫度區間相同，該判斷結果為正確，當該第一溫度區間小於該第二溫度區間，該判斷結果為錯誤。
如請求項5所述之即時判斷氣管內管位置正確性之方法，其中該第二溫度區間為32 <sup>o</sup>C至39 <sup>o</sup>C。
如請求項5所述之即時判斷氣管內管位置正確性之方法，其中該處理器更包含一提醒模組，當該判斷結果為錯誤，該提醒模組發出一提醒訊號。
如請求項7所述之即時判斷氣管內管位置正確性之方法，其中該提醒訊號為一燈光訊號、一聲音訊號或一振動訊號。
如請求項8所述之即時判斷氣管內管位置正確性之方法，其中該處理器更包含一無線傳輸模組，在該影像判讀步驟得到該判斷結果後，該無線傳輸模組將該判斷結果傳送至一終端裝置以供遠端監控。
一種機器人系統，係具備： <br/>卡合構件，係與鎖固構件卡合； <br/>機器臂部，係供前述卡合構件安裝，且使前述卡合構件旋轉；以及 <br/>控制部，係在前述卡合構件卡合於前述鎖固構件的狀態下，進行旋轉動作及空轉動作的控制，至少進行將前述鎖固構件轉鬆的處理；該旋轉動作係藉由前述機器臂部使前述卡合構件朝向預定的旋轉方向旋轉；該空轉動作係在使前述機器臂部對於前述卡合構件朝向前述預定的旋轉方向的相反方向旋轉的同時，使前述卡合構件相對地空轉。
如請求項1所述之機器人系統，更具備： <br/>鎖固構件旋轉機構，係安裝於前述機器臂部，且包含前述卡合構件；以及 <br/>驅動部，係使前述卡合構件繞著前述鎖固構件的中心軸線旋轉； <br/>前述控制部係在前述空轉動作期間，在前述卡合構件卡合於前述鎖固構件的狀態下，藉由前述機器臂部使前述鎖固構件旋轉機構的整體朝向前述預定的旋轉方向的相反方向旋轉的同時，藉由前述驅動部以相應於前述機器臂部所進行之旋轉的旋轉速度使前述卡合構件朝向前述預定的旋轉方向相對地旋轉。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述控制部係在前述卡合構件卡合於前述鎖固構件的狀態下，交替地執行前述旋轉動作及前述空轉動作。
如請求項1所述之機器人系統，係具備轉矩感測器，該轉矩感測器係檢測作用於前述卡合構件的轉矩； <br/>前述控制部係進行前述旋轉動作直到前述轉矩感測器所檢測到的轉矩達預定的轉矩閾值。
如請求項2所述之機器人系統，其中，前述鎖固構件旋轉機構係包含齒輪部，該齒輪部係將前述驅動部的旋轉力傳達至前述卡合構件； <br/>前述齒輪部係在前述旋轉動作的期間被鎖定，而在前述空轉動作的期間隨著前述驅動部的旋轉一起旋轉。
如請求項2所述之機器人系統，其中，前述鎖固構件旋轉機構係包含細長形狀的安裝構件，該安裝構件係以其基端安裝於前述機器臂部； <br/>前述驅動部係配置於前述安裝構件的中央部； <br/>前述卡合構件係配置於前述安裝構件的前端。
如請求項6所述之機器人系統，其中，前述鎖固構件旋轉機構係包含齒輪部，該齒輪部係配置於前述安裝構件，將前述驅動部的旋轉力傳達至前述卡合構件； <br/>前述齒輪部係包含： <br/>驅動部齒輪，係繞著前述驅動部的旋轉軸線旋轉； <br/>卡合部齒輪，係繞著前述卡合構件的旋轉軸線旋轉；以及 <br/>中間齒輪，係配置於前述驅動部齒輪與前述卡合部齒輪之間，將前述驅動部齒輪的旋轉傳達至前述卡合部齒輪。
如請求項7所述之機器人系統，其中，前述驅動部齒輪的直徑與前述卡合部齒輪的直徑相等。
如請求項7所述之機器人系統，其中，前述卡合部齒輪的直徑小於前述中間齒輪的直徑。
如請求項1所述之機器人系統，其中， <br/>前述鎖固構件係包含螺絲構件； <br/>前述機器人系統係具備： <br/>支持構件，係支持前述螺絲構件的螺絲頭；以及 <br/>移動機構，係使前述支持構件朝靠近前述鎖固構件的方向或與遠離前述鎖固構件的方向移動； <br/>前述控制部係進行： <br/>在前述鎖固構件已被轉鬆的狀態下，藉由前述移動機構使前述支持構件朝向支持前述螺絲頭的位置移動的處理；以及 <br/>在前述螺絲頭支持於前述支持構件的狀態下，藉由前述機器臂部使前述鎖固構件移動的處理。
如請求項1所述之機器人系統，其中，前述機器臂部係包含垂直多關節型的機器臂部，其具有複數個關節軸。
如請求項2所述之機器人系統，其中，前述控制部係對於屬於外部軸的前述驅動部，連同前述機器臂部的關節軸進行協調控制。
一種機器人系統的控制方法，係具備在卡合構件卡合於鎖固構件的狀態下進行旋轉動作及空轉動作的控制，至少進行將前述鎖固構件轉鬆的處理； <br/>該旋轉動作係藉由供前述卡合構件安裝且使前述卡合構件旋轉的機器臂部使前述卡合構件朝向預定的旋轉方向旋轉； <br/>該空轉動作係在使前述機器臂部對於前述卡合構件朝向前述預定的旋轉方向的相反方向旋轉的同時，使前述卡合構件相對地空轉。
一種用於評估避雷器的行為的電腦實現方法，所述方法包括以下步驟： <br/>提供一個或多個避雷器的測量值（S10）； <br/>使提供的測量值標準化（S12）； <br/>從標準化的測量值中提取用於表徵至少一個避雷器的參數（S14）； <br/>使用機器學習算法確定所述至少一個避雷器的狀態（S16）；以及 <br/>輸出針對所述至少一個避雷器的操作的行動建議（S18）； <br/>其中，特性量的提取（S14）包括將標準化的測量值轉換成頻譜，並且其中所述特性量包括來自所述頻譜的離散頻譜分量和/或所述峰值電流的所述頻譜的趨勢。
如請求項1所述的電腦實現方法，其中，在所述提供的測量值的所述標準化（S12）之前，使所述提供的測量值平滑化。
如前述請求項1所述的電腦實現方法，其中，在所述提供的測量值的所述標準化（S12）之前，從所述提供的測量值中去除關斷狀態。
如前述請求項1所述的電腦實現方法，其中，通過測量所述避雷器中的洩漏電流來檢測所述測量值，從所述洩漏電流中確定峰值電流和阻性洩漏電流。
如前述請求項1所述的電腦實現方法，其中，所述測量值是在所述避雷器的操作期間確定的。
如請求項1所述的電腦實現方法，其中，所述特性量進一步包括所述頻譜中的信噪比，特別是所述頻譜的限定區段中的信噪比。
一種用於評估避雷器的行為的電腦實現方法，所述方法包括以下步驟： <br/>提供一個或多個避雷器的測量值（S10）； <br/>使提供的測量值標準化（S12）； <br/>從標準化的測量值中提取用於表徵至少一個避雷器的參數（S14）；以及 <br/>輸出針對所述至少一個避雷器的操作的行動建議（S18）； <br/>其中，特性量的提取（S14）包括將標準化的測量值轉換成頻譜，並且其中，所述特性量進一步包括時域中峰值電流與電阻性電流之間的相關值。
一種包括程式碼的電腦程式，當所述電腦程式在電腦上執行時，所述電腦程式用於執行如前述請求項1所述的方法。
一種用於發布針對避雷器的操作的建議的系統，其中，所述系統被配置為執行如請求項1所述的方法。
一種故障處理方法，其改良在於，所述方法包括： 採集設備的設備資訊；<br/> 基於所述設備資訊，檢測所述設備是否出現異常；<br/> 若所述設備出現異常，從資料庫中獲取與所述設備資訊中的事件日誌匹配的日誌數據；<br/> 基於所述日誌數據，確定所述設備的解決策略；<br/> 在確定所述設備出現異常之後，所述方法還包括：<br/> 基於所述設備的位置資訊，確定預設區域；<br/> 將處於所述預設區域內的設備作為鄰近設備，及檢測所述鄰近設備的工作溫度是否出現異常趨勢，包括：採集所述鄰近設備在第三時間段內的工作溫度及在第四時間段內的工作溫度，所述第三時間段在所述第四時間段之前；基於所述第三時間段內的工作溫度及所述第四時間段內的工作溫度，得到時間序列數據；將所述時間序列數據劃分為多個長度相同的時間視窗；確定任意兩個時間視窗的時間距離，及將取值最小的時間距離對應的時間視窗確定為時間視窗組；根據所述時間視窗組中每個時間視窗的溫度平均值，計算所述時間視窗組的平均值差值；基於所述平均值差值，得到所述鄰近設備的檢測結果。
根據請求項1所述的故障處理方法，其中，所述設備資訊包括所述設備在第一時間段內的第一配置資訊及所述設備在第二時間段內的第二配置資訊，所述基於所述設備資訊，檢測所述設備是否出現異常，包括：<br/> 若所述第二配置資訊與所述第一配置資訊不同，確定所述設備出現異常。
根據請求項1所述的故障處理方法，其中，所述基於所述設備資訊，檢測所述設備是否出現異常，包括：<br/> 基於第一預設條件，檢測所述事件日誌中是否包括與所述設備的硬體對應的錯誤日誌；<br/> 若所述事件日誌中包括與所述設備的硬體對應的錯誤日誌，確定所述設備出現異常。
根據請求項3所述的故障處理方法，其中，所述方法還包括：<br/> 基於所述設備中硬體的硬體類型，根據第二預設條件，對所述錯誤日誌進行分類。
根據請求項1所述的故障處理方法，其中，所述設備資訊包括所述設備的工作溫度，所述基於所述設備資訊，檢測所述設備是否出現異常，包括：<br/> 根據所述設備的設備類型確定預設區間；<br/> 若所述設備的工作溫度未處於所述預設區間，確定所述設備出現異常。
根據請求項1所述的故障處理方法，其中，所述從資料庫中獲取與所述設備資訊中的事件日誌匹配的日誌數據，包括：<br/> 基於預設規則，提取所述事件日誌的關鍵字；<br/> 基於所述關鍵字，確定所述事件日誌與所述資料庫中每個預設日誌的日誌匹配度；<br/> 將日誌匹配度大於預設閥值的預設日誌確定為所述日誌數據。
根據請求項1所述的故障處理方法，其中，所述方法還包括：<br/> 回應於接收到使用者終端發送的策略新增指令，從所述策略新增指令中獲取目標策略；<br/> 將所述事件日誌與所述目標策略的對應關係儲存至所述資料庫。
一種電子設備，其改良在於，所述電子設備包括：儲存器、處理器及儲存在所述儲存器上並可在所述處理器上運行的電腦程式，所述處理器執行所述電腦程式時實現如請求項1至7中任一項所述的故障處理方法。
一種電腦可讀儲存介質，其改良在於，所述電腦可讀儲存介質上儲存有電腦程式，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至7中任一項所述的故障處理方法。
一種半導體元件的間隙填充方法，為基板處理裝置的半導體元件的間隙填充方法，其利用了形成用於薄膜沉積的處理空間的製程腔室、位於所述處理空間的內部且安置形成圖案的基板的基板支撐部、位於所述基板支撐部的上部且用於向所述基板噴射氣體的氣體噴射部、為了在所述處理空間產生電漿而向所述基板支撐部及所述氣體噴射部中的至少一個供給電源的電漿電源供給部，包括以下步驟：<br/> 準備形成圖案的基板；<br/> 通過所述氣體噴射部向所述基板上供給製程氣體，通過所述電漿電源供給部施加第一VHF電源而形成脈衝波電漿，在所述圖案上形成第一矽氮化物膜；以及<br/> 通過所述氣體噴射部向所述基板上供給所述製程氣體，通過所述電漿電源供給部施加第二VHF電源而形成連續波電漿，在所述第一矽氮化物膜上形成第二矽氮化物膜。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述第一矽氮化物膜及所述第二矽氮化物膜的厚度彼此不同，所述第一矽氮化物膜的厚度小於所述第二矽氮化物膜的厚度。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述脈衝波電漿的占空比是20至80%。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述第一VHF電源及所述第二VHF電源的頻率是27.12 MHz。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述第一VHF電源及所述第二VHF電源的頻率彼此不同。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述圖案的臨界尺寸是10至1,000 nm。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述圖案的縱橫比小於1。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述製程氣體包括矽源氣體，該矽源氣體包括SixHy系矽前驅體、有機矽前驅體化合物、烷基矽烷及氨基矽烷中的至少一個。
根據請求項1所述的半導體元件的間隙填充方法，其中，所述製程氣體包括含氮氣體，該含氮氣體包括氮（N<sub>2</sub>）氣體、二氧化氮（NO<sub>2</sub>）氣體、一氧化二氮（N<sub>2</sub>O）氣體、一氧化氮（NO）氣體、氨（NH<sub>3</sub>）氣體、胺（R-NH<sub>2</sub>）氣體中的至少一個。
一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟：<br/> 準備形成圖案的基板；<br/> 利用請求項1至9中任一項所述的半導體元件的間隙填充方法，在所述圖案的上部分別形成第一矽氮化物層及第二矽氮化物層而對所述圖案填充間隙；<br/> 利用化學機械拋光方法，對形成所述第一矽氮化物層及第二矽氮化物層的基板進行拋光；<br/> 在已拋光的所述圖案的上部形成硬光罩層；<br/> 對形成所述硬光罩層的基板進行蝕刻；以及<br/> 在已蝕刻的所述基板上形成矽貫通電極。
一種著色感光性樹脂組合物，用於利用300nm或以下的一超短波長光源形成一著色圖案，該著色感光性樹脂組合物包含著色劑、鹼可溶性樹脂、光引發劑 （photoinitiator）、光聚合性化合物（photopolymerizable compound）及溶劑，其中，該光引發劑 包含以下化學式1表示的化合物和由下列化學式2表示的化合物<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="200px" width="209px" file="ed10018.jpg" alt="ed10018.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> [化學式2]<br/><img align="absmiddle" height="200px" width="328px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 在上述的化學式中，<br/> R<sup>1</sup> 為 -(CH<sub>2</sub>)nR<sup>4</sup>，<br/> R<sup>2</sup>為C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基；<br/> R<sup>3</sup>為<br/> <img align="absmiddle" height="200px" width="264px" file="ed10020.jpg" alt="ed10020.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="200px" width="260px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="200px" width="201px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="200px" width="319px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="200px" width="347px" file="ed10024.jpg" alt="ed10024.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> R<sup>4</sup>為氫或C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>環烷基；<br/> n 是 1 ～ 5 的整數。
如請求項1所述之著色感光性樹脂組合物，其中，該化學式1表示的化合物與該化學式2表示的化合物的重量比為25:75～85:15。
如請求項1所述之著色感光性樹脂組合物，其中，該著色感光性樹脂組合物用於製造利用300nm以下的超短波長曝光器的固態成像元件的彩色濾光片。
如請求項3所述之著色感光性樹脂組合物，其中，該300nm以下的超短波長曝光器為KrF掃描曝光器。
一種著色圖案，使用請求項1至4之任一項所述之著色感光性樹脂組合物。
一種彩色濾光片，包含請求項5所述之著色圖案。
一種影像顯示裝置，具備請求項6所述之彩色濾光片。
一種固態成像元件，具備請求項6所述之彩色濾光片。
如請求項8所述之固態成像元件，其中，包含CMOS 影像感測器（CMOS Image Sener:CIS） 。
一種膠槍，包括：<br/> 一槍體；<br/> 一推桿，可移動地設於該槍體；<br/> 一帶動件，可活動地設於該槍體中且可帶動該推桿；<br/> 一壓柄，可樞擺地設於該槍體，包括一可與該帶動件相抵接之抵推部；<br/> 一樞接機構，包括一連接該壓柄與該槍體之樞接件及至少一設於該槍體之限位件，該樞接件包括一第一樞部及一第二樞部，該至少一限位件可相對該樞接件調整位置以使該壓柄以該第一樞部及該第二樞部其中一者為一樞擺中心；<br/> 其中，該樞接件為一體成形之單一構件，該槍體設有相連通之一第一樞槽及一第一擺槽，該第一樞部位於該第一樞槽，該第二樞部可移動於該第一擺槽。
如請求項1所述的膠槍，其中該至少一限位件樞設於該槍體且可相對該樞接件移動於一第一位置與一第二位置之間，當該至少一限位件位於該第一位置時，該至少一限位件與該樞接件不相干涉，該壓柄以該第一樞部為該樞擺中心；當該至少一限位件位於該第二位置時，該至少一限位件干涉卡擋該樞接件，該壓柄以該第二樞部為該樞擺中心。
如請求項1所述的膠槍，其中當該壓柄以該第二樞部為該樞擺中心時，該至少一限位件於該第一擺槽之一開口方向上與該第一擺槽重疊相對，該至少一限位件於該第一擺槽之一延伸方向上干涉卡擋該第二樞部。
如請求項1所述的膠槍，其中該壓柄設有相連通之至少一第二樞槽及至少一第二擺槽，該第二樞部位於該至少一第二樞槽，該第一樞部可移動於該至少一第二擺槽。
如請求項1所述的膠槍，其中該槍體設有相連通之一第一樞槽及一第一擺槽，該壓柄設有相連通之至少一第二樞槽及至少一第二擺槽，該第一樞槽與該至少一第二擺槽重疊相對，該至少一第二樞槽與該第一擺槽重疊相對。
如請求項1所述的膠槍，其中當該壓柄未被致動時，該抵推部與該第一樞部之一中心距離小於該抵推部與該第二樞部之一中心距離。
如請求項1所述的膠槍，其中該樞接機構另包括一可同步轉動地連接該至少一限位件之操作件，該槍體包括一本體及二設於該本體之相對二側之殼體，該至少一限位件設於該本體，該操作件設於一該殼體且可供外部操作。
如請求項1至7任一項所述的膠槍，其中該樞接件之一截面輪廓為部分重疊的雙圓形。
如請求項3所述的膠槍，其中該至少一限位件樞設於該槍體且可相對該樞接件移動於一第一位置與一第二位置之間，當該至少一限位件位於該第一位置時，該至少一限位件與該樞接件不相干涉，該壓柄以該第一樞部為該樞擺中心；當該至少一限位件位於該第二位置時，該至少一限位件干涉卡擋該樞接件，該壓柄以該第二樞部為該樞擺中心；該壓柄設有相連通之至少一第二樞槽及至少一第二擺槽，該第二樞部位於該至少一第二樞槽，該第一樞部可移動於該至少一第二擺槽；該第一樞槽與該至少一第二擺槽重疊相對，該至少一第二樞槽與該第一擺槽重疊相對；該第一樞槽之一徑向輪廓對應於該第一樞部之一徑向輪廓，該第一擺槽之一延伸長度大於該第二樞部之一徑向尺寸；各該第二樞槽之一徑向輪廓對應於該第二樞部之一徑向輪廓，各該第二擺槽之一延伸長度大於該第一樞部之一徑向尺寸；當該壓柄未被致動時，該抵推部與該第一樞部之一中心距離小於該抵推部與該第二樞部之一中心距離，該第一樞槽位於該至少一第二擺槽相對靠近該抵推部之一側，該至少一第二樞槽位於該第一擺槽相對靠近該抵推部之一側；該樞接機構另包括一可同步轉動地連接該至少一限位件之操作件，該槍體包括一本體及二設於該本體之相對二側之殼體，二該限位件設於該本體之相對二側，該操作件設於一該殼體且可供外部操作；該操作件為一撥鈕，該二殼體其中一者設有一凹槽，該撥鈕設於該凹槽內；該本體由金屬製成，該二殼體由塑料製成，該本體至少部分顯露於該二殼體之外；及該樞接件之一截面輪廓為部分重疊的雙圓形。
一種快速切埠方法，用於一切換器，該切換器電性連接於一第一影像源、一第二影像源以及一顯示器，該第一影像源以及該第二影像源支援一數位影像協定，該方法包括：<br/> 透過該切換器輸出該第一影像源的影像訊號給該顯示器，其中，該切換器更包括有一切換單元以及一控制單元，該切換單元與該第一影像源以及該第二影像源電性連接，該控制單元與該顯示器以及該切換單元電性連接；<br/> 當該切換器接收一切換訊號以切換選擇輸出該第二影像源的影像訊號給該顯示器時，將該切換訊號傳輸給該控制單元，該控制單元接收到該切換訊號時，向該第二影像源詢問關於該數位影像協定的一版本資訊，而且不向該顯示器詢問一延伸顯示識別資訊；以及<br/> 該控制單元接收該第二影像源的該版本資訊，並將該版本資訊傳給該顯示器。
如請求項1所述之快速切埠方法，其中該切換器為KVM切換器或影音切換器。
如請求項1所述之快速切埠方法，其中該切換單元與該控制單元整合為單一控制晶片。
如請求項1所述之快速切埠方法，其中透過該切換器將該版本資訊傳給該顯示器，更包括有將該版本資訊所對應的一狀態與控制資料通道資訊傳輸給該顯示器。
一種切換器，包括：<br/> 一切換單元，與一第一影像源以及一第二影像源電性連接；<br/> 一控制單元，與一顯示器以及該切換單元電性連接；<br/> 複數個輸入埠，與該切換單元電性連接，該複數個輸入埠分別與該第一影像源以及該第二影像源電性連接，該第一影像源以及該第二影像源支援一數位影像協定；以及<br/> 一輸出埠，與該切換單元以及該顯示器電性連接；<br/> 其中，該輸出埠於一第一時間點，輸出該第一影像源的影像訊號給該顯示器，當該切換單元於一第二時間點接收一切換訊號以切換選擇輸出該第二影像源的影像訊號給該顯示器時，該控制單元接收到該切換訊號，並向該第二影像源詢問關於該數位影像協定的一版本資訊，而且不向該顯示器詢問所支援的一延伸顯示識別資訊，該控制單元接收該第二影像源的該版本資訊，並將該版本資訊傳給該顯示器。
如請求項5所述之切換器，其中該切換器為KVM切換器或影音切換器。
如請求項5所述之切換器，其中該控制單元更將該版本資訊所對應的一狀態與控制資料通道資訊傳輸給該顯示器。
如請求項5所述之切換器，其中該切換單元與該控制單元整合為單一控制晶片。
一種阻劑材料，含有： <br/>雙鎓鹽，含有具有直接鍵結於被碘原子取代之芳香族基的磺酸陰離子結構及介隔含有1個以上之原子的連結基而鍵結於該芳香族基之磺醯亞胺陰離子結構或磺醯胺陰離子結構的2價陰離子、以及鎓陽離子。
如請求項1之阻劑材料，其中，該雙鎓鹽為下式(1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="26px" width="153px" file="ed10130.jpg" alt="ed10130.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，p為1~5之整數；q為0~7之整數； <br/>X<sup>1</sup>~X<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵或醯胺鍵； <br/>R<sup>1</sup>~R<sup>3</sup>分別獨立地為單鍵或碳數1~30之伸烴基，且該伸烴基也可含有選自氧原子、氮原子、硫原子及鹵素原子中之至少1種；惟，R<sup>1</sup>~R<sup>3</sup>之碳數的合計之上限為30，X<sup>1</sup>~X<sup>3</sup>及R<sup>1</sup>~R<sup>3</sup>不同時為單鍵； <br/>R<sup>4</sup>為氫原子、羥基、羧基、氟原子、氯原子、溴原子、胺基、硝基、氰基、碳數1~20之烴基、碳數1~20之烴基氧基、碳數2~20之烴基氧基羰基、碳數2~20之烴基羰基氧基、碳數1~20之烴基磺醯基氧基、-N(R<sup>4A</sup>)-C(=O)-R<sup>4B</sup>、-N(R<sup>4A</sup>)-C(=O)-O-R<sup>4B</sup>或-N(R<sup>4A</sup>)-S(=O)<sub>2</sub>-R<sup>4B</sup>，且該烴基、烴基氧基、烴基氧基羰基、烴基羰基氧基、烴基磺醯基氧基也可含有選自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羥基、胺基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、脲鍵、碳酸酯鍵、醯胺鍵、磺酸酯鍵、羰基、硫醚基、磺醯基中之至少1種；R<sup>4A</sup>為氫原子或碳數1~6之飽和烴基，且該飽和烴基也可含有鹵素原子、羥基、碳數1~6之飽和烴基氧基、碳數2~6之飽和烴基羰基或碳數2~6之飽和烴基羰基氧基；R<sup>4B</sup>為碳數1~16之脂肪族烴基或碳數6~12之芳基，且也可含有鹵素原子、羥基、碳數1~6之飽和烴基氧基、碳數2~6之飽和烴基羰基或碳數2~6之飽和烴基羰基氧基； <br/>Ar為碳數6~16之(p+q+1)價芳香族烴基； <br/>Q<sup>-</sup>為具有磺醯亞胺陰離子結構或磺醯胺陰離子結構之基； <br/>M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項2之阻劑材料，其中，Q<sup>-</sup>為下式(Q-1)~(Q-4)中任一者表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="33px" width="202px" file="ed10131.jpg" alt="ed10131.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>5</sup>分別獨立地為碳數1~12之飽和烴基或碳數6~12之芳基，且也可被選自鹵素原子、氰基、硝基、羥基、碳數1~8之飽和烴基、碳數2~8之飽和烴基羰基氧基、碳數2~8之飽和烴基氧基羰基、三氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲基硫代基及三氟甲基中之至少1種基取代；*為和R<sup>1</sup>之原子鍵。
如請求項1之阻劑材料，更含有基礎聚合物。
如請求項4之阻劑材料，其中，該基礎聚合物含有下式(a1)或(a2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="94px" file="ed10132.jpg" alt="ed10132.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基； <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種的碳數1~12之連結基，且該伸苯基、伸萘基及連結基也可具有選自羥基、碳數1~8之飽和烴基氧基及碳數2~8之飽和烴基羰基氧基中之至少1種； <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵； <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵； <br/>R<sup>11</sup>及R<sup>12</sup>分別獨立地為酸不穩定基； <br/>R<sup>13</sup>為碳數1~4之飽和烴基、鹵素原子、碳數2~5之飽和烴基羰基、氰基或碳數2~5之飽和烴基氧基羰基； <br/>R<sup>14</sup>為單鍵或碳數1~6之烷二基，且該烷二基也可含有醚鍵或酯鍵； <br/>a為0~4之整數。
如請求項5之阻劑材料，其係化學增幅正型阻劑材料。
如請求項4之阻劑材料，其中，該基礎聚合物為不含酸不穩定基者。
如請求項7之阻劑材料，其係化學增幅負型阻劑材料。
如請求項1之阻劑材料，更含有有機溶劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有淬滅劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有酸產生劑。
如請求項1之阻劑材料，更含有界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至12中任一項之阻劑材料於基板上形成阻劑膜， <br/>以高能射線對該阻劑膜進行曝光，及 <br/>使用顯影液將該已曝光之阻劑膜進行顯影。
如請求項13之圖案形成方法，其中，該高能射線為波長193nm之ArF準分子雷射光、波長248nm之KrF準分子雷射光、電子束或波長3~15nm之極紫外線。
一種緩衝台，包括：<br/> 一吸附機構，包含一基板支撐面； <br/> 複數個插槽，該些插槽的各者的尺寸用於接收一基板托架及一基板其中一者或兩者；<br/> 一機器人移送機構，包含一機器手臂，其中該機器手臂用於：<br/> 定位該基板於該基板支撐面上；<br/> 定位該基板托架接近該基板；<br/> 操作該基板托架的一或多個致動器，以向內移動該基板托架的一或多個可調指狀物至一基板固定位置，其中於該基板固定位置，該基板的邊緣被該基板托架的該一或多個可調指狀物固定；以及<br/> 在該吸附機構施加於該基板上的吸附力從該基板上被移除後，從該基板支撐面輸送固定該基板的該基板托架。
如請求項1所述之緩衝台，更包括：<br/> 一濕式清洗工具，被定位接近於該機器人移送機構，其中該機器人移送機構更用於將複數個基板移送至該濕式清洗工具及從該濕式清洗工具中移出。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 該吸附機構包括一真空吸盤。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 該吸附機構包括一靜電吸盤。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 該些插槽為垂直地堆疊。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 該機器手臂更用於在定位該基板於該基板支撐面上之前，從該些插槽的其中一者接收該基板托架。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 該機器手臂更用於在定位該基板於該基板支撐面上之前，從該些插槽的其中一者接收該基板。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 操作該基板托架的一或多個致動器被執行於當該基板被透過該吸附機構所施加的一吸附力被吸附於該基板支撐面時。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 從該基板支撐面輸送固定該基板的該基板托架包括輸送固定該基板的該基板托架至該些插槽其中的一插槽。
如請求項1所述之緩衝台，其中：<br/> 從該基板支撐面輸送固定該基板的該基板托架包括輸送固定該基板的該基板托架至一相鄰製程工具。
一種裝載基板至基板托架之方法，包括：<br/> 使用一機器人移送機構的一機器手臂定位一基板於一基板托架的一中央開口中，其中該基板及該基板托架位於一吸附機構的一基板支撐面上；<br/> 施加一吸附力至該基板以吸附該基板至該基板支撐面；<br/> 操作該基板托架的一或多個致動器，以向內移動該基板托架的一或多個可調指狀物以接觸該基板的邊緣，以固定該基板於該基板托架內；<br/> 從基板移除該吸附力；以及<br/> 從該基板支撐面輸送該基板托架及被固定於該基板托架的該基板。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 定位該基板於該基板托架的該中央開口中包括從一儲存空間移出該基板至該基板支撐面。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 定位該基板於該基板托架的該中央開口中包括在放置該基板於該基板支撐面上之前，定位該基板托架至該基板支撐面上。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 定位該基板於該基板托架的該中央開口中包括在放置該基板托架於該基板支撐面上之前，定位該基板至該基板支撐面上。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 操作該基板托架的該一或多個致動器係使用該機器手臂來執行。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 從該基板支撐面輸送該基板托架及被固定於該基板托架的該基板包括輸送該基板托架及被固定於該基板托架的該基板至一相鄰製程工具。
如請求項16所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 該相鄰製程工具包括一濕式清洗工具。
如請求項17所述之裝載基板至基板托架之方法，更包括：<br/> 固定該基板於該濕式清洗工具的一基板支撐；<br/> 旋轉該基板支撐；以及<br/> 施加一或多種清潔化學品至該基板。
如請求項11所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 操作耦接於該複數個指狀物其中之一之該至少一致動器之包括使用一機械手臂，以於該開放位置以及該基板固定位置之間移動該至少一致動器。
如請求項18所述之裝載基板至基板托架之方法，其中：<br/> 該基板托架包括用於接觸該基板的至少一固定指狀物。
一種射頻濾波器，包括： <br/> 一第一收發端； <br/> 一第二收發端；<br/> 一第一串聯諧振器，耦接於該第一收發端與該第二收發端之間；<br/> 一第二串聯諧振器，與該第一串聯諧振器串聯耦接於該第一收發端與該第二收發端之間；<br/> 至少一第一並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一串聯諧振器，且該第二端耦接於一第一節點； <br/> 至少一第二並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一串聯諧振器，且該第二端耦接於一第二節點； <br/> 一第一電容，與該至少一第一並聯諧振器並聯； <br/> 一第二電容，與該至少一第二並聯諧振器並聯；<br/> 一第一電感，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一收發端；<br/> 一第二電感，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第二收發端；及<br/> 一第三電感，包括一第一端及一第二端，其中該第三電感的該第一端耦接於該第一電感的該第二端且耦接於該第二電感的該第二端，且該第三電感的該第二端耦接於一參考節點；<br/> 其中該第一串聯諧振器具有一第一等效電容值及一第一諧振頻率，該第二串聯諧振器具有一第二等效電容值及一第二諧振頻率，該第一等效電容值與該第二等效電容值實質上相同，或者，該第一諧振頻率與該第二諧振頻率實質上相同。
如請求項1所述的射頻濾波器，其中該第一電感具有一第一電感值，該第二電感具有一第二電感值，且該第一電感值與該第二電感值實質上相同。
如請求項1所述的射頻濾波器，另包括：<br/> 一第三串聯諧振器，串聯耦接於該第一串聯諧振器及該第二串聯諧振器之間；及<br/> 一第四串聯諧振器，串聯耦接於該第三串聯諧振器及該第二串聯諧振器之間。
如請求項3所述的射頻濾波器，其中該第三串聯諧振器具有一第三等效電容值，該第四串聯諧振器具有一第四等效電容值，且第三等效電容值與該第四等效電容值實質上相同。
如請求項3所述的射頻濾波器，其中該第三串聯諧振器具有一第三諧振頻率，該第四串聯諧振器具有一第四諧振頻率，且該第三諧振頻率與該第四諧振頻率實質上相同。
如請求項3所述的射頻濾波器，另包括：<br/> 一第五串聯諧振器，串聯耦接於該第三串聯諧振器及該第四串聯諧振器之間；及<br/> 一第六串聯諧振器，串聯耦接於該第五串聯諧振器及該第四串聯諧振器之間。
如請求項6所述的射頻濾波器，其中該第五串聯諧振器具有一第五等效電容值，該第六串聯諧振器具有一第六等效電容值，且第五等效電容值與該第六等效電容值實質上相同。
如請求項6所述的射頻濾波器，其中該第五串聯諧振器具有一第五諧振頻率，該第六串聯諧振器具有一第六諧振頻率，且該第五諧振頻率與該第六諧振頻率實質上相同。
如請求項1所述的射頻濾波器，其中：<br/> 該第一串聯諧振器的一第一端耦接於該第一收發端；<br/> 該至少一第一並聯諧振器的該第一端耦接於該第一串聯諧振器的該第一端；及<br/> 該射頻濾波器另包括：<br/> 至少一第三並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一串聯諧振器的一第二端，且該第二端耦接於一第三節點。
如請求項9所述的射頻濾波器，其中：<br/> 該第二串聯諧振器的一第二端耦接於該第二收發端；<br/> 該至少一第二並聯諧振器的該第一端耦接於該第二串聯諧振器的該第二端；及<br/> 該射頻濾波器另包括：<br/> 至少一第四並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第二串聯諧振器的一第一端，且該第二端耦接於一第四節點。
如請求項10所述的射頻濾波器，其中：<br/> 該第一串聯諧振器與該第二串聯諧振器在佈局圖的位置係對稱的；<br/> 該至少一第一並聯諧振器與該至少一第二並聯諧振器在佈局圖的位置係對稱的；及/或<br/> 該至少一第三並聯諧振器與該至少一第四並聯諧振器在佈局圖的位置係對稱的。
如請求項1所述的射頻濾波器，其中：<br/> 該第一串聯諧振器、該第二串聯諧振器、該至少一第一並聯諧振器、該至少一第二並聯諧振器、該第一電容及該第二電容係設置在一第一基板上；及<br/> 該第一電感、該第二電感及該第三電感係設置在一第二基板上。
如請求項1所述的射頻濾波器，還包括<br/> 一第一匹配電路，設置在該第一收發端與該第一串聯諧振器之間，<br/> 一第二匹配電路，設置在該第二收發端與該第二串聯諧振器之間。
如請求項1所述的射頻濾波器，還包括<br/> 一寄生電感，設置在該參考節點與一參考電壓端之間。
一種射頻濾波器，包括：<br/> 一第一收發端； <br/> 一第二收發端；<br/> 一第一串聯諧振器，耦接於該第一收發端與該第二收發端之間；<br/> 至少一第一並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一串聯諧振器，且該第二端耦接於一第一節點； <br/> 至少一第二並聯諧振器，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一串聯諧振器，且該第二端耦接於一第二節點；<br/> 一第一電感，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第一收發端；<br/> 一第二電感，包括一第一端及一第二端，其中該第一端耦接於該第二收發端；及<br/> 一第三電感，包括一第一端及一第二端，其中該第三電感的該第一端耦接於該第一電感的該第二端且耦接於該第二電感的該第二端，且該第三電感的該第二端耦接於一參考節點；<br/> 其中該第一電感具有一第一電感值，該第二電感具有一第二電感值，且該第一電感值與該第二電感值實質上相同。
如請求項15所述的射頻濾波器，另包括<br/> 一第二串聯諧振器，與該第一串聯諧振器串聯耦接於該第一收發端與該第二收發端之間。
如請求項15所述的射頻濾波器，另包括：<br/> 一第一電容，與該至少一第一並聯諧振器並聯；及<br/> 一第二電容，與該至少一第二並聯諧振器並聯。
一種黏著組成物，包含： <br/>改質肉桂酸單體，由包括肉桂酸、甲基丙烯酸2-羥乙酯及催化劑的反應組分經酯化反應所形成； <br/>丙二醇甲醚丙烯酸酯單體； <br/>起始劑；及 <br/>溶劑，包括丙二醇甲醚醋酸酯及乙酸正丁酯； <br/>其中，該乙酸正丁酯的用量高於該丙二醇甲醚醋酸酯的用量。
如請求項1所述的黏著組成物，其中，以該改質肉桂酸單體的用量為100重量份計，該丙二醇甲醚丙烯酸酯單體的用量範圍為100重量份至2000重量份，該起始劑的用量範圍為4重量份至6重量份。
如請求項1所述的黏著組成物，還包含選自於丙烯酸羥乙酯及丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯中一者的丙烯酸系單體。
如請求項3所述的黏著組成物，其中，以該改質肉桂酸單體、該丙二醇甲醚丙烯酸酯單體、該丙烯酸系單體及該起始劑的總量為100wt%計，該改質肉桂酸單體的用量範圍為4.9wt%至9.9wt%，該丙二醇甲醚丙烯酸酯單體及該丙烯酸系單體的總量範圍為90wt%至95wt%，該起始劑的用量範圍為0.1wt%至0.5wt%。
如請求項1所述的黏著組成物，其中，該起始劑是選自於熱起始劑及光起始劑所組成的群組中至少一者。
一種黏著劑，由如請求項1至5中任一項所述的黏著組成物進行交聯反應所形成，包含如式(A)所示的改質肉桂酸單體結構單元及如式(B)所示的丙二醇甲醚丙烯酸酯單體結構單元； <br/><img align="absmiddle" height="70px" width="22px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(A)； <img align="absmiddle" height="44px" width="23px" file="ed10016.jpg" alt="ed10016.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(B)。
如請求項6所述的黏著劑，其中，該黏著劑經照射一第一光源，該黏著劑中兩個改質肉桂酸單體結構單元的苯環旁的第一個不飽和鍵位置彼此進行光環化反應而形成一環化結構並呈一環化狀態，該黏著劑經照射一第二光源，該黏著劑中的該環化結構進行光開環反應並呈一開環狀態，該黏著劑在該環化狀態的接著力小於該黏著劑在該開環狀態的接著力。
如請求項7所述的黏著劑，其中，該第一光源的波長範圍為285nm至295nm。
如請求項7所述的黏著劑，其中，該第二光源的波長範圍為220nm至230nm。
如請求項6所述的黏著劑，其中，該黏著劑的玻璃轉換溫度範圍為-40℃至-60℃。
一種聚醯亞胺膜，包括：聚醯亞胺層，其源自聚醯胺酸溶液；及二胺塗層，其包含二胺化合物且在該聚醯亞胺層的一側或兩側表面上形成，其中該聚醯亞胺膜與黏結片的接著力為1,400至1800gf/cm，且該聚醯亞胺層的一側或兩側透過電暈處理或電漿處理進行表面改質。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，該二胺塗層中所含的二胺化合物選自4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、間苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,3'-二胺基二苯甲烷及4,4'-二胺基-2,2'-二甲基聯苯。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺層包含以下作為聚合單元的單體：二酐單體，其選自均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四甲酸二酐、2,3,3',4-聯苯四甲酸二酐、氧雙鄰苯二甲酸酐、雙(3,4-二羧苯基)碸二酐、及3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐中的一種或多種；和二胺單體，其選自4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、間苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,3'-二胺基二苯甲烷、及4,4'-二胺基-2,2'-二甲基聯苯中的一種或多種。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺膜的耐熱鍍層接著力提高率為10%~60%。
如請求項1所述的聚醯亞胺膜，其中，該聚醯亞胺膜的接觸角為35°以上。
一種聚醯亞胺膜的製備方法，包括：聚醯亞胺層製備步驟，將聚醯胺酸溶液施加在基板上，並進行熱處理；二胺塗層形成步驟，將有機溶劑中溶解有二胺化合物的二胺化合物溶液施加在該聚醯亞胺層的一側或兩側上，並進行熱處理，及在該聚醯亞胺層製備步驟之後，對該聚醯亞胺層的一側或兩側進行電暈或電漿體處理的表面改質步驟，其中，該二胺化合物溶液的二胺化合物濃度為0.01至10重量%。
如請求項6所述的製備聚醯亞胺膜的方法，其中，該聚醯胺酸溶液包括：二酐單體，其選自均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,3',4-聯苯四甲酸二酐、氧雙鄰苯二甲酸酐、雙(3,4-二羧苯基)碸二酐、及3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐中的一種或多種；及二胺單體，其選自4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、間苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,3'-二胺基二苯甲烷、及4,4'-二胺基-2,2'-二甲基聯苯中的一種或多種。
如請求項6所述的製備聚醯亞胺膜的方法，其中，該表面改質步驟在150至400W/m<sup>2</sup>/min的條件下進行。
如請求項6所述的聚醯亞胺膜的製備方法，其中，該二胺化合物溶液的溶劑選自丙酮、二甲基甲醯胺或其混合物。
如請求項6所述的製備聚醯亞胺膜的方法，其中，該二胺塗層形成步驟在150至300℃的溫度下進行1至10分鐘。
一種電子元件，其包含如請求項1至5中任一項所述的聚醯亞胺膜。
如請求項11所述的電子元件，其中，該電子元件是半導體裝置或可撓性電路板。
如請求項12所述的電子元件，其中該可撓性電路板包括：聚醯亞胺膜，及黏結片；金屬層；或其組合，以作為形成在該聚醯亞胺膜的一側或兩側的層。
一種藥物敏感性測試之試劑盤片結構，其包括：<br/> 一測試載體；<br/> 至少二支撐限位部，係形成於該測試載體內，以供支撐該測試載體；<br/> 一中央注入部，係設於各該支撐限位部之間，以供加入檢體，並透過各該支撐限位部限制一注入工具之插入深度；<br/> 複數微流道，係輻射狀的間隔排列於該中央注入部側處且各自與其相連通，以於該測試載體轉動時，使該檢體利用離心力均勻流入各該微流道；<br/> 複數反應槽，係分別設於各該微流道上，且各該反應槽之容積為20µl~80µl；<br/> 複數預置試劑，係置放於各該反應槽內，且各該預置試劑係為藥物敏感性測試(Antimicrobial Susceptibility Test，AST)專用試劑；<br/> 複數溢流槽道，係分別形成於各該反應槽背離各該微流道一側且與其相連通；<br/> 一匯聚槽，係分別設於各該反應槽連通各該溢流槽道之側處；<br/> 複數溢流槽，係分別形成於各該溢流槽道一側且與其相連通；<br/> 複數漸縮部，係形成於各該溢流槽道上，且連通各該反應槽一側之通口大於連通各該溢流槽一側之通口；及<br/> 複數排氣孔，係分別設於該溢流槽一側且與其相連通。
如申請專利範圍第１項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片結構，其中該測試載體上具有至少一固定部，以供與一測試裝置進行固定，並於該測試載體上具有一防呆部，係供確認該測試載體之設置方位。
如申請專利範圍第１項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片結構，其中各該微流道之截面面積為100µm~300µm見方。
如申請專利範圍第１項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片結構，其中該中央注入部外緣連通該些微流道一側具有一限流槽。
一種藥物敏感性測試之試劑盤片使用方法，其步驟包括：<br/> (a) 於一測試載體封裝前，在其複數反應槽內預先置入冷凍乾燥後之預置試劑；<br/> (b) 利用至少二支撐限位部限制一注入工具插入一中央注入部之深度，以由該中央注入部加入檢體至該測試載體內；<br/> (c) 將該測試載體設置於一測試裝置中，並啟動該測試裝置；<br/> (d) 該檢體因離心力之作用，由複數輻射狀的間隔排列於該中央注入部側處之微流道，流入各該反應槽中；<br/> (e) 當該檢體全部流出該中央注入部後，各該反應槽中的各該檢體含量大於其容積之部分乃先分別集中於各該反應槽一側之匯聚槽處，而後經由一溢流槽道流入一溢流槽中，且該溢流槽道乃利用一漸縮部降低流入該溢流槽之最大流量；<br/> (f) 該檢體於各該反應槽中與該預置試劑進行反應，產生顏色變化；及<br/> (g) 反應過程中產生之氣體乃經由一連通該溢流槽之排氣孔排出該測試載體。
如申請專利範圍第５項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片使用方法，其中該步驟(c)中，將該測試載體設置於該測試裝置時，乃利用一設於該測試載體上之防呆部來確認設置方位，該步驟(d)中，該測試載體轉動時，乃利用至少一設於該測試載體上之固定部予以防止該測試載體鬆脫。
如申請專利範圍第５項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片使用方法，其中各該微流道之截面面積為100µm~300µm見方。
如申請專利範圍第５項所述之藥物敏感性測試之試劑盤片使用方法，其中該中央注入部外緣連通該些微流道一側具有一限流槽。
一種測試處理機，其包括：<br/> 處理部，其將電子元件傳送至插座板上進行接觸；以及<br/> 冷卻劑分配裝置：其用於向所述處理部供給冷卻劑，<br/> 所述冷卻劑分配裝置包括：<br/> 製冷機部，其提供冷卻劑；<br/> 冷卻夾套，其被設置在所述處理部上；<br/> 冷卻流道部，其將所述冷卻劑從所述製冷機部引導至所述冷卻夾套中；<br/> 泵部件，其調節所述冷卻劑的壓力及流量；以及<br/> 控制器，其控制所述泵部件，以基於預設的設定流量比向所述冷卻夾套供給所述冷卻劑，<br/> 其中所述冷卻流道部提供一個供給區域，所述供給區域的橫截面積隨著所述冷卻劑從所述製冷機部移動至所述冷卻夾套的移動距離成比例地逐漸減小。
一種測試處理機，其包括：<br/> 處理部，其將電子元件傳送至插座板上進行接觸；以及<br/> 冷卻劑分配裝置：其用於向所述處理部供給冷卻劑，<br/> 所述冷卻劑分配裝置包括：<br/> 製冷機部，其提供冷卻劑；<br/> 冷卻夾套，其被設置在所述處理部上；<br/> 冷卻流道部，其將所述冷卻劑從所述製冷機部引導至所述冷卻夾套中；<br/> 泵部件，其調節所述冷卻劑的壓力及流量；以及<br/> 控制器，其控制所述泵部件，以基於預設的設定流量比向所述冷卻夾套供給所述冷卻劑，<br/> 其中所述冷卻流道部提供一個供給區域，所述供給區域的橫截面積隨著所述處理部的數量成比例地逐漸減小。
如請求項1或2所述的測試處理機，其中，<br/> 所述處理部包括：<br/> 溫度調節板，其用於提供放置所述電子元件的空間，並調節被放置的所述電子元件的溫度；<br/> 傳送部，其將所述電子元件從溫度調節板側傳送至所述插座板側；以及<br/> 轉位頭，其拾取被放置在所述傳送部上的所述電子元件，並使所述電子元件與所述插座板接觸。
如請求項3所述的測試處理機，其中，<br/> 所述泵部件包括：<br/> 第一泵，其為所述冷卻劑提供壓力，使其從所述製冷機部移動至所述轉位頭；以及<br/> 第二泵，其為所述冷卻劑提供壓力，使其從所述製冷機部移動至所述傳送部及所述溫度調節板，<br/> 所述控制器，<br/> 通過控制在所述製冷機部及所述第一泵工作時，向所述轉位頭供給所述冷卻劑來調節所述轉位頭的溫度，<br/> 通過控制在所述製冷機部及所述第二泵工作時，向所述傳送部及所述溫度調節板供給所述冷卻劑來調節所述傳送部及所述溫度調節板的溫度。
如請求項3所述的測試處理機，其中，<br/> 所述設定流量比被設置為，<br/> 從所述製冷機部移動至所述轉位頭的冷卻劑的流量與從所述製冷機部移動至插座板、插座以及處理部之所述溫度調節板與所述傳送部的冷卻劑的流量相同。
如請求項3所述的測試處理機，其中，<br/> 所述設定流量比被設置為，<br/> 從所述製冷機部移動至所述轉位頭的冷卻劑的流量大於從所述製冷機部移動至插座板、插座以及處理部之所述溫度調節板與所述傳送部的冷卻劑的流量。
如請求項6所述的測試處理機，其中，<br/> 所述設定流量比被設置為，<br/> 從所述製冷機部供給至所述轉位頭的冷卻劑的流量為全部流量的70%以上，從所述製冷機部移動至插座板、插座以及處理部之所述溫度調節板與所述傳送部的冷卻劑的流量小於全部流量的30%。
如請求項4所述的測試處理機，其還包括：<br/> 熱交換器，其提供通過與冷卻劑的熱交換而將氣體冷卻後的冷卻氣體；以及<br/> 氣體噴射部，其朝向所述插座板噴射所述冷卻氣體，<br/> 所述控制器，<br/> 通過控制在所述製冷機部、所述第二泵、所述熱交換器工作時，朝向放置有所述電子元件的插座或者插座板噴射所述冷卻氣體，來調節所述插座或所述插座板的溫度。
如請求項4所述的測試處理機，其中，<br/> 所述轉位頭被設有多個，<br/> 多個所述轉位頭處於如下的測試狀態或者等待狀態，所述測試狀態為，使所述電子元件與所述插座板接觸，以便在所述插座板上測試所述電子元件的狀態，所述等待狀態為，所述電子元件未被測試而被拾取的狀態，<br/> 所述冷卻劑分配裝置還包括流量調節閥，所述流量調節閥用於調節移動至多個所述轉位頭的所述冷卻劑的流量，<br/> 所述控制器控制所述流量調節閥，使電子元件處於所述測試狀態下的所述冷卻劑流量和處於所述等待狀態下的所述冷卻劑的流量不同。
如請求項9所述的測試處理機，其中，<br/> 所述控制器，<br/> 控制所述流量調節閥，使移動至在所述測試狀態下的轉位頭的冷卻劑的流量大於移動至在所述等待狀態下的轉位頭的冷卻劑的流量。
如請求項9所述的測試處理機，其中，<br/> 所述冷卻劑分配裝置還包括溫度感測器，所述溫度感測器測量所述轉位頭的溫度，<br/> 所述控制器，<br/> 通過控制所述流量調節閥來分配供給至所述測試狀態下的轉位頭和所述等待狀態下的轉位頭的所述冷卻劑的流量，以使由所述溫度感測器測量的所述轉位頭的溫度滿足預設的溫度範圍。
一種基板處理裝置，其特徵在於，具備：腔體，提供對基板執行處理製程的容納空間；上加熱器，設置於所述腔體內部的上部而供應吹掃氣體，並加熱所述基板；基板支承部，設置於所述腔體內部的下部而支承所述基板；以及下噴頭，設置於所述基板支承部的內側而供應清洗氣體或者遠端電漿，所述下噴頭設置成能夠上下移動，RPS設置成能夠與所述下噴頭聯動而一起上下移動。
如請求項1所述的基板處理裝置，其特徵在於，所述基板處理裝置還具備：附加供應流路，通過所述腔體的上部的邊緣而供應吹掃氣體。
一種腔體清洗方法，在重複在基板的下表面蒸鍍薄膜的蒸鍍製程的過程中，在連續的蒸鍍製程之間執行所述腔體清洗方法而清洗腔體，其特徵在於，所述腔體清洗方法包括：保持在所述基板的下表面蒸鍍薄膜的蒸鍍製程的製程溫度的步驟；通過設置於所述腔體的內部的上部的上加熱器而供應吹掃氣體的步驟；以及通過位於所述腔體內部的下部的下噴頭而提供清洗氣體或者遠端電漿來清洗所述腔體內部的步驟。
如請求項3所述的腔體清洗方法，其特徵在於，所述製程溫度為所述清洗氣體與所述下噴頭反應而產生反應副產物的溫度以上。
如請求項4所述的腔體清洗方法，其特徵在於，所述製程溫度為400℃以上。
一種基板處理裝置，其特徵在於，具備：腔體，提供對基板執行處理製程的容納空間；上加熱器，設置於所述腔體內部的上部而供應吹掃氣體，並加熱所述基板；基板支承部，設置於所述腔體內部的下部而支承所述基板；以及下噴頭，設置於所述基板支承部的內側而供應清洗氣體或者遠端電漿，所述上加熱器設置成能夠上下移動，當清洗所述腔體的內部時所述上加熱器向上方移動。
如請求項6所述的基板處理裝置，其特徵在於，<br/> 所述基板處理裝置還具備：<br/> 附加供應流路，通過所述腔體的上部的邊緣而供應吹掃氣體。
一種基板處理裝置，其特徵在於，具備：<br/> 腔體，提供對基板執行處理製程的容納空間；<br/> 上加熱器，設置於所述腔體內部的上部而供應吹掃氣體，並加熱所述基板；<br/> 基板支承部，設置於所述腔體內部的下部而支承所述基板；以及<br/> 下噴頭，設置於所述基板支承部的內側而供應清洗氣體或者遠端電漿，<br/> 所述基板處理裝置還具備：<br/> 附加供應流路，通過所述腔體的上部的邊緣而供應吹掃氣體。
一種耦光對位方法，包含：<br/> 藉由一處理器依據一簡化群體生成規則及一梯度下降規則的一者產生一參數組，其中該參數組包含至少一耦光座標及至少一耦光角度，且該至少一耦光座標位於一目標區域內；<br/> 藉由該處理器計算由該參數組中的該至少一耦光座標及該至少一耦光角度進行耦光所對應的一功率點；<br/> 藉由該處理器依據該功率點決定是否更新一資料庫的一最佳功率點；<br/> 藉由該處理器重複執行上述步驟，直到複數該參數組的數量等於一預設數量；以及<br/> 藉由該處理器根據該最佳功率點對應的該些參數組的一者驅動一光耦合裝置移動至對應該些參數組的該者的該至少一耦光座標，並依據對應該些參數組的該者的該至少一耦光角度將至少一光束發射至一矽晶圓，於該矽晶圓形成至少一光點以進行檢測；<br/> 其中，該處理器交替地透過該簡化群體生成規則及該梯度下降規則產生該參數組，該至少一光點對應該至少一耦光座標及該至少一耦光角度。
如請求項1所述之耦光對位方法，其中該簡化群體生成規則符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="72px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，x<sub>var</sub>為當前的該些參數組的一者，p<sub>var</sub>為一本代最佳參數組，g<sub>var</sub>為一全體最佳參數組，x為隨機數，<img align="absmiddle" height="13px" width="3px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為介於0到1之間的隨機亂數，C<sub>g</sub>、C<sub>p</sub>、C<sub>w</sub>分別為一第一參數、一第二參數及一第三參數。
如請求項1所述之耦光對位方法，其中藉由該處理器依據該簡化群體生成規則及該梯度下降規則的該者產生該些參數組的一者的步驟包含：<br/> 藉由該處理器判斷前一次產生的該些參數組的該者是否由該簡化群體生成規則產生；<br/> 當前一次產生的該些參數組的該者由該簡化群體生成規則產生時，透過該梯度下降規則產生該些參數組的另一者；<br/> 當前一次產生的該些參數組的該者不由該簡化群體生成規則產生時，透過該簡化群體生成規則產生該些參數組的該另一者。
如請求項1所述之耦光對位方法，其中藉由該處理器依據該功率點更新該資料庫的該最佳功率點的步驟包含：<br/> 藉由該處理器將該些參數組的一者的該功率點與一本代最佳參數組的該功率點比較，其中該本代最佳參數組為本次迭代中該些參數組中的最佳者；<br/> 其中，當該些參數組的該者的該功率點大於該本代最佳參數組的該功率點時，令該些參數組的該者更新成為新的該本代最佳參數組；及<br/> 藉由該處理器將該本代最佳參數組的該功率點與一整體最佳參數組的該最佳功率點比較，其中該整體最佳參數組為該些參數組中的最佳者，且該整體最佳參數組具有一最佳適應值；<br/> 其中，當該本代最佳參數組的該功率點大於該整體最佳參數組的該最佳功率點時，令該本代最佳參數組更新成為新的該整體最佳參數組。
一種耦光對位系統，包含：<br/> 一資料庫，包含一簡化群體生成規則、一梯度下降規則、一最佳功率點及一目標區域；以及<br/> 一處理器，訊號連接該資料庫，並經配置以實施包含以下步驟之操作：<br/> 依據該簡化群體生成規則及該梯度下降規則的一者產生一參數組，其中該參數組包含至少一耦光座標及至少一耦光角度，且該至少一耦光座標位於該目標區域內；<br/> 計算由該參數組中的該至少一耦光座標及該至少一耦光角度進行耦光所對應的一功率點；<br/> 依據該功率點決定是否更新該最佳功率點；及<br/> 重複執行上述步驟，直到複數該參數組的數量等於一預設數量；<br/> 其中，該處理器交替地透過該簡化群體生成規則及該梯度下降規則產生該參數組。
如請求項5所述之耦光對位系統，其中該中該簡化群體生成規則符合下式：<br/><img align="absmiddle" height="36px" width="72px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中，x<sub>var</sub>為當前的該些參數組的一者，p<sub>var</sub>為一本代最佳參數組，g<sub>var</sub>為一全體最佳參數組，x為隨機數，<img align="absmiddle" height="13px" width="3px" file="ed10004.jpg" alt="ed10004.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為介於0到1之間的隨機亂數，C<sub>g</sub>、C<sub>p</sub>、C<sub>w</sub>分別為一第一參數、一第二參數及一第三參數。
如請求項5所述之耦光對位系統，其中依據該簡化群體生成規則及該梯度下降規則的該者產生該些參數組的一者的步驟包含：<br/> 藉由該處理器判斷前一次產生的該些參數組的該者是否由該簡化群體生成規則產生；<br/> 當前一次產生的該些參數組的該者由該簡化群體生成規則產生時，透過該梯度下降規則產生該些參數組的另一者；<br/> 當前一次產生的該些參數組的該者不由該簡化群體生成規則產生時，透過該簡化群體生成規則產生該些參數組的該另一者。
如請求項5所述之耦光對位系統，其中依據該功率點更新該最佳功率點的步驟包含：<br/> 將該些參數組的一者的該功率點與一本代最佳參數組的該功率點比較，其中該本代最佳參數組為本次迭代中該些參數組中的最佳者；<br/> 其中，當該些參數組的該者的該功率點大於該本代最佳參數組的該功率點時，令該些參數組的該者更新成為新的該本代最佳參數組；及<br/> 將該本代最佳參數組的該功率點與一整體最佳參數組的該最佳功率點比較，其中該整體最佳參數組為該些參數組中的最佳者，且該整體最佳參數組具有一最佳適應值；<br/> 其中，當該本代最佳參數組的該功率點大於該整體最佳參數組的該最佳功率點時，令該本代最佳參數組更新成為新的該整體最佳參數組。
如請求項5所述之耦光對位系統，其中該處理器更包含經配置以實施以下步驟之操作：<br/> 根據該最佳功率點對應的該些參數組的一者驅動一光耦合裝置移動至對應該些參數組的該者的該至少一耦光座標，並依據對應該些參數組的該者的該至少一耦光角度將至少一光束發射至一矽晶圓，於該矽晶圓形成至少一光點以進行檢測；<br/> 其中，該至少一光點對應該至少一耦光座標及該至少一耦光角度。
一種耦光對位方法，包含：<br/> 藉由一處理器依據一簡化群體生成規則產生一參數組，其中該參數組包含至少一耦光座標及至少一耦光角度，且該至少一耦光座標位於一目標區域內；<br/> 藉由該處理器計算由該參數組中的該至少一耦光座標及該至少一耦光角度進行耦光所對應的一功率點；<br/> 藉由該處理器依據該功率點決定是否更新一資料庫的一最佳功率點；以及<br/> 藉由該處理器重複執行上述步驟，直到複數該參數組的數量等於一預設數量。
如請求項10所述之耦光對位方法，更包含：<br/> 藉由該處理器根據該最佳功率點對應的該些參數組的一者驅動一光耦合裝置移動至對應該些參數組的該者的該至少一耦光座標，並依據對應該些參數組的該者的該至少一耦光角度將至少一光束發射至一矽晶圓，於該矽晶圓形成至少一光點以進行檢測；<br/> 其中，該至少一光點對應該至少一耦光座標及該至少一耦光角度。
一種訊號去噪處理方法，其改良在於，所述方法包括：<br/> 基於小波變換濾波器對電訊號進行小波去噪，得到小波去噪後的電訊號；<br/> 基於形態篩檢程式削弱所述小波去噪後的電訊號中的偽吉布斯效應，得到去除肌電雜訊的目標電訊號，包括：選取結構元素，並基於所述形態篩檢程式中的開運算與閉運算構造開閉濾波器與閉開濾波器；將所述結構元素代入所述開閉濾波器，對所述小波去噪後的電訊號進行開閉運算，得到第一電訊號；將所述結構元素代入所述閉開濾波器，對所述第一電訊號進行閉開運算，得到第二電訊號；對所述第一電訊號與所述第二電訊號進行平均運算，得到第三電訊號；計算所述第三電訊號與所述小波去噪後的電訊號之間的誤差訊號，並檢測所述誤差訊號的峰值；將所述峰值中大於預設的閾值的峰值疊加到所述第三電訊號，得到所述目標電訊號。
如請求項1所述的訊號去噪處理方法，其中，採用閾值更新演算法計算所述閾值，所述閾值更新演算法為：<br/> ；<br/> 其中， 表示所述誤差訊號， 表示所述誤差訊號中當前時間點的索引， 表示索引的偏移量， 表示採樣頻率， 表示所述閾值。
如請求項1所述的訊號去噪處理方法，其中，所述方法於基於形態篩檢程式削弱所述小波去噪後的電訊號中的偽吉布斯效應之後，還包括：<br/> 基於低通濾波器對經過對所述偽吉布斯效應進行削弱處理的訊號區域進行平滑濾波。
如請求項1所述的訊號去噪處理方法，其中，所述基於小波變換濾波器對所述電訊號進行小波去噪，得到小波去噪後的電訊號，包括：<br/> 基於預設的小波基函數，採用離散小波變換，根據預設的分解尺度對所述電訊號進行小波分解，得到最高分解尺度處的近似係數與不同分解尺度處的細節係數；<br/> 基於預設的閾值演算法對所述不同分解尺度處的細節係數進行閾值量化處理，得到所述不同分解尺度處的細節係數對應的閾值；<br/> 基於硬閾值規則，根據所述不同分解尺度處的細節係數對應的閾值對所述不同分解尺度處的細節係數進行去噪處理，得到去噪後的細節係數；<br/> 採用離散小波逆變換將所述去噪後的細節係數與所述近似係數進行重構，得到所述小波去噪後的電訊號。
如請求項1所述的訊號去噪處理方法，其中，所述方法於基於小波變換濾波器對電訊號進行小波去噪之前，還包括：<br/> 濾除初始電訊號中的基線漂移與高頻雜訊，得到所述電訊號。
如請求項5所述的訊號去噪處理方法，其中，所述濾除初始電訊號中的基線漂移與高頻雜訊，得到去除基線漂移與高頻雜訊後的所述電訊號包括：<br/> 基於低通濾波器對所述初始電訊號進行濾波處理，得到濾除基線漂移後的電訊號；<br/> 基於高通濾波器對所述濾除基線漂移後的電訊號進行濾波處理，得到所述電訊號。
一種訊號去噪處理方法，其改良在於，所述訊號去噪處理方法包括：<br/> 選取結構元素，並基於一形態過濾演算法中的開運算與閉運算構造開閉濾波演算法與閉開濾波演算法；<br/> 將所述結構元素代入所述開閉濾波演算法，對電訊號進行開閉運算，得到第一電訊號；<br/> 將所述結構元素代入所述閉開濾波演算法，對所述第一電訊號進行閉開運算，得到第二電訊號；<br/> 對所述第一電訊號與所述第二電訊號進行平均運算，得到第三電訊號；<br/> 計算所述第三電訊號與所述電訊號之間的誤差訊號，並檢測所述誤差訊號的峰值；<br/> 將所述峰值中大於預設的閾值的峰值疊加到所述第三電訊號，得到去除肌電雜訊的電訊號目標電訊號。
如請求項7所述的訊號去噪處理方法，其中，採用閾值更新演算法計算所述閾值，所述閾值更新演算法為：<br/> ；<br/> 其中， 表示所述誤差訊號， 表示所述誤差訊號中當前時間點的索引， 表示索引的偏移量， 表示採樣頻率， 表示所述閾值。
一種訊號去噪處理裝置，其改良在於，所述訊號去噪處理裝置包括：<br/> 小波變換模組，用於基於小波變換濾波器對電訊號進行小波去噪，得到小波去噪後的電訊號；<br/> 形態濾波模組，用於基於形態篩檢程式削弱所述小波去噪後的電訊號中的偽吉布斯效應，得到去除肌電雜訊的目標電訊號，包括：選取結構元素，並基於所述形態篩檢程式中的開運算與閉運算構造開閉濾波器與閉開濾波器；將所述結構元素代入所述開閉濾波器，對所述小波去噪後的電訊號進行開閉運算，得到第一電訊號；將所述結構元素代入所述閉開濾波器，對所述第一電訊號進行閉開運算，得到第二電訊號；對所述第一電訊號與所述第二電訊號進行平均運算，得到第三電訊號；計算所述第三電訊號與所述小波去噪後的電訊號之間的誤差訊號，並檢測所述誤差訊號的峰值；將所述峰值中大於預設的閾值的峰值疊加到所述第三電訊號，得到所述目標電訊號。
一種訊號去噪處理裝置，其改良在於，所述訊號去噪處理裝置包括：<br/> 構造模組，用於選取結構元素，並基於一形態過濾演算法中的開運算與閉運算構造開閉濾波演算法與閉開濾波演算法；<br/> 開閉運算模組，用於將所述結構元素代入所述開閉濾波演算法，對電訊號進行開閉運算，得到第一電訊號；<br/> 閉開運算模組，用於將所述結構元素代入所述閉開濾波演算法，對所述第一電訊號進行閉開運算，得到第二電訊號；<br/> 平均運算模組，用於對所述第一電訊號與所述第二電訊號進行平均運算，得到第三電訊號；<br/> 計算模組，用於計算所述第三電訊號與所述電訊號之間的誤差訊號，並檢測所述誤差訊號的峰值；<br/> 疊加模組，用於將所述峰值中大於預設的閾值的峰值疊加到所述第三電訊號，得到去除肌電雜訊的目標電訊號。
一種電子設備，其改良在於，所述電子設備包括記憶體、處理器，及存儲於所述記憶體上並可於所述處理器上運行的所述訊號去噪處理常式，所述訊號去噪處理常式被所述處理器執行時實現如請求項1至6中任一項所述的訊號去噪處理方法的步驟或者如請求項7至8中任一項所述的訊號去噪處理方法的步驟。
一種可讀存儲介質，其改良在於，所述可讀存儲介質上存儲有訊號去噪處理常式，所述訊號去噪處理常式被處理器執行時實現如請求項1至6中任一項所述的訊號去噪處理方法的步驟或者如請求項7至8中任一項所述的訊號去噪處理方法的步驟。
一種基板處理裝置，係具備：<br/> 處理腔室，係收容貯留有純水的處理槽，使基板浸漬於前述純水從而處理前述基板；<br/> 有機溶劑蒸氣供給部，係將有機溶劑的蒸氣供給至前述處理腔室內；<br/> 升降機，係在從前述處理槽取出浸漬於前述純水的前述基板時，一邊使前述有機溶劑的蒸氣接觸至前述基板一邊撈起前述基板；<br/> 吸氣部，係從前述處理腔室內將在前述處理腔室內所生成的混合蒸氣吸氣；<br/> 分離膜，係將被前述吸氣部吸氣的前述混合蒸氣中的前述純水的蒸氣與前述有機溶劑的蒸氣分離；以及<br/> 控制部，係控制前述有機溶劑蒸氣供給部、前述升降機以及前述吸氣部；<br/> 前述混合蒸氣係包含前述純水的蒸氣以及前述有機溶劑的蒸氣；<br/> 前述控制部係一邊從前述處理槽撈起浸漬於前述純水的前述基板一邊執行朝前述處理腔室內供給前述有機溶劑的蒸氣，並從前述處理腔室內將在前述處理腔室內生成的前述混合蒸氣吸氣，藉此使前述混合蒸氣的至少一部分接觸至前述分離膜。
如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述分離膜係收容於殼體內；<br/> 前述吸氣部係具備：<br/> 配管，係直接連接前述處理腔室以及前述殼體；<br/> 吸氣口，係安裝於前述處理腔室與前述配管之間的連接部；<br/> 泵，係經由前述吸氣口將前述處理腔室內的前述混合蒸氣吸氣；以及<br/> 閥，係調整前述泵所為的前述混合蒸氣的吸氣量。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述分離膜為沸石膜。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：加熱器，係加熱被前述吸氣部吸氣的前述混合蒸氣；<br/> 前述分離膜係將已經被前述加熱器加熱的前述混合蒸氣中之前述純水的蒸氣與前述有機溶劑的蒸氣分離。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：冷卻器，係冷卻已經被前述分離膜分離的前述有機溶劑的蒸氣。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中具備：第一儲槽，係貯留已經被前述分離膜分離的前述有機溶劑。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：第二儲槽，係貯留已經被前述分離膜分離的前述純水。
如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述分離膜係使前述純水的蒸氣穿透且不使前述有機溶劑的蒸氣穿透。
一種基板處理方法，係具備：<br/> 基板浸漬工序，係使基板浸漬於被收容於處理腔室內且貯留有純水的處理槽；<br/> 有機溶劑蒸氣導入工序，係與前述基板浸漬工序同時地，將有機溶劑的蒸氣供給至前述處理腔室內；<br/> 撈起工序，係從前述處理槽撈起浸漬於前述純水的前述基板；<br/> 有機溶劑蒸氣置換工序，係與前述撈起工序同時地，將前述有機溶劑的蒸氣供給至前述處理腔室內，藉此以前述有機溶劑的蒸氣來置換附著於前述基板的前述純水；以及<br/> 有機溶劑分離工序，係與前述有機溶劑蒸氣置換工序並行地執行，從前述處理腔室內將藉由前述有機溶劑蒸氣置換工序而於前述處理腔室內所產生的混合蒸氣吸氣並使前述混合蒸氣接觸至分離膜的至少一部分，從而將前述有機溶劑的蒸氣從前述混合蒸氣分離；<br/> 前述混合蒸氣係包含前述純水的蒸氣以及前述有機溶劑的蒸氣。
一種半導體裝置，具備： <br/> 基板，其具有第1面、位於與上述第1面相反側的第2面，和跨越上述第1面之第1邊緣和上述第2面之第2邊緣的第1側面； <br/> 電子零件，其係被安裝於上述第2面； <br/> 複數接合部，其係被設置在上述第1面，包含第1接合部；及 <br/> 第1金屬部，其包含沿著上述第1面而延伸的第1部分，和沿著上述第1側面而延伸的第2部分，從作為上述基板之厚度方向的第1方向觀看之情況的面積大於上述第1接合部， <br/> 上述第1金屬部具有凹陷，其係朝向上述第1面之中心凹陷。
如請求項1記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述第1部分和上述第2部分連接。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述第2部分跨越上述第1邊緣和上述第2邊緣。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述第1邊緣係在與上述第1方向交叉的第2方向延伸， <br/> 從上述第1方向觀看，上述第1金屬部係被設置在上述第1邊緣之與上述第2方向之中央部重疊的位置。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述複數接合部包含第2接合部，該第2接合部係在與上述第1方向交叉的第2方向與上述第1接合部相鄰， <br/> 上述第1金屬部之上述第2方向之長度大於上述第1接合部和上述第2接合部的中心間距離。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述第1金屬部包含第3部分，該第3部分係與上述第2部分連接，並且沿著上述第2面延伸。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述基板具有至少一部分平面狀地延伸的導電層， <br/> 上述第1金屬部被連接於上述導電層。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 上述第1接合部係在上述複數接合部之中最接近於上述第1邊緣的接合部， <br/> 從上述基板之中心和上述第1金屬部之間之上述基板之中心朝向上述第1邊緣的第3方向之距離，為上述基板之中心和上述第1接合部之間之上述第3方向之距離以下。
如請求項1或2記載之半導體裝置，其中 <br/> 進一步具備從上述第1金屬部分離設置的第2金屬部， <br/> 上述基板具有第2側面，該第2側面係跨越與上述第1邊緣不同的上述第1面之第3邊緣，和與上述第2邊緣不同的上述第2面之第4邊緣， <br/> 上述第2金屬部包含沿著上述第1面而延伸的第3部分，和沿著上述第2側面而延伸的第4部分，從上述第1方向觀看之情況之面積大於上述第1接合部，且具有凹陷，其係朝向上述第1面之中心凹陷。
一種基板單元，具備： <br/> 電路基板； <br/> 半導體裝置，其係被載置在上述電路基板； <br/> 焊料填角，其係固定上述電路基板和上述半導體裝置， <br/> 上述半導體裝置具有： <br/> 封裝基板，其具有：面對上述電路基板的第1面、位於與上述第1面相反側的第2面，和跨越上述第1面之第1邊緣和上述第2面之第2邊緣的第1側面； <br/> 電子零件，其係被安裝於上述第2面； <br/> 複數接合部，其係被設置在上述第1面，包含第1接合部；及 <br/> 第1金屬部，其包含沿著上述第1面而延伸的第1部分，和沿著上述第1側面而延伸的第2部分，從作為上述封裝基板之厚度方向的第1方向觀看之情況的面積大於上述第1接合部， <br/> 上述第1邊緣係在與上述第1方向交叉的第2方向延伸， <br/> 從上述第1方向觀看，上述第1金屬部係被設置在上述第1邊緣之與上述第2方向之中央部重疊的位置， <br/> 上述焊料填角係與上述第1金屬部之上述第1部分和上述第2部分相接。
一種基板單元之製造方法，準備半導體裝置，該半導體裝置具有第1基板、電子零件、複數接合部和第1金屬部，上述第1基板包含第1面、位於與上述第1面相反側的第2面，和跨越上述第1面之第1邊緣和上述第2面之第2邊緣的第1側面，上述電子零件被安裝於上述第2面，上述複數接合部係被設置在上述第1面，包含第1接合部，上述第1金屬部包含沿著上述第1面而延伸的第1部分，和沿著上述第1側面而延伸的第2部分，上述第1金屬部從作為上述第1基板之厚度方向的第1方向觀看之情況的面積大於上述第1接合部，且具有凹陷，其係朝向上述第1面之中心凹陷， <br/> 在第2基板載置上述半導體裝置， <br/> 形成與上述第1金屬部之上述第1部分和上述第2部分相接的焊料填角。
一種樹脂組成物，含有：<br/> 液狀環氧化合物(A)；<br/> 液狀芳香族胺化合物(B)；<br/> 無機充填材(C)；及<br/> 硼酸酯(D)；<br/> 前述硼酸酯(D)含有選自於由硼酸三丁酯及硼酸三苯酯所構成群組中之至少一種；且<br/> 前述樹脂組成物在25℃下之黏度為400Pa・s以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中相對於前述環氧化合物(A)與芳香族胺(B)之合計100質量份，硼酸酯(D)之量為0.03質量份以上且1.00質量份以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述無機充填材(C)含有：<br/> 具有大於0.1µm且在15µm以下之平均粒徑的第一無機充填材(C1)；及<br/> 具有0.1µm以下之平均粒徑的第二無機充填材(C2)；<br/> 前述平均粒徑皆為從利用雷射繞射散射法所得粒度分布之測定值算出之以體積為基準的中值粒徑；且<br/> 相對於前述第一無機充填材(C1)100質量份，前述第二無機充填材(C2)之量為1質量份以上且10質量份以下。
如請求項3之樹脂組成物，其中前述第一無機充填材(C1)含有二氧化矽，該二氧化矽係經以選自於由苯基胺基矽烷化合物、環氧矽烷化合物及甲基丙烯醯基矽烷化合物所構成群組中之至少一種進行表面處理者。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述環氧化合物(A)含有聚矽氧改質環氧樹脂(a1)。
如請求項5之樹脂組成物，其中前述聚矽氧改質環氧樹脂(a1)之比率相對於前述環氧化合物(A)為5質量%以上且30質量%以下。
如請求項1之樹脂組成物，其更含有橡膠粒子(E)。
如請求項7之樹脂組成物，其中前述橡膠粒子(E)含有丁二烯橡膠粒子與聚矽氧橡膠粒子中之至少一者。
如請求項1之樹脂組成物，其更含有機磷化合物(F)。
如請求項1之樹脂組成物，其係用於半導體密封。
如請求項1之樹脂組成物，其為底部填充材。
一種半導體裝置，具備：基板、安裝於前述基板上之半導體元件及充填於前述基板與前述半導體元件之間隙中的密封部；並且<br/> 前述密封部包含如請求項1至11中任一項之樹脂組成物之硬化物。
一種樹脂組成物，含有：<br/> 液狀環氧化合物(A)；<br/> 液狀芳香族胺化合物(B)；<br/> 無機充填材(C)；及<br/> 下述式(1)所示脒矽酸鹽(D)；<br/> [化學式1]<br/><img align="absmiddle" height="53px" width="238px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式(1)中，R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>各自獨立為氫或碳數1以上且5以下之脂肪族烴基，R<sub>3</sub>及R<sub>4</sub>各自獨立為伸苯基或伸萘基，R<sub>5</sub>為苯基；<br/> 並且，前述樹脂組成物在25℃下之黏度為400Pa・s以下。
如請求項1之樹脂組成物，其中前述無機充填材(C)含有：<br/> 具有大於0.1µm且在15µm以下之平均粒徑的第一無機充填材(C1)；及<br/> 具有0.1µm以下之平均粒徑的第二無機充填材(C2)；且<br/> 相對於前述第一無機充填材(C1)100質量份，前述第二無機充填材(C2)之量為1質量份以上且10質量份以下。
如請求項2之樹脂組成物，其中前述第一無機充填材(C1)含有二氧化矽，該二氧化矽係經以選自於由苯基胺基矽烷化合物、苯基矽烷化合物、環氧矽烷化合物及甲基丙烯醯基矽烷化合物所構成群組中之至少一種進行表面處理者。
如請求項1或2之樹脂組成物，其中前述環氧化合物(A)含有聚矽氧改質環氧樹脂(a1)。
如請求項4之樹脂組成物，其中前述聚矽氧改質環氧樹脂(a1)之比率相對於前述環氧化合物(A)為5質量%以上且30質量%以下。
如請求項1或2之樹脂組成物，其更含有橡膠粒子(E)。
如請求項6之樹脂組成物，其中前述橡膠粒子(E)含有內核外殼型橡膠粒子。
如請求項1或2之樹脂組成物，其更含有鋁錯合物(F)。
如請求項1或2之樹脂組成物，其係用於半導體密封。
如請求項1或2之樹脂組成物，其為底部填充材。
一種半導體裝置，具備：基板、安裝於前述基板上之半導體元件及充填於前述基板與前述半導體元件之間隙中的密封部；並且<br/> 前述密封部包含如請求項1至10中任一項之樹脂組成物之硬化物。
一種有機發光顯示裝置，包含： <br/>複數三維結構，位於一基材上； <br/>複數畫素，位於該基材上； <br/>複數第一堤，位於該些三維結構之間；以及 <br/>複數第二堤， <br/>其中該些畫素各包含具有一三維結構的一第一子畫素、一第二子畫素以及一第三子畫素，且該些第二堤位於該些第三子畫素之間， <br/>其中該第一子畫素設置於該三維結構的一第一側面上，且該第二子畫素設置於該三維結構的一第二側面上， <br/>其中該第二子畫素經設置以水平重疊該第一子畫素，且該第三子畫素設置於該第一子畫素以及該第二子畫素上，以及 <br/>其中該第一子畫素包含一第一有機發光件，該第二子畫素包含一第二有機發光件，以及該第三子畫素包含一第三有機發光件。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該第三子畫素設置於該三維結構的一上表面。
如請求項2所述的有機發光顯示裝置，其中第二有機發光件經設置以與該第一有機發光件水平重疊，以及該第三有機發光件設置於該三維結構的該上表面。
如請求項3所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件、該第二有機發光件以及該第三有機發光件各包含一陽極、一低電阻層、一有機發光層以及一陰極，以及 <br/>其中該陽極獨立設置於該第一子畫素、該第二子畫素以及該第三子畫素中。
如請求項4所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件的一低電阻層以及該第二有機發光件的一低電阻層經設置以於該些三維結構之間彼此間隔，以及 <br/>其中該第一有機發光件的一第一有機發光層以及該第二有機發光件的一第二有機發光層經設置以於該些三維結構之間水平重疊。
如請求項4所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件的一低電阻層、一有機發光層以及一陰極以及該第二有機發光件的一低電阻層、一有機發光層以及一陰極於該三維結構的該上表面上彼此間隔。
如請求項4所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件的一第一陽極以及該第二有機發光件的一第二陽極各包含一反射材料，以及該第一有機發光件的一第一陰極以及該第二有機發光件的一第二陰極各包含一透明或半透射導電膜。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該第三子畫素設置於該些三維結構之間的該第一子畫素以及該第二子畫素上。
如請求項8所述的有機發光顯示裝置，其中該畫素的一尺寸與該第三子畫素的一尺寸相同。
如請求項8所述的有機發光顯示裝置，其中該畫素的一尺寸等於該第一子畫素的一尺寸以及該第二子畫素的一尺寸的一總和。
如請求項8所述的有機發光顯示裝置，其中該第二有機發光件經設置以水平重疊該第一有機發光件，以及該第三有機發光件經設置以垂直重疊該第一有機發光件以及該第二有機發光件。
如請求項8所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件、該第二有機發光件以及該第三有機發光件各包含一陽極、一有機發光層以及一陰極，以及 <br/>其中該陽極獨立設置於該第一子畫素、該第二子畫素以及該第三子畫素中，以及該陰極共同設置於該第一子畫素以及該第二子畫素中。
如請求項12所述的有機發光顯示裝置，其中該第一子畫素、該第二子畫素以及該第三子畫素各包含一發光區域以及一非發光區域，並且該發光區域具有對應該陽極的一尺寸。
如請求項13所述的有機發光顯示裝置，其中該第三有機發光件的一第三陽極的一尺寸大於該第一有機發光件的一第一陽極的一尺寸或該第二有機發光件的一第二陽極的一尺寸。
如請求項13所述的有機發光顯示裝置，其中該第三有機發光件的一第三陽極經配置以垂直重疊該第一有機發光件的一第一陽極以及該第二有機發光件的一第二陽極。
如請求項12所述的有機發光顯示裝置，其中該第一有機發光件的一有機發光層的一端部以及該第二有機發光件的一有機發光層的一端部經定位而較該三維結構的一上表面更低。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該些第二堤之間的一距離與該畫素的一寬度或該第三子畫素的一寬度相同。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，包含： <br/>複數絕緣層，位於該第一有機發光件、該第二有機發光件以及該第三有機發光件之間， <br/>其中該些絕緣層包含至少一有機絕緣層以及至少一無機絕緣層。
如請求項1所述的有機發光顯示裝置，其中該三維結構的該第一側面以及該第二側面各為傾斜的或垂直於一地面。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 絕緣本體，前述絕緣本體包括主體部以及沿著對接方向凸出前述主體部的延伸板，前述主體部設有第一安裝槽；以及<br/> 第一端子模組，前述第一端子模組包括第一導電安裝塊、設於前述第一導電安裝塊的第一端子組件、與前述第一端子組件相連的第一線纜以及與前述第一導電安裝塊相抵接的第一接地片；前述第一端子組件包括第一絕緣塊以及設於前述第一絕緣塊的複數第一導電端子；前述第一導電端子包括對接部以及連接部；每一個第一導電端子的連接部與前述第一線纜電性連接；前述第一線纜包括第一屏蔽層，前述第一屏蔽層被夾持在前述第一導電安裝塊與前述第一接地片之間；<br/> 前述第一端子模組至少部分穿過前述第一安裝槽，前述第一導電安裝塊、前述第一絕緣塊以及前述延伸板形成前述電連接器的舌板的至少一部分，前述舌板配置為插入對接連接器的對接插槽中。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述第一導電安裝塊由金屬材料製成，前述第一導電端子與前述第一導電安裝塊不接觸。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述第一導電安裝塊包括第一基部以及第一凸出部，前述第一凸出部設有第一組裝槽；<br/> 前述第一絕緣塊設有收容於前述第一組裝槽中的第一插入部，前述第一導電端子的對接部暴露於前述第一插入部。
如請求項3所述的電連接器，其中：前述第一凸出部包括分別位於前述第一組裝槽的兩側的第一凸肋和第二凸肋，前述第一凸肋以及前述第二凸肋作為接地端子以與前述對接連接器相配合。
如請求項3所述的電連接器，其中：前述第一基部設有與前述第一組裝槽相連通的第一凹限槽，前述第一絕緣塊設有收容於前述第一凹限槽中的第一端部，前述第一導電端子的連接部設於前述第一端部。
如請求項5所述的電連接器，其中：前述第一基部設有分別位於前述第一凹限槽的一側的第一側壁部、位於前述第一凹限槽的另一側的第二側壁部、以及連接前述第一側壁部和前述第二側壁部的端壁部；前述第一凹限槽至少被前述第一側壁部、前述第二側壁部以及前述端壁部圍成；前述第一側壁部設有第一外表面，前述第二側壁部設有第二外表面，前述端壁部設有第三外表面；<br/> 設於前述第一絕緣塊的複數第一導電端子包括第一訊號端子以及第二訊號端子，前述第一訊號端子的連接部以及前述第二訊號端子的連接部均位於前述第一凹限槽中；<br/> 前述第一線纜包括第一芯體、第二芯體、包裹在前述第一芯體上的第一絕緣層以及包裹在前述第二芯體上的第二絕緣層，前述第一屏蔽層位於前述第一絕緣層以及前述第二絕緣層的外側；前述第一芯體與前述第一訊號端子的連接部相接觸，前述第二芯體與前述第二訊號端子的連接部相接觸。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述第一芯體以及前述第二芯體均位於前述第一凹限槽中，且前述第一側壁部的第一外表面、前述第二側壁部的第二外表面以及前述端壁部的第三外表面均凸出於前述第一芯體以及前述第二芯體。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述第一導電安裝塊包括自前述第一基部延伸的第一延伸部，前述第一延伸部設有第一容納槽、位於前述第一容納槽的一側的第一抵接面以及位於前述第一容納槽的一側的第二抵接面；<br/> 前述第一容納槽與前述第一凹限槽相連通，前述第一線纜至少部分收容於前述第一容納槽中；<br/> 前述第一接地片包括第一隆起部、與前述第一隆起部的一側相連的第一抵接部以及與前述第一隆起部的另一側相連的第二抵接部，前述第一線纜的第一屏蔽層被夾持在前述第一導電安裝塊和前述第一隆起部之間，前述第一抵接部與前述第一抵接面相接觸，前述第二抵接部與前述第二抵接面相接觸。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述第一抵接部與前述第一抵接面焊接固定，前述第二抵接部與前述第二抵接面焊接固定。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述第一側壁部的第一外表面、前述第二側壁部的第二外表面、前述端壁部的第三外表面以及前述第一凹限槽均露出前述第一接地片。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述第一接地片覆蓋前述第一側壁部的第一外表面、前述第二側壁部的第二外表面、前述端壁部的第三外表面、前述第一凹限槽、前述第一抵接面以及前述第二抵接面。
如請求項11所述的電連接器，其中：前述第一基部以及前述第一延伸部中的至少一個設有凸出的肋條，前述第一接地片設有與前述肋條相配合的開槽。
如請求項11所述的電連接器，其中：前述第一接地片呈平板狀；前述第一側壁部的第一外表面、前述第二側壁部的第二外表面、前述端壁部的第三外表面、前述第一抵接面以及前述第二抵接面均位於同一平面內。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述主體部設有第二安裝槽，前述第一安裝槽以及前述第二安裝槽分別位於前述延伸板的兩側；<br/> 前述電連接器還包括第二端子模組，前述第二端子模組包括第二導電安裝塊、設置於前述第二導電安裝塊的第二端子組件以及與前述第二端子組件相連的第二線纜；前述第二端子組件包括第二絕緣塊以及設於前述第二絕緣塊的複數第二導電端子；前述第二導電端子與前述第二線纜電性連接；<br/> 前述第二端子模組至少部分穿過前述第二安裝槽，前述第一導電安裝塊、前述第一絕緣塊、前述延伸板、前述第二導電安裝塊以及前述第二絕緣塊共同形成了前述舌板。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述主體部包括第一端壁以及與前述第一端壁相背對的第二端壁；<br/> 前述電連接器還包括：<br/> 活動部件，前述活動部件至少部分設置於前述主體部中，前述活動部件包括凸出前述第一端壁的第一鎖扣凸起、自前述第一端壁向前述第二端壁延伸且後端凸出前述第二端壁的頂桿和凸出前述頂桿的第二鎖扣凸起，前述第一鎖扣凸起和前述第二鎖扣凸起配置為與前述對接連接器的鎖扣孔相鎖扣；<br/> 彈性件，前述彈性件抵接前述活動部件；以及<br/> 拉帶，前述拉帶與前述活動部件相連接，前述拉帶被配置為帶動前述活動部件克服前述彈性件的作用力，使前述活動部件沿垂直於前述對接方向的移動方向運動。
如請求項15所述的電連接器，其中：前述活動部件還包括槽部，前述槽部具有面對面設置的第一擋壁和第二擋壁，前述第二鎖扣凸起自前述第一擋壁朝向前述第二擋壁凸伸且與前述第二擋壁間隔一段距離。
如請求項15所述的電連接器，其中：前述主體部還包括位於前述第一端壁與前述第二端壁之間的固定板，前述固定板包括沿前述移動方向貫通的拉帶槽以及位於前述固定板的邊緣和前述拉帶槽之間的拉帶軸，前述拉帶自與前述活動部件相連接處沿前述移動方向延伸穿過前述拉帶槽，並繞前述拉帶軸折彎後延伸出前述主體部。
如請求項17所述的電連接器，其中：前述固定板還包括收容孔，前述收容孔凹設於前述固定板面向前述活動部件的表面，前述彈性件的一端設置於前述收容孔中，前述彈性件的另一端抵接前述活動部件。
如請求項15所述的電連接器，其中：前述主體部包括貫穿前述第一端壁的收容空間、位於前述收容空間的一側的第一收容槽以及位於前述收容空間的另一側的第二收容槽，前述第一收容槽和前述第二收容槽沿前述移動方向貫穿前述第二端壁；<br/> 前述活動部件包括收容於前述收容空間中的基部、自前述基部的一側延伸、收容於前述第一收容槽且後端延伸出前述第一收容槽的第一頂桿、以及自前述基部的另一側延伸、收容於前述第二收容槽且後端延伸出前述第二收容槽的第二頂桿，前述頂桿包括前述第一頂桿和前述第二頂桿。
一種電連接器組件，其中，包括：<br/> 電連接器，前述電連接器為如請求項1至19中任意一項所述的電連接器；以及<br/> 對接連接器，前述對接連接器包括：<br/> 對接絕緣本體，前述對接絕緣本體包括複數壁部以及由前述複數壁部圍成的對接插槽，前述複數壁部包括第一壁部、與前述第一壁部相對設置的第二壁部、連接前述第一壁部的一側和前述第二壁部的一側的第一連接壁部、以及連接前述第一壁部的另一側和前述第二壁部的另一側的第二連接壁部；前述對接插槽配置為至少部分收容前述電連接器的舌板；<br/> 複數對接端子，前述對接端子設於前述對接絕緣本體，前述對接端子包括延伸入前述對接插槽中且配置為與前述電連接器的第一導電端子相接觸的彈性對接臂；以及<br/> 金屬殼體，前述金屬殼體至少部分包覆前述對接絕緣本體，前述金屬殼體包括第一側壁、與前述第一側壁相對設置的第二側壁、連接前述第一側壁的一側和前述第二側壁的一側的第一連接壁、以及連接前述第一側壁的另一側和前述第二側壁的另一側的第二連接壁。
一種馬達驅動控制裝置，包含：<br/> 一標籤單元，用以自複數個原始資料取得複數個區段資料，且用以分析該些區段資料的每一者，以分別對部分的該些區段資料定義一標籤；<br/> 一管理單元，耦接於該標籤單元，用以自該標籤單元接收該些區段資料，其中該管理單元用以將該些區段資料中具有相同之該標籤的一部分分類於一資料庫，以作為該資料庫中的複數個資料點；<br/> 一特徵萃取單元，耦接於該管理單元，用以分析該些資料點的複數個特徵值；以及<br/> 一異常判斷單元，耦接於該特徵萃取單元，用以將該些資料點的該些特徵值與一異常閾值相比對，以產生一通知訊息。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該特徵萃取單元用以計算該些資料點的一平均數及一共變異矩陣，以產生該些特徵值。
如請求項2所述之馬達驅動控制裝置，其中該特徵萃取單元用以根據該共變異矩陣計算該些資料點的複數個馬氏距離，以作為該些特徵值。
如請求項3所述之馬達驅動控制裝置，其中該異常判斷單元用以判斷該些馬氏距離中超過該異常閾值的一數量。
如請求項3所述之馬達驅動控制裝置，其中該特徵萃取單元用以選擇該些資料點中產生時間最早的一部分作為複數個歷史資料點，以根據該些歷史資料點計算該些馬氏距離。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該些原始資料用以控制一伺服馬達、由該伺服馬達所產生，或由一外接感測器產生。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該標籤單元對該些區段資料定義複數個標籤，且該異常判斷單元用以計算一標籤使用率，該標籤使用率為該些標籤之每一者的數量與該些區段資料的數量的比例。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該異常判斷單元用以計算一健康程度，該健康程度為該些資料點中並未符合該異常閾值的複數個正常資料點的數量除以該些資料點的數量。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該標籤單元用以根據一時間區段，自該些原始資料中擷取該些區段資料。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該標籤單元用以分析該些區段資料的波形，以分別對該些區段資料的每一者定義該標籤。
如請求項1所述之馬達驅動控制裝置，其中該標籤單元對該些區段資料定義複數個標籤，該些區段資料被分類於複數個資料庫，且該些資料庫中被判斷為異常的一部分對應於該些標籤中的複數個診斷標籤；以及<br/> 其中該異常判斷單元用以計算一標籤辨識率，該標籤辨識率為該些診斷標籤的數量與該些標籤的比例。
一種馬達驅動監控方法，包含：<br/> 透過一控制裝置，自複數個原始資料取得複數個區段資料；<br/> 分析該些區段資料的每一者，以分別對該些區段資料的每一者定義一標籤；<br/> 將該些區段資料中具有相同之該標籤的一部分分類於一資料庫，以作為該資料庫中的複數個資料點；<br/> 分析該些資料點的每一者，以取得該些資料點的複數個特徵值；以及<br/> 比對該些資料點的該些特徵值與一異常閾值，以產生一通知訊息。
如請求項12所述之馬達驅動監控方法，其中分析該些資料點的每一者，以取得該些資料點的該些特徵值的方法包含：<br/> 計算該些資料點的一平均數及一共變異矩陣，以產生該些特徵值。
如請求項13所述之馬達驅動監控方法，其中分析該些資料點的每一者，以取得該些資料點的該些特徵值的方法還包含：<br/> 根據該共變異矩陣計算該些資料點的複數個馬氏距離，以作為該些特徵值。
如請求項14所述之馬達驅動監控方法，其中比對該些資料點的該些特徵值與該異常閾值，以產生該通知訊息的方法包含：<br/> 判斷該些馬氏距離中超過該異常閾值的一數量；以及<br/> 在該數量超出一警告閾值時，產生該通知訊息。
如請求項14所述之馬達驅動監控方法，其中分析該些資料點的每一者，以取得該些資料點的該些特徵值的方法還包含：<br/> 選擇該些資料點中產生時間最早的一部分作為複數個歷史資料點；以及<br/> 根據該些歷史資料點計算該些馬氏距離。
如請求項12所述之馬達驅動監控方法，其中該些原始資料用以控制一伺服馬達、由該伺服馬達所產生，或由一外接感測器產生。
如請求項17所述之馬達驅動監控方法，還包含：<br/> 透過一控制器內的該控制裝置，取得複數個控制指令，其中該些控制指令用以控制一伺服馬達；以及<br/> 將該些控制指令作為該些原始資料。
如請求項12所述之馬達驅動監控方法，其中自該些原始資料取得該些區段資料的方法包含：<br/> 根據一時間區段，自該些原始資料中擷取該些區段資料。
如請求項12所述之馬達驅動監控方法，其中分析該些區段資料的每一者，以分別對該些區段資料的每一者定義該標籤的方法包含：<br/> 分析該些區段資料的波形，以分別對該些區段資料的每一者定義該標籤。
一種聲音回授處理系統，包含： <br/>一第一信號特徵提取電路，經組態以從一第一聲音信號提取一信號特徵； <br/>一第一編碼電路，耦接該第一信號特徵提取電路，經組態以分別接收該第一聲音信號、該信號特徵及一會議識別碼並據以產生一經編碼聲音信號； <br/>一聲音回授偵測電路，耦接該第一編碼電路，經組態以分別接收該經編碼聲音信號及一第二聲音信號並據以判斷是否有聲音回授現象存在；以及 <br/>一聲音回授消除電路，耦接該聲音回授偵測電路，經組態以透過類神經網路在有聲音回授現象存在的情況下進行一聲音回授消除程序； <br/>其中，當該聲音回授偵測電路偵測到該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵彼此相同時，該聲音回授偵測電路判定有聲音回授現象存在，該聲音回授消除電路進行該聲音回授消除程序。
如請求項1之聲音回授處理系統，其中當該聲音回授偵測電路偵測到該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵不同時，該聲音回授偵測電路判定無聲音回授現象存在，該聲音回授消除電路不作動。
如請求項1之聲音回授處理系統，其係應用於一第一資訊處理裝置且該第一資訊處理裝置包含： <br/>一第一接收單元，耦接該聲音回授偵測電路，經組態以接收該第二聲音信號並傳送該第二聲音信號至該聲音回授偵測電路；以及 <br/>一第一輸出單元，分別耦接該第一信號特徵提取電路、該第一編碼電路及該聲音回授消除電路，經組態以輸出該第一聲音信號。
如請求項3之聲音回授處理系統，其還應用於一第二資訊處理裝置且該第二資訊處理裝置包含： <br/>一第二接收單元，經組態以接收該第一輸出單元所輸出的該第一聲音信號；以及 <br/>一第二輸出單元，經組態以輸出該第二聲音信號至該第一接收單元。
如請求項4之聲音回授處理系統，還包含： <br/>一第二信號特徵提取電路，耦接該第二接收單元，經組態以從該第一聲音信號提取該信號特徵；以及 <br/>一第二編碼電路，分別耦接該第二接收單元、該第二輸出單元及該第二信號特徵提取電路，經組態以分別接收該第一聲音信號、該信號特徵及該會議識別碼並據以產生該第二聲音信號至該第二輸出單元。
如請求項5之聲音回授處理系統，其中該第一編碼電路還接收該第一資訊處理裝置之一第一位置資訊並據以產生具有該第一位置資訊之該經編碼聲音信號，該第二編碼電路還接收該第二資訊處理裝置之一第二位置資訊並據以產生具有該第二位置資訊之該第二聲音信號。
如請求項6之聲音回授處理系統，其中當該聲音回授偵測電路偵測到該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵彼此相同且根據該第一位置資訊與該第二位置資訊得知該第一資訊處理裝置與該第二資訊處理裝置位於同一空間時，該聲音回授偵測電路判定有聲音回授現象存在，該聲音回授消除電路進行該聲音回授消除程序。
如請求項4之聲音回授處理系統，其中該第一輸出單元為網路傳輸處理元件、該第二輸出單元為揚聲器(Speaker)、該第一接收單元為麥克風(Microphone)且該第二接收單元為網路接收處理元件。
如請求項4之聲音回授處理系統，其中該第一輸出單元輸出的該第一聲音信號係透過一網路傳送至該第二接收單元。
如請求項1之聲音回授處理系統，其中當該聲音回授消除電路進行該聲音回授消除程序時，該聲音回授消除電路透過該類神經網路判斷出該第二聲音信號中之主要目標信號與聲音回授信號並進行兩信號間之延遲的自動對齊以及該聲音回授信號的抑制與消除以完整保留該主要目標信號。
一種聲音回授處理方法，包含下列步驟： <br/>(a)一第一資訊處理裝置輸出一第一聲音信號並從該第一聲音信號提取一信號特徵； <br/>(b)該第一資訊處理裝置根據該第一聲音信號、該信號特徵(SF)及一會議識別碼產生一經編碼聲音信號； <br/>(c)該第一資訊處理裝置根據其接收到的一第二聲音信號及該經編碼聲音信號判斷是否有聲音回授現象存在；以及 <br/>(d)若步驟(c)之判斷結果為是，該第一資訊處理裝置透過類神經網路進行一聲音回授消除程序； <br/>其中，步驟(c)係偵測該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵是否相同，以判定是否有聲音回授現象存在。
如請求項11之聲音回授處理方法，其中若步驟(c)偵測到該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼(CID)及該信號特徵彼此相同，則判定有聲音回授現象存在；若步驟(b)偵測到該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵不同，則判定聲音回授現象不存在。
如請求項11之聲音回授處理方法，還包含下列步驟： <br/>(e)一第二資訊處理裝置接收該第一資訊處理裝置所輸出的該第一聲音信號並從該第一聲音信號提取該信號特徵；以及 <br/>(f)該第二資訊處理裝置根據該第一聲音信號、該信號特徵及該會議識別碼產生該第二聲音信號並輸出該第二聲音信號。
如請求項13之聲音回授處理方法，其中步驟(b)還接收該第一資訊處理裝置之一第一位置資訊並據以產生具有該第一位置資訊之該經編碼聲音信號，步驟(f)還接收該第二資訊處理裝置之一第二位置資訊並據以產生具有該第二位置資訊之該第二聲音信號。
如請求項14之聲音回授處理方法，還包含下列步驟： <br/>當該第二聲音信號與該經編碼聲音信號的該會議識別碼及該信號特徵彼此相同且根據該第一位置資訊與該第二位置資訊得知該第一資訊處理裝置與該第二資訊處理裝置位於同一空間時，步驟(c)判定有聲音回授現象存在，步驟(d)進行該聲音回授消除程序。
如請求項13之聲音回授處理方法，其中該第一資訊處理裝置所輸出的該第一聲音信號係透過一網路傳送至該第二資訊處理裝置。
如請求項11之聲音回授處理方法，其中當該第一資訊處理裝置進行該聲音回授消除程序時，該聲音回授處理方法還包含下列步驟： <br/>透過該類神經網路判斷出該第二聲音信號中之主要目標信號與聲音回授信號；以及 <br/>進行兩信號間之延遲的自動對齊以及該聲音回授信號的抑制與消除以完整保留該主要目標信號。
一種記憶體電路，包含：<br/> 一記憶體陣列，包含多個非揮發性記憶體單元，其中該多個非揮發性記憶體單元沿著多個第一存取線及多個第二存取線配置，該多個第一存取線及該多個第二存取線沿著一側向方向延伸跨越該記憶體陣列；<br/> 一第一存取電路，在該側向方向上實體地設置於該記憶體陣列的一第一側上；以及<br/> 一第二存取電路，在該側向方向上實體地設置於該記憶體陣列的一第二側上，其中該第二側與該第一側相對；<br/> 其中該第一存取電路用以經由該多個第一存取線中的一對應者將一程式化電壓耦合至該多個非揮發性記憶體單元中的每一者，並經由該多個第二存取線中的一對應者提供一第一導電路徑，且該第二存取電路用以經由該多個第二存取線中的該對應者提供一第二導電路徑，<br/> 其中該第一導電路徑自該多個非揮發性記憶體單元中的一對應者經由一第一電晶體及一第二電晶體延伸至接地，且該第二導電路徑自該多個非揮發性記憶體單元中的該對應者經由一第三電晶體延伸至接地。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該多個非揮發性記憶體單元中的每一者包含彼此串聯耦接的一存取電晶體及一電阻器，其中該電阻器用以儲存至少一資料位元。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該多個非揮發性記憶體單元中的每一者包含彼此串聯耦接的一存取電晶體及一電容器，其中該電容器用以儲存至少一資料位元。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該多個非揮發性記憶體單元中的每一者可從一第一電阻狀態程式化至一第二電阻狀態。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該第一存取電路包含該第一電晶體及該第二電晶體，且該第二存取電路包含該第三電晶體。
如請求項1所述之記憶體電路，其中當該程式化電壓經由該多個第一存取線的其中一者施加至該多個非揮發性記憶體單元中的該對應者時，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體用以同時啟用。
如請求項1所述之記憶體電路，其中當該多個非揮發性記憶體單元中的每一者用以藉由流經該多個第一存取線中的該對應者及該多個非揮發性記憶體單元中的該每一者的一電流來程式化時，該電流用以分開成分別流經該第一導電路徑及該第二導電路徑的二獨立電流。
如請求項1所述之記憶體電路，更包含：<br/> 一第三存取電路，在該側向方向上實體地設置於該記憶體陣列的一中部，其中該第三存取電路用以經由該多個第二存取線的該對應者提供一第三導電路徑。
一種記憶體電路，包含：<br/> 一記憶體單元，耦接於一第一存取線及一第二存取線之間，其中該第一存取線及該第二存取線皆沿著一側向方向延伸；<br/> 一第一存取電路，在該側向方向上實體地設置於該記憶體單元的一第一側上，其中該第一存取電路包含一第一子電路及一第二子電路；以及<br/> 一第二存取電路，在該側向方向上實體地設置於該記憶體單元的一第二側上，該第二側與該第一側相對，其中該第二存取電路包含一第三子電路及一第四子電路；<br/> 其中該第一子電路用以經由該第一存取線將一程式化電壓耦合至該記憶體單元，該第二子電路及該第三子電路用以在該第四子電路停用時，各自提供自該記憶體單元至接地的一導電路徑，<br/> 其中該第一子電路用以經由該第一存取線提供一第一導電路徑，該第三子電路用以經由該第二存取線提供一第二導電路徑，<br/> 其中該第一導電路徑自該記憶體單元經由一第一電晶體及一第二電晶體延伸至接地，且該第二導電路徑自該記憶體單元經由一第三電晶體延伸至接地。
一種記憶體電路的操作方法，適用於一記憶體電路，該操作方法包含以下步驟：<br/> 啟用在一側向方向上實體地設置於一記憶體陣列的一第一側上的一第一存取電路，其中該記憶體陣列包含多個非揮發性記憶體單元，其中該多個非揮發記憶體單元沿著多個第一存取線及多個第二存取線配置，該多個第一存取線及該多個第二存取線沿著該側向方向延伸跨越該記憶體陣列；<br/> 啟用在該側向方向上實體地設置於該記憶體陣列的一第二側上的一第二存取電路，其中該第二側與該第一側相對；<br/> 接收流經該記憶體陣列的一第一電流；<br/> 透過一第一導電路徑傳導流經該第一存取電路的一第二電流；以及<br/> 透過一第二導電路徑傳導流經該第二存取電路的一第三電流，<br/> 其中該第一存取電路用以經由該多個第一存取線中的一對應者將一程式化電壓耦合至該多個非揮發性記憶體單元中的每一者，並經由該多個第二存取線中的一對應者提供該第一導電路徑，且該第二存取電路用以經由該多個第二存取線中的一對應者提供該第二導電路徑，<br/> 其中該第一導電路徑自該多個非揮發性記憶體單元中的一對應者經由一第一電晶體及一第二電晶體延伸至接地，且該第二導電路徑自該多個非揮發性記憶體單元中的該對應者經由一第三電晶體延伸至接地。
一種基板製造系統，係具備： <br/>自走式機器人，係包含機器人手臂及機械手，該機械手係裝設於前述機器人手臂的前端，且保持用以收容基板的基板收容容器，該自走式機器人係藉由前述機械手來保持並搬送前述基板收容容器； <br/>攝像部，係藉由前述機器人手臂來移動；以及 <br/>基板製造裝置，係包含供前述攝像部拍攝的基板製造裝置狀態顯示部，且藉由前述自走式機器人來搬送前述基板收容容器，其中，當前述基板製造裝置無法通信時，前述自走式機器人係採用根據已藉由前述攝像部拍攝之前述基板製造裝置狀態顯示部的圖像所取得之前述基板製造裝置的狀態。
如請求項1所述之基板製造系統，其中， <br/>前述基板製造裝置係包含供載置前述基板收容容器的載置台； <br/>前述基板製造裝置狀態顯示部係顯示前述載置台上的前述基板收容容器是否處於不可搬送狀態，或者前述載置台上的前述基板收容容器是否處於可搬送狀態。
如請求項2所述之基板製造系統，其中，前述自走式機器人係包含控制部，該控制部係進行如下控制：當根據已藉由前述攝像部拍攝之前述基板製造裝置狀態顯示部的圖像而判斷為前述載置台上的前述基板收容容器處於不可搬送狀態時，不將前述基板收容容器從前述載置台上回收；當根據已藉由前述攝像部拍攝之前述基板製造裝置狀態顯示部的圖像而判斷為前述載置台上的前述基板收容容器處於可搬送狀態時，將前述基板收容容器從前述載置台回收並搬送。
如請求項2所述之基板製造系統，其中，前述基板製造裝置狀態顯示部係包含第一狀態顯示部及第二狀態顯示部，該第一狀態顯示部係顯示前述載置台上的前述基板收容容器處於不可搬送狀態，該第二狀態顯示部係獨立於前述第一狀態顯示部而配置，且顯示前述載置台上的前述基板收容容器處於可搬送狀態。
如請求項2所述之基板製造系統，其中，前述基板製造裝置狀態顯示部係配置於前述載置台的附近。
如請求項5所述之基板製造系統，其中，在前述基板收容容器配置於前述載置台上的狀態下，前述基板製造裝置狀態顯示部係配置於前述基板收容容器的上方。
如請求項1所述之基板製造系統，其中，前述基板製造裝置狀態顯示部係藉由點亮來顯示狀態。
如請求項1所述之基板製造系統，其中，前述基板製造裝置狀態顯示部係顯示下列狀態的至少一者：前述基板製造裝置是否處於故障狀態，前述基板製造裝置是否處於通信異常狀態，及是否處於前述基板收容容器配置於前述基板製造裝置所具備之載置台上的狀態。
如請求項1所述之基板製造系統，其中，前述攝像部係兼做為在藉由前述機械手來保持前述基板收容容器之際，對前述基板收容容器加以拍攝的攝像部。
一種用於無線通訊的方法，該方法由一使用者設備（UE）執行，該方法包括以下步驟：<br/> 向一非陸地網路（NTN）的一網路實體傳輸該UE的UE資訊，該UE資訊包括該UE的UE能力資訊；及<br/> 從該網路實體接收一交遞命令，該交遞命令包括與用於該UE執行從一第一波束到一第二波束的一交遞操作的一目標交遞時間相關聯的一交遞時間指示符，該目標交遞時間是獨立於來自該UE的一量測報告，並且是基於該UE的UE能力資訊以及指示該網路實體的一飛行路徑的一模型來決定的。
根據請求項1之方法，其中其中該UE的UE能力資訊指示該UE是可行動的，並且其中該網路實體包括一NTN實體。
根據請求項2之方法，其中該量測報告對應於該第二波束。
根據請求項2之方法，其中該目標交遞時間是獨立於由該UE針對該第一波束、該第二波束或兩者所決定的被量測信號品質來決定的。
根據請求項1之方法，其中該第一波束對應於一第一平臺，並且該第二波束對應於該第一平臺或一第二平臺，並且其中該UE能力資訊包括該UE的行動性資訊。
根據請求項5之方法，其中該交遞操作包括一衛星內交遞或一衛星間交遞，並且其中該UE的行動性資訊包括對該UE的一位置、該UE的一行動性功能或其一組合的一指示。
根據請求項1之方法，其中該UE的UE資訊包括UE位置資料、UE行動性資訊或其一組合。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：與該網路實體執行該交遞操作。
根據請求項1之方法，亦包括以下步驟：從該網路實體接收針對該量測報告的一請求。
根據請求項9之方法，亦包括以下步驟：在執行從該第一波束改變到該第二波束的該交遞操作之後，傳輸該量測報告，其中該量測報告對應於該第二波束。
根據請求項9之方法，亦包括以下步驟：測該第二波束的一下行鏈路信號強度、該第二波束的一下行鏈路信號品質或其一組合；其中該量測報告指示該第二波束的該下行鏈路信號強度、該第二波束的該下行鏈路信號品質或其一組合。
根據請求項1之方法，其中傳輸該UE的UE資訊包括向該網路實體傳輸指示該UE的一位置的位置資料。
根據請求項1之方法，其中該UE的UE資訊包括該UE的位置資料，並且其中傳輸該UE的UE資訊包括在由該UE與該網路實體啟動的一註冊過程期間傳輸該UE的UE資訊。
根據請求項13之方法，其中該位置資料是回應於來自該網路實體的一請求而被傳輸的，並且其中該方法亦包括與該網路實體啟動該註冊過程。
根據請求項1之方法，其中該目標交遞時間亦是基於該UE的UE資訊來決定的，並且其中該UE的UE資訊包括對該UE的一行動性功能的一指示。
一種用於無線通訊的方法，該方法由一使用者設備（UE）執行，該方法包括以下步驟：<br/> 向一非陸地網路（NTN）的一網路實體傳輸該UE的UE資訊，該UE資訊包括該UE的UE能力資訊；及<br/> 從該網路實體接收一無線電資源控制（RRC）配置訊息，其中該RRC配置訊息包括與用於該UE執行從一第一波束到一第二波束的一交遞操作的一目標交遞時間相關聯的一交遞時間指示符，該目標交遞時間是獨立於來自該UE的一量測報告，並且是基於該UE的UE能力資訊以及指示該網路實體的一飛行路徑的一模型來決定的。
一種配置成用於無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 一或多個處理器；及<br/> 一記憶體，其被耦合到該一或多個處理器，<br/> 其中該至少一個處理器被配置為促使該裝置：<br/> 經由一使用者設備（UE）向一非陸地網路（NTN）的一網路實體啟動該UE的UE資訊的傳輸，該UE資訊包括該UE的UE能力資訊；及<br/> 經由該UE從該網路實體接收一交遞命令，該交遞命令包括與用於該UE執行從一第一波束到一第二波束的一交遞操作的一目標交遞時間相關聯的一交遞時間指示符，該目標交遞時間是獨立於來自該UE的一量測報告，並且是基於該UE的UE能力資訊以及指示該網路實體的一飛行路徑的一模型來決定的。
根據請求項17之裝置，其中該量測報告對應於該第二波束，並且其中該網路實體包括一NTN實體。
根據請求項17之裝置，其中該第一波束對應於一第一平臺，並且該第二波束對應於該第一平臺或一第二平臺，並且其中該UE資訊亦包括該UE的行動性資訊。
根據請求項19之裝置，其中該交遞操作包括一衛星內交遞或一衛星間交遞，並且其中該UE的行動性資訊包括對該UE的一位置、該UE的一行動性功能或其一組合的一指示。
根據請求項17之裝置，其中該UE的UE資訊包括UE位置資料、UE行動性資訊或其一組合。
根據請求項17之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為：經由該UE與該網路實體執行該交遞操作。
根據請求項17之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為促使該裝置：經由該UE從該網路實體接收針對該量測報告的一請求。
根據請求項23之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為促使該裝置：經由該UE啟動該量測報告的傳輸，其中該量測報告對應於該第二波束。
根據請求項23之裝置，其中該一或多個處理器亦被配置為促使該裝置：經由該UE量測該第二波束的一下行鏈路信號強度、該第二波束的一下行鏈路信號品質或其一組合；其中該量測報告指示該第二波束的該下行鏈路信號強度、該第二波束的該下行鏈路信號品質或其一組合。
根據請求項17之裝置，其中為了啟動該UE的UE資訊的傳輸，該一或多個處理器亦被配置為促使該裝置：經由該UE向該網路實體傳輸指示該UE的一位置的位置資料。
根據請求項17之裝置，其中該UE的UE資訊包括位置資料，並且其中為了啟動該UE的UE資訊的傳輸，該一或多個處理器被配置為在由該UE與該網路實體啟動的一註冊過程期間啟動該UE的UE資訊的傳輸。
根據請求項17之裝置，其中該量測報告對應於該第二波束。
根據請求項17之裝置，其中該目標交遞時間亦是基於該UE的UE資訊來決定的，並且其中該UE的UE資訊包括對該UE的一行動性功能的一指示。
一種配置成用於無線通訊的裝置，該裝置包括：<br/> 一或多個處理器；及<br/> 一記憶體，其被耦合到該一或多個處理器，<br/> 其中該一或多個處理器被配置為促使該裝置：<br/> 經由一使用者設備（UE）向一非陸地網路（NTN）的一網路實體傳輸該UE的UE資訊，該UE資訊包括該UE的UE能力資訊；及<br/> 經由該UE從該網路實體接收一無線電資源控制（RRC）配置訊息，其中該RRC配置訊息包括與用於該UE執行從一第一波束到一第二波束的一交遞操作的一目標交遞時間相關聯的一交遞時間指示符、該目標交遞時間是獨立於來自該UE的一量測報告，並且是基於該UE的UE能力資訊以及指示該網路實體的一飛行路徑的一模型來決定的。
一種基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，係以表現地衣芽孢桿菌(<i>Bacillus licheniformis</i>)角蛋白酶的大腸桿菌，該大腸桿菌寄存於財團法人食品工業發展研究所，寄存編號為BCRC940698，該大腸桿菌攜帶有pelB-Ker-pET161質體，以前述含有表現地衣芽孢桿菌(<i>Bacillus licheniformis</i>)角蛋白酶的大腸桿菌分解含有角蛋白基質之羽毛材料所產生的羽毛胺基酸胜肽液，該羽毛胺基酸胜肽液包含胜肽與胺基酸，並以濃度2-100ppm的該羽毛胺基酸胜肽液對禾本科或豆科之種子預拌處理，能提高種子出芽率及幼苗生長。
如請求項1所述之基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，該大腸桿菌以3 X10<sup>11</sup>CFU菌量之菌液與含有2-4%(w/w)角蛋白基質之羽毛材料和1 mMIPTG的300 mL M3醱酵培養基混合形成一醱酵液，該醱酵液於37 ℃醱酵作用7天，經此得到一羽毛胺基酸胜肽液。
如請求項1所述之基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述羽毛材料採用雞羽毛、鴨羽毛其一。
如請求項1所述之基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述羽毛胺基酸胜肽液中之胜肽與胺基酸濃度為2、10或50ppm。
如請求項1至4任意一項所述之基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述豆科植物為大豆、豌豆、菜豆、花生、鷹嘴豆、蠶豆、苜蓿、綠豆、黑豆、紅豆、蝶豆、皇帝豆、兒茶、決明、甘草、黃芪、葛、苦參、雞血藤、荷蘭豆、豇豆、花豆、刀豆其中之一。
如請求項1至4任意一項所述之以基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述豆科植物為大豆。
如請求項1至4任意一項所述之基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述禾本科植物為稻米、燕麥、小麥、大麥、黑麥、高粱、小米、甘蔗、玉米、薏仁、香茅、竹子、筊白筍、牧草、高羊茅、剪股穎、早熟禾其中之一。
如請求項1至4任意一項所述之以基因轉殖角蛋白酶分解羽毛產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科或豆科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，所述禾本科植物為玉米。
一種基因轉殖角蛋白酶分解魚鱗產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科植物出芽及幼苗生長之用途，係以表現地衣芽孢桿菌(<i>Bacillus licheniformis</i>)角蛋白酶的大腸桿菌，該大腸桿菌寄存於財團法人食品工業發展研究所，寄存編號為BCRC940698，該大腸桿菌攜帶有pelB-Ker-pET161質體，以前述含有表現地衣芽孢桿菌(<i>Bacillus licheniformis</i>)角蛋白酶的大腸桿菌分解含有膠原蛋白基質之魚鱗材料所產生的魚鱗胺基酸胜肽液，該魚鱗胺基酸胜肽液包含胜肽與胺基酸，並以濃度20-1000ppm的該魚鱗胺基酸胜肽液對禾本科之種子預拌處理，能提高種子出芽率及幼苗生長。
如請求項9所述之基因轉殖角蛋白酶分解魚鱗產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科植物出芽及幼苗生長之用途，其中，該大腸桿菌以1 X10<sup>11</sup>CFU菌量之菌液與含有16.6~16.7 %(w/w)魚鱗材料和1 mMIPTG的100 mL M3醱酵培養基中，以獲得一醱酵液，該醱酵液於37 ℃醱酵作用6天，經此得到一魚鱗胺基酸胜肽液。
如請求項9所述之基因轉殖角蛋白酶分解魚鱗產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科植物出芽及幼苗生長之用途，其中以表現地衣芽孢桿菌(<i>Bacillus licheniformis</i>)角蛋白酶的大腸桿菌分解魚鱗材料產生魚鱗胺基酸胜肽液，該魚鱗胺基酸胜肽液中之胜肽與胺基酸濃度為20、100或500 ppm。
如請求項9至11任意一項所述之基因轉殖角蛋白酶分解魚鱗產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科植物出芽及幼苗生長之用途，其中所述禾本科植物為稻米、燕麥、小麥、大麥、黑麥、高粱、小米、甘蔗、玉米、薏仁、香茅、竹子、筊白筍、牧草、高羊茅、剪股穎或早熟禾其中之一。
如請求項9至11任意一項所述之基因轉殖角蛋白酶分解魚鱗產生之胺基酸胜肽液用於促進禾本科植物出芽及幼苗生長之用途，其中該禾本科植物選用玉米種子。
一種形成半導體裝置的方法，包含：<br/> 在一堆疊的多個奈米結構層的多個外表面上形成一硬遮罩層，該硬遮罩層包括一介電質基底材料和一保護性氧化物表面；<br/> 在該硬遮罩層上形成一虛設閘極，其中相對於該保護性氧化物表面，用於形成該虛設閘極的蝕刻製程是選擇性的；<br/> 形成鄰接該虛設閘極的一閘極側壁間隔物，其中該硬遮罩層的多個受保護的部分設置在介於該閘極側壁間隔物和該堆疊的多個奈米結構層的多個側壁之間；<br/> 移除該虛設閘極；以及<br/> 相對於一第二組的該堆疊的多個奈米結構層，選擇性地移除一第一組的該堆疊的多個奈米結構層，其中多個內部間隔物存在於該第二組的多個奈米結構層中的介於多個奈米結構層之間，並且來自該硬遮罩層的該受保護的部分的至少該介電質基底材料的一部分設置在介於該內部間隔物和該閘極側壁間隔物之間。
如請求項1所述之形成半導體裝置的方法，其中在介於該內部間隔物和該閘極側壁間隔物之間的所述至少該介電質基底材料的該部分保護了多個源極/汲極區域免受用於移除該第一組的該堆疊的多個奈米結構層的一蝕刻劑的影響。
如請求項1所述之形成半導體裝置的方法，其中該介電質基底材料具有一組成分其選擇自由鋁氧化物(AlO<sub>x</sub>)、矽碳化物(SiC)、矽氧碳氮化物(SiO<sub>x</sub>C<sub>y</sub> N<sub>1-x-y</sub>)、矽氮化物(SiN)、矽硼氮化物(SiBN)、矽碳氮化物(SiCN)、矽硼碳氮化物(SiBCN)、及其組合所組成的群組。
如請求項1所述之形成半導體裝置的方法，其中經由一氧化製程在該介電質基底材料上形成該保護性氧化物表面。
一種形成半導體裝置的方法，包含：<br/> 在一堆疊的多個奈米結構層的多個外表面上形成用於一硬遮罩層的一介電質基底材料；<br/> 氧化該介電質基底材料以形成用於該硬遮罩層的一保護性氧化物表面，其中該保護性氧化物表面的厚度與該介電質基底材料的厚度的一比率在30%至70%的範圍內；<br/> 在該硬遮罩層上形成一虛設閘極；<br/> 形成鄰接該虛設閘極的一閘極側壁間隔物，其中該硬遮罩層的多個受保護的部分存在於介在該閘極側壁間隔物和該堆疊的多個奈米結構層的多個側壁之間；<br/> 形成多個源極/汲極區域；以及<br/> 用一功能性閘極堆疊替換該虛設閘極和一第一組的該堆疊的多個奈米結構層，其中來自該硬遮罩層的該些受保護的部分的至少該介電質基底材料的一部分設置在介於多個源極/汲極區域和該功能性閘極堆疊之間。
如請求項5所述之形成半導體裝置的方法，還包含在形成該閘極側壁間隔物之後移除該保護性氧化物表面的多個暴露部分。
如請求項5所述之形成半導體裝置的方法，其中用於氧化該介電質基底材料的一氧化製程選擇自由濕式氧化、乾式氧化、電漿氧化、熱氧化、快速熱氧化、及其組合所組成的群組。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一堆疊的多個奈米結構，其中多個內部間隔物存在於介於相鄰地堆疊的多個奈米結構之間；<br/> 一閘極堆疊，圍繞該堆疊的多個奈米結構堆疊的每個奈米結構；<br/> 多個源極/汲極區域，在該堆疊的多個奈米結構的每個奈米結構的相對的多個側，該些源極/汲極區域鄰接該些內部間隔物；<br/> 一閘極間隔物，鄰接該閘極堆疊的多個側壁；以及<br/> 一硬遮罩層，包括一介電質基底材料，其中該介電質基底材料具有範圍從20埃至45埃的一厚度，該介電質基底材料包括：<br/> 一第一部分，介於該閘極間隔物的一基底表面和該堆疊的多個奈米結構堆疊之間；和<br/> 一第二部分，在一俯視圖中介於該閘極間隔物和該些內部間隔物之間，在該閘極間隔物的該基底表面處的該第一部分的介電質基底材料具有與在介於該內部間隔物和該閘極間隔物的一界面處的該第二部分的該介電質基底材料一相同的組成分。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該介電質基底材料具有一組成分其選擇自由鋁氧化物(AlO<sub>x</sub>)、矽碳化物(SiC)、矽氧碳氮化物(SiO<sub>x</sub>C<sub>y</sub> N<sub>1-x-y</sub>)、矽氮化物(SiN)、矽硼氮化物(SiBN)、矽碳氮化物(SiCN)、矽硼碳氮化物(SiBCN)、及其組合所組成的群組。
如請求項8所述之半導體裝置，其中，該硬遮罩層還包含在介於該介電質基底材料和該閘極間隔物之間的一保護性氧化物表面。
一種偏壓補償電路，用以提供一偏壓訊號至一放大器電路，該偏壓補償電路包含：<br/> 一功率偵測電路，用以偵測該放大器電路的一功率，該功率偵測電路包含：<br/> 一輸入端，接收該放大器電路的一輸入訊號；<br/> 一輸出端，輸出一功率訊號；<br/> 一第一功率分配電路，耦接至該輸入端，用以依據該輸入訊號產生一第一功率分配訊號；<br/> 一第一偵測電路，耦接至該第一功率分配電路，用以依據該第一功率分配訊號產生一第一偵測訊號；<br/> 一第二功率分配電路，耦接至該輸入端或該第一功率分配訊號，用以依據該輸入訊號產生一第二功率分配訊號，該第二功率分配訊號對應之功率範圍高於該第一功率分配訊號對應之功率範圍；<br/> 一第二偵測電路，耦接至該第二功率分配電路，用以依據該第二功率分配訊號產生一第二偵測訊號；及<br/> 一輸出電路，耦接至該第一偵測電路及第二偵測電路，該輸出電路包含<br/> 一第一轉換電路，用以將該第一偵測訊號轉換為一第一功率電流；<br/> 一第二轉換電路，用以將該第二偵測訊號轉換為一第二功率電流；及<br/> 一整合電路，耦接至該第一轉換電路及該第二轉換電路，用以接收該第一功率電流及該第二功率電流，產生該功率訊號；及<br/> 一偏壓電路，耦接至該功率偵測電路的該輸出端，用以接收該功率訊號以調整該偏壓訊號，該偏壓訊號隨每單位功率改變的一變化幅度係依據該功率訊號調整。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第二功率分配電路包含：<br/> 一第一可變電容，包含一第一端，耦接至該第一功率分配電路；及一第二端，耦接至該第二偵測電路；及<br/> 一第二可變電容，包含一第一端，耦接至該第一可變電容的該第二端；及一第二端，耦接至一第一參考電壓端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該第一可變電容 的一第一容值或該第二可變電容的一第二容值進行調整。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第一功率分配電路包含：<br/> 一電阻，包含一第一端，耦接至該輸入端；及一第二端；<br/> 一第三可變電容，包含一第一端，耦接至該電阻的該第二端；及一第二端，耦接至該第一偵測電路；及<br/> 一第四可變電容，包含一第一端，耦接至該第三可變電容的該第二端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該第三可變電容的一第三容值或該第四可變電容的一第四容值進行調整。
如請求項2或3所述之偏壓補償電路，另包含：<br/> 一調整電路，耦接至該放大器電路，用以依據該放大器電路的一輸出訊號調整該第一容值、該第二容值、該第三容值或該第四容值的其中一者來調整該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第一轉換電路包含：<br/> 一第一可變電阻，包含一第一端，耦接至該第一偵測電路；及一第二端；及<br/> 一第一電晶體，包含一控制端，耦接至該第一可變電阻的該第二端；一第一端，耦接至該整合電路；及一第二端，耦接至一第一參考電壓端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該第一可變電阻的一第一阻值進行調整。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第二轉換電路包含：<br/> 一可變電阻，包含一第一端，耦接至該第二偵測電路；及一第二端；及<br/> 一第二電晶體，包含一控制端，耦接至該可變電阻的該第二端；一第一端，耦接至該整合電路；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該可變電阻的一第二阻值進行調整。
如請求項5或6所述之偏壓補償電路，另包含：<br/> 一調整電路，耦接至該放大器電路，用以依據該放大器電路的一輸出訊號調整該第一阻值或該第二阻值來調整該偏壓訊號隨每單位功率改變的變化幅度。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第二轉換電路包含：<br/> 一可變電阻，包含一第一端，耦接至該第二偵測電路；及一第二端；<br/> 一第二電晶體，包含一控制端，耦接至該可變電阻的該第二端；一第一端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端；<br/> 一第四電晶體，包含一控制端，耦接至該可變電阻的該第二端；一第一端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端；及<br/> 一第二開關，包含一第一端，耦接至該整合電路；及一第二端，耦接至該第四電晶體的該第一端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該第二開關的一第二開關狀態進行調整。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該第一轉換電路包含：<br/> 一第一可變電阻，包含一第一端，耦接至該第一偵測電路；及一第二端；<br/> 一第一電晶體，包含一控制端，耦接至該第一可變電阻的該第二端；一第一端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端；<br/> 一第三電晶體，包含一控制端，耦接至該第一可變電阻的該第二端；一第一端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端；及<br/> 一第一開關，包含一第一端，耦接至該整合電路；及一第二端，耦接至該第三電晶體的該第一端，<br/> 其中該偏壓訊號隨每單位功率改變的該變化幅度係依據該第一開關的一第一開關狀態進行調整。
如請求項8或9所述之偏壓補償電路，另包含：<br/> 一調整電路，耦接至該放大器電路，用以依據該放大器電路的一輸出訊號調整該第一開關狀態或該第二開關狀態來調整該偏壓訊號隨每單位功率改變的變化幅度。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該功率偵測電路另包含一相位偏移器(phase shifter)，耦接至該輸出電路，用以調整該功率訊號的一相位。
如請求項11所述之偏壓補償電路，其中該相位偏移器(phase shifter)用以將該功率訊號之相位反相。
如請求項11所述之偏壓補償電路，其中該相位偏移器包含：<br/> 一電阻，包含一第一端，耦接至該整合電路；及一第二端；及<br/> 一電容，包含一第一端，耦接至該電阻的該第二端；及一第二端，耦接至一第一參考電壓端。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該功率偵測電路另包含一振幅控制器(amplitude controller)，耦接至該輸出電路，用以調整該功率訊號的一振幅。
如請求項14所述之偏壓補償電路，其中該振幅控制器包含：<br/> 一電阻，包含一第一端，耦接至一相位偏移器；及一第二端；<br/> 一第一電晶體，包含一控制端，耦接至該電阻的該第二端；一第一端，耦接至該一電晶體的該控制端；及一第二端，耦接至一第一參考電壓端；及<br/> 一第二電晶體，包含一控制端，耦接至該第一電晶體的該控制端；一第一端，耦接至該偏壓電路；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端。
如請求項15所述之偏壓補償電路，其中該振幅控制器另包含：<br/> 一濾波電阻，包含一第一端，耦接至該第一電晶體的該控制端；及一第二端，耦接至該第二電晶體的該控制端；及<br/> 一濾波電容，包含一第一端，耦接至該濾波電阻的該第一端；及一第二端，耦接至該第一參考電壓端。
如請求項1所述之偏壓補償電路，其中該輸入訊號為該放大器電路的一輸入訊號或該放大器電路的一輸出訊號。
一種偏壓補償電路，用以提供一偏壓訊號至一放大器電路，該偏壓補償電路包含：<br/> 一功率偵測電路，用以偵測該放大器電路的一功率，該功率偵測電路包含：<br/> 一輸入端，接收該放大器電路的一輸入訊號；<br/> 一輸出端，輸出一功率訊號；<br/> 一第一功率分配電路，耦接至該輸入端，用以依據該輸入訊號產生一第一功率分配訊號；<br/> 一第一偵測電路，耦接至該第一功率分配電路，用以依據該第一功率分配訊號產生一第一偵測訊號；<br/> 一第二功率分配電路，耦接至該輸入端，用以接收該第一偵測訊號，依據該輸入訊號產生一第二功率分配訊號，該第二功率分配訊號對應之功率範圍高於該第一功率分配訊號對應之功率範圍；<br/> 一第二偵測電路，耦接至該第一功率分配電路，用以依據該第二功率分配訊號產生一第二偵測訊號；及<br/> 一輸出電路，耦接至該第一偵測電路及第二偵測電路，該輸出電路包含：<br/> 一第一轉換電路，用以根據一第一電流倍率將該第一偵測訊號轉換為一第一功率電流；<br/> 一第二轉換電路，用以根據一第二電流倍率將該第二偵測訊號轉換為一第二功率電流；及<br/> 一整合電路，耦接至該第一轉換電路及該第二轉換電路，用以接收該第一功率電流及該第二功率電流，產生該功率訊號； <br/> 一偏壓電路，耦接至該功率偵測電路的該輸出端，用以接收該功率訊號以調整該偏壓訊號；及<br/> 一調整電路，用以調整該第一功率分配電路的阻抗、該第二功率分配電路的阻抗、該第一轉換電路的阻抗、該第二轉換電路的阻抗、該第一轉換電路的該第一電流倍率及該第二轉換電路的該第二電流倍率中至少一者。
如請求項1或18所述之偏壓補償電路，其中該偏壓電路另依據一溫度、一參考電壓、該放大器電路的該輸入訊號的一最高功率、該放大器電路的該輸入訊號的一工作週期、 該放大器電路的該輸入訊號的一調變類型而調整該偏壓訊號。
一種偏壓補償電路，用以提供一偏壓訊號至一放大器電路，該偏壓補償電路包含：<br/> 一功率偵測電路，用以偵測該放大器電路的一功率，其包含：<br/> 一輸入端，接收該放大器電路的一輸入訊號；<br/> 一輸出端，輸出一功率訊號；<br/> 一功率分配電路，耦接至該輸入端，依據該輸入訊號產生一功率分配訊號；及<br/> 一偵測電路，耦接至該功率分配電路，依據該功率分配訊號產生一偵測訊號； <br/> 一偏壓電路，耦接至該功率偵測電路的該輸出端，用以接收與該偵測訊號相關的一功率訊號以調整該偏壓訊號，該偏壓訊號隨每單位功率改變的一變化幅度係依據該功率訊號調整，且該偏壓電路另依據該放大器電路的該輸入訊號的一工作週期或該放大器電路的該輸入訊號的一調變類型中至少一者而調整該偏壓訊號；及<br/> 一調整電路，用以調整功率分配電路的阻抗。
一種停車場控管系統，用於管理一停車場及進出該停車場之至少一車輛，其中該停車場包含有一車輛進出口、複數個一般車位及至少一特殊車位；該停車場控管系統包含有：<br/> 一車位偵測模組，具有複數個車位影像擷取單元、一車位影像分析單元及一剩餘車位顯示單元；該等車位影像擷取單元設於該停車場內，用以擷取該停車場之各該一般車位及各該特殊車位之至少一車位影像；該車位影像分析單元通訊連接於該車位影像擷取單元，用以透過影像辨識技術分析各該車位影像中未停放車輛之車位的數量及種類，據以產生一剩餘車位數據；該剩餘車位顯示單元設於該停車場之該車輛進出口並通訊連接於該車位影像分析單元，用以根據該剩餘車位數據顯示該一般車位及每一種類之該特殊車位之剩餘車位數；<br/> 一擋止模組，具有複數個擋止單元分別以可活動的方式設置於該停車場之每一該特殊車位，並可受驅動而於一擋止位置與一通行位置間移動；在常態下該擋止單元位於該擋止位置，並阻礙該停車場中之任一該車輛進入對應之該特殊車位；當該擋止單元受驅動而移動至該通行位置時，該停車場內之任一該車輛可進入並停放於對應之該特殊車位；以及<br/> 一特殊車輛判斷模組，具有一特殊證明感應單元及一判斷單元；該特殊證明感應單元設於該停車場之該車輛進出口一側，用以感應於該車輛進出口之該車輛之一駕駛所出示之一特殊證明，據以產生一特殊證明資料；該判斷單元用以在接收該特殊證明資料後，上傳至一雲端資料庫進行分析比對，以判斷該車輛是否為特殊車輛；當判斷該車輛為一特殊車輛後，該判斷單元即根據該特殊車輛之種類控制對應種類之該特殊車位中之該擋止單元移動至該通行位置；<br/> 其中該車輛進出口包含有一一般車輛進出口及一特殊車輛進出口；該特殊車輛判斷模組設於該特殊車輛進出口。
如請求項1所述之停車場控管系統，其中該特殊車輛判斷模組更包含有一特殊車牌辨識單元，設於該車輛進出口之通行方向上；該特殊車牌辨識單元用以於該車輛進出口出現任一該車輛時擷取該車輛之一車輛影像，並透過影像辨識技術分析該車輛影像，據以產生一車牌資料。
如請求項2所述之停車場控管系統，其中該判斷單元通訊連接於該特殊車牌辨識單元，用以在接收該特殊車牌辨識單元產生之該車牌資料和/或接收特殊證明感應單元產生之該特殊證明資料後，上傳至該雲端資料庫進行分析比對，以判斷該車輛是否為特殊車輛；當判斷該車輛為一特殊車輛後，該判斷單元即根據該特殊車輛之種類控制對應種類之該特殊車位中之該擋止單元移動至該通行位置。
如請求項1所述之停車場控管系統，其中該特殊車輛判斷模組更具有一柵欄機桿，設於該車輛進出口之通行方向上並通訊連接於該判斷單元，並可受驅動而於一阻止位置與一放行位置間移動；當該判斷單元判斷該車輛非特殊車輛時，即控制該柵欄機桿移動至該阻止位置，並阻礙該車輛進入該停車場；當該判斷單元判斷該車輛為特殊車輛時，即控制該柵欄機桿由該阻止位置移動至該放行位置使該車輛通過。
如請求項1所述之停車場控管系統，其中該擋止模組更具有一控制單元，電性連接於該等擋止單元及該判斷單元，用以根據該判斷單元之指令控制該等擋止單元作動。
如請求項5所述之停車場控管系統，其中該控制單元通訊連接於該車位影像擷取單元及該車位影像分析單元，用以在該判斷單元判斷該車輛為特殊車輛後控制對應該特殊車位之該擋止單元維持該擋止位置；當該車位影像分析單元判斷該車位影像擷取單元對應該特殊車位之該車位影像中出現該車輛時，則該判斷單元控制該控制單元驅動對應該特殊車位之該擋止單元移動至該通行位置。
如請求項1所述之停車場控管系統，其中該特殊車位包含殘障車位、婦幼車位、充電車位之至少一者。
如請求項7所述之停車場控管系統，其中該剩餘車位顯示單元同時顯示該停車場中的一般車位、殘障車位、婦幼車位及充電車位之剩餘車位數。
如請求項1所述之停車場控管系統，其中該特殊證明包含殘障停車證、孕婦停車證、親子停車證之其中一者。
一種模組化電連接器，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一外連接器，設置於該殼體內，該外連接器包括露出於該殼體外之複數個第一端子、一第一絕緣結構、一外殼件，該等第一端子結合於該第一絕緣結構，該外殼件包覆該第一絕緣結構； <br/> 一內連接器，設置於該殼體內之一電路板上，該內連接器包括複數個第二端子以及一第二絕緣結構，該等第二端子結合於該第二絕緣結構；<br/> 一電性連接組件，包括一組件本體以及設置於該組件本體的複數個線路，該等線路具有一第一連接端及一第二連接端分別對應地電性連接該等第一端子及該等第二端子；以及<br/> 一壓蓋件，設置並包覆於該第二連接端上方並可與該內連接器相互定位； <br/> 其中，該電路板相對於該殼體底面係為一第一高度或一第二高度，該第一高度與該第二高度不相同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該電路板的第一高度小於該電路板之第二高度。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該外連接器及該內連接器之垂直高度不同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該電性連接組件之該組件本體形成彎折狀，該第二連接端與該第一連接端形成錯位設置。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該電性連接組件為可撓性電路板。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中該電路板為印刷電路板。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中包括一第二外連接器，該第二外連接器與該外連接器之垂直方向高度相同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中包括一第三外連接器，該第三外連接器及該外連接器之垂直方向高度不同。
如請求項1所述的模組化電連接器，其中包括一第四內連接器，該第四內連接器相對於該內連接器設置於該電路板上，該第四內連接器與該內連接器之垂直方向高度相同。
一種模組化電連接器，包括：<br/> 一殼體；<br/> 一外連接器，設置於該殼體內，該外連接器包括露出於該殼體外之複數個第一端子、一第一絕緣結構、一外殼件，該等第一端子結合於該第一絕緣結構，該外殼件包覆該第一絕緣結構； <br/> 一內連接器，設置於該殼體內之一電路板上，該內連接器包括複數個第二端子以及一第二絕緣結構，該等第二端子結合於該第二絕緣結構；以及<br/> 一電性連接組件，包括一組件本體以及設置於該組件本體的複數個線路，該等線路具有一第一連接端及一第二連接端分別對應地電性連接該等第一端子及該等第二端子；<br/> 其中，該電路板相對於該殼體底面係為一第一高度或一第二高度，該第一高度與該第二高度不相同。
一種電連接器結構，其包括：<br/> 一連接器接頭，其包括有一第一連接端子組及一第二連接端子組，該第一連接端子組其包括有複數支第一連接端子，該第一連接端子其一端設有第一訊號連接端及其另一端設有第一焊接端，該第二連接端子組其包括有複數支第二連接端子，該第二連接端子其一端設有第二訊號連接端及其另一端設有第二焊接端；<br/> 一控制基板，與該連接器接頭電性連接，該控制基板其一端設有一連接器連接區及其另一端設有一訊號線連接區，該控制基板其一表面設有第一焊接面及其另一表面設有第二焊接面，該控制基板於該第一焊接面之該訊號線連接區設有一第一訊號連接組，該控制基板於該第二焊接面之該訊號線連接區設有一第三訊號連接組，該控制基板於該第一焊接面之該連接器連接區分別設有一第二訊號連接組及一第四訊號連接組，由該控制基板之該第二訊號連接組用以與該第一連接端子組之該等第一焊接端電性連接，由該控制基板之該第四訊號連接組用以與該第二連接端子組之該等第二焊接端電性連接；<br/> 該第一訊號連接組其設有第1～11接點，其中該第1、11接點為接地埠、該第2、3、9、10接點為訊號埠、該第4、8接點為電源埠、該第5、6、7接點為USB2.0訊號埠；<br/> 該第三訊號連接組其設有第1～11接點，其中該第1、11接點為接地埠、該第2、3、5、9、10接點為訊號埠、該第4、8接點為電源埠、該第6接點為晶片訊號連接埠、該第7接點為跳線訊號埠；<br/> 該第二訊號連接組其設有第1～12接點，其中該第1、12接點為接地埠、該第2、3、10、11接點為訊號埠、該第4、9接點為電源埠、該第5、6、7接點為USB2.0訊號埠、該第8接點為跳線訊號埠；<br/> 該第四訊號連接組其設有第1～12接點，其中該第1、12接點為接地埠、該第2、3、5、10、11接點為訊號埠、該第4、9接點為電源埠、該第8接點為晶片訊號連接埠；<br/> 該第一訊號連接組與該第二訊號連接組對應電性連接，該第三訊號連接組與該第四訊號連接組對應電性連接。
一種電連接器結構，其包括：<br/> 一連接器接頭，其包括有一第一連接端子組及一第二連接端子組，該第一連接端子組其包括有複數支第一連接端子，該第一連接端子其一端設有第一訊號連接端及其另一端設有第一焊接端，該第二連接端子組其包括有複數支第二連接端子，該第二連接端子其一端設有第二訊號連接端及其另一端設有第二焊接端；<br/> 一控制基板，與該連接器接頭電性連接，該控制基板其一端設有一連接器連接區及其另一端設有一訊號線連接區，該控制基板其一表面設有第一焊接面及其另一表面設有第二焊接面，該控制基板於該第一焊接面之該訊號線連接區設有一第一訊號連接組，該控制基板於該第二焊接面之該訊號線連接區設有一第三訊號連接組，該控制基板於該第一焊接面之該連接器連接區分別設有一第二訊號連接組及一第四訊號連接組，由該控制基板之該第二訊號連接組用以與該第一連接端子組之該等第一焊接端電性連接，由該控制基板之該第四訊號連接組用以與該第二連接端子組之該等第二焊接端電性連接；<br/> 該第一訊號連接組其設有第1～11接點，其中該第1、11接點為接地埠、該第2、3、9、10接點為訊號埠、該第4、8接點為電源埠、該第5、6、7接點為USB2.0訊號埠；<br/> 該第三訊號連接組其設有第1～11接點，其中該第1、11接點為接地埠、該第2、3、5、9、10接點為訊號埠、該第4、8接點為電源埠、該第6接點為晶片訊號連接埠、該第7接點為跳線訊號埠；<br/> 該第二訊號連接組其設有第1～12接點，其中該第1、12接點為接地埠、該第2、3、10、11接點為訊號埠、該第4、9接點為電源埠、該第5、6、7接點為USB2.0訊號埠、該第8接點為跳線訊號埠；<br/> 該第四訊號連接組其設有第1～12接點，其中該第1、12接點為接地埠、該第2、3、5、10、11接點為訊號埠、該第4、9接點為電源埠、該第8接點為晶片訊號連接埠；<br/> 該第一訊號連接組與該第二訊號連接組對應電性連接，該第三訊號連接組與該第四訊號連接組對應電性連接，其中該第一訊號連接組之該第1～7接點與該第二訊號連接組之該第1～7接點電性連接，該第一訊號連接組之該第8～11接點與該第二訊號連接組之該第9～12接點電性連接，該第二訊號連接組之該第8接點與該第三訊號連接組之該第7接點電性連接，該第三訊號連接組之該第1～5接點與該第四訊號連接組之該第1～5接點電性連接，該第三訊號連接組之該第8～11接點與該第四訊號連接組之該第9～12接點電性連接。
如請求項2所述的電連接器結構，其中該第一訊號連接組之該第1、11接點、該第二訊號連接組之該第1、12接點、該第三訊號連接組之該第1、11接點、該第四訊號連接組之該第1、12接點其皆為接地埠並相互電性導通。
如請求項2所述的電連接器結構，其中該第一訊號連接組之該第4、8接點、該第二訊號連接組之該第4、 9接點、該第三訊號連接組之該第4、8接點、該第四訊號連接組之該第4、 9接點其皆為電源埠並相互電性導通。
如請求項1或2所述的電連接器結構，其中該控制基板於該第二焊接面設有一晶片焊接區，該第三訊號連接組之該第6接點與該第四訊號連接組之該第8接點分別電性連接至該晶片焊接區。
如請求項1或2所述的電連接器結構，其中該控制基板於該訊號線連接區其邊緣突出設有至少二凸部，該二凸部其表面分別設有一定位焊接區。
如請求項1或2所述的電連接器結構，其中該控制基板其訊號線連接區之該第一訊號連接組與該第三訊號連接組，係與一預設之訊號傳輸線電性連接。
如請求項1或2所述的電連接器結構，其中該第四訊號連接組之該第1接點～第12接點係為焊接孔並貫穿於該第一焊接面及該第二焊接面。
如請求項1或2所述的電連接器結構，其中該控制基板相對於該連接器連接區的二側分別設有一定位孔，該二定位孔係與該第一訊號連接組之該第1、 11接點、該第二訊號連接組之該第1、12接點、該第三訊號連接組之該第1、11接點、該第四訊號連接組之該第1、12接點相互電性導通。
一種沖床連續模，包含：<br/> 一矩形模座，包含二長邊側緣及二短邊側緣，每一該二長邊側緣平行一長度方向，每一該二短邊側緣平行一寬度方向；<br/> 一沖裁部，設置於該矩形模座並形成一虛擬定位基準線平行該寬度方向，以將該矩形模座分為一連續區及一傳送區；<br/> 二模座定位孔，間隔排列且鄰近於該矩形模座的該二長邊側緣中的一者，且該二模座定位孔分別位於該連續區及該傳送區；<br/> 二模座夾持部，間隔排列於該矩形模座的該二長邊側緣中的另一者，且該二模座定位孔分別位於該連續區及該傳送區，每一該二模座夾持部於該長度方向上的位置與每一該二模座定位孔對應； <br/> 複數工作位置，間隔排列於該矩形模座；以及<br/> 複數零件，該些零件中的任一者可選配地組設於該些工作位置中的一對應者；<br/> 其中，當該沖床連續模放置於一第一沖床設備的一第一工作台時，該虛擬定位基準線對齊該第一工作台的一第一虛擬工作台基準線，該二模座夾持部分別對應該第一工作台上的二第一設置部，該第一沖床設備適用的一第一料帶被傳送至該連續區以進行作業，且該第一料帶具有一第一寬度；當該沖床連續模放置於一第二沖床設備的一第二工作台時，該虛擬定位基準線對齊該第二工作台的一第二虛擬工作台基準線，該二模座夾持部分別對應該第二工作台上的二第二設置部，該第二沖床設備適用的一第二料帶被傳送至該連續區以進行作業，該第二料帶具有一第二寬度，該第二寬度與該第一寬度相異，該第一虛擬工作台基準線與每一該第一設置部於該長度方向上的距離等於該第二虛擬工作台基準線與每一該第二設置部於該長度方向上的距離。
如請求項1所述之沖床連續模，更包含一溝槽，其位於該矩形模座且沿該長度方向延伸，該些工作位置沿該長度方向間隔排列於該溝槽。
如請求項2所述之沖床連續模，更包含：<br/> 一落料孔，貫穿該矩形模座且位於該溝槽並對應該些工作位置中的三者，該落料孔的延伸方向平行該長度方向；以及<br/> 一出料孔，貫穿該矩形模座且位於該溝槽。
如請求項2所述之沖床連續模，更包含複數凹部及複數凸部，該些凹部及該些凸部交錯排列於該溝槽的一側面。
一種沖床系統，包含：<br/> 一如請求項1所述的沖床連續模；<br/> 一傳送機構，對應該矩形模座且用以夾持一工件，並於該傳送區傳送該工件；以及<br/> 一驅動連結機構，用以連接並驅動該傳送機構且包含：<br/> 一連結架，一端連接該傳送機構；<br/> 一轉接架，一端連接於該連結架的另一端；及<br/> 一驅動裝置，連接該轉接架的另一端。
如請求項5所述之沖床系統，其中，該沖床連續模更包含一溝槽，其位於該矩形模座且沿該長度方向延伸，該些工作位置沿該長度方向間隔排列於該溝槽。
如請求項6所述之沖床系統，其中，該沖床連續模更包含：<br/> 一落料孔，貫穿該矩形模座且位於該溝槽並對應該些工作位置中的三者，該落料孔的延伸方向平行該長度方向；以及<br/> 一出料孔，貫穿該矩形模座且位於該溝槽。
如請求項7所述之沖床系統，其中，該沖床連續模更包含複數凹部及複數凸部，該些凹部及該些凸部交錯排列於該溝槽的一側面。
如請求項8所述之沖床系統，其中，該些零件中的一者包含複數穿孔，該些零件中的該一者可拆地設置於該溝槽並卡合於該些凸部中的一者，以使該些穿孔與該落料孔對位。
如請求項5所述之沖床系統，其中，該連結架更包含：<br/> 一上臂，連接於該傳送機構，該上臂至少包含一第一上臂凹槽及一第二上臂凹槽鄰近該轉接架且於該長度方向上間隔排列；以及<br/> 一下臂，與該上臂相對且連接於該傳送機構，該下臂至少包含一第一下臂凹槽及一第二下臂凹槽鄰近該轉接架且於該長度方向上間隔排列；<br/> 其中，該轉接架位於一第一位置時卡合於該第一上臂凹槽及該第一下臂凹槽，該轉接架位於一第二位置時卡合於該第二上臂凹槽及該第二下臂凹槽。
一種電力轉換系統，包含：<br/> 一電力轉換電路，包含串聯的多個功率電路，各該功率電路包含多個功率開關；<br/> 一電流偵測電路，耦接該電力轉換電路，偵測該電力轉換電路的一輸出電流訊號；<br/> 一電流調整電路，耦接該電流偵測電路，根據該輸出電流訊號產生一電流調整訊號；<br/> 一控制電路，耦接該電流調整電路，根據該電流調整訊號產生多個控制訊號；及<br/> 多個訊號產生電路，其中各該訊號產生電路耦接於該控制電路與該些功率電路中之一者之間以根據該些控制訊號中之一者輸出一叢發訊號組至對應的該功率電路以控制其該些功率開關，該叢發訊號組包含多個叢發訊號，各該叢發訊號包括多個叢發區間，且兩相鄰的該些叢發區間之間具有一叢發間隔，各該功率電路於各該叢發區間操作於一工作模式及於各該叢發間隔操作於一休止模式；<br/> 其中，各該控制訊號包含多個控制區間，且兩相鄰的該些控制區間之間具有一控制間隔，對應於同一功率電路的該控制訊號的各該控制區間與該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發區間相互對應，且對應於同一功率電路的該控制訊號的各該控制間隔與該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發間隔相互對應，各該控制區間係由該控制電路將該電流調整訊號之對應的訊號段進行準位平均化後而產生，且各該控制間隔係為該控制電路利用該電流調整訊號之對應的訊號段所產生的一準位訊號。
如請求項1所述之電力轉換系統，其中各該叢發訊號的各該叢發區間中包含多個脈波，該電流調整電路在判斷到該輸出電流訊號符合一電流提升條件時，產生具有一電流提升訊息的該電流調整訊號，該控制電路根據該電流提升訊息，增加該些控制訊號的振幅，且各該訊號產生電路根據經增加振幅的各該控制訊號，增加各該叢發區間的該些脈波的一脈波工作週期，以提升該電力轉換電路的該輸出電流訊號。
如請求項1所述之電力轉換系統，其中各該叢發訊號的各該叢發區間中包含多個脈波，該電流調整電路在判斷到該輸出電流訊號符合一電流降低條件時，產生具有一電流降低訊息的該電流調整訊號，該控制電路根據該電流降低訊息，降低該些控制訊號的振幅，且各該訊號產生電路根據經降低振幅的各該控制訊號，降低各該叢發區間的該些脈波的一脈波工作週期，以降低該電力轉換電路的該輸出電流訊號。
如請求項1所述之電力轉換系統，其中各該訊號產生電路根據一工作轉態角，觸發對應的該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發區間，並根據一休止轉態角，觸發對應的該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發間隔。
如請求項4所述之電力轉換系統，其中各該叢發訊號組係對應不同的該工作轉態角及不同的該休止轉態角。
如請求項4所述之電力轉換系統，其中該休止轉態角與該工作轉態角之間呈一線性關係。
如請求項6所述之電力轉換系統，其中該線性關係的一平移量係為一轉態區分角的倍數。
如請求項4所述之電力轉換系統，其中該工作轉態角與一轉態區分角呈比例關係。
如請求項7或8所述之電力轉換系統，其中該轉態區分角係為一週期總相角與該些功率電路的數量之間的比值。
一種電力轉換方法，包含：<br/> 偵測一電力轉換電路的一輸出電流訊號；<br/> 根據該輸出電流訊號產生一電流調整訊號；<br/> 根據該電流調整訊號產生多個控制訊號；及<br/> 根據該些控制訊號中之一者輸出一叢發訊號組至對應的一功率電路以控制其多個功率開關；<br/> 其中，該叢發訊號組包含多個叢發訊號，各該叢發訊號包括多個叢發區間，且兩相鄰的該些叢發區間之間具有一叢發間隔，該功率電路於各該叢發區間操作於一工作模式及於各該叢發間隔操作於一休止模式；<br/> 其中，各該控制訊號包含多個控制區間，且兩相鄰的該些控制區間之間具有一控制間隔，對應於同一功率電路的該控制訊號的各該控制區間與該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發區間相互對應，且對應於同一功率電路的該控制訊號的各該控制間隔與該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發間隔相互對應，各該控制區間係由將該電流調整訊號之對應的訊號段進行準位平均化後而產生，且各該控制間隔係為利用該電流調整訊號之對應的訊號段所產生的一準位訊號。
如請求項10所述之電力轉換方法，其中各該叢發訊號的各該叢發區間中包含多個脈波，在判斷到該輸出電流訊號符合一電流提升條件時，產生具有一電流提升訊息的該電流調整訊號，根據該電流提升訊息，增加該些控制訊號的振幅，且根據經增加振幅的各該控制訊號，增加各該叢發區間的該些脈波的一脈波工作週期，以提升該電力轉換電路的該輸出電流訊號。
如請求項10所述之電力轉換方法，其中各該叢發訊號的各該叢發區間中包含多個脈波，在判斷到該輸出電流訊號符合一電流降低條件時，產生具有一電流降低訊息的該電流調整訊號，根據該電流降低訊息，降低該些控制訊號的振幅，且根據經降低振幅的各該控制訊號，降低各該叢發區間的該些脈波的一脈波工作週期，以降低該電力轉換電路的該輸出電流訊號。
如請求項10所述之電力轉換方法，其中根據一工作轉態角，觸發該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發區間，並根據一休止轉態角，觸發該叢發訊號組中的各該叢發訊號的各該叢發間隔。
如請求項13所述之電力轉換方法，其中不同的該叢發訊號組係對應不同的該工作轉態角及不同的該休止轉態角。
如請求項13所述之電力轉換方法，其中該休止轉態角與該工作轉態角之間呈一線性關係。
如請求項15所述之電力轉換方法，其中該線性關係的一平移量係為一轉態區分角的倍數。
如請求項13所述之電力轉換方法，其中該工作轉態角與一轉態區分角呈比例關係。
如請求項16或17所述之電力轉換方法，其中該轉態區分角係為一週期總相角與該些功率電路的數量之間的比值。
一種GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑，其為 化合物52 <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="221px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><br/>化合物55 <br/><img align="absmiddle" height="173px" width="307px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><br/>化合物58 <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="213px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><br/>化合物68 <br/><img align="absmiddle" height="189px" width="256px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><br/>化合物77 <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="222px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；或 <br/><br/>化合物101 <br/><img align="absmiddle" height="153px" width="313px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑，其為 化合物52 <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="221px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑，其為 <br/>化合物68 <br/><img align="absmiddle" height="189px" width="256px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑，其為 <br/>化合物77 <br/><img align="absmiddle" height="128px" width="222px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種醫藥組成物，其包含如請求項1至4中任一項所述之GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑，以及一或多種醫藥上可接受之賦形劑。
一種如請求項1至4中任一項所述之GLP-1-/GIP-/澱粉素受體三重促效劑之用途，其係用於製備用於治療患有第2型糖尿病、過重、肥胖、代謝功能障礙相關的脂肪性肝炎(MASH)及/或心血管疾病之個體的藥劑。
一種如請求項5所述之醫藥組成物之用途，其係用於製備用於治療患有第2型糖尿病、過重、肥胖、代謝功能障礙相關的脂肪性肝炎(MASH)及/或心血管疾病之個體的藥劑。
如請求項6所述之用途，其中該個體的初始身體質量指數(BMI)為25或以上。
如請求項7所述之用途，其中該個體的初始身體質量指數(BMI)為25或以上。
一種非揮發性記憶體的控制方法，其特徵在於： <br/>在所輸入的字串的長度為規定的長度以上的情況下，將表示所述所輸入的字串與過去出現的字串的比較結果的資訊作為壓縮資料輸出，在所述所輸入的字串的長度未滿所述規定的長度的情況下，將所述所輸入的字串作為不一致字串輸出， <br/>判定所述所輸出的不一致字串是否與儲存有過去出現的不一致字串的緩衝器內的不一致字串的任一者一致， <br/>在所述所輸出的所述不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致的情況下，將第一資料集作為壓縮資料輸出，所述第一資料集包括表示一致的旗標資訊、及表示儲存有被判定一致的不一致字串的所述緩衝器的條目的索引資訊， <br/>在所述所輸出的所述不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者均不一致的情況下，將所述所輸出的所述不一致字串儲存於所述緩衝器中，將第二資料集作為所述壓縮資料輸出，所述第二資料集包括表示不一致的旗標資訊、及所述所輸出的所述不一致字串， <br/>將基於所述所輸出的所述壓縮資料的資料保存於所述非揮發性記憶體中。
如請求項1所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中 <br/>所述緩衝器將索引自開端的條目至末尾的條目升序分配， <br/>所述非揮發性記憶體的控制方法進而包括： <br/>在所述所輸出的所述不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致的情況下，以使所述被判定一致的所述緩衝器內的不一致字串移動至所述開端的條目，且將與自所述開端的條目至儲存有所述被判定一致的不一致字串的條目的前一個條目的、各條目中所儲存的不一致字串對應的索引逐一下移的方式，更新所述緩衝器。
如請求項2所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中所述非揮發性記憶體的控制方法進而包括： <br/>在所述所輸出的所述不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者均不一致的情況下，將所述所輸出的所述不一致字串儲存於所述緩衝器中， <br/>所述所輸出的所述不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者均不一致的情況下的所述所輸出的所述不一致字串在所述緩衝器中的儲存進而包括： <br/>將儲存於所述緩衝器的各條目中的不一致字串所對應的索引逐一下移，將所述所輸出的所述不一致字串儲存於開端的條目中。
如請求項1所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中 <br/>所述緩衝器儲存規定的字元數的不一致字串， <br/>所述規定的字元數為（所述規定的長度－1）。
如請求項1所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中 <br/>作為所述壓縮資料輸出的所述第二資料集包括所述所輸出的所述不一致字串的字元數， <br/>所述所輸出的所述不一致字串的所述字元數為1至（（所述規定的長度－1））的任一者， <br/>是否與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致的所述判定包括： <br/>根據所述所輸出的所述不一致字串的字元數，決定（所述規定的長度－1）個所述緩衝器中的一個， <br/>所述第一資料集的所述輸出包括： <br/>在所述第一資料集中包括唯一表示（所述規定的長度－1）個所述緩衝器的各者的識別編號。
如請求項1所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中所述非揮發性記憶體的控制方法進而包括： <br/>將所述所輸出的所述不一致字串儲存於所述緩衝器的開端的條目中。
如請求項1所述的非揮發性記憶體的控制方法，其中所述非揮發性記憶體的控制方法進而包括： <br/>分時交替使用多個所述緩衝器，及 <br/>在基於作為所述所輸出的所述不一致字串的第一不一致字串更新多個所述緩衝器中的第一緩衝器的期間，判定作為所述所輸出的所述不一致字串且接續於所述第一不一致字串輸出的第二不一致字串是否與不同於所述多個所述緩衝器中的所述第一緩衝器的第二緩衝器內的不一致字串的任一者一致。
一種壓縮符號化裝置，包括： <br/>詞庫式壓縮電路，在所輸入的字串的長度為規定的長度以上的情況下，將表示所述所輸入的字串與過去出現的字串的比較結果的資訊作為壓縮資料輸出，在所述所輸入的字串的長度未滿所述規定的長度的情況下，將所述所輸入的字串作為不一致字串輸出； <br/>緩衝器，儲存所述不一致字串；及 <br/>一致檢索電路，參照所述緩衝器，判定自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串是否與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致， <br/>所述一致檢索電路在自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致的情況下，將第一資料集作為所述壓縮資料輸出，所述第一資料集包括表示一致的旗標資訊、及表示儲存有被判定一致的不一致字串的所述緩衝器的條目的索引資訊， <br/>所述一致檢索電路在自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者均不一致的情況下，將自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串輸出至所述緩衝器，將第二資料集作為所述壓縮資料輸出，所述第二資料集包括表示不一致的旗標資訊、及自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串， <br/>所述緩衝器儲存自所述一致檢索電路輸出的自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中所述一致檢索電路將所述第一資料集的所述索引資訊輸出至緩衝器， <br/>所述緩衝器將索引自開端的條目至末尾的條目升序分配，且 <br/>使儲存於所述第一資料集的所述索引資訊所對應的條目中的不一致字串移動至所述開端的條目中，並且將所述開端的條目至所述索引資訊所表示的條目的前一個條目的各條目中所儲存的不一致字串所對應的索引逐一下移。
如請求項9所述的壓縮符號化裝置，其中 <br/>所述緩衝器在儲存自所述一致檢索電路輸出的不一致字串的情況下，將與儲存於所述緩衝器的各條目中的不一致字串對應的索引逐一下移，將自所述一致檢索電路輸出的不一致字串儲存於開端的條目中。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中 <br/>所述緩衝器儲存規定的字元數的所述不一致字串， <br/>所述規定的字元數為（所述規定的長度－1）。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中 <br/>自所述一致檢索電路作為所述壓縮資料輸出的所述第二資料集包括自所述詞庫式壓縮電路輸出的所述不一致字串的字元數， <br/>自所述詞庫式壓縮電路輸出的所述不一致字串的所述字元數為1至（（所述規定的長度－1））的任一者， <br/>所述壓縮符號化裝置包括（所述規定的長度－1）個所述緩衝器， <br/>所述一致檢索電路根據自所述詞庫式壓縮電路輸出的所述不一致字串的字元數，決定（所述規定的長度－1）個所述緩衝器中的一個，且 <br/>在所述第一資料集中包括唯一表示（所述規定的長度－1）個所述緩衝器的各者的識別編號。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中所述緩衝器不論自所述一致檢索電路輸出的不一致字串是否與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致，均將自所述一致檢索電路輸出的不一致字串儲存於開端的條目中。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中所述壓縮符號化裝置包括多個所述緩衝器， <br/>所述一致檢索電路分時交替使用多個所述緩衝器，且 <br/>在基於作為自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串的第一不一致字串更新多個所述緩衝器中的第一緩衝器的期間，使用多個所述緩衝器中的第二緩衝器，判定作為自所述詞庫式壓縮電路輸出的不一致字串且接續於所述第一不一致字串輸出的第二不一致字串是否與不同於所述多個所述緩衝器中的所述第一緩衝器的第二緩衝器內的不一致字串的任一者一致。
如請求項14所述的壓縮符號化裝置，其中 <br/>所述第二不一致字串為接續於所述第一不一致字串而自所述詞庫式壓縮電路輸出的所述不一致字串， <br/>所述第一緩衝器的所述更新包括：在自所述詞庫式壓縮電路輸出的所述第一不一致字串之前自所述詞庫式壓縮電路輸出的第二不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者一致的情況下，包括：使儲存於所述第二不一致字串所對應的所述第一資料集的所述索引資訊所對應的條目中的不一致字串移動至開端的條目；及將與所述開端的條目至所述索引資訊所表示的條目的前一個條目的各條目中所儲存的不一致字串對應的索引逐一下移，及 <br/>在所述第二不一致字串與所述緩衝器內的不一致字串的任一者均不一致的情況下，包括：將與儲存於所述緩衝器的各條目中的不一致字串對應的索引逐一下移，將所述第二不一致字串儲存於開端的條目中。
如請求項8所述的壓縮符號化裝置，其中所述資訊包括： <br/>表示保存有所述過去出現的字串的詞庫中的所述字串在所述詞庫內的位置的資訊、及 <br/>表示一致長度的資訊。
一種記憶體系統，包括： <br/>非揮發性記憶體；及 <br/>記憶體控制器，控制所述非揮發性記憶體，且包括如請求項8至13中任一項所述的壓縮符號化裝置， <br/>所述記憶體控制器將所述字串輸入至所述詞庫式壓縮電路，將基於自所述壓縮符號化裝置輸出的所述壓縮資料的資料保存於所述非揮發性記憶體中。
一種壓縮解壓系統，包括： <br/>如請求項8至11中任一項所述的壓縮符號化裝置；及 <br/>解壓裝置，將被所述壓縮符號化裝置壓縮的壓縮資料進行解壓， <br/>所述解壓裝置包括： <br/>詞庫式解壓電路； <br/>字元緩衝器一致不一致判定電路，自所述壓縮資料中獲取所述第一資料集或所述第二資料集；及 <br/>第二緩衝器，儲存所述不一致字串， <br/>所述第二緩衝器係索引自開端的條目至末尾的條目升序分配， <br/>所述第二緩衝器在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第一資料集所包括的所述索引資訊的情況下，將儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且使儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串移動至所述開端的條目，並且將所述開端的條目至所述索引資訊所表示的條目的前一個條目的各條目中所儲存的不一致字串所對應的索引逐一下移， <br/>所述第二緩衝器在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第二資料集所包括的不一致字串的情況下，將所述不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且將與儲存於所述第二緩衝器的各條目中的不一致字串對應的索引逐一下移，將自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出的不一致字串儲存於開端的條目中。
一種壓縮解壓系統，包括： <br/>如請求項12所述的壓縮符號化裝置；及 <br/>解壓裝置，將被所述壓縮符號化裝置壓縮的壓縮資料進行解壓， <br/>所述解壓裝置包括： <br/>詞庫式解壓電路； <br/>字元緩衝器一致不一致判定電路，自所述壓縮資料中獲取所述第一資料集或所述第二資料集；及 <br/>（所述規定的長度－1）個第二緩衝器，儲存所述不一致字串， <br/>（所述規定的長度－1）個第二緩衝器分別被分配唯一表示的識別編號，且 <br/>索引自開端的條目至末尾的條目升序分配，且 <br/>在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第一資料集所包括的所述識別編號及所述索引資訊的情況下，判定所述識別編號是否表示自身，在表示自身的情況下，將儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且使儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串移動至所述開端的條目，並且將所述開端的條目至所述索引資訊所表示的條目的前一個條目的各條目中所儲存的不一致字串所對應的索引逐一下移，且 <br/>在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第二資料集所包括的所述不一致字串的字元數及所述不一致字串的情況下，基於所述不一致字串的字元數，判定自身是否應儲存所述不一致字串，在應儲存的情況下，將所述不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且將儲存於各條目中的不一致字串所對應的索引逐一下移，將所述不一致字串儲存於開端的條目中。
一種壓縮解壓系統，包括： <br/>如請求項13所述的壓縮符號化裝置；及 <br/>解壓裝置，將被所述壓縮符號化裝置壓縮的壓縮資料進行解壓， <br/>所述解壓裝置包括： <br/>詞庫式解壓電路； <br/>字元緩衝器一致不一致判定電路，自所述壓縮資料中獲取所述第一資料集或所述第二資料集；及 <br/>第二緩衝器，儲存所述不一致字串， <br/>所述第二緩衝器係索引自開端的條目至末尾的條目升序分配， <br/>所述第二緩衝器在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第一資料集所包括的所述索引資訊的情況下，將儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且將儲存於所述索引資訊所表示的條目中的不一致字串儲存於所述開端的條目中，並且將儲存於所述第二緩衝器的各條目中的不一致字串所對應的索引逐一下移， <br/>所述第二緩衝器在自所述字元緩衝器一致不一致判定電路輸出有所述第二資料集所包括的不一致字串的情況下，將所述不一致字串作為解壓對象字串輸出至所述詞庫式解壓電路，且將與儲存於所述第二緩衝器的各條目中的不一致字串對應的索引逐一下移，將所述不一致字串儲存於開端的條目中。
一種壓縮解壓系統，包括： <br/>如請求項14所述的壓縮符號化裝置；及 <br/>解壓裝置，將被所述壓縮符號化裝置壓縮的壓縮資料進行解壓， <br/>所述解壓裝置包括： <br/>詞庫式解壓電路； <br/>字元緩衝器一致不一致判定電路，自所述壓縮資料中獲取所述第一資料集或所述第二資料集；及 <br/>多個第二緩衝器，儲存所述不一致字串， <br/>所述字元緩衝器一致不一致判定電路分時交替使用多個所述第二緩衝器，且 <br/>在基於在第一時間點獲取的所述第一資料集或所述第二資料集更新多個所述緩衝器中的第一緩衝器的期間，對多個所述緩衝器中的第二緩衝器輸出在所述第一時間點之後的第二時間點獲取的所述第一資料集所包括的所述索引資訊、或所述第二資料集所包括的所述不一致字串。
一種參考電流產生電路，包括：一電流產生器，輸出一正常參考電流；一測試參考電流產生電路，包括：一運算放大器，被配置以接收一第一電位與一第二電位，且產生一測試參考電流控制訊號；及一第一電晶體，被配置以受控於該測試參考電流控制訊號而根據該第一電位產生一測試參考電流；及一切換電路，耦接至該電流產生器、該測試參考電流產生電路及一輸出節點，且被配置以根據一模式控制訊號來決定在該輸出節點輸出該正常參考電流或該測試參考電流；其中該運算放大器被配置以根據該模式控制訊號來決定是否被啟用。
如請求項1所述之參考電流產生電路，其中該運算放大器之一第一輸入端係經由一第一節點接收該第一電位，該運算放大器之一第二輸入端係接收該第二電位，而該運算放大器之一輸出端係耦接至一第二節點，且該第一電晶體之一控制端係耦接至該第二節點，而該第一電晶體之一第一端係耦接至該第一節點。
如請求項2所述之參考電流產生電路，其中該電流產生器耦接至一第三節點，且該切換電路包括：一第一切換器，設置於該第二節點和該輸出節點之間，且受控於該模式控制訊號；及一第二切換器，設置於該第三節點和該輸出節點之間，且受控於該模式控制訊號，其中，當該模式控制訊號指示為一測試模式時，該第一切換器導通且該第二切換器斷開，當該模式控制訊號指示為一正常操作模式時，該第一切換器斷開且該第二切換器導通。
如請求項2所述之參考電流產生電路，更包括：一電阻器，耦接至該第一節點，其中該電阻器被配置以接收一第三電位以產生該第一電位，且該第三電位大於該第二電位。
如請求項1所述之參考電流產生電路，其中該第二電位係為能隙電壓參考源。
如請求項1所述之參考電流產生電路，其中該第一電位係等於該第二電位。
如請求項3所述之參考電流產生電路，其中該模式控制訊號包括一第一控制訊號與一第二控制訊號，該第一切換器接收該第一控制訊號，該第二切換器接收該第二控制訊號，且該第一控制訊號和該第二控制訊號具有互補之邏輯位準。
一種半導體裝置，包括：一電阻器；一第一接墊，耦接至該電阻器且提供一第一電位；一第二接墊，提供一第二電位；及一參考電流產生電路，包括：一電流產生器，輸出一參考電流；一測試參考電流產生電路，包括：一運算放大器，被配置以接收一第一電位與一第二電位，且產生一測試參考電流控制訊號；一第一電晶體，被配置以受控於該測試參考電流控制訊號而根據該第一電位產生一測試參考電流；及一切換電路，耦接至該電流產生器、該測試參考電流產生電路及一輸出節點，且被配置以根據一模式控制訊號來決定在該輸出節點輸出一正常參考電流或該測試參考電流。
如請求項8所述之半導體裝置，更包括：一延遲電路；以及一第二電晶體，其中該第二電晶體之一控制端係耦接至該輸出節點，而該第二電晶體之一第一端係耦接至該延遲電路。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該運算放大器、該第一電晶體、該切換電路，以及該電流產生器位於一晶片內，且該電阻器、該第一接墊與該第二接墊位於該晶片外。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該運算放大器被配置以根據該模式控制訊號來決定是否被啟用。
如請求項8所述之半導體裝置，其中該運算放大器之一第一輸入端係經由一第一節點接收該第一電位，該運算放大器之一第二輸入端係接收該第二電位，而該運算放大器之一輸出端係耦接至一第二節點，且該第一電晶體之一控制端係耦接至該第二節點，而該第一電晶體之一第一端係耦接至該第一節點。
如請求項12所述之半導體裝置，其中該電流產生器至一第三節點，且該切換電路包括：一第一切換器，設置於該第二節點和該輸出節點之間，且受控於該模式控制訊號；及一第二切換器，設置於該第三節點和該輸出節點之間，且受控於該模式控制訊號，其中，當該模式控制訊號指示為一測試模式時，該第一切換器導通且該第二切換器斷開，當該模式控制訊號指示為一正常操作模式時，該第一切換器斷開且該第二切換器導通。
如請求項13所述之半導體裝置，其中該模式控制訊號包括一第一控制訊號與一第二控制訊號，該第一切換器接收該第一控制訊號，該第二切換器接收該第二控制訊號，且該第一控制訊號和該第二控制訊號具有互補之邏輯位準。
一種半導體裝置的控制方法，包括：藉由一切換電路根據一模式控制訊號來決定在一參考電流產生電路的一輸出節點輸出一正常參考電流或一測試參考電流；當決定輸出該正常參考電流，經由將該參考電流產生電路的一電流產生器連接至該輸出節點來輸出該正常參考電流；當決定輸出該測試參考電流，執行以下步驟：經由該參考電流產生電路的一運算放大器接收一第一電位與一第二電位，且產生一測試參考電流控制訊號；及經由受控於該測試參考電流控制訊號的一第一電晶體根據該第一電位產生該測試參考電流。
如請求項15所述之半導體裝置的控制方法，更包括：根據該模式控制訊號來決定是否啟用該運算放大器。
如請求項15所述之半導體裝置的控制方法，其中，當該模式控制訊號指示為一測試模式時，在該輸出節點輸出該測試參考電流，且當該模式控制訊號指示為一正常操作模式時，在該輸出節點輸出該正常參考電流。
如請求項15所述之半導體裝置的控制方法，更包括：經由耦接至一電阻器的一第一接墊提供該第一電位；經由一第二接墊提供該第二電位；及複製該輸出節點所輸出的該正常參考電流或該測試參考電流，並將所複製的該正常參考電流或該測試參考電流提供至一延遲電路。
一種半導體裝置，在同一晶片內具有絕緣閘雙極電晶體區域以及二極體區域，所述半導體裝置的特徵在於， <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域包括：漂移層； <br/>多個第一溝槽，形成於所述漂移層內；以及 <br/>側牆結構的閘極電極，設置於所述第一溝槽內， <br/>所述二極體區域包括：所述漂移層； <br/>多個第二溝槽，形成於所述漂移層內；以及 <br/>在所述第二溝槽內埋入有導電構件的結構， <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域具有：射極層，形成於所述漂移層上；以及 <br/>射極觸點，將所述射極層與所述絕緣閘雙極電晶體區域的射極電極連接， <br/>所述二極體區域具有：陽極層，形成於所述漂移層上；以及 <br/>陽極觸點，將所述陽極層與所述二極體區域的陽極電極連接， <br/>所述陽極觸點的深度比所述射極觸點淺。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述二極體區域包括第一部分、以及與所述第一部分不同的第二部分， <br/>所述第一部分具有在所述第二溝槽內埋入有所述導電構件的溝槽閘極電極， <br/>所述第二部分具有：多個第三溝槽，形成於所述漂移層內、寬度比所述第二溝槽寬並且配置成條紋狀；以及 <br/>一對側牆結構的閘極電極，沿著所述第三溝槽的側壁而形成， <br/>所述一對側牆結構的閘極電極與所述溝槽閘極電極連接。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述二極體區域具有形成於所述漂移層上、且由所述多個第二溝槽夾持的陽極層，並且具有所述多個第二溝槽的間隔寬的區域以及窄的區域， <br/>所述第二溝槽的間隔窄的區域的陽極層相對於所述第二溝槽的間隔寬的區域的陽極層而言為高濃度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>埋入至所述第二溝槽內的導電構件與所述二極體區域的陰極電極連接。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述陽極觸點及所述射極觸點形成得比矽基板的上表面深。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域的所述閘極電極隔著第一絕緣膜設置於所述第一溝槽內， <br/>所述二極體區域的所述導電構件隔著第二絕緣膜埋入至所述第二溝槽內， <br/>所述第二絕緣膜比所述第一絕緣膜厚。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述二極體區域具有形成於所述漂移層上的p型層， <br/>所述第二溝槽的至少底部的角部由所述p型層覆蓋。
如請求項2所述的半導體裝置，其中 <br/>所述二極體區域具有形成於所述漂移層上的p型層， <br/>所述第三溝槽的至少底部的角部由所述p型層覆蓋。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述半導體裝置的俯視時，所述二極體區域由所述絕緣閘雙極電晶體區域包圍地配置。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>所述絕緣閘雙極電晶體區域具有形成於所述漂移層上的p基極層， <br/>所述二極體區域具有形成於所述漂移層上的陽極層， <br/>所述陽極層相較於所述p基極層而言為低濃度。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述絕緣閘雙極電晶體區域的射極電極及所述二極體區域的陽極電極連接有接合線。
如請求項1所述的半導體裝置，其中 <br/>在所述絕緣閘雙極電晶體區域的射極電極及所述二極體區域的陽極電極連接有接合材料及引線框架。
一種電力轉換裝置，具有：一對直流端子； <br/>交流端子，與交流輸出的相數為相同數量； <br/>開關接腳，連接於所述一對直流端子間，串聯連接有兩個開關元件及反極性的二極體的並聯電路，且所述開關接腳與所述交流輸出的相數為相同數量；以及 <br/>閘極電路，對所述開關元件進行控制，所述電力轉換裝置的特徵在於： <br/>所述開關元件為如請求項1至12中任一項所述的半導體裝置。
一種回授電路，用於一升降壓轉換器（buck-boost converter），該升降壓轉換器具有一輸入電壓及一輸出電壓，該回授電路包含有：<br/> 一誤差放大器，用來根據該輸出電壓來產生一誤差電壓；<br/> 一斜坡產生器，用來產生一斜坡電壓；<br/> 一第一比較器，耦接於該誤差放大器及該斜坡產生器，用來比較該誤差電壓與該斜坡電壓，以產生一控制訊號；以及<br/> 一數位控制電路，耦接於該第一比較器，用來根據該控制訊號及一參考責任週期訊號來產生複數個開關訊號；<br/> 其中，該誤差電壓僅和該斜坡電壓比較，而未和另一斜坡電壓比較。
如請求項1所述之回授電路，其中該數位控制電路包含有：<br/> 一第二比較器，耦接於該斜坡產生器，用來比較該斜坡電壓與一參考電壓，以產生該參考責任週期訊號。
如請求項2所述之回授電路，其中該參考電壓實質上等於該斜坡電壓之一峰值振幅的一半。
如請求項2所述之回授電路，其中當該誤差電壓小於該參考電壓時，該升降壓轉換器操作在一降壓模式，而當該誤差電壓大於該參考電壓時，該升降壓轉換器操作在一升壓模式。
如請求項1所述之回授電路，其中該參考責任週期訊號為一週期脈衝訊號，該週期脈衝訊號之一責任週期實質上等於50%。
如請求項1所述之回授電路，其中該複數個開關訊號係根據該參考責任週期訊號進行切換。
如請求項1所述之回授電路，其中該數位控制電路包含有：<br/> 一邏輯電路，用來對該控制訊號及該參考責任週期訊號進行一邏輯運算，以產生該複數個開關訊號當中至少一者。
如請求項1所述之回授電路，其中該升降壓轉換器包含有分別受控於該複數個開關訊號之複數個開關器，其中，該複數個開關器包含有一第一開關器、一第二開關器、一第三開關器及一第四開關器；<br/> 其中，當該升降壓轉換器操作在一降壓模式時，在一第一相位中，該第一開關器開啟，該第二開關器、該第三開關器及該第四開關器關閉，而在一第二相位中，該第四開關器開啟，該第一開關器、該第二開關器及該第三開關器關閉。
如請求項1所述之回授電路，其中該升降壓轉換器包含有分別受控於該複數個開關訊號之複數個開關器，其中，該複數個開關器包含有一第一開關器、一第二開關器、一第三開關器及一第四開關器；<br/> 其中，當該升降壓轉換器操作在一升壓模式時，在一第一相位中，該第二開關器開啟，該第一開關器、該第三開關器及該第四開關器關閉，而在一第二相位中，該第一開關器及該第三開關器開啟，該第二開關器及該第四開關器關閉。
一種升降壓轉換器（buck-boost converter），包含有：<br/> 一功率級，用來接收一輸入電壓，以產生一輸出電壓；以及<br/> 一回授電路，耦接於該功率級，該回授電路包含有：<br/> 一誤差放大器，用來根據該輸出電壓來產生一誤差電壓；<br/> 一斜坡產生器，用來產生一斜坡電壓；<br/> 一第一比較器，耦接於該誤差放大器及該斜坡產生器，用來比較該誤差電壓與該斜坡電壓，以產生一控制訊號；以及<br/> 一數位控制電路，耦接於該第一比較器，用來根據該控制訊號及一參考責任週期訊號來產生複數個開關訊號；<br/> 其中，該誤差電壓僅和該斜坡電壓比較，而未和另一斜坡電壓比較。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該數位控制電路包含有：<br/> 一第二比較器，耦接於該斜坡產生器，用來比較該斜坡電壓與一參考電壓，以產生該參考責任週期訊號。
如請求項11所述之升降壓轉換器，其中該參考電壓實質上等於該斜坡電壓之一峰值振幅的一半。
如請求項11所述之升降壓轉換器，其中當該誤差電壓小於該參考電壓時，該升降壓轉換器操作在一降壓模式，而當該誤差電壓大於該參考電壓時，該升降壓轉換器操作在一升壓模式。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該參考責任週期訊號為一週期脈衝訊號，該週期脈衝訊號之一責任週期實質上等於50%。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該複數個開關訊號係根據該參考責任週期訊號進行切換。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該數位控制電路包含有：<br/> 一邏輯電路，用來對該控制訊號及該參考責任週期訊號進行一邏輯運算，以產生該複數個開關訊號當中至少一者。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該功率級包含有分別受控於該複數個開關訊號之複數個開關器，其中，該複數個開關器包含有一第一開關器、一第二開關器、一第三開關器及一第四開關器；<br/> 其中，當該升降壓轉換器操作在一降壓模式時，在一第一相位中，該第一開關器開啟，該第二開關器、該第三開關器及該第四開關器關閉，而在一第二相位中，該第四開關器開啟，該第一開關器、該第二開關器及該第三開關器關閉。
如請求項10所述之升降壓轉換器，其中該功率級包含有分別受控於該複數個開關訊號之複數個開關器，其中，該複數個開關器包含有一第一開關器、一第二開關器、一第三開關器及一第四開關器；<br/> 其中，當該升降壓轉換器操作在一升壓模式時，在一第一相位中，該第二開關器開啟，該第一開關器、該第三開關器及該第四開關器關閉，而在一第二相位中，該第一開關器及該第三開關器開啟，該第二開關器及該第四開關器關閉。
一種類比數位轉換電路的測試裝置，該類比數位轉換電路進行一類比數位轉換測試以將一類比斜坡電壓轉換為一數位輸出信號，該測試裝置包括： <br/>一控制器，用以產生一控制信號； <br/>一記憶體，分別耦接該控制器及該類比數位轉換電路，用以根據該控制信號接收並儲存該數位輸出信號； <br/>一類比數位轉換遺失碼檢查單元，分別耦接該控制器及該記憶體，用以根據該控制信號檢查該數位輸出信號是否有至少一遺失碼數值並產生一檢查結果；以及 <br/>一類比斜坡電壓產生電路控制器，分別耦接該控制器及該類比數位轉換遺失碼檢查單元，用以根據該控制信號及該檢查結果產生一斜坡電壓控制信號及一斜坡斜率控制信號； <br/>其中，當該檢查結果為ADC測試失敗時，該類比斜坡電壓產生電路控制器根據該至少一遺失碼數值計算該類比斜坡電壓需輸入的一起始電壓及一結束電壓以產生該斜坡電壓控制信號及該斜坡斜率控制信號並僅針對該至少一遺失碼數值有出現的至少一數值區域進行重新測試。
如請求項1所述的測試裝置，其中該類比斜坡電壓係由一類比斜坡電壓產生電路產生給該類比數位轉換電路，該類比斜坡電壓產生電路分別耦接該類比數位轉換電路及該類比斜坡電壓產生電路控制器，用以根據該斜坡電壓控制信號及該斜坡斜率控制信號產生該類比斜坡電壓。
如請求項1所述的測試裝置，其中該測試裝置為數位內建自測試(BIST)電路且該控制器為BIST控制器。
如請求項1所述的測試裝置，其中該測試裝置係設置在探針卡上。
如請求項1所述的測試裝置，還包括： <br/>一暫存器，耦接該類比數位轉換遺失碼檢查單元，用以暫存該檢查結果並根據該檢查結果發出ADC測試通過/失敗的訊息。
一種類比數位轉換電路的測試方法，包括下列步驟： <br/>(a) 當該類比數位轉換電路進行一類比數位轉換測試以將一類比斜坡電壓轉換為一數位輸出信號時，檢查該數位輸出信號； <br/>(b) 若步驟(a)的檢查結果為失敗，判斷是否已進行重新測試； <br/>(c) 若步驟(b)的判斷結果為否，讀取至少一遺失碼數值並計算該類比斜坡電壓需輸入的一起始電壓及一結束電壓；以及 <br/>(d) 僅針對該至少一遺失碼數值有出現的至少一數值區域進行重新測試。
如請求項6所述的測試方法，其中若步驟(a)的檢查結果為通過，判定該類比數位轉換電路已通過該類比數位轉換測試。
如請求項6所述的測試方法，其中若步驟(b)的判斷結果為是，判定該類比數位轉換電路進行該類比數位轉換測試失敗。
如請求項6所述的測試方法，還包括下列步驟： <br/>(e) 判斷是否該至少一遺失碼數值有出現的所有數值區域均已完成重新測試。
如請求項9所述的測試方法，其中若步驟(e)的判斷結果為是，則重新執行步驟(a)；若步驟(e)的判斷結果為否，則重新執行步驟(d)。
一種磨床主軸改良結構，其包含： <br/> 一外殼，該外殼上設有一供電接口； <br/> 一心軸，其能轉動地設於該外殼內，且包含相對的一第一端及一第二端； <br/> 一砂輪組，其設於該心軸的第二端且能受該心軸帶動而相對該外殼轉動； <br/> 一無線供電組件，其設於該心軸的第一端與該供電接口之間，且包含 <br/> 一電磁轉換件，其固定於該外殼，且與該供電接口電性連接，該電磁轉換件能藉由該供電接口通電而產生一磁場；以及 <br/><b> 一</b>磁電轉換件，其設於該電磁轉換件與該心軸之間、與該心軸同步轉動，且能隨著該電磁轉換件產生之磁場的變化而產生一感應電壓；以及 <br/> 一振動組件，其設於該心軸的第二端，且包含 <br/> 至少一致動件，所述致動件連接該砂輪組，且與所述磁電轉換件電性連接，所述致動件採壓電材料所製成，從而能受所述感應電壓驅動而沿著該心軸的軸方向伸縮變形，從而帶動該砂輪組振動； <br/> 其中，該致動件設於該心軸的內部，該無線供電組件包含一電路設置座，該電路設置座包含一座體及兩導電件，該座體固定於該心軸，且設有相間隔的兩電路通道，所述電路通道連通該心軸的內部，該兩導電件分別設於該兩電路通道內，且電性連接於該磁電轉換件及所述致動件之間。
如請求項1所述之磨床主軸改良結構，其中所述振動組件包含複數個所述致動件，該複數個致動件沿著心軸的軸方向堆疊設置。
如請求項2所述之磨床主軸改良結構，其中所述振動組件包含一限位蓋，該限位蓋通過螺栓與該砂輪組結合，並將該複數個致動件限位於該限位蓋與該砂輪組之間。
如請求項1所述之磨床主軸改良結構，其中所述外殼設有一襯套及一前蓋，該前蓋固定於該襯套，且設有一環形槽，該砂輪組設有一環形插部，該環形插部插入該環形槽內，該砂輪組受該心軸帶動時，該砂輪組的環形插部於該前蓋的環形槽內轉動。
如請求項1至4中任一項所述之磨床主軸改良結構，其中各所述導電件係為一金屬構件。
如請求項1至4中任一項所述之磨床主軸改良結構，其中所述無線供電組件包含有一固定座，該固定座固定於該電路設置座，該磁電轉換件套設於該固定座上，該固定座設有兩通孔，各該通孔與該磁電轉換件的內部及對應的其中一所述電路通道相通。
如請求項6所述之磨床主軸改良結構，其中所述電路設置座的座體貫設有兩定位孔，各該定位孔貫穿通過對應的其中一所述電路通道，該電路設置座包含兩定位銷，各該導電件套置於對應的其中一所述定位銷，各該定位銷採導電材質所製成，且結合於對應的其中一所述定位孔、伸入對應的其中一所述通孔，並電性連接於該磁電轉換件及對應的所述導電件之間。
如請求項1至4中任一項所述之磨床主軸改良結構，其中所述外殼設有一襯套及一後蓋，該後蓋固定於該襯套的一端，且凹設有一圓槽，該電磁轉換件容設於該圓槽內。
如請求項8所述之磨床主軸改良結構，其中所述後蓋包含有一外蓋殼及一維修座，該外蓋殼的內部形成有設置所述無線供電組件的空間，且該外蓋殼設有連通其內部的一開口，該維修座通過螺栓固定於該外蓋殼，且遮蓋該外蓋殼的開口，該圓槽及該供電接口設於該維修座上。
一種具有多腔構造的機殼之製造方法，其步驟包含： <br/>製備至少二個內模具，各該內模具為一兩相材料，包含具有一指引構造的一成形部，其中該指引構造包含一凹陷區域形成於該成形部上，以及對應該凹陷區域的一包埋指引構造； <br/>依據該包埋指引構造分別於各該內模具的該成形部外包覆一碳纖維材料，形成至少二個纖維包覆材，至少二個纖維包覆材包含對應該凹陷區域所形成的一凹陷結構，以及一組合部，其中，該組合部為未披覆該碳纖維材料該內模具的其中一區域，或是該組合部透過該指引構造形成於已披覆該碳纖維材料的該成形部； <br/>至少二個該纖維包覆材以該組合部相互組合形成一纖維組合材，其中，至少二個纖維包覆材的該凹陷結構相互連通； <br/>依據該包埋指引構造設置一內埋物於連通的至少二個該凹陷結構，其中，該內埋物為一中空管材； <br/>對該纖維組合材施加一成形溫度與一成形壓力；以及 <br/>提供至少一個變相條件使各該內模具於兩種相之間轉變，並移除各該內模具。
如請求項1所述之製造方法，其中，設置該內埋物後，再披覆該碳纖維材料於該纖維組合材以及該內埋物外周圍。
如請求項2所述之製造方法，其中，該凹陷區域形成於該成形部上至少二個側面之間的一連接處。
如請求項3所述之製造方法，其中，該指引構造包含設置於該成形部之一非包覆構造，該碳纖維材料披覆時圍繞非包覆構造周圍，將其中一個該纖維包覆材之該非包覆構造去除形成一開口，將該開口以及另一個該非包覆構造做為該組合部將二個該纖維包覆材串接結合。
如請求項4所述之製造方法，該非包覆構造為該碳纖維材料製成。
如請求項3所述之製造方法，各該內模具為矩形體，且其該成形部界定於各該內模具的四個側面以及其中一個底面，形成該纖維組合材時，各該內模具的另外一底面朝同一方向設置。
如請求項1至6任一項所提供之製造方法，其中，該指引構造包含一纖維種類指引構造、一纖維走向指引構造或一纖維披覆層數指引構造。
如請求項7所述之製造方法，至少二個該內模具的該變相條件不同。
如請求項8所述之製造方法，對該纖維組合材施加一成形溫度與一成形壓力時，提供一膨脹條件使其中一個該內模具膨脹，其中，該膨脹條件與該變相條件不同。
如請求項9所述之製造方法，其中一個該內模具的至少一部份包含一吸水沙包，該膨脹條件為提供一水分，以及該變相條件使該內模具由固體相變化為液體相。
如請求項9所述之製造方法，其中一個該內模具的該成形部外周圍包覆有一包覆帶，該成形部以及該包覆帶外披覆該碳纖維材料，形成該纖維組合材後，將一氣體填充至該內模具以及該包覆帶之間，以提供該纖維組合材該成形壓力。
如請求項8所述之製造方法，該變相條件使其中一個該內模具由固體相變化為液體相。
一種具多腔構造的機殼，由請求項2至12任一項所提供之製造方法所製成，為包含由複數個殼壁圍繞所界定出的至少二個空間，以及埋設於至少一個該殼壁內的一中空管材，該中空管材之兩端於至少一個該殼壁上開設有二個開孔，用於導入一冷卻流體。
如請求項13所述之具多腔構造的機殼，至少二個空間不相互連通。
一種光學膜，其於塑膠膜上具有低折射率層， <br/>該塑膠膜為於波長550nm之面內相位差在2500nm以下之雙軸延伸塑膠膜， <br/>該低折射率層位於該光學膜之最表面， <br/>且該光學膜具有ΔEab之最大值與最小值的差未達17.0之區域； <br/>此處，對積層體1實施測定1，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；對積層體2實施測定2，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；基於測定1與測定2之結果，藉由條件1算出ΔEab； <br/>＜測定1＞ <br/>製作於面光源上依序積層偏光子及該光學膜而成之積層體1；於該積層體1中，該光學膜配置成該低折射率層側之面朝向與該偏光子為相反側；又，該偏光子配置成偏光子之吸收軸與該面光源之左右方向或上下方向形成的角度為±5度以內；並且配置成該偏光子之吸收軸與該光學膜之該雙軸延伸塑膠膜之慢軸形成的角度為90度±5度以內； <br/>使該積層體1之面光源進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體1之該低折射率層側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；透射光之測定區域設為面內任意之1mm<sup>2</sup>以上且10mm<sup>2</sup>以下的區域； <br/>＜測定2＞ <br/>製作於與該測定1相同之面光源上積層偏光子而成的積層體2；又，將與該面光源相對之該偏光子的吸收軸方向配置成與該測定1相同之方向； <br/>使該積層體2之面光源進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體2之該偏光子側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；使透射光之測定區域於面內與測定1大致一致； <br/>＜條件1＞ <br/>於全部仰角及全部方位角，算出從測定1之L＊值減去測定2之L＊值而得的ΔL＊；對ΔL＊之最大值至最小值以規定之階度進行灰階化，以灰階表示於以同心圓表示仰角且以縱橫表示方位角的2維座標； <br/>確認2維座標內存在兩處ΔL＊分布成同心圓狀之區域、及該兩處區域位於2維座標之大致對稱位置； <br/>關於位於ΔL＊分布成同心圓狀之區域中心的仰角，將其中一仰角設為α度，將另一仰角設為β度； <br/>從仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定1之L＊值、a＊值及b＊值與仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定2之L＊值、a＊值及b＊值的差值，算出於各方位角之ΔEab。
如請求項1之光學膜，其中，該塑膠膜為於波長550nm之面內相位差相對於在波長550nm之厚度方向之相位差在0.10以下的雙軸延伸塑膠膜。
如請求項1或2之光學膜，其於該塑膠膜與該低折射率層之間具有高折射率層。
如請求項1或2之光學膜，其中，該塑膠膜之厚度為15μm以上且200μm以下。
一種偏光板，具有偏光子、配置於該偏光子之一側而成的第1透明保護板及配置於該偏光子之另一側而成的第2透明保護板，該第1透明保護板及該第2透明保護板之至少一者為請求項1～4中任一項之光學膜。
一種影像顯示裝置，具有顯示元件、配置於該顯示元件之光射出面側的偏光子及光學膜，該光學膜為請求項1～4中任一項之光學膜，該影像顯示裝置係配置成該偏光子之吸收軸與該光學膜之該雙軸延伸塑膠膜之慢軸形成的角度為90度±5度以內，且該影像顯示裝置係配置成該光學膜之該低折射率層側的面朝向與該顯示元件為相反側。
一種影像顯示裝置，係於顯示元件之光射出面上具有偏光子及光學膜而成， <br/>該光學膜係於波長550nm之面內相位差未達2500nm之雙軸延伸塑膠膜上具有低折射率層而成，該低折射率層位於光學膜之最表面而成， <br/>該影像顯示裝置係配置成該偏光子之吸收軸方向與該顯示元件之左右方向或上下方向形成的角度為±5度以內而成， <br/>該影像顯示裝置係配置成該偏光子之吸收軸與該光學膜之該雙軸延伸塑膠膜之慢軸形成的角度為90度±5度以內而成， <br/>且該光學膜具有ΔEab之最大值與最小值的差未達17.0的區域； <br/>此處，對積層體1A實施測定1A，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；對積層體2A實施測定2A，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；基於測定1A與測定2A之結果，藉由條件1A算出ΔEab； <br/>＜測定1A＞ <br/>製作於顯示元件上依序積層偏光子及該光學膜而成之積層體1A；於該積層體1A中，該光學膜配置成該低折射率層側之面朝向與該偏光子為相反側；又，該偏光子配置成偏光子之吸收軸與該顯示元件之左右方向或上下方向形成的角度為±5度以內；並且配置成該偏光子之吸收軸與該光學膜之該雙軸延伸塑膠膜之慢軸形成的角度為90度±5度以內； <br/>使該積層體1A之顯示元件進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體1A之該低折射率層側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；透射光之測定區域設為面內任意之1mm<sup>2</sup>以上且10mm<sup>2</sup>以下的區域； <br/>＜測定2A＞ <br/>製作於與該測定1A相同之顯示元件上積層偏光子而成的積層體2A；又，將與該顯示元件相對之該偏光子的吸收軸方向配置成與該測定1A相同之方向； <br/>使該積層體2A之顯示元件進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體2A之該偏光子側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；使透射光之測定區域於面內與測定1A大致一致； <br/>＜條件1A＞ <br/>於全部仰角及全部方位角，算出從測定1A之L＊值減去測定2A之L＊值而得的ΔL＊；對ΔL＊之最大值至最小值以規定之階度進行灰階化，以灰階表示於以同心圓表示仰角且以縱橫表示方位角的2維座標； <br/>確認2維座標內存在兩處ΔL＊分布成同心圓狀之區域及該兩處區域位於2維座標之大致對稱位置； <br/>關於位於ΔL＊分布成同心圓狀之區域中心的仰角，將其中一仰角設為α度，將另一仰角設為β度； <br/>從仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定1A之L＊值、a＊值及b＊值與仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定2A之L＊值、a＊值及b＊值的差值，算出於各方位角之ΔEab。
一種影像顯示裝置之光學膜之選擇方法，該影像顯示裝置係於顯示元件之光射出面上具有偏光子及光學膜而成，配置成該偏光子之吸收軸方向與該顯示元件之左右方向或上下方向平行而成， <br/>該影像顯示裝置之光學膜之選擇方法係以下述事項作為判定條件，將滿足該判定條件之光學膜X選擇作為該光學膜：光學膜X係在於波長550nm之面內相位差未達2500nm之雙軸延伸塑膠膜上具有低折射率層而成，該低折射率層位於光學膜X之最表面而成，且該光學膜X具有ΔEab之最大值與最小值的差未達17.0之區域； <br/>此處，對積層體1B實施測定1B，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；對積層體2B實施測定2B，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；基於測定1B與測定2B之結果，藉由條件1B算出ΔEab； <br/>＜測定1B＞ <br/>製作於顯示元件上依序積層偏光子及該光學膜X而成之積層體1B；於該積層體1B中，該光學膜配置成該低折射率層側之面朝向與該偏光子為相反側；又，該偏光子配置成偏光子之吸收軸與該顯示元件之左右方向或上下方向形成的角度為±5度以內；並且配置成該偏光子之吸收軸與該光學膜X之該雙軸延伸塑膠膜之慢軸形成的角度為90度±5度以內； <br/>使該積層體1B之顯示元件進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體1B之該低折射率層側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；透射光之測定區域設為面內任意之1mm<sup>2</sup>以上且10mm<sup>2</sup>以下的區域； <br/>＜測定2B＞ <br/>製作於與該測定1B相同之顯示元件上積層偏光子而成的積層體2B；又，將與該顯示元件相對之該偏光子的吸收軸方向配置成與該測定1B相同之方向； <br/>使該積層體2B之顯示元件進行白顯示，於仰角0度以上且80度以下、方位角0度以上且359度以下之範圍，每隔1度測定從該積層體2B之該偏光子側射出的透射光，基於各角度之透射光，算出L＊a＊b＊表色系之L＊值、a＊值及b＊值；使透射光之測定區域於面內與測定1B大致一致； <br/>＜條件1B＞ <br/>於全部仰角及全部方位角，算出從測定1B之L＊值減去測定2B之L＊值而得的ΔL＊；對ΔL＊之最大值至最小值以規定之階度進行灰階化，以灰階表示於以同心圓表示仰角且以縱橫表示方位角的2維座標； <br/>確認2維座標內存在兩處ΔL＊分布成同心圓狀之區域及該兩處區域位於2維座標之大致對稱位置； <br/>關於位於ΔL＊分布成同心圓狀之區域中心的仰角，將其中一仰角設為α度，將另一仰角設為β度； <br/>從仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定1B之L＊值、a＊值及b＊值與仰角為（α＋β）／2時之方位角0度以上且359度以下時的測定2B之L＊值、a＊值及b＊值的差值，算出於各方位角之ΔEab。
一種光學用雙軸延伸塑膠膜，其為光學用雙軸延伸聚酯膜且具有滿足下述＜條件1＞及下述＜條件2＞之區域： <br/>＜條件1＞ <br/>以100個測定點算出下述測定1中所獲得之亮度與下述測定2中所獲得之亮度的亮度差（L1.n－L2.n），從100個測定點之亮度差算出的「亮度差之偏差3σ」為100以上； <br/>《測定1》 <br/>製作於面光源上依序配置第1偏光子、光學用雙軸延伸塑膠膜及第2偏光子而成之第1測定樣品，於第1測定樣品中，將該光學用雙軸延伸塑膠膜之慢軸的方向配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第1測定樣品之面光源進行白顯示，以在任意第1區域內等間隔設定之縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L1.1，將第100個測定點之亮度定義為L1.100，將第n個測定點之亮度定義為L1.n； <br/>《測定2》 <br/>製作於與該測定1相同之面光源上依序配置該第1偏光子及該第2偏光子而成之第2測定樣品，於第2測定樣品中，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第2測定樣品之面光源進行白顯示，以在與該第1測定區域大致一致之區域內等間隔設定的縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L2.1，將第100個測定點之亮度定義為L2.100，將第n個測定點之亮度定義為L2.n； <br/>＜條件2＞ <br/>波長550 nm之面內相位差（Re）為2500 nm以下。
如請求項1之光學用雙軸延伸塑膠膜，其中，波長550 nm之面內相位差相對於波長550 nm之厚度方向之相位差為0.10以下。
如請求項1之光學用雙軸延伸塑膠膜，其膜厚為20 μm以上且200 μm以下。
一種功能性膜，其係於請求項1至3中任一項之光學用雙軸延伸塑膠膜之單面具有功能層而成。
一種偏光板，其具有偏光子、配置於該偏光子之一側而成的第1透明保護板及配置於該偏光子之另一側而成的第2透明保護板，該第1透明保護板及該第2透明保護板之至少一者為請求項1至3中任一項之光學用雙軸延伸塑膠膜。
一種影像顯示裝置，其具有顯示元件及配置於該顯示元件之光射出面側而成之塑膠膜，該塑膠膜為請求項1至3中任一項之光學用雙軸延伸塑膠膜。
如請求項6之影像顯示裝置，其於該顯示元件與該塑膠膜之間具有偏光子。
如請求項6或7之影像顯示裝置，其於該光學用雙軸延伸塑膠膜之與該顯示元件相反側進而具有功能層。
一種影像顯示裝置，其於顯示元件之光射出面上具有第1偏光子及光學用雙軸延伸塑膠膜，且係該光學用雙軸延伸塑膠膜之慢軸的方向與該第1偏光子之吸收軸的方向配置成大致垂直而成，該光學用雙軸延伸塑膠膜為光學用雙軸延伸聚酯膜且具有滿足下述＜條件1B＞及下述＜條件2B＞之區域： <br/>＜條件1B＞ <br/>以100個測定點算出下述測定1B中所獲得之亮度與下述測定2B中所獲得之亮度的亮度差（L1.n－L2.n），從100個測定點之亮度差算出的「亮度差之偏差3σ」為100以上； <br/>《測定1B》 <br/>製作於該顯示元件上依序配置該第1偏光子、該光學用雙軸延伸塑膠膜及第2偏光子而成之第1B測定樣品，於第1B測定樣品中，將該光學用雙軸延伸塑膠膜之慢軸的方向配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第1B測定樣品之顯示元件進行白顯示，以在任意第1區域內等間隔設定之縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L1.1，將第100個測定點之亮度定義為L1.100，將第n個測定點之亮度定義為L1.n； <br/>《測定2B》 <br/>製作於與該測定1B相同之顯示元件上依序配置該第1偏光子及該第2偏光子而成之第2B測定樣品，於第2B測定樣品中，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第2B測定樣品之顯示元件進行白顯示，以在與該第1測定區域大致一致之區域內等間隔設定的縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L2.1，將第100個測定點之亮度定義為L2.100，將第n個測定點之亮度定義為L2.n； <br/>＜條件2B＞ <br/>波長550 nm之面內相位差（Re）為2500 nm以下。
一種光學用雙軸延伸塑膠膜之選擇方法，其係於顯示元件之光射出面側的面上具有光學用雙軸延伸塑膠膜之影像顯示裝置的雙軸延伸塑膠膜之選擇方法，該光學用雙軸延伸塑膠膜為光學用雙軸延伸聚酯膜，並且以具有滿足下述＜條件1＞及下述＜條件2＞之區域作為判定條件，將滿足該判定條件者選擇為光學用雙軸延伸塑膠膜： <br/>＜條件1＞ <br/>以100個測定點算出下述測定1中所獲得之亮度與下述測定2中所獲得之亮度的亮度差（L1.n－L2.n），從100個測定點之亮度差算出的「亮度差之偏差3σ」為100以上； <br/>《測定1》 <br/>製作於面光源上依序配置第1偏光子、光學用雙軸延伸塑膠膜及第2偏光子而成之第1測定樣品，於第1測定樣品中，將該光學用雙軸延伸塑膠膜之慢軸的方向配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第1測定樣品之面光源進行白顯示，以在任意第1區域內等間隔設定之縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L1.1，將第100個測定點之亮度定義為L1.100，將第n個測定點之亮度定義為L1.n； <br/>《測定2》 <br/>製作於與該測定1相同之面光源上依序配置該第1偏光子及該第2偏光子而成之第2測定樣品，於第2測定樣品中，將該第2偏光子之吸收軸配置成與該第1偏光子之吸收軸的方向大致垂直， <br/>使該第2測定樣品之面光源進行白顯示，以在與該第1測定區域大致一致之區域內等間隔設定的縱橫100×100個測定點測定自該第2偏光子側射出之透射光的亮度，自測定結果抽選任意橫向一行100點，依序設為第1個測定點至第100個測定點，將第1個測定點之亮度定義為L2.1，將第100個測定點之亮度定義為L2.100，將第n個測定點之亮度定義為L2.n； <br/>＜條件2＞ <br/>波長550 nm之面內相位差（Re）為2500 nm以下。
一種微孔填裝系統，用於將具磁性的複數個微導電體填裝於一基板的複數個微孔中，所述微孔填裝系統包含：<br/> 一處理模組；<br/> 一磁力模組，其係電性連接於所述處理模組且設置在所述基板上方，通過接收所述處理模組的訊號，以在所述基板上方提供一磁力，以使所述微導電體受所述磁力影響而移動；以及<br/> 一振動模組，其係電性連接於所述處理模組，用以振動所述基板。
如請求項1所述的微孔填裝系統，其中所述微孔填裝系統進一步包含一基座，用以乘載所述基板；其中，所述基座包含一底壁及圍繞於所述底壁的一側壁；當所述基板置於所述底壁上時，所述側壁垂直於所述基板的高度大於所述微導電體的高度；<br/> 其中，所述磁力模組包括一電磁鐵，所述電磁鐵以週期性或非週期性的方式提供所述磁力；<br/> 其中，所述磁力模組通過接收所述處理模組的所述訊號，改變所述磁力的大小。
如請求項1所述的微孔填裝系統，其中，所述微孔填裝系統進一步包含一監測模組，所述監測模組係電性連接於所述處理模組，用以即時監測所述基板的表面；<br/> 其中，所述監測模組包含一光學模組和一影像分析模組，所述光學模組係電性連接於所述影像分析模組，所述光學模組包括一光發射部及一光接收部；<br/> 其中，所述光發射部與一第一移動裝置連接，以使所述光發射部於一三維空間中移動；<br/> 其中，所述光接收部與一第二移動裝置連接，以使所述光接收部於所述三維空間中移動。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的波長範圍為300~2000 nm，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述光接收部包括一第一光波前感測器及一第二光波前感測器，所述影像分析模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述第一光波前感測器位於所述基板的一第一側，所述第一光波前感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述第二光波前感測器位於所述基板的一第二側；所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二光波前感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接所述所述第一光波前感測器及所述第二光波前感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測波形圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測波形圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的波長範圍為300~2000 nm，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述光接收部包括一第一光彈性感測器及一第二光彈性感測器，所述影像分析模組包含一影像裝置；<br/> 其中，所述第一光彈性感測器位於所述基板的一第一側，所述第一光彈性感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述第二光彈性感測器位於所述基板的一第二側；所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二光彈性感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述影像裝置電性連接所述所述第一光彈性感測器及所述第二光彈性感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一應力分布特徵圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二應力分布特徵圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射脈衝及一第二雷射脈衝，其中，所述第一雷射脈衝及所述第二雷射脈衝的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一雷射脈衝及所述第二雷射脈衝的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述光接收部包括一第一雷射測振儀及一第二雷射測振儀，所述影像分析模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述第一雷射測振儀位於所述基板的一第一側，所述第一雷射測振儀接收所述第一雷射脈衝經所述基板反射的一反射光以產生一反射超音波；<br/> 其中，所述第二雷射測振儀位於所述基板的一第二側；所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射脈衝，所述第二雷射測振儀接收所述第二雷射脈衝穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透超音波；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接所述所述第一雷射測振儀及所述第二雷射測振儀，以接收所述反射超音波並產生一第一波形圖，以及接收所述穿透超音波，並產生一第二波形圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述光接收部包括一第一高光譜感測器及一第二高光譜感測器，所述影像分析模組包含一高光譜產生器；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器位於所述基板的一第一側，所述第一高光譜感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述第二高光譜感測器位於所述基板的一第二側；所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二高光譜感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述高光譜產生器電性連接所述第一高光譜感測器及所述第二高光譜感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測光譜圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測光譜圖；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器及所述第二高光譜感測器接收光譜範圍為300 nm至2500 nm，其中，所述光譜為連續光譜。
一種微孔填裝方法，其係包含：<br/> 提供一基板，所述基板具有複數個微孔；<br/> 將具磁性的複數個微導電體放置於所述基板上；<br/> 透過設置在所述基板上方的一磁力模組於所述基板上方提供一磁力，以使所述微導電體受所述磁力影響而移動；以及<br/> 振動所述基板，以使所述微導電體填入所述微孔中。
如請求項8所述的微孔填裝方法，其中，所述微導電體為微柱狀體；<br/> 其中，所述微孔的深度與孔徑的比例範圍為0.5至12；<br/> 其中，所述微孔的一開口與位於所述開口內的所述微導電體的端部平齊。
如請求項8所述的微孔填裝方法，其中，所述方法進一步包含使用一監測模組即時監測所述基板的表面；<br/> 其中，所述磁力係以週期性或非週期性的方式提供，且所述磁力的大小具可調性；<br/> 其中，所述微孔包含盲孔或通孔；其中，所述通孔為貫穿所述基板的孔道；<br/> 其中，所述方法進一步包含使用一側壁圍繞於所述基板；其中，所述側壁垂直於所述基板的高度大於所述微導電體的高度。
一種微孔填裝系統，用於將具磁性的複數個微導電體填裝於一基板的複數個微孔中，所述微孔填裝系統包含：<br/> 一處理模組；<br/> 一磁力模組，其係電性連接於所述處理模組，通過接收所述處理模組的訊號，在所述基板上方或下方提供一磁力，以使所述微導電體受所述磁力影響而移動；<br/> 一振動模組，其係電性連接於所述處理模組，用以振動所述基板；以及<br/> 一監測模組，所述監測模組係電性連接於所述處理模組，用以即時監測所述基板的表面；<br/> 其中，所述監測模組包含一光學模組，所述光學模組包括一光發射部及一光接收部；<br/> 其中，所述光接收部被配置為光波前感測器、光彈性感測器、雷射測振儀或者高光譜感測器；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為光波前感測器時，所述光接收部包括一第一光波前感測器及一第二光波前感測器，所述第一光波前感測器位於所述基板的第一側，所述第二光波前感測器位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為光彈性感測器時，所述光接收部包括一第一光彈性感測器及一第二光彈性感測器，所述第一光彈性感測器位於所述基板的第一側，所述第二光彈性感測器位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為雷射測振儀時，所述光接收部包括一第一雷射測振儀及一第二雷射測振儀，所述第一雷射測振儀位於所述基板的第一側，所述第二雷射測振儀位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為高光譜感測器時，所述光接收部包括一第一高光譜感測器及一第二高光譜感測器，所述第一高光譜感測器位於所述基板的第一側，所述第二高光譜感測器位於所述基板的第二側。
如請求項1所述的微孔填裝系統，其中所述微孔填裝系統進一步包含一基座，用以乘載所述基板；其中，所述基座包含一底壁及圍繞於所述底壁的一側壁；當所述基板置於所述底壁上時，所述側壁垂直於所述基板的高度大於所述微導電體的高度；<br/> 其中，所述磁力模組包括一電磁鐵，所述電磁鐵以週期性或非週期性的方式提供所述磁力；<br/> 其中，所述磁力模組通過接收所述處理模組的所述訊號，改變所述磁力的大小。
如請求項1所述的微孔填裝系統，其中，所述監測模組包含一影像分析模組，所述光學模組係電性連接於所述影像分析模組；<br/> 其中，所述光發射部與一第一移動裝置連接，以使所述光發射部於一三維空間中移動；<br/> 其中，所述光接收部與一第二移動裝置連接，以使所述光接收部於所述三維空間中移動。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的波長範圍為300~2000 nm，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述影像分析模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述第一光波前感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二光波前感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接所述第一光波前感測器及所述第二光波前感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測波形圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測波形圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的波長範圍為300~2000 nm，所述第一雷射光束及所述第二雷射光束的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述影像分析模組包含一影像裝置；<br/> 其中，所述第一光彈性感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二光彈性感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述影像裝置電性連接所述第一光彈性感測器及所述第二光彈性感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一應力分布特徵圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二應力分布特徵圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射脈衝及一第二雷射脈衝，其中，所述第一雷射脈衝及所述第二雷射脈衝的波長範圍為300 nm至2000 nm，所述第一雷射脈衝及所述第二雷射脈衝的脈衝寬度範圍為50 fs至50 ns，所述影像分析模組包含一波形產生器；<br/> 其中，所述第一雷射測振儀接收所述第一雷射脈衝經所述基板反射的一反射光以產生一反射超音波；<br/> 其中，所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射脈衝，所述第二雷射測振儀接收所述第二雷射脈衝穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透超音波；<br/> 其中，所述波形產生器電性連接所述第一雷射測振儀及所述第二雷射測振儀，以接收所述反射超音波並產生一第一波形圖，以及接收所述穿透超音波，並產生一第二波形圖。
如請求項3所述的微孔填裝系統，其中，所述光發射部朝向所述基板發射一第一雷射光束及一第二雷射光束，所述影像分析模組包含一高光譜產生器；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器接收所述第一雷射光束經所述基板反射的一反射光以產生一反射光訊號；<br/> 其中，所述光發射部朝向所述基板發射所述第二雷射光束，所述第二高光譜感測器接收所述第二雷射光束穿過所述基板的一穿透光以產生一穿透光訊號；<br/> 其中，所述高光譜產生器電性連接所述第一高光譜感測器及所述第二高光譜感測器，以接收所述反射光訊號並產生一第一檢測光譜圖，以及接收所述穿透光訊號，並產生一第二檢測光譜圖；<br/> 其中，所述第一高光譜感測器及所述第二高光譜感測器接收光譜範圍為300 nm至2500 nm，其中，所述光譜為連續光譜。
一種微孔填裝方法，其係包含：<br/> 提供一基板，所述基板具有複數個微孔；<br/> 將具磁性的複數個微導電體放置於所述基板上；<br/> 提供一磁力，以使所述微導電體受所述磁力影響而移動； <br/> 振動所述基板，以使所述微導電體填入所述微孔中；以及<br/> 使用一監測模組，即時監測所述基板的表面；<br/> 其中，所述監測模組包含一光學模組，所述光學模組包括一光發射部及一光接收部；<br/> 其中，所述光接收部被配置為光波前感測器、光彈性感測器、雷射測振儀或者高光譜感測器；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為光波前感測器時，所述光接收部包括一第一光波前感測器及一第二光波前感測器，所述第一光波前感測器位於所述基板的第一側，所述第二光波前感測器位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為光彈性感測器時，所述光接收部包括一第一光彈性感測器及一第二光彈性感測器，所述第一光彈性感測器位於所述基板的第一側，所述第二光彈性感測器位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為雷射測振儀時，所述光接收部包括一第一雷射測振儀及一第二雷射測振儀，所述第一雷射測振儀位於所述基板的第一側，所述第二雷射測振儀位於所述基板的第二側；<br/> 其中，當所述光接收部被配置為高光譜感測器時，所述光接收部包括一第一高光譜感測器及一第二高光譜感測器，所述第一高光譜感測器位於所述基板的第一側，所述第二高光譜感測器位於所述基板的第二側。
如請求項8所述的微孔填裝方法，其中，所述微導電體為微柱狀體；<br/> 其中，所述微孔的深度與孔徑的比例範圍為0.5至12；<br/> 其中，所述微孔的一開口與位於所述開口內的所述微導電體的端部平齊；<br/> 其中，所述磁力是從所述基板上方所提供。
如請求項8所述的微孔填裝方法，其中所述磁力係以週期性或非週期性的方式提供，且所述磁力的大小具可調性；<br/> 其中，所述微孔包含盲孔或通孔；其中，所述通孔為貫穿所述基板的孔道；<br/> 其中，所述方法進一步包含使用一側壁圍繞於所述基板；<br/> 其中，所述側壁垂直於所述基板的高度大於所述微導電體的高度。
一種保鮮結構，係可與一容器結合構成一密閉式保鮮器；該保鮮結構包含： <br/>一本體，該本體內部設有一容室，該容室供放置一保鮮劑，且該容室通過一開口連通外部； <br/>一藍芽模組，設置於該本體；以及 <br/>一控制模組，設置於該本體，該控制模組包含至少一感測單元，當保鮮結構與該容器結合時，該至少一感測單元能感測該容器內之環境資訊並透過該藍芽模組輸出一感測訊號。
如請求項1所述之保鮮結構，其中該至少一感測單元包含一溫度感測器，該感測訊號包含一環境溫度數值。
如請求項1所述之保鮮結構，其中該至少一感測單元包含一濕度感測器，該感測訊號包含一環境濕度數值。
如請求項1所述之保鮮結構，其中該至少一感測單元包含一含氧量感測器，該感測訊號包含一環境含氧量數值。
如請求項4所述之保鮮結構，其中該控制模組包含一控制器，當該含氧量感測器偵測之含氧量數值高於一預定含氧量數值，該控制模組控制該藍芽模組發出一警示訊號。
如請求項5所述之保鮮結構，其中該含氧量感測器於複數預定時間區間所偵測之複數個含氧量數值皆高於該預定含氧量數值時，該控制模組控制該藍芽模組發出該警示訊號。
如請求項1所述之保鮮結構，其中該控制模組包含一控制器，該控制器控制該藍芽模組每隔一時間區間發出一該感測訊號。
如請求項1所述之保鮮結構，包含一提示裝置與該控制模組電性連接，該提示裝置設置於該本體或該容器之外部，該控制模組之該至少一感測單元感測該容器內之環境資訊並透過該提示裝置顯示該環境資訊。
如請求項8所述之保鮮結構，其中該提示裝置能依據該控制模組感測之環境資訊顯示一影像提示、一聲音提示或一燈光提示。
如請求項8所述之保鮮結構，其中該控制模組包含一控制器與該提示裝置電性連接，一行動裝置能透過該藍芽模組傳送一內容物資訊至該控制器，該控制器控制該提示裝置顯示該內容物資訊。
如請求項10所述之保鮮結構，其中該內容物資訊包含內容物期限，當該內容物期限過期時該控制器控制該提示裝置顯示一過期警示訊號。
一種冰箱料倉的秤重輸送裝置，包括：<br/> 一冰箱門，包括一安裝框架以及一門板，該門板樞接於該安裝框架且具有一外面以及一內面；<br/> 一秤重料倉，具有一料倉本體，該料倉本體位於該門板內且以可沿一重力方向移動的方式連接於該冰箱門的該門板的該內面，該料倉本體沿該重力方向的相反兩側分別具有一入料口以及一底部，於該底部設置至少一支撐柱；於該料倉本體內設置一輸送模組，該輸送模組用以將該料倉本體內的菜品向外輸送至該料倉本體外；<br/> 至少一重量感測器，固定於該冰箱門的該安裝框架的內側；該至少一重量感測器支撐該料倉本體的該至少一支撐柱，用以量測該料倉本體內菜品的重量或重量變化，當該料倉本體隨著該門板相對於該安裝框架旋轉且往外傾斜，該料倉本體失去該至少一重量感測器的支撐；以及<br/> 一控制器，分別與該輸送模組以及該至少一重量感測器電連接；該控制器用以控制該輸送模組，且該控制器由該至少一重量感測器接收該料倉本體內的菜品的重量或重量變化的數據。
如請求項1所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該門板的該內面垂直於該重力方向的兩側結合二支撐架，所述的兩個支撐架分別具有至少一卡槽，該至少一卡槽沿該重力方向延伸且具有一底端；該料倉本體被限制在所述的兩個支撐架之間而可沿該重力方向往復滑動，對應各該支撐架的該至少一卡槽，於該料倉本體的兩側分別連接至少一卡塊，該至少一卡塊可滑動地設置於該至少一卡槽，該至少一卡塊與該至少一卡槽的該底端間隔。
如請求項2所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該至少一卡塊與該至少一卡槽的該底端之間間隔的距離至少2 mm。
如請求項2所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該至少一卡塊係圓柱體，於該至少一卡塊的周圍環套一滑輪，該滑輪可沿該至少一卡槽滑動。
如請求項2所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該料倉本體垂直於該重力方向的兩側分別距離其最近的各該支撐架的距離為0.1 mm以上，1 mm以下。
如請求項2所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中於所述的二個支撐架之間連接一加強肋支架，且於其中一支撐架向背離該門板的方向凸出形成一延伸臂。
如請求項1所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該至少一支撐柱包括二支撐柱，且所述的兩個支撐柱以對稱的方式設置於該底部垂直於該重力方向的兩側；該至少一重量感測器包括二重量感測器，所述的兩個重量感測器固定於該冰箱門垂直於該重力方向的兩側。
如請求項1所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該輸送模組包括一驅動器以及一螺旋桿，該驅動器固定於該料倉本體，該螺旋桿位於該料倉本體內且其中一端結合於該驅動器而受該驅動器驅動旋轉，另一端伸往該料倉本體外。
如請求項8所述之冰箱料倉的秤重輸送裝置，其中該料倉本體具有一主殼部，該入料口與該底部形成於該主殼部沿該重力方向的相反兩側，於該主殼部內形成一存料腔室，該存料腔室與該入料口相通；於該主殼部背離該冰箱門的一側連接一輸送管殼，該輸送管殼沿一直線的方向延伸且該輸送管殼的相反兩端分別具有一出料口與一安裝口，該輸送管殼內形成一輸送管道，該輸送管道與該出料口、該安裝口相通，且該輸送管道接近該冰箱門的一側與該存料腔室相通；該驅動器固定於該安裝口，該螺旋桿穿置於該輸送管道，且該螺旋桿的另一端由該出料口伸往該料倉本體外。
一種放大鏡與照明工具組，其包括有：<br/> 一個支撐架，該支撐架設置有一個連接部；<br/> 一個手電筒，該手電筒包括有一個手柄及一個燈頭，該手柄的一端可脫離地連接於該連接部，該燈頭連接於該手柄相反於該連接部的一端；<br/> 一個放大鏡，該放大鏡套設於該燈頭外並可脫離地連接於該手柄相反於該連接部的一端，該放大鏡包括有一個外框及一個透鏡，該外框可脫離地連接於該手柄，該透鏡連接於該外框，該透鏡設置有虛擬的一個光軸，該光軸通過該透鏡的中心，該燈頭相反於該手柄的一端設置有能夠發出光線的一個發光部，該燈頭樞設於該手柄，該燈頭相對該手柄轉動時，該發光部面向該光軸或面向平行該光軸的方向。
如請求項1所述之放大鏡與照明工具組，其中該手柄相反於該連接部的一端設置有兩個第一樞耳，該燈頭鄰近該手柄的一端設置有一個第二樞耳，該第二樞耳樞設於該兩個第一樞耳之間，該兩個第一樞耳其中之一相反於該第二樞耳的一側設置有一個凹部，該外框設置有兩個卡耳，該兩個卡耳分別套接於該兩個第一樞耳相反於該第二樞耳的一側，該兩個卡耳其中之一鄰近該第二樞耳的一側設置有一個凸部，該凸部扣接於該凹部。
如請求項2所述之放大鏡與照明工具組，其中該第二樞耳的外周緣設置有一個齒部，該手柄相反於該連接部的一端設置有一個卡齒，該卡齒能夠彈性變形並保持嚙合該齒部。
如請求項1所述之放大鏡與照明工具組，其中該支撐架包括有一個底座及一個管件，該管件具有可撓性並能夠彎折為任意形狀，該管件的一端連接於該底座，該連接部設置於該管件相反於該底座的一端。
如請求項4所述之放大鏡與照明工具組，其中該底座相反於該管件的一端設置有一個凹槽並連接有一個磁吸件，該磁吸件設置於該凹槽內。
如請求項1所述之放大鏡與照明工具組，其中該連接部呈四角柱狀，該手柄的一端設置有一個插孔，該插孔呈四角孔狀，該連接部可脫離地插接於該插孔。
如請求項6所述之放大鏡與照明工具組，其中該連接部的外周緣設置有一個容置槽，該容置槽設置有一個卡掣件及一個彈性件，該彈性件的一端抵靠於該容置槽的底面且另一端抵靠於該卡掣件，該插孔的內周緣設置有數個卡掣槽，該卡掣件扣接於該數個卡掣槽的其中之一。
一種放大鏡與照明工具組，其包括有：<br/> 一個手電筒，該手電筒包括有一個手柄及一個燈頭，該燈頭可轉動地連接於該手柄；<br/> 一個放大鏡，該放大鏡套設於該燈頭外並可脫離地連接於該手柄相反於該連接部的一端，該放大鏡包括有一個外框及一個透鏡，該外框可脫離地連接於該手柄，該透鏡連接於該外框，該透鏡設置有虛擬的一個光軸，該光軸通過該透鏡的中心，該燈頭相反於該手柄的一端設置有能夠發出光線的一個發光部，該燈頭樞設於該手柄，該燈頭相對該手柄轉動時，該發光部面向該光軸或面向平行該光軸的方向。
一種行動應用程式無交易安控機制時引導設定之方法，係應用於一行動銀行應用程式，該行動銀行應用程式執行於一銀行客戶所操作之一裝置中，該方法至少包含下列步驟：<br/> 提供該銀行客戶輸入一交易操作；<br/> 判斷該交易操作需要執行一交易安控機制時，偵測該裝置是否已被綁定，該交易安控機制至少包含指紋識別、人臉識別、密碼驗證、圖形軌跡驗證、門號驗證、身分確認應用程式驗證、信用卡驗證；<br/> 當該裝置未被綁定時，取得一驗證碼之一取得狀態；<br/> 判斷該取得狀態表示該驗證碼已取得時，提供該銀行客戶輸入該驗證碼並驗證該驗證碼，及在該驗證碼通過驗證時，提供該銀行客戶設定該交易安控機制；及<br/> 判斷該取得狀態表示該驗證碼未取得時，偵測該裝置上所設置之硬體及/或所安裝之軟體以產生一偵測結果，且取得該銀行客戶之一前次登入時間、該銀行客戶之一門號之一門號更新時間、該門號之一門號重複狀態、設置於該裝置上之一SIM卡之一卡片認證次數，並依據該前次登入時間、該門號更新時間、該門號重複狀態、該卡片認證次數與該偵測結果選擇一身分識別機制，及依據該身分識別機制確認該銀行客戶之身分後，提供該銀行客戶設定該交易安控機制。
如請求項1所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之方法，其中該方法更包含當該裝置已被綁定時，取得該銀行客戶之一歷史交易記錄，並依據該歷史交易記錄選出交易過程需要執行該交易安控機制之至少一交易項目，並於該行動銀行應用程式之使用者介面中加入與該至少一交易項目對應之執行捷徑之步驟。
如請求項1所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之方法，其中該方法於提供該銀行客戶設定該交易安控機制之步驟後，更包含提供該銀行客戶設定快速登入機制之步驟。
如請求項1所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之方法，其中提供該銀行客戶設定該交易安控機制之步驟更包含提供該銀行客戶設定該裝置在有連接網路時之交易安控機制及未連接網路時之交易安控機制之步驟。
如請求項1所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之方法，其中依據該前次登入時間、該門號更新時間、該門號重複狀態、該卡片認證次數與該偵測結果選擇該身分識別機制之步驟，更包含於無法選擇該身分識別機制時，顯示對應提示訊息或錯誤訊息之步驟。
一種行動應用程式無交易安控機制時引導設定之裝置，係由一銀行客戶操作，該裝置至少包含：<br/> 一安控判定模組，用以判斷該銀行客戶所輸入之一交易操作是否需要執行一交易安控機制，該交易安控機制至少包含指紋識別、人臉識別、密碼驗證、圖形軌跡驗證、門號驗證、身分確認應用程式驗證、信用卡驗證；<br/> 一綁定偵測模組，用以於該交易操作需要執行該交易安控機制時，偵測該裝置是否已被綁定；<br/> 一狀態取得模組，用以於該裝置未被綁定時，取得一驗證碼之一取得狀態；<br/> 一輸入驗證模組，用以於該取得狀態表示該驗證碼已取得時，提供該銀行客戶輸入該驗證碼並驗證該驗證碼；<br/> 一軟硬體偵測模組，用以於該取得狀態表示該驗證碼未取得時，偵測該裝置上所設置之硬體及/或所安裝之軟體以產生一偵測結果；<br/> 一身分識別模組，用以取得該銀行客戶之一前次登入時間、該銀行客戶之一門號之一門號更新時間、該門號之一門號重複狀態、設置於該裝置上之一SIM卡之一卡片認證次數，並依據該前次登入時間、該門號更新時間、該門號重複狀態、該卡片認證次數與該偵測結果選擇一身分識別機制，並依據該身分識別機制確認該銀行客戶之身分；及<br/> 一機制設定模組，用以於該驗證碼通過驗證或該銀行客戶之身分被確認時，提供該銀行客戶設定該交易安控機制。
如請求項6所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之裝置，其中該裝置更包含一介面設定模組，用以當該裝置已被綁定時，取得該銀行客戶之一歷史交易記錄，並依據該歷史交易記錄選出交易過程需要執行該交易安控機制之至少一交易項目，並於該行動銀行應用程式之使用者介面中加入與該至少一交易項目對應之執行捷徑。
如請求項6所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之裝置，其中該機制設定模組更用以提供該銀行客戶設定快速登入機制。
如請求項6所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之裝置，其中該機制設定模組是提供該銀行客戶設定該裝置在有連接網路時之交易安控機制及未連接網路時之交易安控機制。
如請求項6所述之行動應用程式無交易安控機制時引導設定之裝置，其中該身分識別模組更用以於無法選擇該身分識別機制時，顯示對應提示訊息或錯誤訊息。
一種護膜用框架，特徵在於：包含粒子或纖維集結而成之多孔質材料，且具有包圍空間之內周與相對於前述內周之外周； <br/>前述多孔質材料包含選自於由碳、熔點在1000℃以上之金屬及熔點在1000℃以上之陶瓷所構成群組中之至少一者，前述多孔質材料包含碳或金屬時，該護膜用框架包含被覆前述多孔質材料且由陶瓷構成之塗層材料； <br/>並且，前述多孔質材料在前述內周與前述外周之間具有具通氣性之連續氣孔。
如請求項1之護膜用框架，其中前述護膜用框架之前述外周與前述內周之間的通氣度為0.1~50cm <sup>3</sup>/cm <sup>2</sup>・s。
如請求項1之護膜用框架，其中前述護膜用框架之密度為0.1~2.1g/cm <sup>3</sup>。
如請求項1之護膜用框架，其中前述護膜用框架之空隙率為5~95%。
如請求項1之護膜用框架，其中前述多孔質材料之線膨脹係數為0.8×10 <sup>-6</sup>~3.2×10 <sup>-6</sup>/K。
如請求項1之護膜用框架，其包含被覆前述多孔質材料之塗層材料，且前述塗層材料之厚度為0.001µm~1µm。
如請求項1之護膜用框架，其包含被覆前述多孔質材料之塗層材料，且相對於前述多孔質材料之真體積，前述塗層材料之體積比為0.1~10%。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>外殼； <br/>基板，其收容於上述外殼； <br/>半導體記憶體，其設置於上述基板；及 <br/>散熱構造，其設置於上述外殼；且 <br/>上述外殼包含第1構件與第2構件， <br/>將上述基板之厚度方向設為第1方向之情形時， <br/>上述第1構件具有第1壁部， <br/>上述第1壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之第1側面向上述基板， <br/>上述第2構件具有第2壁部， <br/>上述第2壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之上述第1側相反之第2側面向上述基板， <br/>上述散熱構造包含自上述第1壁部向上述基板之相反側突出之複數個第1散熱片， <br/>上述第2構件於自上述複數個第1散熱片排列之第2方向觀察之情形時，進而具有自上述外殼之外側與上述第1構件之一部分重合之第3壁部。
如請求項1之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3壁部於自上述第2方向觀察之情形時，自上述外殼之外側與上述第1壁部重合。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2構件係包含上述第2壁部與上述第3壁部之一片構件。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述外殼具有收容上述基板之收容空間， <br/>上述第1壁部自上述第1方向上之上述第1側面向上述收容空間， <br/>上述第2壁部自上述第1方向上之上述第2側面向上述收容空間， <br/>上述第3壁部自上述第1方向上之上述第1側面向上述收容空間。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述散熱構造包含：含有上述複數個第1散熱片之第1散熱部，及設置於上述第2構件之第2散熱部， <br/>上述第2散熱部之至少一部分於自上述第2方向觀察之情形時，與上述複數個第1散熱片之至少一部分重合。
如請求項5之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2散熱部包含排列於上述第2方向之複數個第2散熱片。
如請求項6之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第2散熱部進而具有：豎立部，其於自上述第2方向觀察之情形時，與上述複數個第1散熱片重合；及頂板部，其由上述豎立部支持，相對於上述複數個第1散熱片配置於上述第1壁部之相反側；且 <br/>上述複數個第2散熱片自上述頂板部向上述第1壁部突出。
如請求項7之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述複數個第2散熱片所含之至少1個第2散熱片對應於上述複數個第1散熱片所含之2個第1散熱片間之位置而配置。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第3壁部具有第1卡合部， <br/>上述第1構件具有藉由與上述第1卡合部卡合而限制上述第1方向之位置之第2卡合部。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其進而具備： <br/>設置於上述基板之控制器， <br/>上述複數個第1散熱片所含之至少1個第1散熱片自上述第1方向觀察時，與上述半導體記憶體及上述控制器重合。
如請求項1或請求項2之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述第1壁部與上述第3壁部空出間隙而隔開。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>外殼； <br/>基板，其收容於上述外殼； <br/>半導體記憶體，其設置於上述基板；及 <br/>散熱構造，其設置於上述外殼；且 <br/>上述外殼包含第1構件與第2構件， <br/>將上述基板之厚度方向設為第1方向之情形時， <br/>上述第1構件具有第1壁部， <br/>上述第1壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之第1側面向上述基板， <br/>上述第2構件具有第2壁部， <br/>上述第2壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之上述第1側相反之第2側面向上述基板， <br/>上述散熱構造具有設置於上述第1構件之第1散熱部，及設置於上述第2構件之第2散熱部， <br/>上述第1散熱部包含設置於上述第1壁部之複數個第1散熱片， <br/>上述第2散熱部包含相對於上述第1壁部，配置於上述第2壁部之相反側之複數個第2散熱片。
如請求項12之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述外殼具有收容上述基板之收容空間， <br/>上述第1壁部自上述第1方向上之上述第1側面向上述收容空間， <br/>上述第2壁部自上述第1方向上之上述第2側面向上述收容空間。
一種半導體記憶裝置，其具備： <br/>外殼； <br/>基板，其收容於上述外殼； <br/>半導體記憶體，其設置於上述基板；及 <br/>散熱構造，其設置於上述外殼；且 <br/>上述外殼包含第1構件與第2構件， <br/>於將上述基板之厚度方向設為第1方向之情形時， <br/>上述第1構件具有第1壁部， <br/>上述第1壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之第1側面向上述基板， <br/>上述第2構件具有第2壁部， <br/>上述第2壁部係：包含露出於上述外殼之外部之部分，且自上述第1方向上之上述第1側相反之第2側面向上述基板， <br/>上述散熱構造包含自上述第1壁部向上述基板之相反側突出之複數個突出部， <br/>上述第2構件於自上述複數個突出部排列之第2方向觀察之情形時，進而具有自上述外殼之外側與上述第1構件之一部分重合之第3壁部。
如請求項14之半導體記憶裝置，其中 <br/>上述外殼具有收容上述基板之收容空間， <br/>上述第1壁部自上述第1方向上之上述第1側面向上述收容空間， <br/>上述第2壁部自上述第1方向上之上述第2側面向上述收容空間。
一種軋機輥隙監控系統，包含：<br/> 至少一輥隙感測器，裝設於至少一軋機上，該至少一輥隙感測器用以感測該至少一軋機在軋延一鋼胚時一上下軋輥之一輥隙值；<br/> 一軋機監控伺服器，用以接收該至少一軋機之一電控資料；<br/> 一製程伺服器，用以記錄該至少一軋機之一程控資料；一輥隙監控伺服器，與該至少一輥隙感測器連接以接收該輥隙值、與該軋機監控伺服器連接以接收該電控資料、且與該製程伺服器連接並接收該程控資料，並包含：<br/> 一輥隙智慧分析模組，用以根據該輥隙值之變化、該電控資料及該程控資料，判斷該至少一軋機之一軋延過程是否出現異常；以及<br/> 一異常告警模組，用以在該軋延過程出現異常時發出一警報；以及<br/> 一輥隙監控介面，用以顯示該輥隙值之變化及該警報。
如請求項1所述之軋機輥隙監控系統，其中該輥隙監控伺服器更包含：<br/> 一輥隙校正模組，用以在軋延開始前校正該輥隙值為一初始輥隙值。
如請求項1所述之軋機輥隙監控系統，其中該至少一輥隙感測器為一磁滯位移感測器，且經由一轉接治具固定於該至少一軋機上。
如請求項1所述之軋機輥隙監控系統，其中該輥隙監控伺服器，更用以接收一軋延資訊，並以該輥隙智慧分析模組將該輥隙值及該軋延資訊與一時間標籤關聯，其中該軋延資訊包含鋼胚軋序識別碼、軋延時間及鋼種代號中至少一者。
如請求項1所述之軋機輥隙監控系統，其中該輥隙智慧分析模組更用以根據該鋼胚通過該上下軋輥之一最大輥隙值以及該鋼胚離開該上下軋輥之一最小輥隙值計算該鋼胚之一軋輥彈張量。
一種軋機輥隙監控方法，包含：<br/> 以裝設於至少一軋機上至少一輥隙感測器感測該至少一軋機在軋延一鋼胚時一上下軋輥之一輥隙值；<br/> 接收該輥隙值、該至少一軋機之一電控資料及一程控資料；<br/> 根據該輥隙值之變化、該電控資料及該程控資料分析該至少一軋機之輥隙值波形振幅、電流振幅差比值、及軋機配速比中至少一者，並據以判斷該至少一軋機之一軋延過程是否出現異常；<br/> 在該軋延過程出現異常時發出一警報；以及<br/> 以一輥隙監控介面顯示該輥隙值之變化及該警報。
如請求項6所述之軋機輥隙監控方法，更包含：<br/> 在軋延開始前校正該輥隙值為一初始輥隙值。
如請求項6所述之軋機輥隙監控方法，更包含：<br/> 接收一軋延資訊，並將該輥隙值及該軋延資訊與一時間標籤關聯，其中該軋延資訊包含鋼胚軋序識別碼、軋延時間及鋼種代號中至少一者。
如請求項6所述之軋機輥隙監控方法，更包含：<br/> 根據該鋼胚通過該上下軋輥之一最大輥隙值以及該鋼胚離開該上下軋輥之一最小輥隙值計算該鋼胚之一軋輥彈張量。
一種機箱，包含： <br/>一殼體；以及 <br/>一托盤，設置於該殼體中，該托盤包含： <br/>一盤體，具有一底板以及一側牆； <br/>一鎖定件，樞接於該底板，該鎖定件與該殼體鎖定；以及 <br/>一釋鎖件，樞接於該側牆，該釋鎖件與該鎖定件卡合； <br/>其中，當該釋鎖件朝一第一方向轉動而脫離該鎖定件時，該托盤可自該殼體中移出，且該鎖定件可被該殼體推動而朝一第二方向轉動，使得該鎖定件與該殼體釋鎖；該第一方向垂直該第二方向。
如請求項1所述之機箱，其中當該托盤被置入該殼體時，該鎖定件可被該殼體推動而朝一第三方向轉動；該第三方向與該第二方向相反。
如請求項1所述之機箱，其中該托盤另包含一第一復位件，連接於該釋鎖件與該側牆。
如請求項1所述之機箱，其中該托盤另包含一第二復位件，連接於該鎖定件與該底板。
如請求項4所述之機箱，其中該底板具有一避讓孔，該鎖定件具有一連接部，該第二復位件連接於該連接部，該連接部容置於該避讓孔中。
如請求項5所述之機箱，其中該避讓孔呈弧形，以允許該連接部於該避讓孔中轉動。
如請求項1所述之機箱，其中該側牆具有一止擋部；當該釋鎖件與該鎖定件卡合時，該止擋部止擋該釋鎖件。
如請求項1所述之機箱，其中該釋鎖件具有一按壓部，該按壓部朝平行該底板的方向延伸出。
如請求項8所述之機箱，其中該側牆具有一凹陷部，該凹陷部之位置對應該按壓部之位置。
一種托盤，適於設置於一殼體中，該托盤包含： <br/>一盤體，具有一底板以及一側牆； <br/>一鎖定件，樞接於該底板，該鎖定件與該殼體鎖定；以及 <br/>一釋鎖件，樞接於該側牆，該釋鎖件與該鎖定件卡合； <br/>其中，當該釋鎖件朝一第一方向轉動而脫離該鎖定件時，該托盤可自該殼體中移出，且該鎖定件可被該殼體推動而朝一第二方向轉動，使得該鎖定件與該殼體釋鎖；該第一方向垂直該第二方向。
如請求項10所述之托盤，其中當該托盤被置入該殼體時，該鎖定件可被該殼體推動而朝一第三方向轉動；該第三方向與該第二方向相反。
如請求項10所述之托盤，另包含一第一復位件，連接於該釋鎖件與該側牆。
如請求項10所述之托盤，另包含一第二復位件，連接於該鎖定件與該底板。
如請求項13所述之托盤，其中該底板具有一避讓孔，該鎖定件具有一連接部，該第二復位件連接於該連接部，該連接部容置於該避讓孔中。
如請求項14所述之托盤，其中該避讓孔呈弧形，以允許該連接部於該避讓孔中轉動。
如請求項10所述之托盤，其中該側牆具有一止擋部；當該釋鎖件與該鎖定件卡合時，該止擋部止擋該釋鎖件。
如請求項10所述之托盤，其中該釋鎖件具有一按壓部，該按壓部朝平行該底板的方向延伸出。
如請求項17所述之托盤，其中該側牆具有一凹陷部，該凹陷部之位置對應該按壓部之位置。
一種廚房料倉，用以設置於一冰箱，包含：<br/> 一料倉本體，容置於該冰箱中，該料倉本體上方具有一入料口； <br/> 一門板結構，設置於該冰箱之開口處，該門板結構具有一限位部，該門板結構透過該限位部可移動的結合於該料倉本體之一側；<br/> 一安裝框架，設置於該料倉本體之底部並與該門板結構鉸接； <br/> 一推拉緩衝機構，一端連接於該門板結構，另一端連接於該安裝框架；以及<br/> 一重量傳感器，設置於該安裝框架，當該料倉本體位於一第一位置時，該料倉本體之底部與該重量傳感器接觸，以量測該料倉本體及內容物之重量<br/> 其中，該推拉緩衝機構推拉該門板結構，帶動該料倉本體於該第一位置及一第二位置之間移動，當該門板結構及該料倉本體位於該第一位置時，該門板結構封閉該冰箱之開口且該料倉本體容置於該冰箱中，當該門板結構及該料倉本體位於該第二位置時，該門板結構開啟該冰箱之開口且該料倉本體之該入料口至少部分的顯露於該冰箱之外部；<br/> 其中，該料倉本體於相對的兩側分別設置有至少一卡塊，對應該至少一卡塊之設置位置，該限位部於該門板結構之相對的兩側分別具有至少一卡槽，該至少一卡塊可移動的設置於該至少一卡槽中，當該門板結構及該料倉本體位於該第一位置時，該料倉本體之底部與該重量傳感器相抵，該至少一卡塊脫離該至少一卡槽之封閉端，當該門板結構及該料倉本體位於該第二位置時，該料倉本體之底部脫離該重量傳感器，該至少一卡塊與該至少一卡槽之封閉端接觸。
如請求項1所述之廚房料倉，其中該料倉本體之底部具有至少一支撐柱，當該料倉本體位於該第一位置時，該至少一支撐柱與該重量傳感器接觸，以量測該料倉本體及內容物之重量。
如請求項2所述之廚房料倉，其中該至少一支撐柱之數量為兩個，分別設置於該料倉本體底部之對稱的兩側，該重量傳感器之數量對應設置為兩個，當該料倉本體位於該第一位置時，該二支撐柱分別與該二重量傳感器對應接觸，以量測該料倉本體及內容物之重量。
如請求項1所述之廚房料倉，包含一控制裝置及一輸送裝置，該控制裝置分別與該重量傳感器及輸送裝置電性及訊號連接，該輸送裝置與該料倉本體內部之一容置空間連通，該控制裝置接收該重量傳感器輸出之一重量訊號，該控制裝置控制該輸送裝置用以將該容置空間中之內容物輸出至該料倉本體之外部。
如請求項4所述之廚房料倉，其中該料倉本體具有相對之一前側及一後側，該門板結構設置於該前側，該料倉本體之該後側具一安裝槽及一出料口，該安裝槽分別與該出料口及該料倉本體內部之一容置空間連通；該輸送裝置為一螺旋送料機構設置於該安裝槽中以將該容置空間中之內容物自該出料口輸出。
如請求項5所述之廚房料倉，其中定義一垂直參考軸，該門板結構之板面平行於該垂直參考軸，該螺旋送料機構之長軸與該垂直參考軸間具有一夾角。
如請求項1所述之廚房料倉，其中定義一長軸，該至少一卡槽於該長軸方向上延伸形成，該至少一卡塊能在該長軸方向上於該至少一卡槽中移動。
如請求項1所述之廚房料倉，其中該推拉緩衝機構為一電動推桿。
一種聯產二苯胺和喹啉的方法，其特徵在於，所述方法包括：在丙烯存在下，將苯胺與催化劑進行接觸反應，得到含有二苯胺和喹啉的反應產物；所述催化劑為苯胺縮合反應催化劑；其中，丙烯與苯胺的莫耳比為1：（1-5），所述接觸反應的溫度為190-320℃，苯胺的液時體積空速為50-180h<sup>-1</sup>，反應壓力為3-8MPa。
如請求項1所述的方法，其中，丙烯與苯胺的莫耳比為1：（1.5-3）。
如請求項1所述的方法，其中，所述接觸反應的溫度為230-280℃，苯胺的液時體積空速為80-150h<sup>-1</sup>，反應壓力為5-7MPa。
如請求項1-3中任意一項所述的方法，其中，所述接觸反應在固定床反應器中進行。
如請求項4所述的方法，其中，丙烯與苯胺均採用上進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層；或者，丙烯與苯胺均採用下進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層；或者，丙烯採用下進料的方式、苯胺採用上進料的方式送入所述固定床反應器並通過催化劑床層。
如請求項1-3中任意一項所述的方法，其中，所述催化劑包括β沸石和金屬組分。
如請求項6所述的方法，其中，所述β沸石中氧化矽與氧化鋁的莫耳比為20-100；和/或，所述β沸石為Hβ沸石。
如請求項6所述的方法，其中，所述金屬組分選自鹼金屬中的至少一種。
如請求項8所述的方法，其中，所述金屬組分為鋰、鈉和鉀中的至少一種。
如請求項6所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為50-90wt%，以元素計的所述金屬組分的含量為0.1-40wt%。
如請求項10所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為65-75wt%，以元素計的所述金屬組分的含量為1-30wt%。
如請求項6所述的方法，其中，所述催化劑中還含有黏結劑，所述黏結劑為氧化鋁和/或二氧化矽。
如請求項12所述的方法，其中，所述黏結劑為氧化鋁。
如請求項12所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為50-90wt%，以金屬元素計的鹼金屬組分含量為0.1-40wt%，黏結劑的含量為0.5-49.9wt%。
如請求項14所述的方法，其中，以所述催化劑的總質量為基準，所述β沸石的含量為65-75wt%，以金屬元素計的鹼金屬組分含量為1-30wt%，黏結劑的含量為5-30wt%。
一種中介層電子模組，包括： <br/>一絕緣層，其為對電絕緣的高分子聚合物，該絕緣層具有一上表面及一下表面； <br/>多個被該絕緣層部分包覆的導體，各該導體有兩端表面，並至少有一該端表面露出於該絕緣層的該上表面或該下表面，各該導體為直徑50µm以上、長度100µm以上的柱體。
如請求項1所述的中介層電子模組，至少其中一該導體的該兩端表面露出於該絕緣層的該上表面及該下表面。
如請求項1所述的中介層電子模組，至少其中一該導體的該兩端表面與該絕緣層的該上表面及該下表面齊平。
如請求項1所述的中介層電子模組，至少其中一該導體的其中一該端表面露出於該絕緣層。
如請求項1所述的中介層電子模組，至少其中一該導體的其中一該端表面凸出於該絕緣層。
如請求項1所述的中介層電子模組，至少其中一該導體的該兩端表面凸出於該絕緣層。
一種半導體的封裝結構，包括： <br/>一第一晶片； <br/>一第二晶片； <br/>位於該第一晶片及該第二晶片之間的中介層電子模組，其包括有 <br/>一絕緣層，其為對電絕緣的高分子聚合物； <br/>多個被該絕緣層部分包覆的導體，各該導體為直徑50µm以上、長度100µm以上的柱體，各該導體露出或凸出於該絕緣層，該中介層電子模組以各該導體連接該第一晶片及該第二晶片。
一種半導體的封裝結構，包括： <br/>一晶片； <br/>一電路板； <br/>位於晶片及電路板之間的中介層電子模組，其包括有 <br/>一絕緣層，其為對電絕緣的高分子聚合物； <br/>多個被該絕緣層部分包覆的導體，各該導體為直徑50µm以上、長度100µm以上的柱體，各該導體露出或凸出於該絕緣層，該中介層電子模組以各該導體連接該晶片及該電路板。
一種半導體的封裝結構，包括： <br/>一第一電路板； <br/>一第二電路板； <br/>位於該第一電路板及該第二電路板之間的中介層電子模組，其包括有 <br/>一絕緣層，其為對電絕緣的高分子聚合物； <br/>多個被絕緣層部分包覆的導體，各該導體為直徑50µm以上、長度100µm以上的柱體，各該導體露出或凸出於該絕緣層，該中介層電子模組以各該導體連接該第一電路板及該第二電路板。
一種用於製備如請求項1至9中任一項所述中介層電子模組的製造方法，包括： <br/>預成型，取得預製成形的作業塊，該作業塊包括有基材、依照預定位置部署在該基材表面的導體，以及用於固定該基材及該導體的膠脂層； <br/>模造絕緣層步驟，在前述預成型的該作業塊的外側以模造方式塗佈或灌注絕緣膠或帶有絕緣效果的模封材料或粉末冶金陶瓷材料包覆該作業塊並形成絕緣層； <br/>移除步驟，移除掉前述模造絕緣層步驟中該作業塊的該基材、該膠脂層及部分該絕緣層，使該導體能夠完全被該絕緣層所包覆； <br/>精修步驟，通過精修方式修整使該導體的至少一端表面露出或凸出於該絕緣層。
一種機械手臂系統，用以移動一物體，該機械手臂系統包含： <br/>一攝像器，具有一視軸及一取景範圍，該攝像器用以沿該視軸之方向擷取位於該取景範圍之該物體的一物體影像； <br/>一光源，具有一光軸，該視軸與該光軸不平行，該光源用以沿該光軸之方向照射該取景範圍；以及 <br/>一處理器，用以識別該物體影像以獲取該物體之一形心。
如請求項1所述之機械手臂系統，其中，該物體影像包含該物體之一物像及該物體沿該光軸方向形成之一陰影。
如請求項1所述之機械手臂系統，其中，該處理器更用以： <br/>將該物體影像區分為多個影像區塊，各該影像區塊分別對應該取景範圍所包含之多個取景區塊；以及 <br/>移動該光源，使該光源沿該光軸之方向依序照射各該取景區塊。
如請求項1所述之機械手臂系統，更包含一末端執行器，用以基於一定作用距離施加一定作用力於該物體之一第一作用點及一第二作用點。
如請求項4所述之機械手臂系統，其中： <br/>該攝像器更用以擷取該物體於該第一作用點及該第二作用點分別受到該定作用力前後之該物體影像；以及 <br/>該處理器用以識別該物體影像所包含該物體於該第一作用點受到該定作用力所發生之一第一角位移，及該物體於該第二作用點受到該定作用力所發生之一第二角位移，並根據該第一角位移及該第二角位移估算該物體之一重心方向。
如請求項1所述之機械手臂系統，更包含一末端執行器，用以取持該物體，該處理器更用以： <br/>控制該末端執行器於對應該形心之一第一位置及/或沿一重心方向上的至少一第二位置嘗試取持該物體；以及 <br/>識別該物體影像且判斷該末端執行器取持該物體之傾角大於一角度閥值，控制該末端執行器自當前之一取持位置移動至沿該重心方向上的該至少一第二位置。
如請求項1所述之機械手臂系統，更包含一記憶體，用以儲存一圖像資料庫，該圖像資料庫包含多個工具圖像及各該工具圖像之形心座標，該處理器用以標記該物體影像所對應之其一該多個工具圖像，以獲取該物體之該形心。
如請求項1所述之機械手臂系統，更包含一末端執行器及一記憶體，該末端執行器用以取持該物體，該記憶體用以儲存一控制指令資料庫，包含多個控制指令，該處理器更用以： <br/>接收一自然語言命令； <br/>根據一語言模型轉譯自然語言命令為其一該多個控制指令；以及 <br/>根據該其一控制指令調節該末端執行器取持該物體之姿態或路徑。
一種機械手臂系統的控制方法，包含： <br/>運行一影像辨識模型，以識別物體影像之內的一物體之一物像及該物體之一陰影； <br/>讀取一圖像資料庫，以標記該物體所關聯之一工具圖像； <br/>根據該物像、該陰影及該工具圖像，運算該物體在於空間座標系之一形心；以及 <br/>控制一末端執行器，於該物體之該形心取持該物體。
如請求項9所述之機械手臂系統的控制方法，更包含： <br/>控制該末端執行器於對應該形心之一第一位置及/或沿一重心方向上的至少一第二位置嘗試取持該物體；以及 <br/>識別該物體影像且判斷該末端執行器取持該物體之傾角大於一角度閥值，控制該末端執行器自當前之一取持位置移動至沿該重心方向上的該至少一第二位置。
一種血壓測量方法，應用於階段式洩氣血壓計，其中，所述方法包括：<br/> 獲取一洩氣階段內所述階段式洩氣血壓計的壓脈帶內的壓力感測器即時發送的原始壓力值；<br/> 基於預設差分公式處理所述原始壓力值，得到差分信號；其中，預設差分公式包括高階差分公式；<br/> 根據所述差分信號確定所述原始壓力值中的波峰值和波谷值；<br/> 根據所述波峰值和所述波谷值確定脈搏振幅和血壓值；<br/> 根據多個洩氣階段的所述脈搏振幅和所述血壓值確定收縮壓和舒張壓。
如請求項1所述的血壓測量方法，其中，所述方法還包括：<br/> 根據預設濾波器對所述原始壓力值進行濾波處理，得到脈搏信號；<br/> 確定所述脈搏信號中的多個峰值點；<br/> 確定所述多個峰值點中最大的峰值點。
如請求項2所述的血壓測量方法，其中，所述方法還包括：<br/> 控制氣泵對壓脈帶充氣，在控制氣泵對壓脈帶充氣的過程中，在連續兩個所述峰值點數值下降的情況下，控制氣泵停止對壓脈帶充氣。
如請求項1所述的血壓測量方法，其中，所述根據所述差分信號確定所述原始壓力值中的波峰值和波谷值包括：<br/> 確定所述差分信號中的峰值點；<br/> 根據所述差分信號中的峰值點在所述原始壓力值中確定對應的採樣點；<br/> 確定與所述採樣點相鄰的波峰為所述波峰值；<br/> 確定與所述採樣點相鄰的波谷為所述波谷值。
如請求項4所述的血壓測量方法，其中，所述確定所述差分信號中的峰值點包括：<br/> 根據預設時長從所述差分信號中確定初始視窗；<br/> 當所述初始視窗的中心值為所述初始視窗中的最大值，且所述中心值大於預設閾值的情況下，確定所述中心值為所述峰值點。
如請求項1所述的血壓測量方法，其中，所述根據所述波峰值和所述波谷值確定脈搏振幅和血壓值包括：<br/> 確定所述波峰值與所述波谷值的差值；<br/> 確定所述波峰值與所述波谷值的均值；<br/> 確定所述差值為所述脈搏振幅；<br/> 確定所述均值為所述血壓值。
如請求項2所述的血壓測量方法，其中，所述方法還包括：<br/> 在基於預設差分公式處理所述原始壓力值之前，控制電磁閥對所述壓脈帶進行放氣。
如請求項7所述的血壓測量方法，其中，所述方法還包括：<br/> 根據所述最大的峰值點從所述原始壓力值中確定預估血壓值；<br/> 在所述原始壓力值滿足預設條件的情況下，控制電磁閥對所述壓脈帶進行放氣；其中，所述預設條件包括所述原始壓力值與所述預估血壓值之間的差值不小於預設數值。
如請求項8所述的血壓測量方法，其中，所述方法還包括：<br/> 在所述原始壓力值未滿足所述預設條件的情況下，從所述原始壓力值中確定滿足預設數量的波峰間隔；<br/> 當每兩個相鄰的波峰間隔的時間差對應的標準差小於預設的時間閾值時，根據所述時間差確定所述原始壓力值對應的脈率。
一種階段式洩氣血壓計，其中，所述階段式洩氣血壓計包括：<br/> 電子設備，壓脈帶，壓力感測器，氣泵以及電磁閥；所述電子設備與所述壓力感測器、所述氣泵以及所述電磁閥通信連接；<br/> 電子設備用於控制所述氣泵向所述壓脈帶充氣；<br/> 所述電子設備還用於獲取壓力感測器即時發送的原始壓力值；<br/> 所述電子設備還用於根據所述原始壓力值確定預估血壓值；<br/> 所述電子設備還用於控制所述電磁閥對所述壓脈帶放氣；<br/> 所述電子設備還用於在所述壓脈帶放氣過程中，基於預設差分公式處理所述原始壓力值，得到差分信號；其中，預設差分公式包括高階差分公式；<br/> 所述電子設備還用於根據所述差分信號確定所述原始壓力值中的波峰值和波谷值；<br/> 所述電子設備還用於根據所述波峰值和所述波谷值確定脈搏振幅和血壓值；<br/> 所述電子設備還用於，在所述原始壓力值滿足預設條件的情況下，根據所述脈搏振幅和所述血壓值確定收縮壓和舒張壓。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括處理器和儲存器，所述處理器用於執行儲存器中存儲的電腦程式時實現如請求項1至9中任意一項所述的血壓測量方法。
一種電腦可讀存儲介質，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式，其中，所述電腦程式被處理器執行時實現如請求項1至9中任意一項所述的血壓測量方法。
一種智能無人廚房的輸料裝置，用以輸送至少一料倉輸出之食材，該智能無人廚房的輸料裝置包含： <br/> 一第一螺旋輸送機構，具有一第一輸入口及一第一輸出口，該第一輸入口能接收該至少一料倉輸出之食材並橫向輸送至該第一輸出口輸出；<br/> 一第二螺旋輸送機構，具有一第二輸入口及一第二輸出口，該第二輸入口與該第一輸出口連通，該第二螺旋輸送機構能縱向將自該第二輸入口輸入之食材輸送至該第二輸出口輸出； <br/> 一第三螺旋輸送機構，具有一第三輸入口及一第三輸出口，該第三輸入口與該第二輸出口連通，該第三螺旋輸送機構能將自該第三輸入口輸入之食材輸送至該第三輸出口輸出；以及<br/> 一移動機構，與該第三螺旋輸送機構連接以帶動該第三螺旋輸送機構於一橫向方向上移動，藉此，該第三輸出口能在該橫向方向上之不同位置處輸出食材；<br/> 其中該第三螺旋輸送機構包括一第三螺旋運輸裝置及一第三承載裝置，該第三螺旋運輸裝置容置於該第三承載裝置之腔室中，該第三承載裝置具有該第三輸入口及該第三輸出口，該第三承載裝置之腔室與該第三輸入口及該第三輸出口連通，該第三螺旋輸送機構能將自該第三輸入口輸入之食材橫向輸送至該第三輸出口輸出；<br/> 其中該移動機構包含一第一安裝架、一第二安裝架、一螺旋驅動桿及一連接件，該螺旋驅動桿設置於該第一安裝架及該第二安裝架之間，且可相對該第一安裝架及該第二安裝架轉動，該連接件穿設於該螺旋驅動桿上，該第三螺旋輸送機構固接於該連接件，藉此，該螺旋驅動桿轉動時能帶動該連接件於該螺旋驅動桿上移動，進而連動該第三螺旋輸送機構移動；該第二安裝架相較於該第一安裝架設置於較接近該第三輸出口的位置，該第二安裝架具有一勾部，該第三承載裝置以能相對該第二安裝架移動的方式設置於該勾部中，該勾部提供該第三承載裝置向上的一支撐力。
如請求項1所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該第一螺旋輸送機構包括一第一螺旋運輸裝置及一第一承載裝置，該第一螺旋運輸裝置容置於該第一承載裝置之腔室中，該第一承載裝置具有該第一輸入口及該第一輸出口，該第一承載裝置之腔室與該第一輸入口及該第一輸出口連通， 該至少一料倉設置於該第一螺旋輸送機構上方，該第一輸入口為向上開放之開口，藉此，該至少一料倉輸出之食材能落入該第一輸入口，再透過該第一螺旋運輸裝置將食材橫向輸送至該第一輸出口輸出。
如請求項1所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該第二螺旋輸送機構包括一第二螺旋運輸裝置及一第二承載裝置，該第二螺旋運輸裝置容置於該第二承載裝置之腔室中，該第二承載裝置具有該第二輸入口及該第二輸出口，該第二承載裝置之腔室與該第二輸入口及該第二輸出口連通，該第二螺旋輸送機構能縱向將自該第二輸入口輸入之食材輸送至該第二輸出口，並輸出至該第三輸入口。
如請求項3所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該第二螺旋輸送機構包括一導向板，設置於該第二承載裝置之該第二輸出口處，用以將該第二輸出口輸出之食材導引至該第三輸入口，該第三輸入口為向上開放之開口。
如請求項1所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該移動機構包含至少一導向桿，設置於該第一安裝架及該第二安裝架之間，該連接件套設於該至少一導向桿，且能於該至少一導向桿上移動。
如請求項5所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該移動機構包含至少一尼龍套管，該連接件透過該至少一尼龍套管套設於該至少一導向桿。
如請求項1所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該移動機構包含至少一加強筋，該至少一加強筋兩端分別固接該第一安裝架及該第二安裝架。
如請求項1所述之智能無人廚房的輸料裝置，其中該連接件具有一連接件勾部，該第三承載裝置設置於該連接件勾部中，該連接件勾部提供該第三承載裝置向上的一支撐力。
一種自動進米裝置，包含： <br/> 一進料部，具有一腔室、一進料口及一抽氣口，該腔室連通該進料口及該抽氣口，該進料口及該抽氣口設置於該腔室之壁上，該進料口用以連通一外部米料來源，該抽氣口用以連通一外部抽氣裝置，透過該抽氣口能對該進料部之腔室進行抽氣；<br/> 一輸送部，位於該進料部之該腔室之底部並與該進料部連通，用以將自該進料部接收之米料輸送至外部；以及<br/> 一推米裝置，設置於該進料部與該輸送部之連通處，該推米裝置用以使米料分布均勻。
如請求項1所述之自動進米裝置，其中該進料部與該輸送部之連通處呈漏斗狀。
如請求項1所述之自動進米裝置，其中該進料部包含一上蓋以及一倉體，該倉體具有一上方開口之結構，該上蓋能封閉該上方開口，該上蓋之厚度大於該倉體之壁厚。
如請求項1所述之自動進米裝置，其中該進料口與該抽氣口相較於該進料部之底部設置於較接近該進料部之頂部的位置。
如請求項1所述之自動進米裝置，其中該進料部包含複數分隔板，沿一參考軸間隔設置於該腔室中。
如請求項5所述之自動進米裝置，其中各該分隔板之相對兩側分別連接於該腔室之內壁。
如請求項5所述之自動進米裝置，其中各該分隔板具有一鏤空部。
如請求項5所述之自動進米裝置，其中各該分隔板於接近該推米裝置之底緣處具有一凹部，該推米裝置能於各該分隔板之該凹部中旋轉。
如請求項1所述之自動進米裝置，其中該推米裝置包括一攪拌結構和一馬達，該馬達與該攪拌結構連接，該馬達能驅動該攪拌結構旋轉。
如請求項9所述之自動進米裝置，其中該攪拌結構為至少一長桿，該進料部與該輸送部之連通處具有一連通口，該連通口為沿一參考軸延伸之長形開口，該至少一長桿為沿該參考軸延伸形成之長條狀桿，當該至少一長桿之數量為複數時，相鄰的二該長桿彼此間隔且平行設置。
一種多肽，其包含：<br/> 一第一結構域，其係一相同於SEQ ID NO: 1所示之胺基酸序列中位置1至位置34之胺基酸序列；<br/> 一第二結構域，其N端鏈接該第一結構域之C端，其係一相同於SEQ ID NO: 1所示之胺基酸序列中位置35至位置72之胺基酸序列；及<br/> 一第三結構域，其N端鏈接該第二結構域之C端，其係一相同於SEQ ID NO: 1所示之胺基酸序列中位置73至位置133之胺基酸序列，並具有將一第一胺基酸位點取代以一半胱胺酸之第一突變，及將一第三胺基酸位點取代以絲氨酸、丙胺酸或亮胺酸之第三突變；<br/> 其中，該多肽具有一第二突變將一第二胺基酸位點取代以另一半胱胺酸，且該第二突變係發生於該第二結構域中，藉此該第一突變取代成的半胱胺酸與該第二突變取代成的半胱胺酸形成雙硫鍵，其中：<br/> 該第一胺基酸包含位置111的蘇胺酸(Thr, T)；<br/> 該第二胺基酸包含位置43的離氨酸(Lys, K)；<br/> 該第三胺基酸包含位置125的半胱胺酸。
如請求項1所述之多肽，其中， 該第一結構域係一如SEQ ID NO:2所示之胺基酸序列；該第二結構域係一如SEQ ID NO:8所示之胺基酸序列；該第三結構域係一如SEQ ID NO:27所示之胺基酸序列。
如請求項1所述之多肽，其中，該第一結構域係一如SEQ ID NO:2所示之胺基酸序列；該第二結構域係一如SEQ ID NO:8所示之胺基酸序列；該第三結構域係一如SEQ ID NO:28所示之胺基酸序列。
如請求項1所述之多肽，其中，該第一結構域係一如SEQ ID NO:2所示之胺基酸序列；該第二結構域係一如SEQ ID NO:8所示之胺基酸序列；該第三結構域係一如SEQ ID NO: 29所示之胺基酸序列。
如請求項1所述之多肽，其係一如SEQ ID NOs:46至48任一所示之胺基酸序列。
一種醫藥組合物，包括一如請求項1至5任一項所述之多肽及一醫藥上可接受的載體。
一種如請求項6所述之醫藥組合物的用途，係用於製備促進免疫細胞增生活性或治療增殖性疾病之醫藥或細胞治療組合物，其中，該免疫細胞包括T細胞，該增殖性疾病包括肝癌。
如請求項7所述之用途，其中，該醫藥組合物之該多肽係一相同於SEQ ID NO: 47所示之胺基酸序列。
一種濺鍍靶材，包含Ta、Cr、及Fe，其中含有10原子%～40原子%的Cr、15原子%～50原子%的Fe、且剩餘部分包含Ta及不可避免的雜質，相對密度為97%以上，抗折力的平均值為500 MPa以上。
如請求項1所述的濺鍍靶材，其中維氏硬度的平均值為550 HV以下。
一種合金薄膜，包含Ta、Cr、及Fe，其中含有10原子%～40原子%的Cr、15原子%～50原子%的Fe、且剩餘部分包含Ta及不可避免的雜質，雛晶直徑為1.50 nm以下。
如請求項3所述的合金薄膜，其中650℃加熱後的雛晶直徑為1.60 nm以下。
如請求項3所述的合金薄膜，其中700℃加熱後的雛晶直徑為1.60 nm以下。
一種鋼帶的熱處理方法，其中， <br/>對所述鋼帶的表面施加使一部分改變放射率的前處理， <br/>對施加了所述前處理的鋼帶進行熱處理， <br/>在所述前處理中，減少所述鋼帶的表面的一部分區域的氧化皮膜， <br/>所述熱處理為：熱軋後進行的熱軋板退火以及多次冷軋之間進行的中間退火的其中一種或兩者。
如請求項1所述的鋼帶的熱處理方法，其中， <br/>所述鋼帶的板厚為1.0mm以上。
如請求項1或請求項2所述的鋼帶的熱處理方法，其中， <br/>在氧氣濃度為5體積%以下的氛圍中進行所述熱處理。
如請求項1或請求項2所述的鋼帶的熱處理方法，其中， <br/>在露點為90°C以下的氛圍中進行所述熱處理。
一種多功能轉接裝置，適於連接不同的物件且包含： <br/>一內桿，包含一主桿部、連接該主桿部的第一端的一第一側桿部及連接該主桿部相反於該第一端的第二端的一第二側桿部； <br/>一第一套筒，可滑動地套接在該內桿上，並且該第一套筒相對於該內桿具有一第一內側位置和一第一外側位置；以及 <br/>一第二套筒，可滑動地套接在該內桿，並且該第二套筒相對於該內桿具有一第二內側位置和一第二外側位置； <br/>其中，當該第一套筒位於該第一內側位置時，該內桿的該第一側桿部在該多功能轉接裝置的延伸方向上伸出於該第一套筒，以允許該第一側桿部插入一第一物件；當該第一套筒位於該第一外側位置時，該內桿的該第一側桿部縮入該第一套筒內，以允許一第二物件插入該第一套筒；當該第二套筒位於該第二內側位置時，該內桿的該第二側桿部在該多功能轉接裝置的延伸方向上伸出於該第二套筒，以允許該第二側桿部插入一第三物件；和當該第二套筒位於該第二外側位置時，該內桿的該第二側桿部縮入該第二套筒內，以允許一第四物件插入該第二套筒。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一側桿部在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影形狀不同於該第二側桿部在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影形狀。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第二套筒的內徑尺寸不同於該第一套筒的內徑尺寸。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一套筒包含一第一外側筒部及連接該第一外側筒部的一第一內側筒部，該第一外側筒部供該第二物件插入； <br/>該第二套筒包含一第二外側筒部及連接該第二外側筒部的一第二內側筒部，該第二外側筒部供該第四物件插入；以及 <br/>該第一外側筒部的內徑尺寸不同於該第二外側筒部的內徑尺寸。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一套筒包含一第一外側筒部及連接該第一外側筒部的一第一內側筒部，該第一外側筒部供該第二物件插入； <br/>該第二套筒包含一第二外側筒部及連接該第二外側筒部的一第二內側筒部，該第二外側筒部供該第四物件插入； <br/>該第一套筒的該第一外側筒部的外徑尺寸和在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影的輪廓形狀的至少其中之一不同於該第一內側筒部，以及當該第一套筒位於該第一外側位置時，該第一外側筒部可供插入一第五物件；以及 <br/>該第二套筒的該第二外側筒部的外徑尺寸和在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影的輪廓形狀的至少其中之一不同於該第二內側筒部，以及當該第二套筒位於該第二外側位置時，該第二外側筒部可供插入一第六物件。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一套筒包含一第一外側筒部及連接該第一外側筒部的一第一內側筒部，該第一外側筒部供該第二物件插入； <br/>該第二套筒包含一第二外側筒部及連接該第二外側筒部的一第二內側筒部，該第二外側筒部供該第四物件插入； <br/>該第一套筒的該第一外側筒部的外徑尺寸和在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影的輪廓形狀的至少其中之一不同於該第二套筒的該第二外側筒部，該第一外側筒部可供插入一第五物件，該第二外側筒部可供插入一第六物件。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一套筒包含一第一外側筒部及連接該第一外側筒部的一第一內側筒部，該第一外側筒部供該第二物件插入；以及 <br/>該第一套筒還包含一延伸筒部，該延伸筒部接續在該第一外側筒部遠離該第一內側筒部的一端，該延伸筒部的外環面設有一凸環，該凸環在該多功能轉接裝置的延伸方向上的投影的輪廓形狀不同於該第一外側筒部。
根據請求項7所述的多功能轉接裝置，還包含一扣環，該扣環套設在該第一套筒的延伸筒部上且夾在該第一外側筒部與該延伸筒部的該凸環之間。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一套筒包含一第一外側筒部及連接該第一外側筒部的一第一內側筒部，該第一外側筒部供該第二物件插入； <br/>該第二套筒包含一第二外側筒部及連接該第二外側筒部的一第二內側筒部，該第二外側筒部供該第四物件插入；以及 <br/>該第一外側筒部套設在該內桿的該第一側桿部上，該第一內側筒部套設在該內桿的該第一端上，該第二外側筒部和該第二內側筒部皆套設在該內桿的該第二側桿部上。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該內桿的該第一側桿部在遠離該主桿部的一側設有一卡合槽，該卡合槽可供該第一物件卡合。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該內桿的該第二側桿部在遠離該主桿部的一側設有一容納槽，該多功能轉接裝置還包含一卡合件和一彈簧，該卡合件和該彈簧設在該容納槽內，該彈簧的相對兩端分別抵頂該卡合件和該容納槽的槽底面，該卡合件用以卡合於該第三物件。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該主桿部的外環面設有兩第一限位槽，該兩第一限位槽在該多功能轉接裝置的延伸方向上相分離，該第一套筒的內側面設有一第一環槽； <br/>該第二側桿部的外環面設有一第二限位槽，該第二套筒的內側面設有一第二環槽； <br/>該多功能轉接裝置還包含可活動地設置在該第一環槽的一第一扣環以及可活動地設置在該第二環槽的一第二扣環； <br/>當該第一套筒位於該第一內側位置時，該第一扣環進入其中一個該第一限位槽； <br/>當該第一套筒位於該第一外側位置時，該第一扣環進入其中另一個該第一限位槽； <br/>當該第二套筒位於該第二內側位置時，該第二扣環承靠在該第二側桿部的外環面上；以及 <br/>當該第二套筒位於該第二外側位置時，該第二扣環進入該第二限位槽。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第一側桿部的外側端面和該第二側桿部的外側端面的至少其中一個設有磁性件。
根據請求項1所述的多功能轉接裝置，其中該第二套筒設置有磁性件。
一種自動夾緊定位移載機構，其包括移載模組、受所述移載模組驅動的夾緊機構，其特徵在於：<br/> 在所述移載模組旁還設置有用於配合夾緊組件使用的夾緊打開組件，所述夾緊機構包括滑塊、設置在所述滑塊上的支撐架、設置在所述支撐架側面的夾緊支架、設置在所述夾緊支架上的夾緊組件，所述夾緊組件包括固定在所述支撐架上的固定塊、通過彈簧安裝在所述固定塊上的夾緊塊、設置在所述夾緊塊底部的凸輪隨動器，所述夾緊塊上半部通過夾緊轉軸可轉動安裝在所述夾緊支撐架；<br/> 其中，所述夾緊打開組件設置在靠近所述移載模組左右兩端的位置處，所述夾緊打開組件包括設置在所述移載模組旁側的立柱、設置在所述立柱上的夾緊打開塊，所述夾緊打開塊呈梯型形狀。
如請求項1所述的一種自動夾緊定位移載機構，其中，所述夾緊支架上開設有通槽，所述夾緊塊的上半部穿過通槽設置，且所述夾緊塊與所述夾緊支架重疊部分通過所述夾緊轉軸進行連接。
一種電源轉換器，包括： <br/>一轉換電路，接收一輸入電壓並且輸出一輸出電壓； <br/>一控制器，耦接該轉換電路，該控制器用以控制該轉換電路，以調節該輸出電壓； <br/>一緩震電路，耦接於該轉換電路與該控制器之間，並且提供一緩震電壓；以及 <br/>一儲能元件，用以接收該緩震電壓做為該控制器的一操作電壓； <br/>其中，該控制器、該儲能元件以及該緩震電路耦接於一第一節點。
如請求項1所述之電源轉換器，其中該轉換電路包括： <br/>一變壓器，轉換該輸入電壓為該輸出電壓，該變壓器包括一漏電感；以及 <br/>一開關單元，用以被控制以調節該轉換電路的該輸出電壓； <br/>其中，該變壓器、該開關單元以及該緩震電路耦接於一第二節點； <br/>其中，當該開關單元導通時，電流流過該漏電感，且該漏電感處於能量儲存階段。
如請求項2所述之電源轉換器，更包括： <br/>一輔助電路，包括： <br/>一輔助繞組，用以感應該變壓器的磁能，並提供一輔助電壓；以及 <br/>一第一二極體，耦接於該第一節點與該輔助繞組之間； <br/>其中，該儲能元件用以透過該第一二極體接收該輔助電壓做為該控制器的該操作電壓。
如請求項2所述之電源轉換器，其中該緩震電路包括： <br/>一第一電容，耦接該第二節點； <br/>一釋能單元，耦接於該第一電容與該開關單元之間；以及 <br/>一第二二極體，耦接於該第一節點與該第一電容之間； <br/>其中，該第一電容、該釋能單元以及該第二二極體耦接於一第三節點； <br/>其中，當該開關單元導通時，該第一電容、該開關單元以及該釋能單元形成一洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第一電流值。
如請求項4所述之電源轉換器，其中該釋能單元包括： <br/>一第三二極體，耦接該開關單元；以及 <br/>一第一電阻，耦接該第三節點且串聯該第三二極體。
如請求項5所述之電源轉換器，其中當該開關單元關斷時，該第一電容與該第二二極體形成一充電路徑，流經該充電路徑的電流具有一第二電流值。
如請求項6所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第二電阻，耦接於該第一節點與該第二二極體之間；其中該第一電容、該第二二極體以及該第二電阻形成該充電路徑，流經該充電路徑的電流具有一第三電流值，該第二電流值大於該第三電流值。
如請求項6所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第三電阻，耦接於該第二節點與該第一電容之間；其中當該開關單元導通時，該第一電容、該第三電阻、該開關單元以及該釋能單元形成該洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第四電流值，該第一電流值大於該第四電流值；當該開關單元關斷時，該第三電阻、該第一電容以及該第二二極體形成該充電路徑，流經該充電路徑的電流具有一第五電流值，該第二電流值大於該第五電流值。
如請求項6所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第二電容，並聯耦接該第一電阻；當該開關單元導通時，該第一電容、該開關單元、該第三二極體、該第一電阻以及該第二電容形成該洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第六電流值，該第一電流值小於該第六電流值。
如請求項7所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第二電容，並聯耦接該第一電阻；當該開關單元導通時，該第一電容、該開關單元、該第三二極體、該第一電阻以及該第二電容形成該洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第六電流值，該第一電流值小於該第六電流值。
如請求項8所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第二電容，並聯耦接該第一電阻；當該開關單元導通時，該第一電容、該第三電阻、該開關單元、該第三二極體、該第一電阻以及該第二電容形成該洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第七電流值，該第四電流值小於該第七電流值。
如請求項9所述之電源轉換器，其中該緩震電路更包括一第四電阻，串聯耦接該第二電容，且串聯耦接的該第四電阻與該第二電容並聯耦接該第一電阻；當該開關單元導通時，該第一電容、該開關單元、該第三二極體、該第一電阻、該第四電阻以及該第二電容形成該洩流路徑，流經該洩流路徑的電流具有一第八電流值，該第六電流值大於該第八電流值。
一種如SEQ ID NO：2至3所示之胺基酸序列之胜肽在作為標靶分子之用途。
如請求項1之用途，其中該胜肽能與介白素-10受體分子結合，當該胜肽與該介白素-10受體結合，該胜肽能抑制B細胞淋巴癌細胞增生或抑制IL-10在巨噬細胞中誘導的抗發炎反應。
一種如SEQ ID NO：2至3所示之胺基酸序列之胜肽在製備抗B細胞淋巴癌藥物之用途。
一種核酸，其編碼如SEQ ID NO：2至3所示之胺基酸序列之胜肽。
一種表現載體，其包含如請求項4之核酸。
一種共軛物，其包含：(a)一標靶分子，其為如SEQ ID NO：2至3所示之胺基酸序列之胜肽；(b)一奈米粒子，其與該標靶分子共軛；(c)Poly A15，其與該奈米粒子共軛；以及(d)一活性成份，其與該Poly A15共軛。
如請求項6之共軛物，其中該活性成份包括5-FU。
一種如請求項6至7中任一項之共軛物在用於製備抗癌症藥物的用途。
如請求項8之用途，其中該癌症選自由B細胞淋巴瘤和乳癌所組成之群組。
一種含鐵細料之造塊方法，包括：<br/> 對一含鐵細料進行一乾燥步驟，以獲得一乾燥含鐵細料，其中該含鐵細料之鐵含量為至少50 wt%，該乾燥步驟係於溫度小於100℃下進行，且該乾燥含鐵細料的含水量為小於1.0 wt%；以及<br/> 對該乾燥含鐵細料進行一造塊步驟，以獲得一含鐵塊材，其中該乾燥含鐵細料不含黏結劑，該造塊步驟係於溫度4℃至40℃進行，且該含鐵塊材之抗壓強度為至少250Kg<sub>f</sub>/pcs，且該含鐵塊材之低溫還原粉化率為不大於38%。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該含鐵細料之一平均粒徑為小於10 mm。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該含鐵細料包含一脫硫渣鐵砂及/或一轉爐著磁細料，該脫硫渣鐵砂之一平均粒徑為小於5 mm，且該轉爐著磁細料之一平均粒徑為小於10 mm。
如請求項3所述之含鐵細料之造塊方法，其中該脫硫渣鐵砂包含脫硫渣鐵，該轉爐著磁細料包含AC著磁料及爐下渣著磁料。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該乾燥步驟係於4℃至40℃之溫度下進行。
如請求項3所述之含鐵細料之造塊方法，其中當該乾燥含鐵細料包含該脫硫渣鐵砂時，該乾燥含鐵細料的含水量為小於0.5 wt%；或<br/> 當該乾燥含鐵細料包含該轉爐著磁細料時，該乾燥含鐵細料的含水量為小於1.0 wt%。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該造塊步驟係對該乾燥含鐵細料施加至少15 ton/cm之線壓力。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該造塊步驟係對該乾燥含鐵細料施加15 ton/cm至20 ton/cm之線壓力。
如請求項1所述之含鐵細料之造塊方法，其中該含鐵塊材之鐵含量為至少85 wt%，該含鐵塊材的抗壓強度為250 Kg<sub>f</sub>/pcs至560 Kg<sub>f</sub>/pcs，且該含鐵塊材之低溫還原粉化率為13%至38%。
一種光學計量裝置，其包含： <br/>光源，其生成具有複數個波長之光； <br/>波長調變器，其接收具有該複數個波長之該光，該波長調變器包含一對交錯偏振器及設置於該對交錯偏振器之間的電光調變器，該電光調變器回應於控制信號而調變該光之偏振狀態，其中該電光調變器回應於該控制信號之各值而對於該光中之各波長生成偏振狀態之不同旋轉量； <br/>調變控制器，其通訊耦接至該電光調變器且將該控制信號提供至該電光調變器，以在不同頻率調變該光中之該複數個波長，以生成波長-頻率多工； <br/>照射光學件及集光件，其配置以引導來自該波長調變器之該光而入射於樣本上且收集來自該樣本的所得光之至少一部分； <br/>偵測器，其配置以偵測該所得光之強度；以及 <br/>至少一個處理器，其耦接至該偵測器，該至少一個處理器配置以基於該所得光之波長-頻率多工頻譜而判定該樣本之一個或多個參數。
如請求項1之光學計量裝置，其中該至少一個處理器配置以對該所得光之該波長-頻率多工頻譜執行傅立葉變換以偵測波長資料，且基於該波長資料而判定該樣本之該一個或多個參數。
如請求項1之光學計量裝置，其進一步包含耦接至該偵測器之一個或多個鎖定放大器，該一個或多個鎖定放大器配置以萃取該所得光之該波長-頻率多工頻譜中之對應的一個或多個波長之波長資料，且基於該波長資料而判定該樣本之該一個或多個參數。
如請求項1之光學計量裝置，其中該至少一個處理器配置以基於該所得光之該波長-頻率多工頻譜中之一個或多個波長之振幅而判定該樣本之該一個或多個參數。
如請求項1之光學計量裝置，其中該電光調變器包含勃克爾盒(Pockels cell)及法拉第旋轉器(Faraday rotator)中之一者。
如請求項1之光學計量裝置，其中該波長調變器位於該光源與該樣本之間。
如請求項1之光學計量裝置，其中該波長調變器位於該樣本與該偵測器之間。
如請求項1之光學計量裝置，其中該控制信號為具有基於該電光調變器中之晶體之崩潰特性而選擇之最大振幅的重複信號。
一種藉由光學計量裝置執行之方法，其包含： <br/>生成具有複數個波長之光； <br/>使用接收具有該複數個波長之該光之波長調變器在不同頻率調變該光中之該複數個波長以生成波長-頻率多工，該波長調變器包含一對交錯偏振器及設置於該對交錯偏振器之間的電光調變器，該電光調變器回應於來自調變控制器之控制信號而調變該光之偏振狀態，其中該電光調變器回應於該控制信號之各值而對於該光中之各波長生成偏振狀態之不同旋轉量； <br/>引導來自該波長調變器之該光入射於樣本上且收集來自該樣本的所得光之至少一部分； <br/>使用偵測器偵測該所得光之強度；以及 <br/>基於該所得光之波長-頻率多工頻譜而判定該樣本之一個或多個參數。
如請求項9之方法，其進一步包含對該所得光之該波長-頻率多工頻譜執行傅立葉變換以偵測波長資料，其中判定該樣本之該一個或多個參數為基於該波長資料。
如請求項9之方法，其進一步包含使用對應的一個或多個鎖定放大器對該所得光之該波長-頻率多工頻譜中之一個或多個頻率鎖定以萃取波長資料，其中判定該樣本之該一個或多個參數為基於該波長資料。
如請求項9之方法，其中該樣本之該一個或多個參數為基於該所得光之該波長-頻率多工頻譜中之一個或多個波長之振幅而判定。
如請求項9之方法，其中該電光調變器包含勃克爾盒及法拉第旋轉器中之一者。
如請求項9之方法，其中該波長調變器位於光源與該樣本之間。
如請求項9之方法，其中該波長調變器位於該樣本與該偵測器之間。
如請求項9之方法，其中該控制信號為具有基於該電光調變器中之晶體之崩潰特性而選擇之最大振幅的重複信號。
一種料倉秤重裝置，包括：<br/> 一門結構，包括一安裝框架與一門板；該安裝框架具有一框架本體，該框架本體上結合一樞接座，該門板樞接於該樞接座且具有一外面與一內面；<br/> 一秤重料倉，具有一料倉本體，該料倉本體以可沿一上下方向往復移動的方式連接於該門板的該內面，該料倉本體的上側與下側分別具有一入料口與一底部，於該底部設置至少一支撐柱；於該料倉本體設置一輸送模組，該輸送模組用以將該料倉本體內的菜品輸送至該料倉本體外；以及<br/> 至少一重量感測器，固定於該框架本體；該至少一重量感測器支撐該料倉本體的該至少一支撐柱，用以對該料倉本體及其內容物的重量或重量變化秤重；該輸送模組與該至少一重量感測器分別電連接於一控制器，該控制器用以控制該輸送模組，且該控制器由該至少一重量感測器接收該料倉本體及其內容物的重量或重量變化的數據。
如請求項1所述之料倉秤重裝置，其中該門板的該內面垂直於該上下方向的兩側結合二支撐架，所述的兩個支撐架分別具有至少一卡槽，該至少一卡槽沿該上下方向延伸且具有一底端；該料倉本體被限制在所述的二個支撐架之間而可沿該上下方向往復滑動，對應各該支撐架的該至少一卡槽，於該料倉本體的兩側分別連接至少一卡塊，該至少一卡塊可滑動地設置於該至少一卡槽，該至少一卡塊與該至少一卡槽的該底端間隔。
如請求項2所述之料倉秤重裝置，其中各該卡槽於各該支撐架內側的邊緣形成一卡槽口，各該卡槽於各該卡槽口與各該底端之間的上側部分與下側部分各形成相連的一傾斜段與一垂直段，其中各該傾斜段相對於該上下方向傾斜，各該垂直段的延伸方向平行於該上下方向。
如請求項2所述之料倉秤重裝置，其中該至少一卡塊與該至少一卡槽的該底端之間間隔的距離至少2 mm，且於其中一支撐架向背離該門板的方向凸出形成一延伸臂。
如請求項2所述之料倉秤重裝置，其中該至少一卡塊係圓柱體，於該至少一卡塊的周圍環套一滑輪，該滑輪可沿該至少一卡槽滑動。
如請求項2所述之料倉秤重裝置，其中該料倉本體垂直於該上下方向的兩側分別距離其最近的各該支撐架的距離為0.1 mm以上，1 mm以下。
如請求項1所述之料倉秤重裝置，其中該門板包括一內門板以及一外門板；該內面形成於該內門板且該內門板的周邊連接一內折彎部；該外面形成於該外門板且該外門板的周邊連接一外折彎部；該內折彎部與該外折彎部重疊，於該內門板與該外門板之間形成一隔熱腔室，該隔熱腔室內填充一發泡層。
如請求項7所述之料倉秤重裝置，其中於該外折彎部的邊緣嵌套一第一環狀密封圈，該第一環狀密封圈抵靠於該內折彎部的外周面，用以封閉該內折彎部與該外折彎部之間的間隙。
如請求項8所述之料倉秤重裝置，其中於該內門板鄰接該內面周邊的部分形成一密封圈座，於該密封圈座設置一第二環狀密封圈。
一種電解銅箔的製造方法，包括：<br/> 提供電解裝置，包括陰極以及陽極；<br/> 將所述陰極浸泡在電解液中；<br/> 將添加劑加入所述電解液中；以及<br/> 進行電鍍，以在所述陰極的表面形成電解銅箔，<br/> 其中所述添加劑由羥乙基纖維素、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉、伸乙基硫脲、生物膠、聚乙烯亞胺或其組合組成。
如請求項1所述的電解銅箔的製造方法，其中在所述電解液中，所述添加劑的濃度為1 ppm至25 ppm。
如請求項1所述的電解銅箔的製造方法，其中在所述電解液中，羥乙基纖維素的濃度為1 ppm至10 ppm，3-巰基-1-丙烷磺酸鈉的濃度為1 ppm至10 ppm，伸乙基硫脲的濃度為1 ppm至10 ppm，生物膠的濃度為1 ppm至10 ppm，聚乙烯亞胺的濃度為1 ppm至10 ppm。
如請求項1所述的電解銅箔的製造方法，其中所述電解液為硫酸銅電鍍液，所述硫酸銅電鍍液中的銅離子濃度為60 g/L至80 g/L，硫酸的濃度為60 g/L至110 g/L。
如請求項4所述的電解銅箔的製造方法，其中所述硫酸銅電鍍液更包括濃度為5 ppm至30 ppm的氯離子。
如請求項1所述的電解銅箔的製造方法，其中所述陰極為鈦輪，所述陽極為氧化銥鈦（IrO<sub>2</sub>/Ti），且所述鈦輪的轉速為500 rpm至1000 rpm。
如請求項1所述的電解銅箔的製造方法，其中所述電鍍是在以下條件下進行：鍍液溫度為50℃至70℃、電流密度為40 ASD至60 ASD。
一種電解銅箔，是由請求項1至7中任一項所述的電解銅箔的製造方法所製得。
如請求項8所述的電解銅箔，其中所述電解銅箔的厚度為3 μm至8 μm。
如請求項8所述的電解銅箔，其中所述電解銅箔的粗糙度為1.4 μm至4.3 μm。
如請求項8所述的電解銅箔，其中經180℃至200℃且時間為1小時至2小時的熱處理後，所述電解銅箔的抗拉強度為34 kg/mm<sup>2</sup>至58 kg/mm<sup>2</sup>，延伸率為3.3%至4.2%。
一種集流體，包括：如請求項8至11中任一項所述的電解銅箔。
一種形成半導體裝置之方法，包含：<br/> 在一基板上方設置複數個奈米結構；<br/> 在該些奈米結構的第一源極/汲極區上方形成一第一源極/汲極接觸件；<br/> 在該些奈米結構的第二源極/汲極區上方形成一第二源極/汲極接觸件；<br/> 在該些奈米結構的多個通道區上方形成一閘電極；<br/> 在該閘電極、以及該第一源極/汲極接觸件及該第二源極/汲極接觸件上方形成一固態摻雜層；及<br/> 從該閘電極的一頂表面移除該固態摻雜層的一第一部分，並在該第一源極/汲極接觸件及該第二源極/汲極接觸件上方分別留下該固態摻雜層的一第二部分及一第三部分。
如請求項1所述之方法，更包含：<br/> 在該第一源極/汲極接觸件及該第二源極/汲極接觸件上方形成一含氧空缺氧化物層。
如請求項1所述之方法，其中該固態摻雜層包含SiN<sub>x</sub>、HfN<sub>x</sub>、AlN<sub>x</sub>、YN<sub>x</sub>、或ScN<sub>x</sub>。
如請求項1所述之方法，其中該固態摻雜層的該第二部分包含在該閘電極與該第一源極/汲極接觸件之間垂直延伸的一垂直部分、及在該第一源極/汲極接觸件之上水平延伸的一水平部分。
一種形成半導體裝置之方法，包含：<br/> 在一基板上方形成一第一固態摻雜層；<br/> 在該第一固態摻雜層上方設置複數個奈米結構；<br/> 在該些奈米結構的第一源極/汲極區上方形成一第一源極/汲極接觸件；<br/> 在該些奈米結構的第二源極/汲極區上方形成一第二源極/汲極接觸件；及<br/> 在該第一源極/汲極接觸件與該第二源極/汲極接觸件之間形成一閘電極。
如請求項5所述之方法，更包含：<br/> 在該第一固態摻雜層上方形成一含氧空缺氧化物層。
如請求項5所述之方法，更包含：<br/> 在該第一源極/汲極接觸件及該第二源極/汲極接觸件、以及該閘電極上方形成一第二固態摻雜層；及<br/> 從該閘電極的一頂表面移除該第二固態摻雜層的一第一部分，並在該第一源極/汲極接觸件及該第二源極/汲極接觸件上方分別留下該第二固態摻雜層的一第二部分及一第三部分。
一種半導體裝置，包含：<br/> 在一基板上方的複數個奈米結構；<br/> 在該些奈米結構的第一源極/汲極區上方的一第一源極/汲極接觸件；<br/> 在該些奈米結構的第二源極/汲極區上方的一第二源極/汲極接觸件；<br/> 在該第一源極/汲極接觸件與該第二源極/汲極接觸件之間的一閘電極；<br/> 與該第一源極/汲極接觸件重疊的一第一固態摻雜層；及<br/> 在該些奈米結構與該基板之間的一第二固態摻雜層。
如請求項8所述之半導體裝置，更包含：<br/> 與該第二源極/汲極接觸件重疊的一第三固態摻雜層。
如請求項8所述之半導體裝置，更包含：<br/> 在該第一固態摻雜層與該第一源極/汲極接觸件之間的一含氧空缺氧化物層。
一種電磁式快門裝置，包括有：<br/> 一殼體，具有一凹槽；<br/> 至少一磁鐵，設置於該凹槽；<br/> 一電磁鐵模組，設置於該凹槽並抵靠於該些磁鐵之一端，更包括有：<br/> 一鐵芯，設置於該凹槽；<br/> 一線圈，設置並圍繞於該鐵芯；<br/> 一上殼體、一下殼體、一連接器，該上殼體與該下殼體彼此對立且之間設置該連接器，其中該上殼體、該下殼體及該連接器共同圍繞該鐵芯與該線圈以形成一容置空間，且該連接器包括有至少一定位柱及兩側壁體，該些側壁體彼此間隔設置於該上殼體與該下殼體之間，該些定位柱設置於該些側壁體，藉由該些定位柱與該凹槽以扣住方式連接於該凹槽；以及<br/> 一快門，設置並覆蓋於該電磁鐵模組；<br/> 其中，當該電磁鐵模接受一電流並流通該電磁鐵模組，使該電磁鐵模組與該些磁鐵之一端產生磁性相吸並抵靠，藉此使該快門以開啟或關閉。
如請求項1所述之一種電磁式快門裝置，其中該凹槽為一方形凹槽，該些磁鐵設置於該凹槽之兩端及該電磁鐵模組設置於該凹槽，並該電磁鐵模組之一端抵靠於該些磁鐵之一端，而電磁鐵模組另一端無接觸任何元件。
如請求項1所述之一種電磁式快門裝置，其中該電磁式快門裝置更包括有一感測元件，設置於該殼體之側面。
如請求項1所述之一種電磁式快門裝置，其中該電磁鐵模組的該鐵芯與該線圈一體成形。
如請求項1所述之一種電磁式快門裝置，其中該電磁式快門裝置更包括有一電路板，設置於殼體，並電性連接於該電磁鐵模組。
如請求項5所述之一種電磁式快門裝置，其中該電路板更包括有一微處理器，設置於電路板，其中該微處理器用以控制該電流的大小。
如請求項5所述之一種電磁式快門裝置，其中該電路板更包括有一電流控制元件，設置於電路板，其中該電流控制元件用以切換該電流輸入該電磁鐵模組的方向，以及切斷或流通該電流輸入至電磁鐵模組。
一種隱形眼鏡保存溶液，適於讓一鏡片核心本體浸泡，並於該鏡片核心本體浸泡於該隱形眼鏡保存溶液時進行一滅菌步驟，該隱形眼鏡保存溶液包含一第一聚合物與一第二聚合物，該第一聚合物包括聚乙烯醇，該第二聚合物包括聚乙烯吡咯烷酮； <br/>其中該第一聚合物與該第二聚合物的重量百分比的相對比例為1:4~1:15。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第一聚合物為水解程度70%~99%的部分水解聚乙烯醇。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第一聚合物為水解程度80%~98%的部分水解聚乙烯醇。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第一聚合物為水解程度88%~95%的部分水解聚乙烯醇。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物的分子量大於或等於8,000Da。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物的分子量大於或等於160,000Da。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物的分子量大於或等於360,000Da。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物為包含聚乙烯吡咯烷酮的共聚物。
如請求項8所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物為乙烯基吡咯烷酮和甲基丙烯酸二甲胺基乙酯的共聚物。
如請求項9所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物的分子量大於或等於100,000Da。
如請求項9所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第二聚合物的分子量大於或等於1,000,000Da。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該第一聚合物與該第二聚合物的重量百分比的相對比例為1:4~1:8。
如請求項1所述之隱形眼鏡保存溶液，其中該隱形眼鏡保存溶液的酸鹼值(pH值)範圍介於6.0~8.0，且該隱形眼鏡保存溶液的滲透壓範圍介於200~400 mOsm/ (kg H<sub>2</sub>O)。
一種隱形眼鏡的製作方法，包括： <br/>將一鏡片核心本體浸泡於如請求項1～13任一項所述的隱形眼鏡保存溶液時； <br/>進行一滅菌步驟後，得到一隱形眼鏡； <br/>其中該隱形眼鏡包括該鏡片核心本體與一外殼層，該外殼層包覆該鏡片核心本體；其中，該外殼層包括該第一聚合物與該第二聚合物。
一種形成半導體裝置的方法，包含以下步驟：<br/> 在一半導體區上方，形成一閘極堆疊；<br/> 蝕刻該半導體區，以在該閘極堆疊旁形成一源極/汲極凹部；<br/> 沉積一第一介電層，其中該第一介電層的一部分係在該源極/汲極凹部中；<br/> 對該第一介電層執行一處理製程；<br/> 在該第一介電層上，沉積一第二介電層；<br/> 蝕刻該第二介電層及該第一介電層，其中該第一介電層之一第一部分及該第二介電層的一第二部分保持於該源極/汲極凹部的一底部處以形成一介電區；<br/> 在形成該介電區之後，執行一預清洗製程，其中該處理製程致使該第一介電層的該第一部分相較於在該處理製程之前的一時間的該第一介電層在該預清洗製程期間具有一較低蝕刻速率；及<br/> 在該源極/汲極凹部中且該介電區上方，沉積一源極/汲極區。
如請求項1所述之方法，其中該沉積該第一介電層的步驟包含沉積一含氧介電層，且該沉積該第二介電層包含沉積一含氮介電層。
如請求項1所述之方法，其中該處理製程使用一含氧製程來執行。
一種形成半導體裝置的方法，包含： 形成一突出特徵，該突出特徵包含：<br/> 一第一犧牲奈米片，位於一塊體半導體基板上方；<br/> 一第一半導體奈米片，位於該第一犧牲奈米片上方；<br/> 一第二犧牲奈米片，位於該第一半導體奈米片上方；及<br/> 一第二半導體奈米片，位於該第二犧牲奈米片上方；<br/> 在該突出特徵的一側壁及一頂表面上，形成一閘極堆疊；<br/> 蝕刻該突出特徵以形成一凹部，其中該凹部的一第一底部低於該第一半導體奈米片的一第二底部；<br/> 沉積一第一介電層於該凹部中；<br/> 對該第一介電層執行一處理製程；<br/> 在該第一介電層上，沉積一第二介電層；<br/> 蝕刻該第一介電層及該第二介電層的多個側壁部分，而使一介電區剩餘在該凹部之該第一底部處，其中該介電區包含該第一介電層的一第一底部部分及該第二介電層的一第二底部部分；<br/> 在形成該介電區之後，執行一預清洗製程，其中該處理製程致使該第一介電層的該第一底部部分相較於在該處理製程之前的一時間的該第一介電層在該預清洗製程期間具有一較低蝕刻速率；及<br/> 在該介電區上，形成一源極/汲極區。
如請求項4所述之方法，其中該介電區之一頂表面低於該第一半導體奈米片的該第二底部。
如請求項4所述之方法，其中該介電區之一頂表面與該第一半導體奈米片的該第二底部平齊。
如請求項4所述之方法，其中該處理製程之一製程氣體包含CO<sub>2</sub>、O<sub>2</sub>、NO<sub>2</sub>或其組合，且該處理製程之一流動速率係在1 slm與10 slm之間的範圍內。
一種形成半導體裝置的方法，包含以下步驟： 蝕刻一半導體奈米片以形成一源極/汲極凹部，其中該源極/汲極凹部包含一第一底部，該第一底部相較於該半導體奈米片的一第二底部較低；<br/> 沉積一第一介電層，其中該第一介電層的一部分係在該源極/汲極凹部中，且該第一介電層包含一第一介電材料；<br/> 對該第一介電層執行一處理製程以將該第一介電材料轉換為一第二介電材料；<br/> 在該第一介電層上，沉積一第二介電層；<br/> 蝕刻該第二介電層及該第一介電層，其中該第一介電層之一第一部分及該第二介電層的一第二部分保持於該源極/汲極凹部的一底部處以形成一介電區；<br/> 在形成該介電區之後，使用一蝕刻氣體執行一預清洗製程，其中該處理製程致使該第一介電層的該第一部分相較於在該處理製程之前的一時間的該第一介電層在該預清洗製程期間具有一較低蝕刻速率；及<br/> 經由一磊晶製程，在該源極/汲極凹部中，生長一半導體區。
如請求項8所述之方法，其中該預清洗製程致使該介電區具有一凹入頂表面。
如請求項8所述之方法，其中該預清洗製程致使該介電區具有一突起頂表面。
一種含金屬之膜形成用化合物，其特徵為：該化合物為含有下述通式(P-1)或(P-2)表示之重複單元中之任一者或兩者之聚合物； <br/><img align="absmiddle" height="114px" width="433px" file="ed10092.jpg" alt="ed10092.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(P-1)及(P-2)中，R<sub>1</sub>為有取代或無取代之碳數1~20之烷基、有取代或無取代之碳數3~20之環烷基、含有1個以上之雙鍵或參鍵之有取代或無取代之碳數2~20之脂肪族不飽和烴基、有取代或無取代之碳數6~30之芳基、有取代或無取代之碳數7~31之芳基烷基；W<sub>1</sub>為有取代或無取代之碳數1~40之直鏈狀、分支狀或環狀之飽和或不飽和之烴基，該烴基可含有氧原子、氮原子、或硫原子作為雜原子，且也可形成醚鍵、羰基、酯基、醯胺基，且亦可介隔該雜原子來形成雜環結構；R<sub>2</sub>表示有取代或無取代之碳數1~20之烷基、有取代或無取代之碳數3~20之環烷基、含有1個以上之雙鍵或參鍵之有取代或無取代之碳數2~20之脂肪族不飽和烴基、羥基、胺基、鹵素原子，s<sub>1</sub>為0~1之整數，n<sub>1</sub>為0~1之整數；又，重複單元中的這些要素也可包含多種不同者；W<sub>2</sub>為有取代或無取代之碳數1~40之直鏈狀、分支狀或環狀之飽和或不飽和之烴基，該烴基可含有氧原子、氮原子、或硫原子作為雜原子，且也可形成醚鍵、羰基、酯基、醯胺基，且亦可介隔該雜原子來形成雜環結構；s<sub>2</sub>為0~1之整數；s<sub>3</sub>為1或2，且s<sub>3</sub>為1時，R<sub>3</sub>為氫原子或碳數1~10之具有羥基之烴基，s<sub>3</sub>為2時，R<sub>3</sub>為氧原子，且和其鍵結之碳原子一起成為羰基，W<sub>2</sub>與R<sub>3</sub>也可互相鍵結並形成環結構；又，重複單元中的這些要素也可包含多種不同者。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該含金屬之膜形成用化合物為含有該通式(P-1)表示之重複單元之聚合物，且該通式(P-1)中，W<sub>1</sub>為也可含有羥基或胺基之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之飽和或不飽和之烴基，該烴基可含有氧原子、氮原子、或硫原子，且也可形成醚鍵、羰基、酯基，或為下述通式(W<sub>1</sub>-1)~(W<sub>1</sub>-4)表示之基中之任一者； <br/><img align="absmiddle" height="57px" width="416px" file="ed10093.jpg" alt="ed10093.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(W<sub>1</sub>-1)~(W<sub>1</sub>-4)中，R<sub>W</sub>為碳數1~23之2價有機基，＃<sub>1</sub>表示和酯之鍵結部，＃<sub>2</sub>表示和苯環之鍵結部。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，該含金屬之膜形成用化合物為含有該通式(P-2)表示之重複單元之聚合物，且該通式(P-2)中，W<sub>2</sub>為也可含有羥基或胺基之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之飽和或不飽和之烴基，或為和R<sub>3</sub>互相鍵結而成之環狀烴基，該烴基可含有氧原子、氮原子、或硫原子，且也可形成醚鍵、羰基、酯基，或為下述通式(W<sub>2</sub>-1)~(W<sub>2</sub>-4)表示之基中之任一者； <br/><img align="absmiddle" height="71px" width="414px" file="ed10094.jpg" alt="ed10094.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(W<sub>2</sub>-1)~(W<sub>2</sub>-4)中，R<sub>W</sub>為碳數1~23之2價有機基，＃<sub>1</sub>、＃<sub>2</sub>分別表示和酯、碳原子之鍵結部。
如請求項2之含金屬之膜形成用化合物，其中，該通式(W<sub>1</sub>-1)~(W<sub>1</sub>-4)中之R<sub>W</sub>為碳數2~23之不飽和烴基。
如請求項4之含金屬之膜形成用化合物，其中，該R<sub>W</sub>為下述通式(1)表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="400px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(1)中，R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>及R<sup>c</sup>為氫原子或碳數1~20之1價有機基，R<sup>a</sup>與R<sup>b</sup>也可鍵結並形成環狀取代基；*1、*2分別表示和羰基之鍵結部，*1、*2也可倒反。
如請求項3之含金屬之膜形成用化合物，其中，該通式(W<sub>2</sub>-1)~(W<sub>2</sub>-4)中之R<sub>W</sub>為碳數2~23之不飽和烴基。
如請求項6之含金屬之膜形成用化合物，其中，該R<sub>W</sub>為下述通式(1)表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="400px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(1)中，R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>及R<sup>c</sup>為氫原子或碳數1~20之1價有機基，R<sup>a</sup>與R<sup>b</sup>也可鍵結並形成環狀取代基；*1、*2分別表示和羰基之鍵結部，*1、*2也可倒反。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，具有該通式(P-1)之重複單元的聚合物之末端結構為下述通式(T-1)，或具有該通式(P-2)之重複單元的聚合物之末端結構為下述通式(T-2)； <br/><br/><img align="absmiddle" height="99px" width="324px" file="ed10104.jpg" alt="ed10104.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(T-1)~(T-2)中，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>、W<sub>1</sub>、W<sub>2</sub>、n<sub>1</sub>、s<sub>1</sub>、s<sub>2</sub>及s<sub>3</sub>和該通式(P-1)~(P-2)同樣，*表示和聚合物中之Sn原子的鍵結部分。
如請求項1之含金屬之膜形成用化合物，其中，具有該通式(P-1)或(P-2)之重複單元的聚合物之末端結構為*-OC(=O)R，且R為一價有機基，*表示和聚合物中之Sn原子的鍵結部分。
如請求項9之含金屬之膜形成用化合物，其中，該末端結構*-OC(=O)R中，R為下述通式(A-1)~(A-4)、下述通式(3)及下述通式(4)表示之基中之任一者； <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="400px" file="ed10097.jpg" alt="ed10097.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(A-1)~(A-4)中，Y<sub>A1</sub>、Y<sub>A2</sub>可分別互為相同也可相異，且為有取代或無取代之碳數1~23之飽和或碳數2~23之不飽和之2價脂肪族烴基、有取代或無取代之碳數6~30之伸芳基、有取代或無取代之碳數7~31之芳基伸烷基；R<sub>A</sub>為氫原子、有取代或無取代之碳數1~20之飽和或碳數2~20之不飽和之1價脂肪族烴基、有取代或無取代之碳數6~30之芳基、有取代或無取代之碳數7~31之芳基烷基，R<sub>A1</sub>為下述通式(2)表示之因酸、熱中之任一者或兩者的作用而保護基會脫離並產生1個以上之羥基或羧基的有機基，*表示和羰基之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="400px" file="ed10098.jpg" alt="ed10098.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(2)中，R<sub>A2</sub>為因酸、熱中之任一者或兩者的作用而保護基會脫離之有機基，*表示和Y<sub>A1</sub>或Y<sub>A2</sub>之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="400px" file="ed10099.jpg" alt="ed10099.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(3)中，X為碳數1~31之2價有機基，B為下述通式(B)，*表示和羰基之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="21px" width="400px" file="ed10100.jpg" alt="ed10100.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(B)中，Y<sub>B</sub>為有取代或無取代之碳數1~20之飽和或碳數2~20之不飽和之2價脂肪族烴基、有取代或無取代之碳數6~30之2價伸芳基、有取代或無取代之碳數7~31之2價芳基伸烷基，R<sub>B</sub>為羥基或下述通式(B-1)至(B-3)表示之結構中之任一者； <br/><img align="absmiddle" height="66px" width="400px" file="ed10101.jpg" alt="ed10101.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(B-1)至(B-3)中，R<sub>B1</sub>為氫原子或碳數1~10之1價有機基，q表示0或1，*表示和Y<sub>B</sub>之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="400px" file="ed10102.jpg" alt="ed10102.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(4)中，X為碳數1~31之2價有機基，C為下述通式(C-1)~(C-4)表示之基中之任一者，*表示和羰基之鍵結部； <br/><img align="absmiddle" height="133px" width="400px" file="ed10103.jpg" alt="ed10103.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(C-1)及(C-3)中，R<sub>C1</sub>為氫原子或甲基，且在相同式中它們可互為相同也可相異；(C-3)及(C-4)中，R<sub>C2</sub>為氫原子、或有取代或無取代之碳數1~20之飽和或不飽和之1價脂肪族烴基、有取代或無取代之碳數6~30之芳基、有取代或無取代之碳數7~31之芳基烷基；*表示和羰基之鍵結部。
如請求項10之含金屬之膜形成用化合物，其中，該通式(A-1)~(A-4)中之Y<sub>A1</sub>、該通式(3)中之X、或該通式(4)中之X為碳數2~23之不飽和烴基。
如請求項10之含金屬之膜形成用化合物，其中，該通式(A-1)~(A-4)中之Y<sub>A1</sub>、該通式(3)中之X、或該通式(4)中之X為下述通式(1)表示之基； <br/><img align="absmiddle" height="44px" width="400px" file="ed10095.jpg" alt="ed10095.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>該通式(1)中，R<sup>a</sup>、R<sup>b</sup>及R<sup>c</sup>為氫原子或碳數1~20之1價有機基，R<sup>a</sup>與R<sup>b</sup>也可鍵結並形成環狀取代基；*1、*2分別表示和羰基之鍵結部，*1、*2也可倒反。
一種含金屬之膜形成用組成物，係作為半導體製造所使用的阻劑下層膜材料而發揮功能之含金屬之膜形成用組成物，其特徵為含有： <br/>(a)如請求項1至12中任一項之含金屬之膜形成用化合物，及 <br/>(b)有機溶劑。
如請求項13之含金屬之膜形成用組成物，其中，該組成物為可利用作為多層阻劑法所使用的阻劑下層膜之含金屬之膜形成用之組成物，且更含有(c)交聯劑、(d)界面活性劑、(e)流動性促進劑、(f)酸產生劑中之1種以上。
如請求項13之含金屬之膜形成用組成物，其中，該(b)有機溶劑為1種以上之沸點未達180℃之有機溶劑與1種以上之沸點為180℃以上之有機溶劑的混合物。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(I-1)於被加工基板上塗佈如請求項13之含金屬之膜形成用組成物後進行熱處理，藉此形成含金屬之膜， <br/>(I-2)於該含金屬之膜上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜， <br/>(I-3)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液進行顯影，並於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(I-4)以該形成有圖案之阻劑上層膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該含金屬之膜，及 <br/>(I-5)以該形成有圖案之含金屬之膜作為遮罩，對該被加工基板進行加工，並於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(II-1)於被加工基板上塗佈如請求項13之含金屬之膜形成用組成物後進行熱處理，藉此形成含金屬之膜， <br/>(II-2)於該含金屬之膜上形成阻劑中間膜， <br/>(II-3)於該阻劑中間膜上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜， <br/>(II-4)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液進行顯影，並於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(II-5)以該形成有圖案之阻劑上層膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑中間膜， <br/>(II-6)以該轉印有圖案之阻劑中間膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該含金屬之膜，及 <br/>(II-7)以該形成有圖案之含金屬之膜作為遮罩，對該被加工基板進行加工，並於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(III-1)於被加工基板上塗佈如請求項13之含金屬之膜形成用組成物後進行熱處理，藉此形成含金屬之膜， <br/>(III-2)於該含金屬之膜上形成選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-3)於該無機硬遮罩中間膜上形成有機薄膜， <br/>(III-4)於該有機薄膜上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜， <br/>(III-5)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液進行顯影，並於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(III-6)以該形成有圖案之阻劑上層膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜， <br/>(III-7)以該轉印有圖案之無機硬遮罩中間膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該含金屬之膜，及 <br/>(III-8)以該形成有圖案之含金屬之膜作為遮罩，對該被加工基板進行加工，並於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(IV-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(IV-2)於該阻劑下層膜上塗佈如請求項13之含金屬之膜形成用組成物後進行熱處理，藉此形成含金屬之膜， <br/>(IV-3)於該含金屬之膜上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜、或於該含金屬之膜上利用旋塗形成有機密合膜，並於其上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜， <br/>(IV-4)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液進行顯影，並於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(IV-5)以該形成有圖案之阻劑上層膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該含金屬之膜、或該有機密合膜及該含金屬之膜， <br/>(IV-6)以該轉印有圖案之含金屬之膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜，及 <br/>(IV-7)以該形成有圖案之阻劑下層膜作為遮罩，對該被加工基板進行加工，並於該被加工基板形成圖案。
一種圖案形成方法，係於被加工基板形成圖案之方法，其特徵為具有下列步驟： <br/>(V-1)於被加工基板上形成阻劑下層膜， <br/>(V-2)於該阻劑下層膜上形成阻劑中間膜、或選自矽氧化膜、矽氮化膜、及矽氧化氮化膜之無機硬遮罩中間膜與有機薄膜之組合， <br/>(V-3)於該阻劑中間膜、或於無機硬遮罩中間膜與有機薄膜之組合上使用光阻劑材料形成阻劑上層膜， <br/>(V-4)將該阻劑上層膜進行圖案曝光後，以顯影液進行顯影，並於該阻劑上層膜形成圖案， <br/>(V-5)以該形成有圖案之阻劑上層膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑中間膜、或該有機薄膜及該無機硬遮罩中間膜， <br/>(V-6)以該轉印有圖案之阻劑中間膜、或無機硬遮罩中間膜作為遮罩，並利用乾蝕刻將圖案轉印於該阻劑下層膜， <br/>(V-7)於該形成有圖案之該阻劑下層膜上塗佈如請求項13之含金屬之膜形成用組成物後進行熱處理，藉此被覆含金屬之膜，並以該含金屬之膜填充該阻劑下層膜圖案間， <br/>(V-8)將覆蓋該形成有圖案之該阻劑下層膜上的該含金屬之膜，以化學性剝離或乾蝕刻進行回蝕(etch back)，並使形成有圖案之該阻劑下層膜的頂面露出， <br/>(V-9)利用乾蝕刻去除殘留於該阻劑下層膜頂面之阻劑中間膜、或硬遮罩中間膜， <br/>(V-10)利用乾蝕刻去除表面已露出的該形成有圖案之該阻劑下層膜，並於含金屬之膜形成原本圖案的反轉圖案，及 <br/>(V-11)以該形成有反轉圖案之含金屬之膜作為遮罩，對該被加工基板進行加工，並於該被加工基板形成反轉圖案。
如請求項18之圖案形成方法，其係利用CVD法或ALD法來形成該無機硬遮罩中間膜。
如請求項20之圖案形成方法，其係利用CVD法或ALD法來形成該無機硬遮罩中間膜。
一種基板資訊取得裝置，係用以針對收納於收容器的基板取得包含鉛直方向的位置之基板資訊，前述收容器係能夠分離地收納水平姿勢的複數片基板且能夠從形成於一個側面的搬入搬出口將前述基板搬入以及搬出；<br/> 前述基板資訊取得裝置係具備：<br/> 圖案，係俯視觀看時隔著被收納於前述收容器的前述基板配置於前述搬入搬出口的相反側，且從前述搬入搬出口觀看時以前述基板的面作為基準上下地非對稱；<br/> 攝影部，係從前述搬入搬出口之側攝影前述圖案；以及<br/> 資訊取得部，係基於前述攝影部攝影所得的圖像針對被收納於前述收容器的基板取得前述基板資訊。
如請求項1所記載之基板資訊取得裝置，其中進一步地具備：移動機構，係將前述攝影部朝層疊有前述複數片基板之方向移動。
如請求項1所記載之基板資訊取得裝置，其中前述圖案係配置於前述收容器中之與前述搬入搬出口對向之外側面的外部。
如請求項3所記載之基板資訊取得裝置，其中具備：<br/> 光源，係從前述收容器的外部朝向前述外側面照射光線；以及<br/> 豎立設置構件，係配置於前述光源與前述收容器之間，供前述光源的光線穿透；<br/> 前述圖案係形成於前述豎立設置構件。
如請求項3所記載之基板資訊取得裝置，其中具備：圖像顯示單元，係配置於前述收容器的外部，進行發光並將任意的圖像顯示於前述外側面之側；<br/> 前述圖案係顯示於前述圖像顯示單元。
如請求項3所記載之基板資訊取得裝置，其中前述攝影部係能夠檢測紅外線；<br/> 前述基板資訊取得裝置係具備：<br/> 紅外線光源，係從前述收容器的外部朝向前述外側面照射包含紅外線的光線；以及<br/> 豎立設置構件，係配置於前述紅外線光源與前述收容器之間，供前述紅外線光源的紅外線穿透；<br/> 前述圖案係形成於前述豎立設置構件。
如請求項3所記載之基板資訊取得裝置，其中前述攝影部係能夠檢測紅外線；<br/> 前述基板資訊取得裝置係具備：電熱線，係從前述收容器的外部朝向前述外側面照射包含紅外線的光線；<br/> 前述圖案係藉由前述電熱線的配置所形成。
如請求項1所記載之基板資訊取得裝置，其中前述圖案係配置於與前述搬入搬出口對向之前述收容器的內側面。
如請求項8所記載之基板資訊取得裝置，其中具備：投影部，係從前述搬入搬出口之側朝向前述內側面投影圖像；<br/> 前述圖案係藉由前述投影部的前述圖像而形成。
如請求項1所記載之基板資訊取得裝置，其中前述圖案為從鉛直方向傾斜之直線狀。
一種基板處理裝置，係具備：<br/> 如請求項1至10中任一項所記載之基板資訊取得裝置；<br/> 處理部，係對前述基板進行預定的處理；<br/> 手部，係保持前述基板；<br/> 手部驅動部，係使前述手部相對於前述收容器進退驅動並使前述手部於鉛直方向升降驅動，藉此搬運成為前述處理部的處理對象的前述基板；以及<br/> 控制部，係基於前述基板資訊取得裝置所取得的前述基板資訊來操作前述手部驅動部。
一種以小葉種茶製作茶膏的方法，包含步驟：<br/> a) 取小葉種茶（Camellia Sinensis Var. Sinensis）的茶菁製成可沖泡飲用的茶葉；<br/> b) 取茶葉與5倍重量的逆滲透水，於常壓下置於陶鍋中，在90±2℃下進行萃取45分鐘後以白紗布進行過濾，分離取得第一次萃取液與萃取後茶葉；<br/> c) 將步驟b)的萃取後茶葉與原茶葉3倍重量的逆滲透水於常壓下置於陶鍋中，在90±2℃下進行萃取30分鐘後以生白布進行過濾，分離取得第二次萃取液與萃取後茶葉，其中生白布的單位網格密度大於白紗布的單位網格密度；<br/> d) 將步驟c)的萃取後茶葉與原茶葉2倍重量的逆滲透水於常壓下置於陶鍋中，在90±2℃下進行萃取30分鐘後以生白布進行過濾，取得第三次萃取液；<br/> e) 將第一次萃取液、第二次萃取液與第三次萃取液混合置於陶鍋中，在90±2℃下加熱6小時或至產生掛旗現象為止，形成熱熔狀態的茶膏，其中若在加熱過程中產生液面滾動，則須暫停加熱直至液面不再滾動後，續行加熱；結束前至少5分鐘將加熱溫度調高至100±2℃，並以攪拌棒快速攪動熱熔狀態的茶膏；及<br/> f) 將熱熔狀態的茶膏倒入模具中並攤薄，在25±2°C及相對濕度80±2%的通風環境中進行乾燥至少60天。
如請求項1所述的以小葉種茶製作茶膏的方法，其中該些萃取液在進行步驟e)前需要在溶器中靜置至少30分鐘以沉澱並去除雜質。
如請求項1所述的以小葉種茶製作茶膏的方法，其中掛旗現象為以攪拌棒提取茶濃縮液時，茶濃縮液黏著在攪拌棒上向下成旗幟下垂般地流動甚至停滯。
如請求項1所述的以小葉種茶製作茶膏的方法，其中步驟f)中攤薄之熱熔狀態的茶膏，其薄攤厚度控制不超過0.5cm。
如請求項1所述的以小葉種茶製作茶膏的方法，其中步驟f)進一步包含：在熱熔狀態的茶膏冷卻凝固後，定期將固化的茶膏於模具中翻面。
如請求項1所述的以小葉種茶製作茶膏的方法，其中該可沖泡飲用的茶葉為綠茶、黃茶、白茶、烏龍茶或紅茶。
一種OxRAM型電阻式記憶胞的製法，包括以下步驟：<br/> -形成一氮化鈦下電極，<br/> -首先依一矽之第一佈植劑量及一第一佈植加速電壓佈植矽原子至該下電極內，該矽之第一佈植劑量嚴格地為正且嚴格地低於0.7×10<sup>14</sup>cm<sup>-2</sup>，<br/> -接著依一矽之第二佈植劑量及嚴格地大於該第一佈植加速電壓的一第二佈植加速電壓佈植矽原子至該下電極內，該矽之第二佈植劑量嚴格地為正的且嚴格地低於0.6×10<sup>14</sup>cm<sup>-2</sup>，<br/> 選擇該第一加速電壓及該第二加速電壓以具有在該第一佈植和該第二佈植之後的一佈植輪廓，該佈植輪廓在距離該下電極的上表面介於1 nm和3 nm的深度處具有最大矽濃度，<br/> -沉積一活性層在經佈植的該下電極上，<br/> -沉積一上電極至活性層上。
如請求項1之方法，其中該第一加速電壓和該第二加速電壓經選擇以具有在該第一佈植和該第二佈植之後的一佈植輪廓，該佈植輪廓具有在距該下電極的該上表面介於1至1.6 nm之一深度處之一最大矽濃度，以及於該最大矽佈植濃度值之一半值處之該佈植輪廓之介於1.6 nm和2 nm之一寬度。
如請求項2之方法，其中該第一加速電壓和該第二加速電壓經過選擇以具有在該第一佈植和該第二佈植之後的一佈植輪廓，該佈植輪廓具有在距該下電極的該上表面之1.1至1.5 nm間之一深度處之一最大矽濃度，以及於該最大矽佈植濃度值之一半值處之該佈植輪廓之介於1.7 nm和1.9 nm之一寬度。
如請求項1之方法，其中，沉積該上電極至該活性層上包括：<br/> -沉積一第一導電層，接觸該活性層並經選擇以在該活性層中產生氧空位，以及<br/> -沉積一第二導電層，設置在該第一導電層上。
如請求項4之方法，其中該第一導電層的材料為鈦且該第二導電層的導電材料為氮化鈦。
如請求項1之方法，其中該第一加速電壓介於0.3 kV至0.7 kV，且該第二加速電壓介於在1 kV至2 kV。
如請求項1之方法，其中該第一加速電壓等於0.5 kV，且該第二加速電壓等於1.5 kV。
如請求項1之方法，其中該矽之第一佈值劑量等於0.5×10<sup>14</sup>cm<sup>-2</sup>，且該矽之第二佈值劑量等於0.3×10<sup>14</sup>cm<sup>-2</sup>。
如請求項1之方法，其中沉積該活性層在經佈植之該下電極上包括以下步驟：<br/> -沉積一活性材料層至經佈植之該下電極上，<br/> -沉積一介電氧化物層至該活性材料層上，<br/> -佈植矽原子穿過該介電氧化物層，該佈植劑量和該佈植加速電壓經選擇使得該矽原子至少部分地佈植至該活性材料層內。
如請求項9之方法，其中該活性材料係基於二氧化鉿。
如請求項 9之方法，其中該介電氧化物係基於氧化鋁。
如請求項6之方法，其中佈植矽穿過該介電氧化物層之該步驟是在佈植加速電壓介於1.5至3.5千伏、較佳地等於2.5 kV，以及矽的佈植劑量介於10<sup>15</sup>cm<sup>-2</sup>至5×10<sup>15</sup>cm<sup>-2</sup>，較佳地等於2×10<sup>15</sup> cm<sup>-2</sup>下施行。
如請求項1之方法，其中該氮化鈦下電極的厚度選擇在10 nm至200 nm之間。
一種OxRAM型記憶胞，其透過請求項1至13中任一項之方法所獲得。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一第一晶粒，具有一傳輸器電路及一第一鎖相迴路電路，該第一鎖相迴路電路用以產生一第一全域時脈訊號；以及<br/> 一第二晶粒，具有一多工器、一接收器電路、一相位對準元件及一第二鎖相迴路電路，該相位對準元件用以使用該第一全域時脈訊號及來自該第二鎖相迴路電路的一回饋來產生一參考時脈訊號，該第二鎖相迴路電路用以基於該參考時脈訊號來產生一第二全域時脈訊號，<br/> 其中該第一全域時脈訊號的一相位與該第二全域時脈訊號的一相位彼此對準， <br/> 其中該多工器，耦接在該接收器電路及該第二鎖相迴路電路之間，該多工器用以在該第一全域時脈訊號及該第二全域時脈訊號之間進行選擇，<br/> 其中該接收器電路用以接收來自該多工器的一輸出，且用以接收由該第一晶粒傳輸的一資料。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第二晶粒的該接收器電路用以藉由接收自該第一晶粒經由一晶粒對晶粒時脈介面轉發的該第一全域時脈訊號而運作於一源同步模式。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第二晶粒的該接收器電路用以藉由接收由該第二鎖相迴路電路產生的該第二全域時脈訊號而運作於一系統同步模式。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含一可程式化全域延遲電路，用以：<br/> 接收由該第一鎖相迴路電路產生的該第一全域時脈訊號；以及<br/> 產生一第一區域時脈訊號，該第一區域時脈訊號具有根據該第一全域時脈訊號及該第二全域時脈訊號之間的一時脈偏斜選擇的一延遲。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一晶粒進一步包含一區域延遲電路，該區域延遲電路用以延遲用於該傳輸器電路的一輸入時脈或用於該第一晶粒的一第一晶粒對晶粒時脈傳輸介面的一輸入時脈的其中一者。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該第二晶粒進一步包含一第二區域延遲電路，該第二區域延遲電路用以延遲該第二晶粒的一第二傳輸器電路的一輸入時脈或用於該第二晶粒的一第二晶粒對晶粒時脈傳輸介面的一輸入時脈的其中一者。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一晶粒進一步包含一晶粒對晶粒全域時脈傳輸介面，該晶粒對晶粒全域時脈傳輸介面用以將該第一全域時脈訊號傳輸至該第二晶粒的該相位對準元件。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包含：<br/> 一第三晶粒，電耦接至該第一晶粒，該第三晶粒具有一第二接收器電路、一第二相位對準元件及一第三鎖相迴路電路，該第二相位對準元件用以使用該第一全域時脈訊號及來自該第三鎖相迴路電路的一回饋來產生一第二參考時脈訊號，該第三鎖相迴路電路用以基於該第二參考時脈訊號來產生用於該第三晶粒的一第三全域時脈訊號。
一種半導體晶粒，包含：<br/> 一鎖相迴路電路，用以產生一第一全域時脈訊號；<br/> 一多工器，用以在該第一全域時脈訊號及一第二全域時脈訊號之間進行選擇，該第二全域時脈訊號自電耦接至該半導體晶粒的一第二晶粒轉發；以及<br/> 一接收器電路，用以接收來自該多工器的一輸出，且用以接收由該第二晶粒傳輸的一資料，<br/> 其中該多工器耦接在該鎖相迴路電路及該接收器電路之間。
一種操作方法，包含以下步驟：<br/> 在具有不同時脈域的一第一晶粒與一第二晶粒之間以一系統同步模式啟動一資料轉移程序；<br/> 藉由一多工器在該第一晶粒的一第一全域時脈訊號及從該第二晶粒轉發的一第二全域時脈訊號之間進行選擇，其中該多工器耦接在該第一晶粒的一鎖相迴路電路及一接收器電路間；<br/> 藉由該接收器電路接收該多工器的一輸出，以進行該資料轉移程序；<br/> 調整該第一晶粒的一第一延遲電路，使得對應於該第一晶粒的一第一傳輸電路的一第一延遲與對應於該第二晶粒的一第二傳輸電路的一第二延遲匹配；以及<br/> 根據一設定失配或一保持失配來調整該第一晶粒的一第二延遲電路，以產生用於該第一晶粒的一轉發時脈訊號。
一種用於傳輸及接收資料之系統，其包含：<br/>一第一積體電路(IC)晶粒，其包括：<br/>一或多個處理器電路，其經組態以發送及接收資料異動(data transactions)；<br/>一第一複數個電路區塊，其經組態以接收及回應資料異動；及<br/>一晶粒至晶粒介面之一第一實例，其包括複數個第一傳輸引腳及複數個第一接收引腳，其等耦接至該一或多個處理器電路及該第一複數個電路區塊；及<br/>一第二IC晶粒，其包括：<br/>一第二複數個電路區塊，其經組態以接收及回應資料異動；<br/>一通訊網狀架構(communication fabric)，其經組態以在該第二複數個電路區塊之間轉移資料異動；及<br/>該晶粒至晶粒介面之一第二實例，其包括複數個第二傳輸引腳及複數個第二接收引腳，其等耦接至該晶粒至晶粒介面之該第一實例及該第二複數個電路區塊，其中該晶粒至晶粒介面之該第二實例經組態以將一存取點提供至該通訊網狀架構；及<br/>其中該第一IC晶粒及該第二IC晶粒執行為一單一積體電路。
如請求項1之系統，其中該一或多個處理器電路進一步經組態以：<br/>使用一特定異動協定以與該第一複數個電路區塊交換資料異動；及<br/>使用該特定異動協定以與該第二複數個電路區塊交換資料異動。
如請求項1之系統，其中該第一IC晶粒包括耦接至該晶粒至晶粒介面之該第一實例之各別部分的一第一組晶片上路由器；且<br/>其中該第二IC晶粒包括耦接至該晶粒至晶粒介面之該第二實例之各別部分的一第二組晶片上路由器。
如請求項3之系統，其中為了執行為一單一積體電路，該第一組晶片上路由器之多者經組態以經由該晶粒至晶粒介面之該第一實例及該第二實例而與該第二組晶片上路由器之多者交換資料異動。
如請求項3之系統，其中該第一IC晶粒進一步包括：<br/>一第一匯流排電路，其耦接至該第一組晶片上路由器之一第一子集；及<br/>一第二匯流排電路，其耦接至該第一組晶片上路由器之一第二非重疊子集。
如請求項3之系統，其中該第一IC晶粒進一步包括一第一介面包裝器，該第一介面包裝器耦接於該晶粒至晶粒介面之該第一實例與該第一組晶片上路由器之一或多者之間，且<br/>其中該第二IC晶粒進一步包括一第二介面包裝器，該第二介面包裝器耦接於該晶粒至晶粒介面之該第二實例與該第二組晶片上路由器之一或多者之間。
如請求項6之系統，其中該第一介面包裝器經組態以使用一第一引腳指派(pin assignment)而自該第一組晶片上路由器之一第一晶片上路由器轉移一給定資料異動至該複數個第一傳輸引腳之一子集，且<br/>其中該第二介面包裝器經組態以使用與該第一引腳指派不同之一第二引腳指派而自該複數個第二接收引腳之一子集轉移該給定資料異動至該第二組晶片上路由器之一第二晶片上路由器。
如請求項1之系統，其中該第一IC晶粒及該第二IC晶粒係包括於一相同晶片封裝中。
如請求項1之系統，其中該第二IC晶粒在設計上不同於該第一IC晶粒。
一種用於傳輸及接收資料之方法，其包含：<br/>藉由包括在一第一積體電路(IC)晶粒中之一第一電路區塊發送一特定資料封包至包括在一第二IC晶粒中之一第二電路區塊，該第二IC晶粒經由一晶粒至晶粒介面之各別第二實例及第一實例耦接至該第一IC晶粒；<br/>藉由該晶粒至晶粒介面之該第一實例將該特定資料封包轉移至該晶粒至晶粒介面之該第二實例，其中該晶粒至晶粒介面之該第二實例繞一對稱軸旋轉且耦接至該晶粒至晶粒介面之該第一實例；及<br/>藉由該晶粒至晶粒介面之該第二實例將該特定資料封包轉移至該第二電路區塊；且<br/>其中該第一IC晶粒及該第二IC晶粒執行為一單一積體電路。
如請求項10之方法，其中發送該特定資料封包包括使用一特定協定以發送該特定資料封包至該第二電路區塊；且<br/>進一步包括藉由該第一電路區塊使用該特定協定發送一不同資料封包至包括在該第一IC晶粒中之一第三電路區塊。
如請求項10之方法，其中發送該特定資料封包至該第二電路區塊包括藉由該第一電路區塊且經由一第一晶片上路由器發送該特定資料封包至該晶粒至晶粒介面之該第一實例。
如請求項12之方法，進一步包括藉由該第一晶片上路由器且經由一第一介面包裝器使用一第一引腳指派發送該特定資料封包至該晶粒至晶粒介面之該第一實例。
如請求項13之方法，進一步包括藉由該第二IC晶粒上之一第二晶片上路由器且經由一第二介面包裝器使用與該第一引腳指派不同之一第二引腳指派而自該晶粒至晶粒介面之該第二實例接收該特定資料封包。
一種用於傳輸及接收資料之設備，其包含：<br/>一積體電路(IC)晶粒，其包括：<br/>複數個電路區塊，其經組態以發送及接收資料異動；<br/>一通訊網狀架構(communication fabric)，其經組態以在該IC晶粒中之該複數個電路區塊之間轉移資料異動；及<br/>一晶粒至晶粒介面，其耦接至該通訊網狀架構且經組態以將至該通訊網狀架構之一存取點提供至一不同IC晶粒。
如請求項15之設備，進一步包括耦接至該晶粒至晶粒介面及該通訊網狀架構之複數個晶片上路由器；且<br/>其中為了提供至該通訊網狀架構之該存取點，該晶粒至晶粒介面進一步經組態以使用該複數個晶片上路由器之一或多個晶片上路由器以經由該通訊網狀架構轉移資料封包。
如請求項16之設備，其中該通訊網狀架構包括複數個匯流排電路；且<br/>其中該複數個晶片上路由器之一第一晶片上路由器耦接至該複數個匯流排電路之一第一匯流排電路且該複數個晶片上路由器之一第二晶片上路由器耦接至該複數個匯流排電路之一第二匯流排電路。
如請求項16之設備，其中該複數個晶片上路由器之一給定晶片上路由器經組態以判定一給定資料封包之一最後目的地。
如請求項18之設備，其中該給定晶片上路由器進一步經組態以判定該給定資料封包之該最後目的地為該不同IC晶粒中之一不同複數個電路區塊之一者。
如請求項15之設備，進一步包含耦接在晶粒至晶粒介面與該通訊網狀架構之間之一介面包裝器；且<br/>其中該複數個電路區塊之一特定電路區塊經組態以致使該介面包裝器修改該通訊網狀架構與該晶粒至晶粒介面之間之一引腳指派。
一種微動開關，包含：<br/> 一基座，具有一基礎部及二間隔設於該基礎部上的活動限制部，該二活動限制部之間界定一活動空間；<br/> 至少二導電端子，並列設於該基座上，該至少二導電端子的每一具有一顯露該微動開關表面的接電部，及一連接該接電部並設於該二活動限制部其中之一的接觸部，該接觸部顯露於該二活動限制部其一的表面並面對該活動空間；以及<br/> 一訊號產生件，位於該活動空間並沿該活動空間位移，該訊號產生件包含一活動座及一設於該活動座的開關簧片，該開關簧片具有一埋設於該活動座內的基板，及複數分別連接該基板兩相對側並可接觸該至少二導電端子的複數該接觸部的外擴接腳，該些外擴接腳每一具有一連接該基板的連接端，及一與該連接端相對的自由端，該些外擴接腳的複數該自由端的水平高度高於該些外擴接腳的複數該連接端的水平高度，該些外擴接腳的複數該自由端之間的距離大於該些外擴接腳的複數該連接端的距離。
如請求項1所述的微動開關，其中，該基板設有至少一突出該基板邊緣的輔助安裝部。
如請求項2所述的微動開關，其中，該微動開關具有一設於該活動空間內並可受該活動座壓迫的彈性件。
如請求項3所述的微動開關，其中，該活動座成形一安裝槽，該基板設有一連通該安裝槽的穿孔，該彈性件伸入該安裝槽並穿過該穿孔。
如請求項4所述的微動開關，其中，該基座具有一設於該基礎部並對該彈性件提供定位的定位塊。
如請求項1至5任一項所述的微動開關，其中，該些導電端子的數量大於二且為奇數，該些導電端子分別位於該二活動限制部上，位於同一該活動限制部的該些導電端子的複數該接觸部於該活動限制部上的顯露位置不同。
如請求項6所述的微動開關，其中，該微動開關具有一罩於該基座上的外殼，該活動座設有一顯露於該外殼的操作塊。
如請求項7所述的微動開關，其中，該外殼具有一殼內空間，及至少一設於該殼內空間的壁面並導引該活動座位移的軌道。
如請求項8所述的微動開關，其中，該訊號產生件具有一設於該操作塊並顯露於該外殼的保護套。
如請求項1至5任一項所述的微動開關，其中，該微動開關具有一罩於該基座上的外殼，該活動座設有一顯露於該外殼的操作塊。
如請求項10所述的微動開關，其中，該外殼具有一殼內空間，及至少一設於該殼內空間的壁面並導引該活動座位移的軌道。
如請求項11所述的微動開關，其中，該訊號產生件具有一設於該操作塊並顯露於該外殼的保護套。
一種電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，包含：<br/> 一製程控制伺服器，用以控制一第一電磁鋼片之一塗覆製程，且據以產生包含一製程參數之一參數資料；<br/> 一製程資料庫，與該製程控制伺服器通訊連接，且用以儲存該參數資料；以及<br/> 一膜厚預測伺服器，與該製程資料庫通訊連接並接收該參數資料，該膜厚預測伺服器包含：<br/> 一膜厚預測模組，用以根據該參數資料以一膜厚預測模型預測經該塗覆製程之該第一電磁鋼片之一初始膜厚預測值；以及<br/> 一膜厚誤差補償模組，用以根據該參數資料以一膜厚誤差補償模型預測該塗覆製程之該第一電磁鋼片之一膜厚補償值；<br/> 其中該膜厚預測伺服器將該初始膜厚預測值根據該膜厚補償值計算調整為一最終膜厚預測值，並將該最終膜厚預測值傳送至該製程資料庫。
如請求項1所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該製程資料庫更用以儲存一歷史參數資料、一歷史膜厚資料及一歷史膜厚誤差資料，且該膜厚預測伺服器更用以接收該歷史參數資料、該歷史膜厚資料及該歷史膜厚誤差資料；<br/> 該膜厚預測模組更用以以該歷史參數資料及該歷史膜厚資料訓練該膜厚預測模型；<br/> 該膜厚誤差補償模組更用以以該歷史參數資料及該歷史膜厚誤差資料訓練該膜厚誤差補償模型。
如請求項2所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該製程控制伺服器更包含：<br/> 一歷史資料更新模組，用以更新該製程資料庫中之該歷史參數資料及該歷史膜厚誤差資料。
如請求項3所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該膜厚誤差補償模組更用以根據更新之該歷史參數資料及更新之該歷史膜厚誤差資料重新訓練該膜厚誤差補償模型，<br/> 並且該膜厚誤差補償模組根據一第二電磁鋼片經該塗覆製程之該參數資料以該膜厚誤差補償模型預測該第二電磁鋼片之該膜厚補償值。
如請求項3或4所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該歷史資料更新模組對該歷史參數資料之更新，係將該第一電磁鋼片之該塗覆製程之該參數資料作為一更新參數資料，並儲存至該製程資料庫以更新該歷史參數資料。
如請求項3或4所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該製程資料庫更用以儲存該第一電磁鋼片在該塗覆製程之一真實膜厚值；<br/> 該歷史資料更新模組對該歷史膜厚誤差資料之更新，係計算該真實膜厚值與該初始膜厚預測值之誤差值作為一更新膜厚誤差資料，並儲存至該製程資料庫以更新該歷史膜厚誤差資料。
如請求項1所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測系統，其中該參數資料包含該塗覆製程之一製程狀態資料及該第一電磁鋼片之鋼片特性資料中至少一者。
一種電磁鋼片塗覆膜厚預測方法，包含： <br/> 控制一第一電磁鋼片之一塗覆製程，且據以產生包含一製程參數之一參數資料；<br/> 根據該參數資料以一膜厚預測模型預測經該塗覆製程之該第一電磁鋼片之一初始膜厚預測值；<br/> 根據該參數資料以一膜厚誤差補償模型預測該第一電磁鋼片之一膜厚補償值；以及<br/> 將該初始膜厚預測值根據該膜厚補償值計算調整為一最終膜厚預測值。
如請求項8所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測方法，其中該膜厚誤差補償模型係以一歷史參數資料及一歷史膜厚誤差資料訓練，該電磁鋼片塗覆膜厚預測方法更包含：<br/> 更新該歷史參數資料及該歷史膜厚誤差資料；<br/> 根據更新之該歷史參數資料及更新之該歷史膜厚誤差資料重新訓練該膜厚誤差補償模型；以及<br/> 根據一第二電磁鋼片經該塗覆製程之該參數資料以該膜厚誤差補償模型預測該第二電磁鋼片之該膜厚補償值。
如請求項9所述之電磁鋼片塗覆膜厚預測方法，其中對該歷史膜厚誤差資料之更新，係計算該第一電磁鋼片在該塗覆製程之一真實膜厚值與該初始膜厚預測值之誤差值作為一更新膜厚誤差資料以更新該歷史膜厚誤差資料。
一種顯示設備，包含：一顯示面板，包含多條資料線以及分別連接至該些資料線的多個像素；一第一資料驅動部，包含連接至該些資料線的一端的多個第一資料積體電路；一第二資料驅動部，包含連接至該些資料線的另一端的多個第二資料積體電路；一時序控制部，向該第一資料驅動部及該第二資料驅動部分別提供一輸入第一鎖定訊號及一輸入第二鎖定訊號；以及一比較電路，根據該輸入第一鎖定訊號及該輸入第二鎖定訊號，分別接收從該第一資料驅動部及該第二資料驅動部產生的一輸出第一鎖定訊號及一輸出第二鎖定訊號，以及比較並同步該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號，以向該時序控制部提供一同步鎖定訊號，其中，在該同步鎖定訊號的一鎖定狀態下，該時序控制部傳送一影像資料至該第一資料驅動部及該第二資料驅動部，且該第一資料驅動部及該第二資料驅動部輸出各自的多個資料電壓。
根據請求項1的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號的一鎖定狀態及該輸出第二鎖定訊號的一鎖定狀態互相不同步的一區段期間，該同步鎖定訊號具有一解鎖狀態，以及其中，在該同步鎖定訊號的該解鎖狀態下，該時序控制部關閉該影像資料的傳輸，並且該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的輸出被關閉。
根據請求項1的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的至少一者處於一鎖定失敗狀態的一區段期間，該同步鎖定訊號具有一解鎖狀態，以及其中，在該同步鎖定訊號的該解鎖狀態下，該時序控制部關閉該影像資料的傳輸，並且該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的輸出被關閉。
根據請求項2的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號的該鎖定狀態及該輸出第二鎖定訊號的該鎖定狀態互相不同步的該區段期間，該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的一者處於該鎖定狀態，而該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的另一者處於一解鎖狀態。
根據請求項3的顯示設備，其中，該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的該至少一者在該鎖定失敗狀態下具有一異常波形。
根據請求項1的顯示設備，其中，當該輸入第一鎖定訊號被輸入時，該些第一資料積體電路依序對每個輸出鎖定訊號運作，且從該些第一資料積體電路中的一者輸出的一鎖定訊號被輸入至其下一個第一資料積體電路，且從該些第一資料積體電路中的最後一個第一資料積體電路輸出的一鎖定訊號為該輸出第一鎖定訊號，以及當該輸入第二鎖定訊號被輸入時，該些第二資料積體電路依序對每個輸出鎖定訊號運作，且從該些第二資料積體電路中的一者輸出的一鎖定訊號被輸入至其下一個第二資料積體電路，且從該些第二資料積體電路中的最後一個第二資料積體電路輸出的一鎖定訊號為該輸出第二鎖定訊號。
根據請求項6的顯示設備，其中，該第一資料驅動部包含與該些第一資料積體電路連接的一第一源板，其中，該第二資料驅動部包含與該些第二資料積體電路連接的一第二源板，其中，該第一源板包含一第一鎖定訊號線，用於傳送輸入及輸出至該些第一資料積體電路的該些鎖定訊號，以及其中，該第二源板包含一第二鎖定訊號線，用於傳送輸入及輸出至該些第二資料積體電路的該些鎖定訊號。
根據請求項1的顯示設備，其中，該些像素中的一者包含一發光二極體。
根據請求項1的顯示設備，其中，在該同步鎖定訊號的該鎖定狀態下，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的該些資料電壓的輸出是同步的。
一種顯示設備，包含：一顯示面板，包含多條資料線以及分別連接至該些資料線的多個像素；一第一資料驅動部，包含連接至該些資料線的一端的多個第一資料積體電路；一第二資料驅動部，包含連接至該些資料線的另一端的多個第二資料積體電路；一時序控制部，向該第一資料驅動部及該第二資料驅動部分別提供一輸入第一鎖定訊號及一輸入第二鎖定訊號；以及一比較電路，根據該輸入第一鎖定訊號及該輸入第二鎖定訊號，分別接收從該第一資料驅動部及該第二資料驅動部產生的一輸出第一鎖定訊號及一輸出第二鎖定訊號，以及比較並同步該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號，以向該時序控制部提供一同步鎖定訊號，其中，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的多個資料電壓的輸出被根據該同步鎖定訊號調整。
根據請求項10的顯示設備，其中，在該同步鎖定訊號的一鎖定狀態下，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的該些資料電壓的輸出是同步的。
根據請求項10的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號的一鎖定狀態及該輸出第二鎖定訊號的一鎖定狀態互相不同步的一區段期間，該同步鎖定訊號具有一解鎖狀態，以及其中，在該同步鎖定訊號的該解鎖狀態下，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的輸出被關閉。
根據請求項10的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的至少一者處於一鎖定失敗狀態的一區段期間，該同步鎖定訊號具有一解鎖狀態，以及其中，在該同步鎖定訊號的該解鎖狀態下，該第一資料驅動部及該第二資料驅動部的輸出被關閉。
根據請求項12的顯示設備，其中，在該輸出第一鎖定訊號的該鎖定狀態及該輸出第二鎖定訊號的該鎖定狀態互相不同步的該區段內，該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的一者處於該鎖定狀態，而該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的另一者處於一解鎖狀態。
根據請求項13的顯示設備，其中，該輸出第一鎖定訊號及該輸出第二鎖定訊號中的該至少一者在該鎖定失敗狀態下具有一異常波形。
根據請求項10的顯示設備，其中，該第一資料驅動部包含與該些第一資料積體電路連接的一第一源板，其中，該第二資料驅動部包含與該些第二資料積體電路連接的一第二源板，其中，該第一源板包含一第一鎖定訊號線，用於傳送輸入及輸出至該些第一資料積體電路的多個鎖定訊號，以及其中，該第二源板包含一第二鎖定訊號線，用於傳送輸入及輸出至該些第二資料積體電路的多個鎖定訊號。
根據請求項10的顯示設備，其中，該些像素中的一者包含一發光二極體。
根據請求項10的顯示設備，其中，從該第一資料驅動部及該第二資料驅動部輸出的該些資料電壓彼此相等。
一種畫像處理系統，其係藉由針對對象試料，使用以不同攝像條件所取得的複數畫像而學習機械學習模型，而生成用以將第1畫質畫像轉換成較該第1畫質畫像更高畫質之第2畫質畫像的已學習模型，該畫像處理系統包含： <br/> 記憶裝置，其係保持用以生成上述已學習模型之學習處理程式；和 <br/> 電腦，其係從上述記憶裝置讀取上述學習處理程式，實行用以生成上述已學習模型的學習處理， <br/> 上述電腦係實行： <br/> 受理至少一個機械學習模型，和複數第1畫質畫像，和較該第1畫質畫像更高畫質的複數第2畫質畫像之處理； <br/> 對上述至少一個機械學習模型適用上述複數第1畫質畫像之資料，推定對應於上述複數第1畫質畫像的上述第2畫質畫像之構造性特徵量和材質性特徵量之處理； <br/> 根據上述構造性特徵量算出至少一個第1陰影資料之處理； <br/> 從上述複數第2畫質畫像算出至少一個第2陰影資料之處理； <br/> 比較上述至少一個第1陰影資料和上述至少一個第2陰影資料之第1比較處理； <br/> 根據上述材質性特徵量算出至少一個第1灰階資料之處理； <br/> 從上述複數第2畫質畫像算出至少一個第2灰階資料之處理； <br/> 比較上述至少一個第1灰階資料和上述至少一個第2灰階資料之第2比較處理；及 <br/> 根據上述第1比較處理所致的第1比較結果和上述第2比較處理所致的第2比較結果，更新上述至少一個機械學習模型之參數之處理。
如請求項1之畫像處理系統，其中 <br/> 上述複數第1畫質畫像和上述複數第2畫質畫像分別包含藉由在帶電粒子束裝置中對上述對象試料照射帶電粒子束而取得的至少一個二次電子畫像和至少一個背向散射電子畫像。
如請求項2之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係將上述第1畫質畫像之上述至少一個背向散射電子畫像適用於上述至少一個機械學習模型而推定上述第2畫質畫像之構造性特徵量。
如請求項2之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係將上述第1畫質畫像之上述至少一個二次電子畫像適用於上述至少一個機械學習模型而推定上述第2畫質畫像之材質性特徵量。
如請求項1之畫像處理系統，其中 <br/> 上述複數第1畫質畫像和上述複數第2畫質畫像包含至少一個陰影像。
如請求項1之畫像處理系統，其中 <br/> 上述構造性特徵量包含表示上述對象試料之層構造或表面凹凸的法線圖、凹凸圖、高度圖或位移圖中之至少任一個。
如請求項1之畫像處理系統，其中 <br/> 上述材質性特徵量包含將上述對象試料之材質所致的取得訊號之不同作為灰階表示的亮度圖。
如請求項1之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係進一步實行根據上述第1比較結果及上述第2比較結果是否為特定臨界值以下，完成上述至少一個機械學習模型之學習，並將完成該學習時的模型設為上述已學習模型之處理。
一種畫像處理系統，其係藉由將對象試料之第1畫質畫像適用於已學習模型，預測較上述第1畫質畫像更高畫質之第2畫質畫像並予以輸出，該畫像處理系統具備： <br/> 記憶裝置，其係保持使用上述已學習模型而合成上述第2畫質畫像之畫像合成程式；和 <br/> 電腦，其係從上述記憶裝置讀取上述畫像合成程式，實行合成上述第2畫質畫像的畫像合成處理， <br/> 上述電腦係實行： <br/> 受理複數第1畫質畫像和合成參數之處理； <br/> 對上述已學習模型，適用上述第1畫質畫像之資料，推定對應於上述第1畫質畫像的上述第2畫質畫像之構造性特徵量和材質性特徵量之處理； <br/> 根據上述構造性特徵量和上述合成參數，算出至少一個陰影資料之處理； <br/> 根據上述材質性特徵量和上述合成參數，算出至少一個灰階資料之處理；及 <br/> 從上述至少一個陰影資料和上述至少一個灰階資料生成合成畫像，將該合成畫像作為上述第2畫質畫像之預測結果予以輸出之處理。
如請求項9之畫像處理系統，其中 <br/> 上述複數第1畫質畫像分別包含藉由在帶電粒子束裝置中對上述對象試料照射帶電粒子束而取得的至少一個二次電子畫像和至少一個背向散射電子畫像。
如請求項9之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係將上述第1畫質畫像之上述至少一個背向散射電子畫像適用於上述已學習模型而推定上述構造性特徵量，將上述第1畫質畫像之上述至少一個二次電子畫像適用於上述已學習模型而推定上述第2畫質畫像之材質性特徵量。
如請求項10之畫像處理系統，其中 <br/> 上述合成參數包含指定在上述合成畫像中之陰影及亮度的參數。
如請求項12之畫像處理系統，其中 <br/> 指定上述陰影之參數係表示取得上述背向散射電子畫像之訊號的檢測器之方向的三次元單位向量， <br/> 指定上述亮度的參數係上述至少一個陰影資料和上述至少一個灰階資料之混合比率。
如請求項9之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係受理使用者所致的上述合成畫像之確認結果，判斷是否再次實行合成畫像生成處理。
如請求項14之畫像處理系統，其中 <br/> 上述電腦係再次受理包含與在前一次合成畫像生成處理中使用的上述合成參數不同的參數值之合成參數，使用該再次受理的上述合成參數而再次實行上述合成畫像生成處理。
一種畫像處理方法，其係藉由電腦使用針對對象試料的以不同攝像條件所取得的複數畫像而學習機械學習模型，而生成用以將第1畫質畫像轉換成較該第1畫質畫像更高畫質之第2畫質畫像的已學習模型，該畫像處理方法包含： <br/> 受理至少一個機械學習模型，和複數第1畫質畫像，和較該第1畫質畫像更高畫質的複數第2畫質畫像之步驟； <br/> 對上述至少一個機械學習模型適用上述複數第1畫質畫像之資料，推定對應於上述複數第1畫質畫像的上述第2畫質畫像之構造性特徵量和材質性特徵量之步驟； <br/> 根據上述構造性特徵量算出至少一個第1陰影資料之步驟； <br/> 從上述複數第2畫質畫像算出至少一個第2陰影資料之步驟； <br/> 比較上述至少一個第1陰影資料和上述至少一個第2陰影資料，取得第1比較結果之步驟； <br/> 根據上述材質性特徵量算出至少一個第1灰階資料之步驟； <br/> 從上述複數第2畫質畫像算出至少一個第2灰階資料之步驟； <br/> 比較上述至少一個第1灰階資料和上述至少一個第2灰階資料，取得第2比較結果之步驟；及 <br/> 根據上述第1比較結果和上述第2比較結果，更新上述至少一個機械學習模型的參數之步驟。
一種畫像處理方法，其係藉由電腦將對象試料之第1畫質畫像適用於已學習模型，預測較上述第1畫質畫像更高畫質之第2畫質畫像並予以輸出，該畫像處理方法包含： <br/> 受理複數第1畫質畫像和合成參數之步驟； <br/> 對上述已學習模型，適用上述第1畫質畫像之資料，推定對應於上述第1畫質畫像的上述第2畫質畫像之構造性特徵量和材質性特徵量之步驟； <br/> 根據上述構造性特徵量和上述合成參數，算出至少一個陰影資料之步驟； <br/> 根據上述材質性特徵量和上述合成參數，算出至少一個灰階資料之步驟；及 <br/> 從上述至少一個陰影資料和上述至少一個灰階資料生成合成畫像，將該合成畫像作為上述第2畫質畫像之預測結果予以輸出之步驟。
一種電子元件測試暨分類系統，包含：<br/> 一分類裝置，輸出一第一啟動訊號；<br/> 一測試裝置，連接該分類裝置；該測試裝置響應該第一啟動訊號而測試一待測裝置，以產生多個測試結果訊號，並輸出一第一結束訊號及該些測試結果訊號至該分類裝置；及<br/> 多個訊號通道，位於該分類裝置及該測試裝置之間；<br/> 其中，在該分類裝置接收到該第一結束訊號且該些測試結果訊號中之一者是生效（asserted）時，該分類裝置輸出一第二啟動訊號至該測試裝置；該測試裝置響應該第二啟動訊號而產生多個確認訊號，並輸出一第二結束訊號及該些確認訊號至該分類裝置；該分類裝置響應該第二結束訊號而根據該些確認訊號，判斷至少一該測試結果訊號是否正確；<br/> 其中，該些訊號通道傳輸該些測試結果訊號及該些確認訊號，該測試裝置係對該些測試結果訊號進行邏輯反相運算而產生該些確認訊號，且該分類裝置係判斷其從同一該訊號通道所接收到的該測試結果訊號及該確認訊號是否互補，在同一該訊號通道的該測試結果訊號與該確認訊號互補時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為正確，在同一該訊號通道的該測試結果訊號與該確認訊號不互補時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為錯誤。
一種電子元件測試暨分類系統，包含：<br/> 一分類裝置，輸出一第一啟動訊號；<br/> 一測試裝置，連接該分類裝置；該測試裝置響應該第一啟動訊號而測試一待測裝置，以產生多個測試結果訊號，並輸出一第一結束訊號及該些測試結果訊號至該分類裝置；及<br/> 多個訊號通道，位於該分類裝置及該測試裝置之間；<br/> 其中，在該分類裝置接收到該第一結束訊號且該些測試結果訊號中之一者是生效（asserted）時，該分類裝置輸出一第二啟動訊號至該測試裝置；該測試裝置響應該第二啟動訊號而產生多個確認訊號，並輸出一第二結束訊號及該些確認訊號至該分類裝置；該分類裝置響應該第二結束訊號而根據該些確認訊號，判斷至少一該測試結果訊號是否正確；<br/> 其中，該些訊號通道傳輸該些測試結果訊號及該些確認訊號，該測試裝置儲存有一第一比對序列值，並利用該第一比對序列值產生該些確認訊號；其中，該分類裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所接收的該些確認訊號轉換為一回傳值；其中，該分類裝置儲存有相同於該第一比對序列值的一第二比對序列值，利用該回傳值產生一運算值，並判斷該運算值是否相符於該第二比對序列值，在該運算值相符於該第二比對序列值時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為正確，在該運算值不相符於該第二比對序列值時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為錯誤。
如請求項1或2所述之電子元件測試暨分類系統，其中在該待測裝置通過該測試裝置之所有的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一良品類型。
如請求項3所述之電子元件測試暨分類系統，其中該分類裝置是在接收到該第一結束訊號以及屬於該良品類型的該些測試結果訊號時，輸出該第二啟動訊號至該測試裝置。
如請求項1或2所述之電子元件測試暨分類系統，其中在該待測裝置通過該測試裝置之部分的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一第一不良品類型。
如請求項5所述之電子元件測試暨分類系統，其中該分類裝置是在接收到該第一結束訊號以及屬於該第一不良品類型的該些測試結果訊號時，輸出該第二啟動訊號至該測試裝置。
如請求項1或2所述之電子元件測試暨分類系統，其中在該待測裝置未通過該測試裝置之任何的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一第二不良品類型。
如請求項7所述之電子元件測試暨分類系統，其中該分類裝置在接收到該第一結束訊號以及屬於該第二不良品類型的該些測試結果訊號時，不輸出該第二啟動訊號至該測試裝置，並將該待測裝置分類至一第二不良品區。
如請求項2所述之電子元件測試暨分類系統，其中該測試裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所產生的該些測試結果訊號轉換為一第一序列組合值，並利用該第一比對序列值及該第一序列組合值，產生該些確認訊號；其中，該分類裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所接收的該些測試結果訊號轉換為一第二序列組合值，並利用該回傳值及該第二序列組合值，產生該運算值。
一種電子元件測試暨分類方法，包含：<br/> 透過一分類裝置，輸出一第一啟動訊號；<br/> 透過一測試裝置，響應該第一啟動訊號而測試一待測裝置，以產生多個測試結果訊號，並輸出一第一結束訊號及該些測試結果訊號至該分類裝置；<br/> 在該分類裝置接收到該第一結束訊號且該些測試結果訊號中之一者是生效（asserted）時，透過該分類裝置輸出一第二啟動訊號至該測試裝置；<br/> 透過該測試裝置，響應該第二啟動訊號而產生多個確認訊號，並輸出一第二結束訊號及該些確認訊號至該分類裝置；及<br/> 透過該分類裝置，響應該第二結束訊號而根據該些確認訊號，判斷至少一該測試結果訊號是否正確；<br/> 其中該分類裝置與該測試裝置是經由多個訊號通道傳輸該些測試結果訊號及該些確認訊號；其中，該測試裝置係對該些測試結果訊號進行邏輯反相運算而產生該些確認訊號，且該分類裝置係判斷其從同一該訊號通道所接收到的該測試結果訊號及該確認訊號是否互補，在同一該訊號通道的該測試結果訊號與該確認訊號互補時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為正確，在同一該訊號通道的該測試結果訊號與該確認訊號不互補時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為錯誤。
一種電子元件測試暨分類方法，包含：<br/> 透過一分類裝置，輸出一第一啟動訊號；<br/> 透過一測試裝置，響應該第一啟動訊號而測試一待測裝置，以產生多個測試結果訊號，並輸出一第一結束訊號及該些測試結果訊號至該分類裝置；<br/> 在該分類裝置接收到該第一結束訊號且該些測試結果訊號中之一者是生效（asserted）時，透過該分類裝置輸出一第二啟動訊號至該測試裝置；<br/> 透過該測試裝置，響應該第二啟動訊號而產生多個確認訊號，並輸出一第二結束訊號及該些確認訊號至該分類裝置；及<br/> 透過該分類裝置，響應該第二結束訊號而根據該些確認訊號，判斷至少一該測試結果訊號是否正確；<br/> 其中該分類裝置與該測試裝置是經由多個訊號通道傳輸該些測試結果訊號及該些確認訊號；其中，該測試裝置儲存有一第一比對序列值，並利用該第一比對序列值產生該些確認訊號；其中，該分類裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所接收的該些確認訊號轉換為一回傳值；其中，該分類裝置儲存有相同於該第一比對序列值的一第二比對序列值，利用該回傳值產生一運算值，並判斷該運算值是否相符於該第二比對序列值，在該運算值相符於該第二比對序列值時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為正確，在該運算值不相符於該第二比對序列值時，該分類裝置判斷各該測試結果訊號為錯誤。
如請求項10或11所述之電子元件測試暨分類方法，其中在該待測裝置通過該測試裝置之所有的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一良品類型。
如請求項12所述之電子元件測試暨分類方法，其中該分類裝置是在接收到該第一結束訊號以及屬於該良品類型的該些測試結果訊號時，輸出該第二啟動訊號至該測試裝置。
如請求項10或11所述之電子元件測試暨分類方法，其中在該待測裝置通過該測試裝置之部分的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一第一不良品類型。
如請求項14所述之電子元件測試暨分類方法，其中該分類裝置是在接收到該第一結束訊號以及屬於該第一不良品類型的該些測試結果訊號時，輸出該第二啟動訊號至該測試裝置。
如請求項10或11所述之電子元件測試暨分類方法，其中在該待測裝置未通過該測試裝置之任何的測試規則時，該測試裝置所產生的該些測試結果訊號係屬於一第二不良品類型。
如請求項16所述之電子元件測試暨分類方法，其中該分類裝置在接收到該第一結束訊號以及屬於該第二不良品類型的該些測試結果訊號時，不輸出該第二啟動訊號至該測試裝置，並將該待測裝置分類至一第二不良品區。
如請求項11所述之電子元件測試暨分類方法，其中該測試裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所產生的該些測試結果訊號轉換為一第一序列組合值，並利用該第一比對序列值及該第一序列組合值，產生該些確認訊號；其中，該分類裝置根據該些訊號通道的排列順序，將其所接收的該些測試結果訊號轉換為一第二序列組合值，並利用該回傳值及該第二序列組合值，產生該運算值。
一種顯示設備，包含：一基板，包含多個像素區域，每個像素區域具有多個子像素區域；一第一發光裝置，設置於各該些子像素區域中以形成多個子像素；一第一電晶體，用以運作該第一發光裝置；一第二發光裝置，設置於該些子像素區域中的多個相鄰子像素區域之間；一第二電晶體，設置於該些子像素區域中的該些子像素區域之間，並且用以運作該第二發光裝置；以及一堤部層，位在該些子像素區域之間；其中該基板以及該第二發光裝置之間的一間隙大於該第一發光裝置以及該基板之間的一間隙；並且其中一第一圖案以及一第二圖案設置於該堤部層以及該第二發光裝置之間。
如請求項1所述之顯示設備，其中該堤部層包含被形成為穿透該堤部層的多個開口區域，其中該些子像素區域對應於該些開口區域。
如請求項2所述之顯示設備，其中該第一發光裝置設置於該些開口區域中的每一者中。
如請求項1至3中任一項所述之顯示設備，其中該第二發光裝置設置於該堤部層之上。
如請求項4所述之顯示設備，其中該第一發光裝置包含：一第一電極，設置於該些子像素區域中的每一者中；一第一發光層，位於該第一電極上；以及一第二電極，位於該第一發光層上。
如請求項5所述之顯示設備，其中該第二發光裝置包含：一第三電極，設置於該堤部層上；一第二發光層，位於該第三電極上；以及一第四電極，位於該第二發光層上。
如請求項6所述之顯示設備，其中該第二電極以及該第四電極是一體成型的。
如請求項1所述之顯示設備，其中該第一圖案以及該第二圖案包含形成有突出該堤部層的一階梯的一突出結構。
如請求項8所述之顯示設備，其中該第一發光層以及該第二發光層被該突出結構斷接。
如請求項6所述之顯示設備，其中該第一電晶體包含位於一緩衝層上的一第一半導體層、覆蓋該第一半導體層的一閘極絕緣層、位於該閘極絕緣層上的該第一閘極電極、覆蓋該第一閘極電極的一層間絕緣層、位於該層間絕緣層上的一第一源極電極以及一第一汲極電極；以及其中該第二電晶體包含位於該緩衝層上的一第二半導體層、覆蓋該第二半導體層的該閘極絕緣層、位於該閘極絕緣層上的一第二閘極電極、覆蓋該第二閘極電極的該層間絕緣層、位於該層間絕緣層上的一第二源極電極以及一第二汲極電極。
如請求項10所述之顯示設備，更包含覆蓋該第一電晶體以及該第二電晶體的一平坦化層；其中該第一汲極電極透過形成於該平坦化層中的一第一接觸孔電性連接至該第一電極。
如請求項11所述之顯示設備，其中該第二汲極電極透過形成於該平坦化層、該堤部層、該第一圖案以及該第二圖案中的一第二接觸孔電性連接至該第三電極。
一種顯示設備，包含：一基板，包含具有多個子像素區域以及至少一輔助子像素區域的多個像素；一第一發光裝置，設置於各該些子像素區域中以形成一子像素；一第二發光裝置，設置於該輔助子像素區域中以形成一輔助子像素；一第一電晶體，用以運作該第一發光裝置；一第二電晶體，設置於該輔助子像素區域中並且用以運作該第二發光裝置；以及一堤部層，形成於該些子像素之間並且圍繞該像素的一外周圍；其中該基板以及該第二發光裝置之間的一間隙大於該第一發光裝置以及該基板之間的一間隙；並且其中一第一圖案以及一第二圖案設置於該堤部層以及該第二發光裝置之間。
如請求項13所述之顯示設備，其中該輔助子像素包含：一第一輔助子像素，設置於該些子像素區域中的該些子像素區域之間；一第二輔助子像素，設置於該像素的該外周圍。
如請求項13所述之顯示設備，其中該堤部層包含穿透該堤部層而形成的多個開口區域，其中該些子像素區域對應於該些開口區域。
如請求項15所述之顯示設備，其中該第一發光裝置設置於該些開口區域中的每一者中。
如請求項14所述之顯示設備，其中該第一輔助子像素以及該第二輔助子像素的該些第二發光裝置彼此發出相同的顏色。
如請求項14所述之顯示設備，其中該第一輔助子像素以及該第二輔助子像素的該些第二發光裝置彼此發出不同的顏色。
一種噴淋基體，用於與噴淋板形成勻氣腔，包括一體氣密連接的背板、側壁部和密封緣，所述背板上形成有用於氣體傳輸管道供氣的通道， <br/>所述背板包括固定為一體的中心板和邊緣部，所述邊緣部位於所述中心板徑向外圍，所述邊緣部的導熱率低於所述中心板， <br/>所述邊緣部連接有所述側壁部，所述側壁部上方連接有所述密封緣，所述密封緣用於與工藝腔的腔室壁氣密連接，以使所述噴淋基體整體與所述工藝腔室內外氣密隔絕。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述邊緣部具有支撐緣，所述支撐緣位於所述邊緣部圓周內側下方，所述中心板圓周外側上方具有與所述支撐緣密封配合的第一延伸部，所述第一延伸部搭設在所述支撐緣上，並經由所述支撐緣支撐固定。
如請求項2所述的噴淋基體，其中，所述支撐緣下方具有傾斜的過渡段。
如請求項2所述的噴淋基體，其中，所述邊緣部上部具有上凸緣，所述側壁部連接在所述上凸緣上，所述上凸緣內側壁與第一延伸部之間具有配合間隙。
如請求項4所述的噴淋基體，其中，所述第一延伸部外邊緣開設有間隙槽。
如請求項4所述的噴淋基體，其中，所述上凸緣上形成有臺階部，所述側壁部下端嵌入所述臺階部中與所述邊緣部氣密固定。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述密封緣與所述腔室壁氣密固定面上設有徑向間隔設置的第一密封環和第二密封環。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述密封緣內設置冷卻通道。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述密封緣和所述邊緣部之間還連接有支柱。
如請求項9所述的噴淋基體，其中，所述側壁部厚度不超過2mm。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述背板上面設有加熱裝置，所述加熱裝置覆蓋區域為所述側壁部圍成區域。
如請求項1所述的噴淋基體，其中，所述背板上面設有加熱裝置，所述加熱裝置與所述側壁部間隔一定距離，形成間隔區域，所述邊緣部中設置控溫裝置。
如請求項11所述的噴淋基體，其中，所述加熱裝置包括徑向分佈的多個子加熱裝置，所述邊緣部處設置有可獨立控制的所述子加熱裝置。
如請求項12所述的噴淋基體，其中，所述加熱裝置與所述側壁部的所述間隔區域設置有隔熱部。
如請求項11至14任一項所述的噴淋基體，其中，所述加熱裝置包括第一層、第二層以及夾設於所述第一層、所述第二層之間的加熱器。
如請求項15所述的噴淋基體，其中，所述第一層位於遠離所述背板的一側，所述第二層位於靠近所述背板的一側並與所述背板緊密貼合，所述第一層的導熱率低於所述第二層。
如請求項16所述的噴淋基體，其中，所述第一層與所述加熱器接觸的一面設置熱反射層。
一種噴淋頭組件，包括如請求項1至17任一項所述的噴淋基體，所述噴淋基體和噴淋板形成勻氣腔，所述噴淋板圓周邊緣具有向上的第二延伸部，所述第二延伸部與邊緣部下方的安裝部氣密連接。
如請求項18所述的噴淋頭組件，其中，所述噴淋板與中心板材料為鎳。
如請求項18所述的噴淋頭組件，其中，所述噴淋板上具有多個噴孔，所述噴孔位於所述噴淋板上的噴孔區，所述第二延伸部位於所述噴淋板上的邊緣區，所述中心板至少與所述噴孔區相對。
如請求項18所述的噴淋頭組件，其中，所述第二延伸部通過安裝件與所述安裝部可拆卸地固定連接。
如請求項18所述的噴淋頭組件，其中，所述中心板圓周最外圍具有第二外緣面，所述第二延伸部的圓周內側具有第一內端面，所述第二外緣面的垂向投影在所述第一內端面的徑向內側。
一種半導體處理設備，包括工藝腔的腔室壁，其中，還包括位於所述腔室壁內的如請求項18至22任一項所述的噴淋頭組件，以及位於所述噴淋頭組件下方的可承載晶圓的基座，所述噴淋頭組件與所述腔室壁氣密連接。
一種通訊控制方法，包含： <br/> 基於在對應於能在場域執行作業的複數個作業裝置的複數個認證資訊之中對應於要控制的目標作業裝置的目標認證資訊，確定用於與該目標作業裝置進行無線通訊的網路的網路名稱； <br/> 藉由使用確定的該網路名稱，建立該目標作業裝置與終端裝置之間的無線通訊；以及 <br/> 藉由使用與該目標作業裝置建立的該無線通訊，從該終端裝置將該目標認證資訊輸出到該目標作業裝置；其中，該目標認證資訊係使用來認證由該終端裝置對該目標作業裝置的控制。
如請求項1所述之通訊控制方法，進一步包含： <br/> 在該等複數個作業裝置之中選擇該目標作業裝置；以及 <br/> 獲取對應於選擇的該目標作業裝置的目標認證資訊。
如請求項2所述之通訊控制方法，其中 <br/> 該等複數個作業裝置包括提供有第一通訊裝置的第一作業裝置，該第一通訊裝置能提供設定為第一網路名稱的無線通訊， <br/> 該認證資訊包括對應於該第一作業裝置的第一認證資訊，其中，該第一認證資訊包括組成該第一網路名稱的字串的部分，以及 <br/> 在選擇的該目標作業裝置是該第一作業裝置的情況下，確定該第一網路名稱包括基於該第一認證資訊中所包括組成該第一網路名稱的該字串的該部分來產生該網路名稱。
如請求項3所述之通訊控制方法，其中 <br/> 輸出該目標認證資訊是由該終端裝置執行， <br/> 該第一通訊裝置不傳送包括該第一網路名稱的信標訊號，以及 <br/> 建立與該目標作業裝置的該無線通訊包括： <br/> 基於所確定的該第一網路名稱，從該終端裝置傳送探測請求至該第一作業裝置； <br/> 回應於傳送的該探測請求，接收由該第一作業裝置輸出的探測回應；以及 <br/> 基於接收到的該探測回應，建立由該第一通訊裝置提供的無線通訊。
如請求項1至請求項4中任一者所述之通訊控制方法，進一步包含： <br/> 藉由使用與該目標作業裝置建立的該無線通訊，從該終端裝置輸出用於控制該目標作業裝置擁有的一個或多個功能的控制資訊至該目標作業裝置。
如請求項5所述之通訊控制方法，進一步包含： <br/> 基於輸出控制訊號，藉由該目標作業裝置在該場域中執行作業。
如請求項6所述之通訊控制方法，其中 <br/> 該目標作業裝置擁有的該一個或多個功能包括在場域內自主行駛的自動行駛功能。
一種通訊控制系統，包含： <br/> 確定單元，基於在對應於能在場域執行作業的複數個作業裝置中的各者的認證資訊之中對應於要控制的目標作業裝置的目標認證資訊，確定用於與該目標作業裝置進行無線通訊的網路的網路名稱； <br/> 通訊建立單元，藉由使用由該確定單元確定的該網路名稱，建立該目標作業裝置與終端裝置之間的無線通訊；以及 <br/> 認證輸出單元，藉由使用由該通訊建立單元建立的與該目標作業裝置的該無線通訊，從該終端裝置將該目標認證資訊輸出到該目標作業裝置；其中，該目標認證資訊係使用來認證由該終端裝置對該目標作業裝置的控制。
一種程式，其致使電腦執行： <br/> 基於在對應於能在場域執行作業的複數個作業裝置的複數個認證資訊之中對應於要控制的目標作業裝置的目標認證資訊，確定用於與該目標作業裝置進行無線通訊的網路的網路名稱； <br/> 藉由使用確定的該網路名稱，建立該目標作業裝置與終端裝置之間的無線通訊；以及 <br/> 藉由使用與該目標作業裝置建立的該無線通訊，從該終端裝置將該目標認證資訊輸出到該目標作業裝置；其中，該目標認證資訊係使用來認證由該終端裝置對該目標作業裝置的控制。
一種顯示面板，包含：一顯示區域，包含多個像素；一非顯示區域，位於該顯示區域外側；一墊部，包含多個墊電極，該些墊電極位於該非顯示區域中；一連結部，位於該顯示區域和該墊部之間；一陰極共用電極，與該顯示區域的一部分及該連結部重疊，該陰極共用電極向該些像素的陰極電極供應一陰極電壓；及一線路部，位於該墊部及該連結部上，該線路部與該陰極共用電極接觸，其中該線路部位於包含該墊部及該連結部的該非顯示區域上，該線路部延伸至該顯示區域的一上側的一部分，且該線路部部分地重疊該顯示區域。
如請求項1所述之顯示面板，其中該些墊電極包含至少一資料墊電極及至少一電源電壓墊電極。
如請求項1所述之顯示面板，其中從該顯示面板的一平面觀看時，該陰極共用電極包含位於該顯示區域、該連結部及該墊部一側的一單表面電極。
如請求項1所述之顯示面板，其中該線路部包含氧化銦錫（ITO）/Cu、ITO/Cu/MoTi、ITO/Al及ITO/Al/MoTi的多金屬線路。
如請求項1所述之顯示面板，其中該墊部包含連接至該線路部的一薄膜覆晶連接部。
如請求項5所述之顯示面板，更進一步包含：一接觸部，該接觸部位於該墊部及該連結部的一整個區域中，除了設置有資料線路的一區域和該薄膜覆晶連接部及在該薄膜覆晶連接部周圍的一堤部層的一區域之外。
如請求項6所述之顯示面板，其中該陰極共用電極在該接觸部電性連接至該線路部。
如請求項1所述之顯示面板，更進一步包含：一薄膜覆晶，連接至該顯示面板，其中該薄膜覆晶包含一膜基板、一源極驅動積體電路及多個虛擬線路，該源極驅動積體電路安裝於該膜基板上及輸出對應於一輸入影像的一像素資料的一資料電壓，及該些虛擬線路位於該膜基板上且與該源極驅動積體電路間隔開。
如請求項1所述之顯示面板，更進一步包含：多個閘極線路，連接至該些像素；一或多個時脈線路，施加有多個時脈訊號；及一閘極驅動電路，位於該非顯示區域中，該閘極驅動電路連接至該一或多個時脈線路且連接至該些閘極線路，其中該一或多個時脈線路包含一第一金屬層、位於該第一金屬層上且電性連接至該第一金屬層的一第二金屬層，及位於該第二金屬層上且與該線路部電性分離且與該第二金屬層的一第二線路部電性連接。
如請求項9所述之顯示面板，其中該第二金屬層被單獨地設置且在該第二金屬層的一末端的一第一接觸孔中電性連接至該第一金屬層。
如請求項10所述之顯示面板，其中該第二線路部及該第二金屬層在與該第一接觸孔重疊的一第二接觸孔中電性連接。
如請求項10所述之顯示面板，其中該第二線路部完全地位於該第二金屬層上且電性連接至該第二金屬層。
一種顯示裝置，包含：一顯示面板，包含一顯示區域及一非顯示區域，其中該顯示區域包含多個像素，且該非顯示區域位於該顯示區域外側；一顯示面板驅動器，用以將一輸入影像的像素資料寫入該些像素中，其中該顯示面板包含多個資料線路、與該些資料線路交叉的多個閘極線路、包含位於該非顯示區域中的多個墊電極的一墊部、位於該顯示區域和該墊部之間的一連結部、與該顯示區域的一部分及該連結部重疊且向該些像素的陰極電極供應一陰極電壓的一陰極共用電極，及位於該墊部及該連結部上且與該陰極共用電極接觸的一線路部，其中該線路部位於包含該墊部及該連結部的該非顯示區域上，該線路部延伸至該顯示區域的一上側的一部分，且該線路部部分地重疊該顯示區域。
一種商品組合標籤產生方法，該方法由運算伺服器執行，包括：<br/> 取得一商品的一文本；<br/> 對該文本進行斷詞後取得多個關鍵詞，該多個關鍵詞形成該商品的多個屬性標籤；<br/> 組合該多個屬性標籤以形成該商品的多組候選組合標籤，其中每組候選組合標籤具有兩個或以上的屬性標籤；以及<br/> 排除該多組候選組合標籤中包括重複的組合標籤，再依據一排序結果選擇排序在前的多組組合標籤，成為關聯該商品的該多組組合標籤；其中，於形成該多組候選組合標籤時，引入一組合標籤白名單，將該組合標籤白名單中記載的一或多組組合標籤列為一第一順位組合標籤，以及/或引入一組合標籤黑名單，以自該多組候選組合標籤中排除該組合標籤黑名單中所記載的一或多組組合標籤。
如請求項1所述的商品組合標籤產生方法，其中，由該文本得出該商品的原生屬性標籤，還加入一或多個白名單屬性標籤、一或多個延伸屬性標籤與一或多個取代屬性標籤，該原生屬性標籤、該一或多個白名單屬性標籤、該一或多個延伸屬性標籤以及該一或多個取代屬性標籤，移除一或多個黑名單屬性標籤，共同形成該商品的該多個屬性標籤。
如請求項1所述的商品組合標籤產生方法，其中，係根據每組組合標籤的網路搜尋量進行排序得出該排序結果，以選擇排序在前的該多組候選組合標籤，形成一第二順位組合標籤；其中該第一順位組合標籤，或加上該第二順位組合標籤，形成關聯該商品的該多組組合標籤。
如請求項1所述的商品組合標籤產生方法，其中，關聯該商品的該多組組合標籤的任一具有一時效性，即根據該時效性自動更新關聯該商品的該多組組合標籤。
如請求項1至4中任一項所述的商品組合標籤產生方法，其中，經排除該多組候選組合標籤中包括重複的組合標籤後，運用一自然語言處理技術計算各組候選組合標籤與該商品的一標題的相似度，再根據該多組候選組合標籤的多個相似度進行排序，以選擇出關聯該商品的該多組組合標籤。
一種零售系統，包括：<br/> 一零售系統前台，提供消費者取得多個商品的資訊；<br/> 一零售系統後台，提供多個廠商設定該多個商品個別的文本，以及設定上架該多個商品；<br/> 一資料庫，至少設有一商品文本庫、一商品屬性標籤庫與一商品/分類頁組合標籤庫；以及<br/> 一運算伺服器，執行一商品組合標籤產生方法，包括：<br/> 自該商品文本庫中取得一商品的一文本；<br/> 對該文本進行斷詞後取得多個關鍵詞，該多個關鍵詞形成該商品的多個屬性標籤；<br/> 組合該多個屬性標籤以形成該商品的多組候選組合標籤，其中每組候選組合標籤具有兩個或以上的屬性標籤；<br/> 排除該多組候選組合標籤中包括重複的組合標籤，再依據一排序結果選擇排序在前的多組組合標籤，成為關聯該商品的該多組組合標籤，建立該商品/分類頁組合標籤庫；以及<br/> 通過該零售系統前台呈現該多個商品，以及該多個商品個別的該多組組合標籤；<br/> 其中，於形成該多組候選組合標籤時，自一黑白名單引入一組合標籤白名單，將該組合標籤白名單中記載的一或多組組合標籤列為一第一順位組合標籤；以及/或自該黑白名單引入一組合標籤黑名單，以自該多組候選組合標籤中排除該組合標籤黑名單中所記載的一或多組組合標籤。
如請求項6所述的零售系統，其中，於該商品組合標籤產生方法中，由該文本得出該商品的原生屬性標籤，還取得一或多個白名單屬性標籤、一或多個延伸屬性標籤以及一或多個取代屬性標籤，該原生屬性標籤、該一或多個白名單屬性標籤、該一或多個延伸屬性標籤以及該一或多個取代屬性標籤，移除一或多個黑名單屬性標籤，共同形成該商品的該多個屬性標籤。
如請求項6所述的零售系統，其中，係根據每組組合標籤的網路搜尋量進行排序得出該排序結果，以選擇排序在前的該多組組合標籤，形成一第二順位組合標籤，其中該第一順位組合標籤，或加上該第二順位組合標籤，形成關聯該商品的該多組組合標籤。
如請求項6所述的零售系統，其中，關聯該商品的該多組組合標籤的任一具有一時效性，即根據該時效性自動更新關聯該商品的該多組組合標籤。
如請求項6至9中任一項所述的零售系統，其中，經排除該多組候選組合標籤中包括重複的組合標籤後，運用一自然語言處理技術計算各組候選組合標籤與該商品的一標題的相似度，再根據該多組候選組合標籤的多個相似度進行排序，以選擇出關聯該商品的該多組組合標籤。
一種噴嘴座與風嘴座之分離裝置，其包括： <br/>一固定座，其具有一上支撐部，該上支撐部的頂面向下內凹形成一縱向槽，該縱向槽的底部進一步向下貫穿形成一螺孔； <br/>一驅動轉輪，其設於該固定座之該上支撐部的下方，該驅動轉輪具有一螺柱，該螺柱穿設在該上支撐部的該螺孔而與該上支撐部相互組接； <br/>一托座，其固設在該固定座之該上支撐部的該頂面，該托座上形成有一貫孔、二橫向導槽與二限位孔，該貫孔貫穿形成在該托座的頂面和底面之間，並且位置對應該固定座之該上支撐部的該縱向槽，該二橫向導槽分別設在該貫孔的相對兩側，每一所述橫向導槽沿橫向延伸而貫穿該托座的外環側面，該二限位孔貫穿形成在該托座之該頂面，並且分別對應該二橫向導槽，每一限位孔平行相對應的所述橫向導槽延伸； <br/>一頂出件，其能移動地穿設在該固定座之該縱向槽以及該托座之該貫孔中，該頂出件具有一桿體、一冠部、一容置槽與二側穿槽，該桿體穿設在該縱向槽以及該貫孔中，該冠部形成於該桿體的頂端，並且設於該托座之該頂面，該容置槽內凹形成於該冠部的頂面，該二側穿槽貫穿形成於該冠部的相對兩側，並且連通該容置槽，該二側穿槽分別位置對應該托座之該二限位孔，其中，該桿體上套設一縱向復位彈性件，該縱向復位彈性件的兩端分別抵頂於該托座之該底面以及該桿體的底端而推頂該頂出件向下移動；以及 <br/>二夾掣件，其分別可移動地裝設於該托座之該二橫向導槽中，並且突伸出該托座，每一該夾掣件具有一夾爪，該夾爪形成於該夾掣件之內端部，該夾爪由該托座之相對應的所述限位孔突伸出該托座之該頂面，並且朝該貫孔突伸，其中，每一該夾掣件的該內端部與該托座之間設有一橫向復位彈性件，該橫向復位彈性件推頂該夾掣件朝該托座的外部突伸。
如請求項1所述的噴嘴座與風嘴座之分離裝置，其中：該固定座進一步具有一下止動部，該下止動部相間隔地設於該上支撐部的下方，該下止動部具有一止動凸部，該止動凸部的位置對應該上支撐部之該螺孔而朝該上支撐部突伸；前述驅動轉輪位於該上支撐部與該下止動部的該止動凸部之間。
如請求項2所述的噴嘴座與風嘴座之分離裝置，其中：該下止動部係可拆卸地裝設在該固定座的底部。
如請求項1至3中任一項所述的噴嘴座與風嘴座之分離裝置，其中：該托座上形成有至少一限位側槽，該至少一限位側槽內凹形成在環繞該貫孔的孔壁上，每一所述至少一限位側槽沿縱向延伸形成在該托座的該頂面與該底面之間；一限位銷橫向冠穿該頂出件之該桿體，且該限位銷的至少一端部突伸於該托座之該至少一限位側槽中。
如請求項4所述的噴嘴座與風嘴座之分離裝置，其中：該托座之該至少一限位側槽包含兩個限位側槽，該二限位側槽分別位於該托座之該貫孔的相對兩側，該限位銷的相對兩端分別突伸在該二限位側槽中。
一種如請求項1至5中任一項所述之分離裝置的操作方法，其用以分離相互疊置的一噴嘴座與一風嘴座，該風嘴座之冠部上設有二側槽，該操作方法包括： <br/>放置待分離的所述噴嘴座與所述風嘴座：將該噴嘴座之冠部和該風嘴座之該冠部朝下設置在該頂出件之該容置槽中，且該風嘴座之該二側槽分別位置對應該二夾掣件之該夾爪； <br/>按壓該二夾掣件：該二夾掣件受按壓而使該二夾爪分別穿過該頂出件之該冠部上的該二側穿槽以及分別穿過該風嘴座之該二側槽而壓抵於該噴嘴座之該冠部； <br/>轉動該驅動轉輪：該驅動轉輪受驅動而轉動，令該驅動轉輪之該螺柱推抵該頂出件向上移動，使該頂出件之該冠部帶動該風嘴座一同向上移動而與該噴嘴座相互分離。
一種噴霧閥之噴嘴組件，其包括一噴嘴座與一風嘴座，其中： <br/>該噴嘴座具有一噴嘴冠部、一對位部、一噴霧嘴與一流道；該對位部由該噴嘴冠部之底面向下延伸成型，並且形成為外徑由上往下漸縮的錐體狀而具有一外錐面；該噴霧嘴由該對位部的下端向下延伸；該流道貫通該噴嘴冠部、該對位部及該噴霧嘴； <br/>該風嘴座套設該噴嘴座，並且具有： <br/>一風嘴本體，其內部形成有一對位槽與一噴嘴槽；該對位槽內凹形成在該風嘴本體之頂部，該對位槽的口徑由該風嘴本體之所述頂部朝該風嘴本體之底部漸縮而形成錐形空間，該風嘴本體具有環繞該錐形空間的一內錐面；前述噴嘴座之該對位部位在該對位槽內，該內錐面的錐度與該噴嘴座之該對位部的所述外錐面的錐度相配合；該噴嘴槽貫通形成在該對位槽與該風嘴本體之所述底部之間，前述噴嘴座之該噴霧嘴位在該噴嘴槽內；以及 <br/>一風嘴冠部，其設在該風嘴本體之所述頂部，並且環繞該噴嘴冠部設置； <br/>其中，該噴嘴座之該對位部的所述外錐面的所述錐度等於或略大於該風嘴座之該風嘴本體的該內錐面的所述錐度，且該外錐面的該錐度與該內錐面的該錐度相差1度以下。
如請求項1所述之噴霧閥之噴嘴組件，其進一步包括一安裝座，該安裝座具有一底板與一環側壁，該底板上設有一穿孔，該環側壁由該底板的外周緣向上彎折沿伸，該環側壁之內壁面上設有內螺紋；前述風嘴座之該風嘴冠部設置在該安裝座之該底板上，該風嘴座之該風嘴本體穿設在該底板之該穿孔中而向下突伸。
如請求項1所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該風嘴座之該風嘴本體具有至少一對縱向導流槽，該至少一對縱向導流槽內凹形成在該風嘴本體的該內錐面上，每一對所述縱向導流槽設置在該對位槽之徑向方向上的相對兩側，每一所述縱向導流槽的兩端分別貫穿該風嘴本體之所述頂部以及連通該噴嘴槽。
如請求項2所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該風嘴座之該風嘴本體具有至少一對縱向導流槽，該至少一對縱向導流槽內凹形成在該風嘴本體的該內錐面上，每一對所述縱向導流槽設置在該對位槽之徑向方向上的相對兩側，每一所述縱向導流槽的兩端分別貫穿該風嘴本體之所述頂部以及連通該噴嘴槽。
如請求項1至4中任一項所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該風嘴座之該風嘴冠部具有二側槽，該側槽沿該風嘴冠部之徑向而貫穿形成在該風嘴冠部之徑向方向上的相對兩側。
如請求項5所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該風嘴座之該風嘴冠部具有一內環槽與一外環槽，該內環槽與該外環槽內凹形成於該風嘴冠部的頂面，並且以同心方式相間隔設置，該內環槽與該外環槽之間形成一環凸部。
如請求項6所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該內環槽的深度大於該外環槽的深度。
如請求項1至4中任一項所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該噴嘴座之該對位部的所述外錐面的該錐度為14度，該風嘴座之該風嘴本體的該內錐面的該錐度為15度。
如請求項8所述之噴霧閥之噴嘴組件，其中，該噴嘴座之該流道在該噴霧嘴的底端形成流出口，該流出口與該風嘴本體之所述底部齊平。
一種噴霧閥之噴嘴組件的正位組裝方法，其包括： <br/>提供一噴嘴座，其中，該噴嘴座具有一噴嘴冠部、由該噴嘴冠部之底面向下延伸的一對位部、由該對位部的下端向下延伸的一噴霧嘴、以及貫通該噴嘴冠部、該對位部及該噴霧嘴的一流道，該對位部形成為外徑由上往下漸縮的錐體狀而具有一外錐面； <br/>提供一風嘴座，其中，該風嘴座具有一風嘴本體與一風嘴冠部，該風嘴本體內形成有一對位槽與一噴嘴槽，該對位槽的口徑由該風嘴本體之頂部朝該風嘴本體之底部漸縮而形成錐形空間，使該風嘴本體具有環繞該錐形空間的一內錐面，前述噴嘴座之該對位部的所述外錐面的錐度等於或大於該風嘴座之該風嘴本體的該內錐面的錐度，且該外錐面的該錐度與該內錐面的該錐度相差1度以下，該風嘴冠部設在該風嘴本體之所述頂部； <br/>將該噴嘴座置於該風嘴座中，其中，該噴嘴座之該對位部位在該風嘴座之對位槽內，該內錐面與該外錐面對應相抵，該噴嘴座之該噴霧嘴位在該風嘴座之該噴嘴槽內，該風嘴座之該風嘴冠部環繞該噴嘴座之該噴嘴冠部。
一種液晶組合物，其包含： <br/>至少一種通式I的化合物，其係選自由如下化合物組成的組： <br/>至少一種通式II的化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>A1</sub>和R<sub>A2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的更多個-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-替代； <br/>R<sub>B1</sub>和R<sub>B2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的更多個-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10245.jpg" alt="ed10245.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可被-F、-Cl、或-CN取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代，環<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，所述通式II的化合物中包含至少一個環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10241.jpg" alt="ed10241.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10242.jpg" alt="ed10242.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10243.jpg" alt="ed10243.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>Z<sub>B1</sub>和Z<sub>B2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF=CF-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-； <br/>n<sub>B1</sub>表示1、2或3，n<sub>B2</sub>表示0或1，其中當n<sub>B1</sub>表示2或3時，環<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10244.jpg" alt="ed10244.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>B1</sub>相同或不同；並且， <br/>L<sub>B1</sub>和L<sub>B2</sub>各自獨立地表示-H、鹵素、含有1-3個碳原子的烷基、或含有1-3個碳原子的烷氧基。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，所述通式I的化合物占液晶組合物的重量百分比為0.1%-50%。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，所述通式II的化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>其中， <br/>Z<sub>B11</sub>和Z<sub>B12</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-或-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，所述通式II的化合物占液晶組合物的重量百分比為0.1%-60%。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，所述液晶組合物還包含至少一種通式M的化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>M1</sub>和R<sub>M2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10235.jpg" alt="ed10235.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10236.jpg" alt="ed10236.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的更多個-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10264.jpg" alt="ed10264.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、環<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10265.jpg" alt="ed10265.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10266.jpg" alt="ed10266.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10240.jpg" alt="ed10240.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，一個或至多兩個環中單鍵可被雙鍵替代，<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10247.jpg" alt="ed10247.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的至多一個-H可被鹵素取代； <br/>Z<sub>M1</sub>和Z<sub>M2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-C≡C-、-CH=CH-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-；並且， <br/>n<sub>M</sub>表示0、1或2，其中當n<sub>M</sub>表示0時，環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10267.jpg" alt="ed10267.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10269.jpg" alt="ed10269.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>不為<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10271.jpg" alt="ed10271.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10272.jpg" alt="ed10272.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="15px" width="30px" file="ed10273.jpg" alt="ed10273.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，當n<sub>M</sub>表示2時，環<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10274.jpg" alt="ed10274.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>可以相同或不同，Z<sub>M2</sub>可以相同或不同； <br/>所述通式M的化合物占液晶組合物的重量百分比為0.1%-60%。
如請求項1所述之液晶組合物，其中，所述液晶組合物中還包含至少一種通式N的化合物： <br/>其中， <br/>R<sub>N1</sub>和R<sub>N2</sub>各自獨立地表示含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基、<img align="absmiddle" height="8px" width="14px" file="ed10278.jpg" alt="ed10278.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="11px" width="17px" file="ed10280.jpg" alt="ed10280.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="12px" width="18px" file="ed10237.jpg" alt="ed10237.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述含有1-12個碳原子的直鏈的烷基、含有3-12個碳原子的支鏈的烷基中的一個或不相鄰的更多個-CH<sub>2</sub>-可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-CO-O-、或-O-CO-替代； <br/>環<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10282.jpg" alt="ed10282.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和環<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10284.jpg" alt="ed10284.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>各自獨立地表示<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中所述<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10286.jpg" alt="ed10286.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-CH<sub>2</sub>-可被-O-替代，其中所述<img align="absmiddle" height="13px" width="27px" file="ed10246.jpg" alt="ed10246.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>中的一個或更多個-H可被-F、-Cl、或-CN取代，並且一個或更多個環中-CH=可被-N=替代； <br/>Z<sub>N1</sub>和Z<sub>N2</sub>各自獨立地表示單鍵、-CO-O-、-O-CO-、-CH<sub>2</sub>O-、-OCH<sub>2</sub>-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-、-CF<sub>2</sub>CF<sub>2</sub>-、-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-、-CF<sub>2</sub>O-或-OCF<sub>2</sub>-； <br/>L<sub>N1</sub>和L<sub>N2</sub>各自獨立地表示-H、鹵素、含有1-3個碳原子的烷基、或含有1-3個碳原子的烷氧基；並且， <br/>n<sub>N1</sub>表示0、1、2或3，n<sub>N2</sub>表示0或1，且0≤n<sub>N1</sub>+n<sub>N2</sub>≤3；當n<sub>N1</sub>表示2或3時，環<img align="absmiddle" height="15px" width="27px" file="ed10288.jpg" alt="ed10288.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>相同或不同，Z<sub>N1</sub>相同或不同； <br/>所述所述通式N的化合物占液晶組合物的重量百分比為0.1%-70%。
如請求項6所述之液晶組合物，其中，所述通式N的化合物選自由如下化合物組成的組： <br/>
一種液晶顯示器件，其特徵在於，所述液晶顯示器件包括如請求項1-7中任一項所述之液晶組合物。
一種請求項1-7中任一項所述之液晶組合物在液晶顯示器件，其係應用於NFFS液晶顯示模式。
一種磁吸式工具盒，包括：<br/> 一本體，包括一固定面及複數凹槽，該固定面供面向一設置面，該複數凹槽供容設至少一物件且具有至少三種相異之規格；<br/> 至少一磁吸件，設於該固定面以供磁吸於該設置面；及<br/> 至少一止滑件，設於該固定面以供夾抵於該固定面與該設置面之間；<br/> 其中，該複數凹槽包括沿一縱向方向延伸之至少一第一凹槽及至少一第二凹槽，各該第一凹槽之一截面輪廓與各該第二凹槽之一截面輪廓之形狀相異；該複數凹槽另包括至少一第三凹槽，各該第三凹槽沿一橫向於該縱向方向之橫向方向延伸且貫穿該本體，且各該第三凹槽於該縱向方向上向外開放；該本體另包括一相對於該固定面之前側面，該前側面凹設有至少一連通該複數凹槽之缺口且可供掛設該至少一物件。
如請求項1所述的磁吸式工具盒，其中該本體另包括相對設置之一頂面及一底面，該複數凹槽至少部分自該頂面向外開放，該底面設有至少一連通孔，各該連通孔連通一該凹槽。
如請求項1所述的磁吸式工具盒，其中該至少一止滑件部分突出於該固定面且包括至少一第一延伸段及至少一橫向於該至少一第一延伸段之第二延伸段。
如請求項1所述的磁吸式工具盒，其中各該止滑件的邵氏硬度介於20度至50度之間。
如請求項1至4任一項所述的磁吸式工具盒，其中該本體另包括間隔相對之二抵凸及一供插設一筆具之筆槽，該筆槽位於該二抵凸之間，當該二抵凸供抵靠於一板件之相對二側且該本體沿該板件移動時，該筆具供於該板件繪製一線條。
如請求項1至4任一項所述的磁吸式工具盒，另包括至少一螺絲及至少一螺帽，其中該本體另包括至少一限位溝部及至少一穿孔，該至少一穿孔延伸於該至少一限位溝部與該固定面之間，各該螺帽不可相對轉動地容設於一該限位溝部，各該螺絲穿設於一該磁吸件及一該穿孔並螺接於一該螺帽。
如請求項1所述的磁吸式工具盒，其中各該第一凹槽之該截面輪廓成矩形，各該第二凹槽之該截面輪廓成拱形；該複數凹槽包括一該第一凹槽及位於該第一凹槽相對二側之二該第二凹槽，該至少一第三凹槽位於該第一凹槽與該固定面之間，各該第三凹槽於該縱向方向上之一深度小於該第一凹槽之一深度及各該第二凹槽之一深度；該本體另包括相對設置之一頂面及一底面，該複數凹槽至少部分自該頂面向外開放，該底面設有至少一連通孔，各該連通孔連通一該凹槽；各該磁吸件為一N42釹磁鐵；該本體另包括間隔相對之二抵凸及一供插設一筆具之筆槽，該筆槽位於該二抵凸之間，當該二抵凸供抵靠於一板件之相對二側且該本體沿該板件移動時，該筆具供於該板件繪製一線條；該二抵凸設於該底面，該筆槽位於該第一凹槽中且位於該二抵凸之間之一中間位置；該固定面設有至少一嵌槽，該至少一磁吸件容設於該至少一嵌槽；該磁吸式工具盒另包括至少一螺絲及至少一螺帽，該本體另包括至少一限位溝部及至少一穿孔，該至少一穿孔延伸於該至少一限位溝部與該固定面之間，各該螺帽不可相對轉動地容設於一該限位溝部，各該螺絲穿設於一該磁吸件及一該穿孔並螺接於一該螺帽；各該限位溝部朝該頂面及一該第二凹槽開放；各該磁吸件設有一凹口，各該螺絲之一頭部容置於一該凹口；該至少一止滑件部分突出於該固定面且包括至少一第一延伸段及至少一橫向於該至少一第一延伸段之第二延伸段，各該第一延伸段沿該縱向方向延伸，各該第二延伸段沿該橫向方向延伸；鄰近於該底面之一該第二延伸段之一寬度大於鄰近於該頂面之一該第二延伸段之一寬度；該至少一止滑件突出於該固定面之一寬度介於0.3毫米至0.8毫米之間；各該止滑件的邵氏硬度介於30度至40度之間；及該磁吸式工具盒包括一成工字型之該止滑件，該止滑件與該本體係包覆射出成形為一體。
一種半導體記憶裝置，包括： <br/>第一配線層（SL），設置於第一區域（HA）； <br/>第二配線層（SGS），沿第一方向（Z）與所述第一配線層分離地排列，跨越沿與所述第一方向交叉的第二方向（X）排列的所述第一區域及第二區域（MA1）而設置； <br/>多個第三配線層（WL），在相對於所述第二配線層與所述第一配線層相反的一側沿所述第一方向相互分離地設置； <br/>第一絕緣構件（SLTo）及第二絕緣構件（SLTe），沿與所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向（Y）排列，各自沿所述第二方向延伸，沿所述第三方向分割所述第二配線層及所述多個第三配線層； <br/>第三絕緣構件（SSE），設置於所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間且所述第一配線層與所述多個第三配線層之間，沿所述第三方向將所述第二配線層分割成第一部分（SGS0）及第二部分（SGS1）； <br/>第一記憶體柱（MP），在所述第二區域內的所述第一絕緣構件與所述第三絕緣構件之間沿所述第一方向延伸，與所述第一配線層相接，與所述第二配線層的所述第一部分交叉，並且與所述多個第三配線層各自交叉的部分作為多個第一記憶體胞元發揮功能； <br/>第二記憶體柱（MP），在所述第二區域內的所述第二絕緣構件與所述第三絕緣構件之間沿所述第一方向延伸，與所述第一配線層相接，與所述第二配線層的所述第二部分交叉，並且與所述多個第三配線層各自交叉的部分作為多個第二記憶體胞元發揮功能；以及 <br/>第一接觸部（CC）及第二接觸部（CC），在所述第一區域內沿所述第一方向延伸， <br/>所述第二配線層具有： <br/>第一階台部分，在所述第一區域內的所述第一部分中，與所述第一絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與所述多個第三配線層不重疊；以及 <br/>第二階台部分，在所述第一區域內的所述第二部分中，與所述第二絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與所述多個第三配線層不重疊， <br/>所述第一接觸部與所述第二配線層的所述第一階台部分電連接， <br/>所述第二接觸部與所述第二配線層的所述第二階台部分電連接。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中，所述多個第三配線層在所述第一區域內各自具有： <br/>第一橋接部分（BRGa），與所述第二絕緣構件相接且在所述第二配線層的所述第一階台部分與所述第二絕緣構件之間沿所述第二方向延伸； <br/>第二橋接部分（BRGb），與所述第一絕緣構件相接且在所述第二配線層的所述第二階台部分與所述第一絕緣構件之間沿所述第二方向延伸；以及 <br/>第三橋接部分（BRGc），在所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間沿所述第三方向延伸，並與所述第一橋接部分及所述第二橋接部分相接。
如請求項2所述的半導體記憶裝置，更包括在所述第一區域內沿所述第一方向延伸的第三接觸部（CC）及第四接觸部（CC）， <br/>所述多個第三配線層包括第四配線層及第五配線層， <br/>所述第四配線層具有第三階台部分，所述第三階台部分以在所述第一區域內與所述第一絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與上層的所述多個第三配線層在所述第一方向上不重疊的方式設置， <br/>所述第五配線層具有第四階台部分，所述第四階台部分以在所述第一區域內與所述第二絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與上層的所述多個第三配線層在所述第一方向上不重疊的方式設置， <br/>所述第三接觸部與所述第四配線層的所述第三階台部分電連接， <br/>所述第四接觸部與所述第五配線層的所述第四階台部分電連接。
如請求項3所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第三絕緣構件設置於所述第一區域內與所述多個第三配線層的所述第一橋接部分、所述第二橋接部分及所述第三橋接部分各自在所述第一方向上重疊的位置處。
如請求項4所述的半導體記憶裝置，其中，所述第三絕緣構件包括： <br/>第三部分，在所述第一區域內，在與所述多個第三配線層的所述第一橋接部分在所述第一方向上重疊的位置處沿所述第二方向延伸； <br/>第四部分，在所述第一區域內，在與所述多個第三配線層的所述第二橋接部分在所述第一方向上重疊的位置處沿所述第二方向延伸；以及 <br/>第五部分，在所述第一區域內，在與所述多個第三配線層的所述第三橋接部分在所述第一方向上重疊的位置處沿所述第三方向延伸，並與所述第三部分及所述第四部分相接。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第二配線層的所述第一部分的電容與所述第二部分的電容大致相等。
如請求項3所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第三絕緣構件設置於與所述第四配線層的所述第三階台部分或所述第五配線層的所述第四階台部分在所述第一方向上重疊的位置處。
如請求項1所述的半導體記憶裝置， <br/>更包括控制電路（16），所述控制電路對所述第二配線層的所述第一部分及所述第二部分分別獨立地施加電壓。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，更包括： <br/>第六配線層（SGD），在相對於所述多個第三配線層與所述第二配線層相反的一側，沿所述第一方向相互分離地設置；以及 <br/>第四絕緣構件（SHE），在所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間沿所述第三方向分割所述第六配線層， <br/>所述第二配線層的所述第一階台部分及所述第二階台部分以沿所述第一方向觀察時與所述第六配線層不重疊的方式設置， <br/>所述第一記憶體柱及所述第二記憶體柱與所述第六配線層交叉， <br/>在所述第二區域內，所述第三絕緣構件與所述第四絕緣構件設置於在所述第一方向上重疊的位置處。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第三絕緣構件沿所述第一方向與所述多個第三配線層中的設置於最靠近所述第一配線層側的配線層相接，具有自所述多個第三配線層側向所述第一配線層側變細般的錐形形狀。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第三絕緣構件沿所述第一方向與所述第一配線層相接，具有自所述第一配線層側向所述多個第三配線層側變細般的錐形形狀。
如請求項1所述的半導體記憶裝置， <br/>更包括第三記憶體柱及第四記憶體柱， <br/>所述第一配線層、所述第二配線層及所述多個第三配線層更包括以與所述第二區域一起沿所述第二方向夾著所述第一區域的方式設置的第三區域（MA2）， <br/>所述第三記憶體柱在所述第三區域內的所述第一絕緣構件與所述第三絕緣構件之間沿所述第一方向延伸，與所述第一配線層相接，與所述第二配線層的所述第一部分交叉，並且與所述多個第三配線層各自交叉的部分作為多個第三記憶體胞元發揮功能， <br/>所述第四記憶體柱在所述第三區域內的所述第二絕緣構件與所述第三絕緣構件之間沿所述第一方向延伸，與所述第一配線層相接，與所述第二配線層的所述第二部分交叉，並且與所述多個第三配線層各自交叉的部分作為多個第四記憶體胞元發揮功能。
如請求項12所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第二配線層的所述第一部分中的、設置於所述第二區域中的部分與設置於所述第三區域中的部分經由設置於所述第一區域中的部分相接， <br/>所述第二配線層的所述第二部分中的、設置於所述第二區域中的部分與設置於所述第三區域中的部分經由設置於所述第一區域中的部分相接。
如請求項12所述的半導體記憶裝置，更包括： <br/>第六配線層（SGD），在相對於所述多個第三配線層與所述第二配線層相反的一側，沿所述第一方向相互分離地設置；以及 <br/>第四絕緣構件（SHE），在所述第一絕緣構件與所述第二絕緣構件之間沿所述第三方向分割所述第六配線層， <br/>所述第二配線層的所述第一階台部分及所述第二階台部分以沿所述第一方向觀察時與所述第六配線層不重疊的方式設置， <br/>所述第三記憶體柱及所述第四記憶體柱與所述第六配線層交叉， <br/>在所述第三區域內，所述第三絕緣構件與所述第四絕緣構件設置於在所述第一方向上重疊的位置。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，更包括： <br/>第五絕緣構件（SLTp），在所述第一區域內，在所述第一絕緣構件與所述第三絕緣構件之間，與所述第三絕緣構件不相接，沿所述第一方向穿過所述第二配線層的所述第一部分及所述多個第三配線層；以及 <br/>第六絕緣構件（SLTp），在所述第一區域內，在所述第二絕緣構件與所述第三絕緣構件之間，與所述第三絕緣構件不相接，沿所述第一方向穿過所述第二配線層的所述第二部分及所述多個第三配線層。
如請求項15所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第五絕緣構件沿所述第三方向與所述第一絕緣構件相接， <br/>所述第六絕緣構件沿所述第三方向與所述第二絕緣構件相接。
如請求項15所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述第五絕緣構件及所述第六絕緣構件設置於與所述第一接觸部及所述第二接觸部在所述第一方向上不重疊的位置處。
如請求項1所述的半導體記憶裝置，更包括： <br/>第七配線層（SGSb），以沿所述第一方向夾在所述第一配線層與所述第二配線層之間的方式沿所述第一方向相互分離地設置；以及 <br/>第五接觸部及第六接觸部，在所述第一區域內沿所述第一方向延伸， <br/>所述第三絕緣構件沿所述第三方向將所述第七配線層分割成第六部分及第七部分， <br/>所述第七配線層具有：第五階台部分，在所述第一區域內的所述第六部分中，與所述第一絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與所述第二配線層及所述多個第三配線層的任一者均不重疊；以及第六階台部分，在所述第一區域內的所述第七部分中，與所述第二絕緣構件相接且沿所述第一方向觀察時與所述第二配線層及所述多個第三配線層的任一者均不重疊， <br/>所述第一記憶體柱與所述第七配線層的所述第六部分交叉， <br/>所述第二記憶體柱與所述第七配線層的所述第七部分交叉， <br/>所述第五接觸部與所述第七配線層的所述第五階台部分電連接， <br/>所述第六接觸部與所述第七配線層的所述第六階台部分電連接。
如請求項18所述的半導體記憶裝置，更包括控制電路， <br/>所述控制電路 <br/>對所述第二配線層的所述第一部分及所述第二部分分別獨立地施加電壓，且 <br/>對所述第七配線層的所述第六部分及所述第七部分分別獨立地施加電壓。
如請求項19所述的半導體記憶裝置，其中， <br/>所述控制電路 <br/>對所述第二配線層的所述第一部分及所述第七配線層的所述第六部分施加大致相同大小的電壓，且 <br/>對所述第二配線層的所述第二部分及所述第七配線層的所述第七部分施加大致相同大小的電壓。
一種刀具加工訊號異常偵測方法，利用一電腦系統來執行，並包含以下步驟：<br/> (A)獲得一有關於一切削刀具在進行一切削加工程序時的加工訊號；<br/> (B)根據一用於將該切削加工程序劃分為一連續切削程序部分及一斷續切削程序部分的時間閾值，將該加工訊號切分為一第一訊號部分及一第二訊號部分；<br/> (C)根據該第一訊號部分及該第二訊號部分，利用一用於將輸入的訊號分類為一連續切削類別及一斷續切削類別中的一者的訊號分類模型，獲得一對應於該第一訊號部分的第一分類結果及一對應於該第二訊號部分的第二分類結果，該第一分類結果指示出該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者，該第二分類結果指示出該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者；<br/> (D)根據該第一分類結果及該第二分類結果獲得一初步判定結果，該初步判定結果為一指示出該加工訊號正常的正常結果及一指示出該加工訊號異常的異常結果中的一者；<br/> (E)對該第一訊號部分及該第二訊號部分分別進行特徵提取，以獲得一有關於該第一訊號部分的第一特徵資料及一有關於該第二訊號部分的第二特徵資料；<br/> (F)根據該第一特徵資料及一連續切削群集的群集中心獲得一第一距離，且根據該第二特徵資料及一斷續切削群集的群集中心獲得一第二距離；及<br/> (G)根據該第一距離及該第二距離獲得一最終判定結果，該最終判定結果為該正常結果及該異常結果中的一者。
如請求項1所述的刀具加工訊號異常偵測方法，其中，在步驟(D)中，當該第一分類結果及該第二分類結果中的一者為該連續切削類別且另一者為該斷續切削類別時，獲得該正常結果作為該初步判定結果，當判定出該第一分類結果及該第二分類結果中僅有該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者時，獲得該異常結果作為該初步判定結果。
如請求項1所述的刀具加工訊號異常偵測方法，其中，步驟(G)包含以下子步驟:<br/> (G-1)判定該第一距離是否小於等於一第一閾值，且該第二距離是否小於等於一第二閾值；<br/> (G-2)當判定出該第一距離小於等於該第一閾值，且該第二距離小於等於該第二閾值時，獲得該正常結果作為該最終判定結果；及<br/> (G-3)當判定出該第一距離大於該第一閾值或該第二距離大於該第二閾值時，獲得該異常結果作為該最終判定結果。
如請求項1所述的刀具加工訊號異常偵測方法，在步驟(C)之前，還包含以下步驟：<br/> (H)獲得多筆有關於該切削刀具在進行該切削加工程序時的訓練加工訊號；<br/> (I)根據該時間閾值，將每一訓練加工訊號切分為一連續切削訊號部分及一斷續切削訊號部分；<br/> (J)將每一連續切削訊號部分分別標記為該連續切削類別以產生出多筆連續切削資料，並將每一斷續切削訊號部分分別標記為該斷續切削類別以產生出多筆斷續切削資料；及<br/> (K)根據該等連續切削資料及該等斷續切削資料，利用機器學習演算法，獲得該訊號分類模型。
如請求項4所述的刀具加工訊號異常偵測方法，在步驟(F)之前，還包含以下步驟：<br/> (L)對每一連續切削訊號部分及每一斷續切削訊號部分分別進行特徵提取，以獲得每一連續切削訊號部分的連續特徵資料及每一斷續切削訊號部分的斷續特徵資料；及<br/> (M)根據該等連續特徵資料及該等斷續特徵資料，利用分群演算法，獲得該連續切削群集的群集中心及該斷續切削群集的群集中心。
一種刀具加工訊號異常偵測系統，包含：<br/> 一儲存單元，儲存有一用於將輸入的訊號分類為一連續切削類別及一斷續切削類別中的一者的訊號分類模型、一連續切削群集的群集中心及一斷續切削群集的群集中心；及<br/> 一處理單元，連接該儲存單元，用於獲得一有關於一切削刀具在進行一切削加工程序時的加工訊號，<br/> 根據一用於將該切削加工程序劃分為一連續切削程序部分及一斷續切削程序部分的時間閾值，將該加工訊號切分為一第一訊號部分及一第二訊號部分，<br/> 根據該第一訊號部分及該第二訊號部分，利用該訊號分類模型，獲得一對應於該第一訊號部分的第一分類結果及一對應於該第二訊號部分的第二分類結果，該第一分類結果指示出該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者，該第二分類結果指示出該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者，<br/> 根據該第一分類結果及該第二分類結果獲得一初步判定結果，該初步判定結果為一指示出該加工訊號正常的正常結果及一指示出該加工訊號異常的異常結果中的一者，<br/> 對該第一訊號部分及該第二訊號部分分別進行特徵提取，以獲得一有關於該第一訊號部分的第一特徵資料及一有關於該第二訊號部分的第二特徵資料，<br/> 根據該第一特徵資料及該連續切削群集的群集中心獲得一第一距離，且根據該第二特徵資料及該斷續切削群集的群集中心獲得一第二距離，及<br/> 根據該第一距離及該第二距離獲得一最終判定結果，該最終判定結果為該正常結果及該異常結果中的一者。
如請求項6所述的刀具加工訊號異常偵測系統，其中：<br/> 當該第一分類結果及該第二分類結果中的一者為該連續切削類別且另一者為該斷續切削類別時，該處理單元獲得該正常結果作為該初步判定結果；及<br/> 當判定出該第一分類結果及該第二分類結果中僅有該連續切削類別及該斷續切削類別中的一者時，該處理單元獲得該異常結果作為該初步判定結果。
如請求項6所述的刀具加工訊號異常偵測系統，其中：<br/> 該處理單元判定該第一距離是否小於等於一第一閾值，且該第二距離是否小於等於一第二閾值；<br/> 當判定出該第一距離小於等於該第一閾值，且該第二距離小於等於該第二閾值時，獲得該正常結果作為該最終判定結果；及<br/> 當判定出該第一距離大於該第一閾值或該第二距離大於該第二閾值時，獲得該異常結果作為該最終判定結果。
如請求項6所述的刀具加工訊號異常偵測系統，其中：<br/> 該處理單元獲得多筆有關於該切削刀具在進行該切削加工程序時的訓練加工訊號；<br/> 該處理單元根據該時間閾值，將每一訓練加工訊號切分為一連續切削訊號部分及一斷續切削訊號部分；<br/> 該處理單元將每一連續切削訊號部分分別標記為該連續切削類別以產生出多筆連續切削資料，並將每一斷續切削訊號部分分別標記為該斷續切削類別以產生出多筆斷續切削資料；及<br/> 該處理單元根據該等連續切削資料及該等斷續切削資料，利用機器學習演算法，獲得該訊號分類模型。
如請求項9所述的刀具加工訊號異常偵測系統，其中：<br/> 該處理單元對每一連續切削訊號部分及每一斷續切削訊號部分分別進行特徵提取，以獲得每一連續切削訊號部分的連續特徵資料及每一斷續切削訊號部分的斷續特徵資料；及<br/> 該處理單元根據該等連續特徵資料及該等斷續特徵資料，利用分群演算法，獲得該連續切削群集的群集中心及該斷續切削群集的群集中心。
一種用於生產含有HEA之蛹蟲草菌(<i>Cordyceps militaris</i>)子實體的方法，其包括：將蛹蟲草菌HR-CM001-2024 (BCRC 930240)培養於一包含有人參(<i>Panax</i><i>ginseng</i>)作為固態基質的固態培養基中，而使得蛹蟲草菌子實體生成，其中以該固態基質的總重量為計算基礎，該人參具有一範圍落在50至100 wt%內的含量，其中該蛹蟲草菌子實體含有經提升之HEA含量。
如請求項1所述的方法，其中該蛹蟲草菌子實體進一步含有經提升之蟲草素含量。
一種蛹蟲草菌子實體，它是藉由一如請求項1至2中任一項所述的方法而被製得。
一種藥學組成物，其包含有一如請求項3的蛹蟲草菌子實體。
如請求項4的藥學組成物，其還包含有一藥學上可接受的載劑。
如請求項4的藥學組成物，其中該蛹蟲草菌子實體進一步被進行一水萃取處理，而得到一經水萃取的產物。
一種風險帳戶確定方法，其特徵在於，包括：風險帳戶確定裝置根據多個帳戶之間的轉帳資訊，構建以帳戶為節點、帳戶之間的轉帳關係為連接邊的轉帳網路圖，所述多個帳戶中包括至少一個已知風險帳戶；所述風險帳戶確定裝置將所述轉帳網路圖轉化為對應的二分圖，並基於所述二分圖構造量子遊走空間；所述風險帳戶確定裝置利用多個量子比特對所述多個帳戶中每個帳戶對應的節點進行量子態製備，得到與每個節點對應的初態量子態；所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的初態量子態，分別以每個節點為起點在所述量子遊走空間中進行量子遊走，得到與每個節點對應的最終量子態；所述風險帳戶確定裝置基於每個節點對應的最終量子態，確定與每個節點對應的嵌入資訊；所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的嵌入資訊，從所述多個帳戶中確定與所述已知風險帳戶相似的帳戶為風險帳戶；其中，所述風險帳戶確定裝置將所述轉帳網路圖轉化為對應的二分圖，包括：所述風險帳戶確定裝置對所述轉帳網路圖中的節點進行複製，得到兩個節點集合，每個節點集合中均包括與所述多個帳戶分別對應的節點；所述風險帳戶確定裝置根據所述兩個節點集合以及所述轉帳網路圖中節點之間的連接邊，生成與所述轉帳網路圖對應的二分圖，所述二分圖中所述節點集合之間任意兩個節點的連接關係根據所述轉帳網路圖中節點之間的連接邊確定。
如請求項1所述的方法，其中，在所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的初態量子態，分別以每個節點為起點在所述量子遊走空間中進行量子遊走，得到與每個節點對應的最終量子態之前，所述方法還包括：所述風險帳戶確定裝置獲取目標擴散運算元；所述風險帳戶確定裝置根據所述目標擴散運算元和預設交換運算元，確定單步量子遊走對應的量子遊走運算式；所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的初態量子態，分別以每個節點為起點在所述量子遊走空間中進行量子遊走，得到與每個節點對應的最終量子態，包括：所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的初態量子態，分別以每個節點為起點，按照所述量子遊走運算式在所述量子遊走空間中進行量子遊走，得到與每個節點對應的最終量子態。
如請求項2所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置獲取目標擴散運算元，包括：所述風險帳戶確定裝置基於預設投影運算元構造目標擴散運算元，其中，所述預設投影運算元用於將所述量子遊走空間中的向量投影到目標希爾伯特空間。
如請求項2或3所述的方法，其中，所述目標擴散運算元包括格羅弗Grover運算元。
如請求項1所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置利用多個量子比特對所述多個帳戶中每個帳戶對應的節點進行量子態製備，得到與每個節點對應的初態量子態，包括：所述風險帳戶確定裝置根據所述轉帳網路圖生成鄰接矩陣；所述風險帳戶確定裝置根據所述鄰接矩陣確定所述轉帳網路圖中節點之間的轉移概率，得到概率轉移矩陣；所述風險帳戶確定裝置基於所述概率轉移矩陣，確定所述多個帳戶中每個帳戶對應的節點在馬可夫鏈的投影態，其中，一個節點用多個量子比特表示；所述風險帳戶確定裝置將每個節點對應的投影態作為初態量子態。
如請求項1所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置基於每個節點對應的最終量子態，確定與每個節點對應的嵌入資訊，包括：所述風險帳戶確定裝置針對所述多個帳戶中每個帳戶對應的節點，執行如下步驟，得到與每個節點對應的嵌入資訊：所述風險帳戶確定裝置對目標節點對應的多個量子比特應用哈達瑪門，將所述目標節點對應的最終量子態轉換為測量基底，所述目標節點為所述多個帳戶中任意一個帳戶所對應的節點；所述風險帳戶確定裝置基於所述測量基底，對所述目標節點對應的多個量子比特進行測量，得到測量結果；所述風險帳戶確定裝置根據所述測量結果確定與所述目標節點對應的嵌入資訊。
如請求項6所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置根據所述測量結果確定與所述目標節點對應的嵌入資訊，包括：所述風險帳戶確定裝置返回執行所述對目標節點對應的多個量子比特應用哈達瑪門，將所述目標節點對應的最終量子態轉換為測量基底，直至得到預設循環次數，得到多個測量結果；所述風險帳戶確定裝置統計所述測量結果中出現目標量子態的概率；所述風險帳戶確定裝置根據所述概率確定與所述目標節點對應的嵌入資訊。
如請求項1所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的嵌入資訊，從所述多個帳戶中確定與所述已知風險帳戶相似的帳戶為風險帳戶，包括：所述風險帳戶確定裝置根據與每個節點對應的嵌入資訊，計算所述多個帳戶中目標帳戶對應的節點與所述已知風險帳戶對應的節點之間的歐氏距離，其中，所述目標帳戶為所述多個帳戶中除所述已知風險帳戶之外的其他帳戶；所述風險帳戶確定裝置根據所述歐氏距離，從所述多個帳戶中確定風險帳戶。
如請求項8所述的方法，其中，所述風險帳戶確定裝置根據所述歐氏距離，從所述多個帳戶中確定風險帳戶，包括：所述風險帳戶確定裝置將所述歐氏距離最小的預設數量個節點所對應的目標帳戶確定為風險帳戶。
一種風險帳戶確定裝置，其特徵在於，包括：網路構建模組，用於根據多個帳戶之間的轉帳資訊，構建以帳戶為節點、帳戶之間的轉帳關係為連接邊的轉帳網路圖，所述多個帳戶中包括至少一個已知風險帳戶；空間構造模組，用於將所述轉帳網路圖轉化為對應的二分圖，並基於所述二分圖構造量子遊走空間；量子態製備模組，用於利用多個量子比特對所述多個帳戶中每個帳戶對應的節點進行量子態製備，得到與每個節點對應的初態量子態；量子遊走模組，用於根據與每個節點對應的初態量子態，分別以每個節點為起點在所述量子遊走空間中進行量子遊走，得到與每個節點對應的最終量子態；資訊確定模組，用於基於每個節點對應的最終量子態，確定與每個節點對應的嵌入資訊；帳戶確定模組，用於根據與每個節點對應的嵌入資訊，從所述多個帳戶中確定與所述已知風險帳戶相似的帳戶為風險帳戶；其中，所述空間構造模組，包括：節點複製子模組，用於對所述轉帳網路圖中的節點進行複製，得到兩個節點集合，每個節點集合中均包括與所述多個帳戶分別對應的節點；二分圖生成子模組，用於根據所述兩個節點集合以及所述轉帳網路圖中節點之間的連接邊，生成與所述轉帳網路圖對應的二分圖，所述二分圖中所述節點集合之間任意兩個節點的連接關係根據所述轉帳網路圖中節點之間的連接邊確定。
一種電子設備，其特徵在於，所述電子設備包括：處理器以及存儲有電腦程式指令的記憶體；所述處理器執行所述電腦程式指令時實現如請求項1至9任意一項所述的風險帳戶確定方法的步驟。
一種電腦可讀存儲介質，其特徵在於，所述電腦可讀存儲介質上存儲有電腦程式指令，所述電腦程式指令被處理器執行時實現如請求項1至9任意一項所述的風險帳戶確定方法的步驟。
一種電腦程式產品，其特徵在於，所述電腦程式產品中的指令由電子設備的處理器執行時，使得所述電子設備執行如請求項1至9任意一項所述的風險帳戶確定方法的步驟。
一種表面彈性波元件，尤其是剪切波元件，包括<br/> 一壓電材料(3)，尤其是一鐵電材料，其具有一第一極化方向(13a)的多個第一極化域(3a)和一第二極化方向(13b)的多個第二極化域(3b)，該第一極化方向(13a)與該第二極化方向(13b)相反，<br/> 其中該些第一及第二極化域(3a, 3b)沿著一週期方向(d)週期性交替，該週期方向垂直於該壓電材料(3)之表面法線(n)，及<br/> 位於該壓電材料(3)上方尤其是上面，之一對指叉梳狀電極(15a, 15b)，<br/> 其各自的梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)主要垂直於該週期方向(d)及該表面法線(n)而延伸。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極(15a, 15b)之梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)爲週期性排列。
如請求項1或2之表面彈性波元件，其中該些梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)係設置在該些第一極化域(3a)與該些第二極化域(3b)間之交界面上方。
如請求項3之表面彈性波元件，其中該些梳齒相對於該些第一極化域(3a)與該些第二極化域(3b)間之交界面對稱地設置。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極(15a, 15b)之直接相鄰梳齒(17a1, 17b1)係設置在該些第一極化域(3a1, 3a2)與直接相鄰之該些第二極化域(3b1)之交界面(33a, 33b)上方。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極(15a, 15b)之梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)之寬度(a)爲該些極化域(3a, 3b)寬度的25%至 75%之間，優選爲該些極化域寬度的40%至 60%之間，更優選爲該些極化域寬度的50%，且/或爲至少280 nm，優選爲至少350 nm。
如請求項1之表面彈性波元件，其中每個梳齒(133a1, 133b1)的寬度對應於一個第一極化域及一個第二極化域之寬度。
如請求項1或2之表面彈性波元件，其中每個梳齒(63a1, 63b1, 83a1, 83b1)完全位於單一個第一極化域(3a)或單一個第二極化域(3b)的上方。
如請求項8之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極(15a, 15b)之直接相鄰梳齒(63a1, 63b1)係位於具相同極化方向之極化域(3b1, 3b2)上方，尤其是僅由具相反極化方向的一個極化域(3a2)分隔之相同極化方向極化域。
如請求項8之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極其中一者之梳齒(83b1)位於該第一極化域(3a3)上方，而第二個指叉梳狀電極之梳齒(83a1)位於該第二極化域(3b1)上方。
如請求項8之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極之梳齒(63a1, 63b1, 83a1, 83b1)的寬度(a)相同於該些極化域之寬度，且/或爲至少280 nm，優選爲至少350 nm。
如請求項9之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極之梳齒(63a1, 63b1, 83a1, 83b1)的寬度(a)相同於該些極化域之寬度，且/或爲至少280 nm，優選爲至少350 nm。
如請求項10之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極之梳齒(63a1, 63b1, 83a1, 83b1)的寬度(a)相同於該些極化域之寬度，且/或爲至少280 nm，優選爲至少350 nm。
如請求項1或2之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極其中一者之每個梳齒(103b1, 103b2)係完全位於單一個第一及/或第二極化域的上方，而第二個指叉梳狀電極之每個梳齒(103a1, 103a2)係位於該些第一極化域(3a)與該些第二極化域(3b)間之交界面上方。
如請求項1之表面彈性波元件，其中在兩個梳齒至少部分地定置的兩個極化域之間，存在至少一個完整極化域沒有任何電極指。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該壓電材料(3)係以一層(5)的形式設置在一基底底材(9)上，該層(5)的厚度 (e1)小於波長(λ)，優選小於λ/2，更優選小於λ/4，該基底底材(9)爲矽、非晶或多晶矽、氧化矽、碳化矽(SiC)、藍寶石、氮化矽(SiN)、氮化鋁(AlN)、石英、碳、鑽石、釔鋁石榴石(Yags)、釔鐵石榴石(Yigs)，或LiNbO<sub>3</sub>及/或LiTaO<sub>3</sub>底材。
如請求項16之表面彈性波元件，其中一介電層(7)，尤其是一層氧化矽、氮化矽、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、ZrO<sub>2</sub>、HfO<sub>2</sub>、SiON、多晶矽或這些材料之組合，被設置在該壓電材料層(5)及該基底底材(9)之間，該介電層(7)的厚度優選小於該波長(λ)且/或介於200 nm至2 µm之間。
如請求項16或17之表面彈性波元件，其中一捕捉層，尤其是一層多晶矽或多晶氮化鋁或SiOCH，被設置在該壓電材料(3)及該基底底材(9)之間，或在該介電層(7)及該基底底材(9)之間，該捕捉層的厚度優選在300 nm至2 µm之間。
如請求項1之表面彈性波元件，其中一金屬層被設置在相對於該對指叉梳狀電極(15a, 15b)的該壓電材料(3)表面上，詳言之介於該壓電材料(3)層(5)及該基底底材(9)之間。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該壓電材料(3)係選自LiTaO<sub>3</sub>、LiNbO<sub>3</sub>、ABO<sub>3</sub>型鈣鈦礦(尤其是KnbO<sub>3</sub> 及PbTiO<sub>3</sub>)、PZT、PMnPt、或 AlScN當中至少一者。
如請求項1之表面彈性波元件，其中一第一電極(151)包括多個第一開關(153a, 153b, 153c, 153d)，且一第二電極(155)包括多個第二開關(157a, 157b, 157c, 157d)，該些第一開關(153a, 153b, 153c, 153d)被組構成能夠分別接觸或不接觸梳齒(159a, 159b, 159c, 159d)，且該些第二開關(157a, 157b, 157c, 157d)被組構成能夠分別接觸或不接觸梳齒(159a, 159b, 159c, 159d)，以形成該對指叉梳狀電極。
如請求項1之表面彈性波元件，其包括一供應裝置(21)，其被組構成向該對指叉梳狀電極(15a, 15b) 提供頻率至少 2 GHz的射頻訊號。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極是與該壓電材料接觸的唯一導電元件。
如請求項1之表面彈性波元件，其除了該對指叉梳狀電極外沒有其他電極元件，詳言之沒有浮動電極。
一種使用如請求項22之表面彈性波元件之聲電裝置，尤其是一濾波器、感應器或延遲線，其操作頻率爲2 GHz或更高。
一種用於製造如請求項1至25任一項之表面彈性波元件之方法，包括以下步驟：<br/> 提供一壓電材料，尤其是一鐵電材料，<br/> 施加比該壓電材料之矯頑力場更強，尤其是更強至少十倍，的一電場，以產生週期性交替且具有相反極化方向之該些第一及第二極化域，及<br/> 在該壓電材料上方，詳言之直接在該壓電材料上面，製造該對指叉梳狀電極。
一種用於製造如請求項9之表面彈性波元件之方法，包括以下步驟：<br/> 提供一壓電材料，尤其是一鐵電材料，<br/> 在該壓電材料上方，詳言之直接在該壓電材料上面，製造該對指叉梳狀電極，<br/> 經由使用該對指叉梳狀電極施加比該壓電材料之矯頑力場更強，尤其是更強至少十倍，的一電場，以產生週期性交替且具有相反極化方向之該些第一及第二極化域。
一種表面彈性波元件，尤其是剪切波元件，包括<br/> 一壓電材料(3)，尤其是一鐵電材料，其具有一第一極化方向(13a)的多個第一極化域(3a)和一第二極化方向(13b)的多個第二極化域(3b)，該第一極化方向(13a)與該第二極化方向(13b)相反，<br/> 其中該些第一及第二極化域(3a, 3b)沿著一週期方向(d)週期性交替，該週期方向垂直於該壓電材料(3)之表面法線(n)，及<br/> 一對指叉梳狀電極(15a, 15b) <br/> 其各自的梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)主要垂直於該週期方向(d)及該表面法線(n)而延伸，且<br/> 該些梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)被設置成至少部分，最好全部，埋置在該壓電材料(3)中，其中該兩個電極其中一者的梳齒被設置成每個梳齒兩側的極化方向相同，且第二電極的梳齒被設置在具有不同極化方向的極化域之間。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該些梳齒(17a1~17a3，17b1~17b3)爲週期性排列。
如請求項1或2之表面彈性波元件，其中該壓電材料(3)係以一層(5)的形式設置在一基底底材(9)上，該層(5)的厚度 (e1)小於波長(λ)，優選小於λ/2，更優選小於λ/4，該基底底材(9)爲矽、非晶或多晶矽、氧化矽、碳化矽、藍寶石、氮化矽、氮化鋁、石英、碳、鑽石、釔鋁石榴石(Yags)、釔鐵石榴石(Yigs)，或LiNbO<sub>3</sub>及/或LiTaO<sub>3</sub>底材。
如請求項3之表面彈性波元件，其中一介電層(7)，尤其是一層氧化矽、氮化矽、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、ZrO<sub>2</sub>、HfO<sub>2</sub>、SiON、多晶矽或這些材料之組合，被設置在該壓電材料層(5)及該基底底材(9)之間，該介電層(7)的厚度優選小於該波長(λ)且/或介於200 nm至2 µm之間。
如請求項3之表面彈性波元件，其中一捕捉層，尤其是一層多晶矽或多晶氮化鋁或SiOCH，被設置在該壓電材料(3)及該基底底材(9)之間，或設置在該介電層(7)及該基底底材(9)之間，該捕捉層的厚度優選在300 nm至2 µm之間。
如請求項3之表面彈性波元件，其中該些梳齒從與該基底底材(9)或該介電層(7)的交界面(21)在該壓電層(5)的區域之間延。
如請求項3之表面彈性波元件，其中該些梳齒的厚度至少等於或小於該壓電材料(3)之層(5)的厚度。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該些指叉梳狀電極(15a, 15b)的梳齒寬度(a)爲該些極化域(3a, 3b)寬度的40%至 60%之間，優選爲該些極化域寬度的50%，且/或爲至少280 nm，優選爲至少350 nm。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該壓電材料(3)係選自LiTaO<sub>3</sub>、LiNbO<sub>3</sub>、ABO<sub>3</sub>型鈣鈦礦(尤其是KnbO<sub>3</sub> 及PbTiO<sub>3</sub>)、PZT、PMnPt、或 AlScN當中至少一者。
如請求項1之表面彈性波元件，其中一第一電極(151)包括多個第一開關(153a, 153b, 153c, 153d)，且一第二電極(155)包括多個第二開關(157a, 157b, 157c, 157d)，該些第一開關(153a, 153b, 153c, 153d)被組構成能夠分別接觸或不接觸梳齒(159a, 159b, 159c, 159d)，且該些第二開關(157a, 157b, 157c, 157d)被組構成能夠分別接觸或不接觸梳齒(159a, 159b, 159c, 159d)，以形成該對指叉梳狀電極。
如請求項1之表面彈性波元件，其包括一供應裝置(21)，其被組構成向該對指叉梳狀電極(15a, 15b) 提供頻率至少 2 GHz，最好至少 6 GHz ，的射頻訊號。
如請求項1之表面彈性波元件，其中該對指叉梳狀電極是與該壓電材料接觸的唯一導電元件。
如請求項1之表面彈性波元件，其除了該對指叉梳狀電極外沒有任何其他電極元件，詳言之沒有任何浮動電極。
一種使用如請求項11之表面彈性波元件之聲電裝置，尤其是一濾波器、感應器或延遲線，其操作頻率爲2 GHz或更高，優選爲6 GHz或更高。
一種用於製造如請求項1至13任一項之表面彈性波元件之方法，包括以下步驟：<br/> 提供一壓電材料，尤其是一鐵電材料，<br/> 製造該對指叉梳狀電極，使其至少部分，最好全部，埋置在該壓電材料(3)中，以及<br/> 施加比該壓電材料之矯頑力場更強的一電場，尤其是更強至少十倍，以產生週期性交替且具有相反極化方向之該些第一及第二極化域。
一種記憶體裝置，包括： <br/>複數個記憶體陣列，該些記憶體陣列中之各者包含形成於複數個金屬化層中之一各別金屬化層中的複數個記憶體單元，該些金屬化層安置於一基材上方； <br/>複數個第一感測放大器，該些第一感測放大器中之各者及該些記憶體陣列中之一對應記憶體陣列形成於該些金屬化層中之一各別金屬化層中；及 <br/>複數個多工器，該些多工器中之各者、該些記憶體陣列中之一對應記憶體陣列及該些第一感測放大器中之一對應第一感測放大器形成於該些金屬化層中之該各別金屬化層中。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該些多工器中之各者及該對應第一感測放大器彼此耦接且形成於該些金屬化層中之該各別金屬化層的一邊界區中。
如請求項1所述之記憶體裝置，進一步包括： <br/>一第二感測放大器，藉由一全域位元線共同耦接至該些第一感測放大器且形成於該基材上。
如請求項1所述之記憶體裝置，進一步包括： <br/>複數個字元線列，形成於該些金屬化層中之各者中， <br/>其中該些金屬化層中之多個金屬化層中的該些字元線列的一子集共同耦接至一字元線解碼器。
如請求項1所述之記憶體裝置，其中該些記憶體單元中之各者包含一電晶體及一電容器，且該電晶體及該電容器形成於該些金屬化層中之多個金屬化層中。
一種記憶體裝置，包括： <br/>一第一記憶體陣列，包含安置於複數個金屬化層中之一第一金屬化層中的複數個第一記憶體單元，該些金屬化層安置於一基材上方； <br/>一第一感測放大器，亦安置於該第一金屬化層中，且用以感測分別儲存於沿著該第一記憶體陣列之至少一行配置之該些第一記憶體單元的一子集中的多個第一資料位元；及 <br/>一第一多工器，亦安置於該第一金屬化層中，且用以在接收到指示該第一金屬化層之一第一控制信號後將該些第一感測資料位元提供至一共同感測放大器，其中該共同感測放大器沿著該基材的一主表面形成。
如請求項6所述之記憶體裝置，進一步包括： <br/>一第二記憶體陣列，包含安置於該些金屬化層中之一第二金屬化層中的複數個第二記憶體單元，該第二記憶體陣列安置於該第一記憶體陣列上方； <br/>一第二感測放大器，亦安置於該第二金屬化層中，且用以感測分別儲存於沿著該第二記憶體陣列之至少一行配置之該些第二記憶體單元的一子集中的多個第二資料位元；及 <br/>一第二多工器，亦安置於該第二金屬化層中，且用以在接收指示該第二金屬化層之一第二控制信號後向該共同感測放大器提供該些第二感測資料位元。
如請求項7所述之記憶體裝置，進一步包括： <br/>一控制器，用以將該第一控制信號發送至該第一多工器，或將該第二控制信號發送至該第二多工器。
一種記憶體裝置之製造方法，包括以下步驟： <br/>形成複數個記憶體陣列，其中該些記憶體陣列中之各者包含形成於安置於一基材上方之複數個金屬化層中之一各別金屬化層中的複數個記憶體單元； <br/>形成複數個第一感測放大器，其中該些第一感測放大器中之各者及該些記憶體陣列中之一對應記憶體陣列形成於該些金屬化層中之一各別金屬化層中；及 <br/>形成複數個多工器，其中該些多工器中之各者、該些記憶體陣列中之一對應記憶體陣列及該些第一感測放大器中之一對應感測放大器形成於該些金屬化層中之該各別金屬化層中。
如請求項9所述之方法，進一步包括以下步驟： <br/>在該些金屬化層中之第一金屬化層上方形成複數個電晶體； <br/>在該些金屬化層中之第二金屬化層上方形成複數個電容器，其中該些電容器分別耦接至該些電晶體之多個第一源極/汲極端； <br/>在該些金屬化層中之第三金屬化層上方形成複數個位元線，其中該些位元線分別耦接至該些電晶體之多個第二源極/汲極端；及 <br/>在該些金屬化層中之第四金屬化層上方形成複數個字元線，其中該些字元線分別耦接至該些電晶體之多個閘極。
一種過電壓檢測裝置，對電源電壓的過電壓進行檢測，所述過電壓檢測裝置的特徵在於，包括 <br/>電壓檢測電路，所述電壓檢測電路生成使所述電源電壓以規定的比率降低後的電壓， <br/>所述過電壓檢測裝置輸出由所述電壓檢測電路生成的所述電壓， <br/>並包括箝位電路，其中所述箝位電路包括： <br/>短路電路，連接於所述過電壓檢測裝置的輸出與基準電位之間；以及 <br/>臨限值檢測電路，在檢測出所述電源電壓低於規定的臨限值時，運作所述短路電路以將所述過電壓檢測裝置的輸出電壓箝制為零。
如請求項1所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述電壓檢測電路具有第一電阻分壓電路， <br/>所述短路電路具有半導體開關元件， <br/>所述臨限值檢測電路在檢測出所述電源電壓低於所述臨限值時，使所述半導體開關元件導通。
如請求項2所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述臨限值檢測電路包括： <br/>第二電阻分壓電路；以及 <br/>驅動電路，被輸入藉由所述第二電阻分壓電路而得的分壓，並將所述電源電壓為所述臨限值時的所述分壓設為輸入臨限值，在所述分壓低於所述輸入臨限值的情況下，輸出使所述半導體開關元件導通的控制訊號。
如請求項2所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述臨限值檢測電路包括驅動電路， <br/>所述驅動電路被輸入所述電源電壓，並將所述臨限值設為輸入臨限值，在所述電源電壓低於所述輸入臨限值的情況下，輸出使所述半導體開關元件導通的控制訊號。
如請求項1所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述短路電路包括被動元件並且所述臨限值檢測電路在檢測出所述電源電壓低於所述臨限值時，使所述電壓檢測電路的運作停止。
如請求項5所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述電壓檢測電路具有電阻分壓電路，所述電阻分壓電路中，多個電阻與半導體開關元件串聯連接，且在所述半導體開關元件為導通狀態時運作， <br/>所述臨限值檢測電路在檢測出所述電源電壓低於所述臨限值時，使所述半導體開關元件關斷。
如請求項6所述的過電壓檢測裝置，其中， <br/>所述短路電路由所述多個電阻內的一部分構成， <br/>所述臨限值檢測電路由所述半導體開關元件構成， <br/>所述半導體開關元件被輸入所述電源電壓作為控制訊號，並將所述臨限值設為輸入電壓臨限值，在所述控制訊號的電壓低於所述輸入電壓臨限值時，所述半導體開關元件關斷。
一種過電壓保護電路，對主電路進行保護以免受電源電壓的過電壓的影響，所述過電壓保護電路的特徵在於，包括： <br/>過電壓檢測裝置，對所述電源電壓的所述過電壓進行檢測；以及 <br/>比較器，對所述過電壓檢測裝置的輸出電壓與基準電壓進行比較，在所述輸出電壓超過所述基準電壓的情況下，輸出使所述主電路的運作停止的指令訊號， <br/>所述過電壓檢測裝置為如請求項1所述的過電壓檢測裝置。
一種半導體裝置，在同一晶片內具有IGBT和二極體，其特徵在於， 所述IGBT具有發射極、集電極、第一溝槽以及設置在所述第一溝槽的內部的閘極； 所述二極體具有與所述發射極電氣連接的陽極、與所述集電極電氣連接的陰極、貫穿所述陽極並達到所述陰極的第二溝槽、設置在所述第二溝槽的內部的溝槽內絕緣膜以及設置在所述第二溝槽的內部並藉由所述溝槽內絕緣膜而與所述陽極和所述陰極相對的二極體閘極； 所述二極體閘極可獨立於所述IGBT的所述閘極施加電壓，且至少在所述二極體的恢復時，於流動逆電流的期間，對所述陽極施加負電壓。
如請求項1所述的半導體裝置，其特徵在於， 所述二極體閘極在所述二極體導通時，對所述陽極施加正電壓。
如請求項1所述的半導體裝置，其特徵在於， 施加到所述二極體閘極的電壓在所述二極體開始恢復之後且在所述逆電流流動之前的時刻，從對所述陽極的正電壓切換為負電壓。
如請求項1所述的半導體裝置，其特徵在於， 施加到所述二極體閘極的電壓在所述逆電流流動期間之後的時刻，對所述陽極從負電壓切換為正電壓。
一種半導體裝置的驅動方法，用於驅動在同一晶片內具有IGBT和二極體的半導體裝置，其特徵在於， 所述IGBT具有發射極、集電極、第一溝槽以及設置在所述第一溝槽的內部的閘極； 所述二極體具有與所述發射極電氣連接的陽極、與所述集電極電氣連接的陰極、貫穿所述陽極並達到所述陰極的第二溝槽、設置在所述第二溝槽的內部的溝槽內絕緣膜以及設置在所述第二溝槽的內部並藉由所述溝槽內絕緣膜而與所述陽極和所述陰極相對的二極體閘極； 所述二極體閘極可獨立於所述IGBT的所述閘極施加電壓，且至少在所述二極體的恢復時，於流動逆電流的期間，對所述陽極施加負電壓。
如請求項5所述的半導體裝置的驅動方法，其特徵在於， 所述二極體閘極在所述二極體導通時，對所述陽極施加正電壓。
如請求項5所述的半導體裝置的驅動方法，其特徵在於， 施加到所述二極體閘極的電壓在所述二極體開始恢復之後且在所述逆電流流動之前的時刻，從對所述陽極的正電壓切換為負電壓。
如請求項5所述的半導體裝置的驅動方法，其特徵在於， 施加到所述二極體閘極的電壓在所述逆電流流動期間之後的時刻，對所述陽極從負電壓切換為正電壓。
一種戶外通訊設備，包括：<br/> 通訊裝置；<br/> 翻轉機構，設置於上述通訊裝置，用以轉動上述通訊裝置；<br/> 轉動機構，設置於上述翻轉機構，用以轉動上述翻轉機構；<br/> 基座，設置於上述轉動機構；以及<br/> 控制模組，電性連接上述翻轉機構以及上述轉動機構，<br/> 其中上述控制模組依據維修訊號驅動上述翻轉機構以及上述轉動機構將上述通訊裝置轉動至維修位置，<br/> 其中當上述通訊裝置檢測到異常狀態時，上述通訊裝置發送上述維修訊號，上述控制模組依據上述維修訊號驅動上述翻轉機構以及上述轉動機構。
如請求項1所述的戶外通訊設備，更包括：<br/> 警示裝置，設置於上述基座上，且電性連接於上述控制模塊，<br/> 其中上述控制模塊依據上述維修信號控制上述警示裝置產生警示燈號。
如請求項1所述的戶外通訊設備，更包括：<br/> 移動機構，設置於上述基座內，且用以移動上述轉動機構，<br/> 其中上述控制模組用以驅動上述移動機構將上述通訊裝置由運作位置移動至降低位置。
如請求項3所述的戶外通訊設備，其中上述移動機構包括：<br/> 螺桿，設置於上述基座內，且嚙合於上述翻轉機構；以及<br/> 第一馬達，設置於上述基座內，連接於上述螺桿，且電性連接於上述控制模組。
如請求項1所述的戶外通訊設備，其中上述翻轉機構包括：<br/> 翻轉件，可轉動地設置於上述轉動機構；以及<br/> 第三馬達，設置於上述轉動機構，用以轉動上述翻轉件，且電性連接於上述控制模組。
如請求項1所述的戶外通訊設備，其中上述轉動機構包括：<br/> 滑動件，設置於上述基座上；<br/> 轉動件，可轉動地設置於上述滑動件上；<br/> 連接件，設置於上述轉動件上； <br/> 轉動臂，設置於上述連接件上，且設置於上述翻轉機構上；以及<br/> 第二馬達，設置於上述滑動件上，電性連接於上述控制模組，且用以轉動上述轉動件。
如請求項1所述的戶外通訊設備，其中上述轉動機構繞第一虛擬軸轉動上述翻轉機構，上述翻轉機構繞第二虛擬軸轉動上述通訊裝置，上述第一虛擬軸沿排列方向延伸，且上述排列方向與上述第二虛擬軸之間的夾角於45度至90度的範圍之間。
如請求項1所述的戶外通訊設備，其中上述通訊裝置更包括：<br/> 機殼，包括後側板、頂板、以及覆蓋於上述頂板的維修開口的維修蓋板；<br/> 內隔板，設置於上述機殼內，且上述內隔板以及上述後側板之間形成維修空間，上述維修空間連接於上述維修開口；<br/> 電連接器，設置於上述內隔板；以及<br/> 防水結構，設置於上述後側板上，<br/> 其中線材穿過上述防水結構以及後側板進入上述維修空間，並連接於上述電連接器。
一種戶外通訊設備的維修操作方法，包括下列步驟：<br/> (a) 產生維修訊號，且上述戶外通訊設備的通訊裝置位於運作位置；<br/> (b) 控制模組依據上述維修訊號驅動移動機構將上述通訊裝置由上述運作位置移動至降低位置；<br/> (c) 上述控制模組依據上述維修訊號驅動轉動機構將上述通訊裝置由上述降低位置轉動至旋轉位置；以及<br/> (d) 上述控制模組依據上述維修訊號驅動翻轉機構將上述通訊裝置由上述旋轉位置轉動至維修位置；<br/> 其中上述翻轉機構設置於上述通訊裝置上，上述轉動機構設置於上述翻轉機構，基座設置於上述轉動機構上，且上述控制模組以及上述移動機構設置於上述基座內。
如請求項9所述的戶外通訊設備的維修操作方法，更包括下列步驟：<br/> (e)上述控制模組依據安裝訊號驅動上述翻轉機構將上述通訊裝置由上述維修位置轉動至上述旋轉位置；<br/> (f)上述控制模組依據上述安裝訊號驅動上述轉動機構將上述通訊裝置由上述旋轉位置轉動至上述降低位置；以及<br/> (g)上述控制模組依據上述安裝訊號驅動上述移動機構將上述通訊裝置由上述降低位置移動至上述運作位置。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一電容連接結構，包括：<br/> 一第一導電層；<br/> 一第一介電層，與該第一導電層接觸且堆疊在該第一導電層上；<br/> 一第二導電層，與該第一介電層接觸且堆疊在該第一介電層上，且藉由該第一介電層與該第一導電層隔開；<br/> 一第二介電層，與該第二導電層接觸且堆疊在該第二導電層上，且藉由該第二導電層與該第一介電層隔開；<br/> 一第三導電層，與該第二介電層接觸且堆疊在該第二介電層上，且藉由該第二介電層與該第二導電層隔開，該第三導電層具有一柱狀部分及一外圍部分，該柱狀部分具有一第一厚度，且該外圍部分具有小於該第一厚度的一第二厚度；<br/> 一電晶體層，含有至少一個電晶體；<br/> 一第三介電層，位於該電晶體層上；<br/> 一第一互連結構，延伸至該第三介電層中到達該電晶體層且耦合至該至少一個電晶體，且該第一互連結構耦合至該電容連接結構；<br/> 一第四介電層，位於該第三介電層上，該第四介電層圍繞該電容連接結構延伸；<br/> 一第五介電層，位於該第四介電層及該電容連接結構上；<br/> 一第二互連結構，延伸至該第五介電層中且穿過該第五介電層到達該電容連接結構，且耦合至該電容連接結構；及<br/> 一發光裝置層，位於該第五介電層及該第二互連結構上，其中：<br/> 該發光裝置層包括複數個像素，該些像素中的每一相應像素包括至少三個子像素。
如請求項1所述的半導體裝置，進一步包含：<br/> 一第一電容，存在於該第一導電層與該第二導電層之間，跨越該第一介電層；及<br/> 一第二電容，存在於該第三導電層與該第二導電層之間，跨越該第二介電層。
如請求項1所述的半導體裝置，其中：<br/> 該些像素中的每一像素具有自2奈米至70微米(包括端值)的一第一範圍中選擇的一第一節距；且<br/> 該些像素中的每一子像素具有自2奈米至70微米(包括端值)的一第二範圍中選擇的一第二節距。
如請求項3所述的半導體裝置，其中該電容連接結構具有小於該第二節距的一第三節距。
一種半導體裝置，包含：<br/> 一電晶體層，含有一或多個電晶體；<br/> 一第一介電層，位於該電晶體層上；<br/> 一第一互連結構，延伸穿過該第一介電層至該電晶體層；<br/> 一第二介電層，位於該第一介電層上；<br/> 一電容連接結構，延伸穿過該第二介電層至該第一互連結構，該電容連接結構與該第一互連結構接觸且耦合，該電容連接結構包括：<br/> 一第一導電層，與該第一互連結構接觸；<br/> 一第三介電層，位於該第一導電層上；<br/> 一第二導電層，位於該第三介電層上；<br/> 一第四介電層，位於該第二導電層上；及<br/> 一第三導電層，位於該第四介電層上；<br/> 一第五介電層，位於該第三導電層及該第二導電層上；<br/> 一第二互連結構，延伸穿過該第五介電層，該第二互連結構與該第二導電層接觸且耦合；<br/> 一第三互連結構，延伸穿過該第五介電層，該第三互連結構與該第三導電層接觸且耦合；及<br/> 一發光裝置層，位於該第五介電層、該第二互連結構及該第三互連結構上。
如請求項5所述的半導體裝置，其中該第二導電層的一區域自該第四介電層及該第三導電層露出，且該第二導電層的該區域與該第二互連結構接觸且耦合。
如請求項5所述的半導體裝置，其中該發光裝置層為一有機發光二極體層。
如請求項5所述的半導體裝置，其中該電容連接結構具有一圓柱輪廓、一三稜柱輪廓、一矩形輪廓、一正方形輪廓或一梯形輪廓。
一種半導體裝置的製造方法，包含以下步驟：<br/> 在一第一介電層上形成複數個溝槽，從而暴露位於一第二介電層內的複數個第一互連結構的多個第一表面，該第二介電層位於該第一介電層上；<br/> 在該第一介電層的一第二表面上、在該些溝槽中及在該些第一互連結構的該些第一表面上形成一第一導電層；<br/> 在該第一導電層上形成一第三介電層；<br/> 在該第三介電層上形成一第二導電層；<br/> 在該第二導電層上形成一第四介電層；<br/> 在該第四介電層上形成一第三導電層；<br/> 移除該第一導電層、該第三介電層、該第二導電層、該第四介電層及該第三導電層的多個第一部分，從而界定複數個電容連接結構；<br/> 移除該些電容連接結構的該第四介電層及該第三導電層的多個第二部分，從而暴露該些電容連接結構的該第二導電層的多個區域；<br/> 在該第一介電層上及該些電容連接結構上形成一第五介電層；<br/> 形成複數個第二互連結構，該些第二互連結構延伸至該第五介電層中且穿過該第五介電層至該些電容連接結構的該第二導電層的該些區域，該些第二互連結構中的對應該第二互連結構接觸並耦合於該些電容連接結構的該第二導電層的已暴露的該些區域中的對應已暴露的該區域；及<br/> 形成複數個第三互連結構，該些第三互連結構延伸至該第五介電層中且穿過該第五介電層至該些電容連接結構的該第三導電層，該些第三互連結構中的對應該第三互連結構耦合至該些電容連接結構的對應該第三導電層。
如請求項9所述的方法，其中形成該些溝槽之步驟包括以下步驟：蝕刻該第一介電層。
一種電子控制器之測試序列生成方法，其中，包括：<br/> 獲取所述電子控制器之複數測試項目及所述複數測試項目之間的依賴關係與互斥關係，其中，所述依賴關係包括兩個所述測試項目之間的依賴或被依賴關係，所述互斥關係包括兩個所述測試項目之間的互斥或非互斥關係；<br/> 輸出所述電子控制器之複數測試項目至測試監控設備，其中，所述測試監控設備用於獲取並輸出所述複數測試項目分別所需之測試資源；<br/> 接收所述複數測試項目中每個所述測試項目所需之測試資源；<br/> 根據所述依賴關係、所述互斥關係、所述每個所述測試項目所需之所述測試資源，生成所述測試序列，所述測試序列用於指示所述複數測試項目的執行時間戳記，所述執行時間戳記用於指示執行起始時間；<br/> 輸出所述測試序列至測試執行設備，其中，所述測試執行設備用於根據所述測試序列對所述電子控制器進行測試；<br/> 其中，所述根據所述依賴關係、所述互斥關係、所述每個所述測試項目所需之所述測試資源，得到測試序列，包括：<br/> 根據所述依賴關係建立有向圖，其中，所述有向圖之每個節點均對應一個測試項目，所述有向圖之每條有向邊表徵對應之兩個所述節點之間之所述依賴關係；<br/> 將所述有向圖中之所述節點加入準備序列；<br/> 將所述準備序列中滿足第一條件或第二條件之測試項目加入模擬測試集合，並從所述準備序列中移除；<br/> 將加入所述模擬測試集合之測試項目的執行時間戳記設置為當前時間；<br/> 同時執行所述模擬測試集合中之所有所述測試項目；<br/> 當所述模擬測試集合中任一所述測試項目執行完畢時，移除執行完畢之所述測試項目，並重複將所述準備序列中滿足第一條件或第二條件之測試項目加入模擬測試集合，直到所有所述測試項目均執行完畢為止；<br/> 以此類推，得到每個測試項目對應之執行時間戳記，從而得到所述測試序列。
如請求項1所述之測試序列生成方法，其中，所述根據所述依賴關係建立有向圖，包括：<br/> 將滿足預設條件之測試項目作為所述有向圖之第一級節點，其中，所述預設條件包括不依賴於其餘任一所述測試項目；<br/> 根據所述依賴關係，確定第n級節點，其中，所述第n級節點對應之測試項目依賴於所述第n-1級節點對應之測試項目，n大於或等於2；<br/> 建立由所述第n-1級節點至所述第n級節點之有向邊，以此類推，建立所述有向圖。
如請求項1所述之測試序列生成方法，其中，所述第一條件包括不依賴於其餘任一所述測試項目，且與所述模擬測試集合中之任一所述測試項目非互斥，且測試資源小於或等於剩餘可用資源，所述第二條件包括依賴之所有測試項目均已執行完畢，且與所述模擬測試集合中之任一測試項目非互斥，且測試資源小於或等於剩餘可用資源；<br/> 其中，所述剩餘可用資源為預設之總測試資源與所述模擬測試集合中所有測試項目的測試資源之差。
一種電子控制器之測試系統，其中，包括測試排程設備、測試執行設備及測試監控設備；<br/> 所述測試排程設備用於獲取電子控制器之複數測試項目及所述複數測試項目之間的依賴關係與互斥關係，並輸出所述電子控制器之複數測試項目至所述測試監控設備；<br/> 所述測試監控設備用於獲取所述複數測試項目分別所需之測試資源，並輸出每個所述測試項目所需之測試資源至所述測試排程設備；<br/> 所述測試排程設備還用於根據所述依賴關係、所述互斥關係、所述每個所述測試項目所需之所述測試資源，生成測試序列，並輸出至所述測試執行設備；<br/> 所述測試執行設備用於根據所述測試序列對所述電子控制器進行測試；<br/> 其中，所述根據所述依賴關係、所述互斥關係、所述每個所述測試項目所需之所述測試資源，得到測試序列，包括：<br/> 根據所述依賴關係建立有向圖，其中，所述有向圖之每個節點均對應一個測試項目，所述有向圖之每條有向邊表徵對應之兩個所述節點之間之所述依賴關係；<br/> 將所述有向圖中之所述節點加入準備序列；<br/> 將所述準備序列中滿足第一條件或第二條件之測試項目加入模擬測試集合，並從所述準備序列中移除；<br/> 將加入所述模擬測試集合之測試項目的執行時間戳記設置為當前時間；<br/> 同時執行所述模擬測試集合中之所有所述測試項目；<br/> 當所述模擬測試集合中任一所述測試項目執行完畢時，移除執行完畢之所述測試項目，並重複將所述準備序列中滿足第一條件或第二條件之測試項目加入模擬測試集合，直到所有所述測試項目均執行完畢為止；<br/> 以此類推，得到每個測試項目對應之執行時間戳記，從而得到所述測試序列。
如請求項4所述之測試系統，其中，所述測試排程設備還用於：<br/> 將滿足預設條件之測試項目作為所述有向圖之第一級節點，其中，所述預設條件包括不依賴於其餘任一所述測試項目；<br/> 根據所述依賴關係，確定第n級節點，其中，所述第n級節點對應之測試項目依賴於所述第n-1級節點對應之測試項目，n大於或等於2；<br/> 建立由所述第n-1級節點至所述第n級節點之有向邊，以此類推，建立所述有向圖。
如請求項4所述之測試系統，其中，所述第一條件包括不依賴於其餘任一所述測試項目，且與所述模擬測試集合中之任一所述測試項目非互斥，且測試資源小於或等於剩餘可用資源，所述第二條件包括依賴之所有測試項目均已執行完畢，且與所述模擬測試集合中之任一測試項目非互斥，且測試資源小於或等於剩餘可用資源；<br/> 其中，所述剩餘可用資源為預設之總測試資源與所述模擬測試集合中所有測試項目的測試資源之差。
一種光譜芯片，包括： <br/>光傳感區，所述光傳感區由光電探測層和位於所述光電探測層上方的光調變層組成， <br/>其中，所述光調變層包括由不同種類的濾光材料形成的多個濾光單元，所述不同種類的濾光材料具有不同的透射率曲線，所述不同種類的濾光材料以濾光單元陣列排列，且在所述濾光單元陣列中，不易成型的濾光單元不相鄰， <br/>其中，一種濾光材料對應於一個濾光單元，且一種濾光材料對應於一個或多個物理像素，且至少一濾光單元對應於一個光譜像素。
如請求項1所述的光譜芯片，其中，在所述陣列中，首先形成易成型的濾光單元，然後通過在所述易成型的濾光單元之間不相鄰地填充的方式形成不易成型的濾光單元。
如請求項1所述的光譜芯片，其中，所述濾光材料的厚度為0.5um~2um。
如請求項3所述的光譜芯片，其中，每種濾光材料的厚度相同，或者多種濾光材料的厚度根據不同的透射率曲線而不同。
如請求項4所述的光譜芯片，其中，所述不同種類的濾光材料的透射譜曲線在450nm附近、475nm附近、550nm附近、685nm附近以及紅外波段存在波峰值。
如請求項1所述的光譜芯片，其中，所述不同種類的濾光材料包括以單元週期性排列組成的所述陣列，所述單元包括n×n的方形單元、線形單元或者矩形單元。
如請求項6所述的光譜芯片，其中，所述陣列為單層，或者所述陣列在局部包括疊加的兩層或者多層。
如請求項1所述的光譜芯片，進一步包括：微透鏡層，設置在所述光調變層上。
如請求項8所述的光譜芯片，其中，所述微透鏡層和所述光調變層與所述光電探測層的像素對齊；或者，所述微透鏡層和所述光調變層向所述光電探測層的像素的陣列中心收縮以與所述光電探測層的像素形成錯位。
如請求項9所述的光譜芯片，其中，入射主光角為<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，填平所述濾光材料的材料與所述微透鏡的材料具有折射率<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10026.jpg" alt="ed10026.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述濾光材料的材料具有折射率<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10027.jpg" alt="ed10027.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，空氣折射率<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10028.jpg" alt="ed10028.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述濾光材料相對於所述像素的平移量為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10029.jpg" alt="ed10029.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述微透鏡相對於所述濾光材料的平移量為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10030.jpg" alt="ed10030.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述濾光材料的厚度為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10031.jpg" alt="ed10031.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，所述微透鏡的球面頂點加上填平材料的總厚度為<img align="absmiddle" height="7px" width="6px" file="ed10032.jpg" alt="ed10032.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，則： <br/><img align="absmiddle" height="22px" width="77px" file="ed10033.jpg" alt="ed10033.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="22px" width="76px" file="ed10034.jpg" alt="ed10034.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>且所述微透鏡相對於所述像素的平移量為<img align="absmiddle" height="7px" width="19px" file="ed10035.jpg" alt="ed10035.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的光譜芯片，其中，透射率大的第一濾光材料對應的濾光單元的第一數量小於透射率小的第二濾光材料對應的濾光單元的第二數量。
如請求項1所述的光譜芯片，其中，所述不同種類的濾光材料包括9種濾光材料一、二、三、四、五、六、七、八、九，9種濾光材料在可見光和近紅外波段的透射率曲線具有如下特徵： <br/>濾光材料一，顏色R：波長約580nm以上透射率＞20%，其他波長透射率＜20%； <br/>濾光材料二，顏色G1：波長在大約475~630nm，以及大於690nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料三，顏色G2：波長在大約475~610nm，以及大於690nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料四，顏色G3：波長在大約470~650nm，以及大於660nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料五，顏色B：波長在大約＜520nm，以及大於785nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料六，顏色C：波長在大約＜570nm，以及大於730nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料七，顏色Y：波長在大約＞470nm時透射率＞20%，其他波長＜20%； <br/>濾光材料八，顏色M：波長在大約520~580nm時透射率＜20%，其他波長＞20%； <br/>濾光材料九，顏色IR：波長約790nm以上透射率＞20%，其他波長透射率＜20%； <br/>其中濾光材料一、七、八不相鄰設置，且濾光材料二、三、四中至少一種濾光材料與濾光材料一、七、八中至少一種濾光材料相鄰設置。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，所述濾光材料一、五~八的厚度為0.5~0.8um之間，濾光材料二的厚度為0.6~0.7um，濾光材料三的厚度為0.8~1.0um，濾光材料四的厚度為0.5~0.6um，濾光材料九的厚度為1~1.5um。
如請求項13所述的光譜芯片，其中，濾光材料一的厚度為0.5um，濾光材料二的厚度為0.7um，濾光材料三的厚度為1um，濾光材料四的厚度為0.5um，濾光材料五的厚度為0.7um，濾光材料六的厚度為0.6um，濾光材料七的厚度為0.6um，濾光材料八的厚度為0.6um，濾光材料九的厚度為1.5um。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，在所述陣列中，首先形成濾光材料二-六和濾光材料九，然後通過在所述濾光材料二-六和濾光材料九之間填充的方式形成所述濾光材料一、七和八。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，濾光材料七四周分別排布濾光材料四、濾光材料三、濾光材料五、濾光材料九，濾光材料八四周分別排布濾光材料三、濾光材料二、濾光材料六、濾光材料五，且濾光材料一四周分別排列濾光材料二、濾光材料四、濾光材料九、濾光材料六。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，濾光材料七四周分別排布濾光材料六、濾光材料九、濾光材料二、濾光材料五，濾光材料八四周分別排布濾光材料三、濾光材料六、濾光材料五、濾光材料四，且濾光材料一四周分別排列濾光材料九、濾光材料三、濾光材料四、濾光材料二。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，濾光材料七四周分別排布濾光材料二、濾光材料九、濾光材料三、濾光材料六，濾光材料八四周分別排布濾光材料三、濾光材料六、濾光材料五、濾光材料四，且濾光材料一四周分別排列濾光材料四、濾光材料五、濾光材料九、濾光材料二。
如請求項12所述的光譜芯片，其中，一種濾光材料對應於一個濾光單元，且一種濾光材料對應於一個或多個物理像素，且所述九種濾光材料的3×3陣列對應於一個光譜像素。
一種緩衝體成型方法，包含下列步驟：<br/> 提供一蜂窩芯，該蜂窩芯包括複數個沿一寬度方向伸長之片材，該等片材沿一垂直於該寬度方向之拉伸方向排列，各該片材具有複數個接合部位及複數個未接合部位，該等未接合部位與該等接合部位沿該寬度方向交錯排列，就每一對相鄰之該等片材而言，其中一該片材之該等接合部位各別地與另一該片材之該等接合部位結合，各該等對應之接合部位之結合處形成一厚圍繞壁；及<br/> 提供一輥軋單元夾掣該蜂窩芯沿著該拉伸方向連續壓送，並經過一入料階段、一定型階段及一回彈階段而使得該蜂窩芯成為一緩衝體；<br/> 其中，該輥軋單元有一沿一垂直於該寬度方向與該拉伸方向之高度方向排列的第一上輥壓摩擦輪與一第一下輥壓摩擦輪，該第一上輥壓摩擦輪與該第一下輥壓摩擦輪之間界定出一入料區間；<br/> 其中，於該入料階段時，該第一上輥壓摩擦輪與該第一下輥壓摩擦輪夾送該蜂窩芯，且透過該第一上輥壓摩擦輪與該第一下輥壓摩擦輪之外表面摩擦該等片材產生壓送力以壓送該蜂窩芯；<br/> 其中，每一厚圍繞壁具一沿該高度方向延伸的中間段，該入料區間於該高度方向之間距大於該等片材於該高度方向高度的70%且小於該等片材於該高度方向的高度，以維持各該等中間段在該蜂窩芯壓送過程中實質上平均彎折變形度小於10%；<br/> 其中，該輥軋單元還包含沿該高度方向排列的一第二上輥壓摩擦輪與一第二下輥壓摩擦輪，該第二上輥壓摩擦輪與該第二下輥壓摩擦輪之間界定出一出料區間；<br/> 其中，於該定型階段時，該第二上輥壓摩擦輪與該第二下輥壓摩擦輪摩擦該等片材產生壓送力以壓送該蜂窩芯，該出料區間於該高度方向之間距較該入料區間之該間距小而使得各該等中間段在該蜂窩芯壓送過程中實質上平均彎折變形度小於10%，該出料區間的該間距與該入料區間的該間距的比率高於70%；<br/> 其中，於該回彈階段時，每一該厚圍繞壁於該高度方向的頂部及底部分別形成從該中間段相反兩端延伸出的兩個翻折邊，在每一該未接合部位中，該未接合部位於該高度方向的頂部及該底部分別形成兩個翻折邊，該等翻折邊維持該緩衝體的結構。
如請求項1所述的緩衝體成型方法，其中，該等片材為具有80g/m<sup>2</sup>~200g/m<sup>2</sup>之基重的纖維材質製成，並有0.08mm~0.2mm的厚度，沿寬度方向的長度10cm~80cm，沿高度方向的長度為1cm~6cm，各該等未接合部位沿寬度方向的長度為0.5cm~5cm。
如請求項1所述的緩衝體成型方法，其中，於該入料階段時，該蜂窩芯被展開使每一對相鄰之該等片材之各該等厚圍繞壁與該等未接合部位形成複數個六邊型態蜂窩體，在每一該六邊型態蜂窩體中，四個未接合部位形成與該高度方向垂直的長度實質上相等的四個邊，二個厚圍繞壁形成與該高度方向垂直的長度實質上相等的另外二個邊，各該等接合部位與該高度方向垂直的長度為各該等未接合部位與該高度方向垂直的長度的10~45%。
如請求項1所述的緩衝體成型方法，其中：<br/> 該入料階段及定型階段之間還經過一輔助壓送階段，該輥軋單元還包含設置於該第一上輥壓摩擦輪與該第二上輥壓摩擦輪之間的一上輔助輥壓摩擦輪，與設置於該第一下輥壓摩擦輪與該第二下輥壓摩擦輪之間的一下輔助輥壓摩擦輪，該上輔助輥壓摩擦輪與該下輔助輥壓摩擦輪沿該高度方向排列，該上輔助輥壓摩擦輪與該下輔助輥壓摩擦輪界定出一輔助區間；<br/> 在該輔助壓送階段時，該上輔助輥壓摩擦輪與該下輔助輥壓摩擦輪摩擦該等片材產生壓送力以壓送該蜂窩芯；及<br/> 該入料區間的該間距是該等片材沿該高度方向的該高度的90%~95%，該輔助壓送區間於該高度方向的一間距是該等片材沿該高度方向的該高度的80%~85%，該出料區間的該間距是該等片材沿該高度方向的該高度的70%~75%。
一種緩衝體，由展延一蜂窩芯定型形成，該蜂窩芯包括複數個沿一寬度方向伸長之片材，該等片材沿一垂直於該寬度方向之拉伸方向排列，各該片材具複數個接合部位及複數個未接合部位，該等未接合部位與該等接合部位沿該寬度方向交錯排列，就每一對相鄰之該等片材而言，其中一該片材之該等接合部位各別地與另一該片材之該等接合部位結合，各該等接合部位之結合處形成一厚圍繞壁，每一對相鄰之該等片材之各該等厚圍繞壁與該等未接合部位形成複數個六邊型態蜂窩體，在每一該六邊型態蜂窩體中，四個未接合部位形成實質上等寬的四個邊，且二個厚圍繞壁形成實質上等寬的另外二個邊，各該等接合部位與一垂直該寬度方向與該拉伸方向的高度方向垂直的長度不大於各該等未接合部位與該高度方向垂直的長度的60%，每一厚圍繞壁具一沿該高度方向延伸的中間段，每一該厚圍繞壁於該高度方向的頂部及底部分別形成從該中間段相反兩端延伸出的兩個翻折邊，在每一該未接合部位中，該未接合部位位於該高度方向的頂部及該底部分別形成兩個翻折邊，該等未接合部位的頂部及該底部分別形成翻折邊，該翻折邊維持蜂窩芯於一展延狀態，各該等中間段實質上平均彎折變形度小於10%。
如請求項5所述的緩衝體，其中，該等片材為具有80g/m<sup>2</sup>~200g/m<sup>2</sup>之基重的纖維材質所製成，並有0.08mm~0.2mm的厚度，沿該寬度方向的長度為10cm~80cm，沿該高度方向的長度為1cm~6cm，各該等未接合部位沿該寬度方向的長度為0.5cm~5cm，各該等接合部位與該高度方向垂直的長度為各該等未接合部位與該高度方向垂直的長度的10~45%。
如請求項5所述的緩衝體，其中，各該未接合部位具一個薄圍繞壁，各厚圍繞壁具有二分別形成於該等翻折邊上的壓紋部位。
一種緩衝體成型方法，包含下列步驟：<br/> 提供一蜂窩芯，該蜂窩芯包括複數個片材，各該片材具有複數個接合部位及複數個未接合部位，該等未接合部位與該等接合部位交錯排列，就每一對相鄰之該等片材而言，其中一該片材之該等接合部位各別地與另一該片材之該等接合部位結合，該等片材沿一高度方向的高度實質上相等，該等片材沿該高度方向的高度介於1~6cm之間，且厚度介於0.08mm~0.2mm；及<br/> 提供一輥軋單元夾掣該蜂窩芯沿著一拉伸方向連續壓送通過至少二摩擦輪組，經過一入料階段、一定型階段及一回彈階段而使得該蜂窩芯成為一緩衝體；<br/> 其中，該至少二摩擦輪組之各表面係粗糙的，該等摩擦輪組藉摩擦力壓送該蜂窩芯；<br/> 其中，該至少二摩擦輪組界定一入料區間與一出料區間，該入料區間沿該高度方向的間距與該出料區間沿該高度方向的間距皆小於該等片材沿該高度方向的高度，該入料區間沿該高度方向的間距大於該等片材沿該高度方向的高度的70%，該出料區間沿該高度方向的間距小於入料區間的沿該高度方向的間距。
如請求項8所述的緩衝體成型方法，其中：<br/> 該等片材為具有80g/m<sup>2</sup>~200g/m<sup>2</sup>之基重的纖維材質所製成，並有0.08mm~0.2mm的厚度，沿一垂直該高度方向與該拉伸方向的寬度方向的長度為10cm~80cm；<br/> 各該片材還具有複數個與該等接合部位交錯排列之未接合部位；<br/> 各該等對應之接合部位之結合處形成一厚圍繞壁，每一對相鄰之該等片材之各該厚圍繞壁與該等未接合部位形成複數六邊型態蜂窩體；及<br/> 在每一該六邊型態蜂窩體中，四個未接合部位形成與該高度方向垂直的長度實質上相等的四個邊，二個厚圍繞壁形成與該高度方向垂直的長度實質上相等的另外二個邊，各該等接合部位與該高度方向垂直的長度為各該等未接合部位與該高度方向垂直的長度的10~45%。
如請求項8所述的緩衝體成型方法，其中：<br/> 該輥軋單元還包含設置於該至少二摩擦輪組之間的一輔助摩擦輪組，該輔助摩擦輪組界定出一輔助區間；及<br/> 該輔助區間於該高度方向之間距小於該入料區間之該間距且大於該出料區間之該間距。
一種單一多晶矽層非揮發性記憶胞，包括：<br/> 一基板；<br/> 一隔離結構，形成於該基板；<br/> 一第一井區，形成於該基板；<br/> 一第二井區，形成於該基板；其中，該隔離結構位於該第一井區與該第二井區之間；<br/> 一第一閘極結構與一第二閘極結構，形成於該第一井區上；其中，該第二閘極結構向外經過該隔離結構表面並延伸至該第二井區上且覆蓋於部份的該第二井區；<br/> 一第一間隙壁形成於該第一閘極結構的側壁；<br/> 一第二間隙壁形成於該第二閘極結構的側壁；<br/> 一第一合併摻雜區，形成於該第一井區的表面下方，且位於該第一閘極結構的一第一側；<br/> 一第二合併摻雜區，形成於該第一井區的表面下方，且位於該第一閘極結構的一第二側與該第二閘極結構的一第一側之間；<br/> 一第三合併摻雜區，形成於該第一井區的表面下方，且位於該第二閘極結構的一第二側；以及<br/> 一第四合併摻雜區，形成於該第二井區的表面下方，且位於該第二閘極結構旁；<br/> 其中，該第一閘極結構包括一第一閘極氧化層與一第一多晶矽閘極層，該第二閘極結構包括一第二閘極氧化層與一第二多晶矽閘極層，且在該第二井區上方的該第二多晶矽閘極層的一摻雜濃度小於該第四合併摻雜區的一摻雜濃度。
如請求項1所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中，該第一合併摻雜區、該第一閘極結構與該第二合併摻雜區形成一選擇電晶體；該第二合併摻雜區、該第二閘極結構與該第三合併摻雜區形成一浮動閘電晶體；以及，該第二閘極結構與該第四合併摻雜區形成一金氧半電容器。
如請求項2所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該選擇電晶體的一閘極端連接至一選擇閘極線，該選擇電晶體的一第一汲/源端連接至一源極線，該浮動閘電晶體的一第一汲/源端連接至該選擇電晶體的一第二汲/源端，該浮動閘電晶體的一第二汲/源端連接至一位元線，該金氧半電容器的一第一端連接至該浮動閘電晶體的一浮動閘極，該金氧半電容器的一第二端連接至一抹除線。
如請求項2所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該選擇電晶體與該浮動閘電晶體為p型電晶體，該第二閘極結構與該第四合併摻雜區形成一n型電晶體，且該n型電晶體的一第一汲/源端與一第二汲/源端互相連接以形成一n型金氧半電容器。
如請求項2所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第二閘極結構與該第四合併摻雜區形成一第一電晶體，該第一電晶體、該選擇電晶體與該浮動閘電晶體為n型電晶體，且該第一電晶體的一第一汲/源端與一第二汲/源端互相連接以形成一n型金氧半電容器。
如請求項1所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第四合併摻雜區包括一輕摻雜汲極區與一離子佈植區，一第一部分的該輕摻雜汲極區與部分的該離子佈植區互相重疊，且一第二部分的該輕摻雜汲極區未與該離子佈植區重疊。
如請求項6所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第四合併摻雜區為一合併n型摻雜區，該輕摻雜汲極區為一n型輕摻雜汲極區，且該離子佈植區為一n型離子佈植區。
如請求項6所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第二部分的該輕摻雜汲極區的一寬度大於等於該第二間隙壁的一寬度。
如請求項8所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第二部分的該輕摻雜汲極區的該寬度大於0.5μm且小於5μm；以及，該第二間隙壁的該寬度大於0μm且小於0.5μm。
如請求項1所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第四合併摻雜區包括一輕摻雜汲極區、一第一離子佈植區與一第二離子佈植區；其中一第一部份的該輕摻雜汲極區與該第一離子佈植區以及該第二離子佈植區其中之一重疊；以及，一第二部份的該輕摻雜汲極區未與該第一離子佈植區重疊，且該第二部份的該輕摻雜汲極區未與該第二離子佈植區重疊。
如請求項10所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第四合併摻雜區為一合併n型摻雜區，該輕摻雜汲極區為一第一n型輕摻雜汲極區，該第一離子佈植區為一第一n型離子佈植區，且該第二離子佈植區為一第二n型離子佈植區。
如請求項10所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第二部分的該輕摻雜汲極區的一寬度等於該第二間隙壁的一寬度。
如請求項10所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第一離子佈植區的深度大於該第二離子佈植區的深度，該第二井區上方之該第二多晶矽閘極層的一摻雜濃度等於該第二離子佈植區的一摻雜濃度；且該第二井區上方之該第二多晶矽閘極層的該摻雜濃度小於該第四合併摻雜區的一摻雜濃度。
如請求項13所述之單一多晶矽層非揮發性記憶胞，其中該第二井區上方之該第二多晶矽閘極層的該摻雜濃度小於40%該第四合併摻雜區的該摻雜濃度。
一種鍵盤按鍵模組，包含：<br/> 一電路板單元；<br/> 一基板，設置於該電路板單元的上方並包括一開孔；及<br/> 一按鍵單元，包括一設置於該基板的支撐模組、一設置於該支撐模組的鍵蓋模組，及一位於該電路板單元與該鍵蓋模組之間的彈性件，該鍵蓋模組具有一設置於該支撐模組且形成有一貫孔的下蓋體，及一設置於該下蓋體的上方且罩設該下蓋體的上蓋體，該彈性件的下端經由該開孔抵靠該電路板單元，該彈性件的上端經由該貫孔抵靠該上蓋體。
如請求項1所述的鍵盤按鍵模組，其中，該上蓋體由金屬材質製成。
如請求項2所述的鍵盤按鍵模組，其中，該上蓋體由鋁材質製成。
如請求項2所述的鍵盤按鍵模組，其中，該下蓋體由透光的塑膠材質製成。
如請求項1所述的鍵盤按鍵模組，其中，該彈性件具有一抵靠於該上蓋體的頂部、一連接於該頂部且抵靠於該電路板單元的罩部，及一自該頂部朝下延伸且被該罩部圍繞的凸柱，該凸柱經由該開孔面對該電路板單元。
如請求項1所述的鍵盤按鍵模組，其中，該基板包括一形成有該等開孔的板體，及一設置於該板體的卡勾模組，該支撐模組為剪刀腳且設置於該卡勾模組。
如請求項1所述的鍵盤按鍵模組，其中，該電路板單元為包括背光模組及薄膜電路板的模組化元件。
一種自動攪拌機裝置，包含：<br/> 一攪拌單元，包括一圍繞一軸線的攪拌桶、一能容置在該攪拌桶的刮板組、數個沿該軸線的方向延伸的連接件、一連接於該等連接件的擾流罩，及一設置在該攪拌桶外的加熱片，該攪拌桶具有一界定一攪拌空間的桶壁，該刮板組具有二沿一徑寬方向對稱設置且位於該攪拌空間的延伸板，該等延伸板沿該徑寬方向靠近該桶壁，該加熱片能對該攪拌空間加熱；及<br/> 一驅動單元，包括一用於驅動該刮板組轉動的第一驅動件、一沿該軸線延伸且能被驅動而轉動的轉動軸，及一設置在該轉動軸的底側且位於該攪拌空間的轉動件，該轉動件沿該徑寬方向介於該等延伸板間，該等連接件周向環繞該轉動軸，該擾流罩環繞該轉動件且圍繞界定一空間連通該攪拌空間的擾流空間。
如請求項1所述的自動攪拌機裝置，其中，該驅動單元還包括一用於驅動該轉動軸轉動的第二驅動件。
如請求項1所述的自動攪拌機裝置，其中，該驅動單元還包括一沿該軸線的方向與該攪拌桶間隔設置的基座，及一用於驅動該轉動軸轉動的第二驅動件，該第一驅動件與該第二驅動件設置在該基座。
如請求項3所述的自動攪拌機裝置，其中，該驅動單元還包括一連接於該基座的第三驅動器，該第三驅動器用於帶動該第一驅動件與該第二驅動件沿該軸線的方向同步上下移動。
如請求項4所述的自動攪拌機裝置，其中，該第三驅動器具有一第三驅動件，及一沿該軸線的方向延伸且能被該第三驅動件驅動而轉動的螺桿，該螺桿用於帶動該基座沿該軸線的方向上下移動。
如請求項1所述的自動攪拌機裝置，其中，該刮板組具有一朝向該攪拌空間且形成有二延伸段的刮板，該等延伸板分別安裝在該等延伸段且形狀對應該攪拌桶的該桶壁。
如請求項1所述的自動攪拌機裝置，其中，該驅動單元還包括一圍繞界定一軸內空間且能被該第一驅動件驅動而轉動的軸件，及一套設在該轉動軸且位於該軸內空間的軸承組，該刮板組與該等連接件連接於該軸件而能被該第一驅動件帶動而同步轉動。
一種自動攪拌機台，包含：<br/> 一機殼；<br/> 至少一自動攪拌機裝置，設置在該機殼，並包括一攪拌單元，及一驅動單元，該攪拌單元具有一圍繞一軸線的攪拌桶、一能容置在該攪拌桶的刮板組、數個沿該軸線的方向延伸的連接件、一連接於該等連接件的擾流罩，及一設置在該攪拌桶外的加熱片，該攪拌桶具有一界定一攪拌空間的桶壁，該刮板組具有二沿一徑寬方向對稱設置且位於該攪拌空間的延伸板，該等延伸板沿該徑寬方向靠近該桶壁，該加熱片能對該攪拌空間加熱，該驅動單元具有一用於驅動該刮板組轉動的第一驅動件、一沿該軸線延伸且能被驅動而轉動的轉動軸，及一設置在該轉動軸的底端且位於該攪拌空間的轉動件，該轉動件沿該徑寬方向介於該等延伸板間，該等連接件周向環繞該轉動軸，該擾流罩環繞該轉動件且圍繞界定一空間連通該攪拌空間的擾流空間；<br/> 一管路系統，包括一用於輸入原料至該攪拌空間的輸入管，及一用於將原料輸出於該攪拌空間的出料管；及<br/> 一秤重裝置，設置在該機殼且用於承接由該出料管輸出的原料。
如請求項8所述的自動攪拌機台，還包含一設置在該機殼的震動裝置，該震動裝置用於震動經該秤重裝置秤重後的該原料。
一種互連層結構，包括：<br/> 一第一介電區及一第二介電區，位於一基板上，其中：<br/> 該第一介電區包括一第一介電材料；<br/> 該第二介電區包括不同於該第一介電材料的一第二介電材料，其中該第一介電材料的一第一孔隙率小於該第二介電材料的一第二孔隙率；以及<br/> 該第一介電區的頂表面與該第二介電區的頂表面共平面；<br/> 一第一金屬結構，位於該第一介電區中，且具有一第一密度；以及<br/> 一第二金屬結構，位於該第二介電區中，且具有大於該第一密度的一第二密度。
如請求項1所述之互連層結構，其中：<br/> 該第一介電材料的一第一碳濃度小於該第二介電材料的一第二碳濃度。
如請求項1所述之互連層結構，其中：<br/> 該第一介電材料的一第一崩潰電壓大於該第二介電材料的一第二崩潰電壓。
如請求項1所述之互連層結構，其中該第一金屬結構的頂表面與該第二金屬結構的頂表面共平面。
一種互連層結構，包括：<br/> 一基板；以及<br/> 一互連層，位於該基板上，且包括一第一區域及一第二區域，其中：<br/> 該第一區域包括嵌入在一第一介電層中的一第一金屬結構，其中該第一介電層包括一第一介電材料，且該第一金屬結構具有一第一密度；<br/> 該第二區域包括嵌入在一第二介電層中的一第二金屬結構，其中該第二金屬結構具有大於該第一密度的一第二密度，其中該第二介電層包括與該第一介電材料不同的一第二介電材料，且該第一介電材料的一第一孔隙率小於該第二介電材料的一第二孔隙率，及其中該第一介電層的厚度與該第二介電層的厚度不同；<br/> 該第一區域中的一第一金屬表面積與一第一非金屬表面積的一第一比值小於一參考值；以及<br/> 該第二區域中的一第二金屬表面積與一第二非金屬表面積的一第二比值大於該參考值。
如請求項5所述之互連層結構，其中該第二區域進一步包括：<br/> 一第三介電層，位於該第二介電層上，並嵌入該第二金屬結構的上部。
如請求項5所述之互連層結構，進一步包括：<br/> 一另一互連層，位於該互連層上，且包括一第三區域及一第四區域，其中：<br/> 該第三區域包括一第三金屬結構及該第一介電材料；<br/> 該第四區域包括一第四金屬結構及該第二介電材料；<br/> 該第三區域中的一第三金屬表面積與一第三非金屬表面積的一第三比值實質上等於該第一比值；以及<br/> 該第四區域中的一第四金屬表面積與一第四非金屬表面積的一第四比值實質上等於該第二比值。
一種形成互連層結構的方法，包括：<br/> 在一基板上形成包括一第一介電材料的一第一介電區；<br/> 在該基板上形成包括一第二介電材料的一第二介電區，且該第二介電材料與該第一介電材料不同，其中該第一介電材料的一第一孔隙率小於該第二介電材料的一第二孔隙率；以及<br/> 分別在該第一介電區及該第二介電區中形成一第一金屬結構及一第二金屬結構，其中該第一金屬結構的一第一密度小於該第二金屬結構的一第二密度，及其中該第一金屬結構的頂表面與該第二金屬結構的頂表面共平面。
如請求項8所述之方法，其中形成該第二介電區包括：<br/> 去除一部分的該第一介電材料以形成一開口；以及<br/> 在該開口中沉積該第二介電材料。
如請求項8所述之方法，其中形成該第一金屬結構及該第二金屬結構包括：<br/> 在該第一介電區及該第二介電區中形成複數個開口；<br/> 在該些開口中形成一金屬層；以及<br/> 平坦化該金屬層、該第一介電區及該第二介電區。
一種基板處理裝置，其包含：複數個處理單元，其等對基板進行使用處理液之液處理；及 <br/>控制部，其在前述液處理時，對前述複數個處理單元各者賦予應以依照第1條件之流量向基板供給處理液之第1供給指令；且 <br/>前述複數個處理單元各者包含： <br/>噴嘴，其連接於液流路，將前述液流路中流動之處理液向基板噴出；及 <br/>電動閥，其設置於前述液流路，調整前述液流路中流動之處理液之流量； <br/>前述電動閥包含： <br/>閥座； <br/>閥體，其設置為可在通過前述閥座之預設之移動路徑上，朝相對於前述閥座靠近之閉方向及遠離前述閥座之開方向移動；及 <br/>電動致動器，其應答對該電動閥賦予之前述第1供給指令，使前述閥體在前述移動路徑上向前述開方向移動；且 <br/>前述複數個處理單元中之一處理單元之電動閥藉由處於設計上設為前述閥體與前述閥座接觸之停止狀態時接收前述第1供給指令，而轉移至在該電動閥中以依照前述第1條件之流量流動處理液之第1處理狀態； <br/>將前述一處理單元之電動閥自接收到前述第1供給指令起直至成為前述第1處理狀態為止所需之時間，定義為第1基準轉移時間； <br/>在前述液處理前，前述控制部以在前述複數個處理單元中之其他處理單元之電動閥自接收到前述第1供給指令起經過前述第1基準轉移時間之時點成為前述第1處理狀態之方式，將前述其他處理單元待機時應配置前述其他處理單元之電動閥之前述閥體之前述移動路徑上之位置決定為第1待機位置。
如請求項1之基板處理裝置，其中各處理單元進一步包含： <br/>開閉閥，且 <br/>前述開閉閥 <br/>以位於較前述電動閥靠下游之方式設置於前述液流路，且 <br/>構成為可轉移至容許前述液流路中流通處理液之開狀態、及遮斷前述液流路中流通處理液之閉狀態， <br/>前述控制部在對各電動閥賦予前述第1供給指令時，使前述開閉閥自前述閉狀態轉移至前述開狀態。
如請求項1或2之基板處理裝置，其進一步包含： <br/>記憶部，其記憶前述一處理單元之各電動閥之前述第1基準轉移時間；且 <br/>在決定前述第1待機位置時，前述控制部 <br/>藉由對前述其他處理單元之電動閥賦予前述第1供給指令而自前述停止狀態轉移至前述第1處理狀態， <br/>將前述其他處理單元之電動閥自前述停止狀態至成為前述第1處理狀態為止所需之時間作為實際轉移時間而檢測， <br/>就前述其他處理單元之電動閥，算出檢測出之前述實際轉移時間與記憶於前述記憶部之前述第1基準轉移時間之差分， <br/>就前述其他處理單元之電動閥，以算出之前述差分被抵消之方式決定前述第1待機位置。
如請求項3之基板處理裝置，其中在決定前述第1待機位置前，前述控制部 <br/>藉由對前述一處理單元之電動閥賦予前述第1供給指令而自前述停止狀態轉移至前述第1處理狀態， <br/>將前述一處理單元之電動閥自前述停止狀態至成為前述第1處理狀態為止所需之時間作為前述第1基準轉移時間而檢測。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中前述控制部能夠在前述液處理時，對前述複數個處理單元各者賦予應以依照與前述第1條件不同之第2條件之流量向基板供給處理液之第2供給指令， <br/>前述一處理單元之電動閥藉由在處於前述停止狀態時接收前述第2供給指令，而轉移至在該電動閥中以依照前述第2條件之流量流動處理液之第2處理狀態， <br/>將前述一處理單元之電動閥自接收到前述第2供給指令起至成為前述第2處理狀態為止所需之時間，定義為第2基準轉移時間， <br/>在前述液處理前，前述控制部以在前述複數個處理單元中之其他處理單元之電動閥自接收到前述第2供給指令起經過前述第2基準轉移時間之時點成為前述第2處理狀態之方式，將前述其他處理單元待機時應配置前述其他處理單元之電動閥之前述閥體之前述移動路徑上之位置決定為第2待機位置。
如請求項1或2之基板處理裝置，其進一步包含： <br/>壓力檢測部，其檢測較各電動閥靠上游側之處理液之壓力，且 <br/>前述第1待機位置根據前述壓力檢測部之檢測結果而決定為預設之複數個位置中之任一者。
如請求項1或2之基板處理裝置，其進一步包含： <br/>裝置殼體，其收容前述複數個處理單元；且 <br/>當存在設置於與前述裝置殼體不同之位置、且具有與前述複數個處理單元共通之構成之外部處理單元之情形下， <br/>在前述外部處理單元進行液處理前，前述控制部以前述外部處理單元之電動閥在接收到前述第1供給指令起經過前述第1基準轉移時間之時點成為前述第1處理狀態之方式，決定前述外部處理單元待機時應配置前述外部處理單元之電動閥之前述閥體之前述移動路徑上之位置。
一種基板處理裝置，其係對基板進行使用處理液之液處理之基板處理裝置，且包含： <br/>複數個噴嘴，其等連接於複數個液流路，將前述複數個液流路中流動之處理液向基板噴出； <br/>複數個電動閥，其等設置於前述複數個液流路，調整液流路中流動之處理液之流量；及 <br/>控制部，其在前述液處理時，對前述複數個電動閥各者賦予應以預設之流量向基板供給處理液之供給指令；且 <br/>各電動閥包含： <br/>閥座； <br/>閥體，其設置為可在通過前述閥座之預設之移動路徑上，朝相對於前述閥座靠近之閉方向及遠離前述閥座之開方向移動；及 <br/>電動致動器，其應答對該電動閥賦予之前述供給指令，使前述閥體在前述移動路徑上向前述開方向移動；且 <br/>前述複數個電動閥中之一電動閥藉由處於設計上設為前述閥體與前述閥座接觸之停止狀態時接收前述供給指令，而轉移至在該電動閥中以前述預設之流量流動處理液之處理狀態， <br/>將前述一電動閥自接收到前述供給指令起至轉移至前述處理狀態為止所需之時間定義為基準轉移時間， <br/>在前述液處理前，前述控制部以前述複數個電動閥中之其他電動閥在接收到前述供給指令起經過前述基準轉移時間之時點成為前述處理狀態之方式，將待機時應配置前述其他電動閥之前述閥體之前述移動路徑上之位置決定為待機位置。
一種機車座墊的開啟輔助裝置，機車至少包括有車架單元、設於該車架單元上方的座墊及設於該座墊下方的置物箱；該座墊後方底端設有座墊開啟輔助裝置，該座墊開啟輔助裝置具有底座、連結於該底座上的連結件，以及設於該底座與該連結件之間的彈性件；該底座的底部具有頂抵部，該底座於該頂抵部向上凸設的容置部，該容置部上端外周緣朝徑向外側凸複數間隔設置的擋肋；該彈性件係收納於該底座的該容置部內；該連結件係蓋套於該容置部上，該連結件具有開口朝下中空的連結部，該連結部周設有複數個通孔，該通孔與該底座的該擋肋相對應；該連結部可罩套於該底座的該容置部上，可將該彈性件封蓋。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該通孔係為長矩形孔。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該彈性件的上端抵頂於該連結件的該連結部內側的頂端，該彈性件的底端抵頂於該底座的容置部上。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該底座的該擋肋嵌入該連結件的該通孔，該底座的該擋肋可於該連結件的該通孔內作上下位移。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該連結件於該連結部上端向上凸設有嵌插部；該嵌插部與該連結部之間具有嵌設環槽。
如請求項5所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該嵌插部具有呈錐狀，該嵌插部外徑小於該連結部的外徑。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該座墊具有底板，該底板上設有嵌設孔，該座墊開啟輔助裝置藉由該連結件來嵌插於該嵌設孔上。
如請求項1所述之機車座墊的開啟輔助裝置，其中，該容置部內具有由該頂抵部向上凸的定位凸柱，該彈性件套設於該定位凸柱上。
一種半導體裝置，具有： <br/>Si基板； <br/>有機膜，形成在前述Si基板的上方；以及 <br/>半導體層，設置在前述有機膜上並且接收或發射光， <br/>其中前述半導體層中與前述有機膜接合的面由InP形成， <br/>其中在前述半導體層中接收或發射的光的波長為λ(nm)，並且前述有機膜的折射率為n的情況下，前述有機膜的膜厚T(nm)滿足下式： <br/>T≤λ×0.1/n。
一種半導體裝置，具有： <br/>Si基板； <br/>有機膜，形成在前述Si基板的上方；以及 <br/>半導體層，設置在前述有機膜上並且接收或發射光， <br/>其中前述半導體層中與前述有機膜接合的面由InP形成， <br/>，其中前述有機膜的膜厚T為40nm以下。
一種半導體裝置，具有： <br/>Si基板； <br/>有機膜，形成在前述Si基板的上方；以及 <br/>半導體層，設置在前述有機膜上並且接收或發射光， <br/>其中前述半導體層中與前述有機膜接合的面由InP形成， <br/>其中在前述Si基板上具有比前述有機膜的膜厚更薄的SiO<sub>2</sub>膜， <br/>其中前述有機膜形成在前述SiO<sub>2</sub>膜上。
如請求項1或3所述的半導體裝置，其中前述有機膜的膜厚T為85nm以下。
如請求項1至3中任一項所述的半導體裝置，其中前述有機膜的膜厚T為10nm以上。
如請求項1至3中任一項所述的半導體裝置，其中前述有機膜由聚醯亞胺形成。
如請求項1至3中任一項所述的半導體裝置，其中前述半導體層為將由InGaAs形成的光電轉換層夾在由InP形成的下覆蓋層與由InP形成的上覆蓋層之間而構成， <br/>其中前述下覆蓋層接合於前述有機膜。
如請求項1至3中任一項所述的半導體裝置，其中前述半導體層接收或發射波長λ為900nm以上的光， <br/>其中前述Si基板透射由前述半導體層接收的光或從前述半導體層發射的光。
如請求項1所述的半導體裝置，其中前述有機膜的膜厚T為40nm以下。
如請求項2所述的半導體裝置，其中在前述Si基板上具有比前述有機膜的膜厚更薄的SiO<sub>2</sub>膜， <br/>其中前述有機膜形成在前述SiO<sub>2</sub>膜上。
如請求項3所述的半導體裝置，其中在前述半導體層中接收或發射的光的波長為λ(nm)，並且前述有機膜的折射率為n的情況下，前述有機膜的膜厚T(nm)滿足下式： <br/>T≤λ×0.1/n。
一種碳化矽晶圓的檢測方法，至少包含：於室溫時，提供一待測單晶碳化矽晶圓；提供一脆性特性分析標準，並進行一檢測；以一塗蠟方式貼附該待測單晶碳化矽晶圓於一楔型金屬塊的一斜面上；進行一錐度研磨與一拋光；以熔融的一無機鹼液體與一碳酸鹽液體，進行一化學蝕刻，其中該碳酸鹽的莫爾數，相較於該無機鹼的莫爾數，比例介於0至10莫爾百分比(mol.%)；以及取出該待測單晶碳化矽晶圓，並計算於該化學蝕刻後，微裂紋於該斜面上的一長度L1。
如請求項第1項所述之方法，其中該化學蝕刻的一溫度控制於380℃至450℃，該化學蝕刻的一時間介於1分鐘至20分鐘。
如請求項第1項所述之方法，其中該無機鹼係由氫氧化鋰(LiOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋇(Ba(OH)<sub>2</sub>)、以及氫氧化鈣(Ca(OH)<sub>2</sub>)群組中所選出。
如請求項第1項所述之方法，其中該碳酸鹽係由碳酸鋰(Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>)、碳酸鈉(Na<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>)、碳酸鉀(K<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>)、碳酸鎂(MgCO<sub>3</sub>)、以及碳酸鈣(CaCO<sub>3</sub>)群組中所選出。
如請求項第1項所述之方法，其中係以L1計算該碳化矽晶圓的該損傷層厚度，該損傷層厚度=L1 sin(θ)，該θ為該楔型金屬錐面與水平面的夾角。
一種碳化矽晶圓的檢測方法，至少包含：於一高溫爐中，進行一待測單晶碳化矽晶圓的一熱處理的步驟，其中該熱處理，包含該熱處理的一溫度介於800℃至2,200℃，該熱處理的一時間介於0.1小時至3.0小時；提供一高溫延性條件下的殘留塑性變形分析標準，並進行一檢測；以一塗蠟方式貼附該待測單晶碳化矽晶圓於一楔型金屬塊的一斜面上；進行一錐度研磨與一拋光；準備熔融的一無機鹼液體，進行一化學蝕刻；以及取出該待測單晶碳化矽晶圓，並計算於該化學蝕刻後，一差排蝕刻坑於該斜面上與一晶圓拋光界面的一距離L2。
如請求項第6項所述之方法，其中該化學蝕刻的一溫度控制於420℃至530℃，該化學蝕刻的一時間介於1分鐘至30分鐘。
如請求項第6項所述之方法，其中該無機鹼係由氫氧化鋰(LiOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鋇(Ba(OH)<sub>2</sub>)、以及氫氧化鈣(Ca(OH)<sub>2</sub>)群組中所選出。
如請求項第6項所述之方法，其中係以L2計算該碳化矽晶圓的該高溫延性條件下所殘留的一塑性變形層，該塑性變形層的厚度=L2 sin(θ)，該θ為該楔型金屬錐面與水平面的夾角。
如請求項第6項所述之方法，其中係以L2計算該單晶碳化矽晶圓的該高溫延性條件下所殘留的一塑性變形層厚度，由該單晶碳化矽晶圓的一厚度，減去該高溫延性條件下所殘留的該塑性變形層厚度，為一無損傷層的厚度。
一種碰撞提示方法，適用於一行動裝置，該行動裝置包含一加速度感測器、一聲音感測器以及一顯示螢幕，該加速度感測器適於獲取對應於該行動裝置之加速度資料，該聲音感測器適於獲取環境聲音資料，該碰撞提示方法包含：<br/> 依據該加速度資料，判斷該行動裝置是否處於一掉落狀態；<br/> 在確認該行動裝置處於該掉落狀態後，開始收集該環境聲音資料；<br/> 依據該加速度資料，判斷該行動裝置是否產生碰撞；<br/> 在確認該行動裝置產生碰撞後，開始計算一預設時間，並在經過該預設時間後，停止收集該環境聲音資料；以及<br/> 依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度；以及<br/> 依據該碰撞嚴重程度產生一提示訊號。
如請求項1所述之碰撞提示方法，其中，依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度之步驟包含：<br/> 獲取該環境聲音資料中之最大分貝值；以及<br/> 依據該加速度資料以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項1所述之碰撞提示方法，其中，依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度之步驟包含：<br/> 獲取該環境聲音資料中之平均分貝值；以及<br/> 依據該加速度資料以及該平均分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項1所述之碰撞提示方法，其中，依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度之步驟包含：<br/> 獲取碰撞產生前之最大速度值；<br/> 獲取該環境聲音資料中之最大分貝值；以及<br/> 依據該最大速度值以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項1所述之碰撞提示方法，其中，依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度之步驟包含：<br/> 獲取複數碰撞聲紋，該複數碰撞聲紋分別對應於複數預設碰撞物件；<br/> 將該環境聲音資料與該複數碰撞聲紋進行比對，以推測該行動裝置之實際碰撞物件；<br/> 獲取該環境聲音資料中之最大分貝值；以及<br/> 依據該加速度資料、該實際碰撞物件以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項1所述之碰撞提示方法，其中，依據該碰撞嚴重程度產生該提示訊號之步驟係依據碰撞嚴重程度產生一碰撞提示影像呈現於顯示螢幕。
一種碰撞提示裝置，適用於一行動裝置，該行動裝置包含一顯示螢幕，該碰撞提示裝置包含：<br/> 一加速度感測器，適於獲取對應於該行動裝置之加速度資料；<br/> 一聲音感測器，適於獲取環境聲音資料；<br/> 一掉落判斷單元，適於依據該加速度資料，判斷該行動裝置是否處於一掉落狀態；<br/> 一碰撞判斷單元，適於依據該加速度資料，判斷該行動裝置是否產生碰撞；<br/> 一聲音資料收集單元，適於在確認該行動裝置處於該掉落狀態後，通知該聲音感測器開始收集該環境聲音資料，並在確認該行動裝置產生碰撞後，開始計算一預設時間，並在經過該預設時間後，停止收集該環境聲音資料；<br/> 一碰撞資料處理單元，適於依據該加速度資料以及所收集之該環境聲音資料確認該行動裝置之碰撞嚴重程度；以及<br/> 一碰撞提示產生單元，適於依據該碰撞嚴重程度產生一提示訊號。
如請求項7所述之碰撞提示裝置，其中，該碰撞資料處理單元係獲取該環境聲音資料中之最大分貝值，並依據該加速度資料以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項7所述之碰撞提示裝置，其中，該碰撞資料處理單元係獲取該環境聲音資料中之平均分貝值，並依據該加速度資料以及該平均分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項8所述之碰撞提示裝置，其中，該碰撞資料處理單元係獲取碰撞產生前之最大速度值，並依據該最大速度值以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項7所述之碰撞提示裝置，更包含一儲存單元，適於儲存複數碰撞聲紋，該複數碰撞聲紋分別對應於複數預設碰撞物件，該碰撞資料處理單元係獲取該複數碰撞聲紋，並將該環境聲音資料與該複數碰撞聲紋進行比對，以推測該行動裝置之實際碰撞物件。
如請求項11所述之碰撞提示裝置，其中，該碰撞資料處理單元係獲取該環境聲音資料中之最大分貝值，並依據該加速度資料、該實際碰撞物件以及該最大分貝值確認該行動裝置之碰撞嚴重程度。
如請求項7所述之碰撞提示裝置，其中，該碰撞提示產生單元適於依據該碰撞嚴重程度產生一碰撞提示影像呈現於該顯示螢幕。
一種車燈，包括：<br/> 一光源，供發射一光線；及<br/> 一反射器，包括至少一供接收並反射該光線之反射單元，該至少一反射單元包括複數成矩陣排列之導光區塊，各該導光區塊具有一反射面；<br/> 其中，該複數導光區塊其中一者之反射面與相鄰接之至少二該導光區塊之反射面之間分別具有一第一高度差及一第二高度差，該第一高度差與該第二高度差相異；<br/> 其中，各該導光區塊另具有複數側表面，各該側表面沿該反射器之一厚度方向延伸且連接於相鄰之二該反射面之間，該第一高度差與該第二高度差分別對應於一該側表面沿該厚度方向延伸之高度。
如請求項1所述的車燈，其中各該導光區塊具有一成矩形之外輪廓，沿該反射器之一正面方向觀之，該複數導光區塊相鄰接並構成垂直相交之複數縱向線及複數橫向線。
如請求項1所述的車燈，其中該複數導光區塊具有相同的截面輪廓尺寸。
如請求項1所述的車燈，其中該複數導光區塊包括連續排列於同一行或同一列之一第一導光區塊、一第二導光區塊及一第三導光區塊，該第一導光區塊之反射面與該第二導光區塊之反射面之間具有該第一高度差，該第二導光區塊之反射面與該第三導光區塊之反射面之間具有該第二高度差。
如請求項1所述的車燈，其中至少一該導光區塊之反射面與相鄰接之四該導光區塊之反射面之間的高度差皆相異。
如請求項1所述的車燈，另包括一殼體，其中該殼體包括一基座及一蓋設於該基座之光罩，該反射器另包括一連接於該至少一反射單元之一側之固定部，該光源與該固定部分別定位於該基座之相對二側壁，該至少一反射單元自該固定部朝設有該光源之一側延伸。
如請求項1至6任一項所述的車燈，其中該反射器包括相連接之複數該反射單元，各該反射單元具有一成弧凹延伸之基板，相鄰接之二該基板之間形成一脊部。
如請求項7所述的車燈，其中該複數導光區塊一體凸設於該基板之一凹入側。
如請求項7所述的車燈，其中該光源包括複數發光元件，各該發光元件面向一該反射單元且與各該脊部相錯位。
如請求項7所述的車燈，其中各該基板沿一縱向方向及一橫向於該縱向方向之橫向方向皆成弧曲延伸。
一種顯示裝置，包括： <br/>一顯示面板，所述顯示面板的出射光為一線偏振光， <br/>一液晶盒，設置在所述顯示面板的一出光側，包括： <br/>彼此相對設置的一第一基板和一第二基板； <br/>一透鏡組，設置在所述第一基板上且位於所述第一基板和所述第二基板之間，包括複數個透鏡，所述複數個透鏡沿一第一方向延伸且沿與所述第一方向相交的一第二方向排列； <br/>一第一取向層，設置在所述透鏡組靠近所述第二基板的一側； <br/>一液晶層，設置在所述第一取向層靠近所述第二基板的一側；以及 <br/>一第二取向層，設置在所述第二基板的面向所述液晶層的一側， <br/>一線偏振光旋轉結構，設置在所述顯示面板和所述液晶盒之間， <br/>其中，所述第一取向層和所述第二取向層的取向方向與所述第一方向平行，從所述顯示面板出射的所述線偏振光的偏振方向與所述第一方向具有一夾角，所述線偏振光旋轉結構被配置為將所述出射光的偏振方向旋轉至與所述第一方向平行，以及 <br/>其中，所述線偏振光旋轉結構包括一半波延遲器，所述半波延遲器包括一快軸和一慢軸，所述快軸位於所述夾角的中心線上，或者所述慢軸位於所述夾角的中心線上。
根據請求項1所述的顯示裝置，其中，所述透鏡的靠近所述第一取向層的一側包括一曲面。
根據請求項2所述的顯示裝置，其中，所述第一取向層共形地形成在所述透鏡組的表面。
根據請求項1所述的顯示裝置，其中，所述第一取向層和所述第二取向層採用摩擦取向製程取向，所述摩擦取向製程的摩擦方向與所述第一方向平行。
根據請求項1-4任一項所述的顯示裝置，其中，所述液晶盒還包括： <br/>一第一電極層，設置在所述第一基板和所述透鏡組之間；以及 <br/>一第二電極層，設置在所述第二取向層和所述第二基板之間， <br/>其中，所述第一電極層和所述第二電極層被配置為對所述液晶層的液晶分子施加電場以驅動所述液晶分子偏轉。
根據請求項1-4任一項所述的顯示裝置，其中，所述液晶盒還包括： <br/>一第一電極層，設置在所述第一基板和所述透鏡組之間； <br/>一第二電極層，設置在所述第一電極層和所述透鏡組之間；以及 <br/>一絕緣層，設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間， <br/>其中，所述第二電極層包括複數個條狀電極，所述第一電極層和所述第二電極層被配置為對所述液晶層的液晶分子施加電場以驅動所述液晶分子偏轉。
根據請求項1-4任一項所述的顯示裝置，其中，所述液晶盒還包括： <br/>一電極層，設置在所述第一基板和所述透鏡組之間， <br/>其中，所述電極層包括複數個第一條狀電極和複數個第二條狀電極，所述複數個第一條狀電極和所述複數個第二條狀電極沿所述第二方向交替間隔排布，所述第一條狀電極和所述第二條狀電極被配置為對所述液晶層的液晶分子施加電場以驅動所述液晶分子偏轉。
根據請求項5所述的顯示裝置，其中，所述透鏡組的複數個透鏡的折射率與所述液晶層的在液晶分子的一個軸向上的折射率相同。
根據請求項1-4任一項所述的顯示裝置，其中，所述顯示面板和所述液晶盒具有大致相同的矩形平面形狀，所述第一方向與所述矩形的一個邊之間的夾角為一銳角。
一種顯示裝置的製作方法，包括： <br/>提供一顯示面板、一線偏振光旋轉結構和一液晶盒；以及 <br/>將所述顯示面板、所述線偏振光旋轉結構和所述液晶盒貼合在一起以形成所述顯示裝置， <br/>其中，所述顯示面板的出射光為線偏振光，所述線偏振光旋轉結構被配置為將所述線偏振光的偏振方向旋轉至一第一方向， <br/>所述液晶盒包括依次疊置的一透鏡組、一第一取向層和一液晶層，所述透鏡組包括沿所述第一方向延伸並沿與所述第一方向相交的一第二方向排列的複數個透鏡， <br/>所述第一取向層的取向方向與所述第一方向平行，以及 <br/>其中，所述線偏振光旋轉結構包括一半波延遲器，所述半波延遲器包括一快軸和一慢軸，所述線偏振光的偏振方向與所述第一方向之間具有一夾角。
根據請求項10所述的製作方法，其中， <br/>將所述顯示面板、所述線偏振光旋轉結構和所述液晶盒貼合在一起包括： <br/>將所述半波延遲器的快軸或者慢軸與所述夾角的中心線平行設置。
根據請求項10所述的製作方法，其中，提供所述液晶盒包括： <br/>提供一第一基板和一第二基板， <br/>在所述第一基板上形成所述透鏡組， <br/>在所述透鏡組的表面形成所述第一取向層， <br/>對所述第一取向層進行取向製程，以使得所述第一取向層的取向方向平行於所述第一方向， <br/>在所述第二基板上形成一第二取向層， <br/>對所述第二取向層進行取向製程，以使得所述第二取向層的取向方向平行於所述第一方向。
根據請求項12所述的製作方法，其中，對所述第一取向層進行取向製程包括：採用摩擦取向製程沿所述第一方向對所述第一取向層進行取向。
根據請求項10所述的製作方法，其中，提供所述液晶盒包括： <br/>提供一第一基板和一第二基板， <br/>在所述第一基板上形成所述透鏡組， <br/>在所述透鏡組的表面進行取向製程以形成所述第一取向層， <br/>在所述第二基板上形成一第二取向層， <br/>對所述第二取向層進行取向製程，以使得所述第二取向層的取向方向平行於所述第一方向。
根據請求項10所述的製作方法，其中，提供所述液晶盒包括： <br/>提供一第一基板和一第二基板， <br/>在所述第一基板上形成所述透鏡組和所述第一取向層， <br/>在所述第二基板上形成一第二取向層， <br/>對所述第二取向層進行取向製程，以使得所述第二取向層的取向方向平行於所述第一方向， <br/>其中，所述第一取向層經一體成型製程形成在所述透鏡組的表面。
一種記憶體電路，包含：<br/> 一記憶體陣列，包含複數個第一記憶體單元及複數個第二記憶體單元，該些第一記憶體單元中的每一者用以存儲一資料位元，且該些第二記憶體單元中的每一者用以存儲一修復位元；<br/> 複數個暫存器電路；及<br/> 一比較電路，耦合至該些暫存器電路；<br/> 其中該些暫存器電路中的每一者用以：<br/> 自該些第二記憶體單元中的相應一者接收該修復位元；<br/> 當該記憶體電路用於一第一操作模式時，將該接收的修復位元傳輸至該比較電路；及<br/> 當該記憶體電路用於一第二操作模式時，將該接收的修復位元鎖存在該暫存器電路中，<br/> 其中該些暫存器電路中的每一者至少包含：<br/> 一反及閘；<br/> 一第一傳輸閘；<br/> 一第二傳輸閘；<br/> 一第一反相器；及<br/> 一第二反相器。
如請求項1所述之記憶體電路，其中複數個修復位元集體與該些第一記憶體單元中的相應一者相關聯，且其中該些修復位元指示該相應第一記憶體單元在該記憶體陣列中的一位置、該些修復位元是否仍能夠修復及該相應第一記憶體單元是否修復為邏輯0或邏輯1。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該些暫存器電路中的每一者更包含：<br/> 一第三反相器。
如請求項3所述之記憶體電路，其中該反及閘用以接收一第一訊號及一第二訊號，且其中該第一訊號在該第二操作模式下以一第一邏輯狀態提供，且在該第一操作模式下以一第二邏輯狀態提供。
如請求項4所述之記憶體電路，其中當以該第一邏輯狀態提供時，該第二訊號對應於該第二操作模式，其中該第一訊號以該第二邏輯狀態提供，且其中當以該第二邏輯狀態提供時，該第二訊號對應於該第一操作模式，其中該第一訊號以該第二邏輯狀態提供。
如請求項1所述之記憶體電路，進一步包含一多工器，用以：<br/> 分別自該記憶體陣列及該比較電路接收該存儲的資料位元及該些修復位元；及<br/> 當該記憶體電路用於該第一操作模式下時，選擇一或多個修復位元作為一第一輸出訊號。
如請求項6所述之記憶體電路，其中當該記憶體電路用於該第一操作模式時，該比較電路用以：<br/> 接收指示該些第一記憶體單元中的相應一者在該記憶體陣列中的一位置的一位址訊號；<br/> 將該位址訊號與由各個暫存器電路傳輸的一或多個修復位元進行比較；及<br/> 回應於該位址訊號與該一或多個修復位元之間的一匹配而提供一第二輸出訊號。
一種記憶體電路，包含：<br/> 一記憶體陣列，包含複數個第一記憶體單元及複數個第二記憶體單元，該些第一記憶體單元中的每一者用以存儲一資料位元，且該些第二記憶體單元中的每一者用以存儲一修復位元；及<br/> 複數個暫存器電路；<br/> 其中該些暫存器電路中的每一者用以：<br/> 自該些第二記憶體單元中的相應一者接收該修復位元；及<br/> 當該記憶體電路經由至少一第一控制訊號用於一斷電模式時，將該接收的修復位元鎖存在該暫存器電路中，<br/> 其中該些暫存器電路中的每一者至少包含：<br/> 一反及閘；<br/> 一第一傳輸閘；<br/> 一第二傳輸閘；<br/> 一第一反相器；及<br/> 一第二反相器。
如請求項8所述之記憶體電路，其中該些暫存器電路中的每一者用以當該記憶體電路經由至少該第一控制訊號及一第二控制訊號用於一修復讀取模式時，將該接收的修復位元傳輸至一後級電路。
一種操作一記憶體電路的方法，包含以下步驟：<br/> 在對一記憶體電路加電之後，基於一第一控制訊號及一第二控制訊號的多個邏輯狀態的一第一組合使該記憶體電路進入一修復讀取模式，其中該修復讀取模式包含將一修復位元傳輸至一暫存器電路；及<br/> 在該修復讀取模式之後，基於該第一控制訊號及該第二控制訊號的該些邏輯狀態的一第二組合使該記憶體電路進入一斷電模式，其中該斷電模式包含將該修復位元鎖存在該暫存器電路中，<br/> 其中該暫存器電路至少包含：<br/> 一反及閘；<br/> 一第一傳輸閘；<br/> 一第二傳輸閘；<br/> 一第一反相器；及<br/> 一第二反相器。
一種殼體的製作方法，包括：<br/> 組裝複數個模具，該些模具包括一公模、一母模、至少一滑塊及至少一斜頂，其中該公模與該母模相對設置，該至少一斜頂鄰近於該公模且與該公模設置於該母模的相同側，該滑塊設置於該公模與該母模的側邊，及該公模、該母模、該至少一滑塊及該至少一斜頂之間形成一空腔；<br/> 將射出材料注入該空腔中；以及<br/> 在該射出材料冷卻之後，進行開模步驟，其中該開模步驟包括退出該母模、退出該至少一滑塊、退出該公模及退出該至少一斜頂，其中該斜頂的退出方向不同於該公模的退出方向，且該至少一斜頂是用於形成該殼體的至少一加強肋；<br/> 其中該至少一滑塊是用形成複數個網孔，該至少一加強肋沿著該些網孔的邊緣延伸。
如請求項1所述之殼體的製作方法，其中該至少一斜頂的數量為複數個。
如請求項1所述之殼體的製作方法，其中該至少一斜頂的側表面具有至少一凹槽，該至少一凹槽具有平行於該側表面的複數個延伸方向，該些延伸方向係彼此不同。
如請求項3所述之殼體的製作方法，其中該公模及該母模的退出方向平行於該斜頂的該側表面，該斜頂的退出方向包括一側向退出方向，該側向退出方向平行於該側表面的法線方向。
如請求項3所述之殼體的製作方法，其中該至少一凹槽對應於該殼體的該至少一加強肋。
如請求項1所述之殼體的製作方法，其中該至少一滑塊的數量為複數個。
如請求項1所述之殼體的製作方法，其中該至少一滑塊具有一內表面，該內表面鄰接於該空腔，該內表面設置有複數個突出柱，該些突出柱的突出方向平行於該內表面的法線方向。
如請求項7所述之殼體的製作方法，其中該公模及該母模的退出方向平行於該至少一滑塊的該內表面，該至少一滑塊的退出方向平行於該內表面的法線方向。
如請求項1所述之殼體的製作方法，其中退出該公模的步驟是在退出該母模及退出該至少一滑塊的步驟之後進行。
如請求項9所述之殼體的製作方法，其中退出該至少一斜頂的步驟是在退出該公模的步驟之後進行。
一種訓練器具用負荷傳遞機構，其主要包括：<br/> 主動軸部，該主動軸部的使用者輸入力之輸入部連接於該主動軸部之端部，並與該輸入部一起轉動；<br/> 中間軸部，該中間軸部是與該主動軸部之轉動聯動的轉動；<br/> 第1轉動傳遞部，該第1轉動傳遞部於該主動軸部與該中間軸部之間相互連接，並用於傳遞該主動軸部與該中間軸部之間的轉動；<br/> 第2轉動傳遞部，該第2轉動傳遞部設置於該中間軸部，及與該中間軸部正交之曲軸部之間，並用於傳送該中間軸部與該曲軸部之間的轉動；<br/> 滑動軸部，該滑動軸部承受a軸部以傳遞拉力，並根據該滑動軸部的該軸向，與該線性方向上的移動改變延伸方向；<br/> 連結構件，該連結構件之端部連接於該曲軸部與該滑動軸部，並將該曲軸部之轉動聯動換為該滑動軸部之軸向的往復運動；<br/> 殼體部，該殼體部內置有該主動軸部、該中間軸部、該曲軸部、該滑動軸部、及該線性運動導引部之滑塊；<br/> 長孔，該長孔以在該線性運動導引部之該滑塊線性前進移動之方向延伸之方式形成在該殼體部之上表面，且該滑動軸部插通該長孔內側而水平移動；及<br/> 第1導引輥及第2導引輥，該第1導引輥及第2導引輥是在圓盤形狀之外周面形成有沿圓周方向延伸之環狀槽的2個導引輥，將該拉力構件嵌入並保持在該第1導引輥及第2導引輥各自的溝槽中；<br/> 該拉力構件根據該滑動軸部在該長孔中之水平移動而延伸，改變從由該第1導引輥之該溝槽與該第2導引輥之該溝槽保持的部分之延伸方向上之角度。
如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中該輸入部係該使用者握持之握持部或該使用者之擱腳部。
如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中更包括有用於與訓練器具連接之連接部。
如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中該第1轉動傳遞部係傳遞鏈，在該主動軸部具備有主動軸鏈輪；在該中間軸部具備有中間軸鏈輪；該傳遞鏈懸架於該主動軸鏈輪與該中間軸鏈輪之間。
如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中該第2轉動傳遞部具備有：中間軸傘齒輪，該中間軸傘齒輪設置於該中間軸部；及曲軸傘齒輪，該曲軸傘齒輪設置於該曲軸部，並與該中間軸傘齒輪嚙合。
如請求項2所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中該握持部為環狀物。
如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構，其中外力由自由調整訓練器具之負荷大小的負荷賦予部產生。
一種訓練器具，其主要包括如請求項1所述之訓練器具用負荷傳遞機構。
一種產生及使用光譜模型的方法，其包括： <br/>藉由控制裝置使光譜儀執行一個或多個用於目標數據集的第一光譜測量； <br/>藉由該控制裝置且基於主數據集及該目標數據集而確定對於多個等分的多個訓練集及對於該多個等分的多個對應驗證集； <br/>藉由該控制裝置產生基於該多個訓練集及該多個對應驗證集的該光譜模型；且 <br/>藉由該控制裝置且在產生該光譜模型之後使該光譜儀執行未知樣品上的一個或多個第二光譜測量；以及 <br/>藉由該控制裝置使用該光譜模型執行該一個或多個第二光譜測量的光譜分析。
如請求項1所述之方法， <br/>其中該多個訓練集包含該主數據集及該目標數據集，且 <br/>其中該多個對應驗證集只包含該目標數據集。
如請求項1所述之方法，其中確定該多個訓練集及該多個對應驗證集包括： <br/>從該主數據集分配所有數據且從該目標數據集分配數據的一部分至該多個訓練集中的訓練集。
如請求項1所述之方法，其中確定該多個訓練集及該多個對應驗證集包括： <br/>從該目標數據集分配數據的對應部分至該多個對應驗證集的對應驗證集而不是從該主數據集分配數據至對應驗證集。
如請求項1所述之方法， <br/>其中該主數據集包括在初始時間由第一光譜儀所執行的對初始群體的初始一組光譜測量， <br/>其中該光譜儀為第二光譜儀，且 <br/>其中該一個或多個第一光譜測量藉由該第二光譜儀於後續時間在後續群體上所執行。
如請求項1所述之方法，其中產生該光譜模型包括： <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集而確定用於該多個等分的性能度量；以及 <br/>基於該性能度量產生該光譜模型。
如請求項6所述之方法，其中該性能度量包含用於該多個等分的等分之部分最小平方因子。
如請求項1所述之方法，其中產生該光譜模型包括： <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集確定多個性能度量； <br/>基於該多個性能度量確定最優部分最小平方因子；以及 <br/>基於該最優部分最小平方因子產生該光譜模型。
如請求項1所述之方法，其中產生該光譜模型包括： <br/>確定用於該多個等分的等分的部分最小平方因子； <br/>確定用於該部分最小平方因子的均方根誤差值； <br/>基於該部分最小平方因子及該均方根誤差值確定最優部分最小平方因子；以及 <br/>基於該最優部分最小平方因子產生該光譜模型。
一種控制裝置，其包括： <br/>一個或多個記憶體；以及 <br/>一個或多個處理器，其耦合到該一個或多個記憶體，該一個或多個處理器配置以： <br/>使光譜儀執行用於目標數據集的一個或多個光譜測量； <br/>基於主數據集及該目標數據集確定對於多個等分的多個訓練集及對於該多個等分的多個對應驗證集；以及 <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集產生光譜模型。
如請求項10所述之控制裝置， <br/>其中該多個訓練集包含該主數據集及該目標數據集，且 <br/>其中該多個對應驗證集只包含該目標數據集。
如請求項10所述之控制裝置，其中為了確定該多個訓練集及該多個對應驗證集，該一個或多個處理器配置以： <br/>從該主數據集分配所有數據且從該目標數據集分配數據的一部分至該多個訓練集中的訓練集。
如請求項10所述之控制裝置，其中對於確定該多個訓練集及該多個對應驗證集，該一個或多個處理器配置以： <br/>從該目標數據集分配數據的對應部分至該多個對應驗證集的對應驗證集，而不是從該主數據集分配數據至對應驗證集。
如請求項10所述之控制裝置，其中對於產生該光譜模型，該一個或多個處理器配置以： <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集確定用於該多個等分的性能度量；以及 <br/>基於該性能度量產生該光譜模型。
如請求項10所述之控制裝置，其中對於產生該光譜模型，該一個或多個處理器配置以： <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集確定多個性能度量； <br/>基於該多個性能度量確定最優部分最小平方因子；以及 <br/>基於該最優部分最小平方因子產生該光譜模型。
如請求項10所述之控制裝置，其中該一個或多個處理器進一步配置以： <br/>基於產生該光譜模型而提供以下的一個或多者： <br/>用於經由數據結構進行儲存的該光譜模型， <br/>用於部署在一個或多個其他光譜儀的該光譜模型，或 <br/>與該光譜模型相關的輸出。
一種非暫時性電腦可讀取媒體，其用於儲存指令集，而該指令集包括： <br/>一個或多個指令，其在藉由裝置的一個或多個處理器執行時，使該裝置以： <br/>使光譜儀執行用於目標數據集的一個或多個光譜測量； <br/>基於主數據集及該目標數據集確定對於多個等分的多個訓練集及對於該多個等分的多個對應驗證集； <br/>基於該多個訓練集及該多個對應驗證集產生光譜模型；以及 <br/>提供該光譜模型或相關該光譜模型的輸出。
如請求項17所述之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該多個訓練集包含該主數據集及該目標數據集。
如請求項17所述之非暫時性電腦可讀取媒體，其中該多個對應驗證集只包含該目標數據集。
如請求項17所述之非暫時性電腦可讀取媒體， <br/>其中該主數據集包括在初始時間由第一光譜儀所執行的對初始群體的初始一組光譜測量， <br/>其中該光譜儀為第二光譜儀，且 <br/>其中該一個或多個光譜測量藉由該第二光譜儀於後續時間在後續群體上所執行。
一種計算設備，包括： <br/>一機器可讀介質，被配置為存儲多個指令；以及 <br/>一處理電路，被配置為載入以及執行該等指令，其中該等指令包括： <br/>一Windows作業系統； <br/>一AVStream驅動程式，在該Windows作業系統中執行，其中該AVStream驅動程式的每個AVStream引腳被定義為與多個多媒體資料流解耦；以及 <br/>一多媒體資料流模型，在該Windows作業系統中執行，其中該多媒體資料流模型被配置為在執行時以一非Windows作業系統中採用的處理方式處理至少該等多媒體資料流。
如請求項1所述的計算設備，其中該等多媒體資料流包括多個相機相關資料流。
如請求項1所述的計算設備，其中該非Windows作業系統是一基於Linux的作業系統。
如請求項3所述的計算設備，其中用於處理至少該等多媒體資料流程所採用的該處理方式遵循一Linux視訊版本二（V4L2）的方式。
如請求項1所述的計算設備，其中該多媒體資料流程模型包括可在該Windows作業系統的一使用者空間內執行的一軟體模組；以及該軟體模組由可在該非Windows作業系統內執行的該軟體模組的一相同源代碼編譯而來。
如請求項1所述的計算設備，其中該多媒體資料流程模型包括可在該Windows作業系統的一內核空間內執行的一軟體模組；以及該軟體模組由可在該非Windows作業系統內執行的該軟體模組的一相同源代碼編譯而來。
一種資料處理方法，包括： <br/>在一Windows作業系統中執行一AVStream驅動程式； <br/>將該AVStream驅動程式的每個AVStream引腳與多個多媒體資料流程解耦；以及 <br/>在該Windows作業系統中執行一多媒體資料流程模型，以一非Windows作業系統中採用的一處理方式處理至少該等多媒體資料流程。
如請求項7所述的資料處理方法，其中該等多媒體資料流程包括多個相機相關資料流程。
如請求項7所述的資料處理方法，其中該非Windows作業系統是一基於Linux的作業系統。
如請求項9所述的資料處理方法，其中用於處理至少該等多媒體資料流程所採用的處理方式遵循一Linux視訊版本二（V4L2）的方式。
如請求項7所述的資料處理方法，其中該多媒體資料流程模型包括可在該Windows作業系統的一使用者空間內執行的一軟體模組；以及該軟體模組由可在該非Windows作業系統內執行的一軟體模組的一相同源代碼編譯而來。
如請求項7所述的資料處理方法，其中，該多媒體資料流程模型包括可在該Windows作業系統的一內核空間內執行的一軟體模組；以及該軟體模組由可在該非Windows作業系統內執行的一軟體模組的一相同源代碼編譯而來。
一種終端裝置，其包含： 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令的至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時使該終端裝置至少：<br/> 自複數個參考信號(RS)資源集判定一第一參考RS資源集及一第二參考RS資源集；以及<br/> 將下列資訊發送至與該等複數個RS資源集相關聯的複數個網路裝置中之至少一個網路裝置：<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第一RS資源集的相對於該第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於該第二參考RS資源集的頻率偏移資訊。
如請求項1之終端裝置，其中進一步使該終端裝置進行以下操作：<br/> 將該第一參考RS資源集之一指示或該第二參考RS資源集之一指示中之一或多者發送至該至少一個網路裝置。
如請求項1或2之終端裝置，其中使該終端裝置藉由以下操作來判定該第一參考RS資源集：<br/> 自該等複數個RS資源集選擇與一最小絕對時間未對準相關聯的一第一目標RS資源集；以及<br/> 將該第一目標RS資源集判定為該第一參考RS資源集。
如請求項1或2之終端裝置，其中使該終端裝置藉由以下操作來判定該第二參考RS資源集：<br/> 自該等複數個RS資源集選擇與一最小絕對頻率偏移相關聯的一第二目標RS資源集；以及<br/> 將該第二目標RS資源集判定為該第二參考RS資源集。
如請求項1或2之終端裝置，其中一第一碼簿用於表示用於報告時間未對準資訊之複數個量化位準，且該時間未對準資訊包含該第一碼簿之一第一量化位準。
如請求項5之終端裝置，其中使該終端裝置藉由以下操作來判定該第一量化位準：<br/> 獲得該第一RS資源集相對於該第一參考RS資源集之一時間未對準；以及<br/> 基於經獲得之該時間未對準以自該第一碼簿判定該第一量化位準。
如請求項5之終端裝置，其中該第一碼簿中之該等複數個量化位準之一數目係基於以下各者中之一或多者而判定：<br/> 一頻帶中之物理資源區塊(PRB)之一數目，該等複數個RS資源集處於該頻帶中；<br/> 對應於該等複數個RS資源集之一埠的一PRB中之副載波之一數目；或<br/> 一超取樣因子。
如請求項1或2之終端裝置，其中一第二碼簿用於表示用於報告頻率偏移資訊之複數個量化位準，且該頻率偏移資訊包含該第二碼簿之一第二量化位準。
如請求項8之終端裝置，其中使該終端裝置藉由以下操作來判定該第二量化位準：<br/> 獲得該第二RS資源集相對於該第二參考RS資源集之一頻率偏移；以及<br/> 基於經獲得之該頻率偏移以自該第二碼簿判定該第二量化位準。
一種網路裝置，其包含：<br/> 至少一個處理器；以及<br/> 儲存指令的至少一個記憶體，該等指令在由該至少一個處理器執行時使該網路裝置至少：<br/> 自一終端裝置接收：<br/> 針對複數個參考信號(RS)資源集中之一第一RS資源集的相對於一第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於一第二參考RS資源集的頻率偏移資訊；以及<br/> 進行下列作業中之一或多者：基於該時間未對準資訊來判定針對該第一RS資源集之相對於該第一參考RS資源集的一第一相位斜坡，或基於該頻率偏移資訊來判定針對該第二RS資源集之相對於該第二參考RS資源集的一第二相位斜坡。
如請求項10之網路裝置，其中進一步使該網路裝置進行以下操作：<br/> 自該終端裝置接收該第一參考RS資源集之一指示或該第二參考RS資源集之一指示中之一或多者。
如請求項10或11之網路裝置，其中一第一碼簿用於表示用於報告時間未對準資訊之複數個量化位準，且該時間未對準資訊包含該第一碼簿之一第一量化位準。
如請求項12之網路裝置，其中進一步使該網路裝置進行以下操作：<br/> 基於該第一量化位準來判定該第一RS資源集相對於該第一參考RS資源集之一時間未對準。
如請求項13之網路裝置，其中使該網路裝置藉由以下操作來判定該第一相位斜坡：<br/> 基於該時間未對準來判定該第一相位斜坡。
如請求項12之網路裝置，其中該第一碼簿中之該等複數個量化位準之一數目係基於以下各者中之一或多者而判定：<br/> 一頻帶中之物理資源區塊(PRB)之一數目，該等複數個RS資源集處於該頻帶中；<br/> 對應於該等複數個RS資源集之一埠的一PRB中之副載波之一數目；或<br/> 一超取樣因子。
如請求項10或11之網路裝置，其中一第二碼簿用於表示用於報告頻率偏移資訊之複數個量化位準，且該頻率偏移資訊包含該第二碼簿之一第二量化位準。
如請求項16之網路裝置，其中進一步使該網路裝置進行以下操作：<br/> 基於該第二量化位準來判定該第二RS資源集相對於該第二參考RS資源集之一頻率偏移。
如請求項17之網路裝置，其中使該網路裝置藉由以下操作來判定該第二相位斜坡：<br/> 基於該頻率偏移來判定該第二相位斜坡。
一種用於通訊的方法，其包含：<br/> 於一終端裝置處，自複數個參考信號(RS)資源集判定一第一參考RS資源集及一第二參考RS資源集；以及<br/> 於該終端裝置處，將下列資訊發送至與該等複數個RS資源集相關聯的複數個網路裝置中之至少一個網路裝置：<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第一RS資源集的相對於該第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於該第二參考RS資源集的頻率偏移資訊。
一種用於通訊的方法，其包含：<br/> 於一網路裝置處，自一終端裝置接收：<br/> 針對複數個參考信號(RS)資源集中之一第一RS資源集的相對於一第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於一第二參考RS資源集的頻率偏移資訊；以及<br/> 於該網路裝置處，進行下列作業中之一或多者：基於該時間未對準資訊來判定針對該第一RS資源集之相對於該第一參考RS資源集的一第一相位斜坡，或基於該頻率偏移資訊來判定針對該第二RS資源集之相對於該第二參考RS資源集的一第二相位斜坡。
一種用於通訊的設備，其包含：<br/> 用於在一終端裝置處自複數個參考信號(RS)資源集判定一第一參考RS資源集及一第二參考RS資源集的構件；以及<br/> 用於在該終端裝置處將下列資訊發送至與該等複數個RS資源集相關聯的複數個網路裝置中之至少一個網路裝置的構件：<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第一RS資源集的相對於該第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於該第二參考RS資源集的頻率偏移資訊。
一種用於通訊的設備，其包含：<br/> 用於在一網路裝置處自一終端裝置接收下列資訊的構件：<br/> 針對複數個參考信號(RS)資源集中之一第一RS資源集的相對於一第一參考RS資源集的時間未對準資訊；及<br/> 針對該等複數個RS資源集中之一第二RS資源集的相對於一第二參考RS資源集的頻率偏移資訊；以及<br/> 用於在該網路裝置處進行下列作業中之一或多者的構件：基於該時間未對準資訊來判定針對該第一RS資源集之相對於該第一參考RS資源集的一第一相位斜坡，或基於該頻率偏移資訊來判定針對該第二RS資源集之相對於該第二參考RS資源集的一第二相位斜坡。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其包含用於使一設備至少執行如請求項19或20之方法的程式指令。
一種背光模組，具有一出光方向，且包括：<br/> 一背框，包括一底板及連接該底板的一側牆，其中該側牆具有至少一第一限位斜面，所述第一限位斜面與該底板之間形成一第一斜角空間；<br/> 一導光板，設置於該底板上；以及<br/> 一緩衝件，設置於該側牆與該導光板之間，該緩衝件具有至少一第二限位斜面，所述第二限位斜面與該底板之間形成一第二斜角空間，<br/> 其中該緩衝件的至少一部分位於該第一斜角空間且被所述第一限位斜面觸抵，而該導光板的至少一部分位於該第二斜角空間且被所述第二限位斜面觸抵，<br/> 其中該側牆包括一第一牆及與該第一牆相接的一第二牆，該緩衝件包括一第一外壁及與該第一外壁相接的一第二外壁，該第一外壁及該第二外壁分別面對該第一牆及該第二牆，該第一牆及該第二牆與該底板之間分別形成所述第一斜角空間，該第一外壁及該第二外壁分別被限位在所述第一斜角空間。
如請求項1所述之背光模組，其中該側牆包括一凸塊，該側牆的該凸塊位於該側牆面對該緩衝件的一側並具有所述第一限位斜面，且該緩衝件包括一第一凹槽，該緩衝件的該第一凹槽位於該緩衝件面對該側牆的一側並對應該側牆的該凸塊，其中該側牆的該凸塊的寬度及該緩衝件的該第一凹槽的寬度皆從該底板沿該出光方向漸增。
如請求項2所述之背光模組，其中該側牆的該凸塊的厚度及該緩衝件的該第一凹槽的深度皆從該底板沿該出光方向漸增。
如請求項2所述之背光模組，其中該緩衝件包括一第二凹槽，該緩衝件的該第二凹槽位於該緩衝件面對該導光板的一側並具有所述第二限位斜面，且該導光板包括一凸塊，該導光板的該凸塊位於該導光板面對該緩衝件的一側並對應該緩衝件的該第二凹槽，其中該緩衝件的該第二凹槽的寬度及該導光板的該凸塊的寬度皆從該底板沿該出光方向漸減。
如請求項4所述之背光模組，其中該緩衝件的該第二凹槽的深度及該導光板的該凸塊的厚度皆從該底板沿該出光方向漸減。
如請求項2所述之背光模組，其中該緩衝件包括一凸塊，該緩衝件的該凸塊位於該緩衝件面對該導光板的一側並具有所述第二限位斜面，且該導光板包括一凹槽，該導光板的該凹槽位於該導光板面對該緩衝件的一側並對應該緩衝件的該凸塊，其中該緩衝件的該凸塊的寬度及該導光板的該凹槽的寬度皆從該底板沿該出光方向漸增。
如請求項1所述之背光模組，其中該側牆包括一凹槽，該側牆的該凹槽位於該側牆面對該緩衝件的一側並具有所述第一限位斜面，且該緩衝件包括一第一凸塊，該緩衝件的該第一凸塊位於該緩衝件面對該側牆的一側並對應該側牆的該凹槽，其中該側牆的該凹槽的寬度及該緩衝件的該第一凸塊的寬度皆從該底板沿該出光方向漸減。
如請求項7所述之背光模組，其中該側牆的該凹槽的深度及該緩衝件的該第一凸塊的厚度皆從該底板沿該出光方向漸減。
如請求項7所述之背光模組，其中該緩衝件包括一第二凸塊，該緩衝件的該第二凸塊位於該緩衝件面對該導光板的一側並具有所述第二限位斜面，且該導光板包括一凹槽，該導光板的該凹槽位於該導光板面對該緩衝件的一側並對應該緩衝件的該第二凸塊，其中該緩衝件的該第二凸塊的寬度及該導光板的該凹槽的寬度皆從該底板沿該出光方向漸增。
如請求項7所述之背光模組，其中該緩衝件包括一凹槽，該緩衝件的該凹槽位於該緩衝件面對該導光板的一側並具有所述第二限位斜面，且該導光板包括一凸塊，該導光板的該凸塊位於該導光板面對該緩衝件的一側並對應該緩衝件的該凹槽，其中該緩衝件的該凹槽的寬度及該導光板的該凸塊的寬度皆從該底板沿該出光方向漸減。
如請求項1所述之背光模組，其中所述第一限位斜面朝向該底板之間形成一銳角。
如請求項1所述之背光模組，其中所述第二限位斜面朝向該底板之間形成一銳角。
如請求項1所述之背光模組，其中該側牆的厚度從該底板沿該出光方向漸增。
如請求項1所述之背光模組，其中該底板具有一開槽，該緩衝件設置於該開槽上。
如請求項1所述之背光模組，其中該緩衝件對應該導光板的角隅設置。
如請求項1所述之背光模組，其中該緩衝件包括一第一內壁及與該第一內壁相接的一第二內壁，該導光板具有一第一面及與該第一面相接的一第二面，該第一面及該第二面分別面對該第一內壁及該第二內壁，該第一內壁及該第二內壁與該底板之間分別形成所述第二斜角空間，該第一面及該第二面分別被限位在所述第二斜角空間。
一種顯示裝置，包括：<br/> 如請求項1至16中任一項所述之背光模組；以及<br/> 一顯示面板，設置於該背光模組上。
一種資訊提供方法，其係電子裝置提供資訊者，其包括如下步驟： <br/>確認與用戶在與上述電子裝置相關之服務中之輸入對應之物品； <br/>基於為了於上述服務中銷售上述物品而設定之物品銷售價格及針對上述用戶的折扣優惠，確認為了向上述用戶銷售上述物品而應用之用戶銷售價格；及 <br/>提供包括上述物品之第1折扣率資訊之上述物品之銷售資訊，該第1折扣率資訊係基於上述物品銷售價格及上述用戶銷售價格而獲得者， <br/>其中上述方法進而包括： <br/>確認上述物品之銷售者於上述服務中註冊上述物品時對上述物品輸入之基準物品價格；及 <br/>獲得上述物品之第2折扣率資訊，上述第2折扣率資訊係基於上述基準物品價格及上述用戶銷售價格而獲得者， <br/>其中上述第1折扣率資訊及上述第2折扣率資訊之各者，係基於有關折扣率計算之防止銷售者濫用之必要性之判定及有關折扣率計算之納入銷售者要求之必要性之判定，而被管理以供使用。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述折扣優惠係基於上述物品之折扣促銷之進行而應用者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述折扣優惠係基於用以購買上述物品之上述用戶之結算方式而應用者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述折扣優惠係基於上述用戶是否為上述服務之會員資格加入者而應用者。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述物品銷售價格係基於在除上述服務以外之複數個電子商務服務中銷售上述物品之價格及上述基準物品價格而確定。
如請求項1之資訊提供方法，其以如下方式設定： <br/>基於上述物品之物品特性資訊而於上述第1折扣率資訊及上述第2折扣率資訊中確定包括於上述物品之銷售資訊中之一個折扣率資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其以如下方式設定： <br/>基於上述用戶之用戶特性資訊而於上述第1折扣率資訊及上述第2折扣率資訊中確定包括於上述物品之銷售資訊中之一個折扣率資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於上述第1折扣率資訊與上述第2折扣率資訊之間的差為預設之水準以上之情形時，設定包括對上述銷售者及上述基準物品價格之反饋之反饋資訊。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述銷售資訊設定為於包括上述物品之檢索結果頁面中提供。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述銷售資訊設定為於包括上述物品之物品詳細頁面中提供。
如請求項1之資訊提供方法，其中上述銷售資訊包括上述物品之詳細資訊、上述物品之配送資訊、上述物品之評分資訊及上述用戶銷售價格之資訊。
一種電子裝置，其係提供資訊者，其包括： <br/>處理器；及 <br/>一個以上之記憶體，其等儲存一個以上之指令； <br/>於執行上述一個以上之指令時，控制上述處理器，以使上述處理器實行如下步驟： <br/>確認與用戶在與上述電子裝置相關之服務中之輸入對應之物品； <br/>基於為了於上述服務中銷售上述物品而設定之物品銷售價格及上述用戶之折扣優惠，確認為了向上述用戶銷售上述物品而應用之用戶銷售價格；及 <br/>提供包括上述物品之第1折扣率資訊之上述物品之銷售資訊，該第1折扣率資訊係基於上述物品銷售價格及上述用戶銷售價格而獲得者， <br/>其中上述處理器進而實行： <br/>確認上述物品之銷售者於上述服務中註冊上述物品時對上述物品輸入之基準物品價格；及 <br/>獲得上述物品之第2折扣率資訊，上述第2折扣率資訊係基於上述基準物品價格及上述用戶銷售價格而獲得者， <br/>其中上述第1折扣率資訊及上述第2折扣率資訊之各者，係基於有關折扣率計算之防止銷售者濫用之必要性之判定及有關折扣率計算之納入銷售者要求之必要性之判定，而被管理以供使用。
一種組合件，其包括： <br/>第一基板，其包括第一導電結構； <br/>第一電子構件，其在所述第一基板的第一側上方； <br/>囊封物，其在所述第一基板的所述第一側上方並且接觸所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一基板的所述第一側的一部分在所述第一基板的第一端處沒有被所述囊封物覆蓋，且所述囊封物與所述第一基板的第二端齊平； <br/>第二基板，其包括第二導電結構；以及 <br/>可撓性互連件，其耦接所述第一基板和所述第二基板； <br/>其中，所述可撓性互連件的外部部分在所述第一基板外部並且在所述第二基板外部； <br/>其中，所述可撓性互連件在所述第一基板的所述第一側處及所述第一基板的所述第一端處與所述第一導電結構耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性互連件自所述第一基板及所述第二基板分離。
根據請求項1所述的組合件，其中： <br/>所述第一基板藉由所述可撓性互連件可相對於所述第二基板而移動。
根據請求項1所述的組合件，其中： <br/>所述第一基板的平面相對於所述第二基板的平面是非平坦的。
根據請求項1所述的組合件，其中， <br/>所述第二導電結構藉由所述可撓性互連件與所述第一電子構件耦接。
根據請求項4所述的組合件，其中： <br/>所述第二基板包括第二電子構件，所述第二電子構件與所述第二導電結構耦接。
根據請求項1所述的組合件，其中： <br/>所述第二基板包括第二電子構件，所述第二電子構件藉由所述可撓性互連件與所述第一電子構件耦接。
根據請求項1所述的組合件，其中： <br/>所述第一基板的所述第一側是部分地從所述囊封物露出。
根據請求項7所述的組合件，其中： <br/>所述第一基板的所述第一側的部分露出部分包括連接器。
根據請求項8所述的組合件，其中： <br/>所述連接器藉由所述第一基板的所述第一導電結構與所述第一電子構件耦接。
根據請求項1所述的組合件，其中： <br/>所述可撓性互連件的所述外部部分延伸超過所述第一基板的橫向側以及所述第二基板的橫向側。
根據請求項10所述的組合件，其中： <br/>所述可撓性互連件的所述外部部分是彎曲的。
一種組合件，其包括： <br/>第一支撐結構，其包括第一介電結構和第一導電結構； <br/>第一電子構件，其與所述第一導電結構耦接； <br/>囊封物，其在所述第一支撐結構上方且接觸所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一支撐結構的第一側的一部分在所述第一支撐結構的第一端處沒有被所述囊封物覆蓋，且所述囊封物與所述第一支撐結構的第二端齊平； <br/>第二支撐結構，其包括第二介電結構和第二導電結構； <br/>射頻電路，其與所述第二導電結構耦接；以及 <br/>可撓性中間結構，其耦接在所述第一支撐結構和所述第二支撐結構之間； <br/>其中，所述可撓性中間結構藉由所述射頻電路與所述第一電子構件耦接； <br/>其中，所述可撓性中間結構在所述第一支撐結構的所述第一側處及所述第一支撐結構的所述第一端處與所述第一導電結構耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性中間結構自所述第一支撐結構及所述第二支撐結構分離。
根據請求項12所述的組合件，其中： <br/>所述可撓性中間結構包括可撓性基板。
根據請求項12所述的組合件，其中： <br/>所述第一支撐結構可相對所述第二支撐結構而移動。
根據請求項12所述的組合件，其中： <br/>所述可撓性中間結構在所述第一支撐結構的橫向側處與所述第一支撐結構耦接，並且在所述第二支撐結構的橫向側處與所述第二支撐結構耦接。
根據請求項12所述的組合件，其中： <br/>所述第一支撐結構的頂側沒有所述囊封物。
一種組合件，其包括： <br/>第一支撐結構，其包括第一導電結構； <br/>第二支撐結構，其包括第二導電結構； <br/>可撓性中間結構，其與所述第一導電結構以及所述第二導電結構耦接； <br/>半導體裝置，其在所述第一導電結構上方，所述半導體裝置包括： <br/>基板； <br/>第一電子構件，其在所述基板上方且與所述第一導電結構耦接；以及 <br/>囊封物，其在所述基板上方且接觸所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一支撐結構的第一側的一部分在所述第一支撐結構的第一端處沒有被所述囊封物覆蓋，且所述囊封物與所述第一支撐結構的第二端齊平； <br/>其中，所述可撓性中間結構的一部分是在所述囊封物外部； <br/>其中，所述可撓性中間結構在所述第一支撐結構的所述第一側處及所述第一支撐結構的所述第一端處與所述第一導電結構耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性中間結構自所述第一支撐結構及所述第二支撐結構分離。
根據請求項17所述的組合件，其進一步包括： <br/>第二電子構件，其與所述第二導電結構耦接。
根據請求項18所述的組合件，其中： <br/>所述第二電子構件藉由所述可撓性中間結構與所述第一電子構件耦接。
根據請求項17所述的組合件，其中： <br/>所述可撓性中間結構與所述囊封物間隔開。
一種電子組合件，其包括： <br/>基礎基板，其包括介電結構和導電結構，其中所述基礎基板包括第一端及第二端； <br/>電互連件，其在所述第一端處在所述基礎基板之第一側上方且耦接到所述導電結構；及 <br/>第一半導體裝置，其在所述第二端處在所述基礎基板之所述第一側上方，其中所述第一半導體裝置包括： <br/>第一基板； <br/>第二基板； <br/>第一電子構件，其在所述第一基板上方且與所述導電結構耦接； <br/>第一囊封物，其在所述第一基板上方且覆蓋所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一基板的所述第一側的一部分在所述第一基板的第一端處沒有被所述第一囊封物覆蓋，且所述第一囊封物與所述第一基板的第二端齊平；及 <br/>可撓性互連件，所述可撓性互連件在所述第一基板和所述第二基板之間； <br/>遮罩件，其在所述第一囊封物上方且覆蓋所述第一電子構件； <br/>其中所述電互連件在所述第一半導體裝置外部； <br/>其中，所述可撓性互連件在所述第一基板的所述第一端處與所述第一基板耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性互連件與所述第一基板及所述第二基板分離。
根據請求項21所述的電子組合件，其中所述電互連件包括在所述第一基板及所述基礎基板之間的內部互連件。
根據請求項21所述的電子組合件，其包括在所述第一電子構件及所述第一基板之間的構件互連件，其中所述第一囊封物覆蓋所述構件互連件。
根據請求項21所述的電子組合件，其中所述遮罩件覆蓋所述第一基板的橫向側。
根據請求項21所述的電子組合件，其包括在所述第一基板上方且與所述導電結構耦接的被動電子構件，其中所述被動電子構件在所述第一囊封物中。
根據請求項21所述的電子組合件，其中所述導電結構包括第一橫向導電元件及第二橫向導電元件。
根據請求項21所述的電子組合件，其中所述第一基板包括無核心基板。
根據請求項21所述的電子組合件，其中所述基礎基板包括印刷電路板。
一種電子組合件，其包括： <br/>第一基板，其包括第一介電結構和第一導電結構； <br/>第二基板； <br/>第一電子構件，其在所述第一基板的第一側上方且耦接到所述第一導電結構； <br/>第一囊封物，其在所述第一基板的所述第一側上方且覆蓋所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一囊封物覆蓋所述第一基板的第一部分，且所述第一囊封物與所述第一基板的第一端齊平，且所述第一基板的第二部分沒有被所述第一囊封物覆蓋； <br/>遮罩件，其在所述第一囊封物上方且在所述第一電子構件上方；及 <br/>可撓性互連件，其在所述第一基板的所述第一側的上方且與所述第一導電結構耦接； <br/>其中，所述可撓性互連件在所述第一基板的所述第一側處及所述第一基板的所述第二部分處與所述第一導電結構耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性互連件與所述第一基板及所述第二基板分離。
根據請求項29所述的電子組合件，其中所述可撓性互連件沒有被所述第一囊封物覆蓋。
根據請求項29所述的電子組合件，其中所述第一基板在所述第二基板上方，且所述第二基板包括與所述第一導電結構耦接的第二導電結構。
根據請求項31所述的電子組合件，其中所述第二導電結構包括第一橫向導電元件及第二橫向導電元件，其中所述第一橫向導電元件在所述第二導電元件上方。
根據請求項31所述的電子組合件，其中所述第二基板包括印刷電路板。
根據請求項29所述的電子組合件，其中所述第一基板包括無核心基板。
根據請求項29所述的電子組合件，其中所述遮罩件覆蓋所述第一基板的橫向側。
根據請求項29所述的電子組合件，其包括在所述第一基板上方且與所述第一導電結構耦接的被動電子構件，其中所述被動電子構件在所述第一囊封物中。
一種製造電子組合件的方法，其包括： <br/>提供基礎基板，所述基礎基板包括介電結構和導電結構，其中所述基礎基板包括第一端及第二端； <br/>提供電互連件，所述電互連件在所述第一端處在所述基礎基板之第一側上方且耦接到所述導電結構；及 <br/>提供第一半導體裝置，所述第一半導體裝置在所述第二端處在所述基礎基板之所述第一側上方，其中提供所述第一半導體裝置包括： <br/>提供第一基板； <br/>提供第二基板； <br/>提供第一電子構件，所述第一電子構件在所述第一基板上方且與所述導電結構耦接； <br/>提供第一囊封物，所述第一囊封物在所述第一基板上方且覆蓋所述第一電子構件的橫向側，其中所述第一基板的所述第一側的一部分在所述第一基板的第一端處沒有被所述第一囊封物覆蓋，且所述第一囊封物與所述第一基板的第二端齊平； <br/>提供可撓性互連件，所述可撓性互連件在所述第一基板和所述第二基板之間；及 <br/>提供遮罩件，所述遮罩件在所述第一囊封物上方且覆蓋所述第一電子構件； <br/>其中所述電互連件在所述第一半導體裝置外部； <br/>其中，所述可撓性互連件在所述第一基板的所述第一端處與所述第一基板耦接；並且 <br/>其中，所述可撓性互連件與所述第一基板及所述第二基板分離。
根據請求項37所述的方法，其中所述電互連件包括在所述第一基板及所述基礎基板之間的內部互連件。
根據請求項37所述的方法，其包括提供被動電子構件，所述被動電子構件在所述第一基板上方且與所述導電結構耦接，其中所述被動電子構件在所述第一囊封物中。
根據請求項37所述的方法，其中所述遮罩件覆蓋所述第一基板的橫向側。
一種用於預處理或儲存新鮮人參之方法，其包含： <br/>將乾燥的新鮮人參密封於一水分阻擋功能膜中； <br/>將該密封的乾燥的新鮮人參置放於一由聚乙烯形成之儲存容器中； <br/>且在-1℃至1℃之一溫度下於該儲存容器中儲存該密封的乾燥的新鮮人參3天至28天。
如請求項1之方法，其中該儲存進行7天至28天。
如請求項1之方法，其中該儲存進行21天至28天。
如請求項1之方法，其中該儲存在-1℃至0℃之一溫度下進行。
如請求項1之方法，其中該儲存容器具有總容器面積之10%之空氣循環面積。
如請求項1之方法，其中該儲存容器具有在15℃下使用一透氣性試驗器量測的40,000至42,500 m<sup>2</sup>·24HR·atm之二氧化碳氣體透氣性、2,500至3,000 m<sup>2</sup>·24HR·atm之氮氣透氣性或6,000至8,000 m<sup>2</sup>·24HR·atm之氧氣透氣性。
如請求項1之方法，其中該乾燥的新鮮人參是以20 kg為單位密封於該水分阻擋功能膜中。
如請求項1之方法，其中該水分阻擋功能膜由選自以下群組中一或多種材料形成：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、以及未拉伸聚丙烯。
如請求項1之方法，其中該水分阻擋功能膜由聚對苯二甲酸伸乙酯形成。
如請求項1之方法，其進一步包含在乾燥之前，對該新鮮人參進行高壓洗滌。
一種用於製備一紅參濃縮物之方法，其包含： <br/>將藉由如請求項1之用於預處理或儲存新鮮人參之方法預處理或儲存的新鮮人參蒸煮且接著乾燥以獲得紅參；及 <br/>將一萃取溶劑添加至該紅參且進行萃取以獲得一萃取物。
如請求項11之方法，其中與藉由不包含在2℃或更低之該溫度下儲存該乾燥的新鮮人參之一製備方法製備之一紅參濃縮物相比，該紅參濃縮物之一製備產率增加7%至17%。
如請求項11之方法，其中該紅參中游離糖之一含量為210 mg/g至370 mg/g。
如請求項11之方法，其中該紅參中人參皂苷Rg1、Rb1及Rg3s之一含量為7 mg/g至11 mg/g。
一種紅參濃縮物，其藉由如請求項11至14中任一項之用於製備一紅參濃縮物的方法製備。
如請求項15之紅參濃縮物，其中該紅參濃縮物中游離糖之一含量為250 mg/g至350 mg/g。
如請求項15之紅參濃縮物，其中該紅參濃縮物中人參皂苷Rg1、Rb1及Rg3s之一含量為9 mg/g至10 mg/g。
一種基板處理方法，其特徵為包含： <br/> 將基板搬入至處理單元並保持前述基板的步驟； <br/> 在前述處理單元中對前述基板供給處理液的步驟； <br/> 攝像部在前述處理單元中進行攝像從而取得畫像資料的步驟； <br/> 從前述處理單元內的複數監視對象候補中，週期性地動態地特定監視對象，依據前述監視對象來變更畫像條件的步驟； <br/> 依據具有因應前述監視對象的前述畫像條件的前述畫像資料，進行對於前述監視對象的監視處理的步驟。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中， <br/> 前述畫像條件包含前述畫像資料的解析度、幀數、及前述畫像資料的對象區域之大小的至少任一。
如請求項2所記載之基板處理方法，其中， <br/> 在變更前述畫像條件的步驟中， <br/> 作為將前述處理單元內之移動中的物體作為前述監視對象的第1期間的前述畫像條件，將前述幀數設定為第1幀數， <br/> 作為將從前述處理單元內的噴嘴吐出的處理液作為前述監視對象的第2期間的前述畫像條件，將前述幀數設定為比前述第1幀數多的第2幀數。
如請求項2所記載之基板處理方法，其中， <br/> 在變更前述畫像條件的步驟中， <br/> 作為將前述處理單元內之前述基板上的前述處理液作為前述監視對象的第1期間的前述畫像條件，將前述幀數設定為第1幀數， <br/> 作為將從前述處理單元內的噴嘴吐出的處理液作為前述監視對象的第2期間的前述畫像條件，將前述幀數設定為比前述第1幀數多的第2幀數。
如請求項2至4中任一項所記載之基板處理方法，其中， <br/> 在變更前述畫像條件的步驟中， <br/> 作為將前述處理單元內之移動中的物體作為前述監視對象的第1期間的前述畫像條件，將前述解析度設定為第1解析度， <br/> 作為將從前述處理單元內的噴嘴吐出的處理液作為前述監視對象的第2期間的前述畫像條件，將前述解析度設定為比前述第1解析度高的第2解析度。
如請求項2至4中任一項所記載之基板處理方法，其中， <br/> 在變更前述畫像條件的步驟中， <br/> 作為將前述處理單元內之前述基板上的前述處理液作為前述監視對象的第1期間的前述畫像條件，將前述解析度設定為第1解析度， <br/> 作為將從前述處理單元內的噴嘴吐出的處理液作為前述監視對象的第2期間的前述畫像條件，將前述解析度設定為比前述第1解析度高的第2解析度。
如請求項3所記載之基板處理方法，其中， <br/> 前述第2期間的前述監視對象包含前述噴嘴的位置。
如請求項3所記載之基板處理方法，其中， <br/> 前述第2期間的前述監視對象包含前述處理液在前述基板的液體飛濺、及來自前述噴嘴的前述處理液的滴落。
如請求項3所記載之基板處理方法，其中， <br/> 變更前述畫像條件的步驟包含將前述畫像條件設定為攝像條件的步驟， <br/> 在取得前述畫像資料的步驟中，前述攝像部將因應前述監視對象的前述畫像條件作為攝像條件，取得前述畫像資料。
如請求項3所記載之基板處理方法，其中， <br/> 在取得前述畫像資料的步驟中，前述攝像部透過規定的攝像條件，取得前述畫像資料， <br/> 對於前述攝像部所取得之前述畫像資料進行畫像處理，從而取得具有因應前述監視對象的前述畫像條件的前述畫像資料。
一種基板處理裝置，其特徵為具備： <br/> 保持部，係在處理單元中保持基板； <br/> 噴嘴，係在前述處理單元中對前述基板供給處理液； <br/> 攝像部，係在前述處理單元中進行攝像從而取得畫像資料；及 <br/> 監視裝置，係從前述處理單元內的複數監視對象候補特定監視對象，依據前述監視對象變更畫像條件，並依據具有因應前述監視對象的前述畫像條件的前述畫像資料，進行對於前述監視對象的監視處理。
一種聚合物製作方法，包括：<br/> 將第一樣本進行免疫染色以取得第二樣本，其中該第一樣本為生物樣本，其中該第一樣本包括細胞、器官或組織，其中該免疫染色包括免疫螢光染色；<br/> 將該第二樣本以錨定劑進行處理以取得第三樣本，其中該錨定劑包括具有生物分子反應性化學基團和水凝膠反應性化學基團的試劑、6-((丙烯醯基)胺基)己酸琥珀醯亞胺酯(Acryloyl-X)、甲基丙烯酸N-羥基琥珀醯亞胺酯(MA-NHS)或甲基丙烯醛(methacrolein)；<br/> 將該第三樣本置於第一膨脹水凝膠溶液進行滲透以取得一第一包埋生物樣本的第一聚合物，還包括：<br/> 將該第一聚合物置於該第一膨脹水凝膠溶液中至少兩次以膨脹該第一聚合物，<br/> 其中該第一膨脹水凝膠溶液包括N,N-二甲基丙烯醯胺(DMAA)、丙烯醯胺(AA)、丙烯酸鈉(SA)、N,N'-(1,2-二羥乙烯)雙丙烯醯胺(DHEBA)、透明質酸甲基丙烯醯(HAMA)的任一個或組合；<br/> 將該第一聚合物膠置於嵌入用聚合物溶液以取得一第二包埋生物樣本的第二聚合物，其中該嵌入用聚合物溶液包括丙烯醯胺(AA)、丙烯酸鈉(SA)、N,N'-(1,2-二羥乙烯)雙丙烯醯胺(DHEBA)的任一個或組合；以及<br/> 將該第二聚合物置於第二膨脹水凝膠溶液以取得一第三包埋生物樣本的第三聚合物，其中該第二膨脹水凝膠溶液包含甲基丙烯酸透明質酸(Hyaluronic acid Methacryloyl，HAMA)。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中所述將該第三樣本置於第一膨脹水凝膠溶液進行滲透以取得該第一包埋生物樣本的該第一聚合物，更包括：<br/> 將該第一聚合置於消化緩衝液中，其中該消化緩衝液包括蛋白酶K(Proteinase K)或SDS。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該第一膨脹水凝膠溶液以及該嵌入用聚合物溶液更包括聚合活化劑，其中該聚合活化劑包括過硫酸銨(APS)、過硫酸鉀(KPS)或四甲基乙二胺(TEMED)。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該第二膨脹水凝膠溶液包括N,N-二甲基丙烯醯胺(DMAA)、丙烯酸鈉(SA)、透明質酸甲基丙烯醯(HAMA)、N,N'-亞甲基雙丙烯醯胺(MBAA)的任一個或組合。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該第二膨脹水凝膠溶液的成分包括：10%至40%的N,N-二甲基丙烯醯胺(DMAA)、10%至30%的丙烯酸鈉(SA)、0.01%至2.0%的透明質酸甲基丙烯醯(HAMA)以及0.001%至0.5%的N,N'-亞甲基雙丙烯醯胺(MBAA)。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該甲基丙烯酸透明質酸的分子量為0.1kDa至2000kDa。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該甲基丙烯酸透明質酸的分子量為50kDa至80kDa。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中該第三聚合用於顯微鏡分析。
如請求項1所述的聚合物製作方法，其中在所述將該第一樣本進行免疫染色以取得該第二樣本之前，更包括：<br/> 將該第一樣本以固定液進行固定，其中該固定液包含多聚甲醛(PFA)。
一種聚合物，用於包埋生物樣本，該聚合物透過如請求項1所述的方法所製得。
如請求項10所述的聚合物，其中該包埋生物樣本用於顯微鏡分析。
如請求項11所述的聚合物，其中該顯微鏡分析包括應用於擴展顯微術。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 外圍裝置；以及<br/> 記憶體陣列裝置，其中所述外圍裝置和所述記憶體陣列裝置面對面鍵合；<br/> 所述記憶體陣列裝置包括：<br/> 堆疊結構，包括交錯堆疊的堆疊導電層和堆疊介電質層；<br/> 在所述堆疊結構中延伸的通道結構；<br/> 在所述通道結構之上的介電質層，所述介電質層包括第一材料；<br/> 穿過至少一個所述堆疊導電層的汲極選擇閘（DSG）切口結構，其中，所述DSG切口結構包括不同於第一材料的第二材料，所述第二材料包括介電質材料；以及<br/> 與所述第二材料接觸的觸點，所述觸點僅在所述通道結構上方並與所述通道結構接觸，其中，所述觸點延伸穿過所述介電質層並且。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述DSG切口結構與所述通道結構和多個所述堆疊導電層中的DSG接觸。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述第一材料包括氧化矽，所述第二材料包括氮化矽和氧化矽中的一種或多種。
根據請求項1所述的記憶體裝置，其中，所述通道結構包括位於頂部部分處的通道插塞，所述DSG切口結構與所述通道插塞的側表面接觸。
根據請求項4所述的記憶體裝置，其中，所述觸點至少與所述DSG切口結構的頂表面或側表面接觸，以及所述觸點至少與所述通道插塞的頂表面或側表面接觸。
根據請求項1所述的記憶體裝置，還包括在橫向方向上延伸的縫隙結構和位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的記憶體塊，所述記憶體塊包括位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的多個通道結構中的多個記憶體單元，其中：<br/> 所述記憶體塊包括彼此相鄰的一對串，每個所述串在所述橫向方向上包括多行通道結構，並且<br/> 在所述橫向方向上延伸的所述DSG切口結構位於所述對串之間並與所述多行通道結構中的至少一行通道結構接觸。
根據請求項6所述的記憶體裝置，其中，每個所述串包括四行通道結構。
根據請求項6或7所述的記憶體裝置，其中，所述記憶體塊包括四串，所述四串中的每串包括在所述橫向方向上延伸的四行通道結構。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 外圍裝置；以及<br/> 記憶體陣列裝置，其中所述外圍裝置和所述記憶體陣列裝置面對面鍵合；<br/> 所述記憶體陣列裝置包括：<br/> 堆疊結構，包括交錯堆疊的堆疊導電層和堆疊介電質層；<br/> 在所述堆疊結構中延伸的通道結構；<br/> 縫隙結構，貫穿所述堆疊結構且沿橫向方向延伸；<br/> 位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的多個汲極選擇閘（DSG）切口結構，其中，所述DSG切口結構包括介電質材料且穿過所述通道結構的一部分；以及<br/> 與所述介電質材料接觸的觸點，所述觸點僅在所述通道結構上方並與所述通道結構接觸。
根據請求項9所述的記憶體裝置，其中，所述DSG切口結構沿所述橫向方向延伸，且在垂直方向上穿過至少一個所述堆疊導電層。
根據請求項9所述的記憶體裝置，其中，所述通道結構包括位於頂部部分處的通道插塞，所述DSG切口結構與所述通道插塞的側表面接觸。
根據請求項11所述的記憶體裝置，其中，所述觸點至少與所述DSG切口結構的頂表面或側表面接觸，以及所述觸點至少與所述通道插塞的頂表面接觸或側表面接觸。
根據請求項9所述的記憶體裝置，還包括位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的記憶體塊，所述記憶體塊包括位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的多個通道結構中的多個記憶體單元，其中：<br/> 所述記憶體塊包括彼此相鄰的一對串，每個所述串在所述橫向方向上包括多行通道結構，並且<br/> 在所述橫向方向上延伸的所述DSG切口結構位於所述對串之間。
根據請求項13所述的記憶體裝置，其中，每個所述串包括四行通道結構。
根據請求項13或14所述的記憶體裝置，其中，所述記憶體塊包括四串，所述四串中的每串包括在所述橫向方向上延伸的四行通道結構。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 外圍裝置；以及<br/> 記憶體陣列裝置，其中所述外圍裝置和所述記憶體陣列裝置面對面鍵合；<br/> 所述記憶體陣列裝置包括：<br/> 堆疊結構，包括交錯堆疊的堆疊導電層和堆疊介電質層；<br/> 在所述堆疊結構中延伸的通道結構；<br/> 在所述通道結構之上的介電質層，所述介電質層包括第一材料；<br/> 穿過至少一個所述堆疊導電層的汲極選擇閘（DSG）切口結構，其中，所述DSG切口結構包括不同於第一材料的第二材料，所述第二材料包括介電質材料；<br/> 與所述第二材料接觸的觸點，所述觸點僅在所述通道結構上方並與所述通道結構接觸，其中，所述觸點延伸穿過所述介電質層；以及<br/> 縫隙結構，貫穿所述堆疊結構且沿橫向方向延伸，其中，位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的所述DSG切口結構的數量大於或等於3個。
根據請求項16所述的記憶體裝置，其中，所述DSG切口結構與所述通道結構和多個所述堆疊導電層中的DSG接觸。
根據請求項16所述的記憶體裝置，其中，所述第一材料包括氧化矽，所述第二材料包括氮化矽和氧化矽中的一種或多種。
根據請求項16所述的記憶體裝置，其中，所述通道結構包括位於頂部部分處的通道插塞，所述DSG切口結構與所述通道插塞的側表面接觸。
根據請求項19所述的記憶體裝置，其中，所述觸點至少與所述DSG切口結構的頂表面或側表面接觸，以及所述觸點至少與所述通道插塞的頂表面或側表面接觸。
根據請求項16所述的記憶體裝置，還包括位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的記憶體塊，所述記憶體塊包括位於相鄰兩個所述縫隙結構之間的多個通道結構中的多個記憶體單元，其中，<br/> 所述記憶體塊包括彼此相鄰的一對串，每個所述串在所述橫向方向上包括多行通道結構，並且<br/> 在所述橫向方向上延伸的所述DSG切口結構位於所述對串之間並與所述多行通道結構中的至少一行通道結構接觸。
根據請求項21所述的記憶體裝置，其中，每個所述串包括四行通道結構。
根據請求項21或22所述的記憶體裝置，其中，所述記憶體塊包括四串，所述四串中的每串包括在所述橫向方向上延伸的四行通道結構。
一種螢幕控制方法，適用於一電子裝置，該電子裝置具有一螢幕以及一環境光偵測器，該螢幕適於顯示一原始畫面，該環境光偵測器適於偵測環境亮度以產生一環境亮度資料，該電子裝置並適於耦接一指標裝置，據以在該原始畫面上呈現一指標，該螢幕控制方法包含：<br/> 獲取照明設定資料；<br/> 獲取該指標之位置資料，並依據該位置資料產生照明區域資料；<br/> 依據該照明設定資料、該環境亮度資料以及該照明區域資料，轉換該原始畫面而產生一照明調整畫面，該照明調整畫面具有一照明區域對應於該指標；以及<br/> 將該照明調整畫面呈現於該螢幕，<br/> 其中，依據該照明設定資料、該環境亮度資料以及該照明區域資料，轉換該原始畫面而產生該照明調整畫面之步驟包含：<br/> 利用一亮度調整演算法，依據該環境亮度資料，轉換該原始畫面而產生一亮度調整畫面；以及<br/> 利用一照明調整演算法，依據該照明設定資料以及該照明區域資料，轉換該亮度調整畫面而產生該照明調整畫面。
如請求項1所述之螢幕控制方法，其中，該指標裝置係一滑鼠或是一觸控板。
如請求項1所述之螢幕控制方法，其中，該照明區域係呈方形、圓形或是長方形。
如請求項1所述之螢幕控制方法，其中，該照明設定資料包含照明範圍參數以及照明形狀參數，獲取該指標之該位置資料，並依據該位置資料產生該照明區域資料之步驟包含：<br/> 將該指標設定為該照明區域之中心，並依據該位置資料、該照明範圍參數以及該照明形狀參數產生該照明區域資料。
如請求項1所述之螢幕控制方法，更包含： <br/> 依據該環境亮度資料確認該電子裝置之一操作模式，該操作模式具有一相對應之畫面亮度調整參數。
如請求項1所述之螢幕控制方法，其中，依據該照明設定資料、該環境亮度資料以及該照明區域資料，轉換該原始畫面而產生該照明調整畫面之步驟包含：<br/> 依據該環境亮度資料確認該電子裝置之一操作模式，該操作模式具有一相對應之畫面亮度調整參數；<br/> 利用一亮度調整演算法，依據該畫面亮度調整參數，轉換該原始畫面而產生一亮度調整畫面；以及<br/> 利用一照明調整演算法，依據該照明設定資料以及該照明區域資料，轉換該亮度調整畫面而產生該照明調整畫面。
如請求項1所述之螢幕控制方法，其中，該照明設定資料包含照明範圍、照明形狀、照明亮度以及照明色溫。
一種螢幕控制裝置，適用於一電子裝置，該電子裝置具有一螢幕以及一環境光偵測器，該螢幕適於顯示一原始畫面，該環境光偵測器適於偵測環境亮度以產生一環境亮度資料，該電子裝置並耦接一指標裝置，據以在該原始畫面上呈現一指標，該螢幕控制裝置包含：<br/> 一照明設定單元，適於設定對應於該指標之一照明設定資料；<br/> 一照明位置獲取單元，適於獲取該指標的位置資料，並依據該位置資料產生照明區域資料；以及<br/> 一畫面調整單元，具有一亮度調整演算法以及一照明調整演算法，適於依據該照明設定資料、該環境亮度資料以及該照明區域資料，轉換該原始畫面而產生一照明調整畫面，並將該照明調整畫面呈現於該螢幕，該照明調整畫面具有一照明區域對應於該指標；<br/> 其中，該畫面調整單元係用以：<br/> 利用該亮度調整演算法，依據該環境亮度資料，轉換該原始畫面而產生一亮度調整畫面；以及<br/> 利用該照明調整演算法，依據該照明設定資料以及該照明區域資料，轉換該亮度調整畫面而產生該照明調整畫面。
如請求項8所述之螢幕控制裝置，其中，該指標裝置係一滑鼠或是一觸控板。
如請求項8所述之螢幕控制裝置，其中，該照明區域係呈方形、圓形或是長方形。
如請求項8所述之螢幕控制裝置，其中，該照明設定資料包含照明範圍以及照明形狀，該照明位置獲取單元係用以將該指標設定為該照明區域之中心，並依據該位置資料、該照明範圍參數以及該照明形狀參數產生該照明區域資料。
如請求項8所述之螢幕控制裝置，其中，該照明設定資料包含照明範圍、照明形狀、照明亮度以及照明色溫。
一種工具盒堆疊構造，其至少包括：一基底盒、疊置於該基底盒處的中層盒、疊置於該中層盒處的頂蓋、以及分別組設於該基底盒處和該頂蓋處的長度調整扣組；其中：該基底盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、供該中層盒疊置套合用的定位基部、以及供該長度調整扣組一端組設用的固定部；該中層盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、供該頂蓋疊置套合用的定位基部、以及具有疊置套合於該基底盒之定位基部處的周接部；該頂蓋，其至少包括具有疊置套合於該中層盒之定位基部處的固接部、供該長度調整扣組扣合用的扣接部、以及供提握使用的握把；該長度調整扣組，其至少包括一組設於該基底盒之固定部處的定位件、組合於該定位件處的撓性帶、以及能於該撓性帶滑動限位用的扣具組；該扣具組包括一具有鏤空區的基扣座、一橫向組設於該鏤空區處的軸桿、一套置該軸桿處暨位於該鏤空區內活動用的按壓件、以及夾置於該基扣座至該按壓件間的彈簧；該基扣座至少包括一容置該按壓件活動組設用的鏤空區、能扣合於該頂蓋之扣接部處的卡扣部、供該彈簧一端抵頂用的抵止部、以及具有阻擋該按壓件移動用的擋部；該按壓件至少包括一供手指壓按的按壓部、一該軸桿穿入用的軸孔、以及一控制是否緊壓限位於該撓性帶處的壓止部；藉由上述構造，利用該長度調整扣組之定位件及該扣具組分別組設於該基底盒之固定部處及該頂蓋之扣接部處，而能確實將一個或一個以上的該中層盒夾置於該基底盒至該頂蓋之間，以致使複數個堆疊後的安裝固定或拆卸是具有快速便利性之操作，同時，亦能改進習用堆疊工具盒所需的扣具總數量是堆疊工具盒數量的雙倍，以大大地降低堆疊時所需扣具的總數量及成本者。
一種工具盒堆疊構造，其至少包括：一基底盒、疊置於該基底盒處的擴充盒、疊置於該擴充盒處的頂蓋、以及分別組設於該基底盒處和該頂蓋處的長度調整扣組；其中：該基底盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、供該擴充盒疊置套合用的定位基部、以及供該長度調整扣組一端組設用的固定部；該擴充盒，其至少包括供連通至該容凹區處的空間區、供該頂蓋疊置套合用的定位基部、以及具有疊置套合於該基底盒之定位基部處的固接部；該頂蓋，其至少包括具有疊置套合於該擴充盒之定位基部處的固接部、供該長度調整扣組扣合用的扣接部、以及供提握使用的握把；該長度調整扣組，其至少包括一組設於該基底盒之固定部處的定位件、組合於該定位件處的撓性帶、以及能於該撓性帶滑動限位用的扣具組；該扣具組包括一具有鏤空區的基扣座、一橫向組設於該鏤空區處的軸桿、一套置該軸桿處暨位於該鏤空區內活動用的按壓件、以及夾置於該基扣座至該按壓件間的彈簧；該基扣座至少包括一容置該按壓件活動組設用的鏤空區、能扣合於該頂蓋之扣接部處的卡扣部、供該彈簧一端抵頂用的抵止部、以及具有阻擋該按壓件移動用的擋部；該按壓件至少包括一供手指壓按的按壓部、一該軸桿穿入用的軸孔、以及一控制是否緊壓限位於該撓性帶處的壓止部；藉由上述構造，利用該長度調整扣組之定位件及該扣具組分別組設於該基底盒之固定部處及該頂蓋之扣接部處，而能確實將一個或一個以上的該擴充盒夾置於該基底盒至該頂蓋之間，以增加該基底盒能容置的空間，而便於體積更大的手工具或工具等能置放外，同時，能使複數個堆疊後的安裝固定或拆卸是具有快速便利性之操作，且具有能改進習用堆疊工具盒所需的扣具總數量是堆疊工具盒數量的雙倍，以大大地降低堆疊時所需扣具的總數量及成本者。
一種工具盒堆疊構造，其至少包括：一基底盒、疊置於該基底盒處的中層盒、以及分別組設於該基底盒處和該中層盒處的長度調整扣組；其中：該基底盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、供該中層盒疊置套合用的定位基部、以及供該長度調整扣組一端組設用的固定部；該中層盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、具有疊置套合於該基底盒之定位基部處的固接部、以及供該長度調整扣組扣合用的扣接部；該長度調整扣組，其至少包括一組設於該基底盒之固定部處的定位件、組合於該定位件處的撓性帶、以及能於該撓性帶滑動限位用的扣具組；該扣具組包括一具有鏤空區的基扣座、一橫向組設於該鏤空區處的軸桿、一套置該軸桿處暨位於該鏤空區內活動用的按壓件、以及夾置於該基扣座至該按壓件間的彈簧；該基扣座至少包括一容置該按壓件活動組設用的鏤空區、能扣合於該中層盒之扣接部處的卡扣部、供該彈簧一端抵頂用的抵止部、以及具有阻擋該按壓件移動用的擋部；該按壓件至少包括一供手指壓按的按壓部、一該軸桿穿入用的軸孔、以及一控制是否緊壓限位於該撓性帶處的壓止部；藉由上述構造，利用該長度調整扣組之定位件及該扣具組分別組設於該基底盒之固定部處及該中層盒之扣接部處，而能確實將該中層盒疊置固定於該基底盒上方處，以致使堆疊後的固定或拆卸是具有快速便利性之操作，同時，亦能改進習用堆疊工具盒所需的扣具總數量是堆疊工具盒數量的雙倍，以大大地降低堆疊時所需扣具的總數量及成本者。
一種工具盒堆疊構造，其至少包括：一基底盒、疊置於該基底盒處的擴充盒、以及分別組設於該基底盒處和該擴充盒處的長度調整扣組；其中：該基底盒，其至少包括供工具置放用的容凹區、供該擴充盒疊置套合用的定位基部、以及供該長度調整扣組一端組設用的固定部；該擴充盒，其至少包括供連通至該容凹區處的空間區、具有疊置套合於該基底盒之定位基部處的固接部、以及供該長度調整扣組扣合用的扣接部；該長度調整扣組，其至少包括一組設於該基底盒之固定部處的定位件、組合於該定位件處的撓性帶、以及能於該撓性帶滑動限位用的扣具組；該扣具組包括一具有鏤空區的基扣座、一橫向組設於該鏤空區處的軸桿、一套置該軸桿處暨位於該鏤空區內活動用的按壓件、以及夾置於該基扣座至該按壓件間的彈簧；該基扣座至少包括一容置該按壓件活動組設用的鏤空區、能扣合於該擴充盒之扣接部處的卡扣部、供該彈簧一端抵頂用的抵止部、以及具有阻擋該按壓件移動用的擋部；該按壓件至少包括一供手指壓按的按壓部、一該軸桿穿入用的軸孔、以及一控制是否緊壓限位於該撓性帶處的壓止部；藉由上述構造，利用該長度調整扣組之定位件及該扣具組分別組設於該基底盒之固定部處及該擴充盒之扣接部處，而能確實使該擴充盒疊置固定於該基底盒上方處，以增加其能容置的空間，而便於體積更大的手工具或工具等能置放外，同時，能使堆疊後的固定或拆卸是具有快速便利性之操作，且具有能改進習用堆疊工具盒所需的扣具總數量是堆疊工具盒數量的雙倍，以大大地降低堆疊時所需扣具的總數量及成本者。
如申請專利範圍第3項所述之工具盒堆疊構造，其中，該中層盒設有供相鄰堆疊用的另一該中層盒之固接部或一擴充盒之固接部疊置套合用的定位基部。
如申請專利範圍第4項所述之工具盒堆疊構造，其中，該擴充盒設有供一中層盒之固接部或另一相鄰該擴充盒之固接部疊置套合用的定位基部。
如申請專利範圍第1至6項中的其中一項所述之工具盒堆疊構造，其中，該撓性帶的一端形成有一供手指施力握持用的拉把部。
如申請專利範圍第7項所述之工具盒堆疊構造，其中，該撓性帶的二端分別組設有魔術帶，以作為該撓性帶在反折後的二端定位使用。
如申請專利範圍第7項所述之工具盒堆疊構造，其中，該定位基部為孔、或為凹槽、或凸塊、或凸條。
如申請專利範圍第7項所述之工具盒堆疊構造，其中，該固定部為孔、或為凹槽、或凸柱，且該固定部的側壁緣處形成有凸出狀的凸塊，以作為限制該定位件不易脫離該固定部之用。
一種非彈簧式之封裝測試座，包括：<br/> 底部插座，凹設有底部插槽，該底部插槽中間位置設有複數單動探針；<br/> 測試機台，對應該底部插槽設有頂部插座，該測試機台內部鄰靠該頂部插座設有雙倍資料速率記憶體；<br/> 複數金屬導件，設於該頂部插座內部且一端具有與該雙倍資料速率記憶體電性連接之導電膠，而另一端具有探測頭；<br/> 其中，該雙倍資料速率記憶體電性連接有複數導電錫球，各導電錫球設於該頂部插座內部並與各金屬導件之導電膠電性連接，且該導電膠內部具有不同導電密度之複數導電粒子，各導電粒子與各導電錫球及各金屬導件電性連接。
如請求項1所述非彈簧式之封裝測試座，其中該頂部插座為金屬材質。
如請求項1所述非彈簧式之封裝測試座，其中該頂部插座為通電材質。
如請求項1所述非彈簧式之封裝測試座，其中各金屬導件為非彈力材質。
如請求項1所述非彈簧式之封裝測試座，其中該底部插座之各單動探針上設有晶片，各金屬導件之探測頭凸出該頂部插座外側與該晶片接觸。
一種非彈簧式之封裝測試座，包括：<br/> 底部插座，凹設有底部插槽，該底部插槽中間位置設有複數單動探針；<br/> 測試機台，對應該底部插槽設有頂部插座，該測試機台內部鄰靠該頂部插座設有雙倍資料速率記憶體，該頂部插座之外表面設有導電層，該導電層內部設有複數導電膠，且該導電層及各導電膠分別與該雙倍資料速率記憶體電性連接；<br/> 複數金屬導件，設於該頂部插座內部且一端與該導電層及該導電層內部之各導電膠電性連接，而另一端具有探測頭；<br/> 其中，該雙倍資料速率記憶體電性連接有複數導電錫球，各導電錫球設於該頂部插座內部並分別與該導電層及各導電膠電性連接，且該導電層及該導電膠內部分別具有不同導電密度之複數導電粒子，各導電粒子分別與各導電錫球及各金屬導件電性連接。
如請求項6所述非彈簧式之封裝測試座，其中該頂部插座為金屬材質。
如請求項6所述非彈簧式之封裝測試座，其中該頂部插座為通電材質。
如請求項6所述非彈簧式之封裝測試座，其中各金屬導件為非彈力材質。
如請求項6所述非彈簧式之封裝測試座，其中該底部插座之各單動探針上設有晶片，各金屬導件之探測頭凸出該頂部插座外側與該晶片接觸。
一種彩妝容器，其係包含有： <br/> 一容器本體，其係具有一容器底壁，且該容器底壁之周圍係環設有一容器環壁，並於該容器底壁與該容器環壁之間圍成有一儲存空間，同時該容器環壁更設有一與該儲存空間相連通之開口，並圍繞該開口設有一受壓部；<br/> 一篩蓋，其係可拆裝地設置於該開口處，並具有一第一蓋體與一第二蓋體，且該第一蓋體與該第二蓋體之間係連接有一連接部，使該第二蓋體可相對該第一蓋體翻轉作動，其中：<br/> 該第一蓋體係具有一第一底壁，該第一底壁之周圍係環設有一第一環壁，並於該第一底壁與該第一環壁之間圍成有一第一容槽，同時該第一環壁之周側更對應該受壓部橫向延伸有一第一凸緣，其中，該第一底壁面對該第二蓋體之一側係設有一凹部，該凹部係為一凹槽，並形成有一位於該凹部之底面之第一平面，以及一位於該凹部之內環面且與該第一平面相連接之第一立面，以及一環設於該凹部之外圍且與該第一立面相連接之第一環面，該第一平面與該第一環面係位於不同水平面而具有高度差，同時該第一平面係穿設有複數個穿孔；<br/> 該第二蓋體係可拆裝地設置於該第一容槽，且該第二蓋體係對應該第一底壁設有一第二底壁，以及對應該第一環壁設有一第二環壁，並於該第二底壁與該第二環壁之間圍成有一第二容槽，同時該第二環壁之周側更對應該第一凸緣橫向延伸有一第二凸緣，其中，該第二底壁面對該第一蓋體之一側係對應該凹部設有一凸部，該凸部係為一凸塊，並形成有一位於該凸部之端面之第二平面，以及一位於該凸部之外環面且與該第二平面相連接之第二立面，以及一環設於該凸部之外圍且與該第二立面相連接之第二環面，該第二平面與該第二環面係位於不同水平面而具有高度差；<br/> 其中，當該第二蓋體蓋設於該第一蓋體時，該凸部係穿入該凹部，並使該第二平面係壓抵於該第一平面，藉以構成一第一密封結構，同時該第二底壁係壓抵於該第一底壁，使該第二環面係壓抵於該第一環面，藉以構成一第二密封結構；<br/> 一封蓋，其係可拆裝地設置於該容器本體，並蓋設於該篩蓋之外側，且該封蓋之內側係設有一壓抵部，當該封蓋結合於該容器本體時，該壓抵部係將該第二凸緣與該第一凸緣壓抵於該容器本體之受壓部。
如請求項1所述之彩妝容器，其中，該第一凸緣之周圍係平行該第一環壁延伸有一延伸壁，並於該第一環壁與該延伸壁之間圍成有一卡掣槽，當該篩蓋設置於該容器本體之開口時，該受壓部係穿入並卡掣於該卡掣槽。
如請求項2所述之彩妝容器，其中，該延伸壁對應該卡掣槽之一側係設有一凸環，而該受壓部之外側係設有一環槽，當該受壓部穿入該卡掣槽時，該凸環係卡掣於該環槽。
如請求項1所述之彩妝容器，其中，該凹部之深度係介於1至5公厘。
一種彩妝容器之篩蓋，其係包含有一第一蓋體與一第二蓋體，且該第一蓋體與該第二蓋體之間係連接有一連接部，使該第二蓋體可相對該第一蓋體翻轉作動，其中：<br/> 該第一蓋體係具有一第一底壁，該第一底壁之周圍係環設有一第一環壁，並於該第一底壁與該第一環壁之間圍成有一第一容槽，同時該第一環壁之周側更橫向延伸有一第一凸緣，其中，該第一底壁面對該第二蓋體之一側係設有一凹部，該凹部係為一凹槽，並形成有一位於該凹部之底面之第一平面，以及一位於該凹部之內環面且與該第一平面相連接之第一立面，以及一環設於該凹部之外圍且與該第一立面相連接之第一環面，該第一平面與該第一環面係位於不同水平面而具有高度差，同時該第一平面係穿設有複數個穿孔；<br/> 該第二蓋體係可拆裝地設置於該第一容槽，且該第二蓋體係對應該第一底壁設有一第二底壁，以及對應該第一環壁設有一第二環壁，並於該第二底壁與該第二環壁之間圍成有一第二容槽，同時該第二環壁之周側更對應該第一凸緣橫向延伸有一第二凸緣，其中，該第二底壁面對該第一蓋體之一側係對應該凹部設有一凸部，該凸部係為一凸塊，並形成有一位於該凸部之端面之第二平面，以及一位於該凸部之外環面且與該第二平面相連接之第二立面，以及一環設於該凸部之外圍且與該第二立面相連接之第二環面，該第二平面與該第二環面係位於不同水平面而具有高度差；<br/> 其中，當該第二蓋體蓋設於該第一蓋體時，該凸部係穿入該凹部，並使該第二平面係壓抵於該第一平面，藉以構成一第一密封結構，同時該第二底壁係壓抵於該第一底壁，使該第二環面係壓抵於該第一環面，藉以構成一第二密封結構。
如請求項5所述之彩妝容器之篩蓋，其中，該第一凸緣之周圍係平行該第一環壁延伸有一延伸壁，並於該第一環壁與該延伸壁之間圍成有一卡掣槽。
如請求項6所述之彩妝容器之篩蓋，其中，該延伸壁對應該卡掣槽之一側係設有一凸環。
如請求項5所述之彩妝容器之篩蓋，其中，該凹部之深度係介於1至5公厘。
一種具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，包含： <br/>一正相輸入端，用以接收一第一輸入信號； <br/>一反相輸入端，用以接收一第二輸入信號； <br/>一第一輸出端，用以輸出一第一輸出信號，該第一輸出信號的相位變化相關於該第一輸入信號與該第二輸入信號； <br/>一第二輸出端，用以輸出一反相位於該第一輸出信號的第二輸出信號； <br/>一臨界電壓調整電路，電連接該第一輸出端與該第二輸出端，以分別接收該第一輸出信號與該第二輸出信號，且根據該第一輸出信號產生一正相關該第一輸出信號的第一回授電壓，根據該第二輸出信號產生一正相關該第二輸出信號的第二回授電壓， <br/>一第一差動輸入級，電連接該正相輸入端、該反相輸入端、該第二輸出端及該臨界電壓調整電路，以分別接收該第一輸入信號、該第二輸入信號、該第二輸出信號及該第二回授電壓，該第一差動輸入級具有多個電晶體，每一該電晶體具有一電連接該臨界電壓調整電路以接收該第二回授電壓的基極，使該第二回授電壓用以調整該第一差動輸入級的每一該電晶體的第一臨界電壓，該第一差動輸入級根據該第一輸入信號、該第二輸入信號、該第二輸出信號及每一該第一臨界電壓產生一第一比較信號； <br/>一第二差動輸入級，電連接該正相輸入端、該反相輸入端、該第一輸出端及該臨界電壓調整電路，以分別接收該第一輸入信號、該第二輸入信號、該第一輸出信號及該第一回授電壓，該第二差動輸入級具有多個電晶體，每一該電晶體具有一電連接該臨界電壓調整電路以接收該第一回授電壓的基極，使該第一回授電壓用以調整該第二差動輸入級的每一該電晶體的第二臨界電壓，該第二差動輸入級根據該第一輸入信號、該第二輸入信號、該第二輸出信號及每一該第二臨界電壓產生一第二比較信號； <br/>一輸出級，電連接該第一輸出端、該第二輸出端、該第一差動輸入級及該第二差動輸入級，以分別接收該第一比較信號與該第二比較信號，且分別根據該第一比較信號與該第二比較信號產生該第一輸出信號與該第二輸出信號。
如請求項1所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，該臨界電壓調整電路包括一第一輔助電晶體、一第二輔助電晶體、一第一負載電晶體及一第二負載電晶體， <br/>該第一輔助電晶體具有一接收一工作電壓的第一端、一電連接該第一輸出端以接收該第一輸出信號的控制端，及一輸出該第一回授電壓的第二端， <br/>該第二輔助電晶體具有一接收該工作電壓的第一端、一電連接該第一輸出端以接收該第二輸出信號的控制端，及一輸出該第二回授電壓的第二端， <br/>該第一負載電晶體具有一電連接該第一輔助電晶體的第二端的第一端、一電連接該第一輔助電晶體的第二端的控制端，及一接地的第二端， <br/>該第二負載電晶體具有一電連接該第二輔助電晶體的第二端的第一端、一電連接該第二輔助電晶體的第二端的控制端，及一接地的第二端。
如請求項1所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，該第一差動輸入級包括一第一電晶體、一第二電晶體，及一第三電晶體， <br/>該第一電晶體具有一電連接一第一共同端的第一端、一電連接該正相輸入端以接收該第一輸入信號的控制端、一電連接一第三共同端的第二端，及一接收該第二回授電壓的基極端， <br/>該第二電晶體具有一電連接該第一共同端的第一端、一電連接該反相輸入端以接收該第二輸入信號的控制端、一電連接該第三共同端的第二端，及一接收該第二回授電壓的基極端， <br/>該第三電晶體具有一電連接該第一共同端的第一端、一電連接該第二輸出端以接收該第二輸出信號的控制端、一電連接該第三共同端的第二端，及一接收該第二回授電壓的基極端。
如請求項1所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，該第二差動輸入級包括一第四電晶體、一第五電晶體，及一第六電晶體， <br/>該第四電晶體具有一電連接一第二共同端的第一端、一電連接該反相輸入端以接收該第二輸入信號的控制端、一電連接一第三共同端的第二端，及一接收該第一回授電壓的基極端， <br/>該第五電晶體具有一電連接該第二共同端的第一端、一電連接該正相輸入端以接收該第一輸入信號的控制端、一電連接該第三共同端的第二端，及一接收該第一回授電壓的基極端， <br/>該第六電晶體具有一電連接該第二共同端的第一端、一電連接該第一輸出端以接收該第一輸出信號的控制端、一電連接該第三共同端的第二端，一接收該第一回授電壓的基極端。
如請求項4所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，還包含一第七電晶體，該第七電晶體具有一電連接該第三共同端的第一端、一接地的第二端，及一接收一時脈信號的控制端。
如請求項1所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，該輸出級包括一第一輸出電晶體、一第二輸出電晶體、一第三輸出電晶體、一第四輸出電晶體， <br/>該第一輸出電晶體具有一電連接該第一輸出端以輸出該第一輸出信號的第一端、一接收一工作電壓的第二端，及一電連接該第二輸出端以接收該第二輸出信號的控制端， <br/>該第二輸出電晶體具有一電連接該第一輸出端以輸出該第一輸出信號的第一端、一電連接一第一共同端的第二端，及一電連接該第二輸出端以接收該第二輸出信號的控制端， <br/>該第三輸出電晶體具有一電連接該第二輸出端的第一端、一接收該工作電壓的第二端，及一接收一時脈信號的控制端， <br/>該第四輸出電晶體電連接該第一共同端的第一端、一接收該工作電壓的第二端，及一接收該時脈信號的控制端。
如請求項1所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，該輸出級還包括一第五輸出電晶體、一第六輸出電晶體、一第七輸出電晶體、一第八輸出電晶體， <br/>該第五輸出電晶體具有一電連接該第二輸出端以輸出該第二輸出信號的第一端、一接收一工作電壓的第二端，及一電連接該第一輸出端以接收該第一輸出信號的控制端， <br/>該第六輸出電晶體具有一電連接該第二輸出端以輸出該第二輸出信號的第一端、一電連接一第二共同端的第二端，及一電連接該第一輸出端以接收該第一輸出信號的控制端， <br/>該第七輸出電晶體具有一電連接該第一輸出端的第一端、一接收該工作電壓的第二端，及一接收一時脈信號的控制端， <br/>該第八輸出電晶體電連接該第二共同端的第一端、一接收該工作電壓的第二端，及一接收該時脈信號的控制端。
如請求項2~7所述的具有動態調整臨界電壓功能的高速比較器，每一該第一端是汲極、每一該第二端是源極、每一該控制端是閘極。
一種芬頓空氣清淨系統，包含：一殼體、一反應槽、一第一光源、一儲存槽和一第一通氣裝置；其中， <br/>所述殼體圍繞所述反應槽、所述第一光源和所述第一通氣裝置； <br/>所述殼體具有一入氣孔和一出氣孔，所述入氣孔和所述出氣孔彼此氣體連通， <br/>所述第一通氣裝置包含一風扇，且所述第一通氣裝置鄰近所述入氣孔或所述出氣孔； <br/>所述反應槽容置有一鐵反應物固體； <br/>所述第一光源照射所述鐵反應物固體，且所述第一光源提供紫外光C；以及 <br/>所述儲存槽連接所述反應槽，所述儲存槽容置一過氧化氫溶液以供應其至所述反應槽。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其中所述鐵反應物固體包含磨除鐵鏽後之鐵珠或鐵塊；所述第一光源為一發光二極管，且所述紫外光C之波長為200奈米至280奈米；以及所述殼體、所述反應槽和所述儲存槽之任一或其組合之材質為不銹鋼或塑膠。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其中所述殼體具有相對之一內壁面和一外壁面，且所述內壁面面向所述反應槽；以及所述反應槽具有相對之一內槽壁面和一外周壁面；其中， <br/>所述殼體之內壁面及所述反應槽之外周壁面之任一或其組合設有一光觸媒塗層，以及所述殼體之內壁面及所述反應槽之外周壁面之任一或其組合設有一第二光源，且所述第二光源提供紫外光C；其中， <br/>所述光觸媒塗層之材料選自於二氧化鈦、氧化鋅、三氧化鎢、釩酸鉍、石墨型碳氮化物和硫化鎘所組成之群組；以及所述第二光源為一發光二極管，且所述第二光源的紫外光C之波長為200奈米至280奈米。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其進一步包含一第二通氣裝置；其中，所述反應槽位於所述第一通氣裝置和所述第二通氣裝置之間，所述第一通氣裝置鄰近所述入氣孔，以及所述第二通氣裝置鄰近所述出氣孔。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其進一步包含一送風裝置，且所述送風裝置連接所述反應槽；其中，所述反應槽之一側壁外突以形成一緩衝空間，所述送風裝置之吹氣孔連接所述反應槽之頂部，以及所述送風裝置之吹氣孔朝向所述緩衝空間。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其進一步包含一冷卻裝置和一加熱裝置之任一或其組合，且所述冷卻裝置及所述加熱裝置之任一或其組合連接所述反應槽。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其中所述反應槽之頂部設有一通氣孔和一開關機構，且所述開關機構能移動地開啟或關閉所述通氣孔。
如請求項4所述之芬頓空氣清淨系統，其進一步包含一排氣通道，且所述排氣通道與所述第二通氣裝置氣體連通；其中，所述排氣通道設有一光觸媒塗層和一第三光源，所述第三光源提供紫外光C照射所述光觸媒塗層，以及所述排氣通道呈彎曲狀。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其中所述殼體設有一門，且所述反應槽及所述儲存槽之任一或其組合與所述殼體能滑動地連接；其中，當所述門呈開啟狀態時，所述反應槽和所述儲存槽之任一或其組合能穿過所述門。
如請求項1所述之芬頓空氣清淨系統，其中在所述儲存槽中之過氧化氫溶液之濃度大於在所述反應槽中之過氧化氫溶液之濃度。
一種加固型快速螺母，包括： 螺母主體，所述螺母主體具有相對設置的第一表面和第二表面，螺母主體內部具有貫穿第一表面和第二表面的螺孔，螺孔的內壁具有螺紋，所述螺孔包括直孔及與所述直孔部分重疊的斜孔，所述直孔具有第一中心軸，所述斜孔具有第二中心軸，所述第一中心軸與所述第一表面垂直設置，所述第二中心軸與所述第一中心軸傾斜設置，沿所述第一中心軸所在方向，所述直孔的高度大於30毫米；<br/> 所述斜孔內間隔設有多個條紋，所述多個條紋平行間隔設置，所述多個條紋沿第二中心軸方向間隔延伸，每一所述條紋的端部順滑地連接於所述螺紋的一個螺紋牙。
如請求項1所述的加固型快速螺母，其中，所述螺紋設於所述直孔的內壁，所述螺紋的螺距為1.6至2.0毫米。
如請求項1所述的加固型快速螺母，其中，所述第一中心軸與所述第二中心軸的夾角為12°至15°。
如請求項3所述的加固型快速螺母，其中，所述第一中心軸與所述第二中心軸的夾角為13.5°。
如請求項1所述的加固型快速螺母，其中，所述斜孔的內徑為18毫米至22毫米，所述直孔的內徑為12毫米至16毫米。
如請求項1所述的加固型快速螺母，其中，所述加固型快速螺母還包括座體，所述座體包括外套部及連接部，所述外套部套設於所述連接部的外側，所述連接部設置貫穿孔，所述螺母主體穿設所述貫穿孔。
如請求項6所述的加固型快速螺母，其中，所述外套部背離所述螺母主體的一側表面設置有多個防滑槽，所述防滑槽的延伸方向與所述第一中心軸平行。
如請求項6所述的加固型快速螺母，其中，所述第一表面凸出於所述外套部，所述第二表面位於所述外套部內。
如請求項8所述的加固型快速螺母，其中，所述螺母主體靠近所述第一表面的一端設置有兩個缺口，兩個所述缺口對稱設置。
如請求項1所述的加固型快速螺母，其中，所述加固型快速螺母的材質為軸承鋼。
一種基於儲存裝置的運算方法，用於記憶體儲存裝置，所述運算方法包括：<br/> 從主機系統接收操作指令，其中所述操作指令包括標頭資料，且所述標頭資料帶有與目標邏輯運算有關的設定資訊，其中所述設定資訊包括與所述目標邏輯運算有關的啟用資訊、與所述目標邏輯運算有關的類型資訊、與所述目標邏輯運算有關的參數設定資訊、及與所述目標邏輯運算有關的邏輯地址資訊的至少其中之一，所述啟用資訊用以指示所述目標邏輯運算的啟用，所述類型資訊用以指示所述目標邏輯運算的類型，所述參數設定資訊用以指示所述目標邏輯運算使用的至少一參數，並且所述邏輯地址資訊用以指示參與所述目標邏輯運算的至少部分資料所對應的邏輯地址；<br/> 從所述操作指令中獲取所述標頭資料；以及<br/> 根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的運算電路執行所述目標邏輯運算。
如請求項1所述的運算方法，其中所述操作指令還包括第一目標資料，且根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的步驟包括：<br/> 根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項2所述的運算方法，其中根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算的步驟包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述記憶體儲存裝置內部的可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第二目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第一目標資料與所述第二目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項1所述的運算方法，其中根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的步驟包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述記憶體儲存裝置內部的可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第三目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第三目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項1所述的運算方法，還包括：<br/> 響應於所述操作指令包括寫入指令，將所述目標邏輯運算的運算結果儲存至所述記憶體儲存裝置內部的可複寫式非揮發性記憶體模組中；以及<br/> 響應於所述操作指令包括讀取指令，將所述運算結果回傳至所述主機系統。
一種記憶體儲存裝置，包括：<br/> 連接介面單元，用以連接至主機系統；<br/> 可複寫式非揮發性記憶體模組；<br/> 運算電路；以及<br/> 記憶體控制電路單元，連接至所述連接介面單元、所述可複寫式非揮發性記憶體模組及所述運算電路，<br/> 其中所述記憶體控制電路單元用以：<br/> 從所述主機系統接收操作指令，其中所述操作指令包括標頭資料，且所述標頭資料帶有與目標邏輯運算有關的設定資訊，其中所述設定資訊包括與所述目標邏輯運算有關的啟用資訊、與所述目標邏輯運算有關的類型資訊、與所述目標邏輯運算有關的參數設定資訊、及與所述目標邏輯運算有關的邏輯地址資訊的至少其中之一，所述啟用資訊用以指示所述目標邏輯運算的啟用，所述類型資訊用以指示所述目標邏輯運算的類型，所述參數設定資訊用以指示所述目標邏輯運算使用的至少一參數，並且所述邏輯地址資訊用以指示參與所述目標邏輯運算的至少部分資料所對應的邏輯地址；<br/> 從所述操作指令中獲取所述標頭資料；以及<br/> 根據所述標頭資料，指示所述運算電路執行所述目標邏輯運算。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述操作指令還包括第一目標資料，且根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項7所述的記憶體儲存裝置，其中根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第二目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第一目標資料與所述第二目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第三目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第三目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項6所述的記憶體儲存裝置，其中所述記憶體控制電路單元還用以：<br/> 響應於所述操作指令包括寫入指令，將所述目標邏輯運算的運算結果儲存至所述記憶體儲存裝置內部的可複寫式非揮發性記憶體模組中；以及<br/> 響應於所述操作指令包括讀取指令，將所述運算結果回傳至所述主機系統。
一種記憶體控制電路單元，用於控制記憶體儲存裝置，其中所述記憶體儲存裝置包括可複寫式非揮發性記憶體模組，且所述記憶體控制電路單元包括：<br/> 主機介面，用以連接至主機系統；<br/> 記憶體介面，用以連接至所述可複寫式非揮發性記憶體模組；以及<br/> 記憶體管理電路，連接至所述主機介面與所述記憶體介面，<br/> 其中所述記憶體管理電路用以：<br/> 從所述主機系統接收操作指令，其中所述操作指令包括標頭資料，且所述標頭資料帶有與目標邏輯運算有關的設定資訊，其中所述設定資訊包括與所述目標邏輯運算有關的啟用資訊、與所述目標邏輯運算有關的類型資訊、與所述目標邏輯運算有關的參數設定資訊、及與所述目標邏輯運算有關的邏輯地址資訊的至少其中之一，所述啟用資訊用以指示所述目標邏輯運算的啟用，所述類型資訊用以指示所述目標邏輯運算的類型，所述參數設定資訊用以指示所述目標邏輯運算使用的至少一參數，並且所述邏輯地址資訊用以指示參與所述目標邏輯運算的至少部分資料所對應的邏輯地址；<br/> 從所述操作指令中獲取所述標頭資料；以及<br/> 根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的運算電路執行所述目標邏輯運算。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述操作指令還包括第一目標資料，且根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項12所述的記憶體控制電路單元，其中根據所述標頭資料，指示所述運算電路對所述第一目標資料執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第二目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第一目標資料與所述第二目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中根據所述標頭資料，指示所述記憶體儲存裝置內部的所述運算電路執行所述目標邏輯運算的操作包括：<br/> 根據所述標頭資料，從所述可複寫式非揮發性記憶體模組讀取第三目標資料；以及<br/> 指示所述運算電路對所述第三目標資料執行所述目標邏輯運算。
如請求項11所述的記憶體控制電路單元，其中所述記憶體管理電路還用以：<br/> 響應於所述操作指令包括寫入指令，將所述目標邏輯運算的運算結果儲存至所述記憶體儲存裝置內部的可複寫式非揮發性記憶體模組中；以及<br/> 響應於所述操作指令包括讀取指令，將所述運算結果回傳至所述主機系統。
一種接合裝置，其特徵係，具備有： <br/>第1保持部，從上方吸附保持第1基板； <br/>第1變形部，使被保持於前述第1保持部之前述第1基板的中央部朝向下方突出； <br/>第2保持部，被設置於比前述第1保持部更下方，從下方吸附保持被接合於前述第1基板的第2基板； <br/>第2變形部，使被保持於前述第2保持部之前述第2基板的中央部朝向上方突出； <br/>吸引部，在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力； <br/>基底部，在與前述第2保持部之間形成變形空間，且安裝有前述第2保持部，該變形空間，係藉由加壓的方式，使前述第2保持部朝向上方突出； <br/>密封構件，被安裝於前述基底部；及 <br/>控制裝置，控制前述吸引部， <br/>在前述第2保持部，係形成有與前述複數個分割區域對應的複數個吸引孔， <br/>前述吸引部，係經由前述複數個吸引孔吸引前述第2基板， <br/>前述密封構件，係密封前述變形空間與前述吸引孔。
如請求項1之接合裝置，其中， <br/>前述第2保持部，係具備有： <br/>壁部，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
如請求項2之接合裝置，其中， <br/>前述壁部，係沿著前述第2基板的徑方向，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
如請求項2或3之接合裝置，其中， <br/>前述壁部，係沿著前述第2基板的周方向，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
如請求項2或3之接合裝置，其中， <br/>前述第2變形部，係使吸附保持了前述第2基板的前述第2保持部與前述第2基板一起朝向上方突出。
如請求項2或3之接合裝置，其中， <br/>前述第2保持部，係中央部的厚度大於外周部的厚度。
如請求項2或3之接合裝置，其中，具備有： <br/>測定部，測定前述第2保持部的突出量。
如請求項2或3之接合裝置，其中， <br/>前述控制裝置，係在前述第1基板與前述第2基板之接合處理期間，變更前述複數個分割區域的吸附力。
如請求項2或3之接合裝置，其中， <br/>前述控制裝置，係基於接合前之前述第2基板的狀態，設定前述複數個分割區域的吸附力。
一種接合系統，其特徵係，具備有： <br/>處理站，具有如請求項1~9中任一項之接合裝置；及 <br/>搬入搬出站，將前述第1基板及前述第2基板搬送至前述處理站，並從前述處理站搬送前述第1基板及前述第2基板所接合而成的重合基板。
一種接合方法，其特徵係，包含有： <br/>第1保持工程，藉由第1保持部，從上方吸附保持第1基板； <br/>第1變形工程，使藉由前述第1保持部所吸附保持之前述第1基板的中央部朝向下方突出； <br/>第2保持工程，藉由被設置於比前述第1保持部更下方之第2保持部，從下方吸附保持第2基板； <br/>第2變形工程，使藉由前述第2保持部所吸附保持之前述第2基板的中央部朝向上方突出；及 <br/>接合工程，使前述第1基板與前述第2基板接觸，將前述第1基板與前述第2基板接合，該第1基板，係前述中央部朝向下方突出，該第2基板，係前述中央部朝向上方突出， <br/>前述第2保持工程，係在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力， <br/>在前述第2保持部與安裝有前述第2保持部的基底部之間，係形成變形空間，該變形空間，係藉由加壓的方式，使前述第2保持部朝向上方突出， <br/>在前述第2保持部，係形成有與前述複數個分割區域對應的複數個吸引孔， <br/>前述第2基板，係經由前述複數個吸引孔被予以吸引， <br/>在前述基底部，係安裝有密封構件， <br/>前述密封構件，係密封前述變形空間與前述吸引孔。
一種記憶媒體，係記憶有程式，該程式，係使電腦執行如請求項11之接合方法。
一種半導體記憶裝置，係具備有： <br/> 層積體，係使複數之導電層隔著絕緣層而被作層積，並於在平面觀察時之長邊方向之中央附近處而包含有階梯構造；和 <br/> 第1絕緣膜，係在前述階梯構造中之台地部處而於層積方向上在前述層積體處延伸；和 <br/> 1個以上之第2絕緣膜，係被配置在當平面觀察時為於內側包含有前述階梯構造中之階差部的區域中，並於層積方向上而在前述層積體處延伸，並且最小平面寬幅為較前述第1絕緣膜而更大、或者是配置密度為較前述第1絕緣膜而更高。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，係被配置有最小平面寬幅為較前述第1絕緣膜而更大之1個的前述第2絕緣膜。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，係被配置有最大平面寬幅為較前述第1絕緣膜而更大之1個的前述第2絕緣膜。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，係使複數之前述第2絕緣膜被平面性地作連接配置。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，係使複數之前述第2絕緣膜以覆蓋前述階差部的方式而被作連接配置。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，複數之前述第2絕緣膜係被以環狀作連接配置。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 在前述區域中，係使複數之前述第2絕緣膜以包圍前述階差部的方式而被作連接配置。
如請求項1所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 前述第2絕緣膜所延伸之在前述階差部之層積方向上之寬幅，係較在前述層積體處之前述導電層之層積方向之配置節距而更大。
如請求項8所記載之半導體記憶裝置，其中， <br/> 當將N設為2以上之整數時，前述第2絕緣膜所延伸之在前述階差部之層積方向上之寬幅，係對應於在前述層積體處之前述導電層之層積方向之配置節距之N倍。
一種半導體光阻組合物，包括： <br/>含錫有機金屬化合物； <br/>氧化氘；和 <br/>溶劑， <br/>其中基於100重量%的所述半導體光阻組合物，所述含錫有機金屬化合物的量為0.5重量%至30重量%，且 <br/>其中所述含錫有機金屬化合物包括選自有機氧基和有機羰基氧基中的至少一種。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，D<sub>2</sub>O的量為10至100,000 ppm。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，D<sub>2</sub>O的量為10至40,000 ppm。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，D<sub>2</sub>O的量為100至3,000 ppm。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、淬滅劑或其組合的添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物是由化學式1表示的化合物或其縮合物： <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="62px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>R<sup>1</sup>選自經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基和經取代或未經取代的C6至C30芳烷基， <br/>R<sup>2</sup>至R<sup>4</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的C1至C20烷基；經取代或未經取代的C3至C20環烷基；經取代或未經取代的C2至C20烯基；經取代或未經取代的C2至C20炔基；經取代或未經取代的C6至C30芳基；經取代或未經取代的C6至C30芳烷基；由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；或由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>從R<sup>2</sup>到R<sup>4</sup>中選擇至少一個為由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基，經取代或未經取代的C3至C20環烷基，經取代或未經取代的C2至C20烯基，經取代或未經取代的C2至C20炔基，經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；或由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫，經取代或未經取代的C1至C20烷基，經取代或未經取代的C3至C20環烷基，經取代或未經取代的C2至C20烯基，經取代或未經取代的C2至C20炔基，經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項6所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>1</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合， <br/>R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合，且 <br/>R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C8烷基、經取代或未經取代的C3至C8環烷基、經取代或未經取代的C2至C8烯基、經取代或未經取代的C2至C8炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述含錫有機金屬化合物為由化學式3表示的化合物或其縮合物： <br/>化學式3 <br/>R<sup>6</sup><sub>a1</sub>Sn<sub>b1</sub>X<sub>c1</sub>Y<sub>d1</sub><br/>其中，在化學式3中， <br/>R<sup>6</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、包含一個或多個雙鍵或三鍵的經取代或未經取代的C2至C20脂肪族不飽和有機基、經取代或未經取代的C6至C30芳基、經取代或未經取代的C4至C30雜芳基、羰基、環氧乙烷基、環氧丙烷基或其組合， <br/>X為硫、硒或碲， <br/>Y為-OR<sup>l</sup>或-OC(=O)R<sup>m</sup>， <br/>其中R<sup>l</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合， <br/>R<sup>m</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合，且 <br/>a1、b1、c1和d1各自獨立地為1至20的整數。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上設置蝕刻目標層； <br/>將如請求項1至請求項8中任一項所述的半導體光阻組合物塗覆在所述蝕刻目標層上以形成光阻層； <br/>對所述光阻層進行圖案化以形成光阻圖案；以及 <br/>使用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩對所述蝕刻目標層進行蝕刻。
一種基站，包括：<br/> 基站殼體，所述基站殼體設置有集塵口；<br/> 集塵組件，包括灰塵收集裝置，以及設置在所述基站殼體內的塵袋倉、集塵管道和集塵風機，所述灰塵收集裝置設置在所述塵袋倉內，所述集塵管道連通所述集塵口、所述塵袋倉、所述集塵風機設置在集塵風道上以產生集塵氣流，所述集塵氣流將自移清潔設備內的垃圾通過所述集塵口帶入所述灰塵收集裝置後，所述集塵氣流從排氣口排出；<br/> 所述基站殼體上還開設出風口，所述排氣口與所述出風口不相對。
如請求項1所述的基站，還包括：降噪殼體，所述降噪殼體設置有排氣口，所述集塵管道連通所述集塵口、所述塵袋倉、所述降噪殼體以形成集塵風道。
如請求項2所述的基站，其中<br/> 所述降噪殼體內設置有第一吸音件。
如請求項1所述的基站，其中<br/> 所述基站殼體包括依次連接合圍成框架結構的四個本體側壁，所述排氣口與其中的一個所述本體側壁相對，所述出風口設置於其他的所述本體側壁上。
如請求項2所述的基站，其中<br/> 所述塵袋倉設置有氣流入口和氣流出口，所述灰塵收集裝置與氣流入口連通，所述集塵風機的進風埠與氣流出口連接，所述集塵風機的出風埠通過所述集塵管道與所述降噪殼體連接；<br/> 其中，所述塵袋倉內設置有第一過濾件，所述第一過濾件位於所述氣流出口處。
如請求項5所述的基站，其中<br/> 所述塵袋倉內設置有多個支撐部，多個所述支撐部間隔分佈在所述氣流出口的周側，用於支撐至少部分所述灰塵收集裝置。
如請求項1所述的基站，其中<br/> 所述集塵風機上設置有第二吸音件，所述第二吸音件用於為流經所述集塵風機的出風埠的所述集塵氣流進行吸音。
如請求項7所述的基站，其中<br/> 所述第二吸音件還用於為流經所述集塵風機的出風埠的所述集塵氣流進行過濾，其中，所述第二吸音件為吸音過濾棉。
如請求項7所述的基站，其中<br/> 所述集塵風機為渦流風機，所述渦流風機設置有通過過風口連通的渦流腔和過渡腔，所述集塵風機的進風埠開設在所述渦流腔的腔壁上，所述出風埠開設在所述過渡腔的腔壁上，所述第二吸音件位於所述渦流腔內。
如請求項1至9中任一項所述的基站，還包括：<br/> 塵袋倉蓋，與所述基站殼體通過卡接組件可拆卸地連接，所述塵袋倉蓋用於遮蔽或打開所述塵袋倉的開口，所述塵袋倉的開口向前；<br/> 其中，所述卡接組件包括相適配的第一卡接件和第二卡接件，所述第一卡接件位於所述塵袋倉蓋上，所述第二卡接件位於所述基站殼體上，所述第一卡接件與所述塵袋倉蓋可拆卸連接。
如請求項1至9中任一項所述的基站，還包括：設置於所述塵袋倉內的塵袋支架，所述塵袋支架配置為安裝所述灰塵收集裝置，所述塵袋支架設置有導向槽，所述導向槽配置為引導所述灰塵收集裝置與所述塵袋支架連接；其中，所述導向槽的槽壁上設置有防夾結構。
如請求項1至9中任一項所述的基站，還包括：裝飾口，所述裝飾口開設在容納腔的側壁上。
如請求項12所述的基站，所述裝飾口和所述集塵口分佈在所述基站與豎直方向平行的中心線的兩側。
如請求項12所述的基站，所述裝飾口的周側設置彈性部。
一種清潔機器人系統，包括：自移清潔設備；以及如請求項1至14中任一項所述的基站。
一種電壓偵測電路，其包含：<br/> 一控制端，具有一控制端電壓；<br/> 一負載端，具有一負載端電壓；以及<br/> 一電壓偵測單元，耦接該控制端及該負載端，該電壓偵測單元包含一比較器，該比較器根據該控制端電壓及該負載端電壓之間的電壓輸出一比較結果，該電壓偵測單元根據該比較結果將該控制端電壓變為低電位。
如請求項1所述之電壓偵測電路，其中該控制端電壓與該負載端電壓之間具有一偵測電壓，該電壓偵測單元設定一閾值電壓，當該偵測電壓大於該閾值電壓時，該電壓偵測單元將該控制端電壓變為低電位。
如請求項2所述之電壓偵測電路，其中當該偵測電壓大於該閾值電壓的一倍數值時，該電壓偵測單元將該控制端電壓變為低電位。
如請求項3所述之電壓偵測電路，其中該倍數值為1.1到1.5倍。
如請求項2所述之電壓偵測電路，還包含一設定端，該設定端耦接該電壓偵測單元，該設定端透過一可變電阻設定該閾值電壓。
如請求項1所述之電壓偵測電路，該電壓偵測單元包含一邏輯電路，耦接該比較器，該邏輯電路根據該比較結果輸出一控制訊號，該電壓偵測單元根據該控制訊號將該控制端電壓變為低電位。
如請求項1所述之電壓偵測電路，還包含一電壓驅動單元，耦接該控制端，該電壓驅動單元產生該控制端電壓並輸出到該控制端，以改變該控制端電壓。
如請求項1所述之電壓偵測電路，還包含一電源啟動單元，耦接該電壓偵測單元，該電源啟動單元輸出一啟動訊號到該電壓偵測單元。
一種電壓偵測系統，其包含：<br/> 一開關電路，包含一第一端、一第二端及一控制端，該第一端耦接一電源，該第二端耦接一負載；以及<br/> 一電壓偵測電路，耦接該開關電路，該電壓偵測電路包含一比較器，該比較器根據該第二端及該控制端之間的電壓輸出一比較結果，該電壓偵測電路依據該比較結果斷開該開關電路。
如請求項9所述之電壓偵測系統，其中當該第二端及該控制端之間的電壓大於一閾值電壓的一倍數時，該電壓偵測電路斷開該開關電路。
如請求項10所述之電壓偵測系統，其中該倍數為1.1到1.5倍。
一種電壓偵測電路，其包含：<br/> 一控制端，具有一控制端電壓；<br/> 一負載端，具有一負載端電壓；<br/> 一設定端，其具有一可變電阻；以及<br/> 一電壓偵測單元，耦接該控制端、該負載端及該設定端，該電壓偵測單元根據該可變電阻設定一閾值電壓；<br/> 其中，該控制端電壓與該負載端電壓之間具有一偵測電壓，當該偵測電壓大於該閾值電壓時，該電壓偵測單元將該控制端電壓變為低電位。
一種電壓偵測電路，其包含：<br/> 一控制端，具有一控制端電壓；<br/> 一負載端，具有一負載端電壓； <br/> 一電壓偵測單元，耦接該控制端及該負載端，根據該控制端電壓及該負載端電壓之間的電壓將該控制端電壓變為低電位；以及<br/> 一電源啟動單元，耦接該電壓偵測單元，該電源啟動單元輸出一啟動訊號到該電壓偵測單元。
一種配送相關資訊提供方法，其係藉由電子裝置而實行者，其包括如下步驟： <br/>確認顧客之訂單； <br/>確認被分配上述訂單之配送員是否到達賣場； <br/>於上述配送員到達上述賣場之情形時，提供要求輸入訂單識別資訊之至少一部分之第1課題，該訂單識別資訊係提供於上述賣場且係與被分配給上述配送員之上述訂單對應；及 <br/>基於對上述第1課題之響應，判斷是否解決上述第1課題；且 <br/>上述訂單之處理狀態與上述第1課題之解決對應而變更。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中上述第1課題係以如下方式設定： <br/>使上述配送員於上述訂單識別資訊中之經隱藏處理之一部分之複數個查看選項中選擇屬於上述訂單識別資訊的查看選項；且 <br/>對上述第1課題之響應包括對上述複數個查看選項中之任一者進行之觸控輸入或向其他區域進行之拖放輸入。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中上述第1課題係以如下方式設定：於未提供查看選項之狀態下，使上述配送員直接對上述訂單識別資訊中之經隱藏處理之一部分進行輸入； <br/>對上述第1課題之響應包括對經隱藏處理之上述一部分訂單識別資訊進行之手寫輸入、物理小鍵盤輸入或觸控小鍵盤輸入。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中上述第1課題係以如下方式設定： <br/>隱藏處理包括英文與數字之組合之上述訂單識別資訊的至少一部分，對經隱藏處理之英文或經隱藏處理之數字輸入響應。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中上述第1課題係以如下方式設定： <br/>隱藏處理包括英文與數字之組合之上述訂單識別資訊中之最後N個字符(其中，N為自然數)，對經隱藏處理之字符輸入響應。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其進而包括如下步驟： <br/>於未解決上述第1課題之情形時，提供自上述第1課題更新之第2課題；及 <br/>基於對上述第2課題之響應，判斷是否解決上述第2課題；且 <br/>於已解決上述第2課題之情形時，上述訂單之處理狀態與上述第2課題之解決對應而變更。
如請求項6之配送相關資訊提供方法，其中上述第2課題係上述配送員對上述訂單識別資訊中之經隱藏處理之一部分輸入響應之方式發生變更。
如請求項6之配送相關資訊提供方法，其中上述第2課題係上述訂單識別資訊中之隱藏處理之區域擴張。
如請求項6之配送相關資訊提供方法，其中上述第2課題係上述訂單識別資訊中之經隱藏處理之一部分之查看選項的個數增加。
如請求項6之配送相關資訊提供方法，其中上述第2課題係應用上述配送員可對上述訂單識別資訊中之經隱藏處理之一部分輸入響應之限制時間。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中基於上述配送員之年齡及工作歷史的至少一者判斷提供給上述配送員之上述第1課題之類型。
如請求項1之配送相關資訊提供方法，其中於已解決上述第1課題之情形時，安裝於上述電子裝置之配送員應用程式中之上述訂單之上述處理狀態自與上述訂單對應之商品未被獲取之第一狀態變更為完成上述商品之獲取之第二狀態。
一種配送相關資訊提供方法，其係藉由電子裝置而進行者，其包括如下步驟： <br/>確認顧客之訂單； <br/>確認被分配上述訂單之配送員是否到達賣場； <br/>確認是否對上述配送員之賬戶施加懲罰； <br/>於上述配送員已到達上述賣場且上述配送員之賬戶為未受到上述懲罰之賬戶之情形時，提供要求輸入訂單識別資訊之至少一部分之第1課題，該訂單識別資訊係提供於上述賣場且係與被分配給上述配送員之上述訂單對應； <br/>於上述配送員已到達上述賣場且上述配送員之賬戶為受到上述懲罰之賬戶之情形時，提供自上述第1課題更新之第2課題；及 <br/>基於對上述第1課題或上述第2課題之響應，判斷是否解決上述第1課題或上述第2課題；且 <br/>上述訂單之處理狀態與上述第1課題或上述第2課題之解決對應而變更。
如請求項13之配送相關資訊提供方法，其中與上述第1課題相比，上述第2課題提供變更方式以輸入響應，或為解決課題所預先提供之減少資訊量，或為解決課題所需輸入之增加資訊量。
如請求項13之配送相關資訊提供方法，其中確認是否施加上述懲罰之步驟包括如下步驟： <br/>基於上述配送員之工作歷史，確認上述配送員之賬戶是否被歸類為疑似存在濫用行為之賬戶。
如請求項13之配送相關資訊提供方法，其中上述第2課題係以如下方式設定： <br/>使上述配送員藉由上述電子裝置而掃描輸出物。
一種電子裝置，其係用以提供配送相關資訊者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下： <br/>與上述記憶體連接而確認顧客之訂單； <br/>確認被分配上述訂單之配送員是否到達賣場； <br/>於上述配送員已到達上述賣場之情形時，提供要求輸入訂單識別資訊之至少一部分之第1課題，該訂單識別資訊係提供於上述賣場且係與被分配給上述配送員之上述訂單對應； <br/>基於對上述第1課題之響應，判斷是否解決上述第1課題；且 <br/>上述訂單之處理狀態與上述第1課題之解決對應而變更。
一種電子裝置，其係用以提供配送相關資訊者，其包括儲存命令之記憶體及處理器， <br/>上述處理器如下： <br/>與上述記憶體連接而確認顧客之訂單； <br/>確認被分配上述訂單之配送員是否到達賣場； <br/>確認是否對上述配送員之賬戶施加懲罰； <br/>於上述配送員已到達上述賣場且上述配送員之賬戶為未受到上述懲罰之賬戶之情形時，提供要求輸入訂單識別資訊之至少一部分之第1課題，該訂單識別資訊係提供於上述賣場且係與被分配給上述配送員之上述訂單對應； <br/>於上述配送員已到達上述賣場且上述配送員之賬戶為受到上述懲罰之賬戶之情形時，提供自上述第1課題更新之第2課題； <br/>基於對上述第1課題或上述第2課題之響應，判斷是否解決上述第1課題或上述第2課題；且 <br/>上述訂單之處理狀態與上述第1課題或上述第2課題之解決對應而變更。
一種半導體光阻組合物，包括： <br/>有機金屬化合物，由化學式1表示；以及 <br/>溶劑， <br/>化學式1 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="50px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式1中， <br/>M<sup>1</sup>從As、Sb和Bi中選擇， <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地從以下中選擇：經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基以及經取代或未經取代的C7至C30芳烷基，並且 <br/>X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地從以下中選擇：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；以及由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地從以下中選擇：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；由(-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>，R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；以及由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項2所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>X<sup>1</sup>至X<sup>3</sup>各自獨立地從以下中選擇：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；由(-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合；以及由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C10烷基、經取代或未經取代的C3至C10環烷基、經取代或未經取代的C2至C10烯基、經取代或未經取代的C2至C10炔基、經取代或未經取代的C6至C20芳基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>各自獨立地為經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的乙基、經取代或未經取代的丙基、經取代或未經取代的丁基、經取代或未經取代的異丙基、經取代或未經取代的叔丁基、經取代或未經取代的2,2-二甲基丙基、經取代或未經取代的叔戊基、經取代或未經取代的乙烯基、經取代或未經取代的丙烯基、經取代或未經取代的丁烯基、經取代或未經取代的乙炔基、經取代或未經取代的丙炔基、經取代或未經取代的丁炔基、經取代或未經取代的苄基、經取代或未經取代的甲氧基、經取代或未經取代的乙氧基、經取代或未經取代的丙氧基或其組合， <br/>R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的乙基、經取代或未經取代的丙基、經取代或未經取代的丁基、經取代或未經取代的異丙基、經取代或未經取代的叔丁基、經取代或未經取代的叔戊基、經取代或未經取代的2,2-二甲基丙基、經取代或未經取代的環丙基、經取代或未經取代的環丁基、經取代或未經取代的環戊基、經取代或未經取代的環己基、經取代或未經取代的乙烯基、經取代或未經取代的丙烯基、經取代或未經取代的丁烯基、經取代或未經取代的乙炔基、經取代或未經取代的丙炔基、經取代或未經取代的丁炔基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的甲苯基、經取代或未經取代的二甲苯基、經取代或未經取代的苄基或其組合，以及 <br/>R<sup>b</sup>、R<sup>c</sup>、R<sup>d</sup>、R<sup>e</sup>、R<sup>f</sup>、R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>、R<sup>i</sup>、R<sup>j</sup>和R<sup>k</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的甲基、經取代或未經取代的乙基、經取代或未經取代的丙基、經取代或未經取代的丁基、經取代或未經取代的異丙基、經取代或未經取代的叔丁基、經取代或未經取代的叔戊基、經取代或未經取代的2,2-二甲基丙基、經取代或未經取代的環丙基、經取代或未經取代的環丁基、經取代或未經取代的環戊基、經取代或未經取代的環己基、經取代或未經取代的乙烯基、經取代或未經取代的丙烯基、經取代或未經取代的丁烯基、經取代或未經取代的乙炔基、經取代或未經取代的丙炔基、經取代或未經取代的丁炔基、經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的甲苯基、經取代或未經取代的二甲苯基、經取代或未經取代的苄基或其組合。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括選自由化學式2表示的有機金屬化合物和由化學式3表示的有機金屬化合物中的至少一種有機金屬化合物： <br/>化學式2 <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="52px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式3 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="51px" file="ed10015.jpg" alt="ed10015.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式2和化學式3中， <br/>M<sup>2</sup>從As、Sb和Bi中選擇， <br/>M<sup>3</sup>從錫、鉛和鈦中選擇， <br/>R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>各自獨立地從以下中選擇：C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基以及經取代或未經取代的C7至C30芳烷基，並且 <br/>X<sup>4</sup>至X<sup>10</sup>各自獨立地從以下中選擇：由-OR<sup>a</sup>表示的烷氧基或芳氧基，其中R<sup>a</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-O(CO)R<sup>b</sup>表示的羧基，其中R<sup>b</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由(-NR<sup>c</sup>R<sup>d</sup>表示的烷基胺基或二烷基胺基，其中R<sup>c</sup>和R<sup>d</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-NR<sup>e</sup>(COR<sup>f</sup>)表示的醯胺基，其中R<sup>e</sup>和R<sup>f</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合、由-NR<sup>g</sup>C(NR<sup>h</sup>)R<sup>i</sup>表示的脒基，其中R<sup>g</sup>、R<sup>h</sup>和R<sup>i</sup>各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；由-SR<sup>j</sup>表示的烷硫基或芳硫基，其中R<sup>j</sup>為經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合；以及由-S(CO)R<sup>k</sup>表示的硫代羧基，其中R<sup>k</sup>為氫、經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基或其組合。
如請求項5所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>由化學式1表示的有機金屬化合物:選自由化學式2表示的有機金屬化合物和由化學式3表示的有機金屬化合物中的至少一種有機金屬化合物呈11:1至1:11的重量比。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>基於100重量%的所述半導體光阻組合物，由化學式1表示的有機金屬化合物的量為0.5重量%至30重量%。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括從醇類化合物、硫醇類化合物、羧酸化合物和磷酸化合物中選擇的至少一種添加劑。
如請求項1所述的半導體光阻組合物，其中： <br/>所述半導體光阻組合物還包括從表面活性劑、交聯劑、調平劑、有機酸、淬滅劑或其組合中選擇的其他添加劑。
一種形成圖案的方法，包括： <br/>在基板上提供蝕刻目標層； <br/>將如請求項1所述的半導體光阻組合物塗覆在所述蝕刻目標層上以提供光阻層； <br/>曝光和顯影所述光阻層以提供具有光阻圖案的光阻膜；和 <br/>利用所述光阻圖案作為蝕刻遮罩對所述蝕刻目標層進行蝕刻。
如請求項10所述的方法，其中 <br/>所述光阻層包括從由化學式4-1至化學式4-5表示的部分中選擇的至少一種： <br/>化學式4-1 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="81px" file="ed10017.jpg" alt="ed10017.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式4-2 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="108px" file="ed10019.jpg" alt="ed10019.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式4-3 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="115px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式4-4 <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="108px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>化學式4-5 <br/><img align="absmiddle" height="49px" width="115px" file="ed10025.jpg" alt="ed10025.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，在化學式4-1至化學式4-5中， <br/>M<sup>1</sup>和M<sup>2</sup>各自獨立地從砷、銻和鉍中選擇， <br/>M<sup>3</sup>從錫、鉛和鈦中選擇，和 <br/>R<sup>1</sup>至R<sup>4</sup>各自獨立地從經取代或未經取代的C1至C20烷基、經取代或未經取代的C3至C20環烷基、經取代或未經取代的C2至C20烯基、經取代或未經取代的C2至C20炔基、經取代或未經取代的C6至C30芳基以及經取代或未經取代的C7至C30芳烷基中選擇。
一種光阻膜，在如請求項10所述的形成圖案的方法中所製造。
一種電路基板，具有主動區以及周邊區，所述電路基板包括： <br/>多個導電層，包括： <br/>第一導電層，至少配置於所述周邊區上； <br/>第二導電層，至少配置於所述周邊區上；以及 <br/>至少一第三導電層，至少配置於所述周邊區上且位於所述第一導電層以及所述第二導電層之間，其中所述至少一第三導電層藉由所述電路基板的多個通孔電性連接在所述第一導電層以及所述第二導電層之間；以及 <br/>第一電極，配置於所述周邊區上且電性連接所述第二導電層。
如請求項1所述的電路基板，其中所述第一電極在所述第二導電層的垂直投影不重疊所述至少一第三導電層在所述第二導電層的垂直投影。
如請求項1所述的電路基板，其中所述周邊區包括第一區、電極區以及第二區，所述第一電極配置於所述電極區上，所述第一區位在所述主動區以及所述電極區之間，且所述第二區位在所述電極區遠離所述主動區的一側上，所述電路基板在所述電極區上的所述多個導電層的數量小於所述電路基板在所述第一區上的所述多個導電層的數量。
如請求項1所述的電路基板，其中所述電路基板還包括第一金屬薄膜，位於所述第一電極上。
如請求項4所述的電路基板，所述電路基板還包括第二電極以及第二金屬薄膜，所述第二電極配置於所述主動區上，所述第二金屬薄膜位於所述第二電極上，且所述第一金屬薄膜與所述第二金屬薄膜具有相同的材料。
如請求項1所述的電路基板，其中所述第二導電層以及所述至少一第三導電層中的至少一者還配置於所述主動區上。
如請求項6所述的電路基板，其中所述周邊區包括第一區、電極區以及第二區，所述第一區位在所述主動區以及所述電極區之間，所述第二區位在所述電極區遠離所述主動區的一側上，且所述第一導電層配置於所述第一區、所述電極區以及所述第二區上。
如請求項3所述的電路基板，其中所述第二導電層配置於所述第一區、所述電極區以及所述第二區上。
如請求項3所述的電路基板，其中所述至少一第三導電層配置於所述第二區上。
一種電子裝置，包括如請求項1所述的電路基板。
如請求項10所述的電子裝置，其中所述電子裝置為發光二極體顯示器。
一種半導體裝置，包括：<br/> 一底板；以及<br/> 至少一堆疊，沿著第一方向堆疊於該底板上，其中該至少一堆疊包括一第一堆疊，且該第一堆疊包括：<br/> 複數個絕緣層及複數個導電層，沿著該第一方向交替堆疊於該底板上；<br/> 一絕緣柱，沿著該第一方向延伸，穿過該些絕緣層與該些導電層；<br/> 一導電連接結構，穿過該些絕緣層與該些導電層且環繞該絕緣柱；<br/> 一介電層，環繞該導電連接結構；及<br/> 一通道層，環繞該介電層，且電性連接於該導電連接結構。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該些絕緣層包括一第一絕緣層、一第二絕緣層、一第三絕緣層及一第四絕緣層，該些導電層包括一第一導電層、一第二導電層及一第三導電層，該第一絕緣層、該第一導電層、該第二絕緣層、該第二導電層、該第三絕緣層、該第三導電層及該第四絕緣層沿著該第一方向依序堆疊於該底板上。
如請求項2所述之半導體裝置，其中該第一絕緣層、該第二絕緣層、該第三絕緣層及該第四絕緣層的材料包括氧化物。
如請求項3所述之半導體裝置，其中該第四絕緣層包括一第一絕緣部分與一第二絕緣部分，該第二絕緣部分堆疊於該第一絕緣部分上；及<br/> 該第二絕緣層、該第三絕緣層及該第四絕緣層中的該第一絕緣部分的材料包括低密度氧化物；該第四絕緣層中的該第二絕緣部分的材料包括低密度氧化物。
如請求項4所述之半導體裝置，其中該低密度氧化物的孔隙率高於該高密度氧化物的孔隙率。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該導電連接結構包括第一連接部分及第二連接部分，該第二連接部分連接於該第一連接部分，且電性接觸於該通道層，在一剖面圖中，該第一連接部分沿著該第一方向延伸，該第二連接部分沿著第二方向延伸，該第二方向不同於該第一方向。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該至少一堆疊的數量為複數個，且該至少一堆疊更包括一第二堆疊，該第二堆疊沿著該第一方向堆疊於該第一堆疊上。
一種半導體裝置的製作方法，包括：<br/> 提供一底板；以及<br/> 形成至少一堆疊沿著第一方向堆疊於該底板上，其中該至少一堆疊包括一第一堆疊，且該第一堆疊包括：<br/> 複數個絕緣層及複數個導電層，沿著該第一方向交替堆疊於該底板上；<br/> 一絕緣柱，沿著該第一方向延伸，穿過該些絕緣層與該些導電層；<br/> 一導電連接結構，穿過該些絕緣層與該些導電層且環繞該絕緣柱；<br/> 一介電層，環繞該導電連接結構；及<br/> 一通道層，環繞該介電層，且電性連接於該導電連接結構。
如請求項8所述之半導體裝置的製作方法，其中該第一堆疊的形成步驟包括：<br/> 形成一第一堆疊結構堆疊於該底板上，其中<br/> 該第一堆疊結構包括一第一絕緣層、堆疊於該第一絕緣層上的一第一導電層以及交替堆疊於該第一導電層上的複數個絕緣層與複數個犧牲層，該些絕緣層包括一第二絕緣層、一第三絕緣層及一第四絕緣層，且該些犧牲層包括一第一犧牲層及一第二犧牲層；<br/> 該第一絕緣層、該第一導電層、該第二絕緣層、該第一犧牲層、該第三絕緣層、該第二犧牲層及該第四絕緣層沿著該第一方向依序堆疊於該底板上；及<br/> 該第四絕緣層包括一第一絕緣部分與一第二絕緣部分，該第二絕緣部分堆疊於該第一絕緣部分上。
如請求項9所述之半導體裝置的製作方法，其中該第一堆疊的形成步驟更包括：<br/> 形成沿著該第一方向延伸的一開口，該開口穿過該第一堆疊結構；<br/> 移除部分的該第一導電層以形成一第一側向孔洞；<br/> 移除部分的該第一犧牲層及該第二犧牲層以形成2個第二側向孔洞；<br/> 移除部分的該第一導電層、該第一犧牲層、該第二絕緣層、該第二犧牲層、該第三絕緣層及該第四絕緣層之該第一絕緣部分以形成一垂直孔洞，其中該垂直孔洞連通於該開口、該第一側向孔洞及該2個第二側向孔洞；<br/> 藉由填充通道材料於該垂直孔洞的外側中以形成該通道層；<br/> 藉由填充介電材料於該垂直孔洞的內側中以形成鄰接於該通道層的該介電層；<br/> 移除部分的該第二絕緣部分以形成一側向開口；<br/> 填充導電材料於該側向開口中及該開口的側壁上，以形成該導電連接結構；<br/> 填充絕緣材料於該開口中，以形成該絕緣柱；<br/> 移除該些犧牲層；以及<br/> 於該些犧牲層被移除後所形成的缺口中填入導電材料，以形成一第二導電層及一第三導電層。
一種選擇性沉積一膜的方法，該方法包括：<br/> 藉由原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)超過一基板的一第一介電表面在一第二金屬表面上選擇性沉積該膜，該基板具有一基板表面，該基板表面包括該第一介電表面與該第二金屬表面，其中選擇性沉積該膜包括暴露該第二金屬表面至一通式(I)：M-L<sub>1</sub>(L<sub>2</sub>)<sub>y</sub>的前驅物，其中M是選自鉬(Mo)、釕(Ru)、鈷(Co)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鎳(Ni)或鎢(W)一者或多者的一金屬、L<sub>1</sub>是一芳香族配體、L<sub>2</sub>是一脂肪族配體、而y是2至8範圍中的一數字，其中L<sub>2</sub>包括1,5-己二烯、1,4-己二烯與少於5%的1,3-己二烯。
如請求項1所述之方法，進一步包括在形成該膜之前，藉由暴露該基板表面至一去活性處理以形成一活化的基板表面。
如請求項2所述之方法，進一步包括在暴露該基板表面至該去活性處理之後，藉由暴露該基板表面至一鹵素催化劑以形成一超活化的基板表面。
如請求項1所述之方法，其中該基板表面具有至少一個特徵形成於該基板表面中，該至少一個特徵具有一側壁與一底部。
如請求項1所述之方法，其中該芳香族配體L<sub>1</sub>包括一選自η<sup>2</sup>、η<sup>4</sup>、η<sup>6</sup>與η<sup>8</sup>的π電子系統。
如請求項5所述之方法，其中該芳香族配體L<sub>1</sub>包括1-甲基-4-異丙苯。
如請求項1所述之方法，其中該脂肪族配體L<sub>2</sub>進一步包括一不對稱的環狀二烯。
如請求項7所述之方法，其中該不對稱的環狀二烯包括下列的一者或多者：3-(2-丙烯基)-環己烯、1-(2-丙烯基)-環己烯、1,3-丙二烯-環己烷與1,2-雙乙烯基環己烷。
如請求項7所述之方法，其中y是2至6的一範圍中的一數字，且其中1,5-己二烯比上1,4-己二烯、1,3-己二烯與該不對稱的環狀二烯的總和的比例是在約50：50至約60：40的一範圍中。
如請求項4所述之方法，進一步包括沉積一金屬氮化物襯裡於該至少一個特徵中。
如請求項3所述之方法，進一步包括在暴露該基板表面至該鹵素催化劑之前沉積一晶種層於該基板表面上。
如請求項3所述之方法，其中暴露該基板表面至該鹵素催化劑的步驟包括浸泡一基板於一烷基鹵化物催化劑中。
如請求項12所述之方法，其中該烷基鹵化物催化劑包括碘乙烷或二碘甲烷。
如請求項3所述之方法，其中該超活化的基板表面形成比未暴露於該去活性處理的一表面一更高濃度或活性的催化劑，而活化的基板表面與該超活化的基板表面之間的濃度和/或活性差異可用於控制沉積。
一種處理方法，該方法包括：<br/> 暴露一基板表面至一鹵素催化劑以形成一活化的基板表面；及<br/> 暴露該活化的基板表面至一通式(I)：M-L<sub>1</sub>(L<sub>2</sub>)<sub>y</sub>的前驅物以在該基板表面上形成一金屬膜，其中M是選自鉬(Mo)、釕(Ru)、鈷(Co)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鎳(Ni)或鎢(W)一者或多者的一金屬、L<sub>1</sub>是一芳香族配體、L<sub>2</sub>是一脂肪族配體、而y是2至8範圍中的一數字，其中L<sub>2</sub>包括1,5-己二烯、1,4-己二烯與少於5%的1,3-己二烯，該基板表面具有至少一個特徵形成於該基板表面中，該至少一個特徵具有一側壁與一底部，該金屬膜填充該至少一個特徵，且該金屬膜實質上沒有縫隙與孔隙。
如請求項15所述之方法，其中該芳香族配體L<sub>1</sub>包括一選自η<sup>2</sup>、η<sup>4</sup>、η<sup>6</sup>與η<sup>8</sup>的π電子系統。
如請求項15所述之方法，其中暴露該基板表面至該鹵素催化劑的步驟包括浸泡一基板於一烷基鹵化物催化劑中。
一種包括數個指令的非暫時性電腦可讀媒介，當由一處理腔室的一控制器執行時，該些指令使該處理腔室執行以下操作：<br/> 暴露一基板表面至一鹵素催化劑以形成一活化的基板表面，其中暴露該基板表面至該鹵素催化劑包括浸泡一基板於一烷基鹵化物催化劑中；及<br/> 將一前驅物流入具有該基板的該處理腔室的一處理空間中，該前驅物具有通式(I)：M-L<sub>1</sub>(L<sub>2</sub>)<sub>y</sub>，其中M是選自鉬(Mo)、釕(Ru)、鈷(Co)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鎳(Ni)或鎢(W)一者或多者的一金屬、L<sub>1</sub>是一芳香族配體、L<sub>2</sub>是一脂肪族配體、而y是在2至8範圍內的一數字，其中L<sub>2</sub>包括1,5-己二烯、1,4-己二烯及少於5%的1,3-己二烯。
一種形成半導體結構的方法，包括： <br/>將半導體組件附著到載體晶圓上，其中所述半導體組件中的每一者包括半導體晶粒和半導體載體基板，其中所述半導體晶粒包括具有形成其中的基板穿孔結構的第一半導體基板、第一半導體元件，以及位於所述第一半導體基板前側的前側連接墊，和位於所述第一半導體基板背側的背側金屬內連線結構； <br/>從所述載體晶圓和所述半導體組件的組合中移除所述半導體載體基板；以及 <br/>在移除所述半導體載體基板之後，在所述半導體晶粒之間的間隙中形成第一模製化合物矩陣，其中所述背側金屬內連線結構為不包括介電層的金屬層，並由所述第一模製化合物矩陣包覆所述金屬層的側壁。
如請求項1所述的方法，其中： <br/>所述半導體組件中的每一者包括黏著層，所述黏著層在所述半導體晶粒和所述半導體載體基板之間提供黏著力；以及 <br/>所述方法包括在移除所述半導體載體基板之後移除所述黏著層。
如請求項2所述的方法，還包括在所述第一模製化合物矩陣和所述半導體晶粒的所述背側金屬內連線結構上方形成第一介電接合層和第一凸塊結構。
如請求項3所述的方法，還包括使用焊料部分的陣列將元件半導體晶粒附著到所述第一凸塊結構上。
如請求項4所述的方法，還包括： <br/>在所述焊料部分的所述陣列周圍形成底部填充劑材料部分；以及 <br/>在所述元件半導體晶粒和所述底部填充劑材料部分周圍以及直接在所述第一介電接合層上形成第二模製化合物矩陣。
如請求項5所述的方法，其中所述第二模製化合物矩陣透過所述第一介電接合層與所述第一模製化合物矩陣垂直間隔開，且不接觸所述第一模製化合物矩陣。
如請求項4所述的方法，還包括： <br/>使用額外晶粒貼附膜將額外載體晶圓附著到所述元件半導體晶粒上；以及 <br/>移除所述額外載體晶圓和所述額外晶粒貼附膜。
如請求項7所述的方法，還包括在所述前側連接墊上形成嵌入接合級金屬內連線結構的介電接合層。
一種半導體封裝，包括： <br/>半導體晶粒，包括包含基板穿孔結構的第一半導體基板、第一半導體元件，以及位於所述第一半導體基板前側且嵌入至少一個前側介電頂蓋層內的前側連接墊，以及位於所述第一半導體基板背側的背側金屬內連線結構； <br/>第一模製化合物矩陣，側向圍繞所述半導體晶粒，其中所述背側金屬內連線結構為不包括介電層的金屬層，並由所述第一模製化合物矩陣包覆所述金屬層的側壁； <br/>第一介電接合層，位於所述背側金屬內連線結構上； <br/>第一凸塊結構，位於所述第一介電接合層上； <br/>第二介電接合層，位於所述前側連接墊上；以及 <br/>第二凸塊結構，位於所述第二介電接合層上， <br/>其中所述至少一個前側介電頂蓋層的外側壁相對於所述第一模製化合物矩陣的外側壁向內側側向偏移，且所述第二介電接合層的外側壁與所述第一模製化合物矩陣的所述外側壁垂直重合。
一種形成半導體結構的方法，包括： <br/>提供半導體組件，其中所述半導體組件包括半導體晶粒和半導體載體基板，其中所述半導體晶粒包括具有形成其中的基板穿孔結構的第一半導體基板、第一半導體元件、位於所述第一半導體基板前側的前側連接墊，以及位於所述第一半導體基板背側的第一背側金屬內連線結構； <br/>將所述半導體載體基板附著到載體晶圓上；以及 <br/>在所述半導體組件周圍以及相鄰半導體組件之間的間隙中形成第一模製化合物矩陣，其中所述背側金屬內連線結構為不包括介電層的金屬層，並由所述第一模製化合物矩陣包覆所述金屬層的側壁。
一種基板處理方法，其包含：基板旋轉製程，其使具有為了基板薄化而被研削或研磨之主表面之基板繞與上述主表面垂直之旋轉軸線旋轉； <br/>第1蝕刻製程，其於上述基板旋轉製程之執行期間，對上述主表面供給包含氫氟酸及硝酸之第1蝕刻液；及 <br/>第2蝕刻製程，其於上述第1蝕刻製程之後，於上述基板旋轉製程之執行期間，對上述主表面供給包含TMAH(氫氧化四甲基銨)之第2蝕刻液；且 <br/>上述第2蝕刻製程中應用之第2蝕刻參數以將藉由上述第1蝕刻製程而於上述主表面中產生之第1正面輪廓平坦化之方式進行調整， <br/>上述第1蝕刻製程之對於上述主表面之第1蝕刻輪廓根據上述第1蝕刻製程中應用之第1蝕刻參數之可變設定而可變； <br/>上述第2蝕刻製程之對於上述主表面之第2蝕刻輪廓根據上述第2蝕刻製程中應用之上述第2蝕刻參數之可變設定而可變； <br/>上述第1蝕刻參數及上述第2蝕刻參數以藉由對上述基板依序進行上述第1蝕刻製程及上述第2蝕刻製程而於上述主表面中產生之第2正面輪廓具有規定值以下之平面度之方式進行調整；且 <br/>以使上述第1蝕刻輪廓及上述第2蝕刻輪廓重合之合成蝕刻輪廓具有規定值以下之平面度之方式，調整上述第1蝕刻參數及上述第2蝕刻參數。
一種基板處理方法，其包含：基板旋轉製程，其使具有為了基板薄化而被研削或研磨之主表面之基板繞與上述主表面垂直之旋轉軸線旋轉； <br/>第1蝕刻製程，其於上述基板旋轉製程之執行期間，對上述主表面供給包含氫氟酸及硝酸之第1蝕刻液；及 <br/>第2蝕刻製程，其於上述第1蝕刻製程之後，於上述基板旋轉製程之執行期間，對上述主表面供給包含TMAH(氫氧化四甲基銨)之第2蝕刻液；且 <br/>上述第2蝕刻製程中應用之第2蝕刻參數以將藉由上述第1蝕刻製程而於上述主表面中產生之第1正面輪廓平坦化之方式進行調整， <br/>上述第1蝕刻製程之對於上述主表面之第1蝕刻輪廓根據上述第1蝕刻製程中應用之第1蝕刻參數之可變設定而可變； <br/>上述第2蝕刻製程之對於上述主表面之第2蝕刻輪廓根據上述第2蝕刻製程中應用之上述第2蝕刻參數之可變設定而可變； <br/>上述第1蝕刻參數及上述第2蝕刻參數以藉由對上述基板依序進行上述第1蝕刻製程及上述第2蝕刻製程而於上述主表面中產生之第2正面輪廓具有規定值以下之平面度之方式進行調整；且 <br/>以上述第1蝕刻製程前之上述主表面之初始正面輪廓、上述第1蝕刻輪廓及上述第2蝕刻輪廓重合之合成正面輪廓具有規定值以下之平面度之方式，調整上述第1蝕刻參數及上述第2蝕刻參數。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述第1蝕刻製程包含以上述第1蝕刻液於上述主表面上之著液位置與上述旋轉軸線之距離隨著時間經過而變化之方式使上述著液位置移動之第1掃描製程；且 <br/>上述第1蝕刻參數包含規定上述第1掃描製程中之上述著液位置之變化之第1掃描參數。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述第2蝕刻製程包含以上述第2蝕刻液於上述主表面上之著液位置與上述旋轉軸線之距離隨著時間經過而變化之方式使上述著液位置移動之第2掃描製程；且 <br/>上述第2蝕刻參數包含規定上述第2掃描製程中之上述著液位置之變化之第2掃描參數。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述第2蝕刻製程後之上述主表面之第2正面輪廓具有1.5 μm以下之平面度。
如請求項1或2之基板處理方法，其中上述主表面係矽層露出之正面。
如請求項6之基板處理方法，其中上述基板具有矽鍺層、與積層於上述矽鍺層之上述矽層。
一種清洗盤自清潔方法，包括：<br/> 控制進水裝置向清洗盤內注入清潔流體；<br/> 驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，使所述清潔元件帶動所述清潔流體流動，沖刷所述清洗盤；<br/> 其中，所述清洗盤內設置有液位檢測裝置；<br/> 所述控制進水裝置向清洗盤內注入清潔流體，包括：<br/> 在預設時間內，所述液位檢測裝置檢測到所述清潔流體達到預設液位的情況下，控制所述進水裝置以第一注液策略繼續注液；<br/> 在所述預設時間內，所述液位檢測裝置未檢測到所述清潔流體達到所述預設液位的情況下，控制所述進水裝置以第二注液策略繼續注液。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述在預設時間內，所述液位檢測裝置檢測到所述清潔流體達到預設液位的情況下，控制所述進水裝置以第一注液策略繼續注液，包括：<br/> 獲取從所述進水裝置啟動至所述清潔流體達到所述預設液位之間的第一注入時長；<br/> 基於所述第一注入時長確定第二注入時長；<br/> 基於所述第二注入時長繼續向所述清洗盤內注入所述清潔流體。
如請求項2所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述基於所述第一注入時長確定第二注入時長，包括：<br/> 基於已知預設存量和所述第一注入時長得到注入流量，其中，所述已知預設存量為所述清潔流體達到所述預設液位時所述清洗盤上的所述清潔流體的存量；<br/> 基於所述注入流量確定所述第二注入時長。
如請求項3所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述基於所述注入流量確定所述第二注入時長，包括：<br/> 若所述注入流量處於預設流量區間，則基於所述注入流量和預存的續注量計算所述第二注入時長；<br/> 若所述注入流量不處於預設流量區間，則將所述注入流量變更為所述預設流速區間對應的注入流量設定值，並根據所述注入流量設定值和預存的續注量，計算所述第二注入時長；<br/> 其中，所述預存的續注量與所述已知預設存量之和為自清潔所需清潔流體的注入量。
如請求項4所述的清洗盤自清潔方法，其中，若所述注入流量不處於預設流量區間，則發出警報資訊。
如請求項2所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述基於所述第一注入時長確定第二注入時長，包括：<br/> 所述清潔流體達到所述預設液位時，根據已知預設存量與預存的續注量的比例以及所述第一注入時長確定第二注入時長；<br/> 其中，所述已知預設存量為所述清潔流體達到所述預設液位時所述清洗盤上的所述清潔流體的存量；<br/> 其中，所述預存的續注量與所述已知預設存量之和為自清潔所需清潔流體的注入量。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述在所述預設時間內，所述液位檢測裝置未檢測到所述清潔流體達到所述預設液位的情況下，控制所述進水裝置以第二注液策略繼續注液，包括：<br/> 基於預存的第三注入時長向所述清洗盤內繼續注入所述清潔流體。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，包括：<br/> 在向所述清洗盤內注入清潔流體時，驅動所述清潔元件與所述清洗盤產生相對位移；<br/> 在向所述清洗盤內注入清潔流體完成後，驅動所述清潔元件在預設運動時長內與所述清洗盤持續產生相對位移。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述清洗盤適配於自移清潔裝置，所述清潔元件設置在所述自移清潔裝置上；<br/> 所述驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，包括：驅動所述清潔元件在所述清洗盤內轉動。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述清潔元件連接在所述清洗盤上；<br/> 所述驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，包括：驅動所述清潔元件在所述清洗盤內移動。
如請求項9所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，包括：<br/> 驅動所述清潔元件在所述清洗盤內變速轉動。
如請求項1所述的清洗盤自清潔方法，其中，在所述驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移之後，所述方法包括：<br/> 控制所述清潔元件與所述清洗盤停止相對位移；<br/> 控制所述清洗盤對應的排水泵工作。
如請求項12所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述控制所述清洗盤對應的排水泵工作，包括：<br/> 在所述排水泵工作的第一排水時長內，若所述清潔流體的液面下降至所述預設液位以下，則控制所述排水泵在第二排水時長內繼續排水。
如請求項12所述的清洗盤自清潔方法，其中，所述控制所述清洗盤對應的排水泵工作，包括：<br/> 在所述排水泵工作的第一排水時長後，若所述清潔流體仍處於所述預設液位或高於所述預設液位，則發出警報資訊。
一種自動清潔設備，包括：<br/> 清洗盤；<br/> 進水裝置，用於在所述自動清潔設備處於清洗盤自清潔模式時向清洗盤內注入清潔流體；<br/> 清潔元件；<br/> 驅動器，用於驅動清潔元件與所述清洗盤產生相對位移，使所述清潔元件帶動所述清潔流體流動，沖刷所述清洗盤。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，所述清洗盤上設置有液位檢測裝置，所述液位檢測裝置用於檢測所述清潔流體的液位。
如請求項16所述的自動清潔設備，其中， <br/> 所述液位檢測裝置在預設時間內檢測到所述清潔流體達到預設液位的情況下，所述進水裝置以第一注液策略繼續注液；<br/> 所述液位檢測裝置在所述預設時間內未檢測到所述清潔流體達到預設液位的情況下，所述進水裝置以第二注液策略繼續注液。
如請求項17所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述液位檢測裝置在所述預設時間內檢測到所述清潔流體達到預設液位的情況下，所述進水裝置基於第二注入時長繼續向所述清洗盤內注入所述清潔流體，所述第二注入時長基於所述第一注入時長確定，所述第一注入時長為從所述進水裝置啟動至所述清潔流體達到所述預設液位之間的時長。
如請求項18所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述第二注入時長基於注入流量確定，所述注入流量通過已知預設存量和所述第一注入時長得到，其中，所述已知預設存量為所述液位檢測裝置檢測到所述清潔流體達到所述預設液位時，所述清洗盤內存儲的所述清潔流體的量。
如請求項19所述的自動清潔設備，其中，<br/> 若所述注入流量處於預設流量區間時，所述第二注入時長基於所述注入流量和預存的續注量計算得出；<br/> 若所述注入流量不處於預設流量區間時，所述第二注入時長基於將所述注入流量變更為所述預設流速區間對應的注入流量設定值，並根據所述注入流量設定值和預存的續注量計算得出；<br/> 其中，所述預存的續注量與所述已知預設存量之和為自清潔所需清潔流體的注入量。
如請求項20所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述自動清潔設備包括基站和自移清潔裝置，若所述注入流量不處於預設流量區間，則所述基站或所述自移清潔裝置上發出聲音報警資訊、燈光報警燈資訊；或<br/> 若所述注入流量不處於預設流量區間，向與所述自動清潔設備綁定的終端發出的報警資訊。
如請求項18所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述第二注入時長為所述清潔流體達到所述預設液位時根據已知預設存量與預存的續注量的比例以及所述第一注入時長確定；<br/> 其中，所述已知預設存量為所述清潔流體達到所述預設液位時所述清洗盤上的所述清潔流體的存量；所述預存的續注量與所述已知預設存量之和為自清潔所需清潔流體的注入量。
如請求項17所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述液位檢測裝置在所述預設時間內未檢測到所述清潔流體達到所述預設液位的情況下，所述進水裝置基於預存的第三注入時長向所述清洗盤內繼續注入所述清潔流體。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，<br/> 在向所述清洗盤內注入清潔流體時，所述驅動器驅動所述清潔元件與所述清洗盤產生相對位移；<br/> 在向所述清洗盤內注入清潔流體完成後，所述驅動器驅動所述清潔元件在預設運動時長內與所述清洗盤持續產生相對位移。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，所述清洗盤適配於自移清潔裝置，所述清潔元件設置在所述自移清潔裝置上；<br/> 所述驅動器驅動所述清潔元件在所述清洗盤內轉動。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，所述清潔元件連接在所述清洗盤上；<br/> 所述驅動器驅動所述清潔元件在所述清洗盤內移動。
如請求項25所述的自動清潔設備，其中，所述驅動器驅動所述清潔元件在所述清洗盤內變速轉動。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，所述自動清潔設備包括基站，所述基站包括排水泵，所述清潔元件對所述清洗盤清洗後，所述排水泵用於抽出所述清洗盤內的含有雜物的所述清潔流體。
如請求項28所述的自動清潔設備，其中，在所述排水泵工作的第一排水時長內，所述排水泵用於在所述清潔流體的液面下降至預設液位以下時在第二排水時長內繼續排水。
如請求項28所述的自動清潔設備，其中，<br/> 所述自動清潔設備包括基站和自移清潔裝置，在所述排水泵工作的第一排水時長後，所述清潔流體仍處於預設液位或高於所述預設液位，所述基站或所述自移清潔裝置上發出聲音報警資訊、燈光報警燈資訊；或<br/> 在所述排水泵工作的第一排水時長後，所述清潔流體仍處於所述預設液位或高於所述預設液位，向與所述自動清潔設備綁定的終端發出的報警資訊。
如請求項15所述的自動清潔設備，其中，所述自動清潔設備包括基站和自移清潔裝置，所述進水裝置和所述清洗盤設置在所述基站上，所述驅動器和所述清潔元件設置在所述自移清潔裝置上和/或所述清洗盤上。
一種電腦可讀存儲介質，其中，所述電腦可讀存儲介質存儲有電腦程式，實現如請求項1至14中任一項所述清洗盤自清潔方法。
一種電子設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有電腦程式，其中，所述處理器執行所述電腦程式時實現請求項1至14中任一項所述的清洗盤自清潔方法。
一種單體，係<img align="absmiddle" height="112px" width="177px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>1</sup>係C<sub>2</sub>-C<sub>6</sub>的烷撐基，且Ar係<img align="absmiddle" height="62px" width="102px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="192px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="105px" width="192px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之單體，係<img align="absmiddle" height="130px" width="341px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之單體，係<img align="absmiddle" height="225px" width="259px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種均聚物，係由一單體聚合而成，其中該單體係<img align="absmiddle" height="112px" width="177px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>2</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>的烷撐基，且Ar係<img align="absmiddle" height="62px" width="102px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="192px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="105px" width="192px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之均聚物，其中該單體係<img align="absmiddle" height="130px" width="341px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之均聚物，其中該單體係<img align="absmiddle" height="225px" width="259px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項4所述之均聚物，其中該單體係<img align="absmiddle" height="112px" width="303px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種光學膜，包括請求項4所述之均聚物，且該均聚物的數均分子量為20,000至100,000 g/mol。
一種共聚物，係由一第一單體與一第二單體共聚而成，<br/> 其中該第一單體係<img align="absmiddle" height="112px" width="177px" file="ed10045.jpg" alt="ed10045.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>，其中R<sup>2</sup>係C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>的烷撐基，且Ar係<img align="absmiddle" height="62px" width="102px" file="ed10046.jpg" alt="ed10046.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="192px" file="ed10047.jpg" alt="ed10047.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="105px" width="192px" file="ed10048.jpg" alt="ed10048.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中該第二單體係<img align="absmiddle" height="62px" width="77px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="91px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="307px" width="714px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="237px" width="413px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 或上述之組合，其中R<sup>3</sup>各自獨立為C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>的烷撐基，R<sup>4</sup>各自獨立為CH<sub>3</sub>、H、硫醇、或鹵素，R<sup>5</sup>各自獨立為H或CH<sub>3</sub>，a各自獨立為1至6的整數，b各自獨立為0至4的整數，且c各自獨立為0至5的整數。
如請求項9所述之共聚物，其中該第一單體係<img align="absmiddle" height="130px" width="341px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="225px" width="259px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="112px" width="303px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9所述之共聚物，其中該第二單體係<img align="absmiddle" height="62px" width="77px" file="ed10049.jpg" alt="ed10049.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="91px" file="ed10050.jpg" alt="ed10050.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="91px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、或<img align="absmiddle" height="17px" width="54px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種光學膜，包括請求項9所述之共聚物，且該共聚物的數均分子量為20,000至100,000 g/mol。
一種溫度控制裝置，係將試驗對象物調溫成複數種設定溫度之溫度控制裝置，其特徵為，具備： <br/> 複數個托座，收納試驗對象物； <br/> 複數個熱交換板，供受到調溫的熱媒循環； <br/> 高溫側熱媒槽，對前述熱交換板供給比前述設定溫度還高溫的前述熱媒； <br/> 低溫側熱媒槽，對前述熱交換板供給比前述設定溫度還低溫的前述熱媒； <br/> 流入前述複數個熱交換板的各者的前述熱媒，係藉由改變混合前述高溫側熱媒槽的前述熱媒與前述低溫側熱媒槽的前述熱媒之比例而被調溫成複數種相異的前述設定溫度， <br/> 前述托座裝卸自如地被安裝於前述熱交換板，被收納於該托座的前述試驗對象物藉由來自前述複數個熱交換板的各者的熱而被調溫成相異的前述設定溫度。
如請求項1記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 前述複數個熱交換板的各者和前述高溫側熱媒槽及前述低溫側熱媒槽並聯地連接， <br/> 改變對前述複數個熱交換板的各者供給的來自前述高溫側熱媒槽的前述熱媒與來自前述低溫側熱媒槽的前述熱媒之混合的比例，使得前述複數個熱交換板的各者被設定成從高溫的設定溫度到比其低溫的設定溫度的複數種類的溫度。
如請求項2記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 前述高溫側熱媒槽和前述複數個熱交換板的各者並聯地連接， <br/> 來自前述低溫側熱媒槽的流路更連接至從前述高溫側熱媒槽往熱交換板的熱媒流路， <br/> 在從前述高溫側熱媒槽往前述複數個熱交換板的熱媒流路、以及從前述低溫側熱媒槽連接到從前述高溫側熱媒槽往前述複數個熱交換板的熱媒流路的各者設置流量控制閥，藉由設置於前述複數個熱交換板的各者的溫度感測器的溫度而控制2個前述流量控制閥，將來自前述高溫側熱媒槽的前述熱媒與來自前述低溫側熱媒槽的前述熱媒混合，以便成為前述複數種設定溫度。
如請求項3記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 根據設置於前述熱交換板的前述溫度感測器的溫度，開閉設置於前述高溫側熱媒槽的流路的前述流量控制閥與設置於前述低溫側熱媒槽的流路的前述流量控制閥而將高溫的前述熱媒與低溫的前述熱媒混合，使得前述熱交換板成為規定溫度。
如請求項1記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 來自被設定成從高溫的設定溫度到比其低溫的設定溫度的複數種類的前述設定溫度之前述複數個熱交換板的前述熱媒當中，令高溫側的設定溫度的前述複數個熱交換板的前述熱媒迴流至前述高溫側熱媒槽，令低溫側的設定溫度的前述複數個熱交換板的前述熱媒迴流至前述低溫側熱媒槽。
如請求項5記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 在供高溫側的設定溫度的前述複數個熱交換板的前述熱媒迴流的前述高溫側熱媒槽的迴流路上游、以及供低溫側的設定溫度的前述複數個熱交換板的前述熱媒迴流的前述低溫側熱媒槽的迴流路上游設置和各者連接的返路熱媒槽，而設計成將2個前述返路熱媒槽以管路連接，當一方的前述返路熱媒槽的前述熱媒成為過剩時能夠流入另一方的前述返路熱媒槽。
如請求項1至6中任一項記載之溫度控制裝置，其中， <br/> 被運用於二次電池充放電試驗。
一種半導體裝置，其包含： <br/>半導體基板； <br/>第1接觸電極，其連接於上述半導體基板； <br/>第2接觸電極，其於第1方向與上述第1接觸電極分開，連接於上述半導體基板； <br/>電極，其設置於上述第1接觸電極及上述第2接觸電極之間，與上述半導體基板對向； <br/>第1電極構件，其與上述半導體基板之、和上述第1接觸電極之接觸部、與和上述電極之對向部之間之區域對向； <br/>第2電極構件，其與上述半導體基板之、和上述第2接觸電極之接觸部、與和上述第1電極構件之對向部之間之區域對向；及 <br/>第3接觸電極，其連接於上述電極；且 <br/>上述電極包含第1導電型雜質； <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件具備上述第1導電型雜質或與上述第1導電型不同之第2導電型雜質，上述第1電極構件及上述第2電極構件中之上述第1導電型或上述第2導電型雜質之濃度，低於上述電極中之上述第1導電型雜質之濃度。
如請求項1之半導體裝置，其中 <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件與上述電極分開。
如請求項2之半導體裝置，其中 <br/>上述第1電極構件電性連接於上述第1接觸電極；且 <br/>上述第2電極構件電性連接於上述第2接觸電極。
如請求項2之半導體裝置，其中 <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件，係與上述第1接觸電極、上述第2接觸電極及上述第3接觸電極之任一者皆不電性連接。
如請求項1之半導體裝置，其中 <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件與上述電極連續。
如請求項1之半導體裝置，其中 <br/>上述電極包含：多晶矽之第1構件，其包含上述第1導電型雜質；及第2構件，其包含鎢；且 <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件係包含多晶矽之第3構件，上述多晶矽之第3構件係包含上述第1導電型雜質或與上述第1導電型不同之上述第2導電型雜質；及第4構件，其包含鎢。
如請求項1之半導體裝置，其中 <br/>上述電極包含：多晶矽之第1構件，其包含上述第1導電型雜質；及矽化物部，其將上述第1構件中包含與上述第3接觸電極之接觸部之區域矽化；且 <br/>上述第1電極構件及上述第2電極構件係包含多晶矽之構件，上述多晶矽之構件係包含上述第1導電型雜質或與上述第1導電型不同之上述第2導電型雜質。
如請求項1之半導體裝置，其中 <br/>上述第1導電型雜質係N型雜質。
一種屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，包括：一芯體，由金屬粉末粉末外面披覆一層樹脂鑄壓而成，包括一上芯體平面、一下芯體平面、一第一芯體邊面、一第二芯體邊面、一第三芯體邊面、與一第四芯體邊面，且該下芯體平面包括一第一凹部、一第二凹部、一第三凹部與一第四凹部；一線圈，具有一第一線圈端與一第二線圈端，安裝於該芯體內；一第一L型線圈引腳料片，具有該第一L型線圈引腳料片的一第一引腳端與該第一L型線圈引腳料片的一第二引腳端，該第一L型線圈引腳料片的該第一引腳端臨接該第一芯體邊面並與該第一線圈端電性連接，且該第一L型線圈引腳料片的該第二引腳端崁接該第一凹部；一第二L型線圈引腳料片，具有該第二L型線圈引腳料片的一第一引腳端與該第二L型線圈引腳料片的一第二引腳端，該該第二L型線圈引腳料片的該第一引腳端臨接該第二芯體邊面並與該第二線圈端電性連接，且該第二L型線圈引腳料片的該第二引腳端崁接該第二凹部；一開口金屬屏蔽盒體，包括一上盒平面、一第一盒邊面、一第二盒邊面、一T型第三盒邊面、與一T型第四盒邊面，其中，該T型第三盒邊面之一中部與該第三芯體邊面臨接並崁接該第三凹部，且該T型第四盒邊面之一中部與該第四芯體邊面臨接並崁接該第四凹部；以及 一導熱膏，耦接該芯體之該上芯體平面之外面部與該開口金屬屏蔽盒體之該上盒平面之內面部，<br/> 其中，該導熱膏進一步耦接該芯體該第一芯體邊面之外面部與該開口金屬屏蔽盒體之該第一盒邊面之內面部、該芯體該第二芯體邊面之外面部與該開口金屬屏蔽盒體之該第二盒邊面之內面部、該芯體該第三芯體邊面之外面部與該開口金屬屏蔽盒體之該第三盒邊面之內面部，以及該芯體該第四芯體邊面之外面部與該開口金屬屏蔽盒體之該第四盒邊面之內面部。
如請求項1之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，其中，該芯體為一正立方體或一長立方體。
如請求項1之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，其中，該開口金屬屏蔽盒體為一開口正方型金屬屏蔽盒體或一開口長方型金屬屏蔽盒體。
如請求項1之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，其中，該導熱膏之基質材料由矽氧樹脂、聚氨酯及丙烯酸酯聚合物所組成的群組之任一。
如請求項1之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，其中，該導熱膏之導熱材料由金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼及氧化鋅所組成的群組之任一。
如請求項1之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器，其中，該第一盒邊面與該第二盒邊面為一長方形。
一種屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器製造方法，包括： 備置一金屬粉末鑄壓電感器； <br/> 備置一開口金屬屏蔽盒體；<br/> 備置一導熱膏於該金屬粉末鑄壓電感器之一芯體之一上芯體平面之外面部； 及<br/> 將該開口金屬屏蔽盒體蓋壓包覆該金屬粉末鑄壓電感器，<br/> 其中，該開口金屬屏蔽盒體進一步包括：一上盒平面、一第一盒邊面、一第二盒邊面、一T型第三盒邊面、與一T型第四盒邊面；該金屬粉末鑄壓電感器進一步：包括一上芯體平面、一下芯體平面、一第一芯體邊面、一第二芯體邊面、一第三芯體邊面、與一第四芯體邊面，且該下芯體平面包括一第一凹部、一第二凹部、一第三凹部與一第四凹部；且其中，該T型第三盒邊面之一中部與該第三芯體邊面臨接並崁接該第三凹部，且該T型第四盒邊面之一中部與該第四芯體邊面臨接並崁接該第四凹部，<br/> 且其中，該導熱膏進一步耦接於該芯體之該上芯體平面與該開口金屬屏蔽盒體之該上盒平面之間，且該芯體之第一芯體邊面與該開口金屬屏蔽盒體之該第一盒邊面之間、該芯體之第二芯體邊面與該開口金屬屏蔽盒體之該第二盒邊面之間、該芯體之第三芯體邊面與該開口金屬屏蔽盒體之該第三盒邊面之間、該芯體之第四芯體邊面與該開口金屬屏蔽盒體之該第四盒邊面之間。
請求項7之屏蔽式金屬粉末鑄壓電感器製造方法，其中，該導熱膏之基質材料由矽氧樹脂、聚氨酯及丙烯酸酯聚合物所組成的群組之任一，且該導熱膏之導熱材料由金剛石、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼及氧化鋅所組成的群組之任一。
一種電子鎖，適用於連結於一個安裝在門體的鎖閂機構，該電子鎖包含：<br/> 一個殼座；<br/> 一個轉鈕，安裝在該殼座且用以連結於該鎖閂機構，並可被驅轉以傳動該鎖閂機構上鎖或解鎖；<br/> 一個傳動機構，安裝在該殼座，包括一個馬達模組、一個連結於該轉鈕的主齒輪，及一個連結於該主齒輪與該馬達模組間的傳動齒輪組，該馬達模組可被控制運轉，而經由該傳動齒輪組驅轉該主齒輪，使該主齒輪在一個相對該轉鈕空轉的空轉狀態，及一個推動該轉鈕同步旋轉的驅動狀態間變化；及<br/> 一個控制裝置，安裝在該殼座，包括一個訊號連接該馬達模組的控制模組，及一個電連接設置在該控制模組且連結於該傳動齒輪組的編碼器，該編碼器可被該傳動齒輪組之運轉驅動而產生一個感測訊號，該控制模組內建有一個解鎖功能與一個上鎖功能，該控制模組於被操作執行該解鎖功能與該上鎖功能之任一者時，都會控制該馬達模組先後驅使該主齒輪朝對應之一第一時針方向與一第二時針方向轉動，而先後以該驅動狀態與該空轉狀態的方式旋轉，且該控制模組會分析該感測訊號以得到一個轉動資訊，並會根據該轉動資訊變化，對應控制該馬達模組的運轉。
如請求項1所述的電子鎖，其中，該控制模組內建有會擇一啟動的一個第一開門向設定與一個第二開門向設定，該控制模組於被啟動並執行該解鎖功能時，會根據當前啟動之該第一開門向設定或該第二開門向設定，控制該傳動機構之該主齒輪往對應之一第一時針方向或一第二時針方向旋轉變化至該驅動狀態，並於判斷該轉動資訊符合一個解鎖條件時，控制該傳動機構之該主齒輪反向往該第二時針方向或該第一時針方向旋轉變化至該空轉狀態，該控制模組於接續分析判斷該轉動資訊符合一個解鎖回歸條件時，會控制該傳動機構停止運轉，並記錄一個解鎖記錄；該控制模組於被啟動並執行該上鎖功能時，會根據當前啟動之該第一開門向設定或該第二開門向設定，控制該傳動機構之該主齒輪往對應之該第二時針方向或該第一時針方向旋轉變化至該驅動狀態，並於判斷該轉動資訊符合一個上鎖條件時，控制該傳動機構之該主齒輪反向往該第一時針方向或該第二時針方向旋轉變化至該空轉狀態，該控制模組於接續分析判斷該轉動資訊符合一個上鎖回歸條件時，會控制該傳動機構停止運轉，並記錄一個上鎖記錄。
如請求項2所述的電子鎖，其中，該控制模組於被啟動該解鎖功能時，會先判斷其最後之記錄為該解鎖記錄或該上鎖記錄，該控制模組會於判斷最後之記錄為該解鎖記錄時，不執行該解鎖功能，並發出一個警示訊息，該控制模組會於判斷最後之記錄為該上鎖記錄時，開始執行該解鎖功能；該控制模組於被啟動該上鎖功能時，會先判斷其最後之記錄為該解鎖記錄或該上鎖記錄，該控制模組會於判斷最後之記錄為該上鎖記錄時，不執行該上鎖功能，並發出一個警示訊息，該控制模組會於判斷最後之記錄為該解鎖記錄時，開始執行該上鎖功能。
如請求項1所述的電子鎖，其中，該控制裝置還包括一個設置在該轉鈕且會被該轉鈕同步連動旋轉位移的磁鐵，及一個電連接設置在該控制模組的霍爾感測器，當該轉鈕變化至一上鎖位置時，會帶動該磁鐵觸發該霍爾感測器，而使該霍爾感測器產生一個感應訊號，該控制模組還內建有一個可被操作啟動的開門向判斷功能，該控制模組於被啟動該開門向判斷功能時，會在判斷該霍爾感測器未產生該感應訊號的情況下，先控制該傳動機構的該主齒輪往一第一時針方向旋轉，並於判斷該轉動資訊停止變化時，判斷是否收到該感應訊號，該控制模組會於判斷收到該感應訊號時，啟動一第一開門向設定，而將該第一時針方向設定為上鎖方向，並將一相反於該第一時針方向之第二時針方向設定為解鎖方向，該控制模組未收到該感應訊號時，會控制該傳動機構的該主齒輪往該第二時針方向旋轉，並於判斷該轉動資訊停止變化時，判斷是否收到該感應訊號，該控制模組會於判斷收到該感應訊號時，啟動一第二開門向設定，而將該第二時針方向設定為上鎖方向，並將該第一時針方向設定為解鎖方向。
如請求項4所述的電子鎖，其中，該控制模組還內建有一個初次解鎖功能，該控制模組於啟動該第一開門向設定與該第二開門向設定之任一者時，會主動執行該初次解鎖功能一次，該控制模組於執行該初次解鎖功能時，會根據當前啟動之該第一開門向設定或該第二開門向設定，控制該傳動機構之該主齒輪往對應之該第一時針方向或該第二時針方向旋轉變化至該驅動狀態，該控制模組會於判斷該轉動資訊符合一個初次解鎖條件時，控制該傳動機構之該主齒輪反向往對應之該第二時針方向或該第一時針方向旋轉變化至該空轉狀態，該控制模組於接續分析判斷該轉動資訊符合一解鎖回歸條件時，會控制該傳動機構停止運轉，並記錄一個解鎖記錄。
如請求項4所述的電子鎖，其中，該控制模組於控制該傳動機構的該主齒輪往該第二時針方向旋轉，並在判斷該轉動資訊停止變化後，判斷未收到該感應訊號時，會發出一個警示訊息。
如請求項2所述的電子鎖，其中，該控制模組於執行該上鎖功能時，會在判斷該轉動資訊超過一預定時間仍未變化至符合該上鎖條件時，累計上鎖失敗次數一次，並於判斷所述上鎖失敗次數小於n1時，控制該傳動機構之該主齒輪反向往對應之該第一時針方向或該第二時針方向旋轉，直至該轉動資訊停止變化，然後重新執行該上鎖功能，該控制模組會於所述上鎖失敗次數累計等於n1時，發出一個上鎖失敗訊息，並控制該傳動機構之該主齒輪反向往對應之該第一時針方向或該第二時針方向旋轉，直至該轉動資訊停止變化，n1是一個整數。
如請求項2所述的電子鎖，其中，該控制模組於執行該解鎖功能時，會在判斷該轉動資訊超過一預定時間仍未變化至符合該解鎖條件時，累計解鎖失敗次數一次，並於判斷所述解鎖失敗次數小於n2時，控制該傳動機構之該主齒輪反向往對應之該第二時針方向或該第一時針方向旋轉，直至該轉動資訊停止變化，然後重新執行該解鎖功能，該控制模組會於所述解鎖失敗次數累計等於n2時，發出一個解鎖失敗訊息，並控制該傳動機構之該主齒輪反向往對應之該第二時針方向或該第一時針方向旋轉，直至該該轉動資訊停止變化，n2是一個整數。
一種半導體裝置結構，包括：<br/> 一鰭式結構；<br/> 一閘極結構，在該鰭式結構上方形成；<br/> 一源極/汲極區域，接觸該鰭式結構；<br/> 一接觸蝕刻停止層，設置在該源極/汲極區域上方；以及<br/> 一閘極側壁間隔物，設置在該閘極結構的一側壁上方，其中該閘極側壁間隔物包括：<br/> 一第一介電層，接觸該鰭式結構，其中該鰭式結構包括兩個或多個半導體通道層，一個或多個內部間隔物設置在該兩個或多個半導體通道層之間，以及該第一介電層接觸該兩個或多個半導體通道層和該一個或多個內部間隔物；<br/> 一第二介電層，接觸該閘極結構，以及<br/> 一第三介電層，接觸該接觸蝕刻停止層，其中該第二介電層設置在該第一介電層和該第三介電層之間。
如請求項1所述之半導體裝置結構，其中該第一介電層接觸該閘極結構和該源極/汲極區域。
如請求項1所述之半導體裝置結構，其中該第二介電層接觸該閘極結構和該源極/汲極區域。
一種半導體裝置結構，包括：<br/> 一源極/汲極區域，設置在一基板上方；<br/> 一鰭式結構，接觸該源極/汲極區域；<br/> 一閘極結構，設置在該鰭式結構上方；<br/> 一底部介電層，設置在該鰭式結構的一端部上方，其中該底部介電層接觸該閘極結構和該鰭式結構，其中該鰭式結構包括兩個或多個半導體通道層，一個或多個內部間隔物設置在該兩個或多個半導體通道層之間，以及該底部介電層接觸該兩個或多個半導體通道層和該一個或多個內部間隔物；以及<br/> 一閘極側壁間隔物，設置在該閘極結構的一側壁和該底部介電層上方。
如請求項4所述之半導體裝置結構，其中該閘極結構的該側壁和該鰭式結構的一頂表面形成一角度，該角度的範圍自約95度至約105度。
如請求項5所述之半導體裝置結構，其中該底部介電層具有一第一介電常數，該閘極側壁間隔物具有一第二介電常數，該第一介電常數大於該第二介電常數。
一種形成半導體裝置結構的方法，包括：<br/> 自一基板形成一鰭式結構；<br/> 沉積一第一犧牲層圍繞該鰭式結構；<br/> 沉積一第二犧牲層在該第一犧牲層上方；<br/> 蝕刻該第二犧牲層和該第一犧牲層以形成一犧牲閘極結構；<br/> 沉積一閘極側壁間隔物堆疊，其中該閘極側壁間隔物堆疊包括一底層、一第一內層、一第二內層和一頂層，該底層具有一第一介電常數，該第一內層具有一第二介電常數，該第一介電常數大於該第二介電常數；<br/> 凹陷蝕刻該鰭式結構的一部分；<br/> 自暴露的該鰭式結構形成一源極/汲極區域；<br/> 移除該第二犧牲層和該第一犧牲層；<br/> 移除該底層的一部分以暴露該第一內層；<br/> 沉積一閘極介電層在該鰭式結構上方，其中該閘極介電層沉積在該第一內層上方；以及<br/> 沉積一閘極電極層在該閘極介電層上方。
如請求項7所述之方法，其中該凹陷蝕刻該鰭式結構的一部分包括移除該頂層。
如請求項7所述之方法，其中各該第二犧牲層包括：<br/> 執行一第一蝕刻製程以形成一犧牲閘極電極層，其中形成一副產物層在該犧牲閘極電極層上方，各該犧牲閘極電極層和該副產物層包括一個或多個角部；<br/> 執行一第二蝕刻製程以移除該副產物層的該一個或多個角部，以暴露該犧牲閘極電極層的該一個或多個角部；以及<br/> 執行一第三蝕刻製程以移除該犧牲閘極電極層的該一個或多個角部中的至少一個。
如請求項7所述之方法，其中該沉積該閘極側壁間隔物堆疊包括：<br/> 自一製程氣體沉積該底層，該製程氣體包括一矽源、一氮源、一碳源和一氧源；以及<br/> 停止該氮源的一流速以形成該第一內層。
一種形成一金屬氧化矽層及一金屬氮氧化矽層中之一或多者的方法，該方法包括下列步驟：<br/> 於一反應器的一反應室內提供一基板；<br/> 提供一矽前驅物至該反應室，並持續一矽前驅物脈衝時段；<br/> 提供一第一金屬前驅物至該反應室，並持續一第一金屬前驅物脈衝時段；以及<br/> 提供一第一反應物至該反應室，並持續一第一反應物脈衝時段，<br/> 其中該第一反應物脈衝時段重疊於該矽前驅物脈衝時段及該第一金屬前驅物脈衝時段，並且<br/> 其中在提供該第一反應物的步驟的期間施加一電漿持續一電漿時段。
如請求項1之方法，更包括形成金屬氮氧化矽層。
如請求項1之方法，其中該電漿時段及該矽前驅物脈衝時段不重疊。
如請求項1之方法，其中該電漿時段及該第一金屬前驅物脈衝時段不重疊。
如請求項1之方法，其中該第一反應物脈衝時段係與該矽前驅物脈衝時段連續通過一或多個沉積循環。
如請求項1之方法，更包括將一第二金屬前驅物提供至該反應室，並持續一第二金屬前驅物脈衝時段的一步驟。
如請求項1之方法，更包括將一第二反應物提供至該反應室，並持續一第二反應物脈衝時段的一步驟，其中該第二反應物脈衝時段與該第一反應物脈衝時段重疊。
如請求項7之方法，其中該第一反應物及該第二反應物中之一者係包括一氧反應物，且該第一反應物及該第二反應物中之另一者係包括一氮反應物。
如請求項8之方法，其中該氧反應物係選自由氧氣（O<sub>2</sub>）、一氧化碳、二氧化碳、一氧化二氮、臭氧及水所組成之群組。
如請求項8之方法，其中該氮反應物係選自由氮氣 （N<sub>2</sub>）及氨所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該矽前驅物係包括一矽烷、一胺基矽烷、一甲氧基矽烷及/或一乙氧基矽烷。
如請求項11之方法，其中該矽前驅物係選自由雙二乙基胺基矽烷、（3-甲氧基丙基）三甲氧基矽烷、及四乙氧基矽烷所組成之群組。
如請求項1之方法，其中該第一金屬前驅物係包括一鈦前驅物、一鉿前驅物、一鉭前驅物及一鎢前驅物中之一或多者。
如請求項6之方法，其中該第二金屬前驅物係包括一鈦前驅物、一鉿前驅物、一鉭前驅物及一鎢前驅物中之一或多者，並且其中該第二金屬前驅物中的一金屬與該第一金屬前驅物中的一金屬不同。
如請求項14之方法，其中該鈦前驅物係選自由異丙醇鈦、及四（二甲基胺基）鈦所組成之群組。
如請求項6之方法，其中該第一金屬前驅物及該第二金屬前驅物中之一或二者係包括直接鍵結至一氮原子及一氧原子中之一或多者的一金屬原子。
如請求項6之方法，其中該第一金屬前驅物及該第二金屬前驅物中之一或二者係包括一金屬有機前驅物。
如請求項6之方法，其中該第一金屬前驅物及該第二金屬前驅物中之一或二者係包括一烷基醯胺或一烷氧化物。
如請求項1之方法，其中該金屬氧化矽層或該金屬氮氧化矽層的一光學常數係藉由調整該矽前驅物及該第一金屬前驅物中之一或多者的一流率、及/或該矽前軀物及該第一金屬前驅物的一流率比，而進行調整。
一種被動磁滯電流源電路，包括： <br/>一上臂開關； <br/>一下臂開關，串聯連接該上臂開關於一共接點形成一輸入側，其中該上臂開關接收一輸入電壓，且該下臂開關連接一接地端； <br/>一電感元件，具有一第一端與一第二端，該第一端連接該共接點，該第二端輸出流經該電感元件的一輸出電流；以及 <br/>一控制器，接收相應該輸出電流的一電流電壓信號與一參考電壓信號，且比較該電流電壓信號與該參考電壓信號； <br/>其中基於該參考電壓信號大於該電流電壓信號，該控制器導通該上臂開關且關斷該下臂開關，且基於該參考電壓信號小於該電流電壓信號，該控制器關斷該上臂開關且導通該下臂開關，以提供恆定大小的該輸出電流。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中 <br/>該上臂開關，具有一第一端、一第二端以及一控制端； <br/>該下臂開關，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該下臂開關的該第一端連接該上臂開關的該第二端於該共接點，其中該上臂開關的該第一端接收該輸入電壓，且該下臂開關的該第二端連接該接地端；以及 <br/>該電感元件的該第二端與一負載端形成一電流電源供應器的一輸出側。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中 <br/>該上臂開關，具有一第一端、一第二端以及一控制端； <br/>該下臂開關，具有一第一端、一第二端以及一控制端，該下臂開關的該第一端連接該上臂開關的該第二端於該共接點，其中該上臂開關的該第一端接收該輸入電壓，且該下臂開關的該第二端連接該接地端；以及 <br/>該電感元件的該第二端與一接地端形成一電流負載器的一輸出側。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中該輸出電流可因應該參考電壓信號的調整進而相應地改變。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中該控制器提供一上臂開關控制信號控制該上臂開關，提供一下臂開關控制信號控制該下臂開關。
如請求項5所述之被動磁滯電流源電路，其中該上臂開關控制信號與該下臂開關控制信號為方波信號，以完全導通或完全關斷該上臂開關與該下臂開關。
如請求項5所述之被動磁滯電流源電路，其中該上臂開關控制信號與該下臂開關控制信號為準位互補的信號。
如請求項5所述之被動磁滯電流源電路，其中該控制器包括： <br/>一比較器，具有一第一輸入端、一第二輸入端以及一輸出端；該第一輸入端接收該參考電壓信號，該第二輸入端接收該電流電壓信號； <br/>其中該比較器比較該參考電壓信號與該電流電壓信號後，透過該輸出端輸出該上臂開關控制信號與該下臂開關控制信號。
如請求項8所述之被動磁滯電流源電路，其中該比較器為一運算放大器。
如請求項8所述之被動磁滯電流源電路，其中該比較器更包括： <br/>一反相單元，連接該比較器的該輸出端，接收該上臂開關控制信號，且對該上臂開關控制信號的準位反相改變為該下臂開關控制信號。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中當該參考電壓信號大於該電流電壓信號時，該輸出電流增加；當該參考電壓信號小於該電流電壓信號時，該輸出電流減少。
如請求項1所述之被動磁滯電流源電路，其中該電感元件提供該上臂開關與該下臂開關磁滯地導通與關斷。
如請求項2所述之被動磁滯電流源電路，其中該輸出側連接 <br/>一負載，該負載連接於該輸出側與該地端之間。
如請求項3所述之被動磁滯電流源電路，其中該輸出側直接連接該接地端。
一種氨純化之系統，其包括： <br/>具有至少兩個壓縮級之多級壓縮系統，其用於將經洗滌氨流分離成不可凝蒸氣流及無水氨液體產物流； <br/>氨汽提塔，其用於將酸水液體流分離成第一氨蒸氣流及液體流出物流； <br/>鹼分餾塔，其與廢棄鹼流流體連通以用於產生液體底部流及塔頂蒸氣流； <br/>冷凝器，其與該塔頂蒸氣流流體連通以用於產生包括水及氨之兩相流；及 <br/>回流罐，其用於將該兩相流分離成液體水流及第二氨蒸氣流。
如請求項1之系統，其中該多級壓縮系統包括： <br/>第一級壓縮機抽吸滾筒，其用於將該經洗滌氨流分離成廢水液體流及鹼蒸氣流； <br/>第一級氨壓縮機，其用於升高該鹼蒸氣流之壓力； <br/>第一級熱交換器，其位於該第一級氨壓縮機下游且用於冷卻該鹼蒸氣流； <br/>第二級壓縮機抽吸滾筒，其位於該第一級熱交換器下游且用於將該鹼蒸氣流分離成第三氨蒸氣流及酸水液體流； <br/>第二級氨壓縮機，其用於升高該第三氨蒸氣流之壓力； <br/>第二級熱交換器，其位於該第二級氨壓縮機下游且用於冷卻該第三氨蒸氣流；及 <br/>氨分離器，其位於該第二級熱交換器下游且用於將該第三氨蒸氣流分離成不可凝蒸氣流及無水氨液體產物流。
如請求項2之系統，其進一步包括與該經洗滌氨流流體連通且位於該第一級壓縮機抽吸滾筒上游之前級熱交換器。
如請求項3之系統，其進一步包括與該經洗滌氨流流體連通且位於該前級熱交換器上游之另一液體水流。
如請求項3之系統，其中該前級熱交換器、該第一級熱交換器及該第二級熱交換器各自包括氣冷式冷凝冷卻器。
如請求項1之系統，其進一步包括與該氨汽提塔流體連通之獨立新蒸汽流。
一種氨純化之方法，其包括： <br/>將經洗滌氨流分離成酸水液體流、不可凝蒸氣流及無水氨液體產物流； <br/>將該酸水液體流分離成第一氨蒸氣流及液體流出物流； <br/>將廢棄鹼流引入鹼分餾塔以用於產生液體底部流及塔頂蒸氣流； <br/>將該塔頂蒸氣流引入至冷凝器中以用於產生包括水及氨之兩相流；及 <br/>將該兩相流分離成液體水流及第二氨蒸氣流。
如請求項7之方法，其中該經洗滌氨流藉由具有至少兩個壓縮級之多級壓縮系統分離成該不可凝蒸氣流及該無水氨液體產物流。
如請求項7之方法，其中該酸水液體流藉由氨汽提塔分離成該第一氨蒸氣流及該液體流出物流。
如請求項7之方法，其中該兩相流藉由回流罐分離成該液體水流及該第二氨蒸氣流。
如請求項8之方法，其進一步包括在該至少兩個壓縮級上游之位置及該至少兩個壓縮級中之一者下游之位置中之一者處將另一液體水流引入至該多級壓縮系統中。
如請求項9之方法，其進一步包括將獨立新蒸汽流引入至該氨汽提塔中。
一種半導體元件，使用III族氮化物半導體；具有：<br/>無摻雜之第一半導體層；<br/>無摻雜之第二半導體層，設在該第一半導體層上，其帶隙能量大於該第一半導體層；<br/>無摻雜之第三半導體層，設在該第二半導體層上，其帶隙能量小於該第二半導體層；<br/>P型之第四半導體層，設在該第三半導體層上；<br/>閘極電極，設在該第四半導體層上；<br/>源極電極，設在該第二半導體層上；及<br/>汲極電極，設在該第二半導體層上且隔著該閘極電極與該源極電極對向之位置；<br/>在該第三半導體層上，該閘極電極與該汲極電極之間的區域設有：不存在該第四半導體層的極化超接合區；<br/>該第三半導體層在該極化超接合區之厚度為30nm以上；<br/>該第三半導體層在該第四半導體層下之厚度、與該第三半導體層在該極化超接合區之厚度，兩者之差為15nm以上；<br/>漏洩電流為1μA以下，開啟時間為20ns以下。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>該第三半導體層在該第四半導體層下之厚度、與該第三半導體層在該極化超接合區之厚度，兩者之差為20nm以上。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>該第三半導體層在該第四半導體層下之厚度，為90nm以上。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>該第三半導體層在該極化超接合區之P型雜質濃度，為5×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>該第三半導體層在該極化超接合區之P型雜質濃度，為1×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>在該第一半導體層中且該第一半導體層與該第二半導體層之界面附近所形成之二維電子氣之濃度，為1.2×10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>以上；<br/>在該第三半導體層中且該第二半導體層與該第三半導體層之界面附近所形成之二維電洞氣之濃度，為0.8×10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>以上；<br/>該二維電子氣之濃度、與該二維電洞氣之濃度，兩者之差為0.8×10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1之半導體元件，其中，<br/>該第三半導體層在該極化超接合區之厚度的面內變動，為10～30nm。
一種按壓式彈跳排水門檻，包括：<br/>一排水槽，係設於一門口地面下方處，該排水槽底部係設有至少一排水孔；<br/>至少一彈跳組件，係設於該排水槽上，該彈跳組件包括：<br/>一底座，係設於該排水槽上，該底座上係設有至少一限位部；<br/>一上座，係設於該底座上方處，該上座內側壁處係包括有數個上導軌部、數個位於各該上導軌部之間的上轉移部、數個設於各該上導軌部下方處之下導軌部、及一位於各該上導軌部及各該下導軌部之間的移動空間，且該上轉移部之位置係對應該下導軌部；<br/>一彈性元件，其一端係與該底座結合，另一端係與該上座結合；及<br/>一門檻件，係設於該上座上並與該上座連動，該門檻件與該排水槽之間係具有一排水道。
如請求項1所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該上座係具有一第一上座、及一與該第一上座固設之第二上座，該第一上座係具有各該下導軌部，該第二上座係具有各該上導軌部及各該上轉移部。
如請求項2所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該第一上座與該第二上座之固設方式係為黏合固定、螺紋鎖固、或卡固卡掣其中之一者。
如請求項1所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該底座上係具有一供一螺栓穿設之固定孔，以使該底座可與該排水槽相互固定。
如請求項1所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該排水槽上係設有數個第一導引件，該門檻件下方處係設有數個與各該第一導引件相互套設之第二導引件。
如請求項5所述之按壓式彈跳排水門檻，其中各該第一導引件與各該第二導引件之間係設有一導引彈性件。
如請求項1所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該上座與該門檻件之結合方式為黏合固定、螺紋鎖固、或卡固卡掣其中之一者。
如請求項1所述之按壓式彈跳排水門檻，其中該底座上係具有可供限制該彈性元件位置之底座固定部。
一種半導體元件，包括：<br/> 高頻輸入端子；<br/> 輸入偏置端子；<br/> 高頻輸出端子；<br/> 輸出偏置端子；<br/> 基板；<br/> 第一電晶體，配置於該基板的上端；<br/> 層疊型的第一電容器結構體，在該基板中配置於該第一電晶體的一側且與該第一電晶體相連接，來與該高頻輸入端子及該輸入偏置端子相連接，並阻塞該高頻輸入端子的輸入直流成分；<br/> 第二電晶體，配置於該基板的上端；<br/> 層疊型的第二電容器結構體，在該基板中配置於該第二電晶體的一側且與該第二電晶體相連接，來與該高頻輸出端子及該輸出偏置端子相連接，並阻塞該高頻輸出端子的輸出直流成分；以及<br/> 匹配電路，配置於該基板的上端，並與該第一電晶體及該第二電晶體進行電連接，<br/> 該半導體元件由包括該基板、該第一電晶體、該第一電容器結構體、該第二電晶體、該第二電容器結構體及該匹配電路的一個晶片製作而成，<br/> 該第一電容器結構體包括：<br/> 第一導電板，與該第一電晶體的閘極端子及該輸入偏置端子相連接；<br/> 第二導電板，與該基板相連接；<br/> 第三導電板，與該高頻輸入端子相連接；<br/> 第一電介質，設置於該第一導電板和該第二導電板之間；以及<br/> 第二電介質，設置於該第一導電板和該第三導電板之間。
如請求項1所述的半導體元件，其中，<br/> 第一電容器包括該第一導電板、該第二導電板及該第一電介質，<br/> 第二電容器包括該第一導電板、該第三導電板及該第二電介質。
如請求項1所述的半導體元件，其中，<br/> 還包括與該第一電晶體及該輸入偏置端子相連接的第一電阻器。
如請求項1所述的半導體元件，其中，<br/> 該第三導電板通過第一電線與該高頻輸入端子相連接，<br/> 該第一導電板通過第二電線與該第一電晶體相連接。
如請求項1所述的半導體元件，其中，<br/> 該第二電容器結構體包括：<br/> 第四導電板，與該高頻輸出端子相連接；<br/> 第五導電板，與該基板相連接；<br/> 第六導電板，與該輸出偏置端子及該第二電晶體的汲極端子相連接；<br/> 第三電介質，設置於該第四導電板和該第五導電板之間；以及<br/> 第四電介質，設置於該第四導電板和該第六導電板之間。
如請求項5所述的半導體元件，其中，<br/> 該輸入偏置端子包括第一輸入偏置端子及第二輸入偏置端子，<br/> 該第一導電板與該第一輸入偏置端子相連接，<br/> 該半導體元件還包括與該第二電晶體的閘極端子及第二輸入偏置端子相連接的第二電阻器。
如請求項6所述的半導體元件，其中，<br/> 該第四導電板通過第五電線與該高頻輸出端子相連接，<br/> 該第六導電板通過第六電線與該輸出偏置端子相連接，並通過第七電線與該第二電晶體的汲極端子相連接。
如請求項1所述的半導體元件，其中，<br/> 在該基板中，<br/> 該第一電晶體和該第二電晶體之間的傳輸線路形成圖案。
如請求項8所述的半導體元件，其中，<br/> 在該基板的上端形成有：<br/> 第一圖案，對應於通過電線來實現與該第一電晶體及該第二電晶體的連接或短路的開路殘段；<br/> 第二圖案，為了實現該第一電晶體和該第二電晶體之間的匹配而形成；以及<br/> 第三圖案，對應於通過電線來實現與該第一電晶體及該第二電晶體的連接或短路的開路殘段。
如請求項9所述的半導體元件，其中，<br/> 在該第二圖案的上端配置有該輸入偏置端子以及連接有該第一電晶體的第一單層電容器。
如請求項10所述的半導體元件，其中，<br/> 該匹配電路還包括：<br/> 第二單層電容器，與該第一圖案相連接，在該第一電晶體和該第二電晶體之間起到匹配作用；<br/> 第三單層電容器，與該第一圖案相連接，在該第一電晶體和該第二電晶體之間起到匹配作用；以及<br/> 層疊型的第三電容器結構體，與該第三單層電容器及該第二電晶體相連接，在該第一電晶體和該第二電晶體之間起到匹配作用。
如請求項3所述的半導體元件，其中，<br/> 該第一電阻器通過第三電線與該第一電晶體相連接，並通過第四電線與該高頻輸入端子相連接。
一種積體電路，包括雪崩光電二極體元件陣列，其中：<br/> 所述雪崩光電二極體元件陣列的第一雪崩光電二極體元件包括：<br/> 吸收區，包括吸收半導體，所述吸收區經組態以響應入射光子產生電荷載子；<br/> 倍增區，包括倍增半導體的二極體，所述倍增區經組態以響應產生的電荷載子漂移進入所述倍增區而產生包括電荷載子的雪崩電流；<br/> 第一型摻雜區，用於收集所述雪崩電流的電荷載子，其中所述第一型摻雜區為所述倍增區的一部分；<br/> 網格結構，包圍所述吸收區；以及<br/> 抵接接觸件，包括與所述第一型摻雜區接觸的深接觸部分以及連接到所述網格結構的相應部分的網格部分。
如請求項1所述的積體電路，其中所述雪崩光電二極體是經組態以在蓋革模式下操作的單光子雪崩二極體。
如請求項1所述的積體電路，其中：<br/> 所述吸收半導體是鍺；以及<br/> 所述倍增半導體是矽。
如請求項1所述的積體電路，其中：<br/> 所述倍增區的所述二極體包括覆蓋並鄰接N型區的P型區，所述兩個區形成P-N接面；<br/> 所述N型區電性連接到所述抵接接觸件的深接觸部分；<br/> 所述吸收區電性連接到偏壓接觸件；以及<br/> 所述積體電路經組態以分別偏壓所述抵接接觸件和所述偏壓接觸件，以在所述P-N接面上產生反向偏壓，並產生足以加速所產生的電荷載子以產生所述雪崩電流的電場。
如請求項1所述的積體電路，其中所述抵接接觸件包括鎢。
如請求項1所述的積體電路，其中所述第一雪崩光電二極體元件進一步包括包圍所述倍增區的深P型井，所述深P型井包括位於所述倍增區下方的平面部分和包圍所述倍增區的側壁部分。
如請求項1所述的積體電路，其中：<br/> 所述陣列進一步包括與所述第一雪崩光電二極體元件相鄰的第二雪崩光電二極體元件；<br/> 所述第二雪崩光電二極體元件包括：<br/> 包括所述吸收半導體的吸收區，所述吸收區經組態以響應入射光子產生電荷載子；<br/> 包括所述倍增半導體的二極體的倍增區，所述倍增區經組態以響應漂移進入所述倍增區的所產生的電荷載子而產生包括電荷載子的雪崩電流；<br/> 用於收集所述雪崩電流的電荷載子的第一型摻雜區，其中所述第一型摻雜區為所述第二雪崩光電二極體元件的所述倍增區的一部分；<br/> 包圍所述吸收區的網格結構；以及<br/> 抵接接觸件，包括與所述第一型摻雜區接觸的深接觸部分以及連接到所述網格結構的相應部分的網格部分；以及<br/> 所述第一雪崩光電二極體元件和所述第二雪崩光電二極體元件共用一些介於其間的特徵，使得所述第一雪崩光電二極體的所述網格結構的部分也是所述第二雪崩光電二極體的所述網格結構的部分。
一種單光子雪崩二極體，包括：<br/> 包括吸收半導體的吸收區，所述吸收區經組態以響應入射光子產生電荷載子；<br/> 包括倍增半導體的二極體的倍增區，所述倍增區經組態以響應產生的電荷載子漂移進入所述倍增區而產生包括電荷載子的雪崩電流；<br/> 用於收集所述雪崩電流的電荷載子的第一型摻雜區，其中所述第一型摻雜區為所述倍增區的一部分；<br/> 包圍所述吸收區的導電網格結構；以及<br/> 抵接接觸件，包括延伸至所述第一型摻雜區的接觸部分的通孔部分以及從所述通孔部分橫向延伸至所述導電網格結構的凸起主體部分。
一種形成積體電路裝置的方法，所述方法包括：<br/> 形成第一型摻雜區和覆蓋其上的第二型摻雜區，以形成倍增區，所述倍增區經組態以響應產生的電荷載子漂移進入所述倍增區而產生包括電荷載子的雪崩電流；<br/> 形成覆蓋所述倍增區的吸收區，所述吸收區經組態以響應入射光子產生所述電荷載子；<br/> 形成包圍所述吸收區的網格結構；以及<br/> 形成抵接接觸件，包括與所述第一型摻雜區接觸的深接觸部分和連接至所述網格結構的相應部分的網格部分。
如請求項9所述的方法，其中：<br/> 所述倍增區包括矽；以及<br/> 所述吸收區包括鍺。
一種帕利哌酮棕櫚酸酯用於製備治療有需要之患者中思覺失調症、情感性思覺失調症、類思覺失調症、或躁鬱症之藥物的用途，該患者已被投予第一劑量的具有6個月給藥間隔之第一帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP6M」）（第一懸浮液），其中： <br/>在投予該第一懸浮液之所述第一劑量之後超過六個月又三週但在投予該第一懸浮液之所述第一劑量之後不到八個月的時間，在該患者之三角肌中投予重新起始負載劑量的具有一個月給藥間隔之第二帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP1M」）（第二懸浮液）；及 <br/>在投予該第二懸浮液之該重新起始負載劑量之後一個月（± 7天）的時間，在該患者之該三角肌或臀肌中投予該第一懸浮液之維持劑量， <br/>其中在該第一懸浮液之所述第一劑量以及該第二懸浮液之該重新起始負載劑量之間無帕利哌酮棕櫚酸酯之中間劑量，且在該第二懸浮液之該重新起始負載劑量與該第一懸浮液之該維持劑量之間無帕利哌酮棕櫚酸酯之中間劑量， <br/>其中所述PP6M（第一懸浮液）包含312 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯， <br/>並且其中： <br/>(i) 該第一懸浮液之該第一劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；該第二懸浮液之該重新起始負載劑量包含156 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(ii) 其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；該第二懸浮液之該重新起始負載劑量包含234 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項1所述之用途，其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；該第二懸浮液之該重新起始負載劑量包含156 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項1所述之用途，其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；該第二懸浮液之該重新起始負載劑量包含234 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
一種帕利哌酮棕櫚酸酯用於製備治療有需要之患者中思覺失調症、情感性思覺失調症、類思覺失調症、或躁鬱症之藥物的用途，該有需要之患者已被投予第一劑量的具有6個月給藥間隔之第一帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP6M」）（第一懸浮液），其中： <br/>在投予該第一懸浮液之該第一劑量之後8個月至至多且包括11個月的時間，向該患者之三角肌投予156 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第一重新起始負載劑量的具有一個月給藥間隔之第二帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP1M」）（第二懸浮液）； <br/>在投予該第二懸浮液之該第一重新起始負載劑量之後第8天（± 4天），在該患者之該三角肌中投予156 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第二重新起始負載劑量的該第二懸浮液；及 <br/>在投予該第二懸浮液之該第二重新起始負載劑量之後1個月（±7天），在該患者之該三角肌或臀肌中投予該第一懸浮液之維持劑量， <br/>其中在該第一劑量與該第一重新起始負載劑量之間無帕利哌酮棕櫚酸酯之中間劑量， <br/>其中所述PP6M（第一懸浮液）包含312 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯， <br/>並且其中： <br/>(i) 該第一懸浮液之該第一劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(ii) 其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；且該第一懸浮液之該維持劑量包含1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
一種帕利哌酮棕櫚酸酯用於製備治療有需要之患者中思覺失調症、情感性思覺失調症、類思覺失調症、或躁鬱症之藥物的用途，該有需要之患者已被投予第一劑量的具有6個月給藥間隔之第一帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP6M」）（第一懸浮液），其中： <br/>(1)在投予該第一懸浮液之該第一劑量之後超過11個月的時間，在該患者之三角肌中投予234 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第一重新起始負載劑量的具有一個月給藥間隔之第二帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP1M」）（第二懸浮液）； <br/>(2)在投予該第二懸浮液之該第一重新起始負載劑量之後第8天（± 4天），在該患者之該三角肌中投予156 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第二重新起始負載劑量的該第二懸浮液； <br/>(3)在投予該第二懸浮液之該第二重新起始負載劑量之後1個月（±7天），在該患者之該三角肌或臀肌中投予39 mg至234 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第一重新起始維持劑量的該第二懸浮液； <br/>(4)在投予該第二懸浮液之該第一重新起始維持劑量之後1個月（±7天），在該患者之該三角肌或臀肌中投予39 mg至234 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第二重新起始維持劑量的該第二懸浮液； <br/>(5)在投予該第二懸浮液之該第二重新起始維持劑量之後1個月（±7天），在該患者之該三角肌或臀肌中投予39 mg至234 mg帕利哌酮棕櫚酸酯之第三重新起始維持劑量的該第二懸浮液；及 <br/>(6)在投予該第二懸浮液之該第三重新起始維持劑量之後1個月（±7天），在該患者之該三角肌或臀肌中投予維持劑量的該第一懸浮液， <br/>其中在該第一劑量以及該第一重新起始負載劑量之間無帕利哌酮棕櫚酸酯之中間劑量， <br/>其中所述PP6M（第一懸浮液）包含312 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯， <br/>並且其中： <br/>(i) 該第一懸浮液之該第一劑量包含1092 mg帕利哌酮棕櫚酸酯，且該第一懸浮液之該維持劑量包含1092 mg帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(ii) 該第一懸浮液之該第一劑量包含1560 mg帕利哌酮棕櫚酸酯，且該第一懸浮液之該維持劑量包含1560 mg帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項4或5所述之用途，其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1092 mg帕利哌酮棕櫚酸酯，且該第一懸浮液之該維持劑量包含1092 mg帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項4或5所述之用途，其中該第一懸浮液之該第一劑量包含1560 mg帕利哌酮棕櫚酸酯，且該第一懸浮液之該維持劑量包含1560 mg帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中： <br/>(a) 該第一劑量的該第一懸浮液及該維持劑量的該第一懸浮液係在該臀肌中投予；及/或 <br/>(b) 該患者需要思覺失調症之治療。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該第一懸浮液包含： <br/>280 mg/mL至350 mg/mL的該帕利哌酮棕櫚酸酯； <br/>8 mg/mL至12 mg/mL的濕潤劑； <br/>一或多種緩衝劑； <br/>65 mg/mL至85 mg/mL的懸浮劑；及 <br/>水，其量足以加至100%。
如請求項9所述之用途，其中： <br/>(a) 該第一懸浮液係pH 6.0至pH 8.0；及/或 <br/>(b) 該一或多種緩衝劑包含檸檬酸單水合物、磷酸二氫鈉單水合物、無水磷酸氫二鈉、或氫氧化鈉。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該第二懸浮液包含： <br/>140 mg/mL至180 mg/mL的該帕利哌酮棕櫚酸酯； <br/>8 mg/mL至16 mg/ml的濕潤劑； <br/>一或多種緩衝劑； <br/>20 mg/mL至40 mg/ml的懸浮劑；及 <br/>水，其量足以加至100%。
如請求項11所述之用途，其中： <br/>(a) 該第二懸浮液係pH 6.0至pH 8.0；及/或 <br/>(b) 該一或多種緩衝劑包含檸檬酸單水合物、磷酸二氫鈉單水合物、無水磷酸氫二鈉、或氫氧化鈉。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中已被投予第一劑量的具有6個月給藥間隔之第一帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液（「PP6M」）（第一懸浮液）之所述有需要之患者，在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前，亦被投予具有一個月給藥間隔（「PP1M」）或3個月給藥間隔（「PP3M」）之帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液。
如請求項13所述之用途，其中在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前，所述有需要之患者已被投予所述PP1M至少4個月或所述PP3M至少3個月。
如請求項13所述之用途，其中： <br/>(a) 在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前之已被投予的所述PP1M之劑量係156 mg或234 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(b) 在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前之已被投予的所述PP3M之劑量係546 mg或819 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項13所述之用途，其中： <br/>(a) 在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前，所述有需要之患者已被投予所述PP1M至少4個月，且所述第一懸浮液之所述第一劑量係在所述PP1M之最後一個劑量已被投予的1個月±7天後來投予；或 <br/>(b) (i) 若在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP1M的最後一個劑量為156 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯，所述第一懸浮液之所述第一劑量係1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(ii) 若在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP1M的最後一個劑量為234 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯，所述第一懸浮液之所述第一劑量係1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項13所述之用途，其中： <br/>(a) 在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前，所述有需要之患者已被投予所述所述PP3M至少一個之3個月投藥間隔，且所述第一懸浮液之所述第一劑量係在所述PP3M之最後一個劑量已被投予的3個月±14天後來投予；或 <br/>(b) (i) 若在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP3M的最後一個劑量為546 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯，所述第一懸浮液之所述第一劑量係1092 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯；或 <br/>(ii) 若在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP3M的最後一個劑量為819 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯，所述第一懸浮液之所述第一劑量係1560 mg的帕利哌酮棕櫚酸酯。
如請求項1至5中任一項所述之用途，其中所述第一懸浮液係在預填充注射器中，該預填充注射器具有針頭蓋薄壁20號(G)1.5吋針頭，且視情況地其中該治療進一步包括在投予所述第一懸浮液之前，以注射器針頭蓋朝上搖動注射器至少15秒，且在休息後，搖動注射器再15秒。
如請求項13所述之用途，其中在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP1M係包含： <br/>140 mg/mL至180 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯； <br/>8 mg/mL至16 mg/mL的濕潤劑； <br/>5 mg/mL至15 mg/mL的一或多種緩衝劑； <br/>20 mg/mL至40 mg/mL的懸浮劑；及 <br/>水，其量足以加至100%。
如請求項13所述之用途，其中在投予所述第一懸浮液之所述第一劑量前已被投予之所述PP3M係包含： <br/>280 mg/mL至350 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯； <br/>8 mg/mL至12 mg/mL的濕潤劑； <br/>5至15 mg/mL的一或多種緩衝劑； <br/>65 mg/mL至85 mg/mL的懸浮劑；及 <br/>水，其量足以加至100%。
如請求項13所述之用途，其中該PP6M（第一懸浮液）包含312 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯； <br/>其中該PP1M（第二懸浮液）包含156 mg/mL的帕利哌酮棕櫚酸酯；以及 <br/>其中該等帕利哌酮棕櫚酸酯延釋可注射懸浮液係水性組成物，該水性組成物包含懸浮劑、緩衝劑以及視情況存在的一或多種保存劑及等張劑。
一種化學增幅正型阻劑組成物，包含(A)基礎聚合物，該基礎聚合物含有含下式(A1)表示之重複單元及下式(A2)表示之重複單元且因酸作用而增大對於鹼水溶液之溶解性之聚合物， <br/>(A)基礎聚合物中含有的聚合物之全部重複單元中，具有芳香環骨架之重複單元之含有率為60莫耳%以上， <br/><img align="absmiddle" height="42px" width="153px" file="ed10248.jpg" alt="ed10248.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1為0或1；n2為0或1；n3為0~4之整數；n4為0~4之整數；n5為0~4之整數；惟n2為0時，0≦n4＋n5≦4，n2為1時，0≦n4＋n5≦6；又，n1~n5不全部為0； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>1</sup>為鹵素原子、硝基、氰基、或也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基；又，n3為2以上時，多個R<sup>1</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環； <br/>R<sup>2</sup>為也可以含有雜原子之碳數1~20之烴基，n4為2以上時，多個R<sup>2</sup>也可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環； <br/>R<sup>F</sup>為氟原子、碳數1~6之氟化烷基、碳數1~6之氟化烷氧基或碳數1~6之氟化烷基硫基； <br/>L<sup>A</sup>及L<sup>B</sup>各自獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺甲酸酯鍵； <br/>X<sup>L</sup>為單鍵、或也可以含有雜原子之碳數1~40之伸烴基； <br/>Z<sup>+</sup>為鎓陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="118px" file="ed10249.jpg" alt="ed10249.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，a1為0或1；a2為0~2之整數；a3為符合0≦a3≦5＋2(a2)-a4之整數；a4為1~3之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>11</sup>為鹵素原子、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴氧基或亦可經鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴羰氧基； <br/>A<sup>1</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可以被-O-取代。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，式(A1)表示之重複單元為下式(A1-1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="146px" file="ed10250.jpg" alt="ed10250.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n2~n5、R<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>F</sup>、L<sup>A</sup>、L<sup>B</sup>、X<sup>L</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項2之化學增幅正型阻劑組成物，其中，式(A1-1)表示之重複單元為下式(A1-2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="128px" file="ed10251.jpg" alt="ed10251.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n2~n5、R<sup>A</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>F</sup>、L<sup>A</sup>及Z<sup>+</sup>同前所述。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，Z<sup>+</sup>為下式(cation-1)表示之鋶陽離子或下式(cation-2)表示之錪陽離子； <br/><img align="absmiddle" height="31px" width="101px" file="ed10252.jpg" alt="ed10252.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>ct1</sup>~R<sup>ct5</sup>各自獨立地為鹵素原子、或也可以含有雜原子之碳數1~30之烴基；又，R<sup>ct1</sup>及R<sup>ct2</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之硫原子一起形成環。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該式(A2)表示之重複單元為下式(A2-1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="30px" width="85px" file="ed10253.jpg" alt="ed10253.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>及a4同前所述。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(A3-1)表示之重複單元及下式(A3-2)表示之重複單元中之至少1個； <br/><img align="absmiddle" height="119px" width="144px" file="ed10254.jpg" alt="ed10254.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1為0或1；b2為0~2之整數；b3為符合0≦b3≦5＋2(b2)-b4之整數；b4為1~3之整數；b5為0或1； <br/>c1為0~2之整數；c2為0~2之整數；c3為0~5之整數；c4為0~2之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>12</sup>為鹵素原子、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴氧基或亦可經鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴羰氧基； <br/>R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>各自獨立地為也可以含有雜原子之碳數1~10之烴基，R<sup>13</sup>與R<sup>14</sup>亦可互相鍵結並和它們所鍵結之碳原子一起形成環； <br/>R<sup>15</sup>各自獨立地為氟原子、碳數1~5之氟化烷基或碳數1~5之氟化烷氧基； <br/>R<sup>16</sup>各自獨立地為也可以含有雜原子之碳數1~10之烴基； <br/>A<sup>2</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可以被-O-取代； <br/>b4為1時，X為酸不安定基；b4為2或3時，X各自獨立地為氫原子或酸不安定基，但至少1個為酸不安定基； <br/>A<sup>3</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(＝O)-O-A<sup>31</sup>-；A<sup>31</sup>為碳數1~20之脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，該脂肪族伸烴基也可含有選自羥基、醚鍵、酯鍵及內酯環中之至少1個；*表示和主鏈之碳原子間之原子鍵。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該聚合物更含有選自下式(A4)表示之重複單元、下式(A5)表示之重複單元及下式(A6)表示之重複單元中之至少1個； <br/><img align="absmiddle" height="69px" width="158px" file="ed10255.jpg" alt="ed10255.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，d為0~6之整數；e為0~4之整數；f1為0或1；f2為0~2之整數；f3為0~5之整數； <br/>R<sup>A</sup>為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>各自獨立地為羥基、鹵素原子、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴基、亦可經鹵素原子取代之碳數1~6之飽和烴氧基或亦可經鹵素原子取代之碳數2~8之飽和烴羰氧基； <br/>R<sup>23</sup>為鹵素原子、硝基、氰基、碳數1~20之飽和烴基、碳數1~20之飽和烴氧基、碳數2~20之飽和烴羰氧基、碳數2~20之飽和烴氧烴基或碳數2~20之飽和烴硫烴基，f2為1或2時也可為羥基； <br/>A<sup>4</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基，該飽和伸烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可以被-O-取代。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，更含有(B)淬滅劑。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，更含有(C)有機溶劑。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，更含有含有氟原子之聚合物，該含有氟原子之聚合物含有選自(D)下式(D1)表示之重複單元、下式(D2)表示之重複單元、下式(D3)表示之重複單元及下式(D4)表示之重複單元中之至少1個； <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="198px" file="ed10256.jpg" alt="ed10256.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，h為1~3之整數； <br/>R<sup>B</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>R<sup>201</sup>、R<sup>202</sup>、R<sup>204</sup>及R<sup>205</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1~10之飽和烴基； <br/>R<sup>203</sup>、R<sup>206</sup>、R<sup>207</sup>及R<sup>208</sup>各自獨立地為氫原子、碳數1~15之烴基、碳數1~15之氟化烴基或酸不安定基，R<sup>203</sup>、R<sup>206</sup>、R<sup>207</sup>及R<sup>208</sup>為烴基或氟化烴基時，碳-碳鍵間也可插入醚鍵或羰基； <br/>Z<sup>1</sup>為碳數1~20之(h＋1)價烴基或碳數1~20之(h＋1)價氟化烴基。
如請求項10之化學增幅正型阻劑組成物，其中，該含有氟原子之聚合物更含有選自下式(D5)表示之重複單元及下式(D6)表示之重複單元中之至少1個； <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="120px" file="ed10257.jpg" alt="ed10257.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，x為1~3之整數；y為符合0≦y≦5＋2z-x之整數；z為0或1； <br/>R<sup>C</sup>各自獨立地為氫原子或甲基； <br/>R<sup>209</sup>為氫原子、或碳-碳鍵間也可夾雜含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>210</sup>為碳-碳鍵間也可夾雜含雜原子之基之直鏈狀或分支狀之碳數1~5之烴基； <br/>R<sup>211</sup>為至少1個氫原子被氟原子取代之碳數1~20之飽和烴基，該飽和烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分也可被酯鍵或醚鍵取代； <br/>Z<sup>2</sup>為單鍵、*-C(＝O)-O-或*-C(＝O)-NH-； <br/>Z<sup>3</sup>為單鍵、-O-、*-C(＝O)-O-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-或*-C(＝O)-NH-Z<sup>31</sup>-Z<sup>32</sup>-；Z<sup>31</sup>為單鍵或碳數1~10之飽和伸烴基；Z<sup>32</sup>為單鍵、酯鍵、醚鍵或磺醯胺鍵； <br/>*為和主鏈之碳原子間之原子鍵。
如請求項1之化學增幅正型阻劑組成物，更含有(E)光酸產生劑。
一種阻劑圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項1至12中任一項之化學增幅正型阻劑組成物在基板上形成阻劑膜， <br/>使用高能射線對於該阻劑膜照射圖案，及 <br/>使用鹼顯影液對於該已照射圖案之阻劑膜進行顯影。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該高能射線為KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、極紫外線或電子束。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該基板之最表面係由含有選自鉻、矽、鉭、鉬、鈷、鎳、鎢及錫中之至少1種之材料構成。
如請求項13之阻劑圖案形成方法，其中，該基板為透射型或反射型空白遮罩。
一種透射型或反射型空白遮罩，塗佈了如請求項1至12中任一項之化學增幅正型阻劑組成物。
一種拉鏈用滑件(1)，其具備： <br/>主體(10)；及 <br/>拉片(30)，其安裝於上述主體(10)； <br/>上述主體(10)具備： <br/>正翼板(11)； <br/>背翼板(16)；及 <br/>引導柱(19)，其將上述正翼板(11)與上述背翼板(16)於正背方向上連結； <br/>上述正翼板(11)具有： <br/>正側凸緣(12)，其從上述正翼板(11)之寬度方向兩緣部朝向背側突出設置；及 <br/>拉片安裝部(20)，其具有用於安裝上述拉片(30)之拉片安裝孔(21)，且設置於上述正翼板(11)之正面； <br/>上述背翼板(16)具有背側凸緣(17)，該背側凸緣(17)從上述背翼板(16)之寬度方向兩緣部朝向正側突出設置，且與上述正側凸緣(12)於正背方向上對向， <br/>上述拉片(30)具有： <br/>開口(31)，其貫通上述拉片(30)，用於將上述拉片(30)安裝於上述拉片安裝部(20)； <br/>軸部(33)，其與上述開口(31)相鄰地形成於上述拉片(30)之端部，且安裝於上述拉片安裝部(20)之上述拉片安裝孔(21)；及 <br/>肋(40)，其從上述拉片(30)之正面及背面之至少一者之外周緣朝向上述拉片(30)之正背方向形成； <br/>上述拉片(30)中設置有上述肋(40)之部分之正背方向尺寸(L1)大於上述正側凸緣(12)與上述背側凸緣(17)之間之正背方向尺寸(L2)，且 <br/>上述肋(40)具有外周肋(41)以及延伸部(43)，該外周肋(41)沿著上述肋(40)之外周緣延伸，該延伸部(43)從於寬度方向上與上述開口(31)對向之部分且從上述外周肋(41)朝寬度方向內側延伸。
如請求項1之拉鏈用滑件(1)，其中 <br/>上述延伸部(43)從上述肋(40)中上述軸部(33)側之端部(41a)朝寬度方向內側延伸。
如請求項1之拉鏈用滑件(1)，其中 <br/>上述延伸部(43)係以隨著朝向寬度方向內側而靠近上述軸部(33)之方式傾斜之傾斜肋(43)。
如請求項1之拉鏈用滑件(1)，其中 <br/>上述延伸部(43)延伸至上述開口(31)。
如請求項1之拉鏈用滑件(1)，其中 <br/>上述延伸部(43)形成於不與上述軸部(33)重疊之位置處。
一種用於城市洪水模擬的設備，該設備包含：<br/> 一儲存單元，用以儲存一城市的一數位高程模型、城市設計資訊及降水資訊、以及用以執行用於城市洪水模擬的一方法的至少一個電腦程式；<br/> 一模擬設定單元，用以使用該城市的該數位高程模型及該城市設計資訊來生成模擬區域資訊及水流資訊；<br/> 一洪水資訊生成單元，用以使用該模擬區域資訊、該水流資訊、及該降水資訊來生成洪水相關資訊；及<br/> 一模擬輸出單元，用以可視化及顯示該洪水相關資訊，且<br/> 其中該洪水資訊生成單元根據至少一個降水型態，使用該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊，生成與一預期洪水型態相關的資訊，並且藉由進一步使用與該預期洪水型態相關的該資訊，以生成該洪水相關資訊，且<br/> 其中與該預期洪水型態相關的該資訊包括至少一與以下相關的內容：在降水期間首先被淹沒的區域、最後被淹沒的區域、首先飽和的檢修孔，以及在降水減弱時水首先流出的區域。
如請求項1所述之設備，其中該模擬設定單元使用該城市的該數位高程模型及該城市設計資訊來生成構成至少一個排水設施的元件的連接關係資訊及每個排水設施的位置資訊。
如請求項2所述之設備，其中該模擬設定單元使用從該數位高程模型提取的該城市的一高程值來計算一地面的一坡度，並且使用該地面的該坡度來生成關於一水流方向的資訊。
如請求項3所述之設備，其中該模擬設定單元進一步從該城市設計資訊中提取安裝在該至少一個排水設施中的一管道的一角度值，並且使用以下數學公式計算流向一相鄰點的水的一程度<img align="absmiddle" height="24px" width="33px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="136px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：點i處的高程<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：點j處的高程<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="19px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：兩點之間的距離<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="11px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：排水特性係數<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="8px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道角度。
如請求項2所述之設備，其中該模擬設定單元使用來自該城市設計資訊的關於安裝在該至少一個排水設施中的一管道的資訊，使用以下數學公式來計算該至少一個排水設施中的水的一排放能力<img align="absmiddle" height="19px" width="44px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="120px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：排水設施的基本排放能力<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="8px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道內部的摩擦係數<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道的匝數<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道的寬度。
如請求項1所述之設備，其中該模擬區域資訊進一步包括與該城市的流域特性相關的內容，<br/> 與該城市的該等流域特性相關的該內容包括水滲入土壤的一滲透率、每單位時間從一地面流出的水、及水到達一流出點所用的一時間中的至少一者，以及<br/> 該洪水資訊生成單元藉由進一步使用與該等流域特性相關的該內容來生成與該預期洪水型態相關的該資訊。
如請求項1所述之設備，其中該儲存單元進一步儲存一人工神經網路模型，該人工神經網路模型使用該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊作為輸入值來生成至少一個排水設施的水流出量及水排放量資訊，並且<br/> 該洪水資訊生成單元將該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊輸入至該人工神經網路模型，並且從該人工神經網路模型獲得該至少一個排水設施的該水流出量及該水排放量，以生成該洪水相關資訊。
如請求項7所述之設備，其中該人工神經網路模型包括由以下數學公式表示的一納維-斯托克斯方程，作為一損失函數的一部分：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="175px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體密度<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體速度向量<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體壓力<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體黏滯係數<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：外力。
如請求項1所述之設備，其中當包括在該模擬區域中的至少一個點處的一積水量超過一預設臨界值時，該模擬輸出單元將該點設置為一洪水風險區域，並且根據該積水量分級顯示一洪水風險程度。
一種在用於城市洪水模擬的一設備中用於城市洪水模擬的方法，該設備包括一硬體處理器及一儲存單元，該儲存單元連接至該處理器以儲存一城市的一數位高程模型、城市設計資訊及降水資訊、以及用以執行用於城市洪水模擬的該方法的至少一個電腦程式，該方法包含：<br/> （a）使用該城市的該數位高程模型及該城市設計資訊生成模擬區域資訊及水流資訊；<br/> （b）使用該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊生成洪水相關資訊；及<br/> （c）可視化及顯示該洪水相關資訊，<br/> 且其中該（b）根據至少一個降水型態，使用該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊，生成與一預期洪水型態相關的資訊，並且藉由進一步使用與該預期洪水型態相關的該資訊，以生成該洪水相關資訊，且<br/> 其中與該預期洪水型態相關的該資訊包括至少一與以下相關的內容：在降水期間首先被淹沒的區域、最後被淹沒的區域、首先飽和的檢修孔，以及在降水減弱時水首先流出的區域。
如請求項10所述之方法，其中該（a）包括使用該城市的該數位高程模型及該城市設計資訊來生成構成至少一個排水設施的元件的連接關係資訊及每個排水設施的位置資訊。
如請求項11所述之方法，其中該（a）包括使用從該數位高程模型提取的該城市的一高程值來計算一地面的一坡度，並且使用該地面的該坡度來生成關於一水流方向的資訊。
如請求項12所述之方法，其中該（a）進一步包括從該城市設計資訊中提取安裝在該至少一個排水設施中的一管道的一角度值，並且使用以下數學公式計算流向一相鄰點的水的一程度<img align="absmiddle" height="24px" width="33px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="31px" width="136px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="11px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：點i處的高程<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="16px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：點j處的高程<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="19px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：兩點之間的距離<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="11px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：排水特性係數<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="8px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道角度。
如請求項11所述之方法，其中該（a）包括使用來自該城市設計資訊的關於安裝在該至少一個排水設施中的一管道的資訊，使用以下數學公式來計算該至少一個排水設施中的水的一排放能力<img align="absmiddle" height="19px" width="44px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="30px" width="120px" file="ed10084.jpg" alt="ed10084.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：排水設施的基本排放能力<br/> -<img align="absmiddle" height="19px" width="8px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道內部的摩擦係數<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10082.jpg" alt="ed10082.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道的匝數<br/> -<img align="absmiddle" height="21px" width="21px" file="ed10083.jpg" alt="ed10083.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：管道的寬度。
如請求項10所述之方法，其中該模擬區域資訊進一步包括與該城市的流域特性相關的內容，<br/> 與該城市的該等流域特性相關的該內容包括水滲入土壤的一滲透率、每單位時間從一地面流出的水、及水到達一流出點所用的一時間中的至少一者，以及<br/> 該（b）藉由進一步使用與該等流域特性相關的該內容來生成與該預期洪水型態相關的該資訊。
如請求項10所述之方法，其中該儲存單元進一步儲存一人工神經網路模型，該人工神經網路模型使用該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊作為輸入值來生成至少一個排水設施的水流出量及水排放量資訊，並且<br/> 該（b）將該模擬區域資訊、該水流資訊及該降水資訊輸入至該人工神經網路模型，並且從該人工神經網路模型獲得該至少一個排水設施的該水流出量及該水排放量，以生成該洪水相關資訊。
如請求項16所述之方法，其中該人工神經網路模型包括由以下數學公式表示的一納維-斯托克斯方程，作為一損失函數的一部分：<br/> [數學公式]<br/><img align="absmiddle" height="26px" width="175px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10085.jpg" alt="ed10085.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體密度<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10086.jpg" alt="ed10086.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體速度向量<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10087.jpg" alt="ed10087.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體壓力<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10088.jpg" alt="ed10088.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：流體黏滯係數<br/> -<img align="absmiddle" height="13px" width="5px" file="ed10089.jpg" alt="ed10089.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>：外力。
如請求項10所述之方法，其中該（c）包括：當包括在該模擬區域中的至少一個點處的一積水量超過一預設臨界值時，將該點設置為一洪水風險區域，並且根據該積水量分級可視化一洪水風險程度。
一種電腦程式產品，其經編寫以在一電腦上執行如請求項10之用於城市洪水模擬的該方法的每個步驟，並且被記錄在一電腦可讀取記錄媒體上。
一種積層基板，其係使用利用雷射光之熱膨脹之剝離用積層基板，且<br/>該積層基板具備：<br/>半導體基板；<br/>第1絕緣層，其配置於上述半導體基板之上方；<br/>第1多晶矽層，其相接於上述第1絕緣層之上而配置，且摻雜磷；及<br/>第2多晶矽層，其於上述第1絕緣層中延伸，將上述第1多晶矽層與上述半導體基板直接連接，且摻雜磷。
如請求項1之積層基板，其中<br/>進一步具備第3多晶矽層，該第3多晶矽層覆蓋於上述第1絕緣層中延伸之上述第2多晶矽層之側壁，且磷濃度較上述第1多晶矽層低。
如請求項2之積層基板，其中<br/>上述第2多晶矽層<br/>具有與上述第1多晶矽層相等之磷濃度。
如請求項2之積層基板，其中<br/>上述第2多晶矽層<br/>具有較上述第1多晶矽層低，且較上述第3多晶矽層高之磷濃度。
如請求項1之積層基板，其中<br/>於上述第1多晶矽層之上方進一步具備器件層，該器件層包含複數個半導體裝置各自之至少一部分之構成。
如請求項5之積層基板，其中<br/>上述第2多晶矽層<br/>係以自上述第1絕緣層、上述第1多晶矽層及上述器件層之積層方向觀察時包圍上述複數個半導體裝置之中央部的方式，配置於上述複數個半導體裝置之外緣部。
一種半導體裝置之製造方法，<br/>於第1半導體基板之上方形成第1絕緣層；<br/>形成貫穿上述第1絕緣層之凹部；<br/>形成覆蓋上述第1絕緣層且摻雜磷之第1多晶矽層、及於上述凹部內延伸並到達上述第1半導體基板且摻雜磷之第2多晶矽層；<br/>於上述第1多晶矽層之上方形成包含複數個半導體裝置各自之至少一部分之構成的器件層；<br/>向上述第1多晶矽層照射雷射光，使上述第1絕緣層與上述第1多晶矽層之間開裂而去除上述第1半導體基板。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中<br/>上述器件層之形成包括如下工序：<br/>於上述第1多晶矽層之上方形成使複數個導電層彼此相隔地積層之積層體；及<br/>形成貫穿上述積層體之記憶體柱。
如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中<br/>在去除上述第1半導體基板之前，進一步包括如下工序：<br/>於第2半導體基板上形成包含電晶體之周邊電路；及<br/>將上述第1半導體基板之形成有上述器件層之面、與上述第2半導體基板之形成有上述周邊電路之面貼合。
如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中<br/>上述第2多晶矽層之形成包括如下工序：<br/>以自上述第1絕緣層、上述第1多晶矽層及上述器件層之積層方向觀察時包圍上述複數個半導體裝置之中央部的方式，將上述第2多晶矽層形成於上述複數個半導體裝置之外緣部。
一種樹脂被覆金屬板，其為於金屬板的至少單面上，具備含有聚酯樹脂之樹脂被覆層之樹脂被覆金屬板， <br/> 前述樹脂被覆層具有包含最表層、中間層，及最下層之至少3層結構， <br/> 前述樹脂被覆層之熔點為230℃以上且260℃以下， <br/> 前述最表層含有酸改質聚烯烴及氧化聚烯烴之至少一者的聚烯烴， <br/> 前述聚烯烴之熔點為70℃以上且145℃以下， <br/> 前述聚烯烴於前述最表層中以粒子狀分散， <br/> 前述聚烯烴粒子的分散狀態，於前述最表層的表面上，前述聚烯烴粒子的個數密度為50個/cm<sup>2</sup>以上，以下式(1)所定義的m為滿足0.20以上者之樹脂被覆金屬板。 <br/><img align="absmiddle" height="208px" width="506px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，將前述最表層表面之聚烯烴粒子之總個數設為N， <br/> A<sub>i1</sub>：前述N個聚烯烴之粒子中，重心位置在第i個粒子周圍50μm以內之前述聚烯烴粒子的個數 <br/> A<sub>i2</sub>：前述N個聚烯烴之粒子中，重心位置在第i個粒子周圍超過50μm且在100μm以內之前述聚烯烴粒子的個數，i為1~N之範圍的整數。
如請求項1之樹脂被覆金屬板，其中前述聚烯烴的重量平均分子量為2000以上50000以下。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述聚烯烴的酸價為1.0mg KOH/g以上90mg KOH/g以下。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述最表層及前述最下層分別含有1.0質量%以上且10.0質量%以下之易滑性無機粒子。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述中間層含有10質量%以上35質量%以下之無機粒子。
如請求項1或2之樹脂被覆金屬板，其中前述最表層及前述最下層之層厚各為1.0μm以上且5.0μm以下，前述中間層之層厚為6.0μm以上且30μm以下。
一種金屬容器，其係使用如請求項1~6中任一項之樹脂被覆金屬所形成的金屬容器，前述樹脂被覆層位於前述金屬容器之外側。
一種樹脂被覆金屬板之製造方法，其係含有以下步驟者； <br/> 以混煉擠出機，將包含由聚酯樹脂，與酸改質聚烯烴及氧化聚烯烴之至少一者，熔點為70℃以上145℃以下之聚烯烴所構成的第1組成物、含有聚酯樹脂的第2組成物，與含有聚酯樹脂的第3組成物進行共擠出，自T型模頭吐出，而得到將前述第1組成物、前述第2組成物，及前述第3組成物分別作為第1層、第2層，及第3層之薄片狀成形體之步驟、 <br/> 將前述成形體冷卻固化，而得到層合膜之步驟、 <br/> 接著，將前述層合膜以延伸溫度為85℃以上且100℃以下，延伸倍率為3.5倍以上5.0倍以下之條件下進行1次以上延伸，而得到包含前述第1層、前述第2層，及前述第3層之樹脂薄膜的步驟，與 <br/> 接著，將前述樹脂薄膜，使用控制於110℃以上且120℃以下之層合捲材，熱壓著於控制在260℃以上且290℃以下之金屬板的至少單面上，得到於前述金屬板的至少單面上，具有將前述第1層、前述第2層，及前述第3層分別作為最表層、中間層，及最下層之至少3層結構，且具備熔點為230℃以上且260℃以下之樹脂被覆層的樹脂被覆金屬板之步驟。
如請求項8之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述聚烯烴的重量平均分子量為2000以上且50000以下。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述聚烯烴的酸價為1.0mg KOH/g以上且90mg KOH/g以下。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述第1組成物及前述第3組成物，各含有1.0質量%以上10.0質量%以下之易滑性無機粒子。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述第2組成物含有10質量%以上35質量%以下的無機粒子。
如請求項8或9之樹脂被覆金屬板之製造方法，其中前述最表層及前述最下層之層厚各為1.0μm以上且5.0μm以下，前述中間層之層厚為6.0μm以上且30μm以下。
一種承載結構，係定義有相鄰接之主體區與外圍區，其包括：複數基板單元，係設於該主體區，且各該複數基板單元形成有複數電性連接墊；以及至少兩檢視墊，係設於該外圍區，其中，該至少兩檢視墊之間的間距係小於任兩該複數電性連接墊之間的間距，其中，該外圍區設有複數組檢視墊，每組檢視墊包含有兩該檢視墊，且各組之兩該檢視墊之間距相同。
一種承載結構，係定義有相鄰接之主體區與外圍區，其包括：複數基板單元，係設於該主體區，且各該複數基板單元形成有複數電性連接墊；以及至少兩檢視墊，係設於該外圍區，其中，該至少兩檢視墊之間的間距係小於任兩該複數電性連接墊之間的間距，其中，該外圍區設有複數組檢視墊，每組檢視墊包含有兩該檢視墊，且各組之兩該檢視墊之間距不同。
如請求項1或2所述之承載結構，復包括形成於該複數電性連接墊及該至少兩檢視墊上之表面處理層。
如請求項3所述之承載結構，其中，該表面處理層為鎳/金層。
如請求項1或2所述之承載結構，其為整版面或條狀型式，並以陣列方式排設該複數基板單元。
如請求項1或2所述之承載結構，其中，該基板單元供電子元件設於其上，並令該電子元件電性連接該複數電性連接墊。
如請求項6所述之承載結構，其中，各該基板單元之間具有作為切單製程之切割路徑。
如請求項1或2所述之承載結構，其中，該外圍區係連結該主體區並設於該主體區之外圍。
如請求項1或2所述之承載結構，其中，該檢視墊之材質與該電性連接墊之材質相同。
一種利用通道注意力池化的機器學習方法，包括：<br/> 將一第一殘差輸入輸入到一第一殘差網路的卷積層以產生一第一卷積輸出；及<br/> 將該第一卷積輸出輸入到一第一池化層以產生一第一池化向量；<br/> 根據該第一卷積輸出及該第一殘差輸入產生一殘差輸出；<br/> 將一網路輸入輸入到一第一殘差通道注意力網路的卷積層，以產生一第一注意力輸入，其中該網路輸入係根據該殘差輸出產生；<br/> 將該第一池化向量及該第一注意力輸入輸入到該第一殘差通道注意力網路的一通道注意力網路，以產生一第一注意力輸出；及<br/> 根據該網路輸入及該第一注意力輸出產生一第一殘差通道注意力輸出。
如請求項1所述的機器學習方法，其中將該第一殘差輸入輸入到該第一殘差網路的卷積層以產生該第一卷積輸出包括：<br/> 將該第一殘差輸入輸入到一MxM卷積層，以產生一臨時卷積輸出；及<br/> 將該臨時卷積輸出輸入到一NxN卷積層，以產生該第一卷積輸出；<br/> 其中M、N為正整數。
如請求項1所述的機器學習方法，其中將該第一卷積輸出輸入到該第一池化層以產生該第一池化向量係將該第一卷積輸出輸入到一全域平均池化層、一全域最大池化層、一全域最小池化層、一平均池化層、一最大池化層或一最小池化層，以產生該第一池化向量。
如請求項1所述的機器學習方法，其中將該網路輸入輸入到該第一殘差通道注意力網路的卷積層以產生該第一注意力輸入包括：<br/> 將該網路輸入輸入到一MxM卷積層，以產生一臨時卷積輸出；及<br/> 將該臨時卷積輸出輸入到一NxN卷積層，以產生該第一注意力輸入；<br/> 其中M、N為正整數。
如請求項1所述的機器學習方法，其中將該第一池化向量及該第一注意力輸入輸入到該通道注意力網路以產生該第一注意力輸出包括：<br/> 將該第一池化向量輸入到一第一全連接層，以產生一臨時全連接輸出；<br/> 將該臨時全連接輸出輸入到一第二全連接層，以產生一全連接輸出；和<br/> 將該第一注意力輸入和該全連接輸出輸入到一通道縮放層以產生該第一注意力輸出。
如請求項1所述的機器學習方法，其中根據該第一卷積輸出及該第一殘差輸入產生該殘差輸出係將該第一卷積輸出及該第一殘差輸入相加以產生該殘差輸出。
如請求項1所述的機器學習方法，其中根據該網路輸入及該第一注意力輸出產生該第一殘差通道注意力輸出係將該網路輸入及該第一注意力輸出相加以產生該第一殘差通道注意力輸出。
如請求項1所述的機器學習方法，還包括：<br/> 將該殘差輸出輸入到一動態隨機存取記憶體；及<br/> 從該動態隨機存取記憶體輸出該網路輸入。
一種利用通道注意力池化的機器學習方法，包括：<br/> 將一第一殘差輸入輸入到一第一殘差網路的卷積層以產生一第一卷積輸出；<br/> 將該第一卷積輸出輸入到一第一池化層以產生一第一池化向量；<br/> 將一第(n-1)殘差通道注意力輸出輸入到一第n殘差通道注意力網路的卷積層，以產生一第n注意力輸入；<br/> 將該第一池化向量及該第n注意力輸入輸入到該第n殘差通道注意力網路的一通道注意力網路，以產生一第n注意力輸出；及<br/> 根據該第(n-1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生一第n殘差通道注意力輸出；<br/> 其中n是大於1的整數。
如請求項9所述的機器學習方法，其中根據該第(n-1)個殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生該第n殘差通道注意力輸出係將該第(n-1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出相加以產生該第n殘差通道注意力輸出。
如請求項9所述的機器學習方法，還包括：<br/> 將一第n殘差輸入輸入到一第n殘差網路的卷積層，以產生一第n卷積輸出；及<br/> 根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生一第(n-1)殘差輸入。
如請求項11所述的機器學習方法，其中根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生該第(n-1)殘差輸入係將該第n卷積輸出及該第n殘差輸入相加以產生該第(n-1)殘差輸入。
如請求項1所述的機器學習方法，還包括：<br/> 將一第n殘差輸入輸入到一第n殘差網路的卷積層，以產生一第n卷積輸出；<br/> 將該第n卷積輸出輸入一第n池化層，以產生一第n池化向量；及<br/> 根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生一第(n-1)殘差輸入；<br/> 其中n是大於1的整數。
如請求項13所述的機器學習方法，其中根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生該第(n-1)殘差輸入係將該第n卷積輸出及該第n殘差輸入相加以產生該第(n-1)殘差輸入。
一種利用通道注意力池化的機器學習方法，還包括：<br/> 將一第一殘差輸入輸入到一第一殘差網路的卷積層以產生一第一卷積輸出；<br/> 將該第一卷積輸出輸入到一第一池化層以產生一第一池化向量；<br/> 將一第n殘差輸入輸入到一第n殘差網路的卷積層，以產生一第n卷積輸出；<br/> 將該第n卷積輸出輸入一第n池化層，以產生一第n池化向量；<br/> 根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生一第(n-1)殘差輸入；<br/> 將一第(n+1)殘差通道注意力輸出輸入到一第n殘差通道注意力網路的卷積層，以產生一第n注意力輸入；<br/> 將該第n池化向量及該第n注意力輸入輸入到該第n殘差通道注意力網路的一通道注意力網路中，以產生一第n注意力輸出；及<br/> 根據該第(n+1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生一第n殘差通道注意力輸出；<br/> 其中n是大於1的整數，及該網路輸入為一第(n+1)殘差通道注意力輸出。
如請求項15所述的機器學習方法，其中根據該第(n+1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生該第n殘差通道注意力輸出係將該第(n+1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出相加以產生該第n殘差通道注意力輸出。
如請求項15所述的機器學習方法，還包括：<br/> 將該殘差輸出輸入到一動態隨機存取記憶體；及<br/> 將該動態隨機記憶體輸出的一第(N+1)殘差通道注意力輸入到一第N殘差網路的卷積層；<br/> 其中N是池化層的總數。
一種利用通道注意力池化的機器學習方法，還包括：<br/> 將一第一殘差輸入輸入到一第一殘差網路的卷積層以產生一第一卷積輸出；<br/> 將該第一卷積輸出輸入到一第一池化層以產生一第一池化向量；<br/> 將一第n殘差輸入輸入到一第n殘差網路的卷積層，以產生一第n卷積輸出；<br/> 將該第n卷積輸出輸入一第n池化層，以產生一第n池化向量；<br/> 根據該第n卷積輸出及該第n殘差輸入產生一第(n-1)殘差輸入；<br/> 將一第(n-1)殘差通道注意力輸出輸入到一第n殘差通道注意力網路的卷積層，以產生一第n注意力輸入；<br/> 將該第n池化向量及該第n注意力輸入輸入到該第n殘差通道注意力網路的一通道注意力網路中，以產生一第n注意力輸出；及<br/> 根據該第(n-1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生一第n殘差通道注意力輸出；<br/> 其中n是大於1的整數。
如請求項18所述的機器學習方法，其中根據該第(n-1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出產生該第n殘差通道注意力輸出係將該第(n-1)殘差通道注意力輸出及該第n注意力輸出相加以產生該第n殘差通道注意力輸出。
一種射出成形機，包含：<br/> 一泵；<br/> 一馬達，用以帶動該泵以使一液壓油流出該泵；<br/> 一溫度感測器，用以量測該液壓油的一當下油溫；<br/> 一儲存器，用以儲存一補償表，其中該補償表記錄了該液壓油在複數個油溫下對應的複數個流量值；以及<br/> 一處理器，電性連接該馬達、該溫度感測器以及該儲存器，用以執行以下運作：<br/> 取得一目標流量值；<br/> 基於該目標流量值以及該當下油溫，查詢該補償表以自複數個控制指令選擇一第一指令；以及<br/> 基於該第一指令，控制該馬達；<br/> 其中該些控制指令包含複數個流量指令，並且該處理器進一步基於該些油溫，執行複數次第一迴圈運作，其中該些第一迴圈運作各者包含：<br/> 基於該些油溫其中之一待測油溫，調整該液壓油的該當下油溫；<br/> 響應於該液壓油的該當下油溫符合該待測油溫，基於該些流量指令各者，控制該馬達；<br/> 在以該些流量指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個參考流量；以及<br/> 基於該些參考流量，在該補償表中記錄該些流量值以及該些流量值對應的該些流量指令。
如請求項1所述之射出成形機，其中量測該液壓油的該些參考流量的運作進一步包含基於該些流量指令，執行複數次第二迴圈運作，其中該些第二迴圈運作各者包含：<br/> 在以該些流量指令其中之一待測流量指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的一當下流量；以及<br/> 響應於該當下流量大於一流量閾值，記錄該當下流量作為該些參考流量其中一者，其中該些參考流量其中該者對應該待測流量指令以及該液壓油的該當下油溫。
如請求項1所述之射出成形機，其中該處理器執行該些第一迴圈運作的次數為該些油溫的一數量的整數倍，並且該些第一迴圈運作各者分別依據該些油溫各者作為該待測油溫。
如請求項1所述之射出成形機，其中該些控制指令包含複數個壓力指令，並且選擇該第一指令的運作進一步包含：<br/> 取得一目標壓力值；以及<br/> 基於該目標壓力值、該目標流量值以及該當下油溫，查詢該補償表以自該些控制指令選擇該第一指令，其中該第一指令包含該些壓力指令其中之一。
如請求項4所述之射出成形機，其中該處理器進一步基於該些油溫，執行複數次第三迴圈運作，其中該些第三迴圈運作各者包含：<br/> 基於該待測油溫，調整該液壓油的該當下油溫；<br/> 響應於該液壓油的該當下油溫符合該待測油溫，基於該些壓力指令各者，控制該馬達；<br/> 在以該些壓力指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個參考壓力；以及<br/> 基於該些參考壓力，在該補償表中記錄複數個壓力值以及該些壓力值對應的該些壓力指令。
如請求項5所述之射出成形機，其中量測該液壓油的該些參考壓力的運作進一步包含基於該些壓力指令，執行複數次第四迴圈運作，其中該些第四迴圈運作各者包含：<br/> 在以該些壓力指令其中之一待測壓力指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個當下壓力；以及<br/> 響應於該些當下壓力的一變化值小於一第二閾值，基於該些當下壓力產生該些參考壓力其中一者，其中該些參考壓力其中該者對應該待測壓力指令以及該液壓油的該當下油溫。
如請求項5所述之射出成形機，其中該處理器執行該些第三迴圈運作的次數為該些油溫的一數量的整數倍，並且該些第三迴圈運作各者分別依據該些油溫各者作為該待測油溫。
如請求項1所述之射出成形機，其中該處理器進一步執行以下運作：<br/> 基於該補償表中的該些油溫以及對應的該些流量值，計算一線性模型，其中該線性模型用以表示該液壓油的該些油溫以及該些流量值之間的一線性關係。
如請求項1所述之射出成形機，進一步包含：<br/> 一輸入介面，電性連接該處理器，用以接收一使用者的一操作輸入；<br/> 其中取得該目標流量值的運作進一步包含：<br/> 基於該操作輸入，產生該目標流量值。
一種控制方法，適用於一射出成形機，其中該射出成形機包含一泵、一馬達以及一溫度感測器，該馬達用以帶動該泵以使液壓油流出該泵，該溫度感測器用以量測該液壓油的一當下油溫，並且該控制方法包含以下步驟：<br/> 取得一目標流量值；<br/> 基於該目標流量值以及該當下油溫，查詢一補償表以自複數個控制指令選擇一第一指令，其中該補償表記錄了該液壓油在複數個油溫下對應的複數個流量值；以及<br/> 基於該第一指令，控制該馬達；<br/> 其中該些控制指令包含複數個流量指令，並且該控制方法進一步包含基於該些油溫，執行複數次第一迴圈運作，其中該些第一迴圈運作各者包含：<br/> 基於該些油溫其中之一待測油溫，調整該液壓油的該當下油溫；<br/> 響應於該液壓油的該當下油溫符合該待測油溫，基於該些流量指令各者，控制該馬達；<br/> 在以該些流量指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個參考流量；以及<br/> 基於該些參考流量，在該補償表中記錄該些流量值以及該些流量值對應的該些流量指令。
如請求項10所述之控制方法，其中量測該液壓油的該些參考流量的步驟進一步包含基於該些流量指令，執行複數次第二迴圈運作，其中該些第二迴圈運作各者包含：<br/> 在以該些流量指令其中之一待測流量指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的一當下流量；以及<br/> 響應於該當下流量大於一流量閾值，記錄該當下流量作為該些參考流量其中一者，其中該些參考流量其中該者對應該待測流量指令以及該液壓油的該當下油溫。
如請求項10所述之控制方法，其中該控制方法執行該些第一迴圈運作的次數為該些油溫的一數量的整數倍，並且該些第一迴圈運作各者分別依據該些油溫各者作為該待測油溫。
如請求項10所述之控制方法，其中該些控制指令包含複數個壓力指令，並且選擇該第一指令的步驟進一步包含：<br/> 取得一目標壓力值；以及<br/> 基於該目標壓力值、該目標流量值以及該當下油溫，查詢該補償表以自該些控制指令選擇該第一指令，其中該第一指令包含該些壓力指令其中之一。
如請求項13所述之控制方法，其中該控制方法進一步包含基於該些油溫，執行複數次第三迴圈運作，其中該些第三迴圈運作各者包含：<br/> 基於該待測油溫，調整該液壓油的該當下油溫；<br/> 響應於該液壓油的該當下油溫符合該待測油溫，基於該些壓力指令各者，控制該馬達；<br/> 在以該些壓力指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個參考壓力；以及<br/> 基於該些參考壓力，在該補償表中記錄複數個壓力值以及該些壓力值對應的該些壓力指令。
如請求項14所述之控制方法，其中量測該液壓油的該些參考壓力的步驟進一步包含基於該些壓力指令，執行複數次第四迴圈運作，其中該些第四迴圈運作各者包含：<br/> 在以該些壓力指令其中之一待測壓力指令控制該馬達的期間，量測該液壓油的複數個當下壓力；以及<br/> 響應於該些當下壓力的一變化值小於一第二閾值，基於該些當下壓力產生該些參考壓力其中一者，其中該些參考壓力其中該者對應該待測壓力指令以及該液壓油的該當下油溫。
如請求項14所述之控制方法，其中該控制方法執行該些第三迴圈運作的次數為該些油溫的一數量的整數倍，並且該些第三迴圈運作各者分別依據該些油溫各者作為該待測油溫。
如請求項10所述之控制方法，進一步包含：<br/> 基於該補償表中的該些油溫以及對應的該些流量值，計算一線性模型，其中該線性模型用以表示該液壓油的該些油溫以及該些流量值之間的一線性關係。
如請求項10所述之控制方法，其中該射出成形機進一步包含一輸入介面，該輸入介面用以接收一使用者的一操作輸入，並且取得該目標流量值的步驟進一步包含：<br/> 基於該操作輸入，產生該目標流量值。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一記憶體陣列，包括複數個記憶體單元；<br/> 一寫入電路，用以接收一寫入時脈訊號；<br/> 一讀取電路，用以接收一讀取時脈訊號；<br/> 一低通鎖存器，耦接至一銷及一控制線，其中該控制線攜載一時脈訊號，該時脈訊號與該讀取時脈訊號對應；及<br/> 一高通鎖存器，耦接至該低通鎖存器、該控制線及該記憶體陣列，<br/> 其中該高通鎖存器用以在該時脈訊號為高時傳播多個訊號至該寫入電路，且在該時脈訊號為低時停止該些訊號的傳播，且<br/> 其中該低通鎖存器用以在該時脈訊號為低時傳播多個訊號，且在該時脈訊號為高時停止該些訊號的傳播。
如請求項1所述之記憶體電路，進一步包括：<br/> 一時脈產生器，耦接至一時脈銷且用以產生該寫入時脈訊號及該讀取時脈訊號。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該低通鎖存器及該高通鎖存器分別為一第一低通鎖存器及一第一高通鎖存器，其中該第一低通鎖存器及該第一高通鎖存器形成介於一第一位址接點與該記憶體陣列之間的一第一正反器，且其中該第一位址接點經組態用於一寫入操作。
如請求項3所述之記憶體電路，進一步包括：<br/> 一第二正反器，包括電連接至一第二高通鎖存器的一第二低通鎖存器，其中該第二正反器耦接至一資料接點；<br/> 一第三正反器，包括電連接至一第三高通鎖存器的一第三低通鎖存器，其中該第三正反器耦接至一位元寫入賦能位元接點；及<br/> 一字元線解碼器，介於該高通鎖存器與該記憶體陣列之間且耦接至該高通鎖存器及該記憶體陣列，<br/> 其中該寫入電路耦接至該第二高通鎖存器及該第三高通鎖存器，且用以將一訊號輸出至該記憶體陣列。
如請求項1所述之記憶體電路，其中該低通鎖存器及該高通鎖存器分別為一第一低通鎖存器及一第一高通鎖存器，且其中該記憶體電路進一步包括：<br/> 一第二低通鎖存器，耦接至一公共接點、攜載該時脈訊號的該控制線及該讀取電路；及<br/> 一第二高通鎖存器，耦接至該第二低通鎖存器、該控制線及該寫入電路，<br/> 其中來自該公共接點的一訊號經由來自該第二低通鎖存器的一第一輸出端及來自該第二高通鎖存器的一第二輸出端被分離。
如請求項1所述之記憶體電路，進一步包括：<br/> 一多工器，包括：<br/> 一第一輸入埠，耦接至該低通鎖存器，<br/> 一第二輸入埠，耦接至該高通鎖存器，<br/> 一控制埠，耦接至一選擇器接點，該選擇器接點用以選擇該記憶體電路的一操作模式，及<br/> 一輸出埠，耦接至該記憶體陣列，<br/> 其中該多工器用以根據來自該選擇器接點的一訊號來輸出來自該低通鎖存器或該高通鎖存器中的一者的多個訊號，且其中該操作模式包括一先寫後讀操作及一先讀後寫操作。
一種記憶體電路，包括：<br/> 一記憶體陣列，包括複數個記憶體單元；<br/> 一第一低通鎖存器，耦接至一第一接點及攜載一時脈訊號的一控制線；<br/> 一第一高通鎖存器，耦接至該第一低通鎖存器、該控制線及該記憶體陣列，<br/> 其中該第一低通鎖存器用以在該時脈訊號為低時傳播多個訊號，且在該時脈訊號為高時停止該些訊號的傳播，且<br/> 其中該第一高通鎖存器用以在該時脈訊號為高時傳播來自該第一低通鎖存器的多個訊號至一寫入電路，且在該時脈訊號為低時停止該些訊號的傳播；及<br/> 一第二低通鎖存器，耦接至一第二接點及該控制線，其中該第二低通鎖存器用以在該時脈訊號為低時傳播來自該第二接點的多個訊號至一讀取電路。
如請求項7所述之記憶體電路，進一步包括：<br/> 一時脈產生器，耦接至一時脈接點且用以產生一讀取時脈訊號及一寫入時脈訊號，其中該控制線的該時脈訊號與該讀取時脈訊號對應。
一種用於操作具有一記憶體陣列的一記憶體裝置的方法，該記憶體陣列包括複數個記憶體單元，該方法包括以下步驟：<br/> 經由一控制線向一第一低通鎖存器、一第二低通鎖存器及一高通鎖存器發送處於一低狀態或一高狀態的一時脈訊號，其中該第一低通鎖存器耦接至一第一接點及該控制線，其中該高通鎖存器耦接至該第一低通鎖存器、該控制線及一寫入電路，其中該第二低通鎖存器耦接至一第二接點及一讀取電路；<br/> 在該時脈訊號的該高狀態期間，經由該高通鎖存器傳播來自該第一低通鎖存器的多個訊號至該寫入電路；及<br/> 在該時脈訊號的該低狀態期間，經由該第二低通鎖存器傳播多個訊號至該讀取電路。
如請求項9所述之方法，其中該第一低通鎖存器及該高通鎖存器中的每一者包括兩個三態緩衝器及一反相器，且其中該些記憶體單元中的每一者是用以在一個時脈週期中進行一讀寫操作的一靜態隨機存取記憶體單元。
一種充電設備，接收由一供電設備所傳來的一交流電，並對一車端充電，該充電設備包括：<br/> 一供電櫃體，耦接至該供電設備，對該供電設備所傳來的該交流電進行電壓轉換，以得到一供電櫃體輸出電壓；<br/> 一第一連接線材，耦接至該供電櫃體輸出電壓，以及<br/> 一終端槍機櫃體，耦接至該第一連接線材，該終端槍機櫃體透過該第一連接線材耦接並通訊於該供電櫃體，該供電櫃體透過該第一連接線材供應一終端輸入電壓給該終端槍機櫃體，<br/> 其中，<br/> 該終端槍機櫃體的一偵測電路偵測該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓；<br/> 根據該終端槍機櫃體的一偵測結果，該終端槍機櫃體的一控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓是否到達一終端目標值；以及<br/> 根據該終端槍機櫃體的一判斷結果，該終端槍機櫃體決定是否通知該供電櫃體的一控制單元進行電壓補償，直到該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓到達該終端目標值。
如請求項1所述之充電設備，其中，該供電櫃體包括：<br/> 一第一電源供應櫃體與一第二電源供應櫃體，該第一電源供應櫃體透過一第二連接線材耦接至該第二電源供應櫃體。
如請求項2所述之充電設備，其中，<br/> 該第一電源供應櫃體包括：<br/> 一第一電壓轉換器；<br/> 一第一控制單元，該第一控制單元耦接至該第一電壓轉換器；以及<br/> 一第一偵測電路，該第一偵測電路耦接至該第一控制單元，該第一控制單元控制該第一電壓轉換器，<br/> 該第一電壓轉換器將該供電設備所傳來的該交流電轉換成一第一輸出電壓，以透過該第二連接線材傳送至該第二電源供應櫃體，<br/> 該第一偵測電路偵測流經該第一電源供應櫃體的一輸入電壓與一輸入電流，並將一偵測結果傳送至該第一控制單元，<br/> 該第一控制單元透過該第二連接線材而通訊於該第二電源供應櫃體；以及<br/> 該第二電源供應櫃體包括：<br/> 一第二電壓轉換器；<br/> 一第二控制單元，該第二控制單元耦接至該第二電壓轉換器；以及<br/> 一第二偵測電路，該第二偵測電路耦接至該第二控制單元，該第二控制單元控制該第二電壓轉換器，<br/> 該第二電壓轉換器將該第一電壓轉換器所傳來的該第一輸出電壓轉換成一第二輸出電壓，以透過該第一連接線材傳送至該終端槍機櫃體，<br/> 該第二偵測電路偵測流經該第二電源供應櫃體的一輸入電壓與一輸入電流，並將一偵測結果傳送給該第二控制單元，<br/> 該第二控制單元透過該第一連接線材而通訊於該終端槍機櫃體的該控制單元。
如請求項3所述之充電設備，其中，當該第二偵測電路的該偵測結果指示該第二電源供應櫃體所接收到的該輸入電壓未滿足所需要的一第二電源供應櫃體目標值時，該第二控制單元通知該第一控制單元，該第一控制單元控制該第一電壓轉換器以調整該第一輸出電壓，直到該第二電源供應櫃體所接收到的該輸入電壓滿足所需要的該第二電源供應櫃體目標值。
如請求項3所述之充電設備，其中，該第一電壓轉換器為一交流直流電壓轉換器，該第二電壓轉換器為一直流直流電壓轉換器。
如請求項1所述之充電設備，其中，<br/> 該供電櫃體包括：一電壓轉換器，該控制單元與一偵測電路，該控制單元耦接至該電壓轉換器與該偵測電路，<br/> 該供電櫃體的該電壓轉換器執行一交流直流轉換與一直流直流轉換，以及<br/> 當該終端槍機櫃體的該控制單元回傳指示該終端輸入電壓未滿足該終端目標值時，該供電櫃體的該控制單元控制該供電櫃體的該電壓轉換器以調整供電櫃體輸出電壓，直到該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓滿足該終端目標值。
如請求項1所述之充電設備，其中，<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元溝通於該車端，以得知該車端所需要的一車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體包括至少一個槍線；<br/> 該終端槍機櫃體的該偵測電路偵測該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓；<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓是否達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓；<br/> 回應於該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓已達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體的該控制單元控制對該至少一槍線供電，使得該至少一槍線對該車端進行充電；<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元持續溝通於該車端，以更新該車端所需要的該車端目標輸入電壓；以及<br/> 回應於該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓未達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體的該控制單元溝通於該供電櫃體的該控制單元，以要求該供電櫃體調整該供電櫃體輸出電壓，直到該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓。
如請求項1所述之充電設備，其中，<br/> 該終端槍機櫃體包括複數個槍線，<br/> 該些槍線個別對複數個車端進行充電。
如請求項1所述之充電設備，其中，<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元根據該些車端的個別需求而個別補償控制複數個槍線的個別輸出電壓與個別輸出電流，以及<br/> 該終端槍機櫃體的該偵測電路及/或該供電櫃體的一偵測電路用於監控電壓下降或電流損耗的一偵測結果，以基於該偵測結果進行補償一車端目標輸入電壓及/或一車端目標輸入電流。
如請求項1所述之充電設備，其中，<br/> 對該終端輸入電壓的補償由該終端槍機櫃體的該控制單元發起，並逐級傳遞到該供電櫃體的該控制單元。
一種充電方法，接收由一供電設備所傳來的一交流電，並對一車端充電，該充電方法包括：<br/> 由一供電櫃體將該供電設備所傳來的該交流電進行電壓轉換，以得到一供電櫃體輸出電壓；<br/> 該供電櫃體透過一第一連接線材供應一終端輸入電壓給一終端槍機櫃體，該終端槍機櫃體透過該第一連接線材耦接並通訊於該供電櫃體；<br/> 該終端槍機櫃體的一偵測電路偵測該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓；<br/> 根據該終端槍機櫃體的一偵測結果，該終端槍機櫃體的一控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓是否到達一終端目標值；以及<br/> 根據該終端槍機櫃體的一判斷結果，該終端槍機櫃體決定是否通知該供電櫃體的一控制單元進行電壓補償，直到該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓到達該終端目標值。
如請求項11所述之充電方法，其中，該供電櫃體包括：<br/> 一第一電源供應櫃體與一第二電源供應櫃體，該第一電源供應櫃體透過一第二連接線材耦接至該第二電源供應櫃體。
如請求項12所述之充電方法，其中，<br/> 該第一電源供應櫃體包括：<br/> 一第一電壓轉換器；<br/> 一第一控制單元，該第一控制單元耦接至該第一電壓轉換器；以及<br/> 一第一偵測電路，該第一偵測電路耦接至該第一控制單元，該第一控制單元控制該第一電壓轉換器，<br/> 該第一電壓轉換器將該供電設備所傳來的該交流電轉換成一第一輸出電壓，以透過該第二連接線材傳送至該第二電源供應櫃體，<br/> 該第一偵測電路偵測流經該第一電源供應櫃體的一輸入電壓與一輸入電流，並將一偵測結果傳送至該第一控制單元，<br/> 該第一控制單元透過該第二連接線材而通訊於該第二電源供應櫃體；以及<br/> 該第二電源供應櫃體包括：<br/> 一第二電壓轉換器；<br/> 一第二控制單元，該第二控制單元耦接至該第二電壓轉換器；以及<br/> 一第二偵測電路，該第二偵測電路耦接至該第二控制單元，該第二控制單元控制該第二電壓轉換器，<br/> 該第二電壓轉換器將該第一電壓轉換器所傳來的該第一輸出電壓轉換成一第二輸出電壓，以透過該第一連接線材傳送至該終端槍機櫃體，<br/> 該第二偵測電路偵測流經該第二電源供應櫃體的一輸入電壓與一輸入電流，並將一偵測結果傳送給該第二控制單元，<br/> 該第二控制單元透過該第一連接線材而通訊於該終端槍機櫃體的該控制單元。
如請求項13所述之充電方法，其中，當該第二偵測電路的該偵測結果指示該第二電源供應櫃體所接收到的該輸入電壓未滿足所需要的一第二電源供應櫃體目標值時，該第二控制單元通知該第一控制單元，該第一控制單元控制該第一電壓轉換器以調整該第一輸出電壓，直到該第二電源供應櫃體所接收到的該輸入電壓滿足所需要的該第二電源供應櫃體目標值。
如請求項13所述之充電方法，其中，該第一電壓轉換器為一交流直流電壓轉換器，該第二電壓轉換器為一直流直流電壓轉換器。
如請求項11所述之充電方法，其中，<br/> 該供電櫃體包括：一電壓轉換器，該控制單元與一偵測電路，該控制單元耦接至該電壓轉換器與該偵測電路，<br/> 該供電櫃體的該電壓轉換器執行一交流直流轉換與一直流直流轉換，以及<br/> 當該終端槍機櫃體的該控制單元回傳指示該終端輸入電壓未滿足該終端目標值時，該供電櫃體的該控制單元控制該供電櫃體的該電壓轉換器以調整供電櫃體輸出電壓，直到該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓滿足該終端目標值。
如請求項11所述之充電方法，其中，<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元溝通於該車端，以得知該車端所需要的一車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體包括至少一個槍線；<br/> 該終端槍機櫃體的該偵測電路偵測該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓；<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓是否達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓；<br/> 回應於該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓已達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體的該控制單元控制對該至少一槍線供電，使得該至少一槍線對該車端進行充電；<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元持續溝通於該車端，以更新該車端所需要的該車端目標輸入電壓；以及<br/> 回應於該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓未達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓，該終端槍機櫃體的該控制單元溝通於該供電櫃體的該控制單元，以要求該供電櫃體調整該供電櫃體輸出電壓，直到該終端槍機櫃體的該控制單元判斷該終端槍機櫃體的該終端輸入電壓達到該車端所需要的該車端目標輸入電壓。
如請求項11所述之充電方法，其中，<br/> 該終端槍機櫃體包括複數個槍線，<br/> 該些槍線個別對複數個車端進行充電。
如請求項11所述之充電方法，其中，<br/> 該終端槍機櫃體的該控制單元根據該些車端的個別需求而個別補償控制複數個槍線的個別輸出電壓與個別輸出電流，以及<br/> 該終端槍機櫃體的該偵測電路及/或該供電櫃體的一偵測電路用於監控電壓下降或電流損耗的一偵測結果，以基於該偵測結果進行補償一車端目標輸入電壓及/或一車端目標輸入電流。
如請求項11所述之充電方法，其中，<br/> 對該終端輸入電壓的補償由該終端槍機櫃體的該控制單元發起，並逐級傳遞到該供電櫃體的該控制單元。
一種光學封裝結構，係包括：<br/>電路板，具有相對之第一側及第二側，並於該第一側形成有凹槽；<br/>電子元件，具有相對之第一表面及第二表面，並形成有貫穿該第一表面及第二表面之複數第一導電穿孔，以令該電子元件以該第二表面容置於該凹槽中且電性連接該電路板；<br/>半導體元件，具有相對之第三表面及第四表面，以令該半導體元件以該第四表面設於該電子元件上並電性連接該電子元件；以及<br/>光元件，設於該半導體元件上並電性連接該半導體元件。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該電子元件為轉換式特定應用積體電路。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該半導體元件為電子積體電路元件。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該半導體元件中形成有貫穿該第三表面及該第四表面之複數第二導電穿孔。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該半導體元件以該第四表面接置於該電路板及該電子元件上，並電性連接該電路板及該電子元件。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該光元件為光晶片或光模組。
如請求項6所述之光學封裝結構，其中，該光模組包含有耦合器、光晶片、全反射鏡及光纖陣列單元。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該光元件設置有光學配件，且該光學配件係由該電路板支撐。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該光元件及該電路板間形成有填充層，以令該填充層包覆該半導體元件及該電子元件。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該電路板之第二側設有複數導電元件。
如請求項1所述之光學封裝結構，其中，該電路板與設於該電路板凹槽中的該電子元件、該半導體元件及該光元件構成三層垂直堆疊結構。
一種光學封裝結構之製法，係包括：<br/>提供一具有相對之第一側及第二側並於該第一側形成有凹槽之電路板；<br/>將電子元件設於該電路板之凹槽中，其中，該電子元件具有相對之第一表面及第二表面，且形成有貫穿該第一表面及第二表面之複數第一導電穿孔，以令該電子元件以該第二表面容置於該凹槽中且電性連接該電路板；<br/>將半導體元件設於該電子元件上，其中，該半導體元件具有相對之第三表面及第四表面，以令該半導體元件以該第四表面設於該電子元件上並電性連接該電子元件；以及<br/>將光元件設於該半導體元件上並電性連接該半導體元件。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該電子元件為轉換式特定應用積體電路。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該半導體元件為電子積體電路元件。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該半導體元件中形成有貫穿該第三表面及該第四表面之複數第二導電穿孔。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該半導體元件以該第四表面接置於該電路板及該電子元件上，並電性連接該電路板及該電子元件。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該光元件為光晶片或光模組。
如請求項17所述之光學封裝結構之製法，其中，該光模組包含有耦合器、光晶片、全反射鏡及光纖陣列單元。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該光元件設置有光學配件，且該光學配件係由該電路板支撐。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該光元件及該電路板間形成有填充層，以令該填充層包覆該半導體元件及該電子元件。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該電路板之第二側設有複數導電元件。
如請求項12所述之光學封裝結構之製法，其中，該電路板與設於該電路板凹槽中的該電子元件、該半導體元件及該光元件構成三層垂直堆疊結構。
一種無線射頻辨識(RFID)標籤，其包括：<br/>RFID標籤電子器件；及<br/>一天線總成，其耦合至該RFID電子器件，其中該天線總成包含一天線，其中該天線具有超過5個匝且具有一電容，<br/>其中該RFID標籤具有源自該天線總成之一諧振頻率，其中該RFID標籤之該諧振頻率高於由一RFID讀取器產生之一傳輸之一激發頻率，<br/>其中該RFID標籤係一分組中之鄰近複數個RFID標籤之一者，其中RFID標籤之該分組形塑由該RFID讀取器產生之通過RFID標籤之該分組之該傳輸的一磁通量密度場，其中歸因於諧振耦合，RFID標籤之該分組具有低於個別考量之該複數個RFID標籤之各者之諧振頻率的一諧振頻率，且其中由該RFID讀取器產生之該傳輸經由該諧振耦合對該RFID標籤電子器件供電，且<br/>其中該RFID標籤之一靈敏度隨著該天線之一匝數增加而增強。
如請求項1之RFID標籤，其進一步包括：<br/>一電路元件，其串聯連接於該天線與該RFID標籤電子器件之間，其中該電路元件包含一電容器、一電感器及一電阻器之至少一者。
如請求項2之RFID標籤，其中該電容器具有1.8 pF與3.0 pF之間的一電容。
如請求項2之RFID標籤，其中該電容器具有1.8 pF與3.9 pF之間的一電容。
如請求項2之RFID標籤，其中該電路元件係該天線總成之一組件。
如請求項1之RFID標籤，其中該天線總成之該電容源自該天線之一自電容。
如請求項1之RFID標籤，其中該天線總成進一步包括與該天線並聯之一電容器。
如請求項7之RFID標籤，其中與該天線並聯之該電容器具有0.125 pF與1.0 pF之間的一電容。
如請求項1之RFID標籤，其中該RFID電子器件進一步包括與該天線並聯之一電容器。
如請求項1之RFID標籤，其中該天線具有6個至19個之間的匝。
如請求項1之RFID標籤，其中該天線具有20個至34個之間的匝。
如請求項1之RFID標籤，其中該天線具有35個或更多個匝。
如請求項1之RFID標籤，其中該RFID標籤與該RFID讀取器之間的一讀取範圍隨著該天線之該匝數增加而增加。
如請求項1之RFID標籤，其中RFID標籤之該分組之一諧振頻率在該RFID讀取器之該激發頻率之高10%與低10%內。
一種用於判定一遊戲環境中之物件之位置之系統，該系統包括：<br/>複數個無線射頻辨識(RFID)天線，其等配置於一遊戲桌上之複數個位置處；<br/>一或多個RFID讀取器，其等耦合至該複數個RFID天線；及<br/>複數個RFID標籤，其中該複數個RFID標籤之一給定RFID標籤包括：<br/>RFID標籤電子器件；及<br/>一天線總成，其耦合至該RFID電子器件，其中該天線總成包含一天線，其中該天線具有超過5個匝且具有一電容，<br/>其中該給定RFID標籤具有源自該天線總成之一諧振頻率，其中該給定RFID標籤之該諧振頻率高於由該一或多個RFID讀取器產生之一傳輸之一激發頻率，<br/>其中該給定RFID標籤係一分組中之鄰近之該複數個RFID標籤之一者，其中RFID標籤之該分組形塑由該一或多個RFID讀取器產生之通過RFID標籤之該分組之該傳輸的一磁通量密度場，其中歸因於諧振耦合，RFID標籤之該分組具有低於個別考量之該複數個RFID標籤之各者之諧振頻率的一諧振頻率，且其中由該一或多個RFID讀取器產生之該傳輸經由該諧振耦合對該RFID標籤電子器件供電，且<br/>其中該給定RFID標籤之一靈敏度隨著該天線之一匝數增加而增強。
如請求項15之系統，其中該給定RFID標籤進一步包括：<br/>一電路元件，其串聯連接於該天線與該RFID標籤電子器件之間，其中該電路元件包含一電容器、一電感器及一電阻器之至少一者。
如請求項15之系統，其中該天線總成之該電容源自該給定RFID標籤之該天線之一自電容。
如請求項15之系統，其中該天線總成進一步包括與該給定RFID標籤之該天線並聯之一電容器。
如請求項15之系統，其中該RFID電子器件進一步包括與該給定RFID標籤之該天線並聯之一電容器。
如請求項15之系統，其中該給定RFID標籤之該天線具有35個或更多個匝。
一種氣溶膠凝結防止裝置，用於仿生系統，包括： <br/>一容器，具有一儲存空間及一安裝孔； <br/>一排氣管，設置於該安裝孔並具有一排氣口，該排氣口連通該儲存空間； <br/>一噴霧器，連接於該容器，並適於提供一氣溶膠至該儲存空間； <br/>一管狀蓋體，配置於該儲存空間內並覆蓋該排氣口，該管狀蓋體的側壁面具有多個貫孔。
如請求項1所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該管狀蓋體的表面為一疏水層。
如請求項2所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該疏水層為生物相容材料。
如請求項1所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該容器包括一上蓋，該管狀蓋體由鄰近該上蓋的一端朝向另一端漸縮。
如請求項4所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該管狀蓋體於遠離該上蓋的一端為封閉端。
如請求項1所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該些貫孔的孔徑介於1-5 mm之間。
如請求項1所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該些貫孔之間的孔距介於0.4-0.6 mm之間。
如請求項1所述的氣溶膠凝結防止裝置，其中該容器更具有一進氣口，該進氣口連通該儲存空間。
一種氣溶膠凝結防止裝置，用於仿生系統，包括： <br/>一容器，具有一儲存空間以及一排氣口，該儲存空間連通該排氣口； <br/>一噴霧器，連接於該容器，並適於提供一氣溶膠至該儲存空間； <br/>一管狀蓋體，配置於該儲存空間內並覆蓋該排氣口，該管狀蓋體的側壁面具有多個貫孔。
一種仿生系統，包括： <br/>一器官晶片； <br/>一氣溶膠凝結防止裝置，連通該器官晶片，包括： <br/>一容器，具有一儲存空間及一安裝孔； <br/>一排氣管，設置於該安裝孔並具有一排氣口，該排氣口連通該儲存空間； <br/>一噴霧器，連接於該容器，並適於提供一氣溶膠至該儲存空間； <br/>一管狀蓋體，配置於該儲存空間內並覆蓋該排氣口，該管狀蓋體的側壁面具有多個貫孔；以及 <br/>一氣體供應源，連通該氣溶膠凝結防止裝置。
一種儲存裝置，包括：<br/>複數個記憶體單元，該些記憶體單元中的每一個配置為儲存一資料位元；<br/>一第一互連結構，可操作地配置為一位元線並耦合至該些記憶體單元中的每一個；以及<br/>一第二互連結構，可操作地配置為承載一供給電壓並耦合至該些記憶體單元中的每一個，其中當該些記憶體單元中的一第一記憶體單元包括一第一通道結構，且該第一通道結構的一第一端和一第二端分別連接到一第一外延結構和一第二外延結構時，由該第一記憶體單元儲存的該資料位元呈現一第一邏輯狀態，以及其中該第一外延結構被一介電結構覆蓋，且該第二外延結構被一第一接觸結構覆蓋。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該些記憶體單元中的每一個為一唯讀記憶體單元。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該供給電壓為一接地電壓。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該介電結構包覆該第一外延結構的一頂表面和複數個側壁。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該介電結構僅與該第一外延結構的一頂表面直接接觸。
如請求項1所述之儲存裝置，其中該第一外延結構透過該介電結構與該第一互連結構或該第二互連結構物理接觸但電性隔離。
如請求項6所述之儲存裝置，其中該第二外延結構透過該第一接觸結構與該第一互連結構或該第二互連結構物理接觸且電耦合。
如請求項1所述之儲存裝置，其中當該些記憶體單元中的一第二記憶體單元包括一第二通道結構，且該第二通道結構的一第一端和一第二端分別連接到一第三外延結構和一第四外延結構時，由該第二記憶體單元儲存的該資料位元呈現一第二邏輯狀態，以及其中該第三外延結構被一第二接觸結構覆蓋，且該第四外延結構被一第三接觸結構覆蓋。
一種儲存裝置，包括：<br/>複數個記憶體單元，形成在沿著一第一橫向方向延伸的一主動區上方；<br/>一第一互連結構，可操作地配置為一位元線並沿著該第一橫向方向延伸；<br/>一第二互連結構，可操作地配置為一電源軌，該電源軌承載一接地電壓並沿著該第一橫向方向延伸；<br/>複數個外延結構，形成在該主動區中；<br/>一或多個接觸結構，分別覆蓋並接觸該些外延結構的一第一群組，該一或多個接觸結構中的每一個電耦合至該第一互連結構或該第二互連結構中的一個；以及<br/>一或多個介電結構，分別覆蓋並接觸該些外延結構的一第二群組，該一或多個介電結構中的每一個物理耦合但電性隔離至該第一互連結構或該第二互連結構中的另一個。
一種儲存裝置的形成方法，包括：<br/>形成一主動區沿一第一橫向方向延伸；<br/>形成複數個閘極結構於該主動區上方，該些閘極結構中的每一個沿著垂直該第一橫向方向的一第二橫向方向延伸；<br/>形成複數個外延結構於該主動區中，該些閘極結構中的每一個插置於相鄰的該些外延結構之間，其中該主動區、該些閘極結構和該些外延結構可操作地形成複數個儲存單元；<br/>形成一或多個接觸結構分別覆蓋並接觸該些外延結構的一第一群組，以及一或多個介電結構分別覆蓋並接觸該些外延結構的一第二群組；<br/>形成一第一互連結構沿該第一橫向方向延伸，該第一互連結構與該一或多個介電結構物理耦合但電性隔離；以及<br/>形成一第二互連結構沿該第一橫向方向延伸，該第二互連結構物理耦合且電耦合至該一或多個接觸結構。
一種輪轂馬達的測試固定裝置，其包括： <br/>一承載平台，用於承載一輪轂馬達；以及 <br/>一測試治具，可拆卸的安裝於所述輪轂馬達，所述測試治具包括一治具本體與一輸出軸，所述治具本體具有相反兩側的一第一側面與一第二側面，所述第一側面面向所述輪轂馬達，所述輸出軸設置所述第二側面； <br/>其中，所述輪轂馬達具有一軸承件，所述軸承件具有一第一端與一第二端；當所述輪轂馬達設置於所述承載平台，且所述測試治具安裝於所述輪轂馬達時，所述軸承件的所述第一端固定於所述承載平台，所述軸承件的所述第二端連接所述輸出軸。
如請求項1所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，所述測試治具還包括多個夾持件，設置於所述治具本體，多個所述夾持件對稱分布在所述治具本體的周圍。
如請求項2所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，所述夾持件為肘節夾鉗。
如請求項2所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，當所述測試治具安裝於所述輪轂馬達時，多個所述夾持件用於夾持所述輪轂馬達，使所述測試治具固定在所述輪轂馬達。
如請求項4所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，所述輸出軸位於所述治具本體的中心區域；當所述測試治具安裝於所述輪轂馬達時，所述輸出軸與所述軸承件進行同心度對正，使所述輪轂馬達的所述軸承件對準並連接所述輸出軸。
如請求項1所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，所述承載平台包括可相互組裝及拆卸的一承載部與一U形塊，所述承載部的頂部位置形成一凹部，當所述承載部與所述U形塊組裝時，所述凹部與所述U形塊共同形成一固定孔。
如請求項6所述的輪轂馬達的測試固定裝置，其中，所述軸承件的所述第一端穿過所述固定孔而固定於所述承載平台。
一種透明顯示模組，包含：<br/> 一透明基板，具有相對的一第一表面與一第二表面，且該透明基板包含：<br/> 一第一線路結構，由該第一表面貫穿至該第二表面；及<br/> 一第二線路結構，設置於該第一表面；<br/> 複數個發光二極體元件，設置於該第一表面，且電性連接該第一線路結構及該第二線路結構；<br/> 一第一保護層，連接該第一表面，且該些發光二極體元件埋設於該第一保護層內；<br/> 一佈線結構，連接該第二表面，使該透明基板位於該第一保護層與該佈線結構之間，該佈線結構包含一第三線路結構，且該第三線路結構電性連接該第一線路結構；<br/> 複數個積體電路元件，設置於該佈線結構遠離該透明基板的一表面，且電性連接該第三線路結構；以及<br/> 一第二保護層，連接該佈線結構的該表面，使該佈線結構位於該透明基板與該第二保護層之間，且該些積體電路元件埋設於該第二保護層內；<br/> 其中該第二線路結構於該第一表面呈一網格排列狀或一直線排列狀。
如請求項1所述的透明顯示模組，其中該第一線路結構包含複數個導電墊，且該些發光二極體元件通過該些導電墊電性連接該第一線路結構。
如請求項2所述的透明顯示模組，其中該些導電墊的一數量為該些發光二極體元件的一數量的1倍至4倍。
如請求項1所述的透明顯示模組，其中該第二線路結構包含複數個導線，且各該導線的一寬度為10 μm至100 μm。
一種透明顯示模組的製造方法，包含：<br/> 於一透明基板形成一第一線路結構與一第二線路結構，其中該透明基板具有相對的一第一表面與一第二表面，該第一線路結構由該第一表面貫穿至該第二表面，且該第二線路結構設置於該第一表面；<br/> 於該第二表面形成一佈線結構，該佈線結構包含一第三線路結構，且該第三線路結構電性連接該第一線路結構；<br/> 將複數個發光二極體元件設置於該第一表面，且該些發光二極體元件電性連接該第一線路結構及該第二線路結構；<br/> 將複數個積體電路元件設置於該佈線結構遠離該透明基板的一表面，且該些積體電路元件電性連接該第三線路結構；<br/> 於該第一表面形成一第一保護層，使該些發光二極體元件埋設於該第一保護層內，且該透明基板位於該第一保護層與該佈線結構之間；以及<br/> 於該佈線結構的該表面形成一第二保護層，使該佈線結構位於該透明基板與該第二保護層之間，且該些積體電路元件埋設於該第二保護層內，以獲得一透明顯示模組；<br/> 其中該第二線路結構於該第一表面呈一網格排列狀或一直線排列狀。
如請求項5所述的透明顯示模組的製造方法，其中該第一線路結構包含複數個導電墊，且該些發光二極體元件通過該些導電墊電性連接該第一線路結構。
如請求項6所述的透明顯示模組的製造方法，其中該些導電墊的一數量為該些發光二極體元件的一數量的1倍至4倍。
如請求項5所述的透明顯示模組的製造方法，其中該第二線路結構包含複數個導線，且各該導線的一寬度為10 μm至100 μm。
一種經皮葡萄糖監測系統，其特徵在於，包括：<br/> 一連續性葡萄糖監測設備，用於監測患者皮下組織間液的葡萄糖濃度；<br/> 一患者使用者端，用於獲取該連續性葡萄糖監測設備資訊、接收葡萄糖濃度資料、顯示該連續性葡萄糖監測設備的暖機進度；<br/> 一雲端伺服器，用於完成資料共用及讀取資料的授權；<br/> 其中，該患者使用者端的使用者介面包括：<br/> 一頂部資訊區，用於提供目前連續性葡萄糖監測設備的剩餘使用天數、即時葡萄糖數值及趨勢圖式，並藉由顏色變化或圖式標示葡萄糖狀態；<br/> 一葡萄糖變化圖表區，用於藉由圖形化方式呈現過去數小時內的葡萄糖變化趨勢；<br/> 一逐日監測記錄概覽圖表區，用於顯示患者過去數天的每日葡萄糖趨勢概覽；<br/> 一TIR分佈圖表區，用於提供葡萄糖管理的統計資料，顯示患者在目標葡萄糖範圍內的時間比例並藉由顏色橫條圖視覺化葡萄糖程度的時間分佈；<br/> 一底部巡覽列，用於提供多種功能按鈕，以使患者快速存取應用程序的不同功能。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，連續性葡萄糖監測設備包括：<br/> 一葡萄糖感測器，植入患者皮下，用於監測患者皮下組織間液的葡萄糖濃度；<br/> 一溫度感測器，用於監測環境溫度；<br/> 一葡萄糖量測單元，用於施加電壓至葡萄糖感測器以量測葡萄糖濃度；<br/> 一電池，用於供電；<br/> 一無線通訊單元，用於資料傳輸。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該患者使用者端包括：<br/> 一使用者介面，用於提供暖機狀態顯示、葡萄糖資料顯示及報表分析功能；<br/> 一無線通訊模組，用於接收連續性葡萄糖監測設備傳輸的葡萄糖濃度資料；<br/> 一儲存器，用於儲存葡萄糖濃度資料、趨勢分析、患者健康記錄及校正資料；<br/> 一個或多個處理器，用於執行各項功能指令；<br/> 一暖機控制單元，用於藉由處理器提供連續性葡萄糖監測設備的暖機進度與完成時間；<br/> 一葡萄糖資料處理單元，用於在暖機完成後藉由一個或多個處理器持續接收並處理葡萄糖濃度資料，產生即時葡萄糖讀值、動態葡萄糖波動曲線及葡萄糖管理報表。
如請求項3所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該暖機控制單元包括：<br/> 一時間設置模組，用於使一個或多個處理器根據暖機預設時間，提供連續性葡萄糖監測設備的暖機計畫完成時間；<br/> 一回應模組，用於使一個或多個處理器偵測連續性葡萄糖監測設備的開機動作並進行回應；<br/> 一時間記錄模組，用於使一個或多個處理器記錄連續性葡萄糖監測設備的開機時間和已暖機時間。
如請求項3所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該暖機控制單元包括：<br/> 一電量檢查模組，用於監測連續性葡萄糖監測設備及患者使用者端的剩餘電量並與預設啟動臨界值進行比較，以決定是否進行開機與暖機程序；<br/> 一時間設置模組，用於使一個或多個處理器根據暖機預設時間，提供連續性葡萄糖監測設備的暖機計畫完成時間。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該患者使用者端包括：<br/> 一注記模組，用於患者記錄用藥情況、飲食情況和鍛煉情況，根據日誌記錄獲取患者的使用者資訊；<br/> 一暖機進度顯示模組，用於顯示連續性葡萄糖監測設備的暖機進度；<br/> 一葡萄糖顯示模組，用於藉由區塊式設計的不同類型的趨勢圖式顯示目前的葡萄糖濃度資料以及葡萄糖值波動情況。
如請求項6所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，暖機進度顯示模組的顯示方式為：已暖機時間和/或暖機計畫完成時間。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，患者使用者端還包括一校正單元，其中，該校正單元包括：<br/> 一血糖資料獲取模組，用於接收患者藉由血糖檢測儀進行血糖檢測後的數值，由患者自主輸入或自動傳輸至患者使用者端；<br/> 一判斷模組，用於分析血糖資料的有效性，確認連續性葡萄糖監測設備是否正常運行；<br/> 一校正模組，用於在血糖資料有效且連續性葡萄糖監測設備正常運行的情況下，將血糖資料寫入患者使用者端。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該患者使用者端還包括：<br/> 一繪圖模組，用於根據患者的葡萄糖濃度資料進行葡萄糖曲線繪製和TIR指標統計；<br/> 一調整模組，用於根據葡萄糖濃度資料對葡萄糖曲線及TIR指標進行更正；<br/> 一產生模組，用於對葡萄糖濃度資料進行連續葡萄糖監測標準報告及動態葡萄糖圖譜報告的產生。
如請求項9所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，葡萄糖曲線包括：單日葡萄糖曲線圖、多日連續葡萄糖監測縮圖和多日四分點陣圖。
如請求項9所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，葡萄糖曲線和TIR指標圖藉由不同的顏色顯示患者的葡萄糖狀態。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該患者使用者端還包括一報警模組，用於在患者的葡萄糖值偏離健康葡萄糖值範圍時，向患者使用者端發出警報資訊。
一種訊息自動派送方法，執行於一交易設備整合系統中，該方法包括：<br/> 取得一交易設備的耗材使用量，其中該交易設備連線該交易設備整合系統；<br/> 運行一耗材評估模型，根據該交易設備的耗材使用量預測該交易設備的一耗材狀態，以根據該耗材狀態評估該交易設備是否應補充耗材；以及<br/> 當判斷該交易設備應補充耗材，該交易設備整合系統發送一耗材申請通知至該交易設備，使該交易設備發送一耗材申請請求至該交易設備整合系統；<br/> 其中，當該交易設備整合系統自該交易設備接收該耗材申請請求時，該交易設備整合系統根據一商店識別碼取得設置該交易設備的一商店的位置、根據一設備識別碼取得的該交易設備的型號以及一歷史耗材申請記錄驗證該耗材申請請求的合理性與正確性。
如請求項1所述的訊息自動派送方法，其中，於該交易設備整合系統發送該耗材申請通知之前，判斷該交易設備的型號決定發送該耗材申請通知的方式；其中，該交易設備為一智慧型裝置，該交易設備整合系統通過一推播系統以推播方式發送該耗材申請通知，或是，該交易設備為一傳統型裝置，該交易設備整合系統通過一派版系統經一專線發送該耗材申請通知。
如請求項1所述的訊息自動派送方法，其中，當通過該交易設備執行一筆交易時，該交易設備傳送該商店識別碼、該設備識別碼以及一交易資訊至該交易設備整合系統，由該交易設備整合系統根據該商店識別碼與該設備識別碼記錄該交易資訊至一耗材管理系統，形成該交易設備的其中一筆耗材使用記錄。
如請求項3所述的訊息自動派送方法，其中該交易設備整合系統連接一機器學習系統，其中運行一機器學習演算法，用於學習自該耗材管理系統取得該交易設備的多筆耗材使用記錄，以訓練得出對應該交易設備的該耗材評估模型的參數，用以預測該交易設備的該耗材狀態。
如請求項4所述的訊息自動派送方法，其中，當預測該交易設備的該耗材狀態低於一門檻時，該交易設備整合系統發送該耗材申請通知至該交易設備。
如請求項1所述的訊息自動派送方法，其中，當該交易設備整合系統接收該交易設備發送的該耗材申請請求，通過一耗材管理系統通知一耗材供應商，使該耗材供應商根據該交易設備的型號與該商店的位置派送耗材。
一種交易設備訊息處理系統，包括：<br/> 一或多個交易設備，各交易設備設於一商店中；<br/> 一交易設備整合系統，連線該一或多個交易設備，並執行一訊息自動派送方法；以及<br/> 一耗材管理系統，連接該交易設備整合系統，用以記錄該一或多個交易設備的耗材使用記錄；<br/> 其中該訊息自動派送方法包括：<br/> 取得其中之一交易設備的耗材使用量；<br/> 運行一耗材評估模型，根據該交易設備的耗材使用量預測該交易設備的一耗材狀態，以根據該耗材狀態評估該交易設備是否應補充耗材；以及<br/> 當判斷該交易設備應補充耗材，該交易設備整合系統發送一耗材申請通知至該交易設備，使該交易設備發送一耗材申請請求至該交易設備整合系統；<br/> 其中，當該交易設備整合系統自該交易設備接收該耗材申請請求時，該交易設備整合系統根據一商店識別碼取得設置該交易設備的一商店的位置、根據一設備識別碼取得的該交易設備的型號以及一歷史耗材申請記錄驗證該耗材申請請求的合理性與正確性。
如請求項7所述的交易設備訊息處理系統，其中該交易設備整合系統連接一機器學習系統，其中運行一機器學習演算法，用於學習自該耗材管理系統取得該交易設備的多筆耗材使用記錄，以訓練得出對應該交易設備的該耗材評估模型的參數，用以預測該交易設備的該耗材狀態。
一種交易設備，其中：<br/> 該交易設備連線一交易設備整合系統，當自該交易設備整合系統接收一耗材申請通知時，該耗材申請通知顯示於該交易設備的一顯示螢幕上，經觸發該交易設備上的一訊息傳送按鈕後，使該交易設備發出一耗材申請請求；<br/> 其中該交易設備整合系統經執行一訊息自動派送方法而產生該耗材申請通知，該方法包括：<br/> 取得該交易設備的耗材使用量；<br/> 運行一耗材評估模型，根據該交易設備的耗材使用量預測該交易設備的一耗材狀態，以根據該耗材狀態評估該交易設備是否應補充耗材；以及<br/> 當判斷該交易設備應補充耗材，該交易設備整合系統發送該耗材申請通知至該交易設備，使該交易設備發送該耗材申請請求至該交易設備整合系統；<br/> 其中，當該交易設備整合系統自該交易設備接收該耗材申請請求時，該交易設備整合系統根據一商店識別碼取得設置該交易設備的一商店的位置、根據一設備識別碼取得的該交易設備的型號以及一歷史耗材申請記錄驗證該耗材申請請求的合理性與正確性。
一種提供頁面之方法，其係於電子裝置中進行者，其包括如下步驟：<br/>確認包括由終端之用戶選擇之至少一個第1物品之第1物品清單；<br/>自上述第1物品清單中刪除上述至少一個第1物品中之自添加至上述第1物品清單之時點起經過第1設定之時間的第2物品並添加至第2物品清單；<br/>自上述終端接收對與上述第1物品清單相關之頁面之請求；及<br/>提供包括上述第1物品清單之第1區域、上述第2物品清單之第2區域及第3區域之頁面，該第3區域係表示上述第2物品已添加至上述第2物品清單者。
如請求項1之提供頁面之方法，其中對應於上述用戶對上述第1區域中之第3物品進行之第1輸入，自上述第1物品清單中刪除上述第3物品並添加至上述第2物品清單。
如請求項2之提供頁面之方法，其中上述第1輸入係藉由用以之後購買上述第3物品之按鈕進行之輸入。
如請求項2之提供頁面之方法，其中上述第2物品之資訊及上述第3物品之資訊係不同地顯示於上述第2區域中。
如請求項2之提供頁面之方法，其中上述第2物品清單所包括之物品顯示於上述第2區域中之順序係基於自上述物品各者添加至上述第1物品清單之時點起經過上述第1設定之時間的時點、或接收到藉由上述第1區域進行之輸入之時點而確定。
如請求項1之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟：<br/>確認上述第2物品之資訊是否藉由上述用戶藉由上述第3區域進行之第2輸入、或於上述頁面進行之捲動而顯示於上述終端中；<br/>於上述第2物品之資訊顯示於上述終端中之情形時，停用上述第3區域。
如請求項6之提供頁面之方法，其中對應於接收到上述第2輸入，上述第2物品之資訊顯示於上述終端中。
如請求項1之提供頁面之方法，其中於上述第2物品之資訊未顯示於上述終端中之情形時，對應於再次接收到對上述頁面之請求而激活提供至上述終端之上述頁面中包括之上述第3區域。
如請求項1之提供頁面之方法，其中對應於上述用戶對上述第2區域中之第4物品進行之第3輸入，自上述第2物品清單中刪除上述第4物品並添加至上述第1物品清單，<br/>於上述第1區域中顯示複數個介面工具集時，上述複數個介面工具集中之與上述第4物品之類別對應之第1介面工具集顯示於上述第1區域的上端。
如請求項9之提供頁面之方法，其中對應於上述第3輸入，上述第4物品之資訊顯示於上述終端中。
如請求項9之提供頁面之方法，其中對應於上述第3輸入，激活表示上述第4物品已添加至上述第1物品清單之第4區域，<br/>對應於上述用戶藉由上述第4區域進行之第4輸入，上述第4物品之資訊顯示於上述終端中。
如請求項1之提供頁面之方法，其中上述頁面包括與上述第2物品清單相關之按鈕，<br/>上述方法進而包括如下步驟：<br/>對應於上述用戶藉由上述按鈕進行之第5輸入，提供包括上述第2物品清單之資訊之子頁面。
如請求項12之提供頁面之方法，其中上述子頁面包括如下介面：<br/>按照類別來對上述第2物品清單所包括之物品進行排列。
如請求項12之提供頁面之方法，其進而包括如下步驟：<br/>對應於上述用戶對上述子頁面中之第5物品進行之第5輸入，確認上述第2物品清單所包括之物品中之與上述第5物品之類別對應的至少一個物品；且<br/>上述至少一個物品之資訊顯示於上述終端中。
一種電子裝置，其包括：<br/>收發器；<br/>一個以上之處理器；及<br/>儲存器，其儲存藉由上述一個以上之處理器而執行之一個以上之命令；且<br/>上述一個以上之處理器如下：執行上述一個以上之命令，藉此，<br/>確認包括由終端之用戶選擇之至少一個第1物品之第1物品清單；<br/>自上述第1物品清單中刪除上述至少一個第1物品中之自添加至上述第1物品清單之時點起經過第1設定之時間的第2物品並添加至第2物品清單；<br/>自上述終端接收對與上述第1物品清單相關之頁面之請求；及<br/>提供包括上述第1物品清單之第1區域、上述第2物品清單之第2區域及第3區域之頁面，該第3區域係表示上述第2物品已添加至上述第2物品清單者。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其記錄有用以於電腦中執行如請求項1至14中任一項之提供頁面之方法之程式。
一種發光二極體畫素電路，包含： 一第一電晶體，該第一電晶體的一端直接或間接耦接於一第一電源電壓，另一端耦接至一第一節點； <br/>一第二電晶體，該第二電晶體的一端耦接於該第一節點，另一端直接或間接地耦接至一第二電源電壓； <br/>一第三電晶體，耦接於一第一參考電壓與一第二節點之間； <br/>一第四電晶體，耦接於一資料電壓與一第三節點之間； <br/>一第五電晶體，耦接於該第一節點與該第二節點之間；以及 <br/>一第一電容，耦接於該第二節點與該第三節點之間。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，其中於一資料寫入階段，該第一電晶體與該第二電晶體關斷且該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體導通，該第一節點與該第二節點具有該第一參考電壓且該第三節點具有該資料電壓。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，其中於一發光階段，該第一電晶體與該第二電晶體導通且該第三電晶體、該第四電晶體與該第五電晶體關斷，該第二節點具有該第一參考電壓加上該第一參考電壓減去該資料電壓的至少一部份的一電壓。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，進一步包括： <br/>一第六電晶體，耦接於該第一參考電壓與該第三節點之間；其中於一發光階段，該第三節點具有該第一參考電壓。
如請求項4所述的發光二極體畫素電路，進一步包括： <br/>一第二電容，耦接於該第一參考電壓與該第二節點之間；其中於該發光階段，該第二節點具有的該電壓至少包含該第一電容與該第二電容的分壓結果。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，其中該第一電晶體與該第五電晶體為一第一型電晶體，且該第二電晶體、第三電晶體與第四電晶體為一第二型電晶體。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，其中該第一電晶體與該第五電晶體的體極耦接至一工作電壓，且該第二電晶體、第三電晶體與第四電晶體的體極耦接至一第二參考電壓。
如請求項7所述的發光二極體畫素電路，其中該第二參考電壓大於該第一參考電壓。
如請求項1所述的發光二極體畫素電路，其中該第三電晶體經配置以使該第三電晶體關閉時的漏電流接近或等於該第五電晶體關閉時的漏電流。
如請求項9所述的發光二極體畫素電路，其中該第三電晶體關閉時的該漏電流至少透過該第三電晶體的體極所耦接的一第二參考電壓調整。
一種易接著性聚酯薄膜，其具有聚酯薄膜基材及位於該聚酯薄膜基材的至少單面之塗布層，<br/> 前述塗布層係由包含聚碳酸酯聚胺基甲酸酯樹脂(A)、聚酯樹脂(B)、及封端異氰酸酯系交聯劑(C)之組成物所形成，<br/> 利用原子力顯微鏡觀察前述塗布層的表面，以3nN的荷重按壓之力曲線中，具有1nm以上的變形量之面積的比例相對於觀察面整體而言為0.15%以上。
如請求項1之易接著性聚酯薄膜，其中前述聚酯樹脂(B)在分子中具有萘骨架。
如請求項1之易接著性聚酯薄膜，其中前述封端異氰酸酯系交聯劑(C)係封端劑為吡唑系化合物。
如請求項1之易接著性聚酯薄膜，其中前述聚碳酸酯聚胺基甲酸酯樹脂(A)在分子中具有己烷結構。
如請求項4之易接著性聚酯薄膜，其中前述聚碳酸酯聚胺基甲酸酯樹脂(A)在分子中具有10質量%以上的己烷結構。
一種積層聚酯薄膜，其在如請求項1之易接著性聚酯薄膜的塗布層面進一步具有功能層。
一種易接著性聚酯薄膜之製造方法，其係如請求項1至5中任一項之易接著性聚酯薄膜之製造方法，其包含在聚酯薄膜基材的至少一側的面形成塗布層之步驟，<br/> 前述塗布層的形成步驟具有180℃以上的加熱步驟。
一種如請求項6之積層聚酯薄膜之製造方法，其包含在塗布層面進一步塗布功能層形成用組成物，形成功能層之步驟。
一種調光羅馬簾，其包括：一上軌，其內部設有至少一第一捲繩器以及至少一第二捲繩器，所述第一捲繩器係捲收、放鬆一第一繩體，所述第二捲繩器係捲收、放鬆一第二繩體，且所述第一、第二捲繩器係分別經由一第一拉繩器以及一第二拉繩器操作控制；一中軌，可升降活動地設置於該上軌下方，該中軌具有至少一連結孔以及至少一穿設孔，該連結孔係提供該第一繩體結合固定；一下軌，可升降活動地設置於該中軌下方；一羅馬簾體，係組設於該中軌以及該下軌間，該羅馬簾體係由上往下等距組設有複數個水平條，所述水平條皆設有至少一扣環件，所述扣環件具有一C形扣部，並可位移地卡扣於所述水平條外壁，又所述水平條外壁沿軸向設一定位凸肋，所述扣環件之C形扣部內壁設一定位凹槽，所述定位凹槽係與該定位凸肋契合定位，從而防止該扣環件於該水平條外壁轉動，達到該扣環件與該水平條的穿套定位，該第二繩體係依序穿過該中軌之穿設孔以及所述扣環件，最後將該第二繩體末端與最後順位的所述扣環件結合固定。
如請求項1所述之調光羅馬簾，其中，該羅馬簾體為透光簾以及遮光簾擇一選用者。
如請求項1所述之調光羅馬簾，其中，所述水平條為斷面呈C形狀之中空條體，並於所述水平條壁面上沿軸向形成有一開口，該開口的口徑小於所述水平條之內徑，所述水平條皆配合嵌入一橫桿，所述橫桿外徑大於所述水平條之開口口徑，並透過所述橫桿將該羅馬簾體迫緊嵌入所述水平條內，又所述水平條兩端係利用二管塞組套固定，進一步將所述橫桿限制於所述水平條內，所述扣環件外壁凸伸成形一穿孔部以供該第二繩體穿設。
如請求項1所述之調光羅馬簾，其中，該下軌係沿軸向設一軸槽，並於該軸槽頂端設一槽口，該軸槽係提供穿設一軸桿，該軸桿係沿軸向設一卡扣槽，該羅馬簾體底端設一固定片並嵌設於該軸桿之卡扣槽，接著將該羅馬簾體捲繞該軸桿後沿軸向穿設於該軸槽內，又該下軌左右兩端更分別固設一蓋板。
如請求項4所述之調光羅馬簾，其中，該羅馬簾體更可環繞包覆於該下軌外周。
如請求項1所述之調光羅馬簾，其中，該上軌內部可再設有一連動裝置以及一離合裝置，該連動裝置係裝設連接於該第一捲繩器以及該第二捲繩器之間，以令該第一、第二捲繩器可透過該連動裝置達到同步捲繩動作，該離合裝置則裝設於該第一拉繩器，以令該第一拉繩器與該第一捲繩器具有離合作動。
一種金鑰產生器系統，其包含： <br/>一光子源，其經組態以產生一自旋-1粒子； <br/>一<i>N</i>維量子隨機數產生器（ND-QRNG），其包括： <br/>一光學單元，其包括： <br/>一製備級，其經組態以實現經由值不確定性之認證；以及 <br/>一量測級，其經組態以產生藉由量測一粒子之一狀態而獲得的數及結果，該粒子用以在滿足一組條件的一狀態下製備一<i>N</i>維量子系統，該組條件確保該量測結果不存在確定值關聯；以及 <br/>一偵測器，其經組態以輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>一處理器；以及 <br/>一記憶體，其包括儲存於其上之指令，該等指令在由該處理器執行時使得該系統： <br/>藉由該光子源產生一自旋-1粒子； <br/>藉由該光學單元接收該自旋-1粒子； <br/>藉由該光學單元基於該自旋-1粒子之狀態產生一組結果； <br/>藉由該偵測器偵測該組結果；以及 <br/>藉由該偵測器基於所偵測到之該組結果輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該量測級： <br/>在該光學單元之該量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子；以及 <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時使得該製備級： <br/>選擇一組機率，其中該組機率中之各機率大於零且小於一，且該組機率之一總和等於一；以及 <br/>判定描述該量子系統之一厄米特么正算子之一或多個本徵態，其中該厄米特么正算子對應於相對於一標準笛卡爾基之<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項2之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>評估既不正交亦不平行於量測算子<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該所判定之一或多個本徵態中之任一者的量子態；以及 <br/>判定各值候選量子態在相對於標準笛卡爾基之該量測算子之該一或多個本徵態上的投影。
如請求項3之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>移除其投影之量測機率不在該組機率中的該候選量子態。
如請求項4之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>將其餘量子態設定為一有效製備量子態。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該量測級： <br/>在該通用干涉計之複數個輸出埠中之一輸出埠處產生對應於一<i>N</i>維本徵態之一經量測光子。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中該通用干涉計之各輸入埠經組態以自該ND-QRNG之該製備級接收在希伯特空間中具有三個或更多個維度的量子資訊之一對應所製備光子。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中各對應所製備光子係基於選自總和為1之機率分佈集合p1、p2、……、p<i>N</i>中的一所選機率分佈集合而製備，且其中該p1、該p2、……、該p<i>N</i>為小於1且大於0之有理數。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中該ND-QRNG包括<i>N</i>個輸入埠，其中<i>N</i>大於二，且其中各輸入埠經組態以自該ND-QRNG之一製備級接收在希伯特空間中具有三個維度的量子資訊之至少一個所製備光子。
如請求項1之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該系統： <br/>基於<i>N</i>進位數之該序列產生一金鑰；以及 <br/>基於該金鑰對資訊進行加密。
一種用於產生一金鑰之處理器實施方法，其包含： <br/>藉由一光子源產生一自旋-1粒子； <br/>藉由一光學單元接收該自旋-1粒子； <br/>藉由該光學單元基於該自旋-1粒子之狀態產生一組結果； <br/>藉由一偵測器偵測該組結果；以及 <br/>藉由該偵測器基於所偵測到之該組結果輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>將其餘量子態設定為一有效製備量子態；以及 <br/>在該光學單元之一量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子； <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該光學單元之一製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊；以及 <br/>在該通用干涉計之複數個輸出埠中之一輸出埠處產生對應於一<i>N</i>維本徵態之一經量測光子。
如請求項11之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>選擇一組機率，其中該組機率中之各機率大於零且小於一，且該組機率之一總和等於一；以及 <br/>判定描述該量子系統之一厄米特么正算子之一或多個本徵態，其中該厄米特么正算子對應於相對於一標準笛卡爾基之<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項12之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>評估既不正交亦不平行於量測算子<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該所判定之一或多個本徵態中之任一者的量子態；以及 <br/>判定各值候選量子態在相對於標準笛卡爾基之該量測算子之該一或多個本徵態上的投影。
如請求項13之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>移除其投影之量測機率不在該組機率中的該候選量子態。
如請求項11之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>基於<i>N</i>進位數之該序列產生一金鑰；以及 <br/>基於該金鑰對資訊進行加密。
一種金鑰產生器裝置，其包含： <br/>一雷射，其經組態以產生光子； <br/>一<i>N</i>維量子隨機數產生器（ND-QRNG），其包括： <br/>一製備級，其經組態以基於該等所產生光子產生一系列<i>N</i>維製備狀態；以及 <br/>一量測級，其經組態以接收由該製備級產生之該系列<i>N</i>維製備狀態且產生<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之一字串作為量測結果，其中該量測級進一步經組態以： <br/>在該量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子；以及 <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊； <br/>一或多個偵測器，其經組態以基於該等量測結果輸出<i>N</i>進位數之一序列；以及 <br/>一計算裝置，其經組態以基於<i>N</i>進位數之該序列產生金鑰位元，該計算裝置包括： <br/>一金鑰位元組譯器，其經組態以進行以下操作中的至少一者：儲存、串接或組譯來自該量測級之該等量測結果的<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之一字串； <br/>一二進位映射器，其經組態以透過一結構保持映射將<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之該字串變換成<i>L</i>個位元；以及 <br/>一金鑰通信器，其經組態以產生通信媒體以供傳輸至一遠端計算裝置；以及 <br/>一資料埠，其經組態以自該計算裝置傳輸所產生之該金鑰。
一種金鑰產生器系統，其包含： <br/>一光子源，其經組態以產生一粒子； <br/>一<i>N</i>維量子隨機數產生器（ND-QRNG），其中<i>N</i>＞3，該<i>N</i>維量子隨機數產生器包括： <br/>一光學單元，其包括： <br/>一製備級，其經組態以實現經由值不確定性之認證；以及 <br/>一量測級，其經組態以產生藉由量測一粒子之一狀態而獲得的數及結果，該粒子用以在滿足一組條件的一狀態下製備一<i>N</i>維量子系統，該組條件確保該量測結果不存在確定值關聯；以及 <br/>一偵測器，其經組態以輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>一處理器；以及 <br/>一記憶體，其包括儲存於其上之指令，該等指令在由該處理器執行時使得該系統： <br/>藉由該光子源產生一粒子； <br/>藉由該光學單元接收該粒子； <br/>藉由該光學單元基於該粒子之狀態產生一組結果； <br/>藉由該偵測器偵測該組結果； <br/>藉由該偵測器基於所偵測到之該組結果輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>在該光學單元之該量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子；以及 <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時使得該製備級： <br/>選擇一組機率，其中該組機率中之各機率大於零且小於一，且該組機率之一總和等於一；以及 <br/>判定描述該量子系統之一厄米特么正算子之一或多個本徵態，其中該厄米特么正算子對應於相對於一標準笛卡爾基之<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項18之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>評估既不正交亦不平行於量測算子<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該所判定之一或多個本徵態中之任一者的量子態；以及 <br/>判定各值候選量子態在相對於標準笛卡爾基之該量測算子之該一或多個本徵態上的投影。
如請求項19之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>移除其投影之量測機率不在該組機率中的該候選量子態。
如請求項20之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該製備級： <br/>將其餘量子態設定為一有效製備量子態。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該量測級： <br/>在該通用干涉計之複數個輸出埠中之一輸出埠處產生對應於一<i>N</i>維本徵態之一經量測光子。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中該通用干涉計之各輸入埠經組態以自該ND-QRNG之該製備級接收在希伯特空間中具有三個或更多個維度的量子資訊之一對應所製備光子。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中各對應所製備光子係基於選自總和為1之機率分佈集合p1、p2、……、p<i>N</i>中的一所選機率分佈集合而製備，且其中該p1、該p2、……、該p<i>N</i>為小於1且大於0之有理數。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中該ND-QRNG包括<i>N</i>個輸入埠，其中<i>N</i>大於二，且其中各輸入埠經組態以自該ND-QRNG之一製備級接收在希伯特空間中具有三個維度的量子資訊之至少一個所製備光子。
如請求項17之金鑰產生器系統，其中該等指令在由該處理器執行時進一步使得該系統： <br/>基於<i>N</i>進位數之該序列產生一金鑰；以及 <br/>基於該金鑰對資訊進行加密。
一種用於產生一金鑰之處理器實施方法，其包含： <br/>藉由一光子源產生一模擬一高維粒子； <br/>藉由一光學單元接收該模擬一高維粒子； <br/>藉由該光學單元基於該模擬一高維粒子之狀態產生一組結果； <br/>藉由一偵測器偵測該組結果； <br/>藉由該偵測器基於所偵測到之該組結果輸出<i>N</i>進位數之一序列； <br/>在該光學單元之一量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子；以及 <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該光學單元之一製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊。
如請求項27之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>選擇一組機率，其中該組機率中之各機率大於零且小於一，且該組機率之一總和等於一；以及 <br/>判定描述該量子系統之一厄米特么正算子之一或多個本徵態，其中該厄米特么正算子對應於相對於一標準笛卡爾基之<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項28之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>評估既不正交亦不平行於量測算子<img align="absmiddle" height="9px" width="10px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>之該所判定之一或多個本徵態中之任一者的量子態；以及 <br/>判定各值候選量子態在相對於標準笛卡爾基之該量測算子之該一或多個本徵態上的投影。
如請求項29之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>移除其投影之量測機率不在該組機率中的該候選量子態。
如請求項30之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>將其餘量子態設定為一有效製備量子態。
如請求項31之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>在該通用干涉計之複數個輸出埠中之一輸出埠處產生對應於一<i>N</i>維本徵態之一經量測光子。
如請求項27之處理器實施方法，其進一步包含： <br/>基於<i>N</i>進位數之該序列產生一金鑰；以及 <br/>基於該金鑰對資訊進行加密。
一種金鑰產生器裝置，其包含： <br/>一雷射，其經組態以產生光子； <br/>一<i>N</i>維量子隨機數產生器（ND-QRNG），其中<i>N</i>＞3，該<i>N</i>維量子隨機數產生器包括： <br/>一製備級，其經組態以基於該等所產生光子產生一系列<i>N</i>維製備狀態；以及 <br/>一量測級，其經組態以接收由該製備級產生之該系列<i>N</i>維製備狀態且產生<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之一字串作為量測結果，其中該量測級進一步經組態以： <br/>在該量測級之一通用干涉計的至少一個輸入埠上接收一或多個光子；以及 <br/>使用該量測級之該通用干涉計的<i>N</i>(<i>N</i>-1)/2個二維（2D）干涉計來沿著一笛卡爾座標標準系統之一厄米特么正算子量測由該製備級製備之該一或多個光子，且在所接收之該一或多個光子之一希伯特空間中保持三個維度的量子資訊； <br/>一或多個偵測器，其經組態以基於該等量測結果輸出<i>N</i>進位數之一序列；以及 <br/>一計算裝置，其經組態以基於<i>N</i>進位數之該序列產生金鑰位元，該計算裝置包括： <br/>一金鑰位元組譯器，其經組態以進行以下操作中的至少一者：儲存、串接或組譯來自該量測級之該等量測結果的<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之一字串； <br/>一二進位映射器，其經組態以透過一結構保持映射將<i>K</i>＞0個<i>N</i>進位數位之該字串變換成<i>L</i>個位元；以及 <br/>一金鑰通信器，其經組態以產生通信媒體以供傳輸至一遠端計算裝置；以及 <br/>一資料埠，其經組態以自該計算裝置傳輸所產生之該金鑰。
一種自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，包括以下步驟：S1、在矽襯底上依次製備外延層和氧化矽薄膜，並根據閘極溝槽圖形和源極溝槽圖形通過光刻工藝在外延層上刻蝕出溝槽的上半部；S2、在溝槽的上半部與閘極溝槽圖形對應的側壁區域澱積氮化矽保護膜，並在溝槽未覆蓋氮化矽保護膜的區域向下刻蝕出溝槽的下半部，形成源極溝槽；S3、在源極溝槽的下半部的側壁及槽底通過氧化形成耐壓氧化層，並在源極溝槽中製備遮罩閘極多晶矽；S4、去除氮化矽保護膜形成閘極溝槽，通過氧化在閘極溝槽形成柵氧化層以及同時在遮罩閘極多晶矽的暴露表面形成多晶矽層間氧化層；S5、在閘極溝槽中製作閘極多晶矽；S6、通過離子注入形成體區與源區；S7、製備接觸孔和鎢栓；S8、蝕刻形成電路，並製作鈍化層。
如請求項1所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S1步驟包括以下子步驟：S110、在矽襯底上形成一層或多層外延層；S120、在外延層的上表面沉積氧化矽薄膜；S130、在氧化矽薄膜上沉積光刻膠掩膜；S140、在光刻膠掩膜上定義用於形成閘極溝槽的閘極溝槽圖形以及用於形成源極溝槽的源極溝槽圖形；S150、通過乾法蝕刻工藝在閘極溝槽圖形和源極溝槽圖形對應的區域刻開氧化矽薄膜並暴露出外延層的表面；S160、去除光刻膠掩膜，並刻蝕外延層的暴露區域，在外延層的暴露區域上形成電路圖形中溝槽的上半部。
如請求項2所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S2步驟包括以下子步驟：S210、在外延層表面和溝槽內部沉積氮化矽；S220、去除外延層表面的氮化矽和溝槽中部與源極溝槽圖形對應的區域的氮化矽，保留溝槽側壁與閘極溝槽圖形對應的區域的氮化矽作為氮化矽保護膜；S230、在溝槽中未覆蓋氮化矽保護膜的區域刻蝕出溝槽的下半部，形成源極溝槽。
如請求項3所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S3步驟包括以下子步驟：S310、通過高溫氧化工藝在溝槽下半部的側壁及溝槽的槽底進行氧化層的生長，形成耐壓氧化層；S320、通過化學氣相澱積在矽襯底上整體澱積多晶矽，使源極溝槽中填滿多晶矽；S330、去除源極溝槽之外區域的多晶矽以及冒出源極溝槽的多晶矽，保留源極溝槽中填充的多晶矽形成遮罩閘極多晶矽。
如請求項4所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S4步驟包括以下子步驟：S410、去除溝槽中的氮化矽保護膜，在氮化矽保護膜填充區域形成閘極溝槽，通過閘極溝槽露出遮罩閘極多晶矽的上半部和外延層的對應區域；S420、通過高溫氧化工藝在遮罩閘極多晶矽的暴露表面形成多晶矽層間氧化層，同時在閘極溝槽露出的外延層區域的表面形成柵氧層。
如請求項5所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S5步驟包括以下子步驟：S510、通過化學氣相澱積在矽襯底上整體澱積多晶矽，使閘極溝槽中填滿多晶矽；S520、去除閘極溝槽之外區域的多晶矽以及冒出閘極溝槽的多晶矽，保留閘極溝槽中填充的多晶矽形成閘極多晶矽。
如請求項6所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S6步驟包括以下子步驟：S610、在外延層上表面通過離子注入雜質形成體區，並通過熱工藝對體區的雜質進行啟動；S620、通過光刻工藝定義源區，並在體區上表面通過離子注入雜質形成源區。
如請求項7所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S7步驟包括以下子步驟：S710、通過化學氣象澱積在矽襯底的表面形成二氧化矽介質層；S720、通過光刻工藝，使用光刻膠定義各個接觸孔的圖形，該接觸孔包括源區接觸孔、源區多晶矽互聯接觸孔以及閘極多晶矽接觸孔；S730、通過乾法蝕刻各個接觸孔的圖形的對應區域，形成各接觸孔；S740、通過離子注入摻雜高濃度雜質到各個接觸孔的底部，在各個接觸孔的底部形成歐姆接觸結構，並通過快速熱退火啟動該高濃度雜質；S750、通過物理氣象澱積工藝在各個接觸孔的孔壁澱積金屬以及氮化物，並通過快速熱退火形成矽化物保護層；S760、在各接觸孔中澱積金屬鎢，通過乾法刻蝕方法去除接觸孔以外的金屬鎢，在接觸孔中形成鎢栓。
如請求項8所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，在該S740步驟中離子注入的雜質元素極性與S610步驟中注入的雜質元素的極性相同，且與S620步驟中注入的雜質元素的極性相反；和/或該S750步驟中澱積的金屬包括鈦、鈷、鉭中的一種或多種。
如請求項8或9所述之自定義主動區溝槽的分離柵功率器件的製造方法，其中，該S8步驟包括以下子步驟：S810、在鎢栓上方通過物理氣象澱積鋁銅化合物；S820、通過光刻工藝和乾法蝕刻在鋁銅化合物上刻蝕出隔離區，通過隔離區分隔形成閘極金屬墊和源極金屬墊；S830、通過化學氣相澱積在鋁銅化合物上形成鈍化層；S840、通過光刻工藝與乾法蝕刻對鈍化層進行刻蝕，暴露出閘極金屬墊和源極金屬墊的部分區域。
一種墊片，其特徵在於，所述墊片呈圓環狀，安裝於相對的凸緣部的呈平面狀的密封面之間，在徑向內側面與徑向外側面之間形成有臺階，所述徑向內側面是與內側周面連續的徑向內側的軸向兩端面，所述徑向外側面是徑向外側的軸向兩端面，所述徑向內側面比所述徑向外側面位於軸向外側，所述徑向內側面以及所述徑向外側面分別呈與軸向正交的平面狀，在所述徑向內側面與所述密封面接觸之後，所述徑向外側面與所述密封面接觸，在所述徑向內側面與所述徑向外側面之間沿著周向形成有槽。
如請求項1所述的墊片，其特徵在於，所述臺階的沿著軸向的尺寸為0.03～0.09mm。
一種接頭結構，其特徵在於，在將呈圓環狀的墊片夾在相對的凸緣部的呈平面狀的密封面之間的狀態下將所述凸緣部彼此緊固，所述墊片在徑向內側面與徑向外側面之間形成有臺階，所述徑向內側面是與內側周面連續的徑向內側的軸向兩端面，所述徑向外側面是徑向外側的軸向兩端面，所述徑向內側面比所述徑向外側面位於軸向外側，所述徑向內側面以及所述徑向外側面分別呈與軸向正交的平面狀，在所述徑向內側面與所述密封面接觸之後，所述徑向外側面與所述密封面接觸，在所述徑向內側面與所述徑向外側面之間沿著周向形成有槽。
如請求項3所述的接頭結構，其特徵在於，在將所述凸緣部彼此緊固的狀態下，至少所述徑向內側面塑性變形，所述徑向內側面與所述徑向外側面成為同一平面狀。
如請求項3或4所述的接頭結構，其特徵在於，對所述密封面實施了鏡面加工。
一種變壓鞋楦，包含：<br/> 一鞋楦本體；以及<br/> 一變壓多孔模件，嵌設於該鞋楦本體中且對應外露於一發泡成型空間，該變壓多孔模件上設有複數個變壓孔隙，該些變壓孔隙連通該發泡成型空間；<br/> 其中，該變壓鞋楦進一步包含一澆道，該澆道貫穿該鞋楦本體，且該澆道在該鞋楦本體靠近該發泡成型空間之一側面有一澆口。
如請求項1所述之變壓鞋楦，進一步包含一氣室，該氣室開設於該鞋楦本體且對應該變壓多孔模件。
如請求項1所述之變壓鞋楦，進一步包含複數個氣體流道，每一該些氣體流道之一端連通該變壓多孔模件，且每一該些氣體流道之另一端朝外開通並於該鞋楦本體之一表面有一氣口。
如請求項1所述之變壓鞋楦，其中該鞋楦本體包含一夾座和一楦頭體，該夾座銜接於該楦頭體之一頂端。
如請求項4所述之變壓鞋楦，其中該楦頭體包含一鞋頭部和一鞋跟部，該鞋頭部可拆地連接該鞋跟部。
一種變壓鞋楦，包含：<br/> 一鞋楦本體；以及<br/> 一變壓多孔模件，嵌設於該鞋楦本體中且對應外露於一發泡成型空間，該變壓多孔模件上設有複數個變壓孔隙，該些變壓孔隙連通該發泡成型空間，其中該變壓多孔模件之每一該些變壓孔隙的一尺寸為30微米至300微米。
一種變壓射出鞋底結合鞋面之方法，包含：<br/> 提供如請求項1至請求項6任一項所述之變壓鞋楦；<br/> 將一鞋面套入該變壓鞋楦，並定位至一射出鞋模系統中；<br/> 射入一發泡材料至該射出鞋模系統之一發泡成型空間；以及<br/> 進行一結合步驟，係施加一壓力至該發泡材料，並加熱該發泡材料以發泡為一鞋底，該壓力為一變化壓力，且該鞋底與該鞋面結合，藉該變壓多孔模件之該些變壓孔隙使得該發泡材料與該鞋面的一接觸面粗化，以得到一鞋子。
如請求項7所述之變壓射出鞋底結合鞋面之方法，其中該鞋面具有一底層，且該底層設有均勻分布之複數個孔洞，每一該些孔洞之一尺寸為0.1毫米至3毫米。
如請求項7所述之變壓射出鞋底結合鞋面之方法，其中該鞋面具有一底層，且該底層之一材質為一織物。
一種電子裝置，包括：<br/> 基底，該基底具有一頂面和與該頂面相對的底面；以及<br/> 設置在該頂面上的半導體裝置，其中在俯視圖中，該半導體裝置具有位於該基底內的裝置邊緣；<br/> 其中該基底包括：<br/> 設置在該基底上且靠近該頂面的至少兩組接地通孔，其中該至少兩組接地通孔以第一種對稱方式佈局，且該至少兩組接地通孔中的每一組接地通孔包括至少三個第一接地通孔，該至少三個第一接地通孔以第二種對稱方式佈局；<br/> 該至少兩組接地通孔包括四組接地通孔，該第一種對稱方式包括旋轉對稱，該四組接地通孔圍繞第一參考通孔旋轉對稱；<br/> 該第二種對稱方式包括鏡像對稱，該至少三個第一接地通孔具有開口朝向該第一參考通孔外側的V形對稱形狀，並以鏡像對稱佈局。
如請求項1所述的電子裝置，其中該半導體裝置包括高頻寬裝置，該高頻寬裝置包括開關、繼電器、多工器（MUX）、動態隨機存取記憶體（DRAM）、耦接器、插座、繼電器或電源管理集成電路（PMIC）。
如請求項1所述的電子裝置，其中該半導體裝置包括至少兩組接地引腳，被配置為與該至少兩組接地通孔相耦接，且該至少兩組接地引腳中的每一組接地引腳中的至少三個接地引腳分別直接與一該第一接地通孔耦接。
如請求項3所述的電子裝置，其中該至少兩組接地通孔中的每一組接地通孔包括第一數量的第一接地通孔，該至少兩組接地引腳中的每一組接地引腳包括第二數量的接地引腳，且該第二數量等於或大於該第一數量。
如請求項1所述的電子裝置，其中該參考通孔是電源通孔或訊號通孔。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少三個第一接地通孔屬於相同類型。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少兩組接地通孔中的每一組接地通孔還包括至少兩個以對稱方式佈局的第二接地通孔，且該第一接地通孔和該第二接地通孔屬於不同類型。
如請求項1所述的電子裝置，其中該至少兩組接地通孔中的每一組接地通孔還包括至少兩個以對稱方式佈局的第二接地通孔，且該第一接地通孔和該第二接地通孔具有不同的尺寸。
如請求項1所述的電子裝置，其中該基底還包括：<br/> 第一接地跡線或第一接地面，耦接在該至少兩組接地通孔的每一組接地通孔的該第一接地通孔之間，其中該第一接地跡線或該第一接地面具有對稱形狀。
如請求項9所述的電子裝置，其中該第一接地跡線包括V形、A形或條狀形。
如請求項9所述的電子裝置，其中該基底還包括：<br/> 第二接地面，耦接在該至少兩組接地通孔的該至少三個第一接地通孔的相應部分之間。
如請求項4所述的電子裝置，其中該基底還包括：<br/> 訊號跡線，耦接到該第一參考通孔並從該半導體裝置延伸出去；<br/> 第二參考通孔，耦接到該訊號跡線未被該半導體裝置覆蓋的一端；以及<br/> 設置在該第二參考通孔旁邊並與該第二參考通孔分隔第一距離的第二接地通孔，其中該第一參考通孔和該第二參考通孔包括訊號通孔。
一種三維半導體積體電路，包含：兩個系統單晶片，該兩個系統單晶片彼此相鄰，且該兩個系統單晶片的每一者包含一第一重佈線層；以及兩個伴隨晶片，該兩個伴隨晶片彼此相鄰且其間設有至少一晶片間連結，且該兩個伴隨晶片的每一者包含一第二重佈線層用作為該至少一晶片間連結，其中，該兩個系統單晶片中之每一者透過混合接合與該兩個伴隨晶片中之每一者接合，以使該兩個系統單晶片中之其中一者透過該混合接合及該至少一晶片間連結與該兩個系統單晶片中之其中另一者進行通訊，及該兩個系統單晶片中之該其中一者被配置為透過該第一重佈線層及該第二重佈線層與該兩個系統單晶片中之該其中另一者進行通訊。
如請求項1所述之三維半導體積體電路，其中，該兩個系統單晶片的每一者包含多個第一接合墊，該兩個伴隨晶片的每一者包含多個第二接合墊，及該兩個系統單晶片中之該其中一者被配置為不透過該等第一接合墊或該等第二接合墊與該兩個系統單晶片中之該其中另一者進行通訊。
如請求項1所述之三維半導體積體電路，其中，該兩個伴隨晶片之該第二重佈線層未連接至該兩個伴隨晶片中的任何電路。
如請求項1所述之三維半導體積體電路，其中，該兩個系統單晶片之該第一重佈線層連接至該兩個系統單晶片中之發送和接收電路。
如請求項1所述之三維半導體積體電路，其中，該第一重佈線層被具有第一鍵結部之一第一非導電層覆蓋，該第二重佈線層被具有第二鍵結部之一第二非導電層覆蓋，及該第一鍵結部與該第二鍵結部對位以作為縱向通孔，以使該第一重佈線層與該第二重佈線層電性耦合。
如請求項1所述之三維半導體積體電路，其中，該第一重佈線層包含至少一條垂直於每個系統單晶片之邊緣的導線，及該第二重佈線層包含至少一條從每個伴隨晶片之邊緣垂直延伸出的導線。
一種三維半導體積體電路，包含：一系統單晶片晶圓，包含多個系統單晶片，該系統單晶片晶圓還包含形成在該等系統單晶片上之一第一重佈線層，且該第一重佈線層包含第一鍵結部；一伴隨晶圓，包含多個伴隨晶片且該等伴隨晶片間設有晶片間連結，該伴隨晶圓還包含形成在該等伴隨晶片上之一第二重佈線層，且該第二重佈線層包含第二鍵結部，其中，該伴隨晶圓與該系統單晶片晶圓接合，以使該系統單晶片晶圓上之相鄰系統單晶片透過該伴隨晶圓上之該晶片間連結相互電性耦合，及該第一鍵結部與該第二鍵結部對位以使該第一重佈線層與該第二重佈線層電性耦合。
如請求項7所述之三維半導體積體電路，其中，該晶片間連結配置成垂直於該等伴隨晶片之邊緣。
如請求項7所述之三維半導體積體電路，其中，每個伴隨晶片內包含電路，及該晶片間連結未連接至該電路。
如請求項7所述之三維半導體積體電路，其中，每個系統單晶片包含發射和接收電路，及該晶片間連結電性耦合至該等系統單晶片之該發射和接收電路。
如請求項7所述之三維半導體積體電路，其中，該第一鍵結部及該第二鍵結部形成連接至該晶片間連結之一縱向通孔。
一種三維半導體積體電路之製造方法，包含：提供具有多個系統單晶片之一系統單晶片晶圓，其中，該系統單晶片晶圓還包含形成在該等系統單晶片上之一第一重佈線層，且該第一重佈線層包含第一鍵結部；提供具有多個伴隨晶片及該等伴隨晶片間之晶片間連結之一伴隨晶圓，其中，該伴隨晶圓還包含形成在該等伴隨晶片上之一第二重佈線層，且該第二重佈線層包含第二鍵結部；以及將該伴隨晶圓接合至該系統單晶片晶圓上，使該系統單晶片晶圓上之一系統單晶片透過該伴隨晶圓上之該晶片間連結與該系統單晶片晶圓上之一相鄰系統單晶片電性耦合，其中，該第一鍵結部與該第二鍵結部對位以使該第一重佈線層與該第二重佈線層電性耦合。
如請求項12所述之製造方法，其中，該晶片間連結未與該等伴隨晶片中的電路電性耦合。
如請求項12所述之製造方法，其中，提供該伴隨晶圓之步驟還包含：形成垂直於該等伴隨晶片之邊緣的導線以作為該晶片間連結，及使用光刻系統在該導線上形成該第一鍵結部及該第二鍵結部。
如請求項12所述之製造方法，還包含：切割接合後之該系統單晶片晶圓及該伴隨晶圓中沒有該晶片間連結之一部分晶片。
一種用於快速皮下植入一感測器以量測一生物體的一生物流體中的一待分析物的一生理訊號的植入裝置，該植入裝置包括：<br/> 一殼體，具一底部開口；<br/> 一植入模組，包括一植針機構和一抽針機構；<br/> 一卸離模組，係包括：<br/> 該感測器，配置以可拆卸地連接該植入模組；以及<br/> 一底座，配置以供該感測器組設於該底座上，其中，該底座在該感測器被植入之前，是與該感測器彼此分離；以及<br/> 一底蓋，配置以可拆卸地密合於該底部開口，使該殼體與該底蓋形成一容置空間，該植入模組和該卸離模組容置於該容置空間內，其中：<br/> 該底座包含一黏結片；<br/> 一離型層元件被配置於該黏結片上；<br/> 該底蓋包含一外殼部，該外殼部附接於一撕除元件，該撕除元件和該離型層元件相連接；且<br/> 當該底蓋被從該底部開口移去時，該撕除元件配置以將該離型層元件從該黏結片上被撕去。
如請求項1所述的裝置，其中該離型層元件的一表面具有複數刻痕線，該離型層元件包含一離型層材料，且該離型層材料比該黏結片的材質更為柔軟。
如請求項2所述的裝置，其中該些刻痕線被配置形成具有一第一輻射中心的一第一輻射形狀，且該撕除元件和該離型層元件相連接於該第一輻射中心。
如請求項3所述的裝置，其中該些刻痕線還被配置形成具有一第二輻射中心的一第二輻射形狀。
如請求項4所述的裝置，其中該外殼部還附接於另一撕除元件，該另一撕除元件和該離型層元件相連接於該第二輻射中心。
如請求項3所述的裝置，其中該第一輻射中心是配置於該離型層元件的一邊緣位置，該黏結片具有一邊緣開口部，且該撕除元件被配置於鄰近該邊緣開口部。
如請求項2所述的裝置，其中該離型層元件包含貼附於該黏結片的一黏貼部以及連接於該黏貼部與該撕除元件之間的一延伸部，該些刻痕線是位於該黏貼部，且其中：<br/> 當儲存於該容置空間內，該延伸部是處於一折疊狀態；且<br/> 當該底蓋被從該底部開口被移出時，該延伸部被當作用來幫助該撕除元件以將該離型層元件從該黏結片上撕去的工具。
一種用於快速皮下植入一感測器以量測一生物體的一生物流體中的一待分析物的一生理訊號的植入裝置，該植入裝置包括：<br/> 一殼體，具一底部開口；<br/> 一植入模組，包括一植針機構和一抽針機構；<br/> 一卸離模組，係包括：<br/> 該感測器，配置以可拆卸地連接該植入模組；以及<br/> 一底座，配置以供該感測器組設於該底座上；以及<br/> 一底蓋，配置以可拆卸地密合於該底部開口，使該殼體與該底蓋形成一容置空間，該植入模組和該卸離模組容置於該容置空間內，其中：<br/> 該底座包含一黏結片；<br/> 一離型層元件被配置於該黏結片上；<br/> 該底蓋包含一內表面；且<br/> 一連接媒介被配置以連接該離型層元件以及該內表面。
如請求項8所述的裝置，其中該離型層元件包含貼附於該黏結片的一黏貼部以及連接於該黏貼部與該連接媒介之間的一延伸部，該黏貼部具有複數刻痕線，且該底蓋還包含一外殼部，該外殼部附接於一撕除元件，該撕除元件和該離型層元件相連接，其中：<br/> 當儲存於該容置空間內，該延伸部是處於一折疊狀態；且<br/> 當該底蓋被從該底部開口被移出時，該延伸部被當作用來幫助該撕除元件以將該離型層元件從該黏結片上撕去的工具。
如請求項9所述的裝置，該其中該些刻痕線被配置形成具有一第一輻射中心的一第一輻射形狀，且該連接媒介和該離型層元件相連接於該第一輻射中心。
一種用於製造可降解的發泡鞋底的材料，包括：<br/> 70wt%至95wt%的第一可降解材料，其包含聚己二酸對苯二甲酸丁二酯（PBAT）；以及<br/> 5wt%的第二可降解材料及/或0.5wt%至4wt%的發泡促進劑，其中，該第二可降解材料包含聚乙烯醇（PVA），該發泡促進劑包含木質素。
如請求項1所述之用於製造可降解的發泡鞋底的材料，包括：<br/> 70wt%至95wt%的該第一可降解材料；以及<br/> 5wt%至30wt%的該第二可降解材料和0.5wt%至4wt%的該發泡促進劑。
如請求項1所述之用於製造可降解的發泡鞋底的材料，其中，該聚乙烯醇的分子量為18000d至130000d，鹼化度介於70%至99%之間。
如請求項1所述之用於製造可降解的發泡鞋底的材料，其中，基於該第二可降解材料的總重量，該第二可降解材料進一步包含15wt%至35wt%的增塑劑，其中<br/> 該增塑劑包括小分子多元醇、聚乙二醇、甘油酯類以及檸檬酸酯類中的至少一種。
如請求項1所述之用於製造可降解的發泡鞋底的材料，其中，該第一可降解材料和該第二可降解材料各自為獨立的膠粒形式，或者<br/> 該第一可降解材料和該第二可降解材料為改性膠粒形式。
一種製造可降解的發泡鞋底的方法，包括：<br/> 熔融步驟，將如請求項1至5中任一項所述之用於製造可降解的發泡鞋底的材料熔融；<br/> 混合步驟，將該熔融的材料與超臨界氣體混合均勻，得到包含該超臨界氣體的聚合物熔體；<br/> 注入步驟，將該聚合物熔體注入模具；以及<br/> 發泡成型步驟，對該模具進行洩壓並對其中的該聚合物熔體進行冷卻，使該聚合物熔體發泡及定型，從而製造出可降解的發泡鞋底。
如請求項6所述之製造可降解的發泡鞋底的方法，其中，該超臨界氣體為N<sub>2</sub>。
如請求項6所述之製造可降解的發泡鞋底的方法，其中，該熔融步驟、該混合步驟及該注入步驟透過發泡注塑成型設備進行，並且其中<br/> 在該熔融步驟中，將該用於製造可降解的發泡鞋底的材料送入該發泡注塑成型設備的料管中，在該料管中透過螺桿及加熱的方式對其進行熔融及攪拌；<br/> 該混合步驟中，進一步將該超臨界氣體注入該料管中，在該料管中透過該螺桿的剪切力將該超臨界氣體與該熔融的材料攪拌混合；並且<br/> 在該注入步驟中，透過發泡注塑成型設備的注塑噴嘴將該聚合物熔體注入該模具中。
一種可降解的發泡鞋底，其由用於製造可降解的發泡鞋底的材料發泡而獲得，其中，該用於製造可降解的發泡鞋底的材料包括：<br/> 70wt%至95wt%的第一可降解材料，其包含聚己二酸對苯二甲酸丁二酯（PBAT）；以及<br/> 5wt%的第二可降解材料及/或0.5wt%至4wt%的發泡促進劑，其中，該第二可降解材料包含聚乙烯醇（PVA），該發泡促進劑包含木質素。
如請求項9所述之可降解的發泡鞋底，其中，該可降解的發泡鞋底的發泡倍率為7至9倍，回彈率為45%至70%，壓縮永久變形率為50%至70%，且收縮率為0.1%至0.5%。
一種位置檢測方法，包含：藉由照明光學系統朝向形成於物體上且在與前述物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光；藉由成像光學系統將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像；藉由攝影部拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；以及根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述物體之位置；且包含： <br/>於在形成有前述位置檢測用標記之前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，在將由前述照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值設為0.7以下之狀態下，將保持前述物體並進行移動之保持裝置於與前述物體之表面交叉之方向驅動，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦（defocus）之狀態下被拍攝。
如請求項1之位置檢測方法，其中，前述檢測光無法穿透之前述感光材料的每單位膜厚之前述檢測光之穿透率為50%以下。
如請求項1或2之位置檢測方法，其中，前述照明σ值為0.3以下。
一種位置檢測方法，包含：藉由照明光學系統朝向形成於物體上且在與前述物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光；藉由成像光學系統將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像；藉由攝影部拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；以及根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述物體之位置；且包含： <br/>於在形成有前述位置檢測用標記之前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，在將由前述照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值設為小於在前述物體上塗佈有前述檢測光可穿透之感光材料的情形所使用之照明σ值之狀態下，將保持前述物體並進行移動之保持裝置於與前述物體之表面交叉之方向驅動，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦之狀態下被拍攝。
如請求項1、2或4之位置檢測方法，其中，前述驅動，包含：將前述保持裝置於與前述物體之前述表面交叉之方向驅動，使前述保持裝置位於與前述位置檢測用標記對應之像之對比度成為最大之位置。
如請求項1、2或4之位置檢測方法，其包含： <br/>驅動前述保持裝置以使其位於與前述物體之前述表面交叉之方向之複數個位置； <br/>在前述保持裝置位於前述複數個位置之各者時拍攝與前述位置檢測用標記對應之像； <br/>根據在前述複數個位置分別拍攝到的複數個與前述位置檢測用標記對應之像，決定與前述位置檢測用標記對應之像之對比度成為最大之前述保持裝置之位置；以及 <br/>使前述保持裝置位於所決定之位置。
如請求項1、2或4之位置檢測方法，其中，在前述驅動中，在前述保持裝置可從第1位置往第1方向移動第1量，可從前述第1位置往與前述第1方向相反之第2方向移動第2量，且前述第1量大於前述第2量之情形時，將前述保持裝置往前述第1方向驅動而使與前述位置檢測用標記對應之像離焦。
如請求項7之位置檢測方法，其中，前述第1位置係在經由投影光學系統將圖案投影於前述物體之前述表面時前述物體之前述表面成為最佳聚焦位置之前述保持裝置之位置。
如請求項1、2或4之位置檢測方法，其中，在前述驅動中，根據前述物體之厚度來決定驅動前述保持裝置之方向。
如請求項1、2或4之位置檢測方法，其包含：根據從前述照明光學系統射出之前述檢測光之主光線之相對於前述交叉之方向之傾斜、及前述交叉之方向上之前述保持裝置之驅動量，修正前述物體之位置之檢測結果。
一種位置檢測系統，具備： <br/>位置檢測裝置，其具備： <br/>照明光學系統，其朝向形成於物體上且在與前述物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光； <br/>成像光學系統，其將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像； <br/>攝影部，其拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；以及 <br/>光闌部，其將由前述照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值設為0.7以下； <br/>且，該位置檢測裝置根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述物體之位置；以及 <br/>驅動部，於在形成有前述位置檢測用標記之前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，其將保持前述物體並進行移動之保持裝置於與前述物體之表面交叉之方向驅動，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦之狀態下被拍攝。
一種位置檢測系統，具備： <br/>位置檢測裝置，其具備： <br/>照明光學系統，其朝向形成於物體上且在與前述物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光； <br/>成像光學系統，其將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像； <br/>攝影部，其拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；以及 <br/>光闌部，其於在形成有前述位置檢測用標記之前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，將由前述照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值設為小於在前述物體上塗佈有前述檢測光可穿透之感光材料的情形之照明σ值； <br/>且，該位置檢測裝置根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述物體之位置；以及 <br/>驅動部，其於在形成有前述位置檢測用標記之前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，將保持前述物體並進行移動之保持裝置於與前述物體之表面交叉之方向驅動，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦之狀態下被拍攝。
如請求項11或12之位置檢測系統，其中，在前述保持裝置可從第1位置往第1方向移動第1量，可從前述第1位置往與前述第1方向相反之第2方向移動第2量，且前述第1量大於前述第2量之情形時，前述驅動部將前述保持裝置往前述第1方向驅動而使與前述位置檢測用標記對應之像離焦。
如請求項13之位置檢測系統，其中，前述第1位置係在經由投影光學系統將圖案投影於前述物體之前述表面時前述物體之前述表面成為最佳聚焦位置之前述保持裝置之位置。
如請求項11或12之位置檢測系統，具備：修正部，其根據從前述照明光學系統射出之前述檢測光之主光線之相對於前述交叉之方向之傾斜、及前述交叉之方向上之前述保持裝置之驅動量，修正前述物體之位置之檢測結果。
一種曝光裝置，具備： <br/>位置檢測裝置，其具備：第1照明光學系統，其朝向形成於第1物體上且在與前述第1物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光；成像光學系統，其將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像；以及攝影部，其拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；且，該位置檢測裝置根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述第1物體之位置； <br/>保持裝置，其保持前述第1物體並進行移動； <br/>第2照明光學系統，其將照明光照明於具有圖案之第2物體； <br/>投影光學系統，其將與前述第2物體之前述圖案對應之像投影於前述第1物體上；以及 <br/>驅動部，於在前述第1物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，其使前述保持裝置驅動於與前述物體之表面交叉之方向，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦之狀態下被拍攝； <br/>前述位置檢測裝置具備：光闌部，其將由前述第1照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值設為0.7以下。
一種曝光裝置，具備： <br/>位置檢測裝置，其具備：第1照明光學系統，其朝向形成於第1物體上且在與前述第1物體之表面正交之方向具有高度之位置檢測用標記照明檢測光；成像光學系統，其將來自形成有前述位置檢測用標記之區域之光聚光並形成與前述位置檢測用標記對應之像；以及攝影部，其拍攝與前述位置檢測用標記對應之像；且，該位置檢測裝置根據來自前述攝影部之拍攝訊號而檢測前述第1物體之位置； <br/>保持裝置，其保持前述第1物體並進行移動； <br/>第2照明光學系統，其將照明光照明於具有圖案之第2物體； <br/>投影光學系統，其將與前述第2物體之前述圖案對應之像投影於前述第1物體上；以及 <br/>驅動部，其於在前述第1物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，使前述保持裝置驅動於與前述物體之表面交叉之方向，而在與前述位置檢測用標記對應之像在離焦之狀態下被拍攝； <br/>前述位置檢測裝置具備：光闌部，其於在前述物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下，將由前述第1照明光學系統之數值孔徑與前述成像光學系統之數值孔徑之比決定之照明σ值，設為小於在前述物體上塗佈有前述檢測光可穿透之感光材料的情形之照明σ值。
如請求項17之曝光裝置，具備：選擇部，其於在前述第1物體上塗佈有前述檢測光可穿透之感光材料的情形下選擇第1照明σ值，於在前述第1物體上塗佈有前述檢測光無法穿透之感光材料的情形下選擇比前述第1照明σ值小的第2照明σ值。
一種記憶體系統，包括：<br/> 一第一記憶體裝置，包括：<br/> 一第一記憶體元件，<br/> 一第一輸入埠，及<br/> 一第一內部掃描鏈，耦接於該第一記憶體元件與該第一輸入埠之間；<br/> 一第二記憶體裝置，包括：<br/> 一第二記憶體元件，<br/> 一第二輸入埠，及<br/> 一第二內部掃描鏈，耦接於該第二記憶體元件與該第二輸入埠之間；及<br/> 一控制電路，用以經由該第一內部掃描鏈傳播一第一測試向量且經由該第二內部掃描鏈傳播一第二測試向量，<br/> 其中該第一記憶體裝置進一步包括：<br/> 一第一介面掃描鏈；及<br/> 一第一介面邏輯集合，耦接於該第一輸入埠與該第一介面掃描鏈。
如請求項1所述之記憶體系統，其中該控制電路進一步用以回應於經由該第一內部掃描鏈及該第二內部掃描鏈傳播該第一測試向量及該第二測試向量而驗證該第一記憶體裝置的一第一特性及該第二記憶體裝置的一第二特性。
如請求項2所述之記憶體系統，其中該第一特性及該第二特性包括一最小電壓(Vmin)、一設置時間或一保持時間中的一或多者。
如請求項1所述之記憶體系統，其中該第一介面邏輯集合耦接於該第一輸入埠與該第一介面掃描鏈之間。
如請求項4所述之記憶體系統，其中該控制電路進一步用以經由該第一介面掃描鏈傳播第三測試向量。
如請求項1所述之記憶體系統，其中該控制電路用以去激活該第一記憶體裝置的該第一內部掃描鏈，同時經由該第二記憶體裝置的該第二內部掃描鏈傳播該第二測試向量。
如請求項1所述之記憶體系統，其中該第一記憶體裝置進一步包括一輸出埠，且其中該控制電路進一步用以經由該第一內部掃描鏈傳播該第一測試向量且經由該輸出埠接收一輸出。
一種記憶體裝置，包括：<br/> 一記憶體元件、一輸入埠及一輸出埠；<br/> 一內部掃描鏈，耦接於該輸入埠與該記憶體元件之間；及<br/> 一介面掃描鏈，耦接至該輸入埠及該輸出埠。
如請求項8所述之記憶體裝置，其中該記憶體裝置的該輸入埠用以基於一測試賦能訊號來在多個輸入訊號的一第一集合與多個測試訊號的一第二集合之間進行選擇。
一種操作記憶體裝置的方法，包括以下步驟：<br/> 由一控制電路針對一測試操作組態一記憶體系統的一第一記憶體裝置及一第二記憶體裝置；<br/> 由該控制電路經由耦接至該第一記憶體裝置的一第一掃描鏈傳播該測試操作的一第一向量；<br/> 由該控制電路經由耦接至該第二記憶體裝置的一第二掃描鏈傳播該測試操作的一第二向量；及<br/> 由該控制電路基於來自該第一掃描鏈及該第二掃描鏈的多個輸出來產生該第一記憶體裝置的一第一特性及該第二記憶體裝置的一第二特性，<br/> 其中該第一特性及該第二特性包括一最小電壓(Vmin)、一設置時間或一保持時間中的一或多者。
一種風扇模組，其改良在於，包括：<br/> 基座；<br/> 風扇，設置於所述基座上，所述風扇包括主體部和延伸部，所述延伸部和所述主體部連接，並沿所述主體部的徑向延伸；<br/> 固定板，固定於所述基座上，所述固定板開設有第一定位孔和第二定位孔；以及<br/> 旋轉機構，可旋轉地設置於所述固定板上，所述旋轉機構包括定位柱；<br/> 當所述旋轉機構位於第一位置時，所述定位柱位於所述第一定位孔中，以限位所述風扇；當所述旋轉機構旋轉至第二位置時，所述定位柱位於所述第二定位孔中，所述旋轉機構解除對所述風扇的限位。
如請求項1所述之風扇模組，其中，所述旋轉機構包括：<br/> 擋板，可旋轉地設置於所述固定板上；以及<br/> 鎖固組件，包括所述定位柱、套筒和第一把手，所述套筒固定於所述擋板背離所述固定板的一側，所述定位柱可伸縮地穿設於所述套筒和所述擋板，所述第一把手和所述定位柱背離所述固定板的一端可旋轉地連接；<br/> 其中，所述第一把手的旋轉，用於驅動所述定位柱相對於擋板伸縮。
如請求項2所述之風扇模組，其中，所述擋板用於繞第一方向旋轉，所述第一把手用於繞第二方向旋轉，所述第二方向和所述第一方向相互垂直。
如請求項2所述之風扇模組，其中，所述擋板包括第一擋板部和凸起，所述第一擋板部和所述固定板連接，所述凸起設置於所述第一擋板部朝向所述固定板的表面；所述固定板包括頂部，所述頂部為所述固定板背離所述基座的一端；所述頂部用於承載所述凸起。
如請求項4所述之風扇模組，其中，所述頂部開設有凹槽，所述凹槽用於收容所述凸起。
如請求項4所述之風扇模組，其中，所述擋板還包括第二擋板部，所述第二擋板部和所述第一擋板部連接所述第二擋板部用於對所述風扇的限位；所述風扇模組還包括軟墊，所述軟墊設置於所述第二擋板部背離所述第一擋板部的表面。
如請求項2所述之風扇模組，其中，所述旋轉機構還包括第二把手，所述第二把手和所述擋板固定。
如請求項1所述之風扇模組，其中，所述旋轉機構還包括旋轉軸，所述旋轉軸穿設於所述固定板和所述旋轉機構，所述旋轉機構用於繞所述旋轉軸相對於所述固定板旋轉。
一種終端裝置，其改良在於，包括請求項1至8中任意一項所述之風扇模組。
一種用於細胞培養的微槽結構，適用於進行所述細胞培養，並包含：<br/> 一個微槽體，界定出一開口朝上的微型培養空間；及<br/> 一個微結構單元，設置於微槽體，並位於該微型培養空間中，該微結構單元包括多個上下長向延伸地突設在該微型培養空間之內槽緣的微結構體，該等微結構體相配合界定出一個口徑由上往下逐漸窄縮，並可用以承載所述細胞的承載凹面，該承載凹面具有一個位於中心的聚集區，及一個自該聚集區周緣斜上外擴延伸之環狀的導引區，該等微結構體區分為多個相配合界定出該聚集區的第一微結構體，及多個相配合界定出該導引區的第二微結構體，所述第一微結構體為彼此相鄰併接之管體，所述第二微結構體為彼此間隔之柱體。
如請求項1所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，每一該第一微結構體為六角形管體，該等第一微結構體相鄰併接呈蜂槽狀，並以其頂面相配合界定出該聚集區，每一該第二微結構體為六邊形柱體，該等第二微結構體以蜂巢狀形態間隔排列，並以其頂面相配合界定出該導引區。
如請求項1所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，該聚集區低於該導引區。
如請求項2所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，每一該第二微結構體的最大直徑為D<sub>O</sub>，相鄰兩個該第二微結構體的中心間距（P）為1.1D<sub>O</sub>～3D<sub>O</sub>。
如請求項4所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，每一該第一微結構體的最大內徑為D<sub>i</sub>，相鄰兩個該第一微結構體的中心間距（P）為1.1D<sub>i</sub>～3D<sub>i</sub>。
如請求項5所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，該聚集區之面積範圍介於0.01～20 mm<sup>2</sup> 。
如請求項1～6任一項所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，該微槽體具有一個上下直立延伸之環狀的開口壁部，及一個自該開口壁部底邊往下延伸之開口朝上的槽底壁部，該微槽結構之該等微結構體上下延伸設置在該槽底壁部之內緣。
如請求項7所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，該等微結構體自該槽底壁部內緣往上直立突設。
如請求項7所述的用於細胞培養的微槽結構，其中，該等微結構體是垂直該槽底壁部內緣地往上突伸。
一種細胞培養容器，適用於進行細胞的培養，包含：<br/> 一個基板；及<br/> 多個細胞培養槽單元，間隔排列地設置在該基板，每一該細胞培養槽單元包括一個自該基板頂面往下凹陷延伸且開口朝上的主槽體，及至少一個設置在該主槽體中且用以進行細胞培養的微槽結構，每一該微槽結構具有，<br/> 一個微槽體，凹設在對應之該主槽體之內凹底緣，並界定出一開口朝上的微型培養空間，及<br/> 一個微結構單元，設置於該微槽體，並位於該微型培養空間中，該微結構單元包括多個上下長向延伸地設置在該微型培養空間之內槽緣的微結構體，該等微結構體相配合界定出一個口徑由上往下逐漸窄縮，並可用以承載所述細胞的承載凹面，該承載凹面具有一個位於中心的聚集區，及一個自該聚集區周緣斜上外擴延伸之環狀的導引區，該等微結構體區分為多個相配合界定出該聚集區的第一微結構體，及多個相配合界定出該導引區的第二微結構體，所述第一微結構體為彼此相鄰併接之管體，所述第二微結構體為彼此間隔之柱體。
如請求項10所述的細胞培養容器，其中，該聚集區低於該導引區。
如請求項10所述的細胞培養容器，其中，每一該第一微結構體為六角形管體，該等第一微結構體相鄰併接成蜂槽狀，並以其頂面相配合界定出該聚集區，每一該第二微結構體為六邊形柱體，該等第二微結構體以蜂巢狀形態間隔排列，並以其頂面相配合界定出該導引區。
如請求項12所述的細胞培養容器，其中，每一該第二微結構體的直徑為D<sub>O</sub>，相鄰兩個該第二微結構體的中心間距（P）為1.1D<sub>O</sub>～3D<sub>O</sub>。
如請求項12所述的細胞培養容器，其中，每一該第一微結構體的內徑為D<sub>i</sub>，相鄰兩個該第一微結構體的中心間距（P）為1.1D<sub>i</sub>～3D<sub>i</sub>。
如請求項10所述的細胞培養容器，其中，該聚集區之面積範圍介於0.01～20 mm<sup>2</sup> 。
如請求項10～15任一項所述的細胞培養容器，其中，每一該主槽體具有一個內凹底緣，每一該細胞培養槽單元包括多個排列設置在該主槽體之該內凹底緣的該微槽結構。
如請求項16所述的細胞培養容器，其中，每一該微槽體具有一個自對應之該內凹底緣往下直立延伸之環狀的開口壁部，及一個自該開口壁部周緣底邊往下延伸且口徑往下逐漸窄縮之槽底壁部，每一該微槽結構之該等微結構體上下延伸設置在該槽底壁部內槽緣。
一種細胞培養容器，適用於進行細胞的培養，包含：<br/> 一個基板；及<br/> 多個細胞培養槽單元，間隔排列地設置在該基板，每一該細胞培養槽單元包括一個自該基板頂面往下凹陷延伸且開口朝上的主槽體，及多個排列設置在該主槽體中且用以進行細胞培養的微槽結構，每一該主槽體具有一個供該等微槽結構設置的內凹底緣，每一該內凹底緣界定出一個隔開該等微槽結構之間隔結構，每一該細胞培養槽單元還包括多個突設在該間隔結構頂面的表面微結構體，該等表面微結構體之頂緣呈往上弧凸分布狀，每一該微槽結構具有，<br/> 一個微槽體，凹設在對應之該主槽體之內凹底緣，並界定出一開口朝上的微型培養空間，及<br/> 一個微結構單元，設置於該微槽體，並位於該微型培養空間中，該微結構單元包括多個上下長向延伸地設置在該微型培養空間之內槽緣的微結構體，該等微結構體相配合界定出一個口徑由上往下逐漸窄縮，並可用以承載所述細胞的承載凹面。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，該等表面微結構體呈上下延伸之柱狀，且該等表面微結構體彼此間隔。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，該等表面微結構體呈上下延伸之管狀，且該等表面微結構體彼此併接相連。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，該等微結構體自該槽底壁部的內槽緣直立往上突伸。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，該等微結構體自該槽底壁部的內槽緣傾斜往上突伸。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，每一該微槽體之該開口壁部是呈圓環狀或多邊環狀，每一該微槽體之該槽底壁部是自該開口壁部底緣往下延伸呈錐狀，設置在每一該槽底壁部的該等微結構體所構成之該承載凹面是呈多邊形角錐狀，且該承載凹面之上下傾斜延伸角度可介於10度～75度。
如請求項23所述的細胞培養容器，其中，每一該微槽結構從該微型培養空間開口往下至該承載凹面最低點的深度為0.1～1.5 mm。
如請求項18所述的細胞培養容器，其中，每一該微槽體之該開口壁部是呈圓環狀或多邊環狀，每一該微槽體之該槽底壁部具有一個連接於該開口壁部底緣且口徑往下逐漸窄縮的窄縮環段，及一個連接於該窄縮環段底邊且呈開口朝上之圓弧面狀的槽底段，該窄縮環段內緣的上下傾斜角度介於10～75度。
如請求項25所述的細胞培養容器，其中，該槽底段直徑介於0.02～2.5 mm。
一種磨邊機的研磨校正方法，其中該磨邊機包括托載一片材的一研磨載台、一砂輪及一影像感測模組，該研磨校正方法包括：<br/>藉由該影像感測模組擷取一感測影像，並偵測該感測影像中的一片材部及一砂輪部，其中該片材部包括該片材的一側邊緣的側視圖，該砂輪部包括該砂輪的一溝槽部的側視圖，並且偵測該感測影像中的該片材部及該砂輪部的步驟還包括：<br/>在該片材部的一第一側設置一第一檢測框及在該片材部的一第二側設置一第二檢測框，其中該第一檢測框與該第二檢測框分別都與該片材部的該側邊緣距離一第一預設水平間距；以及<br/>偵測該砂輪部的該溝槽部，並在該溝槽部的一第一側設置一第三檢測框及在該溝槽部的第二側設置一第四檢測框，其中該第三檢測框與該第四檢測框分別都與該溝槽部距離一第二預設水平間距；<br/>計算該片材部的一第一值並計算該砂輪部的一第二值；<br/>根據該第一值及該第二值計算一調整值；以及<br/>使用該調整值來校正該砂輪的高度或該研磨載台的高度。
如請求項1所述的磨邊機的研磨校正方法，其中擷取該感測影像之前的步驟包括：<br/>移動該研磨載台使該片材的該側邊緣靠近該砂輪的該溝槽部之前方。
如請求項1所述的研磨校正方法，其中計算該片材部的該第一值並計算該砂輪部的該第二值的步驟包括：<br/>分別取樣該第一檢測框與該第二檢測框中的複數個畫素點，並分別根據該第一檢測框與該第二檢測框的該複數個畫素點計算出該片材部的一第一高度值及一第二高度值；<br/>分別取樣該第三檢測框與該第四檢測框中的複數個畫素點，並分別根據該第三檢測框與該第四檢測框的該複數個畫素點計算出該溝槽部的一第三高度值及一第四高度值；<br/>根據該第一高度值及該第二高度值計算出該片材部的該第一值；以及<br/>根據該第三高度值及該第四高度值計算出該砂輪部的該第二值。
如請求項3所述的研磨校正方法，其中分別根據該第一檢測框與該第二檢測框的該複數個畫素點計算出該片材部的該第一高度值及該第二高度值的步驟包括：<br/>計算該第一檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第一統計值以獲得該第一高度值，以及計算該第二檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第二統計值以獲得該第二高度值；<br/>其中該第一統計值及該第二統計值為垂直軸向座標的平均值、中位數或眾數。
如請求項3所述的研磨校正方法，其中分別根據該第三檢測框與該第四檢測框的該複數個畫素點計算出該溝槽部的該第三高度值及該第四高度值的步驟包括：<br/>計算該第三檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第三統計值以獲得該第三高度值，以及計算該第四檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第四統計值以獲得該第四高度值；<br/>其中該第三統計值及該第四統計值為垂直軸向座標的平均值、中位數或眾數。
如請求項1所述的研磨校正方法，其中使用該調整值來校正該砂輪的高度或該研磨載台的高度的步驟包括：<br/>在垂直方向上，根據該調整值，往上移動或往下移動該砂輪或者該研磨載台。
如請求項1所述的研磨校正方法，其中藉由該影像感測模組擷取該感測影像的步驟包括：<br/>設置該影像感測模組的拍攝角度以獲得的該感測影像為該片材在厚度方向的側視影像。
如請求項1所述的研磨校正方法，其中該片材的材料包括晶圓、陶瓷、玻璃或木頭。
一種磨邊機，包括：<br/>一研磨載台，托載一片材；<br/>一砂輪，研磨該片材；<br/>一影像感測模組，擷取一感測影像，該感測影像包括一片材部及一砂輪部，其中該片材部包括該片材的一側邊緣的側視圖，該砂輪部包括該砂輪的一溝槽部的側視圖；及<br/>一控制裝置，耦接該研磨載台、該砂輪及該影像感測模組，及計算該片材部的一第一值及計算該砂輪部的一第二值，根據該第一值與該第二值計算一調整值，並使用該調整值來控制該砂輪或該研磨載台的高度；<br/>其中，該控制裝置偵測該感測影像中的該片材部及該砂輪部的操作包括：<br/>在該片材部的一第一側設置一第一檢測框及在該片材部的一第二側設置一第二檢測框，其中該第一檢測框與該第二檢測框分別都與該片材部的該側邊緣距離一第一預設水平間距；以及<br/>偵測該砂輪部的該溝槽部，並在該溝槽部的一第一側設置一第三檢測框及在該溝槽部的第二側設置一第四檢測框，其中該第三檢測框與該第四檢測框分別都與該溝槽部距離一第二預設水平間距。
如請求項9所述的磨邊機，其中該影像感測模組擷取該感測影像之前，該控制裝置移動該研磨載台使該片材的該側邊緣靠近該砂輪的該溝槽部之前方。
如請求項9所述的磨邊機，其中該控制裝置計算該片材部的該第一值並計算該砂輪部的該第二值的操作包括：<br/>分別取樣該第一檢測框與該第二檢測框中的複數個畫素點，並分別根據該第一檢測框與該第二檢測框的該複數個畫素點計算出該片材部的一第一高度值及一第二高度值；<br/>分別取樣該第三檢測框與該第四檢測框中的複數個畫素點，並分別根據該第三檢測框與該第四檢測框的該複數個畫素點計算出該溝槽部的一第三高度值及一第四高度值；<br/>根據該第一高度值及該第二高度值計算出該片材部的該第一值；以及<br/>根據該第三高度值及該第四高度值計算出該砂輪部的該第二值。
如請求項11所述的磨邊機，其中該控制裝置分別根據該第一檢測框與該第二檢測框的該複數個畫素點計算出該片材部的該第一高度值及該第二高度值的操作包括：<br/>計算該第一檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第一統計值以獲得該第一高度值，以及計算該第二檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第二統計值以獲得該第二高度值；<br/>其中該第一統計值及該第二統計值為垂直軸向座標的平均值、中位數或眾數。
如請求項11所述的磨邊機，其中該控制裝置分別根據該第三檢測框與該第四檢測框的該複數個畫素點計算出該溝槽部的該第三高度值及該第四高度值的操作包括：<br/>計算該第三檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第三統計值以獲得該第三高度值，以及計算該第四檢測框中該複數個畫素點的垂直軸向座標的一第四統計值以獲得該第四高度值；<br/>其中該第三統計值及該第四統計值為垂直軸向座標的平均值、中位數或眾數。
如請求項9所述的磨邊機，其中該控制裝置使用該調整值來校正該砂輪的高度或該研磨載台的高度的操作包括：<br/>在垂直方向上，根據該調整值，往上移動或往下移動該砂輪或者該研磨載台。
如請求項9所述的磨邊機，其中該影像感測模組被設置一拍攝角度以獲得該感測影像，其中該感測影像為該片材在厚度方向的側視影像。
如請求項9所述的磨邊機，其中該片材的材料包括晶圓、陶瓷、玻璃或木頭。
一種抗體-藥物結合物之製造方法，該抗體-藥物結合物中下式所示的藥物-連接物結構藉由硫醚鍵與抗體結合，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 該製造方法包含下列步驟：<br/> 於還原條件下處理抗體、及<br/> 然後使該抗體與下式所示的化合物反應；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="171px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="136px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其在其之3位與抗體結合，且在1位之氮原子上與包含此結構之連接物結構內的亞甲基結合；<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="315px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基之氮原子為結合部位；且<br/> -GGFG-表示-Gly-Gly-Phe-Gly-之四肽殘基，<br/> 其中該抗體與序列識別號4記載之黏附蛋白6(cadherin-6)的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3，<br/> 其中該抗體的同型為IgG1。
如請求項1之方法，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為7～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物之製造方法，該抗體-藥物結合物中下式所示的藥物-連接物結構藉由硫醚鍵與抗體結合，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 該製造方法包含下列步驟：<br/> 於還原條件下處理抗體、及<br/> 然後使該抗體與下式所示的化合物反應；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="171px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="136px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其在其之3位與抗體結合，且在1位之氮原子上與包含此結構之連接物結構內的亞甲基結合；<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="315px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基之氮原子為結合部位；且<br/> -GGFG-表示-Gly-Gly-Phe-Gly-之四肽殘基，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區，<br/> 其中該抗體的同型為IgG1。
如請求項1之方法，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為7～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物之製造方法，該抗體-藥物結合物中下式所示的藥物-連接物結構藉由硫醚鍵與抗體結合，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 該製造方法包含下列步驟：<br/> 於還原條件下處理抗體、及<br/> 然後使該抗體與下式所示的化合物反應；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="171px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="136px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其在其之3位與抗體結合，且在1位之氮原子上與包含此結構之連接物結構內的亞甲基結合；<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="315px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基之氮原子為結合部位；且<br/> -GGFG-表示-Gly-Gly-Phe-Gly-之四肽殘基，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區，<br/> 其中該抗體為人類化抗體。
如請求項1之方法，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為7～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物之製造方法，該抗體-藥物結合物中下式所示的藥物-連接物結構藉由硫醚鍵與抗體結合，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 該製造方法包含下列步驟：<br/> 於還原條件下處理抗體、及<br/> 然後使該抗體與下式所示的化合物反應；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="171px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="136px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其在其之3位與抗體結合，且在1位之氮原子上與包含此結構之連接物結構內的亞甲基結合；<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="315px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基之氮原子為結合部位；且<br/> -GGFG-表示-Gly-Gly-Phe-Gly-之四肽殘基，<br/> 其中該抗體與序列識別號4記載之黏附蛋白6(cadherin-6)的EC3域之胺基酸序列專一性結合，且具有被併入細胞內的內在化能力，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號12記載之胺基酸序列所構成的CDRL1、由序列識別號13記載之胺基酸序列所構成的CDRL2及由序列識別號14記載之胺基酸序列所構成的CDRL3並在重鏈包含由序列識別號17記載之胺基酸序列所構成的CDRH1、由序列識別號60記載之胺基酸序列所構成的CDRH2及由序列識別號19記載之胺基酸序列所構成的CDRH3，<br/> 其中該抗體的恆定區為源自人類的恆定區。
如請求項1之方法，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為7～8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物之製造方法，該抗體-藥物結合物中下式所示的藥物-連接物結構藉由硫醚鍵與抗體結合，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 該製造方法包含下列步驟：<br/> 於還原條件下處理抗體、及<br/> 然後使該抗體與下式所示的化合物反應；<br/><img align="absmiddle" height="75px" width="171px" file="ed10023.jpg" alt="ed10023.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的結構：<br/><img align="absmiddle" height="132px" width="136px" file="ed10021.jpg" alt="ed10021.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其在其之3位與抗體結合，且在1位之氮原子上與包含此結構之連接物結構內的亞甲基結合；<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="254px" width="315px" file="ed10022.jpg" alt="ed10022.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基之氮原子為結合部位；且<br/> -GGFG-表示-Gly-Gly-Phe-Gly-之四肽殘基，<br/> 其中該抗體分別在輕鏈包含由序列識別號63記載之胺基酸序列所構成的輕鏈可變區並在重鏈包含由序列識別號71記載之胺基酸序列所構成的重鏈可變區，<br/> 其中該抗體的同型為IgG1，且<br/> 其中該抗體為人類化抗體。
如請求項1之方法，其中該藥物-連接物結構之每1抗體的平均結合數為7～8個之範圍。
一種到料洩壓結構，其包含：<br/> 一洩壓本體，其一端設有一第一開口部，且該洩壓本體之另一端設有一第二開口部；<br/> 一傳輸通道，其設於該洩壓本體之內緣，該傳輸通道之一端連通該第一開口部，該傳輸通道之另一端連通該第二開口部；以及<br/> 多數洩壓通道，其分別相鄰設於該洩壓本體之外緣，且該等洩壓通道分別連通該傳輸通道；<br/> 更包含有至少一感應模組，該感應模組設於該洩壓本體之外緣且鄰近該第二開口部，並該感應模組透過至少一個洩壓通道對應至該傳輸通道，該感應模組電連接至一檢體容器傳輸設備之一供氣傳送模組，其中該感應模組包括一固定座及一感應器，該固定座固定設於該洩壓本體之外緣且鄰近該第二開口部，該感應器設於該固定座，且該感應器透過至少一個洩壓通道對應至該傳輸通道，並該感應器電連接至一檢體容器傳輸設備之一供氣傳送模組。
如請求項1所述之到料洩壓結構，其中該第一開口部連接至一檢體容器傳輸設備之一供氣傳送模組，該第二開口部連接至該檢體容器傳輸設備之收料模組。
如請求項1所述之到料洩壓結構，其中該洩壓本體之外緣設有多數切面部，使該洩壓本體之外緣形成多邊形，且各該洩壓通道設於各該切面部。
如請求項1所述之到料洩壓結構，其中該傳輸通道為環型通道。
如請求項1所述之到料洩壓結構，其中該等洩壓通道分別為長型通道。
一種用於調整電泳顯示器中之殘餘電壓的方法，該電泳顯示器包含一層設置在透光電極與複數個驅動電極之間的電泳介質、及一耦接至該複數個驅動電極之控制器，該方法包含：<br/> 為該電泳顯示器中的每一個顯示像素確定該顯示像素是否具有用於第一影像及第二影像之相同色彩狀態；<br/> 向該控制器發送指令，以為該第一影像及該第二影像不具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素提供對應於由該第一影像之色彩狀態至該第二影像的色彩狀態之轉變的波形；<br/> 為該第一影像及該第二影像確定用於具有該相同色彩狀態之每一個顯示像素的計算殘餘電壓；<br/> 當該顯示像素接收增加光學品質狀態之指令時，為該第一影像及該第二影像確定用於具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素之預估殘餘電壓；<br/> 為該第一影像及該第二影像比較用於具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素之預估殘餘電壓與殘餘電壓閾值；<br/> 向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素的光學品質狀態中之增加的波形，該顯示像素具有用於該第一影像及該第二影像之相同色彩狀態，並具有少於該殘餘電壓閾值的預估殘餘電壓；及<br/> 向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素之殘餘電壓中的降低之波形，該顯示像素具有用於該第一影像及該第二影像的相同色彩狀態，並具有大於或等於該殘餘電壓閾值之預估殘餘電壓。
如請求項1的方法，進一步包含比較該計算之殘餘電壓與該殘餘電壓閾值，並向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素的清除轉變之波形，每一個顯示像素具有大於或等於該殘餘電壓閾值的計算出之殘餘電壓。
如請求項1的方法，其中該確定及比較步驟係用耦接至記憶體及該控制器之處理器來完成。
如請求項3的方法，其中該記憶體包含藉由該色彩狀態轉變及殘餘電壓所索引之波形的查找表。
如請求項1的方法，其中每一個顯示像素對應於該複數個驅動電極之其中一個。
如請求項1的方法，其中該電泳顯示器包含電泳介質，該電泳介質包括分散於流體中並被局限在複數個膠囊或微單元內之帶電粒子。
如請求項6的方法，其中該電泳介質包括四種不同類型之帶電粒子，且該等類型的帶電粒子之至少兩種具有相反的極性。
如請求項7的方法，其中可於該電泳顯示器之每一個像素電極處形成六種原色。
如請求項1的方法，其中該電泳顯示器包括濾色片陣列，且每一個顯示像素包括多數個驅動電極。
如請求項9的方法，其中該濾色片陣列包含複數個不同著色之濾色片，且各個不同著色的濾色片被索引至各個驅動電極。
如請求項1的方法，其中調整造成光學品質狀態中之增加的波形，以減少殘餘電壓增加，同時增加光學品質狀態。
如請求項1的方法，其中調整造成殘餘電壓中之降低的波形，以維持該光學品質狀態。
如請求項1的方法，其中該第一影像及該第二影像係於100 ms內、較佳地係在50 ms內顯示於該電泳顯示器上。
如請求項1的方法，其中該複數個驅動電極係以一像素電極陣列佈置，且每一個像素電極係耦接至薄膜電晶體(TFT)，該TFT較佳地係包含金屬氧化物半導體、最佳地係IGZO。
一種構造為在更新期間主動地管理殘餘電壓之電泳顯示器，包含：<br/> 透光電極；<br/> 複數個驅動電極；<br/> 一層電泳介質，設置於該透光電極與該複數個驅動電極之間；<br/> 控制器，耦接至該複數個驅動電極；及<br/> 處理器，該處理器被構造為：<br/> 針對該電泳顯示器中的每一個顯示像素確定該顯示像素是否具有用於第一影像及第二影像之相同色彩狀態；<br/> 向該控制器發送指令，以為該第一影像及該第二影像不具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素提供對應於由該第一影像之色彩狀態至該第二影像的色彩狀態之轉變的波形；<br/> 為該第一影像及該第二影像確定用於具有該相同色彩狀態之每一個顯示像素的計算殘餘電壓；<br/> 當該顯示像素接收增加光學品質狀態之指令時，為該第一影像及該第二影像確定用於具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素之預估殘餘電壓；<br/> 為該第一影像及該第二影像比較用於具有該相同色彩狀態的每一個顯示像素之預估殘餘電壓與殘餘電壓閾值；<br/> 向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素的光學品質狀態中之增加的波形，該顯示像素具有用於該第一影像及該第二影像之相同的色彩狀態，並具有少於該殘餘電壓閾值之預估殘餘電壓；及<br/> 向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素的殘餘電壓中之降低的波形，該顯示像素具有用於該第一影像及該第二影像之相同的色彩狀態，並具有大於或等於該殘餘電壓閾值之預估殘餘電壓。
如請求項15的電泳顯示器，其中該處理器進一步被構造為比較該計算之殘餘電壓與該殘餘電壓閾值，並向該控制器發送指令，以提供造成用於每一個顯示像素的清除轉變之波形，該顯示像素具有大於或等於該殘餘電壓閾值的計算出之殘餘電壓。
如請求項15的電泳顯示器，其中每一個顯示像素對應於該複數個驅動電極之其中一個。
如請求項15的電泳顯示器，其中該電泳介質包括分散於流體中並被局限在複數個膠囊或微單元內之帶電粒子。
如請求項18的電泳顯示器，其中該電泳介質包括四種不同類型之帶電粒子，且該等類型的帶電粒子之至少兩種具有相反的極性。
如請求項19的電泳顯示器，其中可於該電泳顯示器之每一個像素電極處形成六種原色。
如請求項15的電泳顯示器，其中該電泳顯示器包括濾色片陣列，且每一個顯示像素包括多數個驅動電極。
如請求項21的電泳顯示器，其中該濾色片陣列包含複數個不同著色之濾色片，且各個不同著色的濾色片被索引至各個驅動電極。
一種邊刷組件，其中，包括：<br/> 邊刷主體，所述邊刷主體包括基座、以及分佈在所述基座周側的至少一個支腳，所述基座配置為與清潔設備的驅動組件連接以使所述驅動組件驅動所述邊刷主體旋轉，所述支腳呈螺旋狀，且所述支腳在水平面上的投影為一段漸開線；<br/> 所述邊刷組件還包括刷毛，所述刷毛與所述支腳連接，位於所述支腳遠離所述基座的一端，所述支腳遠離所述基座的端部的端面上開設有容納槽，所述刷毛的一端容納在所述容納槽內並通過黏結劑與所述容納槽連接。
如請求項1所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述邊刷主體的旋轉方向配置為與所述支腳的螺旋方向相反。
如請求項1所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述基座的周側設置有限位凸台，所述限位凸台位於所述基座頂部的下方。
如請求項3所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述限位凸台與所述支腳相對應，所述限位凸台在水平面上的投影靠近所述支腳與所述基座的連接位置處。
如請求項4所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述支腳包括位於頂部的第一側面，所述限位凸台的底部與所述第一側面貼合，所述限位凸台遠離所述支腳和所述基座連接位置的一側設置有導向面，所述導向面由所述基座的頂部至底部向靠近所述支腳和所述基座連接位置的方向傾斜設置。
如請求項3所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述基座沿軸向包括第一段、以及位於所述第一段底部的第二段，所述基座的頂部配置為連接側，所述連接側位於所述第一段遠離所述第二段的一側，所述支腳和所述限位凸台佈置在所述第二段的周側。
如請求項1所述的邊刷組件，其中，<br/> 螺旋狀的所述支腳與所述基座連接的端部的半徑範圍為15mm至20mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳遠離所述基座的端部的半徑範圍為55mm至60mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳的螺距範圍為55mm至60mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳的螺旋轉數為0.7轉至0.8轉；和/或<br/> 所述邊刷組件的高度範圍為45mm至50mm。
如請求項1所述的邊刷組件，其中，<br/> 螺旋狀的所述支腳與所述基座連接的端部的半徑範圍為10mm至15mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳遠離所述基座的端部的半徑範圍為60mm至70mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳的螺距範圍為50mm至55mm；和/或<br/> 螺旋狀的所述支腳的螺旋轉數為0.6轉至0.7轉；和/或<br/> 所述邊刷組件的高度範圍為40mm至45mm。
如請求項1所述的邊刷組件，其中，<br/> 所述支腳為彈性件，所述支腳的硬度範圍為75HB至85HB。
一種清潔設備，其中，包括：主體、以及如請求項1至9中任一項所述的邊刷組件，所述邊刷組件位於所述主體的底部。
一種問題回答方法，適用於一電腦系統，該問題回答方法包含： <br/> 取得來自使用者的一第一問題； <br/> 根據該第一問題執行一配對演算法以判斷該第一問題是否配對至一經常詢問資料庫中的多筆預設問題的其中之一； <br/> 如果該第一問題配對至該些預設問題中的一第一預設問題，將該第一預設問題對應的一第一預設回答輸出； <br/> 如果該第一問題沒有配對至該些預設問題，將該第一問題輸入至一語言模型以得到一第一生成回答； <br/> 輸出該第一生成回答；以及 <br/> 根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫，其中根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫的步驟包括： <br/> (a)將該些預設問題以及該第一問題輸入至該語言模型以判斷該第一問題是否相似於該些預設問題的其中之一； <br/> (b)如果該第一問題不相似於該些預設問題的其中之一，將該第一問題以及該第一生成回答組合成一第一配對以加入至該經常詢問資料庫中； <br/>(c)如果該第一問題相似於該些預設問題的一第二預設問題，將該第一問題以及該第二預設問題輸入至該語言模型以判斷該第一問題和該第二預設問題是否屬於一上位關係；以及 <br/> (d)如果該第一問題和該第二預設問題不屬於該上位關係，根據該第一問題更新該第二預設問題所屬於的一配對。
如請求項1所述的問題回答方法，其中根據該第一問題執行該配對演算法以判斷該第一問題是否配對至該經常詢問資料庫中的多筆預設問題的其中之一的步驟包括： <br/> 計算該第一問題與該些預設問題的每一者之間的一信心值； <br/> 計算該些信心值的一最大值； <br/> 判斷該最大值是否大於一信心臨界值； <br/> 如果該最大值大於該信心臨界值，判斷該第一問題配對至該最大值所對應的該預設問題；以及 <br/> 如果該最大值小於等於該信心臨界值，判斷該第一問題沒有配對至該些預設問題。
如請求項1所述的問題回答方法，其中在將該第一配對加入至該經常詢問資料庫之前，該問題回答方法還包括： <br/> 由該語言模型判斷該第一問題以及該第一生成回答是否通過一檢測； <br/> 如果該第一問題以及該第一生成回答通過該檢測，將該第一配對加入至該經常詢問資料庫；以及 <br/> 如果該第一問題以及該第一生成回答沒有通過該檢測，則不將該第一配對加入至該經常詢問資料庫。
如請求項1所述的問題回答方法，還包括： <br/> (e)如果該第一問題和該第二預設問題屬於該上位關係，將該第一問題以及該第二預設問題輸入至該語言模型以產生一第一新問題，將該第一生成回答以及該第二預設問題所對應的一第二預設回答輸入至該語言模型以產生一第一新回答； <br/> (f)由該語言模型判斷該第一新問題以及該第一新回答是否通過一檢測；以及 <br/> (g)若該第一新問題以及該第一新回答通過該檢測，將該第一新問題以及該第一新回答組合成一第二配對以加入至該經常詢問資料庫，並用該第二配對替換該第二預設問題和該第二預設回答。
如請求項4所述的問題回答方法，還包括： <br/> (h)若該第一新問題以及該第一新回答沒有通過該檢測，取得對應該第一問題的一上下文，將該第一問題以及該上下文合併以產生一第二問題；以及 <br/> (i)將該第二問題輸入至該語言模型以得到一第二生成回答。
如請求項5所述的問題回答方法，還包括： <br/> 將該第一新問題替換為該第二新問題，該第一新回答替換為該第二新回答，以重複該步驟(a)至步驟(i)。
如請求項1所述的問題回答方法，其中該語言模型根據一檢索增強生成演算法以產生該第一生成回答。
如請求項1所述的問題回答方法，其中根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫的步驟是在一非即時狀態下被執行。
一種問題回答系統，包括： <br/> 一記憶體，儲存有多個指令；以及 <br/> 一處理器，電性連接至該記憶體，用以執行該些指令以完成多個步驟： <br/> 取得來自使用者的一第一問題； <br/> 根據該第一問題執行一配對演算法以判斷該第一問題是否配對至一經常詢問資料庫中的多筆預設問題的其中之一； <br/> 如果該第一問題配對至該些預設問題中的一第一預設問題，將該第一預設問題對應的一第一預設回答輸出； <br/> 如果該第一問題沒有配對至該些預設問題，將該第一問題輸入至一語言模型以得到一第一生成回答； <br/> 輸出該第一生成回答；以及 <br/> 根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫，其中根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫的步驟包括： <br/> (a)將該些預設問題以及該第一問題輸入至該語言模型以判斷該第一問題是否相似於該些預設問題的其中之一； <br/> (b)如果該第一問題不相似於該些預設問題的其中之一，將該第一問題以及該第一生成回答組合成一第一配對以加入至該經常詢問資料庫中； <br/>(c)如果該第一問題相似於該些預設問題的一第二預設問題，將該第一問題以及該第二預設問題輸入至該語言模型以判斷該第一問題和該第二預設問題是否屬於一上位關係；以及 <br/>(d)如果該第一問題和該第二預設問題不屬於該上位關係，根據該第一問題更新該第二預設問題所屬於的一配對。
如請求項9所述的問題回答系統，其中根據該第一問題執行該配對演算法以判斷該第一問題是否配對至該經常詢問資料庫中的多筆預設問題的其中之一的步驟包括： <br/> 計算該第一問題與該些預設問題的每一者之間的一信心值； <br/> 計算該些信心值的一最大值； <br/> 判斷該最大值是否大於一信心臨界值； <br/> 如果該最大值大於該信心臨界值，判斷該第一問題配對至該最大值所對應的該預設問題；以及 <br/> 如果該最大值小於等於該信心臨界值，判斷該第一問題沒有配對至該些預設問題。
如請求項9所述的問題回答系統，其中在將該第一配對加入至該經常詢問資料庫之前，該些步驟還包括： <br/> 由該語言模型判斷該第一問題以及該第一生成回答是否通過一檢測； <br/> 如果該第一問題以及該第一生成回答通過該檢測，將該第一配對加入至該經常詢問資料庫；以及 <br/> 如果該第一問題以及該第一生成回答沒有通過該檢測，則不將該第一配對加入至該經常詢問資料庫。
如請求項9所述的問題回答系統，其中該些步驟還包括： <br/> (e)如果該第一問題和該第二預設問題屬於該上位關係，將該第一問題以及該第二預設問題輸入至該語言模型以產生一第一新問題，將該第一生成回答以及該第二預設問題所對應的一第二預設回答輸入至該語言模型以產生一第一新回答； <br/> (f)由該語言模型判斷該第一新問題以及該第一新回答是否通過一檢測；以及 <br/> (g)若該第一新問題以及該第一新回答通過該檢測，將該第一新問題以及該第一新回答組合成一第二配對以加入至該經常詢問資料庫，並用該第二配對替換該第二預設問題和該第二預設回答。
如請求項12所述的問題回答系統，其中該些步驟還包括： <br/> (h)若該第一新問題以及該第一新回答沒有通過該檢測，取得對應該第一問題的一上下文，將該第一問題以及該上下文合併以產生一第二問題；以及 <br/> (i)將該第二問題輸入至該語言模型以得到一第二生成回答。
如請求項13所述的問題回答系統，其中該些步驟還包括： <br/> 將該第一新問題替換為該第二新問題，該第一新回答替換為該第二新回答，以重複該步驟(a)至步驟(i)。
如請求項9所述的問題回答系統，其中該語言模型根據一檢索增強生成演算法以產生該第一生成回答。
如請求項9所述的問題回答系統，其中根據該第一生成回答更新該經常詢問資料庫的步驟是在一非即時狀態下被執行。
一種冷卻分配系統的運作方法，適用於一冷卻分配系統，其中該冷卻分配系統至少包括一溫度感測器、一風扇、一幫浦及一控制裝置，所述方法係以該控制裝置執行，並包括：<br/> 從該溫度感測器取得一發熱元件的一當前溫度；<br/> 依據一目標溫度及該當前溫度進行基於比例-積分-微分控制的運算以產生一轉速控制參數；<br/> 依據該轉速控制參數及一幫浦權重設定該幫浦的一幫浦轉速，依據該轉速控制參數及一風扇權重設定該風扇的一風扇轉速，並計算該幫浦及該風扇的一第一總功耗，其中該幫浦權重等於該風扇權重；以及<br/> 沿一數值大小方向調整該風扇權重，並執行一優化程序，該優化程序包括：<br/> 依據該轉速控制參數及該風扇權重設定該風扇的該風扇轉速，並計算該幫浦及該風扇的一第二總功耗；以及<br/> 比較該第二總功耗及該第一總功耗；<br/> 當該第二總功耗小於該第一總功耗且該優化程序的一執行次數小於一預設次數時，以該第二總功耗取代該第一總功耗，沿該數值大小方向調整該風扇權重，並再次執行該優化程序；以及<br/> 當該第二總功耗不小於該第一總功耗且該優化程序的該執行次數小於該預設次數時，沿與該數值大小方向相反的一方向調整該風扇權重，並再次執行該優化程序。
如請求項1所述的冷卻分配系統的運作方法，其中該優化程序更包括：在依據該轉速控制參數及該風扇權重設定該風扇的該風扇轉速之後，確認該發熱元件的該當前溫度不超過該目標溫度。
如請求項1所述的冷卻分配系統的運作方法，其中該幫浦權重的數值為1，該風扇權重的數值為0至1。
如請求項1所述的冷卻分配系統的運作方法，其中該預設次數為5次。
如請求項1所述的冷卻分配系統的運作方法，其中依據該目標溫度及該發熱元件的該當前溫度進行基於比例-積分-微分控制的運算以產生該轉速控制參數包括：<br/> 計算該目標溫度與該當前溫度之間的一溫度差值；<br/> 依據一預存參數表，取得該溫度差值所對應的一組目標控制參數，其中該預存參數表記錄有多個預設溫度區間與多組目標控制參數之間的對應關係，該些目標控制參數各包括一比例係數、一積分係數及一微分係數；以及<br/> 利用該組目標控制參數及該溫度差值產生該轉速控制參數。
一種冷卻分配系統，至少包括：<br/> 一溫度感測器，用於取得一發熱元件的一當前溫度；<br/> 一熱交換器，用於降低一輸入管線中的一冷卻液的溫度；<br/> 一風扇，用於降低該熱交換器的溫度；<br/> 一幫浦，用於推動一輸出管線中的該冷卻液；以及<br/> 一控制裝置，電性連接至該風扇及該幫浦，該控制裝置用於：依據一目標溫度及該當前溫度進行基於比例-積分-微分控制的運算以產生一轉速控制參數；依據該轉速控制參數及一幫浦權重設定該幫浦的一幫浦轉速；依據該轉速控制參數及一風扇權重設定該風扇的一風扇轉速，並計算該幫浦及該風扇的一第一總功耗，其中該幫浦權重等於該風扇權重；以及沿一數值大小方向調整該風扇權重，並執行一優化程序，該優化程序包括：依據該轉速控制參數及該風扇權重設定該風扇的該風扇轉速，並計算該幫浦及該風扇的一第二總功耗；以及比較該第二總功耗及該第一總功耗；當該第二總功耗小於該第一總功耗且該優化程序的一執行次數小於一預設次數時，以該第二總功耗取代該第一總功耗，沿該數值大小方向調整該風扇權重，並再次執行該優化程序；以及當該第二總功耗不小於該第一總功耗且該優化程序的該執行次數小於該預設次數時，沿與該數值大小方向相反的一方向調整該風扇權重，並再次執行該優化程序。
如請求項6所述的冷卻分配系統，其中該優化程序更包括：在依據該轉速控制參數及該風扇權重設定該風扇的該風扇轉速之後，確認該發熱元件的該當前溫度不超過該目標溫度。
如請求項6所述的冷卻分配系統，其中該幫浦權重的數值為1，該風扇權重的數值為0至1。
如請求項6所述的冷卻分配系統，其中該預設次數為5次。
如請求項6所述的冷卻分配系統，其中該控制裝置更用於計算該目標溫度與該當前溫度之間的一溫度差值；依據一預存參數表，取得該溫度差值所對應的一組目標控制參數，其中該預存參數表記錄有多個預設溫度區間與多組目標控制參數之間的對應關係，該些目標控制參數各包括一比例係數、一積分係數及一微分係數；以及利用該組目標控制參數及該溫度差值產生該轉速控制參數。
一種擺動機構，包括： <br/>一固定件，所述固定件設置有一第一限位面和一第二限位面； <br/>一擺動臂，所述擺動臂具有一樞軸，所述樞軸可相對於所述固定件樞轉； <br/>一抵接件，所述抵接件與所述樞軸連接並位於所述第一限位面和所述第二限位面之間，所述抵接件通過其與所述第一限位面和所述第二限位面的抵靠來限制所述擺動臂的擺動角度。
如請求項1所述的擺動機構，其中： <br/>所述固定件設置有一限位槽； <br/>所述第一限位面和所述第二限位面形成於所述限位槽的側壁上；或者，所述限位槽中設有一限位件，所述第一限位面和所述第二限位面形成於所述限位件上。
如請求項2所述的擺動機構，其中： <br/>所述限位槽的延伸方向與所述樞軸的軸向相垂直，所述限位槽具有一槽口； <br/>所述限位槽的側壁包括彼此平行的一第一側壁和一第二側壁，所述第一限位面和所述第二限位面形成於所述第一側壁和所述第二側壁上； <br/>所述抵接件通過所述槽口插入所述限位槽中並包括一第一對平行面和一第二對平行面； <br/>其中，當所述第一對平行面擺動至與所述第一限位面相抵靠時，限制所述擺動臂在一第一方向上繼續擺動，以及，當所述第二對平行面擺動至與所述第二限位面相抵靠時，限制所述擺動臂在一第二方向上繼續擺動，所述第一方向與所述第二方向的方向相反。
如請求項2所述的擺動機構，其中： <br/>所述限位槽的延伸方向與所述樞軸的軸向相垂直，所述限位件在所述限位槽內的位置可調； <br/>所述限位件具有供所述樞軸穿過的一開孔，所述開孔包括一第一孔部和一第二孔部；所述第一孔部包括一第一壁和一第二壁，所述第一限位面和所述第二限位面形成於所述第一壁和所述第二壁上，所述第二孔部用於和所述抵接件接合以鎖定所述擺動臂。
如請求項2所述的擺動機構，其中： <br/>所述限位槽的延伸方向與所述樞軸的軸向相平行； <br/>所述限位件包括一第一區和一第二區，所述第一區具有所述第一限位面和所述第二限位面，所述第二區適於與所述抵接件接合以鎖定所述擺動臂； <br/>所述限位件與所述限位槽滑動配合並具有一第一位置和一第二位置，當所述限位件處於第一位置時，所述第一區和所述抵接件配合，當所述限位件處於第二位置時，所述第二區與所述抵接件接合。
一種座椅連接結構，包括： <br/>一支撐架，包括相對設置的一第一支撐杆和一第二支撐杆； <br/>一第一定位槽和一第二定位槽，設置在一座椅的第一面，所述第一定位槽容納所述第一支撐杆，所述第二定位槽容納所述第二支撐杆；和 <br/>一鎖定裝置，設置於所述座椅的所述第一面，包括一第一擋件、一第二擋件以及一彈性元件；所述第一擋件和所述第二擋件均與所述座椅滑動配合，所述第一擋件和所述第二擋件設置為阻擋所述第一支撐杆和所述第二支撐杆分別從所述第一定位槽和所述第二定位槽脫出，所述彈性元件用於將所述第一擋件和所述第二擋件驅動至一鎖定位置。
如請求項6所述的座椅連接結構，其中： <br/>所述座椅的一第二面設置有一第一滑槽和一第二滑槽，所述第一滑槽與所述第一定位槽相交，所述第二滑槽與所述第二定位槽相交；所述座椅的第二面和所述座椅的第一面彼此背對； <br/>所述第一擋件可滑動地設置在所述第一滑槽中，所述第二擋件可滑動地設置在所述第二滑槽中。
如請求項7所述的座椅連接結構，其中： <br/>所述座椅還設置有一第三滑槽，所述第一滑槽與所述第二滑槽通過所述第三滑槽相通； <br/>所述鎖定裝置還包括一連接架；其中，所述連接架設置在所述第三滑槽中，所述連接架的兩端分別設置有相對於所述連接架向下彎折的一第一面和一第二面，所述第一擋件與所述第一面連接，所述第二擋件與所述第二面連接； <br/>所述第三滑槽的底壁設置有一第四長形孔，所述連接架安裝有一緊固件，所述緊固件的第一端從所述第四長形孔穿出。
如請求項8所述的座椅連接結構，其中： <br/>所述座椅的第一面還設置有一第四滑槽，所述第三滑槽與所述第四滑槽在所述緊固件的延伸方向上相鄰，並且所述第四滑槽位於所述第一滑槽和所述第二滑槽之間； <br/>所述鎖定裝置還包括一第三釋鎖件，所述第三釋鎖件容納在所述第四滑槽中，所述緊固件的第一端與第三釋鎖件連接； <br/>所述彈性元件夾持在所述第四滑槽的側壁和所述第三釋鎖件之間； <br/>所述第四滑槽的部分區域設置有一遮板，所述遮板遮擋所述彈性元件。
如請求項6所述的座椅連接結構，其中：所述鎖定裝置還包括一第二連動件，所述第二連動件與所述第一擋件和所述第二擋件可操作性地連接，其中，當所述第一擋件和所述第二擋件中的一者被推動以釋鎖第一支撐杆和第二支撐杆中的一者時，在所述第二連動件的作用下，所述第一擋件和所述第二擋件中的另一者被推動以釋鎖第一支撐杆和第二支撐杆中的另一者。
一種控制電路，包括：<br/> 在對具有一開關元件的一開關電源的該開關元件進行控制的該控制電路中，包括：<br/> 一軟啟動控制部，在該開關電源的啟動電壓超過規定的啟動閾值電壓時、或者基於與該開關電源的一輸出電壓對應的一回饋電壓與一誤差放大器的基準電壓之差所生成的一誤差電壓成為規定的一待機電壓以下後再次超過該待機電壓時，設置用於變更限制流過該開關元件的電流量的最大值的過電流閾值的一軟啟動期間；<br/> 一誤差電壓可放電期間設定部，基於該軟啟動期間，設定可使該誤差電壓放電的誤差電壓可放電期間；以及<br/> 一誤差電壓放電部，在該誤差電壓可放電期間內，將從該回饋電壓超過規定的誤差電壓放電閾值時起直至該回饋電壓低於該誤差電壓放電閾值時、或該誤差電壓降低到振盪停止電壓時中的任意早時為止的期間作為一放電期間，在該放電期間內使該誤差電壓放電。
根據請求項1所述的控制電路，其中該誤差電壓可放電期間設定部將該軟啟動期間設定為該誤差電壓可放電期間。
根據請求項1所述的控制電路，其中該誤差電壓可放電期間設定部將至少包含該軟啟動期間以及之後的規定期間這兩者的期間設定為該誤差電壓可放電期間。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，其中該誤差電壓放電閾值是該誤差放大器的基準電壓。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，進一步包括：<br/> 一過電壓檢測部，監視該回饋電壓，在超過規定的過電壓閾值電壓時輸出用於停止該開關元件的導通截止動作的信號，<br/> 其中，該誤差電壓放電閾值是比該誤差放大器的基準電壓大且比該過電壓閾值電壓小的規定的電壓值。
根據請求項5所述的控制電路，其中該放電期間中的該誤差電壓的放電電流比通常時的該誤差電壓的放電電流大且比該回饋電壓超過該過電壓閾值電壓時的該誤差電壓的放電電流小。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，進一步包括：<br/> 該誤差放大器，生成該誤差電壓；<br/> 一誤差電壓端子，與保持該誤差電壓的一電容器連接；<br/> 一放電開關，與該誤差電壓端子連接，基於來自該誤差電壓放電部的信號進行導通截止；以及<br/> 一放電電流源，與該放電開關連接，<br/> 其中，該誤差電壓放電部通過將該放電開關導通並連接該誤差電壓端子及該放電電流源，使放電電流從該電容器流向該放電電流源，從而使該電容器的該誤差電壓進行放電。
根據請求項7所述的控制電路，其中該誤差放大器是跨導放大器。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，其中該誤差電壓放電部在該回饋電壓超過該誤差電壓放電閾值時，以輸出電壓的上升率減緩、且不產生下沖的比例增加放電電流量。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，進一步包括：<br/> 一輸出電流控制部，監視流過該開關元件的電流量，在該軟啟動期間該電流量成為該過電流閾值的情況下，停止該開關元件的開關動作，<br/> 其中，在該軟啟動期間，該過電流閾值隨著時間的經過而變大。
根據請求項1～3中任一項所述的控制電路，進一步包括：<br/> 一輸出電流控制部，監視流過該開關元件的電流量，在該軟啟動期間該電流量成為該過電流閾值的情況下，停止該開關元件的開關動作，<br/> 其中，在該軟啟動期間，該過電流閾值每隔規定時間階段性地變大。
一種控制電路，包括：<br/> 在對具有開關元件的開關電源的該開關元件進行控制的該控制電路中，包括：<br/> 一啟動電壓監視部、一誤差電壓監視部、一軟啟動控制部、一誤差電壓可放電期間設定部、一輸出電流控制部、一閘極控制部、一驅動部、以及一誤差電壓放電部，<br/> 其中，該啟動電壓監視部檢測一啟動電壓，在該啟動電壓超過規定的啟動閾值電壓時，將依啟動信號發送到該閘極控制部以及該軟啟動控制部，<br/> 該誤差電壓監視部監視基於與該開關電源的輸出電壓相對應的回饋電壓與誤差放大器的基準電壓之差而生成的一誤差電壓，在低於規定的一待機電壓時，將待機信號輸出到該閘極控制部，在該誤差電壓成為該待機電壓以下之後再次超過該待機電壓時，將一重啟信號輸出至該軟啟動控制部以及該閘極控制部，<br/> 該軟啟動控制部基於該啟動信號或該重啟信號來設定一軟啟動期間，該軟啟動期間在規定的期間變更用於限制流過該開關元件的電流量的最大值的一過電流閾值，並將軟啟動信號輸出至該輸出電流控制部以及該誤差電壓可放電期間設定部，<br/> 該誤差電壓可放電期間設定部基於該軟啟動信號來設定能夠使該誤差電壓放電的誤差電壓可放電期間，並作為誤差電壓可放電期間資訊輸出至該誤差電壓放電部，<br/> 該輸出電流控制部監視流過該開關元件的電流量，並在該軟啟動期間，基於該軟啟動信號來設定限制流過該開關元件的電流量的最大值的該過電流閾值，並在該電流量的最大值達到該過電流閾值的情況下，將一停止信號輸出至該閘極控制部，<br/> 該閘極控制部基於該啟動信號或該再啟動信號來開始向該驅動部輸出使開關元件導通截止的控制信號，並在被輸入該停止信號或該待機信號時，停止輸出該控制信號，<br/> 該驅動部基於從該閘極控制部輸出的該控制信號來進行該開關元件的導通截止，<br/> 該誤差電壓放電部基於該誤差電壓可放電期間資訊，在該誤差電壓可放電期間內，將該回饋電壓超過該誤差放大器的基準電壓後低於該誤差放大器的基準電壓時、或該誤差電壓降低至振盪停止電壓時中的任意早時為止的期間作為一放電期間，在該放電期間內使該誤差電壓放電。
根據請求項12所述的控制電路，進一步包括：<br/> 一過電壓檢測部，一監視該回饋電壓，在超過規定的過電壓閾值電壓時，向該閘極控制部輸出使該開關元件的導通截止動作停止的信號，<br/> 其中，該放電期間中的該誤差電壓的放電電流比通常時的該誤差電壓的放電電流大，且比該回饋電壓超過該過電壓閾值電壓時的該誤差電壓的放電電流小。
一種開關電源，包括：<br/> 一開關元件；以及<br/> 用於控制該開關元件的請求項1或12所述的控制電路。
一種電源連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有沿前後方向延伸之端子槽，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有基體部及自基體部向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述第一、第二端子之基體部在橫向方向上之寬度不小於前述絕緣本體在橫向方向上之寬度的10%，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個的接觸臂均排列成在橫向方向上並排設置之至少兩組，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個中相鄰的兩組接觸臂之間的間距大於位於同一組中且相鄰之兩根接觸臂之間的間距。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中前述第一、第二端子之基體部在橫向方向上之寬度不小於前述絕緣本體在橫向方向上之寬度的30%。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中前述第一端子和第二端子中之每一個之接觸臂均排列成在橫向方向上並排設置之至少兩組，且相鄰之兩組接觸臂在橫向方向上之間距大於同一組中相鄰之兩根接觸臂之間的間距。
如申請專利範圍第1項所述之電源連接器，其中每一前述端子槽內設有至少一間隔壁，前述間隔壁將相鄰之兩組接觸臂在橫向方向上隔開。
如申請專利範圍第4項所述之電源連接器，其中前述絕緣本體具有沿橫向方向延伸形成之橫向壁，前述橫向壁將端子槽分成分別與上排端子組合和下排端子組合相對應之兩組，每一前述間隔壁沿前後方向延伸且具有與前述橫向壁相連之連接部。
如申請專利範圍第5項所述之電源連接器，其中前述第二端子設有向後凹陷形成之凹槽，前述凹槽自前述基體部之前端向後凹陷形成，前述連接部向後插入前述凹槽內。
如申請專利範圍第5項所述之電源連接器，其中每一前述間隔壁包括位於前述連接部前側之第一間隔部及位於前述連接部後側之第二間隔部，前述第二間隔部向後插入相應第一、第二端子之基體部在高度方向上之間隔空間內，以使前述基體部在高度方向上被前述第二間隔部、前述橫向壁、前述絕緣本體之頂壁、前述絕緣本體之底壁中相鄰之兩個所夾持。
如申請專利範圍第1至7中任意一項所述之電源連接器，其中同一端子組合中，前述第二端子至少有部分接觸臂伸入第一端子的相鄰兩接觸臂之間的間隙內。
一種電源連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有收容前述電源端子對之電源傳輸腔，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，前述電源傳輸腔與前述端子槽相連通，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有基體部及自基體部向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述第一、第二端子之基體部在橫向方向上之寬度不小於前述電源傳輸腔在橫向方向上之寬度的15%，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個的接觸臂均排列成在橫向方向上並排設置之至少兩組，相鄰的兩組接觸臂之間的間距大於位於同一組中且相鄰之兩根接觸臂之間的間距。
一種電連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有沿前後方向延伸之端子槽，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有固持部及自固持部向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述上排端子組合和下排端子組合之中至少有一個還具有位於前述第一端子和第二端子之間的導通件，前述導通件與位於其兩側之第一、第二端子相接觸以將兩者連通，前述導通件與其兩側相接觸之第一、第二端子固定連接，每一前述導通件具有第一導通部，前述第一導通部與前述固持部相接觸，前述上排端子組合之第一導通部在前後方向上之延伸長度大於前述下排端子組合之第一導通部在前後方向上之延伸長度。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中每一前述導通件還具有第二導通部，前述第二導通部自前述第一導通部彎折形成以使前述第一導通部和第二導通部相連呈L型，前述第二導通部與位於前述固持部後側之延伸部相接觸。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中前述第一端子和第二端子設有第一定位部，前述第一導通部設有與前述第一定位部相配合之第二定位部。
如申請專利範圍第3項所述之電連接器，其中前述第一、第二端子之固持部具有與前述絕緣本體相固持之干涉部，前述干涉部在橫向方向上突出於前述第一導通部設置。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中前述下排端子組合的前述第一導通部包括上導通部及自前述上導通部之前端向後反向彎折延伸形成之下導通部，前述下導通部在前後方向上之延伸長度小於前述上導通部在前後方向上之延伸長度。
如申請專利範圍第1項所述之電連接器，其中前述上排端子組合之導通件之材料厚度大於前述下排端子組合之導通件之材料厚度。
如申請專利範圍第1至6中任意一項所述之電連接器，其中同一端子組合中，前述第二端子至少有部分接觸臂伸入第一端子之相鄰兩接觸臂之間的間隙內。
一種電連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有沿前後方向延伸之端子槽，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有固持部及自固持部<br/> 向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述上排端子組合和下排端子組合之中至少有一個還具有位於前述第一端子和第二端子之間的導通件，前述導通件與位於其兩側之第一、第二端子相接觸以將兩者連通，前述導通件與其兩側相接觸之第一、第二端子固定連接，每一前述導通件具有第一導通部，前述第一導通部與前述固持部相接觸，每一前述導通件還具有第二導通部，前述第二導通部自前述第一導通部彎折形成以使前述第一導通部和第二導通部相連呈L型，前述第二導通部與位於前述固持部後側之延伸部相接觸。
一種電連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有沿前後方向延伸之端子槽，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有固持部及自固持部向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述上排端子組合和下排端子組合之中至少有一個還具有位於前述第一端子和第二端子之間的導通件，前述導通件與位於其兩側之第一、第二端子相接觸以將兩者連通，前述上排端子組合之導通件之材料厚度大於前述下排端子組合之導通件之材料厚度。
一種電連接器，其包括絕緣本體及至少一電源端子對，前述絕緣本體具有沿前後方向延伸之端子槽，前述電源端子對固定於絕緣本體之端子槽內，每一電源端子對包括接觸臂沿高度方向相對設置之上排端子組合和下排端子組合，前述上排端子組合和下排端子組合中之每一個均包括第一端子和第二端子，前述第一端子和第二端子中之每一個均具有固持部及自固持部向前延伸形成之至少一個前述接觸臂；其中前述上排端子組合和下排端子<br/> 組合之中至少有一個還具有位於前述第一端子和第二端子之間的導通件，前述導通件與位於其兩側之第一、第二端子相接觸以將兩者連通，前述導通件與其兩側相接觸之第一、第二端子固定連接，每一前述導通件具有第一導通部，前述第一導通部與前述固持部相接觸，前述第一端子和第二端子設有第一定位部，前述第一導通部設有與前述第一定位部相配合之第二定位部。
一種半導體裝置，包括：<br/> 高電子遷移率電晶體(HEMT)，包括：<br/> 成核層，設置在基板上；<br/> 緩衝層，設置在所述成核層上；<br/> 通道層，設置在所述緩衝層上；<br/> 阻障層，設置在所述通道層上，並且在所述通道層和所述阻障層之間的介面處產生二維電子氣(2DEG)區；<br/> 源極和汲極，設置在所述阻障層上方；<br/> P型摻雜III-V層，設置在所述阻障層上；以及<br/> 閘極，位於所述源極和所述汲極之間，並設置在所述P型摻雜III-V層上，其中所述閘極被施加閘極驅動訊號；<br/> 發光元件，設置在所述HEMT上方，用於提供向所述HEMT的所述閘極和所述P型摻雜III-V層傳播的光訊號，其中所述發光元件在接收到與所述閘極驅動訊號同步的發光元件驅動訊號時，被驅動發射所述光訊號，從而建立同步光電柵控開關；以及<br/> 閘極驅動，用於發送所述閘極驅動訊號和所述光發射驅動訊號，以同步控制所述HEMT和所述發光元件。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述發光元件為光電二極體，其陽極與所述閘極驅動相連接，陰極與所述HEMT源極相連接，並且所述HEMT的所述閘極與所述閘極驅動相連接。
根據請求項2所述的半導體裝置，其中所述發光元件的所述陽極和所述閘極連接到同一節點，然後通過所述同一節點連接到所述閘極驅動。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述發光元件是光電二極體，其配置為提供具有光子的所述光訊號，且所述光子的能量級別高於所述P型摻雜III-V層的能隙能量。
根據請求項4所述的半導體裝置，其中所述光電二極體提供的所述光訊號具有能量級別在紫外光譜(UV)區內的光子。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述閘極具有光學透明性或是半透明的。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述發光元件與所述HEMT採用共同封裝或單片封裝方式。
根據請求項7所述的半導體裝置，其中所述發光元件與所述HEMT的所述閘極垂直對齊。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述HEMT的所述閘極覆蓋下方的所述P型摻雜III-V層，並且具有視窗區域，以從所述視窗區域暴露出所述P型摻雜III-V層的至少一部分。
根據請求項9所述的半導體裝置，其中所述視窗區域具有條紋圖案、矩形圖案、圓形圖案或其組合。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述HEMT還包括N型摻雜III-V層，其設置在所述P型摻雜III-V層和所述閘極之間，並與所述P型摻雜III-V層和所述閘極形成接觸面。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述發光元件包括串聯或並聯的多個子發光元件。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述HEMT還包括鈍化層，其覆蓋在所述P型摻雜III-V層和所述閘極的側壁。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述阻障層是單層材料或是多層材料堆疊。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述阻障層包括氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、或其組合的合金，並含有摻雜或未摻雜區域。
根據請求項1所述的半導體裝置，其中所述P型摻雜III-V層是由單層或多層堆疊形成的P型氮化鎵層。
根據請求項1所述的器件，其中所述閘極由薄金屬或半導體製成，包括薄金屬合金、薄金屬氮化物、金屬氧化物、重摻雜半導體、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、鉻(Cr)、氮化鈦(TiN)、鈦鎢合金(TiW)、銦錫氧化物(ITO)或其組合。
一種依布碲(Ebtellur)或其醫藥上可接受之鹽，用以製備治療癌症之醫藥組合物的用途；其中所述癌症為肺癌或頭頸癌。
如請求項1所述之用途，其中所述肺癌為非小細胞肺癌。
如請求項1所述之用途，其中所述頭頸癌為舌癌、口腔鱗狀細胞癌或人類下咽鱗狀細胞癌。
如請求項1所述之用途，其中所述頭頸癌為人類下咽鱗狀細胞癌。
如請求項1所述之用途，其係用以抑制癌細胞增殖、促進癌細胞之細胞凋亡、降低癌細胞之Bcl-2蛋白質之表現量、提升選自由Bax、cleaved-caspase 3、cleaved-PARP1 所組成之群之蛋白質表現量、或增加該個體之存活率。
如請求項1所述之用途，其中該治療肺癌或頭頸癌之醫藥組合物係進一步包含一藥學上可接受之載劑，該載劑係選自於一種或多種由溶劑、緩衝液、乳化劑、懸浮劑、分解劑、崩解劑、分散劑、黏結劑、賦形劑、安定劑、螯合劑、稀釋劑、膠凝劑、防腐劑、潤濕劑、潤滑劑、吸收延遲劑以及脂質體所構成之群組中的試劑。
如請求項1之用途，其中該治療肺癌或頭頸癌之醫藥組合物係口服的藥物劑型或非經腸道的藥物劑型。
一種在一電子設備中提供用於處理遞送一物品至一客戶之一任務之資訊的方法，該方法包括： <br/>判定經排程以在一特定時段期間在一履行中心處處理之遞送任務的一數目； <br/>判定對應於經排程待處理之該等遞送任務之各者的一遞送優先級； <br/>判定是否推遲處理經排程待處理之該等遞送任務之至少一部分； <br/>若判定推遲經排程待處理之該等遞送任務之至少一部分，則基於該遞送優先級判定經排程待處理之該等遞送任務當中的待推遲其處理之一或多個遞送任務；及 <br/>提供與該一或多個遞送任務相關聯之資訊， <br/>其中該遞送優先級之該判定包括： <br/>判定對應於經排程待處理之該等遞送任務之各者之一遞送訂單之一類型；及 <br/>基於該遞送訂單之該類型判定該遞送優先級，且 <br/>其中該遞送訂單之該類型包括遞送一個別包裝物品之一第一類型及遞送包裝為一捆綁物之一物品之一第二類型。
如請求項1之方法，其中經排程待處理之遞送任務之該數目之該判定包括： <br/>接收一或多個遞送訂單； <br/>獲得對應於該一或多個遞送訂單之各者之一遞送任務之一預期運送時間點；及 <br/>基於該預期運送時間點判定待在該特定時段期間在該履行中心處處理之一遞送任務，且 <br/>該預期運送時間點包含完成一物品至一客戶之遞送之一時間點及自該履行中心發放一物品之一時間點的至少一者。
如請求項1之方法，其中該電子設備進一步基於對應於經排程待處理之該等遞送任務之各者之一預期運送時間點來判定該遞送優先級。
如請求項1之方法，其中該電子設備進一步基於經排程待處理之該等遞送任務之各者之一截止期限來判定該遞送優先級。
如請求項4之方法，其進一步包括： <br/>判定何時接收到該遞送訂單之一時間點；及 <br/>基於何時接收到該遞送訂單之該時間點來判定該遞送任務之該截止期限。
如請求項5之方法，其中該電子設備進一步基於針對遞送訂單之各類型設定之一處理規則來判定該遞送任務之該截止期限。
如請求項1之方法，其進一步包括判定推遲該一或多個遞送任務之該處理至何時。
如請求項1之方法，其中是否推遲之該判定包括： <br/>判定該履行中心能夠在一特定時段內處理之遞送任務之一數目；及 <br/>比較遞送任務之該經判定數目與經排程待處理之遞送任務之該數目。
如請求項8之方法，其中該履行中心能夠處理之遞送任務之該數目之該判定包括： <br/>獲得對應於該履行中心之工人資訊；及 <br/>基於該工人資訊，判定該履行中心能夠處理之遞送任務之該數目。
如請求項9之方法，其中該工人資訊包含關於經排程以在該特定時段期間在該履行中心處處理任務之一工人之資訊。
如請求項9之方法，其中是否推遲之該判定包括基於能夠由各工人處置之一遞送任務之一類型來針對各遞送任務類型判定是否推遲處理。
如請求項1之方法，其進一步包括基於判定該一或多個遞送任務之一結果判定在該特定時段之後在該履行中心處工作之一工人。
如請求項1之方法，其中關於判定待推遲之該一或多個遞送任務，經受是否推遲之該判定之遞送任務包含在一參考時間點之前接收其之對應遞送訂單之一遞送任務。
如請求項1之方法，其中，對於該一或多個遞送任務，推遲一揀取任務。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其中記錄用於在一電腦上執行如請求項1之方法之一程式。
一種用於提供用於處理遞送一物品至一客戶之資訊的電子設備，該電子設備包括： <br/>一收發器； <br/>一記憶體，其經組態以儲存指令；及 <br/>一處理器， <br/>其中該處理器連接至該收發器及該記憶體且經組態以： <br/>判定經排程以在一特定時段期間在一履行中心處處理之遞送任務的一數目； <br/>判定對應於經排程待處理之該等遞送任務之各者的一遞送優先級； <br/>判定是否推遲處理經排程待處理之該等遞送任務之至少一部分； <br/>若判定推遲經排程待處理之該等遞送任務之至少一部分，則基於該遞送優先級判定經排程待處理之該等遞送任務當中的待推遲其處理之一或多個遞送任務；及 <br/>提供與該一或多個遞送任務相關聯之資訊， <br/>為判定該遞送優先級，該處理器經組態以： <br/>判定對應於經排程待處理之該等遞送任務之各者之一遞送訂單之一類型；及 <br/>基於該遞送訂單之該類型判定該遞送優先級，且 <br/>其中該遞送訂單之該類型包括遞送一個別包裝物品之一第一類型及遞送包裝為一捆綁物之一物品之一第二類型。
一種蒸餾提純裝置，其中包括：一加熱設備，該加熱設備包括：一加熱桶，具有一加熱空間及一桶口，並連接一加熱器；一袋體，具有一容納空間及一袋口，放置於該加熱桶的加熱空間；該袋體的袋口定位在該加熱桶的桶口內側；該袋體的容納空間容納一原液；該加熱器對該原液加熱，使該原液中的目標物質蒸發而產生目標物質蒸氣；一蓋體，具有一冷凝空間及一蓋口；該蓋體以蓋口連通袋體之袋口的方式設於該加熱桶上，並使蓋體的冷凝空間與袋體的容納空間形成相連通的密閉空間；該蓋體由一蓋板及一環繞在該蓋板周圍的蓋壁所構成；該蓋壁的底部緊靠在該袋體的袋口上；一承液盤，呈板狀，具有一通口，且頂部具有一向下凹陷的承液空間；該承液盤設於該蓋體的內側靠近該蓋口的位置；該蓋體上還具有一連通該承液空間的閥門；一冷凝器，具有一冷凝管；該冷凝管設置在該蓋體的冷凝空間內，並位於該承液盤的承液空間上方。
如請求項1之蒸餾提純裝置，其中該冷凝管環繞在該蓋壁的內側；該冷凝管的兩端分別設置一第二入口閥及一第二出口閥；該第二入口閥及第二出口閥設置在該蓋壁上，並連接該冷凝器。
如請求項1之蒸餾提純裝置，其中該蓋體、承液盤及冷凝管均以聚四氟乙烯製成。
如請求項1之蒸餾提純裝置，其中該袋體以聚四氟乙烯製成。
如請求項1之蒸餾提純裝置，其中該加熱桶放置於一外桶內，該加熱桶的外側與該外桶的內側之間間隔一放熱空間，並且在該外桶上設有一第一入口閥及一第一出口閥；該加熱器分別連接接該第一入口閥及第一出口閥。
如請求項1之蒸餾提純裝置，其中該加熱桶的內側頂部具有一內徑逐漸外擴的傾斜部；該袋體的袋口套設在一撐開環上；該撐開環放置在該加熱桶的傾斜部。
一種快拆接頭量測設備，包含：一滑動裝置，包括一滑台組及設置於該滑台組上的兩固定座，該兩固定座上分別設有一第一轉接頭及一第二轉接頭，以供一被測試快拆接頭的對接與分離操作；一量測管組，位於該滑動裝置的上方，其包括一第一量測管及一第二量測管，該第一量測管的上端具有一第一開口，下端通過一第一連通單元組連通該第一轉接頭，該第二量測管的上端具有一第二開口，下端通過一第二連通單元組連通該第二轉接頭及該第一連通單元組；其中該第一連通單元組包括一第一三通閥、一第一連通管及一第二連通管，該第二連通單元組包括一第二三通閥、一第三連通管及一第四連通管。
如請求項1所述之快拆接頭量測設備，其中該滑動裝置還包括一基台，該滑台組設置在該基台上；該第一、二轉接頭中的每一轉接頭的一端設有一管連接部，另一端設有一測試品連接部用以連接該被測試快拆接頭；該固定座設有一凹槽用以固定該第一、二轉接頭。
如請求項1所述之快拆接頭量測設備，其中該第一、二量測管垂直且分開設置。
如請求項1所述之快拆接頭量測設備，其中：該第一三通閥連通該第一量測管下端，且經由該第一連通管連通該第一轉接頭，並經由該第二連通管連通該第二三通閥；該第二三通閥經由該第三連通管連通該第二量測管下端，並經由該第四連通管連通該第二轉接頭。
如請求項1所述之快拆接頭量測設備，其中該滑動裝置、該第一、二量測管及該第一、二連通單元組固定在一固定單元上。
如請求項5所述之快拆接頭量測設備，其中該固定單元上設置有一震動器，用於在測試過程中排除氣泡干擾。
一種如式（IA）所示的化合物或其藥學上可接受的鹽， <br/><img align="absmiddle" height="82px" width="116px" file="ed10506.jpg" alt="ed10506.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，環C為苯環； <br/>各R<sub>1</sub>分別獨立地為鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」或被一個或多個R<sub>1-1</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>1-1</sub>分別獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>m為0、1或2； <br/>k為0或1； <br/>X<sub>1</sub>為-CH<sub>2</sub>-、-O-、-S-或-S(=O)<sub>2</sub>-； <br/>X<sub>2</sub>為-CH<sub>2</sub>-； <br/>n為0； <br/>各「<img align="absmiddle" height="4px" width="10px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」分別獨立地表示單鍵或雙鍵； <br/>X<sub>3</sub>和X<sub>4</sub>分別獨立地為C； <br/>環A為吡唑環； <br/>各R<sub>2</sub>分別獨立地為H、C<sub>1-6</sub>烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、或被一個或多個R<sub>2-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sub>2-1</sub>分別獨立地為羥基或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>E為-N(R<sub>3</sub>)-或<img align="absmiddle" height="42px" width="41px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；n1為1、2或3；#表示與式（IA）中-C(O)-相連的一端； <br/>R<sub>3</sub>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>L為C<sub>1-6</sub>亞烷基、被一個或多個R<sub>L</sub>取代的C<sub>1-6</sub>亞烷基或「-(C<sub>1-6</sub>亞烷基) -L<sub>A</sub>-*」； <br/>各R<sub>L</sub>分別獨立地為羥基、鹵素，或當兩個R<sub>L</sub>取代在同一碳原子上時，兩個R<sub>L</sub>及其共有的碳原子連接形成3-10元飽和的碳環； <br/>L<sub>A</sub>為-N(R<sub>LA</sub>)-、3-10元飽和的碳環或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」； <br/>R<sub>LA</sub>為H或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>環B為「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」或被一個或多個R<sub>B-2</sub>取代的「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」； <br/>各R<sub>B-2</sub>分別獨立地為羥基、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個羥基取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>當U為不存在時，環B為<img align="absmiddle" height="32px" width="30px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>U為不存在、-N(R’)(R”)、C<sub>3-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、被一個或多個R<sub>U-3</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」或被一個或多個R<sub>U-5</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R’和R”分別獨立地為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>3-10</sub>環烷基或被一個或多個R”’取代的C<sub>1-6</sub>烷基；R”’獨立地為C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為-N(R’)(R”)、C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>、R<sub>U-3</sub>、R<sub>U-4</sub>和R<sub>U-5</sub>分別獨立地為鹵素、氰基、羥基、-SO<sub>2</sub>-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、被一個或多個R<sub>U-3-2</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、C<sub>3-10</sub>環烷基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」； <br/>各R<sub>U-3-1</sub>和R<sub>U-3-2</sub>分別獨立地為鹵素、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、羥基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」； <br/><br/>且如式（I）所示的化合物不為如下任一化合物： <br/><img align="absmiddle" height="65px" width="86px" file="ed10513.jpg" alt="ed10513.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="86px" file="ed10515.jpg" alt="ed10515.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="95px" file="ed10517.jpg" alt="ed10517.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="102px" file="ed10519.jpg" alt="ed10519.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="99px" file="ed10521.jpg" alt="ed10521.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="97px" file="ed10523.jpg" alt="ed10523.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="85px" file="ed10525.jpg" alt="ed10525.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="85px" file="ed10527.jpg" alt="ed10527.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="83px" file="ed10529.jpg" alt="ed10529.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="88px" file="ed10531.jpg" alt="ed10531.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="75px" width="76px" file="ed10533.jpg" alt="ed10533.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="74px" width="88px" file="ed10535.jpg" alt="ed10535.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="61px" file="ed10537.jpg" alt="ed10537.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="66px" file="ed10538.jpg" alt="ed10538.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="73px" file="ed10539.jpg" alt="ed10539.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="71px" file="ed10540.jpg" alt="ed10540.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="63px" file="ed10541.jpg" alt="ed10541.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="66px" file="ed10542.jpg" alt="ed10542.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="68px" file="ed10543.jpg" alt="ed10543.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="39px" width="61px" file="ed10544.jpg" alt="ed10544.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="70px" file="ed10545.jpg" alt="ed10545.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="59px" file="ed10546.jpg" alt="ed10546.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="70px" file="ed10547.jpg" alt="ed10547.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="61px" file="ed10548.jpg" alt="ed10548.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="33px" width="59px" file="ed10549.jpg" alt="ed10549.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="38px" width="69px" file="ed10550.jpg" alt="ed10550.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="70px" file="ed10551.jpg" alt="ed10551.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="68px" file="ed10552.jpg" alt="ed10552.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="77px" file="ed10553.jpg" alt="ed10553.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="58px" file="ed10554.jpg" alt="ed10554.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="58px" file="ed10555.jpg" alt="ed10555.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="45px" width="61px" file="ed10556.jpg" alt="ed10556.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="51px" file="ed10557.jpg" alt="ed10557.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="61px" file="ed10558.jpg" alt="ed10558.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="35px" width="64px" file="ed10559.jpg" alt="ed10559.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="97px" file="ed10560.jpg" alt="ed10560.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="87px" file="ed10561.jpg" alt="ed10561.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="97px" file="ed10562.jpg" alt="ed10562.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="92px" file="ed10563.jpg" alt="ed10563.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="97px" file="ed10564.jpg" alt="ed10564.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="70px" width="83px" file="ed10565.jpg" alt="ed10565.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="94px" file="ed10566.jpg" alt="ed10566.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="134px" file="ed10567.jpg" alt="ed10567.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="114px" file="ed10568.jpg" alt="ed10568.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>和<img align="absmiddle" height="67px" width="61px" file="ed10569.jpg" alt="ed10569.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述如式（IA）所示的化合物為如下式（IIA）所示的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="75px" width="119px" file="ed10570.jpg" alt="ed10570.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>各R<sub>1</sub>分別獨立地為鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」或被一個或多個R<sub>1-1</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>1-1</sub>分別獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>m為0、1或2； <br/>k為0或1； <br/>X<sub>1</sub>為-CH<sub>2</sub>-、-O-、-S-或-S(=O)<sub>2</sub>-； <br/>各R<sub>2</sub>分別獨立地為H、C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>2-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」； <br/>各R<sub>2-1</sub>分別獨立地為羥基或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>各「<img align="absmiddle" height="4px" width="10px" file="ed10507.jpg" alt="ed10507.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>」分別獨立地表示單鍵或雙鍵； <br/>E為-N(R<sub>3</sub>)-或<img align="absmiddle" height="42px" width="41px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；n1為1、2或3；#表示與式（IA）中-C(O)-相連的一端； <br/>R<sub>3</sub>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>L為C<sub>1-6</sub>亞烷基、被一個或多個R<sub>L</sub>取代的C<sub>1-6</sub>亞烷基或「-(C<sub>1-6</sub>亞烷基) -L<sub>A</sub>-*」； <br/>各R<sub>L</sub>分別獨立地為羥基或鹵素，或當兩個R<sub>L</sub>取代在同一碳原子上時，兩個R<sub>L</sub>及其共有的碳原子連接形成3-10元飽和的碳環； <br/>L<sub>A</sub>為-NH-、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)-或3-10元飽和的碳環； <br/>環B為 「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽的雜環」或被一個或多個R<sub>B-2</sub>取代的「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」； <br/>各R<sub>B-2</sub>分別獨立地為羥基、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個羥基取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>當U為不存在時，環B為<img align="absmiddle" height="32px" width="30px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>U為不存在、-N(R’)(R”)、C<sub>3-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、被一個或多個R<sub>U-3</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」 或被一個或多個R<sub>U-5</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R’和R”分別獨立地為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>3-10</sub>環烷基或被一個或多個R”’取代的C<sub>1-6</sub>烷基；R”’獨立地為C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為-N(R’)(R”)、C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>、R<sub>U-3</sub>、R<sub>U-4</sub>和R<sub>U-5</sub>分別獨立地為鹵素、-SO<sub>2</sub>-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個R<sub>U-3-2</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>各R<sub>U-3-1</sub>和R<sub>U-3-2</sub>分別獨立地為鹵素、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、羥基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述如式（IA）所示的化合物為如下式（IIIA）或式（IIIB）所示的化合物： <br/><img align="absmiddle" height="51px" width="85px" file="ed10572.jpg" alt="ed10572.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="55px" width="85px" file="ed10573.jpg" alt="ed10573.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>各R<sub>1</sub>分別獨立地為鹵素、氰基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個鹵素取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」或被一個或多個R<sub>1-1</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>1-1</sub>分別獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>m為0、1或2； <br/>X<sub>1</sub>為-CH<sub>2</sub>-、-O-、-S-或-S(=O)<sub>2</sub>-； <br/>各R<sub>2</sub>分別獨立地為H、C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>2-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」； <br/>各R<sub>2-1</sub>分別獨立地為羥基或C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>E為-N(R<sub>3</sub>)-或<img align="absmiddle" height="42px" width="41px" file="ed10509.jpg" alt="ed10509.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；n1為1、2或3；#表示與式（IA）中-C(O)-相連的一端； <br/>R<sub>3</sub>為氫或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>L為C<sub>1-6</sub>亞烷基、被一個或多個R<sub>L</sub>取代的C<sub>1-6</sub>亞烷基或「-(C<sub>1-6</sub>亞烷基) -L<sub>A</sub>-*」； <br/>各R<sub>L</sub>分別獨立地為羥基或鹵素，或當兩個R<sub>L</sub>取代在同一碳原子上時，兩個R<sub>L</sub>及其共有的碳原子連接形成3-10元飽和的碳環； <br/>L<sub>A</sub>為3-10元飽和的碳環； <br/>環B為 「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」 或被一個或多個R<sub>B-2</sub>取代的「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」； <br/>各R<sub>B-2</sub>分別獨立地為鹵素或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>當U為不存在時，環B為<img align="absmiddle" height="32px" width="30px" file="ed10511.jpg" alt="ed10511.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>U為不存在、-N(R’)(R”)、被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、被一個或多個R<sub>U-3</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R’和R”分別獨立地為氫、C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>3-10</sub>環烷基或被一個或多個R”’取代的C<sub>1-6</sub>烷基；R”’獨立地為C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>、R<sub>U-3</sub>和R<sub>U-4</sub>分別獨立地為鹵素、羥基、-SO<sub>2</sub>-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sub>U-3-1</sub>分別獨立地為鹵素、C<sub>3-10</sub>環烷基、C<sub>6-10</sub>芳基、C<sub>1-6</sub>烷氧基、羥基、氰基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）E為-N(R<sub>3</sub>)-； <br/>（2）L<sub>A</sub>為-NH-、-N(C<sub>1-6</sub>烷基)-或3-10元飽和的碳環； <br/>（3）各R<sub>B-2</sub>分別獨立地為鹵素或C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>（4）U為不存在、-N(R’)(R”)、被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、被一個或多個R<sub>U-3</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>、R<sub>U-3</sub>和R<sub>U-4</sub>分別獨立地為鹵素、羥基、-SO<sub>2</sub>-C<sub>1-6</sub>烷基、-C(O)-C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）各R<sub>1</sub>分別獨立地為鹵素； <br/>（2）m和k分別獨立地為0或1； <br/>（3）各R<sub>2</sub>分別獨立地為C<sub>1-6</sub>烷基或被一個或多個R<sub>2-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sub>2-1</sub>分別獨立地為C<sub>3-10</sub>環烷基； <br/>（4） L<sub>A</sub>為-NH-或-N(C<sub>1-6</sub>烷基)-； <br/>（5）各R<sub>B-2</sub>分別獨立地為羥基、鹵素、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個羥基取代的C<sub>1-6</sub>烷基；和 <br/>（6）U為C<sub>3-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、被一個或多個R<sub>U-3</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」 或被一個或多個R<sub>U-5</sub>取代的「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>、R<sub>U-3</sub>、R<sub>U-4</sub>和R<sub>U-5</sub>分別獨立地為鹵素、C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、氰基、羥基、C<sub>1-6</sub>烷基、被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個R<sub>U-3-2</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷氧基； <br/>各R<sub>U-3-1</sub>和R<sub>U-3-2</sub>分別獨立地為鹵素或C<sub>3-10</sub>環烷基。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）R<sub>3</sub>為氫； <br/>（2）L為C<sub>1-6</sub>亞烷基或被一個或多個R<sub>L</sub>取代的C<sub>1-6</sub>亞烷基； <br/>各R<sub>L</sub>分別獨立地為羥基或鹵素； <br/>（3）環B為「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」；和 <br/>（4）U為被一個或多個R<sub>U-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基、C<sub>3-10</sub>環烷基、被一個或多個R<sub>U-2</sub>取代的C<sub>3-10</sub>環烷基、「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」、C<sub>6-10</sub>芳基、被一個或多個R<sub>U-4</sub>取代的C<sub>6-10</sub>芳基或「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」； <br/>各R<sub>U-1</sub>分別獨立地為C<sub>3-10</sub>環烷基或C<sub>6-10</sub>芳基； <br/>各R<sub>U-2</sub>和R<sub>U-4</sub>分別獨立地為鹵素、C<sub>1-6</sub>烷氧基或被一個或多個R<sub>U-3-1</sub>取代的C<sub>1-6</sub>烷基； <br/>各R<sub>U-3-1</sub>分別獨立地為鹵素。
如請求項1-6中任一項所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）每個「C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>烷基」獨立地為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、三級丁基、異丁基或二級丁基； <br/>（2）每個「C<sub>1</sub>-<sub>6</sub>烷氧基」獨立地為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基、異丁氧基或二級丁氧基； <br/>（3）每個「鹵素」獨立地為氟、氯、溴或碘； <br/>（4）每個「C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>環烷基」獨立地為C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>單環環烷基或C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>多環環烷基； <br/>（5）每個「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的3-10元雜環烷基」獨立地為4-6元單環雜環烷基或5-10元多環雜環烷基； <br/>（6）每個「C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基」獨立地為苯基或萘基； <br/>（7）每個「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」獨立地為5-6元單環雜芳基； <br/>（8）每個「C<sub>1-6</sub>亞烷基」獨立地為C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>亞烷基； <br/>（9）當兩個R<sub>L</sub>取代在同一碳原子上時，兩個R<sub>L</sub>及其共有的碳原子連接形成的「3-10元飽和的碳環」為3元飽和的碳環； <br/>（10）當L<sub>A</sub>為3-10元飽和的碳環時，所述「3-10元飽和的碳環」為4-6元飽和的碳環；和 <br/>（11）每個「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」獨立地為「雜原子選自N，雜原子個數為1或2個的4-8元飽和的雜環」。
如請求項7所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>(1) 所述C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>多環環烷基為螺環、並環或橋環； <br/>(2) 所述5-10元多環雜環烷基為螺環、並環或橋環； <br/>(3) 所述5-6元單環雜芳基為雜原子種類為N，雜原子個數為1、2或3個的5-6元單環雜芳基； <br/>(4) 當L<sub>A</sub>為3-10元飽和的碳環時，所述「3-10元飽和的碳環」為<img align="absmiddle" height="13px" width="26px" file="ed10574.jpg" alt="ed10574.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；和 <br/>(5) 每個「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」獨立地為「雜原子為N，雜原子個數為1或2個的5-6元飽和的雜環」。
如請求項7所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）每個「C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷基」獨立地為甲基或乙基； <br/>（2）每個「C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>烷氧基」獨立地為甲氧基； <br/>（3）每個「鹵素」獨立地為氟、氯或溴； <br/>（4）所述「C<sub>3</sub>-C<sub>6</sub>單環環烷基」為環丙基、環丁基、環戊基或環己基； <br/>（5）所述「C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>多環環烷基」為C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>螺環環烷基； <br/>（6）所述「4-6元單環雜環烷基」為「雜原子選自N和O中的1或2種，雜原子個數為1或2個的4-6元單環雜環烷基」或者，「雜原子N、O中的1或2種，雜原子個數為1或2個的6元雜環烷基」； <br/>（7）所述「5-10元多環雜環烷基」為5-10元螺環雜環烷基或橋環雜環烷基； <br/>（8）每個「C<sub>6</sub>-C<sub>10</sub>芳基」獨立地為苯基； <br/>（9）每個「雜原子選自N、O、S中的1、2或3種，雜原子個數為1、2或3個的5-10元雜芳基」獨立地為5-6元單環雜芳基，所述5-6元單環雜芳基為雜原子種類為N，雜原子個數為1或2個的5-6元單環雜芳基；或所述5-6元單環雜芳基為雜原子種類為N，雜原子個數為3個的5-6元單環雜芳基； <br/>（10）每個「C<sub>1-6</sub>亞烷基」獨立地為亞甲基、<img align="absmiddle" height="11px" width="35px" file="ed10575.jpg" alt="ed10575.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10577.jpg" alt="ed10577.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（11）當兩個R<sub>L</sub>取代在同一碳原子上時，兩個R<sub>L</sub>及其共有的碳原子連接形成的「3-10元飽和的碳環」為<img align="absmiddle" height="18px" width="16px" file="ed10578.jpg" alt="ed10578.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；和 <br/>（12）每個「雜原子選自N，雜原子個數為1、2或3個的3-10元飽和的雜環」獨立地為<img align="absmiddle" height="30px" width="46px" file="ed10579.jpg" alt="ed10579.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="43px" file="ed10580.jpg" alt="ed10580.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="30px" file="ed10581.jpg" alt="ed10581.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10582.jpg" alt="ed10582.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10583.jpg" alt="ed10583.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項9所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>(1) 所述「C<sub>5</sub>-C<sub>10</sub>多環環烷基」為<img align="absmiddle" height="19px" width="13px" file="ed10584.jpg" alt="ed10584.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>(2) 所述「雜原子選自N和O中的1或2種，雜原子個數為1或2個的4-6元單環雜環烷基」為<img align="absmiddle" height="19px" width="16px" file="ed10585.jpg" alt="ed10585.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="13px" file="ed10586.jpg" alt="ed10586.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="16px" file="ed10587.jpg" alt="ed10587.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>(3) 所述「雜原子N、O中的1或2種，雜原子個數為1或2個的6元雜環烷基」為<img align="absmiddle" height="13px" width="22px" file="ed10588.jpg" alt="ed10588.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10589.jpg" alt="ed10589.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="19px" file="ed10590.jpg" alt="ed10590.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="26px" file="ed10591.jpg" alt="ed10591.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="13px" width="22px" file="ed10592.jpg" alt="ed10592.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>(4) 所述「5-10元多環雜環烷基」為<img align="absmiddle" height="13px" width="26px" file="ed10593.jpg" alt="ed10593.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或6元螺3元雜環烷基； <br/>(5) 所述雜原子種類為N，雜原子個數為1或2個的5-6元單環雜芳基為<img align="absmiddle" height="19px" width="26px" file="ed10594.jpg" alt="ed10594.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10595.jpg" alt="ed10595.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10596.jpg" alt="ed10596.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="13px" width="22px" file="ed10597.jpg" alt="ed10597.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="19px" width="19px" file="ed10598.jpg" alt="ed10598.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；和 <br/>(6) 所述雜原子種類為N，雜原子個數為3個的5-6元單環雜芳基為<img align="absmiddle" height="16px" width="19px" file="ed10599.jpg" alt="ed10599.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，其滿足以下條件的一個或多個： <br/>（1）各R<sub>1</sub>分別獨立地為氟、氯、溴、氰基、三氟甲基、環丙基、三氟甲氧基、甲基、<img align="absmiddle" height="31px" width="46px" file="ed10600.jpg" alt="ed10600.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="43px" file="ed10601.jpg" alt="ed10601.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="29px" width="35px" file="ed10602.jpg" alt="ed10602.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；m為0、1或2； <br/>（2）R<sub>2</sub>為H、甲基、乙基、<img align="absmiddle" height="18px" width="26px" file="ed10603.jpg" alt="ed10603.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="31px" width="29px" file="ed10604.jpg" alt="ed10604.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="42px" width="27px" file="ed10606.jpg" alt="ed10606.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；k為0或1； <br/>（3）結構片段<img align="absmiddle" height="45px" width="48px" file="ed10607.jpg" alt="ed10607.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>為<img align="absmiddle" height="34px" width="45px" file="ed10608.jpg" alt="ed10608.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="32px" width="45px" file="ed10609.jpg" alt="ed10609.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="45px" file="ed10610.jpg" alt="ed10610.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="42px" width="45px" file="ed10611.jpg" alt="ed10611.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="45px" file="ed10612.jpg" alt="ed10612.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="45px" file="ed10613.jpg" alt="ed10613.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="45px" file="ed10614.jpg" alt="ed10614.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="56px" file="ed10615.jpg" alt="ed10615.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="56px" file="ed10616.jpg" alt="ed10616.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="54px" file="ed10617.jpg" alt="ed10617.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="34px" width="56px" file="ed10618.jpg" alt="ed10618.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="80px" file="ed10619.jpg" alt="ed10619.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="76px" file="ed10620.jpg" alt="ed10620.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="63px" file="ed10621.jpg" alt="ed10621.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="63px" file="ed10622.jpg" alt="ed10622.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="75px" file="ed10623.jpg" alt="ed10623.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="81px" file="ed10624.jpg" alt="ed10624.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="63px" file="ed10625.jpg" alt="ed10625.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="63px" file="ed10626.jpg" alt="ed10626.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="68px" file="ed10627.jpg" alt="ed10627.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="73px" width="63px" file="ed10628.jpg" alt="ed10628.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="86px" file="ed10629.jpg" alt="ed10629.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="79px" file="ed10630.jpg" alt="ed10630.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="84px" file="ed10631.jpg" alt="ed10631.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="81px" file="ed10632.jpg" alt="ed10632.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="102px" file="ed10633.jpg" alt="ed10633.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="80px" file="ed10634.jpg" alt="ed10634.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="36px" width="57px" file="ed10635.jpg" alt="ed10635.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="69px" width="87px" file="ed10636.jpg" alt="ed10636.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="72px" width="87px" file="ed10637.jpg" alt="ed10637.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="81px" file="ed10638.jpg" alt="ed10638.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="73px" file="ed10639.jpg" alt="ed10639.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="79px" file="ed10640.jpg" alt="ed10640.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="47px" width="73px" file="ed10641.jpg" alt="ed10641.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="82px" file="ed10642.jpg" alt="ed10642.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="99px" file="ed10643.jpg" alt="ed10643.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="99px" file="ed10644.jpg" alt="ed10644.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="91px" file="ed10645.jpg" alt="ed10645.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="80px" file="ed10646.jpg" alt="ed10646.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="44px" width="81px" file="ed10647.jpg" alt="ed10647.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="86px" file="ed10648.jpg" alt="ed10648.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="43px" width="72px" file="ed10649.jpg" alt="ed10649.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（4）R<sub>3</sub>為氫或甲基； <br/>（5）L為亞甲基、<img align="absmiddle" height="11px" width="35px" file="ed10575.jpg" alt="ed10575.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="29px" file="ed10576.jpg" alt="ed10576.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="35px" file="ed10651.jpg" alt="ed10651.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10653.jpg" alt="ed10653.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10577.jpg" alt="ed10577.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="35px" file="ed10655.jpg" alt="ed10655.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="17px" width="35px" file="ed10656.jpg" alt="ed10656.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="1164px" width="8061px" file="ed10657.jpg" alt="ed10657.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（6）環B為<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10658.jpg" alt="ed10658.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10659.jpg" alt="ed10659.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10660.jpg" alt="ed10660.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="41px" file="ed10661.jpg" alt="ed10661.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="39px" width="35px" file="ed10662.jpg" alt="ed10662.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="35px" file="ed10663.jpg" alt="ed10663.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="35px" file="ed10664.jpg" alt="ed10664.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10665.jpg" alt="ed10665.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10666.jpg" alt="ed10666.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="693px" width="3698px" file="ed10667.jpg" alt="ed10667.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="32px" width="30px" file="ed10668.jpg" alt="ed10668.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；和 <br/>（7）U為<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10669.jpg" alt="ed10669.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="27px" file="ed10670.jpg" alt="ed10670.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10671.jpg" alt="ed10671.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="22px" file="ed10673.jpg" alt="ed10673.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="33px" file="ed10675.jpg" alt="ed10675.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="15px" width="23px" file="ed10677.jpg" alt="ed10677.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="27px" file="ed10679.jpg" alt="ed10679.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="27px" file="ed10681.jpg" alt="ed10681.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="22px" width="22px" file="ed10683.jpg" alt="ed10683.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="27px" file="ed10684.jpg" alt="ed10684.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10685.jpg" alt="ed10685.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10687.jpg" alt="ed10687.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10689.jpg" alt="ed10689.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10691.jpg" alt="ed10691.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="27px" file="ed10693.jpg" alt="ed10693.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="30px" file="ed10695.jpg" alt="ed10695.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="38px" file="ed10697.jpg" alt="ed10697.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="39px" file="ed10699.jpg" alt="ed10699.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="48px" file="ed10701.jpg" alt="ed10701.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="44px" file="ed10702.jpg" alt="ed10702.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="44px" file="ed10703.jpg" alt="ed10703.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="36px" file="ed10704.jpg" alt="ed10704.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10705.jpg" alt="ed10705.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="29px" file="ed10706.jpg" alt="ed10706.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="35px" file="ed10707.jpg" alt="ed10707.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="34px" file="ed10708.jpg" alt="ed10708.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="41px" file="ed10709.jpg" alt="ed10709.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="41px" file="ed10710.jpg" alt="ed10710.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="39px" file="ed10711.jpg" alt="ed10711.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="27px" file="ed10712.jpg" alt="ed10712.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="25px" width="27px" file="ed10713.jpg" alt="ed10713.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="15px" file="ed10714.jpg" alt="ed10714.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="30px" file="ed10715.jpg" alt="ed10715.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="14px" width="29px" file="ed10716.jpg" alt="ed10716.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="20px" width="36px" file="ed10717.jpg" alt="ed10717.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="33px" file="ed10718.jpg" alt="ed10718.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="18px" width="38px" file="ed10719.jpg" alt="ed10719.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="42px" file="ed10720.jpg" alt="ed10720.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="48px" file="ed10721.jpg" alt="ed10721.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="16px" width="53px" file="ed10722.jpg" alt="ed10722.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="1084px" width="4773px" file="ed10723.jpg" alt="ed10723.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="54px" file="ed10724.jpg" alt="ed10724.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="21px" width="23px" file="ed10725.jpg" alt="ed10725.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="43px" width="39px" file="ed10726.jpg" alt="ed10726.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="19px" width="31px" file="ed10727.jpg" alt="ed10727.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="34px" file="ed10728.jpg" alt="ed10728.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、-NH<sub>2</sub>、<img align="absmiddle" height="32px" width="60px" file="ed10729.jpg" alt="ed10729.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="37px" width="42px" file="ed10730.jpg" alt="ed10730.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="75px" file="ed10731.jpg" alt="ed10731.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="26px" width="57px" file="ed10732.jpg" alt="ed10732.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="24px" width="54px" file="ed10733.jpg" alt="ed10733.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="67px" file="ed10734.jpg" alt="ed10734.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="41px" width="53px" file="ed10735.jpg" alt="ed10735.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="28px" width="73px" file="ed10736.jpg" alt="ed10736.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="23px" width="73px" file="ed10737.jpg" alt="ed10737.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="40px" width="65px" file="ed10738.jpg" alt="ed10738.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="23px" width="73px" file="ed10739.jpg" alt="ed10739.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>； <br/>（8）E為-NH-、-N(CH<sub>3</sub>)-或<img align="absmiddle" height="23px" width="42px" file="ed10740.jpg" alt="ed10740.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述的化合物或其藥學上可接受的鹽，其中，所述化合物為如下任一化合物： <br/><img align="absmiddle" height="201px" width="334px" file="ed10741.jpg" alt="ed10741.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="184px" width="334px" file="ed10742.jpg" alt="ed10742.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="191px" width="334px" file="ed10743.jpg" alt="ed10743.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="158px" width="334px" file="ed10744.jpg" alt="ed10744.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="60px" width="76px" file="ed10745.jpg" alt="ed10745.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="76px" file="ed10746.jpg" alt="ed10746.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="76px" file="ed10747.jpg" alt="ed10747.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、 <br/><img align="absmiddle" height="318px" width="334px" file="ed10748.jpg" alt="ed10748.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="51px" width="78px" file="ed10749.jpg" alt="ed10749.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="69px" file="ed10750.jpg" alt="ed10750.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="78px" file="ed10751.jpg" alt="ed10751.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="68px" file="ed10752.jpg" alt="ed10752.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="64px" width="55px" file="ed10753.jpg" alt="ed10753.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="49px" width="78px" file="ed10754.jpg" alt="ed10754.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="46px" width="71px" file="ed10755.jpg" alt="ed10755.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="78px" file="ed10756.jpg" alt="ed10756.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="69px" file="ed10757.jpg" alt="ed10757.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="74px" file="ed10758.jpg" alt="ed10758.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="68px" width="92px" file="ed10759.jpg" alt="ed10759.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="87px" file="ed10760.jpg" alt="ed10760.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="105px" file="ed10761.jpg" alt="ed10761.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="59px" width="105px" file="ed10761.jpg" alt="ed10761.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="92px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="101px" file="ed10765.jpg" alt="ed10765.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="67px" width="97px" file="ed10767.jpg" alt="ed10767.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="66px" width="93px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="99px" file="ed10771.jpg" alt="ed10771.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="75px" file="ed10773.jpg" alt="ed10773.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="99px" file="ed10775.jpg" alt="ed10775.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="98px" file="ed10777.jpg" alt="ed10777.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="83px" file="ed10779.jpg" alt="ed10779.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="98px" file="ed10781.jpg" alt="ed10781.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="81px" file="ed10782.jpg" alt="ed10782.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="81px" file="ed10784.jpg" alt="ed10784.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="81px" file="ed10786.jpg" alt="ed10786.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="81px" file="ed10788.jpg" alt="ed10788.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="81px" file="ed10790.jpg" alt="ed10790.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="89px" file="ed10792.jpg" alt="ed10792.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="87px" file="ed10794.jpg" alt="ed10794.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="90px" file="ed10796.jpg" alt="ed10796.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="62px" width="101px" file="ed10798.jpg" alt="ed10798.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="92px" file="ed10800.jpg" alt="ed10800.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="84px" file="ed10802.jpg" alt="ed10802.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="96px" file="ed10804.jpg" alt="ed10804.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="81px" file="ed10806.jpg" alt="ed10806.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="88px" file="ed10808.jpg" alt="ed10808.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="77px" file="ed10810.jpg" alt="ed10810.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="79px" file="ed10812.jpg" alt="ed10812.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="85px" file="ed10814.jpg" alt="ed10814.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="93px" file="ed10816.jpg" alt="ed10816.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="65px" width="81px" file="ed10818.jpg" alt="ed10818.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="92px" file="ed10820.jpg" alt="ed10820.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="86px" file="ed10822.jpg" alt="ed10822.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="82px" file="ed10824.jpg" alt="ed10824.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="57px" width="83px" file="ed10826.jpg" alt="ed10826.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="82px" file="ed10828.jpg" alt="ed10828.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="63px" width="91px" file="ed10830.jpg" alt="ed10830.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="82px" file="ed10832.jpg" alt="ed10832.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="79px" file="ed10834.jpg" alt="ed10834.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="54px" width="74px" file="ed10836.jpg" alt="ed10836.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="87px" file="ed10838.jpg" alt="ed10838.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="64px" file="ed10840.jpg" alt="ed10840.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="92px" file="ed10842.jpg" alt="ed10842.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="92px" file="ed10844.jpg" alt="ed10844.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="61px" width="84px" file="ed10846.jpg" alt="ed10846.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="76px" file="ed10848.jpg" alt="ed10848.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="60px" width="93px" file="ed10850.jpg" alt="ed10850.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="85px" file="ed10852.jpg" alt="ed10852.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="82px" file="ed10854.jpg" alt="ed10854.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="82px" file="ed10856.jpg" alt="ed10856.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="77px" file="ed10858.jpg" alt="ed10858.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="80px" file="ed10860.jpg" alt="ed10860.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="85px" file="ed10862.jpg" alt="ed10862.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="55px" width="95px" file="ed10864.jpg" alt="ed10864.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="88px" file="ed10866.jpg" alt="ed10866.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="48px" width="85px" file="ed10868.jpg" alt="ed10868.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="71px" file="ed10870.jpg" alt="ed10870.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="74px" file="ed10872.jpg" alt="ed10872.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="75px" file="ed10874.jpg" alt="ed10874.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="72px" file="ed10876.jpg" alt="ed10876.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="85px" file="ed10878.jpg" alt="ed10878.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="74px" file="ed10880.jpg" alt="ed10880.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="71px" file="ed10882.jpg" alt="ed10882.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="88px" file="ed10884.jpg" alt="ed10884.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="82px" file="ed10886.jpg" alt="ed10886.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="56px" width="79px" file="ed10888.jpg" alt="ed10888.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="75px" file="ed10890.jpg" alt="ed10890.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="50px" width="72px" file="ed10892.jpg" alt="ed10892.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="58px" width="82px" file="ed10894.jpg" alt="ed10894.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="51px" width="88px" file="ed10896.jpg" alt="ed10896.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="52px" width="94px" file="ed10898.jpg" alt="ed10898.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="88px" file="ed10900.jpg" alt="ed10900.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="85px" file="ed10902.jpg" alt="ed10902.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>、<img align="absmiddle" height="53px" width="94px" file="ed10904.jpg" alt="ed10904.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>或<img align="absmiddle" height="64px" width="97px" file="ed10906.jpg" alt="ed10906.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
一種藥物組合物，其包含物質A和藥學上可接受的輔料，所述的物質A為如式（X-A）所示的化合物或其藥學上可接受的鹽； <br/><img align="absmiddle" height="58px" width="83px" file="ed10908.jpg" alt="ed10908.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>， <br/>其中，環A、環B、環C、X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>、R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、E、m、n、k、L、B和U如請求項1所定義。
如請求項13所述的藥物組合物，其中，所述藥物組合物用於治療KSR2-AMPK相關的疾病或障礙。
如請求項13所述的藥物組合物，其中，所述藥物組合物用於治療癌症。
如請求項13所述的藥物組合物，其中，所述藥物組合物用於治療肝癌。
如請求項13所述的物質A或如請求項13所述的藥物組合物在製備KSR2-AMPK抑制劑中的應用；在所述的應用中，所述的KSR2-AMPK抑制劑可用於哺乳動物生物體內；也可用於生物體外，主要作為實驗用途。
如請求項13所述的物質A或如請求項13所述的藥物組合物在製備藥物中的應用，所述的藥物用於治療與KSR2-AMPK相關的疾病或障礙；所述的物質A為治療有效量的。
如請求項18所述的應用，在所述應用中，所述與KSR2-AMPK相關的疾病或障礙為癌症。
如請求項18所述的應用，在所述應用中，所述與KSR2-AMPK相關的疾病或障礙為肝癌。
如請求項13所述的物質A或如請求項13所述的藥物組合物在製備藥物中的應用，所述的藥物用於治療癌症；所述的物質A為治療有效量的。
如請求項21所述的應用，所述的藥物用於治療肝癌。
一種撥水性纖維製品之製造方法，其係包含：<br/> 使纖維材料接觸具有陰離子性基團的聚酯共聚物；以及<br/> 使與該具有陰離子性基團的聚酯共聚物接觸後的該纖維材料接觸非氟類撥水成分；其中，<br/> 該聚酯共聚物包含二羧酸單元與二醇單元，<br/> 該二羧酸單元包含5莫耳%以上30莫耳%以下的源自具有磺酸基及磺酸鹽基中之一方或雙方之二羧酸的單元、以及源自三羧酸的單元中之至少一種，該二醇單元源自分子量為48以上900以下的二醇，且<br/> 該聚酯共聚物中之該二羧酸單元之分子內含有比率係50質量%以上75質量%以下。
一種撥水性纖維製品之製造方法，其係包含：<br/> 使聚酯類纖維接觸具有陰離子性基團的聚酯共聚物；以及<br/> 使與該具有陰離子性基團的聚酯共聚物接觸後的該聚酯類纖維接觸非氟類撥水成分；其中，<br/> 接觸該具有陰離子性基團的聚酯共聚物的方法係包含：<br/> 對聚酯類纖維進行染色處理；<br/> 對該染色處理後的該聚酯類纖維，在與染色液同浴或不同浴中進行皂洗處理；以及<br/> 對該皂洗處理後的該聚酯類纖維進行熱水洗滌處理及水洗處理中之一方或雙方之洗滌處理；<br/> 用於該皂洗處理的皂洗液及用於該洗滌處理的洗滌液中之一方或雙方包含該具有陰離子性基團的聚酯共聚物，<br/> 該具有陰離子性基團的聚酯共聚物包含二羧酸單元與二醇單元，<br/> 該二羧酸單元包含5莫耳%以上30莫耳%以下的源自具有磺酸基及磺酸鹽基中之一方或雙方之二羧酸的單元、以及源自三羧酸的單元中之至少一種，<br/> 該二醇單元源自分子量為48以上900以下的二醇，且<br/> 該具有陰離子性基團的聚酯共聚物中之該二羧酸單元之分子內含有比率係50質量%以上75質量%以下。
如請求項2所述之撥水性纖維製品之製造方法，其中，係包含：<br/> 對該染色處理後的該聚酯類纖維，在與該染色液同浴中進行該皂洗處理；<br/> 用於該染色處理的該染色液包含該具有陰離子性基團的聚酯共聚物，且<br/> 該染色液中包含的該具有陰離子性基團的聚酯共聚物中之至少一部分被用作該皂洗液中包含的該具有陰離子性基團的聚酯共聚物中之至少一部分。
如請求項2所述之撥水性纖維製品之製造方法，其中，係包含：<br/> 對該染色處理後的具有該陰離子性基團的聚酯類纖維，在與該染色液同浴中進行具有該陰離子性基團的皂洗處理；且<br/> 用於該皂洗處理的該皂洗液係藉由對該染色處理後的該染色液至少添加該具有陰離子性基團的聚酯共聚物而製備的。
如請求項1～4中任一項所述之撥水性纖維製品之製造方法，其中，<br/> 該非氟類撥水成分係丙烯酸類化合物、矽酮類化合物、蠟類化合物、胺基甲酸酯類化合物及樹枝狀聚合物類化合物中之至少一種。
一種輔助駕駛方法，執行於車機系統與智慧眼鏡中，其中，所述方法包括:<br/> 所述車機系統獲取車輛對應的車艙模型及所述智慧眼鏡的視野圖像；<br/> 所述車機系統將所述視野圖像與所述車艙模型進行特徵點匹配，確定生成輔助駕駛影像的空間位置資訊；<br/> 所述車機系統根據所述視野圖像、所述車艙模型與所述空間位置資訊生成所述輔助駕駛影像； <br/> 所述車機系統將所述輔助駕駛影像傳送給所述智慧眼鏡，以使所述智慧眼鏡顯示所述輔助駕駛影像；<br/> 所述車機系統判斷駕駛員的欲行駛方向；<br/> 所述車機系統獲取對應於所述欲行駛方向的盲區影像；<br/> 所述車機系統判斷所述駕駛員的視線方向與所述欲行駛方向是否一致；<br/> 當判斷所述駕駛員的視線方向與所述欲行駛方向一致時，所述車機系統根據所述智慧眼鏡的視野圖像、所述車艙模型與所述空間位置資訊及所述盲區影像生成所述輔助駕駛影像，其中，所述輔助駕駛影像包含對應於該盲區影像的車體結構區域的透視影像；以及<br/> 當判斷所述駕駛員的視線方向與所述欲行駛方向不一致時，所述車機系統根據所述視野圖像與所述車艙模型判斷所述盲區影像貼合的車體結構區域以生成所述輔助駕駛影像。
如請求項1所述的輔助駕駛方法，其中，所述車艙模型包括車體結構區域與玻璃材質區域。
如請求項2所述的輔助駕駛方法，其中，所述根據所述視野圖像、所述車艙模型與所述空間位置資訊生成所述輔助駕駛影像還包括：<br/> 所述車機系統根據所述視野圖像與所述車艙模型判斷所述車輛的駕駛員的視野範圍是否包含所述車體結構區域；以及<br/> 當判斷所述駕駛員的視野範圍包含所述車體結構區域時，所述車機系統根據所述空間位置資訊獲取對應於所述車體結構區域的車外影像以生成所述輔助駕駛影像。
如請求項3所述的輔助駕駛方法，其中，所述根據所述空間位置資訊獲取對應於所述車體結構區域的車外影像以生成所述輔助駕駛影像還包括:<br/> 將對應於所述車體結構區域的車外影像貼合於所述視野圖像中的所述車體結構區域，以達成透視效果。
如請求項1所述的輔助駕駛方法，其中，所述方法還包括:<br/> 所述車機系統經由ADAS系統檢測靠近所述車輛的物體；<br/> 所述車機系統在所述輔助駕駛影像中對所述物體增加提示框以提醒所述車輛的駕駛員注意。
如請求項1所述的輔助駕駛方法，其中，所述方法還包括 ：<br/> 所述車機系統根據所述智慧眼鏡的視野圖像判斷前方是否存在第二車輛；<br/> 所述車機系統判斷駕駛員是否有變換車道或超車意圖；<br/> 當判斷所述駕駛員有變換車道或超車意圖時，獲取所述第二車輛的前視影像，將所述前視影像貼合所述視野圖像中的所述第二車輛處以生成所述輔助駕駛影像。
如請求項2所述的輔助駕駛方法，其中，所述玻璃材質區域包括車窗、擋風玻璃及後照鏡。
如請求項2所述的輔助駕駛方法，其中，所述車體結構區域包括 Ａ柱、B柱及C柱。
一種輔助駕駛系統，該系統包括<br/> 車機系統；以及<br/> 智慧眼鏡，其中，所述車機系統包括控制器及記憶體，所述記憶體用於存儲計算機程式，當所述計算機程式被所述控制器執行時，使得所述控制器實現如請求項1至8中任一項所述的輔助駕駛方法。
一種高爾夫球桿頭，其包含：一本體，係由一本體材料構成，其包含：一前端，及一底部；一面板，其耦接於該前端，其中該本體與該面板定義一內腔；一擊球反應調節結構(IRM)，其包含：一芯匣，其係由一芯匣材料構成，且定義一芯匣周邊，耦接於該本體之該底部與該面板，該芯匣包含：一殼體，其包括：一前壁，其具有一前壁前表面、一前壁後表面、一前壁基底及一前壁上方表面；一後壁，其具有一後壁前表面、一後壁後表面、一後壁基底及一後壁上方表面；一趾部壁，及一踵部壁；其中該前壁、該後壁、該趾部壁及該踵部壁共同定義一孔洞；一鑲嵌件，係由一鑲嵌件材料構成，設置於該孔洞內並延伸至該孔洞外；且其中該芯匣材料具有一高於該本體材料之降伏強度的降伏強度。
如請求項1所述之高爾夫球桿頭，其中該面板不構成該殼體的任何部分。
如請求項1所述之高爾夫球桿頭，其中該面板包含一底部反折，該底部反折自該擊球面向後延伸，且該底部反折耦接於該芯匣周邊。
如請求項1所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣與該面板之間的一接合處是位於該底部。
如請求項1所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣與該面板之間的一接合處是位於一擊球面。
如請求項1所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣材料的芯匣降伏強度大於225ksi。
如請求項6所述之高爾夫球桿頭，其進一步包含一芯匣強度比率，該芯匣強度比率之定義為該芯匣降伏強度除以一本體降伏強度所得的比率，其中該芯匣強度比率大於1.25。
一種高爾夫球桿頭，其包含：一本體，係由一本體材料構成，其包含：一前端，及一底部；一面板，其耦接於該前端，其中該本體與該面板定義一內腔；一擊球反應調節結構(IRM)，其包含：一芯匣，其係由一芯匣材料構成，且定義一芯匣周邊，耦接於該本體之該底部與該面板，該芯匣包含：一殼體，其整體與該芯匣一體成形，該殼體包括：一前壁，其具有一前壁前表面、一前壁後表面、一前壁基底及一前壁上方表面；一後壁，其具有一後壁前表面、一後壁後表面、一後壁基底及一後壁上方表面；一趾部壁，及一踵部壁；其中該前壁、該後壁、該趾部壁及該踵部壁共同定義一孔洞；一鑲嵌件，係由一鑲嵌件材料構成，設置於該孔洞內並延伸至該孔洞外；且其中該芯匣材料具有一高於該本體材料之降伏強度的降伏強度。
如請求項8所述之高爾夫球桿頭，其中該面板不構成該殼體的任何部分。
如請求項8所述之高爾夫球桿頭，其中該面板包含一底部反折，該底部反折自該擊球面向後延伸，且該底部反折耦接於該芯匣周邊。
如請求項8所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣與該面板之間的一接合處是位於該底部。
如請求項8所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣與該面板之間的一接合處是位於一擊球面。
如請求項8所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣材料的芯匣降伏強度大於225ksi。
如請求項13所述之高爾夫球桿頭，其進一步包含一芯匣強度比率，該芯匣強度比率之定義為該芯匣降伏強度除以一本體降伏強度所得的比率，其中該芯匣強度比率大於1.25。
一種高爾夫球桿頭，其包含：一本體，係由一本體材料構成，其包含：一前端，及一底部；一面板，其耦接於該前端，其中該本體與該面板定義一內腔；一擊球反應調節結構(IRM)，其包含：一芯匣，其係由一芯匣材料構成，且定義一芯匣周邊，耦接於該本體之該底部，該芯匣包含：一殼體，其包括：一前壁，其具有一前壁前表面、一前壁後表面、一前壁基底及一前壁上方表面；一後壁，其具有一後壁前表面、一後壁後表面、一後壁基底及一後壁上方表面；一趾部壁，及一踵部壁；其中該前壁、該後壁、該趾部壁及該踵部壁共同定義一孔洞；一鑲嵌件，係由一鑲嵌件材料構成，設置於該孔洞內並延伸至該孔洞外；且其中該芯匣材料具有一高於該本體材料之降伏強度的降伏強度。
如請求項15所述之高爾夫球桿頭，其中該芯匣並不耦接於該面板。
如請求項15所述之高爾夫球桿頭，其中該殼體包括一與該芯匣一體成形的支撐部及一與該本體一體成形的核心段。
如請求項17所述之高爾夫球桿頭，其中該支撐部構成該前壁的至少一部分及該後壁的至少一部分。
一種超級電容電極材料的製造方法，包含：<br/> 材料準備步驟，將木質素磺酸鈉、陰離子界面活性劑及碳酸鈣粉末混合，而得到生質混合物；熱處理步驟，將該生質混合物於無氧環境下進行300˚C且1小時的熱處理，再於無氧環境下進行900˚C且8小時的熱處理，而得到碳化材料；以及<br/> 洗淨步驟，將該碳化材料以鹽酸進行酸洗而將pH值調整至0.5，再進行水洗而將pH值調整至6以上，而得到作為該超級電容電極材料的生質多孔碳材<br/> 其中該木質素磺酸鈉與該陰離子界面活性劑的重量比為1:2，<br/> 該碳酸鈣粉末的量為該木質素磺酸鈉的重量的3至10wt%。
如請求項1所述的製造方法，更包含粉碎步驟，係於該洗淨步驟之前，將該碳化材料粉碎。
如請求項1所述的製造方法，更包含二次熱處理步驟，係於該洗淨步驟之後，將該生質多孔碳材於無氧環境下進行300˚C且1小時的熱處理，再於無氧環境下進行900˚C且8小時的熱處理。
如請求項1所述的製造方法，其中於該材料準備步驟中，該陰離子界面活性劑的重量為該木質素磺酸鈉與該活性劑的重量總和的50%至200%。
一種超級電容電極，其特徵在於：<br/> 作為該超級電容電極的生質多孔碳材，係使用如請求項1至5中任一項所述的製造方法所製成的生質多孔碳材，作為該超級電容電極的助導劑，係使用選自由碳黑、石墨、石墨烯、奈米碳管及奈米碳纖維所構成的群中的至少一種，且作為該超級電容電極的黏著劑，係使用選自由具甲基丙烯酸甲酯、羧甲基纖維素或丁苯橡膠及聚偏二氟乙烯所構成的群中的至少一種，其中該生質多孔碳材與助導劑及黏著劑的重量比為90:5:5。
一種電子裝置，包括： <br/>一外殼，具有一容置空間，該外殼包括一操作開口； <br/>一撥輪，可動地設置於該容置空間，該撥輪的一部分從該操作開口外露，該撥輪包括一主動桿，該主動桿位於該容置空間； <br/>一密封件，設置於該容置空間且密封地連接於該外殼而形成一第一空間，該撥輪的另一部分位於該第一空間，該密封件包括一連動件，該連動件套設於該主動桿；以及 <br/>一感測器，設置於該密封件遠離該撥輪的一側，該感測器連接該連動件的一端， <br/>其中該撥輪適於受一外力而相對於該外殼轉動，且該連動件的該端適於被該主動桿帶動以驅動該感測器轉動。
如請求項1所述的電子裝置，其中該密封件更包括一蓋板，該連動件的另一端連接於該蓋板，該主動桿穿設於該蓋板。
如請求項2所述的電子裝置，其中該蓋板及該連動件為一體成型。
如請求項2所述的電子裝置，其中該撥輪適於受該外力而相對於該外殼轉動，且該連動件連接於該感測器的該端適於相對於該連動件連接於該蓋板的該端轉動。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一感測電路板，該感測器可轉動地連接於該感測電路板，該感測電路板連接於該密封件。
如請求項5所述的電子裝置，其中該感測電路板包括一開口，該主動桿及該連動件穿設於該開口，該感測電路板位於該感測器及該密封件之間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該撥輪包括一撥輪主體，該主動桿連接於該撥輪主體，該撥輪主體可轉動地連接於該外殼，該撥輪主體的一部分從該操作開口外露。
如請求項1所述的電子裝置，更包括一彈性件，該彈性件位於該容置空間，且該彈性件連接該撥輪，當該撥輪受力而相對於該外殼轉動時，該彈性件變形且蓄積彈性力。
如請求項1所述的電子裝置，其中該外殼包括一內壁，該密封件密封地連接於該內壁以將該容置空間劃分為該第一空間及一第二空間，該感測器位於該第二空間。
如請求項1所述的電子裝置，其中該連動件的材質包括但不限於一橡膠或一矽膠。
一種燒結礦的製造方法，是以德維-勞氏燒結機來製造燒結礦的方法，並使用摻混粉鐵礦石類、成分調整熔材、返礦及炭材而得的造粒原料；<br/> 其中，以矽酸生質進行乾餾處理所獲得之生物炭中的固定碳與氧化矽，來充當前述炭材之一部分或全部、及前述成分調整熔材當中的氧化矽成分之一部分或全部。
一種矽酸生質的高爐利用方法，是使用造粒原料來製造燒結礦，並將所述燒結礦從高爐爐頂裝入；該造粒原料是摻混粉鐵礦石類、成分調整熔材、返礦及炭材而得者，並且是以矽酸生質進行乾餾處理所獲得之生物炭中的固定碳與氧化矽，來充當前述炭材之一部分或全部、及前述成分調整熔材當中的氧化矽成分之一部分或全部。
一種非燒成含碳成塊礦的製造方法，是使用含有含鐵原料、含碳原料、脈石原料、及黏結劑的摻混原料來成形為成塊物且予以養護來製造非燒成含碳成塊礦的方法；<br/> 其中，以矽酸生質進行乾餾處理所獲得之生物炭中的固定碳與氧化矽，來充當前述含碳原料之一部分或全部、及前述脈石原料當中的含矽酸礦石之一部分或全部；<br/> 該製造方法包含：將前述生物炭混合至前述摻混原料的步驟。
一種矽酸生質的高爐利用方法，是在含有含鐵原料、含碳原料、脈石原料、及黏結劑的摻混原料當中，以矽酸生質進行乾餾處理所獲得之生物炭中的固定碳與氧化矽，來充當前述含碳原料之一部分或全部、及前述脈石原料當中的含矽酸礦石之一部分或全部；及<br/> 使用混合有前述生物炭的前述摻混原料來成形為成塊物，且予以養護來製造非燒成含碳成塊礦，再將所述非燒成含碳成塊礦從高爐爐頂裝入。
一種檢測裝置控制迴路改良裝置，包括：一電源自動切換單元、一電壓變電轉換單元與一作動單元：<br/>該電源自動切換單元設置有一輸入接續端子接續外接電源，與一自動切換電路，該自動切換電路可由一個以上的繼電器組成控制，將該外接電源各相間的電壓狀態，配置自動切換電源的功能，依順序邏輯自動切換一組兩相間有電的電源，電性連結至該電壓變電轉換單元，可接續一外接電表，顯示該外接電源的電壓狀態；<br/>該電壓變電轉換單元電性連結該電源自動切換單元，該電壓變電轉換單元依據接續負載的工作電壓需求，可設置一變壓器，該變壓器將外接電源的電壓變壓轉換為負載所需工作電壓，將適當的工作電源電性連結至該作動單元；<br/>該作動單元電性連結該電壓變電轉換單元，該作動單元設置一外部作動指令、一作動元件與一外接接續端子，該外部作動指令依作動需求，將信息電性連結該電壓變電轉換單元與該作動元件，由該電壓變電轉換單元提供電能作動該作動元件達成工作指令，再電性連結至該外接接續端子，該作動單元裝置端子，提供外部作動元件接續；<br/>其中該檢測裝置控制迴路改良裝置，當外接電源欠相時，會自動切換提供有電的兩相電源輸出，可顯示外部電源電壓，不因欠相而失能，再電性連結至該電壓變電轉換單元，依據負載工作電壓的需求，內部電壓變電轉換提供適當的工作電源，依該外部作動指令的指令信息作動該作動元件電性連結該外接接續端子接續外部作動元件，達成不因欠相失能或因外部作動元件電壓不同而造成控制上的問題，提昇用電安全。
一種檢測裝置控制迴路改良裝置，包括：一電源自動切換單元、一電壓變電轉換單元與一作動單元：<br/>該電源自動切換單元設置有一輸入接續端子接續外接電源，與一自動切換電路，該自動切換電路可由一個以上的繼電器組成控制，將該外接電源各相間的電壓狀態，配置自動切換電源的功能，依順序邏輯自動切換一組兩相間有電的電源，電性連結至該電壓變電轉換單元；<br/>該電壓變電轉換單元電性連結該電源自動切換單元，該電壓變電轉換單元依據接續負載的工作電壓需求，可設置一變壓器，該變壓器將外接電源的電壓變壓轉換為負載所需工作電壓，將適當的工作電源電性連結至該作動單元；<br/>該作動單元電性連結該電壓變電轉換單元，該作動單元設置一外部作動指令、一作動元件與一外接接續端子，該外部作動指令依作動需求，將信息電性連結該電壓變電轉換單元與該作動元件，由該電壓變電轉換單元提供電能作動該作動元件達成工作指令，再電性連結至該外接接續端子，該作動單元裝置端子，提供外部作動元件接續；<br/>其中該檢測裝置控制迴路改良裝置，當外接電源欠相時，會自動切換提供有電的兩相電源輸出，可顯示外部電源電壓，不因欠相而失能，再電性連結至該電壓變電轉換單元，依據負載工作電壓的需求，內部電壓變電轉換提供適當的工作電源，依該外部作動指令的指令信息作動該作動元件電性連結該外接接續端子接續外部作動元件，達成不因欠相失能或因外部作動元件電壓不同而造成控制上的問題，提昇用電安全。
一種圖案形成方法，其特徵為包含下列步驟：準備含有具有含矽之酸不穩定基的聚合物、及酸產生劑之阻劑材料，使用該阻劑材料來形成阻劑膜，將該阻劑膜進行曝光、烘烤後，利用乾蝕刻進行顯影來形成圖案。
一種圖案形成方法，其特徵為包含下列步驟：準備含有具有含矽之酸不穩定基的聚合物之阻劑材料，使用該阻劑材料來形成阻劑膜，將該阻劑膜進行曝光、烘烤後，利用乾蝕刻進行顯影來形成圖案；<br/> 就該具有含矽之酸不穩定基的聚合物而言，使用具有下述通式(a1)至(a3)表示之重複單元中之任1種以上而且具有具酸產生部之重複單元b的聚合物；<br/><img align="absmiddle" height="136px" width="417px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>1</sup>為碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之2價烴基；SI為以R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>Si表示並含有1~4個矽原子之有機矽基；R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>分別獨立地為碳數1~14之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵且也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之1價脂肪族烴基、或三甲基矽基、或三甲基矽基氧基；R<sup>5</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，且也可具有矽原子，R<sup>6</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之具有矽原子之烴基；X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、或-C(=O)-R<sup>7</sup>-；R<sup>7</sup>為碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有氧原子、硫原子、氮原子之伸烷基、或伸苯基、或伸萘基；環Y<sup>1</sup>為具有1個以上之矽原子的環狀有機矽基，環Y<sup>2</sup>為不具矽原子的環狀有機基。
如請求項2之圖案形成方法，其中，就該具酸產生部之重複單元b而言，使用選自下式(b1)~(b5)表示之重複單元中之重複單元；<br/><img align="absmiddle" height="283px" width="415px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子、或也可和Z<sup>6</sup>鍵結並形成環；Z<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或-O-Z<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>11</sup>-；Z<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；Z<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵；Z<sup>3</sup>為單鍵、-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-或-Z<sup>31</sup>-O-；Z<sup>31</sup>為碳數1~12之伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、硝基、氰基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、氟原子、碘原子或溴原子；Z<sup>4</sup>為單鍵、亞甲基或伸乙基；Z<sup>5</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、-O-Z<sup>51</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基或經三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、羥基或鹵素原子；Z<sup>6</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘環、酯鍵或醯胺鍵；Z<sup>7A</sup>為單鍵或碳數1~24之2價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Z<sup>7B</sup>為碳數1~10之1價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Z<sup>8</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、硫醚鍵或碳數1~6之烷二基；Z<sup>9</sup>為碳數1~12之3價有機基，且也可具有選自氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Rf<sup>1</sup>~Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，惟至少1個為氟原子或三氟甲基；又，Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>也可合併並和它們所鍵結的碳原子一起形成羰基；R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；R<sup>23</sup>為碳數1~10之飽和烴基、碳數6~10之芳基、氟原子、碘原子、三氟甲氧基、二氟甲氧基、氰基或硝基；環R為碳數6~10之(d+2)價芳香族烴基；d為0~5之整數；X<sup>-</sup>為非親核性相對離子；M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
如請求項3之圖案形成方法，其中，就該具酸產生部之重複單元b而言，使用該式中之Z<sup>3</sup>、Z<sup>7A</sup>、Z<sup>7B</sup>或M<sup>+</sup>含有1個以上之碘原子的重複單元。
如請求項1至4中任一項之圖案形成方法，其係利用波長3~15nm之極紫外線來實施該曝光。
如請求項1至4中任一項之圖案形成方法，其係利用加速電壓1~150kV之電子束來實施該曝光。
一種阻劑材料，係使用於乾蝕刻所為之圖案形成，其特徵為：含有具有下述通式(a1)至(a3)表示之重複單元中之任1種以上的聚合物、及酸產生劑；<br/><img align="absmiddle" height="136px" width="417px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>1</sup>為碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之2價烴基；SI為以R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>Si表示並含有1~4個矽原子之有機矽基；R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>分別獨立地為碳數1~14之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵且也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之1價脂肪族烴基、或三甲基矽基、或三甲基矽基氧基；R<sup>5</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，且也可具有矽原子，R<sup>6</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之具有矽原子之烴基；X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、或-C(=O)-R<sup>7</sup>-；R<sup>7</sup>為碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有氧原子、硫原子、氮原子之伸烷基、或伸苯基、或伸萘基；環Y<sup>1</sup>為具有1個以上之矽原子的環狀有機矽基，環Y<sup>2</sup>為不具矽原子的環狀有機基。
一種阻劑材料，係使用於乾蝕刻所為之圖案形成，其特徵為：含有具有下述通式(a1)至(a3)表示之重複單元中之任1種以上而且具有具酸產生部之重複單元b的聚合物；<br/><img align="absmiddle" height="136px" width="417px" file="ed10174.jpg" alt="ed10174.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>1</sup>為碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之2價烴基；SI為以R<sup>2</sup>R<sup>3</sup>R<sup>4</sup>Si表示並含有1~4個矽原子之有機矽基；R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>分別獨立地為碳數1~14之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有雙鍵或參鍵且也可具有三甲基矽基或三甲基矽基氧基之1價脂肪族烴基、或三甲基矽基、或三甲基矽基氧基；R<sup>5</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，且也可具有矽原子，R<sup>6</sup>為碳數1~6之直鏈狀、分支狀或環狀之具有矽原子之烴基；X<sup>1</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘基、或-C(=O)-R<sup>7</sup>-；R<sup>7</sup>為碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之也可具有氧原子、硫原子、氮原子之伸烷基、或伸苯基、或伸萘基；環Y<sup>1</sup>為具有1個以上之矽原子的環狀有機矽基，環Y<sup>2</sup>為不具矽原子的環狀有機基。
如請求項8之阻劑材料，該具酸產生部之重複單元b含有1個以上之碘原子。
如請求項8之阻劑材料，其中，該聚合物更具有選自下式(b1)~(b5)表示之重複單元中之重複單元的任1種以上；<br/><img align="absmiddle" height="283px" width="415px" file="ed10175.jpg" alt="ed10175.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 式中，R<sup>A</sup>分別獨立地為氫原子或甲基；R<sup>B</sup>分別獨立地為氫原子、或也可和Z<sup>6</sup>鍵結並形成環；Z<sup>1</sup>為單鍵、碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基、或-O-Z<sup>11</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>11</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>11</sup>-；Z<sup>11</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、伸萘基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；Z<sup>2</sup>為單鍵或酯鍵；Z<sup>3</sup>為單鍵、-Z<sup>31</sup>-C(=O)-O-或-Z<sup>31</sup>-O-；Z<sup>31</sup>為碳數1~12之伸烴基、伸苯基或將它們組合而得之碳數7~18之基，且也可含有羰基、硝基、氰基、酯鍵、醚鍵、胺甲酸酯鍵、氟原子、碘原子或溴原子；Z<sup>4</sup>為單鍵、亞甲基或伸乙基；Z<sup>5</sup>為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、-O-Z<sup>51</sup>-、-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或-C(=O)-NH-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>為碳數1~6之脂肪族伸烴基、伸苯基、甲基伸苯基、二甲基伸苯基、氟化伸苯基或經三氟甲基取代之伸苯基，且也可含有羰基、酯鍵、醚鍵、羥基或鹵素原子；Z<sup>6</sup>為單鍵、伸苯基、伸萘環、酯鍵或醯胺鍵；Z<sup>7A</sup>為單鍵或碳數1~24之2價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Z<sup>7B</sup>為碳數1~10之1價有機基，且也可具有選自鹵素原子、氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Z<sup>8</sup>為單鍵、醚鍵、酯鍵、硫醚鍵或碳數1~6之烷二基；Z<sup>9</sup>為碳數1~12之3價有機基，且也可具有選自氧原子、氮原子及硫原子中之至少1種；Rf<sup>1</sup>~Rf<sup>4</sup>分別獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，惟至少1個為氟原子或三氟甲基；又，Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>也可合併並和它們所鍵結的碳原子一起形成羰基；R<sup>21</sup>及R<sup>22</sup>分別獨立地為鹵素原子或也可含有雜原子之碳數1~20之烴基；R<sup>23</sup>為碳數1~10之飽和烴基、碳數6~10之芳基、氟原子、碘原子、三氟甲氧基、二氟甲氧基、氰基或硝基；環R為碳數6~10之(d+2)價芳香族烴基；d為0~5之整數；X<sup>-</sup>為非親核性相對離子；M<sup>+</sup>為鋶陽離子或錪陽離子。
一種半導體晶片，其中包括：<br/> 地址焊盤，所述地址焊盤沿垂直於所述半導體晶片的中軸線方向上分佈，且所述地址焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱；<br/> 數據焊盤 ，所述數據焊盤沿垂直於所述半導體晶片的中軸線方向上分佈，且所述數據焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱；<br/> 控制命令焊盤，所述控制命令焊盤沿垂直於所述半導體晶片的中軸線方向上分佈；<br/> 其中 ，互為鏡像對稱的所述地址焊盤之間還包括第一翻轉電路，所述第一翻轉電路被配置為可實現互為鏡像對稱的所述地址焊盤的訊號互換，互為鏡像對稱的所述數據焊盤之間還包括第二翻轉電路，所述第二翻轉電路被配置為可實現互為鏡像對稱的所述數據焊盤的訊號互換。
如請求項1所述的半導體晶片，其中，所述地址焊盤中的一個位於所述半導體晶片的中軸線上；<br/> 和/或，<br/> 所述數據焊盤包括低位元數據焊盤和高位數據焊盤，其中，所述低位元數據焊盤依次與所述高位數據焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱。
如請求項1所述的半導體晶片，其中，所述地址焊盤、所述數據焊盤與所述控制命令焊盤在靠近所述半導體晶片的一個側邊邊緣分佈；<br/> 和/或，所述控制命令焊盤包括多個校準焊盤，所述多個校準焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱，且所述多個校準焊盤互相電連接；<br/> 和/或，所述控制命令焊盤包括時鐘訊號焊盤，所述時鐘訊號焊盤 在所述半導體晶片的中軸線上，與地址訊號焊盤並排分佈。
如請求項1所述的半導體晶片，其中，所述控制命令焊盤包括片選訊號焊盤、重定訊號焊盤、校準訊號發送焊盤和校準訊號接收焊盤 ，所述半導體晶片還包括多個偽焊盤，所述多個偽焊盤分別與所述片選訊號焊盤、所述重定訊號焊盤、所述校準訊號發送焊盤、所述校準訊號接收焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱。
如請求項4所述的半導體晶片，其中，所述多個偽焊盤位於所述半導體晶片的中軸線的同一側；<br/> 和/或，<br/> 與所述偽焊盤鏡像對稱的所述控制命令焊盤與所述偽焊盤電隔離。
如請求項1所述的半導體晶片，其中，所述控制命令焊盤包括寫時鐘訊號焊盤和讀數據選通訊號焊盤 ，所述寫時鐘訊號焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱，所述讀數據選通訊號焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱。
如請求項1所述的半導體晶片，其中還包括多個電源焊盤 ，相同功能的所述電源焊盤以所述半導體晶片的中軸線為中心線鏡像對稱；<br/> 可選地，所述數據焊盤或者所述地址焊盤的兩側是不同功能的所述電源焊盤。
一種半導體封裝結構，其中包括<br/> 基板；<br/> 多個堆疊單元，所述堆疊單元採用兩個如請求項1至7任一項所述半導體晶片面對面鍵合得到；<br/> 其中，所述基板與所述多個堆疊單元通過引線鍵合，且所述引線的一端位於面對面鍵合的所述半導體晶片的中間位置 。
如請求項8所述的半導體封裝結構，其中，所述堆疊單元中的兩個所述半導體晶片處於不同的記憶體模組 中。
一種資料處理方法，其中，應用於儲存設備中的控制模組，所述儲存設備還包括儲存模組和定位装置，所述定位裝置包括行解碼器和欄選取器，所述資料處理方法包括：<br/> 響應外部觸發的操作信號，在所述操作信號表徵需要進行兩次讀取操作一次寫入操作的情況下，控制連接於所述儲存模組和所述控制模組之間的第一通路進行讀取操作和寫入操作，同時控制連接於所述儲存模組和所述控制模組之間的第二通路進行讀取操作，<br/> 其中所述第一通路包括讀寫字線、第一位線和第二位線，所述讀寫字線用於控制所述第一位線和所述第二位線進行放電，以完成所述第一通路的讀取操作或寫入操作；<br/> 所述第二通路包括讀字線和第三位線，所述讀字線用於控制所述第三位線進行放電，以完成所述第二通路的讀取操作；<br/> 所述行解碼器連接所述讀寫字線和所述讀字線，用於確定存放裝置的多個八電晶體儲存單元中任一位址資料對應的行；以及<br/> 所述欄選取器連接所述第一位線和所述第二位線，用於確定所述存放裝置的多個八電晶體儲存單元中任一位址資料對應的列。
如請求項1所述的資料處理方法，其中，所述儲存設備包括預充電電路， <br/> 所述控制連接於所述儲存模組和所述控制模組之間的第一通路進行讀取操作和寫入操作，包括：<br/> 控制所述讀寫字線連通所述第一通路，並控制所述第一位線和所述第二位線中的至少之一進行放電，以讀取所述操作信號要讀取的第一資料，完成本次讀取操作；以及<br/> 控制所述預充電電路將所述第一位線和所述第二位元線充電至目標電壓，通過所述第一通路將所述操作信號要寫入的第二資料寫入所述儲存模組，完成本次寫入操作。
如請求項2所述的資料處理方法，其中， <br/> 所述控制所述讀寫字線連通所述第一通路，並控制所述第一位線和所述第二位線中的至少之一進行放電，以讀取所述操作信號要讀取的第一資料，包括：<br/> 控制所述讀寫字線連通所述第一通路中的第一位線和第二位線；<br/> 通過所述定位裝置，基於所述操作信號中的第一位址資料從所述儲存設備的多個八電晶體儲存單元中確定第一儲存單元；以及<br/> 控制所述第一位線和所述第二位線中的至少之一進行放電，讀取所述第一儲存單元中的第一資料。
如請求項2所述的資料處理方法，其中， <br/> 所述通過所述第一通路將所述操作信號要寫入的第二資料寫入所述儲存模組，包括：<br/> 通過所述定位裝置，基於所述操作信號中的第二位址資料從所述儲存設備的多個八電晶體儲存單元中確定第二儲存單元；以及<br/> 通過所述第一通路將所述第二資料寫入所述第二儲存單元。
如請求項1至4中任一項所述的資料處理方法，其中，所述儲存設備包括預充電電路；<br/> 所述控制連接於所述儲存模組和所述控制模組之間的第二通路進行讀取操作，包括：<br/> 控制所述預充電電路對所述第三位元線停止充電；以及<br/> 控制所述讀字線連通所述第二通路，並控制所述第三位線進行放電，以讀取所述操作信號要讀取的第三資料，完成本次讀取操作。
如請求項1至4中任一項所述的資料處理方法，其中，在所述操作信號表徵需要進行讀取操作的情況下，所述資料處理方法還包括：<br/> 在所述操作信號表徵需要進行單次讀取操作的情況下，控制所述第一通路進行讀取操作，或者，控制所述第二通路進行讀取操作；以及<br/> 在所述操作信號表徵需要進行兩次讀取操作的情況下，控制所述第一通路和所述第二通路分別進行讀取操作。
如請求項6所述的資料處理方法，其中，所述儲存設備包括預充電電路；<br/> 所述控制所述第一通路進行讀取操作，包括：<br/> 控制所述預充電電路對所述第一位線和所述第二位線停止充電；以及<br/> 控制所述讀寫字線連通所述第一通路，並控制所述第一位線和所述第二位線中的至少之一進行放電，以讀取所述操作信號要讀取的第四資料，完成本次讀取操作。
如請求項1至4中任一項所述的資料處理方法，其中，所述儲存設備包括預充電電路；<br/> 在所述操作信號表徵需要進行寫入操作的情況下，所述資料處理方法還包括：<br/> 控制所述預充電電路對所述第一位線和所述第二位線停止充電；以及<br/> 控制所述讀寫字線連通所述第一通路，並通過所述第一位線和所述第二位線將所述操作信號要寫入的第五資料寫入所述儲存模組，完成本次寫入操作。
如請求項1至4中任一項所述的資料處理方法，其中，在所述操作信號表徵需要進行一次讀取操作和一次寫入操作的情況下，所述資料處理方法還包括：<br/> 控制所述第一通路進行讀取操作和寫入操作；或者，<br/> 控制所述第一通路進行寫入操作，並控制所述第二通路進行讀取操作。
一種儲存設備，其中，所述儲存設備包括：定址模組、儲存模組和控制模組；<br/> 所述控制模組和所述儲存模組之間連接有第一通路和第二通路； <br/> 所述控制模組，用於通過所述第一通路進行讀取操作和寫入操作，通過所述第二通路進行讀取操作，實現針對所述儲存模組的資料的兩讀一寫；<br/> 所述第一通路包括：讀寫字線和第一位線和第二位線；所述第二通路包括讀字線和第三位線；<br/> 所述定址模組連接於所述控制模組和所述儲存模組之間；<br/> 所述定址模組，用於從所述儲存模組的多個八電晶體儲存單元中確定任一位址資料對應的儲存單元；<br/> 所述定址模組包括第一定址裝置和第二定址裝置；<br/> 所述第一定址裝置的第一端連接所述控制模組，所述第一定址裝置的第二端連接所述第一通路中的讀寫字線和讀字線；所述第一定址裝置，用於從所述儲存模組的多個八電晶體儲存單元中確定所述任一位址資料對應的行；<br/> 所述第二定址裝置的第一端連接所述控制模組，所述第二定址裝置的第二端連接所述第一通路中的第一位線和第二位線；以及<br/> 所述第二定址裝置，用於從所述儲存模組的多個八電晶體儲存單元中確定所述任一位址資料對應的列。
如請求項10所述的儲存設備，其中，所述第一通路包括第一電晶體、第二電晶體、第一埠和第二埠，所述第二通路包括第三電晶體、第四電晶體和第三埠；<br/> 所述第一電晶體的第一端、所述第二電晶體的第一端和所述第三電晶體的第一端分別連接鎖存器，所述第一電晶體的第二端連接所述第一埠，所述第二電晶體的第二端連接所述第二埠，所述第三電晶體的第二端連接第四電晶體的第一端，所述第四電晶體的第二端連接所述第三埠。
如請求項11所述的儲存設備，其中，所述第一位線和所述第二位線為一對互補位線；<br/> 所述讀寫字線的第一端連接所述控制模組，所述讀寫字線的第二端分別連接所述第一電晶體的控制端和所述第二電晶體的控制端；<br/> 所述第一埠連接所述第一位線的第一端和所述第二位線的第一端，所述第二埠連接所述第一位線的第一端和所述第二位線的第一端，所述第一位線的第二端連接所述第一電晶體的第二端，所述第二位線的第二端連接所述第二電晶體的第二端；以及<br/> 所述控制模組，用於控制所述讀寫字線連通所述第一電晶體和所述第二電晶體，以連通所述第一通路，並控制所述第一位線和所述第二位線中的至少之一進行放電，將所述儲存模組中的至少一個八電晶體儲存單元的資料通過所述第一埠讀出，實現讀取操作；控制所述第一位線和所述第二位元線將資料通過所述第二埠寫入所述儲存模組中的至少一個八電晶體儲存單元，實現寫入操作。
如請求項10至12中任一項所述的儲存設備，其中<br/> 所述讀字線的第一端連接所述控制模組，所述讀字線的第二端連接所述第四電晶體的控制端；<br/> 所述第三埠連接所述第三位線的第一端，所述第三位線的第二端連接所述第四電晶體的第二端；以及<br/> 所述控制模組，用於控制所述讀字線連通所述第三電晶體和所述第四電晶體，以連通所述第二通路，並控制所述第三位線進行放電，將所述儲存模組中的至少一個八電晶體儲存單元的資料通過所述第三埠讀出，實現讀取操作。
如請求項10至12中任一項所述的儲存設備，其中，所述儲存設備包括預充電電路；<br/> 所述預充電電路連接於所述控制模組和所述儲存模組之間；以及<br/> 所述預充電電路，用於在讀寫操作結束後，將所述儲存設備中的位元線充電至目標電壓。
如請求項10至12中任一項所述的儲存設備，其中，所述控制模組包括預解碼電路和控制電路；<br/> 所述預解碼電路，用於對任一位址資料進行預先解碼，並將解碼後的任一位址資料傳輸至第一定址裝置；以及<br/> 所述控制電路，用於控制所述儲存設備中的各元件的交互。
如請求項12所述的儲存設備，其中，所述儲存設備包括第一讀取電路；<br/> 所述第一讀取電路的第一端連接所述第一埠，所述第一讀取電路的第二端連接所述第一位線的第一端和所述第二位線的第一端；以及<br/> 所述第一讀取電路，用於放大和鎖存承載有通過所述第一通路從所述儲存模組中讀取的資料的信號，並將第一處理後的信號從所述第一埠輸出。
如請求項12所述的儲存設備，其中，所述儲存設備包括寫入電路；<br/> 所述寫入電路的第一端連接所述第二埠，所述寫入電路的第二端連接所述第一位線的第一端和所述第二位線的第一端；以及<br/> 所述寫入電路，用於基於所述控制模組的指令將資料寫入所述第一位線和所述第二位線，進而寫入所述儲存模組。
如請求項13所述的儲存設備，其中，所述儲存設備包括第二讀取電路；<br/> 所述第二讀取電路的第一端連接所述控制模組，所述第二讀取電路的第二端連接所述第三位線；以及<br/> 所述第二讀取電路，用於放大和鎖存承載有通過所述第二通路從所述儲存模組中讀取的資料的信號，並將第二處理後的信號從所述第二埠輸出。
一種電腦可讀儲存媒體，其上儲存有電腦程式，其中，該電腦程式被處理器執行時實現請求項1至9中任一項所述方法的步驟。
一種半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>包括： <br/>板狀件，其包括高頻電極； <br/>桿狀件，其向該高頻電極供電；以及 <br/>端子，其連接該高頻電極與該桿狀件， <br/>其中該端子為球形或橢圓形，並加工而形成與該高頻電極接觸的水平的結合面， <br/>其中該結合面包括凹槽部， <br/>該凹槽部係配置以固定該高頻電極， <br/>其中該凹槽部的深度為該高頻電極的厚度的10％至75％。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該高頻電極包括網格。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該凹槽部是具有既定間隔的網格狀。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該凹槽部的形狀與該高頻電極的形狀相對應。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該凹槽部的下面的橫截面是平面、多邊形或球形， <br/>該凹槽部的側面是圓弧形。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該凹槽部經加工形成。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該高頻電極與該端子為面接觸及線接觸。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該端子包括用於插入該桿狀件的凹槽。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>還包括填料，其用於接合該端子與該桿狀件， <br/>該填料被該端子包圍。
如請求項1所述之半導體製造裝置用加熱器端子，其中， <br/>該桿狀件包括選自由鎢、鎳、銅、鋁、鐵、金、銀以及鈦組成的群組中的至少任一種， <br/>該板狀件包括選自由氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>）、碳化矽（SiC）、石墨以及石英組成的群組中的至少任一種。
一種對木材或木質材料的浸潤度之測定方法，其係測定含有四級銨化合物之藥劑對木材或木質材料的浸潤度之方法，且包括： 使以四溴酚酞乙酯(TBPE)為有效成分之顯色液與經上述藥劑處理之木材或木質材料接觸，進行顯色反應。
如請求項1之方法，其中上述含有四級銨化合物之藥劑為含有四級銨化合物之木材保存劑。
如請求項1或2之方法，其中顯色液中之TBPE之含量為0.005質量%~10質量%。
一種顯色液，其係用於木材或木質材料之浸潤度測定者， 上述浸潤度測定為含有四級銨化合物之藥劑對木材或木質材料的浸潤度之測定， 上述顯色液含有四溴酚酞乙酯(TBPE)作為有效成分。
一種套組，其係用於測定木材或木質材料的浸潤度者， 上述浸潤度測定為含有四級銨化合物之藥劑對木材或木質材料的浸潤度之測定， 包含四溴酚酞乙酯(TBPE)、及 <br/>記載有木材之浸潤度試驗方法之說明書。
一種套組，其係用於木材或木質材料之保存處理者，且包含： 以四級銨化合物為有效成分之木材保存劑；及 用於測定上述木材保存劑對木材之浸潤度之含有四溴酚酞乙酯(TBPE)作為有效成分之顯色液。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 在第一罩幕結構的第一開口中形成第一電導材料以提供第一導線；<br/> 在第二罩幕結構的第二開口中形成第二電導材料以在所述第一導線上提供導通孔；<br/> 去除所述第二罩幕結構；<br/> 形成覆蓋所述第一導線和所述導通孔的介電層；<br/> 平坦化所述介電層以暴露出所述導通孔的上部表面，所述平坦化後，所述導通孔的所述上部表面相對於所述介電層的上部表面凹陷；以及<br/> 於所述導通孔的所述上部表面的頂部上形成包括晶種層的導電特徵，其中所述晶種層覆蓋所述導通孔的所述上部表面和所述介電層的所述上部表面。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，更包括在形成所述第二罩幕結構之前去除所述第一罩幕結構。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述晶種層覆蓋所述導通孔的所述上部表面和所述介電層的所述上部表面之間的所述介電層的側壁。
如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中所述介電層的所述平坦化之後所述導通孔的所述上部表面與所述介電層的所述上部表面之間的高度差小於0.15微米。
一種半導體裝置的製造方法，包括：<br/> 形成重佈線路結構，包括：<br/> 在第一罩幕結構的第一開口中形成第一導通孔，<br/> 去除所述第一罩幕結構，<br/> 形成覆蓋所述第一導通孔的第一介電層，<br/> 將所述第一介電層平坦化，以暴露出所述第一導通孔的上部表面，以及<br/> 形成凸塊下金屬，包括所述第一導通孔的所述上部表面的頂部上的第一晶種層，其中所述凸塊下金屬的所述第一晶種層完全覆蓋所述凸塊下金屬和所述第一導通孔之間的第一界面；以及<br/> 將模組插座接合到所述重佈線路結構的所述凸塊下金屬。
如請求項5所述的半導體裝置的製造方法，其中所述第一介電層的所述平坦化之後所述第一導通孔的所述上部表面與所述第一介電層的上部表面之間的高度差小於0.15微米。
一種半導體裝置，包括：<br/> 重佈線路結構，包括：<br/> 導通孔，延伸通過介電層到第一導線，其中所述導通孔的上部表面相對於所述介電層的上部表面凹陷，並且其中所述導通孔的所述上部表面和所述介電層的所述上部表面之間的高度差不大於0.15微米，以及<br/> 凸塊下金屬，包括位於所述導通孔的所述上部表面和所述介電層的所述上部表面的頂部上的晶種層，其中所述晶種層完全覆蓋位於所述凸塊下金屬和所述導通孔的所述上部表面之間的界面，所述界面沒有空隙；以及<br/> 模組插座，連接至所述凸塊下金屬。
如請求項7所述的半導體裝置，更包括：<br/> 熱模組；以及<br/> 機械支架，所述重佈線路結構設置在所述熱模組與所述機械支架之間。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述晶種層具有共形厚度並且包括位於所述導通孔的所述上部表面和所述介電層的所述上部表面之間的所述介電層的部分上的側壁部分。
如請求項7所述的半導體裝置，其中所述晶種層從所述導通孔的所述上部表面的一個邊緣到所述導通孔的所述上部表面的相對的第二邊緣完全且連續地覆蓋所述導通孔。
一種接合填料合金層，係用以接合一第一母材層及一第二母材層；該第一母材層、該第二母材層其中一者係為石墨烯-銅複材；該第一母材層、該第二母材層其中另者係為鋁合金、石墨烯-銅複材、AlSiC其中之一；該接合填料合金層係具有一厚度，其係介於10~300微米之間；<br/> 其中，該接合填料合金層係含有下列重量百分比之組成份：<br/> 1wt.%至20 wt.%鋁；<br/> 0.1wt.%至5wt.%銀；及<br/> 一添加物，係選自0.5wt.%至5wt.%銅、0.05wt.%至0.15wt.%稀土其中一者；及<br/> 其餘為鋅。
如請求項1所述之接合填料合金層，其中：<br/> 鋁14wt.%；<br/> 銀1wt.%；及<br/> 該添加物係1wt.% 銅。
如請求項1所述之接合填料合金層，其中：<br/> 鋁14wt.%；<br/> 銀2wt.%；<br/> 該添加物係0.1wt.% 稀土。
如請求項3所述之接合填料合金層，其中，該稀土係為鈰(Ce)、鑭(La)、釔(Y)其中一者。
一種接合填料合金層之接合方法，係依序包括下列步驟：<br/> 一準備步驟，係提供一加熱板，其上依序堆疊放置一第一母材層、一接合填料合金層、一第二母材層及一超音波震動裝置；該接合填料合金層係具有一厚度，其係介於10~300微米(μm)之間；且該接合填料合金層係含有下列重量百分比之組成份：<br/> 1wt.%至20 wt.%鋁；<br/> 0.1wt.%至5wt.%銀；<br/> 一添加物，係選自0.5wt.%至5wt.%銅、0.05wt.%至0.15wt.%稀土其中一者；及<br/> 其餘為鋅；<br/> 該超音波震動裝置係具有一超音波變幅桿；<br/> 一加熱步驟，係將該加熱板加熱至攝氏400~550度，該加熱板經該第一母材層對該接合填料合金層熱傳導，使該接合填料合金層呈熔融或半熔融狀態；<br/> 一超音波震動接合步驟，係將該超音波變幅桿抵住該第二母材層，並進行超音波震動，以進行輔助接合，前述之超音波震動之震動頻率係為20kHz±5kHz；前述之超音波震動之振幅係介於3~10微米之間、且震動時間可為0.5~60秒；即可使得該接合填料合金層與該第一母材層及該第二母材層產生互溶；及<br/> 一互溶完成步驟，互溶完成後，該接合填料合金層消失，且該第一母材層及該第二母材層接合完成。
如請求項5所述之接合填料合金層之接合方法，其中：<br/> 於該準備步驟中，該接合填料合金層係先經過一滾壓機之滾壓而形成薄片狀，使該厚度介於10~300微米之間；<br/> 於該加熱步驟中，該接合填料合金層之熔融狀態係為半熔融狀態、完全熔融狀態其中一者；及<br/> 該接合填料合金層之起始熔融溫度係為攝氏385度±10度。
如請求項5所述之接合填料合金層之接合方法，其中：<br/> 鋁14wt.%；<br/> 銀1wt.%；及<br/> 該添加物係1wt.% 銅。
如請求項5所述之接合填料合金層之接合方法，其中：<br/> 鋁14wt.%；<br/> 銀2wt.%；<br/> 該添加物係0.1wt.% 稀土。
如請求項8所述之接合填料合金層之接合方法，其中，該稀土係為鈰(Ce)、鑭(La)、釔(Y)其中一者。
一種鋁模板自動生產設備，用以將兩長鋁板、兩短鋁板以及複數強化橫樑彼此焊接成一鋁模板，包含：<br/> 一移動裝置，能夠將該兩長鋁板運送至一暫定位置，使得該兩長鋁板彼此接觸形成一相鄰邊界線；<br/> 一第一焊接裝置，具有一第一攪拌頭，該第一攪拌頭能沿著一X軸方向在該相鄰邊界線高速旋轉摩擦，使得該兩長鋁板焊接成一長凹板，該長凹板具有一底板以及兩長壁板，並且該兩長壁板分別設置在該底板兩側，使得該兩長壁板之間形成一開放槽道；<br/> 一定位標示裝置，設置在該第一焊接裝置後方，能夠在該長凹板上沿著一Y軸方向雷射出複數間隔排列的定位線，且該複數定位線之間是以一固定的第一距離以及一非固定的第二距離來交替間隔排列，使得該長凹板的該底板被分隔出交替排列的複數加工區以及複數非加工區，並且使得該複數強化橫樑分別擺放在該複數加工區來對齊該複數定位線；以及<br/> 一第二焊接裝置，設置在該定位標示裝置後方，具有一第二攪拌頭以及一路徑模組，該第二攪拌頭能沿著該Y軸方向將該兩短鋁板以及每一該強化橫樑的兩長邊側焊接在該長凹板上，來形成該鋁模板，而該路徑模組能通過使用者設定將該第二攪拌頭焊接的路徑從一預設路徑變成一標的路徑來焊接；<br/> 其中，每一該強化橫樑的兩側分別具有一第一焊接部以及一第二焊接部，該第二攪拌頭將依照該標的路徑進行焊接，並在該第一焊接部具有交替排列的複數第一焊接線以及複數第一間隔，而該第二焊接部具有交替排列的複數第二間隔以及複數第二焊接線，每一該第一焊接線一對一的與該第二間隔對齊，而每一該第二焊接線一對一的與該第一間隔對齊。
如請求項1所述的鋁模板自動生產設備，其中，該定位標示裝置以及該第二焊接裝置之間還具有一電焊裝置，該電焊裝置能將每一該強化橫樑的兩短邊側沿著該X軸方向焊接在該兩長壁板上。
如請求項1所述的鋁模板自動生產設備，其中，該第一焊接裝置還具有一壓平機構，該壓平機構具有兩滾輪，並且該第一攪拌頭設置在該兩滾輪之間，當該第一攪拌頭沿著該X軸方向將該兩長鋁板焊接成該長凹板時，該兩滾輪同步沿著該X軸方向移動並且將該兩長鋁板之間的該相鄰邊界線壓平，該兩滾輪的其中一者壓平尚未焊接的部分而另一者壓平已焊接完成的部分。
如請求項1所述的鋁模板自動生產設備，其中，該鋁模板自動生產設備還具有一連接裝置，該連接裝置可依據使用需求安裝以及拆卸在任意兩裝置之間，使得斷續設置的該鋁模板自動生產設備形成一連續的生產線。
如請求項1所述的鋁模板自動生產設備，其中，該第二焊接裝置後方還具有一標線裝置，該標線裝置將沿著該Y軸方向標記一水平基準線，當該鋁模板直立於地面時，該水平基準線與地面的距離為一公尺。
如請求項1所述的鋁模板自動生產設備，其中，該第一焊接裝置將在該相鄰邊界線上焊接，並留下一X軸線段，該X軸線段具有兩端點，該第一焊接裝置會先將該兩端點的其中之一焊接，然後再從該兩端點的其中另一者沿著該X軸方向焊接，並將該兩端點連接形成該X軸線段。
一種鋁模板焊接方法，用以將兩長鋁板、兩短鋁板以及複數強化橫樑彼此焊接成一鋁模板，該方法包含：<br/> 一移動對位步驟，該兩長鋁板被擺放在一移動裝置，使得該兩長鋁板彼此接觸形成一相鄰邊界線，該移動裝置將沿著一X軸方向移動該兩長鋁板至一暫定位置；<br/> 一第一焊接步驟，由一第一焊接裝置沿著該X軸方向焊接該相鄰邊界線，使得該兩長鋁板彼此相連形成一長凹板，該長凹板具有一底板以及兩長壁板；<br/> 一定位標示步驟，在該底板標示出朝向一Y軸方向延伸的複數定位線，且該複數定位線之間是以一固定的第一距離以及一非固定的第二距離來交替間隔排列，使得該長凹板的該底板被分隔出交替排列的複數加工區以及複數非加工區，其中，該固定距離相等於該強化橫樑的寬度；<br/> 一第二焊接步驟，將該複數強化橫樑分別擺放在該複數加工區來對齊該複數定位線，且該複數強化橫樑的兩短邊側將被焊接在該兩長壁板；<br/> 一第三焊接步驟，由一第二焊接裝置沿著該Y軸方向焊接每一該強化橫樑的兩長邊側，使得該複數強化橫樑的兩長邊側分別形成一第一焊接部以及一第二焊接部來被固定在該底板；<br/> 其中，該第一焊接部具有交替排列的複數第一焊接線以及複數第一間隔，而該第二焊接部具有交替排列的複數第二間隔以及複數第二焊接線，每一該第一焊接線一對一的與該第二間隔對齊，而每一該第二焊接線一對一的與該第一間隔對齊。
如請求項7所述的鋁模板焊接方法，其中，在該第一焊接步驟之前還具有一定位點焊接步驟，在該定位點焊接步驟時該第一焊接裝置將在該相鄰邊界線上焊接，並留下一X軸線段，該X軸線段具有兩端點，該第一焊接裝置會先在該兩端點的其中之一焊接，然後再從該兩端點的其中另一者進行該第一焊接步驟。
如請求項8所述的鋁模板焊接方法，其中，在該定位點焊接步驟之後還具有一敲平步驟，利用一槌子將該兩長鋁板敲平，使得該兩長鋁板之間的該相鄰邊界線平整。
如請求項7所述的鋁模板焊接方法，其中，在該第三焊接步驟之後還具有一基準線標示步驟，該基準線標示步驟將由一標線裝置沿著該Y軸方向標記一水平基準線，當該鋁模板直立於地面時，該水平基準線與地面的距離為一公尺。
一命令處理方法，應用於可執行命令且包含複數個儲存區域的電子系統，包括：<br/> 將至少一命令儲存至至少一儲存區域；<br/> 在一目標命令已從所述儲存區域中被取出但將被中止時，獲取該目標命令的中止資訊；<br/> 檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一個儲存區域；以及<br/> 若該中止資訊和該目標命令來自同一儲存區，則中止該目標命令，若來自不同儲存區，則不中止該目標命令。
如請求項1所述的命令處理方法，其中該電子系統遵循UFS 4.0標準。
如請求項2所述的命令處理方法，其中該儲存區域為用於儲存命令的提交隊列。
如請求項3所述的命令處理方法，進一步包括一包括該儲存區域的多循環隊列(multi-circular queue)。
如請求項2所述的命令處理方法，其中該儲存區域分別包括一寄存器，並且該中止資訊來自所述寄存器之一。
如請求項1所述的命令處理方法，<br/> 其中在將該至少一命令儲存至該至少一儲存區域時，將儲存區域資訊寫入該命令；以及<br/> 其中根據該儲存區域資訊，檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一儲存區域中。
如請求項1所述的命令處理方法，進一步包括：<br/> 由控制儲存區域的處理電路記錄每一命令的儲存區域資訊；<br/> 其中根據該儲存區域資訊，檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一儲存區域中。
如請求項1所述的命令處理方法，進一步包括：<br/> 如果該中止資訊和該目標命令來自同一個儲存區域，則停止從該儲存區域取出命令或停止將該命令傳輸至一目標裝置。
如請求項1所述的命令處理方法，進一步包括：<br/> 如果該中止資訊和該目標命令來自不同的儲存區域，則將該目標命令傳輸至該目標裝置並由該目標裝置處理該目標命令。
一種電子系統，包括：<br/> 複數個儲存區域；以及<br/> 一處理電路，配置為執行：<br/> 將至少一命令儲存至至少一儲存區域；<br/> 在一目標命令已從所述儲存區域中被取出但將被中止時，獲取該目標命令的中止資訊；<br/> 檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一個儲存區域；以及<br/> 若該中止資訊和該目標命令來自同一儲存區，則中止該目標命令，若來自不同儲存區，則不中止該目標命令。
如請求項10所述的電子系統，其中該電子系統遵循UFS 4.0標準。
如請求項11所述的電子系統，其中該儲存區域為用於儲存命令的提交隊列。
如請求項12所述的電子系統，進一步包括一包括儲存區域的多循環隊列。
如請求項11所述的電子系統，其中該儲存區域分別包括一寄存器，並且該中止資訊來自該寄存器之一。
如請求項10所述的電子系統，<br/> 其中在將該命令儲存至該儲存區域時，將一儲存區域資訊寫入該命令；<br/> 其中根據該儲存區域資訊，檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一儲存區域中。
如請求項10所述的電子系統，更包括：<br/> 由一控制該儲存區域的處理電路，為每一該命令記錄儲存區域資訊；<br/> 其中，根據該儲存區域資訊，檢查該中止資訊和該目標命令是否來自同一儲存區域。
如請求項10所述的電子系統，進一步包含：<br/> 如果該中止資訊和該目標命令來自同一個儲存區域，則停止從該儲存區域取出命令或停止將該命令傳輸至一目標裝置。
如請求項10所述的電子系統，進一步包含：<br/> 如果該中止資訊和該目標命令來自不同的儲存區域，則將該目標命令傳輸至該目標裝置並由該目標裝置處理該目標命令。
一種用於製作可撓式面板的膠層結構，包含：<br/> 一第一膠膜與一第二膠膜，彼此相對設置，其中該第一膠膜與該第二膠膜為紫外光解離膠或熱解離膠；<br/> 多個緩衝結構，設置於該第一膠膜與該第二膠膜之間；以及<br/> 一填充材，位於該第一膠膜與該第二膠膜之間，該填充材填補該些緩衝結構之間的縫隙。
如請求項1所述之膠層結構，其中該填充材的熱變形溫度（heat deflection temperature，HDT）小於該第一膠膜與該第二膠膜之任一者的熱變形溫度。
如請求項1或2所述之膠層結構，其中該填充材為熱變形溫度介於攝氏60度至攝氏140度的聚合物。
如請求項1所述之膠層結構，其中每一該些緩衝結構的剖面形狀為半圓形、半橢圓形、梯形、矩形、中央簍空之半圓殼形或中央簍空之半橢圓殼形。
如請求項1所述之膠層結構，其中該些緩衝結構包括多個第一緩衝結構和多個第二緩衝結構，該些第一緩衝結構與該些第二緩衝結構為交錯設置。
一種可撓式面板的製作方法，包含下列步驟：<br/> 將一第一可撓式基板經由請求項1所述之膠層結構設置於一第一載板上；<br/> 在該第一可撓式基板上形成一第一元件層；以及<br/> 將該第一可撓式基板與該第一載板分離。
如請求項6所述之製作方法，還包含下列步驟：<br/> 將一第二可撓式基板經由另一請求項1所述之膠層結構設置於一第二載板上；<br/> 在該第二可撓式基板上形成一第二元件層；<br/> 將該第一載板與該第二載板彼此相對以組立該第一可撓式基板與該第二可撓式基板，其中該第一元件層與該第二元件層位於該第一可撓式基板與該第二可撓式基板之間；以及<br/> 將該第二可撓式基板與該第二載板分離。
如請求項6所述之製作方法，其中形成該第一元件層的步驟包含大於或等於攝氏60度的製程。
如請求項6所述之製作方法，還包含在該第一可撓式基板上形成一披覆層，其中形成該披覆層的步驟在形成該第一元件層的步驟之前，且形成該披覆層的步驟包含大於或等於攝氏60度的製程。
一種節溫裝置，包含：<br/> 一個閥座單元，包括相配合界定出一內部空間的一第一閥座與一第二閥座，該第一閥座環繞界定出連通該內部空間的一第一連通口，並包括數個往該第二閥座延伸的第一連接部，該第二閥座環繞界定出連通該內部空間的一第二連通口，並包括數個可分離地分別連接該等第一連接部的第二連接部，該等第一連接部與該等第二連接部相配合界定出數個連通該內部空間的第三連通口；及<br/> 一個閥件單元，設置在該內部空間中，並能阻斷該第一連通口與該內部空間，或允許該第一連通口連通該內部空間；<br/> 其中，該第一閥座包括一個界定出該第一連通口的第一環部、由該第一環部往該第二閥座延伸的該等第一連接部，以及一個相反於該等第二連接部的橋接部；<br/> 其中，該閥座單元還包括一片嵌設或包埋在該第一環部中的金屬片，該金屬片包括一第一環片部，以及數個由該第一環片部徑向往內延伸的延伸片部，該等延伸片部位於該第一環部中。
如請求項1所述的節溫裝置，其中，每一該第一連接部與各別的該第二連接部彼此能分離地卡接。
如請求項2所述的節溫裝置，其中，每一該第一連接部與各別的該第二連接部的其中一者包括一鉤頭，每一該鉤頭包括一個軸向延伸的延伸段，以及一個連接該延伸段且徑向延伸的卡抵段。
如請求項3所述的節溫裝置，其中，每一該第一連接部與各別的該第二連接部的另外一者包括一個扣環，每一該扣環供各別的該鉤頭卡接，並界定出一個徑向貫通的扣孔。
如請求項3所述的節溫裝置，其中，每一該第一連接部與各別的該第二連接部的另外一者包括一個扣環，每一該扣環供各別的該鉤頭卡接，並界定出一個軸向貫通的扣孔。
如請求項5所述的節溫裝置，其中，該閥座單元還包括數個分別插設在該等扣孔中的卡墊塊，每一該卡墊塊卡抵各別的該扣環並墊設在各別的該鉤頭與各別的該扣環間。
如請求項3所述的節溫裝置，其中，每一該第一連接部與各別的該第二連接部的另外一者形成有一開口徑向朝外的卡槽，每一該鉤頭插設在各別的該卡槽中而卡接各別的該第二連接部。
如請求項1所述的節溫裝置，其中，該閥件單元包括一個位於該內部空間中的驅動馬達、一個呈環狀地穿套在該驅動馬達上的可動閥件，該驅動馬達能帶動該可動閥件沿著該第一閥座往該第二閥座的方向移動，以使該第一連通口連通該內部空間。
如請求項8所述的節溫裝置，其中，該閥件單元還包括一個撐抵在該可動閥件及該第二閥座間的彈性件，該彈性件能提供將該可動閥件往該第一閥座頂推的彈力。
如請求項8或9所述的節溫裝置，其中，該第二閥座包括一個界定出該第二連通口的第二環部，以及連接該第二環部的該等第二連接部，該閥座單元還包括一個插設在該第二連通口中的第三閥座，該閥件單元還包括一個設置在該第三閥座中的彈力件，該彈力件軸向延伸並撐抵在該驅動馬達與該第三閥座間。
如請求項1所述的節溫裝置，其中，該金屬片還包括一個徑向間隔地位於該第一環片部內側的第二環片部，該第二環片部位於該第一連通口中，每一該延伸片部徑向延伸連接於該第一環片部與該第二環片部間。
如請求項1或11所述的節溫裝置，其中，該第一環片部突伸出該第一環部。
如請求項1所述的節溫裝置，其中，該第一閥座與一流管一體連接。
一種感測器裝置，其包括： <br/>基板，其具有基板頂面、基板底面以及在所述基板頂面與所述基板底面之間的基板側面，所述基板包括暴露於所述基板頂面處的導電圖案； <br/>半導體晶粒，其具有晶粒頂面、晶粒底面以及在所述晶粒頂面與所述晶粒底面之間的晶粒側面，其中所述半導體晶粒包括在所述晶粒頂面上的接合墊； <br/>接合線，其電連接所述接合墊及所述導電圖案； <br/>囊封材料，其圍繞所述晶粒側面且具有囊封物頂面、囊封物底面以及在所述囊封物頂面與所述囊封物底面之間的囊封物側面； <br/>介電層，其具有介電層頂面、耦合到所述晶粒頂面的介電層底面以及在所述介電層頂面與所述介電層底面之間的介電層側面；及 <br/>板，其具有板頂面、耦合到所述介電層頂面的板底面以及在所述板頂面與所述板底面之間的板側面，其中： <br/>所述板只定位在從所述接合墊側向地偏移的所述晶粒頂面之一部分上方， <br/>所述板的中心相對於所述半導體晶粒的中心側向地偏移， <br/>所述晶粒側面的第一晶粒側面與所述板側面的第一板側面共面，且 <br/>所述囊封物頂面及所述板頂面共面。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述介電層側向地延伸至所述晶粒側面的第一晶粒側面但沒有延伸至所有的所述晶粒側面。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述介電層包括孔洞，所述孔洞在所述晶粒頂面與所述板底面之間提供路徑。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述介電層包括將所述板底面黏附到所述晶粒頂面的透明黏合劑。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述囊封材料接觸所述板側面，所述囊封材料在所述接合墊上方並且所述囊封材料只覆蓋未被所述板覆蓋的所述晶粒頂面之一部分。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述囊封物側面及所述基板側面共面。
如請求項1所述的感測器裝置，其中： <br/>所述板包括玻璃，且 <br/>所述基板包括電路板。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述介電層由與所述囊封材料不同的材料形成。
如請求項1所述的感測器裝置，其中所述接合線的最上部低於所述板的最下表面。
一種感測器裝置，其包括： <br/>基板，其具有基板頂面、基板底面以及在所述基板頂面與所述基板底面之間的基板側面，所述基板包括暴露於所述基板頂面處的導電圖案； <br/>半導體晶粒，其具有晶粒頂面、晶粒底面以及在所述晶粒頂面與所述晶粒底面之間的晶粒側面，其中所述半導體晶粒包括在所述晶粒頂面上的接合墊； <br/>接合線，其電連接所述接合墊及所述導電圖案； <br/>囊封材料，其圍繞所述晶粒側面且具有囊封物頂面、囊封物底面以及在所述囊封物頂面與所述囊封物底面之間的囊封物側面，其中所述囊封材料覆蓋具有所述接合墊的所述晶粒頂面之第一部分； <br/>介電層，其具有介電層頂面、耦合到所述晶粒頂面的介電層底面以及在所述介電層頂面與所述介電層底面之間的介電層側面；及 <br/>板，其具有板頂面、耦合到所述介電層頂面的板底面以及在所述板頂面與所述板底面之間的板側面，其中： <br/>所述板覆蓋所述晶粒頂面的第二部分，所述第二部分不同於所述晶粒頂面的所述第一部分， <br/>所述板側面的第一個與所述晶粒側面的第一個之間的第一距離短於所述板側面的第二個與所述晶粒側面的第二個之間的第二距離， <br/>所述板側面的所述第一個及所述晶粒側面的所述第一個定向於第一方向，且 <br/>所述板側面的所述第二個及所述晶粒側面的所述第二個定向於不同於所述第一方向的第二方向。
如請求項10所述的感測器裝置，其中所述囊封物側面及所述基板側面共面。
如請求項10所述的感測器裝置，其中所述囊封物頂面及所述板頂面共面。
如請求項10所述的感測器裝置，其中所述介電層包括孔洞，所述孔洞在所述晶粒頂面與所述板底面之間提供路徑。
如請求項10所述的感測器裝置，其中所述接合線的最上部低於所述板的最下表面。
一種製造感測器裝置的方法，其包括： <br/>提供基板，其具有基板頂面、基板底面以及在所述基板頂面與所述基板底面之間的基板側面，所述基板包括暴露於所述基板頂面處的導電圖案； <br/>提供半導體晶粒，其具有晶粒頂面、晶粒底面以及在所述晶粒頂面與所述晶粒底面之間的晶粒側面，其中所述半導體晶粒包括在所述晶粒頂面上的接合墊； <br/>提供接合線，其電連接所述接合墊及所述導電圖案； <br/>提供囊封材料，其圍繞所述晶粒側面且具有囊封物頂面、囊封物底面以及在所述囊封物頂面與所述囊封物底面之間的囊封物側面，其中所述囊封材料覆蓋具有所述接合墊的所述晶粒頂面之第一部分； <br/>提供介電層，其具有介電層頂面、耦合到所述晶粒頂面的介電層底面以及在所述介電層頂面與所述介電層底面之間的介電層側面；及 <br/>提供板，其具有板頂面、耦合到所述介電層頂面的板底面以及在所述板頂面與所述板底面之間的板側面，其中： <br/>所述板覆蓋所述晶粒頂面的第二部分，所述第二部分不同於所述晶粒頂面的所述第一部分， <br/>所述板側面的第一個與所述晶粒側面的第一個之間的第一距離短於所述板側面的第二個與所述晶粒側面的第二個之間的第二距離， <br/>所述板側面的所述第一個及所述晶粒側面的所述第一個定向於第一方向，且 <br/>所述板側面的所述第二個及所述晶粒側面的所述第二個定向於不同於所述第一方向的第二方向。
如請求項15所述的方法，其中所述囊封材料接觸所述板側面。
如請求項15所述的方法，其中所述囊封物頂面及所述板頂面共面。
如請求項15所述的方法，其中所述介電層包括孔洞，所述孔洞在所述晶粒頂面與所述板底面之間提供路徑。
如請求項15所述的方法，其中所述接合線的最上部低於所述板的最下表面。
如請求項15所述的方法，其中所述囊封物側面及所述基板側面共面。
一種可調式顯示模組，包括： <br/>一基座，包括一座部以及二連接部，該二連接部的一端連接於該座部的相對兩側； <br/>一驅動模組，設置於該基座； <br/>一調整模組，連接於該二連接部的另一端，包括： <br/>二固定組件，連接於該二連接部的另一端，各該固定組件包括多個固定件，依序堆疊連接於該二連接部的另一端； <br/>多個彈性件，連接於該些固定件的相鄰二者之間；以及 <br/>二控制線，穿設於該二連接部、該些固定件及該些彈性件，且各該控制線的兩端分別連接該驅動模組及該些固定件的最後一個；以及 <br/>一可撓透明顯示螢幕，連接於該二連接部之間、以及該二固定組件之間，其中該驅動模組適於驅動該控制線運動，以使該固定組件帶動該可撓透明顯示螢幕中位於該二固定組件之間的部分相對於該二連接部翻轉角度。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中該驅動模組適於釋放該控制線，以使該些彈性件驅動該固定件的任二相鄰者朝向背離於彼此的方向移動。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中該驅動模組驅動該控制線運動後的該些固定件的任二相鄰者之間的一第一間距小於該驅動模組釋放該控制線後的該些固定件的任二相鄰者之間的一第二間距。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中該驅動模組驅動該控制線運動後的該些固定件的任二相鄰者相互抵接的二表面互為平行。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中各該固定件具有一第一側及相對於該第一側的一第二側，且各該固定件在該第一側的一第一長度大於各該固定件在該第二側的一第二長度。
如請求項1所述的可調式顯示模組，更包括二限位件，位於該可撓透明顯示螢幕的相對兩側，各該固定件包括一缺槽，且該限位件位於該缺槽內。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中各該固定件包括一穿孔，且該控制線穿設於該穿孔。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中該控制線位於該些固定件的任二相鄰者之間相互抵接的一支點處。
如請求項1所述的可調式顯示模組，更包括： <br/>至少一驅動件，設置於該基座；以及 <br/>一滑輪組，設置於該基座的相對兩側，且連接該至少一驅動件。
如請求項1所述的可調式顯示模組，其中各該固定件包括一本體部、一凸部以及一凹部，該凸部及該凹部位於該本體部的相對兩側，該凸部自該本體部朝向背離於該本體部的方向延伸而出，該凹部自該本體部朝向該本體部的方向凹陷而入。
一種車用可調式顯示裝置，包括如請求項1至請求項10其中任一項所述的可調式顯示模組，其中該基座的該座部設置在一中控台上。
一種危險預警方法，藉由一預警單元來實施，該預警單元訊號連接多個設置於多個區域的感測單元，每一感測單元用於偵測並傳送分別對應多個時間點的多筆待分析資料至該預警單元，該預警單元儲存有一基於循環神經網路的第一模型、一基於圖神經網路的第二模型、多筆用於訓練出該第一模型的第一訓練資料，及多筆用於訓練出該第二模型第二訓練資料，該第一模型用於獲得一包含一第一危險程度的第一結果，該第二模型用於獲得一包含一第二危險程度的第二結果，每一第一訓練資料包含多筆對應多個訓練時間點的訓練氣體濃度資訊、一由人工標記且已知的訓練氣體，及一由人工標記且已知的第一訓練危險程度，每一第二訓練資料包含該等訓練氣體濃度資訊、該等第一危險程度、任兩個該感測單元之間的多筆訓練關聯資料，及一由人工標記且已知的第二訓練危險程度，該危險預警方法包含以下步驟：<br/> (A) 對於每一感測單元，藉由該預警單元，在接收到來自該感測單元的該等待分析資料後，根據該感測單元對應的該等待分析資料，利用該第一模型，獲得對應該感測單元的該第一結果，每一第一結果包含指示出所對應之該區域未來之危險程度的該第一危險程度，及多個分別對應多種不同氣體的氣體機率值，該等待分析資料包含多筆分別對應該等時間點的氣體濃度資訊；<br/> (B) 藉由該預警單元，根據該等待分析資料、該等第一危險程度，及任兩個該感測單元之間的多筆關聯資料，利用該第二模型，獲得每一感測單元所對應的該第二結果，每一第二結果包含指示出所對應之該區域未來之危險程度的該第二危險程度，該等關聯資料包含該預警單元根據該等氣體濃度資訊，利用皮爾森積動差相關係數算法，所計算出任兩個該感測單元之間的一動差相關係數；及<br/> (C) 對於每一感測單元，藉由該預警單元，根據該感測單元所對應的該第一危險程度，及該感測單元所對應的該第二危險程度，獲得一對應該感測單元且指示出所對應之該區域未來之危險程度的目標危險程度。
如請求項1所述的危險預警方法，該預警單元儲存有一預警閾值，該預警單元訊號連接設置於該等區域的多個警報單元，其中，在步驟(C)之後，還包含以下步驟：<br/> (D) 對於每一感測單元，藉由該預警單元，判定該感測單元所對應的該目標危險程度是否大於該預警閾值；及<br/> (E) 對於每一感測單元，當該預警單元判定出該感測單元所對應的該目標危險程度大於該預警閾值時，藉由該預警單元，產生並傳送一警示信號至該感測單元所對應的該警報單元，以使該感測單元所對應的該警報單元發出警示。
如請求項1所述的危險預警方法，該預警單元還儲存有設置每一感測單元的一位置資訊，其中，在步驟(B)中，藉由該預警單元，根據該等時間點、該等氣體濃度資訊，及該等位置資訊，計算出氣體於任兩個該感測單元之間擴散的一擴散速率，以作為該等關聯資料之其中一者。
如請求項1所述的危險預警方法，該預警單元還儲存有設置每一感測單元的一位置資訊，每一感測單元所傳送的該等待分析資料還包含多筆分別對應該等時間點的氣體粒子資訊，其中，在步驟(B)中，藉由該預警單元，根據該等時間點、該等氣體粒子資訊，及該等位置資訊，計算出氣體於任兩個該感測單元之間沉降的一沉降速率，以作為該等關聯資料之其中一者。
如請求項2所述的危險預警方法，該預警單元還儲存有多種分別對應該等氣體的應變方法資訊，其中，在步驟(D)之後，還包含以下步驟：<br/> (F) 對於每一感測單元，當該預警單元判定出該感測單元所對應的該目標危險程度大於該預警閾值時，藉由該預警單元，根據該等氣體機率值，自該等氣體，獲得一對應有最大氣體機率值的目標氣體，以獲得該目標氣體所對應的該應變方法資訊。
如請求項2所述的危險預警方法，其中，在步驟(D)之後，還包含以下步驟：<br/> (G) 對於每一感測單元，當該預警單元判定出該感測單元所對應的該目標危險程度大於該預警閾值時，藉由該預警單元，將該感測單元所對應的該區域作為一警示區域；及<br/> (H) 藉由該預警單元，根據該至少一警示區域，及該第二模型，利用梯度下降反向追蹤演算法，自該至少一警示區域中，獲得一汙染源區域。
如請求項2所述的危險預警方法，該預警單元還儲存有一包含該等區域及至少一逃生出口的地圖資訊，其中，在步驟(D)之後，還包含以下步驟：<br/> (G) 對於每一感測單元，當該預警單元判定出該感測單元所對應的該目標危險程度大於該預警閾值時，藉由該預警單元，將該感測單元所對應的該區域作為該警示區域；及<br/> (I) 藉由該預警單元，根據該至少一警示區域及該地圖資訊，利用路徑規劃演算法，獲得一用於避開該至少一警示區域的逃生路徑。
一種網頁提供方法，包含以下步驟： 一請求步驟，透過一訪問端裝置傳送一請求至一伺服器之一處理模組，並透過該處理模組接收該請求；其中該請求包含一請求網址及一標示資訊；<br/> 一識別步驟，透過該處理模組根據該標示資訊識別該請求所屬的一目標搜尋引擎；<br/> 一選擇步驟，透過該處理模組根據該請求網址及該目標搜尋引擎，從該伺服器之一資料庫中選取對應該目標搜尋引擎的一目標網頁；其中，該資料庫包含與該請求網址對應的複數個網頁，且各該網頁對應不同的搜尋引擎；與該請求網址對應的各該網頁包含一動態資訊，該些動態資訊在對應於該請求網址的該些網頁中，根據不同的搜尋引擎展示對應的內容；其中該動態資訊為文字、圖像、影片、聲音資訊或超連結；以及<br/> 一回傳步驟，透過該處理模組將該目標網頁傳送至該訪問端裝置，以使該訪問端裝置訪問該目標網頁。
如請求項1所述之網頁提供方法，其中與該請求網址對應的各該網頁包含一固定資訊；該些固定資訊在所有對應於該請求網址的該些網頁中顯示相同內容。
如請求項1所述之網頁提供方法，包含一第一驗證步驟，設置於該識別步驟與該選擇步驟之間；於該第一驗證步驟中，透過該處理模組比對該目標搜尋引擎與該資料庫的一搜尋引擎清單，其中該搜尋引擎清單包含複數個搜尋引擎名稱；透過該處理模組辨別該搜尋引擎清單是否包含該目標搜尋引擎之一名稱；若該搜尋引擎清單包含該目標搜尋引擎之該名稱，該處理模組標示該請求為一第一合法請求；若該搜尋引擎清單不包含該目標搜尋引擎之該名稱，該處理模組標示該請求為一第一不合法請求，並拒絕該第一不合法請求訪問該目標網頁。
如請求項3所述之網頁提供方法，其中該請求包含一IP位址；該網頁提供方法包含一第二驗證步驟，設置於該第一驗證步驟與該選擇步驟之間；於該第二驗證步驟中，透過該處理模組根據該IP位址驗證該第一合法請求是否來自一真正可信主機；若該第一合法請求來自該真正可信主機，該處理模組標示該第一合法請求為一第二合法請求；若該第一合法請求並非來自該真正可信主機，該處理模組標示該第一合法請求為一第二不合法請求，並拒絕該第二不合法請求訪問該目標網頁。
一種網頁提供方法，包含以下步驟：<br/> 一請求步驟，透過一訪問端裝置傳送一請求至一伺服器之一處理模組，並透過該處理模組接收該請求；其中，該請求包含一請求網址；<br/> 一識別步驟，透過該處理模組根據該請求獲取該請求所屬的一目標地理位置；<br/> 一選擇步驟，透過該處理模組根據該請求網址及該目標地理位置，從該伺服器之一資料庫中選取對應該目標地理位置的一目標網頁；其中，該資料庫包含與該請求網址對應的複數個網頁，且各該網頁對應不同的地理位置；與該請求網址對應的各該網頁包含一動態資訊；該些動態資訊在對應於該請求網址的該些網頁中，根據不同的地理位置展示對應的內容；其中該動態資訊為文字、圖像、影片、聲音資訊或超連結；以及<br/> 一回傳步驟，透過該處理模組將該目標網頁傳送至該訪問端裝置，以使該訪問端裝置訪問該目標網頁。
如請求項5所述之網頁提供方法，其中與該請求網址對應的各該網頁包含一固定資訊；該些固定資訊在所有對應於該請求網址的該些網頁中顯示相同內容。
如請求項5所述之網頁提供方法，其中該請求包含一IP位址；於該識別步驟中，該處理模組根據該IP位址識別該請求所屬的該目標地理位置。
如請求項5所述之網頁提供方法，其中該請求包含該目標地理位置；於該識別步驟中，該處理模組根據該請求直接獲取該目標地理位置。
一種網頁提供系統，包含：<br/> 一訪問端裝置，用以傳送一請求；其中，該請求包含一請求網址及一標示資訊；以及<br/> 一伺服器，連接該訪問端裝置，該伺服器包含：<br/> 一處理模組，連接該訪問端裝置；該處理模組用以接收來自該訪問端裝置的該請求，並根據該標示資訊識別該請求所屬的一目標搜尋引擎；以及<br/> 一資料庫，連接該處理模組，包含與該請求網址對應的複數個網頁，且各該網頁對應不同的搜尋引擎，與該請求網址對應的各該網頁包含一動態資訊；該些動態資訊在對應於該請求網址的該些網頁中，根據不同的搜尋引擎展示對應的內容；其中該動態資訊為文字、圖像、影片、聲音資訊或超連結；<br/> 其中，該處理模組根據該請求網址及該目標搜尋引擎，從該資料庫中選取對應該目標搜尋引擎的一目標網頁；該處理模組用以傳送該目標網頁至該訪問端裝置，以使該訪問端裝置訪問該目標網頁。
如請求項9所述之網頁提供系統，其中與該請求網址對應的各該網頁包含一固定資訊；該些固定資訊在所有對應於該請求網址的該些網頁中顯示相同內容。
如請求項9所述之網頁提供系統，其中該資料庫包含一搜尋引擎清單，該搜尋引擎清單包含複數個搜尋引擎名稱；該處理模組識別該目標搜尋引擎後，比對該目標搜尋引擎與該資料庫的該搜尋引擎清單，以辨別該搜尋引擎清單是否包含該目標搜尋引擎之一名稱；若該搜尋引擎清單包含該目標搜尋引擎之該名稱，該處理模組標示該請求為一第一合法請求；若該搜尋引擎清單不包含該目標搜尋引擎之該名稱，該處理模組標示該請求為一第一不合法請求，並拒絕該第一不合法請求訪問該目標網頁。
如請求項11所述之網頁提供系統，其中該請求包含一IP位址；當該處理模組標示該請求為該第一合法請求後，根據該IP位址驗證該第一合法請求是否來自一真正可信主機；若該第一合法請求來自該真正可信主機，該處理模組標示該第一合法請求為一第二合法請求；若該第一合法請求並非來自該真正可信主機，該處理模組標示該第一合法請求為一第二不合法請求，並拒絕該第二不合法請求訪問該目標網頁。
一種網頁提供系統，包含：<br/> 一訪問端裝置，用以傳送一請求；其中，該請求包含一請求網址；以及<br/> 一伺服器，連接該訪問端裝置，該伺服器包含：<br/> 一處理模組，連接該訪問端裝置；該處理模組用以接收來自該訪問端裝置的該請求，並根據該請求獲取該請求所屬的一目標地理位置；以及<br/> 一資料庫，連接該處理模組，包含與該請求網址對應的複數個網頁，且各該網頁對應不同的地理位置，與該請求網址對應的各該網頁包含一動態資訊；該些動態資訊在對應於該請求網址的該些網頁中，根據不同的地理位置展示對應的內容；其中該動態資訊為文字、圖像、影片、聲音資訊或超連結；<br/> 其中，該處理模組根據該請求網址及該目標地理位置，從該資料庫中選取對應該目標地理位置的一目標網頁；該處理模組將該目標網頁傳送至該訪問端裝置，以使該訪問端裝置訪問該目標網頁。
如請求項13所述之網頁提供系統，其中與該請求網址對應的各該網頁包含一固定資訊；該些固定資訊在所有對應於該請求網址的該些網頁中顯示相同內容。
如請求項13所述之網頁提供系統，其中該請求包含一IP位址；該處理模組係根據該請求的該IP位址識別該請求所屬的該目標地理位置。
如請求項13所述之網頁提供系統，其中請求包含該目標地理位置；該處理模組係根據該請求直接獲取該目標地理位置。
一種導航服務器，其包括： <br/>接收部，從導航終端接收包括對出發地或目的地的座標信息以及移動物體的類型信息的路線引導請求信息； <br/>探索部，探索在已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的建築物信息； <br/>提取部，提取與該建築物信息對應的至少一個候選入口點，並在該至少一個候選入口點中確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點；以及 <br/>提供部，基於確定的該最終入口點，向該導航終端提供路線引導信息； <br/>其中，當未探索到該建築物信息時，該探索部探索該已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的小區信息。
如請求項1所述的導航服務器，其中， <br/>該探索部從該已構建的地圖數據中探索與該座標信息匹配的建築物多邊形， <br/>該提取部提取與該建築物多邊形對應的建築物入口點列表， <br/>在該建築物入口點列表所包括的該至少一個候選入口點中，確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點。
如請求項1所述的導航服務器，其中， <br/>該探索部從該已構建的地圖數據中探索與該座標信息匹配的小區多邊形， <br/>該提取部提取與該小區多邊形對應的小區入口點列表， <br/>從該小區入口點列表中所包含的該至少一個候選入口點中，確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點。
如請求項3所述的導航服務器，其中， <br/>該探索部確認該已構建的地圖數據中是否包含該小區多邊形內的道路信息， <br/>該提取部在該至少一個候選入口點中，基於該小區多邊形內的道路信息還確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點。
如請求項1所述的導航服務器，其中， <br/>未探索到該小區信息時，該探索部基於該已構建的地圖數據和該座標信息，並藉由至少一個周邊道路的探索，判斷該座標信息是否位於交叉路口。
如請求項5所述的導航服務器，其中， <br/>該座標信息位於該交叉路口時，該提取部提取交叉路口的外輪廓， <br/>將該座標信息移動至該交叉路口的外輪廓外部之後，在該至少一個周邊道路中提取距離該交叉路口的外輪廓的外部最近的道路點。
如請求項6所述的導航服務器，其中， <br/>該提取部還考慮該交叉路口的交通狀況來確定該道路點。
如請求項5所述的導航服務器，其中， <br/>該座標信息不位於該交叉路口時，該探索部基於該已構建的地圖數據和該座標信息探索第一周邊道路， <br/>該導航服務器進一步包括： <br/>生成部，生成與該第一周邊道路的中心相距實際道路的寬度的虛擬道路外輪廓。
如請求項8所述的導航服務器，其中， <br/>該提取部藉由將該座標信息移動至該虛擬道路外輪廓外部來提取第一座標信息， <br/>該探索部探索與該第一座標信息靠近的第二周邊道路。
如請求項9所述的導航服務器，其中， <br/>未探索到該第二周邊道路時，該提取部提取位於該第一周邊道路的道路點， <br/>但考慮該第一周邊道路的交通狀況來確定該道路點。
如請求項9所述的導航服務器，其中， <br/>探索到該第二周邊道路時，該提取部修改該第一座標信息使其更接近該第一周邊道路，從而避免提取出與該第二周邊道路匹配的第二座標信息。
如請求項1所述的導航服務器，其中， <br/>該已構建的地圖數據包括建築物多邊形與建築物入口點匹配的建築物入口點匹配數據、小區多邊形與小區入口點匹配的小區入口點匹配數據、小區內的路線數據、路線網絡數據中的至少一種。
一種在導航服務器執行的路線引導信息提供方法，該路線引導信息提供方法包括： <br/>從導航終端接收包括對出發地或目的地的座標信息以及移動物體的類型信息的路線引導請求信息的步驟； <br/>探索在已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的建築物信息的步驟； <br/>提取與該建築物信息對應的至少一個候選入口點，並在該至少一個候選入口點中確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點的步驟；以及 <br/>基於該確定的最終入口點，向該導航終端提供路線引導信息的步驟； <br/>其中，當未探索到該建築物信息時，探索該已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的小區信息。
如請求項13所述的路線引導信息提供方法，其中， <br/>探索該建築物信息的步驟包括： <br/>從該已構建的地圖數據中探索與該座標信息匹配的建築物多邊形， <br/>確定該最終入口點的步驟包括： <br/>提取與該建築物多邊形對應的建築物入口點列表；以及 <br/>在該建築物入口點列表所包含的該至少一個候選入口點中，確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點。
如請求項13所述的路線引導信息提供方法，其中， <br/>探索該建築物信息的步驟包括： <br/>從該已構建的地圖數據中探索與該座標信息匹配的小區多邊形， <br/>確定該最終入口點的步驟包括： <br/>提取與該小區多邊形對應的小區入口點列表；以及 <br/>在該小區入口點列表所包含的該至少一個候選入口點中，確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點。
如請求項13所述的路線引導信息提供方法，其中， <br/>探索該建築物信息的步驟包括： <br/>未探索到該建築物信息時，基於該已構建的地圖數據和該座標信息，並藉由至少一個周邊道路的探索，判斷該座標信息是否位於交叉路口； <br/>該座標信息位於該交叉路口時，則提取交叉路口的外輪廓；以及 <br/>將該座標信息移動至該交叉路口的外輪廓外部之後，在該至少一個周邊道路中提取距離該交叉路口的外輪廓的外部最近的道路點。
如請求項16所述的路線引導信息提供方法，進一步包括： <br/>該座標信息不位於該交叉路口時，基於該已構建的地圖數據和該座標信息探索第一周邊道路； <br/>生成與該第一周邊道路的中心相距實際道路的寬度的虛擬道路外輪廓；以及 <br/>藉由將該座標信息移動至該虛擬道路外輪廓外部來提取第一座標信息。
如請求項17所述的路線引導信息提供方法，其包括： <br/>探索與該第一座標信息接近的第二周邊道路的步驟；以及 <br/>未探索到該第二周邊道路時，提取位於該第一周邊道路的道路點，但考慮該第一周邊道路的交通狀況來確定該道路點。
一種儲存在介質上的計算機程序，其包含提供路線引導信息的命令序列， <br/>當該計算機程序由計算裝置執行時， <br/>從導航終端接收包括對出發地或目的地的座標信息以及移動物體的類型信息的路線引導請求信息， <br/>探索在已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的建築物信息， <br/>當未探索到該建築物信息時，探索該已構建的地圖數據與該座標信息之間匹配的小區信息， <br/>提取與該建築物信息對應的至少一個候選入口點，並在該至少一個候選入口點中確定與該移動物體的類型信息匹配的最終入口點， <br/>包括基於該確定的最終入口點，向該導航終端提供路線引導信息的命令序列。
一種製造薄膜探針方法，其步驟如下： <br/>S1)設有一工作基板及一金屬塊； <br/>S2)在該工作基板上表面建立一個凹陷空間，該金屬塊具有第一端部及第二端部，該金屬塊第一端部嵌入於該凹陷空間內，此令該金屬塊被定位及固定在該凹陷空間內，而第二端部顯露在該凹陷空間外部； <br/>S3)在該工作基板上以微影製程( photolithography process)在該金屬塊第二端部之端面製作薄膜導電線路裝置，係先鋪上第一絕緣層，該第一絕緣層分布在該金屬塊第二端部周圍； <br/>S4)再持續以微影製程( photolithography process)在該金屬塊第二端部之端面與該第一絕緣層上逐層製作出至少一個導電線路及第二絕緣層，以完成該薄膜導電線路裝置，而該薄膜導電線路裝置由至少一個導電線路及第一、第二絕緣層所組成； <br/>S5)再將該工作基板移除，完成一薄膜金屬塊裝置； <br/>S6)再對該金屬塊進行精密加工出探針實體，以完成薄膜探針裝置者。
如請求項1所述之製造薄膜探針方法，其中在步驟S6中該金屬塊採用超短脈衝鐳射精密加工製成探針實體者。
如請求項2所述之製造薄膜探針方法，其中該薄膜探針裝置之探針針端為多數個接觸凸塊組成。
如請求項3所述之製造薄膜探針方法，其中該薄膜探針裝置之探針接觸凸塊對應晶體焊料凸塊採側部接觸型式。
一種過電流保護元件，包含：<br/> 一電極層，具有一上金屬層及一下金屬層；以及<br/> 一熱敏電阻層，疊設於該上金屬層及該下金屬層之間，其中該熱敏電阻層具有正溫度係數特性且包含：<br/> 一聚合物基材，包含一聚烯烴類聚合物；以及<br/> 一導電填料，包含一含金屬材料散佈於該聚合物基材中，藉此形成該熱敏電阻層的導電通道，其中該含金屬材料具有一核心金屬及一碳層覆蓋該核心金屬，其中以該核心金屬的總表面積為100%計，該碳層覆蓋60%以上之該核心金屬的表面，藉此該過電流保護元件包含一第一電阻變化率為低於 1.2，其中：<br/> 該過電流保護元件具有一初始電阻值；<br/> 該過電流保護元件經熱處理一次後並冷卻至室溫時具有一第一電阻值；以及<br/> 該第一電阻值除以該初始電阻值為該第一電阻變化率。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該碳層完全包覆該核心金屬，使得該碳層的層數為至少一層。
根據請求項2之過電流保護元件，其中該含金屬材料的最大粒徑為大於8 μm。
根據請求項3之過電流保護元件，其中該含金屬材料的最大粒徑為介於8 μm與13.5 μm之間。
根據請求項1之過電流保護元件，其中以該熱敏電阻層的體積為100%計，該聚烯烴類聚合物佔50%至60%，而該導電填料佔40%至50%。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該核心金屬為碳化鎢。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該聚烯烴類聚合物選自由低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、聚丙烯及聚丁烯所組成的群組。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該熱敏電阻層不包含阻燃劑。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該聚合物基材不包含一含氟聚合物，其中該含氟聚合物選自由聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、全氟烴氧改質四氟乙烯、聚(氯三-氟四氟乙烯)、二氟乙烯-四氟乙烯聚合物、四氟乙烯-全氟間二氧雜環戊烯共聚物、二氟乙烯-六氟丙烯共聚物、二氟乙烯-六氟丙烯-四氟乙烯三聚物及其組合所組成的群組。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該過電流保護元件包含一第二電阻變化率為低於1.5，其中：<br/> 過電流保護元件具有一初始電阻值；<br/> 該過電流保護元件經熱處理三次後並冷卻至室溫時具有一第二電阻值；以及<br/> 該第二電阻值除以該初始電阻值為該第二電阻變化率。
根據請求項10之過電流保護元件，其中該過電流保護元件包含一第三電阻變化率為低於1.8，其中：<br/> 該過電流保護元件經熱處理三次後，再置於溫度/濕度為85℃/85%的環境下504小時後具有一第三電阻值；以及<br/> 該第三電阻值除以該第二電阻值為該第三電阻變化率。
根據請求項10之過電流保護元件，其中該過電流保護元件包含一第四電阻變化率為低於2，其中：<br/> 該過電流保護元件經熱處理三次後，再置於溫度/濕度為40℃/95%的環境下504小時後具有一第四電阻值；以及<br/> 該第四電阻值除以該第二電阻值為該第四電阻變化率。
根據請求項1之過電流保護元件，其中於常溫時，該過電流保護元件的單位面積的可承受電流為介於0.6 A/mm<sup>2</sup>與1.1 A/mm<sup>2</sup>之間，而可承受功率為介於3.6 W/mm<sup>2</sup>與7 W/mm<sup>2</sup>之間。
根據請求項1之過電流保護元件，其中於85℃時，該過電流保護元件的單位面積的可承受電流為介於0.3 A/mm<sup>2</sup>與0.7 A/mm<sup>2</sup>之間，而可承受功率為介於2.2 W/mm<sup>2</sup>與5 W/mm<sup>2</sup>之間。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該過電流保護元件的俯視面積為2 mm<sup>2</sup>至81 mm<sup>2</sup>。
根據請求項1之過電流保護元件，其中該熱敏電阻層的厚度為介於0.12 mm與0.19 mm之間。
一種在一電子設備中提供商店資訊之方法，該方法包括： <br/>識別與由該電子設備提供之一遞送中介服務相關之一或多個商店； <br/>獲取包含該一或多個商店中所包含之一第一商店之代表性商店影像資訊及在該第一商店中銷售之一物品之代表性物品影像資訊的代表性影像資訊；及 <br/>提供包含該代表性影像資訊的該第一商店之資訊； <br/>其中該第一商店之一商店詳情頁面經管理以提供來回應於針對該代表性物品影像資訊中所包含物品中一特定物品之影像資訊的一影像選擇輸入，及 <br/>其中該商店詳情頁面經組態以使得針對對應於該影像選擇輸入之該特定物品之一醒目顯示及一閃爍顯示中至少一顯示被顯示在關於該特定物品之資訊中， <br/>其中該獲取該代表性影像資訊包括： <br/>獲取在該第一商店中銷售之複數個物品之訂單計數資訊及該複數個物品之物品評分資訊； <br/>基於該訂單計數資訊及該物品評分資訊在該複數個物品當中判定包含該代表性物品影像資訊之一第一物品及一第二物品之代表性物品；及 <br/>獲取包含該第一物品之第一影像資訊及該第二物品之第二影像資訊之該代表性物品影像資訊。
如請求項1之方法，其中基於包含在該第一商店之該商店詳情頁面上該第一物品之一第一物品詳情頁面中的該第一物品之影像資訊而識別該第一影像資訊。
如請求項2之方法，其中在該第一物品之該影像資訊中識別代表該第一物品之一區域，且 <br/>透過裁剪該第一物品之該影像資訊以去除除該經識別區域外之一區域而獲取該第一影像資訊。
如請求項2之方法，其中該第一物品之該影像資訊係自該第一商店之一終端機獲取。
如請求項2之方法，其中當在該第一物品詳情頁面中未識別出該第一物品之該影像資訊時，在判定該等代表性物品時排除該第一物品。
如請求項5之方法，其進一步包括： <br/>將該第一物品之影像請求資訊傳輸至該第一商店之一終端機。
如請求項1之方法，其中該判定該等代表性物品包括： <br/>在該複數個物品當中識別設定了指示對應於該訂單計數資訊之一第一條件被滿足之第一顯示資訊或指示對應於該物品評分資訊之一第二條件被滿足之第二顯示資訊之一或多個物品；及 <br/>在該一或多個物品當中判定該第一物品及該第二物品。
如請求項7之方法，其中該判定該第一物品及該第二物品包括： <br/>在該一或多個物品當中識別設定了該第一顯示資訊及該第二顯示資訊之一部分物品；及 <br/>在該部分物品之一數目係兩個或更多個時，在該部分物品當中判定該第一物品及該第二物品。
如請求項8之方法，其中該判定該第一物品及該第二物品包括： <br/>在該部分物品係一個物品時，判定該一個物品為該第一物品；及 <br/>在該一或多個物品當中判定除該一個物品外之剩餘物品中具有一最大訂單數目之一物品為該第二物品。
如請求項8之方法，其中該判定該第一物品及該第二物品包括：回應於未識別出該部分物品，在該一或多個物品當中基於與該第一條件相關之一第一優先級及與該第二條件相關之一第二優先級而判定該第一物品及該第二物品，且 <br/>該第一優先級高於該第二優先級。
如請求項1之方法，其中該代表性影像資訊係基於用於配置該代表性商店影像資訊、該第一影像資訊及該第二影像資訊之一預定佈局而設定。
如請求項11之方法，其中該佈局包含一個主要影像顯示區域及複數個額外影像顯示區域，且 <br/>一主要影像顯示區域在大小上大於一額外影像顯示區域。
如請求項12之方法，其進一步包括： <br/>將該代表性商店影像資訊設定為位於該一個主要影像顯示區域中；及 <br/>將該第一影像資訊及該第二影像資訊設定為位於該複數個額外影像顯示區域中。
如請求項13之方法，其進一步包括： <br/>獲取由複數個使用者使用來搜尋該服務中之該第一商店之一或多個關鍵字之資訊； <br/>在基於該一或多個關鍵字當中與該第一物品之一名稱對應之至少一個第一關鍵字之一第一搜尋頻率大於或等於一臨限值計數時，將該第一影像資訊設定為位於該一個主要影像顯示區域中；及 <br/>將該代表性商店影像資訊及該第二影像資訊設定為位於該複數個額外影像顯示區域中。
如請求項14之方法，其進一步包括： <br/>在該第一搜尋頻率及一第二搜尋頻率大於或等於該臨限值計數時，將與該第一物品及該第二物品當中具有一較大訂單數目之一物品對應之一個影像資訊片段設定為位於該一個主要影像顯示區域中，該第二搜尋頻率基於該一或多個關鍵字當中與該第二物品之一名稱對應之至少一個第二關鍵字；及 <br/>將該代表性商店影像資訊以及該第一影像資訊及該第二影像資訊當中除該一個影像資訊片段外之剩餘影像資訊設定為位於該複數個額外影像顯示區域中。
一種用於提供商店資訊之電子設備，該電子設備包括： <br/>一處理器；及 <br/>一或多個記憶體，其中儲存一或多個指令， <br/>其中在執行時，該一或多個指令控制該處理器以執行： <br/>識別與由該電子設備提供之一遞送中介服務相關之一或多個商店；<br/>獲取包含該一或多個商店中所包含之一第一商店之代表性商店影像資訊及在該第一商店中銷售之一物品之代表性物品影像資訊的代表性影像資訊；及<br/>提供包含該代表性影像資訊的該第一商店之資訊，<br/>其中該第一商店之一商店詳情頁面經管理以提供來回應於針對該代表性物品影像資訊中所包含物品中一特定物品之影像資訊的一影像選擇輸入，及 <br/>其中該商店詳情頁面經組態以使得針對對應於該影像選擇輸入之該特定物品之一醒目顯示及一閃爍顯示中至少一顯示被顯示在關於該特定物品之資訊中，<br/>其中該獲取該代表性影像資訊包括： <br/>獲取在該第一商店中銷售之複數個物品之訂單計數資訊及該複數個物品之物品評分資訊； <br/>基於該訂單計數資訊及該物品評分資訊在該複數個物品當中判定包含該代表性物品影像資訊之一第一物品及一第二物品之代表性物品；及 <br/>獲取包含該第一物品之第一影像資訊及該第二物品之第二影像資訊之該代表性物品影像資訊。
一種半導體系統，包括：<br/> 控制器，其被配置為透過向半導體裝置輸出用於進入錯誤校正測試模式的命令，輸出第一外部資料、第一外部奇偶校驗和第一遮罩資訊信號，以及接收從所述半導體裝置輸出的第二外部資料和第二遮罩資訊信號來測試所述半導體裝置中包括的錯誤校正電路；以及<br/> 包括所述錯誤校正電路的所述半導體裝置，所述半導體裝置被配置為基於所述第一外部資料、所述第一外部奇偶校驗和所述第一遮罩資訊信號來校正所述第一外部資料中包括的錯誤，輸出經錯誤校正的第一外部資料作為所述第二外部資料，以及輸出關於所述第一外部資料的錯誤資訊作為所述第二遮罩資訊信號；<br/> 其中，所述錯誤校正測試模式是經由所述錯誤校正電路來校正包括錯誤的所述第一外部資料中的錯誤以及透過檢測從所述第一外部資料產生的所述第二外部資料中的錯誤是否已經被校正來測試所述錯誤校正電路的操作。
如請求項1所述的半導體系統，其中，在所述錯誤校正測試模式中，所述控制器被配置為輸出包括錯誤的第一外部資料，以及被配置為輸出所述第一外部奇偶校驗，所述第一外部奇偶校驗包括關於不包括錯誤的所述第一外部資料的錯誤資訊。
如請求項1所述的半導體系統，其中，在所述錯誤校正測試模式中，所述控制器被配置為基於所述第二外部資料中是否包括錯誤來測試所述錯誤校正電路。
如請求項1所述的半導體系統，其中，所述半導體裝置包括：<br/> 控制電路，其被配置為從基於所述命令和碼信號而產生的寫入控制信號、讀取控制信號、寫入檢查命令和讀取檢查命令來產生輸入賦能信號、輸出賦能信號、鎖存控制信號和錯誤校正控制信號；<br/> 輸入電路，其被配置為在所述輸入賦能信號被賦能的時段期間，從內部資料、所述第一外部資料、所述第一外部奇偶校驗和所述第一遮罩資訊信號來產生輸入資料、輸入奇偶校驗和輸入遮罩信號；<br/> 鎖存電路，其被配置為在所述鎖存控制信號被賦能的時段期間，透過鎖存所述輸入資料、所述輸入奇偶校驗和所述輸入遮罩信號來產生鎖存資料、鎖存奇偶校驗和鎖存遮罩信號，以及將經校正的資料重新儲存為所述鎖存資料；以及<br/> 所述錯誤校正電路，其被配置為在所述錯誤校正控制信號被賦能的時段期間，透過基於所述鎖存資料、所述鎖存奇偶校驗和所述鎖存遮罩信號來校正所述鎖存資料中包括的錯誤而產生所述經校正的資料。
如請求項4所述的半導體系統，其中，所述控制電路包括：<br/> 緩衝器控制電路，其被配置為基於所述寫入控制信號、所述讀取控制信號、所述寫入檢查命令和所述讀取檢查命令來產生第一鎖存賦能信號和第二鎖存賦能信號、錯誤校正賦能信號、所述輸入賦能信號和所述輸出賦能信號；以及<br/> 測試控制電路，其被配置為基於所述第一鎖存賦能信號和所述第二鎖存賦能信號以及所述錯誤校正賦能信號來產生所述鎖存控制信號和所述錯誤校正控制信號。
如請求項5所述的半導體系統，其中，所述緩衝器控制電路包括：<br/> 輸入控制電路，其被配置為基於所述寫入控制信號的邏輯位準、所述讀取控制信號的邏輯位準和所述寫入檢查命令的邏輯位準來產生所述第一鎖存賦能信號和所述輸入賦能信號；以及<br/> 輸出控制電路，其被配置為基於所述寫入控制信號的邏輯位準、所述讀取控制信號的邏輯位準和所述讀取檢查命令的邏輯位準來產生所述錯誤校正賦能信號、所述第二鎖存賦能信號和所述輸出賦能信號。
如請求項6所述的半導體系統，其中，所述輸入控制電路被配置為：<br/> 在所述寫入控制信號和所述寫入檢查命令二者都被賦能時產生被失能的所述第一鎖存賦能信號；<br/> 在所述讀取控制信號和所述寫入檢查命令二者都被賦能時產生被失能的所述第一鎖存賦能信號；<br/> 在所述寫入控制信號和所述寫入檢查命令二者都被賦能時產生被賦能的所述輸入賦能信號；以及<br/> 在所述讀取控制信號和所述寫入檢查命令二者都被賦能時產生被賦能的所述輸入賦能信號。
如請求項6所述的半導體系統，其中，所述輸出控制電路被配置為：<br/> 在所述寫入控制信號和所述讀取檢查命令二者都被賦能時產生被賦能的所述錯誤校正賦能信號；<br/> 在所述寫入控制信號和所述讀取檢查命令二者都被賦能時產生被失能的所述第二鎖存賦能信號；<br/> 在所述讀取控制信號和所述讀取檢查命令二者都被賦能時產生被失能的所述第二鎖存賦能信號；<br/> 在所述寫入控制信號和所述讀取檢查命令二者都被賦能時產生被賦能的所述輸出賦能信號；以及<br/> 在所述讀取控制信號和所述讀取檢查命令二者都被賦能時產生被賦能的所述輸出賦能信號。
如請求項5所述的半導體系統，其中，所述測試控制電路包括：<br/> 鎖存控制信號發生電路，其被配置為基於所述第一鎖存賦能信號和所述第二鎖存賦能信號來產生所述鎖存控制信號；以及<br/> 錯誤校正控制信號發生電路，其被配置為基於所述鎖存控制信號和所述錯誤校正賦能信號來產生所述錯誤校正控制信號。
如請求項4所述的半導體系統，其中，所述輸入電路被配置為透過基於所述第一遮罩資訊信號阻擋所述第一外部資料的一些位元並使用所述內部資料替換所述第一外部資料的被阻擋的所述一些位元來產生所述輸入資料。
如請求項4所述的半導體系統，還包括：<br/> 輸出電路，其被配置為在所述輸出賦能信號被賦能的時段期間，從所述經錯誤校正的鎖存資料產生所述第二外部資料，從所述鎖存奇偶校驗產生所述第二遮罩資訊信號，以及將所述第二外部資料和所述第二遮罩資訊信號輸出到所述控制器。
一種用於視頻縮略圖的圖像生成方法，透過計算裝置執行，其包括如下步驟： <br/>從使用者終端接收作為縮略圖生成目標的第一視頻的選擇； <br/>在該第一視頻中檢測場景切換，基於該場景切換將該第一視頻分割為多個場景區間； <br/>從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像； <br/>將該第一圖像輸入到第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數； <br/>如果該品質分數大於或等於預設的第一閾值，則將該第一圖像轉換為預設格式以生成第二圖像；以及 <br/>將該第二圖像發送至該使用者終端， <br/>其中，從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像的步驟包括如下步驟： <br/>生成與提取的該第一圖像的每個圖像中包含的面部區域對應的嵌入向量； <br/>基於該嵌入向量的相似度進行聚類（Clustering），以生成第一出場人物圖像簇和第二出場人物圖像簇； <br/>如果該第一出場人物圖像簇中包括的圖像數量大於或等於第二閾值，則將第一出場人物確定為主要出場人物； <br/>刪除該至少一個或多個第一圖像中不包含該主要出場人物的第一圖像。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟：基於該出場人物圖像簇，排列該第二圖像並顯示在該使用者終端。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像的步驟包括如下步驟： <br/>從該第一圖像的每個圖像中刪除用於保持畫面比例的留白區域。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像的步驟包括如下步驟： <br/>將提取的該第一圖像輸入到第二人工智慧模型，檢測不滿足審核標準的該第一圖像；以及 <br/>刪除該至少一個或多個第一圖像中檢測到的該第一圖像。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像的步驟包括如下步驟： <br/>將組成該多個場景區間的多個幀輸入到第二人工智慧模型，以從該多個場景區間的每個場景區間中輸出包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像， <br/>該第二人工智慧模型是訓練為使用第二視頻的觀看記錄，從該第一視頻提取與該第二視頻中觀看次數大於或等於預設次數的場景的相似度大於或等於第三閾值的圖像的人工智慧模型。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>將該第一圖像輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數的步驟包括如下步驟： <br/>將該面部區域的位置與該第一圖像中的預設位置的差異輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像的品質分數。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>將該第一圖像輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數的步驟包括如下步驟： <br/>將該面部區域的大小與預設大小的差異輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像的品質分數。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>將該第一圖像輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數的步驟包括如下步驟： <br/>在該面部區域中檢測與眼睛（eye）對應的區域； <br/>將該與眼睛對應的區域的大小與預設大小的差異輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像的品質分數。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>將該第一圖像輸入到該第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數的步驟包括如下步驟： <br/>將該第一圖像輸入到該第一人工智慧模型，計算該面部區域的表情分數；以及 <br/>使用該表情分數，計算該品質分數。
如請求項9所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>生成該第二圖像的步驟包括如下步驟： <br/>如果該品質分數大於或等於該第一閾值且該表情分數小於第二閾值，則將該第一圖像轉換為預設格式以生成該第二圖像。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>該第一視頻是透過影像縮放（Downscaling）降低解析度的視頻， <br/>生成該第二圖像的步驟還包括如下步驟： <br/>提高該第二圖像的解析度。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>生成該第二圖像的步驟包括如下步驟： <br/>如果該第一圖像的大小小於預設格式的大小，則將該第一圖像放置在該預設格式的邊框內；以及 <br/>將該第一圖像輸入到生成式人工智慧模型，對於不包含該第一圖像的該邊框生成背景圖像； <br/>合成該第一圖像和該背景圖像以生成該第二圖像。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>生成該第二圖像的步驟包括如下步驟： <br/>考慮該第一圖像的面部區域的位置和該第一圖像的留白區域，在多個預設格式中選擇第一格式；以及 <br/>將該第一圖像轉換為該第一格式以生成該第二圖像。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟：基於該品質分數，排列該第二圖像並顯示在該使用者終端。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟： <br/>接收該使用者終端的使用者在該第二圖像中選擇部分圖像；以及 <br/>使用選擇的該第二圖像，訓練用於預測該使用者的選擇可能性高的第三人工智慧模型。
如請求項15所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟： <br/>將第二視頻輸入到完成該訓練的第三人工智慧模型，提取用於該第二視頻的縮略圖的圖像， <br/>該第二視頻是與該第一視頻不同的視頻。
如請求項1所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟： <br/>從該使用者終端接收基於該第二圖像修改的第三圖像； <br/>使用該第二圖像與該第三圖像的差異，訓練用於從視頻中提取與該第三圖像的相似度大於或等於預設的第二閾值的圖像的第四人工智慧模型。
如請求項17所述之用於視頻縮略圖的圖像生成方法，其中， <br/>還包括如下步驟： <br/>將第二視頻輸入到完成該訓練的第四人工智慧模型，提取用於該第二視頻的縮略圖的圖像， <br/>該第二視頻是與該第一視頻不同的視頻。
一種用於視頻縮略圖的圖像生成裝置，包括： <br/>通訊介面； <br/>記憶體，加載電腦程式；以及 <br/>一個或多個處理器，執行該電腦程式， <br/>該電腦程式包括指令（instructions）以執行如下操作： <br/>從使用者終端接收作為縮略圖生成目標的第一視頻的選擇； <br/>在該第一視頻中檢測場景切換，基於該場景切換將該第一視頻分割為多個場景區間； <br/>從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像； <br/>將該第一圖像輸入到第一人工智慧模型，輸出該第一圖像中包含的面部區域的品質分數； <br/>如果該品質分數大於或等於預設的第一閾值，則將該第一圖像轉換為預設格式以生成第二圖像；以及 <br/>將該第二圖像發送至該使用者終端， <br/>其中，從該多個場景區間的每個場景區間中提取包含出場人物面部的至少一個或多個第一圖像的操作包括如下操作： <br/>生成與提取的該第一圖像的每個圖像中包含的面部區域對應的嵌入向量； <br/>基於該嵌入向量的相似度進行聚類（Clustering），以生成第一出場人物圖像簇和第二出場人物圖像簇； <br/>如果該第一出場人物圖像簇中包括的圖像數量大於或等於第二閾值，則將第一出場人物確定為主要出場人物； <br/>刪除該至少一個或多個第一圖像中不包含該主要出場人物的第一圖像。
一種高度可調的把手機構，其中，包括： 基座，所述基座具有第一方向；<br/> 轉軸，所述轉軸沿所述第一方向設置於所述基座，所述轉軸的外周面設有螺紋槽；<br/> 裝配件，所述裝配件可轉動地套設於所述轉軸，所述裝配件設有凸塊，所述凸塊插入所述螺紋槽；<br/> 把手，所述把手連接所述裝配件；<br/> 當所述把手受外力旋轉時，所述凸塊沿所述螺紋槽螺旋升降，帶動所述把手位移以實現沿所述第一方向上的高度調節。
如請求項1所述的把手機構，其中，所述裝配件包括第一板及與所述第一板配合的第二板，所述第一板朝向所述第二板的一側設置有第一開槽，所述第二板朝向所述第一板的一側設置有第二開槽，所述第一開槽和所述第二開槽連通以形成轉軸孔，所述轉軸設於所述轉軸孔，所述凸塊設於所述第一開槽。
如請求項2所述的把手機構，其中，所述基座包括本體、第一延伸部以及第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部凸出形成於所述本體的一側，所述第一延伸部和所述第二延伸部沿所述第一方向間隔設置，所述第一延伸部、所述第二延伸部以及部分所述本體圍設形成裝配空間，所述轉軸設於所述裝配空間內。
如請求項3所述的把手機構，其中，所述第一延伸部設置有第一軸孔以及連通所述第一軸孔的卡槽，所述第二延伸部設置有第二軸孔，所述轉軸包括第一端部和第二端部，所述第一端部凸出設置有卡塊，所述第一端部插入所述第一軸孔，所述卡塊插入所述卡槽，所述第二端部插入所述第二軸孔。
如請求項3所述的把手機構，其中，所述把手機構還包括鎖固件，所述鎖固件包括活動閂及按鍵，所述活動閂包括套筒件及凸出設於套筒件一端的固定肋，所述第一延伸部還設置有固定槽，所述固定肋可活動地插入固定槽，所述套筒件套設於所述轉軸，所述套筒件設有斜槽，所述斜槽的延伸方向與所述第一方向傾斜設置，所述裝配件貫穿設置有開孔，所述開孔沿第二方向延伸，所述斜槽連通所述開孔，所述第二方向垂直所述第一方向，所述按鍵可活動地設於所述開孔，部分所述按鍵插入所述斜槽。
如請求項5所述的把手機構，其中，所述鎖固件還包括彈性件，所述裝配件還包括隔擋環，所述隔擋環固定設於轉軸孔，所述彈性件的一端抵持於套筒件遠離所述固定肋的一端，另一端抵持於所述隔擋環。
如請求項5所述的把手機構，其中，所述套筒件的外側凸出設置有限轉塊，所述裝配件設置有限位孔，所述限位孔沿所述第一方向延伸，所述限位孔連通所述轉軸孔，所述限轉塊插入所述限位孔。
如請求項1所述的把手機構，其中，所述把手機構還包括限位部，所述限位部連接於裝配件的端部，所述限位部被配置為抵持基座，以限定所述把手的旋轉範圍。
如請求項1所述的把手機構，其中，所述把手包括把持部及連接所述把持部的彎折部，所述彎折部連接所述裝配件。
一種主機殼，其中，包括托盤、托架以及如請求項1至9中任意一項所述的把手機構，所述托盤設於所述托架內，所述把手機構設於所述托架的一端。
一種壓縮機水、氣冷調節降溫設備，包括：一冰水桶、一蒸發器、一壓縮機、一氣冷冷凝器、一水冷冷凝器與一控制裝置；其中：該冰水桶設有一待冷卻水流路與一冷媒流路，該冷媒流路設有一溫度偵測元件，該待冷卻水流路的進水口處連接設有一自來水，該待冷卻水流路的出水口處連接設有一冰水出水的水龍頭；該蒸發器係設置於該冷媒流路的外部，作為吸收該冷媒流路的熱量，藉以達到製冷之目的；該壓縮機係將該冷媒流路中高壓液態的冷媒，依序經過該氣冷冷凝器與該水冷冷凝器之後，先利用一乾燥劑去除水分，再藉由一毛細管降壓，最後進入該蒸發器蒸發，如此構成一熱交換冷媒循環散熱降溫散熱的製冷系統；該氣冷冷凝器設有一冷媒管，該氣冷冷凝器設有散熱片、散熱網與散熱風扇，藉以將高溫高壓氣態的冷媒熱量帶走，使冷媒冷凝成液體並釋放熱量；該水冷冷凝器設有一冷媒管，該冷媒管的一端係與該水源連接，該冷媒管的另一端設有一溫控開關、一限水閥、一電磁閥與一排水口，當該溫度偵測元件偵測到該冷凝管中的冷媒達到預定溫度時，由該溫控開關控制該電磁閥開啟，讓高溫的該自來水通過該限水閥之後從該排水口排出，排放時由該限水閥控制適當的排放水量；該控制裝置係與該壓縮機、該溫度偵測元件電性連接，作為控制製作冰水的溫度之用，利用該控制裝置控制冷媒先經由該氣冷冷凝器進行散熱降溫，當該氣冷冷凝器的散熱降溫效能不足時，再由該水冷冷凝器進行散熱降溫者。
如請求項1所述之壓縮機水、氣冷調節降溫設備，其中：該待冷卻水流路的進水口處設有一過濾器者。
如請求項1所述之壓縮機水、氣冷調節降溫設備，其中：該溫度偵測元件所設定的冷媒溫度範圍為25℃~60℃者。
一種電子封裝組件，包括：<br/>基底電子封裝，其包括：基底封裝襯底、安裝在所述基底封裝襯底上的至少一個基底電子元件，以及形成於所述基底封裝襯底上的基底模蓋，所述基底模蓋包封所述至少一個基底電子元件但暴露所述至少一個基底電子元件的前表面；<br/>支撐框架，其附接在所述基底模蓋上，其中所述支撐框架具有底部開口，所述底部開口暴露所述基底模蓋的一部分和所述至少一個基底電子元件的所述前表面，所述支撐框架還具有上部開口，所述上部開口與所述底部開口相對且與所述底部開口流體連通；<br/>上部電子封裝，其附接在所述支撐框架上且包括：支撐在所述支撐框架上的上部封裝襯底、安裝在所述上部封裝襯底上且面朝所述至少一個基底電子元件的至少一個上部電子元件，以及形成於所述上部封裝襯底上的上部模蓋，所述上部模蓋包封所述至少一個上部電子元件但暴露所述至少一個上部電子元件的前表面，其中，所述上部模蓋通過所述支撐框架的所述上部開口容納在所述支撐框架內，並且所述上部模蓋的高度小於所述支撐框架的高度，以在所述上部模蓋和所述基底模蓋之間形成冷卻通道，其中，所述冷卻通道用於容納冷卻劑流體且與所述至少一個基底電子元件和所述至少一個上部電子元件中的暴露出的電子元件直接接觸；且<br/>其中，所述上部封裝襯底包括入口和出口，所述入口和出口從上部封裝襯底中貫穿且與所述上部開口對準，所述入口和出口分別用於將所述冷卻劑流體泵送輸入所述冷卻通道中以及從所述冷卻通道輸出所述冷卻劑流體。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，進一步包括：<br/>管道，其經由所述入口和所述出口與所述冷卻通道流體連接；<br/>泵，其連接到所述管道以在所述管道和所述冷卻通道內循環所述冷卻劑流體；以及<br/>散熱器，其連接到所述泵以冷卻所述冷卻劑流體。
如請求項2所述的電子封裝組件，其中，進一步包括一個或多個閥，所述一個或多個閥安置在所述管道內以調節所述冷卻劑流體在所述冷卻通道內的流速。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，進一步包括至少一個導電元件，所述導電元件形成於所述基底封裝襯底和所述上部封裝襯底之間，以電連接所述基底封裝襯底與所述上部封裝襯底，其中所述至少一個導電元件安置在所述支撐框架周圍。
如請求項4所述的電子封裝組件，其中，所述導電元件包括導電柱。
如請求項4所述的電子封裝組件，其中，所述導電元件包括鍵合引線。
如請求項4所述的電子封裝組件，其中，所述導電元件包括e-bar塊。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，所述基底電子元件包括CPU、GPU或存儲器晶片。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，所述冷卻劑流體包括去離子冷卻劑流體。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，所述支撐框架進一步包括位於所述支撐框架和所述基底模蓋之間或所述支撐框架和所述上部封裝襯底之間的粘合材料。
如請求項1所述的電子封裝組件，其中，進一步包括支撐網格，所述支撐網格形成於所述冷卻通道內且與所述支撐框架相互連接成爲單一件，其中所述支撐網格配置爲在所述基底電子封裝上支撐所述上部電子封裝但不阻礙所述冷卻劑流體在所述冷卻通道內的流動。
一種用於形成電子封裝組件的方法，所述方法包括：<br/>將至少一個基底電子元件安裝在基底封裝襯底上；<br/>在所述基底封裝襯底上形成基底模蓋以包封所述至少一個基底電子元件，但暴露所述至少一個基底電子元件的前表面；<br/>在上部封裝襯底上安裝至少一個上部電子元件；<br/>在所述上部封裝襯底上形成上部模蓋以包封所述至少一個上部電子元件，但暴露所述至少一個上部電子元件的前表面；<br/>在所述基底模蓋的所述前表面上附接支撐框架，其中所述支撐框架具有底部開口，所述底部開口暴露所述基底模蓋的一部分和所述至少一個基底電子元件的所述前表面，所述支撐框架還具有上部開口，所述上部開口與底部開口相對且與所述底部開口流體連通；<br/>將所述上部封裝襯底附接在所述支撐框架上，其中所述上部模蓋通過所述支撐框架的所述上部開口容納在所述支撐框架內，並且面朝所述基底模蓋，並且所述上部模蓋的高度小於所述支撐框架的高度，以在所述上部模蓋和所述基底模蓋之間形成冷卻通道，其中所述冷卻通道用於容納冷卻劑流體且與所述至少一個基底電子元件和所述至少一個上部電子元件中的暴露出的電子元件直接接觸；以及<br/>形成貫穿所述上部封裝襯底的入口和出口。
如請求項12所述的方法，其中，在將所述上部封裝襯底附接在所述支撐框架上之前，所述方法進一步包括：<br/>在所述上部封裝襯底上形成至少一個導電元件，其中，所述至少一個導電元件和所述上部模蓋在所述上部封裝襯底的同一側上；以及<br/>將所述上部封裝襯底附接在所述支撐框架上的步驟進一步包括：在所述基底封裝襯底上安裝所述至少一個導電元件，以電連接所述上部封裝襯底與所述基底封裝襯底。
如請求項13所述的方法，其中，所述導電元件包括導電柱或e-bar塊。
如請求項13所述的方法，其中，在將所述上部封裝襯底附接在所述支撐框架上之前，形成貫穿所述上部封裝襯底的所述入口和所述出口。
如請求項12所述的方法，其中，在將所述上部封裝襯底附接在所述支撐框架上之後，所述方法進一步包括：<br/>在所述上部封裝襯底和所述基底封裝襯底之間形成至少一個鍵合引線，以電連接所述上部封裝襯底與所述基底封裝襯底；以及<br/>在所述基底封裝襯底上形成額外模制層，以包封所述基底封裝襯底、所述基底模蓋、所述支撐框架、所述上部封裝襯底和所述至少一個鍵合引線。
如請求項16所述的方法，其中，在所述基底封裝襯底上形成額外模制層之後，形成貫穿所述上部封裝襯底且部分地穿過所述額外模制層的所述入口和所述出口。
如請求項12所述的方法，其中，形成基底模蓋的步驟包括：<br/>在所述基底封裝襯底上形成基底模制材料，以包封所述至少一個基底電子元件；以及<br/>研磨所述基底模制材料的前表面以暴露所述至少一個基底電子元件的前表面，從而形成所述基底模蓋；並且形成上部模蓋的步驟包括：<br/>在所述上部封裝襯底上形成上部模制材料以包封所述至少一個上部電子元件；以及<br/>研磨所述上部模制材料的前表面以暴露所述至少一個上部電子元件的前表面，從而形成所述上部模蓋。
一種多電腦切換器，包括：<br/>一第一主機連接模組，包括一第一匯流排及一第一連接埠用於耦接一第一電腦裝置；<br/>一第二主機連接模組，包括一第二匯流排、一第二切換單元及一第二連接埠用於耦接一第二電腦裝置；<br/>一切換模組，耦接至該第一主機連接模組及該第二切換單元；<br/>一USB連接埠模組，耦接至該第二切換單元及該切換模組，及具有複數個USB連接埠用於耦接一輸入裝置及一輸出裝置；以及<br/>一控制器，耦接至該第二切換單元及該切換模組，<br/>其中該切換模組與該第一主機連接模組及該第二切換單元之間分別具有一第一路徑及一第二路徑，及該USB連接埠模組與該第二切換單元之間具有一第三路徑，<br/>其中該控制器控制該第二切換單元及該切換模組以選擇只有該第一路徑開啟、只有該第二路徑開啟或只有該第一路徑及該第三路徑開啟。
如請求項1所述之多電腦切換器，其中該輸入裝置包括一鍵盤及/或一滑鼠，及該輸出裝置包括一顯示器。
如請求項1所述之多電腦切換器，其中當該控制器控制以選擇只有該第一路徑開啟時，該第一電腦裝置透過該第一主機連接模組及該切換模組耦接至該USB連接埠模組，使得只有該第一電腦裝置通訊於該輸入裝置及該輸出裝置。
如請求項1所述之多電腦切換器，其中當該控制器控制以選擇只有該第二路徑開啟時，該第二電腦裝置透過該第二主機連接模組及該切換模組耦接至該USB連接埠模組，使得只有該第二電腦裝置通訊於該輸入裝置及該輸出裝置。
如請求項1所述之多電腦切換器，其中當該控制器控制以選擇只有該第一路徑及該第三路徑開啟時，該第一電腦裝置透過該第一主機連接模組耦接至該USB連接埠模組，及透過該第三路徑耦接至該第二電腦裝置，使得只有該第一電腦裝置通訊於該輸入裝置及該輸出裝置，且該第一電腦透過該輸入裝置及該輸出裝置的操作存取該第二電腦裝置。
如請求項5所述之多電腦切換器，其中該第一匯流排及該第二匯流排兩者係Tunderbolt 4/5高速匯流排，及該第一電腦裝置存取該第二電腦裝置係透過該USB連接埠模組的Tunderbolt點對點(peer to peer)功能，並將該第一電腦及該第二電腦裝置皆設置為主機(host)。
如請求項5所述之多電腦切換器，其中該第一電腦裝置存取該第二電腦裝置包括存取該第二電腦裝置的一儲存器所儲存的資料，以及存取該第二電腦裝置的一處理器及一記憶體以使用該第二電腦裝置的運算資源。
如請求項1所述之多電腦切換器，其中該第一主機連接模組包括一第一切換單元，且該第一主機連接模組係透過第一切換單元耦接至該切換模組以形成該第一路徑，<br/>其中第一切換單元耦接至該USB連接埠模組及該控制器，該第一切換單元及該USB連接埠模組之間具有一第四路徑，<br/>其中該控制器控制該第一切換單元、該第二切換單元及該切換模組以選擇只有該第二路徑開啟及該第四路徑開啟。
如請求項8所述之多電腦切換器，其中當該控制器控制以選擇只有該第二路徑及該第四路徑開啟時，該第二電腦裝置透過該第二主機連接模組及該切換模組耦接至該USB連接埠模組，及透過該第三路徑耦接至該第一電腦裝置，使得只有該第二電腦裝置通訊於該輸入裝置及該輸出裝置，且該第二電腦裝置透過該輸入裝置及該輸出裝置的操作存取該第一電腦裝置。
如請求項9所述之多電腦切換器，其中該第一匯流排及該第二匯流排兩者係Tunderbolt 4/5高速匯流排，及該第二電腦裝置存取該第一電腦裝置係透過該USB連接埠模組的Tunderbolt點對點(peer to peer)功能，並將該第一電腦及該第二電腦裝置皆設置為主機(host)。
如請求項9所述之多電腦切換器，其中該第二電腦裝置存取該第一電腦裝置包括存取該第一電腦裝置的一儲存器所儲存的資料，以及存取該第一電腦裝置的一處理器及一記憶體以使用該第一電腦裝置的運算資源。
一種發泡模具，包含：<br/> 一模具主體，具有一高度方向且包含：<br/> 一發泡空間；<br/> 一第一模仁，銜接該發泡空間且包含一多孔層及一穿孔層，該多孔層朝向該發泡空間且由一3D列印技術製成，該穿孔層與該多孔層連接為一體，該穿孔層包含複數穿孔，且每一該些穿孔的一延伸方向平行該高度方向，該第一模仁更包含一入料通道，該入料通道貫穿該多孔層及該穿孔層，且該些穿孔中的一部分圍繞該入料通道；及<br/> 一第一模座，沿該高度方向位於該第一模仁上方且包含一第一模座板體及一入料口，該入料口貫穿該第一模座板體且與該入料通道連通；以及<br/> 一入料桿，插設於該入料口且包含：<br/> 一桿體，具有一軸線平行該高度方向；<br/> 一中心孔壁，沿該軸線貫穿該桿體以界定出一入料通孔；<br/> 二環孔壁，沿一徑向彼此間隔且沿該軸線貫穿該桿體，以界定出圍繞該入料通孔的一透氣環孔；及<br/> 一多孔透氣材料，填充於該透氣環孔。
如請求項1所述之發泡模具，其中，該多孔層的材質為金屬。
如請求項1所述之發泡模具，其中，該模具主體更包含一第二模座，該第二模座沿該高度方向位於該發泡空間的下方且包含一第二模座板體及一第二模仁，該第二模仁一體連接於該第二模座板體且朝向該發泡空間。
一種發泡模具，包含：<br/> 一模具主體，具有一高度方向且包含：<br/> 一發泡空間；<br/> 一第一模仁，沿該高度方向位於該發泡空間的一上方且包含一入料通道；<br/> 一第二模仁，沿該高度方向位於該發泡空間的下方；及<br/> 一第一模座，沿該高度方向位於該第一模仁上方且包含一第一模座板體及一入料口，該入料口貫穿該第一模座板體且與該入料通道連通；以及<br/> 一入料桿，插設於該入料口且包含：<br/> 一桿體，具有一軸線平行該高度方向；<br/> 一中心孔壁，沿該軸線貫穿該桿體以界定出一入料通孔；<br/> 二環孔壁，沿一徑向彼此間隔且沿該軸線貫穿該桿體，以界定出圍繞該入料通孔的一透氣環孔；及<br/> 一多孔透氣材料，填充於該透氣環孔；<br/> 其中，該第一模仁及該第二模仁其中至少一者包含一多孔層及一穿孔層，該多孔層朝向該發泡空間，該穿孔層與該多孔層連接為一體，該穿孔層包含複數穿孔，且每一該些穿孔的一延伸方向平行該高度方向。
如請求項4所述之發泡模具，其中，該第一模仁包含該多孔層及該穿孔層，該模具主體更包含一第二模座，該第二模座包含一第二模座板體，該第二模仁與該第二模座板體連接一體。
如請求項4所述之發泡模具，其中，該第一模仁包含該多孔層及該穿孔層，該入料通道貫穿該多孔層及該穿孔層，且該些穿孔中的一部分圍繞該入料通道。
如請求項4所述之發泡模具，其中，該第一模仁組設於該第一模座，且該第一模座更包含一第一密封凹槽圍繞該第一模仁。
一種超聲波發生裝置，其中，<br/> 包括：<br/> 處理器；以及<br/> 多個超聲波發生器件，受到所述處理器的控制，<br/> 一個所述處理器獲取工作信號，基於所述工作信號生成脈沖輸出，<br/> 基於所述脈沖輸出的多個超聲波發生器件各自的振蕩啟動為依次且非同時進行。
如請求項1所述之超聲波發生裝置，其中，所述多個超聲波發生器件中的至少一部分的固有頻率值彼此不同，且所述多個超聲波發生器件各自的脈沖與其對應的固有頻率相關聯。
如請求項1所述之超聲波發生裝置，其中，<br/> 包括第一超聲波發生器件至第三超聲波發生器件的所述多個超聲波發生器件進行線性移動，<br/> 在所述多個超聲波發生器件的移動過程中，第一超聲波發生器件至第三超聲波發生器件的相對位置被固定。
如請求項1所述之超聲波發生裝置，其中，<br/> 所述脈沖輸出作為用於每個超聲波發生器件振蕩的脈沖組，其包括由脈沖組開啟時間和脈沖組休止期組成的脈沖組，<br/> 所述脈沖組開啟時間由多個單獨脈沖及單獨脈沖之間的休止期組成，<br/> 所述脈沖組時間和所述脈沖組開啟時間彼此獨立確定。
一種超聲波發生裝置的控制方法，所述超聲波發生裝置包括：第一處理器；第三存儲器，與所述第一處理器相連接；以及多個超聲波發生器件，由所述第一處理器間接控制，包括第一超聲波發生器件及第二超聲波發生器件，所述超聲波發生裝置的控制方法通過超聲波發生裝置的所述第一處理器執行，其中，<br/> 包括如下步驟：<br/> 從所述第三存儲器分別收集第一超聲波發生器件及第二超聲波發生器件的固有頻率值；以及<br/> 隨著獲取工作請求，生成每個所述超聲波發生器件的振蕩信號，<br/> 所述第一超聲波發生器件的振蕩啟動和第二超聲波發生器件的振蕩啟動之間存在時間差且為非同時進行。
如請求項5所述之超聲波發生裝置的控制方法，其中，用於所述第一超聲波發生器件振蕩的脈沖輸出和用於第二超聲波發生器件振蕩的脈沖輸出分別基於第一超聲波發生器件和第二超聲波發生器件各自的固有頻率值確定。
如請求項5所述之超聲波發生裝置的控制方法，其中，<br/> 所述超聲波發生裝置還包括與所述第一處理器相連接的第一存儲器，<br/> 所述方法還包括如下步驟：<br/> 從所述第一存儲器收集計數信息；<br/> 從所述第三存儲器收集計數信息；<br/> 比較所收集的計數信息與預設次數；以及<br/> 當生成所述振蕩信號時，更新所述第一存儲器及第三存儲器的計數信息，<br/> 所述第一存儲器和第三存儲器的計數信息彼此獨立。
一種低-K膜拋光用漿料組合物，包括： <br/>二氧化鈰拋光粒子； <br/>分散劑； <br/>SiN拋光抑制劑；以及 <br/>低-K膜拋光增強劑， <br/>其中，所述二氧化鈰拋光粒子是煅燒二氧化鈰拋光粒子或膠體二氧化鈰拋光粒子； <br/>將所述煅燒二氧化鈰拋光粒子漿料化時，所述煅燒二氧化鈰拋光粒子的大小為50 nm至150 nm； <br/>將所述膠體二氧化鈰拋光粒子漿料化時，所述膠體二氧化鈰拋光粒子的大小為20 nm至100 nm； <br/>其中，所述分散劑包括選自由具有下列化學式1結構的有機酸、芳香α羥基羧酸，以及吡啶羧酸組成的組中的至少一者， <br/>[化學式1] <br/><img align="absmiddle" height="85px" width="109px" file="ed10002.jpg" alt="ed10002.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>其中，R是H或甲基， <br/>所述分散劑含量是所述低-K膜拋光用漿料組合物總重量的0.1重量%至30重量%； <br/>所述SiN拋光抑制劑包括選自由麥芽糖醇、乳糖醇、蘇糖醇、赤蘚糖醇、核糖醇、木糖醇、阿拉伯糖醇、阿東糖醇、山梨糖醇、塔羅糖醇、甘露醇、艾杜糖醇、蒜糖醇、甜醇、半乳糖醇、景天庚糖醇以及甘露庚糖醇組成的組中的至少一者； <br/>所述SiN拋光抑制劑含量是所述低-K膜拋光用漿料組合物總重量的0.1重量%至5重量%； <br/>所述低-K膜拋光增強劑是胺類化合物，且 <br/>所述胺類化合物包括選自由三乙醇胺、胺甲基丙醇以及氫氧化銨組成的組中的至少一者； <br/>所述低-K膜拋光增強劑含量是所述低-K膜拋光用漿料組合物總重量的0.4重量%至0.7重量%；以及 <br/>所述低-K膜拋光用漿料組合物之pH值為3.5至5.5。
如請求項1所述之低-K膜拋光用漿料組合物，更包括： <br/>選自由陽離子聚合物以及pH緩衝劑組成的組中的至少一者。
如請求項2所述之低-K膜拋光用漿料組合物，其中， <br/>所述陽離子聚合物包括選自由聚（2-甲基丙烯醯氧基乙基）三甲基氯化銨；聚（丙烯醯胺2-甲基丙烯醯氧基乙基三甲基氯化銨）；聚[2-（二甲胺基）甲基丙烯酸乙酯）氯甲烷]；聚[3-丙烯醯胺基丙基三甲基氯化銨]；聚[3-甲基丙烯醯胺基丙基三甲基氯化銨]；聚[雙（2-氯乙基）乙醚-alt-1,3-雙[3-（二甲胺基）丙基]脲]；丙烯醯胺與季銨化甲基丙烯酸二甲胺乙酯的共聚物共聚物；丙烯醯胺/甲基丙烯酸二甲胺乙酯氯甲烷共聚物；乙烯吡咯烷酮與季銨化甲基丙烯酸二甲胺乙酯共聚物；以及乙烯吡咯烷酮與甲基丙烯醯胺丙基三甲胺共聚物組成的組中的至少一者， <br/>所述陽離子聚合物含量是所述低-K膜拋光用漿料組合物總重量的0.001重量%至0.1重量%。
如請求項2所述之低-K膜拋光用漿料組合物，其中， <br/>所述pH緩衝劑是有機酸， <br/>所述有機酸包括選自由甲酸、乙酸、苯甲酸、草酸、琥珀酸、蘋果酸、馬來酸、丙二酸、檸檬酸、乳酸、丙三羧酸、酒石酸、天門冬胺酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富馬酸、鄰苯二甲酸以及它們的鹽組成的組中的至少一者， <br/>所述pH緩衝劑含量是所述低-K膜拋光用漿料組合物總重量的0.01重量%至1重量%。
一種電連接器結構改良，包括：一外殼體；一金屬殼體，設置於該外殼體內，該金屬殼體一端形成一對接口可供一對手電連接器插至對接；一絕緣結構，設置於該金屬殼體內，該絕緣結構包括一基座及一舌板，該舌板設至於該絕緣結構的前端；一第一端子，包括一對接部、一固定部以及一焊接部，該固定部結合於該絕緣結構的該基座，該對接部設置於該舌板，該焊接部突出於該基座且可供焊接，一第二端子，包括一對接部、一固定部以及一焊接部，該固定部結合於該絕緣結構的該基座，該對接部設置於該舌板，該焊接部突出於該基座且可供焊接，該第二端子與該第一端子排成彼此平行的兩個端子列；以及一中隔件，設置於兩個該端子列之間且結合於該絕緣結構；其中該第一端子及第二端子排列成兩個端子列，每個該端子列包括一常規訊號端子對、分別設置於該常規訊號端子對兩側的兩個功能性端子、分別設置於該等功能性端子外側的兩個電源端子、分別設置於該等電源端子外側的兩個高頻訊號端子對以及分別設置於該等高頻訊號端子對外側的兩個接地端子，其中該第一端子之該焊接部之兩任意端子之間具有一第一間距，該第一間距大於其他端子之間的間距，藉此形成一容納電路板佈線之讓位通道。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第二端子之該焊接部之兩任意端子之間具有一第二間距，該第二間距大於其他端子之間的間距，該第一間距與該第二間距相互錯位設置。
如請求項2所述的電連接器結構改良，其中該第一間距位於第一端子之該焊接部之功能性端子與電源端子之間，該第二間距位於該第二端子之該焊接部之功能性端子與電源端子之間。
如請求項1、2或3所述的電連接器結構改良，其中該第一端子之該固定部之功能性端子與電源端子具有一第三間距，該第二端子之該固定部之功能性端子與電源端子具有一第四間距。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第一端子貼合於該中隔件之一側，該第二端子貼合於該中隔件之另一側。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中更包括一第一絕緣構件與該中隔件分別夾蓋該第一端子；一第二絕緣構件與該中隔件分別夾蓋該第二端子。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該絕緣結構之該基座沿該舌板方向延伸有兩凸部，該等凸部於安裝時突出於該金屬殼體。
如請求項7所述的電連接器結構改良，其中該外殼體具有兩凸肋，該兩凸肋與該等凸部相對應並於安裝時抵接該等凸部。
一種電路板結構，適配於請求項1之電連接器結構改良，其中該電路板上具有複數銲孔，該等銲孔排列與該第一端子與該第二端子之焊接部排列相對應。
如請求項9所述的電路板結構，其中該上排焊孔由左至右依序為A1~A12，下排焊孔由右至左依序為B1~B12，A8及A9間具有間距隔開，B4及B5間具有間距隔開。
一種電連接器結構改良，包括：<br/> 一絕緣結構，其包括一基座及一舌板，該舌板設至於該絕緣結構的前端；<br/> 一第一端子，包括一對接部、一固定部以及一焊接部，該固定部結合於該絕緣結構的該基座，該對接部設置於該舌板，該焊接部突出於該基座且可供焊接，<br/> 一第二端子，包括一對接部、一固定部以及一焊接部，該固定部結合於該絕緣結構的該基座，該對接部設置於該舌板，該焊接部突出於該基座且可供焊接，該第二端子與該第一端子排成彼此平行的兩個端子列；<br/> 一中隔件， 設置於兩個該端子列之間且結合於該絕緣結構； <br/> 一金屬殼體，設置於該絕緣結構的該基座且圍繞該舌板以形成一對接空間，該金屬殼體的一端形成一對接口，供一對手電連接器插置；以及<br/> 一外殼體，可容至該金屬殼體並供該對接部露出；<br/> 其中該第一端子及第二端子排列成兩個端子列，每個該端子列包括一常規訊號端子對、分別設置於該常規訊號端子對兩側的兩個功能性端子、分別設置於該等功能性端子外側的兩個電源端子、分別設置於該等電源端子外側的兩個高頻訊號端子對以及分別設置於該等高頻訊號端子對外側的兩個接地端子，其中該第一端子之該焊接部之功能性端子與電源端子具有一第一間距，該第二端子之該焊接部之功能性端子與電源端子具有一第二間距，該第一間距及該第二間距大於其他端子之間的間距。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第一間距與該第二間距相互錯位設置。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第一端子之該固定部之功能性端子與電源端子具有一第三間距，該第二端子之該固定部之功能性端子與電源端子具有一第四間距。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第一端子貼合於該中隔件之一側，該第二端子貼合於該中隔件之另一側。
如請求項1或4所述的電連接器結構改良，其中更包括一第一絕緣構件與該中隔件分別夾蓋該第一端子；一第二絕緣構件與該中隔件分別夾蓋該第二端子。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該絕緣結構之該基座沿該舌板方向延伸有兩凸部，該等凸部於安裝時突出於該金屬殼體。
如請求項6所述的電連接器結構改良，其中該外殼體具有兩凸肋，該兩凸肋與該等凸部相對應並於安裝時抵接該等凸部。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第一間距大於該第二間距，該第二間距大於其他端子間的間距。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中該第二間距大於該第一間距，該第一間距大於其他端子間的間距。
如請求項1所述的電連接器結構改良，其中更包括一電路板，該電路板上具有複數銲孔，該等銲孔排列與該第一端子與該第二端子之焊接部排列相對應。
一種建立個人伺服器的方法，運行於一主伺服器中，其中該主伺服器設於一第一網域，該方法包括：<br/> 於一使用者操作一個人裝置登入該主伺服器後，於該主伺服器註冊一數位身份以及一安全密鑰，其中該安全密鑰係儲存於該個人裝置的一儲存媒體中；<br/> 產生該數位身份的一公鑰與一私鑰，其中該私鑰存於該個人裝置的該儲存媒體中；以及<br/> 建立該個人伺服器，其中以該主伺服器的該第一網域衍生出屬於該個人伺服器的一第二網域，使該個人伺服器具有一個人伺服器網址；其中將該個人伺服器網址儲存於該個人裝置的該儲存媒體中，而該公鑰以及該數位身份存放於該個人伺服器中；<br/> 其中，於該使用者操作該個人裝置登入該個人伺服器時，通過該主伺服器根據該個人伺服器網址轉址至該個人伺服器，使該使用者以該私鑰經具有該公鑰的該個人伺服器進行身份驗證後，登入該個人伺服器。
如請求項1所述的建立個人伺服器的方法，其中該個人伺服器用以儲存該數位身份、該公鑰、該數位身份的授權記錄，以及經該安全密鑰加密的一數位資產。
如請求項2所述的建立個人伺服器的方法，其中該數位資產包括儲存於該個人伺服器中的敏感資料。
如請求項1所述的建立個人伺服器的方法，其中該安全密鑰設於該個人裝置中，經該個人裝置驗證該使用者的身份後使用該安全密鑰，並以存放該安全密鑰的該私鑰登入該個人伺服器。
如請求項4所述的建立個人伺服器的方法，其中該安全密鑰用於儲存該個人伺服器網址，以於使用該安全密鑰時同時根據該個人伺服器網址連線該個人伺服器。
如請求項1至5中任一項所述的建立個人伺服器的方法，其中該第一網域為該主伺服器的一主網域，針對該個人伺服器產生的該第二網域為該主網域衍生的一子網域，並使持有具有該安全密鑰的該使用者能登入該個人伺服器。
一種建立個人伺服器的系統，包括：<br/> 一主伺服器，設於一第一網域，設有一處理器，通過該處理器執行儲存於一非暫態電腦可讀取媒體中的一程式集以建立一個人伺服器，其中建立該個人伺服器的方法包括：<br/> 於一使用者操作一個人裝置登入該主伺服器後，於該主伺服器註冊一數位身份以及一安全密鑰，其中該安全密鑰係儲存於該個人裝置的一儲存媒體中；<br/> 產生該數位身份的一公鑰與一私鑰，其中該私鑰存於該個人裝置的該儲存媒體中；以及<br/> 建立該個人伺服器，其中以該主伺服器的該第一網域衍生出屬於該個人伺服器的一第二網域，使該個人伺服器具有一個人伺服器網址；其中將該個人伺服器網址儲存於該個人裝置的該儲存媒體中，而該公鑰以及該數位身份存放於該個人伺服器中；<br/> 其中，於該使用者操作該個人裝置登入該個人伺服器時，通過該主伺服器根據該個人伺服器網址轉址至該個人伺服器，使該使用者以該私鑰經具有該公鑰的該個人伺服器進行身份驗證後，登入該個人伺服器。
如請求項7所述的建立個人伺服器的系統，其中該安全密鑰設於該個人裝置中，經該個人裝置驗證該使用者的身份後使用該安全密鑰，其中該安全密鑰用於儲存該個人伺服器網址，以於使用該安全密鑰時同時根據該個人伺服器網址連線該個人伺服器，並以存放該安全密鑰的該私鑰登入該個人伺服器。
如請求項7或8所述的建立個人伺服器的系統，其中該第一網域為該主伺服器的一主網域，針對該個人伺服器產生的該第二網域為該主網域衍生的一子網域，並使持有具有該安全密鑰的一使用者能登入該個人伺服器。
一種授權使用數位資產的方法，執行於如請求項1所述建立個人伺服器的方法所建立的該個人伺服器中，其中該授權使用數位資產的方法包括：<br/> 經該個人裝置驗證該使用者的身份後得出該安全密鑰；<br/> 根據該個人伺服器網址連線該個人伺服器，並以存放於該安全密鑰的該私鑰登入該個人伺服器；<br/> 以該安全密鑰驗證存放於該個人伺服器的該數位身份，並解密一數位資產；以及<br/> 經驗證該數位資產的憑證後，以該憑證授權一請求使用人使用該數位資產。
一種事件日誌分析系統，包括：<br/> 一資料接收模組，用以接收多個作業系統事件；<br/> 一第一資料庫，用以儲存多個錯誤資訊；<br/> 一第二資料庫，用以儲存解碼資訊；以及<br/> 一處理器，耦接至所述資料接收模組、所述第一資料庫、所述第二資料庫，所述處理器用以：<br/> 依據所述多個錯誤資訊，從所述多個作業系統事件，篩選出多個已識別事件； <br/> 判斷所述多個已識別事件中是否包括對應第一硬體錯誤類型的第一硬體錯誤事件以及對應第二硬體錯誤類型的第二硬體錯誤事件之其中至少一者；<br/> 根據第一預設長度以及第二預設長度，判斷所述第一硬體錯誤事件以及所述第二硬體錯誤事件，其中所述第一硬體錯誤事件的資料長度大於所述第一預設長度且小於所述第二預設長度，並且所述第二硬體錯誤事件的資料長度大於所述第二預設長度；<br/> 反應於所述第一硬體錯誤事件，根據所述解碼資訊，解碼所述第一硬體錯誤事件，以獲取所述第一硬體錯誤事件的第一硬體錯誤資訊；<br/> 反應於所述第二硬體錯誤事件，提供對應所述第二硬體錯誤事件的下載途徑；以及<br/> 產生一分析報告，所述分析報告包括所述第一硬體錯誤資訊以及所述下載途徑。
如請求項1所述的事件日誌分析系統，其中所述第一硬體錯誤類型為UEFI Windows硬體錯誤架構(Windows Hardware Error Architecture，WHEA)，以及所述第二硬體錯誤類型為Intel Crash log WHEA。
如請求項1所述的事件日誌分析系統，其中所述多個錯誤資訊包括多個已知錯誤碼，其中依據所述多個錯誤資訊，從所述多個作業系統事件，篩選出所述多個已識別事件的步驟包括：<br/> 依據所述多個作業系統事件的多個識別碼，過濾所述多個作業系統事件，以獲取多個已過濾作業系統事件；<br/> 判斷所述多個已過濾作業系統事件的多個錯誤碼是否匹配所述多個已知錯誤碼，產生一匹配結果；以及<br/> 依據所述匹配結果，篩選出所述多個已識別事件。
如請求項1所述的事件日誌分析系統，其中所述處理器更根據多個問題類型分組及標記所述多個已識別事件，並設定所述多個已識別事件於所述分析報告的顯示顏色，其中所述多個問題類型包括下列至少一者：<br/> 硬體問題類型，包括所述第一硬體錯誤類型以及所述第二硬體錯誤類型；<br/> 軟體問題類型；以及<br/> 韌體問題類型。
如請求項1所述的事件日誌分析系統，其中所述處理器更用以：<br/> 根據所述多個已識別事件的多個時間戳記，於所述分析報告中依時序排列所述多個已識別事件。
如請求項1所述的事件日誌分析系統，其中所述處理器更用以：<br/> 當所述多個已識別事件包含不屬於所述第一硬體錯誤類型及所述第二硬體錯誤類型的其他事件時，判斷所述其他事件中是否具有未存在於所述第一資料庫的新錯誤資訊；以及<br/> 反應於所述新錯誤資訊，將所述新錯誤資訊加入所述第一資料庫中。
一種事件日誌分析方法，包括：<br/> 接收多個作業系統事件；<br/> 依據儲存於一第一資料庫的多筆錯誤資訊，從所述多個作業系統事件篩選出多個已識別事件；<br/> 判斷所述多個已識別事件中是否包括對應第一硬體錯誤類型的第一硬體錯誤事件以及對應第二硬體錯誤類型的第二硬體錯誤事件之其中至少一者；<br/> 根據第一預設長度以及第二預設長度，判斷所述第一硬體錯誤事件以及所述第二硬體錯誤事件，其中所述第一硬體錯誤事件的資料長度大於所述第一預設長度且小於所述第二預設長度，並且所述第二硬體錯誤事件的資料長度大於所述第二預設長度；<br/> 反應於所述第一硬體錯誤事件，根據儲存於一第二資料庫的解碼資訊，解碼所述第一硬體錯誤事件，以獲取所述第一硬體錯誤事件的第一硬體錯誤資訊；<br/> 反應於所述第二硬體錯誤事件，提供對應所述第二硬體錯誤事件的下載途徑；以及<br/> 產生一分析報告，所述分析報告包括所述第一硬體錯誤資訊以及所述下載途徑。
如請求項7所述的事件日誌分析方法，其中所述第一硬體錯誤類型為UEFI Windows硬體錯誤架構(Windows Hardware Error Architecture，WHEA)，以及所述第二硬體錯誤類型為Intel Crash log WHEA。
如請求項7所述的事件日誌分析方法，其中所述多個錯誤資訊包括多個已知錯誤碼，其中依據所述多個錯誤資訊，從所述多個作業系統事件篩選出所述多個已識別事件的步驟包括：<br/> 依據所述多個作業系統事件的多個識別碼，過濾所述多個作業系統事件，以獲取多個已過濾作業系統事件；<br/> 判斷所述多個已過濾作業系統事件的多個錯誤碼是否匹配所述多個已知錯誤碼，產生一匹配結果；以及<br/> 依據所述匹配結果，篩選出所述多個已識別事件。
如請求項7所述的事件日誌分析方法，更包括根據多個問題類型，分組及標記所述多個已識別事件，並設定所述多個已識別事件於所述分析報告的顯示顏色，其中所述多個問題類型包括下列至少一者：<br/> 硬體問題類型，包括所述第一硬體錯誤類型以及所述第二硬體錯誤類型；<br/> 軟體問題類型；以及<br/> 韌體問題類型。
如請求項7所述的事件日誌分析方法，更包括：<br/> 根據所述多個已識別事件的多個時間戳記，於所述分析報告中依時序排列所述多個已識別事件。
如請求項7所述的事件日誌分析方法，更包括：<br/> 當所述多個已識別事件包含不屬於所述第一硬體錯誤類型及所述第二硬體錯誤類型的其他事件時，判斷所述其他事件中是否具有未存在於所述第一資料庫的新錯誤資訊；以及<br/> 反應於所述新錯誤資訊，將所述新錯誤資訊加入所述第一資料庫中。
一種具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，包含有： 一儲存模組，係儲存一第一按鍵位置及一第一按鍵計數值；<br/>一顯示器模組，顯示一按鍵畫面；<br/>一觸控模組，根據一使用者操作產生一觸控指令；<br/>一微處理器，電連接該儲存模組、該顯示器模組及該觸控模組，以存取該第一按鍵位置，並根據該第一按鍵位置，於該顯示器模組的該按鍵畫面中顯示一第一操作按鍵；<br/>其中，該微處理器進一步接收該觸控指令，並根據該觸控指令，計算一第一觸控位置，且根據該第一觸控位置判斷該觸控指令是否為一有效觸控；<br/>其中，當該微處理器判斷該觸控指令為該有效觸控時，該微處理器進一步根據該第一按鍵位置及該第一觸控位置，計算一第一位置差值，且判斷該第一位置差值是否超過一第一位置差閾值；<br/>其中，當該第一位置差值超過該第一位置差閾值時，該微處理器進一步儲存該第一觸控位置至該儲存模組，並累加該第一按鍵計數值，且判斷該第一按鍵計數值是否超過一第一計數閾值；<br/>其中，當該第一按鍵計數值超過該第一計數閾值時，該微處理器進一步根據該儲存模組中儲存的該第一觸控位置，計算一第一按鍵更新位置，並根據該第一按鍵更新位置，更新該儲存模組中儲存的該第一按鍵位置，且重新根據該第一按鍵位置，於該顯示器模組的該按鍵畫面中顯示該第一操作按鍵。
如請求項1所述之具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，其中，該微處理器進一步判斷該第一按鍵更新位置與一顯示物件是否為重疊； 其中，當該微處理器判斷該第一按鍵更新位置與該顯示物件為重疊時，該微處理器進一步使該第一按鍵更新位置向一重疊區域執行一反向偏移，以計算一第二按鍵位置，並根據該第二按鍵位置，更新該儲存模組中儲存的該第一按鍵位置，且重新根據該第一按鍵位置，於該顯示器模組的該按鍵畫面中顯示該第一操作按鍵。
如請求項2所述之具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，其中，該微處理器判斷該第一按鍵更新位置與該顯示物件為重疊時，該微處理器執行該反向偏移，該反向偏移係先計算該重疊區域的一範圍大小，該微處理器進一步根據該重疊區域的該範圍大小，並決定一主要偏移方向，且依據該主要偏移方向，計算一偏移方向以得出該第二按鍵位置。
如請求項2所述之具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，其中，該微處理器執行該反向偏移時，該微處理器係判斷該第二按鍵位置是否超出一顯示器可視範圍；<br/>其中，當該微處理器判斷該第二按鍵位置超出該顯示器可視範圍時，該微處理器進行一反向調整，並根據該反向調整，計算該第二按鍵位置。
如請求項1所述之具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，其中，當微處理器該根據該第一按鍵位置及該第一觸控位置，計算該第一位置差值時，該微處理器係根據該第一按鍵位置計算一按鍵中心值，並計算該按鍵中心值與該第一觸控位置的一座標距離作為該第一位置差值；<br/>其中，該第一按鍵位置係一初始按鍵座標，且該按鍵中心值係該初始按鍵座標分別加上一按鍵高度中心值及一按鍵寬度中心值得出。
如請求項1所述之具有動態適應式操作按鍵的使用者介面裝置，其中，該有效觸控係指觸控在該第一按鍵位置的一第一按鍵設置範圍中即為該有效觸控。
一種使用者介面的操作按鍵動態適應方法，係由一微處理器執行，且包含有以下步驟：<br/>存取一第一按鍵位置，根據該第一按鍵位置，於一顯示器模組的一按鍵畫面中顯示一第一操作按鍵；<br/>接收一觸控指令，並根據該觸控指令，計算一第一觸控位置，且根據該第一觸控位置判斷該觸控指令是否為一有效觸控；<br/>當該觸控指令為該有效觸控時，根據該第一按鍵位置及該第一觸控位置，計算一第一位置差值，且判斷該第一位置差值是否超過一第一位置差閾值；<br/>當該第一位置差超過該第一位置差閾值，儲存該第一觸控位置，並累加一第一按鍵計數值，且判斷該第一按鍵計數值是否超過一第一計數閾值；<br/>根據該第一觸控位置計算一第一按鍵更新位置，並根據該第一按鍵更新位置，更新該第一按鍵位置，且重新根據該第一按鍵位置，於該該按鍵畫面中顯示一第一操作按鍵。
如請求項7所述之使用者介面的操作按鍵動態適應方法，進一步包含有以下步驟： 判斷該第一按鍵更新位置與一顯示物件是否為重疊；<br/>其中，當該第一按鍵更新位置與該顯示物件為重疊時，使該第一按鍵更新位置向一重疊區域執行一反向偏移，以計算一第二按鍵位置，並根據該第二按鍵位置，更新該第一按鍵位置，且重新根據該第一按鍵位置，於該按鍵畫面中顯示該第一操作按鍵。
如請求項8所述之使用者介面的操作按鍵動態適應方法，其中，當執行該反向偏移時，該反向偏移係先計算該重疊區域的一範圍大小，根據該重疊區域的該範圍大小，並決定一主要偏移方向，且依據該主要偏移方向，計算一偏移方向以得出該第二按鍵位置。
如請求項8所述之使用者介面的操作按鍵動態適應方法，其中，當執行該反向偏移時，係判斷該第二按鍵位置是否超出一顯示器模組可視範圍；<br/>其中，當該第二按鍵位置超出可視範圍時，係進行一反向調整，並根據該反向調整，計算該第二按鍵位置。
一種用於鉬基合金之塗層製備方法，其步驟係包括：<br/>(a)將一固態粉料與矽溶膠混合、配製一矽化內覆層漿料，其中該固態粉料所占之重量百分比為40~60%，該固態粉料包含矽粉與氧化鋁粉；<br/>(b)將一YSZ(氧化釔安定氧化鋯)粉料與矽溶膠混合，配製一氧化物外覆層漿料，其中該YSZ粉料所占之重量百分比為20~40%；<br/>(c)將該矽化內覆層漿料均勻塗佈於一鉬基合金表面，將該鉬基合金表面之該矽化內覆層漿料進行烘乾交聯固化，再將該鉬基合金進行燒結，於該鉬基合金表面獲得一矽化內覆層；<br/>(d)將該氧化物外覆層漿料均勻塗佈於該矽化內覆層表面，將該矽化內覆層表面之該氧化物外覆層漿料進行烘乾交聯固化，再將該鉬基合金進行熱裂解，於該鉬基合金表面獲得一矽化內覆層-氧化物外覆層複合之塗層。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(a)的該矽粉與該氧化鋁粉的重量比為70：30~50：50。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(c)或步驟(d)之烘乾交聯固化溫度為100~150℃、時間為10~30分鐘。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(c)之燒結溫度為1300℃~1500℃，燒結時間為0.5~2小時。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(c)之燒結環境係充滿氬氣氣氛或真空。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(d)之熱裂解溫度為400~600℃，熱裂解時間為0.5~2小時。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(c)之鉬基合金為TZM(鉬鋯鈦)合金。
如請求項1所述之用於鉬基合金之塗層製備方法，其中該步驟(c)之該鉬基合金須先進行預處理，該預處理作法為：將該鉬基合金表面進行磨拋處理以去除氧化皮，再用超音波於一丙酮水溶液清洗後烘乾。
一種用於鉬基合金之塗層，係以請求項1~8其中任一項方法製備而成。
如請求項9所述之用於鉬基合金之塗層，其中該塗層於1200℃循環氧化條件下之重量變化率低於4%。
一種容器編排平台升級方法，應用於一容器編排平台之叢集，該叢集包括複數舊版本控制平面節點及複數舊版本工作節點，該容器編排平台升級方法包括：令互動介面元件接收升級指令；令資訊記錄元件及樣板建立元件取得該叢集之升級資訊；令步驟規劃元件根據該升級資訊進行該容器編排平台之升級規劃；令樣板建立元件根據該升級規劃，建立複數虛擬主機樣板，其中，各該虛擬主機樣板中之該容器編排平台已升級至該升級指令所指定之目標版本；以及令升級管理元件用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本控制平面節點及該複數舊版本工作節點，以完成該容器編排平台之升級。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，其中，該升級資訊包括該容器編排平台之元件的軟體資訊、以及該叢集之作業系統軟體資訊、安全規則版本控制號碼與硬體配置資訊。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，其中，該升級規劃包括該叢集之作業系統軟體升級、該容器編排平台之元件升級順序、以及各該虛擬主機樣板中之作業系統與軟體升級清單。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，其中，建立該複數虛擬主機樣板之步驟包括：在各該虛擬主機樣板中安裝該容器編排平台之該目標版本與軟體依賴項目；指派各該虛擬主機樣板之計算資源；為各該虛擬主機樣板套用政府組態基準規則；更新各該虛擬主機樣板之作業系統；以及更新各該虛擬主機樣板之防火牆規則。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，其中，用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本控制平面節點之步驟包括：轉換該複數舊版本控制平面節點之角色，以將該叢集調整為單一控制平面模式；將該複數舊版本控制平面節點中僅剩之一者中的該容器編排平台升級至該目標版本；用該複數虛擬主機樣板中之控制平面節點樣板，在該叢集中加入至少一新版本控制平面節點；以及待該叢集穩定運行後，刪除該僅剩之舊版本控制平面節點，再用該控制平面節點樣板，在該叢集中加入另一新版本控制平面節點。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，復包括：在用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本控制平面節點及該複數舊版本工作節點之前，移除該叢集中之監測元件；以及在用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本控制平面節點及該複數舊版本工作節點之後，將該監測元件加回該叢集。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，復包括：在用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本控制平面節點及該複數舊版本工作節點之前，備份該叢集中之持久化資料；以及若該容器編排平台之該升級失敗，則將該叢集中之工作狀態資料還原為該持久化資料。
如請求項1所述之容器編排平台升級方法，其中，用該複數虛擬主機樣板替換該複數舊版本工作節點之步驟包括：用該複數虛擬主機樣板中之工作節點樣板，在該叢集中加入一新版本工作節點，再刪除該複數舊版本工作節點中之一者，以替換該複數舊版本工作節點中之該者；以及重複上一步驟，直至已替換全部之該複數舊版本工作節點。
一種非暫時性之電腦可讀取儲存媒體，係儲存有複數指令，該複數指令由電子裝置讀取以執行如請求項1至8中任一項所述之容器編排平台升級方法。
一種容器編排平台升級系統，應用於一容器編排平台之叢集，該叢集包括複數控制平面節點及複數工作節點，該容器編排平台升級系統包括：互動介面元件，係用於接收升級指令；資訊記錄元件及樣板建立元件，係用於取得該叢集之升級資訊；步驟規劃元件，係用於根據該升級資訊進行該容器編排平台之升級規劃；樣板建立元件，係用於根據該升級規劃建立複數虛擬主機樣板，其中，各該虛擬主機樣板中之該容器編排平台已升級至該升級指令所指定之目標版本；以及升級管理元件，係用於使用該複數虛擬主機樣板替換該複數控制平面節點及該複數工作節點，以完成該容器編排平台之升級。
一種石英噴嘴，係由融合於供氣體流動的石英製氣管之前端的石英所形成，該石英噴嘴具備：<br/>噴嘴面，其形成有用以吐出該氣體的多個吐出孔；及<br/>側縁部，其係由以圍住該噴嘴面之整周的方式直立於該噴嘴面上的固定高度之側壁所構成，<br/>該側縁部呈可無隙融合於該氣管之端面的形狀，<br/>該噴嘴面與該側縁部為一體成形。
如請求項1之石英噴嘴，其中，該石英皆為合成石英。
如請求項1之石英噴嘴，其中，該側縁部從該噴嘴面突出的高度為3mm以上。
如請求項1之石英噴嘴，其中，位於最外側之該吐出孔與該側縁部之外緣的距離為5mm以上。
一種石英噴嘴之製造方法，該石英噴嘴係由融合於供氣體流動的石英製氣管之前端的石英所形成，該製造方法包含：<br/>(a)調配包含石英粉體之漿液的步驟；<br/>(b)準備與該石英噴嘴的形狀相應之成形模的步驟，該石英噴嘴具備：噴嘴面，其形成有用以吐出該氣體的多個吐出孔；及側縁部，其係由以圍住該噴嘴面之整周的方式直立於該噴嘴面上的固定高度之側壁所構成；<br/>(c)在貫通該成形模的狀態下，保持用以形成該吐出孔之銷或線材的步驟；及<br/>(d)將該漿液與硬化劑混合並注入該成形模，使混合物硬化而形成具有該形狀之成形體的步驟。
一種半導體裝置的形成方法，該方法包含以下步驟： <br/>在該半導體裝置的一第一裝置區域中，在一第一鰭片上方形成一第一奈米結構； <br/>在該半導體裝置的一第二裝置區域中，在一第二鰭片上方形成一第二奈米結構，其中該第一奈米結構及該第二奈米結構中的每一者包含： <br/>一下奈米結構，包含與一或多個半導體材料層交錯的一或多個第一虛設材料層； <br/>一上奈米結構，位於該下奈米結構上方且包含與一或多個半導體材料層交錯的一或多個第一虛設材料層；及 <br/>一第二虛設材料，位於該下奈米結構與該上奈米結構之間； <br/>分別在該第一奈米結構及該第二奈米結構上方形成一第一虛設閘極結構及一第二虛設閘極結構； <br/>在與該第一虛設閘極結構相鄰的該第一奈米結構中形成一第一源極/汲極開口； <br/>在與該第二虛設閘極結構相鄰的該第二奈米結構中形成一第二源極/汲極開口； <br/>在該第一裝置區域中形成一遮罩層，其中該遮罩層覆蓋該第一源極/汲極開口且曝露該第二源極/汲極開口； <br/>在形成該遮罩層之後，選擇性地移除設置在該第二虛設閘極結構下方的該第二虛設材料，以在該第二奈米結構的該下奈米結構與該上奈米結構之間形成一縫隙； <br/>藉由沿該第二奈米結構的該上奈米結構的一下表面及沿該第二奈米結構的該下奈米結構的一上表面在該縫隙中形成該半導體材料以部分填充該縫隙； <br/>在該部分填充之後，用該第一虛設材料填充該縫隙的一剩餘部分； <br/>在該填充之後，移除該遮罩層；及 <br/>在移除該遮罩層之後，用一隔離結構替換設置在該第一虛設閘極結構下方的該第二虛設材料。
如請求項1所述的方法，進一步包含以下步驟：在替換該第二虛設材料之後，藉由以下步驟在該第一源極/汲極開口及該第二源極/汲極開口中形成多個源極/汲極區域： <br/>在該第一源極/汲極開口中依次形成一下源極/汲極區域、一介電結構及一上源極/汲極區域；及 <br/>藉由在該第二源極/汲極開口中形成一源極/汲極區域來填充該第二源極/汲極開口。
如請求項2所述的方法，進一步包含以下步驟：在形成該些源極/汲極區域之後： <br/>用一第一替代閘極結構替換該第一虛設閘極結構；及 <br/>用一第二替代閘極結構替換該第二虛設閘極結構。
如請求項3所述之方法，其中替換該第一虛設閘極結構之步驟包含以下步驟： <br/>移除該第一虛設閘極結構； <br/>選擇性地移除該第一奈米結構中的該第一虛設材料，其中在選擇性地移除該第一奈米結構中的該第一虛設材料之後，該第一奈米結構的該下奈米結構中的該半導體材料保留且形成多個第一下通道區域，且該第一奈米結構的該上奈米結構中的該半導體材料保留且形成多個第一上通道區域； <br/>在該些第一下通道區域及該些第一上通道區域周圍形成一閘極介電材料； <br/>在該閘極介電材料及該些第一下通道區域周圍形成一第一下閘電極；及 <br/>在該閘極介電材料及該些第一上通道區域周圍形成第一上閘電極。
如請求項2所述的方法，其中該第一奈米結構及該第二奈米結構中的每一者進一步包含： <br/>一第一蝕刻終止層，位於該下奈米結構與該第二虛設材料之間；及 <br/>一第二蝕刻終止層，位於該上奈米結構與該第二虛設材料之間，其中該第一蝕刻終止層及該第二蝕刻終止層由該半導體材料形成，且其中該第一蝕刻終止層及該第二蝕刻終止層比該第二虛設材料薄。
一種半導體裝置的形成方法，該方法包含以下步驟： <br/>在該半導體裝置的一第一裝置區域中一形成奈米結構場效電晶體，包含以下步驟： <br/>在一第一鰭片上方形成一第一奈米結構，其中該第一奈米結構包含： <br/>一下奈米結構，包含與一或多個半導體材料層交錯的一或多個第一虛設材料層； <br/>一上奈米結構，位於該下奈米結構上方且包含與一或多個半導體材料層交錯的一或多個第一虛設材料層；及 <br/>一第二虛設材料，位於該下奈米結構與該上奈米結構之間； <br/>在該第一奈米結構上方形成一第一虛設閘極結構； <br/>在與該第一虛設閘極結構相鄰的該第一奈米結構中形成一第一源極/汲極開口； <br/>選擇性地移除位於該第一虛設閘極結構下方的該第二虛設材料，以在該第一奈米結構的該下奈米結構與該上奈米結構之間形成一縫隙； <br/>藉由在該縫隙中形成該半導體材料來部分填充該縫隙； <br/>在部分填充該縫隙之後，用該第一虛設材料填充該縫隙的一剩餘部分； <br/>在填充該縫隙的該剩餘部分之後，在該第一源極/汲極開口中形成一第一源極/汲極區域；及 <br/>在形成該第一源極/汲極區域之後，用一第一替代閘極結構替換該第一虛設閘極結構。
如請求項6所述的方法，其中部分填充該縫隙之步驟包含以下步驟：沿該第一奈米結構的該上奈米結構的多個外表面及沿該第一奈米結構的該下奈米結構的多個外表面磊晶生長該半導體材料。
如請求項6所述的方法，進一步包含以下步驟： <br/>在該半導體裝置的一第二裝置區域中形成一互補場效電晶體，包含以下步驟： <br/>在一第二鰭片上方形成一第二奈米結構，其中該第二奈米結構具有與該第一奈米結構相同的一結構； <br/>在該第二奈米結構上方形成一第二虛設閘極結構； <br/>在與該第二虛設閘極結構相鄰的該第二奈米結構中形成一第二源極/汲極開口； <br/>用一隔離結構替換位於該第二虛設閘極結構下方的該第二虛設材料； <br/>在替換該第二虛設材料之後，藉由在該第二源極/汲極開口中依次形成一下源極/汲極區域、一介電結構及一上源極/汲極區域來形成一第二源極/汲極區域；及 <br/>在形成該第二源極/汲極區域之後，用一第二替代閘極結構替換該第二虛設閘極結構。
一種半導體裝置，包含： <br/>一基板； <br/>一互補場效電晶體裝置，位於該基板的一第一區域上方，該互補場效電晶體裝置包含： <br/>一第一鰭片，位於該基板上方； <br/>複數個第一通道區域，垂直設置在該第一鰭片上方； <br/>複數個第二通道區域，垂直設置在該些第一通道區域上方； <br/>一隔離結構，位於該些第一通道區域與該些第二通道區域之間； <br/>多個第一源極/汲極區域，位於該些第一通道區域的相對端； <br/>多個第二源極/汲極區域，位於該些第二通道區域的相對端； <br/>一介電結構，位於該些第一源極/汲極區域與該些第二源極/汲極區域之間； <br/>一第一閘極結構，位於該些第一通道區域周圍；及 <br/>一第二閘極結構，位於該些第二通道區域周圍；及 <br/>一奈米結構場效電晶體裝置，位於該基板的一第二區域上方，該奈米結構場效電晶體裝置包含： <br/>一第二鰭片，位於該基板上方； <br/>複數個第三通道區域，垂直設置在該第二鰭片上方，其中該些第三通道區域的一最上通道區域與該些第二通道區域的一最上通道區域距該基板的垂直距離相同； <br/>多個第三源極/汲極區域，位於該些第三通道區域的相對端；及 <br/>一第三閘極結構，位於該些第三通道區域周圍。
如請求項9所述的半導體裝置，其中該些第三通道區域包含一第一通道層、一第二通道層及一第三通道層，其中該第二通道層位於該第一通道層與該第三通道層之間，其中該第一通道層及該第三通道層具有一相同厚度，其中該第二通道層的厚度不同於該第一通道層及該第三通道層的厚度。
一種多功能服務車，包含：<br/>一車輛單元；<br/>一救援電源單元，安裝於該車輛單元，並包括一電瓶、一救車電源線及一電瓶測試儀，該電瓶具有一正極及一負極，且內部所盛裝的電解液中添加適量之石墨烯溶液，該救車電源線其中一端分別連接該電瓶之正極與該負極，另一端分別設有一供並聯連接待救援車輛電瓶之快夾接頭，該電瓶測試儀設於該電瓶預定處，並具有一組可測試電瓶之探棒，可連接至待救援車輛電瓶進行測試；<br/>一車輪定位裝置，包括一連接於該車輛單元的主吊架、一對樞接於該主吊架兩側的撐托架、至少一對連接於該主吊架與該等撐托架之間的旋擺驅動件，以及一檢測單元，每一撐托架具有一可相對於該主吊架樞轉的主架桿，以及一對相交連接於該主架桿的托桿，啟動該等旋擺驅動件可帶動所對應的該等撐托架旋動，該檢測單元包括一對安裝於該主吊架的第一水平儀，以及兩對分別安裝於該等撐托架的第二水平儀，該等第一水平儀分別鄰近於該等撐托架，每一對第二水平儀分別安裝於該等主架桿且鄰近於所對應的該等托桿；及<br/>一清洗裝置，安裝於該車輛單元，並包括一集水箱、至少一連接於該集水箱的噴頭單元，以及一過濾單元，該集水箱內部盛裝清洗液並提供該噴頭單元噴出進行清洗，該過濾單元可回收及過濾清洗液。
如請求項1所述的多功能服務車，其中，該車輪定位裝置還包括一對分別設置於該主吊架與該撐托架之間的萬向樞轉頭。
如請求項2所述的多功能服務車，其中，該車輛單元包括一車頭、一連接該車頭的車斗、一設置於該車斗的收集槽體，以及一設置於該車斗且圍繞於該收集槽體周邊的軌道組，該收集槽體具有一底壁及多數圍壁，該底壁與該等圍壁共同界定出一連通至該過濾單元的凹槽，該軌道組具有多數分別設置於該等圍壁頂端且彼此互相連通的軌道，該噴頭單元具有一可沿該等軌道移動的滑座、一樞接於該滑座的導架、一可相對於該導架伸縮的出水管、一連接於該出水管的噴水頭、一連接於該集水箱的萬向接頭，以及一連接於該滑座與該萬向接頭之間的延伸管，該噴頭單元可沿該等軌道滑動。
如請求項3所述的多功能服務車，其中，該車輛單元還包括一對呈間隔設置且固定於該車斗兩側的滑軌，該多功能服務車還包含一伸縮罩單元，該伸縮罩單元包括一可沿該等滑軌滑動的伸縮框架，以及一罩設於該伸縮框架的遮罩，該等滑軌沿一橫軸向延伸，該車斗沿該橫軸向位於該車頭的後側。
如請求項3所述的多功能服務車，其中，該清洗裝置的噴頭單元還具有一設置於該滑座與該導架之間的活動接頭，該導架可相對於該滑座轉動。
一種玻璃基板塞孔夾具系統，其特徵在於：包括擋邊夾具模組、下擋邊模組和滑動夾板模組，該擋邊夾具模組包括擋邊元件、機架元件和夾緊元件，該夾緊元件設置在該機架元件上，該擋邊元件設置在該夾緊元件上，該擋邊元件包括擋邊框架和彈性夾緊擋邊件，通過該彈性夾緊擋邊件，玻璃基板固定在該擋邊框架上，通過該夾緊元件夾緊該擋邊框架和驅動該彈性夾緊擋邊件夾緊和鬆開玻璃基板，該下擋邊模組和該滑動夾板模組設置在塞孔機中，該下擋邊模組用於夾緊位於該擋邊框架上的玻璃基板的下端，該滑動夾板模組用於夾緊固定有玻璃基板的該擋邊框架的上端；<br/> 其中，該滑動夾板模組包括第一滑動元件、第二滑動元件和移動夾板座元件，該第一滑動元件與塞孔機連接，該第二滑動元件與該第一滑動元件連接，該移動夾板座元件與該第二滑動元件連接，該第一滑動元件和該第二滑動元件用於驅動該移動夾板座元件移動，該移動夾板座元件用於夾緊擋邊框架；<br/> 其中該下擋邊模組包括支撐元件和下擋邊元件，該支撐元件設置在塞孔機底部，該下擋邊元件設置在該支撐元件上，通過該支撐元件驅動該下擋邊元件升降，通過該下擋邊元件夾緊玻璃基板下端。
如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該彈性夾緊擋邊件包括三個活動擋邊和彈簧蝶形鉸鏈，該擋邊框架下端敞口設置，三個該活動擋邊均通過該彈簧蝶形鉸鏈連接在該擋邊框架的三個側邊上。
如申請專利範圍第2項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該夾緊元件包括大板、玻璃基板墊板、定位塊、頂升氣缸和回轉夾緊氣缸，該大板設置在該機架元件頂部，該定位塊和該玻璃基板墊板設置在該大板上，該頂升氣缸設置在該大板下側面，通過該頂升氣缸驅動該活動擋邊翻轉以夾緊和放開玻璃基板，該定位塊用於定位該擋邊框架，該玻璃基板墊板位於該擋邊框架中，用於支撐起玻璃基板，該回轉夾緊氣缸設置在該大板上，通過該回轉夾緊氣缸夾緊和放開該擋邊框架。
如申請專利範圍第3項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該大板上設置有頂升孔，該頂升氣缸與該頂升孔對應設置，該大板上於該擋邊框架外側設置有用於拿取該擋邊框架的手扣槽。
如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該第一滑動元件包括導軌底板、滑動底板、第一導軌和第一無桿氣缸，該導軌底板與塞孔機連接，該第一導軌設置在該導軌底板下側面，該滑動底板通過滑塊滑動安裝在該第一導軌上，該第一無桿氣缸安裝在該導軌底板上，並與該滑動底板連接，通過該第一無桿氣缸驅動該滑動底板沿該第一導軌移動。
如申請專利範圍第5項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該第二滑動元件包括第二導軌和第二無桿氣缸，該第二導軌和該第二無桿氣缸設置在該滑動底板下側面，該移動夾板座元件通過滑塊滑動設置在該第二導軌上，並與該第二無桿氣缸連接，通過該第二無桿氣缸驅動該移動夾板座元件移動。
如申請專利範圍第6項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該移動夾板座元件包括移動板、夾板座和夾板氣缸，該移動板通過滑塊滑動設置在該第二導軌上，並與該第二無桿氣缸連接，該夾板座與該移動板連接，該夾板氣缸設置有多個，各該夾板氣缸間隔設置在該夾板座上，該夾板氣缸和該夾板座之間用於夾設擋邊框架。
如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板塞孔夾具系統，其中該支撐元件包括第一伸縮氣缸和安裝座，該安裝座與該第一伸縮氣缸連接，該下擋邊元件包括底板、軟膠座、導向軸和第二伸縮氣缸，該底板與該安裝座連接，該軟膠座設置有兩個，該導向軸設置在該底板上，兩個該軟膠座相對設置，且均滑動設置在該導向軸上，各該軟膠座均連接有該第二伸縮氣缸，通過該第二伸縮氣缸驅動兩個該軟膠座相互靠近和遠離，以夾緊和放鬆玻璃基板。
一種可分解雙功能推車，包含：<br/> 一推車單元，包括一車架組、至少一能擺動地設置於該車架組且能轉動的前輪組、一能轉動地設置於該車架組的後輪組，及一能擺動地設置於該車架組並用來供握持的操控桿組，該車架組具有一適用以承載物品的承載面，該操控桿組能被操作而連動該至少一前輪組相對該車架組擺動，該至少一前輪組與該後輪組沿一前後方向間隔設置；<br/> 一轉接單元，設置於該車架組，並包括一連接該車架組的轉接架、一能轉動地設置於該轉接架的橫桿、二能相對該車架組擺動的擺動桿，及一設置於該轉接架及該車架組間的傾斜組，該橫桿沿一第一軸線延伸，該等擺動桿能以該第一軸線為軸心擺動，該傾斜組具有一設置於該車架組的第一旋轉件，及一設置於該第一旋轉件及該轉接架間的第二旋轉件，該第二旋轉件能以一第二軸線為軸心相對該第一旋轉件擺動；及<br/> 一驅動單元，包括一能裝卸地設置於該轉接單元且用來供該等擺動桿連接的外殼、一設置於該外殼且用來供站立的踏板組，及一設置於該外殼且用來提供動力的動力輪組；<br/> 該可分解雙功能推車能被操作而在一動力狀態，及一人力狀態變換，在該動力狀態時，該驅動單元連接該轉接單元，並與該推車單元沿該前後方向間隔設置，該推車單元能受該驅動單元驅動，在該人力狀態時，該驅動單元自該轉接單元卸離，該推車單元能受操作者驅動。
如請求項1所述的可分解雙功能推車，其中，該車架組具有一車體架、一能拆卸地設置於該車體架的底撐板，及一能拆卸地設置於該車體架的上蓋，該車體架、該底撐板，及該上蓋共同圍繞界定出一能容置該驅動單元的容置空間，該上蓋具有該承載面。
如請求項1所述的可分解雙功能推車，其中，該推車單元還包括一設置於該車架組及該轉接單元中至少其中一者的固定組，該固定組具有至少一用來使該等擺動桿定位於該車架組的固接件，在該人力狀態時，該固定組連接該車架組及該等擺動桿。
如請求項1所述的可分解雙功能推車，其中，該傾斜組被配置為萬向接頭組。
如請求項1所述的可分解雙功能推車，其中，該推車單元包括二前輪組，該等前輪組沿一左右方向間隔設置，每一該前輪組具有一能擺動地設置於該車架組的樞接件、一連接該樞接件的連動件，及一能轉動地設置於該連動件的前滾輪。
如請求項5所述的可分解雙功能推車，其中，該推車單元還包括一設置於該前輪組及該操控桿組間的同步組，該同步組能連動該等前輪組朝同一方向滾動。
如請求項6所述的可分解雙功能推車，其中，該同步組具有一連接該操控桿組的主連桿、一能轉動地設置於該車架組的副連桿、一連接該主連桿及該副連桿的同動桿，及二分別連接於該等前輪組的該等連動件的同接桿，該等同接桿連接該副連桿。
如請求項1所述的可分解雙功能推車，其中，該操控桿組具有一設置於該車架組且用來供握持的推桿，該推桿具有一樞接於該車架組的下桿段，及一能擺動地連接該下桿段的上桿段，該上桿段能被操作而在一直立位置及一收折位置間擺動，在該直立位置時，該上桿段及該下桿段沿一上下方向延伸且共軸線，在該收折位置時，該上桿段與該下桿段夾一角度且鄰近該承載面。
一種充放電控制方法，其中，所述充放電控制方法由充放電控制電路中的處理器執行，所述充放電控制電路包括第一接口模組、開關模組、第二接口模組、狀態切換模組和所述處理器；所述第一接口模組的L端通過所述開關模組與所述第二接口模組的L端連接；所述第一接口模組的N端通過所述開關模組與所述第二接口模組的N端連接；所述開關模組用於分別控制所述第一接口模組L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間的通斷；所述第二接口模組用於與車端電連接，所述第一接口模組、開關模組、第二接口模組均與處理器電連接，所述第一接口模組用於接入負載或電源；所述狀態切換模組包括用於適配充電模式的第一識別電阻單元、用於適配放電模式的第二識別電阻單元和第一開關，所述第一開關用於控制所述第一識別電阻單元或所述第二識別電阻單元與所述第二接口模組電連接；<br/> 所述充放電控制方法包括：<br/> 設置初始狀態，所述初始狀態包括所述第一接口模組的L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間斷開，控制所述第二識別電阻單元接入所述第二接口模組；<br/> 檢測所述第一接口模組的L端、N端的電壓訊號和所述第二接口模組的L端、N端的電壓訊號；<br/> 若所述第一接口模組的L端、N端存在電壓訊號，且所述第二接口模組的L端、N端不存在電壓訊號，則控制所述車端進入充電模式，包括：；<br/> 若所述第一接口模組的L端、N端存在電壓訊號，且所述第二接口模組的L端、N端存在電壓訊號，控制所述第一開關的狀態，使所述第一識別電阻單元接入所述第二接口模組；<br/> 再次檢測所述第一接口模組的L端、N端的電壓訊號和所述第二接口模組的L端、N端的電壓訊號；<br/> 若所述第一接口模組的L端、N端存在電壓訊號，且所述第二接口模組的L端、N端不存在電壓訊號，則控制所述車端進入充電模式；<br/> 若所述第一接口模組L端、N端不存在電壓訊號，且第二接口模組的L端、N端存在電壓訊號，則控制所述車端進入放電模式。
如請求項1所述的充放電控制方法，其中，所述負載包括車輛負載，及非車輛負載；所述非車輛負載通過排插與所述第一接口模組電連接；所述車輛負載通過配件充電槍與所述第一接口模組電連接，所述排插包括第一分壓識別電阻； <br/> 所述充放電控制電路還包括類型檢測模組，所述類型檢測模組用於根據所述第一分壓識別電阻輸出AD值；<br/> 所述控制所述車端進入放電模式，包括：<br/> 獲取所述類型檢測模組輸出的AD值，根據所述AD值判斷所述第一接口模組接入所述車輛負載或所述非車輛負載；<br/> 若所述第一接口模組接入所述車輛負載，則控制所述車端進入為所述車輛負載放電模式；<br/> 若所述第一接口模組接入所述非車輛負載，則控制所述車端進入為所述非車輛負載放電模式；<br/> 控制所述第一接口模組的L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間接通。
如請求項1所述的充放電控制方法，其中，所述負載包括車輛負載，及非車輛負載；所述非車輛負載通過排插與所述第一接口模組電連接；所述車輛負載通過配件充電槍與所述第一接口模組電連接，所述排插包括溫感IC；所述充放電控制電路還包括類型檢測模組，所述類型檢測模組用於獲取所述溫感IC輸出的數位資料；<br/> 所述控制所述車端進入放電模式，包括：<br/> 獲取所述溫感IC輸出的數位資料，根據所述數位資料判斷所述第一接口模組接入所述車輛負載或所述非車輛負載；<br/> 若所述第一接口模組接入所述車輛負載，則控制所述車端進入為所述車輛負載放電模式；<br/> 若所述第一接口模組接入所述非車輛負載，則控制所述車端進入為所述非車輛負載放電模式；<br/> 控制所述第一接口模組的L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間接通。
如請求項2所述的充放電控制方法，其中，所述控制所述車端進入為所述車輛負載放電模式，包括：<br/> 檢測所述第二接口模組的訊號端是否有第二PWM訊號；<br/> 若所述第二接口模組的訊號端有所述第二PWM訊號，則根據所述第二PWM訊號，輸出第二目標PWM訊號至所述車輛負載。
如請求項1所述的充放電控制方法，其中，<br/> 所述電源包括充電樁或電網；<br/> 所述控制所述車端進入充電模式，包括：<br/> 檢測所述第一接口模組的訊號端是否有第一PWM訊號；<br/> 若所述第一接口模組的訊號端有所述第一PWM訊號，則控制所述車端進入充電樁充電模式；<br/> 若所述第一接口模組的訊號端無所述第一PWM訊號，則控制所述車端進入電網充電模式。
如請求項5所述的充放電控制方法，其中，<br/> 所述充放電控制電路還包括第一訊號檢測模組，第一訊號檢測模組包括第一場效電晶體，所述第一場效電晶體的閘極用於接收所述第一接口模組的訊號端的電壓訊號，所述第一場效電晶體的汲極通過第一電阻與所述處理器電連接，所述第一場效電晶體的汲極通過上拉電阻輸入供電電壓，所述第一場效電晶體的源極接地；<br/> 所述控制所述車端進入充電樁充電模式，包括：<br/> 通過所述第一訊號檢測模組獲取所述第一PWM訊號的佔空比和頻率；<br/> 根據所述第一PWM訊號的佔空比和頻率，輸出第一目標PWM訊號至所述車端。
如請求項5所述的充放電控制方法，其中，所述第一接口模組用於通過三孔插頭接入所述電網，所述控制所述車端進入電網充電模式，包括：<br/> 識別所述三孔插頭的類型並檢測所述三孔插頭的容量；<br/> 根據所述三孔插頭的容量，輸出第三目標PWM訊號至所述車端。
一種充放電控制電路，其包括：第一接口模組、開關模組、第二接口模組和處理器，所述第一接口模組的L端通過所述開關模組與所述第二接口模組的L端連接；所述第一接口模組的N端通過所述開關模組與所述第二接口模組的N端連接；所述開關模組用於分別控制所述第一接口模組L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間的通斷；所述第二接口模組用於與車端電連接，所述第一接口模組、所述開關模組、所述第二接口模組均與所述處理器電連接，所述第一接口模組用於接入負載或電源；所述狀態切換模組包括用於適配充電模式的第一識別電阻單元、用於適配放電模式的第二識別電阻單元和第一開關，所述第一開關與所述處理器電連接，所述第一開關用於根據所述處理器的控制，控制所述第一識別電阻單元或所述第二識別電阻單元與所述第二接口模組電連接；<br/> 所述處理器被配置為：設置初始狀態，所述初始狀態包括控制所述第一接口模組的L端、N端與所述第二接口模組的L端、N端之間斷開，控制所述第二識別電阻單元接入所述第二接口模組； <br/> 若所述第一接口模組的L端、N端存在電壓訊號，且所述第二接口模組的L端、N端存在電壓訊號，控制所述第一開關的狀態，使所述第一識別電阻單元接入所述第二接口模組；<br/> 再次檢測所述第一接口模組的L端、N端的電壓訊號和所述第二接口模組的L端、N端的電壓訊號；<br/> 若所述第一接口模組的L端、N端存在電壓訊號，且所述第二接口模組的L端、N端不存在電壓訊號，則控制所述車端進入充電模式。
如請求項8所述的充放電控制電路，其中，還包括第一訊號檢測模組，所述第一訊號檢測模組包括第一場效電晶體，所述第一場效電晶體的閘極用於接收所述第一接口模組的訊號端的電壓訊號，所述第一場效電晶體的汲極通過第一電阻與所述處理器電連接，所述第一場效電晶體的汲極通過上拉電阻輸入供電電壓，所述第一場效電晶體的源極接地。
如請求項8所述的充放電控制電路，其中，還包括類型檢測模組，所述類型檢測模組包括第二電阻，所述類型檢測模組工作時，所述第二電阻的一端輸入供電電壓，所述第二電阻的另一端與所述第一接口模組的訊號端電連接；<br/> 所述第一接口模組接入所述負載或電源時，所述第一接口模組通過配件與所述負載或電源電連接，所述配件包括三孔插頭、排插和配件充電槍中的至少一種，所述三孔插頭和所述排插中的至少一個設有分壓識別電阻，所述分壓識別電阻的一端與所述第一接口模組的訊號端電連接，所述分壓識別電阻的另一端接地；<br/> 所述處理器用於獲取所述第一接口模組的訊號端的AD值。
如請求項8所述的充放電控制電路，其中，還包括類型檢測模組，所述類型檢測模組包括穩壓二極體、箝位二極體、第四電阻和濾波電容；所述穩壓二極體的正極接地，所述穩壓二極體的負極與第一接口模組的訊號端電連接，所述穩壓二極體的負極通過所述第四電阻與所述箝位二極體的第一端電連接，所述箝位二極體的第二端接地，所述箝位二極體的第三端接入供電電壓，所述箝位二極體的第三端通過濾波電容接地，所述箝位二極體的第三端通過第五電阻與所述箝位二極體的第一端電連接；<br/> 所述第一接口模組接入所述負載或電源時，所述第一接口模組通過配件與所述負載或電源電連接，所述配件包括三孔插頭、排插和配件充電槍中的至少一種，所述三孔插頭和所述排插中至少一個設有溫感IC，所述溫感IC與所述第一接口模組的訊號端電連接；<br/> 所述處理器用於獲取所述第一接口模組的訊號端的數位資料。
如請求項8所述的充放電控制電路，其中，還包括訊號生成模組，所述訊號生成模組包括第一三極體、第二三極體、第三三極體和第四三極體，所述第一三極體的基極輸入供電電壓，所述第一三極體的集極與所述第三三極體的基極電連接，所述第一三極體的射極和所述第二三極體的射極接入所述處理器的不同端口，所述第二三極體的基極接地，所述第二三極體的集極與所述第四三極體的基極電連接，所述第四三極體的射極輸入第二電壓，所述第四三極體的集極與所述第三三極體的集極電連接，所述訊號生成模組工作時，所述第四三極體的集極與所述第一接口模組的訊號端、或與所述第二接口模組的控制引導端電連接，所述第三三極體的射極輸入第一電壓。
一種充放電一體槍，包括車端充放電槍體及配件，所述車端充放電槍體包括如請求項8至12中任一所述的充放電控制電路；所述配件與第一接口模組適配，所述配件包括三孔插頭、排插和配件充電槍中的至少一種。
一種以III-V多接面電極進行連續水分解之光催化氫氣產生裝 <br/>置，係包括： <br/>一第一面板，為可透光材料； <br/>一第一電極，設置於該第一面板下方一端，係由III-V族金屬、或金屬氧化物系催化材料以有機金屬化學氣相沉積法（Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）磊晶複合成為光催化之III-V多接面電極，該第一電極係由n型（n type）與p型（p type）之砷化鎵（GaAs）、磷化銦鎵（InGaP）、磷化鋁銦鎵（AlInGaP）及磷化鋁銦（AlInP）組成多層結構，該多層結構為含有基板（Substrate）/緩衝層（Buffer）/底部電池（Bottom cell）/穿隧接面（Tunnel junction）/頂部電池（Top cell）/防腐蝕層組成，該第一電極與該第一面板之間距離有一間隔以形成一空間，該空間設置有一電解質層； <br/>一隔離膜，設置於該第一電極下方，係為可讓質子（H<sup>+</sup>）透過之材料；以及 <br/>一第二電極，設置於該隔離膜下方，為還原產氫材料，係由1～90 wt%之鈦系金屬、或金屬氧化物系催化材料與鉑（Pt）、鈀（Pd）、釕（Ru）、銠（Rh）、銥（Ir）、或鈷鉬（CoMo）合金系催化材料製備成一網狀電極。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一面板係為石英、派熱克斯（pyrex）玻璃、聚碳酸酯（PC）或透明壓克力。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該電解質層係為水溶液或含電解質試劑之電解液。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該隔離膜係為納菲薄膜（nafion）。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一電極及該第二電極間設置一導線形成導通迴路。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一電極及該第二電極處下方各設置一液體循環進樣口。
依申請專利範圍第6項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該液體循環進樣口內部設有一擴散岐管，其管端延伸至該第一電極與該第二電極。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一電極及該第二電極處上方各設置一液體循環出樣口。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一電極上方係進一步增設一高聚光透鏡。
依申請專利範圍第1項所述之以III-V多接面電極進行連續水分 <br/>解之光催化氫氣產生裝置，其中，該第一電極與該第二電極上方處設置一具有7~15度傾斜角度之氣體取樣口。
一種球體成型系統，其包括：<br/> 一輸送模組，其被配置成用於承載至少兩成型組件且沿一輸送路徑輸送該至少兩成型組件；<br/> 至少一注料模組，其鄰近於該輸送模組，該至少一注料模組被配置成用於將一殼層料材提供至該至少兩成型組件中；<br/> 至少一檢測模組，其鄰近於該輸送模組，該至少一檢測模組被配置成用於擷取該至少兩成型組件中之該殼層料材之一即時影像；<br/> 一組合模組，其鄰近於該輸送模組，該組合模組被配置成用於將該至少兩成型組件與一球心件進行一結合動作，以形成一預定球體；以及<br/> 一控制模組，其連接該輸送模組、該至少一注料模組、該至少一檢測模組以及該組合模組，該控制模組被配置成用於根據該即時影像是否符合一評斷標準，以判斷是否驅使該組合模組進行該結合動作。
如請求項1所述之球體成型系統，其中，當該至少一檢測模組判斷多個該即時影像符合該評斷標準時，該控制模組據以驅使該組合模組進行該結合動作；或者，當該控制模組接收多個該即時影像且判斷多個該即時影像符合該評斷標準時，該控制模組據以驅使該組合模組進行該結合動作。
如請求項2所述之球體成型系統，其中，當該至少一檢測模組判斷該即時影像是否符合該評斷標準時，該至少一檢測模組判斷該即時影像中的一待測影像特徵與一基準影像特徵的偏差程度是否超出一容許範圍；或者，當該控制模組判斷該即時影像是否符合該評斷標準時，該控制模組判斷該即時影像中的該待測影像特徵與該基準影像特徵的偏差程度是否超出該容許範圍。
如請求項3所述之球體成型系統，其中，該待測影像特徵為從該即時影像中獲取的對應經該至少兩成型組件之一預定區域的一影像區塊的灰階值或灰階分布，該基準影像特徵為根據一標準影像所設定的基準灰階值或灰階分布。
如請求項3所述之球體成型系統，其中，當該至少一檢測模組判斷該即時影像是否符合該評斷標準時，該至少一檢測模組辨識該即時影像而獲得一辨識數據，判斷其與一基準數據的偏差程度是否超出一容許範圍；或者，當該控制模組判斷該即時影像是否符合該評斷標準時，該控制模組辨識該即時影像而獲得該辨識數據，判斷其與該基準影像特徵的偏差程度是否超出該容許範圍。
如請求項5所述之球體成型系統，其中，該辨識數據包括一氣泡數量、一紋路數值以及一尺寸數值中之至少一者。
如請求項1所述之球體成型系統，其中，當該至少一檢測模組判斷至少一該即時影像不符合該評斷標準時，該控制模組據以驅使該輸送模組停止運作。
如請求項1所述之球體成型系統，其中，當該控制模組接收多個該即時影像且判斷至少一該即時影像不符合該評斷標準時，該控制模組據以驅使該輸送模組停止運作。
如請求項1所述之球體成型系統，其中，該至少一檢測模組包括：<br/> 一影像擷取元件，其鄰近於該輸送模組且連接該控制模組，該影像擷取元件被配置成用於擷取該至少兩成型組件中之該殼層料材之該即時影像；以及<br/> 一感測元件，其連接於該控制模組與該影像擷取元件，該感測元件被配置成用於偵測該至少兩成型組件是否接近該影像擷取元件，以判斷是否驅使該影像擷取元件進行擷取影像。
如請求項9所述之球體成型系統，其中，該至少一檢測模組還進一步包括至少一照明元件，其鄰近於該輸送模組，該至少一照明元件被配置成用於投射一照明光束至該至少兩成型組件。
一種緩衝體成型機，適宜一蜂窩芯沿著一拉伸方向連續壓送，並經過一入料階段、一定型階段及一回彈階段而使得該蜂窩芯成為一緩衝體，該蜂窩芯包括複數個沿一寬度方向伸長之片材，該等片材沿一垂直於該寬度方向之拉伸方向排列，各該片材具有複數個接合部位及複數個未接合部位，該等未接合部位與該等接合部位沿該寬度方向交錯排列，就每一對相鄰之該等片材而言，其中一該片材之該等接合部位各別地與另一該片材之該等接合部位結合，各該等對應之接合部位之結合處形成一厚圍繞壁，該成型機包含：<br/> 一機架；及<br/> 一輥軋單元，安裝於該機架，並包括至少二沿著該拉伸方向呈間隔設置的摩擦輪組，其中一摩擦輪組具有一沿一垂直於該拉伸方向之高度方向排列的第一上輥軋摩擦輪與一第一下輥軋摩擦輪，該第一上輥軋摩擦輪與該第一下輥軋摩擦輪之間界定出一入料區間，另一摩擦輪組具有沿該高度方向排列的一第二上輥軋摩擦輪與一第二下輥軋摩擦輪，該第二上輥軋摩擦輪與該第二下輥軋摩擦輪之間界定出一出料區間，該出料區間的一間距與該入料區間的一間距的比率高於70%，該入料區間的該間距是該等片材沿該高度方向的該高度的90%~95%，該出料區間的該間距是該等片材沿該高度方向的該高度的70%~75%。
如請求項1所述的緩衝體成型機，更包含一推料單元，安裝於該機架且沿著該拉伸方向位於該輥軋單元上游，該推料單元具有一可驅動的轉輪，以及多數圍繞安裝於該轉輪且呈間隔設置的撥桿，啟動該推料單元可驅動該轉輪以及該等撥桿轉動，該等撥桿轉動時伸入各相鄰兩個片材之間，並沿著該拉伸方向推送該蜂窩芯進入該輥軋單元進行壓送。
如請求項2所述的緩衝體成型機，其中，該輥軋單元還包括設置於該第一上輥軋摩擦輪與該第二上輥軋摩擦輪之間的一上輔助輥軋摩擦輪，以及設置於該第一下輥軋摩擦輪與該第二下輥軋摩擦輪之間的一下輔助輥軋摩擦輪，該上輔助輥軋摩擦輪與該下輔助輥軋摩擦輪沿該高度方向排列，該上輔助輥軋摩擦輪與該下輔助輥軋摩擦輪界定出一輔助區間，該輔助區間於該高度方向之間距小於該入料區間之該間距且大於該出料區間之該間距。
如請求項3所述的緩衝體成型機，其中，該輔助區間於該高度方向的一間距是該等片材沿該高度方向的該高度的80%~85%。
如請求項2所述的緩衝體成型機，還包含一安裝於該機架的驅動單元，該驅動單元可驅動該輥軋單元的該等摩擦輪組轉動，也可驅動該推料單元的轉輪轉動。
如請求項1所述的緩衝體成型機，還包含一設置於該機架且位於該輥軋單元一側的撕斷單元，該撕斷單元具有一撕斷驅動件，以及多數受該撕斷驅動件連動的插桿，該撕斷驅動件帶動該等插桿伸入至相鄰兩個片材之間，在該緩衝體持續受該輥軋單元壓送且朝該機架外部輸出的同時，可將該緩衝體撕斷。
如請求項6所述的緩衝體成型機，其中，該撕斷單元還具有一安裝於該機架的感測件，該感測件可偵測該等插桿位動作前是遠離於要自該機架輸出的該緩衝體。
一種時脈及資料恢復電路，包含： <br/> 一相位檢測器，包含： <br/> N個取樣器，使用N個時脈對一資料訊號進行取樣以產生複數個取樣值，其中N為大於1的一整數；及 <br/> N個比較器，其中N個比較器中的一比較器比較該資料訊號的一相位與N個時脈中的一選定時脈的一相位；及 <br/> 一資料排序器，耦接到該相位檢測器，判斷該複數個取樣值的一資料順序，並依據該資料順序及一保證轉換沿（promised transition edge），選擇性停用該N個比較器。
如請求項1所述之電路，另包含複數條控制線，耦接到該資料排序器及該相位檢測器，從該資料排序器向該相位檢測器傳輸複數個控制訊號，以選擇性停用該N個比較器。
如請求項1所述之電路，其中該資料排序器另以一循環方式啟用該N個比較器中的剩餘比較器。
如請求項1所述之電路，其中該資料排序器另以一恆定方式啟用該N個比較器中的剩餘比較器。
如請求項1所述之電路，其中該保證轉換沿出現在一前導序列中。
如請求項1所述之電路，其中該保證轉換沿出現在一資料封包的一分隔符(delimiter)欄位中。
如請求項1所述之電路，其中該保證轉換沿出現在一資料封包的一冗餘欄位中。
如請求項1所述之電路，其中該資料排序器另依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個取樣器。
如請求項8所述之電路，其中： <br/> 該N個取樣器包含取樣複數個轉換沿的複數個轉換取樣器；及 <br/> 該資料排序器依據該資料順序，從該複數個轉換取樣器中識別一目標轉換取樣器，該目標轉換取樣器取樣該保證轉換沿，及停用該複數個轉換取樣器中的剩餘轉換取樣器。
如請求項9所述之電路，其中：<br/> 該比較器耦接到該N個取樣器中的2個對應取樣器，比較2個相應的取樣值以產生一比較結果；及 <br/> 該資料排序器停用該N個比較器中未耦接到該目標轉換取樣器的任何比較器。
如請求項10所述之電路，其中： <br/> 該相位檢測器另包含N個儲存裝置，每個儲存裝置耦接到該N個比較器中的一對應比較器以儲存來自該對應比較器的一比較結果；及<br/> 該資料排序器另依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個儲存裝置。
如請求項11所述之電路，其中該資料排序器停用該N個儲存裝置中未耦接到該目標轉換取樣器的任何儲存裝置。
一種時脈及資料恢復方法，包含： <br/> 藉由N個取樣器使用N個時脈對一資料訊號進行取樣以產生複數個取樣值，其中N為大於1的一整數； <br/> 藉由N個比較器中的一比較器比較該資料訊號的一相位與該N個時脈中的一選定時脈的一相位； <br/> 藉由一資料排序器判斷該複數個取樣值的一資料順序；及 <br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序及一保證轉換沿，選擇性停用該N個比較器。
如請求項13所述之方法，其中一相位檢測器包含該N個取樣器及該N個比較器；及<br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用停用該N個比較器包含： <br/> 藉由該資料排序器通過複數條控制線向該相位檢測器傳輸複數個控制訊號，以，選擇性停用該N個比較器。
如請求項13所述之方法，另包含藉由該資料排序器以一循環方式啟用該N個比較器中的剩餘比較器。
如請求項13所述之方法，另包含藉由該資料排序器以一恆定方式啟用該N個比較器中的剩餘比較器。
如請求項13所述之方法，其中該保證轉換沿出現在一前導序列中。
如請求項13所述之方法，其中該保證轉換沿出現在一資料封包的一分隔符欄位中。
如請求項13所述之方法，其中該保證轉換沿出現在一資料封包的一冗餘欄位中。
如請求項13所述之方法，另包含： 藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個取樣器。
如請求項20所述之方法，其中該N個取樣器包含取樣轉換沿的複數個轉換取樣器；及<br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個取樣器包含：<br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序，從該複數個轉換取樣器中識別一目標轉換取樣器，該目標轉換取樣器取樣該保證轉換沿；及 <br/> 藉由該資料排序器停用該複數個轉換取樣器中的剩餘轉換取樣器。
如請求項21所述之方法，其中該比較器耦接到該N個取樣器中的2個對應取樣器，比較2個相應的取樣值以產生一比較結果；及 <br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個比較器包含：藉由該資料排序器停用該N個比較器中未耦接到該目標轉換取樣器的任何比較器。
如請求項22所述之方法，另包含： <br/> 藉由N個儲存裝置中的一儲存裝置儲存來自一對應比較器的一比較結果；及 <br/> 藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個儲存裝置。
如請求項23所述之方法，其中藉由該資料排序器依據該資料順序及該保證轉換沿，選擇性停用該N個儲存裝置包含： <br/> 藉由該資料排序器停用該N個儲存裝置中未耦接到該目標轉換取樣器的任何儲存裝置。
一種神經血管束識別方法，應用於電子設備，其中，所述方法包括：<br/> 從人體部位的磁振圖像中提取特徵資料，所述特徵資料包括尺度不同的第一特徵和第二特徵，所述第二特徵包括第三尺度特徵圖像，；<br/> 基於所述第二特徵提取所述磁振圖像的位置特徵，包括：將所述第三尺度特徵圖像分割為複數子特徵圖像，將所述複數子特徵圖像線性映射為N個D維特徵向量，藉由位置嵌入單元將每個子特徵圖像對應的D維特徵向量與預設的位置編碼按元素相加或拼接，得到所述磁振圖像的位置特徵；<br/> 對所述位置特徵和所述第二特徵進行融合，得到第一融合特徵；<br/> 對所述第一融合特徵和所述第一特徵進行融合，得到第二融合特徵；<br/> 基於所述第二融合特徵，識別所述磁振圖像中神經血管束的位置。
如請求項1所述之神經血管束識別方法，其中，所述從人體部位的磁振圖像中提取特徵資料，包括：<br/> 對所述磁振圖像進行卷積處理，得到所述磁振圖像的所述第一特徵和所述第二特徵，所述第一特徵包括第一尺度特徵圖像和第二尺度特徵圖像，所述第一尺度大於所述第二尺度，所述第二尺度大於所述第三尺度。
如請求項2所述之神經血管束識別方法，其中，所述對所述位置特徵和所述第二特徵進行融合，得到第一融合特徵，包括：<br/> 將所述位置特徵和所述第三尺度特徵圖像輸入注意力單元，得到所述第一融合特徵。
如請求項3所述之神經血管束識別方法，其中，所述將所述位置特徵和所述第三尺度特徵圖像輸入注意力單元，得到所述第一融合特徵，包括：<br/> 將所述位置特徵和所述第三尺度特徵圖像相加，得到輸入特徵；<br/> 將所述輸入特徵輸入所述注意力單元，藉由所述注意力單元分別計算所述輸入特徵的查詢矩陣、鍵矩陣及值矩陣；<br/> 基於所述查詢矩陣、所述鍵矩陣計算所述輸入特徵的權重矩陣；<br/> 基於所述輸入特徵的權重矩陣對所述值矩陣進行聚合，得到輸出矩陣，對所述輸出矩陣進行拼接，得到所述第一融合特徵。
如請求項2所述之神經血管束識別方法，其中，第二融合特徵包括第一子融合特徵、第二子融合特徵及第三子融合特徵，所述對所述第一融合特徵和所述第一特徵進行融合，得到第二融合特徵，包括：<br/> 對所述第一尺度特徵圖像和所述第二尺度特徵圖像進行融合得到第一中間特徵，對所述第一融合特徵和所述第一中間特徵進行融合得到所述第一子融合特徵；<br/> 對所述第一融合特徵和所述第二尺度特徵圖像進行融合得到第二中間特徵，對所述第二中間特徵和所述第一尺度特徵圖像進行融合得到所述第二子融合特徵；<br/> 對所述第一融合特徵、所述第一尺度特徵圖像及所述第二尺度特徵圖像進行融合得到所述第三子融合特徵。
如請求項5所述之神經血管束識別方法，其中，所述基於所述第二融合特徵，識別所述磁振圖像中神經血管束的位置，包括：<br/> 分別將所述第一子融合特徵、所述第二子融合特徵及所述第三子融合特徵輸入神經血管束識別模型，確定所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個目標邊界框。
如請求項6所述之神經血管束識別方法，其中，所述神經血管束識別模型包括第一目標檢測模型、第二目標檢測模型及第三目標檢測模型，所述分別將所述第一子融合特徵、所述第二子融合特徵及所述第三子融合特徵輸入神經血管束識別模型，確定所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個目標邊界框，包括：<br/> 將所述第一子融合特徵輸入所述第一目標檢測模型，確定所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個第一候選邊界框；<br/> 將所述第二子融合特徵輸入所述第二目標檢測模型，確定所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個第二候選邊界框；<br/> 將所述第三子融合特徵輸入所述第三目標檢測模型，確定所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個第三候選邊界框；<br/> 基於所述至少一個第一候選邊界框、所述至少一個第二候選邊界框及所述至少一個第三候選邊界框，得到所述磁振圖像中所述神經血管束對應的至少一個目標邊界框。
一種電子設備，其中，所述電子設備包括處理器和記憶體，所述記憶體用於存儲指令，所述處理器用於調用所述記憶體中的指令，使得所述電子設備執行請求項1至7中任一項所述之神經血管束識別方法。
一種電腦可讀存儲介質，其中，包括電腦指令，當所述電腦指令在電子設備上運行時，使得所述電子設備執行如請求項1至7中任一項所述之神經血管束識別方法。
一種處理紡織品的方法，以抑制毛細作用及／或提供持久撥水性，包含：<br/> 將前驅塗佈組成物施加於紡織品的至少一個表面；及<br/> 於常壓下使該前驅塗佈組成物固化於該紡織品的至少一個表面上而於該紡織品上形成疏水性塗層，其中：<br/> 該前驅塗佈組成物及該疏水性塗層不含氟；<br/> 該前驅塗佈組成物及該疏水性塗層不含水；及<br/> 該前驅塗佈組成物包括：<br/> A. 具有矽氫基之第一化學結構單元；<br/> B. 具有烯基之第二化學結構單元；及<br/> C. 金屬催化劑，促使該矽氫基與該烯基間產生氫矽化反應，以使該第一化學結構單元與該第二化學結構單元鍵結，其中該第一化學結構單元及該第二化學結構單元存在於不同化學物質，或存在於同一化學物質。
如請求項1所述的方法，更包含以下列步驟製備該前驅塗佈組成物：<br/> 製備具有該第一化學結構單元或該第二化學結構單元之其中一者的第一前驅組成物；及<br/> 將該第一前驅組成物與具有該第一化學結構單元或該第二化學結構單元之另外一者的第二前驅組成物結合。
如請求項1所述的方法，更包含以下列步驟製備該前驅塗佈組成物：<br/> 製備具有該第一化學結構單元的第一前驅組成物；<br/> 製備具有該第二化學結構單元及該金屬催化劑的第二前驅組成物；及<br/> 將該第一前驅組成物與第二前驅組成物結合成可固化混合物。
如請求項1所述的方法，更包含以下列步驟製備該前驅塗佈組成物：<br/> 製備具有雙官能基聚合物的聚合前驅組成物，該雙官能基聚合物含有具有該第一化學構造單元的第一單體及具有該第二化學構造單元的第二單體。
如請求項1所述的方法，更包含製備該前驅塗佈組成物的步驟，係藉由將該金屬催化劑導入：<br/> 第一前驅組合物；<br/> 第二前驅組合物；<br/> 該第一前驅組合物及該第二前驅組合物的可固化混合物；或<br/> 包含該雙官能基聚合物的聚合前驅組合物。
如請求項1所述的方法，更包含於形成該前驅塗佈組成物後，將該前驅塗佈組成物施加於該紡織品的至少一個表面的步驟，<br/> 其中，對於該紡織品的該至少一個表面的該前驅塗佈組成物的施加是在形成該前驅塗佈組成物後的指定時間內，其中該指定時間為形成後1小時以內。
如請求項1所述的方法，其中固化係以下列條件之一進行：<br/> 環境溫度20˚C至25˚C；或<br/> 高於25˚C且低於所形成之該疏水性塗層的熔點的升高溫度。
如請求項1所述的方法，其中該前驅塗佈組成物包括：<br/> 第一試劑，具有該至少一個矽氫基；<br/> 第二試劑，具有該至少一個烯基；及<br/> 有機金屬催化劑，<br/> 其中，<br/> 該第一試劑包括矽烷、氫矽氧烷或聚烷基氫矽氧烷；及<br/> 該第二試劑包括乙烯基、烯烴、丙烯酸酯矽烷、丙烯酸酯矽氧烷、二烯或聚二烯。
如請求項8所述的方法，其中該第二試劑亦包括烴基、丙烯酸酯基、矽氧烷基、矽烷基或其組合中的至少一種。
如請求項9所述的方法，更包含第三反應物，係為經乙烯基官能化之矽氧烷或經乙烯基官能化之矽膠。
如請求項1所述的方法，其中該前驅塗佈組成物更包含不帶有反應性官能基之惰性矽膠。
如請求項8所述的方法，包含以下列步驟形成該前驅塗佈組成物：<br/> 將該第二試劑及該第三試劑混合成第一混合物；<br/> 添加該有機金屬催化劑至該第一混合物；及<br/> 將該第一試劑與該第一混合物混合而形成該前驅塗佈組成物。
如請求項8所述的方法，更包含藉由按比例混合該第一試劑及該第二試劑而形成該前驅塗佈組成物，其中該比例的範圍為10:至1:10。
如請求項8所述的方法，更包含：<br/> 將該第一試劑與該第二試劑及該金屬催化劑結合，其中：<br/> 該第一試劑包括至少一個矽氫基，其中該第一試劑的含量為約0.5%至約99.5%重量百分比；<br/> 該第二試劑包括該至少一個烯基及一個烴基，其中該第二試劑的含量為約0.5%至約99.5%重量百分比；及<br/> 該金屬催化劑為有機金屬化合物，其催化該第一試劑與該第二試劑之間的氫矽化反應而形成該疏水性塗層。
如請求項8所述的方法，其中：<br/> 該第一試劑或該第二試劑之其中一者的含量的範圍為約20%至約95%重量百分比，且該第一試劑或該第二試劑之另外一者的含量的範圍為約80%至約5%重量百分比；或<br/> 該第一試劑或該第二試劑之其中一者的含量的範圍為約1%至約50%重量百分比，且該第一試劑或該第二試劑之另外一者的含量的範圍為約99%至約50%重量百分比。
如請求項8所述的方法，其中該第一試劑及該第二試劑以約10比1的比例混合。
如請求項1所述的方法，其中固化該塗佈材料為在750至775 mm Hg的氣壓範圍。
如請求項1所述的方法，其中固化該塗佈材料的不包括壓縮該基材以從該紡織品的孔隙中去除分子氧。
如請求項1所述的方法，其中該紡織品為具有纖維間孔隙的填料材料、不織布、或纖維狀紡織品。
如請求項19所述的方法，其中該纖維狀紡織品或該不織布包括針織、機織、簇絨、打結、鋪絮及／或纏結之纖維。
如請求項1所述的方法，其中該紡織品包含尼龍、尼龍混紡物、聚酯、聚酯混紡物、或其組合。
如請求項1所述的方法，其中該前驅塗佈組成物更包含塑化劑、穩定劑、潤滑劑、抑制劑、著色劑、及／或非水性溶劑。
如請求項8所述的方法，其中：<br/> 具有該至少一個矽氫鍵的該第一試劑為矽烷、烷基矽烷、二烷基矽烷、烷氧基矽烷、三烷基矽烷、芳基矽烷、苯基矽烷、芳烷基矽烷、二芳基矽烷、三芳基矽烷、二芳基烷基矽烷、氫矽氧烷、烷基氫矽氧烷共聚物、或氫矽氧烷共聚物；及<br/> 下列至少之一：<br/> 該第二試劑包括乙烯、丙烯、2-甲基丙烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、丁二烯、亞丙烷、戊二烯、或其組合；<br/> 該第二試劑包括乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸乙烯酯、巴豆酸乙烯酯、異丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、2-乙基己酸乙烯酯、己酸乙烯酯、或其組合；<br/> 該第二試劑包括己二酸酯、琥珀酸二乙烯酯、癸二酸二乙烯酯、鄰苯二甲酸二乙烯酯、對苯二甲酸二乙烯酯、馬來酸二乙烯酯、間苯二甲酸二乙烯酯、甲基膦酸二乙烯酯、碳酸二乙烯酯、二乙烯基醚、或其組合；<br/> 乙烯基官能化矽氧烷、乙烯基烷基矽氧烷、乙烯基苯基矽氧烷、或其共聚物；<br/> 該第二試劑包括選自乙烯、丙烯、丁烯、異丁烯、戊烯、己烯、辛烯、癸烯、異戊二烯、環己烯、雙環戊二烯、及其組合的烯烴；<br/> 該第二試劑包括烷基丙烯醯氧基烷基三烷氧基矽烷；<br/> 該第二試劑包括選自聚丁二烯、聚異戊二烯、聚氯丁二烯、聚戊二烯、聚(1,2-丁二烯)、聚(1,4-己二烯)、聚(1,5-環辛二烯)、或其組合之聚二烯；或<br/> 彼等之組合。
如請求項4所述的方法，其中該雙官能聚合物包括：聚乙烯基甲氧基矽氧烷共聚甲基氫矽氧烷、聚乙烯基乙氧基矽氧烷共聚苯基氫矽氧烷、聚乙烯基氯矽氧烷共聚甲基氫矽氧烷、聚乙烯基甲基矽氧烷共聚甲基氫矽氧烷、聚乙烯基乙氧基矽氧烷共聚苯基氫矽氧烷、聚乙烯基甲氧基矽氧烷共聚甲基氫矽氧烷、聚乙烯基異丙基矽氧烷共聚苯基氫矽氧烷、聚乙烯基苯基矽氧烷共聚甲基氫矽氧烷、聚乙烯基苯基矽氧烷共聚苯基氫矽氧烷或其組合。
一種交聯性彈性體組成物，其特徵為含有交聯性彈性體及表面被氧化之非氧化物系陶瓷填料，其中非氧化物系陶瓷填料為藉由在空氣中之熱處理、酸處理、臭氧處理或氧電漿處理，進行表面氧化而得者， <br/> 前述交聯性彈性體為四氟乙烯與全氟(烷基乙烯醚)的共聚物。
如請求項1之交聯性彈性體組成物，其中非氧化物系陶瓷填料為碳化矽。
如請求項1或2之交聯性彈性體組成物，其中非氧化物系陶瓷填料之平均粒徑為0.1μm以下。
一種氟橡膠成形品，其特徵為由如請求項1~3中任一項之交聯性彈性體組成物所製作，在下述條件之O<sub>2</sub>電漿照射後的重量減少率為2.5質量%以下，顆粒產生量為0.05質量%以下， <br/> NF<sub>3</sub>電漿照射後之重量減少率為1.8質量%以下，顆粒產生量為0.05質量%以下， <br/> 在300℃、70小時之壓縮永久變形為50%以下， <br/> 樣品：O形環(AS-568A-214) <br/> 測量方法： <br/> (1)O<sub>2</sub>電漿 <br/> 電漿照射裝置：ICP高密度電漿裝置(Samco股份公司製MODEL RIE-101iPH) <br/> 照射條件 <br/> 氣體流量 ：16SCCM <br/> RF輸出 ：400Wh <br/> 壓力 ：2.66Pa <br/> 蝕刻時間 ：30分鐘 <br/> 溫度 ：100℃ <br/> 相當於全氟彈性體(無填料)之蝕刻速度為12000Å/分鐘的條件， <br/> (2)NF<sub>3</sub>電漿 <br/> 電漿照射裝置：ICP高密度電漿裝置(Samco股份公司製MODEL RIE-101iPH) <br/> 照射條件 <br/> 氣體流量 ：16SCCM <br/> RF輸出 ：400Wh <br/> 壓力 ：10Pa <br/> 蝕刻時間 ：4小時 <br/> 溫度 ：200℃ <br/> 相當於矽晶圓熱氧化膜(SiO<sub>2</sub>)之蝕刻速度為90Å/分鐘的條件。
一種周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，包含：<br/>一第一上肢量測器，包括具有夾持力的一第一夾體，該第一夾體供夾持於人體上肢，該第一夾體有一第一夾持面，該第一夾持面上設有一第一心電圖量測電極與一第一光電容積圖量測元件；<br/>一第二上肢量測器，包括具有夾持力的一第二夾體，該第二夾體供夾持於人體上肢，該第二夾體有一第二夾持面，該第二夾持面上設有一第二心電圖量測電極與一第二光電容積圖量測元件；<br/>一第一下肢量測器，包括具有夾持力的一第三夾體，該第三夾體供夾持於人體下肢，該第三夾體有一第三夾持面，該第三夾持面上設有一第三心電圖量測電極與一第三光電容積圖量測元件；<br/>至少一壓脈帶，供纏綁於人體上肢或人體下肢的一肌肉部位，所述壓脈帶內建有一氣囊；<br/>至少一電刺激貼片；<br/>一控制單元，連接該第一心電圖量測電極、該第一光電容積圖量測元件、該第二心電圖量測電極、該第二光電容積圖量測元件、該第三心電圖量測電極、該第三光電容積圖量測元件、所述壓脈帶與所述電刺激貼片，該控制單元並電性連接一幫浦，透過一管路對所述氣囊充氣與洩氣；<br/>該控制單元藉由該第一心電圖量測電極、該第二心電圖量測電極及該第三心電圖量測電極獲得一心電圖訊號，該控制單元藉由該第一光電容積圖量測元件、該第二光電容積圖量測元件、該第三光電容積圖量測元件分別獲得一第一血液容積變化訊號、一第二血液容積變化訊號、一第三血液容積變化訊號，並由該心電圖訊號分別與該第一血液容積變化訊號、該第二血液容積變化訊號與該第三血液容積變化訊號之間的峰值訊號時間差而獲得一第一脈搏傳導時間、一第二脈搏傳導時間與一第三脈搏傳導時間，該控制單元根據該第一脈搏傳導時間、該第二脈搏傳導時間與該第三脈搏傳導時間與一時間預設值的一離差值，分別控制該氣囊的充氣或洩氣，並分別改變所述電刺激貼片的電刺激強度，或者，當人體其中一肢的該離差值最大時，控制該其中一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣以及控制至少另一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，進一步，有一第二下肢量測器，包括具有夾持力的一第四夾體，該第四夾體供夾持於人體下肢，該第四夾體有一第四夾持面，該第四夾持面上設有一第四心電圖量測電極與一第四光電容積圖量測元件，該控制單元連接該第四心電圖量測電極與該第四光電容積圖量測元件，該第四光電容積圖量測元件獲得一第四血液容積變化訊號，該控制單元並根據該心電圖訊號與該第四血液容積變化訊號之間的峰值訊號時間差而獲得一第四脈搏傳導時間，該控制單元根據該第一脈搏傳導時間、該第二脈搏傳導時間、該第三脈搏傳導時間及該第四脈搏傳導時間與該時間預設值的該離差值，分別控制該氣囊的充氣或洩氣，並分別改變所述電刺激貼片的電刺激強度，或者，當人體該其中一肢的該離差值最大時，控制該其中一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣以及控制至少另一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，所述壓脈帶具有一接觸面，前述電刺激貼片係設置於該接觸面。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，所述電刺激貼片係獨立於所述壓脈帶之外，並以一電源線連接該控制單元。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，所述壓脈帶具有一接觸面，至少其中一電刺激貼片係設置於該接觸面，至少另一電刺激貼片係獨立於所述壓脈帶之外，並以一電源線連接該控制單元。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，該氣囊設置有一洩壓閥，該控制單元連接該洩壓閥，控制該洩壓閥的開啟與關閉。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，所述壓脈帶有二個，分別纏綁於人體上肢與人體下肢，該控制單元控制所述壓脈帶的充氣與放氣，量測一上肢血壓與一下肢血壓，獲得一上下肢血壓比。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，所述壓脈帶有四個，其中二個纏綁於人體上肢，另二個纏綁於人體下肢，該控制單元控制所述壓脈帶的充氣與放氣，量測一上肢血壓與一下肢血壓，獲得一上下肢血壓比。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，當該控制單元控制該氣囊的充氣或洩氣時，係控制該其中一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣以及控制至少另一肢對應之該氣囊的充氣或洩氣，再控制全部該氣囊的充氣或洩氣，而成為一循環。
如請求項1所述之周邊循環即時偵測與個人化護理裝置，其中，有一警示單元訊號連接該控制單元；當該氣囊的充氣或洩氣次數達到一預設次數後，該控制單元再次取得該離差值，當原先的該離差值與再次取得的該離差值差異小於一預設差異值時，該控制單元控制該警示單元發出一警示。
一種記憶裝置，其具備： <br/>位元線； <br/>源極線； <br/>上述位元線與上述源極線之間之第1胞電晶體； <br/>上述第1胞電晶體與上述位元線之間之第2胞電晶體； <br/>上述第1胞電晶體與上述源極線之間之第3胞電晶體； <br/>第1字元線，其與上述第1胞電晶體之閘極連接； <br/>第2字元線，其與上述第2胞電晶體之閘極連接；及 <br/>第3字元線，其與上述第3胞電晶體之閘極連接；且 <br/>遍歷第1期間對上述源極線施加第1電壓； <br/>於上述第1期間內之第1時刻，對上述第2字元線及上述第3字元線之至少一者施加上述第1、第2、及第3胞電晶體之閾值電壓以上之第2電壓； <br/>於上述第1期間內較上述第1時刻晚之第2時刻，對上述第1字元線施加上述第1、第2、及第3胞電晶體之閾值電壓以上之第3電壓。
如請求項1之記憶裝置，其進而具備： <br/>上述位元線與上述第2胞電晶體之間之第1電晶體；及 <br/>上述源極線與上述第3胞電晶體之間之第2電晶體；且 <br/>於上述第1期間內，將上述第1電晶體及上述第2電晶體維持接通。
如請求項2之記憶裝置，其進而具備： <br/>上述第1電晶體與上述第2電晶體之間之第4胞電晶體；及 <br/>第4字元線，其與上述第4胞電晶體之閘極連接；且 <br/>於上述第1期間後之第3時刻，對上述第4字元線施加較上述第2電壓及上述第3電壓低之第4電壓； <br/>上述第2電壓自上述第1時刻施加於上述第2字元線及上述第3字元線，直至上述第3時刻之後為止； <br/>上述第3電壓自上述第2時刻施加於上述第1字元線，直至上述第3時刻之後為止。
如請求項3之記憶裝置，其中 <br/>上述第1電晶體及上述第2電晶體自上述第1期間維持接通，直至上述第3時刻之後為止。
如請求項4之記憶裝置，其進而具備： <br/>第5胞電晶體，其位於上述位元線與上述源極線之間，具有與上述第1字元線連接之閘極； <br/>上述位元線與上述第5胞電晶體之間之第3電晶體；及 <br/>上述源極線與上述第5胞電晶體之間之第4電晶體；且 <br/>於上述第1期間內，將上述第3電晶體及上述第4電晶體維持接通。
如請求項5之記憶裝置，其中 <br/>上述第3電晶體於上述第3時刻斷開。
如請求項6之記憶裝置，其進而具備： <br/>第6胞電晶體，其位於上述第5胞電晶體與上述第3電晶體之間，具有與上述第2字元線連接之閘極； <br/>第7胞電晶體，其位於上述第5胞電晶體與上述第4電晶體之間，具有與上述第3字元線連接之閘極；及 <br/>第8胞電晶體，其位於上述第3電晶體與上述第4電晶體之間，具有與上述第4字元線連接之閘極。
一種記憶裝置，其具備： <br/>位元線； <br/>源極線； <br/>上述位元線與上述源極線之間之第1胞電晶體； <br/>上述第1胞電晶體與上述位元線之間之第2胞電晶體； <br/>上述第1胞電晶體與上述源極線之間之第3胞電晶體； <br/>第1字元線，其與上述第1胞電晶體之閘極連接； <br/>第2字元線，其與上述第2胞電晶體之閘極連接；及 <br/>第3字元線，其與上述第3胞電晶體之閘極連接；且 <br/>遍歷第1期間對上述源極線施加第1電壓； <br/>於上述第1期間內，對上述第2字元線及上述第3字元線之至少一者施加上述第1、第2、及第3胞電晶體之閾值電壓以上之第2電壓； <br/>於上述第1期間內，對上述第1字元線施加上述第1、第2、及第3胞電晶體之閾值電壓以上之第3電壓； <br/>上述第2電壓於自電壓開始上升起經過第2期間之時刻達到上述第2電壓；且 <br/>上述第3電壓於自電壓開始上升起經過較上述第2期間長之第3期間之時刻達到上述第3電壓。
如請求項8之記憶裝置，其進而具備： <br/>上述位元線與上述第2胞電晶體之間之第1電晶體；及 <br/>上述源極線與上述第3胞電晶體之間之第2電晶體；且 <br/>於上述第1期間內，將上述第1電晶體及上述第2電晶體維持接通。
如請求項9之記憶裝置，其進而具備： <br/>上述第1電晶體與上述第2電晶體之間之第4胞電晶體；及 <br/>第4字元線，其與上述第4胞電晶體之閘極連接；且 <br/>於上述第1期間後之第1時刻，對上述第4字元線施加較上述第2電壓及上述第3電壓低之第4電壓； <br/>上述第2電壓自上述第1期間施加於上述第2字元線及上述第3字元線，直至上述第1時刻之後為止； <br/>上述第3電壓自上述第1期間施加於上述第1字元線，直至上述第1時刻之後為止。
如請求項10之記憶裝置，其中 <br/>上述第1電晶體及上述第2電晶體自上述第1期間維持接通，直至上述第1時刻之後為止。
如請求項11之記憶裝置，其進而具備： <br/>第5胞電晶體，其位於上述位元線與上述源極線之間，具有與上述第1字元線連接之閘極； <br/>上述位元線與上述第5胞電晶體之間之第3電晶體；及 <br/>上述源極線與上述第5胞電晶體之間之第4電晶體；且 <br/>於上述第1期間內，將上述第3電晶體及上述第4電晶體維持接通。
如請求項12之記憶裝置，其中 <br/>上述第3電晶體於上述第1時刻斷開。
如請求項13之記憶裝置，其進而具備： <br/>第6胞電晶體，其位於上述第5胞電晶體與上述第3電晶體之間，具有與上述第2字元線連接之閘極； <br/>第7胞電晶體，其位於上述第5胞電晶體與上述第4電晶體之間，具有與上述第3字元線連接之閘極；及 <br/>第8胞電晶體，其位於上述第3電晶體與上述第4電晶體之間，具有與上述第4字元線連接之閘極。
一種半導體裝置，包括：<br/> 複數個金屬化層，相對於複數個電晶體垂直設置且電性耦接該些電晶體，各該金屬化層包括彼此電性耦接的一金屬線和一金屬穿孔，且各該金屬線和各該金屬穿孔耦接至一阻障層，<br/> 其中該些金屬線和該些金屬穿孔基本上由一第一材料所組成，該第一材料包括銅、銀和碳，以及<br/> 其中該阻障層基本上由一第二材料所組成，該第二材料包括氮化鋯。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一材料中的銀的一含量與該第一材料的一總量以質量計的一比例大於30%。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該第一材料中的碳的一含量與該第一材料的一總量以質量計的一比例在3%至10%的範圍內。
如請求項1所述之半導體裝置，其中該些金屬化層的一最底部金屬化層中的一最底部穿孔透過一金屬接觸件電性耦接至該些電晶體中的一個，該金屬接觸件由一第三材料所製成。
如請求項1所述之半導體裝置，進一步包括一重分布層(redistribution layer，RDL)，設置於該些金屬化層上方，且耦接至該些金屬化層的一最頂部金屬化層。
如請求項5所述之半導體裝置，其中該重分布層由一第四材料所製成，該第四材料包括鋁、矽和銅。
一種半導體裝置，包括：<br/> 複數個金屬化層，相對於在一基板上方形成的一電晶體垂直設置且電性耦接該電晶體，各該金屬化層包括彼此電性耦接的一金屬線和一金屬穿孔，<br/> 其中該金屬線和該金屬穿孔各自基本上由一第一材料所組成，該第一材料包括銅、銀和碳。
如請求項7所述之半導體裝置，其中各該金屬線和各該金屬穿孔在一底表面和複數個側壁處至少部分被一阻障層圍繞。
一種製造一半導體裝置的方法，包括：<br/> 形成相對於一基板垂直設置的複數個金屬化層的一第一金屬化層；<br/> 形成一第一金屬線在該第一金屬化層中；<br/> 形成一第一金屬穿孔在該第一金屬化層中的該第一金屬線上方；<br/> 形成複數個金屬化層的一第二金屬化層在該第一金屬化層上方；<br/> 形成一第二金屬線在該第二金屬化層中；以及<br/> 形成一第二金屬穿孔在該第二金屬化層中的該第二金屬線上方，<br/> 其中該第一金屬線、該第一金屬穿孔、該第二金屬線和該第二金屬穿孔各自基本上由一第一材料所組成，該第一材料包括銅、銀和碳。
如請求項9所述之方法，進一步包括：<br/> 形成一第一線阻障層在該第一金屬化層中的該第一金屬線的一底表面和複數個側壁處耦接至該第一金屬線，之後形成該第一金屬線；<br/> 形成一第一穿孔阻障層在該第一金屬化層中的該第一金屬穿孔的一底表面和複數個側壁處耦接至該第一金屬穿孔，之後形成該第一金屬穿孔；<br/> 形成一第二線阻障層在該第二金屬化層中的該第二金屬線的一底表面和複數個側壁處耦接至該第二金屬線，之後形成該第二金屬線；以及<br/> 形成一第二穿孔阻障層在該第二金屬化層中的該第二金屬穿孔的一底表面和複數個側壁處耦接至該第二金屬穿孔，之後形成該第二金屬穿孔。
一種記憶體裝置的程式化方法，包括： <br/> 設定多條記憶胞串中，延一第一方向排列的多條第一記憶胞串耦接至相同的一第一共同位元線，延該第一方向排列的多條第二記憶胞串耦接至相同的一第二共同位元線； <br/> 設定多條記憶胞串中，延一第二方向排列的多條第三記憶胞串耦接至相同的一第一共同源極線，延該第二方向排列的多條第四記憶胞串耦接至相同的一第二共同源極線，其中該第一方向與該第二方向不相同； <br/> 設定該些第一記憶胞串的其中之一為一選中記憶胞串，在一第一階段中，設定該第一共同位元線上的一第一位元線電壓介於一第一設定電壓範圍，並設定該第二共同位元線上的一第二位元線電壓高於該第一設定電壓範圍；以及 <br/> 在一第二階段中，提供該選中記憶胞串上的一選中記憶胞對應的一字元線一程式化電壓， <br/> 其中該第一階段為閘極引發汲極漏電流升壓及通道放電階段，該第二階段為程式化電壓升壓階段。
如請求項1所述的程式化方法，其中在該第一階段中，設定該第一位元線電壓介於該第一設定電壓範圍以對該選中記憶胞串的通道進行放電。
如請求項2所述的程式化方法，更包括： <br/> 根據該些第一記憶胞串的記憶胞串選擇開關的臨界電壓來決定該第一位元線電壓的電壓值。
如請求項1所述的程式化方法，其中在該第一階段中，設定該第二位元線電壓高於該第一設定電壓範圍以遮罩該些第二記憶胞串。
如請求項1所述的程式化方法，更包括： <br/> 在該第一階段中，設定對應該選中記憶胞串的該第一共同源極線上的一第一源極線電壓介於一第二設定電壓範圍，並設定該第二共同位元線上的源極線電壓高於該第二設定電壓範圍。
如請求項5所述的程式化方法，其中設定該第二共同位元線上的源極線電壓高於該第二設定電壓範圍以遮罩該些第四記憶胞串。
如請求項1所述的程式化方法，更包括： <br/> 提供一通過電壓至該選中記憶胞串中的多個未選中記憶胞的字元線。
一種記憶體裝置，包括： <br/> 多個記憶胞串，其中該些記憶胞串中，延一第一方向排列的多條第一記憶胞串耦接至相同的一第一共同位元線，延該第一方向排列的多條第二記憶胞串耦接至相同的一第二共同位元線，延一第二方向排列的多條第三記憶胞串耦接至相同的一第一共同源極線，延該第二方向排列的多條第四記憶胞串耦接至相同的一第二共同源極線，其中該第一方向與該第二方向不相同；以及 <br/> 一控制器，耦接至該些記憶胞串，用以： <br/> 設定該些第一記憶胞串的其中之一為一選中記憶胞串，在一第一階段中，設定該第一共同位元線上的一第一位元線電壓介於一第一設定電壓範圍，並設定該第二共同位元線上的一第二位元線電壓高於該第一設定電壓範圍；以及 <br/> 在一第二階段中，提供該選中記憶胞串上的一選中記憶胞對應的一字元線一程式化電壓， <br/> 其中該第一階段為閘極引發汲極漏電流升壓及通道放電階段，該第二階段為程式化電壓升壓階段。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 在該第一階段中，設定該第一位元線電壓介於該第一設定電壓範圍以對該選中記憶胞串的通道進行放電。
如請求項9所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 根據該些第一記憶胞串的記憶胞串選擇開關的臨界電壓來決定該第一位元線電壓的電壓值。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 在該第一階段中，設定該第二位元線電壓高於該第一設定電壓範圍以遮罩該些第二記憶胞串。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 在該第一階段中，設定對應該選中記憶胞串的該第一共同源極線上的一第一源極線電壓介於一第二設定電壓範圍，並設定該第二共同位元線上的源極線電壓高於該第二設定電壓範圍。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 設定該第二共同位元線上的源極線電壓高於該第二設定電壓範圍以遮罩該些第四記憶胞串。
如請求項8所述的記憶體裝置，其中該控制器更用以： <br/> 提供一通過電壓至該選中記憶胞串中的多個未選中記憶胞的字元線。
一種香爐旋轉座，係設有一香爐及一底座，該香爐係設於該底座上，該香爐之底部設有一螺孔，該底座之中間部位設有一穿孔，一旋轉組件係設於該底座之底部，該旋轉組件係設有一握把、一支軸、一第一螺帽、一第一墊片、一第二墊片、一第二螺帽及一第三螺帽所組成，該握把係設於該底座之底部，該握把中間設有一穿孔，該握把內之上、下部各設有一軸承，該支軸係穿設於該握把之穿孔及軸承，該支軸之底部設有一頭部，該支軸之頭部並抵持於該握把之底面，該支軸之上部設有外螺紋段，該第一螺帽係設於該握把之頂面並螺鎖於該支軸之外螺紋段上，將該握把定位於該支軸上，該第一墊片設有一穿孔，該第一墊片係設於該第一螺帽之上方，該支軸並穿設於該第一墊片之穿孔及該底座之穿孔，該第一墊片並抵靠於該底座之底面，該第二墊片係設於該底座之頂面上，該第二墊片設有一穿孔，該支軸並穿設於該第二墊片之穿孔，該第二螺帽係設於該第二墊片之上方並螺鎖於該支軸之外螺紋段上，將該支軸定位於該底座上，該支軸之上端部係螺設於該香爐之螺孔並凸伸於該香爐內，該第三螺帽並由該香爐內螺鎖於該支軸之上端部上，將該香爐固定於該底座上。
一種固態金屬觸媒插件，適用於微通道反應器，其包含：<br/> 一發泡金屬基材，包含：<br/> 多條金屬骨架絲，彼此相連且形成三維網狀結構；其中，多條所述金屬骨架絲的一平均橫向寬度介於40微米至150微米之間；及<br/> 多個發泡孔，形成於多條所述金屬骨架絲之間且彼此連通；其中，多個所述發泡孔的一平均發泡孔徑介於100微米至500微米之間，並且所述平均發泡孔徑大於所述平均橫向寬度；<br/> 一金屬觸媒，間隔分散地負載於多條所述金屬骨架絲的表面；其中，所述金屬觸媒的一平均粒徑尺寸介於3微米至30微米之間；其中，所述金屬觸媒的所述平均粒徑尺寸相對所述金屬骨架絲的所述平均橫向寬度間的比例介於1：1.5至1：50，並且所述金屬觸媒的所述平均粒徑尺寸相對所述發泡孔的所述平均發泡孔徑間的比例介於1：5至1：200。
如請求項1所述的金屬觸媒插件，其中所述發泡金屬基材是選自由以下材料群組的至少其中之一：發泡鎳、發泡鈦、發泡鋁、發泡銅、及發泡鋅；其中所述金屬觸媒是選自由以下材料群組的至少其中之一：鈀（Pd）、鉑（Pt）、釕（Ru）、銠（Rh）、銥（Ir）、鎳（Ni）、金（Au）、銅（Cu）、鋅（Zn）、及銀（Ag）。
如請求項2所述的金屬觸媒插件，其中所述發泡金屬基材為發泡鎳，並且所述金屬觸媒為鈀。
如請求項1所述的金屬觸媒插件，其中所述發泡金屬基材的外型呈長形片狀、管狀、條狀、或其它適合插置於微型反應器的幾何形狀。
如請求項1所述的金屬觸媒插件，其中所述金屬觸媒負載於所述發泡金屬基材的所述金屬骨架絲的表面上的一觸媒含量經由感應耦合電漿分析法（Inductively Coupled Plasma, ICP）分析是不小於8,000 ppm。
如請求項1所述的金屬觸媒插件，其中所述發泡金屬基材的所述發泡孔的一孔隙密度，為每英吋不少於40孔（Pores Per Inch，PPi）。
如請求項1所述的金屬觸媒插件，其中所述金屬觸媒的一平均粒徑尺寸介於5微米至25微米。
一種固態金屬觸媒插件的製備方法，適用於微通道反應器，其包含：<br/> 一前處理步驟：對一發泡金屬基材依序進行酸洗、清洗、及乾燥；<br/> 一含浸步驟：將所述發泡金屬基材含浸於一金屬鹽溶液；其中，所述發泡金屬基材包含：<br/> 多條金屬骨架絲，彼此相連且形成三維網狀結構；其中，多條所述金屬骨架絲的一平均橫向寬度介於40微米至150微米之間；及<br/> 多個發泡孔，形成於多條所述金屬骨架絲之間且彼此連通；其中，多個所述發泡孔的一平均發泡孔徑介於100微米至500微米之間，並且所述平均發泡孔徑大於所述平均橫向寬度；<br/> 其中，所述金屬鹽溶液包含一金屬鹽類，並且自所述金屬鹽類解離的金屬離子於含浸的過程中附著於所述發泡金屬基材的表面；以及<br/> 一鍛燒步驟：以一鍛燒溫度在一選定氣氛下對所述發泡金屬基材進行鍛燒，以使附著於所述發泡金屬基材的表面上的所述金屬離子還原或氧化形成為金屬觸媒；其中，所述金屬觸媒間隔分散地負載於多條所述金屬骨架絲的表面，所述金屬觸媒的一平均粒徑尺寸介於3微米至30微米之間；其中，所述金屬觸媒的所述平均粒徑尺寸相對所述金屬骨架絲的所述平均橫向寬度間的比例介於1：1.5至1：50，並且所述金屬觸媒的所述平均粒徑尺寸相對所述發泡孔的所述平均發泡孔徑間的比例介於1：5至1：200。
一種微通道反應系統，其包含：<br/> 一微通道反應器，具有至少一微流通道；<br/> 如請求項1至7中任一項所述的固態金屬觸媒插件，其配置於所述微流通道內；及<br/> 一流體供應裝置，用於連續地將含有反應物或氫化所需的流體輸入至所述微流通道，以與所述固態金屬觸媒插件接觸。
一種攜行架夾持裝置，用於固定於一攜行架上，其包括：<br/> 一調節組件，包含一固定件及一拉緊螺桿，該拉緊螺桿設有一螺紋段，該拉緊螺桿遠離該螺紋段的一端固定於該固定件；以及<br/> 一可調式夾持裝置，其包含一夾持套管及一夾持內筒，該夾持套管具有一縱向開口，且該夾持套管套設於該夾持內筒外部，該夾持套管的側壁設有一體成型的分支接管，該夾持套管套設於夾持內筒的外部時，透過縱向開口的彈性變形特性，該夾持套管可受到徑向壓力而收縮，使其內壁迫緊於該夾持內筒的外表面；<br/> 其中，該固定件與該分支接管的一側固定連接，使該拉緊螺桿穿過該分支接管，且該螺紋段與一螺旋配合件螺合，當該螺旋配合件相對於該拉緊螺桿旋轉時，能夠使該拉緊螺桿產生軸向位移，從而調節該縱向開口的寬度，進而控制該夾持套管對該夾持內筒的迫緊程度。
如請求項1所述之攜行架夾持裝置，其中，該攜行架夾持裝置包括一卡合元件，該卡合元件具有一連接耳片，該連接耳片具有一透孔，該拉緊螺桿靠近該螺紋段的一端穿過該透孔並固定連接，其中，該卡合元件的該連接耳片卡入該夾持套管的縱向開口中，當該拉緊螺桿產生軸向位移時帶動該卡合元件移動，進而調節該縱向開口的寬度，該連接耳片的片體厚度用於限制該縱向開口的最小開合度，可防止該夾持套管過度收縮，從而保護該夾持內筒不受過大的夾持力而損壞。
如請求項1所述之攜行架夾持裝置，其中，該固定件包括一第一部件及一第二部件，該第一部件的一表面設有多個徑向排列的第一鋸齒結構，該第二部件的相對應表面設有多個徑向排列的第二鋸齒結構，該第一鋸齒結構與該第二鋸齒結構相互嵌合配合，形成防止該第一部件與該第二部件之間相對旋轉的鎖定結構，可防止在受力情況下產生相對滑動或旋轉。
如請求項1所述之攜行架夾持裝置，其中，該攜行架夾持裝置還包括一延長連接桿，該延長連接桿的一端與該可調式夾持裝置的該分支接管連接，另一端連接一夾持連接器；其中，該夾持連接器包含該螺旋配合件及一可旋轉的轉盤，該螺旋配合件固定於該轉盤內部並與該拉緊螺桿螺合，該拉緊螺桿延伸穿過該分支接管及該延長連接桿至該夾持連接器，當該轉盤帶動該螺旋配合件旋轉時，由於該拉緊螺桿的一端固定於該固定件，該拉緊螺桿產生軸向位移，該位移通過該延長連接桿傳遞至該可調式夾持裝置，從而調節該縱向開口的寬度。
一種自行車攜行架固定系統，設置於一攜行架的一管體上，其包括：<br/> 一可調式夾持裝置，其包含一夾持套管及一夾持內筒，該夾持套管具有一縱向開口，且該夾持套管套設於該夾持內筒外部，該夾持套管的側壁設有一體成型的分支接管，該夾持套管套設於該夾持內筒的外部時，透過縱向開口的彈性變形特性，該夾持套管可受到徑向壓力而收縮，使其內壁迫緊於該夾持內筒的外表面，且該夾持內筒套設於該攜行架的該管體上；<br/> 一調節組件，包含一固定件及一拉緊螺桿，該固定件固定於該分支接管的一端，該拉緊螺桿設有一螺紋段，該拉緊螺桿遠離該螺紋段的一端固定於該固定件；<br/> 一夾持連接器，連接於該分支接管的另一端，該夾持連接器包括：<br/> 一固定座，直接連接於該分支接管的該另一端；<br/> 一轉盤，組設於該固定座的一側，可相對該固定座轉動；<br/> 一螺旋配合件，固定於該轉盤內部且與該螺紋段螺合；以及<br/> 一束帶，設於該固定座上，用於固定自行車；<br/> 其中，該拉緊螺桿穿過該分支接管並延伸至該夾持連接器，當該轉盤帶動該螺旋配合件相對於該拉緊螺桿旋轉時，該拉緊螺桿產生軸向位移，從而調節該縱向開口的寬度，進而控制該夾持套管對該夾持內筒的迫緊程度，使該自行車攜行架固定系統能夠穩固地固定於該攜行架上。
如請求項5所述之自行車攜行架固定系統，其中，該固定座的一側設有一連接管體，該連接管體插入並固定於該分支接管的另一端。
如請求項6所述之自行車攜行架固定系統，其中，該連接管體的外側表面設有多個第一凸起結構，該分支接管的內壁設有對應的多個第二凸起結構，該第一凸起結構與該第二凸起結構相互配合，形成多個角度限位位置，使該固定座可相對於該分支接管旋轉並在預定角度處實現限位固定。
如請求項5所述之自行車攜行架固定系統，其中，該束帶為可拆卸式設計，且該束帶的內側表面設有多個鋸齒結構；該固定座的上方設有一穿孔，用於該束帶穿過；以及 該固定座的底部設有一可操作式的咬合組件，該咬合組件包含與該束帶的鋸齒結構相配合的咬合結構，以及一可手動撥動的釋放部；其中，該束帶穿過該固定座上的該穿孔並反折，使該束帶的鋸齒結構與該咬合組件相互咬合，從而將自行車固定於該固定座上；當該釋放部被手動撥動時，該咬合結構與該束帶的鋸齒結構的咬合狀態被解除，使該束帶可被抽出。
如請求項8所述之自行車攜行架固定系統，其中，該束帶的一端設有一扣合結構，另一端設有一扣合孔，該束帶插入該固定座的該穿孔後，該扣合孔可扣住該扣合結構進行固定，使該束帶形成一閉合環，以使該束帶在不使用時能收納於該固定座上。
如請求項5所述之自行車攜行架固定系統，其中，該自行車攜行架固定系統還包括一延長連接桿，該延長連接桿的一端連接該分支接管，另一端連接該夾持連接器的該固定座；其中，該拉緊螺桿延長穿過該分支接管及該延長連接桿，並延伸至該夾持連接器與該螺旋配合件保持螺合，當該轉盤帶動該螺旋配合件相對於該拉緊螺桿旋轉時，由於該拉緊螺桿的一端固定於該固定件，而該螺旋配合件固定於該夾持連接器的該轉盤內部，使該拉緊螺桿產生軸向位移，該位移通過該延長連接桿傳遞至該可調式夾持裝置，從而調節該縱向開口的寬度，進而控制該夾持套管對該夾持內筒的迫緊程度。
一種語意相關的學習方法，透過一處理器實現，該學習方法包括：<br/> 對一擷取影像編碼，以產生一特徵圖，其中該擷取影像是透過拍攝一場景所得的影像；<br/> 對多個類別資訊編碼，以產生多個語意嵌入(Semantic Embeddings)，其中一該類別資訊對應於一文字內容，且該些類別資訊包括對應於一第二類別的資訊、對應於一第三類別的資訊及對應於一第四類別的資訊； <br/> 融合該特徵圖與一該語意嵌入，以產生一融合特徵； <br/> 自該融合特徵分別萃取對應於該第二類別、該第三類別及該第四類別的資訊的特徵，以產生分別對應於該第二類別、該第三類別及該第四類別的一類別嵌入；<br/> 決定該第三類別對應的類別嵌入及該第四類別對應的類別嵌入之間的一注意係數，其中該注意係數對應於該第三類別及該第四類別之間的相關性；<br/> 依據該注意係數更新該第三類別對應的類別嵌入；<br/> 透過一預測模型預測該融合特徵對應的至少一該類別資訊；以及<br/> 依據預測的類別資訊及該擷取影像的一真實資訊之間的一損失資訊訓練該預測模型。
如請求項1所述的語意相關的學習方法，其中該些語意嵌入包括一第一語意嵌入，且融合該特徵圖與一該語意嵌入的步驟包括：<br/> 融合該特徵圖中的每一位置的影像特徵與該第一語意嵌入，以產生對應於該特徵圖中的每一位置及該第一語意嵌入的融合特徵。
如請求項2所述的語意相關的學習方法，其中融合該特徵圖中的每一位置的影像特徵與該第一語意嵌入的步驟包括：<br/> 透過tanh函數融合該影像特徵及該第一語意嵌入。
如請求項1所述的語意相關的學習方法，其中該些類別資訊包括對應於一第一類別的資訊，且該學習方法更包括：<br/> 決定該融合特徵的一交互注意係數，包括：<br/> 對該融合特徵賦予對應於該第一類別的資訊對應的一權重，其中該權重相關於對應於該第一類別的資訊的注意程度。
如請求項1所述的語意相關的學習方法，其中決定該第三類別對應的類別嵌入及該第四類別對應的類別嵌入之間的該注意係數的步驟包括：<br/> 自一訓練資料集決定該第三類別及該第四類別的二該類別資訊的一同時出現機率，其中該同時出現機率是該二類別資訊同時出現的數量佔其中一該類別資訊出現的數量的比例； <br/> 依據該同時出現機率決定一邊緣類型，其中該邊緣類型用於指示該二類別資訊對應的一指向性，且該指向性是該二類別資訊中的一者作為一起始節點且該二類別資訊中的另一者作為一終點節點；以及<br/> 依據該邊緣類型決定該第三類別及該第四類別之間的該注意係數。
如請求項5所述的語意相關的學習方法，其中該損失資訊包括一損失函數，且依據預測的類別資訊及該擷取影像的該真實資訊之間的該損失資訊訓練該預測模型的步驟包括：<br/> 透過該損失函數訓練該預測模型，其中該損失函數包括一第一誤差及一第二誤差，該第一誤差為該預測的類別資訊及該真實資訊之間的誤差，且該第二誤差為該注意係數與同時出現機率之間的誤差。
如請求項1所述的語意相關的學習方法，其中透過該預測模型預測該融合特徵對應的至少一該類別資訊的步驟包括：<br/> 串聯該些類別資訊對應的類別嵌入；以及<br/> 預測串聯的類別嵌入對應的至少一該類別資訊。
如請求項1所述的語意相關的學習方法，其中該些類別資訊包括一動作資訊及一解釋資訊，該場景為一道路，該解釋資訊用於說明該擷取影像所呈現的該道路的一狀況，且該動作資訊用於說明該狀況對應的車輛控制指令。
一種語意相關學習的裝置，包括：<br/> 一儲存器，用以儲存一程式碼；以及<br/> 一處理器，耦接該儲存器，並經配置用以載入該程式碼以執行：<br/> 對一擷取影像編碼，以產生一特徵圖，其中該擷取影像是透過拍攝一場景所得的影像；<br/> 對多個類別資訊編碼，以產生多個語意嵌入(Semantic Embeddings)，其中一該類別資訊對應於一文字內容，且該些類別資訊包括對應於一第二類別的資訊、對應於一第三類別的資訊及對應於一第四類別的資訊； <br/> 融合該特徵圖與一該語意嵌入，以產生一融合特徵； <br/> 自該融合特徵分別萃取對應於該第二類別、該第三類別及該第四類別的資訊的特徵，以產生分別對應於該第二類別、該第三類別及該第四類別的一類別嵌入；<br/> 決定該第三類別對應的類別嵌入及該第四類別對應的類別嵌入之間的一注意係數，其中該注意係數對應於該第三類別及該第四類別之間的相關性；<br/> 依據該注意係數更新該第三類別對應的類別嵌入；<br/> 透過一預測模型預測該融合特徵對應的至少一該類別資訊；以及<br/> 依據預測的類別資訊及該擷取影像的一真實資訊之間的一損失資訊訓練該預測模型。
如請求項9所述的語意相關學習的裝置，其中該些語意嵌入包括一第一語意嵌入，且該處理器更經配置用以執行：<br/> 融合該特徵圖中的每一位置的影像特徵與該第一語意嵌入，以產生對應於該特徵圖中的每一位置及該第一語意嵌入的融合特徵。
如請求項10所述的語意相關學習的裝置，其中該處理器更經配置用以執行：<br/> 透過tanh函數融合該影像特徵及該第一語意嵌入。
如請求項9所述的語意相關學習的裝置，其中該些類別資訊包括對應於一第一類別的資訊，且該處理器更經配置用以執行：<br/> 決定該融合特徵的一交互注意係數，包括：<br/> 對該融合特徵賦予對應於該第一類別的資訊對應的一權重，其中該權重相關於對應於該第一類別的資訊的注意程度。
如請求項9所述的語意相關學習的裝置，其中該處理器更經配置用以執行：<br/> 自一訓練資料集決定該第三類別及該第四類別的二該類別資訊的一同時出現機率，其中該同時出現機率是該二類別資訊同時出現的數量佔其中一該類別資訊出現的數量的比例； <br/> 依據該同時出現機率決定一邊緣類型，其中該邊緣類型用於指示該二類別資訊對應的一指向性，且該指向性是該二類別資訊中的一者作為一起始節點且該二類別資訊中的另一者作為一終點節點；以及<br/> 依據該邊緣類型決定該第三類別及該第四類別之間的該注意係數。
如請求項13所述的語意相關學習的裝置，其中該損失資訊包括一損失函數，且該處理器更經配置用以執行：<br/> 透過該損失函數訓練該預測模型，其中該損失函數包括一第一誤差及一第二誤差，該第一誤差為該預測的類別資訊及該真實資訊之間的誤差，且該第二誤差為該注意係數與同時出現機率之間的誤差。
如請求項9所述的語意相關學習的裝置，其中該處理器更經配置用以執行：<br/> 串聯該些類別資訊對應的類別嵌入；以及<br/> 預測串聯的類別嵌入對應的至少一該類別資訊。
如請求項9所述的語意相關學習的裝置，其中該些類別資訊包括一動作資訊及一解釋資訊，該場景為一道路，該解釋資訊用於說明該擷取影像所呈現的該道路的一狀況，且該動作資訊用於說明該狀況對應的車輛控制指令。
一種用於自動選擇應用協議資料單元(Application Protocol Data Unit,APDU)資料包之系統，係包括：<br/>雲端伺服器，係包括儲存有複數個APDU資料包之資料包資料庫及儲存有複數個用戶資料之用戶資料庫；<br/>通訊裝置，係儲存有網址紀錄並用於處理APDU感應資料以產生APDU回應資料；以及<br/>終端裝置，係包括：<br/>資料包識別碼模組，用於自該通訊裝置取得該網址紀錄中的識別碼，以根據該識別碼自該雲端伺服器的該資料包資料庫及該用戶資料庫中取得對應該識別碼之APDU資料包；及<br/>感應資料模組，用於根據該APDU資料包產生該APDU感應資料，以供該通訊裝置處理，並且用於接收來自該通訊裝置之該APDU回應資料，以將該APDU回應資料中的外部應用回應傳輸至該雲端伺服器。
如請求項1所述之系統，其中，該APDU感應資料包含外部應用資料，該通訊裝置包括處理模組和外部應用軟體儲存模組，該處理模組根據該外部應用資料自該外部應用軟體儲存模組載入以執行外部應用軟體，進而產生該外部應用回應。
如請求項1所述之系統，其中，該通訊裝置為近場通訊(Near Field Communication,NFC)標籤，該終端裝置藉由感應該NFC標籤以讀取該網址紀錄再取得該識別碼，其中，該網址紀錄為近場通訊資料交換格式(NFC Data Exchange Format,NDEF)統一資源定位符(Uniform Resource Locator,URL)紀錄。
如請求項1所述之系統，其中，該通訊裝置為藍牙低功耗(Bluetooth Low Energy,BLE)裝置，該終端裝置藉由接收由該BLE裝置所廣播的含有該網址紀錄的封包以取得該識別碼，其中，該網址紀錄為近場通訊資料交換格式(NFC Data Exchange Format,NDEF)統一資源定位符(Uniform Resource Locator,URL)紀錄。
如請求項1所述之系統，其中，該通訊裝置具有NFC功能及藍牙低功耗功能，俾與該終端裝置建立NFC/BLE雙通道。
一種用於自動選擇應用協議資料單元(Application Protocol Data Unit,APDU)資料包之方法，係包括：<br/>令終端裝置自通訊裝置取得網址紀錄中的識別碼，以根據該識別碼向雲端伺服器發出請求；<br/>令該雲端伺服器基於該請求在該雲端伺服器之儲存有複數個APDU資料包之資料包資料庫及儲存有複數個用戶資料之用戶資料庫中查詢對應該識別碼之APDU資料包，以傳輸至該終端裝置；<br/>令該終端裝置根據該APDU資料包產生APDU感應資料，以傳輸至該通訊裝置；<br/>令該通訊裝置處理該APDU感應資料產生APDU回應資料，以傳輸至該終端裝置；以及<br/>令該終端裝置將該APDU回應資料中的外部應用回應傳輸至該雲端伺服器。
如請求項6所述之方法，其中，該APDU感應資料包含外部應用資料，該通訊裝置根據該外部應用資料執行外部應用軟體以產生該外部應用回應，進而封裝該外部應用回應成該APDU回應資料。
如請求項6所述之方法，其中，該通訊裝置為近場通訊(Near Field Communication,NFC)標籤，該終端裝置藉由感應該NFC標籤以讀取該網址紀錄再取得該識別碼，其中，該網址紀錄為近場通訊資料交換格式(NFC Data Exchange Format,NDEF)統一資源定位符(Uniform Resource Locator,URL)紀錄。
如請求項6所述之方法，其中，該通訊裝置為藍牙低功耗(Bluetooth Low Energy,BLE)裝置，該終端裝置藉由接收由該BLE裝置所廣播的含有該網址紀錄的封包以取得該識別碼，其中，該網址紀錄為近場通訊資料交換格式(NFC Data Exchange Format,NDEF)統一資源定位符(Uniform Resource Locator,URL)紀錄。
如請求項6所述之方法，其中，該通訊裝置具有NFC功能及藍牙低功耗功能，俾與該終端裝置建立NFC/BLE雙通道。
一種電腦程式產品，用於自動選擇應用協議資料單元(Application Protocol Data Unit,APDU)資料包，係經電腦載入程式以執行以下步驟，係包括：<br/>自通訊裝置取得網址紀錄中的識別碼；<br/>根據該識別碼，自雲端伺服器之儲存有複數個APDU資料包之資料包資料庫及儲存有複數個用戶資料之用戶資料庫取得對應該識別碼之APDU資料包；<br/>根據該APDU資料包產生APDU感應資料，以將該APDU感應資料傳輸至該通訊裝置，供該通訊裝置處理該APDU感應資料而產生APDU回應資料；以及<br/>接收來自該通訊裝置之該APDU回應資料，以將該APDU回應資料中的外部應用回應傳輸至該雲端伺服器。
一種讀取裝置，用以從一記憶胞陣列讀取資料，該讀取裝置包括： <br/>一感測電路，用以耦接至該記憶胞陣列的一讀取位元線，其中該感測電路基於該讀取位元線的電壓的觸發去對應產生一輸出資料；以及 <br/>一控制電路，耦接至該感測電路以接收該輸出資料，其中， <br/>該控制電路在對該讀取位元線的一讀取感測期間將該感測電路的一基體偏壓從一常態準位調至一加速準位，以提早該感測電路關於感測該讀取位元線的一觸發時點； <br/>該控制電路偵測該輸出資料，以決定該讀取感測期間的一結束時點；以及 <br/>該控制電路在該結束時點即時將該感測電路的該基體偏壓從該加速準位回復至該常態準位。
如請求項1所述的讀取裝置，其中該讀取感測期間的一起始時點由該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號所定義。
如請求項1所述的讀取裝置，其中， <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，該感測電路被觸發去產生該輸出資料；以及 <br/>該控制電路在該讀取感測期間將該感測電路的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該感測電路的該臨界電壓，進而提早該感測電路關於感測該讀取位元線的該觸發時點。
如請求項1所述的讀取裝置，其中該感測電路包括： <br/>一第一反相器，具有一輸入端耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線，其中該第一反相器的一輸出端產生該輸出資料，以及該控制電路在該讀取感測期間將該第一反相器的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該第一反相器的一臨界電壓；以及 <br/>一第二反相器，具有一輸入端耦接至該記憶胞陣列的一反相讀取位元線，其中該第二反相器的一輸出端產生一反相輸出資料，以及該控制電路在該讀取感測期間將該第二反相器的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該第二反相器的一臨界電壓。
如請求項4所述的讀取裝置，其中， <br/>該第一反相器包括一第一上電晶體與一第一下電晶體； <br/>該第一上電晶體的一控制端耦接至該第一反相器的該輸入端，該第一上電晶體的一第一端接收一電源電壓，以及該第一上電晶體的一第二端耦接至該第一反相器的該輸出端； <br/>該第一下電晶體的一控制端耦接至該第一反相器的該輸入端，該第一下電晶體的一第一端接收一參考電壓，該第一下電晶體的一第二端耦接至該第一反相器的該輸出端，以及該第一下電晶體的一基體耦接至該控制電路以接收該基體偏壓； <br/>該第二反相器包括一第二上電晶體與一第二下電晶體； <br/>該第二上電晶體的一控制端耦接至該第二反相器的該輸入端，該第二上電晶體的一第一端接收該電源電壓，以及該第二上電晶體的一第二端耦接至該第二反相器的該輸出端；以及 <br/>該第二下電晶體的一控制端耦接至該第二反相器的該輸入端，該第二下電晶體的一第一端接收該參考電壓，該第二下電晶體的一第二端耦接至該第二反相器的該輸出端，以及該第二下電晶體的一基體耦接至該控制電路以接收該基體偏壓。
如請求項5所述的讀取裝置，其中該第一上電晶體的一基體以及該第二上電晶體的一基體接收該電源電壓。
如請求項1所述的讀取裝置，其中該控制電路包括： <br/>一偵測電路，耦接至該感測電路以接收該輸出資料與一反相輸出資料，其中該偵測電路基於該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號而在該讀取感測期間產生一加速啟始訊號，以及該偵測電路偵測該輸出資料而產生一加速結束訊號；以及 <br/>一偏壓產生電路，耦接至該偵測電路以接收該加速啟始訊號與該加速結束訊號，其中該偏壓產生電路產生該基體偏壓給該感測電路，該偏壓產生電路基於該加速啟始訊號將該基體偏壓從該常態準位調至該加速準位，以及該偏壓產生電路基於該加速結束訊號將該基體偏壓從該加速準位回復至該常態準位。
如請求項7所述的讀取裝置，其中該偵測電路包括： <br/>一互斥或閘，其中該互斥或閘的一第一輸入端耦接至該感測電路以接收該輸出資料，該互斥或閘的一第二輸入端耦接至該感測電路以接收該反相輸出資料，以及該互斥或閘的一輸出端產生該加速結束訊號給該偏壓產生電路； <br/>一反相器，用以從該字線解碼電路接收該字線致能訊號；以及 <br/>一反或閘，其中該反或閘的一第一輸入端耦接至該互斥或閘的該輸出端以接收該加速結束訊號，該反或閘的一第二輸入端耦接至該反相器的一輸出端，以及該反或閘的一輸出端產生該加速啟始訊號給該偏壓產生電路。
如請求項7所述的讀取裝置，其中該偏壓產生電路包括： <br/>一第一開關，其中該第一開關的一第一端耦接至該偵測電路以接收該加速啟始訊號，以及該第一開關的一控制端接收來自該字線解碼電路的該字線致能訊號； <br/>一二極體，其中該二極體的一第一端耦接至該第一開關的一第二端，以及該二極體的一第二端耦接至該感測電路以提供該基體偏壓；以及 <br/>一第二開關，其中該第二開關的一第一端耦接至該二極體的該第二端，該第二開關的一第二端接收一參考電壓，以及該第二開關的一控制端耦接至該偵測電路以接收該加速結束訊號。
如請求項1所述的讀取裝置，更包括： <br/>一第一電流增強電路，耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線，其中該第一電流增強電路耦接至該控制電路以接收一加速啟始訊號；以及 <br/>一第二電流增強電路，耦接至該記憶胞陣列的一反相讀取位元線，其中該第二電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號， <br/>響應於該加速啟始訊號為一第一準位，該第一電流增強電路被致能以加速該讀取位元線的電壓的轉態速度，以及該第二電流增強電路被致能以加速該反相讀取位元線的電壓的轉態速度；以及 <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，該第一電流增強電路以及該第二電流增強電路被禁能。
如請求項10所述的讀取裝置，其中， <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，該感測電路被觸發去產生該輸出資料；以及 <br/>響應於該讀取位元線的電壓的下降，該控制電路致能該第一電流增強電路去汲取該讀取位元線的電流以加速該讀取位元線的電壓的下降速度，以及該控制電路致能該第二電流增強電路去汲取該反相讀取位元線的電流以加速該反相讀取位元線的電壓的下降速度。
如請求項10所述的讀取裝置，其中該第一電流增強電路包括： <br/>一開關，其中該開關的一第一端耦接至該讀取位元線，以及該開關的一控制端耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>一二極體，其中該二極體的一第一端耦接至該開關的一第二端，以及該二極體的一第二端接收一參考電壓。
如請求項10所述的讀取裝置，其中該第二電流增強電路包括： <br/>一開關，其中該開關的一第一端耦接至該反相讀取位元線，以及該開關的一控制端耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>一二極體，其中該二極體的一第一端耦接至該開關的一第二端，以及該二極體的一第二端接收一參考電壓。
一種讀取裝置的操作方法，該讀取裝置用以從一記憶胞陣列讀取資料，該操作方法包括： <br/>由該讀取裝置的一感測電路基於該記憶胞陣列的一讀取位元線的電壓的觸發去對應產生一輸出資料，其中該感測電路耦接至該讀取位元線； <br/>由該讀取裝置的一控制電路在對該讀取位元線的一讀取感測期間將該感測電路的一基體偏壓從一常態準位調至一加速準位，以提早該感測電路關於感測該讀取位元線的一觸發時點，其中該控制電路耦接至該感測電路以接收該輸出資料； <br/>由該控制電路偵測該輸出資料，以決定該讀取感測期間的一結束時點；以及 <br/>由該控制電路在該結束時點即時將該感測電路的該基體偏壓從該加速準位回復至該常態準位。
如請求項14所述的操作方法，其中該讀取感測期間的一起始時點由該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號所定義。
如請求項14所述的操作方法，更包括： <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，觸發該感測電路去產生該輸出資料；以及 <br/>由該控制電路在該讀取感測期間將該感測電路的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該感測電路的該臨界電壓，進而提早該感測電路關於感測該讀取位元線的該觸發時點。
如請求項14所述的操作方法，更包括： <br/>由該控制電路在該讀取感測期間將該感測電路的一第一反相器的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該第一反相器的一臨界電壓，其中該第一反相器的一輸入端耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線，以及該第一反相器的一輸出端產生該輸出資料；以及 <br/>由該控制電路在該讀取感測期間將該感測電路的一第二反相器的該基體偏壓從該常態準位調升至該加速準位，以調升該第二反相器的一臨界電壓，其中該第二反相器的一輸入端耦接至該記憶胞陣列的一反相讀取位元線，以及該第二反相器的一輸出端產生一反相輸出資料。
如請求項14所述的操作方法，更包括： <br/>由該控制電路的一偵測電路基於該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號而在該讀取感測期間產生一加速啟始訊號，其中該偵測電路耦接至該感測電路以接收該輸出資料與一反相輸出資料； <br/>由該偵測電路偵測該輸出資料而產生一加速結束訊號； <br/>由該控制電路的一偏壓產生電路產生該基體偏壓給該感測電路，其中該偏壓產生電路耦接至該偵測電路以接收該加速啟始訊號與該加速結束訊號； <br/>由該偏壓產生電路基於該加速啟始訊號將該基體偏壓從該常態準位調至該加速準位；以及 <br/>由該偏壓產生電路基於該加速結束訊號將該基體偏壓從該加速準位回復至該常態準位。
如請求項14所述的操作方法，更包括： <br/>響應於該控制電路的一加速啟始訊號為一第一準位，致能該讀取裝置的一第一電流增強電路以加速該讀取位元線的電壓的轉態速度，以及致能該讀取裝置的一第二電流增強電路以加速該反相讀取位元線的電壓的轉態速度，其中該第一電流增強電路耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線，該第一電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號，該第二電流增強電路耦接至該記憶胞陣列的一反相讀取位元線，以及該第二電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，禁能該第一電流增強電路以及該第二電流增強電路。
如請求項19所述的操作方法，更包括： <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，觸發該感測電路去產生該輸出資料；以及 <br/>響應於該讀取位元線的電壓的下降，由該控制電路致能該第一電流增強電路去汲取該讀取位元線的電流以加速該讀取位元線的電壓的下降速度，以及由該控制電路致能該第二電流增強電路去汲取該反相讀取位元線的電流以加速該反相讀取位元線的電壓的下降速度。
一種讀取裝置，用以從一記憶胞陣列讀取資料，該讀取裝置包括： <br/>一感測電路，用以耦接至該記憶胞陣列的一讀取位元線，其中該感測電路基於該讀取位元線的電壓的觸發去對應產生一輸出資料； <br/>一第一電流增強電路，耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線；以及 <br/>一控制電路，耦接至該感測電路以接收該輸出資料，其中該控制電路包括一偵測電路，該偵測電路耦接至該感測電路以接收該輸出資料與一反相輸出資料，該偵測電路基於該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號產生一加速啟始訊號，該第一電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號， <br/>響應於該加速啟始訊號為一第一準位，該控制電路致能該第一電流增強電路以加速該讀取位元線的電壓的轉態速度；以及 <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，該控制電路禁能該第一電流增強電路。
如請求項21所述的讀取裝置，其中， <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，該感測電路被觸發去產生該輸出資料；以及 <br/>響應於該讀取位元線的電壓的下降，該控制電路致能該第一電流增強電路去汲取該讀取位元線的電流，以加速該讀取位元線的電壓的下降速度。
如請求項21所述的讀取裝置，其中該偵測電路包括： <br/>一互斥或閘，其中該互斥或閘的一第一輸入端耦接至該感測電路以接收該輸出資料，以及該互斥或閘的一第二輸入端耦接至該感測電路以接收該反相輸出資料； <br/>一反相器，用以從該字線解碼電路接收該字線致能訊號；以及 <br/>一反或閘，其中該反或閘的一第一輸入端耦接至該互斥或閘的一輸出端，該反或閘的一第二輸入端耦接至該反相器的一輸出端，以及該反或閘的一輸出端產生該加速啟始訊號給該第一電流增強電路。
如請求項21所述的讀取裝置，其中該第一電流增強電路包括： <br/>一開關，其中該開關的一第一端耦接至該讀取位元線，以及該開關的一控制端耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>一二極體，其中該二極體的一第一端耦接至該開關的一第二端，以及該二極體的一第二端接收一參考電壓。
如請求項21所述的讀取裝置，更包括： <br/>一第二電流增強電路，耦接至該記憶胞陣列的一反相讀取位元線，其中該第二電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號， <br/>響應於該加速啟始訊號為一第一準位，該控制電路致能該第二電流增強電路以加速該反相讀取位元線的電壓的轉態速度；以及 <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，該控制電路禁能該第二電流增強電路。
如請求項25所述的讀取裝置，其中， <br/>響應於該反相讀取位元線的電壓的下降，該控制電路致能該第二電流增強電路去汲取該反相讀取位元線的電流，以加速該反相讀取位元線的電壓的下降速度。
如請求項25所述的讀取裝置，其中該第二電流增強電路包括： <br/>一開關，其中該開關的一第一端耦接至該反相讀取位元線，以及該開關的一控制端耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>一二極體，其中該二極體的一第一端耦接至該開關的一第二端，以及該二極體的一第二端接收一參考電壓。
一種讀取裝置的操作方法，該讀取裝置用以從一記憶胞陣列讀取資料，該操作方法包括： <br/>由該讀取裝置的一感測電路基於該記憶胞陣列的一讀取位元線的電壓的觸發去對應產生一輸出資料，其中該感測電路用以耦接至該讀取位元線，該讀取裝置的一第一電流增強電路耦接至該記憶胞陣列的該讀取位元線，該讀取裝置的一控制電路耦接至該感測電路以接收該輸出資料，以及該第一電流增強電路耦接至該控制電路以接收一加速啟始訊號； <br/>響應於該加速啟始訊號為一第一準位，由該控制電路致能該第一電流增強電路以加速該讀取位元線的電壓的轉態速度； <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，由該控制電路禁能該第一電流增強電路； <br/>響應於該讀取位元線的電壓從一預充電準位下降至該感測電路的一臨界電壓，觸發該感測電路去產生該輸出資料；以及 <br/>響應於該讀取位元線的電壓的下降，由該控制電路致能該第一電流增強電路去汲取該讀取位元線的電流，以加速該讀取位元線的電壓的下降速度。
如請求項28所述的操作方法，更包括： <br/>由該控制電路的一偵測電路基於該記憶胞陣列的一字線解碼電路所提供的一字線致能訊號而產生該加速啟始訊號，其中該偵測電路耦接至該感測電路以接收該輸出資料與一反相輸出資料。
如請求項28所述的操作方法，更包括： <br/>響應於該加速啟始訊號為一第一準位，由該控制電路致能該讀取裝置的一第二電流增強電路以加速該記憶胞陣列的一反相讀取位元線的電壓的轉態速度，其中該第二電流增強電路耦接至該反相讀取位元線，以及該第二電流增強電路耦接至該控制電路以接收該加速啟始訊號；以及 <br/>響應於該加速啟始訊號為一第二準位，由該控制電路禁能該第二電流增強電路。
如請求項30所述的操作方法，更包括： <br/>響應於該反相讀取位元線的電壓的下降，由該控制電路致能該第二電流增強電路去汲取該反相讀取位元線的電流，以加速該反相讀取位元線的電壓的下降速度。
一種新鮮蔬果保鮮方法，包含下列步驟：以一塑膠膜包覆新鮮蔬果以構成於新鮮蔬果表皮外之隔離層，該塑膠膜由塑料製成之非多孔薄膜，具備0.1~7%吸水率、3~200 g/m2 -day水氣透過率(WVTR)及1-7500 cc/m2-day氧氣透過率 (OTR)； 包覆塑膠膜之新鮮蔬果置於一外袋，該外袋由不透氣之積層包裝材組成；密封外袋並儲放於1~20℃冷藏環境。
一種新鮮蔬果保鮮方法，包含下列步驟：新鮮蔬果切為以下型態但不限於丁狀、段狀、絲狀、條狀或片狀其中任一種之加工新鮮蔬果多數；以一塑膠膜包覆前述之該些加工新鮮蔬果以構成於之該些加工新鮮蔬果外之隔離層，該塑膠膜由塑料製成之非多孔薄膜，具備0.1~7%吸水率、 3~200 g/m2 -day 水氣透過率( WVTR)及1-7500 cc/m2-day氧氣透過率 (OTR)；包覆塑膠膜之新鮮蔬果置於一外袋，該外袋由不透氣之積層包裝材組成；密封外袋並儲放於1~20℃冷藏環境。
如請求項1或2所述之新鮮蔬果保鮮方法，其中，塑膠膜材質選擇自聚氯乙烯（PVC）、低密度聚乙烯（LDPE）、聚二氯乙烯（PVDC）、己二酸二（2-乙基己）酯（DEHA）、鄰苯二甲酸二丁酯（DBP）、鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯（DEHP）。
如請求項3所述之新鮮蔬果保鮮方法，其中，積層包裝材選擇自PE、LDPE、LLDPE、HDPE、PP、OPP、CPP、 Ny、PA、PET、AL、KOP、KNy、KPET、EVOH其中至少兩種材質層構成。
如請求項4所述之新鮮蔬果保鮮方法，其中，該外袋設有至少一透氣孔，一透氣構件設於對應該透氣孔的位置；該透氣構件包括有一殻體及一可透氣之阻隔材，其中該殻體設有複數通孔供空氣通過設於殻體內的阻隔材，阻隔材為複數纖維構成之多孔性結構，且於纖維上附著有油脂，油脂為苦茶油、茶樹油、椰子油或植物精油。
一種新鮮蔬果保鮮包裝結構，具有：至少一新鮮蔬果；一隔離層，由塑膠膜包覆於新鮮蔬果表皮外構成，該塑膠膜由塑料製成之非多孔薄膜，具備0.1~7%吸水率、 3~200 g/m2 -day 水氣透過率(WVTR)及1-7500 cc/m2-day氧氣透過率 (OTR)；一密封之外袋，外袋由不透氣之積層包裝材組成，包覆塑膠膜之新鮮蔬果置於外袋內。
一種新鮮蔬果保鮮包裝結構，具有：新鮮蔬果切為丁狀、段狀、絲狀、條狀或片狀其中任一種之加工新鮮蔬果之多數；一隔離層，由塑膠膜包覆於該些加工新鮮蔬果外構成，該塑膠膜由塑料製成之非多孔薄膜，具備0.1~7%吸水率、 3~200 g/m2 -day 水氣透過率(WVTR)及1-7500 cc/m2-day氧氣透過率 (OTR)；一密封之外袋，外袋由不透氣之積層包裝材組成，包覆塑膠膜之新鮮蔬果置於外袋內。
如請求項6或7所述的新鮮蔬果保鮮包裝結構，其中，塑膠膜材質選擇自聚氯乙烯（PVC）、低密度聚乙烯（LDPE）、聚二氯乙烯（PVDC）、己二酸二（2-乙基己）酯（DEHA）、鄰苯二甲酸二丁酯（DBP）、鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯（DEHP）。
如請求項8所述之新鮮蔬果保鮮包裝結構，其中，積層包裝材選擇自PE、LDPE、LLDPE、HDPE、PP、OPP、CPP、 Ny、PA、PET、AL、KOP、KNy、KPET、EVOH其中至少兩種材質層構成。
如請求項9所述的新鮮蔬果保鮮包裝結構，其中，該外袋設有至少一透氣孔，一透氣構件設於對應該透氣孔的位置；該透氣構件包括有一殻體及一可透氣之阻隔材，其中該殻體設有複數通孔供空氣通過設於殻體內的阻隔材，阻隔材為複數纖維構成之多孔性結構，且於纖維上附著有油脂，油脂為苦茶油、茶樹油、椰子油或植物精油。
一種自動化膝關節間隙量測方法，其係包含有下列步驟，並各該步驟係由一處理器或一計算機所執行：<br/> 步驟A：取得一待測膝關節影像；<br/> 步驟B：將該待測膝關節影像輸入至一膝關節間隙量測模型進行演算分析，產出一膝關節間隙量測結果，其中：<br/> 該膝關節間隙量測結果係包含一預測膝關節關鍵點及/或一膝關節間隙寬度，而該膝關節間隙寬度係由該膝關節關鍵點所計算出來者；<br/> 該膝關節間隙量測模型係由下列步驟所獲得者：<br/> 步驟B-1：取得複數膝關節關節炎影像，其中，各該膝關節關節炎影像係來自一膝關節炎患者，並各該膝關節關節炎影像具有KL分級及用以量測出膝關節間隙量測之膝關節關鍵點標記；<br/> 步驟B-2：取該些膝關節關節炎影像之至少一部作為一訓練資料集，輸入至一深度學習模型進行訓練，以產出該膝關節間隙量測模型，其中，該深度學習模型係包含有一損失函數（Loss function），用以減少各關鍵點於Y軸座標上之誤差。
如請求項1所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該步驟B中之該預測膝關節關鍵點係包含有：<br/> 一第一關鍵點，對應內側股骨髁（medial femoral condyle）；<br/> 一第二關鍵點，對應內側脛骨平台（medial tibial plateau）；<br/> 一第三關鍵點，對應外側股骨髁（lateral femoral condyle）；<br/> 一第四關鍵點，對應外側脛骨平台（lateral tibial plateau）；<br/> 該第一及第二關鍵點係用以計算內側之膝關節間隙寬度，並第三及第四兩膝關節關鍵點係用以計算外側之膝關節間隙寬度。
如請求項1所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，於該步驟A中，該待測膝關節影像係以一影像前處理程序轉化為該膝關節間隙量測模型可接受之格式。
如請求項1所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該深度學習模型係包含有一卷積神經網路（Convolutional Neural Network，CNN）架構。
如請求項4所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該卷積神經網路架構係為AlexNet、GoogLeNet、ResNet50、DenseNet、RDNet或上述至少任二之組合。
如請求項5所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該卷積神經網路架構係為融合AlexNet、GoogLeNet及ResNet50所得之架構。
如請求項1所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該損失函數之公式係如下所示：<br/> 損失函數＝ <img align="absmiddle" height="15px" width="106px" file="ed10003.jpg" alt="ed10003.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>；<br/> 其中：<br/> p ̂ (p head)為預測之關鍵點；<br/> p為真實之關鍵點；<br/> s 為影像尺寸； <br/> Wx為影像x軸之權重； <br/> Wy為影像y軸之權重。
如請求項7所述自動化膝關節間隙量測方法，其中，該Wx係小於Wy。
一種水冷散熱結構，用以裝設在電源供應器的內部，該水冷散熱結構包括：一第一水冷板；一第二水冷板，裝設在該第一水冷板的一側，該第一水冷板與該第二水冷板配置於不同平面，且該第二水冷板自該第一水冷板延伸設置；一第一冷卻液流道，形成於該第一水冷板中，並且至少部分該第一冷卻液流道的延伸方向正交於該第一水冷板的法線方向；以及一第二冷卻液流道，形成於該第二水冷板中，並且至少部分該第二冷卻液流道的延伸方向正交於該第二水冷板的法線方向，該第二冷卻流道用以與該第一冷卻液流道連接，以使冷卻液得以在該第一冷卻液流道和該第二冷卻液流道中流通；多個延伸管，連接於在該第一水冷板和該第二水冷板之間，用以使該第一冷卻液流道和該第二冷卻液流道連通；其中，至少部分該第一冷卻液流道的延伸方向與至少部分該第二冷卻液流道的延伸方向不互相平行。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中：該第一水冷板具有一流出口與一回流口，該第一冷卻液流道形成在該第一水冷板的內部，並且在該第一水冷板的表面形成有一進水口與一排水口，該流出口和該回流口形成在該第一水冷板之一內側面，並且連通該第一冷卻液流道，該回流口位於該第一冷卻液流道之延伸路徑上的該流出口和該排水口之間；每一該第二水冷板的表面包含一環周面，該第二水冷板之該環周面的一側抵接於該第一水冷板之該內側面，該第二冷卻液流道在該第二水冷板的該表面形成有一入水口與一出水口，該入水口與該第一水冷板之該流出口之間以一流出延伸管相接，該出水口與該第一水冷板之該回流口之間以一回流延伸管相接。
如請求項2所述之水冷散熱結構，其中，該流出延伸管和該回流延伸管之彎折角度在九十度至一百二十度之間。
如請求項2所述之水冷散熱結構，其中，該流出延伸管和該回流延伸管分別在連接該第一水冷板的一端形成第一圓角，另分別在連接該第二水冷板的一端形成第二圓角，該第二水冷板之該入水口與該第一水冷板的距離大於或等於該流出延伸管之該第一圓角之半徑和該流出延伸管之該第二圓角之半徑的總和，該第二水冷板之該出水口與該第一水冷板的距離大於或等於該回流延伸管之該第一圓角之半徑和該回流延伸管之該第二圓角之半徑的總和。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中，該第一水冷板和該第二水冷板的最小厚度為5.5公釐。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中，該第二水冷板上鎖固至少一主動元件，該主動元件與該第二水冷板之間設有一絕緣片。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中，該第二水冷板上以黏貼方式固設至少一主動元件，該主動元件與該第二水冷板之間設有一導熱層。
如請求項4所述之水冷散熱結構，其中，該導熱層為導熱片(thermal pad)或導熱膠。
如請求項4所述之水冷散熱結構，其中，該第二水冷板上進一步設置至少一夾片，該夾片的一端固接於該第二水冷板，該夾片彈性壓抵於該主動元件，將該主動元件夾固在該夾片與該第二水冷板之間。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中，前述第二水冷板包含多個所述第二水冷板，該些第二水冷板以串聯方式連通該第一水冷板內的該第一冷卻液流道。
如請求項1所述之水冷散熱結構，其中：該第一水冷板的該第一冷卻液流道形成有多個分支流道；前述第二水冷板包含多個所述第二水冷板，該些第二水冷板之該第二冷卻液流道分別連通相對應的所述分支流道，藉此以並聯方式連通該第一水冷板的該第一冷卻液流道。
一種電源供應器，包括：一機殼；一電路板，設置於該機殼內，並且具有至少一發熱元件；以及一水冷散熱結構，設置於該機殼內，用以使冷卻液於其中流動以排出所述發熱元件所造成之熱量，其中該水冷散熱結構包括：一第一水冷板，設置於該機殼內並與平行於該電路板；一第二水冷板，裝設在該第一水冷板的一側，該第一水冷板與該第二水冷板配置於不同平面，且該第二水冷板自該第一水冷板延伸設置；一第一冷卻液流道，形成於該第一水冷板中，並且至少部分該第一冷卻液流道的延伸方向正交於該第一水冷板的法線方向；以及一第二冷卻液流道，形成於該第二水冷板中，並且至少部分該第二冷卻液流道的延伸方向正交於該第二水冷板的法線方向，該第二冷卻流道鄰近於所述發熱元件並用以與所述第一冷卻液流道連接，以使該冷卻液得以在該第一冷卻液流道和該第二冷卻液流道中流通；多個延伸管，連接於在該第一水冷板和該第二水冷板之間，用以使該第一冷卻液流道和該第二冷卻液流道連通；其中，至少部分該第一冷卻液流道的延伸方向與至少部分該第二冷卻液流道的延伸方向不互相平行。
如請求項12所述之電源供應器，其中：該第一水冷板具有一流出口與一回流口，該第一冷卻液流道形成在該第一水冷板的內部，並且在該第一水冷板的表面形成有一進水口與一排水口，該流出口和該回流口形成在該第一水冷板之一內側面，並且連通該第一冷卻液流道，該回流口位於該第一冷卻液流道之延伸路徑上的該流出口和該排水口之間；每一該第二水冷板的表面包含一環周面，該第二水冷板之該環周面的一側抵接於該第一水冷板之該內側面，該第二冷卻液流道在該第二水冷板的該表面形成有一入水口與一出水口，該入水口與該第一水冷板之該流出口之間以一流出延伸管相接，該出水口與該第一水冷板之該回流口之間以一回流延伸管相接。
如請求項13所述之電源供應器，其中，該流出延伸管和該回流延伸管之彎折角度在九十度至一百二十度之間。
如請求項13所述之電源供應器，其中，該流出延伸管和該回流延伸管分別在連接該第一水冷板的一端形成第一圓角，另分別在連接該第二水冷板的一端形成第二圓角，該第二水冷板之該入水口與該第一水冷板的距離大於或等於該流出延伸管之該第一圓角之半徑和該流出延伸管之該第二圓角之半徑的總和，該第二水冷板之該出水口與該第一水冷板的距離大於或等於該回流延伸管之該第一圓角之半徑和該回流延伸管之該第二圓角之半徑的總和。
如請求項12所述之電源供應器，其中，該第一水冷板和該第二水冷板的最小厚度為5.5公釐。
如請求項12所述之電源供應器，其中，該第二水冷板上鎖固至少一主動元件，該主動元件與該第二水冷板之間設有一絕緣片。
如請求項12所述之電源供應器，其中，該第二水冷板上以黏貼方式固設至少一主動元件，該主動元件與該第二水冷板之間設有一導熱層。
如請求項18所述之電源供應器，其中，該導熱層為導熱片(thermal pad)或導熱膠。
如請求項18所述之電源供應器，其中，該第二水冷板上進一步設置至少一夾片，該夾片的一端固接於該第二水冷板，該夾片彈性壓抵於該主動元件，將該主動元件夾固在該夾片與該第二水冷板之間。
如請求項12所述之電源供應器，其中，前述第二水冷板包含多個所述第二水冷板，該些第二水冷板以串聯方式連通該第一水冷板內的該第一冷卻液流道。
如請求項12所述之電源供應器，其中：該第一水冷板的該第一冷卻液流道形成有多個分支流道；前述第二水冷板包含多個所述第二水冷板，該些第二水冷板之該第二冷卻液流道分別連通相對應的所述分支流道，藉此以並聯方式連通該第一水冷板的該第一冷卻液流道。
一種液體吸排兩用泵，包括：<br/>一儲液桶，其內部形成一儲液空間，該儲液空間延伸至該儲液桶的頂緣形成一桶口，一導液管進入該儲液空間，用於導引液體進入或離開該儲液空間；<br/>一桶蓋，可移除地連接該儲液桶並封閉該桶口，一第一輸氣管、一第二輸氣管及一第三輸氣管分別連接該桶蓋，該第一輸氣管、該第二輸氣管及該第三輸氣管分別位於該儲液空間，該桶蓋貫穿一氣隙連通該儲液桶外部的空間；<br/>一唧筒，位於該儲液空間並連接該桶蓋，該唧筒的內部形成一缸室，一活塞設於該缸室，該活塞區分該缸室形成一第一分室及一第二分室，且該活塞阻斷該第一分室及該第二分室，該第一分室連通該氣隙，據使空氣通過該氣隙進入或離開該第一分室，該活塞連接一軸桿，該軸桿穿過該桶蓋連接一手柄，據使該活塞沿著該缸室往復作動，從而變化該第一分室及該第二分室的容積，該第一輸氣管及該第二輸氣管分別連接該唧筒，一第一單向閥連接該唧筒及該第一輸氣管，用於限制空氣僅能由該第二分室流向該第一輸氣管，一第二單向閥連接該唧筒及該第二輸氣管，用於限制空氣僅能由該第二輸氣管流向該第二分室；<br/>一控制閥，包括一閥殼及一閥桿，其中該閥殼連接該桶蓋，該閥殼的內部形成一長形的閥室，該閥室的兩端分別連通該閥殼外部的空間，該閥殼形成一環壁、一第一通道、一第二通道及一第三通道，該環壁在該閥室的徑向上環狀圍繞該閥室，該第一通道、該第二通道及該第三通道分別連通該閥室，該第一通道、該第二通道、該第三通道及該閥室的兩端，並沿著該閥殼的軸向間隔配置，且該第三通道位於該第一通道及該第二通道之間，該第一通道連通該第一輸氣管，該第二通道連通該第二輸氣管，該第三通道通過該第三輸氣管連通該儲液空間；<br/>該閥桿可沿軸向往復位移地設於該閥室，該閥桿軸向的兩端延伸至該閥殼的外部形成一第一操作部及一第二操作部，該閥桿徑向環套一第一止洩環、一第二止洩環及一第三止洩環，該第一止洩環位於該第一通道及該第一操作部之間，據使該第一止洩環選擇抵靠或不抵靠該環壁，從而變換該第一通道通過該閥室選擇連通或不連通該閥殼外部的空間，該第二止洩環位於該第二通道及該第二操作部之間，據使該第二止洩環選擇抵靠或不抵靠該環壁，從而變換該第二通道通過該閥室選擇連通或不連通該閥殼外部的空間，該第三止洩環位於該第一通道及該第二通道之間，且該第三止洩環抵靠該環壁，據使該第三通道通過該閥室選擇連通該第一通道或該第二通道。
如請求項1所述之液體吸排兩用泵，其中該第一止洩環與該第二止洩環之間的距離大於該第一通道與該第二通道之間的距離。
如請求項1所述之液體吸排兩用泵，其中該閥殼沿軸向的兩端分別定義為第一端及第二端，該第一端位於該第一通道與該第一操作部之間，該第二端位於該第二通道與該第二操作部之間，該閥殼的內部形成一第一子室及一第二子室分別連通該閥室，該第一子室位於該第一通道與該第一端之間，且該第一子室延伸至該第一端，該第二子室位於該第二通道與該第二端之間，且該第二子室延伸至該第二端，該第一子室及該第二子室的內徑分別大於該第一止洩環及該第二止洩環在自由狀態下的外徑。
如請求項1所述之液體吸排兩用泵，其中該桶蓋設有一連通管連通該導液管，據使該液體通過該導液管及該連通管進入或離開該儲液空間。
一種用於構成液體吸排兩用泵的組件，所述的組件用於配合一儲液桶設置，從而構成所述的液體吸排兩用泵；<br/>所述的組件，包括：<br/>一桶蓋，用於連接該儲液桶，一第一輸氣管、一第二輸氣管及一第三輸氣管分別連接該桶蓋，該桶蓋貫穿一氣隙；<br/>一唧筒，連接該桶蓋，該唧筒的內部形成一缸室，一活塞設於該缸室，該活塞區分該缸室形成一第一分室及一第二分室，且該活塞阻斷該第一分室及該第二分室，該第一分室連通該氣隙，據使空氣通過該氣隙進入或離開該第一分室，該活塞連接一軸桿，該軸桿穿過該桶蓋連接一手柄，據使該活塞沿著該缸室往復作動，從而變化該第一分室及該第二分室的容積，該第一輸氣管及該第二輸氣管分別連接該唧筒，一第一單向閥連接該唧筒及該第一輸氣管，用於限制空氣僅能由該第二分室流向該第一輸氣管，一第二單向閥連接該唧筒及該第二輸氣管，用於限制空氣僅能由該第二輸氣管流向該第二分室；<br/>一控制閥，包括一閥殼及一閥桿，其中該閥殼連接該桶蓋，該閥殼的內部形成一長形的閥室，該閥室的兩端分別連通該閥殼外部的空間，該閥殼形成一環壁、一第一通道、一第二通道及一第三通道，該環壁在該閥室的徑向上環狀圍繞該閥室，該第一通道、該第二通道及該第三通道分別連通該閥室，該第一通道、該第二通道、該第三通道及該閥室的兩端，並沿著該閥殼的軸向間隔配置，且該第三通道位於該第一通道及該第二通道之間，該第一通道連通該第一輸氣管，該第二通道連通該第二輸氣管，該第三通道連通該第三輸氣管；<br/>該閥桿可沿軸向往復位移地設於該閥室，該閥桿軸向的兩端延伸至該閥殼的外部形成一第一操作部及一第二操作部，該閥桿徑向環套一第一止洩環、一第二止洩環及一第三止洩環，該第一止洩環位於該第一通道及該第一操作部之間，據使該第一止洩環選擇抵靠或不抵靠該環壁，從而變換該第一通道通過該閥室選擇連通或不連通該閥殼外部的空間，該第二止洩環位於該第二通道及該第二操作部之間，據使該第二止洩環選擇抵靠或不抵靠該環壁，從而變換該第二通道通過該閥室選擇連通或不連通該閥殼外部的空間，該第三止洩環位於該第一通道及該第二通道之間，且該第三止洩環抵靠該環壁，據使該第三通道通過該閥室選擇連通該第一通道或該第二通道。
如請求項5所述之用於構成液體吸排兩用泵的組件，其中該第一止洩環與該第二止洩環之間的距離大於該第一通道與該第二通道之間的距離。
如請求項5所述之用於構成液體吸排兩用泵的組件，其中該閥殼沿軸向的兩端分別定義為第一端及第二端，該第一端位於該第一通道與該第一操作部之間，該第二端位於該第二通道與該第二操作部之間，該閥殼的內部形成一第一子室及一第二子室分別連通該閥室，該第一子室位於該第一通道與該第一端之間，且該第一子室延伸至該第一端，該第二子室位於該第二通道與該第二端之間，且該第二子室延伸至該第二端，該第一子室及該第二子室的內徑分別大於該第一止洩環及該第二止洩環在自由狀態下的外徑。
如請求項5所述之用於構成液體吸排兩用泵的組件，其中該桶蓋設有一連通管，用於連通該儲液桶，據使液體通過該連通管進入或離開該儲液桶。
一種快閃記憶體，包含：<br/>一基底；<br/>一第一浮置閘極設置於該基底上；<br/>一第一控制閘極設置於該第一浮置閘極上方；以及<br/>一抹除閘極設置於該第一控制閘極的一側，其中該抹除閘極包含一金屬層、一氮化鈦層和一氮氧化矽層，該氮氧化矽層圍繞該氮化鈦層並且該氮化鈦層圍繞該金屬層。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氮化鈦層中的氮/鈦的比值大於1。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氮化鈦層的厚度為該氮氧化矽層的厚度的4至6倍。
如請求項1所述之快閃記憶體，另包含：<br/>一第二浮置閘極，設置於該基底上；<br/>一第二控制閘極，設置於該第二浮置閘極上方；<br/>一第一穿隧介電層，設置於該第一浮置閘極和該基底之間；<br/>一第二穿隧介電層，設置於該第二浮置閘極和該基底之間；<br/>一第一介電層，設置於該第一浮置閘極和該第一控制閘極之間；<br/>一第二介電層，設置於該第二浮置閘極和該第二控制閘極之間；<br/>一氧化矽層環繞該抺除閘極；其中該抺除閘極設置於該第二浮置閘極和該第一浮置閘極之間；以及<br/>二源極/汲極摻雜區分別埋入於該第一浮置閘極之一側和該第二浮置閘極之一側的該基底中。
如請求項4所述之快閃記憶體，其中該氮氧化矽層接觸該氮化鈦層，該氮化鈦層接觸該金屬層，該氧化矽層接觸該氮氧化矽層。
如請求項4所述之快閃記憶體，其中該金屬層包含鎢、鎳、鉭、鈦或鈷。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中部分之該抹除閘極埋入於該基底。
如請求項1所述之快閃記憶體，其中該氮氧化矽層完整地覆蓋該氮化鈦層的側壁和底部。
一種快閃記憶體的製作方法，包含：<br/>提供一基底；<br/>形成一第一浮置閘極、一第一控制閘極、一第二浮置閘極和一第二控制閘極設置於該基底上，其中該第一控制閘極設置於該第一浮置閘極上方，該第二控制閘極設置於該第二浮置閘極上方，一第一溝渠設置於該第一控制閘極和該第二控制閘極之間以及該第一浮置閘極和該第二浮置閘極之間；<br/>形成一第二氧化矽層填滿該第一溝渠，其中該第二氧化矽層定義出一第二溝渠；<br/>蝕刻該第二溝渠的底部以形成一第三溝渠由該第二溝渠的底部延伸，並且該第三溝渠埋入於該基底中；<br/>形成一氮化鈦層覆蓋該第二溝渠和該第三溝渠；<br/>在形成該氮化鈦層之後，進行一氮化製程，該氮化製程包含以含氮氣體為反應氣體，將氮原子植入該氮化鈦層；以及<br/>在該氮化製程之後，形成一金屬層填入該第二溝渠和該第三溝渠。
如請求項9所述之快閃記憶體的製作方法，其中在進行該氮化製程時，氮原子同時植入該第二氧化矽層使得部分之該第二氧化矽層轉化成一氮氧化矽層。
如請求項10所述之快閃記憶體的製作方法，其中該氮化鈦層的厚度為該氮氧化矽層的厚度的4至6倍。
如請求項9所述之快閃記憶體的製作方法，其中在進行該氮化製程後，該氮化鈦層中的氮/鈦的比值大於1。
如請求項9所述之快閃記憶體的製作方法，其中該氮化製程所使用的含氮氣體的流速介於1000至1400每分鐘標準毫升(sccm)。
如請求項9所述之快閃記憶體的製作方法，其中該含氮氣體為氮氣。
如請求項9所述之快閃記憶體的製作方法，另包含在形成該第三溝渠之後，形成該氮化鈦層之前，形成一第三氧化矽層圍繞該第三溝渠的底部。
如請求項15所述之快閃記憶體的製作方法，另包含在進行該氮化製程時，氮原子同時植入該第三氧化矽層使得部分之該第三氧化矽層轉化成一氮氧化矽層。
一種藥物輸送裝置(1)的子組件(2)，用於將藥物由藥物容器(8)輸送至人類或動物患者，其中該子組件(2)包含：<br/>藥物輸送元件(211)，具有近側端(2111)，該藥物可經過該藥物輸送元件輸送至該患者；<br/>刺穿元件(212)，具有遠側端(2121)，用於刺穿該藥物容器(8)之薄膜(82)，以便將該藥物輸送元件(211)流體地連接至該藥物容器(8)；<br/>中心椿(22)，其係適於將該刺穿元件(212)由第一位置位移至第二位置，在該第一位置中，該刺穿元件(212)係配置遠離該藥物容器(8)的薄膜(82)，而在該第二位置中，該薄膜(82)被該刺穿元件(212)所刺穿；及<br/>帽蓋(23)，用於在使用該藥物輸送裝置(1)之前蓋住該藥物輸送元件(211)的近側端(2111)，<br/>其中該中心椿(22)具有第一導引結構(221)，且該帽蓋(23)具有第二導引結構(232)，並且該第一導引結構(221)和該第二導引結構(232)其中一者是螺旋的，及該第一導引結構(221)和該第二導引結構(232)係適於以使得該帽蓋(23)繞著縱向軸線(235)之旋轉導致該中心椿(22)沿著該縱向軸線(235)的位移及該刺穿元件(212)由該第一位置至該第二位置之位移的方式彼此嚙合。
如請求項1的子組件(2)，另外包含一具有第一導引元件(242)之導引螺帽(24)，該第一導引元件係能以使得該帽蓋(23)繞著該縱向軸線(235)的旋轉導致該帽蓋(23)相對該導引螺帽(24)之近側位移的方式來與該帽蓋(23)之第二導引元件(233)嚙合。
如請求項1或2的子組件(2)，其中該帽蓋(23)繞著該縱向軸線(235)之旋轉導致該帽蓋(23)在近側方向中的位移及該中心椿(22)於遠側方向中之位移。
如請求項3的子組件(2)，其中該中心椿(22)在該遠側方向中比該帽蓋(23)於該近側方向中位移得更遠。
如請求項2的子組件(2)，其中設計該第一導引元件(242)及該第二導引元件(233)，使得只有當該刺穿元件(212)處於該第二位置中時，而不是當該刺穿元件(212)處於該第一位置中時，該帽蓋(23)才可能從該導引螺帽(24)移除。
如請求項1或2的子組件(2)，另外包含一具有導引凹槽(257)之保持件(25)，該導引凹槽係可與該中心椿(22)的第一導引結構(221)嚙合，以便導引該中心椿(22)之位移。
如請求項6的子組件(2)，其中該中心椿(22)包含第一卡扣元件(223；224)，且該保持件(25)包含第二卡扣元件(253；254)，它們係適於彼此嚙合，以便將該刺穿元件(212)鎖定在該第二位置中。
如請求項6的子組件(2)，其中該保持件(25)用來藉著搭鎖連接將該子組件(2)固定至該藥物輸送裝置(1)之外殼(3)。
如請求項1或2的子組件(2)，另外包含一經由閂鎖機構附接至該帽蓋(23)之外帽蓋(26)，該閂鎖機構允許該外帽蓋(26)相對該帽蓋(23)繞著該縱向軸線(235)在唯一的旋轉方向中旋轉。
如請求項1或2的子組件(2)，其中該藥物輸送元件(211)及該刺穿元件(212)係固定地附接至該中心椿(22)。
如請求項1或2的子組件(2)，其中該帽蓋(23)之第二導引結構(232)係藉由螺旋溝槽形成。
一種藥物輸送裝置(1)，包含如請求項1至11中任一項所提出的子組件(2)。
一種魚缸換水裝置，主要包括：<br/> 一魚缸(11)；<br/> 至少一水位感測器，設置於該魚缸(11)上，且包括一高水位感測器(12)及一低水位感測器(13)，用以偵測該魚缸(11)內之水位狀態；<br/> 一第一控制單元(14)，連接該高水位感測器(12)及該低水位感測器(13)，用以接收水位感測訊號；<br/> 一警報裝置(16)，連接該第一控制單元(14)，用以於該第一控制單元(14)判定該水位狀態異常時發出警報；<br/> 一警示燈(18)，連接該第一控制單元(14)，用以顯示水位狀態；<br/> 一水源水管(21)；<br/> 至少一水流感測器(22)，設置於該水源水管(21)上，用以偵測水源之水流狀態；<br/> 一水源電磁閥(24)，設置於該水源水管(21)上，用以控制水源之開啟或關閉；<br/> 一第二控制單元(23)，連接該水流感測器(22)及該水源電磁閥(24)，用以依據該水流感測器(22)之感測訊號控制該水源電磁閥(24)之動作；<br/> 其中，該第一控制單元(14)與該第二控制單元(23)係彼此獨立設置，且透過通訊方式相互連接，以進行魚缸水位狀態與水源供水狀態之協同控制。
如請求項1所述之魚缸換水裝置，其中，當該高水位感測器檢測到魚缸水位過高時，該警報裝置啟動，並閃爍對應的該警示燈；當該低水位感測器檢測到魚缸水位過低時，該警報裝置啟動，並點亮對應的該警示燈。
如請求項1所述之魚缸換水裝置，其中，該魚缸換水裝置具備監控模式，監控魚缸水位狀況。
如請求項1所述之魚缸換水裝置，其中，該魚缸換水裝置具備手動管理模式，允許使用者手動調整水位並關閉警報。
一種用於管理一遞送之一電子設備之控制方法，該方法包括：<br/>藉由該電子設備之一處理器，基於識別與一誤送事件對應之至少一個品項，來識別與該至少一個品項之各者對應之至少一個快遞員是否當值；<br/>藉由該處理器，根據該至少一個快遞員是否當值來不同地顯示該至少一個品項之各者；<br/>藉由該電子設備之一收發器，回應於對該至少一個品項中有一快遞員當值的一第一品項之一輸入，接收與該第一品項相關聯之遞送資訊；<br/>藉由該處理器，基於第一快遞員資訊及該遞送資訊，識別與該第一品項對應之一第一快遞員是否可用於一遞送校正；及<br/>若該第一快遞員可用於該遞送校正，通過該收發器，提供至少部分之該遞送資訊至與該第一快遞員對應之一終端機，<br/>其中，提供至少部分之該遞送資訊包括：<br/>通過該收發器，提供關於遞送校正之資訊至與該第一快遞員對應之該終端機，使該第一快遞員在與該誤送事件對應之錯誤遞送目的地收集該第一品項。
如請求項1之控制方法，其中識別該第一快遞員是否可用於該遞送校正包含：<br/>基於該第一快遞員之當前位置是否在距該錯誤遞送目的地之預定距離內，識別該第一快遞員是否可用於該遞送校正。
如請求項1之控制方法，其中該遞送資訊包括一遞送校正請求截止期限之資訊，<br/>其中識別該第一快遞員是否可用於該遞送校正包含：<br/>若該第一快遞員之當前位置在距該錯誤遞送目的地之預定距離內，且該遞送校正請求截止期限未過去，判定該第一快遞員可用於一遞送校正；且<br/>若該第一快遞員之當前位置在距該錯誤遞送目的地之預定距離內，且該遞送校正請求截止期限已過去，判定該第一快遞員不可用於一遞送校正。
如請求項1之控制方法，其進一步包括：<br/>藉由該收發器，自與該第一快遞員對應之該終端機接收該遞送校正之結果資訊；及<br/>基於該遞送校正之該結果資訊，在該電子設備上顯示該遞送校正之該結果資訊。
如請求項1之控制方法，其中該遞送校正包含基於該第一快遞員之備用數量重新遞送該第一品項。
如請求項1之控制方法，其中該遞送資訊包括回應於該誤送事件而拍攝之影像資訊、該遞送校正之位址資訊、與該遞送校正之一位址相關聯之影像資訊、該第一品項之訂單資訊、一遞送校正請求時間、一遞送校正請求截止期限，及回應於該遞送校正之一失敗之一品項處理方法中的至少一者。
如請求項1之控制方法，其進一步包括：<br/>若該第一快遞員不可用於一遞送校正，藉由該處理器，產生該第一品項之處理資訊。
一種非暫時性電腦可讀記錄媒體，其上記錄有一程式，該程式在由一電腦執行時執行如請求項1之方法。
一種用於管理一遞送之電子設備，該設備包括：<br/>一收發器；<br/>一記憶體；及<br/>一處理器，<br/>其中該處理器經組態以：<br/>識別與對應於一誤送事件之至少一個品項之各者對應之至少一個快遞員是否當值；<br/>根據該至少一個快遞員是否當值來不同地顯示該至少一個品項之各者；<br/>回應於對該至少一個品項中有一快遞員當值的一第一品項之一輸入，接收與該第一品項相關聯之遞送資訊；<br/>基於與該第一品項對應之一快遞員資訊及該遞送資訊，識別與該第一品項對應之一快遞員是否可用於一遞送校正；及<br/>若與該第一品項對應之該快遞員可用於該遞送校正，提供關於遞送校正之資訊至對應於與該第一品項對應之該快遞員之一終端機，使與該第一品項對應之該快遞員在與該誤送事件對應之錯誤遞送目的地收集該第一品項。
一種用於數值型資料量化之處理裝置，包含：<br/>一記憶體；及<br/>處理電路，其與該記憶體耦接且用以進行以下操作：<br/>自一組數字之一組數位表示的一組指數確定一最大指數；<br/>基於自該組指數中的每一者減去該最大指數來獲得一組縮放後指數；<br/>執行以下操作中的一者：<br/>基於該組數字之該組數位表示的一組尾數及該組縮放後指數獲得一組量化有效數，或<br/>基於該組尾數獲得一組量化尾數；<br/>基於該組量化有效數或基於該組量化尾數及該組縮放後指數而輸出該組數字的一組量化數位表示至該記憶體；及<br/>基於該最大指數輸出與該組量化數位表示相關聯的一偏移的指數縮放因子至該記憶體。
如請求項1所述之處理裝置，其中用以獲得該組量化有效數的該處理電路進一步用以進行以下操作：<br/>基於該組尾數及該組縮放後指數而獲得一組移位後有效數；及<br/>將該組移位後有效數捨入至一目標位元長度以變成該組量化有效數。
如請求項2所述之處理裝置，其中用以獲得該組量化有效數的該處理電路進一步用以進行以下操作：<br/>基於一第一非零有效數數位至該組尾數中之每一者的恢復而將該組尾數轉換為一組有效數；及<br/>使該組有效數向右移位由該組縮放後指數指示的對應數目個位元以變成該組移位後有效數。
如請求項1所述之處理裝置，其中該組量化數位表示包含：<br/>該組量化有效數的一組二補數整數，其係基於該組數字的該組數位表示之一組符號位。
如請求項1所述之處理裝置，其中用以獲得該組縮放後指數的該處理電路進一步用以進行以下操作：<br/>基於自該最大指數減去一目標偏移而獲得一未偏移的指數縮放因子；及<br/>基於自該組指數中之每一者減去該未偏移的指數縮放因子而獲得該組縮放後指數，該組縮放後指數中的每一指數具有一目標指數位元長度。
一種用於數值型資料反量化之處理裝置，包含：<br/>一記憶體；及<br/>處理電路，其與該記憶體耦接且用以進行以下操作：<br/>提取一數值型資料之一反量化數位表示的一尾數，該尾數係處理一第一組數字之一第一組量化數位表示與一第二組數字之一第二組量化數位表示的一結果；<br/>自該數值型資料提取一指數調整；<br/>基於與該第一組量化數位表示相關聯的一第一指數縮放因子及與該第二組量化數位表示相關聯之一第二指數縮放因子獲得一組合後指數縮放因子；<br/>基於該組合後指數縮放因子及該指數調整來獲得該數值型資料的一未偏移指數；及<br/>輸出該數值型資料之該反量化數位表示至該記憶體，該反量化數位表示包括<br/>該反量化數位表示的該尾數，及<br/>基於該數值型資料之該未偏移指數的該反量化數位表示的一指數。
如請求項6所述之處理裝置，其中該處理電路進一步用以進行以下操作：<br/>識別該數值型資料的一第一非零有效數數位，<br/>其中<br/>該尾數進一步基於該第一非零有效數數位自該數值型資料的移除來提取，且<br/>該指數調整進一步基於該第一非零有效數數位在該數值型資料內的一數位位置來提取。
如請求項6所述之處理裝置，其中<br/>該未偏移指數基於該組合後指數縮放因子與該指數調整的相加來獲得；且<br/>該組合後指數縮放因子為一未偏移指數值。
如請求項6所述之處理裝置，其中<br/>該數值型資料之該未偏移指數基於該第一組量化數位表示與該第二組量化數位表示的一最大乘積指數、該組合後指數縮放因子及該指數調整的相加來獲得，<br/>該最大乘積指數為一未偏移指數值，且<br/>該組合後指數縮放因子為另一未偏移指數值。
一種數值型資料量化方法，包含以下步驟：<br/>自一組數字之一組數位表示的一組指數確定一最大指數；<br/>由一處理電路基於自該組指數中的每一者減去該最大指數來獲得一組縮放後指數；<br/>由該處理電路執行以下操作中的一者：<br/>基於該組數字之該組數位表示的一組尾數及該組縮放後指數獲得一組量化有效數，或<br/>基於該組尾數獲得一組量化尾數；<br/>基於該組量化有效數或基於該組量化尾數及該組縮放後指數而輸出該組數字的一組量化數位表示；及<br/>基於該最大指數而輸出與該組量化數位表示相關聯的一偏移的指數縮放因子。
一種把手鎖定裝置，其用以設置於一建築物的一出入口的一門組件；該門組件包含一門扇及一門框，該門扇可蓋設該出入口；該把手鎖定裝置包含： <br/>一開門偵測件，其用以設於該門扇並且傾向突出於該門扇地移動，且可用以抵靠該門框而內縮於該門扇，並且可用以卡合該門扇的一把手；該開門偵測件具有一卡合孔，該卡合孔用以套設該把手的一心軸；當該心軸穿設於該卡合孔時，該卡合孔卡合該心軸以防止該心軸轉動； <br/>其中，當該門扇蓋設該出入口時，該開門偵測件用以抵靠該門框，該開門偵測件允許該把手轉動； <br/>其中，當該門扇未蓋設該出入口時，該開門偵測件用以與該門框分離，且朝突出於該門扇的方向移動，該心軸穿設於該卡合孔以防止該把手轉動； <br/>其中，該開門偵測件具有一活動孔，其連通該卡合孔，並且用以套設該把手的該心軸；該心軸可於該活動孔及該卡合孔中來回移動；當該心軸穿設於該活動孔時，該活動孔允許該心軸轉動； <br/>其中，當該開門偵測件抵靠該門框時，該開門偵測件的該活動孔位置對應該心軸； <br/>其中，該門扇的位置隨該把手的轉動而升高或降低。
如請求項1所述之把手鎖定裝置，其中 <br/>該開門偵測件突出於該門扇的一外周面並且可用以抵靠該門框的一內周面。
一種門扇，用以連接一建築物的一出入口的一門框，該門扇包含： <br/>一主體，其可用以蓋設該出入口，並且可用以向下嵌入該門框的一底框或向下貼靠該建築物的地面； <br/>一把手，其可轉動或可移動地設於該主體； <br/>一頂塊，其可上下移動地設於該主體，並且可相對該主體向下移動而突出於該主體的底部； <br/>一傳動組件，其連接該把手及該頂塊，並且將該把手的轉動或移動轉換為該頂塊的上下移動； <br/>其中，當該把手未被轉動或移動時，該主體向下嵌入該底框或向下貼靠該建築物的該地面； <br/>其中，當該把手被朝一開門方向轉動或移動時，該傳動組件驅使該頂塊相對該主體向下移動並抵頂該底框或該建築物的該地面，進而使該主體相對該底框或該地面向上移動並與該底框或該地面產生一作動間隙； <br/>一開門偵測件，其用以設於該門扇並且傾向突出於該門扇地移動，且可用以抵靠該門框而內縮於該門扇，並且可用以卡合該門扇的該把手； <br/>其中，當該主體蓋設該出入口時，該開門偵測件用以抵靠該門框並且允許該把手轉動或移動； <br/>其中，當該主體未蓋設該出入口時，該開門偵測件用以與該門框分離，且朝突出於該門扇的方向移動，並且卡合該把手以防止該把手轉動或移動。
如請求項3所述之門扇，其中 <br/>該頂塊具有一受力斜面； <br/>該傳動組件具有一驅動件； <br/>當該把手被手動朝該開門方向轉動或移動時，該驅動件推抵該頂塊的該受力斜面，以驅使該頂塊向下抵頂該底框或該地面。
如請求項3所述之門扇，其中 <br/>該主體具有一主體螺紋； <br/>該頂塊可相對該主體轉動，並且具有一頂塊螺紋，該頂塊螺紋咬合該主體的該主體螺紋而使該頂塊相對該主體的轉動轉換為該頂塊相對該主體的上下移動； <br/>該傳動組件具有一驅動件，其連接該頂塊； <br/>當該把手被手動朝該開門方向轉動或移動時，該驅動件驅使該頂塊轉動，進而使頂塊向下抵頂該底框或該地面。
如請求項3至5中任一項所述之門扇，其中 <br/>該主體可透過相對該建築物轉動來蓋設該出入口； <br/>該頂塊相鄰於該主體與該建築物的樞轉軸線或位於該主體與該建築物的該樞轉軸線上。
如請求項4或5所述之門扇，其中 <br/>該把手可轉動地設於該主體； <br/>該傳動組件具有 <br/> 一齒輪，其設於該把手的一心軸； <br/> 一齒條，其可移動地設於該主體，並且嚙合該齒輪。
如請求項7所述之門扇，其中 <br/>該齒條可沿一第一方向移動； <br/>該驅動件可沿相異於該第一方向的一第二方向移動； <br/>該傳動組件具有一轉向器，其具有 <br/> 一固定部，其設於該主體； <br/> 一第一端，其可沿該第一方向來回移動地連接該固定部； <br/> 一第二端，其可沿該第二方向來回移動地連接該固定部； <br/> 當該第一端被朝該第一方向移動時，該第二端受該第一端驅動而朝該第二方向移動； <br/>該齒條及該驅動件分別連接該轉向器的該第一端及該第二端。
一種容器用金屬板，其具有設置於金屬板的至少一者之面上的樹脂被膜層，其中 <br/> 前述樹脂被膜層包含聚酯樹脂，且積層有複數個樹脂層， <br/> 前述樹脂被膜層在280℃下之複數黏度為31Pa·s以上、100Pa·s以下， <br/> 前述複數個樹脂層具有含有白色顏料的顏料層，以及含有0.01質量%以上、1.35質量%以下之潤滑成分的潤滑層， <br/> 前述潤滑層配置於前述複數個樹脂層的最外側， <br/> 前述顏料層相對於配置於前述複數個樹脂層的最外側之前述潤滑層的膜厚之比為1.0/1.0以上、16.0/1.0以下， <br/> 前述潤滑層之前述潤滑成分包含含有極性基之蠟， <br/> 前述白色顏料為氧化鈦。
如請求項1記載之容器用金屬板，其中 <br/> 前述顏料層含有5質量%以上、30質量%以下之前述氧化鈦。
如請求項1或2記載之容器用金屬板，其中，在前述複數個樹脂層之積層方向中，前述金屬板之表面上設置有前述潤滑層，前述潤滑層之表面上設置有前述顏料層，前述顏料層之表面上設置有前述潤滑層。
如請求項1或2記載之容器用金屬板，其中，前述聚酯樹脂為包含間苯二甲酸作為酸成分之共聚合聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。
如請求項3記載之容器用金屬板，其中，前述聚酯樹脂為包含間苯二甲酸作為酸成分之共聚合聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。
一種容器用金屬板的製造方法，其為如請求項1~5中任一項記載之容器用金屬板的製造方法，其包含： <br/> 熱熔融擠出步驟，將前述潤滑層之成分與前述顏料層之成分，分別以互相不同之擠出機來進行加熱熔融擠出； <br/> 擠出成形步驟，將前述潤滑層之成分與前述顏料層之成分以進料塊進行積層後，從T模具擠出成形；以及 <br/> 積層步驟，對前述金屬板與前述樹脂被膜層進行熱壓接積層。
一種罐的製造方法，其具有將如請求項1~5中任一項記載之容器用金屬板成形加工成罐的罐成形加工步驟，其具有： <br/> 熱處理步驟，對前述容器用金屬板施加至少1次前述樹脂被膜層之玻璃轉移點以上，且該樹脂被膜層之熔點以下的熱處理， <br/> 在進行前述罐成形加工步驟之前，進行前述熱處理步驟。
如請求項7記載之罐的製造方法，其中前述熱處理包含油墨烘烤。
一種線性滑軌的自潤結構，設置在滑塊的一側用以對一滑軌進行潤滑，所述滑軌具有一潤滑部，該自潤結構包括: <br/>一油箱，包含一框板及該框板圍合的一儲油空間； <br/>一自潤元件，設置在該儲油空間中，且該自潤元件的外緣面及該框板的內壁面之間具有一第一間隙； <br/>一弧形彈片，為單獨設置的一片體且穿置在該第一間隙中，包含一第一抵靠段、及自該第一抵靠段延伸的一弧形段及自該弧形段延伸的一第二抵靠段，該第一抵靠段及該第二抵靠段分別抵掣該自潤元件，從而使該弧形段彈性抵接該框板的內壁面；以及 <br/>一側蓋，罩合該儲油空間並結合在該油箱上； <br/>其中該油箱更包括設置在該儲油空間中的一鎖柱，該鎖柱係靠抵在該弧形段上。
如請求項1所述之線性滑軌的自潤結構，其中該自潤元件具有間隔貼接所述滑軌的一上凸唇及一下凸唇，該鎖柱係位於該上凸唇及該下凸唇的延伸線之間。
如請求項1所述之線性滑軌的自潤結構，其中該鎖柱及該第一抵靠段之間具有一第一變形空間，該第一變形空間自該第一抵靠段的末端朝該鎖柱方向逐漸變大。
如請求項1所述之線性滑軌的自潤結構，其中該鎖柱及該第二抵靠段之間具有一第二變形空間，該第二變形空間自該第二抵靠段的末端朝該鎖柱方向逐漸變大。
如請求項1所述之線性滑軌的自潤結構，其中該鎖柱的截面係呈C字形，包含間隔設置的二平直片及連接該二平直片的一半圓片，各平直片的末端與該框板的內壁面之間具有一第二間隙，且該第二間隙的尺寸小於該第一間隙的尺寸。
如請求項5所述之線性滑軌的自潤結構，其中該自潤元件在抵靠該鎖柱的平直片之處為一平面段。
如請求項2所述之線性滑軌的自潤結構，其中該自潤元件在該上凸唇及該下凸唇之間為一頸縮段，且該頸縮段的二側分別抵接該鎖柱及所述滑軌。
一種亂數產生器，包含： <br/>一噪聲源電路，用以連續產生多個隨機位元； <br/>一N位移位暫存器，用以依序接收並儲存該些隨機位元中的N個隨機位元，其中N為大於1的整數； <br/>一重複次數測試（Repetition Count Test，RCT）電路，用以依據該N位移位暫存器中所儲存的全部隨機位元判斷是否出現一重複事件，及當在一預定時間內發生兩次重複事件時，發出一第一錯誤訊號； <br/>一自適應比例測試（Adaptive Proportion Test，APT）電路，用以當該些隨機位元中，連續產生之一預定數量的隨機位元中具有一特定數值的隨機位元數量大於一第一預定值或小於一第二預定值時，發出一第二錯誤訊號； <br/>一控制電路，用以在一初始階段： <br/>使該噪聲源電路致能；及 <br/>當接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能後再次致能；及 <br/>在一處理階段： <br/>使該噪聲源電路持續產生隨機位元； <br/>使該亂數產生器依據該噪聲源電路在該處理階段所產生之隨機位元產生至少一亂數數據；及 <br/>當接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能，並重新進入該初始階段； <br/>一緩衝儲存電路，用以儲存自該N位移位暫存器分次傳來的K個隨機位元，其中K為大於N的整數； <br/>一亂度調理電路，用以依據該K個隨機位元執行一亂度增強演算法以產生該至少一亂數數據；及 <br/>一輸出電路，用以在該處理階段輸出該至少一亂數數據。
如請求項1所述之亂數產生器，其中該控制電路另用以在該初始階段中，當在該預定時間內並未接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該亂數產生器進入該處理階段。
如請求項1所述之亂數產生器，其中該控制電路另用以在接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，清除該緩衝儲存電路中的數據。
如請求項1所述之亂數產生器，其中該自適應比例測試電路包含： <br/>一P位移位暫存器，包含P個M位暫存器，其中P及M為正整數，且2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>與P的乘積等於該預定數量； <br/>一累加器，用以累加該噪聲源電路所產生的隨機位元；及 <br/>一計數器，用以在每次該累加器接收到2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>個隨機位元時，輸出一計數信號，以使該累加器將由該2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>個隨機位元所累加成之一最新部分累加值輸出至該P位移位暫存器，該計數器另用以在輸出該計數信號後歸零。
如請求項4所述之亂數產生器，其中該自適應比例測試電路包含： <br/>一累加暫存器，用以暫存該預定數量的該隨機位元的一整體累加值； <br/>一加法器，用以將該最新部分累加值與該整體累加值相加以產生一中間累加值； <br/>一減法器，用以將該中間累加值減去該P位移位暫存器中最後一個M位暫存器所儲存的一先前部分累加值以產生一更新累加值；及 <br/>一比較器，用以當該更新累加值大於該第一預定值或小於該第二預定值時輸出該第二錯誤訊號。
如請求項4所述之亂數產生器，其中當該自適應比例測試電路接收到該重複次數測試電路判斷出現該重複事件時所發出的一警告訊號時，重置該自適應比例測試電路。
如請求項4所述之亂數產生器，其中K是2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>的整數倍，N大於2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>，且該N位移位暫存器另用以接收該計數信號，並在接收到該計數信號時，將該N位移位暫存器的其中2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>個隨機位元輸出至該緩衝儲存電路。
一種亂數產生器，包含： <br/>一噪聲源電路，用以連續產生多個隨機位元； <br/>一N位移位暫存器，用以依序接收並儲存該些隨機位元中的N個隨機位元，其中N為大於1的整數； <br/>一重複次數測試（Repetition Count Test，RCT）電路，用以依據該N位移位暫存器中所儲存的全部隨機位元判斷是否出現一重複事件，及當在一預定時間內發生兩次重複事件時，發出一第一錯誤訊號； <br/>一自適應比例測試（Adaptive Proportion Test，APT）電路，用以當該些隨機位元中，連續產生之一預定數量的隨機位元中具有一特定數值的隨機位元數量大於一第一預定值或小於一第二預定值時，發出一第二錯誤訊號；及 <br/>一控制電路，用以在一初始階段： <br/>使該噪聲源電路致能；及 <br/>當接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能後再次致能；及 <br/>在一處理階段： <br/>使該噪聲源電路持續產生隨機位元； <br/>使該亂數產生器依據該噪聲源電路在該處理階段所產生之隨機位元產生至少一亂數數據；及 <br/>當接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能，並重新進入該初始階段； <br/>其中該重複次數測試電路包含： <br/>一邏輯電路，用以當該N位移位暫存器所儲存的全部隨機位元均為1或均為0時，發出一警告訊號； <br/>一重置計數器，用以在接收到該警告訊號時，使該邏輯電路忽略原先儲存的N個隨機位元直到該N位移位暫存器重新接收另N個隨機位元；及 <br/>一計時器，用以在接收到該警告訊號時，開始倒數該預定時間； <br/>其中該邏輯電路另用以在發出該警告訊號且該N位移位暫存器接收到該另N個隨機位元之後，當該N位移位暫存器所儲存的所有隨機位元再次均為1或均為0，且該計時器尚未歸零時，發出該第一錯誤訊號。
如請求項8所述之亂數產生器，其中該N位移位暫存器包含N個單位暫存器，及該邏輯電路包含： <br/>一第一及閘，具有N+1個輸入端分別耦接於該N個單位暫存器中一對應單位暫存器的一正資料端及該重置計數器，及一輸出端； <br/>一第二及閘，具有N+1個輸入端分別耦接於該N個單位暫存器中一對應單位暫存器的一負資料端及該重置計數器，及一輸出端；及 <br/>一或閘，具有一第一輸入端耦接於該第一及閘的該輸出端，一第二輸入端耦接於該第二及閘的該輸出端，及一輸出端用以輸出該警告訊號。
如請求項9所述之亂數產生器，其中該重置計數器是在接收到該警告訊號時，輸出N個0以使該邏輯電路忽略原先儲存的N個隨機位元直到該N位移位暫存器重新接收另N個隨機位元。
如請求項10所述之亂數產生器，其中該邏輯電路另用以在發出該警告訊號且該N位移位暫存器接收到該另N個隨機位元之後，當該N位移位暫存器所儲存的所有隨機位元再次均為1或均為0時，再次發出該警告訊號。
如請求項11所述之亂數產生器，其中該邏輯電路另包含一第三及閘，具有一第一輸入端耦接於該或閘的該輸出端，一第二輸入端用以接收一布林訊號，及一輸出端用以輸出該第一錯誤訊號。
一種亂數產生器的操作方法，該亂數產生器包含一噪聲源電路、一N位移位暫存器、一重複次數測試（Repetition Count Test，RCT）電路及一自適應比例測試（Adaptive Proportion Test，APT）電路，其中N為大於1的整數，該方法包含： <br/>在一初始階段： <br/>使該噪聲源電路連續產生多個隨機位元； <br/>使該N位移位暫存器依序接收並儲存該些隨機位元中的N個隨機位元； <br/>使該重複次數測試電路進行一重複次數測試以依據該N位移位暫存器中所儲存的全部隨機位元判斷是否出現一重複事件； <br/>當該重複次數測試電路在一預定時間內發生兩次重複事件時，發出一第一錯誤訊號； <br/>使該自適應比例測試電路進行一自適應比例測試以當該些隨機位元中，連續產生之一預定數量的隨機位元中具有一特定數值的隨機位元數量大於一第一預定值或小於一第二預定值時，發出一第二錯誤訊號；及 <br/>當該重複次數測試電路發出該第一錯誤訊號或該自適應比例測試電路發出該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能後再次致能；及 <br/>在一處理階段： <br/>使該噪聲源電路持續產生隨機位元； <br/>使該重複次數測試電路進行該重複次數測試； <br/>使該自適應比例測試電路進行該自適應比例測試；及 <br/>當接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該噪聲源電路失能，並重新進入該初始階段； <br/>其中使該重複次數測試電路進行該重複次數測試以依據該N位移位暫存器中所儲存的全部隨機位元判斷是否出現該重複事件的步驟包含： <br/>當該N位移位暫存器所儲存的全部隨機位元均為1或均為0時，發出一警告訊號。
如請求項13所述之方法，其中該方法另包含在該初始階段中，當在該預定時間內並未接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，使該亂數產生器進入該處理階段。
如請求項13所述之方法，其中該方法另包含在該處理階段中，當在該預定時間內並未接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，依據該噪聲源電路所產生之隨機位元產生至少一亂數數據。
如請求項15所述之方法，其中該亂數產生器另包含一緩衝儲存電路及一亂度調理電路，及在該處理階段中，當在該預定時間內並未接收到該第一錯誤訊號或該第二錯誤訊號時，依據該噪聲源電路所產生之隨機位元產生該至少一亂數數據的步驟包含： <br/>使該緩衝儲存電路儲存自該N位移位暫存器分次傳來的K個隨機位元； <br/>使該亂度調理電路依據該K個隨機位元執行一亂度增強演算法以產生該至少一亂數數據；及 <br/>輸出該至少一亂數數據。
如請求項13所述之方法，其中該自適應比例測試電路包含一P位移位暫存器、一累加器、一計數器及一累加暫存器，該P位移位暫存器，包含P個M位暫存器，其中P及M為正整數，且2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>與P的乘積等於該預定數量，該方法包含： <br/>使該累加該噪聲源電路所產生的隨機位元； <br/>使該計數器在每次該累加器接收到2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>個隨機位元時，輸出一計數信號，以使該累加器將由該2<sup>（</sup><sup>M-1</sup><sup>）</sup>個隨機位元所累加成之一最新部分累加值輸出至該P位移位暫存器； <br/>使該計數器在輸出該計數信號後歸零； <br/>將該最新部分累加值與該預定數量的該隨機位元的一整體累加值相加並減去該P位移位暫存器中最後一個M位暫存器所儲存的一先前部分累加值以產生一更新累加值； <br/>其中該自適應比例測試電路是在當該更新累加值大於該第一預定值或小於該第二預定值時輸出該第二錯誤訊號。
如請求項13所述之方法，其中該重複次數測試電路包含一計時器，及當該重複次數測試電路在該預定時間內發生兩次重複事件時，發出該第一錯誤訊號的步驟包含： <br/>在接收到該警告訊號時，使該計時器開始倒數該預定時間；及 <br/>在接收到該警告訊號，且該N位移位暫存器已重新接收另N個隨機位元後，當該N位移位暫存器所儲存的所有隨機位元再次均為1或均為0，且該計時器尚未歸零時，發出該第一錯誤訊號。
一種承載結構，係包括：承載板，係包含板體、結合於該板體其中一側上之第一金屬層、結合於該第一金屬層上之第二金屬層及結合於該第二金屬層上之第三金屬層，使該第二金屬層位於該第一金屬層和第三金屬層之間，其中，該第一金屬層係覆蓋該板體其中一側之全部表面，以及該第二金屬層係覆蓋該第一金屬層之全部表面，且該第三金屬層係作為晶種層；以及線路層，係結合於該第三金屬層上。
如請求項1所述之承載結構，其中，該第一金屬層復結合於該板體之另一側上，使該板體之相對兩側上均結合有該第一金屬層。
如請求項1所述之承載結構，其中，該第一金屬層係為銅層。
如請求項1所述之承載結構，其中，該第二金屬層係為銅層。
如請求項1所述之承載結構，其中，該第三金屬層係為銅層。
如請求項1所述之承載結構，復包括形成於該線路層上之表面處理層。
一種用於校正一類比輸入信號中之一失真的系統，該系統包含：<br/> 一類比至數位轉換器，被配置為用於接收具有該失真的該類比輸入信號，該類比至數位轉換器被配置為用於產生一N位元數位信號；以及<br/> 一數位處理電路，被配置為用於接收該N位元數位信號，該數位處理電路包括：<br/> 一記憶體，其具有複數個記憶體位址且被配置為用於接收該N位元數位信號，其中該複數個記憶體位址中之至少一些記憶體位址被配置為儲存二或更多個失真校正項的一級聯；<br/> 其中該數位處理電路被配置為用於：<br/> 修改該N位元數位信號以產生一經修改信號；<br/> 將該經修改信號施加至該記憶體，其中該經修改信號表示該複數個記憶體位址中之一者；<br/> 從該記憶體輸出表示由該經修改信號指定之該記憶體位址之內容的一M位元輸出；<br/> 修改該M位元輸出以將該M位元輸出分離為該二或更多個失真校正項；<br/> 基於該二或更多個失真校正項來產生一校正數位信號；以及<br/> 將該校正數位信號施加至該N位元數位信號。
如請求項1之系統，其中修改該N位元數位信號包括減少該N位元數位信號之位元之數目。
如請求項1之系統，其中修改該N位元數位信號包括將抖動施加至該N位元數位信號。
如請求項1之系統，其中修改該N位元數位信號包括將增益施加至該N位元數位信號。
如請求項1之系統，其中該二或更多個失真校正項具有可變位元寬。
如請求項1之系統，其中該二或更多個失真校正項係時間延遲的。
如請求項1之系統，其中被配置為用於修改該N位元數位信號以產生該經修改信號之該數位處理電路被配置為用於：<br/> 將一縮放因子B施加至該N位元數位信號，<br/> 其中該二或更多個失真校正項縮放1/B。
如請求項1之系統，其中該數位處理電路被配置為用於：<br/> 將一縮放因子施加至該M位元輸出。
如請求項1之系統，其中該記憶體具有Q x M之一大小，且其中該複數個記憶體位址中之各者對應於一M位元字組。
一種用於校正一類比輸入信號中之一失真的方法，該方法包含：<br/> 在具有複數個記憶體位址之一記憶體中儲存二或更多個失真校正項的一級聯；<br/> 基於具有該失真之該類比輸入信號接收一N位元數位信號；<br/> 修改該N位元數位信號以產生一經修改信號；<br/> 將該經修改信號施加至該記憶體，其中該經修改信號表示該複數個記憶體位址中之一者；<br/> 從該記憶體輸出表示由該經修改信號指定之該記憶體位址之內容的一M位元輸出；<br/> 修改該M位元輸出以將該M位元輸出分離為該二或更多個失真校正項；<br/> 基於該二或更多個失真校正項來產生一校正數位信號；以及<br/> 將該校正數位信號施加至該N位元數位信號。
如請求項10之方法，其中修改該N位元數位信號包括減少該N位元數位信號之位元之數目。
如請求項10之方法，其中修改該N位元數位信號包括將抖動施加至該N位元數位信號。
如請求項10之方法，其中修改該N位元數位信號包括將增益施加至該N位元數位信號。
如請求項10之方法，其中該二或更多個失真校正項具有可變位元寬。
如請求項10之方法，其中該二或更多個失真校正項係時間延遲的。
如請求項10之方法，其中修改該N位元數位信號以產生該經修改信號包括：<br/> 將一縮放因子B施加至該N位元數位信號，其中該二或更多個失真校正項縮放1/B。
如請求項10之方法，其包含：<br/> 將一縮放因子施加至該M位元輸出。
一種用於校正一類比輸入信號中之一失真的系統，該系統包括一類比至數位轉換器，該類比至數位轉換器被配置為用於接收具有該失真之該類比輸入信號，該類比至數位轉換器被配置為用於產生一N位元數位信號，該系統包含：<br/> 一數位處理電路，被配置為用於接收該N位元數位信號，該數位處理包括：<br/> 一記憶體，其具有複數個記憶體位址且被配置為用於接收該N位元數位信號；<br/> 其中該數位處理電路被配置為用於：<br/> 級聯二或更多個失真校正項；<br/> 將該二或更多個失真校正項的該級聯儲存在一記憶體位址中；<br/> 修改該N位元數位信號以產生一經修改信號；<br/> 將該經修改信號施加至該記憶體，其中該經修改信號表示該複數個記憶體位址中之一者；<br/> 從該記憶體輸出表示由該經修改信號指定之該記憶體位址之內容的一M位元輸出；<br/> 修改該M位元輸出以將該M位元輸出分離為該二或更多個失真校正項；<br/> 基於該二或更多個失真校正項來產生一校正數位信號；以及<br/> 將該校正數位信號施加至該N位元數位信號。
如請求項18之系統，其中修改該N位元數位信號包括減少該N位元數位信號之位元之數目。
如請求項18之系統，其中修改該N位元數位信號包括將抖動施加至該N位元數位信號。
一種檢測半導體製程工具中雜質的設備，包括：<br/> 檢測模組，包括：<br/> 外殼，定義被配置以接收製程工具的組件的測試體積；<br/> 線圈組件，設置在所述外殼上並環繞所述測試體積；以及<br/> 磁鐵組件，定位以在所述測試體積中施加磁場；<br/> 分析模組，電連接至所述線圈組件，其中所述分析模組可操作以向所述線圈組件供應脈衝射頻波並檢測所述檢測模組的電感、電容和電阻中的至少一個。
如請求項1所述的設備，其中所述外殼被配置以接收所述製程工具的濾波器或供應管路。
如請求項1所述的設備，其中所述線圈組件包括環繞所述外殼的三維螺旋線圈（helical coil）。
如請求項2所述的設備，其中所述磁鐵組件包括設置在所述外殼周圍的一對永久磁鐵。
如請求項2所述的設備，其中所述磁鐵組件包括一對線圈，被配置以產生電磁場。
如請求項1所述的設備，其中所述外殼包括第一區段和第二區段，可在開啟位置和關閉位置之間移動，且所述線圈組件包括一對平面線圈，分別設置在所述外殼的所述第一區段和所述第二區段上。
一種檢測半導體製程工具中雜質的系統，包括：<br/> 製程工具；<br/> 製程化學源；<br/> 連接在所述製程工具和所述製程化學源之間的流體通道；以及<br/> 設置在所述製程工具和所述製程化學源之間的雜質監測設備，其中所述雜質監測設備包括：<br/> 設置在所述流體通道的部分周圍的外殼；<br/> 設置在所述外殼上的線圈組件；以及<br/> 設置在所述流體通道的所述部分周圍的磁鐵組件。
如請求項7所述的系統，其中所述雜質監測設備還包括：<br/> 連接到所述線圈組件的射頻電源；以及<br/> 連接到所述線圈組件的數據採集（DAQ）單元。
如請求項8所述的系統，其中所述雜質監測設備還包括阻抗分析儀。
一種檢測半導體製程工具中雜質的方法，包括：<br/> 通過流體通道從製程化學源向製程工具供應流體；<br/> 對所述流體通道的部分施加基座磁場；<br/> 在所述基座磁場施加於所述流體通道的所述部分時，對所述流體通道的所述部分施加脈衝電磁場；<br/> 在所述脈衝電磁場終止後，測量所述流體通道的所述部分的阻抗；以及<br/> 根據所測量的阻抗確定所述流體通道部分中的雜質。
一種滑鼠，其包含：<br/> 一底座，其設置有一電路板；<br/> 一殼體，其可拆卸地固定於所述底座；<br/> 兩個活動鍵，其可活動地設置於所述殼體；<br/> 兩個微動開關，其設置於所述底座，兩個所述微動開關鄰近於兩個所述活動鍵設置；任一個所述活動鍵受壓時，能對應抵壓相鄰的所述微動開關的一開關件；<br/> 至少一調整模組，其包含：<br/> 一活動底板，其一端固定於所述電路板，其中一個所述微動開關設置於所述活動底板；<br/> 一連動件，其可活動地設置於所述底座，所述連動件的一端鄰近於所述活動底板面向所述底座的一側設置；<br/> 一調整件，其可活動地鎖固於所述底座，且所述調整件的一端露出於所述殼體，所述調整件的另一端能與所述連動件抵接；<br/> 其中，當所述滑鼠置放於一平面，且所述調整件露出於所述殼體的一端被驅動時，所述調整件的另一端能推抵所述連動件，以使所述連動件的抵頂活動底板，據以改變所述開關件與相鄰的所述活動鍵之間的一間距；<br/> 其中，所述調整件為一螺絲，所述底座具有一鎖孔座，所述鎖孔座具有一鎖孔，所述調整件鎖固於所述鎖孔。
如請求項1所述的滑鼠，其中，所述滑鼠包含兩個所述調整模組；兩個所述微動開關設置於兩個所述活動底板。
如請求項1所述的滑鼠，其中，所述活動底板是由所述電路板延伸形成，所述活動底板相反於與所述電路板連接的一端為自由端；與所述活動板相鄰的所述連動件，是抵靠於所述活動底板的自由端，且抵靠於所述活動底板相反於設置有所述微動開關的一側。
如請求項1所述的滑鼠，其中，所述連動件具有一樞接部、一承受部及一抵頂部，所述連動件通過所述樞接部樞接於所述底座，所述樞接部向兩側延伸形成所述承受部及所述抵頂部；所述調整件被驅動時，所述調整件的一端能推抵所述承受部，而所述連動件能通過所述樞接部相對於所述底座旋轉，且所述抵頂部將對應抵頂所述活動底板。
如請求項4所述的滑鼠，其中，所述抵頂部是由所述樞接部向一側延伸形成的一長臂結構，所述承受部是由所述樞接部向另一側延伸形成的一短臂結構，所述長臂結構的長度大於所述短臂結構的長度，所述長臂結構、所述樞接部及所述短臂結構共同構成L型結構。
如請求項5所述的滑鼠，其中，所述短臂結構的末端還向遠離所述長臂結構的一側，延伸形成一輔助部，所述輔助部用以提供所述調整件的一端推抵；所述短臂結構與所述輔助部共同形成另一L型結構。
如請求項1所述的滑鼠，其中，所述底座還設置有兩個樞接結構，各個所述樞接結構包含一本體及一樞接孔，兩個樞接結構彼此相面對地設置；所述連動件具有一樞接部、一承受部及一抵頂部，所述連動件通過所述樞接部，與兩個所述樞接孔樞接；其中，所述底座還具有一鎖孔座，所述鎖孔座具有一鎖孔，所述調整件鎖合於所述鎖孔座；所述樞接結構的所述樞接孔，遠離所述鎖孔座的所述鎖孔設置；所述調整件被驅動時，所述調整件的一端能推抵所述承受部，而所述連動件能通過所述樞接部相對於所述底座旋轉，且所述連動件將對應抵頂所述活動底板。
如請求項1所述的滑鼠，其中，所述調整件露出於所述殼體的一端，具有至少一標記結構；所述底座具有一鎖孔座，所述調整件鎖固於所述鎖孔座，所述鎖孔座具有多個輔助標記結構；所述調整件被一操作件帶動時，所述標記結構能與其中一個所述輔助標記結構對位地設置。
一種分層式資安分析方法，由一系統執行，該系統包括一第一層分析裝置，及一通訊連接該第一層分析裝置的第二層分析裝置，該第一層分析裝置通訊連接一安全資訊與事件管理平台及一外部情資伺服器，該第一層分析裝置儲存有多筆歷史異常事件資訊，每一筆歷史異常事件資訊包括一觸發時間、一來源資源、一目標資源、一攻擊特徵，及一指示出是否為誤判事件的標籤，該方法包含以下步驟：<br/> (A)該第一層分析裝置接收一來自該安全資訊與事件管理平台的當前異常事件資訊，該當前異常事件資訊包括一觸發時間、一來源資源、一目標資源，及一攻擊特徵；<br/> (B)該第一層分析裝置根據該當前異常事件資訊，從該等歷史異常事件資訊獲得多筆相關該當前異常事件資訊的關聯歷史異常事件資訊，其中，每一筆關聯歷史異常事件資訊的觸發時間與該當前異常事件資訊的觸發時間之差小於一時間閾值，且每一筆關聯歷史異常事件資訊的來源資源、目標資源，及攻擊特徵之至少一者與該當前異常事件資訊的來源資源、目標資源，及攻擊特徵相同；<br/> (C)該第一層分析裝置根據該當前異常事件資訊及該等關聯歷史異常事件資訊，判斷該當前異常事件資訊是否為高風險，其中，步驟(C)包括以下子步驟：<br/> (C-1)該第一層分析裝置根據該當前異常事件資訊及該等關聯歷史異常事件資訊，獲得多個風險因子分數，其中，<br/> 該第一層分析裝置將該當前異常事件資訊傳送至該外部情資伺服器，以致該外部情資伺服器根據該當前異常事件資訊進行信譽評分，以產生並回傳一信譽風險因子分數，<br/> 該第一層分析裝置根據該等關聯歷史異常事件資訊的數量產生一異常出現頻率風險因子分數， <br/> 該第一層分析裝置從該等關聯歷史異常事件資訊獲得至少一目標關聯歷史異常事件資訊，每一目標關聯歷史異常事件資訊的標籤指示出為誤判事件，並根據該當前異常事件資訊及該至少一目標關聯歷史異常事件資訊產生一相關於該當前異常事件資訊與該至少一目標關聯歷史異常事件資訊相似程度的誤判相似程度風險因子分數，<br/> 該等風險因子分數包括該信譽風險因子分數、該異常出現頻率風險因子分數，及該誤判相似程度風險因子分數，<br/> (C-2)該第一層分析裝置根據該等風險因子分數，獲得一風險總分數，及<br/> (C-3)該第一層分析裝置判斷該風險總分數是否大於一第一閾值，以判斷該當前異常事件資訊是否為高風險，當該風險總分數大於該第一閾值時，判定該當前異常事件資訊為高風險，當該風險總分數小於等於該第一閾值時，判定該當前異常事件資訊不為高風險；及<br/> (D)當判斷出該當前異常事件資訊為高風險時，該第一層分析裝置將該當前異常事件資訊及該等關聯歷史異常事件資訊傳送至該第二層分析裝置。
如請求項1所述的分層式資安分析方法，其中，在步驟(A)中，該當前異常事件資訊還包括一相關於偵測規則的嚴重程度等級，在步驟(C-1)中，該第一層分析裝置根據該當前異常事件資訊的該嚴重程度等級產生一嚴重程度風險因子分數，該等風險因子分數包括該嚴重程度風險因子分數。
如請求項1所述的分層式資安分析方法，在步驟(C)之後還包含以下步驟：<br/> (E)當判斷出該當前異常事件資訊不為高風險時，該第一層分析裝置根據該風險總分數判斷該當前異常事件資訊是否為低風險；及<br/> (F)當判斷出該當前異常事件資訊為低風險時，該第一層分析裝置標示該當前異常事件資訊為低風險。
如請求項3所述的分層式資安分析方法，其中，在步驟(E)中，該第一層分析裝置判斷該風險總分數是否小於一小於該第一閾值的第二閾值，以判斷該當前異常事件資訊是否為低風險，當判斷出該風險總分數小於該第二閾值時，判定該當前異常事件資訊為低風險，當判斷出該風險總分數是否大於等於該第二閾值時，判定該當前異常事件資訊不為低風險。
如請求項1所述的分層式資安分析方法，在步驟(D)之後還包含以下步驟：<br/> (G)該第二層分析裝置根據該當前異常事件資訊、該等關聯歷史異常事件資訊，產生一相關該當前異常事件資訊的分析結果。
一種用於執行如請求項1至5其中任一項所述的分層式資安分析方法的分層式資安分析系統，包含：<br/> 一第一層分析裝置，通訊連接一安全資訊與事件管理平台；及<br/> 一第二層分析裝置，通訊連接該第一層分析裝置。
一種電子裝置，包括：<br/> 一處理單元；<br/> 一RC電路，耦接至該處理單元及用於產生一時脈訊號；<br/> 一跑馬燈電路，耦接至該RC電路及該處理單元，該跑馬燈電路用於根據該時脈訊號於複數個開機來源訊號逐一切換，並輸出該些開機來源訊號所被切換到的其中一開機來源訊號至該處理單元；<br/> 一電源管理單元，耦接至該處理單元、該RC電路及該跑馬燈電路；<br/> 一記憶體，耦接至該處理單元；以及<br/> 複數個儲存裝置，耦接至該處理單元，且該些儲存裝置之各者分別對應於該些開機來源訊號之各者，<br/> 其中該電源管理單元致使該處理單元對該電子裝置進行開機時，該處理單元根據所接收到的該開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置其中一者讀取一開機載入程式(bootloader)，<br/> 其中當該處理單元根據該開機來源訊號從所選擇的該些儲存裝置的其中一者中讀取到該開機載入程式時，該處理單元將該開機載入程式寫入該記憶體，並開始一開機程序，<br/> 其中於該開機程序中，該處理單元關閉該RC電路使該RC電路不產生該時脈訊號。
如請求項1所述之電子裝置，其中當該處理單元根據該開機來源訊號從所選擇的該些儲存裝置的其中一者中讀取不到該開機載入程式時，該RC電路產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號中的該開機來源訊號切換至一下一開機來源訊號，同時該RC電路提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元，<br/> 其中當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據該跑馬燈電路所提供的該下一開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置其中下一者讀取該開機載入程式。
如請求項1所述之電子裝置，其中當該處理單元將該開機載入程式寫入該記憶體並完成該開機程序後，若該處理單元接收到一來源選擇指令，則該處理單元根據該開機來源選擇指令，模擬產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號中切換至一對應開機來源訊號，同時該處理單元提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元，<br/> 其中當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據該跑馬燈電路所提供的該對應開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置其中對應一者讀取該開機載入程式。
如請求項1所述之電子裝置，其中當該處理單元將該開機載入程式寫入該記憶體並開始該開機程序時，該開機載入程式檢查該些儲存裝置之各者中是否有一特定資料或程式，<br/> 其中，當該些儲存裝置其中對應一者具有該特定資料或程式時，則該處理單元模擬產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號中切換至一對應開機來源訊號，同時該處理單元提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元，<br/> 其中當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據該跑馬燈電路所提供的該對應開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置的其中對應一者讀取該特定資料或程式。
如請求項1所述之電子裝置，更包括一矩陣開關電路，耦接至該跑馬燈電路及該處理單元之間，該矩陣開關電路用於更改該些開機來源訊號的一切換順序，其中該切換順序被儲存於該開機載入程式中。
一種開機來源選擇方法，包括：<br/> 藉由一電子裝置的一RC電路產生一時脈訊號；<br/> 藉由該電子裝置的一跑馬燈電路根據該時脈訊號於複數個開機來源訊號逐一切換，並輸出該些開機來源訊號所被切換到的其中一開機來源訊號至一處理單元；<br/> 藉由該電子裝置的一電源管理單元致使該電子裝置的一處理單元對該電子裝置進行開機； <br/> 藉由該處理單元根據該開機來源訊號，選擇從複數個儲存裝置其中一者讀取一開機載入程式，其中該些儲存裝置之各者分別對應於該些開機來源訊號之各者；<br/> 當該處理單元根據該開機來源訊號從所選擇的該些儲存裝置的其中一者中讀取到該開機載入程式時，該處理單元將該開機載入程式寫入該電子裝置的一記憶體，並開始一開機程序；以及<br/> 於該開機程序中，該處理單元關閉該RC電路使該RC電路不產生該時脈訊號。
如請求項6所述之開機來源選擇方法，更包括：<br/> 當該處理單元根據該開機來源訊號從所選擇的該些儲存裝置的其中一者中讀取不到該開機載入程式時，該RC電路產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號切換至一下一開機來源訊號；<br/> 該RC電路提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元；以及<br/> 當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據該跑馬燈電路所提供的該下一開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置其中下一者讀取該開機載入程式。
如請求項6所述之開機來源選擇方法，更包括：<br/> 當該處理單元將該開機載入程式寫入該記憶體並完成該開機程序後，若該處理單元接收到一來源選擇指令，則該處理單元根據該開機來源選擇指令，模擬產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號中切換至一對應開機來源訊號；<br/> 該處理單元提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元；以及<br/> 當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據該跑馬燈電路所提供的該對應開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置其中對應一者讀取該開機載入程式。
如請求項6所述之開機來源選擇方法，更包括：<br/> 當該處理單元將該開機載入程式寫入該記憶體並開始該開機程序時，該開機載入程式檢查該些儲存裝置之各者中是否有一特定資料或程式；<br/> 當該些儲存裝置其中對應一者具有該特定資料或程式時，則該處理單元模擬產生該時脈訊號至該跑馬燈電路，使該跑馬燈電路從該些開機來源訊號中切換至一對應開機來源訊號；<br/> 該處理單元提供一重設訊號至該電源管理單元以重新啟動該處理單元；以及<br/> 當該處理單元重新啟動時，該處理單元根據根據該跑馬燈電路所提供的該對應開機來源訊號，選擇從該些儲存裝置的其中對應一者讀取該特定資料或程式。
如請求項6所述之開機來源選擇方法，更包括：<br/> 藉由耦接至該跑馬燈電路及該處理單元之間的一矩陣開關電路更改該些開機來源訊號的一切換順序；以及<br/> 儲存該切換順序於該開機載入程式中。
一種檢查裝置，是對在基板與半導體晶片之間接線連接的接合引線進行檢查的裝置，<br/>所述檢查裝置包括：<br/>第一拍攝單元，用於俯瞰拍攝所述接合引線；<br/>第二拍攝單元，用於自與所述第一拍攝單元的俯瞰方向不同的方向俯瞰拍攝所述接合引線；<br/>獲取部，獲取與所述接合引線的預先設定的基準路徑有關的路徑資訊；以及<br/>分析部，基於所述獲取部所獲取的所述路徑資訊對所述第一拍攝單元輸出的第一拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線與所述第二拍攝單元輸出的第二拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線進行劃定並對比，藉此對所述接合引線的空間路徑進行分析。
如請求項1所述的檢查裝置，其中，所述分析部使用基於所述第一拍攝單元的俯瞰方向射影轉換後的所述基準路徑，對所述第一拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線的邊緣進行檢測，使用基於所述第二拍攝單元的俯瞰方向射影轉換後的所述基準路徑，對所述第二拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線的邊緣進行檢測。
如請求項2所述的檢查裝置，其中，所述分析部基於對射影轉換後的所述基準路徑設定的多個法線對所述邊緣進行檢測。
如請求項2所述的檢查裝置，其中，所述分析部決定相對於在所述第一拍攝圖像中劃定的所述接合引線的延伸方向而言的第一中心線，並決定相對於在所述第二拍攝圖像中劃定的所述接合引線的延伸方向而言的第二中心線，對所述第一中心線與所述第二中心線進行對比，藉此對所述接合引線的空間路徑進行分析。
如請求項4所述的檢查裝置，其中，所述分析部將對所述第一拍攝圖像中拍攝出的所述半導體晶片的邊緣設定的多個平行線和所述第一中心線的各個交點、與對所述第二拍攝圖像中拍攝出的所述半導體晶片的邊緣設定的多個平行線和所述第二中心線的各個交點按照對應的每個交點進行對比，算出三維座標，藉此對所述接合引線的空間路徑進行分析。
如請求項1所述的檢查裝置，其中，所述分析部對所述基板與所述半導體晶片的相對姿勢進行檢測，使用基於所述相對姿勢修正後的所述路徑資訊，劃定所述第一拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線與所述第二拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線。
如請求項1所述的檢查裝置，其中，所述第一拍攝單元中，光學系統與拍攝元件以與所述基板的表面平行的平面成為焦平面的方式滿足賽因福祿條件而配置，且所述第一拍攝單元具有以作為檢查對象的所述接合引線的環高度收斂於景深的方式進行調整的光圈，<br/>所述第二拍攝單元相對於所述半導體晶片設置於與所述第一拍攝單元相反的一側，其中，光學系統與拍攝元件以與所述表面平行的平面成為焦平面的方式滿足賽因福祿條件而配置，且所述第二拍攝單元具有以所述環高度收斂於景深的方式進行調整的光圈。
一種檢查方法，是對在基板與半導體晶片之間接線連接的接合引線進行檢查的方法，<br/>所述檢查方法具有：<br/>第一拍攝步驟，利用第一拍攝單元俯瞰拍攝作為檢查對象的所述接合引線；<br/>第二拍攝步驟，利用第二拍攝單元自與所述第一拍攝單元的俯瞰方向不同的方向俯瞰拍攝所述接合引線；<br/>獲取步驟，獲取與所述接合引線的預先設定的基準路徑有關的路徑資訊；以及<br/>分析步驟，基於所述獲取步驟中所獲取的所述路徑資訊對所述第一拍攝步驟中所述第一拍攝單元輸出的第一拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線、與所述第二拍攝步驟中所述第二拍攝單元輸出的第二拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線進行劃定並對比，藉此對所述接合引線的空間路徑進行分析。
一種檢查程式，是對在基板與半導體晶片之間接線連接的接合引線進行檢查的程式，<br/>所述檢查程式使電腦執行以下步驟：<br/>第一拍攝步驟，利用第一拍攝單元俯瞰拍攝作為檢查對象的所述接合引線；<br/>第二拍攝步驟，利用第二拍攝單元自與所述第一拍攝單元的俯瞰方向不同的方向俯瞰拍攝所述接合引線；<br/>獲取步驟，獲取與所述接合引線的預先設定的基準路徑有關的路徑資訊；以及<br/>分析步驟，基於所述獲取步驟中所獲取的所述路徑資訊對所述第一拍攝步驟中所述第一拍攝單元輸出的第一拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線、與所述第二拍攝步驟中所述第二拍攝單元輸出的第二拍攝圖像中拍攝出的所述接合引線進行劃定並對比，藉此對所述接合引線的空間路徑進行分析。
一種混合邊緣運算裝置，包括：<br/> 一NOR快閃記憶體，用於執行一NOR記憶體內搜尋及具有一第一資料量；<br/> 一NAND快閃記憶體，用於執行一NAND記憶體內搜尋及具有一第二資料量，其中該第二資料量大於該第一資料量；以及<br/> 一處理器，耦接至該NOR快閃記憶體及該NAND快閃記憶體，且該處理器用於執行一近記憶體運算，<br/> 其中，當該處理器接收一運算指令時，執行該近記憶體運算對一搜尋資料進行特徵截取以產生一特徵資料，<br/> 其中，當處理器判斷欲用於與該特徵資料比對的一第一資料的資料量小於該第二資料量時，將該第一資料及該特徵資料載入該NOR快閃記憶體，使該NOR快閃記憶體執行該NOR記憶體內搜尋，以使用該特徵資料於該第一資料中進行近似搜尋，以得到一第二資料；或<br/> 當處理器判斷欲用於與該特徵資料比對的一第一資料的資料量大於該第一資料量時，將該第一資料及該特徵資料載入該NAND快閃記憶體，使該NAND快閃記憶體執行該NAND記憶體內搜尋，以使用該特徵資料於該第一資料中進行近似搜尋，以得到該第二資料，<br/> 其中，當該處理器從該NAND快閃記憶體或該NOR快閃記憶體接收該第二資料時，執行該近記憶體運算對以使用該特徵資料於該第二資料中進行相似性搜尋，並產生一搜尋結果，<br/> 其中該第二資料的資料量小於該第一資料的資料量。
如請求項1所述之混合邊緣運算裝置，其中在該處理器產生該特徵資料後，該處理器將該特徵資料量化，並傳送至該快閃記憶體。
如請求項1所述之混合邊緣運算裝置，其中該第一資料量為64MB至4GB，該第二資料量大於4GB。
如請求項1所述之混合邊緣運算裝置，其中該NAND快閃記憶體係一固態硬碟。
如請求項4所述之混合邊緣運算裝置，其中該處理器係作為該固態硬碟的一控制器。
一種氫通透膜，其特徵為在由PdCu系合金所構成之氫通透膜， <br/> 前述PdCu系合金係由： <br/> 47.0原子%以上49.0原子%以下之Pd、 <br/> 0.001原子%以上0.15原子%以下之侵入型元素E<sub>I</sub>、 <br/> 0.01原子%以上1.0原子%以下之取代型元素E<sub>S</sub>、 <br/> 殘餘Cu及不可避免雜質所構成， <br/> 前述侵入型元素E<sub>I</sub>為B、C、N之至少任一種元素， <br/> 前述取代型元素E<sub>S</sub>係必須性包含Ag、Au、Al之至少任一種的金屬元素。
如請求項1之氫通透膜，其中，在任意剖面之β相的面積率為95%以上。
如請求項1或請求項2之氫通透膜，其中，在100℃之氫通透係數ϕ<sup>100</sup>與在300℃之氫通透係數ϕ<sup>300</sup>之比(ϕ<sup>100</sup>/ϕ<sup>300</sup>)為0.4以上，氫通透係數ϕ(mol/m･s･Pa<sup>1/2</sup>)係由下述式算出， <br/><img align="absmiddle" height="362px" width="655px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1或請求項2之氫通透膜，其係厚度1μm以上250μm以下。
一種羅茨真空泵轉子，其中，所述羅茨真空泵轉子包括旋轉軸以及沿所述旋轉軸軸向設置的至少一級轉子部件；其中，<br/>所述旋轉軸沿其軸向開設有進氣通道，所述進氣通道的進氣口位於靠近羅茨真空泵前蓋板的一端；<br/>任一級所述轉子部件沿其軸向設置有至少一組射流通道，所述射流通道的噴射入口與所述進氣通道相連通，所述射流通道的噴射出口位於所述轉子部件的葉頂；<br/>外接氣源沿所述進氣通道流入至所述射流通道，經所述噴射出口產生射流噴出，該噴射出口的射流運動方向與所述羅茨真空泵轉子的旋轉方向一致。
如請求項1所述的羅茨真空泵轉子，其中，所述射流通道自所述噴射入口向所述噴射出口彎曲延伸，彎曲延伸方向與所述羅茨真空泵轉子旋轉方向相同。
如請求項1所述的羅茨真空泵轉子，其中，所述進氣通道包括沿所述旋轉軸軸向設置的軸向通道，以及沿所述軸向通道軸向分佈的至少一組連接通道；其中，<br/>每組所述射流通道的噴射入口通過每組所述連接通道與所述軸向通道相連通。
如請求項3所述的羅茨真空泵轉子，其中，任一級所述轉子部件沿其軸向間隔設置有多組射流通道，所述旋轉軸沿其軸向間隔設置有多組連接通道；<br/>多組射流通道與多組連接通道一一對應。
如請求項4所述的羅茨真空泵轉子，其中，任一組所述連接通道包括多個連接子通道，所述多個連接子通道沿所述旋轉軸的周向間隔分佈；<br/>任一級所述轉子部件的多個葉片上均設置有射流子通道，多個所述射流子通道與多個所述連接子通道一一對應，形成多個弧形通道。
如請求項5所述的羅茨真空泵轉子，其中，所述弧形通道的圓弧半徑為20~120mm；和/或，<br/>所述弧形通道的通道內徑為0.05~2mm；和/或，<br/>所述軸向通道的長度為所述旋轉軸長度的10%～80%。
如請求項1所述的羅茨真空泵轉子，其中，所述進氣通道的進氣口距第一級轉子部件中第一組射流通道的距離為所述旋轉軸長度的40%～60%。
如請求項1所述的羅茨真空泵轉子，其中，所述噴射出口距所述旋轉軸的距離為4～20mm。
一種羅茨真空泵，其中，所述羅茨真空泵包括：泵殼以及設置在所述泵殼中的左轉子和右轉子；其中，<br/>所述左轉子和所述右轉子採用請求項1至8中任一項所述的羅茨真空泵轉子。
一種如請求項9所述的羅茨真空泵的工作方法，其中，所述工作方法包括：<br/>S1、左轉子、右轉子在各自的旋轉軸的帶動下沿相反方向旋轉，外接氣源與旋轉軸的進氣通道接通，氣體由所述進氣通道的進氣口流入；<br/>S2、氣體沿左轉子和右轉子的進氣通道流動到至少一組射流通道，經噴射出口處產生射流；<br/>S3、射流由所述噴射出口排出，並與泵殼內主氣流發生作用。
一種電位轉換器，包含： <br/>一第一電晶體，具有用以接收一第一高電壓的一第一端，用以輸出一第一輸出電壓的一第二端，以及一控制端； <br/>一第二電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，用以輸出一第二輸出電壓並耦接至該第一電晶體的該控制端的一第二端，以及耦接至該第一電晶體的該第二端的一控制端； <br/>一第一跨壓緩衝電路，具有耦接至該第一電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第一跨壓緩衝電路用以根據至少一偏置電壓來導通，以在該第一跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降； <br/>一第三電晶體，具有耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第一輸入電壓的一第二端，以及用以接收一第二高電壓的一控制端； <br/>一第二跨壓緩衝電路，具有耦接至該第二電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第二跨壓緩衝電路用以根據該至少一偏置電壓來導通，以在該第二跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降；以及 <br/>一第四電晶體，具有耦接至該第二跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第二輸入電壓的一第二端，以及用以接收該第二高電壓的一控制端， <br/>其中該第一高電壓高於該第二高電壓，且該第一輸入電壓與該第二輸入電壓互補，以及 <br/>其中該第一輸入電壓為該第二高電壓或低於該第二高電壓的一低電壓； <br/>其中該第一跨壓緩衝電路包含一第五電晶體，具有耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第一端的一第一端，一第二端，以及用以接收該至少一偏置電壓的一第一偏置電壓的一控制端；及 <br/>其中該第一偏置電壓為該第一高電壓，且該第五電晶體的該第二端耦接至的該第一跨壓緩衝電路該第二端；以及該第一高電壓與該第五電晶體的一閾值電壓間的一差值小於該第二高電壓的兩倍。
如請求項1所述的電位轉換器，其中該第一電晶體的一閘極氧化層比該第三電晶體的一閘極氧化層厚。
如請求項1所述的電位轉換器，其中該第一偏置電壓為該第一高電壓。
一種電位轉換器，包含： <br/>一第一電晶體，具有用以接收一第一高電壓的一第一端，用以輸出一第一輸出電壓的一第二端，以及一控制端； <br/>一第二電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，用以輸出一第二輸出電壓並耦接至該第一電晶體的該控制端的一第二端，以及耦接至該第一電晶體的該第二端的一控制端； <br/>一第一跨壓緩衝電路，具有耦接至該第一電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第一跨壓緩衝電路用以根據至少一偏置電壓來導通，以在該第一跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降； <br/>一第三電晶體，具有耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第一輸入電壓的一第二端，以及用以接收一第二高電壓的一控制端； <br/>一第二跨壓緩衝電路，具有耦接至該第二電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第二跨壓緩衝電路用以根據該至少一偏置電壓來導通，以在該第二跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降；以及 <br/>一第四電晶體，具有耦接至該第二跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第二輸入電壓的一第二端，以及用以接收該第二高電壓的一控制端， <br/>其中該第一高電壓高於該第二高電壓，且該第一輸入電壓與該第二輸入電壓互補，其中該第一輸入電壓為該第二高電壓或低於該第二高電壓的一低電壓； <br/>其中該第一跨壓緩衝電路包含： <br/>一第五電晶體，具有耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第一端的一第一端，一第二端，以及用以接收該至少一偏置電壓的一第一偏置電壓的一控制端；及 <br/>一第六電晶體，具有耦接至該第五電晶體的該第二端的一第一端，一第二端耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第二端，以及用以接收該至少一偏置電壓的一第二偏置電壓的一控制端，其中該第二偏置電壓低於該第一偏置電壓，且該第一高電壓與該第五電晶體的一閾值電壓的兩倍間的一差值小於該第二高電壓的兩倍。
如請求項4所述的電位轉換器，還包含一偏置電壓產生器，包含： <br/>一第七電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，一第二端，以及耦接至該第七電晶體的該第一端的一控制端；以及 <br/>一第八電晶體，具有耦接至該第七電晶體的該第二端的一第一端，用以接收該第二高電壓的一第二端，以及，耦接至該第八電晶體的該第一端且用以提供該第二偏置電壓的一控制端。
如請求項5所述的電位轉換器，其中該偏置電壓產生器還包含一第九電晶體，具有耦接至該第八電晶體的該第二端的一第一端，用以接收該第二高電壓的一第二端，以及用以接收該第二高電壓的一控制端。
一種電位轉換器，包含： <br/>一第一電晶體，具有用以接收一第一高電壓的一第一端，用以輸出一第一輸出電壓的一第二端，以及一控制端； <br/>一第二電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，用以輸出一第二輸出電壓並耦接至該第一電晶體的該控制端的一第二端，以及耦接至該第一電晶體的該第二端的一控制端； <br/>一第一跨壓緩衝電路，具有耦接至該第一電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第一跨壓緩衝電路用以根據至少一偏置電壓來導通，以在該第一跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降； <br/>一第三電晶體，具有耦接至該第一跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第一輸入電壓的一第二端，以及用以接收一第二高電壓的一控制端； <br/>一第二跨壓緩衝電路，具有耦接至該第二電晶體的該第二端的一第一端，以及一第二端，其中該第二跨壓緩衝電路用以根據該至少一偏置電壓來導通，以在該第二跨壓緩衝電路的該第一端與該第二端之間提供一電壓降；以及 <br/>一第四電晶體，具有耦接至該第二跨壓緩衝電路的該第二端的一第一端，用以接收一第二輸入電壓的一第二端，以及用以接收該第二高電壓的一控制端，其中該第一高電壓高於該第二高電壓，且該第一輸入電壓與該第二輸入電壓互補，以及該第一輸入電壓為該第二高電壓或低於該第二高電壓的一低電壓； <br/>一第一上拉電路，耦接至該第一電晶體的該第一端且用以提供一第一強上拉路徑及一第一弱上拉路徑，其中該第一強上拉路徑用以在至少當該第一輸入電壓從該低電壓變為該第二高電壓時，將該第一電晶體的該第一端的一電壓上拉至該第一高電壓；以及 <br/>一第二上拉電路，耦接至該第二電晶體的該第一端且用以提供一第二強上拉路徑及一第二弱上拉路徑，其中該第二強上拉路徑用以在至少當該第二輸入電壓從該低電壓變為該第二高電壓時，將該第二電晶體的該第一端的一電壓上拉至該第一高電壓。
如請求項7所述的電位轉換器，其中該第一上拉電路包含： <br/>一第十電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第一電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收該低電壓的一控制端，其中該第十電晶體用以提供該第一弱上拉路徑；以及 <br/>一第十一電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第一電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第一控制信號的一控制端，其中該第十一電晶體用以提供該第一強上拉路徑。
如請求項8所述的電位轉換器，其中該第十一電晶體的一寬長比大於該第十電晶體的一寬長比。
如請求項8所述的電位轉換器，其中該第二上拉電路包含： <br/>一第十二電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第二電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收該低電壓的一控制端，其中該第十二電晶體用以提供該第二弱上拉路徑；以及 <br/>一第十三電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第二電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第二控制信號的一控制端，其中該第十三電晶體用以提供該第二強上拉路徑。
如請求項10所述的電位轉換器，其中： <br/>在該第一輸入電壓從該低電壓變為該第二高電壓且該第二輸入電壓從該第二高電壓變為該低電壓後，該第二輸出電壓從該第一高電壓變為該低電壓且該第一輸出電壓從該低電壓變為該第一高電壓；以及 <br/>在該第二輸出電壓從該第一高電壓變為該低電壓且該第一輸出電壓從該低電壓變為該第一高電壓後，該第一控制信號從該低電壓變為該第一高電壓且該第二控制信號從該第一高電壓變為該低電壓。
如請求項10所述的電位轉換器，還包含一控制單元，用以根據該第一輸出電壓及該第二輸出電壓來產生該第一控制信號與該第二控制信號。
如請求項7所述的電位轉換器，其中該第一上拉電路包含： <br/>一第十四電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第一電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第一控制信號的一控制端，其中該第十四電晶體用以提供該第一強上拉路徑； <br/>一第十五電晶體，具有一第一端，耦接至該第一電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第二控制信號的一控制端；以及 <br/>一第十六電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第十五電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收該第二輸入電壓的一控制端，其中該第十五電晶體和該第十六電晶體用以提供該第一弱上拉路徑。
如請求項13所述的電位轉換器，其中該第十四電晶體的一寬長比大於該第十五電晶體的一寬長比以及該第十六電晶體的一寬長比。
如請求項13所述的電位轉換器，其中該第二上拉電路包含： <br/>一第十七電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第二電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第三控制信號的一控制端，其中該第十七電晶體用以提供該第二強上拉路徑； <br/>一第十八電晶體，具有一第一端，耦接至該第二電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收一第四控制信號的一控制端；以及 <br/>一第十九電晶體，具有用以接收該第一高電壓的一第一端，耦接至該第十八電晶體的該第一端的一第二端，以及用以接收該第一輸入電壓的一控制端，其中該第十八電晶體和該第十九電晶體用以提供該第二弱上拉路徑。
如請求項15所述的電位轉換器，其中： <br/>在該第一輸入電壓從該低電壓變為該第二高電壓且該第二輸入電壓從該第二高電壓變為該低電壓後，該第二輸出電壓從該第一高電壓變為該低電壓且該第一輸出電壓從該低電壓變為該第一高電壓；以及 <br/>在該第二輸出電壓從該第一高電壓變為該低電壓且該第一輸出電壓從該低電壓變為該第一高電壓後，該第一控制信號從該低電壓變為該第一高電壓，該第二控制信號從該第一高電壓變為該低電壓、該第三控制信號從該第一高電壓變為該低電壓，且該第四控制信號從該低電壓變為該第一高電壓。
一種具底部支撐的托盤結構，包含有：<br/> 一底壁；<br/> 一側壁，環繞設置於該底壁周圍並朝遠離該底壁之方向延伸，用以圈圍出一承托空間；以及<br/> 一強化部，設於該底壁並朝該側壁之兩側之方向延伸；其中該強化部之厚度大於該底壁之其餘部分之厚度；<br/> 其中該強化部具有平行設置之一第一折線及一第二折線；該第一折線與該第二折線之兩端分別連接於該側壁之兩側，且該強化部係沿該第一折線與該第二折線為摺痕彎折重疊而形成之結構。
如請求項1所述之具底部支撐的托盤結構，其中當該強化部形成時，該第一折線與該第二折線之其中一者貼合於該底壁之一上壁面，另一者貼合於該底壁相對該上壁面之一下壁面。
如請求項2所述之具底部支撐的托盤結構，其中該底壁之該下壁面被該強化部區分成一第一底面與一第二底面，且該第一底面與該第二底面之高度不同。
如請求項2所述之具底部支撐的托盤結構，其中該強化部更包含有一輔助折線，與該第一折線及該第二折線平行設置；該強化部沿該第一折線與該第二折線為摺痕彎折重疊而成後更沿該輔助折線彎折，使該底壁之該下壁面被該強化部區分成一第一底面與一第二底面，且該第一底面與該第二底面之高度相同。
如請求項1所述之具底部支撐的托盤結構，其中該側壁對應於該強化部兩側之位置分別形成有一狹縫，沿該側壁之高度方向延伸。
如請求項5所述之具底部支撐的托盤結構，其中該第一折線貼合於該底壁之一上壁面，該第二折線貼合於該底壁相對該上壁面之一下壁面；該等狹縫與該強化部之該第一折線呈對齊設置。
如請求項5所述之具底部支撐的托盤結構，其中該第一折線貼合於該底壁之一下壁面，該第二折線貼合於該底壁相對該下壁面之一上壁面；該等狹縫與該強化部之該第二折線呈錯開設置。
如請求項1所述之具底部支撐的托盤結構，更包含有一第二強化部，設於該底壁並朝該側壁之兩側之方向延伸，且該第二強化部平行於該強化部並相隔一預定距離；其中該第二強化部之厚度大於該底壁除了該強化部之其餘部分之厚度。
如請求項8所述之具底部支撐的托盤結構，其中該第二強化部具有平行設置之一第三折線及一第四折線；該第三折線與該第四折線概平行於該第一折線與該第二折線，兩端分別連接於該側壁之兩側，且該第二強化部係沿該第三折線與該第四折線為摺痕彎折重疊而形成之結構。
一種進料模組，該進料模組(1)係用於將複數個紡織物件(T)逐一分開，該進料模組(1)係包含：一基座(10)及一滾筒模組(11)；其中，<br/>該基座(10)具有一第一側部(101)及與該第一側部(101)對應的一第二側部(102)，該第一側部(101)與該第二側部(102)係以一側部連接組件(103)連接；<br/>該滾筒模組(11)包含一中空狀的旋轉滾筒(110)及一傳動組(111)，該旋轉滾筒(110)設置於該側部連接組件(103)，該旋轉滾筒(110)具有一滾筒側部(1101)及分別設置於該滾筒側部(1101)兩端的一封閉前端(1102)及一封閉底端(1103)，該滾筒側部(1101)、該封閉前端(1102)及該封閉底端(1103)圍成一中空部(1106)，該封閉前端(1102)設有一入料口(1104)，該滾筒側部(1101)設置有一出料口(1105)，且該複數個紡織物件(T)係能夠由該入料口(1104)被輸送進入該中空部(1106)；該傳動組(111)設置有一旋轉軸(112)及一轉動驅動件(113)，該封閉底端(1103)連接該旋轉軸(112)，該旋轉軸(112)連接於該轉動驅動件(113)，該轉動驅動件(113)耦接於一控制中心(6)，該控制中心(6)控制該轉動驅動件(113)驅動該旋轉軸(112)旋轉而使得該旋轉滾筒(110)可正轉及/或反轉。
如請求項1所述之進料模組，其中該進料模組(1)更包含一至少一吹氣模組(12)，該至少一吹氣模組(12)設置於該第一側部(101)以進行吹氣，且該至少一吹氣模組(12)位於該旋轉滾筒(110)的下方。
如請求項2所述之進料模組，其中該至少一吹氣模組(12)包含一物件偵測器(121)及一吹氣件(122)，該物件偵測器(121)及該吹氣件(122)皆與該控制中心(6)耦接。
如請求項2所述之進料模組，其中該至少一吹氣模組(12)的數量為二個，其中一個該吹氣模組(12)設置於該第一側部(101)而另一個該吹氣模組(12)設置於該第二側部(102)，二個該吹氣模組(12)設置的高度為相同。
如請求項2所述之進料模組，其中該進料模組(1)更包含一至少一擋板模組(13)，該至少一擋板模組(13)設置於該第二側部(102)，且位於該吹氣模組(12)的下方。
如請求項5所述之進料模組，其中該至少一擋板模組(13)包含一擋板(131)、一擺動轉軸(132)及一擺動驅動件(133)，該擋板(131)固定於該擺動轉軸(132)，該擺動轉軸(132)軸設於該擺動驅動件(133)，該擺動驅動件(133)則與該控制中心(6)耦接，由該控制中心(6)控制該擺動驅動件(133)帶動該擺動轉軸(132)而使得該擋板(131)能夠朝上及朝下擺動。
如請求項6所述之進料模組，其中該至少一擋板模組(13)包含一重量感測器(134)及一延遲件(135)，該重量感測器(134)設置於該擋板(131)的一上表面(1311)並與該控制中心(6)耦接，且該延遲件(135)設置於該上表面(1311)。
如請求項6所述之進料模組，其中該至少一擋板模組(13)的數量為二個，其中一個該擋板模組(13)設置於該第二側部(102)而另一個該擋板模組(13)設置於該第一側部(101)，二個該擋板模組(13)設置的高度為不相同。
一種具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，係使用一如請求項1所述之進料模組且用於辨識該紡織物件(T)的一紡織物件主體(T1)以產生一分選信號，再根據該分選信號對該紡織物件主體(T1)進行分選至一預定存放位置(E)，該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)係包含：一輸送模組(2)、一感測模組陣列(3)、一分選模組(4)及該控制中心(6)，該控制中心(6)係與該輸送模組(2)、該感測模組陣列(3)及該分選模組(4)耦接；其中，<br/>該進料模組(1)係設置於該輸送模組(2)的一輸送前端的上方；<br/>該輸送模組(2)將該紡織物件主體(T1)自該輸送模組(2)的該輸送前端輸送至該輸送模組(2)的一輸送末端；該感測模組陣列(3)則設置鄰近於該輸送模組(2)的一側且位於該輸送前端與該輸送末端之間，該感測模組陣列(3)係包含至少一感測模組(30)，該至少一感測模組(30)具有一影像辨識模組(31)及/或一光譜辨識模組(32)，該影像辨識模組(31)及/或該光譜辨識模組(32)係分別與該控制中心(6)耦接；該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識紡織物件主體(T1)的種類，該光譜辨識模組(32)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)的材質並產生一主體材質資訊；該分選模組(4)設置鄰近於該輸送模組(2)的該輸送末端；該感測模組(30)、該分選模組(4)或該控制中心(6)係依據該紡織物件主體(T1)的種類及/或該主體的材質資訊以產生該分選信號，該分選模組(4)依據該分選信號將該紡織物件主體(T1)分選至該預定存放位置(E)。
一種具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，係使用一如請求項1所述之進料模組且用於辨識該紡織物件(T)的一紡織物件主體(T1)以產生一分選信號，再根據該分選信號對該紡織物件主體(T1)進行分選至一預定存放位置(E)，該具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置(100)係包含至少一感測分選模組及該控制中心(6)，該至少一感測分選模組包含一感測模組(30)及一分選模組(4)，該分選模組(4)係可旋轉地設置於該感測模組(30)，該控制中心(6)係與該感測模組(30)及該分選模組(4)耦接；其中，<br/>該感測模組(30)具有一影像辨識模組(31)及/或一光譜辨識模組(32)，該影像辨識模組(31)及/或該光譜辨識模組(32)係分別與該控制中心(6)耦接；該影像辨識模組(31)或該控制中心(6)能夠辨識紡織物件主體(T1)的種類，該光譜辨識模組(32)或該控制中心(6)能夠辨識出該紡織物件主體(T1)的材質並產生一主體材質資訊；該感測模組(30)、該分選模組(4)或該控制中心(6)係依據該紡織物件主體(T1)的種類及/或該主體的材質資訊以產生該分選信號，該分選模組(4)依據該分選信號將該紡織物件主體(T1)分選至該預定存放位置(E)。
一種智能回收機，係包含一如請求項10所述之具有光學雙模感測模組陣列之智動裝置，其中該感測分選模組係設置於該基座(10)且位於一輸送模組(2)的上方側，該預定存放位置(E)則設置於該基座(10)且位於該感測分選模組的上方側；該控制中心(6)係包含有一處理模組(61)及一儲存模組(62)，該處理模組(61)係與該儲存模組(62)耦接，該控制中心(6)更包含一觸控顯示模組(63)、一身份辨識模組(64)及一傳輸模組(65)，該觸控顯示模組(63)、該身份辨識模組(64)及該傳輸模組(65)係分別與該控制中心(6)的該處理模組(61)耦接，且該控制中心(6)的該處理模組(61)透過該傳輸模組(65)而與一雲端資料庫(7)耦接。
如請求項11所述之智能回收機，其中該雲端資料庫(7)及/或該處理模組(61)計算相對應的一回收獎勵，並將該回收獎勵回饋到對應的一使用者的身分上。
如請求項12所述之智能回收機，其中該計算單元(61)使用一查找表或透過人工智能、迴歸計算或蒙地卡羅方法建立的一模型根據該紡織物件主體(T1)的種類及/或該主體的材質資訊計算該回收獎勵，該查找表或該模型係儲存於該儲存模組(62)或該雲端資料庫(7)。
如請求項13所述之智能回收機，其中該查找表或該模型中記載有每一該紡織物件主體(T1)的種類及/或該主體的材質資訊所對應的該回收獎勵。
一種操作建議裝置，包含：<br/>一儲存器，儲存分別模擬一熱能回收系統、一蒸汽加熱系統及一動能回收系統的一第一模型、一第二模型及一第三模型，其中該熱能回收系統包含複數個換熱器及一汽輪發電機；以及<br/>一處理器，電性連接至該儲存器，且針對該等換熱器的複數個候選操作壓力組合的每一個執行以下運作：<br/>將與一即時尾氣條件、該候選操作壓力組合及該汽輪發電機之一出口壓力相關的一第一輸入條件輸入該第一模型以得到該汽輪發電機的一預測汽機發電量及一預測熱回收後尾氣條件，<br/>將該預測熱回收後尾氣條件及該候選操作壓力組合輸入該第二模型以得到該蒸汽加熱系統之一加熱器的一預測高壓蒸汽用量，<br/>將與該預測熱回收後尾氣條件、一即時膨脹機入口溫度及一即時膨脹機出口溫度相關的一第二輸入條件輸入該第三模型以得到該動能回收系統之一膨脹機的一預測動能回收量，以及<br/>根據該預測汽機發電量、該預測高壓蒸汽用量及該預測動能回收量，計算一預測效益值，<br/>其中，該處理器更選取與該等預測效益值中之最大者對應的該候選操作壓力組合用於該等換熱器。
如請求項1所述的操作建議裝置，其中各該預測效益值與對應的該預測汽機發電量正相關，與對應的該預測高壓蒸汽用量負相關，且與對應的該預測動能回收量正相關。
如請求項1所述的操作建議裝置，其中該即時尾氣條件包含一即時尾氣溫度、一即時尾氣流量及一即時尾氣組成。
如請求項3所述的操作建議裝置，其中該儲存器更儲存一理論模型，該理論模型係模擬一氧化塔、該熱能回收系統、該蒸汽加熱系統及該動能回收系統，<br/>其中，該處理器更將與該氧化塔相關的一間二甲苯數值、一醋酸溶劑數值、一觸媒數值、一初始尾氣溫度及一初始尾汽壓力輸入該理論模型以得到該即時尾氣組成。
如請求項1至4中任一項所述的操作建議裝置，其中該儲存器更儲存複數筆訓練資料組，各該訓練資料組包含一歷史尾氣條件、一歷史操作壓力組合、該汽輪發電機之一歷史出口壓力、該汽輪發電機之一歷史汽機發電量及一歷史熱回收後尾氣條件，該處理器更利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第一模型。
如請求項1至3中任一項所述的操作建議裝置，其中該儲存器更儲存一理論模型，該理論模型係模擬一氧化塔、該熱能回收系統、該蒸汽加熱系統及該動能回收系統，<br/>其中，該處理器更根據該理論模型產生複數筆訓練資料組，各該訓練資料組包含一模擬熱回收後尾氣條件、一模擬操作壓力組合及一模擬高壓蒸汽用量，該處理器更利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第二模型。
如請求項1至4中任一項所述的操作建議裝置，其中該儲存器更儲存複數筆訓練資料組，各該訓練資料組包含一歷史熱回收後尾氣條件、一歷史膨脹機入口溫度及一歷史膨脹機出口溫度，該處理器更利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第三模型。
一種操作建議方法，該操作建議方法由一電子計算裝置執行，該電子計算裝置儲存分別模擬一熱能回收系統、一蒸汽加熱系統及一動能回收系統的一第一模型、一第二模型及一第三模型，該熱能回收系統包含複數個換熱器及一汽輪發電機，該等換熱器對應至複數個候選操作壓力組合，該操作建議方法包含以下步驟：<br/>針對該等候選操作壓力組合的每一個執行以下步驟：<br/>將與一即時尾氣條件、該候選操作壓力組合及該汽輪發電機之一出口壓力相關的一第一輸入條件輸入該第一模型以得到該汽輪發電機的一預測汽機發電量及一預測熱回收後尾氣條件；<br/>將該預測熱回收後尾氣條件及該候選操作壓力組合輸入該第二模型以得到該蒸汽加熱系統之一加熱器的一預測高壓蒸汽用量；<br/>將與該預測熱回收後尾氣條件、一即時膨脹機入口溫度及一即時膨脹機出口溫度相關的一第二輸入條件輸入該第三模型以得到該動能回收系統之一膨脹機的一預測動能回收量；以及<br/>根據該預測汽機發電量、該預測高壓蒸汽用量及該預測動能回收量，計算一預測效益值；以及<br/>選取與該等預測效益值中之最大者對應的該候選操作壓力組合用於該等換熱器。
如請求項8所述的操作建議方法，其中各該預測效益值與對應的該預測汽機發電量正相關，與對應的該預測高壓蒸汽用量負相關，且與對應的該預測動能回收量正相關。
如請求項8所述的操作建議方法，其中該即時尾氣條件包含一即時尾氣溫度、一即時尾氣流量及一即時尾氣組成。
如請求項10所述的操作建議方法，其中該電子計算裝置更儲存一理論模型，該理論模型係模擬一氧化塔、該熱能回收系統、該蒸汽加熱系統及該動能回收系統，該操作建議方法更包含下列步驟：<br/>將與該氧化塔相關的一間二甲苯數值、一醋酸溶劑數值、一觸媒數值、一初始尾氣溫度及一初始尾汽壓力輸入該理論模型以得到該即時尾氣組成。
如請求項8至11中任一項所述的操作建議方法，其中該電子計算裝置更儲存複數筆訓練資料組，各該訓練資料組包含一歷史尾氣條件、一歷史操作壓力組合、該汽輪發電機之一歷史出口壓力、該汽輪發電機之一歷史汽機發電量及一歷史熱回收後尾氣條件，該操作建議方法更包含下列步驟：<br/>利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第一模型。
如請求項8至10中任一項所述的操作建議方法，其中該電子計算裝置更儲存一理論模型，該理論模型係模擬一氧化塔、該熱能回收系統、該蒸汽加熱系統及該動能回收系統，該操作建議方法更包含下列步驟：<br/>根據該理論模型產生複數筆訓練資料組，其中各該訓練資料組包含一模擬熱回收後尾氣條件、一模擬操作壓力組合及一模擬高壓蒸汽用量；以及<br/>利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第二模型。
如請求項8至11中任一項所述的操作建議方法，其中該電子計算裝置更儲存複數筆訓練資料組，各該訓練資料組包含一歷史熱回收後尾氣條件、一歷史膨脹機入口溫度及一歷史膨脹機出口溫度，該操作建議方法更包含下列步驟：<br/>利用該等訓練資料組及一機器學習演算法產生該第三模型。
一種電腦程式產品，經由一電子計算裝置載入該電腦程式產品後，該電子計算裝置執行該電腦程式產品所包含的複數個程式指令以實現如請求項8至14中任一項所述的操作建議方法。
一種雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中包含： <br/>一可燃性氣體燃料進料段； 一液體燃料霧化器； 一防爆轟火焰防阻器； 一空氣/氧化劑/助劑進料段； 一脈衝爆轟燃燒器本體； 一脈衝爆轟燃燒器出口段； 其特徵是 可燃性氣體燃料進料段包含： 可燃性氣體燃料進料管； 一可燃性氣體燃料進料混合室； 液體燃料霧化器包含： 液體燃料進料管； 一壓縮氣體進料管； 液體燃料霧化噴嘴； 空氣/氧化劑/助劑進料段包含： 空氣/氧化劑/助劑進料管； 一空氣/氧化劑/助劑進料混合分配室； 脈衝爆轟燃燒器本體包含： 一可燃性氣體燃料分散給料管與液體燃料霧化器固定端板； 一脈衝爆轟燃燒器管端板； 一含有爆轟促進器的脈衝爆轟燃燒器管； 一冷卻設施； 複數個可燃性氣體燃料分散給料管； 複數組液體燃料霧化噴嘴； 點火裝置組； 可燃性氣體燃料由可燃性氣體燃料給料管導入至可燃性氣體燃料進料混合室； 液體燃料經液體燃料進料管導入至液體燃料霧化器的液體燃料霧化噴嘴； 空氣/氧化劑/助劑由空氣/氧化劑/助劑進料管導入至空氣/氧化劑/助劑進料混合分配室； 火焰防阻器安裝於可燃性氣體燃料進料混合室入口，其後設有可燃性氣體燃料分散給料管與液體燃料霧化器固定端板，連接可燃性氣體燃料分散給料管； 可燃性氣體燃料分散給料管安裝於可燃性氣體燃料分散給料管與液體燃料霧化器固定端板，並穿過脈衝爆轟燃燒器管端板，將可燃性氣體燃料送入脈衝爆轟燃燒器管內； 液體燃料霧化器安裝於可燃性氣體燃料分散給料管與液體燃料霧化器固定端板，並穿過脈衝爆轟燃燒器管端板，利用液體燃料霧化噴嘴將液體燃料送入脈衝爆轟燃燒器管內； 脈衝爆轟燃燒器管內的爆轟促進器是由複數個串接的縮徑管段、擴徑管段及直管段組成； 可燃性氣體燃料分散給料管的安裝，突出脈衝爆轟燃燒器管端板，使其具有提供氣體混合及終止逆流爆轟脈衝波的功能； 液體燃料霧化噴嘴的安裝，突出脈衝爆轟燃燒器管端板，使其具有提供氣體混合及終止逆流爆轟脈衝波的功能； 點火裝置 安裝於爆轟促進器下游端； 利用可燃性氣體燃料分散給料管將可燃性氣體燃料連續注入脈衝爆轟燃燒器管； 利用液體燃料霧化噴嘴將液體燃料霧化後連續注入脈衝爆轟燃燒器管； 利用空氣/氧化劑/助劑進料管將空氣/氧化劑/助劑連續注入脈衝爆轟燃燒器管； 利用爆轟促進器促進可燃性氣體燃料、霧化的液體燃料及空氣/氧化劑/助劑的混合； 利用點火裝置將脈衝爆轟燃燒器管內的可燃性氣體燃料、霧化的液體燃料及空氣/氧化劑/助劑的氣體混合物點燃； 利用脈衝爆轟燃燒器管內的爆轟促進器使得該被點燃的氣體混合物回火產生逆流爆轟脈衝波； 利用逆流爆轟脈衝波穿越突出脈衝爆轟燃燒器管端板的可燃性氣體燃料分散給料管及液體燃料霧化噴嘴，使得爆轟脈衝波衝擊脈衝爆轟燃燒器管端板而使得火焰熄焰； 利用爆轟衝擊波熄焰後的釋壓膨脹，產生反震波將反應產物排出脈衝爆轟燃燒器本體； 使得可燃性氣體燃料及液體燃料能連續利用爆轟衝擊波的高溫、高壓、高速進行化學反應。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，在脈衝爆轟燃燒器本體的冷卻設施，使用冷卻水冷卻。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，在脈衝爆轟燃燒器本體的冷卻設施，使用空氣冷卻。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，在脈衝爆轟燃燒器本體的冷卻設施，使用可燃性氣體燃料冷卻。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，在脈衝爆轟燃燒器本體的冷卻設施，使用液體燃料冷卻。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中防爆轟火焰防阻器的最大實驗安全間距MESG由可燃性氣體燃料決定，但介於0.3 mm 至1.0 mm。
如請求項3所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中防爆轟火焰防阻器的最大實驗安全間距MESG介於0.3 mm 至0.5 mm。
如請求項2所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其冷卻設施在脈衝爆轟燃燒器管的外表面設有多孔沸騰強化結構。
如請求項7所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其多孔沸騰強化結構的孔徑為1至100 μm。
如請求項7所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其多孔沸騰強化結構的孔徑為30至50μm。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料進料管為複數個，同時接受複數種可燃性氣體燃料的連續進料。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料進料管為複數個，同時接受複數種液體燃料的連續進料。
如請求項11所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料分散給料管在其出口端內部設有多孔結構具有防阻逆火功能，且其MESG小於0.3 mm至1.0 mm。
如請求項11所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料分散給料管在其出口端內部設有多孔結構具有防阻逆火功能，且其MESG小於0.3 mm至0.5 mm。
如請求項11所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料分散給料管出口端內部的多孔結構，是使用金屬粉末燒結製作。
如請求項12所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器內部具有混和裝置，使複數種液體燃料在液體燃料霧化器混合。
如請求項12所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器的內部具有靜態攪拌器，使複數種液體燃料在液體燃料霧化器混合。
如請求項12所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器的液體燃料霧化噴嘴為雙流體霧化噴嘴。
如請求項18所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器的液體燃料霧化噴嘴使用高壓氣體霧化。
如請求項19所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器的液體燃料霧化噴嘴使用的高壓氣體為蒸汽。
如請求項12所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中液體燃料霧化器的液體燃料霧化噴嘴為微孔霧化噴嘴，利用液體燃料加壓霧化。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中空氣/氧化劑/助劑進料管為複數個，同時接受複數種空氣/氧化劑/助劑的連續進料。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中空氣/氧化劑/助劑由脈衝爆轟燃燒器管端板的複數個開孔分散送入脈衝爆轟燃燒器管。
如請求項23所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的複數個開孔具有內部螺旋結構，使得空氣/氧化劑/助劑以渦流方式分散送入脈衝爆轟燃燒器管，促進脈衝爆轟的產生。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中點火裝置具有複數個點火裝置，點火裝置全部使用或部分使用。
如請求項25所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中點火裝置具有線上更換的功能。
如請求項25所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中點火裝置組具有線上電流檢測元件。
如請求項25所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中點火裝置組為等離子火炬。
如請求項25所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中點火裝置組為火花塞。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中爆轟衝擊波的溫度及壓力利用調節控制可燃性氣體燃料及霧化的液體燃料的種類、濃度、進料溫度及進料壓力控制。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中爆轟衝擊波的爆轟頻率利用可燃性氣體燃料、霧化的液體燃料及空氣/氧化劑/助劑進料速率、進料溫度及進料壓力控制。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管內的爆轟促進器的縮徑管段的最小直徑為該爆轟促進器直管段管徑之1/3至1倍；擴徑管段的最大直徑為該爆轟促進器直管段管徑之1.5至2倍；相鄰縮徑管段之間距為直管段管徑之1倍至3倍。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料分散給料管通過脈衝爆轟燃燒器管端板的開口後，延伸進入脈衝爆轟燃燒器管內部，且突出脈衝爆轟燃燒器管端板長度為爆轟衝擊波長1倍以上。
如請求項33所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中可燃性氣體燃料分散給料管通過脈衝爆轟燃燒器管端板的開口後，延伸進入脈衝爆轟燃燒器管內部，且突出脈衝爆轟燃燒器管端板長度為爆轟衝擊波長1.5倍以上。
如請求項1所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板具有複數個空氣/氧化劑/助劑噴嘴及複數個氣體燃料噴嘴與複數個液體燃料霧化噴嘴。
如請求項35所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的氣體燃料噴嘴具有可燃性氣體燃料分散給料管通過，其開口口徑為可燃性氣體燃料分散給料管管徑的1.05至2.0倍。
如請求項36所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的氣體燃料噴嘴，其開口直徑大於可燃性氣體燃料分散給料管管徑的空隙是供空氣/氧化劑/助劑流通。
如請求項35所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的液體燃料噴嘴具有可燃性氣體燃料分散給料管通過，其開口口徑為可燃性氣體燃料分散給料管管徑的1.05至2.0倍。
如請求項38所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的氣體燃料噴嘴，其開口直徑大於可燃性氣體燃料分散給料管管徑的空隙是供空氣/氧化劑/助劑流通。
如請求項35所述之雙燃料脈衝爆轟燃燒器，其中脈衝爆轟燃燒器管端板的空氣/氧化劑/助劑噴嘴、氣體燃料噴嘴及液體燃料噴嘴開口具有內部螺旋狀擾流設施，以促進空氣/氧化劑/助劑與可燃性氣體燃料、霧化的液體燃料充分混合。
一種光達裝置，包含： 一光源，配置以發射一雷射光束；以及<br/>一掃描模組，包含：<br/>一擺臂；<br/>一音圈馬達，連接該擺臂的一端，並配置以使該擺臂往復擺動一擺動角度；以及<br/>一曲面鏡，連接該擺臂的另一端，並配置以反射該雷射光束以在一掃描方向上進行掃描，<br/>其中經反射之該雷射光束在該掃描方向上掃描的一視場角大於該擺動角度。
如請求項1所述之光達裝置，其中該視場角為該擺動角度的約2倍至約4倍。
如請求項1所述之光達裝置，其中該曲面鏡的一曲率半徑與該擺臂的一長度的一比值為約1/6至約1/2，且該擺動角度為約20度至約40度，致使該視場角為約40度至約120度。
如請求項1所述之光達裝置，其中該光源配置以基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射該雷射光束複數次，且該曲面鏡具有不同的曲率半徑，致使經反射之該雷射光束沿著該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項1所述之光達裝置，其中該光源配置以基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射該雷射光束複數次，該曲面鏡具有固定的一曲率半徑，且該音圈馬達配置以調整該擺臂的一擺動速度，致使經反射之該雷射光束沿著該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項5所述之光達裝置，其中該擺臂配置以擺動於一第一位置與一第二位置之間，且在該擺臂由該第一位置擺動至該第二位置期間，該音圈馬達係使該擺動速度漸增。
如請求項6所述之光達裝置，其中在該擺臂由該第二位置擺動至該第一位置期間，該音圈馬達係使該擺動速度漸減。
一種掃描方法，應用於一光達裝置，該光達裝置包含一光源以及一掃描裝置，該掃描裝置包含一音圈馬達、一曲面鏡以及連接於該音圈馬達與該曲面鏡之間的一擺臂，該掃描方法包含：<br/>使該音圈馬達往復擺動該擺臂；<br/>使該光源基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射一雷射光束複數次，致使被該曲面鏡反射之該雷射光束在一掃描方向上進行掃描；以及<br/>控制該音圈馬達調整該擺臂的一擺動速度，致使經反射之該雷射光束沿著該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項8所述之掃描方法，其中該擺臂配置以擺動於一第一位置與一第二位置之間，該控制該音圈馬達調整該擺臂的該擺動速度包含：<br/>在該擺臂由該第一位置擺動至該第二位置期間，使該擺動速度漸增。
如請求項9所述之掃描方法，其中該控制該音圈馬達調整該擺臂的該擺動速度進一步包含：<br/>在該擺臂由該第二位置擺動至該第一位置期間，使該擺動速度漸減。
如請求項8所述之掃描方法，其中該音圈馬達配置以使該擺臂往復擺動一擺動角度，且經反射之該雷射光束在該掃描方向上掃描的一視場角大於該擺動角度。
如請求項11所述之掃描方法，其中該視場角為該擺動角度的約2倍至約4倍。
如請求項11所述之掃描方法，其中該曲面鏡的一曲率半徑與該擺臂的一長度的一比值係為約1/6至約1/2，且該擺動角度為約20度至約40度，致使該視場角為約40度至約120度。
一種光達裝置，包含： 一光源，配置以發射一雷射光束；以及<br/>一掃描模組，包含：<br/>一懸臂；<br/>一線性馬達，連接該懸臂的一端，並配置以使該懸臂在一移動方向上往復移動；以及<br/>一曲面鏡，連接該懸臂的另一端，並配置以反射該雷射光束以在一掃描方向上進行掃描，其中經反射之該雷射光束在該掃描方向上的掃描具有一視場角。
如請求項1所述之光達裝置，其中該懸臂的一延伸方向實質上平行於該移動方向。
如請求項1所述之光達裝置，其中該懸臂的一延伸方向實質上垂直於該移動方向。
如請求項1所述之光達裝置，其中該光源配置以基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射該雷射光束複數次，且該曲面鏡具有不同的曲率半徑，致使經反射之該雷射光束沿著該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項1所述之光達裝置，其中該光源配置以基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射該雷射光束複數次，該曲面鏡具有固定的一曲率半徑，且該線性馬達配置以調整該懸臂的一移動速度，致使經反射之該雷射光束沿著在該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項5所述之光達裝置，其中該曲面鏡配置以移動於一第一位置與一第二位置之間，且在該曲面鏡由該第一位置移動至該第二位置期間，該線性馬達係使該移動速度先漸增再漸減。
如請求項1所述之光達裝置，其中該線性馬達配置以使該懸臂在該移動方向上往復移動一距離，該曲面鏡具有固定的一曲率半徑，該光源配置以沿著一發射方向發射該雷射光束，該發射方向與該移動方向之間具有一夾角，該距離實質上等於該曲率半徑，且該夾角為約60度，致使該視場角為約120度。
一種掃描方法，應用於一光達裝置，該光達裝置包含一光源以及一掃描裝置，該掃描裝置包含一線性馬達、一曲面鏡以及連接於該線性馬達與該曲面鏡之間的一懸臂，該掃描方法包含：<br/>使該線性馬達在一移動方向上往復移動該懸臂；<br/>使該光源基於一發射頻率朝向該曲面鏡發射一雷射光束複數次，致使被該曲面鏡反射之該雷射光束在一掃描方向上進行掃描；以及<br/>控制該線性馬達調整該懸臂的一移動速度，致使經反射之該雷射光束沿著該掃描方向於遠處進行等間距掃描。
如請求項8所述之掃描方法，其中該曲面鏡配置以移動於一第一位置與一第二位置之間，該控制該線性馬達調整該懸臂的該移動速度包含：<br/>在該曲面鏡由該第一位置移動至該第二位置期間，使該移動速度先漸增再漸減。
如請求項8所述之掃描方法，其中該線性馬達配置以使該懸臂在該移動方向上往復移動一距離，該曲面鏡具有固定的一曲率半徑，該光源配置以沿著一發射方向發射該雷射光束，該發射方向與該移動方向之間具有一夾角，該距離實質上等於該曲率半徑，且該夾角為約60度，致使經反射之該雷射光束在該掃描方向上掃描的一視場角為約120度。
一種汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，該拆裝工具包括：<br/>一四棱錐體，該四棱錐體包括由四邊所定義的一基底平面；<br/>一基座，包含一第一部分和一第二部分；該第一部分與該基底平面連接，該第一部分與該基底平面的交界處成型一溝槽；該第二部分成型於該第一部分的底部，該第二部分穿設一螺紋孔，該螺紋孔供一定位螺栓的一螺紋柱穿鎖，該螺紋柱的端部對應該基底平面；<br/>該基底平面壓靠於一帶槽皮帶輪的一外圓周部，該帶槽皮帶輪的一輪緣嵌入該溝槽，該定位螺栓的該螺紋柱抵住該帶槽皮帶輪的一內圓周部，據此將該拆裝工具固定於該帶槽皮帶輪。
如請求項1所述汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，其中，該四棱錐體還包括四個側面、四個棱邊、和一個頂點；其中，四個該側面均為三角形，四個該側面的底邊分別與該基底平面的該四邊重合；四個該側面可區分為一第一側面、一第二側面、一第三側面、和一第四側面；四個該棱邊可區分為一第一棱邊、一第二棱邊、一第三棱邊和一第四棱邊；該第一棱邊介於第一側面和第二側面之間，該第二棱邊介於該第二側面和第三側面之間，該第三棱邊介於該第三側面與該第四側面之間，該第四棱邊介於該第四側面和該第一側面之間；該第一棱邊、該第二棱邊、該第三棱邊和該第四棱邊分別自該基底平面的四角點向該頂點收斂，該頂點的垂直投影點偏離該基底平面的對角線相交點。
如請求項2所述汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，其中，該第一側面和該第二側面與該基底平面為傾斜角相交；該第三側面和該第四側面與該基底平面為直角相交。
如請求項3所述汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，其中，該第一側面與該基底平面的該傾斜角的角度為120°~135°；該第二側面與該基底平面的該傾斜角的角度為115°~125°。
如請求項1所述汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，其中，該基底平面為該四邊等長所構成的正方形。
如請求項1所述汽車引擎曲軸帶輪皮帶拆裝工具，其中，該基底平面為該四邊不等長所構成矩形。
一種聲調音高表示裝置，包括：<br/> 一語音訊號接收器，被配置為接收包括多個音節的一語音訊號，並從該語音訊號獲得一聲學語言參數，其中該等音節包括一目標音節，該聲學語言參數包括各該音節的一原始音高輪廓 (raw pitch contour, RPC)，且各該音節對應於五種聲調類別的其中之一；<br/> 一聲調音高抽取器，與該語音訊號接收器連接，且被配置為從該聲學語言參數中抽取各該音節的該原始音高輪廓、利用𝑗次離散勒讓德多項式(discrete Legendre polynomial)將該等原始音高輪廓參數化、並將經參數化的該等原始音高輪廓根據該五種聲調類別平均，以產生各該聲調類別的一平均參數；以及<br/> 一聲調音高表示訓練器，與該聲調音高抽取器連接，且被配置為根據該聲學語言參數及各該聲調類別的該平均參數建立一聲調音高表示產生模型，以用於重建該目標音節的一預測音高輪廓(predicted pitch contour, PPC)。
如請求項1所述的聲調音高表示裝置，其中該語音訊號更包括與其對應的一文字訊號，該語音訊號及該文字訊號來自一語料庫，且該語音訊號接收器包括：<br/> 一聲學參數抽取器，被配置為抽取該語音訊號中的一聲學參數，其中該聲學參數包括各音節的該原始音高輪廓；<br/> 一語言參數抽取器，被配置為抽取該文字訊號中的一語言參數，其中該語言參數包括一詞、一詞性、一音節發音資訊及一標準聲調；以及<br/> 一聲學語言對齊器，被配置用於接收該聲學參數與該語言參數，並利用各音節的一時間中心點對齊該聲學參數與該語言參數，以產生該聲學語言參數，該聲學語言參數更包括各音節的一時頻譜、一時間標記及該標準聲調。
如請求項1所述的聲調音高表示裝置，其中該聲調音高抽取器更被配置為： <br/> 利用該𝑗次離散勒讓德多項式將該原始音高輪廓表示為具有四維向量的一參數𝛼<sub>𝑛</sub>，其中該等四維向量分別表示該原始音高輪廓的一輪廓平均值、一斜率、一加速度及一曲率；以及<br/> 輸出該平均參數至該聲調音高表示訓練器。
如請求項1所述的聲調音高表示裝置，其中該聲調音高表示訓練器更被配置為：<br/> 使用一機器學習方法，藉由一迴歸模型𝐺<sub>𝜃</sub>將該聲學語言參數映射到該平均參數。
一種聲調音高表示裝置，包括：<br/> 一語音訊號接收器，被配置為接收包括多個音節的一語音訊號，並從該語音訊號獲得一聲學語言參數(P)，其中該聲學語言參數(P)包括各該音節的一原始音高輪廓 (raw pitch contour, RPC)；<br/> 一聲調音高抽取器，與該語音訊號接收器連接，且被配置為根據相關於該等原始音高輪廓之所需聲調類別分別進行處理，以產生各該聲調類別的一標準參數；以及<br/> 一聲調音高表示訓練器，與該聲調音高抽取器連接，且被配置為根據各該聲調類別的該標準參數建立一聲調音高表示產生模型。
如請求項5所述的聲調音高表示裝置，其中該聲調音高抽取器更被配置為：<br/> 利用𝑗次離散勒讓德多項式(discrete Legendre polynomial)將該原始音高輪廓表示為具有四維向量之一參數𝛼<sub>𝑛</sub>，其中該等四維向量分別表示該原始音高輪廓的一平均值、一斜率、一加速度及一曲率；<br/> 將經參數化的該等原始音高輪廓根據該等所需聲調類別平均，以產生各該聲調類別的該標準參數，其中該等所需聲調類別為五種聲調類別；以及<br/> 輸出該標準參數至該聲調音高表示訓練器。
如請求項5所述的聲調音高表示裝置，其中該聲調音高表示訓練器更被配置為與該語音訊號接收器連接，根據該聲學語言參數(P)及各該聲調類別的該標準參數建立該聲調音高表示產生模型。
一種聲調音高表示系統，包括：<br/> 一第一語音訊號接收器，被配置為接收包括多個音節的一第一語音訊號，並從該第一語音訊號獲得一第一聲學語言參數(P1)，其中該第一聲學語言參數(P1)包括各該音節的一原始音高輪廓 (raw pitch contour, RPC)；<br/> 一聲調音高抽取器，與該語音訊號接收器連接，且被配置為根據相關於該等原始音高輪廓之所需聲調類別分別進行處理，以產生各該聲調類別的一第一標準參數； <br/> 一聲調音高表示訓練器，與該聲調音高抽取器連接，且被配置為根據各該聲調類別的該第一標準參數建立一聲調音高表示產生模型；<br/> 一聲調音高表示產生器，與該聲調音高表示產生模型連接，且被配置為接收來自一第二語音訊號的一第二聲學語言參數(P2)、並利用該聲調音高表示產生模型從該第二聲學語言參數(P2)抽取出一第二標準參數；以及<br/> 一圖像及音訊展示器，被配置為將該第二標準參數還原為一預測音高輪廓(predicted pitch contour, PPC)，並以圖像的方式展現該預測音高輪廓。
如請求項8所述的聲調音高表示系統，其中：<br/> 該第一標準參數是將該等原始音高輪廓參數化、並根據相關於該等原始音高輪廓之五種聲調類別平均所得到之各該聲調類別的一平均參數；以及<br/> 該第二標準參數是利用該聲調音高表示產生模型預估的一四維參數。
如請求項8所述的聲調音高表示系統，更包括： <br/> 一聲調辨認訓練器，與該第一語音訊號接收器連接，且被配置為根據該第一聲學語言參數(P1)產生一聲調辨認模型，其中該第一聲學語言參數(P1)更包括各該音節的一時頻譜、一時間標記及一標準聲調； <br/> 一第二語音訊號接收器，與該聲調音高表示產生器連接，且被配置為接收包括一目標音節的該第二語音訊號，其中該第二語音訊號與該第一語音訊號不同；以及<br/> 一聲調辨認器，與該聲調辨認訓練器及該第二語音訊號接收器連接，且被配置為接收該第二聲學語言參數(P2)、並根據該聲調辨認模型辨認該第二語音訊號中該目標音節之一對應聲調類別，以產生一聲調類別分數。
如請求項10所述的聲調音高表示系統，其中：<br/> 該圖像及音訊展示器更被配置為彙整該聲調類別分數及該第二標準參數，以產生該預測音高輪廓；及/或<br/> 該第一語音訊號接收器及該第二語音訊號接收器被整合為一單一接收器。
一種用於語言學習的聲調音高表示方法，包括：<br/> 接收包括多個音節的一第一語音訊號，並從該第一語音訊號獲得一第一聲學語言參數(P1)，其中該第一聲學語言參數(P1)包括各該音節的一原始音高輪廓 (raw pitch contour, RPC)；<br/> 根據相關於該等原始音高輪廓之所需聲調類別分別進行處理，以產生各該聲調類別的一第一標準參數；以及<br/> 根據各該聲調類別的該第一標準參數建立一聲調音高表示產生模型。
如請求項12所述的聲調音高表示方法，更包括：<br/> 接收包括一目標音節的一第二語音訊號；<br/> 從該第二語音訊號獲得一第二聲學語言參數(P2)；以及<br/> 利用該聲調音高表示產生模型從該第二聲學語言參數(P2)抽取出一第二標準參數，其中該聲調音高表示產生模型為一迴歸模型；<br/> 將該第二標準參數還原為一預測音高輪廓 (predicted pitch contour, PPC)。
如請求項13所述的聲調音高表示方法，其中該第一語音訊號來自一語料庫，該第二語音訊號來自一語言學習者，且該方法更包括藉由該預測音高輪廓反映該第二語音訊號的正確性。
一種散熱模組支撐結構，供一電子裝置使用，該電子裝置包含一上殼與一下殼，其中該散熱模組支撐結構包括：<br/> 一支撐框架，配置於該上殼與該下殼之間，具有朝外側延伸的至少一定位耳部；<br/> 一散熱元件，固定設置於該支撐框架內，用以提供該電子裝置進行散熱；<br/> 一楔形塊體，固定設置於該上殼內，並對應配設於該支撐框架上方，具有一頂點，該頂點與該支撐框架頂側接觸；<br/> 一上彈簧，配置於該楔形塊體一側，並固設於該定位耳部，與該上殼抵靠時向下預壓於該支撐框架，當該頂點於受力時可依受力方向抵靠該支撐框架並向下推動該支撐框架；<br/> 一下彈簧，設置於該支撐框架之下方，並固設於該定位耳部，與該下殼抵靠時向上支撐於該支撐框架；<br/> 其中，當該上殼受到一外力按壓時，該支撐框架在該上彈簧、該下彈簧以及該楔形塊體頂點配合下產生短距可控位移，避免與該上殼直接接觸，以達到避讓效果。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該電子裝置為但不限於一筆記型電腦。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該上殼與該下殼分別設有一卡槽或一定位柱。
如申請專利範圍第3項所述的散熱模組支撐結構，其中該上彈簧與該下彈簧經由該卡槽或該定位柱設置於該支撐框架與該上殼、該下殼之間，以限制其軸向偏移。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該散熱元件為但不限於一風扇模組，配置以朝向該上殼與該下殼之間送風。
如申請專利範圍第5項所述的散熱模組支撐結構，其中該風扇模組具有一導風葉片，固設於該支撐框架內，並經由該上彈簧與該下彈簧夾設固定於該電子裝置內部。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該楔形塊體為一剛性材料製成，該頂點為一圓弧狀或一角錐狀，以集中支撐該支撐框架特定點。
如申請專利範圍第7項所述的散熱模組支撐結構，其中該剛性材料包括一硬質塑膠或一金屬材料。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該楔形塊體與該支撐框架之接觸為固定點接觸，形成可轉換外力方向之力點以實現避讓。
如申請專利範圍第1項所述的散熱模組支撐結構，其中該上彈簧與該下彈簧為一金屬螺旋壓縮彈簧。
一種繩體導件，其特徵在於，設置於柔軟的物品（12）的相互分離的第一位置（A）與第二位置（B）之間的一部分，且包含連結所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的線上的、安裝於所述物品（12）的多個鏈牙（22、42、52），在所述鏈牙（22、42、52）中貫通設置有插通孔（24），多個所述鏈牙（22、42、52）的所述插通孔（24）相互在假想線上獨立地連通，並對連結所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的長度調節用的繩體（16）以能夠滑動的方式進行引導。
如請求項1所述的繩體導件，其中，多個所述鏈牙（22、42、52）並排安裝於帶部（28）的沿著長度方向的側緣部（28a），所述帶部（28）被設置於所述物品（12）。
如請求項2所述的繩體導件，其中，在所述帶部（28）的所述側緣部（28a），一體地設置有剛性較所述帶部（28）高的芯線（30），在所述芯線（30）固定有所述鏈牙（22、42、52）。
如請求項1所述的繩體導件，其中，所述鏈牙（22、42）相互分離地相鄰設置。
如請求項4所述的繩體導件，其中，在所述鏈牙（42）形成有朝向相鄰設置的所述鏈牙（42）突出的凸部（44）、以及與相鄰設置的所述鏈牙（42）的所述凸部（44）嵌合的凹部（46）。
如請求項1所述的繩體導件，其中，所述鏈牙（52）由連續的線圈形成，所述線圈的內側空間為所述插通孔（24）。
一種長度調節件（10），藉由配設於柔軟的物品（12）的第一位置（A）的操作部（14）的操作，經由長度調節用的繩體（16）而使配設於所述物品（12）的第二位置（B）的調節部（18）的位置變更，所述長度調節件的特徵在於， <br/>所述繩體（16）的一端部安裝於所述操作部（14），所述繩體（16）的另一端部安裝於所述調節部（18）， <br/>在所述第一位置（A）與所述第二位置（B）之間的一部分設置有繩體導件（20、40、50），所述繩體導件（20、40、50）包含連結所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的線上的、安裝於所述物品（12）的多個鏈牙（22、42、52），在所述鏈牙（22、42、52）中貫通設置有插通孔（24），多個所述鏈牙（22、42、52）的所述插通孔（24）相互在假想線上獨立地連通，並對所述繩體（16）以能夠滑動的方式進行引導， <br/>對所述操作部（14）進行操作而使所述繩體（16）相對於所述物品（12）及所述繩體導件（20、40、50）滑動，在維持所述繩體導件（20、40、50）的形狀或長度的同時，藉由遠程操作而在所述繩體導件（20、40、50）以外的接近所述調節部（18）的部分使所述物品（12）的一部分伸縮，以使所述調節部（18）的位置變更。
如請求項7所述的長度調節件，其中，設置有在連結所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的方向上伸縮的彈性體（26），所述彈性體（26）在改變所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的間隔時被彈性變形，並藉由施加力而復原，以使所述第一位置（A）與所述第二位置（B）的間隔復原。
一種扳動工具之改良構造，包含有：<br/> 一頭部，具有一本體，一工作面位於該本體的一側；<br/> 一磁體，設於該本體，並使所產生的磁場範圍涵蓋該工作面；<br/> 一卡部，設於該本體上，具有彼此間相隔有一預定角度之二側體，各該側體彼此相向之內側面，與該工作面間共同定義出一工作空間，用以容納外部之工件於其中，並使位於該工作空間中的外部工件受該磁體所吸附；<br/> 其特徵在於：<br/> 該卡部係滑設於該本體上，並可沿垂直於該工作面之一移動方向，進行直線往復位移。
如請求項1所述扳動工具之改良構造，其中，該卡部更包含有一基體，滑接於該本體上，並使各該側體固設於該基體上。
如請求項2所述扳動工具之改良構造，其更包含有一滑接部，設於該基體與該本體之間，使該基體可以沿該移動方向進行往復位移。
如請求項3所述扳動工具之改良構造，其中，該滑接部包含有一沿該移動方向延伸一預定長度的滑孔，孔軸垂直於該移動方向，以及一穿伸於該滑孔中的限位件。
如請求項4所述扳動工具之改良構造，其中，該滑孔開設於該基體上，該限位件則以一端固接於該本體上，另端則穿經該滑孔。
如請求項4所述扳動工具之改良構造，其中，該滑孔設於該本體上，該限位件則以一端固接於該基體上。
如請求項6所述扳動工具之改良構造，其中，該滑接部更包含有一嵌孔，設於該本體上，孔軸平行於該移動方向地與該滑孔垂直連通；該卡部可活動地置於該嵌孔中。
如請求項3所述扳動工具之改良構造，其中，該滑接部更包含有一彈性體，並以該彈性體之彈力對該基體沿該移動方向的滑動運動施加限制。
如請求項1所述扳動工具之改良構造，其中，該頭部更包含有一凹入，自該工作面往該本體內部凹陷一預定之深度。
如請求項9所述扳動工具之改良構造，其中，該磁體嵌設於該凹入中。
一種氫生成裝置，係具備： <br/> 反應器，係具備觸媒，且將烴熱分解；以及 <br/> 處理裝置，係處理包含因前述熱分解產生之碳之溢流粒子；該氫生成裝置之特徵為： <br/> 具備：搬運通路，係設於前述反應器與前述處理裝置之間，將前述反應器內之溢流粒子，藉由搬運流體搬運至前述處理裝置， <br/> 於前述搬運通路之前述溢流粒子之流動方向與水平方向所成之角度，且係以自水平方向往垂直上方向前進側為正之角度，係設定為零以上。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 前述角度係設定為比零更大之值。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 前述搬運通路之至少一部分，係相鄰於冷卻介質流動通路， <br/> 並構成為於前述冷卻介質流動通路，流動有冷卻介質。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 於前述反應器，係設有溢流通路劃分構件， <br/> 前述溢流通路劃分構件，係劃分出溢流通路之構件，該溢流通路係將前述溢流粒子引導至前述搬運通路之通路。
如請求項4所述之氫生成裝置，其中， <br/> 係構成為：於前述溢流通路與前述搬運通路之間設有腔， <br/> 對於前述腔供給有搬運流體。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 係具備：減壓裝置，係使前述處理裝置側之壓力比前述反應器內之壓力更低。
如請求項4所述之氫生成裝置，其中， <br/> 於前述反應器之側面，係設有加熱前述反應器內之加熱裝置， <br/> 前述溢流通路之出口，係構成為自前述反應器之底面突出。
如請求項4所述之氫生成裝置，其中， <br/> 前述觸媒係流動觸媒， <br/> 前述溢流通路之入口，係設於為自前述反應器之底面起至對向於前述反應器之前述底面之面為止之高度之0.6～0.8倍之高度。
如請求項5所述之氫生成裝置，其中， <br/> 於前述腔設有喇叭口， <br/> 前述喇叭口，係構成前述搬運通路之入口。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 係具備：用以使流入至前述處理裝置之流體回到前述反應器之回歸通路， <br/> 前述搬運流體，係烴氣。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 前述搬運通路內之前述溢流粒子之填充率，係0.001～0.5， <br/> 前述填充率，係將前述溢流粒子之體積流量，除以前述溢流粒子之體積流量與前述搬運流體之體積流量之和所得之值。
如請求項1所述之氫生成裝置，其中， <br/> 前述搬運通路內之前述搬運流體之流速，係1～30m/s。
一種冷暖風扇裝置，其包括：<br/> 一電風扇本體，其具有一風扇單元及設置於該風扇單元前方的一前罩；該前罩具有環狀陣列的多個鏤空部；<br/> 多個製冷晶片及多個製熱晶片，交錯設置於各該鏤空部位置；每一該製冷晶片及每一該製熱晶片配置以相對於對應的該鏤空部翻轉於遮蔽位置與開啟位置之間，且該製冷晶片及該製熱晶片的運作面朝向該風扇單元；<br/> 一驅動模組，設置以控制各該製冷晶片與各該製熱晶片翻轉至遮蔽位置或開啟位置；<br/> 一控制模組，電性連接於該驅動模組、多個該製冷晶片及多個該製熱晶片；該控制模組配置以於冷風模式時控制各該製冷晶片定位於遮蔽位置以產生冷空氣，並控制各該製熱晶片翻轉至開啟位置以使冷空氣經由該鏤空部流出；於熱風模式時控制各該製熱晶片定位於遮蔽位置以產生熱空氣，並控制各該製冷晶片翻轉至開啟位置以使熱空氣經鏤空部流出。
如請求項1所述的冷暖風扇裝置，其中，遮蔽位置係使對應的該鏤空部被該製冷晶片或該製熱晶片覆蓋，開啟位置則係使對應的該鏤空部外露並形成與該風扇單元的氣流連通，藉此導引冷空氣或熱空氣由該鏤空部吹出。
如請求項1所述的冷暖風扇裝置，其中該驅動模組包含多個驅動單元；各該驅動單元係設置於該前罩；該製冷晶片及該製熱晶片係設置於該驅動單元。
如請求項1所述的冷暖風扇裝置，其中該冷暖風扇裝置進一步包括一底座；該底座上設有一顯示模組，且該控制模組係連接網際網路，以獲得控制該顯示模組顯示日期、天氣、氣溫、濕度及降雨機率的資訊。
如請求項1所述的冷暖風扇裝置，其中，該冷暖風扇裝置進一步包括一語音辨識單元；該語音辨識單元配置以接收並解析使用者的一語音指令，該控制模組依據該語音指令控制冷風或熱風輸出模式。
如請求項1所述的冷暖風扇裝置，其中，該控制模組進一步包括一人工智慧模組；該人工智慧模組依據溫度資訊判斷冷風模式或熱風模式以控制該驅動模組、該製冷晶片及該製熱晶片的運作。
如請求項6所述的冷暖風扇裝置，其中，該人工智慧模組配置以根據使用者過往操作紀錄、室內外溫度變化、時間與使用頻率自動調整冷風模式與熱風模式之啟動門檻或作動時段以控制該驅動模組、該製冷晶片及該製熱晶片的運作。
一種以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，由處理器執行，該方法包含： <br/>執行特徵擷取骨幹子網路以擷取輸入影像的特徵，產生至少3種解析度的多個解析度的多個原始特徵圖，其中所述多個解析度中的每一個解析度對應所述多個原始特徵圖中的至少一個原始特徵圖； <br/>執行第一特徵融合子網路以從該特徵擷取骨幹子網路產生的所述多個原始特徵圖中，以所述多個解析度中的至少兩個解析度 做為第一組選用解析度，將對應於該第一組選用解析度的所述多個原始特徵圖為輸入，依該第一特徵融合子網路之第一特徵融合架構以及多個第一特徵融合參數進行特徵融合，以產生至少一個第一融合後解析度對應的多個第一融合後特徵圖，其中所述第一組選用解析度中的最大者的解析度小於所述多個原始特徵圖中所述多個解析度中的最大解析度； <br/>執行物件偵測子網路以對應於一第一預先決定解析度的所述多個第一融合後特徵圖為輸入，產生至少一物件偵測結果，其中該第一預先決定解析度為該第一融合後解析度中的至少一解析度； <br/>執行第二特徵融合子網路以從該特徵擷取骨幹子網路產生的所述多個原始特徵圖中，以所述多個解析度中的至少兩個做為第二組選用解析度，將對應於該第二組選用解析度的所述多個原始特徵圖與所述至少一個第一融合後解析度所對應的該些第一融合後特徵圖為輸入，依該第二特徵融合子網路之第二特徵融合架構與多個第二特徵融合參數進行特徵融合，以產生至少一個第二融合後解析度對應的多個第二融合後特徵圖，其中所述第二組選用解析度中的最小者的解析度大於所述多個原始特徵圖中所述多個解析度中的最小解析度； <br/>執行影像分割子網路以對應於至少一第二預先決定解析度的所述多個第二融合後特徵圖為輸入，產生至少一影像分割結果。
如請求項1所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該特徵擷取骨幹子網路為一人工智慧網路，該特徵擷取骨幹子網路至少包含由降低解析度特徵學習模塊、維持解析度特徵學習模塊以及二維空間池化學習模塊依一第一預設數量與第一預設排列組合所形成，其中該方法還包括： <br/>執行該降低解析度特徵學習模塊，利用具備可學習參數之網路架構將輸入的影像或特徵圖進行運算並將該輸入的影像的解析度或者該輸入的特徵圖的解析度降低，以產生並輸出相同解析度的多個降解析後特徵圖； <br/>執行該維持解析度特徵學習模塊，利用具備可學習參數之網路架構將輸入的影像或特徵圖進行運算並將該輸入的影像的解析度或者該輸入的特徵圖的解析度維持，以產生並輸出相同解析度的多個維持解析特徵圖； <br/>執行該二維空間池化學習模塊，利用所述具備可學習參數之卷積網路架構與至少一種二維最大值池化(Maximum Pooling)技術或是二維平均池化(Average pooling)技術將輸入的影像或者特徵圖進行運算，以產生並輸出相同解析度的多個二維空間池化特徵圖， <br/>其中，該第一預設排列組合以第一數量個該降低解析度特徵學習模塊、第二數量個該維持解析度特徵學習模塊與第三數量個該二維空間池化學習模塊所排列組合而成。
如請求項2所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第一數量為5，該第二數量為4，該第三數量為1。
如請求項1所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第一特徵融合子網路為一人工智慧網路，該第一特徵融合子網路至少包含由降低解析度特徵學習模塊、維持解析度特徵學習模塊以及特徵圖解析度增加運算模塊依一第二預設數量與第二預設排列組合所形成，其中該方法還包括： <br/>執行該降低解析度特徵學習模塊，利用具備可學習參數之網路架構將輸入的影像或特徵圖進行運算並將該輸入的影像的解析度或者該輸入的特徵圖的解析度降低，以產生並輸出相同解析度的多個降解析後特徵圖； <br/>執行該維持解析度特徵學習模塊，利用具備可學習參數之網路架構將輸入的影像或特徵圖進行運算並將該輸入的影像的解析度或者該輸入的特徵圖的解析度維持，以產生並輸出相同解析度的多個維持解析特徵圖； <br/>執行該特徵圖解析度增加運算模塊，利用第一預設解析度增加方法將輸入的多個第一種解析度特徵圖的解析度增加，以產生多個第二種解析度特徵圖， <br/>其中，該第二預設之排列組合以第四數量個該降低解析度特徵學習模塊、第五數量個該維持解析度特徵學習模塊與第六數量個該特徵圖解析度增加運算模塊所排列組合而成。
如請求項4所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第四數量為3，該第五數量為7，該第六數量為3。
如請求項1所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該物件偵測子網路為一人工智慧網路，該物件偵測子網路至少包含由KxK卷積核特徵學習模塊以及1x1卷積核特徵學習模塊依一第三預設數量與第三預設排列組合所形成，其中該方法還包括： <br/>執行該KxK卷積核特徵學習模塊以利用多個可學習參數之kxk卷積核的網路架構將輸入的特徵圖進行卷積運算以產生並輸出多個經KxK卷積核學習特徵圖； <br/>執行該1x1卷積核特徵學習模塊以利用多個可學習參數之1x1卷積核的網路架構將輸入該1x1卷積核特徵學習模塊的特徵圖進行卷積運算以產生並輸出多個物件偵測結果， <br/>其中，該第三預設排列組合以利用第七數量個該KxK卷積核特徵學習模塊與第八數量個該1x1卷積核特徵學習模塊所排列組合而成。
如請求項6所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第七數量為12，該第八數量為6。
如請求項1所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第二特徵融合子網路為一人工智慧網路，該第二特徵融合子網路至少包含由維持解析度特徵學習模塊以及特徵圖解析度增加運算模塊依一第四預設數量與第四預設排列組合所形成，其中該方法還包括： <br/>執行該維持解析度特徵學習模塊，利用具備可學習參數之網路架構將輸入的影像或特徵圖進行運算並將該輸入的影像的解析度或者該輸入的特徵圖的解析度維持，以產生並輸出相同解析度的多個維持解析特徵圖； <br/>執行該特徵圖解析度增加運算模塊，利用一第二預設解析度增加方法將輸入的多個第一種解析度特徵圖的解析度增加，以產生多個第二種解析度特徵圖， <br/>其中，該第四預設排列組合以第九數量個該維持解析度特徵學習模塊與第十數量個該特徵圖解析度增加運算模塊所排列組合而成。
如請求項8所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第九數量為2，該第十數量為2。
如請求項1所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該影像分割子網路為一人工智慧網路，該影像分割子網路至少包含由維持解析度NxN卷積核特徵學習模塊以及增加解析度NxN卷積核特徵學習模塊依一第五預設數量與第五預設排列組合所形成，其中該方法還包括： <br/>執行該維持解析度NxN卷積核特徵學習模塊以利用多個可學習參數之NxN卷積核的網路架構將輸入的特徵圖進行卷積運算以產生並輸出同一解析度的多個維持解析特徵圖，其中所述同一解析度相同於所述輸入的特徵圖的解析度； <br/>執行該增加解析度NxN卷積核特徵學習模塊以利用該些可學習參數之NxN卷積核的網路架構將輸入的特徵圖進行卷積運算以產生並輸出多個增加解析特徵圖，其中該些增加解析特徵圖的解析度大於所述輸入的特徵圖的解析度， <br/>其中，該第五預設排列組合以第十一數量個該維持解析度NxN卷積核特徵學習模塊與第十二數量個該增加解析度NxN卷積核特徵學習模塊所排列組合而成。
如請求項10所述之以單一人工智慧網路進行物件偵測與影像分割的方法，其中該第十一數量為3，該第十二數量為1。
一種保護殼，包含：一主體，配置以容納一電子裝置且具有一孔洞，其中該孔洞大於該電子裝置所具有的一磁吸區域，該孔洞配置以完全暴露該電子裝置的該磁吸區域，以供一配件通過並直接接觸與吸附於該電子裝置的該磁吸區域，且該孔洞的一輪廓與該配件的一最大外輪廓相符；以及 <br/>複數個突起部，間隔地位於該孔洞的一內側壁上且配置以抵靠於該配件的該最大外輪廓。
如請求項1所述之保護殼，其中該主體為一均質結構。
如請求項1所述之保護殼，其中該主體與該些突起部包括相同材料且為一體成型的一連續結構。
如請求項1所述之保護殼，其中該孔洞的一長度在59.05毫米與96.2毫米之間，且該孔洞的一寬度在59.05毫米與65.5毫米之間。
如請求項1所述之保護殼，其中該主體包含熱塑性聚氨酯、聚碳酸酯或液態矽膠。
如請求項1所述之保護殼，其中該突起部包含熱塑性聚氨酯、聚碳酸酯或液態矽膠。
如請求項1所述之保護殼，其中該孔洞的一長度與一寬度之間的一比值在1與1.4687之間。
如請求項1所述之保護殼，其中該突起部的一高度在0.5毫米與1.0毫米之間。
如請求項1所述之保護殼，其中該主體的一厚度在1.2毫米與2.0毫米之間。
一種用於測試多個待測裝置（devices-under-test, DUTs）的測試設備，包括：<br/> 一個或多個介面端子，包括被配置為量測節點的第一介面端子和被配置為應力節點的第二介面端子，或包括被配置為量測節點和應力節點的第一介面端子；<br/> 開關裝置，包括第一共同節點和多個分支節點，所述多個分支節點中的每一個可電氣連接到所述多個DUTs中對應的DUT，且所述開關裝置被配置為一次將所述第一共同節點電氣耦接到所述多個分支節點中的一個；<br/> 一個或多個導電路徑網路，對應於可電氣連接到所述多個DUTs中對應的一個或多個DUT群組的一個或多個導電節點；以及<br/> 路徑選擇裝置，經配置以將所述量測節點電氣耦接到所述第一共同節點，或將所述應力節點電氣耦接到所述一個或多個導電節點中的一個。
如請求項1所述的測試設備，其中<br/> 所述開關裝置包括電氣耦接在所述第一共同節點與所述多個分支節點之間的多個電晶體，以及<br/> 所述測試設備還包括多個正反器電路，所述多個正反器電路中的每一個被配置為控制所述多個電晶體中對應的一個的開啟或關閉狀態。
如請求項1所述的測試設備，其中<br/> 所述開關裝置還包括第二共同節點，<br/> 所述開關裝置進一步被配置為一次將所述第二共同節點與所述多個分支節點中的一個電氣解耦，<br/> 所述多個DUTs中的每個DUT一次要麼電氣耦接到所述第一共同節點，要麼電氣耦接到所述第二共同節點，且<br/> 所述一個或多個介面端子還包括被配置為電氣耦接到所述第二共同節點的偏壓節點的第三介面端子。
如請求項3所述的測試設備，其中<br/> 所述開關裝置包括<br/> 電氣耦接在所述第一共同節點與所述多個分支節點之間的第一多個電晶體，以及<br/> 電氣耦接在所述第二共同節點與所述多個分支節點之間的第二多個電晶體，以及<br/> 所述測試設備還包括多個正反器電路，所述多個正反器電路中的每一個被配置為控制所述第一多個電晶體中對應的一個的開啟或關閉狀態以及所述第二多個電晶體中對應的一個的開啟或關閉狀態。
如請求項1所述的測試設備，其中<br/> 所述開關裝置還包括第三共同節點，<br/> 所述開關裝置進一步被配置為一次將所述第三共同節點電氣耦接到所述多個分支節點中的一個，以及<br/> 所述路徑選擇裝置被配置為將所述量測節點電氣耦接到所述第一共同節點或所述第三共同節點。
一種測試晶圓上多個待測裝置（devices-under-test, DUTs）的方法，包括：<br/> 設定路徑選擇裝置，使其將應力節點電氣耦接到對應於一個或多個導電路徑網路中的一個的一個或多個導電節點中的一個，所述一個或多個導電節點電氣耦接到所述多個DUTs的對應的一個或多個DUTs群組；<br/> 通過所述一個或多個導電路徑網路中的對應的一個，基於應力條件將應力訊號施加到對應的DUTs群組；<br/> 基於第一測量條件，設定所述路徑選擇裝置以將量測節點電氣耦接到開關裝置的第一共同節點；以及<br/> 基於所述第一測量條件，通過所述量測節點測量對應的DUTs群組的第一個或多個參數，同時設定所述開關裝置一次將所述第一共同節點電氣耦接到所述開關裝置的多個分支節點中的一個，所述多個分支節點中的每一個電氣耦接到所述多個DUTs中的對應DUT。
如請求項6所述的方法，其中<br/> 所述開關裝置包括電氣耦接在所述第一共同節點與所述多個分支節點之間的多個電晶體，以及<br/> 所述方法還包括基於多個正反器電路中的對應一個控制所述多個電晶體中的每一個的開啟或關閉狀態。
如請求項6所述的方法，還包括：<br/> 基於第二測量條件，設定所述路徑選擇裝置以電氣耦接所述量測節點至所述開關裝置的第三共同節點；以及<br/> 基於所述第二測量條件，通過所述量測節點測量對應的DUTs群組的第二個或多個參數，同時設定所述開關裝置一次將所述第三共同節點電氣耦接到所述開關裝置的所述多個分支節點中的一個。
如請求項8所述的方法，其中：<br/> 所述開關裝置包括<br/> 電氣耦接在所述第一共同節點與所述多個分支節點之間的多個p型電晶體，以及<br/> 電氣耦接在所述第三共同節點與所述多個分支節點之間的多個n型電晶體，以及<br/> 所述方法還包括基於多個正反器電路中的對應一個控制所述多個p型電晶體中的每一個的開啟或關閉狀態以及所述多個n型電晶體中的每一個的開啟或關閉狀態。
一種晶圓，包括：<br/> 對應於形成一個或多個晶粒的一個或多個晶粒區域；<br/> 鄰近所述一個或多個晶粒區域的切割線；<br/> 位於所述切割線或所述一個或多個晶粒區域中的多個待測裝置（devices-under-test, DUTs）；<br/> 位於所述切割線中的多個導電接墊，所述多個導電接墊包括對應於量測節點的第一導電接墊和對應於應力節點的第二導電接墊，或包括對應於所述量測節點和所述應力節點的所述第一導電接墊；<br/> 位於所述切割線或所述一個或多個晶粒區域中的開關裝置，所述開關裝置包括第一共同節點和多個分支節點，所述多個分支節點中的每一個可電氣連接至所述多個DUTs中的對應DUT，且所述開關裝置經配置以一次將所述第一共同節點電氣耦接至所述多個分支節點中的一個；<br/> 位於所述切割線或所述一個或多個晶粒區域中的一個或多個導電路徑網路，所述一個或多個導電路徑網路對應於可電氣連接至所述多個DUTs中對應的一個或多個DUTs群組的一個或多個導電節點；以及<br/> 位於所述切割線或所述一個或多個晶粒區域中的路徑選擇裝置，所述路徑選擇裝置經配置以將所述量測節點電氣耦接至所述第一共同節點，或將所述應力節點電氣耦接至所述一個或多個導電節點中的一個。
一種動力刀座性能跑合測試平台，應用於一動力刀座，該動力刀座具有一可受連動而轉動的輸入軸、一連接該輸入軸的第一傘齒輪、一與該輸入軸的軸向相異的刀具軸、一設置於該刀具軸的軸承，及一連接該刀具軸並嚙合於該第一傘齒輪以連動該刀具軸轉動的第二傘齒輪，該動力刀座性能跑合測試平台包含：<br/>一基座；<br/>一驅動馬達，設置於該基座，且包括一可受驅動而轉動的動力軸；<br/>一連接單元，包括一設置於該動力軸及該輸入軸間並與該動力軸及輸入軸同軸設置的連桿件，及一設置於該刀具軸並與該刀具軸同軸設置的測試桿；<br/>一量測單元，包括一設置於該連桿件以量測該連桿件的扭矩的扭矩感測器、一設置於該輸入軸以量測該輸入軸的轉動角度的一第一角度感測器、一設置於該測試桿以量測該測試桿的轉動角度的第二角度感測器、一設置於該動力刀座以量測振動的振動感測器、一設置於該動力刀座以量測對應該第一傘齒輪及該第二傘齒輪處的溫度的第一溫度感測器、一設置於該動力刀座以量測對應該軸承處的溫度的第二溫度感測器、一間隔設置於該測試桿沿徑向的外側以量測該測試桿的徑向位移的第一位移感測器、一間隔設置於該測試桿沿軸向相反該刀具軸的一側以量測該測試桿的軸向位移的第二位移感測器，及一間隔該動力刀座以量測該動力刀座的運轉聲音的噪音感測器；<br/>一顯示器；及<br/>一控制單元，電連接該驅動馬達、該扭矩感測器、該第一角度感測器、該第二角度感測器、該振動感測器、該第一溫度感測器、該第二溫度感測器、該第一位移感測器、該第二位移感測器、該噪音感測器及該顯示器，該控制單元可於控制該驅動馬達運轉後，將該量測單元所量測的量測資訊透過一人工智慧模型運算後，產生一分析結果，並將該分析結果顯示於該顯示器，該分析結果包括一異常結果資訊及一壽命預估資訊。
如請求項1所述的動力刀座性能跑合測試平台，其中，該控制單元可運行一第一測試程序，於該第一測試程序中，該控制單元控制該動力軸轉動一圈，並記錄該第一角度感測器所量測的該輸入軸的轉動角度為一第一角度資訊，記錄該第二角度感測器所量測的該測試桿的轉動角度為一第二角度資訊，及記錄該第一位移感測器所量測的該測試桿的徑向位移的一第一位移資訊，該控制單元並將該第一角度資訊及該第二角度資訊取差值後產生一角度差值資訊。
如請求項2所述的動力刀座性能跑合測試平台，其中，該控制單元可運行一第二測試程序，於該第二測試程序中，該控制單元控制該動力軸執行複數轉速由小漸大的跑程，每一該跑程中，該動力軸的轉速恆定且持續一預定時間，該控制單元記錄該扭矩感測器所量測該連桿件的扭矩為一扭力資訊，記錄該振動感測器所量測的振動狀況為一振動資訊，記錄該第一溫度感測器所量測對應該第一傘齒輪及該第二傘齒輪處的溫度為一第一溫度資訊，記錄該第二溫度感測器所量測對應該軸承處的溫度為一第二溫度資訊，記錄該第二位移感測器所量測該測試桿的軸向位移為一第二位移資訊，記錄該噪音感測器所量測該動力刀座的運轉聲音為一噪音資訊。
如請求項3所述的動力刀座性能跑合測試平台，其中，該人工智慧模型是根據該角度差值資訊、該第一位移資訊，及每一該跑程的該扭力資訊、該振動資訊、該第一溫度資訊、該第二溫度資訊、該第二位移資訊及該噪音資訊綜合運算後，產生該分析結果。
如請求項2所述的動力刀座性能跑合測試平台，其中，該第一溫度感測器穿設於該動力刀座，並延伸入對應該第一傘齒輪及該第二傘齒輪處。
一種動力刀座性能跑合測試方法，應用於一動力刀座，該動力刀座具有一可受連動而轉動的輸入軸、一連接該輸入軸的第一傘齒輪、一與該輸入軸的軸向相異的刀具軸、一設置於該刀具軸的軸承，及一連接該刀具軸並嚙合於該第一傘齒輪以連動該刀具軸轉動的第二傘齒輪，該動力刀座性能跑合測試方法包含下列步驟：<br/>（A）安裝該動力刀座於一基座，並將該輸入軸透過一連桿件與一驅動馬達的一動力軸同軸連接，以及安裝一測試桿於該刀具軸以使該測試桿與該刀具軸同軸設置；<br/>（B）一控制單元控制該動力軸轉動以執行一第一測試程序，於該第一測試程序中，該控制單元控制該動力軸轉動一圈，並記錄一第一角度感測器所量測的該輸入軸的轉動角度為一第一角度資訊，記錄一第二角度感測器所量測的該測試桿的轉動角度為一第二角度資訊，及記錄一第一位移感測器所量測的該測試桿的徑向位移的一第一位移資訊，該控制單元並將該第一角度資訊及該第二角度資訊取差值後產生一角度差值資訊；<br/>（C）該控制單元控制該動力軸轉動以執行一第二測試程序，於該第二測試程序中，該控制單元控制該動力軸執行複數轉速由小漸大的跑程，每一該跑程中，該動力軸的轉速恆定且持續一預定時間，該控制單元記錄一扭矩感測器所量測該連桿件的扭矩為一扭力資訊，記錄一振動感測器所量測的振動狀況為一振動資訊，記錄一第一溫度感測器所量測對應該第一傘齒輪及該第二傘齒輪處的溫度為一第一溫度資訊，記錄一第二溫度感測器所量測對應該軸承處的溫度為一第二溫度資訊，記錄一第二位移感測器所量測該測試桿的軸向位移為一第二位移資訊，記錄一噪音感測器所量測該動力刀座的運轉聲音為一噪音資訊；及<br/>（D）該控制單元將所量測的量測資訊透過一人工智慧模型運算後，產生一分析結果，並將該分析結果顯示於一顯示器，該分析結果包括一異常結果資訊及一壽命預估資訊。
如請求項6所述的動力刀座性能跑合測試方法，其中，該人工智慧模型是根據該角度差值資訊、該第一位移資訊，及每一該跑程的該扭力資訊、該振動資訊、該第一溫度資訊、該第二溫度資訊、該第二位移資訊及該噪音資訊綜合運算後，產生該分析結果。
一種旋鈕導管固定裝置，係組設於具旋鈕來控制引流液或輸液流動狀態之導管連通本體之外周邊，該旋鈕導管固定裝置其主要包含有：一第一蓋體，係凹設形成有一第一中心部與自該第一中心部延伸形成之四第一支部；以及複數第一凹槽，係分別凹設形成於相鄰之兩該等第一支部之間；其中，該第一蓋體組設於導管連通本體之外周邊；其中，該等第一凹槽自鄰接該第一中心部端沿其軸向分別設有一第一限位段及一第二限位段，該等第一限位段各具有一第一寬度，該等第二限位段各具有一第二寬度，該等第一寬度與該等第二寬度係不相同。
如請求項1所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，該等第一限位段之該等第一寬度係小於該等第二限位段之該等第二寬度但大於零。
如請求項1所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，至少二該等第一支部於相對該等第一中心部之一端分別設置形成一第一卡制單元，且該等第一卡制單元係自該等第一支部分別朝內凸設形成。
如請求項1所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，該第一蓋體係組設有一第二蓋體，該第二蓋體係凹設形成有複數第二凹槽，該等第二凹槽分別對應該等第一支部而相對組設。
如請求項4所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，該第一蓋體與該第二蓋體間設有一連接單元，而該連接單元一端係連接至少一該第一支部，其另一端係連接相對之該第二蓋體。
如請求項1所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，該第一蓋體於該第一中心部外周側凸設形成一指示單元。
如請求項1所述之旋鈕導管固定裝置，進一步地，該等第一限位段與該等第二限位段間係各設有一倒角卡止段，每一該倒角卡止段一端連接該第一限位段，另一端連接該第二限位段。
一種電源饋入組件，包括：<br/> 輸入端和環，所述輸入端用於電連接電源，所述環用於電連接靶材，以及<br/> 自所述輸入端至所述環形成的軸向多層環形樹狀導體結構，所述樹狀導體結構自所述輸入端逐層分支出多個末端，所述末端電連接至所述環，<br/> 所述末端在所述環上周向均勻分佈，且自所述輸入端至每一個末端的阻抗相等。
如請求項1所述的電源饋入組件，其中所述輸入端位於所述環徑向的一側邊區域。
如請求項1所述的電源饋入組件，其中自所述輸入端至所述環設有多層中繼導體，每一層中繼導體都形成二叉樹導電結構。
如請求項3所述的電源饋入組件，其中所述二叉樹導電結構環形設置。
如請求項3所述的電源饋入組件，其中所述中繼導體為兩層，所述末端位於所述環上彼此相距90°的點位上。
如請求項3所述的電源饋入組件，其中所述中繼導體為三層，所述末端位於所述環上彼此相距45°的點位上。
如請求項1至6任一項所述的電源饋入組件，其中自所述輸入端至多個所述末端的多個導體中，至少存在部分導體的電阻大於另一部分導體的電阻，以使自所述輸入端至每一個末端的阻抗相等。
一種罩體，包括：蓋板和支撐筒，所述支撐筒軸向兩端具有開口，所述蓋板封蓋所述支撐筒的上端，所述支撐筒的下端用於連接靶材，如請求項1至7任一項所述的電源饋入組件設置在所述支撐筒的壁內。
如請求項8所述的罩體，其中所述蓋板中部具有開口，用於貫通安裝磁控管組件。
如請求項8所述的罩體，其中<br/> 所述支撐筒下端開設有環形的環槽，用於安裝所述環，<br/> 所述環槽內設有周向間隔分佈的安裝孔，用於插入安裝所述末端。
如請求項10所述的罩體，其中<br/> 所述支撐筒上端開設有環形的安裝槽，所述安裝槽由所述蓋板封閉，<br/> 所述安裝槽的一側貫穿所述蓋板形成饋入孔，用於安裝所述輸入端；<br/> 所述安裝槽內容納所述電源饋入組件中的至少一層導體結構。
如請求項11所述的罩體，其中所述安裝孔自所述環槽貫穿至所述安裝槽，使所述末端與安裝槽內的所述導體結構電連接。
如請求項8所述的罩體，其中所述支撐筒下端通過所述靶材封堵，使所述罩體內形成封閉空腔，所述封閉空腔內注入冷卻液。
如請求項8所述的罩體，其中所述蓋板和支撐筒為絕緣材料構成，在所述蓋板和支撐筒外側，覆蓋有遮罩，所述遮罩接地設置。
一種上電極裝置，包括：<br/> 電源、如請求項8至14任一項所述的罩體和磁控管組件，<br/> 所述電源位於所述罩體的邊緣，並通過所述輸入端與罩體內的所述電源饋入組件電連接，所述電源饋入組件通過所述環與所述靶材電連接，所述罩體的中部用於安裝所述磁控管組件。
如請求項15所述的上電極裝置，其中所述環為一體導體，且通過所述罩體緊密壓合在所述靶材外緣上。
如請求項15所述的上電極裝置，其中所述電源為脈衝直流電源和/或射頻電源。
一種濺射沉積設備，包括：<br/> 如請求項15至17任一項所述的上電極裝置和處理腔，<br/> 所述處理腔內設有基座，用於承載襯底，所述基座電連接有下射頻電源，<br/> 所述處理腔下方開設有排氣口，<br/> 所述處理腔上方設有靶材和所述上電極裝置。
一種廢液再生槽，包括：<br/>一漏斗狀再生槽本體，包含一頂端部及一反應部，該頂端部與該反應部連接，且位於該反應部的上端，該頂端部的口徑大於該反應部的口徑；<br/>一廢液輸入端，連接該反應部的一側緣壁，用以輸入一廢液；<br/>一藥劑輸入端，連接該反應部的該側緣壁，用以輸入一廢液再生藥劑至該反應部，該廢液再生藥劑與該廢液在該反應部反應產生一沉澱物及一再生液；<br/>一過濾膜，位於該漏斗狀再生槽本體中，且位於該頂端部與該反應部之間；以及<br/>一再生液輸出端，連接該頂端部的側緣，用以輸出經該過濾膜過濾後的一再生工作液體。
如請求項1所述之廢液再生槽，其中該藥劑輸入端的位置高於該廢液輸入端。
如請求項1所述之廢液再生槽，更包含一液流分配器，該液流分配器裝設於該反應部中。
如請求項1所述之廢液再生槽，更包含一攪拌器，該攪拌器設置於該反應部中。
如請求項1所述之廢液再生槽，其中該頂端部的口徑與該反應部的口徑之比在1.3至3之間。
一種廢液再生系統，包括：<br/>一工作液體槽，儲存一工作液體，且該工作液體槽包含一廢液輸出端，用以輸出一工作液體廢液；<br/>一藥劑槽，儲存一廢液再生藥劑，且包含一藥劑輸出端，用以輸出該廢液再生藥劑；以及<br/>如請求項1至5中任一項之廢液再生槽。
如請求項6所述之廢液再生系統，其中該工作液體槽更包含一再生液輸入端，用以輸入該再生工作液體到工作液體槽。
如請求項7所述之廢液再生系統，更包含一活性碳吸附器，該活性碳吸附器位於該再生液輸出端與該再生液輸入端之間。
如請求項6所述之廢液再生系統，更包含一再生液儲存槽，該再生液輸出端連接該再生液儲存槽，輸出經該過濾膜過濾後的該再生工作液體至該再生液儲存槽中。
如請求項9所述之廢液再生系統，更包含一活性碳吸附器，該活性碳吸附器位於該再生液輸出端與該再生液儲存槽之間。
如請求項6至10中任一項所述之廢液再生系統，更包含一第一幫浦及一第二幫浦，該第一幫浦位於該廢液輸出端與該廢液輸入端之間，該第二幫浦位於該藥劑輸出端與該藥劑輸入端之間。
一種廢液再生系統，包括：<br/>一廢液儲存槽，儲存一工作液體廢液，且該廢液儲存槽包含一廢液輸出端，用以輸出一工作液體廢液；<br/>一藥劑槽，儲存一廢液再生藥劑，且包含一藥劑輸出端，用以輸出該廢液再生藥劑；<br/>如請求項1至5中任一項之廢液再生槽；以及<br/>一再生液儲存槽，連接該再生液輸出端，用以儲存經該過濾膜過濾後的該再生工作液體。
如請求項12所述之廢液再生系統，更包含一第一幫浦及一第二幫浦，該第一幫浦位於該廢液輸出端與該廢液輸入端之間，該第二幫浦位於該藥劑輸出端與該藥劑輸入端之間。
如請求項12所述之廢液再生系統，更包含一活性碳吸附器，該活性碳吸附器位於該再生液輸出端與該再生液儲存槽之間。
一種膝蓋復健裝置，適用於設置在一個乘坐台面以供一使用者進行膝蓋復健，並包含：<br/> 一乘坐板，可用以設置於該乘坐台面上以供該使用者乘坐；及<br/> 一擺移機構，包括一個用以供使用者踩踏的滑動件，及一個可前後樞擺地樞接在該乘坐板與該滑動件間並可伸縮改變長度的伸縮模組，該滑動件可被該使用者驅動而經由該伸縮模組相對該乘坐板前後位移，並帶動該伸縮模組伸縮變化。
如請求項1所述的膝蓋復健裝置，其中，該伸縮模組具有一個以其兩端部可前後樞擺地分別樞接於該乘坐板與該滑動件的伸縮桿。
如請求項1所述的膝蓋復健裝置，其中，該伸縮模組具有一個可前後樞擺地樞接在該乘坐板並自該乘坐板往前延伸的連接桿，及一個以其兩端部可前後樞擺地分別樞接在該連接桿延伸末端部與該滑動件間的伸縮桿。
如請求項2、3任一項所述的膝蓋復健裝置，其中，該伸縮桿為油壓桿。
如請求項4所述的膝蓋復健裝置，其中，該伸縮桿為阻尼可調式油壓桿。
如請求項1所述的膝蓋復健裝置，還包含一可拆離地設置於該滑動件，且用以供該使用者持用以前後推拉該滑動件的推拉桿。
如請求項6所述的膝蓋復健裝置，其中，該滑動件具有一個供該推拉桿可拆離地設置的連結部。
如請求項1所述的膝蓋復健裝置，其中，該滑動件具有一踏板，及一設置於該踏板的滾輪組。
如請求項8所述的膝蓋復健裝置，其中，該滑動件還具有一阻尼裝置，可提供該滾輪組阻尼力。
如請求項9所述的膝蓋復健裝置，其中，該滑動件還具有一自該踏板後端向上延伸的擋板，及一設置於該踏板的定位件，該擋板與該定位件相配合用以將該使用者的腳定位於該踏板。
一種工程設備的清洗方法，包括：<br/> 將一檸檬酸與一溶劑於一配藥槽內進行一混合步驟，以配製一清洗劑，其中基於該清洗劑為100 wt%，該檸檬酸為至少20 wt%，且該溶劑為水；<br/> 對該工程設備進行一循環清洗步驟，以使該清洗劑分解一水垢堵塞物，其中該水垢堵塞物包含一水垢與一煤焦油，且該煤焦油在該水垢堵塞物中之一比例為不大於50 wt%；以及<br/> 對該工程設備進行一沖洗步驟，以移除剩餘的該清洗劑及/或該水垢堵塞物。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該配藥槽之一內部材質為不銹鋼或塑膠。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該混合步驟之一混合時間為5分鐘至30分鐘。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該混合步驟排除進行加熱處理。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該混合步驟更包含一加熱步驟，且該加熱步驟之一加熱溫度為50℃至80℃。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中基於該清洗劑為100 wt%，該檸檬酸為30 wt%至60 wt%。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該循環清洗步驟之一清洗時間為至少1小時。
如請求項7所述之工程設備的清洗方法，其中該循環清洗步驟之該清洗時間為2小時至6小時。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該循環清洗步驟排除進行加熱處理。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中該循環清洗步驟更包含一加熱步驟，且該加熱步驟之一加熱溫度為50℃至80℃。
如請求項1所述之工程設備的清洗方法，其中在進行該沖洗步驟之前，更包括：<br/> 排出分解該水垢堵塞物的該清洗劑及該水垢堵塞物。
一種魚攝食聲音辨識方法，包含： <br/>透過通訊連接一投餌裝置(1)的一運算裝置(4)傳送一啟閉控制信號(S21)至該投餌裝置(1)，以啟動該投餌裝置(1)進行一投餌動作，使該投餌裝置(1)將複數個飼料投入一漁場場域(D)內； <br/>透過通訊連接該運算裝置(4)的一收音裝置(2)接收一魚群(F)搶食該複數個飼料的複數個魚群攝食聲音(V)，並將該複數個魚群攝食聲音(V)轉換成複數個聲音信號(S01)； <br/>透過該運算裝置(4)之一辨識模組(42)自一第一儲存裝置(3)取得一攝食聲音辨識模型(421)，再藉由該攝食聲音辨識模型(421)取得一攝食聲音特徵信號(S03)； <br/>透過通訊連接該辨識模組(42)的一判斷模組(43)根據該攝食聲音特徵信號(S03)產生該啟閉控制信號(S21)；以及 <br/>透過該投餌裝置(1)接受到該啟閉控制信號(S21)後，以停止該投餌動作。
如請求項1所述之魚攝食聲音辨識方法，更包含： <br/>該判斷模組(43)根據一停止臨界值判斷該聲音強度信號(S03)，當該聲音強度信號(S03)的數值小於該停止臨界值時，該判斷模組(43)傳送該啟閉控制信號(S21)至該投餌裝置(1)，以停止該投餌裝置(1)的該投餌動作。
如請求項1所述之魚攝食聲音辨識方法，更包含： <br/>透過通訊連接該收音裝置(2)之一信號前運算裝置(41)對該複數個聲音信號(S01)進行一聲音處理動作。
如請求項3所述之魚攝食聲音辨識方法，其中該聲音處理動作包含一音訊控制(Audio control)、一頻率分析(Frequency analysis)、一降噪(Noise reduction)與一頻譜消去法(Spectral Subtraction，SS)。
如請求項1所述之魚攝食聲音辨識方法，其中該收音裝置(2)具有去雜音的功能。
如請求項1所述之魚攝食聲音辨識方法，更包含： <br/>透過通訊連接該運算裝置(4)的一第一傳送裝置(5)將該複數個聲音信號(S01)傳送至一伺服器(8)的一第二傳送裝置(81)；以及 <br/>透過通訊連接該第二傳送裝置(81)的一第二儲存裝置(82)儲存該複數個聲音信號(S01)。
如請求項6所述之魚攝食聲音辨識方法，更包含： <br/>透過通訊連接該第二儲存裝置(82)的一資料分類裝置(83)將該複數個聲音信號(S01)進行一第一特徵分類動作，使該複數個聲音信號(S01)被分類成複數個不同標籤組的複數個訓練用聲音信號(S01)； <br/>透過通訊連接該資料分類裝置(83)的一模型訓練裝置(84)根據該複數個不同標籤組的該複數個訓練用聲音信號(S01)建立該攝食聲音辨識模型(421)； <br/>透過該第二儲存裝置(82)儲存該攝食聲音辨識模型(421)。
一種魚攝食聲音辨識系統，用於根據一漁場場域(D)內的一魚群(F)搶食複數個飼料時所產生的複數個魚群攝食聲音(V)，讓一投餌裝置(1)停止一投餌動作，包含： <br/>該投餌裝置(1)，設置於該漁場場域(D)的上方，用於將該複數個飼料投入該漁場場域(D)內，以供該魚群(F)攝食； <br/>一收音裝置(2)，設置於該漁場場域(D)內，用於接收該魚群(F)搶食該複數個飼料所產生的該複數個魚群攝食聲音(V)，並將該魚群攝食聲音(V)轉換為複數個聲音信號(S01)； <br/>一第一儲存裝置(3)，用於儲存該複數個聲音信號(S01)與一攝食聲音辨識模型(421)；以及 <br/>一運算裝置(4)，設置於該漁場場域(D)的該側，並通訊連接該投餌裝置(1)、該收音裝置(2)與該第一儲存裝置(3)，該運算裝置(4)包含： <br/>一辨識模組(42)，該運算裝置(4)接收到該複數個聲音信號(S01)後，該辨識模組(42)自該第一儲存裝置(3)取得該攝食聲音辨識模型(421)，並利用該攝食聲音辨識模型(421)根據一特定時間內的該複數個聲音信號(S01)產生一攝食聲音特徵信號(S03)；以及 <br/>一判斷模組(43)，通訊連接該辨識模組(42)，用於根據該攝食聲音特徵信號(S03)產生一啟閉控制信號(S21)，並將該啟閉控制信號(S21)傳送至該投餌裝置(1)，以停止該投餌裝置(1)的該投餌動作。
如請求項8所述之魚攝食聲音辨識系統，更包含一計時模組，通訊連接該運算裝置(4)，用於計時該投餌裝置(1)的投餌時間。
如請求項8所述之魚攝食聲音辨識系統，更包含一信號前運算裝置(41)，通訊連接該收音裝置(2)與該辨識模組(42)，用於對該收音裝置(2)傳送的該複數個聲音信號(S01)進行信號的處理動作。
如請求項10所述之魚攝食聲音辨識系統，其中該信號前運算裝置(41)包含一聲音處理單元(411)，該聲音處理單元(411)用以對該複數個聲音信號(S01)進行一聲音處理動作。
如請求項8所述之魚攝食聲音辨識系統，更包含一伺服器(8)，通訊連接該運算裝置(4)，用於儲存該複數個聲音信號(S01)，並利用該複數個聲音信號(S01)訓練模型。
如請求項12所述之魚攝食聲音辨識系統，其中該伺服器(8)包含一第二傳送裝置(81)，通訊連接一第一傳送裝置(5)，且該第一傳送裝置(5)通訊連接該運算裝置(4)，該第一傳送裝置(5)用於接收該運算裝置(4)傳送的該複數個聲音信號(S01)，以及將該攝食聲音辨識模型(421)傳送至該運算裝置(4)。
如請求項13所述之魚攝食聲音辨識系統，其中該伺服器(8)包含一第二儲存裝置(82)，通訊連接該第二傳送裝置(81)，用以儲存該複數個聲音信號(S01)與該攝食聲音辨識模型(421)。
如請求項14所述之魚攝食聲音辨識系統，其中該伺服器(8)包含： <br/>一資料分類裝置(83)，通訊連接該第二儲存裝置(82)，用以將該複數個聲音信號(S01)進行一第一特徵分類動作，使該複數個聲音信號(S01)被分類成複數個不同標籤組的複數個訓練用聲音信號(S01)；以及 <br/>一模型訓練裝置(84)，通訊連接該資料分類裝置(83)與該第二儲存裝置(82)，用以根據該複數個不同標籤組的該複數個訓練用聲音信號(S01)建立該攝食聲音辨識模型(421)，並將該攝食聲音辨識模型(421)傳送至該第二儲存裝置(82)。
一種半導體封裝，包括：<br/> 中介層，具有第一表面與第二表面，所述第一表面與所述第二表面相對；<br/> 第一晶片，接合至所述中介層的所述第一表面，所述第一晶片包括多個晶片接合件以接合至所述中介層的所述第一表面；<br/> 電子構件，接合至所述中介層的所述第二表面，其中所述電子構件與所述多個晶片接合件的設置面積重疊，且所述電子構件與所述設置面積的重疊面積小於所述設置面積的1.5%；以及<br/> 多個接合導體，設置於所述中介層的所述第二表面，且所述電子構件設置於所述多個接合導體之間。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述多個晶片接合件的所述設置面積為所述多個晶片接合件中外圍的晶片接合件所圍繞的面積。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述電子構件局部的位在所述設置面積與所述第一晶片的外輪廓之間的周邊區。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一晶片還包括載體晶粒、多個記憶體晶粒以及包封體，所述多個記憶體晶粒堆疊於所述載體晶粒的一側，所述包封體側向地包覆所述記憶體晶粒，且所述多個晶片接合件設置於所述載體晶粒的另一側。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述第一晶片還包括邏輯晶粒。
如請求項5所述的半導體封裝，其中所述邏輯晶粒包括中央處理器、圖形處理單元、系統晶片或微控制器。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述多個晶片接合件每一者的橫向尺寸小於所述多個接合導體的每一者的橫向尺寸的一半。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述晶片接合件中相鄰兩者的間距小於所述接合導體中相鄰兩者的間距。
如請求項1所述的半導體封裝，還包括第二晶片，接合至所述中介層的所述第一表面，其中所述第一晶片與所述第二晶片橫向隔開一間距。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述多個晶片接合件在所述設置面積內以不等間距排列。
如請求項10所述的半導體封裝，其中所述電子構件重疊於所述多個晶片接合件之間的間隔區。
如請求項11所述的半導體封裝，其中所述電子構件不重疊所述多個晶片接合件。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述中介層包括重佈線電路結構，將所述多個晶片接合件電連接至所述電子構件以及所述多個接合導體。
如請求項13所述的半導體封裝，其中所述中介層還包括基板及多個基板通孔，所述多個基板通孔個別貫穿所述基板，且所述重佈線電路結構設置於所述基板上並連接至所述基板通孔。
如請求項14所述的半導體封裝，還包括嵌入式電子構件，內嵌於所述基板中。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述電子構件包括積體被動裝置。
如請求項1所述的半導體封裝，其中所述多個晶片接合件包括多個微凸塊。
一種健康監測方法，其改良在於，是基於防靜電穿戴裝置對人體健康進行監測之方法，所述方法包括：透過所述防靜電穿戴裝置獲取人體面板在預設場景之電阻值；基於所述預設場景之電阻值建立健康基線；透過所述防靜電穿戴裝置獲取人體面板在實時場景之電阻值；基於所述健康基線判斷所述實時場景之電阻值是否滿足健康要求；其中，所述預設場景之電阻值用於反映人員之正常健康狀態。
如請求項1所述之健康監測方法，其中，所述預設場景包括複數時間段和複數環境條件；所述實時場景為當前時刻及所述當前時刻下之環境條件。
如請求項1所述之健康監測方法，其中，所述基於所述預設場景之電阻值建立健康基線，包括：獲取所述預設場景之電阻值之平均值與標準差；建立修正模型，並基於所述修正模型確定正常健康狀態之閾值；基於所述閾值、所述平均值與所述標準差建立所述健康基線。
如請求項3所述之健康監測方法，其中，還包括：持續獲取所述實時場景之電阻值並記錄為所述預設場景之電阻值並更新所述健康基線。
如請求項4所述之健康監測方法，其中，還包括：對所述實時場景之電阻值進行識別，將其中異常電阻值剔除並更新所述健康基線。
如請求項4所述之健康監測方法，其中，還包括：基於季節變化調整所述閾值並更新所述健康基線。
如請求項2所述之健康監測方法，其中，所述環境條件至少包括環境溫度和環境溼度。
如請求項1所述之健康監測方法，其中，還包括：基於人臉識別獲取臉部特徵引數並結合所述健康基線判斷人體之健康狀態。
如請求項8所述之健康監測方法，其中，所述臉部特徵引數至少包括眼部狀態引數、面部表情引數、面部血流分佈、面部肌緊程度、出汗狀態以及呼吸頻率。
如請求項1所述之健康監測方法，其中，在所述透過所述防靜電穿戴裝置獲取人體面板在預設場景之電阻值之前，還包括：獲取人員資訊，並將所述人員資訊與所述防靜電穿戴裝置進行繫結。
一種健康監測系統，其改良在於，包括處理終端和防靜電穿戴裝置，所述防靜電穿戴裝置用於人體面板電阻之測量，所述處理終端用於執行如請求項1至10中任一項所述之健康監測方法。
如請求項11所述之健康監測系統，其中，還包括人臉識別裝置，所述人臉識別裝置用於獲取眼部狀態引數、面部表情引數、面部血流分佈、面部肌緊程度、出汗狀態以及呼吸頻率中之至少一種臉部特徵引數。
如請求項11所述之健康監測系統，其中，還包括資訊讀取裝置，所述資訊讀取裝置用於獲取人員資訊。
一種門禁管理方法，其改良在於，包括如請求項1至10中任一項所述之健康監測方法，以及：獲取人員之防護裝備穿戴情況，基於人員之健康狀態和所述穿戴情況生成閘道通行許可。
如請求項14所述之門禁管理方法，其中，還包括：獲取人員所攜帶之物品情況，基於人員之健康狀態、所述物品情況以及所述穿戴情況生成閘道通行許可。
如請求項14所述之門禁管理方法，其中，還包括：獲取人員之通行歷史、通行許可權和工作性質，基於所述通行歷史、所述通行許可權、所述工作性質以及所述穿戴情況生成所述閘道通行許可和通行引導。
如請求項14所述之門禁管理方法，其中，所述穿戴情況至少包括防護服穿戴情況、頭部防護裝備穿戴情況以及手部防護裝備穿戴情況。
如請求項15所述之門禁管理方法，其中，所述物品情況至少包括禁帶物品情況、禁帶材料情況以及資產工具情況。
一種門禁系統，其改良在於，包括處理終端、資訊讀取裝置、防靜電穿戴裝置、人臉識別裝置、人像識別裝置、物品識別裝置以及閘道裝置，其中，所述處理終端用於執行如請求項14至18中任一項所述之門禁管理方法。
如請求項19所述之門禁系統，其中，所述處理終端包括邊緣處理單元和中央處理單元，所述邊緣處理單元連線於所述資訊讀取裝置、所述防靜電穿戴裝置、所述人臉識別裝置、所述人像識別裝置、所述物品識別裝置以及所述閘道裝置，所述邊緣處理單元用於進行資料預處理以及控制所述閘道裝置允許或限制人員通行，所述中央處理單元與所述邊緣處理單元連線，所述中央處理單元用於對所述預處理之結果進行再處理和記錄並用於基於所述再處理之結果向所述邊緣處理單元傳送控制所述閘道裝置允許或限制人員通行之控制指令。
一種確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其應用於一顯示裝置與一主機，該主機耦接一呼吸感測模組，該呼吸感測模組包含一EMG檢測貼片及一第一慣性測量裝置，該應用於呼吸復健之即時教學回饋方法之步驟包含：<br/> 利用該EMG檢測貼片及該第一慣性測量裝置分別擷取一患者於一吸氣期及一吐氣期之一第一待測區域之一第一表面肌電訊號與一第二表面肌電訊號以及一第二待測區域之一第一動作訊號及一第二動作訊號，並傳輸該第一表面肌電訊號、該第二表面肌電訊號、該第一動作訊號及該第二動作訊號至該主機，其中，該第一待測區域係為一橫膈膜，該第二待測區域係為一胸廓；<br/> 該主機內之一數據處理分析模組分別分析該第一表面肌電訊號、該第二表面肌電訊號、該第一動作訊號及該第二動作訊號，取得一表面肌電分析結果及一胸部動作分析結果；<br/> 當該表面肌電分析結果顯示該患者之該橫膈膜於該吸氣期向上運動，且該胸部動作分析結果顯示該患者之該胸廓為擴張時，該數據處理分析模組判斷該患者使用一胸式呼吸模式；<br/> 該主機發出一呼吸警示訊息於該顯示裝置，並傳輸一腹式呼吸教學訊息於該顯示裝置之一顯示畫面；以及<br/> 該患者利用該腹式呼吸教學影像訊息學習一腹式呼吸法，同時該EMG檢測貼片及該第一慣性測量裝置分別持續檢測該患者之該吸氣期及該吐氣期之該橫膈膜及該胸廓之活動狀態。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中該第一慣性測量裝置係使用慣性測量單元(IMU)或應變器。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中該顯示裝置係為視訊顯示器、擴增實境裝置(AR)、虛擬實境裝置(VR)或混合實境裝置(MR)。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中該主機係為個人電腦、平板電腦或智慧型手機。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於利用該EMG檢測貼片及該第一慣性測量裝置分別擷取一患者於一吸氣期及一吐氣期之一第一待測區域之一第一表面肌電訊號與一第二表面肌電訊號(EMG)以及一第二待測區域之一第一動作訊號及一第二動作訊號(IMU)，並傳輸該第一表面肌電訊號、該第二表面肌電訊號、該第一動作訊號及該第二動作訊號至該主機之步驟中，包含步驟：<br/> 該呼吸感測模組之一呼吸聲音接收元件擷取該患者之一呼吸聲音訊號，並傳輸該呼吸聲音訊號至該主機。
如請求項5所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於該呼吸感測模組之一呼吸聲音接收元件擷取該患者之一呼吸聲音訊號，並傳輸該呼吸聲音訊號至該主機之步驟後，包含步驟：<br/> 該數據處理分析模組比對該呼吸聲音訊號與該主機中之一預設呼吸聲音訊號；以及<br/> 當該呼吸聲音訊號大於或小於該預設呼吸聲音訊號時，該數據處理分析模組判斷該患者之一呼吸道內部存在一異常聲音訊號。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於該患者利用該腹式呼吸教學影像訊息學習一腹式呼吸法，同時該EMG檢測貼片及該慣性測量裝置分別持續檢測該患者之該吸氣期及該吐氣期之該橫膈膜及該胸廓之活動狀態之步驟後，包含步驟：<br/> 該呼吸感測模組取得該患者之一呼吸生理參數，並傳輸該呼吸生理參數至該主機；以及<br/> 該主機傳輸該呼吸生理參數至一伺服器。
如請求項7所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於該呼吸感測模組取得該患者之一呼吸生理參數，並傳輸該呼吸生理參數至該主機之步驟中，該呼吸生理參數包含一呼吸深度、一呼吸頻率以及一橫膈膜運動幅度。
如請求項1所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於利用該EMG檢測貼片及該第一慣性測量裝置分別擷取一患者於一吸氣期及一吐氣期之一第一待測區域之一第一表面肌電訊號與一第二表面肌電訊號以及一第二待測區域之一第一動作訊號及一第二動作訊號，並傳輸該第一表面肌電訊號、該第二表面肌電訊號、該第一動作訊號及該第二動作訊號至該主機之步驟中，包含步驟：<br/> 該呼吸感測模組之一第二慣性測量裝置擷取該患者於該吸氣期及該吐氣期之一第三待測區域之一第三動作訊號及一第四動作訊號，並傳輸該第三動作訊號及該第四動作訊號至該主機，其中，該第三待測區域係為該患者之一腹部，該第二慣性測量裝置係使用慣性測量單元(IMU)或應變器。
如請求項9所述之確認橫膈膜運動並應用於臨床診斷評估及呼吸復健之即時教學回饋方法，其中於該呼吸感測模組之一第二慣性測量裝置擷取該患者於該吸氣期及該吐氣期之一第三待測區域之一第三動作訊號及一第四動作訊號，並傳輸該第三動作訊號及該第四動作訊號至該主機之步驟後，包含步驟：<br/> 該數據處理分析模組分析該第三動作訊號及該第四動作訊號，取得一腹部動作分析結果；以及<br/> 當該表面肌電分析結果顯示該患者之該橫膈膜於該吸氣期向下運動，且該腹部動作分析結果顯示該患者之該腹部為擴張時，該數據處理分析模組判斷該患者使用一腹式呼吸模式。
一種自行車座墊立管連接座墊結構，包含： <br/>一座墊立管(10)，其近上端處設有一擋止部(11)，該座墊立管(10)於上端設有一擴徑段(13)，該擋止部(11)係由該擴徑段(13)的底端所形成，且該座墊立管(10)的上端設有一凹弧部(12)； <br/>一固定件(20)，其中央設有一穿套孔(21)，該固定件(20)可經由該穿套孔(21)套設於該座墊立管(10)上，並藉由該擋止部(11)限制其向上位移，該固定件(20)的外緣相對兩側分別設有一翼部(22)，各該翼部(22)上設有一穿孔(221)； <br/>一支撐座(30)，設於該座墊立管(10)的上端，其具有相對設置的兩下夾持槽(31)，該支撐座(30)的下端設有一凸弧部(32)，該凸弧部(32)與該凹弧部(12)相對應並相互接合； <br/>一夾持單元(40)，設於該支撐座(30)的上方，該夾持單元(40)具有相對設置的兩上夾持槽(413)，該兩上夾持槽(413)對應位於該兩下夾持槽(31)的上方；以及 <br/>兩鎖緊螺栓(50)，由下向上穿過該固定件(20)的兩穿孔(221)，並螺結鎖固於該夾持單元(40)，使該夾持單元(40)朝該支撐座(30)方向移動，藉由該兩上夾持槽(413)與該兩下夾持槽(31)共同夾持固定一座墊(60)的座弓(61)，以使該座墊立管(10)與該座墊(60)形成穩固的連接。
如請求項1所述之自行車座墊立管連接座墊結構，其中該夾持單元(40)包含兩夾持片(41)及兩鎖柱(42)，各該夾持片(41)的頂面設有一承置槽(411)，各該承置槽(411)內設有一開孔(412)，該兩鎖柱(42)分別容置於該兩夾持片(41)的承置槽(411)內，各該鎖柱(42)設有一用於供該鎖緊螺栓(50)螺結鎖固的螺孔(421)。
如請求項2所述之自行車座墊立管連接座墊結構，其中該兩上夾持槽(413)分別設置於該兩夾持片(41)的底面。
如請求項1所述之自行車座墊立管連接座墊結構，其中該固定件(20)為一等厚度環狀結構。
如請求項1所述之自行車座墊立管連接座墊結構，其中該固定件(20)底部呈傾斜狀，使該固定件(20)形成不等厚度的環狀結構。
如請求項1所述之自行車座墊立管連接座墊結構，其中該固定件(20)底部呈階狀，使該固定件(20)形成不等厚度的環狀結構。
一種智慧健康任務推進系統，包括：<br/> 複數個終端裝置，其內分別設有一個人識別碼；及<br/> 一雲端平台，係設置於一伺服器設備中，並能透過一網際網路連接至各該終端裝置，其包含：<br/> 一用戶資料庫，其內儲存有複數筆用戶資料表，各該用戶資料表分別包括一用戶識別碼、至少一健康事項與至少一任務觸發排程，其中，各該用戶識別碼分別關聯於各該個人識別碼；<br/> 一任務遊戲模組，包含複數個任務進度集，且各該任務進度集分別關聯於各該用戶識別碼，其中，該任務進度集包含複數個進度單元；<br/> 一任務管理模組，係根據各該健康事項產生至少一個健康任務，各該健康任務分別用以促進使用者之健康行為管理或治療依從性，並在各該健康任務被標示完成後，產生一任務完成標記單元；及<br/> 一任務控制模組，分別連結至該用戶資料庫、該任務遊戲模組與該任務管理模組，其能根據各該用戶識別碼所對應的健康事項以及該任務觸發排程的內容，使該任務管理模組產生各該健康任務，並轉換為一健康任務訊息，再將該健康任務訊息傳送至該用戶識別碼所對應的終端裝置；在接收到前述終端裝置傳來之一回答任務訊息的情況下，該任務控制模組能讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊，在判斷該回答資訊符合各該健康任務的完成條件後，標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元；該任務控制模組還能根據各該任務進度集的完成進度，調整對應之各該任務觸發排程的內容，以增加或降低傳送各該健康任務訊息的頻率。
如請求項1所述之智慧健康任務推進系統，其中，在該任務控制模組判斷出更新後的該任務進度集符合一成功條件的情況下，該任務控制模組能產生一鼓勵回饋訊息，並將該鼓勵回饋訊息傳送至對應的各該終端裝置。
一種智慧健康任務推進系統，包括：<br/> 複數個終端裝置，其內分別設有一個人識別碼；及<br/> 一雲端平台，係設置於一伺服器設備中，並能透過一網際網路連接至各該終端裝置，其包含：<br/> 一用戶資料庫，其內儲存有複數筆用戶資料表，各該用戶資料表分別包括一用戶識別碼、至少一健康事項與至少一任務觸發排程，其中，各該用戶識別碼分別關聯於各該個人識別碼；<br/> 一任務遊戲模組，包含複數個任務進度集，且各該任務進度集分別關聯於各該用戶識別碼，其中，該任務進度集包含複數個進度單元，且各該進度單元為數字形式，並能依賓果卡格式編排，使得該任務進度集能形成一預設遊戲卡面，且該預設遊戲卡面具有複數列與複數行；<br/> 一任務管理模組，係根據各該健康事項產生至少一個健康任務，各該健康任務分別用以促進使用者之健康行為管理或治療依從性，並在各該健康任務被標示完成後，產生一任務完成標記單元，且各該任務完成標記單元為數字形式，各該任務完成標記單元與各該進度單元兩者分別屬於相對應之數字集合；<br/> 一任務控制模組，分別連結至該用戶資料庫、該任務遊戲模組與該任務管理模組，其能根據各該用戶識別碼所對應的健康事項以及該任務觸發排程的內容，使該任務管理模組產生各該健康任務，並轉換為一健康任務訊息，再將該健康任務訊息傳送至該用戶識別碼所對應的終端裝置；在接收到前述終端裝置傳來之一回答任務訊息的情況下，該任務控制模組能讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊，在判斷該回答資訊符合各該健康任務的完成條件後，標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元，其中，該任務控制模組係將各該任務完成標記單元取代各該進度單元，以更新該任務進度集。
如請求項3所述之智慧健康任務推進系統，其中，該成功條件係指更新後的該任務進度集在橫向排、縱向排或斜向排中，出現至少一條所有進度單元均已經被對應的各該任務完成標記單元所取代的連線態樣，且前述連線態樣未曾出現於更新前的任務進度集。
如請求項3所述之智慧健康任務推進系統，其中，該任務遊戲模組係透過一蒙地卡羅模擬演算法(Monte Carlo Simulation)產生該任務進度集中之各該進度單元的排列順序，且前述排列順序是根據各該任務進度集的進度或各該健康事項，進行多次機率模擬而得出。
如請求項1所述之智慧健康任務推進系統，其中，該健康任務包含用藥紀錄、血壓測量紀錄、飲食控制紀錄或運動執行紀錄。
如請求項6所述之智慧健康任務推進系統，其中，該任務控制模組能根據各該任務進度集的完成進度，未達一預設進度門檻數據的情況下，產生一提醒訊息，並將該提醒訊息傳送至對應的各該終端裝置。
如請求項1至7任一項所述之智慧健康任務推進系統，其中，該終端裝置安裝有一應用程式，該應用程式用以使該終端裝置與該雲端平台建立連結。
一種智慧健康任務推進系統，包括：<br/> 複數個終端裝置，其內分別設有一個人識別碼，且該終端裝置設有至少一個生理感測器及/或至少一個運動感測器，以能偵測並取得對應的生理參數及/或運動參數；該終端裝置能產生一個人狀態訊息，其中，該個人狀態訊息至少包含該終端裝置所對應之該個人識別碼，與前述生理參數及/或運動參數；及<br/> 一雲端平台，係設置於一伺服器設備中，並能透過一網際網路連接至各該終端裝置，且能接收各該終端裝置傳來之各該個人狀態訊息，其包含：<br/> 一用戶資料庫，其內儲存有複數筆用戶資料表，各該用戶資料表分別包括一用戶識別碼、至少一健康事項與至少一任務觸發排程，其中，各該用戶識別碼分別關聯於各該個人識別碼，且該雲端平台能根據該個人識別碼，自該用戶資料庫中搜索出對應的用戶資料表，並將前述生理參數及/或運動參數儲存為各該健康事項；<br/> 一任務遊戲模組，包含複數個任務進度集，且各該任務進度集分別關聯於各該用戶識別碼，其中，該任務進度集包含複數個進度單元；<br/> 一任務管理模組，係根據各該健康事項產生至少一個健康任務，各該健康任務分別用以促進使用者之健康行為管理或治療依從性，並在各該健康任務被標示完成後，產生一任務完成標記單元；及<br/> 一任務控制模組，分別連結至該用戶資料庫、該任務遊戲模組與該任務管理模組，其能根據各該用戶識別碼所對應的健康事項以及該任務觸發排程的內容，使該任務管理模組產生各該健康任務，並轉換為一健康任務訊息，再將該健康任務訊息傳送至該用戶識別碼所對應的終端裝置；在接收到前述終端裝置傳來之一回答任務訊息的情況下，該任務控制模組能讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊，在判斷該回答資訊符合各該健康任務的完成條件後，標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元。
一種智慧健康任務推進方法，係應用至如請求項1至9任一項所述的智慧健康任務推進系統，其中，該任務控制模組能執行下列步驟：<br/> 根據該任務觸發排程的內容，以及該用戶識別碼所對應的健康事項，使該任務管理模組產生至少一個健康任務，並轉換為一健康任務訊息；<br/> 根據該用戶識別碼所對應之該個人識別碼，將該健康任務訊息傳送至對應的該終端裝置；<br/> 接收前述終端裝置傳來之一回答任務訊息，並讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊；<br/> 判斷該回答資訊是否符合各該健康任務的完成條件；若符合，則標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元；<br/> 根據各該任務進度集的完成進度，分析用戶對於各該健康任務的執行狀況；及<br/> 調整對應之各該任務觸發排程的內容，以增加或降低後續傳送各該健康任務訊息的頻率。
如請求項10所述之智慧健康任務推進方法，其中，該任務控制模組於更新該任務進度集後，還會執行下列步驟：<br/> 判斷更新後的該任務進度集是否符合一成功條件；<br/> 若符合，則產生一鼓勵回饋訊息；及<br/> 將該鼓勵回饋訊息傳送至對應的各該終端裝置。
一種智慧健康任務推進方法，係應用至如請求項1至9任一項所述的智慧健康任務推進系統，其中，該智慧健康任務系統之該任務遊戲模組使各個進度單元依賓果卡格式編排，以形成一預設遊戲卡面，該預設遊戲卡面具有複數列與複數行，且各該進度單元分別為數字形式，以構成一數字集合，該任務控制模組能執行下列步驟：<br/> 根據該任務觸發排程的內容，以及該用戶識別碼所對應的健康事項，使該任務管理模組產生至少一個健康任務，並轉換為一健康任務訊息；<br/> 根據該用戶識別碼所對應之該個人識別碼，將該健康任務訊息傳送至對應的該終端裝置；<br/> 接收前述終端裝置傳來之一回答任務訊息，並讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊；及<br/> 判斷該回答資訊是否符合各該健康任務的完成條件；若符合，則標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元。
如請求項12所述之智慧健康任務推進方法，還包含下列步驟：<br/> 該任務控制模組將各該任務完成標記單元取代各該進度單元，以更新該任務進度集，其中，各該任務完成標記單元分別為數字形式，以構成另一數字集合，該另一數字集合與各該進度單元所構成的該數字集合相對應。
如請求項13所述之智慧健康任務推進方法，該任務控制模組於判斷該成功條件時，係會執行下列步驟：<br/> 判斷更新後的該任務進度集中，是否符合至少一橫向排、縱向排或斜向排的所有進度單元均已經被對應的各該任務完成標記單元所取代的連線態樣；<br/> 若符合，則判斷前述連線態樣是否未曾出現於更新前的任務進度集；及<br/> 若是，則認定更新後的該任務進度集符合該成功條件，並據此產生該鼓勵回饋訊息。
如請求項12所述之智慧健康任務推進方法，該任務遊戲模組包含下列步驟：<br/> 根據該任務進度集之完成進度或所對應之各該健康事項，透過蒙地卡羅模擬演算法進行多次機率模擬運算；及<br/> 根據運算結果產生該任務進度集中之各該進度單元的排列順序，以形成該預設遊戲卡面。
如請求項10所述之智慧健康任務推進方法，其中，該任務控制模組包含下列步驟：<br/> 判斷各該任務進度集的完成進度是否未達一預設進度門檻數據；及<br/> 若是，則產生一提醒訊息，並將該提醒訊息傳送至對應的各該終端裝置。
如請求項10至16任一項所述之智慧健康任務推進方法，其中，該終端裝置安裝有一應用程式，該應用程式會在執行時與該雲端平台建立連結，以接收由該雲端平台所傳送之各該健康任務訊息，並回傳對應的各該回答任務訊息。
一種智慧健康任務推進方法，係應用至如請求項1至9任一項所述的智慧健康任務推進系統，其中，該終端裝置設有至少一個生理感測器及/或至少一個運動感測器，該智慧健康任務推進方法包含：<br/> 該終端裝置能執行下列步驟：<br/> 透過各該生理感測器及/或各該運動感測器，偵測並取得對應的生理參數及/或運動參數；<br/> 產生一個人狀態訊息，其中，該個人狀態訊息至少包含該終端裝置所對應之該個人識別碼，與前述生理參數及/或運動參數；及<br/> 將該個人狀態訊息傳送至該雲端平台，使該雲端平台能根據該個人識別碼，自該用戶資料庫中搜索出對應的用戶資料表，並將前述生理參數及/或運動參數儲存為對應的各該健康事項；及<br/> 該任務控制模組能執行下列步驟：<br/> 根據該任務觸發排程的內容，以及該用戶識別碼所對應的健康事項，使該任務管理模組產生至少一個健康任務，並轉換為一健康任務訊息；<br/> 根據該用戶識別碼所對應之該個人識別碼，將該健康任務訊息傳送至對應的該終端裝置；<br/> 接收前述終端裝置傳來之一回答任務訊息，並讀取該回答任務訊息所包含的回答資訊；及<br/> 判斷該回答資訊是否符合各該健康任務的完成條件；若符合，則標示該健康任務已完成，並自該任務管理模組取得對應的各該任務完成標記單元，再以各該任務完成標記單元更新該用戶識別碼所對應之該任務進度集中的各該進度單元。
一種選擇性瀝取電池正極材料中的鋰的方法，包括： <br/>瀝取步驟，將廢鋰電池的正極粉末浸漬於包含浸出劑與氧化劑的處理液中，以選擇性地瀝取出鋰離子，其中，該浸出劑為木醋液； <br/>過濾步驟，對包含該鋰離子的瀝取液進行過濾，以去除固體； <br/>濃縮步驟，對經過該過濾步驟得到的濾液進行濃縮，以移除水，並將鋰離子濃度提高至20 g/L至60 g/L，得到富含鋰離子之濃縮液； <br/>pH調整步驟，將所述富含鋰離子之濃縮液的pH值調整為7至8，以使包含鋁、鐵和磷中的至少一種元素的離子形成沉澱物； <br/>離心步驟，對經過該pH調整步驟得到的該濃縮液進行離心，以除去該沉澱物，並得到上清液； <br/>沉澱步驟，將飽和碳酸鹽溶液添加到經過該離心步驟得到的該上清液中，以獲得包含Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>的混合物； <br/>潤洗步驟，用水將經由該沉澱步驟得到之混合物進行潤洗；以及 <br/>乾燥步驟，對經過潤洗的該混合物進行乾燥，以得到純化之工業級以上的Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>粉末。
如請求項1之方法，其中，該廢鋰電池為廢磷酸鐵鋰電池，該固體包含磷酸鐵，且該氧化劑為過氧化氫。<sup> </sup>
如請求項2之方法，其中，該處理液透過在木醋液中添加過氧化氫，使該處理液中的過氧化氫濃度為2 vol%至16 vol%來製備。
如請求項1之方法，其中，在該瀝取步驟中，所述浸漬在室溫下進行，且浸漬時間在10分鐘至240分鐘之間。
如請求項1之方法，其中，在該瀝取步驟中，該正極粉末與該處理液的固液比為10 g/L至60 g/L。
如請求項1之方法，其中，該飽和碳酸鹽溶液中的碳酸鹽選自由碳酸鈉、碳酸氫鈉、及碳酸氫鉀所組成的群組中的至少一者。
如請求項1之方法，其中，該飽和碳酸鹽溶液中的碳酸鹽選自碳酸根離子之衍生物。
如請求項1之方法，其中，該飽和碳酸鹽溶液中的碳酸鹽選自碳酸鈉，並且 <br/>在該沉澱步驟中，以1至5 mL/min的速率將該飽和碳酸鹽溶液添加至該上清液中，持續1至3小時，同時在200至300 rpm的轉速下進行攪拌，並維持該上清液在90℃至95℃。
如請求項1之方法，其中，在該乾燥步驟中，在真空烘箱中對經過潤洗的該混合物進行乾燥10至14小時。
如請求項1之方法，其中，該瀝取步驟的鋰瀝出率為95%以上。
一種連接器模組，包含： <br/>一匯流排夾式連接器； <br/>一匯流排連接器； <br/>至少一第一匯流排組件，包含至少一第一匯流排，該第一匯流排具有相對之一第一端以及一第二端，該第一端連接該匯流排夾式連接器，該第二端連接該匯流排連接器；以及 <br/>至少一第二匯流排組件，包含至少一第二匯流排，該第二匯流排具有相對之一第三端以及一第四端，該第三端連接該匯流排夾式連接器，並與該第一端至少部分沿一第一方向排列，該第四端連接該匯流排連接器，並與該第二端至少部分沿一第二方向排列，該第一方向與該第二方向彼此相交。
如請求項1所述之連接器模組，其中該第一匯流排包含： <br/>一第一段，定義該第一端，並至少部分沿一第三方向延伸，該第三方向相交於該第一方向與該第二方向； <br/>一第二段，定義該第二端，並至少部分沿該第三方向延伸；以及 <br/>一第一轉向段，連接於該第一段與該第二段之間，並至少部分沿一第一延伸方向延伸，該第一延伸方向與該第三方向彼此相交； <br/>該第二匯流排包含： <br/>一第三段，定義該第三端，並至少部分沿該第三方向延伸； <br/>一第四段，定義該第四端，並至少部分沿該第三方向延伸；以及 <br/>一第二轉向段，連接於該第三段與該第四段之間，並至少部分沿一第二延伸方向延伸，該第二延伸方向與該第三方向彼此相交。
如請求項2所述之連接器模組，其中該第一段與該第三段至少部分在該第一方向上彼此對齊並隔開，該第二段與該第四段至少部分在該第二方向上彼此對齊並隔開。
如請求項2所述之連接器模組，其中該第一轉向段包含： <br/>一第一連接部，連接該第一段； <br/>一第二連接部，連接該第二段；以及 <br/>一第一彎曲部，連接於該第一連接部與該第二連接部之間，並至少部分呈彎曲狀； <br/>該第二轉向段包含： <br/>一第三連接部，連接該第三段； <br/>一第四連接部，連接該第四段；以及 <br/>一第二彎曲部，連接於該第三連接部與該第四連接部之間，並至少部分呈彎曲狀，該第二彎曲部與該第一彎曲部在該第一方向上至少部分彼此錯開。
如請求項4所述之連接器模組，其中該第一彎曲部具有至少一第一彎曲角度，該第二彎曲部具有至少一第二彎曲角度，該第一彎曲角度與該第二彎曲角度分別小於180度。
如請求項2所述之連接器模組，其中該匯流排夾式連接器包含複數個端子組，該些端子組彼此電性隔離，該第一段連接該些端子組中之一者，該第三段連接該些端子組中之另一者。
如請求項6所述之連接器模組，其中該些端子組中每一者包含： <br/>一對外端子，該些外端子中每一者包含一第一本體以及複數個第一彈臂，該些第一彈臂分別連接該第一本體，該些外端子中每一者的該些第一彈臂與該些外端子中另一者的該些第一彈臂彼此隔開； <br/>一對內端子，位於該些外端子之間，該些內端子中每一者包含一第二本體以及複數個第二彈臂，該些第二彈臂分別連接該第二本體，該些內端子中每一者的該些第二彈臂與該些內端子中另一者的該些第二彈臂彼此隔開；以及 <br/>一對導電板，該些導電板中每一者包含相互連接之一第一子導電板以及一第二子導電板，該第一子導電板夾置於該些第一本體中之一者與該些第二本體中對應之一者之間，該第二子導電板連接該第一段與該第三段中之一者； <br/>其中，該些第二彈臂中每一者的末端相對該些第一彈臂中每一者的末端更接近該些導電板。
如請求項7所述之連接器模組，更包含： <br/>一第一延伸件，包含一第一子延伸件以及一第二子延伸件，該第一子延伸件與該第二子延伸件相互連接並彼此傾斜，該第一子延伸件連接該些端子組中之一者的該些第二子導電板中之至少一者，該第二子延伸件連接該第一段；以及 <br/>一第二延伸件，包含一第三子延伸件以及一第四子延伸件，該第三子延伸件與該第四子延伸件相互連接並彼此傾斜，該第三子延伸件連接該些端子組中之另一者的該些第二子導電板中之至少一者，該第四子延伸件連接該第三段。
如請求項6所述之連接器模組，其中該第一匯流排組件、該第二匯流排組件與該匯流排連接器的數量分別為複數個，該些匯流排連接器彼此隔開，該些第一匯流排組件中每一者的該第一段連接該些端子組中之一者，該第二段連接該些匯流排連接器中對應之一者，該些第二匯流排組件中每一者的該第三段連接該些端子組中之另一者，該第四段連接該些匯流排連接器中對應之另一者。
如請求項2所述之連接器模組，其中該匯流排連接器包含： <br/>複數個導電部，彼此隔開並分別包含： <br/>一導電體，具有一穿孔；以及 <br/>一導電連接板，連接該導電體；以及 <br/>複數個導電套筒，分別設置於該些導電部中對應之一者的該穿孔； <br/>其中，該第二段連接該些導電部中對應之一者的該導電連接板，該第四段連接該些導電部中對應之另一者的該導電連接板。
一種飛灰無害化處理方法，包括：取一流體對一飛灰進行混洗步驟，以去除該飛灰中的有害物質；對經該混洗步驟後之該飛灰進行分離步驟，以將該流體與該飛灰進行分離；對經該分離步驟後之該飛灰進行乾燥步驟，以將該飛灰內所含水分進行乾燥去除；對一爐體內部加入非氧化氣體；對經該乾燥步驟後之該飛灰置入該爐體內部並進行150℃~300℃的預熱步驟，以去除該飛灰所含之剩餘水分；對經該預熱步驟後之該飛灰於該爐體內進行最高600℃之加熱步驟，以對該飛灰中的戴奧辛進行裂解並破壞；及對經該加熱步驟後之該飛灰於離開該爐體後進行降溫步驟，以抑制該戴奧辛之重新生成。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該有害物質係為可溶性鹽類及重金屬。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該流體係為清水、符合氫離子濃度指數(pH)之水、或配有化學藥劑的水。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該混洗步驟係為浸泡、攪拌或洗滌。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該乾燥步驟係為熱風乾燥、旋轉窯乾燥、蒸氣間接加熱乾燥、熱媒油間接加熱乾燥、真空乾燥、或冷凝式乾燥。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該預熱步驟係同時對該爐體內進行氧含量感測。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該降溫步驟係同時對該爐體內進行氧含量感測。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該降溫步驟係同時對該爐體內進行非氧化氣體供應。
如請求項1所述之飛灰無害化處理方法，其中該飛灰於進入該加熱步驟前，該爐體內之氧含量係低於1%。
一種濾芯組件，其包括：<br/> 一旋轉式濾芯裝置，包含：<br/> 一容置殼，其包圍形成有一收容槽，並且所述收容槽定義有一中心軸線；<br/> 一濾芯結構，包含有多個電容去離子（capacitive de-ionization，CDI）模組，每個所述電容去離子模組呈片狀，並且多個所述電容去離子模組彼此堆疊地設置於所述容置殼的所述收容槽之內；<br/> 一第一導流件與一第二導流件，分別安裝於位於所述濾芯結構兩側的兩個所述電容去離子模組且位於所述收容槽之內；其中，所述第一導流件形成有一第一轉向通道，所述第二導流件形成有一第二轉向通道；及<br/> 一蓋體，安裝於所述容置殼以封閉所述收容槽，並且所述蓋體形成有：<br/> 一第一流道，其一端具有一入口，並且所述第一流道的另一端連通於所述第一導流件的所述第一轉向通道；及<br/> 一第二流道，間隔於所述第一流道，所述第二流道的一端具有一出口，並且所述第二流道的另一端連通於所述第二導流件的所述第二轉向通道；<br/> 其中，所述旋轉式濾芯裝置的所述入口用以供一液體沿平行所述中心軸線的一軸心方向流入所述第一流道，以使所述液體自所述第一轉向通道而流經多個所述電容去離子模組並流向所述第二轉向通道，進而於所述第二流道沿所述軸心方向流出所述出口；以及<br/> 一接頭；其中，所述旋轉式濾芯裝置能以所述中心軸線為軸心而旋轉、使所述蓋體組裝於所述接頭，並且所述接頭形成有：<br/> 一流入通道，連通於所述入口；及<br/> 一流出通道，間隔於所述流入通道且連通於所述出口。
如請求項1所述的濾芯組件，其中，所述出口位於所述中心軸線之上，所述入口呈圓環狀且圍繞於所述出口，並且所述入口的圓心落在所述中心軸線之上。
如請求項1所述的濾芯組件，其中，所述入口位於所述中心軸線之上，所述出口呈圓環狀且圍繞於所述入口，並且所述出口的圓心落在所述中心軸線之上。
如請求項1所述的濾芯組件，其中，所述入口與所述中心軸線相隔有一配置距離，並且所述出口與所述中心軸線也相隔有所述配置距離。
如請求項1所述的濾芯組件，其中，所述蓋體包含有：<br/> 一外蓋，安裝於所述容置殼，並且所述旋轉式濾芯裝置通過所述外蓋可轉動地安裝於所述接頭；其中，所述外蓋位於所述接頭之內的部位形成有所述入口與所述出口；及<br/> 一內蓋，安裝於所述外蓋，並且所述內蓋連通所述入口與所述第一導流件的所述第一轉向通道，並且所述內蓋連通所述出口與所述第二導流件的所述第二轉向通道。
如請求項5所述的濾芯組件，其中，所述內蓋具有：<br/> 一內環體，其中心位於所述中心軸線；<br/> 一外環體，其中心位於所述中心軸線且圍繞於所述內環體之外；<br/> 一內管路，連通於所述內環體與所述第二導流件的所述第二轉向通道；及<br/> 一外管路，連通於所述外環體與所述第一導流件的所述第一轉向通道。
一種旋轉式濾芯裝置，其包括：<br/> 一容置殼，其包圍形成有一收容槽，並且所述收容槽定義有一中心軸線；<br/> 一濾芯結構，包含有多個電容去離子模組，每個所述電容去離子模組呈片狀，並且多個所述電容去離子模組彼此堆疊地設置於所述容置殼的所述收容槽之內；<br/> 一第一導流件與一第二導流件，分別安裝於位於所述濾芯結構兩側的兩個所述電容去離子模組且位於所述收容槽之內；其中，所述第一導流件形成有一第一轉向通道，所述第二導流件形成有一第二轉向通道；以及<br/> 一蓋體，安裝於所述容置殼以封閉所述收容槽，並且所述蓋體形成有：<br/> 一第一流道，其一端具有一入口，並且所述第一流道的另一端連通於所述第一導流件的所述第一轉向通道；及<br/> 一第二流道，間隔於所述第一流道，所述第二流道的一端具有一出口，並且所述第二流道的另一端連通於所述第二導流件的所述第二轉向通道；<br/> 其中，所述旋轉式濾芯裝置的所述入口用以供一液體沿平行所述中心軸線的一軸心方向流入所述第一流道，以使所述液體自兩個所述第一轉向通道而流經多個所述電容去離子模組並流向所述第二轉向通道，進而於所述第二流道沿所述軸心方向流出所述出口。
如請求項7所述的旋轉式濾芯裝置，其中，所述出口位於所述中心軸線之上，所述入口呈圓環狀且圍繞於所述出口，並且所述入口的圓心落在所述中心軸線之上。
如請求項7所述的旋轉式濾芯裝置，其中，所述入口位於所述中心軸線之上，所述出口呈圓環狀且圍繞於所述入口，並且所述出口的圓心落在所述中心軸線之上。
如請求項7所述的旋轉式濾芯裝置，其中，所述入口與所述中心軸線相隔有一配置距離，並且所述出口與所述中心軸線也相隔有所述配置距離。
一種用於近視人士的眼鏡裝置套件，該眼鏡裝置套件包括至少一對光學膜，非永久性應用於一副眼鏡片，使得每個光學膜覆蓋該副眼鏡片的右眼鏡片或左眼鏡片的大部分區域，其中： <br/>所述至少一對光學膜中的每個光學膜包括：多個光學元件，它們以一定的排列方式佈置在光學膜內；所述多個光學元件中的至少一個光學元件配置有至少一個沿著經向和方位角變化的光度分佈；以及在所述多個光學元件外部的光學膜上具有標準單光的屈光度；並且 <br/>所述至少一對光學膜中的每個光學膜具有不同的多個光學元件的排列方式。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一對光學膜中，每個光學膜的多個光學元件中的至少兩個光學元件配置有至少一種沿經向和方位角變化的光度分佈。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一對光學膜中每個光學膜的所有光學元件均配置有至少一種沿經向和方位角變化的光度分佈。
根據請求項1至3中任一項的眼鏡裝置套件，其中，配置有至少一種沿經向和方位角變化的光度分佈的多個光學元件中的每一個都配置有一種沿經向和方位角變化的光度分佈。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其向近視患者提供佩戴說明，以在使用過程中使至少一對光學膜提供的近視停止信號隨時間和空間變化。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，該套件包括用於近視個體遵循佩戴方案的說明，用於在使用過程中由至少一對光學膜提供的近視停止信號的時間和空間變化。
根據請求項5或6所述的眼鏡裝置套件，其中，近視停止信號的時間和空間變化包括在一個或多個小時、一天或多天、一個或多個星期、或一個或多個月的時間段內的規則或不規則的時間變化。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，所述至少一個沿經向和方位角變化的光度分佈的增量度數至少為0.5D、0.75D、1D、1.25D、1.5D或1.75D。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，配置有至少一個經向和方位角變化的光度分佈的多個光學元件中的每一個的表面積至少為5mm<sup>2</sup>、10mm<sup>2</sup>、15mm<sup>2</sup>、20mm<sup>2</sup>或25mm<sup>2</sup>。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中，多個光學元件中的至少一個沿經向和方位角變化的光度分佈的最平坦半經向的軸線在至少一對光學膜中的光學膜之間配置為基本不同並且至少相隔20度。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中多個光學元件中的至少一種沿經向和方位角變化的光度分佈被配置成在至少一對光學膜中的右光學膜和左光學膜之間基本上不同。
根據請求項1所述的眼鏡裝置套件，其中當與標準單光眼鏡片結合使用時，所述光學膜在近視眼的視網膜的至少一個區域中提供一個或多個部分模糊的區域圓錐體。
根據請求項 12 所述的眼鏡裝置套件，其中近視眼的視網膜的至少一個區域包括近視眼的至少 5 度視野。
根據請求項 12 所述的眼鏡裝置套件，其中近視眼的視網膜的至少一個區域包括近視眼的至少 15 度的視野。
根據請求項 12 所述的眼鏡裝置套件，其中近視眼的視網膜的至少一個區域包括近視眼的至少 30 度的視野。
一種齒輪箱結構，適合與一控制單元及一動力源結合使用，該齒輪箱結構包含： <br/> 一殼體，包括一第一容置空間、一第二容置空間以及一間隔壁，其中該第一容置空間和該第二容置空間通過該間隔壁分隔；<br/> 一傳動模組，設置於該第一容置空間，且包含一輸入齒、至少一行星軸以及一輸出軸，其中該輸入齒結合該動力源，至少一行星軸包括一輸入行星齒以及一輸出行星齒，該輸入行星齒和該輸出行星齒分別設置於兩相反端，該輸入行星齒與該輸入齒嚙合，該輸出行星齒與該輸出軸嚙合；以及<br/> 一感測模組，包括至少一感測器容置於該第二容置空間，且通過該間隔壁與該至少一行星軸相鄰設置，且位於該輸入行星齒和該輸出行星齒之間。
如請求項1所述的齒輪箱結構，其中該感測模組更包括一編碼器組件，該編碼器組件容置於該第一容置空間，於空間上相對該輸出軸的一後端，組配量測該輸出軸的輸出轉速以進行迴授控制。
如請求項2所述的齒輪箱結構，其中該編碼器組件包括一編碼器、一編碼器讀取頭和一編碼器固定座，其中該編碼器連接該出軸的該後端，該編碼器讀取頭固定於該編碼器固定座，於空間上相對該編碼器，共同組配量測該輸出軸的輸出轉速。
如請求項3所述的齒輪箱結構，更包括一圓柱滾子軸承，設置於該輸出軸的該後端與該編碼器固定座之間。
如請求項1所述的齒輪箱結構，其中該至少一感測器包括一溫度感測器和一加速規感測器，該溫度感測器和該加速規感測器設置於該間隔壁上，於空間上相對至少一行星軸。
如請求項5所述的齒輪箱結構，其中該感測模組更包括一電路板，該電路板容置於該第二容置空間，且電連接該溫度感測器和該加速規感測器。
如請求項6所述的齒輪箱結構，其中該感測模組更包括一電子紙，設置於該殼體的外表面，且電連接至該電路板，組配顯示該溫度感測器和該加速規感測器對應之訊息。
如請求項1所述的齒輪箱結構，其中該至少一行星軸包括一對行星軸，彼此間隔設置，其中該輸入齒和該輸出軸沿一軸心間隔設置，且位於該對行星軸之間。
如請求項8所述的齒輪箱結構，其中該輸入行星齒和該輸出行星齒之間具有一第一間隔距離，其中該感測模組更包括一編碼器組件，該編碼器組件容置於該第一容置空間，於空間上相對該輸出軸的一後端，且位於該對行星軸之間，其中該編碼器組件相對該輸出軸具有一安裝高度和一安裝寬度，該安裝高度小於該第一間隔距離。
如請求項9所述的齒輪箱結構，其中該對行星軸具有一第二間隔距離，該第一間隔距離與該第二間隔距離相乘之值大於該對行星軸的一齒輪運轉空間。
如請求項10所述的齒輪箱結構，其中該安裝高度與該第二間隔距離相乘之值的大於該安裝高度與該安裝寬度相乘之值的1.5倍。
如請求項1所述的齒輪箱結構，更包括一圓柱滾子軸承，設置於該輸出軸的一後端與一編碼器組件之間。
如請求項1所述的齒輪箱結構，更包括二圓錐滾子軸承，分別設置於該至少一行星軸的兩相反端和該殼體之間。
一種用以定位一機器人手術系統的方法，包含：<br/> 在一虛擬環境中產生與該機器人手術系統相關聯的一第一三維(3D)模型、與一患者相關聯的一第二3D模型、和一經計畫手術路徑，其中該第一3D模型係由一組多邊形網格而非由任何體積網格表示；<br/> 在該虛擬環境中為該第一3D模型選擇一第一候選定位，其中該第一候選定位對應於該機器人手術系統在一實體手術室中之一第一實體候選定位；<br/> 基於該第一候選定位和該經計畫手術路徑模擬該第一3D模型在該虛擬環境中之移動或旋轉；<br/> 基於該等經模擬移動或旋轉判定與該第一3D模型相關聯的一碰撞是否在該虛擬環境中發生；以及<br/> 基於該判定產生該第一候選定位之狀態資訊。
如請求項1之方法，更包含：<br/> 在產生該第一3D模型之前產生該組多邊形網格，其中該組多邊形網格表示該第一3D模型之一表面。
如請求項2之方法，其中產生該組多邊形網格包含：<br/> 載入與該機器人手術系統之一部件相關聯的一第三3D模型，其中一第一多邊形網格係配置成表示該第三3D模型之一表面，且一第一體積網格係配置成表示該第三3D模型之一內部體積；以及<br/> 創建一原始網格以封圍該第三3D模型。
如請求項3之方法，其中該原始網格為一球體網格。
如請求項3之方法，其中產生該組多邊形網格更包含：<br/> 調整該原始網格以匹配該部件之一表面；<br/> 重新採樣該經調整網格；以及<br/> 簡化該經重新採樣網格。
如請求項5之方法，其中該經重新採樣網格包括第一均勻面，其具有一第一相同形狀。
如請求項3之方法，其中產生該組多邊形網格更包括產生對應於一外科醫生的一實體工作空間的一第二多邊形網格。
如請求項7之方法，其中該第二多邊形網格為一圓柱形多邊形網格並包括第二均勻面，其具有一第二相同形狀。
如請求項1之方法，其中該判定更包括判定該碰撞是否在該第一3D模型係處於一預設姿態時發生。
如請求項9之方法，為回應判定該碰撞在該第一3D模型係處於一預設姿態時發生，更包含判定該碰撞是否在該第一3D模型係處於與該預設姿態不同的另一姿態時發生。
一種用以定位一機器人手術系統的系統，包含：<br/> 一處理器；以及<br/> 一非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其內含一組可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 在一虛擬環境中產生與該機器人手術系統相關聯的一第一三維(3D)模型、和與一患者相關聯的一第二3D模型、和一經計畫手術路徑，其中該第一3D模型係由一組多邊形網格而非由任何體積網格表示；<br/> 在該虛擬環境中為該第一3D模型選擇一第一候選定位，其中該第一候選定位對應於該機器人手術系統在一實體手術室中之一第一實體候選定位；<br/> 基於該第一候選定位和該經計畫手術路徑模擬該第一3D模型在該虛擬環境中之移動或旋轉；<br/> 基於該等經模擬移動或旋轉判定與該第一3D模型相關聯的一碰撞是否在該虛擬環境中發生；以及<br/> 產生該第一候選定位之狀態資訊。
如請求項11之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 在產生該第一3D模型之前產生該組多邊形網格，其中該組多邊形網格表示該第一3D模型之一表面。
如請求項12之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 載入與該機器人手術系統之一部件相關聯的一第三3D模型，其中一第一多邊形網格係配置成表示該第三3D模型之一表面，且一第一體積網格係配置成表示該第三3D模型之一內部體積；以及<br/> 創建一原始網格以封圍該第三3D模型。
如請求項13之系統，其中該原始網格為一球體網格。
如請求項13之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 調整該原始網格以匹配該部件之一表面；<br/> 重新採樣該經調整網格；以及<br/> 簡化該經重新採樣網格。
如請求項15之系統，其中該經重新採樣網格包括第一均勻面，其具有一第一相同形狀。
如請求項13之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 產生對應於一外科醫生的一實體工作空間的一第二多邊形網格。
如請求項17之系統，其中該第二多邊形網格為一圓柱形多邊形網格並包括第二均勻面，其具有一第二相同形狀。
如請求項11之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 判定該碰撞是否在該第一3D模型係處於一預設姿態時發生。
如請求項19之系統，其中該非暫時性電腦可讀取儲存媒體內含一組附加可執行指令，其為回應該處理器的執行使得該處理器：<br/> 為回應判定該碰撞在該第一3D模型係處於一預設姿態時發生，判定該碰撞是否在該第一3D模型係處於與該預設姿態不同的另一姿態時發生。
一種阻劑組成物，包含(I)下式(A)表示之酸化合物，及(IV’)含有下式(b1)表示之重複單元且在顯影液中的溶解速度因酸的作用而改變的基礎聚合物，且不含胺， <br/>(I)成分之酸化合物之含量相對於(IV’)成分之基礎聚合物80質量份，為0.1～20質量份， <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="68px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>為氟原子、羥基、或亦可含有雜原子之碳數1～20的烴基；Rf<sup>1</sup>和Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或三氟甲基， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="101px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為酯鍵， <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或碳數1～20的伸烴基，該伸烴基亦可含有選自酯鍵、醚鍵、內酯環、醯胺鍵、磺內酯環和碘原子中之至少1種， <br/>Y<sup>3</sup>為酯鍵， <br/>Rf<sup>11</sup>至Rf<sup>14</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，其中至少有一個為氟原子或三氟甲基， <br/>Ar<sup>5</sup>和Ar<sup>6</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數6～18的芳基。
如請求項1的阻劑組成物，更包含(III)下式(2)表示之光分解性淬滅劑， <br/><img align="absmiddle" height="10px" width="101px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，Ar<sup>3</sup>和Ar<sup>4</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數6～18的芳基；Xq<sup>m-</sup>為m價之弱酸之陰離子；m是1，Xq<sup>m-</sup>係選自於下述陰離子中之1種， <br/><img align="absmiddle" height="233px" width="209px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="305px" width="192px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="305px" width="192px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="111px" width="208px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="62px" width="208px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1的阻劑組成物，其中式(A)表示之酸化合物由下式(A-1)至(A-3)中之任何一個表示， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="164px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1A</sup>為氫原子或亦可含有雜原子之碳數1至20的烴基；R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～20的烴基，R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>亦可互相鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環；L是單鍵、醚鍵或酯鍵。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物含有下式(a)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="80px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>X<sup>1</sup>是單鍵、酯鍵或醯胺鍵、或含有選自伸苯基、伸萘基、酯鍵、醚鍵、內酯環和醯胺鍵中之至少1種的碳數1～12的2價連結基， <br/>R<sup>11</sup>是氫原子、氟原子或碳數1-6的飽和烴基，R<sup>11</sup>和X<sup>1</sup>亦可相互鍵結並與它們所鍵結的芳香環上的碳原子一起形成環， <br/>p是1或2，q為0至4的整數，1≤p+q≤5，r為0或1。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物含有羧基的氫原子被酸不安定基取代之重複單元c。
如請求項5的阻劑組成物，其中重複單元c以下式(c)表示， <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="63px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>Z<sup>1</sup>是單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種的碳數1～12的連結基， <br/>R<sup>AL</sup>為酸不安定基。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物不含被酸不安定基取代的重複單元。
如請求項7的阻劑組成物，更包含交聯劑。
一種圖案形成方法，包括以下步驟： <br/>(i)使用如請求項1的阻劑組成物在基材上形成阻劑膜， <br/>(ii)用高能射線曝光該阻劑膜，以及 <br/>(iii)使用顯影液對該經曝光的阻劑膜進行顯影。
一種阻劑組成物，包含(I)下式(A)表示之酸化合物、(II)下式(1)表示之光酸產生劑及/或(III)下式(2)表示之光分解性淬滅劑，及(IV)在顯影液中的溶解速度因酸的作用而改變的基礎聚合物，且不含胺， <br/>(I)成分之酸化合物之含量相對於(IV)成分之基礎聚合物80質量份，為0.1～20質量份，具有(II)成分之光酸產生劑時，(II)成分之光酸產生劑之含量相對於(IV)成分之基礎聚合物80質量份，為1～40質量份，具有(III)成分之光分解性淬滅劑時，(III)成分之光分解性淬滅劑之含量相對於(IV)成分之基礎聚合物80質量份，為5～20質量份， <br/><img align="absmiddle" height="27px" width="68px" file="ed10051.jpg" alt="ed10051.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1</sup>為氟原子、羥基、或亦可含有雜原子之碳數1～20的烴基；Rf<sup>1</sup>和Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或三氟甲基， <br/><img align="absmiddle" height="10px" width="101px" file="ed10052.jpg" alt="ed10052.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，Ar<sup>1</sup>和Ar<sup>2</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數6～18的芳基；Xa<sup>n-</sup>是n價之強酸之陰離子，n是1，Xa<sup>n-</sup>係選自於下述陰離子中之1種，Ac為乙醯基， <br/><img align="absmiddle" height="80px" width="182px" file="ed10057.jpg" alt="ed10057.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="80px" width="183px" file="ed10058.jpg" alt="ed10058.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="141px" width="196px" file="ed10059.jpg" alt="ed10059.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="141px" width="196px" file="ed10060.jpg" alt="ed10060.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="140px" width="189px" file="ed10061.jpg" alt="ed10061.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="250px" width="208px" file="ed10062.jpg" alt="ed10062.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="265px" width="208px" file="ed10063.jpg" alt="ed10063.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="293px" width="205px" file="ed10064.jpg" alt="ed10064.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="10px" width="101px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，Ar<sup>3</sup>和Ar<sup>4</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數6～18的芳基；Xq<sup>m-</sup>是m價之弱酸之陰離子；m是1，Xq<sup>m-</sup>係選自於下述陰離子中之1種， <br/><img align="absmiddle" height="305px" width="192px" file="ed10065.jpg" alt="ed10065.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="305px" width="192px" file="ed10066.jpg" alt="ed10066.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="111px" width="208px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/><img align="absmiddle" height="147px" width="422px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1的阻劑組成物，其中式(A)表示之酸化合物由下式(A-1)至(A-3)中之任何一個表示， <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="164px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>1A</sup>為氫原子或亦可含有雜原子之碳數1至20的烴基；R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～20的烴基，R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>亦可互相鍵結並與它們所鍵結的碳原子一起形成環；L是單鍵、醚鍵或酯鍵。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物含有下式(a)表示之重複單元， <br/><img align="absmiddle" height="50px" width="80px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>X<sup>1</sup>是單鍵、酯鍵或醯胺鍵、或含有選自伸苯基、伸萘基、酯鍵、醚鍵、內酯環和醯胺鍵中之至少1種的碳數1～12的2價連結基， <br/>R<sup>11</sup>是氫原子、氟原子或碳數1-6的飽和烴基，R<sup>11</sup>和X<sup>1</sup>亦可相互鍵結並與它們所鍵結的芳香環上的碳原子一起形成環， <br/>p是1或2，q為0至4的整數，1≤p+q≤5，r為0或1。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物含有具有在活性光線或放射線的照射下會分解而生成酸之結構部位的重複單元。
如請求項4的阻劑組成物，其中該具有在活性光線或放射線照射下會分解而生成酸的結構部位的重複單元，以下式(b2)表示， <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="101px" file="ed10055.jpg" alt="ed10055.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>Y<sup>1</sup>為單鍵或酯鍵， <br/>Y<sup>2</sup>為單鍵或碳數1～20的伸烴基，該伸烴基亦可含有選自酯鍵、醚鍵、內酯環、醯胺鍵、磺內酯環和碘原子中之至少1種， <br/>Y<sup>3</sup>為單鍵、醚鍵或酯鍵， <br/>Rf<sup>11</sup>至Rf<sup>14</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或三氟甲基，其中至少有1個為氟原子或三氟甲基， <br/>R<sup>21</sup>～R<sup>23</sup>各自獨立地為亦可含有雜原子之碳數為1～20的烴基，R<sup>21</sup>和R<sup>22</sup>亦可以相互鍵結並與它們所鍵結的硫原子一起形成環。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物含有羧基的氫原子被酸不安定基取代之重複單元c。
如請求項6的阻劑組成物，其中重複單元c以下式(c)表示， <br/><img align="absmiddle" height="46px" width="63px" file="ed10056.jpg" alt="ed10056.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>為氫原子或甲基， <br/>Z<sup>1</sup>是單鍵、伸苯基或伸萘基、或含有選自酯鍵、醚鍵及內酯環中之至少1種的碳數1～12的連結基， <br/>R<sup>AL</sup>為酸不安定基。
如請求項1的阻劑組成物，其中該基礎聚合物不含被酸不安定基取代的重複單元。
如請求項8的阻劑組成物，更包含交聯劑。
一種圖案形成方法，包括以下步驟： <br/>(i)使用如請求項1的阻劑組成物在基材上形成阻劑膜， <br/>(ii)用高能射線曝光該阻劑膜，以及 <br/>(iii)使用顯影液對該經曝光的阻劑膜進行顯影。
一種多軸光束定位器，包括: <br/>第一聲光偏轉器，其操作以繞射雷射光而偏轉光束路徑沿著二維掃描場的第一軸延伸，繞射的線性偏振雷射光的光束可沿著該光束路徑傳播； <br/>第二聲光偏轉器，其操作以繞射該雷射光而偏轉該光束路徑於第二一維掃描場中，該第二一維掃描場沿著該二維掃描場的第二軸延伸； <br/>至少一個反射鏡，其配置在該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間；以及 <br/>至少一個透射相移片，其配置在該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間； <br/>其中，該第一聲光偏轉器、該第二聲光偏轉器、該至少一個反射鏡和該至少一個透射相移片經配置，使得第一一維掃描場入射到該至少一個反射鏡和該至少一個透射相移片上，使得該第一一維掃描場能夠以該第一一維掃描場的該第一軸不平行於該第二一維掃描場的該第二軸的方式從該至少一個反射鏡和該至少一個透射相移片投影到該第二聲光偏轉器上。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中 <br/>該第一聲光偏轉器具有第一繞射軸， <br/>該第二聲光偏轉器具有第二繞射軸，並且 <br/>該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器經配置以使得該第一繞射軸是平行於該第二繞射軸。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中 <br/>該第一聲光偏轉器具有第一繞射軸， <br/>該第二聲光偏轉器具有第二繞射軸，並且 <br/>該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器經配置以使得該第一繞射軸是垂直於該第二繞射軸。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中該第一聲光偏轉器包括由包含鍺之材料形成的聲光單元。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中該第一聲光偏轉器包括由包含石英之材料形成的聲光單元。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中該第一一維掃描場能夠以該第一一維掃描場的該第一軸垂直於該第二一維掃描場的該第二軸的方式投影到該第二聲光偏轉器上。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其進一步包括光學中繼系統，該光學中繼系統配置在該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間，使得該第一一維掃描場經由該光學中繼系統而可投影到該第二聲光偏轉器上。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其進一步包括光學中繼系統，該光學中繼系統配置在該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間，使得該第一一維掃描場經由該光學中繼系統而可投影到該第二聲光偏轉器上，其中該光學中繼系統包括一對透鏡並且其中該至少一個透射相移片被設置在該對透鏡中的透鏡之間。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其進一步包括光學中繼系統，該光學中繼系統配置在該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間，使得該第一一維掃描場經由該光學中繼系統而可投影到該第二聲光偏轉器上，其中該光學中繼系統包括一對透鏡並且其中該至少一個反射鏡被設置在該對透鏡中的透鏡之間。
如請求項1所述之多軸光束定位器，其中該至少一個反射鏡包括零相移反射器。
一種多軸光束定位器，包括: <br/>第一聲光偏轉器，其經設置以偏轉線性偏振雷射光光束於第一一維掃描場中； <br/>第二聲光偏轉器，其經設置以偏轉該線性偏振雷射光光束於第二一維掃描場中； <br/>至少一個透射相移片，其配置於該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間； <br/>至少一個反射鏡，其配置於該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間以摺疊該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器之間的光學路徑；以及 <br/>光學系統，其配置以將該第一一維掃描場投影至該第二聲光偏轉器上，使得該第一一維掃描場的一軸是不平行於該第二一維掃描場的一軸。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該透射相移片包括半波片。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該透射相移片包括結構化鑽石半波片。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該透射相移片設置以使該線性偏振雷射光光束的偏振平面旋轉90度。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該光學系統包括中繼透鏡系統，該中繼透鏡系統配置以成像該第一一維掃描場於該第二聲光偏轉器上。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器經配置以使得各自的繞射軸為不平行的。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該線性偏振雷射光光束具有從9 μm到11 μm的波長範圍。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其進一步包括雷射源，該雷射源設置以產生該線性偏振雷射光光束，其中該 雷射源包括CO<sub>2</sub>雷射。
如請求項11所述之多軸光束定位器，其中該第一聲光偏轉器和該第二聲光偏轉器各自包括聲光介質，該聲光介質是從由鍺、砷化鎵、二氧化碲和晶體石英組成的群組中選擇的材料所形成的。
一種半導體結構，包含：<br/> 一基底，具有一磊晶層位於該基底上；以及 <br/> 一深溝槽隔離 (DTI) 結構，位於該磊晶層中，其中該深溝隔離結構之一側壁具有一部分弧形輪廓，該深溝槽隔離結構包含一多晶矽層以及一絕緣層，其中該多晶矽層位於該深溝槽隔離結構的中間部分，該多晶矽層之一頂面寬度小於該多晶矽層之一中段寬度，該絕緣層位於該多晶矽層旁，且該絕緣層包含一氧化物層。
如請求項1所述之半導體結構，其中該絕緣層之氧化物層的厚度大於600奈米。
如請求項1所述之半導體結構，其中該深溝槽隔離結構包含有一第一側壁以及一第二側壁，其中從一剖面圖來看，該第一側壁包含一斜面、一弧形面及一垂直面之組合。
如請求項3所述之半導體結構，其中該第一側壁包含的斜面、該弧形面及該垂直面中，其中該弧形面位於該斜面以及該垂直面之間，且該斜面位於該第一側壁的一上端，該弧形面位於該第一側壁的一中段部分、而該垂直面位於該第一側壁的一下端。
如請求項3所述之半導體結構，其中該深溝槽隔離結構之該第二側壁包含一斜面及一垂直面之組合。
如請求項1所述之半導體結構，更包含一淺溝隔離(STI)結構，其中該淺溝隔離結構與該深溝槽隔離結構的該絕緣層不重疊。
如請求項1所述之半導體結構，其中該絕緣層包含一襯墊氧化層及一TEOS氧化層，該襯墊氧化層位於該深溝槽隔離結構之側壁與該TEOS氧化層之間。
如請求項7所述之半導體結構，其中該絕緣層更包含一高溫氧化層(HTO)，位於該襯墊氧化層與該TEOS氧化層之間。
如請求項7所述之半導體結構，其中該襯墊氧化層的一頂面低於該TEOS氧化層的一頂面。
如請求項1所述之半導體結構，其中該深溝槽隔離結構之該部分弧形輪廓與該磊晶層在一水平方向上對齊。
一種半導體結構的製作方法，包含：<br/> 提供一基底，該基底上具有一磊晶層；以及 <br/> 形成一深溝槽隔離 (DTI) 結構，形成於該磊晶層中，其中該深溝隔離結構之一側壁具有一部分弧形輪廓，該深溝槽隔離結構包含一多晶矽層以及一絕緣層，其中該多晶矽層位於該深溝槽隔離結構的中間部分，該多晶矽層之一頂面寬度小於該多晶矽層之一中段寬度，該絕緣層位於該多晶矽層旁，且該絕緣層包含一氧化物層。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中形成該深溝槽隔離結構(DTI)的方法更包含:<br/> 進行第一蝕刻步驟，在該基底與該磊晶層中形成一第一凹槽，其中該第一凹槽具有部分圓弧狀剖面側壁；以及<br/> 填入該絕緣層以及該多晶矽層至該第一凹槽中。
如請求項12所述之半導體結構的製作方法，其中更包含:<br/> 在填入該絕緣層以及該多晶矽層至該第一凹槽中之後，更進行一第二蝕刻步驟，移除部分該絕緣層以及該多晶矽層，並且改變該第一凹槽的輪廓形狀以形成一第二凹槽，其中該第二凹槽具有部分圓弧狀以及部分斜面所組成的輪廓。
如請求項13所述之半導體結構的製作方法，其中該第二凹槽包含有一第一側壁以及一第二側壁，其中從一剖面圖來看，該第一側壁包含一斜面、一弧形面及一垂直面之組合。
如請求項14所述之半導體結構的製作方法，其中該第一側壁包含的斜面、該弧形面及該垂直面中，其中該弧形面位於該斜面以及該垂直面之間，且該斜面位於該第一側壁的一上端，該弧形面位於該第一側壁的一中段部分、而該垂直面位於該第一側壁的一下端。
如請求項14所述之半導體結構的製作方法，其中該第二凹槽之該第二側壁包含一斜面及一垂直面之組合。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，更包含形成一淺溝隔離(STI)結構，其中該淺溝隔離結構與該深溝槽隔離結構的該絕緣層不重疊。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該絕緣層包含一襯墊氧化層及一TEOS氧化層，該襯墊氧化層位於該深溝槽隔離結構之側壁與該TEOS氧化層之間。
如請求項18所述之半導體結構的製作方法，其中該襯墊氧化層的一頂面低於該TEOS氧化層的一頂面。
如請求項11所述之半導體結構的製作方法，其中該深溝槽隔離結構之該部分弧形輪廓與該磊晶層在一水平方向上對齊。
一種半導體裝置，係具備有： <br/> 基板；和 <br/> 半導體晶片，係被設置於前述基板處；和 <br/> 樹脂層，係被覆前述半導體晶片；和 <br/> 金屬膜，係被設置於前述樹脂層處， <br/> 前述金屬膜，係具備有被設置在前述樹脂層處之第1金屬層、被設置於前述第1金屬層處之第2金屬層、以及被設置於前述第2金屬層處之第3金屬層， <br/> 前述第1金屬層與前述第2金屬層係包含銅，前述第2金屬層之平均粒徑係較前述第1金屬層之平均粒徑而更小，前述第2金屬層之電阻率係較前述第1金屬層之電阻率而更大， <br/> 前述第1金屬層之平均粒徑係較0.20μm而更大並且較0.50μm而更小，前述第2金屬層之平均粒徑係較0.15μm而更小， <br/> 前述金屬膜，係在前述第1金屬層與前述樹脂層之間，更進而具備有第4金屬層，前述第4金屬層，係包含有不鏽鋼。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述第1金屬層之電阻率，係為未滿2.0μΩ･cm。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述第1金屬層之膜厚係為1.5μm～2.5μm，前述第2金屬層之膜厚係為0.3μm～1.5μm。
如請求項1所記載之半導體裝置，其中， <br/> 前述第1金屬層係包含純度99.99%以上之銅，前述第2金屬層係包含純度為未滿99.99%之銅。
一種半導體裝置之製造方法，係包含有： <br/> 在基板處設置半導體晶片之步驟；和 <br/> 設置覆蓋前述半導體晶片之樹脂層之步驟；和 <br/> 在前述樹脂層處以200℃以上而設置第1金屬層，並在前述第1金屬層處以150℃以下而設置包含有與前述第1金屬層同一之材料之第2金屬層，並在前述第2金屬層處設置第3金屬層，並且在前述樹脂層與前述第1金屬層之間以150℃以下而設置包含有不鏽鋼之第4金屬層之步驟， <br/> 前述第1金屬層與前述第2金屬層係包含有銅，前述第2金屬層之平均粒徑係較前述第1金屬層之平均粒徑而更小，前述第2金屬層之電阻率係較前述第1金屬層之電阻率而更大， <br/> 前述第1金屬層之平均粒徑係較0.20μm而更大且較0.50μm而更小，前述第2金屬層之平均粒徑係較0.15μm而更小。
如請求項5所記載之半導體裝置之製造方法，其中， <br/> 係在相異之腔室中而設置前述第1金屬層與前述第2金屬層。
如請求項5或6所記載之半導體裝置之製造方法，其中， <br/> 前述第1金屬層與前述第2金屬層以及前述第3金屬層，係藉由濺鍍而被形成。
如請求項5或6所記載之半導體裝置之製造方法，其中， <br/> 在前述第1金屬層之成膜中，係使用純度99.99%以上之銅，在第2金屬層中，係使用純度為未滿99.99%之銅。
如請求項5所記載之半導體裝置之製造方法，其中， <br/> 前述第1金屬層之膜厚係為1.5μm～2.5μm，前述第2金屬層之膜厚係為0.3μm～1.5μm。
一種反射型遮罩基底，其係依次具有基板、反射EUV光之多層反射膜、保護上述多層反射膜之保護膜、及吸收上述EUV光之吸收膜者，且 <br/>上述保護膜含有50 at%以上之Rh， <br/>與上述保護膜相接之上述多層反射膜之最上層係氧原子之含量為15 at%以下之Si膜。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中若藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)拍攝上述保護膜之剖面而取得平行於上述保護膜與上述多層反射膜之界面的帶狀之灰度圖像，製成上述灰度圖像之長度方向上之上述灰度圖像之亮度分佈，則上述灰度圖像之長度方向每100 nm之上述亮度分佈之波峰數為50以上。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述上層僅含有Rh作為金屬元素，或者含有Rh及選自由Ru、Pd、Ir、Pt、Zr、Nb、Ta及Ti所組成之群中之元素作為金屬元素。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜具有下層及上層，上述上層除了含有Rh以外，還含有選自由Ru、Pd、Ir、Pt、Zr、Nb、Ta及Ti所組成之群中之元素X作為金屬元素，上述保護膜中，Rh與X之元素比(Rh：X)為50：50～99：1。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜具有下層及上層，上述上層除了含有金屬元素以外，還含有選自由O、N、C及B所組成之群中之非金屬元素。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜具有下層及上層，上述保護膜之上述下層之厚度為0.5 nm以上2.0 nm以下，且上述保護膜之上述上層之厚度為0.5 nm以上4.0 nm以下。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜具有下層及上層，上述下層除了含有金屬元素以外，還含有選自由O、N、C及B所組成之群中之非金屬元素。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜之膜密度為10.0 g/cm<sup>3</sup>以上14.0 g/cm<sup>3</sup>以下。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述保護膜之表面之均方根粗糙度RMS為0.300 nm以下，且上述吸收膜形成於上述保護膜之上述表面。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述吸收膜含有選自由Ru、Ta、Cr、Pt及W所組成之群中之金屬元素。
如請求項1之反射型遮罩基底，其中上述吸收膜含有選自由Ru、Ta、Cr、Nb、Pt、Ir、Re、W、Mn、Au、Si及Al所組成之群中之金屬元素。
如請求項10之反射型遮罩基底，其中上述吸收膜進而含有選自由O、N、C及B所組成之群中之非金屬元素。
如請求項11之反射型遮罩基底，其中上述吸收膜進而含有選自由O、N、C及B所組成之群中之非金屬元素。
如請求項1之反射型遮罩基底，其進而包含與設置有保護膜之處為相反側之吸收膜上之蝕刻遮罩膜， <br/>上述蝕刻遮罩膜含有選自由Cr、Nb、Ti、Mo、Ta及Si所組成之群中之金屬元素。
如請求項14之反射型遮罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜進而含有選自由O、N、C及B所組成之群中之非金屬元素。
一種反射型遮罩，其具備如請求項1至15中任一項之反射型遮罩基底，上述吸收膜具備開口圖案。
一種如請求項1至15中任一項之反射型遮罩基底之製造方法，其具有如後步驟：於相同之真空腔室中依上述多層反射膜與上述保護膜之順序，成膜上述多層反射膜及上述保護膜。
如請求項17之反射型遮罩基底之製造方法，其進而具有如後步驟：於上述保護膜之成膜時將上述真空腔室控制為0.035 Pa以下。
一種反射型遮罩之製造方法，其具有以下步驟： <br/>準備如請求項1至15中任一項之反射型遮罩基底；及 <br/>於上述吸收膜形成開口圖案。
一種接頭裝置，包括：<br/>一主體，包括分別朝相對二側開放之一活動孔及一結合孔，該結合孔供一驅動件結合；<br/>一座體，設於該主體內，該座體設有一穿孔，該穿孔連通於該結合孔及該活動孔之間；<br/>一磁吸單元，安裝於該穿孔內，該磁吸單元設有一貫穿孔；及<br/>一壓動件，可延伸穿設該活動孔、該穿孔及該貫穿孔且可相對該活動孔、該穿孔及該貫穿孔活動。
如請求項1所述的接頭裝置，其中該座體不可相對轉動地設於該結合孔內；該結合孔及該座體呈相配合之多邊形。
如請求項1所述的接頭裝置，其中該座體為可彈性變形材質製成，該座體之一最大外徑尺寸大於該結合孔之一內徑尺寸，該座體之外周朝遠離該活動孔的方向漸縮，該座體可徑向彈性內縮以夾固該磁吸單元。
如請求項1所述的接頭裝置，其中該活動孔之一孔徑尺寸小於該結合孔之一孔徑尺寸，該結合孔及該活動孔之間形成一肩部，該座體軸向卡抵於該肩部。
如請求項1所述的接頭裝置，其中該壓動件包括相連接之一按壓部、一凸緣及一壓抵部，該按壓部設於該活動孔且凸出該活動孔，該凸緣自該按壓部徑向一體凸出，該主體設有一朝該活動孔內徑向凸伸之限位凸部，該凸緣可軸向卡抵該限位凸部，該壓抵部可穿設該穿孔、貫穿孔及該結合孔。
如請求項1至5其中任一項所述的接頭裝置，其中該穿孔包括一第一孔段及一第二孔段，該第一孔段之一孔徑大於該第二孔段之一孔徑，該第二孔段較該第一孔段靠近該結合孔，該磁吸單元設於該第一孔段內，該壓動件可相對移動地穿設該第二孔段。
如請求項1至5其中任一項所述的接頭裝置，其中該穿孔相對二側分別具有一第一開口及一第二開口，該磁吸單元可通過該第一開口及該第二開口且徑向迫緊該穿孔之一孔壁。
如請求項5所述的接頭裝置，其中該座體不可相對轉動地設於該結合孔內；該結合孔及該座體呈相配合之多邊形；該活動孔之一孔徑尺寸小於該結合孔之一孔徑尺寸，該結合孔及該活動孔之間形成一肩部，該座體軸向卡抵於該肩部；該穿孔包括一第一孔段及一第二孔段，該第一孔段之一孔徑大於該第二孔段之一孔徑，該第二孔段較該第一孔段靠近該結合孔，該磁吸單元設於該第一孔段內，該壓動件可相對移動地穿設該第二孔段；該座體相對二側具有一第一端部及一第二端部，該第一端部設有該第一孔段，該第二端部設有該第二孔段，該第二端部之外周具有朝遠離該第一端部的方向徑向朝內漸縮之漸縮面；該磁吸單元設有一底端面，該貫穿孔貫穿該底端面，該底端面貼抵該座體；該按壓部呈柱狀；該座體為可彈性變形材質製成，該座體之一最大外徑尺寸大於該結合孔之一內徑尺寸，該座體朝遠離該活動孔的方向漸縮，該座體可徑向彈性內縮以夾固該磁吸單元。
如請求項5所述的接頭裝置，其中該座體不可相對轉動地設於該結合孔內；該結合孔及該座體呈相配合之多邊形；該活動孔之一孔徑尺寸小於該結合孔之一孔徑尺寸，該結合孔及該活動孔之間形成一肩部，該座體軸向卡抵於該肩部；該穿孔相對二側分別具有一第一開口及一第二開口，該磁吸單元可通過該第一開口及該第二開口且徑向迫緊該穿孔之一孔壁；該磁吸單元之一端部可凸出該座體至該結合孔；該按壓部呈柱狀；該座體為可彈性變形材質製成，該座體之一最大外徑尺寸大於該結合孔之一內徑尺寸，該座體朝遠離該活動孔的方向漸縮，該座體可徑向彈性內縮以夾固該磁吸單元。
一種保護套，用於一可攜式電子裝置，該保護套包含：<br/> 一第一板部；<br/> 一第二板部；<br/> 一第一鉸鏈，該第一板部與該第二板部經由該第一鉸鏈繞著於一第一旋轉軸線樞接；<br/> 一第四板部；<br/> 一第二鉸鏈，該第二板部與該第四板部經由該第二鉸鏈繞著於一第二旋轉軸線樞接；<br/> 一第三板部；以及<br/> 一撓性連接部，該第三板部與該第四板部經由該撓性連接部連接，使得該第三板部與該第四板部可繞著於一第三旋轉軸線相對旋轉，該撓性連接部不承受扭力，該第一旋轉軸線、該第二旋轉軸線及該第三旋轉軸線相互平行；<br/> 其中，該保護套可被操作以處於一第一支撐配置；<br/> 其中，當該保護套處於該第一支撐配置時，該第一板部與該第二板部透過該第一鉸鏈保持一夾角，該第二板部與該第四板部透過該第二鉸鏈保持一夾角，該二夾角之和小於180度，該第三板部透過該撓性連接部疊置於該第四板部上，該保護套經由該第三板部支撐該可攜式電子裝置。
如請求項1所述之保護套，其中該第三板部及該第四板部分別包含一磁吸件，當該保護套處於該第一支撐配置時，該二磁吸件相對設置且相互磁吸。
如請求項2所述之保護套，其中該保護套可被操作以處於一第二支撐配置，該可攜式電子裝置包二磁吸件，當該保護套處於該第二支撐配置時，該第一板部與該第二板部透過該第一鉸鏈保持一夾角，該第二板部與該第四板部透過該第二鉸鏈保持一夾角，該第三板部及該第四板部共平面設置，該可攜式電子裝置透過該可攜式電子裝置的該二磁吸件分別與該第三板部及該第四板部的該二磁吸件相互磁吸以貼附於該第三板部及該第四板部上。
如請求項1所述之保護套，其中該保護套可被操作以處於一第三支撐配置，當該保護套處於該第三支撐配置時，該第二板部與該第四板部共平面設置，該第三板部透過該撓性連接部疊置於該第四板部上，該第四板部比該第二板部更靠近該第一板部，該保護套經由該第三板部支撐該可攜式電子裝置。
如請求項1所述之保護套，其中該保護套可被操作以處於一閉合配置，當該保護套處於該閉合配置時，該第二板部、該第三板部及該第四板部共平面設置且與該第一板部平行相對，該可攜式電子裝置容置於該第二板部、該第三板部及該第四板部與該第一板部之間。
如請求項1所述之保護套，其中該可攜式電子裝置透過磁吸固定的方式以貼附於該第三板部上。
如請求項6所述之保護套，其中該磁吸固定的方式包含一磁吸固定件及複數個磁吸定位件，該磁吸固定件設置於該第三板部及該可攜式電子裝置其中之一，該複數個磁吸定位件設置於該第三板部及該可攜式電子裝置其中之另一，該複數個磁吸定位件垂直於該第三旋轉軸線間隔排列。
如請求項1所述之保護套，其中於垂直於該第一旋轉軸線且通過該第一板部、該第二板部、該第三板部、該第四板部之一參考平面上，該第一板部的長度大於該第三板部的長度，該第三板部的長度大於該第二板部的長度，該第二板部的長度大於該第四板部的長度。
一種保護套，用於一可攜式電子裝置，該保護套包含：<br/> 一第一板部；<br/> 一第二板部；<br/> 一第一鉸鏈，該第一板部與該第二板部經由該第一鉸鏈繞著於一第一旋轉軸線樞接；<br/> 一第四板部；<br/> 一第二鉸鏈，該第二板部與該第四板部經由該第二鉸鏈繞著於一第二旋轉軸線樞接；<br/> 一第三板部；以及<br/> 一撓性連接部，該第三板部與該第四板部經由該撓性連接部連接，使得該第三板部與該第四板部可繞著於一第三旋轉軸線相對旋轉，該撓性連接部不承受扭力，該第一旋轉軸線、該第二旋轉軸線及該第三旋轉軸線相互平行；<br/> 其中，透過該第一鉸鏈及該第二鉸鏈承受扭力，該第二板部穩定支撐於該第一板部上方，該第三板部穩定支撐於該第二板部上方，使得該可攜式電子裝置固定於該第三板部上且支撐於該第一板部上方的一高度。
如請求項9所述之保護套，其中該第三板部透過該撓性連接部疊置於該第四板部上。
如請求項10所述之保護套，其中該第三板部及該第四板部分別包含一磁吸件，該二磁吸件相對設置且相互磁吸，以保持該第三板部疊置於該第四板部上。
如請求項9所述之保護套，其中該第三板部及該第四板部分別包含一磁吸件，該可攜式電子裝置包二磁吸件，該第三板部及該第四板部共平面設置，該可攜式電子裝置透過該可攜式電子裝置的該二磁吸件分別與該第三板部及該第四板部的該二磁吸件相互磁吸以貼附於該第三板部及該第四板部上。
如請求項9所述之保護套，其中該可攜式電子裝置透過磁吸固定的方式以貼附於該第三板部上。
如請求項13所述之保護套，其中該磁吸固定的方式包含一磁吸固定件及複數個磁吸定位件，該磁吸固定件設置於該第三板部及該可攜式電子裝置其中之一，該複數個磁吸定位件設置於該第三板部及該可攜式電子裝置其中之另一，該複數個磁吸定位件垂直於該第三旋轉軸線間隔排列。
如請求項9所述之保護套，其中於垂直於該第一旋轉軸線且通過該第一板部、該第二板部、該第三板部、該第四板部之一參考平面上，該第一板部的長度大於該第三板部的長度，該第三板部的長度大於該第二板部的長度，該第二板部的長度大於該第四板部的長度。
一種電子裝置組合，包含：<br/> 一可攜式電子裝置，該可攜式電子裝置具有一前側及一背側，該可攜式電子裝置於該前側具有一顯示屏；以及<br/> 如請求項1至15中任一請求項所述之保護套，該可攜式電子裝置經由該背側可卸地貼附於該第三板部。
一種變壓器，包括：<br/> 一鐵芯，包括平行的一第一磁柱及一第二磁柱；<br/> 一一次側繞組，包括至少一繞組段，每一該繞組段以一第一方向繞設於該第一磁柱，接續以一第二方向繞設於該第二磁柱，該第一方向反向於該第二方向；以及<br/> 多個二次側繞組，與該至少一繞組段交替相疊，每一該二次側繞組包括一第一套口、一第二套口及一連接部，該第一套口套設於該第一磁柱，該第二套口套設於該第二磁柱，其中相鄰的兩個該二次側繞組的該連接部分別位於該鐵芯的兩側，且分別在不同的一極性半週期輸出一電流。
如請求項1所述之變壓器，其中，每一該連接部包括呈指插形的一第一端子、一第二端子及一第三端子，該第三端子位於該第一端子與該第二端子之間，該二次側繞組的該電流經由該第三端子輸出。
如請求項2所述之變壓器，更包括：<br/> 一第一電路板，設置於該鐵芯的該兩側中的一第一側，且包括一第一整流開關及一第二整流開關，該第一整流開關連接該二次側繞組位於該第一側的該第一端子，該第二整流開關連接該二次側繞組位於該第一側的該第二端子，且該第一整流開關與該第二整流開關在一第一極性半週期導通並在一第二極性半週期斷開；以及<br/> 一第二電路板，設置於該鐵芯的該兩側中的一第二側，且包括一第三整流開關及一第四整流開關，該第三整流開關連接該二次側繞組位於該第二側的該第一端子，該第四整流開關連接該二次側繞組位於該第二側的該第二端子，且該第三整流開關與該第四整流開關在該第二極性半週期導通並在該第一極性半週期斷開。
如請求項2所述之變壓器，其中，該第一套口位於該第一端子與該第三端子之間，該第二套口位於該第二端子與該第三端子之間。
如請求項1所述之變壓器，其中，該至少一繞組段由一導線構成，每一該繞組段分別繞設於該第一磁柱與該第二磁柱的匝數分別為一匝。
如請求項1所述之變壓器，其中，該至少一繞組段由一導線構成，每一該繞組段包括一第一線圈及一第二線圈，該第一線圈與該第二線圈分別具有多匝，該第一線圈以單層同心方式繞設於該第一磁柱，該第二線圈以單層同心方式繞設於該第二磁柱。
如請求項1所述之變壓器，其中，該至少一繞組段由一導線構成，每一該繞組段包括一第一線圈及一第二線圈，該第一線圈與該第二線圈分別具有多匝，該第一線圈以多層同心方式繞設於該第一磁柱，該第二線圈以多層同心方式繞設於該第二磁柱。
如請求項6或7所述之變壓器，其中，同一該繞組段的該第一線圈及該第二線圈實質位於同一基準面。
如請求項1所述之變壓器，其中，該鐵芯更包括二側板，分別位於該鐵芯設置該連接部的另一相對側，至少一該側板具有一鏤空部。
一種電子裝置，包括：<br/> 如請求項1至9中任一項所述的該變壓器；以及<br/> 一主機板，供該變壓器設置於其上，並包括：<br/> 一第一驅動電路，耦接該鐵芯於一第一側的該連接部，並驅使該變壓器在該極性半週期之一輸出該電流；以及<br/> 一第二驅動電路，耦接該鐵芯於一第二側的該連接部，並驅使該變壓器在該極性半週期之另一輸出該電流。
一種透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之方法，係應用於一銀行伺服器，該銀行伺服器提供一客戶端連接，該方法至少包含下列步驟：<br/> 當該客戶端於一電子文件中簽署電子簽名時，接收該客戶端所傳送之一客戶識別資料及一第一電子簽名，並對該第一電子簽名進行一特徵擷取作業以取得該第一電子簽名之一第一簽名特徵；<br/> 依據該客戶識別資料讀取相對應之一簽名樣本特徵，並比對該簽名樣本特徵及該第一簽名特徵以產生一第一比對結果，並依據該第一比對結果與一比對容忍度產生一簽名驗證結果；<br/> 判斷該簽名驗證結果表示驗證失敗時，提供該客戶端進行一身分驗證作業，並接收該客戶端所傳送之與該身分驗證作業對應之一身分驗證資料；<br/> 依據該身分驗證資料判斷該客戶端通過身分驗證時，調整該比對容忍度；<br/> 接收該客戶端所傳送之一第二電子簽名，並依據該第二電子簽名產生一第二簽名特徵；及<br/> 比對該簽名樣本特徵及該第二簽名特徵以產生一第二比對結果，並依據該第二比對結果與該比對容忍度再次產生該簽名驗證結果。
如請求項1所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之方法，其中依據該第二電子簽名產生該第二簽名特徵之步驟更包含疊合該第一電子簽名與該第二電子簽名以產生一整合簽名資料，並對該整合簽名資料進行該特徵擷取作業以取得該第二簽名特徵之步驟。
如請求項1所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之方法，其中比對該簽名樣本特徵及該第一簽名特徵以產生該第一比對結果之步驟，為比對該簽名樣本特徵中之一主樣本特徵及該第一簽名特徵以產生該第一比對結果，且比對該簽名樣本特徵及該第二簽名特徵以產生一第二比對結果之步驟為比對該簽名樣本特徵中之一備用樣本特徵及該第二簽名特徵以產生該第二比對結果。
如請求項1所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之方法，其中該方法於接收該客戶端所傳送之該客戶識別資料及該第一電子簽名之步驟前，更包含接收該客戶端所傳送之該客戶識別資料及該電子簽名樣本，並對該電子簽名樣本進行該特徵擷取作業以取得該電子簽名樣本之一簽名樣本特徵，及儲存該客戶識別資料及該簽名樣本特徵之步驟。
如請求項1所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之方法，其中該方法於提供該客戶端進行該身分驗證作業前，更包含依據該簽名樣本特徵及該第一簽名特徵之相似度及/或該客戶端之裝置參數決定一風險等級，並依據該風險等級選擇對應之該身分驗證作業之步驟。
一種透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之裝置，該裝置至少包含：<br/> 一資料傳輸模組，用以於該客戶端在一電子文件中簽署電子簽名時，接收該客戶端所傳送之一客戶識別資料及一第一電子簽名；<br/> 一特徵擷取模組，用以對該第一電子簽名進行一特徵擷取作業以取得該第一電子簽名之一第一簽名特徵；<br/> 一特徵比對模組，用以依據該客戶識別資料讀取相對應之一簽名樣本特徵，並比對該簽名樣本特徵及該第一簽名特徵以產生一第一比對結果，並依據該第一比對結果與一比對容忍度產生一簽名驗證結果；<br/> 一身分驗證模組，用以判斷該簽名驗證結果表示驗證失敗時，透過該資料傳輸模組提供該客戶端進行一身分驗證作業，及用以依據該資料傳輸模組所接收之該客戶端所傳送之與該身分驗證作業對應之一身分驗證資料判斷該客戶端是否通過身分驗證；及<br/> 一門檻調整模組，用以於該身分驗證模組依據該身分驗證資料判斷該客戶端通過身分驗證時，調整該比對容忍度；<br/> 其中，該資料傳輸模組更用以於該身分驗證模組依據該身分驗證資料判斷該客戶端通過該身分驗證作業時，接收該客戶端所傳送之一第二電子簽名，該特徵擷取模組更用以依據該第二電子簽名產生一第二簽名特徵，該特徵比對模組更用以比對該簽名樣本特徵及該第二簽名特徵以產生一第二比對結果，並依據該第二比對結果與該比對容忍度再次產生該簽名驗證結果。
如請求項6所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之裝置，其中該裝置更包含一簽名疊合模組，用以疊合該第一電子簽名與該第二電子簽名以產生一整合簽名資料，該特徵擷取模組更用以對該整合簽名資料進行該特徵擷取作業以產生該第二簽名特徵。
如請求項6所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之裝置，其中該特徵比對模組是比對該簽名樣本特徵中之一主樣本特徵及該第一簽名特徵以產生該第一比對結果，及比對該簽名樣本特徵中之一備用樣本特徵及該第二簽名特徵以產生該第二比對結果。
如請求項6所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之裝置，其中該裝置更包含一特徵註冊模組，用以於該資料傳輸模組接收該客戶端所傳送之該客戶識別資料及該電子簽名樣本，且該特徵擷取模組對該電子簽名樣本進行該特徵擷取作業以取得該電子簽名樣本之一簽名樣本特徵後，記錄該客戶識別資料及該簽名樣本特徵。
如請求項6所述之透過身分驗證調整電子簽名驗證容忍度之裝置，其中該身分驗證模組更用以依據該簽名樣本特徵及該第一簽名特徵之相似度及/或該客戶端之裝置參數決定一風險等級，並依據該風險等級選擇對應之該身分驗證作業。
一種護膜，包括至少一條邊長超過1000 mm的護膜框、及黏接於其一個框狀面的護膜膜片而構成，且所述護膜的特徵在於， <br/>所述護膜框為具有長邊及短邊的長方形狀， <br/>所述護膜膜片在長軸方向賦予有拉伸應變， <br/>所述拉伸應變為將護膜貼附於石英基板後，搭載於包含直動導件及滑塊的運動機構上，在速度1300 mm/s、加速度2940 mm/s²及減速度2940 mm/s²的條件下沿水準方向移動時，利用鐳射測距感測器測量的移動中的膜搖晃量為5 mm以下的拉伸應變。
如請求項1所述的護膜，其中，所述拉伸應變小於所述護膜膜片的降伏點。
如請求項1所述的護膜，其中，所述膜搖晃量為4 mm以下。
如請求項1所述的護膜，其中，所述至少一條邊長超過1500 mm。
如請求項1所述的護膜，其中，所述長邊的邊長及所述短邊的邊長超過1000 mm。
如請求項4所述的護膜，其中，所述長邊的邊長及所述短邊的邊長超過1500 mm。
如請求項1所述的護膜，其中， <br/> 所述護膜膜片在短軸方向賦予有拉伸應變， <br/> 在所述短軸方向賦予的拉伸應變小於在所述長軸方向賦予的拉伸應變。
如請求項1所述的護膜，其中，所述護膜膜片的材質為纖維素系樹脂或非晶質氟系樹脂。
一種帶護膜的光掩模，將如請求項1至請求項8中任一項所述的護膜安裝於光掩模而成。
一種曝光方法，其特徵在於， <br/>使用如請求項1至請求項8中任一項所述的護膜進行曝光。
一種平板顯示器用屏的製造方法，包括下述步驟： <br/>使用如請求項1至請求項8中任一項所述的護膜進行曝光。
一種電容式微機電超音波換能器電路，包含：<br/> 一電容式微機電超音波換能器，包含：<br/> 一基材；<br/> 一第一金屬層，設置於該基材上；<br/> 一震盪材料層，設置於該第一金屬層上，其中該震盪材料層具有一空腔；<br/> 一第二金屬層，設置於該震盪材料層上；<br/> 一第一保護層，設置於該第二金屬層上；以及<br/> 一第三金屬層，設置於該第一保護層上；以及<br/> 一電源電路，具有一輸出端和一接地端，電性連接至該電容式微機電超音波換能器，且包含：<br/> 一直流電源，電性連接至該電源電路之該輸出端，以透過該輸出端來輸出一直流電源訊號；以及<br/> 一交流電源，電性連接至該電源電路之該輸出端，以透過該輸出端來輸出一交流電源訊號；<br/> 其中，該電源電路之該輸出端係電性連接至該電容式微機電超音波換能器之該第二金屬層和該第三金屬層，以施加該直流電源訊號和該交流電源訊號至該第二金屬層和該第三金屬層，該第二金屬層和該第三金屬層為電性並聯。
如請求項1所述之電容式微機電超音波換能器電路，其中該電源電路更包含：<br/> 一電阻，具有一第一端和一第二端，其中該電阻之該第一端電性連接至該直流電源，該電阻之該第二端電性連接至該電源電路之該輸出端；以及<br/> 一電容，具有一第一端和一第二端，其中該電容之該第一端電性連接至電阻之該第二端，該電容之該第二端電性連接該交流電源。
如請求項2所述之電容式微機電超音波換能器電路，其中<br/> 該直流電源之一第一端電性連接至該電阻，該直流電源之一第二端電性連接至該電源電路之該接地端；<br/> 該交流電源之一第一端電性連接至該電容，該交流電源之一第二端電性連接至該電源電路之該接地端。
如請求項1所述之電容式微機電超音波換能器電路，其中該電源電路之該接地端電性連接至該第一金屬層，以施加一接地參考訊號至該第一金屬層。
如請求項1所述之電容式微機電超音波換能器電路，其中該第一金屬層位於該空腔之一側，該第二金屬層和該第三金屬層位於該空腔之另一側，且與該第一金屬層相對。
如請求項1所述之電容式微機電超音波換能器電路，其中該空腔內部為真空。
一種電容式微機電超音波換能器驅動方法，包含：<br/> 提供一電容式微機電超音波換能器，該電容式微機電超音波換能器包含：<br/> 一基材；<br/> 一第一金屬層，設置於該基材上；<br/> 一震盪材料層，設置於該第一金屬層上，其中該震盪材料層具有一空腔；<br/> 一第二金屬層，設置於該震盪材料層上；<br/> 一第一保護層，設置於該第二金屬層上；以及<br/> 一第三金屬層，設置於該第一保護層上；以及<br/> 同時施加一直流電源訊號和一交流電源訊號至該第二金屬層和該第三金屬層。
如請求項7所述之電容式微機電超音波換能器驅動方法，更包含：<br/> 施加一接地參考訊號至該第一金屬層。
如請求項7所述之電容式微機電超音波換能器驅動方法，其中該第一金屬層位於該空腔之一側，該第二金屬層和該第三金屬層位於該空腔之另一側，且與該第一金屬層相對。
如請求項7所述之電容式微機電超音波換能器驅動方法，其中該空腔內部為真空。
一種應用於修復關節之導引裝置，其係將一線材及一第一固定件穿設一骨頭之一第一貫穿孔，該線材係圈設該第一固定件及一第二固定件，該導引裝置係包含：<br/> 一第一桿件，其係包含：<br/> 一第一桿件本體；<br/> 一第一延伸件，其延伸設置於該第一桿件本體之一側；<br/> 一第二延伸件，其鏡像該第一延伸件並延伸設置於該第一桿件本體之該側；及<br/> 一第二貫穿孔，其設置於該第一桿件本體之一內部；<br/> 一限位件，其抵接於該第一桿件本體之一另一側，該限位件係包含：<br/> 一限位件本體，其一側抵接於該第一桿件本體之該另一側；及<br/> 一凹槽，其切設於該限位件本體之一外表面，並對應該第二貫穿孔設置；及<br/> 一第二桿件，其抵接於該限位件之一另一側，該第二桿件係包含：<br/> 一第二桿件本體，其一側抵接於該限位件本體之該另一側；及<br/> 一第三延伸件，其延伸設置於該第二桿件本體之該側，該第三延伸件經由該凹槽之一內部穿設該第二貫穿孔；<br/> 其中，該線材之兩端固設於該第一桿件本體，該第一延伸件及該第二延伸件之間具有一第一容置空間，其係對應於該第二貫穿孔設置，該第一固定件設置於該第一容置空間，該第一桿件本體之一上方具有一第二容置空間，該第二固定件設置於該第二容置空間，該第三延伸件具有一第一長度，該第二貫穿孔具有一第二長度，該第一長度大於該第二長度，當該限位件向下做動時，該第二桿件之該第三延伸件透過該凹槽分離該限位件本體，該第一桿件及該第二桿件之間形成一移動空間，該第二桿件本體藉由該移動空間抵接於該第一桿件本體之該另一側，使該第三延伸件於該第二貫穿孔之一內部移動並將該第一固定件推離該第一容置空間，該導引裝置沿一方向移動使該第一固定件對應該第一貫穿孔貼合至該骨頭之一側且該第二固定件對應該第一貫穿孔貼合至該骨頭之一另一側。
如請求項1所述之導引裝置，其中該第一桿件更包含：<br/> 複數個凸出件，其設置於該第一桿件本體之一外表面，該些個凸出件係固接該線材之兩端。
如請求項1所述之導引裝置，其中該第三延伸件將該第一固定件推離該第一容置空間之同時，該線材產生一拉力使該第一固定件逆時針旋轉。
如請求項1所述之導引裝置，其中該限位件更包含：<br/> 一第一卡榫，其設置於該限位件本體之該側之一下緣；及<br/> 一第二卡榫，其設置於該限位件本體之該另一側之一下緣。
如請求項4所述之導引裝置，其中該第一桿件更包含一第一連接槽，其設置於該第一桿件本體之該另一側之一下緣，該第一連接槽係對應該限位件之該第一卡榫設置。
如請求項4所述之導引裝置，其中該第二桿件更包含一第二連接槽，其設置於該第二桿件本體之該側之一下緣，該第二連接槽係對應該限位件之該第二卡榫設置。
如請求項1所述之導引裝置，其中該第一固定件係長方形或狗骨形，且該第一固定件具有複數個第一開口，該線材透過該些個第一開口圈設該第一固定件。
如請求項1所述之導引裝置，其中該第二固定件具有複數個第二開口，該線材透過該些個第二開口圈設該第二固定件。
一種彈射型撞球桿，包含： <br/>一桿件，具有一桿體、一皮頭與一卡扣塊，該皮頭係設置於該桿體一端，該卡扣塊係形成於該桿體的外側； <br/>一套件，具有一容置空間、一滑槽與一卡扣部，該容置空間係形成於該套件內其對應該套件的一端部具有一開口，而該桿體係以相對於該皮頭的一端通過該開口插入該容置空間內，該滑槽係沿該套件的軸向形成於其外側，並與該容置空間及該開口相通，該卡扣部係設置於該滑槽的一側，該卡扣塊係可定位於該卡扣部；以及 <br/>一彈性件，其兩端係分別固設於該桿體相對於該皮頭的一端以及該容置空間底部，該彈性件用於施加推力驅使該桿體朝該容置空間外位移。
如請求項1之彈射型撞球桿，其中該卡扣部具有至少一個卡扣位置可供該卡扣塊定位，該等卡扣位置係依序凹設於該滑槽的一側。
如請求項2之彈射型撞球桿，其中該等卡扣位置均設有一凸部，且使得該等卡扣位置內均形成一相對應的凹部。
如請求項3之彈射型撞球桿，其中該等凸部係分別位於該等卡扣位置與該滑槽之間，並靠近於該開口的位置。
一種非監督式異常偵測方法，由一電子裝置執行，該非監督式異常偵測方法包含： 取得多個視角分別對應的多個輸入影像，其中該些視角包含一原始視角、一橫向視角、一縱向視角、一距離視角； <br/> 根據該些輸入影像產生多個特徵圖，其中根據該些輸入影像產生該些特徵圖的步驟包括： <br/> 將該些輸入影像的每一者輸入至一編碼器以取得多個階段分別對應的多個階段特徵圖，其中該些階段分別對應至不同的多個尺度；以及 <br/> 對於該些階段的每一者，取得該些視角分別對應的該些階段特徵圖，並相接取得的該些階段特徵圖以得到該些特徵圖的其中之一； <br/> 對於該些特徵圖的每一者，計算一可能性，其中對於該些特徵圖的每一者計算該可能性的步驟包括： <br/> 對該些特徵圖的每一者執行一正規化流程序，其中該正規化流程序包含一或多個仿射耦合層(affine coupling layer)以得到一轉換後資料以及一雅可比行列式(Jacobi determinant)對數；以及 <br/> 將該轉換後資料在一機率分布下的機率減去該雅可比行列式對數以得到該可能性； <br/> 關於一熱圖中的多個像素的每一者，根據該些特徵圖的該些可能性計算對應的該像素的一像素分數； <br/> 根據該些像素分數的至少一部份計算一影像分數；以及 <br/> 輸出該熱圖以及該影像分數。
如請求項1所述的非監督式異常偵測方法，還包括： <br/> 在一訓練階段，設定一損失包含該轉換後資料在該機率分布下的該機率和該雅可比行列式對數之間的一差。
如請求項1所述的非監督式異常偵測方法，其中該機率分布為一高斯分布。
如請求項1所述的非監督式異常偵測方法，其中根據該些像素的該些像素分數的該至少一部份計算該影像分數的步驟包括： <br/> 從該些像素分數中取得最高的K個像素分數； <br/> 計算該K個像素分數的一平均以作為該影像分數。
如請求項1所述的非監督式異常偵測方法，其中在一訓練階段中該些輸入影像都屬於一正常類別。
如請求項1所述的非監督式異常偵測方法，還包括： <br/> 比較該影像分數和一影像臨界值以判斷該些輸入影像對應的一物件是否異常；以及 <br/> 比較該些像素分數的每一者和一像素臨界值以決定該熱圖中的一異常區域。
一種電子裝置，包含： <br/> 一記憶體，用以儲存多個指令：以及 <br/> 一處理器，電性連接至該記憶體，用以執行該些指令以完成多個步驟： <br/> 取得多個視角分別對應的多個輸入影像，其中該些視角包含一原始視角、一橫向視角、一縱向視角、一距離視角； <br/> 根據該些輸入影像產生多個特徵圖，其中根據該些輸入影像產生該些特徵圖的步驟包括： <br/> 將該些輸入影像的每一者輸入至一編碼器以取得多個階段分別對應的多個階段特徵圖，其中該些階段分別對應至不同的多個尺度；以及 <br/> 對於該些階段的每一者，取得該些視角分別對應的該些階段特徵圖，並相接取得的該些階段特徵圖以得到該些特徵圖的其中之一； <br/>對於該些特徵圖的每一者，計算一可能性，其中對於該些特徵圖的每一者計算該可能性的步驟包括： <br/> 對該些特徵圖的每一者執行一正規化流程序，其中該正規化流程序包含一或多個仿射耦合層(affine coupling layer)以得到一轉換後資料以及一雅可比行列式(Jacobi determinant)對數；以及 <br/> 將該轉換後資料在一機率分布下的機率減去該雅可比行列式對數以得到該可能性； <br/>關於一熱圖中的多個像素的每一者，根據該些特徵圖的該些可能性計算對應的該像素的一像素分數； <br/> 根據該些像素分數的至少一部份計算一影像分數；以及 <br/> 輸出該熱圖以及該影像分數。
如請求項7所述的電子裝置，其中該些步驟還包括： <br/> 在一訓練階段，設定一損失包含該轉換後資料在該機率分布下的該機率和該雅可比行列式對數之間的一差。
如請求項7所述的電子裝置，其中該機率分布為一高斯分布。
如請求項7所述的電子裝置，其中根據該些像素的該些像素分數的該至少一部份計算該影像分數的步驟包括： <br/> 從該些像素分數中取得最高的K個像素分數； <br/> 計算該K個像素分數的一平均以作為該影像分數。
如請求項7所述的電子裝置，其中在一訓練階段中該些輸入影像都屬於一正常類別。
如請求項7所述的電子裝置，其中該些步驟還包括： <br/> 比較該影像分數和一影像臨界值以判斷該些輸入影像對應的一物件是否異常；以及 <br/> 比較該些像素分數的每一者和一像素臨界值以決定該熱圖中的一異常區域。
一種使用在先譜係數以算術解碼現時譜係數之方法，所述在先譜係數係業已解碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，所述方法包括： <br/> -處理所述在先譜係數，其中所述處理所述在先譜係數包含非均勻量化所述在先譜係數的絕對值； <br/> -使用所述處理過的在先譜係數，從至少二彼此不同的上下文種類，確定一上下文種類，其中所述在先譜係數的所述非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定所述上下文種類； <br/> -使用所述確定的上下文種類以及從所述至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數之一； <br/> -根據所述確定的機率密度函數，算術解碼所述現時譜係數； <br/> -接收模態交換訊號和重設訊號的至少之一；及 <br/> -使用所述至少之一接收訊號，以控制確定所述上下文種類之步驟； <br/> 其中所述映射係根據查索表或分類表加以確定。
一種使用在先譜係數以算術編碼現時譜係數之方法，所述在先譜係數係業已編碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，該方法包括： <br/> -處理所述在先譜係數，其中所述處理所述在先譜係數包括非均勻量化所述在先譜係數之絕對值； <br/> -使用所述處理過的在先譜係數，從至少二彼此不同上下文種類，確定一上下文種類，其中所述在先譜係數的非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定該上下文種類； <br/> -使用所述確定的上下文種類以及從至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數之一； <br/> -根據所述確定的機率密度函數，算術編碼所述現時譜係數； <br/> -插入模態交換訊號和重設訊號的至少之一至位元流；及 <br/> -使用所述至少之一插入訊號，以控制確定該上下文種類之步驟； <br/>其中所述映射係根據查索表或分類表加以確定。
一種使用在先譜係數以算術解碼現時譜係數之裝置，所述在先譜係數係業已解碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，該裝置包括： <br/> -處理機構，用以處理所述在先譜係數，其中所述處理機構係適於非均勻量化所述在先譜係數之絕對值； <br/> -第一機構，從至少二彼此不同的上下文種類確定一上下文種類，該第一機構係適於使用所述處理過的在先譜係數，以確定該上下文種類，其中所述在先譜係數的非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定該上下文種類； <br/> -第二機構，用以確定機率密度函數，該第二機構係適於使用所述確定的上下文種類以及從至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數； <br/> -算術解碼器，用以根據所述確定的機率密度函數，算術解碼該現時譜係數， <br/> 其中該第一機構適於接收模態交換訊號和重設訊號的至少之一，及其中該第一機構適於使用所述至少一接收訊號，以控制確定該上下文種類之步驟；及 <br/>其中該第二機構被組態以根據查索表或分類表確定該映射。
一種使用在先譜係數以算術編碼現時譜係數之裝置，該在先譜係數係業已編碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，該裝置包括： <br/> -處理機構，用以處理所述在先譜係數，其中所述處理機構係適於非均勻量化所述在先譜係數之絕對值； <br/> -第一機構，用以從至少二彼此不同上下文種類確定一上下文種類，所述第一機構係適於使用所述處理過的在先譜係數，以確定所述上下文種類，其中所述在先譜係數的非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定所述上下文種類； <br/> -第二機構，用以確定機率密度函數，該第二機構係適於使用所述確定的上下文種類和從至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數； <br/> -算術編碼器，用以根據所述確定的機率密度函數，算術編碼所述現時譜係數； <br/> 其中所述第一機構適於插入模態交換訊號和重設訊號的至少之一至位元流，及其中所述第一機構適於使用所述至少之一插入訊號，以控制確定該上下文種類之步驟； <br/>其中所述第二機構進一步被組態以根據查索表或分類表確定該映射。
一種電腦可讀非暫態儲存媒體，帶有算術編碼之譜係數，其中現時譜係數是使用在先譜係數加以編碼，所述在先譜係數係業已編碼，所述在先譜係數和所述現時譜係數二者係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多量化譜內，其中所述在先譜係數經處理，其中所述在先譜係數經處理包括非均勻量化所述在先譜係數之絕對值； <br/> 所述處理過的在先譜係數被用來確定一上下文種類係至少二彼此不同上下文種類之一，其中所述在先譜係數的非均勻量化絕對值之總和係被使用於確定該上下文種類，及所述確定的上下文種類以及從至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射係被用來確定該機率密度函數； <br/> 其中所述現時譜係數是根據所述確定的機率密度函數加以算術編碼； <br/> 其中呈現模態交換訊號和重設訊號的至少之一，以控制該上下文種類之確定；及 <br/>其中所述映射係根據查索表或分類表加以確定。
一種使用在先譜係數以算術編碼現時譜係數之方法，所述在先譜係數係業已解碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，所述方法包括： <br/> -處理所述在先譜係數，其中所述處理所述在先譜係數包含非均勻量化所述在先譜係數的絕對值； <br/> -使用所述處理過的在先譜係數，從至少二彼此不同的上下文種類，確定一上下文種類，其中所述在先譜係數的所述非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定所述上下文種類； <br/> -使用所述確定的上下文種類以及從所述至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數之一； <br/> -根據所述確定的機率密度函數，算術編碼所述現時譜係數； <br/> -插入模態交換訊號和重設訊號的至少之一至位元流； <br/> -使用所述至少之一插入訊號，以控制確定所述上下文種類之步驟。
一種使用在先譜係數以算術編碼現時譜係數之方法，所述在先譜係數係業已編碼，其中所述在先譜係數和所述現時譜係數係包括在從量化視訊、聲訊或語音訊號樣本值的時間-頻率轉換所得的一或更多已量化譜內，該方法包括： <br/> -處理所述在先譜係數，其中所述處理所述在先譜係數包括非均勻量化所述在先譜係數之絕對值； <br/> -使用所述處理過的在先譜係數，從至少二彼此不同上下文種類，確定一上下文種類，其中所述在先譜係數的非均勻量化絕對值之總和係被使用以確定該上下文種類； <br/> -使用所述確定的上下文種類以及從至少二彼此不同的上下文種類到至少二彼此不同的機率密度函數的映射，以確定所述機率密度函數之一； <br/> -根據所述確定的機率密度函數，算術編碼所述現時譜係數； <br/> 其中所述非均勻量化所述在先譜係數的所述絕對值包含: <br/>-第一量化，其中所述在先譜係數的所述絕對值係依據第一量化計劃加以量化； <br/>-確定依據所述第一量化計劃量化的所述在先譜係數的所述絕對值的變方； <br/>-使用所確定的變方，選擇至少二彼此不同非線性第二量化計劃之一； <br/>-第二量化，其中所述依據所述第一量化計劃量化的所述在先譜係數的所述絕對值被進一步依據所述選擇的非線性第二量化計劃加以量化； <br/>該方法更包含： <br/>-插入模態交換訊號和重設訊號的至少之一至位元流；及 <br/> -使用所述至少之一插入訊號，以控制確定該上下文種類之步驟。
一種使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設系統，該系統包含： 一外行自動櫃員機（Automated Teller Machine，ATM），插入一發卡行晶片金融卡且通過驗證後，選擇一申請或重設網路銀行功能以自所述發卡行晶片金融卡讀取與提供一持卡人基本資料以及接收一身分證號資料，當接收到一驗證通過響應時，基於所述身分證號資料以及一服務明細欄位資訊以安全雜湊演算法技術生成與提供一身分核驗碼，再將所述身分核驗碼生成具有一有效期限的一服務二維條碼，退出所述發卡行晶片金融卡且列印包含所述服務二維條碼的一服務明細； 一跨行金融帳戶資訊核驗伺服器，自所述外行自動櫃員機取得所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料，提供所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料，當接收到所述驗證通過響應時，提供所述驗證通過響應至所述外行自動櫃員機，自所述外行自動櫃員機接收與所述身分證號資料對應的所述身分核驗碼，接收一身分驗證資訊，當所述身分驗證資訊與所述身分核驗碼比對相符時，生成與提供一身分驗證通過響應； 一發卡行驗證伺服器，自所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器接收所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料，當所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料驗證通過且判斷出執行一申請網路銀行服務或是一重設網路銀行服務時，生成與提供所述驗證通過響應至所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器以及生成與提供一申請或重設網路銀行通知，提供一一次性密碼驗證以及提供所述申請網路銀行服務或是所述重設網路銀行服務；及 一智慧型裝置，自所述發卡行驗證伺服器取得與顯示所述申請或重設網路銀行通知，執行一發卡行行動應用程式，所述發卡行行動應用程式更包含執行下列步驟： 對所述服務明細的所述服務二維條碼進行解碼； 當所述服務二維條碼的所述有效期限未過期時解碼出所述身分驗證資訊； 提供所述身分驗證資訊至所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器； 自所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器接收所述身分驗證通過響應時，觸發一次性密碼驗證；及 當透過所述發卡行驗證伺服器完成所述一次性密碼驗證後，再透過所述發卡行驗證伺服器進行所述申請網路銀行服務或是所述重設網路銀行服務。
如請求項1所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設系統，其中所述外行自動櫃員機包含前端操作裝置以及後端伺服裝置，所述前端操作裝置提供使用者操作使用，所述後端伺服裝置實現晶片金融卡密碼驗證、與所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器實現安全資料交換、生成所述身分核驗碼、生成具有所述有效期限的所述服務二維條碼、將所述服務二維條碼整合與生成所述服務明細。
如請求項1所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設系統，其中所述服務明細欄位資訊包含交易類別、交易日期時間、交易機號、交易序號、交易帳號以及交易結果。
如請求項1所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設系統，其中所述外行自動櫃員機將所述身分核驗碼生成具有所述有效期限的所述服務二維條碼是對所述服務二維條碼中的資訊欄位expires_at進行設定。
如請求項1所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設系統，其中所述安全雜湊演算法技術包含SHA-224、SHA-256、SHA-384、SHA3-224、SHA3-256以及SHA3-384，所述身分核驗碼以十六進制的字串呈現。
一種使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設方法，其包含下列步驟： 一外行自動櫃員機（Automated Teller Machine，ATM）插入一發卡行晶片金融卡且通過驗證後，選擇一申請或重設網路銀行功能以自所述發卡行晶片金融卡讀取與提供一持卡人基本資料以及接收一身分證號資料至一跨行金融帳戶資訊核驗伺服器； 所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器再提供所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料至一發卡行驗證伺服器； 當所述持卡人基本資料以及所述身分證號資料通過所述發卡行驗證伺服器的驗證且判斷出執行一申請網路銀行服務或是一重設網路銀行服務時，生成與提供一驗證通過響應至所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器，以及生成與提供一申請或重設網路銀行通知至一智慧型裝置； 當所述外行自動櫃員機自所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器接收到所述驗證通過響應時，基於所述身分證號資料以及一服務明細欄位資訊以安全雜湊演算法技術生成一身分核驗碼； 所述外行自動櫃員機再將所述身分核驗碼生成具有一有效期限的一服務二維條碼，退出所述發卡行晶片金融卡且列印包含所述服務二維條碼的一服務明細； 所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器自所述外行自動櫃員機接收與所述身分證號資料對應的所述身分核驗碼； 所述智慧型裝置自所述發卡行驗證伺服器取得與顯示所述申請或重設網路銀行通知時，執行一發卡行行動應用程式； 所述發卡行行動應用程式對所述服務明細的所述服務二維條碼進行解碼； 當所述服務二維條碼的所述有效期限未過期時，所述發卡行行動應用程式解碼出一身分驗證資訊並提供至所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器； 當所述身分驗證資訊與所述身分核驗碼比對相符時，所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器生成一身分驗證通過響應； 當所述發卡行行動應用程式自所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器接收所述身分驗證通過響應時，觸發一次性密碼驗證；及 當所述發卡行行動應用程式透過所述發卡行驗證伺服器完成所述一次性密碼驗證後，所述發卡行行動應用程式再透過所述發卡行驗證伺服器進行所述申請網路銀行服務或是所述重設網路銀行服務。
如請求項6所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設方法，其中所述外行自動櫃員機包含前端操作裝置以及後端伺服裝置，所述前端操作裝置提供使用者操作使用，所述後端伺服裝置實現晶片金融卡密碼驗證、與所述跨行金融帳戶資訊核驗伺服器實現安全資料交換、生成所述身分核驗碼、生成具有所述有效期限的所述服務二維條碼、將所述服務二維條碼整合與生成所述服務明細。
如請求項6所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設方法，其中所述服務明細欄位資訊包含交易類別、交易日期時間、交易機號、交易序號、交易帳號以及交易結果。
如請求項6所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設方法，其中所述外行自動櫃員機將所述身分核驗碼生成具有所述有效期限的所述服務二維條碼是對所述服務二維條碼中的資訊欄位expires_at進行設定。
如請求項6所述的使用外行自動櫃員機進行跨行網路銀行申請或資料重設方法，其中所述安全雜湊演算法技術包含SHA-224、SHA-256、SHA-384、SHA3-224、SHA3-256以及SHA3-384，所述身分核驗碼以十六進制的字串呈現。
一種滑軌總成，包含：一第一軌安排有一擋部；一第二軌可相對該第一軌位移；一第一阻擋機構與一第二阻擋機構安排在該第二軌；以及一操作件可操作地連接該第一阻擋機構與該第二阻擋機構；其中，當該第二軌相對該第一軌從一收合位置往一開啟方向位移至一第一延伸位置的過程中，該第一阻擋機構未與該第一軌的擋部形成一第一阻擋關係，而當該第二軌位移至該第一延伸位置時，該第二阻擋機構與該第一軌的擋部形成一第二阻擋關係；其中，透過該操作件用以解除該第二阻擋機構與該第一軌之擋部之間的該第二阻擋關係；其中，當該第二軌相對該第一軌從該第一延伸位置往一收合方向位移的過程中，該第一阻擋機構與該第一軌的擋部形成該第一阻擋關係，使該第二軌處於一第二延伸位置；其中，透過該操作件用以解除該第一阻擋機構與該第一軌之擋部之間的該第一阻擋關係，進而允許該第二軌從該第二延伸位置往該收合方向位移；其中，該擋部具有一長度；該第二軌具有一前端部與一後端部，且該第二軌安排有一第一彈性件與一第二彈性件；該第一阻擋機構包含一第一構件與一第二構件；其中，該第一構件相較於該第二構件是安排靠近於該第二軌的前端部，該第一彈性件用以提供彈力至該第一構件，且該第一構件能相對第二軌處於一第一位置與一第二位置之一，該第一構件回應該第一彈性件的彈力能保持在該第一位置，在該第一位置時，該第一構件與該第二構件之間定義一第一空間，該第一空間小於該擋部的長度；該第二彈性件用以提供彈力至該第二構件；其中，該第一構件與該第二構件分別透過一第一軸與一第二軸可轉動地安裝在該第二軌；其中，該第一構件與該第二軌的其中之一設置有一安裝特徵，該安裝特徵為一橢圓孔，且該第一軸穿設至該安裝特徵的一部分；其中，該擋部具有一第一端與一第二端；該第一構件包含一第一導引特徵；該第一構件與該第二構件分別具有一第一連動部與一第二連動部；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該開啟方向位移至該第一延伸位置的過程中，該第一構件透過該第一導引特徵與該擋部之第二端的相互接觸能產生作用力，使該第一構件偏擺一角度而離開一阻擋狀態，且該第一構件透過該第一連動部接觸該第二連動部而用以帶動該第二構件對應地離開一阻擋狀態，據此，使該第一構件與該第二構件能往該開啟方向越過該擋部的第二端而到達該擋部的第一端，令該第一阻擋機構未與該第一軌的擋部形成該第一阻擋關係。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第一導引特徵為一斜面或一弧面。
如請求項1所述之滑軌總成，其中，該第二阻擋機構包含一第三構件，該第三構件是相對該第二軌樞接。
如請求項3所述之滑軌總成，其中，該第二軌更安排有一第三彈性件用以提供彈力至該第三構件。
如請求項4所述之滑軌總成，其中，該第三構件包含一導引結構；當該第一阻擋機構未與該第一軌的擋部形成該第一阻擋關係，且該第二軌繼續往該開啟方向位移至該第一延伸位置的過程中，該第三構件透過該導引結構能往該開啟方向越過該擋部的第二端而到達該擋部的第一端。
如請求項5所述之滑軌總成，其中，該導引結構為一斜面或一弧面。
如請求項5所述之滑軌總成，其中，當該第二軌位移至該第一延伸位置時，該第二阻擋機構的第三構件位於該擋部的第一端且處於一阻擋狀態，使該第三構件與該第一軌之擋部的第一端形成該第二阻擋關係。
如請求項7所述之滑軌總成，其中，透過該操作件可操作地將該第二阻擋機構的第三構件從該阻擋狀態轉換至一無阻擋狀態，用以允許該第二軌能相對該第一軌從該第一延伸位置往該收合方向位移。
如請求項8所述之滑軌總成，其中，當該第二軌相對該第一軌從該第一延伸位置往該收合方向位移至該第二延伸位置的過程中，該第一阻擋機構的第二構件會接觸且抵於該第一軌之擋部的第一端，且該第二構件越過該第一軌的擋部的第一端後隨即透過該第二彈性件之彈力而回復至該阻擋狀態；而該第一阻擋機構的第一構件處於該阻擋狀態會接觸且抵於該第一軌之擋部的第一端，且回應該第二軌相對該第一軌進一步往該收合方向位移，該第一構件相對該第二軌自該第一位置位移至該第二位置，使該第一彈性件回應該第一構件之位移而蓄積一彈力，令該第一空間轉換成較大的一第一阻擋空間，且透過該第一阻擋機構的第一構件與第二構件分別位於相鄰或抵於該第一軌之擋部的第一端與第二端，而形成雙向阻擋定位，使該第二軌相對該第一軌形成該第一阻擋關係而能保持在該第二延伸位置。
如請求項9所述之滑軌總成，其中，透過該操作件可操作地將該第一阻擋機構的第一構件與該第二構件從該阻擋狀態轉換至一無阻擋狀態，用以允許該第二軌能相對該第一軌從該第二延伸位置往該收合方向位移至該收合位置。
一種滑軌總成，包含：一第一軌安排有一擋部；一第二軌可相對該第一軌位移；一第一阻擋機構與一第二阻擋機構安排在該第二軌；以及一操作件活動地安裝在該第二軌；其中，當該第二軌相對該第一軌從一收合位置往一開啟方向位移至一第一延伸位置的過程中，該第一阻擋機構未與該第一軌的擋部形成一第一阻擋關係，而當該第二軌繼續位移至該第一延伸位置時，該第二阻擋機構與該第一軌的擋部形成一第二阻擋關係；其中，透過該操作件用以解除該第二阻擋機構與該第一軌之擋部之間的該第二阻擋關係；其中，當該第二軌相對該第一軌從該第一延伸位置往一收合方向位移的過程中，該第一阻擋機構與該第一軌的擋部形成該第一阻擋關係，使該第二軌處於一第二延伸位置；其中，透過該操作件用以解除該第一阻擋機構與該第一軌之擋部之間的該第一阻擋關係；其中，該擋部具有一長度；該第二軌具有一前端部與一後端部，且該第二軌安排有一第一彈性件與一第二彈性件；該第一阻擋機構包含一第一構件與一第二構件；其中，該第一構件相較於該第二構件是安排靠近於該第二軌的前端部，該第一彈性件用以提供彈力至該第一構件，且該第一構件能相對第二軌處於一第一位置與一第二位置之一，該第一構件回應該第一彈性件的彈力能保持在該第一位置，在該第一位置時，該第一構件與該第二構件之間定義一第一空間，該第一空間小於該擋部的長度；該第二彈性件用以提供彈力至該第二構件；其中，該第一構件與該第二構件分別透過一第一軸與一第二軸可轉動地安裝在該第二軌；其中，該第一構件與該第二軌的其中之一設置有一安裝特徵，該安裝特徵為一橢圓孔，且該第一軸穿設至該安裝特徵的一部分；其中，該擋部具有一第一端與一第二端；該第一構件包含一第一導引特徵；該第一構件與該第二構件分別具有一第一連動部與一第二連動部；當該第二軌相對該第一軌從該收合位置往該開啟方向位移至該第一延伸位置的過程中，該第一構件透過該第一導引特徵與該擋部之第二端的相互接觸能產生作用力，使該第一構件偏擺一角度而離開一阻擋狀態，且該第一構件透過該第一連動部接觸該第二連動部而用以帶動該第二構件對應地離開一阻擋狀態，據此，使該第一構件與該第二構件能往該開啟方向越過該擋部的第二端而到達該擋部的第一端，令該第一阻擋機構未與該第一軌的擋部形成該第一阻擋關係。
一種T型植物插種器，包含：<br/> 一握持部，係沿一第一方向延伸，並沿垂直於該第一方向之一第二方向開設有一播種孔；以及<br/> 一插土部，包含：<br/> 一插土部本體，係自該握持部沿該第二方向一體成型地延伸所形成，且該播種孔更沿該第二方向貫通該插土部本體，且該插土部本體具有複數個刻度與一V型輪廓，該些刻度係沿該第二方向排列設置，該V型輪廓係用以抵接於一V型植物插種器之一V型內緣；以及<br/> 二凸出結構，係自該插土部本體之兩側向外凸伸出。
如請求項1所述之T型植物插種器，其中，該握持部係自一第一端沿該第一方向延伸至一第二端，該播種孔係開設於該第一端與該第二端之間。
一種無扇葉風扇，包含：<br/> 一風罩，包含：<br/> 一第一容置空間，係形成於該風罩之內部；<br/> 一第一開口，係形成於該風罩之一端，並與該第一容置空間相連通；以及<br/> 一第二開口，係形成於該風罩之另一端，並與該第一容置空間相連通；<br/> 至少一送風模組，包含：<br/> 一第一熱電晶片，其兩側分別包含一第一熱端與一第一冷端，其中：該第一熱端係設置於該風罩靠近該第一開口之位置，並與該第一容置空間接觸，以對該第一容置空間中靠近該第一開口位置之空氣進行加熱，並形成一高壓區域；以及<br/> 一第二熱電晶片，其兩側分別包含一第二熱端與一第二冷端，其中：該第二冷端係設置於該風罩靠近該第二開口之位置，並與該第一容置空間接觸，以對該第一容置空間中靠近該第二開口位置之空氣進行冷卻，並形成一低壓區域，其中：該第一容置空間中之空氣係自該高壓區域往該低壓區域移動，以形成一氣流；<br/> 一電源，係設置於該風罩相對於該第一容置空間之一側，並分別與該第一熱電晶片、以及該第二熱電晶片電連接；以及<br/> 一處理器，係分別與該電源、該第一熱電晶片、以及該第二熱電晶片電連接，以控制該第一熱電晶片中之該第一熱端的溫度、以及該第二熱電晶片中之該第二冷端的溫度。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中該送風模組更包含：一導熱管，其兩端係分別與該第一熱電晶片之該第一冷端、以及該第二熱電晶片之該第二熱端連接。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中該送風模組更包含：<br/> 一第一鰭片單元，係設置於該第一熱電晶片與該第一容置空間相接觸之一側；<br/> 一第二鰭片單元，係設置於該第二熱電晶片與該第一容置空間相接觸之一側；<br/> 一第三鰭片單元，係設置於該第一熱電晶片相對於該第一容置空間之一側；或<br/> 一第四鰭片單元，係設置於該第二熱電晶片相對於該第一容置空間之一側。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中更包含：一太陽能板，係設置於該風罩相對於該第一容置空間之一側，並與該電源電連接。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中該送風模組之數量為複數，且各該送風模組係以該風罩之軸心為中心軸，並呈放射狀地設置於該風罩相對於該第一容置空間之外緣周側。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中更包含：<br/> 一第一護網，係設置於該風罩之該第一開口；以及<br/> 一第二護網，係設置於該風罩之該第二開口。
如請求項1所述之無扇葉風扇，其中更包含：<br/> 一基座；以及<br/> 一支撐桿，其一端係設置於該基座之一側、以及該風罩係樞設於該支撐桿相對於該基座之一端。
如請求項7所述之無扇葉風扇，其中更包含：一鬆緊裝置，係設置於該支撐桿上，並與該風罩相對應地設置，以調整該支撐桿與該風罩間之夾持力道。
如請求項7所述之無扇葉風扇，其中更包含：一轉動盤，係可轉動地設置於該基座相對於該支撐桿之一側，其中，該基座係可連帶該支撐桿以及該風罩相對於該轉動盤轉動。
如請求項7所述之無扇葉風扇，其中更包含：一止滑貼片，係設置於該基座相對於該支撐桿之一側。
一種黏土礦粉體，包含：<br/> 伊萊石，佔重量百分比至少50wt%；以及<br/> 綠泥石，佔3wt%至5wt%；<br/> 其中該黏土礦粉體的粒徑小於75μm。
如請求項1所述之黏土礦粉體，其中該伊萊石佔重量百分比至少50wt%至70wt%。
如請求項2所述之黏土礦粉體，其中該伊萊石佔重量百分比至少52wt至56wt%。
如請求項1所述之黏土礦粉體，更包含石英，佔重量百分比小於40wt%。
如請求項1所述之黏土礦粉體，更包含方解石，佔重量百分比小於10wt%。
一種黏土礦粉體的製造方法，包含：<br/> 一準備步驟，準備來自一水庫之一淤泥原料，其中該淤泥原料中包含伊萊石及綠泥石，分別佔重量百分比之20wt%至35wt%以及5wt%至15wt%；<br/> 一破碎步驟，將該淤泥原料進行破碎，使得該淤泥原料的粒徑小於75μm；<br/> 一漿料調製步驟，將破碎後的該淤泥原料，與水調製成一漿料，其中該淤泥原料與水的比例為1:8至1:15；<br/> 一第一調整步驟，加入一pH值調整劑於該漿料中，使該漿料的pH值維持在5.5至8.5；<br/> 一第二調整步驟，加入一浮選調整劑於該漿料中，其中加入比例為0.1g/L至3g/L；<br/> 一第三調整步驟，加入一浮選捕集劑於該漿料中，其中加入比例為0.1g/L至5g/L，其中該浮選捕集劑為一陽離子浮選捕集劑；<br/> 一浮選收集步驟，將一氣體通入該漿料中，並收集浮於該漿料表面的淤泥懸浮物；<br/> 一過濾步驟，將該淤泥懸浮物與水以1:8至1:15混和後，進行過濾，而獲得一過濾淤泥；<br/> 一烘乾步驟，將該過濾淤泥進行烘乾，而獲得一淤泥粉體；以及<br/> 一檢驗步驟，將該淤泥粉體進行檢驗，當確認伊萊石佔重量百分比至少50wt%，以該淤泥粉體做為一黏土礦粉體。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該浮選調整劑係選自由矽酸鈉、六偏磷酸鈉、木質素磺酸鈣、以及甲基異丁基甲醇所構成之群組。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該浮選捕集劑係選十二烷基氯化胺、十二烷基三甲基氯化銨、以及十二烷基硫酸胍所構成之群組。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，在該過濾步驟中，過濾前更包含進行超音波震盪，且過濾的方式為抽氣過濾5至10分鐘。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中在該浮選收集步驟之前更包含一第四調整步驟，再次加入該浮選調整劑於該漿料中，其中添加的比例為0.02g/L至0.5g/L。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該浮選收集步驟中，通入的氣體為氮氣、氬氣與空氣，通入時間為5至10分鐘。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該第一調整步驟、該第二調整步驟、該第三調整步驟、該浮選收集步驟及該過濾步驟的溫度控制在攝氏15至35度之間。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該烘乾步驟是將該過濾淤泥在一高溫爐中，以412℃至450℃下烘乾3小時至12小時。
如請求項6所述之黏土礦粉體的製造方法，其中該檢驗步驟是以X光結晶繞射，並搭配Topas軟體進行擬合法分析。
一種防水防墜器，包括：<br/> 一外殼，包括一外殼本體、一第一側蓋、一第一密封環、一第二側蓋、一第二密封環與一煞車結構；該外殼本體包括一筒體與一中隔板，該筒體的中央定義一軸心線且周圍具有一繩出口，該中隔板連接於該筒體且將該筒體內的空間分隔成一第一腔與一第二腔，該第一腔與該繩出口相通，該中隔板具有一以該軸心線為中心的軸孔；該第一側蓋的周緣結合於該筒體對應該第一腔的端緣；該第一密封環夾設於該筒體對應該第一腔的端緣與該第一側蓋的周緣之間；該第二側蓋的周緣結合於該筒體對應該第二腔的端緣；該第二密封環夾設於該筒體對應該第二腔的端緣與該第二側蓋的周緣之間；該煞車結構固設於該第二腔內且設有至少一煞車棘齒；以及<br/> 一防墜器本體，包括一主軸、一轉轂、一繩體、一渦捲彈簧、一裝設盤與一制動組件；該主軸的中間部分可轉動地穿設於該軸孔且該主軸的中心線與該軸心線同軸，該主軸包括一第一段與一第二段，分別位於該第一腔與該第二腔內；該轉轂套固於該第一段；該繩體的一端結合於該轉轂且多圈地纏繞於該轉轂的周圍，該繩體的另一端穿出該繩出口；該渦捲彈簧的一端結合於該第二段，另一端結合於該外殼本體；該裝設盤套固於該第二段，該制動組件結合於該裝設盤且包括至少二棘爪塊，該至少二棘爪塊圍繞該軸心線排列；當該制動組件的旋轉速度超過一預定轉速時，該至少二棘爪塊中的至少一個與該至少一煞車棘齒嚙合。
如請求項1所述之防水防墜器，其中於該中隔板連接一中軸承座，該中軸承座環繞於該軸孔且與該軸孔沿該軸心線同軸，於該中軸承座內嵌設一中軸承；該主軸的中間部分樞設於該中軸承。
如請求項2所述之防水防墜器，其中於該中軸承座內嵌設一機械油封，該主軸的中間部分穿過該機械油封以形成密封配合。
如請求項1所述之防水防墜器，其中該外殼本體包括一渦捲彈簧座，該渦捲彈簧座係圓環體且連接於該中隔板，該渦捲彈簧座與該軸孔沿該軸心線同軸，於該渦捲彈簧座的端緣形成一插槽，該插槽的周向具有一插口，該插口形成於該渦捲彈簧座的內周面；於該渦捲彈簧座的端緣結合一蓋板，該蓋板的周緣覆蓋該插槽，且該蓋板封閉該渦捲彈簧座內部的空間，於該蓋板的中央形成一蓋板穿孔，該主軸的該第二段可轉動地穿設於該蓋板穿孔；該渦捲彈簧設置於該渦捲彈簧座內，該渦捲彈簧以其另一端穿過該插口且插入該插槽固定。
如請求項1所述之防水防墜器，其中於該筒體對應該第一腔的端緣形成一第一環狀面，該第一環狀面具有複數個第一螺孔，該些第一螺孔圍繞該軸心線間隔地排列；該第一側蓋的周緣形成一第一側蓋環狀面，該第一側蓋環狀面具有複數個第一側蓋穿孔，該些第一側蓋穿孔正對該些第一螺孔，於各該第一側蓋穿孔穿設一第一螺絲，各該第一螺絲螺鎖於各該第一螺孔；該第一密封環夾設於該第一環狀面與該第一側蓋環狀面之間。
如請求項5所述之防水防墜器，其中該第一密封環的形狀與該第一環狀面的形狀相同，該第一密封環具有複數個第一密封環穿孔，各該第一密封環穿孔連通於各該第一側蓋穿孔與各該第一螺孔之間；各該第一螺絲穿過各該第一密封環穿孔。
如請求項1所述之防水防墜器，其中於該筒體對應該第二腔的端緣形成一第二環狀面，該第二環狀面具有複數個第二螺孔，該些第二螺孔圍繞該軸心線間隔地排列；該第二側蓋的周緣形成一第二側蓋環狀面，該第二側蓋環狀面具有複數個第二側蓋穿孔，該些第二側蓋穿孔正對該些第二螺孔，於各該第二側蓋穿孔穿設一第二螺絲，各該第二螺絲螺鎖於各該第二螺孔；該第二密封環夾設於該第二環狀面與該第二側蓋環狀面之間。
如請求項7所述之防水防墜器，其中該第二密封環的形狀與該第二環狀面的形狀相同，該第二密封環具有複數個第二密封環穿孔，各該第二密封環穿孔連通於各該第二側蓋穿孔與各該第二螺孔之間；各該第二螺絲穿過各該第二密封環穿孔。
如請求項7所述之防水防墜器，其中於該第二環狀面內周相對的兩側形成一對嵌槽；各該棘爪塊的中間可轉動地樞接於該裝設盤的周圍部分，各該棘爪塊的一端形成一棘齒部，另一端形成一重心部，於各該重心部結合一滾輪，於各該重心部與該裝設盤之間分別連接一配重彈簧；該煞車結構包括一支架與一煞車盤；該支架具有兩端且於中間形成一支架穿孔，該支架的兩端嵌設於該對嵌槽固定；該煞車盤的中央具有一軸桿，該軸桿的軸心位置具有一貫穿孔，該軸桿的一端固定於該支架的中間，該貫穿孔與該支架穿孔沿該軸心線同軸，且該貫穿孔與該支架穿孔相通，該至少一煞車棘齒的數量為多個且設置於該煞車盤的周圍部分，該些煞車棘齒圍繞該軸心線排列且位於該至少二棘爪塊的內側而可供各該棘齒部嚙合；當該制動組件的旋轉速度低於該預定轉速時，該至少二棘爪塊各自的滾輪沿該些煞車棘齒的齒面滾動或滑動；當該制動組件的旋轉速度超過該預定轉速時，該至少二棘爪塊各自的棘齒部被驅動而分別與該些煞車棘齒嚙合；該主軸的該第二段可轉動地穿設於該貫穿孔與該支架穿孔。
如請求項9所述之防水防墜器，其中該第二側蓋的中間朝向該第二腔的一側形成一外軸承座，於該外軸承座內嵌設一外軸承；該主軸的該第二段的外端樞設於該外軸承。
一種三維測量裝置，其具備：<br/> 複數個投影手段，其具有發出預定的光的光源、及可將來自該光源的光轉換為預定的條紋圖案的反射型光調變元件，且能以每單位時間預定的訊框數對待測量物投影前述條紋圖案；<br/> 拍攝手段，其可對投影至前述待測量物的前述條紋圖案拍攝；<br/> 資料取得手段，其控制前述投影手段及前述拍攝手段，將複數種相位不同的前述條紋圖案依序投影且拍攝，藉此可取得光強度分布不同的複數個影像資料；及<br/> 影像處理手段，其根據藉由前述資料取得手段所取得的複數個影像資料，可執行前述待測量物的三維測量，<br/> 該三維測量裝置之特徵為：<br/> 前述反射型光調變元件係構成為具有呈二維排列而成的複數個畫素之構成，該等複數個畫素可切換成以可將來自前述光源的光對前述待測量物投射的方式進行反射的開啟狀態、或對前述待測量物不投射來自前述光源的光的關閉狀態，並且前述反射型光調變元件構成為藉由按每個前述畫素來調節在1訊框期間中之前述開啟狀態的時間的比例，可生成前述條紋圖案，<br/> 前述資料取得手段係構成為在開始前述光源的亮燈且經過了由該光源發出的光的亮度呈穩定為止所需的上升時間之後，一邊切換控制對象的前述投影手段，一邊令複數個前述投影手段分別依序執行在保持使該光源亮燈的狀態下使前述條紋圖案的相位變化複數次之後再將該光源熄燈的相位變化亮燈處理，並且在前述光源亮燈中且由該光源發出的光的亮度呈穩定時，令前述拍攝手段執行對相位不同的複數種前述條紋圖案分別拍攝的連續拍攝處理。
如請求項1之三維測量裝置，其中，前述資料取得手段係構成為在以一前述投影手段正執行前述相位變化亮燈處理當中，以該投影手段的下一個要進行前述相位變化亮燈處理的前述投影手段，一邊以對前述待測量物不投影前述條紋圖案的方式控制前述反射型光調變元件，一邊使前述光源的亮燈開始。
如請求項1之三維測量裝置，其中，前述資料取得手段係構成為在以一前述投影手段正使前述光源熄燈當中，控制該投影手段的前述反射型光調變元件，以使前述條紋圖案不會被投影到前述待測量物，另一方面，控制前述拍攝手段，以使前述連續拍攝處理開始。
一種液晶顯示裝置，其係依順序具備背光光源、光源側偏光板、液晶胞及視覺辨認側偏光板之液晶顯示裝置，其中光源側偏光板及視覺辨認側偏光板各自具有至少1片的偏光鏡保護膜及偏光鏡，將視覺辨認側偏光板的偏光鏡保護膜亦即位於偏光鏡之與液晶胞相反側的面上之偏光鏡保護膜當作偏光鏡保護膜1，將光源側偏光板的偏光鏡保護膜亦即位於偏光鏡之與液晶胞相反側的面上之偏光鏡保護膜當作偏光鏡保護膜4時，偏光鏡保護膜4的面內遲滯為5000～10000nm，<br/> 偏光鏡保護膜4的厚度為50～95μm，偏光鏡保護膜1的厚度/偏光鏡保護膜4的厚度之比率為0.5～0.97，<br/> 光源側偏光板的偏光鏡的吸收軸與偏光鏡保護膜4的慢軸所成的角度為90度，<br/> 惟，上述90度容許±10度為止的偏移。
如請求項1之液晶顯示裝置，其中偏光鏡保護膜1的厚度為40～80μm。
如請求項1或2之液晶顯示裝置，其中偏光鏡保護膜1的厚度/偏光鏡保護膜4的厚度之比率為0.5～0.95。
如請求項1或2之液晶顯示裝置，其中偏光鏡保護膜1的厚度/偏光鏡保護膜4的厚度之比率超過0.95且為0.97以下。
一種防墜器，包含：<br/> 一機殼，內部形成一容置空間，該機殼內側於該容置空間中具有一棘齒面，該機殼定義有一軸心線通過該棘齒面，該棘齒面設置有複數內棘齒環繞於該軸心線的周圍；<br/> 一轉動件，可轉動地設置於該機殼的該容置空間，該轉動件包含一主軸及一轉轂，該主軸係以該軸心線朝該棘齒面方向設置，該轉轂套固於該主軸；<br/> 一制動盤，設置於該機殼的該容置空間，該制動盤結合該主軸，該制動盤與該主軸同軸轉動，該制動盤之兩側具有一第一盤面與一第二盤面，該第一盤面係面向該棘齒面，該第二盤面係面向該轉轂，該制動盤於該第一盤面設置有一棘爪塊與一配重彈簧，該棘爪塊樞設於該第一盤面且位於該等內棘齒的內側，該棘爪塊對應嚙合各該內棘齒，該配重彈簧設置於該第一盤面與該棘爪塊之間；以及<br/> 一煞車組件，設置於該機殼的該容置空間，該煞車組件結合該主軸，使該煞車組件與該主軸同軸轉動，該煞車組件具有一第一煞車片及一第二煞車片，該第一煞車片抵靠於該第一盤面，該第二煞車片被固定於該轉轂上且抵靠該第二盤面，該第一煞車片與該第二煞車片用以制止該制動盤的轉動者。
如請求項1所述之防墜器，其中該煞車組件具有一制動環及一固定環，該制動環貼抵於該第一煞車片，該制動環具有一止擋面係面向該棘齒面，該固定環結合該主軸且緊迫該制動環，使該第一煞車片被夾固於該制動環與制動盤之間。
如請求項2所述之防墜器，其中該煞車組件具有一限位環，該限位環靠抵該制動環的該止擋面且環繞於該固定環的周圍，該止擋面凸設有複數擋塊環繞該軸心線排列，該限位環係以該軸心線貫穿有一限位孔，該固定環套固於該限位孔，該限位環的周緣徑向凸設有複數凸塊側向抵接該等擋塊。
如請求項3所述之防墜器，其中該主軸具有一軸桿及一軸套，該軸桿包含一第一軸段，其中該軸套套固於該軸桿的該第一軸段，且該轉轂、該制動盤與該煞車組件分別設置於該軸套上。
如請求項4所述之防墜器，其中該軸套的外側具有一螺紋面，該固定環具有一內螺口對應螺合於該軸套之該螺紋面，且該固定環具有複數徑向孔，該等徑向孔穿設於該固定環之外側壁且連通該內螺口，該等徑向孔以供複數螺絲穿設並固定於該螺紋面。
如請求項4所述之防墜器，其中該制動盤具有一第一容槽，該第一容槽係以該軸心線設置於該第一盤面，該第一煞車片、該制動環與該限位環分別位於該第一容槽中。
如請求項6所述之防墜器，其中該棘爪塊及該配重彈簧分別為複數個，該等棘爪塊與該等配重彈簧環繞該第一容槽，各該棘爪塊之兩端具有一樞設部及一棘齒部，該樞設部樞設於該第一盤面上，各該配重彈簧之一端固定於該第一盤面，而各該配重彈簧之另一端拉持於各該棘爪塊之棘齒部。
如請求項6所述之防墜器，其中該轉轂之一側具有一第一結合部係面向該棘齒面，該第二煞車片係被鎖固在該第一結合部，該制動盤具有一第二容槽，該第二容槽係以該軸心線設置於該第二盤面，該第二煞車片被限位在該第二容槽。
如請求項8所述之防墜器，還包含一渦捲彈簧座，該渦捲彈簧座設置於該機殼的該容置空間且結合該轉動件，該轉轂之另一側具有一第二結合部，該渦捲彈簧座結合於該第二結合部，該渦捲彈簧座內部形成一捲繞空間，且該渦捲彈簧座的內側壁具有一插槽，其中該軸桿包含一第二軸段，該第一軸段與該第二軸段水平銜接在一起，該渦捲彈簧座於該捲繞空間具有一渦捲彈簧，該渦捲彈簧之一端結合於該軸桿的該第二軸段，該渦捲彈簧之另一端插入該插槽固定。
如請求項4所述之防墜器，其中該機殼具有一第一外殼及一第二外殼，該第一外殼與該第二外殼係以該軸心線相對合以形成該容置空間，該第一外殼的內側具有該棘齒面，該軸桿銜接於該第一外殼與該第二外殼之間。
一種具離合式壓繩輪的抓繩器，包括：<br/> 一外殼，具有一底板，該底板的兩側分別形成一繩座部與一組裝部；於該繩座部連接一繩座，該繩座朝向該組裝部的一側形成一繩槽；以及<br/> 一制動裝置，包括一擺臂、一壓繩輪與一偏向彈性元件；該擺臂的一端樞接於該組裝部，該擺臂的另一端連接一轉軸；該壓繩輪包括一外輪、一制動盤、至少一棘爪與至少一復位彈性元件，該外輪的中央具有一輪軸孔，以該輪軸孔可轉動地套設於該轉軸，該外輪內形成一容置槽，該容置槽的底側形成一樞接面；該制動盤套設於該轉軸且設置於該容置槽內，該制動盤具有一內棘齒環，該內棘齒環的內周面形成至少一內棘齒；該至少一棘爪樞接於該樞接面的離心位置且位於該內棘齒環的內側，該至少一棘爪可於一閉合位置與一展開位置之間轉動，該至少一復位彈性元件設置於該外輪與該至少一棘爪之間，用以對該至少一棘爪施加使其保持於該閉合位置的彈力；當該至少一棘爪隨該外輪的旋轉速度超過一預定轉速時，該至少一棘爪因離心力移動至該展開位置且與該至少一內棘齒嚙合；該偏向彈性元件設置於該外殼與該擺臂之間，用以對該擺臂施加使其朝該繩槽的方向擺動的彈力。
如請求項1所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中將該擺臂朝該繩槽擺動的旋轉方向定義為一第一旋轉方向，反之則定義為一第二旋轉方向；該至少一內棘齒具有一內擋止面，該內擋止面朝向該第二旋轉方向；當該至少一棘爪沿該第一旋轉方向的旋轉速度超過一預定轉速時，該至少一棘爪因離心力變為該展開位置且沿該第一旋轉方向與該至少一內棘齒嚙合。
如請求項2所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該外輪的外周面形成多個外棘齒，該些外棘齒環繞該轉軸排列，各該外棘齒具有一外擋止面，各該外擋止面朝向該第二旋轉方向。
如請求項1所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該至少一內棘齒為一對以上的內棘齒，各該內棘齒具有一內滑動面；於該樞接面的相反兩側分別連接一樞接桿，於該樞接面位於各該樞接桿旁的部分連接一彈簧座，各該彈簧座形成一彈簧槽；該至少一棘爪為二個棘爪，各該棘爪的一端具有一樞接部，該樞接部具有一樞接孔，以各該樞接部可轉動地套設於各該樞接桿，各該樞接部對應各該彈簧座的一側連接一彈簧塊，於各該樞接部背離各該彈簧塊的另一側連接一棘齒塊；該至少一復位彈性元件為二個復位彈性元件，各該復位彈性元件係壓縮彈簧且設置於各該彈簧槽，各該復位彈性元件以一端抵靠於各該彈簧槽的內端，各該復位彈性元件以另一端抵靠於各該彈簧塊，將各該棘爪保持在該閉合位置。
如請求項4所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該外輪的中央具有一軸管，該容置槽係環形槽且環繞於該軸管，該軸管可轉動地套設於該轉軸；該制動盤的內周面形成一環狀凹部，該環狀凹部套設於該軸管。
如請求項1所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該制動盤相對於該轉軸固定或僅能於一限制角度範圍內旋轉。
如請求項6所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中於該組裝部連接一軸單元；該擺臂包括一對擺動桿，該對擺動桿的一端形成一對樞擺孔，以該對樞擺孔可轉動地套設於該軸單元；於該對擺動桿的另一端形成一對轉軸孔，該轉軸的兩端固設於該對轉軸孔；於該制動盤固設一同動齒輪，該制動盤與該同動齒輪一體轉動，並均與該轉軸的中心線同軸設置；於該組裝部連接一齒條元件，該齒條元件形成一圓弧形齒條，該圓弧形齒條與該軸單元的中心線同心設置，該同動齒輪朝向該軸單元的一側與該圓弧形齒條嚙合。
如請求項7所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該軸單元包括一固定軸與一軸套，該固定軸的一端連接於該組裝部，該軸套係套設於該固定軸；該對樞擺孔可轉動地套設於該軸套；該對擺動桿的其中之一於該樞擺孔周緣形成一扣槽；於該組裝部連接一擋塊，該擋塊位於該對擺動桿的外側；該偏向彈性元件係扭力彈簧且套設於該軸套，該偏向彈性元件的一端勾掛於該扣槽，另一端抵靠於該擋塊的內側。
如請求項8所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中於該組裝部連接一軸桿，該軸桿位於該對擺動桿的外側；該齒條元件位於該對擺動桿之間且具有一基板，該基板具有二個固定孔，該二個固定孔分別套設於該軸套與該軸桿，於該基板朝該同動齒輪的方向伸設一延伸桿，於該延伸桿的外端形成該圓弧形齒條。
如請求項9所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該繩槽係沿上下方向延伸；於該組裝部鄰近上邊緣的部分樞接一外掛連結元件，該外掛連結元件的外端設有一連結桿。
如請求項10所述之具離合式壓繩輪的抓繩器，其中該擋塊具有一軸桿孔，以該軸桿孔可轉動地套設於該軸桿，該擋塊內側具有一內面，該偏向彈性元件的另一端抵靠於該內面，該擋塊的外側形成一撥動部，該撥動部凸出於該組裝部的邊緣；該外掛連結元件包括一對側桿，該對側桿的內端樞接於該組裝部鄰接上邊緣的部分，該連結桿連接於該對側桿的外端之間，於該對側桿之間連接一撥桿，該外掛連結元件以相同於該擺臂朝該繩槽擺動的方向旋轉時，該撥動部位於該撥桿的旋轉路徑上，藉此使得該撥桿可撥動該撥動部旋轉並以該內面推動該擺臂向該繩槽的方向擺動。
一種夾管式超音波流量量測裝置，用以判斷一管道為一滿管或為一空管，且該超音波流量測量裝置包括： <br/>一探頭組，配置於該管道外部，且包括一第一超音波探頭與一第二超音波探頭； <br/>一切換控制模組，耦接該第一超音波探頭與該第二超音波探頭，且用以交替地切換該第一超音波探頭與該第二超音波探頭之發射與接收的程序與作動功能； <br/>一控制器，耦接該切換控制模組，且用以控制該切換控制模組交替地切換，使該第一超音波探頭與該第二超音波探頭相應的接收一第一超音波訊號與一第二超音波訊號，且該第一超音波訊號與該第二超音波訊號分別包括複數個振盪波；及 <br/>一訊號處理裝置，耦接該探頭組與該控制器，且用以調整該些振盪波的一幅值倍率； <br/>其中，該控制器設定一第一特定窗口，且該訊號處理裝置判斷於該第一特定窗口中高於一觸發準位的振盪波的一數量是否達到一預定數量，且據以調整該幅值倍率；當該幅值倍率調整到一上限倍率，且該數量未達到該預定數量時，該控制器判斷該管道為該空管。
如請求項1所述之超音波流量測量裝置，其中當該幅值倍率調整到一上限倍率，且高於該觸發準位的振盪波未連續時，該控制器判斷該管道為該空管。
如請求項2所述之超音波流量測量裝置，其中當該幅值倍率調整到該上限倍率前，且該數量已達到該預定數量且連續時，該控制器判斷該管道為該滿管。
如請求項1所述之超音波流量測量裝置，其中該控制器設定一第二特定窗口，且當該訊號處理裝置判斷於該第二特定窗口中，未有高於該觸發準位的振盪波時，該控制器位移該第二特定窗口一特定時間。
如請求項4所述之超音波流量測量裝置，其中當該訊號處理裝置偵測到高於該觸發準位的一首個振盪波時，該控制器自該首個振盪波為該第一特定窗口的起始點來開啟該第一特定窗口，且該第一特定窗口小於該第二特定窗口。
如請求項4所述之超音波流量測量裝置，其中當該訊號處理裝置未偵測到高於該觸發準位的一首個振盪波時，該控制器判斷該管道為該空管。
如請求項4所述之超音波流量測量裝置，其中該第一超音波訊號與一第二超音波訊號具有一激發脈波寬度，且該控制器設定該第二特定窗口的一時間寬度為該激發脈波寬度的1.2 倍至 2倍。
一種夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，用以判斷一管道為一滿管或為一空管，且該超音波流量測量裝置包括一探頭組、一切換控制電路及一訊號處理裝置，該超音波流量測量裝置的操作方法包括下列步驟： <br/>控制該切換控制電路交替地切換該探頭組的一第一超音波探頭與一第二超音波探頭之發射與接收的程序與作動功能，使該第一超音波探頭與該第二超音波探頭相應的接收一第一超音波訊號與一第二超音波訊號，且該第一超音波訊號與該第二超音波訊號分別包括複數個振盪波； <br/>設定一第一特定窗口，且該訊號處理裝置判斷於該第一特定窗口中高於一觸發準位的振盪波的一數量是否達到一預定數量； <br/>根據該數量未達到該預定數量，控制該訊號處理裝置調整該些振盪波的一幅值倍率，且判斷該幅值倍率是否調整到一上限倍率；及 <br/>根據該幅值倍率調整到該上限倍率，且該數量未達到該預定數量，判斷該管道為該空管。
如請求項8所述之夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，更包括下列步驟： <br/>根據該幅值倍率調整到該上限倍率，且高於該觸發準位的振盪波未連續，判斷該管道為該空管。
如請求項9所述之夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，更包括下列步驟： <br/>於該幅值倍率調整到該上限倍率前，根據該數量已達到該預定數量且連續，判斷管道為該滿管。
如請求項8所述之夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，更包括下列步驟： <br/>設定一第二特定窗口；及 <br/>判斷於該第二特定窗口中，未有高於該觸發準位的振盪波而位移該第二特定窗口一特定時間。
如請求項11所述之夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，更包括下列步驟： <br/>偵測到高於該觸發準位的一首個振盪波；及 <br/>自該首個振盪波為該第一特定窗口的起始點來開啟該第一特定窗口。
如請求項11所述之夾管式超音波流量測量裝置的操作方法，更包括下列步驟： <br/>根據未偵測到高於該觸發準位的一首個振盪波，判斷該管道為該空管。
一種優惠券資訊提供裝置，其特徵為，具備： <br/> 收訊手段，係用以在可讓使用者利用優惠券的店之中，將特定店用之畫面的要求，從終端裝置予以接收；和 <br/> 特定手段，係用以在從前記終端裝置接收到前記要求的情況下，基於記憶手段中所被記憶的優惠券資訊，其中，該記憶手段係針對複數個優惠券之各者而將前記優惠券的發行者與關於前記優惠券之利用為可能的店之設定的特定係為可能的前記優惠券資訊加以記憶，而在前記複數個優惠券之中，將前記特定店之事業者為前記發行者的第1優惠券、與異於前記特定店之事業者且為將可在店中購入之商品予以製造之製造者為前記發行者的第2優惠券，且為在前記特定店的利用是被設定成可能的第2優惠券，加以特定；和 <br/> 送訊手段，係用以將用來令前記終端裝置顯示出含有前記已被特定之第1優惠券與前記已被特定之第2優惠券的前記畫面所需的優惠券畫面資訊，發送至前記終端裝置。
如請求項1所記載之優惠券資訊提供裝置，其中，前記送訊手段，係將用來令前記第1優惠券於前記畫面中被顯示在比前記第2優惠券所被顯示之位置還要上位之位置所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1或2所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為前記發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將已被前記製造者指定作為優惠券利用可能店之條件的條件加以表示的優惠券利用可能店條件資訊； <br/> 前記特定手段，係基於前記優惠券資訊中所含之前記優惠券利用可能店條件資訊，來判定前記優惠券是否可在前記特定店中做利用。
如請求項1或2所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將已被指定作為可利用前記優惠券之店的利用可能店加以表示的優惠券利用可能店資訊； <br/> 前記特定手段，係將把前記特定店包含在前記利用可能店中的優惠券、與未進行前記利用可能店之指定的優惠券，特定作為前記第2優惠券； <br/> 前記送訊手段，係將用來令把前記特定店包含在前記利用可能店中的前記優惠券於前記畫面中被顯示在比未進行前記利用可能店之指定的前記優惠券所被顯示之位置還要上位之位置所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1或2所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將已被指定作為可利用前記優惠券之店之種類的利用可能種類加以表示的優惠券利用可能種類資訊； <br/> 前記特定手段，係將把前記特定店所被分類之種類包含在前記利用可能種類中的優惠券、和未進行前記利用可能種類之指定的優惠券，特定作為前記第2優惠券； <br/> 前記送訊手段，係將用來令把前記特定店所被分類之種類包含在前記利用可能種類中的前記優惠券，於前記畫面中被顯示在比未進行前記利用可能種類之指定的前記優惠券所被顯示之位置還要上位之位置所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1或2所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將已被指定作為可利用前記優惠券之店的利用可能店加以表示的優惠券利用可能店資訊、和將已被指定作為前記優惠券所能利用之店之種類的利用可能種類加以表示的優惠券利用可能種類資訊之至少任一方； <br/> 前記特定手段，係將把前記特定店包含在前記利用可能店中的的第3優惠券、和把前記特定店所被分類之種類包含在前記利用可能種類中的第4優惠券、和前記利用可能店之指定及前記利用可能種類之指定皆未被進行的第5優惠券，特定作為前記第2優惠券； <br/> 前記送訊手段，係將用來令前記第3優惠券於前記畫面中被顯示在比前記第4優惠券所被顯示之位置還要上位之位置，且令前記第4優惠券於前記畫面中被顯示在比前記第5優惠券所被顯示之位置還要上位之位置所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1或2所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 為了利用前記店之事業者為前記發行者的優惠券，係被規定必須要在該發行者的店中進行交易； <br/> 為了利用前記製造者為前記發行者的優惠券，係被規定必須要購入該發行者所製造之商品。
如請求項1所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 還具備：取得手段，係用以將表示店中之商品之供銷之狀況的供銷資訊，加以取得； <br/> 前記送訊手段，係將用來令含有：在前記已被特定之第2優惠券之中，被前記第2優惠券之發行者所製造之前記商品是被設置成在前記特定店中有供銷之狀態的這件事情是被前記已被取得之供銷資訊所表示的前記第2優惠券在內的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項8所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將已被前記製造者所指定之商品加以表示的優惠券利用可能商品資訊； <br/> 前記送訊手段，係將用來令含有：在前記已被特定之第2優惠券之中，藉由前記優惠券資訊中所含之前記優惠券利用可能商品資訊而被表示的前記商品是被設置成在前記特定店中有供銷之狀態的這件事情是被前記供銷資訊所表示的前記第2優惠券在內的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項8或9所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 前記所被取得之供銷資訊係含有：將前記店中的商品之購入之記錄加以表示的購入資訊； <br/> 前記送訊手段，係將用來令含有：在前記已被特定之第2優惠券之中，被前記第2優惠券之發行者所製造之前記商品是在前記特定店中被購入的這件事情是被前記購入資訊所表示的前記第2優惠券在內的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項8或9所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 前記所被取得之供銷資訊係含有：將前記店中的商品之庫存之狀況加以表示的庫存資訊； <br/> 前記送訊手段，係將用來令含有：在前記已被特定之第2優惠券之中，前記製造者所製造的前記商品之庫存在前記特定店中有庫存的這件事情是被前記庫存資訊所表示的前記第2優惠券在內的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 在前記記憶手段中所被記憶的前記優惠券資訊之中，前記製造者為發行者的優惠券的前記優惠券資訊係含有：將前記優惠券之發行日加以表示的發行日資訊； <br/> 前記送訊手段，係將用來令含有：在前記已被特定之第2優惠券之中，從前記發行日起算尚未經過所定長度之期間的前記第2優惠券在內的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
如請求項1所記載之優惠券資訊提供裝置，其中， <br/> 將前記複數個優惠券之中使用者已獲得之優惠券，規定成前記使用者係為可利用； <br/> 前記送訊手段，係將用來令可受理用來批次獲得前記已被特定之第1優惠券與前記已被特定之第2優惠券所需之操作的前記畫面做顯示所需的前記優惠券畫面資訊，予以發送。
一種優惠券資訊提供方法，係為藉由電腦而被執行的優惠券資訊提供方法，其特徵為，含有： <br/> 收訊步驟，係在可讓使用者利用優惠券的店之中，將特定店用之畫面的要求，從終端裝置予以接收；和 <br/> 特定步驟，係在從前記終端裝置接收到前記要求的情況下，基於記憶手段中所被記憶的優惠券資訊，其中，該記憶手段係針對複數個優惠券之各者而將前記優惠券的發行者與關於前記優惠券之利用為可能的店之設定的特定係為可能的前記優惠券資訊加以記憶，而在前記複數個優惠券之中，將前記特定店之事業者為前記發行者的第1優惠券、與異於前記特定店之事業者且為將可在店中購入之商品予以製造之製造者為前記發行者的第2優惠券，且為在前記特定店的利用是被設定成可能的第2優惠券，加以特定；和 <br/> 送訊步驟，係將用來令前記終端裝置顯示出含有前記已被特定之第1優惠券與前記已被特定之第2優惠券的前記畫面所需的優惠券畫面資訊，發送至前記終端裝置。
一種優惠券資訊提供程式，其特徵為，係使電腦發揮機能而成為： <br/> 收訊手段，係用以在可讓使用者利用優惠券的店之中，將特定店用之畫面的要求，從終端裝置予以接收；和 <br/> 特定手段，係用以在從前記終端裝置接收到前記要求的情況下，基於記憶手段中所被記憶的優惠券資訊，其中，該記憶手段係針對複數個優惠券之各者而將前記優惠券的發行者與關於前記優惠券之利用為可能的店之設定的特定係為可能的前記優惠券資訊加以記憶，而在前記複數個優惠券之中，將前記特定店之事業者為前記發行者的第1優惠券、與異於前記特定店之事業者且為將可在店中購入之商品予以製造之製造者為前記發行者的第2優惠券，且為在前記特定店的利用是被設定成可能的第2優惠券，加以特定；和 <br/> 送訊手段，係用以將用來令前記終端裝置顯示出含有前記已被特定之第1優惠券與前記已被特定之第2優惠券的前記畫面所需的優惠券畫面資訊，發送至前記終端裝置。
一種水可再分散組合物，其包含一醋酸乙烯酯-乙烯共聚物、一分散基質及一無機化合物；其中，於該水可再分散組合物的廣角X射線衍射圖中，在20.5°≧2θ≧20°之第一特徵峰的訊號強度相對於在20°＞2θ≧19°之第二特徵峰的訊號強度之比值為0.9至1.0；其中，該水可再分散組合物的廣角X射線衍射圖係由該水可再分散組合物歷經400℃燃燒40分鐘後，使用CuKα射線所測定而得； <br/>其中該醋酸乙烯酯-乙烯共聚物包含衍生自醋酸乙烯酯的結構單元和衍生自乙烯的結構單元，該衍生自醋酸乙烯酯的結構單元的含量高於該衍生自乙烯的結構單元的含量。
如請求項1所述之水可再分散組合物，其中該醋酸乙烯酯-乙烯共聚物中，該衍生自乙烯的結構單元的含量為5重量百分比至45重量百分比。
如請求項1所述之水可再分散組合物，其中以該水可再分散組合物之重量為基準，該無機化合物的含量為2重量百分比至15重量百分比。
如請求項1所述之水可再分散組合物，其中該水可再分散組合物含有一抗結塊劑；以該水可再分散組合物之重量為基準，該抗結塊劑的含量為5重量百分比至20重量百分比。
如請求項1所述之水可再分散組合物，其中該分散基質包含聚乙烯醇、羥乙基纖維素、碳數為8至18之烷基硫酸鹽、碳數為8至18之烷基磺酸鹽、碳數為8至18之烷基芳基磺酸鹽或其組合。
如請求項1所述之水可再分散組合物，其中該無機化合物包含多晶矽酸鹽。
如請求項1至6中任一項所述之水可再分散組合物，其中該無機化合物為含鋁矽酸鹽。
一種水泥組合物，其包含水泥以及如請求項1至7中任一項所述之水可再分散組合物，且該水泥組合物以EN 12004-2:2017標準定義之浸水養護後的接著強度衰退率係低於50%。
如請求項8之水泥組合物，其中該水泥組合物以EN 12004-2:2017標準定義之20分鐘空氣晾置的開放時間接著強度大於5公斤力/平方公分。
如請求項8之水泥組合物，其中該水泥組合物以EN 12004-2:2017標準定義之30分鐘空氣晾置的延長開放時間接著強度大於5公斤力/平方公分。
一種急診臨床決策輔助系統，用以連接一人機介面，該急診臨床決策輔助系統包含：<br/> 一病患狀態儲存模組，用以儲存一病患的一醫療資訊；<br/> 一檢傷代理模組，訊號連接該病患狀態儲存模組，該檢傷代理模組用以自該人機介面接收一病患的一檢傷訊息，該檢傷訊息包括一初步檢傷提示；該檢傷代理模組輸出該檢傷訊息；<br/> 一協調模組，訊號連接該檢傷代理模組，該協調模組接收該檢傷訊息且輸出該檢傷訊息；<br/> 一動態提示模組，訊號連接該協調模組與該病患狀態儲存模組，且自該協調模組接收該檢傷訊息以及自該病患狀態儲存模組讀取該病患的該醫療資訊，且依據該初步檢傷提示與自該病患狀態儲存模組讀取之該醫療資訊產生一優化檢傷提示，並輸出該優化檢傷提示；<br/> 一推論模組，訊號連接該動態提示模組，該推論模組具有一大型語言模型，該推論模組接收該優化檢傷提示且該大型語言模型依據該優化檢傷提示生成一檢傷建議，該推論模組將該檢傷建議傳送至該動態提示模組，且由該動態提示模組將該檢傷建議傳送至該協調模組；<br/> 其中，該協調模組將該檢傷建議傳送至該檢傷代理模組，且該檢傷代理模組將該檢傷建議儲存至該病患狀態儲存模組中之該病患的該醫療資訊之一檢傷記錄中；<br/> 一醫師代理模組，訊號連接該病患狀態儲存模組與該協調模組，該醫師代理模組用以自該人機介面接收該病患的一診斷訊息，該診斷訊息包括一初步診斷提示；該醫師代理模組輸出該診斷訊息；該協調模組接收該診斷訊息且輸出該診斷訊息；<br/> 其中，該動態提示模組自該協調模組接收該診斷訊息以及自該病患狀態儲存模組讀取該病患的該醫療資訊，且依據該初步診斷提示與自該病患狀態儲存模組讀取之該醫療資訊產生一優化診斷提示，並輸出該優化診斷提示；<br/> 其中，該推論模組接收該優化診斷提示且該大型語言模型依據該優化診斷提示生成一診斷建議，該推論模組將該診斷建議傳送至該動態提示模組，且由該動態提示模組將該診斷建議傳送至該協調模組；該協調模組將該診斷建議傳送至該醫師代理模組；<br/> 其中，該醫師代理模組透過該人機介面輸出該診斷建議。
如請求項1所述之急診臨床決策輔助系統，其中該檢傷代理模組透過該人機介面輸出該檢傷建議。
如請求項1所述之急診臨床決策輔助系統，其中該協調模組判斷該病患狀態儲存模組中之該病患的醫療資訊具有該檢傷記錄時，該協調模組傳送一通知訊息到該醫師代理模組，該醫師代理模組收到該通知訊息後，依據該通知訊息自該病患狀態儲存模組讀取該醫療資訊之該檢傷記錄，並將該檢傷記錄輸出到該人機介面。
如請求項3所述之急診臨床決策輔助系統，其中該檢傷建議包含一檢傷分級；當該協調模組判斷該檢傷建議之該檢傷分級為一第一級時，該協調模組傳送的該通知訊息包括一高風險通知。
如請求項1所述之急診臨床決策輔助系統，其中該醫師代理模組以一結構化格式透過該人機介面輸出該診斷建議，該結構化格式係以條列式呈現且包含一首要診斷、一鑑別診斷與一治療建議。
如請求項1所述之急診臨床決策輔助系統，包含一護理代理模組，訊號連接該病患狀態儲存模組；其中該醫師代理模組自該人機介面接收一醫囑內容，且將該醫囑內容儲存於該病患狀態儲存模組中之該病患的醫療資訊的一醫囑記錄；該護理代理模組自該病患狀態儲存模組讀取該醫療資訊之該醫囑記錄且依據該醫囑記錄產生一照護任務清單，且該護理代理模組透過該人機介面輸出該照護任務清單。
如請求項6所述之急診臨床決策輔助系統，其中該協調模組訊號連接該護理代理模組，該協調模組判斷該病患狀態儲存模組中之該病患的醫療資訊具有該醫囑記錄時，該協調模組傳送一通知訊息到該護理代理模組，該護理代理模組收到該通知訊息後，依據該通知訊息自該病患狀態儲存模組讀取該醫療資訊之該醫囑記錄。
如請求項6所述之急診臨床決策輔助系統，其中該照護任務清單包含一給藥時間、一藥物劑量資訊與一生命徵象監測頻率。
如請求項1所述之急診臨床決策輔助系統，包含一病患溝通代理模組，訊號連接該病患狀態儲存模組與該協調模組；該病患溝通代理模組自該人機介面接收一病情解釋訊息，該病情解釋訊息包括一初步病情解釋提示，該病患溝通代理模組輸出該病情解釋訊息；該協調模組接收該病情解釋訊息且輸出該病情解釋訊息至該動態提示模組；該動態提示模組依據該初步病情解釋提示產生一優化病情解釋提示，並輸出該優化病情解釋提示至該推論模組；該推論模組的該大型語言模型依據該優化病情解釋提示生成一病情說明內容，該推論模組將該病情說明內容傳送至該動態提示模組，且由該動態提示模組將該病情說明內容傳送至該協調模組；該協調模組將該病情說明內容傳送至該病患溝通代理模組；該病患溝通代理模組透過該人機介面輸出該病情說明內容。
如請求項9所述之急診臨床決策輔助系統，其中該動態提示模組具有複數個提示模板，該些提示模板包含一檢傷提示模板、一診斷提示模板與一病情解釋提示模板；該動態提示模組透過該檢傷提示模板依據該初步檢傷提示以及自該病患狀態儲存模組讀取之該醫療資訊產生該優化檢傷提示；該動態提示模組透過該診斷提示模板依據該初步診斷提示以及自該病患狀態儲存模組讀取之該醫療資訊產生該優化診斷提示；該動態提示模組透過該病情解釋提示模板依據該初步病情解釋提示產生該優化病情解釋提示。
一種鋶鹽，係以下式(1)表示； <br/><img align="absmiddle" height="40px" width="166px" file="ed10761.jpg" alt="ed10761.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n1係0或1；n2係1、2、3或4；n3係1；n4係0；n5係0；n6係1、2、3或4；n7係0；n8係1或2； <br/>R<sup>F</sup>係氟原子、碳數1～6之氟化飽和烴基、碳數1～6之氟化飽和烴氧基、碳數1～6之氟化飽和烴硫基或五氟硫基；n6為2、3或4時，各R<sup>F</sup>可彼此相同，亦可不同； <br/>R<sup>1</sup>及R<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子以外之鹵素原子、硝基、氰基、羥基、羧基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴氧基或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴硫基；n4為2時，各R<sup>1</sup>可彼此相同亦可不同，2個R<sup>1</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環；n7為2時，各R<sup>2</sup>可彼此相同亦可不同，2個R<sup>2</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環； <br/>L<sup>A</sup>係醚鍵、酯鍵或碳酸酯鍵； <br/>R<sup>AL</sup>係下式(AL-1)或(AL-2)表示之酸不穩定基； <br/>式(1)中之碘原子及-L<sup>A</sup>-R<sup>AL</sup>鍵結於彼此相鄰之碳原子； <br/>又，鍵結於S<sup>+</sup>之3個芳香環中之2者亦可彼此鍵結並與該等鍵結之硫原子一起形成環； <br/>Z<sup>-</sup>係下式(Z)表示之具有至少1個環狀結構之芳香族磺酸陰離子； <br/><img align="absmiddle" height="36px" width="95px" file="ed10763.jpg" alt="ed10763.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>L1</sup>及R<sup>L2</sup>各自獨立地為碳數1～12之烴基；R<sup>L3</sup>係氫原子或碳數1～12之烴基；R<sup>L1</sup>、R<sup>L2</sup>及R<sup>L3</sup>表示之烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分亦可被-O-或-S-取代，該烴基包含芳香環時，該芳香環之氫原子之一部分或全部亦可被鹵素原子、氰基、硝基、亦可包含鹵素原子之碳數1～4之烷基或亦可包含鹵素原子之碳數1～4之烷氧基取代；又，R<sup>L1</sup>及R<sup>L2</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環，該環之-CH<sub>2</sub>-之一部分亦可被-O-或-S-取代；惟，R<sup>L3</sup>為氫原子時，R<sup>L1</sup>及R<sup>L2</sup>彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成含多重鍵之脂環；又，該脂環之氫原子之一部分亦可被鹵素原子取代； <br/>R<sup>L4</sup>及R<sup>L5</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～10之烴基；R<sup>L6</sup>係碳數1～20之烴基，該烴基之-CH<sub>2</sub>-之一部分亦可被-O-或-S-取代； <br/>L<sup>B</sup>係-O-或-S-； <br/>*表示與L<sup>A</sup>之原子鍵； <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="133px" file="ed10764.jpg" alt="ed10764.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m1係0或1；m2係0、1、2、3、4或5；m3係0、1、2、3、4或5；m4係0、1、2、3、4或5；惟，m1為0時則0≦m2+m3+m4≦5，m1為1時則0≦m2+m3+m4≦7； <br/>W係含有至少1個脂環或芳香環之碳數6～40之烴基，該烴基亦可包含雜原子； <br/>R<sup>F1</sup>係氟原子、碳數1～6之氟化飽和烴基、碳數1～6之氟化飽和烴氧基、碳數1～6之氟化飽和烴硫基或五氟硫基；m2為2、3或4時，各R<sup>F1</sup>可彼此相同，亦可不同； <br/>R<sup>11</sup>係氟以外之鹵素原子、羥基、硝基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴氧基或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴硫基；m3為2、3或4時，各R<sup>11</sup>可彼此相同亦可不同，多個R<sup>11</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環； <br/>L<sup>C</sup>及L<sup>D</sup>各自獨立地為單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>X<sup>L1</sup>係單鍵、或亦可包含雜原子之碳數1～40之伸烴基。
如請求項1之鋶鹽，係以下式(1A)表示； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="135px" file="ed10762.jpg" alt="ed10762.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，n2～n4、n6～n8、R<sup>F</sup>、R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、L<sup>A</sup>、R<sup>AL</sup>及Z<sup>-</sup>與前述相同。
如請求項1之鋶鹽，其中，W係下式(W-1)或(W-2)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="61px" width="182px" file="ed10765.jpg" alt="ed10765.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m5係0或1；m6係0、1、2、3或4；m7係1、2、3或4；m8係0或1；m9係0或1；m10係0、1、2、3或4；m11係0、1、2、3或4； <br/>R<sup>12</sup>各自獨立地為氫原子、碘原子以外之鹵素原子、或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基； <br/>R<sup>13</sup>及R<sup>14</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基； <br/>R<sup>15</sup>～R<sup>19</sup>各自獨立地為氫原子、鹵素原子、或亦可包含雜原子之碳數1～40之烴基； <br/>虛線係與L<sup>C</sup>之原子鍵。
如請求項1之鋶鹽，其中，該陰離子係下式(Z1)表示者； <br/><img align="absmiddle" height="38px" width="115px" file="ed10766.jpg" alt="ed10766.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，m1～m4、W、R<sup>F1</sup>、R<sup>11</sup>及L<sup>C</sup>與前述相同。
一種光酸產生劑，係由如請求項1至4中任一項之鋶鹽構成。
一種化學增幅阻劑組成物，包含如請求項5之光酸產生劑及基礎聚合物，該基礎聚合物包含含有選自於下式(a1)表示之重複單元、下式(a2)表示之重複單元及下式(a3)表示之重複單元中之至少1者的聚合物； <br/>相對於該基礎聚合物80質量份，該光酸產生劑之含量為0.1～40質量份； <br/><img align="absmiddle" height="53px" width="85px" file="ed10767.jpg" alt="ed10767.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>1</sup>係單鍵、伸苯基、伸萘基或*-C(=O)-O-X<sup>11</sup>-，該伸苯基或伸萘基亦可被羥基、硝基、氰基、亦可包含氟原子之碳數1～10之飽和烴基、亦可包含氟原子之碳數1～10之飽和烴氧基或鹵素原子取代；X<sup>11</sup>係碳數1～10之飽和伸烴基、伸苯基或伸萘基，該飽和伸烴基亦可包含羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環； <br/>X<sup>2</sup>係單鍵或*-C(=O)-O-； <br/>*表示與主鏈之碳原子之原子鍵； <br/>R<sup>21</sup>係鹵素原子、氰基、羥基、硝基、五氟硫基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴氧基、亦可包含雜原子之碳數2～20之烴羰基、亦可包含雜原子之碳數2～20之烴羰基氧基或亦可包含雜原子之碳數2～20之烴氧基羰基；a1為2、3或4時，各R<sup>21</sup>可彼此相同，亦可不同； <br/>AL<sup>1</sup>及AL<sup>2</sup>各自獨立地為下式(AL-3)～(AL-5)之任一者表示之酸不穩定基； <br/>a1係0、1、2、3或4； <br/><img align="absmiddle" height="37px" width="167px" file="ed10771.jpg" alt="ed10771.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，*係原子鍵，a2係0～10之整數； <br/>R<sup>L11</sup>及R<sup>L12</sup>各自獨立地為亦可包含雜原子之碳數1～40之烴基； <br/>R<sup>L13</sup>及R<sup>L14</sup>各自獨立地為氫原子或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基；R<sup>L12</sup>、R<sup>L13</sup>及R<sup>L14</sup>中之任2者亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子或碳原子及氧原子一起形成碳數3～20之環； <br/>R<sup>L15</sup>、R<sup>L16</sup>及R<sup>L17</sup>各自獨立地為亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基；R<sup>L15</sup>、R<sup>L16</sup>及R<sup>L17</sup>中任2者亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成碳數3～20之環； <br/><img align="absmiddle" height="63px" width="92px" file="ed10768.jpg" alt="ed10768.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，b1係0或1；b2在b1為0時係0、1、2或3，b1為1時係0、1、2、3、4或5； <br/>R<sup>A</sup>係氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>X<sup>3</sup>係單鍵、*-C(=O)-O-或*-C(=O)-N(H)-；*表示與主鏈之碳原子之原子鍵； <br/>X<sup>4</sup>係單鍵、碳數1～4之脂肪族伸烴基、羰基、磺醯基、或組合該等而得之基； <br/>X<sup>5</sup>及X<sup>6</sup>各自獨立地為氧原子或硫原子；惟，X<sup>4</sup>及X<sup>6</sup>係鍵結於芳香環之相鄰碳原子； <br/>R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>各自獨立地為氫原子、或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基；又，R<sup>22</sup>及R<sup>23</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環； <br/>R<sup>24</sup>係鹵素原子、羥基、氰基、硝基、五氟硫基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴氧基、亦可包含雜原子之碳數2～20之烴氧基羰基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴硫基或-N(R<sup>24A</sup>)(R<sup>24B</sup>)；R<sup>24A</sup>及R<sup>24B</sup>各自獨立地為氫原子或碳數1～6之烴基；b2為2以上時，各R<sup>24</sup>可彼此相同亦可不同，多個R<sup>24</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之芳香環之碳原子一起形成環。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，其中，該聚合物包含下式(b1)或(b2)表示之重複單元； <br/><img align="absmiddle" height="52px" width="91px" file="ed10769.jpg" alt="ed10769.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>Y<sup>1</sup>係單鍵或*-C(=O)-O-；*表示與主鏈之碳原子之原子鍵； <br/>R<sup>31</sup>係氫原子、或含有選自於酚性羥基以外之羥基、氰基、羰基、羧基、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、碳酸酯鍵、內酯環、磺內酯環及羧酸酐(-C(=O)-O-C(=O)-)中之至少1者之結構的碳數1～20之基； <br/>R<sup>32</sup>係鹵素原子、羧基、硝基、氰基、五氟硫基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基、亦可包含雜原子之碳數1～20之烴氧基、亦可包含雜原子之碳數2～20之烴羰基、亦可包含雜原子之碳數2～20之烴羰基氧基或亦可包含雜原子之碳數2～20之烴氧基羰基；c2為2、3或4時，各R<sup>32</sup>可彼此相同，亦可不同； <br/>c1係1、2、3或4；c2係0、1、2、3或4；惟，1≦c1+c2≦5。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，其中，該聚合物包含選自於下式(c1)表示之重複單元、下式(c2)表示之重複單元、下式(c3)表示之重複單元、下式(c4)表示之重複單元及下式(c5)表示之重複單元中之至少1者； <br/><img align="absmiddle" height="154px" width="208px" file="ed10770.jpg" alt="ed10770.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/>式中，d1及d2各自獨立地為0、1、2或3； <br/>e1係0或1；e2係0、1、2、3或4；e3係0、1、2、3或4；惟，e1為0時則0≦e2+e3≦4，e1為1時則0≦e2+e3≦6； <br/>R<sup>A</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基； <br/>Z<sup>1</sup>係單鍵或亦可具有取代基之伸苯基； <br/>Z<sup>2</sup>係單鍵、**-C(=O)-O-Z<sup>21</sup>-、**-C(=O)-N(H)-Z<sup>21</sup>-或**-O-Z<sup>21</sup>-；Z<sup>21</sup>係碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基或組合該等而得之2價基，亦可包含鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Z<sup>3</sup>係單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>Z<sup>4</sup>係單鍵、或碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基或組合該等而得之2價基，亦可包含鹵素原子、羰基、酯鍵、醚鍵或羥基； <br/>Z<sup>5</sup>各自獨立地為單鍵、亦可具有取代基之伸苯基、亦可具有取代基之伸萘基、*-C(=O)-O-Z<sup>51</sup>-或*-C(=O)-N(R)-Z<sup>51</sup>-；Z<sup>51</sup>係碳數1～10之脂肪族伸烴基、伸苯基或伸萘基，該脂肪族伸烴基亦可包含鹵素原子、羥基、醚鍵、酯鍵或內酯環；R係氫原子、或亦可包含雜原子之碳數1～10之烴基； <br/>Z<sup>6</sup>係單鍵、醚鍵、酯鍵、磺酸酯鍵、醯胺鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>Z<sup>7</sup>各自獨立地為單鍵、***-Z<sup>71</sup>-C(=O)-O-、***-C(=O)-N(R)-Z<sup>71</sup>-或***-O-Z<sup>71</sup>-；Z<sup>71</sup>係亦可包含雜原子之碳數1～20之伸烴基；R與前述相同； <br/>Z<sup>8</sup>各自獨立地為單鍵、****-Z<sup>81</sup>-C(=O)-O-、****-C(=O)-N(R)-Z<sup>81</sup>-或****-O-Z<sup>81</sup>-；Z<sup>81</sup>係亦可包含雜原子之碳數1～20之伸烴基；R與前述相同； <br/>Z<sup>9</sup>係單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基、氟化伸苯基、經三氟甲基取代之伸苯基、*-C(=O)-O-Z<sup>91</sup>-、*-C(=O)-N(R)-Z<sup>91</sup>-或*-O-Z<sup>91</sup>-；Z<sup>91</sup>係碳數1～6之脂肪族伸烴基、伸苯基、氟化伸苯基或經三氟甲基取代之伸苯基，亦可包含羰基、酯鍵、醚鍵或羥基；R與前述相同； <br/>*表示與主鏈之碳原子之原子鍵；**表示與Z<sup>1</sup>之原子鍵；***表示與Z<sup>6</sup>之原子鍵；****表示與Z<sup>7</sup>之原子鍵； <br/>L<sup>11</sup>係單鍵、醚鍵、酯鍵、羰基、磺酸酯鍵、磺醯胺鍵、碳酸酯鍵或胺基甲酸酯鍵； <br/>Rf<sup>1</sup>及Rf<sup>2</sup>各自獨立地為氟原子或碳數1～6之氟化飽和烴基； <br/>Rf<sup>3</sup>及Rf<sup>4</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1～6之氟化飽和烴基； <br/>Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>各自獨立地為氫原子、氟原子或碳數1～6之氟化飽和烴基；惟，全部Rf<sup>5</sup>及Rf<sup>6</sup>不同時為氫原子； <br/>Rf<sup>7</sup>係氟原子、碳數1～6之氟化烷基、碳數1～6之氟化烷氧基、碳數1～6之氟化烷硫基或五氟硫基；e2為2、3或4時，各Rf<sup>7</sup>可彼此相同，亦可不同； <br/>R<sup>41</sup>及R<sup>42</sup>各自獨立地為亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基；又，R<sup>41</sup>及R<sup>42</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之硫原子一起形成環； <br/>R<sup>43</sup>係氟原子以外之鹵素原子、或亦可包含雜原子之碳數1～20之烴基；e3為2、3或4時，各R<sup>43</sup>可彼此相同亦可不同，多個R<sup>43</sup>亦可彼此鍵結並與該等鍵結之碳原子一起形成環； <br/>M<sup>-</sup>係非親核性相對離子；該非親核性相對離子係鹵素離子、磺酸陰離子、醯亞胺酸陰離子或甲基化物酸陰離子； <br/>A<sup>+</sup>係鎓陽離子；該鎓陽離子係鋶陽離子、錪陽離子、或銨陽離子。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含有機溶劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含淬滅劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含如請求項5之光酸產生劑以外之光酸產生劑。
如請求項6之化學增幅阻劑組成物，更包含界面活性劑。
一種圖案形成方法，包含下列步驟： <br/>使用如請求項6之化學增幅阻劑組成物於基板上形成阻劑膜，對該阻劑膜以高能射線進行曝光，及將該曝光後之阻劑膜使用顯影液進行顯影。
如請求項13之圖案形成方法，其中，該高能射線係KrF準分子雷射光、ArF準分子雷射光、電子束或波長3～15nm之極紫外線。
一種熱處理裝置，對於形成有光阻覆膜的基板予以熱處理，前述熱處理裝置具備： <br/>熱板，支持前述基板並予以加熱；及 <br/>腔室，收納前述熱板， <br/>前述腔室具有頂部，在下方形成有進行前述熱處理的處理空間，並且與前述熱板上的前述基板對向，前述腔室還具備： <br/>氣體吐出部，設置在前述頂部，將氣體朝向前述熱板上的前述基板從上方吐出； <br/>氣體供給部，從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體；及 <br/>周緣排氣部，從位在前述頂部中之俯視下之前述熱板上的前述基板之周緣部側，使前述處理空間內排氣； <br/>前述氣體供給部具有： <br/>氣體流道，設置成包圍前述熱板的側面；及 <br/>整流構件，使沿著前述氣體流道上升的氣體朝向前述熱板上的基板。
如請求項1的熱處理裝置，其中 <br/>前述光阻為含有金屬的光阻。
如請求項1的熱處理裝置，其中 <br/>前述熱處理裝置更具備控制部； <br/>前述控制部控制成在前述熱處理中，持續由前述氣體吐出部進行的吐出、由前述氣體供給部進行的氣體之供給、及由前述周緣排氣部進行的排氣。
如請求項1的熱處理裝置，其中 <br/>前述氣體流道連接到前述腔室內中前述熱板的下方之緩衝空間， <br/>前述緩衝空間的體積比前述處理空間的體積大。
如請求項1或4的熱處理裝置，其中 <br/>前述腔室具有包含前述頂部、並且構成為可自由升降的上腔室， <br/>前述上腔室構成為可被加熱， <br/>前述整流構件為實心體， <br/>其頂面整體接觸前述上腔室的底面。
如請求項1或4的熱處理裝置，其中 <br/>前述腔室具有包含前述頂部、並且構成為可自由升降的上腔室， <br/>前述上腔室構成為可被加熱， <br/>前述整流構件為實心體， <br/>其頂面整體在接觸前述上腔室的底面之形態，固定在前述上腔室，並且與前述上腔室共同升降。
如請求項1或2的熱處理裝置，其中 <br/>前述熱板具有將前述基板吸附於該熱板本身之用的吸附孔， <br/>還具備樹脂製的襯墊，具有連通到前述吸附孔的流道， <br/>前述樹脂製的襯墊經由金屬製的構件，連通到前述吸附孔並且連接到前述熱板。
如請求項7的熱處理裝置，其中 <br/>前述金屬製的構件具有大徑部。
如請求項7的熱處理裝置，其更具備： <br/>環狀構件，對於前述熱板經由支持柱連接到下方； <br/>前述樹脂製的襯墊位在前述環狀構件的下方。
如請求項3的熱處理裝置，其更具備： <br/>中央排氣部，從位在前述頂部中之俯視下靠近前述熱板上的前述基板之中央的位置，使前述處理空間內排氣； <br/>前述控制部除了控制成從前述熱處理的途中使得由前述中央排氣部進行的排氣變強之外，也控制成在由前述中央排氣部進行的排氣變強的期間，使往前述氣體噴出部供給的前述氣體的流量變高。
一種熱處理方法，對於形成有光阻覆膜的基板予以熱處理，前述熱處理方法包含以下工序： <br/>在支持前述基板並予以加熱的熱板載置前述基板的工序；及 <br/>將前述熱板上的前述基板予以熱處理的工序， <br/>前述熱處理的工序包含： <br/>(A)從收納前述熱板的腔室中、與前述熱板上的前述基板呈對向並且將進行前述熱處理的處理空間形成在其下方的頂部，將氣體朝向前述熱板上的前述基板吐出的工序； <br/>(B)從前述熱板上的前述基板之側方也就是前述處理空間的下部，朝向前述熱板上的前述基板供給氣體的工序；及 <br/>(D)從位在前述頂部中之俯視下之前述熱板上的前述基板之周緣部側，使前述處理空間內排氣的工序； <br/>前述熱處理中，繼續進行前述(A)工序，並且繼續進行前述(B)工序及前述(D)工序，在前述熱板上的前述基板之周圍形成上升流， <br/>前述(B)工序將沿著設置成包圍前述熱板的側面之氣體流道而上升的氣體，藉由整流構件，朝向前述熱板上的基板。
一種可讀取的電腦記錄媒體，其特徵為： <br/>為了將請求項11的熱處理方法由熱處理裝置執行，而記錄在控制前述熱處理裝置的控制部之電腦上動作的程式。
一種不織布製椅，係收集纖維為原料，經由不織布工法製造為不織布層塊，再經烘烤及壓制過程成型為厚度在4~6 mm間，密度在800~1000 Kg/m<sup>3</sup>間之纖維板材，然後將該纖維板材沖壓裁切成為一外圍板、一支撐板及一座板，其中，該外圍板區分為一側板部位、一後板部位及一彎曲部位，該側板部位分位二側，該後板部位位於後側，該彎曲部位介於該側板部位及該後板部位間，該側板部位上於一高度處開設有成一行排列之卡槽，該卡槽呈直立狀開設，數量至少二處以上，該後板部位上於高於該卡槽的最低點處開設有成一行排列之卡槽，該後板部位上的卡槽呈平臥狀開設，數量至少二處以上，該彎曲部位上開設有多數呈直向排列之溝槽；該支撐板呈直立狀態，其長邊二端頂緣處皆向外同體成型一開口向下之卡鈎，該支撐板之長邊頂緣上向上突伸複數之卡掣片，該支撐板之數量與該側板部位上之卡槽之數量對應；該座板之前緣為平直緣條，該座板二側的側緣向後延伸後尾端先形成一弧緣，然後再連接成為一後緣，該後緣上突設有卡掣片，該後緣上之卡掣片的數量及位置與該後板部位上之卡槽相對應，該座板上開設有一卡槽，該座板上之卡槽的數量及位置與該支撐板的卡掣片相對應；組裝時將該外圍板由該彎曲部位操作彎折動作，使該外圍板形成該側板部位分位二側，以及該後板部位位於後側之狀態，然後將該支撐板二端的卡鈎對應該側板部位上的卡槽進行卡接，接著將該座板對應該支撐板疊合，使該座板上之卡槽與該支撐板上之卡掣片一對一對應卡接，同時該座板之後緣上的卡掣片與該後板部位上之卡槽一對一對應卡接。
如請求項1所述之不織布製椅，其中，該彎曲部位上所開設溝槽之數量在八~十五 間，該溝槽本身之寬度在2mm~5mm間，以及鄰近二溝槽間之間距在2mm~5mm間。
一種主動阻抗匹配驅動系統，包含：<br/> 一換流器，耦接於一電源；<br/> 一諧振器，耦接於該換流器與一超音波刀把之間，該諧振器包含一可調式諧振元件，且該可調式諧振元件具有複數設定值；及<br/> 一控制器，耦接於該換流器與該諧振器，並接收一刀把電流訊號與一刀把電壓訊號，該控制器控制該換流器之一操作頻率，並於該些設定值之間切換以選定該些設定值之其中之一，根據對應於每一該設定值之各自之一最大刀把電流所形成之一電流響應曲線，判斷該電流響應曲線之一局部最小值，並鎖定其所對應該些設定值之其中之一及其對應之一操作頻率，並據此控制該換流器與該諧振器以驅動該超音波刀把。
如請求項1所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該可調式諧振元件為一可調式諧振電容，且該諧振器包含一固定式諧振電感，耦接於該可調式諧振電容。
如請求項1所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該可調式諧振元件為一可調式諧振電感，且該諧振器包含一固定式諧振電容，耦接於該可調式諧振電感。
如請求項2所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該可調式諧振電容包含複數諧振電容及一第一開關，該控制器藉由控制該第一開關之導通狀態，於該可調式諧振電容之該些設定值之間切換，以選定該些設定值之其中之一。
如請求項3所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該可調式諧振電感包含複數諧振電感及一第二開關，該控制器藉由控制該第二開關之導通狀態，於該可調式諧振電感之該些設定值之間切換，以選定該些設定值 之其中之一。
如請求項4或5所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該第一開關為繼電器或該第二開關為繼電器。
如請求項1所述之主動阻抗匹配驅動系統，其中，該換流器為一半橋式換流器或一全橋式換流器。
一種主動阻抗匹配控制方法，係用於一包含一換流器及一諧振器之驅動系統，該諧振器包含一可調式諧振元件，該方法包含：<br/> (a) 提供該可調式諧振元件之複數設定值；<br/> (b) 依序選定該些設定值之其中之一；<br/> (c) 對於該些設定值，分別執行一掃頻程序以改變該換流器之一操作頻率，並記錄對應於每一該設定值之各自之一最大刀把電流及其對應之一操作頻率，從而形成對應於該些設定值之一電流響應曲線； <br/> (d) 於完成對該些設定值之該掃頻程序後，從所記錄之該些最大刀把電流中，判斷該電流響應曲線之一局部最小值；及<br/> (e) 鎖定該局部最小值所對應該些設定值之其中之一及其對應之一操作頻率，並據此控制該諧振器與該換流器。
如請求項8所述之主動阻抗匹配控制方法，其中，該局部最小值係指該電流響應曲線中，刀把電流由下降區段轉入上升區段之一轉折處。
如請求項8所述之主動阻抗匹配控制方法，其中，判斷出該電流響應曲線之該局部最小值為複數時，選擇相鄰數據之最大刀把電流變化幅度較大者所對應之一局部最小值。
一種真空閥，其包含有：<br/> 一座體，其包含有一通道結構，該通道結構包含有一入口及一出口；<br/> 一旋轉操作件，其可拆卸地設置於該座體且能相對於該座體於一鎖定位置與一釋鎖位置之間轉動；<br/> 一閥體，其活動設置於該座體與該旋轉操作件之間；以及<br/> 一驅動件，其活動設置於該閥體與該旋轉操作件之間；<br/> 其中當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該旋轉操作件驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體，以使該閥體保持於一阻擋狀態而覆蓋該通道結構之該出口以避免氣流通過該通道結構。
如請求項1所述之真空閥，其中當該旋轉操作件由該鎖定位置轉動至該釋鎖位置時，該旋轉操作件不驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體，以使該閥體能夠由該阻擋狀態釋放而暴露該通道結構之該出口以允許氣流通過該通道結構。
如請求項1所述之真空閥，其中該旋轉操作件包含有至少一致動結構，該驅動件包含有用以與該至少一致動結構配合之至少一配合結構，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該旋轉操作件利用該至少一致動結構與該至少一配合結構的配合驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體。
如請求項3所述之真空閥，其中該至少一致動結構為一凸起結構，該至少一配合結構為一凹陷結構，該凹陷結構包含有一第一凹陷段以及一第二凹陷段，該第一凹陷段具有一第一凹陷深度，該第二凹陷段具有小於該第一凹陷深度之一第二凹陷深度，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該凸起結構由對應該第一凹陷段之一第一位置移動至對應該第二凹陷段之一第二位置。
如請求項1所述之真空閥，其中該座體另包含有圍繞於該通道結構之一密封凸起結構，該驅動件包含有位於對應該通道結構之該出口處且與該密封凸起結構不對齊之一抵接凸起結構，且該密封凸起結構與該抵接凸起結構係用以分別抵接該閥體之一第一側與相對於該第一側之一第二側。
如請求項1所述之真空閥，其中該座體另包含有至少一第一配合結構，該驅動件包含有至少一第二配合結構，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該至少一第一配合結構與該至少一第二配合結構係用以彼此抵接以導引該驅動件沿該旋轉操作件之一轉動軸移動且避免該驅動件相對於該座體轉動。
如請求項1所述之真空閥，其另包含有一過濾件，該過濾件係固定設置於該座體且鄰近於該通道結構之該入口。
如請求項1所述之真空閥，其中該閥體係由彈性材料或可變形材料所製成。
如請求項1所述之真空閥，其中該閥體之材料硬度係小於該驅動件之材料硬度以及該座體之材料硬度。
如請求項1所述之真空閥，其中該旋轉操作件包含有至少一彈性卡勾，該至少一彈性卡勾係用以與該座體彼此卡合或脫離卡合，當該至少一彈性卡勾與該座體彼此卡合時，該旋轉操作件無法由該座體拆卸下來，或無法相對於該座體沿該旋轉操作件之一轉動軸移動以遠離該座體，且當該至少一彈性卡勾與該座體脫離卡合時，該旋轉操作件能夠由該座體拆卸下來，或能夠相對於該座體沿該旋轉操作件之該轉動軸移動以遠離該座體。
一種真空容器總成，其包含有：<br/> 一容器；以及<br/> 一真空閥，其包含有：<br/> 一座體，其設置於該容器且包含有一通道結構，該通道結構包含有一入口及一出口；<br/> 一旋轉操作件，其可拆卸地設置於該座體且能相對於該座體於一鎖定位置與一釋鎖位置之間轉動；<br/> 一閥體，其活動設置於該座體與該旋轉操作件之間；以及<br/> 一驅動件，其活動設置於該閥體與該旋轉操作件之間；<br/> 其中當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該旋轉操作件驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體，以使該閥體保持於一阻擋狀態而覆蓋該通道結構之該出口以避免氣流通過該通道結構。
如請求項11所述之真空容器總成，其中當該旋轉操作件由該鎖定位置轉動至該釋鎖位置時，該旋轉操作件不驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體，以使該閥體能夠由該阻擋狀態釋放而暴露該通道結構之該出口以允許氣流通過該通道結構。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該旋轉操作件包含有至少一致動結構，該驅動件包含有用以與該至少一致動結構配合之至少一配合結構，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該旋轉操作件利用該至少一致動結構與該至少一配合結構的配合驅使該驅動件按壓該閥體抵靠該座體。
如請求項13所述之真空容器總成，其中該至少一致動結構為一凸起結構，該至少一配合結構為一凹陷結構，該凹陷結構包含有一第一凹陷段以及一第二凹陷段，該第一凹陷段具有一第一凹陷深度，該第二凹陷段具有小於該第一凹陷深度之一第二凹陷深度，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該凸起結構由對應該第一凹陷段之一第一位置移動至對應該第二凹陷段之一第二位置。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該座體另包含有圍繞於該通道結構之一密封凸起結構，該驅動件包含有位於對應該通道結構之該出口處且與該密封凸起結構不對齊之一抵接凸起結構，且該密封凸起結構與該抵接凸起結構係用以分別抵接該閥體之一第一側與相對於該第一側之一第二側。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該座體另包含有至少一第一配合結構，該驅動件包含有至少一第二配合結構，且當該旋轉操作件由該釋鎖位置轉動至該鎖定位置時，該至少一第一配合結構與該至少一第二配合結構係用以彼此抵接以導引該驅動件沿該旋轉操作件之一轉動軸移動且避免該驅動件相對於該座體轉動。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該真空閥另包含有一過濾件，該過濾件係固定設置於該座體且鄰近於該通道結構之該入口。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該閥體係由彈性材料或可變形材料所製成。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該閥體之材料硬度係小於該驅動件之材料硬度以及該座體之材料硬度。
如請求項11所述之真空容器總成，其中該旋轉操作件包含有至少一彈性卡勾，該至少一彈性卡勾係用以與該座體彼此卡合或脫離卡合，當該至少一彈性卡勾與該座體彼此卡合時，該旋轉操作件無法由該座體拆卸下來，或無法相對於該座體沿該旋轉操作件之一轉動軸移動以遠離該座體，且當該至少一彈性卡勾與該座體脫離卡合時，該旋轉操作件能夠由該座體拆卸下來，或能夠相對於該座體沿該旋轉操作件之該轉動軸移動以遠離該座體。
一種智慧戒指，包含有：<br/> 一環體，其中設有一電路板、一處理器與一電源，其中該電源與該處理器電性連接至該電路板；該環體具有一內側構件，係以透明材料所製成，該內側構件具有一表面，當該環體套在手指時，該表面接觸人體皮膚； <br/> 一基板，設於該環體中並電性連接該電路板；<br/> 一光源模組，設置於該基板，並透過該基板與該電路板電性連接；該光源模組產生偵測光射向該環體之表面；<br/> 一感測模組，設置於該基板，並透過該基板與該電路板電性連接；該感測模組接收該光源模組之偵測光的反射光訊號，以供該處理器取得人體生理資訊；<br/> 一封裝件，設置於該基板，覆蓋該光源模組與該感測模組；以及<br/> 一擋牆，係以不透光的材料製成，設置於該基板，並位於該光源模組與該感測模組之間；該擋牆的高度大於該封裝件的厚度，使該擋牆具有一部分位於該封裝件中以及另一部分伸出該封裝件並被該內側構件包覆。
如請求項1所述之智慧戒指，其中該擋牆位於該內側構件中之高度(H1)與該內側構件由該封裝件至該內側構件內側表面的距離(H2)的關係為：0＜H1/H2≤0.5。
如請求項1所述之智慧戒指，其中該光源模組至該擋牆的距離(DL)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/4H≤DL≤1/3H。
如請求項1所述之智慧戒指，其中該感測模組至該擋牆的距離(DP)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/4H≤DP≤1/3H。
如請求項1所述之智慧戒指，其中該封裝件具有一緩衝層與一加強層；該緩衝層連接該基板且包覆該光源模組與該感測模組於其中；該加強層則疊置於該緩衝層之上；該加強層的硬度大於該緩衝層；該內側構件的硬度小於該加強層且大於該緩衝層。
如請求項1所述之智慧戒指，其中該光源模組具有一第一主光源、一第一輔光源、一第二主光源與一第二輔光源；該感測模組則具有一第一感測器與一第二感測器；該第一感測器接收該第一主光源與該第一輔光源所提供之偵測光的反射光，該第二感測器接收該第二主光源與該第二輔光源所提供之偵測光的反射光；該第一主光源與該第一感測器之間的距離小於該第一輔光源與該第一感測器之間的距離；該第二主光源與該第二感測器之間的距離小於該第二輔光源與該第二感測器之間的距離；該第一主光源與該第一感測器之間的距離等於該第二主光源與該第二感測器之間的距離；該第一主光源與該第一輔光源提供相同波長的偵測光，該第二主光源與該第二輔光源提供相同波長的偵測光，該第一主光源所提供的偵測光的波長不同於該第二主光源所提供的偵測光。
如請求項6所述之智慧戒指，其中該第一主光源至該第一輔光源的距離(PH1)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PH1≤3/2H；該第二主光源至該第二輔光源的距離(PH2)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PH2≤3/2H。
如請求項6所述之智慧戒指，其中該第一主光源與該第二主光源之間的距離(PV)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PV≤3/2H。
如請求項6所述之智慧戒指，其中該第一主光源所提供的偵測光的波長(n1)範圍為1400nm~2900nm；該第二主光源所提供的偵測光的波長(n2)範圍為1500nm~3000nm，且n2＞n1。
如請求項9所述之智慧戒指，其中該封裝件具有一光學膜；該光學膜為一雙波段光學過濾膜，僅讓該第一主光源及第一輔光源所提供的偵測光的波長(n1)與該第二主光源及第二輔光源所提供的偵測光的波長(n2)通過。
如請求項6所述之智慧戒指，其中該處理器所取得的人體生理資訊包括人體之組織液中的血糖與酒精濃度之數值。
一種偵測裝置，用以偵測人體生理資訊，包含有：<br/> 一基板；<br/> 一光源模組，設置於該基板，並與該基板電性連接；該光源模組產生偵測光；<br/> 一感測模組，設置於該基板，並與該基板電性連接；該感測模組接收該光源模組之偵測光的反射光訊號，以供取得人體生理資訊；<br/> 一封裝件，設置於該基板，覆蓋該光源模組與該感測模組；以及<br/> 一擋牆，係以不透光的材料製成，設置於該基板，並位於該光源模組與該感測模組之間；該擋牆的高度大於該封裝件的厚度，使該擋牆具有一部分位於該封裝件中以及另一部分伸出該封裝件。
如請求項12所述之偵測裝置，其中該光源模組至該擋牆的距離(DL)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/4H≤DL≤1/3H。
如請求項12所述之偵測裝置，其中該感測模組至該擋牆的距離(DP)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/4H≤DP≤1/3H。
如請求項12所述之偵測裝置，其中該封裝件具有一緩衝層與一加強層；該緩衝層連接該基板且包覆該光源模組與該感測模組於其中；該加強層則疊置於該緩衝層之上；該加強層的硬度大於該緩衝層。
如請求項12所述之偵測裝置，其中該光源模組具有一第一主光源、一第一輔光源、一第二主光源與一第二輔光源；該感測模組則具有一第一感測器與一第二感測器；該第一感測器接收該第一主光源與該第一輔光源所提供之偵測光的反射光，該第二感測器接收該第二主光源與該第二輔光源所提供之偵測光的反射光；該第一主光源與該第一感測器之間的距離小於該第一輔光源與該第一感測器之間的距離；該第二主光源與該第二感測器之間的距離小於該第二輔光源與該第二感測器之間的距離；該第一主光源與該第一感測器之間的距離等於該第二主光源與該第二感測器之間的距離；該第一主光源與該第一輔光源提供相同波長的偵測光，該第二主光源與該第二輔光源提供相同波長的偵測光，該第一主光源所提供的偵測光的波長不同於該第二主光源所提供的偵測光。
如請求項16所述之偵測裝置，其中該第一主光源至該第一輔光源的距離(PH1)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PH1≤3/2H；該第二主光源至該第二輔光源的距離(PH2)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PH2≤3/2H。
如請求項16所述之偵測裝置，其中該第一主光源與該第二主光源之間的距離(PV)與該擋牆之高度(H)的關係為：1/2H≤PV≤3/2H。
如請求項16所述之偵測裝置，其中該第一主光源所提供的偵測光的波長(n1)範圍為1400nm~2900nm；該第二主光源所提供的偵測光的波長(n2)範圍為1500nm~3000nm，且n2＞n1。
如請求項19所述之偵測裝置，其中該封裝件具有一光學膜；該為一雙波段光學過濾膜，僅該第一主光源及第一輔光源所提供的偵測光的波長(n1)與該第二主光源及第二輔光源所提供的偵測光的波長(n2)通過。
如請求項16所述之偵測裝置，其中該偵測裝置偵測人體生理資訊包括人體之組織液中的血糖與酒精濃度之數值。
一種智慧扳手，其包括：<br/> 一本體，端部形成有一夾持部，該本體設置有一按鍵模組；<br/> 一夾持模組，設置於該本體的端部，該夾持模組包括多個夾持件，多個該夾持件圍構形成該夾持部，並均滑動安裝於該本體，所有該夾持件均對應設置有一壓力感測器，該壓力感測器能夠在該夾持模組夾持一螺紋連接件時，檢測該夾持件和該螺紋連接件之間的壓力；<br/> 一驅動模組，能夠驅動多個該夾持件聚攏或散開，該驅動模組與該按鍵模組及該壓力感測器均通訊連接；以及<br/> 一處理電路，該處理電路與所有該壓力感測器電連接，該處理電路用以根據所有該壓力感測器的檢測數據計算該夾持模組與該螺紋連接件之間的扭矩。
如請求項1所述的智慧扳手，其中，該驅動模組包括一驅動力臂及一驅動件，該驅動件透過該驅動力臂與多個該夾持件傳動連接，並能夠驅動多個該夾持件同步運動。
如請求項2所述的智慧扳手，其中，該驅動力臂為一多連桿機構，該驅動件的運動透過該多連桿機構傳遞至多個該夾持件。
如請求項3所述的智慧扳手，其中，所有該夾持件均相對設置有一動板，所有該動板串聯組成該驅動力臂，該壓力感測器支撐於相對應的該夾持件和該動板之間，所有該動板中位於中間的兩個透過一傳動件與該驅動件的活動端傳動連接，該傳動件能夠朝向或背離該驅動力臂移動。
如請求項4所述的智慧扳手，其中，沿與該夾持件和該動板的排列方向垂直的方向，該壓力感測器的兩側均設置有一彈簧。
如請求項4所述的智慧扳手，其中，該驅動件的活動端能夠繞其軸線轉動，該驅動件的活動端設置有一波形槽，該波形槽環繞於該驅動件的活動端的外周，該傳動件的一端插入該波形槽，該傳動件的另一端與該驅動力臂固定連接。
如請求項1所述的智慧扳手，其中，該按鍵模組包括一電源開關按鍵、一手動聚攏按鍵和一手動散開按鍵。
如請求項7所述的智慧扳手，其中，該按鍵模組還包括一自動聚攏按鍵和一自動散開按鍵。
如請求項1所述的智慧扳手，其中，該智慧扳手還包括一報警器，該報警器與該壓力感測器電連接。
如請求項1所述的智慧扳手，其中，該智慧扳手的兩端均設置有該夾持模組，所有該夾持模組均對應設置有該驅動模組。
一種玻璃基板，其特徵在於，作為玻璃組成，以莫耳%計，含有SiO<sub>2</sub> 60%～69%、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 12%～15%、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 3.00%～4.5%、MgO 0%～8%、CaO 4%～10%、SrO 0%～10%、BaO 0.2%～2.60%、ZnO 0%～10%、P<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 0%～10%、SnO<sub>2</sub> 0.01%～1%，As<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量分別為小於0.1%，β-OH值為0.50/mm以下，應變點為695℃～740℃，10<sup>4.5</sup> dPa·s下的溫度為1300℃以下，液相黏度為10<sup>4.5</sup> dPa·s以上，楊氏模量為78 GPa以上，且在500℃下進行1小時的熱處理時的熱收縮率為20 ppm以下。
如請求項1所述的玻璃基板，其中含有MgO 4.93%～8%。
如請求項1或請求項2所述的玻璃基板，其中含有Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 12.57%～15%。
一種可撓性覆蓋透鏡組件，包括：<br/> 一玻璃層；<br/> 一衝擊吸收層，配置在該玻璃層上；<br/> 一防潮層，配置在該衝擊吸收層上；<br/> 一基板，配置在該防潮層上；<br/> 一濕硬塗層，配置在該基板上；<br/> 一黏性促進層，配置在該濕硬塗層上；<br/> 一抗反射層，配置在該黏性促進層上；<br/> 一乾硬塗層，配置在該抗反射層上；以及<br/> 一抗指紋塗層，配置在該乾硬塗層上。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該可撓性覆蓋透鏡組件具有大於1%至15%的臨界應變（critical strain）。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該玻璃層為一超薄玻璃層（ultra-thin glass layer）且具有介於20微米至100微米之厚度。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層包括選自選自由氧化矽（silicon oxide）、碳化矽（ silicon carbide）、碳氧化矽（silicon oxycarbide）、氮化矽（silicon nitride）、氧氮化矽（silicon oxynitride）、碳氮化矽氮化物（silicon oxycarbide nitride）、其摻雜劑及其任何組合所構成群組。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層的碳濃度在該黏性促進層的一跨厚度上變化，且在該跨厚度上具有一碳濃度梯度（gradient of carbon concentration）。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層包括介於2個~10個之間的子層。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層包含多個子層，該些子層的碳濃度在該黏性促進層的一跨厚度上變化，且在該跨厚度上具有一碳濃度梯度。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層包含多個子層，該些子層的硬度在該黏性促進層的一跨厚度上變化，且在該跨厚度上具有一硬度梯度（gradient of hardness）。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該黏性促進層包括複數個子層，該些子層在該黏性促進層的跨厚度上具有一奈米壓痕硬度（nano-indentation hardness），該奈米壓痕硬度在使用奈米壓痕技術（nano-indentation technique）量測下介於0.1 GPa至5 GPa之間。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該乾硬塗層的材料包括選自由氧化矽、碳化矽、碳氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、碳氮化矽氮化物、其摻雜劑及其任何組合所構成群組，且該濕硬塗層包含丙烯酸酯（acrylate），其中丙烯酸酯包括可輻射固化的丙烯酸酯（radiation curable acrylate）、脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯（aliphatic urethane acrylate）、其共聚物（copolymer thereof）、其彈性體（elastomer thereof）或其任意組合。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該乾硬塗層具有介於1 %至7%的孔隙率，而該濕硬塗層具有介於6 %至10%的孔隙率。
如請求項1所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該濕硬塗層具有介於0.4 GPa至1.5 GPa之奈米壓痕硬度，且/或該乾硬塗層具有介於1 GPa至5 GPa之奈米壓痕硬度。
一種可撓性覆蓋透鏡組件，包括：<br/> 一玻璃層；<br/> 一第一黏性促進層，配置在該玻璃層上；<br/> 一濕硬塗層，配置在該第一黏性促進層上；<br/> 一第二黏性促進層，配置在該濕硬塗層上；<br/> 一乾硬塗層，配置在該第二黏性促進層上；以及<br/> 一抗指紋塗層，配置在該乾硬塗層上。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該可撓性覆蓋透鏡組件具有大於1 %至15 %的臨界應變。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該乾硬塗層包括選自選自由氧化矽、碳化矽、碳氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、碳氮化矽氮化物、其摻雜劑及其任何組合所構成群組。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該濕硬塗層包含丙烯酸酯，其中丙烯酸酯包括可輻射固化的丙烯酸酯、脂肪族氨基甲酸酯丙烯酸酯、其共聚物、其彈性體或其任意組合。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該乾硬塗層具有介於1 %至7%的孔隙率，而該濕硬塗層具有介於6 %至10%的孔隙率。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其該濕硬塗層具有介於1.40至1.55之間的折射率（refractive index）。
如請求項13所述之可撓性覆蓋透鏡組件，其中該濕硬塗層具有介於0.4 GPa至1.5 GPa之奈米壓痕硬度，且該濕硬塗層具有介於0.5微米至40微米之厚度。
一種可撓性覆蓋透鏡組件，包括：<br/> 一玻璃層；<br/> 一濕硬塗層，具有介於6%~10%之間的孔隙率且配置在一第一黏性促進層上；<br/> 一黏性促進層，配置在該濕硬塗層上；<br/> 一乾硬塗層，具有介於1%~7%之間的孔隙率且配置在該黏性促進層上；以及<br/> 一抗指紋塗層，配置在該乾硬塗層上；<br/> 其中，該可撓性覆蓋透鏡組件具有大於1 %至15 %之臨界應變。
一種具影像辨識功能的點滴架，適用於供一使用者扶握及推移使用，並包含：<br/> 一架體單元，包括一用以供該使用者扶握的主支架，及數個設置於該主支架下方的電控輪組，每一該電控輪組可被控制鎖死而無法滾轉行進；<br/> 一影像擷取單元，設置於該主支架，並可用以朝下對該使用者進行影像擷取，以得到一個影像資料；及<br/> 一控制單元，設置於該主支架，並訊號連接該等電控輪組與該影像擷取單元，該控制單元包括一可用以各別控制每一該電控輪組是否鎖死的控制模組、一影像辨識模組，及一判斷模組，該影像辨識模組可分析辨識出該影像資料中存在之一使用者影像，該判斷模組內建一跌倒預測模型，並會透過該跌倒預測模型分析該使用者影像變化以預測判斷該使用者是否將跌倒，當預測判斷為將要跌倒時，該判斷模組驅使該控制模組控制該等電控輪組鎖死。
如請求項1所述的具影像辨識功能的點滴架，其中，該影像辨識模組可分析辨識出該使用者影像之一頭部及一肩線，該判斷模組會透過該跌倒預測模型分析該使用者影像中的頭部及肩線之相對位置的變化，藉以預測判斷該使用者是否將跌倒。
如請求項1所述的具影像辨識功能的點滴架，其中，該判斷模組還內建一可被操作啟動的學習模式，該判斷模組被操作啟動該學習模式時，會分析該使用者影像變化，以得到並記錄一對應該使用者的特徵參數，該判斷模組會以該特徵參數微調該跌倒預測模型。
如請求項1所述的具影像辨識功能的點滴架，適用於搭配一輸液套組使用，該輸液套組具有一個計量筒，該計量筒具有一用以容裝點滴液之透明的筒體，及一設置在該筒體中且會懸浮於點滴液上的安全閥，其中，該控制單元還包括一無線通訊模組，該主支架可用以供該輸液套組吊掛使用，而使該計量筒相對位於該影像擷取模組的影像擷取視野中，該影像擷取模組可用以朝該使用者與該計量筒進行影像擷取以得到該影像資料，該影像辨識模組還可從該影像資料中分析辨識出該安全閥於該筒體中的一高度位置，該判斷模組在判斷出該高度位置低於一預定高度時，會經由該無線通訊模組對外發送一個警示訊息。
如請求項1所述的具影像辨識功能的點滴架，還包含一設置於該主支架且訊號連接該控制單元的照明單元，該照明單元包括一光感測器及一照明模組，該影像辨識模組還可從該影像資料中分析辨識出該主支架，及自該使用者影像中辨識出該使用者的手部，該判斷模組於辨識判斷出該手部扶握住該主支架時，會驅使該控制模組控制啟動該光感測器，該光感測器會感測周圍環境光線亮度，以得到一亮度訊號，該判斷模組於判斷該亮度訊號代表的光線亮度低於一預設亮度時，會驅使該控制模組控制該照明模組產生照明光線。
一種形成半導體記憶體結構的方法，包含：<br/> 提供一基底，其上具有一元件單元區和靠近所述元件單元區的一接觸形成區；<br/> 在所述元件單元區內的所述基底上形成一記憶單元電晶體，其中，所述記憶單元電晶體包含一閘極和位於所述閘極與所述基底之間的一電荷存儲結構，其中，所述閘極包含位於所述接觸形成區內的一延伸部；<br/> 在所述元件單元區內的所述閘極的側壁上形成一第一側壁子，其中，所述第一側壁子具有一第一高度；<br/> 在所述接觸形成區內的所述閘極的所述延伸部的側壁上形成一第二側壁子，其中，所述第二側壁子具有一第二高度，其大於所述第一高度；<br/> 形成一接觸蝕刻停止層，覆蓋所述接觸形成區內的所述延伸部和所述元件單元區內的所述閘極；<br/> 在所述接觸形成區和所述元件單元區內形成覆蓋所述接觸蝕刻停止層的一層間介電層；<br/> 在所述層間介電層中形成一接觸插塞，並且在所述接觸形成區內與所述閘極的所述延伸部直接接觸，其中，所述接觸插塞被所述接觸蝕刻停止層圍繞包覆；以及<br/> 在所述接觸插塞與所述第二側壁子之間形成一氧化層，其中，所述氧化層與所述接觸蝕刻停止層直接接觸，且所述接觸插塞的整個側壁被所述氧化層覆蓋。
根據請求項1所述的方法，其中，所述接觸形成區是一溝槽隔離區並且與所述元件單元區相連。
根據請求項2所述的方法，其中，所述閘極的所述延伸部是直接設置在所述溝槽隔離區上的。
根據請求項1所述的方法，其中，所述接觸形成區內的所述延伸部的閘極長度等於所述元件單元區內的所述閘極的閘極長度。
根據請求項1所述的方法，其中，所述電荷存儲結構包含氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜。
根據請求項1所述的方法，其中，所述接觸蝕刻停止層包含碳化矽。
一種多頻段天線，包含：<br/> 一介電基板；<br/> 一第一金屬接墊，設置在該介電基板上；<br/> 一第二金屬接墊，設置在該介電基板上，且與該第一金屬接墊間隔；<br/> 一金屬件，設置在該介電基板上，且包含一第一端部、一第二端部及一饋電部，其中該饋電部位於該第一端部和該第二端部之間，該第一端部和該饋電部分別電性連接該第一金屬接墊和該第二金屬接墊；以及<br/> 一晶片天線，設置在該介電基板上，且電性連接該第一金屬接墊；<br/> 其中該第二金屬接墊配置為接收一饋電信號；<br/> 其中經由該第二金屬接墊、和該饋電部至該第一端部，以及經由該第一金屬接墊至該晶片天線形成該饋電信號的一傳輸路徑。
如請求項1所述之多頻段天線，還包含：<br/> 一第一接地片，設置在該介電基板上，其中該晶片天線鄰近該介電基板的一邊緣，該第一接地片與該第二金屬接墊相鄰，且該第一接地片、該第二金屬接墊和該邊緣環繞該晶片天線。
如請求項1所述之多頻段天線，還包含：<br/> 一第二接地片，設置在該介電基板上，且與該第二金屬接墊間隔；以及<br/> 一傳輸線，設置在該介電基板上，且具有一第一連接端和一第二連接端，其中該第一連接端、該第二連接端分別電性連接該第二金屬接墊和該第二接地片。
如請求項1所述之多頻段天線，還包含：<br/> 一第三金屬接墊，設置在該介電基板上，且與該第一金屬接墊、該第二金屬接墊間隔，其中該第二金屬接墊位於該第一金屬接墊和該第三金屬接墊之間，該金屬件的該第二端部電性連接該第三金屬接墊。
如請求項1所述之多頻段天線，其中該晶片天線為一繞線式晶片天線。
如請求項1所述之多頻段天線，其中該晶片天線為一單極天線。
一種電子裝置，包含：<br/> 一電路板結構，包含：<br/> 一收發器電路，配置為輸出一饋電信號；<br/> 一多頻段天線，包含：<br/> 一介電基板，與該電路板結構間隔；<br/> 一第一金屬接墊，設置在該介電基板上；<br/> 一第二金屬接墊，設置在該介電基板上，且與該第一金屬接墊間隔；<br/> 一金屬件，設置在該介電基板上，且包含一第一端部、一第二端部及一饋電部，其中該饋電部位於該第一端部和該第二端部之間，該第一端部和該饋電部分別電性連接該第一金屬接墊和該第二金屬接墊；以及<br/> 一晶片天線，設置在該介電基板上，且電性連接該第一金屬接墊；以及<br/> 一連接線，電性連接該收發器電路和該第二金屬接墊，其中該連接線配置為將該收發器電路輸出的該饋電信號傳輸至該第二金屬接墊；<br/> 其中經由該第二金屬接墊、和該饋電部至該第一端部，以及經由該第一金屬接墊至該晶片天線形成該饋電信號的一傳輸路徑。
如請求項7所述之電子裝置，其中該電路板結構還包含：<br/> 一接地層；<br/> 其中該多頻段天線還包含：<br/> 一第一接地片，設置在該介電基板上，其中該第一接地片自該介電基板，以遠離該介電基板的方向延伸出該介電基板並電性連接該接地層；<br/> 其中該晶片天線鄰近該介電基板的一邊緣，該第一接地片與該第二金屬接墊相鄰，且該第一接地片、該第二金屬接墊和該邊緣環繞該晶片天線；<br/> 其中該第一接地片位於該晶片天線和該電路板結構之間。
如請求項7所述之電子裝置，其中該電路板結構還包含：<br/> 一接地層；<br/> 其中該多頻段天線還包含：<br/> 一第二接地片，設置在該介電基板上，且與該第二金屬接墊間隔，其中該第二接地片自該介電基板，以遠離該介電基板的方向延伸出該介電基板並電性連接該接地層；以及<br/> 一傳輸線，設置在該介電基板上，且具有一第一連接端和一第二連接端，其中該第一連接端、該第二連接端分別電性連接該第二金屬接墊和該第二接地片。
如請求項7所述之電子裝置，其中該多頻段天線還包含：<br/> 一第三金屬接墊，設置在該介電基板上，且與該第一金屬接墊、該第二金屬接墊間隔，其中該第二金屬接墊位於該第一金屬接墊和該第三金屬接墊之間，該金屬件的該第二端部電性連接該第三金屬接墊。
一種多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其步驟包含：<br/> 輸入一多通道腦部訊號並進行頻譜分析，產生一多通道頻譜圖；<br/> 分析該多通道頻譜圖，取得一總閾值及一多通道變異度閾值；<br/> 讀取一即時多通道腦部訊號並進行頻譜分析，產生一即時多通道頻譜圖；<br/> 基於該即時多通道頻譜圖進行一同步即時演算，該同步即時演算包括：<br/> 基於該即時多通道頻譜圖之一第一時間段進行一第一演算，該第一演算係對該即時多通道頻譜圖之對應時間段擷取一多通道強度特徵並換算為一權重，接著擷取一多通道時間特徵，將該權重之總和減去該多通道時間特徵，產生一第一演算結果，其中： <br/> 若該第一演算結果不小於該總閾值，標記該第一時間段為同步；接著，於該即時多通道頻譜圖之一第二時間段進行另一第一演算，獲得另一第一演算結果，該第二時間段晚於該第一時間段，又其中：<br/> 若該另一第一演算結果不小於該總閾值，標記該第二時間段為同步；<br/> 若該另一第一演算結果小於該總閾值，標記該第二時間段為不同步；<br/> 若該第一演算結果小於該總閾值，標記該第一時間段為不同步；接著，於該即時多通道頻譜圖之一第三時間段進行一第二演算，該第二演算係對該即時多通道頻譜圖之對應時間段擷取一多通道變異度特徵，以作為一第二演算結果，該第三時間段不早於該第二時間段，又其中：<br/> 若該第二演算結果小於該多通道變異度閾值，標記該第三時間段為同步；<br/> 若該第二演算結果不小於該多通道變異度閾值，標記該第三時間段為不同步；及<br/> 基於同步即時演算的結果輸出一具有標記之即時多通道頻譜圖。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該同步即時演算的結果更包含一分類結果，該分類結果包括：同步持續、同步重複或其組合。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，在進行該第一演算或該第二演算之前更包括：<br/> 判斷該對應時間段中該即時多通道頻譜圖的最大強度所對應的頻率，當該頻率非介於慢伽瑪頻段時，則標記該對應時間段為不同步，且不需進行該第一演算或該第二演算。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該多通道強度特徵包括：一慢伽瑪頻段強度、一主頻段強度比、一低頻頻段強度或其任意組合。
如請求項4所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該主頻段強度比的主頻段係基於該多通道頻譜圖或該即時多通道頻譜圖產生的一強度總和頻譜圖，該強度總和頻譜圖中超過一強度總和閾值的頻段，其中，該強度總和閾值介於10至30 。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，分析該多通道頻譜圖，更包括取得一多通道強度特徵權重基準，該多通道強度特徵權重基準係擷取該多通道頻譜圖的該多通道強度特徵，並統計該多通道強度特徵的數量，該多通道強度特徵權重基準包括：一慢伽瑪頻段強度權重基準、一主頻段強度比權重基準、一低頻頻段強度權重基準或其任意組合。
如請求項6所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該權重係根據該多通道強度特徵權重基準進行換算，該權重包括：一慢伽瑪頻段強度權重、一主頻段強度比權重、一低頻頻段強度權重或其任意組合。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該多通道時間特徵係該對應時間段中，複數個連續時間點的強度頻譜密度經複雜度運算產生之運算結果，該複雜度運算的方法包括：樣本熵、香農熵、近似熵、排列熵或多尺度熵。
如請求項1所述之多通道慢伽瑪同步共振即時偵測方法，其中，該第二演算包括：基於該對應時間段中複數個連續時間區間分別進行運算，產生複數個慢伽瑪頻段強度總和，對複數個該慢伽瑪頻段強度總和進行變異度運算，產生該第二演算結果。
一種多通道慢伽瑪同步共振即時偵測系統，包括：<br/> 一訊號轉換模組，對一多通道腦部訊號進行頻譜分析，產生一多通道頻譜圖；<br/> 一分析模組，分析該多通道頻譜圖，取得一總閾值及一多通道變異度閾值；<br/> 一讀取模組，讀取一即時多通道腦部訊號，並對該即時多通道腦部訊號進行頻譜分析，產生一即時多通道頻譜圖；及<br/> 一即時偵測模組，對該即時多通道頻譜圖進行一同步即時演算，產生一具有標記之即時多通道頻譜圖，其中，該同步即時演算包括：<br/> 基於該即時多通道頻譜圖之一第一時間段進行一第一演算，該第一演算係對該即時多通道頻譜圖之對應時間段擷取一多通道強度特徵並換算為一權重，接著擷取一多通道時間特徵，將該權重之總和減去該多通道時間特徵，產生一第一演算結果，其中： <br/> 若該第一演算結果不小於該總閾值，標記該第一時間段為同步；接著，於該即時多通道頻譜圖之一第二時間段進行另一第一演算，獲得另一第一演算結果，該第二時間段晚於該第一時間段，又其中：<br/> 若該另一第一演算結果不小於該總閾值，標記該第二時間段為同步；<br/> 若該另一第一演算結果小於該總閾值，標記該第二時間段為不同步；<br/> 若該第一演算結果小於該總閾值，標記該第一時間段為不同步；接著，於該即時多通道頻譜圖之一第三時間段進行一第二演算，該第二演算係對該即時多通道頻譜圖之對應時間段擷取一多通道變異度特徵，以作為一第二演算結果，該第三時間段不早於該第二時間段，又其中：<br/> 若該第二演算結果小於該多通道變異度閾值，標記該第三時間段為同步；<br/> 若該第二演算結果不小於該多通道變異度閾值，標記該第三時間段為不同步。
一種包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜，其特徵係包含： <br/>作為基材之該生物可降解薄膜；以及 <br/>一表層，其包含藉由噴塗法塗佈於該生物可降解薄膜表面的該可吸收可見光之光催化材料； <br/>其中，該可吸收可見光之光催化材料為g-C₃N₄或g-C₃N₄/AlOOH複合材料。
如請求項1所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜，其中，該生物可降解薄膜由聚己內酯-對苯二甲酸酯（PBAT）或聚己內酯-對苯二甲酸酯/熱塑性澱粉共混體（PBAT/TPS）製成。
一種包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其特徵係包含： <br/>步驟(1)：將該可吸收可見光之光催化材料均勻分散於有機溶劑； <br/>步驟(2)：使用噴塗法，以固定之該生物可降解薄膜與噴槍之間的噴塗距離，將該可吸收可見光之光催化材料均勻噴塗於該生物可降解薄膜之表面，形成一表層； <br/>步驟(3)：以熱壓鑲嵌技術將該表層鑲嵌於該生物可降解薄膜之表面，以獲得該包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該可吸收可見光之光催化材料為g-C₃N₄或g-C₃N₄/AlOOH複合材料。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該步驟(1)之該有機溶劑選自乙醇、氯仿、二氯甲烷或四氫呋喃（THF）中一或多種。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該生物可降解薄膜由聚己內酯-對苯二甲酸酯（PBAT）或聚己內酯-對苯二甲酸酯/熱塑性澱粉共混體（PBAT/TPS）製成。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該步驟(2)之該生物可降解薄膜與該噴槍之間的該噴塗距離為3~10公分。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該可吸收可見光之光催化材料溶於該有機溶劑之質量濃度為0.1毫克/毫升~10毫克/毫升。
如請求項3所述之包含可吸收可見光之光催化材料之生物可降解薄膜之製備方法，其中，該表層之厚度為10~100微米。
一種抗體-藥物結合物用於製造治療乳癌之醫藥的用途，其中該抗體-藥物結合物為包含下式表示的連接物(linker)及藥物與抗HER2抗體連接的抗體-藥物結合物，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 其中-(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的構造，<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="98px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 經由硫醚鍵於其之3位與該抗體結合，於1位之氮原子上與含其之連接物構造內的亞甲基結合，且<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="227px" width="269px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基的氮原子為結合部位，<br/> 該抗HER2抗體係人化單株抗體。
如請求項1之用途，其中藥物-連接物構造的每1抗體的平均結合數係2至8個之範圍。
如請求項1之用途，其中藥物-連接物構造的每1抗體的平均結合數係3至8個之範圍。
一種抗體-藥物結合物用於製造治療乳癌之醫藥的用途，其中該抗體-藥物結合物為包含下式表示的連接物(linker)及藥物與抗HER2抗體連接的抗體-藥物結合物，<br/> -(琥珀醯亞胺-3-基-N)-CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>-C(=O)-GGFG-NH-CH<sub>2</sub>-O-CH<sub>2</sub>-C(=O)-(NH-DX)，<br/> 其中-(琥珀醯亞胺-3-基-N)-具有下式所示的構造，<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="98px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 經由硫醚鍵於其之3位與該抗體結合，於1位之氮原子上與含其之連接物構造內的亞甲基結合，且<br/> -(NH-DX)表示下式所示的基團：<br/><img align="absmiddle" height="227px" width="269px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/><br/> 其中1位之胺基的氮原子為結合部位，<br/> 該抗HER2抗體之同型係IgG1。
如請求項1之用途，其中藥物-連接物構造的每1抗體的平均結合數係2至8個之範圍。
如請求項1之用途，其中藥物-連接物構造的每1抗體的平均結合數係3至8個之範圍。
一種無人機聯網系統，適用於一使用者裝置，包括：<br/> 一母無人機，具備一路由表，並與該使用者裝置無線連接，且指定該使用者裝置的一使用者IP位址；以及<br/> 一子無人機群，與該母無人機無線連接以形成一無人機聯網，並包括一第一類別子無人機和與該第一類別子無人機無線連接的多個第二類別子無人機，該第一類別子無人機接收一網路封包，並從該母無人機取得該路由表和該使用者IP位址，其中，該使用者裝置位於該無人機聯網的一訊號涵蓋範圍內；<br/> 該第一類別子無人機執行下列步驟：<br/> 判斷該網路封包的一目的IP位址和該使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該使用者IP位址是相同時，修改該網路封包的一目的MAC位址為該使用者裝置的一MAC位址，並判斷該網路封包的一來源MAC位址是否為零； <br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址為零時，傳送該網路封包至該母無人機；以及<br/> 該母無人機執行一封包傳送步驟，該封包傳送步驟包括：<br/> 設定該網路封包的該來源MAC位址為該母無人機的一MAC位址；以及<br/> 根據該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項1所述的無人機聯網系統，其中，該第一類別子無人機更執行下列步驟：<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址不為零時，根據該路由表，從該母無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一第一中繼節點；<br/> 當選擇該母無人機作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該母無人機，該母無人機執行該封包傳送步驟；以及<br/> 當選擇多個該第二類別子無人機的其一作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該第一中繼節點，作為該第一中繼節點的該第二類別子無人機更執行下列步驟：<br/> 判斷該路由表是否記錄該網路封包的該來源MAC位址和一來源IP位址；<br/> 當判斷該路由表記錄該網路封包的該來源MAC位址和該來源IP位址時，選擇該母無人機作為一第二中繼節點，並傳送該網路封包至該母無人機，該母無人機執行該封包傳送步驟；以及<br/> 當判斷該路由表沒有記錄該網路封包的該來源MAC位址和該來源IP位址時，更新該路由表，並根據更新後該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項1所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機具備該無人機聯網的一網域名稱，該使用者裝置為一第一使用者裝置，該第一使用者裝置的該使用者IP位址為一第一使用者IP位址，該第一類別子無人機更執行下列步驟：<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該第一使用者IP位址是不相同時，從該母無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一第一中繼節點；<br/> 當選擇該母無人機作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該母無人機，該母無人機執行下列步驟：<br/> 根據該網路封包的一來源IP位址和一外部網路的一外部使用者IP位址，修改該網路封包的該來源MAC位址為該外部網路的一外部網域名稱，或設定該網路封包的該來源MAC位址為零；<br/> 判斷該網路封包的該目的IP位址是否屬於該無人機聯網的一子網路；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址屬於該無人機聯網的該子網路時，設定該網路封包的該目的MAC位址為該無人機聯網的該網域名稱，並根據該路由表和該網路封包的該目的IP位址，傳送該網路封包；以及<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址不屬於該無人機聯網的該子網路時，根據該路由表和該網路封包的該目的IP位址，透過該外部網路傳送該網路封包。
如請求項3所述的無人機聯網系統，其中，該無人機聯網系統更適用於一第二使用者裝置，該第二使用者裝置的一使用者IP位址為一第二使用者IP位址；當選擇多個該第二類別子無人機的其一作為該第一中繼節點時，該第一類別子無人機傳送該網路封包至該第一中繼節點，作為該第一中繼節點的該第二類別子無人機更執行下列步驟：<br/> 從該母無人機取得該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 判斷該網路封包的該目的MAC位址是否為該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址是該無人機聯網的該網域名稱時，判斷該網路封包的該目的IP位址和該第二使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址是相同時，根據該路由表，傳送該網路封包至該第二使用者裝置；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址不是相同時，不處理該網路封包；以及<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址不是該無人機聯網的該網域名稱時，透過該外部網路傳送該網路封包。
如請求項1所述的無人機聯網系統，其中，該第一類別子無人機根據該網路封包的一使用者識別碼，選擇處理或不處理該網路封包。
如請求項1所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機廣播一網路拓樸清單至該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機，該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機分別傳送多個回復封包至該母無人機，該母無人機根據多個該回復封包，選擇性更新該網路拓樸清單。
如請求項6所述的無人機聯網系統，其中，當更新後該網路拓樸清單顯示該第一類別子無人機的一可用電量或該第二類別子無人機的一可用電量低於一第一預設電量時，該母無人機控制該可用電量低於該第一預設電量的該第一類別子無人機或該可用電量低於該第一預設電量的該第二類別子無人機返回至一充電站或一無人機管理平臺。
如請求項6所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機更執行下列步驟：<br/> 確認自身的一儲存電量是否低於一第二預設電量；<br/> 當確認該儲存電量低於該第二預設電量時，傳送一回報信息至一無人機管理平臺；<br/> 從該無人機管理平臺接收一同意信息；<br/> 根據該同意信息，從該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一輔助母無人機，並轉移一控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺；<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息時，再次傳送該回報信息至該無人機管理平臺；以及<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息，且傳送該回報信息的次數累積至大於一預設次數時，根據更新後該網路拓樸清單，從該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為該輔助母無人機，並轉移該控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺。
一種無人機聯網系統，適用於一使用者裝置，包括：<br/> 一母無人機，具備一路由表，並與該使用者裝置無線連接，且指定該使用者裝置的一使用者IP位址，又接收一網路封包；以及<br/> 多個子無人機，彼此無線連接，並與該母無人機無線連接以形成一無人機聯網，其中，該使用者裝置位於該無人機聯網的一訊號涵蓋範圍內；<br/> 該母無人機執行下列步驟：<br/> 判斷該網路封包的一目的IP位址和該使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該使用者IP位址是相同時，修改該網路封包的一目的MAC位址為該使用者裝置的一MAC位址，並判斷該網路封包的一來源MAC位址是否為零；以及<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址為零時，執行一封包傳送步驟，該封包傳送步驟包括：<br/> 設定該網路封包的該來源MAC位址為該母無人機的一MAC位址；以及<br/> 根據該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項9所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機具備該無人機聯網的一網域名稱，多個該子無人機的每一個從該母無人機取得該路由表、該使用者IP位址以及該無人機聯網的該網域名稱。
如請求項10所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機更執行下列步驟：<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址不為零時，根據該路由表，從多個該子無人機選擇其一作為一中繼節點，傳送該網路封包至作為該中繼節點的該子無人機，作為該中繼節點的該子無人機執行下列步驟：<br/> 根據該路由表、該網路封包的該來源MAC位址和一來源IP位址，選擇性更新該路由表；<br/> 根據選擇性更新後該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項10所述的無人機聯網系統，其中，該使用者裝置為一第一使用者裝置，該第一使用者裝置的該使用者IP位址為一第一使用者IP位址，該無人機聯網系統更適用於一第二使用者裝置，該第二使用者裝置的一使用者IP位址為一第二使用者IP位址；該母無人機更執行下列步驟：<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該第一使用者IP位址是不相同時，根據該路由表，從多個該子無人機選擇其一作為一中繼節點，傳送該網路封包至作為該中繼節點的該子無人機，作為該中繼節點的該子無人機執行下列步驟：<br/> 判斷該網路封包的該目的MAC位址是否為該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址是該無人機聯網的該網域名稱時，判斷該網路封包的該目的IP位址和該第二使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址是相同時，根據該路由表，傳送該網路封包至該第二使用者裝置；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址不是相同時，不處理該網路封包；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址不是該無人機聯網的該網域名稱時，透過一外部網路傳送該網路封包。
如請求項9所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機根據該網路封包的一使用者識別碼，選擇處理或不處理該網路封包。
如請求項9所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機廣播一網路拓樸清單至多個該子無人機，多個該子無人機分別傳送多個回復封包至該母無人機，該母無人機根據多個該回復封包，選擇性更新該網路拓樸清單。
如請求項14所述的無人機聯網系統，其中，當更新後該網路拓樸清單顯示該子無人機的一可用電量低於一第一預設電量時，該母無人機控制該可用電量低於該第一預設電量的該子無人機返回至一充電站或一無人機管理平臺。
如請求項14所述的無人機聯網系統，其中，該母無人機更執行下列步驟：<br/> 確認自身的一儲存電量是否低於一第二預設電量；<br/> 當確認該儲存電量低於該第二預設電量時，傳送一回報信息至一無人機管理平臺；<br/> 從該無人機管理平臺接收一同意信息；<br/> 根據該同意信息，從多個該子無人機選擇其一作為一輔助母無人機，並轉移一控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺；<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息時，再次傳送該回報信息至該無人機管理平臺；以及<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息，且該母無人機傳送該回報信息的次數累積至大於一預設次數時，根據更新後該網路拓樸清單，從多個該子無人機選擇其一作為該輔助母無人機，並轉移該控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺。
一種封包傳輸的管理方法，適用於一無人機聯網系統及一使用者裝置，該無人機聯網系統包括一子無人機群和一母無人機，該子無人機群與該母無人機無線連接以形成一無人機聯網，該使用者裝置位於該無人機聯網的一訊號涵蓋範圍內，該子無人機群包括一第一類別子無人機和與該第一類別子無人機無線連接的多個第二類別子無人機，該母無人機具備一路由表，並與該使用者裝置無線連接，且指定該使用者裝置的一使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法透過該第一類別子無人機執行並包括：<br/> 接收一網路封包；<br/> 從該母無人機取得該路由表和該使用者IP位址；<br/> 判斷該網路封包的一目的IP位址和該使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該使用者IP位址是相同時，修改該網路封包的一目的MAC位址為該使用者裝置的一MAC位址，並判斷該網路封包的一來源MAC位址是否為零；<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址為零時，傳送該網路封包至該母無人機；<br/> 透過該母無人機執行一封包傳送步驟，該封包傳送步驟包括：<br/> 設定該網路封包的該來源MAC位址為該母無人機的一MAC位址；以及<br/> 根據該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項17所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址不為零時，根據該路由表，從該母無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一第一中繼節點；<br/> 當選擇該母無人機作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該母無人機，透過該母無人機執行該封包傳送步驟；以及<br/> 當選擇多個該第二類別子無人機的其一作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該第一中繼節點，透過作為該第一中繼節點的該第二類別子無人機執行下列步驟：<br/> 判斷該路由表是否記錄該網路封包的該來源MAC位址和一來源IP位址；<br/> 當判斷該路由表記錄該網路封包的該來源MAC位址和該來源IP位址時，選擇該母無人機作為一第二中繼節點，並傳送該網路封包至該母無人機，該母無人機執行該封包傳送步驟；以及<br/> 當判斷該路由表沒有記錄該網路封包的該來源MAC位址和該來源IP位址時，更新該路由表，並根據更新後該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項17所述的封包傳輸的管理方法，其中，該母無人機具備該無人機聯網的一網域名稱，該使用者裝置為一第一使用者裝置，該第一使用者裝置的該使用者IP位址為一第一使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法更包括：<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該第一使用者IP位址是不相同時，從該母無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一第一中繼節點；<br/> 當選擇該母無人機作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該母無人機，透過該母無人機執行下列步驟：<br/> 根據該網路封包的一來源IP位址和一外部網路的一外部使用者IP位址，修改該網路封包的該來源MAC位址為該外部網路的一外部網域名稱，或設定該網路封包的該來源MAC位址為零；<br/> 判斷該網路封包的該目的IP位址是否屬於該無人機聯網的一子網路；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址屬於該無人機聯網的該子網路時，設定該網路封包的該目的MAC位址為該無人機聯網的該網域名稱，並根據該路由表和該網路封包的該目的IP位址，傳送該網路封包；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址不屬於該無人機聯網的該子網路時，根據該路由表和該網路封包的該目的IP位址，透過該外部網路傳送該網路封包。
根據請求項19所述的封包傳輸的管理方法，其中，該封包傳輸的管理方法更適用於一第二使用者裝置，該第二使用者裝置的一使用者IP位址為一第二使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法更包括：<br/> 當選擇多個該第二類別子無人機的其一作為該第一中繼節點時，傳送該網路封包至該第一中繼節點，透過作為該第一中繼節點的該第二類別子無人機執行下列步驟： <br/> 從該母無人機取得該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 判斷該網路封包的該目的MAC位址是否為該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址是該無人機聯網的該網域名稱時，判斷該網路封包的該目的IP位址和該第二使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址是相同時，根據該路由表，傳送該網路封包至該第二使用者裝置；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址不是相同時，不處理該網路封包；以及<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址不是該無人機聯網的該網域名稱時，透過該外部網路傳送該網路封包。
如請求項17所述的封包傳輸的管理方法，更包括：根據該網路封包的一使用者識別碼，選擇處理或不處理該網路封包。
如請求項17所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 透過該母無人機執行下列步驟：<br/> 廣播一網路拓樸清單至該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機；<br/> 從該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機接收多個回復封包；以及<br/> 根據多個該回復封包，選擇性更新該網路拓樸清單。
如請求項22所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 透過該母無人機執行下列步驟：<br/> 當更新後該網路拓樸清單顯示該第一類別子無人機的一可用電量或該第二類別子無人機的一可用電量低於一第一預設電量時，控制該可用電量低於該第一預設電量的該第一類別子無人機或該可用電量低於該第一預設電量的該第二類別子無人機返回至一充電站或一無人機管理平臺。
如請求項22所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 透過該母無人機執行下列步驟：<br/> 確認自身的一儲存電量是否低於一第二預設電量；<br/> 當確認該儲存電量低於該第二預設電量時，傳送一回報信息至一無人機管理平臺；<br/> 從該無人機管理平臺接收一同意信息；<br/> 根據該同意信息，從該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為一輔助母無人機，並轉移一控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺；<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息時，再次傳送該回報信息至該無人機管理平臺；以及<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息，且傳送該回報信息的次數累積至大於一預設次數時，根據更新後該網路拓樸清單，從該第一類別子無人機和多個該第二類別子無人機選擇其一作為該輔助母無人機，並轉移該控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺。
一種封包傳輸的管理方法，適用於一無人機聯網系統及一使用者裝置，該無人機聯網系統包括一母無人機及彼此無線連接的多個子無人機，多個該子無人機與該母無人機無線連接以形成一無人機聯網，該使用者裝置位於該無人機聯網的一訊號涵蓋範圍內，該母無人機具備一路由表，並與該使用者裝置無線連接，且指定該使用者裝置的一使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法透過該母無人機執行並包括：<br/> 接收一網路封包；<br/> 判斷該網路封包的一目的IP位址和該使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該使用者IP位址是相同時，修改該網路封包的一目的MAC位址為該使用者裝置的一MAC位址，並判斷該網路封包的一來源MAC位址是否為零；以及<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址為零時，執行一封包傳送步驟，該封包傳送步驟包括：<br/> 設定該網路封包的該來源MAC位址為該母無人機的一MAC位址；以及<br/> 根據該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項25所述的封包傳輸的管理方法，其中，該母無人機具備該無人機聯網的一網域名稱，多個該子無人機的每一個從該母無人機取得該路由表、該使用者IP位址以及該無人機聯網的該網域名稱。
如請求項26所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 當判斷該網路封包的該來源MAC位址不為零時，根據該路由表，從多個該子無人機選擇其一作為一中繼節點，傳送該網路封包至作為該中繼節點的該子無人機，作為該中繼節點的該子無人機執行下列步驟：<br/> 根據該路由表、該網路封包的該來源MAC位址和一來源IP位址，選擇性更新該路由表；<br/> 根據選擇性更新後該路由表，傳送該網路封包至該使用者裝置。
如請求項26所述的封包傳輸的管理方法，其中，該使用者裝置為一第一使用者裝置，該第一使用者裝置的該使用者IP位址為一第一使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法更適用於一第二使用者裝置，該第二使用者裝置的一使用者IP位址為一第二使用者IP位址，該封包傳輸的管理方法更包括：<br/> 當判斷該網路封包的該目的IP位址和該第一使用者IP位址是不相同時，根據該路由表，從多個該子無人機選擇其一作為一中繼節點，傳送該網路封包至作為該中繼節點的該子無人機，作為該中繼節點的該子無人機執行下列步驟：<br/> 判斷該網路封包的該目的MAC位址是否為該無人機聯網的該網域名稱；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址是該無人機聯網的該網域名稱時，判斷該網路封包的該目的IP位址和該第二使用者IP位址是否相同；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址是相同時，根據該路由表，傳送該網路封包至該第二使用者裝置；<br/> 當判斷該目的IP位址和該第二使用者IP位址不是相同時，不處理該網路封包；<br/> 當判斷該網路封包的該目的MAC位址不是該無人機聯網的該網域名稱時，透過一外部網路傳送該網路封包。
如請求項25所述的封包傳輸的管理方法，更包括：根據該網路封包的一使用者識別碼，選擇處理或不處理該網路封包。
如請求項25所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 廣播一網路拓樸清單至多個該子無人機；<br/> 從多個該子無人機接收多個回復封包；以及<br/> 根據多個該回復封包，選擇性更新該網路拓樸清單。
如請求項30所述的封包傳輸的管理方法，更包括：當更新後該網路拓樸清單顯示該子無人機的一可用電量低於一第一預設電量時，控制該可用電量低於該第一預設電量的該子無人機返回至一充電站或一無人機管理平臺。
如請求項30所述的封包傳輸的管理方法，更包括：<br/> 確認自身的一儲存電量是否低於一第二預設電量；<br/> 當確認該儲存電量低於該第二預設電量時，傳送一回報信息至一無人機管理平臺；<br/> 從該無人機管理平臺接收一同意信息；<br/> 根據該同意信息，從多個該子無人機選擇其一作為一輔助母無人機，並轉移一控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺；<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息時，再次傳送該回報信息至該無人機管理平臺；以及<br/> 當沒有從該無人機管理平臺接收該同意信息，且傳送該回報信息的次數累積至大於一預設次數時，根據更新後該網路拓樸清單，從多個該子無人機選擇其一作為該輔助母無人機，並轉移該控制權至該輔助母無人機，且返回至該無人機管理平臺。
一種可控制磁性組件，其係包含至少一個磁性元件； <br/>該至少一個磁性元件包含第一磁性元件，該第一磁性元件包含： <br/>一第一柔性基底；及 <br/>一第一磁性結構，該第一磁性結構包含複數個第一複合材料柱，每個該第一複合材料柱之一端固定於該第一柔性基底； <br/>該複數個第一複合材料柱，係個別具有一磁化方向，且該複數個第一複合材料柱中之個別之磁化方向彼此間為相同或不同；並且 <br/>在既定方向之磁場作用下，基於該複數個第一複合材料柱之個別之磁化方向，該複數個第一複合材料柱往相應該磁場之方向運動，且該柔性基底因應該運動而彎折捲曲。
如請求項1所述之可控制磁性組件，其中，該第一柔性基底與該複數個第一複合材料柱滿足下述關係式： <br/>Xi = i × Δx （1） <br/>Li= 1+0.5i （2） <br/><img align="absmiddle" height="14px" width="47px" file="ed10006.jpg" alt="ed10006.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> （3） <br/>其中，沿著該第一柔性基底之長度延伸方向設置之該複數個第一複合材料柱中相對地位於最中央之該第一複合材料柱之固定端當作中心點，i為以節點零為基準計數之該第一複合材料柱個別之節點數，Xi為該第一複合材料柱與該中心點之距離，Δx為相鄰之二個該第一複合材料柱間之間距，Li為該第一複合材料柱之長度，θi為該第一複合材料柱與該第一柔性基底間之夾角，κ為增減係數。
如請求項1所述之可控制磁性組件，其中，該複數個第一複合材料柱個別之長度係於該第一柔性基底之最長側之兩末端所設置之第一複合材料柱為最長，其餘第一複合材料柱之長度隨著越往該第一柔性基底之中央處而相對變短。
如請求項1所述之可控制磁性組件，其中，該第一柔性基底之成分係包含聚二甲基矽氧烷。
如請求項1所述之可控制磁性組件，其中，該第一複合材料柱之成分係包含釹鐵硼磁性粒子及矽基有機聚合物。
如請求項1所述之可控制磁性組件，進一步包含一第二磁性元件，該第二磁性元件包含： <br/>一第二柔性基底；及 <br/>一第二磁性結構，該第二磁性結構包含複數個第二複合材料柱，每個該第二複合材料柱之一端固定於該第二柔性基底； <br/>該複數個第二複合材料柱，係個別具有一磁化方向，且該複數個第二複合材料柱中之個別之磁化方向彼此間為相同或不同。
如請求項6所述之可控制磁性組件，其中，基於該複數個第一複合材料柱之個別之磁化方向及該複數個第二複合材料柱之個別之磁化方向，在既定方向之磁場下，該複數個第一複合材料柱中之至少一者與該複數個第二複合材料柱中之至少一者相互接觸。
如請求項7所述之可控制磁性組件，其中，於該第一柔性基底之最長側之兩末端之該第一複合材料柱與於該第二柔性基底之最長側之兩末端之該第二複合材料柱相互接觸，使該第一磁性元件與該第二磁性元件組裝成一封閉形環狀腔體。
如請求項7所述之可控制磁性組件，其中，於該第一柔性基底之最長側之兩末端之該第一複合材料柱中之一者與於該第二柔性基底之最長側之兩末端該第二複合材料柱中之一者相互接觸，使該第一磁性元件與該第二磁性元件組裝成一連續結構組件，並在既定方向之磁場下使該連續結構組件運動而於該連續結構組件之外周形成往內的循環渦流。
如請求項7所述之可控制磁性組件，其中，於該第一柔性基底之最長側之兩末端之該第一複合材料柱中之一者與於該第二柔性基底之最長側之兩末端該第二複合材料柱中之一者相互接觸，使該第一磁性元件與該第二磁性元件組裝成一形成為大於180度之扇形之封閉型環狀腔體。
一種如請求項1所述之可控制磁性組件之製造方法，其包含製造該第一磁性元件之步驟，其中，該製造該第一磁性元件之步驟包含： <br/>在一模具上形成一基底凹槽及複數個柱狀凹槽，該複數個柱狀凹槽自該基底凹槽延伸設置； <br/>將包含磁性材料之複合材料填充至該複數個柱狀凹槽中； <br/>將一柔性原料填充至該基底凹槽中； <br/>加熱該模具，使該包含磁性材料之複合材料固化形成該第一磁性結構之複數個該第一複合材料柱，該柔性原料固化形成該第一柔性基底，且複數個該第一複合材料柱設置於該第一柔性基底上；及 <br/>磁化複數個該第一複合材料柱。
如請求項11所述之磁性組件之製造方法，其中，該包含磁性材料之複合材料係包含釹鐵硼磁性粒子及矽基有機聚合物；且 <br/>該柔性原料係包含聚二甲基矽氧烷。
一種提供純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>給容器之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>d. 視需要地將該加熱的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中；及 <br/>e. 抽空該容器或另一容器至少一次。
如請求項1之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項1之方法，其包含將該過濾的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器。
如請求項1之方法，其中該純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的總體密度(bulk density)大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項1之方法，其中該容器或另一容器中具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度的純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項1之方法，其中該容器或另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項1之方法，其中重複進行步驟a、b、c、d及e中的一或多者。
一種提供純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>給容器之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>d. 抽空該容器； <br/>e. 視需要地將該加熱的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中；及 <br/>f. 再抽空該容器或另一容器直到其中的壓力與於該容器或另一容器溫度下的預期MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>蒸氣壓力相差20%以內。
如請求項8之方法，其另外包含過濾步驟b得到的該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項8之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項8之方法，其包含將該加熱的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器。
如請求項8之方法，其中該純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的總體密度大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項8之方法，其中該容器或另一容器中具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度的純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項8之方法，其中該容器或另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項8之方法，其中重複進行步驟a、b、d、e及f中的一或多者。
一種提供純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>給容器之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>d. 抽空該容器； <br/>e. 視需要地將該過濾的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中；及 <br/>f. 再抽空該容器或另一容器直到其中的壓力與於該容器或另一容器溫度下的預期MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>蒸氣壓力相差20%以內。
如請求項16之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項16之方法，其包含將該過濾的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器。
如請求項16之方法，其中該純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的總體密度大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項16之方法，其中該容器或另一容器中具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度的純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項16之方法，其中該容器或另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項16之方法，其中步驟c與步驟d交換。
如請求項16之方法，其中重複進行步驟a、b、c、d、e及f中的一或多者。
一種提供純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>給容器之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入壓力容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>d. 抽空該容器；及 <br/>e. 視需要地將該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中， <br/>其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項24之方法，其另外包含過濾該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項24之方法，其包含將該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器。
如請求項24之方法，其另外包含再抽空該容器或另一容器直到其中的壓力與該容器或另一容器的預期MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>蒸氣壓力相差20%以內。
如請求項24之方法，其中該純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的總體密度大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>。
如請求項24之方法，其中該容器或另一容器中具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度的純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項24之方法，其中該容器或另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項24之方法，其中重複進行步驟a、b、d及e中的一或多者。
一種用總體密度大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>的熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊填充容器之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>d. 將該過濾的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中； <br/>e. 抽空該容器或另一容器至少一次；及 <br/>f. 將該另一容器冷卻，在其中形成MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊。
如請求項32之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項32之方法，其中該另一容器中具有約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度的純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>。
如請求項32之方法，其中該另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項32之方法，其中重複進行步驟a、b、c、d、e及f中的一或多者。
一種用熔融成形MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊將容器填充至約0.7 kg/L至約1.5 kg/L容器外部體積的填充密度之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>d. 將該過濾的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器中； <br/>e. 抽空該另一容器至少一次；及 <br/>f. 將該另一容器冷卻，在其中形成MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>塊。
如請求項37之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項37之方法，其中該純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>具有大於約2.0 g/cm<sup>3</sup>的總體密度。
如請求項37之方法，其中該另一容器係配置為提供一沉積設備。
如請求項37之方法，其中重複進行步驟a、b、c、d、e及f中的一或多者。
一種製備純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入壓力容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾步驟b得到的該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>e. 將該過濾的熔融MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>冷卻；及 <br/>f. 抽空該容器的頂部空間或用惰性氣體吹掃該容器的頂部空間以去除存在於蒸氣相中的雜質。
如請求項42之方法，其中重複進行步驟a、b、c、e及f中的一或多者。
如請求項42之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
一種製備純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入壓力容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>e. 將該容器冷卻；及 <br/>f. 抽空該容器的頂部空間或用惰性氣體吹掃該容器的頂部空間以去除存在於蒸氣相中的雜質。
如請求項45之方法，其中重複進行步驟a、b、e及f中的一或多者。
如請求項45之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
一種製備純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入壓力容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>c. 過濾步驟b得到的該熔融的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>； <br/>d. 將該過濾的熔融MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>轉移到另一容器； <br/>e. 將該另一容器冷卻；及 <br/>f. 抽空該另一容器的頂部空間或用惰性氣體吹掃該另一容器的頂部空間以去除存在於蒸氣相中的雜質。
如請求項48之方法，其中重複進行步驟a、b、c、d、e及f中的一或多者。
如請求項48之方法，其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
一種製備純化的MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>之方法，其包含以下步驟： <br/>a. 將低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>裝入壓力容器； <br/>b. 將該容器加熱至足以熔化該低純度MoO<sub>2</sub>Cl<sub>2</sub>的溫度； <br/>e. 將該容器冷卻；及 <br/>f. 抽空該容器的頂部空間或用惰性氣體吹掃該容器的頂部空間以去除存在於蒸氣相中的雜質， <br/>其中該步驟b的加熱包含將該容器加熱至約180°C至約200°C的溫度。
如請求項51之方法，其中重複進行步驟a、b、e及f中的一或多者。
一種含碳酸酯之磷系化合物，具有如式(I)或式(II)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="119px" width="193px" file="ed10053.jpg" alt="ed10053.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I)、<br/><img align="absmiddle" height="106px" width="143px" file="ed10054.jpg" alt="ed10054.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II)；<br/> 其中，Y具有如式(a)、式(b)或式(c)所示之一結構：<br/> 其中，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>各自獨立為一氫原子、一碳數為1至6的烷基、一碳數為1至6的烷氧基、一苯基或一鹵素原子；<br/> 其中，a及b各自獨立為1至4的實數，c及d各自獨立為大於0且小於等於5的實數，且n為1至10的實數；<br/> 其中，X為一單鍵、一碳數為3至12的環烷基或具有如式(i)、式(ii)、式(iii)、式(iv)、式(v)、式(vi)、式(vii)、式(viii)或式(ix)所示之一結構：<br/> 其中，X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>及X<sub>4</sub>各自獨立為一氫原子、一碳數為1至6的烷基、一碳數為3至6的環烷基、一苯基或一鹵素原子。
如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物，其中Y具有如式(a)所示之該結構，且該含碳酸酯之磷系化合物具有如式(I-a)或式(II-a)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="108px" width="138px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-a)、<br/><img align="absmiddle" height="110px" width="115px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-a)。
如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物，其中Y具有如式(b)所示之該結構，且該含碳酸酯之磷系化合物具有如式(I-b)或式(II-b)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="156px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-b)、<br/><img align="absmiddle" height="103px" width="136px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-b)。
如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物，其中Y具有如式(c)所示之該結構，且該含碳酸酯之磷系化合物具有如式(I-c)或式(II-c)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="217px" width="276px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-c)、<br/><img align="absmiddle" height="125px" width="139px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-c)。
一種含碳酸酯之磷系化合物的製備方法，包含：<br/> 將一碳酸酯化合物、一有機磷環氧化合物與一觸媒在一置換反應溫度下進行置換反應，以得到如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物；<br/> 其中，該碳酸酯化合物具有如式(III)或式(IV)所示之一結構，該有機磷環氧化合物具有如式(A)所示之一結構，且該含碳酸酯之磷系化合物具有如式(I-a)或式(II-a)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="78px" width="150px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(III)、<br/><img align="absmiddle" height="58px" width="106px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(IV)、<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="200px" file="ed10069.jpg" alt="ed10069.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(A)、<br/><img align="absmiddle" height="108px" width="138px" file="ed10070.jpg" alt="ed10070.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-a)、<br/><img align="absmiddle" height="110px" width="115px" file="ed10071.jpg" alt="ed10071.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-a)。
一種含碳酸酯之磷系化合物的製備方法，包含：<br/> 將一碳酸酯化合物、一環氧化合物與一第一觸媒在一預反應溫度下進行預反應，以得到一中間體；以及<br/> 將該中間體、一有機磷化合物與一第二觸媒在一加成反應溫度下進行加成反應，以得到如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物；<br/> 其中，該碳酸酯化合物具有如式(III)或式(IV)所示之一結構，該環氧化合物具有如式(B)或式(C)所示之一結構，且該含碳酸酯之磷系化合物具有如式(I-b)、式(II-b)、式(I-c)或式(II-c)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="78px" width="150px" file="ed10067.jpg" alt="ed10067.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(III)、<br/><img align="absmiddle" height="58px" width="106px" file="ed10068.jpg" alt="ed10068.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(IV)、<br/><img align="absmiddle" height="86px" width="102px" file="ed10072.jpg" alt="ed10072.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(B)、<br/><img align="absmiddle" height="97px" width="132px" file="ed10073.jpg" alt="ed10073.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(C)、<br/><img align="absmiddle" height="107px" width="156px" file="ed10074.jpg" alt="ed10074.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-b)、<br/><img align="absmiddle" height="103px" width="136px" file="ed10075.jpg" alt="ed10075.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-b)、<br/><img align="absmiddle" height="217px" width="276px" file="ed10076.jpg" alt="ed10076.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(I-c)、<br/><img align="absmiddle" height="125px" width="139px" file="ed10077.jpg" alt="ed10077.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(II-c)。
如請求項6所述的含碳酸酯之磷系化合物的製備方法，其中該環氧化合物具有如式(B)所示之該結構，且該中間體具有如式(III-B)或式(IV-B)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="94px" width="179px" file="ed10078.jpg" alt="ed10078.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(III-B)、<br/><img align="absmiddle" height="94px" width="163px" file="ed10079.jpg" alt="ed10079.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(IV-B)。
如請求項6所述的含碳酸酯之磷系化合物的製備方法，其中該環氧化合物具有如式(C)所示之該結構，且該中間體具有如式(III-C)或式(IV-C)所示之一結構：<br/><img align="absmiddle" height="122px" width="178px" file="ed10080.jpg" alt="ed10080.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(III-C)、<br/><img align="absmiddle" height="130px" width="151px" file="ed10081.jpg" alt="ed10081.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/> 式(IV-C)。
一種固化物，係由一樹脂組成物與一硬化劑混合並加熱固化而得，其中該樹脂組成物包含如請求項1所述的含碳酸酯之磷系化合物。
如請求項9所述的固化物，其中該樹脂組成物中的一磷含量為0.2 wt%至1.0 wt%。
一種椅凳背包，其包含：<br/> 一包體，其內部具有一容置空間；<br/> 一隔板，其設置於該包體之該容置空間，該隔板將該容置空間區分為一第一區及一第二區，該第一區提供放置物品；<br/> 複數撐板，其立設置於該包體之該容置空間的該第二區，且各該撐板相鄰並沿著該包體之內周緣環設，其中，各該撐板於常態下呈片狀；<br/> 一操控組，其連接於各該撐板，該操控組之一端外露於該包體，其中，該操控組受外力控制同時帶動各該撐板彎折，使各該撐板由片狀變為立體狀；以及<br/> 一坐板，其設置於該包體之頂部，其中，當各該撐板為立體狀，且使用者由該包體之頂部乘坐於該包體時，該坐板與各該撐板相對垂直抵接。
如請求項1所述之椅凳背包，其中，該包體之一側面開設有一開孔；該操控組具有複數控制繩，所述控制繩穿設連接於各該撐板，各該控制繩之一端由該包體之該開孔穿出，各該控制繩受外力抽拉同時帶動各該撐板彎折，使各該撐板由片狀變為立體狀。
如請求項2所述之椅凳背包，其中，該操控組具有一集合套件，該集合套件將各該控制繩套接集中於該開孔外。
如請求項3所述之椅凳背包，其中，所述開孔之數量為兩個，該兩開孔設於該包體的對稱側面。
如請求項4所述之椅凳背包，其中，各該撐板呈矩形；每一該撐板具有兩撐片，該兩撐片對稱疊接。
如請求項5所述之椅凳背包，其中，每一該撐片具有兩第一側邊及兩第二側邊，該兩第二側邊垂直連結於該兩第一側邊之間，每一該撐片之該兩第二側邊貫穿設有一穿孔，所述穿孔沿所述第一側邊設置，每兩該控制繩交錯且呈U型將該兩撐片對稱疊接。
如請求項6所述之椅凳背包，其中，每一該撐片具有複數摺痕，各該摺痕與所述第二側邊平行，各該摺痕將每一該撐片區隔出複數立部；當各該控制繩受外力抽拉同時帶動各該撐板之各該撐片沿著各該摺痕彎折，令相鄰之各該立部概呈波浪彎折。
如請求項1至7中任一項所述之椅凳背包，其中，各該撐板為環保可回收塑膠製成。
如請求項8所述之椅凳背包，其中，該坐板之材質的彎曲模數範圍為100至700兆帕（MPa）。
如請求項9所述之椅凳背包，其中，該坐板之材質為聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯或泡棉板其中之一。
一種使用酸性生物高分子離子液體由藻類生物質製造綠色燃料的方法，包括：<br/> 藻類生物質準備步驟，準備含有脂質的藻類生物質；<br/> 催化劑準備步驟，準備酸性生物高分子離子液體作為催化劑；<br/> 直接轉酯化步驟，將該藻類生物質、乙醇與正己烷混合，在該催化劑的存在下進行轉酯化反應，以生成包含脂肪酸烷基酯及甘油的混合物，其中，該催化劑為酸性生物高分子離子液體；<br/> 相分離步驟，利用重力使該包含脂肪酸烷基酯的混合物分離成含有該脂肪酸烷基酯的上層液體、含有甘油的中層液體、以及含有該藻類生物質的殘渣和該催化劑的下層液體，並收集該上層液體；以及<br/> 產物純化步驟，對該上層液體進行純化，以得到精製的脂肪酸烷基酯，<br/> 其中，該催化劑準備步驟包括：<br/> 離子溶液製備步驟，將NaOH溶於甲醇，並在30至40℃下攪拌混合，以得到NaOH濃度為0.4至0.5M的離子溶液；<br/> 第一改質步驟，包含：<br/> (i) 將幾丁聚醣與1-溴十六烷混合，並緩慢加入於該離子溶液中，其中，該幾丁聚醣、該1-溴十六烷與該離子溶液的比例為1.5～2.5 g：2.5～3.5 g：15～25 mL，以得到第一混合溶液；<br/> (ii) 將該第一混合溶液加熱至60至70℃並進行攪拌23至25小時，從而形成有機凝膠；<br/> (iii) 將該有機凝膠冷卻至20至30℃，以分離成上層的凝膠狀的有機相及下層的固體相，並收集該凝膠狀的有機相；<br/> (iv) 將該凝膠狀的有機相在35至45℃下以110至130 rpm的轉速進行旋轉蒸發25至35分鐘，以去除甲醇，得到半固體狀的有機相；<br/> (v) 使用三氯甲烷洗滌該半固體狀的有機相，以去除殘留的溴化鈉鹽；及<br/> (vi) 將經洗滌的該半固體狀的有機相在45至55℃下乾燥整夜，以得到中間產物；以及<br/> 第二改質步驟，包含：<br/> (i) 將該中間產物與甲醇混合，並加入濃度為95至98 wt%的濃硫酸，以得到第二混合溶液，其中，該中間產物、該甲醇與該濃硫酸的比例為0.5～1.5 g ：45～55 mL：3.0～4.0 g；<br/> (ii) 將該第二混合溶液加熱至45至55℃，並以90至110 rpm的轉速攪拌11至13小時，以使其呈凝膠狀；及<br/> (iii) 對呈凝膠狀的第二混合溶液在90至110 rpm的轉速和35至45℃的溫度下進行旋轉蒸發15至25分鐘，之後用異丙醇洗滌，然後在45至55℃下進行真空乾燥3至5小時，以得到該酸性生物高分子離子液體。
如請求項1所述之方法，其中，該脂肪酸烷基酯是脂肪酸乙酯。
如請求項1所述之方法，其中，該藻類生物質準備步驟包括：<br/> 藻類培養步驟，包含：<br/> (i) 將濃度為80至100wt%的甘蔗汁、酵母萃取物、蛋白腖與海水以8～12 g：0.8～1.2 g：0.8～1.2 g：1000 mL的比例混合以得到培養基；<br/> (ii) 將該培養基的pH值調整為7.5至8.0，隨後在115至125℃下進行12至18分鐘的高溫滅菌；及<br/> (iii) 將藻類細胞置入該培養基中，在25至30℃下以160至180 rpm的振盪頻率振盪5至7天，以得到接種液；<br/> 藻類純化步驟，包含：<br/> (i) 將該接種液以11100至11300g的加速度離心15至25分鐘，得到上下分層的接種液，並分離上清液以得到固體的藻類細胞沉澱物；及<br/> (ii) 用水洗滌該藻類細胞沉澱物；以及<br/> 藻類乾燥步驟，包含：<br/> (i) 將該藻類細胞沉澱物與包含Na<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>及MgSO<sub>4</sub>的乾燥劑混合，該藻類細胞沉澱物、Na<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>與MgSO<sub>4</sub>的重量比為40：0.75～1.25：0.75～1.25；及<br/> (ii) 對該藻類細胞沉澱物與該乾燥劑的混合物進行乾燥，以得到該藻類生物質，其中，乾燥溫度為45至55℃，乾燥時間為11至13小時。
如請求項3所述之方法，其中，每公升的該海水中含有：15～20 g 氯化鈉、2～3 g 七水硫酸鎂、0.4～0.6 g 氯化鉀、0.8～1.2 g 硝酸鈉、0.15～0.35 g 二水氯化鈣、0.04～0.08 g 磷酸二氫鉀、1.0～1.5 g Tris 緩衝液、0.02～0.03 g 氯化銨、0.1～0.2 mg 維生素B12、2～4 mL 螯合鐵溶液、以及8～12 mL 含有硼 (B)、鈷 (Co)、錳 (Mn)、鋅 (Zn) 和鉬 (Mo) 的微量元素溶液。
如請求項1所述之方法，其中，該藻類為裂殖壺菌屬利馬孢囊藻 SR-21（<i>Schizochytrium limacinum</i> SR-21 algae）。
如請求項1所述之方法，其中，該酸性生物高分子離子液體是：<img align="absmiddle" height="79px" width="192px" file="ed10007.jpg" alt="ed10007.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>。
如請求項1所述之方法，其中，該直接轉酯化步驟包括：<br/> 混合步驟，將該藻類生物質、該乙醇與該正己烷混合，隨後再與該催化劑混合，以得到反應物溶液，其中，該藻類生物質與該乙醇的重量比是1：0.5至1：4，該藻類生物質與該正己烷的重量比是4.5：1至5.5：1，並且，該催化劑與該乙醇的重量比是1：5至2：1；以及<br/> 轉酯化步驟，將該反應物溶液加熱至40至90℃，在100至500 rpm的轉速下攪拌以進行直接轉酯化反應0.5至4.5小時，從而生成包含該脂肪酸烷基酯及該甘油的該混合物。
如請求項1所述之方法，其中，該產物純化步驟包括：<br/> 溶劑蒸發步驟，對該上層液體進行旋轉蒸發，以去除乙醇；以及<br/> 催化劑去除步驟，對已去除乙醇的該上層液體進行過濾，以去除該催化劑。
如請求項8所述之方法，其中，在該催化劑去除步驟中使用矽藻土進行過濾。
一種頭戴式裝置，包括：<br/> 一本體；<br/> 兩個支架，分別以一第一樞接處樞接於該本體的相對兩個第二樞接處，其中各該第一樞接處具有朝向對應的該第二樞接處的一承接區，各該承接區具有靠近該本體的內側的一第一區與遠離該本體的內側的一第二區；以及<br/> 兩個調整塊，分別可動地設置於對應的該第二樞接處，且位於對應的該第二樞接處與對應的該承接區之間，<br/> 其中各該調整塊接觸對應的該第一區時，對應的該支架相對該本體具有一第一最大展開角度，各該調整塊接觸對應的該第二區時，對應的該支架相對該本體具有一第二最大展開角度，該第一最大展開角度大於該第二最大展開角度。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中各該調整塊分別樞接於對應的該第二樞接處。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中各該第二區是一斜面，該斜面的高度朝著遠離該本體的內側的方向增加。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該些調整塊的材質是塑膠或橡膠。
如請求項1所述的頭戴式裝置，其中該本體包括一鏡框與兩個鏡片。
一種像素電路，包含：<br/> 一發光二極體，一端電連接於一接地電壓線；<br/> 一發光致能電晶體，電連接於該發光二極體的另一端；<br/> 一亮度控制電晶體，電連接於該發光致能電晶體、一第一內節點與一第二內節點；<br/> 一第一第一內節點設定電晶體，電連接於一發光致能閘極信號線、該第一內節點與一供應電壓線，其中該供應電壓線的電壓值大於該接地電壓線的電壓值；<br/> 一第二第一內節點設定電晶體，電連接於一像素資料寫入用閘極信號線、該第一內節點與一資料信號線，其係因應該像素資料寫入用閘極信號線的電壓而在一資料電壓寫入期間導通，其中該資料信號線在該資料電壓寫入期間的電壓值等於一像素資料電壓值，其中<br/> 在該資料電壓寫入期間結束後的一像素發光期間，一像素電流係自該供應電壓線流經該第一第一內節點設定電晶體、該第一內節點、該亮度控制電晶體、該發光致能電晶體與該發光二極體至該接地電壓線，使該第一第一內節點設定電晶體因應該發光致能閘極信號線在該像素發光期間的電壓值而導通，其中<br/> 該像素電流的電流值係隨該第一內節點和該第二內節點在該像素發光期間的電壓值而改變，且<br/> 該第二內節點在該像素發光期間的電壓值，係隨該亮度控制電晶體的一臨界電壓和該像素資料電壓值而改變；<br/> 一第一第二內節點設定電晶體，電連接於該第二內節點、該接地電壓線與一重置閘極信號線，其係因應該重置閘極信號線在該資料電壓寫入期間開始前的一亮度設定重置期間的電壓而導通；以及<br/> 一第二第二內節點設定電晶體，電連接於該第二內節點、該發光致能電晶體與該像素資料寫入用閘極信號線，其係因應該像素資料寫入用閘極信號線在該資料電壓寫入期間的電壓而導通。
如請求項1所述之像素電路，其中更包含：<br/> 一內節點跨接電晶體，電連接於該第一內節點、該發光致能閘極信號線與一第三內節點，其係因應該發光致能閘極信號線在該像素發光期間的電壓而導通；以及<br/> 一電容，電連接於該第二內節點與該第三內節點。
如請求項2所述之像素電路，其中更包含：<br/> 一第一第三內節點設定電晶體，電連接於該像素資料寫入用閘極信號線與該第三內節點，其係因應該像素資料寫入用閘極信號線在該資料電壓寫入期間的電壓而導通；以及<br/> 一第二第三內節點設定電晶體，電連接於該重置閘極信號線與該第三內節點，其係因應該重置閘極信號線在該亮度設定重置期間的電壓而導通。
如請求項3所述之像素電路，其中<br/> 該第一第三內節點設定電晶體與該第二第三內節點設定電晶體係電連接於一預設電壓線。
如請求項4所述之像素電路，其中該預設電壓線的電壓值高於該供應電壓線的電壓值。
如請求項2所述之像素電路，其中更包含：<br/> 一併用控制電晶體，電連接於該第三內節點與一併用控制閘極信號線，其係因應該併用控制閘極信號線在該亮度設定重置期間該資料電壓寫入期間的電壓而導通。
如請求項6所述之像素電路，其中<br/> 該併用控制電晶體係電連接於一預設電壓線。
如請求項7所述之像素電路，其中該預設電壓線的電壓值高於該供應電壓線的電壓值。
一種龍眼殼竹纖維生物複合材料，其製程包括以下步驟：<br/> 將龍眼殼以180~250℃加熱45~90分鐘，後將該龍眼殼研磨成龍眼殼粉；<br/> 將高直鏈玉米澱粉、竹原纖維、檸檬酸、甘油與該龍眼殼粉均勻混合，其中該高直鏈玉米澱粉佔總重的5~35%、該竹原纖維為10~50%、該檸檬酸為1~5%、該甘油為2~10%、該龍眼殼粉為10~50%；<br/> 將混合物倒入預定餐具形狀的模具中，再以140~170℃、15~30 MPa之設定進行熱壓成型3~10分鐘；<br/> 完成熱壓成型後，取出餐具並於表面塗佈食品級蟲膠後以60℃乾燥30~60分鐘者。
如請求項1所述之龍眼殼竹纖維生物複合材料，其中，所使用的該食品級蟲膠為重量/體積百分率8~15%者。
如請求項1所述之龍眼殼竹纖維生物複合材料，其中，該龍眼殼粉是篩取粒徑小於325目者。
一種用於養殖水域之投料系統，包括：<br/> 一攝像裝置，用以朝一養殖水域進行拍攝以獲得一水域影像；<br/> 一振動感應器，用以於該養殖水域之一水面下方進行感測以獲得多個振動訊號；<br/> 一投料裝置，包括一料桶及一投料器，該投料器用以輸出該料桶之一內容物；以及<br/> 一控制器，電連接該攝像裝置、該振動感應器及該投料器，並經配置以執行：<br/> 依據該些振動訊號獲得一第一活動訊號，<br/> 依據該水域影像產生一第二活動訊號，<br/> 一活動強度判斷模型依據該第一活動訊號及該第二活動訊號運算輸出多個活動強度級距之一者，<br/> 依據該活動強度判斷模型輸出的該活動強度級距產生對應的一投料速率，以及<br/> 依據該投料速率驅動該投料器調整輸出該料桶之該內容物之一輸出速率。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該振動感應器為一三軸振動感應器，且該控制器經配置以執行：<br/> 依據一取樣頻率及該些振動訊號獲得多個訊號中位數；<br/> 依據該些訊號中位數獲得多個訊號變化量及多個向量長度；<br/> 依據一取樣區段及該些向量長度獲得多個平滑化向量長度；以及<br/> 正規化該些平滑化向量長度以獲得該第一活動訊號。
如請求項2所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該控制器經配置在該取樣頻率下還執行：<br/> 將連續二該訊號中位數相減，以分別獲得該些訊號變化量；以及<br/> 將該些訊號變化量進行一向量計算，以獲得該向量長度。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該控制器經配置還執行：<br/> 對該水域影像進行一灰階處理，以獲得連續幀的多個灰階水域影像；<br/> 比對當前幀的該灰階水域影像與前一幀的該灰階水域影像，以獲得一像素變化量；以及<br/> 正規化該些像素變化量的一像素變化總和，以獲得該第二活動訊號。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該活動強度判斷模型預先根據輸出該內容物感測到的該第一活動訊號、該第二活動訊號及各該活動強度級距而獲得。
如請求項5所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該活動強度判斷模型為一監督式機械學習模型。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該活動強度判斷模型依據該第一活動訊號及該第二活動訊號決定一活動強度，並基於該活動強度輸出各該活動強度級距之一者；響應於該活動強度小於或等於一停止閾值，該控制器調整該投料器的該輸出速率為零。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該控制器依據該投料速率控制該投料器的一投料時間及該輸出速率。
如請求項1所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該料桶具有一入料開口及一出料開口；該投料器更包括：<br/> 一輸料管，具有一第一端及一第二端，該第一端連通於該出料開口；以及<br/> 一推料組件，設置於該出料開口與該第一端之間，用以依據該投料速率產生該輸出速率，以將該內容物從該出料開口輸送至該第二端。
如請求項9所述之用於養殖水域之投料系統，其中，該推料組件包括：<br/> 一螺桿單元，用以將該內容物從該出料開口輸送至該第一端；<br/> 一馬達，用以依據該投料速率帶動該螺桿單元；以及<br/> 一噴料單元，連通該輸料管並用以產生一推力，該推力由該第一端朝向該第二端。
一種投料系統的投料速率控制方法，適於一控制器執行該方法，以驅動一投料裝置輸出一內容物，該投料系統的投料速率控制方法包括：<br/> 依據多個振動訊號獲得一第一活動訊號，<br/> 依據一水域影像獲得一第二活動訊號，<br/> 一活動強度判斷模型依據該第一活動訊號及該第二活動訊號運算輸出多個活動強度級距之一者，<br/> 依據該活動強度判斷模型輸出的該活動強度級距產生對應的一投料速率，以及<br/> 依據該投料速率驅動該投料裝置調整輸出該內容物之一輸出速率。
如請求項11所述之投料系統的投料速率控制方法，其中，該依據該些振動訊號獲得該第一活動訊號之步驟更包括：<br/> 依據一取樣頻率及該些振動訊號獲得多個訊號中位數；<br/> 依據該些訊號中位數獲得多個訊號變化量及多個向量長度；<br/> 依據一取樣區段及該些向量長度獲得多個平滑化向量長度；以及<br/> 正規化該些平滑化向量長度以獲得該第一活動訊號。
如請求項12所述之投料系統的投料速率控制方法，其中，該控制器在該取樣頻率下還執行：<br/> 將連續二該訊號中位數相減，以分別獲得該些訊號變化量；以及<br/> 將該些訊號變化量進行一向量計算，以獲得該向量長度。
如請求項11所述之投料系統的投料速率控制方法，更包括：<br/> 對該水域影像進行一灰階處理，以獲得連續幀的多個灰階水域影像；<br/> 比對當前幀的該灰階水域影像與前一幀的該灰階水域影像，以獲得一像素變化量；以及<br/> 正規化該些像素變化量的一像素變化總和，以獲得該第二活動訊號。
如請求項14所述之投料系統的投料速率控制方法，其中，該活動強度判斷模型預先根據輸出該內容物感測到的該第一活動訊號、該第二活動訊號及各該活動強度級距而獲得。
如請求項11所述之投料系統的投料速率控制方法，其中，該活動強度判斷模型依據該第一活動訊號及該第二活動訊號決定一活動強度，並基於該活動強度輸出各該活動強度級距之一者，該方法更包括：<br/> 響應於該活動強度小於或等於一停止閾值，該控制器調整該投料裝置的該輸出速率為零。
如請求項11所述之投料系統的投料速率控制方法，其中，該控制器依據該投料速率控制該投料裝置的一投料時間及該輸出速率。
一種球拍，包括：<br/> 一本體；及<br/> 至少一開瓶機構，包含一抵靠部、一凹室與一翹部，該凹室凹設於該本體供一瓶蓋之部分伸入，該翹部容設於該凹室供抵靠於該瓶蓋之下緣，該抵靠部供抵靠於蓋設有該瓶蓋的一瓶體，進而可利用槓桿原理將該抵靠部與該瓶體相互接觸處作為支點，並藉由該翹部將該瓶蓋掀離該瓶體。
如請求項1所述的球拍，其中該本體包含有一拍擊部、一拍柄部與一橋接組件，該拍柄部包含有二叉部與一握部，該二叉部連接於該握部與該拍擊部之間，進而共同界定出一拍喉空間，該橋接組件之二端分別連接於該二叉部。
如請求項2所述的球拍，其中各該叉部貫設有一貫孔，該橋接組件包含有一橋接體、二塞塊與二連接件，該橋接體包含有一主體與二嵌塊，該二嵌塊凸設於該主體，該嵌塊與該塞塊分別由該貫孔之二側嵌入該貫孔，該連接件穿設連接該嵌塊與該塞塊。
如請求項3所述的球拍，其中該拍擊部定義有位於相反側之一第一側與一第二側，該二嵌塊係分別位於該主體之相反二側，一該嵌塊係由該第一側嵌入一該貫孔，另一該嵌塊係由該第二側嵌入另一該貫孔。
如請求項3所述的球拍，其中該塞塊之材質係為橡膠。
如請求項2所述的球拍，其中該橋接組件之至少部分材質係異於該本體之材質。
如請求項2至6其中任一項所述的球拍，其中一該開瓶機構設於該橋接組件。
如請求項1所述的球拍，其中該本體包含有一拍擊部、一拍柄部與一套塞，該拍柄部與該拍擊部相連接，該套塞設於該拍柄部遠離該拍擊部之一側，一該開瓶機構設於該套塞。
如請求項8所述的球拍，另包含有至少一配重件，該至少一配重件容設於該凹室。
如請求項4所述的球拍，其中該塞塊之材質係為橡膠；該橋接組件之至少部分材質係異於該本體之材質；該開瓶機構設於該橋接組件；該本體之材質係為碳纖維材質；該至少一開瓶機構之數量為二，該本體另包含有一套塞，該套塞設於該拍柄部遠離該拍擊部之一側，另一該開瓶機構設於該套塞；至少一配重件容設於該凹室；該橋接體之材質包含有尼龍與玻纖，該翹部係為金屬材質，該橋接體係射出成型包覆住該翹部；該開瓶機構設於該主體背對一該嵌塊處；該橋接體另包含有一標示部，該標示部設於該主體背對另一該嵌塊處；該橋接體之顏色異於該二叉部之顏色；該塞塊之顏色等同於該二叉部之顏色；該貫孔貫穿該叉部後形成有一第一開口與一第二開口，該第一開口之口徑大於該第二開口之口徑，該嵌塊係由該第一開口嵌入該貫孔，該塞塊係由該第二開口嵌入該貫孔；該拍喉空間呈箭頭型；該嵌塊之截面呈梯形，該嵌塊之尺寸係朝向遠離該主體之方向漸縮；該主體呈傾斜狀，該二嵌塊位於該主體於其延伸方向上二端，以垂直該嵌塊之延伸方向觀之，該橋接體呈Z字型；沿該嵌塊之延伸方向觀之，該主體之中央之寬度小於該主體設有該二嵌塊處的寬度；該橋接組件橫設於該拍喉空間以將其切割成二區域。
一種輥對輥無縫微結構製作方法，包含以下步驟：<br/> (a)連續地形成一層壓結構，包含一疊加於離型襯墊上之光罩薄膜，在其間具有一層光敏材料，該光罩薄膜包括設置在基材上的透光區域及遮光區域的圖案；<br/> (b)用來自光源之光照射於步驟(a)中形成之該層壓結構的光罩薄膜，以將藉由該等透光區域所覆蓋之光敏材料的各部分暴露至該光下，同時使藉由該等遮光區域所覆蓋之光敏材料的其餘部分未暴露至該光下；<br/> (c)由在步驟(b)中選擇性照射之光敏材料剝離該離型襯墊；及<br/> (d)選擇性移除暴露至該光的光敏材料之各部分或或選擇性地未暴露至該光的光敏材料之各部分，以於該光罩薄膜上形成一層微結構。
如請求項1之方法，其中在步驟(b)中，光罩薄膜的遮光區域對可見光是透明的，但使用的光具有遮光性。
如請求項1之方法，其中步驟(d)包含選擇性移除暴露至該光的光敏材料之各部分，以於該光罩薄膜上形成一層微結構。
如請求項1之方法，其中步驟(d)包含選擇性移除未暴露至該光的光敏材料之各部分，以於該光罩薄膜上形成一層微結構。
如請求項1之方法，其中在步驟(b)中，暴露至該光的光敏材料之各部分係藉由該光所固化，而該光敏材料的剩餘部分保留未固化；及其中於步驟(d)中，該光敏材料之未固化部分被移除，以在該光罩薄膜上由該光敏材料的固化部分形成該微結構層。
如請求項1之方法，其中該光包含紫外光。
如請求項1之方法，其中該光敏材料包含一負型紫外線敏感材料。
如請求項1之方法，其中該等微結構包含交聯的紫外光固化結構。
如請求項1之方法，其中步驟(a)包含於一對壓緊輥之間推進該光罩薄膜、該離型襯墊、及該光敏材料層，以形成該層壓結構。
如請求項1之方法，其中步驟(a)及(b)係在多塗佈頭生產線中施行。
如請求項1之方法，其中步驟(b)係於該層壓結構運送途中的同時施行。
如請求項1之方法，其中該光敏材料層係在步驟(a)之前塗佈於該光罩薄膜上。
如請求項1之方法，其中該光敏材料層係在步驟(a)之前使用桿、棒、刀片、或槽模塗佈製程塗佈於該光罩薄膜上。
如請求項1之方法，其中在步驟(a)中層壓的光罩薄膜包括於其上形成之一組預先存在的微結構。
如請求項1之方法，進一步包含在步驟(a)之前將光罩薄膜和離型襯墊由各輥抽出。
如請求項15之方法，其中每一輥的寬度係大於1m。
如請求項1之方法，其中該等微結構包含具有20μm至2000μm的X/Y尺寸解析度及1μm至500μm之Z尺寸解析度的特徵。
如請求項1之方法，其中已在其上形成該微結構層的光罩薄膜具有大於一米之寬度。
如請求項1之方法，其中已在其上形成該微結構層的光罩薄膜具有大於一米之長度。
如請求項1之方法，其中該微結構製作製程具有大於3米/分鐘的速率。
如請求項1之方法，其中步驟(d)包含將該光敏材料及該光罩薄膜引入溶劑浴，用於溶解該光敏材料之要移除部分。
如請求項1之方法，其中該微結構製作方法生產於其上帶有該微結構層的光罩薄膜之無縫輥。
如請求項1之方法，其中該光罩薄膜包含一印刷在該基材上的光罩圖案。
如請求項23之方法，其中該光罩圖案面向且係鄰接至該光敏材料。
如請求項1之方法，其中於該光罩薄膜上的微結構層被使用於構建一電泳裝置。
如請求項1之方法，其中該光罩薄膜包括灰階特徵，以變更入射在該光敏材料上的光强度，以變動該等微結構之高度。
一種於光罩薄膜上藉由前述請求項中任一項之方法所生產的微結構層。
一種經皮葡萄糖監測系統，其特徵在於，包括：<br/> 一夥伴關係建立模組，用於藉由攝像頭掃描與連續性葡萄糖監測設備關聯的條碼資訊進行授權，或藉由第三平台向患者使用者端發送邀請連結，完成患者身份與夥伴身份的認證以及授權；<br/> 一夥伴使用者端，基於患者的授權情況查詢葡萄糖濃度資料以及患者的基本資訊、葡萄糖監測醫囑、用藥醫囑、會診醫囑。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該夥伴使用者端包括：<br/> 一預警模組，用於瞭解多位元夥伴的葡萄糖波動情況，以及時採取有效措施；<br/> 一更新模組，用於優先觀察即時更新的某位元夥伴的葡萄糖監測情況；<br/> 一葡萄糖顯示模組，用於獲取多個夥伴的目前葡萄糖監測狀態，並藉由葡萄糖變化趨勢推測波動原因；<br/> 一血糖顯示模組，用於獲取最新的血糖檢測記錄。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該夥伴使用者端還包括一注記分類別模組，用於記錄一葡萄糖異常事件及發生時間、標記葡萄糖異常範圍，並將標記內容轉換到時間軸上，以比對葡萄糖的波動情況，進而推測葡萄糖波動的原因。
如請求項1所述的一種經皮葡萄糖監測系統，其中，該夥伴使用者端包括一糖化血色素顯示模組，用於將患者的糖化血色素數值對應到色條圖上，以便直接確認患者的糖化血色素結果在常見標準體系中所處的特定區段。
一種快閃記憶體裝置，包含有：<br/> 一快閃記憶體模組，包括一第一資料區塊以及一第二資料區塊，該第一資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第一單元，該第二資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第二單元；以及<br/> 一快閃記憶體控制器，連接至該快閃記憶體模組，該快閃記憶體控制器包括一錯誤更正碼編碼電路以及一校驗碼緩衝器；<br/> 其中，當該快閃記憶體控制器對一欲寫入資料進行一資料寫入操作時，係先將該欲寫入資料分為複數群資料，分別將該複數群資料以及一對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊，該第一資料區塊包括複數群子區塊以對應儲存該複數群資料，當完成該複數群資料寫入該複數群子區塊，由該快閃記憶體模組將該第一資料區塊所儲存之該複數群資料以及該對應的校驗碼搬移寫入至該快閃記憶體模組的該第二資料區塊，以將該欲寫入資料寫入該第二資料區塊；<br/> 其中，當該快閃記憶體控制器將該複數群資料以及該對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊時，該快閃記憶體控制器係將該第一資料區塊的該複數個字元線依順序編類為複數個奇數組字元線及複數個偶數組字元線；當該快閃記憶體控制器每次對一個字元線進行該欲寫入資料之該資料寫入操作時，該錯誤更正碼編碼電路係對當次該欲寫入資料執行一錯誤更正編碼以產生一對應之部分的校驗碼，將所產生之該對應之部分的校驗碼暫存至該校驗碼緩衝器；<br/> 其中，該快閃記憶體控制器係將該複數個奇數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個奇數組字元線的每一字元線的最後一頁中，以及將該複數個偶數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個偶數組字元線的每一字元線的最後一頁中。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中該快閃記憶體控制器係將該第一資料區塊的該所有字元線依順序每M條字元線編類為一組字元線，以產生該複數組奇數組的字元線及該複數組偶數組的字元線，對一組奇數組的每一條字元線及一組偶數組的每一條字元線，分別執行互斥或運算的編碼操作，產生該組奇數組的M個部分的校驗碼以及該組偶數組的M個部分的校驗碼，寫入並儲存該複數組奇數組的M個部分的校驗碼與該複數組偶數組的M個部分的校驗碼於該校驗碼緩衝器中。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中該第一資料區塊為一SLC資料區塊，儲存一個位元的資料，該第二資料區塊為一TLC資料區塊，儲存三個位元的資料，該快閃記憶體控制器係將該欲寫入之資料分類為三個群的資料，以分別寫入至三個SLC子區塊。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中當進行記憶體垃圾回收（garbage collection）時，該快閃記憶體控制器係從外部讀取出該第一資料區塊之資料並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊，或從外部讀取出該第二資料區塊並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中當寫入資料至該第二資料區塊且突然發生關機時，該快閃記憶體控制器係放棄該第二資料區塊所儲存之資料，並執行內部複製，從該第一資料區塊搬移寫入資料至該第二資料區塊。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中當寫入資料至該第一資料區塊時，該快閃記憶體控制器係依據該第二資料區塊之一亂數種子數(randomizer seed)規則，寫入資料至該第一資料區塊。
如申請專利範圍第1項所述之快閃記憶體裝置，其中所產生之該對應的校驗碼係用來更正當寫入該複數群的資料至該第一資料區塊時所發生的錯誤以及用來更正當將該第一資料區塊所儲存之該複數群的資料搬移寫入至該第二資料區塊時所發生的錯誤。
一種快閃記憶體儲存管理方法，其係用於一快閃記憶體模組，該快閃記憶體模組包括一第一資料區塊以及一第二資料區塊，該第一資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第一單元，該第二資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第二單元，該方法包含有：<br/> 當對一欲寫入資料進行一資料寫入操作時，係先將該欲寫入資料分為複數群資料；<br/> 分別將該複數群資料以及一對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊，該第一資料區塊包括複數群子區塊以對應儲存該複數群資料；<br/> 當完成該複數群資料寫入該複數群子區塊，由該快閃記憶體模組將該第一資料區塊所儲存之該複數群資料以及該對應的校驗碼搬移寫入至該快閃記憶體模組的該第二資料區塊，以將該欲寫入資料寫入該第二資料區塊；<br/> 當將該複數群資料以及該對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊時，將該第一資料區塊的該複數個字元線依順序編類為複數個奇數組字元線及複數個偶數組字元線；<br/> 當每次對一個字元線進行該欲寫入資料之該資料寫入操作時，對當次該欲寫入資料執行一錯誤更正編碼以產生一對應之部分的校驗碼，將所產生之該對應之部分的校驗碼暫存至該校驗碼緩衝器；<br/> 將該複數個奇數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個奇數組字元線的每一字元線的最後一頁中；以及<br/> 將該複數個偶數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個偶數組字元線的每一字元線的最後一頁中。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，另包含有：<br/> 將該第一資料區塊的該所有字元線依順序每M條字元線編類為一組字元線，以產生該複數組奇數組的字元線及該複數組偶數組的字元線；<br/> 對一組奇數組的每一條字元線及一組偶數組的每一條字元線，分別執行互斥或運算的編碼操作，產生該組奇數組的M個部分的校驗碼以及該組偶數組的M個部分的校驗碼；以及<br/> 寫入並儲存該複數組奇數組的M個部分的校驗碼與該複數組偶數組的M個部分的校驗碼於該校驗碼緩衝器中。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，其中該第一資料區塊為一SLC資料區塊，儲存一個位元的資料，該第二資料區塊為一TLC資料區塊，儲存三個位元的資料，該快閃記憶體控制器係將該欲寫入之資料分類為三個群的資料，以分別寫入至三個SLC子區塊。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，其中當進行記憶體垃圾回收（garbage collection）時，該快閃記憶體控制器係從外部讀取出該第一資料區塊之資料並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊，或從外部讀取出該第二資料區塊並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，其另包含有：<br/> 當寫入資料至該第二資料區塊且突然發生關機時，該快閃記憶體控制器係放棄該第二資料區塊所儲存之資料，並執行內部複製，從該第一資料區塊搬移寫入資料至該第二資料區塊。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，其另包含有：<br/> 當寫入資料至該第一資料區塊時，該快閃記憶體控制器係依據該第二資料區塊之一亂數種子數(randomizer seed)規則，寫入資料至該第一資料區塊。
如申請專利範圍第8項所述之快閃記憶體儲存管理方法，其中所產生之該對應的校驗碼係用來更正當寫入該複數群的資料至該第一資料區塊時所發生的錯誤以及用來更正當將該第一資料區塊所儲存之該複數群的資料搬移寫入至該第二資料區塊時所發生的錯誤。
一種快閃記憶體控制器，包含：<br/> 複數條通道，分別連接至一快閃記憶體模組的複數個快閃記憶體晶片，該快閃記憶體模組包括一第一資料區塊以及一第二資料區塊，該第一資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第一單元，該第二資料區塊包括複數個字元線，每一個字元線包括複數個資料頁，每一個資料頁包括複數個第二單元；<br/> 一錯誤更正碼編碼電路；以及<br/> 一校驗碼緩衝器；<br/> 其中當該快閃記憶體控制器對一欲寫入資料進行一資料寫入操作時，係先將該欲寫入資料分為複數群資料，分別將該複數群資料以及一對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊，該第一資料區塊包括複數群子區塊以對應儲存該複數群資料，當完成該複數群資料寫入該複數群子區塊，由該快閃記憶體模組將該第一資料區塊所儲存之該複數群資料以及該對應的校驗碼搬移寫入至該快閃記憶體模組的該第二資料區塊，以將該欲寫入資料寫入該第二資料區塊；<br/> 其中，當快閃記憶體控制器將該複數群資料以及該對應的校驗碼寫入至該第一資料區塊時，該快閃記憶體控制器係將該第一資料區塊的該複數個字元線依順序編類為複數個奇數組字元線及複數個偶數組字元線；當該快閃記憶體控制器每次對一個字元線進行該欲寫入資料之該資料寫入操作時，該錯誤更正碼編碼電路係對當次該欲寫入資料執行一錯誤更正編碼以產生一對應之部分的校驗碼，將所產生之該對應之部分的校驗碼暫存至該校驗碼緩衝器；<br/> 其中，該快閃記憶體控制器係將該複數個奇數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個奇數組字元線的每一字元線的最後一頁中，以及將該複數個偶數組字元線所對應的複數個校驗碼自該校驗碼緩衝器搬移寫入於該複數個偶數組字元線的每一字元線的最後一頁中。
如申請專利範圍第15項所述之快閃記憶體控制器，其中該快閃記憶體控制器係將該第一資料區塊的該所有字元線依順序每M條字元線編類為一組字元線，以產生該複數組奇數組的字元線及該複數組偶數組的字元線，對一組奇數組的每一條字元線及一組偶數組的每一條字元線，分別執行互斥或運算的編碼操作，產生該組奇數組的M個部分的校驗碼以及該組偶數組的M個部分的校驗碼，寫入並儲存該複數組奇數組的M個部分的校驗碼與該複數組偶數組的M個部分的校驗碼於該校驗碼緩衝器中。
如申請專利範圍第15項所述之快閃記憶體控制器，其中該第一資料區塊為一SLC資料區塊，儲存一個位元的資料，該第二資料區塊為一TLC資料區塊，儲存三個位元的資料，該快閃記憶體控制器係將該欲寫入之資料分類為三個群的資料，以分別寫入至三個SLC子區塊。
如申請專利範圍第15.項所述之快閃記憶體控制器，其中當進行記憶體垃圾回收（garbage collection）時，該快閃記憶體控制器係從外部讀取出該第一資料區塊之資料並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊，或從外部讀取出該第二資料區塊並進行重新編碼與寫入該第一資料區塊。
如申請專利範圍第15項所述之快閃記憶體控制器，其中當寫入資料至該第二資料區塊且突然發生關機時，該快閃記憶體控制器係放棄該第二資料區塊所儲存之資料，並執行內部複製，從該第一資料區塊搬移寫入資料至該第二資料區塊。
如申請專利範圍第15項所述之快閃記憶體控制器，其中當寫入資料至該第一資料區塊時，該快閃記憶體控制器係依據該第二資料區塊之一亂數種子數(randomizer seed)規則，寫入資料至該第一資料區塊。
一種含過氧化氫廢液的處理方法，包含：<br/> 在一裝有活性碳的反應器中進行一過氧化氫分解反應，且在該過氧化氫分解反應進行期間，持續地通入一過氧化氫濃度為1wt%至10wt%的含過氧化氫廢液到該反應器中進行該過氧化氫分解反應，並使該含過氧化氫廢液進行該過氧化氫分解反應形成的一經處理液持續地從該反應器中排出，以使該過氧化氫分解反應是在40℃至70℃進行，其中，該含過氧化氫廢液的流速除以該活性碳的用量所得的比值為1 hr<sup>-1</sup>至5 hr<sup>-1</sup>，在該過氧化氫分解反應進行期間，沒有使用一外部熱源、活性碳以外的催化劑及添加劑中至少一者促進該過氧化氫分解反應的進行。
如請求項1所述的含過氧化氫廢液的處理方法，其中，該含過氧化氫廢液的過氧化氫濃度為5wt%至10wt%。
如請求項1所述的含過氧化氫廢液的處理方法，其中，該含過氧化氫廢液的過氧化氫濃度為5wt%。
如請求項1所述的含過氧化氫廢液的處理方法，其中，該活性碳的用量為150 mL至300 mL。
如請求項1所述的含過氧化氫廢液的處理方法，其中，該含過氧化氫廢液通入到該反應器中的流速是300 mL/hr 至1350 mL/hr。
如請求項1所述的含過氧化氫廢液的處理方法，還包含將該經處理液通入一過濾器中以進行過濾。
一種孕婦運動管理方法，其包含：<br/> 利用一輸入裝置建立一孕婦生理基礎資料與多個真實狀況數據；<br/> 依據所述孕婦生理基礎資料由儲存於一儲存裝置中的多個運動評估資料提取其中一個並定義為一比對評估資料，所述比對評估資料包含多個評估項目數據；<br/> 利用一運算器依據多個所述真實狀況數據對多個所述評估項目數據進行匹配判斷；<br/> 利用所述運算器於任一個所述評估項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時建立一風險分數；<br/> 於多個所述評估項目數據被完成匹配判斷後，加總多個所述風險分數以計算取得一風險總分；<br/> 利用一傳輸模組於所述風險總分小於一允許閾值時發出一允許運動授權碼；<br/> 依據所述允許運動授權碼載入一每週運動計畫排程至一排程平台，並且所述每週運動計畫排程包含多個預定時段；<br/> 於所述排程平台上的任一個所述預定時段被選取時標示為一預定運動時段；<br/> 於所述預定運動時段被一指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出一匹配通知及一指導員身分資料。
如請求項1所述的孕婦運動管理方法，其中，多個所述評估項目數據進一步地區分為多個第一級項目數據、與多個第二級項目數據；任一個所述第一級項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時被所述運算器建立的所述風險分數定義為一第一風險分數；任一個所述第二級項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時被所述運算器建立的所述風險分數定義為一第二風險分數，所述第二風險分數大於所述第一風險分數。
如請求項1所述的孕婦運動管理方法，其中，所述孕婦運動管理方法還包含：<br/> 依據所述孕婦生理基礎資料，以評估出一靜態習慣者身分或一運動習慣者身分；<br/> 當評估為所述靜態習慣者時，所述排程平台限制所述預定時段被選取的數量為三個；<br/> 當評估為所述運動習慣者身分時，所述排程平台限制所述預定時段被選取的數量為四個。
如請求項1所述的孕婦運動管理方法，其中，所述孕婦運動管理方法還包含：<br/> 依據所述孕婦生理基礎資料，以評估出能一靜態習慣者身分或一運動習慣者身分用以綁定所述允許運動授權碼；<br/> 當評估為所述靜態習慣者身分且所述預定運動時段被所述指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出一第一運動計畫至一生理監測穿戴設備；<br/> 當評估為所述運動習慣者身分且所述預定運動時段被所述指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出不同於所述第一運動計畫的一第二運動計畫至所述生理監測穿戴設備；<br/> 所述生理監測穿戴設備依據所述允許運動授權碼載入所述第一運動計畫或所述第二運動計畫進行生理監測；<br/> 利用所述生理監測穿戴設備取得一運動生理數據，並且於所述運動生理數據滿足所述第一運動計畫或所述第二運動計畫時發出一獎勵訊號。
如請求項4所述的孕婦運動管理方法，其中，所述第一運動計畫包含一第一目標心跳，所述第二運動計畫包含一第二目標心跳，所述第一目標心跳為（220-A）*P<sub>1</sub>，所述第二目標心跳為（220-A）*P<sub>2</sub>，A為所述孕婦生理基礎資料中的一孕婦年齡，P<sub>1</sub>為0.5至0.75的心率範圍係數，P<sub>2</sub>為0.6至0.9的心率範圍係數。
如請求項5所述的孕婦運動管理方法，其中，所述孕婦運動管理方法還包含：所述生理監測穿戴設備於所述運動生理數據超出一安全生理範圍時發出一警示通知。
一種孕婦運動管理系統，其包含：<br/> 一輸入裝置，能用來建立一孕婦生理基礎資料與多個真實狀況數據；<br/> 一儲存裝置，儲存多個運動評估資料；<br/> 一運算器，電性耦接所述輸入裝置及所述儲存裝置，所述運算器依據所述孕婦生理基礎資料由多個所述運動評估資料提取其中一個並定義為一比對評估資料，所述比對評估資料包含多個評估項目數據；<br/> 其中，所述運算器依據多個所述真實狀況數據對多個所述評估項目數據進行匹配判斷，並於任一個所述評估項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時建立一風險分數；所述運算器於多個所述評估項目數據被完成匹配判斷後能加總多個所述風險分數以計算取得一風險總分；<br/> 一傳輸模組，電性耦接所述運算器，所述傳輸模組能接收所述風險總分並小於一允許閾值時發出一允許運動授權碼；<br/> 一排程平台，連接所述傳輸模組，所述排程平台依據所述允許運動授權碼載入包含多個預定時段的一每週運動計畫排程，並且所述排程平台於所述預定運動時段被一指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出一匹配通知及一指導員身分資料。
如請求項7所述的孕婦運動管理系統，其中，多個評估項目數據進一步地區分為多個第一級項目數據、與多個第二級項目數據；任一個所述第一級項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時被所述運算器建立的所述風險分數定義為一第一風險分數；任一個所述第二級項目數據匹配其中一個所述真實狀況數據時被所述運算器建立的所述風險分數定義為一第二風險分數，所述第二風險分數大於所述第一風險分數。
如請求項7所述的孕婦運動管理系統，其中，所述孕婦運動管理系統還包含連接所述排程平台的一生理監測穿戴設備；所述運算器依據所述孕婦生理基礎資料，以評估出一靜態習慣者身分或一運動習慣者身分；當所述運算器評估為所述靜態習慣者身分且所述預定運動時段被所述指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出一第一運動計畫至所述生理監測穿戴設備；當所述運算器評估為所述運動習慣者身分且所述預定運動時段被所述指導員鎖定指令選取時，所述排程平台發出不同於所述第一運動計畫的一第二運動計畫至所述生理監測穿戴設備；所述生理監測穿戴設備依據所述允許運動授權碼載入所述第一運動計畫或所述第二運動計畫進行生理監測，並且所述生理監測穿戴設備所取得的一運動生理數據滿足所述第一運動計畫或所述第二運動計畫時發出一獎勵訊號。
如請求項9所述的孕婦運動管理系統，其中，所述第一運動計畫包含一第一目標心跳，所述第二運動計畫包含一第二目標心跳，所述第一目標心跳為（220-A）*P<sub>1</sub>，所述第二目標心跳為（220-A）*P<sub>2</sub>，A為所述孕婦生理基礎資料中的一孕婦年齡，P<sub>1</sub>為0.5至0.75的心率範圍係數，P<sub>2</sub>為0.6至0.9的心率範圍係數；所述孕婦運動管理方法還包含：所述生理監測穿戴設備於所述運動生理數據超出一安全生理範圍時發出一警示通知。
一種沉水泵，其浸漬於處理液，該沉水泵具有： <br/>馬達； <br/>旋轉軸，其安裝於前述馬達； <br/>葉輪，其安裝於前述旋轉軸；及 <br/>框體，其容納前述旋轉軸及前述葉輪， <br/>前述框體具備： <br/>馬達室，其容納前述馬達； <br/>泵室，其配置於前述馬達室的下方向，容納前述葉輪； <br/>凹部，其配置於前述馬達室，朝向下方向凹陷； <br/>第1流路，其配置於比前述馬達更靠下方向的位置，與前述馬達室及前述泵室連通； <br/>第2流路，其配置於比前述馬達更靠上方向的位置，與前述馬達室及前述框體的外部空間連通；及 <br/>第3流路，其與前述凹部及前述外部空間連通， <br/>前述第3流路在前述凹部的內表面之中配置於最靠下方向的部分開口， <br/>前述第3流路的流量小於前述第2流路的流量， <br/>在前述沉水泵吐出前述處理液時， <br/>從前述葉輪所吐出之前述處理液的一部分通過前述第1流路，從前述泵室被導入前述馬達室， <br/>被導入至前述馬達室之前述處理液通過前述馬達及前述第2流路、以及前述第3流路，從前述馬達室被導出至前述外部空間。
如請求項1所述之沉水泵，其中，前述第3流路的流量相對於前述第2流路的流量的比為「0.1」以下。
如請求項1所述之沉水泵，其中， <br/>前述框體具備孔口構件，該孔口構件可裝卸地安裝於前述第3流路，對前述第3流路的流量進行節流。
如請求項3所述之沉水泵，其中， <br/>前述孔口構件具備連通路徑，該連通路徑與前述馬達室及前述第3流路連通， <br/>前述連通路徑的橫剖面積小於前述第3流路的橫剖面積。
如請求項1所述之沉水泵，其中， <br/>前述框體具備分隔壁，該分隔壁劃分出前述泵室與前述馬達室， <br/>前述凹部與前述第3流路配置於前述分隔壁。
一種影像編碼器，其包含：<br/> 一記憶體；以及<br/> 一處理器，其耦合至該記憶體且經組配以進行下列動作：<br/> 判定在一當前寫碼區塊中之一第一分區及一第二分區，各分區具有一非矩形形狀，該第一分區係與該第二分區重疊；<br/> 針對該第一分區，從用於該第一分區之雙向預測運動向量候選者中僅選擇一第一單向預測運動向量；<br/> 以針對該第一分區所選擇之該第一單向預測運動向量來產生該第一分區之一第一預測影像；<br/> 針對該第二分區，從該等雙向預測運動向量候選者中選擇一第二單向預測運動向量；<br/> 以該第二單向預測運動向量來產生該第二分區之一第二預測影像；以及<br/> 基於該第一預測影像及該第二預測影像來產生該當前寫碼區塊之一預測影像。
一種影像解碼器，其包含：<br/> 一記憶體；以及<br/> 一處理器，其耦合至該記憶體且經組配以進行下列動作：<br/> 判定在一當前寫碼區塊中之一第一分區及一第二分區，各分區具有一非矩形形狀，該第一分區係與該第二分區重疊；<br/> 針對該第一分區，從用於該第一分區之雙向預測運動向量候選者中僅選擇一第一單向預測運動向量；<br/> 針對該第二分區，從該等雙向預測運動向量候選者中選擇一第二單向預測運動向量；<br/> 使用針對該第一分區所選擇之該第一單向預測運動向量來解碼該第一分區且使用針對該第二分區所選擇之該第二單向預測運動向量來解碼該第二分區，其中，要解碼該第一分區及該第二分區，該處理器係經組配以進行下列動作：<br/> 以針對該第一分區所選擇之該第一單向預測運動向量來產生該第一分區之一第一預測影像；及<br/> 以該第二單向預測運動向量來產生該第二分區之一第二預測影像；以及<br/> 基於該第一預測影像及該第二預測影像來產生該當前寫碼區塊之一預測影像。
一種儲存一位元串流之非暫時性電腦可讀媒體，該位元串流包括一當前寫碼區塊及一解碼器根據其進行一分區處理之資訊，<br/> 其中該分區處理包含：<br/> 判定在該當前寫碼區塊中之一第一分區及一第二分區，各分區具有一非矩形形狀，該第一分區係與該第二分區重疊；<br/> 針對該第一分區，從用於該第一分區之雙向預測運動向量候選者中僅選擇一第一單向預測運動向量；<br/> 以該第一單向預測運動向量來產生該第一分區之一第一預測影像；<br/> 針對該第二分區，從該等雙向預測運動向量候選者中選擇一第二單向預測運動向量；<br/> 以該第二單向預測運動向量來產生該第二分區之一第二預測影像；以及<br/> 基於該第一預測影像及該第二預測影像來產生該當前寫碼區塊之一預測影像。
一種縫紉機之針鎦裝置，係包括：<br/> 一本體，該本體之底部相對兩側分別橫向地設有一第一滑扣部，並自該本體的底端凹設有多數針穴；<br/> 一過線塊，其頂部相對兩側分別橫向地設有一第二滑扣部，並於該過線塊上穿設有至少一導針孔及多數過線孔，且於該過線塊上設有一定位穴，令該過線塊頂端兩側的該第二滑扣部可分別對應地滑扣該本體底部位於兩側之該第一滑扣部，使該過線塊結合在該本體的底部，且使該導針孔投影位於各該針穴的下方；以及<br/> 一定位片，其第一端是鎖固於該本體上，且令該定位片之第二端係伸入該過線塊之該定位穴中，以阻擋該過線塊與該本體產生橫向相對位移。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中各該第一滑扣部是分別為一橫向的槽；而該第二滑扣部是形成與該第一滑扣部對應橫向的凸部。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中各該第一滑扣部是分別為一橫向的凸部；而該第二滑扣部是形成與該第一滑扣部對應橫向的槽。
如請求項2或3所述縫紉機之針鎦裝置，其中該槽是指鳩尾槽、方口槽或弧形槽；該凸部是指鳩尾座、方形凸部或弧形凸部。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中該定位穴是自該過線塊之頂端向下凹設。
如請求項1所述縫紉機之針鎦裝置，其中該過線塊所穿設之各該過線孔係與該針穴呈一夾角，且各該過線孔之孔緣形成圓弧導角。
一種調配物，其包含： <br/>100 mg/ml的抗呼吸道融合細胞病毒(RSV)單株抗體，其中該抗體包含SEQ ID NO: 1的輕鏈序列和SEQ ID NO: 2的重鏈序列； <br/>30 mM的L-組胺酸、L-組胺酸鹽酸鹽或其組合； <br/>80 mM的L-精胺酸鹽酸鹽； <br/>120 mM的蔗糖；及 <br/>0.02%（w/v）的聚山梨醇酯80； <br/>其中該調配物具有5.5至6.5的pH。
如請求項1之調配物，其中該L-組胺酸鹽酸鹽為L-組胺酸鹽酸鹽一水合物。
如請求項1之調配物，其中該調配物具有5.7至6.3的pH。
如請求項1之調配物，其中該調配物具有6.0的pH。
如請求項1之調配物，其中該調配物係液體。
一種如請求項1至5中任一項之調配物之用途，其係用以製備預防個體之RSV下呼吸道疾病之藥物。
如請求項6之用途，其中該個體係2歲以下。
一種蓋體，其構成為能安裝於具有開口部及形成前述開口部的緣部之容器上，具有當安裝於前述容器時覆蓋前述開口部的頂面部， <br/>前述頂面部包括由紙系材料構成的紙系基材、貫穿前述紙系基材的貫通部、能從具有氣相與液相的混合流體中分離出氣相氣體與至少一部分液相液體的氣液分離材、以及具有熱可塑性的塗層劑； <br/>前述氣液分離材具有包含長纖維且具有透氣性的紙系透氣片，並且至少在前述紙系透氣片的一面配置有對前述紙系透氣片賦予撥液性的撥液劑； <br/>前述氣液分離材於前述紙系基材的俯視中配置為覆蓋前述貫通部的至少一部分； <br/>前述塗層劑將前述氣液分離材與前述紙系基材黏接。
如請求項1之蓋體，其中前述撥液劑為撥水劑。
如請求項1之蓋體，其中前述紙系透氣片為不織布。
如請求項1之蓋體，其中前述長纖維為紙纖維。
如請求項1之蓋體，其中前述撥液劑附著於前述長纖維的至少一部分。
如請求項1之蓋體，其中前述撥液劑亦配置於前述紙系透氣片的內部。
如請求項1之蓋體，其中前述氣液分離材於對應前述貫通部的位置形成有切口部及／或半切部。
如請求項1之蓋體，其中前述氣液分離材包含前述長纖維作為主成分。
一種附蓋體的容器，具有： <br/>如請求項1之蓋體；及 <br/>前述容器，其具有形成於上端之前述開口部及形成前述開口部之外周之緣部； <br/>前述蓋體與前述容器接合。
一種蓋體與容器之組合，具有： <br/>如請求項1之蓋體；及 <br/>前述容器，其具有形成於上端之前述開口部及形成前述開口部之外周之緣部； <br/>前述蓋體形成為可與前述容器的前述緣部接觸。
一種人工智慧市場數據分析系統，包括： 一輸入設備端，包含至少一電腦裝置，係連結於第一設備端； 一第一設備端，包含至少一電腦裝置，至少一傳輸裝置係連結於第二設備端； 一第二設備端，包含至少一電腦裝置，至少一傳輸裝置係連結於第三設備端； 一第三設備端，包含至少一電腦裝置，至少一傳輸裝置係連結於第四設備端； 一第四設備端，包含至少一電腦裝置，至少一傳輸裝置係連結於第五設備端； 以及 一第五設備端，包含至少一電腦裝置，至少一傳輸裝置係連結於輸入設備端。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，輸入設備端包含至少一輸入裝置，將第一基本資料輸入至第一設備端。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，第一設備端包含至少一傳輸裝置及至少一分析裝置，接收第一基本資料分析成第一分析資料，傳送至第二設備端，並同步儲存於雲端資料庫。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，第二設備端包含至少一傳輸裝置及至少一分析裝置，接收第一分析資料分析成第二分析資料，傳送至第三設備端，並同步儲存於雲端資料庫。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，第三設備端包含至少一傳輸裝置及至少一分析裝置，接收第二分析資料分析成第三分析資料，傳送至第四設備端，並同步儲存於雲端資料庫。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，第四設備端包含至少一傳輸裝置及至少一分析裝置，接收第三分析資料分析成第四分析資料，傳送至第五設備端，並同步儲存於雲端資料庫。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，第五設備端包含至少一傳輸裝置及至少一分析裝置，接收第四分析資料分析成第五分析資料，傳送至輸入設備端，並同步儲存於雲端資料庫。
如申請專利範圍第1項所述人工智慧市場數據分析系統，其中，輸入設備端包含至少一螢幕裝置，係用來顯示第五分析結果。
一種分散式場域工控資料傳輸優化系統，其包括：<br/> 複數個工控場域設備端，每一工控場域設備端具有：<br/><b>一</b>邊緣感測單元，用於收集該工控場域設備端之複數個感測器的複數個即時數據；<br/><b>一</b>邊緣計算單元，其係以一人工智慧模型，進行該複數個即時數據之處理，以檢測出異常運行區段數據、正常運行區段數據及/或產出預測性分析之工控數據；<br/> 一異常數據處理單元，其係將該異常運行區段數據進行打包，並賦予最優先傳輸等級之設定；<br/><b>一</b>正常數據處理單元，其係將該正常運行區段數據進行的壓縮、歸納和摘要處理；及<br/><b>一</b>分散式儲存單元，其用於將該工控數據進行本地數據儲存、備援和檢索，並進行個工控場域設備端之數據備援同步；<br/><b>一</b>數據傳輸模組，其基於分散式消息佇列和事件驅動的串流架構之設計，透過單一或多條傳輸通道，根據下列邏輯進行多模式資料傳送：<br/><b>一</b>即時處理邏輯，用於即時傳輸該每一工控場域設備端之該異常運行區段數據，確保低延遲回報；<br/><b>一</b>週期同步邏輯，用於依照排程，定期同步該每一工控場域設備端之該正常運行區段數據；及<br/><b>一</b>訂閱傳送邏輯，用於依照用戶之訂閱或查詢，傳輸該每一工控場域設備端之該工控數據；以及<br/> 一中央控制端，其具有：<br/><b>一</b>數據接收處理單元模組，接收並處理來自該數據傳輸模組的該工控數據並進行深度分析和生成一工控報告；及<br/><b>一</b>數據串流處理單元，依照用戶訂閱或查詢，提供特定時間範圍內該工控報告的詳細數據。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該中央控制端進一步具有一AI 模型訓練與同步單元，其用於優化和更新該人工智慧（AI）模型，並動態同步至該邊緣計算單元。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該數據接收處理單元模組進一步具有一數據分析與報告生成單元，其進行深度分析該工控數據並生成該工控報告。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該中央控制端進一步具有一使用者介面單元，提供該中央控制端進行可視覺化之操作界面。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該邊緣計算單元，係以孤立森林、卷積神經網路、或遞歸神經網路演算法進行建模，以判斷出該異常運行區段數據。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中進一步具有一數據預處理單元，用以對該工控數據進行標準化、摘要與壓縮處理，藉以減少資料冗餘，減少該工控數據傳送之負擔。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該分散式儲存單元，係使用Hadoop 或 Spark之大數據存儲技術 ，管理和存儲大量的歷史數據。
如請求項1所述之分散式場域工控資料傳輸優化系統，其中該數據傳輸模組為一 卡夫卡分布式的資訊串流平台。
一種鎖定裝置(100)，用於將該鎖定裝置(100)之外的第一物件(200)和該鎖定裝置(100)之外的第二物件(300)安裝到該鎖定裝置(100)之外的第三物件(400)，其特徵在於，該鎖定裝置(100)包括：殼體(160)，安裝到該第三物件(400)；第一鎖定件(110)，能滑動地容置在該殼體(160)中，且設置為在鎖定位置與解鎖位置之間移動，以將該第一物件(200)安裝到該第三物件(400)；第二鎖定件(120)，能滑動地容置在該殼體(160)中，且設置為在鎖定位置與解鎖位置之間移動，以將該第二物件(300)安裝到該第三物件(400)；觸發器(130)，能滑動地容置在該殼體(160)中，設置為在保持位置與釋放位置之間移動，處於該保持位置的該觸發器(130)將該第一鎖定件(110)保持在其解鎖位置，且被安裝到第三物件(400)的該第一物件(200)引起該觸發器(130)移動到該釋放位置。
根據請求項1所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該第一鎖定件(110)設有突起部(115)，該觸發器(130)設有凹部(133)，當該第一鎖定件(110)處於該解鎖位置時，該突起部(115)對準該凹部(133)且被容置在該凹部(133)中，使得該第一鎖定件(110)被保持在該解鎖位置；當該第一鎖定件(110)脫離該解鎖位置時，該突起部(115)偏離該凹部(133)。
根據請求項2所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該第一鎖定件(110)沿著第一方向移動，該觸發器(130)沿著與該第一方向交叉的第二方向移動，該突起部(115)沿該第二方向插入到該凹部(133)中。
根據請求項2所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該觸發器(130)包括接合塊(131)，被安裝到該第三物件(400)的該第一物件(200)抵靠該接合塊(131)以使該觸發器(130)移動到該釋放位置。
根據請求項4所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該觸發器(130)的該接合塊(131)與該第一鎖定件(110)的第一接合部(111)相對，使得該第一物件(200)被夾持在該接合塊(131)與該第一接合部(111)之間。
根據請求項5所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該凹部(133)形成為從該接合塊(131)凹陷，且該突起部(115)形成為從該第一接合部(111)延伸。
根據請求項1所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該鎖定裝置(100)還包括觸發器彈簧(182)，其設置在該殼體(160)與該觸發器(130)之間，以將該觸發器(130)偏壓向該保持位置。
根據請求項7所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該觸發器(130)包括桿部(132)，該桿部(132)沿該觸發器(130)的滑動方向插入到該殼體(160)的筒部(169)中，且該桿部(132)的外側設有環形槽(134)，該觸發器彈簧(182)套設於該筒部(169)的外側且被容置在該環形槽(134)中。
根據請求項1所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該第一鎖定件(110)包括：第一接合部(111)，該第一物件(200)被保持在該第一接合部(111)與該觸發器(130)之間；外框(112)，套設在該殼體(160)的外側，且抵靠該第二鎖定件(120)；側肋(114)，連接在該第一接合部(111)與該外框(112)之間，且插入到該殼體(160)的側壁(163)的第一滑槽(163a)中，以引導該第一鎖定件(110)沿該殼體(160)滑動；以及鉤部(113)，沿該第一鎖定件(110)的移動方向延伸，且插入到該殼體(160)的側壁(163)的第二滑槽(163b)中，以引導該第一鎖定件(110)沿該殼體(160)滑動且限定該第一鎖定件(110)的滑動行程。
根據請求項9所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該第二鎖定件(120)包括：第二接合部(121)，該第二物件(300)被保持在該第一接合部(111)與該第二接合部(121)之間；延伸部(122)，沿著與該第二鎖定件(120)的移動方向大致垂直的方向插入到該殼體(160)中；側滑動部(124)，插入到該殼體(160)的側壁(163)的第三滑槽(163c)中，以引導該第二鎖定件(120)相對於該殼體(160)的滑動且限定該第二鎖定件(120)的滑動行程；尾滑動部(125)，插入到該殼體(160)的尾槽(165)中，以引導該第二鎖定件(120)相對於該殼體(160)的滑動；頂面(127)，覆蓋該殼體(160)的頂部開口(161)；以及操作部(126)，從該頂面(127)升起。
根據請求項10所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該頂面(127)設有肩部(127a)，該肩部(127a)抵靠該外框(112)，使得該第一鎖定件(110)朝向其解鎖位置的移動帶動該第二鎖定件(120)朝向其解鎖位置移動，且該第二鎖定件(120)朝向其鎖定位置的移動帶動該第一鎖定件(110)朝向其鎖定位置移動。
根據請求項10所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該鎖定裝置(100)包括鎖定件彈簧(181)，該殼體(160)的內部設有面向該第二鎖定件(120)的該延伸部(122)的第一抵接部(166)，該鎖定件彈簧(181)設置在該延伸部(122)與第一抵接部(166)之間，以將該第二鎖定件(120)偏壓向其鎖定位置。
一種鎖定裝置(100)，其特徵在於，該鎖定裝置(100)包括：殼體(160)，安裝到該鎖定裝置(100)之外的第三物件(400)：安裝件(140)，能滑動地容置在該殼體(160)中，且設置為插入到該第三物件(400)中，以將該殼體(160)安裝到該第三物件(400)；滑動件(150)，能滑動地設置在該殼體(160)中，以調節該安裝件(140)插入到該第三物件(400)中的深度。
根據請求項13所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該安裝件(140)包括：從動部(143)，設置在該殼體(160)中，且能被該滑動件(150)驅動而沿著插入該第三物件(400)的方向滑動；柱部(141)，能旋轉地連接到該從動部(143)，且隨著該從動部(143)一同沿著插入該第三物件(400)的方向滑動；以及翼部(142)，設置在該柱部(141)的徑向兩側，該柱部(141)能對準該第三物件(400)的孔洞(410)以便插入到該第三物件(400)，且能夠與該孔洞(410)成角度以將該鎖定裝置(100)安裝到該第三物件(400)。
根據請求項14所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該滑動件(150)包括：滑塊(151)，插入到該殼體(160)的側壁(163)的第四滑槽(163d)中，以引導該滑動件(150)相對於該殼體(160)滑動；以及驅動部(152)，接合到該安裝件(140)的從動部(143)，使得該滑動件(150)相對於該殼體(160)滑動帶動該安裝件(140)從該殼體(160)中伸出或縮回到該殼體(160)中。
根據請求項14所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該滑動件(150)還包括限位槽(155)，該限位槽(155)沿該滑動件(150)的滑動方向延伸；該殼體(160)設有底部開口(162)，該底部開口(162)設置有第一擋板(162a)和第二擋板(162b)，該滑動件(150)被容置在該底部開口(162)中，且該第一擋板(162a)和該第二擋板(162b)插入到該限位槽(155)中，以限制該滑動件(150)的行程。
根據請求項16所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該安裝件(140)的從動部(143)設置在該第一擋板(162a)與該第二擋板(162b)之間，以引導該安裝件(140)相對於該殼體(160)的滑動。
根據請求項16所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該鎖定裝置(100)包括滑動件彈簧(184)，其設置在該殼體(160)與該滑動件(150)之間，以朝向脫離該殼體(160)的方向偏壓該滑動件(150)，該滑動件(150)沿脫離該殼體(160)的方向的滑動帶動該安裝件(140)朝向縮回到該殼體(160)中的方向移動，使得該安裝件(140)抵靠該第三物件(400)。
根據請求項18所述的鎖定裝置(100)，其特徵在於：該鎖定裝置(100)還包括安裝件彈簧(183)，其設置在該殼體(160)與該安裝件(140)之間，以朝向脫離該殼體(160)的方向偏壓該安裝件(140)，且該安裝件彈簧(183)的偏壓力不足以抵抗該滑動件彈簧(184)的偏壓力。
一種動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，包含：一煙液混合裝置，其為一實體構件，設置於一煙氣通道區段中，並具有一混合空間或混合通道；一吸附油注入管，其一端連通於一吸附油供給端，另一端連通於該煙液混合裝置；其中，該煙液混合裝置係藉由其構件結構，使煙氣於通過該混合空間或混合通道時與吸附油形成接觸，並使污染物經該接觸而存在於吸附油中。
一種動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，包含：一燃燒爐，其具有一燃燒區段；一吸附油燃燒裝置，其設置於該燃燒爐內部或與該燃燒區段連通之區段；一燃燒導油管，其一端連通於一吸附油供給端，另一端連通於該吸附油燃燒裝置；其中，該吸附油供給端不以位於與該燃燒爐相同之設備、場所或系統為必要條件。
如請求項2所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，其中該吸附油供給端或其連通管可經由一燃燒導油管選擇性連通至該吸附油燃燒裝置。
如請求項1所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，其中該煙液混合裝置進一步包含一吸附油回流管。
如請求項1所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，其中該煙液混合裝置為管狀、槽狀、通道狀，或其組合形式所構成之混合構件。
如請求項1或2所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，其中所使用之吸附油得由外部吸附油供給端提供，或由裝置內部之吸附油取得構件提供，且不以設置浮油提取構件、廚餘煮沸槽或浮油收集裝置為必要。
如請求項2所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置；其中該燃燒導油管之一端係連通於一吸附油供給端，其係形成為吸附油導入接口，可接收經容器盛裝、桶裝、槽車輸送或其他非固定管線方式移轉存在污染物之吸附油，並導入該吸附油燃燒裝置。
如請求項1或2所述之動物性油脂吸附污染物與高溫裂解共構裝置，其中該煙液混合裝置、吸附油供給端、燃燒裂解構件可分別形成為獨立模組，並透過可拆卸之連通介面進行連接，以構成可依實際需求選擇性組裝、分離或配置之模組化結構。
一種煞變把，包含：<br/> 一握持構件，具有一最小寬度，且包含：<br/> 一握持部；及<br/> 一連接部，連接該握持部；以及<br/> 一煞車桿，樞接於該握持構件的該連接部；<br/> 其中，該最小寬度小於等於30毫米。
如請求項1所述的煞變把，其中該握持構件更具有與該最小寬度相對位的一截面周長，且該截面周長介於95毫米至110毫米之間。
如請求項1所述的煞變把，其中該握持構件更包含：<br/> 一本體，由該握持部與該連接部構成；及<br/> 一握套，至少部份地覆蓋該本體。
如請求項1所述的煞變把，其中該握持構件更具有一上表面與一下表面，該上表面相較於該下表面更遠離該煞車桿，該連接部貫穿設有一樞軸，且該煞車桿包含：<br/> 一樞接部，其中該樞接部的一端組接該樞軸並繞該樞軸樞轉，該樞接部的另一端沿該上表面朝向該下表面的一方向延伸設置；及<br/> 一桿身部，連接該樞接部的該另一端，且包含相互連接的一上桿部分與一下桿部分。
如請求項4所述的煞變把，其中該樞接部與該桿身部之間凹陷形成一讓位槽。
如請求項4所述的煞變把，其中該樞接部沿該樞軸的一中垂線延伸設置，且該桿身部的該下桿部分相較於該上桿部分更遠離該中垂線。
一種自行車車把，包含：<br/> 一車把手；以及<br/> 一煞變把，安裝於該車把手，且包含：<br/> 一握持構件，具有一最小寬度，且包含：<br/> 一握持部；及<br/> 一連接部，連接該握持部；及<br/> 一煞車桿，樞接於該握持構件的該連接部；<br/> 其中，該最小寬度小於等於30毫米。
如請求項7所述的自行車車把，其中該煞變把更包含一定位件，該定位件設置於該握持構件的該握持部，並用以將該握持構件耦接於該車把手。
如請求項7所述的自行車車把，其中該握持構件更具有與該最小寬度相對位的一截面周長，且該截面周長介於95毫米至110毫米之間。
如請求項7所述的自行車車把，其中該握持構件更包含：<br/> 一本體，由該握持部與該連接部構成；及<br/> 一握套，至少部份地覆蓋該本體。
如請求項7所述的自行車車把，其中該握持構件更具有一上表面與一下表面，該上表面相較於該下表面更遠離該煞車桿，該連接部貫穿設有一樞軸，且該煞車桿包含：<br/> 一樞接部，其中該樞接部的一端組接該樞軸並繞該樞軸樞轉，該樞接部的另一端沿該上表面朝向該下表面的一方向延伸設置；及<br/> 一桿身部，連接該樞接部的該另一端，且包含：<br/> 一上桿部分，其與該上表面之間具有一上把位握距；及<br/> 一下桿部分，連接該上桿部分，並與該車把手的一內側曲面之間具有一下把位握距，其中該下把位握距大於該上把位握距。
如請求項11所述的自行車車把，其中該上把位握距介於45毫米至60毫米之間，且該下把位握距介於70毫米至80毫米之間。
如請求項11所述的自行車車把，其中該樞接部與該桿身部之間凹陷形成一讓位槽。
如請求項11所述的自行車車把，其中該樞接部沿該樞軸的一中垂線延伸設置，且該桿身部的該下桿部分相較於該上桿部分更遠離該中垂線。
如請求項11所述的自行車車把，其中該煞車桿相對於該握持構件在一靜置位置與一操作位置之間進行切換，當該煞車桿處在該操作位置時，該桿身部投影至該車把手的一對稱面形成一第一投影區域，該車把手投影至該對稱面形成一第二投影區域，且該第一投影區域部分重疊或不重疊於該第二投影區域。
如請求項7所述的自行車車把，其中該車把手為一下拉式車把。
一種具自破裂複合緩釋膜，包含：<br/> 一高分子膜體，為一單層結構，該高分子膜體具有相反設置之一內表面及一外表面；以及<br/> 一自結晶物，被包覆於該高分子膜體中，該自結晶物包含一矽酸填料及一含鈣填料，該矽酸填料與該含鈣填料的重量比介於1：0~1：3，該矽酸填料與該含鈣填料於一水性環境生成反應，使該自結晶物形成一矽酸鈣結晶體；當該自結晶物當中該含鈣填料的含量為0時，該高分子膜體接觸一含鈣物質，該高分子膜體當中該矽酸填料與該含鈣物質於該水性環境反應成該矽酸鈣結晶體，其中該高分子膜體對應於該矽酸鈣結晶體的位置生成複數裂縫，部分裂縫貫穿該內表面與該外表面。
如請求項1所述之具自破裂複合緩釋膜，其中該高分子膜體的含量佔該具自破裂複合緩釋膜總重量的90~95wt%，該自結晶物的含量佔該具自破裂複合緩釋膜總重量的5~10wt%。
如請求項1所述之具自破裂複合緩釋膜，其中該矽酸填料選自於矽酸鈉、矽酸鉀及二氧化矽所構成族群之一種或是一種以上的組合；該含鈣填料選自於氫氧化鈣、氯化鈣及氧化鈣所構成族群之一種或是一種以上的組合。
如請求項2所述之具自破裂複合緩釋膜，其中該矽酸填料與該含鈣填料的重量比介於1：1~1：3。
如請求項1所述之具自破裂複合緩釋膜，其中該高分子膜體的厚度介於50~200μm；該高分子膜體選自於壓克力、聚氨酯、醋酸乙烯-乙烯共聚物及蠟所構成族群之一種或是一種以上的組合；該含鈣物質選自於含鈣礦物質或石灰。
一種緩釋包覆體，包含：<br/> 一被包覆載體；以及<br/> 一具自破裂複合緩釋膜，該被包覆載體被該具自破裂複合緩釋膜所包覆，該具自破裂複合緩釋膜具有一高分子膜體及一自結晶物，該高分子膜體為一單層結構，該高分子膜體附著於該被包覆載體的周圍，該高分子膜體具有相反設置之一內表面及一外表面，該內表面接觸該被包覆載體，該自結晶物分布於該高分子膜體中，該自結晶物包含一矽酸填料及一含鈣填料，該矽酸填料與該含鈣填料的重量比介於1：0~1：3，該矽酸填料與該含鈣填料於一水性環境生成反應，使該自結晶物形成一矽酸鈣結晶體；當該自結晶物當中該含鈣填料的含量為0時，該被包覆載體含有一含鈣物質，該高分子膜體當中該矽酸填料與該被包覆載體當中該含鈣物質於該水性環境反應成該矽酸鈣結晶體，其中該高分子膜體對應於該矽酸鈣結晶體的位置生成複數裂縫，部分裂縫貫穿該內表面與該外表面，使該被包覆載體透過該等裂縫由該高分子膜體之該內表面釋出於該外表面。
如請求項6所述之緩釋包覆體，其中該高分子膜體的含量佔該具自破裂複合緩釋膜總重量的90~95wt%，該自結晶物的含量佔該具自破裂複合緩釋膜總重量的5~10wt%。
如請求項7所述之緩釋包覆體，其中該矽酸填料與該含鈣填料的重量比介於1：1~1：3。
如請求項7所述之緩釋包覆體，其中該被包覆載體含量佔該緩釋包覆體總重量的85~99wt%，該具自破裂複合緩釋膜的含量佔該緩釋包覆體總重量的1~15wt%。
如請求項9所述之緩釋包覆體，其中該被包覆載體選自於肥料、一土壤改良劑、一水質處理劑及一抑菌材料所構成族群之一種；其中該土壤改良劑與該水質處理劑分別含有該含鈣物質；當該被包覆載體選自於肥料、該土壤改良劑或該水質處理劑時，該具自破裂複合緩釋膜的含量佔該緩釋包覆體總重量的7~15wt%；當該被包覆載體選自於該抑菌材料時，該具自破裂複合緩釋膜的含量佔該緩釋包覆體總重量的1~2wt%。
如請求項10所述之緩釋包覆體，其中該被包覆載體的粒徑介於2~6mm，該土壤改良劑選自於石灰、含微生物製劑、有機質及含鈣土壤礦物質所構成族群之一種或是一種以上的組合；該水質處理劑選自於石灰、除藻劑、消毒劑及含鈣礦物水質改良劑所構成族群之一種或是一種以上的組合；該抑菌材料選自於茶多酚、二氧化氯及殺菌劑所構成族群之一種或是一種以上的組合。
如請求項6所述之緩釋包覆體，其中該高分子膜體的厚度介於50~200μm；該高分子膜體選自於壓克力、聚氨酯、醋酸乙烯-乙烯共聚物及蠟所構成族群之一種或是一種以上的組合。
如請求項6所述之緩釋包覆體，其中該矽酸填料選自於矽酸鈉、矽酸鉀及二氧化矽所構成族群之一種或是一種以上的組合；該含鈣填料選自於氫氧化鈣、氯化鈣及氧化鈣所構成族群之一種或是一種以上的組合。
一種凹部結構，被用於半導體封裝基板，所述凹部結構的特徵在於， <br/>鄰接的至少兩個凹部， <br/>所述凹部的開口部配置成與一個平面接觸， <br/>與所述一個平面正交的剖面上的所述凹部的底部間的距離為所述凹部的底部的寬度的110%以下， <br/>所述剖面上的所述凹部的深度為20 μm以下， <br/>所述剖面上的所述凹部的深度相對於所述凹部的底部的寬度之比為1.0以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述底部的寬度為所述一個平面上的所述凹部的開口寬度的70%以上。
如請求項2所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述一個平面上的所述凹部的所述開口寬度為20 μm以下。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述剖面上的所述凹部的所述深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為1.1以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為1.5以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為2.4以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為3.4以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述底部的寬度為所述凹部的開口寬度的70%以上， <br/>所述凹部的所述深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為2.4以上。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部包含溝槽。
如請求項1所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部結構還包括具有從上端開口部延伸至下端開口部的貫穿孔， <br/>所述上端開口部配置成與所述一個平面接觸。
如請求項10所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述上端開口部的寬度為20 μm以下。
如請求項10所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述貫穿孔的加工長度相對於所述下端開口部的寬度之比為1.0以上。
如請求項10所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述下端開口部的寬度為所述上端開口部的寬度的70%以上。
如請求項10所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述貫穿孔的加工長度相對於所述下端開口部的寬度之比為1.0以上， <br/>所述下端開口部的寬度為所述上端開口部的寬度的70%以上。
如請求項10所述的凹部結構，其特徵在於， <br/>所述凹部的所述底部的寬度為所述凹部的開口寬度的70%以上， <br/>所述凹部的深度相對於所述凹部的所述底部的寬度之比為2.4以上， <br/>所述貫穿孔的加工長度相對於所述下端開口部的寬度之比為1.0以上， <br/>所述下端開口部的所述寬度為所述上端開口部的寬度的70%以上。
一種半導體封裝基板，其包括如請求項1至15中任一項所述的凹部結構，所述半導體封裝基板的特徵在於， <br/>在所述凹部內嵌入有金屬配線。
一種半導體封裝基板，其包括如請求項10至15中任一項所述的凹部結構，所述半導體封裝基板的特徵在於，所述貫穿孔實施有通孔加工。
如請求項17所述之半導體封裝基板，所述半導體封裝基板的特徵在於， <br/>在所述凹部內嵌入有金屬配線。
一種貫穿孔結構，被用於半導體封裝基板，所述貫穿孔結構的特徵在於， <br/>具有從上端開口部延伸至下端開口部的貫穿孔， <br/>所述下端開口部的寬度為所述上端開口部的寬度的70%以上。
如請求項19所述的貫穿孔結構，其特徵在於， <br/>所述上端開口部的寬度為20 μm以下。
如請求項19所述的貫穿孔結構，其特徵在於， <br/>所述貫穿孔的加工長度相對於所述下端開口部的寬度之比為1.0以上。
一種半導體封裝基板，其包括如請求項19至21中任一項所述的貫穿孔結構，所述半導體封裝基板的特徵在於， <br/>所述貫穿孔實施有通孔加工。
一種收納箱，包含：<br/> 一容器本體，具有一底板及一環繞側壁，該環繞側壁連接該底板並共同形成一容置空間；<br/> 一蓋體，可蓋設於該容器本體並遮覆該容置空間的一開口；<br/> 一卡扣機構，用以扣合該蓋體及該容器本體，其包含一扣件及一連桿，該連桿具有一第一樞軸及一第二樞軸，該第一樞軸樞接該環繞側壁的一第一樞接部，該第二樞軸樞接該扣件。
如請求項1所述之收納箱，其中該扣件相對的二側分別設有一第二樞接部及一卡勾，該蓋體對應該卡勾設有一卡扣部，該第二樞接部與該第二樞軸樞接；當該蓋體蓋設於該容器本體時，該卡勾可與該卡扣部扣合。
如請求項2所述之收納箱，其中該第一樞接部具有一卡槽，該第一樞軸可嵌設於該卡槽。
如請求項2所述之收納箱，其中該第二樞接部設有成對的穿孔，該第二樞軸貫穿該些穿孔。
如請求項4所述之收納箱，其中該第二樞軸更設有一缺口部。
如請求項1所述之收納箱，其更包含一隔層，容器本體更具有一階部，該隔層抵靠於該階部而被容設於該容置空間中。
如請求項6所述之收納箱，其中該隔層更具有一環凸緣及一垂緣，該環凸緣設置於該隔層的頂部，該垂緣連接並垂直該環凸緣，該容器本體更具有設置於該階部的複數定位塊，各該定位塊相鄰該環繞側壁的一側設有一凹槽，該垂緣可以選擇性地結合於不同的至少任二該凹槽以使該隔層被設置於該容置空間中的不同位置。
如請求項7所述之收納箱，其中該隔層更具有一提把部。
如請求項1所述之收納箱，其更包含一把手，該把手樞接該蓋體。
如請求項9所述之收納箱，其更包含一握套，該握套可分離地與該把手結合。
如請求項9所述之收納箱，其中該把手設有二凸部，該蓋體對應該二凸部設有二溝槽，該二凸部可嵌入該二溝槽。
如請求項11所述之收納箱，其中各該溝槽具有一開放端及一封閉端，該溝槽的寬度自該開放端朝該封閉端遞減。
一種用於控制一受測電子裝置(DUT)之溫度之系統，該系統包括： <br/>一閉合循環迴路，其在其中使一氣相熱傳介質被加壓為大於一大氣壓之一壓力； <br/>一柱塞，其經組態以與該閉合循環迴路之一第一部分熱連通且進一步與該DUT熱連通；及 <br/>一熱交換器，其經組態以與該閉合循環迴路之一第二部分熱連通。
如請求項1之系統，其中該熱交換器進一步與一冷卻系統熱連通，用於將熱量自該閉合循環迴路之該第二部分傳遞至該冷卻系統。
如請求項1之系統，其中該柱塞經組態以與該DUT實體接觸。
如請求項1之系統，其中在操作中，該氣相熱傳介質經組態以處於低於該DUT之一溫度，使得自該DUT至該氣相熱傳介質出現一淨熱流。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質處於約7巴至10巴之壓力。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質包括壓縮乾燥空氣。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質包括實質上不同於環境空氣之一組合物。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質包括一惰性氣體。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質不包含碳氫化合物或碳氟氫化合物。
如請求項1之系統，其中該氣相熱傳介質在該閉合循環迴路內並非呈一液化形式。
如請求項1之系統，其進一步包括將一加壓氣體貯器連接至該閉合循環迴路之一單向壓力調節器，該加壓氣體貯器具有相對於該閉合循環迴路之壓力處於一更高壓力之該氣相熱傳介質。
如請求項1之系統，其中該柱塞包括形成該閉合循環迴路之一部分之一冷卻導管網路。
如請求項12之系統，其中該柱塞進一步包括一加熱塊。
如請求項13之系統，其中該加熱塊經組態以比該冷卻導管網路更靠近該DUT。
如請求項1之系統，其中該閉合循環迴路包括經組態以使該氣相熱傳介質圍繞該閉合循環迴路循環之一泵。
一種用於測試一受測電子裝置(DUT)之設備，該設備包括： <br/>一測試站，其經組態以接收攜載該DUT之一載體總成且對該載體總成中之該DUT執行電測試，其中該載體總成包括一載體，該載體包括用以將該DUT保持於其中之一試件； <br/>一接觸器總成，其包括一接觸器，該接觸器經組態以在該試件之一第一側處與該DUT電及實體接觸，用於發送及接收測試信號； <br/>一閉合循環迴路，其在其中使一氣相熱傳介質被加壓為大於一大氣壓之一壓力；及 <br/>一柱塞，其經組態以與該DUT及該閉合循環迴路熱連通，用於在測試期間控制該DUT之溫度。
如請求項16之設備，其中該柱塞與該閉合循環迴路之一第一部分熱連通，且其中該閉合循環迴路之一第二部分經組態以與一熱交換器熱連通。
如請求項16之設備，其中該設備包括包含該測試站之複數個站，其中該載體總成在一載體保持盤上旋轉通過該複數個站，而無需自該載體保持盤移除。
如請求項17之設備，其中該熱交換器進一步與一冷卻系統熱連通，用於將熱量自該閉合循環迴路之該第二部分傳遞至該冷卻系統。
如請求項16之設備，其中該柱塞經組態以在該試件之一第二側處與該DUT實體接觸。
如請求項16之設備，其中在操作中，該氣相熱傳介質經組態以處於低於該DUT之一溫度，使得自該DUT至該氣相熱傳介質出現一淨熱流。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質處於約7巴至10巴之壓力。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質包括壓縮乾燥空氣。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質包括實質上不同於環境空氣之一組合物。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質包括一惰性氣體。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質不包含碳氫化合物或碳氟氫化合物。
如請求項16之設備，其中該氣相熱傳介質在該閉合循環迴路內並非呈一液化形式。
如請求項16之設備，其進一步包括將一加壓氣體貯器連接至該閉合循環迴路之一單向壓力調節器，該加壓氣體貯器具有相對於該閉合循環迴路之壓力處於一更高壓力之該氣相熱傳介質。
如請求項16之設備，其中該柱塞包括形成該閉合循環迴路之一部分之一冷卻導管網路。
如請求項29之設備，其中該柱塞進一步包括一加熱塊。
如請求項30之設備，其中該加熱塊經組態以比該冷卻導管網路更靠近該DUT。
如請求項16之設備，其中該閉合循環迴路包括經組態以使該氣相熱傳介質圍繞該閉合循環迴路循環之一泵。
一種用於測試一受測電子裝置(DUT)之設備，該設備包括： <br/>一測試站，該測試站經組態以接收該DUT且使用一接觸器在其中執行電測試； <br/>該接觸器經組態以在該DUT之一第一側處與該DUT電及實體接觸，用於發送及接收測試信號； <br/>一柱塞，其經組態以在一第二側處與該DUT實體接觸及熱連通，用於在測試期間控制該DUT之溫度；及 <br/>一閉合循環迴路，其與該柱塞熱連通，該閉合循環迴路在其中使一氣相熱傳介質被加壓為大於一大氣壓之一壓力。
如請求項33之設備，其中該柱塞經組態以與該閉合循環迴路之一第一部分熱連通，且其中該設備進一步包括與該閉合循環迴路之一第二部分熱連通之一熱交換器。
如請求項34之設備，其中該熱交換器進一步與一冷卻系統熱連通，用於將熱量自該閉合循環迴路之該第二部分傳遞至該冷卻系統。
如請求項33之設備，其中在操作中，該氣相熱傳介質經組態以處於低於該DUT之一溫度，使得自該DUT至該氣相熱傳介質出現一淨熱流。
如請求項33之設備，其中該氣相熱傳介質處於約7巴至10巴之壓力。
如請求項33之設備，其中該氣相熱傳介質包括實質上不同於環境空氣之一組合物。
如請求項33之設備，其中該氣相熱傳介質包括一惰性氣體。
如請求項33之設備，其中該氣相熱傳介質不包含碳氫化合物或碳氟氫化合物。
如請求項33之設備，其中該氣相熱傳介質在該閉合循環迴路內並非呈一液化形式。
一種省力調整定位的扭力扳手，包括：<br/>一扳手頭桿，該扳手頭桿後側外周樞接管狀的一扭力桿，該扳手頭桿尾端設一頂銷及一頂銷座，該頂銷座底端抵於一壓力彈簧一端；<br/>一固定座，該固定座設數導引凹槽，該固定座固定至該扭力桿；<br/>扭力定位之一調節釋放環，該調節釋放環套設滑移於該扭力桿；該調節釋放環前側套設一彈性元件且固設數導引凸條，該導引凸條滑組於該導引凹槽，該調節釋放環後側設一第二棘齒環；<br/>一扭力調節組件，包括設一軌道套筒，一螺桿以一限位座限制只能旋轉而安裝至該軌道套筒，一螺帽，該螺帽螺設於該螺桿，該螺帽前端頂推該壓力彈簧另端，該扭力桿末端套組固定至該扭力調節組件；以及<br/>一手柄，該手柄前端設一第一棘齒環，該手柄末端設一第一銷孔，該螺桿末端設一第二銷孔，該手柄套於該扭力調節組件外，該第一、二銷孔對齊，再以一銷桿穿組該第一、二銷孔，據以固定該手柄及該螺桿，該第一、二棘齒環嚙合，使該手柄可單向旋轉進行加壓蓄壓，該調節釋放環可輕拉快放進行單點壓力釋放或可輕拉不放進行全部壓力釋放，以之達到零件少、組裝方便容易、可快速釋放且調整操作方便者。
如請求項1所述之省力調整定位的扭力扳手，其中該限位座內之該螺桿承受壓力處，得套設一止推軸承以抵消壓力。
如請求項1所述之省力調整定位的扭力扳手，其中該螺帽設一滑塊滑設於該軌道套筒的一軌槽內，以使該螺帽只能進退而不會旋轉。
一種具導航顯示功能之鞋子，其包括：一鞋子本體；一顯示幕，設置於該鞋子本體上；一無線連接模組，設置於該鞋子本體內；一GPS定位模組，設置於該鞋子本體內；以及一遠端主機，可與該無線連接模組進行無線通訊連線，其中，使用者可經由該遠端主機輸入導航目的地資訊，該遠端主機依據GPS定位結果產出導航資訊，並透過該無線連接模組傳送至該鞋子本體，使該顯示幕顯示對應之導航圖形資訊，以提供使用者辨識行進方向。
如申請專利範圍第1項所述之具導航顯示功能之鞋子，其中，該導航圖形資訊包括箭頭符號以指示左轉、右轉或直行方向。
如申請專利範圍第1項所述之具導航顯示功能之鞋子，其中，該顯示幕設置於該鞋子本體之前端區域。
如申請專利範圍第1項所述之具導航顯示功能之鞋子，其中，該遠端主機為智慧型手機、平板電腦或具網路功能之穿戴式裝置。
如申請專利範圍第1項所述之具導航顯示功能之鞋子，其中，該無線連接模組為藍牙模組或Wi-Fi模組。
如申請專利範圍第1項所述之具導航顯示功能之鞋子，其中，該遠端主機具有一顯示幕、一開關以及一充電埠。
一種電容結構，包含：<br/> 複數個金屬層，其中該些金屬層堆疊設置；<br/> 複數個石墨烯層，其中該些石墨烯層之每一者分別設置在該些金屬層之相鄰兩者之間或該些金屬層之一者上；<br/> 一第一電極孔，電性連接該些金屬層；以及<br/> 一第二電極孔，電性連接該些石墨烯層。
如請求項1所述之電容結構，更包含：<br/> 複數個隔離結構，鄰接該些金屬層及該些金屬層之間的該些石墨烯層。
如請求項1所述之電容結構，更包含：<br/> 一第一晶種層，位於該第一電極孔與該些金屬層之一者之間，其中該些金屬層之該者實體接觸該第一晶種層；以及<br/> 一第二晶種層，位於該第二電極孔與該些石墨烯層之一者之間，其中該些石墨烯層之該者實體接觸該第二晶種層。
如請求項1所述之電容結構，其中該些金屬層的寬度不同。
如請求項1至4之任一項所述之電容結構，其中該第一電極孔係自該電容結構之最頂部延伸至該些金屬層之最底部的一者，且該第二電極孔係自該電容結構之該最頂部延伸至該些石墨烯層之最底部的一者。
一種電容結構，包含：<br/> 複數個堆疊結構，其中該些堆疊結構之每一者包含：<br/> 一金屬層；以及<br/> 一石墨烯層，設置在該金屬層上；<br/> 一第一電極孔，實體連接該些堆疊結構之一者的該金屬層；以及<br/> 一第二電極孔，實體連接該些堆疊結構之每一者的該石墨烯層。
如請求項6所述之電容結構，更包含：<br/> 一底部石墨烯層，其中該些堆疊結構設置在該底部石墨烯層上。
如請求項7所述之電容結構，其中該些堆疊結構之每一者的該石墨烯層延伸至該底部石墨烯層上。
如請求項6所述之電容結構，其中該些堆疊結構的該金屬層的寬度自底部朝頂部漸減。
如請求項6所述之電容結構，更包含：<br/> 複數個隔離結構，隔離該些堆疊結構的該金屬層及該石墨烯層之間的電性連接。
一種AI賦能產品展示系統，用於蒐集一實體店面顧客互動數據，該AI賦能產品展示系統包括：<br/> 至少一展示架模組，被配置於用以陳列一種或多種產品的一展示架上，該展示架模組包括：<br/> 至少一影像感測器，安裝於或嵌入於該展示架上，且被朝向以擷取顧客與所陳列產品互動時之影像；<br/> 至少一音訊感測器，安裝於或嵌入於該展示架上，並被配置以擷取位於該展示架附近之顧客音訊，其中該顧客音訊包括語音發言； <br/> 一處理單元，與該影像感測器及該音訊感測器電性連接，該處理單元被配置以分析來自該影像感測器及該音訊感測器之資訊，以形成一分析結果； <br/> 一通訊介面，電性連接於該處理單元，用於將該處理單元之分析結果傳送至一雲端平台；<br/> 一電腦視覺模組，配置於該處理單元中，該電腦視覺模組用以處理所擷取之影像以偵測顧客與產品之互動，至少包括判斷顧客是否在場、測量顧客在展示架前之停留時間，或偵測顧客拿取產品之事件；以及<br/> 一自然語言處理模組，配置於該處理單元中，該自然語言處理模組用以處理由該音訊感測器擷取之音訊，將語音轉換為文字，並分析該文字以判斷至少顧客言語之語意內容或情感傾向； <br/> 其中，所述雲端平台彙整由影像衍生之互動數據及由音訊衍生之語音分析，生成關於顧客與產品互動之多模態行銷回饋；<br/> 其中，所述電腦視覺模組與所述自然語言處理模組是由所述處理單元或所述雲端平台執行。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中，該音訊感測器包括一麥克風，被配置以擷取指向性音訊並降低背景雜訊，從而提升供自然語言處理模組使用之語音清晰度。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中，該自然語言處理模組包括一大型語言模型，用以解讀所轉錄之語音，以辨識顧客之情感及意圖。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中該展示架模組的個數為多個且被配置在不同的店點，該雲端平台彙集來自所述展示架模組於不同店點之數據，且該雲端平台提供一雲端儀表板，使能夠於多個據點間比較顧客互動指標及回饋，以供基準化或行銷分析之用。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中，該處理單元進一步被配置以執行一或多種隱私保護作業，包括對包括顧客身份之影像畫面進行去識別化處理或不予儲存，於語音轉文字後將原始音訊資料丟棄或加密，或僅限制數據傳輸為衍生指標，由此確保於一般運作中不會保留任何可識別顧客身分之資料。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中，該電腦視覺模組包括一物件偵測模組，用於物件偵測或姿態估測以辨識顧客行為，且被配置以偵測特定動作或事件，包括顧客伸手朝向產品、從展示架取走或放回產品，並針對每一被偵測事件生成具時間戳記之事件紀錄。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，進一步包括一與該展示架模組相關聯之互動輸出裝置，該互動輸出裝置為一數位顯示螢幕、一LED指示燈、或一語音合成器，其中，該處理單元或該雲端平台被配置以根據所分析之顧客互動數據或偵測到之顧客行為，於該互動輸出輸出裝置上觸發即時輸出，由此於展示現場提供互動回應或自適應內容給顧客。
根據請求項1所述之AI賦能產品展示系統，其中，該處理單元包括一具備AI加速功能之邊緣運算裝置，並於本地儲存所需電腦視覺及自然語言處理模型，使得影像及音訊之分析能於該展示架本地即時執行。
一種改裝套件，用於將產品的傳統之展示架升級為智慧顧客互動回饋系統，該改裝套件包括：<br/> 至少一攝影機，其被配置以安裝於產品展示架，從而監測展示架前之顧客互動區域；<br/> 至少一麥克風，被配置以安裝於展示架，擷取該互動區域之音訊；<br/> 一處理單元，內建預載之一電腦視覺模組及一自然語言處理模組，該處理單元具備用以連接攝影機與麥克風之介面，並被配置以接收來自攝影機之影像資料及麥克風之音訊資料；<br/> 一通訊介面，使該處理單元可與一雲端平台通訊；以及<br/> 一個或多個用於固定攝影機與麥克風於展示架之安裝構件與電氣連接器，並為該處理單元供電；<br/> 其中，當攝影機及麥克風被安裝於展示架並連接至處理單元，且處理單元連接至通訊介面時，該改裝套件可整體運作以擷取展示架前顧客之影像與音訊，並於處理單元上利用該電腦視覺模組及該自然語言處理模組分析顧客行為及語音，並輸出互動及回饋數據。
根據請求項9所述之改裝套件，其中，該攝影機及該麥克風被整合於一單一外殼內。
一種電子元件裝置，包含： <br/>一載板，該載板為印刷電路板而包含有一第一線路及一第二線路； <br/>一電子元件，貼附設置在該載板，該電子元件具有分別貼附連接該載板的一第一電極及一第二電極，該第一電極焊接該載板而連接該第一線路，該第二電極焊接該載板而連接該第二線路； <br/>一第一導體，焊接該載板而連接該第一線路，且該第一導體延伸形成一第一接腳；以及 <br/>一第二導體，焊接該載板而連接該第二線路，且該第二導體延伸形成一第二接腳， <br/>其中該第一接腳及該第二接腳相互平行配置。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該第一導體及該第二導體及分別插設在該載板。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該第一導體及該第二導體分別貼附設置在該載板。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該第一導體在該載板上配置在該電子元件的一側，該第二導體在該載板上相對於該第一導體配置在該電子元件的另一側，且該第一導體跨越該電子元件向該第二接腳延伸而形成該第一接腳。
如請求項4所述的電子元件裝置，其中該第一導體在該電子元件的相對該側及該另一側分別連接該載板。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該第一接腳及該第二接腳沿平行該載板之方向排列。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該電子元件為一貼片式二極體。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該載板包含一第三線路，該電子元件具有貼附連接該載板的一第三電極，該第三電極焊接該載板而連接該第三線路，該載板上焊設有一第三導體且該第三導體連接該第三線路，且該第三導體延伸形成一第三接腳，該第一接腳、該第二接腳及該第三接腳相互平行配置。
如請求項8所述的電子元件裝置，其中該第一導體、該第二導體及該第三導體分別插設在該載板。
如請求項8所述的電子元件裝置，其中該第一導體、該第二導體及該第三導體分別貼附設置在該載板。
如請求項8所述的電子元件裝置，其中該第一導體在該載板上配置在該電子元件的一側，該第二導體及該第三導體在該載板上相對於該第一導體共同配置在該電子元件的另一側，且該第一導體跨越該電子元件向該第二接腳及該第三接腳延伸而形成該第一接腳。
如請求項11所述的電子元件裝置，其中該第一導體在該電子元件的相對該側及該另一側分別連接該載板。
如請求項8所述的電子元件裝置，其中該第二接腳及該第三接腳沿平行該載板之方向排列。
如請求項13所述的電子元件裝置，其中該第一接腳沿平行該載板之方向排列在該第二接腳及該第三接腳之間。
如請求項13所述的電子元件裝置，其中該第一接腳排列在該第二接腳及該第三接腳之間且沿垂直該載板之方向偏移配置。
如請求項8所述的電子元件裝置，其中該電子元件為一貼片式電晶體。
如請求項1所述的電子元件裝置，其中該載板佈設有一導熱覆層，該電子元件貼附該導熱覆層。
如請求項17所述的電子元件裝置，更包含一散熱結構，設置在該載板且連接該導熱覆層。
如請求項17所述的電子元件裝置，更包含一散熱結構，貼附設置在該載板。
如請求項17所述的電子元件裝置，更包含一散熱結構，插設在該載板。
一種觸控板組件，其能夠固定就位並接受按壓和點擊操作；其中所述觸控板組件(10)包括： <br/>觸控面板(100)； <br/>電路板(200)，其一側面朝所述觸控面板(100)並附接到所述觸控面板(100)，其另一側背離所述觸控面板(100)並包括振動器(210)； <br/>支架(300)，其定位在所述電路板(200)的另一側處，並且包括： <br/>本體(310)，其沿著所述觸控面板(100)的外輪廓延伸； <br/>通孔(320)，其延伸穿過所述本體(310)； <br/>多個第一臂(330)，所述第一臂(330)從所述本體(310)延伸到所述通孔(320)之內，並且包括第一連接部(331)； <br/>內框架(350)，其定位在所述通孔(320)內部，並且在所述振動器(210)的周邊延伸，其中，所述內框架(350)附接到所述電路板(200)；以及 <br/>多個第三臂(360)，所述第三臂(360)聯接在所述內框架(350)與所述本體(310)之間； <br/>其中，各個所述第一臂(330)的所述第一連接部(331)在所述振動器(210)周邊的對稱位置處附接到所述電路板(200)。
根據請求項1所述的觸控板組件，其中所述振動器(210)的兩側分別對稱地佈置一個或多個第一臂(330)，各個第一臂(330)構造為互相平行的。
根據請求項2所述的觸控板組件，其中所述觸控面板(100)具有矩形的外輪廓，並具有相對較長的兩個第一邊緣(101)和相對較短的兩個第二邊緣(102)；所述振動器(210)定位為靠近所述觸控面板(100)的外輪廓的中心，所述振動器(210)佈置為平行於所述第二邊緣(102)，並且在所述振動器(210)與兩個第二邊緣(102)之間分別佈置有兩個第一臂(330)； <br/>其中，各個第一臂(330)的一端在靠近所述觸控面板(100)的矩形輪廓的中心的位置處從所述本體(310)延伸出，平行於所述第一邊緣(101)朝向所述第二邊緣(102)延伸，並且各個第一連接部(331)定位為分別靠近所述觸控面板(100)的外輪廓的各個角。
根據請求項1所述的觸控板組件，其中所述支架(300)還包括： <br/>多個第二臂(340)，所述第二臂(340)的一端從所述本體(310)延伸出，並且包括第二連接部(341)； <br/>其中，所述第二連接部(341)在靠近所述觸控面板(100)的外輪廓的位置處附接到所述電路板(200)。
根據請求項4所述的觸控板組件，其中所述第一臂(330)和所述第二臂(340)的數量是相等的，並且各個第二臂(340)分別佈置為靠近各個第一臂(330)，以形成多個臂組合；其中，每個臂組合包括單個第一臂(330)和單個第二臂(340)，在每個臂組合中，所述第一臂(330)和所述第二臂(340)彼此平行地佈置，並且沿著相反的方向延伸。
根據請求項1所述的觸控板組件，其中所述振動器(210)的兩側處分別對稱地佈置一個或多個第三臂(360)；其中，所述第三臂(360)沿著所述觸控面板(100)的外輪廓的對稱軸延伸，或者與所述觸控面板(100)的外輪廓的對稱軸平行地間隔開；並且其中，所述第三臂(360)與所述第一臂(330)和/或所述第二臂(340)平行地間隔開。
根據請求項1所述的觸控板組件，其中所述觸控面板(100)和所述內框架(350)都具有矩形外輪廓，並且所述第一臂(330)沿著所述內框架(350)的矩形外輪廓的一個邊緣的延長線延伸，且所述第一連接部(331)定位為遠離所述內框架(350)，所述第二臂(340)的所述第二連接部(341)佈置為靠近所述內框架(350)的矩形外輪廓的另一個邊緣的延長線。
根據請求項1至7中任一項所述的觸控板組件，其中所述支架(300)是一體成型的部件，並且由以下材料之一通過衝壓和/或切割工藝來製成：不銹鋼、鋁鎂合金、鍍錫鋼板、鍍鋅鋼板或它們的組合。
根據請求項1至7中任一項所述的觸控板組件，其中所述支架(300)與所述電路板(200)之間的附接連接通過以下之一來達成：膠水、雙面膠、環氧樹脂或它們的組合。
根據請求項1至7中任一項所述的觸控板組件，其中所述支架(300)還包括： <br/>一個或多個安裝部(370)，所述安裝部(370)環繞所述支架(300)的外周佈置，並且延伸到所述觸控面板(100)和/或所述電路板(200)的外輪廓之外，以便通過卡接、螺栓連接和/或螺釘連接來裝設所述觸控板組件(10)。
根據請求項1至7中任一項所述的觸控板組件，其中所述振動器(210)是線性馬達，所述本體(310)環繞所述振動器(210)延伸，並且所述振動器(210)定位在所述通孔(320)之內。
一種電子設備，其中包括： <br/>殼體，其包括開口；以及 <br/>根據請求項1至11中任一項所述的觸控板組件(10)，其裝設在所述殼體之內，並且所述觸控面板(100)定位在所述開口處。
一種夾持件，包括：<br/> 多個夾片，該些夾片沿一第一方向延伸且該些夾片的每一個具有一開孔；以及<br/> 一連接部，沿一第二方向延伸，該連接部的一端連接該些夾片， <br/> 其中，該些夾片遠離該連接部的自由端為可活動，且該第一方向與該第二方向正交。
如請求項1所述的夾持件，其中該連接部的另一端設置有一凸塊，且該凸塊沿遠離該些夾片的方向延伸。
如請求項1所述的夾持件，其中該些夾片的至少其中一個具有一平面。
如請求項1所述的夾持件，其中該些夾片的至少其中一個的一側邊設置有一側壁，且該側壁沿該第二方向延伸。
如請求項1所述的夾持件，其中該些夾片的至少其中一個的相對兩側邊分別設置有一側壁，且兩個該側壁沿該第二方向延伸。
如請求項1所述的夾持件，其中該些夾片的每一個沿該第一方向包括一鎖固部與一夾持部，該鎖固部連接該連接部，且該開孔設置在該鎖固部，該夾持部由該鎖固部往遠離該連接部的方向延伸。
如請求項6所述的夾持件，其中該夾持部與該鎖固部之間還包括一彎折部，使該夾持部與該鎖固部之間具有一段差。
如請求項7所述的夾持件，其中該夾持部與該鎖固部平行。
如請求項6所述的夾持件，其中該夾持部為曲面。
如請求項7所述的夾持件，其中該夾持部相對該鎖固部傾斜。
如請求項10所述的夾持件，其中該夾持部遠離該鎖固部的一端沿該第一方向延伸一抵靠面。
一種電子裝置，包括請求項1至請求項11中任一項所述的夾持件。
一種電源供應器，包括：<br/> 一板體，具有至少一固定孔；<br/> 如請求項1至請求項11中任一項所述的夾持件；以及<br/> 至少一鎖固件，透過該至少一固定孔與該些夾片的其中一個的該開孔將該夾片抵靠一電子元件，使該電子元件被夾持在該板體與該夾片之間。
如請求項13所述的電源供應器，其中該板體還具有一卡合槽。
一種機車引擎之改裝結構，其中該機車上設有一具有一水套結構之水冷引擎，該水冷引擎一側具有一散熱風扇，而該改裝結構包括：<br/>一轉接座，係具有一第一鏤空部，以供套設該散熱風扇周圍；<br/>至少一第一固定部，係形成於該轉接座上，以供固定該轉接座於該散熱風扇一側；<br/>至少一第二固定部，係形成於該轉接座上；<br/>至少一第三固定部，係形成於該轉接座上；<br/>一氣密罩，係設於該轉接座一側，並具有一第二鏤空部，以供套設該散熱風扇之吸風面一側；<br/>至少一第二對接部，係形成於該氣密罩之側壁上，以與該第二固定部對應結合；<br/>一水箱，係設於該氣密罩上；<br/>至少一第三對接部，係形成於該水箱之側壁上，以與該第三固定部對應結合；<br/>一冷水管，係設於該水箱一側並與該水套結構連通；<br/>一熱水管，係設於該水箱一側並與該水套結構連通；<br/>一氣密結構，係形成於該氣密罩上，並對該水箱至該轉接座間之側壁進行封閉而形成一氣流通道；及<br/>至少一導引排氣孔，係形成於該氣流通道上，以供排出熱氣。
如請求項1所述之機車引擎之改裝結構，其中該導引排氣孔形成於該轉接座上時具有一導口部，且該導口部一側形成至少一導引壁。
如請求項1所述之機車引擎之改裝結構，其中該導引排氣孔形成於該氣密罩上時具有複數導風板，且各該導風板間分別形成有一導風口。
如請求項1所述之機車引擎之改裝結構，其中該轉接座上具有複數貼合部，係分別與該散熱風扇之局部輪廓貼合。
如請求項1所述之機車引擎之改裝結構，其中該水箱係透過該第一鏤空部及該第二鏤空部緊鄰設置於該散熱風扇一側。
一種汽車避震器結構，其包含：一避震器本體，具有一下座、一上座，以及連結於該下座以及該上座間之一氣囊體，該氣囊體外壁之中段位置處凸設一連結環肋；一外罩體，具有一環狀壁以及成形於該環狀壁底端之一底面，該環狀壁之內表面鄰近上開口設一連結環槽，該底面貫穿中心設一穿出口，該外罩體係由下往上組設於該避震器本體之下半部，利用該連結環槽緊密連結該連結環肋，使該環狀壁包覆於該氣囊體以及該下座外，達到該避震器本體之保護目的，並透過該穿出口以供該下座穿出與一車體連結。
如請求項1所述之汽車避震器結構，其中，該下座頂端中央處設一結合凸部，該上座之底端中央處設一契合凸部，該氣囊體下、上兩端形成一下開口以及一上開口，該下、上開口內部皆埋設有一唇緣鋼絲，再經由該下、上開口將該氣囊體組設於該下座之結合凸部以及該上座之契合凸部間，並透過所述唇緣鋼絲使該下、上開口可緊密結合於該結合凸部以及該契合凸部。
如請求項2所述之汽車避震器結構，其中，該結台凸部上端面靠近邊緣係對稱設有至少二定位壓板，二該定位壓板的外端緣係超出該結合凸部之外周邊緣，該契合凸部的下端面靠近邊緣對稱設有至少二限位壓板，二該限位壓板的外端緣係超出該契合凸部之外周邊緣，從而利用所述定位壓板以及所述限位壓板將該下、上開口限制定位。
如請求項2所述之汽車避震器結構，其中，該上座之契合凸部外周緣係呈凸弧狀具有一契合弧緣，該氣囊體之上開口內緣係呈凹弧狀形成一契合弧面與該契合弧緣緊密貼合。
如請求項4所述之汽車避震器結構，其中，該上座以一底板以及一頂板結合而成，並於該底板以及該頂板間形成一導通氣室，該底板之底端中央處設置該契合凸部，該契合凸部中心設一氣孔，該頂板設一氣嘴相通該導通氣室。
如請求項5所述之汽車避震器結構，其中，該頂板係於偏心位置設該氣嘴，該氣嘴用以連接一進氣管。
如請求項5所述之汽車避震器結構，其中，該上座之底板外周係往上延伸設一環壁，該頂板面積大於該底板，並疊設於該環壁上端緣後再焊接結合固定，從而於該底板以及該頂板間構成該導通氣室。
如請求項1所述之汽車避震器結構，其中，該外罩體之環狀壁外表面係對應該連結環肋形成一加厚部，從而增加該連結環肋之結構強度。
一種具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含:<br/> 一加熱面板，該加熱面板設有至少一加熱區域，每一加熱區域之一側設有複數個電加熱元件，每一該加熱區域之另一側可選擇地放置一被加熱元件；<br/> 一加熱模組，與該些個電加熱元件訊號連接，該加熱模組配置成根據一加熱參數分別控制該些個電加熱元件，每一電加熱元件根據該加熱參數運作，以對該被加熱元件進行加熱；<br/> 一感測模組，設置於該加熱面板之一側，該感測模組係用以獲取該被加熱元件之複數個溫度參數；及<br/> 一處理器，分別與該加熱模組及該感測模組訊號連接，該處理器包含一調控模型及一控制單元，該調控模型係根據該些個溫度參數進行物理預測分析，以決定並優化該加熱參數，該控制單元係用以控制該加熱模組之該加熱參數。
依據請求項1所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱面板與該感測模組之間形成一間距，且，該間距為0.5mm至10mm。
依據請求項1所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱區域包含複數個加熱區塊，每一加熱區塊設置對應該些個電加熱元件其中之一。
依據請求項3所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該感測模組包含複數個感測器，每一加熱區域設置至少該些個感測器其中之一，且，每一加熱區塊設置至少該些個感測器其中之一。
依據請求項3所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱參數包含複數個參數組，且，每一參數組係用以控制對應每一電加熱元件，使得該加熱模組配置成根據該些個參數組分別控制該些個電加熱元件，使每一加熱區塊得以獨立加熱。
依據請求項1所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱參數包含電流、電壓、功率、頻率、工作週期、相位或上述任兩項以上之組合。
依據請求項1所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型可選擇地包含物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)及模型預測控制(Model predictive control, MPC)。
依據請求項7所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該些個溫度參數進行運算分析，判斷並根據該被加熱元件之一材料參數決定一加熱目標，以作為一預測溫度變化趨勢，並以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢進行運算分析，以決定該加熱參數。
依據請求項7所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該些個溫度參數包含一初始溫度參數及一回饋溫度參數，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該初始溫度參數進行運算分析，以及該調控模型係以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢及該回饋溫度參數進行運算分析，以優化該加熱參數。
依據請求項1所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含一人機介面，與該處理器訊號連接，用以顯示一加熱目標，或一使用者經該人機介面傳輸一回饋資訊至該處理器，使該處理器之該調控模型根據該回饋資訊進行運算分析，以優化該加熱參數。
一種具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含:<br/> 一加熱面板，設有至少一加熱區域，每一該加熱區域之另一側可選擇地放置一被加熱元件，每一加熱區域係設有一第一加熱區塊及一第二加熱區塊，該第一加熱區塊設有一第一電加熱元件，及該第二加熱區塊設有一第二電加熱元件；<br/> 一加熱模組，分別與該第一電加熱元件及該第二電加熱元件訊號連接，該加熱模組配置成分別根據該第一加熱參數控制該第一電加熱元件以及根據該第二加熱參數控制該第二電加熱元件，其中，該第一電加熱元件根據該第一加熱參數運作，且，該第二電加熱元件根據該第二加熱參數運作，以分別對被加熱元件進行加熱；<br/> 一感測模組，設置於該加熱面板之一側，該感測模組係用以獲取該被加熱元件之複數個溫度參數；及<br/> 一處理器，分別與該加熱模組及該感測模組訊號連接，該處理器包含一調控模型及一控制單元，該調控模型係根據該些個溫度參數進行物理預測分析，以決定並優化該第一加熱參數及該第二加熱參數，該控制單元係用以控制該加熱模組之該第一加熱參數及該第二加熱參數。
依據請求項11所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱面板與該感測模組之間形成一間距，且，該間距為0.5mm至10mm。
依據請求項11所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該感測模組包含一第一感測器、一第二感測器及一第三感測器，該第一加熱區塊之中心位置設置該第一感測器，該第二加熱區塊之中心位置設置該第二感測器，及每一加熱區域之中心位置設置該第三感測器。
依據請求項11所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該第一加熱參數及該第二加熱參數包含電流、電壓、功率、頻率、工作週期、相位或上述任兩項以上之組合。
依據請求項11所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型可選擇地包含物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)及模型預測控制(Model predictive control, MPC)。
依據請求項15所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該些個溫度參數進行運算分析，判斷並根據該被加熱元件之一材料參數決定一加熱目標，以作為一預測溫度變化趨勢，並以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢進行運算分析，以決定該第一加熱參數及該第二加熱參數。
依據請求項15所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該些個溫度參數包含一初始溫度參數及一回饋溫度參數，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該初始溫度參數進行運算分析，以及該調控模型係以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢及該回饋溫度參數進行運算分析，以優化該第一加熱參數及該第二加熱參數。
依據請求項11所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含一人機介面，與該處理器訊號連接，用以顯示一加熱目標，或一使用者經該人機介面傳輸一回饋資訊至該處理器，使該處理器之該調控模型根據該回饋資訊進行運算分析，以優化該第一加熱參數及該第二加熱參數。
一種具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含:<br/> 一加熱面板，設有至少一加熱區域，每一該加熱區域之另一側可選擇地放置一被加熱元件，每一加熱區域係設有一第一加熱區塊、一第二加熱區塊及一第三加熱區塊，該第一加熱區塊設有一第一電加熱元件，該第二加熱區塊設有一第二電加熱元件，及該第三加熱區塊設有一第三電加熱元件；<br/> 一加熱模組，分別與該第一電加熱元件、該第二電加熱元件及該第三電加熱元件訊號連接，該加熱模組配置成分別根據該第一加熱參數控制該第一電加熱元件、根據該第二加熱參數控制該第二電加熱元件以及根據該第三加熱參數控制該第三電加熱元件，其中，該第一電加熱元件根據該第一加熱參數運作，該第二電加熱元件根據該第二加熱參數運作，且，該第三電加熱元件根據該第三加熱參數運作，以分別對被加熱元件進行加熱；<br/> 一感測模組，設置於該加熱面板之一側，該感測模組係用以獲取該被加熱元件之複數個溫度參數；及<br/> 一處理器，分別與該加熱模組及該感測模組訊號連接，該處理器包含一調控模型及一控制單元，該調控模型係根據該些個溫度參數進行物理預測分析，以決定並優化該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數，該控制單元係用以控制該加熱模組之該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數。
依據請求項19所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱面板與該感測模組之間形成一間距，且，該間距為0.5mm至10mm。
依據請求項19所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該感測模組包含一第一感測器、一第二感測器、一第三感測器及一第四感測器，該第一加熱區塊之中心位置設置該第一感測器，該第二加熱區塊之中心位置設置該第二感測器，該第三加熱區塊之中心位置設置該第三感測器，及每一加熱區域之中心位置設置該第四感測器。
依據請求項19所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數包含電流、電壓、功率、頻率、工作週期、相位或上述任兩項以上之組合。
依據請求項19所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型可選擇地包含物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)及模型預測控制(Model predictive control, MPC)。
依據請求項23所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該些個溫度參數進行運算分析，判斷並根據該被加熱元件之一材料參數決定一加熱目標，以作為一預測溫度變化趨勢，並以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢進行運算分析，以決定該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數。
依據請求項23所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該些個溫度參數包含一初始溫度參數及一回饋溫度參數，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該初始溫度參數進行運算分析，以及該調控模型係以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢及該回饋溫度參數進行運算分析，以優化該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數。
依據請求項19所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含一人機介面，與該處理器訊號連接，用以顯示一加熱目標，或一使用者經該人機介面傳輸一回饋資訊至該處理器，使該處理器之該調控模型根據該回饋資訊進行運算分析，以優化該第一加熱參數、該第二加熱參數及該第三加熱參數。
一種具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含:<br/> 一加熱面板，設有至少一加熱區域，每一該加熱區域之另一側可選擇地放置一被加熱元件，每一加熱區域係設有一第一加熱區塊、一第二加熱區塊、一第三加熱區塊及一第四加熱區塊，且，該第一加熱區塊設有一第一電加熱元件，該第二加熱區塊設有一第二電加熱元件，該第三加熱區塊設有一第三電加熱元件，及該第四加熱區塊設有一第四電加熱元件；<br/> 一加熱模組，分別與該第一電加熱元件、該第二電加熱元件、該第三電加熱元件及該第四電加熱元件訊號連接，該加熱模組配置成分別根據該第一加熱參數控制該第一電加熱元件、根據該第二加熱參數控制該第二電加熱元件、根據該第三加熱參數控制該第三電加熱元件以及根據第四加熱參數控制該第四電加熱元件，其中，該第一電加熱元件根據該第一加熱參數運作，該第二電加熱元件根據該第二加熱參數運作，該第三電加熱元件根據該第三加熱參數運作，且，該第四電加熱元件根據該第四加熱參數運作，以分別對被加熱元件進行加熱；<br/> 一感測模組，設置於該加熱面板之一側，該感測模組係用以獲取該被加熱元件之複數個溫度參數；及<br/> 一處理器，分別與該加熱模組及該感測模組訊號連接，該處理器包含一調控模型及一控制單元，該調控模型係根據該些個溫度參數進行物理預測分析，以決定並優化該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數，該控制單元係用以控制該加熱模組之該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數。
依據請求項27所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該加熱面板與該感測模組之間形成一間距，且，該間距為0.5mm至10mm。
依據請求項27所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該感測模組包含一第一感測器、一第二感測器、一第三感測器、一第四感測器及一第五感測器，該第一加熱區塊之中心位置設置該第一感測器，該第二加熱區塊之中心位置設置該第二感測器，該第三加熱區塊之中心位置設置該第三感測器，該第四加熱區塊之中心位置設置該第四感測器，及每一加熱區域之中心位置設置該第五感測器。
依據請求項27所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數包含電流、電壓、功率、頻率、工作週期、相位或上述任兩項以上之組合。
依據請求項27所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型可選擇地包含物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)及模型預測控制(Model predictive control, MPC)。
依據請求項31所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該些個溫度參數進行運算分析，判斷並根據該被加熱元件之一材料參數決定一加熱目標，以作為一預測溫度變化趨勢，並以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢進行運算分析，以決定該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數。
依據請求項31所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，其中，該些個溫度參數包含一初始溫度參數及一回饋溫度參數，該調控模型係以物理資訊神經網絡(Physics-Informed Neural Network, PINN)根據該初始溫度參數進行運算分析，以及該調控模型係以模型預測控制(Model predictive control, MPC)根據該預測溫度變化趨勢及該回饋溫度參數進行運算分析，以優化該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數。
依據請求項27所述之具有多個可調式電加熱元件之加熱設備，包含一人機介面，與該處理器訊號連接，用以顯示一加熱目標，或一使用者經該人機介面傳輸一回饋資訊至該處理器，使該處理器之該調控模型根據該回饋資訊進行運算分析，以優化該第一加熱參數、該第二加熱參數、該第三加熱參數及該第四加熱參數。
一種T恤改良構造，其包含T恤上衣本體，該T恤上衣本體上具有裝飾性的車縫線飾紋線條，利用該車縫線的飾紋線條配置，可在T恤上衣本體上形成模擬POLO衫或襯衫的樣式風格。
如請求項1所述之T恤改良構造，其中，該T恤上衣本體之領口周邊增加一圈或多圈車縫線，該車縫線排列模擬POLO衫或襯衫翻領樣式，營造領子的視覺感。
如請求項1所述之T恤改良構造，其中，該T恤上衣本體之前襟從領口下方向胸口延伸設置若干條平行的垂直車縫線，可以在垂直車縫線中，等距車縫圓形圖案形成假鈕扣，或是在垂直車縫線中，縫上真正鈕扣，使T恤上衣本體的前胸部分形成POLO衫典型的前襟視覺效果。
如請求項1所述之T恤改良構造，其中，該T恤上衣本體之前襟可以若干條平行的垂直車縫線，自領口向下延伸至底部，並在該垂直車縫線中等距車縫圓形圖案形成假鈕扣，或是縫上真正鈕扣，使T恤上衣本體的前襟部分形成襯衫典型的排扣視覺效果。
一種智慧健康儲存裝置，包括：一垃圾桶本體，其上方有一壓縮板；一壓縮板，其設於垃圾桶本體上，可向下伸長壓縮垃圾；一垃圾袋暫存區，其設於壓縮板四周，儲存尚未使用之垃圾袋；一熱封口裝置，其設於垃圾桶本體內側中央偏上，可加熱封口切斷垃圾袋，同時熱封起下一次的垃圾袋底；一重量感測器，其設於垃圾桶本體下方基座，可通知晶片重量達標；一傳輸帶，其設於垃圾桶本體下方基座，當垃圾封袋完成會負責將其送至暫存空間；一中控晶片，其連結一垃圾桶本體，可控制啟動壓縮板、熱封口裝置、傳輸帶，並回傳垃圾桶本體之當前狀態給使用者；一紅外線感測器，其設於垃圾桶本體側面上方，當有人靠近時自動打開上蓋；一暫存空間，其設於垃圾桶本體之側面；一鋰電池，其設於垃圾桶本體內側最底下，提供電源給所有零部件；因此，本創作在於提升垃圾袋容量，降低換袋次數，並透過自動化封口裝袋降低傳染病風險，提高衛生安全。
如請求項1所述之智慧健康儲存裝置，其中壓縮板呈平面矩形構造，位於垃圾桶本體上方，上方有一伸縮桿，可向下壓縮垃圾，當垃圾裝袋後，也會向下延伸至底部協助裝設新袋。
如請求項2所述之智慧健康儲存裝置，其中垃圾袋暫存區呈平面空心矩形，位於壓縮板四周，每一垃圾袋都是連在一起，透過熱封口裝置封起下一個預備使用之垃圾袋，再透過壓縮板裝袋。
如請求項3所述之智慧健康儲存裝置，其中熱封口裝置利用熱能做為封口之方式，在封口完畢後，內側刀片會把已封底之新垃圾袋與已封口之垃圾袋切開，並回傳中控晶片。
如請求項4所述之智慧健康儲存裝置，其中重量感測器位於傳輸帶底下，每當感測倒垃圾重量達標，會傳訊號到中控晶片，通知晶片進行下一步的動作。
如請求項5所述之智慧健康儲存裝置，其中傳輸帶位於垃圾桶本體內側下方，重量感測器正上方，由數個滾輪組成，每個滾輪皆能上下小幅度擺動，以降低垃圾丟入之衝擊，同時避免重量感測器不能感測到垃圾重量，當收到中控晶片的訊號，會向暫存空間之方向滾動，帶動已打包垃圾移動至暫存空間暫時存放。
如請求項6所述之智慧健康儲存裝置，其中中控晶片位於垃圾桶本體後側，負責連接並管理所有電子零件，並可發送當前垃圾桶狀態給使用者知曉。
如請求項7所述之智慧健康儲存裝置，其中紅外線感測器位於垃圾桶本體側面上方，負責檢測垃圾桶本體附近是否有人員，一旦檢測到，會回傳訊號給中控晶片，再由中控晶片控制自動掀起垃圾桶蓋，不用人員自行掀蓋，以避免人員在丟垃圾時閃到腰。
如請求項8所述之智慧健康儲存裝置，其中暫存空間位於垃圾桶本體側方，可暫時存放已打包之垃圾，直到人員來回收。
如請求項9所述之智慧健康儲存裝置，其中鋰電池位於垃圾桶本體內側最下方，負責供給電力給所有零部件，也會讓中控晶片實時監測電量，以及時在電量低下時通知人員及時充電。
一種加熱器，包括：加熱部及換熱部，所述加熱部用於產生熱量，所述換熱部設置於所述加熱部的兩側而與所述加熱部形成熱傳導，用於將所述加熱部與空氣換熱的換熱部，其特徵在於，<br/> 所述加熱部包括加熱片組，所述加熱片組中的至少一部分加熱片具有第一階躍電阻，且所述加熱片組中的至少另一部分所述加熱片具有第二階躍電阻；<br/> 其中，所述第一階躍電阻應被配置為大於所述第二階躍電阻。
根據請求項1所述的加熱器，其中，所述加熱片組包括第一加熱片組及第二加熱片組，所述第一加熱片組及所述第二加熱片組沿第一方向並排設置。
根據請求項2所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組包括至少一個第一加熱片，所述第二加熱片組包括至少一個第二加熱片；<br/> 其中，所述第一加熱片適配於第一額定電壓，所述第二加熱片適配於第二額定電壓，所述第一額定電壓被配置為大於所述第二額定電壓。
根據請求項3所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組具有至少兩個所述第一加熱片，至少兩個所述第一加熱片沿第二方向順次佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角。
根據請求項3所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組還具有至少一個第二加熱片，所述第二加熱片與所述第一加熱片沿第二方向順次佈置或者交替佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角。
根據請求項5所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組中配置有不同數量的所述第一加熱片及第二加熱片；<br/> 或者，所述第一加熱片組中配置有相同數量的所述第一加熱片及第二加熱片。
根據請求項3所述的加熱器，其中，所述第二加熱片組具有至少兩個第二加熱片，至少兩個所述第二加熱片沿第二方向順次佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角。
根據請求項3所述的加熱器，其中，所述第二加熱片組還具有至少一個所述第一加熱片；<br/> 所述第二加熱片與所述第一加熱片沿第二方向順次佈置或者交替佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角。
根據請求項8所述的加熱器，其中，所述第二加熱片組中配置有不同數量的所述第一加熱片及第二加熱片；<br/> 或者，所述第二加熱片組中配置有相同數量的所述第一加熱片及第二加熱片。
根據請求項2至9中任一所述的加熱器，其中，所述加熱片組還包括至少一個第三加熱片組；<br/> 所述第三加熱片組包括至少一個所述第一加熱片和/或至少一個所述第二加熱片。
根據請求項10所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組，所述第二加熱片組及所述第三加熱片組中的至少一者還具有虛設片；<br/> 所述虛設片沿第二方向與所述第一加熱片和/或所述第二加熱片順次佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角。
根據請求項11所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組，所述第二加熱片組及所述第三加熱片組中的至少二者的所述加熱片及所述虛設片的數量之和，被配置為相同。
根據請求項10所述的加熱器，其中，所述第一加熱片組，所述第二加熱片組及所述第三加熱片組中的至少一者還具有第三加熱片；<br/> 所述第三加熱片沿第二方向與所述第一加熱片和/或所述第二加熱片順次佈置，所述第二方向與所述第一方向形成夾角；<br/> 其中，所述第三加熱片具有第三階躍電阻，所述第三階躍電阻不同於所述第一階躍電阻及所述第二階躍電阻。
根據請求項1所述的加熱器，其中，所述加熱部的總功率被配置為每個所述加熱片的功率之和。
一種換氣設備，其特徵在於，包括：<br/> 筐體；<br/> 進風口，設置於所述筐體，用於供空氣進入；<br/> 出風口，設置於所述筐體，用於供空氣吹出；<br/> 送風部，設置於所述筐體內，用於引導空氣經所述進風口流向所述出風口；<br/> 如請求項1至14中任一所述的加熱器，所述加熱器設於所述出風口的上游側，用於加熱流經的空氣。
一種智能插座安全監控系統，包括：一裝置外殼，其上方有一濕度感測模組與提醒燈，當接通電路，就會感測周圍環境溫度；一插頭，其設於裝置外殼上，可插於牆上之插座；一插座，其設於裝置外殼上，可接電器之插頭；一紅外線測溫模組，其連結警報裝置與繼電器，可自動切斷電源；一繼電器，其設於裝置外殼內部，若電流異常，則會斷電並觸發警報裝置；一警報裝置，其設於裝置外殼內部，若溫度異常或電流異常皆會被觸發；因此，本創作在於提醒濕度過高與解決溫度過高與電流異常之問題，有效避免災害之發生機率，藉此提高居住安全。
如請求項1所述之智能插座安全監控系統，其中裝置外殼呈一空心柱體構造所組成，有濕度感測模組與提醒燈，可掌握感測周圍環境濕度及達到提醒作用。
如請求項2所述之智能插座安全監控系統，其中裝置外殼呈立體空心構造，裝置外殼外觀面板有一插頭，插於牆上之插座。
如請求項3所述之智能安全插座監控系統，其中裝置外殼上有一插座，用於接上電器之插頭。
如請求項4所述之智能插座安全監控系統，其中紅外線測溫模組利用紅外線偵測之方式，偵測此裝置之插頭位置。
如請求項5所述之智能插座安全監控系統，其中繼電器是避免電流異常，當電流異常則會達到自動斷電。
如請求項6所述之智能插座安全監控系統，其中警報裝置是當溫度異常或電流異常時，會被觸發。
一種窗用連桿組件，包括：<br/> 一滑塊座，包括一滑槽；<br/> 一扣接部件，包括一體之一固接片、一V形壁部及二側臂，該固接片固接於該滑槽且位於該滑塊座之側端，該V形壁部實質上垂直於該固接片且位於該滑槽外，各該側臂分別自該V形壁部的二側同向朝遠離該固接片的方向延伸；<br/> 一滑塊，可移動地於該滑槽滑移；<br/> 一第一連桿，一端部可旋轉地樞接於該滑塊座；<br/> 一第二連桿，一端部可旋轉地樞接於該滑塊；<br/> 一第三連桿，一端部具有一叉型部，該叉型部可活動地對應卡合於該V形壁部，該第三連桿可旋轉地分別樞接於該第二連桿的另一端部及該第一連桿的另一端部；以及<br/> 一第四連桿，一端部可旋轉地樞接於該滑塊，另一端部可旋轉地樞接於該第一連桿。
如請求項1所述之窗用連桿組件，其中該扣接部件包括位於該固接片二側的一止擋部，各該止擋部分別抵靠於該滑塊座之側端。
如請求項1所述之窗用連桿組件，其中該扣接部件包括位於各該側臂之一穿孔。
如請求項3所述之窗用連桿組件，其中該滑塊座包括有位於一底板部之一側緣之一側壁部、以及由該側壁部朝該底板部之另一側緣突出之一卡止片部。
如請求項4所述之窗用連桿組件，其中該滑塊座包括有位於該底板部的另一側緣之一導軌部。
如請求項5所述之窗用連桿組件，其中該滑塊座具有多個壓接部，各該壓接部加壓該卡止片部與該導軌部而固定於該固接片的二側。
如請求項5所述之窗用連桿組件，其中該第三連桿能夠移位到與該滑塊座重疊配置的一收納位置或由該底板部的該一側緣突出的一突出位置。
一種門窗，包括一邊框體、一門窗扇及如請求項1至請求項7中任一項所述之窗用連桿組件，該窗用連桿組件的該滑塊座安裝於該邊框體，並且將該第三連桿安裝於該門窗扇。
一種智慧型緊急應變管理系統，包括：<br/> 至少一管理者裝置，用於輸入至少一緊急應變指令；<br/> 多個組員裝置，各由一應變人員或居住者攜帶；<br/> 多個消防安全設備，安裝於一環境中，所述消防安全設備包括至少一用於偵測緊急狀況之感測器及至少一可控制之應變設備；以及<br/> 一伺服主機，與所述管理者裝置、組員裝置及消防安全設備通訊連接，該伺服主機被設置為：<br/> (a) 從所述消防安全設備從所述感測器接收感測器數據，並檢測所述環境中是否發生緊急事件；<br/> (b) 基於所述感測器數據，辨識與該緊急事件相關之位置；<br/> (c) 從所述環境中一組預先定義之疏散路徑中，判斷出因該緊急事件而不安全之至少一疏散路徑；<br/> (d) 於緊急事件發生時，向至少一所述組員裝置傳送疏散指引訊息，該疏散指引訊息指出應避開所述至少一不安全路徑；<br/> (e) 向特定應變人員之組員裝置傳送至少一通知訊息，其中每一通知訊息之內容根據接收該通知訊息之應變人員之角色量身訂製，使不同角色接收到與其緊急應變任務相關之不同指示；以及<br/> (f) 於傳送所述通知訊息後，從至少一所述組員裝置接收指示應變人員任務狀態或結果之回饋數據，該回饋數據由應變人員自組員裝置之使用者介面上的多個預設狀態選項中選取，並根據所接收之回饋數據更新事件紀錄或狀態。
如請求項1所述之智慧型緊急應變管理系統，其中，於步驟(c)判斷不安全疏散路徑包括分析所述感測器數據以定位緊急危害，並將所有經過該危害位置之疏散路徑標記為不可用，同時未指定應採取之剩餘路徑，藉此向疏散者提供負面表列式疏散指引。
如請求項1所述之智慧型緊急應變管理系統，其中，所述伺服主機被設置為參照一儲存之人員資料庫，該人員資料庫將每一組員裝置與一使用者角色或群組關聯，並且於步驟(e)中，該伺服主機根據所述使用者角色自動選擇通知訊息之接收對象與內容，使管理者、應變人員及居住者分別接收適合其角色之緊急指示。
如請求項1所述之智慧型緊急應變管理系統，其中，於步驟(f)所述回饋數據對於單一任務包括至少三種可能狀態值，包括完成任務之成功指示，以及未完成任務或無法完成之失敗指示，且所述伺服主機於接收到失敗指示時，被設置為觸發升級行動或次級應變程序。
如請求項1所述之智慧型緊急應變管理系統，其中，每一組員裝置顯示用於緊急資訊與輸入之介面，且該介面係以網頁應用程式實現，並可透過組員裝置之網際網路瀏覽器存取。
如請求項1所述之智慧型緊急應變管理系統，其中，所述消防安全設備包括至少一警報裝置、至少一滅火抑制裝置、與至少一電子顯示設備，該電子顯示設備是用於顯示不安全路徑；且<br/> 其中，所述伺服主機進一步被設置為於緊急事件發生時，向所述消防安全設備傳送控制指令，該控制指令包括於緊急事件附近啟動所述警報裝置及所述滅火抑制裝置之指令，以及啟動或更新所述電子顯示設備，以標示所述不安全路徑為封閉狀態之指令。
一種具提醒功能的置物袋，包括：一置物袋主體，袋中有警示用蜂鳴器及行程之輸入裝置，當設定一時間即可擁有提醒功能；一行程之輸入裝置，其設於置物袋主體中；一警示用蜂鳴器，其設於行程之輸入裝置下方，可發出聲提醒使用者；因此，本創作在於警示與解決使用者總是忘記攜帶所需之物品的問題，有效避免忘記帶東西之機率，藉此降低外出時才發現忘記攜帶東西的風險。
如請求項1所述之具提醒功能的置物袋，其中置物袋主體呈一袋狀構造，由警示用蜂鳴器及行程之輸入裝置所組成。
如請求項2所述之具提醒功能的置物袋，其中警示用蜂鳴器及行程之輸入裝置，可定時及發出警示聲音的作用。
如請求項3所述之具提醒功能的置物袋，其中警示用蜂鳴器在設定時間到達到時會發出提示聲，讓使用者能夠接收到提示。
如請求項4所述之具提醒功能的置物袋，其中行程輸入行程之輸入裝置輸入所要之時間後，在時間到時則能順利啟動警示用蜂鳴器。
一種線端連接器，該線端連接器係包括：<br/> 一線端訊號端子，該線端訊號端子係具有一線端訊號端子對接結構；<br/> 一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端絕緣膠芯對接埠，該線端絕緣膠芯係可定位該線端訊號端子，以令該線端訊號端子對接結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的前方，使該線端訊號端子對接結構可提供對接；以及<br/> 一線端導電殼體，該線端導電殼體係具有一線端導電殼體偵測結構，該線端導電殼體係接合該線端絕緣膠芯，以令該線端導電殼體偵測結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的後方，使該線端導電殼體偵測結構可提供偵測該線端訊號端子對接結構的對接狀態。
一種線端連接器，該線端連接器係包括：<br/> 一線端訊號端子，該線端訊號端子係具有一線端訊號端子對接結構；<br/> 一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端絕緣膠芯對接埠，該線端絕緣膠芯係可定位該線端訊號端子，以令該線端訊號端子對接結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的上方，使該線端訊號端子對接結構可提供對接；以及<br/> 一線端導電殼體，該線端導電殼體係具有一線端導電殼體偵測結構，該線端導電殼體係接合該線端絕緣膠芯，以令該線端導電殼體偵測結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的下方，使該線端導電殼體偵測結構可提供偵測該線端訊號端子對接結構的對接狀態。
一種連接器總成，該連接器總成係包括：<br/> 一板端連接器，該板端連接器係包括：<br/> 一板端訊號端子，該板端訊號端子係具有一板端訊號端子對接結構；<br/> 一板端偵測導體，該板端偵測導體係具有一板端偵測導體偵測結構；以及<br/> 一板端絕緣膠芯，該板端絕緣膠芯係具有一板端絕緣膠芯對接埠；以及<br/> 一線端連接器，該線端連接器係包括：<br/> 一線端訊號端子，該線端訊號端子係具有一線端訊號端子對接結構；<br/> 一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端絕緣膠芯對接埠；以及<br/> 一線端導電殼體，該線端導電殼體係具有一線端導電殼體偵測結構；其中，<br/> 該線端絕緣膠芯對接埠係可對接該板端絕緣膠芯對接埠，使該線端訊號端子對接結構可於一對接時間區間對接該板端訊號端子對接結構，且使該線端導電殼體偵測結構可於一偵測時間區間接觸該板端偵測導體偵測結構，以提供偵測該線端訊號端子對接結構與該板端訊號端子對接結構的對接狀態；以及<br/> 該板端絕緣膠芯係可定位該板端訊號端子與該板端偵測導體，以令該板端訊號端子對接結構位於該板端絕緣膠芯對接埠的前方，且令該板端偵測導體偵測結構位於該板端絕緣膠芯對接埠的後方；該線端絕緣膠芯係可定位該線端訊號端子，以令該線端訊號端子對接結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的前方，該線端導電殼體係可接合該線端絕緣膠芯，以令該線端導電殼體偵測結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的後方，使該對接時間區間早於該偵測時間區間。
一種連接器總成，該連接器總成係包括：<br/> 一板端連接器，該板端連接器係包括：<br/> 一板端訊號端子，該板端訊號端子係具有一板端訊號端子對接結構；<br/> 一板端偵測導體，該板端偵測導體係具有一板端偵測導體偵測結構；以及<br/> 一板端絕緣膠芯，該板端絕緣膠芯係具有一板端絕緣膠芯對接埠；以及<br/> 一線端連接器，該線端連接器係包括：<br/> 一線端訊號端子，該線端訊號端子係具有一線端訊號端子對接結構；<br/> 一線端絕緣膠芯，該線端絕緣膠芯係具有一線端絕緣膠芯對接埠；以及<br/> 一線端導電殼體，該線端導電殼體係具有一線端導電殼體偵測結構；其中，<br/> 該線端絕緣膠芯對接埠係可對接該板端絕緣膠芯對接埠，使該線端訊號端子對接結構可於一對接時間區間對接該板端訊號端子對接結構，且使該線端導電殼體偵測結構可於一偵測時間區間接觸該板端偵測導體偵測結構，以提供偵測該線端訊號端子對接結構與該板端訊號端子對接結構的對接狀態；以及<br/> 該板端絕緣膠芯係可定位該板端訊號端子與該板端偵測導體，以令該板端訊號端子對接結構位於該板端絕緣膠芯對接埠的上方，且令該板端偵測導體偵測結構位於該板端絕緣膠芯對接埠的下方；該線端絕緣膠芯係可定位該線端訊號端子，以令該線端訊號端子對接結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的上方，該線端導電殼體係可接合該線端絕緣膠芯，以令該線端導電殼體偵測結構位於該線端絕緣膠芯對接埠的下方，使該對接時間區間早於該偵測時間區間。
如請求項3或4所述之連接器總成，其中，該線端連接器還包括：一線端偵測端子，該線端偵測端子係具有一線端偵測端子偵測結構；以及該板端連接器還包括：一板端偵測端子，該板端偵測端子係具有一板端偵測端子偵測結構；其中，該線端偵測端子偵測結構係可接觸該板端偵測端子偵測結構，以提供偵測該線端訊號端子對接結構與該板端訊號端子對接結構的對接狀態。
如請求項5所述之連接器總成，其中，該板端偵測端子偵測結構與該線端偵測端子偵測結構係為結構對應的端子對接結構。
如請求項5所述之連接器總成，其中，該線端訊號端子對接結構係位於該線端偵測端子偵測結構與該線端導電殼體偵測結構之間；以及該板端訊號端子對接結構係位於該板端偵測端子偵測結構與該板端偵測導體偵測結構之間。
如請求項3或4所述之連接器總成，其中，該板端偵測導體還具有一板端偵測導體彈臂結構，該板端偵測導體彈臂結構係連接該板端偵測導體偵測結構，以令該板端偵測導體彈臂結構係可提供彈力而迫使該板端偵測導體偵測結構抵接該線端導電殼體偵測結構。
如請求項3或4所述之連接器總成，其中，該線端導電殼體偵測結構與該線端訊號端子對接結構的高度差係為一線端高度差；以及該板端偵測導體偵測結構與該板端訊號端子對接結構的高度差係為一板端高度差；其中，該線端高度差與該板端高度差係實質相同或實質不同。
如請求項3或4所述之連接器總成，其中，該線端導電殼體偵測結構與該線端訊號端子對接結構的距離差係為一線端距離差；以及該板端偵測導體偵測結構與該板端訊號端子對接結構的距離差係為一板端距離差；其中，該線端距離差與該板端距離差係實質相同或實質不同。
一種全透明無耗氣電子式排水器，用以暫存及排放冷凝水，該全透明無耗氣電子式排水器具有：一殼體，其為圓柱形的全透明殼體；一金屬上蓋，其組設於該殼體上方，該金屬上蓋具有一上入水口、一液位感應器、一控制器、一控制器電源開關及一回氣孔，該上入水口係接近或位於該殼體的頂部，該液位感應器係設於該殼體內且接觸冷凝水，並具有一高液位感應點與一低液位感應點，該控制器係控制冷凝水水位排放與關閉，其設置於該金屬上蓋上部，並可使排水器處於一正常模式或一強制排水測試模式，且該控制器訊號連接於該液位感應器及一電磁閥，該控制器電源開關設於該控制器之一側，具有可開啟及關閉該控制器的電源之功能，該回氣孔位於該電磁閥上方，其具有回收排水器運作時之內部水位逐漸上升時之氣體，達到節能減碳之目的；一金屬底座，其組設於該殼體下方，該金屬底座包含有一下入水口、一出水口、該電磁閥及一內嵌式前置金屬濾網，該下入水口係接近或位於該殼體的底部，該出水口設於該殼體且異於該下入水口之一側，該電磁閥係設置於該出水口上方，可控制冷凝水的排放與關閉，該內嵌式前置金屬濾網係設於該殼體內部，可以保護該電磁閥。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中該控制器之操作面板具有一控制鍵，其功能為切換該全透明無耗氣電子式排水器可使用該正常模式或該強制排水測試模式，其中，排水器處於該通常模式時，當該下入水口開啟冷凝水持續上升，該液位感應器到達該低液位感應點時，該液位感應器傳輸訊號至該控制器，該電磁閥閥門關閉；冷凝水持續上升，高度達到該高液位感應點時，該液位感應器傳輸訊號至該控制器，該電磁閥閥門開啟使冷凝水排出，此時冷凝水持續下降至該液位感應器的該低液位感應點時，該液位感應器傳輸訊號至該控制器，該電磁閥閥門關閉，如此往復作動；當該全透明無耗氣電子式排水器處於該強制模式時，該電磁閥閥門強制開啟，並排出冷凝水，且該強制模式時該控制器不會接收該液位感應器所傳輸之訊號。
如請求項2所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中該控制鍵為一測試鍵，且該控制器之操作面板還具有一故障燈號、一電磁閥作動燈號及一電源燈號。
如請求項3所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中處於強制排水測試模式時，當按下該測試鍵時，該控制器強制控制閥門開啟並排出冷凝水；該故障燈號若亮起表示排水或該電磁閥異常；該電磁閥作動燈號若亮起表示該電磁閥正常運作；該電源燈號若亮起表示電源正常供應。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中該殼體為耐高壓特殊材質。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中該內崁式前置金屬濾網，可以過濾冷凝水中金屬顆粒，保護排水器的該電磁閥，大大延長該電磁閥使用壽命。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中該控制器上配置獨立電源開關，若排水器有需停電保養需求時，該控制器上關閉電源即可。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中排水器具有四支固定螺桿，並將其設計成內螺紋，讓四支固定螺桿不用穿過該金屬上蓋，達到美觀實用。
如請求項1所述之全透明無耗氣電子式排水器，其中排水器的金屬上蓋與金屬底座使用鋁合金材質，加上表面陽極處理達到耐腐蝕實用美觀之目的。
一種具有造型手把之櫥櫃門板，其係包括一左門板及一右門板共同組設於一櫥櫃體上，其中，該左門板凹設有一個或一個以上左凹口，該右門板凹設有一個或一個以上右凹口，其該左凹口及右凹口係可形成對稱或不對稱之造型。
如申請專利範圍第1項所述之具有造型手把之櫥櫃門板，其中，該左凹口及右凹口，係可為對稱之鑽石造型。
如申請專利範圍第1項所述之具有造型手把之櫥櫃門板，其中，該左凹口及右凹口，係可為非對稱之閃電造型。
如申請專利範圍第1項所述之具有造型手把之櫥櫃門板，其中，該左凹口及右凹口，係可為任意幾何形狀。
一種配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，包含：<br/> 一基層；以及<br/> 一圖案層，設置在該基層的一第一平面上，其中，該圖案層包含依序堆疊在該第一平面上的複數個金屬沉積層，並且各該金屬沉積層具有不同的顏色和奈米級的厚度。
如申請專利範圍第1項所述配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，其中，該圖案層具有低於0.2微米的表面粗糙度。
如申請專利範圍第1項所述配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，其中，各該金屬沉積層包含粒徑尺寸介於0.1至1奈米的顏色顆粒。
如申請專利範圍第1項所述配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，其中，該圖案層包含一厚度，該厚度介於100至500奈米。
如申請專利範圍第1項所述配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，還包含：<br/> 一保護層，設置在該基層的一第二平面上，其中該第二平面在一垂直方向上與該第一平面相對設置。
如申請專利範圍第1項所述配置在指紋辨識鍵帽的膜結構，還包含：<br/> 至少一外圍區域，設置在該基層的該第一平面上，其中，該至少一外圍區域包含設置在內的一遮光層、一透光層或是一增色層。
一種鍵帽，包含：<br/> 一主體，包含一頂面；以及<br/> 一膜結構，設置在該主體上且包含相對設置在該主體的該頂面上的一底面，該膜結構包含：<br/> 一基層，直接接觸該主體的該頂面；以及<br/> 一圖案層，設置在該基層和該主體之間，其中，該圖案層包含依序堆疊設置的複數個金屬沉積層，並且各該金屬沉積層具有不同的顏色和奈米級的厚度。
如申請專利範圍第7項所述的鍵帽，還包含：<br/> 一指紋辨識模組，設置在該主體下方。
如申請專利範圍第8項所述的鍵帽，其中，該指紋辨識模組包含一底電極，該底電極設置在該主體的一底面上，並位在該膜結構的該圖案層下方。
如申請專利範圍第9項所述的鍵帽，其中，該底電極在一水平方向上的延伸範圍小於該圖案層的延伸範圍。
如申請專利範圍第8項所述的鍵帽，其中，該圖案層包含一厚度，該厚度介於100至500奈米，該圖案層還具有低於0.2微米的表面粗糙度。
如申請專利範圍第9項所述的鍵帽，其中，該底電極的一頂面到該膜結構的一頂面之間的距離小於180微米。
如申請專利範圍第9項所述的鍵帽，還包含：<br/> 一保護層，設置在該膜結構上，覆蓋該膜結構的一頂面和一側壁。
如申請專利範圍第8項所述的鍵帽，還包含：<br/> 至少一外圍區域，設置在該基層上，並位在該圖案層的一側，其中，該至少一外圍區域包含設置在內的一遮光層、一透光層或是一增色層。
一種多合一全電動無線充電器，其包含：<br/> 充電底座；<br/> 第一驅動組件，該第一驅動組件安裝於該充電底座；<br/> 旋轉充電座，該旋轉充電座包含相連接的充電主體和旋轉主體，該旋轉主體位於該充電底座與該充電主體之間，該第一驅動組件連接於該旋轉主體，該第一驅動組件用以驅動該旋轉主體在預定角度內轉動，以使該充電主體靠近或遠離該充電底座；以及<br/> 第二驅動組件，該第二驅動組件安裝於該旋轉主體並與該充電主體相連接，該第二驅動組件用以驅動該充電主體以該旋轉充電座的中軸線為中心轉動。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，該第一驅動組件進一步包含一第一驅動件及一第一主動件，該第一驅動件的驅動軸連接於該第一主動件，該第一主動件具有一第一主動齒部，該旋轉主體朝向該充電底座的一側具有一第一從動齒部，該第一從動齒部嚙合於該第一主動齒部。
如請求項2所述之多合一全電動無線充電器，其中，另設有一磁吸件及一限位件，該磁吸件安裝於該旋轉主體朝向該充電底座的一側，該限位件安裝於該充電底座朝向該旋轉主體的一側，該磁吸件與該限位件相活動結合。
如請求項3所述之多合一全電動無線充電器，其中，該限位件進一步包含一第一霍爾配合體及一第二霍爾配合體，該第一霍爾配合體及該第二霍爾配合體分別與該第一驅動件電性連接，該旋轉主體具有一第一限位狀態及一第二限位狀態，當該旋轉主體處於該第一限位狀態時，該磁吸件與該第一霍爾配合體相結合，當該旋轉主體處於該第二限位狀態時，該磁吸件與該第二霍爾配合體相結合。
如請求項4所述之多合一全電動無線充電器，其中，該第二霍爾配合體沿該多合一全電動無線充電器的高度方向的尺寸，大於該第一霍爾配合體沿該多合一全電動無線充電器的高度方向的尺寸。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，該第二驅動組件進一步具有一第二驅動件及一第二主動件，該第二驅動件的驅動軸連接於該第二主動件，該第二主動件具有一第二主動齒部，該充電主體朝向該第二主動件的一側具有一第二從動齒部，該第二從動齒部嚙合於該第二主動齒部。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，另設有一紅外感應件，該紅外感應件安裝於該充電底座，該紅外感應件電性連接於該第一驅動組件及該第二驅動組件。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，另設有一觸摸感應件，該觸摸感應件安裝於該充電底座，該觸摸感應件電性連接於該第一驅動組件及該第二驅動組件。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，另設有一緩衝墊，該緩衝墊安裝於該充電底座背離該充電主體的一側。
如請求項1所述之多合一全電動無線充電器，其中，該充電底座進一步具有一第一充電部及一第二充電部，該第一充電部及該第二充電部分別位於該充電底座寬度方向的兩端。
一種氣壓增壓油壓缸之氣壓迴路結構，主要係令氣壓源的氣體壓力係以管路經由控制器同時導入連接的泵浦和油箱加壓，而導入該油箱的該氣體壓力係先經由調壓閥調整該氣體壓力後，再經由釋放閥輸入具有減壓閥的該油箱，促使該泵浦和該油箱可以同時增壓而促進油壓缸快速舉昇，而在該油壓缸復位下降時，則可經由該控制器切換該氣體壓力經由另一釋放閥導入該油壓缸內部的氣壓管路，並打開泵浦回油開關，令該氣體壓力在該油壓缸的氣壓管路中反向增壓，加快該油壓缸下降的速度。
一種改良型蹲式馬桶，是將蹲式馬桶本體(11)的最前端的擋濺圓頭(12)加予適度提高，再將手扶管(14)折成理想的形狀和適度高度，再固定在適當高度之擋濺圓頭(12)上，以方便使用者站立。
一種戰術背心，包含：<br/> 二片體(1)，相互間隔地設置；<br/> 二腰帶組件(2)，分別連接在各該片體(1)的下方的兩側邊；<br/> 二肩帶組件(3)，分別連接在各該片體(1)的上方的兩位置；及<br/> 一活動片(4)，可拆卸地結合該片體(1)，且該活動片(4)具有相對的一正面(4a)與一背面(4b)，該正面(4a)上配置多個掛載部(41)，各該掛載部(41)具有凹孔或穿孔。
如請求項1所述之戰術背心，其中，各該腰帶組件(2)或各該肩帶組件(3)包含至少一帶體，且所述帶體的一端是可拆卸式地與該二片體(1)中之一者結合，以調整對應帶體介於該二片體(1)之間的長度。
如請求項1所述之戰術背心，其中，該活動片(4) 的背面(4b)配置魔鬼氈的勾面或毛面中之一者，對應片體(1)上用於與該活動片(4)結合的區域是魔鬼氈的勾面或毛面中之另一者。
如請求項3所述之戰術背心，其中，該活動片(4)另具有公扣與母扣中之一者，與該活動片(4)結合的片體(1)具有公扣與母扣中之另一者。
如請求項1所述之戰術背心，其中，該活動片(4)具有公扣與母扣中之一者，與該活動片(4)結合的片體(1)具有公扣與母扣中之另一者。
如請求項1所述之戰術背心，其中，該二片體(1)中之一者另具有一輔助連接部(5)，該輔助連接部(5)包含一凸出環帶(51)； 該凸出環帶(51)係為一帶體，在所述帶體沿一第一軸向(A1)的方向上具有相對的一第一端(51a)與一第二端(51b)分別固定於該片體(1)，使該凸出環帶(51)位於該第一端(51a)與該第二端(51b)的之間的帶體可以遠離該片體(1)的表面，以形成一提把環，而在所述帶體沿一第二軸向(A2)的方向上為相對的一第三端(51c)與一第四端(51d)之間形成對應的空隙；該第二軸向(A2)非平行於該第一軸向(A1)。
如請求項6所述之戰術背心，其中，該輔助連接部(5)另具有一連接帶(52)，該連接帶(52)沿該第二軸向(A2)的方向具有相對的一第五端(52a)與一第六端(52b)，該第五端(52a)固定於該片體(1)；該連接帶(52)係穿設該凸出環帶(51)與該片體(1)之間的空隙，或者該連接帶(52)延伸於該凸出環帶(51)背離該片體 (1)的位置，或者該連接帶(52)的該第六端(52b)直接或間接可拆卸地與該片體(1)結合。
如請求項7所述之戰術背心，其中，該輔助連接部(5)另具有一環狀物件(53)， 該環狀物件(53)包含一環體構造(531)與一扣勾部(532)；該連接帶(52)依序穿設該環體構造(531)與該凸出環帶(51)，並透過該凸出環帶(51)凸出於該片體(1)的表面的配置，使該環體構造(531)限位在該凸出環帶(51)的該第三端(51c)；該扣勾部(532)具有彎勾、快扣之公扣與母扣中之一者的構造。
如請求項1至8中任一項所述之戰術背心，其中，該二片體(1)中之一者具有一封閉構造(11)與一覆片(12)；該封閉構造(11)內部具有一封閉空間(S1)；該覆片(12)的下半部固定至該封閉構造(11)的正面(11a)的下半部，該覆片(12)的上半部可相對該封閉構造(11)運動至一關閉狀態與一開啟狀態，且該覆片(12)與該封閉構造(11)之間定義一夾層空間(S2)；在所述關閉狀態中，該覆片(12)的上半部具有一自由端(12e)可拆卸地結合至該封閉構造(11)，並遮住該夾層空間(S2)；在所述開啟狀態中，該自由端(12e)脫離與該封閉構造(11)的結合關係，且該覆片(12)的上半部朝遠離該封閉構造(11)的方向運動，以顯露該夾層空間(S2)。
如請求項9所述之戰術背心，其中，該自由端(12e)是繞過該封閉構造(11)的頂端，結合至該封閉構造(11)的背面(11b)，以形成所述關閉狀態。
如請求項9所述之戰術背心，其中，該封閉構造(11)在該夾層空間(S2)中的表面具有一備用結合部(111)，以用於供其他物件可拆卸地結合。
如請求項11所述之戰術背心，另包含一備用組件(6)，該備用組件(6)包含一備用帶體(61)，該備用帶體(61)在一延伸方向具有相對的兩端(61e)，在該備用帶體(61)上靠近該兩端(61e)的區域具有對應的結合區(61C)，所述結合區(61C)中之至少一者與該備用結合部(111)可拆卸地結合，且位在各端(61e)的結合區(61C)相互為可拆卸地結合。
如請求項12所述之戰術背心，其中，該備用組件(6)另包含一備用環體(62)，所述備用環體(62)具有對應的環體構造；當該備用帶體(61)透過位在兩端(61e)中之一者的結合區(61C)與該備用結合部(111)，且透過位在兩端(61e)的結合區(61C)形成環形帶體時，所述環形帶體穿射於該備用環體(62)。
一種人工智慧決策支援系統，係以一電腦系統的形式實現，且包括：<br/> 至少一電子裝置，包括一資料倉儲(data warehouse)，且該資料倉儲儲存有複數個參考向量資料；<br/> 至少一主機裝置，資訊連接該電子裝置以存取該資料倉儲，且包括一處理器與一儲存裝置，其中，該儲存裝置儲存有一應用程式，該應用程式包括一語意嵌入向量生成模組、複數個領域導向任務邏輯模組以及一大型語言模型模組，且該處理器執行該應用程式從而被配置以執行：<br/> 在一用戶端電子裝置資訊連結至該主機裝置的情況下，傳送一用戶介面配置數據至該用戶端電子裝置，使得該用戶端電子裝置控制對應的一用戶端顯示器顯示一用戶操作介面；<br/> 在該用戶操作介面被操作以輸入至少一第一用戶提供自然語言內容及/或上傳至少一第一用戶提供非結構化資料之後，啟用該語意嵌入向量生成模組以將所述第一用戶提供自然語言內容及/或所述第一用戶提供非結構化資料轉換為一第一語意嵌入向量(semantic embedding vector)；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以對所述第一語意嵌入向量進行語意識別與意圖解析，從而獲得至少一第一任務目標；<br/> 啟用對應該至少一第一任務目標的至少一個所述領域導向任務邏輯模組，使得各所述領域導向任務邏輯模組執行一第一領域導向決策生成操作(domain-oriented decision generation operation)，其中所述第一領域導向決策生成操作包括：<br/> 基於所述第一語意嵌入向量，自所述資料倉儲中檢索出至少一個所述參考向量資料；以及<br/> 基於所述第一任務目標與所取得之至少一個所述參考向量資料，產生一第一檢索增強資料(Retrieval-augmented Data)傳送至該大型語言模型模組；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以根據所述第一檢索增強資料生成一第一自然語言說明(natural language specification)及/或一第一視覺化規格說明(visualization specification)；其中，所述第一視覺化規格說明包含選自於由表格(table)、長條圖(bar chart)、直條圖 (column chart)、折線圖(line chart)、面積圖(area chart)、散點圖(scatter chart)、圓餅圖(pie chart)、曲線圖(curve chart)、甜甜圈圖 (doughnut chart)、雷達圖(radar chart)、趨勢圖(trend chart)、分佈圖(distribution plot)、氣泡圖 (bubble chart)、股票圖 (stock chart)、流程圖(flow diagram)、關聯圖(relation diagram)、瀑布圖(waterfall chart)、直方圖(histogram)、箱形圖(box & whisker chart)、樞紐分析圖(pivot chart)、和儀表板式指標視圖(dashboard view)所組成群組之中的至少一者；以及<br/> 傳送包含所述第一自然語言說明及/或所述第一視覺化規格說明的一第一用戶介面更新數據至該用戶端電子裝置，使得該用戶操作介面顯示所述第一自然語言說明及/或所述第一視覺化規格說明。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 在該用戶端電子裝置接收一客戶端電子裝置發送的該至少一客戶提供自然語言內容及/或至少一客戶提供非結構化資料以及該用戶操作介面被操作以輸入至少一第二用戶提供自然語言內容及/或上傳該至少一客戶提供非結構化資料之後，啟用該語意嵌入向量生成模組以將所述第二用戶提供自然語言內容及/或所述客戶提供非結構化資料轉換為一第二語意嵌入向量(semantic embedding vector)；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以對所述第二語意嵌入向量進行語意識別與意圖解析，從而獲得至少一第二任務目標；<br/> 啟用對應該至少一第二任務目標的至少一個所述領域導向任務邏輯模組，使得各所述領域導向任務邏輯模組執行一第二領域導向決策生成操作(domain-oriented decision generation operation)，其中所述第二領域導向決策生成操作包括：<br/> 基於所述第二語意嵌入向量，自所述資料倉儲中檢索出至少一個所述參考向量資料；以及<br/> 基於所述第二任務目標與所取得之至少一個所述參考向量資料，產生一第二檢索增強資料(Retrieval-augmented Data)傳送至該大型語言模型模組；以及<br/> 啟用該大型語言模型模組，以根據所述第二檢索增強資料生成一第二自然語言說明(natural language specification)及/或一第二視覺化規格說明(visualization specification)；其中，所述第一視覺化規格說明包含選自於由表格(table)、長條圖(bar chart)、直條圖 (column chart)、折線圖(line chart)、面積圖(area chart)、散點圖(scatter chart)、圓餅圖(pie chart)、曲線圖(curve chart)、甜甜圈圖 (doughnut chart)、雷達圖(radar chart)、趨勢圖(trend chart)、分佈圖(distribution plot)、氣泡圖 (bubble chart)、股票圖 (stock chart)、流程圖(flow diagram)、關聯圖(relation diagram)、瀑布圖(waterfall chart)、直方圖(histogram)、箱形圖(box & whisker chart)、樞紐分析圖(pivot chart)、和儀表板式指標視圖(dashboard view)所組成群組之中的至少一者；以及<br/> 傳送包含所述第二自然語言說明及/或所述第二視覺化規格說明的一第二用戶介面更新數據至該用戶端電子裝置，使得該用戶操作介面顯示所述自然語言說明及/或所述視覺化規格說明。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 在自一客戶端電子裝置接收至少一客戶提供自然語言內容及/或上傳至少一客戶提供非結構化資料之後，啟用該語意嵌入向量生成模組以將所述客戶提供自然語言內容及/或所述客戶提供非結構化資料轉換為一第二語意嵌入向量；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以對所述第二語意嵌入向量進行語意識別與意圖解析，從而獲得至少一第二任務目標；<br/> 啟用對應該至少一第二任務目標的至少一個所述領域導向任務邏輯模組，使得各所述領域導向任務邏輯模組執行一第二領域導向決策生成操作，其中所述第二領域導向決策生成操作包括：<br/> 基於所述第二語意嵌入向量，自所述資料倉儲中檢索出至少一個所述參考向量資料；以及<br/> 基於所述第二任務目標與所取得之至少一個所述參考向量資料，產生一第二檢索增強資料傳送至該大型語言模型模組；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以根據所述第二檢索增強資料生成一第二自然語言說明(natural language specification)及/或一第二視覺化規格說明(visualization specification)；其中，所述第二視覺化規格說明包含選自於由表格(table)、長條圖(bar chart)、直條圖 (column chart)、折線圖(line chart)、面積圖(area chart)、散點圖(scatter chart)、圓餅圖(pie chart)、曲線圖(curve chart)、甜甜圈圖 (doughnut chart)、雷達圖(radar chart)、趨勢圖(trend chart)、分佈圖(distribution plot)、氣泡圖 (bubble chart)、股票圖 (stock chart)、流程圖(flow diagram)、關聯圖(relation diagram)、瀑布圖(waterfall chart)、直方圖(histogram)、箱形圖(box & whisker chart)、樞紐分析圖(pivot chart)、和儀表板式指標視圖(dashboard view)所組成群組之中的至少一者；以及<br/> 傳送包含所述第二自然語言說明及/或所述第二視覺化規格說明的一回覆意見數據至所述用戶端電子裝置，從而通過該用戶端電子裝置將所述回覆意見數據發送給所述客戶端電子裝置。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 在自一客戶端電子裝置接收至少一客戶提供自然語言內容及/或上傳至少一客戶提供非結構化資料之後，啟用該語意嵌入向量生成模組以將所述客戶提供自然語言內容及/或所述客戶提供非結構化資料轉換為一第二語意嵌入向量；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以對所述第二語意嵌入向量進行語意識別與意圖解析，從而獲得至少一第二任務目標；<br/> 啟用對應該至少一第二任務目標的至少一個所述領域導向任務邏輯模組，使得各所述領域導向任務邏輯模組執行一第二領域導向決策生成操作，其中所述第二領域導向決策生成操作包括：<br/> 基於所述第二語意嵌入向量，自所述資料倉儲中檢索出至少一個所述參考向量資料；以及<br/> 基於所述第二任務目標與所取得之至少一個所述參考向量資料，產生一第二檢索增強資料傳送至該大型語言模型模組；<br/> 啟用該大型語言模型模組，以根據所述第二檢索增強資料生成一第二自然語言說明(natural language specification)及/或一第二視覺化規格說明(visualization specification)；其中，所述第二視覺化規格說明包含選自於由表格(table)、長條圖(bar chart)、直條圖 (column chart)、折線圖(line chart)、面積圖(area chart)、散點圖(scatter chart)、圓餅圖(pie chart)、曲線圖(curve chart)、甜甜圈圖 (doughnut chart)、雷達圖(radar chart)、趨勢圖(trend chart)、分佈圖(distribution plot)、氣泡圖 (bubble chart)、股票圖 (stock chart)、流程圖(flow diagram)、關聯圖(relation diagram)、瀑布圖(waterfall chart)、直方圖(histogram)、箱形圖(box & whisker chart)、樞紐分析圖(pivot chart)、和儀表板式指標視圖(dashboard view)所組成群組之中的至少一者；以及<br/> 傳送包含所述第二自然語言說明及/或所述第二視覺化規格說明的一回覆意見數據至所述客戶端電子裝置。
如請求項2所述之人工智慧決策支援系統，其中，該客戶端電子裝置被配置以通過一資料傳輸管道向該主機裝置提供所述客戶提供自然語言內容及/或所述客戶提供非結構化資料，且所述資料傳輸管道為選自於由客服應用程式、即時通訊應用程式、公司網頁平台、和電子郵件傳輸系統所組成群組之中的任一者。
如請求項2所述之人工智慧決策支援系統，其中，該用戶端電子裝置與該客戶端電子裝置皆可為選自於由桌上型電腦、筆記型電腦、平板電腦、一體式電腦、和智慧型手機所組成群組之中的任一者。
如請求項2所述之人工智慧決策支援系統，其中，該電子裝置選自於由本地儲存裝置、雲端儲存裝置(cloud storage device)和資料中心(data center)所組成群組之中的任一者，且更包括一第一應用程式介面。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，該主機裝置為選自於由人工智慧運算平台(AI computing platform)、伺服器(server)、雲端運算裝置(cloud computing device)、和邊緣運算裝置(edge computing device)所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，該儲存裝置為選自於由硬碟(hard disk drive, HDD)、快閃記憶體(flash memory)和固態硬碟(solid state drive, SSD)所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之人工智慧決策支援系統，其中，所述非結構化資料的檔案格式為選自於由文件檔(document file)、報告(report file)、可攜式文件格式檔案(Portable Document Format, PDF)、文字檔(text file)、電子郵件資料檔(e-mail data file)、影像檔(image file)、音訊檔(audio file)、視訊檔(video file)、事件紀錄檔(event log file)、事件資料檔(event data file)、感測紀錄檔(sensor log file)、和控制設定檔 (configuration file)所組成群組之中的任一種。
如請求項7所述之人工智慧決策支援系統，其中，該應用程式更包括：<br/> 一用戶介面配置模組；以及<br/> 一資料庫管理模組；<br/> 其中，在執行該應用程式的情況下，該處理器啟用該用戶介面配置模組從而產生所述用戶介面配置數據，且啟用該資料庫管理模組以管理所述資料倉儲。
如請求項11所述之人工智慧決策支援系統，係更包括：<br/> 至少一第一電子裝置，資訊連接該電子裝置與該主機裝置，且包括儲存有複數個第一結構化資料的一第一資料庫(internal database)；以及<br/> 至少一第二電子裝置，資訊連接該電子裝置，且包括儲存有與複數個第二結構化資料的一第二資料庫(external database)；<br/> 其中，各所述第一結構化資料對應一公司內部資料，且各所述第二結構化資料對應一公司外部資料；<br/> 其中，該第一語意嵌入向量包括關聯所述第一用戶提供自然語言內容的第一向量部分以及關聯所述用戶提供非結構化資料的第二向量部分，該資料庫管理模組基於所述第二向量部分更新該複數個第一結構化資料，且該資料庫管理模組配置該第一應用程式介面以依據更新後的該複數個第一結構化資料更新該資料倉儲的該複數個參考向量資料；<br/> 其中，該第二語意嵌入向量包括關聯所述客戶提供自然語言內容的第三向量部分以及關聯所述客戶提供非結構化資料的第四向量部分，該資料庫管理模組基於所述第四向量部分更新該複數個第一結構化資料，且該資料庫管理模組配置該第一應用程式介面以依據更新後的該複數個第一結構化資料更新該資料倉儲內的該複數個參考向量資料；<br/> 其中，在該複數個第二結構化資料被更新後，該資料庫管理模組依據更新後的該複數個第二結構化資料更新該資料倉儲內的該複數個參考向量資料。
如請求項12所述之人工智慧決策支援系統，其中，該應用程式更包括一使用帳戶管理模組，且該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 在該用戶操作介面被操作以進行一使用帳戶管理行為之後，啟用該使用帳戶管理模組以處理由該帳戶管理行為所產生之資料，並將所述帳戶管理行為所產生之至少一個帳戶資料儲存於一帳戶資料庫，使得該帳戶資料庫除存有至少一個管理者帳戶資料對應至少一個管理者帳戶以及複數個常規帳戶資料分別對應於複數個常規帳戶；<br/> 其中，所述帳戶管理行為為選自於由常規帳戶管理行為及管理者帳戶管理行為所組成群組之中的任一者；<br/> 其中，所述常規帳戶管理行為為選自於由註冊常規帳戶、登入常規帳戶、登出常規帳戶、變更常規帳戶資料、及刪除常規帳戶所組成群組之中的任一者；<br/> 其中，所述管理者帳戶管理行為為選自於由註冊管理者帳戶、登入管理者帳戶、登出管理者帳戶、變更管理者帳戶資料、建立常規帳戶之使用者群組、指派常規帳戶權限、審核操作記錄、及停用常規帳戶所組成群組之中的任一者。
如請求項13所述之人工智慧決策支援系統，其中，該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 依據所述常規帳戶或所述管理者帳戶之權限層級，控制所述複數個領域導向任務邏輯模組之啟用或封存；<br/> 在所述常規帳戶管理行為登入常規帳戶時，依據所述常規帳戶之權限層級，啟用對應的至少一個所述領域導向任務邏輯模組，並封存剩餘的所述領域導向任務邏輯模組；<br/> 在所述管理者帳戶管理行為登入管理者帳戶時，依據所述管理者帳戶之權限層級，啟用全部的所述領域導向任務邏輯模組。
如請求項14所述之人工智慧決策支援系統，該處理器進一步地被配置以執行：<br/> 在該用戶操作介面未被操作以選擇指定的所述領域導向任務邏輯模組的情況下，啟用該大型語言模型模組以對所述第一語意嵌入向量進行語意識別與意圖解析，並根據語意識別與意圖解析之結果選擇對應的至少一個所述領域導向任務邏輯模組以執行所述第一領域導向決策生成操作；以及<br/> 在該用戶操作介面被操作以選擇指定的所述領域導向任務邏輯模組的情況下，直接選擇指定的所述領域導向任務邏輯模組以執行所述第一領域導向決策生成操作。
一種柱體鋼筋籠之穿樑輔助裝置，其係為一空心柱狀本體，該空心柱狀本體之一端延伸有導引部，其中，所述導引部係具有一尖端頭，用以導引橫樑構件鋼筋向下滑動；該空心柱狀本體之另一端係設有套合部，其中，所述套合部係具有一與空心柱狀本體內部連通之開口，用以套合固定於柱體鋼筋籠之直立鋼筋上。
如請求項1所述之柱體鋼筋籠之穿樑輔助裝置，其中，該導引部係具有一上窄下寬之端頭。
如請求項1所述之柱體鋼筋籠之穿樑輔助裝置，其中，該柱體鋼筋籠之穿樑輔助裝置之數量係與柱體鋼筋籠之直立鋼筋數量一致。
一種杯子結構，係包含一杯蓋及一杯體，其中：<br/> 該杯蓋，係包含有一蓋主體，乃於該蓋主體內設一覆蓋腔，且於該蓋主體底端形成該覆蓋腔的腔口，並於該蓋主體上端中心處設有一透孔，以與該覆蓋腔相通，又包含有一杯蓋座，該杯蓋座係位於該蓋主體之該覆蓋腔，該杯蓋座上端係設有一容收區間，另包含有一固定單元，該固定單元係設置於該杯蓋座之該容收區間，包含有一主動件及二從動件，該主動件係於中心處設有一轉軸，該轉軸係穿設於該蓋主體之該透孔，又該主動件係於該轉軸的二側分別設有一第一弧形導溝及一第二弧形導溝，該第一弧形導溝及該第二弧形導溝係各形成有相對第一端及第二端，該第一弧形導溝的第一端與該第二弧形導溝的第二端係分別朝該轉軸方向彎折，該第一弧形導溝的第一端及該第二弧形導溝的第二端與該轉軸間的距離係小於該第一弧形導溝的第二端及該第二弧形導溝的第一端與該轉軸間的距離，另二該從動件係各設有一導柱，二該從動件之該導柱係分別設置於該主動件之該第一弧形導溝及該第二弧形導溝，又包含有一提把，該提把係設置於該蓋主體上端，該提把底端係設有一連接桿，該連接桿係穿設於該蓋主體之該透孔，而與該固定單元之該主動件的該轉軸相連結；<br/> 該杯體，係設有一容置空間，且於該杯體上端形成該容置空間之開口，又該容置空間周壁係於鄰近該開口位置處成型有一卡槽，該杯蓋之該蓋主體的該覆蓋腔係對應蓋合於該杯體之該開口，該杯蓋之該固定單元的二該從動件係與該杯體其該容置空間周壁所設該卡槽活動卡掣或分離。
如請求項1所述之杯子結構，其中，該杯蓋之該固定單元其該主動件之該第一弧形導溝及該第二弧形導溝的第一端及第二端處係分別成型有一卡凸緣，以與該二從動件之該導柱相互卡抵定位。
如請求項1所述之杯子結構，其中，該杯蓋之該固定單元其該主動件之該轉軸上係設有一螺孔，又於該提把之該連接桿上係成型有一螺紋段，以與該主動件之該轉軸上所設該螺孔對應螺設連結。
如請求項1所述之杯子結構，其中，該杯蓋之該固定單元之二該從動件上端係各設有一凹部，二該從動件之該凹部係共同形成一置放區，該主動件係設置於該置放區，另二該從動件之該導柱係分別位於二該從動件之該凹部。
如請求項1所述之杯子結構，其中，該杯蓋之該蓋主體上端係於該透孔二側處分別設有一第一鎖孔，該第一鎖孔係與該覆蓋腔相通，又該杯蓋座上端係於該容收區間的二側處各設有一第二鎖孔，以分別與該蓋主體之二該第一鎖孔位置相對應，另於相對應之二該第一鎖孔及二該第二鎖孔分別以一鎖固件穿設鎖接。
如請求項1所述之杯子結構，其中，該杯蓋之該杯蓋座底端係設有一組立塊，該組立塊周壁係成型有一嵌溝，該嵌溝係嵌設有一防漏墊圈，該防漏墊圈係用以抵設於該杯體之該卡槽底緣。
一種第一端子模組，包括：<br/> 複數第一端子，每個前述第一端子均包括第一本體、與前述第一本體的一端相連的第一彈性臂以及與前述第一本體的另一端相連的第一尾部；以及<br/> 第一塑膠件，前述第一塑膠件設置於前述第一本體的彎折處。
如請求項1所述的第一端子模組，其中，前述第一端子模組包括蓋設於前述第一端子的第一接地片，前述第一塑膠件的一端與前述第一接地片連接。
如請求項2所述的第一端子模組，其中，前述第一塑膠件的一端設有第一槽，前述第一接地片包括第一凸片，前述第一凸片延伸入前述第一槽；或者，<br/> 前述第一塑膠件與前述第一接地片藉由注塑連接形成一體。
如請求項2所述的第一端子模組，其中，前述第一端子模組包括蓋設於前述第一端子的第二接地片，前述第一塑膠件的另一端與前述第二接地片連接。
如請求項4所述的第一端子模組，其中，前述第一塑膠件的另一端設有第二槽，前述第二接地片包括第二凸片，前述第二凸片延伸入前述第二槽；或者，<br/> 前述第一塑膠件與前述第二接地片藉由注塑連接形成一體。
如請求項5所述的第一端子模組，其中，前述第一本體包括第一彎折部，前述第一塑膠件設有第一凸條，前述第一凸條與前述第一彎折部抵持。
如請求項2所述的第一端子模組，其中，前述第一端子模組包括第一絕緣塊和第二絕緣塊，前述第一本體包括第一本體部、第二本體部以及連接前述第一本體部和前述第二本體部的第一彎折部，前述第一本體部設於前述第一絕緣塊，前述第二本體部設於前述第二絕緣塊，前述第一塑膠件的另一端與前述第二絕緣塊連接。
如請求項1所述的第一端子模組，其中，前述第一端子模組包括第一絕緣塊和第二絕緣塊，前述第一本體包括第一本體部、第二本體部以及連接前述第一本體部和前述第二本體部的第一彎折部，前述第一本體部設於前述第一絕緣塊，前述第二本體部設於前述第二絕緣塊，前述第一塑膠件的兩端分別與前述第一絕緣塊和前述第二絕緣塊連接。
一種電連接器，其中，包括：<br/> 絕緣本體；以及<br/> 第一端子模組，前述第一端子模組為如請求項1至8任一項所述的第一端子模組，前述第一端子模組至少部分設置於前述絕緣本體。
如請求項9所述的電連接器，其中，前述電連接器還包括第二端子模組，前述第二端子模組包括第二端子和第二塑膠件，前述第二端子包括第二本體、與前述第二本體的一端相連的第二彈性臂以及與前述第二本體的另一端相連的第二尾部，前述第二塑膠件設置於前述第二本體的彎折處。
一種車輛踏板模擬操控裝置，包含：<br/> 一踏板單元，包括一第一座體，及一踏板主體，該第一座體之一端與該踏板主體之一端樞接在一起；及<br/> 一彈性單元，分別抵接該第一座體之另一端與該踏板主體之另一端，並包括複數彈性體，及複數分別與該複數彈性體連接之限位體，該複數限位體與該複數彈性體交錯設置，彼此鄰近之二限位體可分離地接觸，當該第一座體與該踏板主體的夾角減少時，縮短該複數限位體彼此之間的距離，並對該複數彈性體造成壓縮，當該複數限位體彼此抵接時可以限定該複數彈性體的最大壓縮餘裕，並且該第一座體與該踏板主體之間具有最小夾角。
如請求項1所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該複數彈性體之結構分別為彈性塊體。
如請求項1所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，每一限位體具有一設置於該第一座體與該踏板主體之間的限位座組件、一設置於該限位座組件上之調整止擋組件，及一可動地設置於該限位座組件之限位調整組件，彼此鄰近二限位體中，其中之一限位體之調整止擋組件提供另一限位體之限位調整組件可分離地抵觸，用以調整該彼此鄰近二限位體之間彈性體的壓縮餘裕。
如請求項3所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該彈性單元更包括一固定於該第一座體上之限位止擋體，彼此交錯設置之複數限位體與複數彈性體中，位於一側的彈性體與該限位止擋體連接，而與該限位止擋體最近限位體中，該限位調整組件可分離地抵觸該限位止擋體，用以調整與該限位止擋體連接之彈性體的壓縮餘裕。
如請求項3所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該彈性單元更包括一固定於該踏板主體上之限位固定體，彼此交錯設置之複數限位體與複數彈性體中，位於一側的限位體固定於該限位固定體上。
如請求項3所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該複數限位座組件的結構為罩體，該複數彈性體分別設置於該複數限位座組件內部，該複數彈性體側緣與該複數限位座組件側緣間隔設置，該複數限位調整組件分別螺設於該複數限位座組件的外側，該複數調整止擋組件分別為凸出於該複數限位座組件側邊的擋塊。
如請求項1所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該彈性單元更包括一與該第一座體抵接之第一連接體、一與該踏板主體抵接之第二連接體，及一設置於該第二連接體之中心柱體，該複數彈性體與該複數限位體設置於該中心柱體，並且位於該第一連接體與該第二連接體之間。
如請求項7所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該彈性單元更包括一設置於該第一連接體之柱體通孔，該柱體通孔供該中心柱體穿設，當該第一座體與該踏板主體的夾角改變時，會使該中心柱體於該柱體通孔中移動。
如請求項7所述車輛踏板模擬操控裝置，更包含一偵測單元，該偵測單元包括一設置於該第一連接體之偵測模組，該偵測模組偵測該踏板主體作用於該第一連接體的壓力。
如請求項1所述車輛踏板模擬操控裝置，其中，該踏板單元更包括一與該第一座體樞接之第二座體，及一設置於該第二座體之角度調整結構，該角度調整結構用於設定該第一座體與該第二座體的角度。
一種具方向指示功能之後視鏡結構，其包括：一後視鏡總成，其具有一殼體及一後視鏡片，用以提供後方視野；以及一方向投影模組，其設於該後視鏡總成上，該方向投影模組具有一光源裝置與一投影鏡片，該光源裝置於接收方向燈控制信號時發出光束，並經該投影鏡片形成具有方向圖案之投影光影；藉此，於方向燈操作時，能於車體側方區域產生對應方向之光影提示。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該方向投影模組係設置於該殼體之底部、側部或前端位置。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該方向投影模組係包括一燈座體，該燈座體內固定有該光源裝置，並於其出光端設置該投影鏡片。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該光源裝置為發光二極體、雷射光模組或微型光源組件之一。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該殼體內部形成一中空安裝空間，該方向投影模組設於其中，並可藉由安裝座固定。
如請求項5所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該殼體底面具有一透孔，供該方向投影模組之光束通過。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該後視鏡總成設有一鏡桿，該鏡桿為中空結構，內部容設電連接線，該電連接線電性連接該方向投影模組與一方向燈開關。
如請求項1所述之具方向指示功能之後視鏡結構，其中該方向投影模組可形成箭頭符號、轉向指示圖樣或品牌標誌。
一種造型盒結構，其係包含有：一盒體，該盒體包括一前端板、一後端板、二側板、一頂板及一底板，並於該前端板、該後端板、該二側板、該頂板及該底板間圍成有一容置空間，該前端板之兩側係組設有該二側板，該後端板係位於該前端板之後側，且兩側分別連接於各該側板，該頂板係連接於該前端板之頂部，並與該後端板與該二側板相組設，該頂板係貫設有一投幣孔，而該底板係與該二側板之底部相組設，且該底板之前緣係朝上延伸設置一遮蓋，用以封閉該容置空間，該遮蓋可相對該前端板呈現打開或閉合之狀態。
如請求項1所述之造型盒結構，其中，還包含一裝飾帶體，該裝飾帶體係環繞於該盒體之外側。
如請求項2所述之造型盒結構，其中，該裝飾帶體之兩端分別設有一第一扣部與一第二扣部，該第二扣部係扣合於該第一扣部。
如請求項2所述之造型盒結構，其中，該裝飾帶體之表面係可供印製各種圖案、文字或紋路。
如請求項1所述之造型盒結構，其中，該前端板之下緣係形成一傾斜面，而該遮蓋之頂緣係朝外延伸一擋片，當該遮蓋呈現閉合狀態時，該擋片係貼合於該傾斜面。
如請求項1所述之造型盒結構，其中，該前端板與該頂板之連接處係組設一裝飾件。
如請求項1所述之造型盒結構，其中，該前端板、該後端板、該二側板、該頂板及該底板之表面係可印製各種圖案、文字或紋路。
一種層疊式阻水構件，包含：<br/> 一高分子基材；<br/> 一第一有機矽緩衝層，設於所述高分子基材上；以及<br/> 一第一阻水層，設於所述第一有機矽緩衝層上；<br/> 其中，所述第一阻水層為以原子層沉積或電漿強化原子層沉積之無機氧化物層。
如請求項1所述之層疊式阻水構件，還包含：<br/> 一第二有機矽緩衝層，設於所述第一阻水層上；以及<br/> 一第二阻水層，設於所述第二有機矽緩衝層上；<br/> 其中，該第二有機矽緩衝層與該第一有機矽緩衝層統稱為有機矽緩衝層，該第二阻水層與該第一阻水層統稱為阻水層；<br/> 其中，所述有機矽緩衝層與所述阻水層交互重複以形成一多層堆疊，以達成一預定之水氣透過率性能。
如請求項2所述之層疊式阻水構件，其中所述有機矽緩衝層包含矽氧碳化物與／或矽氧碳氮化物，且所述阻水層包含第一阻水材料與不同於第一阻水材料之第二阻水材料之子層相互交替所構成。
如請求項3所述之層疊式阻水構件，其中所述第一阻水材料與所述第二阻水材料之子層係以單原子層級距交替沉積所構成。
如請求項2所述之層疊式阻水構件，其中所述阻水層之厚度為約0.1奈米至50奈米，所述有機矽緩衝層之厚度為約5奈米至1000奈米。
一種可完全抵住不漏氣之閥表頭銜接旋鈕之結構改良，主要係由一閥表頭和一銜接旋鈕以及一橡膠本體塊所構成所構成，其中，該銜接旋鈕係直接螺固在該閥表頭之一側邊處，其特徵在於：<br/>橡膠本體塊，係一端呈圓弧狀，而另一端呈平整狀，其中央具有一通孔，該橡膠本體塊係可利用其通孔而可和銜接旋鈕之銜接頭端部之流通管作嵌固黏合，進而可在該銜接頭的端部形成一凸出狀之橡膠本體塊之結構特徵者；<br/>藉由上述結構，可使該銜接旋鈕和管體進行銜接螺固時，可利用該凸出之橡膠本體塊，可完全密合抵住該管體之銜接螺紋孔的底部，至使氣體流經該銜接旋鈕和管體銜接部位時，可達完全不漏氣之特徵，以增加整體使用上之安全性者。
一種可快速嵌接瓦斯罐並防止漏氣之瓦斯罐座體內之嵌接塊之結構改良，主要係由瓦斯罐座體、控制閥體裝置、快速接頭、嵌接塊所構成，其中，該瓦斯罐座體的本體部的一側邊螺接有一控制閥體裝置，而在該控制閥體裝置旁則螺固有一快速接頭，而該快速接頭的正下方則具有一和本體部連接之圓形置放平台；嵌接塊，係呈一T形狀，其頂具有一柱形嵌插孔，該嵌接塊係可嵌固置於快速接頭內，其特徵在於：嵌接塊，其底端中央內則具有一錐形圓弧孔，而因該錐形圓弧孔的結構設計，則會形成在該錐形圓弧孔內之頂端部具有一錐形圓弧部的結構特徵者。
一種背包結構改良，係在背包之前袋或袋體內部空間裝設一展示袋體，該展示袋體，由一透明防水材質層與一防水材質層結合而成，兩者間形成一U型容置空間，上方有一開口；首先，把前袋開口拉鏈打開，將展示袋體由前袋內掏出，並攤平於前袋上，而後將廣告文宣品由展示袋體之開口置入U型容置空間內，即可達到背包裝物、廣告宣傳活動及防水之目的；且展示袋體內之廣告文宣品可依參加不同之活動而隨時更換，也可將展示袋體收納回背包之前袋內部空間中當一般背包使用，如此可重覆性的使用，以達到環保及多樣化使用之目的。
如申請專利範圍第1項所述背包結構改良，利用拉鏈隱藏蓋布將展示袋體之開口覆蓋住，即可達到封口之功能。
如申請專利範圍第1項所述背包結構改良，其中，展示袋體之透明防水材質層與防水材質層皆可為透明防水材質層。
如申請專利範圍第1項所述背包結構改良，該展示袋體，由一透明防水材質層與一防水材質層結合而成，兩者間形成一U型容置空間，亦可在上下左右其中一邊設有一開口。
如申請專利範圍第1項所述背包結構改良，可在展示袋體之U型容置空間之開口處裝設一封口結構；該封口結構可為袋式封口、拉鏈式封口、黏扣式封口、磁吸式封口、公母扣式封口等封口結構。
一種背包結構改良，係在背包之前袋或袋體內部空間裝設一展示體，該展示體為一軟性材質層，於向外側之面印製有一廣告文宣品；將展示體由背包袋體內掏出，並攤平於背包袋體前，廣告文宣品即可展示在背包前面，也可將展示體收納回背包內部空間中當一般背包使用，如此可重覆性的使用，以達到環保及多樣化使用之目的。
如申請專利範圍第1項或第6項所述背包結構改良，係可在展示袋體及展示體之後側底部裝設一黏扣帶，而背包前袋下方相對位置也裝設一黏扣帶，如此將展示袋體及展示體掏出離平於前袋前方時，將兩黏扣帶相互沾黏定位，如此可避免強風吹起。
如申請專利範圍第1項或第6項所述背包結構改良，係可在展示袋體及展示體之後側底部裝設定位裝置，而背包前袋下方相對位置裝設定位裝置(金屬片磁石、公母扣、铆釘扣等定位裝置)，如此將展示袋體及展示體掏出攤平於前袋前方時，兩定位裝置結合定位，如此可避免強風吹起。
如申請專利範圍第1項或第6項所述背包結構改良，係可在展示袋體之周邊裝設平整邊條，使展示袋體攤平於前袋前方時更加平整，展示袋體重量增加，如此可避免被風吹起。
如申請專利範圍第6項所述背包結構改良，該展示體外側之廣告文宣品，亦可為分離式之廣告文宣品，經由黏扣、貼合、吸附、铆扣...等方式定位於展示體外側上，廣告文宣品即可依參加不同之活動而隨時更換以達到環保及多樣化使用之目的。
一種熱交換模組，包含：<br/> 一殼體，定義一縱向方向；複數個導熱隔板，係設置於該殼體內以將該殼體內隔成N個熱能儲存腔室以及M個工作腔室，其中N係一第一自然數，M係一第二自然數且等於(N-1)、N或(N+1)，該N個熱能儲存腔室與該M個工作腔室係沿該縱向方向交替地排列於該殼體內，第i個工作腔室與第(i+1)個工作腔室連通，i係範圍從1至(M-1)中之一整數指標；一第一入口，係形成於該殼體上且與該M個工作腔室中第一個工作腔室連通；以及一第一出口，係形成於殼體上且與該M個工作腔室中第一個工作腔室或第M個工作腔室連通，其中一熱能儲存介質係預先填充於每一個熱能儲存腔室內且進行儲冷或儲熱，於該熱交換模組運作期間，一流體從該第一入口流入該熱交換模組且依序流經該M個工作腔室並從該第一出口流出，該流體流經該M個工作腔室時與該N個熱能儲存腔室內之該熱能儲存介質進行熱交換。
如請求項1所述之熱交換模組，其中每一個熱能儲存腔室之一第一有效容積係等於或大於每一個工作腔室之一第二有效容積。
如請求項2所述之熱交換模組，其中該殼體包含一殼本體以及一上蓋，該殼本體具有一頂部以及位於該頂部之一開口，該上蓋係可拆卸地固定於該頂部上以密封該頂部該開口。
如請求項3所述之熱交換模組，進一步包含一流體通道，該流體通道係形成位於該殼本體之一底部處且連接該第一入口以及該第一出口，該流體通道與該M個工作腔室連通且不與該N個熱能儲存腔室連通。
如請求項3所述之熱交換模組，進一步包含一流體通道，該流體通道係形成於該上蓋之一下表面上，當該上蓋係固定於該頂部上時，該流體通道係連接該第一入口以及該第一出口，該流體通道與該M個工作腔室連通且不與該N個熱能儲存腔室連通。
如請求項3所述之熱交換模組，進一步包含複數個子流體通道，該複數個子流體通道係交替地形成位於該殼本體之一底部處以及該上蓋之一下表面上且連接該第一入口以及該第一出口，該複數個子流體通道與該M個工作腔室連通且不與該N個熱能儲存腔室連通。
如請求項3所述之熱交換模組，進一步包含一管路，該管路係設置於該殼體內且連接該第一入口以及該第一出口，該管路與該M個工作腔室連通且不與該N個熱能儲存腔室連通。
如請求項2所述之熱交換模組，進一步包含：<br/> 一第二入口，係形成於該殼體上且與該N個熱能儲存腔室中第一個熱能儲存腔室連通；一第二出口，係形成於該殼體上且與該N個熱能儲存腔室中第一個熱能儲存腔室或第N個熱能儲存腔室連通；一第一管路，係設置於該殼體內且連接該第一入口以及該第一出口，該第一管路與該M個工作腔室連通且不與該N個熱能儲存腔室連通；以及一第二管路，係設置於該殼體內且連接該第二入口以及該第二出口，該第二管路與該N個熱能儲存腔室連通且不與該M個工作腔室連通，其中在該熱能儲存介質從該第二入口流入並從該第二出口以充滿每一個熱能儲存腔室後，該第二入口以及該第二出口被密封。
如請求項2所述之熱交換模組，其中每一個導熱隔板具有複數個波紋狀結構。
一種可快速串接、防漏氣之防爆表頭結構裝置改良，主要係由一表頭和一防爆裝置所構成，其中，該表頭除了有二個顯示表，還有一凸出之大旋鈕握把，而在該表頭底部還具有一螺固孔，該螺固孔內係具有一內螺紋部；防爆裝置，該防爆裝置外觀係成一圓桿狀，左右兩端各具有一螺紋部，其內部具有一單向防爆閥體結構，左側之螺紋部係可直接串接管線，而右側具有螺紋之螺固部，該螺固部係可和表頭之螺固孔作螺固銜接，其特徵在於：在該螺固部的端部，嵌固黏合有一橡膠凸塊，以形成一體成形狀，進而使該防爆裝置的螺固部的端部一體形成一凸出狀的結構特徵；藉由上述防爆裝置螺固部上所具有橡膠凸塊，除可直接對準表頭之螺固孔進行螺固銜接時，不但可使該橡膠凸塊完全密合抵住該表頭螺固孔的底部，至使氣體流經該表頭和防爆裝置之銜接部位時，可達完全不漏氣之特徵，以增加使用之安全性外，還可快速完成組裝，省時省力，且因為不需額外之串接零件，更具有節省成本和維護成本者。
一種吊環復位裝置，包括：<br/> 一底座，包括一底座本體與一第一樞接部；該底座本體的上面具有一承靠面，該第一樞接部連接於該底座本體的前側，該第一樞接部具有一第一軸孔；<br/> 一吊環座，包括一吊環座本體與一第二樞接部；該吊環座本體的下面抵靠於該承靠面，且該吊環座本體的內部具有一吊環插槽，該吊環插槽的上方具有一吊環插口，於該吊環座本體的前面與後面分別形成一第一帶孔與一第二帶孔，該第一帶孔與該第二帶孔前後相對；該第二樞接部連接於該吊環座本體的前面靠近該底座的部分，該第二樞接部具有一第二軸孔，該第二軸孔的軸心線與該第一軸孔的軸心線重合；<br/> 一轉軸，穿設於該第一軸孔與該第二軸孔；以及<br/> 一渦卷彈簧，套設於該轉軸且具有二端；該渦卷彈簧的一端抵靠於該底座，該渦卷彈簧的另一端抵靠於該吊環座；當該吊環座以該轉軸的軸心為旋轉軸相對於該底座轉動時，該渦卷彈簧施予該吊環座回復原位的回復力。
如請求項1所述之吊環復位裝置，其中該吊環座本體包括前後相對設置的一第一板與一第二板，該第一帶孔形成於該第一板的中間，該第二帶孔形成於該第二板的中間；於該第一板的下邊緣與該第二板的下邊緣之間連接一底板，該底板的下面抵靠於該承靠面；該吊環插槽形成於該底板、該第一板與該第二板之間。
如請求項2所述之吊環復位裝置，其中該第一樞接部朝上凸出於該承靠面；該第二樞接部連接於該第一板的前面靠近該底座的部分，且該第一樞接部朝前凸出於該第一板。
如請求項3所述之吊環復位裝置，其中於該第一樞接部的內部形成向後開口的一容置室，該第一軸孔形成於該第一樞接部凸出於該承靠面的部分，且該第一軸孔與該容置室相通；該第二樞接部包括二個左右間隔設置的耳座，該第二軸孔相對地穿設於該二耳座，該第一樞接部凸出於該承靠面的部分位於該二耳座之間；該轉軸的兩端分別形成一頭部，該二頭部分別抵靠於各該耳座，該轉軸的中間部分穿過該容置室；該渦卷彈簧容納於該容置室。
如請求項4所述之吊環復位裝置，其中該第一板位於該二耳座之間的部分形成一貫穿孔，該貫穿孔與該吊環插槽相通；於該底座本體鄰接於該承靠面前邊緣的部分形成一擋止部；該渦卷彈簧的一端抵靠於該擋止部，該渦卷彈簧的另一端伸入該貫穿孔且抵靠於該底板的上面。
如請求項1所述之吊環復位裝置，其中該底座本體的後面與該吊環座本體的後面對齊；於該底座本體設有一閂孔，該閂孔用以供安全帶掛鉤連接器的閂插入。
如請求項1所述之吊環復位裝置，其中配合該吊環插槽設有一吊環，該吊環具有一吊環本體，於該吊環本體的上下二側分別形成一勾掛孔與一帶孔；該吊環具有該帶孔的部分由該吊環插口插入該吊環插槽內，該第一帶孔、該帶孔與該第二帶孔的形狀相同且前後重合，該吊環具有該勾掛孔的部分凸出於該吊環插槽。
一種煞車把手微調結構，其包含有一煞車件，其中：<br/>所述煞車件具有一基座，該基座以一樞接軸與一煞車把手樞組，所述煞車把手與該基座間設有一扭力彈簧，所述基座貫通有一通孔，該基座於所述通孔兩側分別貫通有一穿孔與凹設有一凹槽，所述煞車把手牽引有一煞車線，一調整螺旋件的一端穿過該穿孔卡入所述凹槽內，所述調整螺旋件表面有螺紋且前後側各有一平面防止其於該穿孔及該凹槽內轉動，所述調整螺旋件另一端抵住該煞車把手，所述調整螺旋件表面螺旋配合有一調節輪卡於該通孔內，當轉動所述調節輪時令該調整螺旋件沿所述穿孔移動抵推該煞車把手，進而調整所述煞車把手與該基座間的夾角。
如請求項1所述之煞車把手微調結構，其中，所述調整螺旋件是塑膠螺絲。
如請求項1所述之煞車把手微調結構，其中，所述調整螺旋件具有一圓弧狀之抵推頭以抵推該煞車把手。
如請求項1所述之煞車把手微調結構，其中，所述調節輪表面間隔凹設有數直線狀之凹緣。
如請求項1所述之煞車把手微調結構，其中，所述調整螺旋件側向開設有一水平之狹槽，該基座穿設有一銷軸卡於所述狹槽中。
如請求項5所述之煞車把手微調結構，其中，所述銷軸係穿過該穿孔。
一種第一電連接器，其中，包括：<br/> 第一殼體，所述第一殼體包括第一主體部、第一屏蔽部以及第一環形槽；所述第一主體部包括第一凸起部，所述第一環形槽位於所述第一凸起部與所述第一屏蔽部之間，所述第一凸起部的凸起方向為第二方向；所述第一屏蔽部設有露出於所述第一環形槽中的第二錐形面；<br/> 第二密封環，所述第二密封環至少部分設置於所述第一環形槽中，所述第二密封環包括與所述第一凸起部相抵接的軸向密封部以及與所述軸向密封部相連且位於所述第一環形槽中的徑向密封部；以及<br/> 鎖扣蓋，所述鎖扣蓋鎖扣於所述第一殼體，所述鎖扣蓋包括壓板部，所述壓板部沿所述第二方向抵接所述第二密封環的所述軸向密封部。
如請求項1所述的第一電連接器，其中：前述第二密封環包括位於內圈的第一密封部、位於外圈的第二密封部、以及連接前述第一密封部與前述第二密封部的第三密封部，前述軸向密封部包括前述第一密封部以及前述第二密封部，前述徑向密封部包括前述第三密封部。
如請求項2所述的第一電連接器，其中：前述第一主體部包括露出於前述第一環形槽中的第一內壁部，前述第二密封部與前述第一內壁部相抵接。
如請求項2所述的第一電連接器，其中：前述第一凸起部設有位於前述第一凸起部的底部的第一底面，前述第一密封部被夾持在前述第一底面和前述壓板部之間。
如請求項2所述的第一電連接器，其中：前述第一凸起部設有向外露出於前述第一環形槽中的第一錐形面，前述第三密封部套接在前述第一錐形面上。
如請求項1所述的第一電連接器，其中：前述第一凸起部包括第一安裝開孔；<br/> 前述鎖扣蓋包括與前述壓板部相連的第一套筒部，前述第一套筒部設有第一圍繞壁，前述第一圍繞壁收容於前述第一安裝開孔中，前述第一套筒部設有第一圍繞壁以及由前述第一圍繞壁圍成的第一收容腔。
如請求項6所述的第一電連接器，其中：前述第一圍繞壁設有露出於前述第一收容腔中的第一斜面，前述第一斜面以及前述第二錐形面均導引第二電連接器。
如請求項6所述的第一電連接器，其中：前述第一電連接器還包括第一線纜組件，前述第一線纜組件包括第一線纜以及固定於前述第一線纜的第一端子安裝塊；前述第一端子安裝塊包括第一端子對接孔。
如請求項8所述的第一電連接器，其中：前述第一線纜組件還包括設置於前述第一端子對接孔中的第一牙套。
如請求項9所述的第一電連接器，其中：前述第一端子對接孔為第一螺紋孔；前述第一牙套呈卷繞的彈簧狀，且固定於前述第一螺紋孔中；前述第一端子安裝塊的內壁上設有凸伸入前述第一端子對接孔中的第一阻擋凸起，前述第一阻擋凸起限位前述第一牙套。
如請求項8所述的第一電連接器，其中：前述第一線纜包括第一芯體，前述第一芯體設有第一表面、與前述第一表面相背對的第二表面、以及貫穿前述第一表面和前述第二表面的第一安裝孔；<br/> 前述第一端子安裝塊包括第一基部以及第一延伸部，前述第一基部以及前述第一延伸部均呈圓柱形，前述第一基部的直徑大於前述第一延伸部的直徑，前述第一延伸部固定於前述第一安裝孔中，前述第一基部凸出前述第一表面以與前述第一殼體相扣。
如請求項11所述的第一電連接器，其中：前述鎖扣蓋包括與前述壓板部相連的第一套筒部，前述第一圍繞壁收容於前述第一安裝開孔中，前述第一套筒部設有第一圍繞壁以及由前述第一圍繞壁圍成的第一收容腔；<br/> 前述第一延伸部設有露出於前述第一收容腔中的第一暴露面。
如請求項8所述的第一電連接器，其中：前述第一殼體包括與前述第一主體部相連的第一安裝部，前述第一安裝部設有安裝通道；<br/> 前述第一電連接器包括與前述第一線纜組件相配合的第一密封環，前述第一密封環包括第一套接部，前述第一套接部套接在前述第一線纜上且密封在前述安裝通道中。
如請求項13所述的第一電連接器，其中：前述第一密封環包括分別自前述第一套接部延伸的第一延伸片和第二延伸片；<br/> 前述第一電連接器還包括固定於前述第一安裝部的尾蓋，前述尾蓋包括第一框體部，前述第一框體部設有第一安裝開槽、露出於前述第一安裝開槽中的第一內壁面以及露出於前述第一安裝開槽中且與前述第一內壁面相對的第二內壁面，前述第一線纜穿過前述第一安裝開槽，前述第一延伸片卡持在前述第一線纜與前述第一內壁面之間，前述第二延伸片卡持在前述第一線纜與前述第二內壁面之間。
如請求項1所述的第一電連接器，其中：前述第一屏蔽部包括第一錐形部以及自前述第一錐形部向外延伸的第一翻邊部，前述第二錐形面設於前述第一錐形部的內側面，前述第一翻邊部設有貫穿前述第一翻邊部的第一讓位槽以及第二讓位槽，前述第一讓位槽與前述第二讓位槽間隔設置。
如請求項1至15中任意一項所述的第一電連接器，其中：前述第一電連接器還包括第一線纜組件，前述第一線纜組件包括第一線纜以及與前述第一線纜相卡持的第一卡持套，前述第一卡持套與前述第一殼體相扣。
一種電連接器組件，其中，包括：<br/> 第一電連接器，前述第一電連接器為如請求項1至16中任意一項所述的第一電連接器；以及<br/> 第二電連接器，前述第二電連接器包括第二殼體，前述第二殼體設有導引錐面，前述導引錐面與前述第一電連接器的第二錐形面相適配。
如請求項17所述的電連接器組件，其中：前述第二殼體包括第二主體部，前述第二主體部包括第二基板、與前述第二基板相連的第一凸出部、以及連接前述第二基板與前述第一凸出部的複數第一連接塊，前述第一凸出部設有至少部分收容前述第一電連接器的第一收容空間以及位於前述第一凸出部的內側面且露出於前述第一收容空間中的第一配合錐面；每一個第一連接塊設有傾斜設置的第一導引面，前述導引錐面由前述第一導引面共同形成。
如請求項17所述的電連接器組件，其中：前述第二電連接器還包括：<br/> 第一對接端子，前述第一對接端子包括第一對接部，前述第一對接部的延伸方向為第二方向；<br/> 第一旋轉蓋，前述第一旋轉蓋直接或者間接驅動前述第一對接端子沿前述第二方向移動；前述第一旋轉蓋包括第一蓋體、凸出前述第一蓋體的第一環形外壁部、凸出前述第一蓋體的第一環形內壁部、以及位於前述第一環形內壁部和前述第一環形外壁部之間的第一環形容納槽；<br/> 第一對接密封環，前述第一對接密封環位於前述第一環形容納槽中；以及<br/> 第二對接密封環，前述第二對接密封環位於前述第一環形容納槽中，前述第一對接密封環與前述第二對接密封環沿前述第二方向間隔佈置。
如請求項19所述的電連接器組件，其中：前述第一對接密封環的剖面包括第一基體部以及與前述第一基體部相連且凸出前述第一基體部的複數第一抵接凸起，前述第一抵接凸起沿前述第一基體部的周向分佈；<br/> 前述第二對接密封環的剖面形狀為矩形；或者前述第二對接密封環的剖面包括第二基體部以及與前述第二基體部相連且凸出前述第二基體部的複數第二抵接凸起，前述第二抵接凸起沿前述第二基體部的周向分佈。
如請求項19所述的電連接器組件，其中：前述第一旋轉蓋的第一蓋體包括露出於前述第一環形容納槽中的第一階梯面，前述第一階梯面包括第一底端面、低於前述第一底端面的第二底端面、以及連接前述第一底端面與前述第二底端面的第一連接面；<br/> 前述第一對接密封環套接在前述第一環形內壁部上；<br/> 前述第二對接密封環套接在前述第一連接面上。
如請求項19所述的電連接器組件，其中：其中：前述第一對接端子包括第一抵接部以及沿前述第二方向與前述第一抵接部相連的第一裝配部；前述第一對接部沿前述第二方向與前述第一裝配部相連；<br/> 前述第二電連接器還包括套接在前述第一裝配部上的第一彈性墊圈以及套接在前述第一裝配部上的第一平墊圈，前述第一彈性墊圈沿前述第二方向位於前述第一抵接部和前述第一平墊圈之間。
一種智慧監控系統，包括：<br/> 一前台系統，包括：<br/> 一影音擷取模組，用以取得一場景的一影音內容；<br/> 一多模態語意辨識模組，針對該影音內容逐幀執行語意辨識；以及<br/> 一結構化模組，運行一語言模型對該影音內容形成的語意辨識結果生成一結構化文本，再將該結構化文本經一向量演算後得出嵌入式向量；<br/> 一後台系統，包括：<br/> 一關鍵資料庫，用以記載多筆關鍵事件的嵌入式向量；<br/> 一關鍵語意分析偵測模組，分析該場景中獲得的語意辨識結果與該結構化文本，得出一關鍵語意，再查詢該關鍵資料庫以得出一關鍵事件；<br/> 一通報內容生成對應模組，用於分析該關鍵事件，以針對該關鍵事件對應的該結構化文本生成一通報內容；以及<br/> 一訊息模組，轉換該通報內容為傳送至一終端裝置的一推播訊息或一簡訊。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中該前台系統設於一客戶端，其中設有一或多個邊緣運算裝置，用於擷取該影音內容、對該影音內容執行語意辨識，以及針對該影音內容中環境與該一或多個物件形成該結構化文本，並演算出該嵌入式向量。
如請求項2所述的智慧監控系統，其中該一或多個邊緣運算裝置可由該智慧監控系統設於該客戶端的一或多個智能攝影機實現，通過該智能攝影機對該影音內容即時執行語意辨識、生成該結構化文本以及執行向量運算。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中該關鍵語意分析偵測模組根據該前台系統提供的語意辨識結果與該結構化文本得出該關鍵語意後，將該結構化文本的向量值比對該關鍵資料庫中以嵌入式向量表示的多筆關鍵事件，根據比對得出的向量相似度計算可判斷出當下的該關鍵事件，根據該關鍵事件是否符合一通報門檻決定是否發出該通報內容。
如請求項4所述的智慧監控系統，其中該通報內容生成對應模組運行另一語言模型，通過該另一語言模型形成以自然語言組成的該通報內容，以將該通報內容以語音、影音內容或文字通報至該終端裝置。
如請求項4所述的智慧監控系統，其中該後台系統還包括一電腦電話整合模組，用以將該通報內容轉換為語音，以與一通訊裝置進行語音通報。
如請求項4所述的智慧監控系統，其中該通報內容還包括根據從該影音內容中擷取關聯該關鍵事件的一事件截圖。
如請求項1所述的智慧監控系統，其中該多模態語意辨識模組運用一深度學習方法學習該影音內容，並轉譯該影音內容為文字、音訊、圖像或影片，或其任意組合，並辨識出該影音內容中的環境以及其中一或多個物件，以通過該語言模型形成描述環境與該一或多個物件的文本。
如請求項1至8中任一項所述的智慧監控系統，其中，通過該智慧監控系統持續取得的該影音內容，以及根據該影音內容得出的語意、生成的文本以及通過一智能辨識模型辨識並標註的一或多個物件，建立提供查閱事件的一資料庫；其中該資料庫還提供以關鍵字詞、影音或文字查找並形成一摘要報告。
如請求項9所述的智慧監控系統，其中，於該前台系統中，通過該結構化模組中運行的該語言模型，基於一提示語，以對該語意辨識結果生成該結構化文本，並將該結構化文本經向量演算後得出嵌入式向量，藉此建立該資料庫。
一種顯示卡延長線，包含：<br/> 一第一連接器，適於支援一擴充匯流排規格，其中該擴充匯流排規格定義有相鄰之複數電源輸出接點；<br/> 一第二連接器，適於支援該擴充匯流排規格；以及<br/> 一連接排線，一端連接於該第一連接器，另一端連接於該第二連接器，該連接排線支援該擴充匯流排規格，且包含一電源線，對應於該些電源輸出接點。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該擴充匯流排規格係PCI-E。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該些電源輸出接點適於輸出等電位之電能。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該第一連接器係一擴充卡插槽，該第二連接器係一金手指連接器。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該連接排線並包含複數訊號傳輸線，該電源線之截面積大於該訊號傳輸線之截面積。
如請求項5所述之顯示卡延長線，其中，該訊號傳輸線之截面呈圓形，該電源線之截面呈長方形。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該連接排線並包含複數訊號傳輸線，該電源線之截面寬度大於該訊號傳輸線之截面寬度。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該連接排線並包含複數訊號傳輸線，該電源線之構成材質之導電率高於該訊號傳輸線之構成材質。
如請求項1所述之顯示卡延長線，其中，該電源線之數量為複數個。
一種電子設備，包含：<br/> 一主機板，具有一顯示卡插槽；<br/> 一顯示卡，具有一顯示卡連接器；以及<br/> 一顯示卡延長線，包含：<br/> 一第一連接器，適於連接於該顯示卡連接器，且支援一擴充匯流排規格，其中該擴充匯流排規格定義有相鄰之複數電源輸出接點；<br/> 一第二連接器，適於連接於該顯示卡插槽，且支援該擴充匯流排規格；以及<br/> 一連接排線，一端連接於該第一連接器，另一端連接於該第二連接器，該連接排線支援該擴充匯流排規格，且包含一電源線，對應於該些電源輸出接點。
一種振動篩用防堵裝置，包括工作臺，其特徵在於，還包括：<br/> 驅動組件，安裝於所述工作臺的內側，所述驅動組件的外側設置有聯動組件，所述聯動組件的一側設置有篩選框；所述工作臺的內壁固定連接有下料斗；<br/> 沖洗組件，設置於所述工作臺的內側，所述沖洗組件包括固定於所述工作臺內壁的水箱，所述水箱的內壁連通有連接管，所述連接管的一端連通有高壓泵，所述高壓泵的出水端連通有輸流管；<br/> 安裝組件，設置於所述工作臺的一側，所述安裝組件的一側設置有傳動組件，所述傳動組件包括設置於所述安裝組件頂部的轉把，所述轉把的一端固定連接有螺紋杆，所述螺紋杆的外側螺紋連接有移動塊。
如請求項1所述的振動篩用防堵裝置，其中所述驅動組件包括固定於所述工作臺一側的電機，所述電機的輸出端固定連接有轉杆。
如請求項2所述的振動篩用防堵裝置，其中所述聯動組件包括轉動於所述轉杆外側的連接座，所述連接座的內壁通過轉軸轉動連接有連接板，且連接板的頂部與篩選框的底部固定連接。
如請求項1所述的振動篩用防堵裝置，其中所述安裝組件包括固定於所述工作臺一側的安裝架，所述安裝架的頂部固定連接有支撐板，所述支撐板的一側固定連接有安裝框，且安裝框的內壁與轉把的一端轉動連接。
如請求項1所述的振動篩用防堵裝置，其中所述工作臺的一側固定連接有支撐架，所述支撐架的內壁固定連接有安裝杆，所述安裝杆的外側滑動連接有滑塊，且滑塊的一側與輸流管的一端固定連接。
如請求項1所述的振動篩用防堵裝置，其中所述工作臺的一側固定連接有側板，所述側板的一側通過轉軸轉動連接有套杆。
如請求項6所述的振動篩用防堵裝置，其中所述套杆的內壁滑動連接有滑杆，且滑杆的一側通過轉軸與篩選框的一側轉動連接。
一種用於軟體即服務（software-as-a-service，SaaS）平台之電腦系統，包含：<br/> 一雲端伺服器，包含：<br/> 一目錄服務模組，用以儲存產品資訊與即時庫存量；<br/> 一QR碼生成模組，被配置為生成具加密有效負載且具時效限制之QR碼；<br/> 一交易驗證模組；<br/> 一履行協調模組；<br/> 一經銷商裝置，通訊連接該雲端伺服器，該經銷商裝置執行一行動應用程式，該行動應用程式被配置為：<br/> 顯示來自該目錄服務模組的產品；<br/> 接收產品選擇；以及<br/> 顯示所生成之QR碼；<br/> 其中，該雲端伺服器被配置為：<br/> 響應一產品選擇時，生成一唯一的交易識別碼與一QR碼，其中該QR碼編碼一加密有效負載，該加密有效負載包含該交易識別碼、產品資訊和一時間戳記；<br/> 建立一唯一的網址（URL），該網址包含該QR碼之資料；<br/> 透過查核該時間戳記是否尚未到期以及該交易識別碼是否未曾被使用過，以驗證所掃描之QR碼；<br/> 處理自一買方裝置所接收之支付資訊，且不暴露支付憑證予經銷商；以及<br/> 自動指示倉儲管理系統履行已驗證之訂單，同時計算經銷商佣金且將該經銷商佣金入帳。
如請求項1所述之電腦系統，其中該交易識別碼係經數位簽章。
如請求項1所述之電腦系統，其中該QR碼於一預定時間間隔之後到期。
如請求項1所述之電腦系統，其中該行動應用程式顯示之一目錄係依據銷售方所使用之該行動應用程式之地理位置而進行過濾。
如請求項1所述之電腦系統，其中於該雲端伺服器驗證該支付資訊包含：<br/> 將與銷售相關之佣金入帳至銷售方的一帳戶；以及<br/> 基於即時庫存，動態調整一售價。
如請求項1所述之電腦系統，更包含一模組，用以調用一符記化閘道，該符記化閘道不暴露卡片資料予銷售方。
如請求項1所述之電腦系統，更包含一整合模組，藉由將一出貨追蹤識別碼傳輸至該買方裝置和該行動應用程式，以揀貨、包裝並出貨至少一產品項目予買方。
如請求項1所述之電腦系統，其中該行動應用程式係一原生應用程式，該經銷商裝置為一智慧型手機或一平板電腦；且該雲端伺服器係以由一集群管理器所協調之容器化微服務實現。
一種製造貼附有正極母粒材料所形成之正極漿料層的正極極板的機構，其中該正極極板包含一正極基板及該正極漿料層貼附在該正極基板上；其中該正極漿料層由多個正極母粒材料所構成；該多個正極母粒材料於室溫下為一固體，此種母粒型態的正極漿料可獨立製作而成，因此該正極基板及該多個正極母粒材料可分別製造；且該多個正極母粒材料為不含溶劑的固體型態，因此保存期限較長；其中該機構包含：<br/>一原料槽，其用於置放多個正極母粒材料；<br/>其中各該正極母粒材料包含：<br/>多個正極顆粒用於儲存或釋放鋰離子，該正極顆粒為一種活性物質；<br/>PEO；該PEO具可熱塑性，其在高溫時會呈熔融狀；該PEO亦具導離子性能，因此可做為導鋰離子使用，增加正極整體的導鋰離子能力；<br/>PVDF或PVDF-HFP；該PVDF/PVDF-HFP及該PEO為高分子材料；其中當該正極母粒材料加溫到一定溫度時，該正極母粒材料中的該PEO及該PVDF或PVDF-HFP的共聚物會呈融熔態，使整個該正極母粒材料具有黏性而貼附在該正極基板上，整體形成該正極極板；<br/>多個助導劑；該多個助導劑用於增加該正極漿料的電子電導；<br/>鋰鹽，該鋰鹽用於使該高分子材料內的分子鏈滑動，進而提升離子導電能力；<br/>多個陶瓷顆粒用於導引鋰離子，該多個陶瓷顆粒對於鋰離子的離子電導率高；藉由多個分散的該陶瓷顆粒的導引，避免鋰離子在該正極漿料內不正常的累積而與該正極漿料產生副反應；<br/>其中該多個正極顆粒、該多個陶瓷顆粒、該助導劑及該鋰鹽分散在用於撐持整個該正極漿料的該高分子材料之間；<br/>其中該多個正極母粒材料在室溫時為一固體型態的材料結構，而加溫到一特定溫度時，該多個正極母粒材料中的PEO會融化而形成熔融態，因此該PEO可貼附在該正極基板上而形成該正極極板；<br/>一射出成形機用於接收並加熱該原料槽內的該多個正極母粒材料，使該多個正極母粒材料成為一熔融態材料；該射出成形機包含一材料容置桶用於容置來自該原料槽的該多個正極母粒材料，該材料容置桶具有一材料輸入口以及一材料輸出口位在該材料容置桶下方；其中該材料容置桶具有一加熱機構用於將該多個正極母粒材料加熱，使得該多個正極母粒材料形成該熔融態材料；<br/>一料管連接該射出成形機，該料管用於接收並攪拌該射出成形機輸出的該熔融態材料；該料管包含一入料口及一出料口；<br/>一狹縫模具連接該料管之出料口以接收均勻混合後的該熔融態材料；該狹縫模具前端形成一狹縫射出口，該狹縫射出口應用狹縫式塗佈的方式將該熔融態材料射出到後方機構；<br/>一輪帶機構位在該狹縫射出口處，該輪帶機構用於輸送一金屬薄片，該金屬薄片即作為正極基板，該金屬薄片用於承接該狹縫射出口射出的該熔融態材料；使得該熔融態材料塗布在該正極基板上而形成該正極極板；<br/>其中該多個正極母粒材料形成之正極漿料層的正極極板不必再透過烘烤及輾壓步驟，因此該多個正極母粒材料內的材料不會受該烘烤及輾壓應力影響而破碎。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該多個正極顆粒選自鈷酸鋰顆粒、單晶或多晶的鎳鈷錳顆粒及磷酸錳鐵鋰或磷酸鐵鋰顆粒中至少一項或多項。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該多個助導劑選自奈米碳管、奈米級非晶質碳、及石墨烯中至少一項。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該鋰鹽選自PDDA-TFSI或Py14-TFSI中任一項。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該多個陶瓷顆粒選自磷酸鍺鋁鋰、磷酸鈦鋁鋰、鋰鑭鋯氧化物、鋰鑭鈦氧化物，或LPSC。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該材料容置桶的溫度介於50°C至240℃；此溫度範圍可讓該PEO融化。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該料管內配置有一螺桿組用於攪拌進入該料管的該熔融態材料，使得該熔融態材料呈現均勻的混合狀態；均勻混合後的該熔融態材料從該料管的該出料口輸出。
如申請專利範圍第7項所述之機構，其中該螺桿組選自單螺桿或是雙螺桿。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該輪帶機構包含一滾輪組，該滾輪組包含多個滾輪；其中該滾輪組上環繞一輸送帶，該滾輪組內的該多個滾輪可帶動該輸送帶移動；<br/>其中該金屬薄片係由一金屬捲捲繞而出，工作時，由該金屬捲捲繞出的該金屬薄片平鋪於該輸送帶上與該輸送帶一同移動。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中該特定溫度介於50℃至240°C。
如申請專利範圍第1項所述之機構，其中各該陶瓷顆粒的外表面尚包覆一複合層，該複合層包含一多巴胺層包覆在該陶瓷顆粒之外表面，以及一PVDF層包覆在該多巴胺層外表面；其中該PVDF層由PVDF材料所構成；其中該多巴胺層並非完整包覆該陶瓷顆粒之外表面，因此仍有少部分的該陶瓷顆粒之表面會裸露出來；所以該PVDF層會部分接觸到該陶瓷顆粒表面；而部分接觸到該多巴胺層；<br/>其中多巴胺具有疏水性，可以防止該陶瓷顆粒與外部的溶劑產生副反應；該PVDF材料中部份的氟離子會與對應之陶瓷顆粒表面的鋰離子產生離子鍵的鍵結形成氟化鋰；而該PVDF材料中另一部分的氟離子會與該多巴胺層的聚多巴胺分子之氮離子產生氫鍵鍵結，因此該PVDF材料會形成該PVDF層包覆在該多巴胺層外表面。
一種祭祖花桶結構改良，其包含有一花桶，其中：所述花桶係由一平面狀之基板製成，該基板包含一多邊形之底板及一側板，該底板的其中一個邊緣與該側板相連且其他邊緣各凸設有一底結合部，所述側板是由數量與該底板的邊數相同之側板單元相連而成，該側板凸設有一側結合部，所述側板以該側板單元的邊界彎折並以一所述側板單元與該側結合部結合，令所述側板呈多邊形柱狀，該底結合部的邊界彎折並與各所述側板單元結合，令所述花桶呈頂部開放的多邊形桶狀。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述花桶內放置有數花體。
如請求項2所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述花體係紙花。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述側板與一提把結合，以該提把可提起所述花桶。
如請求項4所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述提把包含有數提把單元，所述側板內側左右各設有一該提把單元，並將位於該側板內側之二所述提把單元頂部前後各以一提把單元結合從而完成該提把。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述花桶表面印有文字、花紋或色彩。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述花桶呈正六邊形桶狀。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述花桶呈正八邊形桶狀。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述基板的材質是紙。
如請求項1所述的祭祖花桶結構改良，其中，所述基板的材質是塑膠。
一種資訊交接系統，包括：<br/> 一資訊交接裝置，包括：<br/> 一處理電路；<br/> 一位置感測電路，與所述處理電路電性連接，受到所述處理電路驅動控制，感測所述資訊交接裝置所在位置的一位置資訊；<br/> 一音訊感測電路，與所述處理電路電性連接，受到所述處理電路驅動控制，接收所述資訊交接裝置周圍的一或多人的語音數據；<br/> 一環境感測電路，與所述處理電路電性連接，受到所述處理電路驅動控制，所述環境感測電路感測所在位置中的環境，取得一環境資訊；<br/> 一通訊電路，與所述處理電路電性連接，受到所述處理電路驅動控制，所述通訊電路與一資訊交接伺服器通訊，並將所述位置資訊、所述一或多人的語音數據及所述環境資訊發送至所述資訊交接伺服器，取得一交接文本；以及<br/> 一文本輸出模組，為一紙本印表機及一顯示螢幕中一種或多種的組合，由所述處理電路與一軟體程序協作實現該文本輸出模組，受到所述處理電路驅動控制，輸出通過所述處理電路整合所述位置資訊、所述一或多人的語音數據及所述環境資訊生成的所述交接文本； <br/> 所述資訊交接伺服器，包括：<br/> 一處理器，運行有一資訊處理模型；及<br/> 一通訊器，與所述處理電路電性連接，受到所述處理電路驅動控制，與所述資訊交接裝置中的所述通訊電路通訊；<br/> 其中，所述資訊交接伺服器的所述通訊器接收所述資訊交接裝置發送的所述位置資訊及所述一或多人的語音數據，將所述位置資訊及所述一或多人的語音數據透過所述處理器中的所述資訊處理模型輸出成所述交接文本，並將所述交接文本發送至所述資訊交接裝置中的所述通訊電路。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述環境感測電路透過與一醫院醫療系統通訊取得所在位置的所述環境資訊。
如請求項2所述之資訊交接系統，其中所述醫院醫療系統為一心電圖監測電路、一血氧飽和度監測電路、一血壓監測電路、一體溫感測電路、一呼吸率監測電路、一腦波監測電路、一肌電圖監測電路、一血糖感測電路及一多參數生理監測系統中一種或多種的組合。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述資訊交接裝置由使用者隨身攜帶或將所述資訊交接裝置安裝於一行動機器人，使所述資訊交接裝置能移動至任意位置。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述環境感測電路為一溫度感測器、一濕度感測器及一氣壓感測器中一種或多種的組合。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述位置感測電路為一光學相機、一紅外線相機、一可見光相機及一光學雷達中一種或多種的組合。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述位置感測電路為感測所述資訊交接裝置所在位置的一標籤。
如請求項1所述之資訊交接系統，其中所述資訊處理模型包括一使用者語音識別模型，將所述一或多人的語音數據及一使用者語音識別模型提示詞輸入所述使用者語音識別模型，轉換成對應不同使用者的一對話文本。
如請求項8所述之資訊交接系統，其中所述資訊處理模型包括一大語言模型，將所述對話文本、所述位置資訊及一大語言模型提示詞輸入所述大語言模型，取得所述交接文本。
如請求項9所述之資訊交接系統，其中所述資訊處理模型包括一彙整模型，將所述大語言模型的輸出結果、一病患資訊及一人員資訊輸入所述彙整模型，取得所述交接文本。
一種具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，包括：<br/> 一淨水器裝置，所述淨水器裝置包含一機體、一濾心組及一漏水偵測模組，所述濾心組設置於所述機體內，所述漏水偵測模組設置於所述機體內，所述漏水偵測模組位於所述機體內底側處，所述漏水偵測模組具有至少一漏水探針，所述至少一漏水探針設置於所述機體內，且所述至少一漏水探針曝露於所述機體外；以及<br/> 一控制裝置，所述漏水偵測模組電連接於所述控制裝置，原水經過所述濾心組過濾後能取得過濾水，並輸送至一龍頭裝置以供使用，所述漏水偵測模組能偵測所述機體的內側及外側的漏水。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述機體具有一底板，所述底板上設有一集水槽，所述集水槽凹設於所述底板上，所述至少一漏水探針設置於所述集水槽中，所述集水槽能收集所述機體內的漏水，所述底板設有至少一穿孔，所述至少一漏水探針的一端延伸至所述至少一穿孔中，使所述至少一漏水探針能透過所述至少一穿孔曝露於所述機體外。
如請求項2所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述底板上設置有多個擋板，所述多個擋板圍繞形成一集水區，所述集水區位於所述漏水偵測模組的外圍。
如請求項2所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述底板的底側設有多個導流板，所述多個導流板設置於所述漏水偵測模組的外圍，所述多個導流板能導引外部水流流進所述漏水探針處。
如請求項2所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述集水槽安裝於所述底板上的一安裝孔中，且所述集水槽鎖固於所述底板上。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述濾心組的上游位置設置一進水電磁閥，所述進水電磁閥電連接於所述控制裝置，所述進水電磁閥能控制所述淨水器裝置的進水，使原水通過所述進水電磁閥輸送至所述濾心組。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述機體連動所述龍頭裝置，所述龍頭裝置能提供所述淨水器裝置的狀態顯示及故障復歸功能。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述淨水器裝置的上游位置設置一水源電磁閥，所述水源電磁閥電連接於所述控制裝置，所述水源電磁閥連接於所述濾心組，所述水源電磁閥能控制原水進入所述淨水器裝置，所述水源電磁閥能設定預定時間進行開啟。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述濾心組及所述龍頭裝置之間設置一過濾水電磁閥，所述過濾水電磁閥電連接於所述控制裝置，所述過濾水電磁閥能控制過濾水進入所述龍頭裝置。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述濾心組及所述龍頭裝置之間設置一補水電磁閥及一熱水膽，所述熱水膽設置於所述補水電磁閥的下游位置，所述補水電磁閥電連接於所述控制裝置，所述補水電磁閥能控制過濾水進入所述熱水膽進行加熱，再將加熱後的過濾水輸送至所述龍頭裝置。
如請求項1所述的具有雙偵測漏水檢知機制的淨水系統，其中所述濾心組及所述龍頭裝置之間設置一熱水膽，過濾水能進入所述熱水膽進行加熱，再將加熱後的過濾水輸送至所述龍頭裝置，所述熱水膽位於所述至少一漏水探針的一側，所述熱水膽靠近所述至少一漏水探針。
一種多功能行李箱，係一行李箱，其是在一箱本體的一開放口周邊以一拉鏈連接一可掀開的前箱體，使內部形成一箱室；該箱本體的上部具有一裝機容室，背部設有一拉桿手把組及底部的該箱室內設有一鞋具殺菌裝置；該裝機容室內安裝有一送風機組，該送風機組，具有與外界相通的一入氣口與一出風口，並以一馬達驅動一組扇葉，可由該入氣口吸入空氣從該出風口送風；該拉桿手把組，具有一對可在該箱本體背部上下伸縮的伸縮桿，該對伸縮桿上端相互連接的設有一組可供手握與衣物掛置的橫把；該鞋具殺菌裝置，至少包括：一盤形收納盒，係設在該箱本體底部內緣，具有一收納室；一對殺菌器，係置於該盤形收納盒的該收納室中，具有一對燈架，該對燈架，各至少在一燈條基板上設有一殺菌燈具組；一隔間板組，係貼近在該盤形收納盒的上緣，用於將該箱室間隔出一行李收納空間，且其為允許在該箱室中移動離開該盤形收納盒上緣，並在離開後可移回原位的可移動式板件組；該前箱體的箱面相對該鞋具殺菌裝置，開設有一門孔，且該門孔上設有一可打開該門孔的門蓋。
如請求項1所述之多功能行李箱，其中，該送風機組的該出風口上設有多個導風葉片，且該多個導風葉片皆樞設在該出風口的孔壁上，允許擺動。
如請求項1所述之多功能行李箱，其中，該送風機組的該組扇葉旋轉往該出風口送風的路徑上，係設有一組發熱器。
如請求項1所述之多功能行李箱，其中，該箱本體的該裝機容室，係在該箱本體上部形成一凹形槽，並在該凹形槽上封蓋一面板件所構成，且該面板件上，相對該送風機組的該入氣口及該出風口，形成有一匹配該入氣口的第一槽孔及一匹配該出風口的第二槽孔。
如請求項4所述之多功能行李箱，其中，該面板件一端設有一箱背部，該箱背部，係固設在該箱本體的背部供該拉桿手把組的該對伸縮桿安裝，並在該對伸縮桿之間形成一個以上的置物空間。
如請求項5所述之多功能行李箱，其中，該箱背部設有一槽口朝上的杯架容置槽室，該杯架容置槽室中裝設有一置杯組，該置杯組至少具有一允許從該杯架容置槽室中退出擺正定位的杯架，且該杯架上具有一置杯槽孔。
如請求項5所述之多功能行李箱，其中，該一個以上的置物空間之一安裝有一臭氧機，且該臭氧機所產生的臭氧氣體係釋放到該箱室內。
如請求項4所述之多功能行李箱，其中，該面板件的該第二槽孔側緣形成有一U形槽孔，該送風機組的該出風口兩側樞設有一組凹弧扇形的導風罩，使該組導風罩的凹弧罩體在該出風口兩側擺動時，可從該U形槽孔擺出罩蓋住該出風口。
如請求項1所述之多功能行李箱，其中，該對殺菌器的該對燈架，係分別在該燈條基板的兩端，各樞設有一前撐座及一後撐座。
如請求項1所述之多功能行李箱，其中，該拉桿手把組的該組橫把一面端設有一對夾掣器，該對夾掣器上各具有一富有夾持彈性的夾扣。
一種收納盒，包括：<br/> 一盒蓋和一盒體，該盒蓋設置有一壓接件；<br/> 一鎖定組件，該鎖定組件包括一鎖舌和設置在該盒體上的一第一鎖定件，該鎖舌部分設置在該盒體內且能相對該盒體移動，該鎖舌具有一解鎖位置和一鎖定位置，該鎖舌上開設有一第一鎖定槽，該第一鎖定件能夠卡入該第一鎖定槽以將該鎖舌鎖定於該解鎖位置；以及<br/> 該盒蓋扣合於該盒體時，該壓接件配置為驅動該鎖舌朝向該盒體的外緣移動，並使該第一鎖定件脫離該第一鎖定槽，該鎖舌能夠在該鎖定位置與該盒蓋卡接。
如請求項1所述的收納盒，其中，該鎖舌包括一滑桿和與該滑桿相連接的一鎖定部，該滑桿穿設並移動設置於該盒體，該鎖定部上開設有一第一鎖定槽，該盒蓋扣合於該盒體時，該壓接件與該滑桿滑動抵接以驅動該鎖舌移動。
如請求項2所述的收納盒，其中，該壓接件設置有一第一驅動斜面，該盒蓋扣合於該盒體的過程中，該第一驅動斜面與該滑桿滑動抵接以將該鎖舌由該解鎖位置推向該鎖定位置；和/或，該滑桿設置有一第一從動斜面，該盒蓋扣合於該盒體的過程中，該壓接件與該第一從動斜面抵接以將該鎖舌由該解鎖位置推向該鎖定位置。
如請求項2所述的收納盒，其中，該鎖定組件還包括一拉簧，該拉簧套設於該鎖定部，該拉簧被配置為驅動該鎖舌由該解鎖位置向該鎖定位置移動。
如請求項2所述的收納盒，其中，該鎖定部開設有一第二鎖定槽，該第一鎖定件能夠卡入該第二鎖定槽以將該鎖舌鎖定於該鎖定位置。
如請求項2所述的收納盒，其中，該鎖舌由一鎖定位置向該解鎖位置移動的過程中，當該鎖舌抵接該壓接件時，該鎖定部與該盒蓋脫開。
如請求項1該的收納盒，其中，該第一鎖定件的前端設置有一球頭，該球頭能夠卡入該第一鎖定槽，且該球頭卡入該第一鎖定槽的深度小於該球頭的半徑。
如請求項2至6中任一項該的收納盒，其中，該鎖定組件還包括一按鈕，該按鈕滑動設置於該盒體內，該按鈕被配置為透過該滑桿驅動該鎖舌由該鎖定位置移動至該解鎖位置。
如請求項8所述的收納盒，其中，該盒體設置有一擋塊，該滑桿抵接於該擋塊時，該鎖舌位於該解鎖位置。
如請求項8所述的收納盒，其中，該鎖定組件還包括一第二鎖定件，該按鈕開設有一第三鎖定槽，該第二鎖定件卡入該第三鎖定槽時，該鎖舌位於該解鎖位置；和/或，該鎖定組件還包括一第二鎖定件，該按鈕開設有一第四鎖定槽，該第二鎖定件卡入該第四鎖定槽時，該鎖舌位於該鎖定位置。
一種光電探測器，其特徵在於，所述光電探測器包括：<br/> 流動池，其被配置成允許包含奈米顆粒的液體樣品流動；<br/> 雷射產生單元，設置於所述流動池外，將脈衝雷射光束照射在所述流動池中的所述液體樣品上並產生電漿；<br/> 流動控制單元，定位於所述流動池外之所述液體樣品的流動路徑，控制所述液體樣品在所述流動池內的流動；<br/> 積分球，容置所述流動池於其中，多次反射來自所述電漿的光信號；以及<br/> 光譜儀，定位於所述流動池遠處，測量從所述積分球反射的所述光信號。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光譜儀透過所述光信號的光譜來分析關於所述奈米顆粒的資訊。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述積分球的內表面被塗覆成使得所述積分球的所述內表面多次反射所述光信號。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述流動池設置在所述積分球內。
如請求項4所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括放置在所述積分球中的流動池保持器，所述流動池保持器固定所述流動池。
如請求項5所述之光電探測器，其中，所述流動池能夠拆卸地安裝到所述流動池保持器。
如請求項5所述之光電探測器，其中，所述流動池保持器的表面被配置成反射所述光信號。
如請求項7所述之光電探測器，其中，所述積分球的內表面和所述流動池保持器的所述表面被配置成反射波長在180 nm至2500 nm之間的光。
如請求項8所述之光電探測器，其中，所述積分球的所述內表面和所述流動池保持器的所述表面被配置成反射波長在200 nm至1100 nm之間的光。
如請求項1所述之光電探測器，其中，在所述積分球內部形成所述流動路徑，其中，所述液體樣品在所述流動路徑中流動。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括設置在路徑上的陷波濾波器，所述光信號沿所述路徑入射到所述光譜儀上。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括收集從所述積分球的內表面反射的所述光信號的聚光器。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括連接所述積分球和所述光譜儀的光纖，其中，所述光纖將從所述積分球多次反射的所述光信號傳輸至所述光譜儀。
如請求項1所述之光電探測器，其中，在所述積分球的一側上形成第一開口，<br/> 其中，在所述積分球的另一側上形成第二開口，<br/> 其中，所述脈衝雷射光束被配置成通過所述第一開口進入所述積分球的內部，並且<br/> 其中，所述脈衝雷射光束的至少一部分被配置成透過所述第二開口離開所述積分球。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括檢測從所述電漿產生的所述光信號的圖像的相機，其中，所述相機在所述積分球的一側移位。
如請求項15所述之光電探測器，其中，所述光譜儀和所述相機穿透所述積分球的表面，使得所述光譜儀的至少一部分和所述相機的至少一部分定位在所述積分球內部。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述光電探測器還包括儲存透過所述光譜儀檢測的信號的資料記憶體。
如請求項1所述之光電探測器，其中，所述雷射產生單元包括調節所述脈衝雷射光束的強度的衰減器。
一種紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其包括：<br/> 一感測裝置，該感測裝置包括一紅外線熱成像感測器，其利用紅外線感測人體發出的溫度並將其轉換成一熱成像圖數據；<br/> 一處理裝置，其耦接於該感測裝置且接收熱成像圖數據並予以處理，該處理裝置包括一處理器、一數據處理模組、一人體檢測模組、一人體追蹤模組、一跌倒偵測模組及一人體狀態模組，該處理器分別耦接於該數據處理模組、該人體檢測模組、該人體追蹤模組、該跌倒偵測模組及該人體狀態模組，該數據處理模組將熱成像圖數據處理後轉換成像素級二值化的一雙色圖數據，該人體檢測模組根據雙色圖數據進行人體區域識別，並設一人體包圍框，該人體追蹤模組根據雙色圖數據追蹤人體的位置，該跌倒偵測模組根據該人體包圍框的Y座標計算一高度快速下降比值，用以判斷人體的高度變化，該跌倒偵測模組根據該人體包圍框的人體像素數計算一下半區域比值，用以判斷畫面下半部像素變化，該人體狀態模組根據人體高度變化計算一高度穩定比值，用以判斷人體的穩定狀態；以及<br/> 一顯示裝置，該顯示裝置耦接於該處理裝置。
如請求項1所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該人體檢測模組採用廣度優先搜索演算法尋找最大連通域作為人體區域，此人體區域即由該人體包圍框所界定，該人體包圍框為最小X、Y坐標與最大X、Y坐標所包圍之方框。
如請求項2所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該人體追蹤模組具有一溫度條件及一位置條件，溫度條件：判斷最高溫度大於28°C；位置條件：判斷最高溫度點位於該人體包圍框內。
如請求項3所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該跌倒偵測模組以該人體包圍框計算人體頂部Y坐標的向下位移，高度快速下降比值的計算方式為：（當前圖人體頂部Y坐標 - 前一幀圖人體頂部Y坐標）／前一幀圖人體高度，該跌倒偵測模組設定一高度快速下降閾值：30%。
如請求項4所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該人體包圍框內計算出一人體總像素數，該跌倒偵測模組使用廣度優先搜索演算法遍歷人體連通域，統計人體包圍框於畫面下半區域的人體像素數來與人體總像素數進行計算比對，其計算方式為：下半區域比值 = 畫面下半區域人體像素數／人體總像素數，該跌倒偵測模組並設定一下半區域閾值：70%。
如請求項5所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該人體狀態模組具有一空閒狀態及一疑似跌倒狀態，該人體狀態模組計算當前幀圖與前一幀圖的高度穩定比值，該人體狀態模組並設定一高度穩定閾值：15%，該人體狀態模組進入疑似跌倒的轉換邏輯條件為：高度快速下降比值大於或等於高度快速下降閾值和下半區域比值大於或等於下半區域閾值，該人體狀態模組確認跌倒的轉換邏輯條件為：疑似跌倒狀態下，高度穩定比值小於高度穩定閾值並持續5秒。
如請求項6所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該顯示裝置顯示經由該處理裝置處理後的低解析度畫面，該跌倒偵測系統還包括一通信裝置，其耦接於該處理裝置且能夠將該處理裝置的資料傳送至外部裝置。
如請求項7所述之紅外線熱成像低解析度跌倒偵測系統，其中，該感測裝置採用紅外熱成像感測器，其紅外熱成像陣列為32×24像素，該處理器採用微控制器，該顯示裝置包括一顯示器，該通信裝置包括一無線通訊模組。
一種拇指搖桿，係包含有：一操作桿，其具有一桿體，該操作桿於該桿體上端橫向設有一操作鍵，另該桿體外周壁上設有數個貼合面；數個應變規，係對應該等貼合面而分別設置於該等貼合面上；一基座，係具有一環體，該環體係套設於該桿體上，並分別與該應變規電性連接，另該基座於環體下方設有數個支腳；一套環，係套設於該桿體外周，並用以固定該環體。
依據請求項1所述之拇指搖桿，其中，該桿體外周壁上係設有四個貼合面，每一該貼合面上皆設置該應變規。
依據請求項2所述之拇指搖桿，其中，該等貼合面皆為一平面，使該桿體於該等貼合面相對應處之徑向斷面呈矩形狀。
依據請求項2所述之拇指搖桿，其中，該等應變規分別位於該桿體之前、後、左、右四個方向。
依據請求項1所述之拇指搖桿，其中，該套環上橫向設有一卡銷，而該桿體上相對應設有一卡孔，使得該卡銷可穿入該卡孔，而使該套環固定於該桿體上。
依據請求項1所述之拇指搖桿，其中，該套環內壁具有一肩部，該肩部頂面恰可抵止於該基座底面。
一種框架，至少用於清潔設備，所述框架包括底座和縱樑，所述底座與所述縱樑固定連接並圍合形成一個容置空間，所述容置空間用於同時容納筒體和基站模組。
根據請求項1所述的框架，其中所述框架還包括結構加強件，所述結構加強件設置於相鄰的兩個所述縱樑所限定的區域內且與兩個所述縱樑固定連接。
根據請求項2所述的框架，其中所述結構加強件包括前側加強件和側向加強件，所述側向加強件用於連接在第二方向上相鄰的兩個所述縱樑，所述前側加強件用於連接在第三方向上相鄰的兩個所述縱樑，所述前側加強件位於所述側向加強件在所述第二方向上的一側，所述第二方向垂直於所述第三方向。
根據請求項3所述的框架，其中所述側向加強件的數量為至少兩個，至少兩個所述側向加強件沿第一方向間隔佈置； <br/>和/或，至少兩個所述側向加強件沿所述第三方向間隔佈置； <br/>和/或，所述前側加強件位於所述側向加強件在所述第一方向上靠近所述底座的一側； <br/>其中，所述第三方向垂直於所述第一方向，所述第三方向垂直於所述第二方向。
根據請求項3所述的框架，其中所述前側加強件和所述縱樑中的一者開設有第二掛鉤，另一者開設有與所述第二掛鉤相配合的第二掛孔； <br/>和/或，所述側向加強件和所述縱樑中的一者開設有第三掛鉤，另一者開設有與所述第三掛鉤相配合的第三掛孔； <br/>和/或，所述前側加強件和所述側向加強件在第一方向上間隔佈置，且所述前側加強件位於所述側向加強件靠近所述底座的一側。
根據請求項1所述的框架，其中所述框架還包括與所述縱樑在第一方向上的另一端固定連接的頂部加強件，所述頂部加強件包括沿第二方向延伸的第一加強橫樑，所述第一加強橫樑的數量為兩個且在第三方向上間隔佈置； <br/>其中，所述第二方向垂直於所述第一方向，所述第三方向垂直於所述第一方向和所述第二方向中的任一者。
根據請求項6所述的框架，其中所述第一加強橫樑在所述第三方向上指向所述框架外的一端設置有加強板，所述加強板沿所述第一方向指向所述底座。
根據請求項7所述的框架，其中所述縱樑和所述加強板中的一者開設有預定位孔，另一者開設有與所述預定位孔相配合的預定位凸起。
根據請求項6所述的框架，其中所述頂部加強件還包括沿第三方向延伸的第二加強橫樑，所述第二加強橫樑包括前加強橫樑和後加強橫樑中的至少一者。
根據請求項9所述的框架，其中所述縱樑和所述後加強橫樑中的一者開設有預定位孔，另一者開設有與所述預定位孔相配合的預定位凸起； <br/>和/或，所述第一加強橫樑和所述第二加強橫樑中的一者開設有預定位掛鉤，另一者開設有與所述預定位掛鉤相配合的預定位掛孔； <br/>和/或，所述前加強橫樑在所述第二方向上指向所述框架外側的一端設置有第一安裝板，所述第一安裝板沿所述第二方向延伸； <br/>和/或，所述前加強橫樑上開設有器件掛孔； <br/>和/或，所述後加強橫樑在所述第二方向上指向所述框架外側的一端設置有第二安裝板，所述第二安裝板沿所述第一方向指向所述底座。
根據請求項1至10中任一項所述的框架，其中所述縱樑的長度方向為第一方向，所述縱樑的數量為至少四個並在垂直於所述第一方向的平面上限定出四邊形構造，至少部分所述縱樑位於所述四邊形的頂角處。
根據請求項11所述的框架，其中任意一個所述縱樑為一體式結構且與所述底座固定連接； <br/>和/或，所述底座包括底板和翻邊，所述縱樑在所述第一方向上的一端與所述翻邊固定連接。
根據請求項12所述的框架，其中所述翻邊在第二方向上的一端具有開口，所述開口連通所述底座的內外兩側，所述底板與所述開口相對的側緣設置有折邊，所述折邊的至少部分位於所述底板背向所述翻邊的一側； <br/>和/或，所述翻邊和所述縱樑中的一者開設有第一掛鉤，另一者開設有與所述第一掛鉤相配合的第一掛孔。
一種清潔設備，包括請求項1至13中任一項所述的框架，還包括前門板和位於所述框架內的所述筒體和所述基站模組，所述基站模組與所述底座圍合形成容納空間，所述容納空間相對於所述前門板露出。
一種清潔系統，包括請求項14所述的清潔設備，還包括地面清潔主機，所述地面清潔主機能與所述基站模組配合使用，並相對於所述容納空間進出。
一種流體連接裝置，包含： <br/> 一第一主體，該第一主體包含一第一殼體、一套筒組件、一第一閥體及一第一彈性件，該第一殼體具有一第一通道，該套筒組件設置於該第一通道中，該第一閥體設置於該套筒組件中，該套筒組件具有自該套筒組件之內壁周向突出之一第一凸壁及一第二凸壁，該第一凸壁環繞形成一第一開口，該第一凸壁及該第二凸壁於一參考軸上間距排列，該第一閥體設置於該第一凸壁及該第二凸壁之間，該第一彈性件一端抵於該第二凸壁，該第一彈性件之另一端抵於該第一閥體，該第一彈性件提供一彈力使該第一閥體之一端封閉該第一開口；以及<br/> 一第二主體，具有一第二通道，該第二主體之一端能插設於該第一通道；<br/> 其中該套筒組件能沿該參考軸相對該第一殼體移動，當該第二主體插設於該第一通道且該套筒組件位於一第一位置時，該第一閥體封閉該第一開口；當該套筒組件往該第二主體的方向移動而位於一第二位置時，該第二主體穿過該第一開口而推抵該第一閥體，以壓縮該第一彈性件，使該第一閥體脫離且開啟該第一開口，該第一通道與該第二通道連通。
如請求項1所述之流體連接裝置，其中該套筒組件之外壁具有一環狀分隔部，該環狀分隔部與該第一殼體之內部抵接，該環狀分隔部將該第一殼體與該套筒組件間之空間分隔為一第一氣室及一第二氣室，該第一氣室及該第二氣室於該參考軸上排列設置，該第一殼體具有一第一噴嘴及一第二噴嘴，該第一噴嘴與該第一氣室連通，該第二噴嘴與該第二氣室連通。
如請求項2所述之流體連接裝置，其中該套筒組件包含相連接之一第一套筒、一第二套筒及一第三套筒，該第一套筒一側具有一插槽，另一側具有該第一凸壁，該第二主體能插設於該插槽中，第二套筒部分插設於該第一套筒中，且該第二套筒具有該第二凸壁，該第三套筒具有該環狀分隔部，該第二套筒穿設於該第三套筒中。
如請求項3所述之流體連接裝置，其中該第一殼體內部具有一管道，該第二套筒部分穿設於該管道中，該第三套筒套設於該管道外。
如請求項4所述之流體連接裝置，其中該第二套筒之外壁具有一環狀卡抵部，該套筒組件位於該第一位置時，該環狀卡抵部與該管道之管口抵接，該套筒組件位於該第二位置時，該環狀卡抵部脫離該管道之管口。
如請求項1所述之流體連接裝置，其中該第二主體包含一第二殼體、一第二閥體及一第二彈性件，該第二殼體具有該第二通道，該第二殼體具有自內壁周向突出之一第三凸壁及一第四凸壁，該第三凸壁環繞形成一第二開口，該第三凸壁及該第四凸壁於該參考軸上間距排列，該第二閥體設置於該第三凸壁及該第四凸壁之間，該第二彈性件一端抵於該第四凸壁，該第二彈性件之另一端抵於該第二閥體，該第二彈性件提供一彈力使該第二閥體之一端封閉該第二開口。
如請求項1所述之流體連接裝置，其中該第二主體之外周壁具有周向設置之複數卡合件，該第一通道內壁具有與該些卡合件對應之複數卡合槽。
如請求項7所述之流體連接裝置，其中各該卡合槽具有相連通之一缺口及一旋轉槽，各該卡合件能通過該缺口進入各該旋轉槽並沿該旋轉槽旋轉，以容置於該旋轉槽中，當各該卡合件容置於該旋轉槽中，各該卡合件之移動受到該旋轉槽於該參考軸方向的限制。
如請求項1所述之流體連接裝置，其中該第一通道包含一第一段及一第二段，該套筒組件位於該第一位置時，該第一段與該第二段未連通，該第二主體部分容置於該第二段中，該第一殼體具有與該第二段連通之一清洗噴嘴及一排水管接頭。
一種低壓注膠設備，包括： <br/>一熔膠缸組件，包括一膠缸外筒、一膠缸內筒和一加熱器，該膠缸外筒的內壁沿周向均勻間隔設有呈片狀的複數個第一加熱柵，該膠缸外筒的底部設有一第一出料口，該膠缸外筒底部亦固定連接有一固定座，該固定座上設有與該第一出料口連通的一連接通孔，該膠缸內筒嵌套於該膠缸外筒內部，該膠缸內筒的側壁沿周向均勻間隔設有複數個第二加熱柵，該等第二加熱柵為與該等第一加熱柵的形狀相對應的向內凸起的殼體，該膠缸內筒的底部設有與該第一出料口相對應的一第二出料口，該加熱器設於該膠缸外筒外側；以及 <br/>一一體式泵浦注膠組件，包括依次連接的一調壓閥、一齒輪泵和一膠槍，該齒輪泵包括一泵體和一齒輪機構，該泵體內設有一儲液腔，該泵體的側壁設有與該儲液腔連通的一進液孔，該進液孔連接有一進液接頭，該進液接頭連通該連接通孔的底端，該泵體的一端設有與該儲液腔連通的一出液孔，該齒輪機構設于該儲液腔內，其用於帶動一膠料流動，該膠槍內設有一注膠腔，該注膠腔的一端與該出液孔連通，另一端設為一注塑口，該調壓閥包括一氣缸和一閥針，該氣缸安裝在該泵體上，該閥針的一端與該氣缸連接，另一端穿設在該儲液腔和該注膠腔內，並朝向該注塑口方向延伸，該氣缸用於驅動該閥針沿軸向做直線往復運動。
如請求項1之低壓注膠設備，其中該泵體包括一齒輪泵護套以及依次安裝在該齒輪泵護套內的一上蓋、一中間體和一下蓋，該齒輪機構包括一主動軸、一從動軸、一主動齒輪、一從動齒輪和一電機，該主動軸的一端轉動連接在該下蓋上，另一端依次活動穿過該上蓋和該調壓閥並與該電機的一輸出端連接，該從動軸與該主動軸平行，且該從動軸的兩端分別轉動連接在該上蓋和該下蓋上，該主動齒輪和該從動齒輪分別同軸連接在該主動軸和該從動軸上，且該主動齒輪與該從動齒輪嚙合，該調壓閥底部固定連接有一安裝座，該安裝座用於安裝在一設備工作臺上，該電機固定連接在該安裝座上。
如請求項1之低壓注膠設備，其中該氣缸包括一缸體、一第一氣缸前蓋、一第一活塞和一第一活塞桿，該缸體上設有圓柱形的一第一腔體，該第一氣缸前蓋固定連接在該第一腔體的一開口端，該第一氣缸前蓋上設有一導向孔，該第一活塞位於該第一腔體內且與該第一腔體內壁滑動配合，該第一活塞桿的一端與該第一活塞固定連接，另一端活動穿出該第一氣缸前蓋的該導向孔並螺紋連接有一閥針座，該閥針座上設有一T型通槽，該閥針與該氣缸的連接端設有圓柱形的一限位頭，該限位頭的直徑大於該閥針的直徑，且該限位頭與該閥針的側壁之間形成有環形的一第一台階，該閥針通過該限位頭與該T型通槽連接。
如請求項3之低壓注膠設備，其中該泵體上還安裝有與該閥針座相對的一閥針套，該閥針遠離該閥針座的一端依次活動穿過該閥針套、該儲液腔和該出液孔並插入該注膠腔內。
如請求項3之低壓注膠設備，其中該缸體上還設有圓柱形的一第二腔體，該氣缸還包括一第二氣缸前蓋、一第二活塞和一第二活塞桿，該第二氣缸前蓋固定連接在該第二腔體的一開口端，該第二氣缸前蓋上也設有一導向孔，該第二活塞位於該第二腔體內且與該第二腔體內壁滑動配合，該第二活塞桿的一端與該第二活塞固定連接，另一端活動穿出該第二氣缸前蓋的該導向孔並螺紋連接有一端部螺絲，該泵體上還設有一第一安全通道、一第二安全通道、一第三安全通道和一調壓閥組件，該第一安全通道呈圓柱形且與該端部螺絲同軸設置，該第二安全通道的一端與該出液孔和該儲液腔上靠近該出液孔的一端連通，另一端與該第一安全通道連通，該第二安全通道與該第一安全通道之間設有呈圓柱形的一連接通道，該連接通道的內徑小於該第一安全通道的內徑，且該連接通道與該第一安全通道之間形成有具有錐度的一第二台階，該第三安全通道的一端與該第一安全通道連通，另一端與該儲液腔上靠近該進液孔的一側連通，該調壓閥組件包括一調壓閥頂桿和一鋼珠，該調壓閥頂桿的一端插設於該第一安全通道內且與該第一安全通道內壁滑動配合，另一端位於該第一安全通道外且頂在該端部螺絲上，該鋼珠設於該第一安全通道內且位於該第二台階與該調壓閥頂桿之間，該鋼珠的直徑大於該連接通道的內徑且小於該第一安全通道的內徑。
如請求項5之低壓注膠設備，其中該缸體上還設有第一進氣通道、第二進氣通道和第三進氣通道，該第一進氣通道、第二進氣通道和第三進氣通道的進氣口分別連接有第一快速接頭、第二快速接頭和第三快速接頭，該第一進氣通道與第一腔體的無桿腔部分連通，該第二進氣通道與第一腔體的有桿腔部分連通，該第三進氣通道與第二腔體的無桿腔部分連通。
如請求項1之低壓注膠設備，其中該膠槍包括一膠槍護套和安裝在該膠槍護套內的一槍體和一發熱圈，該槍體的一端設有與該泵體的該出液孔插接的一連接頭，另一端連接有一槍嘴，該槍體內部同軸安裝有一隔套，該注膠腔形成於該隔套和該槍嘴內部，該發熱圈環繞設於該槍體外側。
如請求項1之低壓注膠設備，其中該加熱器包括一線圈骨架和一感應線圈，該線圈骨架套設於該膠缸外筒外側且與該膠缸外筒固定連接，該線圈骨架外側環繞設有複數組線槽，該感應線圈環繞設於該線圈骨架外側且卡入該等線槽內。
如請求項8之低壓注膠設備，其中該膠缸外筒的上部外壁沿周向間隔設有複數個連接耳，該等連接耳上皆設有一連接孔，該等連接孔穿設有與該線圈骨架螺紋連接的螺絲。
一種第一連接器，其中，包括：<br/> 第一殼體；以及<br/> 第一端子組件，前述第一端子組件至少部分設於前述第一殼體；前述第一端子組件包括第一端子模組、至少部位設置在前述第一端子模組的外圍的導電殼體、以及與前述第一端子模組電性連接的第一線纜；前述第一端子模組包括第一導電端子以及第二導電端子，前述第一導電端子以及前述第二導電端子均包括接觸部以及尾部；<br/> 前述第一線纜包括第一導電線以及第二導電線；<br/> 前述導電殼體包括第一導電殼體以及與前述第一導電殼體相配合的第二導電殼體，前述第一導電殼體與前述第二導電殼體形成了第一空間、與前述第一空間相連通的第二空間、以及與前述第二空間相連通的第三空間；<br/> 前述第一端子模組至少部分位於前述第一空間中；<br/> 前述第一導電線與前述第一導電端子的尾部的連接部位以及前述第二導電線與前述第二導電端子的尾部的連接部位均至少部分位於前述第二空間中；<br/> 前述第一線纜至少部分位於前述第三空間中。
如請求項1所述的第一連接器，其中：前述第一導電線與前述第一導電端子的尾部的連接部位以及前述第二導電線與前述第二導電端子的尾部的連接部位與空氣接觸。
如請求項1所述的第一連接器，其中：前述第一端子組件沿第一方向至少部分裝設於前述第一殼體；<br/> 前述第一導電殼體與前述第二導電殼體沿第二方向相配合；<br/> 前述第一導電端子以及前述第二導電端子沿第三方向間隔佈置；<br/> 前述第一方向、前述第二方向以及前述第三方向兩兩相互垂直。
如請求項3所述的第一連接器，其中：前述第一空間在由前述第二方向和前述第三方向所組成的平面內的投影呈矩形。
如請求項3所述的第一連接器，其中：前述第三空間在由前述第二方向和前述第三方向所組成的平面內的投影呈橢圓形，且前述橢圓形的長軸沿前述第三方向延伸；<br/> 前述第一導電殼體包括第一覆蓋部，前述第二導電殼體包括第二覆蓋部；<br/> 前述第一線纜在由前述第二方向和前述第三方向所組成的平面內的投影呈橢圓形，前述第三空間的形狀與前述第一線纜的形狀相適配，且前述第一覆蓋部以及前述第二覆蓋部至少部分包裹前述第一線纜。
如請求項1所述的第一連接器，其中：前述第一導電殼體包括第一基部、第一覆蓋部、以及位於前述第一基部與前述第一覆蓋部之間的第一中間部；前述第二導電殼體包括第二基部、第二覆蓋部、以及位於前述第二基部與前述第二覆蓋部之間的第二中間部；<br/> 前述第一空間由前述第一基部與前述第二基部共同形成；前述第二空間由前述第一中間部與前述第二中間部共同形成；前述第三空間由前述第一覆蓋部與前述第二覆蓋部共同形成。
如請求項6所述的第一連接器，其中：前述第一中間部以及前述第二中間部均為拉伸結構。
如請求項6所述的第一連接器，其中：前述第一基部包括第一外壁部、自前述第一外壁部的一側折彎而成的第一側向壁部、以及自前述第一外壁部的另一側折彎而成的第二側向壁部；<br/> 前述第二基部包括第三外壁部、自前述第三外壁部的一側折彎而成的第三側向壁部、以及自前述第三外壁部的另一側折彎而成的第四側向壁部；<br/> 前述第一側向壁部與前述第三側向壁部相對應，前述第二側向壁部與前述第四側向壁部相對應。
如請求項8所述的第一連接器，其中：前述第一側向壁部設有第一定位凸包，前述第三側向壁部設有第一定位缺口，前述第一定位凸包與前述第一定位缺口相配合。
如請求項8所述的第一連接器，其中：前述第一側向壁部設有第一定位凹口，前述第二側向壁部設有第二定位凹口，前述第三側向壁部設有第三定位凹口，前述第四側向壁部設有第四定位凹口；<br/> 前述第一定位凹口與前述第三定位凹口相連通，以共同形成位於前述導電殼體的一側的第一安裝凹口；前述第二定位凹口與前述第四定位凹口相連通，以共同形成位於前述導電殼體的另一側的第二安裝凹口；<br/> 前述第一端子模組包括卡持在前述第一安裝凹口以及前述第二安裝凹口，且至少部分位於前述第一空間中的導電金屬塊。
如請求項10所述的第一連接器，其中：前述第一端子模組包括至少部分固定在前述第一導電端子上的第一絕緣隔離塊、至少部分固定在前述第二導電端子上的第二絕緣隔離塊、套設在前述第一絕緣隔離塊上且位於前述第一導電端子的外圍的第一屏蔽套、以及套設在前述第二絕緣隔離塊上且位於前述第二導電端子的外圍的第二屏蔽套；前述導電金屬塊設有讓前述第一屏蔽套穿過的第一穿孔以及讓前述第二屏蔽套穿過的第二穿孔。
如請求項6所述的第一連接器，其中：前述第一線纜包括沿周向包裹在前述第一導電線上的第一絕緣層、沿周向包裹在前述第二導電線上的第二絕緣層、以及設置在前述第一絕緣層和前述第二絕緣層的外部的第一屏蔽層；前述第一屏蔽層至少部分位於前述第三空間中。
如請求項12所述的第一連接器，其中：前述第一覆蓋部包括第一基礎部、與前述第一基礎部的一側相連的第一弧形部、以及與前述第一基礎部的另一側相連的第二弧形部；<br/> 前述第二覆蓋部包括第二基礎部、與前述第二基礎部的一側相連的第三弧形部、以及與前述第二基礎部的另一側相連的第四弧形部；<br/> 前述第一弧形部與前述第三弧形部相對應，前述第二弧形部與前述第四弧形部相對應。
如請求項13所述的第一連接器，其中：前述第一基礎部設有第一容錫穿孔，前述第二基礎部設有第二容錫穿孔，前述第一屏蔽層露出於前述第一容錫穿孔以及前述第二容錫穿孔中。
如請求項14所述的第一連接器，其中：前述第一弧形部設有第一容錫缺口槽，前述第二弧形部設有第二容錫缺口槽，前述第三弧形部設有第三容錫缺口槽，前述第四弧形部設有第四容錫缺口槽；<br/> 前述第一容錫缺口槽與前述第三容錫缺口槽相連通，以共同形成位於前述導電殼體的一側的第一側向容錫孔；前述第二容錫缺口槽與前述第四容錫缺口槽相連通，以共同形成位於前述導電殼體的另一側的第二側向容錫孔；<br/> 前述第一屏蔽層露出於前述第一側向容錫孔以及前述第二側向容錫孔中。
如請求項15所述的第一連接器，其中：前述第一容錫穿孔以及前述第二容錫穿孔沿第二方向分別位於前述第一屏蔽層的兩側，前述第一側向容錫孔以及前述第二側向容錫孔沿第三方向分別位於前述第一屏蔽層的兩側，前述第二方向垂直於前述第三方向。
如請求項6所述的第一連接器，其中：前述第一導電殼體包括自前述第一基部的一端回轉折彎而成的第一翻折部；<br/> 前述第二導電殼體包括自前述第二基部的一端回轉折彎而成的第二翻折部。
如請求項1所述的第一連接器，其中：前述第一端子組件包括第一屏蔽套筒，前述第一屏蔽套筒與前述導電殼體相接觸；<br/> 前述第一屏蔽套筒包括筒狀部，前述筒狀部設有中空的第一腔體，前述第一導電端子的接觸部以及前述第二導電端子的接觸部均至少部分延伸入前述第一腔體中。
如請求項18所述的第一連接器，其中：前述第一屏蔽套筒包括第一屏蔽殼體以及第二屏蔽殼體，前述第一屏蔽殼體與前述第二屏蔽殼體分體設置且相互固定在一起；前述第一屏蔽殼體與前述第二屏蔽殼體設有相互配合的至少一個凹口和至少一個凸出部，前述凸出部收容於前述凹口中。
如請求項19所述的第一連接器，其中：前述凹口與前述凸出部的形狀相適配。
一種連接器組件，其中，包括：<br/> 第一連接器，前述第一連接器為如請求項1至20中任意一項所述的第一連接器；以及<br/> 第二連接器，前述第二連接器包括第二殼體以及裝設於前述第二殼體的插接模組，前述第二殼體設有收容空間，前述第一連接器的第一殼體至少部分收容於前述收容空間中，前述插接模組包括第二端子組件，前述第二端子組件包括第二端子模組、至少部分圍繞在前述第二端子模組的周圍的第二屏蔽套筒、以及與前述第二端子模組電性連接的第二線纜；<br/> 前述第二端子模組包括第一對接端子以及第二對接端子，前述第一對接端子以及第二對接端子分別與前述第一連接器的第一導電端子以及前述第二導電端子相接觸。
一種紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置(2)係應用於一紗門、紗窗之自動化製造設備(1)上，包含： <br/>一膠條捲盤(10)，用於收納成捲的膠條(11)； <br/>一膠條捲盤支架(20)，該膠條捲盤支架(20)供該膠條捲盤(10)設置，使該膠條捲盤(10)可旋轉地支撐於該膠條捲盤支架(20)上； <br/>一動態校正單元(30)，設置於該膠條捲盤支架(20)的底部，具有一動力用於驅動該膠條捲盤支架(20)繞一預設的旋轉軸線進行主動旋轉校正； <br/>一膠條出料導向組(40)，配置於該膠條捲盤(10)的出料路徑上，用以穩定該膠條(11)的行進方向及出料路徑；以及 <br/>一張力偵測單元(50)，配置於該膠條捲盤(10)的出料路徑上，用以即時偵測該膠條(11)於出料過程中的張力變化； <br/>其中，當該張力偵測單元(50)偵測到該膠條(11)因扭曲形變而導致張力異常時，便控制該動態校正單元(30)帶動該膠條捲盤支架(20)朝一預定方向主動旋轉，藉此即時校正該膠條(11)自該膠條捲盤(10)拉出時所產生的扭曲形變，以確保該膠條(11)在後續的紗網安裝過程中維持平整度及張力均勻性。
如請求項1所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其中該動態校正單元(30)包含一驅動馬達(31)及一傳動機構(32)提供該動力，該驅動馬達(31)的輸出軸透過該傳動機構(32)連接到該膠條捲盤支架(20)，以驅動該膠條捲盤支架(20)旋轉。
如請求項1所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，該張力偵測單元(50)配置於該膠條出料導向組(40)上，其中該張力偵測單元(50)包含一縱向滑軌(51)、一動滑輪(52)及至少一第一偵測器(53)，該動滑輪(52)滑設於該縱向滑軌(51)，該膠條(11)繞過該動滑輪(52)，且該動滑輪(52)的位置變化反映該膠條(11)張力變化，該第一偵測器(53)用於界定該膠條(11)張力的正常範圍位置。
如請求項3所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其中當該動滑輪(52)因張力異常而脫離該第一偵測器(53)所界定之正常範圍位置時，控制系統即啟動該動態校正單元(30)進行主動旋轉校正。
如請求項4所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其中該張力偵測單元(50)更包含一第二偵測器(54)，該第二偵測器(54)位於該第一偵測器(53)的上方，當該動滑輪(52)移動至該第二偵測器(54)時，控制系統即啟動緊急停機程序。
如請求項1所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其中該自動校正裝置更包含一壓入機構(60)，該壓入機構(60)配置於該膠條出料導向組(40)的下游，用於將經過校正的膠條(11)壓入紗門、紗窗框體的膠條槽中。
如請求項1所述之紗門、紗窗的紗網膠條安裝自動校正裝置，其中該膠條出料導向組(40)包含複數導引滾輪(41)，用以穩定該膠條(11)的行進方向及出料路徑。
一種電氣雙動能夾爪，包括：<br/> 一馬達；<br/> 一滾珠螺桿，與該馬達連接，且由該馬達驅動，使套設於該滾珠螺桿上的一螺帽沿一第一方向往復移動；<br/> 一氣壓組件，與該滾珠螺桿沿著該第一方向對應設置，且包含：<br/> 一密封腔室； <br/> 一活塞，容置於該密封腔室，且受氣壓推動沿著該第一方向往復移動；以及<br/> 一活塞桿，穿設該活塞，該活塞桿與該滾珠螺桿沿該第一方向對應設置，該活塞桿包含相對的一第一端部及一第二端部，該螺帽與該第一端部連接或被該第一端部帶動； <br/> 一傳動夾爪，連接於該活塞桿之該第二端部；以及<br/> 一切換元件，組配於該螺帽與該活塞桿之該第一端部之間，且該切換元件與該螺帽為可拆式的連接，當該切換元件連接於該螺帽時由該螺帽沿該第一方向往復移動來帶動該活塞桿以使該傳動夾爪開合，當該切換元件解開與該螺帽的連接時由該活塞沿該第一方向往復移動來帶動該傳動夾爪開合。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該馬達與該滾珠螺桿為非同軸配置，且透過一傳動元件帶動該滾珠螺桿，該傳動元件連接於該馬達與該滾珠螺桿之間。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該馬達與該滾珠螺桿為同軸配置。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該切換元件包含一第一通孔，該滾珠螺桿沿該第一方向穿設該第一通孔，且該第一通孔與該螺帽同心設置。
如請求項4所述之電氣雙動能夾爪，其中該活塞桿更包含一套筒部設置於該第一端部，該套筒部沿該第一方向對應套設該滾珠螺桿。
如請求項5所述之電氣雙動能夾爪，其中該切換元件包含一凹槽部與該活塞桿之該套筒部於該第一方向抵接。
如請求項6所述之電氣雙動能夾爪，其中該活塞桿之該套筒部之一外圓周壁與該切換元件之該凹槽部之一內圓周壁相互組配。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該切換元件包含至少一插銷，該至少一插銷沿著一第二方向可拆式地緊固該切換元件與該螺帽，其中該第二方向與該第一方向相互垂直。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該馬達輸出一第一動力，該氣壓組件輸出一第二動力，且該第一動力及該第二動力至少擇一輸出。
如請求項9所述之電氣雙動能夾爪，其中當該第一動力及該第二動力同時輸出時，該第一動力大於該第二動力。
如請求項1所述之電氣雙動能夾爪，其中該活塞桿沿著該第一方向往復移動帶動該傳動夾爪沿著一第二方向開合，其中該第二方向與該第一方向相互垂直。
如請求項11所述之電氣雙動能夾爪，其中該傳動夾爪包含一連桿式結構。
如請求項12所述之電氣雙動能夾爪，其中該傳動夾爪包含一斜楔式結構。
一種包覆式磁吸浮標收納器，包括：<br/> 一座體，具有一底板，該底板朝上延伸出兩長邊與兩弧邊以構成橢圓形結構，該底板內設有複數個第一磁吸件，該弧邊穿設有一夾線槽；<br/> 二止檔件，分別固設於該弧邊內側，其中一止檔件具有一縫槽狀夾線縫並與該夾線槽對應設置，該止檔件頂部形成一凹槽結合部，其底部固設一第二磁吸件，該止檔件與該底板及該長邊形成一收納空間用以容置一浮標；以及<br/> 一磁吸上蓋，可拆裝地蓋設於該止檔件頂面，其下表面設有一凸柱結合部並可穿伸進入該凹槽結合部內，該凸柱結合部頂部固設一第三磁吸件，以使該上蓋與該止檔件藉磁吸力相互吸附固定，構成可包覆收納之結構。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該座體為塑膠或樹脂射出成形結構，以容納該第一磁吸件嵌置其中。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該座體外側環設有一繞線槽以供一釣線纏繞收納。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該些第一磁吸件配置於該底板內部以形成多點定位效果。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該止檔件為但不限於可撓彈性之泡棉、橡膠或軟質塑料任其中一種材質。
如申請專利範圍第5項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該止檔件的彈性係數為0.1GPa至10GPa，用以包覆該浮標時提供緩衝並減少晃動。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該縫槽狀夾線縫，用於夾持一釣線或一魚鉤。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該夾線槽與該縫槽狀夾線縫在位置上對應排列，以形成一釣線或一魚鉤導引路徑，進一步地，該些止檔件各具有一縫槽狀夾線縫且與該夾線槽對應設置。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該凹槽結合部與該凸柱結合部形狀相互配合以實現定位導引。
如申請專利範圍第1項所述的包覆式磁吸浮標收納器，其中該第二磁吸件與該第三磁吸件之磁吸力為可分離強度設計，以平衡閉合穩定性與拆裝便利性。
一種用於菌菇培養之PP材質透氣塞，其包含：一束環，設置於一太空包之袋口位置；一透氣塞，係塞設於該束環內，並具有一開口；以及一透氣布，覆蓋於該透氣塞之開口，其特徵在於：所述透氣布為聚丙烯(PP)材質之不織布，具有可供氣體通過而阻隔水分及雜菌進入之功能，並於菌菇培養期間提供穩定氣體交換環境。
如請求項1所述之用於菌菇培養之PP材質透氣塞，其中，該透氣布與該透氣塞之接觸面系可經由塑膠熔接方式固定。
如請求項1所述之用於菌菇培養之PP材質透氣塞，其中，該透氣布係為三層結構，包含：<br/>一表層，為防撥水性之紡黏不織布，用以組合液體和雜菌；<br/>一濾層，為熔噴不織布，用以過濾空氣中微粒；以及<br/>一支撐層，為針刺不織布或水針不織布，用以提升整體結構穩定性和導氣效率。
如請求項3所述之用於菌菇培養之PP材質透氣塞，其中，所述三層透氣布係以熱壓或超音波熔合方式形成一體式多層結構。
一種充氣床之斜矩形拉線結構，其包括：<br/>二內基礎層；<br/>複數拉線列組，各拉線列組乃是由複數等距排列之拉線組所組成，而各拉線組則由四拉線所組成，且各拉線組並來回等距穿設於二內基礎層上，使二內基礎層之間形成有一充氣空間；<br/>二外接觸層，分別貼置於上述二內基礎層之外表面上，並在拉線組穿設於二內基礎層之位置上形成有複數凹點。
如請求項1所述之充氣床之斜矩形拉線結構，其中各拉線列組之間乃以2.7cm等距方式並列。
如請求項1所述之充氣床之斜矩形拉線結構，其中各拉線組乃以直向接序並以0.85cm等距方式排列。
如請求項1所述之充氣床之斜矩形拉線結構，其中四拉線之間乃以1cm等距方式排列成一斜矩形之型式。
如請求項1所述之充氣床之斜矩形拉線結構，其中外接觸層乃是由TPU(Thermoplastic Polyurethane熱塑性聚氨酯)所製成。
一種折疊椅之收納保護套，其包括：<br/>一袋體，其內具有一容置空間；<br/>一第一開口，以縱向設置於袋體之一側上；<br/>一上開口，設置於袋體上端，該上開口乃位於第一開口之末端，並與第一開口連通；<br/>一第二開口，設置於袋體之一側下方，並相對於該第二開口之位置上設置有一容置袋體。
如請求項1所述之折疊椅之收納保護套，其中第一開口上設置有拉鍊與魔鬼氈之其一者。
如請求項1所述之折疊椅之收納保護套，其中第二開口上設置有拉鍊與魔鬼氈之其一者。
如請求項1所述之折疊椅之收納保護套，其中容置袋體乃位於袋體之容置空間內。
如請求項1所述之折疊椅之收納保護套，其中另有一帶體設置於袋體一側之外表面上並位於第二開口上方。
一種醬料產品結構，包含：<br/> 一容器，包含一環繞壁、一開放端及一底座，該環繞壁環繞設置於該開放端的一周緣，且該底座設置於該環繞壁遠離該開放端的一端以形成一內部空間；以及<br/> 一醬料體，容置於該容器的該內部空間，其中該醬料體包含：<br/> 複數水果粉體，每一該些水果粉體的一粒徑為400 μm至600 μm；及<br/> 一介質，該些水果粉體均勻分散於該介質中。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中每一該些水果粉體為一草莓粉體、一金桔粉體、一檸檬粉體、一芭樂粉體、一木瓜粉體、一百香果粉體、一桶柑粉體或一香蕉粉體。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中每一該些水果粉體的一含水量為0 wt%至2 wt%。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中該醬料體更包含：<br/> 複數胡椒顆粒；及<br/> 複數蒜粉顆粒，該些胡椒顆粒和該些蒜粉顆粒均勻分散於該介質中。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中該介質包含水。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中該介質包含一界面活性劑。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中該些水果粉體對該醬料體的一重量百分比為4 wt%至99 wt%。
如請求項7所述的醬料產品結構，其中該些水果粉體對該醬料體的該重量百分比為4 wt%至10 wt%。
如請求項1所述的醬料產品結構，其中該醬料體更包含：<br/> 複數金屬鹽顆粒，其中該些金屬鹽顆粒均勻分散於該介質中。
如請求項9所述的醬料產品結構，其中每一該些金屬鹽顆粒為一氯化鈉顆粒或一氯化鉀顆粒。
一種電磁式釣魚教具改良，其構成包含一釣竿、一組設<br/> 於該釣竿上之發電單元、金屬釣線，以及若干磁性釣餌，其中：<br/> 該發電單元係組設於該釣竿一端之握部適當處，其內緣設有一發電器，該發電器傳動軸一端組接有一設於外側之搖柄，另端凸設有一正極導片及負極導片，該正、負極導片係分別與該金屬釣線電性連接；<br/> 該金屬釣線具有一正極導線及負極導線，其位於釣竿的前端分別設有一金屬夾；<br/> 各該磁性釣餌係一金屬塊一端外緣繞設線圈，另端凸設一較小尺寸的磁吸部，該線圈繞設於該金屬塊外緣時，係向外延伸出二連接端，用以分別供該正極導線與負極導線外端的金屬夾夾設，又每個磁性釣餌繞設的線圈數並不相同，當該發電單元產生電流時，線圈數較多的磁性釣餌產生的電磁吸力相對較大，可供使用者選用其中一個與金屬釣線連結；據以可供使用者進行利用磁吸釣有金屬的假魚，達到寓教於樂目的。
依請求項１所述之電磁式釣魚教具改良，其中該發電器與搖柄之間可設一齒輪組，該齒輪組包括一被該搖柄帶動的第一大齒輪、一被該第一大齒輪帶動的第一小齒輪、一與該第一小齒輪同軸轉動的第二大齒輪，以及一組設於該發電器之傳動軸，可被該第二大齒輪嚙合傳動的第二小齒輪，利用齒輪組的設置，可加速該搖柄帶動該發電器轉動發電。
依請求項１所述之電磁式釣魚教具改良，其中該發電單元上可再設一燈泡，該燈泡一端凸露於該發電單元外，另端電性連接一電路板，該電路板再電性連接該發電器。
一種以熱固型背膠黏合的複合板結構，用於付費交易防竄改裝置，該以熱固型背膠黏合的複合板結構包括：<br/> 一薄膜，其厚度範圍為 0.05~0.2毫米 (mm)，該薄膜作為防竄改功能承載層與信號傳輸介質；<br/> 一熱固型背膠，其一面設置於該薄膜之底面，其中在一預壓黏合階段係以攝氏50~60度及壓力1~3Bar及時間5~20秒的一熱壓設備將該熱固型背膠壓合至該薄膜，其中該熱固型背膠之厚度範圍為0.03~0.15mm；以及<br/> 一載板基體，其頂部設置於該熱固型背膠之另一面，其中在一部品定位階段係將已壓合完成的該薄膜與該熱固型背膠進行定位擺放至該載板基體，再於一最終黏合階段以攝氏75~110度及壓力2~5Bar及10~480秒的該熱壓設備使該熱固型背膠達到預設定的黏合強度，以讓該薄膜與該載板基體完成膠合而一體成品。
如請求項1所述之以熱固型背膠黏合的複合板結構，其中該薄膜上設有一防竄改功能單元，該防竄改功能單元為一體成型的導電線路或導電塗層，且與該付費交易防竄改裝置的控制單元信號連接，該控制單元即時啟動防竄改防護措施。
如請求項1所述之以熱固型背膠黏合的複合板結構，其中該薄膜為柔性印刷電路板（Flexible Printed Circuit，簡稱FPC）薄膜，並且在該薄膜具有一印刷電路圖案。
如請求項1所述之以熱固型背膠黏合的複合板結構，其中該載板基體之材料為塑料基材或陶瓷材料。
如請求項1所述之以熱固型背膠黏合的複合板結構，其中該預壓黏合階段，透過人工或自動化設備將該熱固型背膠的一面對齊鋪設於該薄膜的底面，以確保該熱固型背膠的邊緣與該薄膜的邊緣的偏差≤0.2mm。
如請求項1所述之以熱固型背膠黏合的複合板結構，其中該最終黏合階段，該熱固型背膠發生交聯反應，且完全固化後形成緻密的黏合層，其與該薄膜、該載板基體形成化學鍵結，並且在該熱固型背膠完全固化後，控制該熱壓設備以 3~5℃/min 的速率降溫至室溫，以避免快速降溫導致複合板結構產生內應力，降溫完成後，逐漸卸壓至常壓。
一種烘焙豆冷卻機，包含：<br/> 一本體，該本體包含多個側壁以界定出一腔室，且該腔室包含有一入風口、一第一出風口及一第二出風口；<br/> 一具有複數個孔洞的盛豆件，設置於該腔室的該入風口，該盛豆件包含一第一表面及相對該第一表面的一第二表面，該第一表面及該第二表面被該些孔洞穿透，且該第二表面用以承放烘焙豆；<br/> 一錐狀件，設置於該盛豆件的中心並位於該第二表面，以使該盛豆件形成一阻風區及一通風區，該阻風區重合該錐狀件的底部，且該通風區圍繞該阻風區；以及<br/> 一送風裝置，設於該入風口，並與該盛豆件的該第一表面保持一間距，該送風裝置經由該入風口輸送氣流至該腔室，且該氣流流經該盛豆件的該通風區，並可經由該第二出風口將該些烘焙豆帶離該腔室。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該盛豆件的外周緣及該阻風區的外周緣，均分佈有該些孔洞。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該本體為多邊形立方體。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該本體的該些側壁更界定出連通該腔室的一流道，且該烘焙豆冷卻機更包含：<br/> 一導流件，設於該流道內並位於該腔室的該第一出風口，該導流件具有柱體外形以引導該氣流沿該導流件的外環面產生渦旋流動。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該通風區的該些孔洞的總面積除以該阻風區的面積的比值為1.1-1.5。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該送風裝置為一風扇，且該風扇的出風口與該盛豆件的該間距為15-25mm。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該本體於對應該第二出風口位置處設有一活動門及一擋板，該烘焙豆可於該活動門開啟時被該氣流帶離該腔室，且該擋板可限制該烘焙豆離開該腔室的路徑。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中該本體的材質為不鏽鋼或壓克力，且該錐狀件的材質為PP或PETG塑膠。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中各該通孔的孔徑為5-6mm，且兩相鄰通孔的中心間距為7-8mm。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，其中盛豆件為一八角形濾網。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，更包含：<br/> 一控制單元，用以根據一預設程序調整該送風裝置的出風量。
如請求項11所述的烘焙豆冷卻機，其中該控制單元依據如下關係式計算該送風裝置的所需出風量：<br/> Q = (2.650 + 0.00221W)╳(DA/47.09)，其中Q為該送風裝置的所需出風量(m³/min)，W為置於該盛豆件上的烘焙豆的重量(g)，DA為該盛豆件於通風區的所有通孔的總面積(mm²)。
如請求項11所述的烘焙豆冷卻機，其中該控制單元依據如下關係式計算該送風裝置的所需出風量：<br/> Q=(2.650+0.00221 W)╳(C/83.81)，其中Q為該送風裝置的所需出風量(m³/min)，W為置於該盛豆件上的烘焙豆的重量(g)，C為該盛豆件的該通風區的面積(mm²)。
如請求項11所述的烘焙豆冷卻機，其中該控制單元可使該烘焙豆冷卻機於一冷卻模式及一出豆模式下運作，且該送風裝置於該冷卻模式及該出豆模式的出風量不同。
如請求項1所述的烘焙豆冷卻機，更包含：<br/> 一秤重單元，設置於該烘焙豆冷卻機的排豆口的下方，以量測由該排豆口排出的該些烘焙豆的重量。
如請求項15所述的烘焙豆冷卻機，其中該秤重單元的頂部具有一對位結構。
一種烘焙豆冷卻機，包含：<br/> 一本體，該本體包含多個側壁以界定出一腔室及連通該腔室的一流道，且該腔室包含有一入風口、一第一出風口及一第二出風口；<br/> 一具有複數個孔洞的盛豆件，設置於該腔室的該入風口，該盛豆件包含一第一表面及相對該第一表面的一第二表面，該第一表面及該第二表面被該些孔洞穿透，且該第二表面用以承放烘焙豆；<br/> 一錐狀件，設置於該盛豆件的中心並位於該第二表面，且該錐狀件僅遮蔽部分的該些孔洞；以及<br/> 一送風裝置，設於該入風口，並與該盛豆件的該第一表面保持一間距，該送風裝置經由該入風口輸送氣流至該腔室及該流道，並可經由該第二出風口將該些烘焙豆帶離該腔室；以及<br/> 一導流件，設於該流道內且位於該錐狀件的流路下游，該導流件具有柱體外形以引導該冷卻氣流沿該導流件的外環面產生渦旋流動。
如請求項17所述的烘焙豆冷卻機，其中該盛豆件的外周緣、及該盛豆件重合該錐狀件最外緣的部分，均分佈有該些孔洞。
如請求項17所述的烘焙豆冷卻機，更包含：<br/> 一集屑容器，設於該導流件的下方，用以收集由該渦旋流動帶動後沉降的烘焙豆皮屑。
如請求項17所述的烘焙豆冷卻機，其中盛豆件由位於該本體內水平擺置的一濾網所構成，且該導流件為一空心柱狀體。
如請求項17所述的烘焙豆冷卻機，更包含：<br/> 一秤重單元，設置於該烘焙豆冷卻機的排豆口的下方，以量測由該排豆口排出的該些烘焙豆的重量。
如請求項21所述的烘焙豆冷卻機，其中該秤重單元的頂部具有一對位結構。
一種基板儲存盒，用以儲存多個基板，該基板儲存盒包含：<br/> 一盒體，具有上下相對的一頂壁及一底壁，以及連接於該頂壁與該底壁之間的兩個側壁及一後壁，該頂壁、該底壁、該兩個側壁及該後壁共同界定具有一前部開口且用以儲存該等基板的一容置空間；<br/> 一前門板，用以設於該盒體的該前部開口；<br/> 多個保持結構，設於該前門板與該盒體的該後壁且用以保持該等基板的位置，各該保持結構具有設置於該前門板或該盒體的該後壁的一設置部、朝向該容置空間的一保持部，以及連接於該設置部與該保持部之間的彈性連接臂。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，該彈性連接臂呈S形波浪狀且具有兩個轉折部。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，各該保持結構具有多個所述彈性連接臂，且各該保持結構還具有各自位於相鄰的所述彈性連接臂之間的多個鏤空部。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，各該保持結構的該保持部呈平直長板狀。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，各該保持結構的該保持部呈截面為V字型結構的V型長柱狀。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，各該保持結構的該保持部呈截面為U字型結構的U型長柱狀。
如請求項1所述的基板儲存盒，其中，該設置部具有至少一設置板，該設置板用以設置於構造在該盒體或該前門板上的設置構造，該設置板具有一第一側緣與一第二側緣、形成在該第一側緣的一定位槽，以及形成在該第二側緣的兩個榫接槽，所述設置構造具有用以卡入該定位槽且用以定位該第一側緣的一定位卡勾、用以榫接於該兩個榫接槽的兩個榫接凸塊，以及用以定位該第二側緣的一定位凸塊。
一種保持結構，用以設置於一基板儲存盒，以保持該基板儲存盒內的多個基板，該保持結構具有設置於該基板儲存盒的一前門板或一盒體的一後壁的一設置部、朝向該盒體的一容置空間的一保持部，以及連接於該設置部與該保持部之間的彈性連接臂。
如請求項8所述的保持結構，其中，該彈性連接臂呈S形波浪狀且具有兩個轉折部。
如請求項8所述的保持結構，其中，該保持結構具有多個所述彈性連接臂，且該保持結構還具有各自位於相鄰的所述彈性連接臂之間的多個鏤空部。
如請求項8所述的保持結構，其中，該保持結構的該保持部呈平直長板狀。
如請求項8所述的保持結構，其中，該保持結構的該保持部呈截面為V字型結構的V型長柱狀。
如請求項8所述的保持結構，其中，該保持結構的該保持部呈截面為U字型結構的U型長柱狀。
如請求項8所述的保持結構，其中，該設置部具有至少一設置板，該設置板用以設置於構造在該盒體或該前門板上的設置構造，該設置板具有一第一側緣與一第二側緣、形成在該第一側緣的一定位槽，以及形成在該第二側緣的兩個榫接槽，所述設置構造具有用以卡入該定位槽且用以定位該第一側緣的一定位卡勾、用以榫接於該兩個榫接槽的兩個榫接凸塊，以及用以定位該第二側緣的一定位凸塊。
一種複合式間隔件，包括：<br/> 一單塊式導電複合本體，具有相對之第一端面與第二端面；<br/> 至少一貫穿該導電複合本體厚度之開口；以及<br/> 一導電填充物，點膠填入該開口並經固化、回焊及/或燒結，以形成至少一連續自該第一端面延伸至該第二端面之垂直導電柱；<br/> 其中，該複合式間隔件適於使所述第一端面接合於一第一基板，且所述第二端面接合於一第二基板。
如請求項1所述之複合式間隔件，其中，該導電複合本體包含：<br/> 至少95 wt％之多晶β-SiC基質；及<br/> 0.5–5 wt％之類石墨烯碳相，分散於該基質中並形成導電連通網絡；<br/> 其中，該導電複合本體之金屬雜質總含量不超過1 ppm，且在25 ℃時具有體積電阻率不超過5×10⁻³ Ω·cm、熱傳導係數至少200 W/m·K，並於25–100 ℃範圍內之線性熱膨脹係數不超過5×10⁻⁶/K。
如請求項2所述之複合式間隔件，其中，該導電複合本體為真空熱壓燒結所得，燒結條件包括溫度約2200–2400 ℃、單軸壓力約20–40 MPa、真空度約10⁻³–10⁻⁶ Torr。
如請求項2所述之複合式間隔件，其中，該導電複合本體進一步由石墨相氮化碳於燒結過程中原位分解所釋放之氮摻雜至β-SiC晶格，並形成額外石墨碳以強化所述導電連通網絡。
如請求項1或請求項2所述之複合式間隔件，其中，該導電填充物選自奈米銀膏、錫基焊膏、或導電膠。
如請求項1或請求項2所述之複合式間隔件，其中，該第一端面與該第二端面之至少一部分具有金屬化堆疊，所述金屬化堆疊選自Cu、Ti/Cu、Ti/Ni/Ag、Ti/Ni/Au或其組合。
如請求項1或請求項2所述之複合式間隔件，其中，該導電複合本體界定多個所述開口，該開口排列為矩陣式、線性或區域化群集配置，以依需要調整承載電流與熱通量。
如請求項1或請求項2所述之複合式間隔件，其中，該導電複合本體之厚度為約0.5–2.0 mm，開口之孔徑為約0.2–0.8 mm，且相鄰開口之中心距為約0.5–1.5 mm。
一種充電盒，其中，包括一殼體、一蓋板、一轉軸和一第一磁性吸附組件，該蓋板能夠沿一第一方向蓋設於該殼體，該轉軸沿一第二方向設置，該轉軸滑動連接於該殼體且能夠在一第一位置和一第二位置之間滑動，該蓋板設有一凸起，該凸起轉動連接於該轉軸；沿一第三方向推動該蓋板，該凸起帶動該轉軸相對該殼體滑動；該第一方向、該第二方向和該第三方向，兩兩之間呈夾角設置；<br/> 該轉軸位於該第一位置，該殼體和該蓋板處於一合蓋狀態下，透過該第一磁性吸附組件進行磁性吸附實現相互鎖定；該轉軸處於該第二位置，該殼體和該蓋板處於一解鎖狀態，該蓋板能夠繞該轉軸轉動，使得該殼體和該蓋板處於一開蓋狀態。
如請求項1所述的充電盒，其中，該殼體設有一凹槽，該凹槽的兩個側壁均設有一滑槽，該轉軸的兩端滑動連接於該滑槽，該凸起位於該凹槽內且轉動連接於該轉軸。
如請求項2所述的充電盒，其中，該凹槽為弧形槽，該轉軸在該第一位置和該第二位置之間移動時，該蓋板相對於該殼體同時沿該第一方向和該第三方向移動。
如請求項1所述的充電盒，其中，還包括一第一彈性件，該凸起呈凸輪狀，該第一彈性件的兩端分別固設於該殼體內部和該凸起，該合蓋狀態下，該第一彈性件處於壓縮狀態，該開蓋狀態下，該第一彈性件處於拉伸狀態。
如請求項4所述的充電盒，其中，該合蓋狀態下，該第一彈性件處於壓縮狀態；該解鎖狀態下，該第一彈性件處於初始狀態，該開蓋狀態下，該第一彈性件處於拉伸狀態。
如請求項1所述的充電盒，其中，還包括一鎖定板和一第二彈性件，沿該第三方向，該鎖定板位於該蓋板與該轉軸連接的相對一側，且該鎖定板一端透過一轉動軸轉動連接於該蓋板，該第二彈性件的兩端分別連接在該鎖定板和該蓋板之間，該第二彈性件在該合蓋狀態處於拉伸狀態。
如請求項1所述的充電盒，其中，該第一磁性吸附組件包括相對設置的一第一磁性件和一第二磁性件，該第一磁性件和該第二磁性件二者中的一個設於該蓋板的底部，另一個設於該殼體的頂部。
如請求項7所述的充電盒，其中，該殼體和該蓋板之間沿該第三方向的兩側均設有該第一磁性吸附組件；和/或，該殼體和該蓋板之間沿該第二方向且位於該轉軸的兩側均設有該第一磁性吸附組件。
如請求項1至8任一項所述的充電盒，其中，還包括一第二磁性吸附組件，該蓋板和該殼體在開蓋狀態下透過該第二磁性吸附組件連接進行鎖定。
如請求項9所述的充電盒，其中，該第二磁性吸附組件包括一第三磁性件和一第四磁性件，該第三磁性件和該第四磁性件相對設置，該第三磁性件和該第四磁性件二者中的一個設於該蓋板靠近該轉軸的一側的底部，另一個設於該殼體靠近該轉軸一側的外壁。
一種半導體裝置的散熱模組，該半導體裝置包含一基板單元，及數個沿一軸線的方向堆疊在該基板單元的記憶晶體，每一該記憶晶體具有二沿該軸線的方向相間隔的端面，及一圍繞該軸線的側面，該散熱模組包含：<br/> 一熱橋單元，設置於該基板單元且用於與該等記憶晶體進行熱交換，具有數個沿該軸線的方向延伸且形成有位差的第一接面，每二個沿該軸線的方向相鄰的第一接面沿一垂直於該軸線的併列方向相隔一間距，且沿該併列方向接觸於對應的記憶晶體的側面。
如請求項1所述的半導體裝置的散熱模組，其中，該熱橋單元還具有數個沿該併列方向延伸的第二接面，每一該第二接面連接於各自的第一接面，且至少有一部分用於沿該軸線的方向接觸於對應的記憶晶體的端面。
如請求項2所述的半導體裝置的散熱模組，其中，該熱橋單元包括二個沿該軸線的方向延伸且沿該併列方向相間隔的熱橋晶體，該等熱橋晶體沿該併列方向位於該等記憶晶體的兩側，並具有該等第一接面與該等第二接面。
如請求項2所述的半導體裝置的散熱模組，其中，該熱橋單元包括數個沿該軸線的方向堆疊的熱橋晶體，該等熱橋晶體具有該等第一接面與該等第二接面。
如請求項4所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體由半導體材料製成，且與相鄰的熱橋晶體可以是黏接、或通過電子接枝製程(Electrografting)連接。
如請求項4所述的半導體裝置的散熱模組，還包含另一熱橋單元，該等熱橋單元沿該併列方向位於該等記憶晶體的二側。
如請求項6所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體與沿該軸線的方向相鄰的熱橋晶體，及沿該併列方向位於同一層的熱橋晶體共同界定一夾層空間，每一該夾層空間供各自的記憶晶體設置。
如請求項4所述的半導體裝置的散熱模組，其中，該熱橋單元沿該併列方向位於該等記憶晶體的一側。
如請求項8所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每二個沿該軸線的方向相鄰的熱橋晶體界定一夾層空間，每一該夾層空間供各自的記憶晶體設置。
如請求項4所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體還具有一相反於該第一接面的第三接面，每一該第三接面沿該軸線的方向平齊於相鄰的第三接面。
如請求項4所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體的第一接面環繞該軸線且界定一中心偏離該軸線且供各自的記憶晶體穿置的偏心孔，每二個沿該軸線的方向相鄰的偏心孔沿該併列方向反向偏離該軸線。
如請求項10所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體還具有一相反於該第二接面的第四接面，該第四接面用於沿該軸線的方向接觸於相鄰的熱橋晶體的傳導部。
如請求項12所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該熱橋晶體的第四接面沿該併列方向平齊於相鄰的記憶晶體的端面。
如請求項1所述的半導體裝置的散熱模組，其中，每一該間距沿該併列方向的長度是各自的記憶晶體沿該併列方向的最大總長度的35%~45%。
如請求項14所述的半導體裝置的散熱模組，其中，沿該軸線的方向最鄰近該基板單元的第一接面所形成的間距大於其它第一接面所形成的間距。
一種半導體裝置，包含： <br/> 一基板單元；<br/> 數個沿一軸線的方向堆疊在該基板單元的記憶晶體，每一該記憶晶體與相鄰的記憶晶體沿一垂直於該軸線的併列方向相互錯位，並具有二沿該軸線的方向相間隔的端面，及一圍繞該軸線的側面；及<br/> 一如請求項1-15任一項所述的散熱模組，設置於該基板單元且接觸於該等記憶晶體。
如請求項16所述的半導體裝置，還包括一設置在該基板單元且電連接於該等記憶晶體的運算晶體。
如請求項17所述的半導體裝置，還包括一與該基板單元共同封裝該等記憶晶體、該散熱模組與該運算晶體的封裝單元。
如請求項16所述的半導體裝置，其中，每一該記憶晶體通過電子接枝製程(Electrografting)連接於相鄰的記憶晶體。
一種方便穿脫之鞋體結構，包含有一鞋體，該鞋體由鞋面、鞋口及鞋底組成，該鞋面分為鞋頭部及後跟部，該鞋口為該鞋面環繞後呈現之開口，該鞋口設於近該後跟部，該鞋面向下連接該鞋底，其特徵在於：於該鞋面之該後跟部設有一後跟支撐片，該後跟支撐片具有高彈性及柔韌回彈特性。
如申請專利範圍第1項所述之方便穿脫之鞋體結構，其中，該後跟支撐片為弧狀結構，該後跟支撐片分為上跟腱部及下後跟部，該上跟腱部及該下後跟部符合人體足部跟腱部及後跟部之弧度。
如申請專利範圍第2項所述之方便穿脫之鞋體結構，其中，該上跟腱部之寬度小於該下後跟部之寬度。
如申請專利範圍第3項所述之方便穿脫之鞋體結構，其中，該後跟支撐片為碎牛皮再生皮漿材料製成。
一種模組化多槽式過濾萃取裝置，其特徵在於包含：一匯流模組，設有一集液壁面、一連通該集液壁面之出液口，以及一設於該匯流模組外周緣頂端面之接合介面；一過濾模組，可拆卸地組裝於該匯流模組，以及一設於該過濾模組外周緣底端面之接合介面，其中該過濾模組之本體係由具備液體過濾功能之多孔隙材質所製成，以及複數個凹設於該本體內之獨立粉槽，該些獨立粉槽共同形成一多槽同步萃取結構。
如請求項1所述之模組化多槽式過濾萃取裝置，其中該匯流模組之該接合介面係為一下卡合部，該過濾模組之該接合介面係為一上卡合部，該上卡合部與該下卡合部除了採用凹凸卡合外，亦可採用旋轉鎖合、磁鐵吸合或其他等效機構。
如請求項1所述之模組化多槽式過濾萃取裝置，其中該多槽同步萃取結構係呈一同心式粉槽排列結構，該些獨立粉槽包含一位於中心之錐狀粉槽，及至少一環繞於該錐狀粉槽外圍之環狀粉槽。
如請求項1所述之模組化多槽式過濾萃取裝置，其中該多槽同步萃取結構係呈一分布式粉槽排列結構，該些獨立粉槽包含複數個相互間隔排列之錐狀粉槽。
如請求項1所述之模組化多槽式過濾萃取裝置，其中該具備液體過濾功能之多孔隙材質係選自多孔性陶瓷、或不鏽鋼加工形成具有多數微細孔洞的過濾網其中之一。
如請求項1所述之模組化多槽式過濾萃取裝置，其中該匯流模組之該集液壁面係呈漏斗狀或錐狀，用以承接穿透該過濾模組之液體並引導至該出液口。
一種指壓式咖啡沖泡濾袋，主要結構包含一可橫跨於咖啡杯上方之圓形橫跨紙板(1)及一貼合於圓形橫跨紙板朝下背面一Ｍ型折疊過濾紙(2)；<br/> 上述圓形橫跨紙板(1)，其為一圖形紙板而於圖形紙板中央處設有一長矩形填充口(11)，而其圓周上設有一組對稱可向下折彎之延伸片(12)，該延伸片(12)端緣接近圓形橫跨紙板(1)主體處，各延伸一裁切線(121)，且於兩裁切線(121)末端間設有一折合鏈線(122)；<br/> 上述Ｍ型折疊過濾紙(2)，其為一經Ｍ型折疊之Ｍ型折疊過濾紙(2)並疊合於圓形橫跨紙板(1)下方，其以開口端片(21)熱壓黏合於長矩形填充口(11)長邊兩側，且位於圓形橫跨紙板(1)之延伸片(12)末端將Ｍ型折疊過濾紙(2) 兩頭之濾紙末端(22)熱壓黏合封閉，據此，可由圓形橫跨紙板(1)之長矩形填充口(11)以手指往下推開Ｍ型折疊過濾紙(2)，而形成一容納咖啡粉末之過濾囊袋(23)。
一種夾鉗裝置，適宜安裝於一夾頭本體，該夾鉗裝置包含：<br/> 一基座，可滑動的安裝於該夾頭本體，該基座包括一圍繞一軸線所產生的外周面、一相交連接於該外周面的表面，以及一沿該軸線設置且自該表面凹設且呈凹孔狀的軸接部，該外周面具有一小徑段、一大徑段及一相交連接於該小徑段與該大徑段之間的肩部； <br/> 一懸擺座，軸設於該基座且可以該軸線為懸擺中心相對於該基座產生懸動，該懸擺座具有一座本體、一與該軸接部互相套接且呈柱狀的轉接部，以及一鎖接於該座本體的環圈件，該座本體具有一側端面，以及一自該側端面凹設的承孔，該承孔由一內端面，以及一相交連接於該內端面的內環面共同界定而成，該轉接部與該座本體一體成型且自該內端面凸出，該內環面與該大徑段相對設置，該環圈件可相對於該肩部轉動，並具有一與該小徑段相對設置的內周面；及<br/> 一限制單元，包括至少一設置於該基座的限位槽，以及至少一設置於該懸擺座且可沿該限位槽滑動的限位件。
如請求項1所述的夾鉗裝置，其中，該限制單元的限位槽設置於該外周面且數量為數個，該限位件穿設於該懸擺座且鎖接於該環圈件，限位件的數量也為數個。
如請求項2所述的夾鉗裝置，還包含一回復單元，該回復單元具有二設置於該表面的凹槽、二連接於該座本體且可沿該凹槽滑動的擋件，以及二分別安裝於該等凹槽中的彈性件，該懸擺座相對於該基座朝一第一方向產生懸動時，其中一彈性件可被擠壓並蘊藏回釋彈力，該懸擺座相對於該基座朝一相反於該第一方向的第二方向產生懸動時，另一彈性件可被擠壓並蘊藏回釋彈力。
如請求項2所述的夾鉗裝置，其中，該限制單元的限位件可沿該限位槽滑動的角度為1至8度。
如請求項1所述的夾鉗裝置，其中，該基座具有一鎖定螺孔，該懸擺座具有一對應於該鎖定螺孔的穿孔，該懸擺座還具有一止動螺絲，該止動螺絲螺鎖於該鎖定螺孔且可使該懸擺座相對於該基座產生固定。
一種按壓平移式電路板連接機構，其特徵在於：其包括：主體座(1)，其安裝於電路板(4)上；平移扣(2)，其以可平移的方式安裝於主體座(1)中，且該平移扣(2)設有用於鎖定第一產品(5)的第一扣體(21)；按壓件(3)，其通過彈性件(31)以可上下滑動的方式安裝於主體座(1)中，所述按壓件(3)與平移扣(2)之間還設置有用於將豎直運動轉換為水準運動或將水準運動轉換為豎直運動的轉換結構(30)；所述按壓件(3)上端在彈性件(31)的彈力作用下向上凸出於主體座(1)上端面外，且按壓件(3)通過轉換結構(30)驅使平移扣(2)水準移動以使第一扣體(21)凸出於主體座(1)側面之外；當按壓該按壓件(3)以驅使該按壓件(3)向下移動後，該按壓件(3)通過轉換結構(30)驅使平移扣(2)的第一扣體(21)水準移動以使第一扣體(21)相對主體座(1)縮回。
如請求項1所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述轉換結構(30)包括設置於按壓件(3)側面的傾斜滑槽(301)以及設置於平移扣(2)內的滑動部(302)，所述按壓件(3)下部穿設於平移扣(2)內，且該滑動部(302)置於傾斜滑槽(301)中並可相對滑動。
如請求項1所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述主體座(1)兩側至少一側設置有凸部(101)，該凸部(101)上表面用於承載第一產品(5)下端面。
如請求項3所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述凸部(101)內設置有用於與第一產品(5)下端面頂壓的頂柱(6)，該頂柱(6)與凸部(101)之間設有彈簧(60)，且該頂柱(6)上端在彈簧(60)的彈力作用下向上穿過凸部(101)上端面的通孔(102)以凸出於凸部(101)上端面外。
如請求項4所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述頂柱(6)中部具有向外凸出的限位部(61)，所述彈簧(60)上端套設於頂柱(6)下部週邊並與限位元部(61)下端面接觸，該限位部(61)上端面抵靠于通孔(102)週邊。
如請求項1至5任意一項所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述平移扣(2)前端成型有向前凸出且尺寸變小的鎖定部(22)，所述第一扣體(21)成型於鎖定部(22)前端；所述主體座(1)前端設置有供鎖定部(22)伸出的視窗(103)。
如請求項6所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述鎖定部(22)前端還設置有用於鎖定第二產品(7)的第二扣體(23)，該第二扣體(23)位於第一扣體(21)下方，該第一扣體(21)和第二扣體(23)的上端面均設置為斜面。
如請求項7所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述主體座(1)還設置有用於承載第二產品(7)下端面的承載台(104)，該承載台(104)上還設置有用於定位承載台(104)的定位部(105)；所述第二扣體(23)位於承載台(104)上方。
如請求項1至5任意一項所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述主體座(1)包括有座體(11)以及通過卡扣和/或螺絲(13)鎖定於座體(11)上的蓋體(12)，所述蓋體(12)上端設置有孔位(121)，所述按壓件(3)上端穿過該孔位(121)以凸顯于蓋體(12)上端外，且該按壓件(3)週邊還設置有阻擋部(32)，該阻擋部(32)抵靠在孔位(121)下端週邊；該座體(11)下端設置有用於與電路板(4)安裝的連接部(111)。
如請求項9所述的按壓平移式電路板連接機構，其中：所述座體(11)上成型有臺階柱(112)，所述按壓件(3)下端設置有與臺階柱(112)對應的圓孔槽(33)；所述彈性件(31)為復位彈簧，該復位彈簧下端套設於臺階柱(112)上，該復位彈簧上端插設于圓孔槽(33)中。
一種極紫外光光罩內盒承載裝置，其於三維空間中界定有相互垂直的X軸向、Y軸向及Z軸向，該極紫外光光罩內盒承載裝置包含： <br/>一支持框，其包含一框桿及二支持臂，該框桿係沿著X軸向延伸，該二支持臂係分別設置於該框桿的相對二側，並分別朝Y軸向延伸，所述框桿及該二支持臂框圍形成一承載空間； <br/>二驅動缸，其係分別設置於該支持框的該二支持臂的端部，且該二驅動缸係朝向該承載空間；以及 <br/>二承載座，其係分別設置於該二驅動缸，該二驅動缸能驅動該二承載座朝該承載空間線性移動，每一承載座包含一承載臂、二夾持調整塊及多數止付螺絲，所述承載臂的相對二端分別形成有一承載部，所述承載部上形成有Z軸向之複數第一調整孔，該二夾持調整塊係分別設置於該二承載部上，且每一夾持調整塊皆形成有一承載面、一Y軸向限位面及複數X軸向限位面，該多數止付螺絲係分別設置於該複數第一調整孔中，並能調整控制所述夾持調整塊的Z軸向位置。
如請求項1所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中每一驅動缸具有同步驅動之三驅動桿，該三驅動桿係連接對應之承載座之承載臂。
如請求項1所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該極紫外光光罩內盒承載裝置包含二光電感測器，該二光電感測器係分別設置於該二承載座之承載臂上。
如請求項2所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該極紫外光光罩內盒承載裝置包含二光電感測器，該二光電感測器係分別設置於該二承載座之承載臂上。
如請求項1至4中任一項所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中所述承載座之承載臂於對應該二承載部的位置形成有X軸向之複數第二調整孔，所述止付螺絲能設置於該複數第二調整孔內，並能調整控制對應之夾持調整塊的X軸向位置。
如請求項1至4中任一項所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該極紫外光光罩內盒承載裝置包含二遮罩，該二遮罩係分別包覆設置於該二驅動缸外側。
如請求項5所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該極紫外光光罩內盒承載裝置包含二遮罩，該二遮罩係分別包覆設置於該二驅動缸外側。
如請求項1至4中任一項所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該二承載座的承載臂為SUS304金屬材質，且所述夾持調整塊為PEEK工程塑膠材質。
如請求項6所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該二承載座的承載臂為SUS304金屬材質，且所述夾持調整塊為PEEK工程塑膠材質。<b> </b>
如請求項7所述之極紫外光光罩內盒承載裝置，其中該二承載座的承載臂為SUS304金屬材質，且所述夾持調整塊為PEEK工程塑膠材質。<b> </b><br/><b> </b>
一種搓牙機之進料裝置，包含：<br/> 一底座單元，包括一固定於一安裝面上的基座、一設置於該基座上的調移機構，及一設置於該調移機構上的設置座，該調移機構可受控制而帶動該設置座相對於該基座沿至少一軸向移動；<br/> 一給料單元，固定設置於該設置座上，並界定出一給料口；及<br/> 一導料單元，固定於該設置座上且設置於該給料單元下游處，該導料單元界定出一對準該給料口的進料口。
如請求項1所述搓牙機之進料裝置，其中，該調移機構可受控制而帶動該設置座相對於該基座沿二彼此相互垂直的軸向移動。
如請求項2所述搓牙機之進料裝置，其中，該調移機構具有一可滑移地設置於該基座上，並供該設置座可滑移地設置的承接座，及二分別設置於該基座上及該承接座上的調整組件，設置於該基座上的調整組件可帶動該承接座相對於該基座移動，設置於該承接座上的調整組件可帶動該設置座相對於該承接座移動，該承接座的移動方向垂直於該設置座的移動方向。
如請求項3所述搓牙機之進料裝置，其中，該調移機構之承接座的移動方向不平行亦不垂直於該安裝面，該導料單元包括一固定於該設置座上的安裝座，及一設置於該安裝座上的導軌，該導軌的延伸方向垂直於該承接座的移動方向，並平行於該設置座的移動方向。
如請求項4所述搓牙機之進料裝置，其中，該調移機構之每一調整組件具有一馬達、一可被該馬達帶動旋轉的螺桿，及一套設於該螺桿上的螺帽，其中一調整組件的馬達設置於該基座上，且該螺帽設置於該承接座上，另一調整組件的該馬達設置於該承接座上，且該螺帽設置於該設置座上。
如請求項5所述搓牙機之進料裝置，其中，該底座單元還包括複數線性滑軌，及複數可滑移地設置於該等線性滑軌上的滑塊，該等線性滑軌區分為兩組，其中一組線性滑軌固設於該基座上，而對應該組線性滑軌的該等滑塊則固設於該承接座上，另一組線性滑軌固設於該承接座上，而對應該組線性滑軌的該等滑塊則固設於該設置座上。
如請求項6所述搓牙機之進料裝置，其中，該底座單元之設置座具有一框架、一固定於該框架上且供該給料單元設置的載台，及一固定於該框架上且供該導料單元設置的支撐架。
如請求項6所述搓牙機之進料裝置，其中，該導料單元之安裝座具有一固定於該底座單元之設置座上的底板、一設置於該底板上的設置架，及複數設置於該底板上且沿該導軌之延伸方向位於該設置架之相反兩側的定位架，該導軌具有一固定於該設置架及該等定位架上的固定導板、一可移動地設置於該等定位架上且與該固定導板相間隔的調整導板，及一可移動地設置於該等定位架上，且位於該固定導板及該調整導板上方的壓板，該導料單元還包括二設置於該設置架上且分別連接該調整導板及該壓板的驅動組件，其中一驅動組件可帶動該調整導板靠近或遠離該固定導板，該調整導板的移動方向垂直該固定導板的延伸方向，另一驅動組件可帶動該壓板往復移動，該壓板的移動方向垂直該調整導板的移動方向，且垂直於該固定導板的延伸方向。
如請求項8所述搓牙機之進料裝置，其中，該安裝座之設置架具有一立設於該底板上並供該固定導板設置的內側壁、一由該內側壁沿該內側壁的法線方向延伸且位於該壓板上方的延伸壁，及一連接該延伸壁及該底板的外側壁，其中一驅動組件設置於該延伸壁上並通過該延伸壁連接該壓板，另一驅動組件設置於該外側壁上並通過該外側壁連接該調整導板。
如請求項1所述搓牙機之進料裝置，其中，該給料單元包括一固定於該設置座上的振動盤，及一設置於該振動盤且朝該進料口延伸並界定出該給料口的給料軌道。
一種具透氣支撐之鞋底結構，包含有一鞋底，該鞋底由上底及下底組成，該上底具有頂面及底面，該上底之該頂面分為前掌區及後跟區，該前掌區設有凹陷部，該凹陷部內設有複數凸柱，該後跟區設有凸起部，該上底之該底面設有容置空間，該容置空間位於該凸起部下方，該容置空間往相對於該凹陷部方向延伸有一通道，該通道設有一透氣孔，該透氣孔與該凹陷部相連通，該下底具有頂面及底面，該下底之該頂面設有至少一彈力壁，該彈力壁設有開口。
如申請專利範圍第1項所述之具透氣支撐之鞋底結構，其中，該開口朝向該通道方向。
如申請專利範圍第1項所述之具透氣支撐之鞋底結構，其中，該通道進一步組接有過濾件。
如申請專利範圍第2項所述之具透氣支撐之鞋底結構，其中，該通道進一步組接有過濾件。
一種噴射器裝置，其經組態用於藉由將一氣流引入至一真空泵之一排氣口與用於處理一製程氣體之一氣體處理系統之間的該製程氣體之排氣流中來降低該真空泵之該排氣口處之一壓力，該噴射器裝置包括： <br/>一入口部分，其包括用於耦合至該真空泵之該排氣口之一入口； <br/>一出口，其用於耦合至一導管，該導管提供至該氣體處理系統之一流體連通路徑； <br/>一縮徑喉部部分，其用於加速自該入口至該出口之一氣流；及 <br/>一氣流注射器，其用於將一注射氣流引入至該縮徑喉部部分中。
如請求項1之噴射器裝置，其中該噴射器裝置包括在該入口與該出口之間形成一流動路徑之一外壁，該氣流注射器包括延伸至該流動路徑中之一導管且包括經配置以將該注射氣流軸向地輸出至該流動路徑之一中心區中之一噴嘴。
如請求項2之噴射器裝置，其中該氣流注射器導管延伸穿過該入口部分之一外壁且經構形使得該噴嘴位於該入口部分與該喉部之間之一縮徑區內。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該氣流注射器安裝於一支撐框架上，該支撐框架包括：一外環狀壁，其用於安裝於該入口部分內；及支柱，其等自該外環狀壁延伸，經構形以支撐該導管，使得該噴嘴在該氣體流動路徑之該中心區內。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其進一步包括在該縮徑喉部部分與該氣流出口之間的一擴散器部分，該擴散器部分具有自該縮徑喉部部分之一直徑增加至該氣流出口之一直徑的一直徑。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其包括用於控制引入至該噴射器裝置之該注射氣流之一流量控制器。
如請求項6之噴射器裝置，其中該流量控制器經組態以接收來自感測指示該真空泵之一排氣壓力之一壓力之一壓力感測器之信號，且回應於該等信號而控制該注射氣流。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該噴射器裝置經組態用於該入口與該出口之間大於1000 Pa的一壓差及小於100標準升/分鐘之一注射氮氣流速及小於130 slm之一製程氣體流速。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該噴射器裝置包括小於500 mm之一長度、小於100 mm之一最大直徑，且該縮徑喉部部分包括大於20 mm之一直徑。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該噴射器裝置經組態具有小於5.4×10<sup>-5</sup> mbarl/s之一洩漏率。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該噴射器裝置係由一金屬形成。
如請求項1至3中任一項之噴射器裝置，其中該噴射器裝置進一步包括用於將該噴射器裝置加熱至一預定溫度之溫度控制構件。
一種用於抽空一製程氣體室之真空泵，該真空泵包括如請求項1至12中任一項之噴射器裝置，該噴射器裝置連接至該真空泵之一排氣埠。
一種真空系統，其包括至少一個真空泵及一氣體處理系統，該真空系統進一步包括如請求項1至12中任一項之噴射器裝置，該噴射器裝置經組態以接收由該至少真空泵自一處理器室抽空之製程氣體且將該製程氣體及一注射氣體輸出至該氣體處理系統。
一種用於限位一裸晶結合於一焊片的限位治具，包括：<br/> 一治具本體，該治具本體呈板狀並封閉環繞一限位區，<br/> 其中，該治具本體具有連通該限位區的複數挖空區，該複數挖空區在環繞該限位區的內緣上為不連續。
如請求項1所述之限位治具，其中該限位區沿一上下方向貫穿該治具本體，該複數挖空區設置在沿該上下方向的一底端。
如請求項2所述之限位治具，其中該複數挖空區的沿該上下方向的最高高度低於一預定高度，該預定高度匹配該裸晶置於該焊片上的高度。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區各自為六面體狀的空間。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區各自為角錐狀的空間。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區各自為圓柱狀的空間。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區各自為圓球狀或部分圓球狀的空間。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區自該限位區貫通該治具本體而連通至該治具本體外側的空間。
如請求項1所述之限位治具，其中該複數挖空區封閉於該治具本體的內部。
一種用於限位一裸晶結合於一焊片的限位治具，包括：<br/> 一治具本體，該治具本體呈板狀並封閉環繞一限位區，該限位區沿一上下方向貫穿該治具本體，<br/> 其中，該治具本體在環繞該限位區的內緣上設有複數限位柱；在沿該上下方向的一底端上，該複數限位柱彼此分隔，在沿該上下方向的一頂端上，該複數限位柱彼此連接。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱在一預定高度之上為彼此連接，該預定高度匹配該裸晶置於該焊片上的高度。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱為角柱。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱為角錐。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱由上至下的寬度為漸縮。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱由彼此不連通的複數挖空區分隔。
如請求項10所述之限位治具，其中該複數限位柱由複數挖空區分隔，該複數挖空區至少一部分彼此連通。
一種驅動機構，包括： <br/>主支撐體； <br/>升降件，所述升降件用於連接清潔件，所述清潔件用於清潔待清潔面； <br/>驅動組件，所述驅動組件至少與所述升降件連接，所述驅動組件用於驅動所述升降件相對所述主支撐體升降； <br/>防污染件，所述防污染件用於與所述升降件上附著的雜物相互作用，以至少防止所述雜物進入所述主支撐體內部。
如請求項1所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件與所述升降件滑動抵接； <br/>或者，所述防污染件與所述升降件之間具有縫隙。
如請求項1所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件包括柔性件，所述柔性件包括軟膠、包膠、毛刷、清潔布、軟布、泡棉其中至少一種； <br/>和/或，所述防污染件包括第一凸台，所述第一凸台與所述主支撐體連接，且突出於所述主支撐體相對所述升降件的內周面，所述第一凸台位於所述內周面靠近所述清潔件的一端； <br/>和/或，所述防污染件包括第二凸台，所述第二凸台與所述升降件連接，且突出於所述升降件相對所述主支撐體的外周面，所述第二凸台位於所述外周面遠離所述清潔件的一端。
如請求項1所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件包括第一凸台和第二凸台，其中，所述第一凸台與所述主支撐體連接，且突出於所述主支撐體相對所述升降件的內周面，所述第一凸台位於所述內周面靠近所述清潔件的一端；所述第二凸台與所述升降件連接，且突出於所述升降件相對所述主支撐體的外周面，所述第二凸台位於所述外周面遠離所述清潔件的一端； <br/>所述第二凸台與所述第一凸台在所述升降件的軸線方向上投影具有重疊區域，所述第二凸台用於與所述第一凸台配合，至少部分的封閉所述升降件與所述主支撐體之間的空隙。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述升降件用於軸線方向上升降，以及在圍繞所述軸線方向上旋轉，以帶動所述清潔件升降和旋轉； <br/>所述防污染件與所述升降件在所述軸線方向上滑動抵接，在所述升降件的旋轉方向上滾動連接。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件至少包括供風設備，所述供風設備用於向所述升降件提供風量，以對所述升降件進行清潔。
如請求項6所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件還包括所述主支撐體上開設的至少一個出風口，所述供風設備與所述出風口連通，所述出風口與所述升降件相對設置，所述供風設備通過所述出風口向所述升降件提供風量。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件與所述主支撐體可拆卸連接，所述防污染件與所述主支撐體的連接方式包括卡接、插接、黏結、磁吸連接、插接、夾持連接、包覆其中至少一種； <br/>或者，所述防污染件與所述主支撐體一體成型。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件圍繞所述升降件一周。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述升降件通過外周面與所述防污染件作用； <br/>所述防污染件延伸至與所述外周面相對所述清潔件的一端所在的平面內； <br/>或者，所述防污染件延伸至超出所述外周面相對所述清潔件的一端所在的平面。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件在所述升降件升降方向上的延伸寬度大於等於3毫米，且小於等於5毫米。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，其中， <br/>所述主支撐體包括開口和收納空間，所述收納空間與所述開口連通； <br/>所述升降件至少部分位於所述收納空間中，且通過所述開口伸出至所述收納空間外，以相對所述主支撐體升降； <br/>所述防污染件設置於所述開口的邊沿。
如請求項12所述的驅動機構，其中， <br/>所述防污染件至少部分位於所述收納空間內，或者，所述防污染件位於所述收納空間外。
如請求項1至4中任一項所述的驅動機構，還包括： <br/>限位部，所述限位部設置於所述主支撐體上，且與所述防污染件在所述升降件的升降方向上至少一側抵接，以限制所述防污染件的位置。
如請求項14所述的驅動機構，其中， <br/>所述限位部包括開設於所述主支撐體上的安裝槽，所述防污染件位於所述安裝槽內； <br/>和/或，所述限位部包括與主支撐體連接的限位板，所述限位板突出於所述主支撐體的內壁，所述防污染件抵接於所述限位板。
一種清潔機器人，包括如請求項1至15中任一項所述的驅動機構，以及機器人本體，所述驅動機構設置於所述機器人本體上。
一種術後加速康復(ERAS)護理資訊系統，其包含：一ERAS資訊伺服器，其儲存包含一ERAS資訊的一ERAS資料庫；以及一使用者設備，其與遠端的該ERAS資訊伺服器通訊連結，並顯示一使用者介面或一快捷操作介面，以提供一使用者透過操作該使用者介面或該快捷操作介面存取該ERAS資訊。
如請求項1所述之術後加速康復護理資訊系統，其中該ERAS資訊包含一ERAS文字資訊、一ERAS動畫影音資訊、一ERAS互動諮詢資訊、一ERAS外部資訊連結以及一ERAS圖文衛教資訊其中之一。
如請求項1所述之術後加速康復護理資訊系統，其中該使用者設備係選自一桌上型電腦、一筆記型電腦、一智慧手機及一平板裝置其中之一。
如請求項1所述之術後加速康復護理資訊系統，其中該快捷操作介面係選自一圖形化使用者介面、一快捷選單、一快捷清單、一圖形化快捷操作介面、一懸浮便捷選項選單視窗、一懸浮便捷單位選單視窗、一下拉式選項便捷選單及一快捷選項選單其中之一。
一種術後加速康復護理資訊行動裝置，其係與遠端的一ERAS資訊伺服器通訊連結，該ERAS資訊伺服器儲存有包含一ERAS資訊的一ERAS資料庫，該術後加速康復護理資訊行動裝置包含：一觸控螢幕單元；以及一處理器單元，其係與該觸控螢幕單元電性連接，並執行一應用程式而在該觸控螢幕單元上產生並顯示一使用者介面或一快捷操作介面，以供一使用者透過操作該觸控螢幕單元而存取該ERAS資訊。
如請求項5所述之術後加速康復護理資訊行動裝置，其中該ERAS資訊包含一ERAS文字資訊、一ERAS動畫影音資訊、一ERAS互動諮詢資訊、一ERAS外部資訊連結以及一ERAS圖文衛教資訊其中之一。
如請求項5所述之術後加速康復護理資訊行動裝置，還包含彼此電連接之該處理器單元、一無線射頻通訊模組、一非揮發性記憶單元及該觸控螢幕單元，以及由該處理器單元執行之一應用程式以及包含在該應用程式中的一快捷操作程式元件，該快捷操作程式元件經執行後產生該快捷操作介面。
如請求項5所述之術後加速康復護理資訊行動裝置，其中該快捷操作介面係選自一圖形化使用者介面、一快捷選單、一快捷清單、一圖形化快捷操作介面、一懸浮便捷選項選單視窗、一懸浮便捷單位選單視窗、一下拉式選項便捷選單及一快捷選項選單其中之一。
一種術後加速康復護理資訊使用者設備，其係與遠端的一ERAS資訊伺服器通訊連結，該ERAS資訊伺服器儲存有包含一ERAS資訊的一ERAS資料庫，該術後加速康復護理資訊使用者設備包含：一顯示器單元；以及一處理器單元，其係與該觸控螢幕單元電性連接，並執行一瀏覽器而在該顯示器單元上產生並顯示一使用者介面或一快捷操作介面，以供一使用者透過操作該瀏覽器而存取該ERAS資訊。
如請求項9所述之術後加速康復護理資訊使用者設備，其中該ERAS資訊包含一ERAS文字資訊、一ERAS動畫影音資訊、一ERAS互動諮詢資訊、一ERAS外部資訊連結以及一ERAS圖文衛教資訊其中之一。
一種清潔設備的清潔刷頭，包括：<br/> 底座，所述底座具有吸污口，所述吸污口配置為吸取待清潔面的汙物；<br/> 滾刷，轉動連接於所述底座；<br/> 刮條組件，包括第一刮條組件以及第二刮條組件，所述第一刮條組件以及所述第二刮條組件分別設置於所述滾刷的兩側，且所述第一刮條組件以及所述第二刮條組件均連接於所述底座；當所述清潔刷頭沿第一方向運動時，所述第一刮條組件移動至第一位置，且所述第二刮條組件移動至第二位置；當清潔刷頭沿第二方向運動時，所述第一刮條組件移動至第三位置，且所述第二刮條組件移動至第四位置。
如請求項1所述的清潔刷頭，還包括：<br/> 感應組件，設置於所述清潔刷頭，所述感應組件配置為獲取所述清潔刷頭的運動訊息。
如請求項2所述的清潔刷頭，其中，所述感應組件包括移動滾輪以及傳動輪組件，所述移動滾輪設置於所述清潔刷頭的底部，所述傳動輪組件的至少部分與所述移動滾輪連接並同步轉動。
如請求項3所述的清潔刷頭，其中，所述傳動輪組件包括第一傳動桿、第一傳動輪以及第二傳動輪，所述移動滾輪與所述傳動輪組件通過所述第一傳動桿連接；<br/> 所述第一傳動輪與所述移動滾輪通過所述第一傳動輪連接並同步轉動；<br/> 所述第二傳動輪與所述第一傳動輪嚙合。
如請求項4所述的清潔刷頭，其中，所述第一傳動輪的齒數大於所述第二傳動輪的齒數。
如請求項2所述的清潔刷頭，其中，所述感應組件包括以下至少之一：應力感測器、TOF組件、線型雷射組件、雷達組件、IMU、編碼器、霍爾感測器。
如請求項1所述的清潔刷頭，其中，所述第一位置為所述第一刮條組件中的刮條工作端與清潔面間隔第一預設距離的位置，所述第三位置為所述第一刮條組件中的刮條工作端與清潔面間隔第二預設距離的位置；所述第二預設距離小於所述第一預設距離；<br/> 所述第二位置為所述第二刮條組件中的刮條工作端與清潔面間隔第三預設距離的位置，所述第四位置為所述第二刮條組件中的刮條工作端與清潔面間隔第四預設距離的位置；所述第四預設距離大於所述第三預設距離。
如請求項2所述的清潔刷頭，還包括：<br/> 控制組件，連接於所述底座，所述控制組件配置為控制所述刮條組件移動。
如請求項8所述的清潔刷頭，其中，所述控制組件包括：<br/> 控制裝置，所述控制裝置與所述感應組件通信連接；<br/> 驅動裝置，所述驅動裝置與所述控制裝置通信連接，且所述驅動裝置與所述刮條組件驅動連接。
如請求項9所述的清潔刷頭，其中，所述驅動裝置包括：<br/> 驅動件，所述驅動件與所述控制裝置通信連接，所述驅動件配置為響應所述控制裝置的控制訊號運行；<br/> 傳動軸，所述傳動軸與所述刮條組件連接；當所述驅動件運行時，所述傳動軸轉動。
如請求項10所述的清潔刷頭，其中，包括兩個驅動裝置，所述兩個驅動裝置的傳動軸分別與所述第一刮條組件以及所述第二刮條組件連接。
如請求項10所述的清潔刷頭，其中，包括一個驅動裝置以及聯動桿，所述一個驅動裝置的傳動軸與任一刮條組件連接，所述傳動軸通過所述聯動桿與另一刮條組件連接。
如請求項1所述的清潔刷頭，其中，所述第一刮條組件包括：<br/> 弧形刮條部，所述弧形刮條部朝所述滾刷的位置方向彎曲；<br/> 所述第二刮條組件包括：<br/> 平面刮條部，所述平面刮條部能夠與所述清潔面垂直。
一種清潔設備，包括如請求項1至13中任意一項所述的清潔刷頭。
一種使用回收廢料的裝修保護板，適於被鋪設在一物體表面上，且包含：<br/> 一板體，呈板狀且包含一回收廢料層。
根據請求項1所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該回收廢料層包含一上表面及相對於該上表面的一下表面，該上表面遠離該物體表面，該下表面朝向該物體表面；並且，該裝修保護板還包含至少一個上功能層，該至少一個上功能層設置在該回收廢料層的上表面上。
根據請求項2所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該上功能層為耐磨層或防汙層。
根據請求項2所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中上功能層的數量為複數個，該些上功能層包含相堆疊的耐磨層和防汙層。
根據請求項1所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該板體的兩側邊分別設有一第一卡合結構和一第二卡合結構，該第一卡合結構和該第二卡合結構在結構上可相卡合，以允許多個該裝修保護板的拼接。
根據請求項2至5的任一項所述的使用回收廢料的裝修保護板，還包含一下功能層，該下功能層設置在該回收廢料層的下表面。
根據請求項6所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該下功能層為防滑層。
根據請求項1所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該回收廢料層包含一上表面及相對於該上表面的一下表面，該上表面遠離該物體表面，該下表面朝向該物體表面；並且，該裝修保護板還包含一下功能層，該下功能層設置在該回收廢料層的下表面。
根據請求項8所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該下功能層為防滑層。
根據請求項2至4的任一項所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該板體的兩側邊分別設有一第一卡合結構和一第二卡合結構，該第一卡合結構和該第二卡合結構在結構上可相卡合，以允許多個該裝修保護板的拼接。
根據請求項10所述的使用回收廢料的裝修保護板，還包含一下功能層，該下功能層設置在該回收廢料層的下表面。
根據請求項11所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該下功能層為防滑層。
根據請求項1所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該回收廢料是由塑膠廢棄物、強化玻璃廢棄物、研磨粉、矽晶圓碎片或其組合形成。
根據請求項13所述的使用回收廢料的裝修保護板，其中該塑膠廢棄物包含PI廢棄物、PET廢棄物、PC廢棄物、ABS廢棄物或其組合。
一種具嵌卡式視窗之盒蓋，包括：<br/> 一主蓋體，其設有至少一可透視區域，各該可透視區域分別包括至少一貫穿孔，該主蓋體於對應各該可透視區域的至少局部側壁分別設有一第一嵌卡部；及<br/> 至少一視窗蓋，分別設有一第二嵌卡部，在各該視窗蓋分別組裝至該主蓋體的情況下，各該第二嵌卡部與對應之各該第一嵌卡部相結合，以使各該視窗蓋分別覆蓋對應的各該可透視區域。
如請求項1所述之盒蓋，其中，該第二嵌卡部係區分為一導入段、一凹槽段與一限位段，且該導入段、該凹槽段與該限位段之間界定出一嵌卡空間；在各該視窗蓋分別組裝至該主蓋體的過程中，該導入段用以供該第一嵌卡部滑移接觸；在該導入段越過該第一嵌卡部的情況下，該第一嵌卡部嵌入至該嵌卡空間，並位於該導入段與限位段之間。
如請求項2所述之盒蓋，其中，該導入段具有弧面或斜面結構。
如請求項1所述之盒蓋，其中，該第一嵌卡部係環繞該可透視區域。
如請求項1至4任一項所述之盒蓋，其中，該視窗蓋係由透明或半透明材質製成。
如請求項5所述之盒蓋，其中，該主蓋體係由紙質製成。
如請求項5所述之盒蓋，其中，該視窗蓋設有至少一通孔。
一種具嵌卡式視窗的食品容器，包括：<br/> 如請求項1至7任一項所述之盒蓋；及<br/> 一盒體，其頂側設有一開口，其內設有至少一容納空間，該開口係連通至各該容納空間；<br/> 其中，在該盒蓋與該盒體相結合的情況下，該盒蓋係覆蓋於該開口。
一種接線端子之操縱裝置改良結構，包括：<br/> 操縱柄(10)、夾制彈簧(20)和蓋板(30)的組合，而構成操縱裝置(50)；操縱裝置(50)可組合於殼體(90)；<br/> 操縱柄(10)定義有組裝區(11)和連接組裝區(11)的操作區(12)，組裝區(11)的壁(10a)界定有開放型態的腔室(13)、相通於腔室(13)的側邊開口(14)；<br/> 操縱柄(10)的腔室(13)一體成型有限制模組(15)；<br/> 夾制彈簧(20)成ㄇ型結構，具有基部(25)和分別連接基部(25)兩端的第一腳部(21)、第二腳部(22)；<br/> 組裝區(11)和限制模組(15)共同固定住基部(25)和第一腳部(21)、第二腳部(22)，容許第一腳部(21)的尾部區域(23)、第二腳部(22)的尾端區域(24)凸出組裝區(11)；第一腳部(21)的尾部區域(23)、第二腳部(22)的尾端區域(24)形成勾狀結構；<br/> 限制模組(15)與壁(10a)之間形成間隙(55)，用以容許夾制彈簧(20)從側邊開口(14)組裝於腔室(13)裏面，而被限制模組(15)固定，並且配合蓋板(30)封閉側邊開口(14)。
如請求項1之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該操縱柄(10)一體成型有絕緣板(16)，絕緣板(16)是位在組裝區(11)和操作區(12)之間的位置，成L型板片結構，用以遮蔽夾制彈簧(20)的至少局部區域。
如請求項1或2之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該操縱裝置(50)配合連桿機構(40)、導電架(95)組合殼體(90)，共同構成接線端子(100)。
如請求項1或2之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該限制模組(15)是朝側邊開口(14)方向突出的結構體；<br/> 限制模組(15)和組裝區(11)前端區域的其中之一，形成有組合部(17)，限制模組(15)和組裝區(11)中端區域的其中之一，形成有定位部(18)，限制模組(15)和組裝區(11)後端區域的其中之一，設有樞接部(19)；<br/> 組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；<br/> 組裝區(11)和操作區(12)之間的區域，設置有固定部(31)，固定部(31)形成凹槽結構和凸塊結構的其中之一。
如請求項3之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該限制模組(15)是朝側邊開口(14)方向突出的結構體；<br/> 限制模組(15)和組裝區(11)前端區域的其中之一，形成有組合部(17)，限制模組(15)和組裝區(11)中端區域的其中之一，形成有定位部(18)，限制模組(15)和組裝區(11)後端區域的其中之一，設有樞接部(19)；<br/> 組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；<br/> 組裝區(11)和操作區(12)之間的區域，設置有固定部(31)，固定部(31)形成凹槽結構和凸塊結構的其中之一。
如請求項1或2之接線端子之操縱裝置改良結構，其中一軸銷(29)具有第一端(29a)和第二端(29b)，軸銷(29)通過夾制彈簧(20)，使軸銷(29)組合操縱柄(10)；軸銷(29)的第二端(29b)樞接蓋板(30)。
如請求項3之接線端子之操縱裝置改良結構，其中 一軸銷(29)具有第一端(29a)和第二端(29b)，軸銷(29)通過夾制彈簧(20)，使軸銷(29)組合於操縱柄(10)，第一端(29a)樞接殼體(90)；軸銷(29)的第二端(29b)樞接蓋板(30)和殼體(90)。
如請求項4之接線端子之操縱裝置改良結構，其中一軸銷(29)具有第一端(29a)和第二端(29b)，軸銷(29)通過夾制彈簧(20)，使軸銷(29)組合操縱柄(10)的樞接部(19)；軸銷(29)的第二端(29b)樞接蓋板(30)。
如請求項5之接線端子之操縱裝置改良結構，其中一軸銷(29)具有第一端(29a)和第二端(29b)，軸銷(29)通過夾制彈簧(20)，使軸銷(29)組合操縱柄(10)的樞接部(19)，第一端(29a)組合於殼體(90)；軸銷(29)的第二端(29b)樞接蓋板(30)和殼體(90)。
如請求項1或2之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項3之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項4之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項5之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項6之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一，供樞接軸銷(29)的第二端(29b)；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項7之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一，供樞接軸銷(29)的第二端(29b)；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項8之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一，供樞接軸銷(29)的第二端(29b)；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
如請求項9之接線端子之操縱裝置改良結構，其中該蓋板(30)對應組合部(17)、定位部(18)、樞接部(19)、固定部(31)，分別設置有副組合部(37)、副定位部(38)、副樞接部(39)、副固定部(33)；<br/> 副組合部(37)、副定位部(38)是形成柱樁結構和孔洞結構的其中之一；副樞接部(39)是形成孔洞結構和柱樁結構的其中之一，供樞接軸銷(29)的第二端(29b)；副固定部(33)是形成凸塊結構和凹槽結構的其中之一。
一種夾線器，包含有：<br/> 一第一夾爪，其頂端具有一第一夾持端，該第一夾爪貫設一穿孔，該第一夾爪於該穿孔之側邊設置有一滑槽；<br/> 一第二夾爪，其頂端具有一第二夾持端，該第二夾爪的底端與該第一夾爪的底端相樞接，使該第二夾爪可相對於該第一夾爪擺動，該第一夾爪與該第二夾爪之間形成一夾持間距；該第二夾爪相對該穿孔貫設有一貫孔；<br/> 一調整單元，具有一桿體以及一轉盤，該桿體穿經於該穿孔以及該貫孔，，該轉盤螺接該桿體的後端，可經轉動而調整該轉盤與該桿體之相對位置，該轉盤之外環周並環設有數卡齒；<br/> <br/> 一凸輪構件，壓抵於該第二夾爪之前側面，該調整單元的桿體的前端連接該凸輪構件，轉動該轉盤時，可調整該轉盤與該凸輪構件之間的距離，以改變該第一夾爪與該第二夾爪間的夾持間距； <br/> 一棘齒件，可直線移動地設於該滑槽內，一彈性元件，設於該滑槽內可彈性抵頂該棘齒件，使該棘齒件彈性卡抵於該轉盤之卡齒，使該轉盤受到單向的抵止。
如請求項1所述之夾線器，其中：該棘齒件具有一齒部，與該轉盤之卡齒嚙接。
如請求項1所述之夾線器，其中：一調整塊，設於該滑槽內，可調整該彈性元件施加於該棘齒件的彈性力。
如請求項1至3任一項所述之夾線器，其中：該棘齒件之側邊設置有一扳動桿，該扳動桿可帶動該棘齒件往該滑槽內移動，該滑槽側邊設置有一導引槽，該扳動桿係設置於該導引槽內。
如請求項1所述之夾線器，其中：該第一夾爪底部設置有一容槽，該穿孔係設置於該容槽中央，該滑槽設置於該容槽的側邊。
如請求項1所述之夾線器，其中：該第一夾爪的底端為一第一樞接部，該第一樞接部前側凹設有一第一樞接槽，該第二夾爪的底端為一第二樞接部，第二樞接部後側凹設有一第二樞接槽，該第一樞接槽與該第二樞接槽之間係設置有一樞接元件；該第一夾爪與該第二夾爪之間並於該第一夾持端與該第二夾持端之間設置有至少一頂推彈性件。
如請求項1所述之夾線器，其中：該凸輪構件係包含有一壓抵件以及一凸輪桿；該壓抵件後側設置有一樞槽，該調整單元之桿體之前端係以一樞桿樞設於該樞槽內，該壓抵件頂端為一壓抵端，底端為一連接端，該凸輪桿係樞接於該連接端，且該凸輪桿可以在一壓抵位置以及一放鬆位置上轉動，當該凸輪桿在壓抵位置時，該壓抵件的頂端壓抵端會壓抵該第二夾爪的第二夾持端，使該第二夾持端受壓靠近該第一夾爪的第一夾持端。
如請求項7所述之夾線器，其中：該凸輪桿頂端樞設有一滾輪，第一夾爪前側設置有一滾壓板；在該壓抵位置與該放鬆位置之間轉動時，該滾輪係壓抵於該滾壓板上。
如請求項7所述之夾線器，其中：該壓抵件的壓抵端樞設有一壓抵滾輪，該壓抵件之壓抵端係以該壓抵滾輪與該第二夾爪相接觸。
一種塑膠廢棄物清洗裝置，包括：<br/>於一機台上，設置有：<br/>一篩筒，係由一片以上之篩網可拆式拼合構成多邊狀之筒形結構；<br/>至少一高壓沖洗架，得為一環狀體，於其內圍側得佈設有至少一個噴水孔；<br/>所述高壓沖洗架係環繞包圍前述之篩筒。
如請求項1所述的塑膠廢棄物清洗裝置，於該高壓沖洗架得結合一使高壓沖洗架產生移動行程之驅動結構。
如請求項2所述的塑膠廢棄物清洗裝置，所述驅動結構得為至少一水平方向伸縮缸，其伸縮端係與所述高壓沖洗架相對部位聯結。
如請求項2所述的塑膠廢棄物清洗裝置，所述驅動結構得為一垂直方向伸縮缸，其伸縮端係與所述高壓沖洗架一側相對部位聯結。
如請求項1所述之塑膠廢棄物清洗裝置，所述篩筒其篩網組合以八邊狀為佳。
一種塑膠廢棄物清洗裝置，包括：<br/>於一機台上，設置有：<br/>一篩筒，係由一片以上之篩網可拆式拼合構成多邊狀之筒形結構；<br/>一高壓沖洗籠，得由一個以上環體以適當間距併聯組合而成，於兩環體之間以適當距離，架設一個以上之噴水管，於其管身佈設有至少一個沖洗噴水孔，及至少一個推進噴嘴；<br/>前述高壓沖洗籠係由機台設置之滾輪，對應其環體形成軌道支撐；<br/>所述高壓沖洗籠係環繞包圍前述及篩筒。
如請求項6所述之塑膠廢棄物清洗裝置，其中，至少一個噴水管其推進噴嘴指向順時針方向，至少一個噴水管其推進噴嘴指向逆時針方向。
如請求項6所述之塑膠廢棄物清洗裝置，於所述其中一滾輪得聯結一馬達。
如請求項6所述之塑膠廢棄物清洗裝置，所述篩筒其篩網組合以八邊狀為佳。
一種太陽能板玻璃剝除裝置，包括：<br/>於機台設一主壓輪；<br/>至少一由動力源傳動之剝除輪，係設位於前述主壓輪下方適當間距處，於其輪面凸設有至少一剝料齒排。
一種自我導向學習互動式雲端平台，其係包含：<br/> 一資料庫；其內設置有至少一註冊資料模組、至少一遊戲模組以及至少一專業知識資料模組位於該資料庫內；<br/> 一互動討論單元；<br/> 一伺服端處理單元，該伺服端處理單元電性連結至該資料庫以及該互動討論單元，該伺服端處理單元可由該註冊資料模組連結後給予相對應的遊戲模組以及專業知識資料模組；並且可由該註冊資料模組給予進入該互動討論單元相對應之識別碼；<br/> 一用戶端處理單元，該用戶端處理單元可接收來自該伺服端處理單元的資料庫以及互動討論單元的資料，其中該用戶端處理單元具有一登入介面、一操作介面、一播放單元以及一對談單元；該登入介面電性連接至該註冊資料模組，可輸入資料與該資料庫之註冊資料進行比對；該操作介面電性連接至該遊戲模組，使登入之使用者可以操作不同的遊戲選項；該播放單元電性連接至所述之專業知識資料模組內，並使註冊的使用者可以點選相關的專業知識資料模組；該對談單元可讓使用者以相對應之識別碼進行訊息輸入。
如請求項1所述的自我導向學習互動式雲端平台，其中：該遊戲模組係為二年期護理師（Nurse Post-Graduated Year，NPGY）之訓練課程學習內容。
如請求項1所述的自我導向學習互動式雲端平台，其中：該用戶端處理單元係電性連結於一行動裝置內。
如請求項3所述的自我導向學習互動式雲端平台，其中：該行動裝置可為一電腦、手機、或平板其中一種所構成，該用戶端處理單元係為一網頁。
如請求項1所述的自我導向學習互動式雲端平台，其中：該伺服端處理單元和該用戶端處理單元之間具有一網際網路、一通訊網路、一有線網路或一無線網路其中之一或其組合進行電性連結，用以傳輸資料。
一種鼓風機，包括：<br/> 一馬達，包括一驅動軸；<br/> 一風機組件，包括一機殼、一葉輪及一心軸，該機殼包括一內部空間及分別連通該內部空間之至少一進氣口及至少一排氣口，該葉輪容設於該內部空間，該心軸連接該葉輪且可帶動該葉輪繞一轉動軸線轉動；及<br/> 一聯軸組件，包括一座體及一聯軸器，該座體位於該機殼與該馬達之間且圍構一平行於該轉動軸線延伸之容置空間，該聯軸器容設於該容置空間且連接於該驅動軸與該心軸之間。
如請求項1所述的鼓風機，其中該機殼包括一密封墊片及沿該轉動軸線相對接之二殼體，該二殼體分別包括一具有一圓形外輪廓之環凸緣，該密封墊片具有一成圓形之外輪廓且夾設於二該環凸緣之間。
如請求項1所述的鼓風機，其中該機殼之相對二側分別設有一該進氣口及一該排氣口，該機殼另包括二蓋體，各該蓋體可選擇性地氣密封閉一該進氣口或一該排氣口。
如請求項1所述的鼓風機，其中該聯軸組件另包括一加長座，該加長座包括分別繞該轉動軸線延伸且相對設置之一第一凸部及一第二凸部，該第一凸部連接於該機殼，該第二凸部連接於該座體，該心軸沿該轉動軸線延伸通過該第一凸部與該第二凸部。
如請求項4所述的鼓風機，其中該第一凸部包括一第一環壁及複數第一組接凸部，該複數第一組接凸部連接於該第一環壁之外周面且沿一平行於該轉動軸線之方向上突出於該第一環壁，該複數第一組接凸部連接於該機殼並使該第一環壁與該機殼之間保持一間隙。
如請求項4所述的鼓風機，其中該聯軸組件另包括一第一軸承及一第二軸承，該第一軸承夾設於該座體與該心軸之間，該第二軸承夾設於該加長座與該心軸之間。
如請求項1所述的鼓風機，其中該座體包括一繞該轉動軸線延伸之環周壁及一設於該環周壁之隔離網，該環周壁徑向開設至少一連通該容置空間之側向開口，該隔離網可選擇性地遮蔽該至少一側向開口。
如請求項1所述的鼓風機，另包括一機座及一設於該機座之千斤頂組件，其中該機座包括一連接於該馬達之上座、一相對於該上座且供放置於一固定面之下座、及複數連接該上座及該下座之支柱，該千斤頂組件包括一固定於該下座之升降機構及一連接於該升降機構之升降板，該複數支柱至少部分穿設該升降板。
如請求項1至8任一項所述的鼓風機，另包括一設於該機殼與該聯軸組件之間之密封組件，其中該心軸穿設該密封組件，該密封組件包括一連接於該機殼之密封座及至少一盤根，該密封座與該心軸之間圍構一環槽，該至少一盤根嵌設於該環槽中。
如請求項9所述的鼓風機，其中該密封組件另包括一蓋設於該密封座之密封蓋及一夾設於該密封座與該密封蓋之間之密封件，該密封件與該至少一盤根接觸連接。
如請求項9所述的鼓風機，其中該密封組件另包括一套設於該心軸之軸套，該密封座及該至少一盤根套設於該軸套之外周。
如請求項5所述的鼓風機，其中該機殼包括一密封墊片及沿該轉動軸線相對接之二殼體，該二殼體分別包括一具有一圓形外輪廓之環凸緣，該密封墊片具有一成圓形之外輪廓且夾設於二該環凸緣之間；該機殼之相對二側分別設有一該進氣口及一該排氣口，該機殼另包括二蓋體，各該蓋體可選擇性地氣密封閉一該進氣口或一該排氣口；該聯軸組件另包括一第一軸承及一第二軸承，該第一軸承夾設於該座體與該心軸之間，該第二軸承夾設於該加長座與該心軸之間；該心軸徑向凸設一成環形之限位卡凸，該第一軸承與該座體之間另設有一波浪彈片，該第一軸承及該第二軸承分別可抵接於該限位卡凸之相對二側；該第二凸部包括一第二環壁及複數第二組接凸部，該複數第二組接凸部連接於該第二環壁之外周，該加長座另包括一位於該第二環壁之徑向內側之第三環壁，該第二軸承徑向迫抵於該第三環壁與該心軸之間；該座體包括一繞該轉動軸線延伸之環周壁及一設於該環周壁之隔離網，該環周壁徑向開設至少一連通該容置空間之側向開口，該隔離網可樞擺地連接於該環周壁且可選擇性地遮蔽該至少一側向開口；該鼓風機另包括一機座及一設於該機座之千斤頂組件，該機座包括一連接於該馬達之上座、一相對於該上座且供放置於一固定面之下座、及複數連接該上座及該下座之支柱，該千斤頂組件包括一固定於該下座之升降機構及一連接於該升降機構之升降板，該複數支柱至少部分穿設該升降板，該升降機構可帶動該升降板沿平行於該轉動軸線之該方向移動；該鼓風機另包括一設於該機殼與該聯軸組件之間之密封組件，該心軸穿設該密封組件，該密封組件包括一連接於該機殼之密封座及至少一盤根，該密封座與該心軸之間圍構一環槽，該至少一盤根嵌設於該環槽中；該密封組件另包括一蓋設於該密封座之密封蓋及一夾設於該密封座與該密封蓋之間之密封件，該密封件與該至少一盤根接觸連接；該密封組件另包括一套設於該心軸之軸套，該密封座及該至少一盤根套設於該軸套之外周；及該機殼另包括一軸孔及一繞該軸孔延伸之第四環壁，該第四環壁與該第一環壁之間圍構一安裝空間，該密封組件容設於該安裝空間。
一種滑行裝置，包含：<br/> 複數滑行機構，間隔排列，各該滑行機構包含：<br/> 一第一框架；<br/> 一第二框架，相對該第一框架設置；以及<br/> 二轉動件，樞接於該第一框架的相對二側，且與該第二框架的相對二側可分離地結合；<br/> 一第一連接支架，連接於各該滑行機構之該第一框架；以及<br/> 一第二連接支架，連接於各該滑行機構之該第二框架。
如請求項1所述之滑行裝置，其中各該滑行機構另包含一滑輪，樞接於該第一框架，且與該第二框架間隔設置。
如請求項2所述之滑行裝置，其中該滑輪形成有一環形溝槽。
如請求項1所述之滑行裝置，其中各該轉動件包含一座體以及一滾輪，該座體樞接於該第一框架，該滾輪樞接於該座體且自該座體突出。
如請求項1所述之滑行裝置，其中該第二框架的相對二側分別形成有一卡槽，各該轉動件包含一座體以及一卡榫，該座體樞接於該第一框架，該卡榫自該座體朝該第二框架延伸且位於該卡槽中；當該轉動件朝遠離該第二框架的方向轉動時，該卡榫移出該卡槽。
如請求項1所述之滑行裝置，其中該第二框架的相對二側分別形成有一第一卡勾，各該轉動件包含一座體以及一第二卡勾，該座體樞接於該第一框架，該第二卡勾自該座體朝該第二框架延伸且與該第一卡勾卡合；當該轉動件朝遠離該第二框架的方向轉動時，該第二卡勾脫離該第一卡勾。
如請求項1所述之滑行裝置，其中各該滑行機構另包含二復位件，相對該二轉動件設置於該第一框架上，該二復位件用以驅動該二轉動件相對該第二框架復位。
如請求項1所述之滑行裝置，另包含至少一板件，連接於該第一連接支架。
如請求項1所述之滑行裝置，另包含至少一吊掛件，連接於該第二連接支架。
一種運送系統，包含：<br/> 一支撐結構，包含複數直立支撐件、複數橫向支撐件以及至少一導引件，該複數直立支撐件兩兩成對地間隔排列，各該橫向支撐件分別連接於該複數直立支撐件中成對的兩直立支撐件之間，該至少一導引件橫跨該複數橫向支撐件；以及<br/> 至少一如請求項1至9中任一項所述之滑行裝置，各該滑行機構藉由該第一框架吊掛於該導引件上。
如請求項10所述之運送系統，包含複數滑行裝置，該複數滑行裝置藉由至少一連接件相互連接。
一種控制電路，用於一電源轉換器電路，其中該電源轉換器電路包含一功率級電路並透過一電感產生一輸出電壓，該控制電路包含： <br/> 一回授電路，用來根據該輸出電壓，產生一回授訊號；<br/> 一誤差放大電路，耦接於該回授電路，用來比較一參考電壓訊號與該回授訊號，以產生一誤差訊號；<br/> 一比較電路，耦接於該誤差放大電路，用來比較該誤差訊號與一斜坡訊號，並據以控制該功率級電路；<br/> 一斜坡訊號產生電路，耦接於該電感及該比較電路，用來產生與該電感之一電感電流相關聯之該斜坡訊號；以及<br/> 一過衝抑制電路，耦接於該斜坡訊號產生電路，用來偵測一負載轉換事件，且於偵測到該負載轉換事件時調整該斜坡訊號，使該斜坡訊號產生斜率方向的轉折。
如請求項1所述之控制電路，其中該負載轉換事件係該電感由連接一較高負載切換至連接一較低負載或由連接一負載切換至未連接負載之事件。
如請求項1所述之控制電路，其中該過衝抑制電路調整該斜坡訊號，使該斜坡訊號於該負載轉換事件期間至少具有一第一斜率與一第二斜率，該第二斜率之方向與該第一斜率之方向相反。
如請求項3所述之控制電路，其中該第一斜率為下降斜率，該第二斜率為上升斜率。
如請求項1所述之控制電路，其中該斜坡訊號產生電路係根據下列至少一者產生該斜坡訊號：該功率級電路與該電感之間之一開關節點的電壓、該電感電流的一感測訊號、該電源轉換器電路的一內部時脈訊號或該電源轉換器電路的一脈寬調變訊號。
如請求項1所述之控制電路，其中該過衝抑制電路包含：<br/> 一負載轉換偵測單元，用來根據一參考訊號及該誤差訊號或該輸出電壓，偵測該負載轉換事件；以及<br/> 一調整模組，耦接於該負載轉換偵測單元與該斜坡訊號產生電路，用來於該負載轉換事件發生時改變該斜坡訊號之斜率。
如請求項6所述之控制電路，其中該調整模組包含：<br/> 一第一電容；<br/> 一電流源；以及<br/> 一切換單元，耦接於該第一電容、該電流源及該負載轉換偵測單元，該切換單元用來於該負載轉換事件發生前控制該電流源對該第一電容進行充電，並於該負載轉換事件發生時控制該第一電容與該斜坡訊號產生電路內之一第二電容進行電荷共享。
如請求項7所述之控制電路，其中該第一電容與該第二電容係於該功率級電路之一開關的導通期間進行電荷共享。
如請求項7所述之控制電路，其中該過衝抑制電路更包含一電壓限制模組，用來將該第一電容充電至一預設電壓位準，以控制該斜坡訊號抬升之幅度。
如請求項1所述之控制電路，其中該斜坡訊號產生電路包含多階電阻電容濾波器，用來產生該斜坡訊號，且該過衝抑制電路耦接於該多階電阻電容濾波器之至少一階以進行該斜坡訊號之調整。
一種無人機操控訓練裝置，包括：<br/> 一伸縮組件，沿一軸向延伸具有一收合高度及有限的一伸長高度，該伸縮組件具有相對的一底端及一末端，該末端設置有一連接部；<br/> 一連接組件，包含有一固定板及一多轉向接頭，該多轉向接頭固定於該固定板，該固定板供選擇性地連接一無人機，該多轉向接頭選擇性地連接前述連接部；<br/> 藉由固定該伸縮組件的該底端而立置該伸縮組件，前述無人機透過該連接組件連接於該連接部；<br/> 練習操控該無人機，而被限制在該收合高度與該伸長高度之間升降飛行，並透過該多轉向接頭，使該無人機可以在多個方向相對傾斜於該伸縮組件。
如請求項1所述之無人機操控訓練裝置，其中，該伸縮組件包含一底管及一末端管，該末端管沿一軸向可移動的設置於該底管內，該底端設置於該底管，該末端設置於該末端管。
如請求項2所述之無人機操控訓練裝置，其中，該底管與該末端管之間另包含至少一中間管，該底管、該中間管及該末端管彼此沿該軸向相對移動。
如請求項2所述之無人機操控訓練裝置，其中，有一C型夾，該底管可分離的設置於該C型夾，而立置該伸縮組件。
如請求項2所述之無人機操控訓練裝置，其中，有一底座，該底管固定於該底座而立置該伸縮組件。
如請求項2所述之無人機操控訓練裝置，其中，該底管有一埋入段，該埋入段供埋入於一外物而立置該伸縮組件。
如請求項2所述之無人機操控訓練裝置，其中，該伸縮組件可選擇的設置一阻尼件或一配重組件，該阻尼件或該配重組件供該伸縮組件一伸縮阻力。
如請求項7所述之無人機操控訓練裝置，其中，所述配重組件包含一螺紋桿及至少一配重塊，該末端管連接該螺紋桿，該螺紋桿供螺合所述配重塊。
如請求項7所述之無人機操控訓練裝置，其中，該底管與該末端管之間另包含至少一中間管，該底管、該中間管及該末端管彼此沿該軸向相對移動，所述阻尼件係一阻滑環，該阻滑環可選擇的設置於所述底管與所述中間管之間，或/及設置於所述中間管與所述末端管之間。
如請求項1所述之無人機操控訓練裝置，其中，該伸縮組件有一承接件，該承接件相鄰該連接部設置；當該伸縮組件收合至該收合高度時，該承接件供承接該固定板。
如請求項10所述之無人機操控訓練裝置，其中，該承接件設置有一水平指示計。
一種沖水大便器，其中，包括：<br/> 便座本體，所述便座本體包括盆部，所述盆部上方具有邊框部；<br/> 儲水箱，用於為所述盆部的清洗提供沖洗水；<br/> 外部水源，用於為所述邊框部的清洗提供沖洗水。
如請求項1所述之沖水大便器，其中，更包括閥單元，所述閥單元上具有第一進水口，所述第一進水口與所述外部水源連通，用於從外部引進水。
如請求項2所述之沖水大便器，其中，所述閥單元上還具有第一出水口，所述邊框部具有第一噴水部，所述第一出水口藉由第一管路與所述第一噴水部連通，所述閥單元具有第一工作位置，當所述閥單元處於所述第一工作位置時所述第一出水口與所述第一進水口連通。
如請求項2所述之沖水大便器，其中，所述閥單元上還具有第二出水口，所述第二出水口藉由第二管路與所述儲水箱的儲水口連通，所述閥單元還具有第二工作位置，當所述閥單元處於所述第二工作位置時所述第二出水口與所述第一進水口連通。
如請求項4所述之沖水大便器，其中，所述閥單元上還具有第二進水口，所述第二進水口藉由第三管路與所述儲水箱的出水口連通。
如請求項5所述之沖水大便器，其中，所述閥單元上還具有第三出水口，所述盆部具有第二噴水部，所述第三出水口與所述第二進水口連通，所述第三出水口藉由第四管路與所述第二噴水部連通，所述閥單元還具有第三工作位置，當所述閥單元處於所述第三工作位置時所述第三出水口與所述第二進水口連通。
如請求項5所述之沖水大便器，其中，更包括增壓泵，所述增壓泵包括增壓進水口和增壓出水口，所述第三管路包括第一子管路和第二子管路，所述第一子管路的一端與所述儲水箱的出水口連通，所述第一子管路的另一端與所述增壓進水口連通，所述增壓出水口的一端與所述第二子管路的一端連通，所述第二子管路的另一端與所述第二進水口連通。
如請求項7所述之沖水大便器，其中，更包括：控制單元，所述控制單元藉由控制所述閥單元執行使得所述外部水源對所述邊框部進行清洗，及/或執行使所述儲水箱內的沖洗水對所述盆部進行清洗。
如請求項8所述之沖水大便器，其中，所述閥單元上還設置有流入防止單元，所述流入防止單元防止從所述增壓泵的沖洗水流入到所述盆部以外及所述流入防止單元防止從所述外部水源的沖洗水流入到所述邊框部之外。
一種網管型交換器，該網管型交換器與至少一管理端設備和一授權伺服器通訊連接，且包括通訊模組、處理模組和儲存模組，該處理模組分別與該通訊模組和該儲存模組訊號連接，該網管型交換器被配置為：<br/> 於通過該通訊模組接收該管理端設備發送之包含一管理者帳號的一第一管理請求時，通過該處理模組生成包含該管理者帳號的一請求授權，並通過該通訊模組發送該請求授權至該授權伺服器，其中，該請求授權用於使該授權伺服器驗證該管理者帳號並據以生成一第一授權碼和一第一檢查碼，該第一授權碼為隨機生成，且該第一檢查碼包含至少一該管理端設備之媒體存取控制位址；<br/> 通過該通訊模組接收自該授權伺服器回傳之該第一授權碼和該第一檢查碼；以及<br/> 於通過該通訊模組接收該管理端設備發送的一第二管理請求時，通過該處理模組根據該第一授權碼和該第一檢查碼驗證該第二管理請求，並根據一驗證結果允許或拒絕該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該網管型交換器預先儲存有至少一使用者名稱與其對應的至少一密碼，該第一管理請求還包括使用者名稱與密碼，且該網管型交換器還被配置為：<br/> 當該第一管理請求中的使用者名稱和密碼分別與預先儲存的該至少一使用者名稱和該至少一密碼相符時，該網管型交換器將包含該管理者帳號的該請求授權發送至該授權伺服器。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該授權伺服器預先儲存有至少一網路設備識別資訊，該請求授權還包括該網管型交換器的識別資訊；該請求授權還用於使該授權伺服器驗證該網管型交換器的識別資訊與該至少一網路設備識別資訊，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該網管型交換器還被配置為接收自該授權伺服器回傳之一時間戳記與一有效時間，並判斷該第二管理請求的時間是否落於由該時間戳記與該有效時間所界定之有效期間內，以決定是否允許該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該第二管理請求包括一第二授權碼和一第二檢查碼，且該網管型交換器還被配置為：<br/> 比對該第一授權碼是否與該第二授權碼相符，並確定該第一檢查碼是否包含該第二檢查碼；以及<br/> 當該第一授權碼與該第二授權碼相符，且該第一檢查碼包含該第二檢查碼時，允許該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該網管型交換器還被配置為發送該驗證結果至該授權伺服器。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該第一管理請求還包括一管理命令，且生成的該請求授權還包括該管理命令；藉此，該請求授權用於使該授權伺服器驗證該管理者帳號和該管理命令，並據以生成該第一授權碼和該第一檢查碼。
如請求項7所述的網管型交換器，其中，該網管型交換器還被配置為：於該驗證結果表示允許執行該管理命令時，依據該管理命令執行相應之操作。
如請求項1所述的網管型交換器，其中，該網管型交換器還被配置為：響應於該授權伺服器回傳之該第一授權碼和該第一檢查碼，發送一授權就緒訊息至該管理端設備。
一種網路授權驗證系統，包括：<br/> 一網管型交換器，通訊連接至少一管理端設備，且被配置為於接收該管理端設備發送之包含一管理者帳號的一第一管理請求時，生成並發送包含該管理者帳號的一請求授權；以及<br/> 一授權伺服器，通訊連接該網管型交換器和該至少一管理端設備，且被配置為：接收該請求授權；驗證該管理者帳號以生成一第一授權碼和一第一檢查碼，其中，該第一授權碼為隨機生成，且該第一檢查碼包含至少一該管理端設備之媒體存取控制位址；發送該第一授權碼和該第一檢查碼至該網管型交換器；以及發送該第一授權碼至發送該第一管理請求的該管理端設備；<br/> 其中，該網管型交換器還被配置為接收該管理端設備發送的一第二管理請求時，根據該第一授權碼和該第一檢查碼驗證該第二管理請求，並根據一驗證結果允許或拒絕該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該授權伺服器預先儲存有至少一網路設備識別資訊，該請求授權還包括該網管型交換器的識別資訊，且該授權伺服器還被配置為驗證該網管型交換器的識別資訊與該至少一網路設備識別資訊，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項11所述的網路授權驗證系統，其中，該網路設備識別資訊包含不同的網管型交換器的識別資訊及其所屬群組，且該請求授權包含該網管型交換器的識別資訊及其所屬群組；<br/> 該授權伺服器還被配置為，根據該至少一網路設備識別資訊驗證該網管型交換器的識別資訊及其所屬群組，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該授權伺服器預先儲存有至少一網路管理者識別資訊，該網路管理者識別資訊包含不同的管理者帳號及其所屬群組，且該請求授權包含該管理者帳號及其所屬群組；<br/> 該授權伺服器還被配置為，根據該至少一網路管理者識別資訊驗證該管理者帳號及其所屬群組，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該授權伺服器還被配置為發送一時間戳記與一有效時間至該網管型交換器，且該網管型交換器還被配置判斷該第二管理請求的時間是否落於由該時間戳記與該有效時間所界定之有效期間內，以決定是否允許該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該第二管理請求包括一第二授權碼和一第二檢查碼，且該網管型交換器還被配置為：<br/> 比對該第一授權碼是否與該第二授權碼相符，並確定該第一檢查碼是否包含該第二檢查碼；以及<br/> 當該第一授權碼與該第二授權碼相符，且該第一檢查碼包含該第二檢查碼時，允許該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該網管型交換器還被配置為發送該驗證結果至該授權伺服器。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該授權伺服器是通過電子郵件、簡訊、推播通知、MQTT 之發佈機制或其他受保護之通訊協定，發送該第一授權碼至發送該第一管理請求的該管理端設備。
如請求項10所述的網路授權驗證系統，其中，該至少一管理端設備設置於一網路管理系統的伺服器內，且該授權伺服器設置於該網路管理系統的伺服器內。
一種用於網路管理系統的伺服器，該伺服器與一網管型交換器通訊連接，且包括：<br/> 至少一管理端設備，被配置為發送包含一管理者帳號的一第一管理請求至該網管型交換器，該第一管理請求用於使該網管型交換器生成並發送包含該管理者帳號的一請求授權；<br/> 一授權伺服器，通訊連接該至少一管理端設備，且被配置為；接收該請求授權；驗證該管理者帳號以生成一第一授權碼和一第一檢查碼，其中，該第一授權碼為隨機生成，且該第一檢查碼包含至少一該管理端設備之媒體存取控制位址；發送該第一授權碼和該第一檢查碼至該網管型交換器；以及發送該第一授權碼至發送該第一管理請求的該管理端設備；<br/> 其中，該管理端設備還被配置為：在收到該第一授權碼後，發送一第二管理請求至該網管型交換器，該第二管理請求用於使該網管型交換器根據該第一授權碼和該第一檢查碼驗證該第二管理請求，並根據一驗證結果允許或拒絕該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項19所述的網路管理系統的伺服器，其中，該授權伺服器預先儲存有至少一網路設備識別資訊，該請求授權還包括該網管型交換器的識別資訊，且該授權伺服器還被配置為驗證該網管型交換器的識別資訊與該至少一網路設備識別資訊，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項20述的網路管理系統的伺服器，其中，該網路設備識別資訊包含不同的網管型交換器的識別資訊及其所屬群組，且該請求授權包含該網管型交換器的識別資訊及其所屬群組；<br/> 該授權伺服器還被配置為，根據該至少一網路設備識別資訊驗證該網管型交換器的識別資訊及其所屬群組，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項19述的網路管理系統的伺服器，其中，該授權伺服器預先儲存有至少一網路管理者識別資訊，該網路管理者識別資訊包含不同的管理者帳號及其所屬群組，且該請求授權包含該管理者帳號及其所屬群組；<br/> 該授權伺服器還被配置為，根據該至少一網路管理者識別資訊驗證該管理者帳號及其所屬群組，以決定是否生成該第一授權碼與該第一檢查碼。
如請求項19述的網路管理系統的伺服器，其中，該授權伺服器還被配置為發送一時間戳記與一有效時間至該網管型交換器，使該網管型交換器判斷該第二管理請求的時間是否落於由該時間戳記與該有效時間所界定之有效期間內，以決定是否允許該管理端設備存取或操作該網管型交換器。
如請求項19述的網路管理系統的伺服器，其中，該授權伺服器是通過電子郵件、簡訊、推播通知、MQTT 之發佈機制或其他受保護之通訊協定，發送該第一授權碼至發送該第一管理請求的該管理端設備。
一種快速換模裝置，包括：<br/>一模塊本體，該模塊本體的底面往上凹設一長方槽，在該長方槽範圍內，再往上凹設一H型槽，該H型槽四端點處往上貫通該模塊本體的頂面設定位孔，該定位孔與該H型槽間形成一交集區，一驅動孔，該驅動孔由該模塊本體周面貫通至該H型槽中央，該驅動孔內設有內螺紋，該長方槽設數螺孔；<br/>一驅動組件，包括四支鎖放桿、二支頂放桿、一支頂針及一驅動件，該驅動件頂推該頂針設至該驅動孔，二支該頂放桿組設於該H型槽一橫槽段處，兩兩該鎖放桿分別組設於該H型槽兩側的一縱槽段處，該頂針頂於二支該頂放桿間，該頂放桿頂於二支該鎖放桿間，該驅動件設外螺紋螺鎖至該內螺紋，兩兩該鎖放桿間組設一彈性元件，使兩該鎖放桿被頂動而相互遠離，頂動力消失則該彈性元件將兩該鎖放桿拉回原位；<br/>一長方塊，該長方塊設數穿孔對應數該螺孔，數螺絲穿經該穿孔鎖固至該螺孔；以及<br/>四個快速接頭，四個該快速接頭組入該定位孔，四個該快速接頭上段設一結合部，該快速接頭中下段周面設有一環卡槽，該環卡槽對應該交集區，該鎖放桿前進卡入該快速接頭的該環卡槽得立即定位該快速接頭，該鎖放桿退離該快速接頭的該環卡槽得立即解鎖。
如請求項1所述之快速換模裝置，其中該彈性元件兩端分別以一銷桿限位至其一該鎖放桿上。
如請求項2所述之快速換模裝置，其中每一該定位孔底面設一定位柱。
如請求項3所述之快速換模裝置，其中該定位柱可為優力膠定位柱。
如請求項4所述之快速換模裝置，其中該鎖放桿設有至少一個側平面及至少一個圓弧面。
如請求項5所述之快速換模裝置，其中該頂放桿設有至少一個側平面及至少一個圓弧面。
如請求項6所述之快速換模裝置，其中該頂針設有一個底平面及至少一個圓弧面。
如請求項7所述之快速換模裝置，其中該模塊本體的該底面設數螺孔部，得供數該快速接頭的該結合部結合。
如請求項8所述之快速換模裝置，其中該快速接頭設該結合部，一虎鉗的底部設數螺絲孔，得供數該快速接頭的該結合部結合。
一種高精密電磁阻力系統，其包括：<br/> 一發電定子，其外圈包含一電磁阻力組；<br/> 一發電轉子，其罩於該電磁阻力組外側，該發電轉子包含導磁材料； <br/> 一電磁阻力控制裝置，其與該電磁阻力組電性連接；<br/> 一電源處理裝置，其電性連接於該發電定子、該電磁阻力控制裝置；<br/> 一軸心組，其一端連接於該發電轉子另一端設於該發電定子；<br/> 其中該發電轉子相對該發電定子旋轉時所產生之電力輸送至該電源處理裝置，該電源處理裝置可用以處理外接式電源。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該發電轉子包含之導磁材料為高導磁性之金屬材料，例如矽鋼、低碳鋼。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該電磁阻力組與該發電轉子之一內圈之間具有一間隙，該間隙約為0.3mm~0.5mm。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該電磁阻力組包含之導磁材料為高導磁性之金屬材料，例如矽鋼、低碳鋼，該電磁阻力組可為E型鐵組樣態或齒輪形樣態。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該電磁阻力控制裝置包含有配合MOSFET之PWM控制電路及散熱器。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該發電定子、該發電轉子為盤式發電樣態。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該電源處理裝置另可包含接用至少一個不同外接電源之電路設計。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該軸心組包含一軸承，該軸承為單向、雙向其中一者。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該發電轉子一側包含呈現同心圓排列之複數磁鐵，該發電定子朝向該複數磁鐵的一側具有呈現同心圓排列之複數發電線圈。
如請求項5所述之高精密電磁阻力系統，其中該發電定子包含金屬材料，該散熱器與該發電定子相連。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，進一步包括有一磁場強度感應元件，該磁場強度感應元件組合於該電磁阻力組，該磁場強度感應元件與該電磁阻力控制裝置電性連接。
如請求項11所述之高精密電磁阻力系統，其中該磁場強度感應元件可以為線圈感應樣態。
如請求項11所述之高精密電磁阻力系統，其中該磁場強度感應元件可以為霍爾感測器樣態。
如請求項9所述之高精密電磁阻力系統，其中該複數磁鐵之數量為十六，該複數發電線圈之數量為十二。
如請求項9所述之高精密電磁阻力系統，其中該複數磁鐵之數量為十六，該複數發電線圈之數量為二十四。
如請求項1所述之高精密電磁阻力系統，其中該電磁阻力控制裝置包括複數繞線部，各繞線部二側分別有一線槽。
一種軟性寵物誘食機能營養食品結構，其特徵在於包含：<br/>一個軟性本體，係由一可塑性食用材料製成，該軟性本體具有一外表面；以及<br/>一容置部，係凹設於該軟性本體之該外表面，形成一具有開口之容納空間；<br/>其中，該容置部用以容納一藥物單元，且該軟性本體能經由外力擠壓產生塑性變形，以封閉該容置部之該開口並貼合包覆該藥物單元。
如申請專利範圍第1項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該軟性本體係呈圓柱狀、橢圓柱狀或多邊形柱狀體。
如申請專利範圍第1項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該軟性本體之該開口在未受外力作用時，係維持半開放狀態以利藥物單元置入。
如申請專利範圍第1項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該可塑性食用材料係包含寵物食品基底、一機能性添加物以及一適口性口味添加物，該機能性添加物以及該適口性口味添加物係均勻混合分佈於該寵物食品基底中並一體成型為該軟性本體。
如申請專利範圍第4項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該機能性添加物係包含泌尿護理成分、腸道護理成分、視力護理成分、肝臟護理成分、關節護理成分、心血管護理成分、呼吸護理成分、排毛護理成分、膚毛護理成分及開胃護理成分。
如申請專利範圍第4項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該機能性添加物係呈粉末狀、顆粒狀、油狀或凝膠狀，並分佈於該可塑性食用材料中。
如申請專利範圍第1項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該軟性本體之該外表面具有複數個細微顆粒狀突起，以增加該外表面之粗糙度。
如申請專利範圍第1項所述之軟性寵物誘食機能營養食品結構，其中該軟性本體在未包覆藥物單元時，係可直接作為一寵物零食供寵物食用。
一種廢液袋切割處理裝置，包括：<br/> 一廢液收集置放箱，於內具有至少一容置空間，且於上方具有一與該容置空間連通之開口；<br/> 一蓋體，乃活動設於該廢液收集置放箱上，用以遮蔽該開口；<br/> 一旋轉平台，乃設於該容置空間內並靠近該開口位置處，且該旋轉平台包括一限位部、及一活動設於該限位部一側之旋轉台，該旋轉台上乃形成數個穿孔，以供設置數個廢液袋；<br/> 一電動驅動裝置，乃設於該容置空間內，且與該旋轉平台連結以驅動該旋轉平台旋轉運作；<br/> 數個限位件，乃設於該旋轉平台下方處，並圍繞著該穿孔周圍且朝該容置空間底部方向延伸形成，用以限位該廢液袋防止其晃動；<br/> 一下支撐件，乃設於該廢液收集置放箱底部處；<br/> 一切割裝置，乃設於該容置空間內，且該切割裝置包括一位置限制模組、一與該位置限制模組連結並受其控制之電動力元件、及一與該電動力元件連結並受其旋轉帶動之切割件，該切割件係以縱向方向運動；<br/> 一排液孔，乃設於該廢液收集置放箱底部並與該容置空間連通；及<br/> 一控制裝置，乃設於該廢液收集置放箱上，並與該電動驅動裝置、及該切割裝置訊號連結，用以控制該電動驅動裝置、及該切割裝置之作動。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該蓋體上乃設有一手把。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該切割件具有一曲面的切割部、及一位於該切割部末端之刺破部。
如請求項3所述之廢液袋切割處理裝置，其中該縱向方向運動範圍為120°至180°。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該廢液收集置放箱上方處設有一與該控制裝置資訊連結之安全開關，用以於運作狀態下開啟該蓋體時得立即停止運作。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該廢液收集置放箱上設有一與該容置空間連通之清潔裝置，乃引入外部流體對該廢液袋進行噴灑清潔。
如請求項6所述之廢液袋切割處理裝置，其中該清潔裝置係具有一引流動力元件、一與該引流動力元件連結並透過該引流動力元件引入外部流體之通道、及至少一與該通道連通之流體出口。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該位置限制模組乃為控制基板、或霍爾感應器。
如請求項1所述之廢液袋切割處理裝置，其中該下支撐件為該廢液收集置放箱低於該排液孔之區域範圍、或架體。
如請求項9所述之廢液袋切割處理裝置，其中該架體底部係設有數個輪體。
一種醒酒裝置，其係包含有玻璃管體、螺旋狀蛇管、醒酒液體及漏斗杯口；該玻璃管體係為一內部中空之管體，其中，該管體上下兩端分別形成一通孔，管體壁上設有一入水孔及一塞蓋；該螺旋狀蛇管係呈螺旋狀彎曲之玻璃管道，頂端設有一入水管口，底端延伸一出水管口；該醒酒液體係為一種有醒酒功效之液體水；該漏斗杯口係為一上寬下窄之漏斗狀杯體；組裝時，將螺旋狀蛇管設於玻璃管體其內部中空之管體中，使螺旋狀蛇管其頂端之入水管口與漏斗杯口之底部連接；螺旋狀蛇管底端之出水管口則向下穿過玻璃管體下端之通孔使該出水管口延伸凸設於玻璃管體外；最後將醒酒液體由玻璃管體其管體壁上之入水孔注入使該醒酒液體充滿整個玻璃管體內部，並完全包裹浸泡螺旋狀蛇管，蓋上塞蓋使其完全密閉不滲漏。
如請求項1所述之醒酒裝置，其中，該醒酒液體係為一種經過蒸餾後，切斷其水微粒子的分子鏈之液體。
如請求項1所述之醒酒裝置，其中，該醒酒裝置係裝設於一置放架上。
一種可供組裝配件之座管，該座管具有一管件以及位於該管件頂端之接頭，該接頭可供配置一組接模組以供夾設一自行車椅座之座弓，其特徵在於：<br/> 該接頭一側具有配件固定結構，該配件固定結構具有至少一搭接部，該搭接部具有至少一固定孔，用以將一配件連接於該座管。
如請求項1所述可供組裝配件之座管，其中，該配件固定結構進一步設有連接體，該搭接部供配合該連接體之外型而設置。
如請求項2所述可供組裝配件之座管，其中，該配件係設置於該連接體。
如請求項2所述可供組裝配件之座管，其中，該連接體具有供連接該配件之一安裝表面，以及相對於該安裝表面之一底面，而該安裝表面具有至少一突出的卡扣部。
如請求項4所述可供組裝配件之座管，其中，該搭接部可進一步設有穿線孔，該穿線孔係連通至該管件內，該穿線孔可供穿設該連接體所延伸之導線。
如請求項1所述可供組裝配件之座管，其中，該配件固定結構進一步設有連接體、調節座及固定組件，該連接體係具有一底座以及位於該底座上之樞接部，該搭接部供配合該底座之外型而設置，該樞接部具有第一、第二樞耳，該調節座具有接合部以及位於該接合部一側之樞轉部，該接合部可供組配該配件，該樞轉部具有第三樞耳以供樞接於該第一、第二樞耳，該固定組件係穿設於該樞接部與該樞轉部之間，用以將該配件連接於該座管。
如請求項1至6任一項所述可供組裝配件之座管，其中，該搭接部係被構形為凹入於該接頭之多邊形結構體。
如請求項1至6任一項所述可供組裝配件之座管，其中，該組接模組具有二組位於該接頭外之內、外夾座，該座弓則夾設於該內、外夾座之間。
如請求項1至6任一項所述可供組裝配件之座管，其中，該座管係為升降座管，另有一手拉柄穿設於該接頭，可供調整該升降座管之長度。
如請求項1至6任一項所述可供組裝配件之座管，其中，該配件固定結構進一步設有固定件，該固定件以可拆裝方式將該連接體組裝固定於該搭接部。
如請求項10所述可供組裝配件之座管，其中，該固定件為一螺栓，該連接體具有一穿孔，該固定孔係被構形為螺孔結構，該固定件穿過該穿孔後鎖固於該固定孔中。
一種背光模組，包括：<br/> 一光源組件，包括至少一基板以及複數個發光單元，該些發光單元陣列排列於該至少一基板上；<br/> 一微結構擴散膜，設置在該光源組件的一側，並具有複數個微結構及一擴散膜基板，該擴散膜基板包括彼此相對的一第一面與一第二面，該些微結構設置在該第一面與該第二面的至少其中之一上；<br/> 一第一稜鏡片，設置在該微結構擴散膜的該第二面的一側，該第一稜鏡片面對該微結構擴散膜的該第二面的一表面具有複數個第一稜鏡結構，該些第一稜鏡結構沿一第一方向延伸；<br/> 一第二稜鏡片，設置在該第一稜鏡片遠離該微結構擴散膜的一側，該第二稜鏡片遠離該第一稜鏡片的一表面具有複數個第二稜鏡結構，該些第二稜鏡結構沿一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向之間的夾角大於或等於65度且小於或等於90度；以及<br/> 一第三稜鏡片，設置在該第二稜鏡片遠離該第一稜鏡片的一側，該第三稜鏡片遠離該第二稜鏡片的一表面具有複數個第三稜鏡結構，該些第三稜鏡結構沿一第三方向延伸，該第二方向與該第三方向之間的夾角大於或等於80度且小於或等於90度。
如請求項1所述的背光模組，其中，該些發光單元均為藍色發光單元，該背光模組還包括：<br/> 一藍光穿透膜，設置於該光源組件與該微結構擴散膜之間；以及<br/> 一色轉換膜，設置於該藍光穿透膜與該微結構擴散膜之間。
如請求項1所述的背光模組，其中，該些微結構中的每一個微結構為角錐結構或角錐台結構。
如請求項3所述的背光模組，其中，該角錐結構或該角錐台結構具有一矩形底面。
如請求項1所述的背光模組，其中，相鄰的該些微結構彼此連接。
如請求項1所述的背光模組，其中，相鄰的該些微結構彼此分離。
如請求項1所述的背光模組，其中，該些微結構中的每一個微結構的一截面輪廓為三角形、多直線段的組合、多弧線段的組合、或直線段與弧線段的組合。
如請求項1所述的背光模組，其中， 該些第一稜鏡結構中的每一個第一稜鏡結構具有一第一頂角，該第一頂角大於或等於80度且小於或等於100度。
如請求項1所述的背光模組，其中， 該些第二稜鏡結構中的每一個第二稜鏡結構具有一第二頂角， 該第二頂角大於或等於80度且小於或等於100度， 該些第三稜鏡結構中的每一個第三稜鏡結構具有一第三頂角，該第三頂角大於或等於80度且小於或等於100度。
一種顯示裝置，包括：<br/> 如請求項1所述的背光模組；以及<br/> 一顯示面板，設置於該背光模組上。
一種牙刷刷毛結構，其用以設置於一牙刷的一刷頭本體；該刷頭本體具有一長度方向以及一寬度方向，且該刷頭本體沿該長度方向延伸；該牙刷刷毛結構具有： <br/>一第一植毛區域、一中間植毛區域以及一第二植毛區域；該第一植毛區域、該中間植毛區域以及該第二植毛區域為平面狀且齊平；該第一植毛區域、該中間植毛區域以及該第二植毛區域用以沿該長度方向依序排列於該刷頭本體； <br/>一第一刷毛體，其包含複數從該第一植毛區域向上延伸之刷毛； <br/>一中間刷毛體，其包含複數從該中間植毛區域向上延伸之刷毛； <br/>一第二刷毛體，其包含複數從該第二植毛區域向上延伸之刷毛； <br/>該第一刷毛體的該等刷毛的延伸高度朝該中間刷毛體漸增而形成一第一斜面； <br/>該第二刷毛體的該等刷毛的延伸高度朝該中間刷毛體漸增而形成一第二斜面； <br/>該中間刷毛體的該等刷毛的最大延伸高度小於該第一刷毛體的刷毛的最大延伸高度以及該第二刷毛體的刷毛的最大延伸高度。
如請求項1所述之牙刷刷毛結構，其中，該第一植毛區域、該中間植毛區域及該第二植毛區域均為橢圓形。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該中間刷毛體的該等刷毛的延伸高度沿該寬度方向的兩側朝中央漸縮，而使該中間刷毛體的頂部為凹弧狀。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該中間刷毛體的該等刷毛的延伸高度從該中間刷毛體沿該長度方向的兩側朝中間處漸增。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該第一斜面與該第一植毛區域的夾角介於40度至50度。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該第二斜面與該第二植毛區域的夾角介於40度至50度。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該第一刷毛體相鄰該中間刷毛體之該等刷毛及該第二刷毛體相鄰該中間刷毛體之該等刷毛皆向該中間刷毛體傾斜。
如請求項7所述之牙刷刷毛結構，其中，該第一刷毛體相鄰該中間刷毛體之該等刷毛的延伸方向與該第一植毛區域的夾角介於81度至83度。
如請求項1或2所述之牙刷刷毛結構，其中，該第一刷毛體的該等刷毛與該中間刷毛體之該等刷毛的延伸高度差介於1毫米到3毫米之間。
一種牙刷刷頭，其具有： <br/>一刷頭本體，其具有一長度方向以及一寬度方向，且該刷頭本體沿該長度方向延伸； <br/>一牙刷刷毛結構，其設置於該刷頭本體上，且具有： <br/> 一第一植毛區域、一中間植毛區域以及一第二植毛區域；該第一植毛區域、該中間植毛區域以及該第二植毛區域為平面狀且形成於該刷頭本體的一表面上；該第一植毛區域、該中間植毛區域以及該第二植毛區域沿該長度方向依序排列； <br/> 一第一刷毛體，其設置於該刷頭本體上，且包含複數從該第一植毛區域向上延伸之刷毛； <br/> 一中間刷毛體，其設置於該刷頭本體上，且包含複數從該中間植毛區域向上延伸之刷毛； <br/> 一第二刷毛體，其設置於該刷頭本體上，且包含複數從該第二植毛區域向上延伸之刷毛； <br/> 該第一刷毛體的該等刷毛的延伸高度朝該中間刷毛體漸增而形成一第一斜面； <br/> 該第二刷毛體的該等刷毛的延伸高度朝該中間刷毛體漸增而形成一第二斜面； <br/> 該中間刷毛體的該等刷毛的最大延伸高度小於該第一刷毛體的刷毛的最大長度以及該第二刷毛體的刷毛的最大延伸高度。
一種以UV燈管為主體的果汁殺菌機，包含有：<br/> 一機架；<br/> 一殺菌艙，其安裝於該機架下方的一第一安裝區；<br/> 一抽吸馬達，其安裝於該機架下方的一第一安裝空間，該抽吸馬達具有一第一端，該第一端與一未殺菌飲料供應部連接，且該抽吸馬達具有一第二端，該第二端透過一連接管連接於該殺菌艙；其特徵在於：<br/> 該殺菌艙內設有複數組之UV燈管；<br/> 且該殺菌艙於預定位置設有一出料管，該出料管用以將經殺菌之飲料輸送至一收集區；以及<br/> 至少一控制模組，其與該抽吸馬達及該等UV燈管電性連接，用以控制該抽吸馬達之運轉及該等UV燈管之開關；<br/> 據此，未殺菌飲料可由該抽吸馬達導引進入該殺菌艙，並由該殺菌艙內之UV燈管對飲料進行紫外線照射殺菌，殺菌後之飲料則由該出料管導引至該收集區。
如請求項1所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該殺菌艙內設有至少一隔板，以限制並導引飲料於該殺菌艙內之流動。
如請求項2所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該等UV燈管以可拆卸方式插設於該隔板上。
如請求項1所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該連接管為一奈米氣泡管，用以於飲料進入該殺菌艙之前導入奈米氣泡。
如請求項1所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該控制模組具有燈管監測功能，用以顯示各該UV燈管之運作狀態與功率衰退情形。
如請求項1所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該殺菌艙具有至少一清潔口，該清潔口與一清潔管路相連，用以供清洗液或水源進入或排出，以利該殺菌艙內部之維護與清潔。
如請求項1所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該控制模組固定設置於所述機架上端的一第二安裝區，以供監控與操作所述UV燈管及所述抽吸馬達。
如請求項2所述之以UV燈管為主體的果汁殺菌機，其中，該隔板為食品級材料製成，包括食品級鐵氟龍、食品級塑料或其他可供食品接觸之材料。
一種以UV燈管為主體的果汁殺菌機，包含有：<br/> 一機架；<br/> 一殺菌艙，其安裝於該機架下方的一第一安裝區；<br/> 一抽吸馬達，其安裝於該機架下方的一第一安裝空間，該抽吸馬達具有一第一端，該第一端與一未殺菌飲料供應部連接，且該抽吸馬達具有一第二端，該第二端透過一連接管連接於該殺菌艙；其特徵在於：<br/> 該殺菌艙內設有複數組之UVC燈管；<br/> 且該殺菌艙於預定位置設有一出料管，該出料管用以將經殺菌之飲料輸送至一收集區；以及<br/> 至少一控制模組，其與該抽吸馬達及該等UVC燈管電性連接，用以控制該抽吸馬達之運轉及該等UVC燈管之開關；<br/> 據此，未殺菌飲料可由該抽吸馬達導引進入該殺菌艙，並由該殺菌艙內之UVC燈管對飲料進行紫外線照射殺菌，殺菌後之飲料則由該出料管導引至該收集區。
一種多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其包括有：一彎腳座，其平行形成有二支撐壁，兩該支撐壁之間形成有一容置槽，且該容置槽的開口朝上；一輸送件，其位於該容置槽處，且該輸送件間隔有複數個限位間隔，該限位間隔用於放置有一晶片型電容，又該輸送件每一次的移動行程能將至少一該晶片型電容搬移放置於該彎腳座處，讓該晶片型電容所延伸的二電極腳延伸於兩該支撐壁的兩外側；一夾持模具，其包括有一上置模塊與一下置模塊，該上置模塊與該下置模塊能位於兩該支撐壁的兩外側處互相夾合至少一該晶片型電容之兩該電極腳；一滾輪模具，其位於該彎腳座的兩側皆設置有一滾輪，該滾輪模具朝上依序位移形成第一次彎腳行程與第二次彎腳行程，第一次彎腳行程於該夾持模具夾合時，兩該滾輪朝上滾動而彎曲兩該電極腳，使兩該電極腳的一電極腳中段處形成有一第一夾角，第二次彎腳行程於該夾持模具未夾合時，兩該滾輪朝上滾動而彎曲兩該電極腳的一電極腳底端，使兩該電極腳彎曲貼合於該晶片型電容表面。
如請求項1所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中更包括有一定位模塊，該定位模塊於該夾持模具作動前抵壓於多個該晶片型電容表面，進一步將多個晶片型電容固定於該彎腳座上。
如請求項1所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該上置模塊朝下形成有一第一抵壓面，該下置模塊朝上形成有一第二抵壓面，該第一抵壓面與該第二抵壓面呈互相對應的斜面狀，於該第一抵壓面與該第二抵壓面互相夾合時，兩該電極腳之該電極腳底端皆下彎形成有一第二夾角。
如請求項3所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該電極腳之該電極腳底端至該電極腳中段處之間為一電極腳前段，且該電極腳前段與該晶片型電容本體之間形成該第二夾角，該電極腳之該電極腳中段處至該電極腳的一電極腳末端之間為一電極腳後段，且該電極腳前段與該電極腳後段之間形成該第一夾角，於該晶片型電容彎腳成型後，該電極腳前段貼合於該晶片型電容表面，該電極腳之該電極腳末端抵觸於該晶片型電容上方表面，且該電極腳後段與該晶片型電容表面之間間隔有一容許間隙。
如請求項4所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該第一夾角介於70度至80度之間，且該第二夾角介於100度至110度之間。
如請求項1所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該彎腳座的一端銜接有一集料座，該集料座相接該彎腳座之兩該支撐壁而形成二擋壁，兩該擋壁之間形成有可提供該輸送件容置的一凹槽，於一側該擋壁處開設有一落料口，且該輸送件於該落料口處同向形成有一落料斜面，使完成加工的該晶片型電容能沿著該落料斜面滑落向該落料口。
如請求項1所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該滾輪模具更包括有二擺臂、一連動座與一彈簧，兩該擺臂皆樞設於該連動座，兩該擺臂一端於兩者之間夾設有該彈簧，而兩該擺臂另一端皆裝設有該滾輪，又該彈簧之彈力常態頂推兩該擺臂，使兩該滾輪互相朝內形成擠壓力。
如請求項7所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該滾輪模具更包括有一擴張器，該擴張器朝上凸設有二塊體，兩該塊體皆朝相對內側形成有一斜抵面，又該擺臂於裝設有該彈簧的一端皆設有一輪體，當該擺臂向下位移時，兩該輪體皆沿著該斜抵面而互相靠近，使兩該滾輪互相遠離而不會抵壓該彎腳座。
如請求項7所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該滾輪模具更包括有一微調件，該微調件樞設該滾輪，且該微調件以一水平調整螺栓固定於該擺臂處，轉動該水平調整螺栓能微調該滾輪的水平位置，又該微調件鎖設有一垂直調整螺栓，轉動該垂直調整螺栓能下壓該擺臂，進而微調該滾輪的垂直位置。
如請求項7所述的多個晶片型電容同時彎腳之加工裝置，其中該滾輪模具更包括有二限位器，兩該限位器皆具有一控制螺栓，並由該控制螺栓帶動有一阻擋部，旋轉該控制螺栓能調整兩該阻擋部阻擋兩該擺臂的外側位置，透過兩該阻擋部控制兩該滾輪朝內位移的最近距離。
一種刀具夾持結構，包含：<br/> 一底座，包含：<br/> 一夾持部；<br/> 一安裝通道，穿設於該夾持部；<br/> 一第一傾斜部，環設於該安裝通道的一內壁，且該第一傾斜部位於該安裝通道的一開口側；及<br/> 一第一螺紋部，環設於該安裝通道的該內壁，該第一螺紋部連接於該第一傾斜部，且該第一螺紋部沿遠離該第一傾斜部的一方向延伸；以及<br/> 一夾持件，可拆卸地安裝於該底座的該安裝通道，且該夾持件包含：<br/> 一頭部；<br/> 一桿部，連接於該頭部，且該桿部包含：<br/> 一頸部，連接於該頭部，且該頸部環設於該桿部的一外壁；及<br/> 一第二螺紋部，連接於該頸部，該第二螺紋部環設於該桿部的該外壁，且該第二螺紋部沿遠離頭部的一方向延伸；及<br/> 一夾持孔，穿設於該頭部及該桿部；<br/> 其中，該第一傾斜部具有一第一傾斜角度。
如請求項1所述之刀具夾持結構，其中該第一傾斜部的該第一傾斜角度為53度至59度。
如請求項1所述之刀具夾持結構，其中該底座更包含：<br/> 一第二傾斜部，位於該夾持部的一外壁上。
如請求項3所述之刀具夾持結構，其中該第二傾斜部具有一第二傾斜角度，且該第二傾斜角度為17度至23度。
如請求項1所述之刀具夾持結構，其中該頸部具有一第三傾斜角度，且該第三傾斜角度為50度至56度。
如請求項1所述之刀具夾持結構，其中該夾持件更包含：<br/> 至少一個凹槽，設置於該頭部。
如請求項6所述之刀具夾持結構，其中該至少一個凹槽的一數量為一個至六個。
如請求項6所述之刀具夾持結構，其中該至少一凹槽包含一弧面及一平面。
如請求項1所述之刀具夾持結構，其中該夾持件更包含：<br/> 一第四傾斜部，環設於該夾持孔的一內壁，且該第四傾斜部位於該夾持孔的一開口側。
如請求項1所述之刀具夾持結構，更包含：<br/> 一插銷，穿設於該底座與該夾持件。
一種龍頭組件，包括：<br/> 一龍頭底座，設有一本體，於該本體的中間形成一插座部，該插座部具有一上側面，於該上側面的周圍部分連接一出水外管連接筒；於該本體的兩端分別連接一閥體座，各該閥體座內形成一閥體腔，於各該閥體座的下端形成一入水孔，各該入水孔通往各該閥體腔；於該本體的兩側內部分別形成一側向水道，各該側向水道的一端通往各該閥體腔，各該側向水道另一端伸抵該插座部內，於該插座部內設有一出水通孔，該出水通孔的下端與該二側向水道相通，該出水通孔的上端與該出水外管連接筒內相通；於該插座部的下側連接一軌道桿，該軌道桿內沿上下方向形成一軌道，對應該軌道於該插座部形成一第一樞孔，該第一樞孔與該軌道的上端相通，該軌道桿的下端部對應該軌道形成一第二樞孔，該第二樞孔與該軌道的下端相通；以及<br/> 一固定結構，包括一螺栓、一滑塊與一夾臂；該螺栓包括相連的一頭部與一螺桿部，該頭部受該第一樞孔的周緣擋止，該螺桿部可自轉地穿過該第一樞孔、該軌道與該第二樞孔，於該螺桿部的下端結合一蓋頭螺帽；該滑塊的一側以可上下滑動的方式設置於該軌道內，於該滑塊位於該軌道內的一側形成一螺孔，該螺桿部螺合於該螺孔，該滑塊的另一側凸出於該軌道，該夾臂的中間部分以可轉動的方式樞接於該滑塊凸出於該軌道的部分。
如請求項1所述之龍頭組件，其中各該側向水道係沿直線方向延伸的圓孔且具有一中心線，該二中心線之間的夾角介於150度與180度之間；該出水通孔的上端穿出該上側面的前側，該第一樞孔位於該出水通孔的後方。
如請求項1所述之龍頭組件，其中於該軌道桿鄰接於該軌道處沿上下方向形成一軌道引導面；於該滑塊連接一扣塊，該扣塊以可上下滑動的方式抵靠於該軌道引導面。
如請求項1所述之龍頭組件，其中該出水外管連接筒係非圓形的管體，於該上側面受該出水外管連接筒環繞的範圍的一側形成一凸塊，該凸塊與該出水外管連接筒的內周面的一側相連，於該凸塊形成一插掣凹部，該出水通孔的上端穿出該插掣凹部；於該出水外管連接筒的外周面形成一扣件通道，該扣件通道的一側貫穿該出水外管連接筒且鄰接於該出水通孔的周邊，該扣件通道的另一側連接一彈片穿孔，該彈片穿孔通往該出水外管連接筒內；於該扣件通道嵌設一插頭扣件，該插頭扣件設有一板體，該板體的部分容納於該扣件通道內且具有一壓制斜面，該壓制斜面凸出於該扣件通道，該板體朝向該插掣凹部的部分形成一弧形扣部，於該板體連接一彈片柄，該彈片柄穿入該彈片穿孔，於該彈片柄連接一長條彈片，該長條彈片背離該彈片柄的一側抵靠於該出水外管連接筒的內周面，藉此提供該弧形扣部進入該扣件通道內後可退回的回復力。
如請求項4所述之龍頭組件，其中於該出水外管連接筒形成一對剖溝，於該對剖溝之間形成一彈性扣。
如請求項4所述之龍頭組件，其中配合該出水外管連接筒的上端形成一插頭固定框，該插頭固定框具有一框體，該框體抵靠於該出水外管連接筒的上端，於該框體連接一U型扣，該U型扣位於該出水通孔的正上方，且該U型扣內側面的下半部形成一扣槽。
如請求項6所述之龍頭組件，其中配合該出水通孔設有一出水管，該出水管的一端設有一快速接頭，該快速接頭具有一插管部與一大徑部，於該插管部與該大徑部之間形成一頸部，該快速接頭的該插管部插入該出水通孔，該頸部供該插頭扣件的該弧形扣部移入，該大徑部卡扣於該U型扣的該扣槽內，該出水管鄰接於該快速接頭的部分穿過該U型扣的上半部。
如請求項1所述之龍頭組件，其中該第一樞孔係沉頭孔，該頭部密封地嵌設於該第一樞孔內；該出水外管連接筒係圓形的管體，於該出水外管連接筒的外周面形成一外螺紋段，於該出水外管連接筒的上端面的整圈形成一斜錐面；配合該斜錐面形成一束環管，該束環管係豎直設置的管體且具有沿上下方向延伸的一截斷溝，該束環管的下端面形成一插環，該插環抵靠於該斜錐面；配合該外螺紋段設有一套管，該套管具有一套管本體，該套管本體的內周面形成一內螺紋段，該內螺紋段螺合於該外螺紋段，於該套管本體的內周面的頂端連接一凸環；該束環管容納於該套管內，該凸環抵靠於該束環管的上端。
如請求項8所述之龍頭組件，其中該斜錐面形成於該出水外管連接筒的上端面的內周緣處；該插環係C形的凸條且形成於該束環管的下端面的內緣，該束環管的下端面的外緣抵靠於該出水外管連接筒的上端面，於該束環管的內周面形成一鎖定環，該鎖定環係C形的凸條；配合該出水外管連接筒設有一出水外管，該出水外管的一端形成一出水口且於另一端形成一基部，該基部穿過該凸環與該束環管而密封地插入該出水外管連接筒內，於該基部的外周面形成一環狀槽，該鎖定環嵌入該環狀槽，該出水外管的內部與該出水通孔的上端相通。
如請求項9所述之龍頭組件，其中於該基部的外周面形成至少一密封環槽，於該至少一密封環槽嵌設至少一密封環，該至少一密封環的部分凸出於該至少一密封環槽且抵靠於該出水外管連接筒的內周面，藉此使該基部密封地結合於該出水外管連接筒內。
如請求項1所述之龍頭組件，其中該夾臂橫跨於該軌道桿的兩側，該夾臂的一端與另一端分別設有一按壓板與一彎板，該彎板相較於該按壓板更接近該夾臂在該滑塊上的樞接位置。
如請求項11所述之龍頭組件，其中該夾臂係沿直線方向延伸的板金件，該夾臂包括相對的一第一板體與一第二板體，該第一板體橫跨於該軌道桿的兩側，該按壓板連接於該第一板體的一端，於該第一板體的另一端與該第二板體之間連接一連接板，該彎板連接於該連接板背離該按壓板的一側，於該第一板體與該第二板體的相對處分別形成一固定孔，於該滑塊凸出於該軌道的另一側形成一軸孔，於該軸孔可轉動地穿設一軸桿，該軸桿的兩端分別固定於各該固定孔，藉此使該夾臂可相對於該滑塊轉動。
一種隨身的皮飾掛件，其包含：<br/>一飾物，其由一前飾片及一後飾片相互縫合而成；<br/>一盛物袋，其由一前圓片及一後圓片相互縫合而成；該盛物袋的下端與該飾物的上端連接成一體；該前圓片與該後圓片以週緣相互縫合的形態，形成一中空的袋體；該前圓片與該後圓片週緣的上緣為非縫合狀，形成該盛物袋的袋口；該前圓片的中央設置有一圓形穿孔；以一透明薄片封閉該圓形穿孔，形成該盛物袋的視窗；該前圓片的上端連接一扣片，該扣片上設置有第一扣件；<br/>一圓形板，其可由該盛物袋的袋口置入該盛物袋內；<br/>以及，<br/>一掛耳，其下端與該盛物袋的後圓片的上端連接成一體；該掛耳上設置有一第二扣件；該第二扣件與該第一扣件間能夠相互扣合，而關閉該盛物袋的袋口。
如請求項1所述之隨身的皮飾掛件，其中，該飾物、盛物袋、掛耳皆是由皮件所製成。
如請求項2所述之隨身的皮飾掛件，其中，該飾物的前飾片與該盛物袋的前圓片為一體構成。
如請求項3所述之隨身的皮飾掛件，其中，該盛物袋的前圓片與該扣片為一體構成。
如請求項2所述之隨身的皮飾掛件，其中，該飾物的後飾片與該盛物袋的後圓片為一體構成。
如請求項5所述之隨身的皮飾掛件，其中，該盛物袋的後圓片與該掛耳為一體構成。
如請求項1所述之隨身的皮飾掛件，其中，該扣片上的第一扣件為母扣件；該掛耳上的第二扣件為公扣件。
如請求項1所述之隨身的皮飾掛件，其中，該圓形板為硬幣。
一種量測設備，包含：<br/> 一基座；<br/> 一立架，設置於該基座上；<br/> 一夾爪，可沿一移載方向移動地設置於該基座上；<br/> 一吸附機構，可沿一垂直該移載方向的高度方向升降地設置於該立架上，該吸附機構位於該夾爪之移動路徑的相對上方處；<br/> 至少一第一檢測器，沿一垂直該高度方向的投影方向位於該夾爪之移動路徑的其中一側；及<br/> 至少一第二檢測器，固定於該立架而沿該高度方向位於該夾爪之移動路徑的上方處，該至少一第二檢測器、該吸附機構，及該至少一第一檢測器沿該移載方向依序排列。
如請求項1所述的量測設備，其中，該基座包括一底板，及一設置於該底板上且沿該移載方向延伸的滑軌，該夾爪係可沿該滑軌移動地設置於該滑軌上。
如請求項2所述的量測設備，其中，該立架包括一固定於該基座之底板上的主架體，及一設置於該主架體且沿該升降方向延伸的導軌，該吸附機構包括一可沿該升降方向移動地設置於該導軌上的升降座，及一由該升降座沿該高度方向朝下設置，且沿該高度方向位於該滑軌上方的電磁鐵。
如請求項3所述的量測設備，包含二沿該投影方向分別位於該滑軌及該吸附機構之相反兩側的第一檢測器。
如請求項4所述的量測設備，其中，該至少一第二檢測器沿該高度方向由該立架之主架體朝下設置，且沿該高度方向位於該滑軌的上方。
如請求項1所述的量測設備，其中，該至少一第一檢測器為投影檢測器。
如請求項1所述的量測設備，其中，該至少一第一檢測器為視覺檢測器。
如請求項1所述的量測設備，其中，該至少一第二檢測器為雷射檢測器。
如請求項1所述的量測設備，其中，該至少一第二檢測器為視覺檢測器。
一種依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，係提供一客戶端連接，該裝置至少包含：<br/> 一資訊收集模組，用以接收來自該客戶端之一卡片解鎖請求，該卡片解鎖請求對應一金融卡，及用以於接收到該卡片解鎖請求時，取得該客戶端之一環境參數；<br/> 一風險評估模組，與該資訊收集模組連接，用以依據該環境參數執行一風險評估機制以產生一風險評估結果；<br/> 一模式選擇模組，與該風險評估模組連接，用以依據該風險評估結果，由預先定義之多個候選驗證機制中選擇一目標驗證機制；<br/> 一身分驗證模組，與該模式選擇模組連接，用以提供該客戶端進行該目標驗證機制；及<br/> 一解鎖執行模組，與該身分驗證模組連接，用以於該客戶端通過該目標驗證機制時，產生該金融卡之一解鎖指令，且該解鎖執行模組傳送該解鎖指令至銀行之一中心管理主機以使該中心管理主機解除該金融卡之鎖定狀態、及/或透過自動櫃員機將該解鎖指令提供給該金融卡以使該金融卡中之晶片執行該解鎖指令所包含之發卡行腳本（Issuer Script）以解除該金融卡之鎖定狀態，及用以提供一密碼重設介面以提供該客戶端設定該金融卡之新密碼。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該資訊收集模組是依據該客戶端之類型決定取得該環境參數所包含之部分資料之方式。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該資訊收集模組是由該卡片解鎖請求中取得該環境參數。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該風險評估模組是依據由該環境參數取得之各風險因子及與各該風險因子對應之風險權重計算該風險評估結果、依據該環境參數所符合之各比對規則及與各比對規則對應之風險分數計算該風險評估結果、及/或使用風險評估模型對該環境參數產生該風險評估結果。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該風險評估模組更用以依據該環境參數中之當前位置與前次記錄之歷史位置計算一移動速率，並判斷該移動速率超過物理閾值時提高所產生之風險評估結果。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該裝置更包含一狀態確認模組，與該資訊收集模組及該風險評估模組連接，用以檢查該客戶端是否具有一快速驗證狀態，當該客戶端未具有該快速驗證狀態時，提供該客戶端申請該快速驗證狀態，該解鎖執行模組更用以於該客戶端通過該目標驗證機制且該客戶端已具有該快速驗證狀態時，判斷該客戶端於一定時間內傳送所有卡片解鎖請求之次數是否達到一申請門檻值，並於該客戶端於一定時間內傳送所有卡片解鎖請求之次數未達到該申請門檻值時產生該解鎖指令。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該模式選擇模組是在該風險評估結果低於一第一閾值時選擇直接解鎖或密碼驗證之一該候選驗證機制做為該目標驗證機制，在該風險評估結果介於該第一閾值與一第二閾值之間時選擇包含至少兩種身分認證方式之一該候選驗證機制做為該目標驗證機制，及在該風險評估結果高於該第二閾值時，選擇延遲解鎖、拒絕解鎖或凍結帳戶之一該候選驗證機制做為該目標驗證機制。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該模式選擇模組更用以於該風險評估結果所表示之風險等級於一定時間內之增加幅度高於預定程度時，選擇驗證強度較高之該目標驗證機制。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該裝置更包含一密碼發行模組，與該身分驗證模組及該解鎖執行模組連接，用以於該客戶端通過該目標驗證機制時，產生一解鎖密碼並提供該解鎖密碼給該客戶端，該解鎖執行模組更用以接收該客戶端所傳送之一解鎖通行碼，並比對該解鎖通行碼與該解鎖密碼相符時產生該解鎖指令。
如請求項1所述之依風險評估動態選擇驗證機制解鎖金融卡之裝置，其中該解鎖執行模組更用以依據該風險評估結果產生該解鎖指令，該解鎖指令用以選擇性地開啟該金融卡之特定交易權限。
一種自動設備之輕量化遠端中控系統，主要具有至少一電控模組，該電控模組可供與自動設備連接，以監測或控制該自動設備之運行狀態，該電控模組至少包含：<br/> 一控制器，可供與至少一自動設備連接；<br/> 至少一感知單元，係與該控制器連接，可供偵測該自動化設備產生監測資訊；<br/> 至少一異警單元，係與該控制器連接，可依據該監測資訊，產生相對應之警示訊號；<br/> 一無線通訊單元，係與該控制器連接，用於傳送監測資訊送給遠端的一電子裝置；以及<br/> 一供電單元，係與該控制器連接，以提供電力來源。
如請求項1所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該感知單元係包含一溫度感測器，係感測該自動化設備之一溫度，當該溫度達到一預設溫度時，該異警單元係對應產生該警示訊號。
如請求項1所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該感知單元係包含一電流感測器，係感測該自動化設備之一電流狀態，該電流狀態符合一預設狀態時，該異警單元係對應產生該警示訊號。
如請求項1所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該感知單元係包含一光電感測器，係感測該自動化設備之位置或轉速，若符合一預設狀態時，該異警單元係對應產生該警示訊號。
如請求項1至4任一項所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該異警單元係包含多色光源或蜂鳴器。
如請求項1至4任一項所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該電控模組係具有一基座以供乘載該控制器。
如請求項6所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該基座進一步設置有散熱單元。
如請求項7所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該散熱單元係為散熱鰭片或風扇。
如請求項1至4任一項所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該電控模組可直接建置於該自動化設備；或以外掛方式與該自動化設備連接；或者配置於二個該自動化設備之間，且該電控模組分別與二個該自動化設備連接。
如請求項1至4任一項所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，該電子裝置係為手機、平板或者電腦。
如請求項1至4任一項所述自動設備之輕量化遠端中控系統，其中，進一步設有伺服器，該伺服器係透過該無線通訊單元與該電控模組形成無線連接，可接收該自動化設備之該監測資訊。
一種無焊式Type C電連接器母座，包括：<br/> 一金屬外殼，具有一前開口及一後開口；<br/> 一絕緣座，係設置於該金屬外殼內，其一側朝向該金屬外殼的該前開口延伸一舌片，該舌片包含有二相對的第一表面及第二表面；<br/> 多個第一金屬端子，係固定在該絕緣座，各該第一金屬端子之一前接觸部係外露在該絕緣座的該第一表面，其一後接觸部係位在該後開口，並具有一第一彎折彈性端；<br/> 多個第二金屬端子，係固定在該絕緣座，各該第二金屬端子之一前接觸部係外露在該絕緣座的該第二表面，其一後接觸部係位在該後開口，並具有一第二彎折彈性端；其中該些第一金屬端子的後接觸部及該些第二金屬端子的後接觸部係間隔並排成單排。
如請求項1所述之無焊式Type C電連接器母座，係進一步包含一金屬增強板，其一板本體係固定在該金屬外殼的一頂面，該板本體的二相對側對應該舌片係分別具有二側翼板。
如請求項2所述之無焊式Type C電連接器母座，其中：<br/> 該金屬外殼包含一前窄部及一後寬部；其中該前開口位在該前窄部，而該後開口係位在該後寬部；以及<br/> 各該側翼板係呈L形，其二直立部係對應該金屬外殼的該前窄部的二相對外側，而二水平部係與該前窄部之底部齊平，且各該水平部係穿設一固定孔。
如請求項1至3中任一項所述之無焊式Type C電連接器母座，其中該些第一金屬端子的相鄰該些前接觸部的間隔與該些第二金屬端子的相鄰該些前接觸部的間隔，係與相鄰該些後接觸部的間隙不同。
如請求項4所述之無焊式Type C電連接器母座，其中：<br/> 該些第一金屬端子係對應Type C規範中的A1至A12金屬端子，且該後接觸部自該絕緣座穿出後係先向下彎折，再於未端向上彎折以形成該第一彎折彈性端；以及<br/> 該些第二金屬端子係對應Type C規範中的B1至B12金屬端子，且該後接觸部自該絕緣座穿出後係先向下彎折，再於未端向上彎折以形成該第二彎折彈性端。
如請求項5所述之無焊式Type C電連接器母座，其中：<br/> 該十二支第一金屬端子與該十二支第二金屬端子係分別具有二組高速訊號金屬端子對與二組電源金屬端子對、一組低速金屬端子對、一配置通道(CC)金屬端子、一側邊帶使用(SBU)金屬端子；以及<br/> 該些第一金屬端子及該些第二金屬端子共四組高速訊號金屬端子對與電源金屬端子對係交錯並排設置在一後水平位置，該二組低速金屬端子對亦並排設置在一後水平位置，僅該二配置通道(CC)金屬端子及該二側邊帶使用(SBU)金屬端子係並排設置在一前水平位置。
如請求項6所述之無焊式Type C電連接器母座，其中該前水平位置及該後水平位置的距離差不小於0.5mm。
如請求項7所述之無焊式Type C電連接器母座，其中各該電源金屬端子對的後接觸部的中段係分別反向向外彎折，其餘第一及第二金屬端子的後接觸部均呈一直線。
如請求項8所述之無焊式Type C電連接器母座，其中各組高速訊號金屬端子對及其電源金屬端子對的該些後接觸部中二相鄰間隔(gap)最小0.1mm，其餘該些後接觸部的端子間距(pitch)不小於0.5mm。
如請求項1至3中任一項所述之無焊式Type C電連接器母座，係進一步包含一中隔板，其水平嵌入該舌片中。
一種發光卡片，包括： <br/>一卡體，包括一透光層與二遮光層，該透光層具有一側面、一第一表面與一第二表面，該第一表面與該第二表面相對，且該第一表面的一面積小於該第二表面的一面積，該側面連接該第一表面與該第二表面，該二遮光層分別覆蓋該第一表面與該第二表面，其中該側面相對該第一表面與該第二表面傾斜，並從該第一表面暴露； <br/>一發光元件，設置於該透光層內；以及 <br/>一天線，電連接該發光元件。
如請求項1所述之發光卡片，其中該透光層具有多個該側面，該些側面相對該第一表面與該第二表面傾斜，並從該第一表面暴露。
如請求項1所述之發光卡片，其中該透光層更具有一切面，該切面連接該側面和該第二表面，且該切面和該第二表面之間的一夾角大於該側面和該第二表面之間的一夾角。
如請求項1所述之發光卡片，其中該透光層更具有一凸曲面，該凸曲面連接該側面和該第二表面。
如請求項1所述之發光卡片，其中該二遮光層的其中之一具有一透光區域。
如請求項5所述之發光卡片，其中該透光區域與該側面彼此分離。
如請求項5所述之發光卡片，其中該透光區域連接該側面。
如請求項1所述之發光卡片，其中該二遮光層分別覆蓋全部的該第一表面與全部的該第二表面。
如請求項1所述之發光卡片，更包括一晶片，其中該卡體更具有一開孔，且該開孔從該二遮光層的其中之一延伸至該透光層，該晶片設置於該開孔內。
如請求項1所述之發光卡片，其中該天線設置於該透光層內。
一種成像鏡頭模組，包含：<br/> 一成像鏡頭，具有一中心軸；<br/> 一導柱，沿平行於該中心軸的方向延伸；<br/> 一載體，承載該成像鏡頭，且該載體可滑動地連接於該導柱並可沿平行於該中心軸的方向移動；<br/> 一維持件，包含：<br/> 一導柱固定結構，與該導柱固定連接，且該導柱固定結構自頂部至底部依序包含：<br/> 一退縮部，與該導柱之間具有一第一間隙；<br/> 一通道部，與該導柱之間具有一第二間隙；以及<br/> 一定位部，該導柱直接接觸該定位部；以及<br/> 一第一黏性件，至少部分設置於該第一間隙與該第二間隙兩者之中的至少一者；<br/> 其中，該第一間隙大於該第二間隙；且<br/> 其中，該通道部在平行於該中心軸的方向上的長度為La，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ≤ La/Lf ≤ 0.90。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該第一黏性件更進一步延伸至該第一間隙與該第二間隙兩者之中的另一者。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該通道部在平行於該中心軸的方向上的長度為La，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ La/Lf ≤ 0.70。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該退縮部在平行於該中心軸的方向上的長度為Lr，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ≤ Lr/Lf ≤ 0.40。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該定位部在平行於該中心軸的方向上的長度為Lp，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0 ≤ Lp/Lf ≤ 0.50。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 0.01 ≤ d2/d1 ＜ 0.70。
如請求項6所述之成像鏡頭模組，其中該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ≤ d2/d1 ＜ 0.50。
如請求項6所述之成像鏡頭模組，其中該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，其滿足下列條件：<br/> 1000 μm ≤ d1 ≤ 2500 μm。
如請求項6所述之成像鏡頭模組，其中該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 5 μm ≤ d2 ≤ 800 μm。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該導柱固定結構更包含：<br/> 複數個條紋結構，設置於該通道部並朝向該導柱凸起，且該些條紋結構呈規則排列；<br/> 其中，該些條紋結構與該導柱直接接觸。
如請求項10所述之成像鏡頭模組，其中該些條紋結構的數量為n1，其滿足下列條件：<br/> 15 ≤ n1 ≤ 200。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該導柱固定結構更包含：<br/> 一逃氣槽，從該定位部延伸至該維持件的底部。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，更包含：<br/> 一外蓋，包含：<br/> 一凸出部，設置於該外蓋的內表面上；以及<br/> 一第二黏性件，設置於該導柱與該凸出部之間；<br/> 其中，該凸出部與該導柱在平行於該中心軸的方向上至少部分重疊，且該第二黏性件直接接觸該凸出部。
如請求項13所述之成像鏡頭模組，其中該外蓋更包含：<br/> 一嵌合結構，從該凸出部的邊緣延伸凸起，且該嵌合結構直接接觸該導柱的一側邊。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，更包含：<br/> 至少一滾動件，與該載體滾動連接。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該導柱固定結構更包含：<br/> 至少兩個止擋部，朝向該導柱凸起，用於限制該第一黏性件。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，更包含：<br/> 一埋設件，設置於該維持件的內部，用於提供電性連接。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該退縮部具有至少一漸縮結構，且該漸縮結構使該退縮部由該導柱固定結構的頂部往底部的方向逐漸靠近該導柱。
如請求項1所述之成像鏡頭模組，其中該通道部具有至少一漸縮結構，且該漸縮結構使該通道部由該導柱固定結構的頂部往底部的方向逐漸靠近該導柱。
一種電子裝置，包含：<br/> 如請求項1所述之成像鏡頭模組。
一種成像鏡頭模組，包含：<br/> 一成像鏡頭，具有一中心軸；<br/> 一導柱，沿平行於該中心軸的方向延伸；<br/> 一載體，承載該成像鏡頭，且該載體可滑動地連接於該導柱並可沿平行於該中心軸的方向移動；<br/> 一維持件，包含：<br/> 一導柱固定結構，與該導柱固定連接，且該導柱固定結構自頂部至底部依序包含：<br/> 一退縮部，與該導柱之間具有一第一間隙；以及<br/> 一通道部，與該導柱之間具有一第二間隙；以及<br/> 一第一黏性件，至少部分設置於該第一間隙與該第二間隙兩者之中的至少一者；<br/> 其中，該第一間隙大於該第二間隙；且<br/> 其中，該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 0.01 ≤ d2/d1 ＜ 0.70。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該第一黏性件更進一步延伸至該第一間隙與該第二間隙兩者之中的另一者。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ≤ d2/d1 ＜ 0.50。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該第一間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d1，其滿足下列條件：<br/> 1000 μm ≤ d1 ≤ 2500 μm。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該第二間隙在垂直於該導柱的方向上的最大寬度為d2，其滿足下列條件：<br/> 5 μm ≤ d2 ≤ 800 μm。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該導柱固定結構更包含：<br/> 複數個條紋結構，設置於該通道部並朝向該導柱凸起，且該些條紋結構呈規則排列；<br/> 其中，該些條紋結構與該導柱直接接觸。
如請求項26所述之成像鏡頭模組，其中該些條紋結構的數量為n1，其滿足下列條件：<br/> 15 ≤ n1 ≤ 200。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該通道部在平行於該中心軸的方向上的長度為La，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.30 ≤ La/Lf ≤ 0.90。
如請求項28所述之成像鏡頭模組，其中該通道部在平行於該中心軸的方向上的長度為La，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.50 ≤ La/Lf ≤ 0.70。
如請求項21所述之成像鏡頭模組，其中該退縮部在平行於該中心軸的方向上的長度為Lr，該導柱固定結構在平行於該中心軸的方向上的長度為Lf，其滿足下列條件：<br/> 0.05 ≤ Lr/Lf ≤ 0.40。
一種園藝灑水座結構，尤指一種用於固定一灑水裝置之一底座，該底座包括相對稱之二金屬扁桿，二該金屬扁桿具有一第一端以及一第二端，該第一端與該灑水裝置一端結合固定，二該金屬扁桿之第二端往上扳彎與該灑水裝置另一端結合固定，從而將二該金屬扁桿相對組設於該灑水裝置兩側，構成一類似雪橇型態，增加該灑水裝置的放置面積，並降低該灑水裝置的離地高度，有助於提升該灑水裝置使用穩定性，並兼具該底座使用之耐用度。
如請求項1所述之園藝灑水座結構，其中，該底座包括一前固定座，該前固定座以上下組合方式相對組蓋於該灑水裝置一端，且該前固定座兩側對稱皆凸設有二組合腳，所述組合腳用以結合固定二該金屬扁桿之第一端。
如請求項2所述之園藝灑水座結構，其中，二該金屬扁桿之第一端末端皆具有一上傾段，且該第一端貫穿上、下表面設有二組合穿孔，其中一該組合穿孔設置於該上傾段，所述組合腳底部皆設一組合凸柱，所述組合凸柱係各別組入二該金屬扁桿於第一端對應之各該組合穿孔，且所述組合凸柱皆由下往上設一組合孔。
如請求項3所述之園藝灑水座結構，其中，二該金屬扁桿之第一端皆套設一前套墊，該前套墊上表面設有二結合開口以供所述組合腳契合定位，並於該前套墊下表面對應二該結合開口設有二組合透孔，二該組合透孔分別該第一端之二該組合穿孔對位相通。
如請求項1所述之園藝灑水座結構，其中，該底座包括一後固定座，該後固定座利用上、下卡扣方式套設於該灑水裝置另一端，且該後固定座兩側皆設一結合腳，二該結合腳用以結合固定二該金屬扁桿之第二端。
如請求項5所述之園藝灑水座結構，其中，二該金屬扁桿之第二端貫穿上、下表面設一結合穿孔，二該結合腳底部皆設一結合凸柱，所述結合凸柱係各別組入二該金屬扁桿於第二端之結合穿孔，且所述結合凸柱皆由下往上設一結合孔。
如請求項6所述之園藝灑水座結構，其中，二該金屬扁桿之第二端皆套設一後套墊，該後套墊上表面設一結合開口以供所述結合腳契合定位，該後套墊下表面對應該結合開口設一結合透孔，該結合透孔與該第二端之結合穿孔對位相通。
如請求項1所述之園藝灑水座結構，其中，二該金屬扁桿為中空管並於兩端分別設有一管塞。
一種快拆接頭，包括：<br/> 一第一接頭，包括一第一外管及一設置於該第一外管之內的第一內管，其中，該第一外管具有一第一段差且在該第一段差設置有一第一斜面，該第一內管具有一徑向朝外凸出的第一凸部以及一第一貼合面，該第一貼合面形成於該第一凸部且對應可貼合該第一斜面；<br/> 一第二接頭，包括一可耦接該第一外管的第二外管、一設置於該第二外管之內的第二內管、一徑向地貫穿該第二外管的徑向滑槽及一開口朝向該第一接頭且軸向地伸入該第二外管的軸向滑槽，其中，該第二外管具有一第二段差且在該第二段差設置有一第二斜面，該第二內管具有一徑向朝外凸出的第二凸部以及一第二貼合面，該第二貼合面形成於該第二凸部且對應可貼合該第二斜面；以及<br/> 一快拆組件，包括一可滑動地穿置於該徑向滑槽的按壓扣件及一可滑動地設置於該軸向滑槽的推移桿，其中，該按壓扣件及該推移桿被配置為使該第一接頭與該第二接頭在一結合位置及一脫離位置之間轉換；<br/> 其中，當該第一接頭與該第二接頭在該結合位置時，該第一貼合面及該第二貼合面分別脫離該第一斜面及該第二斜面，當該第一接頭與該第二接頭在該脫離位置時，該第一貼合面及該第二貼合面分別貼合該第一斜面及該第二斜面。
如請求項1所述的快拆接頭，其中，該第一接頭還包括一耦接在該第一外管遠離該第二接頭的一側的第一嘴部，該第二接頭還包括一耦接在該第二外管遠離該第一接頭的一側的第二嘴部。
如請求項1所述的快拆接頭，其中，該按壓扣件具有一開孔及一卡制部，該開孔供該第一接頭穿過，該卡制部緊鄰該開孔。
如請求項3所述的快拆接頭，其中，該第一接頭還包括一環設於該第一外管的環形凹槽，當該第一接頭與該第二接頭處於該結合位置時，該按壓扣件的該卡制部卡入該環形凹槽而固定該第一接頭，當該第一接頭與該第二接頭處於該脫離位置時，該卡制部未卡入該環形凹槽。
如請求項1所述的快拆接頭，其中，當該第一接頭處於該脫離位置時，該第一貼合面與該第一斜面為直接接觸。
如請求項1所述的快拆接頭，其中，當該第二接頭處於該脫離位置時，該第二貼合面與該第二斜面為直接接觸。
一種混合NCM及LCO活物顆粒之正極極板，該正極極板包含：<br/>一正極基板；以及<br/>一正極塗層塗覆在該正極基板上；其中該正極塗層包含：<br/>多個第一活物顆粒分布在該正極塗層中，用於儲存或釋放鋰離子；多個第一活物顆粒為一種活性物質；該多個第一活物顆粒為鈷酸鋰(LiCoO<sub>2</sub>,LCO)大顆粒，即LCO大顆粒；<br/>多個第二活物顆粒分布在該多個第一活物顆粒之間，用於儲存或釋放鋰離子，多個第二活物顆粒為一種活性物質；該多個第二活物顆粒選自單晶或多晶的鎳鈷錳(Ni-Co-Mn,NCM)大顆粒，即NCM大顆粒；<br/>該多個第一活物顆粒係互相堆疊，其堆疊時，該多個第一活物顆粒間會產生較大的大縫隙，這些大縫隙會導致鋰離子的傳導性能下降，添加具有較小粒徑的該多個第二活物顆粒，以填補在該多個第一活物顆粒互相堆疊所形成的大縫隙中，使得該大縫隙變為小縫隙；<br/>其中該正極塗層尚包含多個填充用LLZO顆粒用以更微細的該填補該多個第一活物顆粒及該多個第二活物顆粒之間的間隙，使得該多個第一活物顆粒、多個第二活物顆粒及該多個填充用LLZO顆粒呈緊密的堆疊；該多個填充用LLZO顆粒為鋰鑭鋯氧化物(Li<sub>7</sub>La<sub>3</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>12</sub>，LLZO)，用於導引鋰離子；該多個填充用LLZO顆粒具有較高的鋰離子電導率。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個第一活物顆粒的粒徑中位數D50介於8至15微米之間，該多個第二活物顆粒的D50介於1至5微米之間。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個第一活物顆粒的總重量與該多個第二活物顆粒的總重量之重量比為3：1至6：1。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中各該填充用LLZO顆粒的顆粒大小(D50)介於0.1至0.3微米之間。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中該多個第一活物顆粒之D50為該多個第二活物顆粒之D50的2至5倍。
如申請專利範圍第1項所述之正極極板，其中尚在該正極塗層中添加下列物質：黏著劑，其為複合離子化合物之高分子材料，包含：氟化物，為黏著劑之骨架；PEO(Polyethylene Oxide,PEO)，協助進行鋰離子傳導；離子化合物，與該黏著劑中的該PEO形成複合物，抑制PEO的結晶，提升該正極塗層的離子導電率；該氟化物的重量與該PEO的重量比為1：3至3：1；該離子化合物的重量與該PEO的重量比為0.5：1至2：1多個助導劑，用於增加該正極塗層的電子電導。
如申請專利範圍第6項所述之正極極板，其中該氟化物係選自PVDF(Polyvinylidene Fluoride，聚偏二氟乙烯)以及PVDF-HFP(聚偏二氟乙烯-六氟丙烯)中至少一項。
如申請專利範圍第6項所述之正極極板，其中該多個助導劑係選自奈米碳管(carbon nanotube)、奈米級非晶質碳(amorphous carbon)、及石墨烯(graphene)中至少一項。
如申請專利範圍第6項所述之正極極板，其中該離子化合物係選自LiTFSI、LiFSI、EMI-TFSI、或EMI-FSI中至少一項。
一種內循環過濾儲水系統，其具有一進水口、一出水口，且包含： <br/> 一儲水桶； <br/> 一過濾模組，其設於該進水口及該儲水桶之間，且包含複數個過濾器； <br/> 三個驅動模組，各該驅動模組包含相連接的一馬達及一泵浦，且該三個驅動模組分別為一進水模組、一內循環模組，及一出水模組； <br/> 該進水模組的泵浦設於該進水口及該儲水桶之間，且能藉由該馬達提供動力，驅動水自該進水口通過該複數個過濾器而流入該儲水桶； <br/> 該內循環模組的泵浦通過一內循環管路連接該儲水桶，且能藉由該馬達提供動力，驅動水自該儲水桶流經該內循環管路而流回該儲水桶； <br/> 該出水模組的泵浦設於該儲水桶及該出水口之間，且能藉由該馬達提供動力，驅動水自該儲水桶流向該出水口；以及 <br/> 一控制單元，其電性連接該三個驅動模組的馬達。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中各所述驅動模組設有一第一壓力開關，該第一壓力開關連通該泵浦，且設於該馬達及一供電器之間的電路上，當水通過該第一壓力開關進入該泵浦時，該第一壓力開關將電路接通。
如請求項2所述之內循環過濾儲水系統，其中所述進水模組設有一第二壓力開關，該第二壓力開關設於該馬達及該供電器的電路上，該儲水桶的頂部透過一管路連通該第二壓力開關，當水自該儲水桶通過該第二壓力開關時，該第二壓力開關將電路斷開。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中各所述驅動模組於該泵浦前設有一減壓閥，使水通過該減壓閥後進入該泵浦。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中所述過濾模組的其中一過濾器設於該進水模組的泵浦及該進水口之間，其餘的所述過濾器設於該進水模組的泵浦及該儲水桶之間。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中所述儲水桶與該內循環模組的泵浦、該出水模組的泵浦之間各設有一手動閥門。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其包含有一操作鈕，該操作鈕與該控制單元電性連接，該操作鈕被操作時傳遞一電訊號至該控制單元，使該控制單元控制該內循環模組的馬達運作八十分鐘，停機二十分鐘，再運作八十分鐘。
如請求項7所述之內循環過濾儲水系統，其包含有兩狀態指示燈，該兩狀態指示燈與該控制單元電性連接，當該控制單元控制該內循環模組的馬達運作時，控制其中一該狀態指示燈亮起，當該控制單元控制該內循環模組的馬達停機時，控制另外一該指示燈亮起。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中所述儲水桶設有一液位開關，該液位開關設於該進水模組的馬達與一供電器之間的電路上，當該儲水桶中的水位升至一高度時，能被該液位開關偵測，使該液位開關斷開電路。
如請求項1所述之內循環過濾儲水系統，其中所述儲水桶於內部設有複數個濾網，使該儲水桶中的水流向該內循環模組的內循環管路及該出水模組的泵浦時分別通過該複數個濾網。
一種氣體動力裝置所使用之氣瓶連接頭之充氣嘴，其至少包含有：<br/> 一充氣嘴，其係用以設於一連接頭之中段部位，其中，該連接頭一端係連通一氣瓶，該連接頭另一端設有一減壓裝置用以接收來自該氣瓶之氣體及用以連通一氣體動力裝置，該連接頭中段部位係選自由設有一壓力錶及不設有一壓力錶所成的組群；<br/> 其特徵在於該充氣嘴至少包含：<br/> 一管體，其一端係設有一第一連接部用以連接該連接頭之中段部位並連通該連接頭內部，其另一端設有一第二連接部用以連通一高壓氣體；<br/> 一中間通道，其係設於該管體中段部位；<br/> 一第一通道，其係定義由該中間通道一末端朝該連接頭方向延伸至該管體外端所形成；<br/> 一第二通道，其係定義由該中間通道另一末端朝該第二連接部方向延伸至該管體外端所形成；<br/> 一球體，其係位於該中間通道，而可以在該第一通道及該第二通道之間移動，該球體最大橫斷面面積係小於該中間通道最小橫斷面面積；<br/> 一止漏墊圈，其係設於該中間通道及該第二通道之間而位於該中間通道外側，用以選自由被該球體抵接及被該球體不抵接所成的組群；<br/> 一環狀墊片，其係由一適當長度片體彎折成一環狀形體所形成而具有至少一外環徑及一內環徑之一不等高環形面，該外環徑係對應該第一通道內壁尺寸，該內環徑係小於該中間通道內壁尺寸，該環狀墊片係設於該中間通道及該第一通道之間而位於該中間通道外側，用以該環狀墊片之二環形面係分別相鄰於該中間通道外側及該管體外端；<br/> 該環狀墊片二端係彼此相對應及具高度差，用以選自由被該球體抵接及被該球體不抵接所成的組群。
如請求項1所述氣體動力裝置所使用之氣瓶連接頭之充氣嘴，其中，該環形面內緣係選自由被該球體抵接及被該球體不抵接所成的組群。
如請求項1所述氣體動力裝置所使用之氣瓶連接頭之充氣嘴，其中，該環狀墊片之二端係具有一間隔。
如請求項2所述氣體動力裝置所使用之氣瓶連接頭之充氣嘴，其中，該環狀墊片之二端係具有一間隔。
如請求項1至4任一項所述氣體動力裝置所使用之氣瓶連接頭之充氣嘴，其中，該環狀墊片係設為一彈簧墊圈。
一種用於屋頂的安全吊環裝置，包括：<br/> 下蓋，具有筒體及連接在該筒體外環周的翼部；<br/> 上蓋，形成有內空間及位於頂部的通孔，該通孔的上周緣形成有O型環槽，該O型環槽內置入O型環，該內空間的內徑大於該筒體的外徑；<br/> 連接柱，其外徑小於該筒體的內徑；以及<br/> 吊環，具有連接部；<br/> 其中，該筒體的下端穿入設置在屋頂的洞孔，使該翼部的下表面與該屋頂的上表面接觸，並且該翼部的下表面與該屋頂的上表面膠合固定；<br/> 其中，該連接部由上往下穿過該通孔，該連接柱由下往上穿入該內空間並與該連接部連接，以構成吊環組件；以及<br/> 其中，該吊環組件的該連接柱由上往下穿入該下蓋的該筒體內部，同時該上蓋的該內空間套圍於該下蓋的外部。
如請求項1所述之用於屋頂的安全吊環裝置，其中，該翼部形成為其自由端往下傾斜的傾斜面。
如請求項1所述之用於屋頂的安全吊環裝置，其中，該翼部形成為水平面。
如請求項1或2所述之用於屋頂的安全吊環裝置，其中，該內空間的頂部形成有凹緣，該連接柱的上端外圍形成有凸緣以及突出該凸緣的凸部，該凸部穿入該上蓋的該通孔時，該凸緣抵掣於該凹緣。
一種具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其特徵在於，所述的散熱裝置由三個互相垂直的平面組件構成，包括第一顯示幕組件（1）、第二顯示幕組件（2）以及快拆外觀組件（3），其中，所述的第一顯示幕組件（1）上還固定安裝有水冷散熱件（4），所述的第一顯示幕組件（1）、第二顯示幕組件（2）以及快拆外觀組件（3）彼此之間嵌套穿插並一體成型。
如請求項1所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的快拆外觀組件（3）設置在所述的散熱裝置的底部，所述的第一顯示幕組件（1）和第二顯示幕組件（2）相鄰，且均與所述的快拆外觀組件（3）豎向垂直連接。
如請求項1所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的快拆外觀組件（3）為一可拆卸結構，包括兩個單面，其中一個單面為第一反射面（3-1），另一單面為第二反射面（3-2），且兩個單面之間設置有一磁鐵件（3-3），所述的快拆外觀組件（3）整體安裝在鑲嵌設置有磁鐵的塑膠件（3-4）上，以此實現所述的快拆外觀組件（3）與塑膠件（3-4）之間的磁吸固定。
如請求項3所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，<br/> 當所述的第一反射面（3-1）與所述的塑膠件（3-4）相接觸時，所述的快拆外觀組件（3）的外觀顯示平面為第二反射面（3-2）；<br/> 當所述的第二反射面（3-2）與所述的塑膠件（3-4）相接觸時，所述的快拆外觀組件（3）的外觀顯示平面為第一反射面（3-1）。
如請求項3所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的散熱裝置還包括一L型的第一塑膠件底座（5），其中，所述的第一顯示幕組件（1）固定在所述的第一塑膠件底座（5）的豎置平面（5-1）上，所述的塑膠件（3-4）固定在所述的第一塑膠件底座（5）的橫置平面（5-2）上。
如請求項5所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，在所述的第一塑膠件底座（5）的橫置平面（5-2）的底部還固定設置有一第二金屬件（5-3），所述的第二金屬件（5-3）與所述的快拆外觀組件（3）之間鎖附固定。
如請求項5所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的第二顯示幕組件（2）設置在一第一金屬件（2-1）上，並整體安裝在所述的第一塑膠件底座（5）的側面。
如請求項5所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的水冷散熱件（4）包括水冷頭（4-1）和水冷上殼塑膠件（4-2），所述的水冷頭（4-1）安裝在所述的水冷上殼塑膠件（4-2）上，並整體安裝在所述的第一塑膠件底座（5）的豎置平面（5-1）的外側面上。
如請求項8所述的具有雙螢幕顯示功能的CPU水冷散熱裝置，其中，所述的水冷上殼塑膠件（4-2）的塑膠件孔洞中安裝有磁鐵，通過定位銷釘將所述的水冷散熱件（4）整體磁吸固定在所述的第一塑膠件底座（5）的豎置平面（5-1）上。
一種公端連接器，該公端連接器係包括：<br/> 一公端絕緣膠芯，該公端絕緣膠芯係具有一公端膠芯帶體穿設開口結構與一公端膠芯帶體移動導槽結構，該公端膠芯帶體穿設開口結構係連通該公端膠芯帶體移動導槽結構；<br/> 一公端動作臂體，該公端動作臂體係具有一公端臂體動作結構、一公端臂體拖曳結構與一公端臂體連接結構，該公端臂體連接結構係連接該公端絕緣膠芯，使該公端臂體動作結構可位於一公端臂體動作前位置或一公端臂體動作後位置，且使該公端臂體拖曳結構可位於一公端臂體拖曳前位置或一公端臂體拖曳後位置；<br/> 一公端施力帶體，該公端施力帶體係具有一公端帶體本體、一公端帶體拖曳段與一公端帶體施力段，該公端帶體本體係經由該公端膠芯帶體穿設開口結構穿設於該公端膠芯帶體移動導槽結構；以及<br/> 一公端止擋體，該公端止擋體係可接合該公端絕緣膠芯，以止擋該公端帶體本體經由該公端膠芯帶體穿設開口結構離開該公端膠芯帶體移動導槽結構，使該公端帶體施力段可於一公端帶體施力位置施力，且使該公端帶體拖曳段可於一公端帶體拖曳位置拖曳該公端臂體拖曳結構；其中，<br/> 該公端帶體施力位置與該公端帶體拖曳位置係具有高度差，使該公端帶體施力段可施力，而迫使該公端帶體本體在該公端膠芯帶體移動導槽結構中移動，進而令該公端帶體拖曳段拖曳該公端臂體拖曳結構以執行拖曳而致動該公端動作臂體，讓該公端動作臂體以該公端臂體連接結構為動作支點而進行動作，使該公端臂體拖曳結構由該公端臂體拖曳前位置移動至該公端臂體拖曳後位置，且使該公端臂體動作結構由該公端臂體動作前位置移動至該公端臂體動作後位置以執行動作。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端連接器還具有一公端連接器對接側與一公端連接器非對接側，該公端連接器對接側與該公端連接器非對接側係為相對的兩側，該公端臂體動作結構係位於該公端連接器對接側，該公端臂體拖曳結構係位於該公端連接器非對接側，該公端臂體連接結構係位於該公端臂體動作結構與該公端臂體拖曳結構之間。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端臂體動作結構係為卡接結構，以令該公端臂體動作結構可執行卡接動作。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端帶體拖曳段係沿著一公端帶體拖曳線延伸，該公端帶體施力段係沿著一公端帶體施力線延伸，該公端帶體拖曳線與該公端帶體施力線的延伸方向係實質不同。
如請求項4所述的公端連接器，其中，該公端帶體拖曳線與該公端帶體施力線係可延伸而實質垂直正交。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端止擋體係可抵接該公端帶體本體，以令該公端帶體本體沿著預定方向延伸至該公端帶體拖曳位置與該公端帶體施力位置。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端止擋體與該公端絕緣膠芯係可構成一公端帶體通道結構，其中，該公端帶體通道結構係具有O字形的截面，而該公端膠芯帶體移動導槽結構係位於該公端帶體通道結構中，使該公端帶體本體可在該公端帶體通道結構中移動，且使該公端帶體通道結構可於該公端帶體本體的四周止擋該公端帶體本體離開該公端膠芯帶體移動導槽結構。
如請求項1所述的公端連接器，其中，該公端帶體拖曳位置係高於該公端帶體施力位置。
一種連接器總成，該連接器總成係包括：<br/> 一母端連接器；以及<br/> 一公端連接器，該公端連接器係包含：<br/> 一公端絕緣膠芯，該公端絕緣膠芯係具有一公端膠芯帶體穿設開口結構、一公端膠芯帶體移動導槽結構與一公端膠芯對接結構，該公端膠芯帶體穿設開口結構係連通該公端膠芯帶體移動導槽結構；<br/> 一公端動作臂體，該公端動作臂體係具有一公端臂體動作結構、一公端臂體拖曳結構與一公端臂體連接結構，該公端臂體連接結構係連接該公端絕緣膠芯，使該公端臂體動作結構位於一公端臂體動作前位置或一公端臂體動作後位置，且使該公端臂體拖曳結構位於一公端臂體拖曳前位置或一公端臂體拖曳後位置；<br/> 一公端施力帶體，該公端施力帶體係具有一公端帶體本體、一公端帶體拖曳段與一公端帶體施力段，該公端帶體本體係可經由該公端膠芯帶體穿設開口結構穿設於該公端膠芯帶體移動導槽結構；以及<br/> 一公端止擋體，該公端止擋體係可接合該公端絕緣膠芯，以止擋該公端帶體本體經由該公端膠芯帶體穿設開口結構離開該公端膠芯帶體移動導槽結構，使該公端帶體施力段可於一公端帶體施力位置施力，且使該公端帶體拖曳段可於一公端帶體拖曳位置拖曳該公端臂體拖曳結構；其中，<br/> 該公端膠芯對接結構係可對接該母端連接器；以及<br/> 該公端帶體施力位置與該公端帶體拖曳位置係具有高度差，使該公端帶體施力段可施力，而迫使該公端帶體本體在該公端膠芯帶體移動導槽結構中移動，進而令該公端帶體拖曳段拖曳該公端臂體拖曳結構以執行拖曳而致動該公端動作臂體，讓該公端動作臂體以該公端臂體連接結構為動作支點而進行動作，使該公端臂體拖曳結構由該公端臂體拖曳前位置移動至該公端臂體拖曳後位置，讓該公端臂體動作結構由該公端臂體動作前位置移動至該公端臂體動作後位置以執行動作而可解除維持該公端膠芯對接結構與該母端連接器的對接關係。
如請求項9所述的連接器總成，其中，該公端臂體動作結構係為卡接結構，以令該公端臂體動作結構可執行卡接動作而卡接該母端連接器。
一種基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，包括：<br/> 一伺服主機，包括一處理電路與電性連接該處理電路的一記憶體，以及通過一資料庫連接介面管理並存取一標籤資料庫與一商品資料庫，其中通過該處理電路執行儲存於該記憶體的一程式集執行商品排序，步驟包括：<br/> 接收一使用者操作一使用者裝置中執行的一商品搜尋網頁或一應用程式傳送的一搜尋詞；<br/> 以該搜尋詞比對該標籤資料庫中記載的多筆標籤，判斷是否包括符合該搜尋詞的一或多個主體標籤以及/或一或多個非主體標籤，以得出具有一初步排序的一初步搜尋結果； <br/> 其中，若以該搜尋詞無法比對得出任一該主體標籤或該非主體標籤，直接以該搜尋詞比對該商品資料庫中的各個商品的一標題；若無法根據該標題比對到任一商品，即根據該搜尋詞執行一語意搜尋，包括比對該標籤資料庫中經向量化的多筆標籤向量，得出符合該搜尋詞的語意的該一或多個主體標籤以及/或該一或多個非主體標籤。
如請求項1所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中，以該搜尋詞比對該標籤資料庫時，當比對出符合該標籤資料庫中的該一或多個主體標籤以及/或該一或多個非主體標籤所對應的多個商品，得出該初步搜尋結果，再對該初步搜尋結果執行一重排序流程。
如請求項2所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中，於該重排序流程中，針對該搜尋詞進行語意標籤命中分析以及分類，得出一命中類型，其中該命中類型為一主體標籤命中類型、一非主體標籤命中類型，或是該主體標籤命中類型與該非主體標籤命中類型以一權重比例的組合；以及根據該命中類型調整該初步排序，產生針對該多個商品的一商品排序結果。
如請求項3所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中，於得出該商品排序結果時，該伺服系統還執行一前台排序流程，包括取得該使用者點擊商品的行為，以及取得該多個商品的熱門度與相關度，以動態調整該商品排序結果。
如請求項4所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中該伺服系統提供一後台設定功能，提供一品牌商或一經銷商自定義各命中類型的該權重比例、依命中標籤數量作為排序因子、設定一黑白名單、一商品置頂邏輯與一商業權重參數，以調整該商品排序結果。
如請求項3所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中該主體標籤命中類型的排序因子包括一命中品牌名稱、一命中商品名稱或是一命中品牌與商品名稱的組合；以及該非主體標籤命中類型的排序因子包括商品型號、顏色、尺寸、風格、材質、使用場景與功效的其中之一或任意組合。
如請求項6所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中還以命中該主體標籤或該非主體標籤的商品數量作為調整該商品排序結果的排序因子。
如請求項1所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中，通過該伺服主機的硬體與軟體協作實現一語意索引模組、一查詢意圖判斷模組、一不當查詢過濾模組、一查詢處理模組、一重排序模組與一商品資料更新模組。
如請求項1所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中該標籤資料庫的建立方法包括：<br/> 取得一商品資料；<br/> 運用一語言模型處理該商品資料，得出該商品資料中的一或多個關鍵字詞；<br/> 針對該一或多個關鍵字詞建立關於一商品的一或多個主體標籤與一或多個非主體標籤；以及<br/> 根據賦予該商品的該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤，建立該標籤資料庫。
如請求項9所述的基於商品標籤執行商品排序的伺服系統，其中該伺服系統定時與一商品資料來源同步該商品的該商品資料，使該標籤資料庫中賦予該商品的該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤保持更新的狀態；其中該一或多個關鍵字詞經該語意向量處理編碼得出對應各關鍵字詞的一嵌入式向量，經語意分析以根據各關鍵字詞於該商品資料中的前後文關係建立該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤。
一種鎖扣式餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，其特徵在於：所述盒體(1)具有一底面(11)，由所述底面(11)相應側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的前、左、後、右側面(12、13、14、15)，設於所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相互之間的左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，以及一由所述底面(11)與所述前、左、後、右側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(100)；所述蓋體(2)的後側與所述後側面(14)相應側邊樞接，而前、左、右側邊緣處各自相應向外延伸設一前延伸片(21)；所述左前、左後、右後、右前接合部(16、17、18、19)，皆具有呈相鄰設置狀的一第一扇形片(10)及一第二扇形片(20)；所述前側面(12)頂邊緣間隔凸設有呈倒L字型的兩卡扣(3)；所述前延伸片(21)與所述蓋體(2)的樞接處，對應於所述卡扣(3)垂直段處，各設有由切割形成並呈ㄩ字形的定位槽(4)，能供所述卡扣(3)整體插入後，再以所述卡扣(3)的水平段凸出端與所述定位槽(4)鎖扣定位，讓所述蓋體(2)蓋合於所述盒體(1)上，所述定位槽(4)的一側，切齊於所述卡扣(3)垂直段對應於水平段凸出端的一側，而所述定位槽(4)的另一側，遠離於所述卡扣(3)的垂直段的另一側。
如請求項1所述的鎖扣式餐盒，其中：所述定位槽(4)的另一側處，還設有由切割形成並呈ㄩ字形能往所述蓋體(2)後側翻摺的一鎖定片(5)，能於所述卡扣(3)與所述定位槽(4)鎖扣定位後，進一步鎖止所述卡扣(3)：所述定位槽(4)具有一蓋片(41)，所述蓋片(41)一側與前延伸片(21)連接，另一側可嵌入定位槽(4)，並能與所述前延伸片(21)連動往所述蓋體(2)前側方向翻摺的蓋片(41)。
如請求項1、2任一項所述的鎖扣式餐盒，其中：所述蓋體(2)的左側邊緣處，向外延伸設有一左延伸片(22)，而右側邊緣處，向外延伸設有一右延伸片(23)。
如請求項1、2任一項所述的鎖扣式餐盒，其中：所述左側面(13)的頂邊緣處，相應延伸設有一可彎折的左翼片(131)；所述右側面(15)的頂邊緣處，相應延伸設有一可彎折的右翼片(151)。
如請求項1、2任一項所述的鎖扣式餐盒，其中：所述容置空間(100)內還設有至少一分隔部(6)，所述分隔部(6)能供將所述容置空間(100)分隔形成數個放置區塊(101)。
一種建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，包括：<br/> 一伺服主機，包括一處理電路以及電性連接該處理電路的一記憶體，其中該處理電路運行一語言模型以及一伺服模組，以及通過一資料庫連接介面管理並存取一標籤資料庫與一商品資料庫；<br/> 其中該商品資料庫中儲存一或多個品牌商與/或一或多個經銷商通過該伺服模組提交上架至該伺服系統的商品的商品資料；<br/> 其中通過該處理電路與該記憶體之協作建立該標籤資料庫，其中自該商品資料庫取得一商品資料，並運用該語言模型處理該商品資料以得出該商品資料中的一或多個關鍵字詞，接著針對該一或多個關鍵字詞進行比對後，建立關於一商品的一或多個主體標籤與一或多個非主體標籤，即根據賦予該商品的該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤以建立具有多筆商品關聯的多個主體標籤與多個非主體標籤的該標籤資料庫；以及，基於該標籤資料庫通過一網路提供商品搜尋服務，其中，經接收一搜尋詞後，根據該搜尋詞查詢該標籤資料庫得出與該搜尋詞相同或相似的一或多個主體標籤與/或該一或多個非主體標籤，接著根據與該搜尋詞相同或相似的該一或多個主體標籤與/或該一或多個非主體標籤搜尋匹配該搜尋詞的一或多個商品。
如請求項1所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中該處理電路執行一程式集實現一數據處理模組，該數據處理模組用以處理搜尋詞的搜尋服務以及處理商品文案。
如請求項2所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中該數據處理模組以軟體與硬體協作實現一語意索引模組、一查詢意圖判斷模組、一不當查詢過濾模組、一查詢處理模組、一重排序模組以及一商品資料更新模組。
如請求項1所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中該商品資料庫中的該商品資料為自一商品資料來源取得的該商品的一文案，該文案包括一商品名稱、一商品描述文本、一或多張圖案以及一或多個影音內容的其中之一或任意組合。
如請求項4所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中該伺服主機定時與該商品資料來源同步該商品的該商品資料，使該標籤資料庫中賦予該商品的該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤保持更新的狀態。
如請求項5所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中該主體標籤至少包括該商品的一品牌名稱與一商品名稱，或其中之一，以及該非主體標籤至少包括描述該商品的一成分、一顏色、一尺寸與一功能的其中之一或任意組合。
如請求項6所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中還根據一黑白名單與一或多個熱門關鍵字修正賦予該商品的該一或多個主體標籤與該一或多個非主體標籤。
如請求項1所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中，通過一提示語控制該語言模型，使該語言模型基於該商品資料擴充該一或多個關鍵字詞以涵蓋一或多個同義詞。
如請求項1所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中，於該伺服主機接收該搜尋詞時，先預處理該搜尋詞，包括執行清除該搜尋詞中的空格、清除該搜尋詞中的符號、轉換該搜尋詞的大小寫字母以及轉換該搜尋詞中的全形與半形字的其中之一或任意組合的步驟。
如請求項9所述的建立商品標籤資料庫以及提供商品搜尋服務的伺服系統，其中，於接收該搜尋詞時，根據該搜尋詞判斷搜尋類型為一品牌查詢、一類別查詢以及一商品名稱查詢的其中之一或任意組合，形成一搜尋意圖，即根據該搜尋意圖限縮搜尋範圍。
一種植栽集水裝置，包含有：<br/> 至少一托架，該托架包含有一固定部，以及一自該固定部延伸而出的承載部，該固定部包含有朝向相反方向的一前表面及一後表面，該固定部係用來以該後表面朝向一牆面而能拆卸地固定於該牆面，該承載部係位於該固定部的前表面且該承載部具有一朝上的承載面；以及<br/> 一集水槽，包含有一底部、一相對於該底部的上開口，以及一位於該底部與該上開口之間的集水空間，該集水槽的底部係放置在該至少一托架的承載面上。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該托架的承載部包含有沿一水平軸向延伸成長形的一承載區塊，以及分別自該承載區塊二端向上延伸的二擋止區塊，該承載區塊及該二擋止區塊共同形成出一安裝凹槽，該集水槽係局部位於該安裝凹槽內。
如請求項2所述之植栽集水裝置，其中各該擋止區塊包含有一自該承載區塊向上傾斜延伸的傾斜段，以及一自該傾斜段向上延伸且朝向該安裝凹槽內部呈凸出狀的卡接塊，該二擋止區塊分別彈性卡抵於該集水槽的二外側面。
如請求項3所述之植栽集水裝置，其中該集水槽的該二外側面分別包含有一連接該底部的傾斜區塊，以及一連接該傾斜區塊的凹陷區塊，該二外側面的傾斜區塊分別抵接該托架的承載部的該二擋止區塊的傾斜段，該二擋止區塊的卡接塊分別彈性嵌卡於該集水槽的該二外側面的凹陷區塊。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該托架的固定部係沿一垂直軸向延伸成長形，該固定部的一上端區塊及一下端區塊分別設有一貫穿該前表面及該後表面的固定孔，用以供二固定件分別穿過該上端區塊及該下端區塊的固定孔進而將該固定部固定於該牆面。
如請求項1所述之植栽集水裝置，其中該集水槽包含有至少一主構件，該主構件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該主構件的底板、前板及後板共同形成出至少部分的該集水空間。
如請求項6所述之植栽集水裝置，其中該集水槽包含有複數所述主構件，以及至少一連接件，該連接件係連接二該主構件，該連接件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該連接件的底板、前板及後板分別連接該主構件的底板、前板及後板，該等主構件的底板、前板及後板與該至少一連接件的底板、前板及後板共同形成出該集水空間。
如請求項7所述之植栽集水裝置，其中該連接件的底板、前板及後板至少其中之一設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該連接件形成出一排水孔。
如請求項6所述之植栽集水裝置，其中該集水槽更包含有至少一端蓋，該端蓋設於該主構件一端，該端蓋設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該端蓋形成出一排水孔。
如請求項6所述之植栽集水裝置，其中該集水槽更包含有一連接件及一端蓋，該連接件係連接該主構件與該端蓋，該連接件包含有一底板，以及自該底板向上延伸的一前板及一後板，該連接件的底板、前板及後板分別連接該主構件的底板、前板及後板，該主構件的底板、前板及後板與該連接件的底板、前板及後板共同形成出至少部分的該集水空間，該連接件的底板、前板及後板至少其中之一設有一預切孔痕，用以供一使用者施力於該預切孔痕所圍出的一區塊，藉以去除該區塊而於該連接件形成出一排水孔。
一種植栽系統，包含有：<br/> 一掛架，係用以固定於一牆面；<br/> 複數植栽盆，係掛設於該掛架，各該植栽盆的一底部設有至少一出水口；以及<br/> 一如請求項1至10中任一項所述之植栽集水裝置，其中該至少一托架的固定部係用以固定於該牆面，使得該集水槽的上開口位於該等植栽盆下方。
一種可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，包括：<b> </b><br/> 一抽氣機構，包括一唧筒、一活塞及一把手，該唧筒設有一進氣孔，該把手包括一桿體及連接該桿體的一操作手柄，該桿體遠離該操作手柄的一端連接該活塞，該活塞係可移動性地設置在該唧筒內，該操作手柄則形成在該唧筒外部；以及 <br/> 一連通管，連通該進氣孔； <br/> 其中該桿體設有一擋體，當該擋體在該桿體的一第一位置時，移動該操作手柄將讓該活塞在該唧筒內部產生一第一移動行程，當該擋體在該桿體的一第二位置時，移動該操作手柄將讓該活塞在該唧筒內部產生一第二移動行程，其中該第一移動行程大於該第二移動行程。
如請求項1所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該擋體在該第一位置時，該擋體將跟隨該桿體的移動而能夠隱入該唧筒內部。
如請求項2所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該擋體在該第二位置時，該擋體將跟隨該桿體的移動而被止擋在該唧筒外部。
如請求項1所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該桿體設有一第一中空柱，該擋體為一插接件，該插接件係可移動性地插設在該第一中空柱中。
如請求項4所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該第一中空柱設有一第一環形槽及與該第一環形槽間隔配置的一第二環形槽，該插接件具有一調整桿，該調整桿設有一環形凸部，該環形凸部係可選擇性地嵌入該第一環形槽或該第二環形槽而定位。
如請求項4所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該桿體的剖斷面為一H字型，其形成有一收納槽，該插接件具有一端頭及自該端頭延伸出的一調整桿，該調整桿係對應於該第一中空柱插接，該端頭則隱入該收納槽內。
如請求項1所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該桿體設有一第一中空柱及與該第一中空柱間隔配置的一第二中空柱，該擋體為一插接件，該插接件係可選擇性地插設在該第一中空柱和該第二中空柱的其中之一。
如請求項7所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該桿體的剖斷面為一H字型，其形成有一收納槽，該插接件具有一端頭及自該端頭延伸出的一調整桿，該調整桿係對應於該第一中空柱或該第二中空柱插接，該端頭則隱入該收納槽內。
如請求項1所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其還包括一復位彈簧，該復位彈簧係設置在該唧筒內且介於該活塞和該唧筒的端壁之間。
如請求項1所述之可多段調節負壓的手動吸鼻裝置，其中該擋體在該第一位置時該唧筒吸取的一第一氣體量大於該擋體在該第二位置時該唧筒吸取的一第二氣體量。
一種智慧型髒話偵測系統，具有一局部網路及耦接該局部網路之多個語音偵測裝置，各該語音偵測裝置均具有：<br/> 一髒話辨識單元，具有多個不同國家語言偵測模組以偵測一髒話信號，並在測得該髒話信號後產生一觸發信號，其中，該髒話信號包含n次髒話或辱罵內容，n為大於1之整數；<br/> 一處理器單元，與該髒話辨識單元耦接，用以依該觸發信號執行一衝突警示通知操作；以及<br/> 一雙向通信介面，與該處理器單元耦接，用以藉由該局部網路與一外部電子裝置或另一所述語音偵測裝置通信，從而傳送一衝突警示通知至該外部電子裝置或另一所述語音偵測裝置，或自該外部電子裝置或另一所述語音偵測裝置接收一所述衝突警示通知。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，該通信介面係一有線通信介面或一無線通信介面。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，該些不同國家語言偵測模組包括由一印尼語偵測模組、一泰國語偵測模組、一菲律賓語偵測模組和一馬來西亞語偵測模組所組成之群組所選擇的至少二種語言偵測模組。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，n係大於3之整數。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，該些不同國家語言偵測模組各具有一深度學習模型。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，所述語音偵測裝置係用以安裝在一工作場域內。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其進一步具有一廣播裝置，用以依該髒話或該辱罵內容之對應國語言重複播出一段制止衝突的勸導內容。
如申請專利範圍第1項所述之智慧型髒話偵測系統，其中，該外部電子裝置係一保全中控室內之一控制裝置。
一種具有支撐結構的傳動機構，設置於搬運系統的車體的頂側，所述具有支撐結構的傳動機構包括傳動組，所述傳動組包括：<br/> 一基座，所述基座以一旋轉支撐軸樞設於所述車體的頂側；<br/> 一第一動力源，所述第一動力源設置於所述基座上；<br/> 一傳動滾輪，所述傳動滾輪可轉動的設置於所述基座上；<br/> 一支撐滾輪，所述支撐滾輪可轉動的設置於所述基座上，所述傳動滾輪及所述支撐滾輪分別設於所述基座的兩側處，所述傳動滾輪連接於所述第一動力源，所述第一動力源能驅動所述傳動滾輪轉動，使所述傳動滾輪及所述支撐滾輪能分別在一軌道的兩軌道本體上滾動移動，用以帶動所述車體移動；以及<br/> 兩支撐結構，所述兩支撐結構分別設置於所述基座的兩側，所述兩軌道本體各具有一下表面，所述兩支撐結構分別抵觸於所述兩軌道本體的所述下表面，而能提供支撐的功能，用以穩定作業時所述車體狀態。
如請求項1所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩軌道本體各具有一內側表面，所述內側表面位於所述兩軌道本體相互靠近的一側，所述兩支撐結構分別抵觸於所述兩軌道本體的所述下表面靠近所述內側表面處。
如請求項1所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩軌道本體各具有一上表面，所述傳動滾輪及所述支撐滾輪能分別在所述兩軌道本體的所述上表面上滾動，所述傳動滾輪及所述支撐滾輪能在一第一轉動軸心上轉動，所述第一轉動軸心呈水平狀，所述傳動組還包含至少兩導引滾輪，所述至少兩導引滾輪分別設置於所述基座的底側靠近兩側處，所述至少兩導引滾輪能分別在一第二轉動軸心上轉動，所述第二轉動軸心呈直立狀，所述兩軌道本體各具有一內側表面，所述內側表面位於所述兩軌道本體相互靠近的一側，所述至少兩導引滾輪能分別在所述兩軌道本體的所述內側表面上滾動。
如請求項1所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述支撐結構包含一支撐輪，所述支撐輪以一轉軸樞設於所述基座的底側的一樞座上，使所述支撐輪能在一橫向轉動軸心上轉動，所述橫向轉動軸心呈水平狀，所述兩支撐結構的所述支撐輪能分別抵觸於所述兩軌道本體的所述下表面。
如請求項1所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩支撐結構採用活動式設計，所述兩支撐結構連接於一支撐動力源，所述支撐動力源固定於所述基座，所述支撐動力源能驅動所述兩支撐結構伸縮移動，使所述兩支撐結構能伸出或縮回，所述兩支撐結構伸出時能分別抵觸於所述兩軌道本體的所述下表面，所述兩支撐結構縮回時能分別脫離所述兩軌道本體的所述下表面。
如請求項5所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩支撐結構通過一連動機構連接於所述支撐動力源，使所述支撐動力源能通過所述連動機構傳動所述兩支撐結構伸縮移動。
如請求項6所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述連動機構包括一驅動輪及兩連動桿，所述驅動輪連接於所述支撐動力源，所述驅動輪以所述兩連動桿分別連接於所述兩支撐結構，所述支撐動力源能帶動所述驅動輪轉動，以通過所述兩連動桿分別傳動所述兩支撐結構伸縮移動。
如請求項5所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩支撐結構能以導引機構導引水平移動。
如請求項5所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩支撐結構分別連接於兩滑塊，所述兩滑塊分別滑動配合於兩滑軌上，所述兩滑軌固定於所述基座，所述兩滑塊能分別在所述兩滑軌上滑動，以導引所述兩支撐結構水平移動。
如請求項5所述的具有支撐結構的傳動機構，其中所述兩支撐結構為桿體，所述兩支撐結構各具有一斜面，所述兩軌道本體各具有一內側表面，所述內側表面位於所述兩軌道本體相互靠近的一側，所述兩支撐結構的所述斜面能分別抵觸於所述兩軌道本體的所述下表面靠近所述內側表面處。
一種用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，包含：<br/>一基板，該基板呈多邊形之型態，該基板包含一外面及一內面位在該外面的反側；<br/>至少兩貫穿孔用於安裝該中柱心座的零件；各該貫穿孔貫穿該基板的該外面及該內面，各該貫穿孔係沿著該基板的外緣形成；<br/>一金屬條呈長條管狀，用於嵌入一中柱上方的一中空柱狀的穿管，使得該中柱心座可相對該穿管樞轉；該金屬條之前端的最上緣的外側環面頂抵在靠近該基板之內面的其中一貫穿孔的內壁面；該金屬條的外部呈環狀的柱面；<br/>一金屬短柱呈長條柱狀，用於安裝該中柱上的一中柱彈簧，使得該中柱心座可帶動整個中柱樞轉；該金屬短柱之後端的最下緣的外側環面頂抵在靠近該基板之該外面的另一貫穿孔的內壁面；<br/>其中該金屬條的外部的環狀柱面具有多個溝槽，各該溝槽具有不同的形態，使用時，可以對該溝槽注入機油，使其可潤滑該金屬條的外部環狀柱面；當該金屬條插入一中柱上方的一中空柱狀的穿管時，可在該穿管內表面產生潤滑作用。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中溝槽為與該金屬條的軸線同心的環狀溝槽、或者是與該軸線形成夾角的橢圓溝槽、或者是形成網格狀的紋路。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該金屬條內面為一中空部位，而中空部位的至少一端端部形成與外界連通之貫穿孔，該金屬條形成至少一對應的槽孔；使用時可以經由該中空部位的至少一端端部的貫穿孔注入機油，然後在該中空部位內的機油，可經由該金屬條的槽孔流出到該金屬條的外部環狀柱面，因此可以潤滑該金屬條的外部環狀柱面。
如申請專利範圍第3項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中各該金屬條的該之貫穿孔配置一塞子，用於塞住該貫穿孔，以免機油從該中空部位外溢。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該基板呈三角形之型態。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該金屬條包含一前段部位，一中段部位位在該前段部位的後方，以及一後段部位位在該中段部位的後方。
如申請專利範圍第6項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該金屬條的中段部位外徑小於該前段部位及該後段部位的外徑。
如申請專利範圍第6項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該後段部位的下方具有一徑向貫穿孔，該徑向貫穿孔用於安裝一固定件，當該金屬條嵌入該穿管時，該後段部位的該徑向貫穿孔會裸露在該穿管外，並應用該固定件穿過該徑向貫穿孔，使得該金屬條固定在該穿管內不會滑動，因此該中柱心座可相對該穿管樞轉。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該金屬短柱包含一前段部位，一中段部位位在該前段部位的後方，以及一後段部位位在該中段部位的後方，其中該金屬短柱的中段部位外徑小於該前段部位及該後段部位的外徑。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中以金屬焊接或雷射的方式結合該金屬條與該基板上之內面的其中一貫穿孔。
如申請專利範圍第1項所述之用於加強機車中柱之支撐力且具有潤滑作用的中柱心座，其中該中柱心座為一體成形。
一種禽畜糞堆肥場除臭系統，尤指設施於禽畜糞堆肥場廠房之除臭系統，其包含通風閘門、導流板、水簾、排風道、抽風扇、鼓風機及過濾池；該通風閘門，係裝設於廠房之牆體下端；該導流板，係裝設於廠房之屋頂下方，用以將氣流向廠房之中央上方導引，並使廠房之屋頂與導流板之間形成氣體流道；該水簾，係裝設於廠房之屋頂與導流板間之氣體流道內；該排風道，係裝設於氣體流道與廠房相接牆體之外側，且於排風道之上方設有排風口，排風口上另設有風門板；該抽風扇，係裝設於氣體流道與排風道間之廠房牆體上；該鼓風機，係相通接設於排風道之下方；該過濾池，係裝設於排風道下方之廠房外側邊上，過濾池之一側設有與鼓風機相連接之導風管，且該導風管係延伸至過濾池之底部，而過濾池之另一側設有排風管。
一種雞舍環控系統，尤指設施於密閉式雞舍之溫度控制設備，其包含抽風扇、降溫裝置及補風窗；該抽風扇，係裝設於雞舍一端之牆體上；該降溫裝置，係裝設於抽風扇裝設之相對位置之雞舍另一端牆體下方，以及雞舍二側之牆體下方；該補風窗，係裝設於雞舍二側之牆體上方；該降溫裝置包含有導風閘門及水簾，該導風閘門係設置於雞舍之牆體內，而水簾係設置於導風閘門之外側；該降溫裝置之導風閘門，可具有複數個閘門口及可啟閉之導風板；該補風窗，可具有得啟閉之門板；藉由控制降溫裝置之導風閘門及補風窗之啟閉，維持雞舍室內前後段溫度均衡及空氣品質。
一種鋼板樁整修裝置，其係包含有上滾輪組件、下滾輪組件、側滾輪組件、驅動組件及殼體；該上滾輪組件係具有前滾輪、後滾輪及二油壓管道，設於殼體內之上半部，用以壓掣鋼板樁其U型斷面之凹槽部；該下滾輪組件係具有前後二個滾輪，設於殼體內之下半部，用以壓掣鋼板樁其U型斷面之背部；側滾輪組件係具有左滾輪、右滾輪，分別設於殼體內部兩側邊，用以修整鋼板樁其兩側榫勾之槽溝；驅動組件係具有馬達、皮帶及連動桿，係設於殼體外側邊，用以驅動下滾輪組件之前後二個滾輪；殼體係用以裝設固定鋼板樁整修裝置之每一組件，前後端設有出入口，用以使鋼板樁通過進行整修；組裝時，將上滾輪組件其前滾輪及後滾輪後，安裝於殼體內之上半部，再與穿設於殼體頂部之二油壓管道分別連接；將下滾輪組件其前滾輪及後滾輪，裝設於殼體內之下半部，其中，該前滾輪係與設於殼體外側邊之驅動組件其馬達連接，後滾輪則與驅動組件其連動桿連接，並將皮帶套設於馬達與連動桿，使該馬達能同時驅動下滾輪組件其前滾輪及後滾輪進行滾動；將側滾輪組件之左滾輪、右滾輪分別設於殼體內部兩側邊，使其位於下滾輪組件其前滾輪及後滾輪間。
如請求項1所述之鋼板樁整修裝置，其中，該上滾輪組件之前滾輪及後滾輪係藉由穿設於殼體頂部之油壓管道進行上下升降。
如請求項1所述之鋼板樁整修裝置，其中，該下滾輪組件其前滾輪及後滾輪係藉由設於殼體外側邊之驅動組件使其進行滾動。
一種傷口敷料配對系統，包括：<br/> 一電子裝置，用以上傳一傷口資訊；以及<br/> 一伺服器，通訊連接該電子裝置，包括：<br/> 一儲存模組，用以記錄數個敷料各自的一產品資料及一敷料適用條件資訊，該產品資料包括至少一超連結，該超連結包括連接至該敷料名稱之購買頁面的網址，該敷料適用條件資訊用以記錄該敷料名稱所適用之傷口參數條件；以及<br/> 一資料處理模組，電性連接該儲存模組，並用以由該電子裝置接收該傷口資訊，該資料處理模組將該傷口資訊與記錄於該敷料適用條件資訊中的傷口參數條件相互比對，以由該些敷料中取得至少一候選敷料，該資料處理模組將該至少一候選敷料之產品資料發送至該電子裝置。
如請求項1所述之傷口敷料配對系統，其中，該資料處理模組基於該至少一候選敷料之敷料適用條件資訊與該傷口資訊的匹配度進行排序，以產生一排序結果，該資料處理模組基於該排序結果輸出相對應的候選敷料之產品資料並發送至該電子裝置。
如請求項1所述之傷口敷料配對系統，其中，該傷口資訊包括一傷口部位、一傷口類型、一傷口發生日期、一傷口尺寸、一傷口滲液量及一傷口影像。
如請求項1所述之傷口敷料配對系統，其中，該產品資料還包括一敷料名稱、一敷料尺寸及至少一敷料特性。
如請求項1所述之傷口敷料配對系統，其中，該電子裝置設有一應用程式，該電子裝置執行該應用程式，以輸出一圖形化使用者介面，該圖形化使用者介面用以設定並傳送該傷口資訊至該伺服器。
如請求項5所述之傷口敷料配對系統，其中，該圖形化使用者介面顯示有一人體圖，供使用者點選產生一傷口部位。
如請求項5所述之傷口敷料配對系統，其中，該圖形化使用者介面顯示有以文字和影像介紹的數個傷口類型，供使用者點選產生一傷口類型。
如請求項5所述之傷口敷料配對系統，其中，該圖形化使用者介面顯示有以文字和影像介紹的數個滲液含量，供使用者點選產生一傷口滲液量。
如請求項5所述之傷口敷料配對系統，其中，該圖形化使用者介面提供使用者由該電子裝置的照片圖庫、相機及檔案中產生要上傳的一傷口影像。
如請求項5所述之傷口敷料配對系統，其中，該圖形化使用者介面顯示該傷口資訊及相對應的候選敷料之產品資料。
如請求項1至10中任一項所述之傷口敷料配對系統，其中，該伺服器還包括一登入模組，電性連接該資料處理模組，並用以提供使用者透過該電子裝置輸入帳號密碼登入。
如請求項11所述之傷口敷料配對系統，其中，該儲存模組還用以記錄數個使用者各自上傳的每一次的傷口資訊，該電子裝置由該儲存模組中選擇並顯示之前的傷口資訊，或是建立並上傳一個新的傷口資訊。
一種可變形自走式車輛故障警告裝置，其包含：<br/>一低矮移動載具：用以乘載一可變形警示標誌模組，該低矮移動載具乘載該可變形警示標誌模組於收納狀態時之高度足以通過車輛底盤而不與車體碰觸；<br/>一可變形警示標誌模組：與該低矮移動載具電氣連接，並乘載於該低矮移動載具之上，該低矮移動載具和該可變形警示標誌模組於自走定位後，該可變形警示標誌模組由收納狀態轉換為立體展開狀態，並啟動光學或聲學警示訊號，以警示來車；以及<br/>一控制模組：與該低矮移動載具或該可變形警示標誌模組電氣連接，用以有線或無線控制該低矮移動載具之移動與警示作動。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置於收納狀態時之結構具備足以抵抗車輛輾壓之強度，且該裝置選自高強度合金、碳纖維複合材料、強化工程塑膠或其等效材料。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之低矮移動載具進一步包含避障感測器，以偵測前方障礙物，並由該控制模組自動修正行進路徑。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之可變形警示標誌模組包含可折疊支架及展開機構，該展開機構為電動驅動、氣壓驅動、彈簧驅動或其等效機構。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之可變形警示標誌模組展開後形成三角形、錐形或多面體立體結構，並符合道路安全標準之可視高度與反光面積。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之可變形警示標誌模組之表面設有反光材質與高亮度LED燈，且能依環境光線或車流量自動調整閃爍頻率與亮度。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之可變形警示標誌模組具備安全鎖定機構，於未達定位時防止提前展開，並於展開後自動鎖固以提升穩定性。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之低矮移動載具可經由控制模組以遠端控制或自動導航模式操作自停駛車輛釋放，並移動至車輛前方或後方預定距離之定位位置。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之控制模組能辨識道路標線並據以控制移動載具之行進方向，使其依單側邊線保持預定距離或於兩條標線間維持置中。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之控制模組能透過包含可延展電線形式的有線通訊介面與駕駛人遙控裝置連線，以接收操作指令與傳送定位資訊。
如申請專利範圍第10項之裝置，該裝置之有線通訊介面係以可延展的電線與駕駛人遙控裝置或車載系統連結。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之控制模組能透過無線通訊介面與駕駛人遙控裝置或車載系統連線，以接收操作指令與傳送定位資訊。
如申請專利範圍第12項之裝置，該裝置之無線通訊介面係以無線訊號收發單元與駕駛人遙控裝置或車載系統連線，以接收操作指令與傳送定位資訊。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置具有自動回收機制，該自動回收機制於使用完畢後能自動折疊並沿原行進路徑返回車輛收納位置，完成復位與充電。
如申請專利範圍第1項之裝置，該裝置之外形尺寸適於收納於車輛前座手套箱內。
如申請專利範圍第15項之裝置，其中駕駛或副手席乘客可於車內手套箱中取出並啟動該裝置，該裝置經放置於地面後自動行駛至車輛後方或前方預定距離定位並展開警示標誌模組。
一種智慧營運中控系統的出餐控制系統，包含有：<br/> 一伺服器，其包括有:一第一處理模組，及與該第一處理模組電性連接的一第一通訊模組、一資料儲存模組，及一串接系統；<br/> 一POS系統主機，其包括有:一顯示介面，該POS系統主機能與該伺服器進行有線或無線傳輸；<br/> 一打卡裝置，係電性連接該POS系統主機，用以記載各員工的上工時間及工作職掌；<br/> 其特徵在於:<br/> 該POS系統主機包括具有一廚房顯示系統( KDS)，該廚房顯示系統至少包括一個顯示螢幕；以及<br/> 該廚房顯示系統( KDS)更包括設有一出餐控制系統，該出餐控制系統預設有點餐後的標準出餐時間；<br/> 餐廳相關員工透過一預先設定在其行動電子裝置的一通訊軟體的群組，該通訊軟體的群組人員，同步接收到由該伺服器彙整後所送出的「超時出餐」訊息，並由該訊息內容得知係與那些員工的職責有關，而可即時處理。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該「超時出餐」訊息，包括未出餐前但已超時的訊息通知，以及出餐後的超時出餐訊息彙整通知。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該廚房顯示系統( KDS)包括有:一吧檯顯示螢幕、一菜口顯示螢幕、及一內場(廚房)顯示螢幕。
如請求項3所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該廚房顯示系統( KDS)於「超時出餐」時，該吧檯顯示螢幕、菜口顯示螢幕、內場(廚房)顯示螢幕會出現警示訊息。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該POS系統主機更包括一第二處理模組及一第二通訊模組。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該打卡裝置包括為一打卡機，或內建在該POS系統主機，以刷卡或密碼輸入方式進行打卡，該POS系統主機的顯示介面可提供顧客或服務人員進行點餐。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該伺服器可包括與該POS系統主機呈現獨立分開，或結合為一體。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該伺服器可包括餐廳內的伺服器，或是一雲端伺服器。
如請求項1所述之智慧營運中控系統的出餐控制系統，其中，該通訊軟體包括Line、Facebook Messenger、WeChat、WhatsApp、Telegram其中任一所構成。
一種多功能用水設備，係設置於一管路，該多功能用水設備包括：<br/> 一本體，具有一腔室及一通道，其中該腔室及該通道互相連接，且該通道係連接至該管路來與該管路保持流體流通；<br/> 一填充物，係設置於該腔室內； <br/> 一薄膜，係設置於該腔室及該通道之間，用以使該填充物保持於該腔室內；以及<br/> 一附加組件，係與該本體固接，並連接至該管路；藉此該管路內之水流改變時，該填充物能夠吸收該管路內之水流方向改變而產生逆流的水錘壓力。
如請求項1所述之多功能用水設備，其中該本體之該通道之外側具有一螺紋，藉以連接於該附加組件。
如請求項2所述之多功能用水設備，其中該附加組件係為一T型管，該本體以經由該附加組件連接至該管路。
如請求項2所述之多功能用水設備，其中該附加組件更包括一貫通孔，係與該通道連通，藉此該本體連接至該管路時，係藉由該本體之轉動以調整該管路內之水流。
如請求項4所述之多功能用水設備，該本體係進一步固接一另一附加組件，該另一附加組件係為一水龍頭。
如請求項1到5之任一項所述之多功能用水設備，其中該填充物之材質係為一矽膠。
一種個人健康分析與管理系統，包含有：<br/> 一伺服器，具有一處理器以及一記憶體，該處理器電性連接該記憶體，並執行該記憶體內一個或一個以上的指令，其中該記憶體儲存有一體質數據資料庫、一生理數據資料庫、一體質分析模組、一人體健康分析模組以及一建議模組；該體質數據資料庫包含有至少一體質問卷、一使用者答覆以及一專家權重；該生理數據資料庫包含有至少一使用者生理數據；該體質分析模組具有一計分單元以及一第一視覺化分析結果，該第一視覺化分析結果具有區分為營養、代謝、排毒、消化道、免疫、壓力/情緒、生活型態、結構、內分泌的一九宮格，該計分單元根據該體質問卷、該使用者答覆以及該專家權重產生出該第一視覺化分析結果；該人體健康分析模組具有一分析單元以及一第二視覺化分析結果，該分析單元根據該使用者生理數據產生出該第二視覺化分析結果；該建議模組具有一應對方案集以及一報告生成單元，該報告生成單元根據該第一視覺化分析結果以及該使用者生理數據，從該應對方案集內進行適配，產生出一個人化健康支持內容。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該第二視覺化分析結果具有一人體健康概況圖以及一健康數據卡。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該九宮格內各個項目所在的格位，設定有紅色、黃色和綠色燈號。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該第一視覺化分析結果包含：代謝失衡型、壓力疲憊型、腸腦敏感型、荷爾蒙波動型。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該應對方案集包含：體態管理、健康啟航、免疫防禦、活力增肌、三高守護、骨骼健康。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該報告生成模組具有一提示詞以及一大型語言模型，該提示詞引用該第一視覺化分析結果、該使用者生理數據以及該應對方案集，指示該大型語言模型根據該第一視覺化分析結果與該使用者生理數據，從該應對方案集中選擇匹配的方案，進而產出該個人化健康支持內容。
如請求項1所述之個人健康分析與管理系統，其中該個人化健康支持內容包含：燈號說明、特徵說明、健康支持方案、具體建議、對應方案。
如請求項7所述之個人健康分析與管理系統，其中該健康支持方案包含：食物與保健品規劃、個人化運動計畫、睡眠與作息、紓壓與排毒，以及健康數據追蹤。
一種多層分子清潔抑菌除臭結構，其包含：<br/> 一穩定單元，係由天然多鍵結聚合物所構成，用以形成該多層分子清潔抑菌除臭結構之內層；<br/> 一抑菌單元，係圍繞於該穩定單元，並由具有離子平衡特性之材料所構成，用以形成該多層分子清潔抑菌除臭結構之中間層；以及<br/> 一吸附單元，係位於該多層分子清潔抑菌除臭結構之外層，並由具有分子包覆能力之材料所構成，用以吸附異味分子。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其中該多層分子清潔抑菌除臭結構係於40~50°C之溫度範圍內形成。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其中該穩定單元係選自於由多醣類、植物膠質及/或纖維素所組成之群組。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其中該抑菌單元係由無機鹽類及/或天然酸鹽所構成，並藉由靜電吸附與氧化還原作用達成抑菌效果。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其中該吸附單元係選自於由沸石及/或多孔澱粉。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其更包含一抗氧化單元，該抗氧化單元係由富含自由基清除劑之天然植物萃取物所構成。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其更包含一氣味釋放單元，該氣味釋放單元係為一微膠囊包覆型結構，用以包覆天然芳香物質。
如請求項1所述之多層分子清潔抑菌除臭結構，其中該結構不含任何石化合成之界面活性劑及化學防腐劑。
一種無線電錄音系統，包含：<br/>至少一數位錄音裝置(40)，該數位錄音裝置(40)對應連接至少一無線電對講機(20)，以對該無線電對講機(20)之無線電頻道進行雙向錄音，該數位錄音裝置(40)具有一儲存模組(44)與一通訊模組(46)，該儲存模組(44)存儲錄音檔案，該通訊模組(46)提供訊令交換；<br/>一管理裝置(60)，與所述數位錄音裝置(40)之通訊模組(46)通訊連接，用以執行一作業系統並管理所述錄音檔案，且該管理裝置(60)具備一顯示畫面。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，該數位錄音裝置(40)得執行一程序監測該儲存模組(44)包含但不限於剩餘儲存空間大小、S.M.A.R.T狀態、磁軌有無問題、讀取與寫入速度的效能、總寫入位元組數、重新分配磁區計數、通電時間與次數、運作溫度、儲存模組(44)健康度等數據。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，更包括具有一伺服器單元(30)，該伺服器單元(30)提供該數位錄音裝置(40)與該管理裝置(60)間的通訊連接，該伺服器單元(30)用以管理該數位錄音裝置(40)，其包括具有一儲存模組(32)與一網路模組(34)，該儲存模組(32)提供儲存錄音檔案，該網路模組(34)提供與該數位錄音裝置(40)、該管理裝置(60)間的通訊連接。
如請求項3所述之無線電錄音系統，其中，該伺服器單元(30)得執行一程序監測該儲存模組(32)包含但不限於剩餘儲存空間大小、S.M.A.R.T狀態、磁軌有無問題、讀取與寫入速度的效能、總寫入位元組數、重新分配磁區計數、通電時間與次數、運作溫度、儲存模組(32)健康度等數據。
如請求項3所述之無線電錄音系統，其中，更包括具有與該伺服器單元(30)通訊連接的一交換式集線器(80)，該交換式集線器(80)提供一個以上數位錄音裝置(40)的通訊連接。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，該數位錄音裝置(40)之通訊模組(46)提供一通訊協定，所述通訊協定包括但不限於SIP、RTP、RTSP、HTTP或Web API的一種。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，該數位錄音裝置具有包括但不限於VOX聲控觸發或PTT偵測、外接GPIO的其中一種處發錄音啟動功能。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，該管理裝置(60)包含一頻道識別模組(66)，用以記錄數位錄音裝置(40)所對應之無線電對講機(20)的無線電頻道，並基於錄音檔案的無線電頻道來源產生頻道戳記。
如請求項3所述之無線電錄音系統，其中，該伺服器單元(30)之儲存模組(32)具有循環覆寫功能，該循環覆寫功能為以該儲存模組(32)的剩餘儲存空間大小或錄音檔案的保留時間等參數作為錄音檔案循環覆寫依據。
如請求項1所述之無線電錄音系統，其中，該管理裝置(60)係為但不限於是執行一作業系統的桌上型電腦或筆記型電腦、平板電腦、手機。
如請求項3所述之無線電錄音系統，其中，該伺服器單元(30)可提供與一外部裝置(50)通訊連接，該外部裝置(50)係為但不限於是桌上型電腦、筆記型電腦、平板電腦、雲端硬碟、雲端資料庫、雲端伺服器或手機。
一種屏蔽模組，包括：<br/> 屏蔽殼體組件，前述屏蔽殼體組件包括屏蔽側板以及屏蔽片，前述屏蔽片固定於前述屏蔽側板，其中前述屏蔽片與前述屏蔽側板共同形成一個屏蔽腔體；以及<br/> 端子模組，前述端子模組至少部分收容於前述屏蔽腔體中，前述端子模組設有絕緣塊、固定於前述絕緣塊的第一導電端子以及固定於前述絕緣塊的第二導電端子；前述絕緣塊收容於前述屏蔽腔體中，前述絕緣塊設有第一凸條以及第二凸條，前述第一凸條與前述第二凸條的凸起方向相反；<br/> 前述屏蔽側板包括第一定位槽，前述屏蔽片設有第二定位槽，前述第一凸條插入前述第一定位槽中，前述第二凸條插入前述第二定位槽中。
如請求項1所述的屏蔽模組，其中：前述屏蔽片呈U型，前述屏蔽片包括第一圍繞壁、與前述第一圍繞壁相對的第二圍繞壁、以及連接在前述第一圍繞壁與前述第二圍繞壁之間的第三圍繞壁；前述第三圍繞壁與前述屏蔽側板相對設置；前述屏蔽腔體由前述第一圍繞壁、前述第二圍繞壁、前述第三圍繞壁以及前述屏蔽側板共同圍成。
如請求項2所述的屏蔽模組，其中：前述第一圍繞壁與前述屏蔽側板焊接固定，前述第二圍繞壁與前述屏蔽側板焊接固定。
如請求項2所述的屏蔽模組，其中：前述屏蔽側板包括板體部，前述板體部包括第一收容槽以及第二收容槽；<br/> 前述第一圍繞壁設有插入前述第一收容槽中的第一安裝凸條，前述第二圍繞壁設有插入前述第二收容槽中的第二安裝凸條。
如請求項4所述的屏蔽模組，其中：前述第一安裝凸條與前述板體部焊接固定，前述第二安裝凸條與前述板體部焊接固定。
如請求項2所述的屏蔽模組，其中：前述屏蔽側板包括板體部，前述第一定位槽設於前述板體部；前述第二定位槽設於前述第三圍繞壁。
如請求項4所述的屏蔽模組，其中：前述屏蔽側板包括位於前述板體部的一端的第一插片部以及位於前述板體部的另一端的第二插片部，前述第一插片部設有第一扣持彈臂，前述第一扣持彈臂設有第一鎖扣凸起；前述第二插片部設有第二扣持彈臂，前述第二扣持彈臂設有第二鎖扣凸起。
一種電連接器，包括：<br/> 安裝框架，前述安裝框架包括基板部以及安裝空間，前述基板部設有複數模組收容孔；以及<br/> 屏蔽模組，前述屏蔽模組至少部分收容於前述安裝空間中，前述屏蔽模組為如請求項1至7中任意一項所述的屏蔽模組；前述模組收容孔與前述屏蔽腔體相對應且相互連通。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述模組收容孔呈網格狀佈置。
如請求項8所述的電連接器，其中：每一個模組收容孔均係四周環繞式的封閉孔。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述安裝框架包括與前述基板部相連且位於前述基板部的第一側的第一壁部、以及與前述基板部相連且位於前述基板部的第二側的第二壁部；<br/> 前述第一壁部的內側設有第一安裝槽，前述第二壁部的內側設有第二安裝槽，前述第一安裝槽以及前述第二安裝槽均與前述安裝空間相連通；前述屏蔽殼體組件至少部分插入前述第一安裝槽以及前述第二安裝槽中。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述屏蔽模組的屏蔽殼體組件還包括連接板，前述連接板貼靠於屏蔽側板。
如請求項12所述的電連接器，其中：前述連接板設有與前述屏蔽側板彈性抵接的抵接彈片。
如請求項12所述的電連接器，其中：前述連接板設有配置為焊接於電路板上的焊接尾部。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述安裝框架包括內框架以及外框架，前述內框架與前述外框架分體設置，前述內框架設於前述外框架中。
如請求項15所述的電連接器，其中：前述內框架為絕緣內框架，前述外框架為金屬外框架。
如請求項8所述的電連接器，其中：前述安裝框架為一件式結構，前述安裝框架為金屬框架。
一種連接器組件，包括：<br/> 電連接器，前述電連接器為如請求項8所述的電連接器；以及<br/> 對接連接器，前述對接連接器設有金屬屏蔽圍繞件；<br/> 前述金屬屏蔽圍繞件配置為穿過前述電連接器的模組收容孔，以至少部分收容於前述電連接器的屏蔽腔體中。
如請求項18所述的連接器組件，其中：前述金屬屏蔽圍繞件設有接觸彈臂，前述接觸彈臂與前述電連接器的屏蔽殼體組件彈性抵接。
一種電連接器，包括：<br/> 安裝框架，前述安裝框架包括安裝空間；以及<br/> 屏蔽模組，前述屏蔽模組至少部分收容於前述安裝空間中；前述屏蔽模組包括屏蔽殼體組件以及收容於前述屏蔽殼體組件中的複數端子模組，前述屏蔽殼體組件包括屏蔽側板以及與前述屏蔽側板相配合的複數屏蔽片；前述屏蔽側板包括板體部；每一個屏蔽片包括第一圍繞壁、與前述第一圍繞壁相對的第二圍繞壁、以及連接在前述第一圍繞壁與前述第二圍繞壁之間的第三圍繞壁；前述板體部、前述第一圍繞壁、前述第二圍繞壁以及前述第三圍繞壁共同形成一個屏蔽腔體，前述端子模組至少部分收容於前述屏蔽腔體中；<br/> 前述屏蔽側板設有第一卡持彈臂，前述第一卡持彈臂的末端配置為與前述安裝框架相鎖扣。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述屏蔽側板包括位於前述板體部的一端的第一插片部，前述第一卡持彈臂設於前述第一插片部。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述第一卡持彈臂自前述第一插片部一體衝壓而成。
如請求項2所述的電連接器，其中：前述安裝框架包括第一壁部，前述第一壁部的內側設有第一安裝槽，前述第一安裝槽與前述安裝空間相連通，前述第一插片部插入前述第一安裝槽中。
如請求項4所述的電連接器，其中：前述屏蔽側板包括位於前述板體部的另一端的第二插片部，前述第二插片部設有第二卡持彈臂；<br/> 前述安裝框架包括與前述第一壁部相對的第二壁部，前述第二壁部的內側設有第二安裝槽，前述第二安裝槽與前述安裝空間相連通，前述第二插片部插入前述第二安裝槽中，前述第二卡持彈臂的末端配置為與前述安裝框架相鎖扣。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述屏蔽殼體組件還包括連接板，前述連接板貼靠於前述第三圍繞壁，前述連接板設有基體部以及位於前述基體部的一端的第一凸片部；前述第一凸片部設有第三卡持彈臂，前述第三卡持彈臂的末端配置為與前述安裝框架相鎖扣。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述第一卡持彈臂向前述連接板凸出，前述第三卡持彈臂向前述屏蔽側板凸出。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述屏蔽殼體組件還包括位於前述基體部的另一端的第二凸片部，前述第二凸片部設有第四卡持彈臂，前述第四卡持彈臂的末端配置為與前述安裝框架相鎖扣。
如請求項6所述的電連接器，其中：前述屏蔽模組至少為兩個且相鄰設置，其中一個屏蔽模組的連接板與另一個屏蔽模組的屏蔽側板相接觸，且前述屏蔽側板的第一卡持彈臂與前述連接板的第三卡持彈臂的凸出方向相反。
如請求項1所述的電連接器，其中：前述端子模組設有絕緣塊、固定於前述絕緣塊的第一導電端子以及固定於前述絕緣塊的第二導電端子；前述絕緣塊收容於前述屏蔽腔體中，前述第一導電端子設有凸出前述絕緣塊且延伸入前述屏蔽腔體中的第一接觸部，前述第二導電端子設有凸出前述絕緣塊且延伸入前述屏蔽腔體中的第二接觸部。
一種連接器組件，包括：<br/> 電連接器，前述電連接器為如請求項1至10中任意一項所述的電連接器；以及<br/> 對接連接器，前述對接連接器設有金屬屏蔽圍繞件；<br/> 前述金屬屏蔽圍繞件配置為至少部分收容於前述電連接器的屏蔽腔體中。
如請求項11所述的連接器組件，其中：前述金屬屏蔽圍繞件設有接觸彈臂，前述接觸彈臂與前述電連接器的屏蔽殼體組件彈性抵接。
一種毛絮空氣清淨機，包括：<br/> 殼體，內部設有放置空間，該殼體內部設有渦輪扇葉和電機，該殼體連接有變壓器電源線、電源開關和防護蓋；<br/> 顯示元件，與該殼體相連接，該顯示元件包括顯示面板、控制主板和觸摸按鍵，該控制主板分別與該電源開關和該電機之間電性連接；<br/> 過濾模組，與該殼體相連接，該過濾模組包括過濾網和濾筒；以及<br/> 元件模組，位於該殼體的內部，該元件模組包括空氣品質感測器、微動開關、UV殺菌燈和正負等離子發射器，該元件模組與該控制主板之間電性連接。
如請求項1所述之毛絮空氣清淨機，其中該殼體包括上殼體組件和下殼體組件，該上殼體組件包括上殼筒、內殼筒和端蓋，該內殼筒位於該上殼筒的內側，該內殼筒與該上殼筒固定連接，該端蓋的一端分別與該上殼筒和該內殼筒卡接固定。
如請求項2所述之毛絮空氣清淨機，其中該元件模組還包括光觸媒過濾器，與該控制主板之間電性連接。
如請求項2所述之毛絮空氣清淨機，其中該顯示元件還包括安裝框，該安裝框與該端蓋的一端卡接，該安裝框的一側與該控制主板之間可拆卸連接，該控制主板遠離該安裝框的一側與該觸摸按鍵相連接，該觸摸按鍵通過螺釘與該端蓋固定連接，該觸摸按鍵的一端與該顯示面板之間可拆卸連接。
如請求項2所述之毛絮空氣清淨機，其中該渦輪扇葉和該電機位於該內殼筒的內側，該渦輪扇葉的一端與該電機的輸出端固定連接，該電機遠離該渦輪扇葉的一端可拆卸連接有固定板，該固定板通過螺釘與該端蓋之間可拆卸連接。
如請求項3所述之毛絮空氣清淨機，其中該內殼筒的內壁與該UV殺菌燈之間可拆卸連接，該內殼筒的內壁與該光觸媒過濾器固定連接，該UV殺菌燈位於該光觸媒過濾器的上方，該UV殺菌燈位於該渦輪扇葉的下方，該內殼筒的外壁與該空氣品質感測器固定連接。
如請求項2所述之毛絮空氣清淨機，其中該上殼筒和該內殼筒之間設有安裝座和卡環，該安裝座的下方設有固定環，該安裝座和該固定環之間通過該卡環卡接固定，該安裝座的側壁與該正負等離子發射器之間可拆卸連接。
如請求項7所述之毛絮空氣清淨機，其中該上殼筒遠離該端蓋的一端與該卡環和該固定環之間卡接，該上殼筒分別與該變壓器電源線和該電源開關相連接，該上殼筒的側壁與該防護蓋卡接。
如請求項7所述之毛絮空氣清淨機，其中該下殼體組件包括下殼板、底座、下密封環和上密封環，該上密封環位於該濾筒和該內殼筒之間，該濾筒遠離該上密封環的一端與該下密封環相連接，該下密封環的一側與該底座抵接。
如請求項9所述之毛絮空氣清淨機，其中該下殼板的兩端分別與該底座和該固定環之間可拆卸連接，該過濾網位於相鄰的兩個該下殼板之間，該過濾網的兩端分別與該底座和該固定環之間卡接固定。
一種具有防水的帶有後視攝像頭的刹車燈，其包括︰<br/> 基座、蓋板和攝像頭，其中，<br/> 所述基座的腔體內安裝有刹車燈PCB控制板，所述刹車燈PCB控制板外嵌套有防水燈罩，所述防水燈罩的周邊卡扣在所述基座的腔體內壁面上；<br/> 所述蓋板中間設有通孔；<br/> 所述攝像頭的周邊設有防水密封圈對應嵌套安裝在所述通孔上；<br/> 所述基座上設有與所述蓋板周邊對應的超聲波槽，所述蓋板對應所述超聲波槽透過超聲波焊接固定在所述基座上。
如請求項1所述的具有防水的帶有後視攝像頭的刹車燈，其中，所述基座的腔體內壁面設有若干個卡扣，所述防水燈罩的周邊設有若干個與所述卡扣對應的卡槽。
如請求項1所述的具有防水的帶有後視攝像頭的刹車燈，其中，所述防水燈罩的中間部位對應設有與所述攝像頭的底部位置匹配的定位凹槽。
如請求項1所述的具有防水的帶有後視攝像頭的刹車燈，其中，所述基座的背面底部設有線束通孔，所述線束通孔安裝有防水線束膠圈。
如請求項1所述的具有防水的帶有後視攝像頭的刹車燈，其中，所述基座的周邊設有與原車安裝連接的若干個定位孔。
一種電路板產線之自動堆疊裝置，其用以堆疊複數原材料，該電路板產線之自動堆疊裝置包含 <br/>一主輸送機，具有 <br/> 一載台，其可沿一主要路徑來回移動，並且用以供該等原材料堆疊；其中，該主輸送機可受控制而使該載台移動至該主要路徑上的多個工作位置中的任一該工作位置； <br/>複數原料台，其沿該主要路徑排列，並且分別用以承載該等原材料； <br/>複數移載機，其沿該主要路徑排列，並且分別位置對應該等原料台；各該移載機具有 <br/> 一抓取器，其用以抓取相對應的該原料台上之該原材料；其中，該移載機可受控制而使該抓取器於該原料台及其中一該工作位置之間移動以將該原料台上的該原材料轉移至位於該工作位置的該載台。
如請求項1所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中一該等移載機為一吸附型移載機，該吸附型移載機的該抓取器具有 <br/>一主體； <br/>一中間吸盤，其設於該主體； <br/>複數外傾吸盤，其分別設於該中間吸盤的兩側，並且朝遠離該中間吸盤的方向傾斜； <br/>其中，該中間吸盤及該等外傾吸盤用以吸附相對應的該原料台上之該原材料。
如請求項2所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中 <br/>該吸附型移載機的該抓取器的該中間吸盤可相對該主體上下移動； <br/>該吸附型移載機的該抓取器進一步具有一中間彈性件，其向下推抵該中間吸盤。
如請求項2或3所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中該中間吸盤向下突出於該等外傾吸盤。
如請求項2或3所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中該等外傾吸盤沿該主體的周緣間隔設置。
如請求項1至3中任一項所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其進一步具有 <br/>一載台取料裝置，其設於該主輸送機的該載台上，並且包含 <br/> 一橫移組件，其設於該載台上，並且具有一取料座；該橫移組件可受控制而使該取料座橫向移動； <br/> 一取料升降組件，其設於該載台上，並且可受控制而舉升或降低該橫移組件的該取料座。
如請求項1至3中任一項所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中各該移載機具有 <br/>一抓取升降組件；該移載機的該抓取器設置於該抓取升降組件的下方；該抓取升降組件可受控制而升高或降低該抓取器； <br/>一防落屑盤，其設於該抓取升降組件的下方以收集該抓取升降組件磨耗產生的細屑。
如請求項1至3中任一項所述之電路板產線之自動堆疊裝置，其中 <br/>該等原料台包含複數第一原料台及複數第二原料台，該等第一原料台排列於該主要路徑的其中一側，該等第二原料台排列於該主要路徑的另一側； <br/>各該移載機位置對應於其中一該第一原料台及其中一該第二原料台，該移載機的該抓取器可受控制而於相對應的該第一原料台、該工作位置及該第二原料台之間移動以將該第一原料台上的該原材料及該第二原料台上的該原材料轉移至位於該工作位置的該載台。
一種電路板產線之自動堆疊系統，包含 <br/>一無人搬運車，其具有一舉升機構，該舉升機構用以承載一物料； <br/>一如請求項1至8中任一項所述的電路板產線之自動堆疊裝置，其進一步具有 <br/> 複數無人車轉接台，其設置於該主要路徑的其中一該等工作位置旁；各該無人車轉接台的一轉接架用以高度對應該無人搬運車的該舉升機構，以使該轉接架用以承接該舉升機構上之該物料； <br/> 一載台取料裝置，其設於該主輸送機的該載台上，並且包含 <br/> 一橫移組件，其設於該載台上，並且具有一取料座；該取料座可受控制而移動至任一該無人車轉接台的該轉接架之下方； <br/> 一取料升降組件，其設於該載台上，並且可受控制而將該橫移組件的該取料座升高至高於相對應的該轉接架，並且可受控制而將該取料座下降至低於相對應的該轉接架。
一種電路板產線之板材分離回收系統，其用以分離層疊狀之複數板體，該電路板產線之板材分離回收系統包含 <br/>一拆板作業台，其用以承載層疊狀之該等板體； <br/>複數板體承載台； <br/>一拆板機，其具有 <br/> 一拆板抓取器，其可於該拆板作業台及各該板體承載台之間移動，且用以分離及抓取層疊狀之該等板體中最上層之該板體；其中，該拆板機可受控制而使該拆板抓取器於該拆板作業台及各該板體承載台之間移動以將層疊狀之該等板體相互分離並分別放置於該等板體承載台上。
如請求項1所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中層疊狀之該等板體中最下方的板體為一底板；該等電路板產線之板材分離回收系統進一步包含 <br/>一底板承載台，其相鄰該拆板作業台，並且用以承載該底板； <br/>二底板平移機，其分別設於該拆板作業台及該底板承載台，且可向上移動而突出於該拆板作業台及該底板承載台，並且可向下移動而內縮於該拆板作業台及該底板承載台； <br/>其中一該底板平移機用以向上移動而頂起位於該拆板作業台上的該底板，且用以將被頂起的該底板移動至另一該底板平移機上。
如請求項1所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中層疊狀之該等板體中最下方的板體為一底板；該電路板產線之板材分離回收系統進一步包含一底板暫存機，該底板暫存機具有： <br/>一底板承載台，其相鄰該拆板作業台，並且用以承載該底板； <br/>一外框； <br/>一儲存架，其可上下移動地設於該外框中，並且形成有 <br/> 複數底板儲存格，該等底板儲存格上下間隔設置，各該底板儲存格用以承載一該底板；其中，該儲存架可上下移動至任一該等底板儲存格高度對應該底板承載台； <br/>該底板承載台可沿一進出方向移出或移入該儲存架，進而將該底板承載台上的該底板移出或移入其中一該底板儲存格。
如請求項1所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中層疊狀之該等板體中最下方的板體為一底板；該電路板產線之板材分離回收系統進一步包含： <br/>一底板暫存機，具有： <br/> 一底板承載台，其相鄰該拆板作業台，並且用以承載該底板； <br/> 一外框； <br/> 一儲存架，其可上下移動地設於該外框中，並且形成有 <br/> 複數底板儲存格，該等底板儲存格上下間隔設置，各該底板儲存格用以承載一該底板；其中，該儲存架可上下移動至任一該等底板儲存格高度對應該底板承載台； <br/> 其中，該底板承載台可沿一進出方向移出或移入該儲存架，進而將該底板承載台上的該底板移出或移入其中一該底板儲存格； <br/>二底板平移機，其分別設於該拆板作業台及該底板承載台，且可向上移動而突出於該拆板作業台及該底板承載台，並且可向下移動而內縮於該拆板作業台及該底板承載台； <br/>其中一該底板平移機用以向上移動而頂起位於該拆板作業台上的該底板，且用以將被頂起的該底板移動至另一該底板平移機上。
如請求項3或4所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中 <br/>該底板暫存機的該底板承載台形成有一載具通道；該載具通道上下貫穿該底板承載台，並且於該底板承載台的一側邊形成一載具開口；該載具通道的寬度窄於該底板的寬度； <br/>該電路板產線之板材分離回收系統進一步具有 <br/> 一無人搬運車，其可經由該底板承載台的該載具開口移動至相對應的該載具通道中，該無人搬運車且具有 <br/> 一舉升機構，其用以承載該底板；該無人搬運車可受控制而使該舉升機構下降至低於該底板承載台或升高至高於該底板承載台，進而用以將該底板承載台上的該底板從該底板承載台轉移至該舉升機構上。
如請求項1至4中任一項所述之電路板產線之板材分離回收系統，其進一步具有 <br/>一無人車進料轉接裝置，其設置於該拆板作業台旁，並且具有 <br/> 一碼頭架，其高度對應該拆板作業台，並且用以承載該等板體；該碼頭架形成有一載具通道；該載具通道上下貫穿該碼頭架，並且於該碼頭架的一側邊形成一載具開口；該載具通道的寬度窄於該等板體的寬度； <br/> 一平移輸送組件，其設置於該碼頭架上，並且具有至少一動力移載件；該至少一動力移載件用以使該等板體於該碼頭架上平移，進而用以將該等板體從該碼頭架移動至該拆板作業台上； <br/>一無人搬運車，其可經由該碼頭架的該載具開口移動至相對應的該載具通道中，該無人搬運車具有 <br/> 一舉升機構，其用以承載層疊狀之該等板體；該無人搬運車可受控制而使該舉升機構升高至高於該碼頭架或下降至低於該碼頭架，進而用以將該等板體從該舉升機構轉移至該碼頭架上。
如請求項6所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中該至少一動力移載件的數量為複數，各該動力移載件為一滾輪。
如請求項7所述之電路板產線之板材分離回收系統，其中該等動力移載件分別排列於該碼頭架的該載具通道的兩側。
一種易開啟鎖定式餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，所述盒體(1)為紙製容器具有一底面(11)，由所述底面(11)左、右、前、後側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的左側面(12)、右側面(13)、前側面(14)、後側面(15)，以及數個分別相應設於各角隅處的角隅部(16)；所述蓋體(2)的一側與所述後側面(15)相應側邊樞接；所述底面(11)與所述左、右、前、後側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(10)，而所述容置空間(10)頂端具有一能被所述蓋體(2)蓋合的開口(20)；其特徵在於：所述前側面(14)頂邊緣中央處，凸設有一呈T字形設置的扣合部(3)；所述左側面(12)頂邊緣中央處，凸設有一左卡塊(4)；所述右側面(13)頂邊緣中央處，凸設有一右卡塊(5)；所述蓋體(2)的前側、左側及右側邊緣處，各自相應設有一前翼片(21)、一左翼片(22)及一右翼片(23)；所述蓋體(2)相應於所述扣合部(3)處切割對應設有一定位槽部(6)，所述定位槽部(6)具有由切割形成的一槽口(61)、一第一翻摺片(62)及一第二翻摺片(63)；所述槽口(61)呈T字形設置，橫向段為於所述蓋體(2)處並呈直角梯形，縱向段由所述蓋體(2)延伸至所述前翼片(21)處並呈矩形；所述第一翻摺片(62)位於所述槽口(61)縱向段內，一側端與所述前翼片(21)樞接，而自由端鄰近於所述槽口(61)橫向段；所述第二翻摺片(63)位於所述槽口(61)橫向段內，一側端與所述蓋體(2)樞接，而另一端與所述第一翻摺片(62)自由端相接；所述蓋體(2)相應於所述左卡塊(4)處切割有一第一卡槽(7)；所述蓋體(2)相應於所述右卡塊(5)處切割有一第二卡槽(8)；所述第一卡槽(7)具有由切割形成的一左槽口(71)及一左翻摺片(72)，所述左槽口(71)由所述左翼片(22)延伸至所述蓋體(2)處，所述左翻摺片(72)一側與所述左槽口(71)嵌接而另側與所述左翼片(22)連接；所述第二卡槽(8)具有由切割形成的一右槽口(81)及一右翻摺片(82)，所述右槽口(81)由所述右翼片(23)延伸至所述蓋體(2)處，所述右翻摺片(82)一側與所述右槽口(81)嵌接而另側與所述右翼片(23)連接。
如請求項1所述的易開啟鎖定式餐盒，其中：所述蓋體(2)與所述後側面(15)樞接處，切割設有至少個一以上的透氣部(151)，所述透氣部(151)能於所述蓋體(2)翻折蓋合於所述盒體(1)上時，往內凹陷以形成透氣孔。
如請求項2所述的易開啟鎖定式餐盒，其中：所述角隅部(16)皆具有相鄰設置的一第一扇形片(30)及一第二扇形片(40)。
如請求項3所述的易開啟鎖定式餐盒，其中：所述左槽口(71)的寬度，大於所述左卡塊(4)的寬度；所述右槽口(81)的寬度，大於所述右卡塊(5)的寬度。
如請求項4所述的易開啟鎖定式餐盒，其中：所述扣合部(3)的水平段的兩頂端角隅處，分別設有一倒角部(31)。
如請求項5所述的易開啟鎖定式餐盒，其中：所述容置空間(10)內還設有至少一分隔部(9)，所述分隔部(9)能供將所述容置空間(10)分隔形成數個放置區塊(101)。
一種易扣鎖合紙餐盒，其包含有一盒體(1)，以及一能翻折蓋合於所述盒體(1)上的蓋體(2)，所述盒體(1)為紙製容器具有一底面(11)，由所述底面(11)左、右、前、後側邊緣處分別依序相應向上延伸設置的左側面(12)、右側面(13)、前側面(14)、後側面(15)，以及數個分別相應設於各角隅處的角隅部(16)；<br/>所述蓋體(2)的一側與所述後側面(15)相應側邊樞接；<br/>所述底面(11)與所述左、右、前、後側面(12、13、14、15)相配合界定出的容置空間(10)，而所述容置空間(10)頂端具有一能被所述蓋體(2)蓋合的開口(20)；<br/>其特徵在於：<br/>所述前側面(14)頂邊緣處，凹設有一凹陷部(3)，所述凹陷部(3)中央凸設有一呈T字形設置的扣合部(31)；<br/>所述左側面(12)頂邊緣中央處，凸設有一左卡塊(4)；<br/>所述右側面(13)頂邊緣中央處，凸設有一右卡塊(5)；<br/>所述蓋體(2)的前側、左側及右側邊緣處，各自相應設有一前翼片(21)、一左翼片(22)及一右翼片(23)；<br/>所述蓋體(2)相應於所述扣合部(31)處設有一定位槽部(6)，所述定位槽部(6)具有由左至右依序設置並以切割形成的ㄩ字形的一左卡槽(61)、ㄇ字形的一中央卡槽(62)及ㄩ字形的一右卡槽(63)；<br/>所述左卡槽(61)與所述右卡槽(63)，兩皆具有一第一槽口(30)及一第一翻摺片(40)，所述槽口(30)由所述蓋體(2)延伸至所述前翼片(21)處，所述第一翻摺片(40)一側與所述第一槽口(30)嵌接而另側與所述蓋體(2)連接；<br/>所述中央卡槽(62)具有由切割形成的一第二槽口(50)及一第二翻摺片(60)，所述第二槽口(50)由所述前翼片(21)延伸至所述蓋體(2)處，所述第二翻摺片(60)一側與所述槽口(30)嵌接而另側與所述前翼片(21)連接；<br/>所述蓋體(2)相應於所述左卡塊(4)處切割有一第一卡槽(7)；<br/>所述蓋體(2)相應於所述右卡塊(5)處切割有一第二卡槽(8)；<br/>所述第一卡槽(7)具有由切割形成的一左槽口(71)及一左翻摺片(72)，所述左槽口(71)由所述左翼片(22)延伸至所述蓋體(2)處，所述左翻摺片(72)一側與所述左槽口(71)嵌接而另側與所述左翼片(22)連接；<br/>所述第二卡槽(8)具有由切割形成的一右槽口(81)及一右翻摺片(82)，所述右槽口(81)由所述右翼片(23)延伸至所述蓋體(2)處，所述右翻摺片(82)一側與所述右槽口(81)嵌接而另側與所述右翼片(23)連接。
如請求項1所述的易扣鎖合紙餐盒，其中：所述角隅部(16)皆具有相鄰設置的一第一扇形片(70)及一第二扇形片(80)。
如請求項2所述的易扣鎖合紙餐盒，其中：所述左卡槽(61)與所述右卡槽(63)的寬度相等；<br/>所述中央卡槽(62)的寬度，大於所述左卡槽(61)與所述右卡槽(63)的寬度。
如請求項3所述的易扣鎖合紙餐盒，其中：所述左槽口(71)的寬度，大於所述左卡塊(4)的寬度；<br/>所述右槽口(81)的寬度，大於所述右卡塊(5)的寬度。
如請求項4所述的易扣鎖合紙餐盒，其中：所述扣合部(31)的水平段的各角隅處，分別設有一倒角部(32)。
如請求項5所述的易扣鎖合紙餐盒，其中：所述容置空間(10)內還設有至少一分隔部(9)，所述分隔部(9)能供將所述容置空間(10)分隔形成數個放置區塊(101)。
一種具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，包含一片狀基材及一黏著層，其中該片狀基材具有第一方向與第二方向，且該第一方向之楊氏模數大於該第二方向，該黏著層設置於該片狀基材之至少一表面，其特徵在於：<br/> 該片狀基材係構造成於貼附於皮膚並跨設於一傷口時，使該第一方向配置為實質上垂直於該傷口之延伸方向，藉由該第一方向之較高剛性限制傷口兩側皮膚於橫向之相對位移，從而於傷口區域形成橫向鎖定效果。
如請求項1所述之具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，其中，該第一方向與該第二方向之楊氏模數比值介於2:1至100:1之間。
如請求項1所述之具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，其中，該黏著層具有足以將該片狀基材於該第一方向之剛性限制效果傳遞至皮膚表面之剪切強度。
如請求項3所述之具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，其中，該黏著層之材質包含聚氨酯、矽膠、丙烯酸膠、水膠體或其組合。
如請求項1所述之具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，其中，該黏著層係直接塗佈於該片狀基材，或經由一錨定層結合於該片狀基材。
如請求項1所述之具橫向鎖定功能之各向異性醫用敷料，其中，該黏著層內部進一步包含至少一生物活性劑。
一種疤痕護理套件，包含如請求項1所述之各向異性醫用敷料，以及一獨立光學參照單元，該獨立光學參照單元係與該各向異性醫用敷料物理分離設置，且設置於傷口鄰近區域以提供影像擷取時之幾何或尺度參照，藉此輔助量化評估該各向異性醫用敷料於貼附狀態下對傷口兩側皮膚橫向相對位移之限制效果。
如請求項7所述之疤痕護理套件，其中該獨立光學參照單元具有至少一具預定幾何特徵或色彩特性之光學參照標記。
一種疤痕評估方法，係用以評估如請求項1所述之各向異性醫用敷料所產生之橫向鎖定效果，包含下列步驟：將該各向異性醫用敷料貼附於受試者皮膚並跨設於一傷口，並使該片狀基材之第一方向實質上垂直於該傷口之延伸方向；於該傷口鄰近位置設置一獨立光學參照單元；以及擷取包含該傷口及該獨立光學參照單元之影像，並依據該影像中之幾何或尺度參照資訊，分析傷口兩側皮膚於橫向之相對位移變化，以作為該橫向鎖定效果之評估依據。
一種釣力閥墊圈，是用於釣魚用捲線器且藉由相對於釣力閥墊片相對旋轉讓正反兩側的支承面成為滑動面； <br/> 上述釣力閥墊圈，具有： <br/> 纖維長度方向相對於滑動面大致平行的第2纖維、 <br/>及相對於上述第2纖維交叉且上述纖維長度方向朝向沿著旋轉軸的方向的第1纖維； <br/> 上述釣力閥墊圈是由氈材所構成， <br/> 上述氈材，以上述第1纖維與上述第2纖維在位於正反兩側的上述滑動面彼此之間交叉而纏繞而形成的。
一種藉由微粒子測量裝置進行的微粒子測量方法，具有： <br/> 蓄積步驟，將測量對象的超純水以超過濾膜過濾，使微粒子蓄積在該超過濾膜；以及 <br/>擠出步驟，將蓄積在該超過濾膜的微粒子與該超過濾膜的濃縮水一同擠出至該微粒子測量裝置。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中在該蓄積步驟中，進行全量過濾。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中經過該蓄積步驟後，該超過濾膜上的微粒子數量為4x10<sup>6</sup>個/cm<sup>2</sup>以上5x10<sup>10</sup>個/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中在該擠出步驟中，從該超過濾膜流出的濃縮水總量，為在該蓄積步驟中供應至該超過濾膜的超純水總量的0.05倍以上0.2倍以下。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中藉由交互進行該蓄積步驟和該擠出步驟，以進行連續測量。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中在該擠出步驟中，將供應至該超過濾膜的該超純水的全量，作為該濃縮水流出。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中在該擠出步驟中，該超過濾膜的濃縮水流量，為供應至該超過濾膜的超純水供給流量的90%以上。
如請求項1所記載之微粒子測量方法，其中該超純水中的微粒子數量為1個/L以上1000個/L以下。
一種微粒子測量系統，具有： <br/>超過濾裝置； <br/>微粒子測量裝置，其連接於該超過濾裝置的濃縮側； <br/>蓄積機構，藉由將超純水供應至該超過濾裝置來進行過濾，以使微粒子蓄積在該超過濾裝置內；以及 <br/>擠出機構，用以將蓄積在該超過濾裝置的微粒子與該超過濾裝置的濃縮水一同擠出至該微粒子測量裝置。
如請求項9所記載之微粒子測量系統，其中該蓄積機構使蓄積在該超過濾裝置的超過濾膜的膜面上的微粒子數量為4x10<sup>6</sup>個/cm<sup>2</sup>以上5x10<sup>10</sup>個/cm<sup>2</sup>以下。
如請求項9所記載之微粒子測量系統，其中該微粒子測量裝置是以線上方式測量微粒子。
如請求項9所記載之微粒子測量系統，其中該蓄積機構和該擠出機構交互作動。
如請求項9所記載之微粒子測量系統，其具有設於該超過濾裝置的該濃縮側的第一閥、設於該超過濾裝置的透過側的第二閥、以及自動控制該第一閥和該第二閥的控制裝置； <br/>該控制裝置藉由縮減該第一閥的開度，同時打開該第二閥，以構成該蓄積機構；該控制裝置藉由打開該第一閥和該第二閥，同時縮減該第二閥的開度，使該第一閥的流量達到供應至該超過濾裝置的供給流量的90%以上，以構成該擠出機構。
如請求項13所記載之微粒子測量系統，其中該控制裝置藉由關閉該第一閥，同時打開該第二閥，以構成該蓄積機構，並藉由打開該第一閥且關閉該第二閥，以構成該擠出機構。
一種如式(I)所示的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)。
如請求項1所述的化合物，其中該化合物分離自香蕉花萃取物。
一種如式(II)所示的化合物：<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10008.jpg" alt="ed10008.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)。
如請求項3所述的化合物，其中該化合物分離自香蕉花萃取物。
一種化合物用於製備頭髮保健組合物的用途，該化合物為式(I)所示的化合物、式(II)所示的化合物或其組合：<br/><img align="absmiddle" height="47px" width="95px" file="ed10009.jpg" alt="ed10009.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(I)；以及<br/><img align="absmiddle" height="82px" width="94px" file="ed10010.jpg" alt="ed10010.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>式(II)。
如請求項5所述的用途，其中該化合物用於抑制二氫睪固酮生成。
如請求項5所述的用途，其中該化合物用於促進頭髮生長。
如請求項7所述的用途，其中該化合物用於促進毛囊細胞增生。
一種指尖筆架，係包含筆扣件和指套所組合而成，其中，筆扣件由軟矽膠材質製成，呈半圓環形，環形外側為凹凸槽呈齒輪狀，環形內側與麥克筆端部貼合，指套以硬矽膠材料製成，呈圓環形，環形外側為凹凸槽呈齒輪狀，用於與該筆扣件嚙合，該指套環形內側位於手指頭外緣，實施時，將指套分別套入各個手指頭，另外將筆扣件分別牢固貼合在麥克筆端部，該指套的凹凸槽和該筆扣件的凹凸槽可以快速反覆嚙合以及拆開，如此便可以快速換筆使用。
一種貸後資金查核輔助系統，包含：<br/> 一處理單元；及<br/> 一儲存單元，電連接該處理單元，且儲存有一相關於放貸風險控管的檢核規則資料，以及一相關於多位查核人員的案件分配設定資料，其中，該案件分配設定資料包含多個分別對應於該等查核人員的查核者識別碼，以及多個分別對應於該等查核者識別碼的分配比例參數；<br/> 其中，該處理單元用於：<br/> 在獲得多筆待查核案件資料之後，根據該檢核規則資料對每一待查核案件資料執行一初步檢核處理，以產生多筆分別對應於該等待查核案件資料的初步檢核結果；及<br/> 利用該等分配比例參數對該等待查核案件資料及該等初步檢核結果執行一案件分配處理，以產生多個分別對應於該等查核者識別碼的待查核案件集合，其中，每一待查核案件集合包含該等待查核案件資料中要被分配給同一位查核人員進行查核的其中多筆待查核案件資料，以及該其中多筆待查核案件資料所對應的該等初步檢核結果。
如請求項1所述的貸後資金查核輔助系統，其中，在該案件分配處理中，該處理單元是利用一指示出該等待查核案件資料之數量的案件總數、一指示出該等查核者識別碼之數量的查核者總數，以及該等分配比例參數，來決定每一查核者識別碼所對應之該待查核案件集合所要包含之待查核案件資料的數量。
如請求項2所述的貸後資金查核輔助系統，其中，該處理單元執行該案件分配處理的方式包含：<br/> 將該案件總數除以該查核者總數，以計算一初始平分案件數；<br/> 對於每一查核者識別碼，將該查核者識別碼所對應的該分配比例參數乘以該初始平分案件數，以計算一對應於該查核者識別碼的標準配給案件數；<br/> 將該等標準配給案件數加總以計算一初始分配總和，並在判斷出該初始分配總和小於該案件總數的情況下，將該案件總數減去該初始分配總和，以計算一未分配案件數；<br/> 將該未分配案件數除以該查核者總數，以計算一補充平分案件數；<br/> 對於每一查核者識別碼，將該查核者識別碼所對應的該標準配給案件數與該補充平分案件數加總，以計算一對應於該查核者識別碼的調整配給案件數；<br/> 在判斷出該等調整配給案件數的總和與該案件總數相等的情況下，將該等調整配給案件數分別作為多個分別對應於該等查核者識別碼的確定配給案件數，並根據該等確定配給案件數分別產生該等待查核案件集合，以使得每一待查核案件集合包含與對應之該確定配給案件數相符的待查核案件資料。
如請求項3所述的貸後資金查核輔助系統，其中，該處理單元執行該案件分配處理的方式還包含：<br/> 在判斷出該等調整配給案件數的總和未與該案件總數相等的情況下，將該案件總數減去該等調整配給案件數的總和，以計算一殘餘案件數；<br/> 從該等調整配給案件數中選出數量與該殘餘案件數符合的其中多筆調整配給案件數，並將該其中多筆調整配給案件數加一，以更新該其中多筆調整配給案件數；及<br/> 在更新該其中多筆調整配給案件數後，將所有該等調整配給案件數分別作為該等確定配給案件數。
如請求項1所述的貸後資金查核輔助系統，其中：<br/> 該檢核規則資料包含一擔保品規則部分，該擔保品規則部分指示出多個貸款用途與多個擔保品類別之間的指定匹配關係；及<br/> 該處理單元執行該初步檢核處理的方式包含：根據該擔保品規則部分執行一擔保品檢核程序，以判斷該待查核案件資料所包括的一貸款用途紀錄及一擔保品提供紀錄是否符合該擔保品規則部分所指示出的指定匹配關係。
如請求項1所述的貸後資金查核輔助系統，其中：<br/> 該檢核規則資料包含一高價房產規則部分，該高價房產規則部分包括一指示出一指定地理區域的管制區域代碼，以及一對應於該管制區域代碼的貸款金額管制門檻值；及<br/> 該處理單元執行該初步檢核處理的方式包含：根據該高價房產規則部分執行一貸款金額檢核程序，以判斷該待查核案件資料所包括的一置產地區代碼是否與該管制區域代碼相符，以及判斷該待查核案件資料所包括的一申貸金額是否大於該貸款金額管制門檻值。
一種調節流體溫度之裝置，其包括：<br/> 至少一金屬載體，係設於一流體加熱腔內，且依該流體加熱腔內流體之流動方向遍布設置，並透過該流體加熱腔之加熱元件發熱；<br/> 至少一固定部，係供該金屬載體固定於該流體加熱腔內；<br/> 一隔熱件，係設於該流體加熱腔上；<br/> 複數流體通道，係依該流動方向貫穿形成於該金屬載體上，且以蜂巢格形式間隔排列；及<br/> 複數導熱壁，係界定於各該流體通道之內側壁，以直接接觸該流體。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中該流體加熱腔係為飲水機、電熱水器、或高溫爐之加熱室。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中該金屬載體數量為一時係為筒狀。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中該金屬載體為複數時係為並排設置的板片狀。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中各該流體通道係為正六邊形。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中該固定部係透過鎖固、焊接、緊迫、或夾持之方式進行固定。
如請求項1所述之調節流體溫度之裝置，其中該金屬載體上具有至少一設置孔。
一種牙刷結構，包括：<br/>一握柄部；<br/>一頸部，該頸部的一底端連接該握柄部的一頂端；<br/>一刷頭，具有朝前方的一第一表面以及朝後方的一第二表面；以及<br/>一刷毛矩陣，設置在該刷頭的該第一表面上；<br/>其中，該刷毛矩陣具有複數條刷毛束，每一刷毛束包括複數條刷毛，該刷毛矩陣具有十二個刷毛列，且每一個刷毛列均以該刷頭的一中心軸而從上到下置中排列。
如請求項1所述之牙刷結構，其中，該頸部朝後方傾斜而與該握柄部連接，且該頸部與該握柄部之間夾有一角度，該角度不等於180度。
如請求項2所述之牙刷結構，其中，該角度為一鈍角。
如請求項1所述之牙刷結構，其中，該握柄部的一前表面且鄰近與該頸部連接的一連接處具有一第一防滑表面。
如請求項4所述之牙刷結構，其中，該握柄部的一後表面且鄰近與該頸部連接的一連接處具有一第二防滑表面。
如請求項1所述之牙刷結構，其中，該刷頭的該第二表面具有一上弧形凸部以及一下弧形凸部，該上弧形凸部遠離該頸部設置，該下弧形凸部鄰近該頸部設置。
如請求項6所述之牙刷結構，其中，該刷頭的該第二表面還具有複數個凸點，設置在該上弧形凸部與該下弧形凸部之間。
如請求項1所述之牙刷結構，其中，該刷毛矩陣形成一卵形。
如請求項8所述之牙刷結構，其中，呈卵形的該刷毛矩陣的邊緣處的各該刷毛束遠離該刷頭的一端具有一顯色區。
如請求項1所述之牙刷結構，其中，該十二個刷毛列包括一第一刷毛列、一第二刷毛列、一第三刷毛列、一第四刷毛列、一第五刷毛列、一第六刷毛列、一第七刷毛列、一第八刷毛列、一第九刷毛列、一第十刷毛列、一第十一刷毛列以及一第十二刷毛列；其中，該第一刷毛列具有三條刷毛束，且鄰近該頸部設置，該第一刷毛列的該三條刷毛束均具有一顯色區；該第二刷毛列具有四條刷毛束，且設置在該第一刷毛列上方，該第二刷毛列兩端的各該條刷毛束具有該顯色區；該第三刷毛列具有五條刷毛束，且設置在該第二刷毛列上方，該第三刷毛列兩端的各該條刷毛束具有該顯色區；該第四刷毛列、該第五刷毛列、該第六刷毛列、該第七刷毛列以及該第八刷毛列各自均具有六條刷毛束，且該第四刷毛列、該第五刷毛列、該第六刷毛列、該第七刷毛列以及該第八刷毛列由下到上依序設置在該第三刷毛列上方，該第四刷毛列、該第五刷毛列、該第六刷毛列、該第七刷毛列以及該第八刷毛列各自兩端的各該條刷毛束具有該顯色區；該第九刷毛列具有五條刷毛束，且設置在該第八刷毛列上方，該第九刷毛列兩端的各該條刷毛束具有該顯色區；該第十刷毛列以及該第十一刷毛列各自均具有四條刷毛束，且該第十刷毛列以及該第十一刷毛列由下到上依序設置在該第九刷毛列上方，該第十刷毛列以及該第十一刷毛列各自兩端的各該條刷毛束具有該顯色區；該第十二刷毛列具有三條刷毛束且略呈上凸弧狀排列，並設置在該第十一刷毛列上方，該第十二刷毛列兩端的該三條刷毛束均具有該顯色區。
一種具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，其具有一共享裝置，該共享裝置包括：<br/> 一互動介面模組；<br/> 一聲音輸入模組，係接收及偵測二個以上的聲音資訊；<br/> 一AI語言翻譯系統，用以處理該等聲音資訊；<br/> 其中，該AI語言翻譯系統根據該等聲音資訊產生一個以上的來源語言資訊及一個以上的目標語言資訊，並於該互動介面模組執行一對話日誌管理程序，以生成一具有視覺區別的多語言對話紀錄。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，該二個以上的聲音資訊包括一第一聲音資訊及一第二聲音資訊；該AI語言翻譯系統分別根據該第一聲音資訊產生一第一來源語言資訊、根據該第二聲音資訊產生一第二來源語言資訊；該AI語言翻譯系統根據該第二聲音資訊生成對應的一第一翻譯後的目標語言資訊、根據該第一聲音資訊生成對應的一第二翻譯後的目標語言資訊。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，該互動介面模組包括一語言錨點生成區及一語言對話目標區，該語言錨點生成區包括一組預設的使用者語言或一個以上的即時擴增語言，該語言對話目標區係動態顯示一個以上的發言歷程及一個以上的對話紀錄。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，該具有視覺區別的多語言對話紀錄包括一顯著的來源語言視覺樣式資訊或一時間視覺動態資訊。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，進一步包括一聲音輸出模組，該聲音輸出模組將該目標語言資訊即時輸出、擴音或播放。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，進一步包括一通訊模組，該通訊模組與一外部播放裝置建立連接或連結。
如請求項1所述具有單機共享機制的自動化語言訊息處理系統，進一步包括一通訊模組，該通訊模組透過網路與遠端的一雲端伺服器連結。
一種水冷頭，包括：<br/> 一頂蓋，所述頂蓋包括一蓋體、一進水管、及一出水管，所述進水管與所述出水管設置於所述蓋體的頂面；以及<br/> 一底座，所述底座的頂面包括多個液體通道；所述底座組合於所述蓋體的底部，其中所述底座與所述蓋體部分相抵接而形成一接縫；其中，一溝槽形成於所述底座的底部與所述蓋體的底部之間；所述溝槽內包括以金屬三維列印技術填充的金屬粉末以連接所述頂蓋與所述底座。
如請求項1所述的水冷頭，其中每層所述金屬粉末的厚度位於20至60微米之間，其中所述金屬粉末具有積層堆疊狀的結構。
如請求項1所述的水冷頭，其中所述頂蓋的底部邊緣具有一第一凹槽，所述底座的底部邊緣具有一第二凹槽，所述底座組合於所述蓋體的底部時，所述頂蓋的所述第一凹槽與所述底座的所述第二凹槽相對而共同形成所述溝槽。
如請求項3所述的水冷頭，其中所述接縫位於所述第一凹槽與所述第二凹槽之間，其中所述第一凹槽包括一平行於所述頂蓋的底面的第一水平切面、及一第一豎直切面，所述第一豎直切面連接於所述頂蓋的底面與所述第一水平切面之間；其中所述第二凹槽包括一平行於所述底座的底面的第二水平切面、及一第二豎直切面，所述第二豎直切面連接於所述底座的底面與所述第二水平切面之間。
如請求項1所述的水冷頭，其中所述頂蓋的底部邊緣具有一第一凹槽，其中所述底座的底部具有一凸緣部，所述凸緣部由所述底座的底部周圍向外突出，並具有一抵接面及一接合面，所述抵接面與所述底座的底面相對，所述接合面連接於所述抵接面與所述底座的所述底面之間，所述抵接面覆蓋所述接縫，所述凸緣部覆蓋住部分的所述第一凹槽，從而形成所述溝槽。
如請求項5所述的水冷頭，其中所述第一凹槽由一凹槽底面與一直立面定義而成，所述第一凹槽的所述凹槽底面平行所述底座的底面，所述直立面連接於所述凹槽底面與所述底座的底面，所述直立面的高度小於所述接合面的高度，所述抵接面抵接於所述凹槽底面，所述底座的底面與所述蓋體的底面具有一落差。
如請求項6所述的水冷頭，其中所述第一凹槽的所述直立面的高度小於等於所述凸緣部的所述接合面的高度的一半。
如請求項6所述的水冷頭，其中所述凹槽底面外露的寬度大於所述直立面的高度。
如請求項1所述的水冷頭，其中，所述金屬粉末切齊於所述底座的底面與所述蓋體的底面。
一種水冷散熱裝置，包括：<br/> 一主水冷板，所述主水冷板內設有一進水空間及一出水空間，所述進水空間與一進水頭相連通，冷卻液能通過所述進水頭輸送至所述主水冷板的所述進水空間，所述出水空間與一出水頭相連通，熱交換後的冷卻液能通過所述主水冷板的所述出水空間輸送至所述出水頭；<br/> 多個可浮動的子水冷板，其為水冷散熱器，以一底板及一蓋板製成，所述底板及所述蓋板以導熱性金屬材料製成，所述底板上設有多個流道，將所述底板及所述蓋板焊接在一起，焊接的部位分布於所述多個流道的周圍，再進行二次加工，使焊接在一起的所述底板及所述蓋板成型分離的多個所述水冷散熱器，且每一所述水冷散熱器內各設有所述流道；<br/> 所述多個可浮動的子水冷板分別設置於所述主水冷板的上方及下方，所述多個可浮動的子水冷板內各設有所述流道，所述多個可浮動的子水冷板與所述主水冷板之間分別設有多個彈性件，使所述多個可浮動的子水冷板分別與所述主水冷板之間形成浮動設置；以及<br/> 兩金屬殼體，所述多個可浮動的子水冷板設置於所述兩金屬殼體之間，所述兩金屬殼體內各設有多個容置空間，能供光模塊插置，所述多個可浮動的子水冷板分別伸入所述兩金屬殼體中，能彈性接觸所述光模塊；<br/> 其中所述多個可浮動的子水冷板各以兩轉接頭連接於所述主水冷板，所述轉接頭內形成有一通孔，所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間能通過所述通孔相連通，冷卻液能輸送至所述主水冷板，再通過所述轉接頭將冷卻液輸送至所述可浮動的子水冷板中，熱交換後的冷卻液再通過另一所述轉接頭輸送至所述主水冷板向外輸出。
如請求項1所述的水冷散熱裝置，其中所述轉接頭具有一插接部，所述主水冷板上設有與所述插接部相對應的穿孔，所述插接部插置於相對應所述穿孔中，使所述轉接頭連接於所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間。
如請求項2所述的水冷散熱裝置，其中所述轉接頭的所述插接部及所述主水冷板之間設置一密封圈。
一種水冷散熱裝置，包括：<br/> 一主水冷板，所述主水冷板內設有一進水空間及一出水空間，冷卻液能輸送至所述主水冷板的所述進水空間，熱交換後的冷卻液能通過所述主水冷板的所述出水空間輸出；以及<br/> 多個可浮動的子水冷板，其為水冷散熱器，以一底板及一蓋板製成，所述底板及所述蓋板以導熱性金屬材料製成，所述底板上設有多個流道，將所述底板及所述蓋板焊接在一起，焊接的部位分布於所述多個流道的周圍，再進行二次加工，使焊接在一起的所述底板及所述蓋板成型分離的多個所述水冷散熱器，且每一所述水冷散熱器內各設有所述流道；<br/> 所述多個可浮動的子水冷板分別設置於所述主水冷板的上方及下方至少其中之一，所述多個可浮動的子水冷板內各設有所述流道，所述多個可浮動的子水冷板與所述主水冷板之間分別設有多個彈性件，使所述多個可浮動的子水冷板分別與所述主水冷板之間形成浮動設置；<br/> 其中所述多個可浮動的子水冷板各以兩轉接頭連接於所述主水冷板，所述轉接頭內形成有一通孔，所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間能通過所述通孔相連通，冷卻液能輸送至所述主水冷板，再通過所述轉接頭將冷卻液輸送至所述可浮動的子水冷板中，熱交換後的冷卻液再通過另一所述轉接頭輸送至所述主水冷板向外輸出。
如請求項4所述的水冷散熱裝置，其中所述轉接頭具有一插接部，所述主水冷板上設有與所述插接部相對應的穿孔，所述插接部插置於相對應所述穿孔中，使所述轉接頭連接於所述可浮動的子水冷板及所述主水冷板之間。
如請求項5所述的水冷散熱裝置，其中所述轉接頭的所述插接部及所述主水冷板之間設置一密封圈。
一種浮標收納容器，其包括：<br/> 一繞線底座，具有一長形底板及自該底板頂面向上延伸且呈並排間隔設置之二繞線立柱，該二繞線立柱與該底板共同界定出一浮標容置空間，且該底板之兩端頂面分別埋設一第一磁吸件；以及，<br/> 一罩蓋，係可拆卸地蓋合於該繞線底座上，該罩蓋具有一外框體及設置於該外框體內之一透明視窗，該外框體之底面兩端分別埋設對應於該第一磁吸件之一第二磁吸件；<br/> 其中，該外框體之相對二側壁分別設有一缺口部，該缺口部由該側壁之壁緣朝該外框體之頂面方向內凹而成，當該罩蓋藉由該第二磁吸件與該第一磁吸件相互吸附而蓋合於該繞線底座時，該二繞線立柱容納於該外框體內，且各該缺口部分別連通該外框體之內、外部，以供魚線穿設及供手指施力掀開該罩蓋。
如請求項1所述之浮標收納容器，其中，各該繞線立柱之兩側於對稱位置分別內凹成一容線槽。
如請求項2所述之浮標收納容器，其中，該容線槽沿所設繞線立柱軸向之斷面呈弧狀。
如請求項1所述之浮標收納容器，其中，各該繞線立柱分別具有二夾持柱，該二夾持柱沿該底板之寬度方向呈並排間隔設置，使該二夾持柱之間構成供嵌設魚線及浮標之一嵌槽。
如請求項4所述之浮標收納容器，其中，該二夾持柱分別設有一彈性部，該二彈性部彼此相對且互相靠攏，並於該嵌槽內構成呈狹縫狀之一夾持縫，用以固定該嵌槽內之魚線及浮標。
如請求項1所述之浮標收納容器，其中，位於該二繞線立柱之間的底板頂面上鋪設一緩衝墊。
如請求項6所述之浮標收納容器，其中，該緩衝墊與該底板之間設有一第三磁性件。
如請求項1所述之浮標收納容器，其中，該第一磁吸件與該第二磁吸件之表面係分別與該底板之頂面及該外框體之底面齊平。
如請求項1所述之浮標收納容器，其中，該透明視窗爲透明壓克力板或透明塑膠片。
一種電鑄半導體彈簧針，用以接觸一檢測錫球(200)，且包含： <br/>一矩形導向筒體(110)，具有一套筒(112)，其中該套筒(112)具有相對設置的四個筒體接觸面(114)以定義出沿一水平方向(D)延伸的一矩形內孔(116)； <br/>一基座主體(120)，設置於該矩形導向筒體(110)的一側且具有一矩形柱塞部(122)，其中該矩形柱塞部(122)的形狀對應於該矩形內孔(116)的形狀，且該矩形柱塞部(122)具有相對設置的四個柱塞表面(124)，該矩形柱塞部(122)用以可滑動地穿設於該矩形內孔(116)中；以及 <br/>一彈性部體(130)，其相對兩端分別固定於該矩形導向筒體(110)與該基座主體(120)，其中當該電鑄半導體彈簧針(100)接觸該檢測錫球(200)而受壓時，該矩形柱塞部(122)用以被引導進入該矩形內孔(116)中，以使該矩形柱塞部(122)的該柱塞表面(124)接觸該套筒(112)的該筒體接觸面(114)，並使該矩形導向筒體(110)與該基座主體(120)形成一導電路徑。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該矩形導向筒體(110)的該矩形內孔(116)的一端具有一導入部(118)，且該導入部(118)用以引導該矩形柱塞部(122)進入該矩形內孔(116)中。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該矩形導向筒體(110)具有一長條狀開槽(119)，且該長條狀開槽(119)與該矩形內孔(116)連通並用以降低該矩形柱塞部(122)進入該矩形內孔(116)的空氣阻力。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該矩形柱塞部(122)的該四個柱塞表面(124)與該套筒(112)的該四個筒體接觸面(114)之間係以面接觸，進而降低該導電路徑的接觸電阻。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該彈性部體(130)的該相對兩端以焊接方式分別固定於該矩形導向筒體(110)與該基座主體(120)。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該矩形導向筒體(110)與該基座主體(120)係藉由電鑄製造而成。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該矩形導向筒體(110)的該套筒(112)的該矩形內孔(116)在該水平方向(D)上對齊該基座主體(120)的該矩形柱塞部(122)。
如請求項1所述之電鑄半導體彈簧針，其中該基座主體(120)遠離該矩形導向筒體(110)的一端更具有複數個前端接觸部(126)，該複數個前端接觸部(126)圍繞出一接觸空間(A)，該接觸空間(A)用以供該檢測錫球(200)進入以使該複數個前端接觸部(126)接觸該檢測錫球(200)。
如請求項8所述之電鑄半導體彈簧針，其中該複數個前端接觸部(126)的個數為四個，且該四個前端接觸部(126)係對稱設置，該四個前端接觸部(126)圍繞出的該接觸空間(A)用以對該檢測錫球(200)進行中心定位。
如請求項9所述之電鑄半導體彈簧針，其中該四個前端接觸部(126)之其中兩者的尖端(127)位於該四個前端接觸部(126)之另外兩者的尖端(127)之間。
一種杯蓋結構，包含有：<br/> 一蓋頂；<br/> 一蓋緣，環繞於該蓋頂之外周緣並朝遠離該蓋頂之方向延伸；<br/> 複數個第一壓折部，環繞排列於該蓋緣；每一該第一壓折部之相對兩端具有一第一端，且一第一長度形成於該二第一端之間；以及<br/> 複數個第二壓折部，環繞排列於該蓋緣並與該等第一壓折部交錯設置；每一該第二壓折部之相對兩端具有一第二端，且一第二長度形成於該二第二端之間；<br/> 其中，該第一壓折部之該第一長度大於該第二壓折部之該第二長度。
如請求項1所述之杯蓋結構，其中該蓋緣具有一第一環面及一第二環面；該第一環面之一端連接於該蓋頂之外周面，另一端連接於該第二環面；其中該第一環面之外徑小於該第二環面之外徑。
如請求項2所述之杯蓋結構，其中每一該第一壓折部之其中一該第一端連接於該第一環面與該蓋頂之連接處。
如請求項3所述之杯蓋結構，其中該蓋緣更包含有一反折面，連接於該第二環面並朝該蓋緣之內壁面反折；其中每一該第一壓折部之另一該第一端由該第二環面延伸至該反折面並連接於該反折面遠離該第二環面之一端。
如請求項2所述之杯蓋結構，其中每一該第二壓折部之其中一該第二端連接於該第二環面與該第一環面之連接處。
如請求項5所述之杯蓋結構，其中該蓋緣更包含有一反折面，連接於該第二環面並朝該蓋緣之內壁面反折；其中每一該第二壓折部之另一該第二端由該第二環面延伸至該反折面並連接於該反折面遠離該第二環面之一端。
如請求項4或6所述之杯蓋結構，其中該反折面更包含有一定位環，環繞設置於該蓋緣之內壁面並向該蓋頂之中心延伸。
如請求項1所述之杯蓋結構，其中該第一壓折部與該第二壓折部之延伸方向至少一部分概垂直於該蓋頂。
如請求項1所述之杯蓋結構，其中該杯蓋結構係由一紙模經高溫塑形而成，且該等第一壓折部與該等第二壓折部呈放射狀交錯設置於該紙模上。
如請求項2所述之杯蓋結構，其中該蓋頂具有一第一頂面及一第二頂面；該第一頂面位於該蓋頂中央；該第二頂面環繞於該第一頂面周圍，且該第二頂面之高度高於該第一頂面之高度；其中該第一壓折部之其中一該第一端連接於該第二頂面與該第一頂面之連接處。
如請求項10所述之杯蓋結構，更包含有一第三壓折部環繞排列於該蓋緣並與該等第一壓折部及該等第二壓折部交錯設置；每一該第三壓折部之兩端具有一第三端，且一第三長度形成於該二第三端之間；其中該第三長度小於該第一長度及該第二長度。
如請求項11所述之杯蓋結構，其中該蓋緣更包含有一第三環面，一端連接於該第二環面遠離該第一環面之一側；該第二壓折部之其中一該第二端連接於該第一環面與該第二環面之連接處；該第三壓折部之其中一該第三端係連接於該第二環面與該第三環面之連接處。
如請求項10所述之杯蓋結構，其中該蓋頂具有一飲用開口及一透氣口，分別設於該第二頂面之相對二側。
一種甲殼類動物養殖裝置，包含有：<br/> 一養殖單元，係由複數的直流槽體及彎流槽體共同串連組成，該等直流槽體及該等彎流槽體之內部分別區隔成有複數養殖空間，位於最前端的該養殖空間設有一輸入端，以供一養殖水可以由該輸入端依序流入至該等養殖空間，又位於最後端的該養殖空間設有一輸出端，以供流經該等養殖空間的該養殖水可以由該輸出端流出；<br/> 一打氣泵，連通有複數氣泡石，該等氣泡石分別設於該等養殖空間內的底部，該打氣泵輸出氣體至該等氣泡石，使該等氣泡石分別產生氣泡；<br/> 一投料機，設置於一軌道上，使該投料機沿著該軌道橫向移動，該軌道對應設置於該養殖單元的上方位置處，該投料機設有複數出料管，該等出料管係對應該等養殖空間進行投料。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等養殖空間之間分別以一隔板予以作成區隔。
如請求項2之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等隔板上設有複數透孔，以供相鄰的兩該養殖空間之間可以連通。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等直流槽體及該等彎流槽體之間係各別的首尾相連，使得該養殖單元組合呈連續S形的養殖單元構造。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等直流槽體及該等彎流槽體之頂部分別設有可活動開啟的一蓋板，藉以對應封閉每一該養殖空間。
如請求項5之甲殼類動物養殖裝置，其中，該蓋板上設有複數穿孔，該等出料管係通過該等穿孔進行投料。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該投料機與該軌道之間設有一壓缸，該壓缸使該投料機可以縱向的上下昇降。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該投料機設有一進料端，以供輸入一飼料。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等出料管分別設有可控制啟閉的閥門。
如請求項1之甲殼類動物養殖裝置，其中，該等直流槽體及該等彎流槽體係可設置成可拆式結構，以供任意增減該等直流槽體及該等彎流槽體的組裝數量，以及組裝後形成不同的長寬尺寸。
一種甲殼類動物養殖系統，係配合如請求項1至10任一項所述之甲殼類動物養殖裝置共同使用，該甲殼類動物養殖系統，包含有：<br/> 一儲水池，透過一抽水泵抽取一海水進入至該儲水池內，以供作為該養殖水，經過沈澱後輸出；<br/> 一殺菌池，連通該儲水池，以供將該養殖水輸入至該殺菌池內進行殺菌作用後輸出；<br/> 一養菌池，連通該殺菌池，以供將該養殖水輸入至該養菌池內進行養菌作用後輸出至該養殖單元；<br/> 一海草養殖池，連通該養殖單元，流經該等養殖空間而流出的該養殖水，係流入至該海草養殖池，然後該養殖水才再排入該海水裏，藉以構成一循環養殖模式。
如請求項11之甲殼類動物養殖系統，其中，該養菌池設有一過濾單元，該過濾單元設有至少一過濾層，並且以一泵浦抽取該養殖水，透過滴流方式使該養殖水通過該過濾層。
如請求項11之甲殼類動物養殖系統，其中，該養殖水於該儲水池內沈澱2至3天後輸出。
如請求項11之甲殼類動物養殖系統，其中，該養殖水輸於該殺菌池內經過14至21天殺菌作用後輸出。
如請求項11之甲殼類動物養殖系統，其中，該養殖水於該養菌池內經過30至60天養菌作用後輸出。
一種蓋子緩衝結構，應用於一行李箱，該行李箱包括一行李箱蓋子和一行李箱主體，該蓋子緩衝結構包括：<br/> 一底座，連接該行李箱主體，並包括二滑槽；<br/> 一主體，連接該行李箱蓋子，並可移動的連接該二滑槽；<br/> 一齒條；以及<br/> 一齒輪組，設置於該主體，包括：<br/> 一主齒輪，可移動的連接該齒條；以及<br/> 複數緩衝阻尼件，和該主齒輪樞接；<br/> 其中當該行李箱蓋子相對該行李箱主體移動時，該行李箱蓋子帶動該主體於該二滑槽上移動，並帶動該主齒輪於該齒條上移動，且該複數緩衝阻尼件降低該主齒輪的移動速度。
如請求項1所述之蓋子緩衝結構，其中該齒輪組更包括複數側邊齒輪，該複數側邊齒輪分別設置於該主齒輪的兩側，並分別位於該複數緩衝阻尼件內。
如請求項2所述之蓋子緩衝結構，其中該主體更包括一容納槽，該齒輪組設置於該容納槽。
如請求項3所述之蓋子緩衝結構，其中該主體更包括二滑動部，該二滑動部分別位於該二滑槽。
如請求項4所述之蓋子緩衝結構，更包括一外殼，該外殼覆蓋該齒條和該底座。
一種行李箱，包括： <br/> 一行李箱蓋子；<br/> 一行李箱主體，樞接該行李箱蓋子；以及<br/> 一蓋子緩衝結構，包括：<br/> 一底座，連接該行李箱主體，並包括二滑槽；<br/> 一主體，連接該行李箱蓋子，並可移動的連接該二滑槽；<br/> 一齒條；以及<br/> 一齒輪組，設置於該主體，包括：<br/> 一主齒輪，可移動的連接該齒條；以及<br/> 複數緩衝阻尼件，和該主齒輪樞接；<br/> 其中當該行李箱蓋子相對該行李箱主體移動時，該行李箱蓋子帶動該主體於該二滑槽上移動，並帶動該主齒輪於該齒條上移動，且該複數緩衝阻尼件降低該主齒輪的移動速度。
如請求項6所述之行李箱，其中該齒輪組更包括複數側邊齒輪，該複數側邊齒輪分別設置於該主齒輪的兩側，並位於該複數緩衝阻尼件內。
如請求項7所述之行李箱，其中該主體更包括一容納槽，該齒輪組設置於該容納槽。
如請求項8所述之行李箱，其中該主體更包括二滑動部，該二滑動部分別位於該二滑槽。
如請求項9所述之行李箱，其中該蓋子緩衝結構更包括一外殼，該外殼覆蓋該齒條和該底座。
一種載板結構，包含：<br/> 一核心層，包含一核心上表面、一核心下表面及二核心側表面，該二核心側表面分別連接該核心上表面及該核心下表面；<br/> 一第一成形層，位於該核心層的該核心上表面上，該第一成形層的長度小於該核心層，且該第一成形層包含一第一上表面及二第一側表面；<br/> 一第二成形層，位於該核心層的該核心下表面上，該第二成形層的長度小於該核心層，且該第二成形層包含一第二下表面及二第二側表面；以及<br/> 一保護層，至少包覆該二核心側表面、該核心上表面的一部分、該核心下表面的一部分、該二第一側表面及該二第二側表面。
如請求項1所述之載板結構，其中該保護層更位於該第一上表面的一部份及該第二下表面的一部分。
如請求項1所述之載板結構，其中該第一成形層包含一第一絕緣層及一第一金屬層，該第一金屬層壓合於該第一絕緣層上，且位於遠離該核心上表面的一側；該第二成形層包含一第二絕緣層及一第二金屬層，該第二金屬層壓合於該第二絕緣層上，且位於遠離該核心下表面的一側。
如請求項3所述之載板結構，其中該保護層的上方與該第一金屬層具有相同的水平高度。
如請求項4所述之載板結構，其中該保護層的下方與該第二金屬層具有相同的水平高度。
如請求項1所述之載板結構，更包含一第三成形層，該第三成形層位於該第一成形層的該第一上表面上，該第三成形層的長度小於該第一成形層，且該第三成形層包含一第三上表面及二第三側表面，且該保護層至少包覆該二第三側表面。
如請求項6所述之載板結構，該保護層更位於該第三上表面的一部分上。
如請求項6所述之載板結構，更包含一第四成形層，該第四成形層位於該第二成形層的該第二下表面上，該第四成形層的長度小於該第二成形層，且該第四成形層包含一第四下表面及二第四側表面，且該保護層至少包覆該二第四側表面。
如請求項8所述之載板結構，該保護層更位於該第四下表面的一部分上。
如請求項8所述之載板結構，該保護層的上方與該第三成形層的該第三上表面具有相同的水平高度。
如請求項10所述之載板結構，其中該保護層的下方與該第四成形層的該第四下表面具有相同的水平高度。
一種加熱式液態防蟲裝置，包含：<br/> 一容器，具有一開口部以及一用來儲存一藥液的容置部；<br/> 一多孔隙芯棒，被安裝在該容器的開口部，該多孔隙芯棒的一部份插入該容器內來形成一浸泡部，且該多孔隙芯棒的一剩餘部份形成一位於該容器外的外露部，該多孔隙芯棒能將該藥液從該浸泡部向上吸附至該外露部，且一對流通道被形成在該外露部內，使得該多孔隙芯棒形成一對流入口以及一高度大於該對流入口的對流出口；以及<br/> 一加熱器，被安裝在該開口部並加熱該多孔隙芯棒，使得該藥液能從該外露部的一外表面以及該對流通道的一內表面同時進行揮發； <br/> 其中，空氣會從該對流入口進入該對流通道中，讓該藥液與熱氣從該對流出口快速排出。
如請求項1所述加熱式液態防蟲裝置，其中，該對流通道包括一水平段以及一垂直段，該水平段一端連通該對流入口，該水平段的另一端連通於該垂直段的一端，而該垂直段的另一端連通該對流出口。
如請求項1所述加熱式液態防蟲裝置，其中，該對流通道包括一水平段以及一垂直段，該水平段的一端連通該對流入口，且該水平段的另一端形成一與外部連通的輔助入口；該垂直段的一端連通於該水平段的中央，且該垂直段的另一端連通該對流出口。
如請求項1所述加熱式液態防蟲裝置，其中，該對流通道的孔徑小於該多孔隙芯棒的一半徑。
如請求項1所述加熱式液態防蟲裝置，其中，該加熱器具有一加熱片，該加熱片於一水平方向重疊於該外露部的一部份長度，且該對流入口被設置在該加熱片的高度之下。
一種支氣管擴張症風險預測系統，包括：<br/> 一資料獲取模組，通訊連接一醫院主機，用以接收該醫院主機傳輸的一受試者胸部X光影像資訊；以及<br/> 一深度學習模組，通訊連接該資料獲取模組，用以接收該受試者胸部X光影像資訊，並使用一深度學習模型分析該受試者胸部X光影像資訊，生成受試者罹患支氣管擴張症的一風險預測結果。
如請求項1所述的支氣管擴張症風險預測系統，其中該深度學習模型係根據從該醫院主機接收的複數個胸部電腦斷層掃描的診斷結果及對應的胸部X光影像標註資訊，所建立之一包含病例組與對照組之標註資料集進行訓練。
如請求項1所述的支氣管擴張症風險預測系統，還包括一預測結果資料庫，通訊連接該深度學習模組，用以儲存所有的該受試者胸部X光影像資訊及該風險預測結果。
如請求項1所述的支氣管擴張症風險預測系統，還包括一模型驗證模組，通訊連接該深度學習模組，用以通過一關鍵性能指標驗證該風險預測結果的準確性，並調整該深度學習模型的參數設定。
如請求項4所述的支氣管擴張症風險預測系統，其中該關鍵性能指標包括ROC曲線下面積、敏感度、特異度、陽性預測值或陰性預測值。
一種雙迴路定位系統，包括：<br/> 一氣浮平台；<br/> 一第一迴路，其包括有一光學尺且連接於該氣浮平台；<br/> 一第二迴路，其包括有一雷射位移計且連接於該氣浮平台；<br/> 其中，該光學尺連接於一單軸運動控制器且該氣浮平台連接於該單軸運動控制器，該雷射位移計連接於一電腦且該單軸運動控制器連接於該電腦。
如請求項1所述之雙迴路定位系統，其中該光學尺以檢測一位移訊號，接著該位移訊號傳遞於該單軸運動控制器。
如請求項1所述之雙迴路定位系統，其中該雷射位移計以檢測一位移誤差訊號，接著該位移誤差訊號傳遞於該電腦。
如請求項3所述之雙迴路定位系統，其中該電腦透過演算法處理將該位移誤差訊號變為一位移修正訊號，接著該位移修正訊號傳遞於該單軸運動控制器。
如請求項1所述之雙迴路定位系統，其中該氣浮平台為線馬氣浮平台。
如請求項1所述之雙迴路定位系統，其中該氣浮平台連接有一空氣壓縮機。
如請求項1所述之雙迴路定位系統，其中該電腦安裝有一定位控制軟體。
一種電氣滲透脫水裝置，其包括：<br/> 一容器，其具有一第一空間及一第二空間，該第一空間用以盛裝污泥，該第二空間位於該第一空間的一側且與該第一空間相連通，該第二空間用以回收污泥中的水分；<br/> 一第一電極，其設於該第一空間的一側，該第一電極設有多個第一貫穿孔，該第一貫穿孔允許水分流過；<br/> 一第二電極，其設於該第一空間相對於該第一電極的一側，該第二電極設有多個第二貫穿孔，該第二貫穿孔允許水分流過；<br/> 一直流電源，該直流電源以其電流的正負兩極分別耦接於該第一電極與該第二電極並形成導電狀態；<br/> 一第一離子交換材，其設於該第一電極朝向該第一空間的一側；以及<br/> 一第二離子交換材，其設於該第二電極朝向該第一空間的一側。
如請求項1所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該第一電極為陽極，該第二電極為陰極，該第一離子交換材採用陰離子交換膜，該第二離子交換材採用陽離子交換膜。
如請求項1所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該容器更包括一第三空間，該第三空間位於該第一空間相反於該第二空間的一側，且該第三空間與該第一空間相連通，該第三空間用以回收污泥中微量外洩的水分。
如請求項3所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該第一電極設於該第一空間與該第三空間之間，該第二電極設於該第一空間與該第二空間之間。
如請求項4所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該第一電極為陰極，該第二電極為陽極，該第一離子交換材採用陽離子交換膜，該第二離子交換材採用陰離子交換膜。
如請求項1所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該第一離子交換材完全覆蓋該第一電極，該第二離子交換材完全覆蓋該第二電極。
如請求項1所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該脫水裝置更包括一玻璃纖維濾材，該玻璃纖維濾材設於該第一空間且隔離污泥使該第一離子交換材及該第二離子交換材不會直接接觸污泥。
如請求項1所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該容器呈中空矩形狀，該第一電極呈板狀，該第二電極呈板狀，該些第一貫穿孔呈均勻且規則狀排列，該些第二貫穿孔呈均勻且規則狀排列。
如請求項8所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該第一電極及該第二電極採用高穩定性之惰性材料製成。
如請求項9所述之電氣滲透脫水裝置，其中，該直流電源採用太陽能產生電力。
一種升降裝置，適用於設置於一窗簾的一上梁及一位於該上梁的下方的下梁之間，該升降裝置包含：<br/> 一軸桿，沿一左右軸向延伸且用以設置於該上梁；<br/> 一動力單元，設置於該軸桿；及<br/> 二捲收單元，用以設置於該上梁，每一該捲收單元包括一能繞一垂直該左右軸向的前後軸向轉動的捲輪、一設置於該捲輪與該軸桿之間的轉向模組，及一連接於該捲輪的柔性件，每一該柔性件相反該捲輪的一端用以連接於該下梁，該軸桿沿一釋放方向轉動時，經由該等轉向模組帶動該等捲輪轉動並捲收該等柔性件，且該動力單元提供該軸桿沿該釋放方向轉動的助力。
如請求項1所述的升降裝置，其中，每一該捲收單元還包括一供該捲輪能轉動地設置的殼體，每一該殼體具有沿該前後軸向相間隔的一第一殼部，及一第二殼部，每一該第一殼部上形成有一沿該前後軸向貫穿的第一軸孔，每一該第二殼部上形成有一沿該前後軸向貫穿的第二軸孔，每一該捲輪位於對應的該殼體的該第一殼部與該第二殼部之間，每一該捲輪具有一連接於對應的該柔性件的捲繞部、一連接於該捲繞部面對該第一殼部的一側的第一側部、一連接於該捲繞部面對該第二殼部的一側的第二側部、一自該第一側部朝該第一殼部的方向凸出且能轉動地設置於該第一軸孔的第一凸緣，及一自該第二側部朝該第二殼部的方向凸出且能轉動地設置於該第二軸孔的第二凸緣，每一該轉向模組設置於對應的該捲輪的該第一側部與該軸桿之間。
如請求項2所述的升降裝置，其中，每一該轉向模組包括二分別設置於對應的該第一側部與該軸桿的傘齒輪，位於該第一側部上的該傘齒輪被對應的該第一凸緣圍繞。
如請求項2所述的升降裝置，其中，每一該第一殼部上形成有一沿該左右軸向貫穿且供該軸桿樞接的樞孔。
如請求項1所述的升降裝置，其中，當該柔性件被拉動而使該軸桿沿一相反該釋放方向的蓄力方向轉動時，該動力單元逐漸累積驅使該軸桿沿該捲收方向轉動的彈性勢能。
如請求項5所述的升降裝置，其中，該動力單元包括一驅動模組，該驅動模組具有一設置於該軸桿的第一捲軸、一能轉動的第二捲軸，及一兩相反端分別連接於該第一捲軸與該第二捲軸之間的渦卷彈簧，該第一捲軸與該第二捲軸能繞該左右軸向轉動，當該軸桿沿該蓄力方向轉動時，該渦卷彈簧被捲繞至該第一捲軸。
如請求項6所述的升降裝置，其中，該動力單元沿該左右軸向位於該等捲收單元之間。
如請求項1所述的升降裝置，其中，該動力單元包括一界定出一容室的外殼、一設置於該容室的驅動模組，及一設置於該容室的單向離合模組，該單向離合模組包括一能轉動地設置於該軸桿的滾軸、一圍繞該滾軸且連接於該軸桿的套筒、一設置於該滾軸與該套筒之間的滾珠，及一設置於該滾軸與該外殼之間的阻尼件，該滾軸的外周面上形成有一呈蜿蜒狀且容置有該滾珠的環溝，該套筒能與該軸桿一體轉動且內側形成有一容置有該滾珠的溝槽，該環溝具有複數限位槽，該軸桿能相對該外殼與該滾軸轉動，當該柔性件被拉動而使該捲輪帶動該軸桿沿一相反該釋放方向的蓄力方向轉動時，該滾珠受該套筒帶動而卡入其中一該限位槽，並帶動該滾軸相對該阻尼件轉動而產生摩擦力，當該軸桿沿該釋放方向轉動時，該驅動模組提供該軸桿沿該釋放方向轉動的助力，該滾珠受該套筒帶動並於該環溝持續滾動，使該滾軸不相對該阻尼件轉動。
一種雙向操作無拉繩蜂巢簾，包含：<br/> 一橫梁單元，沿一左右軸向延伸且沿一上下軸向自上而下依序包括一上梁、一中梁，及一下梁；及<br/> 二升降裝置，每一該升降裝置包括：<br/> 一軸桿，沿該左右軸向延伸且設置於該上梁；<br/> 一動力單元，設置於該軸桿；及<br/> 二捲收單元，設置於該軸桿，每一該捲收單元包括一能繞一垂直該左右軸向的前後軸向轉動的捲輪、一設置於該捲輪與該軸桿之間的轉向模組，及一連接於該捲輪的柔性件，其中一該升降裝置的該等柔性件相反對應的該等捲輪的一端連接於該中梁，另外一該升降裝置的該等柔性件相反對應的該等捲輪的一端連接於該下梁，該軸桿沿一釋放方向轉動時，經由該等轉向模組帶動該等捲輪轉動並捲收該等柔性件，且該動力單元提供該軸桿沿該釋放方向轉動的助力。
如請求項9所述的雙向操作無拉繩蜂巢簾，其中，每一該捲收單元還包括一供各自的該捲輪能轉動地設置的殼體，每一該殼體具有沿該前後軸向間隔的一第一殼部，及一第二殼部，每一該第一殼部上形成有一沿該前後軸向貫穿的第一軸孔，每一該第二殼部上形成有一沿該前後軸向貫穿的第二軸孔，每一該捲輪位於對應的該殼體的該第一殼部與該第二殼部之間，每一該捲輪具有一連接於對應的該柔性件的捲繞部、一連接於該捲繞部且位於該捲繞部與該第一殼部之間的第一側部、一連接於該捲繞部且位於該捲繞部與該第二殼部之間的第二側部、一自該第一側部朝該第一殼部的方向凸出且能轉動地設置於該第一軸孔的第一凸緣，及一自該第二側部朝該第二殼部的方向凸出且能轉動地設置於該第二軸孔的第二凸緣，每一該轉向模組設置於對應的該捲輪的該第一側部與該軸桿之間。
一種背光模組，係包含：<br/> 一導光元件，具有一出光面、一底面及複數側面，定義該導光元件的其中一側面為一入光面，其餘的該些側面為複數反射面，該出光面與該底面為相對的二個面；<br/> 至少一光源，設於該入光面的一側；以及<br/> 一反射結構，包含一底部反射件及複數側邊反射件，該底部反射件設置於該底面的一側，該些側邊反射件對應設置於該些反射面，其特徵在於：<br/> 各該側邊反射件與各該反射面之間透過一雙面黏著層結合，該雙面黏著層設於各該側邊反射件的一表面上，且各該雙面黏著層的面積為各該表面面積的40%~80%。
如請求項1所述之背光模組，其中各該雙面黏著層為一雙面膠帶或一固化膠層，該固化膠層的材料係選自熱固化膠、光固化膠或液態光學膠所組成之群組其中之一。
如請求項1所述之背光模組，其中各該雙面黏著層設於各該表面相對靠近該出光面的一側。
如請求項1所述之背光模組，其中還具有至少一光學膜片設於該出光面上方。
如請求項1所述之背光模組，其中該光源為複數個，並沿該入光面間隔排列設置。
一種顯示裝置，具有如請求項1至5其中任一項所述之背光模組。
一種金融系統建置知識共享系統，其能與一第一廠商終端裝置及一第二廠商終端裝置通訊，並包括：<br/> 一通訊單元，其與該第一廠商終端裝置及該第二廠商終端裝置建立通訊管道；<br/> 一儲存單元，其中儲存一第一金融系統的一第一串接資訊與一第二金融系統的一第二串接資訊；及<br/> 一處理單元，其與該通訊單元及該儲存單元電連接，以透過該通訊單元與該第一廠商終端裝置及該第二廠商終端裝置通訊，並存取該儲存單元；其中<br/> 該第一廠商終端裝置可透過該通訊單元登入該處理單元提供的一知識共享平台，並於該知識共享平台提供的一知識共享頁面輸入一共享資料，使該處理單元將該共享資料儲存於該儲存單元；該共享資料包括與該第一金融系統的該第一串接資訊相關的一第一問題及其對應的一解決方案；<br/> 該第二廠商終端裝置可透過該通訊單元登入該處理單元提供的該知識共享平台，並於該知識共享平台提供的一查詢頁面輸入與該第二金融系統相關的一第二問題，該處理單元判斷該第二問題與該儲存單元儲存的該第二串接資訊相關，並判斷該第二串接資訊與該儲存單元儲存的該第一串接資訊相同且該第二問題與該第一問題相關時，該處理單元輸出與該第二問題對應的一答案及一提示訊息至該查詢頁面；其中該答案來自與該第一問題對應的該解決方案，該提示訊息包含該第一問題及該解決方案。
如請求項1所述的金融系統建置知識共享系統，其中，該第一金融系統是由使用該第一廠商終端裝置的一第一廠商所開發或維護的金融相關業務系統，該第二金融系統是由使用該第二廠商終端裝置的一第二廠商所開發或維護的金融相關業務系統，該第一串接資訊顯示該第一金融系統所串接的系統主機，該第二串接資訊顯示該第二金融系統所串接的系統主機。
如請求項1所述的金融系統建置知識共享系統，其中，該處理單元包含一權限管理模組，當該第一廠商終端裝置或該第二廠商終端裝置登入該知識共享平台時，該處理單元執行該權限管理模組，使該權限管理模組檢核該第一廠商終端裝置或該第二廠商終端裝置具有登入的權限後，才允許該第一廠商終端裝置或該第二廠商終端裝置登入該知識共享平台。
如請求項3所述的金融系統建置知識共享系統，其中，該處理單元包含一分析模組，且該處理單元收到該第二問題時，執行該分析模組，使該分析模組判斷該第二問題與該第二串接資訊是否相關，並判斷該第二串接資訊與該第一串接資訊是否相同且該第二問題與該第一問題是否相關，且該分析模組判斷該第二問題與該第二串接資訊相關，並判斷該第二串接資訊與該第一串接資訊相同且該第二問題與該第一問題相關後，該分析模組輸出與該第二問題對應的該答案及該提示訊息至該查詢頁面。
如請求項4所述的金融系統建置知識共享系統，其中，該金融系統建置知識共享系統是一電腦裝置，且該權限管理模組及該分析模組是包含在一儲存於該儲存單元中且能被該處理單元讀取並執行的軟體程式。
一種玩具槍彈匣彈抵裝置，包括一彈匣，該彈匣內部設有一遊戲用子彈輸送軌，且該遊戲用子彈輸送軌銜接一彈簧伸縮軌，該彈簧伸縮軌內設一壓縮彈簧，該壓縮彈簧之螺旋路徑所形成徑向橫切斷面形成長橢狀，其中該長橢狀之二長邊與二短邊各形成一突弧緣。
一種機械臂全方位移動治具定位裝置，其包括有：一六軸機械臂，其係與一主機電性連接，並包括有複數轉動部及一設於該六軸機械臂末端的夾取模組，該主機提供設定一預定動作指令，該六軸機械臂依據該預定動作指令，使各該轉動部依序或同步運作使該夾取模組夾持一鑽針盒，該鑽針盒的兩側分別設有一橫向的第一卡掣槽及一橫向的第二卡掣槽；及至少一治具，其係設於該六軸機械臂的一側，該治具與該六軸機械臂之間具有一預定距離，該治具包括有一平台部、一第一壁體及一第二壁體，該第一壁體及該第二壁體分別垂直設於該平台部的兩側，該第一壁體內側凸設有一橫向的卡掣件；該第二壁體內側間隔設有至少一定位件及至少一頂抵件，該定位件及該頂抵件具有彈性；該六軸機械臂依據該預定動作指令將該鑽針盒移動到該治具上方並使該夾取模組旋轉傾斜一預定角度進入該治具並朝向該第二壁體，該鑽針盒觸碰該定位件及該頂抵件使該定位件及該頂抵件彈性收縮同時該夾取模組放開該鑽針盒，使該鑽針盒的另一側進入該治具，該卡掣件對應並進入該第一卡掣槽，同時該定位件及該頂抵件彈性復位而卡固於該第二卡掣槽。
如請求項1所述之機械臂全方位移動治具定位裝置，進一步包括有一與該主機電性連接的輸送裝置，該輸送裝置位於該六軸機械臂的一側，並且與該六軸機械臂之間具有一預定距離，該鑽針盒係放置於該輸送裝置上。
如請求項1所述之機械臂全方位移動治具定位裝置，其中該夾取模組包括有一與該六軸機械臂結合的連接板、一與該連接板結合的基板、一垂直設於該基板一側的固定夾持件、一設於該基板另一側的滑動模組及一垂直設於該滑動模組底面的活動夾持件；該滑動模組連接一動力源及一偵測器，該動力源與該偵測器與該主機連接，該主機接收該偵測器之訊號，控制該動力源驅動該滑動模組，使該活動夾持件朝該固定夾持件移動或遠離該固定夾持件。
如請求項3所述之機械臂全方位移動治具定位裝置，其中該滑動模組包括有一結合在該基板底面的滑軌及一與該滑軌滑設結合的滑塊，該活動夾持件係結合於該滑塊的底面。
如請求項3所述之機械臂全方位移動治具定位裝置，其中該六軸機械臂的一預定位置更設有一感應器，該六軸機械臂的各該轉動部依據該預定動作指令旋轉，並移動到該治具上方，以該感應器感測該治具，並回傳至該主機判斷該治具是否已放置有該鑽針盒，當該主機判斷該治具內不具有該鑽針盒時，該主機以該預定動作指令驅動該六軸機械臂的各該轉動部旋轉及該夾取模組側向位移3~4mm，使該鑽針盒設有該第二卡掣槽的一側朝向並對準該定位件及該頂抵件；該第二卡掣槽更設有至少一定位孔，該定位件插入該定位孔內，該夾取模組依據該預定動作指令向右位移後，該活動夾持件遠離該固定夾持件，以放置該鑽針盒於該治具的平台部，使該卡掣件進入該第一卡掣槽，該六軸機械臂依據該預定動作指令運作，使該夾取模組上升並復位；該主機更提供設定一夾取模組的起始位置，該夾取模組上升復位回到該起始位置。
一種多道包裝入料機構，用以將物件以多道推料機構推送至複數個包裝設備，其特徵在於該多道推料機構包括：<br/> 一餵料輸送帶，以一輸送方向輸送該物件；<br/> 一橫推桿輸送機構，配置在一推料區，在該推料區定義一入料端、一側向出料側、一終端位置，其中該入料端鄰接於該餵料輸送帶，該橫推桿輸送機構包括複數支橫推桿，以一垂直於該輸送方向的推料方向等距地佈設在一對平行齒形皮帶，該複數支橫推桿受該對平行齒形皮帶帶動，以將該入料端所送入的該物件以該輸送方向推移；<br/> 一固定擋板，以該推料方向配置在該推料區的該終端位置；<br/> 一推把機構，包括複數個推把，配置在該推料區相反於該側向出料側的一側，並對應該複數個包裝設備；<br/> 至少一活動擋板，配置在該固定擋板與該入料端之間；<br/> 其中，由該入料端所送入的該物件受該複數支橫推桿推移通過該推料區時，由該推把機構的該複數個推把將該物件推送至對應的該複數個包裝設備。
如請求項1所述之多道包裝入料機構，其中該複數支橫推桿以複數個連結塊定位在該對平行齒形皮帶之間。
如請求項1所述之多道包裝入料機構，更包括一入料輸送帶，配置在該推料區的下方並相鄰於該入料端的位置，以將該餵料輸送帶送出的該物件接引移送至該推料區。
如請求項1所述之多道包裝入料機構，其中該推料區的下方位置還包括一承板。
如請求項1所述之多道包裝入料機構，其中該複數個包裝設備和該推料區的該側向出料側之間還各設置一對應於該固定擋板和該至少一活動擋板的導板。
如請求項1所述之多道包裝入料機構，其中該餵料輸送帶包括兩側輸送帶，分別位在該餵料輸送帶的兩側邊。
一種依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，該裝置至少包含：<br/> 一資料取得模組，用以取得遭受投資詐騙之各受害客戶之一受害客戶資料及一受害交易資料，及用以取得進行一交易行為之一銀行客戶之一交易客戶資料、一歷史交易資料、及進行該交易行為而產生之一金融行為資料；<br/> 一特徵分析模組，與該資料取得模組連接，用以依據該受害客戶資料及該受害交易資料產生一受害者特徵檔；<br/> 一指數評估模組，與該資料取得模組及該特徵分析模組連接，用以依據該交易客戶資料及該歷史交易資料使用該受害者特徵檔判斷該銀行客戶之一詐騙受害指數；<br/> 一行為分析模組，與該資料取得模組及該指數評估模組連接，用以於該詐騙受害指數達到受害者門檻時，依據該歷史交易資料分析該金融行為資料以產生一異常偵測結果；<br/> 一風險評估模組，與該資料取得模組連接，用以對該金融行為資料進行風險評估以產生一風險評估結果；<br/> 一指標生成模組，與該行為分析模組及該風險評估模組連接，用以依據該異常偵測結果及該風險評估結果產生一詐騙風險指標；及<br/> 一防護警示模組，與該指標生成模組連接，用以判斷該詐騙風險指標超過一風險門檻時觸發一防護警示機制。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該特徵分析模組是依據該受害客戶資料產生一靜態特徵、依據該受害交易資料產生一時間行為序列並轉換該時間行為序列為一時間行為向量、依據該受害客戶資料及各該受害客戶之資產交易明細產生一心理指標，並整合該靜態特徵、該時間行為向量、該心理指標以產生該受害者特徵檔。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該指數評估模組是計算該受害者特徵檔與依據該交易客戶資料與該歷史交易資料所產生之特徵資料之相似程度以產生該詐騙受害指數，或使用一評分模型比對該受害者特徵檔及該交易客戶資料與該歷史交易資料以產生該詐騙受害指數。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該行為分析模組更用以依據該特徵分析模組產生之時間行為向量產生該異常偵測結果、依據該歷史交易資料建立一交易操作序列並比對該交易操作序列與該金融行為資料以產生該異常偵測結果、或分析該銀行客戶之收款帳戶之現金流是否存在小額回流或回流比例異常以產生該異常偵測結果。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該行為分析模組是依據該歷史交易資料判斷該銀行客戶之一交易操作風格，並依據該交易操作風格判斷該金融行為資料存在異常操作模式之機率以產生該異常偵測結果，該交易操作風格包含交易間隔或交易頻率、交易常規時段、及交易累積金額。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該風險評估模組更用以在該金融行為資料中之一交易收款帳號並未命中帳戶黑名單時，依據是否首次轉帳給該交易收款帳號且該交易收款帳號或與該交易收款帳號關聯之帳戶群過去一定時間是否被大量帳戶首次轉帳產生該風險評估結果。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該指標生成模組更用以在實際詐騙通報結果為詐騙時，依據受害者特徵檔中與該銀行客戶在詐騙誘導期間之金融操作行為判斷該詐騙受害指數之一變化程度，並依據該變化程度調整計算詐騙受害指數之權重。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該防護警示模組更用以依據該詐騙風險指標所超過之該風險門檻判斷一風險等級，並依據該風險等級觸發相對應之該防護警示機制。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該防護警示模組更用以透過對話介面向該銀行客戶收集一交易原因描述，並以語義分析比對詐騙對話模板與該交易原因描述以再次驗證該詐騙風險指標。
如請求項1所述之依據受害者特徵與異常操作預警投資詐騙之裝置，其中該裝置更包含一門檻調整模組，與該資料取得模組及該防護警示模組連接，用以依照銀行客戶之個人過往行為波動範圍及/或銀行客戶對該防護警示機制之回應調整該風險門檻。
一種依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，該裝置至少包含： 一資料取得模組，用以持續收集一銀行客戶之一操作行為資料，並取得該銀行客戶之一歷史操作記錄； 一準則建立模組，與該資料取得模組連接，用以依據該歷史操作記錄為該銀行客戶建立一個人行為準則； 一偏移偵測模組，與該資料取得模組及該準則建立模組連接，用以比對該操作行為資料及該個人行為準則以判斷該銀行客戶是否存在一行為偏移事件； 一風險判斷模組，與該資料取得模組及該偏移偵測模組連接，用以於該行為偏移事件存在時，依據該操作行為資料與預先建立之一受害行為模式產生一詐騙風險指標；及 一防護警示模組，與該風險判斷模組連接，用以判斷該詐騙風險指標超過一風險門檻時觸發一防護警示機制； 其中，該風險判斷模組更用以於該防護警示模組模擬移除該行為偏移事件後重新產生另一詐騙風險指標，該防護警示模組更用以依據該詐騙風險指標與該重新產生之另一詐騙風險指標更新該個人行為準則及/或該受害行為模式。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該裝置更包含一特徵建立模組，與該資料取得模組連接，用以依據該資料取得模組所取得之所有受害客戶遭受詐騙前一定時間之一受害操作記錄產生複數受害操作行為序列，並依據該些受害操作行為序列使用分類模型或群集演算法產生該受害行為模式。
如請求項2所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該特徵建立模組更用以使用損失函數調整詐騙樣本之權重或使用採樣技術（Synthetic Minority Over-sampling Technique, SMOTE）在特徵空間中合成受害者樣本，使訓練該分類模型之訓練樣本中之正負樣本比例平衡。
如請求項2所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該特徵建立模組是計算該些受害操作行為序列間之相似度及/或編輯距離或動態時間校正（Dynamic Time Warping, DTW）距離，並依據該些受害操作行為序列之相似度及/或編輯距離或動態時間校正距離歸類相似之多個受害操作行為資料，藉以產生多個投資詐騙模式之群集。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該準則建立模組是由該歷史操作記錄中取出一數值資料、一行為資料、一時間資料，並依據該數值資料、該行為資料、該時間資料進行數值特徵統計、行為密度估計、關聯邊界定義以產生該個人行為準則。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該準則建立模組更用以建立與不同情境對應之該個人行為準則，該偏移偵測模組更用以依據當前情境選擇該個人行為準則。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該準則建立模組更用以依據該歷史操作記錄產生一操作行為序列，並使用序列注意力機制學習該操作行為序列中多個操作行為間之一語意關聯性，及將該語意關聯性加入該個人行為準則。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該偏移偵測模組是依據該個人行為準則對該操作行為資料執行多維度特徵映射程序以產生一標準分數（Z-score）、一負對數概似值（NLL）、一多變量距離、一重建誤差（Reconstruction Error），並依據該標準分數、該負對數概似值、該多變量距離、該重建誤差判斷是否存在該行為偏移事件。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該防護警示模組更用以依據該詐騙風險指標所超過之該風險門檻判斷一風險等級，並依據該風險等級觸發相對應之該防護警示機制。
如請求項1所述之依據行為模式預測潛在投資詐騙之裝置，其中該裝置更包含一門檻調整模組，與該防護警示模組連接，用以依據該銀行客戶之客戶基本資料、客戶等級、交易額度、或風險偏好動態調整該風險門檻。
一種依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，係提供一客戶端連接，該裝置至少包含：<br/> 一資料傳輸模組，用以接收一客戶端所傳送之一交易操作資料，該交易操作資料是一銀行客戶進行一交易操作所產生；<br/> 一風險偵測模組，與該資料傳輸模組連接，用以依據該交易操作資料判斷是否存在一高風險操作；<br/> 一防詐提醒模組，與該資料傳輸模組及該風險偵測模組連接，用以於該高風險操作存在時，依據該銀行客戶之一個人風險模型及一防詐提醒策略產生一防詐警示訊息，並由該資料傳輸模組傳送該防詐警示訊息至該客戶端，使該客戶端顯示該防詐警示訊息；<br/> 一反應分析模組，與該資料傳輸模組連接，用以分析該資料傳輸模組接收自該客戶端之一互動行為資料以產生一互動反應特徵，該互動行為資料是該客戶端使用一警示介面顯示該防詐警示訊息之期間該銀行客戶對該警示介面進行之操作行為所產生；<br/> 一模型校準模組，與該反應分析模組連接，用以依據該互動反應特徵更新該銀行客戶之該個人風險模型及該防詐提醒策略；及<br/> 一反應記錄模組，與該資料傳輸模組連接，用以於該交易操作資料被認定為詐騙時，標記該交易操作資料之一詐騙手法類別，及產生包含該詐騙手法類別及該互動行為資料之一警示觸發記錄，並透過該資料傳輸模組將該警示觸發記錄傳送給銀行內部稽核系統。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該反應分析模組更用以依據該互動行為資料中所表示之該防詐警示訊息是否被開啟、該防詐警示訊息之閱讀時間、該交易操作是否被取消或被延後或被強制執行以產生該防詐警示訊息是否有效及該銀行客戶之反應態度與風險偏好之該互動反應特徵。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該風險偵測模組是使用該交易操作資料比對該銀行客戶之歷史操作記錄或已知之詐騙樣態資料庫、或依據該交易操作資料計算綜合風險評分以判斷該交易操作資料判斷是否存在高風險操作。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該模型校準模組更用以依據該銀行客戶之個人資料與基礎交易屬性產生該個人風險模型，該個人風險模型包含該銀行客戶在安全狀態下的交易慣性基準、該銀行客戶面對該警示介面時之常態反應的互動行為基準、由該銀行客戶之歷史互動回饋所推估出的衍生參數。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該防詐提醒模組是動態改變該客戶端顯示包含該警示介面中之元件佈局，或在該警示介面中要求該銀行客戶進行解除交易鎖定狀態之一特定手勢，且該防詐警示訊息中包含與依據該交易操作資料產生之交易操作特徵相符之歷史詐騙案例之訊息。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該防詐提醒模組更用以依據該銀行客戶過去之交易確認時間產生一提醒處理時間，該風險偵測模組更用以在該提醒處理時間內判斷該高風險操作是否存在，該資料傳輸模組更用以於該高風險操作存在時在該防詐提醒時間內傳送該防詐警示訊息至該客戶端。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該反應分析模組是產生包含一點擊操作特徵、一閱讀停留時間特徵、一介面互動時序特徵之該互動反應特徵。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該模型校準模組更用以計算該銀行客戶在不同時間之各互動反應特徵之離散程度以產生該銀行客戶之一跨時間反應一致性指標，及/或依據該銀行客戶之歷史操作記錄計算一行為權重值，並依據該跨時間反應一致性指標及/或該行為權重值調整該個人風險模型及該防詐提醒策略。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該模型校準模組更用以取得交易操作特徵與該交易操作資料相似之其他客戶之各客戶操作資料，且比對該互動反應特徵與依據各該客戶操作資料產生之客戶互動特徵以推估一風險容忍度及該銀行客戶之一相對警覺程度，並依據該風險容忍度及該相對警覺程度更新該個人風險模型與該防詐提醒策略，及在偵測到群體性之警示快速忽略行為時發布預警給銀行人員。
如請求項1所述之依據互動行為校準個人化模型以提醒防詐之裝置，其中該模型校準模組更用以在該銀行客戶於該客戶端顯示該防詐警示訊息後強制該客戶端執行該交易操作且該交易操作後續被認定為詐騙或非詐騙時，依據該交易操作資料產生一交易操作特徵，並依據該交易操作特徵在防詐提醒策略中生成具時效性之臨時白名單規則或暫時阻斷規則。
一種食品容置盒，其包含有一食品容器，其中：<br/>所述食品容器具有一第一本體與一第二本體，所述第一本體與該第二本體後側之間以一相連部相連，所述第一本體具有一平面狀之第一邊緣，該第一邊緣前側凸出有至少一第一組合緣，所述第一組合緣凹設有一組合凹槽，該第一組合緣角落設有至少一第一分離緣，該第一分離緣表面具壓花處理，所述第二本體具有一平面狀之第二邊緣，該第二邊緣前側凸出有至少一第二組合緣，所述第二組合緣凸設有一組合凸緣，該第一邊緣與所述第二邊緣貼齊，該組合凸緣插入所述組合凹槽固定，使所述第一本體與該第二本體組合並防止分離完成閉合並於兩者內側之間形成一容置空間。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述第一組合緣與該第二組合緣的數量為二個並分別對稱設置於所述第一邊緣與該第二邊緣的左右兩側。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述第二組合緣角落設有至少一第二分離緣，該第二分離緣表面具壓花處理。
如請求項3所述之食品容置盒，其中，所述第二分離緣與該第一分離緣兩者之間的位置與數量相同。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述第一分離緣初始相對於該第一邊緣傾斜而不貼齊所述第二組合緣。
如請求項5所述之食品容置盒，其中，所述第一分離緣初始相對於該第一邊緣傾斜20度到50度之間。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述組合凹槽左右兩側皆是漸縮的斜面，該組合凸緣左右兩側皆是漸縮的斜面。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述組合凸緣前後各凸設有一卡固緣，二該卡固緣之間的長度大於所述組合凹槽內側前後之長度，令所述組合凸緣插入撐開該組合凹槽以固定。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述食品容器的材質是塑膠。
如請求項1所述之食品容置盒，其中，所述食品容器的材質具透光性。
一種雷射位面計清潔裝置，適用於清潔轉爐氣儲槽內複數反射板，所述雷射位面計清潔裝置包含：複數噴嘴，設置在所述複數反射板上方；吹清管線，設置在所述轉爐氣儲槽內，並與所述複數噴嘴連接；以及氣體管線，設置在所述轉爐氣儲槽外，並且在所述轉爐氣儲槽開啟時，能夠通過軟管連接至所述轉爐氣儲槽內的所述吹清管線，使得吹清氣體能夠從複數噴嘴吹出，藉以吹除所述複數反射板上堆積的粉塵。
如請求項1所述之雷射位面計清潔裝置，其中，所述複數噴嘴具有扁平開口，以增加吹清力度。
如請求項1所述之雷射位面計清潔裝置，其中，所述吹清氣體係為氮氣。
一種結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，安裝於一電子裝置中，該結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統包括：<br/><b>一</b>攝像單元，用以擷取一使用者之一臉部影像；以及<br/> 一處理單元，連接該攝像單元，該處理單元中包括：<br/> 一影像處理模組，用以分析該臉部影像，以分析該使用者之複數眼動資料，包括一眼球投視位置、一視線移動軌跡與一視線停留時間；<br/> 一文章重點資料模組，根據一文章內容之特徵，自動分析該文章內容之語意結構、文字分佈或段落層級，以產生複數文字區域及其對應之複數理解品質權重；<br/> 一閱讀行為分析模組，連接該影像處理模組，用以根據該使用者之該眼動資料產生複數閱讀行為指標；以及<br/> 一理解度評估模組，連接該文章重點資料模組及該閱讀行為分析模組，用以將該等閱讀行為指標及該等理解品質權重進行加權，以評估該使用者對該文章內容之一理解程度。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該等閱讀行為指標包括視線的移動時間、總掃視路徑、移動之方向性、來回路徑比例、停頓模式、跳讀紀錄、視覺軌跡方向性與視線停留的文章重點分佈及停留時間統計。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該等閱讀行為指標更包括回視率、略讀率、行首落點偏差、注視分散度、正/逆軌跡分佈、離屏率或失焦率之至少一者。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該處理單元更包括一姿態校正模組，其建立一頭部姿態框架，並於偵測到該使用者的頭部偏移超出該頭部姿態框架的範圍時調整或忽略該眼動資料，以修正該使用者之視線偏移所造成之偵測誤差。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該影像處理模組係透過眼球特徵點、瞳孔位置、角膜反射或臉部特徵點之至少一者，以辨識該眼球投視位置。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該文章重點資料模組係依該文章內容之文字特性、段落結構或語意分佈，建立該等文字區域及該理解品質權重。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該理解度評估模組係根據該眼球投視位置與該文章內容的對應關係，進行該理解程度之評估，包括理解品質及閱讀準度，其中該閱讀準度包括閱讀準確度、閱讀穩定度及閱讀效率，以評估使用者之閱讀行為與理解品質。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該處理單元更包括一報表生成模組，其連接該理解度評估模組，用以輸出至少一閱讀行為視覺化報告，包括凝視熱點圖、掃視路徑圖、閱讀雷達圖、理解曲線或其他閱讀診斷結果。
如請求項8所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該閱讀行為分析模組或該報表生成模組更根據多次閱讀資料建立學習歷程或長期理解曲線。
如請求項1所述之結合眼動軌跡追蹤系統之閱讀理解行為評估系統，其中該攝像單元為該電子裝置之至少一前置或外接攝像頭。
一種按壓式自動旋轉清潔刷，包括：<br/> 一握把單元，內部形成有一容置空間；<br/> 一傳動軸桿，其一端可轉動地穿設於該容置空間內，另一端延伸出該握把單元；<br/> 一驅動單元，設置於該容置空間內並連接該握把單元與該傳動軸桿，該驅動單元包含一運動轉換機構；以及<br/> 一清潔刷頭，可拆卸地組裝於該傳動軸桿延伸出該握把單元之該端；<br/> 其中，當該握把單元沿該傳動軸桿之軸心方向受壓產生一位移時，該運動轉換機構係推動該傳動軸桿產生一旋轉運動，連動該清潔刷頭進行旋轉清潔。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該握把單元之外表面設有防滑紋路或包覆有一防滑橡膠層。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該運動轉換機構包含設於該握把單元之螺旋導引結構，以及設於該傳動軸桿表面並與該螺旋導引結構嚙合之一驅動件，藉由該驅動件與該螺旋導引結構之相對運動產生該旋轉運動。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該運動轉換機構更包含一單向棘輪模組，該單向棘輪模組配置於該傳動軸桿與該運動轉換機構之間，用以限制該傳動軸桿僅產生單一方向之旋轉。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該驅動單元更包括一彈性復位件，當該握把單元不受壓時，該彈性復位件提供一回復力使該握把單元復位。
如申請專利範圍第5項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該彈性復位件為一壓縮彈簧，容設於該握把單元內並抵頂於該傳動軸桿與該握把單元之間。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該清潔刷頭包含一刷毛座及複數刷毛，該刷毛座設有一快拆接頭，該傳動軸桿之該端設有一對應之連接部，該快拆接頭與該連接部係以卡扣或螺鎖方式相互固定。
如申請專利範圍第1項所述的按壓式自動旋轉清潔刷，其中該清潔刷頭之材質選自尼龍刷毛、海綿或鋼絲球其中之一。
一種超薄感應長夾，具有可對折的一外層與安裝於該外層多個側邊的一拉鍊，其特徵在於：<br/> 該外層未安裝該拉鍊的一側邊以柔性面料形成的一限位片連接以限制該側邊對折張開時的角度；<br/> 該外層沿對折處分為一左夾部與一右夾部，其間以柔性面料形成一分隔層，該右夾部與該分隔層可用以夾置鈔票；<br/> 該分隔層與該左夾部間以柔性面料形成的一可開合袋連接，該可開合袋用以容裝零錢；<br/> 該可開合袋與該左夾部以二條車縫線縫接，從而於該二車縫線間可以插設卡片；及<br/> 該左夾部與該右夾部分別安裝一防磁片，位於該左夾部處的該防磁片較短。
如請求項1所述之超薄感應長夾，其中該左夾部進一步於該可開合袋外側縫接以柔性面料形成的一第一槽片，該第一槽片與該左夾部間用以插設感應卡，該感應卡插設時不為該左夾部處的該防磁片所遮蔽。
如請求項2所述之超薄感應長夾，其中對應該第一槽片的該分隔層處縫接以柔性面料形成的一第二槽片，該第二槽片與該分隔層間用以插設卡片。
如請求項1所述之超薄感應長夾，其中該外層對折且內部不放置任何物件時的厚度不大於1公分。
如請求項1所述之超薄感應長夾，其中該柔性面料為布裡或皮革。
如請求項1所述之超薄感應長夾，其中該外層對折時的形狀為矩形。
如請求項1所述之超薄感應長夾，其中該外層為多層材料複合體。
一種納豆激酶製程系統，包括：<br/> 一第一離心機構，用於離心一納豆激酶發酵液，以分離並去除該納豆激酶發酵液中之一不溶物雜質，以獲得一納豆激酶分離液；及<br/> 一純化模組，連通該第一離心機構，用以接收該納豆激酶分離液，加入一多酚萃取物至該納豆激酶分離液中以進行沉澱反應，及分離出一納豆激酶沉澱物；<br/> 一回溶單元，連通該純化模組，用以將該納豆激酶沉澱物進行回溶，且用以去除回溶後之一上清液以取得一納豆激酶物質；及<br/> 一冷凍乾燥裝置，連通該回溶單元，用以接收該納豆激酶物質並對該納豆激酶物質進行冷凍乾燥，以獲得一高活性納豆激酶。
如請求項1所述的納豆激酶製程系統，另包括相互連通一凝聚反應槽及一絮凝反應槽，該絮凝反應槽連通該第一離心機構，該凝聚反應槽用以使一初始納豆發酵液與一凝聚劑反應，該絮凝反應槽用以將該凝聚劑反應後之該初始納豆發酵液與一絮凝劑反應，形成該納豆激酶發酵液。
如請求項2所述的納豆激酶製程系統，其中該凝聚劑為硫酸鋅(ZnSO<sub>4</sub>)。
如請求項2所述的納豆激酶製程系統，其中該絮凝劑為幾丁聚醣。
如請求項1所述的納豆激酶製程系統，其中該純化模組包括相連通之一多酚反應槽及一第二離心機構，該多酚反應槽連通該第一離心機構，該第二離心機構連通該回溶單元，該多酚反應槽用以進行該多酚萃取物與該納豆激酶分離液之親和性聚合反應以析出沉澱形成一第一多酚反應液，該第二離心機構用於離心該第一多酚反應液並去除該第一多酚反應液之一上清液以得到一第一沉澱物。
如請求項5所述的納豆激酶製程系統，其中該純化模組另包括相互連通之一第一純化槽及一第三離心機構，該第一純化槽及該第三離心機構依序連通設於該第二離心機構及該回溶單元之間，該第一純化槽用以將該第一沉澱物中的一納豆激酶複合物經一緩衝液回溶及加入該多酚萃取物以反應沉澱得到一第二多酚反應液，該第三離心機構用於離心該第二多酚反應液並去除該第二多酚反應液之一上清液以得到一第二沉澱物。
如請求項6所述的納豆激酶製程系統，其中該純化模組另包括相連通之一第二純化槽及一第四離心機構，該第一純化槽、該第三離心機構、該第二純化槽及該第四離心機構依序連通設於該第二離心機構及該回溶單元之間，該第二純化槽用以將該第二沉澱物中的一納豆激酶複合物經該緩衝液回溶及加入該多酚萃取物以反應沉澱得到一第三多酚反應液，該第四離心機構用於離心該第三多酚反應液並去除該第三多酚反應液之一上清液並分離出該納豆激酶沉澱物。
如請求項1所述的納豆激酶製程系統，另包括一過濾單元，該過濾單元連通於該第一離心機構及該純化模組之間。
如請求項1所述的納豆激酶製程系統，其中該多酚萃取物為茶多酚(EGCG)。
如請求項7所述的納豆激酶製程系統，其中該納豆激酶製程系統另包括相互連通一凝聚反應槽及一絮凝反應槽，該絮凝反應槽連通該第一離心機構，該凝聚反應槽用以使一初始納豆發酵液與一凝聚劑反應，該絮凝反應槽用以將該凝聚劑反應後之該初始納豆發酵液與一絮凝劑反應，形成該納豆激酶發酵液；該凝聚劑為硫酸鋅(ZnSO4)；該絮凝劑為幾丁聚醣；該納豆激酶製程系統另包括一過濾單元，該過濾單元連通於該第一離心機構及該純化模組之間；該回溶單元以一無菌水將納豆激酶沉澱物進行回溶。
一種停車場指引系統，包含：<br/> 一顯示器，用以顯示至少一預約資訊；<br/> 一車輛資訊擷取裝置，用以取得一車輛的至少一車輛資訊；<br/> 一控制器，訊號連接該顯示器以及該車輛資訊擷取裝置；以及<br/> 一止擋裝置，訊號連接該控制器；<br/> 其中，當該預約資訊與該車輛資訊一致，該控制器提供一開啟訊號至該止擋裝置，使該車輛得以通行；<br/> 其中，一使用者透過一電子裝置發出一預約訊號，且自該預約訊號取得該預約資訊；<br/> 其中，該停車場指引系統的一設置場地為室內或戶外。
如請求項1所述之停車場指引系統，其中該顯示器包含一顯示模組，且該顯示模組為一具有半穿透半反射特性的液晶顯示器或一膽固醇液晶顯示器。
如請求項2所述之停車場指引系統，其中該顯示器更包含：<br/> 一電池模組，電性連接該顯示模組。
如請求項3所述之停車場指引系統，其中該顯示器更包含：<br/> 一太陽能模組，電性連接該電池模組，並用以吸收穿透該顯示模組的一環境光，而生成並儲存電力至該電池模組。
如請求項1所述之停車場指引系統，其中該車輛資訊擷取裝置為一攝影機。
如請求項1所述之停車場指引系統，其中該止擋裝置為一柵欄機構。
如請求項1所述之停車場指引系統，更包含：<br/> 一雲端預約平台，與該顯示器及該電子裝置通訊連接；<br/> 其中，該使用者透過該電子裝置輸出該預約資訊至該雲端預約平台，該顯示器則自該雲端預約平台取得該預約資訊。
如請求項1所述之停車場指引系統，其中該顯示器、該車輛資訊擷取裝置及該止擋裝置設置於一停車位或一停車場的一出入通道。
如請求項1所述之停車場指引系統，其中該預約資訊及該車輛資訊分別包含一車牌號碼。
一種停車場指引系統，應用於一停車場，該停車場具有一出入通道及複數個停車位，該停車場指引系統包含：<br/> 一第一顯示器，用以顯示複數個預約資訊；<br/> 一車輛資訊擷取裝置，用以取得一車輛的至少一車輛資訊；<br/> 一控制器，訊號連接該第一顯示器以及該車輛資訊擷取裝置；<br/> 一止擋裝置，訊號連接該控制器；以及<br/> 複數個第二顯示器，分別訊號連接該控制器，且每一該些第二顯示器用以顯示該些預約資訊的一者；<br/> 其中，該第一顯示器、該車輛資訊擷取裝置及該止擋裝置設置於該出入通道，且每一該些第二顯示器設置於每一該些停車位；<br/> 其中，當該車輛資訊與該些預約資訊中的該者一致，該控制器提供一開啟訊號至該止擋裝置，使該車輛得以通行；<br/> 其中，一使用者透過一電子裝置發出一預約訊號，且自該預約訊號取得該預約資訊；<br/> 其中，該停車場指引系統的一設置場地為室內或戶外。
如請求項10所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別包含一顯示模組，且該顯示模組為一具有半穿透半反射特性的液晶顯示器或一膽固醇液晶顯示器。
如請求項11所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別更包含：<br/> 一電池模組，電性連接該顯示模組。
如請求項12所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別更包含：<br/> 一太陽能模組，電性連接該電池模組，並用以吸收穿透該顯示模組的一環境光，而生成並儲存電力至該電池模組。
如請求項10所述之停車場指引系統，更包含：<br/> 一雲端預約平台，與該第一顯示器、該些第二顯示器及該電子裝置通訊連接；<br/> 其中，該使用者透過該電子裝置輸出每一該些預約資訊至該雲端預約平台，該第一顯示器及該些第二顯示器則分別自該雲端預約平台取得每一該些預約資訊。
如請求項10所述之停車場指引系統，其中每一該些預約資訊及該車輛資訊分別包含一車牌號碼。
一種停車場指引系統，應用於一停車場，該停車場具有一出入通道及複數個停車位，該停車場指引系統包含：<br/> 一車輛資訊擷取裝置，用以取得一車輛的至少一車輛資訊；<br/> 一第一顯示器，用以顯示該車輛資訊；<br/> 一控制器，訊號連接該第一顯示器以及該車輛資訊擷取裝置；<br/> 一止擋裝置，訊號連接該控制器；以及<br/> 複數個第二顯示器，分別訊號連接該控制器；<br/> 其中，該第一顯示器、該車輛資訊擷取裝置及該止擋裝置設置於該出入通道，且每一該些第二顯示器設置於每一該些停車位；<br/> 其中，當一車輛停止於該止擋裝置前，且該些停車位中的任一者為一閒置狀態時，該控制器提供一開啟訊號至該止擋裝置，使該車輛得以通行，且該控制器提供一顯示訊號至該些第二顯示器的一者，使該些第二顯示器的該者得以顯示該車輛資訊，並用以指引該車輛停入該閒置狀態的該些停車位的一者；<br/> 其中，該停車場指引系統的一設置場地為室內或戶外；<br/> 其中，該止擋裝置為一柵欄機構。
如請求項16所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別包含一顯示模組，且該顯示模組為一具有半穿透半反射特性的液晶顯示器或一膽固醇液晶顯示器。
如請求項17所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別更包含：<br/> 一電池模組，電性連接該顯示模組。
如請求項18所述之停車場指引系統，其中該第一顯示器及該些第二顯示器分別更包含：<br/> 一太陽能模組，電性連接該電池模組，並用以吸收穿透該顯示模組的一環境光，而生成並儲存電力至該電池模組。
如請求項16所述之停車場指引系統，其中當每一該些停車位皆為一非閒置狀態，該第一顯示器顯示一無空位資訊。
一種可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，該電池結構包含一負極、一正極以及一介電薄膜位在該正極及該負極之間；該電池結構尚包含：一金屬介面層，該金屬介面層用於防止電池在充電時，鋰晶枝在陽極表面產生；其中該金屬介面層之一側貼附該介電薄膜，該金屬介面層的另一側貼附該負極；使得在該負極側的鋰離子不會直接與電子結合形成鋰晶枝；其中該金屬介面層包含：鋰活性金屬以及非鋰活性金屬；其中該鋰活性金屬可與該電池內的鋰離子形成合金，因此可以防止鋰離子在該負極時還原成鋰金屬而變成該鋰晶枝；該非鋰活性金屬不會跟鋰離子作用，可增加機械強度，維持穩定性；其中該鋰活性金屬與鋰離子所形成之合金不會往該正極的方向生長，而是形成沒有結晶狀態的薄片層沉積在該負極附近。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該鋰活性金屬係指可和鋰形成非結晶合金的元素。
如申請專利範圍第2項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該元素為元素週期表中之3A至5A族的金屬元素中的至少一種。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該非鋰活性金屬為元素週期表中之3B至8B族的元素中至少一種。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該負極包含：一負極基板，為一載板用於承載該負極的材料；一負極漿料層係塗覆在該負極基板上，整體形成一負極極板；該負極漿料層係由負極漿料所構成；該負極漿料包含：多個負極活物顆粒，用於儲存或釋放鋰離子，該負極活物顆粒選自純矽材料、純鋰材料、碳材、矽-碳複合材料(Si-C)、及矽-氧-碳複合材料(SiO<sub>x</sub>-C)等中至少一項；其中該碳材選自石墨、硬碳、及軟碳等中至少一項。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該介電薄膜為一陶瓷電解質薄片；該陶瓷電解質薄片由多個陶瓷電解質顆粒所構成。
如申請專利範圍第6項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該陶瓷電解質顆粒選自具鋰離子傳導能力(離子導電度大於10<sup>-5</sup>cm<sup>2</sup>/s(擴散係數))之陶瓷氧化物、具石榴石結構之氧化物、具鈣鈦礦結構之氧化物及硫化物中至少一種或其組合。
如申請專利範圍第7項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該具鋰離子傳導能力之陶瓷氧化物選自具NASICON(sodium(Na)super ionic conductor)結構之磷酸鍺鋁鋰(lithium aluminium germanium phosphate，LAGP)、磷酸鈦鋁鋰(lithium aluminum titanium phosphate，LATP)；該具石榴石結構之氧化物選自鋰鑭鋯氧化物(Li<sub>7</sub>La<sub>3</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>12</sub>，lithium lanthanum zirconium oxide，LLZO)；該鈣鈦礦結構之氧化物選自鋰鑭鈦氧化物(lithium lanthanum titanium oxide，LLTO)，該硫化物選自LPSC(LPSCl，sulfide solid electrolyte)、LGPS(Li<sub>10</sub>GeP<sub>2</sub>S<sub>12</sub>，Lithium germanium phosphorus sulfur)，該多個陶瓷電解質顆粒係選自上述材料中至少一種。
如申請專利範圍第6項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中當該陶瓷電解質顆粒為LLZO材料所構成時，該LLZO材料係選自LLZO、Ga-LLZO、Cu-LLZO、Ta-LLZO、Sr-LLZO以及Al-LLZO中至少一種所形成。
如申請專利範圍第6項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中當該陶瓷電解質顆粒為LAGP所構成時，該LAGP選自Li<sub>1+x</sub>Al<sub>x</sub>Ge<sub>2-x</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>或Li<sub>1+x+y</sub>Al<sub>x</sub>Ge<sub>2-x-y-z</sub>M<sub>y</sub>N<sub>z</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>；當該陶瓷電解質顆粒為LATP所構成時，該LATP係選自Li<sub>1+x</sub>Al<sub>x</sub>Ti<sub>2-x</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>，或Li<sub>1+x+y</sub>Al<sub>x</sub>Ti<sub>2-x-y-z</sub>M<sub>y</sub>N<sub>z</sub>(PO4)<sub>3</sub>；其中x介於0.1與0.8之間，y介於0至0.2之間，z介於0至0.2之間；其中M為三價陽離子；其中N為四價陽離子。
如申請專利範圍第10項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該三價陽離子選自Sc<sup>3+</sup>(鈧離子)、Y<sup>3+</sup>(釔離子)、Ga<sup>3+</sup>(鎵離子)、In<sup>3+</sup>(銦離子)、La<sup>3+</sup>(鑭離子)等；該四價陽離子選自Zr<sup>4+</sup>(鋯離子)、Si<sup>4+</sup>(矽離子)、Sn<sup>4+</sup>(錫離子)等。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該金屬介面層的厚度介於1微米至50微米。
如申請專利範圍第1項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該鋰活性金屬佔該金屬介面層的5%~50%莫爾比；該非鋰活性金屬佔該金屬介面層的<img align="absmiddle" height="17px" width="14px" file="d10007.TIF" alt="其他非圖式ed10007.png" img-content="character" orientation="portrait" inline="no" giffile="ed10007.png"/>50%莫爾比。
如申請專利範圍第6項所述之可防鋰晶枝產生之固態或半固態電池結構，其中該陶瓷電解質薄片的厚度介於30微米~200微米之間。
一種夾斗，包括：<br/> 一挖斗，具有一底板、一連接該底板且與該底板形成一角度的後板、二連接於該底板及該後板兩側的側板、以及一設置於該後板的連接部，該底板、該後板及該二側板基於該角度共同限定出一挖穴及一連通該挖穴的開口，其中，該連接部包括二從該後板朝外延伸且彼此平行設置的連接板、一設置於該二連接板之間的第一樞軸及一與該第一樞軸彼此相隔的第二樞軸；<br/> 一夾爪，耦接至該連接部的該第一樞軸，該夾爪可相對該第一樞軸為中心轉動而與該挖穴共同限定出一操作區域；以及<br/> 一驅動裝置，設置於遠離該操作區域的一側，該驅動裝置包括一連接該連接部的該第二樞軸的缸體及一沿該缸體的一軸向伸縮的桿體，該桿體遠離該缸體的一端連接該夾爪，該夾爪受該桿體的收縮與延伸而在該操作區域作動。
如請求項1所述的夾斗，其中，當該桿體收縮時，該夾爪遠離該開口而開啟該挖穴，當該桿體延伸時，該夾爪靠近該開口而關閉該挖穴。
如請求項1所述的夾斗，其中，該桿體耦接該夾爪的一轉軸，該轉軸與該第一樞軸相隔一距離而在該夾爪上形成一力臂。
如請求項1所述的夾斗，其中，該挖斗包括多個從該底板遠離該後板朝前延伸且彼此間隔排列的挖爪，該夾爪包括多個彼此間隔排列的爪體。
如請求項4所述的夾斗，其中，在該夾爪靠近該開口而關閉該挖穴時，該夾爪的該爪體與該挖斗的該挖爪為交錯排列。
如請求項1所述的夾斗，其中，該驅動裝置為一油壓缸。
如請求項1所述的夾斗，其中，還包括一設置於該二連接板之間且部分地覆蓋在該驅動裝置之外的蓋板。
如請求項7所述的夾斗，其中，該蓋板從該二連接板朝外延伸至該二側板。
如請求項1所述的夾斗，其中，該挖斗的該連接部耦接至一怪手延伸臂。
如請求項1所述的夾斗，其中，該挖斗的該連接部還包括一第三樞軸及一第四樞軸，該第三樞軸及該第四樞軸設置於該二連接板且耦接至一怪手延伸臂。
一種具節能功效的製程冷卻水供應系統，用以操作在一一般狀態及一節能狀態，包括：<br/> 一半開放式水槽，用以輸出一冷卻水；<br/> 至少一熱交換器，連接該半開放式水槽，其中該半開放水槽用以將該冷卻水輸送至該熱交換器；及<br/> 一冰水機，經由一第一輸送管線連接該熱交換器，並經由一第二輸送管線連接至少一製程設備，其中操作在該一般狀態時，該冰水機經由該第一輸送管線將一冰水輸送至該熱交換器，使得該冰水與該半開放式水槽提供的該冷卻水在該熱交換器進行熱交換，並將經過降溫的該冷卻水輸送至該製程設備，其中操作在該節能狀態時，該冰水機經由該第二輸送管線將該冰水輸送至該製程設備，該冰水在冷卻該製程設備後，由該製程設備回送至該冰水機。
如請求項1所述的製程冷卻水供應系統，包括一第三輸送管線用以連接該製程設備及該冰水機，該製程設備經由該第三輸送管線將經過使用的該冰水輸送至該冰水機。
如請求項2所述的製程冷卻水供應系統，包括一補充水槽連接該第三輸送管線，該補充水槽的設置高度高於該開放式水槽，並用以經由該第三輸送管線提供一補充水給該冰水機。
如請求項2所述的製程冷卻水供應系統，包括：<br/> 一第一開關，連接該第一輸送管線，並用以切換該冰水機與該熱交換器之間的連接；及<br/> 一第二開關，連接該第二輸送管線，並用以切換該冰水機與該製程設備之間的連接。
如請求項4所述的製程冷卻水供應系統，包括： <br/> 一第一幫浦，連接該熱交換器、該製程設備及該冰水機，其中該第一幫浦用以將該冰水機提供的該冰水輸送至該製程設備，或是將該半開放式水槽提供的該冷卻水經由該熱交換器輸送至該製程設備；及<br/> 一第二幫浦，連接該冰水機及該熱交換器，其中該第二幫浦用以將該冰水機提供的該冰水輸送至該熱交換器，使得該冰水與該半開放式水槽提供的該冷卻水進行熱交換，以降低該冷卻水的溫度。
如請求項2所述的製程冷卻水供應系統，包括一輸出管線用以連接該熱交換器及該製程設備，且該冰水機經由該第二輸送管線連接該輸出管線。
一種具節能功效的製程冷卻水供應系統，用以操作在一一般狀態及一節能狀態，包括：<br/> 一半開放式水槽，用以輸出一冷卻水；<br/> 一補充水槽，用以輸出一補充水，其中該補充水槽的設置位置高於該半開放式水槽；<br/> 至少一熱交換器，連接該半開放式水槽及該補充水槽，其中該半開放水槽用以將該冷卻水輸送至該熱交換器，而該補充水槽則用以將該補充水輸送至該熱交換器；及<br/> 一冰水機，經由一第一輸送管線連接該熱交換器，並經由該第一輸送管線將一冰水輸送至熱交換器，其中操作在該一般狀態時，該半開放式水槽將該冷卻水輸送至該熱交換器，使得該冰水與該半開放式水槽提供的該冷卻水在該熱交換器進行熱交換，並將經過降溫的該冷卻水輸送給至少一製程設備，其中操作在該節能狀態時，該補充水槽將該補充水輸送至該熱交換器，使得該冰水與該補充水在熱交換器進行熱交換，並將經過降溫的該補充水輸送至該製程設備。
如請求項7所述的製程冷卻水供應系統，包括一第三輸送管線用以連接該製程設備及該熱交換器，該補充水槽連接該第三輸送管線，該製程設備經由該第三輸送管線將經過使用的該冰水或該補充水輸送至該熱交換器。
如請求項7所述的製程冷卻水供應系統，包括：<br/> 一第一幫浦，連接該熱交換器及該製程設備，其中該第一幫浦用以將該補充水槽提供的該補充水經由該熱交換器輸送至該製程設備，或是將該半開放式水槽提供的該冷卻水經由該熱交換器輸送至該製程設備；及<br/> 一第二幫浦，連接該冰水機及該熱交換器，其中該第二幫浦用以將該冰水機提供的該冰水輸送至該熱交換器，使得該冰水與該半開放式水槽提供的該冷卻水或該補充水槽提供的該補充水進行熱交換，以降低該冷卻水或該補充水的溫度。
一種具節能功效的製程冷卻水供應系統，包括：<br/> 一半開放式水槽，用以提供一冷卻水；<br/> 至少一熱交換器，連接該半開放式水槽，其中該半開放水槽用以將該冷卻水輸送至該熱交換器；<br/> 一高溫冰水機，連接至少一製程設備及該半開放式水箱，其中該製程設備將經過使用的該冷卻水輸送至該高溫冰水機，並透過該高溫冰水機降低該冷卻水的溫度，而後將經過降溫的該冷卻水輸送至該開放式水槽；及<br/> 一冰水機，連接該熱交換器，並將一冰水輸送至熱交換器，使得該冰水與該半開放式水槽提供的該冷卻水在該熱交換器進行熱交換，並將經過降溫的該冷卻水輸送至該製程設備。
一種節能裝置，其特徵在於，其包括：<br/> 一風機，其具有一氣流入口與一氣流出口，該氣流入口具有一導引路徑，該氣流出口具有一導出路徑；<br/> 一調節組件，其包括一冷卻管路、一比例閥與一控制器，該冷卻管路位於該導引路徑上，該冷卻管路具有一進水口與一出水口，該比例閥設置於該冷卻管路靠近該進水口的一端；以及<br/> 一感測器，其位於該導出路徑，該感測器連接於該控制器；其中，該感測器感測該導出路徑的一氣流溫度，該感測器傳遞該氣流溫度至該控制器，該控制器依據該氣流溫度控制該比例閥的閥門，以調整該冷卻管路的該進水口的進水量。
如請求項1所述的節能裝置，其中該調節組件更包括一加濕器，該加濕器位於該導引路徑上，該加濕器位於該冷卻管路的一側，該控制器控制該加濕器運作。
如請求項2所述的節能裝置，其中該感測器感測該導出路徑的一氣流濕度，該感測器傳遞該氣流濕度至該控制器，該控制器依據該氣流濕度控制該加濕器，以調整該導出路徑的該氣流濕度。
如請求項1所述的節能裝置，更包括一製程冷卻水，該製程冷卻水由該進水口導入該冷卻管路，並由該出水口自該冷卻管路導出，其中該製程冷卻水之溫度小於 18 度。
如請求項4所述的節能裝置，其中該製程冷卻水經由該進水口進入該冷卻管路內的水壓為0.2MPa到0.4MPa之間。
如請求項1所述的節能裝置，其中該冷卻管路呈現多次彎折的S型結構。
如請求項1所述的節能裝置，更包括一外殼，該風機與該調節組件位於該外殼內。
如請求項7所述的節能裝置，其中該外殼具有一入口端與一出口端，該入口端對應於該風機的該導引路徑，該出口端對應於該風機的該導出路徑。
如請求項8所述的節能裝置，其中該感測器設置於該外殼的該出口端。
一種自動補考系統，應用於電腦系統，包括：<br/> 主機伺服器，連線至網路，並具有：<br/> 主處理單元；<br/> 主網路單元，電性連接該主處理單元，用以連線至網路；<br/> 資料儲存單元，電性連接該主處理單元，儲存複數題庫、考卷資訊以及成績資訊，該成績資訊包含第二使用者代號與第二使用者分數；<br/> 考卷派發模組，電性連接該主處理單元，並具有：<br/> 考卷生成單元，用以產生並派發考卷；以及<br/> 補考卷生成單元，接收補考卷設定參數，用以產生並派發補考卷；以及<br/> 第一裝置，經由網路連線至該主機伺服器，並具有：<br/> 第一處理單元；<br/> 第一網路單元，電性連接該第一處理單元，用以連線至網路；<br/> 第一顯示單元，電性連接該第一處理單元，用以呈現考卷設定介面；以及<br/> 第一輸入單元，電性連接該第一處理單元，供第一使用者輸入補考卷設定參數，該補考卷設定參數包含：補考卷範圍、補考卷難度、分級標準以及補考合格分數；以及<br/> 第二裝置，經由網路連線至該主機伺服器，接收該考卷或該補考卷，並具有：<br/> 第二處理單元；<br/> 第二網路單元，電性連接該第二處理單元；<br/> 第二顯示單元，電性連接該第二處理單元，用以顯示該考卷的內容；以及<br/> 第二輸入單元，電性連接該第二處理單元，供第二使用者輸入作答資訊；<br/> 其中，該第二使用者藉由該第二裝置輸入該作答資訊回傳給該主機伺服器；<br/> 其中，該主處理單元根據該作答資訊與對應的該考卷之解答計算出該第二使用者分數；以及<br/> 其中，當該第二使用者分數低於合格分數時，該主處理單元自動將該補考卷傳送至該第二裝置。
如請求項1所述之自動補考系統，其中，該主處理單元根據該補考卷設定參數產生對應該補考卷範圍以及該補考卷難度的該補考卷。
如請求項1所述之自動補考系統，其中，第一使用者藉由第一裝置從該題庫中選擇複數考題；<br/> 該主處理單元讀取被挑選的該等考題的範圍及難度，產生對應範圍以及難度的該補考卷範圍以及該補考卷難度，並根據該補考卷範圍以及該補考卷難度，從該題庫中挑選該等考題生成該補考卷。
如請求項3所述之自動補考系統，其中，該補考卷設定參數還包含難度調整參數；<br/> 該主處理單元根據該第二使用者分數及該難度調整參數，降低該補考卷難度並根據降低後的該補考卷難度生成該補考卷。
如請求項4所述之自動補考系統，其中，該補考卷設定參數還包含題數調整參數；<br/> 該主處理單元根據該題數調整參數，改變該補考卷的題目總數，並維持該補考卷難度。
如請求項1所述之自動補考系統，其中，該主處理單元根據該分級標準將對應的該第二使用者代號分為不同等級，不同等級的該第二使用者代號在補考時，對應不同的該補考合格分數。
如請求項6所述之自動補考系統，其中，該分級標準為根據同一個該第二使用者代號不同考卷的該等第二使用者分數的平均分計算得出。
一種一口酥餅，包括一核心餡料、一內餡及一酥皮，該內餡包覆於該核心餡料外周，該酥皮包覆於該內餡外周，該核心餡料與該內餡為不同食材，且該酥皮的直徑介於3.5cm~4.0cm。
如請求項1所述之一口酥餅，其中該酥皮的高度介於2.5cm~3.5cm。
如請求項1所述之一口酥餅，其中該酥皮表面設有至少一堅果碎。
如請求項1、2或3所述之一口酥餅，其中該核心餡料為一蛋黃、一堅果或一泥狀餡。
如請求項4所述之一口酥餅，其中該泥狀餡為一芋泥或一棗泥。
如請求項1所述之一口酥餅，其中該內餡係為一泥狀餡。
如請求項6所述之一口酥餅，其中該泥狀餡為一紅豆泥、一綠豆泥、一芋泥或一棗泥。
一種紙疊製品壓持推送機構，用以將承置在一紙疊承架的紙疊製品推送至位在一出料位置的一出料機構，其特徵在於該壓持推送機構包括：<br/> 一推桿機構，包括一推桿架和一出料推桿，該推桿架在該出料推桿的驅動下，將該紙疊製品向該出料機構的方向推送；<br/> 一壓持機構，包括一桿件、一壓板和一驅動裝置，其中該驅動裝置結合於該桿件的一受驅動端，該壓板結合於該桿件的一壓持端；<br/> 其中，該推桿架受該出料推桿驅動而將該紙疊製品推送向該出料機構時，該驅動裝置通過該桿件帶動該壓板施加一壓力壓持該紙疊製品的頂面，該紙疊製品被該推桿架推送到達該出料機構後，該壓板即離開該紙疊製品的頂面。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該出料機構包括一第一輸送帶、第二輸送帶兩者呈彼此垂直的方向配置。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該壓持機構的該桿件的該壓持端樞接結合於該壓板，該受驅動端樞接結合於該驅動裝置，該驅動裝置的另一端亦樞接結合於該推桿架，該桿件的該壓持端和該受驅動端之間以一軸承桿和一軸承樞接結合在該推桿架。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該紙疊承架為一承紙台。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該出料機構為一出料輸送帶、一料架之一。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該出料位置更設置一擋紙閘門。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該壓板為一軟質膠板、皮帶之一。
如請求項1所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該出料機構還包括一上壓板。
如請求項8所述之紙疊製品壓持推送機構，其中該上壓板在對應於該紙疊製品的表面具有齒狀結構、孔洞板之一的結構。
一種骨釘之結構，其係包含：<br/> 一第一螺紋部，其一表面具有一第一螺紋；<br/> 一桿體，其設置於該第一螺紋部之一側；及<br/> 一第二螺紋部，其係設置於該桿體之一側，該第二螺紋部之一表面係包含一第二螺紋及一第三螺紋，該第二螺紋係設置於該桿體之該側，該第三螺紋係鄰設於該第二螺紋之一側並遠離該桿體之該側；<br/> 其中，該第二螺紋及該第三螺紋具有一第一螺紋外徑，該第二螺紋具有一第一螺紋底徑及一第一螺距，該第三螺紋具有一第二螺紋底徑及一第二螺距，且該第二螺紋底徑係大於該第一螺紋底徑，該第二螺距係小於該第一螺距。
如請求項1所述之骨釘之結構，更包含一固定件，其係套設於該第二螺紋部之一側並遠離該桿體之該側。
如請求項1所述之骨釘之結構，更包含一骨板，其係用以貼合一第一骨頭之一側，使該骨釘接合該第一骨頭及一第二骨頭，該第二骨頭係設置於該第一骨頭之一另一側，該第一骨頭係包含一第一曲面及一第二曲面，該第二曲面係鄰設於該第一曲面，該第一曲面之一曲率與該第二曲面之該曲率相異，該骨板係包含：<br/> 一弧面板體，其係包含至少一髖螺釘孔，該至少一髖螺釘孔係對應於該第二螺紋部，該弧面板體之一側係對應於該第一曲面之一曲率；<br/> 一長方板體，其係設置於該弧面板體之一側，該長方板體係包含複數個貫穿孔，該些個貫穿孔係鄰設於該至少一髖螺釘孔之一側，該長方板體之一側係對應於該第二曲面之一曲率。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第二螺紋部更包含一固定孔，其係設置於第二螺紋部之遠離該桿體之該側，該固定孔係鄰設於該第三螺紋之一側，該固定孔之孔型係包含一字、米字、十字、內五角孔或內六角孔等。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋部更包含一自攻槽，其係設置於該第一螺紋部之一另一側，該自攻槽係鄰設該第一螺紋之一側。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋外徑係介於2mm至8mm之間，該第一螺紋底徑及該第二螺紋底徑係介於1mm至6mm之間，該第一螺距及該第二螺距係小於3mm。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋、該第二螺紋及該第三螺紋之牙根係包含平底型或圓弧型之其中之一或其組合。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋具有一第二螺紋外徑、一第三螺紋底徑及一第三螺距，該第二螺紋外徑係介於2mm至8mm之間，該第三螺紋底徑係介於1mm至6mm之間，該第三螺距係小於3mm。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋、該第二螺紋及該第三螺紋具有一螺紋牙角，該螺紋牙角係介於20˚至75˚之間。
如請求項1所述之骨釘之結構，其中該第一螺紋部之該另一側至該第二螺紋部之遠離該桿體之該側之間具有一長度，該長度係介於20mm至200mm之間。
一種AI解題助教系統，應用於電腦系統，包括：<br/> 主機伺服器，連線至網路，並具有：<br/> 主處理單元；<br/> 主網路單元，電性連接該主處理單元，用以連線至網路；<br/> 學習資料庫，電性連接該主處理單元，具有課程資訊及使用者資訊，該課程資訊包含：知識點、題目以及參考資料；以及<br/> AI模組，電性連接該主處理單元；<br/> 使用者裝置，經由網路連線至該主機伺服器，並具有：<br/> 使用者處理單元；<br/> 使用者網路單元，電性連接該使用者處理單元，用以連線至網路；<br/> 顯示單元，電性連接該使用者處理單元，用以顯示題目、作答欄與提問欄；以及<br/> 輸入單元，電性連接該使用者處理單元，供使用者輸入答案或提問內容；<br/> 其中，該AI模組藉由該課程資訊訓練而成，根據該課程資訊的內容回覆該提問內容。
如請求項1所述之AI解題助教系統，還包括檢核模組，該檢核模組會對該提問內容進行安全檢核，該安全檢核為比對該提問內容與該課程資訊的相關性。
如請求項2所述之AI解題助教系統，其中，該AI模組回覆該提問內容後，將該提問內容紀錄於該使用者資訊中。
如請求項2所述之AI解題助教系統，其中，該檢核模組，還用以檢查該AI模組的回答內容是否正確。
一種側插式電子連接器，包括塑膠本體、第一端子組、第二端子組、中夾片和金屬外殼，該第一端子組、第二端子組和中夾片均安裝在塑膠本體的內部，該中夾片位於第一端子組與第二端子組之間，該第一端子組中的所有端子的對接接觸端和第二端子組中的所有端子的對接接觸端均延伸至塑膠本體前側的舌板處，且分別在該舌板的兩個相對表面裸露出來，該金屬外殼套裝在塑膠本體的外部，其中該中夾片的表面上設有若干個第一接地彈性接觸部和若干個第二接地彈性接觸部，每個第一接地彈性接觸部分別與第一端子組中相應的接地端子實現彈性接觸，每個第二接地彈性接觸部分別與第二端子組中相應的接地端子實現彈性接觸，該中夾片的邊緣設有至少一個外殼彈性接觸部，該外殼彈性接觸部伸出塑膠本體後與金屬外殼的內壁實現彈性接觸。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該外殼彈性接觸部設置為連接在中夾片的邊緣部位的外殼接觸彈片，所述外殼接觸彈片往外凸出，所述外殼接觸彈片僅有一端與中夾片相連接。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該外殼彈性接觸部分別設置在中夾片的頂部邊緣和後側邊緣。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該第一接地彈性接觸部設置為往第一端子組方向凸起的第一接地彈片，所述第一接地彈片僅有一端與中夾片相連接，所述第二接地彈性接觸部設置為往第二端子組方向凸起的第二接地彈片，所述第二接地彈片僅有一端與中夾片相連接。
如請求項4所述的側插式電子連接器，其中該中夾片的表面上設有位於第一接地彈片位置處和位於第二接地彈片位置處的避位通孔。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該第一接地彈性接觸部和第二接地彈性接觸部均設置在中夾片的前側上端、前側下端、後側傾斜端和後側下端。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該塑膠本體的左右兩側均設有第一挖空槽和第二挖空槽，所述第一挖空槽分別位於第一端子組的第一對信號端子的轉角部位處和第二端子組的第一對信號端子的轉角部位處，所述第二挖空槽分別位於第一端子組的第二對信號端子的轉角部位處和第二端子組的第二對信號端子的轉角部位處，所述第一端子組的第一對信號端子的長度大於第一端子組的第二對信號端子的長度，所述第二端子組的第一對信號端子的長度大於第二端子組的第二對信號端子的長度，所述第一挖空槽的長度大於第二挖空槽的長度。
如請求項1所述的側插式電子連接器，其中該金屬外殼包括前插殼和後殼，所述前插殼安裝在塑膠本體前側的舌板外部，所述前插殼通過卡扣彈片與塑膠本體左右兩側的卡槽相卡接，所述後殼安裝在塑膠本體的主體部位的外部，所述後殼通過卡孔與塑膠本體左右兩側的卡塊相卡接。
如請求項8所述的側插式電子連接器，其中該後殼的左右兩側底部分別設有後殼插腳，所述塑膠本體的底部設有定位插柱。
如請求項1~9中任意一項所述的側插式電子連接器，其中該第一端子組中的所有端子和第二端子組中的所有端子的表面均設有鍍銀層；<br/> 或者，所述第一端子組中的所有端子和第二端子組中的所有端子的表面均設有鍍銀層，所述鍍銀層的表面設有鍍金層；<br/> 或者，所述第一端子組中的所有端子和第二端子組中的所有端子均設置為含銀的端子，且端子的表面設有鍍金層。
一種化學液體追蹤系統，包含：<br/> 一第一儲存槽，其內部係用以容置一化學液體；<br/> 一第一管線，其一端係與該第一儲存槽之內部相連通；<br/> 一第一動力裝置，係與該第一管線之另一端連接，使該化學液體可經由該第一管線輸送至該第一動力裝置中；<br/> 一第一流量計，係設置於該第一管線靠近該第一儲存槽之位置，以於該化學液體自該第一儲存槽輸送至該第一管線中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第一流體資訊；<br/> 一第二流量計，係設置於該第一管線靠近該第一動力裝置之位置，以於該化學液體自該第一管線輸送至該第一動力裝置中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第二流體資訊；以及<br/> 一資料儲存裝置，係與該第一流量計以及該第二流量計訊號連接，以取得並儲存該第一流體資訊以及該第二流體資訊。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中更包含：一顯示裝置，係與該資料儲存裝置訊號連接，以接收該第一流體資訊與該第二流體資訊，並進行顯示。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中：<br/> 該第一流體資訊包含：每次該化學液體自該第一儲存槽輸送至該第一管線中，使該第一管線中的該化學液體產生流動的瞬間的時間點、流入該第一管線中之該化學液體的總體積以及該化學液體之流向的目的地；以及<br/> 該第二流體資訊包含：每次該化學液體自該第一管線輸送至該第一動力裝置中，使該第一管線中的該化學液體產生流動的瞬間的時間點、流入該第一動力裝置中之該化學液體的總體積以及該化學液體之流向的來源。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含酸液，包含：硫酸（H₂SO₄）、鹽酸（HCl）、硝酸（HNO₃）、氫氟酸（HF）或磷酸（H₃PO₄）。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含鹼液，包含：氫氧化銨（NH₄OH）、氫氧化鉀（KOH）或氫氧化鈉（NaOH）。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含化學機械研磨拋光液，包含：二氧化矽(SiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈰(CeO₂)、過氧化氫(H₂O₂)、苯並三唑(BTA)、或去離子水。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含蝕刻液，包含：氫氟酸（HF）、氫氧化鉀（KOH）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、氫氧化鈉（NaOH）、磷酸（H₃PO₄）、硝酸（HNO₃）、硫酸（H₂SO₄）、過氧化氫（H₂O₂）或氯化鐵（FeCl₃）。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含清洗劑，包含：去離子水、鹽酸（HCl）、硫酸（H₂SO₄）、硝酸（HNO₃）、氫氧化銨（NH₄OH）、異丙醇（IPA）、丙酮（Acetone）、N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）、或二甲基亞碸（DMSO）。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含添加劑，包含：光澤劑、整平劑、潤濕劑、抑制劑、促進劑、細化劑、分散劑、消泡劑、緩衝劑、螯合劑、穩定劑、防止燒焦添加劑、應力抑制劑、柔軟劑、潤滑劑、抗氧化劑、防變色添加劑、表面活性劑、滲透劑、金屬離子調節劑、電流分佈調整劑、結晶控制劑、有機硫化物添加劑、有機胺類添加劑或聚合物型添加劑。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含助劑，包含：腐蝕抑制劑、結垢抑制劑、分散劑、消泡劑、破乳劑、乳化劑、抗氧化劑、穩定劑、清淨劑、潤滑改進劑、黏度指數改進劑、流動改進劑、降凝劑、防蠟劑、防焦劑、結焦抑制劑、金屬鈍化劑、硫化抑制劑、氯化抑制劑、胺類氣體處理助劑、脫硫助劑、脫氮助劑、氫化反應助劑、裂解反應助劑、催化劑助劑或再生助劑。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含培養液，包含：微生物培養液、幹細胞培養液、發酵培養液、胺基酸溶液、維生素溶液、葡萄糖溶液、脂質添加液、微量元素溶液、血清、血清替代物、生長因子添加液、胰島素添加液、抗生素添加液或抗真菌添加液。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中該化學液體包含緩衝液，包含：磷酸鹽緩衝液、碳酸氫鹽緩衝液、乙酸鹽緩衝液、檸檬酸鹽緩衝液、或硼酸鹽緩衝液。
如請求項1所述之化學液體追蹤系統，其中更包含：<br/> 一第二管線，其一端係與該第一儲存槽之內部相連通；<br/> 一第二儲存槽，其內部係與該第二管線之另一端連通，且該第二儲存槽之內部係可接收並儲存該化學液體；<br/> 一第三流量計，係設置於該第二管線靠近該第二儲存槽之位置，以於該化學液體自該第二管線輸送至該第二儲存槽中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第三流體資訊，其中：該第三流量計係與該資料儲存裝置訊號連接，以將該第三流體資訊傳送至該資料儲存裝置中儲存；<br/> 一第三管線，其一端係與該第二儲存槽之內部相連通；<br/> 一第三儲存槽，其內部係與該第三管線之另一端連通，且該第三儲存槽之內部係可接收並儲存該化學液體；<br/> 一第四流量計，係設置於該第三管線靠近該第三儲存槽之位置，以於該化學液體自該第三管線輸送至該第三儲存槽中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第四流體資訊，其中：該第四流量計係與該資料儲存裝置訊號連接，以將該第四流體資訊傳送至該資料儲存裝置中儲存；<br/> 一第四管線，其一端係與該第二儲存槽之內部相連通；<br/> 一第二動力裝置，係與該第四管線之另一端連通；<br/> 一第五流量計，係設置於該第四管線靠近該第二儲存槽之位置，以於該化學液體自該第二儲存槽輸送至該第四管線中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第五流體資訊，其中：該第五流量計係與該資料儲存裝置訊號連接，以將該第五流體資訊傳送至該資料儲存裝置中儲存；以及<br/> 一第六流量計，係設置於該第四管線靠近該第二動力裝置之位置，以於該化學液體自該第四管線輸送至該第二動力裝置中時，記錄該化學液體流動之時間戳記、流量大小、以及流向，並取得一第六流體資訊，其中：該第六流量計係與該資料儲存裝置訊號連接，以將該第六流體資訊傳送至該資料儲存裝置中儲存。
一種海藻人工養殖系統，包括：<br/> 一無塵室(10)，透過精密過濾和氣流控制，將其一無塵空間(102)中的污染物降到一特定標準，並控管該無塵空間(102)中的複數個環境參數；<br/> 至少一養殖淺盤(12)，設置於該無塵空間(102)中，其一養殖槽(122)用於容置人工海水(W)及被養殖的至少一海藻(G)；<br/> 一水質監控系統(14)，設置於該無塵空間(102)中，其至少一部分設置於該養殖槽(122)，並被該人工海水(W)浸泡，以用於至少感測該人工海水(W)的一pH值與一電導率，並根據一感測結果調整該人工海水(W)的該pH值與該電導率；<br/> 一人工海水循環供應系統(16)，連接於該養殖淺盤(12)，並連通該養殖槽(122)，以用於回收與循環該人工海水(W)；以及<br/> 至少一全光譜植物燈(18)，設置於該養殖淺盤(12)之上，用於將模擬太陽光照射至該養殖槽(122)中的該海藻(G)。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，更包括：<br/> 至少一層架(11)，設置於該無塵空間(102)中，具有複數個格層(112)，其中複數個養殖淺盤(12)分別放置於該複數個格層(112)的複數個底部上，以及複數個全光譜植物燈(18)分別架設於該複數個格層(112)的複數個頂部，以分別照射複數個養殖槽(122)中的複數個海藻(G)。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該污染物包括塵埃、微生物、懸浮粒子及化學揮發物的至少一者，以及該複數個環境參數包括溫度、濕度與維持正壓。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該養殖槽(122)的一深度(D)介於5至15公分。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻(G)為一紅藻類、一綠藻類或一褐藻類。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該水質監控系統(14)更用於感測該人工海水(W)的一鹽度與一水溫，並根據該感測結果調整該人工海水(W)的該鹽度與該水溫。
如請求項 6所述的海藻人工養殖系統，其中該pH值、該電導率、該鹽度以及該水溫之每一者的一要求範圍關聯於該海藻(G)的類型。
如請求項 7所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為一海帶芽、一紫菜、一海葡萄、一石花菜、一紅毛菜、一珊瑚草、一杉藻、一杜氏鹽藻、一龍鬚菜、一小石蓴或一滸苔。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該海帶芽，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.0至8.3，該電導率的一要求範圍為46至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為30至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏10至20度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該海葡萄，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.0至8.5，該電導率的一要求範圍為46至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為30至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏24至28度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該石花菜，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.1至8.4，該電導率的一要求範圍為46至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為30至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏20至26度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該紫菜或該紅毛菜，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.0至8.4，該電導率的一要求範圍為40至50毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為25至32千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏15至23度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該杉藻，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.0至8.2，該電導率的一要求範圍為46至52毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為30至34千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏10至18度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該珊瑚草，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為8.1至8.5，該電導率的一要求範圍為50至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為33至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏25至30度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該龍鬚菜，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為7.8至8.5，該電導率的一要求範圍為25至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為15至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏20至30度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該小石蓴，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為7.8至8.8，該電導率的一要求範圍為32至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為20至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏15至28度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該滸苔，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為7.5至8.8，該電導率的一要求範圍為17至53毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為10至35千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏15至25度。
如請求項 8所述的海藻人工養殖系統，其中該海藻為該杜氏鹽藻，且該水質監控系統(14)被配置成維持：該pH值的一要求範圍為7.5至9.0，該電導率的一要求範圍為大於80毫西門子每公分(mS/cm)，該鹽度的一要求範圍為60至150千分比(ppt)，以及該水溫的一要求範圍為攝氏25至30度。
如請求項 6所述的海藻人工養殖系統，其中該水質監控系統(14)包括複數個感測器(141)、一控制單元(142)以及複數個人工海水調整單元(143)，該控制單元(142)電性連接該複數個感測器(141)以及該複數個人工海水調整單元(143)，該複數個感測器(141)的每一者的一部分浸泡於該人工海水(W)中，該複數個感測器(141)的分別用於感測該pH值、該電導率、該鹽度以及該水溫，以及該複數個人工海水調整單元(143)依照該控制單元(142)的控制，而分別用於調整該pH值、該電導率、該鹽度以及該水溫。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該人工海水循環供應系統(16)包括一儲存槽體(161)、一循環水泵(162)以及一對外水泵(163)，該循環水泵(162)與該對外水泵(163)設置於該儲存槽體(161)中，或連接於該儲存槽體(161)，該儲存槽體(161)的一端還連通於該養殖槽(122)，以回收該養殖槽(122)的該人工海水(W)，該循環水泵(162)用於將該儲存槽體(161)的該人工海水(W)送至該養殖槽(122)，以及該對外水泵(163)用於將該儲存槽體(161)的該人工海水(W)送至一外部環境(O)進行再利用。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該全光譜植物燈(18)包含複數個發光二極體，該複數個發光二極體被配置以發出一光線，該光線的一光譜組成為：紫外光佔2%、藍光佔19%、綠光佔36%、紅光佔40%、遠紅外光佔3%、植物光合作用有效輻射佔95%、相關色溫為4500K、演色性指數為95、藍光-綠光的比值為0.5、藍光-紅光的比值為0.5、紅光-遠紅外光的比值為12.9以及紅光-Sellaro遠紅外光的比值為13.0。
如請求項 1所述的海藻人工養殖系統，其中該全光譜植物燈(18)包含複數個發光二極體，該複數個發光二極體被配置以發出一光線，該光線的一光譜組成為：紫外光佔0%、藍光佔19%、綠光佔37%、紅光佔42%、遠紅外光佔2%、植物光合作用有效輻射佔98%、相關色溫為4500K、演色性指數為95、藍光-綠光的比值為0.5、藍光-紅光的比值為0.5、紅光-遠紅外光的比值為26以及紅光-Sellaro遠紅外光的比值為37.6。
一種複合式鑽針檢測結構改良，其包括有：<br/> 一同軸鏡頭，其包括有一第一影像感測元件及一第一光學管道，該第一影像感測元件設於該第一光學管道的一端，該第一光學管道的另端具有一取景窗，該第一光學管道的兩端之間設有一垂直的第二光學管道；及<br/> 一上鏡頭，其包括有一第二影像感測元件及一上光學管道，該第二影像感測元件設於該上光學管道的一端，該上光學管道的另端與該第二光學管道連通，該取景窗朝向一微型鑽針，以該第一影像感測元件及該第二影像感測元件擷取該微型鑽針的影像，並形成至少一第一相片及至少一第二相片，該第一相片之內容為該微型鑽針之側視局部放大圖；該第二相片之內容為該微型鑽針之整體側視圖。
如請求項1所述之複合式鑽針檢測結構改良，其中該微型鑽針係可拆式設於一座體，該座體與該同軸鏡頭之間具有一預定距離。
如請求項2所述之複合式鑽針檢測結構改良，其中該座體連接有一動力源，以該動力源驅動該座體旋轉一預定角度。
如請求項1所述之複合式鑽針檢測結構改良，其中該同軸鏡頭與該上鏡頭更電性連接一電腦，該電腦包含一螢幕，該第一相片與該第二相片顯示在該螢幕。
如請求項4所述之複合式鑽針檢測結構改良，其中該電腦安裝有一鑽針分析系統，該第一相片與該第二相片匯入該鑽針分析系統中，並分別計算出該微型鑽針的有效刃長及總長。
如請求項5所述之複合式鑽針檢測結構改良，其中該微型鑽針包括有一鑽尖、一螺旋狀之鑽刃、一螺旋狀之排槽及一柄部，該有效刃長係由該鑽尖到該柄部，該總長由該鑽尖到該鑽刃之末端。
一種可隱藏手套之衣袖，包括：<br/> 一衣袖本體，沿一穿套方向延伸而有相連通的一衣袖空間及一衣袖端部；<br/> 一手套主體，有相結合的一手背布件及一手心布件，並圍繞而構成一手部穿套空間，以及位於相對二端的一伸出端部及一銜接端部，該伸出端部及該銜接端部分別連通該手部穿套空間，該銜接端部自該衣袖端部伸入並銜接於該衣袖本體，該銜接端部與該衣袖端部相隔一距離，並在該穿套方向構成一收褶空間，該手套主體有一拇指穿出口，該拇指穿出口連通該手部穿套空間；<br/> 可選擇的對折該手套主體，使該手套主體置入於該收褶空間，並在靠近該衣袖端部的位置形成一伸出口；<br/> 一使用者的手臂穿入該衣袖空間，並使該使用者的手掌由該衣袖端部伸出而伸入該手部穿套空間；<br/> 該使用者再將手掌經由該伸出口而伸出該手部穿套空間。
如請求項1所述之可隱藏手套之衣袖，其中，在該穿套方向上，該手背布件自該伸出端部延伸超出該手心布件而有一延伸部；當其他四指通過該伸出端部而伸出該手部穿套空間時，該延伸部覆蓋於其他四指的指背處。
如請求項2所述之可隱藏手套之衣袖，其中，對折該手套主體時，係使該延伸部反折而抵於該銜接端部。
如請求項2所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該延伸部相鄰該手部穿套空間的內側有一指環部。
如請求項2所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該手背布件遠離該手部穿套空間的外側有一第一結合件及一第二結合件，該第一結合件相鄰該銜接端部設置，第二結合件設置於該延伸部的前緣；當反折該手套主體時，該第二結合件可分離的結合於該第一結合件。
如請求項1所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該手背布件有一手背內層及一手背外層，該手背內層結合於該手背外層而形成一五指伸入口、一四指套入空間及一拇指穿套空間，該四指套入空間及該拇指穿套空間分別經由該五指伸入口連通該手部穿套空間；該使用者可選擇的使拇指及其他四指伸入該五指伸入口，並使拇指伸入該拇指穿套空間，以及使其他四指伸入該四指套入空間。
如請求項6所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該手背內層有一後邊緣，該手心布件有一前邊緣，該後邊緣重疊於該前邊緣，並使該後邊緣設置介於該前邊緣及該手背外層之間。
如請求項6所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該手背外層包含相疊合的一絨布層及一防潑水層，該絨布層介於該防潑水層及該手背內層之間。
如請求項6所述之可隱藏手套之衣袖，其中，該手心布件有一手心內層、一手心外層、以及位於該手心內層及該手心外層之間的一收納空間，有一側邊口連通該收納空間，該側邊口相鄰形成該拇指穿套空間的一拇指穿套部。
一種衣物，包含如請求項1至9任一項的可隱藏手套之衣袖，該衣物包含：<br/> 一衣物本體；<br/> 所述可隱藏手套之衣袖，銜接於該衣物本體。
一種破壁粉末製造系統，包括：<br/> 一粉末加料設備(A)；<br/> 一壓縮空氣提供設備(B)；以及<br/> 一氣流粉碎設備(C)，連接該粉末加料設備(A)及該壓縮空氣提供設備(B)，包括：<br/> 一氣流粉碎腔體(100)，內部形成有成圓柱狀的一氣流粉碎腔室(102)，設有連通於該氣流粉碎腔室(102)的複數個噴嘴連接件(104)、一入料件(106)以及一出料件(108)，其中該氣流粉碎腔室(102)設有一出料引導件(1022)對應於該出料件，該出料件(108)設置於該氣流粉碎腔體(100)的一頂部的一中心處，該複數個噴嘴連接件(104)間隔地環設於該氣流粉碎腔體(100)的一環側，以及該入料件(106)設置於該氣流粉碎腔體(100)的任一處，並連接該粉末加料設備(A)； <br/> 複數個德拉瓦噴嘴(de Laval nozzle)(120)，連接該複數個噴嘴連接件(104)；以及<br/> 一壓縮氣體接收腔體(140)，內部形成有一氣體接收腔室，設有連通於該氣體接收腔室的複數個管體連接件(144)以及一壓縮氣體接收件(146)，其中該複數個德拉瓦噴嘴(de Laval nozzle)通過複數個第一管體(150)連接該複數個管體連接件(144)，以及該壓縮氣體接收件(146)通過一第二管體(152)連接該壓縮空氣提供設備(B)；<br/> 其中該壓縮空氣提供設備(B)提供一特定進氣壓力與一特定氣流量的氣體至壓縮氣體接收件(146)，以及該粉末加料設備(A)以一特定進料速率提供粉末至該入料件(106)，藉此使得該出料件(108)的出料粉末的中位數粒徑D50介於1至10微米之間。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該出料粉末的破壁率不小於65%，以及該出料粉末相較於該粉末的一比表面積增加了2至4倍。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎腔室的一直徑與一高度分別為0.45至0.65米及0.08至0.12米，該壓縮空氣提供設備(B)經配置使該特定進氣壓力為5至8巴，以及使該特定氣流量為每分鐘4.0至8.2立方米，以及該粉末加料設備(A)經配置使該特定進料速率為每小時1.3至3.5公斤。
如請求項3所述的破壁粉末製造系統，其中於一高細化模式下，該壓縮空氣提供設備(B)經配置使該特定進氣壓力為6.8至7.2巴，以及使該特定氣流量為每分鐘5.0至5.4立方米，該粉末加料設備(A)經配置使該特定進料速率為每小時1.45至1.55公斤，該出料粉末的中位數粒徑D50為3.3至4.2微米，該出料粉末的高位數粒徑D90為6.5至8.5微米，以及該出料粉末的細胞破壁率不小於90%。
如請求項4所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎腔室的該直徑與該高度分別為0.5米及0.1米，該壓縮空氣提供設備(B)經配置使該特定進氣壓力為7巴，以及使該特定氣流量為每分鐘5.2立方米，該粉末加料設備(A)經配置使該特定進料速率為每小時1.5公斤，該出料粉末的中位數粒徑D50為3.5至4微米，該出料粉末的高位數粒徑D90為7至8微米，該出料粉末的細胞破壁率為90至92%，以及該出料粉末相較於該粉末的一比表面積至少增加了3.5倍。
如請求項3所述的破壁粉末製造系統，其中於一高產能模式下，該壓縮空氣提供設備(B)經配置使該特定進氣壓力為5.3至6.2巴，以及使該特定氣流量為每分鐘4.0至5.0立方米，該粉末加料設備(A)經配置該特定進料速率為每小時2.8至3.5公斤，該出料粉末的中位數粒徑D50為7.2至8.2微米，該出料粉末的高位數粒徑D90為10至12.5微米，以及該出料粉末的細胞破壁率不小於68%。
如請求項3所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎腔室的該直徑與該高度分別為0.5米及0.1米，該壓縮空氣提供設備(B)經配置使該特定進氣壓力為5.5至6巴，以及使該特定氣流量為每分鐘4.2至4.8立方米，該粉末加料設備(A)經配置該特定進料速率為每小時2.5至3.0公斤，該出料粉末的中位數粒徑D50為7.5至8微米，該出料粉末的高位數粒徑D90為11至12微米，該出料粉末的細胞破壁率為68至72%，以及該出料粉末相較於該粉末的一比表面積至少增加了2倍。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該粉末包括肉桂、辣木、綠茶、紅茶、非洲醉茄、靈芝、武靴葉粉、薑黃粉、大麥若葉粉、紅景天粉、人蔘粉、當歸粉、冬蟲夏草粉、益母草粉、金盞花粉與櫻桃粉的至少一者。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該氣體為空氣、氮氣或惰性氣體。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該壓縮氣體接收腔體(140)為環狀腔體，並設置於該氣流粉碎腔體(100)之下，該複數個管體連接件(144)間隔地環設於該壓縮氣體接收腔體(140)的一環側，以及該壓縮氣體接收件(146)設置於該氣流粉碎腔體(100)的一底部的任一處。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該入料件(106)包括一入料斗(1062)以及一管道件(1064)，該入料斗(1062)的一底端連接該管道件(1064)，該管道件(1064)的一端連接該氣流粉碎腔體(100)的一處，該管道件(1064)的另一端連接一文丘里噴嘴(170)，以及該文丘里噴嘴(170)連接該粉末加料設備(A)的一入料動力提供裝置。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎腔室的壁面為陶瓷材質或不鏽鋼材質。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎腔體(100)設置有一上蓋體(110)，該上蓋體(110)可被打開，以暴露該氣流粉碎腔室(102)，該上蓋體(110)設有複數個固定通孔(1102)，該氣流粉碎腔體(100)對應於該複數個固定通孔(1102)設有複數個固定孔(1002)，且該固定通孔(1102)供複數個固定件(112)通過固設於該複數個固定孔(1002)，令該上蓋體(110)覆蓋該氣流粉碎腔室(102)，其中該出料件(108)設置於該上蓋體(110)之上，且具有一出料件連通孔(1088)位於該上蓋體(110)的一中心處，令該出料件(108)連通於該氣流粉碎腔室(102)，以及該入料件(106)設置於該上蓋體(110)之上，且具有一入料件連通孔(1066)位於該上蓋體(110)的一處，令該入料件(106)連通於該氣流粉碎腔室(102)。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該氣流粉碎設備(C)更包括：<br/> 一立柱組件(160)，連接該氣流粉碎腔體(100)及該壓縮氣體接收腔體(140)，用於供該氣流粉碎腔體(100)及該壓縮氣體接收腔體(140)固定於其上。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中壓縮空氣提供設備(B)包括：<br/> 一空壓機(300)；<br/> 一止回閥(302)，其一端連接該空壓機(300)的一端；<br/> 一儲氣罐(304)，其一端連接該止回閥(302)的另一端，其一處具有一安全閥(3042)；<br/> 一截止閥(306)，其一端連接該儲氣罐(304)的另一端；<br/> 一初級濾心裝置(308)，其一端連接該截止閥(306)的另一端；<br/> 一冷乾機(310)，其一端連接該初級濾心裝置(308)的另一端；<br/> 一精細濾心裝置(312)，其一端連接該冷乾機(310)的另一端，其另一端通過該第二管體(152)連接該壓縮氣體接收件(146)。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，更包括：<br/> 一出料粉末蒐集設備(D)，通過一第三管體(154)連接該出料件(108)，用於蒐集該出料粉末。
如請求項16所述的破壁粉末製造系統，其中該出料粉末蒐集設備(D)包括：<br/> 一旋風分離機(400)，其一側通過該第三管體(154)連接該出料件(108)；<br/> 一第一倉體(402)，其一上端連接該旋風分離機(400)的一下端，設置有一第一上下氣動蝶閥(4022)於其中，以及設置有一第一空氣錘(4024)於其一處，其中該第一倉體(402)於該第一上下氣動蝶閥(4022)的一上閥體與一下閥體之間，形成有一第一過渡料倉(4026)；<br/> 一第二倉體(404)，其一端連接該旋風分離機(400)的一上端，設置有一第二上下氣動蝶閥(4042)於其中，以及設置有一第二空氣錘(4044)於其一處，其中該第二倉體(404)於該第二上下氣動蝶閥(4042)的一上閥體與一下閥體之間，形成有一第二過渡料倉(4046)；<br/> 一捕集器(406)，連接該第二倉體(404)的一上端；以及<br/> 一風機(408)，連接該捕集器(406)的一上端。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該壓縮氣體接收腔體(140)更於其一處設有一氣壓計(148)，以量測該特定進氣壓力。
如請求項1所述的破壁粉末製造系統，其中該出料引導件(1022)為圓錐狀或圓台狀突起，該複數個噴嘴連接件(104)的每一者具有一噴嘴連接件連通孔(1042)，令該噴嘴連接件(104)連通於該氣流粉碎腔室(102)，該複數個管體連接件(144)的每一者具有一管體連通孔，令該管體連接件(144)連通於該氣體接收腔室，以及該壓縮氣體接收件(146)具有一壓縮氣體接收件連通孔，令該壓縮氣體接收件(146)連通於該氣體接收腔室。
一種具有基板塗層支架的晶圓盒，用於供一門體蓋闔且分層承載至少一基板，該具有基板塗層支架的晶圓盒包括：<br/> 一金屬殼體，具有一開口；<br/> 一多層支架本體，其為凹狀外形，且從該開口處凹設於該金屬殼體之內部，該多層支架本體之內部兩側分別具有對稱的多個基板層架以用於分層承載至該些基板，其中該多層支架本體為塑膠材質所製成；以及<br/> 一金屬框體，用於裝設在該金屬殼體之該開口且用以擋止該門體，該金屬框體體包括彼此相間隔的四個角隅部與四個抵接件，該些抵接件分別可拆卸地組裝於該些角隅部且用以抵接於該門體，其中每一該抵接件具有接合於對應的該角隅部的一接合板與凸設於該接合板且用以抵接於該門體的多個抵接塊，其中該些抵接件為塑膠材質所製成。
如請求項1所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該些抵接件之表面具有聚四氟乙烯塗層。
如請求項1所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該多層支架本體之內表面、外表面與該些基板層架之表面皆具有一陶瓷塗層。
如請求項1所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該多層支架本體之內表面、外表面與該些基板層架之表面皆具有一聚四氟乙烯塗層。
如請求項3所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該陶瓷塗層之塗層硬度為HV1500 以上，並添加0.1~0.5% 抗靜電粒子。
如請求項3所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該陶瓷塗層內添加具可耐氫氟酸腐蝕之一稀土氟化物或一非氧化物陶瓷粉體。
如請求項6所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該稀土氟化物為氟化鑭 LaF₃或氟化鈰 CeF₃。
如請求項6所述之具有基板塗層支架的晶圓盒，其中該非氧化物陶瓷粉體為氮化矽 Si₃N₄、氮化鋁 AlN或碳化硼 B₄C。
一種具有塑膠氣嘴的晶圓盒，用於供一門體蓋闔且分層承載至少一基板，該具有塑膠氣嘴的晶圓盒包括：<br/> 一金屬殼體，其前端具有一開口，該金屬殼體之內具有一容置空間，並且該金屬殼體內部之前端平台之高度低於其中端與後端平台之高度，並且該金屬殼體內部之前端平台之兩側分別具有往上浮起的一第一倒反凹槽與一第二倒反凹槽，其中該第一倒反凹槽與該第二倒反凹槽皆具有一凹槽氣孔；<br/> 一金屬底座，其前端之兩側具有一第一開口與一第二開口，該金屬底座設置於該金屬殼體之底部；<br/> 一第一氣嘴，其由塑膠材質製成，該第一氣嘴之中心軸處具有一第一氣孔通道，其中該第一氣嘴穿射於該第一開口且卡合於該金屬底座，並且該第一氣嘴之前端置入於該第一倒反凹槽，以讓在該第一氣孔通道內之氣流對接通過於該凹槽氣孔；<br/> 一第二氣嘴，其由塑膠材質製成，該第二氣嘴之中心軸處具有一第二氣孔通道，其中該第二氣嘴穿射於該第二開口且卡合於該金屬底座，並且該第二氣嘴之前端置入於該第二倒反凹槽，以讓在該第二氣孔通道內之氣流對接通過於該凹槽氣孔；<br/> 一多層支架本體，其為凹狀外形，且從該開口處凹設於該金屬殼體之該容置空間，該多層支架本體之內部兩側分別具有對稱的多個基板層架以用於分層承載至該些基板；以及<br/> 一金屬框體，用於裝設在該金屬殼體之該開口且用以擋止門體，<br/> 其中惰性氣體透過該第一氣嘴與該第一倒反凹槽之組合，及該第二氣嘴與該第二倒反凹槽之組合來輸入進至或輸出於該金屬殼體。
如請求項1所述之具有塑膠氣嘴的晶圓盒，其中該第一氣嘴之表面與其該第一氣孔通道之內具有類鑽石碳（DLC）塗層，以耐氣體腐蝕。
如請求項1所述之具有塑膠氣嘴的晶圓盒，其中該第二氣嘴之表面與其該第一氣孔通道之內具有類鑽石碳（DLC）塗層，以耐氣體腐蝕。
如請求項1或2所述之具有塑膠氣嘴的晶圓盒，其中控制塗層孔隙率＜0.1%，並通過塗層 - 塑膠介面拋光加工以降低氣體滲透率。
如請求項1所述之具有塑膠氣嘴的晶圓盒，其中該第一氣嘴之表面具有聚四氟乙烯(PTFE)塗層，以避免塑膠磨損而產生微粒。
如請求項1所述之具有塑膠氣嘴的晶圓盒，其中該第二氣嘴之表面具有聚四氟乙烯(PTFE)塗層，以避免塑膠磨損而產生微粒。
一種調螺結構，其中，包括：<br/> 蓋板，該蓋板上設有複數個通孔；以及<br/> 調諧螺桿，複數個該調諧螺桿與複數個通孔一一對應設置，每個該調諧螺桿內具有空腔，該空腔的一側具有與該調諧螺桿表面連通的開口，該調諧螺桿穿過該通孔設置在該蓋板，該調諧螺桿與該通孔可旋轉的配合連接。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該調諧螺桿包括一體設置的第一端部和第二端部，該第一端部的外壁直徑大於該第二端部的外壁直徑，該空腔穿過第一端部和第二端部，該第一端部的外壁與該通孔的孔壁螺紋連接。
如請求項2所述的調螺結構，其中，該第一端部與該第二端部之間還設有連接部，該連接部具有環形的連接面，該連接面與該第一端部的外壁之間的夾角為0-90°。
如請求項2所述的調螺結構，其中，該調螺結構還包括螺母，該螺母設置於該蓋板的頂部，該第一端部的外壁與該螺母螺紋連接。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該空腔的內壁直徑為1.8~2.8mm。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該調諧螺桿的材質為金屬或塑膠或陶瓷中的一種。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該調諧螺桿的表面設有金屬電鍍層。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該開口的周圍環設有批頭槽。
如請求項1所述的調螺結構，其中，該空腔的內壁為光滑面，該空腔是深沖或壓鑄或注塑的方式成型。
一種濾波器，其中，所述濾波器包括如請求項1-9中任一項所述的調螺結構。
一種導引元件，係用於一電路板上，該電路板設有複數之腳位，以供一電子元件之複數之接腳插入；該導引元件包括：<br/> 一主體；以及<br/> 複數之插入孔，係設置於該主體上以貫通該主體，並套接於該複數之腳位上，其中每一插入孔之一入口處設有一導引結構，以利該複數之接腳插入；藉此，該複數之接腳係經由該複數之插入孔以插入該複數之腳位。
如請求項1所述之導引元件，更包括一延伸底座，係連接於該主體，用以固定於該電路板上。
如請求項1所述之導引元件，其中該複數之插入孔係適用於插入一彈簧針接觸點(Pogo Pad)之複數之彈簧針(Pogo Pin)。
一種電子組裝設備，包括：<br/> 一電子元件，具有複數之接腳；<br/> 一電路板，設有複數之腳位，用以供該複數之接腳插入；以及<br/> 一導引元件，包括：<br/> 一主體；以及<br/> 複數之插入孔，係設置於該主體上以貫通該主體，並套接於該複數之腳位上，其中每一插入孔之一入口處設有一導引結構，以利該複數之接腳插入；藉此，該複數之接腳係經由該複數之插入孔以插入該複數之腳位。
如請求項4所述之電子組裝設備，其中該導引元件更包括一延伸底座，係連接於該主體，以固定於該電路板上。
如請求項4所述之電子組裝設備，其中該電子元件係為一彈簧針接觸點(Pogo Pad)，該複數之接腳係為複數之彈簧針(Pogo Pin)。
一種組合式螢幕外框架，包括：<br/> 複數個邊框；以及<br/> 複數個邊角塊，該等邊角塊的第一端分別結合於該等邊框的第一端，該等邊角塊的第二端分別結合於該等邊框的第二端。
如請求項1所述的組合式螢幕外框架，其中，各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的其中之一開設一凹槽，各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的另一者具有一凸塊，各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的另一者的該凸塊插設於各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的其中之一的該凹槽；其中，各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的其中之一開設一凹槽，各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的另一者具有一凸塊，各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的另一者的該凸塊插設於各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的其中之一的該凹槽。
如請求項2所述的組合式螢幕外框架，其中，各該邊框的第一端開設該凹槽，各該邊框的第二端開設該凹槽，各該邊角塊的第一端具有該凸塊，各該邊角塊的第二端具有該凸塊，該等邊角塊的第一端的該等凸塊分別插設於該等邊框的第一端的該等凹槽，該等邊角塊的第二端的該等凸塊分別插設於該等邊框的第二端的該等凹槽。
如請求項2或3所述的組合式螢幕外框架，其中，該凸塊的頂面、底面和外側面的至少一者具有一膠層，該凸塊的頂面、底面和外側面的至少一者藉由該膠層黏設於該凹槽的頂面、底面和外側面的至少一者。
如請求項4所述的組合式螢幕外框架，其中，該凸塊的頂面具有一上膠層，該凸塊的底面具有一下膠層，該凸塊的外側面具有一側膠層，該凸塊的頂面藉由該上膠層黏設於該凹槽的頂面，該凸塊的底面藉由該下膠層黏設於該凹槽的底面，該凸塊的外側面藉由該側膠層黏設於該凹槽的外側面。
如請求項4所述的組合式螢幕外框架，進一步包括複數個緊固件，各該凹槽的頂壁開設一穿孔，各該凸塊開設一固定孔，該等緊固件穿過該等穿孔並且固定於該等固定孔。
如請求項2或3所述的組合式螢幕外框架，進一步包括複數個緊固件，各該凹槽的頂壁開設一穿孔，各該凸塊開設一固定孔，該等緊固件穿過該等穿孔並且固定於該等固定孔。
如請求項2所述的組合式螢幕外框架，其中，各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的其中之一的內側面開設一開口，各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的其中之一的該凹槽與各該邊框的第一端與各該邊角塊的第一端的其中之一的內側面的該開口相通；其中，各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的其中之一的內側面開設一開口，各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的其中之一的該凹槽與各該邊框的第二端與各該邊角塊的第二端的其中之一的內側面的該開口相通。
如請求項8所述的組合式螢幕外框架，其中，各該邊框的第一端的內側面開設該開口，各該邊框的第二端的內側面開設該開口，各該邊框的第一端的該凹槽與各該邊框的第一端的內側面的該開口相通，各該邊框的第二端的該凹槽與各該邊框的第二端的內側面的該開口相通。
如請求項1所述的組合式螢幕外框架，其中，各該邊框為鋁擠型，各該邊角塊為鋁壓鑄成型。
一種安全導航的健康照護系統，包括：<br/> 一存儲單元，其配置用以存儲一使用者的至少一項個人資訊，其中該個人資訊包括一年齡和一病史；<br/> 一輸入介面，其被配置用以接收該使用者輸入於任何時間發生的至少一個事件，該事件係與認知障礙或空間導航障礙相關，其中該事件的一類型被記錄；<br/> 一處理單元，分別與該存儲單元和該輸入介面電性連接，其中該處理單元被配置用以根據該個人資訊進行評估以產生一風險指數，接收並分析該使用者輸入的該事件以進行一成效評估；以及<br/> 一輸出介面，與該處理單元電性連接，其中該輸出介面被配置用於輸出並提示該風險指數。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該個人資訊還包括一性別、一教育程度和一可自行返家的安全距離。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該處理單元還被配置用以根據該成效評估調整更新該風險指數，且該存儲單元進一步存儲更新後的該風險指數，而該輸出介面被配置用以輸出更新後的該風險指數。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該處理單元還被配置用以根據該風險指數產生一預防計畫，該存儲單元被配置用以存儲該預防計畫。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該輸入介面進一步被配置用以接收該使用者輸入該事件的一發生時間和一發生地點。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該事件的該類型包括輕度認知障礙(MCI)、迷路和走失。
如請求項1所述的安全導航的健康照護系統，其中該處理單元還被配置用以依據一給定期間內的無事件天數進行該成效評估。
一種半導體元件貼合裝置，供用於乘載一待貼合的半導體元件，包含：<br/> 一載台，具有一用於設置該半導體元件的承載區；及<br/> 一貼合對位圖案，位於該載台並位於該承載區外，且該貼合對位圖案可供用於與該半導體元件的線路圖案進行對位。
如請求項1所述的半導體元件貼合裝置，其中，該貼合對位圖案是形成於該載台的表面或自該載台的表面向下形成。
如請求項1所述的半導體元件貼合裝置，還包含一檢測裝置，用於對該貼合對位圖案發射及接收訊號，且該訊號來源為紅外光、可見光、紫外光、X射線、電子束，及超音波的其中任一者。
一種駕駛模擬系統，包含：<br/> 一儲存器，用以儲存一虛擬駕駛場景及一動作判斷標準，該動作判斷標準與該虛擬駕駛場景中的一判斷區域相對應；<br/> 一操控介面，用以接收一使用者之一操作指令；<br/> 一處理器，與該儲存器及該操控介面電性連接，用以：<br/> 將該操作指令轉換為一駕駛訊號；<br/> 根據該駕駛訊號產生一駕駛行為數據；<br/> 當一虛擬車輛位於該判斷區域時，判斷該駕駛行為數據是否符合該動作判斷標準；以及<br/> 根據判斷結果產生一駕駛回饋資訊；<br/> 一顯示介面，與該處理器電性連接，用以顯示該駕駛回饋資訊。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該儲存器還儲存一真實場景數據，該處理器還執行一場景模擬模組，以根據該真實場景數據建立該虛擬駕駛場景。
如請求項2所述的駕駛模擬系統，其中，該場景模擬模組還用以根據該使用者之一輸入指令設定該虛擬駕駛場景。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該儲存器還儲存一其他虛擬駕駛場景，且該使用者透過該操控介面，將該虛擬駕駛場景切換至該其他虛擬駕駛場景。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該處理器還根據該駕駛回饋資訊及其對應之一時間戳記產生一駕駛紀錄，且該儲存器還用以儲存該駕駛紀錄及該虛擬駕駛場景。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該駕駛訊號還包含一油門開度訊號、一轉向訊號、一剎車訊號、一擺頭訊號或一燈號訊號。
如請求項6所述的駕駛模擬系統，其中，該剎車訊號還包含一左剎車訊號及一右剎車訊號，且該動作判斷標準包含該左剎車訊號及該右剎車訊號的比例。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該駕駛訊號還包含一傾角訊號，該傾角訊號係根據該使用者操控該虛擬車輛進行轉向所產生。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該處理器還用以根據該駕駛回饋資訊產生一評分報告。
如請求項1所述的駕駛模擬系統，其中，該儲存器還儲存一駕駛操作說明，當該虛擬車輛位置位於該判斷區域時，該顯示介面顯示該駕駛操作說明。
一種銲接作業輔助裝置，適用於供一待銲物設置，並包含：<br/> 一基座，界定一朝外開放的設置槽；<br/> 一軸體件，沿一水平方向延伸地設置於該基座之該設置槽內，定義一平行該水平方向地通過該軸體件的轉軸線；<br/> 一動力件，連接該軸體件並用以帶動該軸體件以該轉軸線為轉軸而轉動；及<br/> 一安裝平台，安裝於該軸體件上且具有一朝向外側且適用供該待銲物設置的安裝面，該安裝平台可在該軸體件轉動時一同樞轉一預設角度。
如請求項1所述的銲接作業輔助裝置，其中，該安裝平台一固定於該軸體件上且可轉動的轉盤，及一安裝於該轉盤上且具有一朝向外側且適用供該待銲物設置之安裝面的平台部。
如請求項1所述的銲接作業輔助裝置，適用於透過數個固定件設置所述待銲物，其中，該安裝平台之該安裝面向內凹設界定至少一適用於供該等固定件穿伸的固定槽。
如請求項1所述的銲接作業輔助裝置，其中，該基座包括一座體部，及一自該座體部向上延伸且界定所述設置槽的主體部。
如請求項1所述的銲接作業輔助裝置，其中，該動力件包括一用以提供動力的馬達，及一連接該馬達及該軸體件且用以將該馬達之動力轉換成扭力的減速機。
如請求項1所述的銲接作業輔助裝置，其中，該預設角度為0~90∘。
一種測距模組，包括： <br/>一基底； <br/>一支撐座，設置於該基底之一表面上，該支撐座包括： <br/>一頂板，位於該基底上方； <br/>一圍繞壁，自該頂板往該基底延伸並連接該基底，其中該頂板、該圍繞壁及該基底配合定義一容納空間； <br/>一間隔件，位於該容納空間中並自該頂板往該基底延伸，其中該間隔件連接該基底，以將該容納空間區分為一第一子空間及一第二子空間；以及 <br/>一肋，自該頂板往該基底延伸並與該基底之該表面以一第一空間隔開； <br/>一光發射器，設置於該基底之該表面上並位於該第一子空間中； <br/>一第一光接收器，設置於該基底之該表面上並位於該第二子空間中； <br/>一第二光接收器，設置於該基底之該表面上並位於該第二子空間中，其中該第一光接收器與該第二光接收器彼此隔開，該第一光接收器及該第二光接收器位於該肋的兩側； <br/>一第一透鏡，貫穿該頂板並對準於該光發射器； <br/>一第二透鏡，貫穿該頂板並對准於該第二光接收器； <br/>一導光組件，設置於該間隔件，該導光組件相對於該基底之該表面具有一角度。
如請求項1所述之測距模組，其中該角度小於90度。
如請求項2所述之測距模組，其中該導光組件包括一準直透鏡。
如請求項3所述之測距模組，其中該導光組件經由一黏著件貼合至該間隔件。
如請求項2所述之測距模組，其中該導光組件的透光率大於或等於89%。
如請求項5所述之測距模組，其中該導光組件是以射出成型製程的方式固定於該間隔件。
如請求項1所述之測距模組，其中該第二光接收器為單光子雪崩二極體。
如請求項1-7中任一項所述之測距模組，其中該第一光接收器配置在該光發射器及該第二光接收器之間，該光發射器用於朝向該第一透鏡發光，該第一光接收器用於接收通過該導光組件的光，該第二光接收器用於接收通過該第二透鏡的光。
如請求項1-7中任一項所述之測距模組，其中該圍繞壁、該間隔件及該肋與該頂板為一體成形的結構，並且該頂板、該圍繞壁、該間隔件及該肋是不透光的。
如請求項1-7中任一項所述之測距模組，還包含一積體電路晶片，設置於該基底，其中該第一光接收器及該第二光接收器整合於該積體電路晶片，且該肋與該積體電路晶片之一上表面以一第二空間隔開。
如請求項1-7中任一項所述之測距模組，其中該導光組件包括： <br/>一收光部分，面對該第一透鏡並貫穿該間隔件；以及 <br/>一出光部分，具有一夾角地連接該收光部分並面對該第一光接收器。
如請求項11所述之測距模組，其中該夾角大於90度。
如請求項12所述之測距模組，其中該出光部分對準該第一光接收器。
如請求項13所述之測距模組，其中該出光部分之一出光面與該第一光接收器之表面以一空間隔開。
一種測距模組，包括： <br/>一基底； <br/>一光發射器，設置於該基底之一表面上； <br/>一第一光接收器，與該光發射器彼此分隔地設置於該基底之該表面上； <br/>一第二光接收器，與該第一光接收器彼此分隔地設置於該基底之該表面上； <br/>一支撐座，設置於該基底之該表面上，該支撐座包括： <br/>一頂板，設置大致平行於該基底並設有一第一窗口及一第二窗口，其中該第一窗口與該光發射器對準，以及該第二窗口與該第二光接收器對準； <br/>一圍繞壁，自該頂板往該基底延伸並連接該基底，該圍繞壁橫向圍繞該光發射器、該第一光接收器及該第二光接收器；以及 <br/>一間隔件，自該頂板往該基底延伸並連接該基底，其中該間隔件位於該第一窗口及該第二窗口之間，該光發射器及該第一光接收器位於該間隔件的相反兩側；以及 <br/>一導光組件，相對於該基底之該表面以一角度傾斜地貫穿該間隔件，以將該光發射器產生的光的一部份引導至該第一光接收器。
如請求項15所述之測距模組，更包括： <br/>一第一透鏡，封閉該第一窗口；以及 <br/>一第二透鏡，封閉該第二窗口。
一種可吊掛之抽取式包裝袋結構，其包括：<br/> 一袋體，其內周壁共同圍繞成一容置空間，用以容置複數呈抽取式折疊配置之片狀擦拭物；<br/> 一吊掛部，設於該袋體之一端，以供該袋體懸掛使用；<br/> 一第一抽取部，具有一第一抽取開口，設於該袋體之一側邊，並與該容置空間連通，以供使用者由該第一抽取開口將該片狀擦拭物抽取而出；<br/> 一第二抽取部，具有一第二抽取開口及一封閉件，其中，該第二抽取開口設於該袋體相對於該吊掛部之另一端，該封閉件係該袋體之一部分，並於一起始狀態時該封閉件係封閉該第二抽取開口，而在一使用狀態時該封閉件係可自該袋體上卸除，以使該容置空間經由該第二抽取開口與外界連通，而供使用者經由該第二抽取開口抽取該片狀擦拭物。
如請求項1所述之可吊掛之抽取式包裝袋結構，其中，該袋體係呈六面體結構，並具有相對配置之上表面、下表面、前表面、後表面及二側表面。
如請求項2所述之可吊掛之抽取式包裝袋結構，其中，該第一抽取開口與該第二抽取開口係設置於該六面體結構之同一側表面上。
如請求項2所述之可吊掛之抽取式包裝袋結構，其中，該吊掛部係設置於該六面體結構之上表面或與該上表面相鄰之區域。
如請求項1所述之可吊掛之抽取式包裝袋結構，其中，該封閉件具有一預設之撕裂線及一可撕離之封合區域，該撕裂線係沿一預設路徑設於該袋體上，且該可撕離之封合區域至少部分地由該撕裂線所界定。
一種組裝構件，其包括：<br/> 一可撓性平面板材；<br/> 複數折疊線，預定地設於該可撓性平面板材上，並界定出複數板區，該可撓性平面板材係可沿著該些折疊線折疊，使該複數板區彼此對合，而於折疊後構成如請求項1至請求項5中任一項所述之可吊掛之抽取式包裝袋結構；<br/> 一吊掛部形成區，設於該可撓性平面板材的之至少一板區上，並用以於折疊後共同形成該吊掛部；<br/> 一第一抽取部形成區，設於該可撓性平面板材之其中一板區上，並用以於折疊後形成該第一抽取部；<br/> 一第二抽取部形成區，設於該可撓性平面板材之另一板區上，並用以於折疊後形成該第二抽取部。
一種收納盒，其包括：<br/> 一第一盒體；<br/> 一第二盒體，該第二盒體開設有一連接孔；<br/> 一彈性組件，該彈性組件設置於該第二盒體內並能夠穿過該連接孔的內壁伸入該連接孔；<br/> 一轉軸，該轉軸穿設於該連接孔，該轉軸與該第一盒體相連接以使該轉軸與該第一盒體相對於該第二盒體同步轉動，該轉軸開設有一阻尼槽，該彈性組件滑動抵接於該阻尼槽，該第一盒體相對於該第二盒體打開的過程中，該彈性組件與該阻尼槽產生的阻尼逐漸減小。
如請求項1所述的收納盒，其中，該轉軸具有一打開位置與一關閉位置，該阻尼槽包括一變阻尼面，該彈性組件與該變阻尼面滑動抵接，該變阻尼面包括一第一阻尼段，且沿該轉軸由該關閉位置向該打開位置轉動的方向，該第一阻尼段臨近該轉軸的軸線的側面與該轉軸的軸線之間的徑向距離逐漸增大。
如請求項2所述的收納盒，其中，該變阻尼面包括一第二阻尼段，且沿該轉軸由該關閉位置向該打開位置轉動的方向，該第二阻尼段位於該第一阻尼段的上游，且該第二阻尼段臨近該轉軸的軸線的側面與該轉軸的軸線之間的徑向距離均相等。
如請求項2所述的收納盒，其中，該阻尼槽包括一位置限位面，沿該轉軸由該關閉位置向該打開位置轉動的方向，該位置限位面位於該變阻尼面的上游，該位置限位面能夠抵接該彈性組件以將該轉軸限位在該打開位置。
如請求項1所述的收納盒，其中，沿該轉軸的周向，該阻尼槽對應的圓心角≥90°。
如請求項1所述的收納盒，其中，沿該轉軸的周向，該轉軸開設有多個該阻尼槽，該第二盒體對應每個該阻尼槽均設置有該彈性組件；和/或，<br/> 沿該轉軸的軸向，該轉軸開設有多個該阻尼槽，該第二盒體對應每個該阻尼槽均設置有該彈性組件。
如請求項1所述的收納盒，其中，該彈性組件的伸縮軸線與該轉軸的軸線相交且垂直。
如請求項1至7中任一項所述的收納盒，其中，該第一盒體開設有一固定孔，該轉軸的外周面設置有一第一限位面，該固定孔的內壁設置有一第二限位面，該轉軸設置於該固定孔內，且該第一限位面與該第二限位面抵接以對該第一盒體與該轉軸進行角度限位。
如請求項1至7中任一項所述的收納盒，其中，該第一盒體還包括一限位銷，該轉軸的外周面設置有一限位槽，該限位銷卡入該限位槽內。
如請求項1至7中任一項所述的收納盒，其中，該第一盒體具有一第一連接部，該第二盒體具有一第二連接部，該第一連接部包括間隔設置的兩個連接段，該第二連接部位於兩個該連接段之間，該轉軸的一端與一個該連接段相連接，該轉軸的另一端與另一個該連接段相連接。
一種多用途被，包含： <br/>一被體(10)，具有相對之兩長邊緣(11)，及連接於該兩長邊緣(11)兩端之兩短邊緣(12)；以及 <br/>複數結合組件(20)，設置於該被體(10)之該兩長邊緣(11)及該兩短邊緣(12)之預設位置，該等結合組件(20)可供手動分離與結合； <br/>其中，該被體(10)藉由該等結合組件(20)間之接合關係，係可選擇地轉換為下列形態之一： <br/>一兒童被形態：係該被體(10)呈完全攤開之平面狀態； <br/>一睡袋形態：係將該被體(10)對摺，經由該等結合組件(20)相互接合，並藉由該長邊緣(11)對摺處接合後的該等結合組件(20)之間隙，形成供使用者頭部伸出之一頭部開口(50)及供使用者手部伸出之複數手部開口(60)；以及 <br/>一防踢被形態：係將該被體(10)對摺形成一底部摺線邊後，將靠近該底部摺線邊之部分向上摺疊，並使該底部摺線邊處之部分該等結合組件(20)穿過該被體(10)進行固定，使該被體(10)之底部形成供使用者腳部伸出之一活動開口(70)。
如請求項1所述之多用途被，其中該被體(10)進一步設有複數穿孔(40)，該等穿孔(40)係貫穿該被體(10)之內側面(13)與外側面(14)；於該防踢被形態下，設置於該底部摺線邊處之部分該等結合組件(20)係穿過該等穿孔(40)後，與對應之該等結合組件(20)接合。
如請求項1所述之多用途被，其中該被體(10)進一步設有一邊緣鎖定機構(30)，該邊緣鎖定機構(30)包含設置於其中一該長邊緣(11)之一定位束帶(31)，及設置於該被體(10)表面之一帶扣環座(32)；於該防踢被形態下，該被體(10)向上摺疊之部分係利用該定位束帶(31)扣合於該帶扣環座(32)進行鎖定。
如請求項1所述之多用途被，其中於該睡袋形態下，該頭部開口(50)係形成於該長邊緣(11)對摺後之一側邊中間部位之相鄰兩結合組件(20)之間，且該複數手部開口(60)係形成於該側邊位於該頭部開口(50)兩側之相鄰兩結合組件(20)之間。
如請求項1所述之多用途被，其中該等結合組件(20)係選自壓扣、鈕扣及黏扣帶所組成之群組之其中一種或其組合。
如請求項1所述之多用途被，其中該被體(10)為一具備保暖功能之柔軟織物。
一種全地形車的結構，全地形車具有車架單元，該車架單元具有上側管，該上側管朝車體的前方設有供駕駛人乘座的座墊，該上側管朝車體後方且於該座墊後方設有後座墊組件；該後座墊組件具有可勾扣於該上側管上的連結架組、設於該連結架組二側的一對扶手組、鎖設於該連結架組上的後座墊，以及樞設於該連結架組上的轉動扣桿；該上側管上設有勾柱，該勾柱外周套設有套管。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該連結架組具有左右一對側框與連結於該一對側框的一對橫框；該側框具有可供該扶手組鎖設的鎖耳與穿孔，以及可供該轉動扣桿樞設的樞孔；該橫框設有可供該後座墊鎖固的鎖設耳；該連結架組設有勾體及減震件；該勾體可勾扣於該勾柱上，該減震件可插設於該上側管的插座上。
如請求項1或2所述之全地形車的結構，其中，該轉動扣桿具有轉桿及設於該轉桿上的一對具勾部的勾板；該勾板的該勾部可勾扣於該上側管的勾環上。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該車架單元於該後座墊組件朝車體後方更設有背墊。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該後座墊組件被安裝於該車架單元上後，由車體俯視觀視，該後座墊組件上的該扶手組的扶手部比該後座墊後緣更朝車體前方偏設。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該後座墊組件被安裝於該車架單元上後，由車體俯視觀視，該扶手組的扶手部比該後座墊沿車寬方向更朝車體外凸設。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，由車體俯視觀視，該後座墊可將該連結架組遮敝。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該後座墊組件具有背墊，該背墊下端二側設有鎖固部，該車架單元的後置物架上設置左右一對具有複數個鎖固孔的鎖固座，該鎖固部可鎖固於該鎖固座上。
如請求項1所述之全地形車的結構，其中，該套管具有彈性。
一種多頻天線裝置，包括：<br/> 一介質基體，具有一第一表面及一第二表面，其中該第一表面與該第二表面彼此相對；<br/> 一第一電極層，設置於該第一表面；<br/> 一第二電極層，設置於該第一表面，圍繞該第一電極層，且與該第一電極層間隔開；<br/> 一第三電極層，設置於該第二表面；以及<br/> 至少一導電元件，穿設該介質基體，且分別與該第一電極層及該第三電極層間隔開；<br/> 其中，該介質基體還具有至少一凹槽，該至少一凹槽自該第二表面凹陷，各該凹槽的深度小於該介質基體的厚度，以及該第三電極層裸露該至少一凹槽。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第二電極層於該第二表面上的垂直投影與該至少一凹槽局部重疊。
如請求項2所述之多頻天線裝置，其中該第一電極層於該第二表面上的垂直投影與該至少一凹槽局部重疊。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該至少一凹槽的總體積相關於該介質基體的等效介電常數。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該導電元件連接該第一表面與該第二表面。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該導電元件位在該第一電極層與該第二電極層之間。
如請求項6所述之多頻天線裝置，其中該至少一導電元件的數量為一個，該第一電極層的一外周邊具有彼此連接的一第一圓弧段及一第二圓弧段，該第二電極層的一內周邊具有彼此連接的一第三圓弧段及一第四圓弧段，該第一圓弧段沿著該第三圓弧段而配置，以及該導電元件位在該第二圓弧段與該第四圓弧段之間。
如請求項7所述之多頻天線裝置，其中該第二電極層的一外周邊為方形，以及該導電元件位在該第二電極層的形心與該第二電極層的一側邊之間。
如請求項8所述之多頻天線裝置，其中相對於該第二電極層的該形心，該導電元件鄰近該第二電極層的該側邊的中心點。
如請求項7所述之多頻天線裝置，其中該第一圓弧段的圓弧中心與該第三圓弧段的圓弧中心重合，以及該第二圓弧段的圓弧中心與該第四圓弧段的圓弧中心重合。
如請求項7所述之多頻天線裝置，其中該第一圓弧段與該第三圓弧段平行配置。
如請求項6所述之多頻天線裝置，其中該至少一導電元件的數量為複數個，該第一電極層的一外周邊沿著該第二電極層的一內周邊而配置，以及該些導電元件皆位在該外周邊與該內周邊之間。
如請求項12所述之多頻天線裝置，其中該外周邊與該內周邊平行配置。
如請求項12所述之多頻天線裝置，其中該外周邊與該內周邊均為圓形。
如請求項14所述之多頻天線裝置，其中該外周邊的圓心與該內周邊的圓心重合。
如請求項12所述之多頻天線裝置，其中該第二電極層的一外周邊為方形，以及該些導電元件分別位在該第二電極層的形心與該第二電極層的相鄰的複數側邊之間。
如請求項16所述之多頻天線裝置，其中相對於該第二電極層的形心，各該導電元件鄰近該第二電極層的對應的該側邊的中心點。
如請求項12所述之多頻天線裝置，其中該第二電極層的一外周邊為方形，以及該些導電元件分別位在該第二電極層的形心與該第二電極層的相鄰的複數頂角之間。
如請求項18所述之多頻天線裝置，其中相對於該第二電極層的形心，各該導電元件鄰近該第二電極層的對應的該頂角。
如請求項1所述之多頻天線裝置，更包含：<br/> 至少一第四電極層，分別對應該至少一導電元件，設置於該第一表面位於該第一電極層與該第二電極層之間，且分別與該第一電極層及該第二電極層間隔，其中各該導電元件耦接對應的該第四電極層。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該至少一凹槽的數量為複數，以及該些凹槽於該第二表面上的開口以穿過該第三電極層的形心且對切該第三電極層的直線對稱配置。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層包含至少一鏤空處，以及該至少一鏤空處與該至少一凹槽重疊。
如請求項22所述之多頻天線裝置，其中該至少一鏤空處的數量與該至少一凹槽的數量均為複數，該些鏤空處一對一對應於該些凹槽，以及各該鏤空處與對應的該凹槽的開口完全重合。
如請求項22所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含一第一電極部位與一第二電極部位，該第一電極部位的形狀為圓形、方形或圓角方形，該第一電極部位的形心重疊於該第二表面的形心，該第二電極部位的形狀為方形外框，該第二電極部位間隔配置於該第一電極部位的外周圍。
如請求項24所述之多頻天線裝置，其中該至少一凹槽的數量為複數，以及該些凹槽彼此間隔開且位在該第二電極部位與該第一電極部位之間。
如請求項25所述之多頻天線裝置，其中該些凹槽一對一對應於該第二電極部位的一內周邊的複數內頂角，以及各該凹槽位在該第一電極部位與對應的該內頂角之間。
如請求項26所述之多頻天線裝置，其中該至少一鏤空處的數量為單一個，該鏤空處環繞於該第一電極部位的該外周圍且位於該第一電極部位與該內周邊之間，以及該些凹槽的開口位於該鏤空處。
如請求項26所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含複數第三電極部位，該些第三電極部位分別對應該第二電極部位的該內周邊的複數內側邊，各該第三電極部位耦接在該第一電極部位與對應的該內側邊之間，該至少一鏤空處的數量為複數個，各該鏤空處位在該些第三電極部位中相鄰二者、該些內頂角中之一及該第一電極部位之間，以及該些鏤空處分別與該些凹槽的開口重合。
如請求項28所述之多頻天線裝置，其中各該導電元件貫穿且位於該些鏤空處中之一與該些凹槽中之一中。
如請求項28所述之多頻天線裝置，其中該複數第三電極部位中至少一者個別具有一貫孔，以及該至少一導電元件分別貫穿且位於該至少一第三電極部位的該貫孔中。
如請求項25所述之多頻天線裝置，其中該些凹槽彼此間隔開且環繞於該第一電極部位的該外周圍，該些凹槽一對一對應於該第二電極部位的一內周邊的複數內側邊，以及各該凹槽位在該第一電極部位與對應的該內側邊之間。
如請求項31所述之多頻天線裝置，其中該至少一鏤空處的數量為單一個，該鏤空處環繞於該第一電極部位的該外周圍且位於該第一電極部位與該內周邊之間，以及該些凹槽的開口位於該鏤空處。
如請求項31所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含複數第三電極部位，該些第三電極部位分別對應該第二電極部位的該內周邊的複數內頂角，各該第三電極部位耦接在該第一電極部位與對應的該內頂角之間，該至少一鏤空處的數量為複數個，各該鏤空處位在該些第三電極部位中相鄰二者、該些內側邊中之一及該第一電極部位之間，以及該些鏤空處分別與該些凹槽的開口重合。
如請求項33所述之多頻天線裝置，其中各該導電元件貫穿且位於該些鏤空處中之一與該些凹槽中之一中。
如請求項33所述之多頻天線裝置，其中該複數第三電極部位中至少一者個別具有一貫孔，以及該至少一導電元件分別貫穿且位於該至少一第三電極部位的該貫孔中。
如請求項25至35中的任一項所述之多頻天線裝置，其中該些凹槽的尺寸均相同。
如請求項24所述之多頻天線裝置，其中該至少一鏤空處的數量與該至少一凹槽的數量皆為單一個，該鏤空處與該凹槽環繞於該第一電極部位的該外周圍且位在該第一電極部位與該第二電極部位的一內周邊之間，以及該鏤空處與該凹槽的開口重合。
如請求項37所述之多頻天線裝置，其中該至少一導電元件貫穿該鏤空處與該凹槽且位於該鏤空處與該凹槽中。
如請求項22所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含一第一電極部位與一第二電極部位，該第一電極部位的形狀為圓形內框、方形內框或圓角方形內框，該第一電極部位的形心重疊於該第二表面的形心，該第二電極部位的形狀為方形外框，該第一電極部位位於該第二電極部位的一內周邊內，該第一電極部位的一外周邊與該第二電極部位的該內周邊間隔開，該至少一鏤空處包括一第一鏤空處以及至少一第二鏤空處，該至少一凹槽包括一第一凹槽以及至少一第二凹槽，該第一鏤空處與該第一凹槽的開口重合且位於該第一電極部位的一內周邊內，以及至少一第二鏤空處與該至少一第二凹槽位在該第二電極部位的該內周邊與該第一電極部位的該外周邊之間。
如請求項39所述之多頻天線裝置，其中該至少一第二凹槽的數量為複數，以及該些第二凹槽彼此間隔地位在該第二電極部位與該第一電極部位之間。
如請求項40所述之多頻天線裝置，其中該些第二凹槽一對一對應於該第二電極部位的該內周邊的複數內側邊，以及各該第二凹槽位於該第一電極部位的該外周邊與對應的該內側邊之間。
如請求項40所述之多頻天線裝置，其中該至少一第二鏤空處的數量為單一個，該第二鏤空處環繞該第一電極部位且位於該第一電極部位的該外周邊與該第二電極部位的該內周邊之間，以及該些第二凹槽的開口位於該第二鏤空處。
如請求項41所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含複數第三電極部位，該些第三電極部位分別對應該第二電極部位的該內周邊的複數內頂角，各該第三電極部位耦接在該第一電極部位的該外周邊與對應的該內頂角之間，該至少一第二鏤空處的數量為複數個，各該第二鏤空處位在該些第三電極部位中相鄰二者、該些內側邊中之一及該第一電極部位的該外周邊之間，以及該些第二鏤空處分別與該些第二凹槽的開口重合。
如請求項43所述之多頻天線裝置，其中各該導電元件貫穿且位於該些第二鏤空處中之一與該些第二凹槽中之一中。
如請求項43所述之多頻天線裝置，其中該複數第三電極部位中至少一者個別具有一貫孔，以及該至少一導電元件分別貫穿且位於該至少一第三電極部位的該貫孔中。
如請求項40所述之多頻天線裝置，其中該些第二凹槽一對一對應於該第二電極部位的該內周邊的複數內頂角，以及各該第二凹槽位在該第一電極部位的該外周邊與對應的該內頂角之間。
如請求項46所述之多頻天線裝置，其中該至少一第二鏤空處的數量為單一個，該第二鏤空處環繞該第一電極部位且位於該第一電極部位的該外周邊與該第二電極部位的該內周邊之間，以及該些凹槽的開口位於該第二鏤空處。
如請求項46所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層更包含複數第三電極部位，該些第三電極部位分別對應該第二電極部位的該內周邊的複數內側邊，各該第三電極部位耦接在該第一電極部位的該外周邊與對應的該內側邊之間，該至少一第二鏤空處的數量為複數個，各該第二鏤空處位在該些第三電極部位中相鄰二者、該些內頂角中之一及該第一電極部位的該外周邊之間，以及該些第二鏤空處分別與該些第二凹槽的開口重合。
如請求項48所述之多頻天線裝置，其中各該導電元件貫穿且位於該些第二鏤空處中之一與該些第二凹槽中之一中。
如請求項48所述之多頻天線裝置，其中該複數第三電極部位中至少一者個別具有一貫孔，以及該至少一導電元件分別貫穿且位於該至少一第三電極部位的該貫孔中。
如請求項40至50中的任一項所述之多頻天線裝置，其中該些一第二凹槽的尺寸均相同。
如請求項39所述之多頻天線裝置，其中該至少一第二鏤空處的數量與該至少一第二凹槽的數量皆為單一個，該第二鏤空處與該第二凹槽環繞於該第一電極部位的一外周圍且位在該第一電極部位與該第二電極部位的該內周邊之間，以及該第二鏤空處與該第二凹槽的開口重合。
如請求項52所述之多頻天線裝置，其中該至少一導電元件貫穿該第二鏤空處與該第二凹槽且位於該第二鏤空處與該第二凹槽中。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第三電極層的形狀為圓形，該第二表面的外周邊為方形，該第三電極層的圓心重疊於該第二表面的形心，該凹槽的數量為複數，以及該些凹槽環繞該第三電極層且彼此間隔地分別配置於該第三電極層與該第二表面的複數頂角之間。
如請求項54所述之多頻天線裝置，其中該些凹槽的尺寸均相同。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第二表面的形狀為以穿過該第二表面的形心且平行該第二表面的直線為一對稱軸的線對稱形狀，該至少一凹槽的數量為複數，以及該些凹槽於該第二表面上的開口以該對稱軸對稱配置。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該至少一凹槽包含一第一凹槽及複數第二凹槽，該第一凹槽的俯視形狀為圓形並重疊於該第二表面的形心位置，該些第二凹槽彼此間隔開且間隔地環繞配置於該第一凹槽的周圍。
如請求項57所述之多頻天線裝置，其中各該第二凹槽包含依序連接的一第一內壁、一第二內壁、一第三內壁及一第四內壁，該第一內壁為圓弧面，以及該第一內壁的圓弧中心與該第一凹槽的中心相同。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該至少一凹槽的俯視形狀為圓形，該至少一凹槽包含一第一凹槽、複數第二凹槽及複數第三凹槽，該第二凹槽的直徑大於該第一凹槽的直徑，該第一凹槽的直徑大於該第三凹槽的直徑。
如請求項59所述之多頻天線裝置，其中該第一凹槽的該俯視形狀的圓心重疊於該第二表面的形心，該些第二凹槽彼此間隔地環繞該第一凹槽且配置於該第一凹槽的周圍，以及該些第三凹槽鄰近該第二表面的頂角且配置於該些第二凹槽中相鄰的第二凹槽與該第二表面的外周邊之間。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該凹槽包含一第一凹槽及複數第二凹槽，該第一凹槽的俯視形狀為X形，該第一凹槽的該俯視形狀重疊於該第二表面的形心，該些第二凹槽環繞該第一凹槽且彼此間隔地配置於該第一凹槽的周圍。
如請求項61所述之多頻天線裝置，其中該些第二凹槽的俯視形狀為三角形。
如請求項61所述之多頻天線裝置，其中該第二表面的外周邊為方形，該第一凹槽的該俯視形狀為4個頂端分別指向該第二表面的該外周邊的4個頂角的該X形，該些第二凹槽一對一該第二表面的該外周邊的4個側邊，以及各該第二凹槽位在對應的該側邊與該第一凹槽中位於該X形中彼此相鄰且鄰近該第二凹槽的二分支的位置處的凹槽區段之間。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第二表面的外周邊為方形，該凹槽包含一第一凹槽、四第二凹槽及四第三凹槽，該第一凹槽的俯視形狀為方形，該第一凹槽的該俯視形狀重疊於該第二表面的形心，該些第二凹槽分別對應該第一凹槽的該俯視形狀的四個側邊且分別對應該第二表面的該外周邊的四個頂角，各該第二凹槽位在對應的該側邊與對應的該頂角之間，各該第三凹槽的俯視形狀為三角形，以及該些第三凹槽分別位於該第二表面的該外周邊的四個側邊與該些第二凹槽中彼此相鄰且鄰近該第三凹槽的二者之間。
如請求項64所述之多頻天線裝置，其中該些第二凹槽的俯視形狀的尺寸均相同，以及該些第三凹槽的該俯視形狀的尺寸均相同。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該介質基體的該第二表面包含一上第二表面、一下第二表面及一斜面，該上第二表面、該下第二表面分別平行於該第一表面，且該上第二表面相較於該下第二表面接近該第一表面，該斜面傾斜連接於該上第二表面與該下第二表面之間。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該介質基體的該第一表面具有一外周邊，該第二電極層具有一外周邊，該導電元件位在該第二電極層的該外周邊與該介質基體的第一表面的該外周邊之間。
如請求項1所述之多頻天線裝置，其中該第二電極層具有一內周邊及一外周邊，該導電元件位在該第二電極層的該內周邊以及該第二電極層的該外周邊之間。
一種一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，包含： <br/>一盒體，其內部填裝有至少一馬桶坐墊紙，該盒體界定有一前板與一後板，該前板設置有一抽取孔，該後板設置有至少三個定位孔；以及 <br/>一壁掛件，包含一貼合板、至少三個定位柱與一表面固定部，該貼合板的面積係小於該後板的面積，該等定位柱係設置於該貼合板的正面，該等定位柱係插入該等定位孔，使得該盒體結合於該壁掛件，該表面固定部係設置於該貼合板的反面； <br/>其中，該表面固定部係用於固定於一表面，使得該盒體透過該壁掛件而懸掛於該表面。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該盒體還界定有一左板、一右板、一上板與一下板，該左板與該右板為上窄下寬的梯形板狀，該前板、該後板、該上板與該下板為長方形板狀，使得該盒體呈上窄下寬的梯形體。
如請求項2之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該盒體係以一厚紙板一體成型而製成，該厚紙板具有複數個摺線，透過該等摺線分隔出該前板、該後板、該左板、該右板、該上板與該下板，該等摺線用於將該前板、該後板、該左板、該右板、該上板與該下板摺合並固定成立體盒狀。
如請求項2之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該盒體的左、右兩側具有兩開放孔。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該抽取孔係為長條狀孔，且呈橫向設置。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中每一個該定位孔包含有一插入部與一定位部，該定位部係位於該插入部上方，且該插入部的橫向間距大於該定位部的橫向間距；每一個該定位柱包含有一插入端與一定位端，該定位端係連接於該插入端與該貼合板之間，且該插入端的橫向間距大於該定位端的橫向間距；其中，該等插入端用於插入該等插入部，該等定位端用於滑入該等定位部，使得該盒體結合於該壁掛件。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該等定位孔的數量係設有三個，其係採三角形排列；該等定位柱的數量與排列方式與該等定位孔吻合。
如請求項7之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該貼合板的輪廓係呈三角形，其係對應於該等定位柱所排列的形狀而設，而該貼合板的邊緣係貼合或貼近於該等定位柱。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該表面固定部係為無痕膠，係用於黏貼於該表面。
如請求項1之一次性使用的馬桶坐墊紙盒組，其中該表面固定部係為吸盤，係用於吸附於該表面。
一種車用靠枕結構改良，其包括有：<br/> 一彈性模組，其由複數彈性件平面排列組合而成；<br/> 至少一包覆層，其在內部形成一容置空間以容置該彈性模組；及<br/> 一枕套，其包覆在該包覆層之外側。
如請求項1所述之車用靠枕結構改良，其中各該彈性件分別為一獨立筒壓縮彈簧。
如請求項1所述之車用靠枕結構改良，其中該包覆層為聚酯纖維、棉花、乳膠或是泡棉所製成的片狀物。
如請求項1所述之車用靠枕結構改良，其中該包覆層由複數片狀物組成，共同包覆該彈性模組。
如請求項1所述之車用靠枕結構改良，其中該枕套結合一綁帶。
如請求項5所述之車用靠枕結構改良，其中該綁帶為彈力帶。
如請求項5所述之車用靠枕結構改良，其中該綁帶包括一結合扣具。
一種護頸枕，其包括有：<br/> 一頭枕，其對應使用者之後頭部；<br/> 一頸枕，其對應使用者之頸部；及<br/> 一枕套，其包含一頭枕套及一頸枕套，該頭枕套容置該頭枕，該頸枕套容置該頸枕，該頭枕套與該頸枕套相鄰之一邊可旋轉地結合。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頭枕與該頸枕分別為泡棉、彈簧或纖維製成的支撐物。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頭枕中央有一凹陷區。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頸枕由側面視之呈一山形。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頸枕之中央低於左右兩側。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頸枕高於該頭枕。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頭枕套與該頸枕套相鄰之一邊之底端可旋轉地結合。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頭枕可拆地容置於該頭枕套。
如請求項1所述之護頸枕，其中該頸枕可拆地容置於該頸枕套。
一種全方位功能枕，其有一本體，該全方位功能枕之特徵在於，該本體有一對應使用者之後頭部的頭枕部及兩分別位於頭枕部相對兩側的側睡部，各該側睡部分別有一耳朵槽。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該頭枕部低於各該側睡部。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該頭枕部中央有一凹陷區。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該頭枕部有波浪狀起伏。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中各該耳朵槽之延伸方向為橫向。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中各該耳朵槽分別有波浪狀起伏。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該頭枕部之底邊凸設一對應使用者之頸部的頸枕部。
如請求項7所述之全方位功能枕，其中該頸枕部有波浪狀起伏。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該本體容置於一枕套中。
如請求項1所述之全方位功能枕，其中該本體為泡棉或乳膠材質。
一種二向同步彈性伸縮捲簾裝置，包括：一彈力捲收裝置；一第一捲簾及一第二捲簾，該彈力捲收裝置周面上固定該第一、二捲簾的一端；以及一外固定筒，該外固定筒設於該彈力捲收裝置外周，該第一、二捲簾的另端穿出該外固定筒的一或二出口後得固定一桿體，該第一、二捲簾上設有一缺口，該缺口得供手拉或勾掛至一勾體進行固定；該第一、二捲簾拉出同時得帶動旋轉該彈力捲收裝置造成蓄壓；放開該第一、二捲簾，二彈性元件得釋壓以快速回收該第一、二捲簾直到完全收攏，二向的該第一、二捲簾可二方向分開使用者。
如請求項1所述之二向同步彈性伸縮捲簾裝置，其中該彈力捲收裝置包括一中心桿體，該中心桿體中心設一旋轉環塊，該中心桿體於該旋轉環塊的二側分別設一左旋螺紋、一右旋螺紋；二該彈性元件分別套設於該左、右旋螺紋處；二旋轉螺帽分別螺鎖於該左、右旋螺紋，且抵住於二該彈性元件的自由端；二以上的驅動桿分別穿貫該旋轉環塊、二該旋轉螺帽、一左旋轉蓋及一右旋轉蓋；一內轉筒，該旋轉環塊、二該旋轉螺帽及該左、右旋轉蓋外周固定該內轉筒；該內轉筒周面上固定該第一、二捲簾的一端者。
如請求項2所述之二向同步彈性伸縮捲簾裝置，其中二以上的該驅動桿得以為三個該驅動桿等分設置。
如請求項3所述之二向同步彈性伸縮捲簾裝置，其中該旋轉環塊、二該旋轉螺帽及該左、右旋轉蓋得為軸承。
一種晶片承盤檔止結構，包括：<br/> 一基座，具有相對的一上側面及一下側面，該基座界定有一晶片容置空間，用以承載一晶片；以及<br/> 至少二檔止結構，設置於該上側面並鄰近該晶片容置空間的邊緣；各該檔止結構包括一檔牆本體以及至少二補強塊；其中，該檔牆本體係自該基座的該上側面向上延伸，並形成該晶片容置空間的至少一側邊界；各該補強塊連接於該檔牆本體的一外表面上，且該補強塊係凸出於該檔牆本體的該外表面，用以增加該檔牆本體的截面慣性矩；<br/> 其中，各該補強塊具有一封閉式框型輪廓，以界定該補強塊的一中空區域，該補強塊包含至少一連接肋條連接該補強塊的該封閉式框型輪廓的內部的相對二內壁，使該連接肋條設置於該中空區域的範圍內；<br/> 藉此，透過該補強塊強化該檔牆本體的結構剛性，以防止該晶片於承載或運送過程中因該檔牆本體變形而受損。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該檔牆本體面向該晶片容置空間的一內表面係保持平整面或形成一導引斜面。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該補強塊的該封閉式框型輪廓係呈矩形結構。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該補強塊呈現日字型結構或多格框結構。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該檔牆本體具有一長度方向與一高度方向，該連接肋條係沿該高度方向延伸並垂直於該長度方向，用以分散施加於該檔牆本體的側向應力。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該基座、該檔牆本體與該補強塊係為一體成型的結構。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該晶片承盤係配置以與另一晶片承盤進行上下堆疊，該下側面設有對應於該檔止結構的一凹槽部或一支撐部，使得當多個晶片承盤堆疊時，一位於上層的晶片承盤的該下側面係支撐於一位於下層的晶片承盤的該檔止結構上。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該檔牆本體面向該晶片容置空間的一內側頂緣設有一倒角或一緩衝部，該倒角或該緩衝部係用以引導該晶片滑入該晶片容置空間，並避免該晶片的錫球與該檔牆本體直接碰撞。
如請求項1所述之晶片承盤檔止結構，其中，該晶片承盤係包括四檔止結構，該四檔止結構分別設置於該晶片容置空間的四側，該些檔止結構的該補強塊之間係呈非連續式排列，使得位於同一側邊的相鄰二該補強塊之間具有一第一間隔空間，且位於相鄰二側邊的二該補強塊之間具有一第二間隔空間。
一種晶片承盤端角限位結構，包括：<br/> 一基座，具有相對的一上側面及一下側面，該下側面界定有一晶片容置空間用以承載一具有多個角部的晶片；以及<br/> 多個端角限位結構，分別設置於該晶片容置空間的一角落部位；各該端角限位結構包括一第一擋止部及一第二擋止部，該第一擋止部沿該晶片容置空間的該角落部位的一第一側邊延伸，該第二擋止部沿該晶片容置空間的該角落部位的一第二側邊延伸，該第一側邊與該第二側邊實質上互相交錯；其中，該第一擋止部與該第二擋止部在該角落部位係彼此不連接，而在該第一擋止部的一末端與該第二擋止部的一末端之間形成一角隅缺口；<br/> 藉此，當該晶片置入該晶片容置空間時，該晶片的各該角部係對應位於各該角隅缺口，以避免該晶片的該角部與該端角限位結構產生直接剛性碰撞。
如請求項1所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該第一擋止部與該第二擋止部係呈現不對稱的結構配置，該第一擋止部沿該第一側邊延伸的長度大於該第二擋止部沿該第二側邊延伸的長度，且該第一擋止部的體積大於該第二擋止部的體積。
如請求項2所述之晶片承盤端角限位結構，其中，<br/> 體積較大的該第一擋止部係包含一封閉式框型輪廓，該封閉式框型輪廓界定出一中空區域；<br/> 該第一擋止部的該封閉式框型輪廓係呈口型結構，或者，<br/> 該第一擋止部更包含至少一連接肋條，該連接肋條的二端連接該封閉式框型輪廓內部的相對二內壁，以設置於該中空區域內，使該第一擋止部呈現日字型結構或多格框結構。
如請求項2所述的晶片承盤端角限位結構，其中，體積較小的該第二擋止部係為一實心塊體，用以輔助限制該晶片的側向位移。
如請求項1所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該角隅缺口的尺寸係配置為：當該晶片因運送震動而向該角落部位位移時，該晶片的該角部係伸入該角隅缺口中並處於懸空狀態，而不與該第一擋止部及該第二擋止部接觸。
如請求項1所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該晶片承盤更包含複數個側邊檔塊，該些側邊檔塊係設置於該第一側邊或該第二側邊的中段位置，且位於相鄰的兩個該端角限位結構之間，用以支撐該晶片的側邊直線區域。
如請求項6所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該側邊檔塊的幾何構型係實質上相同於該第一擋止部，且該側邊檔塊包含一封閉式框型輪廓，該封閉式框型輪廓中係不配置或配置至少一連接肋條；且該些側邊檔塊係呈非連續式排列，並藉由一間隔距離設置於該第一擋止部與該第二擋止部之間，以在該晶片容置空間的側邊形成應力緩衝區。
如請求項1所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該第一擋止部與該第二擋止部面向該晶片容置空間的側面係分別設有一導引斜面，該導引斜面用以在自動化置件作業中引導該晶片滑入該晶片容置空間。
如請求項1所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該基座與該端角限位結構係為一體成型的結構。
如請求項6所述之晶片承盤端角限位結構，其中，該晶片承盤係配置以與另一晶片承盤進行上下堆疊，該上側面對應該晶片容置空間的各側邊分別設有一檔止結構，各該檔止結構具有對應該第一擋止部、第二擋止部及該側邊檔塊之間間隔空間的多個補強塊，使得當多個晶片承盤堆疊時，一位於下層的晶片承盤的該上側面係支撐於一位於上層的晶片承盤的該端角限位結構及該側邊檔塊上。
一種可調整角度之祭祀用品，其包含有：<br/> 一容置件，其具有一底面及一周壁，該周壁沿該底面邊緣設置，該周壁與該底面圈圍出一內部區域；<br/> 一支撐件，其容置於該容置件的該內部區域，該支撐件具有複數祭祀紙張，該些祭祀紙張堆疊組成支撐結構，且該些祭祀紙張組成的支撐結構具有一可形變之插接縫；以及<br/> 一展示件，其具有一展示部及一固定部，該展示部以複數花瓣組成為一花朵形狀，該固定部設置於該展示部之一側，該固定部呈一棒狀，該固定部插設於該支撐件之該插接縫，該固定部能在該插接縫調整該展示件相對於該支撐件之傾斜角度。
如請求項1所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該支撐件之重量大於該展示件之重量，且該支撐件之重量與該展示件之重量比值介於1.5至2.0之間。
如請求項2所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該固定部之重量與該展示件之重量比值介於0.1至0.2之間。
如請求項3所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該容置件沿一縱向方向之長度為一第一長度，該支撐件沿該縱向方向之長度為一第二長度，該展示件的該固定部沿其軸向方向具有一第三長度，該第一長度與該第二長度之比值介於1.25至2.0之間，且該第三長度與該第二長度之比值介於1.2至1.5之間。
如請求項4所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該固定部能在該插接縫調整之擺幅角度介於10度至20度之間。
如請求項2至5中任一項所述之可調整角度之祭祀用品，其中，更包括一第一裝飾件，該第一裝飾件包覆於該容置件與該展示件外圍，使該展示件的該展示部花朵形狀露出於該第一裝飾件。
如請求項6所述之可調整角度之祭祀用品，其中，更包括一第二裝飾件，該第二裝飾件固定於該第一裝飾件，該第二裝飾件使該第一裝飾件裡面的該展示件，能穩固地設置於該支撐件。
如請求項2至5中任一項所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該些祭祀紙張堆疊組成之支撐結構為兩疊紙材單元，各該紙材單元相互並列設置，各該紙材單元之間形成該插接縫。
如請求項2至5中任一項所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該容置件之形狀為矩形狀。
如請求項2至5中任一項所述之可調整角度之祭祀用品，其中，該支撐件之形狀為矩形狀。
一種燃燒器，其包括：<br/> 一內環爐頭，所述內環爐頭中設有一中心流道；<br/> 一外環爐頭，所述外環爐頭設置於所述內環爐頭的外側，所述外環爐頭包含一內環部及一外環部，所述外環部位於所述內環部的外圍，所述內環部及所述外環部之間形成一環形流道；<br/> 一內環齒蓋，所述內環齒蓋設置於所述內環爐頭上，所述內環齒蓋上間隔的設有多個內環焰孔，所述多個內環焰孔為外焰型式，所述多個內環焰孔與所述中心流道相連通；以及<br/> 一外環齒蓋，所述外環齒蓋設置於所述外環爐頭上，所述外環齒蓋上間隔的設有多個外環焰孔，所述多個外環焰孔為外焰型式，所述多個外環焰孔與所述環形流道相連通，所述外環齒蓋的頂側形成一斜面，所述斜面呈環狀，所述斜面朝向所述外環齒蓋的中心遞降高度，所述外環齒蓋的內緣突出一凸簷，所述凸簷呈環狀，所述凸簷銜接於所述斜面。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述多個內環焰孔具有傾斜角度，所述多個內環焰孔形成朝外上仰的傾斜角度，所述多個外環焰孔具有傾斜角度，所述多個外環焰孔形成朝外上仰的傾斜角度。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述外環齒蓋包含一內側壁及一外側壁，所述外側壁位於所述內側壁的外圍，所述內側壁及所述外側壁間隔的設置，所述多個外環焰孔設置於所述外側壁，所述凸簷設置於所述內側壁上，所述內側壁及所述外側壁的下端靠置於所述外環爐頭，且所述內側壁套設於所述內環部外。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述外環齒蓋的所述斜面與一水平面的夾角為10∘至20∘。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述凸簷突出所述外環齒蓋的內緣的長度為2.5mm至5mm。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述凸簷的下端與所述內環焰孔的上端的高度差為5mm至10mm。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述內環齒蓋的下端具有一第一錐部，所述第一錐部由上往下漸縮，所述內環爐頭具有一第二錐部，所述第二錐部與所述第一錐部對應設置，所述第一錐部及所述第二錐部相互抵觸。
如請求項7所述的燃燒器，其中，所述外環齒蓋的下端具有一第三錐部，所述第三錐部由上往下漸縮，所述外環爐頭具有一第四錐部，所述第四錐部與所述第三錐部對應設置，所述第三錐部及所述第四錐部相互抵觸。
如請求項1所述的燃燒器，其中，所述凸簷具有一底面，所述底面位於所述凸簷的底側，所述底面朝向所述外環齒蓋的中心遞升高度。
一種水龍頭底座固定結構，包含： <br/>一底座(10)，其中心設有一貫穿的穿孔(11)，該穿孔(11)內壁向中心延伸有一凸座(12)，該凸座(12)上設有一沿軸向貫穿的安裝孔(121)； <br/>一螺栓(30)，具有一螺桿(31)及一螺頭(32)，該螺桿(31)穿設於該安裝孔(121)並延伸出該底座(10)下方，該螺頭(32)抵接於該凸座(12)頂面，以限制該螺栓(30)的軸向位移； <br/>一限位桿(40)，其上端固定於該底座(10)；以及 <br/>一抵緊件(50)，設有一螺孔(511)及一限位孔(512)，該螺孔(511)與該螺桿(31)螺合，該限位孔(512)供該限位桿(40)穿設； <br/>藉此，該限位桿(40)於該限位孔(512)內限制該抵緊件(50)旋轉，使該抵緊件(50)隨該螺栓(30)之旋轉而沿該螺桿(31)軸向移動。
如請求項1所述之水龍頭底座固定結構，其中該底座(10)於該凸座(12)旁側設有一固定孔(122)，該限位桿(40)之該上端設有一固定端(41)，該固定端(41)係固定於該固定孔(122)中。
如請求項2所述之水龍頭底座固定結構，其中該固定孔(122)為內螺孔，該限位桿(40)之該固定端(41)設有對應之外螺紋，使該限位桿(40)鎖設固定於該底座(10)。
如請求項1所述之水龍頭底座固定結構，其另包含有一彈性墊片(20)，該底座(10)之下端設有一環凸緣(13)，該環凸緣(13)之底面設有一承置槽(14)，該彈性墊片(20)容置於該承置槽(14)中。
如請求項1所述之水龍頭底座固定結構，其中該抵緊件(50)為一彎弧形之金屬片體，該抵緊件(50)之內側緣設有一與該凸座(12)形狀對應之凸部(51)，該螺孔(511)與該限位孔(512)係設於該凸部(51)上。
如請求項1所述之水龍頭底座固定結構，其中該限位孔(512)之孔徑大於該限位桿(40)之桿徑，使該抵緊件(50)得順著該限位桿(40)進行軸向滑動位移。
如請求項1所述之水龍頭底座固定結構，其中該限位孔(512)係呈長圓形，且該限位桿(40)係與該螺桿(31)保持平行。
如請求項5所述之水龍頭底座固定結構，其中該抵緊件(50)係呈小於半圓之圓弧形，用以供該底座(10)安裝於一厚度較厚之檯面(70)。
如請求項5所述之水龍頭底座固定結構，其中該抵緊件(50)係呈大於半圓之圓弧形，用以供該底座(10)安裝於一厚度較薄之檯面(70)。
一種多節手杖桿，包含：<br/> 一握把單元；<br/> 一管件單元，包括一上管、一中管，及一下管，該上管能移動地穿設於該握把單元；<br/> 一鎖固單元，設置於該上管與該握把單元之間；<br/> 至少一銜接單元，包括一能移動地穿設於該下管的上端的插桿；<br/> 一彈性件，設置於該下管並包括一固接於該下管的固定端部、一能相對該固定端部移動的自由端部，及一連接於該固定端部與該自由端部之間的彈性部；及<br/> 一連動繩，穿過該上管、中管與該插桿並包括一固接於該握把單元的第一限位部、一連接於該第一限位部且固接於該插桿的繩體部，及一連接於該繩體部且能帶動該自由端部移動的第二限位部，當該上管相對該握把單元位於一鎖定位置時，該鎖固單元限制該上管朝該握把單元內退縮，該上管抵靠該中管，該中管抵靠該下管，該插桿伸入該中管的下端並位於該中管與該下管之間，該自由端部相對該固定端部位於一蓄力位置，使該彈性部變形而產生一繃緊該連動繩並使該下管迫緊該中管的彈性勢能，當該上管自該鎖定位置變換至一解鎖位置時，該上管朝該握把單元內退縮，該自由端部受該彈性勢能帶動並經由該連動繩帶動該插桿脫離該中管。
如請求項1所述的多節手杖桿，其中，該至少一銜接單元還包括一穿過該插桿與該連動繩的 插銷。
如請求項1所述的多節手杖桿，其中，該自由端部位於該固定端部的下方，該彈性部為壓縮彈簧。
如請求項3所述的多節手杖桿，其中，該固定端部為一緊配合地固定該下管的拉伸彈簧。
如請求項1所述的多節手杖桿，包含二銜接單元，另外一該插桿能移動地穿設於該中管的上端，並固接於該連動繩的該繩體部，當該上管位於該鎖定位置時，該另外一該插桿伸入該上管的下端並位於該上管與該中管之間，當該上管自該鎖定位置變換至該解鎖位置時，該自由端部還經由該連動繩帶動該另外一插桿脫離該上管。
如請求項1所述的多節手杖桿，其中，該鎖固單元包括一設置於該上管內的彈性體，及一連接於該彈性體且沿徑向凸出該上管的彈扣，當該上管位於該鎖定位置時，該上管受該彈性件的彈力帶動該彈扣朝上抵靠該握把單元，該彈扣能被按壓而使該上管朝該握把單元內退縮至該解鎖位置。
一種旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，包括有箱內固定座和綁帶，所述旅行箱箱壁外側對應所述箱內固定座的位置設置有外置功能件，所述外置功能件與所述箱內固定座內外嵌套固定於所述箱壁上；所述綁帶的端部可拆卸地固定於箱內固定座上。
如請求項1所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述外置功能件為掛鉤，所述掛鉤與所述箱內固定座內外嵌套固定於所述箱壁上。
如請求項1所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述外置功能件為外置摺疊杯架或行李牌用掛扣，所述外置摺疊杯架或行李牌用掛扣在其內側設有與箱內固定座嵌套固定的嵌套體。
如請求項2所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述掛鉤包括有內嵌體，以及設置於內嵌體外側的掛鉤部；所述箱內固定座在朝向旅行箱箱壁的一側設有嵌套腔，所述內嵌體穿過旅行箱箱壁嵌套固定於嵌套腔中。
如請求項4所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，在所述內嵌體上設有螺紋深孔，在所述嵌套腔的腔壁上設有螺紋通孔，所述嵌套腔和內嵌體之間通過螺絲由內至外穿過螺紋通孔後鎖入至螺紋深孔中連接固定。
如請求項4所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述箱內固定座包括有內壁貼合板，所述內壁貼合板貼合至旅行箱內側箱壁，所述嵌套腔自內壁貼合板向旅行箱內部方向凸起形成；所述內嵌體與掛鉤部之間一體形成有貼合於旅行箱外側箱壁的外壁貼合板。
如請求項4所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述內嵌體和嵌套腔之間設有防呆結構，所述防呆結構包括有設置於嵌套腔中的斜向內筋，以及設置於內嵌體上的缺口，所述內嵌體穿過旅行箱箱壁配合嵌套至嵌套腔時所述斜向內筋配合至缺口內。
如請求項4所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述內嵌體通過螺紋連接方式旋入固定於嵌套腔中。
如請求項5所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述綁帶的端部通過螺絲鎖入至螺紋通孔固定連接，該螺絲穿過螺紋通孔後鎖入至螺紋深孔中連接固定。
如請求項6所述的旅行箱箱內綁帶固定結構，其特徵在於，所述旅行箱箱壁在裝設箱內固定座和掛鉤的位置向內凹陷形成向內的環形凸緣，所述環形凸緣在外側形成外環形台階；所述掛鉤嵌套安裝於旅行箱箱壁時所述外壁貼合板配合至外環形台階內；所述內壁貼合板在其貼向旅行箱箱壁的一側設有形成有內環形台階，所述箱內固定座嵌套安裝於旅行箱箱壁時所述環形凸緣配合至內環形台階內。
一種可降解藥劑貼片噴塗機，包含：<br/> 一底架；<br/> 一轉盤組，設置於該底架上，該轉盤組包含一轉盤及一旋轉分度盤，該轉盤設置於該旋轉分度盤上方並與該旋轉分度盤連接，該轉盤用以承載至少一基材；<br/> 一立架組，設置於該底架上；<br/> 一滑台組，連接於該立架組，並可沿一垂直方向進行位移；<br/> 一噴槍組，搭載於該滑台組上，並位於該轉盤組之上方，該噴槍組包含一噴槍及一噴頭，該噴頭連接於該噴槍；<br/> 一偵測裝置，設置於該噴槍組或該滑台組上，用以偵測該噴槍組與該基材之間的相對位置；以及<br/> 一控制器組，電性連接該轉盤組、該滑台組、該噴槍組及該偵測裝置，用以控制該轉盤組之旋轉定位、該滑台組之垂直位移及該噴槍組之噴塗作業，其中<br/> 當該轉盤組轉動時，該控制器組根據該偵測裝置之偵測結果，控制該滑台組調整該噴槍組之高度，以避免該噴槍組與該基材發生碰撞。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該轉盤組更包含一驅動裝置，該驅動裝置連接於該旋轉分度盤，用以驅動該旋轉分度盤進行旋轉。
如請求項2所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該驅動裝置包含一步進馬達及一減速機，該步進馬達透過該減速機連接至該旋轉分度盤。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該轉盤組更包含複數個轉盤定位柱，該等轉盤定位柱設置於該轉盤之上表面，用以定位該基材。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該滑台組係由一伺服馬達所驅動，該伺服馬達用以驅動該滑台組沿該垂直方向進行位移，以調整該噴槍組之高度。
如請求項5所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該伺服馬達係為一絕對座標型伺服馬達。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該偵測裝置為雷射位移感測器、光學距離感測器或超音波距離感測器。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，更包含一藥液瓶組及一供氣源，該藥液瓶組及該供氣源分別透過管線與該噴槍組連接，該藥液瓶組用以儲存藥液並將藥液輸送至該噴槍組，該供氣源用以提供壓縮空氣至該噴槍組。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，更包含一可撓性槽軌組，該可撓性槽軌組設置於該立架組與該滑台組之間，用以收納並保護連接於該滑台組及該噴槍組之管線及電氣線。
如請求項1所述之可降解藥劑貼片噴塗機，其中該控制器組更包含一人機介面，該人機介面用以設定噴塗參數及監控設備狀態，該控制器組可控制該轉盤組進行正轉、反轉及原點復歸。
一種主動式減壓氣管內管固定器，其係包含有：<br/> 一滑軌模組，其兩端分別設有一棘齒導軌單元，而各該棘齒導軌單元之間連接有一固定裝置，而該固定裝置係包含有一連接件與一限位導軌單元，而該限位導軌單元係凸設於該連接件；<br/> 二可塑型調整單元，係各包含有一限位環、一卡止件與複數網格，其中，該等卡止件係分別組設於對應之一該棘齒導軌單元，而該等網格係設於該等限位環與該等卡止件之間；<br/> 至少一連接模組，係分別組設於該限位導軌單元上，且沿該限位導軌單元之軸向移動； <br/> 二減壓單元，係分別組設於對應之該等可塑型調整單元之一側面，且該等減壓單元彼此相對；以及<br/> 一充氣控制單元，係分別連接該等減壓單元，用以提供控制該等減壓單元之氣壓數值；<br/> 其中，每一該減壓單元係組設於該限位環與該卡止件之該側面，且該充氣控制單元控制該等減壓單元貼覆於人臉兩側之臉頰。
如請求項1所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，每一該連接模組係分別設有一限位滑槽、二卡扣單元與一組接單元，而該連接模組其一端係設置該限位滑槽使其可組設限位於該限位導軌單元上，其相對之另一端係設有一該組接單元，且該等卡扣單元係各具有一卡扣件與相連接之一壓合件，其中，該等卡扣件係鄰接該限位滑槽，該等壓合件係鄰接該等組接單元。
如請求項2所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，一呼吸器限位單元之一端係組設於一該連接模組之該組接單元。
如請求項2所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，一鼻胃管限位單元之一端係組設於一該連接模組之該組接單元。
如請求項2所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，該限位導軌單元沿其軸向並間隔凹設有複數卡止凹槽，該等卡止凹槽係卡止限位該連接模組之該等卡扣單元所對應之該等卡扣件。
如請求項1所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，該充氣控制單元係設有一氣泵與電性連接之一控制器，而該等減壓單元並各設有一單向閥體，其中，該控制器控制該氣泵提供該等減壓單元所需氣壓數值，而該單向閥體係用以輔助調整該等減壓單元之氣壓數值。
如請求項1所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，該等可塑型調整單元係自該等卡止件端沿其軸向朝該等限位環端漸擴。
如請求項1所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，一固定帶體之兩端係分別組設於該等限位環。
如請求項6所述之主動式減壓氣管內管固定器，進一步地，該等減壓單元係各設有與該控制器電性連接之一壓力感測單元，該等壓力感測單元用以感測與回傳該等減壓單元之氣壓數值給該控制器。
一種充氣噴嘴，其係能用以設置於一充氣裝置之充氣口，該充氣噴嘴係為可撓性材質，且所述充氣噴嘴包含： <br/>一氣密部，其外圍形成外徑由下而上尺寸漸縮的傾斜面，且所述氣密部於所述傾斜面上凸伸形成複數環狀凸紋；以及 <br/>一組配部，其係形成於該氣密部的底部，並能組設於該充氣裝置之充氣口，且該氣密部與該組配部中央貫通形成一通氣口。
如請求項1所述之充氣噴嘴，其中該氣密部的頂部形成一頂部平面。
如請求項2所述之充氣噴嘴，其中該氣密部的頂部平面上形成複數環型凹槽。
如請求項1至3中任一項所述之充氣噴嘴，其中該組配部包含一延伸段及一配合凸緣，該延伸段係自該氣密部向下延伸，而該配合凸緣係形成於該延伸段的底部並向外延伸，所述配合凸緣的外側面與所述延伸段的頂面圍繞形成一配合槽。
一種鋼帶拉帶系統，包含：夾持棒，具有C字型剖面，所述夾持棒具有上表面、下表面及開口槽，所述開口槽朝所述夾持棒的長度方向延伸，並且設置在所述上表面與所述下表面之間，所述開口槽係用以讓鋼帶的頭端插入，所述上表面上開設有複數上螺栓孔，所述下表面上開設有複數下螺栓孔；複數螺栓，分別鎖入所述複數上螺栓孔與所述複數下螺栓孔，並且抵壓在所述鋼帶上，以將所述鋼帶夾持住；以及鋼索，具有呈環形的兩端，所述兩端分別套在所述夾持棒的兩端，藉此拉動所述夾持棒。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，其中，所述夾持棒的所述兩端各設有半圓槽，用以容納所述鋼索的所述兩端。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，其中，所述開口槽的邊緣係設置成具有外寬內窄的漏斗狀。
如請求項2所述之鋼帶拉帶系統，更包含：兩防脫小鐵片，分別鎖在所述兩半圓槽外，以圈住所述鋼索的所述兩端。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，更包含：複數壓花板，設置在所述開口槽內，其中所述複數螺栓係抵壓在所述複數壓花板，迫使所述複數壓花板的壓花面緊壓在所述鋼帶上。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，其中，所述鋼帶的所述頭端的兩側形成有導角。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，其中，所述夾持棒的寬度為30mm、厚度為30mm。
如請求項1所述之鋼帶拉帶系統，其中，所述開口槽的寬度為1~10mm。
一種銷售點系統，包含： <br/>一顯示裝置，包含一顯示面及一背面，該背面與該顯示面相對，該背面形成有一容置槽，該顯示裝置具有一第一電性連接結構，設置於該容置槽內，且該第一電性連接結構具有一第一輸入/輸出介面；以及 <br/>一崁入式電腦，包含相對的一接合面及一散熱面，該接合面形成有凹入的一收容空間，該崁入式電腦具有一第二輸入/輸出介面，該崁入式電腦的該接合面朝向該顯示裝置而放置於該容置槽的一部分區域內並覆蓋該第一電性連接結構，其中，該收容空間用以容納該第一電性連接結構，該第二輸入/輸出介面並與該第一輸入/輸出介面對接且電性連接。
如請求項1所述的銷售點系統，其中，該第一輸入/輸出介面為一USB Type C母端插座，該第二輸入/輸出介面為一USB Type C公端插接件。
如請求項1所述的銷售點系統，其中，該容置槽呈矩形，具有上下相對的一第一側壁及一第二側壁、以及左右相對的一第三側壁及一第四側壁，該第一側壁及該第二側壁沿一第一方向延伸，該第三側壁及該第四側壁沿一第二方向延伸，該容置槽劃分為一上容置區及一下容置區，該上容置區鄰接該第一側壁，該下容置區鄰接該第二側壁，該第二側壁形成有一出線孔與該下容置區連通，該崁入式電腦以及該第一電性連接結構設置於該上容置區的一部分區域。
如請求項3所述的銷售點系統，更包含一第二電性連接結構，該第二電性連接結構呈矩形輪廓且設置於該上容置區的另一部分區域，該第二電性連接結構的一外露面與該崁入式電腦的該散熱面平齊，其中，該第二電性連接結構具有至少一第三輸入/輸出介面，該至少一第三輸入/輸出介面面向該第二側壁。
如請求項4所述的銷售點系統，其中，該第一電性連接結構呈矩形輪廓，該第一電性連接結構及該第二電性連接結構鄰接且並列設置於該上容置區，其中，該第一電性連接結構之沿該第二方向的長度小於該第二電性連接結構之沿該第二方向的長度，因此並列之該第一電性連接結構及該第二電性連接結構建構一缺口空間，該第一電性連接結構的該第一輸入/輸出介面面向該缺口空間。
如請求項5所述的銷售點系統，其中，該崁入式電腦之該接合面具有一沿該第二方向延伸的側緣，該收容空間沿著該側緣形成而呈矩形缺口狀，呈矩形缺口狀的該收容空間的輪廓對應該第一電性連接結構的輪廓，該收容空間未形成於整個該側緣而仍保留一卡置部，該卡置部上形成有該第二輸入/輸出介面面向該收容空間。
如請求項6所述的銷售點系統，其中，該卡置部的形狀對應該缺口空間，且該卡置部設置於該缺口空間。
如請求項3所述的銷售點系統，更包含一飾蓋，蓋設於該下容置區。
如請求項3所述的銷售點系統，其中，該崁入式電腦面向該第二側壁的一側設置有多個USB Type C母端插座，該些USB Type C母端插座的其中一個適於外接至一集線器。
如請求項1所述的銷售點系統，其中，該崁入式電腦的該散熱面上形成有鰭片結構。
一種儲存裝置外殼，包含：<br/> 一蓋體，具有一容置空間，用以容置一儲存裝置，該蓋體的前側設有連通該容置空間的一開口，用以供該儲存裝置的一接頭配置，該蓋體的上表面及下表面各設有一旋轉連接槽，該蓋體的上表面及／或下表面的該旋轉連接槽的外側形成有自表面凸出的一支承部及一彈性臂，該彈性臂自該支承部的內側面朝該旋轉連接槽的旋轉中心並且沿該旋轉連接槽的周緣延伸；以及<br/> 一旋轉殼，配置於該蓋體之外側，該旋轉殼的上內側及下內側朝內設有對應於該旋轉連接槽的一旋轉連接頭及旋轉對應於該彈性臂的一導引件，該旋轉連接頭以可旋轉的方式連接於該旋轉連接槽而使該旋轉殼以可繞該旋轉中心軸轉的方式相對於該蓋體旋轉，該導引件以預設的導引角度區間沿該旋轉連接頭的周方向延伸，並且該導引件於外周側形成有一導引斜面，該導引斜面係以自遠離該旋轉中心的位置朝接近該旋轉中心的位置的方式沿周方向傾斜延伸，<br/> 其中，在該蓋體與該旋轉殼相對旋轉至該導引角度區間內時，該彈性臂彈性頂抵於該導引件之該導引斜面，而藉由該彈性臂對於該導引斜面的彈性作用力，使該旋轉殼依循該導引斜面的傾斜方向，而被導引旋轉到相鄰於該導引角度區間的一預定停留位置。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該支承部沿該旋轉連接槽的周緣延伸，並相對於該旋轉連接槽圍置而形成一環狀結構，且該環狀結構的內周面以彼此間隔的方式形成有複數個該彈性臂。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該旋轉連接槽為一樞接孔且該旋轉連接頭為一樞接柱，或該旋轉連接槽為該樞接柱且該旋轉連接頭為該樞接孔，藉由該樞接柱穿設於該樞接孔並與其內周面樞接，使該旋轉連接頭以可旋轉的方式連接於該旋轉連接槽。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該旋轉殼的上內側及下內側各設有彼此相對的二個該導引件。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該導引件形成有沿相反的周方向傾斜延伸的二個該導引斜面。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該蓋體包括一上蓋及一下蓋，該上蓋連接於該下蓋之上而共同形成該容置空間及該開口。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該預定停留位置為一關閉位置，當該旋轉殼位於該關閉位置時，該旋轉殼覆蓋該開口。
如請求項7所述之儲存裝置外殼，其中該預定停留位置為與該關閉位置呈一預定夾角的一開啟位置，當該旋轉殼位於該開啟位置時，使該開口外露。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該彈性臂包括一根部及一彈性部，該根部自該支承部的內側面朝該旋轉中心延伸，該彈性部自該根部的靠近旋轉中心的一端沿周方向延伸。
如請求項1所述之儲存裝置外殼，其中該彈性臂靠近該容置空間的一側形成有一鏤空結構。
一種地區任務對接系統，其架設於一管理伺服器，該管理伺服器以訊號與複數用戶端裝置耦接，各該用戶端裝置執行該地區任務對接系統，該地區任務對接系統包含有：<br/> 一通報操作介面，其提供建立一任務需求資訊及標記一目標位置資訊，該通報操作介面以文字方式建立該任務需求資訊，該通報操作介面在一全球定位系統中標記對應於該任務需求資訊的該目標位置資訊，各該用戶端裝置的該通報操作介面定期將該任務需求資訊與該目標位置資訊上傳至該管理伺服器；<br/> 一人力資料模組，其與該通報操作介面及一人力管理系統耦接，該人力資料模組儲存有複數職業種類資訊，且該人力資料模組由該人力管理系統取得一人力資源名冊；<br/> 一職業推薦模組，其耦接於該通報操作介面及該人力資料模組，該職業推薦模組依據一語意分析模型及各該職業種類資訊對該任務需求資訊的文字進行語意處理，並且該職業推薦模組產生對應於該任務需求資訊的一職業推薦資訊；<br/> 一工作匹配模組，其耦接於該通報操作介面及該職業推薦模組，該工作匹配模組依據該職業推薦資訊在該人力資源名冊中尋找對應該職業推薦資訊的複數工作者，該工作匹配模組在該全球定位系統中找出相鄰於該目標位置資訊的各該工作者，且找出的各該工作者以視覺化方式顯示於該通報操作介面；以及<br/> 一熱點關注模組，其與該通報操作介面及一權責單位系統耦接，該熱點關注模組記錄該通報操作介面上傳該目標位置資訊的次數；當該次數在一預設期間內達到一預設值時，該熱點關注模組主動向該權責單位系統發送一地區通報訊息，該地區通報訊息之通報方式為文字或語音之其中一種或兩者組合。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該熱點關注模組具有一裁決單元，該裁決單元以該語意分析模型分析新建立的該任務需求資訊與先前建立的該任務需求資訊文字語意是否相同或近似，進而決定該熱點關注模組是否需要向該權責單位系統發送該地區通報訊息。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該職業推薦模組具有一過濾單元、一優化單元及一搜尋單元，該過濾單元與該優化單元耦接，該優化單元與該搜尋單元耦接，該過濾單元以該語意分析模型過濾該任務需求資訊中不適當的文字；該優化單元以該語意分析模型將過濾後的該任務需求資訊文字進行語意重整；該搜尋單元依據該語意分析模型與語意重整後的該任務需求資訊尋找各該職業種類資訊。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該工作匹配模組具有一比對單元及一地圖單元，該比對單元與該地圖單元耦接，該比對單元比對該職業推薦資訊與該人力資源名冊之間的文字，當兩者間的文字意義相同或近似時，則尋找出符合職業的各該工作者；該地圖單元在該全球定位系統中的一預設半徑範圍內找出相鄰於該目標位置資訊的各該工作者，並且在該全球定位系統中標記各該工作者的位置。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該人力資源名冊中記載各該工作者的一工作履歷項目及一加價價格項目；該工作匹配模組依據該目標位置資訊與各該工作者在該全球定位系統中的相對距離，分別產生複數相對距離資訊；該地區任務對接系統更包括一費用計算模組，該費用計算模組與該人力資料模組及該工作匹配模組耦接，該費用計算模組依據該工作履歷項目、該加價價格項目與各該相對距離資訊綜合計算出一業者費用資訊。
如請求項5所述之地區任務對接系統，其中，該工作履歷項目為年資、專長、證照、學歷、經歷或職位之其中一種或其組合；該加價價格項目為品項價格計算、時段價格計算、急件價格計算或跨區價格計算之其中一種或其組合。
如請求項5所述之地區任務對接系統，其中，更包括一線上支付模組，該線上支付模組與該費用計算模組耦接，該線上支付模組以線上方式支付該業者費用資訊。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該通報操作介面提供填寫一服務評論資訊，該通報操作介面以文字方式填寫該服務評論資訊；該地區任務對接系統更包括一業者考績模組，該業者考績模組與該通報操作介面耦接，該業者考績模組以該語意分析模型處理該服務評論資訊的文字，並且該業者考績模組產生一業者考績資訊，該業者考績資訊為該業者考績模組評定各該工作者的工作表現。
如請求項1所述之地區任務對接系統，其中，該管理伺服器與一工作端裝置耦接，該工作端裝置提供確認、備註及回報該任務需求資訊；該通報操作介面具有一追蹤單元，該追蹤單元以視覺化方式顯示該工作端裝置處理該任務需求資訊的狀態。
一種電流監測模組，包括：若干個分流電阻單元、若干個電流放大單元、微控制器及電流狀態顯示單元；所述分流電阻單元與所述電流放大單元數量相同且一一對應連接；若干所述分流電阻單元分別與被測導線串聯連接；所述分流電阻單元的輸出端與所述電流放大單元的輸入端連接；所述微控制器內設若干個類比數位轉換器單元，所述類比數位轉換器單元的數量不低於所述電流放大單元的數量；每一所述電流放大單元的輸出端分別連接一所述類比數位轉換器單元；所述電流狀態顯示單元與所述微控制器連接；所述分流電阻單元對其對應的所述被測導線進行分流並獲得分流訊號，並將所述分流訊號輸入至所述電流放大單元進行放大後輸入至所述類比數位轉換器單元進行類比數位轉換器訊號轉換；所述微控制器根據所述類比數位轉換器單元輸出的所述分流訊號判斷各所述被測導線的電流情況；所述微控制器根據各所述被測導線的電流情況控制所述電流狀態顯示單元的輸出顯示狀態。
如請求項1所述的電流監測模組，其中所述分流電阻單元包括至少一分流電阻。
如請求項2所述的電流監測模組，其中所述分流電阻的阻值為數毫歐（mΩ）。
如請求項1所述的電流監測模組，其中所述電流狀態顯示單元為可尋址RGB發光單元。
如請求項1所述的電流監測模組，其中所述微控制器還根據各所述被測導線的電流情況調整負載的最大允許功率。
如請求項5所述的電流監測模組，其中所述最大允許功率為600瓦（W）、450W、300W或150W。
一種供電電源，包括如請求項1-6中任一項所述的電流監測模組。
如請求項7所述的供電電源，更包括電源本體及供電線纜，所述電源本體的電源輸出端與所述供電線纜連接；所述供電線纜包括若干條正極導線；所述電流監測模組串聯於所述若干條正極導線和負載之間。
如請求項8所述的供電電源，其中所述電流監測模組的所述分流電阻單元分別與所述供電線纜的所述正極導線串聯連接。
如請求項8所述的供電電源，其中所述供電線纜包括正常模式、預警模式和危險模式三種狀態；所述微控制器根據各所述被測導線的電流情況判斷所述供電線纜的狀態；所述微控制器還根據所述供電線纜的不同狀態控制所述電流狀態顯示單元輸出不同的顯示狀態。
如請求項10所述的供電電源，其中所述微控制器透過比較各所述被測導線的電流值的差異來判斷是否發生不均流。
如請求項11所述的供電電源，其中所述微控制器在進行不均流前還對各所述被測導線的電流值進行輸入偏移校正、干擾訊號過濾、溫度補償、移動平均和/或移動平均峰值監測，並產生逐線電流對比矩陣作為不均流判斷的輸入。
如請求項12所述的供電電源，其中所述正常模式為每條所述被測導線的電流與當前平均電流值的比值不超過預設預警比例；所述預警模式為至少一條所述被測導線的電流與所述當前平均電流值的比值超過所述預設預警比例；所述危險模式為至少一條所述被測導線的電流與所述當前平均電流值的比值超過預設危險比例。
如請求項13所述的供電電源，其中在所述危險模式下，所述電流監測模組進入保護狀態，所述微控制器調整感測端子的輸出狀態，使負載自行降載或停止拉載；當所述電流監測模組恢復為正常模式後，所述微控制器將所述感測端子的輸出恢復為初始設定狀態。
如請求項14所述的供電電源，其中所述危險模式的解除條件為：每一所述被測導線的電流均恢復至與所述當前平均電流值的比值不超過所述預設預警比例且持續時間超過預設的危險解除持續時間；解除所述危險模式時，所述微控制器將所述感測端子的輸出恢復為所述初始設定狀態。
一種多段升溫控制系統，應用於一空調箱，包含一進氣加熱裝置，該多段升溫控制系統包含：<br/> 一露點偵測裝置，取得一露點溫度值；以及<br/> 一控制模組，連接該露點偵測裝置與該進氣加熱裝置，該控制模組包含一儲存單元及一連接該儲存單元的處理單元，該儲存單元設有一控制關聯資料，該控制關聯資料包含複數露點溫度範圍以及複數分別對應該些露點溫度範圍的入風加熱設定目標值；<br/> 其中，該處理單元基於該露點溫度值查詢該控制關聯資料，以選取對應於該露點溫度值的該入風加熱設定目標值，該處理單元驅動該進氣加熱裝置將進入該空調箱的一氣體升溫至該入風加熱設定目標值。
如請求項1所述之多段升溫控制系統，其中，該控制關聯資料包含複數露點判斷值，該多段升溫控制系統以該些露點判斷值界定該些露點溫度範圍，該進氣加熱裝置於每一該露點溫度範圍運作時的該入風加熱設定目標值為一定值。
如請求項2所述之多段升溫控制系統，其中，每一該露點溫度範圍所對應的該入風加熱設定目標值與該露點溫度範圍的一溫度數值成反比。
如請求項3所述之多段升溫控制系統，其中，該控制關聯資料包含一遲滯時間參數，該控制模組包含一基於該露點溫度值由低溫的該露點溫度範圍回升至高溫的該露點溫度範圍且持續時間達該遲滯時間參數以調降該入風加熱設定目標值的回歸模式。
如請求項3所述之多段升溫控制系統，其中，該些露點判斷值包含複數依溫度高低排列的分界設定點，該些入風加熱設定目標值包含複數分別對應至該些露點溫度範圍的階梯式數值，該處理單元利用該些分界設定點將該進氣加熱裝置的輸出能力區分為複數變化層級。
如請求項5所述之多段升溫控制系統，其中，該些分界設定點包含一設定約為攝氏10.2度的第一臨界參數及一設定約為攝氏10.0度的第二臨界參數，該些階梯式數值包含一映射至由該第一臨界參數與該第二臨界參數所界定的該露點溫度範圍的第一設定值，以及一映射至由該第二臨界參數所界定的該露點溫度範圍的第二設定值。
如請求項1所述之多段升溫控制系統，其中，該處理單元為一回授控制模組，該回授控制模組設有一設定點變數，該回授控制模組將所選取的該入風加熱設定目標值寫入至該設定點變數中，該回授控制模組基於該設定點變數產生一功率控制訊號以控制該進氣加熱裝置。
如請求項1所述之多段升溫控制系統，其中，該空調箱界定一提供該氣體流通的導風路徑，該空調箱更包含一設於該導風路徑並位於該進氣加熱裝置一側的水洗單元，以及一設於該導風路徑內並位於該水洗單元相對該進氣加熱裝置一側的冷盤管，該露點偵測裝置相鄰於該冷盤管。
如請求項8所述之多段升溫控制系統，其中，該空調箱於該導風路徑的入風處設有一連接該處理單元的溫濕度偵測單元，該處理單元具有一基於該溫濕度偵測單元所取得的原始溫度值與原始相對濕度值的環境判定模式。
如請求項8所述之多段升溫控制系統，其中，該進氣加熱裝置為一連接該處理單元的電熱式顯熱交換元件，該電熱式顯熱交換元件設於該導風路徑的入風處，該電熱式顯熱交換元件用以對該氣體執行電能加熱以提升該氣體的顯熱與焓值。
如請求項8所述之多段升溫控制系統，其中，該控制模組連接該冷盤管，該控制關聯資料更包含一高於該些露點溫度範圍的除濕臨界參數，該處理單元包含一冷熱分流邏輯，該冷熱分流邏輯包含一對應於該露點溫度值高於該除濕臨界參數以驅動該冷盤管作動的冷卻訊號。
如請求項11所述之多段升溫控制系統，其中，該冷熱分流邏輯界定一介於該除濕臨界參數與該些露點溫度範圍之間的節能緩衝區，該節能緩衝區為該進氣加熱裝置的作動時機與該冷盤管的作動時機的時序錯開區段。
如請求項12所述之多段升溫控制系統，其中，該節能緩衝區對應該進氣加熱裝置與該冷盤管的一停止輸出狀態，該停止輸出狀態界定為該氣體於該導風路徑中維持原始焓值而未經熱交換的流動狀態。
一種自行車空力水壺架，其包含有：一水壺架，其中：<br/>所述水壺架設有一基座，該基座具有一第一面、一第二面與二導流部，該二導流部是分設在所述基座的兩側，所述第一面上設有往所述第二面做貫穿的多個固定孔，並連接有一環抱件，所述第一面的下方則伸出有一底托，又所述基座的所述第一面是大於所述第二面，讓所述導流部能成為由所述第一面往所述第二面方向做內縮之弧凹狀者。
如請求項1所述之自行車空力水壺架，其中，所述第一面的上方凸出有一抵緣。
如請求項1所述之自行車空力水壺架，其中，所述第一面的中央形成有一凹陷部，讓所述固定孔能設在該凹陷部中。
如請求項1所述之自行車空力水壺架，其中，所述環抱件是一C形夾。
如請求項1所述之自行車空力水壺架，其中，所述底托上設有一容槽，俾以該容槽安裝有一隨車工具。
如請求項5所述之自行車空力水壺架，其中，所述隨車工具是一氣嘴扳手。
如請求項5所述之自行車空力水壺架，其中，所述隨車工具是利用一氣嘴轉接器的鎖設做安裝。
一種整合式防災預警系統，其包含：<br/> 一中繼裝置，其設置有一接收端、一處理單元及一輸出端，該接收端係用以對應接收至少一災害資訊，且該處理單元係將所述災害資訊轉換為一播報資訊，並由該輸出端對應輸出者；以及<br/> 一警示裝置，其係對應連接於該中繼裝置之輸出端，且該警示裝置係依所述播報資訊對應發出警示者。
如請求項1所述之整合式防災預警系統，更包含至少一防災資料庫，其係用以對應產生所述災害資訊，而該中繼裝置之該接收端係對應連結於該防災資料庫者。
如請求項2所述之整合式防災預警系統，其中，該中繼裝置之該接收端係透過有線或無線方式以對應連結於所述防災資料庫者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，該輸出端更設有一訊號放大裝置，且該警示裝置係對應連接於該訊號放大裝置者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，該警示裝置係透過影像、聲音、光線或振動方式，以對應發出警示者。
如請求項5所述之整合式防災預警系統，其中，該警示裝置為螢幕、播報器、燈具或振動器者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，該中繼裝置為電腦、通訊設備或桌上型機台設備者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，該中繼裝置更設有一電力保護元件，其係對應連接於該處理單元，該電力保護元件係用以防雷擊突波者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，該中繼裝置更設有一散熱元件，其係對應連接於該處理單元，該散熱元件係用以對該中繼裝置進行散熱者。
如請求項1至請求項3中任一項所述之整合式防災預警系統，其中，所述災害資訊為地震波、地震通知、火警通知、淹水通知或海嘯通知者。
一種系統化模板，包含二模板及一轉角銜接組，該二模板用於成型一牆體，該轉角銜接組用於連接呈轉角配置之該二模板，並用於成型該牆體之一轉角，該轉角銜接組包含：<br/> 一轉角件，該轉角件設有二連接部及一轉角部，該轉角部之二側分別連接該二連接部，該轉角部設有一成型面，該成型面用於成型該牆體之該轉角，該二連接部各設有複數連接孔，該二模板各設有一背部及一邊部，該背部用於成型該牆體，該邊部設有複數對接孔；及<br/> 複數連接桿，該些連接桿各包含一桿身部、二限位部及一操作部，該桿身部穿設該二模板之該些對接孔及該轉角件之該些連接孔，該二限位部分別設於該桿身部之相對二端，該二限位部之外徑大於該桿身部之外徑，該二限位部可旋轉地配合該些對接孔及該些連接孔以限制或釋放該些連接桿之位移，該操作部自該二限位部其中之一側向延伸。
如請求項1所述之系統化模板，其中，該轉角件為一內角型轉角件或一外角型轉角件，該內角型轉角件對應於該牆體之內角型轉角，該外角型轉角件對應於該牆體之外角型轉角。
如請求項2所述之系統化模板，其中，該內角型轉角件之該成型面位於外凸位置，該成型面用於成型該牆體之內角型轉角。
如請求項2所述之系統化模板，其中，該外角型轉角件之該成型面位於內凹位置，該成型面用於成型該牆體之外角型轉角。
如請求項1所述之系統化模板，其中，該些對接孔及該些連接孔具有一特定形狀，該二限位部之外徑配合該特定形狀。
如請求項1所述之系統化模板，其中，該操作部包含一第一彎折段、一第二彎折段及一握持區，該第一彎折段自該二限位部彎折並朝側向延伸，該第二彎折段自該第一彎折段朝外彎折，該握持區設於該第二彎折段之末端。
如請求項1所述之系統化模板，其中，該二模板之該背部與該轉角件之該成型面共同圍成一待灌漿空間，該待灌漿空間用於形成該牆體及該牆體之該轉角。
如請求項1所述之系統化模板，該系統化模板另包含一支撐調整組，該支撐調整組包含：<br/> 複數支撐管，該些支撐管各包含一外管及一內管，該內管可位移地設於該外管內，該外管底端設於一地面上；<br/> 複數隔柵，該些隔柵分別設於該些支撐管之各該內管頂端；<br/> 複數銜接件，該些銜接件各具有一第一扣部及一第二扣部，該第一扣部及該第二扣部分別設於該些銜接件之相對二側，該第一扣部扣設於該些隔柵下側，該第二扣部扣設於該內管頂端；及<br/> 複數隔板，該些隔板設於該些隔柵上方，該些隔板橫跨該些隔柵形成一隔板面，該隔板面用於成型一樓板，該樓板位於該地面上方，且該樓板連接該牆體。
如請求項8所述之系統化模板，其中，該牆體連接該地面。
一種雨衣結構，其係包含：<br/> 一雨帽部，其係包含一帽體、一遮雨件以及一擋雨件，該帽體設有一開口，該遮雨件設置於該開口之一第一側，該擋雨件之一側設置於該開口之一第二側，一第一卡固部設置於該開口之一第三側，該擋雨件之另一側設有一卡扣部，一第二卡固部係相對該帽體之該開口設置；以及<br/> 一雨衣部，其係與該帽體連通設置；<br/> 其中，當使用該擋雨件時，該卡扣部卡扣於該第一卡固部，當使用完成時，該卡扣部向後捲收並卡扣於該第二卡固部。
如請求項1所述之雨衣結構，其中該第一側與該第二側相鄰設置。
如請求項1所述之雨衣結構，其中該第二側與該第三側相對設置。
如請求項1所述之雨衣結構，其中該第一卡固部係使用魔鬼氈之勾面。
如請求項4所述之雨衣結構，其中該第二卡固部係使用魔鬼氈之勾面。
如請求項1所述之雨衣結構，其中該卡扣部係包含一第一卡扣件及一第二卡扣件，該第一卡扣件設置於該擋雨件之一膜體之一內側面，該第二卡扣件設置於該膜體之一外側面，該第一卡扣件及該第二卡扣件係相對設置。
如請求項6所述之雨衣結構，其中該第一卡扣件及該第二卡扣件係使用魔鬼氈之毛面。
如請求項7所述之雨衣結構，其中該第一卡扣件係卡扣於該第一卡固部。
如請求項7所述之雨衣結構，其中該第二卡扣件係卡扣於該第二卡固部。
如請求項1所述之雨衣結構，其中該擋雨件設有複數個透氣孔。
一種組合式門框，包含：<br/> 一橫框件，其相對兩端部各設有至少一個定位孔；以及<br/> 兩豎框件，用於可拆卸地連接該橫框件的相對兩端部，各該豎框件設有至少一個定位凸部，並且該兩豎框件的定位凸部用於可分離地穿設於該橫框件的定位孔。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該橫框件還包含一第一橫板部、分別連接該第一橫板部的相對兩側且不平行於該第一橫板部的兩第二橫板部以及分別連接該兩第二橫板部且不平行於該兩第二橫板部的兩第三橫板部，各該第二橫板部位於與其緊鄰的第三橫板部與該第一橫板部之間；以及該橫框件的至少一個定位孔是設在該第一橫板部上。
根據請求項2所述的組合式門框，其中該橫框件被配置成平行於一第一軸向，該兩豎框件被配置成平行於一第二軸向，該第二軸向垂直於該第一軸向；該第一橫板部包含一第一橫框段、一第二橫框段和一縱向彎折段，該縱向彎折段位於該第一橫框段和該第二橫框段之間且連接該第一橫框段和該第二橫框段，使得該第一橫框段和該第二橫框段分別位於該第二軸向上的不同位置；以及該第一橫框段和該第二橫框段各設有該定位孔。
根據請求項1所述的組合式門框，其中各該豎框件的頂邊設有一容置凹口，該兩豎框件的容置凹口用於容置該橫框件的相對兩端部。
根據請求項4所述的組合式門框，其中該定位凸部設在該容置凹口的底邊。
根據請求項4或5所述的組合式門框，其中各該豎框件還包含一第一豎板部、分別連接該第一豎板部的相對兩側且不平行於該第一豎板部的兩第二豎板部以及分別連接該兩第二豎板部且不平行於該兩第二豎板部的兩第三豎板部，各該第二豎板部位於與其緊鄰的第三豎板部與該第一豎板部之間；以及該兩豎框件的容置凹口是設在該兩豎框件的第一豎板部的頂邊。
根據請求項6所述的組合式門框，其中該橫框件被配置成平行於一第一軸向，該兩豎框件被配置成平行於一第二軸向，該第二軸向垂直於該第一軸向；各該豎框件的第一豎板部包含一第一豎框段、一第二豎框段和一橫向彎折段，該橫向彎折段位於該第一豎框段和該第二豎框段之間且連接該第一豎框段和該第二豎框段，使得該第一豎框段和該第二豎框段分別位於該第一軸向上的不同位置；以及該第一豎框段和該第二豎框段各設有該定位凸部。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該橫框件的相對兩端部還各設有至少一個限位槽，各該豎框件還設有至少一個限位部，各該豎框件的限位部用於可分離地卡合於該橫框件的相對兩端部的限位槽，以限制該橫框件與該兩豎框件的相對位移。
根據請求項8所述的組合式門框，其中該橫框件還包含一第一橫板部、分別連接該第一橫板部的相對兩側且不平行於該第一橫板部的兩第二橫板部以及分別連接該兩第二橫板部且不平行於該兩第二橫板部的兩第三橫板部，各該第二橫板部位於與其緊鄰的第三橫板部與該第一橫板部之間；<br/> 各該豎框件還包含一第一豎板部、分別連接該第一豎板部的相對兩側且不平行於該第一豎板部的兩第二豎板部以及分別連接該兩第二豎板部且不平行於該兩第二豎板部的兩第三豎板部，各該第二豎板部位於與其緊鄰的第三豎板部與該第一豎板部之間；以及<br/> 該橫框件的各該端部的限位槽是設在該第二橫板部上、向下延伸至該第一橫板部上且向上延伸至與該第二橫板部同側的第三橫板部，並且該限位槽用以供該第一豎板部插入。
根據請求項9所述的組合式門框，其中該橫框件的各該端部的限位槽的數量是兩個，其中一個該限位槽是設在其中一個該第二橫板部且延伸至該第一橫板部及與該其中一個第二橫板部同側的該第三橫板部，另一個該限位槽則是設在其中另一個該第二橫板部且延伸至該第一橫板部及與該另一個第二橫板部同側的該第三橫板部。
根據請求項9所述的組合式門框，其中各該豎框件的第一豎板部的頂邊設有一容置凹口，該兩豎框件的容置凹口用於容置該橫框件的相對兩端部。
根據請求項11所述的組合式門框，其中該橫框件的至少一個定位孔是設在該第一橫板部上，並且該定位凸部設在該容置凹口的底邊。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該橫框件還包含一第一橫板部、分別連接該第一橫板部的相對兩側且不平行於該第一橫板部的兩第二橫板部以及分別連接該兩第二橫板部且不平行於該兩第二橫板部的兩第三橫板部，各該第二橫板部位於與其緊鄰的第三橫板部與該第一橫板部之間；<br/> 各該豎框件還包含一第一豎板部、分別連接該第一豎板部的相對兩側且不平行於該第一豎板部的兩第二豎板部以及分別連接該兩第二豎板部且不平行於該兩第二豎板部的兩第三豎板部，各該第二豎板部位於與其緊鄰的第三豎板部與該第一豎板部之間；以及<br/> 該橫框件的至少一個定位孔是設在該第一橫板部，且各該豎框件的定位凸部是設在該第一豎板部。
根據請求項13所述的組合式門框，其中各該豎框件的第一豎板部的頂邊設有一容置凹口，該兩豎框件的容置凹口用於容置該橫框件的相對兩端部，該定位凸部設在該容置凹口的底邊。
根據請求項9至14的任一項所述的組合式門框，其中該橫框件被配置成平行於一第一軸向，該兩豎框件被配置成平行於一第二軸向，該第二軸向垂直於該第一軸向；<br/> 該橫框件的第一橫板部包含一第一橫框段、一第二橫框段和一縱向彎折段，該第一橫板部的縱向彎折段位於該第一橫框段和該第二橫框段之間且連接該第一橫框段和該第二橫框段，使得該第一橫框段和該第二橫框段分別位於該第二軸向上的不同位置；<br/> 各該豎框件的第一豎板部包含一第一豎框段、一第二豎框段和一橫向彎折段，該豎框件的橫向彎折段位於該第一豎框段和該第二豎框段之間且連接該第一豎框段和該第二豎框段，使得該第一豎框段和該第二豎框段分別位於該第一軸向上的不同位置；以及<br/> 該第一橫框段和該第二橫框段各設有該定位孔，且該第一豎框段和該第二豎框段各設有該定位凸部。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該定位凸部設有一插孔，該插孔用於在該定位凸部穿過該定位孔後，讓一鎖固件插入。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該橫框件定義為一第一橫框件，各該豎框件還設有至少一個安裝孔，該組合式門框還包含至少一個第二橫框件，該第二橫框件的相對兩端部各設有一安裝凸部，該安裝凸部用於可分離地插設於與其同側的豎框件的安裝孔。
根據請求項17所述的組合式門框，其中該第一橫框件和該第二橫框件被配置成平行於一第一軸向，該兩豎框件被配置成平行於一第二軸向，該第二軸向垂直於該第一軸向；<br/> 各該豎框件的第一豎板部包含一第一豎框段、一第二豎框段和一橫向彎折段，該豎框件的橫向彎折段位於該第一豎框段和該第二豎框段之間且連接該第一豎框段和該第二豎框段，使得該第一豎框段和該第二豎框段分別位於該第一軸向上的不同位置；以及<br/> 該第二橫框件的數量為兩個，各該豎框件的第一豎框段和第二豎框段各設有該安裝孔，且各該第二橫框件的安裝凸部用於可分離地穿設在該兩豎框件的第一豎框段和第二豎框段的安裝孔。
根據請求項17或18所述的組合式門框，其中該安裝凸部設有一插孔，該插孔用於在該安裝凸部穿過該安裝孔後，讓一鎖固件插入。
根據請求項1所述的組合式門框，其中該橫框件的徑向截面形狀相同於各該豎框件的徑向截面形狀。
一種足部矯正裝置，包含：<br/> 一支撐部，設置於足部下方，並於足弓位置處設置有一隆起凸塊，用於接觸並支持足弓，以承受與分散足部的承重；<br/> 一帶體，其中一端連接在該支撐部上，該帶體的另一端固定在腳趾頭上，利用該腳趾頭通過該帶體對該支撐部的連接，自然引導該足部肌肉施力的方向，以獲得肌力訓練的效果。
如請求項1所述的足部矯正裝置，其中，該支撐部底部向兩側延伸並使末端向上彎弧形成卡扣端，用以固定該支撐部在足部上。
如請求項1或2所述的足部矯正裝置，其中，該支撐部設置有踝部固定單元，該踝部固定單元向後繞過腳踝以固定該支撐部。
如請求項3所述的足部矯正裝置，其中，該踝部固定單元為彈性結構。
如請求項3所述的足部矯正裝置，其中，該支撐部於足弓那一側設置有按摩塊，該按摩塊接觸該足部的舟狀骨提供支撐並進行按摩。
如請求項3所述的足部矯正裝置，其中，該帶體為彈性結構。
如請求項3所述的足部矯正裝置，其中，該帶體固定的該腳趾頭是腳姆趾。
如請求項7所述的足部矯正裝置，其中，該帶體在該腳趾頭一端設置有套環，該套環套置在該腳趾頭上。
如請求項3所述的足部矯正裝置，其中，該帶體一端連接在該支撐部靠近中間位置，以提供足弓韌帶的施力幫助。
一種看板顯示裝置，其包含：<br/> 一液晶顯示器，其具有一出光面；<br/> 一導光層，其層疊設於該液晶顯示器，該導光層具有至少一導光通道，該導光通道對應該出光面； <br/> 一電子紙顯示器，其層疊設於該導光層且位於該出光面之一側，並該電子紙顯示器對應至該導光通道；以及<br/> 一電子設備，其電連接該液晶顯示器與該電子紙顯示器。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中該導光層之局部位置設有至少一遮光部，藉以於該導光層未設置該遮光部之位置定義出至少一導光通道。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中該導光通道為直線、曲線或其組合。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中該導光層為無色光學玻璃、有色光學玻璃、石英玻璃或光纖玻璃。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中該液晶顯示器與該導光層之間以一第一光學膠層加以結合，且該導光層與該電子紙顯示器之間以一第二光學膠層加以結合。
如請求項5所述之看板顯示裝置，其中該第一光學膠層與該第二光學膠層為光學透明膠帶(OCA)、液態光學膠(LOCA)或光學透明樹脂(OCR)。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中更進一步包含有一透光防護層，該透光防護層層疊設於該電子紙顯示器之表面。
如請求項1所述之看板顯示裝置，其中該電子設備為遊戲機台，且該電子設備設有一第一顯示控制單元及一第二顯示控制單元，該第一顯示控制單元電連接該液晶顯示器，該第二顯示控制單元電連接該電子紙顯示器。
一種操作面板顯示裝置，其包含：<br/> 一觸控螢幕，其具有一出光操作面；<br/> 至少一電子紙顯示器，其層疊設於該觸控螢幕且位於該出光操作面之至少一側；<br/> 一導光層，其層疊設於該電子紙顯示器，該導光層包括有至少一導光通道，該導光通道對應該出光操作面與該電子紙顯示器；以及<br/> 一電子設備，其電連接該觸控螢幕與該電子紙顯示器。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該觸控螢幕包括有一液晶顯示器及一觸控感應器，該觸控感應器層疊設於該液晶顯示器。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該導光層之局部位置設有至少一遮光部，藉以於該導光層未設置該遮光部之位置定義出至少一導光通道。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該導光通道為直線、曲線或其組合。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該導光層為鋼化玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、熱塑性聚氨酯(TPU)或藍寶石玻璃。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該電子紙顯示器與該觸控螢幕之間以一第一光學膠層加以結合，且該導光層與該電子紙顯示器之間以一第二光學膠層加以結合。
如請求項6所述之操作面板顯示裝置，其中該第一光學膠層與該第二光學膠層為光學透明膠帶(OCA)、液態光學膠(LOCA)或光學透明樹脂(OCR)。
如請求項1所述之操作面板顯示裝置，其中該電子設備為遊戲機台，且該電子設備設有一第一顯示控制單元及一第二顯示控制單元，該第一顯示控制單元電連接該觸控螢幕，該第二顯示控制單元電連接該電子紙顯示器。
一種活動篷架移動裝置，其主要包括有一略呈ㄇ型之本體，該本體內緣具有上固定桿，該上固定桿設有滑輪，前述上固定桿下方二側各具有下固定桿，該下固定桿設有滾輪，實施時，本創作係設置於軌道上，該軌道為工字型軌道，其上端面上並固定有一鋼管，本創作前述本體上端面係固定於活動篷架之活動側柱下端，前述滑輪係設置於該鋼管上方，而前述滾輪則設置於該軌道內緣，具有避免活動篷架在風大時搖晃或倒塌及移動滑順、平穩不晃動的功效。
如請求項1所述之活動篷架移動裝置，其中，前述上固定桿於該滑輪之二側設有固定座，以定位該滑輪並增加剛性。
如請求項1所述之活動篷架移動裝置，其中，前述滑輪為金屬構成。
如請求項1所述之活動篷架移動裝置，其中，前述滾輪為金屬構成。
如請求項1所述之活動篷架移動裝置，其另包括有設於前述上固定桿同一平面上之輔助上固定桿，該輔助上固定桿設有滑輪。
如請求項5所述之活動篷架移動裝置，其中，該上固定桿下方二側各具有下固定桿，該下固定桿設有滾輪，該輔助上固定桿下方二側各設有輔助下固定桿，該輔助下固定桿設有滾輪，該下固定桿及該輔助下固定桿位於同一平面上。
一種土除架，包括：<br/> 一本體，包括一固定件及一活動件，該固定件供設於一車體上，該活動件以一軸向可擺動地設於該固定件，該固定件之一第一端部設有一徑向延伸之第一卡抵部，該活動件之一第二端部具有一徑向延伸之第二卡抵部；其中，當該第一卡抵部與該第二卡抵部相卡接時，該活動件無法相對該固定件擺動；及<br/> 一支撐件，設於該活動件，供一土除組接。
如請求項1所述的土除架，另包括一迫緊件，該迫緊件穿設該第一端部及該第二端部，該迫緊件定義該軸向；當該迫緊件迫緊該第一端部及該第二端部時，該第一卡抵部與該第二卡抵部相卡接時，該活動件無法相對該固定件擺動。
如請求項2所述的土除架，另包括一轉動機構，該轉動機構包括複數間隔設置之第一容孔、複數間隔設置之第二容孔及複數定位珠，該複數第一容孔設於該固定件之該第一端部，該複數第二容孔設於該活動件之該第二端部，該複數第一容孔及該複數第二容孔分別繞該軸向設置；當該迫緊件迫緊時，各該定位珠被緊迫卡設於其中一該第一容孔及該第二容孔之間。
如請求項1所述的土除架，其中該第一卡抵部為一第一卡齒部，該第二卡抵部為一朝向該第一卡齒部之第二卡齒部，該第一卡齒部及該第二卡齒部可相嚙合。
如請求項4所述的土除架，其中該第一卡齒部包括複數第一齒部，該第二卡齒部包括複數第二齒部，該複數第二齒部繞該軸向排列。
如請求項5所述的土除架，其中該第二端部具有朝向該第一卡抵部之一外周面，該複數第二齒部徑向凸設於該外周面。
如請求項1所述的土除架，其中該固定件具有供朝向該車體之一內側部，該第一卡抵部凸設於該內側部。
如請求項7所述的土除架，其中該第一卡抵部與該軸向徑向間隔設置，該第一卡抵部與該內側部之間形成一容置空間，該活動件之該第二端部可容設於該容置空間。
如請求項1至8其中任一項所述的土除架，其中該活動件另包括一第三端部，該第三端部遠離該第二端部，該第二端部設有該支撐件。
如請求項3所述的土除架，其中該第一卡抵部為一第一卡齒部，該第二卡抵部為一朝向該第一卡齒部之第二卡齒部，該第一卡齒部及該第二卡齒部可相嚙合；該第一卡齒部包括複數第一齒部，該第二卡齒部包括複數第二齒部，該複數第二齒部繞該軸向排列；該第二端部具有朝向該第一卡抵部之一外周面，該複數第二齒部徑向凸設於該外周面；該固定件具有供朝向該車體之一內側部，該第一卡抵部凸設於該內側部；該第一卡抵部與該軸向徑向間隔設置，該第一卡抵部與該內側部之間形成一容置空間，該活動件之該第二端部可容設於該容置空間；該活動件另包括一第三端部，該第三端部遠離該第二端部，該第二端部設有該支撐件；該複數第一齒部之一數量與該複數第二齒部之一數量相異；該第一卡抵部一體成形於該固定件，該第二卡抵部一體成形於該活動件；當該迫緊件旋鬆或拆離時，該第一卡抵部可與該第二卡抵部相脫離，使該活動件可相對該固定件擺動。
一種建物外牆維護屏之橫撐架結構改良，尤指裝設於建物外牆上，供外牆設置維護屏用之橫撐架，該橫撐架主要包含：撐架本體、護持板及護蓋板；該撐架本體之上部設有二承載部，二承載部上各設有插槽，插槽內亦各設有數道勾槽；該護持板之下側設有可與撐架本體之承載部上插槽相契合之插板，插板上另設有可與撐架本體之插槽內勾槽相齧合之勾齒；該護蓋板之下側設有可與撐架本體之承載部上插槽相契合之插板，插板上另設有可與撐架本體之插槽內勾槽相齧合之勾齒，而護蓋板之內側向上延伸有固定部，於護蓋板之外側向下延伸有護擋部；藉由護持板其下側插板上之勾齒與撐架本體上側承載部之插槽內之勾槽相齧合位置選擇，以及護蓋板其下側插板上之勾齒與撐架本體下側承載部之插槽內之勾槽相齧合位置選擇，而改變護持板與撐架本體間以及護蓋板之護擋部與撐架本體間之承載空間大小者。
一種基於瀏覽行為提供即時主動行銷以避免瀏覽流失的系統，該系統包含：<br/> 一銀行伺服器，所述銀行伺服器提供一使用者裝置透過一使用者識別資訊登入，基於一主動行銷指令即時向所述使用者裝置提供一金融服務資訊或是一金融商品資訊的主動行銷；及<br/> 一瀏覽行為管控伺服器，與所述銀行伺服器建立連線，所述瀏覽行為管控伺服器更包含：<br/> 一流失行為分析模組，將每一個使用者屬性群組中多個所述使用者識別資訊對應的一歷史瀏覽行為資料進行瀏覽行為分析以得到每一個所述使用者屬性群組對應的一歷史流失行為模式，以及基於一主動行銷瀏覽行為資料以及所述歷史瀏覽行為資料進行瀏覽行為分析以即時計算每一個所述使用者屬性群組對應的所述歷史流失行為模式；<br/> 一瀏覽行為即時監控模組，與所述流失行為分析模組相連，當所述使用者裝置透過所述使用者識別資訊登入所述銀行伺服器時，即時監控所述使用者識別資訊於所述銀行伺服器的一瀏覽行為資料，即時監控所述使用者識別資訊於所述金融服務資訊或是所述金融商品資訊的所述主動行銷瀏覽行為資料；<br/> 一使用者屬性分群模組，與所述瀏覽行為即時監控模組相連，依據所述瀏覽行為資料設定所述使用者識別資訊對應的所述使用者屬性群組；及<br/> 一主動行銷觸發模組，與所述流失行為分析模組以及所述使用者屬性分群模組相連，依據每一個所述使用者屬性群組對應的所述歷史流失行為模式計算出每一個所述使用者屬性群組對應的一行銷觸發閾值，持續計算所述瀏覽行為資料的一瀏覽行為值，當所述瀏覽行為值大於等於所述行銷觸發閾值時，觸發並提供所述主動行銷指令。
如請求項1所述的基於瀏覽行為提供即時主動行銷以避免瀏覽流失的系統，其中所述流失行為分析模組預先建立流失行為樣本，再使用統計分析以及序列模式挖掘或機器學習模型自每一個所述使用者屬性群組中多個所述使用者識別資訊的瀏覽行為在所述流失樣本中反覆出現且具有代表性的瀏覽行為組合，以定義為該使用者屬性群組的所述歷史流失行為模式。
如請求項1所述的基於瀏覽行為提供即時主動行銷以避免瀏覽流失的系統，其中所述流失行為分析模組將多個所述使用者識別資訊依據所述瀏覽行為資料以及基本屬性分群為多個所述使用者屬性群組，所述瀏覽行為資料包含瀏覽的頁面、瀏覽的時間、點擊的內容。
如請求項1所述的基於瀏覽行為提供即時主動行銷以避免瀏覽流失的系統，其中所述主動行銷觸發模組使用權重累積評分演算法、時序加權滑動視窗演算法、模糊邏輯推論演算法、序列相似度比較演算法或是機器學習分類分數演算法依據每一個所述使用者屬性群組對應的所述歷史流失行為模式計算出每一個所述使用者屬性群組對應的所述行銷觸發閾值，以及持續計算所述瀏覽行為資料的所述瀏覽行為值。
如請求項1所述的基於瀏覽行為提供即時主動行銷以避免瀏覽流失的系統，其中所述銀行伺服器更包含基於所述使用者識別資訊對應的一信評資訊即時向所述使用者裝置提供專屬所述金融服務資訊或是所述金融商品資訊的主動行銷。
一種智慧購物系統，包含：<br/> 一行動裝置，用以產生一定位觸發信號；及<br/> 一智慧購物裝置，包括一伺服器與一冰箱，<br/> 該伺服器通訊連接該行動裝置，以接收來自該行動裝置的該定位觸發信號，且該伺服器根據該定位觸發信號產生一拍照要求訊號，<br/> 該冰箱用以容置多種食材，且通訊連接該伺服器以接收該拍照要求訊號，且根據該拍照要求訊號產生一食材影像資料，且將該食材影像資料傳送到該伺服器，<br/> 該伺服器執行一影像辨識模型，該影像辨識模型根據該食材影像資料產生一包含一庫存食材清單的食材清單訊號，且傳送該食材清單訊號至該行動裝置，使該行動裝置顯示該庫存食材清單，其中，該庫存食材清單指示出對應於該等食材的多個食材名稱與分別對應該等食材名稱的多筆食材數量。
如請求項1所述的智慧購物系統，其中，該伺服器具有一處理器，及一電連接該處理器的通訊裝置，該通訊裝置用於通訊連接該行動裝置及該冰箱，以接收來自該行動裝置的該定位觸發信號、接收來自該冰箱的該食材影像資料，和發送該食材清單訊號到該行動裝置，該處理器用以根據該定位觸發信號產生該拍照要求訊號，且執行該影像辨識模型。
如請求項1所述的智慧購物系統，其中，該定位觸發信號指示出該行動裝置的一所在位置符合一預設購物位置。
如請求項3所述的智慧購物系統，其中，該行動裝置包括一定位器，該定位器用以產生該所在位置。
如請求項1所述的智慧購物系統，其中，該行動裝置包括一用以顯示該庫存食材清單的輸出裝置。
如請求項1所述的智慧購物系統，其中，該冰箱具有一容置該等食材的儲物空間、一設置於該儲物空間中的影像擷取裝置，及一電連接該影像擷取裝置及通訊連接該伺服器的冰箱通訊器，該冰箱通訊器接收該拍照要求訊號時，該影像擷取裝置拍攝該等食材產生該食材影像資料，且該冰箱通訊器傳送該食材影像資料至該伺服器。
一種智慧購物裝置，適用於接收一行動裝置的一定位觸發信號，且包含：<br/> 一伺服器，通訊連接該行動裝置，以接收來自該行動裝置的該定位觸發信號，且該伺服器根據該定位觸發信號產生一拍照要求訊號；及<br/> 一冰箱，用以容置多種食材，通訊連接該伺服器以接收該拍照要求訊號，且根據該拍照要求訊號產生一食材影像資料，且將該食材影像資料傳送到該伺服器；<br/> 該伺服器執行一影像辨識模型，該影像辨識模型根據該食材影像資料產生一包含一庫存食材清單的食材清單訊號，且傳送該食材清單訊號至該行動裝置，使該行動裝置顯示該庫存食材清單，其中，該庫存食材清單指示出對應於該等食材的多個食材名稱與分別對應該等食材名稱的多筆食材數量。
如請求項7所述的智慧購物裝置，該伺服器具有一處理器，及一電連接該處理器的通訊裝置，該通訊裝置用於通訊連接該行動裝置及該冰箱，以接收來自該行動裝置的該定位觸發信號、接收來自該冰箱的該食材影像資料，和發送該食材清單訊號到該行動裝置，該處理器用以根據該定位觸發信號產生該拍照要求訊號，且執行該影像辨識模型。
如請求項7所述的智慧購物裝置，其中，該定位觸發信號指示出該行動裝置的一所在位置符合一預設購物位置。
如請求項7所述的智慧購物裝置，其中，該冰箱具有一容置該等食材的儲物空間、一設置於該儲物空間中的影像擷取裝置，及一電連接該影像擷取裝置及通訊連接該伺服器的冰箱通訊器，該冰箱通訊器接收該拍照要求訊號時，該影像擷取裝置拍攝該等食材產生該食材影像資料，且該冰箱通訊器傳送該食材影像資料至該伺服器。
一種炸物籃，其包含有：<br/> 一籃體； <br/> 一把手，該把手係固定設置於籃體一端；以及<br/> 一可上下翻動地設置於籃體內的撈網。
如請求項1所述之炸物籃，其中該撈網係包含有一網體及一撥動部，該撥動部底端係固定於網體一端。
如請求項2所述之炸物籃，其中該撥動部係可樞轉地連接於把手上。
如請求項3所述之炸物籃，其中該撥動部係用金屬線彎折呈倒U字形並套設於把手上。
如請求項2至4任一項所述之炸物籃，其中該該網體係呈長方形。
一種組合式鞋墊，包含一全腳掌形鞋墊、以及一疊置在該全腳掌形鞋墊表面的足弓鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊的表面設有一與該足弓鞋墊外輪廓形狀大致相同的下凹部以供該足弓鞋墊疊置，該下凹部在相對於該足弓鞋墊的前緣邊構成一防止向前滑移的前止擋邊，相對於該足弓鞋墊的兩側緣邊構成防止左、右滑移的側止擋邊，相對於該足弓鞋墊的後緣邊位置構成一後止擋邊，防止該足弓鞋墊在該全腳掌形鞋墊的表面滑移。
如請求項1所述之組合式鞋墊，其中，該下凹部的內周圍具有分別從該前止擋邊、側止擋邊及後止擋邊內緣向內及向下的坡度或弧曲度，透過該坡度或弧曲度使該足弓鞋墊被下壓時具有從該下凹部外周圍朝向中央集中的應力。
如請求項1或2所述之組合式鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊在該下凹部的表面設有複數止滑紋路。
如請求項1或2所述之組合式鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊相對於該下凹部的前方凸設有一前掌襯墊。
如請求項1或2所述之組合式鞋墊，其中，該足弓鞋墊具有一概呈板片狀的本體，該本體對應於人體足底形狀具有一前掌區、一後跟區、以及一位於該前掌區和後跟區之間的足弓撐托區，該下凹部的前止擋邊對應止擋於該足弓鞋墊的前掌區前緣，該側止擋邊對應止擋於該足弓撐托區兩邊側緣，該後止擋邊對應止擋於該後跟區後緣。
如請求項5所述之組合式鞋墊，其中 該足弓鞋墊之足弓撐托區的底面相對於頂面形成一懸空的上凹弧部；該全腳掌形鞋墊之下凹部表面在相對於該足弓鞋墊之上凹弧部向上隆起形成一支撐部，以供該上凹弧部疊置，並提供該足弓撐托區下壓後向上的支撐力。
如請求項6所述之組合式鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊在該支撐部的底面相對於表面形成一朝向內側足弓凹陷的內凹弧部。
如請求項5所述之組合式鞋墊，其中，該足弓鞋墊本體之前掌區、後跟區分別鏤空地設置一槽口，該前掌區的槽口內圍設有一前掌緩衝墊，該後跟區的槽口內圍設有一足跟緩衝墊。
如請求項8所述之組合式鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊、足弓鞋墊的本體、前掌緩衝墊、足跟緩衝墊分別由不同軟硬度的塑膠、矽膠或橡膠材質所製成。
如請求項9所述之組合式鞋墊，其中，該全腳掌形鞋墊之下凹部的表面分別設有一與該足弓鞋墊之前掌緩衝墊和足跟緩衝墊底面外輪廓形狀大致相同的定位凹槽。
一種耐燃環保複合板體，包含一板狀板體，該板狀板體包含一回收聚氨酯、一植物碳以及一膠結體，該回收聚氨酯與該植物碳係分佈於該板狀板體內部，該膠結體係包覆並結合該回收聚氨酯與該植物碳而形成一整體結構，其中該膠結體係由一水泥與一水反應固化後形成，該回收聚氨酯、該植物碳與該水泥之重量比例介於2~7:1~6:1~6之間。
如請求項1所述之耐燃環保複合板體，其中該回收聚氨酯係為廢棄發泡聚氨酯。
如請求項1所述之耐燃環保複合板體，其中該回收聚氨酯係呈顆粒狀。
如請求項3所述之耐燃環保複合板體，其中該回收聚氨酯之顆粒粒徑介於0.5至10毫米之間。
如請求項1所述之耐燃環保複合板體，其中該植物碳係選自樹枝碳、果殼碳、種殼碳以及農作物殘渣碳中之至少一種。
如請求項5所述之耐燃環保複合板體，其中該果殼碳係選自菱角殼碳、花生殼碳、核桃殼碳以及椰子殼碳中之至少一種。
如請求項5所述之耐燃環保複合板體，其中該種殼碳係選自稻殼碳、小麥殼碳、玉米芯碳以及大豆殼碳中之至少一種。
如請求項1所述之耐燃環保複合板體，其中該水泥係選自波特蘭水泥、白水泥、鋁酸鹽水泥、硫鋁酸鹽水泥、高爐爐石粉水泥以及粉煤灰水泥中之至少一種。
如請求項1所述之耐燃環保複合板體，其中該耐燃環保複合板體更包含一表面材料係覆蓋該板狀板體之表面。
一種耳機盒，包括：<br/> 一殼體組件，其包括一上蓋和一底殼，該上蓋一側鉸接於該底殼，另一側的內壁設置有一鎖止凸台；<br/> 一蓋體鎖止組件，其包括一旋鈕、一驅動件、一彈性鎖芯和一鎖桿，該鎖桿沿一第一方向滑動連接於該底殼的內壁，該鎖桿設置有一鎖止部；該底殼的側壁設置有一連接孔，該驅動件沿一第二方向滑動穿設於該連接孔，該驅動件位於該底殼外的一端驅動連接於該旋鈕，該驅動件位於該底殼內的一端驅動連接於該鎖桿，該驅動件轉動時能夠驅動該鎖桿在一鎖止位或一解鎖位之間移動；<br/> 該驅動件的外壁設置有一第一限位槽，該彈性鎖芯連接於該底殼的內壁；該第一限位槽沿該第二方向的一側設置有一第一傾斜側壁，該鎖桿位於該鎖止位時，且該彈性鎖芯抵接於該第一限位槽內。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該驅動件的外壁設置有一第二限位槽，該第二限位槽沿該驅動件周向的一側設置有一第二傾斜側壁，該鎖桿位於該解鎖位時，該彈性鎖芯抵接於該第二限位槽內。
如請求項2所述的耳機盒，其中，該蓋體鎖止組件還包括一定位環，該底殼的內壁設置有一環形限位槽，該環形限位槽環設於該連接孔，該環形限位槽包括一大徑壁和一小徑壁，該定位環位於該環形限位槽內且連接於該大徑壁，該驅動件設置有一環形限位部，該環形限位部滑動連接於該小徑壁和該定位環之間，該第一限位槽和該第二限位槽設置於該環形限位部的外壁，該彈性鎖芯設置於該定位環內。
如請求項2所述的耳機盒，其中，該第一限位槽和該第二限位槽沿該驅動件的周向和軸向均間隔設置。
如請求項2所述的耳機盒，其中，該第一限位槽、該第二限位槽和該彈性鎖芯均為兩個。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該驅動件位於該底殼內的一端設置有一齒輪部，該鎖桿設置有一齒條部，該齒輪部嚙合連接於該齒條部。
如請求項1至6任一項所述的耳機盒，其中，該蓋體鎖止組件還包括一第一彈性件，該第一彈性件設置於該旋鈕和該底殼之間，該第一傾斜側壁位於該第一限位槽遠離該鎖桿的一側。
如請求項7所述的耳機盒，其中，該旋鈕靠近該底殼的一側設置有一定位槽，該第一彈性件套設於該驅動件，該第一彈性件一端抵接於該定位槽的槽底，另一端抵接於該底殼。
如請求項1至6任一項所述的耳機盒，其中，該底殼的內壁設置有兩個沿第二方向間隔設置的一限位柱，該鎖桿設置有兩個沿第二方向間隔設置的一限位導向孔，該限位導向孔沿該第一方向延伸，兩個該限位柱分別滑動穿設於兩個該限位導向孔，該鎖桿位於該鎖止位時，該限位柱抵接於該限位導向孔的一端，該鎖桿位於該解鎖位時，該限位柱抵接於該限位導向孔的另一端。
如請求項1至6任一項所述的耳機盒，其中，該旋鈕遠離該底殼的一端設置有一長條凸台。
一種繩扣系統，其包括：<br/> 一繩扣，形成有一調節通道，用以供至少一個繩帶穿設與定位；其中，所述繩扣包含一本體及自所述本體延伸的一卡扣柱，並且所述卡扣柱具有一壓迫部及相連於所述壓迫部與所述本體之間的一頸部；<br/> 一片料，具有一第一表面、相反於所述第一表面的一第二表面、及貫穿所述第一表面與所述第二表面的一安裝孔；其中，所述繩扣以所述本體設置於所述片料的所述第一表面，並且所述卡扣柱穿過所述安裝孔；以及<br/> 一面扣，設置於所述片料的所述第二表面且能相對於所述繩扣於一第一位置與一第二位置之間沿一預設方向移動；其中，所述面扣具有：<br/> 一配合槽孔，呈貫穿狀；<br/> 兩個彈臂，彼此間隔地相連於所述配合槽孔的內壁，並且所述配合槽孔被區隔形成位於兩個所述彈臂內側的一第一區、及沿所述預設方向遠離所述第一區的一第二區；及<br/> 一限位壁，相連於所述第二區的局部內壁、並與所述第二區的另一局部內壁共同構成一限位槽，而兩個所述彈臂的末端鄰近於所述限位槽的槽口；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第一位置時，所述面扣的所述第一區沿垂直所述預設方向的一插入方向套設於所述卡扣柱；<br/> 其中，當所述面扣自所述第一位置沿所述預設方向移動至所述第二位置時，所述卡扣柱撐開並穿過兩個所述彈臂，以使所述限位壁圍繞於所述頸部之外，並且所述壓迫部進入所述限位槽之內；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第二位置時，所述壓迫部於所述預設方向的移動受限於兩個所述彈臂的所述末端，並且所述壓迫部壓迫所述限位壁，以使所述片料夾持於所述本體以及所述面扣之間。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述繩扣包含：<br/> 一母扣，具有所述本體及所述卡扣柱；及<br/> 一公扣，安裝於所述母扣的所述本體，以共同形成有所述調節通道。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述繩扣為一體成形的單件式構造，並且所述本體形成有所述調節通道；其中，所述調節通道的頂側形成有一V形槽，以使穿設於所述調節通道的至少一個所述繩帶能夠朝向所述V形槽拉動而卡固於內。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述面扣定義有平行所述預設方向的一中心線，每個所述彈臂與所述中心線相夾有介於0度～70度之間的一傾斜角，所述配合槽孔包含有分別位於兩個所述彈臂相反兩外側的兩個緩衝區，並且每個所述彈臂能朝向相對應所述緩衝區進行角度小於等於45度的彈性擺動。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述壓迫部具有一平面端；當所述面扣位於所述第二位置時，所述平面端面向兩個所述彈臂的所述末端。
如請求項5所述的繩扣系統，其中，兩個所述彈臂的所述末端呈共平面配置；當所述面扣位於所述第二位置時，兩個所述彈臂的所述末端平行於所述壓迫部的所述平面端。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述壓迫部具有一平面端及遠離所述平面端的一弧面端；當所述面扣位於所述第二位置時，所述弧面端抵靠於所述第二區的所述另一局部內壁。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，所述本體具有分佈於所述卡扣柱外側的多個止滑結構；當所述面扣位於所述第二位置時，所述片料夾持於所述本體的多個所述止滑結構以及所述面扣之間。
如請求項1所述的繩扣系統，其中，當所述面扣位於所述第二位置時，所述本體與所述面扣之間形成有一間距，其小於所述片料的厚度。
一種扣具組合，其包括：<br/> 一繩扣，形成有一調節通道，用以供至少一個繩帶穿設與定位；其中，所述繩扣包含一本體及自所述本體延伸的一卡扣柱，並且所述卡扣柱具有一壓迫部及相連於所述壓迫部與所述本體之間的一頸部；以及 <br/> 一面扣，能相對於所述繩扣於一第一位置與一第二位置之間沿一預設方向移動；其中，所述面扣具有：<br/> 一配合槽孔，呈貫穿狀；<br/> 兩個彈臂，彼此間隔地相連於所述配合槽孔的內壁，並且所述配合槽孔被區隔形成位於兩個所述彈臂內側的一第一區、及沿所述預設方向遠離所述第一區的一第二區；及<br/> 一限位壁，相連於所述第二區的局部內壁、並與所述第二區的另一局部內壁共同構成一限位槽，而兩個所述彈臂的末端鄰近於所述限位槽的槽口；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第一位置時，所述面扣的所述第一區沿垂直所述預設方向的一插入方向套設於所述卡扣柱；<br/> 其中，當所述面扣自所述第一位置沿所述預設方向移動至所述第二位置時，所述卡扣柱撐開並穿過兩個所述彈臂，以使所述限位壁圍繞於所述頸部之外，並且所述壓迫部進入所述限位槽之內；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第二位置時，所述壓迫部於所述預設方向的移動受限於兩個所述彈臂的所述末端。
如請求項10所述的扣具組合，其中，所述繩扣為一體成形的單件式構造，並且所述本體形成有所述調節通道；其中，所述調節通道的頂側形成有一V形槽，以使穿設於所述調節通道的至少一個所述繩帶能夠朝向所述V形槽拉動而卡固於內。
一種扣具組合，其包括：<br/> 一繩扣，形成有一調節通道，用以供至少一個繩帶穿設與定位；其中，所述繩扣包含一本體及自所述本體延伸且彼此間隔的兩個卡扣柱，並且每個所述卡扣柱具有一壓迫部及相連於所述壓迫部與所述本體之間的一頸部；以及 <br/> 一面扣，能相對於所述繩扣於一第一位置與一第二位置之間沿一預設方向移動；其中，所述面扣具有：<br/> 一配合槽孔，呈貫穿狀；<br/> 兩個彈臂，彼此間隔地相連於所述配合槽孔的內壁，並且所述配合槽孔被區隔形成分別位於兩個所述彈臂相反兩外側的兩個第一區、及沿所述預設方向分別遠離兩個所述第一區的兩個第二區；及<br/> 兩個限位壁，分別相連於兩個所述第二區的局部內壁、並與兩個所述第二區的另一局部內壁共同構成兩個限位槽，而兩個所述彈臂的末端分別鄰近於兩個所述限位槽的槽口；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第一位置時，所述面扣的兩個所述第一區沿垂直所述預設方向的一插入方向分別套設於兩個所述卡扣柱；<br/> 其中，當所述面扣自所述第一位置沿所述預設方向移動至所述第二位置時，兩個所述卡扣柱分別撐開並穿過兩個所述彈臂，以使兩個所述限位壁分別圍繞於兩個所述頸部之外，並且兩個所述壓迫部分別進入兩個所述限位槽之內；<br/> 其中，當所述面扣位於所述第二位置時，兩個所述壓迫部於所述預設方向的移動分別受限於兩個所述彈臂的所述末端。
如請求項12所述的扣具組合，其中，所述面扣定義有平行所述預設方向的一中心線，每個所述彈臂與所述中心線相夾有介於0度～70度之間的一傾斜角，兩個所述彈臂之間形成有一緩衝區，並且每個所述彈臂能朝向所述緩衝區進行角度小於等於45度的彈性擺動。
如請求項12所述的扣具組合，其中，所述繩扣包含：<br/> 一母扣，具有所述本體及兩個所述卡扣柱；及<br/> 一公扣，安裝於所述母扣的所述本體，以共同形成有所述調節通道。
一種馬達反扭力減緩之安裝結構，係設置於一無人機體上，該無人機體設有一旋轉推進裝置，該旋轉推進裝置之一側設有一驅動馬達，該驅動馬達具有一馬達軸心，該馬達軸心之一端組設該旋轉推進裝置，該驅動馬達組裝於一馬達安裝座，其特徵在於：該馬達安裝座之前端設有一前傾斜軸座，該前傾斜軸座貫設一傾斜軸孔；其中該傾斜軸孔之中心處界定形成一支點結構，並以垂直該前傾斜軸座且通過該支點結構延伸一傾斜軸線，而該無人機體通過該支點結構延伸一水平軸線，該傾斜軸線相對於該水平軸線具有一預定偏離角度。
如請求項1所述之馬達反扭力減緩之安裝結構，其中該無人機體設有二相對配置之水平尾翼，且各該水平尾翼分別設有一升降舵，各該升降舵係分別由一電驅動裝置供電驅動。
如請求項2所述之馬達反扭力減緩之安裝結構，其中兩該水平尾翼之間設有一殼架，該馬達安裝座對應該殼架位置設有複數結合部，各該結合部分別設有一結合孔，並分別藉由一組合件穿設各該結合孔以螺鎖固定於該殼架之相對位置。
如請求項1所述之馬達反扭力減緩之安裝結構，其中該預定偏離角度為2至10度。
一種電子元件之承載裝置，包含：<br/> 一基座，以一硬料材質製成，並包括一具有位於相反側之一頂面及一底面的板體、一凸設於該頂面且與該頂面相配合圍繞界定出一適用於承載該電子元件之座穴的第一圍繞壁，及一凸設於該底面且與該第一圍繞壁呈上下對應設置的第二圍繞壁；及<br/> 二擋牆單元，以一彈性係數較該基座要低的軟性材質製成，並分別設置於該基座之該第一圍繞壁與該第二圍繞壁，且用以圍繞該座穴而限位該電子元件。
如請求項1所述的電子元件之承載裝置，其中，該第一圍繞壁具有一環繞設置且呈高低起伏排列的第一限位件，該第二圍繞壁具有一環繞設置且與該第一限位件彼此對稱的第二限位件，且該等擋牆單元包括二包覆於該第一限位件與該第二限位件的包覆件。
如請求項1所述的電子元件之承載裝置，其中，該第一圍繞壁具有複數個等距且間隔排列的第一限位件，該第二圍繞壁具有複數與該等第一限位件對位設置的第二限位件，且該等擋牆單元包括複數個可拆卸地安裝於該等第一限位件與該等第二限位件的嵌入件。
如請求項2所述的電子元件之承載裝置，其中，任兩個該基座可相互疊合，且位於下方的該基座形成一適用於容置該電子元件且投影範圍小於該座穴的設置範圍，使得容置於該設置範圍的該電子元件與對應於該第一限位件的該包覆件間隔一段橫向間隙。
如請求項4所述的電子元件之承載裝置，其中，容置於該設置範圍的該電子元件，與對應於該第二限位件之該包覆件朝橫向延伸的投影距離間隔一段縱向間隙。
如請求項3所述的電子元件之承載裝置，其中，任兩個該基座可相互疊合，且位於下方的該基座形成一適用於容置該電子元件且投影範圍小於該座穴的設置範圍，使得容置於該設置範圍的該電子元件與對應於該第一限位件的該嵌入件間隔一段橫向間隙。
如請求項6所述的電子元件之承載裝置，其中，容置於該設置範圍的該電子元件，與對應於該第二限位件之該嵌入件朝橫向延伸的投影距離間隔一段縱向間隙。
一種績效分析系統，適用於一使用者終端裝置，並包含：<br/> 一通訊單元，用於提供連網功能；<br/> 一儲存單元，儲存一語意圖譜資料庫、一績效資料庫及完成機器學習訓練的一自然語言模型，該語意圖譜資料庫包括多個主題及多個度量，該績效資料庫包括多筆績效資料，每一該績效資料對應該等主題其中之一；及<br/> 一處理單元，電連接該通訊單元與該儲存單元，以透過該通訊單元與該使用者終端裝置通訊，以提供一績效查詢介面給該使用者終端裝置，並經由該績效查詢介面接收來自該使用者終端裝置的一包括一查詢訊息的查詢請求，且將該查詢訊息輸入至該自然語言模型，使得該自然語言模型藉由語意圖譜技術輸出該語意圖譜資料庫的該等主題其中之一及該等度量其中之一；<br/> 該處理單元篩選出對應與該自然語言模型所輸出的該主題的該至少一績效資料，並根據與該自然語言模型所輸出的該度量及對應的該至少一績效資料產生一報表，並將該報表顯示在該績效查詢介面。
如請求項1所述的績效分析系統，其中，每一該績效資料還對應一日期，該自然語言模型還輸出一查詢時段，該處理單元篩選出對應與該自然語言模型所輸出的該主題且每一該日期於該查詢時段內的該至少一績效資料。
如請求項1所述的績效分析系統，其中，當該自然語言模型無法輸出該語意圖譜資料庫的該等主題其中之一或該等度量其中之一時，該自然語言模型藉由語意圖譜技術輸出一查詢建議。
如請求項1所述的績效分析系統，其中，該儲存單元還儲存多個帳號資料，每一該帳號資料包括一使用者識別資料及一權限資料，每一該績效資料還對應該權限資料，當該處理單元接收該使用者終端裝置的一包括一登入資料的登入請求時，判斷該登入資料與該等帳號資料所包括的該等使用者識別資料其中之一相符時，才提供該績效查詢介面，以接收到來自該使用者終端裝置的該查詢請求，並篩選出對應該主題且對應該帳號資料的該權限資料的該至少一績效資料。
如請求項2所述的績效分析系統，其中，該儲存單元還儲存一查詢紀錄表，該處理單元將該查詢訊息、該主題及該度量儲存至該查詢紀錄表，當該處理單元接收到來自另一查詢請求所包括的另一查詢訊息時，該處理單元執行該自然語言模型，當該自然語言模型根據該另一查詢訊息產生另一查詢時段且產生該查詢紀錄表最近所儲存的該主題及該度量時，該處理單元篩選出對應該查詢紀錄表最近所儲存的該主題且該日期於該另一查詢時段內的該至少一績效資料，並根據該查詢紀錄表最近所儲存的該度量及對應的該至少一績效資料產生另一報表。
一種應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，包括：<br/> 一儲存單元，其中儲存一待分析財報資料；及<br/> 一處理單元，其與該儲存單元電連接以存取該儲存單元，且該處理單元包含且執行一語意擷取轉換模組、一知識圖譜建立模組及一規則式專家系統；其中<br/> 語意擷取轉換模組從該儲存單元儲存的該待分析財報資料中自動提取關鍵資訊並將其轉換成一結構化財報資料；<br/> 該知識圖譜建立模組根據相關金融監理法規、函釋及該語意擷取轉換模組提供的結構化財報資料建構一知識圖譜，並將該知識圖譜儲存於該儲存單元；<br/> 該規則式專家系統基於該知識圖譜，對該待分析財報資料進行異常交易檢測、財務指標預測、信用風險評估及合規性檢查，並據此產生一分析報告。
如請求項1所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該規則式專家系統還基於該知識圖譜，對該待分析財報資料其中至少一特定項目進行自動分類，並將分類結果呈現於該分析報告。
如請求項1所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，還包括一與該處理單元電連接的通訊單元，該通訊單元能透過網路與一使用者終端裝置連線以通訊，且該處理單元還包含一查詢與問答模組，該查詢與問答模組能提供一資料查詢使用者介面給該使用者終端裝置，該資料查詢使用者介面供輸入一查詢內容或一問題，且該查詢與問答模組根據該查詢內容或該問題從該知識圖譜取得相關資訊，並基於取得的相關資訊生成一答覆內容後，將該答覆內容顯示於該資料查詢使用者介面。
如請求項3所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該查詢內容是針對一特定機構的一特定項目的報表時，該查詢與問答模組從該知識圖譜取得與該特定機構及該特定項目相關的特定財務資料，該查詢與問答模組並將特定財務資料提供給一報表生成模組，以由該報表生成模組將特定財務資料填入其中內建之符合該特定機構之要求的一報告模版，而產生針對該特定機構的一特定項目財務報告，並回傳且顯示該特定項目財務報告於該資料查詢使用者介面，以供該使用者終端裝置下載並儲存該特定項目財務報告。
如請求項1所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該規則式專家系統包含一規則庫及一推理引擎，且該推理引擎根據該規則庫中定義的規則，驗證該知識圖譜中的一財務資訊違反規則時，產生與該財務資訊相關的一預警記錄。
如請求項2所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該規則式專家系統包含經過訓練的一異常檢測模型、一預測模型、一信用風險評估模型、一分類模型及一法規遵循引擎，該異常檢測模型自動檢測該知識圖譜中的財報資料是否存在異常模式；該預測模型基於歷史數據及該知識圖譜中的財報資料進行財務指標預測；該信用風險評估模型基於多維度資料及該知識圖譜中的財報資料評估的信用風險；該分類模型對該知識圖譜中的財報資料的特定項目進行自動分類；該法規遵循引擎分析該知識圖譜中的相關金規監理法規及函釋，並與該知識圖譜中的財報資料進行比對，以確保該知識圖譜中的財報資料的合規性。
如請求項6所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該規則式專家系統還包含一SHAP模型及一可解釋AI模型，該SHAP模型分析該異常檢測模型、該預測模型、該信用風險評估模型及該分類模型採用的特徵對模型預測結果的貢獻度；該可解釋AI模型計算該異常檢測模型、該預測模型、該信用風險評估模型及該分類模型採用的特徵對模型預測結果的貢獻度，並據此解釋模型的預測結果。
如請求項3所述應用知識圖譜自動分析財報資料的電腦裝置，其中，該查詢與問答模組還運用雜湊樹及星際檔案系統技術，對該知識圖譜中的資料及該資料查詢使用者介面留存的使用者操作記錄進行雜湊運算與分散式儲存，以建立不可竄改的數位指紋並提供審計追蹤記錄。
一種自行車車架結構，其包含有：一自行車車架，其中：<br/>該自行車車架是以高張力鋼板經由一模具沖壓後再焊接而成，俾通過所述模具之沖壓在所述高張力鋼板上一體沖設有一頭管部、一上管部、一下管部、一中管部與一軸管部，及該頭管部、該上管部、該下管部與該中管部係被所述模具沖壓成半管狀，當所述高張力鋼板上多餘的邊角料在沖壓後被去除時，將令所述高張力鋼板能成為具有所述頭管部、所述上管部、所述下管部、所述中管部與所述軸管部的一車架單元，又所述自行車車架是由二所述車架單元構成，該二車架單元係相對合，對合後會在該二車架單元的各側間均形成有一接縫，沿著所述接縫對二所述車架單元做焊接並形成有焊道，將令二所述車架單元能相結合成一完整的所述自行車車架，以提供使用。
如請求項1所述之自行車車架結構，其中，所述邊角料是以雷射切割之方式來做去除。
如請求項1所述之自行車車架結構，其中，所述邊角料是以沖床沖壓之方式來做去除。
如請求項1所述之自行車車架結構，其中，所述高張力鋼板中央形成有一貫穿孔，且該貫穿孔是設呈三角狀。
一種負電位產生裝置，包括： <br/>一塑膠盒體(10)，其具有一側壁(11)及一底壁(18)，該側壁(11)為環狀且該側壁(11)的下端部與該底壁(18)連接，該側壁(11)及該底壁(18)形成一容置空間(S)於該塑膠盒體(10)的內部，該側壁(11)還具有一抵接區域(13)及一通孔(14)； <br/>一AC/DC轉換器(20)，其係設置在該容置空間(S)，並透過一第一導線(21)電性連接一插頭(22)； <br/>一升壓器(30)，其係設置在該容置空間(S)，並與該AC/DC轉換器(20)電性連接； <br/>一第二導線(40)，其一端與該升壓器(30)電性連接，其另一端的一金屬線(41)與該抵接區域(13)接觸；以及， <br/>一塑膠蓋體(50)，其覆蓋於該側壁(11)的上端部。
如請求項1所述之負電位產生裝置，其中，該塑膠盒體(10)還具有至少一個卡扣件(15)，該至少一個卡扣件(15)係設置於該底壁(18)的一內表面(12)，且該至少一個卡扣件(15)係將該升壓器(30)或該AC/DC轉換器(20)固定於該容置空間(S)。
如請求項2所述之負電位產生裝置，其中，該塑膠盒體(10)還具至少一個定位件(17)，該至少一個定位件(17)係設置於該內表面(12)並與該升壓器(30)抵接。
如請求項3所述之負電位產生裝置，其中，該負電位產生裝置(100)還具有一防水固定件(23)，該防水固定件(23)係設置於該塑膠盒體(10)的該通孔(14)，且該第一導線(21)係穿設於該防水固定件(23)。
如請求項4所述之負電位產生裝置，其中，該塑膠盒體(10)還具有至少一個卡槽件(16)，該至少一個卡槽件(16)係設置於該側壁(11)與該底壁(18)共同形成的該內表面(12)，且該至少一個卡槽件(16)固定該第二導線(40)或第三導線(31)。
如請求項5所述之負電位產生裝置，其中，該塑膠蓋體(50)與該蓋體槽之間具有一黏固層，該黏固層係為一矽膠水黏合方式所形成的一矽膠水黏合層，或一超音波融合方式所形成的一超音波融合層。
如請求項6所述之負電位產生裝置，其中，該負電位產生裝置(100)還具有至少一條棉線(60)以及一黏接件(70)，該至少一條棉線(60)係設置於該容置空間(S)，且該黏接件(70)係設置於該AC/DC轉換器(20)或該升壓器(30)之間。
如請求項7所述之負電位產生裝置，其中，該塑膠盒體(10)與該AC/DC轉換器(20)以及該升壓器(30)之間的一空間塞設一石墨烯層(80)或一膠體層(200)。
如請求項8所述之負電位產生裝置，其中，該防水固定件(23)具有一防水接頭(231)、一螺紋部(232)以及一螺母(233)，該防水接頭(231)係設置於該側壁(11)的外側並與該側壁(11)接觸，該螺紋部(232)及該螺母(233)係設置於該容置空間(S)，且該螺母(233)與該側壁(11)接觸。
如請求項9所述之負電位產生裝置，其中，該至少一個卡扣件(15)的數量為二個該卡扣件(15)，且二個該卡扣件(15)係呈一對角方式設置於該AC/DC轉換器(20)或該升壓器(30)的一周圍。
一種耳機盒，包括：<br/> 一殼體組件，包括一上蓋和一底殼，該上蓋與該底殼轉動連接，該上蓋的內壁設置有一第一鎖止部；<br/> 一鎖止組件，包括一鎖桿、一偏心驅動件和一連桿，該鎖桿轉動安裝於該底殼的內壁，該鎖桿的自由端設置有一第二鎖止部，該偏心驅動件的部分伸出該底殼，該偏心驅動件包括一圓臺部，該圓臺部轉動安裝於該底殼內，該圓臺部的轉動軸與該圓臺部的圓心軸平行且間隔開，該連桿與該鎖桿鉸接，該連桿包括一圓環部，該圓環部轉動套設於該圓臺部的外周面；<br/> 撥動該偏心驅動件，以使該圓臺部驅動該連桿帶動該鎖桿在一鎖止位和一解鎖位之間移動，該鎖桿位於該鎖止位時，該第二鎖止部能夠鎖止該第一鎖止部；該鎖桿位於該解鎖位時，該第二鎖止部避讓該第一鎖止部。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該第一鎖止部包括一第一鎖止凸臺，該第二鎖止部包括一延伸臂和一第二鎖止凸臺，該延伸臂伸出該底殼的上表面，該鎖桿位於該鎖止位時，該第二鎖止凸臺的至少部分位於第一鎖止凸臺遠離該底殼的上表面的一側。
如請求項2所述的耳機盒，其中，該第一鎖止凸臺靠近該底殼一側設置有一第一導向斜面，該第二鎖止凸臺靠近該上蓋一側設置有與該第一導向斜面導向配合的一第二導向斜面，該上蓋相對於該底殼扣合時，該第一導向斜面適於抵推該第二導向斜面。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該鎖桿和該底殼之間設置有一彈性件，該彈性件具有使得該鎖桿置於該鎖止位的趨勢。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該偏心驅動件還包括一撥桿，該撥桿與該圓臺部固定連接，該撥桿的部分伸出該底殼。
如請求項5所述的耳機盒，其中，該底殼設置有一限位孔，該撥桿穿設於該限位孔且能夠在該限位孔內擺動。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該底殼的內壁設置有一第一承載臺，該第一承載臺上設置有一第一鉸接柱，該圓臺部設置有一第一鉸接孔，該第一鉸接柱與該第一鉸接孔鉸接配合。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該底殼的內壁設置有一第二承載臺，該第二承載臺上設置有一第二鉸接柱，該鎖桿設置有一第二鉸接孔，該第二鉸接柱與該第二鉸接孔鉸接配合。
如請求項1所述的耳機盒，其中，該耳機盒還包括一第三鉸接柱，該鎖桿設置有一第三鉸接孔，該連桿設置有一第四鉸接孔，該第三鉸接孔、該第四鉸接孔均與該第三鉸接柱鉸接配合。
如請求項1至9中任一項所述的耳機盒，其中，該上蓋與該底殼之間設置有一扭簧，該扭簧用於驅動該上蓋移動至開蓋狀態。
一種採用加熱管的地瓜烤箱，其包含有：<br/> 一烤箱本體，具有一烘烤座與一展示框架，該展示框架設置於該烘烤座之頂側，該烘烤座具有複數個加熱管與一控制面板，該等加熱管設置於該烘烤座的內部並分別位於鄰近該烘烤座頂部及底部的位置，該控制面板設置於該烘烤座的前側，且該等加熱管電性連接該控制面板；<br/> 二防燙擋板，分別設置於該烤箱本體之烘烤座的兩個側邊，每一該防燙擋板的周圍形成一圍邊部；以及<br/> 一前圍板，組接於該等防燙擋板的一側，且該前圍板可相對於該等防燙擋板樞轉。
如請求項1所述的採用加熱管的地瓜烤箱，其中該烤箱本體之該烘烤座具有一烤箱門與一抽屜式烤盤，該烤箱門連接該抽屜式烤盤，使該烤箱門可帶動該抽屜式烤盤平移，而該等加熱管平均設置於該抽屜式烤盤的上方及下方。
如請求項1所述的採用加熱管的地瓜烤箱，其中該烤箱本體之該烘烤座的該控制面板包含有複數個控制開關與一顯示模組，該等控制開關電性連接該顯示模組。
一種電池模組，係包括：<br/>至少一電池；<br/>一處理器與一時間計數單元，係連結至該電池，以由該處理器或該時間計數單元依據該電池之電池儲存時間計算出該電池之休眠時間因子數值；<br/>一電壓量測單元，係連結至該電池，以由該電壓量測單元依據該電池之最高電壓門檻值、當下電壓值與電壓補償係數計算出該電池之電壓因子數值；以及<br/>一溫度量測單元，係連結至該電池，以由該溫度量測單元依據該電池之當下溫度值、最低溫度門檻值與溫度補償係數計算出該電池之溫度因子數值；<br/>其中，該處理器或該時間計數單元所計算出之該休眠時間因子數值、該電壓量測單元所計算出之該電壓因子數值與該溫度量測單元所計算出之該溫度因子數值，係供調整該電池於休眠模式下之休眠喚醒時間。
如請求項1所述之電池模組，其中，該處理器更判斷出該電池在無任何充電電流或放電電流、或者無系統管理匯流排之通訊狀態下，於滿足有關該休眠模式之時間門檻值後，該電池將進入該休眠模式。
如請求項1所述之電池模組，其中，該處理器更判斷出該電池未進入或已離開該休眠模式，以由該時間計數單元將該電池之該休眠時間因子數值清除為零。
如請求項1所述之電池模組，其中，該處理器或該時間計數單元更於每隔該休眠喚醒時間自動喚醒該電池，以確認該電池之電池電壓、電池電流與電池溫度。
如請求項1所述之電池模組，更包括一記錄單元，其中，當該電池處於該休眠模式下，該處理器或該時間計數單元每隔該休眠喚醒時間之門檻值後喚醒該電池，以確認該電池之電池電壓與電池溫度之狀態，再由該記錄單元記錄該電池之電池電壓與電池溫度之數值。
如請求項1所述之電池模組，其中，該處理器或該時間計數單元更依據該電池之該電池儲存時間動態調整該電池之該休眠時間因子數值，當該電池之該電池儲存時間越長時，該處理器或該時間計數單元動態調整該電池之該休眠時間因子數值為越大，而當該電池之該電池儲存時間越短時，該處理器或該時間計數單元動態調整該電池之該休眠時間因子數值為越小。
如請求項1所述之電池模組，其中，該電池處於高電壓區段時，該電壓量測單元計算出該電池之高電壓區段之該電壓因子數值等於該電池之最高電壓門檻值減去當下電壓值後再乘以高電壓補償係數。
如請求項1所述之電池模組，其中，該電池處於非高電壓區段時，該電壓量測單元計算出該電池之非高電壓區段之該電壓因子數值等於該電池之最高電壓門檻值減去當下電壓值後再乘以非高電壓補償係數。
如請求項1所述之電池模組，其中，該電池處於高溫區段時，該溫度量測單元計算出該電池之高溫區段之該溫度因子數值等於該電池之當下溫度值減去最低溫度門檻值後再乘以高溫溫度補償係數。
如請求項1所述之電池模組，其中，該電池處於非高溫區段時，該溫度量測單元計算出該電池之非高溫區段之該溫度因子數值等於該電池之當下溫度值減去最低溫度門檻值後再乘以非高溫溫度補償係數。
一種風帶季移教具，包括：<br/> 第一元件，形成為方形片狀，並具有：<br/> 折線，設置於該第一元件的中間；<br/> 二個嵌合部，設置於該折線的一側；以及<br/> 二個嵌合孔，設置於該折線的另一側；以及<br/> 第二元件，形成為方形片狀，並具有：<br/> 抽拉部，設置於該第二元件的相對兩側邊；以及<br/> 凸出部，設置於與該等抽拉部所在側邊垂直的該第二元件之側邊；<br/> 其中，該第一元件藉由該折線折疊，使折疊後的第一元件內側形成容置空間，並且該等嵌合部均插入另一側對應的該等嵌合孔；以及<br/> 其中，該第二元件設置於該容置空間中，並使該凸出部位於該等嵌合孔之間，用以將第二元件留置於該容置空間。
如請求項1所述之風帶季移教具，其中，該第一元件還具有：<br/> 遮罩面，位於該折線的一側，並設置有複數挖孔，用以穿透至該容置空間；以及<br/> 第一類圖像，設置於該遮罩面的外側；<br/> 該第二元件接觸該遮罩面的一面設置有第二類圖像；<br/> 其中，該第二類圖像根據該第二元件與該第一元件的相對位置，透過該挖孔展示該第一類圖像的不同區域。
如請求項2所述之風帶季移教具，其中，該第二元件接觸該遮罩面的一面還設置有第三類圖像；<br/> 該第三類圖像透過該挖孔與該第一類圖像組合展現行星風系資訊；以及<br/> 該第二元件藉由改變與該第一元件的相對位置，調整該行星風系資訊對應的第一圖類圖像。
一種經緯線地球模型，包括：<br/> 複數緯線元件，形成為圓片狀，邊緣朝圓心方向設置有複數U形裁切線；以及<br/> 複數經線元件，形成為圓片狀，設置有相互平行的複數長條形裁切線；<br/> 其中，該等緯線元件沿著該等U形裁切線拆除該U形裁切線圍繞的區域，用以形成凹槽；<br/> 其中，該經線元件對折呈半圓形，並沿著該長條形裁切線拆除該長條形裁切線圍繞的區域形成開口；以及<br/> 其中，該等經線元件經由該開口組裝至該凹槽，使該等緯線元件與該等經線元件組合成圓球形。
如請求項1所述之經緯線地球模型，其中，相鄰的該等凹槽之間夾角相同，使該等凹槽等角分布於該緯線元件以對應不同的經線。
如請求項1所述之經緯線地球模型，其中，該等開口根據地球實際的緯度位置設置於該等經線元件。
如請求項1所述之經緯線地球模型，其中，該等凹槽的寬度大於該等經線元件折疊後的厚度。
一種智慧展示裝置，包括框架，所述框架內部設有若干展示單元；<br/> 所述展示單元包括固定空間（1）和用於擺放商品的活動空間（2），所述活動空間（2）通過位移組件活動設置於所述固定空間（1）內；<br/> 所述框架設有用於檢測用戶動作的感應組件（3），所述感應組件（3）與所述位移組件訊號連接；<br/> 所述感應組件（3）依據所檢測到用戶動作發出控制訊號至對應的位移組件，驅動所述活動空間（2）移動。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述感應組件（3）為檢測用戶頭部動作或眼球動作的追蹤攝影機（4），所述追蹤攝影機（4）通過檢測用戶頭部動作或眼球動作獲取用戶所關注商品的活動空間並向所述活動空間發出控制訊號，驅動所述活動空間移動至便於用戶觀察的位置。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述位移組件包括對稱設置在所述活動空間（2）底部的滑軌（5），所述活動空間（2）通過設有位移氣缸帶動其在所述滑軌（5）上滑動位移。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述活動空間（2）設有資訊展示裝置（6），所述資訊展示裝置（6）鉸接連接在所述活動空間（2）的上方，所述資訊展示裝置（6）設有翻轉機構驅動其進行轉動角度。
如請求項4所述的智慧展示裝置，其中，所述翻轉機構包括翻轉馬達（7），所述翻轉馬達（7）的輸出端與所述資訊展示裝置（6）鉸接連接，並通過所述翻轉馬達（7）帶動所述資訊展示裝置（6）轉動角度。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述展示單元內還設有燈光模組，所述感應組件（3）發出控制訊號時同時驅動所述燈光模組點亮所述展示單元。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述感應組件（3）包括設置在所述活動空間（2）底部的重量感應模組，所述框架的頂部設有資訊展示螢幕（10），所述重量感應模組與資訊展示螢幕（10）訊號連接；當所述活動空間（2）內商品被拿起導致重量發生改變，所述重量感應模組發出訊號觸發所述資訊展示螢幕（10）播放相對應商品的資訊演示影像。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，所述若干個的展示單元組成展示單元層，多層所述展示單元層的下層展示單元層相對於上層展示單元層向外延伸佈置，以使裝置整體呈階梯式佈置。
如請求項7所述的智慧展示裝置，其中，所述框架包括背板（11）以及設置在所述背板（11）兩側的側板（12），兩側的所述側板（12）之間橫向設有若干隔層板（13）分隔為多層的展示單元層，所述隔層板（13）上縱向設有若干分隔板（14）分隔為多個的展示單元。
如請求項1所述的智慧展示裝置，其中，多個所述展示單元呈陣列佈置。
一種可調式氣簾吹吸式氣罩，包含：<br/> 送氣單元，係設於開放式液面槽的上方一側，其係設有一送氣管，由該送<br/> 氣管以一連接管連接於壓縮空氣設備，並於該送氣管設有複數間隔排列之小孔徑的吹送孔，經由該連接管路輸送壓縮空氣於該吹送孔噴出而形成射流，平均分布於該開放式液面槽上方以形成氣簾狀之隔離層，將汙染氣體向吸氣單元側推動；<br/> 吸氣單元，係為一吸氣罩，設於該開放式液面槽上方，與該送氣單元對應的另一側；以供吸入該送氣管之該吹送孔所噴出之該射流，再將所收集之汙染氣體推送到氣態汙染處理單元進行處理。
如請求項1所述之可調式氣簾吹吸式氣罩，其中，該連接管的適當位置係設有一流量控制閥，以供調整壓縮空氣的壓力，控制該射流末端於該吸氣罩前方之預設距離處，以形成氣簾狀之隔離層。
一種佛像磚，包含： <br/>一本體，其具有 <br/> 相對設置的二主要側面； <br/> 一佛像通道，其從其中一該主要側面貫穿至另一該主要側面。
如請求項1所述之佛像磚，其中該佛像通道包含： <br/>一頭部區域，其從其中一該主要側面貫穿至另一該主要側面； <br/>一上身區域，其位於該頭部區域的下方，且從其中一該主要側面貫穿至另一該主要側面，並且連通該頭部區域； <br/>一下盤區域，其位於該上身區域的下方，且從其中一該主要側面貫穿至另一該主要側面，並且連通該上身區域。
如請求項2所述之佛像磚，其進一步包含一燭台底座，該燭台底座可分離地設置於該下盤區域。
如請求項3所述之佛像磚，其中 <br/>該本體進一步具有二底座承靠部，該二底座承靠部分別突出形成於該下盤區域的相對兩側壁； <br/>該燭台底座的相對兩端部分別可分離地設置於該二底座承靠部上。
如請求項1所述之佛像磚，其進一步包含一燭台底座，該燭台底座可分離地設置於該佛像通道內。
如請求項1或5所述之佛像磚，其中該本體進一步具有一香塔容置槽，該香塔容置槽內凹形成於該本體的一頂面。
如請求項2至4中任一項所述之佛像磚，其中該本體進一步具有一香塔容置槽，該香塔容置槽內凹形成於該本體的一頂面，且向下延伸並連通於該頭部區域。
如請求項1或5所述之佛像磚，其中 <br/>該本體進一步具有一光源容置槽，其內凹形成於該本體的一底面，並且於該佛像通道的一底面形成一投射開口； <br/>該佛像磚包含一光源裝置，其設置於該光源容置槽，並且經由該投射開口朝該佛像通道內投射光線。
如請求項2至4中任一項所述之佛像磚，其中 <br/>該本體進一步具有一光源容置槽，其內凹形成於該本體的一底面，並且於該下盤區域的一底面形成一投射開口； <br/>該佛像磚包含一光源裝置，其設置於該光源容置槽，並且經由該投射開口朝該頭部區域投射光線。
如請求項7所述之佛像磚，其中 <br/>該本體進一步具有一光源容置槽，其內凹形成於該本體的一底面，並且於該下盤區域的一底面形成一投射開口； <br/>該佛像磚包含一光源裝置，其設置於該光源容置槽，並且經由該投射開口朝該頭部區域及該香塔容置槽投射光線。
一種應用於無人載具多軌道衛星天線構造，設置於一無人載具上，該應用於無人載具多軌道衛星天線構造包含：<br/> 一第一衛星天線本體，設置於該無人載具上，該第一衛星天線本體具有一外殼；<br/> 一第一天線端通訊模組，設置於該外殼中，該第一天線端通訊模組訊號連接該第一衛星天線本體；<br/> 一第二衛星天線本體，嵌套於該外殼中；以及<br/> 一第二天線端通訊模組，嵌套於該外殼中，該第二天線端通訊模組訊號連接該第二衛星天線本體。
如請求項1所述之應用於無人載具多軌道衛星天線構造，進一步，有多個該第二衛星天線本體分別訊號連接至該第二天線端通訊模組，所述第二衛星天線本體嵌套於該外殼中時，係環狀圍繞該第一衛星天線本體的一發射面。
一種應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，包含：<br/> 如請求項1所述之應用於無人載具多軌道衛星天線構造；<br/> 一多軌道衛星通訊主機，具有一主機殼，該主機殼表面有一供電埠、複數天線埠及複數輸出埠，該主機殼裡有一多軌道衛星控制模組、一第一基頻處理模組、一第二基頻處理模組及一資料交換模組；以及<br/> 一複合傳輸件，整合有一射頻同軸電纜線、一乙太網路線及一電源傳輸線；<br/> 該電源傳輸線連接至該供電埠，該供電埠電性連接該多軌道衛星控制模組、該第一基頻處理模組、該第二基頻處理模組及該資料交換模組；<br/> 該乙太網路線兩端分別連接該第一天線端通訊模組及其中一天線埠，該其中一天線埠訊號連接該第一基頻處理模組，該第一基頻處理模組訊號連接該多軌道衛星控制模組；<br/> 該射頻同軸電纜線兩端分別連接該第二天線端通訊模組及另一天線埠，該另一天線埠訊號連接該第二基頻處理模組，該第二基頻處理模組訊號連接該多軌道衛星控制模組；<br/> 該多軌道衛星控制模組訊號連接該資料交換模組，該資料交換模組分別訊號連接至少部分輸出埠。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該主機殼裡有一多電壓電源管理模組電性連接該供電埠、該多軌道衛星控制模組、該第一基頻處理模組、該第二基頻處理模組及該資料交換模組；該電源傳輸線輸入一交流電至該供電埠後，該多電壓電源管理模組係先將該交流電轉換成為複數直流電，且所述直流電至少具有兩種不同的電壓，該多電壓電源管理模組再將所述直流電分別傳送至該多軌道衛星控制模組、該第一基頻處理模組、該第二基頻處理模組及該資料交換模組。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該第一天線端通訊模組及該第二天線端通訊模組各自形成有一衛星通訊鏈路，該多軌道衛星控制模組分別取得該衛星通訊鏈路的一通訊品質資訊，並分別比對該通訊品質資訊與一通訊品質門檻值；當其中一衛星通訊鏈路的該通訊品質資訊低於該通訊品質門檻值時，該多軌道衛星控制模組對另一衛星通訊鏈路執行一連線建立程序及/或一身分認證程序，再將該其中一衛星通訊鏈路的至少部分數據流導向該另一衛星通訊鏈路。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，有一定位模組嵌套於該外殼中，該定位模組經由該乙太網路線連接至該其中一天線埠；該定位模組發出一定位資訊並經由該乙太網路線、該其中一天線埠及該第一基頻處理模組傳送至該多軌道衛星控制模組，該多軌道衛星控制模組根據該定位資訊計算一調整資訊，並將該調整資訊傳送至該第一天線端通訊模組及/或該第二天線端通訊模組，該第一天線端通訊模組及/或該第二天線端通訊模組再根據該調整資訊驅動該第一衛星天線本體的一第一驅動器及/或該第二衛星天線本體的一第二驅動器，而調整該第一衛星天線本體及/或該第二衛星天線本體的波束指向及/或機械角度。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該複合傳輸件整合有另一乙太網路線，該另一乙太網路線兩端分別連接該第二天線端通訊模組及又一天線埠，該又一天線埠直接訊號連接該多軌道衛星控制模組。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，所述輸出埠包含至少一電話埠及至少一網路埠，該資料交換模組分別訊號連接該至少一網路埠，該第二基頻處理模組分別訊號連接該至少一電話埠。
如請求項8所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，有一網路安全介面訊號連接該至少一網路埠，該網路安全介面包含一船舶區域網路交換器及/或一防火牆。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該多軌道衛星通訊主機設置於一船舶主體上，該主機殼裡有一慣性感測器，該供電埠電性連接該慣性感測器，有一處理單元訊號連接該慣性感測器及該船舶主體；該慣性感測器感測該船舶主體而產生一慣性訊號並傳送至該處理單元，該處理單元運算該慣性訊號而得到該船舶主體的一六自由度運動數據，該處理單元並根據該六自由度運動數據輸出一導航補正指令至該船舶主體，該船舶主體的一推進控制裝置根據該導航補正指令修正該船舶主體的航向及/或姿態。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該主機殼表面有一擴充埠，該主機殼裡有一影像壓縮模組，該供電埠電性連接該影像壓縮模組，該影像壓縮模組分別訊號連接該擴充埠及該資料交換模組，該資料交換模組訊號連接一網路埠；該影像壓縮模組經由該網路埠及該資料交換模組接收一外部影像資料，該影像壓縮模組將該外部影像資料壓縮處理後回傳該資料交換模組，該資料交換模組直接或經由該網路埠將壓縮後之該外部影像資料傳送至一伺服器終端儲存。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該主機殼表面具有複數指示燈，至少其中一指示燈電性連接該多軌道衛星控制模組，至少另一指示燈電性連接該第一基頻處理模組，至少又一指示燈電性連接該第二基頻處理模組。
如請求項3所述之應用於無人載具多軌道衛星通訊整合系統，進一步，該主機殼的材質為鍍鋅鋼板，該主機殼表面具有複數散熱鰭片，且所述散熱鰭片經噴砂陽極處理。
一種節能型廚餘處理機，包含有一攪拌槽、一熱風裝置、一空氣過濾器、一油水分離槽及一攪拌剪切組件，其中：<br/> 該攪拌槽具有一底面及一圍繞於該底面周圍之環周壁，該底面與該環周壁相互圈圍構成一可用以容置廚餘材料之攪拌空間，該熱風裝置用以輸出一熱風至該攪拌空間內，且位於該攪拌空間內之氣體通過該空氣過濾器向外排出，該底面上開設有數個排放孔，該油水分離槽配置於該各排放孔之相對下方，且該環周壁上設有至少一朝水平向延伸至該攪拌空間內之擋片，並有一轉軸穿設於該底面上，該轉軸可受一驅動馬達帶動旋轉，而該攪拌剪切組件連結於該轉軸上而可被該轉軸帶動旋轉，該攪拌剪切組件之周側置至少設有呈放射狀排列且分別位在不同水平高度之一上攪拌刀具及一下攪拌刀具，且在該轉軸同步帶動該攪拌剪切組件旋轉時，該上攪拌刀具可相對越過該擋片之上方，而該下攪拌刀具則可相對越過該擋片之下方，使該攪拌剪切組件之上攪拌刀具與該下攪拌刀具受驅動旋轉時可確實翻攪剪切位於該攪拌空間之廚餘材料，且在此一翻攪剪切過程中，被該擋片攔阻之廚餘材料可在受該上攪拌刀具與該下攪拌刀具推擠時產生一擠壓脫水作用，再透過該下攪拌刀具將擠壓脫出之水分推送至該各排放孔而向下排入至該油水分離槽中，進而減少該熱風裝置所需的乾燥時間與能耗。
如請求項1所述的節能型廚餘處理機，其中，該熱風裝置具有一連接於該環周壁上而與該攪拌空間相通之進風通道，該熱風裝置可經由該進風通道將一熱風輸送至該攪拌空間內，以加熱盛裝於該攪拌空間中之廚餘材料，而該空氣過濾器配置於該熱風裝置一旁，該空氣過濾器經一出風通道連接至該攪拌槽環周壁上而與該攪拌空間相通。
如請求項2所述的節能型廚餘處理機，其中，該空氣過濾器由一抽風機、一白金觸媒轉化器及一加熱器構成，使位於該攪拌槽內部之氣體可被該抽風機向外抽出並排入至該白金觸媒轉化器中，並透過加熱器對該白金觸媒轉化器進行加熱以達到其反應溫度。
如請求項3所述的節能型廚餘處理機，其中，更具有一控制電路板，該控制電路板電性連接該驅動馬達、該熱風裝置與該空氣過濾器，該控制電路板內建有一製肥處理模式、一減量處理模式及一節能處理模式以可分別控制該驅動馬達、該熱風裝置與該空氣過濾器之作動時機。
如請求項4所述的節能型廚餘處理機，其中，在該製肥處理模式中，該控制電路板係啟動該驅動馬達與該熱風裝置不斷翻攪並加熱該攪拌槽中的廚餘材料，且同時控制該空氣過濾器之抽風機不斷抽取該攪拌槽內部之氣體，並啟動該空氣過濾器之加熱器作動，使氣體經由該空氣過濾器過濾排出時可達到淨化空氣的效果，且在該熱風裝置加熱廚餘的過程中，該控制電路板係先控制該熱風裝置進行50度之加熱溫度且持續約三小時之發酵處理時間，而在三小時後該控制電路板再控制該熱風裝置的加熱溫度自50度上升至200度。
如請求項4所述的節能型廚餘處理機，其中，在該減量處理模式中，該控制電路板係啟動該驅動馬達與該熱風裝置不斷翻攪並加熱該攪拌槽中的廚餘材料，且同時控制該空氣過濾器之抽風機不斷抽取該攪拌槽內部之氣體，並啟動該空氣過濾器之加熱器作動，使氣體經由該空氣過濾器過濾排出時可達到淨化空氣的效果，且在該熱風裝置加熱廚餘的過程中，該控制電路板控制該熱風裝置的加熱溫度為200度。
如請求項4所述的節能型廚餘處理機，其中，在該節能處理模式中，該控制電路板係啟動該驅動馬達與該熱風裝置不斷翻攪並加熱該攪拌槽中的廚餘材料，且該控制電路板係停止該空氣過濾器之加熱器運作，並控制該熱風裝置以約100度的加熱溫度加熱廚餘材料。
如請求項1所述的節能型廚餘處理機，其中，該環周壁於兩相對側的同一水平高度上分別設有朝水平向延伸至該攪拌空間內之擋片，各該擋片分別呈連續彎折狀而朝其延伸方向形成有依序相連之一第一平行段、一垂直段及一第二平行段，該第一平行段及該第二平行段分別與該底面呈相互平行設置，且該第一平行段至該底面之距離大於該第二平行段至該底面之距離。
如請求項8所述之節能型廚餘處理機，其中，該上攪拌刀具之延伸末端形成有與各該擋片之形狀相互對應之彎折部，而該下攪拌刀具以其底側相對靠合於該底面上，且於該下攪拌刀具之延伸末端設有可在其旋轉時相對旋入由各該擋片之第一平行段、垂直段與該環周壁所隔出之一內凹區域的凸起部。
如請求項1所述之節能型廚餘處理機，其中，該油水分離槽於其一側設置有一位在下方之出水控制閥以及一位在該出水控制閥相對上方之出油控制閥。
一種具有側載升降平台的垃圾車，其包括：<br/> 一垃圾車，其具有一車頭及一後車架組成的一車體，該後車架上設置一垃圾箱，該垃圾箱後端設有一壓縮車斗，該壓縮車斗用於將垃圾壓縮進入該垃圾箱；<br/> 一升降平台，其可升降地設置在該垃圾箱一側的後車架上，能用於放置多數個廚餘筒或資源回收物；以及<br/> 一動力升降機構，其設置在該升降平台的下方、上方或兩端，用以帶動該升降平台下放到靠近路面及上升到後車架上。
如請求項1所述具有側載升降平台的垃圾車，其中該垃圾箱及該壓縮車斗的寬度縮小至其一側形成一平台空間，並在該平台空間設置該升降平台。
如請求項1或2所述具有側載升降平台的垃圾車，其中該升降平台具有一承載底板，及圍繞在該承載底板外側邊及前後兩端多個圍欄。
如請求項3所述具有側載升降平台的垃圾車，其中該動力升降機構為油壓動力升降機構。
如請求項4所述具有側載升降平台的垃圾車，其中該油壓動力升降機構固定在該後車架下方或一側，該油壓動力升降機構的一作動端連結在該承載底板的下面。
如請求項4所述具有側載升降平台的垃圾車，其中該油壓動力升降機構固定在該垃圾箱上面或一側，該油壓動力升降機構的一作動端連結在該承載底板的兩端。
一種塑膠廢棄物處理裝置，其包括： <br/> 一熱熔組，其包括有一押出機、一驅動組件及一料斗；該押出機與該料斗相連通且其內部設有一螺旋推動件；該螺旋推動件包括有螺旋延伸的一葉片，該螺旋推動件與該驅動組件相連結而能受該驅動組件所驅動而旋轉； <br/> 一熱解組，其包括有一加熱裝置及一熱解爐；該加熱裝置與該熱解爐相結合且能對該熱解爐加熱；該熱解爐與該押出機相連通且其內部盛裝有錫； <br/> 一觸媒組，其包括有至少一觸媒筒，各該觸媒筒與該熱解爐相連通且其內部設有觸媒； <br/> 一油箱，其與該觸媒筒相連通；以及 <br/> 一過濾組，其包括有與該油箱相連通的至少一過濾桶。
如請求項1所述之塑膠廢棄物處理裝置，其中該熱解組包括有一攪拌組件；該攪拌組件包括有相連結的一驅動組件及一螺旋攪拌件；該螺旋攪拌件設於該熱解爐的內部、包括有螺旋延伸的一葉片，且能受該攪拌組件的驅動組件所驅動而旋轉。
如請求項2所述之塑膠廢棄物處理裝置，其中該熱解爐縱向地設於該加熱裝置；該螺旋攪拌件縱向地延伸至該熱解爐的底部。
如請求項3所述之塑膠廢棄物處理裝置，其中該熱解組包括有一引入管；該引入管包括有位置相對的兩端，該引入管的其中一端結合於該押出機，該引入管的另一端穿入該熱解爐且延伸至該熱解爐的底部。
如請求項4所述之塑膠廢棄物處理裝置，其中該至少一過濾桶為一所述過濾桶。
如請求項1至5中任一項所述之塑膠廢棄物處理裝置，其中該該加熱裝置為採用感應加熱技術的一加熱裝置。
一種頂車架，其裝設於升降機，該頂車架包含：<br/> 一基座，其具有一底部及由該底部一體延伸之一接合部，該底部連接於升降機；以及<br/> 一頂件，其具有一連接部及一頂撐部，該連接部之一端環設有一環槽，該環槽卡接一C型扣，該C型扣能抵卡於該接合部，其中，該頂件之該連接部能螺接於該接合部，透過螺鎖方式調整該頂件升降，令該頂撐部能夠抵頂於車輛之底面。
如請求項1所述之頂車架，其中，該接合部之頂面開設有一鎖接孔，該連接部之外周緣設有一外螺紋，該連接部之該外螺紋與該接合部之該鎖接孔螺接。
如請求項2所述之頂車架，其中，該鎖接孔具有一第一孔段及一第二孔段，該第一孔段之內徑大於該第二孔段之內徑，該第二孔段之內壁設有一內螺紋，該連接部之該外螺紋與該第二孔段之該內螺紋螺接。
如請求項3所述之頂車架，其中，該第一孔段與該第二孔段之間具有一限位部，該C型扣能抵卡於該限位部。
如請求項1所述之頂車架，其中，該基座之該底部套設一第一防滑墊。
如請求項5所述之頂車架，其中，該基座之該底部為矩形狀，該第一防滑墊為矩形狀。
如請求項5或6所述之頂車架，其中，該基座之該接合部為圓柱狀。
如請求項7所述之頂車架，其中，該基座之該底部四個端角分別開設一接孔，各該接孔提供一鎖固件鎖合於升降機。
如請求項1所述之頂車架，其中，該頂件之該頂撐部為圓盤狀，該頂撐部之頂面連接一第二防滑墊，該第二防滑墊為圓形。
如請求項9所述之頂車架，其中，該第二防滑墊之頂面凹設有一止滑槽，該止滑槽為十字形。
一種圓柱體物料的供料系統，其係設於測試轉盤的一側，供圓柱體物料整列並傳輸至測試轉盤，供料系統包括：<br/> 一座體，該座體頂端設一平台；<br/> 一導料轉盤，其係轉動設置於該座體，並位於該平台上方，該導料轉盤具有一頂面；<br/> 一整列裝置，其係設於該座體，該整列裝置包括一蓋板、一入料導軌件、一中繼導軌件及一出料導軌件，該入料導軌件、該中繼導軌件及該出料導軌件係設置於該蓋板的一內側面，並位於該蓋板與該導料轉盤之間，該蓋板接合於該座體且懸設在該導料轉盤上；以及<br/> 一防滾裝置，其設於該平台上，且該防滾裝置部份位於該導料轉盤周緣下方並將該導料轉盤的周緣抬起而使該頂面形成一增高區。
如請求項1所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該導料轉盤相對於該增高區的原本高度形成一平面區，該增高區及該平面區皆位於該導料轉盤的該頂面。
如請求項1所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該防滾裝置包括一第一墊片及一第二墊片，該第一墊片呈弧形且設於該平台上，該第一墊片的局部位於該導料轉盤周緣的下方並將該導料轉盤的周緣抬起而形成該增高區，該第二墊片呈弧形且設於該平台上，且該第二墊片的局部位於該導料轉盤周緣的下方並將該導料轉盤的周緣抬起而形成該增高區。
如請求項3所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該第一墊片對應於該中繼導軌件的靠近末端處，該第二墊片對應於該中繼導軌件的靠近前端處。
如請求項3所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該第一墊片的曲率等於該導料轉盤周緣的曲率，該第二墊片的曲率等於該導料轉盤周緣的曲率。
如請求項3所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該防滾裝置更包括一第三墊片，該第三墊片呈弧形且設於平台上，該第三墊片的局部位於該導料轉盤周緣的下方並將該導料轉盤的周緣抬起而形成該增高區，該第三墊片對應於該中繼導軌件外側且相對於該第一墊片，該第三墊片的曲率等於該導料轉盤周緣的曲率。
如請求項6所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該第一墊片、該第二墊片或該第三墊片採用聚甲醛耐磨材質製成，並以黏貼方式貼附於該平台上。
如請求項6所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該第一墊片、該第二墊片或該第三墊片的厚度約0.05mm。
如請求項6所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該座體係鄰設於測試轉盤一側，該座體異於測試轉盤架設有一料斗，該導料轉盤的位置高於測試轉盤的位置，該導料轉盤與測試轉盤呈部分交集，該導料轉盤為圓形片狀且具有撓性或彈性，該導料轉盤採用抗靜電黑片製成。
如請求項9所述之圓柱體物料的供料系統，其中，該中繼導軌件的數量為複數個，而環設於該入料導軌件的周圍，並呈漸擴排列，該蓋板有一第一側邊、一第二側邊及一位於該第一側邊與該第二側邊之間的第三側邊，該第三側邊具有一連接邊鄰接於該第一側邊，該蓋板於該第一側邊鉸接於該座體，該蓋板的該第二側邊設有一供握持而可掀起該蓋板之把手。
一種智能防撞背包，包含一包本體與連接於該包本體上的二肩背帶，其特徵在於進一步包含：<br/> 一遠距偵測模組，安裝於該包本體上，用以偵測使用者背負該包本體時人體後方物體的移動與即時位置；<br/> 一近距偵測模組，安裝於該包本體上，用以偵測人體後方該遠距偵測模組偵測弱區內物體的移動與即時位置；<br/> 二振動器，分別固定於一個肩背帶；<br/> 一LED燈條，環設於該包本體；<br/> 一行動電源，可取出地安裝於該包本體中；以及<br/> 一單晶片微控制器模組，安裝於該包本體中，與該遠距偵測模組及該近距偵測模組訊號連接及電連接，與該些振動器及該LED燈條電連接，並與該行動電源可斷開地電連接，當與該行動電源電連接時執行以下作業：<br/> 透過該遠距偵測模組及該近距偵測模組監測人體後方的物體；<br/> 決定監測物體中何者為高速移動物體；<br/> 判斷該高速移動物體是否達到一威脅情況；及<br/> 在該高速移動物體達到該威脅情況時，驅動該LED燈條發光，以及控制該高速移動物體所在人體一側的該振動器震動。
如請求項1所述的智能防撞背包，進一步包含一蜂鳴器，安裝於該包本體上並與該單晶片微控制器模組電連接，在該高速移動物體達到該威脅情況時，該單晶片微控制器模組啟動該蜂鳴器發出警鳴聲。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該遠距偵測模組為光學雷達 （Light Detection and Ranging，LiDAR）模組或多普勒雷達模組。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該近距偵測模組為超音波模組。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該高速移動物體的移動速度不小於每小時20公里。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該威脅情況為該高速移動物體的碰撞預期時間小於一預警時間，該碰撞預期時間為該遠距偵測模組與該高速移動物體間距離除以兩者間的接近相對速度。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中當該高速移動物體與該遠距偵測模組間的距離小於或等於一弱區距離即進入該偵測弱區，在該偵測弱區外該單晶片微控制器模組使用該遠距偵測模組所偵測的數據來監測人體後方的物體，在該偵測弱區內該單晶片微控制器模組同步使用該遠距偵測模組與該近距偵測模組所偵測的數據來監測人體後方的物體。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該單晶片微控制器模組為Arduino開發板、樹莓派開發板或ESP32微控制器模組。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該單晶片微控制器模組進一步包含一分流電路，該分流電路將來自該行動電源的電力足額提供與該單晶片微控制器模組電連接的元件。
如請求項1所述的智能防撞背包，其中該行動電源透過USB接線與該單晶片微控制器模組可斷開地電連接。
一種以軸向插接之螺牙式配管頭，係供組配水管之用，該螺牙式配管頭主要包括一主體螺紋管以及一鎖固螺帽，其中該主體螺紋管包括一外螺紋管以及凸設於該外螺紋管一端之一主盤框，該主體螺紋管中央則形成一管穿孔，該鎖固螺帽螺合於該主體螺紋管之該外螺紋管；且其中，該主體螺紋管之該管穿孔係設成非螺紋之推拔狀管壁型態，以使該水管能夠採用直插方式達成組配目的。
如請求項1所述之以軸向插接之螺牙式配管頭，其中所述推拔狀管壁型態，係包括相互連通之一第一直插部以及一第二直插部，其中該第一直插部與該第二直插部之間以一區隔部分開。
如請求項2所述之以軸向插接之螺牙式配管頭，其中該第一直插部為形成於該管穿孔之具一插組內徑之圓孔型態，該第二直插部為凸設於該外螺紋管一端，具一插組外徑之圓管型態，其中該插組內徑適配於該水管之外徑，該插組外徑則適配於該水管之內徑，該區隔部為一落差環狀肩部型態者。
如請求項2所述之以軸向插接之螺牙式配管頭，其中該第一直插部為形成於該管穿孔之具一插組內徑之圓孔型態，該第二直插部為凸設於該外螺紋管一端，具一第二插組內徑之圓管型態，其中該插組內徑及該第二插組內徑均適配於該水管之外徑，該區隔部為一徑向環狀壁緣型態者。
如請求項1所述之以軸向插接之螺牙式配管頭，其中該主體螺紋管<br/> 之該外螺紋管更套組有一止水墊片，且該止水墊片係夾置於該主盤框與該鎖固螺帽之間。
一種可調式高壓噴槍結構，包含： <br/>一長臂式高壓噴槍本體(10)，包含一噴桿(11)及設於該噴桿(11)前端之一噴頭(12)，該噴桿(11)內部沿其軸向貫設有一流道(111)，且該噴桿(11)的桿體中段設有一與該流道(111)相連通之通孔(112)；以及 <br/>一分流座(20)，安裝於該噴桿(11)之該通孔(112)處，該分流座(20)包含一分流座本體(21)、二止水環(22)及二螺帽(23)，該分流座本體(21)設有一供該噴桿(11)穿設之軸向通道(211)，及一與該軸向通道(211)相連通之組接孔(212)，該二止水環(22)分別套設於該噴桿(11)外周並位於該分流座本體(21)之兩端，該二螺帽(23)分別鎖設於該分流座本體(21)之兩端且用以迫抵該二止水環(22)，使該分流座(20)密封包覆於該通孔(112)周側； <br/>藉此，進入該流道(111)之高壓流體係受引導而同步由該噴頭(12)與該分流座(20)之該組接孔(212)輸出噴灑。
如請求項1所述之可調式高壓噴槍結構，其中，該分流座(20)另包含一彈簧(24)，該彈簧(24)設置於該分流座本體(21)內並環繞該噴桿(11)，且該彈簧(24)用以朝兩側抵推該二止水環(22)以使其定位。
如請求項1所述之可調式高壓噴槍結構，其中，該分流座(20)可於該噴桿(11)上進行軸向位移調整及360度旋轉調整角度。
如請求項1所述之可調式高壓噴槍結構，其中，該分流座(20)之該組接孔(212)進一步連接有一轉接頭(30)，且該轉接頭(30)之後端選擇性連接有一轉向接頭(40)、一分流噴頭(50)、一軟管(60)或一硬管(70)中之至少一者。
如請求項1所述之可調式高壓噴槍結構，其中，該分流座(20)之該組接孔(212)可連接一容器(80)，藉由流體高速通過該通孔(112)產生之文丘里效應，將該容器(80)內之清潔劑或藥劑吸入該流道(111)中混合噴灑。
如請求項1所述之可調式高壓噴槍結構，其中，該長臂式高壓噴槍本體(10)另包含一包覆於該噴桿(11)上之握把(13)，及一設於該噴桿(11)後端且用以切換該噴頭(12)噴灑模式之旋轉柄(14)。
一種銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，主要包含有一環型的上金屬盤、一環型的下金屬盤及一環型的煞車盤，上金屬盤位於下金屬盤上方，上金屬盤與下金屬盤兩相疊合定位，並煞車盤位於上金屬盤與下金屬盤中央；其特徵在於：該煞車盤之外周受上金屬盤與下金屬盤限位夾持，上金屬盤下面設有一環型的上容納空間及一上注孔，該下金屬盤上面設有一環型的下容納空間及一下注孔，上容納空間與下容納空間合併形成一總容納空間，並總容納空間以數個止漏環作密封；據此，利用上金屬盤與下金屬盤之公差，使其將煞車盤夾住作為煞車，另將液體或氣體經由上注孔或下注孔注入總容納空間內，膨脹總容納空間以撐開上金屬盤與下金屬盤作鬆開煞車盤，達到煞車盤解除煞車之目的。
如請求項1所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該上金屬盤周邊設有數個上螺孔，下金屬盤設有數個下螺孔，分別入數個上螺柱與下螺柱，將上金屬盤與下金屬盤相結合。
如請求項1所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該煞車盤周邊設有數個結合孔。
如請求項1所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該數個止漏環係在總容納空間內設置，數個止漏環分別為一第一內密封圈、一第一內O型環、一第二內密封圈及一第二內O型環，第一內密封圈與第一內O型環設置於總容納空間內之內周，第二內密封圈及第二內O型環設置於總容納空間內之外周。
如請求項1所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該數個止漏環係在總容納空間內設置，數個止漏環分別為一X型內密封圈及一X型外密封圈，X型內密封圈設置於總容納空間內之內周，X型外密封圈設置於總容納空間內之外周。
如請求項1所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該數個止漏環係在總容納空間外設置，數個止漏環分別為一第一外密封圈、一第一外O型環、一第二外密封圈及一第二外O型環，第一外密封圈與第一外O型環設置於總容納空間外之內周，第二外密封圈與第二外O型環設置於總容納空間外之外周。
一種銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，主要包含有一環型的上金屬盤、一環型的下金屬盤及一環型的煞車盤，上金屬盤位於下金屬盤上方，上金屬盤與下金屬盤兩相疊合定位，並煞車盤位於上金屬盤與下金屬盤中央；其特徵在於：煞車盤外周呈倒U型夾限位夾持上金屬盤之內周與下金屬盤之內周，該上金屬盤下面設有一環型的上容納空間及一上注孔，該下金屬盤上面設有一環型的下容納空間及一下注孔，上容納空間與下容納空間合併形成一總容納空間，並總容納空間以數個止漏環作密封；據此，利用上金屬盤與下金屬盤之公差，平時卸總容納空間之液體或氣體為解除煞車盤，另將液體或氣體經由上注孔或下注孔注入總容納空間內，膨脹總容納空間以撐開上金屬盤與下金屬盤作煞車該煞車盤。
如請求項7所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該上金屬盤周邊設有數個上螺孔，下金屬盤設有數個下螺孔，分別入數個上螺柱與下螺柱，將上金屬盤與下金屬盤相結合。
如請求項7所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該煞車盤周邊設有數個結合孔，煞車盤由一上煞車盤與一下煞車盤相結合。
如請求項7所述之銑床轉台之煞車與解除煞車裝置，其中該數個止漏環係在總容納空間內設置，數個止漏環分別為一第一內密封圈、一第一內O型環、一第二內密封圈及一第二內O型環，第一內密封圈與第一內O型環設置於總容納空間內之內周，第二內密封圈及第二內O型環設置於總容納空間內之外周。
一種自動收納系統，包括：<br/> 一驅動系統；以及<br/> 多個收納單元，其中該多個收納單元以陣列形式設置，並連接該驅動系統，通過該驅動系統控制該多個收納單元個別的移動時間與路徑；<br/> 其中該多個收納單元個別設有一控制單元，根據指定存取該多個收納單元的其中之一的指令，設定一目標收納單元，該多個收納單元的全部或部分的該控制單元根據該指令各自產生一控制訊號，以驅動該多個收納單元的全部或部分於該驅動系統上移動，使該目標收納單元移動至一目標位置。
如請求項1所述的自動收納系統，其中該多個收納單元個別的該控制單元直接自一搖控器接收該指令，使該多個收納單元的該多個控制單元之間協作產生該多個收納單元的全部或部分收納單元循序移動的時間與路徑的該控制訊號，以使該目標收納單元移動至該目標位置。
如請求項1所述的自動收納系統，其中，於接收一遙控器發送的該指令，產生該多個收納單元的全部或部分收納單元循序移動的時間與路徑的該控制訊號，經發送至該多個收納單元的全部或部分的該控制單元，使該目標收納單元移動至該目標位置。
如請求項2或3所述的自動收納系統，其中，通過該多個收納單元的該多個控制單元之間協作，或是通過以無線方式連線該多個收納單元的一控制裝置，統計存取該多個收納單元的個別存取頻率與存取時間，分類該多個收納單元的個別屬於一熱收納單元或一冷收納單元，再將屬於該冷收納單元的一或多個收納單元移動到一冷區域。
如請求項1所述的自動收納系統，其中該驅動系統上形成以<img align="absmiddle" height="7px" width="21px" file="ed10011.jpg" alt="ed10011.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>陣列排列的多個空間，用以承載<img align="absmiddle" height="7px" width="32px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個收納單元，再根據該指令驅動該<img align="absmiddle" height="7px" width="32px" file="ed10012.jpg" alt="ed10012.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>個收納單元的全部或部分在該驅動系統上移動，使該目標收納單元移動至該目標位置，其中<img align="absmiddle" height="7px" width="5px" file="ed10013.jpg" alt="ed10013.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>與<img align="absmiddle" height="7px" width="3px" file="ed10014.jpg" alt="ed10014.jpg" img-content="jpg" orientation="portrait" inline="yes"/>分別為大於2的整數。
如請求項5所述的自動收納系統，其中該驅動系統為以縱橫交錯的軌道形成的一軌道系統，使裝設有多個微型推動裝置的該多個收納單元於該縱橫交錯的軌道上移動。
如請求項6所述的自動收納系統，其中該軌道系統電性連接一電源，該多個收納單元的個別通過一電源電路電性連接該軌道系統，使該自動收納系統通過該軌道系統供電至該多個收納單元。
如請求項1所述的自動收納系統，其中指定存取該目標收納單元的該指令由一遙控器發出，且該遙控器設有選擇該目標收納單元的一使用者介面。
如請求項8所述的自動收納系統，其中該使用者介面為執行於該遙控器的一控制程式產生的一圖形使用者介面，該圖形使用者介面顯示識別該多個收納單元的編號、符號、圖案或是文字。
如請求項1所述的自動收納系統，其中該驅動系統裝與該多個收納單元裝設於一空間內，並根據該空間的大小決定該多個收納單元的數量與個別收納單元的尺寸。
如請求項1所述的自動收納系統，其中該多個收納單元設於一地板裝置上，由該地板裝置實現該驅動系統；其中，於該地板裝置上設有指引各收納單元移動的軌道標線，以及設有該多個收納單元停駐的位置資訊的多個位置標籤。
如請求項11所述的自動收納系統，其中該收納單元的該控制單元包括一控制器，以及電性連接該控制器的一紅外線循跡模組與一標籤讀取器；其中，該紅外線循跡模組用於感測該地板裝置的該軌道標線，使該控制器該控制訊號驅動該收納單元運行在該軌道標線上，該標籤讀取器用以掃描該多個位置標籤的其中之一，以讀取其中位置資訊。
一種重症照護教學裝置，其包括：<br/> 一裝置本體，其為殼體結構；<br/> 一顯示元件，其設置於該裝置本體；<br/> 一處理元件，其連接該顯示元件；以及<br/> 一儲存元件，其連接該處理元件，並儲存一預設應用程式，該預設應用程式包括一重症教學介面以及多個照護示範影音資訊，該重症教學介面具有多個教學影像選項，且每一該教學影像選項對應於其中一該照護示範影音資訊；<br/> 其中，該處理元件被配置為接收且根據一執行命令而執行該預設應用程式，處理元件並驅使該顯示元件顯示該重症教學介面；<br/> 其中，該處理元件還被配置成根據其中一該教學影像選項被點選而驅使該重症教學介面播放其中一該照護示範影音資訊；其中，每一該照護示範影音資訊包含一環景式虛擬實境影像、以及至少一解說視窗或至少一提問視窗。
如請求項1所述之重症照護教學裝置，其中，該顯示元件為觸控螢幕模組；其中，該顯示元件被配置為根據其中一該教學影像選項被點選而產生一播放指令；其中，該處理元件還被配置成根據該播放指令而驅使該重症教學介面顯示其中一該教學影像選項所對應之該照護示範影音資訊。
如請求項2所述之重症照護教學裝置，其中，該至少一提問視窗包括至少一提問訊息以及多個答案選項，該預設應用程式還包括多個解答訊息，每一該解答訊息對應其中一該答案選項；其中，該處理元件還被配置成根據該顯示元件所顯示之該至少一提問訊息被觸發，而驅使該至少一提問視窗顯示該多個答案選項；其中，該處理元件還被配置成根據其中一該答案選項被點選而驅使該重症教學介面顯示對應其中一該答案選項或該多個答案選項的該解答訊息。
如請求項3所述之重症照護教學裝置，其中，該顯示元件還被配置成根據其中一該答案選項被點選顯示元件而產生一選擇指令；其中，該處理元件還被配置成根據該選擇指令而驅使該重症教學介面顯示對應其中一該答案選項或該多個答案選項的該解答訊息。
如請求項2所述之重症照護教學裝置，還包括一通訊元件，其設置於該裝置本體，並連接該處理元件；其中，多個該環景式虛擬實境影像被儲存於一外部伺服端，該處理元件還被配置成根據該播放指令處理元件而驅使該通訊元件連接該外部伺服端，並藉由該通訊元件傳送一媒體請求命令至該外部伺服端，以使該外部伺服端根據該媒體請求命令而提供對應該照護示範影音資訊之該環景式虛擬實境影像。
如請求項1所述之重症照護教學裝置，其中，多個該環景式虛擬實境影像儲存於該儲存元件或一外部伺服端，多個該環景式虛擬實境影像彼此不同。
如請求項1所述之重症照護教學裝置，還包括一操控元件，其連接於該處理元件，該操控元件被配置為根據自身被操作而對應產生至少一控制訊號；其中，該處理元件還被配置成接收且判斷該至少一控制訊號為點選其中一該教學影像選項時，驅使該重症教學介面顯示對應其中一該教學影像選項之該照護示範影音資訊。
如請求項1所述之重症照護教學裝置，還包括一感測元件，其設置於該裝置本體，並連接該處理元件，該感測元件被配置為感測該裝置本體的位移，以產生一移動訊號。
如請求項8所述之重症照護教學裝置，其中，該處理元件還被配置成根據該移動訊號而驅使該重症教學介面所顯示的該環景式虛擬實境影像產生一移動變化。
如請求項1所述之重症照護教學裝置，其中，該重症照護教學裝置為電腦裝置、可攜式電子裝置或穿戴式電子裝置。
一種切換電路，適用於一顯示裝置，該切換電路包括：<br/> 一輸入端口，經配置以接收一控制訊號；<br/> 一切換單元，該切換單元的一端連接該輸入端口，另一端連接至用於傳輸一顯示訊號的一第二訊號線，且該切換單元具有一第一阻抗值；<br/> 一阻抗單元，該阻抗單元的一端連接至用於傳輸該顯示訊號的一第一訊號線，該阻抗單元的另一端連接於該切換單元的又另一端，且該阻抗單元具有一第二阻抗值；<br/> 其中，當該控制訊號為高電壓位準時，該切換單元進入一第一導通模式，以使該切換電路進入低電壓差分訊號介面；在該第一導通模式下，該第一訊號線、該阻抗單元、該切換單元及該第二訊號線為串聯連接，該串聯連接的總阻抗值為100歐姆，且該顯示訊號係通過該第一訊號線與該第二訊號線傳輸至一顯示面板的一晶片；當該控制訊號為低電壓位準時，該切換單元進入一第二導通模式，以使該切換電路進入紅綠藍介面，在該第二導通模式下，該顯示訊號係通過該第一訊號線與該第二訊號線其中一者傳輸至該顯示面板的該晶片。
如請求項1所述的切換電路，其中，該切換單元包括一第一開關元件、一第二開關元件及一內電阻，該內電阻經配置以在該第一開關元件與該第二開關元件之間切換連接；當該控制訊號為高電壓位準時，該第一開關元件與該內電阻導通以進入該第一導通模式，以使該切換電路進入該低電壓差分訊號介面；當該控制訊號為低電壓位準時，該第二開關元件與該內電阻導通以進入該第二導通模式，以使該切換電路進入該紅綠藍介面。
如請求項2所述的切換電路，其中，該第一訊號線及該阻抗單元電性連接至該第一開關元件，該內電阻的一端連接電性連接至該第二訊號線，該內電阻的另一端經配置以在該第一開關元件與該第二開關元件之間切換連接，該第二開關元件的一端連接至一斷路端；當該控制訊號為高電壓位準時，該內電阻的該另一端電性連接至該第一開關元件，使該第二訊號線、該內電阻通過該第一開關元件電性連接至該阻抗單元及該第一訊號線，並進入該第一導通模式；當該控制訊號為低電壓位準時，該內電阻的該另一端電性連接至該第二開關元件及該斷路端，以進入該第二導通模式。
如請求項2所述的切換電路，其中，該內電阻的該第一阻抗值為3歐姆，該阻抗單元的該第二阻抗值為97歐姆。
如請求項1所述的切換電路，其中，該第一訊號線的長度與該第二訊號線的長度等長。
一種顯示裝置，包括：<br/> 一顯示面板；<br/> 一軟性電路板，該軟性電路板包括一第一訊號線及一第二訊號線；<br/> 一電路板，該電路板之一端與一外部訊號源電性連接，該電路板之一另一端與該軟性電路板電性連接，並具有一控制訊號提供端及一顯示訊號提供端，該外部訊號源經配置以提供一控制訊號及一顯示訊號；<br/> 一低電壓差分訊號介面電路；<br/> 一紅綠藍介面電路，該低電壓差分訊號介面電路與該紅綠藍介面電路皆集成在一晶片上，該晶片設置於該顯示面板上，並通過該軟性電路板電性連接至該電路板；及<br/> 如請求項1所述的切換電路，該切換電路設置於該軟性電路板上，並通過該軟性電路板電性連接於該晶片與該電路板之間；<br/> 其中，該控制訊號提供端及該顯示訊號提供端電性連接至該晶片，亦電性連接至該切換電路；且<br/> 其中，該控制訊號通過該控制訊號提供端傳輸至該切換電路之該輸入端口，並通過該軟性電路板傳輸至該晶片，該顯示訊號通過該顯示訊號提供端傳輸至該第一訊號線與該第二訊號線中至少一者；該第一訊號線與該第二訊號線分別電性連接於該顯示訊號提供端與該晶片之間。
如請求項6所述的顯示裝置，其中，該第一訊號線的長度與該第二訊號線的長度等長。
如請求項6所述的顯示裝置，其中，該切換電路的該切換單元包括一第一開關元件、一第二開關元件及一內電阻；當該控制訊號為高電壓位準時，該第一開關元件導通以進入該第一導通模式，以使該顯示裝置進入低電壓差分訊號介面；當該控制訊號為低電壓位準時，該第二開關元件導通以進入該第二導通模式，以使該顯示裝置進入紅綠藍介面。
如請求項8所述的顯示裝置，其中，該第一訊號線及該阻抗單元電性連接至該第一開關元件，該內電阻的一端連接電性連接至該第二訊號線，該內電阻的另一端經配置以在該第一開關元件與該第二開關元件之間切換連接，該第二開關元件的一端連接至一斷路端；當該控制訊號為高電壓位準時，該內電阻的該另一端電性連接至該第一開關元件，使該第二訊號線、該內電阻通過該第一開關元件電性連接至該阻抗單元及該第一訊號線，並進入該第一導通模式；當該控制訊號為低電壓位準時，該內電阻的該另一端電性連接至該第二開關元件及該斷路端，以進入該第二導通模式。
如請求項9所述的顯示裝置，其中該內電阻的該第一阻抗值為3歐姆，該阻抗單元的該第二阻抗值為97歐姆。
一種具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，包含有：<br/> 一自動報到取號系統；<br/> 一櫃檯叫號系統，訊號連接該自動報到取號系統；<br/> 一自動備管系統，訊號連接該櫃檯叫號系統，該自動備管系統包含有一檢驗管儲藏單元與一檢驗管回收單元，該檢驗管儲藏單元位於該檢驗管回收單元的上方；<br/> 一病患與檢驗資訊看板系統，訊號連接該櫃檯叫號系統；<br/> 一後台看板與報表管理系統，訊號連接該病患與檢驗資訊看板系統；<br/> 其中，該自動報到取號系統可供受檢者藉由健保卡、虛擬健保卡或身分證報到，並產生叫號，該櫃檯叫號系統顯示該叫號，以讓該受檢者得知對應該叫號的櫃檯，該櫃檯叫號系統進一步產生檢驗叫號，該自動備管系統依據該檢驗叫號，以提供具有條碼貼紙的檢驗管給該受檢者，若該受檢者未能於一預定時間拿取該檢驗管，該自動備管系統回收該檢驗管，或者下一位該受檢者報到時，並且前一位該受檢者未拿取該檢驗管，該自動備管系統回收該檢驗管，該病患與檢驗資訊看板系統接收該檢驗叫號，以顯示對應該檢驗叫號的檢驗櫃檯的號碼，該病患與檢驗資訊看板系統進一步產生醫院信息，該後台看板與報表管理系統接收該醫院信息，以顯示該檢驗叫號與產生報表。
如請求項1所述之具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，其中，該自動報到取號系統包含有一自行選擇檢測類別單元、一健保自動報到單元、一虛擬健保卡報到單元與一身分證號報到單元。
如請求項1所述之具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，其中，該櫃檯叫號系統包含有一櫃檯叫號單元、一檢驗病患櫃檯號顯示單元、一各類別病患等候人數單元、一暫停檢驗顯示單元、一病患最長等候時間顯示單元、一滿意度調查單元、一檢驗櫃檯給號功能單元、一自動併單併管單元、一補印條碼出紙選擇單元、一備管機故障處理單元、一螯合劑加註單元、一取號機故障自動給號功能單元與一備注提醒單元。
如請求項1所述之具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，其中，該病患與檢驗資訊看板系統包含有一櫃檯上方資訊顯示單元、一檢驗資訊看板單元、一檢驗資訊與HIS介接處理單元與一網路預約檢驗單元。
如請求項1所述之具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，其中，該後台看板與報表管理系統包含有一科內監控看板單元與一動態參數組合報表單元。
如請求項1所述之具有檢驗管回收功能的檢驗資訊裝置，其中，該檢驗管回收單元包含有一檢驗管盒、一滾落滑道、一控制組、一擋止部、一承接部、一驅動源、一第一感測器、一第二感測器與一回收屜，該滾落滑道係以一傾斜角度設於該檢驗管盒的一端，該控制組設於該檢驗管盒的內部，並位於該滾落滑道的下方，該擋止部位於該檢驗管盒的另一端，該承接部的一端樞設於該檢驗管盒的一端，該承接部的另一端朝向該擋止部方向延伸，該驅動源設於該檢驗管盒的內部，以推動該承接部作動，該驅動源訊號連接該控制組，該第一感測器設於該檢驗管盒的一端，並相鄰於該承接部，該第一感測器訊號連接該控制組，該第二感測器設於該檢驗管盒的一側，並相鄰於該承接部，該第二感測器訊號連接該控制組，該回收屜設於該檢驗管盒的下方。
一種自動備管系統，包含有：<br/> 一檢驗管儲藏單元；<br/> 一檢驗管回收單元，位於該檢驗管儲藏單元的下方。
如請求項7所述之自動備管系統，其中，該檢驗管回收單元包含有一檢驗管盒、一滾落滑道、一控制組、一擋止部、一承接部、一驅動源、一第一感測器、一第二感測器與一回收屜，該滾落滑道係以一傾斜角度設於該檢驗管盒的一端，該控制組設於該檢驗管盒的內部，並位於該滾落滑道的下方，該擋止部位於該檢驗管盒的另一端，該承接部的一端樞設於該檢驗管盒的一端，並位於該擋止部的下方，該承接部的另一端朝向該控制組方向延伸，該驅動源設於該檢驗管盒的內部，並耦接該承接部，該驅動源訊號連接該控制組，該第一感測器設於該檢驗管盒的一端，並相鄰於該承接部，該第一感測器訊號連接該控制組，該第二感測器設於該檢驗管盒的一側，並相鄰於該承接部，該第二感測器訊號連接該控制組，該回收屜設於該檢驗管盒的下方。
一種沉積物導引系統，適用於安裝在一海岸的一防波堤，並供流經該海岸的一水流流通；該沉積物導引系統包含：<br/> 一U型引流管道，設於該防波堤並貫穿該防波堤以供該水流流通，並包括一入水口、與該入水口位於同一側的一出水口及與該入水口位於相對側的一開口；<br/> 一閥門單元，設於該開口；<br/> 至少一監測單元，其設於該入水口及該出水口至少其中之一，以監測該水流並產生一水流資訊；<br/> 一導流單元，設於該出水口以排出該水流；及<br/> 一處理單元，電連接該閥門單元及該至少一監測單元；<br/> 其中，該處理單元從該至少一監測單元取得該水流資訊，且根據該水流資訊控制該閥門單元調整從該開口流出的該水流的流量，並控制該導流單元將該U型引流管道中的該水流自該出水口排出。
如請求項1所述的沉積物導引系統，其中，該處理單元根據該水流資訊計算該水流導致的一沉積量及一侵蝕量，並根據該沉積量及該侵蝕量控制該閥門單元調整從該開口流出的該水流的流量。
如請求項2所述的沉積物導引系統，其中，該處理單元還根據該沉積量及該侵蝕量控制該導流單元導流的一強度及一方向。
如請求項3所述的沉積物導引系統，還包括一電連接該處理單元的通訊單元，該處理單元經由該通訊單元與一使用者終端裝置通訊，當該處理單元接收到來自該使用者終端裝置的一模式切換請求時，該處理單元根據該模式切換請求切換至一指定模式，並根據該指定模式控制該閥門單元調整該開口大小與該導流單元的該強度及該方向。
如請求項1所述的沉積物導引系統，還包括一儲存單元，該處理單元將該水流資訊儲存至該儲存單元。
如請求項1所述的沉積物導引系統，還包括一發電機組，該發電機組包括一設置於該入水口的發電單元及一儲電單元，該儲電單元電連接該發電單元、該閥門單元、該導流單元及該處理單元，當該水流通過該發電單元時，該發電單元將該水流的動能轉化成電能，並儲存於該儲電單元，當該處理單元根據該水流資訊判斷該發電單元產生的電能足以供應該閥門單元及該導流單元時，該處理單元控制該儲電單元以一發電供電模式供電給該閥門單元及該導流單元，並將剩餘的電儲存於該儲電單元。
如請求項6所述的沉積物導引系統，其中，當該處理單元根據該水流資訊判斷該發電單元產生的電能不足以供應該閥門單元及該導流單元時，該處理單元控制該儲電單元以一儲能供電模式對該閥門單元及該導流單元供電，並儲存該發電單元產生的電能。
如請求項1所述的沉積物導引系統，其中，該監測單元有兩個，該等監測單元分別設置於該入水口及該出水口，以分別監測進入該入水口與排出該出水口的該水流並產生該水流資訊。
一種應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，所述光催化載體至少具備二元核殼結構，其包含：一光催化層以及一離子傳輸層，該光催化層為所述光催化載體之核心，以非金屬光催化劑與鋅基化合物混合之異質結複合物，該離子傳輸層由無機氧化物構成，具有介孔結構，並包覆於該光催化層外。
如請求項1所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該光催化層為石墨相氮化碳(g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)負載鋅基化合物混合組成異質結複合物，所述鋅基化合物為鋅基硫族化合物，如氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)以及碲化鋅(ZnTe)之中至少任一種。
如請求項1所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該光催化層可再混合一輔助催化劑，所述輔助催化劑為錳基氧化物整合元素鎢(W)比例0.1-10wt%，構成具有黑鎢礦結構之鎢酸錳(MnWO<sub>4</sub>)。
如請求項3所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該輔助催化劑中的元素鎢(W)另可置換整合其他元素如鉍(Bi)、釩(V)、鈷(Co)、釕(Ru)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋇(Ba)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、鎵(Ga)、鎘(Cd)、銦(In)、鈦(Ti)、鈉(Na)、鍶(Sr)、鐵(Fe)之中至少任一種作為輔助催化劑比例0.1-10wt%。
如請求項1所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該離子傳輸層係由四乙氧基矽烷(TEOS)形成之介孔二氧化矽，具有介於1nm~1000nm之間之特定孔徑，以允許離子傳輸並阻擋光腐蝕。
如請求項1所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，所述光催化載體具備三元核殼結構，更包含一功能層，該功能層係由高分子幾丁聚醣(Chitosan)經矽烷偶聯劑接枝交聯而成，並披覆於該光催化載體之離子傳輸層外作為生物親和錨定功能。
如請求項6所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該功能層進一步包含彈性樹脂網絡，選自聚氨酯、丙烯酸樹脂或其共聚物之中至少任一種，能與該生物高分子形成互穿網絡(IPN)結構，增強所述光催化載體之附著力。
如請求項7所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，所述光催化載體具備四元核殼結構，更包含一連結層，該連結層連結船底油漆或氟矽烷膜如KH-550為並額外披覆於該功能層外。
一種應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，所述光催化載體至少具備三元核殼結構，其包含：一功能層、一光催化層以及一離子傳輸層，該功能層為所述光催化載體之核心，該光催化層為所述光催化載體之中間層，以非金屬光催化劑與鋅基化合物混合之異質結複合物，該離子傳輸層由無機氧化物構成，具有介孔結構，並包覆於該光催化層外。
如請求項9所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該光催化層為石墨相氮化碳(g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)負載鋅基化合物混合組成異質結複合物，所述鋅基化合物為鋅基硫族化合物，如氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)以及碲化鋅(ZnTe)之中至少任一種。
如請求項9所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該光催化層可再混合一輔助催化劑，所述輔助催化劑為錳基氧化物整合元素鎢(W)比例0.1-10wt%，構成具有黑鎢礦結構之鎢酸錳(MnWO<sub>4</sub>)。
如請求項11所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該輔助催化劑中的元素鎢(W)另可置換整合其他元素如鉍(Bi)、釩(V)、鈷(Co)、釕(Ru)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋇(Ba)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、鎵(Ga)、鎘(Cd)、銦(In)、鈦(Ti)、鈉(Na)、鍶(Sr)、鐵(Fe)之中至少任一種作為輔助催化劑比例0.1-10wt%。
如請求項9所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該離子傳輸層係由四乙氧基矽烷(TEOS)形成之介孔二氧化矽，具有特定孔徑並介於1nm~1000nm之間，以允許離子傳輸並阻擋光腐蝕。
如請求項9所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該功能層係由高分子幾丁聚醣(Chitosan)經矽烷偶聯劑接枝交聯而成。
如請求項9所述之應用於抑制海洋生物表面附著污染的光催化載體，其中，該功能層進一步包含彈性樹脂網絡，選自聚氨酯、丙烯酸樹脂或其共聚物之中至少任一種。
一種法船結構改良，其包含有一法船結構，其中：<br/>所述法船結構具有一法船體，該法船體具有一船身，所述船身兩側傾斜漸縮分別形成有一第一船頭與一第二船頭，所述法船體內設有數元寶體，該元寶體具有一本體，所述本體兩側傾斜漸縮各形成有一翼部，所述第一船頭內結合有一第一法船旗與傾斜擺放之一該元寶體，所述第一法船旗與一該元寶體間設有一六邊形之片體，所述船身內結合有一元寶體塔與一花體，該元寶體塔是由數所述元寶體由下而上數量減少堆疊並結合而成，所述花體是插於一該元寶體上並結合於該船身內。
如請求項1所述的法船結構改良，其中，所述第二船頭內結合有一第二法船旗與傾斜擺放之一該元寶體。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，所述法船結構的全部材質皆由紙類製成。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，所述法船結構是利用熱融膠進行結合工作。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，所述法船結構是利用膠帶進行結合工作。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，位於所述船身內之該元寶體之翼部方向皆垂直於所述法船體的方向。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，位於所述第一船頭或該第二船頭內之該元寶體之翼部方向皆平行於所述法船體的方向。
如請求項1或2所述的法船結構改良，其中，所述元寶體塔位於該船身接近該第一船頭的位置，所述花體位於該船身接近該第二船頭的位置。
如請求項2所述的法船結構改良，其中，所述法船體、元寶體、第一法船旗、片體、花體及該第二法船旗皆是透過摺紙工藝製成。
一種用於返馳式開關電源中的控制電路，所述返馳式開關電源包括變壓器和功率電晶體，所述變壓器的一次繞組的第一端接收輸入電壓、第二端連接所述功率電晶體，所述控制電路的特徵在於包括：<br/> 輸入電壓檢測電路，被配置為檢測所述輸入電壓並輸出電壓檢測信號；以及<br/> 恆流控制電路，包括電壓大小不同的多個參考電壓源，被配置為接收所述電壓檢測信號，並基於所述多個參考電壓源中對應所述電壓檢測信號的一個參考電壓源對所述功率電晶體進行恆流控制。
如請求項1所述的控制電路，其中，所述返馳式開關電源還包括串聯於所述變壓器的輔助繞組和接地端之間的第一電阻和第二電阻，所述輸入電壓檢測電路的輸入端連接到所述第一電阻和所述第二電阻的公共節點。
如請求項1所述的控制電路，其中，所述輸入電壓檢測電路包括：<br/> 檢測電流產生電路，被配置為根據所述輸入電壓生成對應的檢測電流；以及<br/> 電流比較電路，被配置為比較所述檢測電流和參考電流並基於比較結果生成所述電壓檢測信號。
如請求項3所述的控制電路，其中，所述檢測電流產生電路包括：輸出偏置電流的偏置電流源，接收所述偏置電流的第一電流控制管，以及與所述第一電流控制管形成電流鏡的第一電流受控管，所述第一電流受控管被配置為：根據所述輸入電壓導通或關斷以輸出所述檢測電流。
如請求項3所述的控制電路，其中，所述檢測電流產生電路包括：輸出偏置電流的偏置電流源，接收所述偏置電流的第一電流控制管，與所述第一電流控制管形成電流鏡的第一電流受控管，與所述第一電流受控管連接的第二電流控制管，以及與所述第二電流控制管形成電流鏡的第二電流受控管，其中：<br/> 所述第一電流受控管被配置為：根據所述輸入電壓導通或關斷以生成鏡像電流；<br/> 所述第二電流受控管被配置為：輸出所述檢測電流。
如請求項3所述的控制電路，其中，所述檢測電流產生電路包括第一電晶體和運放器，其中：<br/> 所述運放器的同相輸入端與預設電壓源連接，反相輸入端連接所述第一電晶體的第一端，輸出端連接所述第一電晶體的控制端；<br/> 所述第一電晶體的第一端的電壓根據所述輸入電壓變化，第二端輸出所述檢測電流。
如請求項3所述的控制電路，其中，所述電流比較電路包括參考電流源，所述參考電流源的輸出端連接到所述檢測電流產生電路的輸出端，並作為所述電流比較電路的輸出端。
如請求項3所述的控制電路，其中，所述電流比較電路包括參考電流源和去抖動電路，所述參考電流源的輸出端連接所述檢測電流產生電路的輸出端和所述去抖動電路的輸入端，所述去抖動電路被配置為對輸入的信號進行去抖動處理以輸出所述電壓檢測信號。
如請求項1至8任一項所述的控制電路，其中，所述多個參考電壓源包括第一電壓源和第二電壓源，所述第一電壓源的電壓大於所述第二電壓源的電壓，所述恆流控制電路被配置為：<br/> 在所述電壓檢測信號指示所述輸入電壓大於電壓閾值時，基於所述第一電壓源對所述功率電晶體進行恆流控制；<br/> 在所述電壓檢測信號指示所述輸入電壓不大於所述電壓閾值時，基於所述第二電壓源對所述功率電晶體進行恆流控制。
一種返馳式開關電源，其特徵在於，包括如請求項1至9任一項所述的控制電路，以及所述變壓器和所述功率電晶體。
一種安全帽內襯調整裝置，包括：<br/> 一握把；<br/> 一支架，其中一端連接於該握把的一側，另一端往遠離該握把的方向延伸，且設有一樞轉框架；<br/> 一滾動輪，樞設於該樞轉框架上，用於滾壓一安全帽的一內襯，以調整該內襯的外形；該滾動輪具有一平壓段、一第一斜壓段及一第二斜壓段，該平壓段、該第一斜壓段及該第二斜壓段各自設置於該滾動輪的一輪緣上，且該第一斜壓段及該第二斜壓段分別連接於該平壓段的相對二側。
如請求項1所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該支架又具有一延伸桿，該延伸桿的二端分別連接該握把及該樞轉框架。
如請求項2所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該樞轉框架又具有一框體及一設於該框體上的樞接部，該滾動輪樞設於該樞接部上，且至少一部分裸露於該框體外。
如請求項3所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該框體又具有一頂板及一對自該頂板二側向下延伸的側板，該樞接部又具有一穿孔及一轉軸，該穿孔貫穿該對側板，該轉軸設置於該穿孔上，且該滾動輪樞設於該轉軸上。
如請求項1所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該第一斜壓段係呈斜面及弧面其中之一，該第二斜壓段係呈斜面及弧面其中之一。
如請求項1所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該滾動輪包含一輪框及一套設於該輪框外周的輪胎，該輪框樞設於該樞轉框架，且該平壓段、該第一斜壓段及該第二斜壓段設置於該輪胎上。
如請求項6所述的安全帽內襯調整裝置，其中，該輪胎的材質為橡膠。
一種連續型血液減白自動設備，其包含：<br/> 一本體；<br/> 一傳送裝置，設置於該本體內，包含一動力單元、一連動單元及複數傳動單元，該連動單元連接該動力單元及該等傳動單元；<br/> 複數掛架單元，設置於該傳動單元上並隨之運行，且供一具有辨識標記之減白血袋組掛置，該減白血袋組包含一濾前血袋、一白血球過濾器、一濾後血袋、一血漿副袋及一導管，該導管具有一減白段及一單向支管；<br/> 一入料辨識裝置，包含一視覺辨識單元及一在位檢測器，該在位檢測器用以偵測該等掛架單元上有無掛置該減白血袋組，該視覺辨識單元用以辨識該濾前血袋上的一辨識標記；<br/> 一自動排氣裝置，包含一夾管機構及一推壓機構，該夾管機構夾持封閉該減白段，該推壓機構擠壓該濾後血袋，使氣體經由該單向支管擠回至該濾前血袋。
如請求項1所述之連續型血液減白自動設備，其中該等傳動單元分別設置於該本體內上下兩側，該動力單元驅動該連動單元，以帶動該上側及下側之傳動單元同步傳動，並同步帶動該掛架單元運行。
如請求項2所述之連續型血液減白自動設備，其中該傳動單元係選自齒輪齒條機構、皮帶輪皮帶機構、鏈條鏈輪機構其中之一。
如請求項1所述之連續型血液減白自動設備，其中該入料辨識裝置更包含一限位背板、一推平機構及一RFID讀取器，該推平機構具有一推平伺服單元及一與其連接之推平壓塊，該推平伺服單元驅動該推平壓塊抵接該濾前血袋，使該濾前血袋抵靠於該限位背板形成平整化，供該視覺辨識單元進行辨識；該RFID讀取器用以讀取該掛架單元上之一RFID電子標籤。
如請求項1所述之連續型血液減白自動設備，其中每一掛架單元包含至少一第一掛勾、一第二掛勾、一具有複數限位元件的過濾器固定架及一血袋承接盒，用以將該減白血袋組定位。
如請求項5所述之連續型血液減白自動設備，其中該第一掛勾用以掛載該濾前血袋，該第二掛勾用以掛載該血漿副袋，且該第一掛勾、第二掛勾與複數個限位元件被配置為將該導管及該血漿副袋約束於該掛架單元上，使該自動排氣裝置執行動作時不與該導管產生物理干涉。
如請求項1所述之連續型血液減白自動設備，其中該推壓機構具有一推壓伺服單元。
如請求項1所述之連續型血液減白自動設備，更包含一控制單元，電性連接至該入料辨識裝置及該自動排氣裝置，且該控制單元包含一人機介面及一輸入單元一。
一種擠壓過濾模組，包含： <br/>一擠壓機本體，接收一出料，並且將該出料其擠壓分離成一濾液以及一濾渣，該擠壓機本體包含一濾液排出端，該濾液可經由該濾液排出端離開該擠壓機本體；以及 <br/>一濾網模組，與該濾液排出端連通，包含： <br/>一濾液導出流道，包含一與該濾液排出端連通的流道入口以及一流道出口； <br/>一壓力感測器，設置於該濾液排出端，量測該濾液排出端之一工作壓力； <br/>複數個孔隙尺度相異的濾網單元；以及 <br/>一流道切換機構，與該壓力感測器耦接，根據該工作壓力使該流道出口與該複數個濾網單元的其中之一連通，以使該濾液通過與該流道出口連通之濾網單元過濾。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該擠壓機為單軸螺桿擠壓機。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該複數個濾網單元包含至少三組。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該流道切換機構為旋轉盤式機構。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該流道切換機構為滑移式機構。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該流道切換機構為閥控式切換式機構。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該流道切換機構根據該工作壓力使該流道出口，依照孔隙尺度由大至小的順序與該複數個濾網單元的其中之一連通。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該流道切換機構根據該工作壓力使該流道出口，依照孔隙尺度由小至大的順序與該複數個濾網單元的其中之一連通。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，係與一前處理反應槽連通，該前處理反應槽提供該出料，部分通過與該流道出口連通之濾網單元過濾之該濾液回到該前處理反應槽。
如請求項1所述的擠壓過濾模組，該出料為經鹼性前處理之狼尾草。
一種具有抽真空功能的收納裝置，包括：<br/> 一收納容器，該收納容器的內部具有至少一容置空間；及<br/> 一袋體，設置於該容置空間，該袋體設置一開合緊固單元及一真空抽氣模組，該真空抽氣模組設置一外接電力介面，該外接電力介面電性連接該真空抽氣模組，該真空抽氣模組連通該袋體的內部及外部的空間。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該真空抽氣模組包括一本體、一抽氣孔、一逆止閥及一真空泵，該抽氣孔貫設於該本體，形成連通該袋體內部空間與該容置空間的氣體通道，該逆止閥設置於該抽氣孔內以限定氣體單向流動，該真空泵連通該抽氣孔且該真空泵電性連接該外接電力介面。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該容置空間包括一開放式收納區及一真空收納區，該開放式收納區與該真空收納區相鄰，該袋體設置於該真空收納區。
如請求項3所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，更包括至少一網狀隔層，該網狀隔層設置於該開放式收納區及該真空收納區之間。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該收納容器更包括一握持單元，該握持單元設置於該收納容器的外表面。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該收納容器更包括複數滾輪，該複數滾輪設置於該收納容器的外表面。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該收納容器更包括一扣具組，該扣具組環設於該收納容器的開口兩側邊。
如請求項1所述之具有抽真空功能的收納裝置，其中，該收納容器更包括一防盜鎖，該防盜鎖設置鄰近該收納容器的開口側邊。
一種應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其特徵在於，包括︰包括主體（1）、上蓋（2）和下蓋（3），其特徵在於，所述主體（1）內一體成型有進水腔（10）和活塞腔（7），所述進水腔（10）與下蓋（3）相連通，所述進水腔（10）內滑動設有滑塞（6），所述滑塞（6）一端活動貫穿進活塞腔（7）內，且該端裝配有霍爾感應模組，所述滑塞（6）與進水腔（10）之間設有彈簧（14）；<br/> 所述霍爾感應模組包括固接在活塞腔（7）內的滑塞（6）外壁上的磁鐵座（16）以及固定安裝在磁鐵座（16）內部的磁鐵（8），所述上蓋（2）內安裝有與磁鐵（8）相適配的電路板霍爾（9），所述電路板霍爾（9）上引出有電源線（17），所述電源線（17）的一端貫穿上蓋（2）延伸至外部，所述電路板霍爾（9）頂部設有導光件（18）。
如申請專利範圍第1項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述下蓋（3）內底面安裝有濾芯（4）。
如申請專利範圍第2項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述下蓋（3）頂部開設有電解槽，所述電解槽內安裝有內嵌座（20），所述內嵌座（20）上安裝有電解組片（5），且所述電解組片（5）與電路板霍爾（9）進行電性連接，且所述電解組片（5）與濾芯（4）之間設有遮擋蓋（19）。
如申請專利範圍第3項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述下蓋（3）通過螺紋連接方式固定裝配在主體（1）的底面上，所述下蓋（3）與主體（1）之間設有密封圈二（15），用於實現密封。
如申請專利範圍第4項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述主體（1）一側設置有進水道，所述進水道與進水腔（10）連通，所述主體（1）另一側設置有出水道，所述出水道與電解槽頂部連通，用於水流的流通。
如申請專利範圍第5項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述進水道內可拆卸設置有堵頭（12），所述堵頭（12）內設有外螺母（11）。
如申請專利範圍第6項所述之應用於超氧洗的進水流量啟動裝置，其中，所述堵頭（12）與進水道之間設有密封圈一（13），用於增強進水道的密封性，防止漏水。
一種驅鳥裝置，包括：<br/> 一殼體，其具有一容置空間；<br/> 一電源供應模組，其包括有至少一太陽能板，該些太陽能板設置於該殼體的外表面；<br/> 一驅動元件，其電性連接於該電源供應模組，用以驅使該殼體進行旋轉；<br/> 一感測模組，其電性連接於該電源供應模組，用以判斷一鳥類靠近於該殼體的距離小於該預設距離時，發出一感測訊號至該驅動元件；以及<br/> 一超聲波模組，其設置於該驅動元件且電性連接於該電源供應模組，用以當該感測模組判斷該鳥類靠近於該殼體的距離小於該預設距離時，可發出一超聲波以驅趕該鳥類。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一支架，其設置於該殼體，用以支撐該殼體於地面上。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一定位模組，其電性連接於該電源供應模組，用以提供一定位資訊。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該電源供應模組更包括有一蓄電池，其電性連接於該些太陽能板，用以儲存該些太陽能板所產生的電能。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該超聲波之頻率範圍係大於20kHz。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一燈光模組，其包括有複數燈光單元，該些燈光單元電性連接於該電源供應模組，用以閃爍特定顏色的燈光。
如請求項4所述之驅鳥裝置，其中該殼體具有設置於外表面上的一操作面板，用以顯示該蓄電池的電量以及切換該超聲波模組的一驅鳥模式。
如請求項6所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一遠端控制模組，其電性連接於該電源供應模組，可使用一行動裝置以無線網路控制該遠端控制模組，調整該超聲波模組及該燈光模組的運作狀態。
如請求項1所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一接收單元，其電性連接於該電源供應模組，該接收單元以接受外部電源而進行充電。
一種驅鳥裝置，包括：<br/> 一殼體，其具有一容置空間；<br/> 一電源供應模組，其包括有至少一太陽能板，該些太陽能板設置於該殼體的外表面；<br/> 一驅動元件，其電性連接於該電源供應模組，用以驅使該殼體進行旋轉；<br/> 一感測模組，其電性連接於該電源供應模組，用以感測一外部環境中一環境光變化，並產生一感測訊號至該驅動元件；以及<br/> 一超聲波模組，其設置於該驅動元件且電性連接於該電源供應模組，且當該超聲波模組根據接受到該感測訊號，可發出一超聲波以驅趕該鳥類。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一支架，其設置於該殼體，用以支持該殼體於地面上。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一定位模組，其電性連接於該電源供應模組，用以提供一定位資訊。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該電源供應模組更包括有一蓄電池，其電性連接於該些太陽能板，用以儲存該些太陽能板所產生的電能。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該超聲波之頻率範圍係大於20kHz。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一燈光模組，其包括有複數燈光單元，該些燈光單元電性連接於該電源供應模組，用以閃爍特定顏色的燈光。
如請求項13所述之驅鳥裝置，其中該殼體具有設置於外表面的一操作面板，用以顯示該蓄電池的電量以及切換該超聲波模組的一驅鳥模式。
如請求項15所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一遠端控制模組，其電性連接於該電源供應模組，可使用一行動裝置以無線網路控制該遠端控制模組，調整該超聲波模組以及該燈光模組的運行狀態。
如請求項10所述之驅鳥裝置，其中該驅鳥裝置更包括有一接收單元，其電性連接於該電源供應模組，該接收單元以接受外部電源而進行充電。
一種應用混合向量的商品搜尋系統，包括：<br/> 一輸入單元，接收一商品搜尋要求；<br/> 一儲存單元，儲存一向量資料庫、一大語言模型與一關鍵字模型；以及<br/> 一處理單元，連接於該輸入單元與該儲存單元，該處理單元執行該大語言模型與該關鍵字模型，該大語言模型根據該商品搜尋要求產生一情境標籤，該關鍵字模型根據該情境標籤與該商品搜尋要求產生一密集向量與一稀疏向量，該處理單元根據該密集向量與該稀疏向量產生一查詢向量，以該查詢向量在該向量資料庫中查詢並獲得相應的一商品查詢結果。
如請求項1所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該大語言模型根據該商品搜尋要求產生一品牌資訊、一產品資訊、一地域資訊、一層級資訊或任一組合。
如請求項2所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該關鍵字模型根據該情境標籤並從該品牌資訊、該產品資訊、該地域資訊、該層級資訊或至少一組合產生該密集向量。
如請求項2所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該儲存單元更包括一分詞程式與一商品辭庫，該處理單元執行該分詞程式，該分詞程式根據該商品搜尋要求產生一分詞結果，該處理單元根據該分詞結果向該商品辭庫查找一關聯資訊，該關鍵字模型根據該分詞結果與該關聯資訊產生該稀疏向量。
如請求項1所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該處理單元根據一動態權重調整該密集向量與該稀疏向量並產生該查詢向量。
如請求項1所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該向量資料庫根據該查詢向量輸出多筆目標商品，該處理單元將大於一評估門檻的該些目標商品匯整為該商品查詢結果。
如請求項1所述的應用混合向量的商品搜尋系統，其中該儲存單元更包括一外部搜尋程式，該外部搜尋程式根據該商品搜尋要求獲得一外部資訊，該關鍵字模型根據該外部資訊與該商品搜尋要求產生該密集向量。
一種滾輪輸入裝置，包括：<br/> 一外殼；<br/> 一轉動件，可轉動地設置於該外殼內，該轉動件包括複數個磁性部，且該些磁性部彼此間隔配置；<br/> 一磁性組件，設置於該外殼內且位於該轉動件的一側，該磁性組件包括一永磁鐵與一第一電磁鐵，該永磁鐵包括一內磁鐵端，該第一電磁鐵包括一第一內磁極端；以及<br/> 一導磁件，位於該轉動件與該磁性組件之間，該內磁鐵端與該第一內磁極端接觸於該導磁件，該導磁件朝向該轉動件的一側具有一凸部，該凸部鄰近於該轉動件且與相鄰的該磁性部之間具有一間距。
如請求項1所述之滾輪輸入裝置，其中該轉動件包括一本體，該些磁性部環狀排列於該本體外周。
如請求項1所述之滾輪輸入裝置，更包括一滾輪主體，該滾輪主體可轉動地設置於該外殼內，該轉動件與該滾輪主體彼此同軸連接。
如請求項1所述之滾輪輸入裝置，更包括一處理器，該處理器電性連接於該第一電磁鐵，該第一電磁鐵包括一第一線圈，該處理器用以控制該第一線圈的電流方向。
如請求項4所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器可選擇性地切換至一第一模式或一第二模式；在該第一模式下，該處理器控制該第一線圈導通一正向電流，使該永磁鐵的該內磁鐵端與該第一電磁鐵的該第一內磁極端為同名極；在該第二模式下，該處理器控制該第一線圈導通一反向電流，使該永磁鐵的該內磁鐵端與該第一電磁鐵的該第一內磁極端為異名極。
如請求項4所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器在一第一加速模式下，該處理器控制該第一線圈交替地導通一正向電流與一反向電流。
如請求項1所述之滾輪輸入裝置，其中該磁性組件包括一第二電磁鐵，該永磁鐵位於該第一電磁鐵與該第二電磁鐵之間，該第二電磁鐵包括一第二內磁極端，該第二內磁極端接觸於該導磁件。
如請求項7所述之滾輪輸入裝置，更包括一處理器，該處理器電性連接於該第一電磁鐵與該第二電磁鐵，該第一電磁鐵包括一第一線圈，該第二電磁鐵包括一第二線圈，該處理器用以分別控制該第一線圈與該第二線圈的電流方向。
如請求項8所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器在一第一模式下，該處理器控制該第一線圈與該第二線圈皆導通一正向電流，使該永磁鐵的該內磁鐵端、該第一電磁鐵的該第一內磁極端及該第二電磁鐵的該第二內磁極端為同名極。
如請求項9所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器可選擇性地由該第一模式切換至一第二模式，在該第二模式下，該處理器控制該第一線圈與該第二線圈皆導通一反向電流，使該永磁鐵的該內磁鐵端與該第一電磁鐵的該第一內磁極端為異名極，該永磁鐵的該內磁鐵端與該第二電磁鐵的該第二內磁極端為異名極。
如請求項8所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器在一第一加速模式下，該處理器控制該第一電磁鐵之該第一線圈交替地導通一正向電流與一反向電流。
如請求項11所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器在該第一加速模式下，該處理器控制該第二電磁鐵之該第二線圈交替地導通該正向電流與該反向電流。
如請求項11所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器在該第一加速模式下，該處理器控制該第二電磁鐵之該第二線圈不導通電流。
如請求項11所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器響應該轉動件沿一第一方向旋轉且轉速大於一第一閾值時進入該第一加速模式。
如請求項11所述之滾輪輸入裝置，更包括一感測器，該感測器連接於該轉動件以感測該轉動件的一旋轉參數資訊，該處理器電性連接於該感測器並根據該旋轉參數資訊判斷是否進入該第一加速模式。
如請求項14所述之滾輪輸入裝置，其中該處理器響應該轉動件沿相反於該第一方向之一第二方向旋轉且轉速大於一第二閾值時切換至一第二加速模式；在該第二加速模式下，該處理器控制該第二電磁鐵之該第二線圈交替地導通該正向電流與該反向電流。
如請求項7所述之滾輪輸入裝置，其中該導磁件包括複數個該凸部，該些凸部的位置分別對應於該第一內磁極端及該第二內磁極端。
如請求項7所述之滾輪輸入裝置，更包括一外導磁件，該永磁鐵包括一外磁鐵端，該第一電磁鐵包括一第一外磁極端，該第二電磁鐵包括一第二外磁極端，該外導磁件接觸於該外磁鐵端、該第一外磁極端及該第二外磁極端。
一種滾輪輸入裝置，包括：<br/> 一外殼；<br/> 一轉動件，可轉動地設置於該外殼內，該轉動件包括複數個磁性部，且該些磁性部彼此間隔配置；以及<br/> 一磁性組件，設置於該外殼內且位於該轉動件的一側，該磁性組件包括一永磁鐵與一第一電磁鐵，該第一電磁鐵包括一第一線圈與一第一磁性件，該第一磁性件為非磁鐵之導磁元件且環繞於該永磁鐵外部，該第一線圈環繞於該第一磁性件外部。
如請求項19所述之滾輪輸入裝置，其中該第一磁性件包括複數個磁性柱，該些磁性柱環繞於該永磁鐵外部且彼此間隔設置。
如請求項20所述之滾輪輸入裝置，其中該磁性組件包括一環狀支架，該環狀支架環繞於該永磁鐵外部且包括複數個容置槽，該些磁性柱分別設置於該些容置槽內，該第一線圈環繞於該環狀支架外部。
一種散熱產品結構，包含： <br/>一散熱主體(110)，具有一散熱底面(112)以及連接該散熱底面(112)的一散熱側壁(114)，其中該散熱底面(112)具有複數個金屬微孔隙(116)；以及 <br/>一導熱絕緣層(120)，用以從一線性非固化結構體(A)轉變為一交聯網狀固化結構體(B)而直接結合於該散熱主體(110)上，其中該導熱絕緣層(120)具有一嵌入面(122)，該嵌入面(122)於該交聯網狀固化結構體(B)形成前已滲入填充該複數個金屬微孔隙(116)以使該交聯網狀固化結構體(B)形成錨定結構，並且該導熱絕緣層(120)用以覆蓋該散熱主體(110)的該散熱底面(112)且從該散熱底面(112)延伸覆蓋至該散熱側壁(114)的至少一部分，以使該導熱絕緣層(120)對該散熱主體(110)呈現立體包覆狀結構。
如請求項1所述之散熱產品結構，其中該導熱絕緣層(120)覆蓋該散熱側壁(114)的一覆蓋高度(H1)大於該散熱側壁(114)的一側壁高度(H2)的一半。
如請求項1所述之散熱產品結構，其中該複數個金屬微孔隙(116)係為該散熱主體(110)的表面結構孔隙，且該導熱絕緣層(120)的該嵌入面(122)用以貼合於該複數個金屬微孔隙(116)的複數個孔隙表面(118)。
如請求項1所述之散熱產品結構，更包含： <br/>一半導體晶片(130)，設置於該導熱絕緣層(120)遠離該散熱主體(110)的一側；以及 <br/>一黏著層(140)，設置於該導熱絕緣層(120)與該半導體晶片(130)之間，且用以黏貼該半導體晶片(130)至該導熱絕緣層(120)。
如請求項1所述之散熱產品結構，其中該導熱絕緣層(120)係無縫隙地從該散熱底面(112)延伸至該散熱側壁(114)。
如請求項1所述之散熱產品結構，其中該導熱絕緣層(120)係藉由一成形模具(200)形成於該散熱主體(110)上。
如請求項1所述之散熱產品結構，其中該導熱絕緣層(120)係由一矽彈性體所構成，且該交聯網狀固化結構體(B)係為該矽彈性體經加熱加壓固化後所形成的不可逆結構。
一種散熱產品結構，包含： <br/>一半導體晶片(130a)，具有一晶片散熱面(132)以及連接該晶片散熱面(132)的一晶片側壁(134)；以及 <br/>一導熱絕緣層(120a)，用以從一線性非固化結構體(A)轉變為一交聯網狀固化結構體(B)而直接結合於該半導體晶片(130a)上，其中該導熱絕緣層(120a)用以覆蓋該半導體晶片(130a)的該晶片散熱面(132)且從該晶片散熱面(132)延伸覆蓋至該晶片側壁(134)的至少一部分，以使該導熱絕緣層(120a)對該半導體晶片(130a)呈現立體包覆狀結構。
如請求項8所述之散熱產品結構，更包含： <br/>一散熱主體(110a)，設置於該導熱絕緣層(120a)遠離該半導體晶片(130a)的一側；以及 <br/>一黏著層(140a)，設置於該導熱絕緣層(120a)與該半導體晶片(130a)之間，且用以黏貼該散熱主體(110a)至該導熱絕緣層(120a)。
如請求項8所述之散熱產品結構，其中該導熱絕緣層(120a)係無縫隙地從該晶片散熱面(132)延伸至該晶片側壁(134)。
一種可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，包括：<br/> INLAY層、分別層壓於所述INLAY層上下面的頂面基材層、底面基材層，其中，<br/> 所述INLAY層至少包括一複合單元，所述複合單元由木質層夾合可降解塑膠薄片層組成，所述INLAY層的至少一所述可降解塑膠薄片層上設有射頻線圈和雙介面智慧卡晶片（200），對應所述雙介面智慧卡晶片（200）之上的所述木質層或者所述木質層及所述可降解塑膠薄片層上設有嵌設所述雙介面智慧卡晶片（200）的第一通孔位；所述頂面基材層和所述底面基材層分別為頂面木質層（70）、底面木質層（80），所述頂面木質層（70）上設有露出所述雙介面智慧卡晶片（200）的接觸面的第二通孔位。
如請求項1所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述INLAY層包括第一複合單元（a），所述第一複合單元（a）包括第一可降解塑膠薄片層（10）、分別層壓於所述第一可降解塑膠薄片層（10）上下面的第一木質層（20）、第二木質層（30），所述第一可降解塑膠薄片層（10）上通過超聲波埋線裝置將所述射頻線圈設於所述第一可降解塑膠薄片層（10）上，所述第一木質層（20）上設有所述第一通孔位。
如請求項2所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述INLAY層還包括第二複合單元（b），所述第二複合單元（b）層壓於所述第一複合單元（a）的頂面或底面，所述第二複合單元（b）包括第二可降解塑膠薄片層（40）、分別層壓於所述第二可降解塑膠薄片層（40）上下面的第三木質層（50）、第四木質層（60）。
如請求項3所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述第一複合單元（a）和所述第二複合單元（b）為層壓的多層複合單元整體，所述第二複合單元（b）層壓於所述第一複合單元（a）下面時，所述第二複合單元（b）省去所述第三木質層（50），在所述第一複合單元（a）底面依次層壓所述第二可降解塑膠薄片層（40）、所述第四木質層（60）；所述第二複合單元（b）層壓於所述第一複合單元（a）上面時，所述第二複合單元（b）省去所述第四木質層（60），在所述第一複合單元（a）頂面依次層壓所述第二可降解塑膠薄片層（40）、所述第三木質層（50）。
如請求項4所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述頂面木質層（70）、所述底面木質層（80）的表面分別層壓有第三可降解塑膠薄片層（90）、第四可降解塑膠薄片層（100），所述第三可降解塑膠薄片層（90）上對應所述第二通孔位的位置設有第三通孔位。
如請求項5所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述第一可降解塑膠薄片層（10）、所述第二可降解塑膠薄片層（40）、所述第三可降解塑膠薄片層（90）、所述第四可降解塑膠薄片層（100）的厚度均為0.05mm～0.06mm，所述第一木質層（20）、所述第二木質層（30）、所述第三木質層（50）、所述第四木質層（60）厚度均為0.17mm～0.35mm，所述頂面木質層（70）和所述底面木質層（80）的厚度均為0.3mm～0.35mm。
如請求項6所述的可降解塑膠薄片層和木質層多層複合雙介面智慧卡，其中，所述第一可降解塑膠薄片層（10）、所述第二可降解塑膠薄片層（40）、所述第三可降解塑膠薄片層（90）、所述第四可降解塑膠薄片層（100）採用可降解PVC薄片、可降解PET薄片、可降解ABS薄片、可降解PC薄片中的任意一種。
一種衛星訊號分析系統，其係包含：<br/> 一接收單元，其係用以接收一衛星傳輸之一原始資料；<br/> 一濾波單元，其係電性連接該接收單元，該濾波單元係用以過濾該原始資料並產生一過濾資料；<br/> 一放大單元，其係電性連接該濾波單元，該放大單元係用以放大該過濾資料並產生一放大資料；<br/> 一分波單元，其係電性連接該放大單元，該分波單元係用以將該放大資料產生一第一資料以及一第二資料；<br/> 一第一分析單元，其係電性連接該分波單元，該第一分析單元係用以接收該第一資料，且分析該第一資料並產生一第一分析資料；<br/> 一錄製單元，其係電性連接該分波單元，該錄製單元係用以接收該第二資料，且依據一錄製時間取樣該第二資料並產生一錄製資料；以及<br/> 一第二分析單元，其係電性連接該錄製單元，該第二分析單元係用以分析該錄製資料並產生一第二分析資料。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該錄製時間為8分鐘。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該錄製單元更依據一第一頻率進行取樣。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元對該錄製資料進行一自動增益控制，以此對該錄製資料進行增益調整。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元對該錄製資料進行一頻率相位同步後進行分析。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元依據一時間對該錄製資料進行一符碼時間同步後進行分析。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元對該錄製資料進行一解調後進行分析。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元對該錄製資料進行一幀同步後進行分析。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中該第二分析單元依據一太空資訊系統諮詢委員會之遙測標準對該錄製資料進行一解碼並產生該第二分析資料。
如請求項1所述之衛星訊號分析系統，其中更包含：<br/> 一儲存單元，其係電性連接該第一分析單元以及該第二分析單元，該儲存單元係用以儲存該第一分析資料以及該第二分析資料。
一種應用於網路之可程式智能安全管理系統，其包含：<br/> 一網路裝置，其預設至少一加密通訊協定，該網路裝置透過一連接端依據該至少一加密通訊協定經一網路傳輸介面接收一封包資料；及<br/> 一主機，其設置一第一處理器，該主機依據該至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面通訊連接該網路裝置之另一連接端，該網路裝置與該主機設置於不同位置，該主機依據該至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面接收該網路裝置所傳輸之該封包資料，該第一處理器讀取該封包資料之複數個封包並判斷該些個封包是否異常，以產生一判斷結果，當該判斷結果為該封包資料屬於一異常資料時，該第一處理器依據該封包資料之該判斷結果產生一裝置控制訊號並依據該至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面傳輸該裝置控制訊號至該網路裝置，以依據該裝置控制訊號控制該網路裝置本身重新啟動或者是控制該網路裝置關閉或重啟該連接端。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該些個封包分別包含一標頭參數與一負載參數，該主機之該第一處理器更依據該標頭參數或該負載參數判斷該封包資料是否異常，當該標頭參數異常或該負載參數異常而判斷該封包資料異常時，該主機之該處理器產生該裝置控制訊號至該網路裝置，以控制該網路裝置本身重新啟動或者是關閉或重啟該連接端。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該主機進一步設置一白名單或一黑名單，該些個封包分別包含一網路識別參數，該主機之該第一處理器更依據該些個封包之該網路識別參數比對該白名單或該黑名單，當該網路識別參數不符合該白名單或符合該黑名單時，該主機之該第一處理器產生該裝置控制訊號至該網路裝置，以控制該網路裝置本身重新啟動或者是關閉或重啟該連接端。
如請求項3所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中，該網路識別參數為一網路位址或一通訊埠或一硬體位址。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中，該些個封包分別包含一標頭參數與一負載參數，該主機設置一儲存元件，該儲存元件儲存至少一異常參數，該主機之該第一處理器依據該些個封包之該標頭參數或該負載參數比對該至少一異常參數，以判斷該封包資料是否異常，當該標頭參數或該資料參數匹配該至少一異常參數而判斷該封包資料異常時，該主機之該第一處理器產生該裝置控制訊號至該網路裝置，以控制該網路裝置本身重新啟動或者是控制該網路裝置關閉或重啟一第一連接端。
如請求項5所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該至少一異常參數包含至少一病毒碼片段、至少一異常錯誤碼、至少一惡意編碼片段與至少一漏洞編碼片段之其中至少一者。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中，該主機之該第一處理器更依據該些個封包之一網路流量低於一最低平均流量或高於一最高平均流量判斷該封包資料異常並產生該裝置控制訊號至該網路裝置，以控制該網路裝置本身重新啟動或者是控制該網路裝置關閉或重啟該連接端。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，更包含:<br/> 一客戶端裝置，依據該至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面連接該主機，該客戶端裝置包含：<br/> 一網路通訊元件，設有一連接端；<br/> 一第二處理器，其電性連接該網路通訊元件，並依據該至少一加密通訊協定透過該網路通訊元件通訊連接該主機；<br/> 一輸入元件，其電性連接該第二處理器；及<br/> 一顯示器，其電性連接該第二處理器；<br/> 其中該主機之該第一處理器更設置一大型語言模組，該輸入元件接收一語音查詢資料或一文字查詢資料至該第二處理器，以將該語音查詢資料或該文字查詢資料經該網路通訊元件傳送該主機，該大型語言模組依據該語音查詢資料或該文字查詢資料產生一分析資料，該第二處理器依據該至少一加密通訊協定從該主機取得該分析資料並傳送至該顯示器，該分析資料對應於該網路裝置。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該連接端與該另一連接端為一支援有線網路之網路連接埠或一支援無線網路之天線。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該至少一加密通訊協定為一訊息佇列遙測傳輸協定、一虛擬私人網路協定與一超文本傳輸協定之其中至少一者。
如請求項1所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該第一處理器係執行一流程編輯模組，以讀取該封包資料之該些封包並產生該裝置控制訊號。
一種應用於網路之可程式智能安全管理系統，其係用以管理一網路串流模組以及一輸出元件，該網路串流模組係用以產生一串流資料，其包含：<br/> 一第一網路裝置，其設置於一第一位置並以一第一連接端經一網路傳輸介面通訊連接該網路串流模組，該網路串流模組設置於該第一位置之一側，該第一網路裝置預設一即時串流協定，該第一網路裝置依據該即時串流協定經該網路傳輸介面接收該網路串流模組所產生之該串流資料；<br/> 一主機，其設置於一第二位置設置一第一處理器，依據一即時串流協定經該網路傳輸介面通訊連接該第一網路裝置之一第二連接端，該主機依據該即時串流協定接收該第一網路裝置所傳輸之該串流資料，該第一處理器讀取該串流資料並產生一判斷結果，該第一處理器依據該判斷結果產生一輸出控制訊號；及<br/> 一第二網路裝置，其設置於一第三位置並透過一第三連接端經該網路傳輸介面通訊連接該輸出元件，且以一第四連接端依據至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面通訊連接該主機，該輸出元件設置於該第二位置之一側，該第二網路裝置依據該至少一加密通訊協定通訊連接該主機，該第二網路裝置依據該至少一加密通訊協定接收該主機所傳輸之該輸出控制訊號，該第二網路裝置依據該輸出控制訊號控制該輸出元件。
如請求項12所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中，該至少一加密通訊協定包含一訊息佇列遙測傳輸協定、一虛擬私人網路協定與一超文本傳輸協定之其中至少一者。
如請求項12所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，更包含:<br/> 一客戶端裝置，依據該至少一加密通訊協定經該網路傳輸介面通訊連接該主機，該客戶端裝置包含：<br/> 一網路通訊元件，設有一第五連接端經該網路傳輸介面通訊連接該主機；<br/> 一第二處理器，其電性連接該網路通訊元件，並依據該至少一加密通訊協定透過該網路通訊元件之該第五連接端通訊連接該主機，該第二處理器依據該加密通訊協定從該主機取得一分析資料，該分析資料對應於該第一網路裝置與該第二網路裝置；<br/> 一輸入元件，其電性連接該第二處理器；及<br/> 一顯示器，其電性該第二處理器，該第二處理器傳送該分析資料至該顯示器；<br/> 其中，該主機之該第一處理器更設置一大型語言模組，該輸入元件接收一語音查詢資料或一文字查詢資料至該第二處理器，以將該語音查詢資料或該文字查詢資料經該網路通訊元件傳送該主機，該大型語言模組依據該語音查詢資料或該文字查詢資料產生該分析資料，該第二處理器依據該至少一加密通訊協定從該主機取得該分析資料並傳送至該顯示器，該分析資料對應於該網路裝置。
如請求項12所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該網路串流模組係包含一影像擷取元件與一聲音擷取元件之其中至少一者，該串流資料係包含一影像資料與一聲音資料之其中至少一者。
如請求項12所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該第一連接端、該第二連接端、該第三連接端與該第四連接端分別為一支援有線網路之網路連接埠或一支援無線網路之天線。
如請求項12所述之應用於網路之可程式智能安全管理系統，其中該第一處理器係執行一流程編輯模組，以讀取該串流資料的一判斷結果並產生該輸出控制訊號。
一種車架輔助配件，其係能雷射焊接於一管材上，所述車架輔助配件係一體成形並包含： <br/>一定位部； <br/>一支承部，其係與該定位部相連接；以及 <br/>一熔焊部，其形成於該支承部的外圍，且該熔焊部係朝該支承部之外側凸伸，所述車架輔助配件能貼合該管材，並以雷射熔融該熔焊部使所述車架輔助配件焊接於該管材。
如請求項1所述之車架輔助配件，其中，該熔焊部之厚度係自該支承部朝該支承部之外側方向漸薄。
如請求項1所述之車架輔助配件，其中，該熔焊部的外緣形成有一槽口。
如請求項2所述之車架輔助配件，其中，該熔焊部的外緣形成有一槽口。
如請求項1至4中任一項所述之車架輔助配件，其中，該支承部係呈凹弧形。
如請求項1至4中任一項所述之車架輔助配件，其中，該支承部係形成於該定位部的外圍，該定位部能伸入該管材之內部。
如請求項1至4中任一項所述之車架輔助配件，其中，該支承部係呈朝內部凹陷的V形。
如請求項5所述之車架輔助配件，其中，該定位部呈弧形且形成有一長孔。
如請求項6所述之車架輔助配件，其中，該定位部形成有一貫穿孔。
如請求項7所述之車架輔助配件，其中，所述車架輔助配件包含二所述支承部及二所述熔焊部，該二所述支承部係連接該定位部，該二所述熔焊部係分別形成於該二所述支承部的外圍，該定位部與該二所述支承部之間框圍形成一穿槽，且該定位部於相對該穿槽的另一側形成一凹槽。
一種具有埋線通道的螢幕支撐系統，適用於供一螢幕安裝，該螢幕具有一螢幕本體及至少一條線纜，該具有埋線通道的螢幕支撐系統包含：<br/> 一安裝座，具有一安裝孔，及一空間連通於該安裝孔與周圍環境的出線開口；<br/> 一懸臂裝置，能轉動地設置於該安裝座，且具有一空間連通於該安裝孔的懸臂管道，該懸臂管道獨立於周圍環境；及<br/> 一螢幕支架，能轉動地設置於該懸臂裝置，且包括一能轉動地設置於該懸臂裝置的接頭，及一能相對於該接頭轉動且適用於供該螢幕安裝的支架座，該接頭具有一空間連通於該懸臂管道的接頭管道，該螢幕支架還具有一空間連通於該接頭管道且朝向該螢幕的入線開口，該入線開口的尺寸大於該出線開口的尺寸，該線纜適用於從該入線開口穿入，並通過由該接頭管道、該懸臂管道、該安裝孔所構成的埋線通道，且自該出線開口穿出。
如請求項1所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該懸臂裝置包括一能轉動地連接於該安裝座的下臂單元，及一能轉動地連接於該下臂單元的上臂單元，該下臂單元具有一安裝在該安裝孔的下接合管、一連接該下接合管且呈細長狀的下臂，及一連接該下臂的上接合件，該上臂單元具有一呈細長狀的上臂，及二個分別能轉動地連接於該上臂的二相反端的關節，其中一該關節能轉動地連接於該上接合件，另一該關節能轉動地連接於該接頭。
如請求項2所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該下臂具有一平行於一上下方向延伸且連接於該下接合管的下座部，及一平行於該上下方向延伸且相反於該下座部的上座部，該下座部具有一供該下接合管設置的底開口，該上座部具有一供該上接合件設置的連接開口。
如請求項2所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中一該關節具有一呈中空狀且供該上接合件設置的後管體，及一自該後管體延伸出且呈U形的塊體，該塊體具有一供該上臂樞接的樞孔，該塊體的二相反側各具有一朝該後管體凹陷且空間連通於該後管體的穿線槽，任一該穿線槽適用於供該線纜通過，該上臂鄰近於該後管體的一端具有二個分別對應於該等穿線槽的後凸部，每一該後凸部呈半圓形。
如請求項2所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該下臂具有一傾斜於一上下方向的殼體，及一沿該上下方向能卸離地安裝於殼體的殼蓋，該上臂具有二個互相對合的殼座。
如請求項2所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中一該關節具有一呈中空狀且供該接頭設置的前管體，及一從該前管體延伸出且供該上臂樞設的盤體，該盤體呈圓盤狀且具有一供該上臂樞設的軸孔，該盤體的二相反側各具有一朝該前管體凹陷且空間連通於該前管體的走線槽，任一該走線槽適用於供該線纜通過，該上臂鄰近於該前管體的一端具有二個分別對應於該等走線槽的前凸部，每一該前凸部呈半圓形。
如請求項6所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該下接合管、該上接合件、該前管體平行於一上下方向延伸。
如請求項1所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該接頭具有一能轉動地設置在該懸臂裝置的第一接頭件，及一能轉動地設置在該第一接頭件的第二接頭件，該第二接頭件具有二個相間隔且樞接於該第一接頭件的耳壁，及一能轉動地設置在該支架座的中空球頭部，該中空球頭部具有該入線開口。
如請求項8所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該支架座具有一包圍該中空球頭部的第一座體，及一鎖固於該第一座體的第二座體，該第一座體與該第二座體共同配合出一供該中空球頭部能轉動地設置的球頭空間，該第二座體適用於供該螢幕安裝。
如請求項8所述的具有埋線通道的螢幕支撐系統，其中，該第一接頭件具有一設置在該懸臂裝置且平行於一上下方向延伸的中空管部，及二個相間隔且連接於該中空管部的樞耳，該等樞耳分別能轉動地樞設於該第二接頭件的該等耳壁。
一種具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，適用於供一螢幕安裝，且包含：<br/> 一支撐裝置；及<br/> 一螢幕支架，能轉動地設置於該支撐裝置，且包括一能轉動地設置於該支撐裝置的接頭、一能相對於該接頭轉動且適用於供該螢幕安裝的支架座，及一連接該接頭與該支架座的限位構造，該接頭具有一轉動連接於該支架座的中空球頭部，該中空球頭部具有一朝向該螢幕的入線開口，該支架座形成有一供該中空球頭部容置的球頭空間，該支架座具有一鄰近於該中空球頭部的內環壁，該限位構造具有一切槽、一相交連通於該切槽的弧槽，及一能滑移地容置於該切槽且能隨著該支架座轉動而沿著該弧槽滑移的限位件，該切槽形成在該中空球頭部與該內環壁的其中一者，該弧槽形成在該中空球頭部與該內環壁的另一者，通過該限位構造允許該支架座與該接頭能繞一軸線相對轉動且在一垂直於該軸線的上下方向上相對擺動。
如請求項1所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該切槽形成在該中空球頭部的外球面，該弧槽以該軸線為中心形成在該內環壁且具有相反設置的一第一槽端與一第二槽端，該限位件能在該第一槽端與該第二槽端之間滑移。
如請求項1所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該支架座具有一包圍該中空球頭部的一部分的第一座體，及一鎖固於該第一座體的第二座體，該第一座體與該第二座體共同配合出該球頭空間，該第二座體適用於供該螢幕安裝，且形成有該內環壁。
如請求項3所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該第一座體圍繞該軸線並界定出一第一容槽，該第二座體還具有一基壁，該內環壁形成在該基壁的中央，該內環壁圍繞該軸線並界定出一第二容槽，由該第一容槽與該第二容槽限定出該球頭空間。
如請求項1所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該接頭具有一能轉動地設置在該支撐裝置的第一接頭件，及一能轉動地設置在該第一接頭件的第二接頭件，該第二接頭件具有該中空球頭部。
如請求項5所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該第一接頭件具有一設置在該支撐裝置的中空管部，及二個相間隔且連接於該中空管部的樞耳，該等樞耳分別能轉動地樞設於該第二接頭件的二相反側。
如請求項1所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該弧槽呈半圓形。
如請求項1所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，其中，該支撐裝置包括一下臂單元，及一能轉動地連接於該下臂單元與該接頭的上臂單元，該上臂單元具有一呈細長狀的上臂，及二個分別能轉動地連接於該上臂的二相反端的關節，其中一該關節能轉動地連接於該下臂單元，另一該關節能轉動地連接於該接頭。
如請求項8所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，還包含一安裝座，該安裝座供該下臂單元能轉動地連接，該安裝座具有一出線開口。
如請求項9所述的具有內藏式樞轉結構的螢幕支撐系統，該下臂單元具有一安裝在該安裝座的下接合管、一連接該下接合管且呈細長狀的下臂，及一連接該下臂且供該上臂的其中一該關節能轉動地連接的上接合件。
一種眼膜結構，包括：<br/> 一離型層，包括一容置部分及一本體部分；以及<br/> 一眼膜，容置於該容置部分，包括:<br/> 一貼敷層，包括一黏膠層以及一可溶性微針層，該可溶性微針層設置於該黏膠層上；以及<br/> 一導熱結構，連接該黏膠層，包括一發熱層設置於該黏膠層的下方。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該可溶性微針層包括一本體與複數個可溶性微針，該些可溶性微針設置於該本體上。
如請求項2所述之眼膜結構，其中該些可溶性微針中包括山櫻花果實外泌體組成物。
如請求項2所述之眼膜結構，其中該些可溶性微針為金字塔型或圓錐型。
如請求項2所述之眼膜結構，其中該些可溶性微針長度介於100微米至350微米之間。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該黏膠層包括:<br/> 一本體黏貼部分，該可溶性微針層設置於該本體黏貼部分上；以及<br/> 一周緣黏貼部分，環設於該本體黏貼部分，配置以貼合肌膚。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該導熱結構更包括:<br/> 一第一不織布層；<br/> 一第二不織布層；以及<br/> 一黏膠部分，位於該第一不織布層的周緣，配置以將該第一不織布層與該第二不織布層黏合；<br/> 其中，該發熱層位於該第一不織布層與該第二不織布層之間。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該發熱層包括鐵粉、活性碳、蛭石、或其組合。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該貼敷層厚度為0.02毫米至0.03毫米。
如請求項1所述之眼膜結構，其中該可溶性微針層之周緣至該黏膠層之周緣的距離為約0.1公分至約0.5公分。
一種人工智慧偵測與判讀之胸腔引流系統，包括：<br/> 一胸腔引流瓶裝置，包含：<br/> 一液體容積偵測模組，配置於該胸腔引流瓶裝置內，用於測量引流液之容積；<br/> 一引流液顏色偵測模組，配置於該胸腔引流瓶裝置內，用於偵測引流液之顏色；<br/> 一負壓偵測與控制模組，電性連接於該胸腔引流瓶裝置及一微型真空泵，用於偵測該胸腔引流瓶裝置內之一負壓值，並根據該負壓值控制該微型真空泵以疏通引流管路；<br/> 一顯示模組，電性連接於該液體容積偵測模組、該引流液顏色偵測模組、及該負壓偵測與控制模組，用於現場顯示偵測數據及該胸腔引流系統運轉狀態；<br/> 一電源模組，電性連接於該液體容積偵測模組、該引流液顏色偵測模組、該負壓偵測與控制模組及該微型真空泵，用以提供該胸腔引流系統運作所需之電力；及<br/> 一無線通訊模組，電性連接於該液體容積偵測模組、該引流液顏色偵測模組、該負壓偵測與控制模組、該顯示模組及該電源模組，用於將偵測數據無線傳輸至一遠端監控介面；以及<br/> 一人工智慧分析模組，電性連接於該遠端監控介面與該無線通訊模組，用於對該偵測數據進行自動校正偵測誤差，並判讀該引流液數據，以提供臨床決策輔助。
如請求項1所述之人工智慧偵測與判讀之胸腔引流系統，其中該遠端監控介面透過該無線通訊模組接收該偵測數據，並提供醫護人員即時查閱所述引流液容積、顏色、負壓值、電力狀況及其他相關資訊。
如請求項1所述之人工智慧偵測與判讀之胸腔引流系統，其中該液體容積偵測模組包含一秤重感測器。
如請求項1所述之胸腔引流系統，其中該引流液顏色偵測模組包含一RGB CCD感測器，並配置一LED補光裝置以提升暗處辨識精準度。
如請求項1所述之胸腔引流系統，其中該負壓偵測與控制模組包含一差壓壓力感測器 及一調速模組，該調速模組用於引流瓶內部負壓數值大小，來控制微型真空汞轉速以達到內部負壓數值控制。
如請求項1所述之胸腔引流系統，其中該電源模組包含一大容量鋰電池，其容量為20000mAH，並包含過充電保護電路。
如請求項1所述之胸腔引流系統，其中該胸腔引流瓶裝置更包含一通用掛架，用於將該胸腔引流瓶裝置固定於病床或點滴架上。
如請求項1所述之胸腔引流系統，其中該人工智慧分析模組包含一機器學習演算法，用於基於歷史數據及即時偵測數據建立病患個別化之引流風險預測模型。
如請求項1所述之人工智慧偵測與判讀之胸腔引流系統，其中該遠端監控介面具備警示通知功能，當引流液容積、顏色或負壓值超過預設閾值時，自動發送警示訊息至醫護人員之行動裝置。
如請求項1所述之人工智慧偵測與判讀之胸腔引流系統，其中該無線通訊模組支援藍牙、Wi-Fi及蜂巢式通訊協定，以確保於醫院環境下之穩定數據傳輸。
一種屋頂安全欄杆組裝結構，係供組裝於屋面板上，至少包含：<br/>一第一屋面板夾扣，該第一屋面板夾扣具有一第一夾固部以及一第一架設板，該第一夾固部係固定在該屋面板上，該第一架設板固設在該第一夾固部上方；<br/>一固定座，該固定座具有一第一底板以及一第一側板，該第一側板銜接於該第一底板之一側且向上延伸，該第一底板螺固於該第一架設板上，且該第一側板上穿設至少一U型螺栓組件，該U型螺栓組件與該第一側板之間形成一迫緊區間，並透過該U型螺栓組件調整該迫緊區間之大小；<br/>一立桿，該立桿底端穿入並固定於該迫緊區間內；<br/>一第二屋面板夾扣，該第二屋面板夾扣具有一第二夾固部以及一第二架設板，該第二夾固部係夾設在該屋面板上，該第二架設板固設在該第二夾固部上方；<br/>一斜撐底座，該斜撐底座具有一第二底板以及至少一第二側板，該第二側板銜接於該第二底板之一側且向上延伸；<br/>一斜撐桿，該斜撐桿底端螺固於該第二側板；以及<br/>一斜撐固定件，該斜撐固定件上設有一斜撐銜接部以及一第一立桿銜接部，該斜撐銜接部螺固於該斜撐桿頂端，該第一立桿銜接部螺固於該立桿。
如請求項1所述之屋頂安全欄杆組裝結構，其進一步包含：<br/>一橫桿連接件，該橫桿連接件上設有一橫桿銜接部以及一第二立桿銜接部，該第二立桿銜接部固定於立桿；以及<br/>一橫桿，該橫桿之一端螺固於該橫桿銜接部。
如請求項2所述之屋頂安全欄杆組裝結構，該第二立桿銜接部夾固於該立桿。
如請求項1所述之屋頂安全欄杆組裝結構，其進一步包含一腳趾板，該腳趾板一端螺固於該第一側板。
一種電連接器，係用來沿著一縱向與一互補連接器對接，所述電連接器包括：<br/> 一絕緣本體，具有一安裝面，所述安裝面與所述絕緣本體之頂面係共面或平行；<br/> 一鎖扣件，係沿著一軸向可轉動地安裝至所述安裝面，所述軸向垂直於所述縱向及所述安裝面；所述鎖扣件包括相鄰設置的一鎖扣臂及一按壓塊；<br/> 一扭轉彈性元件，係可扭轉地彈性連接所述絕緣本體與所述鎖扣件；<br/> 當所述扭轉彈性元件處於一初始狀態時，所述鎖扣臂處於一初始位置；<br/> 當按壓所述按壓塊時，所述扭轉彈性元件被迫扭轉而處於一工作狀態，所述鎖扣件轉動，所述鎖扣臂在平行於所述安裝面的一橫向平面內相對於所述絕緣本體向左或向右擺動而偏離所述初始位置至一偏離位置；<br/> 當釋放所述按壓塊時，所述扭轉彈性元件驅動所述鎖扣件轉動，使得所述鎖扣臂返回至所述初始位置。
如請求項1所述之電連接器，其中<br/> 所述絕緣本體之所述安裝面設置一樞接部；<br/> 所述鎖扣件包括一樞接配合部；<br/> 所述樞接配合部與所述樞接部沿著所述軸向可轉動地連接；<br/> 在所述縱向上，所述按壓塊偏離所述樞接配合部和所述樞接部，且施加於所述按壓塊上的按壓方向偏離所述樞接配合部和所述樞接部。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣臂設置一扣鉤，具有一鎖扣接合面及一導引面；所述鎖扣接合面係一垂直於所述縱向的豎直面，所述導引面係一傾斜面；<br/> 所述扣鉤、所述按壓塊及所述樞接配合部沿著所述軸向的正投影構成三角形結構。
如請求項3所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣臂係一扁平直梁；所述鎖扣臂在所述初始位置沿著所述縱向直線延伸、在所述偏離位置傾斜於所述縱向；<br/> 所述扣鉤偏置於所述鎖扣臂之底面，且靠近所述偏離位置；在所述鎖扣臂之底面位於所述扣鉤之遠離所述偏離位置的一側形成一防觸碰空間。
如請求項3所述之電連接器，其中<br/> 所述鎖扣件包括一主體，具有依次連接的第一側、第二側、第三側及第四側；<br/> 所述鎖扣臂及所述扣鉤位於所述第一側；<br/> 所述按壓塊位於所述第二側；所述按壓塊係一側壓式按鈕，具有一傾斜的豎直按壓面；<br/> 所述樞接配合部設置於所述主體、且相對於所述扣鉤靠近所述第三側。
如請求項5所述之電連接器，其中<br/> 所述絕緣本體具有一安裝腔，所述安裝腔之一底面係所述安裝面；<br/> 所述鎖扣臂之至少一部分及所述扣鉤伸出所述安裝腔；<br/> 所述按壓塊凸伸出所述安裝腔；<br/> 其中，在所述主體與所述安裝腔之間形成一間隔，用來供所述主體轉動。
如請求項6所述之電連接器，其中<br/> 所述安裝腔具有圍繞所述安裝面且依次連接的第一豎直壁、第二豎直壁、第三豎直壁及第四豎直壁，分別對應所述主體之所述第一側、所述第二側、所述第三側及所述第四側；<br/> 所述第一豎直壁設置一通道，用來供所述鎖扣臂之至少一部分伸出所述安裝腔；<br/> 所述第二豎直壁形成一開口，用來供所述按壓塊凸伸出所述安裝腔。
如請求項6所述之電連接器，其中<br/> 所述絕緣本體還具有一對接空間及一讓位空間；<br/> 所述對接空間位於所述安裝腔之前方；<br/> 所述讓位空間位於所述對接空間之一側，用來為所述鎖扣臂及所述扣鉤提供一偏移空間。
如請求項7所述之電連接器，其中<br/> 所述電連接器還包括一金屬蓋件；<br/> 所述金屬蓋件固定於所述絕緣本體、位於所述鎖扣件之所述主體的上方、用來覆蓋所述安裝腔且限制所述主體脫離所述安裝腔。
如請求項9所述之電連接器，其中<br/> 在所述第一豎直壁、所述第二豎直壁、所述第三豎直壁和所述第四豎直壁中的部分或全部設置一卡接槽；<br/> 所述金屬蓋件插入所述卡接槽。
如請求項2所述之電連接器，其中<br/> 所述樞接部係軸孔和轉軸之其中一個；<br/> 所述樞接配合部係所述軸孔和所述轉軸之另一個；<br/> 所述扭轉彈性元件係一扭簧，其可扭轉地套置於所述樞接部或所述樞接配合部；<br/> 所述扭轉彈性元件具有一固定臂及一加載臂；所述固定臂與所述加載臂均沿著所述縱向延伸；所述固定臂定位至所述絕緣本體，所述加載臂定位至所述鎖扣件。
一種連接器組件，包括一電連接器和一互補連接器，其中<br/> 所述電連接器係如請求項1-11任一項所述之電連接器；<br/> 所述互補連接器包括一互補鎖扣臂；<br/> 當所述電連接器與所述互補連接器對接時，所述鎖扣臂處於所述初始位置，所述鎖扣臂與所述互補鎖扣臂沿著所述縱向鎖扣在一起，使得所述電連接器與所述互補連接器被鎖扣；<br/> 當按壓所述按壓塊，所述鎖扣臂處於所述偏離位置、離開所述互補鎖扣臂，所述電連接器與所述互補連接器被解鎖。
如請求項12所述之連接器組件，其中<br/> 所述互補鎖扣臂係一扁平直梁，朝向所述電連接器直線延伸；<br/> 所述互補鎖扣臂設置一互補扣鉤，具有一互補接合面及一互補導引面；<br/> 當所述互補鎖扣臂與所述鎖扣臂接合時，所述互補接合面與所述鎖扣臂之鎖扣接合面接觸且沿著所述縱向互鎖。
如請求項13所述之連接器組件，其中<br/> 所述電連接器係一線端連接器；<br/> 所述電連接器還包括至少一對導電件、至少一對接口、以及至少一對線纜；所述導電件包括一外套筒及一設置於所述外套筒中的冠簧；所述導電件之一端位於所述接口中；所述導電件之另一端連接至所述線纜；<br/> 所述互補連接器係一板端連接器；<br/> 所述互補連接器還包括一基體、至少一對導引臂、以及至少一對電源柱；<br/> 所述互補鎖扣臂安裝至所述基體、且獨立於所述導引臂；所述導引臂連接至所述基體、對稱地位於所述互補鎖扣臂之兩側、且朝向所述電連接器直線延伸；所述電源柱用來插入所述電連接器之所述接口、且電接觸所述冠簧。
一種欄杆管材之部件，其包含： <br/>一基板； <br/>一卡扣板，其係設於該基板之一側並朝上延伸； <br/>一組設板，其係設於該基板之相對該卡扣板之一側並朝上延伸； <br/>一扣接板，其係設於該基板之頂面並朝上延伸，且位於該卡扣板以及組設板之間，該扣接板與該組設板之間形成有一扣合結構；以及 <br/>一螺接結構，其係設於該基板之頂面，並位於該卡扣板以及該扣接板之間，且相對兩側與該基板之夾角分別形成有一接合凹部。
如請求項1所述欄杆管材之部件，其中，該基板形成有開口朝下的一裝設槽，該裝設槽係位於該扣接板以及該螺接結構之間。
如請求項1所述欄杆管材之部件，其中，該組設板之相對該扣合結構之一面凸伸形成有一限位凸部。
如請求項1所述欄杆管材之部件，其中，所述欄杆管材之部件包含一外框板、一銜接板以及一側板，該外框板係設於該組設板之相對該扣合結構之一面，該銜接板係設於該卡扣板之一面，並朝遠離該基板之方向延伸，該側板係設於該銜接板的側緣，並朝所述銜接板之上方延伸，且能與該銜接板以及該卡扣板框圍形成一裝配空間。
如請求項4所述欄杆管材之部件，其中，該側板之朝向該卡扣板之一面凸伸形成有一止擋凸部。
如請求項4所述欄杆管材之部件，其中，所述欄杆管材之部件包含一頂板，該頂板係自該側板之頂部朝該扣接板之方向延伸。
一種欄杆管材之轉角接管，其係能拆組地與二個如請求項1所述之欄杆管材之部件組接，所述欄杆管材之轉角接管包含： <br/>一第一框體； <br/>一第二框體，其係設於該第一框體之頂部，且與該第一框體相互錯位； <br/>二卡合板，其係分別設於該第一框體之頂部以及該第一框體之一側，並皆朝遠離該第一框體之方向延伸； <br/>二鎖固結構，其係分別設於該第一框體之頂部以及該第一框體之一側，並分別位於該第二框體與該二卡合板之間，每一所述鎖固結構之相對兩側與該第一框體之夾角分別形成有一組接凹部；以及 <br/>二卡接結構，其係分別設於該第二框體之頂部以及該第二框體之一側，並皆朝遠離該第二框體之方向延伸。
一種具置物區的座椅裝置，包含：<br/> 一座椅結構，界定有一置物區，該座椅結構包括配置於側邊的一延伸構件；及<br/> 一椅墊組，包括一椅墊架、一墊體及一連接組件，該椅墊架藉由該連接組件可轉動地連接於該延伸構件，使該椅墊組可相對於該座椅結構掀起或蓋闔以開啟或關閉該置物區，該連接組件提供一旋轉軸心，其中，該旋轉軸心的位置於沿該墊體之厚度方向上係位於該墊體的上半區域或以上。
如請求項1所述之座椅裝置，其中該旋轉軸心於沿該厚度方向上的位置係鄰近該墊體的頂面。
如請求項1所述之座椅裝置，其中該延伸構件構成該座椅結構之一支撐部的一部分。
如請求項3所述之座椅裝置，其中該連接組件配置於該延伸構件的頂端。
如請求項4所述之座椅裝置，其中該旋轉軸心於沿該厚度方向上的位置係鄰近該墊體的頂面。
如請求項1所述之座椅裝置，其中該延伸構件未構成該座椅結構的一支撐部，該連接組件配置於該延伸構件的頂端。
如請求項6所述之座椅裝置，其中該旋轉軸心於沿該厚度方向上的位置係鄰近該墊體的頂面。
如請求項1所述之座椅裝置，其中更包括配置於該座椅結構之後側的一椅背結構，其中，該椅墊組於開啟期間不與該椅背結構產生阻礙開啟之接觸。
如請求項8所述之座椅裝置，其中該旋轉軸心於沿該厚度方向上的位置係鄰近該墊體的頂面。
如請求項9所述之座椅裝置，其中該椅背結構包括一椅背架及一椅背墊體，該延伸構件屬於該椅背架的一部分，該連接組件配置於該延伸構件的側壁上。
如請求項1所述之座椅裝置，其中該座椅結構界定有一承載面，且該旋轉軸心位於高於或等於該承載面之位置。
如請求項1至11中任一項所述之座椅裝置，其中於該椅墊組自關閉狀態開始轉動的初始角位移區間內，該椅墊架鄰近該延伸構件的一側係朝向遠離該延伸構件的上方移動。
一種抗漏安全閥，其用以設置於一液體輸送管路中；該抗漏安全閥具有： 一管體； <br/>一進口端以及一出口端，其位於該管體的相對兩端，且液體可自該進口端流向該出口端； <br/>一導流件，其設置於該管體內，且形成有至少一穿孔；該至少一穿孔貫穿該導流件，該進口端及該出口端以該至少一穿孔連通； <br/>一移動件，其可移動地設置於該管體中，並且可受該管體內的液體推動而朝該導流件移動； <br/>一阻擋件，其設於該移動件，並且可封閉該至少一穿孔； <br/>其中，當該液體輸送管路的流速大於一安全閾值時，該液體輸送管路中的液體會推動該移動件，以使該阻擋件封閉該至少一穿孔並停止液體流動。
如請求項1所述之抗漏安全閥，其中，該阻擋件的位置偏離該導流件的該至少一穿孔的位置；該阻擋件具有彈性，並且可被該移動件推動而變形封閉該至少一穿孔。
如請求項1或2所述之抗漏安全閥，其中，該至少一穿孔具有複數穿孔，且該等穿孔環繞該管體的軸線間隔設置。
如請求項1或2所述之抗漏安全閥，其中，該阻擋件為環狀。
如請求項4所述之抗漏安全閥，其中，該阻擋件環繞該管體的軸線，且該阻擋件與該管體的軸線的距離小於該至少一穿孔與該管體的軸線的距離；該阻擋件具有彈性，並且可被該移動件推動而變形封閉該至少一穿孔。
如請求項1或2所述之抗漏安全閥，其中，該移動件具有一承載部，其為圓盤狀，且該阻擋件設置於該承載部上。
如請求項1或2所述之抗漏安全閥，其中， <br/>該抗漏安全閥具有一支撐件，其設置於該管體中，並且具有一導引槽；該導引槽沿該管體的軸向延伸； <br/>該移動件具有一連接部，其可沿該管體的軸向滑動地穿設於該支撐件的該導引槽中。
如請求項7所述之抗漏安全閥，其中，該移動件具有一承載部，其設置於該連接部遠離該支撐件的一端，且為圓盤狀，並且該阻擋件設置於該承載部上。
如請求項7所述之抗漏安全閥，其中，該支撐件具有複數流通孔，其貫穿該支撐件的相對兩側面，並且用以供液體穿過該支撐件。
一種水箱節流閥，其用以設置於一水箱的一入水口；該水箱節流閥具有： 一管體，其用以設置於該水箱的該入水口上，且該管體具有： <br/> 一進口以及一出口，其分別位於該管體的相對兩端，且該出口用以連接該水箱的內部空間； <br/>一固定件，其設於該管體中，且形成有一限流開口，該進口及該出口以該限流開口連通； <br/>一節流件，其設置於該管體中，並且可朝該限流開口移動而部分阻擋液體流經該限流開口； <br/>其中，當液體從該進口進入該管體後，該節流件會被水壓驅動而朝該限流開口移動，並且部分封閉該限流開口。
如請求項1所述之水箱節流閥，其中，該節流固定件具有： <br/>一第一固定部，該限流開口形成於該第一固定部上； <br/>一第二固定部，其與該第一固定部共同夾設該節流件。
如請求項2所述之水箱節流閥，其中，該第二固定部具有： <br/>一支撐部，其位於該第二固定部遠離該限流開口的一側； <br/>一突出部，其設置於該支撐部，且朝向該限流開口突出於該支撐部；該突出部穿設於該限流開口中，並與該限流開口的一周緣間形成有一間隙。
如請求項3所述之水箱節流閥，其中，該突出部具有至少一導引槽，其凹設於該突出部的外側面；當該節流件移動並貼合於該突出部的外側面時，該至少一導引槽允許液體經由該至少一導引槽進入該限流開口。
如請求項4所述之水箱節流閥，其中，該至少一導引槽具有複數該導引槽，該等導引槽環繞該突出部間隔設置。
如請求項2所述之水箱節流閥，其中，該節流件為一環圈，且可移動地套設於該第二固定部上。
如請求項6所述之水箱節流閥，其中，該節流件具有彈性。
一種節流防漏安全組件，其用以設置於連接一水箱的一供給水管，該供給水管具有相對的一第一端以及一第二端，其中，該第一端為該供給水管遠離該水箱的一端；該節流防漏安全組件具有： <br/>一流體通道，其依序形成有一防漏安全閥進口、一防漏安全閥出口、一水箱節流閥進口以及一水箱節流閥出口； <br/>一水箱防漏安全閥，其設置於該流體通道，且設置於該供給水管的該第一端；該防漏安全閥進口以及該防漏安全閥出口分別位於該水箱防漏安全閥的兩端； <br/>一水箱節流閥，其設置於該流體通道，且設置於該供給水管的該第二端；該水箱節流閥進口以及該水箱節流閥出口分別位於該水箱節流閥的兩端； <br/>其中，當流體從該水箱節流閥進口進入該水箱節流閥後，該水箱節流閥會被水壓驅動而部分封閉該流體通道；當流體從該防漏安全閥進口進入該水箱防漏安全閥，且該流體通道中的流體流速或每分鐘流量大於一安全閾值時，該水箱防漏安全閥被水壓驅動封閉該流體通道。
如請求項1所述之節流防漏安全組件，其中，該水箱防漏安全閥具有： <br/>一防漏安全主體件； <br/>一防漏安全導流件，其設置於該防漏安全主體件中，且形成有至少一穿孔；該至少一穿孔貫穿該防漏安全導流件，該防漏安全閥進口以及該防漏安全閥出口以該至少一穿孔連通； <br/>一防漏安全阻擋件，其設置於該防漏安全主體件中，且可受該防漏安全主體件內的流體推動而封閉該至少一穿孔； <br/>當流體進入該水箱防漏安全閥，且該流體通道中的流體流速或流量大於一安全閾值時，該防漏安全阻擋件被水壓驅動封閉該至少一穿孔。
如請求項2所述之節流防漏安全組件，其中，該防漏安全阻擋件具有： <br/>一防漏安全移動部，其可移動地設置於該防漏安全主體件中，且受該防漏安全主體件內的流體推動而移動； <br/>一防漏安全阻擋部，其設置於該防漏安全移動部上，且具有彈性，並且可被該防漏安全移動部推動而變形封閉該至少一穿孔。
如請求項3所述之節流防漏安全組件，其中，該防漏安全阻擋部的位置偏離該防漏安全導流件的該至少一穿孔的位置。
如請求項3或4所述之節流防漏安全組件，其中，該防漏安全阻擋部為環狀，且該防漏安全阻擋部環繞該流體通道的軸線，且該防漏安全阻擋部與該流體通道的軸線的距離小於該至少一穿孔與該流體通道的軸線的距離。
如請求項2至4中任一項所述之節流防漏安全組件，其中，該至少一穿孔具有複數穿孔，且該等穿孔環繞該流體通道的軸線間隔設置。
如請求項1至4中任一項所述之節流防漏安全組件，其中，該水箱節流閥具有： <br/>一節流主體件； <br/>一節流固定件，其設於該節流主體件中，且形成有一限流開口，該水箱節流閥進口以及該水箱節流閥出口以該限流開口連通； <br/>一節流限制件，其設置於該節流主體件，並且可朝該限流開口移動而部分阻擋流體流經該限流開口； <br/>當流體從該水箱節流閥進口進入該水箱節流閥後，該節流限制件會被水壓驅動而朝該限流開口移動擠壓變形，並且部分封閉該限流開口。
如請求項7所述之節流防漏安全組件，其中，該節流固定件具有： <br/>一第一固定部，該限流開口形成於該第一固定部上； <br/>一第二固定部，其與該第一固定部共同夾設該節流限制件。
如請求項8所述之節流防漏安全組件，其中，該第二固定部具有： <br/>一支撐部，其位於該第二固定部遠離該限流開口的一側； <br/>一突出部，其設置於該支撐部，且朝向該限流開口突出於該支撐部；該突出部穿設於該限流開口中，並與該限流開口的一周緣間形成有一間隙。
如請求項9所述之節流防漏安全組件，其中，該突出部具有至少一導引槽，其凹設於該突出部的外側面；當該節流限制件移動並貼合於該突出部的外側面時，該至少一導引槽允許流體經由該至少一導引槽進入該限流開口。
一種具有防塵結構的線性模組，包含：<br/> 一底座，具有一底部、二設於該底部兩側且沿一長方向延伸的側部、及二設於該底部兩端且沿一垂直於該長方向之徑向延伸的端部；<br/> 一滑塊，能夠線性位移地設在該底座；<br/> 一螺桿，能夠樞轉地設在二該端部之間且帶動該滑塊線性位移；<br/> 一防塵上蓋，固設在二該端部，並具有二朝該底部方向延伸的第一防塵側部；以及<br/> 二防塵側蓋，分別固設在二該側部，並各具有一固設在該側部的固定部、一連接該固定部且朝該防塵上蓋方向傾斜延伸的第二防塵側部、及一連接該第二防塵側部且朝該防塵上蓋方向延伸的第三防塵側部，其中該第二防塵側部與該固定部之間的夾角介於120度至150度之間，該第三防塵側部沿該徑向的投影範圍至少有一部分與該第一防塵側部重疊。
如請求項1所述之具有防塵結構的線性模組，其中，該防塵上蓋還具有一設在二該第一防塵側部之間的防塵頂部、及一設在該防塵頂部的上蓋穿槽。
如請求項2所述之具有防塵結構的線性模組，其中，該防塵上蓋的該上蓋穿槽設有識別條、發光元件或感測器。
如請求項1所述之具有防塵結構的線性模組，其中，各該防塵側蓋還具有一設在該固定部的側蓋穿槽。
如請求項4所述之具有防塵結構的線性模組，其中，各該防塵側蓋的側蓋穿槽設有感測器。
如請求項1所述之具有防塵結構的線性模組，其中，該線性模組還具有一固設在該底座的其中一該端部的導氣接頭，該導氣接頭用以將氣體吹入或吸出該底座，使該底座內部產生正壓氣流或負壓氣流。
如請求項1所述之具有防塵結構的線性模組，其中，該第三防塵側部與該第二防塵側部之間的夾角介於120度至150度之間。
一種屏蔽罩結構，包括：<br/> 一屏蔽殼體，包括第一殼體、第二殼體、第三殼體及第四殼體，相互限位固定並界定出一容置空間；以及<br/> 一吸附部，設置於該屏蔽殼體頂面，該吸附部上具有至少一吸附平面，該吸附部具有至少二連接端與該屏蔽殼體頂面固定連接。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該吸附平面位於該吸附部中央位置。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該吸附平面位於該屏蔽殼體頂面近幾何中心處範圍。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該第一殼體側邊上具有一第一限位部及一第一固定部，該第二殼體側邊上具有一第二限位部及一第二固定部；該第一限位部及該第二限位部相互卡合定位；該第一固定部與該第二固定部相互接合固定。
如請求項4所述之屏蔽罩結構，其中該第一限位部為一凹槽端，該第二限位部為一突出端，該突出端卡入該凹槽端，使該第一限位部及該第二限位部相互卡合定位。
如請求項4所述之屏蔽罩結構，其中該第一固定部為一延伸端，該第二固定部為一凹溝端，該延伸端彎折進入該凹溝端，使該第一固定部及該第二固定部相互卡合定位。
如請求項4所述之屏蔽罩結構，其中該第三殼體側邊上具有該第一限位部及該第一固定部，該第四殼體側邊上具有該第二限位部及該第二固定部。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該屏蔽殼體頂面設有一接地側平面，可相對於該屏蔽殼體頂面彎折平行於該屏蔽殼體頂面。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該屏蔽殼體底面具有一定位腳藉以固定於電路板上。
如請求項1所述之屏蔽罩結構，其中該連接端為可裁切式，當裁切掉該連接端，該吸附部脫離該屏蔽殼體。
一種揚聲器，包括一殼體和設置於該殼體內的一支架、一磁路組件、一振動組件和一導電組件；<br/> 該振動組件包括一振膜、一振動板和一音圈，該振膜的外周部固定於該支架上，該振動板固定於該振膜的中心部，該音圈的一端與該振膜固定；<br/> 該導電組件位於該音圈的內側，該導電組件包括一彈性導電件、一第一電路板和一第二電路板，該第一電路板和該第二電路板透過該彈性導電件電連接；該第一電路板與該音圈內側的一引出線電連接，該第二電路板與外部供電器件電連接，該第一電路板連接於該振動板上。
如請求項1所述的揚聲器，其中，該導電組件包括兩個並列且間隔設置的該彈性導電件，每個該彈性導電件的兩端分別設置有該第一電路板和該第二電路板。
如請求項2所述的揚聲器，其中，該導電組件還包括一第一安裝板和一第二安裝板，該第一電路板固定於該第一安裝板上，該第二電路板固定於該第二安裝板上；該第一安裝板固定於該振動板上。
如請求項3所述的揚聲器，其中，該磁路組件包括一磁軛、一中心磁鐵、一環形磁鐵和一極片，該磁軛與該支架固定連接，該中心磁鐵和該環形磁鐵均固定於該磁軛和該支架之間，該環形磁鐵間隔設置於該中心磁鐵的外周並與該中心磁鐵圍合形成一磁間隙，該音圈遠離該振膜的一端懸置於該磁間隙中；該極片固定於該中心磁鐵遠離該磁軛的一側。
如請求項4所述的揚聲器，其中，該磁軛朝向該支架的一側設置有卡爪，該卡爪與該支架固定連接。
如請求項4所述的揚聲器，其中，該振動板設置有一第一避讓孔，該極片設置有一第二避讓孔，該中心磁鐵設置有一第三避讓孔，該磁軛設置有一第四避讓孔，該第一避讓孔、該第二避讓孔、該第三避讓孔和該第四避讓孔相貫通；該導電組件位於該振動板和該磁軛之間，該第一安裝板設置於該第一避讓孔處並與該振動板固定，該第二安裝板設置於該第四避讓孔處並與該磁軛固定。
如請求項4所述的揚聲器，其中，該振動板設置有一第一避讓孔，該第一安裝板設置於該第一避讓孔處並與該振動板固定，該第二安裝板設置於一殼體的一上蓋處並與該上蓋固定，該導電組件位於該振動板和該上蓋之間。
如請求項7所述的揚聲器，其中，該極片設置有一第二避讓孔，該上蓋設置有一穿線孔。
如請求項4至8任一項所述的揚聲器，其中，該極片上設置有與該音圈內側的一引出線相對應的一避讓槽。
如請求項1至8任一項所述的揚聲器，其中，該彈性導電件為一金屬彈簧、一金屬彈片或由一導電部件嵌入一彈性體中形成。
一種鋁廢料製成鋁型材之設備，主要係設有一壓塊機、一加熱爐及一擠型機，該壓塊機與該加熱爐之間設有第一輸送裝置，該加熱爐與該擠型機之間設有第二輸送裝置。
一種採光罩涼亭，包含：<br/> 複數頂梁，其端邊呈相互連接；<br/> 複數立柱，其分別垂直設置於對應之該複數頂梁連接位置的底部；<br/> 複數旋轉葉片，位於該複數頂梁的圍繞之間，該複數旋轉葉片的表面分別具有一第一彎弧段，該第一彎弧段相對於各該旋轉葉片的頂部水平面形成一傾斜角，該傾斜角介於7度至15度之間；及<br/> 一傳動組件，包括至少一氣壓棒、二連動片及一控制裝置，該控制裝置電連接該氣壓棒，該二連動片分別設置於該複數旋轉葉片的兩端並且固設於對應之各該頂梁，該氣壓棒結合該二連動片並帶動該二連動片往復位移，進而帶動該複數旋轉葉片同步翻轉。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，各該旋轉葉片的表面具有一第二彎弧段，該第二彎弧段與該第一彎弧段係分別設置於各該旋轉葉片截面之兩相對側緣，且相對於各該旋轉葉片之中心軸呈對角對稱分佈。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，該各旋轉葉片之內部係呈中空狀，且各該旋轉葉片之內部的中間位置設置有一補強肋條，該補強肋條係連接各該旋轉葉片的內頂面與內底面，並將各該旋轉葉片之內部空間區隔為一第一腔室與一第二腔室；其中，該第一腔室與該第二腔室之容積係實質對稱設置。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，該複數旋轉葉片的兩端設置複數軸柱，各該軸柱於兩自由端分別形成一卡凸部，各該卡凸部的徑向截面積大於各該軸柱的徑向截面積。
如請求項4所述之採光罩涼亭，其中，該複數旋轉葉片的兩端分別向上延伸一限位片，各該限位片樞設於對應之各該連動片；設有各該連動片之各該頂梁設置複數軸座，該複數旋轉葉片於兩端設置複數軸柱，各該軸柱設置於對應之各該軸座。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，至少一該旋轉葉片之底面凹設一燈具容置槽，該燈具容置槽內設置一燈具，該燈具電連接該控制裝置，該燈具整體收納於該燈具容置槽內，使該燈具之底面與該旋轉葉片之底面平齊。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，各該頂梁內側分別設置一第一排水通道，各該立柱的兩端貫通具有一第二排水通道，各該旋轉葉片的頂面分別具有一第三排水通道，各該第三排水通道連接對應之該第一彎弧段，各該第三排水通道連通各該第一排水通道，且各該第一排水通道的兩端分別連通對應之各該第二排水通道。
如請求項7所述之採光罩涼亭，其中，各該立柱的兩端分別設置一板體，各該板體貫設一第一通孔，各該立柱的底部設置一立柱底座，各該立柱底座呈倒U形並於中間位置貫設一第二通孔，各該第二通孔連通對應之各該第一通孔，各該立柱底座的兩側分別延伸一定位板。
如請求項8所述之採光罩涼亭，其中，各該立柱內部設置一排水管，各該排水管設置於對應之該第二排水通道，各該排水管的兩端分別連通對應之各該第一通孔與各該第二通孔。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，各該頂梁的連接處係具有一第一L形強化片及一第二L形強化片，該第一L形強化片的表面積大於該第二L形強化片，該第一L形強化片同時結合二該頂梁的外壁面，該第二L形強化片同時結合二該頂梁的內壁面，該第一L形強化片與該第二L形強化片係設置於對應位置。
如請求項1所述之採光罩涼亭，其中，更包括複數捲簾及複數動力源，各該動力源分別設置於各該頂梁並且電連接該控制裝置，各該捲簾係結合該動力源，各該立柱相對位置分別具有一導槽，且各該立柱分別垂直設置於該複數頂梁的連接位置，該動力源驅動各該捲簾沿著對應之該等導槽升降。
一種鏡架，包含： <br/> 一鏡框，包括左右相間隔的兩個側臂，每一個該側臂界定出一軸孔，及環繞並連通該軸孔的一彎曲槽；及<br/> 二鏡腳，每一個該鏡腳包括一轉軸，及一樞接臂，該轉軸可拆裝地樞接於對應的該側臂的該軸孔，該轉軸具有一外周面，該樞接臂凸設於該轉軸的該外周面且可拆裝地樞接於對應的該側臂的該彎曲槽。
如請求項1所述的鏡架，其中，該彎曲槽具有環繞並連通於該軸孔的一弧形槽部，及連通於該軸孔與該弧形槽部的一開放槽部，該樞接臂可樞轉地樞接於該弧形槽部，該樞接臂可通過該開放槽部安裝或拆離該弧形槽部。
如請求項2所述的鏡架，其中，每一個該側臂具有一內側面、一後端面、連接於該內側面與該後端面之間的一弧形面，及垂直地連接於該內側面、該後端面與該弧形面的一底面，該底面凹陷形成該軸孔，該內側面、該後端面與該弧形面凹陷形成該弧形槽部，該內側面與該底面凹陷形成該開放槽部。
如請求項3所述的鏡架，其中，每一個該側臂還具有一前臂體，及間隔位於該前臂體後方的一後懸臂體，該前臂體與該後懸臂體界定出該開放槽部。
如請求項4所述的鏡架，其中，該前臂體具有一第一擋止凸塊，該後懸臂體具有一第二擋止凸塊，該第一擋止凸塊及該第二擋止凸塊分別位於該開放槽部的前後兩側，該第一擋止凸塊及該第二擋止凸塊用以擋止該樞接臂以防止該樞接臂脫離該弧形槽部。
如請求項5所述的鏡架，其中，該第一擋止凸塊具有由下朝上並朝該第二擋止凸塊的方向傾斜延伸且面向該開放槽部的一第一斜面，及連接於該第一斜面頂端且面向該弧形槽部的一第一擋止平面，該第二擋止凸塊具有由下朝上並朝該第一擋止凸塊的方向傾斜延伸且面向該開放槽部的一第二斜面，及連接於該第二斜面頂端且面向該弧形槽部的一第二擋止平面，該第一斜面及該第二斜面用以供朝向該弧形槽部移動的該樞接臂接觸，該第一擋止平面及該第二擋止平面用以擋止該樞接臂。
如請求項6所述的鏡架，其中，該樞接臂具有用以接觸該第一斜面的一第一倒圓角面，及用以接觸該第二斜面的一第二倒圓角面。
如請求項3所述的鏡架，其中，每一個該鏡腳能在該樞接臂對齊該開放槽部的一收合位置，及該樞接臂未對齊該開放槽部的一展開位置之間轉動，每一個該鏡腳還包括連接於該樞接臂相反於該轉軸的一端的一抵止塊，該後端面用以擋止該抵止塊以將該鏡腳限位在該展開位置。
如請求項8所述的鏡架，其中，該樞接臂呈長臂形且其寬度由該轉軸朝向該抵止塊的方向漸增。
如請求項1所述的鏡架，其中，每一個該鏡腳包括一鏡腳本體，該鏡腳本體具有該轉軸及該樞接臂，該鏡腳本體是由可彎折變形的彈性材質所製成。
如請求項10所述的鏡架，其中，該鏡腳本體還具有連接於該樞接臂相反於該轉軸的一端的一抵止塊，及連接於該抵止塊相反於該樞接臂的一端且能轉動的一鉸接件，每一個該側臂用以擋止對應的該鏡腳的該抵止塊以將該對應的該鏡腳限位在一展開位置。
如請求項11所述的鏡架，其中，該鏡腳本體還具有連接於該鉸接件相反於該抵止塊的一端的一懸臂，每一個該鏡腳還包括套設於對應的該鏡腳本體的該鉸接件的一彈性套，及設置於對應的該鏡腳本體的該懸臂內側的一彈性墊。
如請求項12所述的鏡架，其中，該懸臂形成有一容置槽，及連通該容置槽的一卡槽，該彈性墊具有容置於該容置槽的一墊體，及連接於該墊體且卡合於該卡槽的一卡塊。
如請求項1所述的鏡架，還包含可拆卸地組裝於該鏡框的一掛片。
如請求項14所述的鏡架，其中，該鏡框還包括一鼻橋，及分別連接該等側臂且分別連接於該鼻橋兩側的兩個鏡框體，該掛片具有可拆卸地卡扣於該鼻橋上的一卡勾。
如請求項14或15所述的鏡架，其中，該鏡框還包括至少一第一結合件，該掛片具有可拆卸地結合於該第一結合件的一第二結合件。
如請求項16所述的鏡架，其中，該第一結合件為一導磁金屬件及一磁鐵其中之一，該第二結合件為該導磁金屬件及該磁鐵其中另一，該第一結合件與該第二結合件通過磁吸方式吸附在一起。
如請求項17所述的鏡架，其中，該鏡框包括左右相間隔的兩個第一結合件，該掛片具有左右相間隔且分別結合於該等第一結合件的兩個第二結合件。
一種鏡架，包含：<br/> 一鏡框；及<br/> 兩個鏡腳，分別設置於該鏡框兩側，每一該鏡腳包括一鏡腳本體，及套設於對應的該鏡腳本體的一彈性套。
如請求項19所述的鏡架，其中，該彈性套是由熱塑性彈性體所製成。
如請求項19所述的鏡架，其中，該鏡框包括左右相間隔的兩個側臂，每一個該側臂界定出一軸孔，及環繞並連通該軸孔的一彎曲槽，每一個該鏡腳的該鏡腳本體包括一轉軸，及一樞接臂，該轉軸可拆裝地樞接於對應的該側臂的該軸孔，該轉軸具有一外周面，該樞接臂凸設於該轉軸的該外周面且可拆裝地樞接於對應的該側臂的該彎曲槽。
如請求項21所述的鏡架，其中，該彎曲槽具有環繞並連通於該軸孔的一弧形槽部，及連通於該軸孔與該弧形槽部的一開放槽部，該樞接臂可樞轉地樞接於該弧形槽部，該樞接臂可通過該開放槽部安裝或拆離該弧形槽部。
如請求項22所述的鏡架，其中，每一個該側臂具有一內側面、一後端面、連接於該內側面與該後端面之間的一弧形面，及垂直地連接於該內側面、該後端面與該弧形面的一底面，該底面凹陷形成該軸孔，該內側面、該後端面與該弧形面凹陷形成該弧形槽部，該內側面與該底面凹陷形成該開放槽部。
如請求項23所述的鏡架，其中，每一個該側臂還具有一前臂體，及間隔位於該前臂體後方的一後懸臂體，該前臂體與該後懸臂體界定出該開放槽部。
如請求項24所述的鏡架，其中，該前臂體具有一第一擋止凸塊，該後懸臂體具有一第二擋止凸塊，該第一擋止凸塊及該第二擋止凸塊分別位於該開放槽部的前後兩側，該第一擋止凸塊及該第二擋止凸塊用以擋止該樞接臂以防止該樞接臂脫離該弧形槽部。
如請求項25所述的鏡架，其中，該第一擋止凸塊具有由下朝上並朝該第二擋止凸塊的方向傾斜延伸且面向該開放槽部的一第一斜面，及連接於該第一斜面頂端且面向該弧形槽部的一第一擋止平面，該第二擋止凸塊具有由下朝上並朝該第一擋止凸塊的方向傾斜延伸且面向該開放槽部的一第二斜面，及連接於該第二斜面頂端且面向該弧形槽部的一第二擋止平面，該第一斜面及該第二斜面用以供朝向該弧形槽部移動的該樞接臂接觸，該第一擋止平面及該第二擋止平面用以擋止該樞接臂。
如請求項26所述的鏡架，其中，該樞接臂具有用以接觸該第一斜面的一第一倒圓角面，及用以接觸該第二斜面的一第二倒圓角面。
如請求項23所述的鏡架，其中，每一個該鏡腳能在該樞接臂對齊該開放槽部的一收合位置，及該樞接臂未對齊該開放槽部的一展開位置之間轉動，每一個該鏡腳還包括連接於該樞接臂相反於該轉軸的一端的一抵止塊，該後端面用以擋止該抵止塊以將該鏡腳限位在該展開位置。
如請求項28所述的鏡架，其中，該樞接臂呈長臂形且其寬度由該轉軸朝向該抵止塊的方向漸增。
如請求項21所述的鏡架，其中，該鏡腳本體是由可彎折變形的彈性材質所製成。
如請求項30所述的鏡架，其中，該鏡腳本體還具有連接於該樞接臂相反於該轉軸的一端的一抵止塊，及連接於該抵止塊相反於該樞接臂的一端且能轉動的一鉸接件，每一個該側臂用以擋止對應的該鏡腳的該抵止塊以將該對應的該鏡腳限位在一展開位置。
如請求項31所述的鏡架，其中，該鏡腳本體還具有連接於該鉸接件相反於該抵止塊的一端的一懸臂，每一個該鏡腳還包括設置於對應的該鏡腳本體的該懸臂內側的一彈性墊。
如請求項32所述的鏡架，其中，該懸臂形成有一容置槽，及連通該容置槽的一卡槽，該彈性墊具有容置於該容置槽的一墊體，及連接於該墊體且卡合於該卡槽的一卡塊。
如請求項21所述的鏡架，還包含可拆卸地組裝於該鏡框的一掛片。
如請求項34所述的鏡架，其中，該鏡框還包括一鼻橋，及分別連接該等側臂且分別連接於該鼻橋兩側的兩個鏡框體，該掛片具有可拆卸地卡扣於該鼻橋上的一卡鉤。
如請求項34或35所述的鏡架，其中，該鏡框還包括至少一第一結合件，該掛片具有可拆卸地結合於該第一結合件的一第二結合件。
如請求項36所述的鏡架，其中，該第一結合件為一導磁金屬件及一磁鐵其中之一，該第二結合件為該導磁金屬件及該磁鐵其中另一，該第一結合件與該第二結合件通過磁吸方式吸附在一起。
如請求項37所述的鏡架，其中，該鏡框包括左右相間隔的兩個第一結合件，該掛片具有左右相間隔且分別結合於該等第一結合件的兩個第二結合件。
一種過濾模組，其包括： <br/>濾芯（100）； <br/>安裝座（200），所述濾芯（100）可拆卸地安裝於所述安裝座（200）； <br/>其中，所述濾芯（100）與所述安裝座（200）的其中一者設有定位槽（310），另一者設有定位部（320）；當所述定位部（320）置於所述定位槽（310）時，所述濾芯（100）能夠連接於所述安裝座（200）。
根據請求項1所述的過濾模組，其中： <br/>所述濾芯（100）設有安裝部（103），所述安裝座（200）設有安裝槽（210），當所述濾芯（100）連接所述安裝座（200）時，所述安裝部（103）置於所述安裝槽（210）內，所述定位槽（310）設置於所述安裝部（103）的邊沿位置，所述定位部（320）連接於所述安裝槽（210）的槽壁；或者，所述定位槽（310）設置於所述安裝槽（210）的槽壁，所述定位部（320）連接於所述安裝部（103）的邊沿位置。
根據請求項2所述的過濾模組，其中： <br/>所述安裝部（103）的形狀為圓柱體結構，所述定位槽（310）的長度延伸方向沿所述安裝部（103）的周向設置；所述安裝槽（210）為圓形槽，所述定位部（320）沿所述安裝槽（210）的徑向凸起設置。
根據請求項3所述的過濾模組，其中： <br/>所述安裝部（103）與所述安裝槽（210）在連接時的轉動角度小於或等於所述定位槽（310）環繞所述安裝座（200）形成的周向角度。
根據請求項3所述的過濾模組，其中： <br/>所述定位槽（310）環繞所述安裝座（200）形成的周向角度的範圍為15°至90°。
根據請求項3所述的過濾模組，其中： <br/>所述定位槽（310）和所述定位部（320）均設置一個，所述定位槽（310）和所述定位部（320）一一對應設置；或者， <br/>所述定位槽（310）和所述定位部（320）均設置有兩個，兩個所述定位槽（310）對稱設置於所述安裝部（103）的邊沿，兩個所述定位部（320）對稱設置於所述安裝槽（210）的槽壁，所述定位槽（310）和所述定位部（320）一一對應設置。
根據請求項3所述的過濾模組，其中： <br/>所述定位槽（310）的沿所述安裝部（103）的軸向截面為矩形，所述定位部（320）沿所述安裝槽（210）的軸向截面為矩形。
根據請求項2至4任一項所述的過濾模組，其中： <br/>所述濾芯（100）還包括連接部（130），所述連接部（130）設置於所述安裝部（103）的端面，所述安裝座（200）在所述安裝槽（210）的槽底還設有連接槽（240），所述連接部（130）可活動地連接於所述連接槽（240）的槽壁，以使所述濾芯和所述安裝座可拆卸連接。
根據請求項8所述的過濾模組，其中： <br/>所述連接部（130）與所述連接槽（240）的槽壁之間通過螺紋副連接；或者， <br/>所述連接部（130）設有卡槽（131），所述連接槽（240）的槽壁設有卡扣（241），所述卡扣（241）與所述卡槽（131）可拆卸地連接。
一種淨水設備，其中： <br/>包括請求項1至9任一項所述的過濾模組(1)，所述安裝座（200）設置於所述淨水設備，所述濾芯（100）透過所述安裝座(200)設置於所述淨水設備。
一種抽氣式化學排氣櫃，其包括一櫃體，該櫃體具有一吸氣罩、一底板、一左側板、一右側板及一後板，並框圍形成一容置空間，該櫃體之前方形成一開口，該左側板及該右側板分別連結於該吸氣罩之左右兩側下方，該吸氣罩之底部設有一抽氣端，該抽氣端具有開口朝下之一狹長形抽氣口，供向上抽氣，其特徵在於： <br/> 該左側板之右側面之前端具有直立之一第一噴射部，該第一噴射部具有一第一噴氣口，供朝向該後板噴射出一第一斜向氣流；以及<br/> 該右側板之左側面之前端具有直立之一第二噴射部，該第二噴射部與該第一噴射部相互對稱，且該第二噴射部具有一第二噴氣口，供朝向該後板噴射出一第二斜向氣流。
如請求項1之抽氣式化學排氣櫃，其中該第一噴射部係以相對於該左側板偏斜之方式直立固定於該容置空間中，該第一噴射部之前端結合於該左側板之右側面上，供該第一噴氣口及該左側板之間形成一第一夾角，該第一夾角之角度開口朝向該後板；該第二噴射部係以相對於該右側板偏斜之方式直立固定於該容置空間中，該第二噴射部之前端結合於該右側板之左側面上，供該第二噴氣口及該右側板之間形成一第二夾角，該第二夾角之角度開口朝向該後板。
如請求項1或2之抽氣式化學排氣櫃，其中該底板上更具有一狹長形噴氣口，該狹長形噴氣口連通一第一吹氣裝置，供向上噴出氣流；該狹長形噴氣口平行該狹長形抽氣口，且該狹長形噴氣口位於該狹長形抽氣口之前端下方。
如請求項1或2之抽氣式化學排氣櫃，其中該第一噴氣口及該第二噴氣口連通一第二吹氣裝置，供分別噴射出該第一斜向氣流及該第二斜向氣流。
一種電子鎖，包括：<br/> 一外側總組合，具有一第一殼體，其中一外側把手設置於該第一殼體上；以及<br/> 一內側總組合，具有一第二殼體，其中該第一殼體與該第二殼體形成有一容置空間，且該內側總組合包括：<br/> 一鎖體模組，設置於該容置空間內；<br/> 一鎖定控制模組，設置於該容置空間內且包括一電路基板及一開關單元，其中該開關單元設置於該電路基板上；以及<br/> 一狀態切換模組，包括一手動操作件及一觸發凸輪，其中該手動操作件可旋轉地設置於該第二殼體上，該觸發凸輪連接於該手動操作件上且對應於該開關單元； <br/> 其中，當轉動該手動操作件時，連動該觸發凸輪未抵頂或抵頂該開關單元，使該鎖體模組分別切換為一上鎖狀態或一解鎖狀態，該上鎖狀態為轉動該外側把手無法連動該鎖體模組解鎖，該解鎖狀態為轉動該外側把手得連動該鎖體模組執行解鎖動作。
如請求項1所述的電子鎖，其中該狀態切換模組更包括一定位彈片，該觸發凸輪設置有一滾動面，該滾動面對應於該定位彈片。
如請求項2所述的電子鎖，其中該滾動面具有一曲面及連接該曲面的一定位面，且該定位面係用以定位該手動操作件的轉動位置。
如請求項1所述的電子鎖，其中該觸發凸輪具有一凸出部，該凸出部於轉動該手動操作件一特定角度時抵頂該開關單元。
如請求項4所述的電子鎖，其中該特定角度介於75度至105度。
如請求項1所述的電子鎖，更包括一防撬固定模組及一驅動馬達，設置於該容置空間內，其中該防撬固定模組包括一防撬護殼及一馬達固定塊，該驅動馬達係透過該馬達固定塊設置於該防撬護殼的一固定槽內。
如請求項6所述的電子鎖，其中該防撬固定模組更包括一鎖付元件，該鎖付元件鎖入於該防撬護殼與該馬達固定塊之間，並推擠該馬達固定塊位移以固定該驅動馬達。
如請求項1所述的電子鎖，其中該鎖體模組包括一帶動齒輪，該帶動齒輪具有一齒部及一第一斜面結構，該齒部嚙合於一驅動馬達，且該第一斜面結構對應於該第一殼體的一第二斜面結構。
如請求項8所述的電子鎖，其中該鎖體模組更包括一離合元件及一帶動組件，該帶動齒輪軸向抵頂該離合元件，且該離合元件的一第一離合卡齒與該帶動組件的一第二離合卡齒卡合。
如請求項1所述的電子鎖，其中該鎖體模組更包括一彈簧帶動板及一帶動彈簧，該帶動彈簧設置於該彈簧帶動板與該第一殼體之間。
一種直立式複合氫水機，其主要包含有：<br/> 一立式機體，係設有冰水出水口、熱水出水口及氫水出水口；<br/> 一前過濾模組，係安裝在該立式機體內部且連接一入水管；<br/> 一壓力儲水桶，係安裝在該立式機體內部且連接該前過濾模組；<br/> 一後過濾模組，係安裝在該立式機體內部且連接該壓力儲水桶；<br/> 一氫水生成器，係安裝在該立式機體內部且連接該後過濾模組，該氫水生成器出水端連結至該氫水出水口，以提供氫水輸出；<br/> 一真空保溫冰桶，係安裝在該立式機體內部且對應導接一冷凝器，該端與該後過濾模組連接，以將該後過濾模組過濾之水經該冷凝器製成冰水並儲放，該真空保溫冰桶另端連結至該冰水出水口，以提供冰水輸出；<br/> 一真空保溫熱桶，係安裝在該立式機體內部且一端連接該後過濾模組，另一端連接該熱水出水口，該真空保溫熱桶上設有一加熱器，以將該後過濾模組過濾之水進行加熱成熱水並儲放，該真空保溫熱桶連結至該熱水出水口，以提供熱水輸出。
如請求項1所述之直立式複合氫水機，其中，該前過濾模組進一步包含有第一PP濾心、前置活性碳單元及第二PP濾心。
如請求項1或2所述之直立式複合氫水機，其中該後過濾模組進一步包含有RO逆滲透單元及後置活性碳單元。
如請求項1所述之直立式複合氫水機，其中該真空保溫冰、熱桶係分別包含有內、外桶、於該內桶與該外桶之間形成一真空空間。
如請求項3所述之直立式複合氫水機，其中該真空保溫冰、熱桶係分別包含有內、外桶、於該內桶與該外桶之間形成一真空空間。
如請求項4所述之直立式複合氫水機，其中進一步於該內桶對應該真空空間的壁面上鍍有一銅層。
如請求項5所述之直立式複合氫水機，其中進一步於該內桶對應該真空空間的壁面上鍍有一銅層。
一種單極電弧故障斷路器，包括有：<br/> 一殼體；<br/> 一蓋體，裝設於該殼體的前端面；<br/> 一開關把手，裝設於該殼體內並延伸至該殼體外；<br/> 一連桿，裝設於該殼體內並與該開關把手連動；<br/> 一顯示桿，裝設於該連桿上；<br/> 一消弧室、一線圈及一電路板，均配置於該殼體內同一側並呈緊湊排列；以及<br/> 一顯示窗及一狀態指示燈，設於該殼體上並鄰近於該開關把手；<br/> 其中，該顯示桿隨著該開關把手作動而移動，以透過該顯示窗顯示該斷路器的狀態。
如請求項1所述之單極電弧故障斷路器，其中該狀態指示燈為發光二極體。
如請求項1所述之單極電弧故障斷路器，其中該顯示桿具有至少兩個不同顏色區段，以供透過該顯示窗辨識不同狀態。
如請求項1所述之單極電弧故障斷路器，其中該狀態指示燈於不同故障狀態下呈現不同顏色。
如請求項1所述之單極電弧故障斷路器，其中該電路板與該連桿、該顯示桿、該消弧室及該線圈緊湊配置於該殼體內，以縮減整體體積。
一種可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，包含有：<br/>一桿頭；<br/>一桿身，設置於該桿頭上方；<br/>其特徵在於：<br/>一鉸鏈結構，設置於該桿身與該桿頭之間，使該桿身相對於該桿頭可於至少一角度範圍內調整；<br/>一固定塊，配置於該桿頭，且藉由至少一鎖固件與該桿頭結合，用以支撐並定位該鉸鏈結構；<br/>複數墊片，配置於該鉸鏈結構與該固定塊之間；<br/>以及一定位螺絲，用以貫穿該固定塊、該鉸鏈結構與該等墊片，並將上述構件鎖固為一固定狀態；藉由選擇性配置該等墊片之數量或厚度，改變該桿頭之重心位置相對於該桿身之支撐軸線之配置關係，以使推擊高爾夫球時所產生之扭矩降低，並抑制該桿頭於推擊過程中之翻轉。
如請求項1所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該固定塊係藉由複數鎖固件固定於該桿頭。
如請求項1所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該等墊片分別配置於該鉸鏈結構之前側與後側。
如請求項1或3所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該等墊片具有相同或不同的厚度，及/或相同或不同的重量。
如請求項1所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該等墊片係配置於靠近該桿頭重心區域，以用於調整該桿頭之重心位置。
如請求項1所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該鉸鏈結構為單一轉軸式鉸鏈。
如請求項1所述之可調整重心以達成低扭矩推擊之高爾夫推桿結構，其中，該鉸鏈結構為多轉軸式鉸鏈。
一種運動賽事控場系統，該系統包含：<br/> 一位置判斷裝置，用於接收選手或工作人員身上感應器的定位訊號，以判斷該選手或該工作人員的定位資訊；<br/> 一數據處理器，訊號耦接於該位置判斷裝置，用於接收並處理該些定位資訊；以及<br/> 一AI推播模組，訊號耦接於該數據處理器，用於接受該些定位資訊，該AI推播模組根據該些定位資訊，判斷賽場上該選手與該工作人員的狀態，該AI推播模組包括：<br/> 一規則引擎，用於將該些定位資訊依據一預設條件進行判斷，以決定該些定位資訊是否觸發一異常事件；以及<br/> 一機器學習模型，用於將該些定位資訊搭配地理位置資料，進行辨識事件的訓練與判斷，AI推播模組根據該異常事件的判斷且/或該辨識事件的結果，產生一推播通知。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該機器學習模型使用Naive Bayes算法或Scikit-learn框架進行訓練。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該些感應器包含一定位模組與一身分資訊儲存單元，該定位模組包含RFID定位裝置或GPS定位裝置；其中，當該些感應器傳送該些定位訊號時，同步發送該身分資訊儲存單元中對應該選手或該工作人員的身分資訊至該位置判斷裝置。
如請求項3所述的運動賽事控場系統，其中該位置判斷裝置包含多個RFID感應區，於該賽場上沿途依序設置，用以記錄該選手通過各該RFID感應區之時間戳記資訊，並依據該時間戳記資訊判斷該選手是否依規定順序通過所有檢測點，或是否出現逾時未通過之異常情形。
如請求項3所述的運動賽事控場系統，其中GPS定位裝置用以持續擷取該選手之即時座標資訊，並與一預設比賽路線進行比對，以判斷該選手是否偏離預設比賽路線，當偵測到偏離行為時，啟動該推播通知進行警示。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該規則引擎根據該選手的移動狀態、時間間隔和區域位置，進行判斷是否符合該異常事件的該觸發條件。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該機器學習模型使用進行分類訓練，根據該選手或該工作人員的移動路徑與行為模式進行異常事件與辨識事件的判斷。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該工作人員又包含醫療支援人員或安全人員，該位置判斷裝置又接收醫療支援載具、或賽場器材所配備感應器的定位訊號，以判斷該醫療支援人員、該安全人員、該醫<br/><br/> 療支援載具、或該賽場器材的定位資訊。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，其中該AI推播模組又具有一優先判斷原則，該優先判斷原則為決定該規則引擎判斷的該異常事件為優先判斷、或決定該機器學習模型產生的該辨識事件為優先判斷。
如請求項7所述的運動賽事控場系統，其中該AI推播模組又具有一多階決策策略，其包含：當該規則引擎判斷為一異常事件，該機器學習模型同步根據同樣的該些定位資訊判斷該辨識事件，其中當該辨識事件決定為正常，降低該異常事件的警示等級；或者，當該辨識事件決定為異常，提高該異常事件的警示等級。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，又包含一顯示器，該顯示器於一地圖介面上即時顯示該選手或該工作人員的位置資訊。
如請求項11所述的運動賽事控場系統，又包含一參與者管理模組，該參與者管理模組於該顯示器上，顯示已完賽參與者與未完賽參與者的統計人數、清單、或連絡方式。
如請求項12所述的運動賽事控場系統，其中該參與者管理模組又持續監控該未完賽參與者的定位資訊，以判斷是否有該未完賽參與者進入或接近一危險區域或一異常區域，其中當該參與者管理模組監控到該未完賽參與者進入或接近該危險區域或該異常區域，啟動該AI推播模組發出安<br/><br/> 全警示。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，又包含至少一影像擷取裝置，設置於該賽場中一特定位置，該影像擷取裝置用以擷取該選手或該工作人員之影像資訊，其中，該數據處理器訊號耦接該影像擷取裝置，並與該選手或該工作人員配戴的該感應器所傳送的身分資訊進行比對，以驗證該選手或該工作人員之真實身分。
如請求項1所述的運動賽事控場系統，又包含至少一影像擷取裝置，於該賽場上沿途依序設置，該機器學習模型根據該影像擷取裝置所擷取該選手的影像資訊、與該位置判斷裝置所回傳之該定位資訊進行交叉分析，用以判斷該選手是否處於異常靜止狀態、跌倒、失去意識或未依賽事規則行進，並觸發該AI推播模組進行即時推播。
一種基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，包括：<br/> 一伺服器，儲存有一獎勵辦法與複數個會員資料；<br/> 至少一電子裝置，具有一第一顯示器，且用以設置在一運動場域的並資訊連結該伺服器；<br/> 一第一RFID讀取裝置，連接至該電子裝置的一第一側；<br/> N個第二RFID讀取裝置，連接至該電子裝置的一第二側；<br/> 複數個RFID標籤，其中，各所述RFID標籤係供在該運動場域進行運動的一用戶配戴；<br/> 其中，該第二側係面對該運動場域的一場內運動區域，且該第一側係面對該運動場域的一場外非運動區域；<br/> 其中，N為正整數，且該電子裝置被配置以執行：<br/> 通過其所述第一顯示器顯示一第一用戶介面供該用戶操作；<br/> 在該第一用戶介面所顯示的一運動開始鍵被點選後，使能該第一RFID讀取裝置以自該RFID標籤讀出該用戶的一用戶資訊；<br/> 在該用戶於該運動場域進行運動並經過所述第二RFID讀取裝置時，使能該第二RFID讀取裝置以自該RFID標籤讀出該用戶資訊，同時記錄該用戶的一即時運動成績；<br/> 在該第一用戶介面所顯示的一運動結束鍵被點選後，使能該第一RFID讀取裝置以自該RFID標籤讀出該用戶的該用戶資訊，該伺服器並依據該即時運動成績產生一當前運動成績紀錄；<br/> 用戶通過一用戶電子裝置之第二顯示器查詢並顯示該當前運動成績紀錄與一歷史運動成績紀錄，並依據該當前運動成績紀錄更新該歷史運動成績紀錄；<br/> 自該伺服器載入一獎品清單與該獎勵辦法，並依據該獎勵辦法與該歷史運動成績紀錄換算一數位獎品；以及<br/> 發送該數位獎品至該用戶或其親屬的該用戶電子裝置，或儲存在對應該用戶的所述會員資料中。
如請求項1所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該伺服器為邊緣伺服器或遠端伺服器，且該數位獎品為選自於由商品提貨券、商品折價券、現金券、點數、和數位貨幣所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，所述會員資料包括選自於由性別、年齡、住址、學校、年級、班級、公司部門所組成群組之中的至少一者。
如請求項3所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該伺服器儲存有一卡路里消耗估算模型，且還被配置以執行：<br/> 將該即時運動成績輸入該卡路里消耗估算模型，從而獲得一卡路里消耗的估算值；<br/> 依據該歷史運動成績紀錄複數個會員運動成績產生一成績排名；以及<br/> 通過該用戶電子裝置的該第二顯示器顯示該卡路里消耗的估算值與該成績排名，並儲存至對應該用戶的所述會員資料之中。
如請求項4所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該運動場域為操場跑道或游泳池，且所述成績排名包括選自於由班級排名、年級排名、校排名、村排名、鄉排名、鎮排名、市排名、縣排名、全國排名、和公司排名所組成群組中的至少一者。
如請求項5所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該伺服器儲存所述獎勵辦法、該複數個會員資料、對應該複數個會員資料的複數筆所述歷史運動成績紀錄、對應該複數個會員資料的複數個所述會員運動成績、對應該複數個會員資料的複數個所述成績排名、所述數位獎品之兌換紀錄、以及對應該複數個會員資料的複數個卡路里消耗紀錄。
如請求項1所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，該電子裝置為具備所述第一顯示器、至少一運算模組、至少一儲存模組、與至少一網路模組的一互動式服務終端機(KIOSK)。
如請求項1所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該用戶電子裝置為選自於由智慧型手機、智慧手錶、筆記型電腦、桌上型電腦、和一體式電腦所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該伺服器以簡訊或電子郵件的形式發送該數位獎品至該用戶電子裝置。
如請求項4所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，在操作該用戶電子裝置資訊連結至該伺服器之後，該伺服器通過該用戶電子裝置的一第二顯示器顯示一第二用戶介面。
如請求項10所述之基於RFID之智慧型運動成績紀錄與獎勵系統，其中，該用戶電子裝置的該第二用戶介面具有以下功能：<br/> 查詢並顯示該當前運動成績紀錄；<br/> 查詢並顯示該歷史運動成績紀錄；<br/> 查詢並顯示所述獎勵辦法；<br/> 查詢並顯示該數位獎品及該數位獎品的一領取紀錄；<br/> 查詢並顯示該卡路里消耗的估算值；<br/> 查詢並顯示該成績排名；以及<br/> 建立或修改所述會員資料。
一種用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，包括：<br/> 一手持架，包括一容置件以及連接至該容置件底部的一握把件；<br/> 一無線射頻讀取模組，連接至該容置件的一側；以及<br/> 一電子裝置，容置於該容置件內，且電性連接該無線射頻讀取模組，並資訊連結一管理端電子裝置；<br/> 其中，該電子裝置被配置以執行：<br/> 驅動該無線射頻讀取模組自一無線射頻標籤讀出一參賽者個人資料，並執行一參賽者成績紀錄程序，從而獲得對應該參賽者個人資料；以及<br/> 將該參賽者個人資料與該參賽者計時數據上傳至該管理端電子裝置。
如請求項1所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該電子裝置為選自於由可攜式之嵌入式電腦、智慧型手機和個人數位助理(personal digital assistant, PDA)所組成群組之中的任一者。
如請求項1所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該容置件具有一凹槽供該電子裝置嵌於其中。
如請求項3所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該凹槽的一內壁開設有一開孔，該電子裝置具有一第一電連接介面，且該無線射頻讀取模組具有一第二電連接介面通過該開孔連接該第一電連接介面。
如請求項4所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該電子裝置包括一處理器與耦接該處理器的一記憶體，該記憶體儲存有至少一應用程式，且該處理器執行該應用程式從而被配置以執行：<br/> 在一出發時間點驅動該無線射頻讀取模組自對應的所述無線射頻標籤讀出所述參賽者個人資料，並記錄一出發時間；<br/> 在N個計時時間點驅動該無線射頻讀取模組自所述無線射頻標籤讀出所述參賽者個人資料，並對應該參賽者個人資料以紀錄N個區段時間；<br/> 基於該出發時間與N個所述區段時間產生N個區段計時數據；以及<br/> 加總N個所述區段計時數據以統計獲得所述參賽者計時數據，並傳送該參賽者個人資料和該參賽者計時數據至該管理端電子裝置；<br/> 其中，N為正整數。
如請求項5所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該電子裝置包括與該處理器耦接的一無線信號處理晶片，且該處理器還被配置以執行：<br/> 通過該無線信號處理晶片將對應該參賽者個人資料的該參賽者計時數據及/或N個所述區段計時數據上傳至所述管理端電子裝置。
如請求項6所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該管理端電子裝置為選自於由雲端伺服器、邊緣伺服器、桌上型電腦、一體式(all-in-one)電腦、筆記型電腦、平板電腦、和智慧型手機所組成群組之中的任一者。
如請求項6所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，一用戶端電子裝置可以被操作以資訊連結該管理端電子裝置，從而執行選自於由參賽者個人資料管理、查詢或下載區段計時數據、查詢或下載參賽者計時數據、遞交參賽申請、和取消參賽申請所組成群組之中的任一用戶操作。
如請求項8所述之用於紀錄賽事成績的手持式無線射頻讀取裝置，其中，該用戶端電子裝置為選自於由桌上型電腦、一體式(all-in-one)電腦、筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、和智慧型手錶所組成群組之中的任一者。
一種潛望鏡，其係包含有：<br/> 一本體總成，其係包含有一本體；<br/> 一上蓋總成，其係包含有一上蓋、一上玻璃塊和複數個第一調整件，該上蓋係組接於該本體上方，該上蓋一側係開設有一第一視窗，該上玻璃塊係設置於該上蓋內，該上玻璃塊相對於該第一視窗之位置處係設有一第一抗雷射膜，該上玻璃塊於鄰近該第一抗雷射膜之位置處係設有一第一全反射膜，該複數個第一調整件係設於該上蓋之周側，而可抵頂於該上玻璃塊；<br/> 一下蓋總成，其係包含有一下蓋、一下玻璃塊和複數個第二調整件，該下蓋係組接於該本體之下方，該下蓋一側係開設有一第二視窗，該下玻璃塊係設置於該下蓋內，該下玻璃塊相對於該第二視窗之位置處係設有一第二抗雷射膜，該下玻璃塊於鄰近該第二抗雷射膜之位置處係設有一第二全反射膜，該複數個第二調整件係設於該下蓋之周側，而可抵頂於該下玻璃塊。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該本體總成係包含有一密合墊，該密合墊係套設於該本體之周側上。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該上蓋係透過複數個螺釘組接於該本體上方。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該上玻璃塊係為光學玻璃材質之多角柱體，該下玻璃塊係為光學玻璃材質之多角柱體。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該上玻璃塊於鄰近該第一全反射膜之位置處係設有一第一吸光膜。
依據請求項5所述之潛望鏡，其中，該複數個第一調整件係為調整螺栓並螺設於該上蓋之周側，而可抵頂於該上玻璃塊之兩側、設有該第一全反射膜之一側以及設有該第一吸光膜之一側。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該下蓋係透過複數個螺釘組接於該本體之上方。
依據請求項1所述之潛望鏡，其中，該下玻璃塊於鄰近該第二全反射膜之位置處係設有一第二吸光膜。
依據請求項8所述之潛望鏡，其中，該複數個第二調整件係為調整螺栓並螺設於該下蓋之周側，而可抵頂於該下玻璃塊之兩側、設有該第二全反射膜之一側以及設有該第二吸光膜之一側。
一種托盤，包含：<br/> 一頂板，具有至少一容置部、一上表面以及一下表面，且該容置部之相反兩表面定義該頂板之該上表面以及該下表面；<br/> 兩第一側板，連接該頂板之相對兩側並於一第一方向上拉長延伸；<br/> 兩第二側板，連接該頂板之另相對兩側並於不同於該第一方向之一第二方向上拉長延伸，且該兩第一側板與該兩第二側板環繞拼接於該頂板，其中該頂板連接於該兩第一側板以及該兩第二側板之邊緣；<br/> 複數個限位部，設置於該頂板上並位於該至少一容置部之外側；以及<br/> 複數個共用限位部，設置於該頂板上並位於該至少一容置部之間。
如請求項1所述之托盤，進一步包含圍繞該至少一容置部之一堤部，且該堤部位於該頂板之邊緣。
如請求項2所述之托盤，其中該兩第一側板以及該兩第二側板連接該堤部並自該堤部彎折。
如請求項2所述之托盤，其中該些限位部、該些共用限位部以及該堤部高於該頂板之該上表面。
如請求項2所述之托盤，其中靠近該兩第一側板之一側之該些限位部與該堤部隔開，且靠近該兩第二側板之一側之該些限位部連接該堤部。
如請求項1所述之托盤，進一步包含自該兩第二側板側向延伸之一導引部，且該導引部沿著該第二方向拉長延伸。
如請求項1所述之托盤，進一步包含設置於該至少一容置部上之複數個支撐肋，且該些支撐肋沿著該至少一容置部之一對角方向延伸並於該至少一容置部之一中心交叉。
如請求項1所述之托盤，進一步包含：<br/> 複數個凹部，位於該些限位部之間並與該些限位部彼此交替排列；以及<br/> 複數個共用凹部，位於該些共用限位部之間，且該些共用限位部中之每一者位於該些凹部中之一者與該些共用凹部中之一者之間。
如請求項8所述之托盤，其中該些凹部以及該些共用凹部低於該頂板之該下表面。
如請求項1所述之托盤，其中該兩第一側板具有自該兩第一側板之一表面凹陷之複數個內縮部以及位於該兩第一側板之遠離該頂板之一邊緣之一握持缺口。
一種注射輔助裝置，包含：<br/> 一握桿；<br/> 二第一延伸桿，各該第一延伸桿之一端係相互間隔地設置於該握桿上，且各該第一延伸桿之另一端係沿一第一延伸方向延伸設置；以及<br/> 一固定板，包含：<br/> 一基板；<br/> 二第二延伸桿，各該第二延伸桿之一端係相互間隔地設置於該基板之同一端，且各該第二延伸桿之另一端係沿一第二延伸方向延伸設置，其中：各該第一延伸桿與各該第二延伸桿係以兩兩為一組相互配對地設置，使該第二延伸桿相對於該基板之一端與該第一延伸桿相對於該握桿之一端樞接，並使該握桿與該基板之間界定有一放置空間；以及<br/> 一固定槽組，係形成於該基板之一側，以與該基板之間界定有一管材收納空間。
如請求項1所述之注射輔助裝置，其中更包含：至少一穿孔，係與該固定槽組相互間隔地形成於該基板上，並連通該基板之相對應地兩側。
如請求項1所述之注射輔助裝置，其中該基板包含：<br/> 一第一主側；<br/> 一第二主側，係與該第一主側相對應地設置；<br/> 一第一側面，其具有四邊，且其中兩邊係分別與該第一主側以及該第二主側連接；<br/> 一第二側面，其具有四邊，其中兩邊係分別與該第一主側以及該第二主側連接、以及該第二側面之另一邊係與該第一側面之另一邊連接；<br/> 一第三側面，其具有四邊，其中兩邊係分別與該第一主側以及該第二主側連接、以及該第三側面之另一邊係與該第二側面相對於該第一側面之一邊連接；以及<br/> 一第四側面，其具有四邊，其中兩邊係分別與該第一主側以及該第二主側連接，且該第四側面之另兩邊係分別與該第三側面相對於該第二側面之一邊、以及該第一側面相對於該第二側面之一邊連接，其中各該第二延伸桿之一端係設置於該第四側面。
如請求項3所述之注射輔助裝置，其中該第四側面為弧面，且係朝該第二側面之方向彎曲。
如請求項3所述之注射輔助裝置，其中該固定槽組包含：<br/> 一第一固定槽，係自該第二側面往該第四側面延伸，其中該第一固定槽的槽寬為W<sub>1</sub>；<br/> 兩個第二固定槽，係自該第二側面往該第四側面延伸，其中兩該第二固定槽係形成於靠近該第一固定槽之位置，使該第一固定槽介於兩該第二固定槽之間，且該第二固定槽的槽寬為W<sub>2</sub>，且W<sub>2</sub>＞W<sub>1</sub>；<br/> 兩個第三固定槽，係自該第二側面往該第四側面延伸，其中兩該第三固定槽係形成於靠近該第二固定槽之位置，使兩該第二固定槽介於兩該第三固定槽之間，且該第三固定槽的槽寬為W<sub>3</sub>，且W<sub>3</sub>＞W<sub>2</sub>；<br/> 兩個第四固定槽，係自該第二側面往該第四側面延伸，其中兩該第四固定槽係形成於靠近該第三固定槽之位置，使兩該第三固定槽介於兩該第四固定槽之間，且該第四固定槽的槽寬為W<sub>4</sub>，且W<sub>4</sub>＞W<sub>3</sub>；以及<br/> 兩個第五固定槽，係自該第二側面往該第四側面延伸，其中兩該第五固定槽係形成於靠近該第四固定槽之位置，使兩該第四固定槽介於兩該第五固定槽之間，且該第五固定槽的槽寬為W<sub>5</sub>，且W<sub>5</sub>＞W<sub>4</sub>。
如請求項5所述之注射輔助裝置，其中更包含：<br/> 一第一穿設部，係設置於該基板，連通該第一主側與該第二主側，並自該第二側面往該第四側面延伸，且與該第一固定槽相對應地設置，以與該第一固定槽相連通；<br/> 兩個第二穿設部，係設置於該基板，連通該第一主側與該第二主側，並自該第二側面往該第四側面延伸，且分別與各該第二固定槽相對應地設置，以與各該第二固定槽相連通；<br/> 兩個第三穿設部，係設置於該基板，連通該第一主側與該第二主側，並自該第二側面往該第四側面延伸，且分別與各該第三固定槽相對應地設置，以與各該第三固定槽相連通；<br/> 兩個第四穿設部，係設置於該基板，連通該第一主側與該第二主側，並自該第二側面往該第四側面延伸，且分別與各該第四固定槽相對應地設置，以與各該第四固定槽相連通；以及<br/> 兩個第五穿設部，係設置於該基板，連通該第一主側與該第二主側，並自該第二側面往該第四側面延伸，且分別與各該第五固定槽相對應地設置，以與各該第五固定槽相連通。
如請求項6所述之注射輔助裝置，其中：<br/> 該第一穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小為P<sub>1</sub>；<br/> 該第二穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小為P<sub>2</sub>；<br/> 該第三穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小為P<sub>3</sub>；<br/> 該第四穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小為P<sub>4</sub>；以及<br/> 該第五穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小為P<sub>5</sub>，且P<sub>5</sub>＞P<sub>4</sub>＞P<sub>3</sub>＞P<sub>2</sub>＞P<sub>1</sub>。
如請求項7所述之注射輔助裝置，其中：<br/> 該第一穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小P<sub>1</sub>等於該第一固定槽的槽寬W<sub>1</sub>；<br/> 該第二穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小P<sub>2</sub>等於該第二固定槽的槽寬W<sub>2</sub>；<br/> 該第三穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小P<sub>3</sub>等於該第三固定槽的槽寬W<sub>3</sub>；<br/> 該第四穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小P<sub>4</sub>等於該第四固定槽的槽寬W<sub>4</sub>；以及<br/> 該第五穿設部與該第二側面接觸之一端的開口大小P<sub>5</sub>等於該第五固定槽的槽寬W<sub>5</sub>。
如請求項6所述之注射輔助裝置，其中：<br/> 該第一穿設部的開口大小係自該第二側面往該第四側面之方向逐漸減縮；<br/> 該第二穿設部的開口大小係自該第二側面往該第四側面之方向逐漸減縮；<br/> 該第三穿設部的開口大小係自該第二側面往該第四側面之方向逐漸減縮；<br/> 該第四穿設部的開口大小係自該第二側面往該第四側面之方向逐漸減縮；以及<br/> 該第五穿設部的開口大小係自該第二側面往該第四側面之方向逐漸減縮。
如請求項1所述之注射輔助裝置，其中該握桿、該第一延伸桿與該固定板之材質包含：金屬、樹脂、碳纖維、玻璃纖維、或塑膠。
一種複合行星減速機，係包括：<br/> 一殼體，內具有一輸出構件及一保持架及至少一固定環，該輸出構件兩端分別具有一輸出套合部及一輸出軸部，該輸出套合部具有一套合凹槽，該套合凹槽之內周側形成有一輸出內環面，該固定環內圈形成有一固定齒圈；<br/> 一輸入構件，具有一輸入齒部通過所述固定齒圈；<br/> 複數滾動構件，設置於該殼體內並支承於該保持架，每一滾動構件具有一滾動齒部及一滾動摩擦部，該滾動齒部嚙合所述固定齒圈及該輸入齒部，並與該固定齒圈間形成第一階齒接觸，該滾動摩擦部組設於該輸出套合部且與該輸出內環面間形成第二階牽引接觸，且藉由該輸出內環面之有效接觸半徑與所述固定齒圈之工作節圓半徑之差，使該滾動齒部及該滾動摩擦部運轉時滿足等速關係並形成差速耦合。
如請求項1所述之複合行星減速機，其中所述保持架具有複數保持卡槽，而該滾動齒部及該滾動摩擦部間形成有一連動卡部嵌設於所述保持卡槽，並該等滾動摩擦部間設置有一被動件，該被動件之外周表面與每一滾動摩擦部之外表面呈滾動的接觸。
如請求項1所述之複合行星減速機，其中所述殼體內設置有一輸出軸套供該輸出軸部通過。
如請求項1所述之複合行星減速機，其中所述殼體形成有一組槽，該固定環形成有一環卡部組設於該組槽內。
如請求項2所述之複合行星減速機，其中所述殼體內設置有一保持套環，該保持套環套設於該保持架外圍以限制該連動卡部，並承受徑向力以維持該滾動構件配置。
一種複合行星減速機，係包括：<br/> 一殼體，內具有一輸出構件及一保持架及至少一固定環及一聯結環，該輸出構件具有一輸出套合部及一輸出軸部，該輸出套合部具有一套合凹槽，該套合凹槽之內周側形成有一輸出內環面，該聯結環設置於該殼體一端並貼附該固定環，該固定環內圈形成有一固定齒圈；<br/> 一輸入構件，外部套設有一聯軸件及具有一輸入齒部通過所述固定齒圈；<br/> 複數滾動構件，支承於該保持架，各該滾動構件分別具有一滾動齒部及一滾動摩擦部，該滾動齒部嚙合所述固定齒圈及輸入齒部，並與固定齒圈間形成第一階齒接觸，該滾動摩擦部組設於該輸出套合部且與該輸出內環面間形成第二階牽引接觸，且藉由該輸出內環面之有效接觸半徑與所述固定齒圈之工作節圓半徑之差，使該滾動齒部及該滾動摩擦部運轉時滿足等速關係並形成差速耦合。
如請求項6所述之複合行星減速機，其中所述保持架具有複數保持卡槽，而該滾動齒部及該滾動摩擦部間形成有一連動卡部嵌設於所述保持卡槽，並該等滾動摩擦部間設置有一被動件，該被動件之外周表面與每一滾動摩擦部之外表面呈滾動的接觸。
如請求項6所述之複合行星減速機，其中所述殼體內設置有一輸出軸套供該輸出軸部通過。
如請求項6所述之複合行星減速機，其中所述殼體形成有一組槽，該固定環與該聯結環分別形成有一環卡部及一聯結卡部組設於該組槽內。
如請求項7所述之複合行星減速機，其中所述殼體內設置有一保持套環，該保持套環套設於該保持架外圍以限制該連動卡部，並承受徑向力以維持該等滾動構件配置。
一種磁吸轉接頭，其包括有：<br/> 一個本體，該本體包括有一個基板及一個接頭，該接頭連接於該基板的一面，該基板設置有相鄰該接頭的至少一個凹槽；<br/> 一個磁吸模組，該磁吸模組包括有至少一個磁吸件及至少一個襯套，該襯套的材料硬度小於該本體的材料硬度，該襯套套設於該磁吸件外並嵌入該凹槽。
如請求項1所述之磁吸轉接頭，其中該襯套貫穿地設置有一個套接孔，該襯套以該套接孔套接該磁吸件，且該襯套沿該套接孔徑向的外周緣以緊配合方式抵靠於該凹槽的內周緣。
如請求項2所述之磁吸轉接頭，其中該襯套放入該凹槽並接觸其底面後，該襯套以鉚加工方式持續加壓使其變形並緊密貼合該凹槽的內周緣。
如請求項1或2所述之磁吸轉接頭，其中該本體的材質為鋼，該襯套的材質為銅或銅合金。
如請求項2所述之磁吸轉接頭，其中該基板設置有一個正面及相反於該正面的一個背面，該接頭與該凹槽分別設置於該正面，該凹槽未貫穿該基板而未連接該背面。
如請求項5所述之磁吸轉接頭，其中該套接孔的內周緣設置有一個凸緣，該凸緣抵靠於該磁吸件鄰近該正面的一端。
如請求項6所述之磁吸轉接頭，其中該基板共設置有兩個凹槽，該兩個凹槽分別設置於該接頭相反的兩側，該磁吸模組共包括有兩個磁吸件及兩個襯套，該兩個襯套分別套設於該兩個磁吸件外並分別嵌入該兩個凹槽。
一種充電盒，包括：<br/> 一第一殼體；<br/> 一第二殼體，該第二殼體與該第一殼體轉動連接，且該第二殼體能夠在相對於該第一殼體在一關閉位置和一打開位置之間運動；<br/> 一卡接機構，該卡接機構包括一擺動桿組、一限位銷和一第一彈性件，該擺動桿組的第一端轉動連接於該第一殼體，該擺動桿組的第二端連接於該第二殼體，且該擺動桿組上設置有一插接孔；該限位銷設置於該第一殼體，該第一彈性件的兩端分別連接於該擺動桿組和該第二殼體，該限位銷卡裝於該插接孔時，限位該擺動桿組轉動，將該第二殼體限位於該關閉位置，該限位銷移出該插接孔時，該第一彈性件通過該擺動桿組驅動該第二殼體止動於該打開位置。
如請求項1所述的充電盒，其中，該擺動桿組包括一擺動桿和一連接桿，該擺動桿的第一端與該連接桿的第一端轉動連接，該擺動桿的第二端與該第一殼體轉動連接，該連接桿的第二端與該第二殼體轉動連接，該插接孔開設於該擺動桿。
如請求項2所述的充電盒，其中，該第二殼體位於該關閉位置時，該連接桿與該擺動桿之間的夾角呈銳角，該第二殼體位於該打開位置時，該連接桿與該擺動桿之間的夾角呈鈍角。
如請求項2所述的充電盒，其中，該第一彈性件的第一端與該擺動桿的連接處為一第一連接處，該擺動桿和該連接桿的連接處為一第二連接處，該擺動桿與該第一殼體的連接處為第三連接處，該第一連接處位於該第二連接處和該第二連接處之間；<br/> 和/或，該第一彈性件的第二端和該第二殼體的連接處為一第四連接處，該連接桿與該第二殼體的連接處為一第五連接處，該第四連接處和該第五連接處間隔設置。
如請求項1所述的充電盒，其中，該第一殼體還設置限位塊，該第二殼體位於該打開位置時，該限位塊與該擺動桿組抵接。
如請求項5所述的充電盒，其中，該限位塊包括一抵接面，該第二殼體位於該打開位置時，該抵接面與該擺動桿組抵接，且沿該第二殼體指向該第一殼體的方向，該抵接面與該第一殼體的距離逐漸減小。
如請求項1至6任一項所述的充電盒，其中，該第一殼體上設置有一安裝塊，該限位銷通過一第二彈性件安裝於該安裝塊中，且該限位銷相對於該安裝塊的伸縮方向與該第二殼體的轉動軸向平行。
如請求項7所述的充電盒，其中，該安裝塊設置有相連通的一伸縮孔和一導向腔，該限位銷包括一插接部和一導向部，該第二彈性件設置於該導向腔中，該插接部滑動設置於該伸縮孔，該第二彈性件驅動該導向部抵靠於該導向腔朝向該伸縮孔的一端。
如請求項7所述的充電盒，其中，該限位銷包括一第一曲面，至少部分該第一曲面與該插接孔的內壁抵接。
一種無線耳機，包括一耳機本體和請求項1至9任一項所述的充電盒，該耳機本體設置於該充電盒的內腔中。
一種用於服裝訂製設計的運算裝置，包含：<br/> 一儲存模組，儲存有多種不同的服裝款式、多筆對應該等服裝款式的款式價格、多種不同的設計圖樣、多筆對應該等設計圖樣的設計價格、多種不同的布料，及多筆對應該等布料的布料價格；及<br/> 一處理模組，訊號連接該儲存模組；<br/> 其中，該處理模組根據自該等服裝款式所選取出之一欲選取服裝款式，獲得一對應於該欲選取服裝款式之款式價格，以作為一待訂製衣服的一底價，該處理模組還獲得至少一相關於該待訂製衣服之至少一版片的版片設計平面圖，其中，該至少一版片包含一前版片、一後版片、一左袖版片、一右袖版片及一領面版片，並根據該至少一版片設計平面圖獲得一自定義的設計圖樣，該處理模組還根據該至少一版片設計平面圖獲得該待訂製衣服之一三維模擬結果，並根據自該等設計圖樣及該自定義的設計圖樣所選取出之一欲選取設計圖樣，獲得一對應於該欲選取設計圖樣之設計價格，以作為該待訂製衣服的一設計加價，且根據自該等布料所選取出之一欲選取布料，獲得一對應於該欲選取布料之布料價格，以作為該待訂製衣服的一布料加價，並根據一對應於該待訂製衣服的訂購數量，獲得一訂購折扣，且根據該底價、該設計加價、該布料加價、該訂購折扣及該訂購數量，獲得一訂購總價。
如請求項1所述的用於服裝訂製設計的運算裝置，其中，該儲存模組還儲存有一訂製網頁，該訂製網頁呈現出該等服裝款式、該等設計圖樣及該等布料，該欲選取服裝款式是經由該訂製網頁之操作而自該等服裝款式所選取出，且該欲選取設計圖樣是經由該訂製網頁之操作而自該等設計圖樣所選取出，且該欲選取布料是經由該訂製網頁之操作而自該等布料所選取出。
如請求項1所述的用於服裝訂製設計的運算裝置，其中，該處理模組還根據該欲選取服裝款式與該欲選取設計圖樣獲得該待訂製衣服之一模擬外型。
如請求項3所述的用於服裝訂製設計的運算裝置，其中，該儲存模組還儲存有多種設計顏色，每一設計圖樣包含至少一色塊，該處理模組還根據自該欲選取設計圖樣之至少一色塊所選取出之一欲選取色塊，及根據自該等設計顏色所選取出之一欲選取設計顏色，將該模擬外型中對應該欲選取色塊之顏色變更為該欲選取設計顏色。
如請求項1所述的用於服裝訂製設計的運算裝置，其中，該儲存模組還儲存有一包含多個不同購買數量間距及多個分別對應於該等購買數量間距的優惠折扣的折扣查找表，該處理模組還根據該底價及該折扣查找表，獲得多個對應該等購買數量間距的訂購初估價，每一訂購初估價指示出該待訂製衣服之一購買數量位於該訂購初估價所對應之購買數量間距時的一初估單價。
一種具光纖束識別之光纖纜線，包含：<br/> 一光纖單元，包含至少六個光纖次單元，各該光纖次單元具有多個光纖、多個止水紗及一內不織布，各該光纖與各該止水紗設置在該內不織布內，各該光纖次單元具有綑綁該些光纖與該些止水紗之一內紗線，各該光纖與各該止水紗於長度方向之一綑綁間距以連續S-Z方向交替旋轉，各該光纖次單元包括位於該內不織布以供識別之一標示部；以及<br/> 一外被，包覆於該光纖單元外。
如請求項1所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該綑綁間距為200至700毫米。
如請求項1所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該標示部為一標示帶，該標示帶設置在該內不織布外，該標示帶為不同外觀、不同材質、不同粗細或不同顏色。
如請求項1所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該標示部為一紗線。
如請求項1所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該標示部為設置在該內不織布之一噴印編號。
如請求項1所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中各該光纖次單元整體以連續S-Z方向交替旋轉，該光纖單元具有包覆各該光纖次單元外之一第一外紗線與一第二外紗線，該第一外紗線為正向旋轉方向設置，該第二外紗線為反向旋轉方向設置。
如請求項6所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該光纖單元具有一外不織布，該外不織布包覆該第一外紗線、該第二外紗線與各該光纖次單元。
如請求項7所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該光纖單元具有一第三外紗線，該第三外紗線綑綁該外不織布。
如請求項8所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該第三外紗線為單向旋轉方向設置。
如請求項8所述之具光纖束識別之光纖纜線，其中該外被包覆於該第三外紗線、該外不織布、該第一外紗線、該第二外紗線與各該光纖次單元。
一種疊置式家電設備，包含：<br/> 一第一家電裝置，為一烘衣機並包括一第一機殼及至少一設置於該第一機殼底側的定位腳柱，該定位腳柱具有一腳柱主體，該腳柱主體具有一穿設於該第一機殼的穿伸結構，以及一設置於該穿伸結構底側的卡固底座，該卡固底座的橫向寬度大於該穿伸結構；及<br/> 一第二家電裝置，為一洗衣機並供該第一家電裝置疊置其上，且包括一第二機殼及至少一設置於該第二機殼頂側的基座構造，該基座構造形成一供該卡固底座卡設其中的卡槽，該卡槽具有一形成於該基座構造頂面以供該穿伸結構透出的頂開口，及一形成於該基座構造側面且連通該頂開口而可供該卡固底座通過的側開口。
如請求項1所述之疊置式家電設備，其中，該穿伸結構為具有螺紋的柱狀結構，該卡固底座為連接該穿伸結構底側的截頂錐狀結構；該卡槽的該頂開口的寬度對應於柱狀結構，該卡槽的槽體形狀對應於截頂錐狀結構。
如請求項1所述之疊置式家電設備，其中，該定位腳柱還具有一設置於該卡固底座底側的襯墊；該卡槽供該襯墊設置其中。
如請求項3所述之疊置式家電設備，其中，該襯墊為吸音材質。
如請求項1所述之疊置式家電設備，其中，該第一家電裝置包括多個定位腳柱；該第二家電裝置包括多個分別對應於該等定位腳柱的基座構造，該等基座構造的該等卡槽的該等側開口是朝向後側。
一種一體罩蓋式散熱裝置，包括： <br/>一水冷部件，包含一第一水箱、一第二水箱、連通於該第一水箱與該第二水箱之間的一水冷排構件、以及一泵浦構件，該第一水箱內係具有一第一入水區與一第一出水區，該第二水箱內則具有一第二入水區與一第二出水區，該水冷排構件具有複數流體導管並分別連通該第一入水區與該第二入水區、以及連通該第二出水區與該第一出水區；以及 <br/>一空冷部件，罩設於該水冷部件上，並包含一風扇罩、以及設於該風扇罩內的至少一風扇，且該風扇係對應該水冷排構件； <br/>其中，該泵浦構件係連通該第二水箱外並位於所述風扇的一側，而該風扇罩則朝向該泵浦構件延伸並罩蓋該泵浦構件。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該第一水箱上係設有一入水接頭並連通至該第一入水區、以及設有一出水接頭並連通至該第一出水區。
如請求項２所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該風扇罩上係設有一第一側罩部並對應於該第一水箱上方，且該第一側罩部於對應該入水接頭與該出水接頭處凹設有一讓位凹口。
如請求項３所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該讓位凹口內係配合供一接管座置入，且該接管座上設有二貫孔以分別對應該入水接頭與該出水接頭。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該第一水箱內係設有一第一隔板以區隔該第一入水區與該第一出水區，且該第二水箱內設有一第二隔板以區隔該第二入水區與該第二出水區。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該泵浦構件為單一泵浦並連通於該第二水箱之第二入水區與第二出水區之間。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該泵浦構件係包含一第一水泵、一第二水泵與一連通管件，該第一水泵具有一第一入水口與一第一出水口，而該第二水泵具有一第二出水口與一第二入水口，該第一水泵以該第一入水口連通至該第二入水區內，該第二水泵以該第二出水口連通至該第二出水區內，而該連通管件則連接於該第一水泵之第一出水口與該第二水泵之第二入水口之間。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該泵浦構件為單一泵浦並連通一連通管件，且該連通管件與一管路連通、而該該第二水箱則與另一管路連通，所述二管路係用以入水與出水。
如請求項８所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中一所述管路上係串接有一第三水泵。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該水冷排構件更包含沿著所述流體導管長度方向而設於所述流體導管外的複數迂迴鰭片。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該風扇罩係以一支撐肋沿著該水冷排構件的長度方向設置，且所述風扇為複數並沿著該支撐肋而排列並設置。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該風扇罩係具有二側板，該二側板沿著所述流體導管的長度方向延伸並分別配置於該水冷排構件的二側上方處。
如請求項１所述之一體罩蓋式散熱裝置，其中該風扇罩上係設有一第二側罩部並對應於該第二水箱上方，且該第二側罩部內形成有一包覆空間以包覆於該泵浦構件外。
一種車載摩托車固定支架，包括主體軌道（100），該主體軌道（100）的前端設有固定組件（3），該固定組件（3）之間圍合形成有供摩托車輪嵌入的車輪容納空間；其特徵在於： <br/>該固定組件（3）包括位於該主體軌道（100）兩側的第一固定組件（310）和第二固定組件（320），該主體軌道（100）上還設有調節組件（600），該調節組件（600）用於伸縮調節該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）之間的寬度間距，且該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）的前端部之間活動配合連接，使得該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）之間圍合成的車輪容納空間能夠適配不同規格的摩托車輪。
根據請求項1所述的車載摩托車固定支架，其中該第二固定組件（320）固定安裝在該主體軌道（100）側邊，該調節組件（600）與該第一固定組件（310）連接，並驅動該第一固定組件（310）朝向遠離或靠近該第二固定組件（320）的方向平移移動。
根據請求項2所述的車載摩托車固定支架，其中該調節組件（600）包括動力螺桿（602），該動力螺桿（602）的兩端分別轉動配合安裝在該主體軌道（100）側邊，且該動力螺桿（602）的一端設有操控件（601）以控制該動力螺桿（602）轉動，該動力螺桿（602）另一端與該第一固定組件（310）上設置的安裝板（606）螺紋配合，該動力螺桿（602）通過轉動驅動該第一固定組件（310）的直線位移。
根據請求項3所述的車載摩托車固定支架，其中該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）之間還連接有呈X型鉸接分佈的第一連桿（603）和第二連桿（604），該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）上分別設有兩限位塊（605），各該限位塊（605）內設有滑動槽（608），使該第一連桿（603）和該第二連桿（604）的兩端端部分別能夠在該滑動槽（608）內滑動配合。
根據請求項1所述的車載摩托車固定支架，其中該第一固定組件（310）的前端端部設有連桿部（312），該第二固定組件（320）的前端端部對應設有與該連桿部（312）相適配的配合部（323），該配合部（323）與該連桿部（312）之間設有多個配合鎖緊位（325），能夠根據該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）的寬度變化，選擇不同的各該配合鎖緊位（325）將該配合部（323）與該連桿部（312）鎖緊。
根據請求項1所述的車載摩托車固定支架，其中該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）均分別包括後方的主體部（310R）、（320R）和前方的前桿部（310F）、（320F），各該主體部（310R）、（320R）安裝於該主體軌道（100）側邊，每一該前桿部（310F）、（320F）則可拆卸安裝於每一該主體部（310R）、（320R）上，且各該前桿部（310F）、（320F）和各該主體部（310R）、（320R）之間具有至少一個配合鎖緊位（325），以將各該前桿部（310F）、（320F）與各該主體部（310R）、（320R）固定連接。
根據請求項1至6任一項所述的車載摩托車固定支架，其中還包括後定位件（200），該後定位件（200）鉸接於該主體軌道（100）上，並位於該第一固定組件（310）和該第二固定組件（320）的後方，摩托車輪向前碾壓經過該後定位件（200）並嵌入車輪容納空間時，該後定位件（200）後端能夠彈性翹起從後方支撐摩托車輪。
根據請求項7所述的車載摩托車固定支架，其中該主體軌道（100）上設有一個以上的鉸接安裝位（215）用於配合安裝該後定位件（200），使得該後定位件（200）與前方車輪容納空間之間的前後距離有所不同。
根據請求項1至6任一項所述的車載摩托車固定支架，其中該主體軌道（100）上還設有多個放置支架（500），每一該放置支架（500）上設有綁紮固定位（501）。
根據請求項9所述的車載摩托車固定支架，其中還包括導向軌道（400），每一該放置支架（500）上形成有放置位（502）用於非使用狀態下放置該導向軌道（400），使用狀態下，該導向軌道（400）能夠鉸接於該主體軌道（100）的末端。
一種具有深盲孔的基板，其包括：<br/> 一外層導電層；<br/> 一目標導電層；以及<br/> 一介質層，其設置於所述外層導電層與所述目標導電層之間；<br/> 其中，所述外層導電層具有一銅窗，以於所述基板表面界定一開口，所述開口具有銅窗孔徑；<br/> 其中，所述基板具有一深盲孔，所述深盲孔自所述開口沿孔深方向延伸穿過所述介質層至所述目標導電層；<br/> 其中，所述深盲孔包括沿孔深的方向相連的一第一孔壁區段與一第二孔壁區段，所述第一孔壁區段鄰近所述開口且呈現基本直壁輪廓，而所述第二孔壁區段鄰近所述深盲孔的孔底，且呈現相對於所述第一孔壁區段向內收斂的錐度輪廓，其中所述第一孔壁區段與所述第二孔壁區段於交接處形成一轉折界面。
如請求項1所述之基板，其中，所述銅窗孔徑為300μm至500μm。
如請求項2所述之基板，其中，所述銅窗孔徑為380μm至420μm。
如請求項2所述之基板，其中，所述深盲孔的孔深與所述銅窗孔徑之比值大於1.0。
如請求項1所述之基板，其中，所述第二孔壁區段沿孔深方向呈內收輪廓，且所述第二孔壁區段於所述轉折界面處具有一轉折孔徑，且所述深盲孔的孔底直徑小於所述轉折孔徑。
如請求項1所述之基板，其中，所述第一孔壁區段於鄰近所述開口處的孔壁與所述銅窗的孔壁切齊。
如請求項1所述之基板，其中，所述轉折界面沿孔深方向的轉折高度與所述孔深之比值為0.5%至10%。
如請求項1所述之基板，其中，所述第一孔壁區段具有一第一孔徑變化率，所述第二孔壁區段具第二孔徑變化率，其中，所述第一孔徑變化率不大於3%，並且所述第二孔徑變化率不小於4%；其中，所述第一孔壁區段的孔壁的表面粗糙度小於所述第二孔壁區段的孔壁的表面粗糙度。
如請求項1所述之基板，其中，所述深盲孔之孔壁覆設有一導電鍍層，且所述導電鍍層沿所述第一孔壁區段及所述第二孔壁區段連續延伸至所述孔底，而連接於所述目標導電層。
如請求項1所述之基板，其中，所述深盲孔的孔底直徑與開口直徑之比值不小於0.80。
一種飲料搖搖機夾杯裝置改良，係包含有:<br/> 一垂直桿，該垂直桿係與飲料搖搖機的動力來源連接，可持續的上下擺動；該垂直桿的頂端具一內凹狀的螺孔；<br/> 至少一定位環，該定位環的外環壁係與該垂直桿的底端固接，用以供搖搖杯的底端放入；<br/> 一彈簧，係穿套在該垂直桿的頂端外側，底端係被限制不動；<br/> 一壓板，一端具一穿孔，該壓板的底端固接有一中空狀的套筒，該套筒與該穿孔成同心圓配置；該套筒係穿套在該垂直桿的頂端外側，底端係與該彈簧的頂端觸接；<br/> 一定位座，該定位座的中心具一座孔，底面係內凹有一圈圓形的固定槽，該固定槽內供一具彈性的耐磨圈頂端嵌入，該耐磨圈的底端係外露於該定位座的下方與該壓板的頂端接觸；及<br/> 一螺栓，該螺栓係穿過該座孔、該穿孔後，與該螺孔鎖接，將該定位座定位，並使該耐磨圈與該壓板二者通過該螺栓的迫緊程度而調整二者間的彈性接觸緊密程度。
如請求項1所述的飲料搖搖機夾杯裝置改良，其中該定位座的上方係設置有墊片，該墊片係介於該定位座與該螺栓頭部之間。
一種企業融資專案貸款之線上申請處理系統，設置在一銀行主機伺服器內，包括由電性連接之複數個硬體電路所組成的複數個硬體模組，該些硬體模組包括：<br/> 一貸款申請模組，通訊連接一企業裝置，用以供該企業裝置填寫一貸款申請表單；<br/> 一比對分析模組，通訊連接該貸款申請模組，接收該貸款申請模組傳輸的該貸款申請表單後，與複數個企業專案貸款方案進行比對分析，產生一比對結果；<br/> 一分行媒合模組，通訊連接該貸款申請模組，接收該貸款申請模組傳輸的該貸款申請表單後，根據該貸款申請表單參照各分行之案件量資訊，媒合一最適受理分行；以及<br/> 一建議生成模組，通訊連接該比對分析模組及該分行媒合模組，接收該比對分析模組傳輸的該比對結果及該分行媒合模組傳輸的該最適受理分行後，根據該比對結果及該最適受理分行產生一融資建議書。
如請求項1所述的企業融資專案貸款之線上申請處理系統，其中該貸款申請表單具有複數個特定欄位，該些特定欄位包括企業基本資訊、申貸金額、產業別、營收數據、上市櫃狀態、聯絡與受理偏好資訊或通訊地址。
如請求項2所述的企業融資專案貸款之線上申請處理系統，其中該分行媒合模組係以申貸金額之大小、通訊地址及聯絡與受理偏好資訊作為篩選權重。
如請求項2所述的企業融資專案貸款之線上申請處理系統，其中聯絡與受理偏好資訊包括希望轉寄之分行及方便聯絡時間段。
如請求項 1 所述之企業融資專案貸款之線上申請處理系統，其中該融資建議書包括可適用之貸款方案名稱、基本適用條件、企業戶應提供的各項文件資料或簡要說明。
如請求項 1 所述之企業融資專案貸款之線上申請處理系統，其中該比對分析模組還根據企業財務簡易分類、產業分類、融資適配建議進行量化運算，以產出該適配專案貸款方案之適配性評分。
一種用於軟水控制閥的活塞組件，其包括第一活塞單元和第二活塞單元，所述第一活塞單元包括大徑段和小徑段，所述大徑段的外徑大於所述小徑段的外徑，所述大徑段的外側面形成第一密封面，所述小徑段的外側面形成活塞凹槽，所述第一活塞單元的中部設有第一中孔，所述第二活塞單元的外徑與所述第一活塞單元的所述大徑段的外徑相同，所述第二活塞單元的外側面形成第二密封面，所述第二活塞單元的中部設有第二中孔，所述第一活塞單元的所述小徑段與所述第二活塞單元固定連接，使所述第一中孔與所述第二中孔連接形成中通水路。
如請求項1所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一活塞單元連接有傳動拉桿，所述傳動拉桿沿軸向安裝於所述第一活塞單元的端面處；所述第二活塞單元連接有吸鹽拉桿，所述吸鹽拉桿沿軸向安裝於所述第二活塞單元的端面處。
如請求項1所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一活塞單元的所述大徑段設有孔徑大於所述第一中孔的第一凹槽，所述第一凹槽通過所述第一中孔側壁的通孔與所述第一中孔的內部相連通。
如請求項3所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一凹槽的內壁與所述第一中孔的所述側壁之間設有加強筋。
如請求項1所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第二活塞單元設有孔徑大於所述第二中孔的第二凹槽，所述第二凹槽通過所述第二中孔側壁的通孔與所述第二中孔的內部相連通。
如請求項5所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第二凹槽的內壁與所述第二中孔的所述側壁之間設有加強筋。
如請求項5所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一活塞單元的所述小徑段的端部與所述第二活塞單元的所述第二凹槽的底面固定連接。
如請求項5所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一活塞單元的所述小徑段的所述外側面上設有連接安裝座，所述第二活塞單元的所述第二凹槽的底面上設有連接安裝孔，螺栓穿過所述連接安裝孔安裝至所述連接安裝座中。
如請求項1所述的用於軟水控制閥的活塞組件，其中，所述第一活塞單元與所述第二活塞單元的連接面上設有密封圈。
一種主動式電信與行為複合式風險監控系統，包含：<br/> 一輸入監控模組，用以即時監測一用戶之行動通訊裝置之通訊內容，進行語意辨識，並輸出一語義意圖；<br/> 一人工智慧情境分析模組，接收該語義意圖並與一詐騙模型資料庫進行比對分析，並輸出一詐騙風險值，當該詐騙風險值超過一預設門檻值時，於該行動通訊裝置顯示一警告通知；<br/> 一位置感測啟動模組，當該詐騙風險值超過該預設門檻值時，啟動該行動通訊裝置之一地理位置感測單元，並記錄該行動通訊裝置之移動軌跡；<br/> 一地理圍欄觸發模組，包含一風險地理區域，當該行動通訊裝置之移動軌跡進入該風險地理區域，輸出一高風險信號；及<br/> 一社交信任圈通知模組，包含該用戶之至少一緊急聯絡人，用以接收該高風險信號，並啟動該行動通訊裝置自動聯絡該緊急聯絡人。
如請求項1之一種主動式電信與行為複合式風險監控系統，該輸入監控模組更包含一第一階過濾模組，利用自然語言處理（NLP）分析該語義意圖是否具有可疑意圖，若是，則傳送該語義意圖至該人工智慧情境分析模組；若否，則不傳送該語義意圖至該人工智慧情境分析模組。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該人工智慧情境分析模組包含一生成式預訓練模型（GPT）。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，該地理位置感測單元包含GPS、WiFi定位或蜂巢式網路。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該社交信任圈通知模組包含一遠端控制模組，使該緊急聯絡人得以透過遠端指令觸發該行動通訊裝置執行緊急處置。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中，更包含一用戶行為畫像模組，記錄該用戶之年齡及過往行為資料，並動態地產生一用戶行為風險值；<br/> 該地理圍欄觸發模組更包含一個人化參數，包含該用戶行為風險值及該詐騙風險值在內之數值計算而得，當該個人化參數達到一高標準值，則將該高風險信號包含用戶姓名、用戶之行動通訊裝置移動軌跡地圖、以及由緊急聯絡人遠端控制用戶之行動通訊裝置之授權信號，傳送給緊急聯絡人傳送至該社交信任圈通知模組。
如請求項6之主動式電信與行為複合式風險監控系統，該地理圍欄觸發模組更包含一異常時間參數，用以結合該用戶行為風險值及該詐騙風險值，以計算該個人化參數；當該行動通訊裝置之移動軌跡進入該風險地理區域時，更包含判斷該用戶是否產生異常滯留行為。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該輸入監控模組係採用邊緣運算 (Edge AI) 技術，於該行動通訊裝置端點執行運算。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該風險地理區域包含利用 RFID、Wi-Fi 或蜂巢網路所建立之虛擬邊界。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中，該社交信任圈通知模組更包含一白名單，用以設定該用戶之特定聯絡人，該特定聯絡人之通訊內容不被該輸入監控模組進行辨識。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該高風險信號包含該行動通訊裝置之地理位置座標或地址。
如請求項1之主動式電信與行為複合式風險監控系統，其中該地理圍欄觸發模組更用以將該高風險信號顯示於該行動通訊裝置通知該用戶。
一種伺服器機櫃之避震結構，用以結合在機櫃的底側及機櫃所安置的底座之間，該避震結構包括: <br/> 一彈片，包含一固定段、一支撐段及一彎折段，該彎折段銜接該固定段及該支撐段，該固定段透過一鎖固元件而結合在所述底座上；以及 <br/> 一定位組，包含一定位件及複數螺件，該定位件透過該些螺件結合在所述機櫃的底側。
如請求項1所述之伺服器機櫃之避震結構，其中所述底座設有一讓位槽，該支撐段係對應該讓位槽的位置設置； <br/>該彎折段具有一階梯面，所述底座係靠抵在該階梯面上； <br/>該定位件包含一筒柱及自該筒柱向外延伸的一凸緣，該凸緣貼接所述機櫃並結合有該些螺件。
如請求項1所述之伺服器機櫃之避震結構，其更包括一彈性體，彈性壓掣在該定位件及該支撐段之間。
如請求項3所述之伺服器機櫃之避震結構，其中該彈性體為一壓縮彈簧，該定位件為一套筒。
如請求項3所述之伺服器機櫃之避震結構，其更包括能夠對該彈性體的壓縮量進行調整的一螺桿組，該螺桿組穿設該彈片及該彈性體，並鎖固在該定位件上； <br/>該螺桿組包含一螺桿及一螺母，該螺桿穿過該支撐段及該彈性體，並透過該螺母的鎖固而定位在該支撐段及該定位件之間。
如請求項5所述之伺服器機櫃之避震結構，該支撐段設置有一穿孔，該定位件設置有一螺孔，該螺桿的一端抵掣該穿孔、另一端停抵在該螺孔中； <br/>該支撐段在面向所述機櫃的一側設置有一下凸片，該彈性體的一端套抵該下凸片而定位在該支撐段上；該定位件在遠離所述機櫃的一側設置有一上凸片，該彈性體的另一端套抵該上凸片而定位在該定位件。
如請求項5所述之伺服器機櫃之避震結構，其中該彈性體為一軟膠圈，該軟膠圈呈C形設置，並套固該螺桿。
如請求項6所述之伺服器機櫃之避震結構，其更包含一緩衝膠圈，該底座包含一底板及垂直連接該底板的一側板，該緩衝膠圈係設置在該支撐段及該底板之間，該支撐段在該下凸片的外側間隔設置有一環片，該彈性體係設置在該下凸片及該環片之間。
如請求項1所述之伺服器機櫃之避震結構，其更包含一加強板，該底座包含一底板及垂直連接該底板的一側板，該彈片及該定位組對應設置為複數，該加強板設置在該底板及複數彈片的支撐段之間，並從該底板的一側延伸至相對的另一側。
一種具有伺服器機櫃之避震結構的貨櫃式資料中心，包括: <br/> 一貨櫃； <br/>一機櫃，設置在該貨櫃中；以及 <br/>一如請求項1至9中任一項所述之伺服器機櫃之避震結構，該伺服器機櫃之避震結構設置在該機櫃的底側。
如請求項10所述之具有伺服器機櫃之避震結構的貨櫃式資料中心，其更包括一擋塊，該擋塊設置在該伺服器機櫃之避震結構的底側及該機櫃所安置的一底座之間。
一種生質能發電系統，包含：<br/> 一生質能鍋爐裝置，用以提供一第一高溫流體以及一第二高溫流體；<br/> 一有機朗肯循環裝置，與該生質能鍋爐裝置連接，其包含：<br/> 一第一熱交換器，透過該生質能鍋爐裝置提供的該第一高溫流體加熱該有機朗肯循環裝置的一第一工作流體；<br/> 一膨脹器，連接該第一熱交換器以及一發電機，並供該第一工作流體通過後帶動該發電機發電；以及<br/> 一第二熱交換器，與該膨脹器連接，其接收來自該膨脹器的該第一工作流體，並透過熱交換對該第一工作流體冷凝，且使一低溫流體升溫而形成一第一乾燥流體；<br/> 一第一乾燥裝置，連接該第二熱交換器，並透過該第一乾燥流體對一待乾燥物進行一第一階段加溫乾燥而產生一半乾燥物，其中該第一乾燥裝置為一逆流迴轉式乾燥機，其包含一中空筒體，供該待乾燥物置入，並可導入該第一乾燥流體，且該中空筒體可被驅動而旋轉，其中該中空筒體的一內壁具有一抄板；以及<br/> 一第二乾燥裝置，連接該第一乾燥裝置以及該生質能鍋爐裝置，該第二乾燥裝置接收該半乾燥物，並透過該生質能鍋爐裝置提供的該第二高溫流體對該半乾燥物進行一第二階段加溫乾燥而產生一目標乾燥物，其中該第二乾燥裝置為另一逆流迴轉式乾燥機，其包含一中空筒體，供該半乾燥物置入，並可導入該第二高溫流體，且該中空筒體可被驅動而旋轉，其中該中空筒體的一內壁具有一抄板；<br/> 其中該目標乾燥物用以做為該生質能鍋爐裝置的燃料。
如請求項1所述之生質能發電系統，其中該第一熱交換器為一蒸發器。
如請求項1所述之生質能發電系統，其中該第二熱交換器為一冷凝器。
如請求項1所述之生質能發電系統，其中該待乾燥物為廢菇包介質。
如請求項1所述之生質能發電系統，更包含：<br/> 一引風機，連接該第二熱交換器與該第一乾燥裝置。
如請求項1所述之生質能發電系統，更包含：<br/> 一第三熱交換器，與該生質能鍋爐裝置以及該第二乾燥裝置連接，該第三熱交換器透過該生質能鍋爐裝置提供的該第二高溫流體與一外部流體進行熱交換並產生一第二階段加溫流體，且供該第二乾燥裝置對該半乾燥物進行該第二階段加溫乾燥。
如請求項6所述之生質能發電系統，更包含：<br/> 一引風機，連接該第三熱交換器，並用以將該外部流體導入該第三熱交換器。
如請求項7所述之生質能發電系統，其中該引風機為離心式引風機或軸流式引風機。
如請求項6所述之生質能發電系統，其中該第二階段加溫流體的溫度大於該第一乾燥流體的溫度。
一種包裝設備，其能接收一緩衝包材及一產品，並以該緩衝包材包覆該產品，該包裝設備具有依序設置之一包覆區域、一封邊區域及一封合區域，且該包裝設備包含：一包覆裝置，其係設置於該包覆區域內，所述包覆裝置包含一台座及設置於該台座上方的至少一包覆貼膠機構，該台座包含一升降平台、設於該升降平台相對兩側之二滑移平台以及分別設置於該二滑移平台下方的二定位機構，該升降平台能在與該二滑移平台等高的一起始位置，並承接該緩衝包材及放置該緩衝包材上的該產品一同下降至一下降位置，該二定位機構能運動並推抵定位該緩衝包材及該產品的相對二側面，該二滑移平台能分別朝該升降平台方向水平移動，並將該緩衝包材彎折包覆於該產品的頂側，使所述緩衝包材外覆於產品而構成一包裝半成品，該包覆貼膠機構能在該包裝半成品的緩衝包材於該產品上的一交疊部分黏貼膠帶予以固定；一輸送裝置，其包含一夾持機構及一輸送機構，該夾持機構係設置於該包覆區域與該封邊區域之間，該輸送機構係位於該封邊區域及該封合區域內，該夾持機構能從該包覆區域將所述包裝半成品夾持輸送至該輸送機構上，該輸送機構具有從該封邊區域朝該封合區域延伸之一流向方向，所述包裝半成品能沿著該流向方向輸送；二封邊裝置，該二封邊裝置係沿著該輸送機構的輸送方向依序設置於該封邊區域內，且該二封邊裝置係相互反向設置，每一封邊裝置包含二端部止擋機構、一端部摺邊機構及至少一端部貼膠機構，該二端部止擋機構係分別設置於該輸送機構的相對二側並能分別推抵所述包裝半成品的產品的相對二端，該端部摺邊機構係設置於該輸送機構上方，並能對所述包裝半成品的緩衝包材之其中一端部進行摺邊的動作，該端部貼膠機構係設置於該輸送機構的一側邊，並能於所述包裝半成品的端部之緩衝包材交疊處黏貼膠帶予以固定；以及一封合裝置，其係設置於該封合區域內，該封合裝置包含二端部封合機構及一頂部封合機構，該二端部封合機構係分別設置於該輸送機構的相對二側，且該頂部封合機構係設置於該輸送機構的上方，該二端部封合機構能於所述包裝半成品的相對二端部的緩衝包材交疊處黏貼膠帶以封合所述緩衝包材端部的縫隙，該頂部封合機構能於所述包裝半成品的頂部之緩衝包材交疊處黏貼膠帶以封合所述緩衝包材頂部的縫隙。
如請求項1所述之包裝設備，其中該包覆裝置包含有一位置檢測機構，該位置檢測機構包含三個位置檢測單元，該三個位置檢測單元係分別分布於該二滑移平台的下方，並能用以檢測該二滑移平台及該升降平台承載所述緩衝包材的位置。
如請求項1所述之包裝設備，其中該輸送機構包含一輸送帶及三個流向定位組件，該輸送帶係從該封邊區域朝該封合區域方向延伸，並依序通過該二封邊裝置及該封合裝置，該三個流向定位組件係分別設置於該輸送帶下方，且該三個流向定位組件的位置係分別對應該二封邊裝置及該封合裝置，每一流向定位組件包含二流向定位驅動件及二流向定位板，該二流向定位驅動件係設置於該輸送帶下方，該二流向定位板係分別連接該二流向定位驅動件，該二流向定位驅動件能於所述包裝半成品移動至定位時，驅動該二流向定位板向上移動，使該二流向定位板分別止擋於所述包裝半成品的相對二側。
如請求項2所述之包裝設備，其中該輸送機構包含一輸送帶及三個流向定位組件，該輸送帶係從該封邊區域朝該封合區域方向延伸，並依序通過該二封邊裝置及該封合裝置，該三個流向定位組件係分別設置於該輸送帶下方，且該三個流向定位組件的位置係分別對應該二封邊裝置及該封合裝置，每一流向定位組件包含二流向定位驅動件及二流向定位板，該二流向定位驅動件係設置於該輸送帶下方，該二流向定位板係分別連接該二流向定位驅動件，該二流向定位驅動件能於所述包裝半成品移動至定位時，驅動該二流向定位板向上移動，使該二流向定位板分別止擋於所述包裝半成品的相對二側。
如請求項1至4中任一項所述之包裝設備，其中所述封邊裝置之端部摺邊機構包含一封邊位移模組、二側緣摺邊組件及一頂緣摺邊組件，該二側緣摺邊組件係分別相對地設置於該封邊位移模組上，且每一側緣摺邊組件皆具有一側摺板，該二側緣摺邊組件的側摺板能相向移動，該頂緣摺邊組件係設置於該封邊位移模組，並位於該二側緣摺邊組件的上方，且該頂緣摺邊組件具有能上下移動之至少一頂摺板，該二側緣摺邊組件及該頂緣摺邊組件能被該封邊位移模組帶動於三維空間中移動。
如請求項5所述之包裝設備，其中該端部摺邊機構包含一頂部抵接組件，該頂部抵接組件係設置於該封邊位移模組，並包含一抵接驅動件及一頂部抵接件，該頂部抵接件能被該抵接驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的頂部。
如請求項1至4中任一項所述之包裝設備，其中所述包覆貼膠機構、所述端部貼膠機構、所述端部封合機構以及所述頂部封合機構皆包含一貼膠位移模組及一貼膠組件，該貼膠組件係連接該貼膠位移模組，並能被該貼膠位移模組帶動於三維空間中移動，該貼膠組件包含一膠捲、一黏貼推抵單元、一壓抵單元及一剪切單元，該黏貼推抵單元能夾持並將該膠捲的膠帶貼附於所述緩衝包材表面，該壓抵單元能移動並壓抵貼附於所述緩衝包材表面的膠帶，該剪切單元係設置於該黏貼推抵單元及該壓抵單元之間，並能將所述膠捲的膠帶截斷。
如請求項1至4中任一項所述之包裝設備，其中所述封合裝置包含一頂部推頂組件及二端部推頂組件，該頂部推頂組件係設置於該頂部封合機構，且該頂部推頂組件包含一頂部推頂驅動件及一頂部推頂件，該頂部推頂件能被該頂部推頂驅動件驅動而垂直升降移動並推抵定位該包裝半成品的頂部，該二端部推頂組件係分別設置於該端部封合機構，且每一端部推頂組件包含一端部推頂驅動件及一端部推頂件，該端部推頂件能被該端部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的端部。
如請求項5所述之包裝設備，其中所述封合裝置包含一頂部推頂組件及二端部推頂組件，該頂部推頂組件係設置於該頂部封合機構，且該頂部推頂組件包含一頂部推頂驅動件及一頂部推頂件，該頂部推頂件能被該頂部推頂驅動件驅動而垂直升降移動並推抵定位該包裝半成品的頂部，該二端部推頂組件係分別設置於該端部封合機構，且每一端部推頂組件包含一端部推頂驅動件及一端部推頂件，該端部推頂件能被該端部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的端部。
如請求項6所述之包裝設備，其中所述封合裝置包含一頂部推頂組件及二端部推頂組件，該頂部推頂組件係設置於該頂部封合機構，且該頂部推頂組件包含一頂部推頂驅動件及一頂部推頂件，該頂部推頂件能被該頂部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的頂部，該二端部推頂組件係分別設置於該端部封合機構，且每一端部推頂組件包含一端部推頂驅動件及一端部推頂件，該端部推頂件能被該端部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的端部。
如請求項7所述之包裝設備，其中所述封合裝置包含一頂部推頂組件及二端部推頂組件，該頂部推頂組件係設置於該頂部封合機構，且該頂部推頂組件包含一頂部推頂驅動件及一頂部推頂件，該頂部推頂件能被該頂部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的頂部，該二端部推頂組件係分別設置於該端部封合機構，且每一端部推頂組件包含一端部推頂驅動件及一端部推頂件，該端部推頂件能被該端部推頂驅動件驅動而推抵定位該包裝半成品的端部。